Brevet FR3002545A1 — publié le 20140829

Procédé de formation d'un siliciure métallique à l'aide d'une solution contenant des ions or et des ions fluor La présente invention concerne de manière générale la fabrication de dispositifs électroniques, tels que notamment des mémoires NAND effaçables utilisées dans les clés USB, les cartes MS et les cartes SD pour le stockage et le transfert général des données. La présente invention se rapporte à la fabrication de siliciure métallique par dépôt chimique de métal sur du silicium. Elle porte en particulier sur l'activation d'un substrat comprenant une alternance verticale par rapport à sa surface de couches d'un diélectrique et d'un semi-conducteur, pour son revêtement ultérieur avec une fine couche métallique déposée par un procédé electroless, encore appelé auto-catalytique. Le siliciure de nickel est généralement formé par dépôt d'un film de nickel sur le substrat de silicium par un procédé en phase vapeur, suivi d'un traitement thermique rapide (RTA, Rapid Thermal Anneal). Au cours de ce traitement thermique à une température généralement de l'ordre de 400 à 750°C, le nickel migre dans la couche de silicium pour former le siliciure de nickel. Le nickel qui n'a pas migré dans le silicium et qui est resté en surface du substrat peut ensuite être retiré par nettoyage chimique sélectif sans endommager le siliciure formé. Le siliciure de nickel est notamment utilisé pour la fabrication d'interconnexions dans des dispositifs à semi-conducteurs utilisés dans des circuits intégrés VLSI. Les dépôts de siliciure de nickel sont également utiles dans la fabrication de mémoires NAND, et des transistors MOS. Les mémoires flash NAND stockent des informations dans un réseau de cellules mémoire constitué de transistors à grille flottante (MOS) qui sont connectés en série. Dans les NAND en trois dimensions, il est souhaitable de pouvoir réaliser des dépôts de siliciure de nickel très fins d'épaisseur uniforme dans des structures dont les facteurs de forme sont très élevés, notamment des puits de quelques dizaines de nanomètres d'ouverture et de quelques microns de profondeur. Les transistors MOS (métal-oxyde-semiconducteur) utilisent souvent des couches de siliciure métallique (siliciure de titane, de cobalt ou de tungstène) pour réduire la résistance entre deux matériaux. Dans des transistors MOS de faible longueur de grille ou les transistors MOS à jonctions peu profondes, il est nécessaire de réaliser des dépôts de nickel 3002 545 2 plus fins, car le nickel a un coefficient de diffusion dans le silicium très élevé conduisant à la formation de zones de siliciure de nickel qui peuvent s'étendre au-dessous des parois latérales des structures de transistor, et entraîner des défauts de fonctionnement. 5 Afin d'obtenir une couche de nickel d'épaisseur uniforme, il est généralement nécessaire d'activer la surface de silicium avec du palladium. Le brevet US 6 406 743 a notamment décrit un procédé de fabrication de siliciure de nickel comprenant l'activation de la surface de silicium polycristallin avec un sel de chlorure de palladium en solution dans de l'acide fluorhydrique et de l'acide 10 acétique à température ambiante pendant une dizaine de secondes. Après cette étape d'activation, une couche de nickel d'épaisseur 180-220 nm est déposée par voie electroless, par exemple avec une solution de sulfate de nickel et de diméthylamine borane en présence d'agents complexants du nickel, tels que l'acide lactique et l'acide citrique. Le siliciure de nickel est formé en portant le 15 nickel à haute température (650°C) de manière à le faire migrer dans le silicium. La Demanderesse a cependant constaté que l'activation avec du palladium ne permet pas d'obtenir des couches nickel d'épaisseur faible et uniforme, car la densité d'activation du palladium à la surface du silicium est trop faible. La Demanderesse a également pu constater qu'en utilisant de l'argent ou 20 du cuivre pour activer la surface de silicium, on obtient une couche de nickel fine et régulière, mais le siliciure