Brevet FR3021806A1 — publié le 20151204

PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UNE CELLULE MEMOIRE NON VOLATILE COMPRENANT UNE GRILLE DE TRANSISTOR DE SELECTION PARTAGEE La présente invention concerne les mémoires non volatiles de type effaçables et programmables électriquement EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). La présente invention concerne plus particulièrement une mémoire non volatile, comprenant des cellules mémoire comportant chacune un transistor à grille flottante et une grille de transistor de sélection partagée avec une cellule mémoire adjacente dite "jumelle". La figure 1 est le schéma électrique de cellules mémoire C11, C12 du type précité, appartenant à deux pages adjacentes Pi, Pi+1 d'un plan mémoire. ". Les cellules mémoire C11, C12 sont accessibles en lecture et écriture par l'intermédiaire d'une ligne de bit BL, d'une ligne de mot WL et de lignes de contrôle de grille CGL , CGL . Chaque cellule mémoire comporte un transistor à grille flottante, respectivement FGT11, FGT12. La grille de contrôle CG du transistor FGT11 est connectée à la ligne de contrôle de grille CGL par l'intermédiaire d'un contact C4. La grille de contrôle CG du transistor FGT12 est connectée à la ligne de contrôle de grille CGL par l'intermédiaire d'un contact C4. Les régions de drain des transistors FGT11, FGT12 sont connectées à une ligne de bit BL par l'intermédiaire de contacts C1. La grille verticale SGC est connectée à une ligne de mot WL commune aux deux cellules mémoire par l'intermédiaire d'un contact C3. Chaque transistor à grille flottante FGT11, FGT12 a par ailleurs sa borne de source reliée à une ligne de source SL par l'intermédiaire d'un transistor de sélection ST11, ST12 respectif. Les transistors de sélection ST11, ST12 partagent une même grille de contrôle de sélection SGC. Les deux cellules mémoire C11, C12 sont dites "jumelles" du fait qu'elles partagent la même grille de contrôle de sélection SGC et la même ligne de bit BL. Les régions de canal CH1, CH2 des transistors FGT11, FGT12, ST11, ST12 sont au potentiel électrique du caisson PW, comme représenté par des traits pointillés. Enfin, les régions de source des transistors ST11, ST12 sont reliées électriquement à la ligne de source SL. 3021806 2 Celle-ci peut être connectée par l'intermédiaire d'un contact C5 à une ligne de source générale réalisée dans un niveau de métal. Chaque grille de contrôle commune SGC est préférentiellement une grille verticale enterrée dans un substrat recevant le plan mémoire, la ligne 5 de source SL étant également une ligne enterrée. Les grilles de contrôle communes SGC, ou grilles de sélection de cellules mémoire jumelles, sont connectées à la ligne de mot WL . De telles cellules mémoire sont effacées ou programmées par le canal, c'est-à-dire en portant le substrat à une tension d'effacement positive 10 ou de programmation négative provoquant l'extraction de charges électriques de leur grilles flottantes ou l'injection de charges électriques dans leurs grilles flottantes, par effet Fowler-Nordheim. Plus particulièrement, l'effacement d'une cellule mémoire est assuré en combinant la tension positive appliquée au substrat à une tension 15 négative appliquée à la grille de contrôle CG de son transistor à grille flottante, pendant que la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire jumelle reçoit une tension d'inhibition d'effacement positive permettant d'éviter qu'elle soit simultanément effacée. De même, la programmation d'une cellule mémoire est assurée en 20 combinant une tension négative appliquée à la ligne de bit BL et au substrat PW à une tension positive appliquée à la grille de contrôle CG de son transistor à grille flottante, pendant que la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire jumelle reçoit une tension d'inhibition de programmation négative permettant d'éviter qu'elle soit simultanément 25 programmée. Enfin, la lecture d'une cellule mémoire est assurée en appliquant une tension positive à la grille de contrôle de son transistor à grille flottante, ainsi qu'une tension positive à la ligne de bit correspondante, pendant que la cellule mémoire jumelle, qui est connectée à la même ligne de bit, reçoit sur sa grille de contrôle une tension d'inhibition de lecture négative permettant d'éviter qu'elle soit simultanément lue. Cette structure de plan mémoire ayant des cellules mémoire jumelles comprenant une grille de sélection verticale partagée et enterrée dans le substrat, présente l'avantage d'être d'un faible encombrement. 3021806 3 Cette structure classique de plan mémoire et de cellule mémoire nécessite également de prévoir un décodeur de ligne de mot capable d'appliquer une tension de lecture positive à une cellule mémoire devant être lue, tout en appliquant une tension d'inhibition de lecture négative à sa 5 cellule mémoire jumelle, comme cela a été rappelé plus haut. Il pourrait donc être souhaité de simplifier le décodeur de ligne. Il pourrait également être souhaité d'optimiser les opérations de lecture et de programmation des cellules mémoire, notamment sur le plan de la consommation électrique. 10 Des modes de réalisation concernent un procédé de commande d'une mémoire non volatile sur substrat semi-conducteur, comprenant : au moins une ligne de bit, au moins deux lignes de contrôle de grille, au moins une ligne de mot, au moins une paire de cellules mémoire jumelles, comportant une première cellule mémoire comprenant un premier transistor à grille 15 flottante ayant une grille de contrôle reliée à une première ligne de contrôle de grille, une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à une ligne de source par l'intermédiaire d'un premier transistor de sélection ayant une grille de contrôle de sélection reliée à la ligne de mot, et une seconde cellule mémoire comportant un 20 second transistor à grille flottante ayant une grille de contrôle reliée à la seconde ligne de contrôle de grille, une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à la ligne de source par l'intermédiaire d'un second transistor de sélection partageant avec le premier transistor de sélection la grille de contrôle de sélection. Selon 25 un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à : programmer la première cellule mémoire par injection d'électrons chauds, par l'intermédiaire d'un courant de programmation traversant la première cellule mémoire, en appliquant une première tension positive à la ligne de bit et une seconde tension positive à la première ligne de contrôle de grille, et 30 pendant la programmation de la première cellule mémoire, appliquer à la seconde ligne de contrôle de grille une troisième tension positive apte à faire passer un courant de programmation dans la seconde cellule mémoire, sans faire passer la seconde cellule mémoire dans un état programmé. Selon un mode de réalisation, la troisième tension est choisie de 35 manière à assurer une programmation douce de la seconde cellule mémoire, 3021806 4 afin que la seconde cellule mémoire ne puisse pas présenter une tension de seuil négative quel que soit son état programmé ou effacé. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de lecture d'une cellule mémoire de la paire de cellules mémoire, consistant à : 5 appliquer une tension de lecture positive à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire devant être lue, et appliquer une tension nulle à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire jumelle. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape 10 d'effacement consistant à appliquer simultanément une tension d'effacement aux grilles de contrôle des transistors à grille flottante des première et seconde cellules mémoire. Selon un mode de réalisation, l'opération de programmation de la première cellule mémoire comprend des étapes de vérification de l'état 15 déplété de la paire de cellules mémoire, et de réalisation d'une programmation de la première cellule mémoire et d'une programmation douce de la seconde cellule mémoire tant que l'une ou l'autre des première et seconde cellules mémoire est à l'état déplété, suivies d'étapes de vérification de l'état programmé de la première cellule mémoire, et de 20 programmation de la première cellule mémoire tant que celle-ci n'est pas à l'état programmé. Des modes de réalisation concernent également une mémoire non volatile sur substrat semi-conducteur, comprenant : au moins une ligne de bit, au moins deux lignes de contrôle de grille, au moins une ligne de mot, au 25 moins une paire de cellules mémoire jumelles, comportant une première cellule mémoire comprenant un premier transistor à grille flottante ayant une grille de contrôle reliée à une première ligne de contrôle de grille, une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à une ligne de source par l'intermédiaire d'un premier 30 transistor de sélection ayant une grille de contrôle de sélection reliée à la ligne de mot, et une seconde cellule mémoire comportant un second transistor à grille flottante ayant une grille de contrôle reliée à la seconde ligne de contrôle de grille, une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à la ligne de source par l'intermédiaire d'un second transistor de sélection partageant avec le premier 3021806 5 transistor de sélection la grille de contrôle de sélection, et des moyens pour programmer la première cellule mémoire indépendamment de la seconde cellule mémoire et réciproquement. Selon un mode de réalisation, la mémoire est configurée pour : programmer la première cellule mémoire par 5 injection d'électrons chauds, par l'intermédiaire d'un courant de programmation traversant la première cellule mémoire, en appliquant une première tension positive à la ligne de bit et une seconde tension positive à la première ligne de contrôle de grille, et pendant la programmation de la première cellule mémoire, appliquer à la seconde ligne de contrôle de grille 10 une troisième tension positive apte à faire passer un courant de programmation dans la seconde cellule mémoire, sans faire passer la seconde cellule mémoire dans un état programmé. Selon un mode de réalisation, la troisième tension est choisie de manière à assurer une programmation douce de la seconde cellule mémoire, 15 afin que la seconde cellule mémoire ne puisse pas présenter une tension de seuil négative quel que soit son état programmé ou effacé. Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend un décodeur de ligne de mot relié à la ligne de mot et aux lignes de contrôle de grille, le décodeur étant configuré pour, pendant la lecture d'une cellule mémoire de 20 la paire de cellules mémoire jumelles, appliquer une tension de lecture positive à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire devant être lue, et appliquer une tension nulle à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire jumelle. Selon un mode de réalisation, la grille de contrôle de sélection est une 25 grille verticale enterrée présentant pour le premier transistor de sélection une région de canal vertical s'étendant en regard d'une première face de la grille de contrôle verticale enterrée, et pour le second transistor de sélection une région de canal vertical qui s'étendant en regard d'une seconde face de la grille de contrôle verticale enterrée, et en face de la région de canal du 30 premier transistor de sélection. Selon un mode de réalisation, les cellules mémoire de la paire de cellules mémoire jumelles partagent un unique transistor de sélection. Selon un mode de réalisation, la paire de cellules mémoire comprend : une première région dopée s'étendant le long d'un premier bord 35 supérieur de la grille enterrée, formant une région de drain du transistor de 3021806 6 sélection et une région de source du transistor à grille flottante, d'une première cellule mémoire de la paire de cellules mémoire, une seconde région dopée s'étendant le long d'un second bord supérieur de la grille enterrée opposé au premier bord supérieur, formant une région de drain du 5 transistor de sélection et une région de source du transistor à grille flottante, d'une seconde cellule mémoire de la paire de cellules mémoire, et une troisième région dopée s'étendant le long de deux bords inférieurs opposés de la grille enterrée, formant une région de source commune du transistor de sélection de la première cellule mémoire et du transistor de sélection de la 10 seconde cellule mémoire, chaque transistor de sélection de la paire de cellules mémoire présentant une région de canal verticale s'étendant d'un côté respectif de la grille enterrée, entre la première ou la seconde région dopée et la troisième région dopée. Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend un décodeur de 15 ligne de mot relié à la ligne de mot et aux lignes de contrôle de grille, le décodeur étant configuré pour, pendant l'effacement de cellules mémoire, appliquer une tension d'effacement simultanément aux première et seconde lignes de contrôle de grille. Selon un mode de réalisation, la mémoire est configurée pour, 20 pendant l'opération de programmation de la première cellule mémoire : vérifier l'état déplété de la paire de cellules mémoire, et programmer la première cellule mémoire et appliquer simultanément une programmation douce à la seconde cellule mémoire, tant que l'une ou l'autre des première et seconde cellules mémoire est à l'état déplété, et vérifier l'état programmé de 25 la première cellule mémoire, et programmer la première cellule mémoire tant que celle-ci n'est pas à l'état programmé. Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend une rangée de paires de cellules mémoire jumelles connectées à la ligne de mot et aux lignes de contrôle de grille, la mémoire étant configurée pour programmer un 30 mot formé par plusieurs cellules mémoire de la rangée, connectées à l'une des deux lignes de contrôle de grilles, et pour, pendant la programmation du mot : effectuer une opération de lecture de la rangée de paires de cellules mémoire jumelles et de stockage des mots lus, effectuer une opération d'effacement de la rangée de paires de cellules mémoire jumelles lues, 35 effectuer une programmation par mot des cellules mémoire de la rangée de 3021806 7 paires de cellules mémoire, comprenant une programmation de la première cellule mémoire des paires de cellules mémoire de la rangée, en fonction des mots stockés et éventuellement du mot à écrire, et simultanément effectuer une programmation douce de secondes cellules mémoire jumelles des 5 premières cellules mémoire programmées, et effectuer une seconde opération de programmation de la seconde cellule mémoire des paires de cellules mémoire de la rangée, en fonction des mots stockés et éventuellement du mot à écrire, et simultanément effectuer une programmation douce des premières cellules mémoire jumelles des 10 secondes cellules mémoire programmées. Des exemples de réalisation de l'invention seront décrits dans ce qui suit, à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 décrite précédemment, est un schéma électrique des 15 cellules mémoire de la figure 1, la figure 2 est une vue en coupe schématique d'une paire de cellules mémoire jumelles partageant une grille verticale commune de transistors de sélection, la figure 3 est une vue en coupe schématique de la paire de cellules 20 mémoire de la figure 1, illustrant un procédé de programmation d'une cellule mémoire, la figure 4 est une vue en coupe schématique de la paire de cellules mémoire de la figure 1, illustrant un procédé de lecture d'une cellule mémoire, 25 la figure 5 est une vue en coupe schématique de la paire de cellules mémoire de la figure 2, illustrant un procédé de programmation d'une cellule mémoire, selon un mode de réalisation, la figure 6 est une vue en coupe schématique de la paire de cellules mémoire de la figure 2, illustrant un procédé de lecture d'une cellule 30 mémoire, selon un mode de réalisation, la figure 7 est une vue en coupe schématique de la paire de cellules mémoire de la figure 2, illustrant un procédé d'effacement de la paire de cellules mémoire, selon un mode de réalisation, la figure 8 représente des courbes de distribution du nombre de 35 cellules mémoire d'une mémoire, respectivement à différents états, en 3021806 8 fonction de la tension de seuil du transistor à grille flottante des cellules mémoire, la figure 9 représente schématiquement des circuits d'un plan mémoire dans lequel le procédé de programmation peut être mis en oeuvre, 5 selon un mode de réalisation, la figure 10 représente des étapes exécutées durant la programmation d'une cellule mémoire, la figure 11 est un schéma électrique d'une paire de cellules mémoire partageant un même transistor de sélection. 10 La figure 2 est une vue en coupe schématique de deux cellules mémoire C11, C12 jumelles, comportant une grille verticale SGC de transistor de sélection, commune aux deux cellules mémoire. Les cellules mémoire C11, C12 sont réalisées sur un substrat PW de type de conductivité P. Le substrat est formé dans une plaque de semi-conducteur appelée 15 "wafer" WF. Le caisson PW est isolé par rapport au reste du wafer WF par une couche d'isolation NISO dopée N qui entoure la totalité du caisson. Chaque cellule mémoire C11, C12 comprend un transistor à grille flottante FGT11, FGT12 et un transistor de sélection ST11, ST12. Chaque transistor à grille flottante FGT11, FGT12 comprend une région de drain n1, une région 20 de source n2, une grille flottante FG, une grille de contrôle d'état CG, et une région de canal CH1 s'étendant sous la grille flottante FG entre les régions de drain n1 et de source n2. La grille verticale de sélection SGC est enterrée dans le substrat PW et isolée de ce dernier l'intermédiaire d'une couche isolante D3, par exemple en oxyde SiO2, formant l'oxyde de grille des 25 transistors de sélection ST11, ST12. La région n2 s'étend le long d'un bord supérieur de la grille verticale enterrée SGC. La grille SGC atteint une région de source n3 commune aux transistors ST11, ST12, en contact avec la couche NISO qui forme ainsi une ligne de source SL des transistors S11, ST12. La région n3 s'étend le long de deux bords inférieurs de la grille 30 verticale SGC. Chaque transistor de sélection ST11, ST12 comprend ainsi une région de drain commune à la région de source n2 du transistor à grille flottante FGT11, FGT12 de sa cellule, la région de source n3 commune, et une région de canal CH2 s'étendant verticalement le long de la grille SGC entre les régions de drain n2 et de source n3. A noter que la région n3 peut 35 être omise si la grille SGC atteint la couche NISO. 3021806 9 Les régions nl, n2, n3 sont généralement formées par dopage N du substrat PW. Les grilles flottantes FG sont généralement en silicium polycristallin de niveau 1, ou "polyl", et sont formées sur le substrat PW par l'intermédiaire d'une couche d'oxyde tunnel D1. Les grilles de contrôle d'état 5 CG sont généralement en silicium polycristallin de niveau 2, ou "poly2". Chaque grille de contrôle d'état CG est formée sur l'une des grilles flottantes FG préalablement recouverte d'une couche d'oxyde D2. La grille SGC est formée dans une tranchée remplie de silicium polycristallin de niveau 0, ou "poly0", isolé du substrat par la couche d'oxyde D3. Selon le procédé de 10 fabrication retenu, la tranchée conductrice formant la grille SGC peut ne présenter aucune discontinuité électrique. Elle peut alors être utilisée directement comme ligne de mot WL. Les deux cellules mémoire C11, C12 sont recouvertes par un matériau isolant diélectrique DO, qui peut également être de l'oxyde SiO2. 15 Les régions de drain n1 des transistors FGT11, FGT12 sont reliées à une même ligne de bit BL par l'intermédiaire d'un contact Cl traversant l'isolant DO. Le tableau PG1 en Annexe 1 décrit en relation avec la figure 3, des valeurs de tensions appliquées aux cellules mémoire lors de la 20 programmation de la cellule mémoire C11. La colonne "Réf." décrit la référence attribuée à chaque valeur de tension et la colonne "Ex." décrit des exemples de valeurs de tensions. "GND" est le potentiel de masse, à savoir le potentiel du wafer WF, généralement 0 V. Lors de la programmation par électrons chauds de la cellule mémoire C11, les deux transistors FGT11, 25 ST11 coopèrent en vue de l'injection de charges électriques dans la grille flottante FG. Le transistor de sélection ST11 présente un canal CH2 conducteur dans lequel se forme un courant 11 (représenté par des flèches sur la figure 3) comprenant des électrons à haute énergie cinétique, dits "électrons chauds". Lorsque le courant 11 atteint le canal conducteur CH1 du 30 transistor à grille flottante FGT11, se forme une zone d'injection où certains électrons à haute énergie sont injectés dans la grille flottante FG sous l'effet d'un champ électrique transversal créé par la tension appliquée à la grille de contrôle CG. Le transfert de charges du substrat PW vers la grille flottante FG (programmation) est donc effectué en passant par le transistor de 35 sélection ST11, et en appliquant une différence de potentiel élevée (ici 10 V) 3021806 10 sur la grille flottante, permettant ce transfert de charges. Il peut être noté que dans la cellule jumelle C12, un courant 12 (représenté par des flèches sur la figure 3) circule également dans le canal CH1 du transistor FGT12 et dans le canal CH2 du transistor ST12. Le courant 12 est insuffisant pour programmer 5 la cellule C12 du fait que la grille de contrôle CG du transistor FGT12 reçoit une tension insuffisante (GND) pour former un champ électrique capable d'injecter des électrons dans la grille flottante FG de ce transistor. La présence du courant 12, non négligeable, entraine donc une consommation électrique inutile. 