Brevet FR3029061A1 — publié le 20160527

DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne un dispositif permettant de générer de manière simultanée ou séquentielle une pluralité de jets de plasma, en particulier des jets de plasma froid à pression atmosphérique. L'invention trouve notamment application dans les domaines suivants : le domaine biomédical, la stérilisation, la médecine, la cosmétique, le traitement de matériaux, la fonctionnalisation de surfaces, la dépollution, la germination, l'éclairage, la commutation rapide, la modification d'écoulements, la détection ou encore la métrologie. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE Un plasma est une phase de la matière comprenant des particules chargées, des ions et des électrons. Typiquement, il s'agit d'un gaz ionisé, c'est-à-dire un gaz comprenant des électrons libres qui ne sont pas liés à un atome ou à une molécule. Les électrons libres rendent le plasma conducteur de l'électricité. L'invention concerne plus particulièrement les plasmas froids à pression atmosphérique. Actuellement, la production de jets de plasma froid à pression atmosphérique fait l'objet de nombreuses recherches compte-tenu de l'importance grandissante de leurs applications dans des domaines nombreux et variés, tels que le biomédical, la médecine, la stérilisation, la décontamination ou encore le traitement des matériaux. Ces jets de plasma froid présentent cependant l'inconvénient de ne permettre de traiter que de petites surfaces, en raison de la petite dimension des jets pouvant être actuellement produits. On a donc proposé de mettre en oeuvre des systèmes de balayage afin de balayer les surfaces à traiter à l'aide du jet de plasma froid produit selon les techniques conventionnelles. Le balayage nécessite toutefois la mise en oeuvre d'un système capable de mettre le jet de plasma en mouvement au-dessus de la surface à traiter, ce qui rend le dispositif relativement complexe et augmente considérablement son encombrement. 3029061 2 Il a également été proposé de coupler un grand nombre de jets de plasma à partir de systèmes multi-électrodes et multi-générateurs. Ainsi, afin d'obtenir n jets de plasma, cette solution propose d'associer n électrodes à autant de générateurs. Un tel couplage permet effectivement 5 d'augmenter la surface de la zone à traiter en multipliant les sources de jets de plasma. Toutefois, afin que les jets de plasma n'interfèrent pas, il est nécessaire d'espacer les électrodes de décharge. Par ailleurs, cette solution est relativement chère, encombrante et complexe à mettre en oeuvre en raison de la multiplication des électrodes de décharge et/ou des capillaires 10 et tuyaux d'alimentation en gaz. La technologie actuelle permet certes de réduire la taille des sources de plasma (voir notamment les dispositifs à microcavités - IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, Vol. 41, n°4, Avril 2013). Toutefois, cette miniaturisation a un coût non négligeable et est très 15 complexe à mettre en oeuvre. Elle ne permet en outre pas de générer des plasmas de grandes dimension, ou au contraire suffisamment petits pour traiter des cibles présentant au moins une très petite dimension et un grand rapport d'aspect, tels que des systèmes endoscopique. 20 RESUME DE L'INVENTION Un objectif de l'invention est donc de proposer un nouveau dispositif et un procédé associé permettant de générer un plasma froid à pression atmosphérique en réduisant le nombre de sources nécessaires pour générer le plasma, qui soit en outre capable de produire des plasmas 25 susceptibles de traiter tout type de cible, indépendamment de leurs dimensions et rapports d'aspect, ainsi que ces cibles comprennent un matériau diélectrique ou conducteur. Pour cela, l'invention propose un procédé de génération d'une 30 pluralité de jets de plasma froid à pression atmosphérique afin de traiter une cible, comprenant les étapes suivantes : 3029061 3 - produire un jet de plasma primaire froid à pression atmosphérique à l'aide d'une source de plasma, - placer un substrat à proximité de la cible à traiter, ledit substrat comprenant au moins deux orifices traversants, 5 - faire passer le jet de plasma primaire à travers les orifices traversants de manière à générer au moins deux jets de plasma secondaire froid à pression atmosphérique. Certaines caractéristiques préférées mais non limitatives du procédé 10 de génération décrit ci-dessus sont les suivantes : - le jet de plasma primaire est produit en générant des décharges électriques dans un flux de gaz plasmagène, - le procédé comprend en outre une étape au cours de laquelle un guide formé dans un matériau diélectrique est placé entre la source de 15 plasma et le substrat, de manière à transporter le flux de gaz vers les orifices traversants dudit substrat, - un rapport d'aspect des orifices traversants du substrat est compris entre 1 et 100, de préférence entre 5 et 50, - le débit du flux de gaz entrant dans la source de plasma est compris 20 entre un ou plusieurs centimètres cubes par minutes standard et quelques litres par minutes standards, - le flux de gaz plasmagène comprend un gaz rare, un mélange de gaz rares ou un mélange d'un ou plusieurs gaz rares avec un mélange minoritaire comprenant ou plusieurs gaz moléculaires, et 25 - la cible à traiter comprend une structure creuse, le procédé comprenant une sous-étape d'introduction du substrat dans ladite structure creuse préalablement à l'étape de passage du jet de plasma primaire à travers les orifices traversants. 