Brevet FR3026229A1 — publié le 20160325

CELLULE PHOTO VOLTAIQUE A CONTACTS EN FACE ARRIERE, MODULE PHOTOVOLTAIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL MODULE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne une cellule photovoltaïque à contacts en face arrière, un module comprenant au moins deux telles cellules et un procédé de fabrication d'un tel module. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Une cellule photovoltaïque à homojonction comporte une jonction formée dans un même matériau semi-conducteur et permettant de convertir directement les photons reçus en un signal électrique. L'homojonction est typiquement formée dans un substrat de silicium cristallin à la jonction entre deux régions du substrat ayant des types de dopage opposés (n et p). Plus particulièrement, l'homojonction peut être obtenue à partir d'un substrat en silicium présentant un type de dopage donné (par exemple dopage de type n) et dans lequel est formée une zone dopée selon un type de dopage opposé à celui du substrat (par exemple dopage de type p). Cette zone dopée, couramment appelée émetteur, est généralement formée depuis la face avant du substrat, correspondant par principe à la face du substrat destinée à recevoir le rayonnement solaire. Cependant, dans certains cas, elle peut aussi être formée depuis la face arrière du substrat, c'est-à-dire généralement la face opposée à celle recevant le rayonnement solaire. Une zone dopée de même type que le substrat est par ailleurs prévue pour former un champ électrique répulsif. Le rendement de conversion des cellules photovoltaïques à homojonction est en général limité par des pertes par recombinaison au niveau des faces avant et/ou arrière du substrat et par des pertes optiques liées à la présence de métallisations sur la face avant. Il est connu de minimiser ces pertes en développant une architecture de cellule adaptée présentant les zones dopées (émetteur et champ électrique répulsif) et les doigts métalliques (anode et cathode) associés pour la collecte des charges au niveau de la face arrière. Cette architecture de cellule est communément appelée IBC (acronyme du terme anglo-saxon « lnterdigitated Back Contact cell ») ou RCC (acronyme du terme anglo-saxon « Rear Contact Cell »). Les zones dopées sont généralement agencées de sorte à former deux peignes interdigités. La société Sunpower propose des cellules photovoltaïques basées sur une telle architecture [1]. La fabrication de la cellule photovoltaïque, dans ce cas, présente des métallisations élaborées par dépôt électrolytique de cuivre avec la présence de deux bus bars, respectivement présents à chaque extrémité de la face arrière de la cellule. la fonction des bus bars est de collecter le courant issu des doigts métalliques d'une même polarité et de recevoir l'interconnexion métallique assurant la liaison entre cellules. La mise en module est ainsi réalisée par interconnexions des cellules, via des rubans de cuivre soudés thermiquement aux bus bars de cellules adjacentes pour la mise en série des cellules. Cependant, cette technique est complexe et coûteuse, notamment du fait du dépôt électrolytique qui doit être mis en oeuvre avec une grande précision et qui nécessite de nombreuses étapes. Des alternatives consistent à mettre en oeuvre une métallisation par impression d'encres ou de pâtes métalliques, en général à base d'argent, pour les doigts et les bus bars. Actuellement, l'institut ISC de Konstanz communique des performances de rendements supérieurs à 21% par impression de contacts par sérigraphie avec la présence de six bus bars sur la face arrière (technologie ZEBRATM [2]). Cependant, dans ce cas, la mise en module apparaît complexe car la soudure des rubans sur les bus bars induit une courbure importante de la cellule. Cette contrainte freine l'émergence de cette approche bien que des connectiques de type colles conductrices pourraient limiter la génération d'une telle courbure. Une autre contrainte liée à l'utilisation des pâtes de sérigraphie (qui sont principalement à base d'argent) est son coût, qui dépend directement de la quantité déposée. Une solution pourrait consister à remplacer les rubans de cuivre par des fils électriquement conducteurs répartis sur la face arrière de la cellule, afin de permettre une meilleure extraction du courant et de relâcher les contraintes de conduction des doigts métalliques. Il serait alors possible de réduire d'un facteur 2 à 4 la quantité d'argent déposée. Différents concepts d'interconnexion par fils ont été décrits pour des cellules présentant des métallisations sur leurs deux faces, tels que la SmartVVire Connection Technologyn" (SVVCT) de Meyer Burger Technology AG [3] ou le Multi Busbar ConnectorTM de Schmid [4]. Dans la solution de Meyer Burger Technology AG, la cellule ne comprend plus de bus bars continus comme dans la solution de Schmid, mais une soudure directe des fils sur les doigts métalliques. En raison de la conductivité électrique limitée des fils, il est nécessaire d'utiliser une pluralité de fils (typiquement, entre 5 et 30) afin d'extraire le courant sans pertes résistives. Or, compte tenu de la faible largeur des zones dopées interdigitées en face arrière de la cellule, il ne serait pas possible de déposer un fil sur chacune de ces zones dopées. