Brevet FR3032065A1 — publié le 20160729

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine de l'éclairage et en particulier l'utilisation de diodes électroluminescentes organiques qui, une fois alimentées par un courant électrique, émettent leur propre lumière. La présente invention reçoit pour application avantageuse un procédé de réalisation d'une telle diode électroluminescente organique. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE La diode électroluminescente, plus connue sous l'acronyme LED en anglais pour « Light Emitting Diode », est un semi-conducteur aux propriétés physiques telles, que la diode électroluminescente possède la faculté de convertir directement l'électricité en lumière, tout en étant d'une efficacité inégalée en termes de consommation énergétique. L'éclairage par diode électroluminescente permet une diffusion homogène du faisceau lumineux ; cet éclairage est notamment très proche de la lumière du jour. Ce sont ces caractéristiques avantageuses qui ont attiré les concepteurs à s'intéresser de plus en plus aux diodes électroluminescentes pour des applications automobiles, par exemple, ou encore dans le domaine de l'éclairage. Ces sources lumineuses représentent en outre d'excellentes opportunités pour les « designers ». Il est, par exemple, possible de combiner plusieurs diodes afin de créer des formes différentes, des jeux de luminance (les diodes électroluminescentes de type organique ayant par exemple un rayonnement lumineux plus faible que celui des autres diodes) et obtenir ainsi des effets visuels originaux. Néanmoins, les technologies actuelles connaissent des limites. Les diodes électroluminescentes organiques ont notamment un procédé de fabrication contraignant du fait de la forte sensibilité à l'eau et à l'air de la couche organique, nécessitant de ce fait une protection par encapsulation de cette couche. D'autre part, des dispositions doivent être prises pour éviter les courts- circuits ; la réalisation de sources lumineuses de type diode électroluminescente organique en grande dimension nécessite par exemple une séparation de deux électrodes. 3032065 2 Actuellement, les couches organiques sont déposées thermiquement à travers un pochoir commun et servent en d'autres termes à séparer l'anode et la cathode. Cependant, un des inconvénients est que la couche organique n'est pas entièrement protégée par la cathode et, est donc, de ce fait, 5 particulièrement sensible à la dégradation ainsi qu'à l'oxydation. En termes de procédé de fabrication, le positionnement des différentes couches formant la diode requiert un usinage particulier des pochoirs utilisés lors d'étapes de masquage. 10 Une solution pour protéger notamment les couches organiques est de déposer une couche barrière de sorte à encapsuler l'empilement de couches (anode, couche organique, cathode) formant la diode électroluminescente organique. Pour ce faire, il a été démontré que la technique de dépôt de monocouches atomiques (acronyme ALD en anglais pour « Atomic Layer 15 Deposition ») permet de réaliser une couche barrière, de préférence formée en un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium (A1203), le dioxyde de silicium (SiO2) ou encore le dioxyde de titane (TiO2), d'excellente qualité, d'une épaisseur comprise entre 10 et 100nm typiquement. Néanmoins, un des inconvénients de la technique de dépôt ALD est la difficulté à réaliser une étape 20 de masquage permettant d'épargner les contacts électriques (typiquement les reprises de contact des électrodes : anode et cathode) des diodes électroluminescentes organiques. En effet, les reprises de contact ne sont pas lumineuses et servent au raccordement électrique extérieur à la diode électroluminescente organique ; elles ne doivent par conséquent pas être 25 couvertes par une couche barrière ; ladite couche barrière étant isolante électriquement. Il est toutefois possible de retirer sélectivement la couche barrière par exemple par gravure chimique, mécanique ou ablation laser. Cependant, ces techniques de retrait sont réputées être relativement agressives au regard de couches sous-jacentes considérées sensibles à l'eau 30 et à l'air (par exemple, les couches organiques) et sont, de ce fait, peu compatibles avec le procédé de réalisation des diodes électroluminescentes organiques. 