de nickel ne se forme pas au cours de l'étape de traitement thermique rapide (RTA). Il a déjà été proposé de déposer le nickel par un procédé en phase vapeur. Cependant, les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD ou 25 ALD) sont coûteux. Ils présentent également le désavantage, lorsqu'ils sont appliqués à des substrats présentant des puits ou des gravures, de former des dépôts très épais à l'ouverture et sur les angles aigus des structures plutôt que dans leurs fonds. Lorsque les facteurs de formes deviennent trop importants, par exemple supérieurs à 5:1, par exemple de l'ordre de 10:1, l'épaisseur des 30 couches déposées par CVD devient trop faible au fond des structures. Il subsiste donc un besoin d'obtenir une couche de nickel régulière de faible épaisseur qui puisse migrer dans le silicium par un traitement thermique rapide à des températures les plus basses possibles afin de réduire les coûts de fabrication. Cette couche doit être obtenue selon un procédé industriel peu 35 coûteux et facile à mettre en oeuvre. C'est pourquoi on a cherché à déposer le nickel par voie auto-catalytique et non en phase vapeur. Il a été découvert dans le cadre de la présente invention que cet objectif peut être atteint en utilisant un sel d'or en solution aqueuse en présence d'une source de fluor. L'invention a donc pour premier objet un procédé de formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt comprenant les étapes consistant à : - mettre en contact la surface d'un substrat comprenant du silicium avec une solution aqueuse contenant des ions or et des ions fluor pour former des particules d'or métallique (Au 0), - déposer par voie electroless, sur le substrat recouvert de particules d'or métallique, une couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt, - appliquer un traitement thermique rapide (RTA) à une température comprise entre 300°C et 750°C, de manière à former le siliciure de nickel ou le siliciure de cobalt. Le dépôt de nickel obtenu selon le procédé de la présence invention respecte un cahier des charges complexe : - il est adhérent au substrat de silicium, - il est d'épaisseur constante sur toute la surface du substrat quelle que soit sa typologie, et ce même à faible épaisseur, typiquement inférieur à 150 nm, et - il diffuse dans le silicium lors d'un traitement thermique rapide, même à basse température, typiquement de l'ordre de 350°C. Dans les structures dont la surface comprend une alternance de zones de silicium et de zones d'isolant, le procédé de l'invention permet avantageusement de réaliser un dépôt sélectif du nickel ou du cobalt sur le silicium, ce qui limite l'usage excessif de matières premières, et les coûts associés à une étape d'élimination du nickel n'ayant pas migré dans le silicium, à l'issu du RTA. Pour une application dans le domaine de la microélectronique, le substrat de silicium pourra être constitué d'un coupon de silicium recouvert d'une couche de dioxyde de silicium (5i02) ayant une épaisseur comprise entre 70 et 110 nm, puis d'une couche de silicium, par exemple polycristallin, ayant une épaisseur comprise entre 150 et 230 nm. On entend par silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si, une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d'un seul cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très faible cohérence cristallographique), le silicium polycristallin est constitué de multiples petits cristaux de tailles et de formes variées. La première étape du procédé de l'invention consiste à mettre en contact la surface d'un substrat comprenant du silicium avec une solution aqueuse contenant des ions or et des ions fluor pour former des particules d'or, encore appelés grains d'or, à la surface du substrat de silicium. La solution aqueuse contient de préférence de 0.1 mM à 10 mM d'ions or, de préférence de 0.1 mM à 5.0 mM, et de préférence encore de 0.5 mM à 1.0 mM d'ions or. La concentration en ions or est par exemple comprise entre 0.65 10 mM et 0.75 mM. Dans la présente demande, les expressions « allant