Brevet FR3022686A1 — publié le 20151225

Agencement cellulaire pour dispositifs à semiconducteurs La présente invention concerne les dispositifs semiconducteurs tels que les dispositifs de puissance au carbure de silicium (SiC), dont les transistors à effet de champ (p.ex. les MOSFET, DMOSFET, UMOSFET, VMOSFET, etc.), les transistors bipolaires à grille isolée (TBGI), les thyristors à commande par MOS à base isolée (IBMCT), les transistors à effet de champ à jonction (JFET) et les transistors à effet de champ métal- semiconducteur (MESFET). On va commencer par présenter divers aspects de la technique susceptibles de concerner divers aspects de la présente invention, lesquels sont décrits et/ou revendiqués plus loin. On estime que ces explications seront utiles pour fournir des informations de référence facilitant une meilleure compréhension des divers aspects de la présente invention. De la sorte, ces indications doivent être lues dans cette optique et non comme des reconnaissances de technique antérieure. Des dispositifs de conversion de puissance sont couramment employés dans tous les systèmes électriques modernes pour convertir de l'électricité d'une forme à une autre en vue de sa consommation par une charge. Beaucoup de systèmes d'électronique de puissance utilisent divers dispositifs et composants à semiconducteurs tels que des thyristors, des diodes et divers types de transistors (p.ex. des transistors à effet de champ métal-oxydesemiconducteur (MOSFET), des transistors à effet de champ jonction (JFET), des transistors bipolaires à grille isolée (TBGI) et autres transistors adéquats). 3022686 2 En particulier pour des applications à haute fréquence, haute tension et/ou haute intensité, des dispositifs utilisant des semiconducteurs à large bande interdite, tels que le carbure de silicium (SiC), le nitrure d'aluminium (A1N), le nitrure de gallium 5 (GaN), etc., peuvent offrir un certain nombre d'avantages du point de vue de du fonctionnement sous haute température, de la résistance réduite à l'état passant et d'une miniaturisation des puces plus poussée que dans les dispositifs au silicium (Si) correspondants. De la sorte, des dispositifs à semiconducteurs à 10 large bande interdite présentent des avantages pour des applications de conversion de puissance, par exemple des systèmes de distribution d'électricité (p.ex. dans des réseaux électriques), des systèmes de production d'énergie (p.ex. dans des convertisseurs d'énergie solaire et éolienne, ainsi que des biens de consommation 15 (p.ex. des véhicules électriques, des appareils, des sources d'alimentation électrique, etc.). Dans une forme de réalisation, un système comporte une cellule de dispositif à semiconducteur disposée sur une surface d'une couche de semiconducteur en carbure de silicium (SiC). La 20 cellule de dispositif à semiconducteur comporte : une zone de migration ayant un premier type de conductivité, une zone de puits adjacente à la zone de migration et ayant un second type de conductivité, une zone de source adjacente à la zone de puits et ayant le premier type de conductivité, une zone de canal adjacente à 25 la zone de source tout près de la surface et ayant le second type de conductivité, et une zone de contact de corps disposée par-dessus une partie de la zone de puits et ayant le second type de conductivité, la zone de contact de corps n'étant pas centrée à l'intérieur de la cellule de dispositif à semiconducteur. La cellule de dispositif comporte un contact segmenté de source et de corps 3022686 3 (CSSC) disposé par-dessus une partie de la surface, le CSSC comprenant : un segment de contact de corps disposé par-dessus la zone de contact de corps et un segment de contact de source disposé au voisinage immédiat de la zone de contact de corps et par-dessus 5 une partie de la zone de source, le segment de contact de source n'entourant pas entièrement le segment de contact de corps du CSSC. Dans une forme de réalisation, un système comporte un agencement cellulaire de dispositifs à semiconducteur ayant une 10 pluralité de cellules de dispositifs à semiconducteur disposées sur une surface d'une couche de semiconducteur en carbure de silicium (SiC). Les différentes cellules de dispositifs cellulaires semiconducteur comprennent chacune : une zone de migration ayant un premier type de conductivité, une zone de puits adjacente à la 15 zone de migration et ayant un second type de conductivité, une zone de source adjacente à la zone de puits et ayant le premier type de conductivité. La zone de puits de chaque cellule de dispositif comprend une zone de contact de corps disposée tout près de la surface et la zone de source de chaque cellule de dispositif 20 comprend une zone de contact de source disposée tout près de la surface et tout près de la zone de contact de corps. Les différentes cellules de dispositifs cellulaires à semiconducteur comprennent chacune un contact segmenté de source et de corps (CSSC) asymétrique disposé par-dessus une partie de la surface, le 25 CSSC asymétrique comprenant un segment de contact de corps disposé par-dessus la zone de contact de corps de la cellule de dispositif à semiconducteur et un segment de contact de source disposé au voisinage immédiat du segment de contact de corps et par-dessous la zone de contact de source de la cellule de dispositif à 30 semiconducteur, le segment de contact de source du CSSC 3022686 4 asymétrique n'entourant pas entièrement le segment de contact de corps du CSSC. Dans une forme de réalisation, un procédé pour fabriquer une cellule de dispositif à semiconducteur sur une surface d'une 5 couche de semiconducteur en carbure de silicium (SiC) comporte la formation d'un contact segmenté de source et de corps (CSSC) de la cellule de dispositif à semiconducteur par-dessus la surface de la couche de semiconducteur en SiC. Le CSSC comprend un segment de contact de corps disposé par-dessus la surface de la couche de 10 semiconducteur et tout près de la zone de contact de corps de la cellule de dispositif à semiconducteur, le segment de contact de corps n'étant pas aligné avec le centre de la cellule de dispositif à semiconducteur. Le CSSC comprend également un segment de contact de source disposé par-dessus la surface de la couche de 15 semiconducteur et tout près d'une zone de contact de source de la cellule de dispositif à semiconducteur, le/les segment(s) de contact de source n'entourant que partiellement le segment de contact de corps du CSSC. L'invention sera mieux comprise à l'étude détaillée de 20 quelques modes de réalisation pris à titre d'exemples non limitatifs et illustrés par les dessins annexés sur lesquels : -la Figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif MOSFET planar selon la technique antérieure ; -la Figure 2 est une vue schématique illustrant la résistance 25 pour diverses zones d'un dispositif MOSFET selon la technique antérieure ; -la Figure 3A est une vue de dessus d'une cellule de dispositif à semiconducteur ayant une zone de contact segmenté de source et de corps (CSSC) symétrique selon des formes de 30 réalisation de la présente invention ; 3022686 5 -la Figure 3B est une vue de dessus d'une autre forme de réalisation d'une cellule de dispositif ayant une zone de CSSC symétrique et présentant des défauts de fabrication exagérés ; -la Figure 3C est une vue de dessus d'un agencement 5 cellulaire de dispositifs à CSSC ayant des cellules rectangulaires de dispositifs avec des contacts segmentés de source et de corps (CSSC) symétriques selon des formes de réalisation de la présente invention ; -la Figure 4 est une vue en coupe d'une partie de la forme de 10 réalisation d'agencement cellulaire de dispositifs à CSSC illustrée sur la Figure 3C ; -la Figure 5 est une vue en coupe d'une autre partie de la forme de réalisation d'agencement cellulaire de dispositifs à CSSC illustrée sur la Figure 3C ; 15 -la Figure 6 est une vue de dessus d'une autre forme de réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs à CSSC ayant des cellules de dispositifs rectangulaires en quinconce avec des CSSC symétriques : -la Figure 7 est une vue de dessus d'une autre forme de 20 réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs à CSSC ayant des cellules de dispositifs hexagonales allongées avec des CSSC symétriques ; -la Figure 8 est une vue de dessus d'une autre forme de réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs à CSSC ayant 25 des cellules de dispositifs rectangulaires avec des CSSC asymétriques ; -la Figure 9 est une vue de dessus d'une autre forme de réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs à CSSC ayant des cellules de dispositifs hexagonales avec des CSSC 30 asymétriques ; 3022686 6 -la Figure 10 est une vue de dessus d'une autre forme de réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs à CSSC ayant des cellules de dispositifs carrées avec des CSSC asymétriques ; -la Figure 11 est une vue de dessus d'une autre forme de 5 réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs à CSSC ayant des cellules de dispositifs hexagonales avec des CSSC asymétriques ; -la Figure 12A est une vue de dessus d'une forme de réalisation d'un agencement non cellulaire de dispositifs à bandes 10 comportant des bandes de contact de source continues et des bandes de contact de corps continues ; -la Figure 12B est une vue de dessus d'une forme de réalisation d'un agencement non cellulaire de dispositifs à bandes en échelle comportant des bandes de contact de source/corps 15 segmentées ; -la Figure 12C est une vue de dessus d'une forme de réalisation d'un agencement cellulaire de dispositifs comportant des cellules de dispositifs carrées dépourvues de CSSC ; -la Figure 13 est un graphique illustrant les relations entre la 20 largeur de canal normalisée (Wch) (normalisée suivant la largeur de canal de l'agencement de dispositifs 200 à bandes en échelle de la Figure 12B) et la largeur de la zone de JFET (WJFET) pour des formes de réalisation d'agencements cellulaires de dispositifs à CSSC à longueurs de canaux (Lch) différentes ; 25 -la Figure 14 est un graphique illustrant les relations entre la densité de JFET (DJFET) normalisée (normalisée suivant la densité de JFET dans l'agencement de dispositifs à bandes en échelle de la Figure 12B) et la largeur de la zone de JFET (WJFET) pour des formes de réalisation d'agencements cellulaires de dispositifs à 30 CSSC à longueurs de canaux (Lch) différentes ; 3022686 7 -la Figure 15 est un graphique illustrant les relations entre la largeur de canal normalisée (Wch) (normalisée suivant la largeur de canal de l'agencement cellulaire de dispositifs à cellules carrées