Brevet FR3023059A1 — publié le 20160101

CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT UN DISSIPATEUR DE CHALEUR [1] L'invention concerne un circuit intégré comportant un dissipateur de chaleur. L'invention a également pour objet un ensemble comportant ce circuit intégré ainsi 5 qu'un procédé de fabrication de ce circuit intégré. [2] L'évolution des circuits intégrés pendant les dernières décennies a été dans le sens de l'augmentation de la fonctionnalité grâce à la réduction des dimensions lithographiques, en suivant la loi dite de « Moore ». Depuis moins d'une décennie, des fonctionnalités peuvent être ajoutées au circuit intégré en utilisant les possibilités 10 offertes par l'intégration suivant la dimension verticale, dite intégration 3D. Cette augmentation de la densité d'intégration dans les trois dimensions disponibles du circuit intégré a eu comme conséquence directe l'augmentation de la densité de puissance, engendrant une augmentation de la température des jonctions des transistors, et en général de la température d'opération des puces électroniques. 15 [003] Ainsi, des circuits intégrés connus comportent : - un substrat qui s'étend principalement dans un plan appelé « plan du substrat », ce substrat étant équipé de connexions électriques pour raccorder électriquement le circuit intégré à un circuit électronique extérieur, ce substrat présentant une face intérieure, 20 - une puce électronique haute et une puce électronique basse, chacune de ces puces électroniques étant électriquement raccordée aux connexions électriques par l'intermédiaire de ce substrat et chaque puce électronique comportant une face avant tournée vers la face intérieure du substrat et une face arrière du côté opposé à cette face avant, la face arrière de la puce électronique haute étant située à une hauteur H 25 au-dessus de la face intérieure du substrat et étant plus éloignée de la face intérieure du substrat que la face arrière de la puce électronique basse, - un boîtier formé par une couche épaisse en matériau électriquement isolant qui enrobe les puces électroniques, cette couche épaisse formant une face extérieure supérieure du boîtier parallèle au plan du substrat. 30 [004] De tels circuits intégrés sont refroidis par l'intermédiaire de leur face extérieure supérieure. Par exemple, à cet effet, un système de refroidissement est fixé sur cette face extérieure supérieure. [005] Toutefois, la puce électronique basse est moins bien refroidie que la puce électronique haute car elle est plus éloignée de la face extérieure supérieure. Dans 35 ces conditions, pour éviter un échauffement trop important de la puce électronique basse, une solution consiste à surdimensionner le système de refroidissement de la face extérieure supérieure pour tenir compte de cet éloignement par rapport à la puce électronique basse. Une autre solution consiste à ne rien faire et à s'accommoder du fait que la puce électronique basse et moins bien refroidie que la puce électronique 40 haute. [6] L'invention vise à remédier à cet inconvénient en proposant un circuit intégré qui permet de mieux refroidir la puce électronique basse sans sur-dimensionner autant le système de refroidissement du circuit intégré. [7] Elle a donc pour objet un circuit intégré comportant un dissipateur de chaleur 5 dépourvu de composants électroniques et interposé entre la face arrière de la puce électronique basse et la face extérieure supérieure du boîtier, ce dissipateur comportant une face avant disposée sur la face arrière de la puce électronique basse et une face arrière du côté opposé à la face avant, cette face arrière étant comprise entre un premier et un second plans parallèles au plan du substrat, le premier et le 10 second plans étant situés, respectivement, à 0,15*H en-dessous et à 0,15*H au-dessus de la face arrière de la puce électronique haute. La conductivité thermique à 25 °C du dissipateur dans une direction perpendiculaire au plan du substrat est au moins deux fois supérieure à la conductivité thermique de la couche épaisse mesurée dans les mêmes conditions et dans la même direction. 15 [008] Grâce à la présence à l'intérieur du circuit intégré du dissipateur de chaleur, qui compense la différence de hauteur entre les faces arrières des puces haute et basse, un pont thermique est établi entre la face arrière de la puce électronique basse et la face extérieure supérieure. Cela améliore très sensiblement le refroidissement de la puce électronique basse à partir de la face extérieure 20 supérieure. Dès lors, il n'est plus nécessaire de sur-dimensionner autant le système de refroidissement de la face extérieure supérieure pour obtenir le même refroidissement de la puce électronique basse que dans les circuits intégrés connus. [009] Les modes de réalisation de ce circuit intégré peuvent présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : 25 ^ la face avant de la puce électronique haute comporte des plots, ces plots étant directement mécaniquement et électriquement raccordés sur des plots en vis-à-vis de manière à transmettre des signaux électriques entre la puce électronique haute et un circuit électronique extérieur à cette puce électronique haute par l'intermédiaire de ces plots, la face arrière de la puce électronique 30 basse comporte des plots, la face avant du dissipateur comporte des plots mécaniquement fixés sur les plots en vis-à-vis de la face arrière de la puce électronique basse de la même manière que les plots de la puce électronique haute sont fixés sur des plots en vis-à-vis ; ^ la face arrière de la puce électronique basse comporte une couche plane 35 électriquement isolante pour isoler électriquement cette puce électronique basse de l'environnement extérieur, et la face avant du dissipateur est plane et directement en contact mécanique sur cette couche plane de la face arrière de la puce électronique basse ; ^ la partie de la face avant du dissipateur directement en contact mécanique avec la face arrière de la puce électronique basse occupe au moins 10 % ou 30 % de la surface de la projection orthogonale de la face arrière de la puce électronique basse sur le plan du substrat ; ^ la surface de la projection orthogonale de la face avant du dissipateur sur le plan du substrat est au moins 1,1 fois supérieure à la surface de la projection orthogonale de la face arrière de la puce électronique basse sur ce même plan , ^ la capacité thermique massique du dissipateur est inférieure à 1200 J/Kg/K ou à 1000 J/Kg/K dans les conditions normales de température et de pression ; ^ l'épaisseur du dissipateur dans une direction perpendiculaire au plan du substrat est supérieure à 70 pm ; ^ la face arrière de la puce