Brevet FR3017241A1 — publié le 20150807

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne en général les techniques de gravure sèche utilisées en microélectronique et porte plus particulièrement sur l'amélioration de la précision de ce type de gravure réalisée à partir de plasmas. ÉTAT DE LA TECHNIQUE La réduction constante des dimensions des motifs qu'il faut pouvoir graver pour réaliser des circuits intégrés toujours plus denses n'a pu être soutenue qu'en améliorant constamment les techniques de photolithographie et de gravure des couches de matériaux employés pour réaliser les circuits intégrés électroniques ainsi que toutes sortes d'autres dispositifs de tailles micrométriques voire nanométriques combinant dispositifs optiques et mécaniques. Après avoir longtemps utilisé des gravures dites « humides » où l'on procède à l'immersion des substrats à graver dans une solution appropriée, capable de réagir chimiquement avec le matériau à graver et de le dissoudre, l'industrie de la microélectronique a depuis de nombreuses années désormais recours à des gravures dites « sèches ». Celles-ci sont effectuées par bombardement ionique de la cible à graver à l'aide d'un plasma formé dans une chambre de gravure. Le bombardement des ions étant essentiellement perpendiculaire aux surfaces à graver il y a alors, dans des conditions optimales de mise en oeuvre, peu ou pas d'attaque latérale des matériaux à graver et on peut atteindre plus facilement les dimensions critiques (CD) des dispositifs à produire. L'avantage principal de ce type de gravure est qu'il peut donc être fortement anisotrope. Toutefois, la gravure plasma doit pouvoir relever des défis toujours plus difficiles pour faire face à l'introduction des nouvelles familles où « noeuds » technologiques notamment au-delà de celui dit de « 22 nm ». La réalisation de motifs de l'ordre de la dizaine de nanomètres (nm) pose en effet alors le problème de la précision intrinsèque de gravure que l'on peut obtenir à partir d'un plasma. La difficulté principale est celle de la sélectivité de la gravure à la frontière entre les couches de matériaux différents dont sont constitués les dispositifs à produire. Ceci est illustré sur la figure 1 qui montre la couche superficielle 110 d'un matériau 100 qui est en cours de gravure et dont la structure atomique est fortement perturbée par le bombardement 120 des ions du plasma à partir de sa surface 101 La gravure à partir d'un plasma est en effet caractérisée par le fait qu'il est en général avantageux de communiquer aux ions venant bombarder la cible une énergie importante afin d'obtenir une vitesse de gravure élevée et donc des temps de gravure faibles compatibles avec les critères de mise en oeuvre d'un procédé industriel de fabrication. Cependant, cette énergie importante se traduit par l'obtention d'une couche perturbée 110, qualifiée de couche réactive, qui est elle-même d'épaisseur importante relativement aux précisions de gravure qu'il est souhaitable d'obtenir aux niveaux d'intégration considérés, c'est-à-dire pour les noeuds technologiques au-delà de celui de 22 nm. Cette couche réactive 110 fait habituellement plusieurs nanomètres d'épaisseur et peut s'étendre jusqu'à une dizaine de nanomètres. Les figures 2a à 2e illustrent les problèmes qui se posent alors pour la gravure plasma des composants électroniques de dimensions décananométriques, essentiellement des transistors de type MOSFET, acronyme de l'anglais « metal-oxide-semiconductor field effect transistor » c'est-à-dire « transistor à effet de champs de type métal-oxyde- semiconducteur » qui composent pour l'essentiel les circuits intégrés et autres dispositifs produits par l'industrie de la microélectronique. La figure 2a illustre le problème qui se pose plus spécifiquement lors de la réalisation de transistors MOSFET plan de type FDSOI, acronyme de l'anglais faisant référence à un procédé technologique très largement utilisé où l'on réalise les transistors avec des canaux de conduction qui peuvent être complètement désertés de leurs porteurs ou « fully depleted » (FD). Pour obtenir ce résultat on part alors de substrats élaborés de type silicium sur isolant ou « silicon on insulator » (SOI) à la surface desquels les transistors sont réalisés à partir d'une fine couche de silicium monocristallin 210. La gravure plasma 120 des électrodes de grille des transistors FDSOI est particulièrement délicate. Le ou les matériaux 100 formant la grille 220 doivent être gravés de part et d'autre d'un masque dit « masque dur » 230 définissant leur géométrie horizontale. La gravure doit pouvoir s'arrêter précisément dans ce cas sur une mince couche d'oxyde 240, de l'ordre du nanomètre voire d'épaisseur inférieure, qui a été formée sur la couche monocristalline 210 et sans endommager cette dernière. Il est en effet particulièrement important pour les étapes suivantes de ne pas perturber la structure monocristalline de la couche 210 exposée à la gravure et d'en laisser une épaisseur suffisante. La figure 2b illustre un autre problème qui se pose pour la gravure plasma lors de la réalisation d'un autre type de transistors MOSFET dont la structure tridimensionnelle (3D) 200 a été développée plus particulièrement pour les noeuds technologiques décananométriques. Ces transistors sont qualifiés de « FinFET » acronyme de l'anglais faisant référence à la structure de leur canal de conduction 260 qui à la forme d'une nageoire verticale ou « fin ». Dans ce cas, un problème se pose notamment lors de la gravure de la grille d'une part 290 et des espaceurs d'autre part. Lors de la gravure de la grille qui doit être parfaitement anisotrope, la gravure doit s'arrêter au sommet du FIN tout en se poursuivant jusqu'au substrat de silicium. Lorsque la gravure atteint la base de la structure, l'enlèvement complet des résidus au coin des structures peut exiger un temps de surgravure très long (70-100%) pendant lequel le somment du FIN n'est protégé que par une couche d'oxyde très mince. On doit ensuite former les « espaceurs » 250 de part et d'autre de la grille. Tout comme la gravure de la grille, la gravure des espaceurs requière un procédé de gravure directionnel qui doit minimiser la gravure latérale de l'espaceur sans endommager le sommet du FIN. Des temps de surgravure très longs (entre 200 et 400%) sont également requis pour enlever les résidus de nitrure au pied du FIN. Le risque d'endommagement du sommet du FIN est réel. Le problème pour la réalisation de cette structure tridimensionnelle est de ne pas endommager la forme géométrique rectangulaire, et en particulier les coins 280, du FIN sous peine d'affecter sérieusement les performances de ce type de transistors dont les caractéristiques et le comportement électriques sont directement liés à la forme du canal et de la grille 290 qui l'entoure. Les arêtes des « fins » doivent également former des angles qui soient les plus droits possible avec la couche sur laquelle ces « fins » reposent, typiquement la couche de silicium. Les figures 2c à 2d illustrent les effets très indésirables d'une couche réactive 110 d'une épaisseur largement supérieure à celle de la mince couche d'oxyde 240 qui idéalement doit pouvoir servir d'arrêt à la gravure. Ces figures montrent la progression 122 de la couche réactive 110 dans le matériau à graver 100. Par souci de clarté, la couche réactive 110 est représentée sur les figures 2c à 2d par une texture représentant une structure atomique perturbée. Les dimensions respectives des différentes couches ne sont évidemment par respectées sur ces figures. La couche réactive 110, comme montré dans la figure 2d, va jusqu'à 10 atteindre la couche d'oxyde 240 puis passer à travers, comme montré dans la figure 2e provoquant ainsi une gravure 212 indésirable de la couche sous-jacente 210 de silicium monocristallin. La figure 3 est une photo prise au microscope électronique d'une coupe d'un transistor de type FDSOI gravé dans les conditions ci-dessus et qui illustre 15 les problèmes posés par une gravure