Brevet FR3036223A1 — publié le 20161118

PROCEDE DE COLLAGE DIRECT DE SUBSTRATS AVEC AMINCISSEMENT DES BORDS D'AU MOINS UN DES DEUX SUBSTRATS DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne un procédé de collage direct de deux substrats entre eux au cours duquel un amincissement des bords d'au moins un des deux substrats est réalisé pour éviter l'apparition de défauts de collage au niveau des bords des substrats. On entend par substrat, une plaque ou une plaquette (également appelé « wafer » en anglais), par exemple en semi- conducteur (en général en silicium), ayant ou non déjà subie des étapes technologiques de la microélectronique formant par exemple des composants électroniques dans le substrat. Ces étapes technologiques de la microélectronique sont par exemple des étapes de lithographie, de gravure et de dépôt. Le collage direct, également appelé « collage moléculaire », ou encore « wafer bonding » ou « direct bonding » en anglais, est une technique d'assemblage permettant de solidariser deux surfaces via une mise en contact direct de ces deux surfaces sans faire appel à un matériau de collage (colle, cire, etc.). Dans ce type de collage, l'adhérence est obtenue grâce au fait que les surfaces à coller sont suffisamment lisses (typiquement avec une rugosité de l'ordre de 0,5 nm), exemptes de particules ou de contaminations, et rapprochées suffisamment l'une de l'autre pour permettre d'initier un contact intime entre elles. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer une adhérence moléculaire des deux surfaces l'une avec l'autre. Le collage moléculaire est induit par l'ensemble des forces attractives d'interaction électronique entre les atomes ou molécules des deux matériaux à coller (forces de Van der Waals). Des traitements thermiques peuvent être 3036223 2 réalisés pendant ou après le collage pour augmenter l'énergie de collage entre les surfaces assemblées. Un tel collage direct peut correspondre à un collage dit « hydrophobe », par exemple entre deux substrats de silicium monocristallin sans 5 oxyde de surface et avec des surfaces passivées par des liaisons Si-H par exemple. Dans ce cas, le collage direct forme un « raccord » cristallin entre les matériaux collés. Le collage direct peut également correspondre à un collage dit « hydrophile », par exemple entre deux substrats de silicium oxydé. Dans un tel collage hydrophile, les liaisons silanoles (Si-OH) de surfaces et un film d'eau 10 présent entre les deux substrats permettent d'obtenir des interactions par liaisons hydrogène plus fortes que les forces de Van der Waals obtenues avec les surfaces passivées hydrogène avec les liaisons Si-H dans le cas du collage hydrophobe. Après avoir mis en contact les deux substrats destinés à être 15 collés l'un à l'autre, une légère pression mécanique est appliquée sur les substrats afin d'initier le collage direct. Cette pression permet d'amener les matériaux des deux substrats à une distance suffisamment faible pour que les forces d'attraction entre les atomes ou molécules des deux surfaces à coller puissent s'établir. Une onde de collage se propage alors à partir du point de 20 pression, généralement au niveau des centres des substrats, sur toute l'étendue des surfaces, avec pour effet de coller intimement les deux substrats. Cette opération est généralement réaliser à température ambiante et à pression ambiante. Ainsi, cette onde de collage va, entre autre chose, évacuer l'air et une partie de l'eau présents entre les deux surfaces juste avant sa propagation. Cette 25 évacuation engendre une surpression d'environ deux atmosphères au front de l'onde de collage. Lorsque l'onde de collage arrive au niveau des bords des substrats, une détente adiabatique se produit et peut entraîner l'apparition de défauts au niveau des bords des substrats, et cela même si les surfaces de ces 3036223 3 bords sont exactement identiques à celles au niveau des centres des substrats. De tels défauts peuvent également apparaître plus tardivement, par exemple lors de la mise en oeuvre de traitements thermiques réalisés pour augmenter l'énergie de collage entre les substrats. 5 Ces défauts de collage dus à la propagation de l'onde de collage apparaissent principalement lors de la mise en oeuvre d'un collage direct hydrophile car lors d'un tel collage, l'onde de collage se propage plus rapidement que lors d'un collage direct hydrophobe. La surpression est donc plus importante, tout comme la détente adiabatique, dans le cas d'un collage direct hydrophile. 