Brevet FR3031836A1 — publié le 20160722

DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne une puce électronique munie d'un dispositif de protection à matériau à changement de phase, un procédé de détection d'une attaque de la puce et un procédé de fabrication de ladite puce. L'invention trouvera son application dans le domaine de la sécurité et de la protection des puces électroniques. L'invention s'applique à tout type de puce électronique : puce de téléphonie mobile, carte bancaire, carte de santé, microprocesseur, interposeur (par exemple de central de calcul), microcontrôleur etc... ETAT DE LA TECHNIQUE Les attaques que peut subir une puce électronique ont pour but d'accéder à des données confidentielles stockées dans la puce électronique notamment pour la cloner, ou modifier les informations stockées. Les puces électroniques peuvent être attaquées de diverses manières : chimique, physique, laser, électromagnétique, électrique... Ces attaques sont généralement mises en oeuvre en suivant deux objectifs. Le premier consiste à acquérir ou retrouver une information interne manipulée par le circuit intégré de la puce (observation de la consommation électrique du circuit, du rayonnement électromagnétique produit par le circuit, « probing » du circuit, c'est-à- dire accéder physiquement au circuit en établissant une connexion électrique avec une piste interne du circuit, « probing » sans contact d'une piste interne, etc.). Le deuxième consiste à injecter des fautes (changement d'état d'un bit ou d'un groupe de bits via une injection de lumière, de laser, d'un rayonnement électromagnétique, etc.) pendant un calcul réalisé par le circuit intégré de la puce. Très souvent, une combinaison de ces différentes techniques est utilisée. Pour se prémunir de telles attaques, il existe plusieurs types de protections. Le premier niveau de protection est la protection physique matérielle des puces. La face avant d'une puce électronique (face au niveau de laquelle se trouve classiquement le circuit intégré de la puce) peut par exemple être protégée en ajoutant des couches de protection particulières sur cette face avant. Il existe également des protections de la face arrière de la puce électronique. En effet, la face arrière de la puce est une zone sensible qui peut être attaquée avec des techniques de gravure et d'amincissement actuelles permettant de s'approcher à une très faible distance du circuit intégré de la puce pour récupérer des informations stockées ou injecter des fautes dans la puce. Par ailleurs pour être efficace, il est nécessaire de pouvoir contrôler l'intégrité du dispositif de protection et détecter une attaque. Or, les solutions proposées à ce jour ne permettent pas à la fois d'assurer une protection efficace sans risque d'altération ou de suppression du dispositif de protection et de détecter de manière fiable l'intégrité de ladite protection. Il existe donc le besoin de proposer une puce électronique dont le circuit intégré est efficacement protégé et que le plus grand nombre d'attaques soit détecté de manière fiable. RÉSUMÉ DE L'INVENTION La présente invention propose à cet effet une puce électronique comprenant un circuit intégré disposée sur une face parmi la face avant ou la face arrière d'un substrat et un dispositif de protection agencé au moins partiellement en regard du circuit intégré. Le dispositif de protection comprend au moins un condensateur comprenant une première électrode et une deuxième électrode et au moins une couche de matériau à changement de phase intercalée entre lesdites deux électrodes. La au moins une couche de matériau à changement de phase est configurée pour passer au moins localement d'un premier état résistif à un deuxième état résistif différent du premier état par pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique. Le premier état résistif est choisi parmi un état amorphe pour lequel le condensateur présente une première résistance et/ou une première capacité et un état cristallin pour lequel le condensateur présente une deuxième résistance et/ou une deuxième capacité. La deuxième résistance et la deuxième capacité sont respectivement différentes de la première capacité et de la première résistance. . Le dispositif de protection est électriquement relié au circuit intégré de sorte que le circuit intégré détecte la résistance ou la capacité du condensateur. Cette détection permet ainsi d'identifier un changement d'état de la au moins une couche de MCP et donc détecter une attaque de la puce électronique. L'invention permet de combiner une protection fiable du circuit intégré par un empilement protecteur comprenant une pluralité de couches et une détection fiable de toute attaque par le changement d'état d'un matériau à changement de phase contenu dans un condensateur. Les matériaux à changement de phase sont des matériaux dans lesquels une transition résistive peut être observée. Le matériau à changement phase est configuré pour prendre alternativement un état fortement résistif, également dénommé état à haute résistance, HRS pour High Resistive State en anglais et un état faiblement résistif également dénommé état à basse résistance, LRS pour Low Resistive State en anglais. Le matériau à changement de phase est dit dans un état fortement résistif, HRS, lorsque que sa résistance est supérieure à celle du matériau dans un état faiblement résistif LRS. Classiquement, un état amorphe est un état HRS et un état cristallin est un état LRS. Un matériau à changement de phase et les deux électrodes dans lequel le matériau à changement de phase est intercalé forment un condensateur dont les propriétés capacitives et résistives varient en fonction de l'état du matériau à changement de phase. La présence d'un condensateur agencé au moins partiellement en regard du circuit intégré, avantageusement sur une des faces de la puce électronique, présente une protection