Brevet FR3022689A1 — publié le 20151225

ARRIÈRE-PLAN DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un module émetteur de lumière. TECHNIQUE ASSOCIÉE Un dispositif émetteur de lumière à semiconducteur a été suggéré utilisant un élément émetteur de lumière à semiconducteur tel qu'une diode électroluminescente (DEL) et une diode laser (DL). En outre, un procédé de réalisation d'une source de lumière blanche par une combinaison d'un élément émetteur de lumière à semiconducteur et d'un luminophore a été imaginé de manières diverses (voir les documents de brevet 1 et 2). Document de brevet 1 : Demande de brevet japonais n° 2008- 305936 Document de brevet 2 : Demande de brevet japonais n° 2009- 289976 D'autre part, lorsque la lumière émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur fait l'objet d'une conversion descendante par le luminophore, on ne peut pas éviter l'apparition d'un déplacement de Stokes ("Stokes loss"en anglais) due à la conversion d'énergie. En raison du déplacement de Stokes, de la chaleur est générée par le luminophore et en conséquence, la température du luminophore augmente. En particulier, lorsque la luminosité est accrue avec l'amélioration des performances de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur, la quantité de chaleur générée par le luminophore est encore accrue. Une mesure de dissipation de chaleur adaptée est donc nécessaire. RÉSUMÉ Des exemples de mode de réalisation de l'invention fournissent un module émetteur de lumière avec dissipation de chaleur améliorée. Un module émetteur de lumière selon un exemple de mode de réalisation comprend : un élément émetteur de lumière à semiconducteur ; un élément de conversion de longueur d'onde optique configuré pour convertir la longueur d'onde de la lumière d'élément émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur et pour émettre la 3022689 2 lumière convertie ayant une couleur différente de celle de la lumière d'élément ; un élément de transmission disposé entre l'élément émetteur de lumière à semiconducteur et l'élément de conversion de longueur d'onde 5 optique, et configuré pour permettre à la lumière d'élément d'être transmise à travers celui-ci, l'élément de transmission étant fait d'un matériau thermiquement conducteur qui transfère vers l'extérieur la chaleur générée par l'élément de conversion de longueur d'onde optique ; et 10 une colle transparente reliant l'un à l'autre l'élément de conversion de longueur d'onde optique et l'élément de transmission, la colle ayant une épaisseur inférieure ou égale à 20 pm. Le terme « lumière d'élément » signifie la lumière émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur et le terme « lumière 15 convertie » signifie la lumière dont la longueur d'onde a été convertie. Selon cet aspect, la chaleur générée par l'élément de conversion de longueur d'onde optique lorsque la longueur d'onde de la lumière d'élément émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur est convertie peut être dissipée vers l'extérieur par l'intermédiaire de l'élément 20 de transmission fait d'un matériau thermiquement conducteur. L'élément de transmission peut avoir une transmittance de lumière supérieure ou égale à 40 % et une conductivité thermique supérieure ou égale à 10 W/(m.K). L'élément émetteur de lumière à semiconducteur peut émettre de 25 la lumière ultraviolette ou de la lumière visible de courte longueur d'onde. Même dans le cas où l'on utilise un tel élément émetteur de lumière à semiconducteur, la dégradation de la colle peut être réduite lorsque la colle est faite par exemple de silicone diméthylique. L'élément émetteur de lumière à semiconducteur peut être une 30 diode laser et l'élément de transmission peut être disposé à un emplacement qui est espacé de la partie émettrice de lumière de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur. Puisque la diode laser et l'élément de transmission sont agencés de manière à être espacés, l'oscillation de la diode laser est effectivement réalisée. 35 L'élément de transmission peut être fait d'un matériau ayant une conductivité thermique supérieure à celle de l'élément de conversion de 3022689 3 longueur d'onde optique. De cette manière, la chaleur de l'élément de conversion de longueur d'onde optique peut être effectivement transférée vers l'élément de transmission. Selon la présente invention, il est possible d'améliorer la 5 dissipation de chaleur du module émetteur de lumière. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera bien comprise et ses avantages seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui suit. La description se 10 rapporte aux dessins indiqués ci-après et qui sont donnés à titre d'exemple. La figure 1 est une vue représentant une configuration schématique d'un module émetteur de lumière selon un premier mode de réalisation. 15 La figure 2 est une vue représentant une configuration schématique d'un module émetteur de lumière selon un deuxième mode de réalisation. La figure 3 est une vue représentant une configuration schématique d'un module émetteur de lumière selon un troisième mode 20 de réalisation. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Des modes de réalisation préférés de la présente invention vont être décrits ci-après en référence aux dessins. Les éléments, organes et 25 processus identiques ou similaires représentés sur chacun des dessins sont représentés par des numéros de référence identiques ou similaires et la répétition de leur description sera omise comme approprié. En outre, le mode de réalisation est explicatif et n'est pas destiné à limiter la présente invention. On notera que toutes les caractéristiques et leurs combinaisons 30 décrites dans le mode de réalisation ne sont pas nécessairement considérées comme une partie essentielle de la présente invention. [Premier mode de réalisation] (Module émetteur de lumière) La figure 1 est une vue représentant une configuration 35 schématique d'un module émetteur de lumière 10 selon un premier mode de réalisation. Le module émetteur de lumière 10 comporte un élément 3022689 4 émetteur de lumière à semiconducteur 12, un élément de conversion de longueur d'onde optique 14, un élément de transmission 16 et une colle transparente 18. L'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 convertit la longueur d'onde de la lumière d'élément émise par l'élément 5 émetteur de lumière à semiconducteur 12 et émet la lumière convertie ayant une couleur différente de celle de la lumière d'élément. L'élément de transmission 16 est disposé entre l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 et l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et permet à la lumière d'élément d'être transmise à travers celui-ci. La 10 colle 18 est prévue pour relier l'un à l'autre l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et l'élément de transmission 16. L'élément de transmission 16 est fait d'un matériau thermiquement conducteur qui transfère vers l'extérieur la chaleur générée par l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14. 15 L'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 selon le présent mode de réalisation est monté sur un substrat de montage 20. En outre, un dissipateur de chaleur 22 est prévu sur un bord du substrat de montage 20. Le dissipateur de chaleur 22 dissipe vers l'extérieur la chaleur générée par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 ou 20 l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14. En tant que dissipateur de chaleur 22, de l'aluminium ou du cuivre fortement conducteur est préféré. Le dissipateur de chaleur 22 comporte une partie de serrage 22a pour maintenir le bord extérieur de l'élément de transmission 16. La 25 région supérieure du dissipateur de chaleur 22 entourant l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 est configurée sous forme d'une surface inclinée 22b. Un film réfléchissant 24 est prévu sur la surface inclinée 22b. Le film réfléchissant 24 réfléchit vers l'avant (vers le haut sur la figure 1) la lumière émise vers le côté provenant de l'élément de 30 conversion de longueur d'onde optique 14 du module émetteur de lumière 10, de sorte que la luminosité du module émetteur de lumière 10 peut être améliorée. En tant que film réfléchissant 24, un film métallique avec une forte réflectivité, par exemple en aluminium ou en cuivre, ou un film blanc avec une forte réflectivité de diffusion, par exemple en aluminium ou 35 en titane, est préféré. 