Brevet FR3022562A1 — publié le 20151225

PROCEDE DE PASSIVATION ET PROCEDE DE COLLAGE DIRECT DE COUCHES DE TUNGSTENE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un procédé de passivation d'une couche de tungstène, et plus particulièrement un procédé de passivation d'une couche de tungstène formée par dépôt physique en phase vapeur (PVD, « Physical Vapor Deposition »). La présente invention concerne en outre un procédé de collage direct conducteur électrique de couches de tungstène. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Le cuivre est couramment utilisé comme matériau de formation des interconnexions. Toutefois, la résistivité du cuivre augmente de façon significative pour les films minces et les interconnexions fines. La conductivité du tungstène est alors supérieure à celle du cuivre. Le tungstène présente en outre d'autres avantages par rapport au cuivre. Un avantage réside dans le fait que le tungstène est moins contaminant que le cuivre. Un autre avantage est lié au fait que le tungstène présente une température de fusion plus de deux fois supérieure à celle du cuivre (3695 K pour le tungstène contre 1358 K pour le cuivre). Il en résulte que le tungstène présente une meilleure tenue à haute température que le cuivre, ce qui est particulièrement avantageux pour certaines applications comme les applications de puissance. Il en résulte en outre que le tungstène est moins sensible à l'électro-migration que le cuivre. Par ailleurs, les technologies basées sur l'empilement de puces ou de circuits sur plusieurs niveaux, couramment désignées par l'appellation « intégration 3D », permettent d'augmenter la densité d'intégration des composants et de réduire les longueurs des interconnexions. 3022562 2 Les technologies d'intégration 3D requièrent l'utilisation de procédés d'assemblage (ou de collage) pour former les différents niveaux. Les différentes étapes d'assemblage peuvent chacune correspondre à un assemblage de deux plaquettes semiconductrices (ou substrats semiconducteurs), ou à un assemblage d'une puce et 5 d'une plaquette, ou à un assemblage de deux puces. Le report d'une couche semiconductrice ou d'une puce sur un étage précédent peut requérir en outre l'utilisation de procédés d'amincissement tels que les procédés de type Smart CutTM En outre, les technologies d'intégration 3D requièrent la formation d'interconnexions entre les différents niveaux. Ces interconnexions sont couramment 10 réalisées par des vias remplis de matériau conducteur, couramment désignés par l'acronyme d'origine anglo-saxonne TSV (« Through Silicon Via »), traversant les différents étages de semiconducteur. On cherche à utiliser du tungstène en tant que matériau composant les couches de collage et en tant que matériau assurant la conduction verticale entre les 15 différents niveaux. On cherche notamment à réaliser un collage direct de deux couches de tungstène, c'est-à-dire sans apport de matière entre les surfaces à coller. Pour cela, une solution consiste à réaliser un collage direct de deux couches de tungstène formées par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, « Chemical Vapor Deposition »). 20 Un inconvénient d'un tel procédé réside dans le fait qu'il requiert la formation d'une sous-couche d'accroche (« seed layer » en anglais) pour la germination pour former la couche de tungstène par dépôt CVD. Cette sous-couche d'accroche, couramment en TiN, entraîne une réduction de la conductivité de l'ensemble formé par la sous-couche d'accroche et la couche de tungstène. 25 Un autre inconvénient d'un tel procédé réside dans le fait que l'énergie de collage est faible à température ambiante. Un autre inconvénient d'un tel procédé réside dans le fait que la formation d'une couche de tungstène par dépôt CVD est réalisée à une température supérieure à 400 °C et requiert une densification à une température de l'ordre de 600 °C 3022562 3 de la couche de tungstène formée. Un tel procédé peut donc difficilement être utilisé pour le collage de substrats comportant des composants avant le collage. Une autre solution consiste à former les couches de tungstène par un procédé de type PVD. 5 Les procédés de dépôt PVD de tungstène présentent plusieurs avantages par rapport aux procédés de dépôt CVD. Un avantage réside