Brevet FR3020502A1 — publié le 20151030

DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT TEL QU'UN MICRO-AFFICHEUR, ET SON PROCEDE DE FABRICATION. La présente invention concerne un dispositif électroluminescent, tel qu'un micro-afficheur à matrice de pixels et à substrat intégrant un circuit d'adressage « TFT » ou « CMOS », et son procédé de fabrication. L'invention s'applique en particulier à des micro-écrans ou micro-afficheurs surmontés de diodes électroluminescentes organiques (« OLED » pour « organic light-emitting diode »). De manière connue, les dispositifs d'affichage électroluminescents comprennent une zone d'émission formée d'une matrice de pixels, chaque pixel étant obtenu par une structure multicouches émettrice de lumière comprenant des films organiques intercalés entre deux électrodes interne et externe qui servent usuellement d'anode et de cathode pour une émission vers l'extérieur du substrat, et dont l'une est transparente ou semitransparente à la lumière émise alors que l'autre est généralement réfléchissante. Un afficheur ou un micro-afficheur « OLED » comprend usuellement un substrat pourvu d'un circuit d'adressage, généralement de 20 type « TFT » ou « CMOS », permettant d'adresser électriquement les pixels du dispositif et ainsi de produire l'image désirée. Comme illustré à la figure 1 annexée à la présente description, les pixels définis par les anodes A sur le substrat 1 intégrant ce circuit 2 sont indépendants et les zones inter-pixels sont usuellement séparées par des plots organiques 3 à base d'une résine 25 électriquement isolante. Les plots 3 sont obtenus par un dépôt « pleine plaque » (i.e. uniforme, réalisé à la tournette ou « spin coating » en anglais) puis par photolithographie, suivi d'un recuit de fluage pour arrondir les flancs inclinés des plots 3. Or, la présence de cette résine, notamment la topographie 30 qu'elle engendre en surface (avec des reliefs typiquement de 100 nm à 1000 nm de hauteur), est relativement problématique. C'est notamment le cas lorsque les pixels sont pourvus d'une encapsulation de type à couches minces intégrant une couche inorganique (de SiOx par exemple) recouverte d'un film d'alumine (A1203) déposé à basse température par « ALD » (dépôt de couche atomique). Malgré la très forte conformabilité du procédé « ALD », il est probable que les couches sous-jacentes usuellement déposées par « PVD », technologie menant à des films minces très peu conformes à la surface, présentent des singularités d'épaisseurs sur les pentes abruptes (i.e. quasiment verticales) des flancs des plots 3' de résine, comme illustré par l'angle 01 à la figure 2 ci-jointe. Ainsi, en fonction de l'angle d'inclinaison des flancs des plots 3' (« tapered angle » en anglais), la continuité des couches déposées par « PVD » incluant les films organiques, la cathode et un film d'encapsulation est affectée (voir à la figure 2 l'épaisseur très faible de ces couches 4 au niveau des flancs du plot 3' qui témoignent d'une discontinuité d'épaisseur). En général et comme visible à la figure 3 ci-jointe, on recherche une pente la plus douce possible pour les plots 3" (02 Tableau 1 : Echantillon Efficacité Efficacité Chute Tema B943 à 2000 cd/m2 à 2000 cd/m2 d'efficacité (cd/A) à to (cd/A) à 426h (%) Diode plane 13,2 13,0 1,5 Diode 9,7 2,7 72 « témoin » topographiée Afin de mettre en évidence la dégradation accélérée des diodes topographiées, on a illustré aux photographies des figures 4a, 4b et 4c ci-jointes l'état de surface, sous une tension donnée, de ces deux types de diodes (la taille de ces trois paires de photographies correspond à des surfaces réelles d'émission de 5x9 mm2). On a ainsi constaté une dégradation beaucoup plus rapide des surfaces topographiées de la diode « témoin » par rapport aux surfaces lisses de la diode plane. Plus précisément, les diodes « témoin » topographiées se sont dégradées instantanément à leur mise à l'air, puisqu'elles présentaient d'emblée une structure « cotonneuse » non homogène composée de zone émissives et de zones noires (non émissives). Contrairement à cela, les surfaces planes étaient très homogènes, semblables aux diodes « OLED » encapsulées par un film d'Al203. Les quelques points noirs des diodes « OLED » planes non encapsulées sont dus à la mauvaise qualité barrière de la couche de SiOx qui comporte un grand nombre de points noirs (« pinholes » en anglais) qui sont autant