Brevet FR3031098A1 — publié le 20160701

DISPOSITIF MICROELECTROMECANIQUE OU NANOELECTROMECANIQUE COMPORTANT UNE MEMBRANE MOBILE EN TRANSLATION ET UNE ELECTRODE D'ACTIONNEMENT ISOLEE DE LA MEMBRANE PAR UNE COUCHE DIELECTRIQUE 5 Domaine technique La présente invention concerne le domaine des systèmes microélectromécaniques, communément désignés MEMS, ou nanoélectromécaniques communément désignés NEMS. Dans ce domaine 10 elle a pour objet un nouveau dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique, qui est du type comportant une membrane électriquement conductrice et mobile en translation parallèlement à un substrat, et au moins une électrode d'actionnement, qui est formée sur ledit substrat, et qui permet d'actionner électrostatiquemement ladite membrane. 15 L'invention a également pour objet un procédé de fabrication de ce nouveau dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique. Ce dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique peut être utilisé dans différentes applications, et en particulier peut être utilisé pour réaliser un commutateur ohmique ou capacitif, et notamment un commutateur RF (Radio 20 Fréquence), ou peut être utilisé pour réaliser un micro-commutateur ou nanocom m utateur optique. Art antérieur Parmi les dispositifs MEMS ou NEMS mettant en oeuvre une membrane électriquement conductrice, qui peut être actionnée 25 électrostatiquement au moyen d'une électrode d'actionnement, il existe une catégorie de dispositifs MEMS ou NEMS dans laquelle la membrane, qui est supportée au-dessus d'un substrat isolant, n'est pas ancrée au substrat isolant, mais est mobile en translation par rapport au substrat, le long d'au moins un axe sensiblement parallèle au substrat. La ou les électrodes 30 d'actionnement de la membrane sont déposées sur le substrat au-dessous de la membrane, avec un espace électriquement isolant, et notamment un 3031098 2 espace d'air, entre la membrane et chaque électrode d'actionnement. De préférence, la membrane est plus particulièrement flexible et déformable électrostatiquement en utilisant la ou les électrodes d'actionnement. Des exemples de dispositif à membrane flexible et mobile en 5 translation sont décrits notamment dans la demande de brevet internationale W02006/099945 et dans la demande de brevet internationale W02010/105827. Pour fabriquer ce type dispositifs MEMS ou NEMS, on met en oeuvre des technologies de fabrication standards consistant à former et à graver des 10 couches minces de matériaux superposées à la surface d'un substrat isolant, dont au moins une couche sacrificielle, qui est interposée entre la ou les électrodes d'actionnement et la membrane. Cette couche sacrificielle permet, après suppression, de réaliser l'espace isolant, et notamment un espace d'air entre la membrane et la ou les électrodes d'actionnement sous-jacentes 15 formées à la surface du substrat. Lors du fonctionnement de ce type de dispositifs MEMS ou NEMS à membrane actionnable électrostatiquement, il est important que la membrane, qui est électriquement conductrice, ne vienne pas en contact direct avec une électrode d'actionnement sous-jacente, afin d'éviter un court- 2 0 circuit. Il est également important d'éviter la formation préjudiciable d'arcs électriques entre la membrane et chaque électrode d'actionnement. La répétition dans le temps de ces arcs électriques entre la membrane et l'électrode d'actionnement peut en outre occasionner des transferts de matériau entre la membrane et l'électrode d'actionnement, avec le risque 25 dans le temps de former un court-circuit entre la membrane et l'électrode d'actionnement. Pour réduire les risques d'apparition de ces défauts de fonctionnement (court-circuit entre la membrane et une électrode d'actionnement ; formation d'arcs électriques entre la membrane et une 3 0 électrode d'actionnement), une première solution technique consiste à dimensionner le dispositif MEMS ou NEMS, de telle sorte que la distance 303 109 8 3 entre chaque électrode d'actionnement et la membrane est suffisamment importante, de sorte que lorsque la membrane est actionnée dans sa position extrême la plus proche de l'électrode d'actionnement, il subsiste toujours, entre l'électrode et la membrane, un espace isolant de dimension suffisante pour éviter un court-circuit par contact entre la membrane et l'électrode d'actionnement, et pour réduire la formation d'arcs électriques. Dans cette solution, un compromis doit néanmoins être trouvé sur le choix de cette distance entre chaque électrode d'actionnement et la membrane, car il est préférable que cette distance soit la plus faible possible. Une deuxième solution technique connue consiste à prévoir, sous la membrane ou à la surface de l'électrode d'actionnement, des plots diélectriques permettant d'éviter un contact direct entre la membrane et l'électrode d'actionnement, et de maintenir mécaniquement une distance minimale suffisante entre la membrane et l'électrode d'actionnement sous- jacente. Une troisième solution technique connue, et divulguée notamment dans la demande de brevet internationale W02006/099945 susvisée, consiste à recouvrir la totalité de la face supérieure (face orientée vers la membrane) de chaque électrode d'actionnement, avec une couche de matériau diélectrique, qui permet d'isoler électriquement la membrane de la totalité de la face supérieure de l'électrode d'actionnement. Cette troisième solution peut paraître plus efficace que les deux autres solutions. Cependant en mettant en oeuvre cette troisième solution, on constate à l'usage que la couche diélectrique à la surface de l'électrode d'actionnement se charge électriquement dans le temps, ce qui modifie dans le temps, et notamment attenue, la force d'actionnement électrostatique appliquée sur la membrane. Cette modification est préjudiciable à la répétabilité du fonctionnement du dispositif, et peut même dans le temps aboutir à un défaut de fonctionnement du dispositif. Pour les dispositifs MEMS ou NEMS comportant une membrane, qui est ancrée par rapport au substrat, et qui n'est pas mobile en translation 3031098 4 parallèlement au substrat, les solutions ci-dessus sont en pratique relativement efficaces pour réduire les risques de court-circuit et de formation d'arc électriques entre la membrane et une électrode d'actionnement En revanche, la demanderesse a mis en évidence que dans le cas 5 particulier des dispositifs MEMS ou NEMS, comportant une membrane qui est mobile en translation parallèlement au substrat, ces solutions n'étaient pas totalement satisfaisantes, et que les risques d'apparition des défauts de fonctionnement susvisés (court-circuit entre la membrane et une électrode d'actionnement et formation d'arcs électriques entre la membrane et 10 l'électrode d'actionnement) pouvaient subsister de manière importante. Objectif de l'invention Un objectif de l'invention est de proposer une nouvelle solution technique, qui permet de réduire l'apparition des