Brevet FR3015528A1 — publié le 20150626

- 1 - «Procédé et dispositif de dépôt par pulvérisation cathodique» Domaine technique La présente invention concerne un procédé de dépôt par pulvérisation cathodique. Elle concerne aussi un dispositif de dépôt par pulvérisation cathodique. Elle concerne aussi une cible pour un procédé ou dispositif selon l'invention. Un tel dispositif ou procédé permet à un utilisateur de déposer plusieurs couches par pulvérisation cathodique de manière simple et rapide. Etat de la technique antérieure On connaît des procédés de dépôt de couches tels que les procédés de type PVD (pour « Physical Vapor Deposition » ou dépôt physique en phase vapeur) qui permettent de déposer successivement plusieurs couches de natures différentes pour réaliser éventuellement des structures relativement complexes. Cependant, le dépôt de plus d'une couche peut demander des manipulations complexes et/ou consommatrices de temps. Le but de la présente invention est de proposer un procédé et un dispositif permettant, de manière simple et rapide, de déposer au moins deux couches de natures différentes sur un échantillon par pulvérisation cathodique. Exposé de l'invention Cet objectif est atteint avec un procédé de dépôt par pulvérisation cathodique, dans lequel : - on place, sur une cathode, une cible comprenant une première partie et une deuxième partie, le matériau de la première partie étant différent du matériau de la deuxième partie, - on génère un plasma entre la cathode et un échantillon, de sorte que le plasma soit en contact simultanément de la première partie et de la deuxième partie, puis, alors que le plasma est ainsi généré et que la cible est ainsi placée sur la cathode: -2- - on dépose une première couche sur l'échantillon, en disposant un cache entre la deuxième partie et l'échantillon, la première couche comprenant le matériau provenant de la première partie de la cible, et (de préférence puis) - on dépose une deuxième couche sur l'échantillon, sans que le cache soit entre la deuxième partie et l'échantillon, la deuxième couche comprenant le matériau provenant de la deuxième partie de la cible. On remarque que la première couche n'est pas nécessairement déposée avant la deuxième couche. Le terme « première couche » ou « deuxième couche », plutôt que de faire référence à un ordre chronologique, fait plutôt référence au fait que ladite première ou deuxième couche comprend de la matière provenant respectivement de la première ou deuxième partie de la cible. La première partie de la cible est de préférence solidaire de la deuxième partie de la cible. Lors du dépôt de la deuxième couche: - le cache peut être situé ni entre la première partie et l'échantillon ni entre la deuxième partie et l'échantillon, ou - le cache peut être situé entre la première partie et l'échantillon. Lors du dépôt de la première couche, la distance entre cible et échantillon est de préférence au moins trois fois plus grande que la distance entre la cible et le cache. Une surface du cache peut être en vis-à-vis d'une surface de la deuxième partie de la cible lors du dépôt de la première couche. Dans ce cas-là : - la surface du cache peut avoir une aire plus grande que l'aire de la surface de la deuxième partie de la cible, et/ou - la surface du cache et la surface de la deuxième partie peuvent avoir une même forme. Le matériau de la deuxième partie de la cible peut comprendre ou peut être de l'or. Le matériau de la première partie de la cible peut comprendre ou peut être du molybdène. -3- Le cache est de préférence relié à une masse électrique. Vu de l'échantillon sans le cache: - chaque partie de la cible peut avoir la forme d'un disque, de sorte que le disque de la première ou la deuxième partie de la cible soit centré à l'intérieur respectivement du disque de la deuxième ou de la première partie de la cible, ou - chaque partie de la cible peut avoir la forme d'une plaque dont un côté longe un côté de l'autre partie de la cible. Suivant encore un autre aspect de l'invention, il est proposé un dispositif de dépôt par pulvérisation cathodique, comprenant : - une cathode, agencée pour accueillir une cible comprenant une première partie et une deuxième partie, la cathode étant agencée pour accueillir simultanément la première partie de la cible dans une première zone de cible et la deuxième partie de la cible dans une deuxième zone de cible, - un porte échantillon, agencé pour accueillir un échantillon dans une zone d'échantillon, - un générateur de plasma, agencé pour générer un plasma entre la cathode et la zone d'échantillon, de sorte que le plasma soit en contact simultanément de la première zone de cible et de la deuxième zone de cible, - un cache, agencé pour avoir deux positions différentes possibles lorsque le plasma est généré et que la cible est accueillie sur la cathode: o une première position de cache dans laquelle le cache est situé entre la deuxième zone de cible et la zone d'échantillon, et o une deuxième position de cache dans laquelle le cache n'est pas situé entre la deuxième zone de cible et la