de points d'entrée à l'atmosphère (02, H2O). On a constaté que ces points noirs croissent et que d'autres apparaissent après 26 h, la surface globale restant toutefois homogène. Pour comparaison, la figure 4c montre les photographies de deux diodes « OLED » encapsulées par un film d'Al203 de 25 nm d'épaisseur qui sont respectivement plane et topographiée. Il est par ailleurs connu d'utiliser, en lieu et place des plots organiques précités à base d'une résine électriquement isolante, des séparateurs inorganiques entre électrodes internes (en général des anodes, étant précisé qu'il peut s'agir également de cathodes en cas de structure inversée). Ces séparateurs sont typiquement constitués de Si02 et sont usuellement déposés par « PECVD », comme par exemple décrit dans l'article de E. Haskal et al. SPIE 3476 (1998) 243-249. Les figures 5, 6a et 6b ci-jointes illustrent le procédé d'obtention de ces séparateurs inorganiques, montrant à la figure 5 le dépôt initial d'une couche continue 5 de Si02 recouvrant les électrodes A et le résultat d'une étape ultérieure de polissage mécano-chimique (« CMP » en anglais pour « Chemical Mechanical Polishing ») de la couche 5 jusqu'au niveau métallique de chaque électrode A, avec ces niveaux métalliques qui sont sensiblement dans le même plan que les faces externes des séparateurs inorganiques 6 obtenus par ce polissage. Cependant, un inconvénient majeur de ce polissage est qu'il altère la surface de chaque électrode A en y générant une rugosité de surface importante et des défauts locaux pouvant s'avérer intolérables pour y déposer les couches organiques de la structure électroluminescente dont l'épaisseur totale n'excède pas 100 nm à 150 nm, ce qui fait que ces électrodes A ainsi altérées ne sont plus adaptées à la fabrication d'une unité « OLED ». Quant aux inconvénients des plots organiques inter-pixels à base d'une résine isolante, ils sont essentiellement les suivants, en plus de l'inconvénient précité en référence aux figures 1 à 3 d'une discontinuité 25 d'épaisseur due aux flancs plus ou moins abrupts de ces plots 3, 3', 3". Comme visible aux figures 7a et 7b, les plots 3 qui empiètent sur les surfaces actives des électrodes A sous-jacentes diminuent la surface totale d'émission de chaque pixel. En effet, la surface S de l'électrode A que recouvre la résine 3 peut être exprimée sous la forme Seff d'une surface 30 effective et S' d'une surface émettrice (voir figure 7a), étant rappelé que l'on cherche à obtenir la surface d'émission la plus grande (voir à la figure 7b l'ouverture maximale des pixels), soit Seff - Sem =a2-4x2=0 d'où x=a/2. Cette condition n'est pas réalisable par photolithographie standard lorsque la résine utilisée est exposée à un rayonnement UV, car la précision d'alignement du masque n'est pas suffisante pour garantir que le bord de la résine s'arrête au bord-même du pixel. En outre, pour des micro-afficheurs, l'espace inter-pixels est très faible (moins de 1 pm) et il est donc difficile de graver précisément une ligne de résine dans cette zone d'autant plus qu'il reste toujours un bord de résine gênant en bordure de pixel qui crée une topographie, voire une arête abrupte néfaste à l'émission par l'unité « OLED ». Un autre inconvénient des plots isolants organiques est illustré à la photographie de la figure 8, où est visible une couche de « xHTL » (couche photo-polymérisable d'injection de trous) déposée à la tournette sur le niveau anode d'une matrice de pixels séparés par ces plots présentant une topographie de 250 nm environ (telle qu'illustré aux figures 1 à 3). La couche de « x-HTL » constitue la première couche de l'empilement organique « OLED » avant évaporation des niveaux organiques supérieurs, jusqu'à la contre-électrode (ici, la cathode) et l'encapsulation. On dépose le matériau « x-HTL » sur toute la plaque matricée, puis on l'insole sous lampe UV aux endroits non masqués. On opère ensuite un recuit avant développement final de la couche de « x-HTL », en laissant en place les pixels « x-HTL » au sein de la matrice sur le niveau anode. On opère enfin un recuit final pour stabiliser ce matériau. On a ainsi recouvert des zones matricées à l'échelle des pixels et le profil des pixels « x-HTL » a été obtenu par profilomètre optique. Comme visible à la figure 8, on a observé des créneaux arrondis démontrant la présence de matériau « x-HTL » sur le bord des pixels. Après dépôt