Brevet FR3017557A1 — publié le 20150821

PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES DE POLISSAGE MECANOCHIMIQUE La présente invention concerne en général le domaine de fabrication de couches de polissage. La présente invention concerne en particulier un procédé de fabrication de couches de polissage pour une utilisation dans des feutres de polissage mécano-chimique. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur ou retirées d'une surface d'une galette semi-conductrice. De minces couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs, et diélectriques peuvent être déposées par de nombreuses techniques de dépôt. Les techniques de dépôt classiques dans un procédé moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu comme pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur promu par plasma (PECVD), et le placage électrochimique (ECP). Lorsque des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface la plus haute de la galette devient non-plane. Puisque un traitement subséquent du semi-conducteur (par exemple métallisation) exige que la galette présente une surface plane, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour éliminer une topographie de surface et des défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, une détérioration du réseau cristallin, des égratignures, et des couches ou des matériaux pollués. La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano-chimique (CMP), est une technique classique utilisée pour planariser des substrats, tels que des galettes semi-conductrices. Dans un CMP classique, une galette est fixée sur un assemblage de support et mise en contact avec un feutre de polissage dans un appareil CMP. L'assemblage de support fournit une pression réglable à la galette, la comprimant contre le feutre de polissage. Le feutre est déplacé (par exemple mis en rotation) par rapport à la galette par une force de commande externe. Simultanément avec ceci, une composition chimique ("suspension") ou une autre solution de polissage est fournie entre la galette et le feutre de polissage. 301 7 5 5 7 2 La surface de la galette est ainsi polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la surface du feutre et de la suspension. Reinhardt et al., brevet U.S. 5 578 362 décrit des exemples de couches de polissage connues dans la technique. Les couches de polissage 5 de Reinhardt comprennent une matrice polymère présentant des microsphères creuses avec une enveloppe thermoplastique dispersées à travers celle-ci. Les microsphères creuses sont en général combinées et mélangées avec un matériau polymère liquide et transférées dans un moule pour durcissement. Des réglages stricts du procédé sont classique-10 ment exigés pour faciliter la production de couches de polissage consistantes de lot à lot, jour à jour, et saison à saison. Malgré la mise en place des réglages stricts du procédé, les techniques de traitement classiques résultent néanmoins en une variation non souhaitée (par exemple taille de pore et distribution de pore) dans 15 des couches de polissage produites lot à lot, jour à jour, et saison à saison. Il existe par conséquent un besoin continu de techniques améliorées de fabrication de couches de polissage pour améliorer la consistance du produit, en particulier les pores. La présente invention fournit un procédé de fabrication d'une 20 couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semiconducteur, comprenant : fournir un matériau prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses ; exposer la pluralité de microsphères creuses à une atmosphère de dioxyde de carbone sur une 25 durée d'exposition > 3 heures pour former une pluralité de microsphères creuses traitées ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la pluralité de microsphères creuses traitées pour former un mélange durcissable ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau durci, dans lequel on laisse la réaction débuter 24 heures après la 30 formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci ; dans lequel la au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. La présente invention fournit un procédé de fabrication d'une 35 couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat 301 7 5 5 7 3 semiconducteur, comprenant : fournir un matériau prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses, dans lequel chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe polymère d'acrylonitrile ; exposer la pluralité de 5 microsphères creuses à une atmosphère de dioxyde de carbone sur une durée d'exposition > 3 heures pour former une pluralité de microsphères creuses traitées ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la pluralité de microsphères creuses traitées pour former un mélange durcissable ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau 10 durci, dans lequel on laisse la réaction débuter .5_ 24 heures après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci ; dans lequel la au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. 