électronique haute et la face arrière du dissipateur affleurent la face extérieure supérieure du boîtier. [0010] Les modes de réalisation de ce circuit intégré présentent en outre les avantages suivants : - la présence de plots sur le dissipateur, identiques aux plots déjà utilisés pour raccorder électriquement la puce électronique haute permet de simplifier la fixation du dissipateur sur la face arrière de la puce électronique basse, car le même procédé de 20 fixation est utilisé à la fois pour la puce électronique haute et le dissipateur ; - une face avant plane du dissipateur permet d'assurer une surface de contact plus importante avec la face arrière de la puce électronique basse et donc d'améliorer l'efficacité du refroidissement de cette puce électronique basse ; - avoir une surface de contact mécanique entre la face avant du dissipateur et la face 25 arrière de la puce électronique basse, supérieure à 10 % de la surface de la projection orthogonale de cette face arrière permet d'augmenter l'efficacité du refroidissement de la puce électronique basse ; - avoir une surface de la projection orthogonale de la face avant du dissipateur strictement supérieure à la surface de la projection orthogonale de la face arrière de 30 la puce électronique basse permet d'augmenter la diffusion latérale de la chaleur et donc d'augmenter l'efficacité du refroidissement de la puce électronique basse. [0011] L'invention a également pour objet un ensemble comportant : - le circuit intégré ci-dessus présentant une face extérieure supérieure, et - un radiateur ou un système de refroidissement fluidique utilisant un liquide 35 caloporteur pour refroidir la face extérieure supérieure du circuit intégré, le radiateur ou le système de refroidissement fluidique étant directement disposé sur la face extérieure supérieure de ce circuit intégré. [0012] L'invention a également pour objet un procédé de fabrication du circuit intégré ci-dessus, ce procédé comportant la réalisation du dissipateur de chaleur, interposé entre la face arrière de la puce électronique basse et la face extérieure supérieure du boîtier. [0013] Les modes de réalisation de ce procédé de fabrication peuvent comporter la caractéristique suivante : ^ la réalisation du dissipateur comporte la croissance par électrolyse, sur la face arrière de la puce électronique basse, d'une couche d'un matériau dont la conductivité thermique est au moins deux fois supérieure à la conductivité thermique de la couche épaisse lorsqu'elle est mesurée dans les mêmes conditions et dans la même direction, cette croissance par électrolyse étant interrompue au moment où l'épaisseur de cette couche est telle que, après l'assemblage de la puce électronique haute sur le substrat du circuit intégré, la face arrière du dissipateur est comprise entre un premier et un second plans parallèles au plan du substrat, le premier et le second plans étant situés, respectivement, à 0,15*H en-dessous et à 0,15*H au-dessus de la face arrière de la puce électronique haute ; ^ le dissipateur est reporté sur la face arrière de de la puce électronique basse par collage ou par l'intermédiaire de plots ; ^ lorsque le dissipateur est reporté sur la face arrière de la puce électronique basse et fixé à cette puce électronique basse par des plots, le procédé comporte une étape de remplissage de l'espace créé par les plots par une colle contenant des particules thermiquement conductrices. [0014] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la figure 1 est une illustration schématique en coupe verticale d'un ensemble comportant un circuit intégré et un système de refroidissement de ce circuit intégré ; - la figure 2 est un organigramme d'un procédé de fabrication de l'ensemble de la figure 1 ; - les figures 3 à 13 sont des illustrations schématiques en coupe verticale, de 30 différentes étapes du procédé de fabrication de la figure 2 ; - la figure 14 est une illustration schématique en coupe verticale, d'un deuxième mode de réalisation d'un ensemble comportant un circuit intégré et un système de refroidissement de ce circuit intégré ; - la figure 15 est un organigramme d'un procédé de fabrication de l'ensemble de la 35 figure 14 ; - les figures 16 à 27 sont des illustrations schématiques en coupe verticale de différentes étapes du procédé de la figure 15 ; - la figure 28 est une illustration schématique d'un troisième mode de réalisation d'un ensemble comportant un circuit intégré et un système de refroidissement de ce circuit intégré. [0015] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les 5 mêmes éléments. Dans la suite de cette description, les caractéristiques et les fonctions bien connues de l'homme du métier ne sont pas décrites en détail. [0016] La figure 1 représente un ensemble 2 comportant un circuit intégré 4 et un système 6 de refroidissement de ce circuit intégré 4. [0017] Le circuit intégré 4 est conçu pour traiter des signaux afin de remplir une ou 10 plusieurs fonctions prédéterminées. Les signaux traités sont des signaux électriques ou optiques. [0018] Ce circuit intégré 4 est électriquement raccordé à un circuit électronique extérieur. Typiquement, il est monté sur une carte ou circuit imprimé 8 du circuit électronique extérieur. Sur la figure 1, seule une portion du circuit imprimé 8 est 15 représentée. À cet effet, le circuit intégré 4 comporte un substrat 10 équipé de connexions électriques 12. Les connexions 12 raccordent électriquement et mécaniquement le circuit intégré 4 à des pistes électriques du circuit imprimé 8. Sur la figure 1, les pistes du circuit imprimé 8 n'ont pas été représentées. [0019] Le substrat 10 s'étend essentiellement horizontalement parallèlement à un 20 plan appelé « plan du substrat ». Le plan du substrat est parallèle à des directions orthogonales X et Y. La direction verticale sur les figures est représentée par une direction Z perpendiculaire aux directions X et Y. Ici, les termes tels que « dessus », « dessous », « supérieur » et « inférieur » sont définis par rapport à la direction Z. [0020] Les connexions 12 sont, par exemple, des billes fusibles situées sur une face 25 extérieure 18 horizontale du substrat 10. La face extérieure 18 est située du côté opposé à une face intérieure 20 horizontale. Ces billes fusibles sont soudées sur des pistes correspondantes du circuit imprimé 8. De telles connexions électriques sont également connues sous le terme de « micro-piliers ». Cet assemblage de billes est connu sous l'acronyme BGA (« Ball Grid Array »). Les billes sont, par exemple, 30 réalisées dans un métal conducteur tel que du cuivre, mélangé avec un matériau de fluage tel que de l'étain. [0021] Le substrat 10 comporte également des