Brevet FR3022043A1 — publié le 20151211

IMAGE MINIATURE DE DEMI-TEINTES FORMEE PAR UN ASSEMBLAGE DE NANO-PARTICULES COLLOÏDALES ET SON PROCEDE DE REALISATION La présente invention concerne des motifs micro-/ nanométriques ou images miniatures de demi-teintes formés par un assemblage de nanoparticules et un procédé de fabrication de tels motifs. Les images de demi-teintes possèdent la remarquable capacité de io traduire des contrastes de valeur ou clair-obscur en utilisant une base binaire, par exemple le blanc et le noir à partir de points fixes dénommés pixels de taille, forme et disposition relative variables. De tels motifs demi-teintes peuvent être réalisés classiquement par des imprimantes à jet d'encre qui utilisent plusieurs gouttes d'encre de petite taille 15 mélangées, déposées, et absorbées sur un même point d'impression d'un substrat support par des forces de capillarité. Les meilleures performances en terme de résolution spatiale des points d'impression, connues à ce jour et obtenues pour des motifs de demi-teintes élaborés selon des procédés de type à jet d'encre ont été rapportées dans 20 l'article l'article de W. Sele intitulé « Lithography-Free, Self-Aligned Inkjet Printing with Sub-Hundred-Nanometer Resolution », et publiées dans Advanced Materials, vol. 17, n° 8, pp. 997-1001, April 2005. Dans cet article, la technique d'impression de motifs demi-teintes utilisée, dans un cadre académique, présente des performances de résolution spatiale des points 25 d'impression de 100 nm pour des motifs réalisés à géométrie spécifique, cette performance n'ayant pas été démontrée en général pour des motifs de forme quelconque. Dans le domaine de la recherche, une autre technique que celle à jet d'encre dite de « nano-imprint », décrite dans l'article de T. Kraus et al., 30 intitulé « Nanoparticle printing with single-particle résolution », publiée dans Nature Nanotechnology, vol.2, n°.9, pp.570-576, September 2007, est à remarquer, pour laquelle les performances de résolution spatiale des points d'impression sont de 60nm. Le problème technique est de fabriquer des motifs micro-/ nanométriques ou images miniatures de demi-teintes dans lesquels le nombre de demi-teintes (ou tonalité) maximal est important en regard de l'état de l'art et la résolution spatiale des points d'impression est minimale. En particulier, on cherche à fabriquer des motifs micro-/ nanométriques pouvant atteindre plusieurs dizaines de milliers de demi-teintes sur un pixel de lpm2, et dont la résolution spatiale maximale des points d'impression est de l'ordre de quelques nanomètres. A cette fin, l'invention a pour objet procédé de fabrication d'un motif io miniature de demi-teintes sur un substrat électret à partir d'une image de demi-teintes formée d'un agencement bimensionnel de pixels de demi-teintes compris dans un ensemble de demi-teintes allant du clair au sombre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : Générer électroniquement un fichier image de demi-teintes composés 15 de pixels, chaque pixel étant défini par des coordonnées bidimensionnelles et une valeur codante de demi-teinte du pixel qui lui est associé, Convertir le fichier image en un script d'injection, exécutable par un logiciel de commande d'un dispositif d'injection de charges électriques, le script d'injection permettant de reproduire l'image à une échelle réduite en 20 faisant correspondre à chaque pixel un point d'injection de charges électriques sur une surface de réception plane du substrat électret située à un emplacement prédéterminé, le point d'injection étant caractérisé par une tension et un temps d'injection dépendant du niveau de demi-teintes du pixel correspondant selon une fonction monotone de conversion du niveau de 25 demi-teinte en tension et temps d'injection, de sorte qu'une carte du potentiel de surface obtenue après injection des charges en les points d'injection reproduise à une échelle réduite l'image de demi-teintes, Injecter sur la surface plane de réception du substrat électret des charges électriques par un procédé d'injection, adapté au dispositif d'injection 30 et suivant le script d'injection obtenu dans l'étape précédente, ; mettre en contact le substrat électret ayant la surface de réception inscrite par le potentiel de surface suivant le motif souhaité de charges électriques, avec une dispersion colloïdale pendant une durée de mise en contact suffisamment longue et inférieure ou égale à quinze minutes, la dispersion colloïdale comportant des nanoparticules colloïdales neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe ou des nanoparticules chargées, et un milieu de dispersion, sous la forme d'un solvant liquide ou d'un gaz, dans lequel les nanoparticules colloïdales sont dispersées. Suivant des modes particuliers de réalisation, le procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes comporte l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison : - le pas d'injection défini comme la distance séparant deux points d'injection immédiatement voisins est choisie de sorte que la taille de l'image miniature est égale à la dimension de l'image exprimée en pixels moins un multipliée par le pas d'injection ; - de l'information est cachée au sein du motif par un procédé de cryptographie selon un algorithme prédéterminé ; - pour un type de nanoparticules donné, un type de solvant donné, une concentration de dispersion colloïdale fixée, les tensions d'injection sont modulées dans une plage de valeurs de tension d'injection à laquelle correspond de manière monotone une plage de valeurs de potentiels de surface modulants, la borne inférieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection étant choisie pour que la borne inférieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit supérieure ou égale à une première valeur seuil de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est au minimum visible par microscopie optique en champ sombre tandis que lorsqu'elle n'est pas dépassée, l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel reste invisible par microscopie optique en champ sombre ; - la borne supérieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne supérieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit inférieure ou égale à une deuxième valeur seuil de valeur absolue de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supérieures que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel réalisé est visible par microscopie optique en champ sombre et invisible en champ clair tandis que lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures l'asemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est visible par microscopie optique en champ clair ; - la borne inférieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne inférieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit égale à la première valeur seuil de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle est dépassée que le motif miniature réalisé est visible par microscopie optique en champ sombre tandis que lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supérieures le motif miniature reste invisible par microscopie optique en champ sombre, et la borne supérieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne supérieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit égale à la deuxième valeur seuil de la valeur absolue de potentiel de surface qui garantit que lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supéreures, le motif miniature réalisé est visible par microscopie optique en champ sombre et invisible en champ clair tandis que lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures le motif miniature est visible au moins partielellement par microscopie optique en champ clair ; - les nanoparticules colloïdales possèdent la propriété de convertir un rayonnement dans un spectre proche de l'infrarouge (NIR) en un rayonnement dans un premier spectre du visible ; - l'étape d'inscription du potentiel électrique de surface sur la surface de réception du substrat électret suivant un motif de charges est réalisé au choix, par un procédé d'inscription séquentielle de charges positives et/ou négatives sur le substrat électret compris dans