plasma standard. On retrouve sur cette photo la mince couche superficielle 210 de silicium monocristallin dans laquelle on peut observer un retrait 212 très significatif de cette couche résultant de la gravure de l'électrode de grille 220. Le retrait a été provoqué ici par la gravure anisotrope d'espaceurs de grille 250 qui sont traditionnellement faits de nitrure 20 de silicium et sont restés en place sur les flancs de la grille. Pour pallier les effets indésirables d'une couche réactive trop importante qui se forme dans le matériau à graver placé dans un plasma de gravure standard il faut donc pouvoir réduire très sensiblement l'épaisseur de 25 celle-ci tout en essayant de ne pas affecter trop lourdement les autres paramètres de la gravure, tels que l'anisotropie, la précision et le temps de gravure. Les figures 4a et 4b fixent un exemple d'objectif de réduction d'épaisseur de la couche réactive qu'il faut viser pour conférer au procédé de 30 gravure les propriétés nécessaires afin d'obtenir effectivement une précision suffisante de gravure pour les noeuds technologiques décamétriques au-delà de celui actuellement en production c'est-à-dire celui de 22 nm. La figure 4a montre l'épaisseur de la couche réactive 110 formée à la surface du silicium que l'on obtient de façon standard sous un faible bombardement d'ions. Elle est dans cet exemple de 3,5 nm et est obtenue en communiquant aux ions une énergie comprise entre 15 et 30 électrons-volts (eV) typiquement dans un plasma de type ICP, acronyme de l'anglais « inductively coupled plasma » c'est-à-dire « plasma à couplage inductif », dans lequel c'est une bobine d'induction entourant la chambre de gravure qui entretien le plasma. Ce résultat est de plus obtenu en n'appliquant pas de tension de polarisation ou « bias » à la plaque de silicium sur laquelle les dispositifs sont élaborés. Pour atteindre cet objectif il faut, comme montré sur la figure 4b, réduire très sensiblement la couche réactive 110 jusqu'à une épaisseur qui n'excède pas 1 nm. C'est dans ces conditions que l'on peut obtenir une gravure de précision dite atomique, dans laquelle seules quelques couches matériau à graver sont perturbées par la formation d'une couche réactive. Il faut aussi simultanément être capable de maintenir un déplacement du front de gravure, et donc une vitesse de gravure, compatible avec la mise en oeuvre d'un procédé industriel dans une ligne de fabrication. Plusieurs solutions ont été envisagées pour graver une couche très mince. Afin de pratiquer une gravure atomique il existe un procédé de gravure bien connu de l'homme du métier dénommé ALET, acronyme de l'anglais « atomic layer etching » c'est-à-dire « gravure d'un matériau couche par couche » où l'on répète des cycles de gravure qui sont auto limitatifs et n'enlèvent, à chaque cycle, qu'une seule couche atomique. Un tel procédé de gravure est par exemple décrit dans un article en anglais publié en 1996 dans le « Journal of American Vacuum Society » intitulé « Realization of atomic layer etching of silicon » (J. Vac. Sci. Technol. B 14(6), Nov/Dec 1996). Chaque cycle peut comprendre jusqu'à quatre étapes au cours desquelles on introduit tout d'abord dans la chambre de gravure, sous forme gazeuse, un réactif d'adsorption. Par exemple, pour la gravure du silicium on introduit du chlore (Cl). On purge ensuite le chlore en excès et on expose le réactif qui a été adsorbé à un bombardement ionique. Les produits de gravure tels que les radicaux silicium-chlore (SiCI) sont ensuite évacués après quoi on peut répéter le cycle ci-dessus. Une telle technique qui est essentiellement pratiquée en laboratoire et pour le développement de nouveaux produits est intrinsèquement longue. Il faut typiquement 150 secondes pour accomplir chaque cycle. La lenteur de ce procédé fait qu'il n'est pas employé industriellement. Pour pratiquer une gravure atomique il est aussi possible d'utiliser un plasma à faible « température électronique » c'est-à-dire un plasma dans lequel la température des électrons est de l'ordre de 0.5 eV. Dans ce type de plasma les ions qui bombardent la surface à graver acquièrent une énergie de l'ordre de seulement 5 eV ou moins ce qui permet de limiter la couche réactive à une très faible épaisseur. Cependant, ce type de plasma à faible température électronique procédé présente deux inconvénients sérieux. Le premier est que les ions à faible énergie peuvent se déposer et former des polymères. L'autre inconvénient est que la directionnalité des ions à faible énergie est moins grande. La gravure n'est plus aussi anisotrope qu'avec des ions à forte énergie et il devient alors difficile de respecter les dimensions critiques (CD) des transistors de taille décananométrique. La gravure dans un plasma à faible température électronique n'est donc pas considérée comme une solution qui est industriellement viable à ce niveau d'intégration. Des plasmas dits pulsés sont également connus qui permettent d'obtenir comme souhaité une couche réactive d'épaisseur faible, inférieure à 1 nm. Dans ce type de plasma on n'applique pas non plus de polarisation à la cible, c'est-à-dire au substrat ou à la tranche à graver, et on pulse la source avec un rapport cyclique faible. Le plasma est donc allumé (temps « ON ») et éteint (temps « OFF ») à une fréquence rapide (comprise entre quelques centaines de Hz et quelques kHz). Le rapport des durées entre les temps ON et OFF est le rapport cyclique. Un rapport cyclique de 20% signifie que le plasma est allumé pendant 20% de la durée de la période. Dans ces conditions l'énergie communiquée aux ions est plus faible que lorsque le plasma fonctionne en mode continu, cependant la vitesse de gravure devient aussi très faible et ne répond pas aux objectifs industriels Typiquement, il faut alors dans ces conditions des dizaines voire des centaines secondes pour graver par exemple 1 nm de silicium polycristallin. Comme décrits ci-dessus, les solutions connues pour effectuer des gravures en contrôlant de manière très précise l'arrêt de la gravure présentent toutes des inconvénients. La présente invention a donc pour objectif de décrire un procédé de gravure qui pallie au moins en partie les inconvénients des procédés connus permettant de réaliser des gravures précises. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une séquence d'étapes 15 comprenant au moins: une étape de formation d'une couche réactive comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s), le plasma de gaz réactif(s) formant avec la couche à graver une couche réactive qui pénètre dans la couche à graver au fur et à mesure de la gravure de la 20 couche à graver ; et dans lequel l'injection d'au moins un gaz réactif est interrompue avant une durée déterminée d'injection à l'issue de laquelle la couche réactive aurait atteint une épaisseur stationnaire dans le temps, de manière à ce qu'à l'issue de l'injection d'au moins un gaz réactif l'épaisseur de la couche réactive est alors inférieure à ladite épaisseur stationnaire dans le 25 temps. De préférence, la séquence d'étapes comprend au moins une étape de retrait de la couche réactive, l'étape de retrait comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer uniquement la couche réactive. 