Brevet FR3032555A1 — publié le 20160812

PROCEDE DE REPORT D'UNE COUCHE UTILE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de transfert d'une couche utile sur un substrat support. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION On connait de l'état de la technique un procédé de transfert d'une couche utile 3 sur un substrat support 4, représenté sur la figure 1, ce procédé comprenant les étapes principales suivantes : - dans une étape a), la formation d'un plan de fragilisation 2 par implantation d'espèces légères dans un premier substrat 1 de manière à délimiter une couche utile 3 entre ce plan et une surface du premier substrat ; - dans une étape b), l'application du support 4 sur la surface du premier substrat 1 pour former un ensemble à fracturer 5 ; - dans une étape c), le traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer 5 - dans une étape d), l'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat 1 le long du plan de fragilisation 2. Au cours de ce procédé, les espèces implantées sont à l'origine du développement de microcavités. Le traitement 30 thermique de fragilisation a pour effet de favoriser la croissance, la coalescence et la mise sous pression de ces microcavités. Sous l'effet de ce traitement thermique seul, ou par l'intermédiaire d'efforts extérieurs additionnels, l'initiation et la propagation auto-entretenue d'une onde de 35 fracture permet de transférer la couche utile 3, par détachement au niveau du plan de fragilisation 2. 3032555 2 Ce procédé, décrit notamment dans les documents W02005043615 et W02005043616 et désigné par la dénomination « Smart CutTM », est en particulier utile pour la fabrication de substrats de silicium sur isolant. Dans ce cas, le premier 5 substrat 1 et le support 4 sont constitués d'une plaquette de silicium , et l'un et/ou l'autre du premier substrat 1 et du support 4 sont oxydés en surface. Ces substrats de silicium sur isolant doivent respecter 10 des spécifications très précises. C'est particulièrement le cas pour l'épaisseur moyenne et l'uniformité d'épaisseur de la couche utile 3. Le respect de ces spécifications est requis pour le bon fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs qui seront formés dans et sur cette couche utile 3. 15 Dans certains cas, l'architecture de ces dispositifs semi-conducteurs nécessite de disposer de substrats de silicium sur isolant présentant une épaisseur moyenne de la couche utile 3 très peu importante, par exemple inférieur à 50 20 nm, voire même inférieur à lOnm, et une uniformité d'épaisseur très constante à la surface du substrat. L'uniformité d'épaisseur attendue peut ainsi être de l'ordre de 1% au maximum, correspondant à des maximums de variation allant typiquement de +/- 0,lnm à +/- lnm sur toute la surface du 25 substrat. Il est d'usage, au terme du procédé « Smart Cut », d'appliquer des étapes complémentaires de finition de la couche utile 3, comme des gravures ou des traitements thermiques de lissage de surface, pour chercher à atteindre le niveau de spécification attendu. L'épaisseur de la couche utile 4 n'est pas parfaitement uniforme après l'étape de fracture. Ces variations d'épaisseur peuvent se présenter par exemple sous la forme d'un motif périodique dont l'amplitude est de l'ordre du nm ou du deminanomètre et dont la longueur d'onde est de l'ordre du mm, voire du cm. Le motif périodique peut être apparent sur la 3032555 3 totalité de la couche utile, ou sur une partie seulement. Des variations d'épaisseurs peuvent également apparaître au niveau d'une zone déterminée de la couche utile 4, généralement appelée zone dense, correspondant à la zone d'initiation de 5 l'onde de fracture. Les variations d'épaisseur peuvent également avoir d'autres origines et présenter d'autres caractéristiques. Il peut être particulièrement difficile de rectifier 10 suffisamment la non-uniformité d'épaisseur de la couche utile 4 par les techniques usuelles de finition (gravure, oxydation sacrificielle, traitement thermique de lissage, polissage) pour permettre d'atteindre le niveau d'uniformité requis, lorsque celui-ci est élevé. 15 Il est possible de réduire la non-uniformité d'épaisseur de la couche utile 3 en cherchant à baisser la température à laquelle interviennent l'initiation et la propagation de l'onde de fracture. Ceci peut être obtenu, dans 20 une première approche, en abaissant la température de l'étape de traitement thermique de fragilisation. Cette approche présente toutefois l'inconvénient d'excessivement allonger la durée du traitement thermique de 25 fragilisation, ce qui n'est pas favorable pour l'exploitation industrielle du procédé. Dans certains cas, il ne semble pas possible de provoquer l'initiation de la fracture, même pour une durée de traitement très long, lorsque la température du traitement thermique est inférieure une température seuil. 