Brevet FR3028328A1 — publié le 20160513

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention est relative à l'intégration tridimensionnelle 3D pour des dispositifs électroniques et en particulier les dispositifs microélectroniques, le terme microélectronique incluant les nanotechnologies. L'invention concerne plus particulièrement un dispositif et un procédé améliorés du contrôle de l'alignement de tels dispositifs électroniques. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE La course à la miniaturisation atteint des limitations physiques qui remettent en question l'approche planaire utilisée jusqu'à aujourd'hui. En effet, les faibles dimensions des nouveaux noeuds technologiques font apparaître des effets parasites autrefois négligeables et qui pourraient dégrader les performances des composants électroniques. Parmi les procédés à l'étude, figure une architecture à trois dimensions dite « intégration 3D », qui consiste à empiler verticalement des composants électroniques, en superposant des puces formées par exemple sur des substrats et/ou des plaques les unes sur les autres et en établissant des connexions électriques verticales courtes entre ces composants, directement au travers des différentes couches. Le concept de l'intégration 3D permet de réaliser des dispositifs avec une multitude de fonctionnalités ainsi que de réduire drastiquement les longueurs des interconnexions augmentant ainsi les vitesses de communication entre les différents composants. L'intégration 3D nécessite en outre de maîtriser les connexions électriques entre les différentes puces empilées verticalement. Elle doit répondre à de nombreux défis, notamment liés à la complexité de la conception. Plusieurs étapes technologiques sont à maitriser afin de réaliser une structure tridimensionnelle 3D et parmi elles : l'assemblage des différents substrats (ou puces) par un procédé de collage (on doit comprendre que ce procédé n'implique pas forcément un matériau supplémentaire de type colle) et/ou, l'amincissement des substrats une fois assemblés et/ou la réalisation des connexions verticales traversant le substrat pour permettre la connexion électrique (aussi appelées « TSV » pour « Through Silicon Vias » lorsque ces substrats sont en silicium). Par ailleurs, les deux types de connectiques généralement utilisés pour amener les signaux aux entrées et sorties d'un circuit sont le câblage externe par fil conducteur généralement métallique (en anglais « wire bonding ») et le report de puces retournées (en anglais « flip chip »). L'empilement des composants dans un dispositif 3D peut se faire de plusieurs façons : plaque à plaque (acronyme « W2W » en anglais pour « Wafer To Wafer »), puce à plaque (acronyme « D2W » en anglais pour « Die To Wafer »), ou encore, puce à puce (acronyme « D2D » en anglais pour « Die To Die »). L'empilement plaque à plaque présente l'approche la plus rapide à réaliser car permet d'assembler un grand nombre de composants simultanément. Dans le cadre de l'intégration 3D, il s'agit de relier électriquement et verticalement des circuits microélectroniques réalisés sur des substrats différents. D'une façon analogue à la réalisation de circuits microélectroniques sur un seul substrat qui nécessite des opérations de lithographie et de gravure successives de plusieurs niveaux qui doivent respecter des contraintes d'alignement entre eux, il est nécessaire de prévoir une étape de vérification de l'alignement entre les substrats destinés à être assemblés. L'étape d'alignement des dispositifs à empiler est certes une étape primordiale pour obtenir de fortes densités d'interconnexions. Les dimensions étant de l'ordre de quelques microns, mais peut-être bien entendu supérieure ou inférieure sans sortir du cadre de l'invention, ceci implique dès lors un alignement à la même précision voire plus précis. Des marques d'alignement complémentaires sont requises sur chacune des faces à assembler. En intégrant des marques d'alignement sur les dispositifs, il est ainsi possible de mesurer l'alignement en plusieurs points de la plaque de sorte à créer une cartographie de l'alignement en tout point de la plaque. Cependant, un des inconvénients de cette méthode est l'opacité des substrats (on doit comprendre que le terme substrat correspond ici à un ensemble de couches et notamment un support par exemple en Silicium et des niveaux métalliques opaques à la lumière visible ce qui empêche une vérification du positionnement des marques d'alignement au travers desdits substrats avec les outils usuels d'observation; lesdites marques d'alignement étant positionnées sur les faces à partir desquelles les substrats sont assemblés. Le document W02005/019938A1 concerne une méthode pour contrôler l'alignement de motifs positionnés sur des substrats différents par une mesure de résistance. La mesure de résistance renvoie à une valeur prédéterminée correspondant à un désalignement prédéterminé. Le principal inconvénient de cette méthode est qu'elle nécessite une étape préalable de calibration afin de relier la mesure électrique à une mesure de longueur associée au désalignement. Par ailleurs, cette méthode ne permet d'accéder qu'à une seule direction de désalignement (désalignement unidirectionnel) par structure. Ainsi, il existe un besoin de trouver une solution permettant de vérifier, de manière simple et fiable, l'alignement de substrats (même opaques) quelle que soit la direction du désalignement. La présente invention se propose en outre de résoudre tout ou, du moins, une partie des inconvénients des techniques actuelles. RESUME DE L'INVENTION Un aspect de l'invention est relatif à un procédé de contrôle de positionnement relatif d'un premier substrat comprenant au moins un motif primaire électriquement conducteur sur une première face et d'un deuxième substrat comprenant au moins un motif secondaire électriquement conducteur sur une première face ; lesdits premier et deuxième motifs étant formés de sorte à présenter un positionnement relatif nominal prédéterminé entre eux dans un plan parallèle auxdites premières faces, lorsque les premier et second substrats sont empilés. Le procédé comprend une étape de mise en correspondance de la première face du premier substrat et de la première face du deuxième substrat visant le positionnement relatif nominal prédéterminé du motif primaire et du motif secondaire et, à partir d'au moins un circuit électrique, une mesure d'une valeur de résistance entre l'au moins un motif primaire du premier substrat et l'au moins un deuxième motif secondaire