Brevet FR3023062A1 — publié le 20160101

CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE A HETEROJONCTION DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne une cellule photovoltaïque à hétérojonction de silicium et un procédé de fabrication d'une telle cellule. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Dans une cellule photovoltaïque à hétérojonction de silicium (souvent désignée par l'acronyme SHJ du terme anglo-saxon « Silicon HeteroJunction solar cell »), le champ électrique interne indispensable à l'effet photovoltaïque est créé par une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé (noté conventionnellement a-Si:H) déposée sur un substrat de silicium cristallin dopé de type opposé (noté conventionnellement c-Si), contrairement à une structure homojonction classique dans laquelle le champ électrique interne est obtenu par une jonction silicium cristallin dopé p / silicium cristallin dopé n. La couche de silicium amorphe dopée de type opposé à celui du substrat forme l'émetteur de la cellule photovoltaïque. De même le champ répulsif arrière (ou avant dans une configuration de cellule à émetteur inversé) peut lui aussi être avantageusement formé par le dépôt d'une couche de silicium amorphe hydrogéné dopée selon le même type que le substrat cristallin. La réalisation de l'hétérojonction et du champ répulsif arrière (ou avant selon la configuration d'émetteur) à partir de silicium amorphe, qui peut être déposé à basse température, permet de minimiser le budget thermique imposé au substrat de silicium cristallin. Dans une telle cellule, il est nécessaire de recouvrir la surface des couches de silicium amorphe d'une couche électriquement conductrice pour permettre le transport des charges électriques jusqu'aux contacts métalliques servant à collecter le courant électrique généré par la cellule. Le silicium amorphe n'est en effet pas suffisamment conducteur pour assurer cette fonction. Ladite couche électriquement conductrice doit en outre être la plus transparente possible pour laisser entrer le plus de lumière possible dans la cellule à la fois en face avant mais aussi en face arrière en cas de configuration bifaciale de la cellule. D'autre part, on cherche en général à obtenir une couche présentant un indice de réfraction adapté pour jouer le rôle de couche antireflet. Enfin, cette couche a avantageusement un travail de sortie adéquat pour maximiser la collecte des charges photogénérées. Actuellement, cette fonction est assurée par des oxydes transparents conducteurs (OTC) et en particulier par l'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO, acronyme du terme anglo-saxon Indium Tin Oxide) qui possède d'excellentes propriétés optiques et électriques. Cependant, en raison du coût élevé de ce dernier, des solutions alternatives sont en cours d'étude, parmi lesquelles l'utilisation de réseaux électriquement percolants de nanofils métalliques [1], [2]. Les réseaux de nanofils métalliques possèdent une forte conductivité (résistance par carré inférieure à 30 Q/^) pour une transparence de l'ordre de 90%. Ces propriétés sont proches, voire supérieures, à celles des oxydes transparents conducteurs. Cependant leur intégration à une cellule photovoltaïque pose les problèmes suivants. D'une part, l'adhésion des nanofils métalliques au substrat est mauvaise, ce qui entraîne un arrachement facile desdits nanofils. D'autre part, ces nanofils se présentant sous la forme d'un enchevêtrement de fils séparés par de l'air et non d'une couche continue, ils ne permettent ni de jouer le rôle de couche antireflet comme un OTC, ni de protéger la couche de a-Si:H qui se dégrade lors d'une exposition prolongée à l'air. Pour remédier à ces problèmes, une solution est d'utiliser une couche d'OTC pour encapsuler le réseau de nanofils [3]. Cette structure hybride permet de découpler l'optimisation des propriétés optiques et électriques de l'électrode, le réseau de nanofils métalliques assurant la conduction électrique tout en laissant passer la lumière et la couche d'OTC assurant le rôle de couche antireflet. La matrice recouvrant les nanofils (OTC) étant conductrice, la prise de contact lors de la métallisation (par sérigraphie d'une encre conductrice, évaporation de contacts métalliques, dépôt électrochimique...) est directe. Cependant, une telle cellule reste tributaire de l'utilisation des oxydes transparents conducteurs. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION Un but de l'invention est de concevoir une cellule photovoltaïque à hétérojonction de silicium permettant de s'affranchir totalement de l'utilisation d'oxydes transparents conducteurs tout en assurant la fonction antireflet et la protection de la couche de silicium amorphe. Conformément à l'invention, il est proposé une cellule photovoltaïque à hétérojonction de silicium, comprenant successivement : - un substrat de silicium cristallin dopé, - une couche de silicium amorphe ou microcristallin dopé, - une électrode au moins partiellement transparente au rayonnement solaire, comprenant un réseau électriquement percolant de nanofils métalliques, - une couche diélectrique au moins partiellement transparente au rayonnement solaire encapsulant ledit réseau de nanofils métalliques, - au moins un plot assurant un contact électrique avec l'électrode. Par « nanofil » on entend dans le présent texte un fil présentant un diamètre compris entre 20 nm et 200 nm, de préférence entre 40 et 150 nm Par « réseau électriquement percolant » on entend un réseau dans lequel les nanofils métalliques sont agencés - aléatoirement ou non - les uns par rapport aux autres de sorte à permettre un certain recouvrement des nanofils et donc autoriser le passage du courant. Cela assure ainsi la propriété de conduction électrique nécessaire pour l'électrode. De plus, des espaces au sein du réseau sont ménagés entre des nanofils adjacents, permettant le passage de la lumière et aussi en général la pénétration du matériau de la couche diélectrique. De manière avantageuse, la couche diélectrique présente un indice de réfraction compris entre l'indice de réfraction de l'air et l'indice de réfraction du silicium. Selon un mode de réalisation, la couche diélectrique comprend au moins l'un des matériaux suivants : SiO2, SiN, A1203, MgF2. Selon un mode de réalisation, la couche diélectrique comprend un empilement d'au moins une première couche s'étendant depuis le réseau de nanofils métalliques et une seconde couche s'étendant sur la première couche, la première couche présentant un indice de réfraction supérieur à celui de la seconde couche. De préférence, le matériau des nanofils métalliques comprend de l'argent, du cuivre et/ou de l'or. Selon une forme d'exécution, la couche de silicium est dopée n et la couche diélectrique présente une densité de charge fixe positive. Selon une autre forme d'exécution, la couche de silicium est dopée p et la couche diélectrique présente une densité de charge fixe négative. De manière avantageuse, la résistance électrique de l'électrode est inférieure ou égale à 20 Q/^. De manière avantageuse, le facteur de transmission du réseau de nanofils métalliques pour une longueur d'onde de 600 nm est supérieur à 90%. Selon un mode de réalisation, le réseau de nanofils métalliques est localement plus dense dans chaque région de l'électrode en contact avec un plot de contact électrique respectif. Dans ce cas, le facteur de transmission de chaque région plus dense du réseau de nanofils métalliques pour une longueur d'onde de 600 nm est avantageusement compris entre 10 et 20% tandis que le facteur de transmission du réseau de nanofils métalliques dans les autres régions de l'électrode pour une longueur d'onde de 600 nm est supérieur à 90%. Un autre objet de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque telle que décrite ci-dessus. Ce procédé comprend les étapes suivantes : - formation, sur un substrat de silicium cristallin dopé, d'une couche de silicium amorphe ou microcristallin dopé, - formation, sur ladite couche de silicium, d'un réseau électriquement percolant de 10 nanofils métalliques, ledit réseau formant une électrode au moins partiellement transparente au rayonnement solaire, - dépôt, sur ladite électrode, d'une couche diélectrique au moins partiellement transparente au rayonnement solaire de sorte à encapsuler ledit réseau de nanofils métalliques, 15 - formation d'au moins un plot assurant un contact électrique avec l'électrode. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la densification localisée du réseau de nanofils métalliques dans chaque région de l'électrode en contact avec un plot respectif. Ladite densification localisée comprend avantageusement la formation d'un masque 20 sur le réseau de nanofils métalliques, ledit masque présentant des ouvertures en regard de chaque région respective à densifier, puis un dépôt de nanofils métalliques supplémentaires au travers des ouvertures dudit masque. Selon une forme d'exécution de l'invention, on forme la couche diélectrique sur toute la surface de l'électrode puis on met en oeuvre une ablation localisée de ladite 25 couche de sorte à former des ouvertures destinées au passage de chaque plot de contact électrique respectif. De manière alternative, avant de former la couche diélectrique, on forme un masque sur les régions de l'électrode destinées à être en contact avec un plot respectif, puis on forme la couche diélectrique au travers dudit masque. 