30 C'est le cas notamment pour la fabrication de substrat SOI très fin, dont on a fait mention précédemment. Une autre approche visant à baisser la température à laquelle intervient l'initiation et la propagation de l'onde 35 de fracture consiste provoquer cette initiation par application d'un effort extérieur, par exemple mécanique, sur l'ensemble à fracturer 5 placé à température ambiante ou à 3032555 4 température modérée, après l'étape de traitement thermique, et sans que celui-ci n'ait provoqué par lui-même cette fracture. Mais cette approche présente également des limitations. 5 Elle nécessite de développer un équipement dédié à cette étape de fracture mécanique, qui peut être complexe et onéreux notamment si l'ensemble à fracturer doit être maintenu en température. 10 De plus, cette opération de fracture est susceptible de provoquer des défauts en périphérie de la couche utile 3 ou du support 4, liés à l'insertion de l'élément mécanique à l'interface d'assemblage de l'ensemble à fracturer 5. 15 Enfin, cette approche nécessite de contrôler précisément les paramètres de l'étape de traitement thermique de fragilisation pour amener le plan de fragilisation dans un état suffisamment affaibli pour permettre la propagation auto entretenue de la fracture après initiation mécanique, sans 20 toutefois excéder un seuil au-delà duquel cette initiation se produit naturellement au cours du traitement thermique lui-même. Ce contrôle est particulièrement délicat lorsque les substrats sont traités en lot, chaque ensemble à fracturer 5 du lot pouvant avoir une sensibilité légèrement différente au 25 traitement thermique de fragilisation. OBJET DE L'INVENTION Un but de l'invention est donc de proposer un procédé 30 de report d'une couche utile sur un support, cette couche utile présentant une uniformité d'épaisseur bien contrôlée, le procédé ne présentant pas les inconvénients précités. L'invention vise notamment à fournir des substrats de 35 silicium sur isolant dont la couche utile présente une épaisseur moyenne inférieure à 50nm, cette couche utile présentant des variations d'épaisseurs dont l'amplitude est inférieure à 1 nm. 3032555 5 Un autre but de l'invention est de proposer un procédé de report d'une couche utile sur un support dont le contrôle industriel est facilité. 5 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION En vue de la réalisation de l'un au moins de ces buts, l'objet de l'invention propose un procédé de transfert d'une 10 couche utile sur un support comprenant les étapes suivantes de - formation d'un plan de fragilisation par implantation d'espèces légères dans un premier 15 substrat, de manière à délimiter une couche utile entre ce plan et une surface du premier substrat; - assemblage du support avec la surface du premier substrat pour former un ensemble à fracturer; 20 - traitement thermique de fracture du premier substrat le long du plan de fragilisation de manière à reporter la couche utile sur le support. 25 Selon l'invention, le procédé comporte, pendant l'étape de traitement thermique de fracture, un traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique à l'interface entre le support et le premier substrat. De manière surprenante, les 30 inventeurs de la présente demande ont observé que cet affaiblissement au niveau de l'interface d'assemblage permettait d'obtenir l'initiation et la propagation de l'onde de fracture le long du plan de fragilisation à l'aide un apport d'énergie thermique moindre. 35 Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison 3032555 6 - l'étape de traitement thermique consiste à exposer l'ensemble à fracturer à une atmosphère d'un four. - le premier substrat et le support comprennent du 5 silicium et la température de l'atmosphère du four est supérieure à 350°C. - le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique comprend l'introduction d'eau dans 10 l'atmosphère d'un four. - les espèces légères implantées sont choisies parmi les ions d'hydrogène et les ions d'hélium. 15 - le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique est appliqué à l'interface à l'interface entre le support et le premier substrat sur une distance radiale supérieure à 1 micron, préférentiellement comprise entre 100 et 500 microns, à 20 partir du bord de l'ensemble à fracturer. - l'étape de traitement thermique de fracture comprend : - une première phase à une première température, la première phase ne conduisant pas à l'initiation 25 de la fracture, puis ; - une seconde phase à une seconde température. - le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique étant appliqué pendant la seconde phase. 