Brevet FR3027452A1 — publié le 20160422

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PHOTODIODE A FAIBLE BRUIT. DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne le domaine des procédés de fabrication d'une photodiode, utilisée notamment pour détecter un rayonnement infrarouge. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE On connaît dans l'art antérieur différentes sortes de photodiodes, qui sont utilisées par exemple dans le domaine spatial, pour la détection du rayonnement infrarouge, notamment l'infrarouge moyen (longueurs d'onde comprises entre 4 gm et 5 'lm), et l'infrarouge lointain (longueurs d'onde supérieures à 5 p.m). Une photodiode comprend une couche en matériau semi-conducteur, dans laquelle une jonction PN sépare une première région dopée, d'une deuxième dopée également nommée région d'absorption. Dans tout le texte, toute cette couche en matériau semi-conducteur est nommée « couche utile ». Un photon à la longueur d'onde souhaitée est absorbé dans la région d'absorption, où il crée un porteur dit minoritaire. Ce porteur minoritaire diffuse dans la couche utile jusqu'à atteindre la jonction PN, où il va être à l'origine d'un courant électrique de recombinaison de porteurs. La diffusion des porteurs minoritaires jusqu'à la jonction PN est nommée « collection par diffusion ». Une photodiode présente généralement un courant dit courant d'obscurité, correspondant à un courant électrique de recombinaison de porteurs dans la photodiode, ne correspondant pas à l'absorption d'un rayonnement électromagnétique. Le courant d'obscurité correspond à du bruit, et dégrade les performances en détection infrarouge. On connaît dans l'art antérieur un procédé de fabrication d'une photodiode planaire, comprenant la réalisation d'une couche utile consistant en une couche supérieure faite d'un alliage de cadmium mercure tellure CdyHgi-yTe, y = 0,28, et une couche inférieure en Cdxligi,Te, x = 0,22. On réalise ensuite une jonction PN s'enfonçant dans la couche utile légèrement plus profondément que la couche supérieure. On obtient ainsi une photodiode à faible bruit permettant de détecter des longueurs d'onde dans l'infrarouge lointain. Une telle photodiode est décrite dans l'article « MBE HgCdTe Heterostructure p-on-n Planar Infrared Photodiodes », J.M. Arias & al., Journal of Electronic Materials, Vol. 22, No. 8, 1993. On a montré que dans un matériau semi-conducteur en CdxHgi_xTe, la bande interdite, nommée « gap », dépend de la concentration en cadmium. Plus cette concentration est élevée, plus le gap est élevé. Ainsi, dans la photodiode décrite par J.M. Arias & al., la couche supérieure à fort gap permet de diminuer le bruit, tandis que la couche inférieure à faible gap permet de détecter un photon à la longueur d'onde souhaitée. Le diagramme d'énergie d'une jonction PN classique correspond à une bande de valence qui croît régulièrement depuis le niveau d'énergie correspondant au dopage N vers le niveau d'énergie correspondant au dopage P. Dans le cas d'une jonction PN telle que décrite dans l'article de J.M. Arias & al., et lorsque la jonction PN s'enfonce moins profondément dans la couche utile que la limite entre la couche supérieure et la couche inférieure, la bande de valence présente une évolution différente. Son niveau d'énergie commence par décroître, du fait du gradient de bande interdite, à l'interface entre la couche inférieure et la couche supérieure. Ensuite, ce niveau d'énergie augmente vers le niveau d'énergie correspondant au dopage P. La décroissance du niveau d'énergie de la bande de valence forme une barrière de potentiel, qui entrave la diffusion des porteurs minoritaires jusqu'à la jonction PN. Un inconvénient de la photodiode telle que décrite par J.M. Arias & al. est donc que le positionnement de la jonction PN reste une étape délicate. - si la jonction PN s'enfonce trop dans la couche inférieure, cela se traduit par une augmentation du bruit de la photodiode ; - si la jonction PN ne débouche pas dans la couche inférieure, le gap élevé de la couche supérieure forme une barrière de potentiel qui entrave la diffusion des porteurs minoritaires jusqu'à la jonction PN. La collection par diffusion des porteurs minoritaires sera donc entravée. Ainsi, l'absorption d'un photon formera bien un porteur minoritaire dans région d'absorption de la photodiode, mais celui-ci ne pourra pas atteindre la jonction PN, et ne pourra donc pas être à l'origine d'un courant dans la photodiode. Un objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une photodiode à faible bruit, ne présentant pas les inconvénients de l'art antérieur. En particulier, un but de la présente invention est de proposer un procédé particulièrement simple pour fabriquer une photodiode à faible bruit. L'invention concerne également une photodiode pouvant être obtenue à l'aide d'un procédé selon l'invention. EXPOSÉ DE L'INVENTION Cet objectif est atteint avec un procédé de fabrication d'une photodiode comprenant une couche utile en un alliage semi-conducteur, la couche utile présentant une valeur de bande interdite décroissante depuis une première face dite face supérieure vers une face opposée dite face inférieure, ledit procédé comprenant une étape de réalisation d'une première région dopée située dans la couche utile et formant une jonction PN avec une deuxième région dopée de la couche utile, ladite réalisation d'une première région dopée comprenant : - une première étape de dopage, de façon à réaliser une partie formant base de la première région dopée ; et - une deuxième étape de dopage, de façon à réaliser au moins une protubérance de la première région dopée, ladite protubérance faisant saillie depuis la partie formant base et en direction de la face inférieure de la couche utile, de sorte que la valeur moyenne de bande interdite dans la protubérance soit inférieure à la valeur moyenne de bande interdite dans la partie formant base. Selon une premier mode de réalisation, la première étape de dopage comprend une première implantation ionique mettant en oeuvre une première énergie d'implantation et une première surface d'implantation ; et - la deuxième étape de dopage comprend une deuxième implantation ionique, mettant en oeuvre une deuxième énergie d'implantation et une deuxième surface d'implantation, la deuxième énergie d'implantation étant supérieure à la première énergie d'implantation, et la deuxième surface d'implantation étant au moins deux fois inférieure à la première surface d'implantation. Selon un second mode de réalisation, la première étape de dopage comprend une diffusion de dopant, mettant en oeuvre une première surface de diffusion ; et - la deuxième étape de dopage comprend une implantation ionique mettant en oeuvre une deuxième surface d'implantation, la deuxième surface d'implantation étant au moins deux fois inférieure à la première surface de diffusion. