Brevet FR3033937A1 — publié le 20160923

DIODE ZENER A FAIBLE TENSION DE CLAQUAGE AJUSTABLE La présente invention concerne une diode Zener. Les diodes Zener sont couramment utilisées pour réguler la tension dans un circuit ou pour fournir une tension de référence stable. A cet effet, on connecte une diode Zener en inverse en parallèle avec une source de tension. Lorsque la tension fournie par la source de tension atteint la tension de claquage de la diode, celle-ci devient conductrice et maintient ensuite la tension à cette valeur. La présente invention s'applique notamment aux objets disposant d'une alimentation électrique autonome de faible puissance, aux objets communicants et aux circuits de captage d'énergie. Dans ces applications, il est souhaitable que la tension de claquage de la diode Zener soit aussi faible que possible. La figure 1 est une vue en coupe d'une diode Zener classique formée dans un substrat en un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité, par exemple P. La diode Zener comprend un caisson NW présentant un dopage d'un second type de conductivité, par exemple N, formant une région d'anode de la diode Zener. La diode Zener comprend une région de cathode CD, fortement dopée, du premier type conductivité P+, formée dans le caisson NW. La région CD est formée sur une région ZD présentant un fort dopage du second type de conductivité N+. Les régions CD et ZD sont isolées du reste du caisson NW par une tranchée d'isolation peu profonde STI (Shallow Trench Isolation). La diode Zener comprend une région de connexion d'anode ED fortement dopée, du second type de conductivité N+ formée dans le caisson NW et isolée de la région de cathode par la tranchée STI. Par ailleurs, le substrat SUB comprend une région fortement dopée SP du premier type de conductivité P+, formant une prise de polarisation du substrat SUB. La région de prise de substrat SP est isolée des régions CD, ZD par la tranchée d'isolation peu profonde STI. La figure 2 représente une courbe C11 de variation du courant traversant la diode Zener en fonction de la tension inverse appliquée entre les régions CD et ED. La courbe C11 illustre le fonctionnement d'une diode Zener classique, polarisée en inverse. Entre 0 et environ 2,5 V, le courant traversant la diode reste faible (inférieur à 10-12A). A partir d'environ 2,5 V et 3033937 2 jusqu'à environ 5,2 V, le courant traversant la diode augmente linéairement (en échelle logarithmique) jusqu'à environ 10-8 A. Cette zone de fonctionnement qui résulte d'un phénomène dit de "band to band" n'est pas exploitable pour fournir une tension de référence ou assurer une régulation 5 de tension. Au dessus d'environ 5,2 V, un phénomène de claquage apparaît, la diode devenant fortement conductrice, par effet d'avalanche, en atteignant une tension maximum BV dite "tension de claquage" (breakdown voltage) d'environ 5,5 V. La diode maintient cette tension constante quelle que soit l'intensité du courant, dès lors que celle-ci reste entre environ 10-8 A et 10- 10 6 A. Les diodes Zener sont généralement utilisées dans cette zone de fonctionnement, pour fournir une tension de référence stable ou assurer une régulation de tension. On a déjà proposé d'abaisser la tension de claquage d'une diode Zener en amincissant la région ZD afin d'obtenir une transition entre les deux 15 types de conductivité des régions CD et ZD aussi abrupte que possible. Toutefois, cette solution atteint une limite obtenue avec une région ZD de très faible épaisseur. Cette solution permet d'obtenir un courant qui augmente plus rapidement aux faibles valeurs de tension que sur la courbe C11. Le phénomène de claquage se produit également à une tension plus 20 faible que sur la courbe C11, mais la tension continue d'augmenter en fonction du courant. Le phénomène de "band to band" tend à s'étendre sur des plages de valeurs de tension et de courant plus larges. Dans ces conditions, la diode Zener ne peut pas être utilisée pour fournir une tension de référence ou assurer une régulation de tension. 