Brevet FR3031416A1 — publié le 20160708

DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne en général les mémoires non volatiles à éléments résistifs. Elle décrit plus particulièrement une cellule mémoire non volatile résistive et son procédé de fabrication. L'invention trouvera son application possiblement dans toutes les applications déjà couvertes par les mémoires non volatiles existantes ; notamment, les mémoires de type Flash. En raison de leur temps d'accès et de leur facilité d'écriture, les mémoires non volatiles à éléments résistifs peuvent aussi remplacer les mémoires traditionnelles statiques ou SRAM, de l'anglais « static random access memory ». L'invention trouvera également son application pour la réalisation de structures mémoires de type neuro-morphique ou pour des mémoires CBRAM pour l'acronyme anglais « Conductive Bridge Ramdom Access Memory » ou encore dans des dispositifs nanoélectroniques basés sur le principe de transitions Métal/lsolant aussi appelés « Mott insulator », tel que par exemple les sélecteurs de Mott, les transistors de Mott, les dispositifs incluant des transitions de Mott photo-induites. ETAT DE LA TECHNIQUE Les mémoires à éléments résistifs utilisent un matériau qui peut basculer réversiblement entre au moins deux états stables présentant des résistances électriques différentes. Les mémoires résistives sont globalement désignées sous le nom de RRAM, acronyme de l'anglais « resistive random access memory », c'est-à-dire : « mémoire résistive à accès aléatoire ». Parmi les différents types de mémoires résistives existantes celles dont le matériau de base est un diélectrique, normalement isolant, sont plus particulièrement considérées. Ces mémoires désignées par le terme OxRAM utilisent des oxydes métalliques (Ox) comme matériau diélectrique dont la résistance peut être contrôlée d'une manière réversible. Ces mémoires mettent en oeuvre un mode de fonctionnement dans lequel au moins un filament conducteur peut être formé entre deux électrodes séparées par l'oxyde après application d'une tension suffisamment importante entre celles-ci. Une fois que le filament a été formé, un état à faible résistance, généralement qualifié de LRS, de l'anglais « low resistance state », est obtenu. Cet état peut être inversé par une opération dite de « RESET », afin de mettre la mémoire dans un second état à forte résistance ou HRS de l'anglais « high resistance state », opération au cours de laquelle le ou les filaments sont rompus. Une fois que le filament a été formé une première fois une opération dite de « SET » peut remettre à nouveau la mémoire dans un état à faible résistance ou LRS en reformant au moins un filament. On connait de In situ observation of filamentaty conducting channels in an asymmetric Ta205-xiTa02-x bila yer structure Gyeong-Su Park, Nature Communications 4, (2013) 2382, un empilement MIM dont la couche mémoire est composée d'un oxyde métallique à base de Tantale, en monocouche ou en bicouche Ta0x/Ta205. Le film de Ta0x, sous-stoechiométrique en oxygène et réservoir de lacunes, fournit les lacunes nécessaires à la formation du filament conducteur dans le Ta205 permettant de moduler la résistance de ce dernier. Ces structures de mémoires non volatiles résistives ont un réservoir de lacunes d'oxygène localisé au contact des électrodes. Ceci impose d'utiliser des électrodes insensibles aux mouvements d'oxygène/lacunes notamment par des électrodes en matériaux nobles. Or, l'utilisation d'électrodes à caractère noble limite fortement l'utilisation d'un tel empilement dans une intégration au standard de la microélectronique où seulement un certain nombre de métaux, n'incluant pas les métaux nobles, ont montrés leurs immunités vis-vis du fonctionnement d'un transistor. En outre, un contact entre un réservoir de lacunes d'oxygène et une électrode non noble peut induire une variation de la quantité d'oxygène dans le réservoir de lacunes d'oxygène en fonction du temps ou au cours du cyclage de la cellule mémoire pouvant résulter en une augmentation de la variabilité d'un dispositif à l'autre. Il existe donc le besoin de proposer une cellule mémoire qui présente une fiabilité en termes de cyclage et de rétention en fonction temps. RÉSUMÉ DE L'INVENTION La présente invention propose à cet effet une cellule mémoire non volatile résistive comprenant un empilement de type Métal-Isolant-Métal avec une électrode inférieure et une électrode supérieure et dans lequel l'isolant est un multicouche comprenant une couche d'oxyde métallique stoechiométrique et une couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique formant une couche de réservoir de lacunes d'oxygène et dans lequel la couche métallique formant l'électrode supérieure comprend une couche d'oxyde métallique stoechiométrique en dessous de ladite couche métallique. Cette disposition permet de placer la couche de réservoir de lacunes d'oxygène entre deux couches d'oxyde métallique stoechiométrique supprimant le contact entre ladite couche de réservoir de lacunes et les électrodes. De cette manière la quantité de lacunes d'oxygène dans le réservoir est stable au cours du temps et du cyclage de la mémoire. Avantageusement, la sélection des matériaux pour les électrodes s'étendent en dehors des métaux nobles ce qui permet une intégration de la cellule mémoire selon l'invention au standard de la microélectronique dans un transistor. Avantageusement, les électrodes sont des métaux non nobles. Avantageusement, les métaux Ml de l'électrode inférieure, M2 de l'isolant multicouche et M3 de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique sont choisis de sorte à ce que le métal M3 réduise l'oxyde métallique stoechiométrique 12 de l'isolant mais pas un oxyde métallique stoechiométrique 11 potentiellement présent à la surface de la couche métallique formant l'électrode inférieure. Avantageusement, l'enthalpie libre de formation DG3 de l'oxyde métallique stoechiométrique 13 par oxydation d'un métal M3 est supérieure en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG2 de l'oxyde métallique stoechiométrique 12 par oxydation d'un métal M2. Avantageusement, l'enthalpie libre de formation DG 1 de l'oxyde métallique stoechiométrique 11 par oxydation d'un métal Ml est supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG3 de l'oxyde métallique stoechiométrique 13 par oxydation d'un métal M3. Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant les étapes successives suivantes de dépôt d'une couche métallique Ml pour former l' électrode inférieure, de dépôt d'une couche d'oxyde métallique 12, de dépôt d'une couche métallique M3, de réaction de la couche métallique M3 avec l'oxyde métallique stoechiométrique 12 formant un oxyde sous stoechiométrique 12p et un oxyde métallique 13, de dépôt d'une couche métallique M4. Selon un autre aspect, l'invention concerne un dispositif microélectronique caractérisé en ce qu'il comprend une cellule mémoire telle que décrite ci-dessus. Avantageusement, le dispositif comprend une cavité dans laquelle est au moins partiellement agencée la cellule mémoire. Cette disposition permet par effet de confinement de s'affranchir de l'impact de l'oxygène exogène apporté par les étapes successives lors de la fabrication d'un tel dispositif et notamment lors du dépôt d'oxyde d'interconnexion. Cela permet d'envisager de localiser le filament dans une région bien définie et préférentiellement centrée de l'empilement ce qui entraine une réduction du potentiel de formation du filament Vf par constriction des lignes de courant traversant l'empilement. Cette intégration permet aussi une réduction de la variabilité de l'état passant du dispositif. Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif tel que décrit ci-dessus comprenant les étapes successives suivantes : - Dépôt conforme d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 dans la cavité, - Dépôt d'une couche métallique M3 dans la cavité, - Réaction de la couche métallique M3 avec l'oxyde métallique stoechiométrique 12 formant un oxyde sous stoechiométrique 12p et un oxyde métallique stoechiométrique 13, - Dépôt d'au moins une couche métallique M4 dans la cavité. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les figures d'accompagnement dans lesquelles : Figure 1 : Schéma d'une cellule mémoire selon l'invention. Figure 2 : Courbe illustrant le profil en oxygène dans chacune des couches de l'empilement d'une cellule mémoire selon l'invention. Figures 3 à 9 : représentent une cellule mémoire selon l'invention agencée au moins partiellement dans une cavité d'un dispositif microélectronique. Figure 3: représente la cellule mémoire selon un premier mode de réalisation partiellement agencée dans la cavité avant la réaction de la couche métallique M3 sur la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12. Figure 4 : représente la cellule mémoire de la figure 3, la couche métallique M3 ayant réagi sur la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 pour former la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 et la couche d"oxyde métallique sous stoechiométrique 12p. Figure 5 : représente la cellule mémoire de la figure 4 lors de la formation du filament et des lignes de courant. Figures 6 et 7: représentent la cellule mémoire partiellement agencée dans une cavité selon un deuxième mode de réalisation avant et après réaction de la couche métallique M3 sur la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12. Figures 8 et 9 : représentent la cellule mémoire selon un troisième mode de réalisation où l'élément mémoire est entièrement agencé dans une cavité d'un dispositif microélectronique. Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les épaisseurs relatives des différentes couches et films ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement. On rappelle tout d'abord que l'invention porte sur une cellule mémoire non volatile résistive comprenant un empilement comprenant deux électrodes et un isolant multi-couche, placé entre lesdites deux électrodes, comprenant une couche d'oxyde permettant une transition résistive et une couche de réservoir de lacunes d'oxygène caractérisée en ce que l'empilement comprend de bas en haut : - une électrode inférieure comprenant une couche métallique Ml, - un isolant comprenant une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 et une couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p formant ladite couche de réservoir de lacunes d'oxygène - une électrode supérieure comprenant une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 et une couche métallique M4, de sorte que la couche de réservoir de lacunes d'oxygène est intercalée entre deux couches d'oxydes métalliques stoechiométriques 12 et 13. Avantageusement, des métaux M2 et M3 respectivement pour former l'isolant 12 et 12p et pour former la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 sont choisis de sorte que l'enthalpie libre de formation DG3 de l'oxyde métallique stoechiométrique 13 par oxydation du métal M3 est supérieure en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG2 de l'oxyde métallique stoechiométrique 12 par oxydation du métal M2. Avantageusement, l'électrode inférieure comprend au-dessus de la couche métallique Ml, une couche 11 d'oxyde métallique de M1. Avantageusement, les métaux M1et M3 sont choisis de sorte que l'enthalpie libre de formation DG1 de l'oxyde 11 par oxydation d'un métal M1 est supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG3 de l'oxyde 13 par oxydation d'un métal M3. Avantageusement, le métal M1 est choisi de sorte que l'enthalpie libre de formation