Brevet FR3015110A1 — publié le 20150619

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat-poignée destiné au collage temporaire d'un substrat notamment destiné à des applications dans les domaines de l'électronique, l'optique ou l'optoélectronique. L'invention concerne également un procédé de collage temporaire d'un substrat au substrat-poignée et elle vise en outre un substrat-poignée destiné au collage temporaire d'un substrat, tel qu'obtenu par ce procédé de fabrication. Les récents progrès de la microélectronique nécessitent de former et de manipuler de substrats ultra fins, dont l'épaisseur peut notamment être comprise entre 50 et 150 micromètres. Ces substrats ultra fins sont en effet difficiles à manipuler sur les chaines de production et avec les outils standards classiquement utilisés. De plus, selon la nature des matériaux constituant ces substrats ultra fins, ces derniers sont parfois tellement souples qu'ils s'enroulent sur eux-mêmes au repos, rendant leur utilisation délicate. Pour y remédier, une technique de collage temporaire permet de le maintenir en place sur un substrat support au moyen d'une couche de polymère adhésive. Il est alors possible de manipuler l'empilement formé avec des outils standards et de réaliser des étapes technologiques sur le substrat. Une fois l'amincissement et les étapes en vue de la fabrication de composants électroniques réalisées, le substrat est décollé de son substrat support. Le décollement se fait classiquement avec un enchainement d'actions chimiques et mécaniques. Plus précisément, une méthode connue sous la dénomination technologie Zone Bonde propose un collage temporaire à partir d'un substrat support préparé suivant les étapes suivantes : 1- Dépôt d'une résine dans la zone périphérique d'un substrat support, par exemple en silicium ou en verre, sur une largeur de 15 à 50 mm, 2- Dépôt d'un composé antiadhésif généralement fluoré sur la partie centrale du substrat support, 3- Séchage et rinçage du composé antiadhésif, 4- Gommage de la résine en zone périphérique avec un solvant adapté, et 5- Séchage du substrat support. Un substrat support qui présente une zone antiadhésive au centre et une couronne de silicium (ou de verre) non traité sur une zone périphérique est ainsi obtenu. Cette couronne assure ensuite l'adhérence lors du collage avec le substrat sur lequel un adhésif aura été préalablement étalé. Une fois les traitements souhaités réalisés sur le substrat, une attaque chimique en partie périphérique de l'empilement fragilise le collage. Combiné à la faible adhérence obtenue par présence de la couche antiadhésive, cette attaque rend possible le décollement mécanique du substrat de son support. Une alternative connue à ce procédé consiste à réaliser les étapes suivantes : 1- Dépôt d'un composant adhésif sur la partie périphérique d'un substrat support, 2- Séchage de l'adhésif, 3- Dépôt d'un composant antiadhésif sur la partie centrale du substrat support, et 4- Séchage et rinçage du composant antiadhésif. Le substrat support ainsi obtenu présente une zone antiadhésive au centre et une couronne adhésive sur une zone périphérique de sorte qu'il n'est pas nécessaire d'étaler un composant adhésif sur le substrat. Une seconde variante du procédé peut être envisagée avec les étapes suivantes : 1- Dépôt d'un composant antiadhésif sur un substrat support 2- Séchage et rinçage du composant antiadhésif, 3- La partie périphérique du composant d'antiadhésif est éliminée par une attaque chimique à l'aide d'un solvant de l'antiadhésif, 4- Séchage du substrat support, 5- Dépôt d'un composant adhésif sur la partie périphérique du substrat support, et 6- Séchage du composant adhésif. Un substrat support présentant une zone centrale antiadhésive une couronne adhésive sur une zone périphérique est alors obtenu pour un collage avec un substrat. Toutefois ces étapes sont longues et minutieuses à réaliser. En effet, la qualité du collage et ensuite la qualité du décollement dépendent de la précision et de l'homogénéité des dimensions de la couronne périphérique formée le long du pourtour du substrat support. Par ailleurs, la mise en contact du substrat et du substrat support via une couche d'adhésif conduit à la formation d'un bourrelet d'adhésif en périphérie de l'empilement qui empêche d'atteindre une bonne planéité de la matière adhésive et modifie l'homogénéité du collage. La présente invention vise à remédier à l'un au moins des 10 inconvénients précités. Elle propose à cet effet un procédé de fabrication