défauts de fonctionnement susvisés (court-circuit et formation d'arcs électriques) dans un dispositif 15 microélectromécanique ou nanoélectromécanique, à membrane mobile en translation parallèlement à un substrat, et actionnable électrostatiquemement par au moins une électrode d'actionnement sous-jacente formée sur le substrat. Un objectif plus particulier de l'invention est de proposer une nouvelle 20 solution technique, qui permet de conserver la possibilité de fabriquer le dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique en utilisant des technologies de fabrication par dépôt de couches minces, notamment par croissance épitaxiale, qui sont standards dans ce domaine. Résumé de l'invention 25 Lorsque l'on utilise les technologies standards pour fabriquer un dispositif MEMS ou NEMS à membrane mobile en translation parallèlement à un substrat, et actionnable électrostatiquemement par au moins une électrode d'actionnement sous-jacente formée à la surface du substrat, afin de réaliser l'espace isolant, et notamment un espace d'air, entre la membrane et 30 l'électrode d'actionnement, on est en pratique conduit, au cours de la fabrication, à former une couche sacrificielle, qui recouvre le substrat et 3031098 5 l'électrode d'actionnement, et dont l'épaisseur est sensiblement constante. Il en résulte en pratique que la face inférieure de la membrane (face orientée vers le substrat), d'une part comporte une partie active, généralement plane, qui est positionnée au droit de l'électrode 5 d'actionnement, et dont la zone la plus proche de l'électrode d'actionnement est située dans un premier plan de référence lorsque la membrane n'est pas actionnée, et d'autre part comporte également un décrochement, qui est orienté en direction du substrat, qui normalement n'est pas positionné au droit de l'électrode d'actionnement, mais qui s'étend en direction du substrat 10 jusqu'à un plan plus proche de l'électrode d'actionnement que le plan de référence susvisé de la partie active de la face inférieure de membrane. Or la demanderesse a mis en évidence que ce décrochement en combinaison avec la mobilité en translation de la membrane parallèlement au substrat est une source importante des défauts de fonctionnement susvisés 15 (court-circuit ou formation d'arcs électriques). En effet, il a été mis en évidence que dans certains cas la membrane peut avoir subi un faible déplacement ou décalage en translation, non intentionnel, parallèlement au substrat et en direction de l'électrode d'actionnement. Ce défaut de positionnement en translation de la membrane, combiné à la présence de ce 20 décrochement dans la face inférieure de la membrane, peut ainsi aboutir à une réduction préjudiciable de la distance entre ce décrochement et l'électrode d'actionnement, ce qui peut occasionner les défauts de fonctionnement susvisés (court-circuit ou formation d'arcs électriques). Pour pallier ces défauts de fonctionnement, l'invention a ainsi pour 25 objet un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique présentant les caractéristiques suivantes. Le dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique comporte une membrane, qui est supportée au-dessus d'un substrat, en étant espacée dudit substrat, et au moins une électrode d'actionnement, qui est formée 30 sur ledit substrat, et est positionnée au moins en partie au-dessous de la membrane, avec un espace électriquement isolant, et notamment un 3031098 6 espace d'air, entre la membrane et l'électrode d'actionnement, et qui permet d'actionner électrostatiquemement la membrane. La membrane est mobile en translation le long d'au moins un premier axe de translation (XX') sensiblement parallèle au substrat, et dans au moins une première direction 5 (X1) le long de ce premier axe de translation (XX'). La face inférieure de la membrane orientée vers le substrat comporte d'une part une partie active, qui est positionnée au droit de l'électrode d'actionnement, et dont la zone d'actionnement électrostatique la plus proche de l'électrode d'actionnement est située dans un premier plan de référence (P1) lorsque la membrane 10 n'est pas actionnée, et d'autre part au moins un décrochement, qui est orienté en direction du substrat et qui s'étend en direction du substrat jusqu'à un deuxième plan (P2) plus proche de électrode d'actionnement que ledit plan de référence (P1) de la face inférieure de membrane. Ledit décrochement comporte au moins une première portion qui, pour au moins 15 une partie des positions en translation de la membrane, n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement et qui est proche d'au moins une première portion de la tranche de l'électrode d'actionnement, laquelle première portion de tranche est transversale au premier axe de translation (XX'). Ledit dispositif comporte : 20 (a) une couche diélectrique, qui recouvre au moins ladite première portion de tranche de l'électrode d'actionnement, et/ou (b) une couche diélectrique, qui recouvre la face inférieure de la membrane au moins dans une zone correspondant à ladite première 25 portion du décrochement. De manière facultative, le dispositif de l'invention peut comporter les caractéristiques techniques optionnelles suivantes, prises isolément ou en combinaison les unes avec les autres : - (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une première zone 30 de bordure (Z1) de la surface supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle première zone de bordure (Z1) 3031098 7 s'étend depuis ladite première portion (50a) de tranche (50), sur une première largeur (L1) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active (31) de la face inférieure de la 5 membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. - (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une première zone (Z1) de la partie active (31) de la face inférieure de la membrane (3), qui s'étend 10 depuis ladite première portion (30a) du décrochement (30), sur une première largeur de recouvrement (L1) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). 15 - la première largeur de recouvrement (L1) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la première direction (X1). - la membrane (3) est mobile en translation le long dudit premier axe de translation (XX') dans une deuxième direction (X2) opposée à la 20 première direction (X1) ; ledit décrochement (30) comporte au moins une deuxième portion (30b) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une deuxième portion (50b) de la tranche (50) de l'électrode 25 d'actionnement (5 ou 5'), laquelle deuxième portion (50b) de tranche (50) est transversale au premier axe de translation (XX') et est située à l'opposé de la première portion (50a) de tranche (50) ; dans ce dispositif : (a) la couche diélectrique (7), recouvre au moins ladite 30 deuxième portion (50b) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') 3031098 8 et/ou (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite deuxième portion (30b) du décrochement (30). 