Brevet FR3024781A1 — publié le 20160212

PROCEDE DE FABRICATION D'UN GUIDE OPTIQUE La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un guide optique, à un guide optique susceptible d'être obtenu par un procédé selon l'invention, à un guide optique, ainsi qu'à un modulateur électro-optique comportant un guide optique conforme à l'invention. Plus précisément, l'invention concerne le domaine des guides optiques à fente verticale utilisés notamment pour les modulateurs électro-optiques de type capacitif. Ces guides optiques peuvent être également utilisés notamment comme commutateurs optiques, sources de lumière ou capteurs optiques. Ainsi, le guide optique comporte deux régions semi-conductrices cristallines séparées par une couche diélectrique, la couche diélectrique présentant une largeur prédéterminée et une épaisseur prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur. La couche diélectrique forme la fente verticale. Les deux régions semiconductrices cristallines peuvent être dopées électriquement et former une capacité avec la couche diélectrique. Lorsque les deux régions semiconductrices sont soumises à une différence de potentiel, les porteurs de charge s'accumulent aux interfaces entre la couche diélectrique et les régions semi-conductrices. Cette variation de concentration en porteurs de charge peut conduire au phénomène d'électro-réfraction, c'est-à-dire que l'indice de réfraction des régions semi-conductrices varie localement selon la différence de potentiel du champ électrique appliqué. Le champ optique est essentiellement confiné dans la couche diélectrique, ce qui permet de réduire les pertes optiques. Cette variation de l'indice de réfraction des régions semiconductrices permet d'introduire un déphasage pour une onde électromagnétique se propageant à travers les régions semi-conductrices. Pour les modulateurs électro-optiques, une structure interférométrique est associée au guide optique pour obtenir une modulation d'intensité à partir du 3024781 2 déphasage introduit. La structure interférométrique peut être un interféromètre de type Mach-Zehnder, Fabry-Pérot ou en anneau. Un premier procédé de fabrication d'un guide optique connu de l'état de la technique, notamment du document FR 2 907 916, est un procédé de 5 fabrication d'un guide optique comportant deux régions semi-conductrices cristallines séparées par une couche diélectrique, la couche diélectrique présentant une largeur prédéterminée et une épaisseur prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur, le procédé comportant les étapes : a) prévoir un substrat comportant successivement une couche d'isolant 10 électrique et une couche semi-conductrice cristalline, le substrat présentant une surface plane, b) former une tranchée dans la couche semi-conductrice de manière à mettre à nu la couche d'isolant électrique et délimiter des première et deuxième zones semi-conductrices de part et d'autre de la couche d'isolant électrique mise à nu, l'étape b) étant exécutée de sorte que 15 la première zone semi-conductrice présente un bord latéral s'étendant sur toute l'épaisseur de la couche semi-conductrice et suivant un axe perpendiculaire à la surface plane du substrat, la première zone semiconductrice étant destinée à former la première région semi-conductrice du guide optique, c) former la couche diélectrique de la largeur prédéterminée 20 sur toute l'épaisseur du bord latéral. Par « largeur », on entend une dimension suivant un axe parallèle au plan défini par la surface plane du substrat. Par « épaisseur », on entend une dimension suivant un axe perpendiculaire à la surface plane du substrat. 25 Par « cristalline », on entend une zone ou une région dans laquelle les atomes ou les molécules sont disposés régulièrement selon un motif caractéristique, ce qui exclut donc les zones ou régions amorphes. Par « perpendiculaire », on entend que l'angle formé entre le bord latéral et la surface plane du substrat est compris entre 85° et 95°. 30 La tranchée formée lors de l'étape b) est configurée pour présenter une largeur constante et égale à la largeur prédéterminée de la couche 3024781 3 diélectrique. La couche d'isolant électrique mise à nu présente ainsi une largeur égale à la largeur prédéterminée de la couche diélectrique. L'étape c) est exécutée par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. 5 Ce premier procédé n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où la couche diélectrique formée lors de l'étape c) peut comporter une bulle dès lors que le rapport entre l'épaisseur et la largeur de la couche diélectrique est supérieur à 1,5, comme précisé page 3, lignes 22 à 28. Cette bulle est fortement préjudiciable en terme de performances du guide optique, comme 10 précisé page 3, lignes 29 à 31. En outre, lorsque ledit rapport est très supérieur à 1,5, par exemple entre 5 et 10, il est impossible de former la couche diélectrique pour défaut de remplissage, comme précisé page 4, lignes 2 à 5. Par ailleurs, l'étape b) de formation de la tranchée doit être parfaitement maîtrisée car elle détermine la largeur de la couche diélectrique. 