10 Le tableau ER1 en Annexe 1 fournit des valeurs de tensions appliquées aux cellules mémoire lors de l'effacement de la cellule mémoire C11. L'effacement est effectué sans passer par le transistor de sélection ST11 qui reste bloqué, en appliquant un champ électrique élevé (ici 10 V) entre la source et la grille flottante FG de la cellule mémoire à effacer. Ainsi, 15 les électrons sont extraits de la grille flottante par effet tunnel Fowler- Nordheim. L'effacement de la cellule mémoire jumelle C12 est empêché en appliquant sur la grille de contrôle du transistor FGT12 une tension de non effacement Vner (par exemple 2,5 V). L'effacement de cellules mémoire est généralement réalisé par page de cellules mémoire. Or toutes les cellules 20 mémoire d'une page ne présentent pas des tensions de seuil d'effacement identiques, notamment en raison de variations d'épaisseur d'oxyde de grille d'une cellule mémoire à l'autre. Il en résulte que les cellules mémoire ne s'effacent pas à la même vitesse, et que certaines cellules mémoire se retrouvent dans un état "sur-effacé" ("over-erased") dans lequel leur grille 25 flottante FG se trouve à l'état déplété. Un tel état n'est pas souhaitable car il peut générer des erreurs de lecture. Le tableau RD1 en Annexe 1 indique en relation avec la figure 4 des valeurs de tensions appliquées aux cellules mémoire lors de la lecture de la cellule mémoire C11. Ainsi, pendant la lecture de la cellule mémoire Cl 1, la 30 grille de sélection commune SGC des deux transistors de sélection ST11 et ST12 reçoit la tension de sélection en lecture Von. Les transistors ST11, ST12 sont donc passants. Un courant (représenté par des flèches sur la figure 4) circule dans la région de canal CH1 du transistor FGT11 et dans la région de canal CH2 du transistor ST11. Ce courant est représentatif de la 35 tension de seuil du transistor FGT11 qui est elle-même représentative d'un 3021806 11 état programmé ou effacé du transistor, lequel dépend d'une quantité de charges électriques stockées dans sa grille flottante FG. Ce courant est détecté ("sensed") par un amplificateur de lecture ("sense amplifier") non représenté sur la figure 4, qui fournit une donnée binaire mémorisée par la 5 cellule mémoire C11. Ainsi, le transistor de sélection ST12 de la cellule mémoire voisine C12 est également mis dans l'état passant, et son canal CH2 est conducteur. Si le transistor FGT12 est dans un état sur-effacé, il peut être également passant. Il en résulte que la cellule mémoire Cl 1 sera vue passante à la lecture et donc effacée, même si elle est bloquée 10 (programmée). Pour éviter ce phénomène, la tension CGV appliquée à la grille de contrôle du transistor FGT12 peut être fixée à une tension d'inhibition Vinh qui force le transistor FGT12 dans l'état bloqué et l'empêche ainsi de conduire même s'il se trouve dans l'état sur-effacé. Dans le tableau RD1, cette tension est choisie égale -2 V qui est inférieure à la tension de 15 seuil des transistors à grille flottante à l'état effacé. Or la génération d'une telle tension négative entraine une augmentation de la consommation électrique d'une opération de lecture de la mémoire, et nécessite un circuit de contrôle de la tension de grille CGV plus complexe. Dans une mémoire de type Flash, il est connu de procéder à une 20 opération de programmation dite "douce" ("soft programming") à la suite d'une opération d'effacement, pour augmenter les tensions de seuil des cellules mémoire effacées et ainsi éviter que certaines cellules mémoire soient dans l'état sur-effacé. Cependant, cette solution augmente nécessairement la consommation électrique de la mémoire et la durée des 25 opérations d'effacement. La figure 5 représente une paire de cellules mémoire jumelles Cl 1, C12, telle que celle décrite précédemment en référence à la figure 2. Le tableau PG2 en Annexe 1 décrit en relation avec la figure 5, des valeurs de tensions appliquées aux cellules mémoire C11, C12, lors de la 30 programmation de la cellule mémoire C11. La colonne "Réf." décrit la référence attribuée à chaque valeur de tension et la colonne "Ex." décrit des exemples de valeurs de tensions. Selon un mode de réalisation, une programmation douce est appliquée à la cellule mémoire C12 durant une opération de programmation de la cellule mémoire jumelle C11 de la paire de 35 cellules mémoire C11, C12. Cette programmation douce est effectuée en 3021806 12 soumettant la grille de contrôle d'état CG de la cellule mémoire C12 à une tension Vsp positive inférieure à la tension de programmation appliquée à la grille de contrôle d'état CG de la cellule mémoire C11. La tension Vsp établie à une valeur suffisante pour rendre conducteur le canal CH1 du transistor 5 FGT12 et établir un champ électrique capable de transférer quelques charges électriques dans la grille flottante FG de ce transistor (le transistor de sélection ST12 étant passant tout comme le transistor ST11). Toutefois, la quantité de charges électriques transférées dans la grille flottante est insuffisante pour faire passer la cellule mémoire C12 à l'état programmé. Le 10 courant 12 traversant les canaux CH1, CH2 des transistors FGT12, ST12 de la cellule mémoire C12 lors d'une programmation classique de la cellule mémoire jumelle C11 (figure 3) est donc exploité dans la figure 5 pour effectuer une programmation douce de la cellule C12. Le tableau RD2 en Annexe 1 décrit en relation avec la figure 6 des 15 valeurs de tensions appliquées aux cellules mémoire lors de la lecture de la cellule mémoire C11. Pendant la lecture de la cellule mémoire C11, les grilles des deux transistors de sélection ST11 et ST12 reçoivent la tension de sélection en lecture Von. Les transistors ST11, ST12 sont donc passants. Un courant 13 (représenté par des flèches sur la figure 5) circule dans la région 20 de canal CH1 du transistor FGT11 et dans la région de canal CH2 du transistor ST11. Ainsi, le transistor de sélection ST12 de la cellule mémoire voisine C12 est mis dans l'état passant. Selon un mode de réalisation, la tension CGV appliquée à la grille de contrôle du transistor FGT12 n'est pas fixée à la tension d'inhibition Vinh, 25 mais à la tension Vnr qui est par exemple égale à la tension GND. A cette valeur de tension, le transistor FGT12 ne peut être passant que s'il est dans un état "sur-effacé" ("over-erased"). Or si la cellule mémoire C11 a été programmée, la cellule mémoire C12 a subi une programmation douce, et donc ne peut pas être sur-effacée, et si la cellule mémoire C11 est à l'état 30 effacé ou sur-effacé, la cellule mémoire C12 l'est aussi. Aux tensions Vrd et Vnr, les transistors FGT11, FGT12 des cellules C11, C12 sont tous les deux soit bloqués, soit passants. Par conséquent, la lecture de la cellule C11 ne peut pas être perturbée par l'état éventuellement sur-effacé de la cellule jumelle C12. 