Brevet FR3011346A1 — publié le 20150403

DEPHASEUR ELECTRO-OPTIQUE A CAPACITE D'OXYDE Domaine technique de l'invention L'invention est relative aux modulateurs optiques, notamment aux déphaseurs électrooptiques utilisables dans de tels modulateurs. État de la technique La figure 1 représente schématiquement un modulateur optique selon le principe de l'interféromètre de Mach-Zehnder, couramment appelé modulateur MZI. Le modulateur comprend un guide d'onde optique recevant une puissance P, qui se subdivise en deux branches en un point S. Les deux branches se rejoignent de nouveau en un point J, l'une directement, et l'autre passant par un déphaseur électro-optique 10. Chaque branche véhicule la moitié de la puissance optique d'origine. Au point J du modulateur on somme les porteuses arrivant par les deux branches, l'une ayant été déphasée de cp par le déphaseur 10. La porteuse résultante a une puissance de P-cos2(gp/2), en négligeant les pertes optiques. La figure 2 représente une vue en perspective d'une branche de guide d'onde 12 intégrant un déphaseur 10, illustré en grisé. Le guide d'onde est formé dans un îlot transparent, en matériau semi-conducteur intrinsèque, ayant une section en « T » inversé, dont la nervure centrale WG véhicule le faisceau optique. Le déphaseur est configure pour se substituer à un segment du guide d'onde ; il a la même section en « T » inversé. Les bords du déphaseur portent des contacts électriques servant à la commande du déphaseur - ils remontent généralement au-dessus du plan du guide d'onde, comme cela est représenté, pour atteindre les niveaux de métal. La figure 3 représente schématiquement une vue en coupe d'un déphaseur 10 dit HSPM (de l'anglais « High-Speed Phase Modulator », ou modulateur de phase rapide). Le plan de coupe est perpendiculaire à l'axe du guide d'onde. Un cercle en pointillés, au niveau de la nervure centrale WG, représente la zone traversée par la majeure partie du faisceau optique. Le déphaseur comprend une structure en matériau semi-conducteur de même nature que celui du guide d'onde, généralement du silicium, formant une jonction P-N 14 dans un 30 plan parallèle à l'axe du guide d'onde, et excentré par rapport à celui-ci. La jonction 14 a été représentée, à titre d'exemple, au niveau de la face latérale droite de la nervure WG, mais sa position varie, selon les applications, entre cette face latérale et le centre de la nervure. A gauche de la jonction 14 s'étend une zone dopée P dont la section est conforme à la section du guide d'onde, comprenant une partie surélevée au niveau de la nervure WG, 5 et une aile latérale plus basse 16 en allant vers le bord gauche. La zone P se termine à gauche par une zone surélevée dopée P+, portant un contact d'anode A. A droite de la jonction 14 s'étend une aile 18 dopée N, conforme à la section du guide d'onde. L'aile 18 se termine à droite par une zone surélevée dopée N+, portant un contact de cathode C. 10 La structure du déphaseur peut être réalisée sur un substrat isolant, par exemple de l'oxyde enterré BOX. Pour commander le déphaseur de la figure 3, on applique une tension entre les contacts d'anode A et de cathode C qui polarise la jonction 14 en inverse (le « plus » sur la cathode et le « moins » sur l'anode). Cette configuration provoque un déplacement des 15 électrons e de la zone N vers la cathode et des trous h de la zone P vers l'anode, et la création d'une zone de déplétion D au voisinage de la jonction 14. On modifie ainsi, en fonction de l'amplitude de la tension de polarisation, la concentration de porteurs dans la zone WG traversée par le faisceau optique, ce qui a pour conséquence une modification corrélative de l'indice de réfraction de cette zone. 20 La sensibilité du déphaseur électro-optique dépend de la capacité Cj de la jonction 14, qui représente la concentration de porteurs que l'on peut obtenir dans la zone centrale WG en fonction de la tension de commande. La sensibilité augmente avec le niveau de dopage de la zone WG, mais en augmentant ce niveau de dopage, on augmente également les pertes optiques. Le niveau de dopage P de cette zone est souvent 25 supérieur au niveau de dopage d'origine du substrat pour atteindre une sensibilité satisfaisante. Résumé de l'invention On pourrait avoir besoin d'un déphaseur électro-optique offrant un compromis avantageux entre une sensibilité élevée et de faibles pertes optiques. 