Brevet FR3029713A1 — publié le 20160610

B13731 - DD15687ST 1 CONVERTISSEUR CONTINU-CONTINU À DÉMARRAGE À FROID Domaine La présente demande concerne un convertisseur de tension continu-continu. Exposé de l'art antérieur Un convertisseur de tension continu-continu peut être utilisé dans un système électronique de récupération d'énergie. Un tel système comprend généralement un transducteur adapté à convertir de l'énergie non électrique, par exemple de l'énergie thermique, de l'énergie mécanique, de l'énergie radiative, etc., en énergie électrique, généralement délivrée sous basse tension, et un convertisseur continu-continu adapté à convertir cette tension basse en une tension plus élevée, par exemple à des fins de stockage d'énergie ou d'alimentation d'un circuit électronique. Il est généralement souhaitable que le système électronique de récupération d'énergie puisse fonctionner, et en particulier démarrer, sans apport d'énergie extérieure autre que l'énergie électrique recueillie par le transducteur. Un tel démarrage est appelé démarrage à froid. En particulier, il peut être souhaitable que le convertisseur continu-continu puisse démarrer à froid même lorsque la tension fournie par le transducteur est faible, par exemple inférieure à la tension de seuil des jonctions semiconductrices qui est d'environ 300 mV. 3029713 B13731 - DD15687ST 2 Il existe des convertisseurs de tension continu-continu à démarrage à froid mettant en oeuvre des composants électroniques, tels que des transformateurs électriques ou des diodes à effet tunnel, qui ne peuvent pas être réalisés de façon 5 simple par des technologies classiques de fabrication de transistors à effet de champ de type métal-oxyde-semiconducteur, également appelés transistors MOS. Il serait toutefois souhaitable que le convertisseur continu-continu puisse être réalisé par des technologies 10 classiques de fabrication de transistors MOS, notamment pour en réduire le coût de fabrication. Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des convertisseurs de tension continu-15 continu à démarrage à froid décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le convertisseur continu-continu puisse démarrer à froid en étant alimenté seulement par une tension faible, notamment inférieure à 300 mV. 20 Un autre objet d'un mode de réalisation est que le convertisseur continu-continu comprenne seulement des composants électroniques pouvant être réalisés par des technologies classiques de fabrication de transistors MOS. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un convertisseur continu-continu comprenant un premier circuit à pompe de charges comprenant des premiers transistors MOS dont des premiers transistors MOS à appauvrissement, un circuit oscillant relié au circuit à pompe de charges seulement aux grilles d'au moins certains des premiers transistors MOS dont les premiers transis- tors MOS à appauvrissement. Selon un mode de réalisation, le circuit oscillant comprend un oscillateur en anneau. Selon un mode de réalisation, le premier circuit à pompe de charges comprend une première borne destinée à recevoir une 35 première tension, au moins un condensateur et au moins un chemin 3029713 B13731 - DD15687ST 3 de conduction entre la première borne et une électrode du condensateur comprenant seulement l'un des premiers transistors MOS à appauvrissement ou seulement desdits premiers transistors MOS à appauvrissement en série. 5 Selon un mode de réalisation, le circuit oscillant est alimenté par la première tension. Selon un mode de réalisation, le premier circuit à pompe de charges est destiné à fournir une deuxième tension et le circuit oscillant est alimenté par la deuxième tension. 10 Selon un mode de réalisation, le premier circuit à pompe de charges comprend, en outre, une deuxième borne destinée à fournir la deuxième tension et le premier circuit à pompe de charges comprend au moins un chemin de conduction entre la première borne et la deuxième borne comprenant seulement desdits 15 premiers transistors MOS à appauvrissement en série. Selon un mode de réalisation, le convertisseur comprend un deuxième circuit à pompe de charges comprenant des deuxièmes transistors MOS dont des deuxièmes transistors MOS à appauvrissement, le circuit oscillant étant relié au deuxième 20 circuit à pompe de charges seulement aux grilles d'au moins certains des deuxièmes transistors MOS dont les deuxièmes transistors MOS à appauvrissement, le deuxième circuit à pompe de charges comprenant une troisième borne destinée à recevoir la première tension et une quatrième borne destinée à fournir une 25 troisième tension de signe opposé à la première tension, et le circuit oscillant est alimenté entre la deuxième tension et la troisième tension. Selon un mode de réalisation, le convertisseur comprend un troisième circuit à pompe de charges comprenant seulement des 30 troisièmes transistors MOS à enrichissement, le circuit oscillant étant, en outre, relié au troisième circuit à pompe de charges seulement aux grilles d'au moins certains des troisièmes transistors MOS à enrichissement, le troisième circuit à pompe de charges comprenant une cinquième borne destinée à recevoir la 3029713 B13731 - DD15687ST 4 première tension et une sixième borne destinée à fournir une quatrième tension de même signe que la première tension. Selon un mode de réalisation, le convertisseur comprend, en outre, un circuit de commutation adapté à alimenter 5 successivement le circuit oscillant avec la deuxième tension et avec la quatrième tension. Un mode de réalisation prévoit également un système électronique de récupération d'énergie comprenant un transducteur adapté à fournir une tension à partir d'une source d'énergie et 10 un convertisseur tel que défini précédemment, le circuit à pompe de charges recevant ladite tension. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de 15 réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente, sous la forme d'un schéma-bloc, un mode de réalisation d'un convertisseur continu-continu à démarrage à froid ; 20 la figure 2 est un schéma électrique plus détaillé d'un mode de réalisation du convertisseur de la figure 1 ; la figure 3 est un schéma électrique de détail d'un élément du convertisseur de la figure 2 ; la figure 4 représente une courbe d'évolution du courant 25 de drain d'un transistor MOS à appauvrissement en fonction de la tension grille-source ; les figures 5 et 6 sont des schémas électriques d'une partie du convertisseur de la figure 2 à deux étapes successives de fonctionnement du convertisseur ; 30 la figure 7 représente des courbes d'évolution du rapport de transformation du convertisseur en fonction de la tension reçue par le convertisseur respectivement pour le convertisseur de la figure 2 et pour un convertisseur à transistors à enrichissement ; 3029713 B13731 - DD15687ST 5 les figures 8, 9 et 10 sont des schémas électriques d'autres modes de réalisation d'un convertisseur continu-continu à démarrage à froid ; la figure 11 représente des courbes d'évolution du 5 rapport de transformation du convertisseur en fonction de la tension reçue par le convertisseur respectivement pour le convertisseur de la figure 10 et pour un convertisseur à transistors à enrichissement ; les figures 12 et 13 sont des schémas électriques 10 d'autres modes de réalisation d'un convertisseur continu-continu à démarrage à froid ; la figure 14 représente des courbes d'évolution du rapport de transformation du convertisseur en fonction de la tension reçue par le convertisseur respectivement pour le 15 convertisseur de la figure 13 et pour un convertisseur à transistors à enrichissement ; les figures 15 et 16 sont des schémas électriques d'autres modes de réalisation d'un convertisseur continu-continu à démarrage à froid ; et 20 la figure 17 représente un mode de réalisation d'un système de récupération d'énergie. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Par souci de clarté, seuls 25 les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la structure d'un transducteur est bien connue de l'homme du métier et n'a pas été décrite en détail. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", 30 et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. De plus, on appelle "signal binaire" un signal qui alterne entre un premier état constant, par exemple un état bas, noté "0", et un deuxième état constant, par exemple un état haut, noté "1". Les états haut et bas de signaux binaires d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les signaux 3029713 B13731 - DD15687ST 6 binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement constants à l'état haut ou bas. Dans la suite de la description, on appelle "bornes de puissance" d'un transistor MOS la source et le drain du transistor 5 MOS. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme "connecté" pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant 10 alors "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). La figure 1 représente, sous la forme d'un schéma-bloc, un mode de réalisation d'un convertisseur 5 comprenant : un circuit à pompe de charges 10 (Charge Pump) recevant 15 une tension Ve à un noeud d'entrée IN et fournissant une tension Vs à un noeud de sortie OUT ; et un circuit oscillant 11 fournissant au moins un signal numérique de commande (I) au circuit à pompe de charges 10. Le circuit oscillant 11 peut comprendre : 20 un oscillateur 12 (Oscillator) fournissant au moins un signal d'horloge clk ; et un circuit d'interface 14 (Buffer) recevant le signal d'horloge clk et fournissant le signal numérique de commande cl). Dans le présent mode de réalisation, l'oscillateur 12 25 et le circuit d'interface 14 sont alimentés par la tension d'entrée Ve et sont, en outre, reliés à une source d'un potentiel de référence GND, par exemple la masse, qui est pris égal à 0 V dans la suite de la description. La tension Ve est une tension continue, pouvant varier 30 dans le temps, fournie par un dispositif électronique, non représenté. Il peut s'agir de la tension fournie par un transducteur adapté à transformer en énergie électrique une autre forme d'énergie, par exemple de l'énergie thermique, de l'énergie mécanique ou de l'énergie radiative. La tension Ve peut être 35 inférieure à 300 mV, par exemple comprise entre 100 mV et 200 mV. 3029713 B13731 - DD15687ST 7 Dans la suite de la description, les tensions Ve et Vs sont référencées par rapport à la masse GND. La tension Vs fournie par le circuit à pompe de charges 10 est égale au produit de la tension Ve et d'un rapport de 5 transformation k, positif ou négatif, qui dépend de la structure du circuit à pompe de charges 10. La borne OUT peut être reliée à une charge dissipative, par exemple pour l'alimentation d'un dispositif électronique, et/ou à une charge capacitive, par exemple pour le stockage d'énergie. 