30 - le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique étant appliqué entre la première et la seconde phase, à température ambiante. 35 - la seconde température est inférieure à la première. - le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique comprend l'exposition de l'ensemble à 3032555 7 fracturer à un environnement présentant un taux d'humidité supérieur à un taux déterminé pendant une durée supérieure à une durée déterminée. 5 - le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique comprend l'exposition de l'ensemble à fracturer à un environnement gravant. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise à la lumière de la description qui suit des modes de réalisation particuliers non limitatifs de l'invention en référence aux figures ci-jointes parmi lesquelles : - la figure 1 représente un procédé de transfert d'une couche utile sur un substrat support selon l'état de la technique ; 20 - la figure 2 représente le procédé selon l'invention ; - les figures 3a à 3c représentent différentes conditions d'application du traitement selon l'invention présentées sur une vue de la surface d'assemblage du premier 25 substrat et du support ; - les figures 4 à 6 représentent l'évolution au cours du temps de la température du traitement thermique de fracture pour différents modes de mise en oeuvre de 30 l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Par souci de simplification de la description à venir, 35 les mêmes références sont utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction dans les différents modes de mise en oeuvre exposés du procédé selon l'invention, ou dans le procédé selon l'état de la technique. 10 15 3032555 8 La description détaillée du procédé selon l'invention est exposée en référence à la Figure 2. Ce procédé reporte une couche utile 3 issue d'un premier substrat 1 sur un support 4. 5 Le premier substrat 1 et le substrat 4 peuvent être constitués de matériaux quelconques. Il peut s'agir de matériau semi-conducteur (tel que du silicium, du SiGe, du germanium, du nitrure de galium), d'un isolant (tel que du 10 saphir ou du verre) ou d'un matériau piézoélectrique (tel que du tantalate de lithium ou le niobate de lithium). Le premier substrat 1 et/ou le support 4 peuvent être munis d'une couche d'isolant comprenant par exemple, ou étant 15 constituée, un oxyde de silicium ou d'aluminium ou un nitrure de silicium ou d'aluminium. Elle peut alors avoir été formée par dépôt, par oxydation ou par nitruration, selon le cas. Dans un exemple particulier de mise en oeuvre de 20 l'invention, le premier substrat 1 et le support 4 sont des plaquettes de silicium prenant la forme de disque dont le diamètre est typiquement de 200mm, 300mm voire même 450mm. L'une au moins de ces plaquettes présente en surface une couche d'isolant, si bien qu'en fin de procédé on dispose 25 d'une plaquette de silicium sur isolant. Mais l'invention n'est pas limitée à ces seuls matériaux, cette seule forme ou ces seules dimensions. Le procédé selon l'invention comporte une première 30 étape 2a de formation d'un plan de fragilisation 2 par implantation d'espèces légères dans le premier substrat 1 de manière à former une couche utile 3 entre ce plan et la surface implantée du premier substrat 1. 35 Le plan de fragilisation 2 est typiquement réalisé par implantation d'hydrogène et/ou de gaz noble. Ainsi, les espèces légères peuvent être choisies parmi les ions d'hydrogènes et d'hélium dans des doses comprises entre 5e15 3032555 9 et le17 at/cm2. L'énergie d'implantation est quant à elle typiquement comprise entre lOkeV et de 200keV et définie la profondeur d'implantation des ions. 5 Dans une deuxième étape 2b, postérieure à la première, le support 4 est assemblé avec la surface implantée du premier substrat 1, pour constituer un ensemble à fracturer 5. Cet assemblage est préférentiellement réalisé par 10 adhésion moléculaire c'est à dire par adhésion directe des surfaces entres elles sans ajout de matière adhésive (hormis de l'eau), et mettant en oeuvre des forces d'adhésion principalement de type van der Walls ou covalentes. 15 À titre d'exemple, lorsque le premier substrat 1 et le support 4 sont en silicium et présentent l'un ou l'autre une couche d'oxyde de silicium en surface (pourvue intentionnellement ou non) les forces d'adhésion sont issues des forces de Van der Walls entre les molécules d'eau 20 adsorbées sur les surfaces L'étape d'assemblage peut être précédée de tout traitement de surface du substrat 1 et du support 4 préalable tel que des nettoyages, une activation plasma... 