30 On tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un déphaseur électro-optique configuré pour être disposé dans un guide d'onde optique, comprenant une nervure en matériau semiconducteur, agencée dans le prolongement du guide d'onde ; une structure de commande configurée pour modifier la concentration de charges dans la nervure en fonction d'une tension de commande appliquée entre des première et deuxième bornes de commande du déphaseur. La structure de commande comprend une couche conductrice couvrant une partie de la nervure et reliée électriquement à une première des bornes de commande ; et une couche d'isolant agencée pour isoler la couche conductrice électriquement de la nervure. Selon un mode de réalisation, la structure de commande comprend une première aile latérale en matériau semi-conducteur de type de conductivité homogène, adjacente à une première face de la nervure. La couche d'isolant est agencée pour isoler la première aile latérale de la nervure. La couche conductrice est formée par une zone de la première aile latérale ayant un niveau de dopage supérieur à celui de la nervure. La première borne de commande est en contact électrique avec l'extrémité distale de la première aile latérale. Selon un mode de réalisation, la structure de commande comprend en outre une deuxième aile latérale en matériau semi-conducteur de type de conductivité homogène, adjacente à une deuxième face de la nervure, opposée à la première face. La couche d'isolant est en deux parties agencées pour isoler respectivement les première et deuxième ailes latérales de la nervure. La couche conductrice est en deux parties formées par des zones respectives des première et deuxième ailes latérales ayant un niveau de dopage supérieur à celui de la nervure. Selon un mode de réalisation, la deuxième borne de commande est en contact électrique avec l'extrémité distale de la deuxième aile latérale. Selon une alternative, la première borne de commande est en contact électrique avec les extrémités distales des première et deuxième ailes latérales, le déphaseur comprenant 25 une structure configurée pour établir un contact électrique entre la deuxième borne de commande et la nervure. Selon un mode de réalisation, la structure de contact électrique comprend, dans un plan décalé de celui des première et deuxième ailes latérales, une troisième aile latérale, adjacente à la première face de la nervure et ayant le même type de conductivité que la 30 nervure ; une quatrième aile latérale, adjacente à la deuxième face de la nervure et ayant le même type de conductivité que la nervure ; et deux contacts électriques disposés respectivement aux extrémités distales des troisième et quatrième ailes latérales. Selon un mode de réalisation, le déphaseur comprend des paires de troisième et quatrième ailes latérales dans plusieurs plans entrelacés le long de la nervure avec des paires de première et deuxième ailes latérales. Selon un mode de réalisation, le déphaseur comprend deux ailes latérales en matériau 5 semi-conducteur de même type de conductivité que la nervure, étendant la nervure de part et d'autre radialement, la couche conductrice couvrant une partie de la nervure qui dépasse du plan des ailes latérales. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice est en polysilicium, et la structure de commande comprend, sur une première des ailes latérales, une piste en polysilicium 10 reliant la couche conductrice à la première borne de commande, la première borne de commande étant agencée à l'extrémité distale de la première aile latérale ; et une extension de la couche d'isolant agencée pour isoler la première borne de commande et la piste en polysilicium de la première aile latérale. Selon un mode de réalisation, l'extrémité distale de la deuxième aile latérale a un niveau 15 de dopage plus élevé que la nervure et porte la deuxième borne de commande. Selon un mode de réalisation, la structure de commande comprend, sur la deuxième aile latérale, une configuration symétrique à celle de la première aile latérale ; et, dans un plan décalé de celui des première et deuxième ailes latérales, des troisième et quatrième ailes latérales en matériau semi-conducteur de même type de conductivité que la 20 nervure, étendant la nervure de part et d'autre radialement, la couche conductrice couvrant une partie de la nervure qui dépasse du plan des troisième et quatrième ailes latérales ; et deux contacts électriques disposés respectivement aux extrémités distales des troisième et quatrième ailes latérales. Selon un mode de réalisation, la couche d'isolant est de l'oxyde de semi-conducteur en 25 tranchée peu profonde. Description sommaire des dessins Des modes de réalisation seront exposés dans la description suivante, faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - la figure 1, précédemment décrite, représente schématiquement un modulateur 30 optique selon le principe de l'interféromètre de Mach-Zehnder ; - la figure 2, précédemment décrite, représente une vue en perspective d'un déphaseur électro-optique inséré entre deux tronçons alignés d'un guide d'onde optique ; - la figure 3, précédemment décrite, est une vue en coupe schématique d'un déphaseur HSPM ; - les figures 4A et 4B représentent une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur à capacité d'oxyde et un schéma électrique équivalent ; - la figure 5 représente des courbes de variation simulées d'une capacité d'oxyde et d'une capacité de jonction en fonction de la tension de commande ; - la figure 6 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur à capacité d'oxyde pouvant être réalisé directement à partir d'un tronçon de guide d'onde ; - les figures 7A et 7B représentent une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur à double capacité d'oxyde et un schéma électrique équivalent ; - la figure 8 représente une vue en coupe schématique d'un exemple de structure permettant d'établir un contact électrique avec la zone centrale du déphaseur de la figure 7A ; - la figure 9 représente une vue en perspective d'un déphaseur électro-optique du type de la figure 7A, inséré entre deux tronçons alignés d'un guide d'onde optique ; - la figure 10 est une vue en coupe schématique d'un autre mode de réalisation de déphaseur à capacité d'oxyde ; et - les figures 11A à 11C représentent une variante du déphaseur de la figure 10, dans deux vues en coupe selon des plans perpendiculaires à l'axe du guide d'onde et une vue de dessus. Description d'un mode de réalisation préféré de l'invention La figure 4A représente une vue en coupe schématique, selon un plan perpendiculaire à l'axe du guide d'onde optique, d'un mode de réalisation de déphaseur de type HSPM 30 modifié pour intégrer une capacité d'oxyde. Sur une face latérale de la nervure WG, où il y avait la jonction P-N 14 du déphaseur de la figure 3, une capacité d'oxyde Cox a été formée entre la nervure WG et l'aile latérale 18. Cette capacité comprend une tranchée d'oxyde de semi-conducteur 20, par exemple l'oxyde de silicium, s'étendant dans cet exemple sur toute la hauteur de la nervure WG. La partie 18-1 de l'aile 18, adjacente à la tranchée d'oxyde 20, est surélevée au niveau de la nervure pour contenir la tranchée d'oxyde. La partie adjacente 18-1 présente de préférence un niveau de dopage élevé, N+. L'oxyde s'avère être compatible avec le guide d'onde en ce qu'il ne perturbe pas les propriétés optiques de la surface du guide d'onde. Il ne provoque notamment pas des 10 couplages optiques parasites. Avec cette configuration, si on garde la même polarité des bornes de commande A et C qu'à la figure 3 (comme illustré), le déphaseur se comporte de manière équivalente à un déphaseur HSPM classique dans lequel la valeur de la capacité de jonction Cj est remplacée par la valeur de la capacité d'oxyde Cox. 15 Si on parvient à réaliser la capacité d'oxyde de sorte qu'elle ait une valeur plus élevée que la capacité de jonction, le déphaseur sera plus sensible. La valeur de la capacité d'oxyde croît avec l'inverse de l'épaisseur de la tranchée d'oxyde. Le dopage localement élevé de la zone adjacente 18-1 est un facteur permettant d'augmenter la valeur de la capacité d'oxyde. Pour augmenter davantage cette valeur, on pourrait 20 augmenter localement le niveau de dopage de la zone adjacente de la nervure centrale WG, mais cela affecterait les propriétés optiques du guide d'onde, notamment les pertes. La tranchée d'oxyde 20, de l'ordre de 300 nm de profondeur, peut être réalisée selon la technique dite « STI » (de l'anglais « Shallow Trench Isolation ») pour graver des 25 tranchées d'isolant peu profondes. Les dopages sont réalisables par implantation. Comme on le verra ci-après, avec ces techniques on parvient, pour des dimensions et dopages équivalents, à obtenir une variation de charge plus importante dans la zone centrale qu'avec une jonction P-N. Il en résulte, comme cela est illustré, que le niveau de dopage de la zone centrale WG peut être abaissé à un niveau de dopage minimal 30 PWELL, par exemple 1017 atomes par cm', pour diminuer les pertes optiques sans pénaliser la sensibilité par rapport à un déphaseur classique. De préférence le niveau de dopage de chacune des ailes latérales 16, 18 est minimal près de la zone centrale et croît en allant vers les contacts A et C. Un tel gradient de niveau de dopage est souhaitable pour atteindre