Brevet FR3028508A1 — publié le 20160520

STRUCTURE D'ENCAPSULATION COMPORTANT UNE CAVITE COUPLEE A CANAL D'INJECTION DE GAZ FORME PAR UN MATERIAU PERMEABLE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine de l'encapsulation, ou packaging, notamment pour des micro-dispositifs de type MEMS (systèmes micro-électromécaniques), NEMS (systèmes na no-électro-mécaniques), MOEMS (systèmes micro-optoélectro-mécaniques), NOEMS (systèmes nano-opto-électro-mécaniques), ou encore des capteurs de pressions, dans des cavités hermétiques et sous des atmosphères particulières. L'encapsulation d'un micro-dispositif dans une cavité permet d'une part de le protéger vis-à-vis des éléments extérieurs (humidité, pollution particulaire, éléments réactifs tels que l'oxygène ou autres gaz non neutres), et d'autre part de contrôler l'atmosphère dans laquelle le micro-dispositif est encapsulé, à la fois en termes de pression et de composition gazeuse. Les pressions avec lesquelles les micro-dispositifs sont encapsulés sont très variables suivant leur application et sont typiquement comprises entre environ 1 bar à 10-3 mbar. Une contrainte récurrente lors d'une telle encapsulation est donc de réaliser un contrôle très précis de la pression avec laquelle le micro-dispositif est encapsulé. Par exemple, dans le cas d'un micro-dispositif MEMS de type gyromètre, un vide correspondant à une pression comprise entre environ 10-1 et 10-3 mbar est généralement nécessaire pour son bon fonctionnement. Dans le cas d'un micro-dispositif MEMS de type accéléromètre, une pression d'encapsulation comprise entre quelques mbar et la pression atmosphérique est recherchée, en fonction de l'amortissement désiré. Une encapsulation simultanée de plusieurs micro-dispositifs est généralement réalisée à l'échelle du substrat, c'est-à-dire par un procédé collectif d'encapsulation, afin de réduire leur coût de fabrication. Pour cela, il est possible de réaliser ces micro-dispositifs collectivement sur des tranches (wafers ou substrats) de 3028508 2 silicium puis de les encapsuler dans des cavités via un report d'un capot correspondant généralement à un autre substrat en silicium ou en verre dans lequel les cavités sont gravées. Il existe différentes techniques de scellement permettant d'obtenir un assemblage hermétique des deux substrats, comme par exemple le scellement 5 moléculaire, le scellement métallique, le scellement anodique, ou encore le scellement par verre fritté. L'encapsulation peut également être réalisée par une ou plusieurs couches minces déposées sur des portions sacrificielles recouvrant les micro-dispositifs et qui, après élimination, forment des volumes libres entre le substrat et les couches minces 10 correspondant aux cavités (encapsulation « Thin Film Packaging », également appelée TFP, ou PCM pour « Packaging Couche Mince »). Les principaux paramètres à prendre en compte pour le contrôle de la pression dans une cavité sont : - l'herméticité du joint de scellement éventuellement présent entre les 15 substrats ; - la perméation des gaz à travers les parois de la cavité formées par les substrats et/ou le joint de scellement ; - les dégazages des différents matériaux présents dans la cavité. Il existe des composants particuliers, appelés centrales inertielles, 20 comprenant chacun un accéléromètre tri-axes, un gyromètre tri-axes ainsi qu'un magnétomètre tri-axes, formant ainsi un capteur inertiel à 9 axes de détection. Pour ce type de composant, les dispositifs microélectroniques triaxiaux (accéléromètre, gyromètre et magnétomètre) sont généralement fabriqués indépendamment les uns des autres puis assemblés lors du packaging final du composant, ce qui correspond dans ce 25 cas à un procédé d'encapsulation non collectif. Pour des raisons de réduction des coûts de fabrication de ce type de composant, il est envisagé d'intégrer les différents dispositifs microélectroniques du composant sur un même substrat. Toutefois, ce type d'intégration pose des problèmes. En effet, un accéléromètre fonctionne généralement avec une pression résiduelle (pression régnant dans la cavité d'encapsulation) assez élevée (supérieure à 3028508 3 environ 1 mbar) afin d'être suffisamment amorti, alors qu'un gyromètre a généralement besoin d'une pression résiduelle la plus faible possible (par exemple entre environ 10-1 mbar et 10' mbar) pour fonctionner de manière optimale. Or, il est très difficile de packager et sceller hermétiquement