zone d'échantillon. Suivant encore un autre aspect de l'invention, il est proposé une cible de dépôt par pulvérisation cathodique, caractérisée en ce qu'elle comprend une première partie et une deuxième partie, le matériau de la première partie étant différent du matériau de la deuxième partie . -4- Le matériau de la première partie peut comprendre ou consister en du molybdène. Le matériau de la deuxième partie peut comprendre ou consister en de l'or. La première partie de la cible est de préférence solidaire de la deuxième partie de la cible. Pour une vue de face de la cible : - chaque partie de la cible peut avoir la forme d'un disque, de sorte que le disque de la première ou la deuxième partie de la cible soit centré à l'intérieur respectivement du disque de la deuxième ou de la première partie de la cible, ou - chaque partie de la cible peut avoir la forme d'une plaque dont un côté longe un côté de l'autre partie de la cible. Description des figures et modes de réalisation D'autres avantages et particularités de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée de mises en oeuvre et de modes de réalisation nullement limitatifs, et des dessins annexés suivants : - la figure 1 est une vue de coupe de profil d'un premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, qui est le mode de réalisation préféré de l'invention, et qui met en oeuvre un premier mode de réalisation de procédé selon l'invention, - la figure 2 est une vue de coupe de profil d'une cible 3 et d'un cache 11 dans le premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 3 est une vue de face de la cible 3 et du cache 11 dans le premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 4 est une vue de face de la cible 3 dans le premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 5 est une vue de coupe de profil d'une variante de cible 3 pour le premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 6 est une vue de coupe de profil d'une autre variante de cible 3 pour le premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 7 est une vue de coupe de profil d'une cible 3 et d'un cache 11 dans un deuxième mode de réalisation de dispositif selon l'invention, qui - 5 - met en oeuvre un deuxième mode de réalisation de procédé selon l'invention, - les figures 8 et 9 sont des vues de face de la cible 3 et du cache 11 dans le deuxième mode de réalisation de dispositif selon l'invention, - la figure 10 est une vue de coupe de profil d'un échantillon 8 recouvert de deux couches 9, 10 déposées selon le premier mode de réalisation de procédé selon l'invention - la figure 11 est un spectre de l'échantillon 8 de la figure 10, recouvert uniquement de la première couche 9, - la figure 12 est un spectre de l'échantillon 8 de la figure 10, recouvert des première 9 et deuxième 10 couches. Ces modes de réalisation étant nullement limitatifs, on pourra notamment considérer des variantes de l'invention ne comprenant qu'une sélection de caractéristiques décrites par la suite isolées des autres caractéristiques décrites (même si cette sélection est isolée au sein d'une phrase comprenant ces autres caractéristiques), si cette sélection de caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. Cette sélection comprend au moins une caractéristique de préférence fonctionnelle sans détails structurels, ou avec seulement une partie des détails structurels si cette partie uniquement est suffisante pour conférer un avantage technique ou à différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. On va tout d'abord décrire, en référence aux figures 1 à 4 et 10, un premier mode de réalisation de dispositif 1 de dépôt par pulvérisation cathodique selon l'invention, mettant en oeuvre un premier mode de réalisation procédé selon l'invention. Le dispositif 1 comprend une cathode 2, agencée pour accueillir une cible 3 comprenant une première partie 4 et une deuxième partie 5, la cathode 2 étant agencée pour accueillir simultanément la première partie 4 de la cible dans une première zone de cible 44 et la deuxième partie 5 de la cible dans une deuxième zone de cible 55. - 6 - Le dispositif 1 comprend en outre un porte échantillon 7, agencé pour accueillir un échantillon 8 dans une zone d'échantillon 88. Par « zone », on entend un volume. Le porte échantillon 7 est relié à une masse électrique 16 du dispositif 1. Le dispositif 1 comprend un générateur de plasma, agencé pour générer un plasma 6 entre la cathode 2 et la zone d'échantillon 88 (ou entre la cathode 2 et le porte échantillon 7), de sorte que le plasma 6 soit en contact simultanément de la première zone de cible 44 et de la deuxième zone de cible 55. Le générateur de plasma comprend : - La cathode 2, - Un injecteur 21, agencé pour injecter un fluide 22 (typiquement un mélange de gaz comprenant de l'oxygène), - un système électrique (non illustré), comprenant typiquement un générateur de tension continue ou RF (Radio Fréquence) et agencé pour générer une différence de potentiel électrique entre la cathode 2 et au moins une anode (typiquement une différence de potentiel typiquement entre 