Brevet FR3023978A1 — publié le 20160122

B13251 - DD15161JBD 1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE Domaine La présente invention concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques à base de matériaux semiconducteurs et leurs procédés de fabrication. La présente invention concerne plus particulièrement les dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes. Exposé de l'art antérieur Il est connu de réaliser une diode électroluminescente dont la zone active comprend un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. Un puits quantique est réalisé en interposant, entre une première couche d'un premier matériau semiconducteur dopé de type P et une deuxième couche du premier matériau semiconducteur dopé de type N, une couche d'un deuxième matériau semiconducteur dont la bande interdite est différente de celle des première et deuxième couches. La longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente dépend notamment de la bande interdite du deuxième matériau. Le rendement lumineux de la zone active est le rapport entre le flux lumineux émis par la zone active et la puissance électrique fournie à la diode électroluminescente. Les premier et deuxième matériaux peuvent comprendre majoritairement des composés III-V, par exemple le GaN et le B13251 - DD15161JBD 2 InGaN. Toutefois, il peut être observé avec ce type de structure, notamment lorsque le premier et le deuxième matériau sont des matériaux non centrosymétriques avec une croissance selon un axe polaire, par exemple l'axe c dans le cas d'une structure hexagonale, des variations de la longueur d'onde d'émission et du rendement lumineux, notamment lorsque la croissance des couches semiconductrices formant la diode électroluminescente est réalisée par épitaxie selon la direction c. Toutefois, l'utilisation de matériaux à base de composés 10 III-V est souhaitable dans la mesure où il existe des procédés de croissance par épitaxie de tels matériaux sur des substrats sur de grandes surfaces et à coûts réduits. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier 15 au moins en partie les inconvénients des dispositifs optoélectroniques à diode électroluminescente à puits quantique unique ou à puits quantiques multiples décrits précédemment et de leurs procédés de fabrication. Un autre objet d'un mode de réalisation est que la diode 20 électroluminescente comprend un empilement de couches de matériaux semiconducteurs à base de composés III-V. Un autre objet d'un mode de réalisation est d'augmenter le rendement lumineux de la zone active de la diode électroluminescente. 25 Un autre objet d'un mode de réalisation est de commander la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant : un support comprenant une face ; et 30 une diode électroluminescente sur ladite face et comprenant un empilement de couches semiconductrices en des matériaux semiconducteurs à structure cristalline non centrosymétrique, la diode électroluminescente ayant une zone active comprenant un puits quantique unique ou des puits 35 quantiques multiples, la zone active étant mise sous contrainte, B13251 - DD15161JBD 3 la déformation relative maximale dans la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %. Selon un mode de réalisation, la face comprend au moins une portion concave ou convexe et la diode électroluminescente 5 épouse la forme de la portion concave ou convexe. Selon un mode de réalisation, chaque couche semiconductrice est majoritairement en un composé III-V, un composé II-VI, ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, chaque couche 10 semiconductrice est majoritairement en un composé InxAlyGai_x_yN où 0Kx1, (iKyl et 1-x-y>0. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une couche de support d'un matériau métallique, isolant ou semiconducteur reposant sur la face, les 15 couches semiconductrices étant formées par épitaxie depuis la couche de support. Selon un mode de réalisation, les couches semiconductrices sont composées majoritairement en composés III-V et les couches semiconductrices sont formées par épitaxie avec 20 la polarité de l'élément V, la zone active étant en tension ou les couches semiconductrices sont formées par épitaxie avec la polarité de l'élément III, la zone active étant en compression. Selon un mode de réalisation, ledit empilement comprend des première et deuxième couches semiconductrices prenant en 25 sandwich la zone active, la première couche semiconductrice étant d'un premier matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité et la deuxième couche semiconductrice étant du premier matériau semiconducteur dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type. 30 Un mode de réalisation vise également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant la formation sur un substrat d'une diode électroluminescente comprenant un empilement de couches semiconductrices en des matériaux semiconducteurs à structure cristalline non 35 centrosymétrique, la diode électroluminescente ayant une zone B13251 - DD15161JBD 4 active comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples, la zone active étant mise sous contrainte, la déformation relative maximale dans la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend les étapes suivantes : amincir le substrat au moins au niveau de l'empilement ; et déformer le substrat et l'empilement pour mettre sous 10 contrainte la zone active, la déformation relative maximale de la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %. Selon un mode de réalisation, à l'étape de déformation, le substrat est pris en sandwich entre des première et deuxième pièces, au moins l'une des première ou deuxième pièces comprenant 15 une protrusion ou une empreinte. Selon un mode de réalisation, ladite protrusion comprend un matériau déformable. Selon un mode de réalisation, l'étape d'amincissement comprend la gravure d'une ouverture dans le substrat du côté 20 opposé à l'empilement. Selon un mode de réalisation, l'étape d'amincissement comprend la fixation d'une poignée du côté de l'empilement et l'amincissement de la totalité du substrat. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend les 25 étapes suivantes : former une couche de support sur le substrat ; mettre sous contrainte ladite couche de support ; et fixer l'empilement à ladite couche de support. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend le 30 bombardement ionique de la couche de support. Selon un mode de réalisation, la couche de support a un coefficient de dilatation thermique différent du coefficient de dilatation thermique des couches semiconductrices de l'empilement. B13251 - DD15161JBD Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation 5 avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 à 3 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'une diode électroluminescente ; la figure 4 est une vue en coupe, partielle et 10 schématique, d'un mode de réalisation d'une zone active de diode électroluminescente à puits quantiques multiples ; les figures 5 à 7 représentent les diagrammes de bandes d'énergie dans la diode électroluminescente représentée en figure 2 ou 3 pour différents niveaux de contraintes mécaniques 15 appliquées à la zone active de la diode électroluminescente ; les figures 8 à 10 représentent des courbes d'évolution des fonctions d'onde des porteurs de charges dans la diode électroluminescente représentée en figure 2 ou 3 pour différents niveaux de contraintes mécaniques appliquées à la zone active de 20 la diode électroluminescente ; les figures 11 à 13 représentent des courbes d'évolution des taux de recombinaison radiative du puits quantique de la diode électroluminescente représentée en figure 2 ou 3 pour différents niveaux de contraintes mécaniques appliquées à la zone active de 25 la diode électroluminescente ; la figure 14 représente des courbes d'évolution du rayon de courbure d'une couche en fonction de la déformation relative maximale de la couche pour plusieurs épaisseurs de couche ; la figure 15 représente des courbes d'évolution de la 30 flèche d'une couche en fonction du rayon de courbure de la couche pour plusieurs longueurs de couche ; les figures 16 et 17 sont respectivement une vue en perspective et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant 35 une diode électroluminescente ; B13251 - DD15161JBD 6 les figures 18 et 19 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'autres modes de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; les figures 20A à 20F sont des vues en coupe, partielles 5 et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en figure 17 ; et les figures 21A à 21E sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives 10 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en figure 19. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme 15 cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de polarisation d'une diode 20 électroluminescente d'un dispositif optoélectronique sont bien connus et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". On appelle zone active de la diode électroluminescente la région depuis laquelle 25 est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. Dans la suite de la description, on appelle matériau non centrosymétrique un matériau monocristallin qui n'a pas d'atome au centre de la maille du cristal. La structure cristallographique n'est pas symétrique, ce qui induit une 30 dissymétrie des charges électriques. Les figures 1 à 3 représentent un mode de réalisation d'une structure de diode électroluminescente 10 comportant un empilement 12 de couches semiconductrices ayant une épaisseur e. L'empilement 12 comprend successivement du bas vers le haut : 35 une couche de support 14 ; B13251 - DD15161JBD 7 une couche semiconductrice 16 dopée d'un premier type de conductivité, par exemple dopée de type N ; une zone active 18 ; et une couche semiconductrice 20 dopée d'un deuxième type 5 de conductivité opposé au premier type de conductivité, par exemple dopée de type P. L'empilement de la couche semiconductrice 16, la zone active 18 et la couche semiconductrice 20 est appelé empilement actif 21 dans la suite de la description. 10 Selon un mode de réalisation, les matériaux composant la zone active 18 et les couches semiconductrices 16 et 20 sont des matériaux semiconducteurs piézoélectriques à structure non centrosymétrique. A titre d'exemple, la zone active 18 et les couches semiconductrices 16 et 20 peuvent comprendre chacune 15 majoritairement un composé non centrosymétrique comprenant un élément du groupe III et un élément du groupe V, appelé par la suite composé III-V, un composé comprenant un élément du groupe II et un élément du groupe VI, appelé par la suite composé II-VI, ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. 20 Selon un mode de réalisation, la zone active 18 et les couches semiconductrices 16 et 20 comprennent chacune majoritairement un composé III-V non centrosymétrique, notamment un composé III-N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). 25 Selon un mode de réalisation, la zone active 18 et les couches semiconductrices 16 et 20 comprennent chacune majoritairement du InxAlyGai_x_yN (0Kx1, 0Kyl et 1-x-y>0). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, 30 le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Selon un mode de réalisation, la zone active 18 et les couches semiconductrices 16 et 20 comprennent chacune 35 majoritairement un composé II-VI non centrosymétrique. Des B13251 - DD15161JBD 8 exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe HA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn) et le cadmium (Cd). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMg0, CdZnO ou CdZnMgO. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les couches semiconductrices 16 et 20 et la zone active 18 peuvent comprendre chacune un dopant. A titre d'exemple, pour les composés III-V, le dopant peut être choisi parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg), du zinc (Zn), du cadmium (Cd) ou du mercure (Hg), un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV, par exemple du silicium (Si), du germanium (Ge), du sélénium (Se), du souffre (S), du terbium (Tb) ou de l'étain (Sn). La zone active 18 peut comprendre un puits quantique unique. Elle comprend un matériau semiconducteur différent du matériau semiconducteur formant les couches 16 et 20 et ayant une bande interdite inférieure à celle des couches 16 et 20. La zone active 18 peut comprendre des puits quantiques multiples. Elle comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques et de couches barrières. L'épaisseur de la couche semiconductrice 16 peut être comprise entre 0,1 fun et 20 pin. L'épaisseur de la couche semiconductrice 20 peut être comprise entre 50 nm et 20 pin. L'épaisseur de la zone active 18 peut être comprise entre 10 nm et 500 nm. La couche de support 14 peut être en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO. De préférence, la couche 14 est en silicium monocristallin. De préférence, la couche 14 est en un matériau semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en B13251 - DD15161JBD 9 oeuvre en microélectronique. La couche de support 14 peut être en un matériau conducteur, par exemple un métal, notamment du tungstène ou du molybdène. La couche de support 14 peut être en un matériau isolant, par exemple du saphir (A1203), du carbure de silicium (SiC), du diamant, du verre, de la silice (SiO2) du silicium (Si) ou encore une structure Silicium sur Isolant (SOI). L'épaisseur de la couche de support 14 peut être comprise entre 1 pin et 5 mm. L'épaisseur de l'empilement 12 peut être comprise entre 10 1 gm et 5 mm. Selon un mode de réalisation, les couches 16 et 20 et la couche semiconductrice ou les couches semiconductrices de la zone active 18 sont formées par épitaxie sur la couche de support 14. Selon une variante, une couche semiconductrice non dopée peut 15 être présente entre la couche de support 14 et la couche semiconductrice 16 et forme une zone tampon qui permet de faire croître par épitaxie la couche semiconductrice 16. Le fait de dire qu'un matériau à base d'au moins un premier élément et d'un deuxième élément a une polarité du premier 20 élément ou une polarité du deuxième élément signifie que, lorsque le matériau est formé par épitaxie sur un support, il croît selon une direction privilégiée et que lorsque le matériau est coupé dans un plan perpendiculaire à la direction de croissance privilégiée, la face exposée de la partie restante du matériau 25 sur le support comprend essentiellement des atomes du premier élément dans le cas de la polarité du premier élément ou des atomes du deuxième élément dans le cas de la polarité du deuxième élément. Selon un mode de réalisation, la zone active 18 et les 30 couches semiconductrices 16 et 20 comprennent majoritairement des matériaux semiconducteurs piézoélectriques ayant une polarisation spontanée. Selon un mode de réalisation, la direction de croissance des couches semiconductrices de l'empilement actif 21 n'est pas perpendiculaire à la direction du champ électrique dû à 35 la polarisation spontanée. B13251 - DD15161JBD 10 Dans le cas de couches semiconductrices 16, 18, 20 composées majoritairement d'un composé III-V, la structure cristalline des couches peut être hexagonale, par exemple du type wurtzite. A titre d'exemple, dans le cas où les couches semiconductrices 16, 18, 20 comprennent majoritairement un composé III-V, la direction de croissance des couches est la direction c. Plus précisément, dans le cas où les couches semiconductrices comprennent majoritairement un composé III-V et sont de polarité de l'élément V, la direction de croissance des couches semiconductrices de l'empilement correspond à la direction cristallographique [000-1], également appelée direction -c. Dans le cas où les couches semiconductrices comprennent majoritairement un composé III-V et sont de polarité de l'élément III, la direction de croissance des couches semiconductrices de l'empilement correspond à la direction cristallographique [0001], également appelée direction +c. La figure 4 représente une vue agrandie d'une partie de la structure de diode électroluminescente 10 selon un mode de réalisation dans lequel la zone active 18 comprend une structure à puits quantiques multiples comprenant, à titre d'exemple, une alternance de couches de GaN 30 et de couches de InGaN 32, deux couches de InGaN 32 et trois couches de GaN 30 étant représentées en figure 4. A titre d'exemple, chaque couche de GaN a une épaisseur variant de 2 à 40 nm (par exemple 8 nm) et chaque couche de InGaN a une épaisseur variant de 0,5 à 20 nm (par exemple 2,5 nm). Selon un mode de réalisation, la zone active 18 de la diode électroluminescente est mise en tension ou en compression. Ceci peut être réalisé, comme cela est illustré en figure 1, en prévoyant dans l'empilement 12 une couche mise sous contrainte qui, par sa contrainte mécanique intrinsèque, va appliquer une contrainte à l'empilement 12 formant la diode électroluminescente. A titre d'exemple, une couche réalisée sous bombardement ionique va induire une contrainte mécanique de compression dans B13251 - DD15161JBD 11 l'empilement. Selon un mode de réalisation, la couche de support 14 peut avoir une structure multicouche et la couche supplémentaire contrainte peut faire partie de la couche de support 14. A titre d'exemple, par la technique de pulvérisation par faisceau d'ions ou IBS (acronyme anglais pour Ion Beam Sputtering), la contrainte dans une couche de silice, déposée de cette façon avec une épaisseur inférieure à 1 pin, peut atteindre 1 GPa et imposer cette contrainte à l'empilement 12 formant la diode électroluminescente. La contrainte dans une couche de nitrure de silicium (Si3N4), déposée de la même façon avec la même épaisseur, peut atteindre 1,8 GPa. Si, par ailleurs, on bombarde, pendant la croissance, la couche par des ions, notamment par pulvérisation réactive à double faisceau d'ions ou DIBS (acronyme anglais pour Dual Ion Beam Sputtering), on augmente encore la contrainte de compression dans cette couche. Ainsi une couche de 0,25 pin d'épaisseur de carbone type diamant bombardée par des ions d'argon avec une énergie de 100 eV présente un état de contrainte de compression de 2,5 GPa. De la même manière, une couche d'oxyde de zinc réalisée par évaporation peut présenter une contrainte en tension. Une autre façon d'appliquer cette contrainte mécanique au dispositif et à la zone active 18 en particulier est de fixer à l'empilement 12, par exemple par collage, une couche dont le coefficient de dilatation est différent du dilatation du dispositif. Le collage peut être matériau de collage, par exemple une colle époxy, de collage, par exemple par collage moléculaire. Si le collage est fait de telle manière coefficient de réalisé avec un ou sans matériau qu'à température ambiante, il n'existe pas de contrainte dans l'empilement 12, il est possible d'obtenir la contrainte voulue pendant le fonctionnement : lorsque le dispositif va chauffer, les différences de coefficient de dilatation vont mettre en contrainte le dispositif. Cette déformation peut, en outre, être contrôlée pendant le fonctionnement de la diode électroluminescente, par B13251 - DD15161JBD 12 exemple par un module thermique relié à un capteur de température et adapté à modifier l'intensité du courant électrique alimentant au moins certains composants du dispositif optoélectronique en fonction de la température mesurée. Selon un mode de réalisation, la couche de support 14 peut avoir une structure multicouche et la couche