30 Selon un deuxième aspect, l'invention propose également un dispositif de génération d'une pluralité de jets de plasma froid à pression atmosphérique afin de traiter une cible, le dispositif comprenant : 3029061 4 - une source de plasma, configurée pour produire un jet de plasma primaire froid à pression atmosphérique, - un substrat comprenant une pluralité d'orifices traversants, et - des moyens configurés pour faire passer le jet de plasma primaire à 5 travers les orifices traversants du substrat de manière à générer une pluralité de jets de plasma secondaire froid à pression atmosphérique. Certaines caractéristiques préférées mais non limitatives du dispositif décrit ci-dessus sont les suivantes : 10 - le substrat est formé dans l'un des matériaux suivants : un matériau diélectrique, un matériau conducteur, un matériau conducteur recouvert en cible d'un matériau diélectrique, matériau diélectrique recouvert en surface d'un matériau conducteur, ou comprend une première partie formée dans un matériau diélectrique et une deuxième partie formée dans un matériau 15 conducteur, - le substrat comprend une enveloppe comprenant une première extrémité 21a) configurée pour recevoir le plasma et une deuxième extrémité opposée à la première extrémité, les orifices traversants étant répartis sur une surface de l'enveloppe ou étant alignés entre la première et 20 la deuxième extrémité de l'enveloppe, - le substrat comprend un substrat plan, s'étendant sensiblement perpendiculairement à une direction de propagation du jet de plasma primaire, les orifices traversant étant formés dans une surface dudit substrat plan ; un substrat présentant une surface de forme cylindrique, comprenant 25 une série d'orifices traversants formés dans la surface de l'enveloppe et configurés pour former autant de jets de plasma secondaire ; une enveloppe présentant une surface de forme cylindrique comprenant deux séries d'orifices s'étendant dans un même plan le entre la première et la deuxième extrémité de l'enveloppe et configurés pour former deux lignes de 30 jets de plasma secondaire s'étendant radialement depuis l'enveloppe ; un tube présentant une surface sensiblement cylindrique de révolution dans laquelle sont formées une pluralité de lignes d'orifices traversants 3029061 5 configurées pour former une pluralité de lignes de jets de plasma secondaire ; un tube interne logé dans un tube externe, l'un parmi le tube interne et le tube externe étant sensiblement continu tandis que les orifices traversants sont formés dans l'autre parmi le tube externe et le tube 5 interne ; et/ou un goupillon, présentant une surface de forme sensiblement cylindrique de révolution et comprenant une pluralité d'orifices traversants répartis sur sa surface, - le substrat comprend plusieurs branches connectées ensemble au niveau d'un noyau, ledit noyau étant placé à proximité de la source de 10 plasma, - le dispositif comprend en outre un guide formé dans un matériau diélectrique s'étendant entre la source de plasma et le substrat, de manière à transporter le flux de gaz vers les orifices traversants dudit substrat, - le dispositif comprend en outre un guide intermédiaire, disposé entre 15 la source de plasma et le guide formé dans un matériau diélectrique, le guide formé dans un matériau diélectrique étant connecté à une source de gaz plasmagène et au substrat, et - le guide intermédiaire est conducteur et connecté à une électrode de la source de plasma afin de former le jet de plasma primaire, ledit jet de 20 plasma primaire étant ensuite transféré dans le guide formé dans un matériau diélectrique. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention 25 apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée qui va suivre, et au regard des dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs et sur lesquels : La figure 1 est un schéma d'un exemple de réalisation d'un dispositif de génération d'une pluralité de jets de plasma froid à pression 30 atmosphérique conforme à l'invention. La figure 2 illustre un premier exemple de réalisation d'un substrat pouvant être utilisé dans le dispositif de la figure 1. 