Brevet FR3023061A1 — publié le 20160101

DIODE DE STRUCTURE MESA A SURFACE DE CONTACT SENSIBLEMENT PLANE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine des diodes, avantageusement celui des diodes photo-émettrices telles que des diodes électroluminescentes (DELs, ou LEDs ou micro-LEDs) et celui des dispositifs, tels que des luminaires ou des dispositifs d'éclairage, comportant des LEDs : ampoules LEDs, éclairages LEDs, dispositifs de signalisation, projecteurs LEDs, éclairages intelligents, etc. L'invention s'applique également au domaine des diodes photo-réceptrices telles que des photodiodes et celui des dispositifs, tels que des dispositifs de détection ou des capteurs, comportant des photodiodes. Un dispositif d'éclairage à LEDs, tel qu'une ampoule LEDs, utilise généralement un dispositif d'alimentation électrique, appelé driver, adaptant une tension initiale, par exemple la tension du secteur, à la tension de fonctionnement du dispositif d'éclairage. Une telle adaptation est nécessaire du fait que la tension de fonctionnement d'une LED est généralement de quelques volts, par exemple environ 3V, alors que la tension crête du secteur est par exemple de 320V dans le cas d'une alimentation par une tension alternative de 2 0 230V. Or, ces drivers sont à l'origine de plus de la moitié des causes de défaillance des dispositifs d'éclairage à LEDs. De plus, un autre problème qui va à l'encontre d'un fonctionnement des LEDs avec une forte densité de courant est le management thermique et l'évacuation de la chaleur générée par le 25 fonctionnement des LEDs qui doivent être réalisés dans ce cas. La mise en série des LEDs au sein du dispositif d'éclairage permet d'obtenir une tension de fonctionnement, pour cet ensemble de LEDs reliées en série, plus importante que la tension de fonctionnement d'une LED unitaire du fait que la tension de fonctionnement de cet ensemble de LEDs est égale à la somme des tensions de fonctionnement unitaires de ces LEDs. En augmentant la valeur de la tension de fonctionnement du dispositif d'éclairage, la fiabilité du driver utilisé est améliorée du fait que l'architecture d'un tel driver ne nécessite pas de faire appel à des capacités et des convertisseurs d'aussi grandes valeurs que lorsque le dispositif présente une tension de fonctionnement égale à celle d'une seule LED. Pour réaliser la mise en série des LEDs, ou plus généralement les interconnexions électriques de plusieurs LEDs, les technologies proposées sont basées sur des procédés standards utilisés communément en technologie dite planaire : chaque brique de base est définie par une étape de dépôt, puis une étape de lithographie, suivie d'une étape de gravure. Ainsi, avec ce type de procédé, chaque motif d'un matériau nécessite la mise en oeuvre de trois étapes. De plus, chaque motif réalisé doit être aligné avec les précédents. Moyennant cela, la définition du motif doit prendre en compte les performances des équipements concernés tant en termes de dimensions atteignables que de performances d'alignement par rapport au motif précédent. Il en résulte une perte conséquente de surface émissive. Par exemple, le document US 6,957,899 B2 décrit la mise en série de LEDs via la réalisation de connexions électriques par dépôt, lithographie et gravure. Les problèmes exposés précédemment se retrouvent donc lors de la réalisation des connexions électriques. De plus, dans ce type de structure, la réalisation de l'isolation électrique entre les électrodes des LEDs via la réalisation de couches d'isolation déposées conformément aux motifs de la structure engendre une perte importante de la surface active disponible par rapport à la surface totale disponible. Les documents US 7,221,044 B2 et US 8,272,757 B1 décrivent la mise en série de LEDs via une hybridation des LEDs sur un substrat sur lequel sont réalisées des interconnexions électriques, l'hybridation étant réalisée via des microbilles fusibles. Une telle hybridation est difficile à mettre en oeuvre du fait de la structure irrégulière des LEDs. De plus, l'interconnexion électrique des LEDs via un substrat sur lequel les LEDs sont hybridées par des microbilles a également pour inconvénient d'augmenter la valeur de la résistance électrique série de l'ensemble, et donc de générer des pertes électriques dues au transport des charges à travers le substrat et les microbilles. Dans le document US 2013/0105825 Al, les liaisons électriques entre les LEDs sont réalisées par des fils ou des éléments de connexion réalisés sur les LEDs. Les techniques mises en oeuvre dans ce document pour réaliser ces fils ou éléments de connexion sont toutefois délicates à mettre en oeuvre et difficilement applicables pour une mise en oeuvre industrielle. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer une diode dont l'architecture facilite sa connexion électrique, notamment lors d'une mise en série de celle-ci avec d'autres diodes d'architecture semblable, qui soit adaptée pour être intégrée avec une forte densité avec d'autres diodes semblables au sein d'un dispositif électronique, facilitant une éventuelle hybridation sur celle-ci, évitant la réalisation de fils ou d'éléments connexion tels que dans l'art antérieur, et garantissant une bonne isolation électrique entre les électrodes de la diode. Pour cela, la présente invention propose une diode, ou micro- diode, de structure mesa comportant au moins : - une première et une deuxième portions de semi-conducteur dopées formant une jonction p-n et telles qu'une première partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée disposée entre une deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée et la première portion de semi- conducteur dopée forme un décrochement, ou renfoncement, par rapport à la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée, - une première électrode reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur dopée, et une deuxième électrode reliée électriquement à la deuxième portion de semi-conducteur dopée au niveau d'une face supérieure de la deuxième partie de la deuxième portion de semi- conducteur dopée, - des portions diélectriques recouvrant des flancs latéraux de la première portion de semi-conducteur dopée, de la deuxième portion de semiconducteur dopée et de la première électrode, et dans lequel des faces supérieures de la première électrode, de la deuxième électrode et des portions diélectriques forment une surface continue sensiblement plane. Ainsi, contrairement aux structures des diodes de l'art antérieur dans lesquelles des couches diélectriques sont successivement déposées sur l'ensemble de la structure pour assurer l'isolation électrique des électrodes des diodes, la diode selon l'invention fait appel à des portions diélectriques, ou portions d'isolation électrique, recouvrant les flancs latéraux des éléments formant la structure mesa de la diode et permettant d'isoler électriquement et de passiver les flancs latéraux de la jonction p-n de la diode, notamment vis-à-vis de la deuxième électrode, et/ou d'isoler électriquement les portions de semi- conducteur dopées de la jonction p-n l'une vis-à-vis de l'autre lorsque celles-ci ne sont pas en contact direct l'une contre l'autre. Ces portions diélectriques permettent également d'assurer l'isolation électrique entre la première et la deuxième électrodes en occupant un minimum de place sur la surface occupée par la diode. Cette localisation des portions diélectriques sur les flancs latéraux de la structure mesa de la diode permet d'améliorer le rapport entre la surface active de la diode (surface occupée par la jonction p-n) et la surface totale sur laquelle la diode est réalisée, et donc d'augmenter l'intégration de ce type de diodes étant donné le faible encombrement des portions