de ... à » et « contenant de ... à » désignent des plages de valeurs comprenant les bornes. L'expression « entre ... et » exclut les bornes de la plage de valeurs. La solution aqueuse contient de préférence de 0.6 M à 3.0 M d'ions 15 fluor, de préférence de 1.0 à 2.0 M, et de préférence encore de 1.4 à 1.6 M d'ions fluor. Les ions fluor peuvent être apportés par de l'acide fluorhydrique (HF), NH4F ou par un mélange NH4F/HF. La solution aqueuse contient de préférence de 0.6 M à 3.0 M d'acide 20 fluorhydrique (HF), de préférence de 1.0 M à 2.0 M, et de préférence encore de 1.4 M à 1.6 M d'acide fluorhydrique (HF). Les ions or peuvent être apportés par un sel d'or choisi parmi les sels d'or (I) et (III), comme les chlorures d'or (I), les chlorures d'or (III) ou le bromure d'or (III). On choisit par exemple l'acide chloraurique (HAuC14). 25 La solution aqueuse contient de préférence de 0.1 mM à 10 mM d'ions or (III), de préférence de 0.1 à 5.0 mM, et de préférence encore de 0.5 à 1.0 mM d'ions or (III). La concentration en ions or (III) est par exemple comprise entre 0.65 et 0.75 mM. Selon un mode de réalisation préféré, la solution aqueuse contient 30 - de 0.1 mM à 10 mM, de préférence de 0.5 mM à 1.0 mM, d'ions or, et - de 0.6 M à 3.0 M, de préférence de 1.0 M à 2.0 M, d'ions fluor. La solution aqueuse peut contenir des composés acides organiques ou inorganiques, qu'ils soient forts ou faibles, de manière à faire varier la vitesse d'attaque du silicium, notamment l'augmenter ou la diminuer. Dans un mode de 35 réalisation, la solution aqueuse est dépourvue d'acide acétique CH3COOH. La solution peut contenir en outre un agent tensio-actif, si l'on veut réduire davantage l'épaisseur de la couche de nickel ou de cobalt que l'on souhaite déposer dans une étape ultérieure. L'agent tensio-actif peut être choisi parmi des polymères tels que les polyvinylpyrrolidones. L'agent tensio-actif peut être également choisi parmi les composés comprenant un groupement polaire anionique ou non ionique et une chaîne alkyle comprenant au moins 10 atomes de carbone, par exemple de 10 à 14 atomes de carbone. La chaîne alkyle est de préférence linéaire. Elle comprend avantageusement 12 atomes de carbone. L'agent tensio-actif peut avoir une masse moléculaire comprise entre 100 g/mol et 5000 g/mol, de préférence une masse moléculaire comprise entre 100 g/mol 1 500 g/mol, et de préférence encore une masse moléculaire comprise entre 200 g/mol 500 g/mol. Le groupement polaire peut être un groupement non ionique, de préférence un groupement polyoxyalkylèneglycol, par exemple polyoxyéthylèneglycol ou polyoxypropylèneglycol. Dans ce mode de réalisation, l'agent tensio-actif peut être choisi parmi les polyoxyalkylèneglycol alkyl éthers, de préférence les polyoxyalkylèneglycol alkyl éthers comprenant une chaîne alkyle ayant de 10 à 14 atomes de carbone, comme par exemple les polyoxyéthylèneglycol dodécyl éthers. Le groupement polaire peut être un groupement anionique tel qu'un sulfonate (-S03), un sulfate (-0S03), ou un carboxylate (-000-). On préfère un sulfate dans le cadre de l'invention. L'agent tensio-actif est de préférence un sulfate d'alkyle de formule R-OS03 dans laquelle R est un groupe alkyle linéaire ayant de 10 à 14 atomes de carbone, de préférence 12 atomes de carbone. L'agent tensio-actif peut-être par exemple le dodécylsulfate de sodium. L'agent tensio-actif représente de préférence de 0,1 à 5% en poids, par exemple de 2,5 à 3,5% en poids, de la solution. Selon un mode de réalisation préféré, la solution aqueuse contient de 0.5 mM à 1 mM d'acide chloraurique (HAuC14), de 1.0 à 2.0 M d'acide fluorhydrique (HF), et éventuellement 2,5 à 3,5% en poids de dodécylsulfate de sodium par rapport au poids de la composition. De préférence, cette étape d'activation su substrat de silicium par dépôt de grains d'or métallique à sa surface est réalisée à une température comprise entre 15 et 30°C, et de préférence encore à une température comprise entre 20 et 25°C. La durée de contact entre la solution aqueuse et le substrat de