Brevet FR3030879A1 — publié le 20160624

Arrière-plan de l'invention La présente invention porte de manière générale sur l'établissement d'interconnexions électriques entre des éléments électriquement conducteurs dans un dispositif et sur un tel dispositif. L'invention porte en particulier, mais non exclusivement, sur des dispositifs à antenne radiofréquence et la fabrication de tels dispositifs. L'invention concerne notamment, mais non exclusivement, la fabrication de cartes à puce aptes à fonctionner en mode sans contact, et plus particulièrement aux cartes « dual interface ». Les cartes à puce sont aujourd'hui utilisées dans de nombreux domaines d'application. Elles sont notamment destinées à réaliser des opérations bancaires, téléphoniques, d'identification et/ou d'authentification... Ces opérations peuvent être réalisées soit en insérant la carte dans un lecteur (mode avec contact), soit à distance (mode sans contact) par couplage électromagnétique, généralement de type inductif, entre une borne d'émission-réception et une carte à puce placée dans la zone d'action de la borne. De façon connue, les cartes à puce aptes à fonctionner en mode sans contact sont munies d'une antenne radiofréquence intégrée dans la carte et d'un module électronique (ou micromodule, ou encore transpondeur) relié à l'antenne. Les échanges d'informations avec l'extérieur (typiquement avec un lecteur sans contact) se font par l'antenne en mode sans contact (e.g. selon ISO 14443). L'invention vise en particulier, mais de façon non limitative, des dispositifs comprenant un module électronique RFID apte notamment à communiquer en mode sans contact par radiofréquence selon la norme ISO 14 443 avec un lecteur RFID, par exemple 30 à une fréquence de 13,56MHz. La présente invention ne se limite toutefois pas aux cartes à puce fonctionnant exclusivement en mode sans contact. L'invention concerne également les cartes à puces dites mixtes (appelées aussi carte « dual interface » ou carte à double interface de communication), c'est-à-dire aptes à fonctionner en mode sans contact (e.g. selon ISO 35 14443) grâce à l'antenne ou en mode avec contact (e.g. selon ISO 7816-2) en utilisant par exemple des contacts externes du module électronique. La figure 1 représente schématiquement l'exemple d'une carte à puce mixte 1 comprenant une antenne radiofréquence 12 (comportant ici une pluralité de spires 12a) intégrée dans le substrat 2 de la carte 1. La carte à puce mixte 1 comprend également un module électronique 6 disposé dans une cavité 4 aménagée à cet effet dans le substrat 2. Le module 6 comporte un substrat 8 délimitant les dimensions du module dans un plan, une puce électronique 10 disposée sur une face du substrat 8 et des contacts externes 14 disposés sur la face du substrat 8 opposée à celle comportant la puce 10. La puce électronique 10 (et plus généralement la carte à puce 1) est ainsi apte à fonctionner en mode sans contact à l'aide de l'antenne 12 et à fonctionner en mode avec contact à l'aide des contacts externes 14 du module 6. En mode sans contact, la puce électronique 10 fonctionne en utilisant l'énergie collectée par l'antenne radiofréquence (RF) 12 à partir de signaux RF provenant par exemple d'un lecteur sans contact. Comme représenté schématiquement en figure 1, le module 6 est assemblé au substrat 2 de façon à être connecté électriquement aux extrémités 13a et 13b de l'antenne 12. Diverses solutions ont à ce jour été développées pour établir la connexion électrique entre le module d'une part et l'antenne du substrat d'autre part. Il est par exemple connu de relier électriquement le module à l'antenne du substrat au moyen d'une colle conductrice anisotrope, à l'aide d'un adhésif anisotrope ou encore par réalisation d'une soudure sous ultrasons. Une autre approche consiste à coupler électromagnétiquement le module électronique avec l'antenne du substrat de façon à s'affranchir de toute liaison physique entre le module et l'antenne du substrat. Toutefois, l'établissement de la connexion électrique entre le module et l'antenne du substrat présente encore à ce jour des problèmes de réalisation. Certaines techniques présentent notamment des problèmes de fiabilité qui diminue les rendements de production. La figure 2 représente schématiquement l'exemple d'un dispositif 24 dans lequel la connexion électrique entre un module électronique 24 et une antenne 32 est assurée à l'aide d'un élément de liaison conducteur 36. Plus précisément, le substrat 20 comprend une antenne 32 aux extrémités de laquelle sont prévues des plages de connexion 34. Une cavité 22 est usinée dans le substrat 20 et des puits de connexion 23 sont formés dans la cavité 22. Le plan d'usinage de la cavité 22 est situé au-dessus des plages de connexion 34 et les puits de connexion 23 sont aménagés au-dessus des plages de connexion 34 de façon à mettre ces dernières à jour. Le module électronique 24 est ensuite fixé dans la cavité 22 du substrat 20. Le module 24 comporte sur sa face inférieure des plages de connexion 28 en contact électrique avec les plages de connexion 34 de l'antenne au moyen d'un élément de liaison conducteur 36 placé dans chaque puits de connexion 23. Dans cet exemple, le module 24 est un module mixte comprenant des contacts externes 30 disposés sur la face supérieure du substrat 25 du module 24. L'élément de liaison conducteur 36 est ici formé à l'aide d'une pâte à braser à bas point de fusion par exemple. La technique illustrée en figure 2 pour établir la connexion électrique entre le module et l'antenne du substrat n'est toutefois pas toujours satisfaisante de sorte que de nouvelles techniques d'interconnexion sont aujourd'hui nécessaires pour répondre aux besoins grandissants en matière d'interconnexions électriques, notamment dans le marché des cartes à puce. En particulier, il existe un besoin pour une solution permettant de réaliser, à l'aide d'un procédé simple à mettre en oeuvre, des interconnexions électriques fiables, de formes plus ou moins complexes, et ceci dans des temps de réalisation réduits. Les exigences de miniaturisation grandissantes dans l'industrie notamment de la carte à puce nécessitent également la mise en oeuvre d'une nouvelle technique permettant la réalisation d'interconnexions moins épaisses que les éléments de liaison conducteurs conventionnels, tels que par exemple les éléments 36 illustrés en figure 2. Ce besoin porte de manière générale sur l'établissement d'interconnexions électriques entre des éléments électriquement conducteurs dans un dispositif et s'applique en particulier, mais non exclusivement, au cas où l'un de ces éléments électriquement conducteurs est une antenne radiofréquence. Objet et résumé de l'invention A cet effet, la présente invention concerne un procédé d'établissement d'au moins une interconnexion électrique entre des éléments conducteurs, le procédé comprenant : la fourniture d'un substrat comportant un élément électriquement conducteur, une première face du substrat comportant au moins