diélectriques de cette structure qui sont strictement verticales (parallèles aux flancs latéraux de la structure mesa de la diode qui sont recouverts par ces portions diélectriques). De plus, cette forte intégration des portions diélectriques a également pour avantage de minimiser les densités de courant obtenues dans les électrodes de la diode, et donc de réduire l'échauffement par effet Joule engendré dans la diode. L'expression « structure mesa » désigne le fait que la diode est réalisée sous la forme d'un empilement de la première et de la deuxième portions de semi-conducteur dopées, une zone de jonction étant présente entre ces deux portions de semi-conducteur dopées, et que cet empilement est gravé sur au moins une partie de sa hauteur sous forme d'îlot appelé mésa. En outre, cet îlot comporte également, au niveau de la deuxième portion de semiconducteur dopée, un renfoncement formant une zone de contact électrique de la deuxième portion de semi-conducteur dopée pour la deuxième électrode. Le décrochement, ou renfoncement, est formé par la première partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée par rapport à la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée au niveau d'au moins un côté de la structure mesa. Ce décrochement est aussi formé par la première électrode par rapport à la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée. De manière analogue, la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée forme, au niveau d'au moins un côté de la structure mesa, une avancée, ou une partie en saillie, par rapport à la première électrode et à la première partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée. La surface continue sensiblement plane formée par les faces supérieures des électrodes et des portions diélectriques permet d'hybrider facilement, par exemple sans faire appel à des inserts tels que des microbilles de connexion, la diode à un autre élément, tel qu'un substrat permettant de réaliser différentes configurations de connexion de la diode et pouvant comporter également une face plane au niveau de laquelle se trouve des matériaux analogues à ceux de la diode, par exemple par collage direct métal contre métal (pour les électrodes) et diélectrique contre diélectrique (pour les portions diélectriques). Cette surface continue sensiblement plane est également bien adaptée pour la réalisation d'une structure d'interconnexions directement sur les électrodes, évitant ainsi bon nombre de difficultés liées à la topologie résiduelle des structures des diodes de l'art antérieur. Les faces supérieures de la première électrode, de la deuxième électrode et des portions diélectriques forment une surface continue sensiblement plane, c'est-à-dire sont disposées sensiblement dans un même plan. L'expression « sensiblement plane » est ici utilisée pour désigner le fait que la surface formée par les faces supérieures des électrodes et des portions diélectriques peut présenter des variations de hauteur, ou d'épaisseur, comprises entre environ 0 et 150 nm. Ces légères variations de hauteur ou d'épaisseur peuvent avoir pour origine la mise en oeuvre d'une planarisation mécano- chimique (CMP) mise en oeuvre en présence des matériaux des électrodes et des portions diélectriques, les vitesses de gravure de ces différents matériaux étant différentes les unes des autres. Ces légères variations de hauteur ou d'épaisseur, entre les faces supérieures des portions diélectriques et celles des électrodes, peuvent avoir pour avantage de garantir une excellente isolation entre les électrodes de la diode et/ou vis-à-vis d'électrodes de diodes adjacentes lorsque des creux se situent au niveau des faces supérieures des électrodes. La première électrode, la première portion de semi-conducteur dopée, la première partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée et la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée peuvent chacune avoir une section, dans un plan parallèle à une interface entre la première et la deuxième parties de la deuxième portion de semi-conducteur dopée, de forme rectangulaire. L'interface entre la première et la deuxième parties de la deuxième portion de semi-conducteur peut être parallèle à la surface continue sensiblement plane. Dans ce cas, une dimension d'un côté de la section de la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée peut être supérieure à celle d'un côté de la section de la première partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée parallèle au dit côté de la section de la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée. Ainsi, le décrochement peut être formé au niveau d'un côté de la structure mesa de la diode. Une telle structure mesa peut avoir une forme de « L ». Cela peut également s'appliquer pour des sections de formes autres que rectangulaire. Les portions diélectriques peuvent recouvrir uniquement les flancs latéraux de la structure mesa, garantissant ainsi un encombrement minimal des portions diélectriques sur la surface totale occupée par la diode et optimisant le transport de la chaleur via une baisse globale de la résistance thermique de la diode. La première portion de semi-conducteur peut être dopée p et la deuxième portion de semi-conducteur peut être dopée n, la première électrode pouvant former une anode de la diode et la deuxième électrode pouvant former une cathode de la diode. La diode peut être une photodiode ou une LED. Dans ce cas, la photodiode peut comporter au moins une portion de semi-conducteur intrinsèque disposée entre la première et la deuxième portions de semi-conducteur dopées et telle que des flancs latéraux de la portion de semi-conducteur intrinsèque soient recouverts par les portions diélectriques, ou dans laquelle la LED comporte au moins une zone active émissive à au moins un puits quantique disposée entre la première et la deuxième portions de semi-conducteur dopées et telle que des flancs latéraux de la zone active émissive soient recouverts par les portions diélectriques. L'invention concerne également un dispositif électronique ou microélectronique comportant plusieurs diodes telles que précédemment décrites, et dans lequel les faces supérieures des premières électrodes, des deuxièmes électrodes et des portions diélectriques desdites diodes forment ensemble la surface continue sensiblement plane. Le dispositif électronique selon l'invention peut avantageusement former un module de LEDs alimentées avec une tension, continue ou alternative, de valeur comprise entre environ la valeur de la tension de fonctionnement d'une des LEDs, par exemple environ 3V, et une valeur correspondant à la somme des tensions de fonctionnement de plusieurs LEDs, par exemple comprise entre 6V et plusieurs centaines des volts, ou entre environ 6V et 50V. Le type (continu ou alternatif) et la valeur de la tension d'alimentation du dispositif électronique peuvent être fonction du nombre de LEDs que comporte le dispositif électronique ainsi que des liaisons électriques reliant les LEDs entre elles (mise en série ou non). Le dispositif électronique peut être adapté pour être alimenté par haute tension, c'est-à-dire par exemple avec une tension de valeur égale à au moins 100V. Chacune des deuxièmes électrodes peut être en contact avec au moins l'une des portions diélectriques d'une diode voisine. L'intégration des diodes est ainsi maximisée au sein du dispositif électronique du fait que les secondes électrodes peuvent remplir un espace entre deux diodes voisines. Le dispositif électronique peut comporter en outre une structure de connexion des diodes disposée sur les faces supérieures des premières électrodes, des deuxièmes électrodes et des portions diélectriques, la structure de connexion pouvant comporter au moins des éléments