Brevet FR3031242A1 — publié le 20160701

B13815 - DD15984JBD 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOFILS OU DE MICROFILS SEMICONDUCTEURS À PIEDS ISOLÉS Domaine La présente invention concerne de façon générale les procédés de fabrication de dispositifs électroniques comprenant des microfils ou nanofils en matériau semiconducteur. Exposé de l'art antérieur Les microfils ou les nanofils comprenant un matériau semiconducteur permettent notamment la fabrication de dispositifs optoélectriques. Par dispositifs optoélectroniques, on entend des dispositifs adaptés à effectuer la conversion d'un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure ou l'émission d'un rayonnement électromagnétique ou des dispositifs dédiés à des applications photovoltaïques. Pour certaines structures dans lesquelles les nanofils ou microfils sont formés sur un support, il est nécessaire de recouvrir d'une couche isolante la portion inférieure de chaque nanofil ou microfil ainsi que le support entre les nanofils ou microfils, la portion supérieure de chaque nanofil ou microfil n'étant pas recouverte par cette couche isolante. Il peut toutefois être difficile de réaliser une isolation uniforme des pieds d'un ensemble de nanofils ou microfils, en particulier 3031242 B13815 - DD15984JBD 2 d'isoler la portion inférieure de chaque nanofil ou microfil d'une hauteur qui soit sensiblement la même pour tous les microfils et nanofils. Résumé 5 Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des procédés de fabrication des dispositifs électroniques à microfils ou nanofils décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est que les 10 hauteurs d'isolation des portions inférieures de nanofils ou microfils d'un ensemble de nanofils ou microfils soient sensiblement égales. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le dispositif électronique puisse être formé à une échelle 15 industrielle et à bas coût. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant un substrat et des microfils ou nanofils reposant sur le substrat, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : 20 a) recouvrir les microfils ou nanofils d'une couche isolante ; b) recouvrir la couche isolante d'une couche opaque ; c) déposer une première couche de résine photosensible s'étendant sur le substrat entre les fils ; d) graver la première couche de résine photosensible sur une première épaisseur par photolithographie ; e) graver la première couche de résine photosensible restante après l'étape d) sur une deuxième épaisseur par gravure au plasma ; f) graver la partie de la couche opaque non recouverte de la première couche de résine photosensible restante après l'étape e) ; g) graver la partie de la couche isolante non recouverte de la couche opaque ; 3031242 B13815 - DD15984JBD 3 h) retirer la première couche de résine photosensible restante après l'étape e) ; et i) retirer la couche opaque. Selon un mode de réalisation, la hauteur des microfils 5 ou nanofils est comprise entre 250 nm et 50 pin. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur maximale de la première couche de résine photosensible à l'étape c) est supérieure à la hauteur des microfils ou nanofils. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche 10 isolante est comprise entre 5 nm et 1 gm. Selon un mode de réalisation, la gravure au plasma est une gravure au plasma d'oxygène. Selon un mode de réalisation, la couche opaque est en un métal ou en un alliage métallique. 15 Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche opaque est comprise entre 5 nm et 1 gm. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, les étapes successives suivantes après l'étape i) : j) former une coque sur la portion de chaque microfil 20 ou nanofil non recouverte de la couche isolante, la coque comprenant une région active adaptée à capter ou à émettre la majorité du rayonnement fourni ou capté par le dispositif électronique ; k) former une couche d'électrode sur les coques et sur 25 la couche isolante ; 1) recouvrir la couche d'électrode d'une couche conductrice ; m) déposer une deuxième couche de résine photosensible s'étendant sur la couche conductrice entre les fils ; 30 n) délimiter dans la deuxième couche de résine, par photolithographie, un bloc de résine s'étendant entre les microfils ou nanofils ; o) graver le bloc de résine sur une troisième épaisseur par gravure au plasma ; 3031242 B13815 - DD15984JBD 4 p) graver la partie de la deuxième couche conductrice et réfléchissante non recouverte du bloc de résine photosensible restant après l'étape o) ; et q) retirer la deuxième couche de résine photosensible 5 restante après l'étape o). Selon un mode de réalisation, l'étape n) comprend les étapes suivantes : r) insoler partiellement la deuxième couche de résine photosensible sur une quatrième épaisseur ; 10 s) insoler des portions de la deuxième couche de résine photosensible sur toute son épaisseur en utilisant un écran occultant ; et t) graver les portions de la deuxième couche de résine photosensible insolées aux étapes r) et s). 