3022689 5 De cette manière, dans le module émetteur de lumière 10 selon le présent mode de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 est prévu sur l'élément de transmission 16 avec une grande conductivité thermique, la lumière d'élément de l'élément émetteur de 5 lumière à semiconducteur 12 est incidente depuis une surface d'incidence côté élément de transmission de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et la lumière est principalement émise par une surface émettrice 14a de l'élément de conversion 14 à l'avant du module émetteur de lumière. À ce moment, la lumière d'élément émise par l'élément 10 émetteur de lumière à semiconducteur 12 et la lumière convertie dont la longueur d'onde est convertie par l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 sont mélangées entre elles, de sorte que de la lumière ayant une couleur désirée (par exemple, de couleur blanche) est créée. La lumière créée de cette manière est rayonnée à l'avant du module 15 émetteur de lumière 10. (Élément émetteur de lumière à semiconducteur) En tant qu'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12, par exemple, un élément de DEL à InGaAs destiné à émettre un rayonnement ultraviolet ou de la lumière visible de courte longueur d'onde (lumière 20 dans l'ultraviolet proche jusqu'à la lumière bleue) est utilisé. En outre, il est préférable que la lumière émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 soit un rayonnement ultraviolet ou de la lumière visible de courte longueur d'onde, ayant une longueur d'onde de crête dans la région des longueurs d'onde de 365 à 470 nm (de préférence de 380 à 25 430 nm). Dans la mesure où l'élément émetteur de lumière est capable d'émettre un rayonnement ultraviolet ou de la lumière visible de courte longueur d'onde, l'élément émetteur de lumière peut être un élément différent de l'élément de DEL ou peut être un élément de DL ou un élément EL. En outre, compte tenu de la quantité de lumière ou de la 30 plage de rayonnement, une pluralité d'éléments émetteurs de lumière à semiconducteur 12 peuvent être utilisés dans le module émetteur de lumière 10. (Élément de conversion de longueur d'onde optique) En tant qu'élément de conversion de longueur d'onde optique 14, 35 par exemple, on peut utiliser une couche de luminophore. La couche de luminophore comporte (i) un corps fritté en forme de plaque formé par 3022689 6 frittage d'un luminophore pulvérulent, (ii) un film de luminophore formé par empaquetage dense d'un luminophore pulvérulent dans un liant transparent, et (iii) un cristal unique du luminophore, etc. En tant que matériau du luminophore, on peut citer comme exemple les luminophores 5 suivants. Ces luminophores émettent de la lumière lorsqu'ils sont excités par de la lumière ultraviolette (rayonnement ultraviolet) ou de la lumière visible de courte longueur d'onde. (1) YAG:Ce3+ (2) (Cal-xSrx)7(SiO3)6C12:Eu2+ 10 (3) (Ca,Sr)s(PO4)3CI:Eu2+ (4) (Ca,Sr)SiAl N3: Eu2+ (5) [3-SiAION (6) a-SiAION En outre, le type de luminophore n'est pas limité à un type. Par 15 exemple, fondamentalement, un luminophore jaune et un luminophore bleus sont combinés lorsque l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 est un élément de DEL pourpre. Toutefois, un luminophore rouge ou vert peut être convenablement combiné compte tenu des propriétés de restitution des couleurs ou de la température de 20 couleur nécessaire pour la lumière de rayonnement. En outre, dans le cas où un élément de DEL bleu est utilisé en tant qu'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12, seul le luminophore jaune peut être utilisé ou la teneur en luminophore bleu peut être relativement faible, par rapport au luminophore jaune. 25 L'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 selon le présent mode de réalisation possède une forme telle que l'aire Al de la surface émettrice 14a à l'avant du module émetteur de lumière 10 devient plus large que l'aire A2 de la surface latérale entourant la surface émettrice 14a. De cette manière, il est possible de diminuer la lumière 30 émise par le côté de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14. (Élément de transmission) L'élément de transmission 16 est de préférence un substrat transparent avec une conductivité thermique élevée. « Substrat 35 transparent » se réfère ici à un substrat dont l'absorption dans la région des longueurs d'onde (380 à 780 nm) de la lumière visible est faible et par 3022 6 89 7 exemple, la transmittance de lumière est supérieure ou égale à 40 %, de préférence supérieure ou égale à 60 %, de façon davantage préférée supérieure ou égale à 80 %. En outre, l'élément de transmission 16 peut être fait d'un matériau avec une conductivité thermique supérieure ou 5 égale à 10 W/(m.K) ou de façon préférable supérieure ou égale à 30 W/(m.K) de façon encore plus préférable supérieure ou égale à 100 W/(m.K). De façon spécifique, un matériau polycristallin ou un matériau monocristallin, par exemple, diamant, SiC, GaN, MgO, saphir et YAG, peut être cité comme exemple. 