de la Figure 12C) et la largeur de la zone de JFET (WJFET) pour des 5 formes de réalisation d'agencements cellulaires de dispositifs à CSSC à longueurs de canaux (Lch) différentes ; et -la Figure 16 est un graphique illustrant les relations entre la densité de JFET (DJFET) normalisée (normalisée suivant la densité de JFET dans l'agencement cellulaire de dispositifs à cellules 10 carrées de la Figure 12C) et la largeur de la zone de JFET (WJFET) pour des formes de réalisation d'agencements cellulaires de dispositifs à CSSC à longueurs de canaux (Lch) différentes. On va maintenant décrire une ou plusieurs formes de réalisation spécifiques. Dans le but de fournir une description 15 concise de ces formes de réalisation, tous les détails d'une mise en oeuvre concrète ne sont pas décrits dans le fascicule. Pendant l'élaboration de toute mise en oeuvre concrète, notamment dans un projet d'étude ou de conception, de nombreuses décisions spécifiques de la mise en oeuvre doivent être prises pour atteindre 20 les buts spécifiques des réalisateurs tels que le respect de contraintes liées au système et de nature commerciale, lesquelles peuvent varier d'une mise en oeuvre à une autre. En outre, un tel travail d'élaboration pourrait être complexe et long, mais représenterait néanmoins un travail ordinaire de conception, de 25 réalisation et cde fabrication pour les spécialistes ordinaires bénéficiant de la présente invention. Lors de l'évocation d'éléments de diverses formes de réalisation de la présente invention, il est entendu que les articles définis et indéfinis singuliers signifient qu'il y a un ou plusieurs 30 des éléments. Il est entendu que les termes "comportant", 3022686 8 "comprenant" et "ayant" sont inclusifs et signifient qu'il peut y avoir des éléments supplémentaires autres que les éléments cités. De plus, les références à "une première forme de réalisation" ou "une forme de réalisation" de la présente invention ne sont pas 5 destinées à être interprétées comme excluant l'existence de formes de réalisation supplémentaires qui comportent elles aussi les éléments caractéristiques mentionnés. Il est entendu que le terme "sensiblement" employé ici pour décrire une forme, une position ou un alignement d'un élément couvre des formes, des positions et des 10 alignements idéaux ou visés, ainsi que des formes, des positions et des alignements imparfaitement mis en oeuvre du fait de la variabilité du processus de réalisation des semiconducteurs, comme peut le comprendre un homme de l'art. L'adjectif "symétrique" peut servir ici à qualifier une zone de contact de source/corps segmentée, 15 un contact de source/corps segmenté ou une cellule de dispositif qui possède au moins deux plans de symétrie spéculaires placés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur. L'adjectif "asymétrique" peut servir ici à qualifier une zone de contact de source/corps segmentée, un contact de source/corps 20 segmenté ou une cellule de dispositif qui possède moins de deux plans de symétrie spéculaires placés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur. L'adjectif "centré" peut servir ici à qualifier une zone de contact de source/corps segmentée, un contact de source/corps segmenté ou une cellule de dispositif dans lequel la 25 zone de contact de corps est disposée sensiblement au centre, respectivement, de la zone de contact de source/corps segmentée, du contact de source/corps segmenté ou de la cellule de dispositif. L'adjectif "décentré" ou la locution "non centré" peut servir ici à qualifier une zone de contact de source/corps segmentée, un contact 30 de source/corps segmenté ou une cellule de dispositif dans lequel la 3022686 9 zone de contact de corps n'est pas disposée sensiblement au centre, respectivement, de la zone de contact de source/corps segmentée, du contact de source/corps segmenté ou de la cellule de dispositif. De plus, il est entendu qu'une cellule de dispositif à semiconducteur 5 décrite ici comme étant disposée ou réalisée "à la surface" d'une couche de semiconducteur inclut une cellule de dispositif à semiconducteur dont des parties sont disposées dans la masse de la couche de semiconducteur, des parties sont disposées tout près de la surface de la couche de semiconducteur, des parties sont disposées 10 au même niveau que la surface de la couche de semiconducteur et/ou des parties sont disposées par-dessus ou au-dessus de la surface de la couche de semiconducteur. Le dispositif de transistor à effet de champ (TEC) constitue l'une des pierres angulaires de l'électronique de puissance moderne. 15 Par exemple, la Figure 1 représente une cellule active d'un transistor à effet de champ planar à canal N, en l'occurrence un DMOSFET, ci-après appelé dispositif MOSFET 10. Afin de représenter plus clairement certains composants du dispositif MOSFET 10, ainsi que d'autres dispositifs présentés plus loin, 20 certains éléments de conceptions bien connues (p.ex. la couche supérieure de métallisation, la couche de passivation, la terminaison de bordure et autres) peuvent être omis. Le dispositif MOSFET 10 représenté sur la Figure 1 comporte une couche de semiconducteur 2 (p.ex. une couche de semiconducteur en carbure de silicium) ayant 25 une première surface 4 et une seconde surface 6. La couche de semiconducteur 2 comprend une zone de migration 16 ayant un premier type de conductivité (p.ex. une couche de migration 16 du type N), une zone de puits 18 adjacente à la zone de migration et située tout près de la première surface, la zone de puits ayant un 30 second type de conductivité (p.ex. un puits P 18). La couche de 3022686 10 semiconducteur 2 comprend aussi une zone de source 20 adjacente à la zone de puits 18, la zone de source ayant le premier type de conductivité (p.ex. la zone de source 20 du type N). Une couche d'isolation 24 de grille est disposée sur une partie de la première 5 surface 4 de la couche de semiconducteur 2 et une électrode de grille 26 est disposée sur la couche d'isolation 24 de grille. La seconde surface 6 de la couche de semiconducteur 2 est une couche de substrat 14 et le contact de drain 12 est disposé sur le dessous du dispositif 10, le long de la couche de substrat 14. Le contact de 10 source/corps 22 est disposé par-dessus la couche de semiconducteur 2 en couvrant partiellement la zone de source 20 et les zones de puits/corps 18. En fonctionnement, une tension de grille appropriée (p.ex. égale ou supérieure à une tension de seuil (VTH) du dispositif MOSFET 10) peut provoquer la formation d'une couche d'inversion 15 dans la zone de canal 28, ainsi que le renforcement d'un trajet conducteur dans la zone 29 de transistor à effet de champ à jonction (JFET) par suite de l'accumulation de porteurs, ce qui permet le passage d'un courant entre le contact 22 (à savoir l'électrode de source) et le contact de drain 12. Dans les dispositifs MOSFET 20 évoqués ici, la zone de canal 28 peut être globalement définie comme étant une partie supérieure de la zone de puits P 28 disposée sous l'électrode de grille 26 et le diélectrique de grille 24. Comme représenté sur la Figure 2, les diverses zones du dispositif MOSFET 10 peuvent avoir chacune une résistance 25 correspondante, et une résistance totale (p.ex. une résistance à l'état passant, Rds(on)) du dispositif MOSFET 10 peut être représentée sous la forme d'une somme de chacune de ces résistances. Par exemple, comme illustré sur la Figure 2, la résistance à l'état passant, Rds(on), du dispositif MOSFET 10 à canal N peut être 30 approchée sous la forme d'une somme de : une résistance Rs 30 3022686 11 (p.ex. une résistance de la zone 20 N+ et une résistance du contact 22) ; une résistance Rch 32 (p.ex. une résistance de canal d'inversion de la zone 28 représentée sur la figure 1) ; une résistance Ra' 34 (p.ex. une résistance d'une couche d'accumulation 5 entre l'oxyde de grille 24 et la partie de la couche de migration 16 située entre les zones de puits P 18) ; une résistance RJFET 36 (p.ex. une résistance de zone d'étranglement non appauvrie entre les zones de puits P 18) ; une résistance Rdrift 38 (p.ex. la résistance autour de la couche de migration 16) ; et une résistance Rsub 40 (p.ex. la 10 résistance autour de la couche de substrat 14). On notera que les résistances illustrées sur la Figure 2 ne sont pas destinées à être exhaustives et que d'autres résistances (p.ex. la résistance de contact de drain, la résistance intrinsèque, etc.) pourraient potentiellement être présentes à l'intérieur du dispositif à 15 semiconducteur 10. Compte tenu de ce qui précède, les présentes formes de réalisation concernent des conceptions et des agencements de dispositifs cellulaires qui permettent d'améliorer les performances des dispositifs à semiconducteurs. En particulier, afin de réduire ou 20 de limiter fortement les pertes par conduction à l'état passant (p.ex. de limiter fortement Rds(on)), il peut être souhaitable de réduire la résistance des composants du dispositif MOSFET 10. Dans certains cas, une ou deux composantes de résistance peuvent dominer les pertes par conduction, et agir sur ces facteurs peut avoir de grands 25 effets sur Rds(on). Par exemple, pour des dispositifs dans lesquels la résistance de migration 38, la résistance de substrat 40 et la résistance de contact 30 sont négligeables, notamment des dispositifs à basse tension souffrant d'une faible mobilité dans la couche d'inversion (p.ex. les dispositifs à SiC), la résistance de 30 canal (Rch 32) peut être à l'origine d'une partie notable des pertes 3022686 12 par conduction des dispositifs. De la sorte, les présentes formes de réalisation comportent des conceptions et des agencements de dispositifs cellulaires qui assurent une plus grande largeur de canal et ou une plus grande densité de canal afin de réduire la résistance 5 de canal (Rch 32) et, de ce fait, réduire les pertes par conduction à l'état passant. Dans un autre exemple, dans des dispositifs à moyenne et haute tensions, la résistance de zone de JFET (RJFET 36) peut être à l'origine d'une partie notable des pertes totales par conduction des dispositifs. De la sorte, les présentes formes de 10 réalisation comportent des conceptions et des agencements de dispositifs cellulaires à plus forte densité de JFET afin de réduire la résistance de zone de JFET (RJFET) et, de ce fait, de réduire les pertes par conduction dans les dispositifs à haute et moyenne tension, ainsi que dans les dispositifs à basse tension fonctionnant 15 aux températures les plus élevées. De plus, les conceptions et des agencements de dispositifs cellulaires décrits ici peuvent également permettre une diminution de la