Brevet FR3029941A1 — publié le 20160617

La présente invention se rapporte à un procédé de préparation d'un assemblage de monocristaux de silicium, notamment sous la forme d'un pavage de germes destiné à la solidification dirigée d'un lingot de silicium. En particulier, un tel lingot peut être avantageusement découpé en plaquettes utiles pour l'industrie photovoltaïque. Pour produire des plaquettes de silicium adaptées aux applications photovoltaïques, on met généralement en oeuvre un procédé de solidification dirigée par reprise sur germes, dit procédé « mono-like ». Dans le cas d'un procédé de solidification dirigée par reprise sur germes, dit « mono-like », des germes de silicium monocristallin de forme pavé droit sont disposés au fond d'un creuset et forment un pavage. Par contact du silicium en fusion avec les germes, des grains croissent selon une direction privilégiée de solidification, et présentent sensiblement la même orientation cristallographique que les germes dont ils sont issus. Le lingot de silicium obtenu par ce procédé présente généralement des grains colonnaires qui s'étendent sur toute la hauteur du lingot. Toutefois, la préparation du pavage de germes est une opération longue et délicate à mettre en oeuvre. En effet, les germes sont placés précautionneusement et manuellement au fond du creuset de solidification. L'attention portée à cette étape est importante pour limiter le développement de dislocations, qui dégradent les propriétés électriques du silicium lors de la solidification et du refroidissement du lingot. Par ailleurs, il est industriellement difficile d'éviter le développement de contraintes thermomécaniques hétérogènes au sein du lingot au cours de sa solidification dirigée et de son refroidissement, qui entraînent la formation de zones à haute densité de dislocations. Pour limiter l'apparition de zones à haute densité de dislocations, des solutions industriellement complexes et coûteuses à mettre en oeuvre sont préconisées, consistant à améliorer l'isolation thermique du creuset et/ou à modifier fréquemment les conditions thermiques du four au fur et à mesure de la solidification et du refroidissement du lingot. Il est aussi possible, comme décrit dans DE 10 2011 086669 Al d'adapter spécifiquement le positionnement des germes relativement les uns aux autres. Dans le cadre de la fabrication par procédé de Czochralski d'un lingot de silicium monocristallin, Dash a décrit une méthode pour éliminer les dislocations en début de tirage [Dash]. Pour cela, la largeur du barreau initial, duquel le lingot est tiré, doit être inférieure à 10 mm, et la vitesse de tirage du lingot doit être supérieure à 100 millimètres 3029941 2 par heure. De telles conditions de procédé ne peuvent être mises en oeuvre dans le cadre de la fabrication d'un lingot dit mono-like (c'est-à-dire réalisé par solidification dirigée à partir d'un germe), ni en terme de vitesse de croissance, ni en terme de dimension de lingot. Il existe donc un besoin pour un lingot de silicium polycristallin dans lequel la 5 quantité de plaquettes utiles pour applications photovoltaïques qui peut y être découpée est supérieure à celle qui peut être découpée dans un lingot mono-like de mêmes dimensions. Il existe aussi un besoin pour un procédé de fabrication d'un tel lingot. La présente invention vise à satisfaire ce besoin, et elle y parvient notamment 10 grâce à un assemblage organisé de monocristaux de silicium adjacents configuré pour la solidification dirigée d'un lingot selon une direction Z privilégiée de solidification, avec plus de 70 % en nombre des monocristaux de l'assemblage, dits « monocristaux orientés », observés sur une section perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification étant tels que: 15 a) la désorientation d'un monocristal orienté avec le ou les monocristaux orientés qui lui sont adjacents est supérieure à 8°, b) le plus petit des angles entre une normale au joint séparant un monocristal orienté d'un ou des monocristaux orientés adjacents et les directions du ou des monocristaux orientés adjacents est supérieur à 4°, 20 c) le plus petit des angles entre la direction de solidification Z, et les directions dudit monocristal orienté est inférieur à 25° et/ou le plus petit des angles entre la direction Z privilégiée de solidification et les directions du monocristal orienté est inférieur à 10°, et d) la distance de projection li dans un plan perpendiculaire à la direction Z 25 privilégiée de solidification, de la plus grande dimension di du monocristal orienté, mesurée parmi les plans {111} et suivant les directions , est inférieure à 40 mm, de préférence inférieure à 20 mm, voire de préférence inférieure à 10 mm. L'assemblage de monocristaux orientés de silicium selon l'invention peut être disposé au fond d'un creuset et la solidification dirigée d'un lingot par reprise sur 30 l'assemblage de monocristaux peut être mise en oeuvre. De manière surprenante, les inventeurs ont constaté qu'un lingot obtenu à partir de l'assemblage selon l'invention comporte moins de zones à haute densité de dislocations qu'un lingot mono-like de mêmes 3029941 3 dimensions, même si ledit lingot selon l'invention peut présenter plus de joints de grains qu'un lingot mono-like. Le volume du lingot disponible pour la découpe de plaquettes pour applications photovoltaïques s'en trouve augmenté. Il est ainsi possible de découper des plaquettes dont les dimensions ne sont pas limitées par la présence de zones à haute densité 5 de dislocations. Les inventeurs attribuent ces propriétés avantageuses à la réduction de la densité de dislocations procurée par la spécificité des orientations des monocristaux, des relations d'orientation entre les monocristaux adjacents, et aux dimensions des monocristaux selon les critères a) à d) décrits ci-dessus. En particulier, lors de la solidification et du 10 refroidissement d'un lingot obtenu par reprise sur l'assemblage selon l'invention, les joints entre les grains adjacents du lingot agissent non pas comme des sources de dislocations, mais au contraire comme des zones où les dislocations présentes dans les grains sont confinées et peuvent potentiellement s'annihiler. Un « monocristal de silicium » est de préférence tel que la teneur en masse en 15 silicium qui le compose est supérieure à 99,99 %. L'assemblage de monocristaux selon l'invention peut comporter des monocristaux autres que les « monocristaux orientés ». De tels monocristaux, qualifiés « d'orientation