15 La présente invention fournit un procédé de fabrication d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semiconducteur, comprenant : fournir un matériau prépolymère liquide, dans lequel le matériau prépolymère liquide réagit pour former un 20 (polyuréthane) ; fournir une pluralité de microsphères creuses, dans laquelle chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile et où l'enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile encapsule un isobutane ; 25 exposer la pluralité de microsphères creuses à une atmosphère de dioxyde de carbone par fluidisation de la pluralité de microsphères creuses en utilisant un gaz sur une durée d'exposition ?_ 5 heures pour former une pluralité de microsphères creuses traitées ; où le gaz est > 30 % en volume de CO2 ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la 30 pluralité de microsphères creuses traitées pour former un mélange durcissable ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau durci, dans lequel on laisse la réaction débuter 5._ 24 heures après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci ; dans lequel la 35 au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. 301 7 5 5 7 4 La présente invention fournit un procédé de fabrication d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semiconducteur, comprenant : fournir un moule ; fournir un matériau 5 prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses ; exposer la pluralité de microsphères creuses à une atmosphère de dioxyde de carbone sur une durée d'exposition > 3 heures pour former une pluralité de microsphères creuses traitées ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la pluralité de microsphères creuses traitées pour 10 former un mélange durcissable ; transférer le mélange durcissable dans le moule ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau durci, dans lequel on laisse la réaction débuter 5. 24 heures après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; dans lequel le mélange durcissable réagit pour former le matériau durci dans le moule ; 15 et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci ; dans lequel la au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comprend de plus : fendre le matériau durci pour former la au moins une couche de 20 polissage. Selon un autre mode de réalisation particulier, la au moins une couche de polissage est une pluralité de couches de polissage. La présente invention fournit un procédé de fabrication d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un 25 substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semiconducteur, comprenant : fournir un moule ; fournir un matériau prépolymère liquide, dans lequel le matériau prépolymère liquide réagit pour former un (polyuréthane) ; fournir une pluralité de microsphères creuses, dans laquelle chaque microsphère creuse dans la pluralité de 30 microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/ polyacrylonitrile et dans lequel l'enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile encapsule un isobutane ; exposer la pluralité de microsphères creuses à une atmosphère de dioxyde de carbone par fluidisation de la pluralité de 35 microsphères creuses en utilisant un gaz sur une durée d'exposition 5 heures pour former une pluralité de microsphères creuses traitées, dans 3 0 1 7 5 5 7 5 lequel le gaz est __ 30 % ?_, et de préférence 98 %, en volume de CO2 ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la pluralité de microsphères creuses traitées pour former un mélange durcissable ; transférer le mélange durcissable dans le moule ; laisser le mélange 5 durcissable réagir pour former un matériau durci, dans lequel on laisse la réaction débuter 5_ 24 heures après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; dans lequel le mélange durcissable est soumis à la réaction pour former le matériau durci dans le moule ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci par 10 fendage du matériau durci pour former la au moins une couche de polissage ; dans lequel la au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat, dans lequel la au moins une couche de polissage est de préférence une pluralité de couches de polissage. Selon un mode de réalisation particulier, on laisse la 15 réaction débuter 5_ 1 heure