Brevet FR3013474A1 — publié le 20150522

B12697 - 13-GR3-0319FR01 PROCEDE DE SIMULATION DE FIABILITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION DOMAINE La présente demande concerne un procédé et un dispositif pour simuler le fonctionnement d'un transistor bipolaire à hérérojonction (HBT), et en particulier un prodédé pour évaluer la fiabilité d'un dispositif HBT sur la base de la dégradation du dispositif. ARRIERE- PLAN Les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) 'sont largement utilisés dans des applications à haute vitesse en 10 raison de leurs bonnes performances dans les longueurs d'onde millimétriques, par exemple dans la plage de fréquences comprise entre 30 et 300 GHz. Les limites fonctionnelles des --HBT sont en général caractérisées par une tension de claquage collecteur-émetteur,' 15 qui définit une limite de tension collecteur-émetteur au-dessus de laquelle il y a un risque élevé de claquage du transistor, ou au moins d'une dégradation relativement forte des performances du transistor. Un problème est que, en général, les applications a 20 haute fréquence de dispositifs HBT impliquent des conditions de polarisation agressives, qui peuvent facilement provoquer le dépassement d'une telle tension de claquage collecteur-émetteur. Par conséquent, les procédés de simulation courants ont tendance à conduire à un taux de défaillance élevé des dispositifs HBT dans des simulations pour des applications à haute fréquence. RESUME Un objet de modes de réalisation de la présente description est de résoudre au moins partiellement un ou plusieurs problèmes de l'art antérieur. Selon un aspect, on prévoit un procédé de simulation 10 de circuit comprenant : simuler, par un dispositif de traitement, le comportement d'un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) sur la base d'au moins une première tension base-émetteur du transistor pour déterminer une première densité de courant de base ou de collecteur du dispositif HBT ; et déterminer si 15 l'application de la première tension base-émetteur au dispositif HBT va provoquer une dégradation du courant de base en réalisant une première comparaison de la première densité de courant à une première limite de densité de courant. Selon un mode de réalisation, la première limite de 20 densité de courant correspond à une limite fonctionnelle du dispositif HBT, et le fait de déterminer si la première tension base-émetteur va provoquer une dégradation du courant de base comprend de déterminer si la limite fonctionnelle est dépassée. Selon un mode de réalisation, la première densité de 25 courant de base ou de collecteur est déterminée sur la base d'une première tension', collecteur-émetteur du transistor, le procédé comprenant en outre : simuler le dispositif HBT sur la base de la première tension base-émetteur du transistor et d'une deuxième tension collecteur-émetteur pour déterminer une 30 deuxième densité de courant de base ou de collecteur du dispositif HBT ; réaliser une deuxième comparaison de la deuxième densité de courant à une deuxième limite de densité de courant , et déterminer une première limite de tension collecteur-émetteur pour la première tension base-émetteur sur 35 la base des première et deuxième comparaisons. 3013474 B12697 - 13-GR3-0319FR01 B12697 - 13-GR3-0319FR01 3 Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : déterminer, par le dispositif de traitement pour une deuxième tension base-émetteur du transistor, une deuxième limite de tension collecteur-émetteur ; déterminer, par simu5 lation, une première tension collecteur-émetteur du transistor pour la première tension base-émetteur ; déterminer, par simulation, une deuxième tension collecteur-émetteur du transistor pour la deuxième tension base-émetteur ; et générer par le dispositif de traitement un signal d'alerte si la première 10 tension collecteur-émetteur dépasse la première limite de tension collecteur-émetteur ou si la deuxième tension collecteur-émetteur dépasse la deuxième limite de tension collecteur-émetteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en 15 outre déterminer, par simulation, une première tension collecteur-émetteur du transistor pour la première tension base-émetteur ; et déterminer une estimation de la dégradation du courant de base du dispositif HBT après une durée pendant laquelle la première tension collecteur-émetteur est appliquée 20 au dispositif HBT sur la base d'une comparaison entre la première tension collecteur-émetteur et la première limite de tension collecteur-émetteur. Selon un mode de réalisation, l'estimation de la dégradation du courant de base du dispositif HBT après une durée 25 est déterminée sur la base d'au moins l'une des équations : deg nidation = AtIn où t est la durée et A et P1 sont des constantes ; et P2 où t est la durée et B, C et P2 -sont des constantes_ 30 Selon un mode de réalisation, la tension base-émetteur VBE du dispositif HBT a une forme d'onde périodique, chaque période de la forme d'onde étant définie par une pluralité de valeurs de tension base-émetteur (Vmi), le procédé comprenant deg radation = 1 +c B12697 - 13-GR3-0319FR01 4 en outre : déterminer une pluralité de limites de tension collecteur-émetteur, chaque limite correspondant à une valeur respective de la pluralité de valeurs de tension base-émetteur ; déterminer par simulation une pluralité de tensions collecteur-5 émetteur correspondant chacune à une valeur respective de la pluralité de valeurs de tension base-émetteur ; et générer par le dispositif de traitement un signal d'alerte si l'une quelconque de la pluralité de tensions collecteur-émetteur dépasse une limite correspondante de la pluralité de limites de 10 tension collecteur-émetteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une comparaison de la première tension Jbase-émetteur à un seuil de tension, dans lequel : si la première tension base-émetteur est inférieure au seuil de tension, la première densité 15 de courant de base ou de collecteur est une première densité de courant de base ; et si la première tension base-émetteur est supérieure au seuil de tension, la première densité de courant de base ou de collecteur est une première densité de courant de collecteur. 