10 Toutefois, de tels défauts peuvent potentiellement apparaître lors d'un collage direct hydrophobe. Pour résoudre ces problèmes, le document EP 2 115 768 propose de réaliser un chauffage des substrats au moins jusqu'à leur mise en contact l'un avec l'autre. De manière alternative, le document WO 2013/160841 15 propose de résoudre ces problèmes en réalisant le collage sous une atmosphère d'Hélium. Les solutions proposées dans les documents cités ci-dessus nécessitent toutefois de modifier certaines propriétés de l'atmosphère (température, pression et nature des gaz en présence) dans laquelle le collage 20 direct est réalisé. Or, cela est très contraignant car l'atmosphère des machines dans lesquelles le collage direct entre deux substrats est réalisé n'est généralement pas modifiable. De plus, la modification des conditions de mise en oeuvre du collage direct risque également de modifier les performances du collage réalisé. 25 EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un procédé de collage direct entre au moins deux substrats permettant d'éviter l'apparition des défauts de collage dus à la propagation de l'onde de collage, et dans lequel une 3036223 4 mise en contact des deux substrats peut être réalisée à température ambiante et à pression ambiante, par exemple sous l'atmosphère d'une salle blanche (comprenant de l'air à environ 50 % d'humidité relative à 21°C). Pour cela, l'invention propose un procédé de collage direct 5 entre au moins un premier et un deuxième substrats, chacun des premier et deuxième substrats comportant une première et une deuxième faces principales, comportant au moins les étapes de : - premier amincissement de bords du premier substrat sur au moins une partie de la circonférence du premier substrat, au niveau de la 10 première face principale du premier substrat ; - mise en contact de la deuxième face principale du premier substrat avec la deuxième face principale du deuxième substrat telle qu'une onde de collage se propage entre les premier et deuxième substrats, solidarisant les premier et deuxième substrats l'un à l'autre par collage direct. 15 Le procédé selon l'invention propose de réaliser, préalablement à la mise en contact des substrats à solidariser, un amincissement des bords du premier substrat sur au moins une partie de la circonférence du premier substrat. Le fait que les bords du premier substrat soient amincis permet de rendre moins rigide le premier substrat au niveau de ces bords. Ainsi, après la mise en contact 20 des deux substrats, lorsque l'onde de collage arrive au niveau de ces bords, le premier substrat a la capacité de se déformer légèrement afin d'éviter la formation de défauts dus à la détente adiabatique se produisant lors du passage de l'onde de collage au niveau des bords des substrats. Lorsque l'onde de collage est initiée depuis un point d'initiation 25 localisé au niveau des bords des premier et deuxième substrats, ladite au moins une partie de la circonférence du premier substrat peut correspondre à au moins un tiers de la circonférence du premier substrat et peut être localisée à l'opposé du point d'initiation. 3036223 5 L'onde de collage peut être initiée en appliquant une pression mécanique sur au moins l'un des deux substrats. De manière avantageuse, le premier amincissement peut être réalisé sur l'ensemble de la circonférence du premier substrat. Cette 5 configuration est avantageusement réalisée lorsque le point d'initiation de l'onde de collage est localisé sensiblement au niveau des centres des substrats. Le premier amincissement peut être réalisé tel qu'une différence entre une épaisseur minimale des bords amincis du premier substrat et une épaisseur de bords du deuxième substrat soit supérieure ou égale à 10 environ 25 %, et qu'une valeur minimale parmi l'épaisseur minimale des bords amincis du premier substrat et l'épaisseur des bords du deuxième substrat soit inférieure ou égale à environ 544 iim. Ainsi, outre le fait que les bords les plus minces parmi les bords amincis du premier substrat et les bords du deuxième substrat ont une épaisseur inférieure ou égale à environ 544 iim, l'épaisseur 15 minimale des bords amincis du premier substrat peut être inférieure ou égale à environ 75 % de l'épaisseur des bords du deuxième substrat, ou