composante de résistance intrinsèque, ce qui apporte une nouvelle amélioration des performances du dispositif. Par ailleurs, bien que la présente 20 invention puisse être expliquée plus loin dans le contexte de dispositifs MOSFET au SiC, la présente invention peut s'appliquer à des systèmes à autres types de matériaux (p.ex. le silicium (Si), le germanium (Ge), le nitrure d'aluminium (A1N), le nitrure de gallium (GaN), l'arséniure de gallium (GaAs), le diamant(C) ou tout autre 25 semiconducteur approprié), ainsi qu'à d'autres types de structures de dispositifs (p.ex. 1'UMOSFET, les VMOSFET, les transistors bipolaires à grille isolée (TBGI), les thyristors à commande par MOS à base isolée (IBMCT), les transistors à effet de champ à jonction (JFET) et les transistors à effet de champ métal- 3022686 13 semiconducteur (MESFET) ou tout autre dispositif approprié) utilisant des conceptions à canal N ainsi qu'à canal P. Comme illustré sur la figure 2, les contacts 22 du dispositif MOSFET 10, qui assurent globalement une connexion ohmique à 5 l'électrode de source, sont disposés au-dessus d'une partie de la zone N+ 20 ainsi que d'une partie de la zone de puits P ou de la zone de corps P+ 18. Le contact 22 est globalement une interface métallique comprenant une ou plusieurs couches de métal situées entre ces parties semiconductrices du dispositif MOSFET 10 et 10 l'électrode métallique de source. En particulier, la partie de la zone N+ 20 du dispositif MOSFET 10 disposée sous le contact 22 peut ici être appelée zone de contact de source 42 du dispositif MOSFET 10. Par ailleurs, la partie de la zone de puits P ou de la zone de corps P+ 18 du dispositif MOSFET 10 qui est disposée sous le contact 22, 15 qui peut avoir un dopage P+ à un niveau supérieur à celui du reste de la zone de puits P 18, peut ici être appelée zone de contact de corps 44 du dispositif MOSFET 10. Dans un souci d'homogénéité, les parties du contact 22 peuvent ici être désignées en fonction de la partie du dispositif à semiconducteur qui est disposée sous le 20 contact 22. Par exemple, la partie du contact 22 disposée au-dessus d'une zone de contact de corps 44 peut ici être appelée zone de contact de corps 22A du contact 22. De même, la partie du contact 22 disposée au-dessus d'une zone de contact de source 42 du dispositif MOSFET 10 peut ici être appelée zone de contact de 25 source 22B du contact 22. Dans l'optique de ce qui précède, la figure 3A est une vue de dessus ou une vue en plan d'une forme de réalisation d'une cellule rectangulaire 46 de dispositif à semiconducteur (p.ex. une cellule 46 de dispositif MOSFET à semiconducteur) qui peut permettre de 30 réduire les pertes par conduction à l'état passant comme énoncé 3022686 14 plus haut. On notera que la position finale du contact 22 de la cellule 46 de dispositif est représentée par transparence (à savoir le rectangle 22 en pointillé) sur la Figure 3A afin de laisser voir les couches de la cellule 46 de dispositif qui seront disposées sous le 5 contact 22. Par exemple, la cellule de dispositif représentée 46 comprend une zone de contact de corps rectangulaire 44 disposée au milieu de la cellule 46 de dispositif. La zone de contact de corps 44 de la cellule 42 de dispositif est entourée par une zone 20 N+ qui est elle-même entourée par une zone de canal N 47 de la cellule 46 10 de dispositif à semiconducteur. De plus, la cellule de dispositif à semiconducteur représentée 46 comprend une zone de transistor à effet de champ à jonction (JFET) 48 qui entoure la zone de canal P 47 de la cellule 46 de dispositif. Comme illustré sur la Figure 3A, des parties de la zone N+ 15 20 disposées sous le contact 22 servent de segments 42A et 42B de la zone de contact de source 42 de la cellule 46 de dispositif. De la sorte, la surface de la cellule 46 de dispositif disposée sous le contact 22 (à savoir la zone de contact de corps 44 ainsi que les deux segments 42A et 42B de la zone de contact de source 42) peut 20 ici être globalement appelée zone de contact segmenté de source et de corps (CSSC) 50. De même, le contact 22, une fois formé, peut ici être globalement appelé contact segmenté de source et de corps (CSSC) 22. Dans la zone de CSSC 50 du dispositif à semiconducteur 46 représenté sur la Figure 3A, il faut souligner que 25 la zone de contact de corps 44 n'est que partiellement (c'est-à-dire incomplètement) entourée par les parties 42A et 42B de la zone de contact de source 42. Autrement dit, dans certaines formes de réalisation, la zone de contact de source 42 (p.ex. les parties 42A et 42B de la zone de contact de source 42) peut être décrite comme 30 étant disposée sur moins que tous les côtés (p.ex. les bords, les 3022686 15 faces) de la zone de contact de corps 44, par exemple, dans certaines formes de réalisation, des segments de la zone de contact de source 42 peuvent être décrits comme étant placés sur moins de six côtés, moins de cinq côtés, moins de quatre côtés, moins de trois 5 côtés, moins de deux côtés ou sur un seul côté d'une zone de contact de corps 44 ; ou le contact de source peut être décrit comme étant disposé sur moins que le pourtour complet de la zone de contact de corps. De plus, la cellule de dispositif représentée 46 peut être décrite comme ayant des segments 42A et 42B de la zone 10 de contact de source 42 disposés sur des côtés opposés de la zone de contact de corps 44. Ainsi, la conception de CSSC selon la présente forme de réalisation limite fortement les dimensions de la cellule et accroît la densité des zones conductrices (p.ex. les zones de canal, de JFET, intrinsèque) par cellule individuelle. 15 Dans la forme de réalisation illustrée sur la Figure 3A, la cellule 46 de dispositif à semiconducteur, la zone de CSSC 50 et/ou le CSSC 22 peuvent être qualifiés de centrés et/ou symétriques. Par exemple, la cellule 46 de dispositif, la zone de CSSC 50 et/ou le CSSC 22 peuvent être qualifiés de centrés, car la zone de contact de 20 corps représentée 44 est disposée au centre de la zone de CSSC 50 et au centre de la cellule 46 de dispositif à semiconducteur. Par ailleurs, une fois que le CSSC 22 est formé, le segment de contact de corps du CSSC 22 sera également disposé au centre de la cellule 46 de dispositif, par-dessus de zone de contact de corps 44 25 représentée sur la Figure 3A. En outre ou selon une autre possibilité, la cellule 46 de dispositif à semiconducteur, la zone de CSSC 50 et ou le CSSC 22 peuvent être qualifiés de symétriques du fait d'un certain nombre de plans de symétrie spéculaires, les plans de symétrie spéculaires étant orientés perpendiculairement à la 30 surface du semiconducteur accueillant la cellule 46 de dispositif 3022686 16 (c'est-à-dire orientés suivant l'axe z, perpendiculairement au plan x-y). Par exemple, comme illustré sur la Figure 3A, la cellule 46 de dispositif à semiconducteur, la zone de CSSC 50 et le CSSC 22 ont deux plans de symétrie spéculaires orientés suivant l'axe z : le 5 premier est un plan x-z disposé au centre de la cellule 46 de dispositif et le second est un plan y-z disposé au centre de la cellule 46 de dispositif, tous deux divisant en deux parties égales la cellule 46 de dispositif, la zone de CSSC 50 et le CSSC 22. Comme expliqué plus loin en référence à la Figure 3B, dans certaines 10 formes de réalisation, la cellule 46 de dispositif peut avoir un alignement et/ou une définition d'éléments moins qu'idéaux en raison d'écarts et de tolérances de fabrication. Dans ces formes de réalisation, la structure visée (à savoir ce qui était destiné à être mis en oeuvre en fonction de la conception) peut ici être considérée 15 comme étant centrée et/ou symétrique même si la structure réelle de la cellule 46 de dispositif telle qu'elle est fabriquée peut présenter des irrégularités liées aux limites du processus de fabrication. Par exemple, comme évoqué plus loin en référence à la Figure 3B, dans certaines formes de réalisation, la zone de contact de corps 44 peut 20 être légèrement décalée par rapport au centre de la cellule 46 de dispositif, le CSSC 22 peut n'être pas parfaitement aligné par la zone de canal 48, la zone de contact de corps 44 peut se prolonger un peu au-dessus ou au-dessous du CSSC 22, etc. Cependant, la cellule 46 de dispositif peut encore être considérée comme centrée 25 et/ou symétrique sur la base de la structure visée, même si, telle qu'elle est réalisée concrètement, elle peut différer de la structure visée en raison d'écarts induits par le processus de fabrication. La Figure 3A montre aussi des dimensions de la cellule de dispositif illustrée 46. Par exemple, la Figure 3A montre la 30 longueur de canal (Lch 52), la distance entre le canal et la zone 3022686 17 ohmique (Lch_to_ohp, 54), la largeur de la zone ohmique (Wohp, 56), la largeur des zones de contact de source (p.ex. W - n 42A 58A et W - n 42B 58B ; Wn = Wn 42A + Wn 42B), la largeur de la zone de contact de corps (Wp 60), la largeur du canal (W , - ch-Vertical 62A et Wch-Ho izontal 5 62B ; \Val = 2W - ch-Vertical + 2Wch-Horizontal, en ne tenant pas compte de la conduction dans les angles), la surface de la cellule de dispositif (représentée par toute la surface entourée par le rectangle 46, et la surface de JFET par cellule individuelle (zone de JFET 48) pour la cellule de dispositif représentée 46. Dans certaines formes de 10 réalisation, la distance entre le canal et la zone ohmique (Lch_to_ohm 54) peut être définie par une distance minimale autorisée par le procédé de fabrication, qui permet encore une séparation entre les électrodes de grille et de source. La position finale du CSSC 22, représentée par le rectangle 15 en pointillé 22 représenté sur la 3A, montre l'alignement idéal (p.ex. parfait) du contact 22, ainsi que la définition idéale (p.ex. parfaite) des éléments. Ainsi, dans le dispositif 46 de la Figure 3A, la longueur du contact 22 s'étend globalement exactement parallèlement à la longueur de la zone N+ 20. En outre, la zone de 20 contact de source 44 de la cellule 46 de dispositif ne se prolonge sensiblement pas au-dessus ni au-dessous du CSSC 22. Bien que l'alignement et la forme spécifique idéaux des éléments soient représentés pour simplifier la présentation, la présente invention ne se limite pas à ces formes, dimensions ou alignement spécifiques. 