3021806 13 Le tableau ER2 en Annexe 1 indique en relation avec la figure 7, des valeurs de tensions appliquées aux cellules mémoire jumelles C11, C12 lors d'une opération d'effacement de ces dernières. Selon un mode de réalisation, les grilles de contrôle d'état CG des deux cellules mémoire 5 jumelles reçoivent la tension Ver (=-10 V dans l'exemple de la figure 7 et du tableau ER2). Les deux cellules mémoire C11, C12 sont donc effacées en même temps. A noter qu'une telle opération d'effacement est effectuée systématiquement avant une opération de programmation d'une ou des deux cellules mémoire jumelles C11, C12. 10 La figure 8 représente des courbes CV1, CV2, CV3 de distribution du nombre N de cellules mémoire d'une mémoire en fonction d'une tension de seuil Vt de leurs transistors à grille flottante respectifs. Les courbes CV1, CV2, CV3 présentent la forme de gaussiennes. La courbe CV1 centrée sur -0,5 V environ, correspond aux cellules mémoires ayant subi une opération 15 d'effacement. La courbe CV2 centrée sur 1 V environ, correspond aux cellules mémoire ayant subi une programmation douce. La courbe CV3 centrée sur 5 V environ, correspond aux cellules mémoire à l'état programmé. Si l'on applique la tension Vnr sensiblement égale à la tension de masse GND, aux grilles de contrôle de sélection SCG des cellules 20 mémoire jumelles de cellules mémoire à lire, les cellules mémoire ayant des tensions de seuil Vt négatives, c'est-à-dire qui sont sur-effacées (courbe CV1), sont passantes. Il en résulte que les cellules mémoires lues (C11) qui sont jumelles de telles cellules mémoire (C12) sont considérées comme des cellules mémoire à l'état effacé. La programmation douce qui est effectuée 25 sur une cellule mémoire (C12) lors de la programmation de la cellule mémoire jumelle (C11), permet de décaler la courbe CV1 de manière à obtenir la courbe CV2. Comme illustré sur la figure 8, ce décalage est effectué de manière à ce qu'aucune cellule mémoire de la mémoire considérée, même celles qui étaient à l'état sur-effacé n'ait une tension de 30 seuil Vt inférieure à la tension Vnr, tout en évitant que des cellules mémoire ayant subi une programmation douce aient une tension de seuil supérieure à la tension de lecture Vrd (= 2 V dans l'exemple du tableau RD2 et de la figure 8). La programmation douce ainsi réalisée n'est effectuée que sur les 35 cellules mémoire associées à une cellule mémoire jumelle à programmer, et 3021806 14 simultanément à la programmation de cette dernière. Il n'en résulte aucune pénalisation du temps nécessaire aux opérations d'effacement et de programmation, et une augmentation de consommation électrique limitée puisque celle-ci n'est due qu'aux programmations douces qui concernent 5 seulement les cellules mémoire jumelles de cellules mémoire devant être programmées et qui exploitent un courant présent lors de la programmation de la cellule jumelle. En revanche, le fait de ne plus avoir à générer la tension négative d'inhibition Vinh permet de réduire la consommation électrique des opérations de lecture. En comparaison d'une programmation 10 douce effectuée classiquement à la suite d'un effacement de cellules mémoire, on économise une programmation douce de paires de cellules mémoire devant rester à l'état effacé. Il peut être noté que la lecture d'une cellule mémoire appartenant à une paire de cellules mémoire effacées n'est pas perturbée par la présence 15 dans cette paire d'une cellule mémoire à l'état sur-effacé. En effet, si la cellule mémoire lue est à l'état sur-effacé, elle sera conductrice à la tension de lecture Vrd et donc vue comme une cellule effacée. Si la cellule mémoire jumelle de la cellule mémoire lue est à l'état sur-effacé, les deux cellules mémoire de la paire seront conductrices, respectivement aux tensions de 20 lecture Vrd et Vnr. La cellule mémoire lue sera donc considérée à l'état effacé. La figure 9 représente une mémoire MEM1 effaçable par page comprenant un plan mémoire réalisé dans un caisson PW. Le plan mémoire comprend M x N cellules mémoire formant des paires de cellules mémoire 25 C11, C12, chaque cellule mémoire C11, C12 comprenant un transistor à accumulation de charges FGT11, FGT12 en série avec un transistor de sélection ST11, ST12. Les transistors de sélection ST11, ST12 de chaque paire partagent une grille de sélection commune SGC. A noter que les deux transistors ST11, ST12 à grille commune de chaque paire de cellules 30 mémoire de la mémoire MEM1 peuvent être remplacés par l'unique transistor de sélection ST3 (figure 2). La mémoire MEM1 comprend M pages P comportant chacune une rangée de N cellules mémoire, et une ligne de contrôle de grille CGL . La figure 9 montre deux premières pages P , P de rangs 0 et 1, et deux 35 pages P , P de rangs i et i+1. La mémoire comporte également N 3021806 15 lignes de bit BL , chacune étant reliée à une cellule mémoire de même rang dans chaque page. Les lignes de bit BL peuvent être regroupées en colonnes de mot k de m+1 lignes de bit, j étant compris entre 0 et m. La figure 9 montre les lignes de bit de deux colonnes de mot k et k+1. Chaque 5 ligne de bit BL est connectée aux régions de drain n1 des transistors à grille flottante FGT de cellules mémoire de même rang j,k. Chaque ligne de contrôle de grille CGL est connectée aux grilles de contrôle d'état CG des transistors FGT11, FGT12 de cellules mémoire de même rang i. Les régions de source n3 des transistors de sélection ST11, ST12 sont connectées à la 10 couche NISO qui entoure le caisson PW. La mémoire MEM1 comporte également des lignes de contrôle WL des transistors de sélection ST11, ST12, qui sont connectées aux grilles de sélection communes SGC des transistors de sélection des cellules mémoire de deux pages jumelles P -P , P -P . Ainsi, chaque 15 ligne de contrôle WL de rang i,i+1 est associée aux deux pages P ,P jumelles de rangs i et i+1 et contrôle les transistors de sélection ST11, ST12des cellules mémoire de ces deux pages jumelles. Les tensions appliquées aux diverses lignes de contrôle BL , CGL , WL du plan mémoire sont fournies par des organes de la 20 mémoire en fonction d'une adresse d'une page à effacer ou d'un groupe de cellules mémoire à lire ou à programmer. Ces organes comprennent : - un décodeur de colonne CDEC, qui relie le multiplexeur MUX aux différentes lignes de bit. - des commutateurs PGSW qui appliquent aux différentes lignes de bit 25 BL connectées aux cellules mémoire d'un mot à programmer B0-Bm, via le multiplexeur MUX, les tensions BLV appropriées pendant la programmation des cellules mémoire, - un circuit pilote de ligne de mot WLDC qui applique aux différentes lignes de mots WL les tensions SV destinées aux grilles de sélection 30 communes SGC des transistors de sélection ST11, ST12, et qui applique aux différentes