20 Selon un mode de réalisation, la première densité de courant est une première densité de courant de base, le procédé comprenant en outre, avant de réaliser la première comparaison, de déterminer la première limite de densité de courant de base en déterminant une densité de courant de base initiale pour la 25 première tension base-émetteur, la première limite de densité de courant de base étant égale à la densité de courant de base initiale moins une chute de courant de base maximum. Selon un mode de réalisation, la densité de courant de base initiale est déterminée pour une tension collecteur-30 émetteur comprise entre 0,2 et 1,5 V. Selon un mode de réalisation, la première densité de courant est une première densité de courant de collecteur, le procédé comprenant en outre, avant de réaliser la première comparaison, de déterminer la première limite de densité de 35 courant de collecteur sur la base de la première tension base- émetteur et d'une valeur de température correspondante du dispositif HBT. Selon un mode de réalisation, la première limite de ,densité de 'courant est déterminée par la formule suivante-: JCLi = min[yeaTe(PT -1-)VBE kmax où 7, 04 p et c sont des constantes, T est la température du dispositif HBT, VBE est la tension base-émetteur et Jamax est une limite de courant maximum indépendante de la température ou de la tension base-émetteur. Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de conception de circuit comprenant : la conception d'un circuit comprenant au moins un dispositif HBT ; et la simulation du comportement dudit au moins un dispositif HBT par le procédé susmentionné. Selon un autre aspect, on prévoit un dispositif de mémorisation -non transitoire de données mémorisant des instructions qui, lorsqu'elles sont exécutées par un dispositif de traitement, entraînent la mise en oeuvre du procédé susmentionné. Selon un autre aspect, on prévoit un dispositif de simulation de circuit comprenant : un dispositif de traitement agencé pour : simuler le comportement d'un transistor bipollire à hétérojonction sur la base d'au moins une première tension base-émetteur du transistor pour déterminer une première densité de courant de base ou de collecteur du dispositif HBT ; et déterminer si l'application de la première tension base-émetteur au dispositif HBT va provoquer une dégradation du courant de base en réalisant une première comparaison de la première densité de courant avec une première limite de densité de courant. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les caractéristiques et avantages susmentionnés, et d'outrés, apparaîtront clairement la lecture de la description détaillée suivante de modes de réalisation, faite à titre B12697 - 13-GR3-0319FR01 d'illustration et non de limitation, en référence aux dessins joints dans lesquels : la figure lA illustre schématiquement un dispositif HBT ; la figure 1B est un graphique illustrant des limites de tension collecteur-émetteur d'un dispositif HBT selon un exemple de réalisation ; la figure 2A est un organigramme illustrant des étapes dans un procédé de simulation d'un dispositif HBT selon un 10 exemple de réalisation de la présente description ; la figure 2B illustre schématiquement un appareil de simulation pour la simulation d'un dispositif HBT selon un exemple de réalisation de la présente description ; la figure 3 est un organigramme illustrant des étapes 15 dans un procédé de détermination de limites de tension collecteur-émetteur dans un dispositif HBT selon un exemple de réalisation de la présente description ; la figure 4A est un graphique représentant un exemple des mesures de courant de collecteur d'un dispositif HBT pour 20 une plage de tensions de collecteur-émetteur VOE et une tension base-émetteur VBE constante ; la figure 4B est un graphique représentant un exemple de limites de densité de courant de collecteur pour une plage de tensions base-émetteur VBE et de températures ; 25 la figure 5 est un organigramme illustrant des étapes dans un procédé de détermination de limites de tension collecteur-émetteur dans un dispositif HBT selon- un autre exemple de réalisation de la présente description ; la figure 6 est un graphique représentant un exemple 30 du courant de base d'un dispositif HBT pour une plage de tensions collecteur-émetteur VCE et une tension base-émetteur constante ; la figure 7 est un organigramme illustrant des étapes dans un procédé d'estimation de dégradation d'un HBT dans le 35 temps ; B12697 - 13-GR3-0319FR01 6 B12697 - 13-GR3-0319FR01 la figure 8 est un graphique illustrant un exemple de dégradation de courant de base dans le temps dans un dispositif HBT dans le cas d'une dégradation par avalanche ; et la figure 9 est un graphique illustrant un exemple de dégradation de courant de base dans le temps dans un dispositif HBT dans le cas d'une d'une dégradation par auto-échauffement. DESCRIPTION DETAILLEE La figure lA illustre schématiquement un dispositif HBT comprenant un noeud de base, un noeud de collecteur et un 10 noeud d'émetteur. Comme cela est illustré, trois tensions caractérisent le comportement du transistor : la tension base-émetteur VBE entre la base et l'émetteur ; la tension collecteur-base VcB entre le collecteur et la base ; et la tension collecteur-émetteur VcE entre le collecteur et 15 l'émetteur. Dans la description suivante, on supposera qu'un dispositif HBT à simuler est dans un mode de fonctionnement direct dans lequel la tension base-émetteur VBE et la tension collecteur-base VCB du dispositif sont toutes les deux 20 positives. La figure 1B est un graphique illustrant un exemple d'un signal de tension base-émetteur VBE pour une application spécifique du dispositif. Ce signal de tension a par exemple une forme d'onde périodique, la période du signal en