supplémentaire à coefficient de dilatation différent peut faire partie de la couche de support 14. A titre d'exemple, une couche de silice présente un coefficient d'expansion thermique de 0,5 10-6 K-1 et le nitrure de gallium a un coefficient d'expansion thermique de l'ordre de 5.10-6 K-1. Pour un module d'Young de GaN de 500 GPa, et pour une différence de température de 100°C, ce qui correspond à un échauffement typique d'une diode électroluminescente en fonctionnement, la contrainte induite est une contrainte de compression et vaut 225 MPa. Pour une couche de Hf02, qui présente un coefficient d'expansion thermique de 10.10-6 K-1, on induit dans l'empilement actif 21 une contrainte en tension dans le GaN d'une valeur de 250 MPa. Une autre façon de mettre en contrainte la zone active 18 consiste à former l'empilement 12 de couches semiconductrices sur une surface plane de façon que les interfaces entre les couches 14, 16, 18, 20 correspondent sensiblement à des plans parallèles, et à déformer l'empilement 12 obtenu, notamment en lui appliquant une courbure, pour mettre la zone active 18 en tension ou en compression. Selon un mode de réalisation, après déformation, l'empilement 12 peut avoir une symétrie de révolution. L'empilement peut alors avoir la forme d'une calotte sphérique. Selon un mode de réalisation, après déformation, l'empilement 12 peut avoir une symétrie planaire. L'empilement peut alors avoir la forme d'un secteur cylindrique. Dans le plan de coupe de la figure 2 ou 3, la ligne neutre N est la ligne de l'empilement 12 où la déformation est nulle. Dans la suite de la description, on appelle flèche F la distance maximale entre la ligne neutre N et un plan de référence Pref. En figure 2 ou 3, le bord de l'empilement 12 repose sur le B13251 - DD15161JBD 13 plan de référence Pref. A titre de variante, le plan de référence Pref peut être un plan tangent à la ligne neutre N. On appelle rayon de courbure moyen Rm de l'empilement 12 le rayon de courbure égal à la moyenne du rayon de courbure de la ligne neutre N. Dans le cas où l'empilement 12 déformé correspond à une calotte sphérique, le rayon de courbure de la ligne neutre N est constant et égal au rayon de courbure moyen Rm. On appelle 0 le centre de courbure moyen de l'empilement 12. Dans le cas où le bord de l'empilement 12 repose sur le plan de référence Pref, on appelle corde C de l'empilement 12 la distance entre les points de contact de l'empilement 12 et du plan de référence Pref dans le plan de coupe. La déformation appliquée à l'empilement 12 en figure 2 ou 3 entraîne le développement de contraintes mécaniques dans les couches de l'empilement 12. Dans le mode de réalisation représenté en figure 2, les couches situées au-dessous de la ligne neutre N sont étirées et dans un état de contrainte en tension et les couches situées au-dessus de la ligne neutre N sont comprimées et dans un état de contrainte en compression. Dans le mode de réalisation représenté en figure 3, les couches situées au-dessous de la ligne neutre N sont en compression et les couches situées au-dessus de la ligne neutre N sont étirées. Les inventeurs ont mis en évidence que la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active 18 pouvait être 25 commandée en fonction des contraintes mécaniques appliquées à la zone active 18. Les figures 5, 6 et 7 représentent les diagrammes de bandes d'énergie, déterminés par simulation, des couches semiconductrices 16, 18, 20 de la diode électroluminescente 10 30 respectivement en l'absence de déformation, lorsque la zone active 18 est en tension et lorsque la zone active 18 est en compression. Pour ces simulations, la couche 16 était en GaN dopé de type N avec une concentration de dopants égale à 1019 atomes/cm3. La zone active 18 était un puits quantique unique comprenant une 35 couche en InGaN avec un pourcentage atomique d'indium de 16 % et B13251 - DD15161JBD 14 avait une épaisseur de 1,5 nm. La couche 20 était en GaN dopé de type P avec une concentration de dopants égale à 1019 atomes/cm3. Les couches 16, 18 et 20 ont été formées par épitaxie sur la couche de support 14 selon la direction -c avec une polarité N. Les diagrammes de bandes ont été obtenus avec un flux de courant traversant la diode électroluminescente de 100 A/cm2. Sur les figures 5 à 7, on a délimité par deux traits verticaux la couche de GaN 16 dopée de type N, la couche de InGaN 18 et la couche de GaN 20 dopée de type P. Les distances indiquées sur l'axe des abscisses sont mesurées depuis un plan de référence. Sur les figures 5 à 7, les courbes BV16, BV18 et BV20 représentent la limite supérieure de la bande de valence respectivement dans les couches 16, 18 et 20 et les courbes BC16, BC18 et BC20 représentent la limite inférieure de la bande de conduction respectivement dans les couches 16, 18 et 20. La courbe EH représente l'énergie d'état lié d'un trou dans la zone active 18 et la courbe EE représente l'énergie d'état lié d'un électron dans la zone active 18. La longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active 18 est proportionnelle à la différence AE entre les niveaux d'énergie EH et EE. La mise sous contrainte de l'empilement 12 conduit à la formation d'un champ électrique au travers de la zone active 18 qui modifie la répartition des bandes d'énergie et donc la longueur d'onde du rayonnement émis. La figure 5 a été obtenue lorsque l'empilement 12 n'était pas déformé. La différence AE obtenue était de 2,93 eV, ce qui correspond à un rayonnement dont la longueur d'onde était de 423 nm. La figure 6 a été obtenue lorsque la zone active 18 était sous tension avec une déformation relative maximale de 2 %. La différence AE obtenue était de 2,96 eV, ce qui correspond à un rayonnement dont la longueur d'onde était de 418 nm. Une diminution de la longueur a donc été obtenue par rapport à un empilement 12 non déformé. La figure 7 a été obtenue lorsque la zone active 18 était sous compression avec une déformation relative maximale de 2 %. La différence AE obtenue était de 2,8 eV, B13251 - DD15161JBD 15 ce qui correspond à un rayonnement dont la longueur d'onde était de 443 nm. Une augmentation de la longueur a donc été obtenue par rapport à un empilement 12 non déformé. De façon générale, dans le cas d'un empilement 12 de couches semiconductrices comprenant chacune majoritairement un composé III-V, formées sur la couche de support 14 avec la polarité de l'élément V, la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active 18 est diminuée lorsque la zone active 18 est en tension et