d'un substrat-poignée destiné au collage temporaire d'un substrat, le procédé comprenant les étapes consistant à : a) Fournir un substrat support comprenant une face de réception, 15 b) Déposer une couche antiadhésive sur la face de réception, la couche antiadhésive comprenant une région centrale et une région périphérique, et c) Détourer le substrat support de sorte à retirer la région périphérique de la couche antiadhésive et former en périphérie du substrat 20 support un évidement, afin d'obtenir le substrat-poignée. Ainsi, ce procédé permet de former une portion centrale non adhésive sur le substrat support et une portion périphérique détourée, permettant de recevoir le surplus d'adhésif lors du collage avec le substrat de sorte à améliorer la planéité de l'interface. De plus, ce procédé est simple à 25 mettre en oeuvre et évite de réaliser un grand nombre d'étapes de préparation. L'évidement formé peut présenter différent types de forme, telle qu'un profil en forme de marche, un biseau ou une forme incurvée. De préférence, l'évidement formé à l'étape c) consiste à retirer du matériau de la périphérie du substrat support et de la région périphérique de la 30 couche antiadhésive de sorte que l'évidement présente une largeur L, mesurée à partir de la périphérie vers le centre substrat support, sensiblement constante. 3 0 1 5 1 1 0 4 Par sensiblement constante, on entend dans le document que la largeur L varie de plus ou moins 10 micromètres sur le pourtour périphérique du substrat support. Selon une possibilité, l'évidement formé à l'étape c) présente une 5 hauteur H comprise entre 1 et 50 micromètres et une largeur L comprise entre 1 à 50 mm. La hauteur H est mesurée selon une direction sensiblement perpendiculaire au plan de la face de réception et la largeur L est mesurée dans une direction radiale. Cette plage de hauteur H permet de recevoir le surplus d'adhésif et cette plage de largeur L assure une énergie de collage 10 optimale tant pour la réalisation de traitements sur le substrat que pour assurer un décollement facile et de qualité. De préférence, le retrait de matériau est réalisé de sorte que la largeur L varie tout au plus, de plus ou moins 1 micromètre. L'homogénéité de la largeur L obtenue garantit un collage ultérieur uniforme avec le substrat, ce 15 qui facilite ensuite le décollement par attaque chimique ou application d'une contrainte mécanique à l'interface de collage entre le substrat et le substrat-poignée. Selon une possibilité, l'évidement formé à l'étape c) présente un fond dont la rugosité est comprise entre 1 et 500 nanomètres RMS (acronyme 20 anglais de Root Mean Square) et de préférence entre 1 et 100 nanomètres RMS. Cette rugosité est particulièrement favorable au collage avec le substrat. Toutes les rugosités RMS décrites dans ce document sont déterminées par microscopie à force atomique AFM sur un champ de 20x20 micromètres. Selon une possibilité, le détourage de l'étape c) est effectué au 25 moyen d'outils d'usinage, tels qu'une scie de détourage ou une rodeuse. Cette méthode est peu couteuse et permet d'obtenir une grande homogénéité dans le retrait de matière périphérique. La largeur L du détourage est obtenue avec une variation de seulement 10 microns et la hauteur H avec une variation de seulement 1 à 2 microns. 30 Selon une autre possibilité, le détourage de l'étape c) est effectué par une étape de photolithographie suivie d'une étape de gravure ionique ou de gravure chimique. Cette méthode permet une précision de l'homogénéité des dimensions de la largeur L et de la hauteur H inférieure à 1 micromètre. Selon encore une autre alternative, le détourage de l'étape c) est effectué par une étape d'implantation d'espèces ioniques, tel que de l'hydrogène, à travers la région périphérique de la couche antiadhésive suivie d'une étape de traitement thermique d'exfoliation. Là encore, cette méthode est très précise puisqu'elle permet d'obtenir une variation de la largeur L et de la hauteur H inférieure au micromètre. Avantageusement, le matériau antiadhésif est un organo-silane 10 fluoré ou non tel que l'Octadécyl TricholoroSilane (OTS) ou un polymère fluoré ou non tel que le polymère 2702 Electronic Grade Coating (fourni par 3MTm). De préférence, le substrat support comprend un matériau choisi parmi le silicium, la silice, le verre, le saphir, le germanium ou un métal. Ce large choix de substrat support permet d'adapter la méthode selon le 15 coefficient de dilatation thermique en rapport avec celui du substrat, la résistance