pistes électriques raccordant électriquement des plots de connexion des puces électroniques à des connexions 12 respectives. Pour simplifier la figure 1, ces pistes électriques du substrat 10 n'ont pas 35 été représentées. [0022] Typiquement, le substrat 10 est réalisé dans un matériau dur dont la dureté est par exemple supérieure ou égale à celle du silicium. Ici, le substrat 10 est réalisé en silicium. L'épaisseur du substrat 10 est typiquement supérieure à 100 pm ou 300 pm. [0023] Le circuit intégré 4 est un circuit intégré à trois dimensions, c'est-à-dire qu'à l'intérieur du boîtier de ce circuit intégré, on trouve au moins deux puces électroniques empilées l'une au-dessus de l'autre dans la direction verticale Z. [0024] A titre d'illustration, le circuit intégré 4 comporte trois puces électroniques 22, 5 24 et 26. [0025] De façon générale, une puce électronique comporte de nombreux composants électriques actifs ou passifs pour réaliser une fonction prédéterminée. Un composant électrique actif est défini comme étant un composant électronique qui permet d'augmenter la puissance d'un signal, par exemple la tension ou le courant ou 10 les deux. La puissance supplémentaire est récupérée au travers d'une alimentation. Il s'agit typiquement de composants réalisés à partir de semi-conducteurs tels que des transistors ou des thyristors. Il peut aussi s'agir d'un composant optoélectronique. A l'inverse, un composant électronique passif est défini comme ne permettant pas d'accroître la puissance d'un signal. Il s'agit typiquement d'une résistance, d'un 15 condensateur, d'une inductance ou d'une bobine ou encore d'une diode ou de tout assemblage de ces composants. [0026] Une puce électronique est également connue sous le terme anglais de « die ». Elle inclut une face avant tournée vers le substrat 10 et, du côté opposé, une face arrière. Ces faces avant et arrière s'étendent essentiellement parallèlement au 20 plan du substrat. Typiquement, les composants actifs ou passifs de la puce électronique sont réalisés dans l'une des faces avant ou arrière ou encore à l'intérieur de cette puce. Par exemple, dans ce mode de réalisation, les composants actifs ou passifs sont réalisés dans la face avant de chaque puce. Les faces avant et arrière sont chacune formée par une couche de passivation éventuellement traversée par 25 des plots de connexions électriques. La couche de passivation isole électriquement la puce de l'environnement extérieur. Les plots de connexions raccordent électriquement et mécaniquement la puce à d'autres puces du circuit intégré 4 ou au substrat 10. Ces plots permettent à chaque puce d'échanger des signaux électriques avec ces autres puces ou avec le substrat 10. 30 [0027] Ici, les faces avant et arrière des puces 22, 24 et 26 portent, respectivement, les références numériques 30 et 32, 34 et 36, 38 et 40. Plus précisément, les faces avants 30 et 34 sont directement raccordées mécaniquement et électriquement sur la face intérieure 20 du substrat 10 par des connexions électriques 42. Par exemple, ces connexions électriques sont également réalisées au moyen de microbilles 35 fusibles ou micro-piliers formant un ensemble BGA. [0028] La face avant 38 de la puce 26 est mécaniquement et électriquement directement raccordée à la face arrière 36 de la puce 24. A cet effet, dans ce mode de réalisation, la face avant 38 et la face arrière 36 comportent chacune des plots 44 en vis-à-vis les uns des autres. Sur la figure 1, on n'a pas distinguer les plots 44 40 appartenant à la face 38 des plots en vis-à-vis appartenant à la face 36. Ces plots 44 sont de taille micrométrique et également connu sous le terme de « micro-piliers ». Plus précisément, ces faces comportent chacune un fond plat à partir duquel les plots 44 font saillie verticalement. Typiquement, la section horizontale de chaque plot 44 est constante sur l'essentielle de sa hauteur. Le diamètre de cette section horizontale est généralement compris entre 0,1 pm et 100 pm et, le plus souvent, entre 5 pm et 30 pm ou entre 5 pm et 20 pm. Ici, le diamètre des plots 44 est de 20 pm et l'espacement entre les plots 44 est de 50 pm. Lorsque la section horizontale des plots 44 n'est pas circulaire, par « diamètre », on désigne le diamètre hydraulique en considérant que la totalité du périmètre de la section horizontale est mouillé. La hauteur de chaque plot 44, mesurée depuis le fond plat, est généralement comprise entre 1 pm et 200 pm et, le plus souvent, entre 10 pm et 100 pm. Ces plots 44 sont réalisés en matériau électriquement conducteur. Ici, on considère qu'un matériau est électriquement conducteur si sa conductivité électrique à 20 °C est supérieure à 1 S/m et, de préférence, supérieure à 105 ou 107 S/m. Par exemple, les plots 44 sont réalisés en cuivre. D'autres détails sur les plots 44 sont donnés en regard du procédé de fabrication de l'ensemble 2. [0029] Les faces arrières 32 et 40 sont situées à la même hauteur, c'est-à-dire dans un même plan horizontal 46. La face arrière 36 est située à une hauteur bien plus faible que celle des faces arrières 32 et 40. Par exemple, la face arrière 36 est située 20 à plus de 50 pm ou 100 pm en dessous du plan 46. [0030] Ici, les puces 22 et 26 comprennent, par exemple, des transistors MOS (« Metal Oxide Semiconductor ») et sont aptes à traiter des signaux électriques pour réaliser des calculs arithmétiques et logiques. Les puces 22 et 26 constituent donc des sources de chaleur lorsqu'elles fonctionnent pour réaliser des calculs à partir des 25 signaux électriques fournis. Dans la suite de cette description, on désigne par source de chaleur une zone du circuit intégré dissipant une puissance surfacique supérieure à 1 W/cm2. Par exemple, ici, la puissance surfacique dissipée par une source de chaleur est égale à 5 W/cm2 ou 10 W/cm2 ou 50 W/cm2. [0031] La puce 24 comprend un composant optoélectronique 48 tel qu'un générateur 30 d'un faisceau laser. Par exemple, le composant 48 est utilisé pour convertir des signaux électriques en des signaux optiques transmis à l'extérieur du circuit intégré 4. A cet effet, le circuit intégré 4 comprend aussi un connecteur 50 permettant de raccorder un câble optique à la puce 24. Le composant 48 forme aussi une source de chaleur quand il fonctionne. En effet, une partie substantielle de l'énergie électrique 35 reçue par ce composant 48 pour générer le faisceau laser est dissipée sous forme de chaleur. [0032] Le circuit intégré 4 comprend un boîtier formé par une couche épaisse 54 . La couche 54 protége les puces 22, 24 et 26 et la face 20 du substrat contre des agressions mécaniques et chimiques provenant de l'environnement extérieur du 40 circuit intégré 4. A