15 Selon un mode de réalisation, la couche conductrice est réfléchissante. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de 20 réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à microfils ou nanofils ; et 25 les figures 2A à 2P sont des coupes, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation selon l'invention d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 1. Description détaillée 30 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. 3031242 B13815 - DD15984JBD 5 En particulier, les moyens de polarisation et de commande du dispositif optoélectronique sont bien connus et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre 5 de" signifient "à 10 % près", de préférence à 5 % près. La présente demande concerne notamment des dispositifs électroniques à structure tridimensionnelle comprenant des éléments tridimensionnels, par exemple des microfils, des nanofils, des éléments coniques ou des éléments tronconiques. En 10 particulier, un élément conique ou tronconique peut être un élément conique ou tronconique de révolution ou un élément conique ou tronconique pyramidal. Dans la suite de la description, des modes de réalisation sont notamment décrits pour des dispositifs électroniques à structure tridimensionnelle à microfils ou à 15 nanofils. Toutefois, ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour des éléments tridimensionnels autres que des microfils ou des nanofils, par exemple des éléments tridimensionnels coniques ou tronconiques. Le terme "microfil", "nanofil", "élément conique" ou 20 "élément tronconique" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 pin, de préférence entre 50 nm et 2,5 um, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant supérieure ou égale à 25 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 um, de préférence comprises entre 100 nm et 1 um, plus 30 préférentiellement entre 100 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 fun et 50 um. Dans la suite de la description, on utilise le terme 35 "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". De préférence, la 3031242 B13815 - DD15984JBD 6 ligne moyenne du fil qui passe par les barycentres des sections droites, dans des plans perpendiculaires à la direction privilégiée du fil, est sensiblement rectiligne et est appelée par la suite "axe" du fil. 5 Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner d'autres applications, notamment des dispositifs dédiés à la détection ou 10 la mesure d'un rayonnement électromagnétique ou des dispositifs dédiés aux applications photovoltaïques. La figure 1 est une coupe, partielle et schématique, d'un dispositif optoélectronique 10 réalisé à partir de fils tels que décrits précédemment et adapté à l'émission d'un rayonnement 15 électromagnétique. Le dispositif 10 comprend, du bas vers le haut en figure 1 : une première électrode de polarisation 12 ; un substrat 14, par exemple semiconducteur, comprenant 20 des faces parallèles 16 et 18, la face 16 étant au contact de l'électrode 12 et la face 18 pouvant être traitée de façon à favoriser la croissance de fils de façon organisée, ce traitement pouvant comprendre la formation d'une couche, non représentée, en surface du substrat 14 ; 25 des fils 20 d'axe A (trois fils étant représentés), de hauteur H1, chaque fil comprenant une portion inférieure 22 de hauteur H2, en contact avec la face 18, et une portion supérieure 24 de hauteur H3 ; une couche isolante 26 recouvrant la périphérie d'une 30 partie de chaque portion inférieure 22 et recouvrant le substrat 14 entre les fils 20 ; une coque 28 recouvrant chaque portion supérieure 24 ; une couche de seconde électrode 30 recouvrant les coques 28 et la couche isolante 26 ; et 3031242 B13815 - DD15984JBD 7 une portion conductrice 32 recouvrant la couche de seconde électrode 30 entre les fils 20, et s'étendant éventuellement sur une partie de la portion inférieure 22 de chaque fil 20, mais ne s'étendant pas sur la portion supérieure 5 24 de chaque fil 20. Chaque fil 20 est, au moins en partie, formés à partir d'au moins un matériau semiconducteur. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur est choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V, les composés II-VI ou les 10 semiconducteurs ou composés du groupe IV. L'ensemble formé par chaque fil 20 et la coque 28 associée constitue une diode électroluminescente. La coque 28 comprend notamment une zone active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique 15 fourni par la diode électroluminescente. Selon un exemple, la zone active peut comporter des moyens de confinement tels que des puits quantiques multiples. Dans le présent mode de réalisation, au moins certaines diodes électroluminescentes sont à électrodes communes et lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes 20 12 et 30, un rayonnement