électriquement conducteurs reliés électriquement aux premières et/ou aux deuxièmes électrodes des diodes et isolés électriquement les uns des autres par des éléments diélectriques. Ainsi, le routage et les interconnexions peuvent être réalisés directement sur les électrodes des diodes, dans la structure de connexion, en évitant l'utilisation d'un autre substrat de routage reporté sur les diodes et en limitant les pertes électriques engendrées par le transport des charges à travers ce substrat de routage, ce qui permet également d'optimiser l'intégration du dispositif et limiter les échauffements liés aux pertes par effet Joule. La valeur de la tension de fonctionnement du dispositif électronique peut être modulée selon les connexions électriques des diodes réalisées au sein de la structure de connexion. Les connexions électriques des diodes peuvent être adaptées pour former un dispositif électronique destiné à être alimenté par une tension continue ou alternative, ou peuvent permettre d'assurer une redondance des diodes en reliant des diodes en parallèles de telle sorte que la défaillance d'une des diodes ne conduise pas à un circuit ouvert et à une défaillance globale du dispositif électronique. Une face supérieure de la structure de connexion peut former une surface continue plane. Ainsi, il est possible de reporter ou hybrider aisément un circuit ou un substrat sur la structure de connexion, par exemple par collage direct. Au moins une partie des diodes peuvent être reliées électriquement en série les unes aux autres par au moins une partie des éléments électriquement conducteurs de la structure de connexion, chacun desdits éléments électriquement conducteurs reliant électriquement une deuxième électrode d'une desdites diodes à une première électrode d'une autre desdites diodes. Cette mise en série des diodes sert avantageusement à former un module de LEDs alimentés avec une tension, continue ou alternative, de valeur supérieure à la tension de fonctionnement d'une des LEDs. Une telle structure peut permettre également au dispositif de n'avoir que deux plots d'interconnexion avec l'environnement extérieur, formés par deux des éléments électriquement conducteurs (présentant par exemple une surface de contact de l'ordre du mm2) de la structure de connexion, et ainsi relaxer les contraintes liées à la mise en oeuvre d'un collage aligné d'un driver avec la structure de connexion. Une telle structure peut également permettre une réduction importante du temps de réponse du dispositif électronique par la diminution des capacités et résistances apparentes pour des alimentations en PWM (pulse wave modulation), par exemple lorsque le dispositif électronique est destiné à réaliser une transmission de données de type Li-Fi. Chaque élément électriquement conducteur de la structure de connexion peut former un plot de connexion relié électriquement à une seule électrode d'une des diodes, le dispositif électronique pouvant comporter en outre un substrat hybridé sur la structure de connexion et comportant des moyens aptes à former des liaisons électrique entre les éléments électriquement conducteurs de la structure de connexion. Dans ce cas, il est possible de réaliser un adressage individualisé de chacune des électrodes des diodes via le substrat hybridé et les moyens aptes à former les liaisons électriques. De plus, cette configuration peut permettre définir avec beaucoup de liberté la distance entre des éléments électriquement conducteurs de la structure de connexion, cette distance pouvant être supérieures à l'épaisseur des portions diélectriques qui séparent deux électrodes d'une diode. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une diode de structure mena, comportant au moins les étapes de : - réalisation d'un empilement de couches comprenant au moins une première couche de semi-conducteur dopée disposée entre une deuxième couche de semi-conducteur dopée et une couche électriquement conductrice, - gravure de l'empilement de couches, réalisant une première et une deuxième portions de semi-conducteur dopées formant une jonction p-n, la deuxième portion de semi-conducteur dopée comportant une première partie disposée entre une deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée et la première portion de semi-conducteur dopée et formant un décrochement par rapport à la deuxième partie de la deuxième portion de semiconducteur dopée, et réalisant une première électrode reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur dopée, - réalisation de portions diélectriques recouvrant des flancs latéraux de la première portion de semi-conducteur dopée, de la deuxième portion de semi-conducteur dopée et de la première électrode, - dépôt d'au moins un matériau électriquement conducteur en contact avec une face supérieure de la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée, - planarisation du matériau électriquement conducteur avec arrêt sur la première électrode, ou sur des faces supérieures des portions diélectriques, formant une deuxième électrode reliée électriquement à la deuxième portion de semi-conducteur dopée et telle que des faces supérieures de la première électrode, de la deuxième électrode et des portions diélectriques forment une surface continue sensiblement plane. Les portions diélectriques étant déposées sur les flancs latéraux de la structure mesa gravée dans l'empilement de couches, ces portions diélectriques peuvent être réalisées par un procédé auto-aligné permettant d'isoler les électrodes de la diode sans faire appel à un masque spécialement adapté à la réalisation de ces portions diélectriques, par exemple via un dépôt conforme du matériau des portions diélectriques puis un gravure des portions de ce matériau qui ne recouvrent pas les flancs latéraux des structures mesa. De plus, la réalisation de la deuxième électrode correspond à la mise en oeuvre d'un procédé de type « damascène » dans lequel le matériau électriquement conducteur est formé par un dépôt pleine plaque, la seconde électrode étant obtenue ensuite via une planarisation de ce matériau électriquement conducteur. La réalisation de la deuxième électrode ne nécessite donc pas une étape d'alignement spécifique ou de masquage particulier. L'emplacement de la seconde électrode peut correspondre à un espace formé entre les portions diélectriques recouvrant les flancs latéraux de deux structures mesa voisines. La gravure de l'empilement de couches peut être mise en oeuvre avec un masque disposé sur l'empilement de couches et comportant, en regard de la première partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée, une première partie d'épaisseur supérieure à celle d'une deuxième partie du masque disposée en regard de la face supérieure de la deuxième partie de la deuxième portion de semi-conducteur dopée destinée à être en contact avec la deuxième électrode. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif électronique comportant la mise en oeuvre d'un procédé tel que décrit ci-dessus, dans lequel les étapes mises en oeuvre peuvent former plusieurs diodes de structure mesa dont les faces supérieures des premières électrodes, des deuxièmes électrodes et des portions diélectriques forment ensemble la surface continue sensiblement plane. Le matériau électriquement conducteur peut être déposé entre les structures mesa des diodes et en contact avec les portions diélectriques desdites diodes. Le procédé peut comporter en outre, après l'étape de planarisation du matériau électriquement conducteur, la réalisation d'une structure de connexion des diodes sur les faces supérieures des premières électrodes, des deuxièmes électrodes et des portions diélectriques, la structure de connexion comportant au moins des éléments électriquement conducteurs reliés électriquement aux premières et/ou aux deuxièmes électrodes des diodes et isolés électriquement les uns des autres par des éléments diélectriques. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 et 2 représentent un dispositif électronique, objet de la présente invention, comportant plusieurs diodes de structure mesa, également objets de la présente invention, selon un premier mode de réalisation ; - la figure 3 représente un dispositif électronique, objet de la présente invention, comportant plusieurs diodes de structure mesa, également objets de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation ; - les figures 4 et 5A à 5C représentent un autre exemple de réalisation d'un dispositif électronique, objet de la présente invention, comportant plusieurs diodes de structure mesa, également objets de la présente invention, selon le deuxième mode de réalisation ; - les figures 6A à 6K représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif électronique, objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des 2 0 différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 25 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord à la figure 1 qui représente un dispositif électronique 100 comprenant plusieurs diodes 102 chacune de structure mena, et selon un premier mode de réalisation. Dans ce premier mode de réalisation, les diodes 102 sont des LEDs et le dispositif 100 correspond à un luminaire à LEDs tel qu'une ampoule à LEDs. Le dispositif microélectronique 100 comporte un substrat 104, par exemple en saphir, servant de support pour le dépôt ou la croissance des couches destinées à la réalisation des diodes 102. Dans le premier mode de réalisation décrit ici, les diodes 102 sont disposées les unes à côté des autres en formant une matrice de diodes 102, c'est-à-dire sont régulièrement espacées les unes des autres. En variante, les diodes 102 peuvent être réalisées les unes à côté des autres sans former une matrice de diodes, sans espacements réguliers entre elles. Chacune des diodes 102 comporte une zone active émissive 106. Les zones actives émissives 106 sont réalisées à partir d'une ou plusieurs couches émissives, par exemple cinq, formant chacune un puits quantique, par exemple à base d'InGaN, et étant chacune disposée entre deux couches barrières, par exemple à base de GaN. Toutes les couches des zones actives émissives 106, c'est-à-dire la ou les couches émissives et les couches barrières, comportent des matériaux semi-conducteurs intrinsèques, c'est-à-dire non intentionnellement dopés (de concentration en donneurs résiduels nn,d par exemple égale à environ 1017 donneurs/cm-3, ou comprise entre environ 1015 et 1018 donneurs/cm3). L'épaisseur de la ou de chacune des couches émissives est par exemple égale à environ 3 nm et plus généralement comprise entre environ 0,5 nm et 10 nm, et l'épaisseur de chacune des couches barrières est par exemple comprise entre environ 1 nm et 25 nm. La zone active émissive 106 de chacune des diodes 102 est disposée entre une première portion de semi-conducteur dopée p 108 et une deuxième portion de semi-conducteur dopée n 110, les deux portions de semiconducteur dopées 108 et 110 formant la jonction p-n de la diode 102. Le semiconducteur des portions 108 et 110 est par exemple du GaN. La première portion 108 est dopée p avec une concentration d'accepteurs par exemple comprise entre environ 1017 et 5.1019 accepteurs/cm3, et par exemple égale à environ 5.1018 accepteurs/cm3. La deuxième portion 110 est dopée n avec une concentration de donneurs par exemple comprise entre environ 1017 et 5.1019 donneurs/cm3, et par exemple égale à environ 1.1019 donneurs/cm3. Les deux portions 108 et 110 ont par exemple chacune une épaisseur comprise entre environ 20 nm et 10 um. Dans une variante de réalisation, une couche de blocage d'électrons (non visible sur la figure 1) peut être disposée entre la première portion de semi-conducteur dopée p 108 et la zone active émissive 106, cette couche de blocage d'électrons étant par exemple en AIGaN avec 12% d'aluminium et dopée p avec une concentration d'accepteurs par exemple égale à environ 1.1017 accepteurs/cm3. Une couche tampon 112 est disposée entre la deuxième portion 110 et le substrat 104. Cette couche tampon 112 est par exemple composée de GaN dopé n et comporte une épaisseur généralement supérieure à environ 100 nm, par exemple de l'ordre d'un micron. Une telle couche tampon 112 sert notamment à filtrer les défauts de croissance afin que ces défauts ne se retrouvent pas dans les jonctions p-n des diodes 102. Des matériaux autres que ceux cités ci-dessus peuvent être utilisés pour réaliser les diodes 102. Chaque diode 102 comporte également une première électrode 114 à base d'un matériau électriquement conducteur et disposée sur la première portion de semi-conducteur dopée p 108 et reliée électriquement à celle-ci, formant ici une anode de la diode 102. Les diodes 102 sont par exemple réalisées via une gravure d'un empilement formé de différentes couches des matériaux précédemment décrits et servant à former les structures mesa des diodes 102, c'est-à-dire des empilements sous forme d'îlots. Chaque structure mesa comporte une partie supérieure 116 formée des portions 114, 108 et 106 ainsi que d'une première partie 117 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110, et une partie inférieure 118 formée d'une deuxième partie 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 et d'une partie 121 de la couche tampon. Les parties supérieures 116 et inférieures 118 des structures mesa ont par exemple chacune une section, dans un plan parallèle au plan (X,Y) représenté sur la figure 1 (ce plan (X,Y) étant parallèle au plan dans lequel se trouve l'interface entre les deux parties 117 et 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110, et également parallèle à la surface du substrat 104 sur laquelle les diodes 102 sont réalisées), de forme rectangulaire. De plus, la largeur de la partie inférieure 118, c'est-à-dire la dimension de la section de la partie inférieure 118 selon l'axe X représenté sur la figure 1, est ici supérieure à celle de la partie supérieure 116. La longueur de la partie inférieure 118, c'est-à-dire la dimension de la section de la partie supérieure 116 selon l'axe Y représenté sur la figure 1, est ici égale à celle de la partie supérieure 116. La structure mesa des diodes 102 a donc ici une forme de « L ». La première partie 117 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 forme donc un décrochement par rapport à la deuxième partie 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110. Ainsi, au niveau d'un côté de la structure mesa de chaque diode 102, une portion 120 de la deuxième partie 119 de la deuxième portion de semiconducteur dopée 110 n'est pas recouverte par la première partie 117 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110. Une face supérieure 126 de la deuxième partie 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 est donc accessible électriquement. Chaque diode 102 comporte également des portions diélectriques 122 recouvrant les flancs latéraux des structures mesa, c'est-à-dire les flancs latéraux des premières électrodes 114, des premières portions de semiconducteur dopées 108, des zones actives émissives 106, des deuxièmes portions de semi-conducteur dopées 110 et des portions 121 de la couche tampon 112. Au niveau des côtés de la structure mesa qui ne comportent pas le décrochement, les portions diélectriques 122 qui recouvrent les flancs latéraux de la structure sont continues le long de toute la hauteur de la structure mesa, depuis la face supérieure du substrat 104 jusqu'à la face supérieure de la première électrode 114. Par contre, du côté de la structure mesa qui comporte