25 De la sorte, bien que des dispositifs à alignement idéal ou parfait (par exemples des structures de dispositifs visées) soient généralement illustrés et présentés ici, il faut souligner que, dans certaines formes de réalisation, le CSSC (p.ex. le CSSC 22) de cellules de dispositifs selon la présente invention (p.ex. les cellules 30 46 de dispositifs) peut ne pas avoir un alignement idéal ou parfait, 3022686 18 comme représenté sur la Figure 3B, du fait de tolérances autorisées dans le processus de fabrication. Par exemple, la Figure 3B illustre une forme de réalisation d'une cellule 46 de dispositif selon la présente invention qui 5 présente un alignement moins qu'idéal (p.ex. imparfait) du contact 22, ainsi qu'une définition moins qu'idéale (p.ex. imparfaite) des éléments. Comme illustré sur la Figure 3B, dans certaines formes de réalisation, la longueur du CSSC 22 peut n'être pas parfaitement parallèle à la longueur de la zone N+ 20 (p.ex. décalée 10 intentionnellement ou involontairement de 1°, 2°, 3°, 4° ou 5° ou plus), du fait des limites des techniques d'alignement utilisées dans la fabrication des semiconducteurs. Comme illustré sur la Figure 3B, dans certaines formes de réalisation, le CSSC 22 peut se prolonger un peu au-dessus ou au-dessous de la zone de contact de 15 source 44 ou la zone de contact de source 44 peut se prolonger un peu au-dessus ou au-dessous du CSSC 22, du fait des limites des techniques d'alignement utilisées dans la fabrication des semiconducteurs. Par exemple, dans certaines mises en oeuvre, le CSSC 22 peut se prolonger, au-dessus et/ou au-dessous de la zone 20 de contact de source 44, de moins d'environ 20 % de Won., 56 (p.ex. la largeur totale du contact 22), de moins d'environ 10 % de Wohm 56 ou de moins d'environ 5 % de Wohm 56. Par ailleurs, les formes illustrées et présentées ici représentent des formes idéales ou visées (p.ex. des rectangles, des carrés, des hexagones, etc.) pour les 25 éléments (p.ex. la zone de contact de source 44, la zone N+ 20, etc.) du dispositif 46. Cependant, comme illustré sur la Figure 3B, dans certaines mises en oeuvre, ces éléments peuvent être quelque peu modifiés du fait des limites des techniques de fabrication des semiconducteurs (p.ex. la photolithographie), et peuvent par 30 conséquent apparaître comme ayant des éléments plus ronds, plus 3022686 19 lisses ou des éléments globalement moins bien définis que la structure visée servant dans la conception d'un dispositif. De la sorte, la présente invention peut s'appliquer autant à des cellules de dispositifs idéales quant à leur alignement et leur forme (p.ex. 5 comme illustré sur la Figure 3A) qu'à des cellules de dispositifs qui sont partiellement mal alignées et/ou dépourvues d'une définition parfaite des éléments (p.ex. comme illustré sur la Figure 3B). La Figure 3C est une vue de dessus ou une vue en plan d'une forme de réalisation d'une surface 70 de semiconducteur (p.ex. une 10 couche épitaxiale de semiconducteur en SiC) qui comprend une forme de réalisation d'un agencement cellulaire 72A de dispositifs à contact segmenté de source et de corps (CSSC) qui permet de réduire les pertes par conduction à l'état passant comme énoncé plus haut. L'agencement cellulaire à CSSC illustré 72A comporte un 15 certain nombre de cellules 46 de dispositifs MOSFET, comme la cellule 46 de dispositif de la figure 3A. En particulier, chaque cellule 46 de dispositif illustrée sur la Figure 3C comprend un contact segmenté de source et de corps (CSSC) 22 disposé pardessus des zones sous-jacentes 50 (non représentées) de contact 20 segmenté de source et de corps (CSSC). Ainsi, à la différence de la Figure 3A, les CSSC 22 représentés sur la Figure 3C sont illustrés sous la forme de solides qui masquent à la vue les zones sous-jacentes précitées 50 de contact segmenté de source et de corps (CSSC). Chaque CSSC 22 représenté comprend un segment de 25 contact de corps 22A ainsi que deux segments de contact de source 22B qui, dans certaines formes de réalisation, peuvent avoir les mêmes dimensions (p.ex. être symétriques) ou peuvent voir des dimensions différentes (p.ex. être asymétriques). Dans les dispositifs 46 représentés sur la Figure 3C, le segment de contact de 30 corps 22A des CSSC 22 n'est que partiellement (c'est-à-dire 3022686 20 incomplètement) entouré par les segments de contact de source 22B des CSSC 22. Autrement dit, les segments de contact de source 22B des CSSC 22 sont représentés disposés sur moins que tous les côtés (p.ex. seulement deux côtés) des segments de contact de corps 22A 5 des CSSC 22. Par exemple, dans des formes de réalisation ayant des CSSC 22 de forme différente, des parties des segments de contact de source 22B des CSSC 22 peuvent être placées sur moins de six côtés, moins de cinq côtés, moins de quatre côtés, moins de trois côtés, moins de deux côtés ou sur un seul côté d'un segment de 10 contact de corps 22A des CSSC 22. La Figure 3C montre aussi des dimensions particulières dans l'agencement 72A de dispositifs à CSSC illustré. Par exemple, la figure 3C illustre la largeur de la zone de JFET (WJFET73), l'espacement horizontal 74 des cellules de dispositifs, l'espacement 15 vertical 75 des cellules de dispositifs, la superficie des cellules individuelles de dispositifs (Acell 76, représentée par la surface entourée par le rectangle en pointillé 76), et la superficie des JFET par cellules individuelles (AsFET 78, représentée par la partie hachurée 78 de la zone de JFET 48) dans la forme de réalisation 20 illustrée de l'agencement 72A de dispositifs à CSSC. L'expression "densité de canal" peut ici servir à désigner le rapport du pourtour du canal d'une cellule de dispositif particulière à la superficie totale de la cellule de dispositif. De la sorte, dans l'agencement 72A de dispositifs à CSSC représenté sur la Figure 3C, la densité de 25 canal peut être égale au pourtour total du canal d'une cellule 46 de dispositif divisé par la superficie de la cellule de dispositif (Acell 76) (p.ex. Dchannel = (2Lch horizontal + 2Lch vertical)/Acell)- En outre, l'expression "densité de JFET" peut ici servir à désigner le rapport de la superficie du JFET d'une cellule de dispositif particulière à la 30 superficie totale de la cellule 46 de dispositif. De la sorte, dans 3022686 21 l'agencement 72A de dispositifs à CSSC représenté sur la Figure 3C, la densité de JFET peut être égale à la superficie du JFET par cellule (AsFET 78) divisée par la superficie totale d'une cellule de dispositif (Acell 76) (p.ex. DJFET = WiFET(espacement vertical + 5 espacement horizontal - WJFET)/Acell). Comme expliqué plus loin, l'agencement cellulaire 72A à CSSC permet de réduire l'espacement des dispositifs et, ainsi, accroît le pourtour du canal par unité de surface et/ou accroît la densité de la zone de JFET 48 pour les cellules 46 de dispositifs à MOSFET. 10 La Figure 4 est une vue en coupe 90 d'une partie d'un agencement 72A de cellule de dispositif MOSFET prise suivant la ligne 4-4 de la Figure 3C. En particulier, la vue en coupe 90 représente une partie de l'agencement 72A de cellule de dispositif MOSFET après la formation d'une électrode de grille 26, de 15 couches de diélectrique 24 et du CSSC 22. Comme représenté sur la Figure 3C, la ligne 4-4 traverse le segment de contact de corps 22A du CSSC 22, qui est disposé par-dessus la zone de contact de corps 44 de la zone de CSSC 50 de la cellule 46 de dispositif MOSFET, comme expliqué plus haut en référence à la Figure 3A. De la sorte, 20 dans la forme de réalisation illustrée sur la Figure 4, le segment de contact de corps 22A du CSSC 22 est disposé par-dessus (p.ex. physiquement et électriquement au contact de) la zone de contact de corps P+ 44 à la surface de la zone de puits P 18. Dans la forme de réalisation illustrée, le segment de contact de corps 22A du CSSC 25 22 n'est pas disposé par-dessus (p.ex. physiquement et électriquement au contact de) la zone N+ 20 sur la vue en coupe 90. Cependant, dans d'autres formes de réalisation, le segment de contact de corps 22A du contact 22 peut être partiellement disposé par-dessus (p.ex. physiquement et électriquement au contact de) la 3022686 22 zone N+ 20, soit involontairement soit du fait des limites du procédé de fabrication de semiconducteurs. La Figure 5 est une vue en coupe 100 d'un agencement 72A de cellule de dispositif MOSFET de la Figure 3C, prise suivant la 5 ligne 5-5. Comme dans le cas de la Figure 4, la vue en coupe 100 de la figure 5 représente l'agencement 72A de cellule de dispositif MOSFET après la formation de l'électrode de grille 26, de couches de diélectrique 24 et du CSSC 22. Comme représenté sur la Figure 3C, la ligne 5-5 traverse le segment de contact de source 22B du 10 CSSC 22, qui est disposé par-dessus la partie 42A de la zone de contact de source 42 de la zone de CSSC 50 de la cellule 46 de dispositif MOSFET, comme expliqué plus haut en référence à la Figure 3A. De la sorte, dans la forme de réalisation illustrée sur la Figure 5, le segment de contact de source 22B du CSSC 22 est 15 disposé par-dessus (p.ex. physiquement et électriquement au contact de) la zone N+ 20. Ainsi, sur la vue en coupe représentée 100, le segment de contact de source 22B du CSSC 22 n'est pas disposé par-dessus (p.ex. physiquement et électriquement au contact de) la zone de puits P 18 ou la zone de contact de corps 44. 20 La Figure 6 est une vue de dessus ou une vue en plan d'un substrat 70 en semiconducteur qui comprend une autre forme de réalisation de l'agencement 72B de dispositifs à CSSC. Comme l'agencement 72A de dispositifs à CSSC représenté sur la figure 3C, l'agencement 72B de dispositifs à CSSC représenté sur la Figure 6 25 comporte un certain nombre de cellules 46 de dispositifs MOSFET ayant un CSSC 22, décrit plus haut, disposées par-dessus une zone sous-jacente (non représentée) de CSSC 50. Ainsi, comme expliqué plus haut en référence à la Figure 3A, le CSSC 22 comprend un segment de contact de corps 22A disposé par-dessus la zone de 30 contact de corps 44 de chaque cellule 46 de dispositif et comprend 3022686 23 en outre des segments de contact de source 22B disposés par-dessus les parties 42A et 42B de la zone de contact de source 42. Par ailleurs, les cellules de dispositifs représentées 46 comprennent aussi d'autres éléments (p.ex. des zones de JFET 48, des zones de 5 canaux 47, des zones N+ 20), comme expliqué plus haut. Ainsi, dans l'agencement 72B de dispositifs à CSSC de la figure 6, disposé sous chaque CSSC 22, la zone de CSSC 50 à une zone de contact de corps 44 entourée sur moins que tous les côtés (p.ex. incomplètement entourée) par les zones de contact de source 42A et 10 42B, comme expliqué plus haut en référence à la Figure 3A. De la sorte, dans l'agencement 72B de dispositifs à CSSC représenté sur la Figure 6, chaque CSSC 22 a un segment de contact de corps 22A entouré sur moins que tous les côtés (p.ex. incomplètement entouré) par un ou plusieurs segments de contact de source 22B. 