est augmentée lorsque la zone active 18 est en compression. Les inventeurs ont également mis en évidence que, dans le cas d'un empilement 12 de couches semiconductrices comprenant chacune majoritairement un composé III-V, formées sur la couche de support 14 avec la polarité de l'élément III, la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active 18 est augmentée lorsque la zone active 18 est en tension et est diminuée lorsque la zone active 18 est en compression. Les inventeurs ont mis, en outre, en évidence que le rendement lumineux de la zone active 18 pouvait être modifié en fonction des contraintes mécaniques appliquées à la zone active 18. Les figures 8, 9 et 10 représentent la courbe d'évolution CE de la fonction d'onde d'état lié d'un électron et la courbe d'évolution CH de la fonction d'onde d'état lié d'un trou dans les couches 16, 18, 20 déterminées par simulation pour la diode 10 respectivement en l'absence de déformation, lorsque la zone active 18 est en tension et lorsque la zone active 18 est en compression dans les mêmes conditions que celles mises en oeuvre respectivement pour l'obtention des figures 5, 6 et 7. Les figures 11, 12 et 13 représentent l'évolution du taux de recombinaison radiative Tx, qui est représentatif du rendement lumineux, dans les couches 16, 18, 20 déterminé par simulation pour la diode électroluminescente respectivement en l'absence de déformation, lorsque la zone active 18 est en tension et lorsque la zone active 18 est en compression dans les mêmes B13251 - DD15161JBD 16 conditions que celles mises en oeuvre respectivement pour l'obtention des figures 5, 6 et 7. La mise sous contrainte de l'empilement 12 conduit à la formation d'un champ électrique au travers de la zone active 18 5 qui modifie le recouvrement des fonctions d'onde et donc le rendement lumineux de la zone active 18. Les figures 8 et 11 ont été obtenues lorsque l'empilement 12 n'était pas déformé. En raison de la nature cristallographique des composés III-V et de la direction de 10 croissance épitaxiale des couches 16, 18 et 20, il apparaît une polarisation spontanée qui entraîne la formation d'un champ électrique dans la zone active 18. Il en résulte, par effet Stark confiné quantique, un décalage de la fonction d'onde d'état lié de l'électron vers la couche 20 de GaN dopée de type P et un 15 décalage de la fonction d'onde d'état lié du trou vers la couche 16 de GaN dopée de type N. Les figures 9 et 12 ont été obtenues lorsque la zone active 18 était sous tension avec une déformation relative maximale de 2 %. Le champ électrique qui se forme par effet 20 piézoélectrique dans la zone active 18 augmente le recouvrement entre les fonctions d'onde ce qui conduit à une augmentation du taux de recombinaison radiative de 45 % par rapport au cas sans déformation. Les figures 10 et 13 ont été obtenues lorsque la zone 25 active 18 était sous compression avec une déformation relative maximale de 2 %. Le champ électrique qui se forme par effet piézoélectrique dans la zone active 18 diminue le recouvrement entre les fonctions d'onde, ce qui conduit à une diminution du taux de recombinaison radiative de deux ordres de grandeur par 30 rapport au cas sans déformation. De façon générale, dans le cas d'un empilement 12 de couches semiconductrices comprenant chacune majoritairement un composé III-V, formées sur la couche de support 14 avec la polarité de l'élément V, le rendement lumineux est augmenté lorsque la zone 35 active 18 est mise en tension. B13251 - DD15161JBD 17 Les inventeurs ont également mis en évidence que, dans le cas d'un empilement 12 de couches semiconductrices comprenant chacune majoritairement un composé III-V, formées sur la couche de support 14 avec la polarité de l'élément III, le rendement lumineux est augmenté lorsque la zone active 18 est mise en compression. Selon un mode de réalisation, lorsque l'empilement 12 est déformé, la zone active 18 ne se trouve pas sur la ligne neutre N de façon à être mise en totalité en tension ou en compression. La valeur de la déformation dans la zone active 18 dépend de la distance de la zone active 18 par rapport à la ligne neutre N de l'empilement 12 et donc de l'épaisseur e de l'empilement 12. La déformation appliquée à l'empilement 12 est choisie de façon que les contraintes qui apparaissent dans les matériaux des couches 14, 16, 20 et de la zone active 18 soient inférieures à la limite d'élasticité de ces matériaux pour ne pas entraîner de rupture dans ces matériaux lors de la déformation. Pour le GaN et InGaN, la limite d'élasticité correspond à une déformation relative maximale Ej égale à environ 5 %. Selon un mode de réalisation, la déformation relative maximale smAx appliquée à l'empilement 12 varie, en valeur absolue, de 0,1 % à 2,5 %, de préférence de 1 % à 2 %. L'obtention de la déformation relative maximale smAx 25 souhaitée est obtenue en faisant varier l'épaisseur e de l'empilement et le rayon de courbure moyen Rm de l'empilement 12. La figure 14 représente des courbes d'évolution C1 à C7 du rayon de courbure moyen Rm, en échelle logarithmique, d'un empilement 12 en fonction de la déformation relative maximale 30 sem, sans dimension, de l'empilement 12 pour des épaisseurs e de l'empilement 12 respectivement de 2 pin, 4 gm, 6 gm, 8 gm, 10 gm, 50 pin et 100 gm. Pour une déformation relative maximale smAx donnée, plus l'épaisseur e est élevée, plus le rayon de courbure moyen Rm est élevé. B13251 - DD15161JBD 18 La figure 15 représente des courbes d'évolution El à E6 de la flèche F, en échelle logarithmique, de l'empilement 12 pour des cordes C dans un plan de coupe transversal respectivement de 100 pin, 250 pm, 500 pm, 750 pm, 1 mm et 2 mm. L'amplitude de la flèche de la ligne neutre N de l'empilement 12 doit être suffisante pour permettre d'obtenir la déformation souhaitée de la zone active 18. Typiquement, la flèche doit être supérieure à 1/20èmè de la corde C de l'empilement 12. A titre d'exemple, pour un empilement 12 dont la corde C est égale à 1 mm, la flèche F est d'au moins 50 fun et pour un empilement 12 dont la corde C est égale à 250 pin, la flèche F est d'au moins 12,5 pin. La flèche est mesurée, par exemple, par rapport à un plan contenant les extrémités de la ligne neutre N avant déformation. Le rayon de courbure moyen Rm de l'empilement 12 est compris entre 0,5 et 3 mm pour un empilement 12 ayant une corde C de 1 mm et une épaisseur e de l'ordre de 6 pin correspondant à une déformation relative de 0,5 à 0,1 % ce qui induit une flèche comprise entre 0,5 mm et 