30 Ainsi, l'étape de gravure comprend l'injection dans le réacteur de gravure d'au moins un gaz réactif pendant une durée déterminée par opposition aux procédés de l'état de la technique où le gaz réactif est injecté de manière continue dans le réacteur de gravure. Dans les procédés de l'état de la technique, et donc lorsque le gaz est injecté de manière continue dans le réacteur, la couche réactive atteint après un temps déterminé une épaisseur stationnaire qui pilote le procédé de gravure. Dans ces procédés de gravure avec injection continue des gaz, l'épaisseur stationnaire atteinte par la couche réactive et le temps au bout duquel cette épaisseur stationnaire est atteinte dépend des paramètres du plasma. Lorsque l'injection du gaz réactif est limitée dans le temps, l'épaisseur de la couche réactive peut être contrôlée et son épaisseur plus faible que l'épaisseur atteinte en régime stationnaire lorsque le gaz est injecté de manière continue. Pour minimiser l'épaisseur de la couche réactive, l'injection du gaz réactif doit donc être interrompue avant que la couche réactive atteigne son épaisseur stationnaire lorsque le gaz réactif est injecté de manière continue. L'épaisseur stationnaire est typiquement l'épaisseur maximale de la couche réactive lorsque le ou les gaz réactifs sont injectés de manière continue, soit typiquement lorsqu'ils sont injectés plusieurs secondes ou plusieurs minutes. L'étape de formation de la couche réactive est effectuée suivant des paramètres qui auraient permis à la couche réactive d'atteindre, à l'issue de la durée déterminée d'injection du gaz réactif, une épaisseur stationnaire dans le temps. L'utilisation d'un gaz neutre permet de pulvériser physiquement la couche réactive formée lors de l'étape précédente sans continuer à alimenter la formation de la couche réactive. Ainsi, l'invention permet de contrôler la dynamique de formation de la couche réactive. La formation de cette couche est stoppée avant qu'elle n'atteigne l'épaisseur stationnaire qu'elle atteindrait si le gaz réactif était injecté de manière continue. L'invention permet ainsi de contrôler de manière très précise l'épaisseur de la couche réactive et donc l'arrêt de la gravure. Par conséquent, l'invention permet d'améliorer la précision de la gravure. Typiquement, l'invention permet de contrôler la gravure avec une précision atomique et d'arrêter la gravure sur des couches extrêmement fines, d'épaisseurs inférieures à 1 nm sans endommager les couches sous-jacentes. Ainsi lorsque la gravure s'effectue avec une couche d'arrêt, l'épaisseur de la couche réactive est contrôlée de manière à ce que son épaisseur reste inférieure ou égale à une épaisseur au-delà de laquelle elle traverse la couche d'arrêt et perturbe la couche sous-jacente. Par ailleurs, l'invention permet de conserver la forte anisotropie de la gravure plasma. En outre, elle peut présenter une vitesse de gravure compatible avec une application industrielle, par exemple si la vitesse de gravure atteinte pendant l'étape où les gaz réactifs sont injectés est élevée et si la fréquence des cycles d'injection gaz réactif/gaz neutre est rapide. Selon un autre mode de réalisation, l'invention prévoit un procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une étape de formation d'une couche réactive, cette étape comprenant l'injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s) apte à graver la couche à graver, caractérisé en ce que l'injection de l'au moins un gaz réactif est effectuée pendant une durée inférieure à 1000 millisecondes, de préférence inférieure à 500 millisecondes, de préférence inférieure à 200 millisecondes et de préférence inférieure à 100 millisecondes. Le procédé comprend de préférence au moins une étape de retrait de la couche réactive, l'étape de retrait comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer la couche réactive. L'étape de retrait est de préférence effectuée en partie au moins après l'étape de formation de la couche réactive. Selon encore un autre mode de réalisation, l'invention prévoit un procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une étape d'injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s) apte à graver la couche à graver, caractérisé en ce que l'injection du au moins un gaz réactif est effectuée pendant une durée inférieure à 1 seconde, de préférence inférieure à 500, de préférence inférieure à 200 millisecondes et de préférence inférieure à 100 millisecondes. Le procédé comprend au moins une étape de retrait, de préférence effectuée après l'étape de gravure, comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s). De préférence, l'injection du gaz neutre est effectuée pendant une durée inférieure à 500 millisecondes et de préférence inférieure à 100 millisecondes. De manière facultative, l'invention peut en outre présenter au moins l'une quelconque des étapes et caractéristiques suivantes qui peuvent être considérées séparément ou en combinaison: - Avantageusement, la durée d'injection du gaz réactif est comprise entre 50 à 1000 ms et de préférence entre 50 à 500 ms. - Avantageusement, la durée d'injection du gaz réactif est interrompue lorsque la couche réactive présente une épaisseur comprise entre 0.5 et 2 nm et de préférence entre 0.5 et 1nm et de préférence inférieure à 1nm et plus généralement inférieure à 2nm. - Selon un mode de réalisation, la couche à graver est sur une couche d'arrêt et la durée d'injection du gaz réactif doit être évaluée pour que la couche réactive présente une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la couche d'arrêt. La durée d'injection du gaz réactif est interrompue avant que la couche réactive ne présente une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la couche d'arrêt. - Avantageusement, la durée d'injection du gaz neutre est inférieure à 1 seconde, de préférence inférieure à 500 millisecondes et est de préférence comprise entre 50 ms à 200 ms. Selon un mode de réalisation, la durée d'injection du gaz neutre est comprise entre 50 ms et 500 ms et de préférence comprise entre 100 à 500 ms. Ainsi la durée du plasma de gaz neutre(s) est comprise dans ces intervalles. - Selon un mode de réalisation, au cours de l'étape de formation d'une couche réactive on règle au moins l'un des paramètres suivants de manière à contrôler la formation de la couche réactive: la durée d'injection du gaz réactif et l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz réactif(s). Les autres paramètres du plasma et la chimie de gravure restant identiques aux conditions utilisés pour le procédé fonctionnant avec une injection des gaz de gravure en continu. - De préférence, au cours de l'étape de gravure on règle au moins l'un des paramètres de gravure suivants de manière à contrôler la formation de la couche réactive: la durée d'injection du gaz réactif, la pression du plasma, les débits des gaz réactifs, la densité du plasma de gaz réactif(s) (en ajustant la puissance R.F injectée dans le plasma), l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz réactif(s) (en ajustant la puissance de polarisation appliquée au porte-substrat). De préférence, au cours de l'étape de gravure lesdits paramètres de gravure sont de préférence maintenus identiques aux paramètres conventionnels pour graver le matériau. De préférence, l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz réactif(s) lors de l'étape d'injection du gaz réactif est inférieure à 100eV et de préférence inférieure à 50eV et de préférence inférieure à 25eV et la densité du plasma de gaz réactif(s) est comprise entre 1010 et 5.1011 ions/cm3 et de préférence entre 1010 et 1011 ions/cm3. Ces valeurs de la densité des ions et de l'énergie des ions devraient permettre de minimiser l'épaisseur de la couche réactive formée lors de la première étape et de maintenir son épaisseur inférieure à une valeur de l'ordre de 1 nm. Si les résultats obtenus montrent que la couche réactive est trop épaisse (consommation excessive d'une sous couche par exemple ou consommation du substrat en cas d'arrêt de la gravure sur un substrat ou consommation excessive d'une couche d'arrêt à la gravure), les paramètres du plasma pourront être modifiés ou le temps d'injection du gaz réactif réduit. - Avantageusement, au cours de l'étape de retrait de la couche réactive on règle au moins l'un des paramètres suivants de manière à retirer la couche réactive sans retirer la couche à graver non modifiée lors de l'étape d'injection du gaz réactif: la durée d'injection du ou des gaz neutre(s), la densité du plasma de gaz neutre(s), l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s). L'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s) est réglée de manière à ne pas pulvériser le matériau de la couche à graver ni le modifier. De manière plus générale, les paramètres de l'injection du