25 Il est donc souhaitable de réaliser une diode Zener ayant une tension de claquage la plus faible possible, inférieure à 1,5 V. Il est également souhaitable que cette diode puisse être réalisée dans un circuit intégré, en mettant en oeuvre des étapes de fabrication couramment utilisées pour réaliser des transistors CMOS. Il peut également être souhaitable de réaliser 30 une diode Zener dont la tension de claquage peut être ajustée. Des modes de réalisation concernent une diode Zener comprenant : une région de cathode ayant un premier type de conductivité, formée en surface dans un substrat semi-conducteur ayant un second type de conductivité, une région d'anode ayant le second type de conductivité, formée sous la région de cathode, les régions de cathode et d'anode étant 3033937 3 isolées du reste du substrat par des tranchées isolantes, et des premières régions conductrices configurées, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à une interface entre les régions de cathode et d'anode. Selon un mode de 5 réalisation, la diode Zener comprend des secondes régions conductrices configurées lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un second champ électrique parallèle à une interface entre les régions de cathode et d'anode. Selon un mode de réalisation, les secondes régions conductrices 10 comprennent une grille enterrée, séparée de la région d'anode uniquement par une couche diélectrique de la grille. Selon un mode de réalisation, la diode Zener comprend : un caisson ayant le premier type de conductivité, formé dans le substrat, la région de cathode étant formée en surface du caisson, et la région d'anode étant 15 formée dans le caisson sous la région de cathode, et une région de connexion d'anode du premier type de conductivité, formée en surface du caisson et isolée de la région de cathode. Selon un mode de réalisation, le caisson est isolé du substrat par une tranchée peu profonde. 20 Selon un mode de réalisation, la grille est formée entre la région de cathode et une région de connexion d'anode. Selon un mode de réalisation, la grille entoure les régions de cathode et d'anode. Selon un mode de réalisation, la grille est formée dans les régions de 25 cathode et d'anode. Selon un mode de réalisation, la grille présente une forme octogonale ou rectangulaire. Selon un mode de réalisation, les premières et secondes régions conductrices sont interconnectées. 30 Des modes de réalisation peuvent également concerner un circuit comprenant une diode Zener telle que précédemment définie. Des modes de réalisation peuvent également concerner un procédé de commande d'une diode Zener telle que précédemment définie, le procédé comprenant des étapes consistant à: appliquer une première tension à la 35 région de cathode, appliquer à la région d'anode une seconde tension pour 3033937 4 polariser la diode Zener en inverse, l'écart entre la première tension et la seconde tension étant supérieur ou égal à une tension de claquage de la diode Zener. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d'application d'une troisième tension aux secondes régions conductrices 5 pour générer un champ électrique parallèle à l'interface entre les régions de cathode et d'anode. Selon un mode de réalisation, les secondes régions conductrices comprennent une grille enterrée, séparée de la région d'anode uniquement par une couche diélectrique de la grille, le procédé comprenant une étape 10 d'application de la troisième tension à la grille. Selon un mode de réalisation, la troisième tension est fixée égale à la première tension. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d'ajustement de la troisième tension en fonction d'une tension de claquage à 15 atteindre par la diode Zener. Selon un mode de réalisation, la tension de claquage est ajustable entre 1,2 et 5V en faisant varier la troisième tension entre la première tension et la seconde tension. 