lumineux est émis par les zones actives de ces diodes électroluminescentes. Les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique 10 peuvent être réparties selon un ensemble, deux ensembles ou plus de deux ensembles de diodes électrolumi- 25 nescentes. Chaque ensemble peut comprendre de quelques diodes électroluminescentes à plusieurs millions de diodes électroluminescentes. Dans le présent mode de réalisation, la couche isolante 26 permet de délimiter la coque 28 pour chaque fil 20 et fournit 30 une isolation électrique entre la couche d'électrode 30 et le substrat 14. Dans le présent mode de réalisation, la portion conductrice 32 permet, de façon avantageuse, de diminuer la résistance de la couche d'électrode 30. De préférence, la portion 35 conductrice 32 est réfléchissante et permet, de façon avantageuse, 3031242 B13815 - DD15984JBD 8 d'augmenter la proportion du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes qui s'échappe du dispositif optoélectronique 10. Les figures 2A à 2P sont des coupes, partielles et 5 schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10 représenté en figure 1. La figure 2A représente la structure obtenue après avoir fait croître les fils 20 sur le substrat 14. 10 Le substrat 14 peut correspondre à une structure monobloc ou correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 14 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel 15 que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO, ou un substrat conducteur, par exemple un substrat en un métal ou un alliage métallique, notamment le cuivre, le titane, le molybdène et l'acier. De préférence, le substrat 14 est un substrat de silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat 20 semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. Le substrat 14 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator). Dans ce cas, l'électrode 12 peut être réalisée du côté de la face 18 du 25 substrat 14. Le substrat 14 peut être fortement dopé, faiblement dopé ou non dopé. Un traitement préalable du substrat 14 pour favoriser la croissance de fils 20 à des emplacements privilégiés peut être prévu. Le traitement appliqué au substrat pour favoriser la 30 croissance de fils peut correspondre à l'un des traitements décrits dans les documents US 7 829 443, FR 2 995 729 ou FR 2 997 558. Les fils 20 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un 35 composé III-V, par exemple un composé III-N. Des exemples 3031242 B13815 - DD15984JBD 9 d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou 5 l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les fils 20 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent 10 des éléments du groupe HA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI 15 sont ZnO, ZhMg0, CdZnO, CdZhMg0, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les fils 20 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement au 20 moins un élément du groupe IV. Des exemples de matériaux semiconducteurs du groupe IV sont le silicium (Si), le carbone (C), le germanium (Ge), les alliages de carbure de silicium (SiC), les alliages silicium-germanium (SiGe) ou les alliages de carbure de germanium (GeC). 25 La hauteur H1 de chaque fil 20 peut être comprise entre 250 nm et 50 pin, de préférence entre 1 pm et 20 pm. Chaque fil 20 peut avoir une structure semiconductrice allongée selon un axe sensiblement perpendiculaire à la face 18. Chaque fil 20 peut avoir une forme générale cylindrique. Les axes de deux fils 20 30 adjacents peuvent être distants de 0,5 pm à 20 pm et de préférence de 3 pm à 20 pin. A titre d'exemple, les fils 20 peuvent être régulièrement répartis, notamment selon un réseau hexagonal ou carré. La section droite des fils 20 peut avoir différentes 35 formes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire ou 3031242 B13815 - DD15984JBD 10 polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Ainsi, on comprend que, quand on mentionne ici le "diamètre" dans une section droite d'un fil ou d'une couche déposée sur ce fil, il s'agit d'une grandeur associée à la surface 5 de la structure visée dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même surface que la section droite du fil. Le diamètre moyen de chaque fil 20 peut être compris entre 50 nm et 10 pin, de préférence entre 200 nm et 10 pin. 10 Le procédé de croissance des fils peut être un procédé du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie 15 organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), 20 l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés. De plus, des procédés électrochimiques peuvent également être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle 25 anglais pour Chemical Bath Deposition), les procédés hydrothermiques (également appelés procédés hydrothermaux), la pyrolise d'aérosol liquide ou l'électrodépôt. A titre d'exemple, le procédé peut comprendre l'injection dans un réacteur d'un précurseur d'un élément