3029061 6 Les figures 3a à 3h illustrent d'autres exemples de réalisation d'un substrat pouvant être utilisé dans le dispositif de la figure 1. La figure 4 est un organigramme représentant différentes étapes d'un procédé de génération d'une pluralité de jets de plasma froid à pression 5 atmosphérique conforme à l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE D'UN MODE DE REALISATION Un procédé S et un dispositif 1 de génération d'une pluralité de jets de plasma froid à pression atmosphérique afin de traiter une cible 2 10 conformes à l'invention vont à présent être décrits en référence aux figures annexées. La cible 2 peut notamment comprendre une matière physique, un tissu vivant ou un volume de fluide, et peut le cas échéant être posée sur un support mis à la masse afin de modifier la qualité du plasma et faire varier les espèces réactives et le champ électrique qui ont un impact sur la 15 cible 2. Par plasma froid à pression atmosphérique, on comprendra dans ce qui suit un plasma gazeux hors équilibre thermodynamique pour lequel la température des électrons est très élevée par rapport à la température des 20 autres espèces contenues dans le plasma, cette dernière température restant proche de la température ambiante. Ainsi, l'invention n'est pas limitée à son application à température ambiante ou à pression ambiante. En particulier, l'invention s'applique mutatis mutandis à la génération de jets de plasma froid à une pression 25 allant d'une centaine de torrs (10 kPa) à plusieurs atmosphères (i.e. plusieurs centaines de kPa) et/ou à basse température (soit de préférence inférieure à une centaine de degrés Celsius). On notera toutefois que la température du procédé S de l'invention peut être limitée par le type de cible 2 à traiter : typiquement, pour des 30 matières biologiques, la température est de préférence inférieure à une quarantaine de degrés Celsius. 302 906 1 7 Au cours d'une première étape S1, le procédé S comprend la production d'un jet de plasma froid à pression atmosphérique à l'aide d'une source de plasma 10. Dans ce qui suit, le jet de plasma obtenu par la source de plasma 10 5 sera désigné par la terminologie de « jet de plasma primaire 3 ». La source de plasma 10 froid peut notamment être conforme au dispositif de génération de plasma décrit dans le document WO 2009/050240. Toutefois, tout dispositif 1 susceptible de délivrer un jet de 10 plasma froid à pression atmosphérique peut être utilisé comme source de plasma 10. Ainsi, la source de plasma 10 peut par exemple comprendre une enceinte 12, connectée à une source 14 de gaz plasmagène, dans laquelle sont logées au moins une électrode, par exemple deux électrodes 17 15 reliées à un générateur 16 à haute tension. La source 14 de gaz plasmagène peut notamment comprendre une source 14 de gaz rare, d'un mélange de gaz rares (typiquement de l'hélium He, de l'argon, Ar, etc.) ou d'un mélange d'un ou plusieurs gaz rares avec un ou plusieurs gaz moléculaires (typiquement de l'oxygène 02, de 20 l'hydrogène H2, de l'hexafluorure de soufre SF6, de l'azote N2 et de la vapeur d'eau H2O etc.) minoritaires, c'est-à-dire ajoutés à faible concentration. Le générateur 16 est de préférence configuré pour appliquer une décharge électrique ayant un pic de tension très rapide (typiquement 25 inférieur à quelques microsecondes) entre zéro et plusieurs dizaines de kilovolts, afin de créer un front d'ionisation très rapide au sein du gaz plasmagène. Par ailleurs, le générateur 16 peut appliquer un courant alternatif à des fréquences variées allant d'une cinquantaine de hertz à plusieurs kilohertz. En variante, le générateur 16 peut appliquer un courant 30 impulsionnel et générer des décharges uniques ou répétées à très haute fréquence (allant jusqu'à une centaine de kilohertz). Dans cette variante de 3029061 8 réalisation, les électrodes 17 peuvent aussi bien être alimentées par une polarité positive ou négative. De la sorte, l'application dans l'enceinte 12 d'une décharge électrique par les électrodes 17 dans le flux de gaz plasmagène a pour effet de 5 produire un jet de plasma primaire 3. Le jet de plasma primaire 3 est ensuite dirigé vers une sortie de l'enceinte 12. De manière optionnelle, un guide 18 réalisé dans un matériau diélectrique peut être placé au niveau de la sortie de l'enceinte 12, afin 10 d'amener le jet de plasma primaire 3 dans une région située à distance de la source de plasma 10. Dans cette forme de réalisation, le guide 18 contient un gaz ou un mélange de gaz permettant le transport du jet de plasma primaire jusqu'à la région voulue, qui peut être placée à une distance allant de quelques millimètres à plusieurs centimètres ou plusieurs 15 mètres de la source de plasma 10, selon les besoins. Le guide 18 peut notamment avoir la forme d'une enveloppe cylindrique ou tubulaire. Le gaz ou le mélange de gaz contenu dans le guide 18 peut être choisi parmi les gaz plasmagènes susceptible d'être créés par la source 14. Ce gaz contenu dans le guide 18 peut être différent de celui créé par la source 14 et 20 constitue un apport supplémentaire. Dans une variante de réalisation illustrée sur la figure 3c, la source de plasma 10 peut être mise en communication fluidique avec le guide diélectrique 18 via un guide intermédiaire 19. Le guide intermédiaire 19 peut 25 alors être diélectrique, conducteur, ou diélectrique et comprendre un insert conducteur. Pour cela, la source de plasma 10 peut injecter un jet de plasma froid à pression atmosphérique dans le guide intermédiaire 19, qui forme alors au niveau de son extrémité libre un jet de plasma primaire 3 qui est transféré 30 dans le guide diélectrique 18. Par ailleurs, une source de flux de gaz plasmagène F' est mise en communication fluidique avec le guide diélectrique 18 pour injecter le flux F' dans une première extrémité du guide 3029061 9 diélectrique 18, tandis que la deuxième extrémité du guide diélectrique 18 est connectée au substrat 20. De la sorte, le jet de plasma primaire 3 issu du guide intermédiaire 19 est transporté par le guide diélectrique 18 jusqu'au substrat 20, où sont produits les différents jets de plasma 4. 