25 Dans une étape suivante 2c, l'ensemble à fracturer 5 est soumis à une étape de traitement thermique de fracture. Cette étape vise à développer des microcavités, des platelets et/ou d'autres types de défauts précurseurs de la fracture au 30 niveau du plan de fragilisation 2. Elle conduit à l'initiation et à la propagation de l'onde de fracture (cette initiation et cette propagation étant également appelées « fracture » ou « initiation de la fracture » dans la présente demande) le long du plan de fragilisation 2 de manière à reporter la 35 couche utile 3 sur le support 4. En d'autres termes, la fracture est obtenue, dans la présente invention, au cours de ce traitement thermique et ne nécessite donc pas l'application d'un effort extérieur additionnel. 3032555 10 Ce traitement thermique de fracture peut également contribuer à renforcer le degré d'adhésion entre le premier substrat 1 et le support 4. 5 A l'issue de cette étape de traitement thermique de fracture, et comme représenté sur la figure 2d, on dispose donc, d'une part, de la couche utile 3 reportée sur le support 4, et d'autres part d'un résidu 1' du premier substrat 1 d'où 10 a été prélevée la couche utile 3. Ce résidu 1' peut être retraité pour servir comme nouveau premier substrat ou comme support dans un nouveau cycle de report de couche, ou pour toute autre utilisation. 15 Selon l'invention, le procédé comprend également, pendant l'étape 2c de traitement thermique de fracture et avant l'initiation de cette fracture, un traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique entre le support 4 et le premier substrat 1, représenté schématiquement par les 20 flèches 6 sur la figure 2c. Ce traitement vise à affaiblir l'énergie d'adhésion existant entre le support 4 et le premier substrat 1 sur au moins une partie d'une zone périphérique, c'est à dire sur les 25 bords de leurs surfaces en contact. Les figures 3a à 3c reproduisent, sur une vue de la surface d'assemblage du premier substrat 1 et du support 4 dans le cas ou ceux-ci sont de forme circulaire, différentes 30 configurations d'application du traitement de l'invention. Sur ces figures, la surface hachurée représente la partie de la zone périphérique où est appliqué le traitement. Le traitement peut ainsi être appliqué sur une zone 35 périphérique complète, c'est à dire le long du contour complet de l'ensemble à fracturer 5, comme cela est représenté sur la figure 3a ; ou sur une partie seulement de ce contour, c'est à 3032555 11 dire sur une portion (figure 3b) ou plusieurs portions (figure 3c) de la zone périphérique. Que ce traitement soit appliqué sur une zone 5 périphérique complète ou sur une partie de celle-ci seulement, l'énergie d'adhésion est préférentiellement affaiblie sur une longueur radiale d supérieure à 1 micron à partir du bord de l'ensemble à fracturer. Cette longueur radiale d est typiquement choisie entre 100 et 500 microns. 10 De manière surprenante, les inventeurs de la présente demande ont observé que cet affaiblissement permettait d'obtenir l'initiation et la propagation de l'onde de fracture le long du plan de fragilisation à l'aide un apport d'énergie 15 thermique moindre. En d'autres termes, l'énergie thermique « seuil » nécessaire à l'initiation de l'onde de fracture est réduite par rapport à un procédé ne comportant pas le traitement selon l'invention, mais présentant des caractéristiques identiques par ailleurs. 20 Les conséquences de cette observation sont multiples. En premier lieu, lorsque selon l'invention on applique ce traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique, 25 il est possible d'obtenir l'initiation et la propagation de l'onde de fracture à une température de fracture inférieure à celle des procédés thermiques connus. De plus, l'initiation étant provoquée thermiquement, on ne rencontre pas les inconvénients liés au déclenchement 30 mécanique de la fracture qui ont été exposés antérieurement. Et lorsque l'initiation et la propagation de l'onde fracture sont obtenues à une température moindre, la couche utile 3 reportée sur le support 4 présente une non-uniformité 35 réduite. 3032555 12 Enfin, le traitement de l'invention permet de provoquer l'initiation de l'onde de fracture, ce qui facilite le contrôle industriel du procédé. 