15 Un deuxième procédé de fabrication d'un guide optique connu de l'état de la technique, notamment du document EP 2 463 695, est un procédé de fabrication d'un guide optique comportant deux régions semi-conductrices cristallines séparées par une couche diélectrique, la couche diélectrique 20 présentant une largeur prédéterminée et une épaisseur prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur, le procédé comportant les étapes : a) prévoir un substrat comportant successivement une couche d'isolant électrique et une couche semi-conductrice cristalline, le substrat présentant une surface plane, b) former une tranchée dans la couche semi-conductrice 25 de manière à mettre à nu la couche d'isolant électrique et délimiter des première et deuxième zones semi-conductrices de part et d'autre de la couche d'isolant électrique mise à nu. L'étape b) est suivie d'une étape de dépôt d'un matériau diélectrique sur la couche d'isolant électrique mise à nu, le matériau diélectrique déposé 30 présentant une épaisseur égale à l'épaisseur prédéterminée de la couche diélectrique. Le matériau diélectrique déposé est ensuite gravé de manière à 3024781 4 ne conserver qu'une fente de la largeur prédéterminée, la fente formant la couche diélectrique du guide optique. Ce deuxième procédé n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où l'obtention d'une fente fine (30 à 50 nm) nécessite plusieurs gravures du 5 matériau diélectrique, comme précisé §0027, ce qui rend le deuxième procédé complexe à mettre en oeuvre avec un allongement de la durée d'opération. Par ailleurs, les étapes de nettoyage après lesdites gravures conduisent à un contrôle imparfait de l'uniformité de l'épaisseur de la fente, le deuxième procédé n'étant pas ainsi parfaitement reproductible. 10 La présente invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités, et concerne à cet effet un procédé de fabrication d'un guide optique comportant deux régions semi-conductrices cristallines séparées par une couche diélectrique, la couche diélectrique présentant une largeur 15 prédéterminée et une épaisseur prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur, le procédé comportant les étapes : a) prévoir un substrat comportant successivement une couche d'isolant électrique et une couche semi-conductrice cristalline, le substrat présentant une surface plane, b) former une tranchée dans la couche semi-conductrice de manière à mettre à 20 nu la couche d'isolant électrique et délimiter des première et deuxième zones semi-conductrices de part et d'autre de la couche d'isolant électrique mise à nu, l'étape b) étant exécutée de sorte que la première zone semi-conductrice présente un bord latéral s'étendant sur toute l'épaisseur de la couche semiconductrice et suivant un axe perpendiculaire à la surface plane du substrat, 25 la première zone semi-conductrice étant destinée à former la première région semi-conductrice du guide optique, c) former la couche diélectrique de la largeur prédéterminée sur toute l'épaisseur du bord latéral, le procédé étant remarquable en ce que la tranchée formée lors de l'étape b) est configurée de sorte que la deuxième zone semi-conductrice forme une couche germe 30 s'étendant sur une épaisseur strictement inférieure à l'épaisseur de la couche semi-conductrice, et en ce qu'il comporte une étape d) former par 3024781 5 épitaxie la deuxième région semi-conductrice du guide optique à partir de la couche germe, l'étape d) étant exécutée après l'étape c). Par « largeur », on entend une dimension suivant un axe parallèle au plan défini par la surface plane du substrat. 5 Par « épaisseur », on entend une dimension suivant un axe perpendiculaire à la surface plane du substrat. Par « cristalline », on entend une zone ou une région dans laquelle les atomes ou les molécules sont disposés régulièrement selon un motif caractéristique, ce qui exclut donc les zones ou régions amorphes. 10 Par « perpendiculaire », on entend que l'angle formé entre le bord latéral et la surface plane du substrat est compris entre 85° et 95°. Par « couche germe », on entend une couche mince formant un support de croissance épitaxiale d'un matériau cristallin. Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet d'éviter la formation d'une 15 bulle à l'intérieur de la couche diélectrique par une largeur de la couche d'isolant électrique mise à nu suffisamment importante relativement à l'épaisseur de la couche germe. En outre, la largeur de la couche diélectrique est entièrement déterminée lors de l'étape c) en l'absence de contrainte géométrique de par une 20 épaisseur de la couche germe suffisamment faible. La largeur de la couche diélectrique n'est donc pas déterminée par la largeur de la couche d'isolant électrique mise à nu lors de l'étape b). La largeur de la couche d'isolant électrique mise à nu constitue ainsi une variable d'ajustement relativement à l'épaisseur souhaitée de la couche germe afin d'éviter la formation d'une 25 bulle à l'intérieur de la couche diélectrique. Il est alors possible d'envisager la formation d'une couche diélectrique présentant un rapport entre l'épaisseur et la largeur très supérieur à 1,5, par exemple compris entre 17 et 50, de préférence compris entre 20 et 50, encore préférentiellement compris entre 20 et 30. 30 L'étape d) doit être exécutée après l'étape c) afin d'éviter la formation d'une bulle à l'intérieur de la couche diélectrique, et ce en raison de 3024781 6 contraintes géométriques apparaissant avec l'épaisseur de la couche épitaxiée. Par ailleurs, en l'absence d'étapes successives de gravure et de nettoyage de matériau diélectrique, un tel procédé selon l'invention permet 5 d'obtenir une bonne uniformité de l'épaisseur et de la largeur de la couche diélectrique, et ce avec une durée d'opération restreinte. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un guide optique comportant deux régions semi-conductrices cristallines 10 séparées par une couche diélectrique, la couche diélectrique présentant une largeur prédéterminée et une épaisseur prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur, le procédé comportant les étapes : a) prévoir un substrat comportant successivement une couche d'isolant électrique et une couche semi-conductrice cristalline, le substrat présentant une surface plane, 15 le substrat étant à base d'un matériau semi-conducteur cristallin, b) éliminer une partie de la couche semi-conductrice de manière à mettre à nu la couche d'isolant électrique et délimiter une unique zone semi-conductrice d'un côté de la couche d'isolant électrique mise à nu, l'étape b) étant exécutée de sorte que la zone semi-conductrice présente un bord latéral s'étendant sur toute 20 l'épaisseur de la couche semi-conductrice et suivant un axe perpendiculaire à la surface plane du substrat, la zone semi-conductrice étant destinée à former la première région semi-conductrice du guide optique, c) former la couche diélectrique de la largeur prédéterminée sur toute l'épaisseur du bord latéral, c1) former au moins une tranchée dans la couche d'isolant électrique 25 mise à nu de manière à mettre à nu le substrat, d) former par épitaxie la deuxième région semi-conductrice du guide optique à partir du substrat mis à nu, l'étape d) étant exécutée après l'étape c). Par « largeur », on entend une dimension suivant un axe parallèle au plan défini par la surface plane du substrat. 30 Par « épaisseur », on entend une dimension suivant un axe perpendiculaire à la surface plane du substrat. 3024781 7 Par « cristalline », on entend une zone ou une région dans laquelle les atomes ou les molécules sont disposés régulièrement selon un motif caractéristique, ce qui exclut donc les zones ou régions amorphes. Par « perpendiculaire », on entend que l'angle formé entre le bord latéral 5 et la surface plane du substrat est compris entre 85° et 95°. Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet d'éviter la formation d'une bulle à l'intérieur de la couche diélectrique car la couche diélectrique est formée lors de l'étape c) en l'absence de zone semi-conductrice en regard de l'unique zone semi-conductrice délimitée lors de l'étape b). Plus précisément, 10 il n'existe pas de zone semi-conductrice en regard de l'unique zone semi- conductrice suivant la largeur du guide optique. En outre, la largeur de la couche diélectrique est entièrement déterminée lors de l'étape c) en l'absence de contrainte géométrique de par l'absence de zone semi-conductrice en regard de l'unique zone semi-conductrice délimitée 15 lors de l'étape b). Il est alors possible d'envisager la formation d'une couche diélectrique présentant un rapport entre l'épaisseur et la largeur très supérieur à 1,5, par exemple compris entre 17 et 50, de préférence compris entre 20 et 50, encore préférentiellement compris entre 20 et 30. Par ailleurs, en l'absence d'étapes successives de gravure et de 20 nettoyage de matériau diélectrique, un tel procédé selon l'invention permet d'obtenir une uniformité de l'épaisseur et de la largeur de la couche diélectrique, et ce avec une durée d'opération restreinte. Il est à noter que les étapes c) et c1) peuvent être interverties indifféremment. En revanche, l'étape d) doit être exécutée après l'étape c) 25 afin d'éviter la formation d'une bulle à l'intérieur de la couche diélectrique, et ce en raison de contraintes géométriques apparaissant avec l'épaisseur de la couche épitaxiée. Le concept inventif commun entre les deux procédés selon l'invention est 30 la formation de la couche diélectrique lors de l'étape c) en l'absence de contraintes géométriques, soit par une épaisseur de la couche germe 3024781 8 suffisamment faible, soit par l'absence de zone semi-conductrice en vis-à-vis suivant la largeur du guide optique. Un tel concept permet d'envisager un rapport entre l'épaisseur et la largeur de la couche diélectrique très supérieur à 1,5. Par ailleurs, en l'absence d'étapes successives de gravure et de 5 nettoyage d'un matériau diélectrique, un tel concept permet d'obtenir une uniformité de l'épaisseur et de la largeur de la couche diélectrique, et ce avec une durée d'opération restreinte. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape b) est exécutée par une 10 gravure de la couche semi-conductrice adaptée pour former la couche germe et une partie du bord latéral de la première zone semi-conductrice, ladite gravure comprenant une surgravure de la couche semi-conductrice adaptée pour mettre à nu la couche d'isolant électrique et délimiter la couche germe de la première zone semi-conductrice, la surgravure terminant la formation 15 du bord latéral de la première zone semi-conductrice. Selon une forme d'exécution, la gravure de la couche semi-conductrice est une gravure ionique réactive adaptée pour privilégier une gravure anisotrope, la surgravure de la couche semi-conductrice étant obtenue par 20 une incidence oblique d'un flux ionique. Par « privilégier », on entend que les paramètres de la gravure ionique réactive tels que la pression, la puissance, la température et la tension de polarisation sont choisis de manière à privilégier la gravure au plasma anisotrope vis-à-vis de la gravure sèche chimique isotrope. Par exemple, une 25 faible tension de polarisation, des pression et température élevées permettent de privilégier la gravure chimique sèche. En revanche, une tension de polarisation élevée, une faible pression permettent de privilégier une gravure au plasma en favorisant le bombardement ionique mécanique. Les termes « élevé » et « faible » s'apprécient par l'homme du métier 30 notamment en fonction du matériau à graver et des gaz réactifs choisis pour le plasma. 