une première plage de contact connectée électriquement à l'élément électriquement conducteur ; le dépôt sur chaque première plage de contact d'un matériau à nanoparticules comprenant un véhicule et des nano-particules dispersées dans le véhicule; l'assemblage d'un module électronique avec le substrat de sorte qu'une face inférieure du module électronique comprenant au moins une deuxième plage de contact soit en regard avec la face supérieure du substrat, chaque deuxième plage de contact étant en contact avec ledit matériau à nanoparticules déposé ; et la formation d'au moins une interconnexion électrique par polymérisation dudit matériau à nanoparticules de façon à rendre ce dernier électriquement conducteur, chaque interconnexion électrique reliant électriquement une première plage de contact du substrat à une deuxième plage de contact respective du module électronique de sorte à coupler électriquement le module électronique et l'élément électriquement conducteur du substrat. Le dispositif à antenne radiofréquence (RF) est par exemple une carte à puce ou un document électronique tel qu'un passeport électronique. La présente invention est avantageuse en ce qu'elle permet de réaliser, à l'aide d'un procédé simple à mettre en oeuvre, des interconnexions électriques fiables, de formes plus ou moins complexes, et ceci dans des temps de réalisation réduits. L'invention permet en particulier d'utiliser des systèmes d'impression conventionnels offrant un contrôle précis aussi bien de la position à laquelle le matériau à nanoparticules est déposé que de la quantité du matériau à nanoparticules qui est effectivement déposée. Les techniques d'impression permettent notamment de déposer le matériau à nanoparticules suivant des formes complexes, et de manière précise et maitrisée. L'invention permet par ailleurs de réaliser des interconnexions électriques de faible épaisseur (par exemple inférieure ou égale à 100 pm, voire à inférieure ou égale 10pm d'épaisseur) entre le substrat et le module, autorisant ainsi une miniaturisation importante de l'ensemble. Dans un exemple particulier, l'épaisseur de chaque interconnexion électrique ainsi réalisée se situe dans une plage de 1 pm à 100 pm (bornes incluses). L'invention améliore en outre la sécurisation du dispositif à antenne RF de l'invention dans la mesure où il est possible de différer l'activation du matériau à nanoparticules jusqu'au moment où l'on souhaite établir le couplage électrique entre le module électronique et l'antenne du substrat. Le dispositif à antenne RF est protégé en utilisation tant que le matériau à nanoparticules n'est pas activé, rendant difficile toutes utilisations non autorisées dudit dispositif. Dans le cas de la formation d'une carte à puce, par exemple, il est possible de procéder au frittage des nano-particules dans le matériau à nanoparticules de l'invention dans un lieu différent du lieu où l'assemblage du module avec le corps de la carte a été réalisé (et de façon différée dans le temps). Selon un mode de réalisation particulier, la polymérisation lors de l'étape de formation de ladite au moins une interconnexion électrique est réalisée par exposition du matériau à nanoparticules à un flux lumineux apte à activer les nano-particules. L'activation des nanoparticules a pour effet de les relier ou agréger les unes aux autres (polymérisation) de sorte que le matériau à nanoparticules devienne électriquement conducteur. Dans un exemple particulier, chaque première plage de contact est conformée pour laisser passer la longueur d'onde associée au spectre photonique choisi du flux lumineux incident. La polymérisation du matériau à nanoparticules est réalisée ici par frittage. Différentes méthodes de frittage sont possibles dans le cadre de l'invention, comme par exemple la technique dite de « Flash sintering » qui permet de soumettre le matériau à nanoparticules à des pulsations d'énergie de forte puissance mais très limitées dans le temps (quelque microsecondes). Alternativement, le frittage de l'invention peut être réalisé en utilisant des rayons proches de l'infra-rouge dits « NIR » (Near Infra Red). Selon un mode de réalisation particulier, le flux lumineux (prenant par exemple la forme de pulsations d'énergie lumineuse) est transmis au matériau à nanoparticules au travers d'une face inférieure du substrat opposée à la face supérieure du substrat. Selon un mode de réalisation particulier, l'élément électriquement conducteur est une antenne radiofréquence. Selon un mode de réalisation particulier, l'antenne radiofréquence comprend au moins une spire, chaque première plage de contact étant formée à partir d'au moins une portion de spire électriquement conductrice de l'antenne accessible depuis la face supérieure du substrat. Selon un mode de réalisation particulier, chaque première plage de contact est formée en créant un renfoncement (ou puits) correspondant dans ladite face supérieure du substrat de sorte à ce qu'au moins une portion de spire électriquement conductrice de l'antenne soit mise à jour dans ledit renfoncement afin de pouvoir être en contact avec le matériau à nanoparticules lors du dépôt. Selon un mode de réalisation particulier, chaque renfoncement est créé par usinage (par exemple par fraisage), d'une partie de la face supérieure du substrat de sorte à atteindre au moins une portion de spire électriquement conductrice de ladite antenne. Selon un mode de réalisation particulier, le dépôt du matériau à nanoparticules est réalisé de sorte que l'épaisseur du matériau à nanoparticules ainsi déposée sur chaque première plage de contact soit inférieure ou égale à 100 pm, voire inférieure ou égale à 10 pm. Dans un cas particulier, le dépôt de matériau à nanoparticules sur chaque première plage de contact présente une épaisseur comprise entre 1 et 100 pm. Selon un mode de réalisation particulier, le dépôt de matériau à nanoparticules est réalisé en utilisant un système d'impression comprenant au moins une tête d'impression apte à éjecter sous forme de gouttelettes le matériau à nanoparticules sur la face supérieure du substrat. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comprend, avant ledit assemblage, la formation d'une cavité dans le substrat de façon à ce que la cavité débouche sur la surface supérieure du substrat, chaque première plage de contact du substrat étant formée au fond de ladite cavité, le module étant inséré au moins partiellement dans ladite cavité lors de l'assemblable de manière à pouvoir coupler électriquement le module électronique à l'antenne du substrat lors de ladite formation d'au moins une interconnexion électrique. Selon un mode de réalisation particulier, la cavité est formée par usinage, par exemple par fraisage, de la face supérieure du substrat jusqu'à découvrir au moins une partie électriquement conductrice des spires de l'antenne afin que ladite au moins une partie de spire électriquement conductrice soit en contact avec le matériau à nanoparticules dans la cavité lors dudit dépôt. Selon un mode de réalisation particulier, le module électronique comprend, sur sa face inférieure, une puce électronique reliée électriquement à chaque deuxième plage de contact, l'assemblage étant réalisé de sorte que la puce électronique soit positionnée dans ladite cavité. Selon un mode de réalisation particulier, chaque interconnexion électrique relie électriquement une première plage de contact du substrat et une deuxième plage du module située en regard de ladite première plage de contact. Selon un mode de réalisation particulier, le matériau à nanoparticules est déposé sur la face supérieure du substrat sous forme d'une ou une pluralité de couches. Corrélativement, l'invention concerne un dispositif, le dispositif comprenant : un substrat comportant un élément électriquement conducteur, une première face du substrat comportant au moins une première plage de contact connectée électriquement à l'élément électriquement conducteur ; - un module électronique assemblé audit substrat de sorte qu'une face inférieure du module électronique comportant au moins une deuxième plage de contact soit en regard avec la face supérieure dudit substrat ; - au moins une interconnexion électrique de 100 pm d'épaisseur maximum formée par dépôt, sur chaque première plage de contact, d'un matériau à nanoparticules comprenant un véhicules et des nano-particules activables dispersées dans le véhicule, puis par polymérisation dudit matériau à nanoparticules de façon à le rendre électriquement conducteur, chaque interconnexion électrique reliant électriquement une première plage de contact du substrat à une deuxième plage de contact respective du module électronique de sorte à coupler électriquement le module électronique et l'élément électriquement conducteur du substrat. Selon un mode de réalisation particulier, l'élément électriquement conducteur est une antenne radiofréquence. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat comprend une cavité débouchant sur la face supérieure du substrat, le module électronique comprenant, sur sa face inférieure, une puce électronique reliée électriquement à chaque deuxième plage de contact, la puce électronique étant positionnée dans ladite cavité du substrat. Comme déjà indiqué, la polymérisation du matériau à nanoparticules peut être réalisée en exposant ledit matériau à un flux lumineux incident apte à activer les nanoparticules. Dans un exemple particulier, chaque première plage de contact est conformée pour laisser passer la longueur d'onde associée au spectre photonique choisi du flux lumineux incident. Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent des exemples de réalisation dépourvus de tout caractère limitatif. Sur les figures : la figure 1 déjà décrite est une vue en perspective générale représente, de manière schématique, une carte à puce mixte conventionnelle ; la figure 2 déjà décrite est une vue en coupe représentant schématiquement la connexion électrique entre un module électronique et l'antenne du substrat dans une carte à puce mixte conventionnelle ; les figures 3A à 3G sont des vues en coupe représentant schématiquement différentes étapes d'un procédé de fabrication selon un premier mode de réalisation de l'invention ; la figure 4 représente, sous forme d'un organigramme, différentes étapes d'un procédé de fabrication selon le premier mode de réalisation de l'invention ; les figures 5A à 5D sont des vues en coupe représentent schématiquement différentes étapes d'un procédé de fabrication selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ; et la figure 6 est une vue en coupe représentant schématiquement le substrat d'une carte à puce selon un troisième mode de réalisation de l'invention. Description détaillée de plusieurs modes de réalisation Comme indiqué ci-avant, la présente invention porte de manière générale sur l'établissement d'interconnexions électriques entre des éléments électriquement conducteurs dans un dispositif et sur un tel dispositif. L'invention porte en particulier sur des dispositifs à antenne radiofréquence et la fabrication de tels dispositifs. L'invention concerne notamment, mais non exclusivement, un dispositif à antenne radiofréquence (RF) apte à fonctionner en mode sans contact. Le dispositif à antenne RF de l'invention comprend en particulier un substrat ainsi qu'un module électronique assemblé audit substrat. Le dispositif à antenne RF au sens de l'invention peut être par exemple une carte à puce ou un quelconque document électronique, tel qu'un passeport électronique par exemple. Par souci de simplicité, on s'intéressera dans la suite de ce document uniquement à la fabrication d'une carte à puce apte à fonctionner en mode sans contact. Dans les exemples de réalisation considérés ci-après, la carte à puce fonctionne exclusivement en mode sans contact. On comprendra toutefois que l'invention s'applique de manière analogue à une carte à puce mixte comme décrite précédemment. L'invention permet d'établir des interconnexions électriques entre des éléments électriquement conducteurs dans un dispositif tel qu'une carte à puce par exemple. Dans l'exposé qui suit, on s'intéresse plus précisément au cas particulier de l'établissement d'interconnexions électriques entre deux plages de contact, l'une de ces plages de contact étant connectée électriquement à une antenne RF. On comprendra toutefois que l'invention s'applique plus généralement à la connexion électrique entre deux quelconques éléments électriquement conducteurs dans un dispositif tel qu'une carte à puce par exemple. Dans les modes de réalisation qui suivent, la carte à puce est par exemple conforme à la norme ISO 7816. De plus, dans les exemples qui suivent, la carte à puce de l'invention est apte à fonctionner en mode sans contact, c'est-à-dire coopérer avec un terminal externe (typiquement un lecteur sans contact) au moyen d'une antenne RF, et ce conformément à la norme ISO 14443. Sauf indications contraires, les éléments communs ou analogues à plusieurs figures portent les mêmes numéros de références et présentent des caractéristiques identiques 35 ou analogues, de sorte que ces éléments communs ne sont généralement pas à nouveau décrits par souci de simplicité. La fabrication d'une carte à puce 60 capable de fonctionner uniquement en mode sans contact est à présent décrite en référence aux figures 3A-3G et 4 conformément à un premier mode de réalisation de l'invention. Le procédé selon ce premier mode de réalisation comprend en premier lieu la fourniture (S2) d'un substrat 40 comportant une antenne RF 42. Dans cet exemple, l'antenne RF 42 comprend une pluralité de spires d'antenne 43 électriquement conductrices intégrées (ou enfermées) dans le substrat 40 (figure 3A). Le substrat 40 est par exemple composé d'au moins une feuille support en plastique ou tout autre matériau approprié. Ces feuilles sont par exemple collées les unes aux autres par lamination à chaud ou à froid. L'antenne RF 42 est par exemple un élément conducteur déposé en couche mince, de préférence de 50 pm à 