30 Selon une autre variante, on forme chaque plot sur l'électrode puis on forme la couche diélectrique autour desdits plots. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description 35 détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure lA est une vue schématique en coupe d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention, - la figure 1B est une vue schématique en coupe d'une cellule photovoltaïque selon un autre mode de réalisation de l'invention, - les figures 2A à 2C sont des vues schématiques en coupe illustrant des étapes successives du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention, - les figures 3A à 3D sont des vues schématiques en coupe illustrant des étapes successives du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention, - les figures 4A à 4D sont des vues schématiques en coupe illustrant des étapes successives du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention, - les figures 5A à 5D sont des vues schématiques en coupe illustrant des étapes successives du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention. Pour des raisons de lisibilité des figures, celles-ci ne sont pas nécessairement réalisées à l'échelle. De plus, seule une face de la cellule a été représentée. Dans la majorité des cas, la cellule comporte aussi en face arrière au moins une couche en silicium amorphe et une métallisation. De préférence, la cellule peut être symétrique. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION La figure 1A illustre une cellule photovoltaïque à hétérojonction de silicium selon un premier mode de réalisation de l'invention. Ladite cellule 1 comprend un substrat 10 de silicium dopé recouvert d'au moins une couche 11 de silicium amorphe ou microcristallin hydrogéné (dans la suite du texte on fera référence à une couche de silicium amorphe mais la description s'applique également au cas où une couche de silicium microcristallin est utilisée à la place de la couche de silicium amorphe). La couche de silicium amorphe hydrogéné peut être dopée selon un type de dopage opposé à celui du substrat, de sorte à former l'hétérojonction. Elle forme alors le côté émetteur de la cellule. Elle peut aussi être d'un dopage de type identique à celui du substrat dans le cas où l'on représente sur la figure 1A le champ répulsif. Le cas échéant, la couche de silicium hydrogéné dopée selon le type opposé sera disposée sur l'autre face de la cellule de sorte à former le côté émetteur. Bien que les différentes couches soient représentées planes sur les figures 1A à 5D, elles peuvent en réalité présenter une surface texturée telle qu'usuellement mise en oeuvre pour diminuer la réflectivité de la surface de la cellule et améliorer le confinement optique. La couche 11 de silicium amorphe est recouverte d'une électrode 12 formée d'un réseau de nanofils métalliques. Les nanofils métalliques sont avantageusement des nanofils d'argent, mais des nanofils de cuivre ou d'or peuvent également être envisagés. Pour une revue sur les propriétés desdits nanofils et leurs modes d'obtention, on pourra se référer à [4]. Ledit réseau est encapsulé dans une couche 13 réalisée dans un matériau diélectrique au moins partiellement transparent au rayonnement solaire, c'est-à-dire présentant un facteur de transmission supérieur à 90% pour une longueur d'onde de 600 nm. Par « encapsulé », on entend le fait que la couche 13, qui est déposée de manière conforme sur le réseau de nanofils, épouse sensiblement le relief dudit réseau, le matériau se déposant sur les nanofils et entre ceux-ci. Selon l'épaisseur de matériau diélectrique déposé et en fonction de l'organisation desdits nanofils au sein du réseau (c'est-à-dire selon que tous les nanofils sont bien plaqués parallèlement à la couche de silicium ou qu'au contraire certains nanofils pointent vers l'extérieur du réseau) et de leur diamètre, il peut exister des cas où les nanofils sont complètement recouverts du matériau diélectrique et d'autres cas où certains nanofils affleurent à la surface de la couche diélectrique. Eventuellement, le matériau diélectrique s'étend aussi au travers de l'enchevêtrement des nanofils du réseau. Dans ce dernier cas, le matériau diélectrique peut former un milieu solide continu entre les nanofils du réseau. La couche diélectrique 13 peut s'étendre, dans la direction opposée au