10 Comme décrit ci-dessus, dans le dispositif émetteur de lumière à semiconducteur utilisant la conversion de longueur d'onde au moyen de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 tel que le luminophore, de la chaleur est générée en raison du déplacement de Stokes par la conversion descendante de l'élément de conversion de 15 longueur d'onde optique 14 et en conséquence, la température de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 augmente. D'autre part, un refroidissement de la température de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 se produit avec l'augmentation de température. La chaleur générée par l'élément de conversion de longueur 20 d'onde optique 14 lorsque la longueur d'onde de la lumière d'élément émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 est convertie peut être dissipée vers l'extérieur par l'intermédiaire de l'élément de transmission 16 fait du matériau thermiquement conducteur comme décrit ci-dessus. En conséquence, il est possible d'améliorer la dissipation 25 de chaleur du module émetteur de lumière 10. D'autre part, l'élément de transmission 16 est fait d'un matériau ayant une conductivité thermique supérieure à celle de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14. En conséquence, la chaleur de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 peut être 30 effectivement transférée à l'élément de transmission 16. (Colle) La colle 18 est utilisée pour lier directement l'un à l'autre l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et l'élément de transmission 16 ou pour lier indirectement l'élément de conversion de longueur d'onde 35 optique 14 et l'élément de transmission 16 par l'intermédiaire d'un autre élément. La colle 18 peut être convenablement choisie compte tenu de la 3022 6 89 8 résistance du collage ou de la durabilité, etc. Par exemple, un verre de silice sol-gel, un verre de titane sol-gel, un silicone diméthylique, etc., peut être utilisé. En outre, l'épaisseur de la couche faite de la colle 18 est par exemple inférieure ou égale à 20 dam, de façon plus préférable, inférieure 5 ou égale à 3 pm. De cette manière, puisqu'il est possible de former une couche mince en tant que colle 18, la chaleur est facilement transférée de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 à l'élément de transmission 16. En outre, en utilisant comme colle 18 le silicone 10 diméthylique, la dégradation de la colle peut être réduite même lorsque la lumière émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 est de la lumière ultraviolette ou de la lumière visible de courte longueur d'onde. Ainsi, le silicone diméthylique est un matériau présentant un bon équilibre du point de vue de la dégradation due à la lumière ultraviolette 15 ou analogue, résistance thermique et transmittance, etc. D'autre part, l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et l'élément de transmission 16 peuvent être directement liés l'un à l'autre sans utiliser de colle. En tant que procédé de liaison, par exemple, une liaison à la température ambiante, une liaison par plasma et une liaison anodique, 20 etc., peuvent être citées comme exemple. En outre, l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 et l'élément de transmission 16 peuvent être liés l'un à l'autre en utilisant la colle 18 ou un élément de transfert de chaleur, etc. De cette manière, la chaleur générée par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12 peut également être dissipée vers 25 l'extérieur par l'intermédiaire de l'élément de transmission 16. (Substrat de montage) En tant que substrat de montage 20 pour monter l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 12, un substrat métallique (substrat en aluminium, substrat en cuivre, etc.), un substrat en 30 céramique (substrat en alumine, substrat en nitrure d'aluminium, etc.), un substrat en résine (substrat en verre époxy, etc.), une grille de connexion, une grille de connexion intégrée avec un châssis en résine, un substrat flexible (FPC), etc., peuvent être cités comme exemple. Le substrat est choisi compte-tenu de la conductivité thermique, de l'isolation électrique 35 et du coût, etc. [Deuxième mode de réalisation] 3022689 9 La figure 2 est une vue représentant une configuration schématique d'un module émetteur de lumière 30 selon un deuxième mode de réalisation. Les mêmes composants que dans le premier mode de réalisation sont ici représentés par les mêmes numéros de référence et 5 leur description est omise, comme approprié. Le module émetteur de lumière 