aléatoire » par la suite, bien qu'ils présentent individuellement tous une orientation particulière relativement à un repère fixe, ne sont pas considérés comme 20 « orientés », car ils ne remplissent pas les critères a) à d) décrites ci-dessus. Avantageusement, plus de 80 %, voire plus de 90 %, voire plus de 95 %, voire plus de 99 % en nombre, voire tous les monocristaux de l'assemblage peuvent être des monocristaux orientés. La teneur en nombre de monocristaux orientés correspond au rapport du nombre 25 de monocristaux orientés sur le nombre total de monocristaux observés sur une section perpendiculaire à la direction de solidification. De préférence, la teneur en nombre de monocristaux orientés correspond au rapport du nombre de monocristaux orientés sur le nombre total de monocristaux observés sur au moins deux, voire sur au moins cinq sections perpendiculaires à la direction de solidification, les dites sections étant réparties 30 régulièrement selon la direction de solidification. Une relation de désorientation entre les réseaux cristallins de deux monocristaux se traduit par une opération de rotation autour d'un axe de rotation d'indices 3029941 4 cristallographiques et d'un angle de rotation, qui permet de mettre en concordance la maille élémentaire d'un cristal de silicium du premier monocristal et la maille élémentaire du silicium du deuxième monocristal. La structure cristalline du silicium présentant 24 symétries cristallines connues, il existe un nombre fini de couples axe de rotation et 5 d'angle de rotation pour effectuer la mise en concordance précitée. Par la suite, et sauf indication contraire, on nommera « désorientation», l'angle de rotation Od le plus petit parmi tous les angles des opérations de rotation précitées ; et on nommera « axe de désorientation », l'axe de rotation associé à cet angle de rotation. Un « monocristal » est tel qu'en volume, plus de 95 %, voire plus de 99 %, voire 10 la totalité du cristal qui le constitue présente une orientation cristalline sensiblement identique. Par exemple, mesurée par la méthode EBSD (« Electron Back Scattered Diffraction » en anglais) sur une surface du monocristal, la désorientation moyenne d'un ensemble constitué d'au moins dix couples de points répartis sous la forme d'un quadrillage à la surface du monocristal est inférieure à 0,5°. 15 Généralement, un monocristal est monolithique. En variante, un grain d'un lingot ou d'une plaque lié cohésivement à un grain adjacent peut constituer un monocristal. Un « joint » de germe correspond à l'interface séparant deux monocristaux adjacents. Dans le cas où les germes sont des grains cohésifs, la surface de séparation correspond à un joint de grain. Dans le cas où les monocristaux forment des germes 20 disjoints, le joint de germe peut être défini par la surface équidistante des faces des deux germes en regard. Un assemblage « organisé » de monocristaux est tel que les monocristaux qui le constituent sont disposés les uns par rapport aux autres de façon à limiter l'espace libre au sein de l'assemblage. En particulier, comme cela peut être observé sur la figure 1, 25 lorsqu'observé selon une coupe transversale à la direction privilégiée de solidification Z, le rapport entre la surface S. occupée par les monocristaux sur la surface Scp définie par le contour périphérique de l'assemblage (représenté en pointillés sur la figure 1) est supérieur à 90 %, de préférence supérieur à 95 %, voire supérieur à 99 %. La « direction privilégiée de solidification » est, parmi l'ensemble des directions 30 de solidification pour lesquelles un lingot peut être obtenu à partir de l'assemblage selon l'invention, celle pour laquelle le lingot présente, pour une hauteur donnée, un nombre de grains sensiblement égal au nombre de monocristaux de l'assemblage à partir duquel il a 3029941 5 crû, et un volume de silicium maximal par grain. Par souci de clarté, par la suite et sauf indication contraire, une direction de solidification désigne spécifiquement la direction privilégiée de solidification. Un plan « transversal » à une direction est perpendiculaire à cette direction. 5 L'invention concerne aussi un procédé de solidification dirigée, comportant les étapes successives suivantes : i) placer un assemblage de monocristaux selon l'invention sur le fond de la cavité destinée à recevoir du silicium en fusion d'un creuset, ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon 10 une direction Z privilégiée de solidification normale à l'assemblage de monocristaux de façon à obtenir un lingot de silicium, iii) optionnellement, débiter le lingot en briques de section équivalente à la dimension souhaitée des plaquettes puis scier les briques en plaquettes de 50 à 300 kim d'épaisseur et/ou 15 découper le lingot ou une partie du lingot obtenu à l'étape ii) ou au moins une des briques selon une direction normale à la direction privilégiée de solidification du lingot de façon à obtenir une plaque ou un ensemble de plaques, de préférence d'épaisseur comprise entre 5 et 60 mm, iv) optionnellement, reprendre le procédé à l'étape i), l'assemblage de 20 monocristaux étant formé par la plaque ou l'ensemble de plaques obtenue(s) à l'étape Elle concerne aussi un lingot de silicium obtenu par le procédé selon l'invention, dans lequel de préférence plus de 70 % en nombre des grains du lingot, dits « grains orientés », observés sur une section perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification sont tels que: 25 a) la désorientation od d'Un grain orienté avec le ou les grains orientés qui lui sont adjacents est supérieure à 8°, b) le plus petit a des angles entre une normale au joint séparant un grain orienté d'un ou des grains orientés adjacents et les directions du ou des grains orientés adjacents est supérieur à 4°, 30 c) le plus petit 5 des angles entre la direction Z privilégiée de solidification et les directions dudit grain orienté est inférieur à 25° et/ou le plus petit des angles entre 3029941 6 la direction Z privilégiée de solidification et les directions du grain orienté est inférieur à 10°, et d) la distance de projection 1 dans un plan perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification, de la plus grande dimension di du grain orienté, mesurée parmi 5 les plans {111} et suivant les directions , est inférieure à 40 mm, de préférence inférieure à 10 mm. De préférence, le lingot présente une hauteur, mesurée selon la direction privilégiée de solidification, d'au moins 100 mm. L'invention