un compromis optimal entre un faible temps de réponse (favorisé par la faible résistivité procurée par un niveau de dopage élevé) et de faibles pertes optiques dans la zone centrale (favorisées par un faible niveau de dopage). Comme cela est représenté, on peut approcher un gradient de concentration de dopage par paliers dans chacune des ailes, en prévoyant plusieurs zones ayant des dopages échelonnés, en particulier la zone centrale WG ayant un niveau de dopage minimal PWELL, une zone ayant un niveau de dopage intermédiaire (P, N), et une zone distale ayant le niveau de dopage le plus élevé (P+, N+). La figure 4B illustre un schéma électrique équivalent du déphaseur de la figure 4A. Un condensateur Cox représente la capacité d'oxyde formée autour de la tranchée 20. Une résistance série R1 représente la résistivité de l'aile latérale 16 et de la zone centrale WG. Une résistance série R2 représente la résistivité de l'aile latérale 18. On comprend que la vitesse de réponse du déphaseur aux variations de la tension de commande VC dépend de la constante RC : (R1+R2)Cox. La figure 5 est un résultat de simulation illustrant des courbes de variation d'une capacité d'oxyde Cox et d'une capacité de jonction Cj en fonction de la tension de commande VC, dans des structures ayant les mêmes caractéristiques dimensionnelles. La polarité de la tension VC correspond à celle des figures 4A et 4B, où le « plus » est appliqué sur la partie dopée N, et le « moins » sur la partie dopée P. L'épaisseur de la couche d'oxyde est de 80 nm. On remarque que la capacité d'oxyde Cox présente une limite maximale (environ 125 fi sur le graphe) pour une tension VC en dessous d'un seuil négatif, puis décroît en ralentissant lorsque la tension VC croît à partir du seuil négatif. Le taux de décroissance dépend du dopage de la zone centrale WG. Pour un dopage de PWELL = 1017 atomes par cm3, la capacité Cox atteint environ 110 fi pour VC = 1,5 V (courbe en trait plein). En absence d'étape de dopage, c'est-à-dire en utilisant le faible dopage d'origine du substrat, par exemple 1015 atomes par cm3, la capacité Cox atteint environ 75 fi pour VC = 1,5 V (courbe en trait mixte). La valeur maximale atteinte pour les valeurs négatives de la tension VC ne dépend pas du niveau de dopage de la zone centrale WG. On observe que la capacité de jonction C1, en pointillés, décroît rapidement à partir d'une limite théoriquement infinie, correspondant au seuil de conduction de la jonction, pour croiser la courbe de la capacité Cox et évoluer en-dessous de celle-ci lorsque la tension VC dépasse zéro. La quantité de charges mobilisées dans la zone centrale WG, donc la sensibilité du déphaseur, correspond à l'intégrale de la variation de la capacité. Ces courbes montrent ainsi qu'une capacité d'oxyde permet d'augmenter la sensibilité par rapport à une capacité de jonction pour une tension VC positive, même en utilisant une zone centrale WG faiblement dopée. La décroissance des capacités C0 et Cj pour les valeurs positives de la tension VC est due au phénomène de déplétion des zones dopées adjacentes respectivement à la tranchée d'oxyde et à la jonction. Ce phénomène de déplétion confère un coefficient négatif au déphaseur, c'est-à-dire que le déphaseur introduit une avance de phase qui augmente lorsque la tension de commande VC croît. En fait, ces courbes montrent qu'on aurait intérêt à utiliser des valeurs négatives de la 10 tension VC pour atteindre les valeurs maximales de la capacité, et donc à inverser la polarité de la tension VC sur les figures 4A et 4B. Dans le cas d'un déphaseur HSPM classique, cette configuration n'est toutefois pas utilisée, car la jonction fonctionnerait dans son mode de polarisation directe, notamment avec un courant de fuite croissant et avec une capacité tendant vers l'infini. Un tel mode 15 de fonctionnement est utilisé dans un autre type de déphaseur, les déphaseurs à jonction PIN, dont la structure est optimisée pour fonctionner dans ce mode. Cependant, les déphaseurs à jonction PIN, utilisés en injection de courant, sont lents du fait du processus de diffusion rencontré en polarisation directe - à titre indicatif, un déphaseur HSPM a une bande passante de plusieurs dizaines de gigahertz, alors qu'un déphaseur 20 PIN a une bande passante d'une centaine de mégahertz. Dans le cas d'une capacité d'oxyde, ces limitations disparaissent du fait qu'il n'y a plus de jonction. Ainsi, la structure de la figure 4A peut être commandée par une tension VC dont le « plus » est appliqué sur la borne A et le « moins » sur la borne C. De façon générale, le « moins » de la tension de commande est appliqué du côté dopé N de la 25 capacité d'oxyde, ou le « plus » de la tension de commande est appliqué du côté dopé P de la capacité d'oxyde. Dans ces conditions, la capacité d'oxyde est utilisée avec sa valeur maximale quasi constante, et on obtient la meilleure sensibilité pour le déphaseur. En outre, le déphaseur a dans ce mode un coefficient positif en ce qu'il introduit un retard de phase qui augmente avec la tension de commande. 