figure 1B étant 25, de l'ordre de 1,3x10-11 correspondant à une fréquence de l'ordre de 77 GHz. Dans l'exemple de la figure p13, le- signal VBE varie par exemple entre une tension inférieure de 0,75 V et une tension supérieure de 1 V. La figure 1B illustre également un exemple de signal 30 de tension collecteur-émetteur VcE résultant de l'application du signal de tension base-émetteur VBE à un dispositif HBT. Ce signal est par exemple généré par simulation. Comme cela est illustré, le signal VcE a aussi une forme d'onde périodique avec la même période que le signal VBE. Dans l'exemple de la figure B12697 - 13-GR3-0319FR01 1B, le signal VcE varie entre une tension inférieure de 1,1 V et une tension supérieure de 1,8 V. Comme cela est représenté par une ligne en trait interrompu en figure 1B, 'selon des procédés de simulation qui ont été proposés précédemment, le dispositif HBT pourrait être caractérisé comme ayant une limite de tension de claquage collecteur-émetteur SVcE0 à une valeur constante de 1,45 V. Par conséquent, à chaque fois que le signal de tension collecteur-émetteur VCE dépasse ce seuil de tension, les limites 10 fonctionnelles du transistor sont considérées comme dépassées, et le concepteur du circuit est obligé soit de modifier les paramètres de fonctionnement, soit de sélectionner un type de dispositif HBT différent. Comme cela est représenté par une ligne interrompue 15 par des pointillés en figure 1B, selon des modes de réalisation décrits ici, un signal SV' CEC définit par exemple un signal de tension de claquage collecteur-émetteur variable dans le temps. Le signal BV' CEG est par exemple calculé en fonction du signal VBE, et ainsi a aussi une forme périodique ayant la même période 20 que le signal VBE. Le signal VBE est par exemple défini par une pluralité de valeurs sur une période, et pour chaque valeur, une limite de tension correspondante du signal SV' CEO est calculée. Par exemple, comme cela est représenté en figure 1B, une période du signal VBE est définie par douze valeurs [1] à [12] à des 25 intervalles de 1x10-11 s, et pour chacune de ces valeurs, une limite de tension correspondante du signal BV' CE0 est définie, représentée par une croix en figure 1B. Bien sûr, dans des variantes de réalisation, des nombres différents de Valeurs VBE définissant une période du signal VBE seraient possibles, avec 30 des intervalles de durées différentes entre elles. On va décrire ci-après plus en détail des techniques pour déterminer le signal BV'CEO, qui par exemple conduisent à une augmentation significative de la limite de tension VcE pour certaines ou pour la totalité des valeurs de tension VBE. En 35 effet, dans l'exemple de la figure 1B, le signal BV' CEC varie B12697 - 13-GR3-0319FR01 entre 1,65 V et 3,1 V. En outre, même si le point le plus bas à 1,65 V du signal BV' CEO est inférieur au point le plus haut à 1,8-V du signal VcE, ces points ne coïncident pas dans le temps, et ainsi aucun point du signal VcE ne dépasse la limite définis par le signal EV'OEc. Par exemple, un procédé de simulation d'un dispositif HBT implique la génération par simulation, pour au moins deux points du signal VBE, de points correspondants du signal VcE et de points correspondants du signal de tension de claquage VcE 10 BV'cEo. Une comparaison est ensuite réalisée entre chaque point généré du signal VcE et la limite de tension correspondante du signal SV' CEO, et si la limite est dépassée, un signal d'alerte est par exemple généré pour informer le concepteur que les limites fonctionnelles du dispositif HBT ont été dépassées. 15 La figure 2A est un organigramme représentant des étapes dans un procédé de simulation d'un dispositif HBT selon un exemple de réalisation. Le procédé est par exemple mis en oeuvre par un dispositif de simulation décrit plus en détail ci-après. 20 Dans une première étape 202, un dispositif HBT est par exemple sélectionné. Par exemple, divers modèles de comportement associés à une pluralité de dispositifs HBT différents peuvent être stockés par une mémoire du dispositif de simulation, chaque dispositif HBT étant par exemple caractérisé par un ou plusieurs 25 paramètres comme ses dimensions. Par une sélection de l'un des dispositifs HBT, un modèle de comportement correspondant est par exemple sélectionné. Dans une étape suivante 204, le fonctionnement du dispositif HBT est simulé en utilisant le modèle du dispositif 30 HBT sur la base d'une tension base-émetteur VBE, afin de déterminer une densité de courant de base ou de collecteur du dispositif HBT sélectionné. Par exemple, la tension base-émetteur est l'une des valeurs [1] à [12] du signal VBE de la figure 1B. La simulation du fonctionnement du HBT ifil.Plique par B12697 - 13-GR3-0319FR01 exemple de déterminer la tension collecteur-émetteur VCE résultant de la tension base-émetteur. Comme on va le décrire plus en détail ci-après, les limites de tension VCE sont par exemple définies dans le cas 5 d'un ou deux effets qui provoquent une dégradation dans le dispositif HBT. L'un de ces effets est la dégradation par auto-échauffement, caractérisée par une densité de courant de collecteur excessive. L'autre effet est la dégradation par avalanche, caractérisée par une chute relativement forte de la 10 densité du courant de base. Dans une étape suivante 206, la densité de courant de base ou de collecteur déterminée dans l'étape 204 est comparée à une limite de densité de courant. Cette détermination indique si l'application de la première tension base-émetteur au dispositif 15 HBT va provoquer une dégradation du courant de base, et par exemple correspond à une limite fonctionnelle du dispositif HBT. Ainsi, si cette limite n'est pas dépassée, l'étape suivante est l'étape 208, dans laquelle la tension base-émetteur peut" être validée, en d'autres termes, elle est considérée comme ne 20 provoquant pas de dégradation dans le dispositif HBT. Dans certains modes de réalisation, le procédé revient ensuite à l'étape 204 après la modification d'un ou