Brevet FR3033081A1 — publié le 20160826

PROCEDE DE MODIFICATION DE L'ETAT DE CONTRAINTE D'UNE STRUCTURE SEMI- CONDUCTRICE A ETAGES DE CANAL DE TRANSISTOR DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR La présente invention se rapporte au domaine de la micro-électronique et plus particulièrement à celui des transistors dotés d'une structure semi-conductrice de canal à étages c'est-à-dire formée d'éléments semi-conducteurs, tels que des nano-fils, ou des barreaux, ou des membranes, disposé(e)s les un(e)s au-dessus des autres. Pour améliorer les performances des transistors, on peut prévoir de réaliser leur région de canal dans un matériau semi-conducteur ayant une contrainte mécanique en tension ou en compression. Une contrainte en tension induite par exemple dans un canal de transistor en silicium permet d'obtenir une augmentation de la vitesse des électrons, tandis que lorsqu'un canal de silicium subit une contrainte en compression, on augmente la vitesse de conduction par trous. On sait réaliser un dispositif microélectronique comprenant sur un même substrat un premier transistor de type N à structure de canal planaire prévue dans un matériau ayant une contrainte en tension et un deuxième transistor de type P comportant une région de canal dans un matériau relaxé ou ayant une contrainte en compression. Le document US2008/0169508A1 donne un exemple de procédé dans lequel on contraint différemment des blocs de silicium sur un même substrat. Pour améliorer le contrôle du canal des transistors et améliorer leur densité d'intégration, on sait fabriquer des structures de canal de transistor à étages. Il se pose le problème de pouvoir moduler l'état de contrainte de telles structures. 3033081 2 EXPOSÉ DE L'INVENTION Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de de modification de l'état de contrainte d'une structure de canal à étages d'un premier transistor, cette structure étant formée d'éléments semi-conducteurs disposés les uns au- 5 dessus des autres, le procédé comprenant des étapes consistant à : a) prévoir sur un substrat, au moins une première structure semiconductrice formée d'un empilement semi-conducteur comprenant une alternance d'éléments à base d'au moins un premier matériau semi-conducteur et d'éléments à base d'au moins un deuxième matériau semi-conducteur différent du premier matériau semi- 10 conducteur, puis b) retirer par gravure sélective des portions du deuxième matériau semiconducteur, les portions retirées du deuxième matériau semi-conducteur formant un ou plusieurs espaces vides, c) remplir les espaces vides à l'aide d'un matériau diélectrique, 15 d) former, sur la première structure : une zone de mise en contrainte à base d'un premier matériau contraint ayant une contrainte intrinsèque, e) effectuer un recuit thermique adapté de sorte à faire fluer le matériau diélectrique, et entrainer une modification d'un état de contrainte des éléments à base du premier matériau semi-conducteur dans la première structure. 20 Un tel procédé s'adapte à la fabrication d'un dispositif doté du premier transistor et d'au moins un deuxième transistor ayant une deuxième structure de canal à éléments semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, la deuxième structure semi-conductrice étant prévue à l'étape a) dans l'empilement semi-conducteur et comprenant également une alternance d'éléments à base d'au moins un premier matériau semi-conducteur. Dans ce cas, l'étape d) de réalisation de la zone de mise en contrainte peut comprendre des étapes de : - dépôt du premier matériau contraint sur la première structure et sur la deuxième structure, puis de 3033081 3 - retrait du premier matériau contraint sur la deuxième structure. La première structure du premier transistor et la deuxième structure du deuxième transistor peuvent être ainsi contraintes différemment. Le procédé peut comprendre en outre la formation sur la deuxième 5 structure d'une autre zone de mise en contrainte à base d'un deuxième matériau contraint ayant une contrainte intrinsèque opposée à celle du premier matériau contraint. Par contrainte opposée on entend que lorsque le premier matériau contraint a une contrainte intrinsèque en tension, le deuxième matériau contraint a une 10 contrainte intrinsèque en compression et inversement. La réalisation de cette autre zone de mise en contrainte