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes, dans lequel chaque photodiode est fabriquée par un procédé de fabrication tel que défini ci-dessus, les plusieurs premières régions dopées étant situées dans une même couche utile et formant chacune une jonction PN avec une deuxième région dopée commune aux photodiodes. Ce procédé comprend avantageusement une étape de réalisation d'au moins une zone dite sur-dopée, située dans la deuxième région dopée et entre deux jonctions PN voisines, la zone sur-dopée présentant une densité de dopage supérieure à celle d'au moins une zone dite d'absorption située dans la deuxième région dopée et sous chaque jonction PN. La zone sur-dopée est obtenue par exemple lors d'une croissance par épitaxie de la couche utile, par réalisation d'une couche sur-dopée de couche utile, affleurant la face supérieure de la couche utile, et formant, après réalisation des premières régions dopées, la zone sur-dopée. L'invention concerne aussi une photodiode comprenant une couche utile en un alliage semi-conducteur, la couche utile présentant : une valeur de bande interdite décroissante, depuis une première face de la couche utile dite face supérieure vers une face opposée dite face inférieure, et une jonction PN, entre une première région dopée et une deuxième région dopée entourant la première région dopée ; la première région dopée comprenant : une partie formant base ; et au moins une protubérance, faisant saillie depuis la partie formant base et en direction de la face inférieure de la couche utile, de sorte que la valeur moyenne de bande interdite dans la protubérance soit inférieure à la valeur moyenne de bande interdite dans la partie formant base. Avantageusement, la protubérance : - s'étend dans la couche utile au moins 1,2 fois plus profondément que la partie formant base et - présente une section dans un plan parallèle au plan de la face supérieure de la couche utile, au moins deux fois inférieure à la section de la partie formant base dans un plan parallèle au plan de la face supérieure de la couche utile. Selon un premier mode de réalisation, la couche utile consiste en une couche utile inférieure présentant une première valeur de bande interdite et une couche utile supérieure présentant une deuxième valeur de bande interdite supérieure à ladite première valeur, la base s'étendant uniquement dans la couche utile supérieure et la protubérance s'étendant au moins dans la couche utile inférieure. Selon un second mode de réalisation, la couche utile présente une variation continue de valeur de bande interdite, celle-ci décroissant depuis la face supérieure vers la face inférieure de la couche utile. La couche utile est par exemple en un alliage semi-conducteur de cadmium, mercure et tellure de type CdxHgi_xTe, ou un alliage semi-conducteur d'indium, gallium et arsenic de type InxGaAs, ou un alliage semi-conducteur d'indium, arsenic, antimoine de type InAsxSbi-x. Selon une première variante, la première région dopée présente une unique protubérance positionnée au centre de la partie formant base. Selon une seconde variante, la première région dopée présente au moins deux protubérances situées en périphérie de la partie formant base. L'invention concerne enfin une matrice de photodiodes dans laquelle les photodiodes sont des photodiodes telles que définies ci-dessus, les plusieurs premières régions dopées étant situées dans une même couche utile et formant chacune une jonction PN avec une deuxième région dopée commune aux photodiodes. Avantageusement, la deuxième région dopée comprend : - au moins une zone dite d'absorption, située sous chaque jonction PN; et - au moins une zone dite sur-dopée, située entre deux jonctions PN voisines, et présentant une densité de dopage supérieure à celle de la zone d'absorption. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1A illustre de manière schématique un premier mode de réalisation de procédé de fabrication d'une photodiode selon l'invention, - la figure 1B illustre de manière schématique une vue en coupe de la photodiode obtenue à l'aide du procédé de la figure 1A ; - la figure 1C illustre une variante du procédé de la figure 1A ; - la figure 2 illustre de manière schématique une étape d'un premier mode de réalisation de procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes selon l'invention, et une vue en coupe de la matrice de photodiodes obtenue ; - la figure 3A illustre de manière schématique une étape d'un deuxième mode de réalisation de procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes selon l'invention ; - la figure 3B illustre une vue en coupe de la matrice de photodiodes, obtenue à l'aide du procédé de la figure 3A; - les figures 4A et 4B illustrent de manière schématique, selon une vue en coupe et une vue de dessus, un troisième mode de réalisation d'une matrice de photodiodes selon l'invention ; et - les figures 5A et 5B illustrent de manière schématique, selon une vue en coupe et une vue de dessus, un quatrième mode de réalisation d'une matrice de photodiodes selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On a illustré en figure 1A, et de façon schématique, les étapes d'un procédé selon l'invention de fabrication photodiode. Les vues de la figure 1A sont des vues en coupe. Etape 100: On dispose initialement d'une couche dite couche utile 10 en matériau semiconducteur, par exemple en un alliage de cadmium, mercure et tellure CdxHgi,Te, avec x un réel compris entre 0 et 1, les bornes étant exclues. En variante, la couche utile 10 est en matériau semi-conducteur fait d'un alliage d'indium, gallium et arsenic InxGai_xAs, avec x un réel compris entre 0 et 1, les bornes étant exclues. La couche utile 10 peut également être en matériau semi-conducteur fait d'un alliage d'indium, arsenic et antimoine InAsxS131, avec x un réel compris entre 0 et 1, les bornes étant exclues. Dans un matériau semi-conducteur en CdxHgl_xTe ou en In.GaAs ou en InAsxS131._x ou en Ini_xAlxSb la bande interdite, nommée « gap », dépend de la concentration en cadmium, respectivement en indium, respectivement en