des cavités avec des pressions résiduelles très 5 différentes sur un même substrat. Une première solution consiste à réaliser un scellement des cavités de l'accéléromètre et du gyromètre sous une pression très faible (par exemple entre environ 10-3 et 10-5 mbar), disposer un matériau getter dans la cavité du gyromètre et ne pas en mettre dans la cavité de l'accéléromètre. Cette première solution fonctionne mais ne 10 permet pas d'atteindre des différences de pression importantes entre les deux cavités: typiquement, la pression résiduelle dans la cavité de l'accéléromètre est comprise entre quelques mbar et quelques dizaines de mbar en raison des dégazages des différents matériaux contenus dans la cavité de l'accéléromètre lors du scellement. Or, pour certains accéléromètres, il est nécessaire d'avoir une pression résiduelle supérieure à 15 environ 100 mbar voir proche d'environ 1 bar (fort amortissement). Dans ce cas, cette première solution ne fonctionne pas. Une deuxième solution consiste à réaliser le scellement des deux cavités sous pression atmosphérique (par exemple à une pression d'environ 1 bar), et disposer un matériau getter dans la cavité du gyromètre. Toutefois, en raison de la capacité de 20 pompage limitée et de l'encombrement limité du matériau getter (dont la taille maximale est limitée par les dimensions de la cavité), il n'est généralement pas possible de descendre à une pression résiduelle inférieure à environ 1 mbar dans la cavité du gyromètre car le getter est saturé avant d'atteindre une telle pression. Quelle que soit la solution choisie (scellement à faible pression ou à 25 pression atmosphérique), un des deux dispositifs n'est pas encapsulé avec une pression résiduelle correspondant à celle nécessaire à son bon fonctionnement. Le document US 8 350 346 B1 décrit un composant comportant des cavités de volumes différents dans lesquelles sont encapsulés un gyromètre et un accéléromètre. Le volume de la cavité dans laquelle est encapsulé l'accéléromètre est 30 inférieur à celui de la cavité dans laquelle le gyromètre est encapsulé. Ainsi, la pression 3028508 4 obtenue dans la cavité de l'accéléromètre est plus élevée que celle obtenue dans la cavité du gyromètre. Toutefois, une telle structure ne permet pas d'obtenir des différences de pressions allant de 1 bar à 10-3 mbar entre les différentes cavités. Le document US 7 659 150 B1 décrit une structure d'encapsulation 5 comportant plusieurs cavités dans lesquelles plusieurs micro-dispositifs sont encapsulés. Différentes pressions sont obtenues dans ces cavités grâce à des ouvertures de tailles différentes formées à travers le capot et débouchant directement dans les cavités. Dans ce document, la fermeture des cavités se fait par un dépôt sous vide sans injection de gaz, après réglage de la pression. La pression atteignable avec ce type de structure est donc 10 limitée à environ 1 mbar. Le document US 2007/0259470 Al décrit une structure d'encapsulation dans laquelle une partie du joint de scellement est formé d'un matériau perméable dont la perméabilité peut être modifiée en fonction de la température à laquelle est soumise la structure. Une telle structure n'est toutefois pas adaptée pour réaliser, sur un même 15 substrat, plusieurs cavités dans lesquelles des micro-dispositifs sont encapsulés sous des atmosphères différentes. Le document US 2012/0326248 Al décrit une structure d'encapsulation dans laquelle plusieurs micro-dispositifs sont encapsulés dans des cavités différentes. Une ouverture formée à travers le capot débouche sur un matériau perméable pour injecter 20 du gaz dans une cavité. Cette structure d'encapsulation a notamment pour inconvénient que les différences de pression entre les différentes cavités sont très limitées en raison du matériau perméable faisant communiquer entre elles les différentes cavités. De plus, en raison de ce matériau perméable présent entre les cavités, le gaz a tendance, au cours du temps, à passer d'une cavité à l'autre, et les valeurs des pressions au sein des différentes 25 cavités ont donc tendance à changer au cours du temps. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer une structure d'encapsulation comportant au moins une cavité dont l'atmosphère peut être aisément contrôlée, qui soit compatible avec une encapsulation de plusieurs micro-dispositifs dans 3028508 5 différentes cavités à des pressions différentes qui soient stables dans le temps, et permettant d'avoir, entre les atmosphères des cavités, des différences de pression plus importantes qu'avec les structures de l'art antérieur. Pour cela, il est proposé une structure d'encapsulation comportant au 5 moins : - un capot solidarisé à au moins un premier substrat et formant au moins une cavité entre le capot et le premier substrat ; - une couche d'au moins un premier matériau perméable à un gaz, disposée dans le capot et/ou dans le premier substrat et/ou à l'interface entre le capot et 10 le premier substrat, et formant au moins une partie d'une paroi de la cavité ; - une portion d'au moins un deuxième matériau non perméable audit gaz, disposée dans la couche du premier matériau, dont l'épaisseur est supérieure ou égale à celle de la couche du premier matériau, et entourant une partie de la couche du premier matériau formant ladite partie de la paroi de la cavité ; 15 - une ouverture traversant le capot ou le premier substrat et débouchant sur ou dans ladite partie de la couche du premier matériau. Une telle structure d'encapsulation permet de régler la pression avec laquelle la cavité peut être fermée en jouant sur plusieurs paramètres : - les dimensions de l'ouverture ; 20 - les dimensions de la cavité ; les dimensions de la partie de la couche du premier matériau, les paramètres de mise en oeuvre d'une injection de gaz dans la cavité à travers l'ouverture et la partie de la couche du premier matériau. En fonction de ces différents paramètres, il est donc possible d'obtenir 25 des pressions très différentes dans la cavité. Ainsi, une telle structure d'encapsulation est parfaitement compatible avec la réalisation de plusieurs cavités fermées avec des atmosphères très différentes les unes des autres, par exemple avec des différences de pression allant de plusieurs bars à environ 10-4 mbar. De plus, la portion du deuxième matériau non perméable permet 30 d'assurer une bonne étanchéité de la cavité, notamment lorsque plusieurs cavités sont 3028508 6 réalisées de manière adjacentes les unes des autres et que la couche du premier matériau est commune à ces différentes cavités. Cette structure d'encapsulation a également pour avantage de pouvoir être réalisée via des technologies de fabrication MEMS standards, ainsi que via des 5 technologies de scellement standards. Une telle structure d'encapsulation peut être avantageusement utilisée pour réaliser une encapsulation collective de plusieurs micro-dispositifs de types différents et destinés à fonctionner sous des atmosphères différentes, c'est-à-dire à des pressions différentes et/ou dans des environnements gazeux différents. 10 Le terme « gaz » peut désigner ici un gaz ou un mélange de plusieurs gaz formés des éléments chimiques du groupe 18 du tableau périodique des éléments, c'est-à-dire de l'hélium et/ou du néon et/ou de l'argon et/ou du krypton et/ou du xénon et/ou du radon, également appelés gaz rares, ou gaz inertes, ou gaz nobles. Avantageusement, le gaz comporte de l'hélium et/ou de l'argon. 15 Le gaz injecté dans la cavité par l'intermédiaire du premier matériau perméable est un gaz avantageusement inerte vis-à-vis des matériaux de la structure avec lesquels il peut entrer en contact. Ce gaz peut notamment être un gaz permettant de régler la pression dans la cavité et qui est non-réactif vis-à-vis d'autres matériaux de la structure. 20 Ladite partie de la couche du premier matériau peut entourer la cavité. Dans ce cas, la portion du deuxième matériau peut former un cordon entourant la cavité. La structure d'encapsulation peut comporter en outre au moins un micro-dispositif disposé dans la cavité. Le micro-dispositif peut être de type MEMS et/ou NEMS et/ou MOEMS et/ou NOEMS. Notamment, le micro-dispositif peut être de type 25 inertiel, et correspondre par exemple à un accéléromètre ou un gyromètre ou un magnétomètre ou encore un capteur de pression. Le deuxième matériau peut être un métal (par exemple du titane et/ou de l'aluminium et/ou du cuivre) et/ou le premier matériau peut comporter de l'oxyde de semi-conducteur (par exemple du Si02) et/ou du nitrure de semi-conducteur (par 3028508 7 exemple du SiN ou du Si3N4) et/ou du verre (par exemple du verre de type borosilicate, par exemple de type « pyrex », verre de silice ou verre de type « borofloat »). Le capot peut comporter au moins un deuxième substrat. Dans ce cas, la structure d'encapsulation correspond à une structure de type « report de capot ». 