thermique et mécanique nécessaire pour la suite du procédé. Selon un deuxième aspect, la présente invention concerne également un procédé de collage temporaire d'un substrat à un substrat-poignée, comprenant les étapes consistant à : 20 d) Fournir le substrat-poignée fabriqué tel que précédemment décrit, e) Fournir le substrat comprenant une face arrière et une face avant, la face avant étant destinée à recevoir des composants électroniques, f) Déposer une couche adhésive sur la face arrière du 25 substrat, et/ou sur la face du substrat poignée comportant l'évidement, et g) Mettre en contact la face arrière du substrat et la face du substrat poignée comportant l'évidement via la couche adhésive de sorte à obtenir le collage temporaire du substrat au substrat-poignée. Cette méthode permet de préparer en parallèle le substrat support 30 et le substrat à coller de sorte à optimiser la durée du procédé. La mise en contact du substrat avec le substrat-poignée permet à la couche adhésive de se répartir sur la couche antiadhésive et le surplus de remplir l'évidement jusqu'à atteindre le fond de l'évidement dont la rugosité est optimale pour le collage. Cette méthode permet de créer une région d'interface de faible énergie de collage au niveau de la région centrale de couche antiadhésive et de forte énergie de collage au niveau de l'évidement. Par l'expression 'composants 5 électroniques', on entend dans le présent document aussi bien des composants complexes tels que des CMOS, des mémoires, que des composants simples telle qu'une interconnexion électrique. Les composants électroniques peuvent réalisés par des procédés microélectroniques incluant de façon non exhaustives des étapes de gravure, de dépôt, de nettoyage ou 10 autres. Avantageusement, le substrat comprend un matériau choisi parmi le silicium, la silice, le verre, le saphir, le germanium ou un métal tel que le molybdène, le tungstène et le cuivre par exemple. Ce dernier peut déjà avoir subi des étapes de préparations 15 préalables sur la face arrière destinée à être collée ou sur la face avant, tel que la formation de motifs (patterning en anglais). Selon une disposition, la couche adhésive comprend un matériau choisi parmi le HT1010 ou ZoneBond® 51.50 ou encore WaferBOND® CR200, fournis par Brewer Science. 20 Avantageusement, le procédé comprend après l'étape g), une étape h) consistant à appliquer à la face avant du substrat au moins une étape de traitement destiné à la fabrication de composants électroniques, telle qu'une rectification, un amincissement, un polissage mécano-chimique, une gravure, un dépôt de diélectrique ou de métal, une formation de motifs, une passivation, 25 un traitement thermique, ou une combinaison d'au moins l'un de ces traitements. Le collage temporaire du substrat sur le substrat-poignée permet en effet de fixer et maintenir le substrat en place pour la réalisation d'étapes de fabrication de composants. De préférence, le procédé comprend après l'étape g), une étape i) 30 consistant à procéder à une attaque chimique et/ou à appliquer une contrainte mécanique de sorte à séparer le substrat du substrat-poignée. La contrainte mécanique peut consister en l'application d'une lame à l'interface entre le substrat-poignée et le substrat, d'une force de traction ou d'une force de cisaillement. Elle peut être appliquée par exemple en imposant une courbure à l'ensemble formé du substrat et du substrat-poignée, par exemple par emboutissage sur une préforme adaptée. Selon une possibilité, l'étape g) consiste en outre à appliquer un traitement thermique sous vide avec une compression, par exemple de 6kN, à l'empilement formé par le substrat collé sur le substrat-poignée. De préférence, le procédé comprend après l'étape i), une étape j) consistant à nettoyer le substrat-poignée pour éliminer le résidu de colle de sorte que le substrat-poignée peut être réutilisé à l'étape d). Ce nettoyage notamment réalisé par rinçage successif dans une solution d'isopropanol et dans une solution de limonène permet en effet de retirer la portion de couche adhésive transférée sur le substrat-poignée lors du collage. Ainsi, à l'issue du nettoyage, un substrat-poignée tel que fourni à l'étape c) du procédé est récupéré. Avantageusement, le procédé comprend une étape k) réalisée après l'étape j) consistant à répéter au moins une fois les étapes d) à i) permettant le recyclage du substrat-poignée pour le collage temporaire d'un 20 nouveau substrat. Selon un troisième aspect, l'invention concerne un substrat-poignée destiné au collage temporaire d'un substrat, le substrat-poignée comprenant un substrat support dont la périphérie présente un évidement délimitant une portion centrale du substrat support qui est recouverte d'une 25 couche antiadhésive, l'évidement étant dépourvu de couche antiadhésive. De préférence, l'évidement présente une largeur L, mesurée de la périphérie vers le centre du substrat support, comprise entre 1 à 50 mm, la largeur L variant de plus ou moins 1 micromètre le long du pourtour périphérique du substrat support. 