arsenic, respectivement en aluminium. On pourra imaginer de nombreuses variantes dans lesquelles la couche utile 10 est formée de n'importe quel alliage semi-conducteur, dans lequel le gap dépend de la concentration en l'un des composants de l'alliage. La couche utile 10 présente typiquement une épaisseur comprise entre 3 p.m et 20 p.m, par exemple 6 gm. Cette couche utile 10 est réalisée ici sur un substrat 11, transparent aux longueurs d'onde que l'on souhaite détecter. Selon une variante non représentée, le substrat est séparé de la couche utile avant, pendant ou après la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Pour des raisons de clarté des figures, l'épaisseur du substrat 11 est sous dimensionnée sur les figures. La couche utile présente par exemple une forme de parallélépipède, notamment un parallélépipède rectangle. On définit dans cette couche utile un axe z partant de la face 108, reliant les faces 108 et 109, et définissant l'axe de la profondeur. La face 109 est une face inférieure, ici au contact du substrat 11. La face 108 est une face supérieure, du côté opposé à la face inférieure 109. La couche utile 10 présente un gradient de la valeur de bande interdite, celle-ci décroissant depuis la face supérieure 108 vers la face inférieure 109. Ce gradient de la valeur de bande interdite correspond ici à un gradient de la concentration en cadmium. Il pourra s'agir selon les cas d'un gradient de la concentration en Indium dans InxGaAs, ou d'un gradient d'un composant dans tout autre alliage semi- conducteur, dans lequel la valeur de bande interdite dépend de la concentration de ce composant dans de l'alliage. Dans l'exemple illustré en figure 1A, le gradient est discontinu. En particulier, la couche utile 10 consiste en une couche utile supérieure 1013 déposée directement sur une couche utile inférieure 10A, les couches utiles inférieures et supérieures présentant chacune une composition sensiblement constante dans l'espace. La couche utile supérieure 10B présente une valeur de bande interdite supérieure à celle de la couche utile inférieure 10A. Une telle couche utile est formée par exemple en faisant varier la composition d'un matériau source lors de la croissance de la couche utile. Cette croissance est notamment une croissance par épitaxie. Il peut s'agir d'une épitaxie par jet moléculaire. On forme par exemple la couche utile inférieure 10A, puis la couche utile supérieure 10B, en modifiant la composition des éléments déposés par épitaxie, notamment en modifiant la concentration en un composant de la couche utile déterminant sa valeur de bande interdite. Un exemple réalisation d'une telle couche utile est décrit notamment dans l'article de J.M. Arias & al., présenté en introduction, ainsi que par Tennant et al. dans la demande de brevet US 2007/0034898. Ici, la couche utile supérieure 10B présente donc une concentration en cadmium supérieure à la concentration en cadmium dans la couche utile inférieure 10A. On a représenté à droite le gradient de la concentration en cadmium Cd en fonction de la profondeur z dans la couche utile. Pour z compris entre 0 et z, la concentration en cadmium prend une première valeur Cdi. zi correspond à l'épaisseur de la couche utile supérieure 10A. Par exemple Cdi est compris entre x=0,95 et x=0,5. Pour z supérieur à Zi, la concentration en cadmium prend une valeur Cdo. Par exemple Cdo est compris entre x=0,2 et x=4. On a par exemple Cdi supérieur ou égal à 1,5* Cdo. Etape 101: Au cours de l'étape 101, on réalise une première implantation ionique dans la couche utile 10. Cette implantation ionique met en oeuvre une énergie d'implantation E1, et une surface d'implantation Si. En d'autres termes, on envoie des éléments dopants à l'intérieur de la couche utile avec une énergie Ei et en les faisant traverser une surface Si de la face supérieure 108 de la couche utile. On choisit ici l'énergie Ei de sorte qu'une jonction PN formée grâce à cette implantation ionique s'étende depuis la face supérieure 108 de la couche utile, et sur une profondeur z2 inférieure à zi. On a représenté à droite la profondeur z2 sur le graphique du gradient de concentration en cadmium dans la couche utile. On voit que la concentration en cadmium à la profondeur z=z2 correspond à la concentration en cadmium Cdi dans la couche utile supérieure. L'homme du métier saura aisément définir une valeur d'énergie Ei, étant donné qu'il n'est aucunement nécessaire d'être précis. Dans l'exemple illustré en figure 1A, tant que z2 est inférieure à Zi, l'objectif sera atteint. Etape 102: Au cours de l'étape 102, on réalise une deuxième implantation ionique dans la couche utile 10. Cette implantation ionique met en oeuvre une énergie d'implantation E2, et une surface d'implantation S2. L'énergie d'implantation E2 est supérieure à l'énergie d'implantation Ei, de sorte que les éléments dopants implantés à l'étape 102 s'étendent plus profondément dans la couche utile que les éléments dopants implantés à l'étape 101. En particulier, on choisit ici l'énergie E2 de sorte qu'une jonction PN formée grâce à cette implantation ionique s'étende depuis la face supérieure 108 de la couche utile, et sur une profondeur z3 supérieure à zi. On a représenté à droite la profondeur z3 sur le graphique du gradient de concentration en cadmium dans la couche utile. On voit que la concentration en cadmium à la profondeur z=z3 correspond à la concentration en cadmium Cdo dans la couche utile inférieure. L'homme du métier saura aisément définir une valeur d'énergie E2, étant donné qu'il n'est aucunement nécessaire d'être précis. Dans l'exemple illustré en figure 1A, tant que z3 est supérieure à Zi, l'objectif sera atteint. La surface d'implantation S2 est plus de deux fois inférieure à la surface d'implantation Si, de sorte que les éléments dopants implantés à l'étape 102 s'étendent sur une zone bien plus étroite que les éléments dopants implantés à l'étape 101. Par exemple, la surface Si est un carré de 101.tm de côté, et la surface S2 est un carré de 1 iim de côté. L'ordre entre les étapes 101 et 102 peut être échangé. On peut prévoir de recouvrir la face supérieure 108 d'une résine, puis d'insoler la résine par lithographie de façon à y ménager une ouverture traversante de surface Si, respectivement S2, à travers laquelle on réalise l'implantation ionique. Grâce aux éléments dopants implantés aux étapes 101 et 102, on forme dans la couche utile 10 une première région dopée 13 formant une jonction PN 