du deuxième substrat. De manière particulièrement avantageuse, le procédé comprend une étape de détection, à partir de ladite mesure de résistance, d'un décalage du motif primaire et du motif secondaire suivant au moins une direction prédéterminée par rapport audit positionnement relatif prédéterminé par détection d'une continuité électrique entre lesdits motifs primaire et secondaire. L'invention concerne également un dispositif de contrôle de positionnement relatif comprenant au moins un motif primaire, électriquement conducteur, formé sur une première face d'un premier substrat et un motif secondaire, électriquement conducteur, formé sur une première face d'un deuxième substrat, les premier et second substrats étant empilés de sorte à ce que leurs premières faces respectives soient en regard, lesdits motifs primaire et secondaire étant formés de sorte à présenter un positionnement relatif nominal prédéterminé entre eux dans un plan parallèle auxdites premières faces, et comprenant en outre un circuit électrique configuré pour mesurer une valeur de résistance entre les motifs primaire et secondaire. De manière particulièrement avantageuse, le circuit électrique permet de détecter un décalage des motifs primaire et secondaire suivant au moins une direction prédéterminée par rapport audit positionnement relatif nominal, par détection d'une continuité électrique entre lesdits motifs primaire et secondaire, à partir de ladite mesure de résistance. L'invention concerne un système comprenant un premier et un deuxième dispositifs électroniques selon la présente invention dans lequel le au moins un motif du premier substrat coopère avec le au moins un motif du deuxième substrat. L'invention permet de manière avantageuse de vérifier l'alignement dans n'importe quelle direction, de manière simple et sans étape de pré- programmation préalable, au travers de substrats de dispositifs à assembler (sous le terme substrat, on doit inclure comme précédemment une ou un ensemble de couches) et également détecter un désalignement, même si les substrats sont en des matériaux à forte opacité, tels le silicium, et/ou avec des épaisseurs de substrats pour lesquels ces matériaux sont opaques, dans le spectre de la lumière visible en particulier. BREVE INTRODUCTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière, qui est illustrée par les dessins d'accompagnement suivants, dans lesquels: - Les figures 1A à 1E illustrent les différentes étapes de réalisation d'un motif formé sur la première face du substrat. - La figure 2A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif selon la présente invention comprenant au moins une paire de motifs avec un motif primaire sur un premier substrat et un motif secondaire sur un deuxième substrat ; lesdits motifs primaire et secondaire étant alignés selon un positionnement relatif nominal prédéterminé. Dans ce mode de configuration, les projections des motifs primaire et secondaire de la paire de motifs ne se chevauchent pas, témoignant d'un bon alignement des premier et deuxième substrats. La figure 2B est une représentation schématique d'une vue en coupe du mode de configuration illustré en figure 2A. - La figure 3A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif selon un autre mode de configuration où les premier et deuxième substrats ne sont pas correctement alignés ; les projections des motifs primaire et secondaire d'une paire de motifs se chevauchent témoignant d'un mauvais alignement des premier et deuxième substrats. La figure 3B est une représentation schématique d'une vue en coupe du mode de configuration illustré en figure 3A. - La figure 4A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif selon un mode de configuration où le positionnement relatif nominal prédéterminé autorise un décalage d'une distance D entre les motifs primaires et secondaires. La figure 4B est une représentation schématique d'une vue en coupe du mode de réalisation illustré en figure 4A. - La figure 5A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un circuit électrique de mesure avant assemblage du dispositif selon l'invention. - La figure 5B est une illustration schématique d'un circuit électrique de mesure d'une résistance électrique. - La figure 5C illustre une autre représentation schématique en vue de dessus d'un circuit électrique après assemblage selon la présente invention. - La figure 6 illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif comprenant une pluralité de circuits électriques de mesure. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches et substrats peuvent ne pas être représentatives de la réalité. DESCRIPTION DETAILLEE Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées suivant toute association ou alternativement : L'étape de détection du décalage des motifs primaire et secondaire comprend la mesure d'une valeur finie de la résistance mesurée entre les motifs primaire et secondaire. Lorsque la valeur de résistance mesurée est finie, le décalage est avantageusement non nul. Lorsque la valeur de résistance mesurée est infinie (ou très grande en fonction du circuit de mesure utilisé), alors le décalage du motif primaire et du motif secondaire par rapport audit positionnement relatif prédéterminé est nul. Le positionnement relatif nominal est configuré de sorte à ce que la projection suivant une direction perpendiculaire audit plan des premier et deuxième substrats, du motif primaire n'intercepte pas la projection, suivant ladite direction, du motif secondaire. Une étape de réalisation d'au moins un premier motif sur la première face du premier substrat et d'au moins un deuxième motif sur la première face du deuxième substrat est effectuée. Cette étape comprend, pour au moins l'un parmi les motifs primaire et secondaire disposé sur et/ou dans une couche isolante, la formation d'un accès du motif à une couche sous-jacente conductrice, par exemple, par une deuxième face opposée à la première face du premier substrat et/ou du deuxième substrat, respectivement, au travers de ladite couche isolante. Avantageusement la reprise de contact peut se faire latéralement à partir de cette couche conductrice ou sur la face avant. Il n'est pas impératif en effet de traverser le substrat (par exemple de silicium) pour prendre les contacts électriques, même si cela reste un des intérêts de l'intégration verticale ou tridimensionnelle (3D). Après l'étape de mise en correspondance des motifs primaire et secondaire, on réalise une étape de solidarisation du premier substrat et du deuxième substrat par un collage