300 Volts et 800 Volts, par exemple de l'ordre de 500 V). Le dispositif 1 comprend un cache 11 agencé pour avoir deux positions différentes possibles lorsque le plasma 6 est généré et que la cible 3 est accueillie sur la cathode 2: - une première position de cache (illustrée sur les figures 1, 2 et 3) dans laquelle le cache 11 est situé entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88, mais pas entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88, et - une deuxième position de cache dans laquelle le cache 11 n'est plus situé entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 (comme illustré sur la figure 4). Le cache 11 est relié à la masse électrique 16 du dispositif 1. On remarque sur la figure 3 que seul le contour extérieur 27 du cache 11 (qui est un disque plein, sans trous) est illustré pour permettre de distinguer la deuxième partie 5 de la cible 3. - 7 - Un bras 18 solidaire du cache 11 permet de faire passer le cache 11 entre sa première position et sa deuxième position (et inversement) selon un mouvement 19 de rotation autour d'un axe perpendiculaire au plan de la figure 3. Dans sa deuxième position de cache, le cache n'est situé ni entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 ni entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88. Dans la première position de cache, la distance 13 entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 est au moins trois fois plus grande (de préférence au moins dix fois plus grande) que la distance 12 entre la deuxième zone de cible 55 et le cache 11. Dans la première position de cache, la distance 63 entre la cathode 2 et le porte échantillon 7 est au moins trois fois plus grande (de préférence au moins dix fois plus grande) que la distance 62 entre la cathode 2 et le cache 11. Dans la présente description, on mesurera chaque distance (notamment les distances 12, 13, 62 et 63) entre deux objets ou zones : - parallèle à un axe 17 perpendiculaire à une surface plane 77 du porte échantillon 7 prévue pour porter l'échantillon 8, - reliant le couple de points de ces deux objets les plus proches pour que la distance soit la plus courte possible. Dans la présente description, on entendra de préférence qu'un cache (11 ou 110) est situé entre une zone de cible (44 ou 55) et la zone d'échantillon 88 : - si toute ligne droite, parallèle à l'axe 17 et passant par cette zone de cible, passe par ce cache, ou - autrement dit si, vu de la zone d'échantillon 88, cette zone de cible est entièrement cachée par ce cache. Dans la présente description, on entendra de préférence qu'un cache (11 ou 110) est situé entre une partie de cible (4 ou 5) et l'échantillon 8 : - si toute ligne droite, parallèle à l'axe 17 et passant par cette partie de cible, passe par ce cache, ou - autrement dit si, vu de l'échantillon 8, cette partie de cible est entièrement cachée par ce cache. - 8 - Dans la présente description, on entendra de préférence qu'un cache (11 ou 110) n'est pas situé entre une zone de cible (44 ou 55) et la zone d'échantillon 88 : - s'il existe au moins une ligne droite, parallèle à l'axe 17 et passant par cette zone de cible, mais qui ne passe pas par ce cache ou - autrement dit si, vu de la zone d'échantillon 88, cette zone de cible n'est pas entièrement cachée par ce cache. Dans la présente description, on entendra de préférence qu'un cache (11 ou 110) n'est pas situé entre une partie de cible (4 ou 5) et l'échantillon 8 : - s'il existe au moins une ligne droite, parallèle à l'axe 17 et passant par cette partie de cible, mais qui ne passe pas par ce cache ou - autrement dit si, vu de l'échantillon 8, cette partie de cible n'est pas entièrement cachée par ce cache. Dans la première position de cache, une surface 28 du cache 11 est en vis-à-vis d'une surface 29 de la deuxième partie 5 de la cible, la surface 28 du cache ayant une aire plus grande (de préférence au moins quatre fois plus grande) qu'une aire de la surface 29 de la deuxième partie 5 de la cible. La cathode 2, l'au moins une anode, la première zone de cible 44, la deuxième zone de cible 55, le cache 11 dans sa première position, le porte échantillon 7 et la zone d'échantillon 88 sont situés dans une même chambre de dépôt 14 délimité par un bâti 15 typiquement en aluminium et/ou acier, ou en pyrex ou en quartz (par exemple dans le cas d'une chambre 14 d'un métaliseur). L'injecteur 21 débouche dans la chambre 14, par rapport au cache 11, du côté de la cathode 2 plutôt que du côté du support 7, c'est-à-dire plus proche de la cathode 2 que du support 7. Dans le premier mode de réalisation de procédé de dépôt par pulvérisation cathodique selon l'invention, on place, sur la cathode 2, la cible 3 comprenant sa première partie 4 et sa deuxième partie 5, le matériau de la première partie étant différent du matériau de la deuxième partie, de sorte que la première partie 4 et la deuxième partie 5 soient simultanément reliés électriquement à la cathode 2. Plus précisément, la première partie 4 est placée dans (et correspond au volume de) la première - 9 - zone 44 de cible et