5 - (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une deuxième zone de bordure (Z2) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle deuxième zone de bordure (Z2) s'étend depuis ladite deuxième portion (50b) de tranche (50), sur une deuxième largeur de recouvrement (L2) limitée, de sorte qu'au moins 10 une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active de la face inférieure de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. - (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la 15 membrane (3) également dans une deuxième zone (Z2) de la partie active (31) de la face inférieure de la membrane (3), qui s'étend depuis ladite première portion (30a) du décrochement (30), sur une deuxième largeur de recouvrement (L2) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) 20 de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). - lequel la deuxième largeur de recouvrement (L2) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la deuxième direction (X2). 25 - la membrane (3) est mobile en translation, dans au moins une troisième direction (Y1), le long d'un deuxième axe de translation (YY'), qui est sensiblement parallèle à la face supérieure (2a) du substrat (2), et qui est perpendiculaire au premier axe de translation (XX'), dans lequel, ledit décrochement (30) comporte au moins une 30 troisième portion (30c) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au droit de 3031098 9 l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une troisième portion (50c) de la tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle troisième portion (50c) de tranche (50) est transversale au deuxième axe de translation (YY') ; Dans ce 5 disposiitf : (a) la couche diélectrique (7), recouvre au moins ladite troisième portion (50c) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') et/ou 10 (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite troisième portion (30c) du décrochement (30). - (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une troisième zone de bordure (Z3) de la face supérieure (5a) de l'électrode 15 d'actionnement (5 ou 5'), laquelle troisième zone de bordure (Z3) s'étend depuis ladite troisième portion (50c) de tranche (50), sur une troisième largeur de recouvrement (L3) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active de la face 20 inférieure de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. - (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une troisième zone (Z3) de la partie active (31) de la face inférieure de la membrane (3), qui s'étend 25 depuis ladite troisième portion (30c) du décrochement (30), sur une troisième largeur de recouvrement (L3) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). 30 - la troisième largeur de recouvrement (L3) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la troisième 3031098 10 direction (Y1). - la membrane (3) est mobile en translation le long dudit deuxième axe de translation (YY') dans au moins une quatrième direction (Y2) opposée à la troisième direction (Y1), dans lequel ledit 5 décrochement (30) comporte au moins une quatrième portion (30d) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une quatrième portion (50d) de la tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 10 5'), laquelle quatrième portion (50d) de tranche (50) est transversale au deuxième axe de translation (YY') et est située à l'opposé de la troisième portion (50c) de tranche (50) ; dans ce dispositif, dans lequel : (a) la couche diélectrique (7), recouvre au moins ladite quatrième 15 portion (50d) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') et/ou (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite 20 quatrième portion (30d) du décrochement (30). - (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une quatrième zone de bordure (Z4) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle quatrième zone de bordure (Z4) s'étend depuis ladite quatrième portion (50d) de tranche (50), sur une 25 quatrième largeur de recouvrement (L4) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active de la face inférieure de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. 30 - (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une quatrième zone (Z4) de la partie 3031098 11 active (31) de la face inférieure de la membrane (3), qui s'étend depuis ladite quatrième portion (30d) du décrochement (30), sur une quatrième largeur de recouvrement (L4) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) 5 de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). - la quatrième largeur de recouvrement (L4) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la quatrième direction (Y2). 10 - (a) la couche diélectrique (7) sur le substrat (2) est de plus faible épaisseur que l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). - (b) la couche diélectrique (7') portée sous la membrane (3) est de plus faible épaisseur que l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). - (a) au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de 15 l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), électriquement conductrice et située au droit de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. - la membrane (3), lorsqu'elle est actionnée au moyen d'une électrode 20 d'actionnement (5 ou 5') sous-jacente, ne touche pas la surface électriquement conductrice de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). - (b) au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane (3) n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7'). 25 - pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), le décrochement (30) de la membrane (3) entoure complétement la tranche (50) de l'électrode (5 ou 5'). - la couche diélectrique (7 ou 7') s'étend de manière continue sur toute la périphérie de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). 30 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, la membrane (3) est flexible, et la ou les électrodes d'actionnement (5 3031098 12 , 5') permettent de déformer électrostatiquemement la membrane (3) - la permittivité de la couche diélectrique (7 ou 7') est supérieure à la permittivité dans l'espace électriquement isolant (6), et notamment 5 dans l'espace d'air, entre la membrane (3) et l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). - au moins la face inférieure (3a) de la membrane (3) est électriquement conductrice. - l'électrode d'actionnement (5 ou 5') est positionnée entièrement au- 10 dessous de la membrane (3). - la zone d'actionnement électrostatique (31a) est sensiblement plane. - la zone d'actionnement électrostatique (31a) est centrée par rapport à l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), lorsque la membrane est dans sa position non décalée. 