200 pm d'épaisseur, sur l'une de ces feuilles supports. Dans ce premier mode de réalisation, le substrat 40 obtenu à l'étape S2 comprend en outre, au niveau de sa face supérieure 40a, des plages de contact (ou plages de connexion) 47 connectées électriquement à l'antenne RF 42 (figure 3B). Pour ce faire, on réalise (S4) dans cet exemple une cavité 44 dans le substrat 40 de sorte que cette cavité 44 débouche sur la face supérieure 40a dudit substrat 40 (figure 3A). De façon préférée, la cavité 44 présente une forme et des dimensions adaptées pour recevoir un module électronique 52 qui sera décrit en détail ultérieurement. On réalise (S6) ensuite des renfoncements (ou puits, ou encore cavités) 46 dans le fond de la cavité 44 (figure 3B). Chaque renfoncement 46 est réalisé dans la face supérieure 40a à l'intérieur de la cavité 44 de sorte qu'au moins une portion de spire 43 électriquement conductrice de l'antenne 42 soit mise à jour dans le renfoncement 46. Cette mise à jour permet ensuite à un matériau à nanoparticules (décrit ultérieurement) de rentrer en contact avec les portions de spires en question. Dans un exemple particulier, les renfoncements 46 présentent une profondeur inférieure ou égale à 50 pm, par exemple une hauteur comprise entre 10 pm et 50 pm. La cavité 44 et les renfoncements 46 sont par exemple réalisés par usinage (par exemple par fraisage), en utilisant une fraise dont la descente est contrôlée, ou de tous autres dispositifs d'usinage appropriés. Ni la cavité 44, ni les renfoncements 46 ne sont toutefois obligatoires pour réaliser l'invention, d'autres modes de réalisation sans cavité et/ou sans renfoncement étant également envisageables. On peut envisager de former les plages de contact reliées à l'antenne sur une zone de la face supérieure du substrat dépourvue de cavité et/ou de renfoncement comme décrits ci-dessus en référence aux figures 3A et 3B. Dans l'exemple considéré ici, le plan d'usinage de chaque renfoncement 46 est situé dans l'antenne RF 42, ou plus précisément dans une portion d'antenne électriquement conductrice se trouvant en alignement avec le renfoncement 46 correspondant. Autrement dit, chaque renfoncement est réalisé par usinage (par fraisage par exemple) d'une partie de la face supérieure 40a du substrat 40 (au fond de la cavité 44 dans cet exemple) de sorte à atteindre une ou plusieurs portions de spire 43 électriquement conductrices de l'antenne 42. La formation des renfoncements 46 permet ainsi de découvrir des portions d'antenne RF électriquement conductrices. Chaque portion d'antenne RF ainsi mises à jour forme une plage de contact 47 connectée électriquement à l'antenne RF 42, comme expliqué précédemment. Ces plages de contact 47 sont par exemple formées par au moins deux portions de spire électriquement conductrices adjacentes l'une de l'autre, ces portions étant mises à jour au fond du renfoncement 46. L'utilisation d'au moins une portion de spire de l'antenne pour former une plage de contact à la surface supérieure 40a du substrat 40 est avantageuse en raison de la facilité accrue de réalisation des plages de contact lorsque cette technique est employée. Ceci permet d'utiliser avantageusement les spires 43 de l'antenne 42 du substrat pour former les plages de contact 47 du substrat. Cette technique permet en particulier d'économiser par exemple du cuivre vis-à-vis de la technique conventionnelle consistant à former des plages de cuivres par dépôt sur la face supérieure du substrat. De manière avantageuse, chaque plage de contact 47 est en outre conformée de façon à pouvoir laisser passer au travers un flux lumineux incident appliqué depuis le dos du substrat 40 (i.e. au travers de la face opposée à la face 40a), et plus particulièrement pour laisser passer une longueur d'onde utilisée pour réaliser une étape S12 de frittage à venir (décrite plus en détail ultérieurement). Une plage de contact formée comme illustrée en figures 3A et 3B est parfois désignée sous l'appellation anglo-saxonne « wire pad » lorsque l'antenne 42 du substrat est réalisée au moyen d'un fil dans le substrat (technologie dite filaire ou de « wire-embedding »). On notera que d'autres variantes de réalisation des plages de contact de l'antenne de la carte à puce peuvent toutefois être envisagées dans le cadre de l'invention, comme expliqué notamment par la suite en référence aux figures 5A-5D et 6. Toujours dans ce premier mode de réalisation, on dépose (S8) ensuite sur chaque plage de contact 47 du substrat un matériau à nanoparticules 50 comprenant un véhicule et des nano-particules activables dispersées (ou contenues) dans ledit véhicule (figure 3C). Comme expliqué ci-après, les nano-particules contenues dans le matériau à nanoparticules 50 sont électriquement conductrices et peuvent être activées au besoin de façon à rendre le matériau à nanoparticules 50 électriquement conductrice. Dans l'exemple considéré ici, le véhicule du matériau à nanoparticules 50 est un fluide électriquement isolant servant de liant dans lequel sont dispersées les nano- particules conductrices. A ce stade du procédé, le matériau à nanoparticules 50 est donc isolant, les nano-particules n'étant pas activées. Une activation (décrite plus en détail ultérieurement en S12) des nano-particules est nécessaire pour rendre le matériau à nanoparticules 50 électriquement conducteur et ainsi établir une liaison conductrice. Les nano-particules sont par exemple en Argent, en Cuivre, ou tout autre matériau conducteur approprié. La taille des nanoparticules peut varier selon le cas, la taille choisie conditionnant en particulier les paramètres à utiliser lors de l'étape de frittage S12 à venir. Le diamètre (ou la plus grande dimension) des nanoparticules est par exemple comprise entre 10 et 50 pm bien que d'autres tailles soient envisageables dans le cadre de l'invention. Il a été observé que cette plage particulière de dimensions permet d'obtenir des résultats optimaux lors de l'étape de frittage S12 à venir. Le matériau à nanoparticules 50 présente de préférence des propriétés de viscosité lui permettant d'être déposé de la même manière qu'une encre classique dans un procédé d'impression. Le dépôt du matériau à nanoparticules 50 sur les plages de contact 47 est réalisé dans cet exemple à l'aide d'une buse 48 disposé au-dessus de chaque renfoncement 46. Cette buse 48 peut être contrôlée par un dispositif de type « pick and place » permettant de contrôler la position et la quantité de matériau à nanoparticules déposée sur chaque plage de contact 47. Le matériau à nanoparticules 50 est par exemple déposé sous la forme de gouttelettes dans les renfoncements 46. Dans un exemple particulier, le dépôt du matériau à nanoparticules S8 est réalisé en utilisant au moins une tête d'impression apte à éjecter sous forme de gouttelettes le matériau à nanoparticules 50 sur la face supérieure 40a du substrat 40, et en particulier sur les plages de contact 47. L'invention est avantageuse en ce qu'elle permet de réaliser un dépôt très