de préférence direct des premières faces des premier et deuxième substrats. On entend par collage direct, un collage sans apport de matière (par exemple, la colle) et notamment un collage de type « wafer bonding ». Avantageusement, cette étape peut être réalisée également par collage à partir d'une colle conductrice ou d'une brasure. Le circuit électrique est configuré pour détecter une valeur finie de la résistance mesurée entre le motif primaire du premier substrat et le motif secondaire du deuxième substrat, la détection de ladite valeur finie correspondant à la détection d'une continuité électrique entre lesdits motifs primaire et secondaires. Les motifs primaire et secondaire ont un positionnement relatif nominal configuré de sorte à ce que la projection, suivant une direction perpendiculaire audit plan des premier et deuxième substrats, du motif primaire n'intercepte pas la projection, suivant la même direction du motif secondaire. Au moins un premier motif secondaire et deuxième motif secondaire sont positionnés, selon le positionnement relatif nominal, de part et d'autre du motif primaire ; lesdits premier motif secondaire, deuxième motif secondaire et motif primaire étant alignés suivant ladite au moins une direction prédéterminée. Le dispositif comprend au moins un motif secondaire complémentaire ; le motif primaire étant aligné avec un motif secondaire suivant une première direction prédéterminée et avec le motif secondaire complémentaire suivant une deuxième direction prédéterminée, différente de la première direction. Le positionnement relatif nominal est défini par une distance nominale prédéterminée D non nulle séparant le motif primaire et au moins un motif secondaire, respectivement du premier et du deuxième substrats, selon leur projection suivant ladite direction perpendiculaire audit plan. Le dispositif comprend au moins un motif secondaire additionnel ; le motif primaire étant séparé d'une première distance nominale Dl d'un motif secondaire et séparé d'une deuxième distance nominale D2 du motif secondaire additionnel. Avantageusement, les motifs primaire, secondaire et secondaire additionnel ne sont pas forcément alignés selon la même direction. Un circuit électrique additionnel est configuré pour détecter un décalage complémentaire entre le motif primaire et le motif secondaire additionnel suivant une direction prédéterminée par rapport audit positionnement relatif, par détection d'une continuité électrique entre le motif primaire et le motif secondaire additionnel. Au moins l'un parmi le motif primaire et le motif secondaire comprend avantageusement un accès électrique par une deuxième face opposée à la première face du premier substrat ou du deuxième substrat, respectivement. Le dispositif comprend une pluralité de dispositifs de contrôle de positionnement relatif, les motifs primaires et secondaires équipant les premières faces d'un premier substrat et d'un deuxième substrat. L'au moins un parmi les motifs primaire et secondaire comprend un empilement d'au moins une couche barrière, d'une couche d'accroche et d'une couche conductrice; ladite couche conductrice étant formée par croissance électrolytique à partir d'une couche d'accroche. La forme des motifs primaire et secondaire est choisie parmi une forme circulaire, annulaire ou polygonale, par exemple carrée. Le dispositif comprend une pluralité de dispositifs de contrôle de positionnement relatif, les motifs primaires et secondaires équipant les premières faces d'un premier substrat et d'un deuxième substrat. L'invention concerne un contrôle du positionnement relatif de dispositifs électroniques, de préférence de dispositifs microélectroniques. Selon l'invention, on entend par dispositif microélectronique, un dispositif comportant des éléments de dimensions microniques et/ou nanométriques. Le procédé qui suit a pour but préférentiel de réaliser un dispositif (micro)électronique en référence aux figures 1 à 6. On entend préférentiellement par substrat, une puce ou une plaque (plus communément dénommée « wafer », en anglais) comprenant au moins une puce. On entend en particulier tout substrat qui comprend au moins un élément électronique. Avantageusement, la présente invention permet de réaliser des motifs électriquement conducteurs associés à un circuit microélectronique à partir de substrats. Ces motifs sont avantageusement réalisés avec les techniques connues de l'homme du métier ; techniques permettant par exemple de former des motifs d'interconnexions planaires des circuits intégrés connus sous l'acronyme « BEOL », en anglais pour « Back End Of Line ». Les motifs sont avantageusement exposés à une première face d'un substrat et de préférence raccordés électriquement à une autre face, opposée à la première face du substrat ou au moins en partie dans l'épaisseur dudit substrat. Les figures 1A à 1 E illustrent un mode de réalisation préféré, mais non limitatif de l'invention, de motifs d'alignement. 302 832 8 10 La figure 1A illustre un substrat 100. Le substrat 100 se présente, préférentiellement, sous la forme d'une plaque, mais pourra également se présenter sous la forme d'un panneau. De manière particulièrement avantageuse, le substrat 100 a une épaisseur comprise entre 100 microns et 1 5 millimètre. Selon un mode de réalisation, le substrat 100 comprend une pluralité de couches. Le substrat 100 comprend une première face 101 et une deuxième face 102, opposée à la première face 101. De préférence, le substrat 100 comprend une couche de base 10, de préférence, en un matériau non conducteur ou peu conducteur. La couche de 10 base 10 est, de préférence, formée en un matériau à base de silicium (par exemple, en silicium poly-cristallin, ou Si Bulk, silicium sur isolant). La couche 10 peut également être, tout ou en partie, en poly-silicium ou bien en verre Avantageusement, pour des applications de type radio-fréquence (RF), des substrats à faibles pertes tels que le Silice, Alumine peuvent être utilisés. Pour 15 des dispositifs de puissance, des substrats à base d'arséniure de gallium (AsGa) ou encore de phosphure d'indium (InP) (notamment pour la photonique) peuvent être utilisés. De manière particulièrement avantageuse, la présente invention s'applique à tout type de substrat 100 (ou plus précisément à tout type de 20 couche de base 10) indépendamment de la transparence ou de l'opacité originelle dudit substrat 100. Ainsi, un substrat 100 à base de silicium, connu pour être relativement opaque et laissant ainsi peu traverser les rayons lumineux, peut être utilisé aussi bien qu'un substrat 100 à base de verre, connu pour être relativement transparent. 