l'épaisseur des bords du deuxième substrat peut être inférieure ou égale à environ 75 % de l'épaisseur minimale des bords amincis du premier substrat. Le premier amincissement peut être réalisé tel qu'une largeur 20 des bords amincis du premier substrat soit comprise entre environ 1% et 25% du diamètre du premier substrat. La largeur correspond à la dimension parallèle au diamètre du premier substrat. Le premier amincissement peut être réalisé tel que l'épaisseur des bords amincis du premier substrat soit sensiblement constante, ou tel que 25 l'épaisseur des bords amincis diminue sur au moins une partie de la largeur des bords amincis, ou tel que l'épaisseur des bords amincis varie selon un profil comportant au moins deux pentes. Le procédé peut comporter en outre, avant la mise en contact de la deuxième face principale du premier substrat avec la deuxième face 3036223 6 principale du deuxième substrat, la mise en oeuvre d'un deuxième amincissement d'au moins une partie de bords du deuxième substrat, au niveau de la première face principale du deuxième substrat. Le collage direct solidarisant les premier et deuxième substrats 5 l'un à l'autre peut correspondre à un collage direct hydrophile. Les premier et deuxième substrats peuvent comporter chacun un semi-conducteur, et le procédé peut comporter en outre, avant la mise en contact de la deuxième face principale du premier substrat avec la deuxième face principale du deuxième substrat, la mise en oeuvre d'une oxydation d'au moins la 10 deuxième face principale d'au moins l'un des premier et deuxième substrats. Le procédé peut comporter en outre, entre le premier amincissement et la mise en contact de la deuxième face principale du premier substrat avec la deuxième face principale du deuxième substrat, la mise en oeuvre d'un polissage d'une extrémité des bords amincis du premier substrat. 15 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 et 2 représentent les étapes d'un procédé de 20 collage direct entre deux substrats, objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; - les figures 3 et 4 représentent des variantes de réalisation d'un amincissement des bords d'un substrat mis en oeuvre lors d'un procédé de collage direct entre deux substrats, objet de la présente invention. 25 Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. 3036223 7 Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) 5 doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord aux figures 1 et 2 qui représentent les étapes d'un procédé de collage direct entre un premier substrat 100 et un 10 deuxième substrat 102 selon un mode de réalisation particulier. Chacun des deux substrats 100 et 102 correspond ici à un substrat de silicium d'orientation cristalline , de diamètre égal à 200 mm, d'épaisseur égale à 725 um, et de dopage P avec une résistivité comprise entre environ 1 Ohm/cm et 10 Ohm/cm. Le premier substrat 100 comporte une 15 première face principale 104 et une deuxième face principale 106. Le deuxième substrat 102 comporte une première face principale 108 et une deuxième face principale 110. Une oxydation thermique du deuxième substrat 102 est mise en oeuvre afin de former autour de celui-ci une couche d'oxyde thermique 112, ici à 20 base de Si02 du fait que le deuxième substrat 102 est un substrat de silicium. Cette oxydation thermique est par exemple réalisée à une température égale à environ 950°C sous atmosphère d'oxygène. La couche d'oxyde thermique 112 a par exemple une épaisseur égale à environ 50 nm. Un amincissement des bords 114 du premier substrat 100 est 25 ensuite réalisé, par exemple par rodage, et tel que l'épaisseur el des bords 114 après amincissement soit inférieure ou égale à environ 75% de l'épaisseur initiale du premier substrat 100, c'est-à-dire inférieure ou égale à environ 544 um dans le cas d'un premier substrat 100 d'épaisseur égale à 725 um. Dans l'exemple de 3036223 8 réalisation décrit ici, l'épaisseur el des bords 114 amincis est égale à environ 500 iim. Cet amincissement des bords 114 du premier substrat 100 est réalisé au niveau de la première face principale 104 du premier substrat 100. De plus, cet amincissement est réalisé tel qu'une largeur L1 des bords 114 amincis soit 5 comprise entre environ 1% et 25% du diamètre du premier substrat 100. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la largeur L1 est égale à environ 10 mm. L'épaisseur el des bords 114 amincis est sensiblement constante sur toute cette largeur L1. Cet amincissement forme ici, au niveau des bords 114 de la 10 première face principale 104 du premier substrat 100, une « marche » de hauteur égale à environ 225 iim. La figure 1 représente les substrats 100 et 102 ainsi obtenus. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, l'amincissement des bords 114 est réalisé sur l'ensemble de la circonférence du premier substrat 100. 15 En variante, notamment lorsque l'onde de collage est destinée à être initiée depuis un point d'initiation localisé au niveau des bords des premier et deuxième substrats 100, 102, il est possible que cet amincissement soit réalisé sur une partie seulement de la circonférence du premier substrat 100, cette partie correspondant à au moins un tiers de la circonférence du premier substrat 100 et 20 étant localisée à l'opposé du point d'initiation de l'onde de collage qui sera obtenue plus loin. Les premier et deuxième substrats 100, 102 sont ensuite nettoyés avec une solution à base d'acide sulfurique et d'eau oxygénée (avec environ 3 fois plus d'acide sulfurique que d'eau oxygénée dans la solution), 25 également appelée SPM (« Sulfuric Peroxide Mixture »), pendant une durée égale à environ 10 minutes, puis rincés à l'eau déionisée pendant environ 10 minutes, et plongés dans une solution à base d'ammoniaque, d'eau oxygénée et d'eau dé-ionisée (avec respectivement des proportions 1 / 1 / 5 dans la solution), également appelée APM (« Ammonium Peroxide Mixture »), pendant environ 10 3036223 9 minutes et à une température d'environ 70°C. Un dernier rinçage à l'eau déionisée est réalisé. Les faces 106 et 110 ont une rugosité compatible avec la mise en oeuvre d'un collage direct, c'est-à-dire ont une rugosité inférieure ou égale à 5 environ 0,5 nm. Si le premier substrat 100 et/ou le deuxième substrat 102 n'ont pas une rugosité de surface compatible avec la mise en oeuvre d'un collage direct, des étapes de planarisation peuvent être mises en oeuvre au préalable afin de rendre les surfaces compatibles avec la mise en oeuvre d'un collage direct. Comme représenté sur la figure 2, une mise en contact de la 10 deuxième face principale 106 du premier substrat 100 avec la deuxième face principale 110 (formée ici d'oxyde de semi-conducteur) du deuxième substrat 102 est ensuite réalisée. Lors de cette mise en contact, le deuxième substrat 102 est disposé sur un support et le premier substrat 100 est ensuite déposé sur le deuxième substrat 102. Une pression peut être appliquée au niveau du centre de 15 la première face principale 104 du premier substrat 100 afin de déclencher la propagation de l'onde de collage depuis les centres des substrats 100, 102 jusqu'au niveau des bords des substrats 100, 102. Le fait que les bords 114 du premier substrat 100 soient amincis permet de rendre moins rigide le premier substrat 100 au niveau de ces bords 100. Ainsi, lorsque l'onde de collage arrive au 20 niveau de ces bords, le premier substrat 100 peut se déformer légèrement afin d'éviter la formation de défauts dus à la détente adiabatique se produisant lors du passage de l'onde de collage au niveau des bords des substrats 100, 102. Cette étape de mise en contact des deux substrats 100, 102 est réalisée à température ambiante et à pression ambiante par exemple en salle blanche avec un air à 25 environ 21°C et environ 50% d'humidité relative. L'énergie de collage est ensuite renforcée en réalisant un recuit des deux substrats solidarisés 100, 102, par exemple à une température de 400°C pendant 2 heures. De manière générale, un ou plusieurs traitements thermiques permettant un renforcement des forces d'adhésion entre les substrats 100 et 102 3036223 10 peuvent être réalisés. Lorsque des composants électroniques sont présents sur au moins l'un de ces substrats 100, 102 (au niveau des premières faces 104, 108), les températures de ces traitements thermiques peuvent être comprises entre environ 200°C et 400°C. Dans le cas contraire, les températures de traitements 5 thermiques peuvent aller jusqu'à environ 1100°C. Préalablement à la mise en contact des substrats 100 et 102, il est possible de réaliser un polissage de l'extrémité des bords 114 amincis du premier substrat 100 afin « d'arrondir » le profil des bords 114 amincis. Ce polissage peut être réalisé par attaque chimique. Un tel polissage permet 10 