Brevet FR3025052A1 — publié le 20160226

B13474 - Photorésistance 1 DISPOSITIF DE DÉTECTION D'UN RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE EN MATÉRIAUX ORGANIQUES Domaine La présente demande concerne un dispositif et un procédé de détection d'un rayonnement électromagnétique, notamment de la lumière. Exposé de l'art antérieur On a déjà proposé de réaliser des dispositifs de détection d'un rayonnement électromagnétique, notamment de la lumière, comprenant des composants électroniques de type transistor, diode électroluminescente et photodétecteur, à base de matériaux conducteurs et semiconducteurs organiques. Ces matériaux présentent l'avantage d'être plus faciles à déposer et moins fragiles que les matériaux conducteurs et semiconducteurs inorganiques, par exemple le silicium, utilisés dans les filières technologiques traditionnelles. L'utilisation de matériaux organiques permet, de façon avantageuse, de réaliser le dispositif de détection sur tous types de support et en particulier sur des supports souples tels que du plastique, du papier, du carton ou du tissu, sur des supports de grandes dimensions, par exemple des panneaux publicitaires, ou sur des supports jetables tels que des emballages de produits de consommation courante. 3025052 B13474 - Photorésistance 2 La demande de brevet WO 2013/045779 décrit un exemple de système d'interface utilisateur comprenant un écran d'affichage et un dispositif de détection d'un organe d'actionnement comprenant une matrice de photodiodes réalisées en matériaux 5 organiques. Chaque photodiode est associée à un transistor. Les transistors permettent de sélectionner les photodiodes lors de la commande du dispositif de détection. La figure 1 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif 10 de détection de 10 lumière comprenant une matrice de photodiodes 12 réparties selon trois rangées 14 et trois colonnes 15. Un élément de sélection 16 est associé à chaque photodiode 12. Chaque photodiode 12 peut être réalisée en matériaux conducteurs et semiconducteurs organiques. L'élément de sélection 16 peut correspondre à un transistor 15 organique (en anglais Organic Thin Film Transistor ou OTFT). L'une des bornes parmi la source et le drain du transistor 16 est connectée à une électrode de la photodiode 12 et l'autre borne parmi la source et le drain est connectée à une piste conductrice 18. La piste conductrice 18 peut être connectée à tous les éléments 20 de sélection 16 d'une même rangée 14. La piste 18 peut être en un matériau opaque, par exemple en métal. La grille de chaque transistor 16 peut être commandée par un signal transmis par une piste 20 d'un matériau conducteur et transparent s'étendant selon une direction perpendiculaire aux rangées 14. La piste 20 peut être connectée à tous les transistors 12 d'une même colonne 15. En figure 1, chaque transistor 16 est représenté à côté de la photodiode 12 associée. A titre de variante, chaque transistor 16 peut être formé au-dessus de la photodiode 12 associée. On appelle surface utile d'un photodétecteur la surface du photodétecteur destinée, en fonctionnement, à être exposée au rayonnement électromagnétique à détecter. Un inconvénient du dispositif 10 est que la présence des transistors 16 entraîne une réduction de la surface utile des photodiodes 12. Un autre inconvénient est que le procédé de fabrication du dispositif de détection comprend un nombre important d'étapes, notamment les 3025052 B13474 - Photorésistance 3 étapes de fabrication des photodiodes et les étapes de fabrication des transistors. Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout 5 ou partie des inconvénients des dispositifs de détection de rayonnement électromagnétique décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est d'augmenter la surface utile du dispositif de détection destinée à recevoir le rayonnement électromagnétique. 10 Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire le nombre d'étapes du procédé de fabrication du dispositif de détection. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif de détection d'un rayonnement électromagnétique comprenant au moins 15 une rangée de photorésistances, chaque photorésistance comprenant une portion active comprenant des matériaux semiconducteurs organiques. Selon un mode de réalisation, le dispositif de détection comprend une matrice de photorésistances réparties en rangées et 20 en colonnes. Selon un mode de réalisation, chaque portion active est reliée à une première électrode conductrice et à une deuxième électrode conductrice. Selon un mode de réalisation, le travail de sortie des 25 premières électrodes conductrices est égal au travail de sortie des deuxièmes électrodes conductrices à 5 % près. Selon un mode de réalisation, le dispositif de détection comprend une couche monolithique contenant les portions actives et s'étendant entre des premières pistes conductrices 30 correspondant aux premières électrodes et des deuxièmes pistes conductrices correspondant aux deuxièmes électrodes. Selon un mode de réalisation, le dispositif de détection comprend, en outre, des pixels d'affichage. 