3032065 3 Compte tenu des contraintes liées au procédé de fabrication des diodes électroluminescentes, la présente invention propose un procédé simplifié et moins coûteux, permettant la réalisation d'une diode électroluminescente organique présentant une meilleure encapsulation de la couche organique, tout 5 en favorisant une meilleure homogénéité lumineuse de ladite diode électroluminescente organique. RESUME DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une diode 10 électroluminescente organique comprenant une étape de formation d'un empilement de couches sur un substrat; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode déposée sur le substrat, une ou plusieurs couches organiques déposées au contact d'au moins une partie de la première électrode, une deuxième électrode déposée au 15 contact d'au moins une partie de la couche organique; la première électrode comprenant une partie débordante non recouverte ni par la couche organique, ni par la deuxième électrode, et une étape de formation d'une couche barrière réalisée en un matériau électriquement isolant, ladite étape étant configurée de sorte à ce que la couche barrière recouvre l'empilement de couches. Le 20 procédé comprend également une étape d'implantation d'atomes électriquement conducteurs dans l'intégralité de l'épaisseur d'une première portion de la couche barrière et d'une deuxième portion de la couche barrière, de sorte à établir une continuité électrique entre une première face et une deuxième face de chacune des première et deuxième portions de la couche 25 barrière, lesdites première et deuxième faces étant opposées ; ladite première face de la première portion étant positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante de la première électrode et ladite première face de la deuxième portion étant positionnée de sorte à être en contact direct avec la deuxième électrode. 30 La présente invention concerne également une diode électroluminescente organique comprenant un empilement de couches sur un substrat; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une 3032065 4 première électrode déposée sur le substrat, une ou plusieurs couches organiques déposées au contact d'au moins une partie de la première électrode, une deuxième électrode déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique; la première électrode comprenant une partie 5 débordante non recouverte ni par la deuxième électrode, ni par la couche organique, et comprenant une couche barrière réalisée en un matériau électriquement isolant, ladite couche étant conformée pour recouvrir l'empilement de couches. La diode est caractérisée en ce que ladite couche barrière comprend une première portion et une deuxième portion; lesdites 10 portions comprenant des atomes électriquement conducteurs dans l'intégralité de leur épaisseur, de sorte à permettre une continuité électrique entre une première face et une deuxième face de chacune des première et deuxième portions de la couche barrière; lesdites première et deuxième faces étant opposées ; ladite première face de la première portion étant positionnée de 15 sorte à être en contact direct avec la partie débordante de la première électrode et ladite première face de la deuxième portion étant positionnée de sorte à être en contact direct avec la deuxième électrode. Ainsi, l'effet technique de la présente invention est de proposer une 20 solution d' encapsulation de couches minces de la diode électroluminescente organique, une garantie de fiabilité concernant la conductivité électrique à partir des électrodes de la diode, ainsi qu'une homogénéité lumineuse de ladite diode, tout en évitant le recours à une étape de retrait de la couche barrière ; ledit retrait pouvant entrainer des dégradations des couches sensibles telles 25 que la couche organique. De cette manière, les couches présentes dans le dispositif d'émission lumineuse organique, connues pour être particulièrement sensibles au l'eau et à l'oxygène, sont protégées par les moyens mis en oeuvre. 30 BREVE INTRODUCTION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels : 3032065 5 - La figure 1 illustre une vue schématique en coupe longitudinale d'un l'empilement sur un substrat de différentes couches, formant une diode électroluminescente organique selon l'art antérieur. - La figure 2 illustre une vue schématique en coupe longitudinale d'un 5 l'empilement sur un substrat de différentes couches, formant une diode électroluminescente organique ; ledit empilement étant recouvert d'une couche barrière. - La figure 3 illustre une vue schématique en coupe longitudinale dudit empilement ; des contacts métalliques étant réalisés au niveau de chacune des 10 électrodes formant la diode. Par souci de clarté, les éléments sur les figures ne sont pas représentés à l'échelle. DESCRIPTION DETAILLEE 15 Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit 20 directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément. Il est également précisé qu'une couche peut comprendre une pluralité de couches. D'autre part, le terme « couche » ne veut pas forcément dire une répartition pleine plaque sur le substrat. 