40 pin. Pour obtenir une déformation relative supérieure jusqu'à 2,5 % avec un empilement 12 ayant une corde C de 1 mm, et en considérant une forme hémisphérique comme la déformation maximale avec un rayon de courbure moyen Rm supérieur à 0,5 mm, il est nécessaire d'avoir une épaisseur supérieure à 25 pin. Une épaisseur de 100 pin permet d'obtenir la même déformation relative de 2,5 % avec un rayon de courbure de 2 mm soit une flèche de seulement 63 pin. Le rayon de courbure de l'empilement 12 peut ne pas être constant. Le rayon de courbure Rm de l'empilement 12 est compris entre 125 pin et 3 mm pour un empilement 12 ayant une corde C de 250 pin et une épaisseur de l'ordre de 6 pin, correspondant à une 30 déformation relative de 2,5 à 0,1 %. Dans le plan de coupe de la figure 2 ou 3, la longueur de l'arc formé par la ligne neutre N de l'empilement 12 est supérieure à 1,007 mm pour un empilement 12 ayant une corde de 1 mm et 252 pin pour un empilement 12 ayant une corde de 250 pm 35 (cas où la flèche est égale à 1/20èmè de la corde). B13251 - DD15161JBD 19 Les figures 16 et 17 sont respectivement une vue en perspective et une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 35 à diode électroluminescente comprenant : un support 40 conducteur comprenant une face inférieure 42 plane et une face supérieure 44 comprenant une portion bombée 46, également appelée portion convexe par la suite ; une région isolante 48 sur la face 44 autour de portion convexe 46 ; l'empilement 12 décrit précédemment maintenu en configuration déformée par la portion convexe 46, la couche de support 14 reposant sur la portion convexe 46 ; une couche conductrice 50 recouvrant la couche 20 et comprenant une portion 52 s'étendant sur la région isolante 48 ; un plot conducteur 54 au contact de la portion 52, le plot 54 pouvant, en outre, s'étendre sur une partie de la portion convexe de la couche conductrice 50 ; une base 56 comprenant une face supérieure 58 plane sur laquelle est fixé le support 40 et une face inférieure 60 plane 20 opposée à la face supérieure 58 ; un via 62 traversant la base 56 et connecté à la face arrière 42 du support 40, par exemple par une région conductrice 64 s'étendant sur la face supérieure 58 et entre le support 40 et la base 56, le via 62 étant en un matériau conducteur électrique 25 et étant isolé de la base 56 ; un via 66 traversant la base 56 et connecté au plot 54, par exemple par une région conductrice 68 s'étendant sur la face 58 et un fil conducteur 70, le via 66 étant en un matériau conducteur électrique et étant isolé de la base 56 ; 30 un plot de contact 72 sur la face 60 connecté au via 62 ; et un plot de contact 74 sur la face 60 connecté au via 66. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 16 et 17, la polarisation de la diode électroluminescente est 35 réalisée par l'application d'une tension entre le plot de contact B13251 - DD15161JBD 20 72, relié électriquement à la couche semiconductrice 16, et le plot de contact 74, relié électriquement à la couche semiconductrice 20. Le support 40 peut avoir une structure monobloc ou être 5 constitué de plusieurs éléments. La couche conductrice 50 joue le rôle d'une électrode et est adaptée à polariser la zone active 18 de la diode électroluminescente et à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente. Le 10 matériau formant la couche 50 peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou du graphène. A titre d'exemple, la couche 50 a une épaisseur comprise entre 5 nm et 200 nm, de préférence entre 20 nm 15 et 50 nm. La région isolante 48 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO2), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (SiOxNy 20 où x peut être environ égal à 1/2 et y peut être environ égal à 1, par exemple du Si2ON2), en oxyde d'aluminium (A1203), en oxyde d'hafnium (Hf02) ou en diamant. A titre d'exemple, l'épaisseur de la région isolante 48 est comprise entre 5 nm et 500 nm, par exemple égale à environ 100 nm. 25 Le dispositif optoélectronique 35 peut, en outre, comprendre une couche d'encapsulation recouvrant l'ensemble de la structure et notamment la couche conductrice 50. Le dispositif optoélectronique 35 peut, en outre, comprendre une couche de luminophores, non représentée, prévue sur la couche 30 d'encapsulation ou confondue avec celle-ci. La figure 18 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 80 comprenant un plot conducteur 82 sur la face 44 et une région conductrice 84 sur la face 58 au contact du via 35 62 et reliée au plot conducteur 82 par un fil conducteur 86. B13251 - DD15161JBD 21 Selon un mode de réalisation, le support 40 est isolant électriquement. Le dispositif électronique peut alors comprendre une couche conductrice recouvrant la face 44 du support 40 et le plot conducteur 82 peut alors être directement en contact avec cette couche conductrice. La figure 19 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 88 à diode électroluminescente. Le dispositif optoélectronique 88 comprend l'ensemble des éléments du dispositif 35 représenté en figure 17 à la différence que la portion bombée 46 est remplacée par une portion en creux 89, également appelée portion concave par la suite. La variante représentée en figure 19 peut également être mise en oeuvre avec le mode de réalisation représenté en figure 18. Dans le cas où la couche de support 14 est non conductrice électriquement, la polarisation de la diode électroluminescente peut être réalisée via une couche intermédiaire conductrice disposée entre la couche 14 et la couche semiconductrice 16. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des modes de réalisation du dispositif optoélectronique décrits précédemment comprend successivement la formation de l'empilement 12 alors que celui-ci est sensiblement plan et la déformation de l'empilement 12. Les figures 20A à 20F illustrent un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 35. Ce mode de réalisation comprend les étapes suivantes : (1) Formation de l'empilement actif 21 sur un substrat 90 (figure 20A). Dans le présent mode de réalisation, le substrat 90 comprend la couche de support 14 décrite précédemment qui recouvre une couche 92 d'un matériau isolant, par exemple du dioxyde de silicium, elle-même recouvrant une plaque 94 d'un matériau semiconducteur, par exemple du silicium. L'épaisseur de la couche diélectrique 92 peut être comprise entre 50 nm et 10 pin. B13251 - DD15161JBD 22 L'épaisseur de la plaque 94 peut être comprise entre 525 fun et 2 mm. Plusieurs diodes électroluminescentes peuvent être formées sur le substrat 90. Une couche isolante 95 recouvre la couche 14 autour de l'empilement actif 21. A titre d'exemple, l'empilement actif 21 peut être obtenu en formant les couches 16, 18 et 20 par épitaxie, par exemple par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metalorganic Chemical Vapor Deposition), sur la totalité de la couche 14, en gravant ces couches, par exemple par gravure au plasma, gravure chimique ou par découpe laser, pour délimiter l'empilement actif 21. Selon un autre exemple, la couche isolante 95 peut être déposée sur la totalité de la couche de support 14 et une ouverture peut être formée dans la couche isolante 95, l'empilement actif 21 étant alors formé dans l'ouverture. (2) Formation de la couche conductrice 50 et du plot conducteur 54 (figure 20B), par exemple par dépôt conforme. (3) Gravure, pour chaque diode électroluminescente, d'une ouverture 96 dans la plaque 94 et dans la couche diélectrique 92 pour exposer une portion de la couche 14 (figure 20C) sensiblement opposée à l'empilement actif 21. L'ouverture 96 est délimitée par des portions 98 de la couche diélectrique 92 et de la plaque 94. La formation de l'ouverture 96 peut comprendre des première et deuxième étapes. La première étape comprend la gravure de la plaque 94, la couche diélectrique 92 pouvant alors jouer le rôle de couche d'arrêt de gravure lors de la gravure de la plaque 94. La deuxième étape comprend la gravure de la couche diélectrique 92, la couche conductrice 14 pouvant alors jouer le rôle de couche d'arrêt de gravure lors de la gravure de la couche diélectrique 92. En vue de dessous, l'ouverture 96 peut occuper une surface de l'ordre de 1 mm2. La distance entre les flancs latéraux de deux ouvertures 96 adjacentes peut être de l'ordre de 50 pin. (4) Formation, pour chaque dispositif optoélectro- nique, d'une région conductrice 100 sur la face de la couche 14 B13251 - DD15161JBD 23 exposée par l'ouverture 96 (figure 20D). A titre d'exemple, la région conductrice 100 est une région métallique. La région conductrice 100 peut comprendre un empilement de couches. A titre d'exemple, la région conductrice 100 peut comprendre une couche d'un siliciure au contact de la couche 14, par exemple du siliciure de nickel (SiNi) ou du siliciure de titane (TiSi2), et une couche métallique. (5) Déformation de la couche 14 et de l'empilement actif 21. La figure 20E est une vue éclatée du système de mise en forme de la couche 14 et de l'empilement actif 21. Selon un mode de réalisation, il est utilisé un interposeur 102 et un contre-moule 104. L'interposeur 102 peut comprendre une plaque 106 sur laquelle est formé un bloc 108 d'un matériau déformable pour chaque diode électroluminescente. De préférence, le bloc 108 et la plaque 106 sont chacun en un matériau conducteur électriquement. A titre d'exemple, chaque bloc 108 est en un matériau de brasure. Le contre-moule 104 comprend, pour chaque dispositif optoélectronique, une empreinte 110 ayant une forme complémentaire de la surface externe souhaitée de la diode électroluminescente. La déformation de la couche 14 et de l'empilement actif 21 est obtenue par la mise en sandwich du substrat 90 entre l'interposeur 102 et le contre-moule 104, le bloc de matériau déformable venant remplir l'ouverture 96. Un film 112 d'un élastomère peut être interposé entre le contre-moule 104 et l'empilement actif 21 lors de l'étape d'assemblage pour augmenter l'homogénéité des contraintes mécaniques appliquées à l'empilement actif 21. Une couche de colle conductrice 114 peut être prévue entre l'interposeur 106 et le substrat 90. Le volume du bloc 108 est déterminé pour que, lorsque le substrat 90 est plaqué contre la plaque 102, l'ouverture 96 soit complètement remplie du matériau constituant le bloc 108 et la couche 14 et l'empilement actif 21 soient déformés selon la forme de l'empreinte 110. De préférence, l'opération d'assemblage est réalisée à une température strictement inférieure à la B13251 - DD15161JBD 24 température de fusion du matériau composant les blocs 108 et à une température supérieure à deux tiers de la température de fusion du matériau composant les blocs 108 exprimée en Kelvins. A titre d'exemple, lorsque les blocs 108 sont réalisés en un alliage d'étain, d'argent et de cuivre du type SAC305, la température d'assemblage peut être supérieure à 55°C. Avant et après déformation, la corde de la portion déformée est sensiblement constante car les extrémités de cette portion sont bloquées lors de la déformation. Selon un autre mode de réalisation, le contre-moule 110 est mis en appui contre le substrat 90 seulement aux emplacements où l'empilement actif 21 n'est pas présent. Ceci permet avantageusement de ne pas appliquer de pression sur l'empilement actif 21. Selon un autre mode de réalisation, l'interposeur 102 peut correspondre à une structure monobloc et être réalisé par usinage ou par emboutissage. (6) Découpe de l'interposeur 102 et du substrat 90 pour séparer les dispositifs optoélectroniques 35 (figure 20F). Le support 40 représenté aux figures 17 et 19 correspond à l'ensemble comprenant la portion découpée de l'interposeur 102, la portion découpée des couches 92 et 94 du substrat 90 et le bloc 108. Le procédé comprend des étapes ultérieures de fixation 25 de l'interposeur 102 à la base 56. Les figures 21A à 21E illustrent un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 88. Ce mode de réalisation comprend les étapes (1) et (2) décrites précédemment. Il comprend, en outre, les étapes suivantes : 30 (3)' Fixation d'une poignée 120 à la couche conductrice 50 (figure 21A). (4)' Gravure de la plaque 94 et de la couche diélectrique 92 pour exposer la couche 14 (figure 21B). La poignée 120 permet de façon avantageuse de manipuler la couche 14 et 35 l'empilement actif 21. B13251 - DD15161JBD 25 (5)' Application de la couche 14 sur un interposeur 122 ayant, pour chaque dispositif optoélectronique, une empreinte 124 dont la forme est le complémentaire de la forme souhaitée pour la couche 14 et l'empilement actif 21 (figure 21C). Une couche de colle peut être prévue entre l'interposeur 122 et la couche 14. (6)' Retrait de la poignée 120 (figure 21D). (7)' Déformation de la couche 14 et de l'empilement actif 21 (figure 21E). Selon un mode de réalisation, il est utilisé un contre-moule 126. Le contre-moule 126 comprend, pour chaque dispositif optoélectronique, une protrusion 128 ayant une forme complémentaire de la surface externe souhaitée de la diode électroluminescente. La