silicium est généralement de l'ordre de 5 secondes à 5 minutes, de préférence de 10 secondes à 2 minutes, et de préférence encore entre 20 et 40 secondes. On choisira la durée d'activation en fonction de la taille et du nombre de grains d'or que l'on souhaite former à la surface du substrat de silicium. On choisira avantageusement une taille de grains d'or de l'ordre de 5 à 15 nm, de préférence de l'ordre de 10 nm. La mise en contact de la surface du substrat avec la solution d'activation est réalisée avantageusement par immersion du substrat dans la solution d'activation, éventuellement sous agitation. Le substrat ainsi traité est avantageusement abondamment rincé à l'eau déionisée et séché sous un flux d'azote, afin de retirer toute trace de solution d'activation. La deuxième étape du procédé de l'invention consiste à déposer par voie electroless sur le substrat recouvert de particules d'or une couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt. Par essentiellement, on entend plus de 90 °h en poids. Les autres éléments pouvant être du bore, du phosphore ou du tungsten. La couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt est avantageusement uniforme (variation inférieure à 10% en épaisseur) lorsqu'elle couvre une surface plane, ou conforme (rapport de couverture haut-bas de structure compris entre 90 et 110%) lorsqu'elle recouvre des structures en trois dimensions (exemple des puits en TSV). Le dépôt métallique est effectué par un procédé non électrochimique encore appelé autocatalytique ou « electroless », qui ne nécessite pas la polarisation électrique du substrat. Le dépôt métallique peut être du nickel, du cobalt, un alliage nickel-bore (NiB), un alliage cobalt-bore (CoB), un alliage nickel-phosphore (NiP), un alliage cobalt-phosphore (CoP) ou un alliage cobalt-tungstene-phosphore (CoWP). Le dépôt de nickel ou de cobalt est de préférence obtenu en exposant le substrat activé à une solution aqueuse comprenant: - au moins un sel métallique d'ions nickel ou cobalt, de préférence en une concentration comprise entre 10-3 M et 1 M ; - au moins un agent réducteur des ions nickel ou cobalt, de préférence en une quantité comprise entre 10-4 M et 1 M ; et - éventuellement, au moins un agent stabilisant des ions nickel ou cobalt, de préférence en une quantité comprise entre 10-3 M et 1 M ; Le sel de nickel ou de cobalt est de préférence un sel soluble dans l'eau choisi dans le groupe constitué par le chlorure, l'acétate, l'acétylacétonate, l'hexafluoro-phosphate, le nitrate, le perchlorate, le sulfate et le tétrafluoroborate. Un sel métallique préféré dans le cadre de la présente invention est choisi parmi le sulfate de nickel ou de cobalt, le chlorure de nickel ou de cobalt, l'acétate nickel ou de cobalt, ou le sulfamate de nickel ou de cobalt. On choisit par exemple le sulfate de nickel hexahydraté. Avantageusement, l'agent réducteur peut être choisi dans le groupe constitué par les dérivés du phosphore, les dérivés du bore, le glucose, le formaldéhyde et l'hydrazine. Les dérivés du phosphore peuvent être choisis parmi l'acide hypophosphoreux (H3P02) et ses sels, et les dérivés du bore peuvent être choisis parmi les complexes de borane. L'agent réducteur utilisé est avantageusement choisi parmi les dérivés du bore et en particulier parmi le diméthylamino borane, le triméthyl-amino borane, le triéthyl-amino borane, le pyridine borane, le morpholène borane ou le terbutyl-amine borane. De préférence, on utilisera le diméthyl-amino borane (DMAB). L'agent stabilisant peut être choisi parmi les composés qui peuvent se complexer aux ions nickel ou aux ions cobalt, de manière à éviter la réduction des ions métalliques en solution par l'agent réducteur en absence de catalyseur. L'agent stabilisant des ions métalliques peut être choisi dans le groupe constitué par l'éthylènediamine et les sels des acides acétique, propionique, succinique, hydroxy-acétique, malonique, amino-acétique, malique ou citrique. On choisit de préférence l'acide citrique ou un de ses sels pour stabiliser les ions Ni 