d'une structure « OLED » complète bi-couleurs intégrant des émetteurs vert et rouge, on a confirmé la présence de ce matériau en plus forte épaisseur sur la couronne périphérique des pixels (présence d'un bourrelet périphérique de « x-HTL ») émettant normalement dans le vert (pour une adaptation de la cavité optique formée par la structure « OLED » à une émission verte de 530 nm environ). En effet, on a observé une couleur rouge-orangée correspondant à un décalage vers le rouge de cavité en périphérie. L'émission verte recherchée est donc « désaturée » par cet effet. En admettant un décalage de spectre de 50 nm (i.e. de 580 nm à 530 nm), ce décalage correspond à un décalage en épaisseur de matériaux organiques de (50 / (2x1,8)) soit un décalage d'environ 14 nm attribuable à la surépaisseur de « x-HTL » en bords de pixels, engendrée par la présence de la topographie sous-jacente due aux plots de résine. Un but de la présente invention est de proposer un dispositif électroluminescent qui remédie aux inconvénient précités, le dispositif comprenant une face d'émission électroluminescente et un substrat revêtu d'unités électroluminescentes qui comprennent chacune une structure organique émettrice de rayonnements intercalée entre et en contact électrique avec une face externe d'une électrode proximale et une face interne d'une électrode distale vis-à-vis du substrat, les électrodes proximales étant reliées deux à deux entre elles par des moyens de séparation électriquement isolants qui sont à base d'une résine photosensible positive et qui présentent chacun une face distale vis-à-vis du substrat. A cet effet, un dispositif selon l'invention est tel que lesdites faces distales des moyens de séparation et lesdites faces externes des 20 électrodes proximales sont contenues dans un même plan. Par « résine positive », on entend par définition un type de résine photosensible pour laquelle la partie exposée devient soluble lors du procédé de développement, la partie non exposée restant insoluble. Par électrode « proximale », on entend dans la présente 25 description l'électrode typiquement inférieure (i.e. interne, la plus proche du circuit de commande ou d'adressage, s'agissant le plus souvent d'une anode mais pouvant être une cathode dans le cas d'une structure inversée, souvent associée à une émission vers l'intérieur du substrat), et par électrode « distale » on entend l'électrode typiquement supérieure (i.e. externe, le plus 30 souvent une cathode mais pouvant être une anode dans ce cas d'une structure inversée) venant recouvrir la structure organique émettrice des rayonnements. On notera que la structure « planarisée » du substrat selon l'invention (« planarized » en anglais) qui caractérise, vu en section transversale, l'agencement coplanaire (i.e. précisément affleurant) des moyens de séparation électriquement isolants par rapport aux faces externes des électrodes proximales, n'a jamais été obtenue à ce jour à la connaissance de la Demanderesse et permet notamment de déposer les films minces organiques de chaque structure émettrice suivant une épaisseur constante (i.e. sans discontinuité d'épaisseur) grâce à l'absence de pente et donc de singularité d'épaisseur de résine entre les électrodes proximales. On notera également que cette coplanarité témoigne d'une absence de topographie ou d'arête abrupte sur les faces distales de la résine qui permet d'éviter, d'une part, une dégradation prématurée des unités électroluminescentes en minimisant le nombre de défauts ou points noirs à leur surface et, d'autre part, de maximiser la surface totale d'émission de chaque pixel dans le cas d'un micro-afficheur via une ouverture maximale de ce pixel. On notera en outre que cette topographie nulle qui caractérise les faces distales de la résine permet d'éviter les effets précités en bords de pixels obtenus à ce jour, lors d'un dépôt par voie liquide sur chaque électrode 20 proximale, d'une première couche organique d'injection de trous (« HIL ») ou d'électrons (« EIL », en cas de structure inversée), et autorise donc l'obtention d'une épaisseur uniforme de cette première couche organique ainsi déposée. Chaque structure organique du dispositif peut ainsi avantageusement comprendre une première couche organique interne photo-25 polymérisée recouvrant l'électrode proximale qui est formée d'une couche « HIL » ou « EIL » déposée selon une épaisseur uniforme par voie liquide. Selon une autre caractéristique de l'invention, les moyens de séparation peuvent former des plots espacés comblant des espaces formés entre les électrodes proximales en affleurant lesdites faces externes des 30 électrodes proximales sans recouvrir lesdites faces externes, lesdites faces distales des plots étant plates et dépourvues de tout relief ou rugosité de surface. Avantageusement, ladite résine peut présenter sur la totalité du substrat une épaisseur constante correspondant à celle des électrodes proximales, lesquelles sont dépourvues de toute rugosité de surface. Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdites faces 5 distales des moyens de séparation sont le produit d'une gravure sèche appliquée au moyen d'un plasma à une couche initiale continue de ladite résine déposée sur et entre lesdites faces externes des électrodes proximales, puis d'un recuit de ladite résine ainsi gravée. Selon une autre caractéristique de l'invention, chaque 10 électrode proximale peut avoir ladite face externe qui est à base d'un oxyde transparent conducteur (OTC ci-après en abrégé) apte à résister audit plasma qui est un plasma oxydant par exemple d'oxygène, ledit oxyde transparent conducteur formant la totalité ou bien une couche externe de protection de chaque électrode proximale. 15 De préférence, chaque électrode proximale est une anode comprenant une couche interne métallique qui est à base d'un corps simple ou composé par exemple en Ag ou en AlCu, et qui est recouverte d'une couche de passivation par exemple en TiN, laquelle est recouverte de ladite couche externe de protection protégeant la couche de passivation d'une 20 oxydation par ledit plasma oxydant, par exemple un plasma d'oxygène. A titre encore plus préférentiel, ledit OTC est un oxyde d'étain-indium (« ITO ») ou un oxyde de zinc dopé à l'aluminium (« AZO »), et cet OTC est modifié en surface par ledit plasma oxydant lors de la gravure sèche de la résine. 25 Selon un mode préférentiel de réalisation de l'invention, le dispositif est un micro-afficheur, le substrat intégrant un circuit de commande ou d'adressage de type « TFT » ou « CMOS » et étant revêtu d'une matrice de pixels comprenant respectivement les structures organiques qui forment des diodes électroluminescentes organiques et qui sont chacune intercalées 30 entre une dite électrode proximale et ladite électrode distale. On notera que ce micro-afficheur présente avantageusement une surface réellement luminescente augmentée pour l'ensemble de ses pixels et donc un taux d'ouverture significativement accru en comparaison de celui des dispositifs connus précités, ce qui se traduit par une densité de courant minimisée pour une valeur de luminance donnée et donc une durée de vie prolongée pour le dispositif de l'invention. Un procédé de fabrication selon l'invention du dispositif défini ci-dessus comprend les étapes suivantes : a) un dépôt uniforme par exemple à la tournette d'une couche initiale de la résine sur et entre les faces externes des électrodes proximales, b) un amincissement de la couche initiale par une gravure sèche mise en oeuvre par un plasma qui est appliqué à ladite couche initiale et qui est chimiquement inerte vis-à-vis desdites faces externes, pour enlever la résine surmontant lesdites faces externes de sorte que la résine restante à l'issue de ladite gravure présente entre les électrodes proximales une 15 épaisseur correspondant à celle desdites électrodes proximales, et C) un recuit de ladite résine restante, pour l'obtention desdits moyens de séparation stabilisés d'épaisseur constante. Avantageusement, l'étape b) peut être mise en oeuvre au moyen d'un plasma oxydant, par exemple un plasma d'oxygène. 20 Egalement avantageusement, chaque électrode proximale peut être formée d'un OTC ou bien être revêtue d'une couche externe de protection à base dudit OTC, lequel est modifié en surface par ledit plasma oxydant et est par exemple un « ITO » ou un « AZO ». De préférence, chaque électrode proximale est une anode 25 comprenant ladite couche interne métallique recouverte de ladite couche de passivation, laquelle est recouverte de ladite couche externe de protection pour être protégée d'une oxydation par le plasma oxydant à l'étape b). Selon un exemple préférentiel de l'invention, ladite couche initiale de résine a une épaisseur comprise entre 50 nm et 1000 nm, et ladite 30 épaisseur constante de résine