substrat 10, au-delà de la surface du réseau de nanofils. Ainsi, la couche diélectrique 13 comprend une portion inférieure dont l'épaisseur est égale à celle du réseau de nanofils métalliques et une portion supérieure qui s'étend sur la première portion. L'épaisseur totale de la couche diélectrique est typiquement comprise entre 50 et 150 nm. La couche diélectrique 13 permet donc de renforcer l'adhésion des nanofils à la couche de silicium amorphe 11 et de protéger ladite couche 11 en évitant son contact avec l'air qui pourrait l'endommager. Par ailleurs, la couche 13 assure la fonction antireflet, l'effet antireflet dépendant de l'épaisseur de ladite couche 13. A cet effet, la couche 13 comprend avantageusement un matériau diélectrique dont l'indice de réfraction est compris entre celui de l'air (qui est de l'ordre de 1) et celui du silicium (qui est de l'ordre de 4). La couche 13 peut en particulier comprendre l'un des matériaux suivants : SiO2, SiN, A1203, MgF2. Par ailleurs, le matériau de la couche 13 peut avantageusement être choisi en fonction du type de dopage de la couche de silicium amorphe 11 afin de favoriser la sélectivité des contacts. Ainsi, un matériau diélectrique présentant une densité de charge fixe positive (par exemple SiO2) est de préférence choisi pour une couche de silicium amorphe dopé n, tandis qu'un matériau diélectrique présentant une densité de charge fixe négative (par exemple SiN et A1203) est de préférence choisi pour une couche de silicium amorphe dopé p. La cellule 1 comprend également des plots 14a, 14b de contact électrique, ici représentés au nombre de deux, mais il va de soi que le nombre et la disposition desdits plots sont définis par l'homme du métier lors de la conception de la cellule. Le terme « plot » couvre toute forme des contacts électriques, notamment des lignes. Les plots 14a, 14b assurent un contact électrique avec le réseau de nanofils métalliques qui forme l'électrode 12, et s'étendent donc au travers de la portion supérieure de la couche diélectrique 13 qui est électriquement isolante, jusqu'à la surface du réseau. Lesdits plots 14a, 14b sont métalliques, par exemple en argent, en cuivre, ou en nickel. La figure 1B illustre une variante de la cellule photovoltaïque de la figure 1A. La structure de la cellule est similaire à celle de la figure 1A, hormis en ce qui concerne la couche diélectrique 13. En effet, alors que la couche 13 de la cellule de la figure 1A est constituée d'un même matériau diélectrique sur toute son épaisseur, la couche 13 de la cellule de la figure 1B comprend un empilement de deux matériaux diélectriques différents. Cet empilement comprend une première couche 13a s'étendant à partir de la surface de la couche 11 de silicium amorphe au travers du réseau de nanofils métalliques et une seconde couche 13b s'étendant sur la première couche. La première couche est typiquement réalisée par un dépôt conforme, suivant le relief des nanofils. De manière particulièrement avantageuse, la première couche 13a présente un indice de réfraction supérieur à celui de la seconde couche 13b. Ainsi, cet empilement procure un gradient d'indice de réfraction entre l'air du milieu ambiant et le silicium, ce qui améliore les propriétés antireflet. Par exemple, la première couche 13a peut être réalisée en SiN ou en SiO2 et la deuxième couche 13b peut être réalisée en A1203. On peut former un module photovoltaïque à partir d'au moins une cellule photovoltaïque telle que décrite ci-dessus. On va maintenant décrire différents modes de réalisation du procédé de fabrication d'une telle cellule. Le réseau de nanofils métalliques est déposé sur la couche de silicium amorphe de sorte à former un réseau électriquement percolant. La densité des nanofils est par ailleurs choisie pour assurer la conductivité électrique et la transparence requises pour l'électrode. A titre indicatif, pour un facteur de transmission de 90%, la densité de nanofils est de 45 mg/m2 et la résistance électrique est de 25 Q/^. Il existe différentes techniques pour déposer un tel réseau de nanofils, parmi lesquelles : la pulvérisation (« spray » selon la terminologie anglo-saxonne), le bain chimique, le spin-coating, le dip-coating. Par exemple, pour un dépôt par spray, les nanofils métalliques sont placés en solution et ladite solution est projetée sur la couche de silicium amorphe au moyen d'une tête qui balaie la surface de ladite couche. On réalise ainsi un certain nombre de passages jusqu'à obtenir la densité souhaitée pour le réseau. A titre indicatif, pour un débit de solution de 0,5 à 1 ml/min projeté par une