le décrochement, une première partie 122a de la portion diélectrique 122 recouvre les flancs latéraux de la partie supérieure 116, et une deuxième partie 122b de la portion diélectrique 122 recouvre les flancs latéraux de la partie inférieure 118, ces deux parties 122a et 122b de la portion diélectrique 122 étant discontinues l'une par rapport à l'autre. Les portions diélectriques 122 isolent électriquement et passivent les flancs latéraux des jonctions des diodes 102. L'épaisseur de la première partie 122a de la portion diélectrique 122 (qui correspond à la dimension selon l'axe X représenté sur la figure 1, et donc parallèle à la largeur des parties 116 et 118) est choisie telle qu'elle ne recouvre que partiellement la face supérieure 126 de la deuxième partie 119 de la deuxième portion dopée n 110 qui est accessible. La portion 120 peut par exemple avoir une largeur (dimension selon l'axe X), au niveau du décrochement formé entre les parties 117 et 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110, au moins égale à environ 1% de la largeur de la partie supérieure 116. Par exemple, pour une partie supérieure 116 de largeur égale à environ 80 iim, la largeur de la portion 120 peut être égale à environ 5 iim. Les dimensions des côtes de la structure mesa peuvent être comprises entre environ 500 nm et 1 mm, ou entre 500 nm et plusieurs millimètres, selon les applications visées, ces dimensions concernant la partie supérieure 116 et la partie inférieure 118 de la structure mesa (avec une différence d'au moins 1 % entre les deux parties 116 et 118). Pour des applications faisant appel à des diodes de forte puissance (par exemple des ampoules LEDs pour former des phares de voiture), les dimensions des diodes 102 seront plus importantes que pour des applications faisant appel à des diodes 102 de plus faible puissance. L'espace entre deux diodes 102 est rempli par un matériau électriquement conducteur formant, entre les diodes 102, des deuxièmes électrodes 128. Chacun des deuxièmes électrodes 128 repose sur le substrat 104 et est en contact électriquement avec la face supérieure 126 de la deuxième partie 119 de la deuxième portion dopée n 110 d'une des diodes 102. Ainsi, chacune des deuxièmes électrodes 128 est reliée électriquement à une deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 d'une des diodes 102, et forme ici une cathode de cette diode 102. La largeur d'une deuxième électrode 128, c'est-à-dire la dimension de la deuxième électrode 128 entre deux structures mesa de diodes 102 (dimension parallèle à l'axe X représenté sur la figure 1), est dimensionnée en fonction des pertes acceptables liées à l'amenée du courant électrique. Cette largeur est par exemple comprise entre environ 100 nm et plusieurs millimètres ou plus. La longueur de la deuxième électrode 102 (dimension parallèle à l'axe Y représenté sur la figure 1) est par exemple égale à celle des structures mesa des diodes 102. Les deuxièmes électrodes 128 ont chacune une section, dans le plan (X,Y), de forme similaire à celle des motifs gravés dans l'empilement de couches. Ainsi, chacune des deuxièmes électrodes 128 comporte une section, dans le plan (X,Y), dont les dimensions, parallèlement à l'axe X, au niveau de la partie de la deuxième électrode 128 en contact avec la première partie 122a de la portion diélectrique 122b sont inférieures à celles de la partie de la deuxième électrode 128 en contact avec la deuxième partie 122b de la portion diélectrique 122. Grâce aux portions diélectriques 122 verticales, les deuxièmes électrodes 128 sont bien isolées électriquement des premières électrodes 114, des premières portions de semi-conducteur 108 et des zones actives émissives 106. L'épaisseur des portions diélectriques 122 est choisie notamment en fonction de la constante diélectrique du matériau formant ces portions diélectriques 122 et peut être choisie telle que ces portions 122 présentent un courant de fuite acceptable dans chacune des diodes 102, par exemple inférieur à environ 1 % du courant nominal traversant la diode 102, lorsqu'elles sont soumises à une différence de potentiels (entre la cathode et l'anode entourant chacune de ces portions 122) par exemple de l'ordre de 4V. L'épaisseur minimale des portions diélectriques 122 est par exemple comprise entre environ 3 nm et 5 nm, ou entre 3 nm et 4 nm, en fonction du matériau utilisé pour réaliser les portions diélectriques 122. Etant donné les structures mena formées par les diodes 102 et la géométrie des deuxièmes électrodes 128, les faces supérieures des premières électrodes 114, des portions diélectriques 122 et des deuxièmes électrodes 128 forment ensemble une surface 130 sensiblement plane, c'est-à-dire sont disposées sensiblement dans un même plan. En effet, étant donné l'étape de planarisation du matériau des deuxièmes électrodes 128 mise en oeuvre lors de la réalisation du dispositif 100 (étape décrite plus loin en liaison avec le procédé de réalisation), les faces supérieures des premières électrodes 114 et celles des deuxièmes électrodes 128 peuvent présenter des creux de profondeurs (par rapport aux faces supérieures des portions diélectriques 122) comprises entre environ 5 nm et 150 nm. Ces creux ont toutefois pour avantage de garantir l'isolation électrique entre les électrodes 114 et 128 réalisée par les portions diélectriques 122. Le dispositif 100 comporte également, sur la surface 130, une structure de connexion 132 formant les connexions électriques des diodes 102. Dans le premier mode de réalisation représenté sur la figure 1, cette structure de connexion 132 comporte des premiers éléments électriquement conducteurs 136 reliés électriquement aux premières électrodes 114 des diodes 102 et des deuxièmes éléments électriquement conducteurs 138 reliés électriquement aux deuxièmes électrodes 128 des diodes 102. Les éléments électriquement conducteurs 136, 138 sont isolés électriquement les uns des autres par des éléments diélectriques 134 dont les dimensions, dans le plan (X,Y), sont au moins égales à celles des portions diélectriques 122 afin que les éléments électriquement conducteurs 136 et 138 ne forment pas de courts-circuits entre les électrodes des diodes 102. L'épaisseur de la structure de connexion 132 (dimension selon l'axe Z représenté sur la figure 1) est par exemple supérieure ou égale à environ 20 nm. Dans ce premier mode de réalisation, les éléments électriquement conducteurs 136 et 138 ne sont pas reliés électriquement entre eux, l'anode et la cathode de chacune des diodes 102 étant accessibles indépendamment l'une de l'autre via les éléments électriquement conducteurs 136 et 138. Les diodes 102 peuvent ainsi former une matrice de diodes générique à partir de laquelle tout type de connexion électrique des diodes 102 est possible. De plus, une surface supérieure 140 de la structure de connexion 132 est plane et donc bien adaptée pour être hybridée directement avec un autre élément, par exemple un substrat comportant un driver permettant de réaliser un pilotage et un adressage adapté des diodes 102 permettant de gérer les connexions électriques (mise en série, en parallèle, etc.) des diodes 102 par exemple de manière à suivre la tension d'alimentation du dispositif 100. La figure 2 représente le dispositif 100 selon le premier mode de réalisation et comportant un substrat 142 tel que décrit ci-dessus et hybridé sur la face supérieure 140 de la structure de connexion 132. Ce substrat 142 comporte, au niveau de l'interface avec la face supérieure 140, des plots de connexion électrique 144 en contact électriquement avec les éléments électriquement conducteurs 136 et 138, ces plots de connexion électrique 144 étant isolés électriquement les uns des autres par un matériau diélectrique 