concerne enfin un creuset utile pour la solidification dirigée par 10 reprise d'un lingot de silicium, ledit creuset comportant un logement, destiné à recevoir du silicium en fusion, dont le fond est recouvert en tout ou partie par l'assemblage selon l'invention. D'autres caractéristiques et avantages ressortiront mieux à la lecture de la description détaillée qui va suivre, de l'exemple de réalisation de l'invention et à l'examen 15 des dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 illustre sous une forme éclatée et selon la direction de solidification, un assemblage de monocristaux sous la forme d'un pavage de germes ; autrement dit, les distances séparant les germes adjacents ont été exagérées ; - la figure 2 illustre un assemblage de monocristaux orientés selon l'invention 20 sous la forme d'un bloc monolithique, disposé sur le fond d'un creuset, le creuset étant représenté en coupe et en écorché ; - la figure 3 illustre une variante de réalisation d'un assemblage selon l'invention ; - la figure 4 représente deux monocristaux orientés dont les réseaux cristallins 25 sont désorientés d'un angle 0 ; - la figure 5 illustre deux monocristaux orientés séparés par un joint de torsion ; - la figure 6 illustre le critère c) d'un assemblage selon l'invention ; - la figure 7 illustre la méthode de détermination de la distance ; et - la figure 8 représente en coupe un lingot de silicium en cours de solidification 30 par reprise sur un assemblage selon l'invention. 3029941 7 Il convient de noter que, pour des raisons de clarté, les différents éléments sur les figures sont représentés en échelle libre, les dimensions réelles des différentes parties n'étant pas respectées. Dans la suite du texte, l'expression « compris entre ... et ... », 5 signifie que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. Sauf indication contraire, l'expression « comportant/comprenant un(e) » doit être comprise comme « comportant/comprenant au moins un(e) ». Assemblage de monocristaux 10 Comme cela sera apparent par la suite, l'assemblage 5 selon l'invention peut être monobloc, c'est-à-dire monolithique, ou au contraire multi-blocs. Plus particulièrement, il peut se présenter sous la forme d'un pavage de germes, comme illustré sur la figure 1. Le cas échéant, au moins un, de préférence chaque germe 10 du pavage est défini par un monocristal de l'assemblage et est amovible. Autrement dit, il est possible de retirer un 15 germe du pavage, par exemple manuellement, sans modifier l'agencement des germes restants au sein du pavage. L'intégrité structurelle de l'assemblage sous forme d'un pavage est notamment assurée que par le fait que le pavage est disposé sur un support, par exemple sur le fond d'un creuset. En variante, l'assemblage 5 selon l'invention peut aussi se présenter sous la 20 forme d'un bloc monolithique constitué de grains 15, comme cela est illustré sur la figure 2. Le cas échéant, au moins un, de préférence chaque grain du bloc est formé par un monocristal de l'assemblage, et est lié cohésivement aux grains qui lui sont adjacents. L'assemblage sous forme d'un bloc monolithique est suffisamment rigide pour ne pas rompre sous son propre poids. 25 Qu'il soit monobloc ou multi-blocs, l'assemblage peut présenter une forme de pavé droit dont la hauteur, mesurée selon la direction de solidification Z, est comprise entre 5 et 100 mm. Dans un mode de réalisation de l'invention, la hauteur peut être inférieure à 30 mm et l'assemblage peut alors être désigné en tant que plaque lorsqu'il est monolithique et en tant que pavage lorsqu'il est multi-blocs. 30 De préférence, en coupe selon un plan transversal à la direction de solidification, le contour périphérique Cpa de l'assemblage est de forme quasi-rectangulaire, comme cela peut être observé sur la figure 1. De préférence, les largeurs 1 et longueur L du contour 3029941 8 périphérique sont supérieures à 300 mm. Le contour périphérique peut aussi être de forme carré, de préférence supérieur à 300mm. Notamment, les largeur et longueur du contour périphérique peuvent être chacun un multiple entier de 156 mm additionné d'une dimension d' éboutage de 20 mm en 5 périphéries. L'assemblage selon l'invention peut notamment être disposé sur le fond d'un creuset 20 d'axe Z utile pour la solidification dirigée, comme cela est observé sur la figure 3. Il peut être formé au fond d'un creuset classique. On peut aussi envisager un creuset dont le fond lui-même est formé de l'assemblage selon l'invention. 10 De préférence, l'assemblage recouvre la totalité de la surface du fond 25 du creuset (par exemple, dans le cas d'un creuset en graphite) ou la quasi-totalité de la surface du fond du creuset (par exemple, dans le cas d'un creuset qui peut être sujet à un retrait, par exemple de 2 %, tel que les creusets en silice. Selon une variante de l'invention, il subsiste une surface au fond du creuset non couverte par les germes). En particulier, la distance e 15 entre une paroi latérale 30 du creuset (c'est-à-dire s'étendant notamment selon la direction de solidification) en regard d'une face latérale 35 d'un germe situé à la périphérie du pavage, est de préférence inférieure à 50 mm. Comme cela est illustré sur la figure 2, l'enveloppe externe de l'assemblage peut définir deux faces terminales 40,45, orthogonales à la direction de solidification Z, séparées 20 selon la hauteur H de l'assemblage. Ces deux faces terminales sont avantageusement planes. Dans les variantes où l'assemblage forme un pavage de germes ou forme une plaque, la hauteur d'un monocristal orienté peut être comprise entre 5 mm et 100 mm. De préférence, les monocristaux orientés de l'assemblage s'étendent entièrement entre les deux faces terminales 40,45 de l'assemblage. De préférence, la hauteur 25 d'un monocristal orienté, mesurée selon la direction de solidification Z, est égale à la hauteur de l'assemblage. De préférence, ils présentent une forme prismatique, dont la génératrice G est parallèle à la direction de solidification. De préférence encore, les monocristaux orientés présentent une forme de pavé droit. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 3, l'assemblage est constitué 30 de monocristaux 10 présentant une forme de barreaux 53 disposés unidirectionnellement, selon la direction X, les uns par rapport aux autres et de manière contiguë. Les barreaux présentent des axes longitudinaux, de préférence non confondus, orthogonaux à la direction 3029941 9 de solidification, parallèles les uns aux autres. De préférence, la longueur Lb du barreau, mesurée selon la direction longitudinale, est supérieure à 300 mm. De préférence, la longueur du barreau est choisie de façon à ce qu'une fois disposé dans un creuset, l'écart entre la distance entre deux parois opposées entre lesquelles s'étend le barreau et la longueur 5 du barreau est inférieure à 100 mm. En particulier, dans le cas où l'assemblage de monocristaux est sous forme d'un pavage de germes, la réalisation d'un pavage de germes à l'aide de tels barreaux s'en trouve facilitée, le nombre de germes pour paver une surface d'aire fixée est réduite La largeur du barreau est de préférence inférieure à 20 mm. Dans une variante par exemple illustrée sur la figure 1, les monocristaux orientés 10 présentent une section transversale carrée, de préférence de côté inférieur ou égal à 20 mm. Ils sont disposés selon deux directions X et Y orthogonales et présentent des arêtes parallèles aux directions X ou Y. Les directions X et Y sont de préférence perpendiculaires à la direction de solidification Z. En particulier, observés sur une section transverse à la direction de 15 solidification, les monocristaux orientés peuvent définir un quadrillage, de préférence périodique selon les directions X et Y. Par ailleurs, les monocristaux orientés sont disposés de manière contiguë au sein de l'assemblage. Comme décrit ci-dessus, les monocristaux orientés peuvent être cohésifs et liés les uns aux autres. Ils peuvent alors définir des grains d'un bloc monolithique. La frontière 20 entre deux monocristaux orientés est alors définie par un joint de grain 50. En variante, les monocristaux orientés peuvent être disjoints les uns des autres. Ils peuvent alors définir les germes d'un pavage de germe. De préférence, deux germes adjacents sont au contact l'un de l'autre. Ils peuvent toutefois être espacés et la distance maximale entre les deux faces latérales en regard des germes adjacents est alors de 25 préférence inférieure à 2 mm. De préférence, dans la variante où le pavage est formé de germes ayant la forme et la disposition de barreaux tels qu'illustrés sur la figure 3, disposés unidirectionnellement selon un axe X perpendiculaire aux directions longitudinales Y des barreaux, le pavage de germes est formé à partir de germes identiques. Deux germes adjacents et alignés suivant la 30 direction X peuvent alors être images l'un de l'autre par retournement à 180° d'axe Y. De préférence, dans la variante où le pavage est formé de germes disposés selon des directions X et Y orthogonales comme décrit ci-dessus, le pavage peut être réalisé à 3029941 10 partir de germes identiques avec deux germes adjacents et alignés suivant la direction X étant images l'un de l'autre par un retournement d'axe Y et deux germes adjacents et alignés selon la direction Y étant images l'un de l'autre par un retournement d'axe X. En particulier, les germes identiques peuvent être issus même d'un lingot de 5 silicium élaboré selon une technique de tirage Czochralski (encore appelé lingot « Cz »), technique dans laquelle un germe mono-cristallin de silicium est mis en contact avec un bain de silicium en fusion, afin de faire croître un lingot monocristallin. Cette méthode fournit généralement des lingots Cz de forme cylindrique. Ils peuvent être usinés, de manière conventionnelle et découpés par exemple en tranches 10 perpendiculaires à l'axe (Z,) du cylindre pour obtenir des germes de forme pavé droit. Le tirage donne un lingot de silicium avec un plan cristallographique perpendiculaire à l'axe (Z,) du lingot et déterminé par l'orientation cristalline du germe (par exemple ). Il est alors possible d'usiner des germes avec une orientation spécifiques du 15 réseau cristallin souhaitée, par exemple par découpe du lingot Cz avec une rotation autour de l'axe du cylindre (Z,). Monocristaux orientés Les monocristaux orientés au sein de l'assemblage selon l'invention sont 20 disposés spécifiquement les uns par rapport aux autres. La figure 4 illustre, en vue selon une direction parallèle à la direction de solidification une configuration de monocristaux orientés selon l'invention. Des premier 10a et deuxième 10b monocristaux orientés représentés sur cette figure présentent chacun une forme de pavé droit et des orientations cristallographiques 25 distinctes. Les trièdres 55a,55b représentés dans chacun des monocristaux orientés illustrent les orientations des axes du cristal de silicium au sein de chaque monocristal orienté. Comme cela apparait sur cette figure, il est possible de faire concorder les axes du trièdre du cristal du premier monocristal orienté avec ceux du cristal du deuxième monocristal orienté en effectuant une rotation d'angle de désorientation Od autour d'un 30 vecteur de désorientationri. Selon le critère a) défini ci-dessus, la désorientation d'un monocristal orienté avec le ou les monocristaux qui lui sont adjacents est supérieure à 8°. Les premier et 3029941 11 deuxième monocristaux orientés sont séparés par un joint 50. Dans le cas où les monocristaux forment des grains liés cohésivement de l'assemblage monolithique, le joint entre deux monocristaux est un joint de grain. Dans le cas où les monocristaux sont disjoints les uns des autres, le joint est alors défini comme la surface médiane aux deux monocristaux 5 adjacents. Cette surface médiane est située à mi-distance des faces en regard des monocristaux adjacents. Lorsque les faces des monocristaux adjacents sont planes, la surface médiane est alors un plan médian. Dans un premier mode de réalisation, illustré par exemple sur la figure 4, le joint entre les monocristaux est un joint symétrique. Un joint symétrique définit un plan de 10 symétrie cristalline pour les réseaux cristallins situés de part et d'autre de ce plan. Un joint symétrique est nécessairement un joint de flexion i.e. un joint de flexion est tel que la rotation d'angle de désorientation Od et d'axe Ti> pour mettre en concordance les réseaux cristallins de deux monocristaux adjacents est telle que l'axe Ti> est colinéaire à l'axe de croissance du cristal et compris dans le plan de joint. La symétrie d'un joint de grain de 15 flexion symétrique est définie par rapport à un plan dense du réseau cristallin (hkl). Le joint de flexion est symétrique lorsque l'un des cristaux est tourné de d'un angle -0/2, l'autre d'un angle + 0 /2 par rapport au plan de de joint. Dans une variante, illustrée par exemple sur la figure 5, le joint entre deux monocristaux orientés