Brevet FR3030781A1 — publié le 20160624

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention est relative au domaine de la détection de particules présentes dans un environnement particulier. Les particules atomiques et/ou subatomiques (nucléaires) sont généralement détectées par la signature qu'elles produisent par interaction avec leur environnement. La présente invention concerne notamment un procédé et un dispositif pour la détection de neutrons. Elle trouvera pour application avantageuse mais non limitative la détection de neutrons et/ou de photons en environnement sévère. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE Le principe de fonctionnement des détecteurs de neutrons repose sur l'interaction de neutrons, par exemple thermiques (énergie de 0.025eV i.e. en équilibre thermique dans un milieu à 20 °C), avec des atomes et/ou noyaux d'un matériau convertisseur de neutrons. Par exemple l'interaction de neutrons avec du Bore isotope 10 (1013) produit des particules (noyaux) alpha (41-1e) et lithium (7Li). Selon un exemple de configuration les particules sont générées dans des directions opposées selon les réactions suivantes (et leurs probabilités associées) avec une énergie Q: 1°B + neutron -> 7Li + 4He (Q = 2.72 MeV) 6 % 1013 + neutron -> 7Li + 4He (Q = 2.31 MeV) 94 % Le détecteur requiert ainsi la présence d'une Couche de Conversion de Neutrons (CCN) pour convertir in fine les neutrons incidents en paires électrons-trous. L'ionisation du matériau, produite par la génération des particules/noyaux 7Li et 4He, peut être ensuite détectée grâce au champ électrique présent aux bornes d'une Zone de Charge d'Espace (ZCE). La zone de charge d'espace (ZCE), aussi appelée zone de déplétion, ou zone désertée, correspond à la région qui apparait dans une jonction p-n, entre une zone dopée n et une zone dopée p. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur n et du semi-conducteur p qui sont globalement neutres). Ainsi, un détecteur requiert la présence d'une jonction p-n pour générer ladite zone de charge d'espace et ainsi collecter les porteurs issus des réactions susmentionnées.35 Le document FR2572540 concerne la détection de neutrons thermiques par une diode à semi-conducteur. Le semi-conducteur utilisé est de type Silicium, dopé avec du bore isotope 10 (19B). Ledit bore isotope 10 permet également de convertir les neutrons incidents. Les inconvénients que présente un tel dispositif sont nombreux. En effet, il n'est tout d'abord pas possible d'utiliser un tel dispositif dans un environnement dit « sévère » c'est-à-dire présentant de fortes températures, des pressions élevées et des niveaux d'irradiations importants. A titre d'exemple, un environnement sévère présente au moins l'une des conditions suivantes : une température minimale de 150°C, une pression minimale de 10 bars et/ou une irradiation minimale de 109 n.cm-2.s-1 sous 10 Gy.s-1. De plus, cette solution prévoit nécessairement la mise en place d'une polarisation inverse qui est nécessaire pour obtenir un signal exploitable. Cette polarisation inverse complexifie le détecteur et réduit la discrimination entre les neutrons et les particules gamma. Ainsi, la principale limite d'utilisation des détecteurs existants de neutrons réside dans les contraintes d'utilisation (température, pression, irradiations, etc.), les dispositifs ne résistant pas à de telles contraintes, et présentant ainsi des dysfonctionnements dont par exemple une durée de vie limitée. RESUME DE L'INVENTION A cet effet, la présente invention propose un procédé de réalisation d'un dispositif de détection d'un flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans des gammes prédéterminées. Le procédé comprend avantageusement au moins une phase de détermination de paramètres comprenant les étapes suivantes : simuler ou représenter la pénétration d'un flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées à travers un empilement modélisé comprenant successivement et dans l'ordre au moins: une première électrode ; un substrat comprenant : une première couche dopée comprenant au moins une première espèce dopante de manière à ce que la première couche soit une couche dopée n ou une couche dopée p, la première couche étant formée par le substrat ; une deuxième couche dopée comprenant au moins une deuxième espèce dopante de manière à ce que la deuxième couche soit l'autre parmi une couche dopée n ou une couche dopée p de sorte à former, à une interface entre les première et deuxième couches, une jonction p-n et de manière à former dans la première couche (et à partir de l'interface entre les première et deuxième couches), une zone de charge d'espace ; la deuxième couche étant formée par implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat ; la deuxième espèce dopante étant prise parmi les matériaux convertisseurs de neutrons de manière à ce que la deuxième couche forme une couche de conversion de neutrons ; une deuxième électrode ; simuler ou identifier au moins un pic de défauts crées dans la première couche par les lacunes et/ou l'ionisation des particules générées par les collisions entre les atomes de la deuxième espèce dopante et les neutrons dudit flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées; identifier la profondeur du pic de défauts le plus proche de l'interface entre les première et deuxième couches de l'empilement modélisé; déterminer des paramètres des première et deuxième couches que devrait présenter l'empilement modélisé, notamment la profondeur de ladite implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat pour former la deuxième couche (et donc l'épaisseur de la deuxième couche) et les teneurs en première et deuxième espèces dopantes des première et deuxième couches, de manière à ce que la zone de charge d'espace s'étende depuis ladite interface entre les première et deuxième couches et dans la première couche sur une profondeur inférieure à ladite profondeur identifiée dudit pic de défauts de manière à ce que la zone de charge d'espace ne comprenne pas de pic de défauts. Le procédé comprend avantageusement une étape de fabrication du dispositif de détection dans laquelle on réalise la première couche puis on réalise la deuxième couche par implantation de la deuxième espèce dopante dans une partie de la première couche, ladite implantation, en particulier la profondeur d'implantation et la teneur en deuxième espèce dopante étant réalisée en fonction desdits paramètres déterminés de manière à ce que dans le dispositif fabriqué la zone de charge d'espace s'étende depuis ladite interface entre les première et deuxième couches et dans la première couche sur une profondeur inférieure à ladite profondeur identifiée dudit pic de défauts. Ainsi, le procédé selon l'invention prévoit, au cours d'une première phase, de simuler la profondeur des pics de défauts et de réaliser la deuxième couche du substrat de manière à former la zone de charge d'espace pour qu'elle ne contienne pas de pic de défauts. Le pic de défauts est avantageusement prévu par simulation. De préférence il s'agit d'une simulation numérique mise en oeuvre par un ordinateur. Le pic de défauts peut également être simulé de la manière non informatique, en étant identifié, après sa création, par des analyses de type microscopie électronique effectuées