20 Des exemples de réalisation de l'invention seront décrits dans ce qui suit, à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 décrite précédemment est une vue en coupe d'une diode Zener classique, la figure 2 décrite précédemment, représente une courbe 25 caractéristique de courant en fonction de la tension aux bornes d'une diode Zener classique, la figure 3 est une vue en coupe d'une diode Zener selon un mode de réalisation, la figure 4 est une vue en coupe partielle détaillée de la diode Zener 30 de la figure 3, la figure 5 représente des courbes caractéristiques du courant en fonction de la tension aux bornes de la diode Zener de la figure 3, la figure 6 est une vue en coupe d'une diode Zener selon un autre mode de réalisation, 3033937 5 la figure 6A représente une courbe caractéristique du courant en fonction de la tension aux bornes de la diode Zener de la figure 6, la figure 7 est une vue de dessus de la diode Zener, selon un mode de réalisation, 5 les figures 8 et 9 sont des vues en coupe et de dessus d'une diode Zener, selon un autre mode de réalisation, la figure 10 est une vue de dessus de la diode de la figure 8 selon un autre mode de réalisation, les figures 11 et 12 sont des vues en coupe et de dessus d'une diode 10 Zener, selon un autre mode de réalisation, la figure 13 est une vue de dessus de la diode Zener de la figure 11, selon un autre mode de réalisation, la figure 14 est une vue en coupe d'une diode Zener, selon un autre mode de réalisation. 15 La figure 3 représente une diode Zener ZR selon un mode de réalisation. La diode Zener est formée dans un substrat SUB en un matériau semi-conducteur présentant un dopage d'un premier type de conductivité, par exemple P. La diode Zener ZR comprend une région de cathode CD1 présentant un fort dopage d'un second type de conductivité, par exemple N+, 20 superposée sur une région d'anode AD1 ayant un dopage du premier type de conductivité (P). Les régions CD1, AD1 sont formées dans un caisson NW présentant un dopage du premier type de conductivité (N dans l'exemple considéré), lequel est formé dans le substrat SUB. Ainsi, la diode Zener ZR comprend une zone de jonction NPN formée par la région AD1 et en 25 particulier par les interfaces entre la région AD1 et la région DC1 et entre la région AD1 et le caisson NW. Le caisson NW est isolé du reste du substrat SUB par une tranchée d'isolation peu profonde STI1 (Shallow Trench Isolation). La diode Zener ZR comprend également une région fortement dopée ED1 du second type de conductivité (N+), formant une prise de 30 polarisation du caisson NW et de connexion de l'anode de la diode ZR. Par ailleurs, le substrat SUB comprend une ou plusieurs régions fortement dopées SP1, du premier type de conductivité (P+), formant des prises de polarisation du substrat SUB. La diode Zener ZR comprend également une plage de contact de cathode CDC formée sur la région CD1, et une plage de 35 contact d'anode EDC formée sur la région ED1 . Un ou plusieurs contacts de 3033937 6 polarisation SPC du substrat sont formés sur les régions SPP de polarisation du substrat SUB. Selon un mode de réalisation, la diode Zener ZR comprend une grille GT1 enterrée verticale, formée dans le caisson NW, de manière à être 5 séparée des régions CD1, AD1 et ED1, ainsi que du caisson NW, uniquement par une couche diélectrique GTD. La grille GT1 est prévue pour recevoir une tension de polarisation GV par l'intermédiaire d'une plage de contact de grille GTC. La tension GV peut être fournie par un circuit CMD fournissant également une tension de cathode CV à la plage de contact de 10 cathode CDC et une tension d'anode AV à la plage de contact d'anode EDC. La couche diélectrique GTD peut présenter une épaisseur comprise entre 5 et 15 nm, selon la technologie de fabrication employée et les tensions à mettre en oeuvre. Ainsi, la couche GTD peut présenter une épaisseur de l'ordre de 10 nm. 15 La grille GT1 peut être réalisée en gravant un trou ou une tranchée dans le substrat SUB, en formant sur les parois et le fond de la tranchée la couche diélectrique GTD, par exemple par oxydation, puis en remplissant la tranchée d'un matériau conducteur tel qu'un métal ou du silicium polycristallin. Ces étapes de