après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 La figure 1 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'élévation de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec de l'azote sur une durée d'exposition de huit heures. La figure 2 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'élévation de la température d'une pluralité de microsphères creuses 25 traitées avec CO2 sur une durée d'exposition de trois heures. La figure 3 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'abaissement de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec de l'azote sur une durée d'exposition de huit heures. La figure 4 est un graphique de la courbe de C90 en fonction 30 de l'abaissement de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec CO2 sur une durée d'exposition de trois heures. La figure 5 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'élévation de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec CO2 sur une durée d'exposition de cinq heures. 35 DESCRIPTION DETAILLEE On a trouvé de manière surprenante que la sensibilité de la taille de pore dans des couches de polissage par rapport aux conditions du procédé peut être significativement réduite par traitement d'une pluralité de microsphères avant qu'elle soit combinée avec un matériau prépolymère liquide pour former un mélange durcissable à partir duquel des couches de polissage sont ensuite formées. On a spécifiquement trouvé qu'en traitant la pluralité de microsphères creuses comme décrit ici, des variations plus larges de la température de procédé peuvent être tolérées dans un lot (par exemple à l'intérieur d'un moule), de lot à lot, de jour à jour, et de saison à saison, tout en continuant à produire des couches de polissage présentant une taille de pore, un comptage de pore, et une densité spécifique consistantes. La consistance de la taille de pore et du comptage de pore est particulièrement critique dans des couches de polissage incorporant la pluralité de microsphères creuses, où les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses présentent chacune une enveloppe polymère thermiquement expansible. C'est-à-dire que la densité spécifique de la couche de polissage produite en utilisant la même charge (c'est-à-dire, % en masse ou comptage) de microsphères creuses incluses dans le matériau durcissable variera selon la taille réelle (c'est-à-dire le diamètre) des microsphères creuses lors du durcissement du matériau durcissable. Le terme "poly(uréthane)" comme utilisé ici et dans les revendications annexées englobe (a) des polyuréthanes formés par la réaction de (i) isocyanates et de (ii) polyols (comprenant des diols) ; et, du (b) poly(uréthane) formé par la réaction de (i) isocyanates avec des (ii) polyols (comprenant des diols) et (iii) de l'eau, des amines ou une combinaison d'eau et d'amines. Le terme "point de gel" comme utilisé ici et dans les reven- dications annexées en faisant référence à un mélange durcissable indique le moment dans le procédé de durcissement où le mélange durcissable exhibe une viscosité infinie à cisaillement stabilisé et un module d'équilibre zéro. Le terme "température de durcissement dans le moule" comme utilisé ici et dans les revendications annexées fait référence à la température présentée par le mélange durcissable pendant la réaction pour former le matériau durci. Le terme "température maximale de durcissement dans le moule" comme utilisé ici dans les revendications annexées fait 5 référence à la température maximale présentée par le mélange durcissable pendant la réaction pour former le matériau durci. Le terme "durée de gel" comme utilisé ici et dans les revendications annexées faisant référence à un mélange durcissable indique la durée totale de durcissement pour ce mélange comme déterminé en 10 utilisant un procédé de test standard selon ASTM D3795-00a (réapprouvé en 2006) (Standard Test Method for Thermal Flow, Cure, and Behavior Properties of Pourable Thermosetting Materials by Torque Rheometer). Le matériau prépolymère liquide réagit de préférence (c'est-à-dire durcit) pour former un matériau choisi parmi un poly(uréthane), une 15 polysulfone, une polyéther sulfone, un nylon, un polyéther, un polyester, un polystyrène, un polymère acrylique, une polyurée, un polyamide, un poly(chlorure de vinyle), un poly(fluorure de vinyle), un polyéthylène, un polypropylène, un polybutadiène, une polyéthylène imine, un polyacrylonitrile, un poly(oxyde d'éthylène), une polyoléfine, un 20 poly(acrylate d'alkyle), un poly(méthacrylate d'alkyle), un polyamide, un polyéther imide, une polycétone, une époxy, un silicone, un polymère formé à partir de monomère