la deuxième partie 5 est située dans (et correspond au volume de) la deuxième zone 55 de cible. On place l'échantillon 8 sur le porte échantillon 7 (plus exactement sur la surface plane 77 dédiée de ce porte échantillon). L'échantillon 8 comprend typiquement un substrat de matière, par exemple un substrat de matériau isolant. Ce substrat peut par exemple comprendre un substrat de verre ou de résine. On crée du vide primaire (pression comprise entre 10-3mbar et 1 mbar) ou secondaire (pression comprise entre 10-7mbar et 10-3 mbar) dans 10 la chambre de dépôt 14. Le vide est créé par des moyens de pompage 20 (comprenant une pompe) faisant partie du dispositif 1. On génère le plasma 6 entre la cathode 2 et l'échantillon 8, plus exactement entre la cathode 2 et la première position du cache 11, de sorte que le plasma 6 soit en contact simultanément de la première partie 4 et de 15 la deuxième partie 5 de la cible. Le plasma est créé du fait de la différence de potentiel entre la cathode 2 et l'au moins une anode. Le porte échantillon 7 et/ou le cache 11 peut jouer le rôle d'une telle anode. Le plasma est un plasma « réactif », c'est-à-dire qu'il comprend un plasma d'un gaz (de préférence de l'oxygène) non neutre (on entend par 20 gaz neutre un gaz d'Argon, d'Hélium, de Néon ou de Xénon). Ainsi, pour réaliser ce plasma 6, on a injecté dans la chambre 6 de l'oxygène (02) en plus d'un ou plusieurs gaz neutres (par exemple Argon (Ar)) plus éventuellement d'autres gaz (par exemple Azote (N2)). Des molécules ou atomes ionisés 23 de ce plasma (typiquement des 25 atomes d'oxygènes ionisés) entrent en collision avec la première partie 4 de la cible et avec la deuxième partie 5 de la cible. Tout d'abord, on place le cache 11 dans sa première position. Des molécules ou atomes ionisés 23 de ce plasma (typiquement des atomes d'oxygène ionisés) entrent en collision avec la première partie 4 de la cible 30 et avec la deuxième partie 5 de la cible et arrachent d'une part de la matière 26 de la première partie 4 de la cible qui parcourt un chemin 24 jusqu'à l'échantillon 8 et d'autre part de la matière de la deuxième partie 5 de la cible qui parcourt un chemin 25 bloqué par le cache 11. Ainsi, alors que le plasma 6 est généré et que la cible 3 est placée sur la cathode 2 -10- comme décrit précédemment, on dépose une première couche 9 sur l'échantillon 8 en disposant le cache 11 entre la deuxième partie 5 et l'échantillon 8 mais pas entre la première partie 4 et l'échantillon 8, la première couche 9 comprenant le matériau provenant de la première partie 4 de la cible. La première couche 9 comprend pas ou très peu de matériau provenant de la deuxième partie 5 de la cible. Lors du dépôt de la première couche 9, la distance 13 entre la deuxième partie 5 de la cible 3 et l'échantillon 8 est au moins trois fois (de préférence au moins dix fois) plus grande que la distance 12 entre la deuxième partie 5 de la cible 3 et le cache 11. La surface 28 du cache 11 est en vis-à-vis de la surface 29 de la deuxième partie 5 de la cible lors du dépôt de la première couche 9. La surface 28 du cache 11 a une aire plus grande (de préférence au moins quatre fois plus grande) qu'une aire de la surface 29 de la deuxième partie 5 de la cible. La surface 28 du cache 11 et la surface 29 de la deuxième partie 5 ont une même forme (avec les mêmes formes de contours, avec les mêmes valeurs d'angles et les mêmes proportions entre les différentes longueurs et largeurs de la forme, mais avec des échelles ou dimensions ou tailles différentes), par exemple une forme de disque sur les figures 1 à 4 (mais on pourrait imaginer des formes en hexagone, carré, rectangle, losange, etc.). Puis, on place le cache 11 dans sa deuxième position. Des molécules ou atomes ionisés 23 de ce plasma (typiquement des atomes d'oxygène ionisés) entrent en collision avec la première partie 4 de la cible et avec la deuxième partie 5 de la cible et arrachent d'une part de la matière de la première partie 4 de la cible qui parcourt un chemin jusqu'à l'échantillon 8, et d'autre part de la matière de la deuxième partie 5 de la cible qui parcourt un chemin jusqu'à l'échantillon 8. Ainsi, toujours alors que le plasma 6 est généré et que la cible 3 est placée sur la cathode 2 comme décrit précédemment, on dépose une deuxième couche 10 sur l'échantillon 8 en retirant le cache 11 d'entre la deuxième partie 5 et l'échantillon 8, la deuxième couche 10 comprenant le matériau provenant de la deuxième partie 5 de la cible. La deuxième couche 10 comprend aussi le matériau provenant de la première partie 4 de la cible. Lors du dépôt de la deuxième -11- couche 10, le cache 11 n'est situé ni entre la première partie 4 et l'échantillon 8 ni entre la deuxième partie 5 et l'échantillon 8. Pendant chacun de ces dépôts, et pendant le temps séparant ces deux dépôts, la cible 3 ne bouge pas et reste immobile au sein de la chambre 14, c'est-à-dire notamment par rapport à la cathode 2, au porte échantillon 7 et à l'échantillon 8. Pendant chacun de ces dépôts, et pendant le temps séparant ces deux dépôts, la