10 Le signal d'horloge clk et le signal de commande (I) sont des signaux binaires. Le signal de commande (I) alterne entre la tension Ve et 0 V. Le circuit d'interface 14 est adapté à mettre en forme le signal d'horloge clk pour fournir le signal de commande (I) sous 15 une forme adaptée au circuit à pompe de charges 10. A titre de variante, le circuit d'interface 14 peut ne pas être présent, le signal d'horloge clk pouvant alors directement être utilisé comme signal de commande. Selon un mode de réalisation, le circuit à pompe de 20 charges 10 comprend des transistors MOS à appauvrissement dont les grilles sont commandées par le signal de commande cl). Un transistor à appauvrissement est un transistor pour lequel un canal conducteur est présent entre la source et le drain même lorsque la grille est à 0 V. La tension de seuil d'un transistor 25 MOS à appauvrissement à canal N est négative. Le circuit à pompe de charges 10 comprend au moins un condensateur. Le chemin de conduction ou les chemins de conduction entre le noeud d'entrée IN et l'une des électrodes du condensateur n'est formé que par les canaux de transistors MOS à 30 appauvrissement dont les grilles sont commandées par le circuit oscillant. Les signaux de commande (I) fournis par circuit d'interface 14 ne sont fournis qu'à des grilles de transistors MOS. Ceci permet de réduire le courant à fournir par le circuit d'interface 14 permet d'assurer, de façon avantageuse que le 3029713 B13731 - DD15687ST 8 circuit à pompe de charges fonctionne lors d'un démarrage à froid même si la tension Ve est faible. De préférence, au moins un chemin de conduction entre le noeud d'entrée IN et le noeud de sortie OUT n'est formé que 5 par les canaux de transistors MOS à appauvrissement dont les grilles sont commandées par le circuit oscillant. Ceci permet de façon avantageuse, lors d'un démarrage à froid, que le convertisseur 10 fournisse une tension Vs différente de 0 V dès que la tension Ve est différente de 0 V. 10 Selon un mode de réalisation, le circuit à pompe de charges 10 ne comprend que des transistors MOS et au moins un condensateur. Selon un mode de réalisation, tous les transistors MOS du circuit à pompe de charges 10 sont des transistors MOS à appauvrissement. Selon un autre mode de réalisation, le circuit à 15 pompe de charges 10 comprend au moins un transistor MOS à appauvrissement et des transistors MOS à enrichissement. La figure 2 représente un mode de réalisation plus détaillé du convertisseur 5 de la figure 1 dans lequel l'oscillateur 12 est un oscillateur en anneau, dans lequel le 20 circuit à pompe de charges 10 est un doubleur de tension et dans lequel le circuit d'interface 14 comprend des inverseurs. Dans ce mode de réalisation, le circuit à pompe de charges 10 comprend quatre transistors MOS à appauvrissement Ti, 12, T3 et 14 à canal N et un condensateur Cl. Une première borne 25 de puissance du transistor Ti est reliée au noeud d'entrée IN et la deuxième borne de puissance du transistor Ti est reliée à une première électrode du condensateur Cl. La grille du transistor Ti reçoit un premier signal de commande (1)1. Une première borne de puissance du transistor 12 est reliée au noeud d'entrée IN et la 30 deuxième borne de puissance du transistor T2 est reliée à la deuxième électrode du condensateur Cl. La grille du transistor 12 reçoit un deuxième signal de commande (1)2. Une première borne de puissance du transistor T3 est reliée à la deuxième électrode du condensateur C1 et la deuxième borne de puissance du transistor 35 T3 est reliée à la masse GND. La grille du transistor T3 reçoit 3029713 B13731 - DD15687ST 9 le premier signal de commande (1)1. Une première borne de puissance du transistor 14 est reliée à la première électrode du condensateur C1 et la deuxième borne de puissance du transistor 14 est reliée au noeud de sortie OUT. La grille du transistor 14 5 reçoit le deuxième signal de commande (1)2. Le substrat (en anglais bulk) de chaque transistor MOS Ti à 14 est relié à la masse GND. L'oscillateur 12 comprend une succession d'un nombre impair d'inverseurs montés en série, la sortie du dernier inverseur de la succession d'inverseurs étant connectée à l'entrée 10 du premier inverseur de la succession d'inverseurs. Trois inverseurs INV1, INV2, INV3 montés en série sont représentés en figure 2, la sortie de l'inverseur INV3 étant connectée à l'entrée de l'inverseur INV1. L'inverseur INV3 fournit le signal d'horloge clk. L'oscillateur 12 comprend, en outre, un inverseur INV4 dont 15 l'entrée est connectée à la sortie de l'inverseur INV3, et fournissant un signal d'horloge clkb. Chaque signal d'horloge clk, clkb est un signal binaire. Les signaux clk et clkb sont complémentaires. La période du signal clk dépend notamment de la tension Ve d'alimentation de l'oscillateur 12 et du nombre 20 d'inverseurs montés en série. Le circuit d'interface 14 comprend un inverseur INV5 recevant le signal clk et fournissant le signal de commande (1)1. Le circuit d'interface 14 comprend un inverseur INV6 recevant le signal clkb et fournissant le signal de commande (1)2. Chaque 25 inverseur INV1 à INV6 est relié à un noeud de fourniture de la tension Ve et est relié à la masse GND. La figure 3 représente un mode de