15 De plus, comme illustré sur la Figure 6, les cellules 46 de dispositifs, les CSSC 22 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72B de dispositifs peuvent être qualifiés de centrés, en ce sens que le segment de contact de corps 22A (et la zone de contact de corps sous-jacente) est disposée au 20 centre des cellules 46 de dispositifs. En outre ou selon une autre possibilité, ces éléments peuvent être qualifiés de symétriques en ce sens que les cellules 46 de dispositifs, les CSSC 22 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72B de dispositifs ont au moins deux plans de symétrie spéculaires disposés 25 perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur (c'est- à-dire disposés sur l'axe z). Par exemple, les cellules de dispositifs représentées 46 comprennent chacune au moins deux plans de symétrie spéculaires : un premier plan de symétrie spéculaire étant le plan z-y qui divise verticalement en deux chaque cellule 46 de 3022686 24 dispositif et un second plan spéculaire étant le plan z-x qui divise horizontalement en deux chaque cellule 46 de dispositif. Comme dans l'agencement 72A de dispositifs à CSSC représenté sur la Figure 3C, les cellules 46 de dispositifs MOSFET 5 de l'agencement 72B de dispositifs à CSSC représentées du la figure 6 sont disposées en rangées 110. Cependant, à la différence de l'agencement 72A de dispositifs à CSSC représenté sur la Figure 3C, chacune des rangées 110 de cellules 46 de dispositifs à MOSFET de la Figure 6 est décalée ou en quinconce d'une distance 10 112. L'espacement horizontal 111 et l'espacement vertical 113 de l'agencement 72B de dispositifs à CSSC sont également illustrés sur la Figure 6. La disposition en quinconce de la Figure 6 permet des champs électriques réduits près des angles des zones de puits P 18 ainsi que dans l'oxyde de grille 24 placé au-dessus du centre de la 15 zone de JFET, comme illustré sur les figures 4 et 5. De la sorte, la disposition en quinconce de la Figure 6 peut permettre une amélioration de la tension de blocage (BV) et de la fiabilité des dispositifs en comparaison de l'agencement de la Figure 3C. La Figure 7 est une vue de dessus ou une vue en plan d'un 20 substrat en semiconducteur 70 qui comprend une autre forme de réalisation de l'agencement 72C de dispositifs à CSSC. Comme les agencements 72A et B de dispositifs à CSSC respectivement illustrés sur les figures 3B et 6, l'agencement 72C de dispositifs à CSSC illustré sur la figure 7 comporte un certain nombre de cellules 25 118 de dispositifs MOSFET. L'espacement horizontal 120 et l'espacement vertical 123 de l'agencement 72C de dispositifs à CSSC est également illustré sur la Figure 7. Par ailleurs, chacune des cellules 118 de dispositifs MOSFET comprend le CSSC précité 22, lequel est disposé par-dessus une zone de CSSC 50 (comme 30 expliqué plus haut en référence à la Figure 3A). De même, disposée 3022686 25 sous chaque CSSC 22, la zone de CSSC 50 (non représentée) comprend une zone de contact de corps 44 entourée sur moins que tous les côtés (p.ex. incomplètement entourée) par les zones de contact de source 42A et 42B, comme expliqué plus haut en 5 référence à la Figure 3A. De plus, comme illustré sur la Figure 7, les cellules 118 de dispositifs, les CSSC 22 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72C de dispositifs peuvent être qualifiés de centrés en ce sens que le segment de contact de corps 10 22A (et la zone de contact de corps sous-jacente) est disposée au centre des cellules 118 de dispositifs. En outre ou selon une autre possibilité, ces éléments peuvent être qualifiés de symétriques en ce sens que les cellules 118 de dispositifs, les CSSC 22 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72C de 15 dispositifs ont au moins deux plans de symétrique spéculaires disposés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur (c'est-à-dire disposés sur l'axe z). Par exemple, les cellules de dispositifs représentées 118 comprennent chacune au moins deux plans de symétrie spéculaires : un premier plan 20 spéculaire étant le plan z-y qui divise verticalement en deux chaque cellule 118 de dispositif et un second plan spéculaire étant le plan z-x qui divise horizontalement en deux chaque cellule 118 de dispositif. Les cellules 118 de dispositifs MOSFET représentées sur la 25 Figure 7 comprennent chacune une zone 121 à dopage +, laquelle sépare les zones de CSSC 22 de la zone de canal 122 dans chacune des cellules 118 de dispositifs MOSFET. Les cellules 118 de dispositifs MOSFET représentées 118 comprennent aussi une zone de JFET 124 entourant les zones de canaux 122. A la différence des 30 cellules 46 de dispositifs MOSFET représentées sur les figures 3A, 3022686 26 3C et 6, les cellules 118 de dispositifs MOSFET représentées sur la Figure 7 ont une forme hexagonale allongée (p.ex. étirée ou agrandie) et un agencement en "nids d'abeilles" des cellules, ce qui permet de réduire le champ électrique près des angles des zones de 5 puits P 18, ainsi que dans l'oxyde de grille 24 au-dessus du centre de la zone de JFET. Les CSSC 22 et les zones de CCSC sous-jacentes 50 permettent de réduire l'espacement 123 des dispositifs en comparaison d'autres agencements de cellules de dispositifs hexagonales qui n'utilisent pas les présentes conceptions de CSSC. 10 La Figure 8 est une vue de dessus ou une vue en plan d'un substrat en semiconducteur 70 qui comprend encore une autre forme de réalisation de l'agencement 72D de dispositifs à CSSC. L'agencement 72D de dispositifs à CSSC illustré sur la Figure 8 comporte un certain nombre de cellules rectangulaires 130 de 15 dispositifs MOSFET disposées avec un décalage particulier 132 les unes par rapport aux autres, chacune comprenant un contact segmenté de source et de corps (CSSC) 134. L'espacement horizontal 133 et l'espacement vertical 135 de l'agencement 72D de dispositifs à CSSC sont également illustrés sur la Figure 8. Dans la 20 forme de réalisation illustrée, le CSSC 134 est entouré par une zone 136 à dopage N+ qui sépare le CSSC 134 de la zone de canal P 138 dans chacune des cellules 130 de dispositifs MOSFET. Les cellules de dispositifs MOSFET illustrées 130 comprennent également une zone de JFET 140 entourant les zones de canaux P 138. 25 Chacun des CSSC 134 représentés sur la Figure 8 comprend un segment de contact de corps 134A disposé sur le côté (p.ex. à côté ou au voisinage immédiat) d'un segment de contact de source 134B du CSSC 134. Le segment de contact de source 134B du CSSC 134 est disposé sur moins que tous les côtés (p.ex. n'entoure pas 30 complètement, est disposé sur un seul côté, sur moins de deux côtés, 3022686 27 sur moins de trois côtés) du segment de contact de corps 134A du CSSC 134. De même, sous chaque CSSC 134, la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) comprend une zone de contact de source qui est disposée sur moins que tous les côtés (p.ex. n'entoure 5 pas complètement, est disposée sur un seul côté, sur moins de deux côtés, sur moins de trois côtés) de la zone de contact de corps. De plus, les cellules 130 de dispositifs, les CSSC 134 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72D de dispositifs peuvent être qualifiés de décentrés en ce sens que le 10 segment de contact de corps 134A (et la zone de contact de corps sous-jacente) n'est pas disposé au centre des cellules 130 de dispositifs. En outre ou selon une autre possibilité, ces éléments peuvent être qualifiés d'asymétriques en ce sens que les cellules 130 de dispositifs, les CSSC 134 et la zone de CSSC sous-jacente 15 (non représentée) de l'agencement 72D de dispositifs ont moins de deux plans de symétrie spéculaires disposés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur (c'est-à-dire disposés sur l'axe z). Les cellules de dispositifs représentées 130 comprennent en effet chacune un seul plan de symétrie spéculaire, lequel est 20 disposé dans le plan z-y qui divise en deux chacune des cellules 130 de dispositifs. La Figure 9 est une vue de dessus ou une vue en plan d'un substrat 70 en semiconducteur qui comprend encore une autre forme de réalisation de l'agencement 72E de dispositifs à CSSC. 25 L'agencement 72E de dispositifs à CSSC illustré sur la Figure 9 comporte un certain nombre de cellules hexagonales allongées (p.ex. étirées ou agrandies) 150 de dispositifs MOSFET disposées suivant un espacement mutuel particulier 152. L'espacement vertical 153 de l'agencement 72E de dispositifs à CCSC est 30 également illustré sur la Figure 9. Comme les cellules 130 de 3022686 28 dispositifs MOSFET de la Figure 8, chacune des cellules de dispositifs MOSFET représentées 150 de la Figure 9 comprend le CSSC 134. Chaque CSSC 134 comprend un segment de contact de corps 134A disposé sur le côté (p.ex. à côté ou au voisinage 5 immédiat) d'un segment de contact de source 134B du CSSC 134. Comme décrit plus haut, le segment de contact de source 134B du CSSC 134 est disposé sur moins que tous les côtés (p.ex. n'entoure pas complètement, est disposé sur un seul côté, sur moins de deux côtés, sur moins de trois côtés) du segment de contact de corps 10 134A pour chacun des CSSC représentés 134. De même, sous chaque CSSC 134, la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) comprend une zone de contact de source qui est disposée sur moins que tous les côtés (p.ex. n'entoure pas complètement, est disposée sur un seul côté, sur moins de deux côtés, sur moins de trois côtés) 15 de la zone de contact de corps. De plus, les cellules 150 de dispositifs, les CSSC 134 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72E de dispositifs peuvent être qualifiés de décentrés en ce sens que le segment de contact de corps 134A (et la zone de contact de corps 20 sous-jacente) n'est pas disposé au centre des cellules 150 de dispositifs. En outre ou selon une autre possibilité, ces éléments peuvent être qualifiés d'asymétriques en ce sens que les cellules 150 de dispositifs, les CSSC 134 et la zone de CSSC sous-jacente (non représentée) de l'agencement 72E de dispositifs ont moins de 25 deux plans de symétrie spéculaires disposés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur (c'est-à-dire disposés sur l'axe z). Les cellules de dispositifs représentées 150 comprennent en effet chacune un seul plan de symétrie spéculaire, lequel est disposé dans le plan z-y qui divise en deux chacune des cellules 150 30 de dispositifs. 