restante est comprise entre 40 nm et 500 nm. Selon une autre caractéristique de l'invention, suite à l'étape b), le procédé peut avantageusement être dépourvu d'étape de photolithographie mettant en oeuvre une insolation de ladite résine. Conformément audit mode préférentiel de réalisation de 5 l'invention, le dispositif est un micro-afficheur, le substrat intégrant un circuit de commande ou d'adressage de type « TFT » ou « CMOS » et étant revêtu d'une matrice de pixels comprenant respectivement les structures organiques qui forment des diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») et qui sont chacune intercalées entre une dite électrode proximale et ladite électrode 10 distale, et le procédé de l'invention est tel qu'après l'étape c), on dépose suivant une épaisseur uniforme par voie liquide par exemple à la tournette, sur lesdites faces externes des électrodes proximales et sur lesdites faces distales des moyens de séparation, ladite première couche organique photo-polymérisable formée d'une couche d'injection de trous (« HIL ») ou 15 d'électrons (« [IL »). On notera que ce dépôt par voie liquide d'une première couche organique « HIL » ou « [IL)) permet de minimiser les courts-circuits du micro-afficheur « OLED » selon l'invention grâce à l'utilisation des couches « HIL » ou « EIL » déposées par voie liquide, ce qui n'était pas connu à ce 20 jour pour de tels micro-afficheurs à la connaissance de la Demanderesse. D'autres avantages, caractéristiques et détails de l'invention ressortiront du complément de description qui va suivre en référence à des dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples et parmi lesquels : 25 la figure 1 est une vue schématique partielle en section transversale d'un micro-afficheur « OLED » selon l'art antérieur dans une phase intermédiaire de sa fabrication montrant les plots de résine isolante recouvrant le substrat entre les anodes surmontant ce dernier, les figures 2 et 3 sont respectivement une vue d'une unité 30 « OLED » de l'art antérieur comprenant des plots isolants à flancs abrupts entre anodes revêtus d'une épaisseur discontinue de couches, et une vue d'une autre unité « OLED » de l'art antérieur avec plots isolants à flancs moins pentus revêtus d'une épaisseur continue de couches, les figures 4a, 4b et 4c montrent, en référence au tableau 1, respectivement deux photographies pour un échantillon Tema B943 après 5 fabrication des deux diodes plane et « témoin » (sous une tension de 4 V), deux photographies pour l'échantillon Tema B943 après 26 h à 22° C / 50 % d'humidité relative (sous une tension de 4 V), et deux photographies pour un échantillon Tema B929 analogue à Tema B943 mais avec une encapsulation d'Al203 de 25 nm d'épaisseur après 1128 h à 22° CI 50 % d'humidité relative 10 (sous une tension de 3,5 V), la figure 5 est une vue schématique partielle en section transversale d'un autre micro-afficheur « OLED » selon l'art antérieur dans une phase intermédiaire de sa fabrication montrant le dépôt initial d'une couche isolante inorganique sur et entre les anodes recouvrant le substrat, 15 la figure 6a est une vue schématique partielle en section transversale du micro-afficheur « OLED » de la figure 5 dans une phase ultérieure de sa fabrication montrant les séparateurs inorganiques obtenus par polissage mécano-chimique appliqué à cette couche initialement déposée, la figure 6b est une vue de détail de la figure 6a montrant 20 l'état de la surface de chaque anode après ce polissage, la figure 7a est une vue schématique en plan de quatre pixels adjacents d'un dispositif « OLED » de l'art antérieur montrant, dans le cas de plots isolants organiques tels que ceux des figures 1 à 3, l'empiètement de la résine formant ces plots sur les pixels adjacents, 25 la figure 7b est une vue schématique en plan analogue à celle de la figure 7a montrant l'ouverture maximale souhaitée de ces pixels connus, la figure 8 est une photographie montrant des pixels verts d'un micro-afficheur « OLED » de l'art antérieur, pour une matrice de pixels traitée avec une première couche interne organique constituée de « x-HTL », 30 la figure 9 est une vue schématique partielle en section transversale d'un micro-afficheur « OLED » selon l'invention dans une phase intermédiaire de sa fabrication montrant une couche initiale continue de résine isolante recouvrant le substrat et les anodes surmontant ce dernier, la