réalisation d'un inverseur INV. Chaque inverseur INV1 à INV6 peut avoir la structure représentée en figure 3. L'inverseur INV comprend un 30 noeud d'entrée A et un noeud de sortie B. L'inverseur INV comprend un transistor MOS T5, par exemple un transistor MOS à enrichissement à canal P, dont la source est reliée à un noeud de fourniture de la tension Ve, dont le drain est relié au noeud B et dont la grille est reliée au noeud A. Le substrat du transistor 35 T5 est relié à un noeud de fourniture de la tension Ve. L'inverseur 3029713 B13731 - DD15687ST 10 INV comprend, en outre, un transistor MOS T6, par exemple un transistor MOS à enrichissement à canal N, dont la source est reliée à la masse GND, dont le drain est relié au noeud B et dont la grille est reliée au noeud A. Le substrat du transistor T6 est 5 relié à la masse GND. Le principe de fonctionnement du circuit à pompe de charges 10 selon le mode de réalisation représenté en figure 2 va maintenant être décrit en relation avec les figures 4 à 6. En fonctionnement normal, le circuit d'interface 14 10 fournit les signaux de commande binaires (1)1 et (1)2 qui sont complémentaires. Dans le présent mode de réalisation, chaque signal (1)1 et (1)2 correspond à une tension qui alterne sensiblement entre la tension Ve et 0 V. En régime établi, le circuit à pompe de charges 10 fournit une tension Vs qui est proportionnelle à 15 Ve, le rapport de transformation k étant en théorie égal à 2 et, en pratique, légèrement inférieur à 2. La figure 4 est une courbe CI d'évolution du courant drain-source Ids d'un transistor MOS à appauvrissement à canal N en fonction de la tension grille-source Vgs en régime ohmique. On 20 a représenté quatre points de polarisation Pl à P4 sur la courbe CI. La figure 5 illustre l'état de conduction de chaque transistor MOS Ti à 14 lorsque le signal de commande (1)1 est à Ve et que le signal de commande (1)2 est à 0 V. Le transistor Ti est 25 sensiblement au point de polarisation P2, les transistors T3 et 14 sont sensiblement au point de polarisation P4 et le transistor T3 est sensiblement au point de polarisation Pl. Le courant circule alors de façon préférentielle selon la ligne tiretée 20. Le condensateur C1 est alors chargé sous la tension Ve. 30 La figure 6 illustre l'état de conduction de chaque transistor MOS Ti à 14 lorsque le signal de commande (1)2 est à Ve et que le signal de commande (1)1 est à 0 V. Le transistor 12 est au point de polarisation Pl, les transistors Ti et T3 sont au point de polarisation P4 et le transistor 14 est au point de 35 polarisation P3. Le courant circule alors de façon préférentielle 3029713 B13731 - DD15687ST 11 selon la ligne tiretée 22, ce qui conduit à une décharge du condensateur C1 vers le noeud de sortie OUT. La tension Vs au noeud de sortie OUT est maintenue sensiblement à environ k*Ve, k étant proche de 2 en régime établi dans le présent mode de 5 réalisation. La figure 7 représente des courbes d'évolution Ck1 et Ck2, en fonction de la tension Ve, des rapports de transformation k1 et k2 en régime établi respectivement du convertisseur 5 représenté en figure 2 et d'un convertisseur ayant la même 10 structure que le convertisseur 5 à la différence que les transistors Ti à 14 sont remplacés par des transistors MOS à enrichissement à canal N. Les courbes Ck1 et Ck2 ont été obtenues pour des transistors MOS dont la longueur de canal était de 0,18 pin. 15 Pour les courbes Ck1 et Ck2, le rapport de transformation k1 et k2 du convertisseur 5 diminue lorsque la tension Ve diminue. Toutefois, la diminution est plus rapide lorsque des transistors MOS à enrichissement sont utilisés. En effet, le rapport de transformation k2 diminue en dessous de 1,75 20 dès que la tension Ve diminue en dessous de 420 mV alors que le rapport de transformation k1 diminue en dessous de 1,75 seulement lorsque la tension Ve diminue en dessous de 250 mV. Le présent mode de réalisation permet donc de faire fonctionner le convertisseur DC-DC à une tension d'entrée inférieure à ce qui 25 peut être obtenu avec un convertisseur de même structure composé de transistors MOS à enrichissement. La figure 8 représente un autre mode de réalisation d'un convertisseur continu-continu 30. Le convertisseur 30 comprend l'ensemble des éléments du convertisseur 5 à la différence que 30 les inverseurs INV1 à INV6 sont alimentés par la tension Vs au lieu de recevoir la tension Ve. En fonctionnement normal, la tension Vs est supérieure à la tension Ve. L'alimentation du circuit oscillant 11 du convertisseur 30 est, de façon avantageuse, plus efficace que 35 celle du convertisseur 5. En outre, la conductivité des 3029713 B13731 - DD15687ST 12 transistors MOS Ti à 14 du convertisseur 30 est augmentée lorsque leurs grilles sont amenées à Vs à l'état passant par rapport aux transistors MOS Ti à 14 du convertisseur 30 dont les grilles sont amenées seulement à Ve à l'état passant. 5 Lorsque la tension Ve augmente depuis la valeur nulle, l'oscillateur 12 du convertisseur 30 ne peut pas démarrer tant que la tension de sortie Vs est inférieure à la tension de démarrage de l'oscillateur 12. Le courant circule alors directement par les transistors Ti et 14 du circuit à pompe de 10 charges 10 de sorte que la tension Vs s'élève jusqu'à être sensiblement égale à la tension Ve. Dès que la tension Vs a atteint la tension de démarrage de l'oscillateur 12, le fonctionnement du convertisseur 30 se poursuit comme cela a été décrit précédemment pour le convertisseur 5 en relation avec les figures 4 à 6. 