5 De manière alternative, lorsque le guide intermédiaire 19 est réalisé dans un matériau conducteur, il peut être connecté directement à l'une des électrodes 17. Le jet de plasma primaire 3 est alors formé à l'extrémité du guide intermédiaire conducteur 19, puis transféré dans le guide diélectrique 18 dans lequel circule le flux de gaz plasmagène F' issu de la source 14, 10 afin de produire les jets de plasma 4. Au cours d'une deuxième étape S2, on place un substrat 20 à proximité de la cible 2 à traiter. Le substrat 20 est configuré pour former, à partir du jet de plasma 15 primaire 3 produit par la source, au moins deux jets de plasma 4, de préférence une pluralité de jets de plasma 4. A cet effet, le substrat 20 comprend au moins deux orifices 22 traversants, de préférence autant d'orifices 22 traversants qu'il y a de jets de plasma 4 à produire. Les orifices 22 traversants permettent de mettre en 20 communication fluidique la source de plasma 10 avec la cible 2 à traiter. Le cas échéant, un guide 18 formé dans un matériau diélectrique peut être placé entre la source de plasma 10 et le substrat 20, de manière à transporter le flux de gaz vers les orifices 22 traversants du substrat 20 25 (étape S2'). On comprendra bien entendu que la première et la deuxième étape S1, S2 peuvent être inversées, le substrat 20 pouvant être placé à proximité de la cible 2 à traiter préalablement à la production du jet de plasma 30 primaire 3 par la source de plasma 10. 302 906 1 10 Au cours d'une troisième étape S3, on fait alors passer le jet de plasma primaire 3 à travers les orifices 22 traversants de manière à générer au moins deux jets de plasma 4 froid à pression atmosphérique, de préférence une pluralité de jets de plasma 4. 5 Plus précisément, le jet de plasma primaire 3 est appliqué sur le substrat 20, de manière à passer à travers les différents orifices 22 traversants qui sont formés dans le substrat 20 et générer ainsi les différents jets de plasma 4. Dans ce qui suit, les jets de plasma 4 formés par passage du jet de 10 plasma primaire 3 dans les orifices 22 traversants du substrat 20 seront désignés par la terminologie « jets de plasma secondaire 4 ». L'invention permet ainsi, à l'aide d'un seul générateur 16 et d'une unique source 14 de gaz plasmagène, d'obtenir une pluralité de jets de 15 plasma secondaire 4. Le dispositif 1 de l'invention est donc moins complexe et moins cher à réaliser que les systèmes multi-électrodes et multigénérateurs conventionnels. Un seul générateur 16 permet en effet de produire, grâce au substrat 20, plusieurs centaines de jets de plasma secondaire 4. 20 Le dispositif 1 de l'invention permet en outre de réduire drastiquement la consommation de gaz plasmagène pour la réalisation d'un grand nombre de jets de plasma secondaire 4. Par exemple, un débit entrant de gaz plasmagène de l'ordre d'un litre par minute suffit pour produire une centaine de jets de plasma secondaire 4, tandis que les 25 systèmes multi-électrodes et multi-générateurs de l'art antérieur requièrent un litre par minute de gaz plasmagène par jet de plasma produit (ce qui revient à environ 100 litres par minutes de gaz plasmagène pour la production d'une centaine de jets de plasma produits). 30 La forme, les dimensions et le matériau constitutif du substrat 20 dépendent du type de cible 2 à traiter. 3029061 11 Le substrat 20 peut notamment être réalisé dans un matériau diélectrique (mode séquentiel), un matériau conducteur (mode simultané), un matériau conducteur recouvert en surface d'un matériau diélectrique, un matériau diélectrique recouvert en surface d'un matériau conducteur, ou 5 encore d'une première partie formée dans un matériau diélectrique et d'une deuxième partie formée dans un matériau conducteur. La mise en oeuvre d'un matériau conducteur de l'électricité, tel qu'un matériau métallique, permet de produire plus des jets de plasma secondaire 4 sensiblement identiques les uns aux autres (c'est-à-dire homogènes), le 10 matériau métallique étant susceptible de conduire les électrons issus du jet de plasma primaire 3. Toutefois, un tel matériau n'est pas adapté à tous les types d'application. En particulier, un substrat 20 en matériau conducteur ne peut être mis en oeuvre que si la cible 2 à traiter le permet (au vu des hautes tensions qui sont appliquées par le générateur 16). Ce type de 15 matériau peut par exemple être privilégié pour la réalisation de jets de plasma secondaire 4 à l'échelle industrielle, lorsque la cible 2 à traiter le permet. La