adjacent peut être un joint de torsion. Un joint de torsion est tel que 20 le vecteur n' autour duquel s'effectue la rotation d'angle de désorientation O'd pour faire coïncider les réseaux cristallins des deux monocristaux orientés adjacents est normal au plan définissant le joint de grain. De préférence, le joint de torsion est de type {100}, c'est-à-dire qu'un axe des monocristaux séparés par un joint, est normal audit joint, et la désorientation entre les deux monocristaux orientés adjacents est supérieure à 8°. Dans une 25 autre variante préférée, le joint de torsion est de type {110}, c'est-à-dire dont un axe du cristal est normal au plan définissant le joint, et la désorientation entre les deux monocristaux orientés adjacents est supérieure à 8°. Par ailleurs, selon le critère b) défini ci-dessus, le plus petit a des angles entre une normale au joint séparant un monocristal orienté d'un ou des monocristaux adjacents et 30 les directions du ou des monocristaux adjacents est supérieure à 4°. Une disposition respectant les critères a) et b) est notamment illustrée sur la figure 4. Deux monocristaux orientés présentant une désorientation et un angle a tels que 3029941 12 décrits ci-dessus sont ainsi disposés que le joint qui les sépare est généralement qualifié de joint de haute énergie. En particulier, un joint consistant en une mâcle du premier ordre de type /3, ou de type /9 ne remplit pas les critères décrits ci-dessus. Un tel joint n'est classiquement pas 5 considéré comme un joint de haute énergie. Par ailleurs, selon le critère c) défini ci-dessus et tel qu'illustré sur la figure 6, un monocristal orienté est tel que le plus petit p des angles entre la direction de solidification Z, et les directions du monocristal orienté est inférieur à 25° et/ou le plus petit des angles entre la direction de solidification Z et les directions dudit monocristal orienté 10 est inférieur à 10°. Un monocristal orienté de l'assemblage selon l'invention est aussi tel que la distance de projection dans un plan perpendiculaire à la direction Z, de la plus grande dimension di du monocristal orienté, mesurée parmi les plans {111} et suivant les directions , est inférieure à 40 mm, de préférence inférieure à 20 mm, de préférence inférieure 15 à 10 mm, de préférence encore inférieure à 5 mm. La détermination de la distance d'un monocristal orienté est détaillée à l'aide de la configuration illustrée sur la figure 7, sur laquelle un monocristal orienté de type pavé droit est représenté. Le monocristal orienté présente deux faces opposées dont des normales sont parallèles à la direction de solidification Z. 20 Sur la figure 7)a), on a illustré un premier 60 plan de type {111} du cristal de silicium qui coupe le monocristal orienté. Par exemple, ce plan de la famille {111} est un plan (111). Il contient les trois directions du cristal cubique. Trois segments 61, 62, 63 sont représentés sur cette figure la). Le premier de ces trois segments présente une première extrémité définie par l'intersection d'une ligne parallèle à une direction [110] (de 25 la famille de directions ) et une première face 65 du monocristal orienté. La deuxième extrémité est définie par l'intersection de ladite ligne et d'une deuxième face 66, qui tel qu'illustrée, est opposée à la première face. Ce segment présente une longueur d. Parmi l'ensemble des directions dudit plan (111), ce segment est celui qui présente la plus grande dimension d110. 30 Les deuxième 62 et troisième 63 segments sont parallèles aux autres directions [011] et [le] respectives de la famille de directions . Parmi l'ensemble des directions [011] et [101] contenues dans le plan (111), ces segments qui joignent deux faces 3029941 13 opposées du monocristal orienté, sont ceux présentant les plus grandes dimensions d[on] et ci[loi]- On détermine alors pour ce premier plan (111) la plus grande dimension parmi les dimensions des segments c/[110], cl[01] et cl [loi]. 5 A titre illustratif, pour le plan représenté sur la figure 7) a), le segment de plus grande distance est selon la direction [110] . Le processus de mesure du segment parallèle aux directions de type et de longueur maximale, tel que décrit ci-dessus, est ensuite réitéré pour l'ensemble des plans (111) parallèles au premier plan (111). Par exemple, comme illustré sur la figure 7)b), sur 10 un deuxième 70 plan cristallin de type (111) parallèle au premier 60 plan (111) illustré sur la figure 7)a), le segment 71 de plus grande distance est orienté selon une direction parallèle à la direction [110]. Il présente une dimension dino]. Ainsi, pour l'ensemble des plans (111) de la famille { 111} dans l'exemple illustré, la plus grande dimension du cristal orienté est égale à d'un. 15 Le processus, tel qu'illustré sur les figures 7) a) et b), est ensuite réitéré pour les 5 autres plans de la famille de plans de type {111}, de façon à déterminer pour l'ensemble des quatre plans de type {111} (en l'occurrence (111), (T11), (1I1), (111) ), le segment 71 parallèle à une direction de type et joignant deux faces du monocristal orienté de plus grande longueur 20 Parmi l'ensemble de tous les points de la famille { 111 du monocristal orienté, la plus grande dimension du monocristal est de longueur di. Ce segment 71 de longueur di est finalement projeté sur une des faces du monocristal orienté de normale parallèle à la direction de solidification Z. Le segment projeté 72 présente une dimension inférieure ou égale à la distance di. 25 Le processus de détermination de la distance peut être aisément déterminé à partir de la connaissance de l'orientation et des dimensions du monocristal orienté. Il peut avantageusement être mis en oeuvre par l'homme du métier à l'aide de moyens de calcul numérique. Par ailleurs, un monocristal orienté selon l'invention présente une densité de 30 dislocations inférieure à 105 cm-2. 