DG1 de l'oxyde 11 par oxydation d'un métal M1 est supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG de la réaction 2Cu + 02 -> 2CuO. Avantageusement, les métaux Ml et M4 sont choisis parmi un métal non-noble autre que Pd, Ag, Ir, Pt, Au, ou un métal pure ou un alliage métallique binaire ou ternaire, ou un alliage à base de nitrure ou de carbure ou de siliciure ou d'oxyde métallique conducteur. Avantageusement, les métaux Ml et M4 sont choisis parmi TiN, TaN, TiAIN, TaAIN. Avantageusement, l'électrode inférieure et l'électrode supérieure sont symétriques dans l'empilement. Avantageusement, la couche 11 d'oxyde métallique stoechiométrique de Ml est choisie parmi TiO2 ou TiON ou A1203. Avantageusement, la couche d'oxyde stoechiométrique 12 est formée à partir d'un métal M2 choisi parmi des colonnes III, IV, V, du tableau périodique, ou Al ou Si, ou des lanthanides. Avantageusement, la couche d'oxyde stoechiométrique 12 est choisie parmi Hf02, Zr02, Ti02, A1203, Ta205, Nb205, V205, La204, Gd203, Lu203, HfSiO, HfZrO, STO. Avantageusement, la couche d'oxyde stoechiométrique 12 d'un métal M2 présente une épaisseur de 1 à 50nm. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique 13 est formée à partir d'un métal M3 choisi parmi, un métal pur ou un alliage métallique binaire ou ternaire. Avantageusement, le métal M3 est choisi parmi Si, Ti, Zr, Hf, Al, Ta, Nb, V, et les alliages en mélange de ces éléments, par exemple TiAl, TaAl. Avantageusement, l'empilement comprend de bas en haut : Ti N/Ti02/Ta205/Ta0x/Ti02/Ti N, ou Ti N/Ti02/Ta205/Ta0x/N b205/Ti N, ou TiN/TiO2N205/V0x/Nb205/TiN, ou TiN/TiO2N205/V0x/Ta205/TiN Un autre objet de l'invention est un procédé de fabrication d'une cellule mémoire telle que décrites précédemment comprenant les étapes successives suivantes : - Dépôt d'une couche métallique Ml pour former l'électrode inférieure, - Dépôt d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, - Dépôt d'une couche métallique M3, - Réaction de la couche métallique M3 avec l'oxyde métallique 12 formant un oxyde sous stoechiométrique 12p et un oxyde métallique stoechiométrique 13, - Dépôt d'une couche métallique M4. Avantageusement, le dépôt de la couche métallique M3 est réalisé par dépôt flash en phase vapeur. Avantageusement, la couche métallique M3 est déposée sur une épaisseur de 0,1 à 2nm. Avantageusement, la couche d'oxyde 12 métallique stoechiométrique est déposée par voie chimique. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est traitée au plasma ou par nitruration plasma. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est implantée d'aluminium. Un autre objet de l'invention est un dispositif microélectronique caractérisé en ce qu'il comprend une cellule mémoire telle que décrite ci-dessus. Avantageusement, le dispositif comprend une cavité dans laquelle est au moins partiellement agencée la cellule mémoire. Avantageusement, l'électrode inférieure de la cellule mémoire est agencée en dessous et en dehors de la cavité. Avantageusement, l'électrode inférieure de la cellule mémoire est agencée dans la cavité. Avantageusement, le dispositif comprend une pluralité de niveau d'interconnexion et une pluralité de plug de connexion entre les niveaux, chaque plug comprenant une cavité dans laquelle est au moins partiellement agencée une cellule mémoire telle que décrite ci-dessus. Un autre objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un dispositif tel que décrit ci-dessus comprenant les étapes successives suivantes : - Dépôt conforme d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 dans la cavité, - Dépôt d'une couche métallique M3 dans la cavité, - Réaction de la couche métallique M3 avec l'oxyde métallique stoechiométrique 12 formant un oxyde sous stoechiométrique 12p et un oxyde métallique stoechiométrique 13, - Dépôt d'au moins une couche métallique M4 dans la cavité. Avantageusement, le procédé comprend le dépôt conforme d'une couche métallique Ml dans la cavité pour former l'électrode inférieure avant le dépôt de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12. Avantageusement, le procédé comprend le dépôt d'une couche métallique M5 pour boucher la cavité. Avantageusement, le dépôt de la couche métallique M3 est réalisé par dépôt flash en phase vapeur. Avantageusement, la couche métallique M3 est déposée sur une épaisseur de 0,1 à 2nm. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est déposée par voie chimique. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est traitée au plasma ou par nitruration plasma. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est implantée d'aluminium. On notera que les caractéristiques relatives énoncées ci-dessus, notamment celles relatives à l'empilement de la cellule mémoire et à l'agencement de la cellule mémoire dans la cavité, bien qu'oauvrant avantageusement en synergie lorsqu'elles sont combinées, peuvent être exploitées indépendamment les unes des autres et conférer néanmoins alors certains avantages techniques. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par une autre couche ou un autre élément. On entend les termes « couche » et « film » comme des synonymes. On entend par « couche mince », une couche dont l'épaisseur varie de quelques couches atomiques à quelques micromètres. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS...) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS...) La cellule mémoire selon l'invention est un empilement de couches de type Métal-Isolant-Métal (MIM) plus spécifiquement de type Métal-Oxyde-Métal (MOM). La cellule mémoire est une mémoire non volatile à changement de résistance. Les mémoires résistives (RRAM pour Resistive Random Access Memory) reposent sur le changement de résistance d'un matériau actif, plus précisément dans la sous-catégorie des OxRRAM (Oxyde RRAM) le matériau actif est un oxyde formant un isolant 2. Les deux couches métalliques de part et d'autres de l'isolant 2 sont des électrodes 1, 3. L'empilement selon un mode de réalisation préféré de l'invention est représenté à la figure 1. L'empilement comprend de bas en haut : une couche métallique Ml, éventuellement une couche d'oxyde métallique 11, une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, une couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p, une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 et une couche métallique M4. Une électrode inférieure 1 également appelée « bottom electrode » en anglais comprend la couche métallique Ml et par-dessus potentiellement une couche d'oxyde métallique 11. La couche métallique Ml est formée par un métal non noble. On entend par noble, un métal qui ne s'oxyde pas spontanément à l'air. Selon l'invention, les métaux nobles s'entendent de l'argent (Ag), de l'Iridium (Ir), du Platine (Pt), de l'or (Au) et du palladium (Pd). La couche métallique M1 peut-être un métal pure ou un alliage métallique binaire ou ternaire tel que par exemple TiAl, TaAl, TiAIN, TaAIN ou bien encore ou un alliage à base de nitrure, ou de carbure, ou de siliciure, ou d'oxyde métallique conducteur, préférentiellement TiN, TaN. L'oxyde métallique 11 est un oxyde qui peut se former lors du procédé de fabrication de la cellule mémoire. Le métal de la couche métallique Ml peut être oxydé par l'air en contact, ou bien par un oxyde métallique stoechiométrique 12 décrit ci-après. Selon une autre possibilité, la couche métallique M1 peut aussi être intentionnellement oxydée pour former l'oxyde métallique 11. Selon encore une autre possibilité, l'oxyde métallique 11 est déposé, par exemple pour former un sélecteur ou une diode résistance non-linéaire. .A titre d'exemple l'oxyde métallique 11 est du TiO2 ou du TiON. Un isolant 2 comprend avantageusement au moins deux couches de matériaux également appelé un multicouche, l'isolant 2 est préférentiellement une bi-couche. La bi-couche comprend une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 et une couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p. Le terme stoechiométrique s'entend comme la proportion des éléments dans une formule brute. Une couche sous stoechiométrique selon l'invention présente une proportion d'oxygène inférieure à la proportion stoechiométrique du composé. L'oxyde métallique stoechiométrique 12 constitue la couche active présentant une variation résistive en fonction d'une tension appliquée. L'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p constitue quant à lui une couche réservoir de lacunes d'oxygènes. Cette couche est un oxyde présentant une quantité d'oxygène moindre que l'oxyde stoechiométrique. Ce défaut d'oxygène est défini comme des lacunes en oxygène. Plus un matériau présente des lacunes d'oxygène, plus il est conducteur. Cette couche 12p de réserve de lacunes d'oxygène permet de faciliter les variations de résistivité de la couche d'oxyde 12. En effet, les deux couches 12 et 12p interagissent lors des phases de SET et de RESET de sorte permettre la formation des filaments conducteurs entre les deux électrodes 1 et 3. La couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est avantageusement une couche mince. L'oxyde métallique stoechiométrique 12 est un oxyde stoechiométrique métallique. Cet oxyde 12 est choisi parmi des colonnes III, IV, V, du tableau périodique, ou Aluminium (AI) ou Silicium (Si), ou un lanthanide, à titre d'exemple Hf02, Zr02, Ti02, A1203, Ta205, Nb205, La204, Gd203, Lu203, ou des composés ternaires HfSiO, HfZrO, STO. L'oxyde métallique stoechiométrique 12 est préférentiellement du Ta205. Préférentiellement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est déposée par voie chimique. Avantageusement son épaisseur est comprise entre mm et 50nm. Selon une possibilité, l'oxyde métallique stoechiométrique 12 est traité au plasma. Ce type de traitement permet de moduler l'épaisseur finale L et/ou le profil de déplétion en oxygène de la couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p. A titre d'exemple, des traitements de type nitruration plasma (plasma Radio-fréquence ou Micro-onde N2) à l'azote ou nitruration sous atmosphère réductrice typiquement en atmosphère hydrogénée N2+ H2. Selon une autre possibilité, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est traitée par implantation. L'implantation peut être faite directement dans la couche 12 ou bien à travers la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 et la couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p. Ce traitement par implantation permet de favoriser la formation de filaments conducteurs entre l'électrode inférieure 1 et l'électrode supérieure 3 de l'empilement de la cellule mémoire. A titre d'exemple, une implantation d'aluminium peut être réalisée. L'oxyde métallique 12p est un oxyde sous stoechiométrique. Cet oxyde 12p n'est pas volontairement déposé mais est issu d'une réaction avec un métal M3 déposé au-dessus de l'oxyde métallique stoechiométrique 12. Le métal M3 est préférentiellement un métal pur ou un alliage métallique binaire ou ternaire, par exemple, TiAl, TaAl, préférentiellement du Titane (Ti) pur. Selon un mode de réalisation préféré, le métal M3 est déposé par dépôt flash en phase vapeur (flash PVD en anglais). Le terme de « flash » correspond au contrôle sur un temps très court, avantageusement de l'ordre de la seconde, du dépôt d'un film de quelques Angstroam. Préférentiellement, la couche métallique M3 déposée est d'une épaisseur de 0, lnm à 2nm. Le contrôle de ce temps permet très avantageusement de déposer très précisément la quantité de métal M3 voulue afin de pouvoir moduler la profondeur de déplétion en oxygène dans