15 - la membrane (3) permet de réaliser une fonction de commutateur ohmique, capacitif ou optique. - Le dispositif comporte deux pistes électriquement conductrices (S1 et S2) formées sur le substrat (2) et espacées l'une de l'autre ; la membrane (3) remplit une fonction de commutateur ohmique, de telle 20 sorte que lorsqu'elle est au repos, elle n'est pas en contact avec les deux pistes (S1 et S2), et que lorsqu'elle est actionnée électrostatiquement au moyen d'au moins une électrode d'actionnement (5), elle est en contact avec les deux pistes (S1 et S2) et permet de raccorder électriquement les deux pistes (S1 et S2) 25 entre-elles. L'invention a pour autre objet un système microélectromécanique ou nanoélectromécanique comportant au moins un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique susvisé. L'invention a pour autre objet un procédé de fabrication d'un 30 dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique susvisé comprenant au moins les caractéristiques techniques (a) susvisées. 3031098 13 Ce procédé comporte les étapes de fabrication suivantes : (1) on fabrique une structure multicouche comportant un substrat sur lequel est formée au moins une électrode d'actionnement, (2) on dépose une couche mince (CL3) de matériau diélectrique' 5 recouvrant le substrat et l'électrode, (3) on dépose une couche de résine photorésistante, au-dessus de la couche de matériau diélectrique, (4) on réalise une gravure de la structure multicouche de manière à conserver sur le substrat, l'électrode d'actionnement et la 10 couche diélectrique du dispositif formée du matériau diélectrique de la couche de diélectrique (CL3), (5) on dépose une couche de résine sacrificielle (CL5), recouvrant le substrat, l'électrode et la couche diélectrique, la face supérieure de cette couche sacrificielle (CL5), n'étant pas plane 15 et présentant un profil non rectiligne correspondant au profil de la face inférieure de la membrane du dispositif (1), (6) on dépose au moins une couche de matériau (CL6) au-dessus de la couche sacrificielle (CL5), et plus particulièrement une couche (CL6) de matériau électriquement conducteur, 20 (7) on réalise une gravure de la couche sacrificielle (CL5) de manière à la retirer, et former la membrane au moyen au moins de la couche de matériau (CL6) déposée à l'étape précédente. Plus particulièrement, mais non nécessairement, l'épaisseur de la couche (CL3) de matériau diélectrique est inférieure à l'épaisseur de 2 5 l'électrode. L'invention a pour autre objet un procédé de fabrication d'un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique susvisé comprenant au moins les caractéristiques techniques (b) susvisées. Ce procédé comporte les étapes de fabrication suivantes : 30 (1) on fabrique une structure multicouche comportant un substrat sur lequel est formée au moins une électrode d'actionnement, 3031098 14 (2) on dépose sur la face supérieure du substrat et de l'électrode, une couche sacrificielle (CL2'), (3) on dépose une couche (CL3') de matériau diélectrique, recouvrant la couche sacrificielle (CL2'), 5 (4) on dépose une couche (CL4') d'une résine photorésistante, recouvrant la couche diélectrique (CL3'), (5) on grave la face supérieure de la structure multicouche de manière à conserver sur le substrat, une partie de la couche de diélectrique (CL3') formant la couche diélectrique du 10 dispositif et la couche sacrificielle (CL2'), de telle sorte que la face supérieure de la structure multicouche n'est pas plane et présente un profil non rectiligne correspondant au profil de la face inférieure de la membrane du dispositif, (6) on dépose au moins une couche de matériau (CL6') au-dessus 15 de la couche sacrificielle (CL2') et de la couche diélectrique, et plus particulièrement une couche (CL6') de matériau électriquement conducteur, (7) on réalise une gravure de la couche sacrificielle (CL2') de manière à la retirer complètement et former la membrane (3) du 20 dispositif (1') au moyen au moins de la couche de matériau (CL6') déposée à l'étape précédente. Brève description des figures Les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description détaillée ci-après de plusieurs 25 variantes particulières de réalisation de l'invention, lesquelles variantes particulières de réalisation sont décrites à titre d'exemples non limitatifs et non exhaustifs de l'invention, et en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une vue de dessus d'une première variante de réalisation (a) d'un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique 30 de l'invention, la membrane étant représentée en transparence, - la figure 2 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 303 109 8 15 1 dans le plan de coupe II-II de la figure 1 ou dans le plan de coupe II'- II' de la figure 1, la membrane étant au repos et en position non décalée, et les épaisseurs et dimensions sur cette figure n'étant pas à l'échelle, 5 - la figure 3 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1 dans le plan de coupe III-III, - La figure 4 représente le dispositif de la figure 2, lorsque la membrane est en position non décalée et est actionnée électrostatiquement par l'électrode d'actionnement sous-jacente, 10 - la figure 5 représente le dispositif de la figure 2, lorsque la membrane est faiblement décalée en translation dans la direction X1 (ou Y1), - la figure 6 représente le dispositif de la figure 2, lorsque la membrane est fortement décalée en translation dans la direction (X1 ou Y1), - Les figures 7 à 21 représentent les principales étapes de fabrication du 15 dispositif de la figure 2, - La figure 22 est une vue en coupe transversale d'une deuxième variante de réalisation (b) du dispositif de la figure 1, la membrane étant au repos et en position non décalée, et les épaisseurs et dimensions sur cette figure n'étant pas à l'échelle, 20 - La figure 23 représente le dispositif de la figure 22, lorsque la membrane est en position non décalée et est actionnée électrostatiquement par l'électrode d'actionnement sous-jacente, - la figure 24 représente le dispositif de la figure 22, lorsque la membrane est faiblement décalée en translation dans la direction X1 25 (ou Y1), - la figure 25 représente le dispositif de la figure 22, lorsque la membrane est fortement décalée en translation dans la direction X1 (ou Y1), - les figures 26 à 33 représentent les principales étapes de fabrication 30 du dispositif de la figure 22. Description détaillée 3031098 16 1 ère variante de réalisation - Figures 1 à 21 En référence à la variante particulière de réalisation des figures 1 et 2, le dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique 1 comporte : - un substrat 2 isolant, comportant une face supérieure 2a 5 sensiblement plane, - une membrane 3 flexible, qui est supportée au-dessus du substrat 2, en étant posée sur deux piliers 4 espacés le long de l'axe )(X', - des électrodes d'actionnement 5,5' qui sont formées sous forme de couches minces, sur la face supérieure 2a du substrat 2, et qui 10 sont entièrement positionnées au-dessous de la membrane 3, avec un espace d'air 6 ménagé entre la face inférieure 3a de la membrane 3 et la face supérieure 5a sensiblement plane des électrodes 5, 5'. De manière usuelle, le substrat 2 isolant est une structure monocouche 15 dans un matériau électriquement isolant ou une structure multicouche, dont au moins la couche supérieure est dans un matériau électriquement isolant. Par exemple et de manière non limitative de l'invention, le substrat 2 est une plaque 20, en matériau semi-conducteur, tel que du silicium, recouverte d'une couche supérieure 21 isolante, tel que par exemple du nitrure de silicium. 