tête déplacée à une vitesse de 10 à 50 mm/s, on réalise entre 2 et 6 passages et l'on obtient un réseau de nanofils d'argent présentant une résistance électrique de l'ordre de 20 Q/^ et un facteur de transmission pour une longueur d'onde de 600 nm qui est supérieur à 90%. Le réseau de nanofils peut présenter une densité sensiblement uniforme sur toute la surface de la couche de silicium amorphe. Cependant, selon une forme d'exécution avantageuse de l'invention, le réseau est localement plus dense dans les régions destinées à être en contact avec les plots de contact. En particulier, comme on le verra plus bas, cette différence de densité permet de former les plots de contact par dépôt électrochimique. L'obtention d'une densité localement plus importante dans certaines régions du réseau implique, une fois que le réseau a atteint la densité requise pour les régions situées entre les plots, la mise en place d'un masque dont les ouvertures correspondent à l'emplacement des plots, et la poursuite du dépôt des nanofils jusqu'à obtenir la densité requise dans les régions exposées à travers le masque. Dans un tel cas, on peut caractériser la densité des deux régions du réseau par leur facteur de transmission : comme indiqué plus haut, les régions s'étendant entre les plots présentent un facteur de transmission supérieur à 90% pour une longueur d'onde de 600 nm tandis que les régions plus denses destinées à être en contact avec les plots présentent un facteur de transmission compris entre 0 et 20% et de préférence entre 0 et 10%. A titre indicatif, pour densifier le réseau obtenu par le procédé dont les paramètres sont donnés ci-dessus, on poursuit la projection au travers d'un masque, avec un même débit de solution de 0,5 à 1 ml/min et une même vitesse de la tête de 10 à 50 mm/s, de sorte à réaliser de l'ordre de 2 à 5 passages supplémentaires. La résistance électrique locale du réseau de nanofils est alors inférieure à 10 Q/^ et son facteur de transmission local est de l'ordre de 10 à 20% pour une longueur d'onde de 600 nm. En ce qui concerne la couche diélectrique, elle est formée par toute technique de dépôt appropriée c'est-à-dire permettant un dépôt à basse température, afin de ne pas endommager les couches de silicium amorphes elles-mêmes déposées à basse température (par exemple : évaporation, dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, pulvérisation cathodique). A titre indicatif, une couche de SiO2 peut être déposée sur une épaisseur de l'ordre de 80 à 120 nm, par évaporation, la vitesse de dépôt étant de quelques Â/s et la tension électrique appliquée étant de l'ordre de 5 à 20 kV. Selon un mode de réalisation, la couche diélectrique est formée de manière continue sur toute la surface de l'électrode, puis des ouvertures y sont formées pour permettre le passage des plots de contact jusqu'au réseau de nanofils métalliques. La création de ces ouvertures peut être réalisée par une ablation localisée, par exemple au moyen d'un laser. Une telle ablation laser est sensiblement facilitée par le caractère métallique du réseau de nanofils qui est interposé entre la portion de la couche diélectrique à retirer et la couche de silicium amorphe. En effet, il est alors possible d'employer une technique de spallation laser, qui consiste à focaliser le faisceau laser à l'interface métal/diélectrique. L'échauffement du métal à cette interface entraîne l'éjection de la couche diélectrique située au-dessus du point de focalisation. Les ouvertures sont donc créées dans la couche diélectrique sans endommager la couche de silicium amorphe sous-jacente. En revanche, dans le cas conventionnel de l'empilement d'une couche diélectrique et d'une couche d'oxyde transparent conducteur, le faisceau laser, n'étant pas totalement absorbé par l'oxyde transparent conducteur, vient endommager la couche de silicium amorphe sous-jacente [5] par échauffement localisé de celle-ci. Selon un autre mode de réalisation, lesdites ouvertures sont formées directement lors de la formation de la couche diélectrique, en déposant ladite couche au travers d'un masque qui protège les régions du réseau de nanofils destinés à être en contact avec les plots. Selon un autre mode de réalisation, la couche diélectrique est formée postérieurement aux plots, de sorte à s'étendre autour desdits plots. Les plots de contact peuvent être réalisés par toute technique de métallisation appropriée, notamment par sérigraphie d'une encre métallique, par évaporation de contacts métalliques, ou par dépôt électrochimique. Les figures 2A à 2C illustrent de manière schématique une première