15 avec une deuxième région dopée 14 de la couche utile. Une jonction PN 15 forme une photodiode. Une région est dite dopée P lorsqu'elle présente un excès de « trous » (porteur majoritaire), ou en d'autres termes un défaut d'électrons (porteurs minoritaires). Une région est dite dopée N lorsqu'elle présente un excès d'électrons (porteur majoritaire), ou en d'autres termes un défaut de trous (porteurs minoritaires). La première région dopée 13 affleure la face supérieure 108, et présente un dopage N ou P. La deuxième région dopée 14 présente un dopage P ou N de type différent, et entoure la première région dopée 13 latéralement et du côté de la face inférieure 109. La création d'une jonction PN par implantation ionique peut mettre en oeuvre, de façon bien connue de l'homme du métier, des étapes supplémentaires de recuit et/ou d'activation des éléments dopants implantés. Par exemple, on réalise la première région dopée 13 par deux implantations successives d'arsenic (dopant P) dans une couche utile en CdxHgi,Te. En particulier, on réalise deux implantations successives d'arsenic. On réalise ensuite un recuit à environ 400°C pour activer l'arsenic. Ce recuit crée des lacunes de mercure dans toute la couche utile 10. On obtient donc une région fortement dopée P (grâce à l'implantation d'arsenic) et une région faiblement dopée P (à cause des lacunes de mercure). La région fortement dopée P forme la première région dopée 13. On réalise ensuite un recuit à environ 200°C sous pression saturante de mercure pour combler les lacunes de mercure. La région faiblement dopée P devient dopée N, et forme la deuxième région dopée 14. En variante, on réalise la première région dopée 13 par deux implantations successives de bore (dopant N) dans une couche utile en CdxHgl_xTe. Pour cela, dans une première étape, on réalise un recuit pour ajuster le niveau de lacunes de mercure, de façon à doper P l'ensemble de la couche utile. Après les implantations de bore, on obtient donc une première région dopée 13, dopée N, et une deuxième région dopée 14, dopée P. L'homme du métier saura mettre en oeuvre les étapes nécessaires pour réaliser une jonction PN par implantation ionique dans d'autres matériaux tels que l'In.Gai_xAs ou l'InAsxSbi-x. Selon l'invention, la première région dopée 13 présente : une partie formant base 131, réalisée grâce à la première étape de dopage 101; et une protubérance 132, faisant saillie depuis la partie formant base 131 et en direction de la face inférieure 109. La valeur moyenne de bande interdite dans la protubérance 132 est inférieure à la valeur moyenne de bande interdite dans la partie formant base 131. Dans le mode de réalisation représenté en figure 1A, la valeur de bande interdite présente une rupture brutale à l'interface entre la couche utile supérieure et la couche utile inférieure. Dans ce cas, le procédé selon l'invention est mis en oeuvre de façon à ce que la partie formant base 131 se trouve entièrement dans la couche utile supérieure, et la protubérance 132 se trouve au moins en partie dans la couche utile inférieure. La protubérance se trouve par exemple sur plus de la moitié de son volume, dans la couche utile inférieure. On définit la section de la partie formant base 131 comme étant sa section dans un plan parallèle à la face supérieure 108, situé typiquement à mi-hauteur entre la face supérieure 108 et la profondeur maximale de la partie formant base 131. On définit la section de la protubérance 132 comme étant sa section dans un plan parallèle à la face supérieure 108, situé typiquement à mi-hauteur entre la profondeur maximale de la partie formant base 131 et la profondeur maximale de la protubérance 132. Typiquement, la section de la partie formant base 131 est deux fois, voire quatre fois et même dix fois plus grande que la section de la protubérance 132. On considère que la section de la partie formant base 131 correspond à la surface d'implantation Si, et la section de la protubérance correspond à la surface d'implantation S2. Selon une variante du procédé selon l'invention, la partie formant base 131 est réalisée par diffusion d'éléments dopants. La protubérance 132 peut également être réalisée par diffusion d'éléments dopants, bien qu'on préfère une implantation ionique. La figure 1B illustre la photodiode 1 obtenue grâce au procédé selon l'invention. La photodiode 1 est représentée selon une vue en coupe dans un plan orthogonal au plan de la face supérieure 108. Sur la figure 1B, la première région dopée 13 présente une forme en T, correspondant à une protubérance 132 faisant saillie depuis le centre de la partie formant base 131. On peut remarquer qu'une protubérance 132 se traduit sur cette vue en coupe par des points d'inflexion sur la section de la jonction PN 15. Un point d'inflexion correspond à un changement de signe du rayon de courbure, ou en d'autre terme un changement de concavité (courbe passant du type concave à convexe, ou inversement). Deux couples comprenant un point d'inflexion supérieur 19A (du côté de la face supérieure 108) et un point d'inflexion inférieur 19B (du côté de la face inférieure 109) encadrent chacun un angle arrondi formé entre la partie formant base 131 et la protubérance 132. On pourra réaliser une matrice de photodiodes selon l'invention, à partir d'une couche utile dans laquelle on forme plusieurs premières régions dopées 13, formant chacun une jonction PN avec une deuxième région dopée 14 commune. On va maintenant expliquer les avantages de la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, et de la photodiode ainsi obtenue. Le bruit d'une photodiode présente diverses sources : - le courant de diffusion, qui peut être fortement réduit en diminuant la température d'utilisation de la photodiode ; et le courant de génération-recombinaison qui diminue plus lentement avec la température. Le courant de génération-recombinaison est donc la source de bruit qui détermine les performances d'une photodiode à basse température. Le courant de génération-recombinaison comprend notamment le courant de génération-recombinaison dit de zone de charge d'espace (ZCE). La zone de charge d'espace, nommée également zone de déplétion, s'étend à proximité de la jonction PN, et de part et d'autre de celle-ci. Elle est dépourvue de porteurs libres et constituée de deux zones chargées électriquement. Le courant de génération-recombinaison de ZCE est créé par une génération spontanée d'une paire électron-trou dans la zone de charge