du 30 groupe III et d'un précurseur d'un élément du groupe V. Des exemples de précurseurs d'éléments du groupe III sont le triméthylgallium (TMGa), le triéthylgallium (TEGa), le triméthylindium (TMIn) ou le triméthylaluminium (TMA1). Des exemples de précurseurs d'éléments du groupe V sont l'ammoniac 3031242 B13815 - DD15984JBD 11 (NH3), le tertiarybutylphoshine (TBT), l'arsine (AsH3) ou le diméthylhydrazine (UDMH). La figure 2B représente la structure obtenue après avoir déposé la couche isolante 26 sur la totalité des fils 20 et sur 5 la face 18 entre les fils. La couche isolante 26 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO2), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiOxNy, par exemple du Si2ON2), en 10 oxyde d'hafnium (Hf02), en oxyde d'aluminium (A1203) ou en diamant. A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche isolante 26 est comprise entre 5 nm et 1 pin, de préférence entre 10 nm et 500 nm, par exemple égale à environ 300 nm. La couche isolante 26 peut être déposée à titre d'exemple par dépôt chimique en phase 15 vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition), dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD, sigle anglais pour Low-Pressure Chemical Vapor Deposition), dépôt chimique en phase vapeur à pression sous-atmosphérique (SACVD, sigle anglais pour Sub- 20 Atmospheric Chemical Vapor Deposition), CVD, dépôt physique en phase vapeur (PVD, sigle anglais pour Physical Vapor Deposition), ou dépôt de couche atomique (ALD, sigle anglais pour Atomic Layer Deposition). La figure 2C représente la structure obtenue après avoir 25 déposé une couche opaque 40 sur la couche isolante 26. La couche opaque 40 peut être en un métal ou en un alliage métallique, par exemple de l'aluminium (Al), du titane (Ti), du cuivre (Cu), un alliage d'aluminium et de silicium, ou du tungstène (W). L'épaisseur de la couche opaque 40 peut être comprise entre 50 nm 30 et 1 pm, de préférence entre 100 nm et 200 nm, par exemple égale à environ 150 nm. La couche opaque 40 est, à titre d'exemple, déposée par PVD, CVD ou ALD. La figure 2D représente la structure obtenue après avoir déposé une couche 42 d'une résine photosensible sur l'ensemble de 35 la structure. La couche de résine 42 est notamment présente entre 3031242 B13815 - DD15984JBD 12 les fils 20. L'épaisseur maximale de la couche de résine 42 est supérieure à la hauteur H1 des fils 20. L'épaisseur maximale de la couche de résine 42 est comprise entre 250 nm et 50 pin. La figure 2E représente la structure obtenue après une 5 première étape de gravure partielle de la couche de résine 42 dans laquelle seule une portion supérieure de la couche de résine 42 est retirée. L'épaisseur retirée de la couche de résine 42 après la première étape de gravure peut être de quelques micromètres. La première étape de gravure est, de préférence, une étape de 10 photolithographie comprenant une étape d'insolation de la couche de résine 42, par exemple par exposition de la couche de résine 42 à un rayonnement ultraviolet, et une étape de développement de la couche de résine dans laquelle une partie de la couche de résine est retirée, par exemple par gravure par voie liquide en 15 mettant la résine au contact d'un révélateur. La résine photosensible peut être une résine photosensible positive, c'est-à-dire que la partie de la résine photosensible exposée à un rayonnement adapté devient soluble au révélateur et la partie de résine photosensible non exposée reste insoluble. Une insolation 20 et un développement partiels de la résine, notamment par ajustement de l'énergie d'insolation et/ou de la durée d'insolation, peuvent alors être mis en oeuvre. L'énergie du rayonnement peut être comprise par exemple entre 20 et 100 mW/cm2. La durée d'insolation est, par exemple, comprise entre quelques 25 secondes et une centaine de secondes. La résine photosensible peut être une résine photosensible négative, c'est-à-dire que la partie de la résine photosensible exposée à un rayonnement adapté devient insoluble au révélateur et la partie de résine photosensible non exposée reste soluble. Dans ce cas, un développement partiel de 30 la résine par ajustement de la durée de développement peut être mis en oeuvre sans exposition de la résine ou avec une exposition post-développement. Selon un mode de réalisation, les fils 20 peuvent être au moins en partie transparents. La présence de la couche opaque 35 40 permet alors de réduire, voire de supprimer, le guidage du 3031242 B13815 - DD15984JBD 13 rayonnement d'insolation par les fils 20, ce qui peut entraîner une surexposition indésirable de régions de la couche de résine 40 autour des fils 20. La figure 2F représente la structure obtenue après une 5 deuxième étape de gravure de la couche de résine 42 dans laquelle la couche de résine 42 est à nouveau gravée de façon partielle, seule une portion supérieure de la couche de résine 42 obtenue à l'issue de l'étape précédente