fabrication, ainsi que celles permettant de 20 former les différentes régions dopées et la tranchée STI sont couramment mises en oeuvre pour fabriquer des circuits à base de transistors CMOS. La figure 4 représente plus en détail la zone de jonction NPN de la diode Zener ZR constituée par la région AD1 en contact avec le caisson NW et la région CD1, et en particulier, la partie de la zone de jonction NPN à 25 proximité de la grille GT1. Lorsque la diode Zener ZR est polarisée en inverse, la plage de contact de cathode CDC reçoit une tension inférieure à la tension appliquée à la plage de contact EDC de polarisation du caisson. Dans ces conditions, il apparait dans la région AD1 un champ électrique Ez dirigé de la région AD1 vers la région CD1. Si la grille GT1 reçoit une tension 30 positive, il apparaît également dans la région AD1 un champ électrique Ex dirigé vers la grille GT1, parallèlement au plan d'interface entre les régions CD1 et AD1. La présence simultanée des champs électriques Ez et Ex forme un champ résultant Er dirigé dans le secteur angulaire situé entre les directions des champs Ez et Ex. Il peut être observé que l'amplitude du 35 champ Er est plus élevée que celle du champ Ez. A cet effet d'augmentation 3033937 7 du champ électrique, s'ajoute un effet de proximité, la grille GT1 étant directement en contact avec la zone de jonction NPN. Il en résulte que les charges présentes dans la zone de jonction NPN subissent un champ électrique plus élevé et donc deviennent mobiles sous l'effet d'une tension 5 plus faible appliquée à la région CD1, cette mobilité entrainant un phénomène de claquage par effet d'avalanche. Ainsi, la grille GT1 est utilisée ici comme élément électriquement conducteur pour amener une tension à proximité de la zone de jonction NPN, afin de générer le champ électrique Ex. 10 La figure 5 représente des courbes C12, C13 de variation du courant traversant la diode Zener ZR en fonction de la tension CV appliquée à la région de cathode CD1, la tension AV appliquée à la région de connexion d'anode ED1 étant nulle et la tension appliquée à la région SPC étant nulle également. Dans le cas de la courbe C12, la grille GT1 reçoit une tension 15 égale à la tension d'anode AV appliquée à la plage de contact EDC, par exemple fixée à 0V. Dans le cas de la courbe C13, la grille GT1 reçoit une tension GV d'environ 1,3 V. Entre 0 et environ 2,7V pour la courbe C12, et environ 1,1 V pour la courbe C13, le courant traversant la diode ZR augmente linéairement en échelle logarithmique, tout en restant très faible 20 (inférieur à 10-13 A). Au-dessus de 1,1 V pour la courbe C12 et 2,7 V pour la courbe C12, un phénomène de claquage apparaît, la diode ZR devenant fortement conductrice à une tension de claquage BV d'environ 2,9 V pour la courbe C12, et une tension de claquage BV1 d'environ 1,3V pour la courbe C13. La diode ZR maintient cette tension constante quelle que soit l'intensité 25 du courant, dès lors que celle-ci reste supérieure à environ 5.1012A. La courbe C13 peut également être obtenue en fixant la tension GV appliquée à la grille GT1 à une tension égale ou supérieure à la tension de claquage BV1, par exemple à une valeur comprise entre 1,3 et 1,5 V. Si on augmente la tension de la grille GT1 à partir de la tension 30 d'anode AV par exemple fixée à 0V (courbe C12), on obtient une courbe ayant sensiblement la même forme que les courbes C12 et C13, située entre ces dernières. La comparaison des courbes C12 et C13 fait apparaître que l'application sur la grille GT1 d'une tension qui passe de la tension d'anode AV (soit 0 V) à la tension BV1 permet de faire baisser la tension de claquage 35 de la diode ZR de la tension BV à la tension BV1. 