3024781 9 En notant Z'-Z l'axe perpendiculaire à la surface plane du substrat, par « oblique », on entend une direction qui n'est pas parallèle à l'axe Z'-Z. Ainsi, le choix de la gravure ionique réactive permet d'exécuter l'étape b) au sein d'un unique bâti. En outre, la surgravure obtenue réalise une 5 tranchée, et est connue sous le nom de « trenching » en langue anglaise, décrite par exemple dans le livre intitulé « Plasma Etching in Microelectronics », N. Layadi et al., 2001. La topographie de l'objet gravé conduit à une incidence oblique d'un flux ionique sur une zone du bord latéral de la première zone semi-conductrice et/ou sur une zone du flanc du masque 10 de gravure. La zone du bord latéral de la première zone semi-conductrice et/ou la zone du flanc du masque de gravure dévie le flux ionique incident. Il en résulte une concentration du flux ionique apparaissant au pied du bord latéral de la première zone semi-conductrice. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape b) est exécutée par une 15 gravure anisotrope, telle qu'une gravure ionique réactive, adaptée pour former le bord latéral de la zone semi-conductrice. Selon une forme d'exécution, l'étape c) est exécutée par une oxydation thermique du bord latéral. Ainsi, l'oxydation thermique autorise un contrôle de la largeur de la 20 couche diélectrique formée sur l'épaisseur du bord latéral. En outre, l'oxydation thermique consomme le matériau cristallin s'étendant à partir du bord latéral. Il en résulte que l'oxydation thermique ne nécessite pas de contrainte particulière sur la largeur de la couche d'isolant électrique mise à nu lors de l'étape b). Ainsi, la largeur de la couche d'isolant électrique mise à 25 nu lors de l'étape c) peut être inférieure à la largeur prédéterminée de la couche diélectrique. En revanche, l'oxydation thermique consomme également le matériau cristallin de la couche germe. Il est donc nécessaire de prévoir lors de l'étape b) une épaisseur suffisante pour la couche germe de sorte que l'épaisseur de la couche germe après l'étape c) soit suffisante 30 pour une reprise d'épitaxie. 3024781 10 Selon une variante d'exécution, l'étape c) est exécutée par un dépôt conforme de la couche diélectrique sur le bord latéral, préférentiellement par un dépôt par couche atomique ou par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. De préférence, l'épaisseur de la couche germe est 5 strictement inférieure à 1,5 fois la largeur de la couche d'isolant électrique mise à nu. Par « conforme », on entend que la couche diélectrique formée conserve la topographie de la surface sur laquelle ladite couche diélectrique a été déposée. 10 Dans le cas d'un dépôt conforme, le matériau cristallin s'étendant à partir du bord latéral n'est pas consommé. La largeur de la couche d'isolant électrique mise à nu lors de l'étape c) doit être supérieure à la largeur prédéterminée de la couche diélectrique. La condition géométrique supplémentaire sur l'épaisseur de la couche 15 germe permet d'éviter la formation d'une bulle à l'intérieur de la couche diélectrique pour certains types de dépôt conforme. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape d) comporte une étape de polissage mécano-chimique adapté pour rendre la deuxième région semiconductrice coplanaire à la couche diélectrique et à la première région semi- 20 conductrice. Selon une forme d'exécution, la couche semi-conductrice est monocristalline, de préférence à base de silicium monocristallin. Ainsi, la structure monocristalline de la couche semi-conductrice permet de réduire les pertes optiques relativement à une structure polycristalline par 25 exemple. Selon une forme d'exécution, la couche semi-conductrice présente une épaisseur égale à l'épaisseur prédéterminée de la couche diélectrique. Ainsi, une étape de gravure de la couche diélectrique est évitée après la formation de la couche diélectrique sur le bord latéral lors de l'étape c). En 30 outre, une étape d'épitaxie de la première région semi-conductrice est également évitée. 3024781 11 Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comporte une étape de dopage électrique des première et deuxième régions semi-conductrices de sorte que le guide optique forme une capacité. Ainsi, un tel guide optique fabriqué convient tout particulièrement à un 5 modulateur électro-optique de type capacitif. Selon une forme d'exécution, le rapport entre l'épaisseur et la largeur de la couche diélectrique formée lors de l'étape c) est supérieur à 1,5. La présente invention concerne également un guide optique susceptible 10 d'être obtenu par un procédé conforme à l'invention lorsque le rapport entre l'épaisseur et la largeur de la couche diélectrique formée lors de l'étape c) est supérieur à 1,5. Ainsi, un tel guide optique se distingue de l'état de la technique par une largeur de la couche diélectrique uniforme et pouvant être contrôlée, et ce en 15 vue d'une production à l'échelle industrielle. La présente invention concerne également un guide optique pour modulateur électro-optique de type capacitif, comportant deux régions semiconductrices cristallines dopées électriquement et séparées par une couche 20 diélectrique, la couche diélectrique présentant une largeur prédéterminée et une épaisseur prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur, la largeur étant inférieure ou égale à 50 nm et supérieure ou égale à 4 nm, le guide optique étant remarquable en ce que le rapport entre l'épaisseur et la largeur est compris entre 17 et 50, de préférence compris entre 20 et 50, 25 encore préférentiellement compris entre 20 et 30. Ainsi, les avantages suivants peuvent être notés : - de tels rapports entre l'épaisseur et la largeur de la couche diélectrique permettent un fort confinement du champ optique dans la couche diélectrique, et par là-même une diminution des pertes optiques, tout en 30 conservant une bande passante acceptable