Brevet FR3009863A1 — publié le 20150227

Procédé de calibration d'une technique de caractérisation CD-SEM La présente invention concerne le domaine de la métrologie et a pour objet un procédé de calibration d'une technique de caractérisation par microscopie électronique à balayage pour la détermination d'une dimension critique, dite technique CD-SEM. Le procédé selon l'invention est plus parti- culièrement adapté à la caractérisation des motifs utilisés dans les circuits intégrés microélectroniques obtenus dans l'industrie de la microélectronique. En microélectronique, les progrès de la technologie s'accompagnent de besoins en instruments de caractérisation. Pour chaque noeud technologique, les outils de métrologie doivent être de plus en plus performants en étant capables d'assurer le contrôle dimensionnel des dispositifs fabriqués. On connaît différentes techniques de caractérisation de dimensions des objets fabriqués ; ainsi, de manière non exhaustive, on peut citer la microscopie électronique à balayage (ou SEM pour « Scanning Electron Microscopy » selon la terminologie anglaise), la microscopie à force atomique (ou AFM pour « Atomic Force Microscopy » selon la terminologie anglaise), la scattérométrie (ou OCD pour « Optical Critical Dimension » selon la terminologie anglaise) ou la microscopie électronique à transmission (ou TEM pour «Transmission Electron Microscopy » selon la terminologie anglaise). La microscopie à force atomique AFM est une technique de micros- copie par balayage d'une sonde mécanique développée à partir des années quatre-vingt et permettant d'atteindre une résolution à l'échelle nanométrique. Le composant essentiel d'un microscope à force atomique conventionnel est une sonde constituée par un levier relié à une extrémité support et pourvu, à l'extrémité opposée, d'une pointe orientée vers la surface ou l'objet à observer. Le levier présente généralement une longueur de l'ordre de quelques dizaines ou centaines de micromètres, et la pointe un rayon de courbure de quelques dizaines de nanomètres ou moins. Cette pointe très fine se déplace au voisinage très proche de l'objet (de l'ordre de grandeur du nanomètre, voire moins) en oscillant. Compte tenu des forces de Van Der Valls, le comportement mécanique de la pointe en est modifié, en particulier les amplitudes, phases et fréquence de résonnance des oscillations de la pointe. La mesure de ces variations permet de connaitre la position de l'objet par rapport à la pointe. Parallèlement, la pointe est balayée très précisément à proximité (voire au contact) de l'échantillon. Ainsi, connaissant la position de la pointe et la proximité de l'objet il est possible de déduire la topographie de l'objet. Des mesures AFM permettent de mesurer le profil des motifs. En particulier, l'information est décrite par un ensemble de points ou de fonctions de type zi = f(.rt) ou z = f(x), où z est l'altitude du profil en fonction de la coordonnée latérale t. Une généralisation à trois dimensions est obtenue directement par l'ajout d'une deuxième coordonnée latérale y. L'un des problèmes de la technologie AFM qui se pose est celui de la carac- térisation intégrale (forme et dimensions) de la pointe utilisée. Cette étape de caractérisation est fondamentale pour la précision et la reproductibilité des mesures. La donnée AFM peut ainsi être corrompue par une méconnaissance de la forme de la pointe de l'AFM ou des interactions physiques entre la pointe et les matériaux considérés (les forces de Van der Valls sont des fonctions des matériaux considérés). D'autre part, les objets mesurés peuvent être rugueux et cette rugosité peut éventuellement ne pas être prise en compte par la technologie AFM à cause de la résolution des mouvements mécaniques des micro-positionneurs de la pointe ou bien le rayon de cour- bure minimal de la pointe considérée. Enfin, certaines parties du profil ne peuvent être obtenues précisément à cause de l'encombrement mécanique des pointes utilisées. De plus, le temps de mesure peut être trop long pour une utilisation régulière en contrôle des procédés de fabrication. La scattérométrie OCD (Optical Critical