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION Un but de l'invention est de remédier aux inconvénients précités et de concevoir une cellule photovoltaïque à contacts interdigités en face arrière qui soit plus simple et moins onéreuse à fabriquer, qui présente une meilleure planéité et qui permette une extraction du courant performante. Conformément à l'invention, il est proposé une cellule photovoltaïque à contacts interdigités en face arrière, comprenant : - un substrat de silicium monocristallin comprenant, sur une même face principale dite face arrière, une alternance de régions dopées selon un premier type de dopage et de régions dopées selon un second type de dopage opposé au premier type, - une couche de passivation électriquement isolante s'étendant sur la face arrière du substrat, - une pluralité de doigts métalliques s'étendant dans une direction longitudinale sur chaque région dopée du premier type et du second type, au travers de la couche de passivation, - une pluralité de fils électriquement conducteurs s'étendant sur la face arrière de la cellule transversalement auxdites régions alternées, chaque fil reliant électriquement soit les doigts métalliques de chaque région dopée du premier type soit les doigts métalliques de chaque région dopée du second type, chaque fil étant en contact avec une zone électriquement isolante de la face arrière entre deux doigts métalliques successifs reliés électriquement par ledit fil. Selon un mode de réalisation, chaque doigt métallique s'étend longitudinalement de manière continue sur une région dopée du premier, respectivement du second type, et ladite zone électriquement isolante comprend un plot électriquement isolant recouvrant chaque doigt métallique à l'emplacement d'un fil reliant électriquement les doigts métalliques des régions dopées du second, respectivement du premier type. De manière particulièrement avantageuse, le ledit plot électriquement isolant est en un matériau diélectrique, organique et/ou inorganique. Selon un autre mode de réalisation, chaque doigt métallique s'étend longitudinalement de manière discontinue sur une région dopée du premier ou du second type, de sorte à former des portions de doigts séparées par des intervalles inter-doigts, les intervalles inter-doigts formés sur une région dopée du premier type étant décalés dans la direction longitudinale par rapport aux intervalles inter-doigts formés sur une région dopée du second type adjacente, chaque zone électriquement isolante comprenant une région de la couche de passivation située dans chacun desdits intervalles inter- doigts. Eventuellement, un plot électriquement isolant s'étend dans lesdits intervalles inter-doigts sur la couche de passivation. Ledit plot comprend avantageusement un matériau diélectrique inorganique ou un matériau diélectrique organique, éventuellement chargé d'un matériau inorganique. Selon un mode de réalisation, chaque région dopée du premier et/ou du second type s'étend longitudinalement de manière continue. De manière alternative, chaque région dopée du premier et/ou du second type s'étend longitudinalement de manière discontinue, de sorte à former des portions de régions dopées séparées par des intervalles inter-régions coïncidant avec les intervalles inter-doigts. . Un autre objet concerne un module photovoltaïque comprenant au moins deux 10 cellules photovoltaïques telles que décrites ci-dessus, lesdites cellules étant interconnectées électriquement par les fils électriquement conducteurs. Selon une forme d'exécution, lequel les régions dopées du premier type et du second type sont réparties de manière asymétrique sur la face arrière de chaque cellule, et deux cellules adjacentes sont agencées avec une orientation de 180° l'une par rapport 15 à l'autre. Selon une autre forme d'exécution, deux cellules photovoltaïques adjacentes présentent des zones électriquement isolantes décalées de sorte qu'un fil reliant les régions dopées du premier type d'une cellule relie également les régions dopées du second type d'une cellule adjacente. 20 Un autre objet concerne un procédé de fabrication d'un module photovoltaïque, comprenant : - la fourniture d'au moins deux cellules photovoltaïques telles que décrites ci-dessus, - la mise en place d'une pluralité de fils électriquement conducteurs sur la face 25 arrière desdites cellules transversalement auxdites régions alternées, chaque fil reliant électriquement les doigts métalliques des régions d'une cellule dopées du premier type avec les doigts métalliques des régions d'une cellule adjacente dopées du second type, chaque fil étant en contact avec une zone électriquement isolante de la face arrière de chaque cellule entre deux doigts métalliques successifs reliés électriquement par 30 ledit fil. Selon un mode de réalisation, avant la mise en place des fils, on forme, sur chaque doigt métallique des régions dopées du premier, respectivement du second type, un plot électriquement isolant à l'emplacement d'un fil reliant les doigts métalliques des régions dopées du second, respectivement du premier type. 35 De manière avantageuse, ledit plot électriquement isolant est formé par dépôt par sérigraphie d'un matériau diélectrique organique, éventuellement chargé d'un matériau inorganique, ledit dépôt étant réalisé pendant la fabrication de chaque cellule photovoltaïque ou entre ladite fabrication et la mise en place des fils électriquement conducteurs. De manière alternative, ledit plot électriquement isolant est formé par dépôt par sérigraphie d'un matériau diélectrique inorganique, ledit dépôt étant réalisé pendant la fabrication de chaque cellule. De manière avantageuse, on met en oeuvre plusieurs étapes de dépôt et de recuit dudit matériau diélectrique. La fabrication de chaque cellule comprend avantageusement : - la fourniture d'un substrat