l'ensemble formé par une inscription de charges électriques par un faisceau d'ions focalisés, une rn inscription de charges électriques par un faisceau d'électrons focalisés, une inscription de charges électriques par microscopie à force atomique (AFM) et une inscription de charges électriques par électrophotographie, par un procédé d'inscription en parallèle de charges positives et/ou négatives sur le substrat électret compris dans l'ensemble formé par la nano 15 impression électrique et le microcontact électrique. - le matériau électret est un matériau compris dans l'ensemble formé par les poly-méthacrylates de méthyle (PMMA), les copolymères d'oléfines cycliques (CoC), les polyéthylènes téré-phtalate (PET), les Polydiméthylsiloxanes (PDMS), les polypropylènes (PP), les polycarbonates 20 (PC), les polystyrènes (PS), les polychlorures de vinyle (PVC), les polytétrafluoroéthylènes (PFTE), le sulfate de triglycine (TGS), le fluorure polyvinylidène (PVDF), le nitrure d silicium (Si3N4), l'oxyde de silicium (Si02), le composé Si3N4/Si02/Si (NOS) ; les nanoparticules colloïdales sont des composés stabilisés par eux- 25 mêmes ou par des ligands et/ou des charges, ayant des propriétés physiques comprises dans l'ensemble formé par les propriétés plasmoniques, conductrices, magnétiques, luminescentes, catalytiques, électrochromiques, photochromiques rendus sensiblement neutres et polarisables électriquement, réalisés à partir de nano particules colloïdales de base, 30 les nanoparticules colloïdales de base possédant un coeur solide et le cas échéant une coquille, et étant comprises dans l'ensemble formé par le latex, Si02, Ti02, ZrO2 ; CdS, CdSe, PbSe, GaAs, GaN, InP, In203, ZnS, ZnO, MoS2, Si, C, ITO ,Fe203, Fe304, Co, Fe-Co, Fe3C, Fe5C2, Ni ; Au, Ag, Cu, Pt, et les nanoparticules bi-métalliques ; WO3 ; NaLnF4, les fluorures de lanthanide (LnF3), les oxydes de lanthanides (Ln203), les zirconates, silicates, hydroxydes (Ln(OH)3) et les sulfures d'oxydes dopés ou non avec un ou plusieurs lanthanides différents (Ln désignant un lanthanide), les mélanges de ces composés, et le milieu dispersant des nanoparticules polarisables est au choix un solvant liquide ou un gaz non polarisant, le solvant liquide étant compris dans l'ensemble formé par le pentane, l'iso-pentane, l'hexane, l'heptane, l'octane, le nonane, le décane, le cyclopentane, le cyclohexane, le cycloheptane, le cyclooctane, le cyclohéxène, le benzène, le toluène, le méthylcyclohexane, le xylène, le mésithylène, le chloroforme, le chlorure de méthylène, le tétrachloroéthylène, le gaz dispersant non polarisant étant compris dans l'ensemble formé par le diazote N2, l'argon Ar, et l'air. L'invention a également pour objet un motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret correspondant à une image de demi-teintes formé par un agencement bimensionnel de pixels de demi-teintes compris dans un 20 ensemble de demi-teintes allant du clair au sombre, comprenant un substrat électret, un ensemble de points d'injection disposés sur une surface libre du substrat électret, chaque point d'injection du motif miniature étant défini par des 25 coordonnées bidimensionnelles considérées sur la surface et un niveau de demi-teintes compris dans un ensemble de demi-teintes allant du clair au sombre, les coordonnées bidimensionnelles des points d'injection correspondant respectivement aux coordonnées des pixels de l'image, et les niveaux de demi-teintes des points d'injection correspondant respectivement 30 aux niveaux de demi-teintes des pixels associés, de façon à reproduie l'image à une échelle réduite, sur chaque point d'injection étant fixé un assemblage colloïdale élémentaire de nanoparticules colloïdales, neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe, piégées sur le substrat au travers de forces diélectrophorétiques, ou un assemblage colloïdale élémentaire de nanoparticules colloïdales chargées piégées sur le substrat au travers de forces éectrophorétiques, l'assemblage élémentaire ayant une forme et ou une densité caractérisant par ses propriétés optiques réfléchissantes ou émettrices un niveau de demi-teinte de manière unique et différente en étant conforme à la fonction de conversion. Suivant des modes particuliers de réalisation, le motif miniature de demi-teintes comporte l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison : - lorsque les nanoparticules colloïdales sont neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe, les assemblages élémentaires des nanoparticules colloïdales sont des assemblages compris dans l'ensemble formé par les assemblages monocouches compacts, les assemblages multicouches compacts, et les assemblages monocouches non compacts ; - le matériau électret est un matériau compris dans l'ensemble formé par les poly-méthacrylates de méthyle (PMMA), les copolymères d'oléfines cycliques (CoC), les polyéthylènes téré-phtalate (PET), les Polydiméthylsiloxanes (PDMS), les polypropylènes (PP), les polycarbonates (PC), les polystyrènes (PS), les polychlorures de vinyle (PVC), les polytétrafluoroéthylènes (PFTE), le sulfate de triglycine (TGS), le fluorure polyvinylidène (PVDF), le nitrure d silicium (Si3N4), l'oxyde de silicium (S102), le composé Si3N4/S102/Si (NOS) ; les nanoparticules colloïdales sensiblement neutres et polarisables 30 électriquement sont des composés stabilisés par eux-mêmes ou par des ligands et/ou des charges, ayant des propriétés physiques comprises dans l'ensemble formé par les propriétés plasmoniques, conductrices, magnétiques, luminescentes, catalytiques, électrochrom igues, photochromiques rendus sensiblement neutres et polarisables électriquement, réalisés à partir de nanoparticules colloïdales de base, les nanoparticules colloïdales de base possédant un coeur solide et le cas échéant une coquille, et étant comprises dans l'ensemble formé par le latex, Si02, Ti02, Zr02 ; CdS, CdSe, PbSe, GaAs, GaN, InP, In203, ZnS, ZnO, MoS2, Si, C, ITO ,Fe203, Fe304, Co, Fe-Co, Fe3C, Fe5C2, Ni ; Au, Ag, Cu, Pt, et les nanoparticules bi-métalliques ; WO3 ; NaLnF4, les fluorures de lanthanide (LnF3), les oxydes de lanthanides (Ln203), les zirconates, silicates, hydroxydes (Ln(OH)3) et les sulfures d'oxydes dopés ou non avec un ou plusieurs lanthanides différents (Ln désignant un lanthanide), les mélanges de ces composés ; - les nanoparticules possèdent la propriété de convertir un 15 rayonnement dans un spectre proche de l'infrarouge (NIR) en un rayonnement dans un premier spectre du visible ; - le motif miniature est configuré en termes de forme et densité pour être visible par microscopie optique en champ sombre et invisible par microscopie en champ clair ; 20 - le nombre de demi-teintes est supérieur ou égal à 10, de préférence supérieur ou égal à 20, et la résolution des points d'impression est inférieure ou égale à 30nm, de préférence inférieure ou égale à 20 nm. L'invention a également pour objet une étiquette de marquage anticontrefaçon et de traçabililité comprenant un motif miniature de demi-teintes 25 sur un substrat électret défini ci-dessus par le procédé définie ci-dessus. Le contrôle de la densité et de la forme d'assemblage de nanoparticules permet de reproduire dans toute sa richesse les nuances et contrastes d'une image de référence. Les nanoparticules peuvent en outre présenter des propriétes physiques spécifiques, par exemple des propriétés 30 de photoluminescence, permettant d'apporter un moyen supplémentaire de dissimulation d'informations dans l'image demi-teinte. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description de plusieurs formes de réalisation qui vont suivre, données uniquement à titre d'exemples et faites en se référant aux dessins dans lesquels : La Figure 1 est un ordinogramme général d'un procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon l'invention ; La Figure 2A est une image brute par microscopie optique en champ clair, suivie d'une image traitée correspondante, d'un motif de demi-teintes, réalisé par nanoxérographie de type Microscopie à Force Atromique (AFM) et à partir d'assemblages localisés de densités variables de nanoparticules NaYF4 dopées avec des lanthanides, selon un premier script d'injection de charges et une première concentration de dispersion qui confèrent une visibilité en champ clair au motif; La Figure 2B est une image brute par microscopie optique en champ sombre suivie d'une image traitée correspondante, du même motif de la Figure 2A réalisé selon le même premier script d'injection de charges et la même concentration de dispersion colloïdale; La Figure 3A est une image brute par microscopie optique en champ clair, suivie d'une image traitée correspondante, d'un motif de demi-teintes, réalisé par nanoxérographie de type AFM et à partir d'assemblages localisés de densités variables de nanoparticules NaYF4 dopées avec des lanthanides, selon un deuxième script d'injection de charges et une deuxième concentration de dispersion qui confèrent une invisibilté en champ clair et une visibilité en champ sombre au motif ; La Figure 3B est une une image brute par microscopie optique en champ sombre, suivie d'une image traitée correspondante et d'un détail agrandi de l'image traitée, du même motif de la Figure 3A réalisé selon le même deuxième script d'injection de charges et à la même deuxième concentration de dispersion que ceux de la Figure 3A ; La Figure 4 est une vue d'une première courbe d'évolution d'un premier potentiel de surface seuil en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale délimitant la frontière inférieure d'une première surface dans laquelle une gamme de variations du potentiel de surface du substrat électret associée à une concentration est contenue et permet de créer un assemblage de demi-tentes visibles par microscopie optique en champ clair et en champ sombre, et d'une deuxième courbe d'évolution d'un deuxième potentiel de surface seuil en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale délimitant la frontière inférieure d'une deuxième surface, située en dessous de la première courbe, dans laquelle une gamme de variations du potentiel de surface du substrat électret associée à une concentration est contenue et permet de créer un assemblage de demi-tentes visibles par microscopie optique en champ sombre et invisibles en champ clair, dans le cas d'un dépôt de nanoparticules NaYF4 dopées avec des lanthanides ; La Figure 5 est une vue d'une troisième courbe d'évolution d'un premier potentiel de surface seuil en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale délimitant la frontière inférieure d'une troisième zone surfacique dans laquelle des variations de potentiel de surface permettent de créer un assemblage de demi-tentes visibles par microscopie optique en champ clair et en champ sombre, et d'une quatrième courbe d'évolution d'un deuxième potentiel de surface seuil en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale délimitant la frontière inférieure d'une quatrième zone, située en dessous de la première courbe, dans laquelle des variations de potentiel de surface permettent de créer un assemblage de demi-tentes visibles par microscopie optique en champ sombre et invisibles en champ clair, dans le cas d'un dépôt de nanoparticules d'argent ; La Figure 6A est une image brute par microscopie optique en champ clair, suivie d'une image traitée correspondante, d'un motif de demi-teintes, réalisé par nanoxérographie de type AFM à partir d'assemblages localisés de densités variables de nanoparticules d'argent, selon un troisième script d'injection de charges et une troisième concentration de dispersion qui confèrent une visibilité en champ clair au motif; La Figure 6B est une image brute par microscopie optique en champ sombre suivie d'une image traitée correspondante du même motif de la Figure 6A réalisée selon le troisième script d'injection de charges et la troisième concentration de dispersion colloïdale identiques à ceux de la Figure 6A ; La Figure 7A est une image brute par microscopie optique en champ clair, suivie d'une image traitée correspondante, d'un motif de demi-teintes, réalisé par nanoxérographie de type AFM et à partir d'assemblages localisés de densités variables de nanoparticules d'argent, selon un quatrième script d'injection de charges et une quatrième concentration de dispersion colloïdale qui confèrent une invisibilité en champ clair et une visibilité en champ sombre au motif ; La Figure 7B est une image brute par microscopie optique en champ sombre, suivie d'une image traitée correspondante, du même motif de la Figure 7A réalisé selon le même quatrième script d'injection de charges et à la même quatrième concentration de dispersion colloïdale que ceux de la Figure 7A. Suivant la Figure 1, un procédé 2 de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret comprend en général un ensemble d'étapes exécutées successivement. Dans une première étape 4, un fichier image de demi-teintes est générée électroniquement sous la forme d'un fichier informatique. L'image de demi-teintes est formé par un réseau de pixels de demi-teintes possédant des caractéristiques de demi-teintes allant du clair au sombre. Chaque pixel est défini électroniquement a minima par des coordonnées bidimensionnelles et une valeur codante de demi-teinte associée. Pour la mise en oeuvre de la première étape 4, un format informatique d'image Noir et Blanc est choisi dans l'ensemble des formats d'image formé par BMP, GIF, JPEG, LBM, PCX, PNG, PNM, TGA, TIFF, WEBBP, XCF, XPM, XV. Dans une deuxième étape 6, le fichier image de pixels est converti en un script d'injection, exécutable par un logiciel de commande d'un dispositif d'injection de charges électriques. Le script d'injection est configuré pour reproduire l'image à une échelle réduite sur une surface de réception plane du substrat électret, prévue pour recevoir le motif miniature et située à un emplacement prédéterminée, en faisant correspondre à chaque pixel un point d'injection de charges sur la surface de réception, les charges pouvant être des charges électriques ou des charges de polarisation. Le point d'injection est caractérisé par une tension et un temps d'injection qui dépendent du niveau de demi-teintes du pixel correspondant selon une fonction à variation monotone de conversion de niveau de demi-teinte en tension d'injection, de sorte que la carte du potentiel de surface qui sera obtenue après injection des charges sur la surface de réception du substrat électret en les points d'injection reproduira à une échelle réduite l'image. Pour la mise en oeuvre de la deuxième étape 6, un pas d'injection, défini comme la distance séparant centre à centre de deux points d'injection immédiatement voisins, est choisi de sorte que la taille de l'image miniature désirée est égale à la dimension de l'image exprimée en pixels moins un multipliée par le pas d'injection. Dans une troisième étape 8, des charges sont injectées sur et dans le substrat électret au niveau de la zone de surface par un procédé classique d'injection suivant le script d'injection obtenu dans la deuxième étape 6. Le procédé classique d'injection des charges est par exemple celui décrit dans la demande de brevet français intitulée « Micro/nano structures de nanoparticules colloïdales fixées sur un substrat électret et procédé de fabrication de telles micro/nano structures » déposé le 8 mars 2013 et ayant le numéro de dépôt FR 13 52092. La troisième étape 8 d'inscription du potentiel électrique de surface sur la surface de réception du substrat électret suivant le motif de charges du script est réalisé au choix : par un procédé d'inscription séquentielle de charges positives et/ou négatives sur le substrat électret compris dans l'ensemble formé par une inscription de charges électriques par un faisceau d'ions focalisés, une inscription de charges électriques par un faisceau d'électrons focalisés, une inscription de charges électriques par microscopie à force atomique (AFM) et une inscription de charges électriques par électrophotographie, ou - par un procédé d'inscription en parallèle de charges positives et/ou négatives sur le substrat électret compris dans l'ensemble formé par la nano impression électrique et le microcontact printing électrique. Puis dans une quatrième étape 10, le substrat électret ayant la surface de réception inscrite par le potentiel de surface suivant le motif souhaité de charges