Brevet FR3028052A1 — publié le 20160506

Le domaine technique de l'invention est celui des cellules réfléchissantes à base de cristaux liquides bistables, par exemple les cristaux liquides cholestériques. Ces cellules comprennent généralement deux substrats 5 recouverts chacun d'une électrode et disposés en regard l'un de l'autre. Les substrats délimitent entre eux un volume qui les sépare et qui est rempli par le cristal liquide bistable. De telles cellules sont connues par exemple par le brevet W02012/051127. Les cristaux liquides cholestériques ont la 10 particularité de réfléchir la lumière incidente sur une partie du spectre visible qui est déterminée par le type de matériau dopant chiral associé au cristal liquide. L'autre partie du spectre est transmise. Lorsque ces cristaux sont soumis à un champ électrique d'un certain niveau (ou champ 15 seuil), ils changent d'état et deviennent alors totalement transparents. Du fait de leur transparence, les cellules à cristaux liquides cholestériques peuvent ainsi être empilées les unes sur les autres pour constituer des cellules polychromes 20 permettant de réfléchir une couleur qui est une combinaison d'au moins deux couleurs élémentaires. Les brevets US2006/0066803 et US7630029 décrivent ainsi des empilements de cellules élémentaires permettant de réaliser des afficheurs polychromes. 25 Un problème rencontré avec les cellules connues est celui de la modulation de leur réflectivité. Il est en effet nécessaire de doser la réflectivité d'une cellule pour doser le niveau d'une couleur élémentaire donnée. On parle aussi couramment de « niveau de gris » d'une 30 cellule et cela indépendamment de la couleur de la cellule considérée. Une solution classique consiste à moduler la valeur du champ électrique appliqué aux électrodes. En effet, lorsqu'un cristal liquide cholestérique se trouve dans son état planaire (celui où la réflexion est maximale), et que l'on augmente progressivement la valeur du champ électrique, l'état planaire du cristal cholestérique voit sa structure hélicoïdale détruite et il passe par une structure dite conique focale qui est transparente et stable. A partir de cet état conique focale et en augmentant encore l'intensité du champ électrique, lorsque le champ dépasse un champ seuil, le cristal liquide s'aligne avec le 10 champ et il passe dans un état homéotrope qui est transparent et instable. Dans ce dernier état, à la coupure du champ électrique le cristal cholestérique repasse à son état planaire (forte réflexion). 15 Lorsqu'on est dans l'état conique focale, dès la coupure de champ, cet état perdure. Pour ramener le cristal à son état planaire il faut donc passer par l'état homéotrope, c'est à dire augmenter le champ électrique au-delà du champ seuil. 20 Il a été observé que l'état conique focale présente un taux de réflectivité qui décroit lorsque la tension qui est appliquée aux électrodes augmente (donc que le champ électrique augmente). Il est donc possible de doser le niveau de réflectivité en ajustant la valeur du champ électrique, 25 tout en restant dans tous les cas avec un champ inférieur à la valeur de champ seuil qui fait basculer tout le matériau dans son état homéotrope. Ce procédé est décrit par le brevet F2582 656. Un inconvénient de ce procédé connu est que le niveau de 30 gris obtenu reste difficile à maîtriser. La quantité de matériau ayant changé d'état pour la tension appliqué dépend en effet non seulement de la valeur de la tension mais aussi d'autres paramètres structurels tels que l'état de surface ou les défauts structurels du cristal liquide. Les résultats en niveau de gris obtenus sont peu homogènes, aussi bien au niveau d'une cellule que pour plusieurs cellules associées et soumises au même champ. Il a également été proposé de réaliser un multiplexage 5 temporel, c'est à dire de jouer sur la fréquence du signal de commande de la cellule pour modifier, pour une cellule donnée, le rapport entre le temps passé dans l'état réfléchissant et le temps passé dans l'état transparent. La persistance rétinienne permet alors de percevoir le niveau de 10 gris souhaité, qui n'est plus un état stable mais un état dynamique lié à la fréquence du signal de commande. Outre la complexification de la commande électrique et le besoin d'alimenter en permanence en énergie les cellules, ce procédé présente aussi l'inconvénient de nécessiter un 15 matériau cristal liquide dont le temps de commutation entre les états est plus court que la période du signal de commande. Or les