gaz neutre sont déterminés de manière à ne pas modifier le matériau sous la couche réactive formée pendant l'étape de formation de la couche réactive (donc le matériau qui n'a pas été modifié lors de la l'étape d'injection du gaz réactif). Ainsi, le gaz neutre ne grave pas le matériau à graver. Le gaz neutre ne réagit pas chimiquement avec le matériau à graver. De préférence, l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre est inférieure à 500eV et de préférence inférieure à 100eV et de préférence inférieure à 50eV et de préférence inférieure à 30eV et de préférence inférieur à 25eV. - le plasma de gaz neutre formé lors de l'étape de retrait de la couche réactive est avantageusement continu pour pulvériser la couche réactive plus vite. En mode continu, l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s) est inférieure à 50eV, de préférence inférieure à 30eV et de préférence inférieure à 25eV. Cela permet de pulvériser la couche réactive sans endommager la couche sous-jacente. Alternativement, le plasma de gaz neutre est pulsé (puissance source d'excitation du plasma et puissance de polarisation du substrat peuvent être pulsées de manière synchronisée). - Selon un mode de réalisation, le plasma de gaz neutre(s) formé lors de l'étape de retrait de la couche réactive est un plasma pulsé et l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s) est inférieure à 50eV et de préférence inférieure à 25eV. - Selon un mode de réalisation particulier, on applique une polarisation radiofréquence (RF) au substrat sur lequel la couche à graver repose. Cela permet d'accélérer le retrait de la couche réactive en communiquant de l'énergie aux ions qui bombardent le substrat. La puissance de polarisation est avantageusement comprise entre 0 et 500W, de préférence entre 0 et 100W et de préférence entre 0 et 20W. - Avantageusement, au cours de l'étape de retrait de la couche réactive on injecte uniquement un gaz neutre ou un mélange contenant uniquement des gaz neutres. - Selon un mode de réalisation particulier, au cours de l'étape de formation de la couche réactive on injecte un gaz neutre ou un mélange de gaz neutres en plus du gaz réactif. On peut en effet injecter un mélange de gaz neutre lors de l'injection du gaz réactif. On laisse ainsi un flux de gaz neutre continu dans le réacteur et on ne pulse que l'injection du gaz réactif dans le plasma. - Selon un mode de réalisation, ladite étape de retrait comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre est effectuée en continue et simultanément à une pluralité desdites injections d'au moins un gaz réactif. Ainsi, le ou les gaz réactif est injecté de manière pulsée ou discontinue et le ou les gaz neutres est injecté de manière continue. Alternativement, le ou les gaz réactif est injecté de manière pulsée ou discontinue et le ou les gaz neutres est injecté de manière pulsée ou discontinue. De préférence, on alterne alors l'injection de gaz réactif et neutre. - Le gaz réactif est apte à graver le matériau dans un réacteur plasma. Selon un mode de réalisation particulier, le gaz réactif est pris parmi l'ensemble des gaz réactifs ou mélange de gaz réactifs qui permettent de graver le matériau que l'on souhaite graver. Cette sélection est absolument identique à un procédé de gravure ou les gaz sont injectés de manière continue dans la chambre de gravure. Autrement dit, toute la connaissance dans le domaine de la gravure plasma est applicable, le couple gaz de gravure/matériau à graver est inchangé. Le paramètre qui est avantageusement changé dans le cadre de l'invention est le temps d'injection du gaz réactif dans le réacteur par rapport à la situation où il est typiquement injecté en continu. - Selon un mode de réalisation, le gaz réactif est pris parmi le chlore C12, le HBr, le SF6, le NF3, SiCI4, BCI3, H2, SiF4, 02, HCI, HI, CH2F2, CHF3 Ar ou un mélange de ces gaz pour les procédés front end. - Selon un mode de réalisation, le gaz réactif est pris parmi le CF4, le CHF3, le CH3F, le C4F8, le CH2F2, le C4F6, le C5F6, l'Ar, 1'02, l'He ou tout autre gaz réactif utilisé pour la gravure des diélectriques. - Selon un mode de réalisation, le gaz neutre est un gaz rare ou un mélange de gaz rares. - Selon un mode de réalisation, le gaz neutre est de l'argon (Ar), du 25 xénon (Xe) ou un mélange de ces gaz. - Selon un mode de réalisation particulier, la couche à graver est en matériau semi-conducteur ou un métal ou un matériau diélectrique à forte permittivité ou n'importe quel couche de matériau comprise dans un empilement de matériaux complexes impliqués dans l'élaboration des 30 transistors ou interconnections qui permettent de réaliser un dispositif microélectronique. Ce concept d'injection des gaz pendant une durée contrôlée (injection de gaz pulsée) est très général et peut s'appliquer à n'importe quel procédé de gravure par plasma de n'importe quel matériau. Dans certains cas, pulser les gaz réactifs n'aura pas d'intérêt alors que dans d'autres cas et en particulier lorsque la précision de la gravure doit être contrôlée au nm prêt, contrôler le temps d'injection du gaz réactif sera nécessaire. De préférence, la couche à graver est en matériau semi-conducteur pris parmi : le silicium (Si), le germanium (Ge) ou le silicium-germanium (SiGe) ou InGaAs, ou le graphene, ou le MoS2 ou une couche minces à base de matériaux III-V ou une couche métallique ou une couche de matériaux diélectriques poreux. La couche à graver peut également être un métal pris parmi le Ti, Ta, TaN, TiN, W, Cu ou n'importe quel métal pouvant être impliqué dans un dispositif microélectronique. La couche à graver peut être un matériau diélectrique à forte permittivité comme Hf02, A1203, HfSiON, ZrO2, Y203 etc... La couche à graver peut également être un oxyde, ou un nitrure ou un oxynitrure ou un matériau diélectrique à faible permittivité ou encore un matériau polymère comme une résine photosensible (résine 193 nm ou résine EUV). L'ensemble des couches mentionnées ci-dessus peuvent être des couches minces planes ou déposées sur des structures complexes en trois dimensions. - Selon un mode de réalisation, la couche à graver est une couche d'un transistor MOSFET. - Selon un mode de réalisation, on effectue plusieurs fois ladite séquence 20 d'étapes. - Selon un mode de réalisation, le gaz réactif et/ou le gaz neutre est différent entre au moins deux séquence d'étapes. - Avantageusement, les étapes d'injection du gaz réactif de la couche à graver et de retrait de la couche réactive sont effectuées dans le même 25 réacteur plasma, ce qui simplifie le procédé. - Le réacteur plasma est un réacteur plasma standard. Avantageusement, l'invention ne requiert pas un réacteur plasma spécifique mais un panneau de gaz spécifique permettant d'injecter les gaz pendant les durées appropriées (permettant de pulser l'injection des gaz dans le réacteur de 30 gravure). - Selon un mode de réalisation particulier, la couche à graver peut être plane ou déposée sur des motifs. - Avantageusement, on effectue plusieurs séquences d'étapes. Cela permet de contrôler de manière particulièrement précise la profondeur d'avancée de la couche réactive dans le matériau à graver. - Selon un mode de réalisation particulier, préalablement à la séquence d'étapes, on effectue une étape de gravure initiale, l'étape de gravure initiale comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s) initial, la durée d'injection étant supérieure à ladite durée déterminée de manière à ce que l'épaisseur de la couche réactive atteigne ladite épaisseur stationnaire dans le temps. Cela permet d'effectuer une gravure selon le mode de gravure conventionnelle où les gaz sont injectés de manière continue et donc très rapide au cours de laquelle la couche réactive présente son épaisseur maximale, puis de mettre en oeuvre la séquence d'étapes permettant de limiter l'épaisseur de la couche réactive lorsque c'est nécessaire uniquement, c'est-à-dire si le plasma doit atterrir de manière sélective sur une couche très mince d'épaisseur