cathode 2 ne bouge pas et reste immobile au sein de la chambre 14, c'est-à-dire notamment par rapport à la cible 3, au porte échantillon 7 et à l'échantillon 8. Pendant chacun de ces dépôts, et pendant le temps séparant ces deux dépôts, l'échantillon 8 ne bouge pas et reste immobile au sein de la chambre 14, c'est-à-dire notamment par rapport à la cathode 2, à la cible 3, et au porte échantillon 7. Pendant chacun de ces dépôts, et pendant le temps séparant ces deux dépôts, le porte échantillon 7 ne bouge pas et reste immobile au sein de la chambre 14, c'est-à-dire notamment par rapport à la cathode 2, à la cible 3 et à l'échantillon 8. Concernant la cible 3 utilisée, la première partie 4 de la cible est solidaire de la deuxième partie 5 de la cible. Le matériau de la deuxième partie 5 de la cible comprend (et plus précisément est) de l'or. Le matériau de la première partie 4 de la cible comprend (et plus précisément est) du molybdène. Comme illustré, vu de face, typiquement vu de l'échantillon 8 ou du porte échantillon 7, et sans le cache 11, chaque partie 4, 5 de la cible a la forme d'une plaque (par exemple en forme de disque), de sorte que la forme de la plaque de la deuxième partie 5 de la cible soit centré à l'intérieur de la forme de la plaque de la première partie de la cible 4 (dans une variante, on peut avoir la forme de la plaque de la première partie de la cible 4 qui est centré à l'intérieur de la forme de la plaque de la deuxième partie 5 de la cible). La deuxième partie 5 est un disque en or de 15 mm de diamètre. - 12 - La première partie 4 de la cible est un cylindre droit et la deuxième partie 5 de la cible est un cylindre droit, les cylindres droits de la première partie 4 et de la deuxième partie 5 ayant un même axe de révolution. Le cylindre de la deuxième partie 5 est posé sur le cylindre de la première partie 4. Dans une variante illustrée sur la figure 5, le cylindre de la deuxième partie 5 est inséré intégralement dans le cylindre de la première partie 4. La deuxième partie 5 traverse de part en part la première partie 4. Dans une variante illustrée sur la figure 6, la deuxième partie 5 est insérée intégralement dans le cylindre de la première partie 4. La deuxième partie 5 comprend deux cylindres de diamètres différents et mis bout à bout, ces deux cylindres ayant le même axe de révolution que le cylindre de la première partie 4. La deuxième partie 5 traverse de part en part la première partie 4. On va maintenant décrire, en référence aux figures 7 à 9 et uniquement pour ses différences par rapport au premier mode des figures 1 à 6, un deuxième mode de réalisation de dispositif 1 de dépôt par pulvérisation cathodique selon l'invention, mettant en oeuvre un deuxième mode de réalisation procédé selon l'invention qui lui aussi ne sera décrit que pour ses différences par rapport au premier mode de réalisation de procédé selon l'invention. Vu de face, typiquement vu de l'échantillon 8 ou du porte échantillon 7, et sans le cache 11 : - la première partie 4 de la cible a la forme d'une plaque (de préférence la forme d'un polygone), et - la deuxième partie 5 de la cible a la forme d'une plaque (de préférence la forme d'un polygone) située à côté de la première partie 4, et a un côté qui longe (et est de préférence en contact avec et de préférence solidaire de) un côté de la première partie 4 de la cible. On remarque sur les figures 8 et 9 que seul le contour extérieur 27 du cache 11 (qui est une plaque rectangulaire pleine, sans trous) est illustré -13- pour permettre de distinguer la première partie 4 et la deuxième partie 5 de la cible 3. Le bras 18 solidaire du cache 11 permet de faire passer le cache 11 entre sa première position et sa deuxième position (et inversement) selon un mouvement 19 de translation parallèle au plan de la figure 8. La première position de cache de ce deuxième mode de réalisation est illustrée sur les figures 7 et 8. Dans sa deuxième position de cache illustrée sur la figure 9, le cache 11 est situé entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 mais pas entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88. Dans la deuxième position de cache, la surface 28 du cache 11 est en vis-à-vis d'une surface 30 de la première partie 4 de la cible, la surface 28 du cache 11 ayant une aire plus grande (de préférence au moins quatre fois plus grande) qu'une aire de la surface 30 de la première partie 4 de la cible. Dans ce deuxième mode de réalisation de dispositif et de procédé selon l'invention, la surface 28 du cache 11 et la surface 30 de la première partie 4 ont une même forme, par exemple une forme de rectangle comme illustré sur les figures 7 à 9. Dans ce deuxième mode de réalisation de dispositif et de procédé selon l'invention, la surface 28 du cache 11 et la surface 29 de la deuxième partie 5 ont une même forme, par exemple une forme de rectangle comme illustré sur les figures 7 à 9. Lors du dépôt de la deuxième couche 10, le cache 11 est situé entre la première partie 4 et l'échantillon 8 mais pas entre la deuxième partie 5 et l'échantillon 