électriques, est mis en contact avec une dispersion colloïdale pendant une durée de mise en contact suffisamment longue et inférieure ou égale à quinze minutes. Typiquement, les durées de mise en contact sont comprises entre 30 secondes et quelques minutes. lo La dispersion colloïdale comporte ici des nanoparticules colloïdales neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe, et un milieu de dispersion, sous la forme d'un solvant liquide ou d'un gaz, sensiblement dépourvu d'action de polarisation électrique, dans lequel les nanoparticules colloïdales sont 15 dispersées. En variante, les nanoparticules colloïdales sont électriquement chargées. De manière générale, le matériau électret est un matériau compris dans l'ensemble formé par les poly-méthacrylates de méthyle (PMMA), les 20 copolymères d'oléfines cycliques (CoC), les polyéthylènes téré-phtalate (PET), les Polydiméthylsiloxanes (PDMS), les polypropylènes (PP), les polycarbonates (PC), les polystyrènes (PS), les polychlorures de vinyle (PVC), les polytétrafluoroéthylènes (PFTE), le sulfate de triglycine (TGS), le fluorure polyvinylidène (PVDF), le nitrure d silicium (Si3N4), l'oxyde de silicium (SiO2), 25 le composé Si3N4/SiO2/Si (NOS). De manière générale, les nanoparticules colloïdales sensiblement neutres et polarisables électriquement ou les nanoparticules colloïdales électriquement chargées sont des composés stabilisés par eux-mêmes ou par des ligands et/ou des charges, ayant des propriétés physiques comprises 30 dans l'ensemble formé par les propriétés plasmoniques, conductrices, magnétiques, luminescentes, catalytiques, électrochrom igues, photochromiques rendus sensiblement neutres et polarisables électriquement, réalisés à partir de nano particules colloïdales de base, Les nanoparticules colloïdales de base possèdent un coeur solide et le cas échéant une coquille, et sont comprises dans l'ensemble formé par le latex, S102, Ti02, Zr02 ; CdS, CdSe, PbSe, GaAs, GaN, InP, In203, ZnS, ZnO, MoS2, Si, C, ITO ,Fe203, Fe304, Co, Fe-Co, Fe3C, Fe5C2, Ni ; Au, Ag, Cu, Pt, et les nanoparticules bi-métalliques ; WO3 ; NaLnF4, les fluorures de lanthanide (LnF3), les oxydes de lanthanides (Ln203), les zirconates, silicates, hydroxydes (Ln(OH)3) et les sulfures d'oxydes dopés ou non avec un ou plusieurs lanthanides différents (Ln désignant un lanthanide), les mélanges de ces composés. Lorsque le milieu dispersant des nanoparticules polarisables est un solvant liquide non polarisant, le solvant est compris dans l'ensemble formé par le pentane, l'iso-pentane, l'hexane, l'heptane, l'octane, le nonane, le décane, le cyclopentane, le cyclohexane, le cycloheptane, le cyclooctane, le cyclohéxène, le benzène, le toluène, le méthylcyclohexane, le xylène, le mésithylène, le chloroforme, le chlorure de méthylène, le tétrachloroéthylène. Lorsque le milieu dispersant est un gaz dispersant non polarisant, le gaz dispersant est compris dans l'ensemble formé par le diazote N2, l'argon Ar, et l'air. De manière avantageuse, et en tant que premier niveau de dissimulation d'informations, la petite taille du motif de demi-teintes obtenue par le procédé général de la Figure 1 rend la localisation du motif complexe sur de grandes surfaces d'électret dépourvues de repérage. Il est à remarquer qu'il est possible de cacher de l'information au sein du motif obtenu par un procédé de cryptographie selon un algorithme prédéterminé, ce qui constitue un deuxième niveau de dissimulation d'informations. Par exemple, une deuxième image non visible avant décodage est encodée dans une première image, visible directement sans traitement d'image. Suivant un premier mode de réalisation du procédé général de la Figure 1, les nanoparticules colloïdales possèdent la propriété de convertir un rayonnement dans un spectre proche de l'infrarouge (NIR) en un rayonnement dans un premier spectre du visible. Par exemple, les nanoparticules sont des nanoparticules de NaYF4 dopées avec des lanthanides. Ces nanoparticules sont des nanoparticules polarisables et non chargées de 28 nm de diamètre, enrobées d'acide oléique, dopées en Erbium et Ytterbium, luminescentes, dispersées dans de l'hexane à une première concentration colloîdale Cl de 1,49'1013 Nano Particules (NPs)/m1 (ce qui corresepond 0,12mg.m1-1). Il est à noter que ces particules aboutissent ici de manière particulière à un assemblage systématiquement compact et parfois multicouches. L'effet final de demi-teintes (en anglais halftone) sera créé par variation de la surface et/ou de l'épaisseur d'assemblage des nanoparticules sur chacun des sites correspondants aux points d'injection sur le substrat électret. En variante, l'assemblage peut ne pas être compact. Dans ce cas, l'effet final de demi-tente sera créé par la variation de la densité de surface projetée et de la forme de l'assemblage des nanoparticules sur chacun des sites correspondants aux points d'injection sur le substrat électret, la densité de surface projetée étant égale au nombre de particules contenues dans le cylindre délimité par une unité de surface. Lorsque l'assemblage est monocouche, la notion de densité de surface projetée se confond avec la notion de densité surfacique classique de nanoparticules. Ainsi, l'effet de demi-teinte final peut être un effet de variation de densité sans nécessairement présence de compacité des nanoparticules dans l'assemblage. Suivant un premier script d'injection, les tensions appliquées entre la pointe AFM et le substrat électret varient de +50 V, valeur correspondant à un pixel blanc, à +75 V, valeur correspondant à un pixel noir. Les potentiels de surfaces des points d'injection varient de manière correspondante d'un premier potentiel de surface inférieur Vkfmimin +130 mV à un premier potentiel de surface supérieur Vkfmlmax + 950 mV. Après injection des charges, le substrat électret injecté est immergé durant 30 secondes dans un bain de nanoparticules NaYF4 colloïdales de la première concentration Cl de 1,49*1013 Nano Particules (NPs)/ml (c'est-à-dire de 0.12 mg/ml). Ensuite, après le retrait de la dispersion, le substrat est séché par évaporation du solvant à température ambiante. Dans ces conditions, l'assemblage final des nanoparticules sur un point d'injection lorqu'il a lieu est compact, pouvant être multicouches ou monocouche. Dans ce cas, le motif de demi-teintes obtenu est visible en champ clair comme illustré sur la Figure 2A qui représente à gauche une première vue brute 52, c'est-à-dire sans traitement d'image, de la Joconde 54 formant le motif, et à droite une deuxième vue 56, améliorée en terme de filtrage du bruit par un traitement infographique. Dans ce cas, le motif de demi-teintes obtenu est également visible en champ sombre comme illustré sur la Figure 2B qui représente à gauche une première vue brute 62 en champ sombre de la même Joconde 64, de meilleure qualité que la première vue brute 52 en champ clair, et à droite une deuxième vue améliorée 66 de la première vue brute 62 en champ sombre par un traitement infographique. Suivant un deuxième mode de réalisation du procédé général de la Figure 1, dérivé du premier mode de réalisation, les mêmes nanoparticules de NaYF4 colloïdales sont utilisées dans une même dispersion d'hexane à une deuxième concentration colloïdale 02, ici identique à la première concentration Cl de la dispersion colloïdale, c'est à dire égale à 1,49*1013 Nano Particules (NPs)/m1 (ou 0.12 mg/ml). Le deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation par un deuxième script d'injection dans lequel les tensions d'injection appliquées entre la pointe AFM et le substrat électret varient de +40 V à +50 V. Les potentiels de surface des points d'injection varient de manière correspondante d'un deuxième potentiel de surface inférieur Vkfm2min +30 mV à un deuxième potentiel de surface supérieur Vkfm2max +130 mV. Après injection, le substrat électret est immergé durant 30 secondes dans un bain de NaYF4 colloïdales de deuxième concentration colloïdale égale à 1,49*1 013 nanoparticules (NPs)/ml. Après retrait de la dispersion, le substrat est séché par évaporation du solvant à température ambiante. En variante, le motif de demi-teintes obtenu par la mise en oeuvre