matériaux connus présentent un temps de commutation trop longs (de l'ordre de quelques dizaines de millisecondes - à comparer avec les trames vidéo qui ont une 20 durée de 40 à 60 millisecondes), ces temps de commutation sont par ailleurs variables avec la température. C'est le but de l'invention que de proposer une cellule à cristal liquide bistable pour laquelle il est facile de 25 maitriser le « niveau de gris » obtenu, c'est à dire la réflectivité. La cellule selon l'invention peut par ailleurs conserver un niveau de gris souhaité sans alimentation électrique permanente. Elle consomme donc moins d'énergie et son 30 alimentation électrique est simplifiée. L'invention a également pour objet un procédé de modulation de la réflectivité d'une telle cellule réfléchissante. La cellule et le procédé selon l'invention rendent ainsi possible la réalisation de pixels élémentaires polychromes pour un moyen d'affichage. Chaque couleur élémentaire du pixel pouvant être commandée de façon précise du point de vue de sa réflectivité. Ainsi l'invention a pour objet une cellule réfléchissante comprenant au moins deux substrats recouverts chacun d'une électrode et disposés en regard l'un de l'autre, les substrats délimitant entre eux un volume qui les sépare et qui est rempli par un matériau de type cristal liquide bistable avec champ seuil, par exemple un cristal liquide cholestérique, les deux électrodes étant destinées à être reliées à une source de tension, cellule caractérisée en ce qu'au moins une des électrodes est formée par l'association d'un motif ne couvrant pas totalement la surface du substrat considéré et d'une couche conductrice couvrant la surface du substrat considéré, la conductivité du matériau de la couche étant inférieure à celle du matériau du motif. Avantageusement, le motif aura une surface comprise entre 10% et 60% de la surface du substrat considéré. La couche conductrice pourra être formée d'un dépôt de PEDOT-PSS. Le motif conducteur pourra être formé par un dépôt d'ITO 25 ou de métal. Selon différents modes de réalisation, le motif pourra être formé par un ensemble de bandes conductrices parallèles, ou par au moins un quadrilatère, ou par une grille. Selon un autre mode de réalisation, chaque électrode 30 pourra être formée par l'association d'un motif ne couvrant pas totalement la surface du substrat considéré et d'une couche conductrice couvrant la surface du substrat considéré. L'invention a également pour objet un procédé de modulation de la réflectivité d'une cellule réfléchissante selon l'invention, procédé caractérisé en ce qu'on applique entre les électrodes de la cellule une tension électrique alternative créant un champ électrique également alternatif entre les électrodes, l'amplitude maximale de ce champ étant fixée et ayant un niveau légèrement supérieur au champ seuil du cristal liquide bistable, procédé dans lequel on module la réflectivité en choisissant la fréquence de façon à diminuer la valeur du champ en dessous du champ seuil au niveau des zones du cristal liquide non couvertes par le motif. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon on pourra appliquer entre les électrodes de la tension électrique alternative créant un champ également alternatif entre les électrodes, la fréquence de la tension étant fixée à une valeur permettant de diminuer la valeur du champ en dessous du champ seuil au niveau des zones du cristal liquide non couvertes par le motif lorsque l'amplitude maximale du champ a un niveau initial légèrement supérieur au champ seuil du cristal liquide bistable, procédé dans lequel on module la réflectivité en choisissant une amplitude du champ qui est supérieure au niveau initial de façon à augmenter également le champ au niveau des zones du cristal liquide non couvertes par le motif et rapprocher ainsi dans lesdites zones ce champ de la valeur du champ seuil. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation, description faite en référence aux dessins annexés et dans lesquels : La figure 1 est une vue schématique en coupe transversale d'une cellule selon un mode de réalisation de l'invention ; l'invention, cellule une électrique - La figure 2 est une vue de face d'un mode de réalisation d'une électrode de la cellule selon l'invention ; - Les figure 3a et 3b sont des vues de face d'autres modes de réalisation d'une électrode de la cellule selon l'invention ; - La figure 4 est un schéma montrant la variation spatiale du champ électrique dans une cellule selon l'invention ; - La figure 5 une vue schématique en coupe transversale d'une cellule selon un autre mode de réalisation de l'invention. En se reportant à la figure 1, une cellule réfléchissante 15 1 selon un mode de réalisation de l'invention, comprend deux substrats 2a et 2b qui portent chacun une électrode 3a et 3b et qui sont disposés en regard l'un de l'autre. Les substrats 2a et 2b pourront être constitués par des lames de verre. Les substrats 2a et 2b délimitent entre eux un volume 4 20 qui les sépare et qui est rempli par un matériau de type cristal liquide 8 bistable avec champ seuil, par exemple un cristal liquide cholestérique. Le cristal liquide 8 est donc interposé entre les deux substrats 2a et 2b. Les deux électrodes 3a et 3b sont reliées à une source de 25 tension 5, telle un générateur électrique, qui applique une tension U entre les électrodes 3a et 3b, ce qui engendre un champ électrique E entre les deux substrats 2a et 2b, donc entre les deux surfaces délimitant le cristal liquide 8. Le cristal liquide cholestérique 8 est de façon classique 30 un matériau comportant une structure macroscopique hélicoïdale de période P en l'absence de champ électrique appliqué (on parle d'état planaire du cristal). Ce matériau comporte une phase nématique associée à un dopant chiral qui permet d'ajuster le pas P de l'hélice. La longueur d'onde qui est réfléchie par le cristal liquide 8 dépend du pas P, donc du dopant chiral utilisé. Le cristal liquide cholestérique adopte dans son état de repos son état planaire dans lequel il est réfléchissant de 5 la lumière ayant la longueur d'onde associée à son pas P (X - n.P, expression dans laquelle X est la longueur d'onde réfléchie, n est l'indice moyen du matériau et P est le pas de l'hélice). Comme cela a été décrit précédemment, lorsque la valeur M du champ électrique E augmente, le cristal liquide passe de son état planaire à un état conique focale dans lequel les structures hélicoïdales sont partiellement basculées (ce qui conduit à une réflectivité plus réduite) puis à un état homéotrope dans lequel le cristal liquide s'aligne avec le 15 champ électrique E et le matériau est alors transparent. Les états planaires et conique focal sont des états stables dans lesquels le matériau reste en l'absence de champ. L'état homéotrope (transparent) est un état instable qui nécessite la présence du champ électrique. 20 Lorsque le champ électrique est coupé, le matériau passe de l'état homéotrope à l'état planaire (coefficient de réflexion maximal). On notera ETH la valeur du champ limite permettant le passage de l'état conique focale à l'état homéotrope. 25 De nombreux documents décrivent les structures et compositions des cristaux liquides cholestériques et il n'est donc pas nécessaire de donner ici plus de détails. On pourra par exemple se reporter au texte du brevet W02012051127 qui décrit plusieurs cristaux liquides 30 cholestériques et les dopants chirals associés pour différentes longueurs d'ondes visibles. Selon l'invention, la cellule 1 a une des électrodes, ici l'électrode 3b, qui est formée par l'association d'un motif 6 qui ne couvre pas totalement la surface du substrat 2b considéré et d'une couche conductrice 7 qui couvre la surface du substrat 2b considéré ainsi que le motif 6. Les électrodes 3a et 3b sont bien entendu réalisées en des matériaux transparents. L'électrode 3a et le motif 6 de l'électrode 3b sont constitués par des dépôts associant oxyde d'indium (In203) et oxyde d'étain (Sn02). Un tel matériau est couramment désigné sous l'acronyme anglo-saxon ITO (Indium Tin Oxyde). Le matériau de la couche conductrice 7 sera le PDOT-PSS. 10 Le PDOT-PSS désigne un mélange de deux polymères, le poly(3,4-éthylènedioxythiophène) (ou PEDOT) et le polystyrène sulfonate de sodium (ou PSS). Ainsi la conductivité du matériau de la couche conductrice 7 est inférieure à celle du matériau du motif 6. 