3022686 29 Dans l'agencement 72E illustré sur la Figure 9, le CSSC 134 est entouré par une zone 154 à dopage N+ qui sépare la zone de CSSC 134 de la zone de canal P 156 dans chacune des cellules 150 de dispositifs MOSFET. Les cellules de dispositifs MOSFET 5 représentées 150 comprennent également une zone de JFET 158 entourant les zones de canaux P 156. Dans certaines formes de réalisation, les cellules hexagonales 150 de dispositifs MOSFET représentées sur la Figure 9 et l'agencement "en nids d'abeilles" des cellules permettent de réduire le champ électrique près des angles 10 des zones de puits P 18, ainsi que dans l'oxyde de grille 24 au- dessus du centre de la zone de JFET, comme illustré sur les figures 4 et 5. En outre, le CSSC 134 permet de réduire l'espacement 153 des dispositifs par rapport à d'autres agencements de cellules hexagonales de dispositifs qui n'utilisent pas les présents types de 15 CSSC. La Figure 10 est une vue de dessus ou une vue en plan d'un substrat 70 en semiconducteur qui comprend encore une autre forme de réalisation de l'agencement 72F de dispositifs à CSSC. L'agencement 72F de dispositifs à CSSC illustré sur la Figure 10 20 comporte un certain nombre de cellules carrées 160 de dispositifs MOSFET disposées suivant un décalage mutuel particulier 162. L'espacement horizontal 161 et l'espacement vertical 163 de l'agencement 72F de dispositifs à CSSC est également illustré sur la Figure 10. Chacune des cellules 160 de dispositifs comprend un 25 contact segmenté de source et de corps (CSSC) 164 disposé sur une zone (non représentée) de contact segmenté de source et de corps (CSSC). Les CSSC 164 sont entourés par une zone 168 à dopage N+ qui sépare la zone de CCSC 164 de la zone de canal P 170 dans chacune des cellules 160 de dispositifs MOSFET. Les cellules de 3022686 30 dispositifs MOSFET représentées 160 comprennent également une zone de JFET 172 entourant les zones de canaux P 170. Les CSSC 164 représentés sur la Figure 10 comprennent chacun un segment de contact de corps 164A disposé sur le côté 5 (p.ex. à côté ou au voisinage immédiat) d'un segment de contact de source 164B. Le segment de contact de source 164B du CSSC 164 est disposé sur moins que tous les côtés (p.ex. n'entoure pas complètement, est disposé sur un seul côté, sur moins de deux côtés, sur moins de trois côtés, sur moins de quatre côtés) du segment de 10 contact de corps 164A du CSSC 164. En particulier, les CSSC 164 de la Figure 10 comprennent un segment de contact de corps 164A au contact de deux côtés duquel se trouve un segment de contact de source 164B en "L". Autrement dit, le segment de contact de source 164B n'entoure ou n'encercle que partiellement le segment de 15 contact de corps 164A pour chaque CSSC 164. Dans certaines formes de réalisation, les cellules carrées 160 de dispositifs MOSFET représentées sur la Figure 10 peuvent présenter des avantages en comparaison d'autres formes de cellules de dispositifs MOSFET (p.ex. des conceptions dépourvues de la zone de CSSC 20 164) du fait du pourtour agrandi de la zone de canal 170 et/ou de la densité accrue de la zone de JFET 172. De plus, les cellules 160 de dispositifs, les CSSC 164 et les zones de CSSC sous-jacentes (non représentées) de l'agencement 72F de dispositifs peuvent être qualifiés de décentrés en ce sens que 25 les segments de contact de corps 164A (et la zone de contact de corps sous-jacente) ne sont pas disposés au centre des cellules 160 de dispositifs. En outre ou selon une autre possibilité, ces éléments peuvent être qualifiés d'asymétriques en ce sens que les cellules 160 de dispositifs, les CSSC 164 et la zone de CSSC sous-jacente 30 (non représentée) de l'agencement 72F de dispositifs ont moins de 3022686 31 deux plans de symétrie spéculaires disposés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur (c'est-à-dire disposés sur l'axe z). Les cellules de dispositifs représentées 150 comprennent en effet chacune un seul plan de symétrie spéculaire, lequel est 5 disposé suivant l'axe z qui divise en deux en diagonale chacune des cellules 160 de dispositifs. La Figure 11 est une vue de dessus ou une vue en plan d'un substrat 70 en semiconducteur qui comprend encore une autre forme de réalisation de l'agencement de dispositifs à CSSC. L'agencement 10 72G de dispositifs à CSSC illustré sur la Figure 11 comporte un certain nombre de cellules hexagonales 180 de dispositifs MOSFET, comprenant chacune un contact segmenté de source et de corps (CSSC) 182. En outre, les cellules 180 de dispositifs MOSFET de l'agencement 72F de dispositifs à CSSC sont disposées suivant un 15 décalage mutuel particulier 183 (par exemple, l'espacement horizontal est égal à l'espacement vertical dans une forme hexagonale régulière). Dans la forme de réalisation illustrée, chacun des CSSC 182 est entouré par une zone 188 à dopage N+ qui sépare le CCSC 182 de la zone de canal 190 dans chacune des cellules 180 20 de dispositifs MOSFET. Les cellules de dispositifs MOSFET représentées 180 comprennent également une zone de JFET 192 entourant les zones de canaux P 190. Les CSSC 182 représentés sur la Figure 11 comprennent chacun un segment de contact de corps 182A disposé sur le côté 25 (p.ex. à côté ou au voisinage immédiat) d'un segment de contact de source 182B. Le segment de contact de source 182B du CSSC 182 est disposé sur moins que tous les côtés (p.ex. n'entoure pas complètement, est disposé sur un seul côté, sur moins de deux côtés, sur moins de trois côtés ou sur moins de quatre côtés) du segment 30 de contact de corps 182A du CSSC 182. La forme et la disposition 3022686 32 du CSSC 182 de la Figure 11 ne sont représentées qu'à titre d'exemples. Par exemple, comme illustré, les CSSC 182 sont placés au centre de chaque cellule hexagonale 180 de dispositif et comprennent un segment de contact de corps 182A en forme de cerf- 5 volant et un segment de contact de source 182B en chevron. Dans d'autres formes de réalisation, la forme et/ou les dimensions relatives du segment de contact de corps 182A et du segment de contact de source 182B peuvent être différentes en fonction, par exemple, des besoins liés à la résistance de contact et à la 10 conception des dispositifs. Par ailleurs, dans certaines formes de réalisation, les cellules hexagonales 180 de dispositifs MOSFET représentées sur la Figure 11 peuvent apporter des avantages en comparaison des cellules 46, 130 et 160 de forme rectangulaire ou carrée de dispositifs MOSFET du fait du pourtour agrandi de la 15 zone de canal 190 et/ou de la densité accrue de la zone de JFET 192. L'agencement 72G de dispositifs permet de réduire le champ électrique près des angles des zones de puits P 18, ainsi que dans l'oxyde de grille 24 au-dessus du centre de la zone de JFET. En outre, le CSSC 182 permet de réduire l'espacement des dispositifs 20 par rapport à d'autres agencements de cellules hexagonales de dispositifs qui n'utilisent pas les présents types de CSSC. De plus, les cellules 180 de dispositifs, les CSSC 182 et les zones de CSSC sous-jacentes (non représentées) de l'agencement 72G de dispositifs peuvent être qualifiés de décentrés en ce sens 25 que le segment de contact de corps 182A (et la zone de contact de corps sous-jacente) ne sont pas disposés au centre des cellules 180 de dispositifs. En outre ou selon une autre possibilité, ces éléments peuvent être qualifiés d'asymétriques en ce sens que les cellules 180 de dispositifs, les CSSC 182 et la zone de CSSC sous-jacente 30 (non représentée) de l'agencement 72G de dispositifs ont moins de 3022686 33 deux plans de symétrie spéculaires disposés perpendiculairement au plan de la surface du semiconducteur (c'est-à-dire disposés sur l'axe z). Les cellules de dispositifs représentées 180 comprennent en effet chacune un seul plan de symétrie spéculaire, lequel est 5 disposé suivant l'axe z qui divise en deux en diagonale chacune des cellules 180 de dispositifs. Les formes de réalisation décrites 72A à G d'agencements cellulaires de dispositifs à CSSC apportent des avantages quant aux performances en comparaison d'autres agencements de dispositifs et 10 d'autres conceptions de cellules de dispositifs. A titre de comparaison, un exemple d'autre agencement de dispositifs est illustré sur la figure 12A, qui est une vue de dessus ou une vue en plan d'un agencement 194 en bandes de dispositifs (donc un agencement non cellulaire). L'agencement en bandes 194 illustré 15 sur la Figure 12A comporte : des zones de canaux 195, des zones N+ 196, des zones de contact de source 197, des zones de contact de corps 198 et une zone de JFET 199. Les zones de contact de source 197 et les zones de contact de corps 198 se présentent sous la forme de bandes continues à la surface du semiconducteur dans 20 l'agencement en bandes 194 représenté sur la figure 12A. Un exemple d'autre agencement de dispositifs est illustré sur la Figure 12B, qui est une vue de dessus ou une vue en plan d'un agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle (donc un agencement non cellulaire) avec des contacts source/corps segmentés. L'agencement 25 200 illustré comporte : des zones de canaux 202, des zones N+ 204, les contacts source/corps segmentés 206 (comprenant le segment de contact de corps 206A et le segment de contact de source 206B) et la zone de JFET 210. La figure 12B donne également des dimensions de l'agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle, 30 dont : la longueur de canal (Lch 212), la distance entre le canal et la 3022686 34 zone ohmique (Lch-to-ohm 214), la largeur de la zone ohmique (Wohm 216), la largeur de la zone de JFET (WJFET 218), la longueur du segment de zone de contact de source (L. 220), la longueur du segment de zone de contact de corps (Lp222), le sous-semble de 5 surface de dispositifs (Acell 224, représenté par le rectangle 224 en tireté), la zone de JFET dans Acell 224 (AJFET 226, représentée par la surface hachurée 226), et la largeur du canal (Wch 228) dans Acell 224 pour l'agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle illustré. A titre d' autre comparaison, un autre exemple 10 d'agencement de dispositifs est illustré sur la Figure 12C, qui est une vue de dessus ou une vue en plan d'un agencement cellulaire 240 de dispositif à cellules carrées dépourvu de contacts source/corps segmentés. L'agencement cellulaire 240 de dispositifs à cellules carrées comporte : des zones de canaux 242, des zones N+ 15 244, un contact de corps 246, un contact de source 248 et des zones de JFET 250. La figure 12C donne également des dimensions de l'agencement cellulaire 240 de dispositifs à cellules carrées, dont : la longueur de canal (Lch 252), la distance entre le canal et la zone ohmique (Lch_t0_0hr. 254), la largeur de la zone ohmique (W.h., 256), 20 la largeur de la zone de JFET (WJFET 258), la demi-largeur de la zone de contact de source (W./2 260), la largeur de la