physique de la puce en augmentant l'épaisseur pour accéder au circuit intégré que ce soit par sa face avant ou par sa face arrière. Par ailleurs, un condensateur selon l'invention comprenant une couche de matériau à changement de phase assure une protection contre les attaques lasers. En effet, un faisceau ionique et/ou photonique va agir sur le matériau à changement de phase et entrainer son changement d'état avantageusement en le faisant passer d'un état HRS à LRS. Ce changement d'état est détecté par le circuit intégré auquel est relié le dispositif de protection. Préférentiellement, cette détection entraine la mise en défaut du circuit intégré. Selon un mode de réalisation préféré, le dispositif de protection est disposé sur une face opposée au circuit intégré, préférentiellement en face arrière, face sensible de la puce électronique. Il est avantageux que le condensateur comprenne au moins trois couches de matériaux à changement de phase empilées. En effet, sous l'effet d'un faisceau photonique et/ou ionique, la chaleur reçue par la couche interne va être confinée grâce aux deux autres couches externes situées de part et d'autre de la couche interne. Ce confinement de la chaleur permet une élévation rapide de la température dans la couche de matériau à changement de phase interne, favorisant alors un changement d'état rapide. La présence de trois couches empilées permet de maintenir au moins une couche de matériau à changement de phase dans un état HRS qui soit confinée assurant une détection plus fine d'une attaque par faisceau photonique et/ou ionique. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les figures d'accompagnement dans lesquelles : Figure 1 : Architecture d'un condensateur selon un mode de réalisation pour dispositif de protection selon l'invention. Figure 2 : Vue schématique d'une puce électronique selon l'invention comprenant un circuit intégré en face avant et un dispositif de protection en face arrière soumise à une attaque laser. Figure 3: Vue schématique d'une puce électronique selon l'invention comprenant un circuit intégré en face avant et un dispositif de protection en face arrière soumise à une attaque par faisceau ionique focalisé (FI B Focus ion beam en anglais). Figure 4: Vue d'un dispositif de protection selon un autre mode de réalisation agencé sur une face d'un substrat et soumis à un faisceau laser. Figure 5: Vue d'un dispositif de protection selon un autre mode de réalisation agencé sur une face d'un substrat comprenant plusieurs condensateurs. Figure 6: Cartographie du coefficient d'absorption du rayonnement photonique de l'empilement d'un condensateur du dispositif de protection en fonction de l'épaisseur des couches externes de matériau à changement de phase. Figure 7 : Evolution de la température maximale dans l'empilement en fonction du temps pendant une impulsion laser de 3Ons et pendant les 3Ons suivantes. Figure 8: Profil de température dans l'épaisseur du condensateur à l'issu d'une irradiation laser de 3Ons, soit exactement à t=3Ons. Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches et films ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, il est tout d'abord rappelé que l'invention concerne suivant un premier aspect Puce électronique comprenant un circuit intégré agencé sur une face parmi la face avant ou la face arrière d'un substrat et un dispositif de protection agencé au moins partiellement au regard du circuit intégré caractérisée en ce que le dispositif de protection comprend au moins un condensateur comprenant une première électrode et une deuxième électrode entre lesquelles est disposée au moins une couche de matériau à changement de phase configurée pour passer au moins localement d'un premier état résistif à un deuxième état résistif différent du premier état par pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique, le premier état étant un état amorphe pour lequel le condensateur présente une première capacité et/ou une première résistance et le deuxième état étant un état cristallin pour lequel le condensateur présente une deuxième capacité et/ou une deuxième résistance respectivement différentes de la première capacité et de la première résistance, le dispositif de protection étant relié électriquement au circuit intégré par au moins une desdites première ou deuxième électrodes de sorte que le circuit intégré mesure la résistance et/ou la capacité du condensateur. Sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : - la deuxième résistance du condensateur est inférieure à la première résistance ; - le dispositif de protection est agencé sur une deuxième face du substrat, différente de la première face sur laquelle le circuit intégré est agencé et choisie parmi la face avant ou la face arrière du substrat ; - le dispositif de protection comprend au moins trois couches empilées de matériaux à changement de phase définissant deux couches externes et au moins une couche interne; - les deux couches externes sont dans un état cristallin et la au moins une couche interne est dans un état amorphe ; - la température de cristallisation de la au moins une couche interne de matériau à changement de phase est supérieure aux températures de cristallisation 20 des couches externes de matériau à changement de phase ; - les couches externes de matériau à changement de phase ont une épaisseur comprise entre 50nm et 200nm ; - la au moins une couche interne de matériau à changement de phase a une épaisseur comprise entre 5 et 30nm ; 25 - le circuit de protection est relié électriquement au circuit intégré par une interconnexion enterrée ; - le dispositif de protection s'étend sur une surface du substrat au moins équivalente à la surface sur laquelle s'étend le circuit intégré ; - le au moins un condensateur comprend au moins une tranchée formée dans 30 l'épaisseur du substrat ; - la tranchée est d'une largeur de 500nm à 1 pm ; - le