30 Le niveau de dopage de la zone centrale WG n'influe pas sur la capacité, mais sur la résistance série R1 - le niveau de dopage est alors choisi selon le compromis souhaité entre la vitesse du déphaseur et les pertes optiques. La figure 6 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur à capacité d'oxyde pouvant être réalisé en peu d'étapes à partir d'un tronçon de guide d'onde. Un guide d'onde 12, tel que représenté à la figure 2, est généralement formé d'un îlot de silicium « brut », c'est-à-dire ayant un niveau de dopage P minimal, désigné PWELL. Dans le tronçon de guide d'onde, on forme la tranchée d'oxyde 20 au niveau d'une face latérale de la nervure WG à l'aide d'un procédé STI. On réalise un dopage P+ par implantation au niveau des bords distaux des ailes latérales, pour recevoir les contacts de commande, et au niveau de la zone 18'-1 adjacente à la tranchée d'oxyde 20, du côté opposé à la nervure centrale WG. La zone 18'-1 déborde latéralement de la nervure du guide d'onde - ainsi, le tronçon du guide d'onde servant à réaliser le déphaseur est réalisé au départ avec une nervure élargie pour venir former la tranchée d'oxyde 20 et prévoir la zone 18'-1. Les bornes de commande sont ici désignées K1 (à gauche) et K2 (à droite), puisque la structure ne comporte plus d'anode ou de cathode. Cette structure possède le même type de conductivité (P) de part et d'autre de la tranchée d'oxyde 20. Ainsi, la zone reliée au « moins » de la tension de commande fonctionne en déplétion, tandis que la zone reliée au « plus » est alimentée en charges positives. Le phénomène de déplétion a tendance à diminuer la valeur de la capacité, mais son influence est d'autant plus faible que le niveau de dopage de la zone concernée est élevé. Ainsi, on préfère appliquer le « moins » du côté de la zone la plus dopée 18'- 1, c'est-à-dire sur la borne K2. Comme pour le déphaseur de la figure 4A, le coefficient du déphaseur dépend de la polarité de la tension de commande VC. Dans la configuration la plus sensible, avec le « moins » sur la borne K2, le déphaseur a un coefficient positif. En inversant la polarité, le déphaseur aura un coefficient négatif Les figures 7A et 7B représentent une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur à double capacité d'oxyde et un schéma électrique équivalent. La partie droite de la structure de la figure 7A est similaire à celle de la figure 4A. La partie gauche de la structure est symétrique à la partie droite par rapport à un axe vertical passant au centre de la nervure centrale WG. Ainsi, la paroi gauche de la nervure centrale WG est bordée d'une tranchée d'oxyde 21, et l'aile latérale gauche, ici désignée 16', est généralement dopée N. Comme pour l'aile 18, le niveau de dopage de l'aile 16' est plus élevé (N+) à son extrémité distale et au niveau de la partie 16'-1 adjacente à la tranchée d'oxyde 21. La partie adjacente 16'-1 atteint la hauteur de la nervure centrale pour contenir la tranchée 21. Les parties distales des ailes 16' et 18 portent des contacts respectifs K1 et K2. La figure 7B est un circuit électrique équivalent de la structure de la figure 7A. Les tranchées d'oxyde 21 et 20, avec leurs zones conductrices adjacentes, forment des condensateurs Clox et C2ox connectés en série entre les contacts K1 et K2. En outre les ailes 16' et 18 introduisent des résistances série respectives R1' et R2. La nervure centrale WG introduit une résistance série R3 entre les deux condensateurs. La résistance R3 a été répartie sur deux résistances de même valeur R3a et R3b, représentant chacune la résistivité entre le centre de la nervure et le condensateur respectif. Les deux condensateurs C1ox et C2ox ont la même valeur au repos que le condensateur Co, de la figure 4B. La structure de la figure 7A présente donc au repos, entre les contacts K1 et K2, une capacité moitié de celle de la figure 4A. Cette structure n'est pas optimisée pour fonctionner avec une tension de commande appliquée entre les contacts K1 et K2. On préfère néanmoins appliquer l'un des pôles de la tension de commande conjointement aux deux bornes K1 et K2, et