d'éthylène propylène diène, une protéine, un polysaccharide, un polyacétate et une combinaison d'au moins deux des précédents. Le matériau prépolymère liquide réagit de préférence pour 25 former un matériau comprenant un poly(uréthane). Le matériau prépolymère liquide réagit encore mieux pour former un matériau comprenant un polyuréthane. Le matériau prépolymère liquide réagit (durcit) bien mieux encore pour former un polyuréthane. Le matériau prépolymère liquide comprend de préférence un 30 matériau contenant un polyisocyanate. Le matériau prépolymère liquide comprend encore mieux le produit de réaction d'un polyisocyanate (par exemple diisocyanate) et d'un matériau contenant un groupe hydroxyle. Le polyisocyanate est de préférence choisi parmi le bis-4,4'- cyclohexylisocyanate de méthylène ; le diisocyanate de cyclohexyle ; le 35 diisocyanate d'isophorone ; le diisocyanate d'hexaméthylène ; le 1,2- diisocyanate de propylène; le 1,4-diisocyanate de tétraméthylène ; le 3 0 1 7 5 5 7 8 diisocyanate de 1,6-hexaméthylène ; le 1,12-diisocyanate de dodécane ; le 1,3-diisocyanate de cyclobutane ; le 1,3-diisocyanate de cyclohexane ; le 1,4-diisocyanate de cyclohexane ; le 1-isocyanato-3,3,5-triméthy1-5- isocyanatométhylcyclohexane ; le diisocyanate de méthylcyclohexylène ; le 5 triisocyanate de diisocyanate d'hexaméthylène ; le triisocyanate de diisocyanate de 2,4,4-triméthyl-1,6-hexane ; l'urètdione de diisocyanate d'hexaméthylène ; le diisocyanate d'éthylène ; le diisocyanate de 2,2,4- triméthylhexaméthylène ; le diisocyanate de 2,4,4-tri-méthylhexaméthylène ; le diisocyanate de dicyclohexylméthane ; et des combinaisons 10 de ceux-ci. Le polyisocyanate est encore mieux aliphatique et présente moins de 14 pourcent de groupes isocyanate n'ayant pas réagi. Le matériau contenant un groupe hydroxyle utilisé dans la présente invention est de préférence un polyol. Les polyols donnés en exemple comprennent par exemple des polyéther polyols, du 15 polybutadiène terminé par un groupe hydroxy (comprenant des dérivés partiellement et complètement hydrogénés), des polyester polyols, des polycaprolactone polyols, des polycarbonate polyols, et des mélanges de ceux-ci. Les polyols préférés comprennent des polyéther polyols. Des 20 exemples de polyéther polyols comprennent le polytétraméthylène éther glycol ("PTMEG"), le polyéthylène propylène glycol, le polyoxypropylène glycol, et des mélanges de ceux-ci. La chaîne hydrocarbonée peut présenter des liaisons saturées ou insaturées et des groupes aromatiques et cycliques substitués ou non substitués. Le polyol de la présente 25 invention comprend de préférence PTMEG. Les polyester polyols appropriés comprennent, le poly(adipate d'éthylène) glycol ; le poly(adipate de butylène) glycol ; le poly(adipate d'éthylène propylène) glycol ; l'o-phtalate-1,6-hexanediol ; le poly(adipate d'hexaméthylène) glycol ; et des mélanges de ceux-ci mais ne sont pas limités à ceux-ci. La 30 chaîne hydrocarbonée peut présenter des liaisons saturées ou insaturées, ou des groupes cycliques et aromatiques substitués ou non substitués. Les polycaprolactone polyols appropriés comprennent la polycaprolactone initiée par du 1,6-hexanediol ; la polycaprolactone initiée par du diéthylèneglycol ; la polycaprolactone initiée par du triméthylolpropane ; la 35 polycaprolactone initiée par du néopentylglycol ; la polycaprolactone initiée par du 1,4-butanediol ; la polycaprolactone initiée par du PTMEG ; et des mélanges de ceux-ci mais ne sont pas limités à ceux-ci. La chaîne hydrocarbonée peut présenter des liaisons saturées ou insaturées, ou des groupes aromatiques et cycliques substitués ou non substitués. Des polycarbonates appropriés comprennent le poly(carbonate de phtalate) et le poly(carbonate d'hexaméthylène) glycol mais ne sont pas limités à ceux-ci. La pluralité de microsphères creuses est de préférence choisie parmi des matériaux polymères à noyaux creux remplis de gaz et des matériaux polymères à noyaux creux remplis de liquide, où les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses présentent chacune une enveloppe polymère thermiquement expansible. L'enveloppe polymère thermiquement expansible est de préférence constituée d'un matériau choisi dans le groupe constitué de poly(alcools vinyliques), de pectine, de polyvinylpyrrolidone, d'hydroxyéthylcellulose, de méthyl- cellulose, d'hydroxypropylméthylcellulose, de carboxyméthylcellulose, d'hydroxypropylcellulose, de poly(acides acryliques), de polyacrylamides, de polyéthylène glycols, de polyhydroxyétheracrylates, d'amidons, de copolymères d'acide maléique, de poly(oxyde d'éthylène), de polyuréthanes, de cyclodextrine et