146 en contact avec les éléments diélectriques 134. Ce substrat 142 comporte également une électronique de commande, non visible sur la figure 2, permettant de gérer les interconnexions entre les plots de connexion électrique 144. Sur la figure 2, des interconnexions 148 sont paramétrées pour relier en série au moins une partie des diodes 102 du dispositif 100. Le substrat 142 est ici solidarisé à la structure de connexion 132 par collage direct métal-métal entre les plots de connexion électrique 144 et les éléments électriquement conducteur 136, 138, et par collage direct diélectrique-diélectrique entre le matériau diélectrique 146 et les éléments diélectriques 134. Dans le premier mode de réalisation décrit ici, le dispositif électronique 100 est un dispositif d'éclairage à LEDs, les diodes 102 correspondant à des LEDs. En variante, le dispositif électronique 100 peut comporter des diodes 102 correspondant à des diodes photo-réceptrices, ou photodiodes. Dans ce cas, l'élément référencé 106 de chaque diode 102 disposé entre les portions de semi-conducteur 108 et 110 respectivement dopées p et n peut correspondre à une portion de semi-conducteur intrinsèque. De plus, dans cette variante, les anodes 114 et cathodes 128 des diodes 102 ne servent pas à fournir un courant d'alimentation aux diodes 102 mais servent à récupérer des courants photo-générés par les diodes 102. Selon une autre variante, que les diodes 102 correspondent à des LEDs ou à des photodiodes, les structures mesa des diodes 102 peuvent ne pas comporter les zones émissives 106 ou les portions de semi-conducteur intrinsèque, et les premières portions de semi-conducteur dopées p 108 sont alors disposées directement sur les deuxièmes portions de semi-conducteur dopées n 110. Les autres éléments d'un tel dispositif électronique sont similaires à ceux du dispositif électronique 100 précédemment décrit. Dans le premier mode de réalisation précédemment décrit, les structures mesa des diodes 102 comportent des sections de forme rectangulaire. En variante, les diodes 102 peuvent être réalisées en formant des structures mesa de section de forme autre que rectangulaire, par exemple circulaire, triangulaire, etc. Dans tous les cas, un renfoncement est formé au niveau d'une interface entre deux parties de la deuxième portion dopée 110 afin de former un accès électrique à cette deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 pour la deuxième électrode 128. La figure 3 représente le dispositif électronique 100 selon un deuxième mode de réalisation. Comme dans le premier mode de réalisation, le dispositif 100 comporte le substrat 104 sur lequel sont formées les diodes 102 de structure mesa et comportant les électrodes 114 et 128 et les portions diélectriques 122. Le dispositif 100 comporte également la structure de connexion 132. Par contre, les éléments électriquement conducteurs de cette structure de connexion 132 diffèrent de ceux précédemment décrit dans le premier mode de réalisation. En effet, chacun des éléments électriquement conducteurs 150 de cette structure de connexion 132 relie la cathode 128 d'une première diode 102 à l'anode 114 d'une deuxième diode 102 voisine de la première. Ainsi, chaque élément de connexion électrique 150 forme une liaison électrique reliant en série deux diodes voisines. La structure de connexion 132 comporte également deux autres éléments électriquement conducteurs 152 (un seul est représenté sur la figure 3) qui ne relient pas en série deux diodes 102 mais qui forment des plots d'accès électrique aux diodes 102 depuis la cathode ou l'anode de l'une des diodes 102. Il est par exemple possible d'avoir deux plots d'accès 152 formant des contacts électriques de deux extrémités d'un ensemble de diodes 102 reliées en série les unes aux autres, l'une des deux extrémités étant formée par l'anode d'une première diode 102 et l'autre extrémité étant formée par la cathode d'une dernière diode 102, ces deux plots d'accès permettant d'alimenter électriquement les diodes 102 via la connexion d'un driver externe à ces deux plots, un tel driver permettant par exemple de réguler en courant le dispositif 100 à partir d'un branchement directement sur le secteur. La figure 4 représente schématiquement un exemple de réalisation du dispositif 100 selon le deuxième mode de réalisation, formant un module composé de six LEDs 102. Le dispositif 100 comporte trois LEDs 102a, 102b et 102c reliées électriquement en série entre elles, et trois autres LEDs 102d, 102e et 102f reliées électriquement en série entre elles et disposées tête bêche aux trois LEDs 102a, 102b et 102c. La cathode de la LED 102a qui est reliée électriquement à l'anode de la LED 102b est également reliée électriquement à l'anode de la LED 102d et à la cathode de la LED 102e. La cathode de la LED 102b qui est reliée électriquement à l'anode de la LED 102c est également reliée électriquement à l'anode de la LED 102e et à la cathode de la LED 102f. De plus, la cathode de la LED 102c est reliée électriquement à l'anode de la LED 102f, et l'anode de la LED 102a est reliée électriquement à la cathode de la LED 102d. Le dispositif 100 est alimenté électriquement en appliquant une tension d'alimentation entre deux bornes, l'une étant reliée électriquement à la cathode de la LED 102c (et donc également à l'anode de la LED 102f) et l'autre étant reliée électriquement à l'anode de la LED 102a (et donc également à la cathode de la LED 102d). Du fait que les LEDs sont reliées en série trois par trois entre les deux bornes d'alimentation du dispositif 100, la tension de fonctionnement du dispositif 100 est d'environ 9V (la tension de fonctionnement de chacune des LEDs étant d'environ 3V). De plus, les LEDs 102a, 102b et 102c étant disposées tête-bêche par rapport aux LEDs 102d, 102e et 102f, le dispositif 100 est adapté pour être alimenté électriquement par une tension alternative. La figure 5A représente une vue en coupe du dispositif 100 selon l'axe CC représenté sur la figure 4, c'est-à-dire le long des trois LEDs 102a, 102b et 102c reliées en série les unes aux autres. La figure 5B représente une vue en coupe du dispositif 100 selon l'axe BB représenté sur la figure 4, c'est-à-dire le long des trois LEDs 102d, 102e et 102f reliées en série les unes aux autres. Les éléments visibles sur ces figures 5A et 5B correspondent à ceux précédemment décrits en liaison avec la figure 3. La figure 5C représente une vue en coupe du dispositif 100 selon l'axe AA représenté sur la figure 4, c'est-à-dire coupant transversalement les LEDs 102b et 102e. On voit notamment sur cette figure que du matériau électriquement conducteur 154 relie ici l'anode de la LED 102e à la cathode de la LED 102b qui est en contact avec la portion 120 de la structure mena de la LED 102b, au niveau de la face supérieure 126 de la deuxième partie 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 de la LED 102b. Dans l'exemple décrit sur les figures 4 et 5A-5C, la liaison électrique entre la cathode de la LED 102a et l'anode de la LED 102d et la liaison électrique entre la cathode de la LED 102b et l'anode de la LED 102e permettent qu'en cas de défaillance d'une des LEDs, cette défaillance ne conduise pas à la formation d'un circuit ouvert et à une défaillance globale du dispositif 100. En variante, le dispositif 100 de la figure 4 pourrait comporter un nombre plus ou moins important de LEDs reliées en série les unes autres. Il est également possible de former un dispositif 100 alimenté par une tension d'alimentation continue en réalisant le dispositif 100 à partir d'un seul ensemble de LEDs reliées en série entre elles, la tension d'alimentation étant dans ce cas appliquée entre une première borne correspondant à l'anode de la première LED et une