25 Avant d'entrer dans le détail de formes préférées de réalisation de l'invention en référence aux dessins notamment, d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, qui peuvent être mises en oeuvre de façon combinée selon toutes combinaisons ou de manière alternative, sont indiquées ci-après : L'étape d'implantation comprend une implantation d'atomes 30 métalliques dans la première portion de la couche barrière et dans la deuxième portion de la couche barrière; l'implantation est avantageusement réalisée par pulvérisation cathodique de sorte à faire 3032065 6 migrer les atomes métalliques dans l'intégralité de l'épaisseur des première et deuxième portions de la couche barrière. L'étape d'implantation est réalisée par pulvérisation cathodique. Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'implantation est réalisée 5 par dépôt ionique. L'étape d'implantation comprend la formation d'au moins une première couche métallique en contact direct avec la deuxième face de la première portion de la couche barrière et la formation d'au moins une deuxième couche métallique en contact direct avec la deuxième face de 10 la deuxième portion de la couche barrière; de sorte à ce que la première couche métallique et la deuxième couche métallique soient en continuité électrique respectivement avec la première portion et la deuxième portion de la couche barrière. Préalablement à l'étape d'implantation, on réalise une étape de 15 masquage de la couche barrière de sorte à n'exposer que la deuxième face de la première portion et la deuxième face de la deuxième portion de la couche barrière. L'étape de formation de la couche barrière est réalisée par dépôt de couches atomiques. 20 L'étape de formation de l'empilement est réalisée de sorte à ce que la deuxième électrode comprenne une partie débordante ne recouvrant ni la première électrode, ni la couche organique. L'étape d'implantation est réalisée de sorte à ce que la première face de la deuxième portion de la couche barrière soit positionnée de sorte à 25 être en contact direct avec la partie débordante de la deuxième électrode. L'une au moins parmi la première portion et la deuxième portion de la couche barrière comprend des atomes métalliques. La deuxième électrode comprend une partie débordante ne 30 recouvrant ni la première électrode, ni la couche organique. La première face de la deuxième portion de la couche barrière est positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante de la deuxième électrode. 3032065 7 Au moins une première couche métallique est positionnée en contact direct avec la deuxième face de la première portion de la couche barrière et au moins une deuxième couche métallique est positionnée en contact direct avec la deuxième face de la deuxième portion de la couche 5 barrière de sorte à ce que la première couche métallique et la deuxième couche métallique soient en continuité électrique respectivement avec la première portion et la deuxième portion de la couche barrière. La première couche métallique et la deuxième couche métallique comprennent un matériau choisi parmi l'aluminium, l'argent, le 10 magnésium, le chrome, le cuivre, le titane ou un alliage de plusieurs de ces matériaux. La couche barrière comprend une épaisseur inférieure à 100 nanomètres. La couche barrière comprend un matériau choisi parmi l'oxyde 15 d'aluminium, l'oxyde de silicium, l'oxyde de titane. Comme indiqué précédemment, le procédé qui suit a pour but de réaliser au moins une diode électroluminescente organique comprenant une couche barrière ; ladite couche barrière servant de couche d'encapsulation et de 20 protection des couches sensibles telles que la couche organique. Dans une première étape, illustrée en figure 1, on forme un empilement de couches 200 sur un substrat 100. De manière avantageuse, le substrat 100 est une plaque plane réalisée en un matériau transparent. Optionnellement, le 25 substrat 100 est en verre. Une première électrode 200 est, de préférence, déposée sur le substrat 100. Une couche organique 300 est avantageusement déposée de sorte à recouvrir une partie de la première électrode 200. Préférentiellement, la première électrode 200 dépasse latéralement de la couche organique 300. 