pour diverses applications, 3024781 12 - une telle gamme de largeur de la couche diélectrique permet d'obtenir une zone d'accumulation de porteurs de charge étroite, la zone d'accumulation présentant typiquement une largeur de l'ordre de 10 nm. Or, la demanderesse a constaté de manière surprenante que, malgré le 5 fort confinement du champ optique dans la couche diélectrique, le recouvrement de la faible fraction du champ optique présente près de la couche diélectrique avec la zone d'accumulation de porteurs de charge demeurait suffisante pour assurer le phénomène d'électro-réfraction. Avantageusement, la largeur de la couche diélectrique est comprise 10 entre 4 nm et 20 nm. Ainsi, une telle gamme convient pour obtenir une zone d'accumulation de porteurs de charge présentant une largeur de l'ordre de 10 nm ou moins. La présente invention concerne enfin un modulateur électro-optique 15 comportant un guide optique conforme à l'invention. D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre de deux procédés selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : 20 - les figures la à lg comportent des vues schématiques illustrant différentes étapes d'un premier procédé selon l'invention, - les figures 2a à 2f comportent des vues schématiques illustrant différentes étapes d'un deuxième procédé selon l'invention, - la figure 3 est un graphique illustrant un profil du champ optique 25 normalisé et centré sur la couche diélectrique appartenant à un guide optique selon l'invention, l'axe des abscisses étant en microns. Pour les différents modes de mise en oeuvre, les mêmes références seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. 30 Le premier procédé illustré aux figures la à lg est un procédé de fabrication d'un guide optique 1 comportant deux régions semi-conductrices 3024781 13 10, 11 cristallines séparées par une couche diélectrique 2, tel que représenté figure 1g. Comme visible à la figure 1g, la couche diélectrique 2 présente une largeur I prédéterminée et une épaisseur e prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur I ; e > I. 5 Comme illustré à la figure la, le premier procédé comporte une étape a) prévoir un substrat 3 comportant successivement un substrat support 32, une couche d'isolant électrique 30 et une couche semi-conductrice 31 cristalline. Le substrat 3 présente une surface plane 310. La surface plane 310 du substrat 3 correspond à la surface libre de la couche semi-conductrice 31. La 10 couche semi-conductrice 31 présente avantageusement une épaisseur E égale à l'épaisseur e prédéterminée de la couche diélectrique 2. Par « largeur », on entend une dimension suivant un axe X'-X parallèle au plan défini par la surface plane 310 du substrat 3. Par « épaisseur », on entend une dimension suivant un axe Z'-Z 15 perpendiculaire à la surface plane 310 du substrat 3. La couche semi-conductrice 31 est avantageusement monocristalline, de préférence à base de silicium monocristallin. Comme illustré à la figure lc, le premier procédé comporte une étape b) former une tranchée 4 dans la couche semi-conductrice 31 de manière à 20 mettre à nu la couche d'isolant électrique 30 et délimiter des première et deuxième zones semi-conductrices 40, 41 de part et d'autre de la couche d'isolant électrique mise à nu 300. L'étape b) comporte une étape préalable illustrée à la figure 1 b consistant à agencer un masque de gravure 5 sur la couche semi-conductrice 31 pour protéger la première zone semi-conductrice 25 40. Le masque de gravure 5 comporte préférentiellement une couche 51 de masque dur agencée sur la couche semi-conductrice 31 et une couche 50 à base de résine photosensible surmontant la couche 51 de masque dur. Toutefois, le masque de gravure 5 peut être formé d'une seule couche 50 à base de résine photosensible ou d'une seule couche 51 de masque dur. 30 L'étape b) est exécutée de sorte que la première zone semi-conductrice 40 présente un bord latéral 400 s'étendant sur toute l'épaisseur E de la 3024781 14 couche semi-conductrice 31 et suivant un axe Z'-Z perpendiculaire à la surface plane 310 du substrat 3. Par « perpendiculaire », on entend que l'angle formé entre le bord latéral 400 et la surface plane 310 du substrat 3 est compris entre 85° et 95°. 5 La première zone semi-conductrice 40 est destinée à former la première région semi-conductrice 10 du guide optique 1. La tranchée formée lors de l'étape b) est configurée de sorte que la deuxième zone semi-conductrice 41 forme une couche germe s'étendant sur une épaisseur eo strictement inférieure à l'épaisseur E de la couche semi-conductrice 31. 10 L'étape b) est exécutée par une gravure de la couche semi-conductrice 31 adaptée pour former la couche germe et une partie du bord latéral 400 de la première zone conductrice 40. La gravure comprend une surgravure de la couche semi-conductrice 31 adaptée pour mettre à nu la couche d'isolant électrique 30 et délimiter la couche germe de la première zone semi- 15 conductrice 40. La surgravure termine la formation du bord latéral 400 de la première zone semi-conductrice 40. La largeur lo de la couche d'isolant électrique mise à nu 300 obtenue après l'étape b) est préférentiellement comprise entre 10 nm et 50 nm. L'épaisseur eo de la couche germe obtenue après l'étape b) est 20 préférentiellement comprise entre 10 nm et 70 nm. L'étape b) est avantageusement exécutée par une gravure ionique réactive de la couche semi-conductrice 31 adaptée pour privilégier une gravure anisotrope. La surgravure de la couche semi-conductrice 31 est obtenue par une incidence oblique d'un flux ionique. Par « oblique », on 25 entend une direction qui n'est pas parallèle à l'axe Z'-Z. Plus