sone de contact de corps (Wp 262), la surface de cellules de dispositifs représenté par le rectangle 264 en tireté), la zone de JFET par cellule (AJFET, représentée par la surface hachurée 266), et un quart 25 de la largeur du canal intérieur (Wch/4 268 ; Wch = 4Wch/4) pour la cellule illustrée de l'agencement cellulaire 240 de dispositifs à cellules carrées. Compte tenu de ce qui précède, les formes de réalisation de l'agencement cellulaire 72A à G de dispositifs à CSSC apportent 30 des avantages quant aux performances en comparaison d'autres 3022686 agencements de dispositifs et d'autres conceptions de cellules de dispositifs en permettant une largeur de canal (p.ex. un plus grand pourtour de canal) plus grande que dans d'autres agencements de dispositifs. Par exemple, l'Equation 1 décrit un rapport de la largeur 5 de canal (Wch) assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSS selon la présente invention (indiqué par l'indice "CSCC") illustré sur les figures 3A et 3C à la largeur de canal 228 assurée par l'agencement 200 à bandes "en échelle" (indiqué par l'indice "bande") de la Figure 12B. L'Equation 1 est obtenue et 10 simplifiée en supposant les mêmes règles de conception et les mêmes limites technologiques (p.ex. Lch, Lch to ohm, Wohm,WJFET, Wn et Wp) pour les deux conceptions comparées. De l'Equation 1 peut être dérivée l'inégalité de l'Equation 2 qui démontre mathématiquement les dimensions de 15 dispositifs pour lesquelles la largeur de canal (Wch) assurée par l'agencement cellulaire de dispositifs selon la présente invention, ayant des zones de CSSC, (c'est-à-dire Wch cssc) est plus grande que la largeur 228 de canal assurée par l'agencement 200 à bandes "en échelle" de la Figure 12B (c'est-à-dire Weil Bande). 20 Dans un autre exemple, l'Equation 3 décrit un rapport de la densité de la zone de canal (Wch) assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSS selon la présente invention (indiqué par l'indice "CSCC") à la largeur de canal (p.ex. 4*Wch/4 268) assurée par l'agencement 200 à bandes "en échelle" (indiqué 25 par l'indice "SC") de la Figure 12C. L'Equation 3 est obtenue et simplifiée en supposant les mêmes règles de conception et les mêmes limites technologiques (p.ex. Lch, Lch to ohm, Wohna, WJFET, Wn et Wp) pour les deux conceptions comparées. De l'Equation 3 peut être dérivée l'inégalité de l'Equation 4 qui démontre 30 mathématiquement les dimensions de dispositifs pour lesquelles la 3022686 36 largeur de canal (Wch) assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC selon la présente invention (c'est-à-dire Wch cssc) est plus grande que la largeur 268 de canal assurée par l'agencement cellulaire 240 à cellules carrées de la Figure 12B 5 (c'est-à-dire Wch sc). Eq. 1 Eq. 2 10 Eq. 3 20 Les formes de réalisation 72A à G d'agencements cellulaires de dispositifs selon la présente invention peuvent aussi apporter des avantages quant aux performances en comparaison d'autres agencements de dispositifs et d'autres conceptions de cellules de dispositifs en assurant une densité de la zone de JFET plus grande 25 que celle d'autres agencements de dispositifs. Par exemple, l'Equation 5 décrit un rapport de la densité de la zone de JFET (p.ex. illustrée sous la forme AJFET 78 divisé par Acell 76 sur la Figure 3C) assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à 15 3022686 37 CSSC selon la présente invention (désigné par l'indice "CSSC") à la densité de la zone de JFET (p.ex. illustrée sous la forme AJFET 226 divisé par Acell 224 sur la Figure 12B) assurée par l'agencement 200 à bandes "en échelle" (désigné par l'indice "Bande"). L'Equation 5 5 est obtenue et simplifiée en supposant les mêmes règles de conception et les mêmes limites technologiques (p.ex. Lch, Lch to ohm, Wohm, WJFET, Wn et Wp) pour les deux conceptions comparées. De l'Equation 5 peut être dérivée l'inégalité de l'Equation 6 qui démontre mathématiquement les dimensions de 10 dispositifs pour lesquelles la densité de la zone de JFET assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs CSSC selon la présente invention (c'est-à-dire DJFET cssc) est plus grande que la densité de la zone de JFET assurée par l'agencement 200 à bandes "en échelle de la Figure 12B (c'est-à-dire DJFET Bande). 15 Dans un autre exemple, l'Equation 7 décrit un rapport de la densité de la zone de JFET (p.ex. illustrée sous la forme AJFET 78 divisé par Acell 76 sur la Figure 3C) assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC selon la présente invention (désigné par l'indice "CSSC") à la densité de la zone de JFET (p.ex. 20 illustrée sous la forme AJFET 266 divisé par Acell 264 sur la Figure 12C) assurée par l'agencement cellulaire 240 à cellules carrées (désigné par l'indice "SC"). L'équation 7 est obtenue et simplifiée en supposant les mêmes règles de conception et les mêmes limites technologiques (p.ex. Lch, Lch to nhm, Wohm,WiFET, Wn et Wp) pour 25 les deux conceptions comparées. De l'Equation 7 peut être dérivée l'inégalité de l'Equation 8 qui démontre mathématiquement les dimensions de dispositifs pour lesquelles la densité de la zone de JFET assurée par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC selon la présente invention (c'est-à-dire DJET cssc) est plus grande 30 que la densité de JFET assurée par l'agencement cellulaire 240 à 3022686 38 cellules carrées de la Figure 12C (c'est-à-dire DJFET SC). Dans les équations 5 à 8, la conduction via la zone de canal d'angle n'est pas prise en compte, ce qui est une hypothèse valable chaque fois que (2Lch-to-ohm Wohm) est très supérieure à Lch. 5 Eq. 5 Eq. 6 Eq. 7 10 15 La Figure 13 est un graphique 280 illustrant l'Equation 1 (à savoir la largeur de canal (Wch) de l'agencement cellulaire 72A de 20 dispositifs à CSSC de la Figure 3C normalisée suivant la largeur de canal 228 de l'agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle de la Figure 12B) pour des dispositifs à trois longueurs de canaux différentes. En particulier, le graphique 280 représenté sur la Figure 13 comprend une courbe 282 représentant des dispositifs à longueur 25 de canal (Lch) de 0,3 iam, une courbe 284 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,5 iam et une courbe 286 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,7 p.m. Par ailleurs, pour les courbes 282, 284 et 286 représentées : Lch-to-ohm = 3022686 39 1,3 i.tm, Wohm = 1,6 i.tm, Wp = 3 tm et Wp = 3 i.tm. De la sorte, les courbes 282, 284 et 286 illustrent la largeur de canal accrue (Wch) permise par l'agencement 72A de dispositifs à CSSC de la Figure 3C par rapport à la largeur de canal 228 de l'agencement 200 de 5 dispositifs à bandes en échelle de la Figure 12B. Par exemple, dans certaines formes de réalisation, comme illustré sur la Figure 13, l'agencement 72A de dispositifs à CSSC peut permettre une largeur de canal supérieure d'environ 1 % à environ 40 % à la largeur de canal de l'agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle. 10 La Figure 14 est un graphique 290 illustrant l'Equation 5 (à savoir la densité de JFET de l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC de la Figure 3C normalisée suivant la densité de JFET de l'agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle de la Figure 12B) pour des dispositifs à trois longueurs de canaux 15 différentes. En particulier, le graphique 290 représenté sur la Figure 14 comprend une courbe 292 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,3 i.tm, une courbe 294 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,5 i.tm et une courbe 296 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,7 i.tm. Par 20 ailleurs, pour les courbes 292, 294 et 296 représentées : Lch-to-ohm = 1,3 i.tm, Wohm = 1,6 i.tm, Wp = 3 tm et Wp = 3 i.tm. De la sorte, les courbes 292, 294 et 296 illustrent la densité de JFET accrue (DJFET) permise par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC de la Figure 3C par rapport à l'agencement 200 de dispositifs à bandes en 25 échelle de la Figure 12B. Par exemple, dans certaines formes de réalisation, comme illustré sur la Figure 14, l'agencement 72A de dispositifs à CSSC peut permettre une densité de JFET supérieure d'environ 1 % à environ 60 % à la densité de JFET de l'agencement 200 de dispositifs à bandes en échelle. 3022686 La Figure 15 est un graphique 300 illustrant l'Equation 3 (à savoir la largeur de canal (Wch) de l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC de la Figure 3C normalisée suivant la largeur de canal 268 de l'agencement cellulaire 240 à cellules carrées de la 5 Figure 12C) pour des dispositifs à trois longueurs de canaux différentes. En particulier, le graphique 300 représenté sur la Figure 15 comprend une courbe 302 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,3 iam, une courbe 304 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,5 iam et une courbe 306 10 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,7 p.m. Par ailleurs, pour les courbes 302, 304 et 306 représentées : Lch-to-ohm = 1,3 iam, Wohn, = 1,6 iam, Wn = 1,6 tm et Wp = 1,6 p.m. De la sorte, les courbes 302, 304 et 306 de la Figure 15 illustrent la largeur de canal accrue (Wch) permise par l'agencement 72A de dispositifs à 15 CSSC de la Figure 3C (par rapport à la largeur de canal 268 de l'agencement cellulaire 240 de dispositifs à cellules carrées de la Figure 12C. Par exemple, dans certaines formes de réalisation, comme illustré sur la Figure 15, l'agencement 72A de dispositifs à CSSC peut permettre une largeur de canal supérieure d'environ 1 % 20 à environ 15 % à la largeur de canal de l'agencement cellulaire 240 de dispositifs cellules carrées. La Figure 16 est un graphique 310 illustrant l'Equation 7 (à savoir la densité de JFET de l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC de la Figure 3C normalisée suivant la densité de 25 JFET de l'agencement 240 de dispositifs à cellules carrées de la Figure 12C) pour des dispositifs à trois longueurs de canaux différentes. En particulier, le graphique 310 représenté sur la Figure 16 comprend une courbe 312 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,3 iam, une courbe 314 représentant des 30 dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,5 iam et une courbe 316 3022686 41 représentant des dispositifs à longueur de canal (Lch) de 0,7 pm. Par ailleurs, pour les courbes 312, 314 et 316 représentées : Lch-to-ohm = 1,3 i.tm, Wohm = 1,6 i.tm, Wp = 1,6 i.tm et Wp = 1,6 i.tm. De la sorte, les courbes 312, 314 et 316 de la Figure 16 illustrent la densité de 5 JFET accrue (DJFET) permise par l'agencement cellulaire 72A de dispositifs à CSSC de la Figure 3C par rapport à l'agencement 240 