15 En outre, dès que l'oscillateur 12 a démarré, la tension Vs devient supérieure à Ve, de sorte que la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 12 augmente plus rapidement que si l'oscillateur 12 était alimenté par la tension Ve et la vitesse d'évolution du rapport de transformation du circuit à pompe de 20 charges 10 est augmentée. De façon générale, le circuit à pompe de charges 10 peut correspondre à tout type de circuit à pompe de charges élévateur de tension, abaisseur de tension ou inverseur de tension. La figure 9 représente, à titre d'exemple, un autre mode 25 de réalisation d'un convertisseur 35 dans lequel le circuit à pompe de charges 10 est un élévateur de tension dont le rapport de transformation est d'environ 4. Le circuit à pompe de charges 10 du convertisseur 35 comprend les transistors Ti à 14 et le condensateur C1 décrits précédemment en relation avec la figure 2 30 et comprend, en outre, des transistors MOS à appauvrissement T7 à 112 à canal N et des condensateurs C2 et C3. La borne de puissance du transistor 14 qui n'est pas reliée au condensateur C1 est reliée à une première électrode du condensateur C2. Une première borne de puissance du transistor T7 35 est reliée au noeud d'entrée IN et la deuxième borne de puissance 3029713 B13731 - DD15687ST 13 du transistor T7 est reliée à la deuxième électrode du condensateur C2. La grille du transistor T7 reçoit le premier signal de commande (1)1. Une première borne de puissance du transistor Tg est reliée à la masse GND et la deuxième borne de 5 puissance du transistor Tg est reliée à la deuxième électrode du condensateur C2. La grille du transistor Tg reçoit le deuxième signal de commande (1)2. Une première borne de puissance du transistor T9 est reliée à la première électrode du condensateur C2 et la deuxième borne de puissance du transistor T9 est reliée 10 à une première électrode du condensateur C3. La grille du transistor T9 reçoit le premier signal de commande (1)1. Une première borne de puissance du transistor 110 est reliée au noeud d'entrée IN et la deuxième borne de puissance du transistor 110 est reliée à la deuxième électrode du condensateur C3. La grille du 15 transistor 110 reçoit le deuxième signal de commande (1)2. Une première borne de puissance du transistor Til est reliée à la masse GND et la deuxième borne de puissance du transistor Til est reliée à la deuxième électrode du condensateur C3. La grille du transistor Til reçoit le premier signal de commande (1)1. Une 20 première borne de puissance du transistor 112 est reliée à la première électrode du condensateur C3 et la deuxième borne de puissance du transistor 112 est reliée au noeud de sortie OUT. La grille du transistor 112 reçoit le deuxième signal de commande (1)2- 25 La figure 10 représente un autre mode de réalisation d'un convertisseur 40. Le convertisseur 40 comprend l'ensemble des éléments du convertisseur 35, représenté en figure 9, à la différence que le circuit à pompe de charges 10 est un inverseur de tension dont le rapport de transformation k est d'environ -1 30 et que l'oscillateur 12 et le circuit d'interface 14 sont reliés au noeud de sortie OUT fournissant la tension Vs au lieu d'être reliés à la masse GND. Le circuit à pompe de charges 10 du convertisseur 40 comprend quatre transistors MOS à appauvrissement 113, 114, 115 35 et 116 à canal N et un condensateur C4. Une première borne de 3029713 B13731 - DD15687ST 14 puissance du transistor 113 est reliée à la masse GND et la deuxième borne de puissance du transistor 113 est reliée à une première électrode du condensateur C4. La grille du transistor 113 reçoit le deuxième signal de commande (1)2. Une première borne 5 de puissance du transistor 114 est reliée au noeud d'entrée IN et la deuxième borne de puissance du transistor 114 est reliée à la deuxième électrode du condensateur C4. La grille du transistor 114 reçoit le deuxième signal de commande (1)2. Une première borne de puissance du transistor 115 est reliée à la deuxième électrode 10 du condensateur C4 et la deuxième borne de puissance du transistor 115 est reliée à la masse GND. La grille du transistor T15 reçoit le premier signal de commande (1)1. Une première borne de puissance du transistor 116 est reliée à la première électrode du condensateur C4 et la deuxième borne de puissance du transistor 15 116 est reliée au noeud de sortie OUT. La grille du transistor 116 reçoit le premier signal de commande (1)1. Le substrat de chaque transistor 113, 114, 115 et 116 est relié à la masse GND. Le fait que l'oscillateur 12 et le circuit d'interface 14 sont polarisés entre la tension -Ve et la tension Ve permet, 20 de façon avantageuse, d'améliorer le fonctionnement du convertisseur 40. En effet, en fonctionnement, les transistors 113, 114, 115 et 116 sont davantage bloqués lorsque leurs grilles reçoivent la tension -Ve plutôt qu'à la masse GND. En outre, lors d'un démarrage à froid, tant que l'oscillateur n'a pas démarré, 25 la tension Vs reste sensiblement à 0 V. Dès que l'oscillateur 12 a démarré, la tension Vs diminue en dessous de 0 V, de sorte que la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 12 augmente plus rapidement que si l'oscillateur 