mise en oeuvre d'un matériau diélectrique permet au contraire de mettre en oeuvre l'invention quelle que soit le type de cible 2 à traiter. Ce 20 type de matériau peut notamment être privilégié pour des applications biologiques et médicales, ou pour des objets considérés comme fragiles. Par exemple, le matériau diélectrique peut comprendre une céramique, du verre, une matière plastique, ou tout matériau diélectrique susceptible d'être usiné et/ou moulé aux formes et aux dimensions désirées pour le substrat 25 20. La mise en oeuvre d'un substrat 20 formé dans un matériau conducteur recouvert en surface d'un matériau diélectrique présente l'avantage de produire facilement des jets de plasma secondaire 4 homogènes quelle que soit la cible 2 à traiter. Ce type de substrat 20 est 30 cependant plus complexe à réaliser que les substrats 20 exclusivement diélectriques ou conducteurs de l'électricité. 3029061 12 Les cibles 2 pouvant être traitées avec le dispositif 1 et le procédé S de l'invention peuvent donc être de nature très différente, seul le matériau constitutif du substrat 20 devant être adapté (matériau conducteur de l'électricité et/ou diélectrique) au type de cible 2 à traiter. Les cibles 2 5 pouvant être traitées peuvent donc aussi bien comprendre des matériaux inertes diélectriques ou conducteurs, des tissus biologiques, des organes, etc. Il est même possible de traiter des liquides en surface ou en variante de plonger le substrat 20 directement dans ces liquides. 10 Par ailleurs, les cibles 2 pouvant être traitées peuvent être de forme et de dimensions variées (de quelques millimètres à quelques mètres), en deux dimensions ou en trois dimensions. En effet, tout type de cible 2 peut en outre être traité, quel que soit le rapport d'aspect (y compris les cibles 2 comprenant une très petite 15 dimension devant les autres dimensions, telles que les tuyaux et cathéters par exemple) ou les dimensions de la cible 2. Il suffit en effet d'adapter les dimensions et la forme du substrat 20 aux dimensions et à la forme de la cible 2 à traiter. Le substrat 20 peut en effet présenter des formes diverses et variées zo suivant le type d'application demandé. En particulier, la forme du substrat 20 et la distribution des orifices 22 peuvent être choisis de manière à obtenir une fontaine plasma, une douche plasma, un rideau plasma, une nappe plasma ou encore un gicleur plasma, de manière simple et peu coûteuse, le substrat 20 pouvant aussi bien avoir une forme bidimensionnelle ou 25 tridimensionnelle. Par exemple, le substrat 20 peut être plan et s'étendre sensiblement perpendiculairement à la direction de propagation du jet de plasma primaire 3 (figure 2). En variante, le substrat 20 peut comprendre une enveloppe 21 30 formant un guide présentant une première extrémité 21a configurée pour recevoir le jet de plasma primaire 3 et une deuxième extrémité 21b, qui est opposée à la première extrémité 21a et peut être ouverte ou fermée. Dans 3029061 13 cette variante de réalisation, le jet de plasma primaire 3 se déplace entre la première et la deuxième extrémité 21a, 21b de l'enveloppe 21 et produit des jets de plasma secondaire 4 en passant à travers les orifices 22 traversants qui s'étendent entre ces deux extrémités 21a, 21b. 5 Des exemples d'enveloppes 21 ont été illustrés sur les figures 3a à 3g. Les figures 3a et 3b illustrent un exemple d'enveloppe 21 de forme 10 cylindrique comprenant une série d'orifices 22 traversants alignés le long de l'enveloppe 21, entre sa première et sa deuxième extrémité 21b, configurés pour former une série de jets de plasma secondaire 4. Ici, la deuxième extrémité 21b de l'enveloppe 21 est fermée. Dans le cas de la figure 3a, l'enveloppe 21 est de forme 15 sensiblement rectangulaire, et comprend deux faces planes opposées reliées entre elles par au moins trois côtés, entre lesquelles circule le jet de plasma primaire 3. Le jet de plasma primaire 3 est ici introduit par un orifice formé dans l'un des côtés de l'enveloppe 12, les dimensions de l'orifice étant sensiblement plus petites que la longueur des côtés de l'enveloppe 20 21. Cet exemple de réalisation permet donc d'obtenir une matrice de jets de plasma secondaire 4. Dans le cas de la figure 3b, l'enveloppe 21 est de forme cylindrique de révolution et les orifices 22 traversants sont alignés le long d'une ligne qui s'étend entre les deux extrémités 21a, 21b de l'enveloppe 21. Cet 25 exemple de réalisation permet donc d'obtenir une ligne de jets de plasma secondaire 4. La figure 3c illustre un exemple d'enveloppe 21 de forme cylindrique comprenant deux séries d'orifices 22 alignés s'étendant dans un même plan 30 le long de l'enveloppe 21, entre ses deux extrémités 21a, 21b. Cet exemple de réalisation permet donc d'obtenir deux lignes de jets de plasma secondaire 4, se propageant radialement depuis l'enveloppe 21, dans un 3029061 14 même plan. Ici encore, la deuxième extrémité 21b de l'enveloppe 21 est fermée. Cet exemple n'est cependant pas limitatif, les séries d'orifices pouvant s'étendre dans des plans différents. 