plusieurs paramètres du dispositif HBT dans l'étape 210, par exemple pour vérifier d'autres tensions base-émetteur, ou afin de déterminer une 25 limite de tension collecteur-émetteur pour la tension base-émetteur VBE donnée. Si dans l'étape 206, la limite de densité de courant est dépassée, l'étape suivante est l'étape 212, dans laquelle la tension base-émetteur VBE simulée et/ou la tension collecteur- 30 émetteur VCE, sont invalidées, en d'autres termes on considère que ces valeurs dépassent les limites fonctionnelles du dispositif HBT au-delà desquelles une dégradation va se produire. Optionnellement, le procédé passe à une étape supplémentaire 214 dans laquelle un nouveau dispositif HBT est B12697 - 13-GR3-0319FR01 3013474 11 sélectionné et/ou les exigences du dispOsitif sont adaptées, et le procédé revient ensuite à l'étape 204. La figure 2B illustre un appareil de simulation 220 agencé pour mettre en oeuvre le procédé de simulation de la 5 figure 2A et/ou les procédés décrits dans la suite. L'appareil 220 comprend par exemple un dispositif de traitement 222 ayant un ou plusieurs processeurs sous le contrôle d'une mémoire d'instructions 224. Les instructions mémorisées par la mémoire d'instruction 224 provoquent la réalisation des procédés de 10 simulation décrits ici. Le matériel comprend aussi par exemple une interface utilisateur 226 couplée au dispositif de traitement 222, et comprenant par exemple un afficheur et/ou un dispositif d'entrée comme un clavier ou une souris. Une mémoire 228 est aussi par exemple couplée au dispositif de traitement 15 222, et stocke un ou plusieurs modèles de dispositifs HBT à utiliser dans la simulation du fonctionnement des dispositifs HBT. Comme cela a été mentionné précédemment, conformément aux modes de réalisation décrits ici, les limites de fonction- 20 nement du dispositif HBT sont par exemple déterminées sur la base de deux effets HBT principaux, l'un connu sous le nom de dégradation par avalanche, et l'autre de dégradation par auto-échauffement. 4 La dégradation par avalanche est un phénomène qui se 25 produit lorsque la tension base-émetteur est relativement faible et la tension collecteur-émetteur dépasse une certaine liMite. Lorsque la tension collecteur-émetteur monte, le courant de base diminue, jusqu'à un point auquel se produit un claquage de la jonction collecteur-base. 30 La dégradation par auto-échauffement est un phénomène qui se produit lorsque la tension base-émetteur est relativement élevée, et la tension collecteur-émetteur dépasse une certaine limite. Lorsque la tension collecteur-émetteur monte, le courant dans le collecteur augmente, induisant un auto-échauffement du dispositif jusqu'à un point de claquage pour lequel une fusion de la jonction collecteur-base se produit. Dans Certains modes de réalisation, le procédé de lafigure 2A peut être utilisé pour déterminer directement si, pour un dispositif HBT, une certaine tension base-émetteur VBE et une certaine tension collecteur-émetteur VcE vont conduire à un claquage du dispositif sur la base d'une dégradation par avalanche ou d'une dégradation par auto-échauffement. En variante, le procédé de la figure ZA peut être utilisé pour 10 déterminer une ou plusieurs limites de tension collecteur-émetteur pour un dispositif HBT, comme on va la décrire maintenant plus en détail en référence aux figures 3 à 6. La figure 3 est un organigramme illustrant des étapes dans un procédé de détermination de limites de tension 15 collecteur-émetteur sur la base d'une dégradation par auto-échauffement. Dans une première étape 302, un paramètre de température T du dispositif est par exemple mis à une valeur de température Ti, et une tension base-émetteur VBE du dispositif 20 est mise à une tension Vi. La variable i est par exemple initialement mise à 1, et ainsi initialement la température est mise à une première valeur de température Ti, et la tension VBE à une première valeur de tension V1. Il y a par exemple I valeurs de tension VBE, V1 à VI, qui correspondent par exemple 25 respectivement aux niveaux [1] à [12] de la figure 1B. La valeur de température Ti est par exemple la température de l'environnement du dispositif HBT. Dans une étape suivante 304, on détermine si la tension base-émetteur VBE dépasse un niveau de seuil Vs. En 30 particulier, comme cela a été expliqué précédemment, en fonction du niveau de la tension base-émetteur VBE, le dispositif peut être caractérisé comme étant limité soit par une dégradation par avalanche soit par une dégradation par auto-échauffement. Dans un exemple, ce seuil de tension Vs est compris entre 0,75 et 35 1 V, et est par exemple à 0,9 V. L'étape 304 peut être omise par B12697 - 13-GR3-0319 12 exemple dans le cas où seul le phénomène d'auto-échauffement doit être utilisé pour déterminer la limite de tension collecteür-émetteur VcE, si par exemple on sait à l'avance que la tension émetteur-base ne va pas descendre en dessous de la tension de seuil Vs. Si VBE ne dépasse pas la tension de seuil Vs, dans une étape suivante 306, une limite de tension basée sur une dégradation par avalanche est par exemple calculée dans une étape 306, comme on va le décrire plus en détail ci-après en référence à la figure 5. La variable i est ensuite par exemple incrémentée dans une étape 308, et le procédé revient à l'étape 302. Si à l'étape 304, on détermine que la tension base-émetteur VBE dépasse la tension de seuil Vs, l'étape suivante est l'étape 310, dans laquelle la limite de densité de courant de collecteur JcLi est déterminée sur la base de la température T et de la tension VBE. Par exemple, cela est obtenu sur la base de la formule suivante : JCLi=min[yecae(13T+BE, JC maxi -1 où y, a, p et Ç sont des constantes, T est la température du dispositif, par exemple en degré Kelvin, et Jcmax est une limite de densité de courant qui s'applique quelle que soit la tension 4 base-émetteur et la température du dispositif. Par exemple, la limite de densité de courant peut être comprise entre 