5 Le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique peut être obtenu en exposant l'ensemble à fracturer 5 à un agent chimique apte à affecter la qualité ou le nombre des liaisons établies à la périphérie des surfaces du support 4 et du premier substrat 1 au cours de l'étape 10 d'assemblage. Il peut s'agir d'un agent de gravure appliqué au niveau de l'interface d'assemblage et apte à graver le ou les matériaux formant ces surfaces en contact, sur une partie au 15 moins du bord extérieur. Il peut également s'agir d'un agent corrosif diffusant le long de l'interface d'assemblage et apte à casser les liaisons établies entre les surfaces en contact. 20 En limitant la durée d'exposition de l'ensemble à fracturer à l'agent de gravure et/ou corrosif, on s'assure que l'effet de réduction du degré d'adhésion est bien limité à une partie au moins d'une zone périphérique des surfaces en 25 contact. Il peut s'agir également d'une étape d'attaque mécanique de l'ensemble à fracturer 5 au niveau de l'interface d'assemblage, de manière à affaiblir l'énergie d'adhésion 30 existant entre le support 4 et le premier substrat 1 sur au moins une partie d'une zone périphérique. Les observations qui viennent d'être faites peuvent être mises à profit, et l'invention mise en oeuvre, selon 35 plusieurs modes. Selon un premier mode de mise en oeuvre, l'étape de traitement thermique de fracture est réalisée en exposant, 3032555 13 dans un four, l'ensemble à fracturer 5 à une atmosphère portée à une température de fracture. Et le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique est réalisé dans ce premier mode de réalisation, en introduisant dans l'atmosphère du four 5 un agent chimique. Cet agent chimique va diffuser dans l'atmosphère du four et sur une longueur limitée de l'interface d'assemblage entre le support 4 et le premier substrat 1 pour, par exemple, 10 graver les surfaces exposées et/ou rompre les liaisons qui s'y étaient formées, et réduire le degré d'adhésion sur une zone périphérique entre le support 4 et le premier substrat 1. Ce traitement, comme on l'a vu précédemment, facilite 15 l'initiation et la propagation de l'onde de fracture. La figure 4 représente, à titre d'exemple, l'évolution au cours du temps de la température du traitement thermique de fracture. On a représenté sur cette figure par une flèche, 20 l'instant à partir duquel, dans cet exemple, l'agent chimique est introduit dans l'atmosphère du four. Cet instant peut correspondre au début du traitement thermique de fracture. 25 Mais l'introduction de l'agent chimique dans l'atmosphère du four peut intervenir à un moment ultérieur du traitement thermique de fracture, après une phase initiale de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5) ou d'une pluralité 30 d'ensembles à fracturer (5) exposés à l'atmosphère du four. L'introduction de l'agent chimique conduit à réduire le niveau d'énergie thermique « seuil » nécessaire à la fracture, et provoque ainsi, de manière contrôlée, cette fracture. 35 L'initiation et la propagation de l'onde de fracture peuvent être obtenues à une température relativement basse et 3032555 14 la couche utile présentera en conséquence une uniformité d'épaisseur améliorée. A contrario, si la température de l'atmosphère du four 5 est maintenue identique aux procédés thermiques connus, il est alors possible, selon l'invention, de réduire la durée du traitement thermique de fracture. Dans une variante préférée de ce premier mode de mise 10 en oeuvre de l'invention, représenté sur la figure 5, le traitement thermique de fracture comprend une première phase à une première température, la première phase ne conduisant pas à l'initiation de la fracture, et une seconde phase à une seconde température inférieure à la première ; le traitement 15 de réduction du degré d'adhésion périphérique étant appliqué pendant la seconde phase (représenté par la flèche sur cette figure 5). Par « température d'une phase » on désigne la 20 température moyenne appliquée pendant la phase en question, en excluant la période initiale et finale de montée et de descente en température si celles-ci sont significatives. La première et/ou la seconde phase peuvent être chacune 25 réalisées dans une atmosphère d'un four, ainsi qu'expliqué précédemment, et dans ce cas la température de la phase correspond à la température de l'atmosphère du four. De la sorte, l'invention permet de fragiliser de manière rapide l'ensemble à fracturer 5 au cours de la 30 première phase à une température relativement importante (comparé à la seconde température). Le traitement de réduction du degré d'adhésion n'est appliqué qu'au cours de la seconde phase qui suit, et qui conduit à la fracture de la couche utile 3 à une température moindre ce qui favorise l'uniformité 35 de cette couche. Selon un second mode de mise en oeuvre de l'invention, représenté sur la figure 6, l'étape de réduction du degré 3032555 15 d'adhésion périphérique est réalisée à température ambiante entre une première phase du traitement thermique au cours de laquelle la fracture ne se produit pas et une seconde phase du traitement thermique. 