figure 10 est une vue schématique partielle en section transversale de ce micro-afficheur « OLED » selon l'invention dans une phase 5 ultérieure de sa fabrication faisant suite à celle de la figure 9, montrant un amincissement de cette couche initiale de sorte que la résine restante forme des plots entre ces anodes de même épaisseur que celles-ci, et la figure 11 est une vue schématique partielle en section transversale de ce micro-afficheur « OLED » selon l'invention dans une phase 10 ultérieure de sa fabrication faisant suite à celle de la figure 10, montrant le dépôt par voie liquide d'une couche « HIL » sur les anodes et sur ces plots. La description suivante de l'invention en référence aux figures 9 à 11 se rapporte à un micro-afficheur ou micro-écran monochrome 15 ou polychrome de type « OLED ». Le micro-afficheur 10 selon l'invention schématisé en cours de fabrication aux figures 9 à 11 (illustré de manière inachevée à la figure 11) comprend un substrat 11 par exemple en silicium revêtu d'une matrice active de pixels 12 dont plusieurs sont identifiés à la figure 10 par leurs électrodes 20 de base 13 proximales vis-à-vis du substrat 11 qui sont choisies transparentes ou semi-transparentes et qui jouent le rôle d'anodes dans la présente description (étant rappelé que chaque électrode proximale 13 pourrait former une cathode, dans le cas d'une structure inversée). Dans le mode de réalisation des figures 9 à 11, chaque 25 anode 13 comporte une couche externe de protection 13a (destinée à recevoir la structure organique émettrice) qui est à base d'un OTC pour protéger le reste de l'anode 13 de la gravure sèche par plasma oxydant utilisée pour obtenir l'isolation électrique de l'invention entre pixels 12. Ce reste de l'anode 13 peut être constitué d'un matériau sensible à cette gravure, 30 tel qu'un métal (e.g. argent) ou alliage de métaux (e.g. alliage cuivre-aluminium). Comme expliqué précédemment, chaque anode 13 comporte avantageusement une couche interne en AlCu recouverte d'une couche de passivation en TiN, elle-même recouverte de la couche externe 13a en un OTC, par exemple un « ITO » ou « AZO ». On notera toutefois que l'invention englobe d'autres structures d'électrodes proximales 13 qui peuvent par exemple être exclusivement constituées d'un OTC et donc être dépourvues de couche externe de protection 13a. Le réseau d'anodes 13 définissant respectivement les pixels 12 surmonte de manière connue une structure de circuit intégré du 10 substrat 11 servant à adresser chaque pixel 12 et comportant un circuit d'adressage 14 enterré dans le substrat 11 qui est avantageusement de type « CMOS » ou « TFT ». La matrice de pixels 12 est reliée à une zone de connexion électrique (non illustrée) pour l'établissement d'une différence de potentiel entre chaque électrode proximale 13 et une électrode distale formant 15 par exemple la cathode (ou l'anode dans le cas d'une structure inversée), au contact de laquelle est intercalée une structure émettrice à film organique monocouche ou multicouches (un premier film organique interne 17 déposé par voie liquide est visible à la figure 11). Préalablement au dépôt de la structure émettrice sur les 20 anodes 13, on sépare les zones inter-pixels 12 par des plots organiques 15 visibles aux figures 10 et 11 à base d'une résine photosensible électriquement isolante de type positive, par exemple commercialisée par la société TOK sous la dénomination TELR (la résine est choisie compatible avec les films organiques utilisés pour la réalisation des structures émettrices). 25 Pour obtenir les plots 15, on commence, comme illustré à la figure 9, à déposer à la tournette une couche continue 16 de cette résine sur le substrat 11 et sur les anodes 13 le surmontant, la couche de résine 16 obtenue par ce dépôt « pleine plaque » présentant par exemple une épaisseur comprise entre 50 nm et 1 pm et typiquement entre 300 nm et 1 pm. 30 Ensuite et comme visible à la figure 10, on amincit la couche de résine 16 au moyen d'une gravure sèche mise en oeuvre par un plasma oxydant, par exemple un plasma d'oxygène (voir flèche 02), l'épaisseur gravée correspondant à celle de la couche 16 de manière que l'on obtienne suite à la gravure les plots 15 de résine qui se terminent précisément à la même hauteur que les faces externes 13b respectives des anodes 13 (pour rappel, ces faces externes 13b selon l'invention sont constituées d'un