15 La conductivité (notée le plus souvent a) est exprimée en S.cm-1 ou Siemens par centimètres et elle est l'inverse de la résistivité (notée le plus souvent p) et exprimée en S2.cm ou Ohm x centimètres) ; a = l/p. Pour des matériaux en couche mince on exprime 20 généralement les caractéristiques de résistance électrique du matériau sous la forme de « résistance carrée » (notée Rs ou Rul). La résistance carrée Rs est égale au rapport de la résistivité sur l'épaisseur e de la couche du matériau considéré Rs = p/e. La résistance carrée donne la valeur de 25 la résistance d'un dépôt de surface carrée et d'épaisseur e et elle s'exprime en ohms mais elle se note S2Ai (ohm par carré) pour éviter toute confusion avec la résistance réelle. La résistance électrique du dépôt considéré entre deux bords latéraux du dépôt est en effet égale à Rs pour une surface 30 carrée mais sera différente pour un échantillon qui n'est pas carré. Une conductivité faible correspond donc à une résistivité forte et à une résistance carrée également forte. Dire que la conductivité du matériau de la couche conductrice 7 est inférieure à celle du matériau du motif 6 revient donc aussi à dire que la résistance carrée du matériau de la couche conductrice 7 est supérieure à la résistance carrée du matériau du motif 6. La résistance carrée Rs de l'ITO est ainsi de l'ordre de 10 à 100 WU alors que la résistance carrée Rs du PEDOT- PSS est de l'ordre de 10 (méga Ohms/carré). Cette différence de conductivité permet d'assurer un 10 gradient de champ électrique dans le volume 4 lors de la mise en place d'une tension alternative entre les électrodes. Le gradient dépend par ailleurs de la fréquence du signal électrique : plus la fréquence est élevée, moins le signal électrique pourra se propager dans la cellule. 15 A titre de variante on pourrait réaliser le motif 6 en un oxyde métallique tel que l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO) ou en un matériau métallique, par exemple un fin réseau de fils d'argent. Dans le cas d'un dépôt métallique le nombre et l'épaisseur des fils seront choisis de façon à ne pas 20 gêner la transparence de la cellule 1. La figure 2 montre en vue de face un mode de réalisation de l'électrode 3b. On voit que le motif 6 est formé ici par un ensemble de bandes conductrices parallèles qui sont toutes reliées par une barrette 6a réalisée dans le même matériau 25 conducteur que le reste du motif 6. Un tel motif 6 est aisé à réaliser par gravure du substrat 2b puis dépôt du matériau conducteur (ITO) sous vide. On dépose ensuite la couche conductrice 7 qui couvre à la 30 fois le motif 6 et la surface du substrat 2b qui ne porte pas le motif 6. Le dépôt de la couche 7 de PEDOT-PSS est réalisé par enduction centrifuge (plus connue sous le terme anglo saxon de « spin coating »). La figure 4 montre en coupe transversale une partie de la cellule 1. Le générateur électrique 5 relie l'électrode 3a et l'électrode 3b, c'est à dire à la fois le motif 6 (dont seules deux bandes sont représentées ici), et la couche conductrice 7. Le générateur 5 applique entre les électrodes 3a et 3b une tension électrique alternative qui crée un champ électrique E également alternatif entre ces électrodes 3a et 3b. L'amplitude maximale de ce champ E est choisie avec un niveau légèrement supérieur au champ seuil ETH du cristal liquide bistable 8. La courbe 9 qui est positionnée en dessous du schéma de la cellule 1 permet de représenter (traits en pointillés) la répartition spatiale du champ électrique à l'intérieur du 15 cristal liquide 8. On remarque que, en regard des motifs 6, le champ électrique Em est maximal en raison de la conductivité des matériaux formant le motif 6 et l'électrode 3a. Il y a passage du cristal à l'état homéotrope (transparent) dans ces 20 zones en regard du motif 6. On remarque aussi que le champ électrique E, est d'un niveau variable et inférieur ou égal au champ maximal Em dans la zone du cristal 8 qui est située entre les bandes du motif 6. En effet dans ces zones les électrodes en regard sont 25 d'une part l'électrode 3a très conductrice et d'autre part la couche conductrice 7 qui a une conductivité inférieure. La valeur du champ électrique E' dans cette zone est variable avec la fréquence de la tension qui est appliquée aux électrodes 3a,3b. 30 Pour une fréquence nulle (tension continue) le champ E' est égal au champ maximal Em. Pour une fréquence plus élevée, le champ E' décroit et ce champ est d'autant plus faible que la fréquence est élevée. La flèche sur la figure 4 schématise le déplacement progressif des couches de champ (figurées en pointillé) avec l'augmentation de la fréquence f. On voit que, pour certaines fréquences, le champ E, devient inférieur au champ seuil ETH, ce qui signifie que le cristal liquide cholestérique 8 passe à son état conique focale qui est stable. Donc à la coupure du courant la cellule comportera une part du cristal liquide 8 qui sera à l'état planaire (le cristal qui était en regard du motif 6) et une part du cristal liquide qui sera à l'état conique focale (transparent), part qui est localisée longitudinalement entre les bandes du motif 6. La réflectivité de la cellule sera donc inférieure à 100% pour la fréquence lumineuse qui lui est associée. Le taux de réflectivité (niveau de gris) de la cellule 15 peut donc être ajusté en modifiant la fréquence de la tension fournie par le générateur 5. On voit que grâce à l'invention on n'est pas tributaire de la maîtrise du comportement de l'ensemble de la couche du cristal liquide 8 dans un domaine pour lequel le champ est 20 inférieur au champ seuil. On maîtrise au contraire pleinement une part du volume de cristal liquide qui sera systématiquement réfléchissante puisque soumise à un champ supérieur au champ seuil (la part qui se trouve en dessous du motif 6). 