25 On réalise à partir d'une première face 101 d'un substrat 100, des niveaux métalliques 20 du BEOL (voir figure 1A). De façon classique, pour chacun des niveaux métalliques 20 du BEOL, on dépose une première couche 30 à partir de la première face 101 dudit substrat 100. La première couche 30 est préférentiellement un isolant électrique, par exemple une couche d'oxyde de 30 silicium. Il s'ensuit une étape de dépôt d'une deuxième couche 40 sur ladite première couche 30 à partir de la première face 101 du substrat 100 (voir figure 1B). La deuxième couche 40 est de préférence une résine de lithographie. On réalise ensuite séquentiellement, dans lesdites première et deuxième couches 30, 40, des opérations de lithographie et de gravure de sorte à délimiter une tranchée 50 qui sera ultérieurement le motif électriquement conducteur (voir figure 1B). La tranchée 50 est avantageusement réalisée de 5 manière à former un accès aux niveaux métalliques 20 du BEOL (figure 1C). Ensuite, on effectue préférentiellement un dépôt en phase vapeur (acronyme « PVD » en anglais pour « Physical Vapor Deposition »), par exemple, d'une couche barrière 60 et d'une couche d'accroche 70 suivi d'un dépôt par électrolyse de cuivre, par exemple, dans ladite tranchée 50 10 préalablement réalisée (figure 1D). Les couches barrière 60 et d'accroche 70 sont avantageusement conductrices. De manière particulièrement avantageuse, la couche barrière 60 comprend de préférence des nitrures de titane (TiN) ou de tantale (TaN). Préférentiellement la couche d'accroche 70 comprend du titane ou tantale.. Elles possèdent une épaisseur, de préférence inférieure à 15 200 nm (par exemple 100 nm). Enfin, on réalise un polissage de préférence mécano-chimique (acronyme « CMP » pour « Chemical Mechanical Polishing ») afin de retirer l'excès de cuivre et obtenir une surface planaire (figure 1E) sur laquelle il est possible de réaliser à nouveau un niveau de métal supérieur en utilisant 20 avantageusement le même procédé. Il est avantageux de réaliser les opérations de lithographie et des niveaux de lignes et de vias séquentiellement de façon à rassembler les étapes de métallisation et de polissage en une seule fois pour les niveaux de lignes et de vias. 25 Les motifs primaires 150 et les motifs secondaires 251, 252, 253, 254 sont ainsi réalisés avec des géométries définies sur les plaques à assembler. De façon connue, on peut réaliser des assemblages face à face en plaque à plaque, puce à plaque ou puce à puce. Pour réaliser de tels assemblages, il faut être capable de prélever la plaque supérieure (respectivement la puce 30 supérieure) pour la positionner sur la plaque inférieure afin que les motifs 150, 251, 252, 253, 254 soient en correspondance les uns avec les autres suivant un schéma de positionnement relatif prédéterminé dans le plan des faces des substrats 100, 200 à assembler. 302 832 8 12 Ce positionnement est généralement réalisé à l'aide d'un système de reconnaissance d'image où un motif de référence sur la plaque supérieure et un motif de référence sur la plaque inférieure sont sélectionnés. Par un calcul de coordonnées à appliquer au système maintenant la plaque ou la puce supérieure, l'élément supérieur (soit un premier substrat) est positionné correctement en correspondance avec motif de l'élément inférieur (soit un deuxième substrat). On peut noter que, dans les systèmes actuels, il s'avère difficile d'établir une visualisation directe du positionnement d'un élément par rapport à un autre après assemblage. Cette visualisation est a priori rendue difficile avec des systèmes optiques classiques à cause de la présence des deux substrats de silicium opaques aux éclairages classiques. Après cette étape de positionnement, il est généralement conseillé de réaliser un recuit en température de quelques centaines de degrés pour améliorer l'interface de collage métal-métal, ce qui nécessite par exemple d'avoir un support de plaque inférieure chauffant. La figure 2A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif selon la présente invention comprenant au moins un motif primaire 150 sur un premier substrat 100 et au moins un motif secondaire 251, 252, 253, 254 sur un deuxième substrat 200; lesdits motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 étant alignés selon un positionnement relatif nominal prédéterminé. Le positionnement relatif nominal détermine une position où les premier et deuxième substrats 100, 200 sont positionnés de sorte à ce que les éléments électroniques (par exemple une première portion de via) d'une couche exposée d'une première face 101 d'un premier substrat 100 coopèrent avec les éléments électroniques (par exemple une deuxième portion de via) d'une couche exposée d'une première face 201 d'un deuxième substrat 200 afin d'opérer une continuité par exemple électrique entre lesdits éléments du premier substrat 100 et du deuxième substrat 200. Le positionnement relatif nominal est l'état initial servant de repère à la définition des masques nécessaires lors d'étapes de lithographie afin d'établir le positionnement, dans le plan des faces à assembler des premier et deuxième substrats 100, 200, des motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 sur les différents substrats 100, 200. Préférentiellement, il existe un jeu de motifs primaires 150 avec au moins un motif primaire 150 et un jeu de motifs secondaires 251, 252 avec au moins un motif secondaire 251, pour une détection de positionnement suivant une direction donnée dans le plan des faces à assembler. Il peut y avoir d'autres jeux, suivant d'autres directions, par exemple orthogonales. Selon un mode de réalisation, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 se présentent sous forme de plots de cuivre HBM (acronyme en anglais pour « Hybrid Bonding Metal »). Pour ces matériaux et cette technologie d'intégration, des formes polygonales ou carrées peuvent être préférées pour former lesdits motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254. Les dimensions planaires de ces motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 se situent préférentiellement dans une gamme s'étendant de 10 microns à 1 micron. L'épaisseur du cuivre est préférentiellement comprise entre 500 nanomètres et 1 micron afin d'être compatible avec une technologie connue de réalisation des niveaux métalliques, par exemple la technologie damascène avec les dimensions des niveaux métalliques 20 du BEOL. Pour des dimensions plus