dans le fait que la pureté d'une couche de tungstène formée par dépôt PVD est supérieure à celle d'une couche de tungstène formée par dépôt CVD. 10 Un autre avantage réside dans le fait qu'un dépôt PVD de tungstène peut être effectué à température ambiante ou à basse température, ce qui n'est pas le cas d'un dépôt CVD. Un autre avantage réside dans le fait qu'un dépôt PVD de tungstène ne requiert pas de formation préalable d'une sous-couche d'accroche. Il en résulte une 15 meilleure conductivité d'une couche de collage en tungstène formée par PVD par rapport à une couche de collage formée par CVD. Toutefois, les procédés de collage direct connus à température ambiante et pression atmosphérique de couches de tungstène formées par dépôt PVD ne permettent pas d'obtenir des énergies de collage suffisamment élevées. 20 En outre, des défauts apparaissent lors de traitements thermiques ultérieurs de l'assemblage, notamment pour des températures de l'ordre de 300 °C à 500 °C, ce qui correspond aux gammes de température couramment utilisées lors de la fracture d'un procédé de type Smart CutTM Ces problèmes de défectivité et d'énergie de collage sont attribués à la 25 présence d'un oxyde de tungstène instable à l'interface de collage. Lors du collage, ce sont deux couches d'oxyde de tungstène qui sont mises en contact, et non pas deux couches de tungstène. L'oxyde de tungstène instable présent à l'interface de collage peut avoir été formé au cours d'un procédé de polissage mécano-chimique de type CMP (« Chemical-Mechanical Polishing ») réalisé avant la mise en contact des couches de 3022562 4 tungstène pour réduire leur rugosité de surface. L'oxyde de tungstène peut également avoir été formé par oxydation thermique ou encore par oxydation à température ambiante, par exemple par exposition à l'air, de l'une et/ou de l'autre des couches de tungstène. Dans tous les cas, il se forme une couche d'oxyde de tungstène natif instable 5 sur chaque couche de tungstène lorsque les plaquettes sont exposées à l'air ambiant avant et pendant le collage. Comme l'illustre le diagramme de phase représenté sur la figure 1, la stoechiométrie de l'oxyde de tungstène est complexe. Il peut exister sous de nombreuses phases plus ou moins stables aux propriétés très différentes les unes des autres. En 10 particulier, il existe des changements de phase de l'oxyde de tungstène selon la phase initiale pour des températures comprises dans la gamme de températures couramment utilisées pour les traitements thermiques de recuit après collage, ces changements de phase étant accompagnés de changements de volume. Un oxyde de tungstène formé au cours d'un procédé de CMP, par exemple dans des conditions de pH acide, peut être 15 constitué d'un mélange instable de W02 et W03. Une autre solution pour réaliser un collage direct de deux couches de tungstène consiste à utiliser un procédé de collage sous vide poussé couramment désigné dans la technique par l'acronyme d'origine anglo-saxonne SAB (« Surface Activated Bonding »). Un tel procédé consiste à bombarder sous vide poussé les surfaces à coller, 20 par exemple par des ions argon. Le bombardement ionique entraîne une érosion des surfaces et peut, pour des couches de faible épaisseur (de l'ordre de 10 nm), dégrader les propriétés de conduction du tungstène du fait de l'amorphisation engendrée. Les surfaces sont ensuite collées, toujours sous vide poussé. Un inconvénient d'un tel procédé réside dans le fait qu'il est coûteux et 25 long à mettre en oeuvre. En outre, il requiert un contrôle de la contamination particulaire. De plus, il est difficile de détacher ultérieurement les deux couches de tungstène, ce qui rend difficile le recyclage des structures assemblées en cas de défauts. Il se pose donc le problème de prévoir un procédé de collage direct de couches de tungstène permettant d'obtenir une énergie de collage accrue et une 30 défectivité réduite. 3022562 5 Il se pose également le problème de prévoir un procédé de collage direct de couches de tungstène, les couches de collage présentant une résistivité réduite. Il se pose en outre le problème de prévoir un procédé de collage direct de couches de tungstène simple à mettre en oeuvre et peu coûteux. 