3033937 8 Selon un mode de réalisation, la tension de claquage BV, BV1 de la diode ZR est contrôlée, par exemple par le circuit CMD, en ajustant la tension GV appliquée à la grille GT1 entre la tension d'anode AV et la tension de cathode CV. De cette manière, la diode Zener ZR peut être 5 utilisée pour réaliser une source de tension de référence ajustable ou un régulateur de tension présentant une tension de consigne ajustable. La figure 6 représente une diode Zener ZR' à faible tension de claquage, selon un autre mode de réalisation. La diode ZR' diffère de la diode Zener ZR en ce qu'elle comporte non pas trois bornes de connexion 10 formées par les plages de contact CDC, EDC, GTC, mais seulement deux bornes de connexion formées par les plages de contact de cathode CDC et d'anode EDC, la plage de contact de grille GTC étant couplée à la plage de contact de cathode CDC. La figure 6A représente une courbe C14 de variation du courant 15 traversant la diode Zener ZR' en fonction de la tension CV appliquée à la région de cathode CD1, la tension AV appliquée à la région de connexion d'anode ED1 étant nulle et la tension appliquée à la région SPC étant nulle également. La courbe C14 correspond sensiblement à la courbe C13 de la figure 5, la diode Zener ZR' présentant la tension de claquage BV1. La 20 connexion entre les plages de contact CDC et GTC peut être réalisée par exemple par une unique plage de contact couvrant les régions de cathode CD1 et la grille GT1. La figure 7 représente la diode Zener ZR selon un mode de réalisation. Sur la figure 7, la grille GT1 isole les régions CD1, AD1 de la 25 région de polarisation ED1. La tranchée STI entoure une zone comprenant les régions CD1, AD1, la grille GT1 et la région ED1. Une ou plusieurs régions SP1 de polarisation du substrat SUB peuvent être formées autour de la diode ZR délimitée par la tranchée ST1. Les figures 8 et 9 représentent une diode Zener ZR1 selon un autre 30 mode de réalisation. Sur les figures 8 et 9, la diode ZR1 comprend une région de cathode CD2 présentant un fort dopage du second type de conductivité (N+), superposée sur une région d'anode AD2 ayant un dopage du premier type de conductivité (P). Les régions CD2, AD2 sont formées dans un caisson NW présentant un dopage du second type de conductivité 35 (N), lequel est formé dans le substrat SUB. 3033 93 7 9 Selon un mode de réalisation, une grille GT2 enterrée est formée dans les régions CD2, AD2, afin d'être en contact avec la zone de jonction NPN de la diode ZR1. Les régions CD2, AD2 incluant la grille GT2, sont isolées du reste du caisson NW par une tranchée d'isolation peu profonde 5 5T12. La diode Zener ZR1 comprend également dans le caisson NW, une région fortement dopée ED2 du second type de conductivité (N+), formant une prise de polarisation du caisson NW et de connexion de l'anode de la diode ZR1. Le caisson NW est isolé du reste du substrat SUB par une tranchée d'isolation peu profonde 5T3. Par ailleurs, le substrat SUB 10 comprend une ou plusieurs régions fortement dopées SP1, du premier type de conductivité (P+), formant des prises de polarisation du substrat SUB. La diode Zener ZR1 comprend également une plage de contact de cathode CDC formée sur la région CD2, une plage de contact d'anode EDC formée sur la région ED2, et une plage de contact de grille GTC formée sur la grille 15 GT2. Un ou plusieurs contacts de polarisation SPC sont formés sur les régions SPP de polarisation du substrat SUB. Sur la figure 9, les tranchées d'isolation 5T12, 5T13 isolent trois régions, à savoir une région centrale et deux régions latérales comprenant les régions de connexion d'anode ED2, de part et d'autre de la région 20 centrale. La région centrale comprend la grille GT2 et de part et d'autre de la grille, les régions de cathode CD2. La figure 10 représente une diode Zener ZR2 présentant une configuration en coupe qui peut être similaire à celle de la figure 8, selon un autre mode de réalisation. La diode ZR2 comprend une région de cathode 25 CD3 superposée sur une région d'anode, entourant une grille enterrée GT3, la région de cathode CD3 étant entourée par une tranchée d'isolation 5T14. La diode ZR2 comprend également une région de connexion d'anode ED3 entourant la tranchée d'isolation 5T14 et qui est isolée du substrat SUB par une tranchée d'isolation 5T15. Les régions de cathode CD3 et de connexion 30 d'anode ED3, ainsi que les