cet effet, elle recouvre et enrobe directement : - la face 20 du substrat 10, - les faces verticales des puces 22, 24 et 26, et - dans ce mode de réalisation, une partie de la face arrière 36 de la puce 24. [0033] La couche 54 présente également une face extérieure supérieure 56 5 horizontale tournée du côté opposé au substrat 10. Ici, la face extérieure 56 est la face du circuit intégré 4 sur laquelle est directement monté le système 6 de refroidissement. Pour améliorer les échanges de chaleur entre les puces 22, 26 et le système 6, le plan 46 contenant les faces 32 et 40 est situé à moins 50 pm et, typiquement, à moins de 10 pm sous la face extérieure 56. De préférence, comme 10 dans ce mode de réalisation, les faces 32 et 40 affleurent la face extérieure 56. Ici, la face extérieure 56 est donc contenue dans le plan 46. [0034] Plus précisément, la couche 54 protège les puces 22, 24 et 26 contre l'humidité et les chocs mécaniques. A cet effet, en ce qui concerne l'humidité, la couche 54 satisfait le test d'étanchéité appelé « chaleur humide ». Un tel test 15 d'étanchéité est par exemple défini dans les normes GEDEC. Cette norme définit notamment le test suivant : 1) caractérisation du circuit intégré sous condition standard, 2) placer le circuit intégré des centaines d'heures, typiquement plus de 500 heures, à 85 °C avec une humidité de 85 %, ensuite 20 3) caractériser le fonctionnement du circuit intégré sous condition standard. [0035] Si les valeurs relevées lors des points 1) et 3) ci-dessus sont égales à une marge d'erreur prédéfinie par la norme GEDEC, alors la couche 54 est dite étanche. [0036] Pour protéger les puces électroniques contre les chocs, la couche épaisse est réalisée dans un matériau qui permet de répartir et d'abaisser les contraintes 25 mécaniques entre les puces 22, 24 et le substrat 10. Par exemple, à cet effet, le module de Young à 25 °C de la couche 54 est choisi strictement inférieur à celui des puces 22 et 24. Typiquement, le module de Young des puces 22, 24 est sensiblement égal au module de Young du silicium. Le module de Young de la couche 54 est alors choisi généralement inférieur à 100 GPa ou à 20 GPa à 25 °C. 30 [0037] La couche 54 est aussi électriquement isolante pour isoler électriquement les puces 22, 24 et 26 de l'environnement extérieur. Ici, on considère qu'une couche est électriquement isolante si sa conductivité à 20 °C est inférieure à 10-4 S/m et, de préférence, inférieure à 10-7 ou 1040 S/m. [0038] Pour atteindre ces résultats, généralement, la couche 54 comporte un certain 35 volume de polymère qui varie de 5% à 100% du volume total de la couche 54. Le volume de polymère est souvent supérieur à 50 % du volume total. Typiquement, le polymère est uniformément réparti dans la couche 54. Il peut s'agir par exemple d'une résine époxy. [0039] De plus, généralement, la couche 54 présente une faible conductivité thermique, c'est-à-dire une conductivité thermique à 20 °C inférieure à 50 W.m-1.K-1et, typiquement, inférieure à 15 W.m1.Ki ou 5 ou 2 W.m-1.K-1. [0040] Étant donné la faible conductivité thermique de la couche épaisse 54 et le fait 5 que la face arrière 36 est éloignée, typiquement de plus de 50 pm, de la face extérieure 56, il est difficile de refroidir efficacement la puce 24 à l'aide du système 6 de refroidissement. Pour éviter ce problème, le circuit intégré 4 comporte un dissipateur 60 de chaleur interposé entre la face arrière 36 et la face extérieure 56. [0041] Le dissipateur 60 est un bloc de matériaux thermiquement bon conducteur 10 ayant pour fonction d'établir un pont thermique entre la zone de la face arrière 36 qui s'échauffe le plus et la face extérieure 56. Ici, la zone de la face arrière 36 qui s'échauffe le plus est située à la verticale du composant opto-électronique 48. Par la suite, par bon conducteur thermique, on désigne un matériau ou un bloc de matériau dont la conductivité thermique à 25 °C, dans la direction verticale, est au moins deux 15 fois supérieure à la conductivité thermique de la couche épaisse 54 mesurée dans les mêmes conditions et dans la même direction. De préférence, la conductivité thermique du dissipateur 60 dans la direction verticale est au moins quatre, dix ou cinquante fois supérieure à la conductivité thermique de la couche 54 dans la même direction. Ainsi, typiquement, la conductivité thermique à 25 °C du bloc 60 est 20 supérieure à 10 W/m/K ou 100 W/m/K et, de préférence, supérieure à 200 W/m/K ou 300 W/m/K. [0042] Le dissipateur 60 ne remplit aucune autre fonction que celle de dissipateur de chaleur. Par conséquent, il est dépourvu de composant électronique actif ou passif. De plus, il est de préférence électriquement isolé des puces électroniques et du 25 substrat 10 ou alors uniquement raccordé électriquement à la masse du circuit intégré 4. [0043] Le dissipateur 60 comporte une face avant 62 en vis-à-vis de la face arrière 36 et une face arrière 64 située du côté opposé à cette face avant 62. Ces faces 62 et 64 s'étendent principalement horizontalement. La surface de la projection orthogonale 30 de la face avant 62 dans un plan horizontale est supérieure à 10 % et, de préférence, supérieure à 20 % ou 40 % de la surface de la projection orthogonale de la face arrière 36 dans ce même plan. [0044] La face 62 est directement en contact avec la face arrière 36. Ici, la face 62 comporte un fond plat horizontal et des plots 66 faisant saillie verticalement vers le 35 bas à partir de ce fond. Ces plots 66 sont conçus pour être mécaniquement et thermiquement raccordés à des plots 44 de la face arrière 36 en vis-à-vis. Ces plots 66 sont structurellement identiques aux plots 44, sauf en ce qui concerne leur hauteur qui peut être différente de celle des plots 44. Ici, les plots 66 sont réalisés dans le même matériau que les plots 44, car le cuivre est un matériau bon conducteur thermique. Toutefois, d'autres matériaux bons conducteurs thermiques sont possibles pour les plots 66. [0045] Dans ce mode de réalisation, seule l'extrémité des plots 66 est en contact mécanique direct avec la face arrière 36. Le nombre et les dimensions des plots 66 5 sont déterminés pour que la surface de la face avant 62 en contact mécanique direct avec la face arrière 36 soit au moins supérieure à 10 ou 20 % et, de préférence supérieure à 35 % ou 45 %, de la surface de la projection orthogonale de cette face avant 62 dans un plan horizontal. Ici, la surface de la face avant 62 directement mécaniquement en contact avec la face arrière 36 est comprise entre 30 % et 50 % 10 de la surface de la projection orthogonale de la face avant 62 sur un plan horizontal. Ici, les plots 66 font 20 pm de diamètre et sont espacés les