forme d'exécution du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque. En référence à la figure 2A, on forme, sur la couche 11 de silicium amorphe recouvrant le substrat 10, le réseau de nanofils métalliques formant l'électrode transparente 12. Comme indiqué plus haut, ce réseau peut être déposé par spray, bain chimique, spin-coating ou dip-coating. En référence à la figure 2B, on met en place un masque 16 que l'on vient généralement placer en contact avec la surface du réseau de nanofils de sorte à protéger les régions de celui-ci destinées à être en contact avec les plots de contact lors du dépôt de matériau diélectrique. On dépose la couche diélectrique 13 de sorte à encapsuler le réseau de nanofils métalliques. On forme ainsi, dans la couche 13, des ouvertures 13a, 13b destinées au passage des plots de contact qui seront formés ultérieurement. En référence à la figure 2C, on forme les plots de contact 14a, 14b par métallisation des ouvertures 13a, 13b ménagées dans la couche diélectrique 13. Les plots de contact sont donc en contact direct avec les nanofils métalliques. La métallisation peut comprendre une sérigraphie d'encre métallique, une évaporation de contacts métalliques ou un dépôt électrochimique. Les figures 3A à 3D illustrent de manière schématique une deuxième forme d'exécution du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque. En référence à la figure 3A, on forme, sur la couche 11 de silicium amorphe recouvrant le substrat 10, le réseau de nanofils métalliques formant l'électrode transparente 12. Comme indiqué plus haut, ce réseau peut être déposé par spray, bain chimique, spin-coating ou dip-coating. En référence à la figure 3B, on dépose la couche diélectrique 13 sur toute la surface de l'électrode 12, de sorte à encapsuler le réseau de nanofils métalliques et à s'étendre au-delà dudit réseau dans la direction opposée au substrat 10. En référence à la figure 3C, on forme dans ladite couche 13 des ouvertures 13a, 13b destinées au passage des plots de contact qui seront formés ultérieurement, ces ouvertures s'étendant au travers d'une portion de la couche 13 au moins jusqu'à la surface du réseau de nanofils métalliques dans la direction opposée au substrat 10. La formation desdites ouvertures 13a, 13b est réalisée par une ablation localisée, par exemple au moyen d'un laser. En référence à la figure 3D, on forme les plots de contact 14a, 14b par métallisation des ouvertures 13a, 13b ménagées dans la couche diélectrique 13. Les plots de contact sont donc en contact direct avec les nanofils métalliques. Comme indiqué précédemment, la métallisation peut comprendre une sérigraphie d'encre métallique, une évaporation de contacts métalliques ou un dépôt électrochimique. Les figures 4A à 4D illustrent de manière schématique une troisième forme d'exécution du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque. En référence à la figure 4A, on forme, sur la couche 11 de silicium amorphe recouvrant le substrat 10, le réseau de nanofils métalliques formant l'électrode transparente 12. Comme indiqué plus haut, ce réseau peut être déposé par spray, bain chimique, spin-coating ou dip-coating. Dans cette étape, la densité du réseau de nanofils est sensiblement homogène sur toute la surface de l'électrode. En référence à la figure 4B, on densifie localement le réseau de nanofils métalliques. A cet effet, on place en regard du réseau déjà déposé, généralement directement sur celui-ci, un masque 15 présentant des ouvertures 15a, 15b correspondant aux régions 12a, 12b du réseau de nanofils que l'on souhaite densifier. On poursuit alors le dépôt des nanofils au travers du masque 15, de sorte à augmenter la densité de nanofils uniquement dans les régions 12a, 12b. En référence à la figure 4C, on dépose la couche diélectrique 13 sur toute la surface de l'électrode 12, de sorte à encapsuler le réseau de nanofils métalliques et à s'étendre au-delà dudit réseau dans la direction opposée au substrat 10. En référence à la figure 4D, on crée dans ladite couche 13 des ouvertures 13a, 13b destinées au passage des plots de contact qui seront formés ultérieurement, ces ouvertures s'étendant au travers d'une portion de la couche 13 jusqu'à la surface du réseau de nanofils métalliques opposée au substrat 10. La formation desdites ouvertures 13a, 13b est réalisée par une ablation localisée, par exemple par spallation laser. Ensuite, on forme les plots de contact 14a, 14b par métallisation des ouvertures 13a, 13b ménagées dans la couche diélectrique 13, les plots de contact étant en contact direct avec les nanofils métalliques. Cette