dispositif de protection comprend une pluralité de condensateurs connectés en série. Selon un autre aspect, l'invention concerne aussi un procédé de détection d'une 35 attaque par un faisceau ionique et/ou photonique de la puce électronique telle que décrite ci-dessus caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes effectuées par le circuit intégré : - identification de la capacité et/ou de la résistance dite initiale du dispositif de protection ; - mesure ultérieure de la capacité et/ou de la résistance ultérieure du dispositif de protection ; - comparaison de la capacité et/ou de la résistance ultérieure avec la capacité et/ou la résistance initiale, des valeurs identiques indiquant l'absence d'attaque de la puce électronique, des valeurs différentes indiquant l'existence d'une attaque de la puce électronique ayant conduit au changement d'état d'au moins une couche de matériau à changement d'état. Avantageusement, l'identification de la capacité initiale et/ou résistance initiale est réalisée par mesure de la capacité initiale et/ou résistance initiale du dispositif de protection. Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique telle que décrite ci-dessus caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes de : - formation d'un circuit intégré au niveau d'une face d'un substrat choisie parmi la face avant ou la face arrière ; - formation d'au moins un condensateur au moins partiellement au regard du circuit intégré comprenant le dépôt d'une première électrode, le dépôt d'au moins une couche de matériau à changement de phase configurée pour passer au moins localement d'un premier état à un deuxième état différent du premier état par pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique, le premier état étant un état amorphe pour lequel le condensateur présente une première capacité et/ou une première résistance et le deuxième état étant un état cristallin pour lequel le condensateur présente une deuxième capacité et/ou une deuxième résistance respectivement différentes de la première capacité et de la première résistance, et le dépôt d'une deuxième électrode ; - connexion électrique du circuit de protection au circuit intégré. Avantageusement, le dépôt d'au moins une couche de matériau à changement de phase comprend le dépôt d'au moins trois couches de matériau à changement de phase empilées définissant deux couches externes et au moins une couche interne. Avantageusement, les étapes postérieures au dépôt de la au moins une couche interne sont configurées de sorte à maintenir le premier état de la au moins une couche interne de matériau à changement de phase. Avantageusement, le procédé de fabrication comprend une étape postérieure au dépôt d'au moins une couche interne configuré de sorte à faire passer le matériau à changement de phase d'au moins une des deux couches externes d'un premier état à un deuxième état différent du premier état. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par une autre couche ou un autre élément. Il est établit que la capacité électrique d'un condensateur se détermine essentiellement en fonction de la géométrie des électrodes et de la nature du ou des isolants ; la formule simplifiée suivante est souvent utilisée pour estimer sa valeur : C = E-e Formule I Avec S: surface des électrodes en regard, e : distance entre les électrodes et E la permittivité du diélectrique. Dans le cadre de la présente invention, le diélectrique est le matériau à changement de phase (MCP) dont la résistance dépend de son état. La puce électronique selon l'invention comprend un substrat 2 sur lequel, préférentiellement sur sa face avant 4, est disposé un circuit électronique préférentiellement un circuit intégré 1. Le circuit intégré 1 peut être divers, par exemple un semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor en anglais) peut être utilisé. Le substrat 2 peut comprend plusieurs circuits intégrés 1 protégés ou non par un même ou plusieurs dispositif de protection 3 décrit ci-après. Selon l'invention, la puce électronique comprend un dispositif de protection 3 agencé au moins partiellement en regard du circuit intégré 1, avantageusement sur une des faces avant ou arrière du substrat 2. Dans le cas d'un agencement en face avant, le dispositif de protection peut être formé directement au-dessus du circuit intégré 1. Le dispositif de protection peut également être enterré dans le substrat, ou être formé sur un autre substrat agencé au moins partiellement en regard du circuit intégré 1, tel que par exemple un capot de protection du circuit intégré 1. Le dispositif de protection 3 est disposé au moins partiellement en regard du circuit intégré 1 et, avantageusement pour assurer une protection optimale, le dispositif de protection 3 s'étend sur une surface du substrat 2 supérieure à la surface du circuit intégré 1 tel qu'illustré en figure 2. Selon un mode de réalisation préféré, le dispositif de protection 3 est placé sur la face du substrat 2 opposée à la face recevant le circuit intégré 1. Préférentiellement, le dispositif de protection 3 est en face arrière 5 et le circuit intégré 1 est en face avant 4 du substrat 2. Le dispositif de protection 3 comprend un condensateur. Le condensateur comprend une première électrode 6, également appelée « top electrode » pour électrode supérieure et une deuxième électrode 7, également appelée « bottom electrode » pour électrode inférieure. Le condensateur comprend entre la première électrode 6 et la deuxième électrode 7, au moins une couche de MCP 8. Le condensateur est un empilement de couches comprenant au moins les deux électrodes 6, 7 et au moins une couche de MCP 8 intercalée. Le dispositif de protection 3 est relié électriquement au circuit intégré 1, préférentiellement par au moins une des deux électrodes 6, 7. Selon une possibilité, le dispositif de protection 3 est relié par une électrode 6, 7 au circuit