la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 et l'épaisseur finale L de la couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p. Le temps de flash va permettre de définir l'épaisseur finale de l'oxyde métallique stoechiométrique 13. Le type de dépôt du métal M3 influence la résistivité globale de la cellule mémoire. Selon un mode de réalisation, le dépôt flash permet de former des ilots localisés, appelés aussi dots, nanodots ou nanocristaux, permettant de réduire localement la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, et ainsi permettre de localiser les filaments conducteurs 4 dans la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12. Le métal M3 déposé n'est plus présent sous forme de métal dans la cellule mémoire finalisée. Le métal M3 est configuré pour réagir avec la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12. Cette réaction conduit à une réduction partielle de l'oxyde métallique stoechiométrique 12 en un oxyde métallique sous stoechiométrique 12p et à l'oxydation du métal M3 en une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13. A titre d'exemple préféré, le métal M3 est du titane pur qui réagit avec l'oxyde métallique stoechiométrique 12,Ta205, pour former l'oxyde métallique stoechiométrique 13, Ti02, et l'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p, Ta02. Cette réaction peut selon une possibilité être activée thermiquement. Avantageusement, la réduction de l'oxyde 12 par le métal M3 est possible si l'enthalpie libre de formation (DG3) de la réaction M3+02->13 est supérieure en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation (DG2) de la réaction M2+02->12.Ceci peut se résumer par I DG3 I > I DG2 I . Un abaque d'Elligham peut typiquement être utilisé afin de prévoir le sens des réactions. La quantité de métal M3 déposée est très faible au regard de l'épaisseur de 12 de sorte à ne pas consommer l'intégralité de oxyde métallique stoechiométrique 12 sans pouvoir obtenir le profil de déplétion d'oxygène visé dans l'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p. Selon un mode de réalisation le métal M3 réduit la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, mais pas une couche d'oxyde 11 possiblement présent à la surface de la couche métallique Ml. De ce fait il est avantageux que l'enthalpie libre de formation (DG 1) de la réaction M 1+ 02 -> 11 soit supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre (DG3) de formation de la réaction M3+02->13 c'est-à-dire I DG 1 I DG3 I ou I DG 1 I DG(2Cu + 02-> 2CuO) I c'est-à-dire l'enthalpie libre de formation DG 1 de l'oxyde 11 par oxydation d'un métal M1 est supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG de la réaction 2Cu+02->2CuO. Une électrode supérieure 3 également appelée « top electrode » en anglais comprend la couche métallique M4 et une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13. La couche d'oxyde métallique 13 forme une couche isolant permettant d'isoler la couche métallique M4 formant partiellement l'électrode supérieure 3 de la couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p constituant la couche de réservoir de lacunes d'oxygène. La présence de cette couche isolante 13 permet de s'affranchir d'électrodes nobles ne risquant pas d'être oxydées. La couche métallique M4 est formée par un métal non noble. On entend par noble, un métal qui ne s'oxyde pas spontanément à l'air. Selon l'invention, les métaux nobles s'entendent de l'argent (Ag), de l'Iridium (Ir), du Platine (Pt), de l'or (Au) et du palladium (Pd). La couche métallique M4 peut être un métal pur ou un alliage métallique binaire ou ternaire tel que par exemple TiN, TaN, TiAIN, TaAIN ou bien encore ou un alliage à base de nitrure, ou de carbure, ou de siliciure, ou d'oxyde métallique conducteur, préférentiellement TiN, TaN. Selon un mode de réalisation préférée, l'électrode inférieure 1 et l'électrode supérieure 3 sont symétriques. On entend par symétrique que les deux électrodes 1 et 3 sont de même épaisseurs, de même propriétés, de même matériaux. Selon un exemple préféré, l'empilement de la cellule mémoire se compose de TiN/Ti02/Ta205/Ta0x/Ti02/TiN, ou TiN/Ti02/Ta205/Ta0x/Nb205/TiN, ou TiN/TiO2A/205/V0x/Nb205/TiN, ou TiN/Ti02/V205/V0x/Ta205/TiN Selon l'invention, un profil en oxygène tel qu'illustré en figure 2 est particulièrement recherché. On peut voir sur cette figure que la couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p présente une déplétion en oxygène par rapport aux autres couches d'oxyde métallique stoechiométrique 11, 12 et 13 de l'empilement. On note 1_12p l'épaisseur de l'oxyde métallique stoechiométrique 12, et petit 112p l'épaisseur du profil de déplétion. Le profil de déplétion est caractérisé par 112 La réaction entre la couche métallique M3 et l'oxyde métallique stoechiométrique 12 est avantageusement contrôlée par le choix des métaux Ml, M2 et M3. Avantageusement, l'enthalpie libre de formation (DG3) de la réaction M3+02->13 est supérieure en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation (DG2) de la réaction M2+02->12. Il est avantageux que l'enthalpie libre de formation (DG1) de la réaction M1+ 02 -> 11 soit supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre (DG3) de formation de la réaction M3+02->13. Avantageusement, la couche métallique M3 réduit la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, mais pas une couche d'oxyde stoechiométrique 11 possiblement présent à la surface de la couche métallique Ml. Une cellule mémoire selon l'invention peut être intégrée dans divers dispositif microélectronique allant de dispositifs de stockage de données portables à des structures mémoires neuro-morphiques. L'intégration des films actifs d'une cellule mémoire selon l'invention telle que décrite ci-dessus, se fait actuellement dans les lignes Back-End