5 Il est ainsi possible, en réalisant le traitement de réduction du degré d'adhésion à température ambiante d'utiliser une variété plus large de techniques. 10 Selon une telle première technique, similaire à celle qui a été présentée dans le premier mode de réalisation, l'affaiblissement du degré d'adhésion dans une partie au moins d'une zone périphérique entre le support 4 et le premier substrat 1 est obtenu en plaçant l'ensemble à fracturer 5 dans 15 un environnement humide pendant une durée déterminée. Par environnement humide, on entend un environnement présentant un taux d'humidité supérieur à 10%, 50% voire même 60%. La durée d'exposition peut être de 10min, 30min, lh, 5h voire même d'une journée ou plus par exemple suivant le degré et 20 l'affaiblissement désiré. L'environnement peut consister en une atmosphère ou un liquide. L'exposition de l'interface d'assemblage à cet environnement riche en eau conduit à briser, en périphérie, certaines liaisons formées lors de l'étape d'assemblage et donc à réduire le degré d'adhésion. 25 Selon une autre technique, l'affaiblissement est obtenu en plaçant l'ensemble à fracturer 5 dans un environnement gravant pendant une durée déterminée. L'environnement peut consister en une atmosphère ou une solution. La solution peut 30 être composée ou comprendre de l'eau et du HF 10%. L'exposition de l'interface d'assemblage à cet environnement conduit à graver, en périphérie, les surfaces en contact du support 4 et du premier substrat 1 donc à réduire le degré d'adhésion périphérique. 35 On peut envisager enfin de procéder à l'étape de réduction du degré d'adhésion par attaque mécanique de 3032555 16 l'ensemble à fracturer 5 au niveau de l'interface d'assemblage. Exemple comparatif 1 5 Un premier substrat, constitué d'une plaquette de silicium monocristalline de 300mm de diamètre, est oxydé pour former en surface une fine couche d'oxyde de 25nm d'épaisseur. 10 Ce premier substrat 1 est implanté en hydrogène et en hélium dans des doses respectives de 1'16 at/cm^2 et de 1'16 at/cm^2 ; et des énergies respectives de 30 keV et 20 keV afin de délimiter une couche utile 3. 15 Ce premier substrat 1 et un support 4, également formé d'une plaquette de silicium monocristalline de 300mm de diamètre, sont assemblé par adhésion moléculaire l'un à l'autre de manière conventionnelle pour former un ensemble à fracturer 5. 20 L'ensemble à fracturer 5 est placé dans un four et recuit dans une atmosphère d'azote pendant 3 heures. L'atmosphère d'azote présente une température de 350°. 25 Pendant le recuit, la fracture s'initie spontanément dans le four et l'on reporte la couche utile 3 de silicium de 200 nm d'épaisseur sur le support 4, pour constituer un substrat de silicium sur isolant. 30 La surface de ce substrat est analysée et présente une variation d'épaisseur dont l'amplitude maximum est 0,4nm. Exemple comparatif 2 35 Un lot constitué de 25 ensembles à fracturer 5 tous identiques à celui de l'exemple 1 est placé dans un four. 3032555 17 Le traitement thermique de l'exemple comparatif 1 a été reproduit en changeant uniquement la température de l'atmosphère du four, portée à 300°C. Après 4 heures de recuit, il est observé que la fracture ne s'est initiée pour 5 aucun des ensembles à fracturer. Exemple 1 Un lot constitué de 25 ensembles à fracturer 5 tous 10 identiques à celui de l'exemple 1 est placé dans un four, dans une atmosphère d'azote, présentant une température de 350°C, pendant 2 heures. A l'issue de recuit, la fracture ne s'est pas initiée 15 et le lot est extrait du four et placé à température ambiante dans une atmosphère humide (45% d'humidité) pendant 1 heure. Le lot est ensuite placé au four à 250° pendant 2 heures. A l'issu de ce recuit, on observe que toutes les 20 plaques ont fracturées spontanément. Par ailleurs, les états de surface des couches utiles sont analysées et présentent des variations d' épaisseur dont l'amplitude maximum sur une plaque est inférieure à 0,2nm. 25 Exemple 2 On reproduit l'expérience de l'exemple 2, mais entre les deux recuits les ensembles à fracturer 5 sont exposés à 30 une attaque chimique du bord de plaque avec une solution constituée d'eau et de HF dilué à 10%, à la place du traitement dans l'atmosphère humide. Les mesures réalisées sur les couches utiles 3 sont 35 identiques à celles de l'exemple 1. Exemple 3 3032555 18 Un lot de substrat à fracturer 5 est préparé similairement aux deux exemples précédent, et placé dans un four dans une atmosphère neutre à 350° pendant 2 heures. 