de silicium monocristallin comprenant, sur une même face principale dite face arrière, une alternance de régions dopées selon un premier type de dopage et de régions dopées selon un second type de dopage opposé au premier type, - la formation d'une couche de passivation électriquement isolante sur la face arrière du substrat, - la formation par sérigraphie d'une pluralité de doigts métalliques s'étendant dans une direction longitudinale sur chaque région dopée du premier type et/ou du second type, au travers de la couche de passivation. Selon un mode de réalisation, lors de la fabrication de chaque cellule, les doigts métalliques sont formés de manière discontinue sur chaque région dopée du premier type et/ou du second type. Selon un autre mode de réalisation, lors de la fabrication de chaque cellule, les régions dopées du premier type et/ou du second type sont formées longitudinalement de manière discontinue sur la face arrière du substrat. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe d'une cellule photovoltaïque avant la réalisation des doigts métalliques, - la figure 2 est un schéma de métallisation conventionnel en vue de dessus pour une cellule photovoltaïque de type I BC avec deux bus bars de part et d'autre de la cellule, - les figures 3A et 3B sont des schémas de métallisation en vue de dessus d'une cellule selon un premier mode de réalisation de l'invention et une variante de ce premier mode de réalisation, respectivement, - les figures 4A et 4B sont des vues en coupe des schémas de métallisation des figures 3A et 3B, respectivement, - la figure 5 est un schéma de métallisation en vue de dessus d'une cellule selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, - la figure 6 est une vue en coupe du schéma de métallisation de la figure 5, - la figure 7 est un schéma de métallisation en vue de dessus d'une cellule selon un troisième mode de réalisation de l'invention, - la figure 8 est une vue en coupe du schéma de métallisation de la figure 7, - la figure 9 est une vue de principe de l'assemblage de plusieurs cellules photovoltaïques du type des figures 3A et 4A de sorte à former un module, - la figure 10 est une vue de principe de l'assemblage de plusieurs cellules photovoltaïques du type des figures 5 et 6 de sorte à former un module, - la figure 11 est une vue de principe de l'assemblage de plusieurs cellules photovoltaïques selon une forme d'exécution préférée de l'invention de sorte à former un module. Pour des raisons de lisibilité des dessins, les figures ne sont pas nécessairement réalisées à l'échelle. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La figure 1 est une vue en coupe d'une cellule photovoltaïque 1 à contacts interdigités en face arrière avant la réalisation des doigts métalliques. La cellule comprend un substrat 10 de silicium monocristallin, qui présente par exemple un dopage de type n. Sur la face avant, c'est-à-dire la face principale exposée au rayonnement solaire, la minimisation des recombinaisons des porteurs de charge est assurée par une couche 11 de silicium légèrement dopée (de type n+ ou p+) recouverte d'un empilement 12 d'une couche d'oxyde de silicium et d'une couche antireflet de nitrure de silicium. La couche d'oxyde présente une épaisseur de quelques nm et est typiquement réalisée par croissance thermique ; la couche antireflet est généralement déposée par PECVD sur la couche d'oxyde de silicium et présente une épaisseur d'environ 70 nm. Sur la face arrière du substrat (face principale opposée à la face avant), sont réalisés des caissons allongés 13a, 13b alternés, respectivement de dopage P+ (appelés couramment émetteur) et N+ (appelés couramment BSF, acronyme du terme anglo-saxon « Back Surface Field »). La largeur de chaque caisson 13a (désignée par la référence VVp+ sur la figure 1) est comprise entre 800 pm et 2000 pm. La largeur de chaque caisson 13b (désignée par la référence VVn+ sur la figure 1) est comprise entre 200 pm et 600 pm. Ces deux caissons sont en général séparés par une zone non dopée dont la largeur (désignée par la référence d sur la figure 1) est comprise entre 20 pm et 500 pm. De manière alternative (non illustrée), les deux caissons pourraient aussi être en contact l'un avec l'autre. Dans ce cas, il n'y a pas de zone non dopée intermédiaire. Le choix de ces largeurs respectives dépend de la technique de métallisation utilisée, de la précision d'alignement des technologies employées et la résistivité électrique du substrat 10. La formation des caissons n+ et p+ alternés peut être réalisée de différentes façons connues de l'homme du métier et qui ne seront donc pas décrites en détail ici. Un empilement 14 d'une couche d'oxyde de silicium et d'une couche de nitrure de silicium s'étend sur la face arrière du substrat 10. De manière alternative, d'autres matériaux diélectriques peuvent être employés, tels que A1203, SiC, AIN. Cet empilement remplit une fonction de passivation. Pour collecter les charges photogénérées, des doigts métalliques, appelés communément « fingers » selon la terminologie anglo-saxonne (non illustrés sur la figure 1) sont formés sur chacun des caissons 13a, 13b pour former un contact électrique avec le caisson respectif et s'étendent au travers de l'empilement diélectrique 14. Les doigts métalliques formés sur les caissons 13a forment l'anode et les doigts métalliques formés sur les caissons 13b forment la cathode. Dans le présent texte, on désigne par « longueur » de la cellule la direction longitudinale des caissons et « largeur » la direction transversale auxdits