3025052 B13474 - Photorésistance 4 Selon un mode de réalisation, le dispositif de détection comprend, en outre, des émetteurs du rayonnement électromagnétique. Selon un mode de réalisation, le dispositif de détection 5 comprend, en outre, un guide d'onde. Selon un mode de réalisation, le guide d'onde comprend au moins une face destinée à être en contact avec au moins un objet, les photorésistances étant réparties le long d'un bord de ladite face. 10 Un mode de réalisation prévoit également un système de détection comprenant le dispositif de détection défini précédemment, un circuit de sélection de l'une des photorésistances et un circuit de mesure du courant circulant dans la photorésistance sélectionnée ou d'une tension représentative de 15 la tension aux bornes de la photorésistance sélectionnée. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de commande du dispositif de détection d'un rayonnement électromagnétique défini précédemment, comprenant la sélection d'une photorésistance dans ladite au moins une rangée et la 20 détermination d'un signal représentatif de la résistance de la photorésistance. Selon un mode de réalisation, le dispositif de détection comprend une matrice de photorésistances réparties en rangées et en colonnes, des premières pistes conductrices et des deuxièmes 25 pistes conductrices, chaque première piste conductrice étant reliée aux photorésistances d'une même rangée et chaque deuxième piste conductrice étant reliée aux photorésistances d'une même colonne. L'étape de sélection comprend les étapes suivantes : relier la première piste conductrice reliée à la 30 photorésistance à sélectionner à une source d'un premier potentiel ; relier les autres premières pistes conductrices à une source d'un deuxième potentiel différent du premier potentiel ; 3025052 B13474 - Photorésistance 5 relier la deuxième piste conductrice reliée à la photorésistance à sélectionner à la source du deuxième potentiel ; et relier les autres deuxièmes pistes conductrices à la 5 source du premier potentiel. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation 10 avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, décrite précédemment, est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif de détection de rayonnement comprenant une matrice de photodiodes ; la figure 2 est une vue de dessus, partielle et 15 schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif de détection de rayonnement ; la figure 3 est une vue en coupe, partielle et schématique, de la figure 2 selon la ligne ; les figures 4A. à 4C sont des vues en coupe, partielles 20 et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif de détection de rayonnement de la figure 2 ; la figure 5 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif de détection de rayonnement ; 25 la figure 6 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un système de détection de lumière comprenant le dispositif de détection représenté en figure 2 ; les figures 7 et 8 sont des vue en coupe représentant d'autres modes de réalisation du dispositif de détection ; et 30 la figure 9 est une vue en perspective, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation du dispositif de détection. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés 35 par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les 3025052 B13474 - Photorésistance 6 diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de traitement des signaux fournis par les dispositifs de détection 5 décrits ci-après sont à la portée de l'homme de l'art et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". Un mode de réalisation prévoit un dispositif de 10 détection d'un rayonnement électromagnétique, notamment dans une plage de longueurs d'onde comprises entre 400 nm et 1000 nm, comprenant une matrice de photodétecteurs en matériaux organiques dans lequel chaque photodétecteur comprend une photorésistance. La matrice comprend au moins une rangée de plusieurs 15 photorésistances. Chaque photorésistance comprend une portion active, comportant un ou plusieurs matériaux semiconducteurs organiques, prise en sandwich entre deux électrodes conductrices. Le dispositif de détection ne comprend pas de transistor de sélection pour chaque photodétecteur. La surface utile de chaque 20 photodétecteur peut être augmentée par rapport à un dispositif de détection comprenant une matrice de photodiodes organiques et de transistors de sélection. En particulier, les photodétecteurs peuvent être jointifs et la surface utile du photodétecteur peut s'étendre sur la totalité du dispositif de détection. En outre, 25 la structure du dispositif de détection est plus simple que celle d'un dispositif de détection comprenant