deuxième borne correspondant à la cathode de la dernière LED. Selon une autre variante, il est également possible que le dispositif 100 comporte une ou plusieurs autres LEDs permettant d'assurer une redondance des six LEDs 102a-102f. Ainsi, le dispositif 100 pourrait comporter trois autres LEDs 102 reliées en série entre elles, cet ensemble de trois LEDs étant relié en parallèle aux trois LEDs 102a à 102c et permettant ainsi d'assurer une redondance vis-à-vis des trois LEDs 102a - 102c. Une redondance similaire peut être réalisée pour les trois LEDs 102d à 102f avec trois autres LEDs. Un procédé de réalisation du dispositif 100 est décrit en liaison avec les figures 6A à 6K. Un empilement des différentes couches destinées à former les éléments 112, 110, 106, 108 et 114 des diodes 102 est tout d'abord réalisé sur le substrat 104. Un masque dur 156 est également réalisé au sommet de cet empilement de couches. Le motif de ce masque dur 156 correspond à celui des structures mesa des diodes 102 destinées à être réalisées par gravure dans l'empilement de couches (figure 6A). Ainsi, ce masque 156 comporte, en regard de la première partie 117 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 destinée à être formée, une première partie 157 d'épaisseur supérieure à celle d'une deuxième partie 159 du masque disposée en regard de la face supérieure 126 de la deuxième partie 119 de la deuxième portion de semi-conducteur dopée 110 destinée à être en contact avec la deuxième électrode 128 qui sera formée. Les épaisseurs de ces deux parties 157, 159 du masque 156 sont choisies en fonction de la vitesse avec laquelle seront gravés les différents matériaux de l'empilement de couches. Comme représenté sur la figure 6B, une gravure de l'empilement de couches est réalisée jusqu'à un niveau de profondeur se situant dans la couche de semi-conducteur dopé n servant à former les portions 110. Cette gravure « consomme » le masque 156 sur une épaisseur égale à celle de la deuxième partie 159. Cette gravure permet de définir dans l'empilement de couches une partie des espaces dans lesquels les deuxièmes électrodes 128 seront réalisées. Cette gravure est poursuivie ensuite à travers les parties de l'empilement non recouvertes par les portions restantes du masque dur 156, ce qui permet d'achever la formation des parties supérieures 116 des structures mesa et de former également les parties inférieures 118 des structures mesa (figure 6C). Les éventuelles portions restantes du masque dur 156 sont ensuite supprimées, puis les portions diélectriques 122 sont réalisées sur les flancs latéraux des structures mesa précédemment gravées dans l'empilement de couches (figure 6D). Les portions diélectriques 122 sont par exemple réalisées par un dépôt de type PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) ou ALD (dépôt de couche atomique) selon le matériau déposé. Ce dépôt de matériau diélectrique est réalisé sur les flancs latéraux des structures mesa, mais également sur et entre les structures mesa. Seules les portions de ce dépôt recouvrant les flancs latéraux sont conservées en réalisant, après le dépôt, une gravure, par exemple de type RIE (gravure ionique réactive), des parties du matériau diélectrique déposées sur et entre les structures mesa. Comme représenté sur la figure 6E, un dépôt pleine plaque d'un matériau électriquement conducteur 158 est ensuite mis en oeuvre tel que les espaces entre les structures mesa des diodes 102 soient remplis de ce matériau électriquement conducteur. Le matériau électriquement conducteur déposé recouvre également les structures mesa compte tenu du dépôt pleine plaque réalisé. Une planarisation mécano-chimique est ensuite mise en oeuvre avec arrêt au niveau des faces supérieures des portions diélectriques 122 afin de supprimer les parties du matériau électriquement conducteur 158 recouvrant les structures mesa. Le matériau électriquement conducteur restant forme les deuxièmes électrodes 128, c'est-à-dire les cathodes des diodes 102 (figure 6F). Du fait que la vitesse d'abrasion du métal formant les électrodes 114 et 128 est supérieure à celle du matériau diélectrique des portions 122, cette étape de CMP peut former des légers creux au niveau des électrodes 114 et 128 par rapport aux faces supérieures des portions diélectriques 122, comme précédemment décrit. La face supérieure obtenue reste toutefois sensiblement plane et bien adaptée pour réaliser une hybridation ultérieure par exemple par collage direct. Comme représenté sur la figure 6G, une couche diélectrique 161 est ensuite déposée sur l'ensemble précédemment réalisé. Une lithographie et une gravure sont ensuite mise en oeuvre afin de définir les éléments diélectriques 134 de la future structure de connexion 132, et des cavités, entre ces éléments diélectriques 134, définissant les emplacements des futurs éléments électriquement conducteurs de la structure de connexion 132 (figure 6H). Le motif de cette lithographie est notamment choisi en fonction des connexions électriques souhaitées pour les diodes 102 (mise en série, connexions individuelles de chaque électrode, etc.). Un autre dépôt pleine plaque d'au moins un matériau électriquement conducteur 160 est réalisé (figure 61). Ce dépôt de matériau électriquement conducteur peut par exemple correspondre à la mise en oeuvre d'un premier de dépôt de titane sur une épaisseur d'environ 10 nm, puis un second dépôt d'aluminium sur une épaisseur d'environ 3 um. Ce ou ces matériaux électriquement conducteurs remplissent notamment les espaces entre les éléments diélectriques 134. Une planarisation mécano-chimique est réalisée avec arrêt sur les éléments diélectrique 134, définissant ainsi les éléments électriquement conducteurs 150 reliés aux anodes et aux cathodes des diodes 102, ainsi que les éléments électriquement conducteurs 152 formant les plots de contact de la structure de connexion 132. Sur l'exemple de la figure 6J, les éléments électriquement conducteurs relient en série les diodes 102. Le dispositif électronique 100 ainsi obtenu correspond à celui précédemment décrit en liaison avec la figure 2. Comme représenté sur la figure 6K, il est possible de compléter la structure de connexion 132 en réalisant un dépôt de diélectrique 162 recouvrant les éléments électriquement conducteurs 150, suivie d'une gravure de ce diélectrique au niveau des éléments électriquement conducteurs 152 destinés à former les plots d'accès du dispositif 100, puis en déposant un métal pour prolonger ces plots d'accès à côté du dépôt diélectrique 162. Ainsi, les éléments électriquement conducteurs 150 formant les connexions entre les diodes 102 du dispositif 100 ne sont pas accessibles depuis l'extérieur du dispositif 100. Seuls les plots de contacts électriques 164 sont accessibles depuis l'extérieur du dispositif 100. 10 REVENDICATIONS1. Diode (102) de structure mena comportant au moins : - une première (108) et une deuxième (110) portions de semi- conducteur dopées formant une jonction p-n et telles qu'une première partie (117) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) disposée entre une deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) et la première portion de semi-conducteur dopée (108) forme un décrochement par rapport à la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110), - une première électrode (114) reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur dopée (108), et une deuxième électrode (128) reliée électriquement à la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) au niveau d'une face supérieure (126) de la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110), - des portions diélectriques (122) recouvrant des flancs latéraux de la première portion de semi-conducteur dopée (108), de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) et de la première électrode (114), et dans lequel des faces supérieures de la première électrode (114), de la deuxième électrode (128) et des portions diélectriques (122) forment une surface continue sensiblement plane (130). 