30 comporte un élément émetteur de lumière à semiconducteur 32, l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14, l'élément de transmission 16 et la colle transparente 18. L'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 convertit la longueur d'onde de la lumière 10 d'élément émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32 et émet de la lumière convertie ayant une couleur différente de celle de la lumière d'élément. L'élément de transmission 16 est disposé entre l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32 et l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et permet à la lumière 15 d'élément d'être transmise à travers celui-ci. La colle 18 est prévue pour lier l'un à l'autre l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et l'élément de transmission 16. Le bord extérieur de l'élément de transmission 16 est maintenu dans un boîtier 34. Le boîtier sert également de dissipateur de chaleur. Le 20 boîtier 34 est fait d'un matériau qui est léger et présente une bonne conductivité thermique. En tant que matériau du boîtier 34, par exemple, un matériau métallique par exemple en aluminium, magnésium, titane, fer, cuivre, acier inoxydable, argent ou nickel ou matière plastique avec une forte conductivité thermique, dans laquelle sont mélangées des 25 charges avec une bonne conductivité thermique, est préféré. En tant qu'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32 selon le deuxième mode de réalisation, un élément de DL à GaN pour émettre un rayonnement ultraviolet ou de la lumière visible de courte longueur d'onde (lumière dans l'ultraviolet proche à lumière bleue) est 30 utilisé. En outre, il est préférable que la lumière émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32 soit un rayonnement ultraviolet ou de la lumière visible de courte longueur d'onde, ayant une longueur d'onde de crête dans la région des longueurs d'onde allant de 365 à 470 nm (de préférence, de 380 à 430 nm). En outre, l'élément de 35 transmission 16 est disposé à un emplacement qui est espacé de la partie 3022689 10 émettrice de lumière 32a de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32. De cette manière, de l'air (n=1) avec un faible indice de réfraction (n) est présent à l'avant de la partie émettrice de lumière 32a de l'élément 5 émetteur de lumière à semiconducteur 32 qui est un élément de DL. C'est-à-dire que la différence d'indice de réfraction entre l'air et le matériau en GaN (n=2,3 à 2,5) constituant un élément de DL augmente, de sorte que l'oscillation de la diode laser est effectivement réalisée. En outre, dans l'élément de conversion de longueur d'onde 10 optique 14 selon le deuxième mode de réalisation, le film réfléchissant 24 est prévu sur le côté 14b du voisinage de la surface émettrice de lumière 14a. Le film réfléchissant 24 réfléchit la lumière convertie, qui est générée dans l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 et dirigée vers le côté 14b, vers l'avant (vers le haut sur la figure 2) du module 15 émetteur de lumière 30. De cette manière, il est possible d'améliorer la luminosité du module émetteur de lumière 30. Ainsi, dans le cas où l'on utilise l'élément de DL en tant qu'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32, la région de rayonnement de la lumière d'élément peut être rétrécie, par rapport au cas d'utilisation de 20 l'élément de DEL. En conséquence, il est possible d'améliorer la luminosité. D'autre part, puisque la lumière d'élément est concentrée sur la région étroite de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14, la chaleur générée dans la région de rayonnement est accrue. En conséquence, le module émetteur de lumière 30 est configuré de sorte 25 que la chaleur dans l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 est transférée vers le boîtier 34 par l'intermédiaire de l'élément de transmission 16. En conséquence, la dissipation de chaleur est améliorée. [Troisième mode de réalisation] La figure 3 est une vue représentant une configuration 30 schématique d'un module émetteur de lumière 40 selon un troisième mode de réalisation. Le module émetteur de lumière selon le troisième mode de réalisation est caractérisé en ce qu'un filtre passe-court est prévu dans le module émetteur de lumière selon le deuxième mode de réalisation. En conséquence, les mêmes composants que dans le 35 deuxième mode de réalisation sont représentés par les mêmes numéros de référence et leur description est omise comme approprié. 