une matrice de photodiodes organiques, chaque photodiode étant associée à un transistor de sélection. Le procédé de fabrication du dispositif de détection est simplifié. En effet, il comprend seulement les étapes de 30 fabrication de la matrice de photorésistances. Les figures 2 et 3 représentent un mode de réalisation d'un dispositif 30 de détection d'un rayonnement électromagnétique, notamment de la lumière. Le dispositif 30 comprend successivement du bas vers le 35 haut en figure 3 : 3025052 B13474 - Photorésistance 7 un support 32 comprenant deux faces 34, 36 opposées ; des premières électrodes 38, correspondant à des pistes conductrices 38 s'étendant sur la face 34 du substrat 32, par exemple de façon sensiblement parallèles à une première 5 direction ; une couche active 40 recouvrant les pistes conductrices 38 et les parties exposées du substrat 32 entre les pistes conductrices 38 ; des deuxièmes électrodes 42, correspondant à des pistes 10 conductrices 42 s'étendant sur la couche active 40, par exemple de façon sensiblement parallèles à une deuxième direction inclinée par rapport à la première direction, de préférence sensiblement perpendiculaire à la première direction ; et une couche de protection 44 recouvrant les pistes 15 conductrices 42 et les parties exposées de la couche 40 entre les pistes conductrices 42. Le support 32 peut être en un matériau diélectrique. Le support 32 est, par exemple, un support rigide, notamment en verre ou un support flexible, par exemple en polymère ou en un matériau 20 métallique. Des exemples de polymère sont le polyéthylène naphtalène (PEN), le polyéthylène téréphtalate (PET), le kapton, et le polyétheréthercétone (PEEK). L'épaisseur du support 32 est, par exemple, comprise entre 20 pin et 1 cm, par exemple environ 125 pin. Le support 32 peut être en un matériau transparent ou 25 translucide, par exemple en verre ou en plastique, notamment dans le cas où le dispositif 30 est destiné à recevoir un éclairement du côté de la face 36. Les pistes conductrices 38 ou 42 peuvent être en un matériau conducteur et transparent, par exemple en oxyde 30 conducteur et transparent ou TCO (acronyme anglais pour Transparent Conductive Oxide), en nanotubes de carbone, en graphène, en un polymère conducteur, en un métal, ou en un mélange ou un alliage d'au moins deux de ces composés. Les pistes conductrices 38 ou 42 peuvent avoir une structure multicouche. 3025052 B13474 - Photorésistance 8 Des exemples de TCO adaptés à la réalisation des pistes conductrices 38 ou 42 sont l'oxyde d'indium-étain (ITO, de l'anglais Indium Tin Oxide), l'oxyde d'aluminium-zinc (AZO, de l'anglais Aluminium Zinc Oxide) et l'oxyde de gallium-zinc (GZO, 5 de l'anglais Gallium Zinc Oxide). Des exemples de polymères conducteurs adaptés à la réalisation des pistes conductrices 38 ou 42 sont le polymère connu sous la dénomination PEDOT:PSS, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de polystyrène sulfonate de sodium et le polyaniline, également 10 appelé PAni. Des exemples de métaux adaptés à la réalisation des pistes conductrices 38 ou 42 sont l'argent (Ag), l'aluminium (Al), l'or (Au), le cuivre (Cu), le nickel (Ni), le titane (Ti) et le chrome (Cr). Un exemple de structure multicouche adaptée à la réalisation des électrodes est une structure multicouche d'AZO et 15 d'argent de type AZO/Ag/AZO. L'épaisseur E des pistes conductrices 38 ou 42 peut être comprise entre 10 nm et 5 pin, par exemple de l'ordre de 30 nm. Ces couches peuvent être déposées par un procédé de dépôt sous vide, notamment par évaporation ou pulvérisation, par un procédé 20 de dépôt par voie liquide, notamment un procédé sol-gel, un procédé utilisant des dispersions ou des nanoparticules, ou par tout autre type de procédé de dépôt. Dans le cas où les pistes conductrices 38 et/ou les pistes conductrices 42 sont métalliques et doivent être au moins partiellement transparentes, l'épaisseur 25 des pistes conductrices 38 et/ou 42 est inférieure ou égale à 20 nm, de préférence inférieure ou égale à 10 nm. Selon un mode de réalisation, la largeur W de chaque piste 38 ou 42 peut être comprise entre 5 fun et 150 pm, de préférence entre 7 fun et 100 pm, par exemple environ 20 um. L'écart D entre deux pistes 38 30 adjacentes ou entre deux pistes 42 adjacentes peut être compris entre 15 um et 100 um, de préférence entre 20 fun et 50 pm, par exemple environ 25 pm. Selon un mode de réalisation, le travail de sortie du matériau des pistes conductrices 38 est égal au travail de sortie 35 du matériau des pistes conductrices 42 à 5 % prés. De préférence, 3025052 B13474 - Photorésistance 9 les pistes conductrices 38, 42 sont réalisées dans le même matériau ou les mêmes matériaux. La résistivité électrique de la couche active 40 peut varier localement. Elle dépend localement de l'intensité du 5 rayonnement électromagnétique reçu par la couche active 40 dans une plage de longueurs d'onde comprise entre 400 nm et 1000 nm, de préférence entre 480 nm et 680 nm. La couche active 40 peut comprendre des petites molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s'agir de 10 matériaux organiques ou inorganiques. La couche active 40 peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type N et d'un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches superposées ou d'un mélange intime à l'échelle nanométrique de 15 façon à former une hétérojonction en volume. L'épaisseur de la couche active 40 peut être comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l'ordre de 200 nm. Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la couche active 40 sont le poly(3- 20 hexylthiophène) (P3HT), le poly[N-9'-heptadécany1-2,7-carbazole- alt-5,5-(4,7-di-2-thiény1-2',1',3'-benzothiadiazole] (PCDTBT), le poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5-b'] dithiophène)-2,6-diyl-alt-(4-(2-éthylhexanoy1)-thie-no[3,4-b] thiophène))-2,6-diy1]; 4,5-b']dithi-ophène)-2,6-diyl-alt-(5,5'- 25 bis(2-thiény1)-4,4,-dinony1-2,2'-bithiazole)-5',5"-diy1] (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylène-vinylène] (MEH-PPV) ou le poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)- 41/-cyclopenta [2,1-b;3,4-b']dithiophène)-a/t-4,7(2,1,3-benzo- thiadiazole)] (PCPDTBT). 30 Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N adaptés à la réalisation de la couche active 40 sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,6]-phényl-C 61-butanoate de méthyle ([60]PCBM), le [6,6]-phényl-C71-butanoate de méthyle ([70]PCBM), le pérylène diimide, l'oxyde de zinc (ZnO) ou des 3025052 B13474 - Photorésistance 10 nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques (en anglais quantum dots). La couche de protection 44 peut être en un matériau diélectrique, par exemple une résine. La couche de protection 44 5 peut avoir une épaisseur comprise entre 1 fun et 100 gm, par exemple environ 50 gm. Dans le cas où le support 32 est en un matériau transparent, la couche de protection 44 peut être identique au support 32. La couche de protection 44 peut avoir une structure monocouche ou une structure multicouche. 10 Dans le cas où le dispositif 30 est destiné à recevoir un éclairement du côté de la face 36, le support 32 et les pistes conductrices 38 sont en des matériaux au moins en partie transparents. Dans le cas où le dispositif 30 est destiné à recevoir un éclairement du côté de la couche de protection 44, la 15 couche de protection 44 et les pistes conductrices 42 sont en des matériaux au moins en partie transparents. Dans le cas où le dispositif 30 est destiné à recevoir un éclairement indifféremment du côté de la face 36 ou du côté de la couche de protection 44, le support 32, les pistes conductrices 38 et 42 et la couche de 20 protection 44 sont en des matériaux au moins en partie transparents. Le dispositif de détection 30 comprend une matrice photorésistances 45. Chaque photorésistance 45 associée à une piste conductrice 38 et à une piste conductrice 42 correspond à 25 la portion de la couche active 40 dans laquelle va circuler un courant lorsqu'une tension est appliquée entre les pistes conductrices 38 et 42. Cette portion s'étend entre la piste conductrice 38 et la piste conductrice 42 au chevauchement entre la piste conductrice 38 et la piste conductrice 42 et peut 30 s'étendre latéralement de part et d'autre des pistes conductrices 38, 42. Les figures 4A. à 4D illustrent un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif 30 comprenant les étapes suivantes : 3025052 B13474 - Photorésistance 11 - formation des pistes conductrices 38 sur le support 32. Selon le matériau utilisé, le procédé de formation des pistes conductrices 38 peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par dépôt direct du matériau composant les pistes 5 conductrices 38 aux emplacements souhaités. Ce matériau est notamment obtenu selon un procédé sol-gel. Le dépôt peut être réalisé par impression par jet d'encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Le procédé 10 de formation des pistes conductrices 38 peut correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel une couche 46 du matériau composant les pistes conductrices 38 est déposée sur la totalité de la structure (figure 4A) et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie 15 ou ablation laser (figure 4B). Selon le matériau considéré, le dépôt sur la totalité de la structure peut être réalisé par exemple par voie liquide, par pulvérisation cathodique ou par évaporation. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par 20 filière (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade-coating), flexographie ou sérigraphie. Lorsque les pistes conductrices 38 sont métalliques, le métal est, par exemple, déposé par évaporation ou par pulvérisation cathodique sur l'ensemble du support 32 et les pistes conductrices 38 sont 25 délimitées par gravure. - formation de la couche active 40 (figure 4C). La couche active 40 peut être réalisée, en fonction des matériaux utilisés, selon tout ou partie des procédés décrits précédemment pour la formation des pistes conductrices 38 ; 30 - formation des pistes conductrices 42 sur un autre support supplémentaire 44 de façon analogue à la formation des pistes conductrices 38 sur le support 32 ; et - fixation de l'ensemble pistes conductrices 42/support 44 sur la couche active 44, par exemple en utilisant un matériau 35 de collage conducteur (figure 4D). 3025052 B13474 - Photorésistance 12 Selon un autre mode de réalisation du procédé de fabrication du dispositif de détection 30, après l'étape de formation de la couche active 40, le procédé comprend les étapes suivantes : 5 - formation des pistes conductrices 42 sur la couche active 40 ; et - formation de la couche de protection 44 sur les portions conductrices 42 et sur les parties de la couche active 40 entre les pistes conductrices 42. 10 De façon avantageuse, le dispositif de détection 30 peut être réalisé par des techniques d'impression. Les matériaux des couches 38, 40, 42 décrites précédemment peuvent être déposés sous forme liquide, par exemple sous forme d'encres conductrices et semiconductrices à l'aide d'imprimantes à jet d'encre. Par 15 matériaux sous forme liquide, on entend ici également des matériaux en gel déposables par des techniques d'impression. Des étapes de recuit sont éventuellement prévues entre les dépôts des différentes couches, mais les températures de recuit peuvent ne pas dépasser 150°C, et le dépôt et les éventuels recuits peuvent 20 être réalisés à la pression atmosphérique. La figure 5 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif de détection 47 comprenant les mêmes éléments que le dispositif de détection 30 à la différence que chaque photorésistance 45 correspond à une portion active distincte. Les 25 portions actives 45 sont séparées les unes des autres par des portions isolantes 48. La figure 6 représente un mode de réalisation d'un système 50 de détection d'un rayonnement électromagnétique, notamment de la lumière, comprenant le dispositif de détection 30 30. On a représenté de façon schématique le dispositif de détection 30 par une matrice de photorésistances 45. A titre d'exemple, quatre photorésistances réparties selon deux rangées et deux colonnes sont représentées. Chaque photorésistance 45 est connectée à l'une des pistes conductrices 38 et à l'une des pistes 35 conductrices 42. En figure 6, on a représenté de façon schématique 3025052 B13474 - Photorésistance 13 deux pistes conductrices 38 orientées selon les rangées et deux pistes conductrices 42 orientées selon les colonnes. Chaque piste conductrice 38 est reliée à une source d'un potentiel de référence bas, par exemple la masse GND, par 5 l'intermédiaire d'un interrupteur 54. Les interrupteurs 54 sont commandés par un module 56 de sélection de rangée. A titre d'exemple, chaque interrupteur 54 correspond à un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, ou transistor MOS, par exemple à canal N, dont le drain est relié à la piste conductrice 10 38, dont la source est reliée à la masse GND et dont la grille est commandée par le module 56. Chaque piste conductrice 38 est reliée à une source d'un potentiel de référence haut VDD par l'intermédiaire d'un interrupteur 58. Les interrupteurs 58 sont commandés par le module 56 de sélection de rangée. A titre 15 d'exemple, chaque interrupteur 58 correspond à un transistor MOS, par exemple à canal P, dont le drain est relié à la piste conductrice 38, dont la source est reliée à la source de potentiel VDD et dont la grille est commandée par le module 56. Chaque piste conductrice 42 est reliée à la source de 20 potentiel VDD par l'intermédiaire d'un interrupteur 60. Les interrupteurs 60 sont commandés par un module 62 de sélection de colonne. A titre d'exemple, chaque interrupteur 60 correspond à un transistor MOS, par exemple à canal P, dont le drain est relié à la piste conductrice 42, dont la source est reliée à la source 25 de potentiel VDD et dont la grille est commandée par le module 62. Chaque piste conductrice 42 est reliée à la masse GND par un interrupteur 66. Un circuit de mesure de courant 64 est adapté à mesurer le courant circulant dans chaque piste conductrice 42 lorsque celle-ci est reliée à la masse GND. Les interrupteurs 66 30 sont commandés par le module 62 de sélection de colonne. A titre d'exemple, chaque interrupteur 66 correspond à un transistor MOS, par exemple à canal N, dont le drain est relié à la piste conductrice 42, dont la source est reliée au circuit de mesure 64 et dont la grille est commandée par le module 62. 