peut comprendre des étapes de : - dépôt du deuxième matériau contraint sur la première structure et sur la deuxième structure, puis de 15 - retrait du deuxième matériau contraint sur la première structure. On peut ensuite effectuer un recuit thermique adapté pour faire fluer le matériau diélectrique, et entrainer une modification d'un état de contrainte des éléments à base du premier matériau semi-conducteur dans la deuxième structure. Ce recuit peut être réalisé pendant l'étape e), en même temps que celui mis en oeuvre pour modifier 20 l'état de contrainte de la première structure. Selon une possibilité de mis en oeuvre du procédé, la première structure et la deuxième structure prévues à l'étape a) peuvent être rattachées entre elles par le biais d'au moins un bloc d'ancrage. Ce bloc d'ancrage peut être retiré préalablement à l'étape e) 25 Avantageusement, le bloc d'ancrage peut être retiré après l'étape d) de formation de la zone de mise en contrainte par gravure en se servant de cette zone de mise en contrainte comme d'un masque de protection à cette gravure. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, le substrat prévu à l'étape a) peut être un substrat de type semi-conducteur contraint sur isolant doté d'une couche semi-conductrice superficielle contrainte. Dans ce cas, la modification d'état de 3033081 4 contrainte à l'étape e) peut consister en une relaxation des éléments à base du premier matériau semi-conducteur. Selon une autre possibilité de mise en oeuvre du procédé, le substrat prévu à l'étape a) peut être un substrat de type semi-conducteur contraint sur isolant 5 doté d'une couche semi-conductrice superficielle relaxée. Dans ce cas, la modification d'état de contrainte à l'étape e) peut consister en une augmentation d'un état de contrainte en tension ou en compression induit par la zone de mise en contrainte dans les éléments à base du premier matériau semi-conducteur. Lorsque la zone de mise en contrainte est prévue pour induire une 10 contrainte en tension dans les éléments à base du premier matériau semi-conducteur, la modification d'état de contrainte à l'étape e) peut être une augmentation de la contrainte en tension dans les éléments à base du premier matériau semi-conducteur. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, le matériau diélectrique de remplissage des espaces vides peut être à base de SiO2 ou d'oxyde de 15 silicium dopé en particulier au Bore et/ou au Phosphore. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé le premier matériau semi-conducteur peut être du Si tandis que le deuxième matériau semi-conducteur est du du Sii_xGex avec x > O. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, le premier matériau 20 semi-conducteur peut être du Sii_yGey avec y > 0 tandis que le deuxième matériau semi- conducteur est du Si. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en 25 faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : Les figures 1A-1M illustrent un premier exemple de procédé suivant un mode de réalisation de l'invention, permettant de relaxer une structure semi-conductrice à étages de canal d'un premier transistor ; 3033081 5 Les figures 2A-2B illustrent une variante de réalisation du premier exemple de procédé ; Les figures 3A-3C illustrent un deuxième exemple de procédé permettant d'augmenter la contrainte dans une structure semi-conductrice à étages de 5 canal d'un deuxième transistor ; La figure 4 illustre une variante dans lequel le premier exemple et le deuxième exemple de procédé sont combinées afin de de relaxer une structure semiconductrice à étages de canal d'un premier transistor tout en augmentant la contrainte dans une structure semi-conductrice à étages de canal d'un deuxième transistor ; 10 Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme pour rendre les figures plus lisibles. 