5 Dans cet exemple de réalisation, la source de plasma 10 est mise en communication fluidique avec le guide diélectrique 18 via le guide intermédiaire 19. Plus précisément, le jet de plasma primaire 3 est transféré par le guide intermédiaire 19 dans le guide diélectrique 18 puis dans l'enveloppe 21, où sont produits les différents jets de plasma 4. On 10 comprendra bien entendu que cette configuration du dispositif 1 (avec un guide intermédiaire 19) n'est pas limitée au substrat 20 illustré en figure 3c, et peut être appliquée à toute forme de substrat 20. La figure 3d illustre un exemple d'enveloppe 21 comprenant un tube 15 sensiblement cylindrique de révolution dans lequel sont formées plusieurs lignes d'orifices 22 traversants, ici quatre lignes. Cet exemple de réalisation permet donc d'obtenir plusieurs lignes de jets de plasma secondaire 4 s'étendant radialement par rapport à l'enveloppe 21, ici quatre lignes formant une croix. 20 La figure 3e illustre un exemple d'enveloppe 21, comprenant un tube interne 30 sensiblement continu (c'est-à-dire dépourvu d'orifices 22 traversants) logé dans un tube externe 32 dans lequel sont formés une pluralité d'orifices 22 traversants. Le tube interne 30 et le tube externe 32 25 sont ici cylindriques de révolution et coaxiaux. Dans cet exemple de réalisation, l'introduction d'un jet de plasma primaire 3 entre le tube interne 30 et le tube externe 32 permet donc d'obtenir une pluralité de jets de plasma secondaire 4 s'étendant radialement depuis le tube externe 32, entre la première et la deuxième extrémité 21a, 21b. 30 En variante (voir figure 3f), les orifices 22 traversants peuvent être formés dans le tube interne 30 au lieu du tube externe 32 de l'enveloppe 21. Cette variante de réalisation permet notamment de projeter les jets de 3029061 15 plasma secondaire 4 ainsi produits dans un milieu confiné afin d'obtenir un plasma diffus. La figure 3g illustre deux exemples de réalisation dans lesquels 5 l'enveloppe 21 présente la forme d'un goupillon 34 présentant une forme sensiblement cylindrique de révolution et comprenant une pluralité d'orifices 22 traversants répartis sur sa cible 2 entre sa première et sa deuxième extrémité 21b. Le cas échéant, la deuxième extrémité 21b peut être fermée. De manière optionnelle, le goupillon 34 peut être connecté à un guide 18 diélectrique flexible au niveau de sa première extrémité 21a afin de faciliter sa manipulation. Typiquement, un goupillon 34 peut être mis en oeuvre pour le traitement de la surface interne d'une cible 2 comprenant une structure creuse, même si cette structure creuse présente un grand rapport d'aspect, 15 comme c'est le cas par exemple d'un cathéter ou d'un dispositif endoscopique. Il suffit en effet de réaliser un goupillon 34 de dimensions adaptées pour pénétrer dans le cathéter ou le dispositif endoscopique et le traiter. De manière optionnelle, les goupillons 34 peuvent comprendre des 20 anneaux fixés sur la surface externe de l'enveloppe 21 de manière sensiblement coaxiale avec l'enveloppe 21. Les anneaux permettent d'améliorer la circulation des jets de plasma secondaire lorsque le goupillon est introduit dans la structure creuse de la cible. Le dispositif 1 et le procédé S de l'invention permettent donc de 25 traiter la cible 2 d'un objet présentant un très grand rapport d'aspect avec une dimension de l'ordre de quelques micromètres, tel qu'un cathéter. En comparaison, les techniques de production conventionnelles de jets de plasma froid ne sont pas capables de traiter de telles cibles 2, dans la mesure où elles ne peuvent pas maitriser suffisamment les dimensions ni la 30 forme des jets ainsi produits pour pouvoir les introduire dans un tel objet. 3029061 16 La figure 3h illustre un exemple de réalisation dans lequel le guide diélectrique 18 comprend plusieurs branches 38 connectées ensemble au niveau d'un noyau 36 central. C'est alors le noyau 36 central qui est placé à proximité de la source de plasma 10 et distribue le jet de plasma primaire 3 5 dans les différentes branches 38. Ici, chaque branche 38 peut comprendre une enveloppe 21 conforme aux exemples de réalisation illustrés en figures 3a à 3g. Par ailleurs, les orifices 22 traversants d'un même substrat 20 peuvent être de forme et de dimensions différentes. Typiquement, les 10 orifices 22 traversants peuvent être de forme globalement circulaire, ovale, parallélépipédique, etc. Bien entendu, quelle que soit la forme de réalisation, une enveloppe 21 comprenant un nombre différent de lignes d'orifices 22, ou des orifices 15 22 distribués suivant une matrice de répartition différente (répartition aléatoires, en quinconce, etc.) de celle décrite en relation avec les figures annexées peut tout aussi bien être mise en oeuvre pour la réalisation des jets de plasma secondaire 4. 