30 Avantageusement, la première électrode 200 présente une partie débordante 250 non recouverte par la couche organique 300. Une deuxième électrode 400 est déposée de sorte à recouvrir au moins partiellement la couche organique 300. Selon un mode de réalisation préférentiel, la deuxième électrode 400 3032065 8 s'étend au-delà de la couche organique 300 tel qu'illustré en figure 1. La deuxième électrode 400 dépasse latéralement de l'empilement de couches 200. La partie débordante 250 de la première électrode 200 et la partie débordante 450 de la deuxième électrode 400 ne sont ni superposées, ni en contact. Elles 5 peuvent être situées sur des bordures opposées de l'empilement de couches. Préférentiellement, la première électrode 200 constitue l'anode. La première électrode 200 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. Selon un mode de réalisation où l'émission de la lumière se fait dans la direction opposée au substrat 100, la première électrode 200 est choisie en un 10 matériau réfléchissant (voire semi-réfléchissant). La première électrode 200 peut être, par exemple, en aluminium. Selon un mode de réalisation préférentiel où l'émission de la lumière se fait au travers du substrat 100, alors la première électrode 200 est choisie en un matériau transparent. De préférence, la première électrode 200 est composée 15 par de l'oxyde d'indium dopé à l'étain (Indium Tin Oxide, ITO). Optionnellement, la première électrode 200 est transparente à au moins 85%, afin de permettre la transmission de la lumière. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 300 est avantageusement disposée de sorte à être insérée entre la première électrode 20 200 et la deuxième électrode 400. La couche organique 300 est avantageusement composée d'une ou de plusieurs sous-couches. Ces sous-couches comprennent, de préférence, des matériaux spécifiques, permettant d'améliorer l'injection d'électrons et de trous, et par conséquent, d'améliorer l'efficacité du dispositif d'émission lumineuse. A titre d'exemple, la couche 25 organique 300 peut notamment comprendre une couche d'injection des trous, une couche de transport des trous, une couche d'émission de la lumière produite par la recombinaison des trous et des électrons, une couche de transport des électrons et une couche d'injection des électrons. La deuxième électrode 400 constitue généralement la cathode. 30 Avantageusement, la deuxième électrode 400 est transparente. Optionnellement, elle est semi-transparente. La deuxième électrode 400 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. La deuxième électrode 400 peut, par exemple, être en un matériau tel que l'aluminium ou encore l'argent 3032065 9 ou un alliage magnésium/argent. Elle est, de préférence, déposée par évaporation thermique. Les épaisseurs de la première électrode 200, de la couche organique 300 et de la deuxième électrode 400, sont, avantageusement, comprises entre 5 10nm et 200nm. Selon un mode de réalisation préférentiel, les conditions de dépôt des différentes couches se font sous une atmosphère contrôlée. La présence, en effet, d'impuretés dépend de l'atmosphère dans laquelle les structures sont fabriquées. 10 Tel qu'illustré figure 2, après l'étape de formation d'un empilement de couches, il s'ensuit une étape de formation d'une couche barrière 500 au-dessus dudit empilement de couches. La couche barrière 500 est de préférence disposée de sorte à recouvrir tout l'empilement de couches. 15 La couche barrière 500 a pour avantage de pouvoir être déposée par dépôt de couches atomiques (acronyme ALD en anglais pour « Atomic Layer Deposition »). Préférentiellement, la couche barrière 500 est formée de sorte à posséder un taux de transmission de vapeur d'eau (acronyme WVTR en anglais pour « Water Vapor Transmission Rate ») de l'ordre de 10-4 g/m2/j. La 20 couche barrière 500 est avantageusement formée en un matériau isolant. Elle comprend, préférentiellement, un matériau inorganique choisi par exemple parmi l'Alumine (A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10x), le dioxyde de Silicium (SiO2), l'oxyde de Titane (TiO2) ou encore le nitrate de Silicium (SiN), l'oxyde de Zirconium (ZrO2), l'oxyde d'Hafnium (Hf02), l'oxyde de Tantale (Ta205), ou 25 encore l'oxyde de Nobium (Nb2O5), l'oxyde d'Yttrium (Y203), l'oxyde de Magnésium (MgO), l'oxyde de Cérium (Ce02), l'oxyde de Lanthane (La203), le titanate de Strontium (SrTiO3), le titanate de Barium (BaTiO3), le sulfure de Zinc (ZnS), le sulfure de Sélénium (ZnSe), le zinc Telluride (ZnTe), l'oxyde d'Indium (In203), le dioxyde d'Etain (5n02), l'oxyde de Gallium (Ga203), l'oxyde de Nickel 30 (NiO). De manière particulièrement avantageuse, la couche barrière 500 possède une épaisseur permettant de former un revêtement uniforme et 3032065 10 homogène sur l'empilement de couches. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche barrière 500 possède une épaisseur avantageusement inférieure à 100 nanomètres et de préférence de l'ordre de 50 nanomètres. La couche barrière 500 a l'avantage d'être formée de telle sorte à 5 parfaitement suivre la rugosité de surface de l'empilement de couches. La couche barrière 500 a, en outre, la particularité de former un revêtement sur l'empilement de couches, et de ce fait, à l'isoler électriquement. D'autre part, la couche barrière 500, ainsi disposée, agit, de manière particulièrement avantageuse, comme une barrière de protection étanche pour 10 les couches sensibles telles que la première électrode 200, la couche organique 300 et la deuxième électrode 400. L'encapsulation (notamment de la couche organique 300) obtenue est ainsi parfaitement réalisée. La figure 3 illustre l'étape d'implantation d'une première portion 510 de la 15 couche barrière 500 et d'une deuxième portion 520 de la couche barrière 500. Les première et deuxième portions 510, 520 comprennent chacune une première face et une deuxième face ; lesdites première et deuxième faces étant opposées. Avantageusement, ladite première face de la première portion 510 est positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante 250 20 de la première électrode 200. Ladite première face de la deuxième portion 520 est quant à elle avantageusement positionnée de sorte à être en contact direct avec la deuxième électrode 400. Selon un exemple de réalisation particulièrement avantageux mais non limitatif de l'invention, la première face de la deuxième portion 520 est positionnée de sorte à être en contact direct 25 avec la partie débordante 450 de la deuxième électrode 400. De manière particulièrement, l'étape d'implantation est conformée pour rendre conductrices la première portion 510 et la deuxième portion 520 de la couche barrière 500. Avantageusement, l'étape d'implantation comprend une implantation (ou encore un bombardement) d'atomes neutres, de préférence métalliques, dans 30 l'intégralité de l'épaisseur de la première portion 510 et de la deuxième portion 520 de la couche barrière 500. Le bombardement ou implantation se fait avantageusement par pulvérisation cathodique de sorte à faire migrer les atomes métalliques dans (et notamment au travers suivant l'épaisseur du 3032065 11 substrat 100) les première et deuxième portions 510, 520 de la couche barrière 500. Selon un exemple de réalisation préférentiel mais non limitatif de l'invention, la vitesse de dépôt est de l'ordre de 5Â/s. De manière particulièrement avantageuse, l'étape d'implantation est 5 réalisée par pulvérisation cathodique ou encore par dépôt ionique (ion plating) L'étape d'implantation permet avantageusement de rendre conductrices les première et deuxième portions 510, 520 de la couche barrière 500. Seules les portions de la couche barrière 500 exposées lors de l'étape d'implantation sont rendues conductrices ; le reste de la couche barrière 500 demeurant 10 isolant. On entend par couche conductrice, une couche comprenant un seuil de conductivité supérieur à 10 S/cm. Selon un mode de réalisation préférentiel, préalablement à l'étape d'implantation, on réalise une étape de masquage de la couche barrière 500 de sorte à n'exposer que les deuxièmes faces des première et deuxième portions 15 510, 520 de la couche barrière 500 ; le reste de la couche barrière 500 étant recouvert d'une couche de protection lors de l'étape d'implantation. L'étape de masquage permet ainsi d'épargner la zone active (soit l'empilement formée de la première électrode 200, la couche organique 300 et la deuxième électrode 400) de la diode électroluminescente organique. 20 L'étape d'implantation comprend avantageusement la formation d'une première couche métallique 610 en contact direct avec la deuxième face de la première portion 510 de la couche barrière 500 et la formation d'une deuxième couche métallique 620 en contact avec la deuxième face de la deuxième 25 portion 520 de la couche barrière 500 ; de sorte à ce que la première couche métallique 610 et la deuxième couche métallique 620 soient en continuité électrique, respectivement, avec la première portion 510 et la deuxième portion 520 de la couche barrière 500. Préférentiellement, l'une au moins parmi la première couche métallique 30 610 et la deuxième couche métallique 620 comprend un matériau choisi parmi l'aluminium, le titane, le cuivre, le chrome, l'argent, le zinc, le nickel, l'or, le platine, le magnésium. 