12 était relié à la masse GND et la vitesse d'évolution du rapport de transformation du circuit à 30 pompe de charges 10 est augmentée. La figure 11 représente des courbes d'évolution Ck1' et Ck2', en fonction de la tension Ve, des rapports de transformation k1' et k2' respectivement du convertisseur 40 représenté en figure 10 et d'un convertisseur ayant la même structure que le 35 convertisseur 40 à la différence que les transistors 113 à 116 3029713 B13731 - DD15687ST 15 sont remplacés par des transistors MOS à enrichissement à canal N. Les courbes Ck1' et Ck2' ont été obtenues pour des transistors MOS dont la longueur de canal était de 0,18 Pour les courbes Ck1' et Ck2', les rapports de 5 transformation k1' et k2', qui sont négatifs, diminuent lorsque la tension Ve augmente. Toutefois, la diminution est plus rapide lorsque des transistors MOS à appauvrissement sont utilisés. En effet, le rapport de transformation k1' diminue en dessous de -0,5 dès que la tension Ve augmente au-dessus de 200 mV alors que le 10 rapport de transformation k2' diminue en dessous de -0,5 seulement lorsque la tension Ve augmente au-dessus de 300 mV. La figure 12 illustre, sous la forme d'un schéma-bloc, un autre mode de réalisation d'un convertisseur 45. Le convertisseur 45 comprend deux circuits à pompe de charges 101 et 15 102. Le circuit à pompe de charges 101 est adapté à fournir une tension positive Vs1, de même signe que la tension Ve et le circuit à pompe de charges 102 est adapté à fournir une tension Vs2 de signe opposé à la tension Ve. L'oscillateur 12 et le circuit d'interface 14 sont alimentés par la tension positive Vs1 et la 20 tension négative Vs2. Le circuit d'interface 14 fournit les signaux de commande (1)1 et (1)2 aux deux circuits à pompe de charges 101 et 102. En fonctionnement normal, les signaux de commande (1)1 et (1)2 alternent entre la tension Vs1, qui peut être supérieure à Ve, et la tension Vs2, qui est négative. Ceci permet d'améliorer 25 la conduction et le blocage des transistors MOS du circuit à pompe de charges 101 et 102. Le rapport de transformation du circuit à pompe de charges 101 est donc augmenté et s'approche davantage de la valeur maximale théorique. En outre, dès que l'oscillateur 12 a démarré, la tension Vs1 est supérieure à la tension Ve et la 30 tension Vs2 diminue en dessous de 0 V, de sorte que la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 12 augmente plus rapidement que si l'oscillateur 12 était relié à la tension Ve et à la masse GND et la vitesse d'évolution du rapport de transformation du circuit à pompe de charges 10 est augmentée. 3029713 B13731 - DD15687ST 16 La figure 13 représente, à titre d'exemple, un mode de réalisation d'un convertisseur 50, correspondant à un mode de réalisation plus détaillé du convertisseur 45 de la figure 12, dans lequel le circuit à pompe de charges 101 a la structure du 5 circuit à pompe de charges 10 du convertisseur 5, dans lequel le circuit à pompe de charges 102 a la structure du circuit à pompe de charges 10 du convertisseur 40, dans lequel le circuit oscillant 11 a la structure du circuit oscillant 11 du convertisseur 10 à la différence que le circuit oscillant 11 est alimenté 10 par la tension Vs1 au lieu de la tension Ve et reçoit la tension Vs2 au lieu d'être relié à la masse GND. Le circuit d'interface 14 fournit les signaux de commande (1)1 et (1)2 aux deux circuits à pompe de charges 101 et 102. En fonctionnement normal, les signaux de commande (1)1 et (1)2 alternent entre la tension Vsl, qui, dans le 15 présent mode de réalisation, est sensiblement égale à 2Ve, et la tension Vs2, qui, dans le présent mode de réalisation, est sensiblement égale à -Ve. La figure 14 est une figure analogue à la figure 7 pour le convertisseur 45 de la figure 12 dans le cas où le circuit à 20 pompe de charges 101 est un élévateur de tension ayant la structure du circuit à pompe de charges du convertisseur 35 représenté en figure 9. La figure 14 représente des courbes d'évolution Cki" et Ck2", en fonction de la tension Ve, des rapports de transformation kl" et k2" du circuit à pompe de charge 102 respectivement du 25 convertisseur 45 et d'un convertisseur ayant la même structure que le convertisseur 45 à la différence que les transistors des circuits à pompe de charges 101 et 102 sont remplacés par des transistors MOS à enrichissement à canal N. Les courbes Cki" et Ck2" ont été obtenues pour des transistors MOS dont la largeur de 30 canal était de 0,18 pin. Pour les courbes Cki" et Ck2", le rapport de transformation kl" et k2" diminue lorsque la tension Ve diminue. Toutefois, la diminution est plus rapide lorsque des transistors MOS à enrichissement sont utilisés. En effet, le rapport de 35 transformation k2" diminue en dessous de 2,75 dès que la tension 3029713 B13731 - DD15687ST 17 Ve diminue en dessous de 250 mV alors que le rapport de transformation kl" diminue en dessous de 2,75 seulement lorsque la tension Ve diminue en dessous de 155 mV. La figure 15 représente un autre mode de réalisation 5 d'un convertisseur 55. Le convertisseur 55 comprend deux circuits à pompe de charges 101 et 102. Le circuit à pompe de charges 101 est relié au noeud d'entrée IN et fournit une tension V-51 à un noeud de sortie OUT'. Le circuit à pompe de charges 101 peut correspondre à l'un quelconque des circuits à pompe de charges 10 décrits