de combinaisons de ceux-ci. L'enveloppe polymère thermiquement expansible comprend encore mieux un polymère d'acrylonitrile (de préférence où le polymère d'acrylonitrile est un copolymère d'acrylonitrile ; encore mieux où le polymère d'acrylonitrile est un copolymère d'acrylonitrile choisi dans le groupe constitué d'un copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylo- nitrile et d'un copolymère de polyacrylonitrile/alkylacrylonitrile ; bien mieux encore où le polymère d'acrylonitrile est un copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile). Les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses sont de préférence des matériaux polymères à noyaux creux remplis de gaz, où l'enveloppe polymère thermiquement expansible encapsule un gaz hydrocarboné. Le gaz hydrocarboné est de préférence choisi dans le groupe constitué d'au moins un parmi le méthane, l'éthane, le propane, l'isobutane, le n-butane et l'isopentane, le n-pentane, le néo-pentane, le cyclopentane, l'hexane, l'isohexane, le néo-hexane, le cyclohexane, l'heptane, l'isoheptane, l'octane et l'isooctane. Le gaz hydrocarboné est encore mieux choisi dans le groupe constitué d'au moins un parmi le méthane, l'éthane, le propane, 301 7 5 5 7 10 l'isobutane, le n-butane, l'isopentane. Le gaz hydrocarboné est bien mieux encore choisi dans le groupe constitué d'au moins un parmi l'isobutane et l'isopentane. Le gaz hydrocarboné est bien mieux encore l'isobutane. Les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses sont bien 5 mieux encore des matériaux polymères à noyaux creux remplis de gaz présentant une enveloppe de copolymère d'acrylonitrile et de chlorure de vinylidène encapsulant un isobutane (par exemple microsphères Expancel® disponibles chez Akzo Nobel). Le mélange durcissable comprend un matériau prépolymère 10 liquide et une pluralité de microsphères creuses traitées. Le mélange durcissable comprend de préférence un matériau prépolymère liquide et une pluralité de microsphères creuses traitées, dans lequel la pluralité de microsphères creuses traitées est uniformément dispersée dans le matériau prépolymère liquide. Le mélange durcissable présente de 15 préférence une température maximale de durcissement de moule de 72 à 90°C (encore mieux de 75 à 85°C). Le mélange durcissable comprend éventuellement de plus un agent durcissant. Les agents durcissants préférés comprennent des diamines. Les polydiamines appropriées comprennent des amines 20 primaires et des amines secondaires. Les polydiamines préférées comprennent la diéthyltoluènediamine ("DETDA") ; la 3,5-diméthylthio2,4-toluènediamine et des isomères de celles-ci ; la 3,5-diéthyltoluène-2,4- diamine et des isomères de celle-ci (par exemple 3,5-diéthyltoluène-2,6- diamine) ; le 4,4'-bis-(sec-butylamino)-diphénylméthane ; le 1,4-bis-(sec- 25 butylamino)-benzène ; la 4,4'-méthylène-bis-(2-chloroaniline) ; la 4,4'- méthylène-bis-(3-chloro-2,6-diéthylaniline) ("MCDEA") ; le di-paminobenzoate de poly(oxyde de tétraméthylène) ; le N,N1- dialkyldiaminodiphénylméthane ; la p,p'-méthylènedianiline ("MDA") ; la m-phénylènediamine ("MPDA") ; la méthylène-bis-2-chloroaniline 30 ("MBOCA") ; la 4,4'-méthylène-bis-(2-chloroaniline) ("MOCA") ; la 4,4'- méthylène-bis-(2,6-diéthylaniline) ("MDEA") ; la 4,4'-méthylène-bis-(2,3- dichloroaniline) ("MDCA") ; le 4,4'-diamino-3,3'-diéthy1-5,5'- diméthyldiphénylméthane, le 2,2',3,3'-tétrachlorodiaminodiphénylméthane ; le di-p-aminobenzoate de triméthylèneglycol ; et des mélanges de ceux- 35 ci mais ne sont pas limités à ceux-ci. L'agent durcissant de diamine est de 3 0 1 7 5 5 7 11 préférence choisi parmi la 3,5-diméthylthio-2,4-toluènediamine et des isomères de celle-ci. Les agents durcissants peuvent également comprendre des diols, des triols, des tétraols et des durcisseurs terminés par un groupe 5 hydroxy . Les diols, triols et groupes tétraols comprennent l'éthylène glycol ; le diéthylène glycol ; le polyéthylène glycol ; le propylène glycol ; le polypropylène glycol ; le polytétraméthylène éther glycol de faible masse moléculaire ; le 1,3-bis(2-hydroxyéthoxy)benzène ; le 1,3-bis-[2-(2- hydroxyéthoxy)éthoxy]benzène ; le 1,3-bis-{2-[2-(2-hydroxyéthoxy) 10 éthoxy]éthoxy}benzène ; le 1,4-butanediol ; le 1,5-pentanediol ; le 1,6- hexanediol ; le résorcinol-di-(bêta-hydroxyéthyl)éther ; l'hydroquinone-di(bêta-hydroxyéthyl)éther ; et des mélanges de ceux-ci. Les durcisseurs terminés par un groupe hydroxy préférés comprennent le 1,3-bis(2- hydroxyéthoxy)benzène ; le 1,3-bis12-(2-hydroxyéthoxy)éthoxy]benzène ; 15 le 1,3-bis-{2-[2-(2-hydroxyéthoxy)éthoxy]éthoxy}benzène ; le 1,4- butanediol ; et des mélanges de ceux-ci. Les durcisseurs terminés par un groupe hydroxy et de diamines peuvent comprendre un ou plusieurs groupes cycliques et aromatiques saturés, insaturés. La pluralité de microsphères creuses est exposée à une 20 atmosphère de dioxyde de carbone sur une durée d'exposition > 3 heures (de préférence k 4,5 heures ; encore mieux 4,75 heures ; bien mieux encore .?