20 Dans l'exemple particulier illustré, le dispositif 1 comporte : - deux électrodes intérieures 5, qui sont positionnées sous la membrane 3 entre les deux piliers 4, chaque électrode 5 étant proche de l'un des deux piliers 4, - deux électrodes extérieures 5', qui sont positionnées 25 respectivement sous les extrémités de la membrane 3 à l'extérieur des deux piliers 4, chaque électrode 5' étant proche de l'un des deux piliers 4. Dans cet exemple, l'espace 6 entre la membrane 4 et les électrodes 5, 5' contient de l'air, qui forme un diélectrique constituant un bon isolant 30 électrique. Dans une autre variante, cet air pourrait être remplacé par tout autre gaz, notamment un gaz inerte, permettant de réaliser un espace 6 3031098 17 électriquement isolant. En référence à la figure 1, la membrane 3 n'est pas fixée ou ancrée sur les piliers 4, mais est libre en étant mobile en translation d'une part dans les deux directions opposées X1 et X2, le long d'un axe de translation 5 longitudinal )(X' parallèle à la face supérieure 2a du substrat 2, et d'autre part dans les deux directions opposées Y1 et Y2, le long d'un axe transversal YY', parallèle à la face supérieure 2a du substrat 2 et perpendiculaire à l'axe longitudinal )(X'. La face inférieure 3a de la membrane 3 est électriquement 10 conductrice. La membrane 3 est par exemple une membrane monocouche ou multicouche réalisée dans un ou plusieurs matériaux électriquement conducteurs, et plus particulièrement dans un métal, tel que par exemple de l'or ou de l'aluminium, ou dans un alliage de métaux. Dans ce cas, la membrane 3 fait office d'électrode mobile. La membrane 3 peut également 15 être une membrane multicouche, comportant une face inférieure 3a, qui est réalisée dans un matériau électriquement conducteur, et plus particulièrement dans un métal, tel que par exemple de l'or ou de l'aluminium, ou dans un alliage de métaux, la ou les couches supérieures de la membrane n'étant pas nécessairement électriquement conductrices. Dans ce cas, seule la couche 20 formant la face inférieure 3a de la membrane 3 fait office d'électrode mobile. Les piliers 4 sont de préférence réalisés dans un matériau électriquement conducteur, et par exemple dans un métal, tel que par exemple de l'or ou de l'aluminium, ou dans un alliage de métaux, et sont reliés à la masse du dispositif. Les électrodes d'actionnement 5, 5' sont réalisées 25 dans un matériau électriquement conducteur, et plus particulièrement dans un métal, tel que par exemple de l'or ou de l'aluminium, ou dans un alliage de métaux. Chaque pilier 4 comporte en outre, sur sa face supérieure, deux butées 40 en forme de L qui servent de butées en translation à la membrane 30 3 dans le plan parallèle au substrat 2, défini par l'axe longitudinal )(X' et par l'axe transversal YY' parallèle. Lorsque la membrane 3 est centrée entre les 3031098 18 butées 40, tel que cela est représenté sur la figure 1, il existe un espace E entre le bord de la membrane 3 et chaque butée 40 de telle sorte que la membrane 3 au repos est supportée sur les deux piliers 4 en étant libre en translation dans les deux directions opposées X1 et X2 le long de l'axe 5 longitudinal )(X' sur une faible course de translation, et dans les deux directions opposées Y1 et Y2 le long de l'axe transversal YY' sur une faible course de translation. Les butées 40 permettent ainsi de limiter la course de la translation de la membrane 3, afin de maintenir la membrane au-dessus des piliers 4. 10 Les piliers 4 comportent également sur leur face supérieure des butées 41 (figures 1 et 3) qui permettent de bloquer verticalement la membrane 3, c'est-à-dire de bloquer la membrane 3 en translation au-dessus des piliers 4 le long d'un axe ZZ' (figures 2 et 3) perpendiculaire à la face supérieure 2a du substrat 2. 15 En référence à la figure 1, le dispositif 1 constitue plus particulièrement un commutateur ohmique, et comporte une ligne de signal S comportant deux pistes coplanaires électriquement conductrices Si, S2, qui sont formées à la surface du substrat 2, et qui sont espacées et dans le prolongement l'une de l'autre. L'espace G entre les deux pistes Si et S2 est 20 positionné sous la membrane 3, et entre les deux piliers 4, de préférence à mi-distance de chaque pilier 4. Ces pistes 51, S2 sont par exemple constituées d'une couche de métal et par exemple une couche d'or, ou d'aluminium déposée sur la face supérieure 2a du substrat 2. De manière connue, dans cette variante particulière de réalisation, 25 lorsque toutes les électrodes 5 et 5' ne sont pas alimentées électriquement, la membrane commutatrice 3 est au repos en étant sensiblement plane et espacée de électrode 5, 5' (configuration au repos illustrée sur la figure 2). Dans cette configuration au repos, la ligne de signal S étant interrompue entre les deux pistes S, aucun signal électrique ne peut transiter par cette ligne de 30 signal S. Lorsque les électrodes intérieures 5 sont alimentées électriquement, elles exercent sur la membrane 3 des forces électrostatiques, qui sont 3031098 19 orientées en direction du substrat 2, et qui tirent la partie centrale de la membrane 3, entre les deux piliers 4, en direction du substrat 2 et la rapprochent des électrodes d'actionnement 5 (Figure 4), sans que la membrane 3 ne touche les électrodes 5. Ces forces électrostatiques sont 5 suffisamment fortes pour que la membrane flexible commutatrice 3 se déforme en se courbant vers le bas entre les deux piliers 4, et touche les deux pistes conductrices S1, S2, de manière à raccorder électriquement les deux pistes conductrices S1, S2. Lors de sa déformation, la membrane 3 n'étant pas ancrée sur les piliers 4 à ses deux extrémités, elle glisse également 10 légèrement sur les deux piliers 4. Dans cette configuration de commutation de la membrane, dite ON, la ligne de signal S est alors fermée et peut être utilisée pour faire transiter un signal électrique. Lorsque membrane flexible 3 est dans sa configuration de commutation ON, et que l'on cesse d'alimenter électriquement les électrodes 15 intérieures 5, les force électrostatiques susvisées sont supprimées, et la membrane 2, de par sa flexibilité, reprend sa position au repos, ce qui ouvre de nouveau la ligne de signal S. Lorsque les électrodes extérieures 5' sont alimentées électriquement, elles exercent sur les extrémités de la membrane 3 des forces 20 électrostatiques qui sont orientées en direction du substrat 