intégré1 et est connecté à une masse de référence par l'autre desdites électrodes, 6, 7. Cette masse peut être extérieure au circuit intégré 1. Selon une autre possibilité préférée, les deux électrodes 6, 7 sont reliées électriquement au circuit intégré 1. Dans le cas où le dispositif de protection 3 est agencé sur une même face que le circuit intégré 1 les connexions électriques sont des connexions standards en microélectroniques composées de lignes conductrices horizontales (e.g. cuivre) et de connexions verticales (vias en anglais). Dans le cas où le dispositif de protection 3 est agencée sur une face opposée au circuit intégré 1, les connexions électriques sont des interconnexions verticales dites également enterrées à travers le substrat 2, par exemple par des tranchées à travers le silicon (Through Silicon Vias -TVS en anglais). La connexion électrique du condensateur directement sur le circuit intégré 1 permet une mesure de la capacité et/ou de la résistance du condensateur et de ce fait permet la détection d'une attaque par faisceau ionique et/ou photonique 9. Grâce à l'invention, le circuit intégré 1 mesure avantageusement en continu la capacité et/ou de la résistance du condensateur ce qui implique que le contrôle de l'état du MCP est continu et donc la détection d'une attaque est permanente. La suite de la description est faite pour un condensateur du dispositif de protection 3. Le dispositif de protection peut comprendre plusieurs condensateurs tels que décrit ci-après et illustré en figure 5. Le condensateur selon l'invention comprend au moins une couche de MCP 8. Le MCP 8 est préférentiellement dans un premier état avant toute attaque par faisceau photonique et/ou ionique. La pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique 9 au travers de la au moins une couche de MCP 8 entraine le changement d'état dudit MCP 8 vers un deuxième état. Le premier état et le deuxième état sont des états différents et avantageusement, le premier état et le deuxième état présentent des résistances différentes. La résistance différente du MCP 8 entre le premier état et le deuxième état implique aussi une capacité et/ou une résistance différente du condensateur en fonction de l'état du MCP 8. Le premier état et le deuxième état sont choisis parmi un état fortement résistif, également dénommé état à haute résistance, HRS pour High Resistive State en anglais et un état faiblement résistif également dénommé état à basse résistance, LRS pour Low Resistive State en anglais. Le matériau à changement de phase est dit dans un état fortement résistif, HRS, lorsque que sa résistance est supérieure à celle du matériau dans un état faiblement résistif LRS. Préférentiellement, l'état fortement résistif ou HRS est également dénommé état amorphe et l'état faiblement résistif ou LRS est également dénommé état cristallin. Selon un mode de réalisation préféré, le premier état de la au moins une couche de MCP 8 est un état fortement résistif HRS, état amorphe pour lequel le condensateur présente une première capacité et/ou une première résistance et le deuxième état est un état faiblement résistif LRS, état cristallin, pour lequel le condensateur présente une deuxième capacité et/ou une deuxième résistance. De cette manière, le changement d'état du MCP 8 implique un changement de résistance et/ou de capacité du condensateur qui est détecté par le circuit intégré 1. Avantageusement, la deuxième résistance du condensateur est inférieure à la première résistance du condensateur. La première capacité du condensateur est constante pour le premier état de la au moins une couche de MCP 8. La deuxième capacité du condensateur est variable pour le deuxième état de la au moins une couche de MCP 8 notamment en fonction du changement d'état partiel ou total de la au moins une couche de MCP 8 et du nombre de couches de MCP 8. La deuxième capacité peut être inférieure ou bien supérieure à la première capacité. Le circuit intégré 1 relié électriquement au condensateur peut surveiller un changement de capacité et/ou de résistance dudit condensateur. La pénétration du faisceau ionique et/ou photonique 9 dans la au moins une couche de MCP 8 entraine une augmentation au moins locale de la température. C'est cette augmentation de température qui va déclencher le passage du premier état au deuxième état du MCP. On entend par faisceau photonique et/ou ionique 9, un faisceau laser ou faisceau ionique dit FIB (Focus Ion Beam). Les faisceaux photonique de type laser classiquement utilisés pour les attaques de puces électroniques ont une longueur d'onde de 40nm à 1500nm. L'attaque par faisceau ionique, FIB, bien qu'étant considérée comme une attaque destructrice de la puce électronique, il peut être extrêmement localisé avec des trous de quelques microns. Cette destruction localisée n'entraine qu'une faible modification de la puce électronique qui n'est pas facilement identifiable. Toutefois, le dispositif de protection 3 selon l'invention est également sensible à ce type d'attaque qui génère un échauffement 14 au niveau de la zone de destruction, comme illustrée en figure 3. Cet échauffement 14 localisé entraine un changement d'état de la couche à MCP 8 du condensateur du dispositif de protection 3. Le passage à l'état cristallisé d'au moins une couche de MCP 8, localement au niveau des parois de la zone de destruction entraine un changement de la capacité et/ou de la résistance du condensateur qui est détecté par le circuit intégré 1. Le passage du premier état au deuxième état du MCP peut être uniquement local dans la couche de MCP 8. C'est-à-dire qu'il n'est pas nécessaire que la totalité de la couche de MCP 8 passe du premier état au deuxième état. Avantageusement, un changement local suffisant pour impliquer un changement de la résistance du MCP et donc de la capacité et/ou de la résistance du condensateur qui est détecté par le circuit