Dimension measurement en anglais) est une technique optique qui permet la mesure d'un profil de motif (le plus souvent répété périodiquement sur une structure comportant une pluralité de motifs identiques disposés périodiquement de façon à obtenir davantage d'informations) par l'analyse de la réponse optique de l'objet considéré à une excitation lumineuse contrôlée (en longueur d'onde, polarisa- tion, angle d'incidence, etc). La réponse optique mesurée peut être de na- ture très variée, comme l'intensité, la phase, la différence de phase entre les polarisations, en fonction des angles d'incidence, des longueurs d'onde ou des polarisations d'excitation. Elle nécessite dans un premier temps de défi- nir un modèle géométrique et des modèles de lois d'indice de réfraction des matériaux. La géométrie et/ou les lois d'indices des matériaux sont paramétrés par un ensemble de paramètres (fixe ou variables). Pour un jeu de paramètres donnés, une réponse théorique de l'objet à une excitation lumi- neuse donnée est calculée. Cette réponse théorique est ajustée (on réalise un « fit » selon la terminologie anglaise) à la réponse expérimentale mesurée par le scattéromètre par la modification de la valeur des paramètres. La minimisation de l'écart entre la réponse expérimentale et la réponse théorique est rendue possible en ajustant les parties réelle et imaginaire de l'indice optique de façon à rendre l'écart entre la réponse expérimentale et la réponse théorique inférieur ou égal à un seuil donné ou jusqu'à ce qu'il ne soit plus possible de réduire l'écart entre théorie et expérience par une variation des paramètres sous un certain seuil de variation. Un exemple de méthode de minimisation est la méthode des bibliothèques permettant de ré- soudre le problème inverse (si l'on définit le problème direct comme le calcul d'une signature scattérométrique à partir d'un jeu de paramètres, le problème inverse consiste alors à trouver le jeu de paramètres à partir de la mesure de la signature scattérométrique). La méthode des bibliothèques consiste à pré-calculer pour un certain nombre d'ensembles (vecteurs) de paramètres les réponses optiques (signatures) théoriques puis à rechercher ensuite le vecteur de paramètres pour lesquels les signatures expérimentales et les signatures pré-calculées de la librairie (ou une combinaison de ces signatures) sont ajustées. Ainsi dans un contexte de production, le temps de mesure n'est pas lié par de temps de calcul des signatures (puisqu'elles sont déjà stockées dans la librairie) mais par le temps de re- cherche de la ou les meilleures signatures dans la librairie. Dans bien des cas, les paramètres obtenus sont ensuite affinés par un processus de calcul itératif afin d'obtenir une meilleure précision (la précision de la librairie étant généralement liée à la résolution de l'échantillonnage des paramètres). Lorsque l'ajustement est optimal, les valeurs paramètres trouvés sont consi- dérés comme des mesures. Il existe de nombreux types de scattéromètres : à titre d'exemples, on peut citer les scattéromètres basés sur l'ellipsométrie (multi- ou mono-longueur d'onde, éventuellement multi-angles), la réflecto- métrie (avec contrôle de polarisation), la photogoniométrie (angle variable, à une ou plusieurs longueurs d'ondes, avec polarisation variable), la microscopie, etc, ou des combinaisons de ces diverses configurations. La scattérométrie est toutefois sujette à de nombreux artefacts de mesure, comme l'imprécision du modèle géométrique choisi et des modèles de matériaux choisis, les effets de rugosités non pris en compte, le bruit des détecteurs, les imperfections des composants optiques et leur alignement, etc. En outre, la résolution du problème inverse scattérométrique donne lieu à l'estimation des paramètres géométriques et/ou matériaux qui sont corrélés entre eux, ce qui ajoute une imprécision supplémentaire. La microscopie électronique à transmission TEM est une technique d'imagerie de référence consistant à faire passer un faisceau d'électrons très énergétiques à travers une fine coupe d'un objet/matériau à caractériser. Le contraste de l'image est