5 Dans un premier mode de réalisation, la couche du premier matériau et la portion du deuxième matériau peuvent être disposées à l'interface entre le premier substrat et le deuxième substrat. Avantageusement, l'épaisseur de la portion du deuxième matériau peut être supérieure à celle de la couche de premier matériau. Dans un deuxième mode de réalisation, la couche du premier matériau 10 peut être disposée entre une couche support du premier substrat et une couche supérieure du premier substrat. Dans ce cas, la couche supérieure du premier substrat peut être une couche de semi-conducteur dans laquelle le micro-dispositif est réalisé. De plus, le deuxième matériau peut correspondre à un semi-conducteur 15 similaire à celui de la couche supérieure du premier substrat, et/ou le premier substrat peut être de type SOI et la couche du premier matériau peut correspondre à la couche isolante du premier substrat. La structure d'encapsulation peut comporter en outre au moins un matériau de bouchage disposé sur et/ou dans l'ouverture tel que la cavité soit fermée 20 hermétiquement. L'herméticité de la cavité est dans ce cas assurée conjointement par les matériaux du capot et du premier substrat, la portion du deuxième matériau et le matériau de bouchage. Dans ce cas, l'ouverture peut traverser ladite partie de la couche du premier matériau et déboucher sur une portion de matériau électriquement conducteur, 25 et le matériau de bouchage peut correspondre à une couche électriquement conductrice disposée au moins dans l'ouverture et reliant électriquement la portion de matériau électriquement conducteur à un contact électrique disposé hors de l'ouverture. Ainsi, l'ouverture utilisée pour régler la pression d'encapsulation de la cavité sert également pour former un via traversant (TSV) reliant électriquement le contact électrique extérieur 3028508 8 avec la portion de matériau électriquement conducteur qui correspond par exemple à une électrode du micro-dispositif. Un matériau getter peut être disposé dans la cavité. Un tel matériau getter a pour fonction d'assurer la qualité de l'atmosphère en piégeant les gaz résiduels 5 tels que par exemple de l'oxygène, de l'azote, de l'hydrogène, de l'eau, du monoxyde de carbone et le dioxyde de carbone, et ainsi obtenir un vide dans la cavité (pression par exemple inférieure à environ 1 mbar). La structure d'encapsulation peut comporter plusieurs cavités formées entre le capot et le premier substrat et disposées de manière adjacentes les unes par 10 rapport aux autres, dans laquelle au moins une dimension de chacune des parties de la couche du premier matériau formant les parties de la paroi d'au moins deux des cavités est différente pour chacune desdites au moins deux des cavités et/ou dans laquelle une dimension d'une section de l'ouverture associée à chacune d'au moins deux des cavités est différente. Différents micro-dispositifs peuvent ainsi être encapsulés dans les 15 différentes cavités et sous des atmosphères différentes. Il est par exemple possible qu'un dispositif de type centrale inertielle comportant un micro-dispositif de type gyromètre, un de type accéléromètre et un de type magnétomètre soient encapsulés dans trois cavités différentes de la structure d'encapsulation avec des pressions différentes les unes des autres et adaptées au fonctionnement de chacun de ces micro-dispositifs. 20 Les portions du deuxième matériau entourant chacune des parties de la couche du premier matériau formant la partie de la paroi de chacune des cavités peuvent être distinctes les unes des autres. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure d'encapsulation, comportant au moins les étapes suivantes : 25 - réalisation d'au moins un capot et d'au moins un premier substrat destinés à être solidarisés l'un à l'autre en formant au moins une cavité entre le capot et le premier substrat ; - réalisation d'une couche d'au moins un premier matériau perméable à un gaz, disposée dans le capot et/ou dans le premier substrat et/ou à une interface 3028508 9 entre le capot et le premier substrat, et destinée à former au moins une partie d'une paroi de la cavité ; - réalisation d'au moins une portion d'au moins un deuxième matériau non perméable audit gaz, disposée dans la couche du premier matériau, dont l'épaisseur 5 est supérieure ou égale à celle de la couche du premier matériau, et entourant une partie de la couche du premier matériau destinée à former ladite partie de la paroi de la cavité ; - solidarisation du capot au premier substrat, formant la cavité ; - réalisation d'au moins une ouverture traversant le capot ou le premier substrat et débouchant sur ou dans ladite partie de la couche du premier 10 matériau. Le procédé de réalisation peut comporter en outre, après l'étape de réalisation de l'ouverture, une étape d'injection dudit gaz dans la cavité à travers l'ouverture et ladite partie de la couche du premier matériau, puis une étape de fermeture hermétique de la cavité par la formation d'au moins un matériau de bouchage 15 sur et/ou dans l'ouverture. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 20 - les figures 1 à 3 représentent une structure d'encapsulation, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation ; - la figure 4 représente une partie d'une structure d'encapsulation, objet de la présente invention, selon une variante du premier mode de réalisation ; - les figures 5A à 51 représentent les étapes d'un procédé de réalisation 25 de la structure d'encapsulation, objet de la présente invention, selon le premier mode de réalisation ; - les figures 6A à 6K représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure d'encapsulation, objet de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation ; 3028508 10 - les figures 7A à 7E représentent une partie des étapes du procédé de réalisation de la structure d'encapsulation, objet de la présente invention, selon le deuxième mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures 5 décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent 10 être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord à la figure 1 qui représente une vue en coupe de profil d'une structure d'encapsulation 100 selon un premier mode de réalisation. 15 La structure d'encapsulation 100 est ici formée par l'assemblage d'un premier substrat 102 avec un deuxième substrat 104. Ces deux substrats 102 et 104 comportent chacun un matériau non perméable vis-à-vis d'un gaz, avantageusement un gaz noble (correspondant à un type de gaz noble ou un mélange de différents types de gaz nobles) destiné à être injecté dans des cavités de la structure 100, par exemple du 20 semi-conducteur tel que du silicium. Un ou plusieurs micro-dispositifs 106 sont réalisés dans et/ou sur le premier substrat 102 qui sert de support à ces micro-dispositifs 106. Sur l'exemple de la figure 1, trois micro-dispositifs 106.1, 106.2 et 106.3 sont réalisés au niveau d'une face avant du premier substrat 102. Les micro-dispositifs 106 sont chacun encapsulés dans une 25 cavité 108 (référencées 108.1, 108.2 et 108.3 sur la figure 1 respectivement pour chacun des micro-dispositifs 106.1, 106.2 et 106.3) formée entre les deux substrats 102, 104. Dans ce premier mode de réalisation, les cavités 108 sont formées dans une partie de l'épaisseur du deuxième substrat 104 qui forme le capot de la structure 100. 3028508 11 Les substrats 102 et 104 sont solidarisés l'un à l'autre. Une couche 110 est disposée à l'interface entre les substrats 102 et 104, en périphérie des cavités 108. Cette couche 110 est formée d'au moins un premier matériau qui est perméable vis-à-vis du gaz, tel que de l'hélium et/ou de l'argon, destiné à être injecté dans les cavités 108. Le 5 premier matériau comporte par exemple du Si02 et/ou un ou plusieurs composants dérivés du Si02 tels que du SiON ou du SiOC, déposés en couche mince, par exemple avec une épaisseur comprise entre environ 10 nm et 10 um. La couche 110 peut également comporter du nitrure de silicium et/ou du verre. Une portion 112 d'au moins un deuxième matériau non perméable vis- 10 à-vis du gaz destiné à être injecté dans les cavités 108 est formée dans la couche 110. Cette portion 112 est réalisée ici sous la forme d'un cordon entourant chacune des cavités 108. La portion 112 est par exemple formée d'une ou plusieurs couches métalliques superposées, par exemple de titane et/ou d'aluminium et/ou de cuivre et/ou d'or et/ou de germanium. L'épaisseur de la portion 112 est supérieure ou égale (égale sur 15 l'exemple de la figure 1) à celle de la couche 110, et par exemple comprise entre environ 0,2 um et 10 um. Ainsi, du fait que les matériaux des substrats 102 et 104 et de la portion 112 sont non perméables vis-à-vis du gaz destiné à être injecté dans les cavités 108, les atmosphères des cavités 108 sont bien isolées les unes des autres par ces matériaux. Sans la présence de la portion 112, les