uns des autres avec un pas de 50 pm. [0046] La face arrière 64 est plane et horizontale. Cette face arrière est située au même niveau que les faces arrières 32 et 40 des puces 22 et 26 dites hautes. Ici, une 15 puce est dite « haute » si elle possède la face arrière la plus éloignée de la face intérieure 10 du substrat. A l'exception de la ou des puces hautes, les autres puces du circuit intégré sont dites « basses ». Ainsi, ici, la puce 24 est une puce basse car elle présente une face arrière 68 plus proche de la face intérieure 10 que les faces 32 ou 40. Par « situé au même niveau », on désigne le fait que la face 64 se situe entre 20 une premier et un second plans horizontaux situés, respectivement, en-dessous et au-dessus de la face arrière de la puce haute. La hauteur du premier plan est égale à la hauteur H de la face arrière de la puce haute moins 0,15*H ou moins 0,10*H ou moins 0,05*H (le symbole « * » signifie « multiplié par »). La hauteur du second plan est égale à la hauteur H plus 0,15*H ou plus 0,10*H ou plus 0,05*H. La hauteur H est 25 la hauteur de la face arrière de la puce haute par rapport à la face intérieure 20 du substrat 10. La hauteur H est mesurée verticalement. Par exemple, la hauteur de la face arrière 64 est égale à la hauteur de la face arrière 32 ou 40 à plus ou moins 10 pm près ou plus ou moins 5 pm près. A titre d'illustration, ici, la hauteur H est égale ou supérieure à 100 pm. De plus, avantageusement, la face arrière 64 est comprise 30 entre le plan 46 et un autre plan horizontal situé à moins de 50 pm ou 10 pm sous le plan 46. De préférence, comme représentée ici, la face arrière 64 affleure la face extérieure 56. Ici, elle est donc située dans le plan 46. [0047] Les faces avants 62 et arrière 64 sont mécaniquement reliées les unes aux autres par des faces verticales. La hauteur du dissipateur 60 mesurée entre le fond 35 plat et la face arrière 64 est, typiquement, supérieure à 10 pm ou 100 pm, et généralement inférieure à 700 pm. Ici, cette hauteur est comprise entre 100 pm et 300 pm. [0048] Pour assurer une dissipation rapide de la chaleur vers le système 6 de refroidissement, le dissipateur 60 doit conduire rapidement la chaleur et ne pas trop 40 l'emmagasiner. Le dissipateur 60 ne comprend donc pas de matériau à changement de phase ou PCM (« Phase Change Material »). A cet effet, le matériau dans lequel est réalisé le corps du dissipateur représente une capacité thermique massique, mesurée dans les conditions normales de température et de pression inférieure à 1 250 J/Kg/K ou inférieure à 1 000 J/Kg/K ou encore inférieure à 750 J/Kg/K. Le 5 corps du dissipateur 60 est la partie située entre le fond plat de la face avant 62 et la face arrière 64, c'est-à-dire le dissipateur sans les plots 66. Ici, ce corps est un bloc thermiquement homogène en un seul matériau. Le corps du dissipateur 60 n'est pas nécessairement réalisé dans le même matériau que les plots 66. Ici, il est réalisé en silicium ou en aluminium. 10 [0049] Pour améliorer la conduction thermique entre la face avant 62 et la face arrière 36, les interstices entre les plots 44 et 66 sont remplis d'une colle 68 réalisée dans un matériau de collage bon conducteur thermique. Par exemple, ce matériau de collage comprend un matériau polymère mélangé avec des particules en matériau thermiquement bon conducteur. Par exemple, les particules sont des particules de 15 métal telles que des particules de cuivre ou d'argent. Les particules peuvent aussi être des particules de graphènes ou de graphites ou d'autres matériaux tels que de l'oxyde de silicium. Ces particules se présentent généralement sous la forme de nanoparticules, c'est-à-dire de particules dont la plus grande longeur est inférieure à 1 pm et, typiquement, inférieure à 100 nm ou 10 nm. 20 [0050] Le système 6 de refroidissement comporte un radiateur 70. Ce radiateur 70 possède une face plane directement en contact mécanique et thermique avec la face extérieure 56. Cette face plane recouvre la totalité des faces arrière 32, 40 et 62. Du côté opposé, le radiateur 70 présente un fond plat à partir duquel des ailettes 72 font saillis pour accroître la surface de contact entre ce radiateur 70 et le milieu extérieur, 25 et ainsi favoriser les échanges de chaleur par conduction avec ce milieu extérieur. [0051] Le fonctionnement du circuit intégré 4 est le suivant. Lorsque le composant 48 fonctionne, il génère de la chaleur. Cette chaleur se diffuse préférentiellement par conduction de la face arrière 36 vers la face avant 62 du dissipateur 60, puis de la face avant 62 jusqu'à la face arrière 64 et, enfin, de la face arrière 64 vers le radiateur 30 70. La présence du dissipateur 60 accélère l'échange de chaleur entre la face arrière 36 et le radiateur 70. Cela permet de maintenir la face arrière 36 à une température T1 très inférieure à celle qui serait observée en absence du dissipateur 60. Des simulations ont montré qu'en fonctionnement normal, la température T1 est d'au moins 10 °C ou 20 °C, voire même inférieure d'au moins 50 °C par rapport à la 35 température qui serait observée dans les mêmes conditions et dans un circuit intégré identique mais dépourvu du dissipateur 60. [0052] Un procédé de fabrication de l'ensemble 2 va maintenant être décrit en référence aux figures 2 à 13. [0053] Le procédé débute par la fabrication collective du dissipateur 60. Plus précisément, lors d'une étape 90 (figure 3), une plaque de silicium 92 est fournie puis oxydée pour former au-dessus de cette plaque une couche d'oxyde de silicium 94. [0054] Lors d'une étape 96 (figure 4), une couche d'accroche et une couche de 5 nucléation sont déposées sur la couche 94. Sur la figure 4, ces couches sont représentées par une même couche 98. La couche d'accroche est par exemple en titane ou en nitrure de titane et la couche de nucléation est ici en cuivre. [0055] Lors d'une étape 100 (figure 5), une couche 102 de résine est déposée sur la couche 98 puis structurée par photolithographie pour aménager des emplacements 10 104 où la couche 98 est directement exposée à l'extérieur. [0056] Lors d'une étape 106 (figure 6), on procède à la croissance, par électrolyse, de plots en cuivre à partir du fond des emplacements 104. L'extrémité libre de chaque plot en cuivre est ensuite recouverte d'une couche 110 de finition dans un matériau de fluage. Ici, le matériau de fluage est un alliage SnAg. On obtient ainsi les plots 66. 15 Sur les figures, le nombre de plots 66 représentés à été limité pour simplifier les illustrations graphiques. [0057] Lors d'une étape 112 (Figure 7), on procède à un traitement thermique de mise en forme de l'alliage SnAg. Cela permet d'éviter que cet alliage métallique ne coule sur les bords verticaux des plots 66 lors de l'étape de fluage ultérieur. 