caissons. La figure 2 illustre en vue de dessus un schéma de métallisation correspondant au cas où la collecte des charges serait assurée par des bus bars aux deux extrémités de la cellule, selon une technique connue. Une asymétrie dans la formation des caissons p+ et n+ est généralement nécessaire afin de permettre la collecte des porteurs minoritaires au niveau de la jonction. Ainsi, on fait en sorte que les caissons n+ et les doigts métalliques correspondants soient en contact électrique avec le bus bar Bn+ mais pas avec le bus bar Bp+, et inversement. Dans ce cas, les doigts métalliques n+ et p+ devront conduire le courant électrique sur une longueur correspondant à la longueur du substrat (soit environ 150 mm en général). Les contraintes de largeur de doigts engendrent également des contraintes sur la largeur des caissons dopés et par conséquent requiert des tolérances d'alignement plus critiques. L'invention propose de supprimer lesdits bus bars pour chaque cellule et d'utiliser une pluralité de fils électriquement conducteurs, généralement à base de cuivre (avec éventuellement un revêtement améliorant la soudabilité de ces fils sur les doigts métalliques), pour réaliser à la fois la collecte du courant des doigts métalliques de même polarité pour une cellule et pour réaliser l'interconnexion entre deux cellules (lesdits fils remplacent donc aussi le ruban de cuivre), ce qui permet de limiter la surface de soudure et par conséquent la courbure de la cellule. En raison de la conductivité électrique limitée des fils, il est nécessaire d'utiliser une pluralité de fils (typiquement, entre 5 et 30 par cellule) afin d'extraire le courant sans pertes résistives. En raison des largeurs respectives des caissons dopés (environ 1500 pm et 500 pm), il ne serait pas possible de déposer un tel fil sur chaque caisson dopé dans le sens de la longueur. Ceci serait surtout complexe sur les caissons BSF (13b sur le schéma) qui sont de largeur réduite par rapport aux caissons émetteurs. Les fils électriquement conducteurs sont positionnés transversalement aux caissons dopés n+ et p+, dans une direction sensiblement perpendiculaire à la direction longitudinale desdits caissons. Selon la tension mécanique appliquée à chaque fil lors de sa mise en place sur la cellule, le fil épouse sensiblement le relief de la face arrière de la cellule. Par conséquent, chaque fil est susceptible d'être non seulement en contact avec les doigts métalliques qu'il relie, mais aussi avec des zones de la face arrière de polarité opposée. Pour éviter la formation de court-circuit entre l'anode et la cathode, il est prévu d'isoler électriquement sélectivement les zones où les fils électriquement conducteurs sont en contact avec la cellule. Cette isolation sélective peut être mise en oeuvre selon différents modes de réalisation qui sont décrits ci-après. Les figures 3A et 4A illustrent, respectivement en vue de dessus et en vue de côté, un schéma de métallisation selon un premier mode de réalisation de l'invention. Les fils d'anode (+) sont représentés en trait plein tandis que les fils de cathode (-) sont représentés en trait interrompu. Les caissons dopés 13a, 13b s'étendent de manière continue sur la longueur de la cellule 1, selon une alternance entre caissons 13a dopés p+ et caissons 13b dopés n+ dans la direction transversale. Des doigts métalliques 15a, 15b sont formés respectivement sur chaque caisson 13a, 13b. Lesdits doigts s'étendent sur toute la longueur desdits caissons. De manière connue en elle-même, les doigts métalliques sont formés par sérigraphie d'une encre ou d'une pâte électriquement conductrice, typiquement à base d'argent. Les fils 17 d'anode et de cathode s'étendent dans la direction transversale de la cellule 1, de manière alternée. Chaque fil d'anode est soudé à chaque doigt métallique 15a, tandis que chaque fil de cathode est soudé à chaque doigt métallique 15b, de sorte à assurer un contact électrique entre le fil et le doigt correspondant. En fonction de la tension mécanique appliquée à chaque fil lors de sa mise en place sur la cellule, le fil épouse sensiblement le relief de la face arrière de la cellule. Par conséquent, chaque fil se trouve en contact alternativement avec un doigt métallique d'un caisson dopé selon un premier type et avec un doigt métallique d'un caisson dopé de type opposé. Pour éviter la création d'un court-circuit entre un fil d'anode et un doigt métallique de cathode 15b, un plot électriquement isolant 16b est formé sur chaque doigt métallique 15b à l'emplacement prévu pour ledit fil d'anode, avant la mise en place dudit fil, de manière à procurer une isolation électrique entre le doigt métallique de cathode et le fil d'anode. De même, pour éviter la création d'un court-circuit entre un fil de cathode et un doigt métallique d'anode 15a, un plot électriquement isolant 16a est formé sur chaque doigt métallique 15a à l'emplacement prévu pour ledit fil de cathode, avant la mise en place dudit fil, de manière à procurer une isolation électrique entre le doigt métallique d'anode et le fil de cathode. Les plots 16a et les plots 16b sont ainsi agencés en quinconce sur les doigts métalliques 15a, 15b. Lesdits plots électriquement isolants sont typiquement réalisés à partir d'une pâte diélectrique, comprenant une résine organique avec éventuellement une charge inorganique (de type Ti02, Si02 par exemple) selon le type de recuit réalisé ultérieurement. Ainsi, avec un recuit basse température, l'intégrité de la résine est préservée et, si elle est diélectrique, elle peut contribuer