2, et qui tirent les extrémités de la membrane 3 en direction du substrat 2, et les rapprochent des électrodes d'actionnement extérieurs 5', sans que la membrane 3 ne touche les électrodes 5'. Ces forces électrostatiques sont suffisamment fortes pour que la membrane flexible commutatrice 3 se courbe vers le haut en étant 25 en appui sur les deux piliers 4, ce qui permet d'écarter la partie centrale de la membrane 3 par rapport aux deux pistes conductrices S1 et S2 d'une distance plus importante que celle de la membrane au repos. Dans cette configuration dite OFF, la ligne de signal S est interrompue entre les deux pistes S, et aucun signal électrique ne peut transiter par cette ligne de signal S. 30 L'invention n'est pas limitée à un dispositif 1 ayant une fonction de commutateur ohmique. Par exemple et de manière non limitative et non 3031098 20 exhaustive de l'invention, le dispositif 1 peut être modifié de telle sorte que sa membrane 3 puisse faire office de commutateur capacitif, ou faire office de capacité variable avec une électrode remplaçant la ligne de signal S, ou de telle sorte que sa membrane 3 puisse faire office de commutateur optique. 5 L'invention n'est pas limitée non plus à un dispositif 1 mettant en oeuvre à la fois des électrodes d'actionnement intérieures 5 et des électrodes d'actionnement extérieures 5'. Par exemple et de manière non limitative et non exhaustive de l'invention, dans une autre variante, le dispositif pourrait comporter uniquement des électrodes d'actionnement intérieures 5 ou une 10 unique électrode d'actionnement intérieure 5, positionnée entre les deux piliers 4 et de préférence centrée sous la membrane 3 ; le dispositif pourrait comporter uniquement des électrodes d'actionnement extérieures 5'. En outre, les électrodes d'actionnement 5, 5' n'ont pas nécessairement la même géométrie, ni les mêmes dimensions, et dans le cadre de l'invention une 15 électrode d'actionnement 5 ou 5' peut avoir une géométrie et/ou des dimensions différentes de celles des figures annexées. En référence à la figure 2, la face inférieure 3a de la membrane 3 (face 3a orientée vers le substrat 2) comporte pour chaque électrode d'actionnement 5, 5', une partie 31, dite partie active, qui est positionnée au 20 droit de l'électrode d'actionnement correspondante 5 ou 5'. La zone d'actionnement électrostatique 31a de cette partie active 31, qui d'une manière générale est la plus proche de l'électrode d'actionnement 5 ou 5', est située dans un premier plan de référence P1 parallèle au substrat 2, lorsque la membrane n'est pas actionnée (membrane au repos). Dans cet 25 exemple, la partie active 31 étant sensiblement plane et parallèle au substrat 2, cette zone 31a correspond à toute la surface de la partie active 31. Sur la figure 2, la distance verticale mesurée perpendiculairement au substrat 2 (axe ZZ') entre ce plan de référence P1 et la face supérieure 5a de l'électrode 5 ou 5' est référencée D1. La zone d'actionnement 30 électrostatique 31a est prévue pour coopérer avec l'électrode d'actionnement sous-jacente 5 (ou 5'), afin de permettre l'actionnement 3031098 21 électrostatique de la membrane 3. Dans la position en translation non décalée de la membrane 3 illustrée sur la figure 2, cette zone d'actionnement électrostatique 31a est entièrement positionnée en regard de l'électrode d'actionnement sous-5 jacente 5 (ou 5'). Dans l'exemple particulier illustré, mais de manière non impérative, dans la position en translation non décalée de la membrane 3, cette zone d'actionnement électrostatique 31a est centrée au-dessus de l'électrode d'actionnement sous-jacente 5 (ou 5'). 10 La face inférieure 3a de la membrane 3 comporte également un décrochement 30, qui est orienté en direction du substrat 2, et qui s'étend en direction du substrat jusqu'à un deuxième plan P2 qui est parallèle au substrat 2, et qui est plus proche de électrode d'actionnement 5 ou 5' que ledit plan de référence P1 de la partie active 31 de la face inférieure 3a de 15 la membrane 3. Sur la figure 2, la distance verticale mesurée perpendiculairement au substrat 2 (axe ZZ') entre ce deuxième plan P2 du décrochement 30 et la face supérieure 5a de l'électrode 5 ou 5' est référencée D2 (D2 REVENDICATIONS1. Dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique (1 ; 1') comportant une membrane (3), qui est supportée au-dessus d'un substrat (2), en étant espacée dudit substrat (2), et au moins une électrode d'actionnement (5 ou 5'), qui est formée sur ledit substrat (2), et est positionnée au moins en partie au-dessous de la membrane (3), avec un espace électriquement isolant (6), et notamment un espace d'air, entre la membrane (3) et l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui permet d'actionner électrostatiquemement la membrane (3), dans lequel la membrane (3) est mobile en translation le long d'au moins un premier axe de translation (XX') sensiblement parallèle au substrat (2), et dans au moins une première direction (X1) le long de ce premier axe de translation (XX'), dans lequel la face inférieure (3a) de la membrane (3) orientée vers le substrat (2) comporte d'une part une partie active (31), qui est positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et dont la zone d'actionnement électrostatique (31a) la plus proche de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') est située dans un premier plan de référence (P1) lorsque la membrane n'est pas actionnée, et d'autre part au moins un décrochement (30), qui est orienté en direction du substrat (2) et qui s'étend en direction du substrat jusqu'à un deuxième plan (P2) plus proche de électrode d'actionnement (5 ou 5') que ledit plan de référence (P1) de la face inférieure de membrane (3), dans lequel ledit décrochement (30) comporte au moins une première portion (30a) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une première portion (50a) de la tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle première portion (50a) de tranche (50) est transversale au premier axe de translation (XX'), ledit dispositif comportant : (a) une couche diélectrique (7), qui recouvre au moins ladite première 3031098 portion (50a) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et/ou (b) une couche diélectrique (7'), qui recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite 5 première portion (30a) du décrochement (30). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une première zone de bordure (Z1) de la surface supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle 10 première zone de bordure (Z1) s'étend depuis ladite première portion (50a) de tranche (50), sur une première largeur (L1) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active (31) de la face inférieure de la membrane (3), n'est pas recouverte par 15 la couche diélectrique (7) et est à nue. 3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une première zone (Z1) de la partie active (31) de la face inférieure de la 20 membrane (3), qui s'étend depuis ladite première portion (30a) du décrochement (30), sur une première largeur de recouvrement (L1) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). 