précisément, la topographie de l'objet gravé conduit à une incidence oblique d'un flux ionique sur une zone du bord latéral 400 de la première zone semi-conductrice 40 et/ou sur une zone du flanc du masque de gravure 5. La zone du bord latéral 400 de la première zone semi-conductrice et/ou la zone du flanc du masque 30 de gravure 5 dévie le flux ionique incident. Il en résulte une concentration du 3024781 15 flux ionique apparaissant au pied du bord latéral 400 de la première zone semi-conductrice 40. La gravure ionique réactive est préférentiellement exécutée à l'intérieur d'une chambre comportant : 5 - une électrode supérieure couplée à un premier générateur de signaux radiofréquences -RF-, dit générateur supérieur, - une électrode inférieure couplée à un second générateur de signaux RF, dit générateur inférieur, le substrat 3 étant destiné à reposer sur l'électrode inférieure. 10 L'anisotropie de la gravure est privilégiée par exemple par le choix de la puissance respective du générateur supérieur et du générateur inférieur, notées Psup et Pinf. Ainsi, le générateur supérieur présente une puissance élevée relativement à la puissance du générateur inférieur, de préférence Psup > 3 Pinf. A titre d'exemple, Pinf 400 W, 15 préférentiellement Pinf = 100 W et Psup = 500 W. La pression à l'intérieur de la chambre peut être inférieure à 50 mTorr, de préférence inférieure à 10 mTorr. Les gaz réactifs introduits dans la chambre sont avantageusement choisis dans le groupe comportant 012, HBr, O2He et CF4. La tranchée réalisée par la surgravure peut être obtenue par un ratio 20 C12/HBr élevé et une pression faible à l'intérieur de la chambre. A titre d'exemple, le ratio C12/HBr est avantageusement de l'ordre de 3 :1, et la pression à l'intérieur de la chambre est de l'ordre de 4 mTorr. A titre d'exemple, les flux de gaz réactifs (en sccm) pour 012, HBr, O2He et CF4 sont respectivement de l'ordre de 150, 50, 5 et 10. La tranchée réalisée par la 25 surgravure présente alors une profondeur de l'ordre de 40 nm, ce qui correspond à l'épaisseur eo de la couche germe obtenue après l'étape b). Le rapport entre l'épaisseur eo de la couche germe obtenue après l'étape b) et la largeur 10 de la couche d'isolant électrique mise à nu 300 obtenue après l'étape b) est de l'ordre de 1. 30 3024781 16 L'épaisseur de la couche 51 de masque dur à graver est prédéterminée notamment en fonction de l'épaisseur E de la couche semi-conductrice 31 et du différentiel de vitesse de gravure entre la couche 51 et la couche semiconductrice 31. 5 Comme illustré à la figure 1d, le premier procédé comporte une étape c) former la couche diélectrique 2 de la largeur I prédéterminée sur toute l'épaisseur E du bord latéral 400. L'étape c) est exécutée par une oxydation thermique du bord latéral 400. A titre d'exemple, lorsque la couche semiconductrice 31 est à base de silicium monocristallin, l'étape c) est exécutée : 10 - à une température comprise entre 800°C et 1200°C, préférentiellement à 1000°C, - préférentiellement en présence de vapeur d'eau. Il en résulte la formation d'une couche diélectrique 2 à base de SiO2. En outre, une couche de SiO2 est formée autour de la couche germe 41, comme 15 visible à la figure 1d. Comme visible à la figure 1 e, la couche de SiO2 formée autour de la couche germe 41 est éliminée avant l'étape d) décrite par la suite, de préférence par une gravure anisotrope. Les connaissances générales de l'homme du métier permettent de déterminer la durée d'exécution de l'étape c) selon la largeur I souhaitée de 20 la couche diélectrique 2. En outre, l'oxydation thermique consommant également le matériau cristallin de la couche germe, la tranchée formée lors de l'étape b) est préalablement configurée de sorte que l'épaisseur de la couche germe après l'étape c) soit suffisante pour une reprise d'épitaxie. 25 Selon une variante d'exécution, l'étape c) est exécutée par un dépôt conforme de la couche diélectrique 2 sur le bord latéral 400. Le dépôt conforme est préférentiellement un dépôt par couche atomique -ALD- ou un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma -PECVD-. A titre d'exemple, lorsque la couche semi-conductrice 31 est à base de silicium 30 monocristallin, l'étape c) est avantageusement exécutée par un dépôt 3024781 17 PECVD de SiO2 à une température comprise entre 350°C et 400°C avec une source en orthosilicate de tétraéthyle -TEOS. La tranchée formée lors de l'étape b) est alors préalablement configurée de sorte que la deuxième zone semi-conductrice 41 forme une couche germe 5 s'étendant sur une épaisseur eo strictement inférieure à 1,5 fois la largeur Io de la couche d'isolant électrique mise à nu 300 ; eo I. 10 Le deuxième procédé comporte une étape a) prévoir un substrat 3 comportant successivement un substrat support 32, une couche d'isolant électrique 30 et une couche semi-conductrice cristalline. Le substrat 3 présente une surface plane 310. Le substrat support 32 est à base d'un matériau semi-conducteur cristallin. Le substrat support 32 est 15 avantageusement monocristallin, de préférence à base de silicium monocristallin. La couche semi-conductrice présente avantageusement une épaisseur E égale à l'épaisseur e prédéterminée de la couche diélectrique 2. Par « largeur », on entend une dimension suivant un axe X'-X parallèle au plan défini par la surface plane 310 du substrat 3. 