tranchées 5T14, 5T15 présentent une forme octogonale. La grille GT3 peut avoir une forme carrée ou plus généralement rectangulaire, ou encore octogonale. Les figures 11 et 12 représentent une diode Zener ZR3 comprenant une région de cathode CD4 présentant un fort dopage du second type de 35 conductivité (N+), superposée sur une région d'anode AD4 ayant un dopage 3033937 10 du premier type de conductivité (P). Les régions CD4, AD4 sont formées dans le caisson NW et isolées du reste du caisson NW par une grille enterrée GT4 formée dans une tranchée entourant les régions CD4, AD4. Des régions de connexion d'anode ED4 sont formées dans le caisson NW le 5 long de bords extérieurs de la grille GT4. Le caisson NW est isolé du substrat SUB par une tranchée d'isolation STI6 entourant la grille GT4 et les régions de connexion d'anode ED4. La figure 13 représente une diode Zener ZR4 présentant une configuration en coupe qui peut être similaire à celle de la figure 11, selon un 10 autre mode de réalisation. La diode ZR4 comprend une région de cathode CD5 superposée sur une région d'anode, et entourée par une grille GT5 enterrée, la grille GT5 étant entourée par une région de connexion d'anode ED5. La diode ZR4 comprend également une tranchée d'isolation peu profonde STI7 isolant la région de connexion d'anode ED5 et le caisson NW 15 du substrat SUB. Les régions de cathode CD5 et de connexion d'anode ED5, ainsi que la grille GT5 et les tranchées STI7 présentent une forme octogonale. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et diverses applications. 20 En particulier, l'invention n'est pas limitée aux formes présentées des différentes régions de la diode Zener. D'autres formes que les formes rectangulaires et octogonales décrites peuvent être envisagées pour les différentes régions de la diode Zener. Ainsi, des formes circulaires et carrées et d'autres formes polygonales peuvent être envisagées pour ces régions. 25 Par ailleurs, dans tous les modes de réalisation précédemment décrits, les types de conductivité des dopages des différentes régions formant la diode Zener peuvent être inversés. Ainsi, la figure 14 représente une diode Zener ZR5 ayant la forme de la diode ZR, formée dans un caisson PW présentant un dopage du premier type de conductivité (P), le caisson 30 PW étant formé dans un caisson NO formé par implantation en profondeur dans le substrat SUB de dopants du second type de conductivité (N). Comme précédemment, le caisson PW est isolé du caisson NO par une tranchée d'isolation STI8. Le caisson NO peut être isolé du substrat SUB par des tranchées d'isolation peu profondes STI9. La diode ZR5 comprend une 35 grille GT6 verticale enterrée dans le caisson PW. Dans l'exemple de la figure 3033937 11 14, la grille GT6 délimite d'un côté avec la tranchée d'isolation STI8 une région de cathode CD6 fortement dopée du premier type de conductivité (P+), superposée sur une région d'anode AD6 du second type de conductivité (N). La grille GT6 délimite d'un autre côté avec la tranchée 5 d'isolation STI8 une région de connexion d'anode ED6 fortement dopée du premier type de conductivité (P+). Les régions CD6 et ED6 sont surmontées de plages de contact respectives CDC et EDC. Le caisson NO est polarisé (mis à la masse) par l'intermédiaire de régions de polarisation SNC fortement dopées du second type de conductivité (N+), surmontées chacune d'une 10 plage de contact de polarisation SNC. Il est à noter que la diode Zener ZR5 est polarisée en inverse en appliquant à la plage de contact de cathode CDC une tension inférieure à la tension appliquée à la plage de contact EDC de polarisation du caisson PW. Par ailleurs, il va de soi que les différents modes de réalisation 15 précédemment décrits peuvent être combinés de différentes manières, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS1. Diode Zener comprenant : une région de cathode (CD1-CD6) ayant un premier type de conductivité, formée en surface dans un substrat semi-conducteur (SU B, NO) ayant un second type de conductivité, une région d'anode (AD1-AD6) ayant le second type de conductivité, formée sous la région de cathode, les régions de cathode et d'anode étant isolées du reste du substrat par des tranchées isolantes (STI1-5T8), et des premières régions conductrices (CDC, EDC, ED1-ED6) configurées, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un premier champ électrique (Ez) perpendiculaire à une interface entre les régions de cathode et d'anode, caractérisée en ce qu'elle comprend des secondes régions conductrices (GT1-GT6, GTC) configurées lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un second champ électrique (Ex) parallèle à une interface entre les régions de cathode (CD1-CD6) et d'anode (AD1AD6). 2. Diode Zener selon la revendication 1, dans laquelle les secondes régions conductrices (GT1-GT6, GTC) comprennent une grille (GT1-GT6) 20 enterrée, séparée de la région d'anode (AD1-AD6) uniquement par une couche diélectrique (GTD) de la grille. 3. Diode Zener selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant : un caisson (NW, PW) ayant le premier type de conductivité, formé 25 dans le substrat (SUB), la région de cathode (CD1-CD6) étant formée en surface du caisson, et la région d'anode (AD1-AD6) étant formée dans le caisson sous la région de cathode, et une région de connexion d'anode (ED1-ED6) du premier type de conductivité, formée en surface du caisson et isolée de la région de cathode. 30 4. Diode Zener selon la revendication 3, dans laquelle le caisson (NW, PW) est isolé du substrat par une tranchée peu profonde (ST11-5TI8). 3033937 13 5. Diode Zener selon l'une des revendications 2 à 4, dans laquelle la grille (GT1, GT4, GT5, GT6) est formée entre la région de cathode (CD1, CD4, CD5, CD6) et une région de connexion d'anode (ED1, ED4, ED5, ED6). 5 6. Diode Zener selon l'une des revendications 2 à 5, dans laquelle la grille (GT4, GT5) entoure les régions de cathode (CD4, CD5) et d'anode (AD4). 10 7. Diode Zener selon l'une des revendications 2 à 4, dans laquelle la grille (GT2, GT3) est formée dans les régions de cathode (CD2, CD3) et d'anode (AD2). 8. Diode Zener selon l'une des revendications 2 à 7, dans laquelle la 15 grille (GT1-GT5) présente une forme octogonale ou rectangulaire. 9. Diode Zener selon l'une des revendications 1 à 8, dans laquelle les premières et secondes régions conductrices (CDC, GTC) sont interconnectées. 10. Circuit comprenant une diode Zener selon l'une des revendications 1 à 9. 11. Procédé de commande d'une diode Zener selon l'une des revendications 1 à 8, le procédé comprenant des étapes consistant à: appliquer une première tension (CV) à la région de cathode (CD1- CD6), appliquer à la région d'anode (AD1-AD6) une seconde tension (AV)pour polariser la diode Zener en inverse, l'écart entre la première tension 30 et la seconde tension étant supérieur ou égal à une tension de claquage (BV, BV1) de la diode Zener, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'application d'une troisième tension (GV) aux secondes régions conductrices (GTC) pour générer un champ électrique (Ex) parallèle à l'interface entre les régions de 35 cathode (CD1-CD6) et d'anode (AD1-AD6). 3033 93 7 14 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel les secondes régions conductrices (GT1-GT6, GTC) comprennent une grille (GT1-GT6) enterrée, séparée de la région d'anode (AD1-AD6) uniquement par une 5 couche diélectrique (GTD) de la grille, le procédé comprenant une étape d'application de la troisième tension (GV) à la grille (GT1). 13. Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, dans lequel la troisième tension (GV) est fixée égale à la première tension (CV). 10 14. Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, comprenant une étape d'ajustement de la troisième tension (GV) en fonction d'une tension de claquage (BV, BV1) à atteindre par la diode Zener. 15 15. Procédé selon l'une des revendications 11 à 14, dans lequel la tension de claquage (BV, BV1) est ajustable entre 1,2 et 5 V en faisant varier la troisième tension (GV) entre la première tension (CV) et la seconde tension (AV).