nanométrique. Si l'épaisseur du matériau à graver est de plusieurs dizaines de nanomètres ou de plusieurs micromètres voire plus, on pourra ainsi avantageusement effectuer cette étape d'approche permettant une gravure conventionnelle rapide dans des conditions plasma typique (sans pulser l'injection des gaz réactifs), puis, lorsque le matériau a été gravée sur son épaisseur presque complète, on met en oeuvre ladite séquence d'étapes avec injection de gaz pulsée. Dans la présente demande de brevet, l'épaisseur de la couche réactive est prise selon une direction perpendiculaire au plan principal dans lequel s'étend le du substrat c'est dire parallèle à la direction privilégiée de la gravure 25 anisotrope. Selon un autre mode de réalisation, l'invention porte sur un système pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, le système comprenant : un réacteur de gravure plasma ; un dispositif d'injection configuré pour injecter, de 30 préférence de manière alternative, au moins deux gaz dans le réacteur de gravure plasma, le dispositif d'injection étant configuré pour pouvoir injecter au moins l'un des gaz pendant une durée inférieure à 1000 millisecondes et de préférence inférieure à 500 millisecondes et de préférence inférieure à 100 millisecondes. Le système permet ainsi de former de manière pulsé un plasma de gaz réactif(s) dans le réacteur en alternance avec un plasma de gaz neutre(s). Le dispositif d'injection permet ainsi d'injecter dans le réacteur plasma un premier gaz ou un premier mélange de gaz puis d'interrompre cette injection au bout d'une durée très courte au-delà de laquelle il injecte un deuxième gaz ou un deuxième mélange de gaz pendant une durée également très courte. Le système est configuré de manière à pouvoir répéter cette séquence autant de fois que nécessaire. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : La figure 1 montre la couche superficielle d'un matériau en cours de gravure dont la structure atomique est fortement perturbée par le bombardement des ions d'un plasma. Les figures 2a à 2e illustrent les problèmes qui se posent pour la gravure plasma des composants électroniques de dimensions décananométriques. La figure 3 est une photo d'une coupe d'un transistor de type FDSOI gravé à l'aide d'une gravure plasma standard. Les figures 4a et 4b fixent l'objectif de réduction d'épaisseur de la couche réactive qu'il faut viser pour conférer au procédé de gravure de l'invention les propriétés nécessaires afin d'obtenir effectivement une précision suffisante de gravure pour les noeuds technologiques décananométriques. La figure 5 (simulation atomistique) illustre la formation de la couche réactive en fonction de la fluence dans un plasma comprenant des radicaux de Cl et des ions Cl+ pour différentes énergies de bombardement ionique. La figure 6 illustre le temps nécessaire à la formation d'une couche réactive de 1 nm en fonction du temps et de la composition du plasma de gaz réactif(s). La figure 7 décrit la séquence d'étapes du procédé de l'invention. La figure 8 illustre le cycle de répétition des étapes du procédé de gravure de l'invention. La figure 9 illustre la dynamique de croissance de la couche réactive en fonction du temps d'injection du gaz réactif et montre l'influence de l'énergie communiquée aux ions. La figure 10 illustre l'amorphisation du matériau sous jacent à celui en cours de gravure à l'arrêt de cette dernière. Les figures 11a et 11b comparent le procédé standard de gravure des espaceurs en nitrure de transistors MOSFET et le procédé de l'invention appliqué à ce cas Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les épaisseurs relatives des différentes couches ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte » ou « sous jacent » ou leurs équivalent ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par une autre couche ou un autre élément. Dans la description qui suit, les épaisseurs sont généralement mesurées selon des directions perpendiculaires au plan de la face inférieure de la couche à graver ou d'un substrat sur lequel la couche inférieure est disposée. Ainsi, les épaisseurs sont généralement prises selon une direction verticale sur les figures représentées. En revanche l'épaisseur d'une couche recouvrant un flanc d'un motif est prise selon une direction perpendiculaire à ce flanc. L'invention va maintenant être décrite plus en détail en référence aux figures 5à11b. L'invention est en partie basée sur l'observation de la dynamique de formation de la couche réactive qui est illustrée dans un premier exemple par la figure 5. On rappelle ici que la couche réactive est formée par une portion de la couche à graver qui est perturbée par la synergie entre le bombardement des ions et les radicaux du plasma de gaz réactif(s) lors de la gravure plasma. L'épaisseur et la composition de la couche réactive dépendent des paramètres d'excitation du plasma (pression, flux des gaz et nature des gaz, énergie des ions, densité du plasma, flux de photons). En première approximation, les grandeurs qui jouent un rôle dans la formation de la couche réactive sont : la densité des ions qui bombardent le substrat, l'énergie des ions qui bombardent le substrat, les flux de radicaux atomiques et moléculaires qui bombardent le substrat, le flux de photons qui bombardent le substrat et la température du substrat. La formation, l'épaisseur et la composition chimique de la couche réactive dépendent donc essentiellement des flux d'espèces qui atteignent le substrat et des synergies entre ces paramètres. Lorsqu'elle a atteint son épaisseur en régime stationnaire la couche réactive se propage dans le matériau à graver au fur et à mesure de l'avancée de la gravure. La couche réactive s'étend depuis la surface de la couche à graver et selon la direction de l'implantation. La couche réactive est une couche du matériau d'origine qui a été perturbée par le plasma de gaz réactif(s). Elle est constituée du matériau d'origine qui est « mélangé » avec les espèces réactives du plasma. Son épaisseur se mesure selon la direction privilégiée de la gravure plasma, c'est-à-dire selon la direction privilégiée du bombardement des ions. Cette direction correspond à la verticale sur les figures 2c-2e par exemple. Typiquement, l'épaisseur de la couche réactive peut dans certains cas 30 être mesurée par ellipsométrie (moyennant des modèles) ou par des analyses de surface type XPS (Spectroscopie de photoélectrons X ou encore par microscopie électronique en transmission). Dans des conditions typiques de gravure plasma la couche réactive 110 mesure habituellement plusieurs nanomètres d'épaisseur et peut s'étendre jusqu'à une dizaine de nanomètres. On observe que dans un plasma chloré ayant une densité de 5x1010 ions/cm3 et dans lequel on communique aux ions une énergie de 50 eV l'état d'équilibre de la couche réactive dans du silicium, c'est-à-dire l'épaisseur qu'elle atteint lorsque le plasma est stabilisé (épaisseur également désignée dans la présente description épaisseur stationnaire), n'est obtenue qu'après environ 300 ms de plasma. La figure 5 illustre la croissance de la couche réactive en fonction du temps pour différentes énergies de bombardement ionique. L'axe des ordonnées correspond à l'épaisseur de la couche en angstrôms. L'énergie de bombardement est indiquée sur la droite de chacune des couches. Ces courbes montrent que la couche atteint sa pleine épaisseur de 2 nm dans ce cas en environ 400 (ms) pour une énergie des ions de 50 eV. . Ces résultats sont obtenus sur la base de simulations atomistiques. Ces valeurs ne sont donc qu'indicatives et donne une idée des temps caractéristiques dans le cas d'un système simple dans lequel le matériau est du silicium et le gaz réactif est du chlore. Dans la pratique, les matériaux sont gravés à partir de mélange de gaz réactifs. Dans le cadre de la présente invention, il a été identifié que la dynamique de croissance de la couche réactive dépend de la densité des ions et de leur énergie. En ce qui concerne la densité, le temps requis