20 La position, le diamètre et la profondeur des orifices 22 traversants peuvent par ailleurs être choisis en fonction de l'application souhaitée et/ou du débit du flux de gaz plasmagène entrant dans la source de plasma 10. Typiquement, le diamètre des orifices 22 peut être compris entre quelques micromètres (par exemple dans le cas de la nano- 25 fonctionnalisation d'une cible 2) et plusieurs millimètres (par exemple dans le cas d'un traitement en dermatologie de tissus biologiques). Selon les applications, il peut en outre être préférable d'obtenir des jets de plasma secondaire 4 qui n'interfèrent pas les uns avec les autres (c'est-à-dire sans interaction électromagnétique). 30 Etant donné que la source de plasma 10 produit des jets de plasma secondaire 4 discontinus qui présentent chacun une grande vitesse de propagation (typiquement de l'ordre de quelques 103 à 106 mètres par 3029061 17 secondes (m.s-1)), un choix judicieux de la distance entre deux orifices 22 traversants adjacents, de leur forme et leur profondeur respectives en fonction du débit du flux de gaz plasmagène permet d'éviter des interactions électrostatiques entre les jets de plasma secondaire 4 produits par ces deux 5 orifices 22 traversants adjacents. En effet, plus la distance parcourue par le jet de plasma primaire 3 entre la formation de deux jets de plasma secondaire 4 est grande, moins il y a de risques d'interaction électrostatique. Or, cette distance parcourue peut notamment être ajustée en fonction de la distance entre les orifices 22 traversants adjacents et/ou 10 de la profondeur des orifices 22 traversants (qui dépend de l'épaisseur du substrat 20), selon le débit du flux de gaz plasmagène entrant dans la source de plasma 10. De la sorte, le jet de plasma secondaire 4 peut être produit par l'orifice 22 traversant le plus proche de la source de plasma 10 avant que le 15 jet de plasma secondaire 4 suivant ne soit formé. Les Demanderesses se sont aperçues que, en fonction du débit de gaz entrant dans la source de plasma 10, le choix judicieux du rapport d'aspect (longueur sur diamètre) des orifices 22 traversants du substrat 20 influençait le volume de gaz en sortie desdits orifices 22, permettant ainsi 20 de limiter les risques d'interaction entre deux jets de plasma secondaire 4 adjacents. Le rapport d'aspect des orifices 22 peut notamment être compris entre 1 et 100. Par exemple, les orifices 22 peuvent présenter un rapport d'aspect compris entre 5 et 50 lorsque le débit du flux de gaz entrant dans la source 25 de plasma 10 est compris entre un ou plusieurs centimètres cubes par minutes standards (sccm) et quelques litres par minutes standards (sLm) (dans des conditions de référence de 20°C et 1013 102 Pa). Les différents jets de plasma secondaire 4 obtenus à l'aide d'un 30 même substrat 20 ne se forment donc pas simultanément mais successivement, en fonction de la vitesse de propagation du jet de plasma 3029061 18 primaire 3 produit par la source de plasma 10 et de la position et des dimensions des orifices 22 traversants. Cette discontinuité dans la formation des jets de plasma secondaire 4 à l'aide du substrat 20 n'a cependant pas d'influence sur le traitement de la 5 cible 2, la durée entre la formation de deux jets de plasma secondaire 4 adjacents étant de l'ordre de quelques nanosecondes à quelques microsecondes. Le traitement de la cible 2 à l'aide des jets de plasma secondaire 4 obtenus suivant le procédé S de l'invention est donc homogène. 10 Le dispositif 1 et le procédé S de l'invention permettent donc de générer des jets de plasma secondaire 4 de diverses longueurs, allant de quelques dizaines de micromètres à plusieurs centimètres, de manière contrôlée grâce au substrat 20. 15 REVENDICATIONS1. Procédé (S) de génération d'une pluralité de jets de plasma froid à pression atmosphérique afin de traiter une cible (2), comprenant les étapes suivantes : - produire (51) un jet de plasma primaire (3) froid à pression atmosphérique à l'aide d'une source de plasma (10), - placer (S2) un substrat (20, 21, 30, 32, 34) à proximité de la cible (2) à traiter, ledit substrat (20, 21, 30, 32, 34) comprenant au moins deux orifices (22) traversants, - faire passer (S3) le jet de plasma primaire (3) à travers les orifices (22) traversants de manière à générer au moins deux jets de plasma secondaire (4) froid à pression atmosphérique. 15 2. Procédé de génération (S) selon la revendication 1, dans lequel le jet de plasma primaire (3) est produit (51) en générant des décharges électriques dans un flux de gaz plasmagène. 20 3. Procédé de génération (S) selon la revendication 2, comprenant en outre une étape au cours de laquelle un guide (18) formé dans un matériau diélectrique est placé entre la source de plasma (10) et le substrat (20, 21, 30, 32, 34), de manière à transporter le flux de gaz vers les orifices (22) traversants dudit substrat (20, 21, 30, 32, 34). 25 4. Procédé de génération (S) selon l'une des revendications 2 ou 3, dans lequel un rapport d'aspect des orifices (22) traversants du substrat (20, 21, 30, 32, 34) est compris entre 1 et 100, de préférence entre 5 et 50. 30 5. Procédé de génération (S) selon la revendication 4, dans lequel le débit du flux de gaz entrant dans la source de plasma (10) est compris entre un ou plusieurs centimètres cubes par minutes standard (sccm) et quelques 3029061 20 litres par minutes standards (slm) (dans des conditions de référence de 20°C et 1013 102 Pa). 