30 Par ailleurs, l'évidement présente une hauteur H comprise entre 1 et 50 micromètres et variant de plus ou moins 1 micromètre le long du pourtour périphérique du substrat support. La hauteur H est mesurée selon une direction sensiblement perpendiculaire au plan du substrat support. La hauteur H peut également être mesurée selon une direction perpendiculaire à la largeur L de l'évidement. Avantageusement, l'évidement présente un fond dont la rugosité est comprise entre 1 nanomètre et 500 nanomètres RMS. Selon encore un autre aspect, l'invention concerne un empilement démontable comprenant un substrat-poignée tel que précédemment décrit et un substrat comprenant une face arrière et une face avant destinée à recevoir des composants électroniques, la face arrière du substrat étant collée au substrat-poignée et à l'évidement par une couche adhésive. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante de deux modes de réalisation de celle-ci, donnés à titre d'exemples non limitatifs et faite en référence aux dessins annexés. Les figures ne respectent pas nécessairement l'échelle de tous les éléments représentés de sorte à améliorer leur lisibilité. Dans la suite de la description, par souci de simplification, des éléments identiques, similaires ou équivalents des différentes formes de réalisation portent les mêmes références numériques. Par ailleurs, toutes les énergies de collage décrites dans ce document sont déterminées par la technique du double levier à déplacement imposé (méthode d'insertion de coin ou méthode de Maszara). La figure 1 illustre une vue en coupe schématique d'un substrat support pour la fabrication d'un substrat-poignée selon l'étape a) d'un mode de réalisation de l'invention. La figure 2 illustre une vue en coupe schématique d'un substrat support recouvert d'une couche antiadhésive selon l'étape b) d'un mode de réalisation de l'invention. La figure 3 illustre une vue en coupe schématique d'un substrat support détouré selon l'étape c) d'un mode de réalisation de l'invention. La figure 4 illustre une vue en coupe schématique d'un substrat collé à un substrat-poignée selon les étapes d) à g) d'un mode de réalisation de l'invention. La figure 5 illustre une vue en coupe schématique de l'application d'un traitement au substrat selon l'étape h) d'un mode de réalisation de l'invention. La figure 6 illustre une vue en coupe schématique du décollement 5 du substrat-poignée et du substrat selon l'étape i) d'un mode de réalisation de l'invention. Comme illustré à la figure 1, un substrat support 1 comprenant une face de réception 2 est fourni selon l'étape a) du procédé. Le matériau du substrat support 1 est en silicium mais il peut également être en silice, verre, 10 saphir, germanium ou en un métal tel que le molybdène, le tungstène et le cuivre, selon la nature du substrat 3 à coller et des opérations ultérieures souhaitées. Comme illustré à la figure 2, une couche antiadhésive 4 est déposée sur la face de réception 2 du substrat support 1. La couche 15 antiadhésive 4 comprend une région centrale 5 et une région périphérique 6 recouvrant respectivement une portion centrale 7 et une portion périphérique 8 du substrat support 1. Cette couche antiadhésive 4 comprend un matériau antiadhésif, tel qu'un composé organo-silane choisi parmi l'OTS fourni par Sigma Aldrich. La couche 4 d'OTS est par exemple déposée par immersion du 20 substrat 3 pendant 5 minutes dans une solution d'OTS dilué dans l'isooctane et présentant une concentration de 5.10-3 mol/I. Une couche antiadhésive 4 présentant une épaisseur comprise entre 1 et 10 nanomètres est alors obtenue. Selon une variante, la couche antiadhésive 4 est en polymère 2702 25 Electronic Grade coating fourni par 3MTM et est déposée par étalement à la tournette (ou Spin coating en terminologie anglo-saxonne) jusqu'à l'obtention d'une couche antiadhésive 4 présentant une épaisseur environ de 5 nanomètres. Une fois la couche antiadhésive 4 déposée, le substrat support 1 30 est