fin de matériau à nanoparticules 50. Dans un exemple particulier, le dépôt d'encre S8 est réalisé de sorte que l'épaisseur d'encre déposée sur chaque plage de contact 47 est inférieure ou égale à 100 pm (voire à 10 pm), et par exemple comprise entre 1 pm et 100 pm. Selon une variante de réalisation, le dépôt S8 du matériau à nanoparticules peut être 35 réalisé en déposant une couche de matériau à nanoparticules 50 au fond du renfoncement 46, cette couche étant par exemple sensiblement horizontale et pouvant présenter une épaisseur de quelques microns (5 à 10 pm par exemple). On dépose en outre une couche latérale de matériau à nanoparticules 50 sur les murs (ou parois) latéraux du renfoncement 46, cette couche pouvant présenter par exemple une épaisseur de 5 pm sur toute la hauteur du mur latéral du renfoncement 46. De cette manière, on peut avantageusement adapter le dépôt de matériau à nanoparticules 50 quelle que soit la situation, et ce même en cas d'usinage profond dans le substrat 40. Cette technique est adaptée aux différentes formes de renfoncements possibles. Plus généralement, les renfoncements 46 permettent avantageusement de centrer le dépôt de matériau à nanoparticules 50 sur la plage de contact 47 correspondante et de maintenir le matériau à nanoparticules ainsi déposé en position jusqu'à activation ultérieure (S12) du matériau à nanoparticules 50. La mise en oeuvre d'une technique d'impression utilisant par exemple une tête d'impression comme définie ci-avant est avantageuse en ce qu'elle permet de contrôler avec précision la position à laquelle le matériau à nanoparticules 50 est déposé, ce qui rend cette technique particulièrement adaptée lorsque les plages de contact 47 sont positionnées dans des renfoncements 46 comme décrit dans ce premier mode de réalisation. Dans l'exemple considéré ici, suite au dépôt S8 du matériau à nanoparticules 50 sur les plages de contact 47, on procède à une étape (S9) de séchage du matériau à nanoparticules 50 afin de stabiliser ce dernier. Ce séchage S9 est réalisé en utilisant une de séchage appropriée, incluant par exemple l'exposition de l'ensemble à des ultraviolets. Une fois le matériau à nanoparticules 50 déposé (S8) et séché (S9), un module électronique 52 est assemblé (S10) avec le substrat 40 (figure 3D). Cet assemblage permet de fixer ce module 52 au substrat 40, à l'aide par exemple d'un adhésif (ou colle) 25 conventionnel. Le module électronique 52 représenté en figure 3D au-dessus de la cavité 44 comprend un substrat 54, ce dernier comportant sur sa face inférieure 54b des plages de contact (ou de connexion) 58 et une puce électronique 56 englobée dans une résine de protection. On comprendra bien entendu que le module 52 ne constitue qu'un exemple 30 non limitatif d'un module électronique au sens de l'invention. Comme déjà indiqué, le module 52 est destiné dans cet exemple à fonctionner uniquement en mode sans contact en coopération avec l'antenne 42 du substrat 40. Le module 52 ne comporte donc pas dans cet exemple de contact externe sur sa face supérieure, bien que cela soit possible. 35 Les plages de contact 58 sont ici toutes reliées électriquement à la puce électronique 56. L'assemblage (S10) est réalisé de sorte que la face inférieure 54b du module 52 comprenant les plages de contact 58 soit en regard avec la face supérieure 40a du substrat 40 de la carte. De plus, l'assemblage (S10) est réalisé de façon à ce que chaque plage de contact 58 du module 52 soit en contact avec une portion du matériau à nanoparticules 50 déposé en S8 (figure 3E). Cet assemblage permet par la suite l'établissement d'interconnexions électriques entre les plages de contact 47 et 58 comme expliqué en détail ultérieurement. Dans l'exemple envisagé ici, les plages de contact 58 du module sont positionnées en alignement avec les plages de contact 47, bien que d'autres variantes soient 10 envisageables. Lors de l'assemblage (S10), le module 52 est inséré au moins partiellement (totalement dans cet exemple) dans la cavité 44. La puce électronique 56 du module se trouve ainsi enfermée dans la cavité 44, plus précisément dans un renfoncement prévu à cet effet au fond de la cavité. 15 A ce stade du procédé, le matériau à nanoparticules 50 (à l'état inactivé) déposée sur les plages de contact 47 n'est pas électriquement conducteur. Par conséquent, bien que le matériau à nanoparticules 50 soit en contact avec les plages de contact 47 et 58, il n'y a pas de couplage électrique entre le module 52 et l'antenne 42 du substrat 40. Dans un exemple particulier, les dimensions et la forme de chaque renfoncement 46 20 sont adaptées pour recevoir la plage de contact 58 correspondante. De cette manière, lors de l'assemblage (S10), chaque plage 58 s'engage dans le renfoncement 46 situé en vis-à-vis, le matériau à nanoparticules 50 rentrant ainsi en contact avec les plages de contact 47 et 58 se faisant face. Dans un exemple particulier, l'épaisseur de chaque plage de contact 58 du module 52 25 est sensiblement égale à la profondeur du renfoncement 46 correspondant. Cet arrangement particulier permet d'assurer que la plage de contact 58 rentre bien en contact avec le matériau à nanoparticules 50, garantissant ainsi l'établissement d'une bonne interconnexion électrique lors de l'étape de polymérisation S12 à venir. Cet arrangement permet en outre d'utiliser une quantité limitée de matériau à nanoparticules 30 50. On forme (S12) ensuite, à partir du matériau à nanoparticules 50 déposé en S8, des interconnexions électriques 47 reliant électriquement les plages de contact 47 et 58 (figures 3F et 3G). Pour ce faire, on polymérise le matériau à nanoparticules 50 de façon à rendre celle-ci électriquement conductrice. L'activation des nano-particules permet 35 ainsi de coupler électriquement le module 52 et l'antenne 42 du substrat 40. Plus précisément, on réalise un frittage des nano-particules présentes dans le véhicule isolant du matériau à nanoparticules 50. L'énergie fournie au matériau à nanoparticules lors du frittage permet d'éliminer le véhicule isolant du matériau à nanoparticules 50 de sorte à ne conserver que les nano-particules conductrices. Ce frittage chauffe en outre les nano-particules sans les mener jusqu'à la fusion. Sous l'effet de la chaleur, les nano-particules se soudent (ou s'agrègent) les unes aux autres, entraînant la polymérisation du matériau à nanoparticules 50 de sorte à former des interconnexions électriques 65 reliant les plages de contact 47 aux plages de contact 58 correspondantes. Diverses méthodes de frittage peuvent être envisagées pour causer la polymérisation du matériau à nanoparticules 50 comme expliqué ci-dessus. Dans l'exemple envisagé ici, des rayons de lumière incidents 62 (technique photonique) sont transmis au matériau à nanoparticules 50, de préférence au travers de la face inférieure 40b opposée à la face supérieure 40a (figure 3F). Le module 54 comprend en général des couches de métaux qui peuvent faire obstacle au passage de la lumière, c'est