étant retirée. L'épaisseur retirée de la couche de résine 42 après la deuxième étape de gravure peut 10 être de quelques centaines de nanomètres à quelques micromètres. La deuxième étape de gravure est, de préférence, une étape de gravure utilisant un plasma à base d'oxygène. Selon un mode de réalisation, il peut être utilisé pour le procédé de gravure au plasma selon l'invention toute source de 15 gravure classique telle que des sources RIE (sigle anglais pour Reactive Ion Etching) et plasma haute densité, en particulier toute source de gravure du type utilisé pour la gravure des matériaux organiques. La puissance d'excitation peut être comprise entre 10 W à 1 kW. Le substrat peut être maintenu à la température 20 ambiante, par exemple à 20°C. L'utilisation d'une gravure au plasma permet, de façon avantageuse, d'atteindre la hauteur souhaitée, de façon précise et reproductible, pour la couche de résine 42. En outre, l'utilisation d'un plasma permet de nettoyer les surfaces exposées 25 pour les étapes ultérieures, notamment en retirant les résidus organiques indésirables. Cela permet, en outre, d'éviter les effets parasites qui se produisent au cours de l'exposition d'une photolithographie en raison de la forme des fils et des couches présentes et entraînant notamment un rétrécissement des bandes de 30 résine (en anglais notching). La figure 2G représente la structure obtenue après une étape de gravure de la portion de la couche opaque 40 non recouverte par la couche de résine 42 et une étape de gravure de la portion de la couche isolante 26 qui n'est alors plus recouverte 35 par la couche opaque 40. La gravure de la couche opaque 40 peut 3031242 B13815 - DD15984JBD 14 être une gravure par voie humide ou sèche (gravure au plasma). La gravure de la couche isolante 26 peut être une gravure par voie humide ou sèche (gravure au plasma). De préférence, ces gravures sont sélectives par rapport à la résine. 5 La figure 2H représente la structure obtenue après une étape de retrait de la couche de résine restante. Le retrait de la couche de résine restante peut être réalisé par le trempage de la structure représentée en figure 2G dans un bain contenant un solvant adapté à dissoudre la couche de résine 42. 10 La figure 21 représente la structure obtenue après une étape de gravure de la couche opaque 40. La gravure peut être une gravure par voie humide ou sèche (gravure au plasma) et sélective par rapport aux fils 20 et par rapport à la couche 26. Les étapes 2J à 2P qui vont être décrites sont adaptées 15 pour la formation de la structure représentée en figure 1. De façon générale, les étapes ultérieures du procédé vont dépendre de l'application envisagée. La figure 2J représente la structure obtenue après les étapes suivantes : 20 formation de la coque 28 pour chaque fil 20, par exemple par MOCVD ; formation de la première électrode 30 par exemple par MOCVD, ALD, PVD, CVD ou PECVD ; et formation d'une couche conductrice 44 recouvrant la 25 première électrode 30, par exemple par PVD, ALD, CVD ou évaporation sous vide. L'électrode 30 est adaptée à polariser la zone active de la coque 28 recouvrant chaque fil 20 et à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électro- 30 luminescentes. Le matériau formant l'électrode 30 peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé ou non à l'aluminium, ou au gallium ou au bore, ou du graphène. A titre d'exemple, la couche d'électrode 30 a une 3031242 B13815 - DD15984JBD 15 épaisseur comprise entre 20 nm et 500 nm, de préférence entre 100 nm et 200 nm. La couche conductrice 44 peut correspondre à une couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, en or 5 ou en ruthénium ou en un alliage d'au moins deux de ces composés. A titre d'exemple, la couche conductrice 44 a une épaisseur comprise entre 100 nm et 2000 nm. De préférence, la couche 44 est réfléchissante. La figure 2K représente la structure obtenue après avoir 10 déposé une couche 46 d'une résine photosensible sur l'ensemble de la structure. La couche de résine 46 est notamment présente entre les fils 20. L'épaisseur maximale de la couche de résine 46 est, de préférence, supérieure à la hauteur des fils 20 recouverts des coques 28, de la couche d'électrode 30 et de la couche conductrice 15 44. L'épaisseur maximale de la couche de résine 46 est comprise entre 250 nm et 50 pin. La couche de résine 46 peut avoir la même composition que la couche de résine 42. La figure 2L représente la structure obtenue après une première insolation partielle de la couche de résine 46 dans 20 laquelle seule une portion supérieure de la couche de résine 46 est exposée et une deuxième insolation partielle de la couche de résine 46, notamment en utilisant un écran occultant. Les deux étapes d'insolation conduisent à insoler la totalité de la couche de résine 46 à l'exception d'un bloc de résine 48 qui s'étend sur 25 la couche 44 entre les fils 20 seulement sur une partie de la hauteur des fils 20. En figure 2L, on a représenté par une zone hachurée 471 la portion supérieure de la couche de résine 46 exposée lors de la première étape d'insolation et on a représenté par une zone hachurée 472 la portion supplémentaire de la couche 30 de résine 46 exposée lors de la deuxième étape d'insolation. La figure 2M représente la structure obtenue après une étape de gravure qui conduit à l'obtention du bloc de résine 48. La gravure est, de préférence, une étape de développement de la couche de résine 46 d'un procédé de photolithographie. 