3029941 14 Formation d'un lingot de silicium Pour fabriquer un lingot de silicium, dans une première étape de procédé, on place l'assemblage de monocristaux selon l'invention, tel que décrit ci-dessus, sur le fond 25 de la cavité destinée à recevoir du silicium en fusion d'un creuset comme illustré sur les 5 figures 2 et 8. On peut notamment disposer l'assemblage de monocristaux sous la forme d'un pavage de germes ou sous la forme d'une plaque monolithique tels que décrits ci-dessus. Dans une seconde étape, on procède à la solidification dirigée de silicium par reprise sur l'assemblage 5 de monocristaux orientés selon l'invention selon une direction de 10 solidification colinéaire à l'axe (Z). L'homme du métier est à même d'ajuster les conditions opératoires pour l'élaboration du lingot de silicium par solidification dirigée. La solidification dirigée peut être opérée dans un four conventionnel de solidification dirigée, comme par exemple dans un four de cristallisation de type HEM 15 (provenant du nom anglais « Heat Exchange Method ») ou de type Bridgman avec un chauffage fixe par le haut et les côtés, qui permet de cristalliser la charge de silicium avec un gradient de température contrôlé. D'une manière générale, la solidification dirigée est effectuée en faisant fondre, dans un premier temps, une charge de silicium dans le creuset dont le fond est revêtu de 20 l'assemblage selon l'invention. Lorsque le silicium est complètement en fusion, et que l'assemblage de monocristaux commence à fondre, le silicium en fusion 80 est solidifié, de façon dirigée, à faible vitesse (typiquement de 5 à 30 mm/h). La solidification dirigée peut être réalisée par déplacement du système de chauffage et/ou par refroidissement contrôlé, permettant un déplacement progressif du front 25 de solidification (front de séparation entre la phase solide et la phase liquide) vers le haut du creuset. Le lingot obtenu à l'issue de la solidification dirigé peut être ensuite refroidi, notamment jusqu'à température ambiante (20 °C ± 5 °C). Comme décrit ci-dessus, les inventeurs ont constaté que la solidification dirigée 30 d'un lingot à partir de l'assemblage de grains selon l'invention permet d'obtenir un lingot comportant une densité de joints de grains élevée mais dans lequel la densité moyenne de dislocations est particulièrement faible. Ils attribuent cette constatation à la synergie des 3029941 15 orientations cristallographiques, dimensions des monocristaux orientés, et disposition particulière des monocristaux orientés les uns par rapport aux autres selon l'invention. Au cours de la solidification dirigée d'un lingot de silicium à partir de l'assemblage selon l'invention, comme cela sera décrit ci-dessous, des grains du lingot vont 5 croitre à partir des monocristaux orientés de l'assemblage en conservant l'orientation du monocristal orienté à partir duquel ils ont germé, et en particulier les relations d'orientations entre les directions , et/ou et la direction de solidification Z décrite ci-dessus dans les critères b) et c) pour le monocristal orienté dont ils ont issus. De manière avantageuse, comme représenté schématiquement sur la figure 8, 10 les joints de grains 90 se propagent dans le lingot de silicium de manière contrôlée à partir des joints 50 entre les germes. De manière avantageuse, en particulier quand le joint de germe dont il est issu est un joint symétrique, le joint de grain se propage parallèlement à la direction de solidification. De préférence, il définit un plan qui contient la direction de solidification. 15 De préférence, les joints de grains du lingot présentent une désorientation entre les grains qu'ils séparent sensiblement identique à celle des joints entre monocristaux dont ils sont issus telle que définie par le critère a). Avantageusement, les dislocations qui se développent au cours de la croissance du lingot dans le voisinage du joint de grain ne peuvent se propager. 20 Par ailleurs, au cours de la solidification dirigée du lingot de silicium, la distance de projection de la plus grande dimension d'un grain qui a crû à partir d'un monocristal orienté, mesurée parmi les plans {111} et suivant les directions est inférieure à 40 mm, de préférence inférieure à 20 mm, de préférence inférieure à 10 mm. La distance peut être déterminée sur le lingot après refroidissement suivant la méthode précédemment 25 décrit pour déterminer la distance du monocristal orienté. Avantageusement, le grain qui a crû selon la direction de solidification à partir d'un monocristal orienté présente une distance comprise entre 0,8 et 1,2 fois, de préférence 0,9 à 1,1 fois, de préférence comprise entre 0,95 et 1,05 fois, de préférence sensiblement égale à la distance 1 dudit monocristal orienté. 30 De préférence, au sein du lingot de silicium obtenu par le procédé selon l'invention la densité moyenne de dislocations, est inférieure à 106 cm' et/ou la densité de dislocations intra granulaires est inférieure à 105 cm'. 3029941 16 En particulier, selon une coupe transversale normale à la direction Z, au moins 70 %, de préférence 80 %, de préférence 90 % en nombre, voire tous les grains orientés du lingot de silicium présentent une densité de dislocation intra-granulaire inférieure à 105 cm- 2. 5 La densité moyenne de dislocations du lingot de silicium correspond au rapport de la somme des longueurs totales des dislocations contenues dans le lingot sur le volume du lingot. Les densité moyenne de dislocations peuvent être mesurées par exemple par topographie de rayon X ou par révélation chimique des dislocations à partir d'une surface polie et comptage. 10 Les inventeurs attribuent la faible densité de dislocations intra granulaires du lingot au fait qu'à une température supérieure à 1200 °C, une dislocation est mobile sur une distance au maximum égale à la longueur Une dislocation, située à une distance inférieure à d'un joint de grain de haute énergie, peut être mobile par glissement vers ce joint de grain de haute énergie du fait de l'attraction qu'il génère. De préférence, le respect 15 du critère c) décrit ci-dessus assure qu'une telle dislocation est située sur un plan de glissement sur lequel elle est apte à glisser. Cette dislocation peut alors être annihilée par les dislocations situées au voisinage immédiat du joint de grain, ce qui permet de réduire la densité de dislocations à l'intérieur des grains. Comme cela apparait à présent, les grains du lingot respectent 20 préférentiellement les critères a) à d) définis pour l'assemblage de monocristal. Avantageusement, le lingot obtenu par solidification dirigée à partir de l'assemblage de monocristaux orientés selon l'invention peut ainsi constituer lui aussi l'assemblage de monocristaux orientés selon l'invention, les monocristaux orientés étant liés entre eux et formant des grains orientés du lingot. 