5 Sans interrompre ce recuit, la température est ensuite réduite à 250° et le recuit poursuivi pendant deux heures à cette température. Au début de ce palier à 250°, de l'eau sous forme de vapeur est injectée dans l'atmosphère du four. 10 A l'issue du recuit, on observe que toutes les plaques sont fracturées. Les mesures d'épaisseurs moyennes et de non-uniformités réalisées sur les couches utiles sont identiques à celle de l'exemple 1 ou 2. 15 Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en oeuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. REVENDICATIONS1. Procédé de report d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes suivantes de : - formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à délimiter une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1) ; - assemblage du support (4) avec la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); - traitement thermique de fracture du premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (2) de manière à reporter la couche utile (3) sur le support (4) ; le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte, pendant l'étape de traitement thermique de fracture, un traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique à l'interface entre le support (4) et le premier substrat (1). 2. Procédé de report selon la revendication précédente selon lequel l'étape de traitement thermique consiste à exposer l'ensemble à fracturer (5) à une atmosphère d'un four. 30 3. Procédé de report selon la revendication précédente dans lequel le premier substrat (1) et le support (4) comprennent du silicium et dans lequel la température de l'atmosphère du four est supérieure à 350°C. 35 4. Procédé de report selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape de traitement thermique de fracture comprend : 20 25 3032555 - une première phase à une première température, la première phase ne conduisant pas à l'initiation de la fracture, puis ; - une seconde phase, à une seconde température 5 inférieure à la première température ; le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique étant appliqué pendant la seconde phase. 5. Procédé de report selon la revendication précédente dans 10 lequel le premier substrat (1) et le support (4) comprennent du silicium et dans lequel la seconde température est inférieure à 350°C. 6. Procédé de report selon l'une des revendications 2 à 5, 15 selon lequel le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique comprend l'introduction d'eau dans l'atmosphère du four. 7. Procédé de report selon la revendication 1 ou 2, dans lequel 20 l'étape de traitement thermique de fracture comprend : - une première phase à une première température, la première phase ne conduisant pas à l'initiation de la fracture, puis ; - une seconde phase à une seconde température; le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique étant appliqué entre la première et la seconde phase, à température ambiante. 8. Procédé de report selon la revendication précédente, dans lequel la seconde température est inférieure à la première. 9. Procédé de report selon la revendication 7 ou 8, selon lequel le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique comprend l'exposition de l'ensemble à fracturer (5) à un environnement présentant un taux d'humidité supérieur à un taux déterminé pendant une durée supérieure à une durée déterminée. 3032555 21 10. Procédé de report selon la revendication précédente dans lequel le premier substrat (1) et le support (4) comprennent du silicium, dans lequel l'environnement est l'atmosphère, le taux déterminé est 10% et la durée déterminée est de 15 5 minutes. 11. Procédé de report selon la revendication 7 ou 8, selon lequel le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique comprend l'exposition de l'ensemble à fracturer 10 (5) à un environnement gravant. 12. Procédé de report selon la revendication précédente, dans lequel l'environnement gravant comprend une solution d'eau et de HF. 15 13. Procédé de report selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les espèces légères implantées sont choisies parmi les ions d'hydrogène et les ions d'hélium. 20 14. Procédé de report selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le traitement de réduction du degré d'adhésion périphérique est appliqué à l'interface à l'interface entre le support (4) et le premier substrat (1) sur une distance radiale supérieure à 1 micron à partir du 25 bord de l'ensemble à fracturer. 15. Procédé de report selon la revendication précédente, dans lequel la distance radiale est comprise entre 100 et 500 30 microns.