selon le deuxième mode de réalisation peut également être obtenu en utilisant un script d'injection identique au premier script d'injection (c'est-à-dire un potentiel de surface variant de +130 mV à un potentiel de surface + 950 mV), et en ajustant la concentration de la dispersion colloïdale à une valeur adaptée, inférieure à la deuxième concentration C2 de dispersion colloïdale, et égale à 1,8610" nanoparticules (NPs)/ml (ou 1.5 pg/ml). Au cours de cette variante, après injection, le substrat est immergé durant 30 secondes dans un bain de nanoparticules de NaYF4 colloïdales de concentration 1,86*1011 nanoparticules (NPs)/ml. Après retrait de la dispersion, le substrat est séché par évaporation du solvant à température ambiante. Dans tous les cas correspondant au deuxième mode de réalisation, la variante comprise, l'assemblage final des nanoparticules sur chaque point d'injection lorsqu'il a lieu est compact, pouvant être multicouches ou monocouche. Dans le cas du deuxième mode de réalisation, le motif de demi-teintes obtenu est invisible en champ clair comme en atteste la Figure 3A pour laquelle une première vue brute 72, c'est-à-dire sans traitement d'image, ne fait apparaitre qu'un fond monotone bruité 74 sans Joconde, et en dessous une deuxième vue 76 censée améliorée en terme de filtrage du bruit par un traitement infographique pour faire apparaître un motif demi-teintes souhaité, ne fait apparaître qu'un fond monotone sans motif observable. En revanche, dans le cas du deuxième mode de réalisation, le motif de demi-teintes obtenu est visible en microscopie optique en champ sombre comme illustré sur la Figure 3B qui représente en haut une première vue brute 82 en champ sombre de la Joconde 84 déjà visible, une deuxième vue améliorée 86, obtenue à partir la première vue brute 82 en champ sombre par un traitement infographique et à la même échelle, ainsi qu'une troisième vue 88 d'un détail agrandie 90 de la deuxième vue améliorée 86. Les deuxième et troisième vues 86, 88 mettent en évidence la qualité de la finesse des contrastes des demi-teintes reproduites du motif reproduit à une échelle réduite. Suivant la Figure 4, une première courbe 102 réprésente l'évolution de la valeur absolue IVsll d'un premier potentiel de surface seuil Vsl en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale Csl lorsque la dispersion colloïdale est une dispersion colloïdale de nanoparticules, identiques à celles des premier et deuxième modes de réalisation, et diluées dans de l'hexane. La première courbe 102 délimite une première zone 104, définie par les couples de points (Cl, IVkfml I) constitués chacun d'une première concentration colloidale Cl et de la valeur absolue d'un premier potentiel de surface IVkfm1I, qui vérifient l'inégalité suivante : IVkfml I k. fi (Cl) (relation (1)) fi désignant la fonction décrivant la première courbe 102 comme ensemble des points ayant pour coordonnées (Csl , Vsl) et vérifiant l'égalité fl (Cs1)= Vsl. Les points de la première zone 104 définissent le domaine de variation des paramètres de fabrication d'un assemblage miniature colloïdale en termes de valeurs absolues de potentiels de surface et de concentration de la dispersion colloïdale qui sont nécessaires et suffisants pour que l'assemblage soit un assemblage miniature de demi-teintes visibles en champ clair. Une deuxième courbe d'évolution 106 représente l'évolution de la valeur absolue IVs21 d'un deuxième potentiel de surface seuil en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale Cs2 lorsque la dispersion colloïdale est une dispersion colloïdale de nanoparticules, identiques à celles des premier et deuxième modes de réalisation, et diluées dans de l'hexane. Une deuxième courbe 106 délimite une deuxième zone 108 définie par les couples de points (C2, IVkfm21) constitués chacun d'une deuxième concentration colloidale C2 et de la valeur absolue d'un deuxième potentiel de surface IVkfm21, qui vérifient la double inégalité suivante : fl(C2)1Vkfm21 k f2(C2) (relation (2)) f2 désignant la fonction décrivant la deuxième courbe 106 comme ensemble des points ayant pour coordonnées (Cs2, Vs2) vérifiant l'égalité f2(Cs2)= Vs2. Les points de la deuxième zone 108 définissent le domaine de variation des paramètres de fabrication d'un assemblage miniature colloïdale en termes de valeurs absolues de potentiels de surface et de concentrations de la dispersion colloïdale qui sont nécessaires et suffisants pour que l'assemblage soit un assemblage miniature en demi-teintes visibles en champ sombre et invisibles en champ clair. Sur la Figure 4 est représentée la plage de variation des potentiels de surface du premier mode de réalisation à la première concentration colloïdale Cl de 1,491013 nanoparticules (NPs)/m1 au travers d'un premier segment 110 dont les ordonnées sur l'axe des valeurs absolues des potentiels de surface varient le long de l'axe depuis la valeur 1Vkfmiminl égale à +130 mV jusqu'à la borne IVkfmlmaxl, égale à +950 mV et non représentée sur la Figure 4. La plage de variation des valeurs absolues des potentiels de surface du deuxième mode de réalisation à la deuxième concentration colloïdale C2 de 1,491013 Nano Particules (NPs)/ml est représentée au travers d'un deuxième segment 112 dont les ordonnées sur l'axe du potentiel de surface varient entre 1Vkfm2minl égal à +30 mV et IVkfm2maxl égal à +130mV. Suivant la Figure 5, une troisième courbe 152 réprésente l'évolution de la valeur absolue IVs3I d'un troisième potentiel de surface seuil Vs3 en fonction de la concentration seuil de la dispersion colloïdale Cs3 lorsque la dispersion colloïdale est une dispersion colloïdale de nanoparticules, identiques à celles du troisième mode de réalisation et du quatrième mode de réalisation en termes de type de nanoparticules et de type de solvant. Dans les troisième et quatrième modes de réalisation, les nanoparticules colloïdales utilisées sont des particules d'argent d'une dispersion commerciale. Les particules d'argent ont un diamètre compris entre 5 et 15 nm, et sont enrobées de dodecanethiol, non chargées, et dispersées dans de l'hexane selon une concentration intiale 9,09*1 013 NPs/ml (c'est-à- dire 0,5mg.m1-1 ). Il est à noter que ces particules aboutissent à un assemblage non-compact, et en aucun cas multicouches. L'effet demi-teinte final sera créé par la variation de la densité et de la forme d'assemblage des nanoparticules sur les sites correspondant aux points d'injection. Il est rappelé ici que la variation de la densité d'assemblage des nanoparticules sur les sites correspondant aux points d'injection est une variation de densité projetée dans le cas d'un assemblage multicouches et une variation de densité surfacique classique dans le cas d'un assemblage monocouche. La troisième courbe 152 délimite une troisième zone 154, définie par les couples de points (C3, IVkfm3I) constitués chacun d'une troisième concentration colloidale C3 et de la valeur absolue d'un troisième potentiel de surface IVkfm3I, qui vérifient l'inégalité suivante : IVkfm3I k f3(C3) (relation (3)) f3 désignant la fonction décrivant la première courbe 152 comme ensemble des points ayant pour coordonnées (Cs3, Vs3) vérifiant l'égalité f1(Cs3)= Vs3. Les points de la première zone 154 définissent le domaine de variation des paramètres de fabrication d'un assemblage miniature colloïdal en termes de valeurs absolues de potentiels de surface et de concentrations de la dispersion colloïdale qui sont nécessaires et suffisants pour que l'assemblage soit un assemblage miniature de demi-teintes visibles en champ clair seulement. Une quatrième courbe d'évolution 156 représente l'évolution la valeur absolue 1Vs41 d'un quatrième potentiel de surface seuil en fonction de la concentration de la dispersion colloïdale Cs4 lorsque la dispersion colloïdale est une dispersion colloïdale de nanoparticules, identiques à celles des troisième et quatrième modes de réalisation. La quatrième courbe 156 délimite une quatrième zone 158 définie par les couples de points (C4, 1Vkfm41) constitués chacun d'une quatrième concentration colloidale C4 et de la valeur absolue d'un quatrième potentiel de surface IVkfm41, qui vérifient l'inégalité