à l'isolation électrique soit toute seule, soit avec une charge inorganique diélectrique. En revanche, avec un recuit haute température, la résine est brûlée. Dans ce cas, il faut donc y inclure des charges inorganiques qui résistent à la température et qui assureront la fonction d'isolation électrique. La pâte diélectrique peut aussi être formée uniquement par une résine organique diélectrique, par exemple une résine époxy. Après réalisation des doigts métalliques, lesdits plots électriquement isolants sont formés par une étape supplémentaire de dépôt par sérigraphie d'une pâte électriquement isolante. Dans le cas où les plots sont en un matériau diélectrique inorganique, un recuit sera mis en oeuvre pendant ou après le recuit des doigts métalliques dans un four à passage de type infrarouge (dans ce cas, la résine organique peut être brulée ou conservée). Dans le cas où les plots sont en un matériau diélectrique organique, un recuit à basse température (de l'ordre de 200°C) est mis en oeuvre à la fin du procédé de fabrication de la cellule de sorte à conserver le matériau diélectrique organique. La longueur dudit plot électriquement isolant 16a, 16b est définie selon les tolérances d'alignement des fils, et est typiquement comprise entre 1 mm et 5 mm. La largeur de chaque plot isolant dépend de la qualité de l'isolation entre le fil et l'empilement diélectrique 14 (Si02/SiN) utilisé pour la passivation. La largeur dudit plot électriquement isolant 16a, 16b est supérieure au diamètre des fils 17 (qui est typiquement compris entre 100 pm et 500 pm) et de préférence inférieure ou égale à la distance entre deux caissons dopés de même polarité. Ainsi, dans le mode de réalisation des figures 3A et 4A, lorsque l'isolation électrique de l'empilement diélectrique 14 vis-à-vis du fil 17 est de bonne qualité, les plots isolants 16a, 16b peuvent présenter une largeur relativement limitée. Les figures 3B et 4B illustrent une variante du mode de réalisation illustré sur les figures 3A et 4A (les mêmes signes de référence désignant les mêmes éléments), mais dans laquelle l'isolation électrique de l'empilement diélectrique 14 vis-à-vis du fil 17 est de moins bonne qualité. Dans ce cas, les plots électriquement isolants 16a, 16b présentent une largeur plus importante que dans le cas des figures 3A et 4A. Pour ces modes de réalisation, l'épaisseur du plot isolant déposé sur les doigts métalliques doit être suffisante pour bien recouvrir ledit doigt à l'emplacement du fil et éviter tout risque de court-circuit. A cet effet, on pourra mettre en oeuvre plusieurs étapes successives de dépôt et de recuit de la pâte diélectrique. Ceci permet en outre d'éviter des problèmes de court-circuits (ou shunt) liés à des porosités locales de la pâte diélectriques (dues notamment à des bulles d'air emprisonnées lors de la sérigraphie). Les figures 5 et 6 illustrent, respectivement en vue de dessus et en vue de côté, un schéma de métallisation selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Les fils d'anode (+) sont représentés en trait plein tandis que les fils de cathode (-) sont représentés en trait interrompu. Comme dans le premier mode de réalisation, les caissons dopés 13a, 13b s'étendent de manière continue sur la longueur de la cellule 1, selon une alternance, dans la direction transversale, entre caissons 13a dopés p+ et caissons 13b dopés n+. Des doigts métalliques 15a1-15a4, 15b1-15b4 sont formés respectivement sur chaque caisson 13a, 13b. Contrairement au premier mode de réalisation, lesdits doigts sont réalisés de manière discontinue le long desdits caissons, avec un intervalle dépourvu de métallisation dans la direction longitudinale entre deux doigts adjacents sur un même caisson. Chaque intervalle dépourvu de métallisation est positionné de sorte à coïncider avec une région d'un caisson destinée à être en contact avec un fil reliant les doigts métalliques des caissons de polarité opposée, de sorte à former une zone isolante électrique vis-à-vis dudit fil. Les intervalles entre les doigts métalliques des caissons 13a sont décalés dans la direction longitudinale par rapport aux intervalles entre les doigts métalliques des caissons 13b. Ainsi, dans un plan transversal, les doigts métalliques des caissons 13a ne se trouvent pas en vis-à-vis des intervalles entre les doigts métalliques des caissons 13b. En d'autres termes, les intervalles entre les doigts métalliques sont agencés en quinconce. De manière connue en elle-même, les doigts métalliques sont formés par sérigraphie d'une encre ou d'une pâte électriquement conductrice, typiquement à base d'argent. Un avantage de ce deuxième mode de réalisation est qu'il nécessite une plus faible quantité d'encre ou de pâte électriquement conductrice que dans le premier mode de réalisation, la surface des doigts métalliques étant plus faible. Les fils 17 d'anode et de cathode s'étendent dans la direction transversale de la cellule 1, de manière alternée. Chaque fil d'anode est soudé à un doigt métallique de chaque caisson 13a, tandis que chaque fil de cathode est soudé à un doigt métallique de chaque caisson 13b, de sorte à assurer un contact électrique entre le fil et le doigt correspondant. En raison de la tension mécanique appliquée à chaque fil, le fil épouse sensiblement le relief de la face arrière de la cellule. Grâce à la discontinuité des doigts métalliques, chaque fil d'anode se trouve en contact alternativement avec un doigt métallique d'un caisson 13a, sur lequel il est avantageusement soudé, et avec l'empilement diélectrique 14 recouvrant