4x10-4 et 1x10-1 A4pm2 et est par exemple d'environ 2x10-2 A/lam2. Cette limite peut être déterminée sur la base de caractéristiques telles que les dimensions du dispositif. Dans un exemple spécifique extrait des mesures de la figure 4A décrite plus en détail ci-après, y est égal 2x10-8, a est égal 0,2681, p est égal à 0,2896 et Ç est égal à 45,5. De façon plus générale, l'homme de l'art saura comment ces constantes peuvent être déterminées pour un dispositif HBT particulier par des mesures appropriées du courant de collecteur à une température T donnée, B12697 - 13-GR3-0319FR01 13 B12697 - 13-GR3-0319FR01 14 une tension base-émetteur VBE donnée, et pour un ou plusieurs niveaux de tension collecteur-émetteur VCE- Dans une étape suivante 312, la valeur de la tension collecteur-émetteur VCE est par exemple mise à Vj, où j est une 5 variable qui est par exemple initialement mise à 1. La valeur V1 de la tension VcE est par exemple sélectionnée relativement faible de telle sorte que les limites fonctionnelles du HBT ne vont pas, être dépassées. La densité de courant de collecteur Jci résultant de l'application du niveau de tension Vj est ensuite 10 déterminée par simulation, par exemple en utilisant un modèle de comportement du dispositif HBT. Dans une étape suivante 314, la densité de courant de collecteur Jcj est comparée à la limite de densité de courant JCLi déterminée dans l'étape 310. Si ce niveau n'est pas 15 dépassé, la variable j est incrémentée dans une étape suivante 316, et le procédé revient à l'étape 312. Chaque tension Vi+1 est par exemple supérieure à la tension Vj précédente d'un pas constant égal par exemple à 0,1 V, et, par exemple, ce processus itératif continue par exemple jusqu'à ce que la limite de 20 densité de courant JcLi soit dépassée. Ainsi, on utilise un processus itératif pour déterminer le niveau de- tension qui provoque le dépassement des limites fonctionnelles. Lorsque dans l'étape 314 la limite de densité de courant de collecteur JcLi est dépassée, l'étape suivante est 25 l'étape 318, dans laquelle la limite de tension collecteur-émetteur BV' CE0i correspondante est définie. 4"ar exemple, cette limite de tension est définie comme étant la tension collecteur-émetteur Vj_l_ précédente, celle-ci étant la tension la plus élevée pour laquelle la limite de densité de courant n'a pas été 30 dépassée. Dans une étape suivante 320, I est par exemple incrémenté et on revient à l'étape 302 de sorte que la limite de tension collecteur-émetteur peut être déterminée pour un autre niveau de tension base-émetteur VBE. Lorsque tous les niveaux de tension I, par exemple chacun des niveaux de tension [1] à [12] 35 en figure 1B, ont été calculés, le procédé se termine. La figure 4A est un graphique illustrant, pour un dispositif HBT en test auquel est appliquée une tension base-émetteur de 0,9 V et ayant une température de 27°C, un exemple de la variation du courant de collecteur mesuré lorsque la tension collecteur-émetteur monte. La température correspond par exemple à la température du banc où les mesures sont faites. Comme cela est illustré par un cercle 402 en figure 4A, au-dessus d'une certaine tension VCE critique, dans cet exemple égale à environ 2,4 V, le courant de collecteur atteint un 10 niveau au-dessus duquel la dégradation devient significative avec le temps. En d'autres termes, pour chaque seconde pour laquelle cette contrainte est maintenue, la dégradation du dispositif HBT augmente, réduisant ainsi sa durée de vie. Alors que la figure 4A correspond au cas d'un dispositif HBT 15 spécifique dans lequel ce courant de collecteur est égal à environ 50 mA, en définissant ce courant en termes de densité de courant, les présents inventeurs ont trouvé que cette limite peut être appliquée à une grande plage de dispositifs HBT ayant des dimensions différentes. 20 En outre, comme cela est représenté par une croix 404, lorsque la tension VCE atteint une tension de claquage, dans cet exemple d'environ 3 V, le courant de collecteur atteint un niveau vour lequel un claquage du dispositif HBT se produit. Dans l'exemple de la figure 4A, ce courant de collecteur est 25 d'environ 70 mA. Toutefois, ici encore en définissant ce courant 1 en termes de densité de courant, les présents inventeurs ont trouvé que cette limite peut être appliquée à une grande plage de dispositifs HBT. La limite de densité de courant de collecteur JcLi 30 déterminée à l'étape 310 de la figure 3 correspond par exemple à la limite de dégradation 402 du dispositif HBT. Par exemple, les constantes y, a, p et Ç de l'équation 1 susmentionnée sont déterminées sur la base de cette mesure. Comme on va le décrire plus en détail ci-après, les 35 présents inventeurs ont trouvé que le niveau de tension critique B12697.- 13-GR3-0319FR01 15 B12697 - 13-GR3-0319FR01 16 peut être utilisé pour estimer la dégradation du dispositif HBT dans le temps pour une température donnée et pour une tension base-émetteur donnée. La figure 4B illustre des exemples de limites de densité de courant de collecteur pour un dispositif HBT pour une plage de tensions base-émetteur et pour des températures de 27 °C (courbe en trait plein en figure 4B), 75 °C (courbe en trait interrompu en figure 4B) et 125 °C (courbe en trait interrompu par des pointillés en figure 4B). Dans cet exemple, 10 en dessous d'une tension base-émetteur d'environ 0,9 V, la limite de densité de courant de collecteur est fonction de- la tension base-émetteur et de la température, alors qu'au-dessus de cette tension, la limite de densité de courant Jcmax est atteinte, limite au-dessus de laquelle une dégradation se 15 produit quelle que soit la tension -base-émetteur et la température. La figure 5 est un organigramme illustrant des étapes dans un procédé de détermination d'une limite de tension collecteur-émetteur sur la base d'une dégradation par avalanche. 