d'espace, ne correspondant pas à l'absorption d'un photon dans la couche utile. Ainsi, on mesure dans la photodiode un courant ne correspondant pas à l'absorption d'un photon incident. Le courant de génération-recombinaison de ZCE est proportionnel au volume de la première région dopée 13, et a une dépendance exponentielle vis-à-vis du gap dans la ZCE: -E (1) g 'GR = 10V e 2kT avec IGR le courant de génération-recombinaison de ZCE, b une constante, T la température, k la constante de Boltzmann, V le volume de la première région dopée 13, et Eg le gap dans la zone de charge d'espace. On voit donc que pour diminuer le courant de génération-recombinaison de ZCE, on peut diminuer le volume V et/ou augmenter le gap dans la ZCE. Si on joue sur la valeur du gap dans la couche utile, on doit maintenir un faible gap du côté de la face inférieure 109, là où un photon incident à la longueur d'onde souhaitée va créer un porteur minoritaire dans la couche utile. Il est possible de maintenir une détection infrarouge dans un matériau petit gap, du côté de la face inférieure 109, et de reléguer la ZCE dans un matériau plus grand gap, du côté de la face supérieure 108. On minimise ainsi le bruit de génération-recombinaison dans la ZCE (courants de fuite), tout en détectant les longueurs d'onde souhaitées, notamment dans l'infrarouge moyen ou l'infrarouge lointain. Comme précisé en introduction, cette caractéristique seule présente cependant comme inconvénient que le positionnement de la jonction PN est délicat. Or, selon l'invention, la première région dopée 13 est réalisée par : - une première étape de dopage formant une partie formant base 131 qui va être à l'origine d'un courant de génération-recombinaison de ZCE ; et - une deuxième étape de dopage formant une protubérance 132 qui va être à l'origine d'un courant de génération-recombinaison de ZCE IGR2. Ainsi, le courant de génération-recombinaison de ZCE total s'exprime ainsi : -Egl -E 92 'GR = IGR1+ IGR2 = I01Vie 2kT + 102 V2 e 2kT (2) avec T la température, k la constante de Boltzmann, loi et 102 des constantes, Vi le volume de la partie formant base 131, V2 le volume de la protubérance 132, Egi le gap dans la zone de charge d'espace située autour de la partie formant base 131 (ici autour d'une profondeur zi dans la couche utile) et Eg2 le gap dans la zone de charge d'espace située autour de la protubérance 132 (ici autour d'une profondeur Z2 dans la couche utile). La valeur moyenne de bande interdite Egi dans la partie formant base 131 est supérieure à la valeur moyenne de bande interdite Eg2 dans la protubérance 132. Le courant de génération-recombinaison de ZCE présente deux contributions : - IGRi, dont la valeur dépend de Vi et Egi. Egi est élevé ce qui contribue à diminuer la valeur de IGRi. - IGR2, dont la valeur dépend de V2 et Eg2. V2 est petit ce qui contribue à diminuer la valeur de IGR2. Ainsi, le positionnement de la jonction PN ne présente pas de grande contrainte : - la partie formant base 131 peut se trouver entièrement dans une zone à fort gap, puisque ce n'est pas elle qui collecte les porteurs minoritaires. - les porteurs minoritaires sont collectés grâce à la protubérance 132 qui, puisque son volume est réduit, peut se trouver entièrement dans une zone à faible gap tout en ne contribuant que très faiblement au bruit de la matrice de photodiodes. En d'autres termes, la faible valeur de V2 permet d'avoir une faible valeur de IGg2. En outre, la faible valeur de Eg2 évite la formation d'une barrière de potentiel repoussant les porteurs minoritaires à distance de la jonction PN 15. En d'autres termes, une barrière de potentiel repoussant les porteurs minoritaires est percée par la jonction PN, au niveau de la protubérance 132. Grâce à la partition en deux parties de la première région dopée 13, la protubérance 132 s'étend nettement au-delà de cette barrière de potentiel, sans conséquence néfaste sur le bruit de la photodiode. En d'autres termes, ce percement est franc : la jonction PN ne fait pas qu'affleurer la barrière de potentiel, mais se place nettement à distance de celle-ci. On s'assure ainsi que les porteurs minoritaires soient efficacement collectés par la jonction PN, au niveau de la protubérance 132. La photodiode 1 selon l'invention présente donc un rendement quantique élevé. En outre, lorsque l'on réalise une matrice de photodiodes 1 selon l'invention, ce percement franc de la barrière de potentiel par la jonction PN assure une homogénéité du rendement quantique de la matrice. Une telle homogénéité est difficilement atteignable avec une jonction PN affleurant la barrière de potentiel. En effet, le positionnement de la jonction PN selon l'axe z de la profondeur est difficilement maîtrisable, et peut donc varier d'une photodiode à l'autre sur une même matrice. Cela conduit à des performances disparates selon que la jonction PN se trouve juste au-dessus de la barrière de potentiel ou juste au-dessous de la barrière de potentiel. L'invention offre donc un procédé particulièrement simple pour fabriquer une photodiode 1 planaire, présentant à la fois un faible bruit, et un rendement quantique élevé. L'invention est particulièrement intéressante dans le cas d'une première région 13 dopée P, sur une deuxième région 14 dopée N. On remarque que le fait que la largeur de la jonction PN accessible aux porteurs minoritaires soit faible relativement à la largeur de la photodiode (respectivement au pas de la matrice de photodiodes) n'est pas problématique. Le cas échéant, il sera possible de prévoir une faible densité de dopage dans la deuxième région dopée 14, afin d'augmenter la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans cette région. La figure 1C illustre une variante du procédé de la figure 1A. Ce mode de réalisation ne sera décrit que pour ses différences relativement au mode de réalisation de la figure 1A. Etape 1100: Selon le mode de réalisation de la figure 1C, la couche utile présente initialement un gradient de valeur de bande interdite, celle-ci variant de manière décroissante et continue, depuis la face supérieure 108 de la couche utile vers sa face inférieure 109. Cette variation continue correspond par exemple à une variation de bande interdite inférieure à 10%, sur une épaisseur de couche utile d'environ 100 nm. Un tel gradient est par exemple réalisé lors de la croissance par épitaxie de la couche utile, en faisant varier continument la composition du matériau source. Le gradient de valeur de bande interdite