8. Dans la deuxième position de cache, la distance entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 est au moins trois fois (de préférence au moins dix fois) plus grande que la distance entre la première zone de cible 44 et le cache 11. Dans la deuxième position de cache, la distance entre la cathode 2 et le porte échantillon 7 est au moins trois fois (de préférence au moins dix fois) plus grande que la distance entre la cathode 2 et le cache 11. Lors du dépôt de la deuxième couche 10, la distance entre la première partie 4 de la cible 3 et l'échantillon 8 est au moins trois fois (de - 14 - préférence au moins dix fois) plus grande que la distance entre la première partie 4 de la cible 3 et le cache 11. On va maintenant décrire un troisième mode de réalisation de dispositif selon l'invention uniquement pour ses différences par rapport au premier mode de réalisation de dispositif précédemment décrit, ce troisième mode de réalisation de dispositif mettant en oeuvre un troisième mode de réalisation de procédé selon l'invention décrit uniquement pour ses différences par rapport au premier mode de réalisation de procédé selon l'invention. Dans ce troisième mode de dispositif et de procédé selon l'invention, le cache 11 est un premier cache 11. Le dispositif 1 comprend en outre un deuxième cache 110, illustré en pointillés sur la figure 4. Le deuxième cache 110 est agencé pour avoir deux positions différentes possibles lorsque le plasma 6 est généré et que la cible 3 est accueillie sur la cathode 2: - une première position (cf figure 3) dans laquelle le cache 110 est situé ni entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 ni entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à-dire ni entre la deuxième partie 5 de la cible et l'échantillon 8 ni entre la première partie 4 de la cible et l'échantillon 8); le cache 110 est dans cette première position lors du dépôt de la première couche 9 ; et - une deuxième position (cf figure 4) dans laquelle le cache 110 est situé entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à- dire entre la première partie 4 de la cible et l'échantillon 8) mais pas entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à-dire pas entre la deuxième partie 5 de la cible et l'échantillon 8); le cache 110 est dans cette deuxième position lors du dépôt de la deuxième couche 10. Le cache 110 est relié à la masse électrique 16 du dispositif 1. Sur le figure 4, seuls le contour extérieur 270 et le contour intérieur 370 du cache 110 (qui a une forme d'anneau avec un trou central délimité -15- par le contour intérieur 370) sont illustrés pour permettre de distinguer la cible 3. Un bras 180 solidaire du cache 110 permet de faire passer le cache 110 entre sa première position et sa deuxième position (et inversement) selon un mouvement 190 de rotation autour d'un axe perpendiculaire au plan de la figure 4. Dans la deuxième position du cache 110, la distance entre la cathode 2 et le porte échantillon 7 est au moins trois fois plus grande (de préférence au moins dix fois plus grande) que la distance entre la cathode 2 et le cache 110. On va maintenant décrire un quatrième mode de réalisation de dispositif selon l'invention uniquement pour ses différences par rapport au deuxième mode de réalisation de dispositif précédemment décrit, ce quatrième mode de réalisation de dispositif mettant en oeuvre un quatrième mode de réalisation de procédé selon l'invention décrit uniquement pour ses différences par rapport au deuxième mode de réalisation de procédé selon l'invention. Dans ce quatrième mode de dispositif et de procédé selon l'invention, le cache 11 est un premier cache 11. Le premier cache 11 est agencé pour avoir deux positions différentes possibles lorsque le plasma 6 est généré et que la cible 3 est accueillie sur la cathode 2: - une première position (cf figure 8) dans laquelle le cache 11 est situé entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à- dire entre la deuxième partie 5 de la cible et l'échantillon 8) mais pas entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à-dire pas entre la première partie 4 de la cible et l'échantillon 8); le cache 11 est dans cette première position lors du dépôt de la première couche 9 ; et - une deuxième position dans laquelle le cache 11 est situé ni entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 ni entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à-dire ni entre la deuxième partie 5 de la cible et l'échantillon 8 ni entre la - 16 - première partie 4 de la cible et l'échantillon 8); le cache 11 est dans cette deuxième position lors du dépôt de la deuxième couche 10. Le dispositif 1 comprend en outre un deuxième cache 110, qui remplace le cache 11 sur la figure 9. Le deuxième cache 110 est agencé pour avoir deux positions différentes possibles lorsque le plasma 6 est généré et que la cible 3 est accueillie sur la cathode 2: - une première position dans laquelle le cache 110 est situé ni entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 ni entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à-dire