20 Un tel procédé est par exemple appliqué à l'étape 306 de la figure 3, ou en variante, il pourrait être appliqué indépendamment du procédé de la figure 3, si par exemple on sait à l'avance que la tension émetteur-base ne va jamais aller au-dessus de la tension de seuil Vs. 25 Dans une première étape 502, la tension VCE est par exemple mise à une valeur VINIT, qui est par exemple une valeur initiale à laquelle il est connu que le transistor est loin de la limite d'avalanche. Par exemple, cela pourrait être une tension collecteur-émetteur VcE relativement faible d'environ 30 1 V, et plus généralement une tension collecteur-émetteur comprise entre 0,2 et 1,5 V. La tension base-émetteur VBE est supposée être égale à Vi conformément à l'étape 302 de la figure . 3. Dans une étape suivante 504, une densité de courant de 35 base initiale J B INIT pour le dispositif HBT est déterminée sur B12697 - 13-GR3-0319FR01 la base des tensions VBE et VcE., Par exemple, cette étape peut être utilisée en utilisant un modèle du dispositif HBT. Dans une étape suivante 506, la tension collecteur-émetteur VcE est maintenant mise à une valeur Vk. Initialement, k est par exemple mis à 1, et la valeur V1 de la tension VcE est par exemple sélectionnée de façon à être relativement faible de sorte que les limites fonctionnelles du HBT ne vont pas être dépassées. Dans un exemple, la tension Vk est la même que la tension V. de l'étape 312 de la figure 3. 10 Dans une étape suivante 508, une densité de courant de base JBk est calculée en utilisant le modèle de dispositif et sur la base de la tension VCE, et aussi sur la base de la tension base-émetteur VBE. Le courant de base initial JB mit calculé à l'étape 504 est ensuite soustrait du courant de base 15 Bk et le résultat est comparé à une limite de densité de courant de base JBL. Cette étape est équivalente à une comparaison de la densité de courant de base JBk à une limite de densité de courant de base calculée par BINITBL La limite- _ JBL définit une chute maximum de la densité du courant de base, 20 et est par exemple une valeur comprise entre -8x10-5 et -1x10-6. La limite JBL est par exemple déterminée par une mesure pour un dispositif HBT. Pour un dispositif HBT donné, la limite de densité de courant de base est fonction de la tension base-émetteur VBE appliquée au dispositif. 25 Si la limite n'est pas dépassée, l'étape suivante est l'étape 510, dans laquelle k est incrémenté, puis on revient à l'étape 506. Chaque tension Vkil est par exemple supérieure à la tension précédente Vk d'un pas constant par exemple égal à 0,1 V, et ce processus itératif continue par exemple jusqu'à ce 30 que la limite de densité de courant soit dépassée. Le procédé passe ensuite à l'étape 512, dans laquelle la limite de tension collecteur-émetteur SV' CE0i correspondante est déterminée. Par exemple, cette limite de tension est définie comme étant la tension collecteur-émetteur précédente Vk_1, celle-ci étant la tension la plus élevée pour laquelle la limite de densité de courant n'a pas été dépassée. Le procédé revient par exemple à l'étape 308 de la figure 3, ou en variante, dans le cas où le procédé de la figure 5 est appliqué indépendamment de la limite de dégénération par auto-échauffement, le procédé peut être répété pour une nouvelle valeur Vi, dé la tension base-émetteur VBE. La figure 6 est un graphique illustrant, pour une tension base-émetteur donnée de 0,775 V, un exemple de la 10 variation du courant de base lorsque la tension collecteur- émetteur augmente. Comme cela est illustré par un cercle 602 en figure 6, au-dessus d'une certaine tension VcE critique, dans cet exemple égale à environ 2,8 V, le courant de base diminue d'une quantité qui indique qu'une dégradation est devenue signi- 15 ficative dans le temps. En d'autres termes, pour chaque seconde pendant laquelle cette contrainte est maintenue, la dégradation du dispositif HBT augmente, réduisant ainsi sa durée de vie. Alors que la figure 6 correspond au cas d'un dispositif HBT spécifique dans lequel cette chute du courant de base est égale 20 à environ 10 gA, en définissant ce courant en termes de densité de courant, les présents inventeurs ont trouvé que cette limite pouvait être appliquée à une grande plage de dispositifs HBT. En outre, comme cela est représenté par une croix 604, lorsque la tension VcE atteint une tension de claquage, dans cet 25 exemple d'environ 3 V, le courant de base est descendu d'un niveau pour lequel un claquage du dispositif HBT se produit. Dans l'exemple de la figure 6, cette chute du courant de base est égale à environ 26 pA, toutefois, ici encore en définissant ce courant en termes de densité de courant, les présents 30 inventeurs ont trouvé que cette limite pouvait être appliquée à une grande plage de dispositifs HBT. La limite de densité de courant de base Jiu de l'étape 508 de la figure 5 correspond par exemple à la limite de dégradation 602 du dispositif HBT. Comme on va le décrire plus 35 en détail ci-après, les présents inventeurs ont trouvé que le B12697 - 13-GR3-0319FR01 18 B12697 - 13-GR3-0319FR01 19 niveau de tension critique peut -être utilisé pour estimer la durée de vie du dispositif HBT pour une tension base-émetteur donnée. La figure 7 illustre un procédé pour estimer la dégradation d'un dispositif HBT selon un exemple de réalisation. Dans une étape 702, des paramètres VBE, VcE and T sont par exemple définis pour un dispositif HBT spécifique. Dans une étape suivante 704, sur la base desdites une ou plusieurs limites de tension collecteur-émetteur BV' la CE0i, 10 dégradation du HBT est estimée pour un âge donné, par exemple sur la base d'une ou plusieurs caractéristiques de tracé Gummel, Par exemple, l'étape 702 implique de déterminer, par simulation, une première tension collecteur-émetteur du transistor pour la tension base-émetteur VBE. L'étape 704 implique 15 par exemple la détermination d'une estimation de la dégradation du courant de base du dispositif HBT après une durée (t) pendant laquelle la première tension collecteur-émetteur est appliquée au dispositif HBT sur la base d'une comparaison entre la première tension