correspond ici à un gradient de concentration en cadmium tel que représenté à droite. La concentration en cadmium dans la couche utile décroît par exemple, depuis x=0,95 jusqu'à x=0,2. Les étapes 1101 et 1102 correspondent respectivement aux étapes 101 et 102 décrites en référence à la figure 1A. Cependant, le choix des énergies d'implantation El et E2 présente encore moins de contraintes. En effet, puisque la valeur de la bande interdite décroît continûment depuis la face supérieure 108 vers la face inférieure 109, il suffit que E2 soit supérieur à E1 pour que la valeur moyenne de bande interdite dans la protubérance soit forcément inférieure à la valeur moyenne de bande interdite dans la partie formant base. Aucune précaution n'est nécessaire pour obtenir ce résultat. Cette variante est donc particulièrement avantageuse. On définit la profondeur de la partie formant base 131 comme étant sa profondeur maximale dans la couche utile. On définit la profondeur de la protubérance 132 comme étant sa profondeur maximale dans la couche utile. Typiquement, la protubérance 132 s'étend plus profondément de 0,2 à 0,5 p.m dans la couche utile. La protubérance 132 s'étend par exemple un tiers plus profondément dans la couche utile que la partie formant base 131, grâce à une énergie d'implantation E2 deux à cinq fois plus élevée que El. L'énergie d'implantation E2 est par exemple de l'ordre de 50 à 500 keV, pour une implantation d'arsenic. On peut considérer les critères suivants : - la protubérance 132 doit s'étendre dans la couche utile jusqu'à une profondeur où le gap est tel que la différence entre ce gap et le gap minimum dans la couche utile est inférieur à kT où k est la constante de Boltzmann. En d'autres termes : Eg(Cd2) - Eg(Cdo) kT, notamment Eg(Cd2) - Eg(Cdo) > 1,2*kT. En effet, le caractère bloquant de la barrière de potentiel est lié au rapport Me/kT avec k=8,6.10-5 eV/K. Expérimentalement, les inventeurs ont relevé que à,E.g kT était la différence de gap limite au-delà de laquelle les photo- porteurs sont bloqués. En particulier, les inventeurs ont relevé que pour une hauteur de barrière de potentiel estimée à AEg = 6 à 8 meV, le blocage des photo-porteurs a lieu à partir de T La couche utile consiste donc en une couche utile inférieure 20A et une couche utile supérieure 20B. Chaque première région dopée 23 selon l'invention se compose d'une partie formant base 231 située dans la couche utile supérieure 20B, et une protubérance 232 située dans la couche utile inférieure 20A. En variante, l'étape 206 est réalisée suite à la mise en oeuvre des étapes du procédé tel qu'illustré en figure 1C, pour former chaque photodiode de la matrice de photodiodes. Cette étape est ici mise en oeuvre suite à la réalisation de plusieurs premières régions dopées 23, formant chacune une jonction PN avec une deuxième région dopée commune. Au cours de l'étape 206, on réalise plusieurs zones sur-dopée 27, situées entre deux jonctions PN 25 voisines, dans la deuxième région dopée. Les zones sur-dopées 27 affleurent la face supérieure 208 de la couche utile. Le dopage des zones sur-dopées 27 est de même type que celui de la deuxième région dopée commune. Les zones sur-dopées 27 présentent une densité de dopage supérieure à la densité de dopage dans le restant de la deuxième région dopée. En d'autres termes, les zones sur-dopées 27 présentent une densité de dopage supérieure à la densité de dopage dans une zone dite d'absorption 28 située dans la deuxième région dopée, notamment sous chaque jonction PN. Par exemple, la densité de dopage des zones sur-dopées 27 est au moins dix fois supérieure à la densité de dopage de la zone d'absorption 28. Typiquement, la densité de dopage est de 1016 atomes/cm3 dans les zones sur-dopées 27, et de 10' atomes/cm3 dans la zone d'absorption 28. Les zones sur-dopées 27 peuvent être réalisées par implantation ionique entre deux jonctions PN 25 voisines. Les zones sur-dopées 27 peuvent s'étendre rectilignement entre les jonctions PN, et former un maillage régulier. Les zones sur-dopées 27 forment ainsi des lignes conductrices, ce qui diminue les effets de charge à l'origine des canaux de conduction, en surface. Ces lignes conductrices sont avantageusement reliées électriquement à un contact électrique de polarisation de la deuxième région dopée. Ainsi, on diminue la résistance perçue par une photodiode éloignée de ce contact électrique. On s'affranchit ainsi des difficultés liées à la dépolarisation des photodiodes centrales dans des matrices de photodiodes de grandes dimensions. On évite ainsi de devoir implanter des contacts électriques intermédiaires dans la deuxième région dopée, et entre des jonctions PN. Cette caractéristique est particulièrement avantageuse pour des petits pas de matrice (inférieurs à 15 11m, par exemple 12 m ou 10 gm), et/ou lorsque la deuxième région dopée est dopée P (porteurs majoritaires peu mobiles). Puisque les zones sur-dopées 27 et les premières régions dopées 23 sont voisines dans une partie de la couche utile présentant un gap élevé, on s'affranchit d'éventuels effets tunnels entre les zones sur-dopées 27 et les premières régions dopées 23. Les zones sur-dopées 27 peuvent s'étendre profondément dans la couche utile, mais on préfèrera qu'elles s'étendent au maximum sur la même profondeur que les parties formant base 231 des premières régions dopées 23. On peut prévoir d'utiliser les contacts électriques 26 s'enfonçant dans les premières régions dopées 23, pour réaliser un masque au travers duquel on réalise l'implantation ionique formant les zones sur-dopées 27. Sur la figure 2, on a représenté un seul contact électrique 26, par souci de clarté de la figure. La présence des zones sur-dopées 27 permet de recourir à de faibles densités de dopage dans la deuxième région dopée, par exemple dopée N. Cela donne accès à de grandes longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans cette région et assure de collecter tous les porteurs minoritaires à l'aide des seules portions de jonction PN correspondant aux protubérances. Par exemple, la densité de dopage dans la deuxième région dopée est de 1015 atomes/cm3, soit une longueur de diffusion des porteurs minoritaires d'environ 20 gm. La figure 3A illustre de manière schématique une étape 307 d'un deuxième mode de réalisation de procédé selon l'invention pour fabriquer une matrice de photodiodes. Cette étape 307 est ici mise en oeuvre avant la réalisation de plusieurs premières régions dopées 