pour obtenir une couche réactive stable est d'autant plus faible que la densité des ions est élevée. Il en est de même de l'énergie des ions, plus celle-ci est élevée et plus le temps nécessaire pour atteindre la stabilité de la couche réactive sera court (voir figure 5). On constate d'après la figure 5 que si le plasma est un plasma de chlore pur le temps caractéristique de formation de la couche SiCIx est de l'ordre de 100 ms si la densité d'ions est de 1 mA/cm2 et si l'énergie des ions est de 100 eV. Le procédé selon un mode de réalisation de l'invention tire avantage de la dynamique de formation de la couche réactive décrite ci-dessus pour contrôler le processus de gravure afin d'obtenir la précision souhaitée. Comme on vient de le voir les conditions dynamiques d'établissement de la couche réactive dépendent de la densité du plasma de gravure et de l'énergie communiquée aux ions. De manière avantageuse, on y ajoute un contrôle de l'injection des gaz dans la chambre de gravure pour maintenir la couche réactive dans une gamme d'épaisseur faible avant qu'elle ne se stabilise à son épaisseur d'équilibre. La figure 6 illustre le temps nécessaire pour former une couche réactive de 1 nm dans diverses conditions (Ions Cl+, radicaux Cl+ ions Cl+, ions C12+, radicaux Cl+ ions C12+ ). Ces résultats sont obtenus par simulation atomistique et montrent que pour un plasma de chlore ayant une densité d'ions de 1mA/Cm2 et des ions d'énergie supérieure à 50 eV, les temps d'établissement de la couche réactive sont faibles, typiquement inférieures à 20 ms. Pour atteindre des temps de l'ordre de 100 ms, l'énergie des ions Cl+ ou C12+ doit être inférieure à 25 eV. Ces résultats montrent dans le cas du couple couche à graver en silicium/ chlore pour gaz réactif que des énergies de bombardement modérées seront nécessaires pour former des couches réactives dont l'épaisseur restera inférieure au nm et ce même en contrôlant les temps d'injection des gaz dans le réacteur plasma dans une gamme de temps de l'ordre de 100 ms. On constate également que la présence de radicaux de chlore, pour une énergie comprise entre 25 et 50eV, semble ralentir la formation de la couche réactive. La figure 7 décrit la séquence d'étapes du procédé de l'invention. Au cours d'une première étape 710 on maintient le plasma, désigné plasma réactif ou encore plasma de gravure, dans les conditions de gravure qui seraient typiquement celles d'une gravure continue de la couche à graver et qui conduiraient normalement à la formation d'une couche réactive de l'ordre de plusieurs nanomètres comme décrit dans l'exemple de la figure 5. Cependant, ces conditions ne sont maintenues que pendant un temps très court de façon à ce que la couche réactive ne puisse jamais se stabiliser et croître au-delà d'une valeur faible, typiquement de l'ordre de 1 nm. Plus généralement, les conditions de gravure sont maintenues durant une durée suffisamment courte pour empêcher la couche réactive d'atteindre son épaisseur en régime stationnaire. Pour obtenir ce résultat on contrôle l'injection du gaz réactif dans la chambre de gravure, comme par exemple le chlore dans l'exemple précédent On peut également diluer le gaz réactif dans un gaz neutre si le temps d'injection du gaz pour lequel on obtient une couche réactive d'épaisseur inférieure à 1 nm est trop court (typiquement inférieure à 100 ms). L'arrêt de croissance de la couche réactive est obtenu en stoppant l'entrée du gaz quand l'épaisseur de celle-ci a atteint une valeur prédéterminée inférieure à l'épaisseur de la couche réactive en régime permanent. Typiquement, la valeur visée est de l'ordre de 1 nm ce qui permet une gravure de précision atomique. De manière plus générale, cette valeur prédéterminée est inférieure à 2 nm. Dans une seconde étape 720, d'une durée aussi courte que possible, on procède à l'enlèvement de la couche réactive dans un plasma à base de gaz neutre qui ne réagit pas avec le matériau à graver, de sorte que ce plasma à base de gaz neutre ne provoque pas de pulvérisation du matériau à graver. Ce plasma est qualifié de plasma neutre. Les ions de ce plasma ne réagissent pas chimiquement avec la couche à graver. L'utilisation d'un gaz neutre permet de pulvériser physiquement la couche réactive formée lors de l'étape précédente sans continuer à alimenter la formation de la couche réactive. Ainsi le plasma neutre doit permettre de retirer la couche réactive sans graver la couche sous-jacente ou le substrat. Les conditions plasma utilisées sont donc choisies pour ne pulvériser que la couche réactive sans pulvériser la couche sous-jacente ou le substrat. Le plasma de gaz neutre ne réagissant pas chimiquement avec le matériau de la couche à graver, son rôle se limite donc à retirer la couche réactive et donc à graver l'épaisseur de matériau modifiée par la couche réactive lors de l'étape d'injection du gaz réactif pendant un temps limité. De préférence, le gaz neutre est un gaz appartenant au groupe dit des gaz rares du tableau périodique des éléments (colonne 18). De préférence, il s'agit de l'argon (Ar) ou du Xénon (Xe). Dans cette seconde étape la puissance de polarisation ou « bias » appliquée sur la cible doit être contrôlée pour favoriser l'enlèvement de la couche réactive. Par exemple, dans le cas courant où l'on grave du silicium (Si) dans un plasma réactif à base de chlore (Cl), il faut enlever la monocouche de SiClx formée sans provoquer de pulvérisation du matériau gravé, le silicium dans cet exemple. Pour ce faire, l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s) dans cette seconde étape doit rester inférieure à un seuil au-delà duquel il y aurait pulvérisation du matériau gravé. La séquence des deux étapes ci-dessus doit être la plus rapide possible et répétée 730 jusqu'à enlèvement du matériau à graver sur toute l'épaisseur que l'on souhaite graver. Typiquement, lorsque la gravure doit être stoppée sur une couche d'arrêt, la séquence des étapes 710, 720 est répétée jusqu'à l'enlèvement complet du matériau à graver avec un arrêt possible de la gravure avec une précision atomique. La figure 8 illustre le cycle de répétition des étapes ci-dessus. Le gaz réactif, par exemple du chlore, est introduit dans le réacteur de gravure pendant un temps dit toN 10 allant de cent millisecondes jusqu'à plusieurs centaines de millisecondes. Pendant ce laps de temps où l'on forme la couche réactive les conditions de fonctionnement de la chambre de gravure sont celles qui serait utilisées avec un plasma continu et qui conduiraient donc comme on l'a vu à la formation d'une couche réactive trop épaisse. Notamment, la puissance appliquée sur la source de radiofréquence (RF) 830 et celle appliquée sur la polarisation 840 sont similaires aux conditions d'une gravure effectuée en continu ou éventuellement la puissance de polarisation peut être réduite pour maintenir l'énergie des ions à une valeur de 50 eV ou plus probablement inférieure à 25 eV. Le gaz neutre, par exemple l'argon, est introduit dans le réacteur de gravure pendant un temps dit toFF 820 allant également typiquement de cent millisecondes jusqu'à plusieurs centaines de millisecondes. Pendant ce laps de temps la puissance RF de la source 830 est ajustée pour être aussi élevée que possible 832 afin de produire un plasma de gaz neutre(s) à très haute densité de façon à raccourcir cette étape en éliminant le plus vite possible la couche réactive qui a été formée à l'étape précédente. Dans le même temps la puissance de polarisation 842 est ajustée pour maintenir l'énergie des ions au-dessous du seuil de pulvérisation, typiquement, au-dessous d'une énergie de 20 eV. L'étape 710 de formation de la couche réactive est en résumé effectuée dans les conditions suivantes : - L'approche la plus simple pour former la couche réactive est d'utiliser des paramètres pour la formation du plasma de gaz réactif(s) identiques à ceux utilisés dans un mode continu standard de gravure et d'arrêter l'injection du gaz réactif quand une couche de l'ordre de 1 nm ou