sur au moins un empilement modélisé préalablement fabriqué et soumis à un flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées. Il s'ensuit qu'un signal important et précis est détecté aux bornes de la zone de charge d'espace sans nécessiter de polarisation. Le détecteur ainsi réalisé est plus simple que ceux de l'état de la technique qui nécessitent une polarisation. L'absence de polarisation rend le détecteur selon l'invention plus robuste et fiable dans des conditions d'utilisation sévères notamment du fait de l'absence des connexions, câbles et composants nécessaires à la polarisation. Avantageusement, la deuxième couche du substrat est formée de manière à ce que la zone de charge d'espace contienne le maximum du taux d'ionisation. Le taux d'ionisation est avantageusement déterminé par simulation. De préférence il s'agit d'une simulation numérique mise en oeuvre par un ordinateur. Le taux d'ionisation peut également être simulé de la manière non informatique, en étant identifié, après sa création, par des analyses physico-chimique de type Spectroscopie de Masse à Ionisation Secondaire (acronyme « SIMS »), en assimilant le profil des ions au profil d'ionisation du matériau. Il est par ailleurs possible d'évaluer le taux d'ionisation du matériau en mesurant la réponse du détecteur en fonction de la tension de polarisation. D'autre part, la précision du signal détecté par le détecteur permet une discrimination entre neutrons et gamma. L'invention permet ainsi d'accroitre significativement la fiabilité et la durée de vie des détecteurs, notamment en environnement sévère. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat est en carbure de silicium (SiC). Cela permet d'accroitre très significativement la robustesse, la fiabilité et la durée de vie du détecteur dans des conditions d'utilisation sévères. La présente invention concerne également un procédé de détermination des paramètres pour réaliser un dispositif de détection d'un flux de neutrons dont les paramètres de flux sont compris dans des gammes prédéterminées. Le procédé comprend : une étape de simulation de la pénétration d'un flux de neutrons incidents dont les paramètres sont compris dans lesdites gammes prédéterminées à travers un empilement modélisé comprenant successivement et dans l'ordre au moins: une première électrode ; un substrat comprenant : une première couche dopée comprenant au moins une première espèce dopante de manière à ce que la première couche soit une couche dopée n ou une couche dopée p, la première couche étant formée par le substrat ; une deuxième couche dopée comprenant au moins une deuxième espèce dopante de manière à ce que la deuxième couche soit l'autre parmi une couche dopée n ou une couche dopée p de sorte à former, à une interface entre les première et deuxième couches, une jonction p-n et de manière à former dans la première couche (et à partir de l'interface entre les première et deuxième couches), une zone de charge d'espace ; la deuxième couche étant formée par implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat ; la deuxième espèce dopante étant prise parmi les matériaux convertisseurs de neutrons de manière à ce que la deuxième couche forme une couche de conversion de neutrons ; une deuxième électrode ; une étape de simulation d'au moins un pic de défauts crées dans la première couche par les lacunes et/ou l'ionisation des particules générées par les collisions entre les neutrons du flux de neutrons incidents et les atomes de la deuxième espèce dopante ; identifier la profondeur du pic de défauts le plus proche de l'interface entre les première et deuxième couches de l'empilement modélisé; une étape de détermination des paramètres des première et deuxième couches que devraient présenter l'empilement modélisé, notamment la profondeur de ladite implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat pour former la deuxième couche (et donc l'épaisseur de la deuxième couche) et les teneurs en première et deuxième espèces dopantes des première et deuxième couches, de manière à ce que la zone de charge d'espace s'étende depuis ladite interface entre les première et deuxième couches et dans la première couche sur une profondeur inférieure à ladite profondeur identifiée dudit pic de défauts de manière à ce que la zone de charge d'espace ne comprenne pas de pic de défauts. Selon un autre mode de réalisation, l'invention concerne un détecteur d'un flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans des gammes prédéterminées, le détecteur comprenant au moins un empilement de couches comprenant successivement et dans l'ordre : une première électrode; un substrat comprenant : une première couche dopée comprenant au moins une première espèce dopante de manière à ce que la première couche soit une couche dopée n ou une couche dopée p, la première couche étant formée par le substrat ; une deuxième couche dopée comprenant au moins une deuxième espèce dopante de manière à ce que la deuxième couche soit l'autre parmi une couche dopée n ou une couche dopée p de sorte à former, à une interface entre les première et deuxième couches, une jonction p-n et de manière à former dans la première couche et à partir de l'interface entre les première et deuxième couches, une zone de charge d'espace; une deuxième électrode. Avantageusement, la deuxième couche est formée par implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat ; la deuxième espèce dopante étant prise parmi les matériaux convertisseurs de neutrons de manière à ce que la deuxième couche forme une couche de conversion de neutrons. Avantageusement, les paramètres des première et deuxième couches, en particulier la profondeur d'implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat pour former la deuxième couche (et donc l'épaisseur de la deuxième couche) et les teneurs en première et deuxième espèces dopantes respectivement des première et deuxième couches, sont choisis de telle manière que la zone de charge d'espace s'étend depuis ladite interface entre les premières et deuxième couches et dans la première couche sur une profondeur inférieure à une profondeur où se situerait un pic de défauts qui serait créé dans la première couche par des lacunes et/ou une ionisation de particules générées par les collisions entre des atomes de la deuxième espèce dopante et des neutrons si le détecteur était exposé à un flux de neutrons dont les paramètres sont compris dans lesdites gammes prédéterminées. L'invention concerne d'autre part une utilisation du détecteur dans lequel on expose le détecteur à un flux de neutrons dont les paramètres sont compris dans lesdites gammes prédéterminées. BREVE INTRODUCTION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels : La FIGURE 1 illustre une vue en coupe du détecteur de neutrons selon la présente invention. La FIGURE 2 illustre des profils d'ionisation liés aux particules/noyaux de lithium 7Li et d'hélium 4He ainsi que les profils de défauts ou lacunes issus de l'interaction de ces particules. Les FIGURES 3A à 3H illustrent des vues schématiques représentant les différentes étapes de réalisation du détecteur selon la présente invention. La FIGURE 4 est un graphe illustrant la superposition de profils de Bore dans la couche épitaxiée de carbure de silicium. La FIGURE 5 est un graphe illustrant la variation du signal en fonction de la tension de polarisation. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches et films ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DETAILLEE Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l'épaisseur d'une couche se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche présente son extension maximale. Typiquement, lorsque les couches forment des portions de cylindre, leur épaisseur est prise selon une direction perpendiculaire aux deux faces formant des disques. Sur la figure 1, l'épaisseur est prise selon la verticale. Il en est de même pour mesurer une profondeur, par exemple d'une zone de charge d'espace ou d'une implantation. Dans le cadre de la présente invention la profondeur de la zone de charge d'espace ou des pics de défaut se mesure depuis l'interface entre les première et deuxième couches. L'invention s'applique à la détection de neutrons thermiques, lents, épithermiques et rapides. On qualifie de neutrons lents, les neutrons possédant une énergie variant de 0,025 eV à 10 eV. On qualifie de neutrons épithermiques les neutrons d'énergie comprise entre 10 eV et 500 keV. On qualifie de neutrons rapides, les neutrons possédant une énergie supérieure à 0,5 MeV. En somme, l'invention s'applique à la détection de neutrons dont l'énergie varie de 0,025 eV à quelques méga-électron-volts voire quelques dizaines de méga-électron-volts. Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Le substrat comprend du carbure de silicium (SiC). Cela contribue à la fiabilité du détecteur en environnement sévère. On réalise la deuxième couche par implantation de la deuxième espèce dopante dans une partie de la première couche en fonction desdits paramètres déterminés. L'étape de détermination des paramètres du détecteur est au moins en partie assistée ou mise en oeuvre par ordinateur. Il s'agit typiquement d'une simulation numérique mise en oeuvre par un ordinateur comprenant au moins un microprocesseur. En particulier, l'étape de simulation de la pénétration d'un flux de neutrons incidents est mise en oeuvre par ordinateur. Alternativement, l'étape de détermination des paramètres du détecteur peut également être simulée de la manière non informatique, par des analyses de type microscopie électronique sur des détecteurs préalablement fabriqués. En particulier, l'étape d'identification du pic de défauts comprend des analyses de microscopie électronique effectuées sur au moins un empilement modélisé préalablement fabriqué et soumis à un flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées. L'étape d'identification de l'empilement de couches comprend par exemple la simulation ou la modélisation de l'empilement. Alternativement, elle peut comprendre la réalisation matérielle d'un empilement. lesdites caractéristiques prédéterminées du flux de neutrons comprennent au moins l'un parmi: une énergie donnée et/ou un flux et/ou une fluence et/ou une intensité Au cours de l'étape de fabrication on détermine la position de la zone de charge d'espace en fonction des paramètres suivants : l'épaisseur de la deuxième couche (en pm) et/ou l'énergie de l'implantation de la deuxième espèce dopante (en eV). Au cours de l'étape de fabrication on règle la profondeur de la zone de charge d'espace en fonction des paramètres suivants: la teneur en espère dopante de la première couche (en at/cm3), la dose de l'implantation de la deuxième espèce dopante (en at/cm2), la profondeur de l'implantation de la deuxième espèce dopante. La première couche du substrat est exempte de la deuxième espèce dopante. La deuxième espèce dopante comprend du bore isotope 10 (10B). La première couche du substrat comprend au moins une couche inférieure dopée n+ et une couche supérieure dopée n ; ladite couche supérieure comprenant une concentration en première espèce dopante comprise entre 1014 et 1016 at/cm3. La profondeur de la zone de charge d'espace dépend des paramètres de dopage et d'épaisseur de la couche supérieure de la première couche du substrat. La première électrode est au contact de la première couche, la première couche est au contact de la deuxième couche et la deuxième électrode est au contact de la deuxième couche. De préférence, la première électrode est au contact de la première couche. De préférence, la première couche est au contact de la deuxième couche. De préférence, la deuxième électrode est au contact de la deuxième couche. Le pic de défauts est une zone dans laquelle la concentration en défauts est supérieure ou égale à 0.005 lacune/(Â-ion). Les défauts sont générés par une collision entre des neutrons et ladite deuxième espèce dopante. La zone de charge d'espace s'étend sur une distance comprise entre 0 et quelques dizaines de microns. On règle la profondeur de la zone de charge d'espace, notamment en ajustant les teneurs en première et deuxième espèces dopantes des première et deuxième couches et notamment en ajustant l'implantation de la deuxième espèce dopante de manière à ce que la zone de charge d'espace s'étende dans la première couche, à partir de ladite interface, sur une profondeur suffisante pour comprendre la zone où le taux d'ionisation des particules générées par lesdites collisions entre les atomes de la deuxième espèce dopante et les neutrons dudit flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées est le plus élevé. Ainsi, au regard de toute la profondeur du substrat, le taux d'ionisation présente son maximum dans cette zone. La première électrode et la deuxième électrode comprennent un matériau métallique. Selon un mode de réalisation, l'implantation de la deuxième espèce dopante est réalisée au moyen de Bore isotope 10, avec une énergie comprise entre 20 et 180 keV et une dose comprise entre 1015 et 1017 cm-2. Selon un autre mode de réalisation, l'implantation de la deuxième espèce dopante est réalisée par implantation plasma de Bore isotope 10, avec une tension comprise entre 5 et 15 kV et une dose comprise entre 1015 et 1017 cm-2. On fabrique ledit empilement de couches et on réalise ensuite un recuit d'activation sous argon, à des températures comprises entre 900 et 1700°C, pour une durée comprise entre 30 et 120 minutes. La réalisation de la couche supérieure dopée n comprend de préférence un dépôt chimique en phase vapeur. La réalisation de la première électrode et la réalisation de la deuxième électrode comprennent une métallisation. Utilisation du détecteur pour l'une quelconque des applications suivantes : caractérisation de colis de déchets radioactifs, le suivi et le contrôle des opérations de démantèlement d'installations nucléaires, le contrôle nucléaire dans des usines de retraitement de combustible nucléaire, le pilotage de réacteurs nucléaires expérimentaux et de puissance, le contrôle de l'environnement. Utilisation du détecteur pour la géo prospection minière ou pétrolière. Utilisation du détecteur pour la physique médicale. Utilisation du détecteur pour le domaine de la sécurité intérieure. La figure 1 illustre le dispositif de détection de neutrons selon la présente invention. Afin de simuler la pénétration d'un flux de neutrons incidents dont les paramètres sont compris dans des gammes prédéterminées à travers le dispositif, il est nécessaire au préalable de déterminer un empilement modélisé de couches correspondant au dispositif de détection. L'empilement modélisé comprend notamment un substrat. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, le substrat comprend une première couche 100 dopée comprenant au moins une première espèce dopante de manière à ce que la première couche 100 soit une couche dopée n ou une couche dopée p. La première couche 100 comprend de préférence un empilement de couches dont une couche inférieure 101 et une couche supérieure 102. Avantageusement, la couche inférieure 101 comprend de préférence du carbure de silicium (SiC). La couche inférieure 101 est avantageusement fortement dopée (niveau de dopage de l'ordre de quelques 1018 cm3). La couche supérieure 102 du substrat 100 comprend, quant à elle, préférentiellement du carbure de silicium, par exemple de type n, à faible niveau de dopage (concentration comprise entre 1x1014 et 1x1016 at/cm3). Le substrat comprend avantageusement une deuxième couche 400 dopée comprenant au moins une deuxième espèce dopante de manière à ce que la deuxième couche 400 soit l'autre parmi une couche dopée n ou une couche dopée p. Le substrat comprend une deuxième couche 400 dopée de type p, selon un mode particulier de réalisation. La deuxième couche 400 est de préférence réalisée par implantation d'ions de type p dans la couche supérieure 102 de la première couche 100. Avantageusement, l'espèce dopante de la deuxième couche 400 est un matériau convertisseur de neutrons. Ainsi la deuxième couche 400 forme avantageusement une couche de conversion de neutrons comme cela sera décrit en détail par la suite. Avantageusement, une couche additionnelle 300 fait office de masque lors de l'implantation. Suite à l'implantation de la première couche 100 initialement dopée de type n par un matériau dopant de type p formant la deuxième couche 400, le semi-conducteur de type n de la première couche 100 est mis en contact avec un semi-conducteur de type p (jonction p-n) de la deuxième couche 400, les électrons majoritaires du côté n (respectivement les trous majoritaires du côté p) vont être entrainés vers la zone p (respectivement vers la zone n pour les trous) où ils sont minoritaires, par phénomène de diffusion. Ce faisant, ils laissent derrière eux des ions de charges opposées, qui assuraient la neutralité électrique des semi-conducteurs n et p avant qu'ils ne soient mis en contact. Enfin, les électrons (respectivement les trous) qui se sont déplacés vers la zone p se recombinent avec les trous majoritaires (respectivement avec les électrons majoritaires en zone n). Il y a donc apparition dans le semi-conducteur de type n c'est-à-dire dans la couche supérieure 102 de la première couche 100, d'une zone dépourvue d'électrons appelée zone de charge d'espace 500 à la jonction (respectivement une zone dépourvue de trous dans le semi-conducteur de type p), alors que cette zone 500 contient toujours les ions résultant des atomes dopants. La deuxième couche 400 formant la couche de conversion de neutrons, cette dernière est au voisinage immédiat de la zone de charge d'espace 500, ce qui procure de nombreux avantages comme cela sera décrit en détail par la suite. Le dispositif de détection comprend également une première électrode 601 et une deuxième électrode 602, représentant respectivement l'anode et la cathode. Préférentiellement, la première couche 100 du substrat est directement au contact de la première électrode 601 et la deuxième couche 400 est directement au contact de la deuxième électrode 602. L'empilement comprenant la première couche 100, la deuxième couche 400, la première électrode 601 et la deuxième électrode 602 forme l'empilement modélisé, empilement à partir duquel est simulée la pénétration du flux de neutrons incidents. C'est cet empilement modélisé qui permet de déterminer les paramètres qui serviront à fabriquer l'empilement réel du dispositif de détection. La figure 2 illustre des profils d'ionisation liés aux particules de Lithium (7Li) et d'Hélium (41-1e) générées par les réactions entre les neutrons incidents et les atomes du matériau dopant (soit la deuxième espèce dopante), par exemple le Bore (1013). Ces profils sont obtenus par simulation à partir de l'empilement modélisé. A l'aide de la simulation, lors d'une phase de détermination des paramètres, on modifie les paramètres des différentes couches formant l'empilement modélisé de sorte à déterminer les paramètres d'un empilement réel. On entend par « ionisation », le fait qu'une particule, par exemple une particule alpha d'Hélium (41-1e), dotée d'une grande énergie, puisse expulser un électron d'un atome rencontré sur son chemin, c'est-à-dire appartenant au milieu traversé, soit la première couche 100. L'atome qui a perdu un électron devient un ion. La particule ionise une pluralité d'atomes présents dans la première couche 100 avant de s'arrêter. La perte en énergie due à l'ionisation est proportionnelle à la masse et au carré de la charge de la particule. Elle varie avec sa vitesse. Quand la particule est lente, elle passe davantage de temps proche d'un atome et elle a plus de chances de provoquer une collision. En revanche, l'ionisation spécifique suite au transfert linéique d'énergie de la particule ionisante croit en fonction du parcours de la particule. Il est maximal à la fin de son parcours. Autrement dit la particule ionisante dépose une faible partie de son énergie au début de son parcours. La plus grande partie est déposée à la fin du parcours, i.e. quand la particule s'apprête à s'arrêter (pic de Bragg). À force d'arracher des électrons, la particule perd son énergie, se ralentit et finit par s'arrêter. Plus l'ionisation est intense, plus le trajet est court. Tel est le cas des particules alpha, dont la longueur du parcours, dépend de l'énergie initiale. Les électrons et les ions créés se recombinent après le passage de la particule ionisante. Ces réactions ont avantageusement lieu près de la limite inférieure de la couche de conversion de neutrons 400. La figure 2 illustre également les profils de défauts (lacunes) issus desdites particules en fin de parcours. Pour obtenir ces profils, une étape de simulation est réalisée de sorte à simuler la pénétration à travers la deuxième couche 400 d'un flux de neutrons incidents dont les paramètres sont compris dans des gammes prédéterminées. La simulation permet d'obtenir au moins un pic 801, 802 de défauts crées dans la première couche 100 par les lacunes et/ou l'ionisation des particules générées par les collisions entre les neutrons incidents et les atomes de la deuxième espèce dopante. On identifie ensuite la profondeur du pic de défauts 801 le plus proche de l'interface entre les première et deuxième couches 100, 400. Selon un exemple non limitatif de l'invention, un premier pic 801 correspondant à la fin de parcours des particules de lithium est déterminé à une profondeur comprise entre 1.5 et 2x104 Angstrom (1A = 10-10m) à partir de l'interface entre la deuxième couche 400 et la zone de charge d'espace 500. Un deuxième pic 802 correspondant à la fin de parcours des particules d'Hélium est déterminé à une profondeur comprise entre 3.4 et 3.6x104A à partir de l'interface entre la deuxième couche 400 et la zone de charge d'espace 500. Avantageusement, la zone de charge d'espace 500 est située à l'emplacement où