principalement dû au contraste du numéro atomique des éléments qui composent l'objet. La précision de cette tech- nique est au niveau atomique. Cette technique est très aboutie dans le monde de la microélectronique et est utilisée quotidiennement par les équipes de recherche et développement. Elle permet notamment d'avoir la morphologie des objets, donne des indications sur les niveaux de dopage, et fournit une référence métrologique absolue. La technologie TEM présente toutefois certaines limitations parmi lesquelles : - un temps de préparation des échantillons longs (4 heures actuellement) ; - les échantillons comportant des éléments organiques peuvent être détériorés ; - il s'agit d'une technique destructive puisque les motifs sur les plaques sont coupés pour être vus par la tranche; - comme l'AFM, la mesure est très précise mais très locale, et le temps de préparation des échantillons fait qu'une mesure systématique sur une plaquette est difficilement envisageable au vu de la technologie actuelle. La technique SEM consiste à envoyer un faisceau d'électrons très fin (dits électrons primaires) sur un point de l'échantillon et de recueillir les élec- trons générés par cette excitation (électrons secondaires) par des électrodes disposées à proximité de l'échantillon. Ainsi pour chaque point on a un flux d'électrons secondaires. Comme le faisceau balaye point par point tout l'échantillon, une image d'électrons secondaires est formée. Il y a plusieurs modes d'utilisation de la technique SEM, selon les applications et l'information à retirer des images. Ainsi, l'industrie des semi-conducteurs définit et suit les dimensions des produits fabriqués à l'aide de ce que l'on appelle le CD (« Critical Dimension » en anglais) ou Dimension Critique. Dans cette optique, la version CD-SEM (pour « Critical Dimension - Scan- ning Electron Microscope » en anglais) de la technologie SEM est très utili- sée. Le faisceau est projeté sur la surface de l'échantillon avec un angle d'incidence généralement perpendiculaire à la surface de la plaque. L'image obtenue est une image en niveau de gris et les mesures géométriques des objets sont déterminées par une analyse des contours des objets obtenus après le choix d'un ou plusieurs seuils. Dans certain microscopes, les images sont obtenues avec des faisceaux incidents obliques afin de produire un ou plusieurs images des objets vus de côté. On peut par exemple reconstruire un graphique comme illustré sur la figure 1 représentant un profil d'intensité d'électrons secondaires PI comportant en ordonnées un pour- centage d'électrons secondaires recueillis et en abscisse une dimension en nm représentative de la position de balayage. Mais un des problèmes majeurs est l'interprétation des images par des algorithmes à seuillage : c'est en effet le choix de ce seuil qui va déterminer la valeur du CD recherché. Actuellement, on estime, souvent à tort, qu'un seuil d'électrons secondaires obtenu empiriquement, par exemple de 80%, est applicable à tout type de motif. Ainsi, on applique le seuil de 80% et on en déduit la dimension critique mesurée quel que soit le type de motif analysé. Or le choix du seuil est souvent arbitraire et le choix optimal est différent pour chaque objet, notamment en fonction de la hauteur des motifs, les matériaux en jeu, les dimensions des objets, la densité de motifs, etc. Actuellement il est connu que les CD- SEM donnent de mauvaises mesures pour des objets inférieurs à 100 nm (écart à la réalité du nanomètre à plusieurs nanomètres). Un seuil fixe empirique appliqué à tout type de motif est d'autant moins satisfaisant qu'il n'y a aucun lien physique direct entre le pourcentage d'électrons secondaires recueillis et la hauteur réelle du motif à laquelle on cherche à déterminer la dimension critique. En d'autres termes, si une mesure à 80% d'électrons secondaires est réalisée, ce n'est pas pour autant que l'on mesure une di- mension critique à 80% de la hauteur du motif. Deux approches connues sont envisagées pour résoudre le problème de la détermination de dimension dépendant fortement d'un seuil défini empiriquement et n'offrant pas