3025052 B13474 - Photorésistance 14 Le fonctionnement du mode de réalisation du système de détection 50 comprend la sélection d'une photorésistance 45. Ceci peut être réalisé de la façon suivante : pour la rangée de la photorésistance 45 sélectionnée, 5 la piste conductrice 38 est reliée à la source de potentiel VDD par la fermeture de l'interrupteur 58 associé, l'interrupteur 54 associé étant maintenu ouvert ; pour les autres rangées, mise des pistes conductrices 38 à la masse GND par la fermeture des interrupteurs 54 associés, 10 les interrupteurs 58 associés étant maintenus ouverts ; pour la colonne de la photorésistance 45 sélectionnée, la piste conductrice 42 est reliée au circuit de mesure 64 par la fermeture de l'interrupteur 66 associé, l'interrupteur 60 associé étant maintenu ouvert ; et 15 pour les autres colonnes, les pistes conductrices 42 sont reliées à la source de potentiel VDD par la fermeture des interrupteurs 60, les interrupteurs 66 étant maintenus ouverts. Pour la photorésistance 45 sélectionnée, un courant circule dans la photorésistance 45 dont l'amplitude varie en 20 fonction de la résistance de la photorésistance 45 et donc en fonction de l'éclairement reçu par la photorésistance 45. Pour les autres photorésistances 45 de la même rangée que la photorésistance 45 sélectionnée, les deux bornes des photorésistances sont reliées à la source de potentiel VDD de 25 sorte qu'aucun courant ne circule dans ces photorésistances 45. Pour les autres photorésistances 45 de la même colonne que la photorésistance 45 sélectionnée, les deux bornes des photorésistances sont reliées à la masse GND de sorte qu'aucun courant ne circule dans ces photorésistances 45. Le circuit de 30 mesure 64 est adapté à mesurer le courant traversant la photorésistance 45 sélectionnée. La résistance de la photorésistance 45 sélectionnée peut être déterminée à partir de la détermination du courant traversant la photorésistance 45 et de la connaissance de la tension aux bornes de la photorésistance 35 45 sélectionnée. 3025052 B13474 - Photorésistance 15 Selon un autre mode de réalisation, le système de détection de lumière peut comprendre la circulation d'un courant constant dans la photorésistance sélectionnée et la mesure d'une tension représentative de la tension aux bornes de la 5 photorésistance sélectionnée. La tension mesurée est fonction de la résistance de la photorésistance et donc de l'éclairement reçu par la photorésistance. Le dispositif de détection 30 peut être utilisé comme dispositif d'interface utilisateur adapté à détecter des 10 variations de l'ombre d'un organe d'actionnement sur la matrice de photorésistances et/ou des variations de l'image réfléchie, par exemple dans l'infrarouge, de l'organe d'actionnement et à en déduire une information représentative d'une variation de position de l'organe d'actionnement. L'organe d'actionnement peut être un 15 doigt de l'utilisateur, sa main, ou tout autre objet. On note que par position de l'organe d'actionnement on entend ici une position relative par rapport au dispositif d'interface. On peut notamment prévoir un mode d'utilisation dans lequel c'est le dispositif d'interface utilisateur lui-même qui 20 est déplacé, l'organe d'actionnement restant fixe. Selon un mode de réalisation, le dispositif d'interface est adapté à détecter des variations de l'ombre de l'organe d'actionnement sur la matrice de photorésistances lorsque l'organe d'actionnement est disposé entre une source lumineuse et la 25 matrice. La source de lumière est de préférence la lumière ambiante, par exemple le soleil ou l'éclairage électrique intérieur d'une pièce d'un bâtiment. Selon un mode de réalisation, l'organe d'actionnement peut être au contact du dispositif d'interface. Selon un mode de réalisation, l'organe d'actionnement 30 peut être à distance du dispositif d'interface et le dispositif d'interface utilisateur peut être adapté à détecter des déplacements de l'organe d'actionnement dans un plan parallèle au plan de la matrice de photorésistances, et des variations de la distance entre l'organe d'actionnement et la matrice de 35 photorésistances. 3025052 B13474 - Photorésistance 16 La figure 7 est une vue en coupe représentant un autre mode de réalisation d'un dispositif d'interface utilisateur 70 comprenant une matrice de photorésistances 45, notamment telles que celles du dispositif de détection 47 décrit précédemment, 5 associée à un écran d'affichage. Ceci permet notamment de réaliser une interface interactive. Le dispositif 70 comprend une matrice de pixels 74 d'affichage lumineux (ou de rétro-éclairage). Dans cet exemple, les pixels 74, par exemple des diodes électroluminescentes, sont disposés dans un plan parallèle à la 10 matrice de photorésistances 45, et entre la matrice de photorésistances et un revêtement de protection 76. La matrice de photorésistances 45 et la matrice de pixels 74 sont superposées avec un léger décalage de façon que, en vue de dessus, les pixels 74 ne soient pas en regard des photorésistances 45, ce qui 15 masquerait les photorésistances 45 et