séché à l'air pendant environ 30 min. Comme illustré à la figure 3, le substrat support 1 est détouré de sorte à retirer la région périphérique 6 de la couche antiadhésive 4 et le matériau du substrat support 1 de sorte à former un évidement 9 sur une hauteur H (mesurée selon une direction sensiblement perpendiculaire au plan de la face de réception 2) et une largeur L (mesurée dans une direction de la périphérie vers le centre de substrat support (1) et orientée sensiblement 5 parallèle au plan de la face de réception 2) de sorte à fabriquer un substrat-poignée 100 (étape c). Cette étape de détourage est effectuée à l'aide d'un outil d'usinage, par exemple une scie de détourage de type standard diamant (largeur 1.5 mm, fournie par DISCO) jusqu'à obtenir évidement 9 d'une hauteur H de 7 micromètres (mesurée selon une direction perpendiculaire à la largeur 10 L) et une largeur L de 15 mm. En variante, un outil d'usinage telle qu'une rodeuse peut être utilisée. Ces outils actuels de microélectroniques sont simples d'utilisation et permettent l'obtention d'une grande précision de détourage à faible coût. La hauteur H de l'évidement 9 est en effet constante le long du pourtour 15 périphérique du substrat support 1 à deux micromètres près. De même, la largeur L de l'évidement 9 est constante à 10 micromètres près. Le substrat-poignée 100 alors obtenu est formé d'un substrat support 1 qui présente un évidement 9 avec un profil en forme de marche dont les dimensions sont homogènes sur le pourtour périphérique du substrat support 1. Ceci est 20 particulièrement utile pour la qualité de collage et de décollement avec un substrat 3. Selon une alternative, le détourage du substrat support 1 est effectué par une étape de photolithographie suivie d'une étape de gravure ionique ou de gravure chimique. Cette technique permet encore d'améliorer 25 l'homogénéité de la largeur L et de la hauteur H de l'évidement 9 qui sont alors constantes à 1 micromètre près le long du pourtour du substrat support 1. Selon encore une autre alternative non illustrée, le détourage est obtenu par implantation d'espèces ioniques à travers la région périphérique 6 de la couche antiadhésive 4 de sorte à créer un plan de fragilisation dans la 30 portion périphérique 8 sous-jacente du substrat support 1. Puis, un traitement thermique d'exfoliation est appliqué de sorte à obtenir un cloquage du matériau conduisant à la formation de l'évidement 9. La encore, cette méthode est très 301 5 1 10 11 précise et permet de respecter une excellente homogénéité de la largeur L et de la hauteur H de l'évidement 9. Toutes ces méthodes décrites ci-dessus permettent par ailleurs d'obtenir un évidement 9 dont le fond 11 présente une rugosité assez importante, généralement comprise entre 1 et 10 nanomètres avec la scie détourage ou la photolithographie suivie de la gravure ionique, et entre environ 1 et 500 nanomètres avec l'implantation ionique. Cette rugosité est favorable à l'obtention ultérieure d'une importante énergie de collage lors de la mise en contact avec un substrat 3. Selon une variante non illustrée, le détourage 9 présente un profil qui diffère de celui représenté aux figures 4 à 6 en ce que son profil présente une forme incurvée, un biseau ou autre. Il est entendu que les dimensions de l'évidement 9 restent homogènes sur le pourtour périphérique du substrat support 1 pour tous les profils considérés. Comme illustré à la figure 4, un substrat 3 dont une face avant 12 est destinée à la fabrication de composants électroniques est mis en contact avec le substrat-poignée 100 (étape e). Le substrat 3 est composé de saphir mais peut également être choisi parmi la silice, silicium, verre, germanium ou un métal tel que le molybdène, le tungstène et le cuivre. La face arrière 13 du substrat 3 a été préparée au préalable par le dépôt d'une couche adhésive 14 (étape f). Selon une possibilité non illustrée, cette couche adhésive 14 pourrait en variante ou en complément être également déposée sur la face comprenant l'évidement 9 du substrat poignée 100. Cette couche adhésive 14 est par exemple déposée par étalement à la tournette d'un adhésif ZoneBond® 51.50 (fourni par Brewer Science) jusqu'à présenter une épaisseur comprise entre environ 10 et 100 micromètres et de préférence d'environ 50 micromètres. Selon une variante non illustrée, la couche adhésive 14 pourrait être obtenue par dépôt de HT1010 ou WaferBOND® CR-200, fournis par Brewer Science. Le substrat 3 ainsi préparé est séché à 90°C pendant 10 min puis