moins a été formée sur le matériau à graver. L'injection du gaz réactif s'effectue typiquement dans une gamme de temps allant de 100 à 500 ms. Si nécessaire, l'énergie des ions peut être ajustée (réduite) pour maintenir l'épaisseur de la couche à une épaisseur inférieure à 1 nm - La puissance de la source peut être maintenue constante si en réduisant le temps d'injection du gaz dans la gamme de 100 ms ou plus, une couche réactive ultra mince de 1 nm ou moins peut être formée. Si le temps d'injection du gaz doit être inférieur à 100 ms la densité du plasma de gaz réactif peut être diminuée. - La diminution de la densité du plasma augmente le temps auquel on atteint l'état d'équilibre de la couche réactive. Par conséquent, le temps d'injection du gaz réactif pour lequel une épaisseur de 1 nm de la couche réactive est obtenue augmente également. - La puissance de la polarisation R.F (« bias »), qui contrôle l'énergie communiquée aux ions, peut être maintenue constante si le temps d'injection du gaz réactif n'est pas inférieur à 100 ms pour limiter l'épaisseur de la couche réactive à une épaisseur inférieure à 1 nm. Si ce n'est pas le cas, la diminution de l'énergie communiquée aux ions par l'intermédiaire de la polarisation est un moyen efficace pour ralentir la vitesse de formation de la couche réactive. L'énergie des ions est le paramètre le plus efficace pour ralentir la vitesse de formation de la couche réactive. Une diminution maximale d'énergie communiquée aux ions est possible en n'appliquant aucune polarisation sur le substrat. Dans ce cas l'énergie des ions est eVp (Vp étant le potentiel du plasma) et n'excède en générale pas 20 eV dans les plasmas à couplage inductif. Une pulsation de la puissance de la source du plasma avec un faible rapport cyclique permet une diminution encore plus importante de l'énergie communiquée aux ions si nécessaire. Le diagramme de la figure 9 illustre également la dynamique de croissance de la couche réactive en fonction du temps d'injection du gaz réactif et montre l'influence de l'énergie communiquée aux ions. Les courbes 910 et 920 correspondent à des énergies différentes. Quand l'énergie communiquée aux ions décroît 930 cela ralentit la croissance de la couche réactive. La figure 9 illustre les moyens les plus efficaces dont on dispose pour obtenir lors de la première étape 710 l'épaisseur souhaitée de la couche réactive : le temps d'injection du gaz réactif, l'énergie communiquée aux ions. Un autre moyen pourrait être de faire varier la densité du plasma. Cependant ce paramètre modifierait considérablement la phase gazeuse du plasma, ce qu'on ne souhaite pas afin de rester le plus près possible du procédé optimisé dans des conditions de plasma continu (sans injection de gaz contrôlée dans le temps). En ce qui concerne la deuxième étape 720 du procédé qui est effectuée de préférence dans un plasma de gaz neutre(s) formé à partir par exemple d'un gaz rare comme l'argon (Ar) ou le xénon (Xe) celle-ci doit être ajustée pour permettre un retrait rapide de la couche réactive qui a été formée à l'étape précédente 710. Lors de cette étape l'énergie communiquée aux ions doit être telle qu'elle doit permettre la pulvérisation de la couche réactive formée lors de la première étape. Il s'agit, par exemple, dans le cas de la gravure de silicium (Si) dans un plasma chloré (Cl) de composés SiCIx. Par ailleurs, l'énergie communiquée aux ions doit rester inférieure au seuil de pulvérisation du matériau à graver, le silicium dans cet exemple. Dans un plasma à base d'argon et pour la gravure de silicium, l'énergie communiquée aux ions devra être inférieure à 30 eV et si possible à 20 eV. Par ailleurs, au cours de la deuxième étape 720, le plasma utilisant un des gaz neutres, par exemple l'argon, peut fonctionner en mode continu. Cette étape doit être aussi rapide que possible et le mode continu doit être utilisé de préférence avec une puissance de source élevée, typiquement supérieure à 500 W. Une puissance de polarisation peut être appliquée à la tranche dans la mesure où l'énergie des ions est maintenue en dessous du seuil de pulvérisation du silicium ou de tout autre matériau sur lequel la gravure doit s'arrêter. Afin de limiter la profondeur d'amorphisation induite par le plasma dans le silicium, et dans les autres matériaux gravés en général, l'énergie des ions doit rester inférieure à 30 eV et de préférence inférieure à 20 eV. Dans ce cas, la profondeur d'amorphisation est limitée pour le silicium à des valeurs inférieures à 1 nm. Des puissances RF très élevées de source, supérieures à 1000 watts dans des réacteurs à couplage inductif 300 mm, génèrent des plasmas de gaz rares (argon, xénon,) à très hautes densités dans une gamme allant de 1011 à 1012. La lumière dite VUV, acronyme de l'anglais « vacuum UV » correspondant à un rayonnement ultra violet de courtes longueurs d'ondes, générée par ces plasmas neutres contribue également à la gravure. Ainsi, l'augmentation de la puissance de source non seulement concourt à obtenir des densités très élevées d'ions, mais aussi favorise la production d'un flux très important de lumière VUV qui contribue à l'élimination de la couche réactive formée lors de la première étape. La figure 10 illustre l'amorphisation du matériau sous-jacent à celui en cours de gravure à l'arrêt de cette dernière. La figure 10 concerne le silicium. Elle montre que l'amorphisation de ce matériau devient trop importante quand l'énergie des ions excède la plage de valeurs allant de 20 à 30 eV. Le diagramme 1110 montre les épaisseurs de silicium rendues amorphe en fonction de la fluence des ions argon utilisés dans cet exemple et pour différentes énergies communiquées à ces ions incluant les valeurs suivantes : 20 eV 1120 ; 50 eV 1130 ; 100 eV 1140 et 200 eV 1150. L'épaisseur rendue amorphe croît quand l'énergie communiquée aux ions augmente. Les figures 11a et 11b comparent le procédé standard de gravure des espaceurs en nitrure de transistors MOSFET et le procédé de l'invention appliqué à ce cas. La figure 11a illustre l'art antérieur où la gravure est réalisée dans une chambre de gravure de type ICP à l'aide d'un plasma fluorocarboné à base de trifluorométhane (CHF3) avec une application d'une puissance source de 150 watts et d'une puissance de polarisation de 8 watts. Ces conditions sont maintenues pendant toute la durée de la gravure. On constate qu'il y a formation d'une fine couche de carbone fluoré (CFx) 1410 et d'une couche épaisse d'oxyde de silicium dopée au fluor (SiOF) 1420 formant la couche réactive qui se propage lors de la gravure dans la couche de nitrure de silicium (SiN) 1430 destinée à former les espaceurs. À l'issue de la gravure 1440, qui comprend toujours un temps de surgravure pour tenir compte des dispersions d'épaisseur au niveau tranche et pour assurer la gravure complète des motifs tridimensionnels, la couche réactive est finalement transférée dans le matériau sous jacent, c'est-à-dire dans du silicium cristallin 1450 dans ce cas, qui se trouve alors être oxydé 1460 sur une forte épaisseur avec les inconvénients mentionnés précédemment dans la figure 3 qui est décrite dans le chapitre sur l'état de la technique. La figure 11b illustre le procédé de l'invention où, comme décrit précédemment, on alterne l'injection d'un gaz réactif 810 et l'injection d'un gaz neutre 820. Le plasma de gaz réactif(s) formé pendant l'injection du gaz réactif est typiquement, comme dans l'art antérieur décrit dans la figure 11 a, un plasma fluorocarboné à base de trifluorométhane (CHF3). Comme déjà mentionné précédemment, dans la phase où l'on introduit le gaz réactif, le plasma peut travailler en mode synchronisé pulsé (puissance source et puissance bias sont pulsées de manière synchronisées) ou en mode continu. Lorsqu'on travaille en mode synchronisé pulsé, la fréquence des pulses est typiquement comprise entre 1000 hertz et 5 kilohertz. Leur rapport cyclique est compris entre 10 et 100% et la puissance RF délivrée à la source comprise entre 100 