25 La part de cristal liquide dont la réflectivité est ajustée est celle située entre les zones du motif 6. Un étalonnage préalable de la cellule permet de maîtriser son comportement en fonction de la variation de la fréquence. Par ailleurs par comparaison avec les procédés connus de 30 multiplexage temporel, on n'est plus ici tributaire de la dynamique de commutation du cristal liquide 8 pour doser le niveau de gris de la cellule. Le comportement dynamique du cristal n'est plus un verrou technique pour assurer une modulation du niveau de gris de la cellule. Par ailleurs le niveau de gris est maintenu après coupure de l'alimentation électrique. On voit que la cellule aura en fonction de la fréquence choisie une réflectivité maximale (fréquence nulle) ou une réflectivité minimale qui dépendra du rapport entre la surface couverte par le motif et la surface non couverte par le motif (fréquence maximale). Le niveau de la réflectivité minimale dépendra donc du rapport de la surface du motif 6 sur la surface du substrat 10 3b sur lequel il est appliqué. Il reste cependant toujours possible d'obtenir une réflectivité nulle en appliquant aux électrodes une tension telle que le champ électrique soit inférieur au champ seuil ETH - Dans ce cas le cristal liquide adopte un état conique 15 focale même en regard du motif 6. Les latitudes de réglages sont donc particulièrement larges. On définira le motif en fonction des caractéristiques de contraste souhaitées de façon courante pour la cellule, mais 20 aussi en fonction de la taille du motif que l'on veut afficher et de la distance d'observation. La fréquence maximale d'utilisation influera également sur les caractéristiques dimensionnelles des motifs. Si on veut maximiser la modulation de réflectivité, il 25 faudra réduire le plus possible la largeur des pistes conductrices. Un rapport de surface de l'ordre de 50% entre la surface couverte par le motif et la surface du substrat donne une capacité de réflectivité comprise entre 50% et 100% (avec 30 cependant toujours la possibilité d'une réflectivité nulle). On pourra ainsi choisir une surface couverte par le motif comprise entre 10% et 60% de la surface du substrat considéré. A titre de variante, il est possible de moduler la réflectivité de la cellule réfléchissante en appliquant entre les électrodes de la cellule une tension électrique alternative de fréquence fixe. Dans ce cas on fait varier non plus la fréquence mais l'amplitude de la tension (donc l'amplitude du champ électrique E). Bien sûr ce champ électrique doit être toujours avec un niveau légèrement supérieur au champ seuil du cristal liquide bistable. La répartition du champ électrique est là encore modifiée par la présence des zones de forte résistivité entre les branches du motif 6. On choisira une fréquence de fonctionnement suffisamment élevée pour que le champ entre les branches du motif 6 soit 15 minimal pour une amplitude de champ initiale donnée qui est supérieure au champ seuil ETH. L'augmentation de l'amplitude du champ provoquera alors l'augmentation du champ entre les branches du motif 6. La flèche Et sur la figure 4 schématise le déplacement 20 progressif des couches de champ (figurées en pointillé) avec l'augmentation de l'amplitude du champ E. Il est bien sûr possible de donner au motif 6 des formes différentes. 