étape, qui est similaire à l'étape illustrée aux figures 2C et 3D, n'a pas été à nouveau illustrée ici. Les figures 5A à 5D illustrent de manière schématique une quatrième forme d'exécution du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque. En référence à la figure 5A, on forme, sur la couche 11 de silicium amorphe recouvrant le substrat 10, le réseau de nanofils métalliques formant l'électrode transparente 12. Comme indiqué plus haut, ce réseau peut être déposé par spray, bain chimique, spin-coating ou dip-coating. Dans cette étape, la densité du réseau de nanofils est sensiblement homogène sur toute la surface de l'électrode. En référence à la figure 5B, on densifie localement le réseau de nanofils métalliques. A cet effet, on place en regard du réseau déjà déposé un masque 15 présentant des ouvertures 15a, 15b correspondant aux régions 12a, 12b du réseau de nanofils que l'on souhaite densifier. On poursuit alors le dépôt des nanofils au travers du masque 15, de sorte à augmenter la densité de nanofils uniquement dans les régions 12a, 12b. En référence à la figure 5C, on dépose la couche diélectrique 13 sur toute la surface de l'électrode 12, de sorte à encapsuler le réseau de nanofils métalliques et à s'étendre au-delà dudit réseau dans la direction opposée au substrat 10. On forme également des ouvertures 13a, 13b pour les plots de contact, la création de ces ouvertures pouvant être réalisée par dépôt au travers d'un masque (comme décrit en référence à la figure 2B) ou par ablation localisée, notamment par spallation laser (comme décrit en référence aux figures 3C et 4D). En référence à la figure 5D, on fait croître les plots de contact 14a, 14b par un dépôt électrochimique dans les ouvertures 13a, 13b. Le dépôt électrochimique est déjà pratiqué sur des couches d'oxyde transparent conducteur sur les cellules photovoltaïques conventionnelles. Un dépôt électrochimique requiert que les régions sur lesquelles on veut déposer le métal soient suffisamment conductrices électriquement, tandis que les régions sur lesquelles on ne souhaite pas déposer de métal ne soient pas électriquement conductrices. Pour cela, on peut déposer une couche d'accroche métallique permettant la croissance par voie électrochimique du plot. Revenant au quatrième mode de réalisation de l'invention, on note que l'on peut tirer profit de la densité supérieure des régions 12a, 12b du réseau pour mettre en oeuvre un dépôt électrochimique en s'affranchissant du dépôt de la couche d'accroche et de la couche de masquage requises pour un dépôt électrochimique sur une couche d'OTC. En effet, sur la structure représentée à la figure 5C, les régions densifiées 12a, 12b du réseau de nanofils métalliques jouent le rôle de couche d'accroche tandis que la couche diélectrique 13 délimitant les ouvertures 13a, 13b joue le rôle de la couche de masquage, et permettent donc, à l'étape illustrée sur la figure 5D, de procéder directement à un dépôt électrochimique. Un avantage de la réalisation des plots de contact par dépôt électrochimique, par rapport à la traditionnelle sérigraphie, est de former des plots de contact à haut rapport d'aspect, c'est-à-dire des lignes métalliques fines (générant par conséquent un ombrage plus faible et donc un courant photogénéré plus grand) et épaisses (par conséquent très conductrices du courant). Les modes de réalisation décrits ci-dessus ne sont présentés qu'à titre illustratif et l'homme du métier pourra mettre en oeuvre des variantes des différentes étapes sans pour autant sortir du cadre de la présente invention. REFERENCES [1] T.G. Chen et al, Flexible nanowire meshes for high-efficiency microtextured organic-silicon hybrid photovoltaics, Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 6857-6864 [2] S. Xie et al, Large size, high-uniformity, random silver nanowire networks as transparent electrodes for crystalline silicon wafer solar cells, Optics Express 2013, 21, S3, A355-A362 [3] M. Huang et al, Hybrid silver nanoparticle and transparent conductive oxide structure for silicon solar cell applications, Physica Status Solidi RRL 2014, 8, 5, 399-403 [4] D. Langley et al, Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review, Nanotechnology 24 (2013) 452001 [5] US 2012/0291844 REVENDICATIONS1. Cellule photovoltaïque (1) à hétérojonction de silicium, comprenant successivement : - un substrat (10) de silicium cristallin dopé, - une couche (11) de silicium amorphe ou microcristallin dopé, - une électrode (12) au moins partiellement transparente au rayonnement solaire, comprenant un réseau électriquement percolant de nanofils métalliques, - une couche diélectrique (13) au moins partiellement transparente au rayonnement solaire encapsulant ledit réseau de nanofils métalliques, - au moins un plot (14a, 14b) assurant un contact électrique (13) avec l'électrode (12). 2. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, dans laquelle la couche diélectrique (13) présente un indice de réfraction compris entre l'indice de réfraction de l'air et l'indice de réfraction du silicium. 3. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 ou 2, dans laquelle la couche diélectrique (13) comprend au moins l'un des matériaux suivants : SiO2, SiN, A1203, MgF2. 4. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle la couche diélectrique (13) comprend un empilement d'au moins une première couche (13a) s'étendant depuis le réseau de nanofils métalliques et une seconde couche (13b) s'étendant sur la première couche, la première couche (13a) présentant un indice de réfraction supérieur à celui de la seconde couche (13b). 5. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle le matériau des nanofils métalliques comprend de l'argent, du cuivre et/ou de l'or. 6. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche (11) de silicium est dopée n et la couche diélectrique (13) présente une densité de charge fixe positive. 7. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche (11) de silicium est dopée p et la couche diélectrique (13) présente une densité de charge fixe négative. 8. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 7, dans laquelle la résistance électrique de l'électrode (12) est inférieure ou égale à 20 Q/^. 9. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 10, dans laquelle le facteur de transmission du réseau de nanofils métalliques pour une longueur d'onde de 600 nm est supérieur à 90%. 10. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 9, dans laquelle le réseau de nanofils métalliques est localement plus dense dans chaque région (12a, 12b) de l'électrode (12) en contact avec un plot de contact électrique (14a, 14b) respectif. 11. Cellule photovoltaïque selon la revendication 11, dans laquelle le facteur de transmission de chaque région (12a, 12b) plus dense du réseau de nanofils métalliques pour une longueur d'onde de 600 nm est compris entre 10 et 20% tandis que le facteur de transmission du réseau de nanofils métalliques dans les autres régions de l'électrode pour une longueur d'onde de 600 nm est supérieur à 90%. 12. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque (1) à hétérojonction de silicium, comprenant les étapes suivantes : - formation, sur un substrat (10) de silicium cristallin dopé, d'une couche (11) de silicium amorphe ou microcristallin dopé, - formation, sur ladite couche de silicium (11), d'un réseau électriquement percolant de nanofils métalliques, ledit réseau formant une électrode (12) au moins partiellement transparente au rayonnement solaire, - dépôt, sur ladite électrode (12), d'une couche diélectrique (13) au moins partiellement transparente au rayonnement solaire de sorte à encapsuler ledit réseau de nanofils métalliques, - formation d'au moins un plot (14a, 14b) assurant un contact électrique avec l'électrode (12). 30 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant la densification localisée du réseau de nanofils métalliques dans chaque région (12a, 12b) de l'électrode (12) en contact avec un plot (14a, 14b) respectif. 35 14. Procédé selon la revendication 13 dans lequel ladite densification localisée comprend la formation d'un masque (15) sur le réseau de nanofils métalliques, ledit masque présentant des ouvertures (15a, 15b) en regard de chaque région (12a, 12b) respective à densifier, puis un dépôt de nanofils métalliques supplémentaires au travers des ouvertures dudit masque. 15. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel on forme la couche diélectrique (13) sur toute la surface de l'électrode (12) puis on met en oeuvre une ablation localisée de ladite couche de sorte à former des ouvertures (13a, 13b) destinées au passage de chaque plot de contact électrique (14a, 14b) respectif. 16. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel, avant de former la couche diélectrique (13), on forme un masque (16) sur les régions (12a, 12b) de l'électrode destinées à être en contact avec un plot (14a, 14b) respectif, puis on forme la couche diélectrique (13) au travers dudit masque (16). 17. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel on forme chaque plot (14a, 14b) sur l'électrode (12) puis on forme la couche diélectrique (13) autour desdits plots.