25 Il peut comporter des grains d'orientation aléatoire, c'est-à-dire qui ne présentent pas les critères a) à d) de l'assemblage selon l'invention. De tels grains peuvent notamment avoir cru à partir des parois latérales 30 du creuset. Sur une coupe transversale du lingot perpendiculaire à la direction de solidification, la teneur de grains d'orientation aléatoire, exprimée en nombre de grains d'orientation 30 aléatoire observés sur la coupe transversale, divisée par le nombre total de grains observés sur la coupe transversale, est de préférence inférieure à 30 %, de préférence inférieure à 20 %, de préférence inférieure à 10 %, inférieure à 5 %, voire même nulle. 3029941 17 Le procédé de fabrication d'un lingot peut comporter une étape iii), consistant à découper le lingot obtenu à l'étape ii) selon une direction normale à la direction de solidification du lingot de façon à obtenir une plaque. De préférence, la plaque présente une épaisseur comprise entre 5 mm et 5 100 mm. Avantageusement, la plaque peut présenter des largeur et longueur, mesurées selon une direction normale à son épaisseur, qui sont chacune un multiple entier de 156 mm additionné d'une dimension d' éboutage de 20 mm en périphérie. La plaque découpée présente des grandes faces, de préférence parallèles, séparées selon la hauteur de la plaque. De préférence, la plaque comporte des grains qui 10 s'étendent entièrement selon hauteur entre les deux grandes faces. La plaque étant issue d'un lingot formant assemblage de monocristaux selon l'invention, elle peut être découpée dans une zone du lingot de façon à former elle aussi l'assemblage de monocristaux selon l'invention. La plaque est avantageusement monolithique, et suffisamment rigide pour ne 15 pas rompre sous son propre poids. De préférence, la densité moyenne de dislocations de la plaque est inférieure à 106 cm' et/ou la densité de dislocations intra granulaires est inférieure à 105 cm'. Une telle plaque peut alors être placée sur le fond de la cavité destinée à recevoir du silicium en fusion d'un creuset. Il est ainsi possible, selon une étape iv) du procédé selon 20 l'invention, de fabriquer un nouveau lingot de silicium, en reprenant le procédé de fabrication à l'étape i) à l'aide de l'assemblage de monocristaux formé par la plaque obtenue à l'étape iii) décrite ci-dessus. Le procédé selon l'invention présente ainsi de nombreux avantages. Comme cela a été décrit ci-dessus, à partir d'un pavage de germes présentant les 25 caractéristiques de l'assemblage de monocristaux selon l'invention, de faible hauteur H, un lingot de silicium d'une hauteur Hi au moins dix fois supérieure à la hauteur H du pavage de germes peut être obtenu par solidification dirigée. Ce lingot présente avantageusement les caractéristiques de l'assemblage selon l'invention. Il est alors envisageable de découper au moins un, de préférence au moins trois, 30 voire au moins dix plaques présentant chacune une hauteur inférieure ou égale à 1,5 fois la hauteur du pavage de germes initial. Avantageusement, au moins une, de préférence toutes 3029941 18 les plaques ainsi découpées présentent les caractéristiques de l'assemblage selon l'invention. Une telle plaque monolithique peut alors être destinée à la fabrication d'un nouveau lingot pour la solidification dirigée par reprise en suivant l'étape a) du procédé 5 selon l'invention, les grains de la plaque définissant alors des germes pour la reprise. Avantageusement, à partir de l'assemblage de monocristaux selon l'invention sous la forme d'un pavage de germes, il est possible de préparer plusieurs plaques pour fabriquer de nouveaux lingots. Une plaque obtenue par le procédé selon l'invention présente en outre 10 l'avantage de pouvoir être aisément transportée et son utilisation en fond de creuset permet de réduire le temps de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. En effet, la mise en place d'une telle plaque sur le fond de la cavité d'un creuset est une opération aisée comparée à la réalisation d'un pavage de germes, ou chaque germe doit être disposé un à un sur le fond de la cavité. 15 Le rendement du procédé de solidification dirigée par reprise sur une telle plaque est ainsi amélioré par rapport à un procédé de reprise classique sur pavage de germes par un gain de temps de préparation des germes et par le gain de matière du recyclage du pavage de germes. 20 Exemples L'invention est à présent décrite au moyen des exemples suivants. Elle n'est bien évidemment pas limitée à ces seuls exemples. Exemple 1 Des germes monocristallins sont obtenus par découpe d'un lingot Cz de silicium 25 monocristallin obtenu par le procédé de tirage Czochralski. Le lingot choisi possède un diamètre de 9 pouces (228,6 mm) et une orientation (à ± 0,5° près) suivant la direction de tirage Zc. Le lingot Cz est ainsi découpé en germes de surface 20 x 20 mm2 et d'épaisseur de 20 mm. La découpe est réalisée avec une rotation de 10° autour de l'axe T par rapport à 30 une position référence de cubage 3 faces . Les germes prélevés sont placés au fond d'un creuset avec un pavage tel que représenté en figure 1. Un premier germe A est placé en fond de creuset. Des deuxième A', 3029941 19 troisième A" et quatrième A" germes, identiques au premier germe A sont prélevés tel quel du lingot Cz. Le deuxième germe A' subit par rapport au germe A, une rotation de 180° autour de l'axe X, et est placé au contact du premier germe A selon la direction Y. Le troisième germe A", subit par rapport au premier germe A, une rotation de 180° autour de 5 l'axe Y et est placé au contact du premier germe A selon la direction X. Le quatrième germe A'" subit par rapport au deuxième germe A', une rotation de 180° autour de l'axe Y, et est placé au contact du premier germe A selon la direction X. En répétant cette succession d'opérations de rotation autour des axes X et Y sur des germes identiques au premier germe A, on obtient ainsi un pavage de germes recouvrant 10 le fond du creuset. Ainsi, le pavage de germes présente les caractéristiques suivantes : - le joint entre deux germes contigus est un joint de flexion présentant une désorientation de 20°, - le plus petit des angles entre une normale au joint séparant deux germes 15 adjacents et les directions de ces germes est égal à 44,7°, - le plus petit des angles entre la direction de solidification Z et la direction d'un germe est nul (0°), - la distance de projection li dans un plan perpendiculaire à la direction Z, de la plus grande dimension di de chaque germe mesurée parmi les plans {111} et suivant les 20 directions , est égale à 24,4 mm. Référence [Dash] DASH W.C., "Growth of silicon crystals free from dislocations", J. Appl. Phy., n°4, Vol. 30, p. 459-474, 1959. REVENDICATIONS1. Assemblage (5) organisé de monocristaux (10) de