lignes de contrôle de grille CGL les tensions de contrôle de grille CGV des transistors à grille flottante FGT11, FGT12, - un interrupteur de ligne de source SLS qui applique la tension de ligne de source SLV à la couche NISO formant un plan de source, 3021806 16 - un interrupteur de caisson PWS qui applique la tension de substrat VB au caisson PW, - des amplificateurs de lecture SA ("Sense Amplifiers"), qui appliquent aux différentes lignes de bit BL via le multiplexeur MUX les tensions 5 BLV appropriées pendant la lecture de cellules mémoire, et fournissent les bits B0-Bm d'un mot binaire lu dans la mémoire, et Ces organes sont configurés pour fournir les tensions décrites dans le tableau PG2, et éventuellement dans les tableaux RD2, ER2. En particulier, pendant une opération de programmation, le circuit pilote de ligne de mot 10 WLDC fournit la tension de programmation Vpg et la tension de programmation douce Vsp figurant dans le tableau PG2, aux grilles de contrôle d'état CG des cellules mémoire de la paire de lignes de mot WL incluant les cellules mémoire programmer. Pendant une opération d'effacement, le circuit pilote de ligne de mot WLDC peut fournir la tension 15 d'effacement Ver aux grilles de contrôle d'état CG des cellules mémoire de pages jumelles P -P , provoquant l'effacement de toutes les cellules mémoire de ces deux pages jumelles. Pendant une opération de lecture, les amplificateurs de lecture SA fournissent la tension de polarisation de lecture BLV1 figurant dans le tableau RD2. 20 Ainsi, une opération de programmation d'un mot peut être précédée d'une opération de lecture de la paire de pages jumelles P -P dans laquelle est situé le mot à écrire, de stockage des mots lus et du mot à écrire par exemple dans des verrous de lignes de bit BL ou dans des registres, et d'effacement des pages jumelles P -P . Les mots des pages 25 jumelles sont ensuite programmés successivement. L'opération de programmation proprement-dite des cellules mémoire d'un mot est effectuée en deux étapes. Lors d'une première étape, la tension de programmation Vpg est appliquée à la ligne de contrôle de grille CGL et simultanément, la tension de programmation douce Vsp est appliquée à la ligne de contrôle de 30 grille CGL . En parallèle, les lignes de bit BL des cellules mémoire devant être programmées du mot sont soumises à la tension BLV2, tandis que les autres lignes de bit restent à la tension GND. Lors d'une seconde étape, la tension de programmation Vpg est appliquée à la ligne de contrôle de grille CGL , et simultanément, la tension de programmation douce 35 Vsp est appliquée à la ligne de contrôle de grille CGL . En parallèle, les 3021806 17 lignes de bit BL des cellules mémoire devant être programmées de la page PG sont soumises à la tension BLV2, tandis que les autres lignes de bit restent à la tension GND. Il est à noter que l'application d'une programmation douce à une 5 cellule mémoire déjà programmée ou l'application d'une programmation à une cellule mémoire ayant déjà subi une programmation douce, ne modifie pas significativement la tension de seuil du transistor à grille flottante de cette cellule mémoire par rapport à une cellule mémoire ayant subi seulement une programmation. 10 Selon un mode de réalisation, chaque étape de programmation d'un mot fait l'objet d'opérations de vérification. Ces opérations de vérification comprennent une opération de vérification de l'état déplété des cellules mémoire à programmer, et une opération de vérification de l'état programmé des cellules mémoire ayant subi cette opération. La vérification de l'état 15 déplété peut être effectuée en appliquant la tension Vnr (= GND dans l'exemple du tableau RD2) à la ligne de contrôle de grille CGL ou CGL des cellules mémoire à vérifier et en effectuant une opération de lecture à cette tension. La vérification de l'état de programmation peut être effectuée en appliquant une certaine tension Vpc (figure 8) à la ligne de 20 contrôle de grille CGL ou CGL des cellules mémoire à vérifier et en effectuant une opération de lecture à la tension Vpc. La tension Vpc peut être choisie supérieure à la tension de lecture Vrd et inférieure à la tension de seuil des transistors à grille flottante à l'état programmé. Selon un mode de réalisation, la programmation avec vérification 25 d'une cellule mémoire est effectuée en exécutant les étapes S01 à S09 représentées sur la figure 10. A l'étape 501, une opération de programmation simple est appliquée à la cellule mémoire à programmer, sans appliquer de programmation douce à la cellule mémoire jumelle. La cellule mémoire jumelle peut ainsi recevoir sur sa grille de contrôle CG la 30 tension Vnp par exemple égale à la tension de masse. A l'étape S02, une opération de vérification de l'état déplété de la cellule mémoire à programmer et de la cellule mémoire jumelle est effectuée. A l'étape S03, si l'une des cellules mémoire jumelles est à l'état déplété, les étapes SO4, S05 et S06 sont exécutées, sinon les étapes S07 et S08 sont exécutées. A l'étape SO4, 35 une opération de programmation est appliquée à la cellule mémoire à 3021806 18 programmer et une opération de programmation douce est appliquée à la cellule mémoire jumelle. L'étape S05 consiste en une nouvelle opération de vérification de l'état déplété de la paire de cellules mémoire. A l'étape S06, si l'une ou l'autre des cellules mémoire jumelles est à l'état déplété, les étapes 5 SO4, S05 et S06 sont à nouveau exécutées, sinon les étapes S07 et S08 sont exécutées. A l'étape S07, une opération de vérification de l'état de programmé est appliqué à la cellule mémoire à programmer. A l'étape S08, si la cellule mémoire à programmer est à l'état programmé, la programmation de la cellule mémoire est terminée, sinon, les étapes S09, S07 et S08 sont 10 exécutées. A l'étape S09, une opération de programmation simple est appliquée à la cellule mémoire à programmer. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et diverses applications. En particulier, l'invention ne s'applique pas nécessairement à une mémoire 15 telle que celle représentée sur la figure 9, mais peut s'appliquer à tout circuit comprenant au moins une paire de cellules mémoire jumelles, telle que la paire de cellules mémoire de l'une ou l'autre des figures 1 et 2. La présente invention ne s'applique pas non plus nécessairement à une mémoire effaçable par page, mais peut s'appliquer à une mémoire effaçable par 20 secteur de plusieurs pages, par mot ou encore par bit. L'opération de programmation incluant une programmation douce (tableau PG2) peut être mise en oeuvre dans une mémoire dans laquelle des opérations de lecture conforme au tableau RD1 et d'effacement conforme au tableau ER1 sont mises en oeuvre. De même, seule l'une ou l'autre des 25 opérations d'effacement et de lecture conformes aux tableaux ER2 et RD2 peut être mise en oeuvre dans une mémoire mettant en oeuvre une programmation associée à une programmation douce (tableau PG2) pour programmer une cellule mémoire d'une paire de cellules mémoires jumelles. Par ailleurs, les tensions de programmation et de programmation 30 douce ne sont pas nécessairement appliquées simultanément, respectivement aux deux cellules mémoire d'une paire de cellules mémoire jumelles. La présente invention s'applique également à une paire de cellules mémoire jumelles partageant un unique transistor de sélection. La figure 11 35 est un schéma électrique d'une telle paire de cellules mémoire C21, C22. La 3021806 19 paire de cellules mémoire C21, C22 diffère de la paire de cellules mémoire C11, C12 en ce que les transistors de sélection ST11, ST12 sont remplacés par un unique transistor ST3 qu'elles partagent. 