des dispositifs microélectroniques utilisant des cellules mémoires, à un niveau métal Mi, l'indice i étant un entier qui représente le nombre de niveaux d'interconnexion dans un dispositif. Ces films sont déposés en planaire à la surface d'un plug. Ensuite, une étape de gravure permet de définir la taille finale de la cellule mémoire. Enfin, un nouveau plug est créé à l'étage supérieur (Mi+1) et vient connecter l'électrode supérieure de la cellule mémoire. La formation d'un plug requiert, le dépôt d'un oxyde à basse température, la gravure d'un trou aligné sur l'électrode supérieure, puis le dépôt dans ce trou d'un métal de contact, typiquement TiN/VV ou Ta/TaN/Cu. Le dépôt de l'oxyde basse température amène de l'oxygène exogène en contact de la cellule mémoire et engendre une détérioration des propriétés de la cellule. On connait du document US2014/0197368 la possibilité de limiter l'impact de l'oxygène exogène amené par l'étape de dépôt de l'oxyde basse température, en déposant un film conforme de SiN par voie CVD après la gravure de l'élément mémoire déposé en planaire Ce film permet de « sceller » les flancs de la cellule mémoire. Ce type de capping à l'oxygène avec SiN est très utilisé pour les transistors CMOS. Toutefois, avec la réduction de taille des dispositifs, ce film de SiN subit aussi une réduction d'épaisseur afin de suivre la géométrie globale des dispositifs. Par exemple dans les lignes des niveaux Mi, l'épaisseur du niveau représente environ 2 à 3 fois la largeur du plug. Ceci afin de respecter un aspect ratio raisonnable pour les plugs afin d'assurer un remplissage optimal des plugs en voie chimique CVD. L'épaisseur minimum du film de SiN proposé dans ce document est de 20nm. Dans le cas où l'élément mémoire présente une taille de l'ordre ou inférieur à 40nm, on s'aperçoit qu'un film de 20nm représente environ 1/3 de la hauteur du niveau Mi. Or, en-dessous d'une certaine épaisseur de SiN d'environ 20nm, le procédé de dépôt plasma de Si02 impacte les films sous-jacents. Effectivement, le plasma de traitement utilisé in-situ au cours du dépôt de l'isolant inter-plugs est physiquement pénétrant et des espèces de type 0* peuvent passer au travers du film de protection en SiN. Il existe donc le besoin de proposer une technologie qui permet de limiter l'impact de l'oxygène exogène amené par l'étape de dépôt de l'oxyde basse température lors de la formation d'un plug. Selon un autre aspect de l'invention, la cellule mémoire telle que décrite ci- dessus peut être agencée au moins partiellement dans une cavité 6 aussi dénommée « via ». Avantageusement, l'invention trouvera également son application pour des dispositifs micro-électroniques et nanoélectroniques comprenant une pluralité de niveaux d'interconnexion et une pluralité de plugs de connexion entre les niveaux. Chaque plug comprend une cavité 6. Selon l'invention, la cavité 6 possède une largeur 8 d'ouverture inférieure à 180nm, préférentiellement égale ou inférieure à 65 nm. La cavité 6 est formée dans de l'oxyde de 5i02 déposé par voie chimique pour former un plug d'interconnexion débouchant sur une ligne de connexion 7 de niveau inférieure Mi-1. Selon un premier mode de réalisation illustré aux figures 3 à 7, l'empilement de la cellule mémoire est partiellement agencé dans la cavité 6. La ligne de connexion 7 du niveau inférieur Mi-1 forme la couche métallique M1 et éventuellement sa couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11. Cela est possible lorsque la ligne de connexion 7 est en Al, Ta, TaN ou TiN. La couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11 est alors en A1203, Ti02, TiON, Ta205, Ta0N. La couche métallique M1 de l'électrode inférieure 1 et éventuellement la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11 sont disposées en dehors et sous la cavité. On entend par dessous que la couche métallique M1 est présente avant la formation de la cavité, et on entend par en dehors, que la couche métallique M1 est d'une longueur plus importante que la largeur de la cavité 6. La cavité 6 comprend de bas en haut, l'isolant 2 comprenant la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 et la couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p formant ladite couche de réservoir de lacunes d'oxygène puis la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 et la couche métallique M4. Selon cet empilement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11 est avantageusement présente pour maintenir la couche d'oxyde métallique sous-stoechiométrie 12p en contact de couches d'oxyde métallique stoechiométrique 11, 12 et 13. Selon un deuxième mode de réalisation illustré aux figures 8 et 9, l'empilement de la cellule mémoire est entièrement agencé dans la cavité 6. La ligne de connexion 7 du niveau inférieur Mi-1 ne forme pas la couche métallique Ml. Cela est le cas notamment lorsque la ligne de connexion 7 est en un matériau non adapté aux propriétés nécessaires pour former une électrode inférieure 1. La couche métallique Ml de l'électrode inférieure 1 et éventuellement la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11 sont disposées dans la cavité 6. Dans cette réalisation, on note que l'isolant 2 formé au moins par la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 conforme garantit l'isolation électrique entre les couches métalliques Ml et M4. La couche métallique Ml joue alors le rôle de barrière destinée à limiter la diffusion du matériau de la ligne de connexion 7 dans la cellule mémoire. Le procédé de fabrication d'une cellule mémoire comprend les étapes décrites ci-après. La formation d'une cavité 6 débouchant sur une ligne de connexion 7 de niveau inférieur Mi-1. Eventuellement, le dépôt conforme d'une couche métallique M1 dans la cavité 6. Eventuellement, le dépôt conforme ou