6. Procédé de génération (S) selon l'une des revendications 2 à 5, 5 dans lequel le flux de gaz plasmagène comprend un gaz rare, un mélange de gaz rares ou un mélange d'un ou plusieurs gaz rares avec un mélange minoritaire comprenant ou plusieurs gaz moléculaires. 7. Procédé de génération (S) selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la cible (2) à traiter comprend une structure creuse, le procédé comprenant une sous-étape d'introduction du substrat (34) dans ladite structure creuse préalablement à l'étape (S3) de passage du jet de plasma primaire (3) à travers les orifices (22) traversants. 8. Dispositif (1) de génération d'une pluralité de jets de plasma froid à pression atmosphérique afin de traiter une cible (2), le dispositif comprenant : - une source de plasma (10), configurée pour produire un jet de plasma primaire (3) froid à pression atmosphérique, - un substrat (20, 21, 30, 32, 34) comprenant une pluralité d'orifices (22) traversants, et - des moyens configurés pour faire passer le plasma à travers les orifices (22) traversants du substrat (20, 21, 30, 32, 34) de manière à générer une pluralité de jets de plasma secondaire (4) froid à pression 25 atmosphérique. 9. Dispositif (1) de génération selon la revendication 8, dans lequel le substrat (20, 21, 30, 32, 34) est formé dans l'un des matériaux suivants : un matériau diélectrique, un matériau conducteur, un matériau conducteur 30 recouvert en cible (2) d'un matériau diélectrique, matériau diélectrique recouvert en surface d'un matériau conducteur, ou comprend une première 3029061 21 partie formée dans un matériau diélectrique et une deuxième partie formée dans un matériau conducteur. 10. Dispositif (1) de génération selon l'une des revendications 8 ou 9, 5 dans lequel le substrat (20, 21, 30, 32, 34) comprend une enveloppe (21) comprenant une première extrémité 21a) configurée pour recevoir le plasma et une deuxième extrémité (21b) opposée à la première extrémité (21a), les orifices (22) traversants étant répartis sur une surface de l'enveloppe (21) ou étant alignés entre la première et la deuxième extrémité (21a, 21b) de 10 l'enveloppe (21). 11. Dispositif (1) de génération selon la revendication 10, dans lequel le substrat (20, 21, 30, 32, 34) comprend : - un substrat (20) plan, s'étendant sensiblement perpendiculairement à 15 une direction de propagation du jet de plasma primaire (3), les orifices (22) traversant étant formés dans une surface dudit substrat (20) plan, - un substrat (21) de génération présentant une surface de forme cylindrique, comprenant une série d'orifices (22) traversants formés dans la surface de l'enveloppe (21) et configurés pour former autant de jets de 20 plasma secondaire (4), - une enveloppe (21) présentant une surface de forme cylindrique comprenant deux séries d'orifices (22) s'étendant dans un même plan le entre la première et la deuxième extrémité (21a, 21b) de l'enveloppe (21) et configurées pour former deux lignes de jets de plasma secondaire (4) s'étendant radialement depuis l'enveloppe (21), - un tube présentant une surface sensiblement cylindrique de révolution dans laquelle sont formées une pluralité de lignes d'orifices (22) traversants configurées pour former une pluralité de lignes de jets de plasma secondaire (4), - un tube interne (30) logé dans un tube externe (30), l'un parmi le tube interne (30) et le tube externe (32) étant sensiblement continu tandis que 302 906 1 22 les orifices (22) traversants sont formés dans l'autre parmi le tube externe (32) et le tube interne (30), et/ou - un goupillon (34), présentant une surface de forme sensiblement cylindrique de révolution et comprenant une pluralité d'orifices (22) 5 traversants répartis sur sa surface. 12. Dispositif (1) de génération selon l'une des revendications 8 à 11, dans lequel le substrat (20) comprend plusieurs branches (38) connectées ensemble au niveau d'un noyau (36), ledit noyau (36) étant placé à proximité de la source de plasma (10). 13. Dispositif (1) de génération selon l'une des revendications 8 à 12, comprenant en outre un guide (18) formé dans un matériau diélectrique s'étendant entre la source de plasma (10) et le substrat (20, 21, 30, 32, 34), 15 de manière à transporter le flux de gaz vers les orifices (22) traversants dudit substrat (20, 21, 30, 32, 34). 14. Dispositif (1) de génération selon la revendication 13, comprenant en outre un guide intermédiaire (19), disposé entre la source de plasma (10) 20 et le guide (18) formé dans un matériau diélectrique, le guide (18) formé dans un matériau diélectrique étant connecté à une source de gaz plasmagène (F') et au substrat (20). 15. Dispositif (1) de génération selon la revendication 14, dans lequel 25 le guide intermédiaire (19) est conducteur et connecté à une électrode (17) de la source de plasma (10) afin de former le jet de plasma primaire (3), ledit jet de plasma primaire étant ensuite transféré dans le guide (18) formé dans un matériau diélectrique. 30