empêcherait la détection de l'ombre portée de l'organe d'actionnement. Dans une variante de réalisation, la matrice de photorésistances 45 est placée entre la matrice de pixels d'affichage 74 et le revêtement de protection 76. Dans ce cas, on 20 peut prévoir de superposer les photorésistances 45 et les pixels 76 sans décalage, à condition que les photorésistances 45 soient réalisées en des matériaux transparents ou translucides. Dans une autre variante de réalisation, les matrices de détection et d'affichage ne sont pas superposées, mais sont 25 réalisées dans un même niveau de l'empilement de couches conductrices et semiconductrices (alternance de pixels 74 et de photorésistances 45). On note que l'écran d'affichage associé au dispositif d'interface 70 n'est pas nécessairement un écran à diodes 30 électroluminescentes, mais peut être réalisé dans toute autre technologie adaptée. De plus, dans une autre variante de réalisation, l'écran d'affichage n'est pas superposé au dispositif d'interface utilisateur mais est déporté. 3025052 B13474 - Photorésistance 17 La figure 8 est une vue en coupe représentant une autre variante de réalisation d'un dispositif d'interface 80 comprenant, en plus des photorésistances 45, une matrice d'émetteurs infrarouge 82. Chaque photorésistance 45 a alors sa résistance 5 qui dépend du rayonnement infrarouge reçu. En fonctionnement, chacun des émetteurs 82 émet en permanence un rayonnement infrarouge. Lorsque l'organe d'actionnement survole un émetteur 82, une partie du rayonnement émis est réfléchi vers une photorésistance voisine, ce qui permet d'en déduire une 10 information relative à la présence d'un objet au-dessus de l'interface. Ainsi, les émetteurs infrarouge 82, en combinaison avec les photorésistances 45, permettent au dispositif 80 de mettre en oeuvre les mêmes fonctions de détection des variations de position de l'organe d'actionnement que les photorésistances 15 45 seules utilisées comme détecteurs d'ombrage. Un avantage de la détection infrarouge par rapport à la détection d'ombrage est que son fonctionnement est indépendant de l'éclairage ambiant et donc plus robuste. En particulier, la détection infrarouge peut fonctionner dans l'obscurité, en 20 l'absence d'une source de lumière extérieure. On peut prévoir d'alterner entre un mode de fonctionnement basse consommation, basé sur la détection de l'ombre portée de l'organe d'actionnement par les photorésistances 45 lorsque l'éclairage ambiant le permet, et un mode de fonctionnement infrarouge lorsque les conditions 25 d'éclairement ne permettent pas la détection d'ombre portée. On peut par exemple prévoir un capteur de pénombre pour passer automatiquement du mode basse consommation au mode infrarouge lorsque la luminosité ambiante devient trop faible pour permettre la détection d'ombre portée. 30 La figure 9 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif de détection 90 dans lequel le dispositif de détection 90 comprend un guide d'onde 92 comprenant deux faces 94, 96 opposées et des bords 98. Le long de l'un des bords 98 du guide d'onde 92, le dispositif de détection 90 comprend des 35 photorésistances 45, notamment telles que celles du dispositif de 3025052 B13474 - Photorésistance 18 détection 47 décrit précédemment, et des émetteurs de lumière 100. A titre d'exemple, en figure 9, une seule rangée de photorésistances 45 est représentée. La lumière émise par les émetteurs 100 est guidée dans 5 le guide d'onde 92 en se réfléchissant sur les faces 94, 96 et les bords 98 et au moins une partie de cette lumière revient vers les photorésistances 45. Lorsqu'un objet est posé sur l'une des faces 94, 96 du guide d'onde 92, il perturbe le parcours de la lumière de sorte que l'intensité lumineuse reçue par les 10 photorésistances diminue. Le dispositif de détection 90 peut être utilisé pour détecter la présence ou l'absence d'un ou de plusieurs objets sur l'une des faces 94, 96 ou les dimensions d'un objet présent sur l'une des faces 94, 96. Selon un exemple d'application, le dispositif de 15 détection 90 peut être disposé dans un étalage d'un magasin ou d'un entrepôt, les articles étant posés sur l'une des faces 94 ou 96 du guide d'onde 92. Le dispositif de détection 90 peut être utilisé pour détecter le taux de remplissage de l'étalage. En effet, l'intensité lumineuse reçue par les photorésistances 45 20 dépend du nombre d'articles présents sur le guide d'onde 92. De plus, par calibration, il peut être possible de distinguer le cas où un article n'est pas posé de façon correcte sur le guide d'onde 92 mais est tombé sur le guide d'onde 92. Selon un autre exemple d'application, le dispositif de 25 détection 90 peut former le fond d'une boîte dans laquelle sont cultivés des micro-organismes, des bactéries ou des cellules d'organismes supérieurs, par exemple une boîte de Pétri, qui au fur et à mesure de leur croissance forment des taches recouvrant