3031242 B13815 - DD15984JBD 16 La figure 2N représente la structure obtenue après une deuxième étape de gravure du bloc de résine 48 dans laquelle seule une portion supérieure du bloc de résine 48 est retirée. Cette étape peut être réalisée par une gravure au plasma comme cela a 5 été décrit précédemment en relation avec la figure 2F pour la deuxième étape de gravure de la couche de résine 42. La figure 20 représente la structure obtenue après une étape de gravure de la portion de la couche conductrice 44 non recouverte par le bloc de résine 48. La portion conductrice 32 10 est ainsi obtenue. La gravure de la couche conductrice 44 peut être une gravure par voie humide ou sèche (gravure au plasma). De préférence, cette gravure est sélective par rapport à la résine et par rapport à la couche 30. La figure 2P représente la structure obtenue après une 15 étape de retrait du bloc de résine 48. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique (10) comprenant un substrat (14) et des microfils ou nanofils (20) reposant sur le substrat, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) recouvrir les microfils ou nanofils d'une couche isolante (26) ; b) recouvrir la couche isolante d'une couche opaque (40) ; c) déposer une première couche de résine photosensible (42) s'étendant sur le substrat entre les fils ; d) graver la première couche de résine photosensible sur une première épaisseur par photolithographie ; e) graver la première couche de résine photosensible restante après l'étape d) sur une deuxième épaisseur par gravure 15 au plasma ; f) graver la partie de la couche opaque non recouverte de la première couche de résine photosensible restante après l'étape e) ; g) graver la partie de la couche isolante non recouverte 20 de la couche opaque ; h) retirer la première couche de résine photosensible restante après l'étape e) ; et i) retirer la couche opaque. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la 25 hauteur des microfils ou nanofils (20) est comprise entre 250 nm et 50 pin. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur maximale de la première couche de résine photosensible (42) à l'étape c) est supérieure à la hauteur des microfils ou 30 nanofils (20). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur de la couche isolante (26) est comprise entre 5 nm et 1 gm. 3031242 B13815 - DD15984JBD 18 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la gravure au plasma est une gravure au plasma d'oxygène. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 5 à 5, dans lequel la couche opaque (40) est en un métal ou en un alliage métallique. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur de la couche opaque (40) est comprise entre 5 nm et 1 pin. 10 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant, en outre, les étapes successives suivantes après l'étape i) : j) former une coque (28) sur la portion de chaque microfil ou nanofil (20) non recouverte de la couche isolante (26), la coque comprenant une région active adaptée à capter ou à émettre la majorité du rayonnement fourni ou capté par le dispositif électronique ; k) former une couche d'électrode (30) sur les coques et sur la couche isolante ; 1) recouvrir la couche d'électrode d'une couche conductrice (44) ; m) déposer une deuxième couche de résine photosensible (46) s'étendant sur la couche conductrice entre les fils ; n) délimiter dans la deuxième couche de résine, par 25 photolithographie, un bloc de résine (48) s'étendant entre les microfils ou nanofils (20) ; o) graver le bloc de résine sur une troisième épaisseur par gravure au plasma ; p) graver la partie de la deuxième couche conductrice 30 et réfléchissante non recouverte du bloc de résine photosensible restant après l'étape o) ; et q) retirer la deuxième couche de résine photosensible restante après l'étape o). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel 35 l'étape n) comprend les étapes suivantes : 3031242 B13815 - DD15984JBD 19 r) insoler partiellement la deuxième couche de résine photosensible (46) sur une quatrième épaisseur ; s) insoler des portions de la deuxième couche de résine photosensible sur toute son épaisseur en utilisant un écran 5 occultant ; et t) graver les portions de la deuxième couche de résine photosensible insolées aux étapes r) et s). 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la couche conductrice (44) est réfléchissante.