de solution robuste (mesures fausses ou instables). La première solution consiste à réaliser une modélisation physique complète de l'image. Cette solution est notamment décrite dans l'article « Monte Carlo Simulation of CD-SEM Images for Linewidth and Critical Dimension Metrology » (Y. G. Li, P. Zhang, et Z. J. Ding, Scanning, août 2012). Le trajet et la réponse des motifs et matériaux sont modélisés sur des bases physiques par des techniques de type Monte-Carlo. Le taux d'électrons secondaires est calculé pour chaque position du faisceau d'électrons primaires. L'intérêt principal repose sur le fait que, en principe, la modélisation physique de l'interaction d'un motif avec un faisceau électronique permet de traiter une très grande varié de cas avec un minimum de paramètres physiques. Mais ce minimum de paramètres est très vaste car il tient compte : - de l'optique de formation du faisceau électronique (largeur du faisceau), des détecteurs des électrons secondaires (voire primaires dans certains cas) et des effets de charge électronique ; - de la nature des matériaux (libre parcours moyen des électrons pri- maires et secondaires, la charge nucléaire, la densité, ...) et leur organisation (par exemple en sous-couches) ; - de la topographie ou la géométrie des motifs à mesurer (pente, coins, etc). Or en pratique, ces paramètres sont très difficiles à mesurer, les ex- périences pour les déterminer sont longues et complexes, voire impossibles. Ainsi, des approximations doivent être faites et le rendu des images n'est valide que dans un nombre très réduit de cas. En outre, le temps de calcul est très long et ne se prête pas au traitement d'un grand nombre d'images. La seconde solution consiste à réaliser une modélisation mathéma- tique paramétrique des images ; une telle solution est notamment décrite dans l'article « CD characterization of nanostructures in SEM metrology » (C. G. Frase, E. Buhr, et K. Dirscherl, Meas. Sci. Technol., vol. 18, n° 2, p. 510, février. 2007). Des fonctions mathématiques paramétriques (c'est-à-dire des fonctions dont la forme et amplitude sont déterminées par la valeur de paramètres) sont choisies pour représenter au mieux les images SEM des échantillons de référence. Ces fonctions peuvent être choisies selon un modèle phénoménologique simple ou bien par l'analyse de modélisations Monte-Carlo préliminaires décrivant la formation des images SEM (plus complexes et précises mais nécessitant des temps de calcul longs). Un exemple de telles fonctions M(x) est illustré en figure 2b pour un motif ayant un forme trapézoïdale représentée en figure 2a. Selon cet exemple, le motif est décomposé suivant des sections horizontales (ici six sections), chaque section correspondant à une fonction de forme particulière. La fonction M(x) peut ainsi se décomposer comme suit (en six fonctions selon chacun des sections) : Le modèle présenté ci-dessus comporte donc une pluralité de variables : x1, x2, x3, X4, X5, So, S1, S2, S3, t0, th t2, t3, t4, t5, A, B, C, D, les plus intéressantes étant celles relatives aux dimensions latérales du motif à savoir, : x1, x2, x4 et x5,. Des modèles plus simples ou plus complexes peuvent être élaborés en fonction du type d'échantillon, de la qualité des images, ou bien des informations a priori sur les matériaux ou les profils. Une fois la modélisation terminée, il faut, comme dans le cas de la scattérométrie, résoudre un problème inverse, à savoir l'ajustement des données expérimentales au modèle en faisant varier les paramètres. Le problème de ces techniques de modélisation mathématique réside dans le fait que, même si les fonctions de base de modélisation reposent sur des bases physiques simples, on ne sait pas réellement comment sont reliés les paramètres des fonctions mathématiques aux paramètres physiques réels du fait de la simplification des fonctions mathématiques. Dans ce contexte, la présente invention a pour but de fournir un pro- cédé permettant d'exploiter plus efficacement et plus précisément les paramètres issus des modélisations physique ou mathématique obtenus par des mesures d'une technique de caractérisation par