également d'éliminer les éventuelles zones écrouies qui pourraient être source de fragilité pour le collage. Dans le mode de réalisation particulier décrit ci-dessus, l'épaisseur e1 des bords 114 amincis est inférieure ou égale à environ 75% de l'épaisseur initiale du deuxième substrat 102, les épaisseurs initiales des premier 15 et deuxième substrats 100, 102 étant ici sensiblement égales l'une par rapport à l'autre et inférieures ou égales à environ 725 um. Lorsque les épaisseurs initiales des premier et deuxième substrats 100, 102 sont supérieures à environ 725 um, l'amincissement des bords 114 du premier substrat 100 est réalisé tel que l'épaisseur des bords 114 amincis du premier substrat 100 soit inférieure ou égale 2 0 à environ 544 um. L'amincissement est réalisé tel que les bords d'au moins l'un des deux substrats 100, 102 aient une épaisseur inférieure ou égale à environ 544 um, et qu'une différence entre les épaisseurs des bords des deux substrats soit d'au moins 25 % l'une par rapport à l'autre. 25 Dans le mode de réalisation particulier précédemment décrit, l'amincissement des bords 114 du premier substrat 100 est réalisé tel que l'épaisseur el des bords 114 amincis du premier substrat 100 soit sensiblement constante sur toute la largeur L1 sur laquelle cet amincissement est réalisé. En variante, cet amincissement des bords 114 du premier substrat 100 peut être 3036223 11 réalisé tel que la variation d'épaisseur créée par cet amincissement soit moins abrupte. Par exemple, l'amincissement peut être réalisé tel que l'épaisseur des bords 114 amincis diminue sur au moins une partie de la largeur L1 des bords 114 amincis. Des bords 114 ainsi amincis sont représentés par exemple sur la figure 3. 5 Pour réaliser de tels bords 114, une scie de découpe est utilisée pour réaliser des traits de scie au niveau de la première face 104 du premier substrat 100. Du fait que la profondeur des traits de scie formés dans le substrat 100 peut être contrôlée, il est possible de réaliser les bords 114 amincis avec différents profils, selon la configuration souhaitée. Une telle scie peut par exemple former un trait 10 de largeur égale à environ 1 mm. Sur l'exemple de la figure 3, 10 traits sont réalisés successivement tels que les bords amincis aient une largeur L1 égale à environ 10 mm. Chaque trait est réalisé sur une profondeur égale à 22,5 um par rapport au trait précédent afin que l'épaisseur minimale e1 des bords 114 amincis, au niveau de leur extrémité, soit égale à environ 500 um (725 um - 10 x 15 22,5 um). Selon une autre variante, l'amincissement peut être réalisé tel que l'épaisseur des bords 114 amincis varie selon un profil comportant au moins deux pentes. Sur l'exemple de la figure 4, l'épaisseur des bords 114 amincis varie selon un profil comportant deux pentes, formant un profil en « V ». Un tel profil 20 est par exemple réalisé en réalisant 10 traits de scie successivement tels que les bords amincis aient une largeur Légale à environ 10 mm. Chaque trait est réalisé sur une profondeur égale à 45 um par rapport au trait précédent afin que l'épaisseur minimale des bords 114 amincis, au niveau du milieu des bords amincis, soit égale à environ 500 um (725 um - 5 x 45 um). 25 D'autres formes ou profils d'amincissement des bords 114 peuvent être envisagés. De plus, des outils de rodage différents d'une scie de découpe peuvent être utilisés pour réaliser l'amincissement des bords 114 du premier substrat 100. 3036223 12 En variante, il est également possible de réaliser, avant la mise en contact des deux substrats 100, 102, un deuxième amincissement des bords du deuxième substrat 102, au niveau de la première face principale 108 du deuxième substrat 102. Les différentes variantes précédemment décrites pour 5 l'amincissement des bords du premier substrat 100 peuvent s'appliquer pour ce deuxième amincissement. Ce deuxième amincissement peut être réalisé tel que les bords amincis d'au moins l'un des deux substrats aient une épaisseur inférieure ou égale à environ 544 iim, et qu'une différence entre les épaisseurs des bords amincis des deux substrats soit d'au moins 25 % l'une par rapport à 10 l'autre. En variante, il est également possible de réaliser, avant la mise en contact des deux substrats 100, 102, une oxydation du premier substrat 100, en remplacement ou en complément de l'oxydation du deuxième substrat 102. Dans les exemples