une zone non métallisée d'un caisson 13b. De même, chaque fil de cathode se trouve en contact physique alternativement avec un doigt métallique d'un caisson 13b, sur lequel il est avantageusement soudé, et avec l'empilement diélectrique recouvrant une zone non métallisée d'un caisson 13a. Selon un autre mode de réalisation, les fils sont reliés électriquement aux doigts métalliques par collage plutôt que par soudure. Entre chaque fil électriquement conducteur et la zone non métallisée d'un caisson recouverte de l'empilement diélectrique 14, il existe donc un contact de type MIS (acronyme du terme anglo-saxon « Metal lnsulator Semiconductor »). La résistance électrique de ce contact peut être optimisée en variant les épaisseurs de l'empilement diélectrique 14 ou en optimisant les paramètres de croissance ou de dépôt des couches. Si cette résistance électrique est considérée comme procurant une isolation suffisante du fil vis-à-vis du caisson non métallisé, on pourra se contenter de ce contact MIS. Dans le cas contraire, on pourra déposer, sur cette zone de la face arrière, un plot électriquement isolant tel que décrit dans le premier mode de réalisation avant la mise en place des fils. L'intérêt de ce deuxième mode de réalisation dépend du niveau de tension mécanique du fil et de la précision d'alignement de ce dernier. En effet, dans ce mode de réalisation, la conduction du courant devra être assurée par les caissons dopés en l'absence des métallisations. Ce mode de réalisation sera donc d'autant plus performant que les intervalles entre les doigts métalliques d'un même caisson seront faibles, ce qui est possible si les tolérances d'alignement des fils sont faibles. En revanche, pour des tolérances d'alignement larges (c'est-à-dire typiquement supérieures à 2 mm), imposant des distances élevés entre deux doigts métalliques successifs sur un même caisson, des pertes de performances liées à une forte résistance électrique série sont possibles. Le premier mode de réalisation sera par conséquent plus performant dans ce dernier cas. Les figures 7 et 8 illustrent, respectivement en vue de dessus et en vue de côté, un schéma de métallisation selon un troisième mode de réalisation de l'invention. Les fils d'anode (+) sont représentés en trait plein tandis que les fils de cathode (-) sont représentés en trait interrompu. Des caissons dopés 13a1-13a4, 13b1-13b4 s'étendent de manière discontinue sur la longueur de la cellule 1, selon une alternance, dans la direction transversale, entre caissons dopés p+ et caissons dopés n+. Contrairement au premier et au deuxième mode de réalisation, lesdits caissons sont réalisés de manière discontinue sur la longueur de la cellule, de telle sorte que les zones intermédiaires entre deux caissons alignés dopés selon un premier type ne se trouvent pas en vis-à-vis des zones intermédiaire entre deux caissons alignés dopés de type opposé au premier. En d'autres termes, les intervalles entre caissons sont agencés en quinconce. Chaque zone intermédiaire entre deux caissons d'une même polarité est positionnée de sorte à coïncider avec une région de l'empilement diélectrique destinée à être en contact avec un fil reliant les doigts métalliques de caissons de polarité opposée, de sorte à former une zone isolante électrique vis-à-vis dudit fil. Des doigts métalliques 15a1-15a4, 15b1-15b4 sont formés respectivement sur toute ou quasiment toute la longueur de chaque caisson respectif 13a1-13a4, 13b1-13b4. Lesdits doigts métalliques présentent donc la même discontinuité que les caissons. De manière connue en elle-même, les doigts métalliques sont formés par sérigraphie d'une encre ou d'une pâte électriquement conductrice, typiquement à base d'argent. Les fils 17 d'anode et de cathode s'étendent dans la direction transversale de la cellule 1, de manière alternée. Chaque fil d'anode est soudé à un doigt métallique d'un caisson 13a, tandis que chaque fil de cathode est soudé à un doigt métallique d'un caisson 13b, de sorte à assurer un contact électrique entre le fil et le doigt correspondant. En raison de la tension mécanique appliquée à chaque fil, le fil épouse sensiblement le relief de la face arrière de la cellule. Grâce à la discontinuité des caissons et des doigts métalliques, chaque fil d'anode se trouve en contact alternativement avec un doigt métallique d'un caisson dopé p+, sur lequel il est soudé, et avec l'empilement diélectrique 14 recouvrant une zone non dopée du substrat 10 s'étendant entre deux caissons dopés de type n+. De même, chaque fil de cathode se trouve en contact physique alternativement avec un doigt métallique d'un caisson dopé de type n+, sur lequel il est soudé, et avec l'empilement diélectrique recouvrant une zone non dopée du substrat 10 s'étendant entre deux caissons dopés de type p+. Entre chaque fil électriquement conducteur et la zone non dopée du substrat 10 recouverte de l'empilement diélectrique 14, il existe donc un contact de type MIS (acronyme du terme anglo-saxon « Metal lnsulator Semiconductor »). La résistance électrique de ce contact peut être optimisée en variant les épaisseurs de l'empilement diélectrique 14 ou en optimisant les paramètres de croissance ou de dépôt des couches. Si cette résistance électrique est considérée comme procurant une isolation suffisante du fil vis-à-vis du caisson non métallisé, on pourra se contenter de ce contact MIS. Dans le cas contraire, on pourra former un plot électriquement isolant tel que décrit dans le premier mode de réalisation avant la mise en place des fils. Dans ce troisième mode