3032065 12 Les première et deuxième couches métalliques 610, 620 sont avantageusement formées lors de l'étape d'implantation ; l'étape d'implantation étant avantageusement réalisée par pulvérisation cathodique. Le dépôt sous vide permet avantageusement d'obtenir des première et deuxième couches 5 métalliques 610, 620 d'épaisseurs comprises entre quelques nanomètres et quelques microns (par exemple, entre 50 nanomètres et 5 microns). De manière particulièrement avantageuse, le procédé selon l'invention permet de former des couches métalliques 610, 620 faisant office de reprise de 10 contact pour les première et deuxième électrodes 200, 400, soit l'anode et la cathode, sans recourir à des étapes de masquage des électrodes 200, 400. Lesdites couches métalliques 610, 620 sont avantageusement en continuité électrique avec chacune des électrodes 200, 400 de la diode. De manière particulièrement avantageuse, la couche barrière 500 permet 15 de servir de couches d'encapsulation de couches sensibles telles que la couche organique 300 ; ladite couche barrière 500 restant en place et ne nécessitant pas de créer des ouvertures dans cette couche 500 pour accéder aux électrodes 200, 400 afin d'établir une continuité électrique. 20 La présente invention propose ainsi un procédé particulièrement simple et peu coûteux pour obtenir un dispositif d'émission lumineuse organique possédant une fiabilité et une homogénéité lumineuse accrues ; les couches sensibles de la diode étant protégées de toutes dégradations pouvant survenir lors d'un procédé habituel de réalisation de diodes électroluminescentes 25 organiques. D'autre part, le dispositif encapsulé est avantageusement compatible avec les exigences industrielles, également pour de grandes surfaces. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment 30 décrits, mais s'étend à tous les modes de réalisation conformes à son esprit. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant: - une étape de formation d'un empilement de couches sur un substrat (100) ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode (200) déposée sur le substrat (100), une couche organique (300) déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode (200), une deuxième électrode (400) déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique (300) ; la première électrode (200) comprenant une partie débordante (250) non recouverte ni par la couche organique (300), ni par la deuxième électrode (400), - une étape de formation d'une couche barrière (500) réalisée en un matériau électriquement isolant, ladite étape étant configurée de sorte à ce que la couche barrière (500) recouvre l'empilement de couches, caractérisé en ce qu'il comprend : - une étape d'implantation d'atomes électriquement conducteurs dans l'intégralité de l'épaisseur d'une première portion (510) de la couche barrière (500) et d'une deuxième portion (520) de la couche barrière (500), de sorte à établir une continuité électrique entre une première face et une deuxième face de chacune des première et deuxième portions (510, 520) de la couche barrière (500), lesdites première et deuxième faces étant opposées ; ladite première face de la première portion (510) étant positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante (250) de la première électrode (200) et ladite première face de la deuxième portion (520) étant positionnée de sorte à être en contact direct avec la deuxième électrode (400). 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'implantation comprend une implantation d'atomes métalliques. 3032065 14 3. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'implantation est réalisée par pulvérisation cathodique ou par un dépôt ionique. 5 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape d'implantation comprend la formation d'une première couche métallique (610) en contact direct avec la deuxième face de la première portion (510) de la couche barrière (500) et la formation d'une deuxième couche métallique (620) en contact direct avec la deuxième face de la deuxième portion 10 (520) de la couche barrière (500) ; de sorte à ce que la première couche métallique (610) et la deuxième couche métallique (620) soient en continuité électrique respectivement avec la première portion (510) et la deuxième portion (520) de la couche barrière (500). 