importantes, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 peuvent avantageusement prendre la forme de polygones à huit côtés. Pour des dimensions voisines de 1 micron, il est préférable mais non limitatif de réaliser des motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 plus simples, par exemple, sous forme de carré. Selon un mode de réalisation particulier, les motifs secondaires 251, 252, 25 253, 254 pourraient se présenter sous forme annulaire (ou plus généralement avec un contour fermé) de sorte à ce qu'un motif primaire 150 s'inscrive dans ladite forme annulaire desdits motifs secondaires 251, 252, 253, 254. Selon un autre mode de réalisation, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 se présentent sous la forme de microbilles 30 fusibles (en anglais « microbumps »). Les microbilles permettent avantageusement d'adresser des dimensions s'étendant dans la gamme de 5 microns à 55 microns. Elles sont de préférence réalisées sous la forme de polygones à 32 côtés, qui donnent, in fine, des formes circulaires. Selon un mode de réalisation préféré mais non limitatif de l'invention, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 sont exposés à partir des premières faces 101, 201 des premier et deuxième substrats 100, 200; lesdites faces formant avantageusement une surface planaire. Eventuellement, il n'est pas exclu que les motifs 150, 251, 252, 253, 254 forment saillie au-delà desdites premières faces 101, 102 des premier et deuxième substrats 100, 200. Dans le mode de configuration de la figure 2A, le motif primaire 150 réalisé sur le premier substrat 100 est, selon un positionnement relatif prédéterminé, entouré de quatre motifs secondaires 251, 252, 253, 254 réalisés sur le deuxième substrat 200. Un premier motif secondaire 251 et un deuxième motif secondaire 252 sont positionnés de part et d'autre du motif primaire 150 selon une première direction. Un premier motif secondaire complémentaire 253 et un deuxième motif secondaire complémentaire 254 sont positionnés de part et d'autre du motif primaire 150 selon une deuxième direction. Préférentiellement, les première et deuxième directions sont choisies de sorte à s'étendre perpendiculairement l'une de l'autre. De manière particulièrement avantageuse, le motif primaire 150 du premier substrat 100 possède un emplacement qui s'inscrit entre, respectivement, les motifs secondaires 251, 252, 253, 254 du deuxième substrat 200 lorsque les premières faces 101, 201 des premier et deuxième substrats 100, 200 sont assemblées. L'étape de positionnement relatif comprend, à titre préféré, une étape de mise en correspondance des motifs primaires 150 du premier substrat 100 avec les motifs secondaires 251, 252, 253, 254 du deuxième substrat 200. On entend par mise en correspondance, la coopération de la projection, suivant un plan perpendiculaire à l'épaisseur du substrat 100, du motif primaire 150 du premier substrat 100 avec la projection, suivant un plan perpendiculaire à l'épaisseur du substrat 100, des motifs secondaires 251, 252, 253, 254 du deuxième substrat 200 de sorte à ce que lesdites projections correspondent au positionnement relatif prédéterminé. A l'issue de l'étape de mise en correspondance des motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 des premier et deuxième substrats 100, 200, une étape de solidarisation du premier substrat 100 sur le deuxième substrat 200 est réalisée. Selon un mode de réalisation préféré, l'étape de solidarisation s'effectue à partir des premières faces 101, 201 des premier et deuxième substrats 100, 200. Avantageusement, les motifs primaires et secondaires sont réalisés de telle manière que le désalignement du premier substrat 100 et du deuxième substrat 200 crée au moins une connexion électrique continue provenant de la mise en contact d'au moins un motif primaire 150 du premier substrat 100 avec au moins un motif secondaire 251, 252, 253, 254 du deuxième substrat 200. Plusieurs types de collage existent pour réaliser en une seule étape un assemblage mécanique et une interconnexion métallique entre les motifs primaires 150 du premier substrat 100 et les motifs secondaires 251, 252, 253, 254 du deuxième substrat 200. Deux principales technologies coexistent, notamment par la forte adhésion, la bonne conduction électrique entre les motifs primaires 150 du premier substrat 100 et les motifs secondaires 251, 252, 253, 254 du deuxième substrat 200, et la forte densité d'interconnexions obtenue. Il s'agit du scellement par thermo-compression ou du collage direct. A titre préféré, la présente invention utilise la méthode de collage direct ou « direct bonding » en anglais permettant le collage direct entre plaques ou entre puces, ne nécessitant ni matériau de collage, ni besoin de chauffage important, ni pression élevée. Cette technologie est basée sur des phénomènes d'adhésion moléculaire entre les atomes des deux surfaces en regard. L'étape de collage est, de préférence, suivie d'un recuit. Le recuit a l'avantage de renforcer les forces de collage entre le premier substrat 100 et le deuxième substrat 200. De manière particulièrement avantageuse, selon un mode de réalisation où on réalise un empilement d'une pluralité de substrats, l'étape de recuit de consolidation du scellement entre un premier substrat 100 et un deuxième substrat 200, peut se faire après chaque report d'un premier substrat sur un deuxième substrat et/ou après la formation de l'empilement de la pluralité de substrats 100, 200. Il s'ensuit une étape de contrôle de l'alignement effectuée de préférence après l'étape de solidarisation des premier et deuxième substrats 100, 200, par détection d'une continuité électrique entre les motifs primaires et secondaires desdits substrats 100, 200. Avantageusement, ce contrôle permet de vérifier le bon alignement et la complémentarité entre les motifs primaires 150 positionnés sur le premier substrat 100 et les motifs secondaires 250 positionnés sur le deuxième substrat 200. Ce contrôle peut être réalisé soit « in situ » (c'est-à-dire dans le même équipement que celui où a été effectuée l'étape de collage), soit dans un autre équipement. La figure 2B est une représentation schématique d'une vue selon la coupe AN du mode de configuration illustré en figure 2A. Dans cette vue en coupe, il apparaît avantageusement que, suite à l'assemblage des premier et deuxième substrats 100, 200, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 sont mis en regard. Les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 n'étant pas directement en contact, il