le guide d'onde 92 et modifiant l'intensité lumineuse reçue par 30 les photorésistances 45. Le dispositif de détection 90 permet alors de mesurer la croissance des organismes cultivés. Le dispositif de détection comprenant des photorésistances selon les modes de réalisation décrits précédemment a une structure plus simple qu'un dispositif de détection comprenant 35 des photodiodes. En effet, dans le cas d'un dispositif de 3025052 B13474 - Photorésistance 19 photodétection comprenant une matrice de photodiodes en matériaux organiques, chaque photodiode comprend une couche active, une première couche d'interface interposée entre la couche active et une première électrode et une deuxième couche d'interface 5 interposée entre la couche active et une deuxième électrode. La première couche d'interface permet d'aligner le travail de sortie de la première électrode avec l'affinité électronique du matériau accepteur utilisé dans la couche active. La deuxième couche d'interface permet d'aligner le travail de sortie de la deuxième 10 électrode avec le potentiel d'ionisation du matériau donneur utilisé dans la couche active. Suivant le mode de polarisation de la diode, les couches d'interface facilitent la collection, l'injection ou le blocage des charges depuis les électrodes dans la couche active. De façon avantageuse, le dispositif de détection 15 comprenant des photorésistances selon les modes de réalisation décrits précédemment ne comprend pas ces couches d'interface. REVENDICATIONS1. Dispositif de détection (30 ; 47 ; 70 ; 80 ; 90) d'un rayonnement électromagnétique comprenant au moins une rangée de photorésistances (45), chaque photorésistance comprenant une portion active comprenant des matériaux semiconducteurs organiques. 2. Dispositif de détection selon la revendication 1, comprenant une matrice de photorésistances (45) réparties en rangées et en colonnes. 3. Dispositif de détection selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque portion active (45) est reliée à une première électrode conductrice (38) et à une deuxième électrode conductrice (42). 4. Dispositif de détection selon la revendication 3, 15 dans lequel le travail de sortie des premières électrodes conductrices (38) est égal au travail de sortie des deuxièmes électrodes conductrices (42) à 5 % près. 5. Dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant une couche monolithique (40) 20 contenant les portions actives et s'étendant entre des premières pistes conductrices (38) correspondant aux premières électrodes et des deuxièmes pistes conductrices (42) correspondant aux deuxièmes électrodes. 6. Dispositif de détection selon l'une quelconque des 25 revendications 1 à 5, comprenant, en outre, des pixels d'affichage (74). 7. Dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant, en outre, des émetteurs (82 ; 100) du rayonnement électromagnétique. 30 8. Dispositif de détection selon la revendication 7, comprenant, en outre, un guide d'onde (92). 9. Dispositif de détection selon la revendication 8, dans lequel le guide d'onde (92) comprend au moins une face (94) destinée à être en contact avec au moins un objet, les 3025052 B13474 - Photorésistance 21 photorésistances (45) étant réparties le long d'un bord (98) de ladite face. 10. Système de détection (50) comprenant le dispositif de détection (30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 9, un circuit (56, 62) de sélection de l'une des photorésistances (45) et un circuit (64) de mesure du courant circulant dans la photorésistance sélectionnée ou d'une tension représentative de la tension aux bornes de la photorésistance sélectionnée. 11. Procédé de commande du dispositif de détection (30 ; 10 47 ; 70 ; 80 ; 90) d'un rayonnement électromagnétique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant la sélection d'une photorésistance (45) dans ladite au moins une rangée et la détermination d'un signal représentatif de la résistance de la photorésistance. 12. Procédé de commande selon la revendication 11, dans lequel le dispositif de détection comprend une matrice de photorésistances (45) réparties en rangées et en colonnes, des premières pistes conductrices (38) et des deuxièmes pistes conductrices (42), chaque première piste conductrice étant reliée aux photorésistances d'une même rangée et chaque deuxième piste conductrice étant reliée aux photorésistances d'une même colonne, et dans lequel l'étape de sélection comprend les étapes suivantes : relier la première piste conductrice reliée à la 25 photorésistance à sélectionner à une source d'un premier potentiel (VDD) ; relier les autres premières pistes conductrices à une source d'un deuxième potentiel (GND) différent du premier potentiel ; 30 relier la deuxième piste conductrice reliée à la photorésistance à sélectionner à la source du deuxième potentiel ; et relier les autres deuxièmes pistes conductrices à la source du premier potentiel.