25 La figure 3a montre ainsi un motif 6 qui est formé par trois quadrilatères ayant mêmes axes de symétrie : un carré périphérique 6b formé de quatre barrettes conductrices gravées sur le substrat, un carré médian 6c formé lui aussi de quatre barrettes conductrices et un carré central 6d sous 30 la forme d'un simple plot gravé. La couche conductrice 7 couvre tout le substrat ainsi que les différents quadrilatères 6b,6c et 6d. La figure 3b montre un motif qui a la forme d'une grille 6 comportant des barrettes orthogonales les unes aux autres. La grille 6 pourrait être plus simplement alors formée par un réseau de fils métalliques déposés par gravure sur le substrat. La figure 5 montre un autre mode de réalisation de l'invention qui diffère de celui de la figure 1 en ce que chaque substrat 2a, 2b porte une électrode 3a ou 3b qui est formée par l'association d'un motif 6 ne couvrant pas totalement la surface du substrat considéré et d'une couche conductrice 7 couvrant la surface du substrat considéré. La conductivité du matériau de chaque couche 7 étant inférieure à celle du matériau du motif 6 associé. L'avantage de cette configuration est que l'effet obtenu est plus marqué : il y a une plus forte variation du champ électrique avec la fréquence. Ce mode de réalisation imposera cependant un assemblage plus précis des deux plaques afin de positionner correctement 20 les électrodes en regard l'une de l'autre. REVENDICATIONS1- Cellule réfléchissante (1) comprenant au moins deux substrats (2a,2b) recouverts chacun d'une électrode (3a,3b) et disposés en regard l'un de l'autre, les substrats délimitant entre eux un volume (4) qui les sépare et qui est rempli par un matériau (8) de type cristal liquide bistable avec champ seuil, par exemple un cristal liquide cholestérique, les deux électrodes étant destinées à être reliées à une source de tension (5), cellule caractérisée en ce qu'au moins une des électrodes (3b) est formée par l'association d'un motif (6) ne couvrant pas totalement la surface du substrat (2b) considéré et d'une couche conductrice (7) couvrant la surface du substrat considéré, la conductivité du matériau de la couche (7) étant inférieure à celle du matériau du motif (6). 2- Cellule réfléchissante selon la revendication 1, caractérisée en ce que le motif (6) a une surface comprise entre 10% et 60% de la surface du substrat (2b) considéré. 3- Cellule réfléchissante selon une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que la couche conductrice (7) est formée d'un dépôt de PEDOT-PSS. 4- Cellule réfléchissante selon la revendication 3, caractérisée en ce que le motif conducteur (6) est formé par 25 un dépôt d'ITO ou de métal. 5- Cellule réfléchissante selon une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le motif (6) est formé par un. ensemble de bandes conductrices parallèles. 6- Cellule réfléchissante selon une des revendications 30 1 à 4, caractérisée en ce que le motif (6) est formé par au moins un quadrilatère. 7- Cellule réfléchissante selon une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le motif (6) est formé par une grille. 8- Cellule réfléchissante selon une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que chaque électrode (3a,3b) est formée par l'association d'un motif (6) ne couvrant pas totalement la surface du substrat considéré et d'une couche conductrice (7) couvrant la surface du substrat considéré. 9- Procédé de modulation de la réflectivité d'une cellule réfléchissante (1) selon une des revendications précédentes, procédé caractérisé en ce qu'on applique entre les électrodes (3a,3b) de la cellule (1) une tension électrique alternative créant un champ électrique (E) également alternatif entre les électrodes (3a,3b), l'amplitude maximale de ce champ étant fixée et ayant un niveau légèrement supérieur au champ seuil (ETH) du cristal liquide bistable (8), procédé dans lequel on module la réflectivité en choisissant la fréquence de façon à diminuer la valeur (Ev) du champ en dessous du champ seuil (ETH) au niveau des zones du cristal liquide non couvertes par le motif (6). 10- Procédé de modulation de la réflectivité d'une cellule réfléchissante (1) selon une des revendications 1 à 8, procédé caractérisé en ce qu'on applique entre les électrodes (3a,3b) de la cellule (1) une tension électrique alternative créant un champ électrique (E) également alternatif entre les électrodes (3a,3b), la fréquence de la tension étant fixée à une valeur permettant de diminuer la valeur du champ en dessous du champ seuil (ETH) au niveau des zones du cristal liquide non couvertes par le motif (6) lorsque l'amplitude maximale du champ a un niveau initial légèrement supérieur au champ seuil (ETH) du cristal liquide bistable (8), procédé dans lequel on module la réflectivité en choisissant une amplitude du champ qui est supérieure au niveau initial de façon à augmenter également le champ auniveau des zones du cristal liquide non couvertes par le motif (6) et rapprocher ainsi dans lesdites zones ce champ de la valeur du champ seuil (ETH) .