15 En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation, telle que « sur », « au-dessus », « supérieure », « latérale » etc. d'une structure s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 20 Un exemple de procédé de réalisation d'un dispositif ayant une première structure de canal à étages d'un transistor d'un premier type et une deuxième structure de canal à étages d'un transistor d'un deuxième type, va à présent décrit en liaison avec les figures 1A-1M. Les figures 1A-1C illustrent un dispositif de départ possible pour réaliser 25 cet exemple de procédé à partir d'un substrat de type semi-conducteur contraint sur isolant, par exemple de type sS01 (pour « strained Silicon on lnsulator » ou « silicium contraint sur isolant). Ce substrat comprend ainsi une couche de support 10 semi-conductrice revêtu d'une couche isolante 11 qui peut être à base d'oxyde de silicium. Le substrat 3033081 6 comporte également une couche semi conductrice 12 dite « superficielle » située sur et en contact de la couche isolante 11. La couche semi-conductrice 12 superficielle est à base d'un premier matériau semi-conducteur 13 cristallin. Dans cet exemple, le matériau semi-conducteur 13 cristallin est contraint et peut être par exemple du silicium contraint 5 en tension. Plusieurs autres couches semi-conductrices sont réalisées sur la couche semi-conductrice 12 superficielle, par exemple par plusieurs épitaxies successives, et forment avec cette dernière un empilement semi-conducteur. L'empilement semiconducteur est composé d'une alternance d'une ou plusieurs couches 12 à base du 10 premier matériau semi-conducteur 13 et d'une ou plusieurs couches 14, à base d'un deuxième matériau semi-conducteur 15. Le deuxième matériau semi-conducteur 15 est différent du premier matériau semi-conducteur 13 et peut être choisi de sorte à pouvoir être gravé sélectivement vis-à-vis du premier matériau semi-conducteur. Le deuxième matériau semi-conducteur 15 peut être par exemple du Sii_xGex avec x >0. 15 Une fois l'empilement semi-conducteur réalisé, on grave les couches 12, 14 de ce dernier de manière à former au moins une structure 17 semi-conductrice comprenant une alternance d'éléments semi-conducteurs 201, 202,...,20k, 20k+1 superposés à base du premier matériau semi-conducteur 13 et du deuxième matériau semi-conducteur 15, et au moins une autre structure 19 comprenant une alternance 20 d'éléments semi-conducteurs superposés 201, 202,...,20k, 20k+1 à base du premier matériau semi-conducteur 13 et du deuxième matériau semi-conducteur 15. Suivant le rapport entre leurs largeurs W et leurs longueurs L respectives, les éléments semiconducteurs 201, 202,...,20k, 20k+1, peuvent être par exemple sous forme de nano-fils, ou de barreaux, ou de membranes parallèles au plan principal du substrat. Le plan principal 25 du substrat est ici défini comme un plan passant par ce dernier et qui est parallèle au plan [0 ; x ; y] du repère orthogonal [0 ; x ; y ; z] donné sur les figures. Les structures 17 et 19 peuvent être rattachées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'au moins un bloc 18 d'ancrage formé également dans l'empilement de couches semi-conductrices 12, 14. 3033081 7 La structure 17 est prévue sur le substrat dans une région R1 dans laquelle un ou plusieurs transistors d'un type donné, par exemple de type P sont prévus, tandis que l'autre structure 19 est réalisée sur le substrat dans une autre région R2 dans laquelle un ou plusieurs transistors d'un autre type, par exemple de type N sont prévus. 5 Du fait de la contrainte initiale de la couche superficielle 12 du substrat, les éléments semi-conducteurs 201, 203,..., 20k+1, à base du premier matériau semiconducteur 13 dans les structures 17 et 19 sont contraints, par exemple en tension. Sur la figure 1A, les structures semi-conductrices 17 et 19 sont représentées selon une vue dessus, tandis que sur la figure 1B, seule la structure 17 est 10 représentée selon une vue en coupe transversale B'B. La figure 1C donne, quant à elle, une vue selon une coupe longitudinale A'A de cette même structure 17. On effectue ensuite une gravure sélective du deuxième matériau semi- conducteur 15 vis-à-vis du premier matériau semi-conducteur 13 de manière à retirer au moins partiellement le deuxième matériau semi-conducteur 15 de la structure 17 et 15 éventuellement de l'autre structure 19 lorsque celle-ci est également dévoilée lors de cette gravure (figures 1D et 1E). Lorsque le deuxième matériau semi-conducteur 15 est du Sii_xGex son retrait peut être effectué par exemple à l'aide d'une gravure isotrope à base de plasma CF4 + Oz. 20 Dans les structures 17 et 19, des portions retirées du deuxième matériau semi-conducteur 15 forment des espaces vides 21 entre les éléments 201, 203,..., 20k+1, à base du premier matériau semi-conducteur 13. Pour permettre de maintenir les structures 17, 19 malgré cette gravure, des blocs d'ancrage 18 situées à leurs extrémité peuvent être prévues avec des 25 dimensions dans un plan parallèle au plan principal du substrat plus importantes que celles W, L des structures 17, 19. Ainsi, la gravure sélective du deuxième matériau semiconducteur 15 est de préférence réalisée de sorte que des zones à base du deuxième matériau semi-conducteur 15 sont conservées dans les blocs 18 d'ancrage. Les blocs d'ancrage 18 peuvent être sacrificiels et situés à des emplacements de futurs blocs de 30 source et de drain des transistors. 