ni entre la deuxième partie 5 de la cible et l'échantillon 8 ni entre la première partie 4 de la cible et l'échantillon 8); le cache 110 est dans cette première position lors du dépôt de la première couche 9 ; et - une deuxième position (cf figure 9) dans laquelle le cache 110 est situé entre la première zone de cible 44 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à- dire entre la première partie 4 de la cible et l'échantillon 8) mais pas entre la deuxième zone de cible 55 et la zone d'échantillon 88 (c'est-à-dire pas entre la deuxième partie 5 de la cible et l'échantillon 8); le cache 110 est dans cette deuxième position lors du dépôt de la 2 0 deuxième couche 10. Le cache 110 est relié à la masse électrique 16 du dispositif 1. Ainsi, sur la figure 9, le cache 11 et son bras 18 sont remplacés par le cache 110 et un bras 180 solidaire du cache 110 et agencé pour faire passer le cache 110 entre sa première position et sa deuxième position (et 25 inversement) selon un mouvement de translation et/ou rotation. Dans la deuxième position du cache 110, la distance entre la cathode 2 et le porte échantillon 7 est au moins trois fois plus grande (de préférence au moins dix fois plus grande) que la distance entre la cathode 2 et le cache 110. 30 On remarque que, dans le cas des deuxième, troisième et quatrième modes de réalisation décrits ci-dessus, lorsque l'on place le cache 11 et/ou 110 dans sa deuxième position, des molécules ou atomes ionisés 23 de ce plasma (typiquement des atomes d'oxygènes ionisés) entrent en collision - 17 - avec la première partie 4 de la cible et avec la deuxième partie 5 de la cible et arrachent d'une part de la matière de la première partie 4 de la cible qui est bloquée par le cache 11 ou 110, et d'autre part de la matière de la deuxième partie 5 de la cible qui parcourt un chemin jusqu'à l'échantillon 8. Ainsi, toujours alors que le plasma 6 est généré et que la cible 3 est placée sur la cathode 2, on dépose la deuxième couche 10 sur l'échantillon 8, la deuxième couche 10 comprenant le matériau provenant de la deuxième partie 5 de la cible. La deuxième couche 10 ne comprend pas ou très peu du matériau provenant de la première partie 4 de la cible. On va maintenant décrire, en référence aux figures 10, 11 et 12, des résultats expérimentaux de dépôts des couches 9, 10 sur un exemple d'échantillon 8. L'exemple d'échantillon est un substrat silicium (mais on pourrait remplacer plus généralement le silicium par un conducteur, un semi- conducteur, ou un isolant). Le plasma est généré à partir d'un mélange d'Oxygène, d'Argon et d'Azote. Le spectre (courbe 31) de la figure 11 a été réalisé sur cet exemple d'échantillon 8 après dépôt de la première couche 9 (qui est une couche sacrificielle) mais avant dépôt de la deuxième couche 10. La courbe 32 de la figure 12 a été réalisée sur cet exemple d'échantillon 8 après dépôt de la première couche 9 puis de la deuxième couche 10 (qui est une couche conductrice). La courbe 33 de la figure 12 a été réalisée sur cet exemple d'échantillon 8 après dissolution des couches 9 et 10. On remarque sur la courbe 31 de la figure 11 : - que la première couche 9 comprend peu ou pas d'or (à 2,122 keV, par comparaison avec la courbe 33 de la figure 12), et - que la première couche 9 comprend de l'oxyde de molybdène (à 2,293 keV), c'est-à-dire le matériau (Molybdène) de la première partie 4, sous forme oxydée. On remarque sur la courbe 32 de la figure 12 : -18- - que la deuxième couche 10 comprend de l'or (à 2,122 keV, par comparaison avec la courbe 31 de la figure 11), c'est-à-dire le matériau de la deuxième partie 5, et - que la deuxième couche 10 comprend de l'oxyde de molybdène (à 2,293 keV, par comparaison avec la courbe 31 de la figure 11) c'est-à-dire le matériau (Molybdène) de la première partie 4, sous forme oxydée. Ainsi, l'invention permet de réaliser de manière rapide et efficace une bicouche, telle qu'une bicouche (une couche sacrificielle 9 et une couche conductrice 10) décrite dans la demande W02013/064782A1. De manière plus générale, l'invention permet de faire un dépôt de deux couches de natures différentes avec une seule cible. Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. Par exemple, dans une variante de chacun des modes de réalisation de procédé selon l'invention, on peut déposer la deuxième couche 10 avant la première couche 9. En particulier, on peut donc dans une variante du premier mode de réalisation du procédé selon l'invention déposer la deuxième couche 10 (avec le cache 11 ne cachant pas complètement la deuxième partie 5 pour l'échantillon 8) avant la première couche 9 (avec le cache 11 cachant complètement la deuxième partie 5 pour l'échantillon 8). Bien entendu, les différentes caractéristiques, formes, variantes et modes de réalisation de l'invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. En particulier toutes les variantes et modes de réalisation décrits précédemment sont combinables entre eux.30 REVENDICATIONS1. Procédé de dépôt par pulvérisation cathodique, dans lequel : - on place, sur une