déformation de la couche 14 et de l'empilement actif 21 est obtenue par la mise en sandwich de la couche 14 et de l'empilement actif 21 entre l'interposeur 122 et le contre-moule 126. Un film, non représenté, d'un élastomère peut être interposé entre le contre-moule 126 et la couche 50 lors de l'étape d'assemblage pour augmenter l'homogénéité des contraintes mécaniques appliquées à l'empilement actif 21. Avant et après déformation, la corde de la portion déformée est sensiblement constante car les extrémités de cette portion sont bloquées lors de la déformation. Le procédé continue avec la découpe des dispositifs optoélectroniques 88 et la fixation de l'interposeur 122 sur la base 56. Selon un mode de réalisation, plusieurs empilements actifs 21 peuvent être formés sur un même substrat 90 et les empilements actifs 21 peuvent être déformés simultanément avant l'opération de découpe du substrat 90. Selon un autre mode de réalisation, le substrat 90 est 30 découpé avant l'étape de déformation des empilements actifs 21. Chaque empilement actif 21 peut alors être déformé séparément. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication comprend une étape de mesure de la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active 18 de l'empilement actif 21 et une mesure 35 du rendement lumineux de la zone active 18 avant l'étape de B13251 - DD15161JBD 26 déformation. L'amplitude de la déformation appliquée à la zone active 18, et donc la sélection du volume du bloc 108, de la forme du contre-moule 104, de l'interposeur 122 et/ou du contre-moule 126 est réalisée pour obtenir la déformation voulue de la zone active 18. Ceci permet d'obtenir la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone active 18 et/ou le rendement lumineux de la zone active 18 souhaités. REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (35 80 ; 88) comprenant : un support (40) comprenant une face (44) ; et une diode électroluminescente (10) sur ladite face et 5 comprenant un empilement (21) de couches semiconductrices (16, 18, 20, 30, 32) en des matériaux semiconducteurs à structure cristalline non centrosymétrique, la diode électroluminescente ayant une zone active (18) comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples, la zone active étant mise sous 10 contrainte, la déformation relative maximale dans la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %. 2. Dispositif optoélectronique (35 ; 80 ; 88) selon la revendication 1, dans lequel la face (14) comprend au moins une portion (46 ; 96) concave ou convexe et dans lequel la diode 15 électroluminescente (10) épouse la forme de la portion concave ou convexe. 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque couche semiconductrice (16, 18, 20, 30, 32) est majoritairement en un composé III-V, un composé II-20 VI, ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. 4. Dispositif optoélectronique selon la revendication 3, dans lequel chaque couche semiconductrice (16, 18, 20, 30, 32) est majoritairement en un composé InxAlyGai_x_yN où 0Kx1, 1:Ky1 et 1-x-y>0. 25 5. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant une couche de support (14) d'un matériau métallique, isolant ou semiconducteur reposant sur la face (14), les couches semiconductrices (16, 18, 20, 30, 32) étant formées par épitaxie depuis la couche de support (14). 30 6. Dispositif optoélectronique selon la revendication 5, dans lequel les couches semiconductrices (16, 18, 20, 30, 32) sont composées majoritairement en composés III-V et dans lequel les couches semiconductrices sont formées par épitaxie avec la polarité de l'élément V, la zone active (18) étant en tension ouB13251 - DD15161JBD 28 dans lequel les couches semiconductrices sont formées par épitaxie avec la polarité de l'élément III, la zone active (18) étant en compression. 7. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque 5 des revendications 1 à 6, dans lequel ledit empilement (21) comprend des première et deuxième couches semiconductrices (16, 20) prenant en sandwich la zone active (18), la première couche semiconductrice (16) étant d'un premier matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité et la deuxième couche 10 semiconductrice (20) étant du premier matériau semiconducteur dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (35 ; 80 ; 88) comprenant la formation sur un substrat (40 ; 90) d'une diode électroluminescente comprenant un empilement 15 (21) de couches semiconductrices (16, 18, 20, 30, 32) en des matériaux semiconducteurs à structure cristalline non centrosymétrique, la diode électroluminescente ayant une zone active (18) comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples, la zone active étant mise sous contrainte, 20 la déformation relative maximale dans la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %. 9. Procédé selon la revendication 8, comprenant les étapes suivantes : amincir le substrat (90) au moins au niveau de 25 l'empilement (21) ; et déformer le substrat et l'empilement pour mettre sous contrainte la zone active (18), la déformation relative maximale de la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %. 30 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel, à l'étape de déformation, le substrat (90) est pris en sandwich entre des première et deuxième pièces (102, 104 ; 122, 126), au moins l'une des première ou deuxième pièces comprenant une protrusion (108) ou une empreinte (124).B13251 - DD15161JBD 29 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel ladite protrusion (108) comprend un matériau déformable. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, dans lequel l'étape d'amincissement comprend la gravure 5 d'une ouverture (96) dans le substrat (90) du côté opposé à l'empilement (21). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel l'étape d'amincissement comprend la fixation d'une poignée (120) du côté de l'empilement (21) et 10 l'amincissement de la totalité du substrat (90). 14. Procédé selon la revendication 8, comprenant les étapes suivantes : former une couche de support (14) sur le substrat (40) ; mettre sous contrainte ladite couche de support ; et 15 fixer l'empilement (21) à ladite couche de support. 15. Procédé selon la revendication 14, comprenant le bombardement ionique de la couche de support (14). 16. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la couche de support (14) a un coefficient de dilatation thermique 20 différent du coefficient de dilatation thermique des couches semiconductrices (16, 18, 20, 30, 32) de l'empilement (21).