microscopie électronique à balayage pour la détermination d'une dimension critique CD-SEM. Le procédé selon l'invention est un procédé de calibration d'une technique CDSEM paramétrique. A cette fin, l'invention propose un procédé de calibration d'une tech- nique de caractérisation par microscopie électronique à balayage pour la détermination d'une dimension critique, dite technique CD-SEM, ledit procédé comportant les étapes suivantes : - détermination d'une fonction de correspondance transformant au moins un paramètre obtenu par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM en une fonction d'au moins un paramètre représentatif d'une mesure fournie par une technique de caractérisation de référence différente de la technique CD-SEM, ladite fonction de correspondance étant caractérisée par une pluralité de coefficients ; - réalisation de mesures sur une pluralité de motifs choisis pour couvrir le domaine de validité souhaité pour la calibration, lesdites mesures étant réalisées en utilisant à la fois la technique CDSEM à calibrer et la technique de référence ; - détermination, à partir desdites mesures, d'un jeu de coefficients de la fonction de correspondance minimisant la distance entre les fonctions des paramètres mesurés par la technique de référence et l'application de la fonction de correspondance aux paramètres obtenus par modélisation des mesures fournies par la technique CD-SEM; - utilisation dudit jeu de coefficients lors de la mise en oeuvre de la technique CD-SEM calibrée. On entend par dimension critique, la ou les dimensions critiques d'un motif représentant une ou plusieurs longueurs caractéristiques du motif qui s'avèrent critiques soit pour la maitrise du procédé de fabrication soit pour garantir les performances électriques du dispositif électronique final consti- tué desdits motifs. De façon générale, l'invention consiste à réaliser la calibration d'une technique CD-SEM paramétrique (i.e. une technique dans laquelle on réalise une modélisation mathématique ou physique de l'image CD-SEM) par une technique de référence plus riche de type AFM, TEM ou OCD. La cali- bration consiste à trouver les coefficients d'une relation de correspondance (modèle) entre les paramètres physiques déterminés par AFM, TEM ou OCD et les paramètres de modélisation trouvés par la technique CD-SEM. On notera que, selon l'invention, on ne modifie pas le seuil de calcul du CD de la technique CD-SEM dont on sait qu'il est souvent arbitraire et ne repré- sente pas la réalité géométrique du motif. De manière plus précise, grâce à l'invention, on utilise avantageusement une technique de caractérisation de référence auxiliaire (par exemple les techniques AFM, TEM ou OCD) en reliant le ou les paramètre(s) mathématique(s) extrait(s) des mesures CD-SEM à un ou des paramètre(s) phy- sique(s) d'intérêt extrait(s) de la technique de référence. Une fois cette cor- respondance établie entre le(s) paramètre(s) mathématique(s) et les paramètre(s) physique(s) d'intérêt, on obtient une calibration de la technique CDSEM, la fonction de correspondance pouvant alors être utilisée aussi bien en recherche et développement qu'en production ; cette fonction de correspon- dance permet de fournir une valeur plus précise et plus réaliste des para- mètres recherchés sur la gamme de validité sur laquelle les échantillons ont été sélectionnés pour la réalisation de la calibration. Le procédé selon l'invention repose sur la calibration de modèles mathématiques ou physiques de données CD-SEM d'une part et de données de la technique de référence d'autre part. La modélisation utilisée dans le procédé selon l'invention est de préférence une modélisation mathématique, la modélisation physique restant une technique nécessitant des temps de calcul très longs. L'intérêt d'utiliser une technique de référence, par exemple la scattérométrie OCD, différente de la technique CD-SEM est notamment illustrée aux figures 3a et 3b. Les technologies CD-SEM et OCD sont complémen- taires à plusieurs égards. La technologie CD-SEM est une technique imagée, et une inspection visuelle permet de déterminer au moins grossièrement les formes