15 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel préalablement à l'étape d'implantation, on réalise une étape de masquage de la couche barrière (500) de sorte à n'exposer que la deuxième face de la première portion (510) et la deuxième face de la deuxième portion (520) de la couche barrière (500). 20 6. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de formation de la couche barrière (500) est réalisée par dépôt de couches atomiques. 25 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de l'empilement de couches est réalisée de sorte à ce que la deuxième électrode (400) comprenne une partie débordante (450) ne recouvrant ni par la première électrode (200), ni la couche organique (300). 30 8. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'implantation est réalisée de sorte à ce que la première face de la deuxième 3032065 15 portion (520) de la couche barrière (500) soit positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante (450) de la deuxième électrode (400). 9. Diode électroluminescente organique comprenant : 5 un empilement de couches sur un substrat (100) ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode (200) déposée sur le substrat (100), une couche organique (300) déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode (200), une deuxième électrode (400) déposée au contact d'au moins une 10 partie de la couche organique (300) ; la première électrode (200) comprenant une partie débordante (250) non recouverte ni par la deuxième électrode (400), ni par la couche organique (300), une couche barrière (500) réalisée en un matériau électriquement isolant, ladite couche (500) étant conformée pour recouvrir l'empilement 15 de couches, caractérisée en ce que ladite couche barrière (500) comprend une première portion (510) et une deuxième portion (520) ; lesdites portions (510, 520) comprenant des atomes électriquement conducteurs dans l'intégralité de leur épaisseur, de sorte à permettre une continuité électrique entre une première 20 face et une deuxième face de chacune des première et deuxième portions (510, 520) de la couche barrière (500) ; lesdites première et deuxième faces étant opposées ; ladite première face de la première portion (510) étant positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante (250) de la première électrode (200) et ladite première face de la deuxième portion (520) étant 25 positionnée de sorte à être en contact direct avec la deuxième électrode (400). 10. Diode selon la revendication précédente dans laquelle l'une au moins parmi la première portion (510) et la deuxième portion (520) de la couche barrière (500) comprend des atomes métalliques. 30 11. Diode selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle la deuxième électrode (400) comprend une partie débordante 3032065 16 (450) ne recouvrant ni par la première électrode (200), ni la couche organique (300). 12. Diode selon la revendication précédente dans laquelle la première 5 face de la deuxième portion (520) de la couche barrière (500) est positionnée de sorte à être en contact direct avec la partie débordante (450) de la deuxième électrode (400). 13. Diode selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes 10 comprenant une première couche métallique (610) en contact direct avec la deuxième face de la première portion (510) de la couche barrière (500) et une deuxième couche métallique (620) en contact direct avec la deuxième face de la deuxième portion (520) de la couche barrière (500) de sorte à ce que la première couche métallique (610) et la deuxième couche métallique (620) 15 soient en continuité électrique respectivement avec la première portion (510) et la deuxième portion (520) de la couche barrière (500). 14. Diode selon la revendication précédente dans laquelle au moins l'une parmi la première couche métallique (610) et la deuxième couche 20 métallique (620) comprennent un matériau choisi parmi l'aluminium, le cuivre, le titane, le chrome, l'argent, le zinc, le nickel, l'or, le platine, le magnésium. 15. Diode selon l'une quelconque des six revendications précédentes dans laquelle la couche barrière (500) comprend une épaisseur inférieure à 100 25 nanomètres. 16. Diode selon l'une quelconque des sept revendications précédentes dans laquelle la couche barrière (500) comprend un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium, l'oxyde de silicium, l'oxyde de titane. 30