25 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 ou 3, dans lequel la première largeur de recouvrement (L1) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la première direction (X1). 30 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la membrane (3) est mobile en translation le long dudit premier axe de 3031098 36 translation (XX') dans une deuxième direction (X2) opposée à la première direction (X1), dans lequel ledit décrochement (30) comporte au moins une deuxième portion (30b) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au 5 droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une deuxième portion (50b) de la tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle deuxième portion (50b) de tranche (50) est transversale au premier axe de translation (XX') et est située à l'opposé de la première portion (50a) de tranche (50), dans lequel : 10 (a) la couche diélectrique (7), recouvre au moins ladite deuxième portion (50b) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') et/ou (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite 15 deuxième portion (30b) du décrochement (30). 6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une deuxième zone de bordure (Z2) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle 20 deuxième zone de bordure (Z2) s'étend depuis ladite deuxième portion (50b) de tranche (50), sur une deuxième largeur de recouvrement (L2) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active de la face inférieure de la membrane (3), n'est pas 25 recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. 7. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une deuxième zone (Z2) de la partie active (31) de la face inférieure de la 30 membrane (3), qui s'étend depuis ladite première portion (30a) du décrochement (30), sur une deuxième largeur de recouvrement (L2) 3031098 37 limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). 5 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, dans lequel la deuxième largeur de recouvrement (L2) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la deuxième direction (X2). 10 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la membrane (3) est mobile en translation, dans au moins une troisième direction (Y1), le long d'un deuxième axe de translation (YY'), qui est sensiblement parallèle à la face supérieure (2a) du substrat (2), et qui est perpendiculaire au premier axe de translation (XX'), dans 15 lequel ledit décrochement (30) comporte au moins une troisième portion (30c) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une troisième portion (50c) de la tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), 20 laquelle troisième portion (50c) de tranche (50) est transversale au deuxième axe de translation (YY'), dans lequel : (a) la couche diélectrique (7), recouvre au moins ladite troisième portion (50c) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') et/ou 25 (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite troisième portion (30c) du décrochement (30). 30 10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel (a) la couche diélectrique (7) recouvre également une troisième zone de bordure (Z3) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle 303 109 8 38 troisième zone de bordure (Z3) s'étend depuis ladite troisième portion (50c) de tranche (50), sur une troisième largeur de recouvrement (L3) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit 5 de la partie active de la face inférieure de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. 11. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une 10 troisième zone (Z3) de la partie active (31) de la face inférieure de la membrane (3), qui s'étend depuis ladite troisième portion (30c) du décrochement (30), sur une troisième largeur de recouvrement (L3) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane n'est pas recouverte par cette 15 couche diélectrique (7'). 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, dans lequel la troisième largeur de recouvrement (L3) est supérieure à la course maximale de la translation de la membrane (3) dans la troisième 20 direction (Y1). 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la membrane (3) est mobile en translation le long dudit deuxième axe de translation (YY') dans au moins une quatrième direction (Y2) 25 opposée à la troisième direction (Y1), dans lequel ledit décrochement (30) comporte au moins une quatrième portion (30d) qui, pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), et qui est proche d'au moins une quatrième portion (50d) de la tranche (50) de 30 l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle quatrième portion (50d) de tranche (50) est transversale au deuxième axe de translation (YY') et est située à l'opposé de la troisième portion (50c) de tranche (50), dans 3031098 39 lequel : (a) la couche diélectrique (7), recouvre au moins ladite quatrième portion (50d) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5') et/ou 5 (b) la couche diélectrique (7') recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) au moins dans une zone correspondant à ladite quatrième portion (30d) du décrochement (30). 14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel (a) la couche 10 diélectrique (7) recouvre également une quatrième zone de bordure (Z4) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), laquelle quatrième zone de bordure (Z4) s'étend depuis ladite quatrième portion (50d) de tranche (50), sur une quatrième largeur de recouvrement (L4) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale (51) 15 de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), située au droit de la partie active de la face inférieure de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est à nue. 15. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel (b) la couche 20 diélectrique (7') recouvre la face inférieure de la membrane (3) également dans une quatrième zone (Z4) de la partie active (31) de la face inférieure de la membrane (3), qui s'étend depuis ladite quatrième portion (30d) du décrochement (30), sur une quatrième largeur de recouvrement (L4) limitée, de sorte qu'au moins une zone centrale de la 25 partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane n'est pas recouverte par cette couche diélectrique (7'). 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 14 ou 15, dans lequel la quatrième largeur de recouvrement (L4) est supérieure à la 30 course maximale de la translation de la membrane (3) dans la quatrième direction (Y2). 3031098 17. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel (a) la couche diélectrique (7) sur le substrat (2) est de plus faible épaisseur que l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). 5 18. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel (b) la couche diélectrique (7') portée sous la membrane (3) est de plus faible épaisseur que l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). 10 19. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel (a) au moins une zone centrale (51) de la face supérieure (5a) de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), électriquement conductrice et située au droit de la partie active (31) de la face inférieure (3a) de la membrane (3), n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7) et est 15 à nue. 20. Dispositif selon la revendication 19, dans lequel la membrane (3), lorsqu'elle est actionnée au moyen d'une électrode d'actionnement (5 ou 5') sous-jacente, ne touche pas la surface électriquement conductrice 20 de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). 21. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel (b) au moins une zone centrale de la partie active (31) de la face 25 inférieure (3a) de la membrane (3) n'est pas recouverte par la couche diélectrique (7'). 22. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, pour au moins une partie des positions en translation de la 30 membrane (3), le décrochement (30) de la membrane (3) entoure complétement la tranche (50) de l'électrode (5 ou 5'). 3031098 41 23. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche diélectrique (7 ou 7') s'étend de manière continue sur toute la périphérie de l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). 5 24. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la membrane (3) est flexible, et la ou les électrodes d'actionnement (5 , 5') permettent de déformer électrostatiquemement la membrane (3). 10 25. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la permittivité de la couche diélectrique (7 ou 7') est supérieure à la permittivité dans l'espace électriquement isolant (6), et notamment dans l'espace d'air, entre la membrane (3) et l'électrode d'actionnement (5 ou 5'). 15 26. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins la face inférieure (3a) de la membrane (3) est électriquement conductrice. 20 27. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'électrode d'actionnement (5 ou 5') est positionnée entièrement au-dessous de la membrane (3). 28. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans 25 lequel la zone d'actionnement électrostatique (31a) est sensiblement plane. 29. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la zone d'actionnement électrostatique (31a) est centrée par 30 rapport à l'électrode d'actionnement (5 ou 5'), lorsque la membrane est dans sa position non décalée. 3031098 42 30. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la membrane (3) permet de réaliser une fonction de commutateur ohmique, capacitif ou optique. 5 31. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant deux pistes électriquement conductrices (S1 et S2) formées sur le substrat (2) et espacées l'une de l'autre, et dans lequel la membrane (3) remplit une fonction de commutateur ohmique, de telle sorte que lorsqu'elle est au repos, elle n'est pas en contact avec les deux 10 pistes (S1 et S2), et que lorsqu'elle est actionnée électrostatiquement au moyen d'au moins une électrode d'actionnement (5), elle est en contact avec les deux pistes (S1 et S2) et permet de raccorder électriquement les deux pistes (S1 et S2) entre-elles. 15 32. Système microélectromécanique ou nanoélectromécanique comportant au moins un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique visé à l'une quelconque des revendications précédentes. 20 33. Procédé de fabrication d'un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique (1) visé à l'une quelconque des revendications 1 à 31, et comprenant au moins les caractéristiques techniques (a), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : (1) on fabrique une structure multicouche comportant un substrat 25 (2) sur lequel est formée au moins une électrode d'actionnement (5 ou 5'), (2) on dépose une couche mince (CL3) de matériau diélectrique, recouvrant le substrat (2) et l'électrode (5), (3) on dépose une couche de résine photorésistante (CL4), au- 30 dessus de la couche (CL3) de matériau diélectrique, (4) on réalise une gravure de la structure multicouche de manière à conserver sur le substrat (2), l'électrode d'actionnement (5) et 3031098 43 la couche diélectrique (7) du dispositif (1) formée du matériau diélectrique de la couche de diélectrique (CL3), (5) on dépose une couche de résine sacrificielle (CL5), recouvrant le substrat (2), l'électrode (5) et la couche diélectrique (7), la 5 face supérieure (SUP) de cette couche sacrificielle (CL5), n'étant pas plane et présentant un profil non rectiligne correspondant au profil de la face inférieure (3a) de la membrane (3) du dispositif (1), (6) on dépose au moins une couche de matériau (CL6) au-dessus 10 de la couche sacrificielle (CL5), et plus particulièrement une couche (CL6) de matériau électriquement conducteur, (7) on réalise une gravure de la couche sacrificielle (CL5) de manière à la retirer, et former la membrane (3) au moyen au moins de la couche de matériau (CL6) déposée à l'étape 15 précédente. 34. Procédé selon la revendication 33, dans lequel l'épaisseur de la couche (CL3) de matériau diélectrique est inférieure à l'épaisseur de l'électrode (5 ou 5'). 20 35. Procédé de fabrication d'un dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique (1') visé à l'une quelconque des revendications 1 à 31, et comprenant au moins les caractéristiques techniques (b), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : 25 (1) on fabrique une structure multicouche comportant un substrat (2) sur lequel est formée au moins une électrode d'actionnement (5 ou 5'), (2) on dépose sur la face supérieure du substrat (2) et de l'électrode (5), une couche sacrificielle (CL2'), 30 (3) on dépose une couche (CL3') de matériau diélectrique, recouvrant la couche sacrificielle (CL2'), 3031098 44 (4) on dépose une couche (CL4') d'une résine photorésistante, recouvrant la couche diélectrique (CL3'), (5) on grave la face supérieure de la structure multicouche de manière à conserver sur le substrat (2), une partie de la couche 5 de diélectrique (CL3') formant la couche diélectrique (7') du dispositif (1') et la couche sacrificielle (CL2'), de telle sorte que la face supérieure (SUP) de la structure multicouche n'est pas plane et présente un profil non rectiligne correspondant au profil de la face inférieure (3a) de la membrane (3) du dispositif (1'), 10 (6) on dépose au moins une couche de matériau (CL6') au-dessus de la couche sacrificielle (CL2') et de la couche diélectrique (7'), et plus particulièrement une couche (CL6') de matériau électriquement conducteur, (7) on réalise une gravure de la couche sacrificielle (CL2') de 15 manière à la retirer complètement et former la membrane (3) du dispositif (1') au moyen au moins de la couche de matériau (CL6') déposée à l'étape précédente. 20