de dispositifs à cellules carrées de la Figure 12C. Par exemple, dans certaines formes de réalisation, comme illustré sur la Figure 14, l'agencement 72A de dispositifs à CSSC peut permettre une densité 10 de JFET supérieure d'environ 1 % à environ 20 % à la densité de JFET de l'agencement 240 de dispositifs à cellules carrées. Les effets techniques de l'invention comprennent des conceptions et des agencements cellulaires de dispositifs qui permettent d'améliorer les performances des dispositifs à 15 semiconducteurs. En particulier, les présentes formes de réalisation réduisent les pertes par conduction des dispositifs (p.ex. limitent fortement Rds(on)) en assurant une largeur de canal accrue et/ou une densité de canal accrue pour réduire la résistance de canal et en assurant une densité de JFET accrue pour réduire la résistance du 20 composant de la zone de JFET. Les présentes formes de réalisation permettent ces avantages, au moins en partie, en recourant à un agencement cellulaire de dispositifs à contact segmenté de source et de corps (CSSC) dans lequel une zone de contact de corps n'est que partiellement (à savoir incomplètement, pas sur tous les côtés) 25 entourée par une ou plusieurs zones de contact de source. Les agencements cellulaires 72A à G à CSSC selon l'invention permettent de réduire l'espacement des dispositifs et, ainsi, d'accroître la largeur de canal par unité de surface et/ou d'accroître la densité de la zone de JFET. Par ailleurs, la présente invention 30 peut réduire les pertes par conduction dans un certain nombre de 3022686 42 structures de dispositifs différentes (p.ex. un UMOSFET, des VMOSFET, des TBGI, des IBMCT ou tout autre dispositif approprié) et/ou de substrats à semiconducteurs différents (p.ex. à SiC, Si, Ge, AIN, GaN, GaAS, C ou tout autre substrat en 5 semiconducteur approprié). REVENDICATIONS1. Système, comportant : une cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur disposée sur une surface d'une couche de semiconducteur (2) en carbure de silicium (SiC), la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur comprenant : une zone de migration (16) ayant un premier type de conductivité ; une zone de puits (18) ayant un second type de conductivité, disposée au voisinage immédiat de la zone de migration (16) ; une zone de source (20) ayant le premier type de conductivité, disposée au voisinage immédiat de la zone de puits (18) ; une zone de canal (28, 47, 48, 122, 156, 170, 190) ayant le second type de conductivité, disposée au voisinage immédiat de la zone de source (20) et tout près de la surface ; et une zone de contact de corps (44) ayant le second type de conductivité, disposée par-dessus une partie de la zone de puits (18), la zone de contact de corps (44) n'étant pas centrée dans la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur, et un contact segmenté de source et de corps (CSSC) (22, 134, 164, 182, 206) disposé par-dessus une partie de la surface, le CSSC (22, 134, 164, 182, 206) comprenant : un segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) disposé par-dessus la zone de contact de corps (44) ; et un segment de contact de source (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) disposé au voisinage immédiat de la zone de contact de corps (44) et par-dessus une partie de la zone de source (20), le segment 3022686 44 de contact de source (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) n'entourant pas complètement le segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) du CSSC (22, 134, 164, 182, 206). 2. Système selon la revendication 1, dans lequel le CSSC 5 (22, 134, 164, 182, 206) a moins deux plans de symétrie spéculaires distincts perpendiculaires à la surface. 3. Système selon la revendication 1, dans lequel une première partie du segment de contact de source (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) est disposée sur un premier côté du segment de contact 10 de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A). 4. Système selon la revendication 1, dans lequel au moins un côté du segment de contact de corps (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) du CSSC (22, 134, 164, 182, 206) est disposée tout près d'une partie de la zone de source (20) non disposée sous le CSSC 15 (22, 134, 164, 182, 206). 5. Système selon la revendication 1, dans lequel la zone de contact de corps (44) a sensiblement la forme d'un losange. 6. Système selon la revendication 1, dans lequel la zone de contact de corps (44) a sensiblement la forme d'un carré. 20 7. Système selon la revendication 1, dans lequel la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur comprend un transistor à effet de champ, un transistor bipolaire à grille isolée (TBGI), un thyristor à commande par MOS à base isolée (IBMCT), un transistor à effet de champ à jonction (JFET) ou 25 un transistor à effet de champ métal-semiconducteur (MESFET). 8. Système, comportant : un agencement cellulaire (72A, 72B, 72C, 72D, 72E, 72F, 72G) comprenant une pluralité de cellules (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositifs à semiconducteur disposées sur une surface d'une couche de semiconducteur (2) en carbure de silicium (SiC), la 3022686 45 pluralité de cellules (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositifs à semiconducteur à agencement cellulaire comprenant chacune : une zone de migration (16) ayant un premier type de conductivité ; 5 une zone de puits (18) ayant un second type de conductivité, disposée au voisinage immédiate de la zone de migration (16), la zone de puits (18) comprenant une zone de contact de corps (44) disposée tout près de la surface ; une zone de source (20) ayant le premier type de 10 conductivité, disposée au voisinage immédiat de la zone de puits (18), la zone de source (20) comprenant une zone de contact de source (42) disposée tout près de la surface et tout près de la zone de contact de corps (44) ; et un contact segmenté asymétrique de source et de corps 15 (CSSC) (22, 134, 164, 182, 206) disposé par-dessus une partie de la surface, le CSSC asymétrique (22, 134, 164, 182, 206) comprenant : un segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) disposé par-dessus la zone de contact de corps (44) de la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif 20 semiconducteur ; et un segment de contact de source (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) disposé au voisinage immédiat du segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) et par-dessus la zone de source (20), le segment de contact de source (22B, 134B, 164B, 25 182B, 206B) n'entourant pas complètement le segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) du CSSC (22, 134, 164, 182, 206). 9. Système selon la revendication 8, dans lequel l'agencement cellulaire (72A, 72B, 72C, 72D, 72E, 72F, 72G) de 30 dispositifs à semiconducteur est conçu de façon que (2 Lch-to-ohm 3022686 46 Wohm) soit supérieur à (2 Lch-to-ohm + WJFET) ou de façon que (2 Lchto-ohm + Wohm) soit supérieur à WJFET), ou de façon à combiner les deux, Lch étant une longueur de canal, Lch-to-ohm étant la longueur 5 160, 180) de dispositifs à semiconducteur à agencement cellulaire. 10. Système selon, la revendication 8, dans lequel l'agencement cellulaire (72A, 72B, 72C, 72D, 72E, 72F, 72G) de 10 dispositifs à semiconducteur est conçu de façon que ((4 Lch-to-ohm + Wn + Wp + Wohm) - (2 Lch + 2 Lch-to-ohm + Wn + Wp + WJFET)) soit supérieur à (2 . (2 Lch-to-ohm + Wn + Wp) . (2 Lch +2 Lch-to-ohm Wohm WJFET)) ou de façon que ((4 Lch + Lch-to-ohm + Wn + Wp + Wohm) - (2 Lch + 2 Lch-to-ohm + Wn + Wp WJFET)) soit supérieur à (2 - (2 Lch 15 + 2 Lch-to-ohm + Wn + Wp) . (2 Lch +2 Lch-to-ohm Wohm WJFET)), ou de façon à combiner les deux, Lch (52, 212, 252) étant la longueur de canal, Lch-to-ohm (54, 214, 254) étant la longueur d'une zone ohmique, Wohm (56, 216, 256) étant la largeur de la zone ohmique, Wn (42, 58) étant la largeur de la zone de contact de source, W1, (60, 20 262) étant la largeur de la zone de contact de corps et WJFET (73, 218) étant la largeur d'une zone de JFET (48, 124, 140, 158, 172, 92, 199, 210, 218) de la pluralité de cellules (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositifs à semiconducteur à agencement cellulaire. 11. Système selon la revendication 8, dans lequel 25 l'agencement cellulaire (72A, 72B, 72C, 72D, 72E, 72F, 72G) de dispositifs à semiconducteur comporte la pluralité de cellules (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositifs à semiconducteur organisées en rangées, en colonnes, ou les deux, et dans lequel les rangées ou colonnes sont décalées les unes des autres. d'une zone ohmique, Wohm étant la largeur de la zone ohmique et WJFET étant la largeur d'une zone de JFET (48, 124, 140, 158, 172, 92, 199, 210, 218) de la pluralité de cellules (46, 118, 130, 150, 3022686 47 12. Système selon la revendication 8, dans lequel chaque CSSC asymétrique (22, 134, 164, 182, 206) n'est pas aligné avec le centre de sa cellule respective (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur. 5 13. Procédé de fabrication d'une cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur en carbure de silicium (SiC), comportant : la formation d'un contact segmenté de source et de corps (CSSC) (22, 134, 164, 182, 206) de la cellule (46, 118, 130, 150, 10 160, 180) de dispositif à semiconducteur par-dessus la surface de la couche de semiconducteur (2) en SiC, le CSSC (22, 134, 164, 182, 206) comprenant : un segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) disposé par-dessus la surface de la couche de semiconducteur 15 (2) et tout près d'une zone de contact de corps (44) de la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur, le segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) n'étant pas aligné avec le centre de la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur ; et 20 un segment de contact de source (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) disposé par-dessus la surface de la couche de semiconducteur (2) et tout près d'une zone de contact de source (42) de la cellule (46, 118, 130, 150, 160, 180) de dispositif à semiconducteur, le segment de contact de source (22B, 134B, 164B, 182B, 206B) 25 n'entourant pas complètement le segment de contact de corps (22A, 134A, 164A, 182A, 206A) du CSSC (22, 134, 164, 182, 206). 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le CSSC (22, 134, 164, 182, 206) a moins de deux plans de symétrie perpendiculaires à la surface. 3022686 48 15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le CSSC (22, 134, 164, 182, 206) n'a aucun plan de symétrie perpendiculaire à la surface.