suivante : f3(C4)?..jVkfm41 f4(C4) (relation (4)) f4 désignant la fonction décrivant la quatrième courbe 156 comme ensemble des points ayant pour coordonnées (Cs4, Vs4) vérifiant l'égalité f4(Cs4)=. Vs4. Les points de la quatrième zone 158 définissent le domaine de variation des paramètres de fabrication d'un assemblage miniature colloïdal en termes de valeurs de absolues de potentiels de surface et de concentration de la dispersion colloïdale qui sont nécessaires et suffisants pour que l'assemblage soit un assemblage miniature en demi-teintes visibles en champ sombre et invisibles en champ clair. Sur la Figure 5 est représentée la plage de variation des valeurs absolues des potentiels de surface du troisième mode de réalisation à une troisième concentration colloïdale C3 de 9,091 013 nanoparticules (NPs)/ml au travers d'un troisième segment 160 dont les ordonnées sur l'axe des valeurs absolues des potentiels de surface varient depuis la valeur IVkfm3minl, égale à +140 mV, jusqu'à la valeur 1Vkfm3maxl, égal à +1,125V. La plage de variation des valeurs absolues des potentiels de surface du quatrième mode de réalisation à la quatrième concentration colloïdale 04, ici égale à la troisième concentration colloïdale C3, c'est-à-dire 9,09'1013 Nano Particules (NPs)/ml, est représentée au travers d'un quatrième segment 162 dont les ordonnées sur l'axe des valeurs abosolues des potentiels de surface varient entre +30 mV et +140 mV. Suivant le troisième mode de réalisation du procédé général de la Figure 1, les tensions appliquées entre la pointe AFM et le substrat électret varient de -30 V, valeur correspondant à un pixel blanc, à -75 V, valeur correspondant à un pixel noir. Les potentiels de surfaces des points d'injection varient de manière correspondante d'un troisième potentiel de surface inférieur Vkfm3min égal à - 140 mV à un troisième potentiel de surface supérieur Vkfm3max -1,125 V. Après injection des charges, le substrat électret injecté est immergé durant 30 secondes dans un bain de particules d'argent colloïdales de concentration 9,091 013 nanoparticules (NPs)/ml (c'est-à-dire 0.5 mg/ml avant filtration). Ensuite, après le retrait de la dispersion, le substrat est séché par évaporation du solvant à température ambiante. Dans ce cas, le motif de demi-teintes obtenu est visible en champ clair comme illustré sur la Figure 6A qui représente à gauche une première vue brute 252, c'est-à-dire sans traitement d'image, de la Joconde 254 formant le motif, et à droite une deuxième vue 256, améliorée en terme de filtrage du bruit par un traitement infographique. Dans ce cas, le motif de demi-teintes obtenu est également visible en champ sombre comme illustré sur la Figure 6B qui représente à gauche une première vue brute 262 en champ sombre de la même Joconde 266, de meilleure qualité en terme de richesse informationnelle que la première vue brute 252 en champ clair, et à droite une deuxième vue améliorée 268 de la première vue brute 262 en champ sombre par un traitement infographique. Suivant le quatrième mode de réalisation du procédé général de la Figure 1, dérivé du troisième mode de réalisation, les mêmes particules d'argent colloïdales sont utilisées dans une même dispersion d'hexane à une quatrième concentration colloïdale C4, ici identique à la troisième concentration de la dispersion colloïdale, c'est à dire égale à 9,091013 nanoparticules (NPs)/ml. Le quatrième mode de réalisation diffère du troisième mode de réalisation par un quatrième script d'injection dans lequel les tensions d'injection appliquées entre la pointe AFM et le substrat électret varient de - 20V à -30V. Les potentiels de surface des points d'injection varient de manière correspondante d'un quatrième potentiel de surface inférieur Vkfm4min -30mV à un quatrième -140mV. Après injection, le substrat électret est immergé durant 30 secondes dans un bain de particules d'argent colloïdales de quatrième concentration de dispersion colloïdales égale à 9,091013 nanoparticules (NPs)/ml. Après retrait de la dispersion, le substrat est séché par évaporation du solvant à température ambiante. En variante, le motif de demi-teintes obtenu par la mise en oeuvre du quatrième mode de réalisation peut être obtenu en utilisant un script d'injection pour lequel le potentiel de surface varie de -900mV à -1,42 V, et en ajustant la concentration de la dispersion colloïdale à une valeur adaptée inférieure à la troisième concentration C3 de dispersion colloidale, et égale à 9,09'1012 NPs/m1(ou 0.05 mg.m1-1 avant filtration). Au cours de cette variante, après injection le substrat est immergé durant 30 secondes dans un bain de particules d'argent colloïdales de concentration 9,09*1012 NPs/ml. Après retrait de la dispersion, le substrat est séché par évaporation du solvant à température ambiante. Dans tous les cas correspondant au quatrième mode de réalisation, la variante comprise, l'assemblage final des nanoparticules sur chaque point d'injection lorqu'il a lieu n'est pas compact. Dans le cas du quatrième mode de réalisation, le motif de demi-teintes obtenu est invisible en champ clair comme en atteste la Figure 7A pour laquelle une première vue brute 272, c'est-à-dire sans traitement d'image, ne fait apparaitre qu'un fond monotone bruité 274 sans Joconde, et à droite une deuxième vue 276, censée améliorée en terme de filtrage du bruit par un traitement infographique pour faire apparaître un motif demi-teintes souhaité, ne fait apparaître qu'un fond monotone sans motif structuré. En revanche, dans ce cas du quatrième mode de réalisation, le motif de demi-teintes obtenu est visible en champ sombre comme illustré sur la Figure 7B qui représente à gauche une première vue brute 282 en champ sombre de la Joconde 284 déjà visible, et une deuxième vue améliorée 286, obtenue à partir de la première vue brute 282 en champ sombre après un traitement infographique. La deuxième vue 286 met en évidence la qualité de la finesse des contrastes des demi-teintes reproduites du motif reproduit à une échelle réduite. De manière générale et pratique, pour un type de nanoparticules donné, un type de solvant donné et une concentration de dispersion colloïdale fixée, les tensions d'injection sont modulées dans une plage de valeurs de tension d'injection à laquelle correspond de manière monotone une plage de valeurs de potentiels de surface modulants, la borne inférieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection étant choisie pour que la borne inférieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit supérieure ou égale à une première valeur seuil de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle est dépassée que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est au minimum visible par microscopie optique en champ sombre tandis que lorsqu'elle n'est pas dépassée, l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel reste invisible par microscopie optique à champ sombre. Cela permet d'obtenir un motif, riche en demi-teintes et ayant une résolution spatiale élevée, et visible en totalité au moins par microscopie optique en champ sombre. De manière particulière, la borne supérieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne supérieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit inférieure ou égale à une deuxième valeur seuil de valeur absolue de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle n'est pas dépassée par la valeur absolue supérieure que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est visible par microscopie optique en champ sombre et invisible en champ clair tandis que lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est visible par microscopie optique en champ clair. Cela permet d'obtenir un motif riche en demi-teintes et ayant une io résolution spatiale élevée, invisible en totalité par microscopie optique en champ clair et visible en totalité par microscopie optique en champ sombre, c'est-à-dire un motif détectable et dissimulable à un certain degré. Ainsi, ce motif peut être utilisé comme une étiquette d'identification avec un degré de sécurité. 