intégré 1. Préférentiellement, le condensateur comprend trois couches de MCP empilées entre les deux électrodes 6, 7. Cette disposition permet de proposer un dispositif de protection 3 plus sensible au faisceau photonique et/ou ionique 9. L'empilement définit deux couches de MCP 10a, 10b externes. Entre les deux couches externes 10a, 10b, l'empilement comprend une couche interne 11 de MCP. Les deux couches externes 10a, 10b ont une action de concentration de chaleur lors de l'attaque par faisceau ionique et/ou photonique 9 favorisant de manière très importante l'élévation de la température dans la couche interne 11. Le passage du premier état au deuxième état est donc accéléré pour la couche interne permettant une détection même en cas d'attaque de courte durée. Pour obtenir une détection d'attaque par faisceau ionique et/ou photonique 9 optimale, il est préféré que le condensateur comprenne plusieurs couches de MCP. L'empilement de trois couches de MCP est un mode de réalisation privilégié. Les couches externes 10a 10b sont en contact respectivement avec la première électrode 6 et la deuxième électrode 7. Avantageusement, la couche interne 11 est dans un premier état, HRS, amorphe. Cette couche interne 11 est donc enfouit dans l'empilement de couches de MCP 8.Les deux couches externes 10a, 10b sont préférentiellement dans un deuxième état, LRS, cristallin. De cette manière, ces deux couches externes 10a, 10b jouent le rôle de tampon face à la dissipation de chaleur hors de la couche interne 11. Les deux couches externes 10a, 10b dans leur état cristallin jouent un rôle d'isolant thermique de la couche interne 11, sans pour autant limiter le seuil de détection de l'attaque par faisceau ionique ou photonique 9. La chaleur reçue par la couche interne 11 lors de l'attaque est maintenue dans celle-ci. Selon un mode de réalisation préféré, le couche interne 11, ou la au moins une couche de MCP 8 dans le cas d'une seule couche de MCP 8 dans le condensateur, est dans un premier état dit état originel. Préférentiellement, le premier état est l'état HRS, amorphe. On entend par originel, l'état obtenu à l'issu de l'étape de dépôt de ladite couche et avant toute autre étape ultérieure de fabrication ou de programmation ou de changement d'état. Dans l'état originel, la valeur de la capacité et/ou de la résistance est dite initiale. Dans le cas de l'empilement de trois couches de MCP, il est préféré que la température de cristallisation du MCP de la couche interne 11 soit supérieure à la température de cristallisation du ou des MCP des couches externes 10a, 10b. Formulé différent, il est préféré que le budget thermique des étapes de fabrication de la puce électronique postérieures à l'étape de dépôt de la couche interne 11 soit inférieure à la température de cristallisation du MCP de la couche interne 11. La couche interne 11 a préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, préférentiellement 10nm. L'épaisseur de la couche interne 11 est définit pour être suffisamment épaisse pour assurer une isolation électrique dans son état amorphe et suffisamment fine pour permettre la formation d'une voie conductrice lorsque du passage à un état cristallin. Les couches externes 10a, 10b ont une épaisseur suffisante pour éviter un refroidissement rapide de la couche interne 11 en contact pouvant entrainer des modifications inopiné d'état du MCP d'un état cristallin à un état amorphe. Par exemple, une épaisseur inférieure ou égale à 200nm est préférée. Par ailleurs, l'épaisseur des couches internes 10a, 10b doit être suffisante pour jouer le rôle d'isolant thermique entre la couche interne 11 et les électrodes 6, 7. Par exemple, l'épaisseur est supérieure ou égale à 50nm. Le MCP pouvant être utilisé pour former la au moins une couche de MCP 8 est le GST : GexSbyTe. Ce type de MCP est particulièrement sensible à l'échauffement généré par un faisceau ionique et/ou photonique. Il peut être aisément déposé par dépôt en phase vapeur (PVD pour Physical Vapor Deposition) ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), à différentes températures, ce qui est très utile pour le procédé de fabrication de l'invention décrit ci-après. Pour régler la conductivité thermique Kth, le volume de chaleur spécifique Cv ou la température de cristallisation, des dopants peuvent être introduits dans le MCP tels que l'oxygène, l'azote, l'indium, le cérium. Le dopage du MCP influence notamment la température de cristallisation. Par exemple, la température de cristallisation du GeTe dopé au carbone varie de 170°C pour 0% de carbone à plus de 400°C pour 24% de carbone. Dans le cas de GST dopé au carbone la température de cristallisation varie de 150°C pour 0% de carbone à plus de 340°C pour 24% de carbone. Dans le cas de GeTe dopé à l'azote, la température de cristallisation varie de 170°C pour 0% d'azote à plus de 270°C pour 10% d'azote. Ces variations de température de cristallisation ne sont pas suivies par les mêmes variations de la température de fusion. Par exemple, GeTe et GeTe dopé à 10% d'azote présente sensiblement la même température de fusion autour de 715°C. L'invention concerne selon un aspect, un procédé de fabrication d'une puce électronique telle que décrite, plus précisément le procédé de fabrication du dispositif de protection sur une puce électronique munie sur une face d'au moins un circuit intégré 1. Sur un substrat au moins un circuit intégré 1 est tout d'abord formé. Le procédé comprend les étapes suivantes : - Dépôt, par exemple par dépôt en phase vapeur (PVD pour Physical Vapor Deposition) de la deuxième électrode 7, par exemple en aluminium, électrode transparente en oxyde d'étain indium (ITO pour Indium Tin Oxide). - Dépôt d'au moins une couche de MCP 8, par exemple dépôt successif de trois couches dont deux externes 10a, 10b, et une interne, 11, par exemple par dépôt en phase vapeur (PVD pour Physical Vapor Deposition) ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). - Dépôt de la première électrode 6, par exemple en aluminium, électrode transparente en oxyde d'étain indium (ITO pour Indium Tin Oxide), par exemple par dépôt en phase vapeur (PVD pour Physical Vapor Deposit) ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). A titre d'exemple, la première électrode 6 et la deuxième électrode 7 sont en aluminium d'une épaisseur respective de 50nm et la couche interne 11 est d'une épaisseur de 10nm. L'étape de dépôt de la première électrode 6 est effectué à une température inférieure à la température de cristallisation de la au moins une couche de MCP 8, plus précisément inférieure à la température de cristallisation du MCP de la couche interne 11. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de recuit après le dépôt des au moins trois couches de MCP 10a, 10b, 11. Cette étape de recuit est réalisée à une température supérieure à la température de cristallisation du ou des MCP des couches externes 10a, 10b mais à une température inférieure à la température de cristallisation du MCP de la couche interne 11. De cette manière, les couches externes 10a, 10b vont être dans un état de cristallisation tandis que la couche interne 11 restera dans un état originel, préférentiellement un état amorphe. Il est avantageux que les propriétés du dispositif de protection et plus spécifiquement du condensateur soient optimisées pour obtenir une probabilité de détection de n'importe quelle attaque par faisceau ionique et/ou photonique 9 la plus haute possible. Les paramètres non exhaustifs impliqués dans l'optimisation du condensateur sont d'une part les paramètres des matériaux de chaque couches de l'empilement formant le condensateur incluant les électrodes 6, 7 : par exemple l'index de réfraction n, l'index d'absorption k, la conductivité thermique Kth, le volume de chaleur spécifique Cv, l'épaisseur t. La valeur de ces paramètres sont intrinsèques aux matériaux choisis et sont connus pour chacun dans la littérature et d'autre part, les propriétés du faisceau photonique et/ou ionique 9 utilisé pour attaquer la puce électronique : longueur d'onde À, puissance Pw, dimension du faisceau au point de contact d, la durée de la pulsation laser tpulse, la durée entre chaque pulsation t -idle- À partir de telles informations, l'absorbance des couches de MPC peut être maximisée et par conséquent également le profil thermique à l'intérieur du condensateur pendant le tir laser. Afin d'assurer qu'un chemin de percolation cristallin est créé à l'intérieur de la couche interne 11 de MPC, la température doit s'élever localement au-dessus de la température de cristallisation de la couche interne 11 de MCP, de sorte que la cristallisation se déclenche. Exemple : Un exemple d'optimisation quantitative du condensateur illustré en figure 1 est réalisée comme suit. Dans les paramètres microscopiques suivants (lorsqu'ils ne sont pas définis ailleurs) sont ceux du GST (alliage de germanium, antimoine et tellure dans une proportion 225, Ge2Sb2Te5). Les couches externes de MCP 10a, 10b se composent de GST standard possédant une température de cristallisation Tc de l'ordre de 150 ° C, permettant de les retrouver à l'état cristallin à la fin du procédé de fabrication. La couche interne de MCP se compose d'une version carbone dopé de GST, plus précisément GST-C15%, qui permet d'augmenter la température de cristallisation Tc - 150 ° C du GST à Tc - 325 °C pour le GST-C15%, sans modifier sensiblement les autres paramètres tels que l'indice de réfraction n (= 3,8) et l'indice d'absorption k (= 3,4), afin d'assurer son intégrité amorphe à la fin du procédé de fabrication. La conductivité thermique Kth et le volume de chaleur spécifique Cv sont identiques pour le MCP des couches interne 11 et externes 10a, 10b dans l'état amorphe et dans l'état cristallin (Kth = 0,3 VV/m*K; Cv = 1.3e6 J/m3*K). Les étapes pour optimiser l'empilement sont décrites ci-après : 1. Maximiser l'absorption de l'empilement afin de convertir le plus rapidement possible toute attaque par faisceau ionique et/ou photonique 9 en un chauffage thermique, afin de provoquer la cristallisation de la au moins une couche de MCP 8, plus précisément de la couche interne 11 de MCP. A partir de n, k, Ke, À = 1000 nm (longueur d'onde généralement utilisée pour les attaques), calculer les dimensions des couches externes 10a, 10b, notamment l'épaisseur afin d'avoir une absorbance maximale. En Figure 6, un maximum local est obtenu pour tcouche externe 10a = 200 nm et tcouche externe 10b 200 nm. (-couche interne 11 = 10 nm est constante). Ce ne sont pas les seules possibilités, car à partir de la carte de la figure 6, on en déduit d'autres maxima qui peuvent être utilisés aussi, par exemple -couche externe 10a = 400 nm et tcouche externe 10b = 200 nm. (tcouche interne 11 = 10 nm est constante). Il est préférable d'éviter les maxima qui relèvent t = 0 nm pour l'autre couche qui impliquerait une mauvaise isolation thermique vis-à-vis des électrodes 6, 7 et donc une diminution de la fiabilité de la détection des attaques. 