l'autre pôle à la zone centrale WG. Dans ces conditions, chacun des condensateurs voit la tension de commande VC à ses bornes, de sorte que chaque condensateur agit indépendamment sur la zone WG. Cela permet de doubler la sensibilité du déphaseur par rapport à la structure de la figure 4A. Pour que les deux condensateurs fonctionnent dans leur zone de capacité maximale, on souhaite que la zone centrale WG, dopée P, soit toujours polarisée à un niveau plus élevé que les ailes latérales, dopées N. On propose ainsi d'appliquer le « moins » de la tension de commande VC aux deux contacts K1 et K2, comme cela est représenté, et le « plus » à la zone centrale WG. Comme le représente la figure 7B, on prévoit des contacts supplémentaires Al et A2 permettant d'amener le « plus » de la tension de commande à la zone centrale WG. Pour conserver une structure symétrique, les deux contacts Al et A2 sont disposés de part et d'autre de la zone centrale WG. On considère que les contacts Al et A2 sont reliés électriquement au centre de la zone WG, entre les résistances R3a et R3b. Une structure permettant de connecter les contacts Al et A2 au centre de la zone WG présente une résistance R4 partant du point de connexion entre les résistances R3a et R3b, et des résistances R5 et R6 reliant respectivement les contacts Al et A2 à la résistance R4. La figure 8 représente une vue en coupe d'un exemple de structure de contact, selon un plan perpendiculaire à l'axe du guide d'onde. Cette structure de contact est réalisée dans un plan décalé de celui du déphaseur de la figure 7A. Elle comprend deux ailes latérales 23 et 24 dopées P, partant respectivement des deux faces latérales de la nervure centrale WG. Le bord distal gauche de l'aile 23 porte le contact Al. Le bord distal droit de l'aile symétrique 24 porte le contact A2. De préférence, comme pour la structure de la figure 7A, le niveau de dopage de chacune des ailes 23 et 24 suit un gradient croissant du centre vers le contact respectif Al, A2. Ce gradient est approché par des zones ayant des dopages échelonnés P et P+. La figure 9 représente une vue en perspective d'un déphaseur électro-optique, combinant les structures des figures 7A et 8, inséré entre deux tronçons alignés d'un guide d'onde optique 12. La nervure centrale WG est continue et relie les deux tronçons de guide d'onde 12. Le long de cette nervure, on trouve des structures de contact du type de la figure 8, identifiées par les contacts Al et A2, entrelacées avec des structures de déphaseur du type de la figure 7A, identifiées par les contacts K1 et K2. Les structures de contact n'apportant aucun effet de déphasage mais introduisant des pertes optiques, sont notablement plus courtes que les structures de déphaseur, comme cela est représenté. Le nombre et la longueur des structures de contact à utiliser sont choisis en fonction de 20 la fréquence de fonctionnement à atteindre, limitée par les constantes RC des structures. En effet, plus les structures de contact sont espacées, plus la résistance R4 est grande, et plus les structures de contact sont courtes, plus les résistances R5 et R6 sont grandes. Le choix illustré à la figure 7A des types de conductivité et de la polarité de la tension de commande est optimal, car il permet d'utiliser les capacités d'oxyde dans leur plage 25 de valeurs les plus élevées (figure 5). D'autres choix sont cependant possibles, offrant un déphaseur fonctionnant dans des conditions acceptables. Ainsi, on peut n'utiliser qu'un seul type de conductivité, par exemple P, pour les ailes et la nervure, ou inverser la polarité de la tension de commande. La figure 10 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur 30 ayant une capacité d'oxyde similaire à une capacité de grille d'un transistor MOS. Cette structure est obtenue en partant d'un tronçon de guide d'onde ayant un dopage minimal PWELL. La partie gauche de la structure est similaire à celle de la figure 6, ayant une aile latérale dont la partie di stale est fortement dopée P (P+) et porte un premier contact Kl. Sur la nervure centrale WG de ce tronçon est formée une capacité d'oxyde comprenant une couche conductrice 30, par exemple du polysilicium, qui recouvre le dessus de la nervure et les parois latérales. La couche 30, que l'on désignera par « grille », est isolée du guide d'onde par une couche d'oxyde 32. Un deuxième contact K2, situé au niveau 5 de l'extrémité distale de l'aile latérale droite, est connecté à la grille 30 par une piste conductrice 30-1 épousant le profil de l'aile latérale. La piste 30-1 est, par exemple, du polysilicium