collecteur-émetteur et la limite de tension 20 collecteur-émetteur. En effet, le taux de dégradation est par exemple fonction de l'étendue avec laquelle la tension collecteur-émetteur dépasse la limite de tension collecteur-émetteur. Dans le cas où la tension base-émetteur VBE est 25 inférieure au seuil de tension Vs, on suppose une dégradation par avalanche. La dégradation dans le temps peut être calcu14e sur la base de l'équation suivante : deg radation = AtP1 où A et P1 sont des constantes. Ces constantes peuvent par 30 exemple être déterminées, pour une tension collecteur-émetteur VCE donnée' par un test du dispositif. En particulier, les tensions base-émetteur et collecteur-émetteur sont par exemple appliquées à un dispositif HBT, et la dégradation du courant de base est mesurée au niveau d'un certain nombre d'intervalles de 35 temps. Les valeurs de A et p sont ensuite déterminées de façon à B12697 - 13-GR3-0319FR01 20 conduire à une meilleure approximation de courbe en ce qui concerne les valeurs de dégradation de courant de base mesurées. En calculant les constantes A et P1 pour au moins deux tensions collecteur-émetteur, dont l'une est par exemple égale à la limite de tension collecteur-émetteur, une interpolation entre les valeurs de dégradation fournies par les équations peut être utilisée pour calculer la dégradation pour diverses tensions collecteur-émetteur. La figure 8 est un graphique log-log illustrant la 10 dégradation du courant de base en fonction du temps sur la base d'une dégradation par avalanche, selon un exemple dans lequel la tension collecteur-émetteur VcE est égale à la limite BV' CE0i par exemple calculée par le procédé de la figure 5. Les points tracés en figure 8 représente des mesures de dégradation de 15 courant de base, et la ligne 802 représente une courbe de meilleure approximation. Dans cet exemple, la constante A est calculée comme étant 0,0107 et la constante p comme étant 0,0578. La dégradation pour un âge t donné en secondes peut ainsi être déterminée par l'équation : 20 dégradation(t) = 0,0107t°,°578. Dans le cas où la tension base-émetteur VBE est supérieure au seuil de tension Vs, on suppose une dégradation par auto-échauffement. La dégradation dans le temps peut alors être calculée sur la base de l'équation suivante : 25 deg radation = 1 - +C tP2 où B, C et P2 sont des constantes et t est le temps en seconde pendant lequel la contrainte est maintenue. Ces constantes peuvent par exemple être déterminées par des tests pour une tension collecteur-émetteur VcE donnée. En particulier, la 30 tension collecteur-émetteur est appliquée à un dispositif HBT, et la dégradation du courant de base est mesurée au niveau d'un certain nombre d'intervalles de temps afin de déterminer les valeurs de B, C et P2 qui vont conduire à une meilleure B12697 - 13-GR3-0319FR01 21 approximation en ce qui concerne la dégradation de courant mesurée. En calculant les constantes B, C et P2 pour au moins deux tensions collecteur-émetteur, dont l'une est par exemple la limite de tension collecteur-émetteur, on peut utiliser une interpolation entre les valeurs de dégradation fournies par les équations pour calculer la dégradation pour diverses tensions collecteur-émetteur. La figure 9 est un graphique log-log illustrant la dégradation du courant de base en fonction du temps sur la base d'une dégradation par auto-échauffement, selon un exemple dans lequel la tension collecteur-émetteur VcE est égale à la limite BV'CE0i calculée par exemple par le procédé de la figure 4. Les points tracés en figure 9 représentent des mesures de dégradation de courant de base, et la ligne 902 représente une courbe de meilleure approximation. Un avantage des modes de réalisation décrits ici est qu'ils conduisent à une amélioration significative dans la simulation d'un dispositif HBT. En particulier, en déterminant une limite de tension collecteur-émetteur sur la base d'une densité de courant, on peut obtenir un procédé de simulation qui est applicable à une grande plage de dispositifs HBT, et qui détermine avec précision les limites de sécurité du fonctionnement. En outre, en définissant la limite de tension sous forme d'une pluralité de valeurs correspondant respectivement à différents points sur une forme d'onde de tension base-émetteur, la simulation peut identifier de façon plus précise ?si la limite de tension va ou non être dépassée à un instant quelconque pendant le fonctionnement du dispositif HBT. Avec la description ainsi faite d'un mode de réalisa-30 tion illustratif, diverses altérations, modifications et améliorations apparaîtront facilement à l'homme de l'art. Par exemple, bien qu'on ait décrit des procédés basés sur une dégénération par avalanche et une dégénération par auto-échauffement, il sera clair pour l'homme de l'art que des variantes de réalisation pourraient être basées sur un seul de ces phénomènes, et/ou basées sur d'autres types de dégradations. REVENDICATIONS1. Procédé de simulation de circuit comprenant : simuler, par un dispositif de traitement, le comportement d'un transistor bipolaire à hétéroj onction (HBT) sur la base d'au moins une première tension base-émetteur (VBE) du transistor pour déterminer une première densité de courant de base ou de collecteur (JB, Jc) du dispositif HBT ; et déterminer si l'application de la première tension base-émetteur au dispositif HBT va provoquer une dégradation du courant de base en réalisant une première comparaison de la première densité de courant à une première limite de densité de courant. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première limite de densité de courant correspond à une limite fonctionnelle du dispositif HBT, et le fait de déterminer si la première tension base-émetteur va provoquer une dégradation du courant de base comprend de déterminer si la limite fonctionnelle est dépassée. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première densité de courant de base ou de collecteur est 20 déterminée sur la base d'une première tension collecteur-émetteur (VcE) du transistor, le procédé comprenant en outre : simuler le dispositif HBT sur la base de la première tension base-émetteur (VBE) du transistor et d'une deuxième tension collecteur-émetteur (VcE) pour déterminer une deuxième 25 densité de courant de base ou de collecteur (JB, Jc) du dispositif HBT réaliser une deuxième comparaison de la deuxième densité de courant à une deuxième limite de densité de courant ; et 30 déterminer une première limite de tension collecteur- émetteur (BV1cEoi ) pour la première tension base-émetteur sur la base des première et deuxième comparaisons. 4. Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre :déterminer, par le dispositif de traitement pour une deuxième tension base-émetteur (VBE) du transistor, une deuxième limite de tension collecteur-émetteur (BVIcEoi) déterminer, par simulation, une première tension 5 collecteur-émetteur du transistor pour la première tension base-émetteur ; déterminer, par simulation, une deuxième tension collecteur-émetteur du transistor pour la deuxième tension base-émetteur ; et 10 générer par le dispositif de traitement un signal d'alerte si la première tension collecteur-émetteur dépasse la première limite de tension collecteur-émetteur ou si la deuxième tension collecteur-émetteur dépasse la deuxième limite de tension collecteur-émetteur. 15 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre : déterminer, par simulation, une première tension collecteur-émetteur du transistor pour la première tension base-émetteur ; et 20 déterminer une estimation de la dégradation du courant de base du dispositif HBT après une durée (t) pendant laquelle la première tension collecteur-émetteur est appliquée au dispositif HBT sur la base d'une comparaison entre la première tension collecteur-émetteur et la première limite de tension 25 collecteur-émetteur (BVicE0i). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'estimation de la dégradation du courant de base du dispositif HBT après une durée (t) est déterminée sur la base d'au moins l'une des équations : 30 deg radation = At'' 1 -EC tP2 où t est la durée et B, C et P2 sont des constantes. où t est la durée et A et P1 Sont des constantes ; degudafiml= 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la tension base-émetteur VBE du dispositif HBT a une tome d'onde périodique, chaque période de la forme d'onde étant définie par une pluralité de valeurs de tension base- émetteur (VBEi), le procédé comprenant en outre : déterminer une pluralité de limites de tension collecteur-émetteur (BVcE0i), chaque limite correspondant à une valeur respective de la pluralité de valeurs de tension base-émetteur ; déterminer par simulation une pluralité de tensions collecteur-émetteur correspondant chacune à une valeur respective de la pluralité de valeurs de tension base-émetteur ; et générer par le dispositif de traitement un signal d'alerte si l'une quelconque de la pluralité de tensions 15 collecteur-émetteur dépasse une limite correspondante de la pluralité de limites de tension collecteur-émetteur. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre une comparaison de la première tension base-émetteur (VBE) à un seuil de tension (Vs), dans lequel : 20 si la première tension base-émetteur est inférieure au seuil de tension, la première densité de courant de base ou de collecteur est une première densité de courant de base (0-Bk) ; et si la première tension base-émetteur est supérieure au 25 seuil de tension, la première densité de courant de base ou de collecteur est une première densité de courant de collecteur (0-Cj) - 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la première densité de courant est une première 30 densité de courant de base (0-Bk), le procédé comprenant en outre, avant de réaliser la première comparaison, de déterriner la première limite de densité de courant de base en déterminant une densité de courant de base initiale (JB INIT) pour la première tension base-émetteur, la première limite de densité decourant de base étant égale à la densité de courant de base initiale moins une chute de courant de base maximum (JBL). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la densité de courant de base initiale est déterminée pour une 5 tension collecteur-émetteur comprise entre 0,2 et 1,5 V. 11. Procédé selon quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la première densité de courant est une première densité de courant de collecteur (Jci), le procédé comprenant en outre, avant de réaliser la première comparaison, de déterminer 10 la première limite de densité de courant de collecteur sur la base de la première tension base-émetteur (VBE) et d'une valeur de température correspondante (Ti) du dispositif Hie. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la première limite de densité de courant (JCLi) est déterminée par 15 la formule suivante : où y, a, P et JcLi = min[yecere03T+)V8E T est la température du base-émetteur et Jcmax est de la température ou dispositif HBT, VBE une limite de courant ,Jc max sont des constantes, est la tension maximum indépendante 20 de la tension base-émetteur. 13. Procédé de conception de circuit comprenant : la conception d'un circuit comprenant au moins un dispositif HBT ; la simulation du comportement dudit au moins un 25 dispositif HBT par le procédé de l'une quelconque des revendications 1 à 12. 14. Dispositif de simulation de circuit comprenant : un dispositif de traitement agencé pour : simuler le comportement d'un transistor bipolaire à 30 hétérojonction (HBT) sur la base d'au moins une première tension base-émetteur (VBE) du transistor pour déterminer une première densité de courant de base ou de collecteur (JB, Jc) du dispositif HBT ; etdéterminer si l'application de la première tension base-émetteur au dispositif HBT va provoquer une dégradation du courant de base en réalisant une première comparaison de la première densité de courant avec une première limite de densité de courant.