_. 5 heures) pour former une pluralité de microsphères creuses traitées. L'atmosphère de dioxyde de carbone à laquelle la pluralité de 25 microsphères creuses est exposée pour former la pluralité de microsphères creuses traitées comprend de préférence > 30 % en volume de CO2 (de préférence _>_ 33 % en volume de CO2 ; encore mieux ?_. 90 °h en volume de CO2 ; bien mieux encore ... 98 % en volume de CO2). L'atmosphère de dioxyde de carbone est de préférence une atmosphère 30 inerte. L'atmosphère de dioxyde de carbone contient de préférence 3 heures ( de préférence 4,5 5 heures ; encore mieux 4,5 heures ; bien mieux encore k 5 heures) pour former la pluralité de microsphères creuses traitées ; où le gaz comprend 30 % en volume de CO2 (de préférence 33 % en volume de CO2 ; encore mieux 90 % en volume de CO2 ; bien mieux encore 98 % en volume de CO2) et où le gaz contient i REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un 5 substrat optique et d'un substrat semi-conducteur, comprenant : fournir un matériau prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses ; exposer la pluralité de microsphères creuses à une atmosphère de dioxyde de carbone sur une durée d'exposition > 3 heures pour former 10 une pluralité de microsphères creuses traitées ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la pluralité de microsphères creuses traitées pour former un mélange durcissable ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau durci, dans lequel on laisse la réaction débuter 5_ 24 heures après la 15 formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci ; dans lequel la au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. 20 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un matériau choisi dans le groupe constitué d'un poly(uréthane), une polysulfone, une polyéther sulfone, un nylon, un polyéther, un polyester, un polystyrène, un polymère acrylique, une polyurée, un polyamide, un poly(chlorure de vinyle), un 25 poly(fluorure de vinyle), un polyéthylène, un polypropylène, un polybutadiène, une polyéthylène imine, un polyacrylonitrile, un poly(oxyde d'éthylène), une polyoléfine, un poly(acrylate d'alkyle), un poly(méthacrylate d'alkyle), un polyamide, un polyéther imide, une polycétone, une époxy, un silicone, un polymère formé à partir de 30 monomère d'éthylène propylène diène, une protéine, un polysaccharide, un polyacétate et une combinaison d'au moins deux des précédents. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un matériau comprenant un poly(uréthane). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe polymère d'acrylonitrile. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un poly(uréthane) ; chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile ; l'enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/poly- acrylonitrile encapsule un isobutane ; et la pluralité de microsphères creuses est exposée à l'atmosphère de dioxyde de carbone par fluidisation de la pluralité de microsphères creuses en utilisant un gaz sur une durée de traitement 5 heures pour former la pluralité de microsphères creuses traitées, où le gaz est 30 en volume de CO2. 6. Procédé selon la revendication 1, comprenant de plus : fournir un moule ; et, transférer le mélange durcissable dans le moule ; caractérisé en ce que le mélange durcissable réagit pour former le matériau durci dans le moule. 7. Procédé selon la revendication 6, comprenant de plus : fendre le matériau durci pour former la au moins une couche de polissage. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la au moins une couche de polissage est une pluralité de couches de polissage. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un polyuréthane) ; chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile ; l'enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile encapsule un isobutane ; et, la pluralité de microsphères creuses est exposée à l'atmosphère de dioxyde de carbone par fluidisation des plusieurs microsphères creusesen utilisant un gaz sur une durée de traitement 5 heures pour former la pluralité de microsphères creuses traitées, où le gaz est 30 % en volume de CO2. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'on laisse la réaction débuter 1 heure après la formation la pluralité de microsphères creuses traitées.