pourquoi, le frittage est optimisé lorsque les rayons de lumière incidente sont appliqués au matériau à nanoparticules 50 depuis la face inférieure 40b du substrat 40. Plus particulièrement, dans l'exemple envisagé ici, on dispose un masque 64 en regard de la face inférieure 40b du substrat 40. Les flux lumineux 62 sont projetés sur le masque 64 et traversent en particulier celui-ci via des ouvertures prévues à cet effet de sorte à exposer le matériau à nanoparticules 50 à ladite lumière. L'exposition lumineuse du matériau à nanoparticules 50 peut être réalisée en projetant par exemple des flashs (ou impulsions) lumineux délivrant l'énergie nécessaire au matériau à nanoparticules 50 pour entraîner la polymérisation recherchée. La technique dite de « flash sintering » selon l'expression anglo-saxonne peut par exemple être utilisée, cette technique permettant de soumettre le matériau à nanoparticules 50 à des pulsations d'énergie de forte puissance mais très limitées dans le temps (quelque microsecondes). La technique de « flash sintering » est avantageuse en ce qu'elle ne détériore ni le substrat 40 ni le module 52 en raison de la très courte durée des flashs lumineux. Dans un exemple particulier, des impulsions lumineuses (typiquement plusieurs dizaines) de quelques centaines de microsecondes (ps) sont transmises au matériau à nanoparticules 50. Cette technique est particulièrement adaptée dans le cas où le substrat 44 est en plastique. Alternativement, le frittage de l'invention peut être réalisé en utilisant des rayons proches de l'infra-rouge dits « NIR » (Near Infra Red). 3 0 3 0 8 79 15 On réalise de préférence l'exposition à la lumière depuis la face inférieure 40b du substrat 40 afin de limiter ou éviter toutes détériorations au niveau du module 52. La formation des plages de contact 47 du substrat à partir de portions de spire de l'antenne 42 est avantageuse dans la mesure où cela permet d'améliorer l'adhérence de 5 chaque interconnexion électrique 65 sur la plage de contact 47 correspondante, augmentant ainsi la qualité et la fiabilité du couplage électrique entre les plages de contact 47 et 58. De plus, la transmission des rayons de lumière incidente est facilitée du fait que les plages de contact 47 sont formées à partir de portions de spire électriquement 10 conductrice d'antenne, comme expliqué précédemment. L'épaisseur de ces plages de contact 47 est typiquement très fine et, de par sa structure particulière, permet une exposition optimale du matériau à nanoparticules 50 aux rayons de lumière 62. L'utilisation d'au moins une portion de spire électriquement conductrice de l'antenne pour former une plage de contact à la surface supérieure 40a du substrat 40 est par 15 ailleurs avantageuse en raison de la facilité de réalisation des plages de contact lorsque cette technique est employée. Ceci permet d'utiliser avantageusement les spires 43 de l'antenne 42 du substrat pour former les plages de contact 47 du substrat. Cette technique permet en particulier d'économiser par exemple du cuivre vis-à-vis de la technique conventionnelle consistant à former des plages de cuivres circulaires par dépôt 20 sur la face supérieure du substrat. Cette technique offre en outre un gain de temps puisqu'on peut s'affranchir d'étapes supplémentaires pour former par exemple des plages de contact dédiées en cuivre par dépôt sur le substrat. Une plage de contact formée comme illustré en figures 3A et 3B est parfois désignée sous l'appellation anglo-saxonne « wire pad » lorsque l'antenne 42 du substrat 25 est réalisée avec un fil conducteur dans le substrat (technologie dite filaire ou de « wire- embedding »). Comme déjà expliqué, le frittage ainsi réalisé permet de polymériser du matériau à nanoparticules 50 et ainsi de former des interconnexions électriques 65 entre chaque plage de contact 47 et la (ou les) plages de contact 58 correspondantes (figure 3G). Il 30 en résulte l'établissement d'un couplage électrique entre le module électronique 52 et le substrat 40 de la carte à puce 60 ainsi formée. La carte à puce 60 peut ensuite fonctionner en mode sans contact. La puce électronique 56 peut en particulier fonctionner en utilisant l'énergie collectée par l'antenne radiofréquence RF 42 à partir de signaux RF provenant de l'extérieure (par exemple d'un 35 lecteur sans contact). La présente invention est avantageuse en ce qu'elle permet de réaliser, à l'aide d'un procédé simple à mettre en oeuvre, des interconnexions électriques fiables, de formes plus ou moins complexes, et ceci dans des temps de réalisation réduits. L'invention permet en particulier d'utiliser des systèmes d'impression conventionnels offrant un contrôle précis aussi bien de la position à laquelle le matériau à nanoparticules est déposé que de la quantité de matériau à nanoparticules qui est effectivement déposée. Les techniques d'impression permettent notamment de déposer du matériau à nanoparticules suivant des formes complexes. L'invention permet par ailleurs de réaliser des interconnexions électriques de faible épaisseur (par exemple inférieure ou égale à 100 pm, voire à 10pm d'épaisseur) entre le substrat et le module, autorisant ainsi une miniaturisation importante de l'ensemble. L'invention améliore en outre la sécurisation du dispositif à antenne RF de l'invention dans la mesure où il est possible de différer l'activation du matériau à nanoparticules jusqu'au moment où l'on souhaite établir le couplage électrique entre le module électronique et l'antenne du substrat. Le dispositif à antenne RF est protégé en utilisation tant que le matériau à nanoparticules n'est pas activé, rendant difficile toutes utilisations non autorisées dudit dispositif. Dans le cas de la formation d'une carte à puce, par exemple, il est possible de procéder au frittage des nano-particules dans le matériau à nanoparticules de l'invention dans un lieu différent du lieu où l'assemblage du module et du corps de la carte a été réalisé (et de façon différée dans le temps). La fabrication d'une carte à puce 79 selon un deuxième mode de réalisation de l'invention est à présent décrite en référence aux figures 5A à 5D. Ce deuxième mode de réalisation diffère principalement du premier mode décrit ci-avant en ce que le substrat de la carte 79 selon le deuxième mode ne comprend pas les renfoncements 46 illustrés notamment en figure 3B dans le premier mode de réalisation. Plus précisément, on dispose ici d'un substrat 70 dans lequel est intégrée une antenne 42 (identique à l'antenne 42 décrite ci-avant dans le premier mode de réalisation) comportant une pluralité de spires 43. On réalise, au niveau de la face supérieure 70a du substrat 70, une cavité 72 débouchant sur la face supérieure 70a (figure 5A). Dans ce deuxième mode de réalisation, la cavité 74 est réalisée par usinage (ou fraisage) en utilisant par exemple une fraise dont la descente est contrôlée, ou de tous autres dispositifs d'usinage appropriés. On usine en particulier la cavité 74 de sorte à mettre à jour des portions de spire 43 de l'antenne 42. Autrement dit, le plan d'usinage dans au moins une partie de la cavité 72 est situé dans l'antenne RF 42. 