3022689 11 Un filtre passe-court 42 est formé sur le côté de l'élément de transmission 16 du module émetteur de lumière 40 tourné vers l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14. C'est-à-dire que l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 est lié à l'élément de 5 transmission 16 comportant le filtre passe-court 42 au moyen de la colle 18. La lumière convertie dans l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 possède généralement une longueur d'onde supérieure à celle de la lumière d'élément de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32. En outre, puisque la lumière convertie par le 10 luminophore est une lumière lambertienne, une partie de la lumière est dirigée vers l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32. La lumière d'élément de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur 32 peut être transmise à travers le filtre passe-court 42 et la lumière convertie dans l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 15 n'est pas transmise mais est réfléchie par le filtre passe-court 42. En utilisant le filtre passe-court 42 ainsi configuré, il est possible de réaliser un module émetteur de lumière avec une plus grande luminosité. D'autre part, la position d'agencement du filtre passe-court 42 n'est pas limitée à la configuration de la figure 3. Le filtre passe-court 42 20 peut être formé du côté d'incidence 14c de l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14. Dans ce cas, l'élément de transmission 16 est lié à l'élément de conversion de longueur d'onde optique 14 comportant le filtre passe-court 42 au moyen de la colle 18. La présente invention a été décrite jusqu'à présent en référence à 25 chaque mode de réalisation explicatif décrit ci-dessus. Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation explicatifs. Une combinaison appropriée ou un remplacement de la configuration de chaque mode de réalisation explicatif est également destiné à être inclus dans la présente invention. En outre, en se fondant sur la connaissance 30 des hommes de l'art, la combinaison de l'ordre de traitement dans chaque mode de réalisation explicatif peut être modifiée de façon appropriée ou une modification telle que diverses variantes de conception peut être ajoutée à chaque mode de réalisation explicatif. Un mode de réalisation explicatif auquel une telle modification est ajoutée peut également être 35 inclus dans la portée de la présente invention. REVENDICATIONS1. Module émetteur de lumière (10, 30, 40) caractérisé en ce qu'il comprend : un élément émetteur de lumière à semiconducteur (12, 32) ; un élément de conversion de longueur d'onde optique (14) configuré pour convertir la longueur d'onde de la lumière d'élément émise par l'élément émetteur de lumière à semiconducteur et pour émettre la lumière convertie ayant une couleur différente de celle de la lumière d'élément ; un élément de transmission (16) disposé entre l'élément émetteur de lumière à semiconducteur et l'élément de conversion de longueur d'onde optique, et configuré pour permettre à la lumière d'élément d'être transmise à travers celui-ci, l'élément de transmission étant fait d'un matériau thermiquement conducteur qui transfère vers l'extérieur la chaleur générée par l'élément de conversion de longueur d'onde optique ; et une colle transparente (18) reliant l'un à l'autre l'élément de conversion de longueur d'onde optique et l'élément de transmission, la 20 colle ayant une épaisseur inférieure ou égale à 20 pm. 2. Module émetteur de lumière selon la revendication 1, dans lequel l'élément de transmission possède une transmittance de lumière supérieure ou égale à 40 % et une conductivité thermique supérieure ou égale à 10 W/(m.K). 25 3. Module émetteur de lumière selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'élément émetteur de lumière à semiconducteur émet de la lumière ultraviolette ou de la lumière visible de courte longueur d'onde. 4. Module émetteur de lumière selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'élément émetteur de lumière à 30 semiconducteur est une diode laser (32), et l'élément de transmission est disposé à un emplacement qui est espacé de la partie émettrice de lumière de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur. 5. Module émetteur de lumière selon l'une quelconque des 35 revendications 1 à 4, dans lequel l'élément de transmission est fait d'un 3022689 13 matériau ayant une conductivité thermique supérieure à celle de l'élément de conversion de longueur d'onde optique.