2. Diode (102) selon la revendication 1, dans laquelle la première électrode (114), la première portion de semi-conducteur dopée (108), la première partie (117) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) et la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) ont chacune une section, dans un plan parallèle à une interface entre la première (117) et la deuxième (119) parties de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110), de forme rectangulaire. 3. Diode (102) selon la revendication 2, dans laquelle une dimension d'un côté de la section de la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) est supérieure à celle d'un côté de la section de la première partie (117) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) parallèle au dit côté de la section de la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110). 4. Diode (102) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la diode (102) est une photodiode ou une LED. 5. Diode (102) selon la revendication 4, dans laquelle la photodiode (102) comporte au moins une portion de semi-conducteur intrinsèque (106) disposée entre la première (108) et la deuxième (110) portions de semi-conducteur dopées et telle que des flancs latéraux de la portion de semi- conducteur intrinsèque soient recouverts par les portions diélectriques (112), ou dans laquelle la LED (102) comporte au moins une zone active émissive (106) à au moins un puits quantique disposée entre la première (108) et la deuxième (110) portions de semi-conducteur dopées et telle que des flancs latéraux de la zone active émissive (106) soient recouverts par les portions diélectriques (122). 6. Dispositif électronique (100) comportant plusieurs diodes (102) selon l'une des revendications précédentes, et dans lequel les faces supérieures des premières électrodes (114), des deuxièmes électrodes (128) et des portions diélectriques (122) desdites diodes (102) forment ensemble la surface continue sensiblement plane (130). 7. Dispositif électronique (100) selon la revendication 6, dans lequel chacune des deuxièmes électrodes (128) est en contact avec au moins l'une des portions diélectriques (122) d'une diode (102) voisine. 8. Dispositif électronique (100) selon l'une des revendications 6 ou 7, comportant en outre une structure de connexion (132) des diodes (102) disposée sur les faces supérieures des premières électrodes (114), des deuxièmes électrodes (128) et des portions diélectriques (122), la structure de connexion (132) comportant au moins des éléments électriquement conducteurs (136, 138, 150) reliés électriquement aux premières (114) et/ou aux deuxièmes (128) électrodes des diodes (102) et isolés électriquement les uns des autres par des éléments diélectriques (134). 9. Dispositif électronique (100) selon la revendication 8, dans lequel une face supérieure (140) de la structure de connexion (132) forme une surface continue plane. 10. Dispositif électronique (100) selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel au moins une partie des diodes (102) sont reliées électriquement en série les unes aux autres par au moins une partie des éléments électriquement conducteurs (150) de la structure de connexion (132), chacun desdits éléments électriquement conducteurs (150) reliant électriquement une deuxième électrode (128) d'une desdites diodes (102) à une première électrode (114) d'une autre desdites diodes (102). 11. Dispositif électronique (100) selon la revendication 8 ou 9, dans lequel chaque élément électriquement conducteur (136, 138) de la structure de connexion (132) forme un plot de connexion relié électriquement à une seule électrode (114, 128) d'une des diodes (102), le dispositif électronique(100) comportant en outre un substrat (142) hybridé sur la structure de connexion (132) et comportant des moyens aptes à former des liaisons électrique (148) entre les éléments électriquement conducteurs (136, 138) de la structure de connexion (132). 12. Procédé de réalisation d'une diode (102) de structure mena, comportant au moins les étapes de : - réalisation d'un empilement de couches comprenant au moins une première couche de semi-conducteur dopée (108) disposée entre une deuxième couche de semi-conducteur dopée (110) et une couche électriquement conductrice (114), - gravure de l'empilement de couches, réalisant une première (108) et une deuxième (110) portions de semi-conducteur dopées formant une jonction p-n, la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) comportant une première partie (117) disposée entre une deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) et la première portion de semi-conducteur dopée (108) et formant un décrochement par rapport à la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110), et réalisant une première électrode (114) reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur dopée (108), - réalisation de portions diélectriques (122) recouvrant des flancs latéraux de la première portion de semi-conducteur dopée (108), de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) et de la première électrode (114), - dépôt d'au moins un matériau électriquement conducteur (158) en contact avec une face supérieure (126) de la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110), - planarisation du matériau électriquement conducteur (158) avec arrêt sur la première électrode (114), formant une deuxième électrode (128)reliée électriquement à la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) et telle que des faces supérieures de la première électrode (114), de la deuxième électrode (128) et des portions diélectriques (122) forment une surface continue sensiblement plane (130). 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la gravure de l'empilement de couches est mise en oeuvre avec un masque (156) disposé sur l'empilement de couches et comportant, en regard de la première partie (117) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110), une première partie (157) d'épaisseur supérieure à celle d'une deuxième partie (159) du masque (156) disposée en regard de la face supérieure (126) de la deuxième partie (119) de la deuxième portion de semi-conducteur dopée (110) destinée à être en contact avec la deuxième électrode (128). 14. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique (100), comportant la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, dans lequel les étapes mises en oeuvre forment plusieurs diodes (102) de structure mesa dont les faces supérieures des premières électrodes (114), des deuxièmes électrodes (128) et des portions diélectriques (122) forment ensemble la surface continue sensiblement plane (130). 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le matériau électriquement conducteur (158) est déposé entre les structures mesa des diodes (102) et en contact avec les portions diélectriques (122) desdites diodes (102). 16. Procédé selon l'une des revendications 14 ou 15, comportant en outre, après l'étape de planarisation du matériau électriquement conducteur (158), la réalisation d'une structure de connexion (132) des diodes (102) sur les faces supérieures des premières électrodes (114), des deuxièmesélectrodes (128) et des portions diélectriques (122), la structure de connexion (132) comportant au moins des éléments électriquement conducteurs (136, 138, 150) reliés électriquement aux premières (114) et/ou aux deuxièmes (128) électrodes des diodes (102) et isolés électriquement les uns des autres par des éléments diélectriques (134).10