20 [0058] Lors d'une étape 114 (figure 8), la couche 102 de résine est retirée, par exemple, par dissolution. [0059] Lors d'une étape 116 (figure 9), la plaque 92 de silicium est découpée pour séparer mécaniquement les uns des autres les différents dissipateurs 60 fabriqués collectivement jusqu'à présent. 25 [0060] Lors d'une étape 118 (figure 10), le dissipateur 60 et la puce 26 sont assemblés et reportés sur la face arrière 36 de la puce 24. À cet effet, la puce 26 et le dissipateur 60 sont amenés et positionnés sur la face arrière 36 à l'aide d'un même procédé connu sous le terme anglais de « pick and place ». Lors de l'étape 118, cette étape est réalisée sur une plaque contenant plusieurs puces 24 de manière à réaliser 30 l'empilement de la puce 26 et du dissipateur 60 collectivement sur plusieurs puces 24. Pour rigidifier la plaque contenant les différentes puces 24, un substrat temporaire ou poignée temporaire 120 est collé sur cette plaque. Sur la figure 10, seule une puce 24 de cette plaque est représentée. [0061] Lors d'une étape 122 (figure 11), un traitement thermique est appliqué pour 35 faire fluer les alliages SnAg. Cela permet de souder mécaniquement les plots 44 et 66 entre eux. Ce raccordement mécanique permet aussi d'obtenir un raccordement électrique et thermique entre ces plots. Le traitement thermique est appliqué simultanément aux plots 44 des puces 24 et 26 et aux plots 66 du dissipateur 60. Ainsi, la fixation mécanique de la puce 26 et du dissipateur 60 sur la face arrière 36 40 de la puce 24 est réalisée en une seule opération. [0062] Lors d'une étape 124 (figure 12), la colle 68 est dispersée entre les plots 44 et 66 pour remplir complètement les interstices situés entre ces plots. Cela améliore la tenue mécanique du dissipateur 60 sur la face arrière 36 de la puce 24. Cela améliore également le raccordement thermique du dissipateur 60 sur la face arrière 36. Éventuellement, comme illustré ici, la même colle 68 est également dispersée entre les puces 24 et 26. [0063] Lors d'une étape 128 (figure 13), la poignée temporaire 120 est décollée, puis la plaque contenant les différentes puces 24 est découpée de façon à isoler mécaniquement les uns des autres des sous-ensembles comportant chacun une 10 puce 24 sur laquelle sont fixés la puce 26 et le dissipateur 60. [0064] Ensuite, lors d'une étape 130, un sous-ensemble obtenu à l'étape 128 est soudé sur le substrat 10. Lors de cette étape 130, la puce 22 est également soudée sur le substrat 10. Le positionnement du sous-ensemble ainsi que le positionnement de la puce 22 sur le substrat 10, lors de cette étape 130, sont, par exemple, réalisés à 15 l'aide du même procédé « pick and place ». [0065] Lors d'une étape 132, la couche épaisse 54 est moulée sur le substrat 10 et les puces 22, 24 et 26 et le dissipateur 60, de manière à former le boîtier du circuit intégré 4. [0066] Enfin, lors d'une étape 134, le système 6 de refroidissement est directement 20 fixé sur la face extérieure 56 du circuit intégré 4. [0067] La figure 14 représente un ensemble 146 identique à l'ensemble 2, sauf que le circuit intégré 4 est remplacé par un circuit intégré 148. Le circuit intégré 148 est identique au circuit intégré 4, sauf que le dissipateur 60 est remplacé par un dissipateur 150. Le dissipateur 150 diffère du dissipateur 60 uniquement : 25 - par le fait que la face avant 62 est remplacée par une face avant 152 plane, et - par le fait que le corps du dissipateur 150 est réalisé en cuivre et non pas en silicium. [0068] Dans ce mode de réalisation, la face avant 152 est dépourvue de plot 66. Elle est directement en contact mécanique avec la face arrière 36 de la puce 24 sur toute 30 sa surface. À cet effet, la face avant 152 est en appui sur une zone plane de la face arrière 36, c'est-à-dire une zone de la face arrière 36 dépourvue de plot 44. [0069] Un procédé de fabrication de l'ensemble 146 va maintenant être décrit en référence aux figures 15 à 27. [0070] Lors d'une étape 160 (figure 16), une plaque sur laquelle ont été fabriquées 35 collectivement plusieurs puces électroniques 24 est fournie. Cette plaque est collée sur une poignée temporaire 162. Pour simplifier les figures, seule une partie de cette plaque contenant uniquement une seule puce 24 est représentée. [0071] Lors d'une étape 164 (figure 17), la fabrication de la puce 24 est achevée par le dépôt d'une couche de passivation 166 pour former la face arrière 36 de la puce 40 24. La couche 166 est réalisée dans un matériau électriquement isolant et recouvre tout l'arrière de la puce 24, sauf les emplacements où des plots 44 doivent être réalisés. [0072] Lors d'une étape 168 (figure 18), une couche d'accroche et une couche de nucléation sont déposées. Cette étape est par exemple identique à l'étape 96 du 5 procédé de la figure 2. Sur les figures, ces deux couches sont représentées par une seule couche 170. [0073] Lors d'une étape 172 (figure 19), une couche de résine 174 est déposée, puis structurée par photolithographie pour former des emplacements 176. Au fond de chaque emplacement 176, une portion de la couche 170 est directement exposée à 10 l'extérieur. [0074] Lors d'une étape 178 (figure 20), les emplacements 176 sont remplis, par électrolyse, avec du cuivre, puis surmontés d'une couche de fluage en SnAg pour former les plots 44 de la face arrière 36 de la puce 24. [0075] Lors d'une étape 180 (figure 21), la couche de résine 176 est retirée, par 15 exemple, par dissolution. [0076] Lors d'une étape 182 (figure 22), une nouvelle couche de résine 184 est déposée, puis structurée par photolithographie pour ménager un emplacement 186 au-dessus du composant 48. L'emplacement 186 permet d'exposer à l'extérieur seulement la partie de la couche 170 située directement au-dessus du composant 48. 