33, formant chacune une jonction PN avec une deuxième région dopée commune. Au cours de l'étape 307, on réalise une couche sur-dopée 30' de couche utile, présentant une plus forte concentration en éléments dopants que le reste de la couche utile 30. La couche sur-dopée 30' est située du côté de la face supérieure 308 de la couche utile 30. Elle est formée par exemple en insérant des éléments dopants dans les éléments que l'on utilise pour la croissance par épitaxie de la couche utile 30. Par exemple, on incorpore de l'indium lors de la croissance d'une couche utile en CdxHgi_xTe, ce qui correspondra ensuite à une forte densité de dopage N. La couche utile 30 peut comprendre une couche utile supérieure et une couche utile inférieure, présentant chacune une valeur de bande interdite différente. Dans ce cas, la couche sur-dopée 30' fait partie de la couche utile supérieure. L'épaisseur de la couche sur-dopée 30' est donc inférieure à l'épaisseur de la couche utile supérieure, par exemple deux fois inférieure. La couche utile peut présenter une variation continue de valeur de bande interdite. La couche sur-dopée 30' fait partie d'une telle couche utile, et présente donc également une variation continue de valeur de bande interdite. L'épaisseur de la couche sur-dopée 30' est faible devant l'épaisseur totale de la couche utile, par exemple au moins quatre fois inférieure. Ainsi, après réalisation des premières régions dopées 33, et éventuelle activation des éléments dopants dans la couche sur-dopée 30', on obtient une matrice 300 telle que représentée en figure 3B. Les références numériques 300, 33, 3, 37 de la figure 3B, correspondent aux références numériques 200, 23, 2, 27 de la figure 2. Les zones sur-dopées 37 sont adjacentes aux premières régions dopées 33. Elles correspondent aux portions de la couche sur-dopée 30' ne recevant pas une première région dopée 33. De préférence, l'épaisseur des zones sur-dopées 37 est inférieure ou égale à l'épaisseur de la partie formant base dans chaque première région dopée 33. Il est possible de réaliser des zones sur-dopées 37 adjacentes aux premières régions dopées 33, sans dégrader les performances optiques de la matrice 300 de photodiodes 3, grâce à un gap suffisamment élevé dans la couche utile sur toute la profondeur correspondant à ces zones sur-dopées 37. Cette caractéristique est rendue possible grâce à la réalisation en deux parties des premières régions dopées 33 : on réalise ce gap élevé sur toute la profondeur correspondant à ces zones sur-dopées 37, et les protubérances selon l'invention s'étendent jusqu'à une profondeur dans la couche utile ou le gap est plus faible. Les figures 4A et 4B illustrent de manière schématique, selon une vue en coupe et respectivement une vue de dessus, un troisième mode de réalisation d'une matrice 400 de photodiodes 4 selon l'invention. Selon ce mode de réalisation, chaque première région dopée 43 présente une unique protubérance 432, qui est positionnée de façon centrale relativement à la partie formant base 431. Comme décrit en référence à la figure 1, chaque première région dopée 43 présente une forme en T, selon une vue en coupe dans un plan orthogonal à la face supérieure 408 de la couche utile. Les figures 5A et 5B illustrent de manière schématique, selon une vue en coupe et respectivement une vue de dessus, un quatrième mode de réalisation d'une matrice 500 de photodiodes 5 selon l'invention. Selon ce mode de réalisation, chaque première région dopée 53 présente quatre protubérances 532, positionnées en périphérie relativement à la partie formant base 531. En particulier, selon une vue de dessus, chaque partie formant base 531 présente une forme de carré, et les protubérances 532 sont positionnées au milieu de chaque côté du carré. Ainsi, deux protubérances 532 de deux premières régions dopées 53 voisines sont proches l'une de l'autre. On a remarqué que la FTM de la matrice de photodiodes est meilleure lorsque les protubérances 532 de premières régions dopées voisines sont proches les unes des autres. Bien que surprenante, cette observation peut s'expliquer par le fait que la probabilité qu'un porteur minoritaire soit collecté par une jonction PN A et ne soit pas collecté par la jonction PN voisine B varie d'autant plus rapidement dans l'espace que les jonctions PN A et B sont rapprochées. En réalisant plusieurs protubérances 532 dans une même première région dopée 53, on peut à la fois diminuer le bruit en réduisant l'étendue latérale totale des protubérances 532, et améliorer la FTM en disposant chaque protubérance 532 à proximité d'une protubérance 532 appartenant à une première région dopée voisine. On remarque que l'utilisation de plusieurs protubérances 532 permet en outre de s'assurer de collecter l'ensemble des porteurs minoritaires, si leur longueur de diffusion s'avérait trop faible relativement au pas de la matrice et à l'étendue latérale d'une seule protubérance 532. Cela pourrait être le cas si l'on choisissait d'augmenter la densité de dopage (par exemple à 1016 atomes/cm3) dans toute la deuxième région dopée 54, par exemple pour lutter contre des canaux de conduction. Dans ce cas, la longueur de diffusion des porteurs minoritaires serait réduite, d'où une très bonne FTM mais des difficultés à collecter tous les porteurs minoritaires pour un pas de matrice trop élevé et à l'aide d'une unique protubérance 532 dans chaque première région dopée 53. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une photodiode (1; 3 ; 4; 5) comprenant une couche utile (10 ; 20 ; 30) en un alliage semi-conducteur, la couche utile présentant une valeur de bande interdite décroissante depuis une première face dite face supérieure (108; 208; 308; 408; 508) vers une face opposée dite face inférieure (109; 409; 509), caractérisé par une étape de réalisation d'une première région dopée (13 ; 23 ; 33 ; 43 ; 53) située dans la couche utile et formant une jonction PN (15; 25) avec une deuxième région dopée (14; 24; 44; 54) de la couche utile, ladite réalisation d'une première région dopée comprenant : - une première étape de dopage (103), de façon à réaliser une partie formant base (131; 231 ; 431; 531) de la première région dopée ; et - une deuxième étape de dopage (104), de façon à réaliser au moins une protubérance (132 ; 232 ; 432 ; 532) de la première région dopée, ladite protubérance faisant saillie depuis la partie formant base et en direction de la face inférieure (109; 409; 509) de la couche utile, de sorte que la valeur moyenne de bande interdite dans la protubérance (132 ; 232 ; 432 ; 532) soit inférieure à la valeur moyenne de bande interdite dans la partie formant base (131 ; 231 ; 431 ; 531). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que : - la première étape de dopage (103) comprend une première implantation ionique mettant en oeuvre une première énergie (E1) d'implantation et une première surface d'implantation (Si) ; et - la deuxième étape de dopage (104) comprend une deuxième implantation ionique, mettant en oeuvre une deuxième énergie d'implantation (E2) et une deuxième surface d'implantation (52), la deuxième énergie d'implantation étant supérieure à la première énergie d'implantation, et la deuxième surfaced'implantation étant au moins deux fois inférieure à la première surface d'implantation. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que : - la première étape de dopage comprend une diffusion de dopant, mettant en oeuvre une première surface de diffusion ; et - la deuxième étape de dopage comprend une implantation ionique mettant en oeuvre une deuxième surface d'implantation, la deuxième surface d'implantation étant au moins deux fois inférieure à la première surface de diffusion. 4. Procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes (200; 300; 400; 500), caractérisé en ce que chaque photodiode est fabriquée par un procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, les plusieurs premières régions dopées (13 ; 23 ; 33 ; 43 ; 53) étant situées dans une même couche utile (10; 20; 30) et formant chacune une jonction PN (15 ; 25) avec une deuxième région dopée (14; 24; 44; 54) commune aux photodiodes. 5. Procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes (200; 300) selon la revendication 4, caractérisé par une étape (206; 307) de réalisation d'au moins une zone dite sur-dopée (27; 37), située dans la deuxième région dopée (24) et entre deux jonctions PN (25) voisines, la zone sur-dopée (27; 37) présentant une densité de dopage supérieure à celle d'au moins une zone dite d'absorption (28; 38) située dans la deuxième région dopée (24) et sous chaque jonction PN (25). 6. Procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes (300) selon la revendication 5, caractérisé en ce que la zone sur-dopée (37) est réalisée lors d'une croissance par épitaxie de la couche utile, par réalisation (307) d'une couche sur-dopée (30') de couche utile, affleurant la face supérieure (308) de la couche utile,et formant, après réalisation des premières régions dopées (33), la zone sur-dopée (37). 7. Photodiode (1; 2; 3; 4; 5) comprenant une couche utile (10; 30) en un alliage semi-conducteur, la couche utile présentant : une valeur de bande interdite décroissante, depuis une première face de la couche utile dite face supérieure (108; 208; 308; 408; 508) vers une face opposée dite face inférieure (109; 409; 509), et - une jonction PN (15; 25), entre une première région dopée (13; 23; 33 ; 43; 53) et une deuxième région dopée (14; 24; 44; 54) entourant la première région dopée ; caractérisée en ce que la première région dopée (13; 23; 33 ; 43; 53) comprend : une partie formant base (131; 231 ; 431; 531) ; et - au moins une protubérance (132; 232 ; 432; 532), faisant saillie depuis la partie formant base (131; 231 ; 431 ; 531) et en direction de la face inférieure (109 ; 409 ; 509) de la couche utile, de sorte que la valeur moyenne de bande interdite dans la protubérance (132 ; 232 ; 432 ; 532) soit inférieure à la valeur moyenne de bande interdite dans la partie formant base (131; 231 ; 431; 531). 8. Photodiode (1; 2; 3 ; 4; 5) selon la revendication 7, caractérisée en ce que la protubérance (132; 232; 432; 532) : - s'étend dans la couche utile (10 ; 30) au moins 1,2 fois plus profondément que la partie formant base (131; 231 ; 431; 531) ; et - présente une section dans un plan parallèle au plan de la face supérieure de la couche utile, au moins deux fois inférieure à la section de la partie formant base (131 ; 231 ; 431 ; 531) dans un plan parallèle au plan de la face supérieure de la couche utile. 9. Photodiode (1; 2) selon la revendication 7 ou 8, caractérisée en ce que la couche utile consiste en une couche utile inférieure (10A ; 20A) présentant une première valeur de bande interdite et une couche utile supérieure (10B ; 20B) présentant une deuxième valeur de bande interdite supérieure à ladite première valeur, et en ce que la base (131; 231) s'étend uniquement dans la couche utile supérieure (10B ; 20B) et que la protubérance (132; 232) s'étend au moins dans la couche utile inférieure (10A ; 20A). 10. Photodiode selon la revendication 7 ou 8, caractérisée en ce que la couche utile (10) présente une variation continue de valeur de bande interdite, celle-ci décroissant depuis la face supérieure (108) vers la face inférieure (109) de la couche utile. 11. Photodiode (1; 3 ; 4; 5) selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisée en ce que la couche utile (10 ; 20 ; 30) est en un alliage semi- conducteur de cadmium, mercure et tellure de type CdxHgi_xTe, ou un alliage semiconducteur d'indium, gallium et arsenic de type InxGai_xAs, ou un alliage semiconducteur d'indium, arsenic, antimoine de type InAs.Sbi_x. 12. Photodiode (1; 3 ; 4) selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisée en ce que la première région dopée (13; 23; 33; 43) présente une unique protubérance (132; 232 ; 432) positionnée au centre de la partie formant base (131; 231 ; 431). 13. Photodiode (5) selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisée en ce que la première région dopée (53) présente au moins deux protubérances (532) situées en périphérie de la partie formant base (531). 14. Matrice de photodiodes (200; 300 ; 400; 500), caractérisée en ce que les photodiodes sont des photodiodes selon l'une quelconque des revendications 7 à 13, les plusieurs premières régions dopées (13; 23; 33 ; 43; 53) étant situées dans une même couche utile (10; 20; 30) et formant chacune une jonction PN (15; 25) avec une deuxième région dopée (14; 24; 44; 54) commune aux photodiodes. 15. Matrice de photodiodes (200 ; 300) selon la revendication 14, caractérisée en ce que la deuxième région dopée (24) comprend : au moins une zone dite d'absorption (28 ; 38), située sous chaque jonction PN (25) ; et au moins une zone dite sur-dopée (27; 37), située entre deux jonctions PN (25) voisines, et présentant une densité de dopage supérieure à celle de la zone d'absorption (28; 38).