2. Calculer la répartition de la température à l'intérieur de l'empilement avec tous les paramètres concernant les matériaux et le laser avec d = 2 pm, Pw = 250 mVV, Tpuise = 30 ns, Tidie = 30 ns, on obtient les graphes des figures 7 et 8. Afin d'être sûr que l'attaque laser soit détectée, la couche interne 11 dans l'état amorphe doit cristalliser. Il faut donc que la température à l'intérieur de la couche interne 11 soit supérieure à la température de cristallisation du MCP de cette couche. Si par exemple le Tc-couche interne 11 - 400°C, la cristallisation débute après 10 ns de pulsation laser. Nous notons par ailleurs qu'il est impossible d'avoir une transition cristalline à amorphe parasite dans ladite couche interne 11 lors des phases intermédiaires (notés « récupération » en figure 7) entre les pulsations laser, parce que la vitesse de refroidissement du MCP est très lente par rapport à la vitesse nécessaire pour la transition vers l'état amorphe, habituellement supérieure à 1e10 K/ sec). Suivant des variantes possibles, le condensateur possède une structure 3D. Des tranchées 12 sont formées dans le substrat 2. Les tranchées 12 sont réalisées par des techniques de gravures classiques. L'empilement du condensateur est ensuite déposé dans les tranchées 12. Chaque tranchée 12 reçoit la deuxième électrode 7, la au moins une couche de MCP 8 et la première électrode 6. Préférentiellement, la au moins une couche de MCP 8 vient combler la tranchée et rétablir un plan sur lequel est déposé la première électrode 6. Une telle structure est illustrée en figure 4 avec trois couches de MCP 10a, 10b, 11. Préférentiellement, une tranchée présente une dimension en largeur de 500nm à lpm. De cette manière, un faisceau laser classique d'un diamètre au point de contact de l'ordre de 1 à 2pm touchera au moins une tranchée 12. Cette structure en tranchée du condensateur du dispositif de protection 3 augmente le volume traversé de MCP à l'état amorphe de la couche interne 11 et de MCP des couches externes 10a, 10b qui reçoit le faisceau ionique et/ou photonique 9. La chaleur générée dans les MCP est donc augmentée définissant une sensibilité accrue au dispositif de protection 3 même pour des attaques à faible puissance. Suivant une autre possibilité, le dispositif de protection 3 comprend une pluralité de condensateurs en série. Pour obtenir cette structure, plusieurs condensateurs tels que décrits précédemment sont agencées sur une face du substrat 2 et sont connectés en série. Un exemple de structure est illustré en figure 5. Des ilots d'isolant 15 sont déposés entre les condensateurs de manière à assurer une connexion en série. Sur la figure 5, les condensateurs sont identiques, toutefois, il peut être prévu un dispositif de protection avec des condensateurs différents. Selon cette possibilité, c'est la capacité et/ou la résistance totale du dispositif de protection 3 qui est surveillée. L'inverse de la capacité totale est calculé par la formule suivante où C1 correspond à la capacité de la première structure C2, ... CN les capacités de la deuxième ou n-ième structure 1/Ctotal = e_1(1/C1) Lors d'une attaque par faisceau ionique et/ou photonique 9, il suffit qu'une couche interne 11 de MCP passe à l'état cristallin pour faire changer la capacité et/ou de la résistance totale du dispositif de protection 3 par rapport à son état initial. Cette modification de la capacité et/ou de la résistance totale est détecté par le circuit intégré 1. Selon une possibilité, la couche interne de MCP 11 de certains condensateurs connectés en série peut être à l'état cristallin. Nous décrivons ci-après un procédé de détection d'attaque par faisceau photonique et/ou ionique 9 d'une puce électronique telle que décrite ci-dessus. Chaque dispositif de protection 3 possède une capacité dite de référence (RCV pour Reference Capacitance Value) ou RRV (pour Reference Resistance Value). Ci-dessous on prendra l'exemple de la RCV, mais il peut être transposé à l'identique pour la RRV. Cette RCV doit être maintenue durant toute la durée de vie de la puce électronique. Un changement de valeur de la capacité doit être détectée par le circuit intégré 1 comme le signal d'une attaque. Préférentiellement, le circuit intégré 1 identifie lui-même la RCV qui doit être maintenue durant toute la durée de vie de la puce électronique. Cette RCV correspond à la capacité initiale du dispositif de protection 3. Elle est avantageusement mesurée à la mise en service de la puce électronique. Selon un autre mode de réalisation, la RCV est une donnée écrite dans la puce électronique lors de sa fabrication. Le circuit intégré 1 récupère cette donnée lors de la mise en service de la puce électronique. Il est préféré de mesurer de la capacité initiale plutôt que d'avoir un codage initial car cela évite qu'il y ait une attaque pour la récupération de cette donnée RCV ou son imposition pour déjouer la détection de l'attaque. Au cours de la vie de la puce électronique, le circuit intégré 1 effectue des mesures ultérieures de la capacité du dispositif de protection 3. La puce électronique effectuée une comparaison de la valeur ultérieure de la capacité avec la capacité initiale RCV. L'identification d'une différence signale l'existence d'une attaque par faisceau photonique et/ou ionique 9. Avantageusement, la puce électronique se met immédiatement en défaut de sorte à empêcher la réussite de l'attaque et permettre d'informer l'utilisateur de l'existence d'une attaque. REFERENCES 1. Circuit intégré 2. Substrat 3. Dispositif de protection 4. Face avant du substrat 5. Face arrière du substrat 6. Première électrode 7. Deuxième électrode 8. Couche matériau à changement de phase 9. Faisceau ionique et/ou photonique 10a. Couche externe de matériau à changement de phase 10b. Couche externe de matériau à changement de phase 11. Couche interne de matériau à changement de phase 12. Tranchées 13. Connexion électrique 14. Echauffement 15. Isolant20 REVENDICATIONS1 Puce électronique comprenant un circuit intégré (1) agencé sur une face parmi la face avant (4) ou la face arrière (5) d'un substrat (2) et un dispositif de protection (3) agencé au moins partiellement au regard du circuit intégré (1) caractérisée en ce que le dispositif de protection comprend au moins un condensateur comprenant une première électrode (6) et une deuxième électrode (7) entre lesquelles est disposée au moins une couche de matériau à changement de phase (8) configurée pour passer au moins localement d'un premier état résistif à un deuxième état résistif différent du premier état par pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique (9), le premier état étant un état amorphe pour lequel le condensateur présente une première capacité et/ou une première résistance et le deuxième état étant un état cristallin pour lequel le condensateur présente une deuxième capacité et/ou une deuxième résistance respectivement différentes de la première capacité et de la première résistance, le dispositif de protection étant relié électriquement au circuit intégré (1) par au moins une desdites première ou deuxième électrodes (6-7) de sorte que le circuit intégré (1) mesure la résistance et/ou la capacité du condensateur. 