3021806 20 Annexe 1 faisant partie intégrante de la description Exemples de valeurs de tensions pendant la lecture d'une cellule mémoire RD1 Réf. Ex. Lecture de la cellule mémoire C11 (figure 5) BLV BLV1 1V Tension de polarisation de la ligne de bit CGV1 Vrd 2V Tension de lecture du transistor FGT11 CGV2 Vinh -2V Tension d'inhibition du transistor FGT12 VB VB1 GND Tension de polarisation du caisson PW SV Von 2V Tension de sélection en lecture des transistors ST11, ST12 SLV VI1 GND Tension de polarisation de la ligne de source NISO RD2 Réf. Ex. Lecture de la cellule mémoire C11 (figure 7) BLV BLV1 1V Tension de polarisation de la ligne de bit CGV1 Vrd 2V Tension de grille du transistor FGT11 CGV2 Vnr GND Tension de grille du transistor FGT12 VB VB1 GND Tension de polarisation du caisson PW SV Von 2V Tension de sélection en lecture des transistors ST11, ST12 SLV VI1 GND Tension de polarisation de la ligne de source NISO 3021806 21 Exemples de valeurs de tensions pendant l'effacement d'une cellule mémoire ER1 Réf. Ex. Effacement de la cellule mémoire C11 BLV BLV2 GND Tension de polarisation de la ligne de bit CGV1 Ver -10V Tension d'effacement du transistor FGT1 1 CGV2 Vner 2,5V Tension de non-effacement du transistor FGT12 VB VB2 5V Tension de polarisation du caisson PW SV SV2 5V Tension de grille des transistors ST1 1, ST12 SLV VI2 5V Tension de polarisation de la ligne de source NISO ER2 Réf. Ex. Effacement des cellules mémoire C11, C12 (Figure 8) BLV BLV2 GND Tension de polarisation de la ligne de bit CGV1 Ver -10V Tension d'effacement du transistor FGT1 1 CGV2 Ver -10V Tension d'effacement du transistor FGT12 VB VB2 5V Tension de polarisation du caisson PW SV SV2 5V Tension de grille des transistors ST1 1, ST12 SLV VI2 5V Tension de polarisation de la ligne de source NISO 3021806 22 Exemples de valeurs de tensions pendant la programmation d'une cellule mémoire PG1 Réf. Ex. Programmation de la cellule mémoire C11 (Figure 4) BLV BLV2 4V Tension de polarisation de la ligne de bit CGV1 Vpg 10V Tension de programmation du transistor FGT11 CGV2 Vnp GND Tension de non-programmation du transistor FGT12 VB VB3 GND Tension de polarisation du caisson PW SV Von 2V Tension de grille des transistors ST11, ST12 SLV VI3 GND Tension de polarisation de la ligne de source NISO PG2 Réf. Ex. Programmation de la cellule mémoire C11 (Figure 6) BLV BLV3 4V Tension de polarisation de la ligne de bit CGV1 Vpg 10V Tension de programmation du transistor FGT11 CGV2 Vsp 5V Tension de programmation douce du transistor FGT12 VB VB3 GND Tension de polarisation du caisson PW SV Von 2V Tension de grille des transistors ST11, ST12 SLV VI3 GND Tension de polarisation de la ligne de source NISO REVENDICATIONS1. Procédé de commande d'une mémoire non volatile sur substrat semi-conducteur (PW), comprenant : au moins une ligne de bit (BL), au moins deux lignes de contrôle de grille (CGL ,CGL ), au moins une ligne de mot (WL ), et au moins une paire de cellules mémoire jumelles (C11, C12, C21, C22), comportant une première cellule mémoire comprenant un premier transistor à grille flottante (FGT11) ayant une grille de contrôle (CG) reliée à une première ligne de contrôle de grille (CGL ), une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à une ligne de source par l'intermédiaire d'un premier transistor de sélection (ST11, ST3) ayant une grille de contrôle de sélection (SGC) reliée à la ligne de mot, et une seconde cellule mémoire comportant un second transistor à grille flottante (FGT12) ayant une grille de contrôle reliée à la seconde ligne de contrôle de grille (CGL ), une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à la ligne de source par l'intermédiaire d'un second transistor de sélection (ST12, ST3) partageant avec le premier transistor de sélection la grille de contrôle de sélection, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes consistant à : programmer la première cellule mémoire (C11, C21) par injection d'électrons chauds, par l'intermédiaire d'un courant de programmation (11) traversant la première cellule mémoire, en appliquant une première tension positive (BLV3) à la ligne de bit (BL) et une seconde tension positive (Vpg) à la première ligne de contrôle de grille (CGL ), et pendant la programmation de la première cellule mémoire, appliquer à la seconde ligne de contrôle de grille (CGL ) une troisième tension positive (Vsp) apte à faire passer un courant de programmation (12) dans la seconde cellule mémoire (C12, C22), sans faire passer la seconde cellule mémoire dans un état programmé. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la troisième tension (Vsp) est choisie de manière à assurer une programmation douce de la 3021806 24 seconde cellule mémoire (C12, C22), afin que la seconde cellule mémoire ne puisse pas présenter une tension de seuil négative quel que soit son état programmé ou effacé. 5 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant des étapes de lecture d'une cellule mémoire (C11, C12, C21, C22) de la paire de cellules mémoire, consistant à : appliquer une tension de lecture (Vrd) positive à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire devant être lue, et 10 appliquer une tension nulle (Vnr) à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire jumelle. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, comportant une étape d'effacement consistant à appliquer simultanément une tension 15 d'effacement (Ver) aux grilles de contrôle (CG) des transistors à grille flottante (FGT11, FGT12) des première et seconde cellules mémoire (C11, C12, C21, C22). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel 20 l'opération de programmation de la première cellule mémoire (C11) comprend des étapes de vérification de l'état déplété de la paire de cellules mémoire, et de réalisation d'une programmation de la première cellule mémoire et d'une programmation douce de la seconde cellule mémoire tant que l'une ou l'autre des première et seconde cellules mémoire est à l'état 25 déplété, suivies d'étapes de vérification de l'état programmé de la première cellule mémoire, et de programmation de la première cellule mémoire tant que celle-ci n'est pas à l'état programmé. 