l'ionisation est maximale (sans polarisation extérieure), c'est-à-dire dans une zone située à proximité de l'interface séparant la première couche 100 de la deuxième couche 400; ladite deuxième couche 400 représentant une partie dopée de la première couche 100. D'autre part, la zone de charge d'espace 500 est de manière particulièrement avantageuse située en dehors des premier et deuxième pics de défauts (lacunes) 801, 802 ; lesquelles lacunes étant dues aux collisions entre les atomes de Lithium (7Li) (et d'Hélium (41-1e)) et les atomes formant la première couche 100 réalisée en carbure de silicium. La position et la profondeur de la zone de charge d'espace (500), là où le taux d'ionisation est maximal et où il n'y a pas de pic de défauts permettent d'obtenir un signal important et fiable sans polarisation externe. Par ailleurs, cela permet de discriminer les neutrons des photons gamma, l'épaisseur de la ZCE étant suffisamment faible pour que la détection des photons gamma soit distincte de celle des neutrons. Les photons gamma auront une faible probabilité d'interaction dans la ZCE étant donné sa faible épaisseur. Pour évaluer la trajectoire des particules (7Li) et d'Hélium (41-1e) générées suite aux collisions et ainsi simuler le positionnement de pic de défauts 801, 802 en résultant en fonction de la profondeur dans la première couche 100, des simulations préalables sont requises. Dans cet exemple de réalisation, les dispositifs ont été testés au sein d'un réacteur nucléaire expérimental à une température avoisinant les 50°C. Les simulations de la trajectoire des particules et des pics de défauts sont par exemple réalisées par SRIM acronyme en anglais pour « Stopping and Range of Ions in Matter », dans le document F.Issa et al, « Radiation Silicon Carbide Detectors based on Ion Implantation of Boron », IEEE Transations on Nuclear Science, vol. 61, n°4, August 2014. Les figures 3A à 3H illustrent les étapes d'un exemple de procédé en vue de réaliser et fabriquer le dispositif de détection de neutrons selon l'invention à partir d'un empilement modélisé de couches. La figure 3A illustre une vue schématique du substrat 100. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, le substrat 100 comprend un empilement de couches dont une couche inférieure 101 et une couche supérieure 102. La couche inférieure 101 forme un substrat de préférence de carbure de silicium (SiC). La couche inférieure 101 est avantageusement fortement dopée (niveau de dopage de l'ordre de quelques 1018 cm3). La couche inférieure 101 avantageusement de type n+, est réalisée par dopage à l'azote. L'épaisseur de cette couche inférieure 101 approxime par exemple les 350 micromètres. La couche supérieure 102 comprend préférentiellement du carbure de silicium de type n, à faible niveau de dopage (concentration comprise entre 1x1014 et 1x1018 at/cm3). La couche supérieure 102 est avantageusement formée par épitaxie sur la couche inférieure 101. Selon un mode de réalisation avantageux, la couche supérieure 102 est réalisée par croissance, de préférence de type dépôt chimique en phase vapeur (ou acronyme CVD en anglais pour « chemical vapor deposition ») ou par épitaxie en phase liquide (ou acronyme LPE en anglais pour « liquid phase epitaxy ») sur la couche inférieure 101. La couche supérieure 102 est de préférence dopée à l'azote. L'épaisseur de la couche supérieure 102 est par exemple comprise entre 5 et 20 micromètres. La figure 3B illustre la formation de motifs sur le substrat 100 (et plus précisément sur la couche supérieure 102 du substrat 100) à partir d'une couche de masquage 200. La réalisation d'un ou plusieurs motifs dans une couche mince est couramment effectuée à l'aide d'un procédé de photolithographie au cours duquel on forme une couche de masquage 200 ayant un motif que l'on souhaite reporter dans la couche mince. Le report est ensuite réalisé par gravure de la couche mince à travers la couche de masquage 200. Selon un mode de réalisation préféré, une couche additionnelle 300 est déposée sur le substrat 100 de sorte à recouvrir à la fois la couche supérieure 102 du substrat 100 et la couche de masquage 200. Avantageusement, la couche de masquage 200 comprend une résine photosensible présentant des flancs négatifs après développement. Cette géométrie particulière permet d'obtenir une discontinuité de la couche additionnelle 300 déposée. La couche additionnelle 300 présente ainsi des parties basses correspondant aux parties où la couche additionnelle 300 est directement déposée en contact avec la deuxième couche 102 et des parties hautes correspondant aux parties où la couche additionnelle 300 est déposée sur la couche de masquage 200. La couche additionnelle 300 est formée de préférence à base d'oxyde. La couche 300 peut comprendre par exemple de l'oxyde de silicium (5i02) ou de l'oxynitrure de silicium (SiON). La figure 3C illustre l'étape de retrait partiel de la couche additionnelle 300, formant des motifs sur la couche supérieure 101 du substrat 100. L'étape de retrait partiel comprend de préférence une gravure humide. Avantageusement, cette gravure est réalisée par une technique dite « Lift-off » (que l'on peut qualifier de « soulèvement » en français), consistant à effectuer le retrait de la couche de masquage 200 par dissolution de la résine, de sorte à ne conserver la couche additionnelle 300 que sur les parties basses, parties qui ne reposent pas sur la couche de masquage 200. La figure 3D illustre l'étape d'implantation ionique de la deuxième espèce dopante dans le substrat 100. Les paramètres de l'implantation (énergie, dose, technique) vont déterminer la profondeur de l'implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat. Avantageusement, les parties basses restantes après le retrait partiel de la couche additionnelle 300 servent de protection lors de l'implantation. La couche additionnelle 300 fait ainsi office de masque lors de l'implantation L'étape d'implantation comprend un bombardement de la couche supérieure 102 du substrat 100 avec des ions, afin d'implanter ces ions en dose suffisante pour former dans la couche supérieure 102 du substrat 100 une deuxième couche 400. Cette deuxième couche 400 du substrat 100 est avantageusement dopée à l'aide d'une deuxième espèce dopante choisie parmi les matériaux convertisseurs de neutrons, de manière à ce que la couche de conversion de neutrons soit formée par la deuxième couche 400. L'espèce implantée est choisie de manière à permettre une conversion des neutrons. La deuxième couche 400 forme ainsi une couche de conversion de neutrons, contenue dans le substrat 100. Avantageusement, cette couche de conversion de neutrons ou deuxième couche 400 comprend, suite à l'implantation, une forte dose de matériau dopant (de 1x1019 at/cm3 à 1x1021 at/cm3). Le matériau dopant est conformé de sorte à créer des paires électrons/trous. Le matériau dopant est avantageusement choisi pour réagir fortement avec les neutrons. Les ions utilisés pour cette implantation sont de préférence choisis parmi le Bore, de type bore isotope 10 (°B) pour former une couche de type p. Selon d'autres modes de réalisation, la deuxième espèce dopante pourrait être choisie parmi l'Aluminium, le Béryllium. Selon un mode de réalisation, l'implantation est effectuée avec une énergie