n'y a donc pas de continuité électrique entre les premier et deuxième substrats 100, 200. Dans ce mode de configuration privilégié mais non limitatif de l'invention, les projections des motifs primaires 150 et secondaires 250 ne se chevauchent pas, témoignant d'un bon alignement des premier et deuxième substrats 100, 200. La figure 3A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif selon un autre mode de configuration où les premier et deuxième substrats ne sont pas correctement alignés. Dans le mode de configuration de la figure 3A, le motif primaire 150 réalisé sur le premier substrat 100 devrait, selon un positionnement relatif prédéterminé, être entouré de quatre motifs secondaires 251, 252, 253, 254 réalisés sur le deuxième substrat 200. Un premier motif secondaire 251 et un deuxième motif secondaire 252 devraient être positionnés de part et d'autre du motif primaire 150 selon une première direction dl. Un premier motif secondaire complémentaire 253 et un deuxième motif secondaire complémentaire 254 devraient être positionnés de part et d'autre du motif primaire 150 selon une deuxième direction d2. Préférentiellement, les première et deuxième directions dl, d2 sont choisies de sorte à s'étendre perpendiculairement l'une de l'autre. Suite à un désalignement du premier substrat 100 par rapport au deuxième substrat 200, le motif primaire 150 n'est pas positionné au centre des quatre motifs secondaires 251, 252, 253, 254 comme il le devrait selon le positionnement relatif prédéterminé. En conséquence, les projections du motif primaire 150 et de l'au moins deuxième motif secondaire complémentaire 254 se chevauchent témoignant d'un mauvais alignement des premier et deuxième substrats 100, 200. La figure 3B est une représentation schématique d'une vue selon la coupe BB' du mode de configuration illustré en figure 3A. Dans cette vue en coupe, il apparaît avantageusement que, suite à l'assemblage des premier et deuxième substrats 100, 200, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 sont mis en regard. Suite à un désalignement, le motif primaire 150 et l'au moins deuxième motif secondaire complémentaire 254 sont en contact. Il existe, de manière particulièrement avantageuse, une continuité électrique entre le premier substrat 100 et le deuxième substrat 200 au travers des couches métalliques des motifs primaire 150 et secondaire 254 et des couches métalliques 20 du BEOL des premier et deuxième substrats 100, 200. La figure 4A illustre une représentation schématique en vue de dessus d'un dispositif selon un mode de configuration où le positionnement relatif nominal prédéterminé autorise un décalage d'une distance D entre les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254. Dans le mode de configuration de la figure 4A, le motif primaire 150 réalisé sur le premier substrat 100 est, selon un positionnement relatif prédéterminé, entouré de quatre motifs secondaires 251, 252, 253, 254 réalisés sur le deuxième substrat 200; chacun des motifs secondaires 251, 252, 253, 254 étant positionné à une distance D du motif primaire 150. Un premier motif secondaire 251 et un deuxième motif secondaire 252 sont positionnés de part et d'autre du motif primaire 150 selon une première direction et à une distance D dudit motif primaire 150. Un premier motif secondaire complémentaire 253 et un deuxième motif secondaire complémentaire 254 sont positionnés de part et d'autre du motif primaire 150 selon une deuxième direction et à une distance D dudit motif primaire 150. Préférentiellement, les première et deuxième directions sont choisies de sorte à s'étendre perpendiculairement l'une de l'autre. La figure 4B est une représentation schématique d'une vue selon la coupe CC' du mode de configuration illustré en figure 4A. Dans cette vue en coupe, il apparaît avantageusement que, suite à l'assemblage des premier et deuxième substrats 100, 200, les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 sont mis en regard. Les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 n'étant pas directement en contact, il n'y a donc pas de continuité électrique entre les premier et deuxième substrats 100, 200. Dans ce mode de configuration privilégié mais non limitatif de l'invention, les projections des motifs primaires 150 et secondaires 250 ne se chevauchent pas, témoignant d'un bon alignement des premier et deuxième substrats 100, 200. La figure 5A schématise, sous forme d'illustration planaire selon différents plans, une vue de dessus d'un circuit électrique de mesure avant assemblage du dispositif selon l'invention. D'une part, le premier substrat 100 comprend une paire de motifs comprenant un premier motif primaire 150 et un deuxième motif primaire 150. Lesdits motifs primaires 150 ont été avantageusement réalisés de sorte à déboucher sur les lignes métalliques 20 du BEOL des couches sous-jacentes du premier substrat 100. Les lignes métalliques 20 du BEOL du premier substrat 100 établiront le passage du courant/tension. D'autre part, le deuxième substrat 200 comprend une paire de motifs secondaires 251, 252, 253, 254, Lesdits motifs secondaires 251, 252, 253, 254 ont été avantageusement réalisés de sorte à déboucher sur les lignes métalliques 20 du BEOL des couches sous-jacentes du deuxième substrat 200. Les lignes métalliques 20 du BEOL du deuxième substrat 200 établiront le passage du courant/tension. La figure 5B est un schéma électrique de la mesure de résistance électrique R à l'aide de l'ampèremètre A, pour mesurer le courant i appliqué par une source de tension qui génère la tension y, mesuré par le voltmètre V aux bornes de la résistance R. La mesure consiste en une mesure de résistance 302 832 8 19 électrique connue de l'homme du métier, où l'on applique une tension continue, mesurée par un voltmètre V aux bornes de la résistance R parcourue par le courant i mesuré par un ampèremètre A. La mesure obtenue renvoie alors soit une valeur nulle de courant i 5 correspondant à une valeur de résistance R infinie (pas de continuité électrique), soit une valeur non nulle de courant i correspondant à une valeur de résistance R finie (continuité électrique). La figure 5C illustre schématiquement les paires de motifs primaires 150 10 et secondaires 251, 252, 253, 254 formés à partir respectivement du premier substrat 100 (plaque inférieure) et du deuxième substrat 200 (puce supérieure). Les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254 comprennent préférentiellement des lignes de métal 20 du BEOL (Back End Of Line) et des plots de HBM 351, 352, 353, 354 pour