3 0 3 0 8 7 9 17 Aucun renfoncement 46 comme décrit dans le premier mode de réalisation n'est ici réalisé. Chaque portion d'antenne RF ainsi mises à jour forme une plage de contact 74 connectée électriquement à l'antenne RF 42. Ces plages de contact 74 sont par exemple formées par au moins deux portions de 5 spire électriquement conductrices adjacentes l'une de l'autre, ces portions étant mises à jour au fond de la cavité 72. On dépose ensuite du matériau à nanoparticules 50 comme décrit précédemment en référence au premier mode de réalisation, sous la forme d'une couche 76 sur chaque plage de contact 74 du substrat 70 (figure 5B). Une étape de séchage analogue à l'étape 10 S9 précédemment décrite est de préférence réalisée afin de stabiliser le matériau à nanoparticules 50 déposé. Une fois le matériau à nanoparticules déposé et séché, on assemble le module électronique 52 déjà décrit avec le substrat 70 (figure 5C). En substance, le module 52 est assemblé de sorte que sa face inférieure 52 comportant la puce 56 soit en regard de 15 la face supérieure 70a du substrat 70. Dans cet exemple particulier, le module 52 est inséré dans la cavité 72 de manière analogue à l'assemblage réalisé dans le premier mode de réalisation. De plus, dans cet exemple, l'assemblage est réalisé de sorte que les plages de contact 58 du module 52 soit en contact avec la couche de matériau à nanoparticules 76 20 située en vis-à-vis. A ce stade, bien que le matériau à nanoparticules 50 assure la liaison physique entre les couches 76 d'une part et les plages de contact 58 d'autre part, le couplage électrique n'est pas établi entre le module 52 et l'antenne 42 dans la mesure où le matériau à nanoparticules n'est pas activé (à l'état d'isolant). On réalise ensuite la polymérisation des couches 76 de matériau à nanoparticules par 25 frittage comme déjà décrit à l'étape S12 dans le premier mode de réalisation. Une fois polymérisées, les couches 76 forment chacune une interconnexion électrique 78 assurant la liaison électrique entre une plage de contact 74 du substrat et une plage de contact 58 du module 52. Dans un exemple particulier, le frittage est réalisé en utilisant des rayons de lumière 30 incidents 62 (technique photonique) comme décrit précédemment en référence à la figure 3F. Ces flux lumineux sont de préférence transmis depuis la face inférieure 70b opposée à la face supérieure 70a. Les plages de contact 74 sont ici formées par des portions électriquement conductrices 43 de spire, ces dernières étant conformées de sorte que le flux lumineux incident puisse traverser la plage de contact 74 entre deux portions 35 de spires adjacentes et ainsi atteindre le matériau à nanoparticules 50. Comme déjà expliqué, bien que cela présente des avantages, il n'est pas obligatoire de former chaque plage de contact du substrat reliée à l'antenne RF à partir d'au moins une portion de spire de ladite antenne. La figure 6 représente un substrat 80 d'une carte à puce selon un troisième mode de réalisation. Selon ce troisième mode, une cavité 82 est réalisée dans le substrat 80 de façon à déboucher sur la face supérieure 80a dudit substrat. Le substrat 80 comprend ici également une antenne RF notée 84. Chaque extrémité de l'antenne 84 est connectée électriquement à une plage de contact dédiée 86 (typiquement en cuivre). On réalise ensuite une étape d'usinage dans la cavité 82 de façon à mettre à jour les plages de contact 86 au fond de la cavité 82. Une fois les plages de contact 86 mises à jour, on poursuit le procédé de fabrication de façon analogue aux premier et deuxième modes de réalisation de l'invention. A noter que lorsque l'on polymérise le matériau à nanoparticules par frittage en exposant le matériau à nanoparticules à des flux lumineux provenant de la face inférieure 80b du substrat (comme déjà expliqué dans les modes de réalisation précédents), les plages de contact 86 peuvent éventuellement faire obstacle au flux lumineux. De façon préférée, les plages de contact 86 sont conformées pour laisser passer le flux lumineux destiné à polymériser le matériau à nanoparticules se trouvant sur ces plages de contact 86. Dans un exemple particulier, les plages de contact 86 comportent chacune au moins un orifice (ou perforation) au travers duquel le flux lumineux peut passer de façon à atteindre le matériau à nanoparticules. De manière générale, il est préférable dans tous les modes de réalisation décrits ci-avant de conformer les plages de contact présentes sur la face supérieure du substrat de sorte à ce qu'elles puissent laisser passer au travers (en certains points) un flux lumineux provenant de la face inférieure du substrat, ce flux lumineux étant destiné à causer la polymérisation du matériau à nanoparticules se trouvant sur la plage de contact en question. Pour ce faire, les plages de contact du substrat sont par exemple formées par des portions électriquement conductrices de spires, ces portions étant distantes l'une de l'autre (comme décrit dans les premier et deuxième modes de réalisation). Ces plages de contact peuvent par ailleurs comporter des orifices (ou perforations) comme expliqué ci- dessus en référence au troisième mode de réalisation ou encore présenter des formes particulières permettant au flux lumineux provenant de la face inférieure du substrat d'atteindre le matériau à nanoparticules déposé sur la plage de contact. A noter que dans les modes de réalisation décrits ci-avant, les plages de contact du substrat reliées à l'antenne RF, d'une part, et les plages de contact du module, d'autre part, sont positionnées en regard les uns des autres lors de l'assemblage. On peut toutefois envisager des variantes de réalisation selon lesquelles au moins certaines de ces plages ne sont pas alignées, la connexion électrique étant malgré tout assurée par des interconnexions électriques dont la forme et les dimensions sont choisies de façon appropriée. Comme déjà indiqué, l'invention permet plus généralement d'établir des interconnexions électriques entre des éléments électriquement conducteurs quelconques dans un dispositif tel qu'une carte à puce par exemple. L'un au moins de ces éléments électriquement conducteurs peut être par exemple une plage de contact, une antenne RF, une piste électrique ou un quelconque composant électronique. Un homme du métier comprendra que les modes de réalisation et variantes décrits ci- avant ne constituent que des exemples non limitatifs de mise en oeuvre de l'invention. En particulier, l'homme du métier pourra envisager une quelconque combinaison des variantes et modes de réalisation décrits ci-avant afin de répondre à un besoin bien particulier.15 REVENDICATIONS1. Procédé d'établissement d'au moins une interconnexion électrique entre des éléments conducteurs, le procédé comprenant : - la fourniture (S2) d'un substrat (40; 70; 80) comportant un élément électriquement