3033081 8 On remplit ensuite les espaces vides 21 d'un matériau diélectrique 25 tel que par exemple du Si02 ou de l'oxyde de silicium dopé au Bore et/ou au Phosphore (figures 1F et 1G). Une gravure partielle du matériau diélectrique 25 et sélective vis-à-vis du 5 premier matériau semi-conducteur 13 peut être ensuite effectuée afin de former des éléments isolants 261,...,26n (n un entier tel que n> 1) de remplacement sensiblement de mêmes dimensions que les éléments 202,..., 20k à base du deuxième matériau semiconducteur qui viennent d'être retirés. Dans un cas par exemple où le matériau diélectrique 25 est du Si02 et le premier matériau semi-conducteur 13 est du Si cette 10 gravure peut être effectuée par exemple à l'aide de CHF3 dans un réacteur ICP (pour « inductive coupled plasma ») tel que cela est décrit dans le document de N. R. Rueger, et al. J. Vac. Sci. Technol. A 17'5..., Sep/Oct 1999. A ce stade du procédé, les éléments semi-conducteurs 201, 203,..., 20k+1 à base du premier semi-conducteur 13 peuvent être contraints en tension, tandis que les 15 éléments à isolants 261,...,26n à base matériau diélectrique 25 peuvent être sujets à une légère contrainte en compression. On peut ensuite effectuer un retrait du ou des blocs d'ancrage 18 et en particulier de celui séparant les structures 17 et 19 (figures 1H et 11). Cela peut être réalisé au moyen d'étapes photolithographie et de gravure à travers un masque doté 20 d'une ou plusieurs ouvertures dévoilant les blocs d'ancrage 18. On forme ensuite sur la structure 17 une zone 31 de mise en contrainte à base d'un matériau 33 ayant une contrainte intrinsèque. Dans cet exemple, le matériau 33 est un matériau diélectrique contraint en tension, par exemple du SixNy contraint en tension. Dans cet exemple de réalisation où l'on cherche à relaxer la structure 17, la zone 25 31 de mise en contrainte est prévue pour appliquer une contrainte dans le matériau 13 des éléments semi-conducteurs 201, 203,..., 20k+1 qui s'oppose à celle de la couche superficielle 12 et dans les éléments semi-conducteurs 201, 203,..., 20k+1 après croissance de l'empilement de couches semi-conductrices. La zone 31 de mise en contrainte est réalisée sur la région R1 dans laquelle un ou plusieurs transistors de type N sont prévus. 3033081 9 Dans le même temps, où l'on vise à maintenir une contrainte dans l'autre structure 19, la zone 31 de mise en contrainte n'est pas prévue ou conservée sur cette autre structure 19. Pour obtenir un tel agencement, le matériau 33 peut être déposé sur les 5 régions R1 et R2 puis retiré en regard de l'autre région R2, par exemple par photolithographie puis gravure. La zone 31 de mise en contrainte ainsi formée recouvre la structure 17 et s'étend en particulier sur une face supérieure 17a et des faces latérales 17b, 17c de la structure 17, tandis que l'autre structure 19 n'est pas recouverte par cette zone 31 10 (figures 1J, 1K, et 1L). Ensuite, on effectue un recuit thermique dont la température et la durée sont prévues de sorte à modifier le comportement visco-élastique du matériau diélectrique 25 de sorte à le faire fluer et à le relaxer. Ce fluage est apte à entrainer une modification de l'état de contrainte dans les éléments 201, 203,..., 20k+1 de la première 15 structure 17 qui sont à base du premier matériau semi-conducteur 13. Le recuit thermique du matériau diélectrique 25 peut être prévu à une température et selon une durée adaptées pour permettre au matériau semi-conducteur 13 de subir une variation de contrainte d'au moins 1GPa si on part d'un substrat sS01 avec une contrainte de 1.4 GPa. 20 Un tel recuit peut être réalisé par exemple à une température comprise entre 1000°C et 1400°C pendant une durée par exemple de l'ordre de 