comprise entre 20 et 180 keV pour une dose de Bore comprise entre 1015 et 1017 cm-2. Selon ce mode de réalisation, l'implantation est effectuée à l'aide d'un implanteur conventionnel. Selon un autre mode de réalisation dit « plasma », l'implantation est effectuée avec une tension comprise entre 5 et 15 kV pour une dose de Bore comprise entre 1015 et 1017 cm-2. Selon ce mode de réalisation, l'implantation est réalisée dans un réacteur plasma. L'implantation n'est effectuée, dans la couche supérieure 102 de la première couche 100, qu'au niveau des motifs ; motifs qui forment des ouvertures. Avantageusement, le procédé d'implantation par plasma minimise le taux de défauts générés. Préalablement à l'étape d'implantation, on réalise une étape de simulation de sorte à identifier le positionnement et la profondeur de la zone de charge d'espace 500 et les premier et deuxième pics de défauts 801, 802. Les pics de défauts correspondent aux zones où la concentration de lacunes dépasse 0.005 lacunes/(A- ion). La zone de charge d'espace 500 doit alors être positionnée à l'interface entre la deuxième couche 400 (soit la couche de conversion d'électrons) et le premier pic de défauts 801. Les paramètres pour déterminer l'étendue de la zone de charge d'espace 500 comprennent les paramètres de dopage et d'épaisseur de la couche supérieure 102 de la première couche 100 du substrat ainsi que les paramètres de dopage du matériau dopant de la deuxième espèce dopante formant la deuxième couche ou couche de conversion de neutrons 400. Les paramètres pour déterminer le positionnement des pics de défauts 801, 802 dans la première couche 100 du substrat sont les paramètres de dopage de la deuxième espèce dopante. Le tableau suivant donne des exemples de paramètres de dopage de la deuxième espèce dopante de la deuxième couche 400 utilisés lors de l'étape de simulation. Elément implanté Energie des ions (keV) Concentration (1014 cm-2) 1°B 20 3.5 50 5 90 6.3 140 7.4 180 8.5 La figure 3E illustre l'étape de formation de la deuxième couche 400 du substrat par implantation de la deuxième espèce dopante dans la couche supérieure 102 de la première couche 100 du substrat. Suite à l'étape d'implantation, il se forme une zone de charge d'espace 500 s'étendant au travers de la première couche 100 du substrat depuis l'interface entre la première couche 100 et la deuxième couche 400 jusqu'à une profondeur contrôlée inférieure à la profondeur donnée, de manière à ne pas inclure dans ladite zone de charge d'espace 500 lesdits pics de défauts 801, 802. La figure 3F illustre l'étape de recuit d'activation. Avantageusement, le recuit d'activation est réalisé de préférence sous Argon, à une température de préférence comprise entre 900 et 1700°C, pendant une durée de préférence comprise entre 30 et 120 minutes. Le recuit post-implantation est réalisé après le retrait de la couche additionnelle 300. Avantageusement, ce recuit permet d'activer électriquement les atomes de Bore implantés pour la création de la couche p+. La vitesse de chauffe élevée (de préférence de l'ordre de 20°C/s), couplée avec un mode de chauffe résistif qui impose une bonne homogénéité latérale en température, permet de conserver une faible rugosité de surface du carbure de silicium, et ainsi de limiter la perte de Bore par exo-diffusion. On entend par exo-diffusion, l'évaporation - soit, la perte - du dopant par la surface se produisant généralement lors du recuit d'activation. Selon un exemple de réalisation, le recuit est effectué en deux étapes successives correspondant à des paliers différents de température. Le recuit est d'abord effectué sous une température avoisinant les 900°c pendant 120 minutes avec une vitesse de chauffe de 20°C par seconde, puis le recuit atteint les 1650°C pendant 30 minutes suivi d'une vitesse de refroidissement de 20°C par minute. La figure 3G illustre l'étape de métallisation d'une première face et d'une deuxième face du substrat 100. L'étape de métallisation est réalisée de sorte à former une première couche métallique 602 sur la première face du substrat 100. Préférentiellement, la première face du substrat 100 est la face à partir de laquelle a été formée la deuxième couche 400. Le flux de neutrons pénètre dans le substrat d'abord par cette face. Avantageusement, la première couche métallique 602 forme une électrode, communément appelée cathode (ou anode). La première couche métallique 602 est effectuée de sorte à au moins couvrir la couche de conversion de neutrons 400 (ou deuxième couche 400). Préférentiellement, la première couche métallique 602 comprend un empilement de couches. Selon un exemple de réalisation, la première couche métallique 602 comprend un empilement de matériaux de type Nickel/Titanium/Aluminium. L'épaisseur de la première couche métallique 602 est de préférence comprise entre 100 et 500 nanomètres. L'étape de métallisation est réalisée de sorte à former une deuxième couche métallique 601 sur la deuxième face du substrat 100; ladite deuxième face étant opposée à la première face. Avantageusement, la deuxième couche métallique 601 forme une électrode, communément appelée anode (ou cathode). La deuxième couche métallique 601 est effectuée de sorte à couvrir au moins en partie la deuxième face du substrat 100, ladite deuxième face étant opposée à la première face du substrat 100. Préférentiellement, la deuxième couche métallique 601 comprend un empilement de couches. Selon un exemple de réalisation, la deuxième couche métallique 601 comprend un empilement de matériaux de type Titanium/Nickel. L'épaisseur de la deuxième couche métallique 601 est de préférence comprise entre 100 et 500 nanomètres. La figure 3H illustre la prise de contact aux bornes des première et deuxième électrodes 601, 602, c'est-à-dire aux bornes respectivement de l'anode et de la cathode 601, 602. La figure 4 représente une superposition de profils de Bore de type bore isotope 10 (10B) dans la couche supérieure 102 épitaxiée formée de carbure de silicium. Le profil simulé (symbole carré plein) après implantation du matériau dopant (dans cet exemple du Bore) et le profil expérimental de type spectrométrie de masse à ionisation secondaire SIMS (acronyme en anglais pour « secondary ion mass spectrometry ») après recuit (symbole rond plein), au travers de la deuxième couche 400 et la première couche 100, sont comparés. Les caractéristiques spécifiques du four utilisé lors du recuit ainsi que le procédé technologique de recuit associé aboutissent avantageusement à une très faible perte de Bore durant le recuit tout en limitant fortement une diffusion du Bore en volume. Ces derniers effets sont particulièrement difficiles à obtenir. Il est en effet courant d'observer après implantation de Bore dans du carbure de silicium une importante diffusion (thermique et/ou assistée par défaut) pendant le recuit, autrement dit un élargissement de profil en volume associé à une diminution importante du plateau de concentration. Dans la présente invention, la zone de charge d'espace 500 conserve avantageusement la même position avant et après recuit, ce qui permet d'obtenir une très bonne adéquation entre les résultats expérimentaux et les travaux de simulation. La figure 5 illustre la variation du signal en fonction de la tension de polarisation. Trois pics 901, 