réaliser verticalement l'intégration 3D. 15 La figure 5C est notamment une représentation schématique d'un circuit électrique de mesure après assemblage puce (du premier substrat 100) à plaque (du deuxième substrat 200), où les mesures de courant i et de tension se font par l'intermédiaire de plots de mesure 301, 302, 303, 304 et de lignes de métal 20, 351, 352, 353, 354 formés sur les premier et deuxième substrats 20 100, 200 comprenant des niveaux BEOL. Préférentiellement, le dernier niveau d'interconnexion du BEOL 20 est suffisant pour réaliser les lignes de métal 20, 351, 352, 353, 354 et les plots de mesure 301, 302, 303, 304. Dans ce mode de réalisation illustré en figure 5C, les mesures du courant i et de tension y sont faites au moyen de quatre plots de mesure 301, 302, 303, 304. Des lignes 25 métalliques dessinées sur les niveaux d'interconnexions planaires du BEOL 20 du premier substrat 100 relient le circuit électrique auxdits plots 301, 302, 303, 304. La figure 6 illustre un exemple de configuration non limitatif de l'invention 30 comprenant cinq circuits électriques. Dans le premier circuit de la figure 6, les motifs primaires 150, réalisés sur le premier substrat 100 sont, selon un positionnement relatif prédéterminé, entourés de quatre motifs secondaires 251a, 252a, 253a, 254a réalisés sur le deuxième substrat 200; chacun des motifs secondaires 251a, 252a, 253a, 254a étant positionné à une première distance nominale D1 des motifs primaires 150. Selon un exemple de réalisation, la première distance D1 vaut 1 micron. Dans le deuxième circuit de la figure 6, les motifs primaires 150 réalisés sur le premier substrat 100 sont, selon un positionnement relatif prédéterminé, entouré de quatre motifs secondaires additionnels 251b, 252b, 253b, 254b réalisés sur le deuxième substrat 200; chacun des motifs secondaires additionnels 251b, 252b, 253b, 254b étant positionné à une deuxième distance nominale D2 des motifs primaires 150. Selon un exemple de réalisation, la deuxième distance D2 vaut 2 microns. Dans le troisième circuit de la figure 6, les motifs primaires 150 réalisés sur le premier substrat 100 sont, selon un positionnement relatif prédéterminé, entouré de quatre motifs secondaires additionnels 251c, 252c, 253c, 254c réalisés sur le deuxième substrat 200; chacun des motifs secondaires additionnels 251c, 252c, 253c, 254c étant positionné à une troisième distance nominale D3 du motif primaire 150. Selon un exemple de réalisation, la troisième distance D3 vaut 3 microns. Dans le quatrième circuit de la figure 6, les motifs primaires 150 réalisés sur le premier substrat 100 sont, selon un positionnement relatif prédéterminé, entouré de quatre motifs secondaires additionnels 251d, 252d, 253d, 254d réalisés sur le deuxième substrat 200; chacun des motifs secondaires additionnels 251d, 252d, 253d, 254d étant positionné à une quatrième distance nominale D4 du motif primaire 150. Selon un exemple de réalisation, la quatrième distance D4 vaut 4 microns. Dans le cinquième circuit de la figure 6, les motifs primaires 150 réalisés sur le premier substrat 100 sont, selon un positionnement relatif prédéterminé, entouré de quatre motifs secondaires additionnels 251e, 252e, 253e, 254e réalisés sur le deuxième substrat 200; chacun des motifs secondaires additionnels 251e, 252e, 253e, 254e étant positionné à une cinquième distance nominale D5 du motif primaire 150. Selon un exemple de réalisation, la cinquième distance D5 vaut 5 microns. Dans cet exemple particulier et non limitatif de l'invention, si le désalignement d entre le premier substrat 100 (puce supérieure) et le deuxième substrat 200 (plaque inférieure) est supérieur à 2 microns, les premier et deuxième circuits auront une valeur de résistance R faible, par exemple comprise entre 0,1 et 10 ohms (0). Si le désalignement est inférieur à 3 microns alors les troisième, quatrième et cinquième circuits correspondent à un circuit ouvert ; une résistance supérieure à R, par exemple de plusieurs mégaohms (MO) sera alors mesurée (en fonction du calibre et de la résolution des appareils de mesure). D'une manière plus générale, pour chacun des circuits électriques définis par le paramètre Di, i étant le nombre de circuits formés une fois les plaques inférieure et supérieure assemblées, si le désalignement d est inférieur à la distance Di, alors la résistance mesurée Ri sera de l'ordre de quelques mégaohms. Si le désalignement d est supérieur à la distance Di, alors la résistance mesurée Ri sera de l'ordre de quelques ohms. Pour un ensemble de circuits dont les motifs primaires 150 et secondaires 251, 252, 253, 254, sont séparés par des distances Di, pour i variant de n à m, le désalignement d sera compris entre les deux valeurs consécutives Dj REVENDICATIONS1. Procédé de contrôle de positionnement relatif d'un premier substrat (100) comprenant au moins un motif primaire (150) électriquement conducteur sur une première face (101) et d'un deuxième substrat (200) comprenant au moins un motif secondaire (251, 252) électriquement conducteur sur une première face (201) ; lesdits premier et deuxième motifs (150, 251, 252) étant formés de sorte à présenter un positionnement relatif nominal prédéterminé entre eux, dans un plan parallèle auxdites premières faces (101, 201), lorsque les premier et second substrats (100, 200) sont empilés, le procédé comprenant : - une étape de mise en correspondance de la première face (101) du premier substrat (100) et de la première face (201) du deuxième substrat (200) visant le positionnement relatif nominal prédéterminé du motif primaire (150) et du motif secondaire (251, 252), et - à partir d'au moins un circuit électrique, une mesure d'une valeur de résistance entre l'au moins un motif primaire (150) du premier substrat (100) et l'au moins un deuxième motif secondaire (251, 252) du deuxième substrat (200); caractérisé en ce qu'il comprend une étape de détection, à partir de ladite mesure de résistance, d'un décalage du motif primaire (150) et du motif secondaire (251, 252) suivant au moins une direction prédéterminée par rapport audit positionnement relatif prédéterminé par détection d'une continuité électrique entre lesdits motifs primaire (150) et secondaire (251, 252). 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de détection du décalage des motifs primaire (150) et secondaire (251, 252) comprend la mesure d'une valeur finie de la résistance mesurée entre les motifs primaire (150) et secondaire (251, 252). 