5 EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention vise notamment à résoudre ces problèmes. La présente invention concerne d'abord un procédé de formation et de passivation d'une couche de tungstène, comprenant les étapes suivantes réalisées successivement : 10 a) déposer par dépôt PVD une couche de tungstène sur un substrat ; et b) déposer par dépôt PVD une couche d'oxyde de tungstène de passivation sur la couche de tungstène, par pulvérisation réactive sous un plasma contenant du dioxygène, la couche d'oxyde de tungstène telle que déposée étant amorphe et présentant une résistivité comprise entre 5.10-2 et 5.10-3 Q.cm, le substrat 15 étant maintenu sous atmosphère inerte entre l'étape a) et l'étape b). Par atmosphère inerte, on entend une atmosphère qui n'interagit pas avec la couche de tungstène, que ce soit pour l'oxyder ou la réduire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape a) de dépôt de la couche de tungstène et l'étape b) de dépôt de la couche d'oxyde de 20 tungstène de passivation sont réalisées dans le même équipement de dépôt PVD sans remise à l'air. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape b), du dioxygène est introduit dans le plasma utilisé pour le dépôt de la couche de tungstène lors de l'étape a). Un tel procédé est couramment désigné par l'appellation anglo-saxonne 25 de « reactive sputtering ». Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape b), le plasma contient de l'argon et du dioxygène. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape b), le débit équivalent de dioxygène dans le plasma est compris entre 5 et 20 %. 3022562 6 Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape b), le débit d'argon dans le plasma est adapté pour que le débit équivalent de dioxygène dans le plasma reste compris entre 5 et 20 %. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche 5 d'oxyde de tungstène déposée lors de l'étape b) présente une composition chimique « non stoechiométrique », intermédiaire entre celle de l'oxyde de tungstène de composition WO3et celle de l'oxyde de tungstène de composition W04. L'épaisseur de la couche d'oxyde de tungstène déposée lors de l'étape b) peut être comprise entre 0,5 et 20 nm. 10 Lors de l'étape b), le dépôt de la couche d'oxyde de tungstène peut être réalisé par pulvérisation réactive en mode RF. Ceci permet d'éviter d'empoisonner la cible de tungstène pendant le dépôt. La présente invention concerne en outre un procédé de collage direct d'un premier substrat et d'un second substrat, comprenant les étapes suivantes : 15 a') pour le premier et le second substrats, former une couche de tungstène recouverte d'une couche d'oxyde de tungstène de passivation par un procédé du type de celui décrit ci-dessus ; et b') mettre en contact la couche d'oxyde de tungstène de passivation du premier substrat avec la couche d'oxyde de tungstène de passivation du second substrat. 20 Par collage direct, on entend la mise en contact de deux surfaces suffisamment lisses et propres pour créer une adhérence entre elles, sans apport de matière adhésive entre les deux surfaces. Le collage direct est une technique d'assemblage qui peut être réalisée à température ambiante et à pression atmosphérique. 25 La séparation des substrats par traction (premier mode de sollicitation mécanique) requiert alors une certaine énergie, appelée énergie de collage. Le terme substrat peut désigner aussi bien une plaquette (wafer) qu'une puce. Un procédé de collage direct tel que celui décrit ci-dessus peut s'appliquer non seulement à un collage direct entre deux substrats mais également à un collage direct 30 entre un substrat et une puce ou à un collage direct entre deux puces. 3022562 7 Un avantage d'un procédé de collage direct du type de celui décrit ci-dessus réside dans le fait qu'il permet d'obtenir une énergie de collage accrue. L'énergie de collage obtenue par un tel procédé est environ trois fois supérieure à celle obtenue par un procédé n'utilisant pas d'étape de passivation des couches de tungstène après leur 5 formation par dépôt PVD et avant le collage. Un autre avantage d'un tel procédé de collage direct réside dans le fait qu'il permet d'obtenir une défectivité réduite. Un tel procédé permet d'éviter l'apparition de défauts de collage lors d'un (ou d') éventuel(s) traitement(s) thermique(s) après l'étape b') de mise en contact. Par défauts de collage, on entend des défauts non 10 détectables par microscopie acoustique en utilisant une tête de mesure émettant des ondes acoustiques à une fréquence inférieure à environ 30 MHz, ce qui correspond à une résolution latérale de l'ordre de 10 um. La technique de microscopie acoustique est couramment désignée par l'acronyme d'origine anglo-saxonne SAM (« Scanning Acoustic Microscopy »). 