902, 903 sont observés. Le premier pic 901 (numéros de canal inférieurs à 250) est lié à la détection de rayons gamma, ce qui est confirmé par un élargissement du pic 901 en fonction de la polarisation (élargissement de la zone de charge d'espace 500). Le troisième pic 903 (canaW1500) est directement lié à la détection de neutrons thermiques incidents. L'intensité de ce pic 903 est proportionnelle au flux de neutrons thermiques. Il n'est pas détecté de variation de l'intensité de ce pic 903 en fonction de la polarisation. Avantageusement, cela implique de pouvoir travailler sans polarisation extérieure, autrement dit d'avoir un système énergiquement autonome. Dans cet exemple, les expériences ont été menées à une température avoisinant les 170°C. Aucune variation notable du signal n'a été observée. Au vu de ce qui précède il apparaît que la présente invention propose un procédé de réalisation simplifié par la formation de la couche de conversion d'électrons et la formation de la jonction p-n réalisées en une seule étape. Le procédé selon la présente invention permet de s'affranchir du travail consistant à optimiser la distance entre la couche de conversion d'électrons et la zone de charge d'espace, et cela notamment grâce à l'identité de fait entre la couche de conversion d'électrons et la couche implantée p+. D'autre part, les limites de l'utilisation du détecteur en milieu sévère ne sont liées qu'aux propriétés physiques du carbure de silicium (et aux connexions), puisque le détecteur est entièrement basé sur ce matériau. De manière particulièrement avantageuse, la réalisation de la couche de conversion de neutrons par implantation de Bore de préférence de type isotope 10 (1013) dans un substrat comprenant de préférence du carbure de silicium permet de limiter les contraintes (thermiques, mécaniques, etc.). D'autre part, le carbure de silicium permet avantageusement de travailler en environnement extrême, tout en conservant un bon rapport signal sur bruit. D'autre part, les simulations (par exemple de type SRIM) permettent d'optimiser l'épaisseur et le dopage des couches p+ et n, définissant ainsi la position et l'épaisseur de la zone de charge d'espace pour qu'elle soit située en dehors des pics de défauts provoqués par la génération de particules de Lithium et d'Hélium, augmentant ainsi la durée de vie du détecteur et l'obtention d'un signal sans polarisation extérieure (très bonne discrimination entre neutrons et gamma). De plus, la maîtrise des paramètres technologiques (implantation/recuit) permet d'aboutir à la maîtrise des paramètres de la couche p+. Avantageusement, l'introduction d'une grande quantité de bore isotope 10 (1013) par implantation ionique, grande quantité correspondant par exemple à la limite de solubilité dans le carbure de silicium, même si elle peut aboutir à une diode de faible qualité (courant « de fuite » élevé), donne lieu à un détecteur de neutrons (détection de faibles flux) fiable, de très bonne qualité tout en restant peu coûteux. La détection de neutrons présente plusieurs champs d'application. Chaque application nécessite différents systèmes de détection. La détection de neutrons est, par exemple, utilisée pour les réacteurs nucléaires expérimentaux et de puissance, la géo-prospection géophysique minière et pétrolière (par exemple, recherche de nappes de pétrole), le contrôle nucléaire de procédé dans les usines de retraitement du combustible, la caractérisation de colis de déchets radioactifs, le suivi et le contrôle des opérations de démantèlement d'installations nucléaires, la physique médicale ou encore l'environnement. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits mais s'étend à tout mode de réalisation conforme à son esprit. En outre, bien que dans l'exemple précédent l'espèce implantée qui convertit les neutrons soit le Bore, l'invention n'est pas limitée à cette espèce. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif de détection d'un flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans des gammes prédéterminées, caractérisé en ce qu'il comprend au moins: - une phase de détermination de paramètres du détecteur, cette phase comprenant les étapes suivantes : simuler la pénétration d'un flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées à travers un empilement modélisé comprenant successivement et dans l'ordre au moins: une première électrode (601) ; un substrat comprenant : o une première couche (100) dopée comprenant au moins une première espèce dopante de manière à ce que la première couche (100) soit une couche dopée n ou une couche dopée p, la première couche (100) étant formée par le substrat ; o une deuxième couche (400) dopée comprenant au moins une deuxième espèce dopante de manière à ce que la deuxième couche (400) soit l'autre parmi une couche dopée n ou une couche dopée p de sorte à former, à une interface entre les première (100) et deuxième (400) couches, une jonction p-n et de manière à former dans la première couche (100) et à partir de l'interface entre les première (100) et deuxième (400) couches, une zone de charge d'espace (500) ; la deuxième couche (400) étant formée par implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat ; la deuxième espèce dopante étant prise parmi les matériaux convertisseurs de neutrons de manière à ce que la deuxième couche (400) forme une couche de conversion de neutrons ; une deuxième électrode (602) ; simuler au moins un pic (801, 802) de défauts crées dans la première couche (100) de l'empilement modélisé par les lacunes et/ou l'ionisation des particules générées par les collisions entre les atomes de la deuxième espèce dopante et les neutrons dudit flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées;identifier la profondeur du pic (801) de défauts le plus proche de l'interface entre les première (100) et deuxième (400) couches de l'empilement modélisé ; déterminer des paramètres des première (100) et deuxième couches (400) que devrait présenter l'empilement modélisé, notamment la profondeur de ladite implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat pour former la deuxième couche (400) et les teneurs en première et deuxième espèces dopantes respectivement des première (100) et deuxième couches (400), de manière à ce que la zone de charge d'espace s'étende depuis ladite interface entre les première (100) et deuxième (400) couches et dans la première couche (400) sur une profondeur inférieure à ladite profondeur identifiée dudit pic (801) de défauts de manière à ce que la zone de charge d'espace (500) ne comprenne pas de pic (801, 802) de défauts ; une étape de fabrication du dispositif de détection dans laquelle on réalise la première couche puis on réalise la deuxième couche (400) par implantation de la deuxième espèce dopante dans une partie de la première couche (100), ladite implantation, en particulier la profondeur d'implantation et la teneur en deuxième espèce dopante, étant réalisée en fonction desdits paramètres déterminés de manière à ce que dans le dispositif fabriqué la zone de charge d'espace s'étende depuis ladite interface entre les première (100) et deuxième (400) couches et dans la première couche (400) sur une profondeur inférieure à ladite profondeur identifiée dudit pic (801) de défauts. 