atmosphères des cavités 108 communiqueraient les 20 unes avec les autres à travers le matériau de la couche 110 qui est perméable vis-à-vis du gaz injecté. La figure 2 représente une vue en coupe de dessus de la couche 110 et de la portion 112. Afin que du gaz puisse être injecté dans les cavités 108, des ouvertures 114 sont formées à travers le deuxième substrat 104, au niveau des parois latérales des 25 cavités 108. Les ouvertures 114 ont par exemple ici, dans le plan parallèle à la face avant du premier substrat 102, des sections de forme circulaire. Les ouvertures 114 sont de préférence prolongées à travers la couche 110. Chacune des ouvertures 114 est réalisée telle qu'elle débouche sur ou dans une partie de la couche 110 qui est délimitée par la portion 112 et qui communique avec l'une des cavités 108. Sur l'exemple des figures 1 et 30 2, une première ouverture 114.1 est réalisée telle qu'elle débouche dans une partie 116.1 3028508 12 de la couche 110 qui est délimitée par la portion 112 et qui communique avec la première cavité 108.1. Ainsi, le gaz injecté dans la première ouverture 114.1 traverse cette partie 116.1 de la couche 110 qui sépare la première ouverture 114.1 de la première cavité 108.1. Une deuxième ouverture 114.2 est réalisée telle qu'elle débouche dans une partie 5 116.2 de la couche 110 qui est délimitée par la portion 112 et qui communique avec la deuxième cavité 108.2. Ainsi, le gaz injecté dans la deuxième ouverture 114.2 traverse cette partie 116.2 de la couche 110 qui sépare la deuxième ouverture 114.2 de la deuxième cavité 108.2. Enfin, pour la troisième cavité 108.3, aucune ouverture n'est ici formée pour déboucher sur ou dans une partie de la couche 110 communiquant avec la 10 troisième cavité 108.3. La quantité de gaz injectée dans chaque cavité 108 dépend de plusieurs paramètres : - les dimensions (par exemple le diamètre dans le cas d'une ouverture de section circulaire) de la section de l'ouverture 114 associée à la cavité ; 15 - les dimensions de la partie 116 de la couche 110 de matériau perméable se trouvant entre l'ouverture 114 et la cavité 108, c'est-à-dire la longueur (dimension selon l'axe X sur les figures 1 et 2) et la section (largeur x épaisseur) de la portion de matériau perméable que doit traverser le gaz avant d'aboutir dans la cavité 108 ; 20 - les paramètres d'injection du gaz, c'est-à-dire la pression avec laquelle le gaz est injecté ainsi que la durée de cette injection de gaz. Sur l'exemple des figures 1 et 2, les ouvertures 114.1 et 114.2 ont des diamètres sensiblement similaires. De plus, l'injection de gaz est réalisée simultanément dans les cavités 108.1 et 108.2 au cours d'une même étape en disposant la structure 25 d'encapsulation 100 dans une enceinte dans laquelle un gaz est présent à une certaine pression, par exemple comprise entre environ 0,5 bar et 10 bars, et pendant une durée définie en fonction de la pression dans l'enceinte et de la pression souhaitée dans les cavités, par exemple comprise entre environ quelques minutes et quelques heures. En outre, du fait que l'épaisseur de la couche 110 est sensiblement constante au niveau de 30 l'ensemble de la structure d'encapsulation 100, les sections des parties 116.1 et 116.2 de 3028508 13 la couche 110 traversées par le gaz pour aboutir dans les cavités 108.1 et 108.2 sont les mêmes. Par contre, les ouvertures 114.1 et 114.2 sont réalisées à des distances différentes des cavités 108.1 à 108.2. Ainsi, la longueur de la partie 116.1 de la couche 110 traversée par le gaz pour aboutir dans la première cavité 108.1 est inférieure à celle 5 traversée par ce gaz pour aboutir dans la deuxième cavité 108.2, ce qui se traduit, après la mise en oeuvre de l'étape d'injection de gaz, par une pression résiduel de ce gaz dans la première cavité 108.1 supérieure à celle dans la deuxième cavité 108.2. Après cette étape d'injection de gaz dans les cavités 108.1 et 108.2, ces cavités sont refermées hermétiquement en bouchant les ouvertures 114.1 et 114.2 via le 10 dépôt d'un matériau de bouchage, ici sous la forme d'une couche 118, au moins dans les ouvertures 114.1 et 114.2, l'épaisseur de la couche 118 étant ici avantageusement supérieure ou égale à l'épaisseur de la couche 110 afin que les parties 116.1 et 116.2 de la couche 110 par lesquelles le gaz a été injecté dans les cavités 108.1 et 108.2 ne soient plus en contact avec l'atmosphère extérieure aux cavités 108.1 et 108.2. Dans