précédemment en relation avec les figures 2, 8, 9, 10 ou 13. Le circuit à pompe de charges 102 est relié au noeud d'entrée IN et fournit une tension -V-52 à un noeud de sortie OUT2. Le circuit à pompe de charges 102 correspond à un amplificateur réalisé avec des transistors MOS à enrichissement. A titre d'exemple, le 15 circuit à pompe de charges 102 peut correspondre à l'un quelconque des circuit à pompe de charges décrits précédemment en relation avec les figures 2, 8, 9, 10 ou 13 en remplaçant les transistors MOS à appauvrissement par des transistors MOS à enrichissement. En figure 15, le circuit à pompe de charges 102 représenté à la 20 même structure que le circuit à pompe de charges 10 représenté en figure 9 à la différence que les transistors MOS à appauvrissement Ti à 14 et T7 à T12 ont été remplacés respectivement par des transistors MOS à enrichissement Ti' à 14' et T7' à 112'. Le convertisseur 55 comprend l'oscillateur 12 et le circuit 25 d'interface 14 tels que décrits précédemment. Selon un mode de réalisation, l'oscillateur 12 et le circuit d'interface 14 sont reliés au noeud de sortie OUT'. Le circuit à pompe de charges 102 peut avoir la même structure que le circuit à pompe de charges 101 à la différence que les transistors MOS à appauvrissement du 30 circuit à pompe de charges 101 sont remplacés par des transistors MOS à enrichissement. Lors d'un démarrage à froid à faible tension Ve, le circuit à pompe de charges 101 qui fournit la tension V51 démarre plus rapidement et sous une tension Ve plus faible que le circuit 35 à pompe de charges 102. Le circuit à pompe de charges 102 ne 3029713 B13731 - DD15687ST 18 démarre que lorsque la tension Vs1 est supérieure à la tension de seuil des transistors MOS à enrichissement qui le composent. En effet, les signaux de commande (1)1 et (1)2 des grilles des transistors MOS à enrichissement du circuit à pompe de charges 102 varient 5 sensiblement entre 0 V et Vs1. Lorsque le circuit à pompe de charges 102 fonctionne normalement, il peut être avantageux d'utiliser la tension Vs2 fournie par le circuit à pompe de charges 102 dans la mesure où le rendement de puissance, égal au rapport entre la puissance fournie par le circuit à pompe de charges et 10 la puissance reçue par le circuit à pompe de charges, du circuit à pompe de charges 102 peut être supérieur au rendement de puissance du circuit à pompe de charges 101. Selon un mode de réalisation, le circuit à pompe de charges 101 est relié au noeud d'entrée IN par un interrupteur 15 SW1. De plus, l'oscillateur 12 et le circuit d'interface 14 sont reliés au noeud de sortie OUT' par un interrupteur SW2 et au noeud de sortie OUT2 par un interrupteur SW3. Les interrupteurs SW1, SW2 et SW3 sont commandés par un module de commande, non représenté, qui peut comprendre un circuit dédié. Selon un mode 20 de réalisation, lors d'un démarrage à froid avec une faible tension Ve, les interrupteurs SW1 et SW2 sont fermés et l'interrupteur SW3 est ouvert. Le circuit oscillant 11 est alors alimenté par la tension Vs1. Le module de commande peut être adapté à comparer la tension V51 à une tension de référence, par 25 exemple égale à la somme de la tension de seuil des transistors MOS à enrichissement du circuit à pompe de charges 102 et d'une marge de sécurité. Lorsque la tension Vs1 est supérieure à la tension de référence, le module de commande peut ouvrir l'interrupteur SW1 pour augmenter le transfert d'énergie vers le 30 circuit à pompe de charges 102. En outre, l'interrupteur SW2 peut alors être ouvert et l'interrupteur SW3 peut être fermé de façon que les circuits 12 et 14 soient alors alimentés par la tension Vs2- La figure 16 représente un autre mode de réalisation 35 d'un circuit à pompe de charges 10 de type doubleur de tension. 3029713 B13731 - DD15687ST 19 Le circuit à pompe de charges 10 représenté en figure 16 comprend l'ensemble des éléments du circuit à pompe de charges 10 décrit précédemment en relation avec la figure 2 à la différence que le transistor MOS à appauvrissement T3 est remplacé par un transistor 5 116 à enrichissement à canal N. Le substrat du transistor 116 est relié à la masse GND. Ceci permet d'améliorer le rendement de puissance du convertisseur. De préférence, les transistors MOS à appauvrissement Ti et T2 ne sont pas remplacés par des transistors MOS à enrichissement de façon à ne pas dégrader les performances 10 au démarrage du circuit à pompe de charges 10. Un transistor MOS à enrichissement peut être prévu en parallèle d'un transistor MOS à appauvrissement pour au moins l'un des transistors MOS à appauvrissement du circuit à pompe de charges. Ceci permet d'améliorer le rendement de puissance du 15 convertisseur tout en conservant les avantages liés à l'utilisation de transistors MOS à appauvrissement. A titre d'exemple, en figure 16, un transistor MOS à enrichissement 117 à canal P peut être monté en parallèle du transistor MOS à appauvrissement 14, une première borne de puissance du transistor 117 étant 20 connectée à la première électrode du condensateur Cl, la deuxième borne de puissance du transistor 117 étant connectée au noeud de sortie OUT. La grille du transistor 117 reçoit le signal de commande (1)1. Le substrat du transistor 117 peut être relié au noeud de sortie OUT. Ceci permet d'améliorer le rendement de 25 puissance du convertisseur. La figure 17 représente un mode de réalisation d'un système de récupération d'énergie 60 comprenant un transducteur 62 adapté à fournir la tension Ve à un convertisseur 64 qui peut correspondre à l'un quelconque des convertisseurs 5, 30, 35, 40, 30 45, 50, 55 décrits précédemment. Le transducteur 62 peut être adapté à transformer en énergie électrique une autre forme d'énergie, par exemple de l'énergie thermique, de l'énergie mécanique ou de l'énergie radiative. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. 35 Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de 3029713 B13731 - DD15687ST 20 l'art. En particulier, bien que, dans les modes de réalisation décrits précédemment, l'oscillateur 12 soit un oscillateur en anneau, il est clair que l'oscillateur 12 peut avoir une structure différente. A titre d'exemple, les modes de réalisation décrits 5 précédemment peuvent être mis en oeuvre avec un oscillateur à relaxation. En outre, on note que l'homme de l'art peut combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. A titre d'exemple, les 10 modes de réalisation décrits précédemment en relation avec les figures 13 et 15 peuvent être combinés, le convertisseur pouvant comprendre deux circuits à pompe de charges utilisés pour fournir les deux tensions entre lesquelles le circuit oscillant est alimenté au démarrage comme cela est représenté en figure 13 et 15 un circuit à pompe de charges à transistors MOS à enrichissement, tel que représenté en figure 15, utilisé pour fournir la tension du sortie du convertisseur une fois que le convertisseur a démarré. REVENDICATIONS1. Convertisseur continu-continu (5 ; 30 ; 35 ; 40 ; 45 ; 50 ; 55) comprenant un premier circuit à pompe de charges (10 ; 101) comprenant des premiers transistors MOS (Ti, T2, T3, 14) dont des premiers transistors MOS à appauvrissement, un circuit oscillant (11) relié au circuit à pompe de charges seulement aux grilles d'au moins certains des premiers transistors MOS dont les premiers transistors MOS à appauvrissement. 2. Convertisseur selon la revendication 1, dans lequel le circuit oscillant (11) comprend un oscillateur en anneau (12). 3. Convertisseur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier circuit à pompe de charges (10 ; 101) comprend une première borne (IN) destinée à recevoir une première tension (Ve), au moins un condensateur (C1) et au moins un chemin de conduction entre la première borne et une électrode du condensateur comprenant seulement l'un des premiers transistors MOS (Ti) à appauvrissement ou seulement desdits premiers transistors MOS à appauvrissement en série. 4. Convertisseur selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le circuit oscillant (11) est alimenté par la première tension (Ve). 5. Convertisseur selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le premier circuit à pompe de charges (10 ; 101) est destiné à fournir une deuxième tension (Vs ; Vsi) et dans lequel le circuit oscillant (11) est alimenté par la deuxième tension. 6. Convertisseur selon la revendication 5, dans lequel le premier circuit à pompe de charges (10 ; 101) comprend, en outre, une deuxième borne (OUT ; OUT') destinée à fournir la deuxième tension (Vs ; Vsi) et dans lequel le premier circuit à pompe de charges (10 ; 101) comprend au moins un chemin de conduction entre la première borne et la deuxième borne comprenant seulement desdits premiers transistors MOS à appauvrissement (Ti, 14) en série. 7. Convertisseur selon la revendication 6, comprenant un deuxième circuit à pompe de charges (102) comprenant des 3029713 B13731 - DD15687ST 22 deuxièmes transistors MOS dont des deuxièmes transistors MOS à appauvrissement (113, 114, 115, 116), le circuit oscillant (11) étant relié au deuxième circuit à pompe de charges seulement aux grilles d'au moins certains des deuxièmes transistors MOS dont 5 les deuxièmes transistors MOS à appauvrissement, le deuxième circuit à pompe de charges comprenant une troisième borne destinée à recevoir la première tension (Ve) et une quatrième borne destinée à fournir une troisième tension (Vs2) de signe opposé à la première tension, et dans lequel le circuit oscillant est 10 alimenté entre la deuxième tension (Vs1) et la troisième tension (V52) 8. Convertisseur selon l'une quelconque des revendication 4 à 6, comprenant un troisième circuit à pompe de charges (102) comprenant seulement des troisièmes transistors MOS à 15 enrichissement, le circuit oscillant (12, 14) étant, en outre, relié au troisième circuit à pompe de charges seulement aux grilles d'au moins certains des troisièmes transistors MOS à enrichissement, le troisième circuit à pompe de charges comprenant une cinquième borne destinée à recevoir la première tension (Ve) 20 et une sixième borne destinée à fournir une quatrième tension (Vs2) de même signe que la première tension. 9. Convertisseur selon la revendication 8, comprenant, en outre, un circuit de commutation (SW1, SW2, SW3) adapté à alimenter successivement le circuit oscillant (11) avec la 25 deuxième tension (Vs1) et avec la quatrième tension (Vs2)- 10. Système électronique (60) de récupération d'énergie comprenant un transducteur (62) adapté à fournir une tension (Ve) à partir d'une source d'énergie et un convertisseur (60) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, le circuit à pompe de 30 charges (10) recevant ladite tension.