cathode (2), une cible (3) comprenant une première partie (4) et une deuxième partie (5), le matériau de la première partie étant différent du matériau de la deuxième partie, - on génère un plasma (6) entre la cathode (2) et un échantillon (8), de sorte que le plasma (6) soit en contact simultanément de la première partie (4) et de la deuxième partie (5), puis, alors que le plasma (6) est généré et que la cible (3) est placée sur la cathode (2): - on dépose une première couche (9) sur l'échantillon (8), en disposant un cache (11) entre la deuxième partie (5) et l'échantillon (8), la première couche (9) comprenant le matériau provenant de la première partie (4) de la cible, et - on dépose une deuxième couche (10) sur l'échantillon, sans que le cache (11) soit entre la deuxième partie (5) et l'échantillon (8), la deuxième couche (10) comprenant le matériau provenant de la deuxième partie (5) de la cible. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première partie (4) de la cible est solidaire de la deuxième partie (5) de la cible. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que lors du dépôt de la deuxième couche (10), le cache (11) n'est situé ni entre la première partie (4) et l'échantillon (8) ni entre la deuxième partie (5) et l'échantillon (8). 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que lors du dépôt de la deuxième couche (10), le cache (11) est situé entre la première partie (4) et l'échantillon (8).-20- 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lors du dépôt de la première couche (9), la distance (13) entre cible (3) et échantillon (8) est au moins trois fois plus grande que la distance (12) entre la cible (3) et le cache (11). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une surface (28) du cache (11) est en vis-à-vis d'une surface (29) de la deuxième partie (5) de la cible lors du dépôt de la première couche (9), la surface (28) du cache (11) ayant une aire plus grande qu'une aire de la surface (29) de la deuxième partie (5) de la cible. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la surface (28) du cache (11) et la surface (29) de la deuxième partie (5) ont une même forme. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau de la deuxième partie (5) de la cible comprend ou est de l'or. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau de la première partie (4) de la cible comprend ou est du molybdène. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le cache (11) est relié à une masse électrique. 11.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que, vu de l'échantillon (8) sans le cache (11), chaque partie (4, 5) de la cible a la forme d'un disque, de sorte que le disque de la première ou la deuxième partie (4 ; 5) de la cible soit centré à l'intérieur respectivement du disque de la deuxième ou de la première partie de la cible (5 ;4).-21- 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que, vu de l'échantillon (8) sans le cache (11), chaque partie (4, 5) de la cible a la forme d'une plaque dont un côté longe un côté de l'autre partie de la cible. 13. Dispositif (1) de dépôt par pulvérisation cathodique, comprenant : - une cathode (2), agencée pour accueillir une cible (3) comprenant une première partie (4) et une deuxième partie (5), la cathode (2) étant agencée pour accueillir simultanément la première partie de la cible dans une première zone de cible (44) et la deuxième partie de la cible dans une deuxième zone de cible (55), - un porte échantillon (7), agencé pour accueillir un échantillon (8) dans une zone d'échantillon (88), - un générateur de plasma, agencé pour générer un plasma (6) entre la cathode (2) et la zone d'échantillon (88), de sorte que le plasma (6) soit en contact simultanément de la première zone de cible (44) et de la deuxième zone de cible (55), - un cache (11), agencé pour avoir deux positions différentes possibles lorsque le plasma est généré et que la cible est accueillie sur la cathode: o une première position de cache dans laquelle le cache (11) est situé entre la deuxième zone de cible (55) et la zone d'échantillon (88), et o une deuxième position de cache dans laquelle le cache (11) n'est pas situé entre la deuxième zone de cible (55) et la zone d'échantillon (88). 14.Cible (3) de dépôt par pulvérisation cathodique, caractérisée en ce qu'elle comprend une première partie (4) et une deuxième partie (5), le matériau de la première partie (4) étant différent du matériau de la deuxième partie (5) ; le matériau de la première partie (4) comprenant ou consistant en du molybdène, le matériau de la deuxième partie (5) comprenant ou consistant en de l'or ; la-22- première partie (4) de la cible étant solidaire de la deuxième partie (5) de la cible. 15.Cible selon la revendication 14, caractérisée en ce que, pour une vue de face de la cible (3), chaque partie (4, 5) de la cible a la forme d'un disque, de sorte que le disque de la première ou la deuxième partie (4 ; 5) de la cible soit centré à l'intérieur respectivement du disque de la deuxième ou de la première partie de la cible (5 ;4). 15