le cas d'un 15 matériau de bouchage 118 déposé de façon conforme dans les ouvertures 114, l'épaisseur de ce matériau de bouchage 118 peut être faible et notamment inférieure à l'épaisseur de la couche 110 car un tel dépôt conforme permet de recouvrir les parois des ouvertures 114 pour rendre hermétique les cavités 108 sans nécessairement remplir les ouvertures 114. Lorsque les ouvertures 114 sont réalisées à travers une partie de 20 l'épaisseur de la couche 110, la couche de bouchage 118 est alors réalisée avec une épaisseur supérieure ou égale à celle de cette partie de l'épaisseur de la couche 110. Enfin, si les ouvertures 114 sont réalisées telles qu'elles débouchent sur la couche 110 sans la traverser, alors l'épaisseur de la couche de bouchage 118 est choisie au moins égale à l'épaisseur minimum assurant une fermeture hermétique des ouvertures 114, 25 cette épaisseur minimum étant fonction notamment du ou des matériaux utilisés pour réaliser la couche 118. Sur l'exemple de la figure 3, la couche 118 est déposée dans les ouvertures 114 mais également sur le deuxième substrat 104. Grâce à l'imperméabilité obtenue entre les différentes cavités 108 de la structure 100, il est par exemple possible d'obtenir dans une des cavités 108 une pression 30 finale proche de 1 bar, voir plus de 1 bar, et dans une cavité adjacente une pression très 3028508 14 faible, par exemple inférieure à environ 10-1 mbar, et cela grâce notamment à la portion 112 non perméable au gaz et formée dans la couche 110. Sur l'exemple des figures 1 et 2, les cavités 108 ont des dimensions sensiblement similaires les unes par rapport aux autres. En variante, il est possible que les 5 cavités 108 aient des dimensions différentes les unes par rapport aux autres. Dans la structure 100 précédemment décrite, une portion de matériau getter 120 est disposée dans la troisième cavité 108.3. Cette portion de matériau getter 120 est destinée à réaliser une absorption de gaz afin de réduire la pression au sein de la troisième cavité 108.3. Ainsi, dans la structure d'encapsulation 100 précédemment 10 décrite, la pression régnant dans la première cavité 108.1 est supérieure à celle régnant dans la deuxième cavité 108.2 qui est elle-même supérieure à celle régnant dans la troisième cavité 108.3. Dans cet exemple, du fait qu'aucun gaz n'est injecté dans la troisième cavité 108.3 et grâce à la présence du matériau getter 120, il est possible d'obtenir dans la troisième cavité 108.3 une pression résiduelle très faible par exemple 15 inférieure ou égale à environ 1 mbar, voir un niveau de vide pouvant aller jusqu'à environ 10-3 mbar voir 10-4 mbar. La pression régnant dans la première cavité 108.1 est par exemple supérieure ou égale à environ 1 bar. La pression régnant dans la deuxième cavité 108.2 est par exemple comprise entre environ 10 mbar et plusieurs centaines de mbar ( REVENDICATIONS1. Structure d'encapsulation (100) comportant au moins : - un capot (104) solidarisé à au moins un premier substrat (102) et formant au moins une cavité (108) entre le capot (104) et le premier substrat (102); - une couche (110) d'au moins un premier matériau perméable à un gaz, disposée dans le capot (104) et/ou dans le premier substrat (102) et/ou à l'interface entre le capot (104) et le premier substrat (102), et formant au moins une partie d'une paroi de la cavité (108) ; - une portion (112) d'au moins un deuxième matériau non perméable audit gaz, disposée dans la couche (110) du premier matériau, dont l'épaisseur est supérieure ou égale à celle de la couche (110) du premier matériau, et entourant une partie (116) de la couche (110) du premier matériau formant ladite partie de la paroi de la cavité (108); - une ouverture (114) traversant le capot (104) ou le premier substrat (102) et débouchant sur ou dans ladite partie (116) de la couche (110) du premier matériau. 2. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 1, dans laquelle ladite partie (116) de la couche (110) du premier matériau entoure la cavité (108). 3. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins un micro-dispositif (106) disposé dans la cavité (108). 4. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le deuxième matériau est un métal et/ou dans laquelle le premier matériau comporte de l'oxyde de semi-conducteur et/ou du nitrure de semi- conducteur et/ou du verre. 3028508 23 5. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le capot (104) comporte au moins un deuxième substrat. 6. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 5, dans 5 laquelle la couche (110) du premier matériau et la portion (112) du deuxième matériau sont disposées à l'interface entre le premier substrat (102) et le deuxième substrat. 7. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche (110) du premier matériau est disposée entre une couche 10 support (201) du premier substrat (102) et une couche supérieure (204) du premier substrat (102). 8. Structure d'encapsulation (100) selon les revendications 3 et 7, dans laquelle la couche supérieure (204) du premier substrat (102) est une couche de 15 semi-conducteur dans laquelle le micro-dispositif (106) est réalisé. 9. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 8, dans laquelle le deuxième matériau correspond à un semi-conducteur similaire à celui de la couche supérieure (204) du premier substrat (102), et/ou dans laquelle le premier 20 substrat (102) est de type SOI et la couche (110) du premier matériau correspond à la couche isolante du premier substrat (102). 10. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins un matériau de bouchage (118, 210) disposé 25 sur et/ou dans l'ouverture (114) tel que la cavité (108) soit fermée hermétiquement. 11. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 10, dans laquelle l'ouverture (114) traverse ladite partie (116) de la couche (110) du premier matériau et débouche sur une portion (205) de matériau électriquement conducteur, et 30 le matériau de bouchage correspond à une couche électriquement conductrice (210) 3028508 24 disposée au moins dans l'ouverture (114) et reliant électriquement la portion (205) de matériau électriquement conducteur à un contact électrique (214, 216) disposé hors de l'ouverture (114). 5 12. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant plusieurs cavités (108.1, 108.2) formées entre le capot (104) et le premier substrat (102) et disposées de manière adjacentes les unes par rapport aux autres, dans laquelle au moins une dimension de chacune des parties (116.1, 116.2) de la couche (110) du premier matériau formant les parties de la paroi d'au moins deux des 10 cavités (108.1, 108.2) est différente pour chacune desdites au moins deux des cavités (108.1, 108.2) et/ou dans laquelle une dimension d'une section de l'ouverture (114.1, 114.2) associée à chacune d'au moins deux des cavités (108.1, 108.2) est différente. 13. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 12, dans 15 laquelle les portions (112) du deuxième matériau entourant chacune des parties (116.1, 116.2) de la couche (110) du premier matériau formant la partie de la paroi de chacune des cavités (108.1, 108.2) sont distinctes les unes des autres. 14. Procédé de réalisation d'une structure d'encapsulation (100), 20 comportant au moins les étapes suivantes : réalisation d'au moins un capot (104) et d'au moins un premier substrat (102) destinés à être solidarisés l'un à l'autre en formant au moins une cavité (108) entre le capot (104) et le premier substrat (102) ; - réalisation d'une couche (110) d'au moins un premier matériau 25 perméable à au moins un gaz, disposée dans le capot (104) et/ou dans le premier substrat (102) et/ou à une interface entre le capot (104) et le premier substrat (102), et destinée à former au moins une partie d'une paroi de la cavité (108) ; réalisation d'au moins une portion (112) d'au moins un deuxième matériau non perméable audit gaz, disposée dans la couche (110) du premier matériau, 30 dont l'épaisseur est supérieure ou égale à celle de la couche (110) du premier matériau, 3028508 25 et entourant une partie (116) de la couche (110) du premier matériau destinée à former ladite partie de la paroi de la cavité (108) ; - solidarisation du capot (104) au premier substrat (102), formant la cavité (108) ; 5 - réalisation d'au moins une ouverture (114) traversant le capot (104) ou le premier substrat (102) et débouchant sur ou dans ladite partie de la couche (110) du premier matériau. 15. Procédé de réalisation selon la revendication 14, comportant en 10 outre, après l'étape de réalisation de l'ouverture (114), une étape d'injection dudit gaz dans la cavité (108) à travers l'ouverture (114) et ladite partie (116) de la couche (110) du premier matériau, puis une étape de fermeture hermétique de la cavité (108) par la formation d'au moins un matériau de bouchage (118, 210) sur et/ou dans l'ouverture (114). 15