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le positionnement relatif nominal est configuré de sorte à ce que la projection suivant une direction perpendiculaire audit plan des premier et deuxième substrats (100, 200), du motif primaire (150) n'intercepte pas la projection, suivant ladite direction, du motif secondaire (251, 252). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant une étape de réalisation d'au moins un premier motif (150) sur la première face (100) du premier substrat (100) et d'au moins un deuxième motif (251, 252) sur la première face (201) du deuxième substrat (200), cette étape comprenant pour au moins l'un parmi les motifs primaire (150) et secondaire (251, 252) disposé sur et/ou dans une couche isolante (30) : - la formation d'un accès du motif (150, 251, 252) à une couche sous-jacente conductrice par une deuxième face opposée (102, 202) à la première face (101, 201) du premier substrat (100) et/ou du deuxième substrat (200), respectivement, au travers de ladite couche isolante (30). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant, après l'étape de mise en correspondance des motifs primaire (150) et secondaire (251, 252), une étape de solidarisation du premier substrat (100) et du deuxième substrat (200) par un collage de préférence direct des premières faces (101, 102) des premier (100) et deuxième (200) substrats. 6. Dispositif de contrôle de positionnement relatif comprenant au moins un motif primaire (150), électriquement conducteur, formé sur une première face (101) d'un premier substrat (100) et un motif secondaire (251, 252), électriquement conducteur, formé sur une première face (201) d'un deuxième substrat (200), les premier et second substrats (100, 200) étant empilés de sorte à ce que leurs premières faces (101, 201) respectives soient en regard, lesdits motifs primaire (150) et secondaire (251, 252) étant formés de sorte à présenter un positionnement relatifnominal prédéterminé entre eux dans un plan parallèle auxdites premières faces et comprenant en outre un circuit électrique configuré pour mesurer une valeur de résistance entre les motifs primaire (150) et secondaire (251, 252), caractérisé en ce que le circuit électrique permet de détecter un décalage des motifs primaire (150) et secondaire (251, 252) suivant au moins une direction prédéterminée par rapport audit positionnement relatif nominal, par détection d'une continuité électrique entre lesdits motifs primaire (150) et secondaire (251, 252), à partir de ladite mesure de résistance. 7. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel le circuit électrique est configuré pour détecter une valeur finie de la résistance mesurée entre le motif primaire (150) du premier substrat (100) et le motif secondaire (251, 252) du deuxième substrat (200), la détection de ladite valeur finie correspondant à la détection d'une continuité électrique entre lesdits motifs primaire (150) et secondaires (251, 252). 8. Dispositif selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel les motifs primaire (150) et secondaire (251, 252) ont un positionnement relatif nominal configuré de sorte à ce que la projection, suivant une direction perpendiculaire audit plan, du motif primaire (150) n'intercepte pas la projection, suivant la même direction du motif secondaire (251, 252). 9. Dispositif selon l'une quelconque des trois revendications précédentes comprenant au moins un premier motif secondaire (251) et deuxième motif secondaire (252) positionnés, selon le positionnement relatif nominal, de part et d'autre du motif primaire (150) ; lesdits premier motif secondaire (251), deuxième motif (252) secondaire et motif primaire (150) étant alignés suivant ladite au moins direction prédéterminée. 10. Dispositif selon la revendication précédente comprenant au moins un motif secondaire complémentaire (253) ; le motif primaire 150) étant aligné avec un motif secondaire (251) suivant une première direction prédéterminée et avec le motif secondaire complémentaire (253) suivant une deuxième direction prédéterminée, différente de la première direction. 11. Dispositif selon l'une quelconque des cinq revendications précédentes dans lequel le positionnement relatif nominal est défini par une distance nominale prédéterminée D non nulle séparant le motif primaire (150) et au moins un motif secondaire (251, 252), respectivement du premier (100) et du deuxième (200) substrats, selon leur projection suivant ladite direction perpendiculaire audit plan. 12. Dispositif selon l'une quelconque des six revendications précédentes comprenant au moins un motif secondaire additionnel (251b) ; le motif primaire (150) étant séparé d'une première distance nominale D1 d'un motif secondaire (251a) et séparé d'une deuxième distance nominale D2 du motif secondaire additionnel (251b). 13. Dispositif selon la revendication précédente comprenant un circuit électrique additionnel configuré pour détecter un décalage complémentaire entre le motif primaire (150) et le motif secondaire additionnel (251b) suivant une direction prédéterminée par rapport audit positionnement relatif, par détection d'une continuité électrique entre le motif primaire (150) et le motif secondaire additionnel (251b). 14. Dispositif selon l'une quelconque des huit revendications dans lequel au moins l'un parmi le motif primaire (150) et le motif secondaire (251, 252) comprend un accès électrique par une deuxième face opposée à la première face du premier substrat (100) ou du deuxième substrat (200), respectivement. 15. Dispositif selon l'une quelconque des neuf revendications précédentes dans lequel l'au moins un parmi les motifs primaire (150) et secondaire (250) comprend un empilement d'au moins une couche barrière (60) d'une couche d'accroche et d'une couche conductrice; ladite couche conductrice étant formée par croissance électrolytique à partir d'une couche d'accroche (70). 16. Dispositif selon l'une quelconque des dix revendications précédentes dans lequel la forme des motifs primaire (150) et secondaire (251, 252) est choisie parmi une forme circulaire, annulaire ou polygonale. 17. Dispositif comprenant une pluralité de dispositifs de contrôle de positionnement relatif selon l'une quelconque des onze revendications précédentes, les motifs primaires (150) et secondaires (251, 252) équipant les premières faces (101, 201) d'un premier substrat et d'un deuxième substrat (200). 18. Système microélectronique comprenant un premier substrat (100), un deuxième substrat (200), et un dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 16 ou d'un dispositif selon la revendication 17.