OTC). En d'autres termes, les plots 15 obtenus présentent une épaisseur uniforme qui est égale à l'épaisseur totale des anodes 13 (couche externe de protection 13a incluse) et qui est par exemple comprise entre 40 nm et 500 nm, typiquement de l'ordre de 250 nm. Après cette étape d'amincissement dont le résultat est visible à la figure 10, on procède à un recuit de la résine restante à 230° C pendant 5 minutes afin de la stabiliser. On obtient ainsi pour les faces distales 15a des plots 15 (i.e. les plus éloignées du substrat) une surface discontinue matricée 15a, 13b parfaitement plane qui est dépourvue de toute topographie, relief ou rugosité de surface tant pour les faces distales 15a des plots 15 que pour les faces externes 13b des anodes 13. On a ainsi gravé la couche 16 de résine précisément jusqu'aux niveaux métalliques externes des anodes 13, laissant quasiment intactes leurs faces externes 13b contrairement à l'art antérieur précité relatif au polissage mécano-chimique de séparateurs inorganiques présentant une rugosité de surface et des défauts locaux. Plus précisément, la Demanderesse a constaté que lorsque la gravure de la résine sous plasma oxydant atteint ces faces externes 13b réalisées en OTC, elle nettoie ces faces 13b et éventuellement les suroxyde, à l'instar d'un traitement de surface. Comme illustré à la figure 11, ce procédé d'obtention de plots 15 isolants organiques selon l'invention via cette gravure et ce recuit permet de déposer ensuite par voie liquide (typiquement à la tournette) une couche « HIL » 17 (ou « EIL » en cas de structure inversée) avec une grande uniformité de dépôt. Même en cas de légère sur-gravure de la résine entre les pixels 12 (appelée « dishing » en anglais), la Demanderesse a vérifié que l'application de cette couche « HIL » 17 par voie liquide ne s'en trouve pas affectée. REVENDICATIONS1) Dispositif électroluminescent (10) comprenant une face d'émission électroluminescente et un substrat (11) revêtu d'unités 5 électroluminescentes qui comprennent chacune une structure organique (17) émettrice de rayonnements intercalée entre et en contact électrique avec une face externe (13b) d'une électrode proximale (13) et une électrode distale vis-à-vis du substrat, les électrodes proximales étant reliées deux à deux entre elles par des moyens de séparation (15) électriquement isolants qui sont à 10 base d'une résine photosensible positive et qui présentent chacun une face distale (15a) vis-à-vis du substrat, caractérisé en ce que lesdites faces distales (15a) des moyens de séparation et lesdites faces externes (13b) des électrodes proximales sont contenues dans un même plan. 15 2) Dispositif (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de séparation (15) forment des plots espacés comblant des espaces formés entre les électrodes proximales (13) en affleurant lesdites faces externes (13b) des électrodes proximales sans recouvrir lesdites faces externes, lesdites faces distales (15a) des plots (15) étant plates et 20 dépourvues de tout relief ou rugosité de surface, 3) Dispositif (10) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite résine présente sur la totalité du substrat (11) une épaisseur constante correspondant à celle des électrodes proximales (13), lesquelles 25 sont dépourvues de toute rugosité de surface. 4) Dispositif (10) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdites faces distales (15a) des moyens de séparation (15) sont le produit d'une gravure sèche appliquée au moyen d'un plasma à 30 une couche initiale continue (16) de ladite résine déposée sur et entre lesdites faces externes (13b) des électrodes proximales (13), puis d'un recuit de ladite résine ainsi gravée. 5) Dispositif (10) selon la revendication 4, caractérisé en ce que chaque électrode proximale (13) a ladite face externe (13b) qui est à base d'un oxyde transparent conducteur (OTC) apte à résister audit plasma qui est un plasma oxydant, ledit oxyde transparent conducteur formant la totalité ou bien une couche externe de protection (13a) de chaque électrode proximale. 6) Dispositif (10) selon la revendication 5, caractérisé en ce que chaque électrode proximale (13) est une anode comprenant une couche interne métallique qui est à base d'un corps simple ou composé par exemple en Ag ou en AlCu, et qui est recouverte d'une couche de passivation par exemple en TiN, laquelle est recouverte de ladite couche externe de protection (13a) protégeant la couche de passivation d'une oxydation par ledit plasma, qui est un plasma oxydant. 