2. Puce selon la revendication 1 dans laquelle la deuxième résistance du condensateur est inférieure à la première résistance. 3. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le dispositif de protection (3) est agencé sur une deuxième face du substrat (2), différente de la première face sur laquelle le circuit intégré (1) est agencé et choisie parmi la face avant (4) ou la face arrière (5) du substrat (2). 4. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le dispositif de protection (3) comprend au moins trois couches empilées de matériaux à changement de phase définissant deux couches externes (10a, 10b) et au moins une couche interne (11). 5. Puce selon la revendication précédente dans laquelle les deux couches externes (10a, 10b) sont dans un état cristallin et la au moins une couche interne (11) est dans un état amorphe. 6. Puce selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle la température de cristallisation de la au moins une couche interne (11) de matériau à changement de phase est supérieure aux températuresde cristallisation des couches externes (10a, 10b) de matériau à changement de phase. 7 Puce selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans laquelle les couches externes (10a, 10b) de matériau à changement de phase ont une épaisseur comprise entre 50nm et 200nm. 8. Puce selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans laquelle la au moins une couche interne (11) de matériau à changement de phase a une épaisseur comprise entre 5 et 30nm. 9. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le circuit de protection (3) est relié électriquement au circuit intégré (1) par une interconnexion enterrée. 10. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le dispositif de protection (3) s'étend sur une surface du substrat (2) au moins équivalente à la surface sur laquelle s'étend le circuit intégré (1). 11. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le au moins un condensateur comprend au moins une tranchée (12) formée dans l'épaisseur du substrat (2). 12. Puce selon la revendication précédente dans laquelle la tranchée (12) est d'une largeur de 500nm à lpm. 13. Puce selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le dispositif de protection (3) comprend une pluralité de condensateurs connectés en série. 14. Procédé de détection d'une attaque par un faisceau ionique et/ou photonique (9) de la puce électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes effectuées par le circuit intégré (1) : - identification de la capacité et/ou de la résistance dite initiale du dispositif de protection (3) ; - mesure ultérieure de la capacité et/ou de la résistance ultérieure du dispositif de protection (3) ; - comparaison de la capacité et/ou de la résistance ultérieure avec la capacité et/ou la résistance initiale, des valeurs identiques indiquant l'absence d'attaque de la puce électronique, des valeurs différentes indiquant l'existence d'une attaque de la puce électronique ayant conduit au changement d'état d'au moins une couche de matériau à changement d'état (8).15. Procédé de détection selon la revendication précédente dans lequel l'identification de la capacité initiale et/ou résistance initiale est réalisée par mesure de la capacité initiale et/ou résistance initiale du dispositif de protection (3). 16. Procédé de fabrication d'une puce électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 13 caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes de : - formation d'un circuit intégré (1) au niveau d'une face d'un substrat (2) choisie parmi la face avant (4) ou la face arrière (5) ; - formation d'au moins un condensateur au moins partiellement au regard du circuit intégré (1) comprenant le dépôt d'une première électrode (6), le dépôt d'au moins une couche de matériau à changement de phase (8) configurée pour passer au moins localement d'un premier état à un deuxième état différent du premier état par pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique (9), le premier état étant un état amorphe pour lequel le condensateur présente une première capacité et/ou une première résistance et le deuxième état étant un état cristallin pour lequel le condensateur présente une deuxième capacité et/ou une deuxième résistance respectivement différentes de la première capacité et de la première résistance, et le dépôt d'une deuxième électrode ; - connexion électrique (13) du circuit de protection (3) au circuit intégré (1). 17. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le dépôt d'au moins une couche de matériau à changement de phase (8) comprend le dépôt d'au moins trois couches de matériau à changement de phase empilées définissant deux couches externes (10a, 10b) et au moins une couche interne (11). 18. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel les étapes postérieures au dépôt de la au moins une couche interne (11) sont configurées de sorte à maintenir le premier état de la au moins une couche interne (11) de matériau à changement de phase. 19. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des deux revendications précédentes comprenant une étape postérieure au dépôt d'au moins une couche interne (11) configuré de sorte à faire passer le matériau à changement de phase d'au moins une des deux couches externes (10a, 10b) d'un premier état à un deuxième état différent du premier état.