déposé en même temps que la grille 30. La piste 30-1 et le contact K2 sont isolés du guide d'onde par une prolongation 32-1 de la couche d'oxyde 32. Une plage de siliciure 34 est prévue entre le contact K2, métallique, et la piste de polysilicium 3010 1 pour assurer un meilleur contact électrique. En pratique, on prévoit plusieurs pistes 30-1 et contacts K2 distribués sur la longueur de la nervure WG. Une capacité d'oxyde est ainsi formée entre la grille 30 et la zone centrale WG du guide d'onde. Les contacts K1 et K2 permettent d'appliquer une tension de commande aux bornes de la capacité. La piste 30-1 offre une faible résistivité entre le contact K2 et la 15 capacité. La partie dopée P+ de l'aile gauche sert à diminuer la résistivité entre le contact K1 et la capacité. De préférence, pour que la capacité d'oxyde fonctionne dans sa plage de valeurs plus élevées, le « plus » de la tension de commande est appliqué sur la partie dopée P, le contact Kl, et le « moins » est appliqué sur le contact K2, comme cela est indiqué sur la 20 figure. Les figures 11A à 11C représentent une variante du déphaseur de la figure 10, dans deux vues en coupe selon des plans perpendiculaires à l'axe du guide d'onde et une vue de dessus. Ce déphaseur est symétrique par rapport à un plan vertical passant par l'axe du guide d'onde. 25 Dans la vue en coupe de la figure 11A, les moitiés gauche et droite de la structure sont symétriques, la moitié droite étant similaire à celle de la figure 10. La structure comporte ainsi une grille 30 reliée par son côté droit au contact K2 par la piste conductrice 30-1, et par son côté gauche au contact K1 par une piste conductrice symétrique 30-2. Le tronçon de guide d'onde est uniformément dopé au niveau PWELL 30 dans cette vue. Les contacts K1 et K2 se trouvent ainsi au même niveau de potentiel - on leur applique de préférence le « moins » de la tension de commande. Le « plus » de la tension de commande est amené à la nervure centrale WG par une structure de contact située dans un plan décalé le long de l'axe du guide d'onde, représentée à la figure 11B. La structure de contact de la figure 11B est similaire à celle de la figure 8. En outre, la grille 30 et la couche d'oxyde 32 de la structure de la figure 11A sont prolongés pour couvrir également le tronçon de la nervure WG faisant partie de la structure de contact. Les contacts Al et A2 de cette structure, isolés de la grille 30, reçoivent conjointement le « plus » de la tension de commande. La figure 11C représente une vue de dessus d'un déphaseur réalisé à partir d'un entrelacement de plusieurs sections selon la figure 11A avec plusieurs sections selon la figure 11B. On remarque que la grille 30 peut être présente sur la totalité de la nervure centrale du guide d'onde. Ainsi, la valeur de la capacité d'oxyde est indépendante du nombre et de la longueur des structures de contact ; elle dépend de la longueur totale du déphaseur. De nombreuses variantes et modifications des modes de réalisation décrits apparaîtront à l'homme du métier. Par exemple, dans les modes de réalisation des figures 10 et 11A, la partie de la couche d'oxyde isolant les pistes de polysilicium 30-1, 30-2 peut être de l'isolant en tranchée peu profonde, de type STI, comblant l'espace entre la nervure WG et la partie relevée du bord de l'aile latérale. Le guide d'onde WG a été décrit comme étant dopé P à l'origine dans les divers modes de réalisation, car cela correspond aux modes d'industrialisation actuels. Cependant, les enseignements décrits s'appliquent à tout type de dopage du guide d'onde en adaptant en conséquence les dopages des autres éléments. Les capacités d'oxyde ont été décrites comme des modes de réalisation préférés, car l'oxyde de semi-conducteur est compatible avec le guide d'onde et s'intègre bien aux processus industriels. Bien entendu, l'homme du métier pourra choisir tout autre isolant à la place de l'oxyde de semi-conducteur si cela est adapté à son processus industriel particulier. REVENDICATIONS1. Déphaseur électro-optique configuré pour être disposé dans un guide d'onde optique (12), comprenant : - une nervure (WG) en matériau semi-conducteur, agencée dans le prolongement du guide d'onde ; - une structure de commande configurée pour modifier la concentration de charges dans la nervure en fonction d'une tension de commande (VC) appliquée entre des première et deuxième bornes de commande (A, C, K1, K2, Al, A2) du déphaseur ; caractérisé en ce que la structure de commande comprend : - une couche conductrice (18-1, 30) couvrant une partie de la nervure et reliée électriquement à une première des bornes de commande (C, K2) ; et - une couche d'isolant (20, 21, 32) agencée pour isoler la couche conductrice électriquement de la nervure. 