de réalisation, les surfaces des caissons dopés sont réduites en fonction de la précision d'alignement des fils. Par conséquent, la performance de la cellule est fortement dépendante de la capacité des porteurs photogénérés au- dessus d'une zone non dopée du substrat de diffuser vers un caisson dopé. Cette contrainte est liée à la qualité du substrat et à la passivation des surfaces. Dans le cas où la distance entre les caissons dopés est élevée (c'est-à-dire typiquement supérieure à 2 mm), il sera préférable de conserver le premier ou le deuxième mode de réalisation. Afin de permettre la mise en série des cellules IBC décrites plus haut, un premier mode de production consiste à de fabriquer deux types de géométrie pour permettre la connectique en série, de sorte à ne pas placer en vis-à-vis deux caissons dopés du même type à l'interface entre deux cellules adjacentes. La figure 9 illustre la mise en module de cellules conformes au premier mode de réalisation (figures 3A et 4A). Ce module met en oeuvre alternativement deux schémas de métallisation (cellules 1 et 1') permettant de faire en sorte qu'a l'interface entre deux cellules adjacentes 1, 1', les fils de polarité négative de la cellule 1 viennent en contact avec les doigts métalliques des caissons de polarité positive de la cellule 1', et inversement. Par rapport à la cellule 1, les plots isolants 16a, 16b de la cellule 1' sont donc décalés longitudinalement. La figure 9 illustre la mise en module de cellules conformes au deuxième mode de réalisation (figures 5 et 6). Ce module met en oeuvre alternativement deux schémas de métallisation (cellules 1 et 1') permettant de faire en sorte qu'a l'interface entre deux cellules adjacentes 1, 1', les fils de polarité négative de la cellule 1 viennent en contact avec les doigts métalliques des caissons de polarité positive de la cellule 1', et inversement. Par rapport à la cellule 1, les zones dépourvues de métallisation de la cellule 1' sont donc décalés longitudinalement. Bien que non représentée, la mise en module des cellules conformes au troisième mode de réalisation (figures 7 et 8) peut être réalisée selon un principe similaire. Pour simplifier la production et permettre la fabrication d'une seule géométrie de cellule, on crée avantageusement une asymétrie lors de la formation des caissons dopés n+ et p+ dans le substrat. Dans ce cas, comme illustré sur la figure 11, une cellule 1' est placée par rapport à une cellule 1 adjacente, avec une rotation de 180°C pour que les zones de type opposé puissent être connectées ensemble via les fils. Cette asymétrie est de préférence optimisée de façon à recouvrir les bords de la cellule au maximum par des caissons dopés afin d'améliorer les performances de la cellule. Pour fabriquer le module, on met en place les cellules photovoltaïques destinées à le constituer, les cellules étant à ce stade dépourvues des fils électriquement conducteurs. Une fois les cellules positionnées de manière adéquate les unes par rapport aux autres, on met en place les fils électriquement conducteurs de sorte que chaque fil relie électriquement les doigts métalliques d'une polarité donnée d'une cellule avec les doigts métalliques de polarité opposée d'une cellule adjacente. Cette liaison électrique entre les fils et les doigts peut être réalisée par soudure ou par collage. REFERENCES [1] P. Cousins et al., Generation 3: lmproved performance at lower cost, Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2010, 35th IEEE [2] A. Halm et al, The Zebra Cell Concept - Large area N-type interdigitated back contact solar cells and one-cell modules fabricated using standard industrial processing equipment, 27 European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2012 [3] Brochure "SmartVVire Connection Technology", Octobre 2014, http://www.meyerburger. com/en/products-systems/technologies/photovoltaic/swct/ [4] Communiqué de presse "SCHM I D Presents Multi Busbar Connector Prototype at PVSEC", 19 septembre 2012, http://www.schmid-group.com/en/press-news/a103/schmid- presents-multi-busbar-connector-at-pvsec.html REVENDICATIONS1. Cellule photovoltaïque (1) à contacts interdigités en face arrière, comprenant : - un substrat (10) de silicium monocristallin comprenant, sur une même face principale dite face arrière, une alternance de régions (13a) dopées selon un premier type de dopage et de régions (13b) dopées selon un second type de dopage opposé au premier type, - une couche de passivation (14) électriquement isolante s'étendant sur la face arrière du substrat (10), - une pluralité de doigts métalliques (15a, 15b) s'étendant dans une direction longitudinale sur chaque région (13a, 13b) dopée du premier type et du second type, au travers de la couche de passivation (14), - une pluralité de fils électriquement conducteurs (17) s'étendant sur la face arrière de la cellule transversalement auxdites régions alternées (13a, 13b), chaque fil reliant électriquement soit les doigts métalliques (15a) de chaque région (13a) dopée du premier type soit les doigts métalliques (15b) de chaque région (13b) dopée du second type, chaque fil étant en contact avec une zone électriquement isolante de la face arrière entre deux doigts métalliques successifs reliés électriquement par ledit fil. 2. Cellule selon la revendication 1, dans laquelle chaque doigt métallique s'étend longitudinalement de manière continue sur une région dopée du premier, respectivement du second type, et ladite zone électriquement isolante comprend un plot électriquement isolant (16a, 16b) recouvrant chaque doigt métallique à l'emplacement d'un fil (17) reliant électriquement les doigts métalliques des régions dopées du second, respectivement du premier type. 3. Cellule selon la revendication 2, dans laquelle ledit plot électriquement isolant (16a, 16b) est en un matériau diélectrique, organique et/ou inorganique. 