il 30 est soumis à un traitement thermique à 200°C pendant 2 min pour évacuer le solvant de l'adhésif. Enfin, la face arrière 13 du substrat 3 est mise en contact avec le substrat-poignée 100 sous vide de sorte que la couche adhésive 14 contacte le fond 11 de l'évidement 9. L'empilement ainsi formé est soumis à un traitement thermique à environ 210°C accompagné d'une compression de 6kN appliquée pendant 4 min. La formation d'un bourrelet de couche adhésive 14 en bord du substrat 3 est évitée par la présence de l'évidement 9. Il en résulte que la planéité de la couche adhésive 14 est améliorée et que le collage est optimisé par comparaison avec celui obtenu avec un substrat-poignée 100 non détouré. A l'issue, un collage d'une énergie d'environ 600mJ/m2 est obtenu entre le substrat-poignée 100 et le substrat 3. Selon une variante non illustrée, la face arrière 13 et/ou la face 10 avant 12 du substrat 3 a subi une ou plusieurs étapes préalables de préparation avant collage, en vue de leurs applications futures, tel que la formation de motifs. Comme illustré à la figure 5, la face avant 12 du substrat 3 solidarisé au substrat-poignée 100 est soumise à une ou plusieurs étapes en 15 vue de la fabrication de composants électroniques qui auraient été difficiles à réaliser sans collage temporaire (étape h). Ces étapes comprennent par exemple une rectification, un amincissement, un polissage mécano-chimique, une gravure, un dépôt de diélectrique ou de métal, une formation de motifs, une passivation ou un traitement thermique. 20 Comme illustré à la figure 6, une fois ces étapes réalisées, une contrainte mécanique, appliquée par une lame à l'interface entre le substrat-poignée 100 et le substrat 3, permet l'obtention du décollement du substrat 3 (étape i). En variante, la contrainte mécanique est exercée par application d'une force de traction et/ou de cisaillement ou en courbant la structure 25 assemblée. Selon encore une autre variante, l'étape i) est réalisée par attaque chimique en complément ou non de l'application d'une contrainte mécanique. Le substrat-poignée 100 alors récupéré présente une portion de la couche adhésive 14 transférée sur la portion périphérique 8 du substrat support 1 correspondant à la largeur L de l'évidement 9. Une portion de couche 30 adhésive 14 résiduelle en région centrale du substrat 3 et correspondant à la région centrale 5 de la couche antiadhésive 4 du substrat-poignée 100 indique la bonne adhésion obtenue par le collage temporaire. Le substrat-poignée 100 est ensuite rincé au limonène puis rincé à l'isopropanol (étape j). La portion de couche adhésive 14 résiduelle en région centrale du substrat 3 peut également être éliminée par un nettoyage réalisé dans les même conditions. Une fois la portion de couche adhésive 14 retirée et le substrat-5 poignée 100 séché à l'air pendant environ 5 min, le substrat-poignée 100 est recyclé dans un cycle de collage temporaire-décollement avec un nouveau substrat 3 (étape k). Selon une variante de réalisation le procédé de collage temporaire selon l'invention est réalisé à partir d'un substrat-poignée 100 dont la largeur L 10 de l'évidement 9 présente une dimension d'environ 3 mm. L'énergie de collage obtenue à l'issue de l'étape g) est d'environ 130mJ/m2. Par ailleurs, le procédé de l'invention réalisé dans les conditions précédemment décrites et à partir d'un substrat-poignée 100 sans évidement 9 conduit à une énergie de collage de 60mJ/m2. Le détourage permet donc 15 d'augmenter l'énergie de collage en correspondance avec la largeur L de l'évidement 9. Il est ainsi possible grâce à la présente invention de moduler l'énergie de collage entre le substrat-poignée 100 et le substrat 3 selon la largeur L du détourage effectué. Ceci élargit la fenêtre des procédés 20 accessibles sur le substrat 3 de façon rapide et peu couteuse, tout en garantissant un décollement adéquat. Il va de soi que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus à titre d'exemples mais qu'elle comprend tous les équivalents techniques et les variantes des moyens décrits ainsi que leurs 25 combinaisons. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un substrat-poignée (100) destiné au collage temporaire d'un substrat (3), caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à : a) Fournir un substrat support (1) comprenant une face de réception (2), b) Déposer une couche antiadhésive (4) sur la face de 10 réception (2), la couche antiadhésive (4) comprenant une région centrale (5) et une région périphérique (6), et c) Détourer le substrat support (1) de sorte à retirer la région périphérique (6) de la couche antiadhésive (4) et former en périphérie du substrat support (1) un évidement (9), afin d'obtenir le substrat-poignée (100). 