7) Dispositif (10) selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que ledit oxyde transparent conducteur (OTC) est un oxyde d'étain-indium (« ITO ») ou un oxyde de zinc dopé à l'aluminium (« AZO ») et est modifié en surface par ledit plasma oxydant lors de la gravure sèche de ladite résine. 8) Dispositif (10) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif est un micro-afficheur, le substrat (11) intégrant un circuit de commande ou d'adressage (14) de type « TFT » ou « CMOS » et étant revêtu d'une matrice de pixels comprenant respectivement les structures organiques (17) qui forment des diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») et qui sont chacune intercalées entre une dite électrode proximale (13) et ladite électrode distale. 9) Dispositif (10) selon la revendication 8, caractérisé en ce 30 que chacune des structures organiques (17) comprend une première couche organique interne (17) photo-polymérisée recouvrant ladite électrode proximale (13) qui est formée d'une couche d'injection de trous (« HIL ») oud'injection d'électrons (« EIL ») déposée selon une épaisseur uniforme par voie liquide. 10) Procédé de fabrication d'un dispositif (10) selon une des 5 revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) un dépôt uniforme, par exemple à la tournette, d'une couche initiale (16) de ladite résine sur et entre lesdites faces externes (13b) des électrodes proximales (13), 10 b) un amincissement de la couche initiale (16) par une gravure sèche mise en oeuvre par un plasma qui est appliqué à ladite couche initiale et qui est chimiquement inerte vis-à-vis desdites faces externes (13b), pour enlever la résine surmontant lesdites faces externes de sorte que la résine restante à l'issue de ladite gravure présente entre les électrodes 15 proximales une épaisseur correspondant à celle desdites électrodes proximales, et c) un recuit de ladite résine restante, pour l'obtention desdits moyens de séparation (15) stabilisés d'épaisseur constante. 20 11) Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape b) est mise en oeuvre au moyen d'un plasma oxydant. 12) Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que chaque électrode proximale (13) est formée d'un oxyde transparent 25 conducteur (OTC) ou bien est revêtue d'une couche externe de protection (13a) à base dudit oxyde, lequel est modifié en surface par ledit plasma oxydant et est par exemple un oxyde d'étain-indium (« ITO ») ou un oxyde de zinc dopé à l'aluminium (« AZO »). 30 13) Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que chaque électrode proximale (13) est une anode comprenant une couche interne métallique qui est à base d'un corps simple ou composé par exempleen Ag ou en AlCu, et qui est recouverte d'une couche de passivation par exemple en TiN, laquelle est recouverte de ladite couche externe de protection (13a) pour être protégée d'une oxydation par ledit plasma oxydant à l'étape b). 14) Procédé selon une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que ladite couche initiale (16) de résine présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 1000 nm, et en ce que ladite épaisseur constante de résine restante (15) est comprise entre 40 nm et 500 nm. 15) Procédé selon une des revendications 10 à 14, caractérisé en ce que suite à l'étape b), le procédé est dépourvu d'étape de photolithographie mettant en oeuvre une insolation de ladite résine. 15 16) Procédé selon une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce que le dispositif (10) est un micro-afficheur, le substrat (11) intégrant un circuit de commande ou d'adressage (14) de type « TFT » ou « CMOS » et étant revêtu d'une matrice de pixels comprenant respectivement les structures organiques (17) qui forment des diodes électroluminescentes 20 organiques (« OLED ») et qui sont chacune intercalées entre une dite électrode proximale (13) et ladite électrode distale, et en ce qu'après l'étape c), on dépose suivant une épaisseur uniforme par voie liquide par exemple à la tournette, sur lesdites faces externes (13b) des électrodes proximales (13) et sur lesdites faces distales (15a) des moyens de séparation (15), une 25 première couche organique (17) photo-polymérisable formée d'une couche d'injection de trous (« HIL ») ou d'injection d'électrons (« EIL »). 10