2h lorsque le matériau diélectrique 25 réalisé est du Si02. Lorsque le matériau diélectrique 25 est à base d'oxyde de silicium dopé par exemple au Phosphore ou au Bore ou au Phosphore et au Bore tel que du BPSG (pour 25 « Boron and Phosphorous Doped Glass »), une gamme de températures moins élevées de recuit peut être avantageusement utilisée. On peut par exemple réaliser un recuit à une température comprise entre 500°C et 800°C pendant une durée par exemple de l'ordre de 2h lorsque le matériau diélectrique 25 est du BPSG. 3033081 10 Dans cet exemple de réalisation, grâce au recuit thermique de fluage du matériau diélectrique 25, les éléments 201, 203,..., 20k+1 de la structure 17 qui sont à base du premier matériau semi-conducteur 13 initialement contraint en tension sont relaxés. A l'aide d'un tel recuit on amplifie ainsi l'effet de la zone 31 de mise en contrainte sur la 5 structure 17. Une fois le recuit réalisé, on peut ensuite retirer la zone 31 de mise en contrainte à base du matériau 33 dans la région R2 des transistors de type N. Ce retrait peut être effectué par exemple par gravure humide à l'aide d'acide phosphorique chaud lorsque le matériau 33 est à base de nitrure de silicium. 10 Dans cet exemple de réalisation, on forme ainsi une structure 17 relaxée dans la région R1 du substrat prévue pour former une région de canal d'un transistor de type P, tandis que dans la région R2 une structure 19 contrainte en tension est conservée pour former une région de canal d'un transistor de type N. On peut ensuite compléter la formation des transistors en réalisant 15 notamment un ou plusieurs blocs 501, ..., 50m, de grilles sur la structure 17 et un ou plusieurs blocs 501, ..., 50i sur l'autre structure 19 (figure 1M). Ces blocs 501, ..., 50m, de grilles peuvent être agencés contre les faces latérales et la face supérieure des structures 17 et 19 de manière à les enrober. Dans l'exemple de réalisation illustré sur les figures 1A-1M, les régions 20 de canal du transistor de type Pet du transistor de type N sont formées respectivement de plusieurs structures semi-conductrices juxtaposées identiques à la structure 17 et de plusieurs structures semi-conductrices juxtaposées identiques à l'autre structure 19. Le nombre de structures semi-conductrices pour former la région de canal des transistors n'est pas limité et peut éventuellement varier d'un transistor à l'autre. 25 Une variante de l'exemple de procédé qui vient d'être décrit est illustrée sur les figures 2A-2B. Pour cette variante, on reporte l'étape de retrait du ou des blocs d'ancrage 18 disposés entre les structures semi-conductrices 17 et 19. Une fois avoir effectué les étapes décrites précédemment en liaison avec les figures 1A-1G et remplacé des portions du deuxième matériau semi-conducteur 30 15 par le matériau diélectrique 25 entre les éléments à base du premier matériau semi- 3033081 11 conducteur 13, on réalise la zone 31 de mise en contrainte. Pour cela, le matériau 33 à base de matériau 33 ayant une contrainte élastique intrinsèque est déposé sur les régions R1 et R2 (figure 2A). Ensuite, ce matériau 33 est retiré dans une zone située en regard du ou 5 des blocs d'ancrage 18. On peut alors retirer le ou les blocs d'ancrage 18 par gravure en se servant de la zone 31 de mise en contrainte comme d'un masque de protection à la gravure. Puis, on retire le matériau 33 en regard de l'autre région R2 (figure 2B). 10 Un autre exemple de réalisation, illustré sur les figures 3A-3B, prévoit après avoir effectué les étapes décrites précédemment en liaison avec les figures 1A-1l et retiré le ou les blocs d'ancrage 18, de réaliser une zone 132 de mise en contrainte sur la région R2 dans laquelle un ou plusieurs transistors de type N sont prévus. La zone 132 de mise en contrainte est cette fois à base d'un matériau 15 134 ayant une contrainte intrinsèque opposée à celle utilisée dans les exemples précédents et formée sur la première région R1. Dans cet exemple, la zone 132 de mise en contrainte est une zone à base d'un matériau 134 diélectrique contraint en compression tel que par exemple du SiXNV contraint en compression. Pour former cette zone 132, le matériau 134 peut être déposé sur les 20 régions R2 et R1 puis retiré en regard de la région R1, par exemple par photolithographie puis gravure. La figure 3A donne une vue dessus du dispositif en cours de réalisation. Sur les figures 3B et 3C seule l'autre structure 19 est représentée respectivement selon une vue en coupe transversale et selon une coupe longitudinale. Dans cet exemple, la zone 132 de mise en contrainte permet de créer une contrainte en tension dans les éléments à 25 base du premier matériau semi-conducteur 13 de l'autre structure 19. Ensuite, on effectue l'étape de recuit thermique à haute température de manière à faire fluer ou à relaxer le matériau diélectrique 25 interposé entre les éléments à base du premier matériau semi-conducteur 13. 