20 Par « épaisseur », on entend une dimension suivant un axe Z'-Z perpendiculaire à la surface plane 310 du substrat 3. La couche semi-conductrice est avantageusement monocristalline, de préférence à base de silicium monocristallin. Comme illustré à la figure 2a, le deuxième procédé comporte une étape 25 b) éliminer une partie 4 de la couche semi-conductrice de manière à mettre à nu la couche d'isolant électrique 30 et délimiter une unique zone semiconductrice 40 d'un côté de la couche d'isolant électrique mise à nu 300. L'étape b) comporte une étape préalable (non illustrée) consistant à agencer un masque de gravure sur la couche semi-conductrice pour protéger la zone 30 semi-conductrice 40. Le masque de gravure comporte préférentiellement une couche 51 de masque dur agencé sur la couche semi-conductrice et une 3024781 19 couche à base de résine photosensible surmontant la couche 51 de masque dur. Comme visible à la figure 2a, l'étape b) est exécutée de sorte que la zone semi-conductrice 40 présente un bord latéral 400 s'étendant sur toute 5 l'épaisseur E de la couche semi-conductrice et suivant un axe perpendiculaire à la surface plane 310 du substrat 3. Par « perpendiculaire », on entend que l'angle formé entre le bord latéral 400 et la surface plane 310 du substrat 3 est compris entre 85° et 95°. La zone semi-conductrice 40 est destinée à former la première région 10 semi-conductrice 10 du guide optique 1. L'étape b) est avantageusement exécutée par une gravure anisotrope, telle qu'une gravure au plasma, adaptée pour former le bord latéral 400 de la zone semi-conductrice 40. Comme illustré à la figure 2b, le deuxième procédé comporte une étape c) former la couche diélectrique 2 de la largeur I prédéterminée sur toute 15 l'épaisseur E du bord latéral 400. L'étape c) est exécutée par une oxydation thermique du bord latéral 400. A titre d'exemple, lorsque la couche semiconductrice est à base de silicium monocristallin, l'étape c) est exécutée : - à une température comprise entre 800°C et 1200°C, préférentiellement à 1000°C, 20 - préférentiellement en présence de vapeur d'eau. Il en résulte la formation d'une couche diélectrique 2 à base de SiO2. Les connaissances générales de l'homme du métier permettent de déterminer la durée d'exécution de l'étape c) selon la largeur I souhaitée de la couche diélectrique 2. 25 Selon une variante d'exécution, l'étape c) est exécutée par un dépôt conforme de la couche diélectrique 2 sur le bord latéral 400. Le dépôt conforme est préférentiellement un dépôt par couche atomique -ALD- ou un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma -PECVD-. A titre d'exemple, lorsque la couche semi-conductrice est à base de silicium 30 monocristallin, l'étape c) est avantageusement exécutée par un dépôt 3024781 20 PECVD de SiO2 à une température comprise entre 350°C et 400°C avec une source en orthosilicate de tétraéthyle -TEOS. Comme illustré à la figure 2c, le deuxième procédé comporte une étape de photolithographie d'une résine 6 délimitant des ouvertures 60 débouchant 5 sur la couche d'isolant électrique mise à nu 300. Comme illustré à la figure 2d, le deuxième procédé comporte une étape cl) former au moins des tranchées 7 dans la couche d'isolant électrique mise à nu 300 de manière à mettre à nu le substrat support 32. Les tranchées 7 sont formées dans le prolongement des ouvertures 60. L'étape cl) est 10 avantageusement exécutée par une gravure anisotrope, telle qu'une gravure au plasma. La résine 6 est ensuite éliminée. Comme illustré à la figure 2e, le deuxième procédé comporte une étape d) former par épitaxie la deuxième région semi-conductrice 11 du guide optique 1 à partir du substrat support 32 mis à nu. Avantageusement, 15 l'épitaxie de l'étape d) est sélective de manière à éviter une croissance à partir de la couche d'isolant électrique 30. L'étape d) est exécutée après l'étape c). Comme illustré à la figure 2f, l'étape d) comporte une étape de polissage mécano-chimique adapté pour rendre la deuxième région semi-conductrice 20 11 coplanaire à la couche diélectrique 2 et à la première région semi- conductrice 10. Le deuxième procédé comporte avantageusement une étape (non illustrée) de dopage électrique des première et deuxième régions semi- 25 conductrices 10, 11 de sorte que le guide optique 1 forme une capacité. Le rapport entre l'épaisseur e et la largeur I de la couche diélectrique 2 du guide optique 1 obtenu est avantageusement supérieur à 1,5. Avantageusement, la largeur I de la couche diélectrique 2 est inférieure ou égale à 50 nm et supérieure ou égale à 5 nm. De préférence, la largeur I de 30 la couche diélectrique 2 est comprise entre 10 nm et 20 nm. Avantageusement, le rapport entre l'épaisseur e et la largeur I de la couche 3024781 21 diélectrique 2 est compris entre 17 et 50, de préférence compris entre 20 et 50, encore préférentiellement compris entre 20 et 30. Comme visible à la figure 3, à titre d'exemple avec une largeur I égale à 10 nm et un rapport égal à 22, il est possible de constater que, malgré le fort 5 confinement du champ optique dans la couche diélectrique 2, le recouvrement de la faible fraction du champ optique présente près de la couche diélectrique 2 avec la zone d'accumulation de porteurs de charge demeure suffisante pour assurer le phénomène d'électro-réfraction. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un guide optique (1) comportant deux régions semi-conductrices (10, 11) cristallines séparées par une couche diélectrique (2), la couche diélectrique (2) présentant une largeur (I) prédéterminée et une épaisseur (e) prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur (I), le procédé comportant les étapes : a) prévoir un substrat (3) comportant successivement une couche d'isolant électrique (30) et une couche semiconductrice (31) cristalline, le substrat (3) présentant une surface plane (310), b) former une tranchée (4) dans la couche semi-conductrice (31) de manière à mettre à nu la couche d'isolant électrique (30) et délimiter des première et deuxième zones semi-conductrices (40, 41) de part et d'autre de la couche d'isolant électrique mise à nu (300), l'étape b) étant exécutée de sorte que la première zone semi-conductrice (40) présente un bord latéral (400) s'étendant sur toute l'épaisseur (E) de la couche semi-conductrice (31) et suivant un axe (Z'-Z) perpendiculaire à la surface plane (310) du substrat (3), la première zone semi-conductrice (40) étant destinée à former la première région semi-conductrice (10) du guide optique (1), c) former la couche diélectrique (2) de la largeur (I) prédéterminée sur toute l'épaisseur du bord latéral (400), le procédé étant caractérisé en ce que la tranchée formée lors de l'étape b) est configurée de sorte que la deuxième zone semiconductrice (41) forme une couche germe s'étendant sur une épaisseur (eo) strictement inférieure à l'épaisseur (E) de la couche semi-conductrice (31), et en ce qu'il comporte une étape d) former par épitaxie la deuxième région semi-conductrice (11) du guide optique (1) à partir de la couche germe (41), l'étape d) étant exécutée après l'étape c). 2. Procédé de fabrication d'un guide optique (1) comportant deux régions semi-conductrices (10, 11) cristallines séparées par une couche diélectrique (2), la couche diélectrique (2) présentant une largeur (I) prédéterminée et une épaisseur (e) prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur (I), le d'isolant électrique (30) et délimiter une unique zone semi-conductrice (40) d'un côté de la couche d'isolant électrique mise à nu (300), l'étape b) étant exécutée de sorte que la zone semi-conductrice (40) présente un bord latéral (400) s'étendant sur toute l'épaisseur (E) de la couche semi-conductrice et suivant un axe perpendiculaire à la surface plane (310) du substrat (3), la zone semi-conductrice (40) étant destinée à former la première région semiconductrice (10) du guide optique (1), c) former la couche diélectrique (2) de la largeur (I) prédéterminée sur toute l'épaisseur du bord latéral (400), cl) former au moins une tranchée (7) dans la couche d'isolant électrique mise à nu (300) de manière à mettre à nu le substrat (3), d) former par épitaxie la deuxième région semi-conductrice (11) du guide optique (1) à partir du substrat (3) mis à nu, l'étape d) étant exécutée après l'étape c). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape b) est exécutée par une gravure de la couche semi-conductrice (31)adaptée pour former la couche germe et une partie du bord latéral (400) de la première zone semi-conductrice (40), ladite gravure comprenant une surgravure de la couche semi-conductrice (31) adaptée pour mettre à nu la couche d'isolant électrique (30) et délimiter la couche germe de la première zone semi- conductrice (40), la surgravure terminant la formation du bord latéral (400) de la première zone semi-conductrice (40). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la gravure de la couche semi-conductrice (31) est une gravure ionique réactive adaptée pour privilégier une gravure anisotrope, la surgravure de la couche semi- conductrice (31) étant obtenue par une incidence oblique d'un flux ionique. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape b) est exécutée par une gravure anisotrope, telle qu'une gravure ionique réactive, adaptée pour former le bord latéral (400) de la zone semi-conductrice (40). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape c) est exécutée par une oxydation thermique du bord latéral (400). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape c) est exécutée par un dépôt conforme de la couche diélectrique (2) sur le bord latéral (400), préférentiellement par un dépôt par couche atomique ou par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'étape d) comporte une étape de polissage mécano-chimique adapté pour rendre la deuxième région semi-conductrice (11) coplanaire à la couche diélectrique (2) et à la première région semi-conductrice (10). 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (31) est monocristalline, de préférence à base de silicium monocristallin. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (31) présente une épaisseur (E) égale à l'épaisseur (e) prédéterminée de la couche diélectrique (2). 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de dopage électrique des première et deuxième régions semi-conductrices (10, 11) de sorte que le guide optique (1) forme une 30 capacité. 3024781 25 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le rapport entre l'épaisseur (e) et la largeur (I) de la couche diélectrique (2) formée lors de l'étape c) est supérieur à 1,5. 13. Guide optique (1) susceptible d'être obtenu par le procédé selon la revendication 12. 14. Guide optique (1) pour modulateur électro-optique de type capacitif, comportant deux régions semi-conductrices (10, 11) cristallines dopées électriquement et séparées par une couche diélectrique (2), la couche diélectrique (2) présentant une largeur (I) prédéterminée et une épaisseur (e) prédéterminée strictement supérieure à ladite largeur (I), la largeur (I) étant inférieure ou égale à 50 nm et supérieure ou égale à 4 nm, le guide optique (1) étant caractérisé en ce que le rapport entre l'épaisseur (e) et la largeur (I) est compris entre 17 et 50, de préférence compris entre 20 et 50, encore préférentiellement compris entre 20 et 30. 15. Guide optique (1) selon la revendication 14, caractérisé en ce que la largeur (I) de la couche diélectrique (2) est comprise entre 4 nm et 20 nm. 16. Modulateur électro-optique comportant un guide optique (1) selon l'une des revendications 13 à 15. 25