15 Un autre avantage d'un tel procédé réside dans le fait que les dépôts des couches de tungstène et d'oxyde de tungstène peuvent être effectués à température ambiante. Un tel procédé peut donc être utilisé pour l'assemblage de substrats présentant déjà des composants et/ou ayant déjà subi une implantation ionique, par exemple en vue d'un transfert par un procédé de type Smart CutTM 20 Un autre avantage d'un tel procédé réside dans le fait que la formation des couches de tungstène par dépôt PVD ne requiert pas de formation préalable de couches d'accroche. Un autre avantage d'un tel procédé réside dans le fait qu'il permet d'obtenir une conductivité accrue pour les couches de collage formées de tungstène et 25 d'oxyde de tungstène. Un autre avantage d'un tel procédé réside dans le fait que l'oxyde de tungstène formé est stable pour des températures comprises entre la température ambiante et 1000 °C. Un tel procédé peut donc être utilisé pour former des dispositifs destinés à des applications de puissance. 3022562 8 Un autre avantage d'un tel procédé réside dans le fait qu'il est rapide et peu coûteux à mettre en oeuvre. En effet, la passivation de la couche de tungstène est réalisée dans le même équipement de dépôt PVD que le dépôt de la couche de tungstène, juste après le dépôt de la couche de tungstène. 5 Le procédé de collage direct décrit ci-dessus peut comprendre en outre une étape c') de traitement thermique de recuit après l'étape b') de mise en contact. Le traitement thermique peut être effectué à une température comprise entre environ 200 °C et la température de fusion la plus faible des matériaux en présence (par exemple environ 1400 °C pour le silicium), préférentiellement comprise entre environ 200 et 10 500 °C. Un tel traitement thermique de recuit après collage permet d'augmenter l'énergie de collage entre les premier et second substrats. Il permet en outre d'augmenter la conductivité verticale de l'assemblage. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape a'), on dépose une couche de tungstène sous la phase a . 15 Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape a'), on dépose une couche de tungstène comprenant au moins en partie du tungstène sous la phase (3 ; et lors de l'étape c'), le traitement thermique est effectué à une température supérieure à environ 100 °C afin de transformer le tungstène sous la phase 0 en tungstène sous la phase a. 20 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description suivante et en référence aux dessins annexés, donnés à titre uniquement illustratif et nullement limitatifs. La figure 1 est un diagramme de phase de l'oxyde de tungstène. 25 La figure 2 est un diagramme représentant des étapes successives d'un procédé de collage direct de couches de tungstène selon l'invention. Les figures 3A et 3B illustrent des résultats de mesures de défectivité par microscopie acoustique, après collage et après des traitements thermiques successifs, 3022562 9 pour des débits équivalents de dioxygène de 0 %, 15 % et 25 % lors de l'étape de dépôt de la couche d'oxyde de tungstène de passivation. La figure 4 représente des résultats de mesure de l'énergie de collage par insertion de lame en fonction de la température de traitement thermique de recuit 5 après collage, pour des débits équivalents de dioxygène de 0 %, 15 % et 25 % lors de l'étape de dépôt de la couche d'oxyde de tungstène de passivation. La figure 5 est une vue en coupe représentant de façon schématique un assemblage de deux substrats obtenu par un procédé de collage direct de couches de tungstène selon l'invention, des vias traversants assurant les connexions verticales entre 10 les deux substrats. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Les inventeurs proposent de réaliser une passivation in-situ d'une 15 couche de tungstène formée par dépôt physique en phase vapeur (PVD, « Physical Vapor Deposition »). Ils proposent de former une couche de tungstène par dépôt PVD sur un substrat, puis, dans le même équipement de dépôt PVD et en maintenant le substrat sous vide secondaire, de former par pulvérisation réactive une couche d'oxyde de tungstène WOx de stoechiométrie contrôlée, stable en température, sur la couche de tungstène. 20 La figure 2 est un diagramme représentant des étapes successives d'un procédé de formation et de passivation d'une couche de tungstène par dépôt PVD. On dépose sur un substrat, par exemple en silicium, une couche de tungstène par dépôt PVD, par exemple par pulvérisation (étape S1, « DEP W »). Le dépôt de tungstène est effectué dans une chambre de pulvérisation 25 d'un équipement de dépôt PVD, sous vide, par exemple sous un vide secondaire poussé à 10-7 Torr. Le gaz inerte utilisé dans le plasma de gaz de travail est par exemple de l'argon. Eventuellement, le gaz inerte peut être du xénon. La cible est une cible de tungstène. 3022562 10 Le dépôt de la couche de tungstène peut être effectué en mode continu (DC) ou en mode alternatif (RF). L'épaisseur de la couche de tungstène déposée est par exemple comprise entre 2 et 50 nm. 5 De préférence, la couche de tungstène est déposée sous la phase a. Selon une alternative, elle peut comprendre du tungstène sous la phase 0; dans ce cas, on prévoira avantageusement un traitement thermique ultérieur de façon à transformer le tungstène sous la phase 0 en tungstène sous la phase a. Ce traitement thermique sera par exemple réalisé à une température supérieure à environ 100 °C. 10 A titre d'exemple d'ordre de grandeur de conditions de dépôt pour le dépôt de la couche de tungstène : - la température est comprise entre 20 et 400 °C ; - la pression partielle d'argon est comprise entre 0,1 et 100 mTorr (1 Torr correspond à 133,322 Pa) ; 15 - la puissance est comprise entre 10 et 5000 W ; - la différence de potentiel appliquée (tension de polarisation) entre l'anode et la cathode de l'équipement de dépôt est comprise entre -200 V et 200 V. Selon un exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche de tungstène déposée est de l'ordre de 10 nm et les conditions de dépôt de la couche de tungstène 20 sont les suivantes : - la température est de l'ordre de 30 °C ; - la pression partielle d'argon est de l'ordre de 1 mTorr ; - la puissance est de l'ordre de 50 W ; - l'anode et la cathode sont au même potentiel. 25 On dépose ensuite une couche d'oxyde de tungstène de stoechiométrie contrôlée sur la couche de tungstène dans le même équipement de dépôt PVD, par pulvérisation réactive (étape S2, « DEP WOx »). Le dépôt de la couche d'oxyde de tungstène est réalisé juste après le dépôt de la couche de tungstène, par exemple sans sortir le substrat de l'équipement et 30 en maintenant le substrat sous vide secondaire. Selon une variante, on peut sortir le 3022562 11 substrat de l'équipement entre l'étape de dépôt de la couche de tungstène et l'étape de dépôt de la couche d'oxyde de tungstène, tout en maintenant le substrat sous atmosphère inerte (ni oxydante, ni réductrice) entre ces deux étapes. Le gaz inerte utilisé dans le plasma de gaz de travail est par exemple de 5 l'argon. Eventuellement, le gaz inerte peut être du xénon. Le gaz réactif est du dioxygène. La cible est une cible de tungstène Avantageusement, le dépôt de la couche d'oxyde de tungstène est réalisé dans la même chambre de pulvérisation de l'équipement de dépôt PVD que celle utilisée pour le dépôt de la couche de tungstène. Dans ce cas, du dioxygène peut être 10 incorporé dans le plasma de gaz de travail utilisé pour déposer la couche de tungstène en ouvrant une vanne d'arrivée de dioxygène pour alimenter le plasma de gaz de travail en dioxygène. Le contrôle de la pression partielle de dioxygène dans le plasma permet de former une couche d'oxyde de tungstène WOx de stoechiométrie contrôlée, stable en 15 température, sur la couche de tungstène. Une telle couche d'oxyde de tungstène forme une couche de passivation pour la couche de tungstène sous-jacente. La stoechiométrie obtenue pour la couche d'oxyde de tungstène dépendra notamment de la pression partielle de dioxygène. Le fait de former une couche d'oxyde de tungstène de passivation