15 De manière plus particulière, la borne inférieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne inférieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit égale à la première valeur seuil de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle 20 est dépassée par des valeurs supérieures que le motif miniature réalisé est au minimum visible par microscopie optique en champ sombre tandis que lorsqu'elle n'est pas dépassée l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel reste invisible par microscopie optique à champ sombre. En même temps, la borne supérieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de 25 valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne supérieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit égale à la deuxième valeur seuil de valeur absolue des potentiels de surface qui garantit lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supérieures que l'assemblage élémentaire de 30 nanoparticules sur le pixel est visible par microscopie optique en champ sombre et invisible en champ clair tandis que lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est visible par microscopie optique en champ clair. Cela permet d'obtenir un motif invisible en totalité par microscopie optique en champ clair et visible en totalité par microscopie optique en champ sombre dont la richesse en demi-teintes a été maximisée sur les plages de tensions possibles pour une concentration de la dispersion colloïdale fixée. Les réalisations d'images demi-teintes par assemblages de nanoparticules telles que décrites ci-dessus permettent ainsi d'obtenir différents niveaux de dissimulation d'informations. A un premier niveau, lorsque le motif de demi-tentes est de petite taille, cela rend sa localisation complexe sur de grandes surfaces dépourvues de repérages. A un deuxième niveau, de l'information peut être cachée au sein du motif par un procédé de cryptographie selon un algorithme prédéterminé. A un troisième niveau, dans le cas d'images de demi-teintes réalisées avec de faibles densités de nano-particules, l'image finale est invisible par microscopie optique en champ clair et la visualisation de ces images nécessite a minima une observation par microscopie optique en champ sombre. Un quatrième niveau concerne l'authentification du motif de demi- teintes dans le cas d'une image de demi-teintes réalisée avec des nanoparticules présentant une propriéte physique spécifique comme par exemple des propriétés de luminescence. Il est possible de procéder alors à une authentification de l'image par vérification de cette propriété. Ces différents niveaux de dissimulation d'information peuvent être combinés sans restriction. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret à partir d'une image de demi-teintes formée d'un agencement bimensionnel de pixels de demi-teintes compris dans un ensemble de demi- teintes allant du clair au sombre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : Générer (4) électroniquement un fichier image de demi-teintes composés de pixels, chaque pixel étant défini par des coordonnées bidimensionnelles et une valeur codante de demi-teinte du pixel qui lui est associé, Convertir (6) le fichier image en un script d'injection, exécutable par un logiciel de commande d'un dispositif d'injection de charges électriques, le script d'injection permettant de reproduire l'image à une échelle réduite en faisant correspondre à chaque pixel un point d'injection de charges électriques sur une surface de réception plane du substrat électret située à un emplacement prédéterminé, le point d'injection étant caractérisé par une tension et un temps d'injection dépendant du niveau de demi-teintes du pixel correspondant selon une fonction monotone de conversion du niveau de demi-teinte en tension et temps d'injection, de sorte qu'une carte du potentiel de surface obtenue après injection des charges en les points d'injection reproduise à une échelle réduite l'image de demi-teintes, Injecter (8) sur la surface plane de réception du substrat électret des charges électriques par un procédé d'injection, adapté au dispositif d'injection et suivant le script d'injection obtenu dans l'étape précédente, ; mettre en contact (10) le substrat électret ayant la surface de réception inscrite par le potentiel de surface suivant le motif souhaité de charges électriques, avec une dispersion colloïdale pendant une durée de mise en contact suffisamment longue et inférieure ou égale à quinze minutes, la dispersion colloïdale comportant des nanoparticules colloïdales neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe ou des nanoparticules chargées, et unmilieu de dispersion, sous la forme d'un solvant liquide ou d'un gaz, dans lequel les nanoparticules colloïdales sont dispersées. .2. Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon la revendication 1, dans lequel le pas d'injection défini comme la distance séparant deux points d'injection immédiatement voisins est choisie de sorte que la taille de l'image miniature est égale à la dimension de l'image exprimée en pixels moins un multipliée par le pas d'injection. 3. Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon l'une quelconque des revendications 1 à 2 dans lequel de l'information est cachée au sein du motif par un procédé de cryptographie selon un algorithme prédéterminé. 4. Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel pour un type de nanoparticules donné, un type de solvant donné, une concentration de dispersion colloïdale fixée, les tensions d'injection sont modulées dans une plage de valeurs de tension d'injection à laquelle correspond de manière monotone une plage de valeurs de potentiels de surface modulants, la borne inférieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection étant choisie pour que la borne inférieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit supérieure ou égale à une première valeur seuil de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est au minimum visible par microscopie optique en champ sombre tandis que lorsqu'elle n'est pas dépassée, l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel reste invisible par microscopie optique en champ sombre. 5. Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon la revendication 4, dans lequel la borne supérieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne supérieure correspondante des valeurs absolues des potentiels desurface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit inférieure ou égale à une deuxième valeur seuil de valeur absolue de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supérieures que l'assemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel réalisé est visible par microscopie optique en champ sombre et invisible en champ clair tandis que lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures l'asemblage élémentaire de nanoparticules sur le pixel est visible par microscopie optique en champ clair. 6. Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon la io revendication 5, dans lequel la borne inférieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne inférieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit égale à la première valeur seuil de potentiel de surface qui garantit lorsqu'elle est 15 dépassée que le motif miniature réalisé est visible par microscopie optique en champ sombre tandis que lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supérieures le motif miniature reste invisible par microscopie optique en champ sombre, et la borne supérieure des valeurs absolues des tensions sur la plage de 20 valeurs des tensions d'injection est choisie pour que la borne supérieure correspondante des valeurs absolues des potentiels de surface de la plage de valeurs de potentiels de surface modulants soit égale à la deuxième valeur seuil de la valeur absolue de potentiel de surface qui garantit que lorsqu'elle n'est pas dépassée par des valeurs supéreures, le motif miniature réalisé est 25 visible par microscopie optique en champ sombre et invisible en champ clair tandis que lorsqu'elle est dépassée par des valeurs supérieures le motif miniature est visible au moins partielellement par microscopie optique en champ clair. 7.- Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon 30 l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les nanoparticules colloïdales possèdent la propriété de convertir un rayonnement dans unspectre proche de l'infrarouge (NIR) en un rayonnement dans un premier spectre du visible. 8.- Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape d'inscription du potentiel électrique de surface sur la surface de réception du substrat électret suivant un motif de charges est réalisé au choix, par un procédé d'inscription séquentielle de charges positives et/ou négatives sur le substrat électret compris dans l'ensemble formé par une inscription de charges électriques par un faisceau d'ions focalisés, une inscription de charges électriques par un faisceau d'électrons focalisés, une inscription de charges électriques par microscopie à force atomique (AFM) et une inscription de charges électriques par électrophotographie, par un procédé d'inscription en parallèle de charges positives et/ou négatives sur le substrat électret compris dans l'ensemble formé par la nano impression électrique et le microcontact électrique. 9.- Procédé de fabrication d'un motif miniature de demi-teintes selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau électret est un matériau compris dans l'ensemble formé par les poly-méthacrylates de méthyle (PMMA), les copolymères d'oléfines 20 cycliques (CoC), les polyéthylènes téré-phtalate (PET), les Polydiméthylsiloxanes (PDMS), les polypropylènes (PP), les polycarbonates (PC), les polystyrènes (PS), les polychlorures de vinyle (PVC), les polytétrafluoroéthylènes (PFTE), le sulfate de triglycine (TGS), le fluorure polyvinylidène (PVDF), le nitrure d silicium (Si3N4), l'oxyde de silicium (SiO2), 25 le composé Si3N4/SiO2/Si (NOS) ; les nanoparticules colloïdales sont des composés stabilisés par eux-mêmes ou par des ligands et/ou des charges, ayant des propriétés physiques comprises dans l'ensemble formé par les propriétés plasmoniques, conductrices, magnétiques, luminescentes, catalytiques, électrochromiques, 30 photochromiques rendus sensiblement neutres et polarisables électriquement, réalisés à partir de nano particules colloïdales de base,les nanoparticules colloïdales de base possédant un coeur solide et le cas échéant une coquille, et étant comprises dans l'ensemble formé par le latex, Si02, Ti02, ZrO2 ; CdS, CdSe, PbSe, GaAs, GaN, InP, In203, ZnS, ZnO, MoS2, Si, C, ITO ,Fe203, Fe304, Co, Fe-Co, Fe3C, Fe5C2, Ni ; Au, Ag, Cu, Pt, et les nanoparticules bi-métalliques ; WO3 ; NaLnF4, les fluorures de lanthanide (LnF3), les oxydes de lanthanides (Ln203), les zirconates, silicates, hydroxydes (Ln(OH)3) et les sulfures d'oxydes dopés ou non avec un ou plusieurs lanthanides différents (Ln désignant un lanthanide), les mélanges de ces composés, et le milieu dispersant des nanoparticules polarisables est au choix un solvant liquide ou un gaz non polarisant, le solvant liquide étant compris dans l'ensemble formé par le pentane, l'iso-pentane, l'hexane, l'heptane, l'octane, le nonane, le décane, le cyclopentane, le cyclohexane, le cycloheptane, le cyclooctane, le cyclohéxène, le benzène, le toluène, le méthylcyclohexane, le xylène, le mésithylène, le chloroforme, le chlorure de méthylène, le tétrachloroéthylène, le gaz dispersant non polarisant étant compris dans l'ensemble formé par le diazote N2, l'argon Ar, et l'air. .10- Motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret 20 correspondant à une image de demi-teintes formé par un agencement bimensionnel de pixels de demi-teintes compris dans un ensemble de demi-teintes allant du clair au sombre, Comprenant un substrat électret, 25 un ensemble de points d'injection disposés sur une surface libre du substrat électret, chaque point d'injection du motif miniature étant défini par des coordonnées bidimensionnelles considérées sur la surface et un niveau de demi-teintes compris dans un ensemble de demi-teintes allant du clair au 30 sombre, les coordonnées bidimensionnelles des points d'injection correspondant respectivement aux coordonnées des pixels de l'image, et lesniveaux de demi-teintes des points d'injection correspondant respectivement aux niveaux de demi-teintes des pixels associés, de façon à reproduie l'image à une échelle réduite, sur chaque point d'injection étant fixé un assemblage colloïdale 5 élémentaire de nanoparticules colloïdales, neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe, piégées sur le substrat au travers de forces diélectrophorétiques, ou un assemblage colloïdale élémentaire de nanoparticules colloïdales chargées piégées sur le substrat au travers de 10 forces éectrophorétiques, l'assemblage élémentaire ayant une forme et ou une densité caractérisant par ses propriétés optiques réfléchissantes ou émettrices un niveau de demi-teinte de manière unique et différente en étant conforme à la fonction de conversion. 15 11. Motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon la revendication 10, dans lequel, lorsque les nanoparticules colloïdales sont neutres ou quasi-neutres électriquement et électriquement polarisables sous l'action d'un champ électrique externe, les assemblages élémentaires des nanoparticules colloïdales sont des assemblages compris dans l'ensemble 20 formé par les assemblages monocouches compacts, les assemblages multicouches compacts, et les assemblages monocouches non compacts. 12.- Motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon l'une quelconque des revendications 10 à 11 dans lequel le matériau électret est un matériau compris dans l'ensemble formé par 25 les poly-méthacrylates de méthyle (PMMA), les copolymères d'oléfines cycliques (CoC), les polyéthylènes téré-phtalate (PET), les Polydiméthylsiloxanes (PDMS), les polypropylènes (PP), les polycarbonates (PC), les polystyrènes (PS), les polychlorures de vinyle (PVC), les polytétrafluoroéthylènes (PFTE), le sulfate de triglycine (TGS), le fluorure 30 polyvinylidène (PVDF), le nitrure d silicium (Si3N4), l'oxyde de silicium (Si02), le composé Si3N4/Si02/Si (NOS) ;les nanoparticules colloïdales sensiblement neutres et polarisables électriquement sont des composés stabilisés par eux-mêmes ou par des ligands et/ou des charges, ayant des propriétés physiques comprises dans l'ensemble formé par les propriétés plasmoniques, conductrices, 5 magnétiques, luminescentes, catalytiques, électrochromiques, photochromiques rendus sensiblement neutres et polarisables électriquement, réalisés à partir de nanoparticules colloïdales de base, les nanoparticules colloïdales de base possédant un coeur solide et le cas échéant une coquille, et étant comprises dans l'ensemble formé par le 10 latex, Si02, Ti02, Zr02 ; CdS, CdSe, PbSe, GaAs, GaN, InP, In203, ZnS, ZnO, MoS2, Si, C, lTO ,Fe203, Fe304, Co, Fe-Co, Fe3C, Fe5C2, Ni ; Au, Ag, Cu, Pt, et les nanoparticules bi-métalliques ; WO3 ; NaLnF4, les fluorures de lanthanide (LnF3), les oxydes de lanthanides (Ln203), les zirconates, silicates, hydroxydes (Ln(OH)3) et les sulfures d'oxydes dopés ou non avec un ou 15 plusieurs lanthanides différents (Ln désignant un lanthanide), les mélanges de ces composés. 13.- Motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon l'une quelconque des revendications 10 à 12 dans lequel les nanoparticules possèdent la propriété de convertir un rayonnement 20 dans un spectre proche de l'infrarouge (NIR) en un rayonnement dans un premier spectre du visible. 14.- Motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon l'une quelconque des revendications 10 à 13 configure en termes de forme et densité pour être visible par microscopie optique en champ sombre et invisible 25 par microscopie optique en champ clair. 15.- Motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret selon l'une quelconque des revendications 10 à 14 dans lequel le nombre de demi-teintes est supérieur ou égal à 10, de préférence supérieur ou égal à 20, et la résolution des points d'impression est inférieure ou égale à 30nm, de 30 préférence inférieure ou égale à 20 nm.16.- Etiquette de marquage anti-contrefaçon et de traçabililité comprenant un motif miniature de demi-teintes sur un substrat électret défini selon l'une quelconque des revendications 10 à 15 ou obtenue par le procédé définie selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.