3033081 12 Le fluage ou la relaxation du matériau diélectrique 25 entraine une modification de la contrainte dans les éléments à base du premier matériau semiconducteur 13 de l'autre structure 19. Un tel recuit peut être réalisé par exemple à une température comprise 5 entre 1000°C et 1400°C pendant une durée par exemple de l'ordre de 2h lorsque le matériau diélectrique 25 réalisé est du Si02. Grâce au fluage du matériau diélectrique 25, on augmente ici la contrainte en tension engendrée par le biais de la zone 132 de mise en contrainte dans les éléments de la structure 19 qui sont à base du premier matériau semi-conducteur 13. 10 Ainsi, dans l'exemple de réalisation qui vient d'être décrit, la modification de contrainte obtenue par recuit thermique du matériau diélectrique 25 permet d'accroitre une contrainte en tension induite dans la structure 19 du ou des transistors de type N. Cet autre exemple de réalisation illustré en liaison avec les figures 1A-1C 15 peut être combiné avec celui décrit en liaison avec les figures 1K-1M pour permettre de relaxer la structure 17 et de contraindre davantage en tension la structure 19. Les étapes décrites en liaison avec les figures 3A-3C peuvent être ainsi réalisées avant celles décrites en liaison avec les figures 1K-1M ou après celles décrites en liaison avec les figures 1K-1M. 20 Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 4, on forme dans la région R1 sur la structure 17 une zone 31 de mise en contrainte à base d'un matériau 33 ayant une contrainte intrinsèque en tension, par exemple du nitrure de silicium contraint en tension, tandis que dans la région R2 on forme sur l'autre structure 19 une autre zone 132 de mise en contrainte à base d'un matériau 434 ayant une contrainte intrinsèque 25 opposée par exemple du nitrure de silicium contraint en compression. Ensuite, on effectue le recuit de manière à faire fluer le matériau diélectrique 25 dans les structures 17 et 19 et imposer une contrainte en compression dans le semi-conducteur de la structure 17 tout en accroissant la contrainte en tension dans le semi-conducteur de la structure 19. 3033081 13 Il est également possible, en variante de l'exemple de procédé décrit précédemment en liaison avec les figures 1A-1M, de contraindre en compression la structure 17. Le substrat de départ peut dans ce cas être un substrat de type SOI avec une couche superficielle 12 relaxée. 5 Une variante de réalisation l'exemple de réalisation qui a été décrit précédemment en liaison avec les figures 3A-3C prévoit de partir d'un substrat de type SiGe01, avec cette fois une couche superficielle 12 à base de SiGe. L'empilement semi-conducteur à partir duquel on réalise les structures 17, 19 peut être dans ce cas formé d'une alternance de couches 12 à base de Sii_yGey avec 10 y > 0 et de couches 14 à base de Si. Dans ce cas, le retrait par gravure sélective du deuxième matériau semiconducteur 15 dans les structures 17, 19 peut être réalisée par exemple à l'aide d'un procédé tel que décrit par exemple dans le document de Stéphan Borel et al. « Control of selectivity between SiGe and Si in Isotropic Etching Processes », Japanese Journal of 15 Applied Physics, 2004. On forme ensuite sur celle-ci un zone de contrainte en tension par exemple du nitrure contraint en tension sur la structure 19 afin de la contraindre en compression. Puis, on réalise le recuit thermique de fluage ou de relaxation du 20 matériau diélectrique 25 afin d'augmenter la contrainte en compression dans cette structure 19. Une variante de réalisation l'exemple de réalisation qui a été décrit précédemment en liaison avec les figures 1A-1M prévoit de partir d'un substrat de type sSiGe01, avec cette fois une couche superficielle 12 à base de SiGe ayant une contrainte 25 intrinsèque en compression. Ensuite, dans le cas où l'on souhaite relaxer une structure 17, on forme sur celle-ci un zone de contrainte en compression par exemple du nitrure contraint en compression avant de réaliser le recuit thermique de fluage ou de relaxation du matériau diélectrique 25. 