et 2500 watts. Pendant cette phase la puissance de polarisation peut être nulle. Elle est généralement faible et comprise dans une gamme de 0 à 75 watts. Pendant la phase 820 où l'on introduit un gaz rare, par exemple de l'argon, on applique toujours continûment la puissance à la source tandis que celle de polarisation est optimisée en restant toutefois au dessous du seuil de pulvérisation du silicium afin d'éliminer la couche réactive le plus rapidement possible. Dans ces conditions la couche de SiOF 1420 formée lors de la phase 810 est très fine 1422 ce qui se traduit par une très faible oxydation 1462 du silicium sous jacent à l'issue de la gravure de la couche de nitrure 1430. Comme cela apparaît clairement au vu de la description précédente, l'invention permet ainsi de réduire considérablement l'épaisseur de la couche prélevée ou tout au moins de contrôler avec précision l'arrêt de la gravure par exemple dans le silicium en minimisant sa consommation. En fonction des paramètres utilisés, elle permet notamment de retirer une épaisseur inférieure à 1.5 nm voire inférieure à 0.5 nm pour un contrôle de la gravure allant jusqu'à une précision atomique. L'invention n'est pas limitée aux seuls modes et exemples de réalisation décrits ci-dessus, mais s'étend à tous les modes de réalisation entrant dans la portée des revendications.15 REVENDICATIONS1. Procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une séquence d'étapes 5 comprenant au moins: une étape de formation d'une couche réactive (710) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s), le plasma de gaz réactif(s) formant avec la couche à graver une couche réactive (110) qui pénètre dans la couche à graver, caractérisé en ce 10 que : l'injection (710) d'au moins un gaz réactif est interrompue avant une durée déterminée d'injection à l'issue de laquelle la couche réactive (110) atteindrait une épaisseur stationnaire dans le temps, à l'issue de l'injection (710) d'au moins un gaz réactif l'épaisseur de la couche réactive (110) étant 15 alors inférieure à ladite épaisseur stationnaire dans le temps, et en ce que la séquence d'étapes comprend au moins une étape de retrait (720) de la couche réactive (110), l'étape de retrait (720) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer uniquement la couche réactive (110). 20 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la durée d'injection (810) du gaz réactif est comprise entre 50 et 500 ms. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 25 dans lequel la durée d'injection (810) du gaz réactif est interrompue lorsque la couche réactive (110) présente une épaisseur inférieure à 2 nm et de préférence inférieure à 1 nm. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 30 dans lequel la couche à graver surmonte une couche d'arrêt et la durée d'injection (810) du gaz réactif est interrompue avant que la couche réactive (110) ne présente une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la couche d'arrêt. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la durée d'injection (820) du gaz neutre est comprise entre 50 ms et 500 ms et de préférence comprise entre 100 à 500 ms. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au cours de l'étape de formation d'une couche réactive (710) on règle au moins l'un des paramètres suivants de manière à contrôler la formation de la couche réactive (110): la durée d'injection (810) du gaz réactif et l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz réactif(s). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz réactif(s) est inférieure à 50eV et de préférence inférieure à 25eV et la densité du plasma de gaz réactif(s) est comprise entre 1010 et 5.1011 ions/cm3 et de préférence entre 1010 et 1011 ions/cm3. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au cours de l'étape de retrait (720) de la couche réactive (110) on règle au moins l'un des paramètres suivants de manière à retirer la couche réactive (110) sans retirer la couche à graver non attaquée lors de l'étape de formation d'une couche réactive (710): la durée d'injection (820) du gaz neutre, la densité du plasma de gaz neutre(s), l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'énergie communiquée aux ions du plasma de gaz neutre(s) est inférieure à 50eV et de préférence inférieure à 25eV. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le plasma de gaz neutre(s) formé lors de l'étape de retrait (720) de la couche réactive (110) est un plasma pulsé et l'énergie communiquée auxions du plasma de gaz neutre(s) est inférieure à 50eV et de préférence inférieure à 25eV. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on polarise électriquement la couche à graver ou un substrat sur laquelle la couche à graver repose. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au cours de l'étape de formation d'une couche réactive (710) on injecte un gaz neutre ou un mélange de gaz neutres en plus du gaz réactif. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le gaz réactif est pris parmi le C12, le HBr, le SF6, le NF3, le SiCI4, le BCI3, le H2, le SiF4, le 02, le HCI, le HI, le CH2F2, le CHF3 Ar, ou est pris parmi le CF4, le CHF3, le CH3F, le C4F8, le CH2F2, le C4F6, le C5F6, l'Ar, 1'02, l'He ou un mélange de ces gaz. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le gaz neutre est un gaz rare ou un mélange de gaz rares. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le gaz neutre est de l'argon (Ar), du xénon (Xe) ou un mélange de ces gaz. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite étape de retrait (720) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre est effectuée en continue et simultanément à une pluralité desdites injections (710) d'au moins un gaz réactif. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche à graver est en matériau semi-conducteur pris parmi : le silicium (Si), le germanium (Ge) ou le silicium-germanium (SiGe) ou une couchemince à base de matériaux III-V ou une couche métallique ou une couche de matériaux diélectriques poreux. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans 5 lequel la couche à graver est une couche d'un transistor MOSFET. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on effectue plusieurs fois ladite séquence d'étapes (710, 720). 10 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le gaz réactif et/ou le gaz neutre est différent entre au moins deux séquence d'étapes (710, 720). 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 15 dans lequel préalablement à la séquence d'étapes, on effectue une étape de gravure initiale, l'étape de gravure initiale comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s) initial, la durée d'injection étant supérieure à ladite durée déterminée de manière à ce que l'épaisseur de la couche réactive (110) atteigne ladite 20 épaisseur stationnaire dans le temps. 22. Procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins: une étape de formation d'une couche réactive (710) comprenant une injection 25 dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s) apte à graver la couche à graver, une couche réactive se formant à la surface de la couche à graver sous l'effet du plasma de gaz réactif(s), caractérisé en ce que : l'injection du gaz réactif est effectuée pendant une durée inférieure à 30 1000 millisecondes, et en ce que le procédé comprend au moins une étape de retrait (720) de la couche réactive (110), effectuée en partie au moins après l'étape de formation de la couche réactive (710), l'étape de retrait (720) comprenant une injection dans leréacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer la couche réactive (110). 23. Système pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant : - un réacteur de gravure plasma, - un dispositif d'injection configuré pour injecter au moins deux gaz dans le réacteur de gravure plasma, le dispositif d'injection étant configuré pour pouvoir injecter au moins l'un des gaz pendant une durée inférieure à 1000 millisecondes et de préférence inférieure à 500 millisecondes.15