2+ ou Co2±. Le pH de la solution aqueuse peut être acide ou basique, et peut être ajusté dans la gamme de pH souhaitée au moyen d'un ou plusieurs composés modificateurs de pH (ou tampons) tels que ceux décrits dans le « Handbook of Chemistry and Physics - 84th Edition » de David R. Lide publié chez CRC Press. La solution aqueuse peut par exemple comprendre un agent permettant d'ajuster le pH à une valeur comprise entre 3 à 12, par exemple une amine non polymère pour ajuster le pH entre 8 et 12. D'une façon générale, la couche métallique peut être réalisée par trempage du substrat dans la solution aqueuse définie précédemment, à une température comprise entre 50 et 90°C, de préférence à 65°C, pendant une durée de 30 s à 30 min, selon l'épaisseur de la couche souhaitée. Une étape préalable de prémouillage du substrat peut être réalisée avant d'exposer le substrat à la solution aqueuse selon l'invention. Le substrat est par exemple immergé dans une solution aqueuse ou une solution contenant le sel métallique avec son stabilisant, mais sans réducteur. On utilise de préférence de l'eau déionisée. L'ensemble est soumis à une dépression en deçà de 500 mbar pendant 1 à 30 min, de préférence pendant 5 à 15 min. L'étape de dépôt de la couche de nickel ou de cobalt pourra être réalisée en mettant le substrat à revêtir en rotation à une vitesse comprise entre 20 et 600 tours par minute, en imposant des ultrasons ou des mégasons, ou encore en imposant une simple recirculation de la solution aqueuse dans le réacteur. Avec la solution aqueuse décrite précédemment, utilisée dans la gamme de température générale précitée, on a obtenu un film métallique présentant une épaisseur comprise entre 6 et 200 nanomètres pour une durée de contact comprise entre 1 min et 20 min. Selon un mode de réalisation, la couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt est une couche de nickel-bore déposée en exposant la surface du substrat activé à une solution aqueuse contenant un sel de nickel, un agent réducteur à base de bore, et un agent stabilisant, le pH de la solution étant compris entre 9 et 12, et la température de la solution aqueuse étant comprise entre 50°C et 90°C. La solution aqueuse contenant le sel de nickel peut avantageusement contenir en outre un agent suppresseur qui s'adsorbe à la surface de la couche métallique se formant au fur et à mesure. Le suppresseur est de préférence un polymère comprenant des groupes ou fonctions « amine », notamment choisi parmi les polymères et copolymères dérivés des chitosans, des poly(allyl-amine), des poly(vinyl-amine), des poly(vinyl-pyridine), des poly(amino-styrène), des poly(éthyleneimine), des poly(L-lysine), et les formes acides (ou protonés) de ces polymères. Selon un mode de mise en oeuvre de l'invention, on préfère utiliser un homopolymère ou copolymère de la poly(éthylèneimine) sous sa forme non protonée. On choisira par exemple une poly(éthylèneimine) linéaire avec une masse moléculaire moyenne en nombre Mn comprise entre 500 et 25 000 g/mol. La concentration en polymère doté de fonctions amines utilisé selon la présente invention va avantageusement de 1 à 250 ppm, plus particulièrement de 1 à 100 ppm, de préférence encore de 1 à 10 ppm, par exemple de 1.5 à 3 ppm (1 ppm équivalant à 1 mg/kg de solution). Lorsque le polymère doté de fonctions amines est une poly(éthylèneimine), le pH de la solution aqueuse va avantageusement de 8 à 12, de préférence de 8,5 à 10. Il est notamment de l'ordre de 9, par exemple entre 8,9 et 9,1. Dans ce cas, on pourra utiliser l'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH), la triéthanol-amine, la N,N-diméthyléthanolamine ou la N-méthyl-éthanolamine comme agent permettant d'ajuster le PH. L'épaisseur de la couche de nickel ou de cobalt est de préférence comprise entre 10 nm et 150 nm, de préférence encore entre 10 nm et 100 nm, voir même entre 10 nm et 60 nm. Pour la réalisation de certaines applications, l'épaisseur de la couche de nickel ou de cobalt peut être comprise entre 10 nm et 20 nm tout en ayant une épaisseur