4. Cellule selon la revendication 1, dans laquelle chaque doigt métallique s'étend longitudinalement de manière discontinue sur une région dopée du premier ou du second type, de sorte à former des portions de doigts séparées par des intervalles inter-doigts, les intervalles inter-doigts formés sur une région dopée du premier type étant décalés dans la direction longitudinale par rapport aux intervalles inter-doigts formés sur une région dopée du second type adjacente, chaque zone électriquement isolante comprenant une région de la couche de passivation (14) située dans chacun desdits intervalles inter-doigts. 5. Cellule selon la revendication 4, dans laquelle un plot électriquement isolant (16a, 16b) s'étend dans lesdits intervalles inter-doigts sur la couche de passivation (14). 6. Cellule selon la revendication 5, dans laquelle le plot comprend un matériau diélectrique inorganique ou un matériau diélectrique organique, éventuellement chargé d'un matériau inorganique. 7. Cellule selon l'une des revendications 5 ou 6, dans laquelle chaque région dopée du premier et/ou du second type s'étend longitudinalement de manière continue. 8. Cellule selon l'une des revendications 5 ou 6, dans laquelle chaque région dopée du premier et/ou du second type s'étend longitudinalement de manière discontinue, de sorte à former des portions de régions dopées séparées par des intervalles inter-régions coïncidant avec les intervalles inter-doigts. 9. Module photovoltaïque comprenant au moins deux cellules photovoltaïques selon l'une des revendications 1 à 8, lesdites cellules étant interconnectées électriquement par les fils électriquement conducteurs. 20 10. Module selon la revendication 9, dans lequel les régions dopées du premier type et du second type sont réparties de manière asymétrique sur la face arrière de chaque cellule, et deux cellules adjacentes sont agencées avec une orientation de 180° l'une par rapport à l'autre. 25 11. Module selon la revendication 9, dans lequel deux cellules photovoltaïques adjacentes présentent des zones électriquement isolantes décalées de sorte qu'un fil reliant les régions dopées du premier type d'une cellule relie également les régions dopées du second type d'une cellule adjacente. 30 12. Procédé de fabrication d'un module photovoltaïque, comprenant : - la fourniture d'au moins deux cellules photovoltaïques selon l'une des revendications 1 à 8, - la mise en place d'une pluralité de fils électriquement conducteurs (17) sur la face arrière desdites cellules transversalement auxdites régions alternées (13a, 13b), chaque 35 fil reliant électriquement les doigts métalliques des régions d'une cellule dopées du premier type avec les doigts métalliques des régions d'une cellule adjacente dopées du second type, 15chaque fil étant en contact avec une zone électriquement isolante de la face arrière de chaque cellule entre deux doigts métalliques successifs reliés électriquement par ledit fil. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel, avant la mise en place des fils, on forme, sur chaque doigt métallique des régions dopées du premier, respectivement du second type, un plot électriquement isolant (16a, 16b) à l'emplacement d'un fil reliant les doigts métalliques des régions dopées du second, respectivement du premier type. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel ledit plot électriquement isolant est formé par dépôt par sérigraphie d'un matériau diélectrique organique, éventuellement chargé d'un matériau inorganique, ledit dépôt étant réalisé pendant la fabrication de chaque cellule photovoltaïque ou entre ladite fabrication et la mise en place des fils électriquement conducteurs. 15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel ledit plot électriquement isolant est formé par dépôt par sérigraphie d'un matériau diélectrique inorganique, ledit dépôt étant réalisé pendant la fabrication de chaque cellule. 16. Procédé selon l'une des revendications 14 ou 15, dans lequel on met en oeuvre plusieurs étapes de dépôt et de recuit dudit matériau diélectrique. 17. Procédé selon l'une des revendications 12 à 16, dans lequel la fabrication de chaque cellule comprend : - la fourniture d'un substrat (10) de silicium monocristallin comprenant, sur une même face principale dite face arrière, une alternance de régions (13a) dopées selon un premier type de dopage et de régions (13b) dopées selon un second type de dopage opposé au premier type, - la formation d'une couche de passivation (14) électriquement isolante sur la face arrière du substrat (10), - la formation par sérigraphie d'une pluralité de doigts métalliques (15a, 15b) s'étendant dans une direction longitudinale sur chaque région (13a, 13b) dopée du premier type et/ou du second type, au travers de la couche de passivation (14). 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel, lors de la fabrication de chaque cellule, les doigts métalliques sont formés de manière discontinue sur chaque région dopée du premier type et/ou du second type. 19. Procédé selon l'une des revendications 17 ou 18, dans lequel, lors de la fabrication de chaque cellule, les régions dopées du premier type et/ou du second type sont formées longitudinalement de manière discontinue sur la face arrière du substrat.