sur la 20 couche de tungstène juste après avoir formé la couche de tungstène, en maintenant le substrat sous atmosphère inerte, par exemple dans le même équipement sous vide, permet de ne pas exposer la couche de tungstène à l'air et donc d'éviter qu'il ne se forme une couche d'oxyde de tungstène natif instable sur la couche de tungstène. La pression partielle de dioxygène dans le plasma sera par exemple 25 choisie de façon à déposer une couche d'oxyde de tungstène amorphe de résistivité comprise entre environ 5.10-2 et 5.10-3 acm, par exemple de l'ordre de 5,1.10-3 acm. Cela correspond à une couche d'oxyde de tungstène de densité comprise entre environ 6,7 et 6 g.cm-1. Le débit équivalent de dioxygène dans le plasma de gaz de travail, dans 30 le cas où le plasma de gaz de travail contient de l'argon comme gaz inerte et du dioxygène 3022562 12 comme gaz réactif, est défini par la relation suivante : % 02 = D(02)/(D(02)+D(Ar)), D(02) et D(Ar) désignant respectivement les débits de dioxygène et d'argon. Le dioxygène est par exemple incorporé dans le plasma selon un débit équivalent compris entre 5 et 20 %. 5 On forme par exemple une couche d'oxyde de tungstène de composition chimique W03, avec 0 REVENDICATIONS1. Procédé de formation et de passivation d'une couche de tungstène, comprenant les étapes suivantes réalisées successivement : a) déposer (S1) par dépôt PVD une couche de tungstène sur un substrat ; et b) déposer (S2) par dépôt PVD une couche d'oxyde de tungstène de passivation sur la couche de tungstène, par pulvérisation réactive sous un plasma contenant du dioxygène, la couche d'oxyde de tungstène telle que déposée étant amorphe et présentant une résistivité comprise entre 5.10-2 et 5.10-3 0.cm, le substrat étant maintenu sous atmosphère inerte entre l'étape a) et l'étape b). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a) de dépôt de la couche de tungstène et l'étape b) de dépôt de la couche d'oxyde de tungstène de passivation sont réalisées dans le même équipement de dépôt PVD sans remise à l'air. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, lors de l'étape b), du dioxygène est introduit dans le plasma utilisé pour le dépôt de la couche de tungstène lors de l'étape a). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel, lors de l'étape b), le plasma contient de l'argon et du dioxygène. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel, lors de l'étape b), le débit équivalent de dioxygène dans le plasma est compris entre 5 et 20 %. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche d'oxyde de tungstène déposée lors de l'étape b) présente une composition chimique intermédiaire entre celle de l'oxyde de tungstène de composition WO3 et celle de l'oxyde de tungstène de composition W04. 3022562 21 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur de la couche d'oxyde de tungstène déposée lors de l'étape b) est comprise entre 0,5 et 20 nm. 5 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel, lors de l'étape b), le dépôt de la couche d'oxyde de tungstène est réalisé par pulvérisation réactive en mode RF. 10 9. Procédé de collage direct d'un premier substrat et d'un second substrat, comprenant les étapes suivantes : a') pour le premier et le second substrats, former une couche de tungstène recouverte d'une couche d'oxyde de tungstène de passivation par un procédé selon l'une des revendications 1 à 8 ; et 15 b') mettre en contact (S3) la couche d'oxyde de tungstène de passivation du premier substrat avec la couche d'oxyde de tungstène de passivation du second substrat. 10. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre une étape c') 20 de traitement thermique après l'étape b') de mise en contact, afin d'augmenter l'énergie de collage entre les premier et second substrats. 11. Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel, lors de l'étape a'), on dépose une couche de tungstène sous la phase a. 25 12. Procédé selon la revendication 10, dans lequel : lors de l'étape a'), on dépose une couche de tungstène comprenant au moins en partie du tungstène sous la phase 0 ; 3022562 22 et lors de l'étape c'), le traitement thermique est effectué à une température supérieure à environ 100 °C afin de transformer le tungstène sous la phase 0 en tungstène sous la phase a.