la formation d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11 au contact de la couche métallique Ml. Le dépôt conforme d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12. Avantageusement, le dépôt de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est effectué par dépôt chimique en phase vapeur (acronyme CVD). On entend par dépôt conforme que le dépôt est effectué en fond et sur les parois de la cavité 6. Le dépôt d'une couche de métal M3 en fond de cavité, préférentiellement déposée par dépôt flash physique en phase vapeur (acronyme PVD), par exemple en flash Ti, Al, Zr, Hf, Si, Ta, Nb, V. Le procédé comprend une étape de bouchage de la cavité 6. Au moins une couche métallique M4 est déposée dans la cavité 6. La couche métallique M4 est avantageusement imperméable à l'oxygène tel que par exemple Co, Ni, Cu. Les dépôts des couches métalliques M1 et M4 sont avantageusement réalisés comme pour l'empilement illustré en figure 1. La réaction de la couche métallique M3 sur l'oxyde métallique stoechiométrique 12 résulte en la formation de l'oxyde sous-stoechiométrique 12p localisé autour, plus précisément à proximité immédiate, de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13. Cette réaction peut être assistée par recuit typiquement aligné sur le recuit du Back End à environ 400°C. Dans cette réalisation, la couche sensible à l'oxygène exogène 12p se retrouve enterrée en fond de cavité 6, protégée de l'oxydation par des couches isolantes : l'oxyde métallique stoechiométrique 12 résiduel (i.e. n'ayant pas réagi) et l'oxyde métallique stoechiométrique 13 et la couche métallique M4. Selon l'invention, le procédé comprend une étape de dé-contact des plugs d'un même niveau comprenant un polissage mécano-chimique (acronyme CMP). Lors du dépôt des couches d'oxyde métallique stoechiométrique 12 et métallique M4, de la matière reste potentiellement en dehors de la cavité 6. Cette matière peut entrainer une conduction entre les différentes cavités 6 du niveau dans le dispositif. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 présente une largeur L comprise entre 2 et 20 nm. Cette largeur L s'entend comme la dimension séparant les parois de la cavité 6 de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13. Avantageusement, la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 présente une largeur 1 comprise entre 10 et 40 nm, préférentiellement 25nm. Par exemple, pour une cavité de 45nm, largeur L de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est de 10nm et largeur 1 de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 est de 25nm. Cette disposition d'empilement permet de de confiner/localiser le filament de lacunes sous la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 de largeur I. De plus, les lignes de courant sont localisées dans une zone limitée augmentant l'échauffement local. Cette constriction des lignes de courant permet de réduire le potentiel de formation du filament Vf. Le potentiel de formation Vf est avantageusement inférieur à 3V et préférentiellement de l'ordre de 2V autorisant ainsi l'intégration de la cellule mémoire selon l'invention dans des dispositifs CMOS. L'invention présente également l'avantage de réduire la variabilité de l'état passant, Ron, de la cellule mémoire. Selon une autre possibilité, le bouchage de la cavité peut être réalisé par l'empilement de plusieurs couches. Tel qu'illustré en figures 6 à 9, deux couches métalliques M4 et M5 sont déposées dans la cavité 6 pour la boucher. La couche métallique M4 pouvant être du TiN ou TaN . La couche métallique M5 est un métal imperméable à l'oxygène tel que du Cobalt, du Nickel ou du Cuivre. Dans cette disposition, le procédé de fabrication comprend une étape de déconnection des couches métalliques M1 et M5, avantageusement par CMP. Cet empilement de la cellule mémoire au moins partiellement dans une cavité peut s'applique au domaine des mémoires CBRam dans lesquelles la modulation de la résistance de l'isolant 2 est réalisée par un filament par exemple de Cuivre dans le cas où la couche métallique M4 est du Cuivre. Ce type de mémoire peut servir à réaliser de structures mémoires du type neuro-morphique. REFERENCES 1. Electrode inférieure 2. Isolant 3. Électrode supérieure 4. Filament 5. Lignes de courant 6. Cavité 7. Ligne de connexion 8. Largeur d'ouverture de la cavitéM 1. Couche métallique 11. Couche d'oxyde métallique 12. Couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12p. Couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 13. Couche d'oxyde métallique stoechiométrique M4. Couche d'oxyde métallique 1_12p. Epaisseur finale de la couche d'oxyde sous stoechiométrique 12p 112p Epaisseur du profil de déplétion I. Largeur de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 L. Largeur de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 REVENDICATIONS1. Cellule mémoire non volatile résistive comprenant un empilement comprenant deux électrodes (1, 3) et un isolant (2) multi-couche, placé entre lesdites deux électrodes (1, 3), comprenant une couche d'oxyde permettant une transition résistive et une couche de réservoir de lacunes d'oxygène caractérisée en ce que l'empilement comprend de bas en haut : - une électrode inférieure (1) comprenant une couche métallique Ml, l'isolant (2) comprenant une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 10 et une couche d'oxyde métallique sous stoechiométrique 12p formant ladite couche de réservoir de lacunes d'oxygène une électrode supérieure (3) comprenant une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 13 et une couche métallique M4, de sorte que la couche de réservoir de lacunes d'oxygène est intercalée entre deux couches 15 d'oxydes métalliques stoechiométriques 12 et 13. 