silicium adjacents configure pour la solidification dirigée d'un lingot (90) selon une direction Z privilégiée de solidification, avec plus de 70 % en nombre des monocristaux de l'assemblage, dits « monocristaux orientés », observés sur une section perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification étant tels que: a) la désorientation Od d'un monocristal orienté avec le ou les monocristaux orientés qui lui sont adjacents est supérieure à 8°, b) le plus petit a des angles entre une normale au joint (50) séparant un monocristal orienté d'un ou des monocristaux orientés adjacents et les directions du ou des monocristaux orientés adjacents est supérieur à 4°, c) le plus petit p des angles entre la direction Z privilégiée de solidification, et les directions dudit monocristal orienté est inférieur à 25° et/ou le plus petit des angles entre la direction Z privilégiée de solidification et les directions du monocristal orienté est inférieur à 10°, et d) la distance de projection dans un plan perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification, de la plus grande dimension di du monocristal orienté, mesurée parmi les plans {111} et suivant les directions , est inférieure à 40 mm. 2. Assemblage selon la revendication précédente, dans laquelle la distance de projection est inférieure à 20 mm, de préférence inférieure à 10 mm. 3. Assemblage selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le joint entre deux monocristaux orientés est un joint symétrique. 4. Assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le joint entre deux monocristaux orientés adjacents est un joint de flexion {100} ou un joint de torsion {100}, et la désorientation entre lesdits deux monocristaux orientés est supérieure à 8°. 5. Assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le joint entre deux monocristaux orientés adjacents est un joint de torsion {110}, et la désorientation entre lesdits deux monocristaux est supérieure à 8°. 6. Assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les monocristaux orientés sont de forme pavé droit. 3029941 21 7. Assemblage selon la revendication précédente, constitué de monocristaux orientés présentant une forme de barreaux (53) disposés unidirectionnellement les uns par rapport aux autres de manière contiguë, les axes longitudinaux des barreaux étant parallèles. 8. Assemblage selon la revendication précédente, dans lequel un barreau 5 présente une longueur (Lb) supérieure à 300 mm. 9. Assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, les monocristaux orientés étant disposés selon deux directions (X) et (Y) orthogonales et présentant des arêtes parallèles aux directions (X) ou (Y). 10. Assemblage selon la revendication précédente, les monocristaux orientés 10 étant de section transverse carrée et de côté de préférence inférieur ou égal à 20 mm. 11. Assernblage selon l'une quelconques des revendications 9 et 10, réalisé à partir de monocristaux identiques avec deux monocristaux adjacents et alignés suivant la direction (X) étant images l'un de l'autre par un retournement d'axe (Y) et deux monocristaux adjacents et alignés selon la direction (Y) étant images l'un de l'autre par un 15 retournement d'axe (X). 12. Assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes de type pavage, dans lequel au moins une partie, de préférence tous les monocristaux orientés sont disposés de manière contiguë et sont amovibles et définissent des germes du pavage. 13. Assemblage selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 sous forme 20 d'un bloc monolithique, dans lequel au moins une partie, de préférence tous les monocristaux orientés sont cohésifs et définissent les grains du bloc. 14. Procédé de solidification dirigée comportant les étapes successives suivantes i) placer un assemblage de monocristaux selon l'une quelconque des 25 revendications précédentes sur le fond de la cavité destinée à recevoir du silicium en fusion d'un creuset, et ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon une direction .Z privilégiée de solidification normale à l'assemblage de monocristaux de façon à obtenir un lingot de silicium, 30 iii) optionnellement, débiter le lingot en briques de section équivalente à la dimension souhaitée des plaquettes puis scier les briques en plaquettes de 50 à 300 d'épaisseur et/ou 3029941 22 découper le lingot ou une partie du lingot obtenu à l'étape ii) ou au moins une des briques selon une direction normale à la direction privilégiée de solidification du lingot de façon à obtenir une plaque ou un ensemble de plaques, de préférence d'épaisseur comprise entre 5 mm et 100 mm, 5 iv) optionnellement, reprendre le procédé à l'étape i), l'assemblage de monocristaux étant formé par la plaque ou l'ensemble de plaques obtenue(s) à l'étape iii). 15. Lingot de silicium obtenu par le procédé selon la revendication 14. 16. Lingot de silicium selon la revendication précédente, dans lequel plus de 70 % en nombre des grains du lingot, dits « grains orientés », observés sur une section 10 perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification sont tels que: a) la désorientation Od d'un grain orienté avec le ou les grains orientés qui lui sont adjacents est supérieure à 8°, b) le plus petit a des angles entre une normale au joint (50) séparant un grain orienté d'un ou des grains orientés adjacents et les directions du ou des grains 15 orientés adjacents est supérieur à 4°, c) le plus petit p des angles entre la direction Z privilégiée de solidification, et les directions dudit grain orienté est inférieur à 25° et/ou le plus petit des angles entre la direction Z privilégiée de solidification et les directions du grain orienté est inférieur à 10°, et 20 d) la distance de projection dans un plan perpendiculaire à la direction Z privilégiée de solidification, de la plus grande dimension di du grain orienté, mesurée parmi les plans {111} et suivant les directions , est inférieure à 40 mm, de préférence inférieure à 10 mm. 17. Lingot de silicium selon l'une quelconque des deux revendications 15 et 25 16, dans lequel la densité moyenne de dislocations est inférieure à 106 cm' et/ou la densité de dislocations intra granulaires est inférieure à 105 cm'. 18. Creuset utile pour la solidification dirigée par reprise d'un lingot de silicium, ledit creuset comportant un logement, destiné à recevoir du silicium en fusion, dont le fond est recouvert en tout ou partie par un assemblage selon l'une quelconque des 30 revendications 1 à 13.