20 [0077] Lors d'une étape 188 (figure 23), on procède au dépôt et à la croissance, par électrolyse, d'une couche de cuivre seulement à l'intérieur de l'emplacement 186. La croissance de cette couche de cuivre est arrêtée quand l'épaisseur de cette couche est telle que la face arrière 64 se situe à la même hauteur que les faces arrières 32 et 40 des puces électroniques 22 et 26 après l'assemblage des puces 22, 24, 26 et du 25 dissipateur 150 sur le substrat 10. A l'issue de l'étape 188, la fabrication du dissipateur 150 et sa fixation sur la puce 24 sont terminées. [0078] Lors d'une étape 190 (figure 24), la couche de résine 184 est retirée, par exemple, par dissolution. [0079] Lors d'une étape 192 (figure 25), la couche 170 située entre les plots 44 est 30 retirée par gravure. [0080] Lors d'une étape 194 (figure 26), un traitement thermique, identique à celui de l'étape 112 est appliqué pour mettre en forme les plots 44. [0081] Lors d'une étape 196 (figure 27), la puce électronique 26 est assemblée sur la face arrière 36. Cette étape 196 est réalisée de la même manière que ce qui a été 35 décrit en référence aux étapes 118, 122 et 124 du procédé de la figure 2. Toutefois, on notera que dans ce mode de réalisation, la colle 68 est uniquement dispersée entre les plots 44 situés sous la puce 26. [0082] Ensuite, on procède à des étapes 200, 202, 204 et 206 identiques, respectivement, aux étapes 128, 130, 132 et 134 du procédé de la figure 2. [0083] La figure 28 représente un ensemble 216 identique à l'ensemble 2, sauf que le circuit intégré 4 est remplacé par un circuit intégré 218. Ce circuit intégré 218 se distingue du circuit intégré 4 par le fait que la puce 24 et le dissipateur 60 sont remplacés, respectivement, par une puce électronique 220 et un dissipateur 222. Le dissipateur 222 est identique au dissipateur 150 sauf qu'il est plus large que la puce électronique 220. Par conséquent, sa face avant s'étend, dans une direction horizontale, et de chaque côté, au-delà de la face arrière de la puce 220. Une telle disposition du dissipateur 222 favorise en plus la dissipation de la chaleur générée par la puce 220 sur les côtés verticaux du circuit intégré 218. Dans ce mode de réalisation, par exemple, le dissipateur 222 possède une face avant plane et dépourvue de plot qui est directement collée sur la face arrière de la puce électronique 220. Dans ce cas, la face arrière de la puce électronique 220 est également plane et horizontale. La colle utilisée pour réaliser ce collage est par exemple la colle 68. Typiquement, la surface de la face avant du dissipateur 222 est au moins 1,1 fois et, de préférence 1,5 fois ou 2 fois, supérieure à la surface de la face arrière de la puce 220. [0084] De nombreux autres modes de réalisation sont possibles. Par exemple, en variante, la puce 26 est omise. Dans ce cas, la hauteur du dissipateur 60 est ajustée pour que sa face arrière soit à la hauteur de la face arrière 32 de la puce 22. Dans un 20 autre mode de réalisation, c'est la puce 22 qui est omise. [0085] Ce qui a été décrit précédemment s'applique à tous circuits intégrés comportant plusieurs puces électroniques dont les faces arrière sont situées à des hauteurs différentes. Dans le cas où le circuit intégré comporte plusieurs puces présentant chacune une face arrière à une hauteur supérieure à celle de la face 25 arrière 36, de préférence, la face arrière 64 du dissipateur est située au niveau de la face arrière de la puce électronique haute. On notera aussi que la puce 24 peut être remplacée par une autre puce dépourvue de composants opto-électroniques. [0086] La face arrière d'une puce électronique ou du dissipateur n'est pas nécessairement plane et horizontale. Par exemple, elle peut présenter des aspérités. 30 Dans ce cas, le plan de la face arrière utilisé pour mesurer la hauteur H est le plan horizontal qui minimise la moyenne quadratique (« root mean square » en anglais) des écarts verticaux entre ce plan et chaque point de cette face arrière. [0087] Le circuit intégré peut aussi contenir plusieurs dissipateurs tels que les dissipateurs 60, 150 ou 222. Par exemple, plusieurs dissipateurs sont disposés sur 35 différentes zones respectives de la même face arrière d'une puce électronique. Il est aussi possible de disposer plusieurs dissipateurs sur des faces arrières respectives de plusieurs puces électroniques différentes. [0088] Les connexions électriques 12 peuvent prendre d'autres formes. Par exemple, en variante, les connexions électriques 12 sont des broches qui font saillie 40 au-delà du boîtier du circuit intégré 4. [0089] Les composants électroniques d'une puce ne sont pas uniquement réalisés sur la face avant de cette puce. Par exemple, en variante, les composants électroniques sont également réalisés sur la face arrière ou enclavés à l'intérieur de la puce électronique. [0090] Le corps du dissipateur peut être réalisé dans d'autres matériaux thermiquement bons conducteurs, y compris dans le cas du dissipateur 60. Par exemple, ce corps est réalisé en cuivre ou en aluminium. [0091] Le corps du dissipateur n'est pas forcément constitué d'une seule couche entre ses faces avant et arrière. Ainsi, en variante, le corps est constitué d'un empilement de plusieurs couches en matériaux thermiquement bons conducteurs, directement déposées les unes sur les autres dans la direction verticale. Par exemple, cet empilement comporte au moins une couche en silicium et au moins une couche en carbure de silicium. Dans un autre mode de réalisation, cet empilement comporte au moins une couche de graphite. En variante, l'une des couches peut aussi être une couche de graphène pour accroître la conductivité latérale du dissipateur. [0092] Dans un autre mode de réalisation, la face arrière du dissipateur n'est pas affleurante sur la face supérieure extérieure 56, mais enfoui sous une fine lame de la couche épaisse 54. Typiquement, l'épaisseur de cette lame de couche épaisse est 20 inférieure à 50 pm et, de préférence, inférieure à 10 pm ou 5 pm. [0093] La face avant du dissipateur peut être fixée sur la face arrière de la puce électronique par d'autres moyens. Par exemple, en variante, les plots 44 et 66 sont omis et la face avant est fixée sur la face arrière uniquement au moyen d'une colle, telle que la colle 68. Dans ce cas, la face avant n'est pas directement en contact 25 mécanique avec la face arrière de la puce électronique. [0094] Les particules thermiquement conductrices mélangées aux matériaux de collage dans la colle 68 peuvent être omises. [0095] De même, les colles dispensées sous la puce 26 et sous le dissipateur peuvent être différentes. Par exemple, la colle dispensée uniquement sous la puce 26 30 présente une conductivité thermique moindre que celle dispensée sous le dissipateur. [0096] Dans le cas où le dissipateur est mécaniquement et thermiquement fixé sur la puce 24 par des plots, la colle dispensée entre ces pots peut être omise. [0097] D'autres systèmes de refroidissement de la face extérieure supérieure du circuit intégré sont possibles. Par exemple, on peut utiliser un système de 35 refroidissement fluidique comportant des canaux qui amènent un liquide caloporteur en contact direct avec la face 56 et des canaux qui évacuent ce liquide caloporteur après qu'il ait été réchauffé par conduction thermique avec cette face 56. [0098] En variante, l'étape de suppression de la couche 170 résiduelle entre les plots 44 est omise. REVENDICATIONS1. Circuit intégré comportant : - un substrat (10) qui s'étend principalement dans un plan appelé « plan du 5 substrat », ce substrat étant équipé de connexions électriques pour raccorder électriquement le circuit intégré à un circuit électronique extérieur, ce substrat présentant une face intérieure (20), - une puce électronique haute (22, 26) et une puce électronique basse (24; 220), chacune de ces puces électroniques étant électriquement raccordée aux connexions 10 électriques par l'intermédiaire de ce substrat et chaque puce électronique comportant une face avant tournée vers la face intérieure du substrat et une face arrière du côté opposé à cette face avant, la face arrière (32) de la puce électronique haute étant située à une hauteur H au-dessus de la face intérieure (20) du substrat et étant plus éloignée de la face intérieure (20) du substrat que la face arrière (36) de la puce 15 électronique basse, - un boîtier formé par une couche épaisse (54) en matériau électriquement isolant qui enrobe les puces électroniques, cette couche épaisse formant une face extérieure supérieure (56) du boîtier parallèle au plan du substrat' caractérisé en ce que le circuit intégré comporte un dissipateur (60 ; 150 ; 222) de 20 chaleur dépourvu de composants électroniques et interposé entre la face arrière (36) de la puce électronique basse et la face extérieure supérieure (56) du boîtier, ce dissipateur comportant une face avant (62 ; 152) disposée sur la face arrière de la puce électronique basse et une face arrière (64) du côté opposé à la face avant, cette face arrière étant comprise entre un premier et un second plans parallèles au plan du 25 substrat, le premier et le second plans étant situés, respectivement, à 0,15*H en-dessous et à 0,15*H au-dessus de la face arrière de la puce électronique haute, la conductivité thermique à 25 °C du dissipateur dans une direction perpendiculaire au plan du substrat étant au moins deux fois supérieure à la conductivité thermique de la couche épaisse mesurée dans les mêmes conditions et dans la même direction. 30 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel : - la face avant (30, 38) de la puce électronique haute comporte des plots (42, 44) , ces plots étant directement mécaniquement et électriquement raccordés sur des plots (44) en vis-à-vis de manière à transmettre des signaux électriques entre la puce 35 électronique haute et un circuit électronique (8) extérieur à cette puce électronique haute par l'intermédiaire de ces plots, - la face arrière (36) de la puce électronique basse comporte des plots (44), - la face avant (62) du dissipateur comporte des plots (66) mécaniquement fixés sur les plots (44) en vis-à-vis de la face arrière de la puce électronique basse de la mêmemanière que les plots (42, 44) de la puce électronique haute sont fixés sur des plots en vis-à-vis. 3. Circuit selon la revendication 1, dans lequel la face arrière (36) de la puce électronique basse comporte une couche plane électriquement isolante (166) pour isoler électriquement cette puce électronique basse de l'environnement extérieur, et la face avant (152) du dissipateur est plane et directement en contact mécanique sur cette couche plane de la face arrière de la puce électronique basse. 4. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la partie de la face avant (62 ; 152) du dissipateur directement en contact mécanique avec la face arrière (36) de la puce électronique basse occupe au moins 10 % ou 30 % de la surface de la projection orthogonale de la face arrière de la puce électronique basse sur le plan du substrat. 5. Circuit selon la revendication 4, dans lequel la surface de la projection orthogonale de la face avant du dissipateur (222) sur le plan du substrat est au moins 1,1 fois supérieure à la surface de la projection orthogonale de la face arrière de la puce électronique basse (220) sur ce même plan. 6. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la capacité thermique massique du dissipateur est inférieure à 1200 J/Kg/K ou à 1000 J/Kg/K dans les conditions normales de température et de pression. 7. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'épaisseur du dissipateur dans une direction perpendiculaire au plan du substrat est supérieure à 70 pm. 8. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la 30 face arrière (32, 40) de la puce électronique haute et la face arrière (64) du dissipateur affleurent la face extérieure supérieure du boîtier. 9. Ensemble comportant : - un circuit intégré (4 ; 148 ; 218) présentant une face extérieure supérieure, et 35 - un radiateur (70) ou un système de refroidissement fluidique utilisant un liquide caloporteur pour refroidir la face extérieure supérieure du circuit intégré, le radiateur ou le système de refroidissement fluidique étant directement disposé sur la face extérieure supérieure de ce circuit intégré,caractérisé en ce que le circuit intégré est conforme à l'une quelconque des revendications précédentes. 10. Procédé de fabrication d'un circuit intégré conforme à l'une quelconque des 5 revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le procédé comporte la réalisation (182, 188, 190,192, 194, 200, 202, 204) du dissipateur de chaleur interposée entre la face arrière de la puce électronique basse et la face extérieure supérieure du boîtier. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la réalisation du dissipateur 10 comporte la croissance (188) par électrolyse, sur la face arrière de la puce électronique basse, d'une couche d'un matériau dont la conductivité thermique est au moins deux fois supérieure à la conductivité thermique de la couche épaisse lorsqu'elle est mesurée dans les mêmes conditions et dans la même direction, cette croissance par électrolyse étant interrompue au moment où l'épaisseur de cette 15 couche est telle que, après l'assemblage de la puce électronique haute sur le substrat du circuit intégré, la face arrière du dissipateur est comprise entre un premier et un second plans parallèles au plan du substrat, le premier et le second plans étant situés, respectivement, à 0,15*H en-dessous et à 0,15*H au-dessus de la face arrière de la puce électronique haute. 20 12 Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le dissipateur est reporté (118) sur la face arrière de de la puce électronique basse par collage ou par l'intermédiaire de plots. 25 13 Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que lorsque le dissipateur est reporté sur la face arrière de la puce électronique basse et fixé à cette puce électronique basse par des plots, le procédé comporte une étape (124) de remplissage de l'espace créé par les plots par une colle contenant des particules thermiquement conductrices.