2. Cellule mémoire selon la revendication 1 dans laquelle des métaux M2 et M3 sont choisis de sorte que l'enthalpie libre de formation DG3 de l'oxyde métallique stoechiométrique 13 par oxydation du métal M3 est supérieure en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG2 de l'oxyde métallique stoechiométrique 12 par 20 oxydation du métal M2. 3. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l'électrode inférieure (1) comprend au-dessus de la couche métallique Ml, une couche 11 d'oxyde métallique stoechiométrique de Ml. 4. Cellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle des 25 métaux M1 et M3 sont choisis de sorte que l'enthalpie libre de formation DG1 de l'oxyde métallique stoechiométrique 11 par oxydation du métal M1 est supérieure ou égale en valeur absolue à l'enthalpie libre de formation DG3 de l'oxyde métallique stoechiométrique 13 par oxydation du métal M3. 5. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes 30 dans laquelle les couches métalliques M1 et M4 sont formées par au moins un métal parmi un métal non-noble autre que Pd, Ag, Ir, Pt, Au, 6. Cellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle les métaux des couches métalliques M1 et M4 sont un métal pur ou un alliage métallique binaire ou ternaire, ou un alliage à base de nitrure ou de carbure ou de siliciure ou 35 d'oxyde métallique conducteur. 7. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle les métaux M1 et M4 sont choisis parmi TiN, TaN, TiAIN, TaAIN. 8. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'électrode inférieure (1) et l'électrode supérieure (3) sont symétriques dans 5 l'empilement. 9. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes en combinaison de la revendication 3 dans laquelle la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 11 de la couche métallique M1 est choisie parmi TiO2 ou TiON ou A1203. 10 10. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes en combinaison de la revendication 3 dans laquelle la couche d'oxyde stoechiométrique 12 d'un métal M2 est choisi parmi des colonnes 111, IV, V, du tableau périodique, ou Al ou Si, ou des lanthanides. 11. Cellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle la couche 15 d'oxyde stoechiométrique 12 est choisie parmi Hf02, Zr02, Ti02, A1203, Ta205, Nb205, V205,La204, Gd203, Lu203, HfSiO, HfZrO, STO. 12. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la couche d'oxyde stoechiométrique 12 d'un métal M2 présente une épaisseur de 1 à 50nm. 20 13. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le métal M3 formant la couche d'oxyde métallique 13 est un métal pur ou un alliage métallique binaire ou ternaire. 14. Cellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle le métal M3 est choisi parmi Si, Ti, Zr, Hf, Al, Ta, Nb, V, et les alliages en mélangette ces 25 éléments par exemple TiAl, TaAl. 15. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l'empilement comprend de bas en haut : TiN/TiO2fTa205/Ta0x/Ti02/TiN. 16. Dispositif microélectronique caractérisé en ce qu'il comprend une cellule 30 mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes. 17. Dispositif microélectronique selon la revendication précédente comprenant une cavité (6) dans laquelle est au moins partiellement agencée la cellule mémoire. 18. Dispositif selon la revendication précédente dans laquelle l'électrode inférieure (1) de la cellule mémoire est agencée en dessous et en dehors de la cavité 35 (6). 19. Dispositif selon la revendication 17 dans laquelle l'électrode inférieure (1) de la cellule mémoire est agencée dans la cavité (6). 20. Dispositif selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes comprenant une pluralité de niveau d'interconnexion et une pluralité de plug de connexion entre les niveaux, chaque plug comprenant une cavité (6) dans laquelle est au moins partiellement agencée une cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 15. 21. Procédé de fabrication d'une cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 15 comprenant les étapes successives suivantes : Dépôt d'une couche métallique M1 pour former l'électrode inférieure (1), Dépôt d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, Dépôt d'une couche métallique M3, - Réaction de la couche métallique M3 avec l'oxyde métallique stoechiométrique 12 formant un oxyde sous stoechiométrique 12p et un oxyde métallique stoechiométrique 13, Dépôt d'une couche métallique M4. 22. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le dépôt de la couche métallique M3 est réalisé par dépôt flash en phase vapeur. 23. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la couche métallique M3 est déposée sur une épaisseur de 0,1 à 2 nm. 24. Procédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est déposée par voie chimique. 25. Procédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans lequel la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est traitée au plasma ou par nitruration plasma. 26. Procédé selon l'une quelconque des cinq revendications précédentes dans lequel la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 est implantée d'aluminium. 27. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 17 à 20, comprenant les étapes successives suivantes : Dépôt conforme d'une couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12 dans la cavité (6), Dépôt d'une couche métallique M3 dans la cavité (6), Réaction de la couche métallique M3 avec l'oxyde métallique stoechiométrique 12 formant un oxyde sous stoechiométrique 12p et un oxyde métallique stoechiométrique 13,- Dépôt d'au moins une couche métallique M4 dans la cavité (6). 28. Procédé selon la revendication précédente comprenant avant l'étape de dépôt de la couche d'oxyde métallique stoechiométrique 12, une étape de dépôt conforme d'une couche métallique M1 dans la cavité (6) pour former l'électrode inférieure (1).