précédemment décrits, le collage direct 15 réalisé correspond à un collage de type hydrophile en raison de la nature hydrophile des matériaux solidarisés. En variante, l'amincissement des bords d'un ou des substrats solidarisés peut également être réalisé dans le cas d'un collage direct de type hydrophobe. Ce procédé de collage direct s'applique avantageusement à 20 l'élaboration d'un substrat SOI, ou le transfert de circuits pour la fabrication d'imageur retro-éclairé, ou encore pour les applications 3D. REVENDICATIONS1. Procédé de collage direct entre au moins un premier et un deuxième substrats (100, 102), chacun des premier et deuxième substrats (100, 102) comportant une première et une deuxième faces principales (104, 106, 108, 110), comportant au moins les étapes de : - premier amincissement de bords (114) du premier substrat (100) sur au moins une partie de la circonférence du premier substrat (100), au niveau de la première face principale (104) du premier substrat (100); - mise en contact de la deuxième face principale (106) du premier substrat (100) avec la deuxième face principale (110) du deuxième substrat (102) telle qu'une onde de collage se propage entre les premier et deuxième substrats (100, 102), solidarisant les premier et deuxième substrats (100, 102) l'un à l'autre par collage direct. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, lorsque l'onde de collage est initiée depuis un point d'initiation localisé au niveau des bords des premier et deuxième substrats (100, 102), ladite au moins une partie de la circonférence du premier substrat (100) correspond à au moins un tiers de la circonférence du premier substrat (100) et est localisée à l'opposé du point d'initiation. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier amincissement est réalisé sur l'ensemble de la circonférence du premier substrat (100). 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier amincissement est réalisé tel qu'une différence entre une épaisseur minimale des bords (114) amincis du premier substrat (100) et une 3036223 14 épaisseur de bords du deuxième substrat (102) soit supérieure ou égale à environ 25 %, et qu'une valeur minimale parmi l'épaisseur minimale des bords (114) amincis du premier substrat (100) et l'épaisseur des bords du deuxième substrat (102) soit inférieure ou égale à environ 544 um. 5 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier amincissement est réalisé tel qu'une largeur des bords (114) amincis du premier substrat (100) soit comprise entre environ 1% et 25% du diamètre du premier substrat (100). 10 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier amincissement est réalisé tel que l'épaisseur des bords (114) amincis du premier substrat (100) soit sensiblement constante, ou tel que l'épaisseur des bords (114) amincis diminue sur au moins une partie de la largeur 15 des bords (114) amincis, ou tel que l'épaisseur des bords (114) amincis varie selon un profil comportant au moins deux pentes. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, avant la mise en contact de la deuxième face principale 20 (106) du premier substrat (100) avec la deuxième face principale (110) du deuxième substrat (102), la mise en oeuvre d'un deuxième amincissement d'au moins une partie de bords du deuxième substrat (102), au niveau de la première face principale (108) du deuxième substrat (102). 25 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le collage direct solidarisant les premier et deuxième substrats (100, 102) l'un à l'autre correspond à un collage direct hydrophile. 3036223 15 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les premier et deuxième substrats (100, 102) comportent chacun un semiconducteur, et comportant en outre, avant la mise en contact de la deuxième face principale (106) du premier substrat (100) avec la deuxième face principale 5 (110) du deuxième substrat (102), la mise en oeuvre d'une oxydation d'au moins la deuxième face principale (106, 110) d'au moins l'un des premier et deuxième substrats (100, 102). 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, 10 comportant en outre, entre le premier amincissement et la mise en contact de la deuxième face principale (106) du premier substrat (100) avec la deuxième face principale (110) du deuxième substrat (102), la mise en oeuvre d'un polissage d'une extrémité des bords (114) amincis du premier substrat (100).