6. Mémoire non volatile sur substrat semi-conducteur (PW), 30 comprenant : au moins une ligne de bit (BL), au moins deux lignes de contrôle de grille (CGL ,CGL ), au moins une ligne de mot (WL ), au moins une paire de cellules mémoire jumelles (C11, C12, C21, C22), comportant une première cellule mémoire comprenant un premier 3021806 25 transistor à grille flottante (FGT11) ayant une grille de contrôle (CG) reliée à une première ligne de contrôle de grille (CGL ), une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à une ligne de source par l'intermédiaire d'un premier transistor de sélection 5 (ST11, ST3) ayant une grille de contrôle de sélection (SGC) reliée à la ligne de mot, et une seconde cellule mémoire comportant un second transistor à grille flottante (FGT12) ayant une grille de contrôle reliée à la seconde ligne de contrôle de grille (CGL ), une première borne de conduction reliée à la ligne de bit et une seconde borne de conduction reliée à la ligne de source 10 par l'intermédiaire d'un second transistor de sélection (ST12, ST3) partageant avec le premier transistor de sélection la grille de contrôle de sélection, et des moyens pour programmer la première cellule mémoire indépendamment de la seconde cellule mémoire et réciproquement, 15 caractérisé en ce que la mémoire est configurée pour : programmer la première cellule mémoire (C11, C21) par injection d'électrons chauds, par l'intermédiaire d'un courant de programmation (11) traversant la première cellule mémoire, en appliquant une première tension positive (BLV3) à la ligne de bit (BL) et une seconde tension positive (Vpg) à 20 la première ligne de contrôle de grille (CGL ), et pendant la programmation de la première cellule mémoire, appliquer à la seconde ligne de contrôle de grille (CGL ) une troisième tension (Vsp) positive apte à faire passer un courant de programmation dans la seconde cellule mémoire (C12, C22), sans faire passer la seconde cellule mémoire 25 dans un état programmé. 7. Mémoire selon la revendication 6, dans laquelle la troisième tension (Vsp) est choisie de manière à assurer une programmation douce de la seconde cellule mémoire (C12, C22), afin que la seconde cellule mémoire ne 30 puisse pas présenter une tension de seuil négative quel que soit son état programmé ou effacé. 8. Mémoire selon la revendication 6 ou 7, comprenant un décodeur de ligne de mot (WLDC) relié à la ligne de mot (WL ) et aux lignes de 35 contrôle de grille (CGL , CGL ), le décodeur étant configuré pour, 3021806 26 pendant la lecture d'une cellule mémoire de la paire de cellules mémoire jumelles (C11, C12, C21, C22), appliquer une tension de lecture (Vrd) positive à la grille de contrôle (CG) du transistor à grille flottante (FGT11, FT12) de la cellule mémoire devant être lue, et appliquer une tension (Vnr) 5 nulle à la grille de contrôle du transistor à grille flottante de la cellule mémoire jumelle. 9. Mémoire selon l'une des revendications 6 à 8, dans laquelle la grille de contrôle de sélection (SCG) est une grille verticale enterrée présentant 10 pour le premier transistor de sélection (ST11) une région de canal vertical (CH2) s'étendant en regard d'une première face de la grille de contrôle verticale enterrée, et pour le second transistor de sélection (ST12) une région de canal vertical (CH2) qui s'étendant en regard d'une seconde face de la grille de contrôle verticale enterrée, et en face de la région de canal du 15 premier transistor de sélection. 10. Mémoire selon l'un des revendications 6 à 9, dans laquelle les cellules mémoire (C21, C22) de la paire de cellules mémoire jumelles partagent un unique transistor de sélection (ST3). 20 11. Mémoire selon l'une des revendications 6 à 10, dans lequel la paire de cellules mémoire (C11, C12) comprend : une première région dopée (n2) s'étendant le long d'un premier bord supérieur de la grille enterrée (SGC), formant une région de drain du 25 transistor de sélection (ST11) et une région de source du transistor à grille flottante (FGT11), d'une première cellule mémoire (C11) de la paire de cellules mémoire, une seconde région dopée (n2) s'étendant le long d'un second bord supérieur de la grille enterrée opposé au premier bord supérieur, formant une 30 région de drain du transistor de sélection (ST12) et une région de source du transistor à grille flottante (FGT12), d'une seconde cellule mémoire (C12) de la paire de cellules mémoire, et une troisième région dopée (NISO, n3) s'étendant le long de deux bords inférieurs opposés de la grille enterrée, formant une région de source 3021806 27 commune du transistor de sélection (ST11) de la première cellule mémoire et du transistor de sélection (ST12) de la seconde cellule mémoire, chaque transistor de sélection (ST11, ST12) de la paire de cellules mémoire présentant une région de canal (CH2) verticale s'étendant d'un côté 5 respectif de la grille enterrée, entre la première ou la seconde région dopée et la troisième région dopée. 12. Mémoire selon l'une des revendications 6 à 11, comprenant un décodeur de ligne de mot (WLDC) relié à la ligne de mot (WL ) et aux 10 lignes de contrôle de grille (CGL , CGL ), le décodeur étant configuré pour, pendant l'effacement de cellules mémoire, appliquer une tension d'effacement (Ver) simultanément aux première et seconde lignes de contrôle de grille (CGL , CGL ). 15 13. Mémoire selon l'une des revendications 6 à 12, configurée pour, pendant l'opération de programmation de la première cellule mémoire (C11, C21) : vérifier l'état déplété de la paire de cellules mémoire (C11, C12, C21, C22), et programmer la première cellule mémoire et appliquer simultanément 20 une programmation douce à la seconde cellule mémoire (C12, C21), tant que l'une ou l'autre des première et seconde cellules mémoire est à l'état déplété, et vérifier l'état programmé de la première cellule mémoire, et programmer la première cellule mémoire tant que celle-ci n'est pas à l'état 25 programmé. 14. Mémoire selon l'une des revendications 6 à 13, comprenant une rangée de paires de cellules mémoire jumelles connectées à la ligne de mot (WL ) et aux lignes de contrôle de grille (CGL , CGL ), la 30 mémoire étant configurée pour programmer un mot formé par plusieurs cellules mémoire de la rangée, connectées à l'une des deux lignes de contrôle de grilles, et pour, pendant la programmation du mot : effectuer une opération de lecture de la rangée de paires de cellules mémoire jumelles (C11, C12, C21, C22) et de stockage des mots lus, 3021806 28 effectuer une opération d'effacement de la rangée de paires de cellules mémoire jumelles lues, effectuer une programmation par mot des cellules mémoire de la rangée de paires de cellules mémoire, comprenant une programmation de la 5 première cellule mémoire (C11, C21) des paires de cellules mémoire de la rangée, en fonction des mots stockés et éventuellement du mot à écrire, et simultanément effectuer une programmation douce de secondes cellules mémoire (C12, C22) jumelles des premières cellules mémoire programmées, et 10 effectuer une seconde opération de programmation de la seconde cellule mémoire des paires de cellules mémoire de la rangée, en fonction des mots stockés et éventuellement du mot à écrire, et simultanément effectuer une programmation douce des premières cellules mémoire jumelles des secondes cellules mémoire programmées. 15