régulière. Le substrat recouvert de la couche métallique de nickel ou de bore subit ensuite un traitement thermique rapide bien connu de l'homme du métier. La température est généralement comprise entre 300°C et 750°C, de manière à former le siliciure de nickel ou le siliciure de cobalt. Sous l'effet de la chaleur, les atomes de nickel ou de cobalt migrent dans la couche de silicium. Par rapide, on entend généralement moins de 5 minutes, par exemple moins de 3 minutes. La température peut être abaissée entre 300°C et 500°C, voir même entre 350°C et 450°C, par exemple être comprise entre 325°C et 375°C. Selon un mode de réalisation de l'invention, on réalise le traitement thermique rapide à une température comprise entre 325°C et 375°C pendant 30 secondes à 2 25 minutes. Le traitement thermique peut être réalisé avec un four tubulaire ou une plaque chauffante. Un four tubulaire est un four électrique chauffant en forme de tube permettant d'accueillir des échantillons de formes et tailles variées. Dans le cadre 30 de l'invention, il accueille des tubes en verre, contenant les échantillons, par chargement dans l'axe longitudinal. Un flux d'un gaz choisi et contrôlé peut être associé au chauffage de l'ensemble à l'intérieur du tube de verre. Dans le cadre des applications préférées de l'invention, le procédé qui vient d'être décrit peut être complété par une étape d'élimination du nickel ou du 35 cobalt qui n'a pas migré dans le silicium et qui est resté à la surface du substrat de silicium, à l'issue de l'étape de RTA. Aussi, le nickel ou le cobalt qui n'a pas migré dans le silicium à l'issue de l'étape de traitement thermique peut être éliminé par nettoyage chimique. Le substrat comprenant du silicium peut être un substrat constitué de silicium, de préférence polycristallin. Le substrat pourra comprendre une alternance verticale à sa surface de zones de silicium et de zones d'un diélectrique choisi parmi 5i02, Si3N4, SiOC et SiC. L'invention présente l'avantage de permettre un dépôt sélectif su nickel sur les zones de silicium ; les zones de diélectrique ne sont pas recouvertes de nickel, ce qui limite la consommation inutile de métal. Le substrat comprenant du silicium à revêtir pourra être plan sans motif, ou plan et comprendre des structures verticales creuses présentant des dimensions telles que leur diamètre à l'ouverture est compris entre 20 et 100 nm, et leur profondeur est comprise entre 500 nm et 3 microns. Le procédé de l'invention trouve application dans la fabrication de dispositifs électroniques, tels que notamment des mémoires NAND effaçables utilisées dans les clés USB, les cartes MS et les cartes SD pour le stockage et le transfert général des données. Un deuxième objet de l'invention concerne un procédé de formation d'une couche de nickel ou de cobalt sur un substrat de silicium comprenant les étapes consistant à : - exposer la surface du substrat comprenant du silicium avec une solution aqueuse contenant des ions or, des ions fluor et un agent tensio-actif choisi parmi les polymères et les composés comprenant un groupement polaire anionique ou non ionique et une chaîne alkyle comprenant entre 10 et 14 atomes de carbone, de manière à former des particules d'or métallique, et - déposer par voie electroless sur le substrat recouvert de particules d'or une couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt et d'épaisseur comprise entre 10 et 150 nm. Les caractéristiques qui ont été décrites en rapport avec le premier objet de l'invention peuvent s'appliquer au deuxième objet de l'invention. Un troisième objet de la présente invention est un procédé de fabrication d'une mémoire NAND comprenant un procédé de formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt tel que décrit précédemment. Un quatrième autre objet de l'invention porte sur un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques comprenant un procédé de formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt tel que décrit précédemment. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description des exemples non limitatifs suivants faite en référence aux figures annexées. La Figure 1 représente deux images au microscope électronique à balayage montrant les nanoparticules d'or sur la surface de silicium polycristallin obtenues A) en l'absence d'agent tensio-actif et B) en présence d'agent tensio- actif. La Figure 2 représente une image obtenue au microscope électronique à balayage montrant le dépôt d'une couche très fine de l'alliage de nickel ( La Figure 3 est une image obtenue au microscope électronique à balayage montrant la couche de siliciure de nickel NiSi ( REVENDICATIONS1. Procédé de formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt comprenant les étapes consistant à : - mettre en contact la surface d'un substrat comprenant du silicium avec une solution aqueuse contenant des ions or et des ions fluor pour former des particules d'or métallique, - déposer par voie electroless, sur le substrat recouvert de particules d'or métallique, une couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt, - appliquer un traitement thermique rapide à une température comprise entre 300°C et 750°C, de manière à former le siliciure de nickel ou le siliciure de cobalt. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisée en ce que la surface du substrat comprenant du silicium est mise en contact avec la solution aqueuse 15 pendant une durée comprise entre 5 secondes et 5 minutes. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que les ions fluor sont apportés par l'acide fluorhydrique (HF), le NH4F, ou un de leurs mélanges. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en 20 ce que les ions or sont apportés par l'acide chloraurique (HAuCI4). 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la solution aqueuse contient - de 0.1 mM à 10 mM, de préférence de 0.5 mM à 1.0 mM, dlons or, et - de 0.6 M à 3.0 M, de préférence de 1.0 M à 2.0 M, d'ions fluor. 25 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la solution aqueuse contient un agent tensio-actif choisi parmi les composés comprenant un groupement polaire anionique ou non ionique et une chaîne alkyle comprenant entre 10 et 14 atomes de carbone. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'agent 30 tensio-actif est le dodécylsulfate de sodium. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt a une épaisseur uniforme ou conforme comprise entre 10 et 150 nm, de préférence entre 10 et 60 nm. 35 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche constituée essentiellement de nickel ou de cobalt est une couche de nickel-bore déposée en exposant la surface du substrat activé à unesolution aqueuse contenant un sel de nickel, un agent réducteur à base de bore, un agent stabilisant du nickel et une polyamine, le pH de la solution étant compris entre 9 et 12, et la température de la solution aqueuse étant comprise entre 50°C et 90°C. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le substrat de silicium à revêtir comprend des structures verticales creuses présentant des dimensions telles que leur diamètre à l'ouverture est compris entre 20 et 100 nm, et leur profondeur est compris entre 500 nm et 3 microns. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le substrat comprenant du silicium comprend une alternance verticale à sa surface de zones de silicium et de zones d'un diélectrique choisi parmi Si02, Si3N4, SiC, et SiOC. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le nickel ou le cobalt qui n'a pas migré dans le silicium à Ilssue de l'étape de traitement thermique peut être éliminé par nettoyage chimique. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la température de traitement thermique va de 350°C à 450°C. 14. Procédé de fabrication d'une mémoire NAND comprenant un procédé de formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt tel que défini à l'une des revendications 1 à 13. 15. Procédé de fabrication de cellules photovoltaïques comprenant un procédé de formation de siliciure de nickel ou de siliciure de cobalt tel que défini à l'une des revendications 1 à 13.