2. Déphaseur selon la revendication 1, dans lequel : - la structure de commande comprend une première aile latérale (18) en matériau semi-conducteur de type de conductivité homogène, adjacente à une première face de la nervure (WG) ; - la couche d'isolant (20) est agencée pour isoler la première aile latérale de la nervure ; - la couche conductrice (18-1, 18'-1) est formée par une zone de la première aile latérale ayant un niveau de dopage (N+, P+) supérieur à celui de la nervure ; et - la première borne de commande (K2) est en contact électrique avec l'extrémité distale de la première aile latérale. 3. Déphaseur selon la revendication 2, dans lequel : - la structure de commande comprend en outre une deuxième aile latérale (16) en matériau semi-conducteur de type de conductivité homogène, adjacente à une deuxième face de la nervure (WG), opposée à la première face ;- la couche d'isolant est en deux parties (20, 21) agencées pour isoler respectivement les première et deuxième ailes latérales (18, 16) de la nervure ; et - la couche conductrice est en deux parties (18-1, 16'-1) formées par des zones respectives des première et deuxième ailes latérales ayant un niveau de dopage (N+) supérieur à celui de la nervure. 4. Déphaseur selon la revendication 3, dans lequel la deuxième borne de commande (K1) est en contact électrique avec l'extrémité distale de la deuxième aile latérale (16'). 5. Déphaseur selon la revendication 3, dans lequel la première borne de commande (K1, K2) est en contact électrique avec les extrémités distales des première et deuxième ailes latérales (18, 16'), le déphaseur comprenant une structure (23, 24) configurée pour établir un contact électrique entre la deuxième borne de commande (Al, A2) et la nervure (WG). 6. Déphaseur selon la revendication 5, dans lequel la structure de contact électrique comprend, dans un plan décalé de celui des première et deuxième ailes latérales : - une troisième aile latérale (24), adjacente à la première face de la nervure (WG) et ayant le même type de conductivité (P) que la nervure ; - une quatrième aile latérale (23), adjacente à la deuxième face de la nervure et ayant le même type de conductivité (P) que la nervure ; et - deux contacts électriques (A2, Al) disposés respectivement aux extrémités distales des troisième et quatrième ailes latérales. 7. Déphaseur selon la revendication 6, comprenant des paires de troisième et quatrième ailes latérales dans plusieurs plans entrelacés le long de la nervure avec des paires de première et deuxième ailes latérales. 8. Déphaseur selon la revendication 1, comprenant deux ailes latérales en matériau semi-conducteur de même type de conductivité que la nervure (WG), étendant la nervure de part et d'autre radialement, la couche conductrice (30) couvrant une partie de la nervure qui dépasse du plan des ailes latérales. 9. Déphaseur selon la revendication 8, dans lequel la couche conductrice est en polysilicium, et la structure de commande comprend : - sur une première des ailes latérales, une piste en polysilicium (30-1) reliant la couche conductrice (30) à la première borne de commande (K2), la première borne de commande étant agencée à l'extrémité distale de la première aile latérale ; et - une extension de la couche d'isolant (32-1) agencée pour isoler la première borne de commande et la piste en polysilicium de la première aile latérale. 10. Déphaseur selon la revendication 8, dans lequel l'extrémité distale de la deuxième aile latérale a un niveau de dopage (P+) plus élevé que la nervure (WG) et porte la deuxième borne de commande (K1). 11. Déphaseur selon la revendication 8, dans lequel la structure de commande comprend : - sur la deuxième aile latérale, une configuration symétrique à celle de la première aile latérale ; - dans un plan décalé de celui des première et deuxième ailes latérales : des troisième et quatrième ailes latérales en matériau semi-conducteur de même type de conductivité que la nervure (WG), étendant la nervure de part et d'autre radialement, la couche conductrice (30) couvrant une partie de la nervure qui dépasse du plan des troisième et quatrième ailes latérales ; et - deux contacts électriques (A2, Al) disposés respectivement aux extrémités distales des troisième et quatrième ailes latérales. 12. Déphaseur selon la revendication 2, dans lequel la couche d'isolant (20) est de l'oxyde de semi-conducteur en tranchée peu profonde (STI).25