15 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape c) consiste à retirer du matériau de la périphérie du substrat support (1) et de la région périphérique (6) de la couche antiadhésive (4) de sorte que l'évidement (9) présente une largeur L, mesurée à partir de la périphérie vers le centre substrat 20 support (1), sensiblement constante. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 à 2, dans lequel le détourage de l'étape c) est effectué au moyen d'outils d'usinage, tels qu'une scie de détourage ou une rodeuse. 25 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 2, dans lequel le détourage de l'étape c) est effectué par une étape de photolithographie suivie d'une étape de gravure ionique ou de gravure chimique. 30 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 2, dans lequel le détourage de l'étape c) est effectué par une étape d'implantation d'espèces ioniques, tel que de l'hydrogène, à travers la région périphérique (6) de lacouche antiadhésive (4) suivie d'une étape de traitement thermique d'exfoliation. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le 5 substrat support (1) comprend un matériau choisi parmi le silicium, la silice, le verre, le saphir, le germanium ou un métal. 7. Procédé de collage temporaire d'un substrat (3) à un substrat-poignée (100), caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes 10 consistant à : d) Fournir le substrat-poignée (100) fabriqué selon l'une des revendications 1 à 6, e) Fournir le substrat (3) comprenant une face arrière (13) et une face avant (12), la face avant (12) étant destinée à recevoir des 15 composants électroniques, f) Déposer une couche adhésive (14) sur la face arrière (13) du substrat (3) et/ou sur la face du substrat poignée (100) comportant l'évidement (9), et g) Mettre en contact la face arrière (13) du substrat (3) et la face 20 du substrat poignée (100) comportant l'évidement (9) via la couche adhésive (14) de sorte à obtenir le collage temporaire du substrat (3) au substrat-poignée (100). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le substrat (3) 25 comprend un matériau choisi parmi le silicium, la silice, le verre, le saphir, le germanium ou un métal. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 à 8, dans lequel le procédé comprend après l'étape g), une étape h) consistant à appliquer à la 30 face avant (12) du substrat (3) au moins une étape de traitement destiné à la fabrication de composants électroniques, telle qu'une rectification, un amincissement, un polissage mécano-chimique, une gravure, un dépôt dediélectrique ou de métal, une formation de motifs, une passivation, un traitement thermique, ou une combinaison d'au moins l'un de ces traitements. 10. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel le 5 procédé comprend après l'étape g), une étape i) consistant à procéder à une attaque chimique et/ou à appliquer une contrainte mécanique de sorte à séparer le substrat (3) du substrat-poignée (100). 11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, dans lequel le 10 procédé comprend après l'étape i) une étape j) consistant à nettoyer le substrat-poignée (100) pour éliminer le résidu de colle de sorte que le substrat-poignée (100) peut être réutilisé à l'étape d). 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le procédé 15 comprend une étape k) réalisée après l'étape j) consistant à répéter au moins une fois les étapes d) à i). 13. Substrat-poignée (100) destiné au collage temporaire d'un substrat (3), caractérisé en ce que le substrat-poignée (100) comprend un 20 substrat support (1) dont la périphérie présente un évidement (9), l'évidement (9) délimitant une portion centrale (7) du substrat support (1) recouverte d'une couche antiadhésive (4), l'évidement (9) étant dépourvu de couche antiadhésive (4). 25 14. Substrat-poignée (100) selon la revendication 13, dans laquelle l'évidement (9) présente une largeur (L), mesurée de la périphérie vers le centre du substrat support (1), comprise entre 1 à 50 mm, la largeur (L) variant de plus ou moins 1 micromètre le long du pourtour périphérique du substrat support (1). 30 15. Substrat-poignée (100) selon l'une des revendications 13 à 14, dans laquelle l'évidement (9) présente un fond (11) dont la rugosité est comprise entre 1 et 500 nanomètre RMS.