2. Procédé selon la revendication précédente dans lesdites caractéristiques prédéterminées du flux de neutrons comprennent au moins l'un parmi: une énergie donnée et/ou une fluence et/ou une intensité. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat comprend du carbure de silicium (SiC). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel au cours de l'étape de fabrication, on règle la profondeur de la zone de charge d'espace (500) en fonction des paramètres suivants : la teneur en première espèce dopante de la première couche (100) ; la dose de l'implantation de la deuxième espèce dopante, la profondeur de l'implantation de la deuxième espèce dopante. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel au cours de l'étape de fabrication on détermine la position de la zone de charge d'espace (500) en fonction des paramètres suivants : l'épaisseur de la deuxième couche (400) et/ou l'énergie de l'implantation de la deuxième espèce dopante. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première couche (100) du substrat est exempte de la deuxième espèce dopante. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième espèce dopante comprend du bore isotope 10 (10B). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première couche (100) du substrat comprend au moins une couche inférieure (101) dopée n+ et une couche supérieure (102) dopée n; ladite couche supérieure (102) comprenant une concentration en première espèce dopante comprise entre 1014 et 1016 at/cm3. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première électrode (601) est au contact de la première couche (100), la première couche (100) est au contact de la deuxième couche (400) et la deuxième électrode (602) est au contact de la deuxième couche (400). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le pic de défauts (801, 802) est une zone dans laquelle la concentration en défauts est supérieure ou égale à 0.005 lacune/(Â-ion). 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la zone de charge d'espace (500) s'étend sur une distance comprise entre 0 et quelques dizaines de microns. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel on règle la profondeur de la zone de charge d'espace, notamment en ajustant les teneurs en première et deuxième espèces dopantes des première et deuxièmecouches et notamment en ajustant l'implantation de la deuxième espèce dopante, de manière à ce que la zone de charge d'espace (500) s'étend dans la première couche, à partir de ladite interface, sur une profondeur suffisante pour comprendre la zone où le taux d'ionisation des particules générées par lesdites collisions entre les atomes de la deuxième espèce dopante et les neutrons dudit flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première électrode (601) et la deuxième électrode (602) comprennent un matériau métallique. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'implantation de la deuxième espèce dopante est réalisée au moyen de Bore isotope 10, avec une énergie comprise entre 20 et 180 keV et une dose comprise entre 1015 et 1017 cm-2. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13 dans lequel l'implantation de la deuxième espèce dopante est réalisée par implantation plasma de Bore isotope 10, avec une tension comprise entre 5 et 15 kV et une dose comprise entre 1015 et 1017 cm-2. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel, on fabrique ledit empilement de couches et dans lequel on réalise ensuite un recuit d'activation sous argon, à des températures comprises entre 900°C et 1700°C, pour une durée comprise entre 30 et 120 minutes. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la réalisation de la couche supérieure (102) dopée n comprend un dépôt chimique en phase vapeur. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de détermination des paramètres du détecteur est au moins en partie assistée ou mise en oeuvre par ordinateur. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 17 dans lequel l'étape d'identification du pic de défauts comprend des analyses de microscopieélectronique effectuées sur au moins un empilement modélisé préalablement fabriqué et soumis à un flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées. 20. Détecteur d'un flux de neutrons dont les paramètres du flux de neutrons présentant des caractéristiques comprises dans des gammes prédéterminées, le détecteur comprenant au moins un empilement de couches comprenant successivement et dans l'ordre : - une première électrode (601) ; - un substrat comprenant : une première couche (100) dopée comprenant au moins une première espèce dopante de manière à ce que la première couche (100) soit une couche dopée n ou une couche dopée p, la première couche (100) étant formée par le substrat ; une deuxième couche (400) dopée comprenant au moins une deuxième espèce dopante de manière à ce que la deuxième couche (400) soit l'autre parmi une couche dopée n ou une couche dopée p de sorte à former, à une interface entre les première (100) et deuxième (400) couches, une jonction p-n et de manière à former dans la première couche (100) et à partir de l'interface entre les première (100) et deuxième (400) couches, une zone de charge d'espace (500) ; - une deuxième électrode (602) ; caractérisé en ce que : - la deuxième couche (400) est formée par implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat ; la deuxième espèce dopante étant prise parmi les matériaux convertisseurs de neutrons de manière à ce que la deuxième couche (400) forme une couche de conversion de neutrons ; les paramètres des première et deuxième couches, en particulier la profondeur d'implantation de la deuxième espèce dopante dans le substrat pour former la deuxième couche (400) et les teneurs en première et deuxième espèces dopantes respectivement des première (100) et deuxième (400) couches, sont choisis de telle manière que la zone de charge d'espace (500) s'étend depuis ladite interface entre les premières (100) et deuxième (400) couches et dans la première couche (100) sur une profondeur inférieure à une profondeur où se situerait un pic (801, 802) de défauts qui serait créé dans la première couche (100) par des lacunes et/ou une ionisation de particules générées par les collisions entre des atomes dela deuxième espèce dopante et des neutrons si le détecteur était exposé à un flux de neutrons incidents présentant des caractéristiques comprises dans lesdites gammes prédéterminées. 21. Utilisation du détecteur selon la revendication précédente dans laquelle on expose le détecteur à un flux de neutrons dont les caractéristiques sont comprises dans lesdites gammes prédéterminées. 22. Utilisation du détecteur selon la revendication précédente pour l'une quelconque des applications suivantes : caractérisation de colis de déchets radioactifs, le suivi et le contrôle des opérations de démantèlement d'installations nucléaires, le contrôle nucléaire dans des usines de retraitement de combustible nucléaire, le pilotage de réacteurs nucléaires expérimentaux et de puissance, le contrôle de l'environnement. 23. Utilisation du détecteur selon la revendication 20 pour la géo prospection minière ou pétrolière. 24. Utilisation du détecteur selon la revendication 20 pour la physique médicale. 20 25. Utilisation du détecteur selon la revendication 20 pour le domaine de la sécurité intérieure.