30 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique doté d'au moins un premier transistor ayant une première structure (17, 19) de canal à éléments semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, le procédé comprenant des étapes consistant à : a) prévoir sur un substrat, au moins une première structure semiconductrice (17, 19) formée d'un empilement semi-conducteur comprenant une alternance d'éléments à base d'au moins un premier matériau semi-conducteur (13) et d'éléments à base d'au moins un deuxième matériau semi-conducteur (15) différent du premier matériau semi-conducteur, puis b) retirer dans la première structure (17, 19), par gravure sélective : des portions du deuxième matériau semi-conducteur, les portions retirées du deuxième matériau semi-conducteur formant un ou plusieurs espaces vides (21), c) remplir les espaces vides à l'aide d'un matériau diélectrique (25) d) former, sur la première structure : une zone (31, 132) de mise en contrainte à base d'un premier matériau contraint (33, 134) ayant une contrainte intrinsèque, e) effectuer un recuit thermique adapté pour faire fluer le matériau diélectrique (25), et entrainer une modification de l'état de contrainte des éléments à base du premier matériau semi-conducteur (13) dans la première structure (17). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif microélectronique est doté d'au moins un deuxième transistor ayant une deuxième structure de canal à éléments semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, au moins une deuxième structure semi-conductrice (19, 17) formée dans l'empilement semiconducteur et comprenant une alternance d'éléments à base d'au moins un premier matériau semi-conducteur (13) et d'éléments à base d'au moins un deuxième matériau semi-conducteur (15) différent du premier matériau semi-conducteur étant prévue à l'étape a), 3033081 15 l'étape d) comprenant des étapes de : - dépôt du matériau contraint (33, 134) sur la première structure et sur la deuxième structure, puis - retrait du premier matériau contraint sur la deuxième structure. 5 3. Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre des étapes consistant à : - former sur la deuxième structure : une zone de mise en contrainte à base d'un deuxième matériau contraint ayant une contrainte intrinsèque opposée à celle 10 du premier matériau contraint. 4. Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, dans lequel la première structure et la deuxième structure prévues à l'étape a) sont rattachées par le biais d'au moins un bloc d'ancrage (18), le bloc d'ancrage étant retiré préalablement à 15 l'étape e). 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le bloc d'ancrage est retiré après l'étape d) par gravure en se servant de la zone de mise en contrainte comme d'un masque de protection à cette gravure. 20 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat prévu à l'étape a) est un substrat de type semi-conducteur contraint sur isolant doté d'une couche semi-conductrice superficielle (12) contrainte, la modification d'état de contrainte à l'étape e) étant une relaxation des éléments à base du premier matériau 25 semi-conducteur (13). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat prévu à l'étape a) est un substrat de type semi-conducteur sur isolant doté d'une couche semi-conductrice superficielle relaxée, la modification d'état de contrainte à 3033081 16 l'étape e) étant une augmentation d'un état de contrainte induit par la zone (31) de mise en contrainte dans les éléments à base du premier matériau semi-conducteur (13). 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le 5 matériau diélectrique est à base de Si02 ou d'oxyde de silicium dopé. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le premier matériau semi-conducteur (13) est du Si tandis que le deuxième matériau semiconducteur (15) est du Sii_yGey avec y > 0 ou dans lequel le premier matériau semi- 1 0 conducteur (13) est à du Sii_xGex avec x > 0, tandis que le deuxième matériau semi- conducteur (15) est du Si.