conducteur (42 ; 84), une première face (40a ; 70a ; 80a) du substrat comportant au moins une première plage de contact (47 ; 74; 86) connectée électriquement audit élément électriquement conducteur (42 ; 70; 80) ; le dépôt (S8) sur chaque première plage de contact (47; 74; 86) d'un matériau à nanoparticules (50; 76) comprenant un véhicule et des nano-particules dispersées dans le véhicule; - l'assemblage (S10) d'un module électronique (52) avec le substrat (40; 70; 80) de sorte qu'une face inférieure (54b) du module électronique comprenant au moins une deuxième plage de contact (58) soit en regard avec la face supérieure (40a; 70a; 80a) dudit substrat, chaque deuxième plage de contact (58) étant en contact avec ledit matériau à nanoparticules (50; 76) déposé ; et - la formation (S12) d'au moins une interconnexion électrique (65; 78) par polymérisation dudit matériau à nanoparticules (50; 76) de façon à rendre ce dernier électriquement conducteur, chaque interconnexion électrique (65; 78) reliant électriquement une première plage de contact (47 ; 74; 86) du substrat à une deuxième plage de contact (58) respective du module électronique de sorte à coupler électriquement le module électronique (52) et ledit élément électriquement conducteur (42; 84) du substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la polymérisation lors de l'étape de formation (S12) de ladite au moins une interconnexion électrique (65) est réalisée par exposition du matériau à nanoparticules (50) à un flux lumineux (62) apte à activer les nano-particules. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit flux lumineux (62) est transmis audit matériau à nanoparticules (50) au travers d'une face inférieure (40b ; 70b ; 80b) du substrat opposée à la face supérieure du substrat. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'élément électriquement conducteur est une antenne radiofréquence (42 ; 84). 5. Procédé selon l'une la revendication 4, l'antenne radiofréquence (42; 74) comprenant au moins une spire (43), chaque première plage de contact (47 ; 74) étant formée à partir d'au moins une portion de spire électriquement conductrice de l'antenne accessible depuis la face supérieure (40a ; 70a) du substrat. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel chaque première plage de contact (47) est formée en créant (S6) un renfoncement (46) correspondant dans ladite face supérieure (40a) du substrat (40) de sorte à ce qu'au moins une portion de spire (43) électriquement conductrice de l'antenne (42) soit mise à jour dans ledit renfoncement afin de pouvoir être en contact avec ledit matériau à nanoparticules (50) lors du dépôt (S8). 7. Procédé selon la revendication 6, chaque renfoncement (46) étant créé par usinage d'une partie de la face supérieure (40a) du substrat de sorte à atteindre au moins une portion de spire (43) électriquement conductrice de ladite antenne (42). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, dans lequel ledit dépôt (S8) est réalisé de sorte que l'épaisseur dudit matériau à nanoparticules (50; 76) déposé sur chaque première plage de contact 47; 74; 86) soit inférieure ou égale à 100 pm. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, ledit dépôt (S8) étant réalisé en utilisant un système d'impression comprenant au moins une tête d'impression apte à éjecter sous forme de gouttelettes ledit matériau à nanoparticules (50; 76) sur la face supérieure (40a ; 70a ; 80a) du substrat. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 9, comprenant, avant ledit assemblage (S10), la formation (S4) d'une cavité (44 ; 72 ; 82) dans le substrat de façon à ce que la cavité débouche sur la surface supérieure (40a ; 70a ; 80a) dudit substrat, chaque première plage de contact (47 ; 74; 86) du substrat étant formée au fond de ladite cavité, le module électronique (52) étant inséré au moins partiellement dans ladite cavité lors de l'assemblable de manière à pouvoir coupler électriquement le module électronique à l'antenne (42; 84) du substrat lors de ladite formation d'au moins une interconnexion électrique.35 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la cavité est formée par usinage de la face supérieure (40a ; 70a) du substrat jusqu'à découvrir au moins une partie électriquement conductrice des spires (43) de l'antenne (42) afin que ladite au moins une partie électriquement conductrice de spire (43) soit en contact avec ledit matériau à nanoparticules (50; 76) dans la cavité lors dudit dépôt (S8). 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, le module électronique (52) comprenant, sur sa face inférieure (54b), une puce électronique (56) reliée électriquement à chaque deuxième plage de contact (58), l'assemblage (S10) étant réalisé de sorte que la puce (56) électronique soit positionnée dans ladite cavité (44; 72; 82). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 12, dans lequel chaque interconnexion électrique (65 ; 78) relie électriquement une première plage de contact (47; 74; 86) du substrat et une deuxième plage (58) du module (52) située en regard de ladite première plage de contact. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 13, dans lequel ledit matériau à nanoparticules (76) est déposé sur la face supérieure (70a) du substrat (70) sous forme d'au moins une couche. 15. Dispositif (60) comprenant : un substrat (40) comportant un élément électriquement conducteur (42), une première face (40a) du substrat (40) comportant au moins une première plage de contact (47) connectée électriquement audit élément électriquement conducteur (42) ; un module électronique (52) assemblé audit substrat de sorte qu'une face inférieure (54b) du module électronique (52) comportant au moins une deuxième plage de contact (58) soit en regard avec la face supérieure (40a) dudit substrat ; au moins une interconnexion électrique (65) de 100 pm d'épaisseur maximum formée par dépôt, sur chaque première plage de contact (47), d'un matériau à nanoparticules (50) comprenant un véhicule et des nano-particules activables dispersées dans ledit véhicule, puis par polymérisation dudit matériau à nanoparticules de façon à le rendre électriquement conducteur, chaque interconnexion électrique (65) reliant électriquement une première plage de contact (47) du substrat (40) à une deuxième plage de contact (58) respective 3 03 0879 23 du module électronique (52) de sorte à coupler électriquement le module électronique (52) et ledit élément électriquement conducteur (42) du substrat 16. Dispositif selon la revendication 15, dans lequel l'élément électriquement 5 conducteur est une antenne radiofréquence (42; 84). 17. Dispositif selon la revendication 15 ou 16, dans lequel le substrat comprend une cavité (44) débouchant sur ladite face supérieure (40a) du substrat, le module électronique (52) comprenant, sur sa face inférieure (54b), une puce électronique (56) 10 reliée électriquement à chaque deuxième plage de contact (58), ladite puce électronique étant positionnée dans ladite cavité (44) du substrat.