des objets à mesurer. L'analyse de l'image en vue d'en extraire des dimensions précises est, quant à elle, dépendante de la géomé- trie. La technologie OCD suppose que l'on a déjà une idée assez précise des formes de l'objet puisque c'est un modèle géométrique qui va être ensuite être optimisé en fonction des données issues des mesures OCD. Une information a priori est donc nécessaire, contrairement à la technologie CDSEM. Il résulte cependant de la technologie OCD une répétabilité et une précision très grandes. Si l'on prend le cas de profils de deux motifs diffé- rents, l'un « rentrant » (figure 3b) et l'autre «sortant » (figure 3a), la technique CD-SEM peut fournir des données ambiguës ; en effet, les profils d'intensité 1A (figure 3a) et 1B (figure 3b) des électrons secondaires recueillis sont très similaires même si la géométrie des motifs est très différente. On comprend aisément qu'une approche basée uniquement sur le CD à un seuil de 80% serait totalement insuffisante pour rendre compte de la réalité dans la mesure où on obtiendrait un CD quasi identique pour deux motifs de géométrie différente. La technologie CD-SEM donne un certain niveau d'information sur la valeur réelle de la dimension latérale du profil (dimen- sion w entre chaque pic ou une fonction de w à un seuil plus bas) mais perd l'information précise sur l'angle de pente et la dimension latérale. On peut noter que cette information est déjà contenue partiellement dans la mesure CD-SEM (les courbes d'intensités des figures 3a et 3b sont légèrement différentes) mais elle est difficilement interprétable seule et les niveaux de bruit du CD-SEM empêchent une extraction d'information satisfaisante. Au contraire, la technologie OCD peut donner une information sur l'angle de pente t (dit SWA pour « Side Wall Angle » selon la terminologie anglaise) et sur la dimension latérale. Dans le procédé de calibration selon l'invention, deux techniques (CD-SEM paramétrique d'une part et technique de référence telle que l'AFM, le TEM ou l'OCD) sont employées dans un premier temps indépendamment l'une de l'autre. La technique de référence procure une information sur la topographie des motifs (altitudes, cotes latérales, etc). Au contraire, le CDSEM apporte essentiellement des informations liées aux paramètres d'ajustement (« fit » en anglais) qui, dans un premier temps n'indiquent rien sur la topographie. Le CD-SEM peut également apporter des informations sur les côtes latérales. Le processus de calibration consiste alors à détermi- ner une correspondance entre les paramètres de l'image modélisée par CDSEM et les paramètres géométriques déterminés par la technologie de référence AFM, TEM ou OCD. Une fois que les relations entre les paramètres CD-SEM et les paramètres géométriques de la technologie de référence sont déterminés, la technique de caractérisation CD-SEM modélisée peut être utilisée seule afin de déterminer au mieux les dimensions latérales des objets. L'opération de calibration, c'est-à-dire la détermination des coeffi- cients des relations entre les mesures de référence et les paramètres ma- thématiques CD-SEM trouvés, est effectuée grâce à un ensemble d'échantillons de référence caractéristiques des objets à mesurer in fine (i.e. on va donc choisir un ensemble d'échantillons de calibration définissant une gamme de validité). Le procédé de calibration selon l'invention consiste donc à prendre au moins un paramètre p de modélisation d'une mesure fournie par la tech- nique CD-SEM dont on ne sait pas comment il est relié à un ou plusieurs paramètres physiques, notés q, déterminés par la technique de caractérisation de référence. Selon l'invention, on va rechercher la fonction qui lie le ou les paramètres p à la ou aux grandeurs physiques q. Pour ce faire, on effectue une série de n mesures de qexp (n mesures du paramètre q) et pexp (n valeurs du paramètre de modélisation p). Le procédé selon l'invention part de l'hypothèse de l'existence d'une fonction Pc de correspondance qui trans- forme p en q (q Pc(p)) où Pc est caractérisée par un ensemble de coeffi- cients c (c est assimilable à un vecteur comportant une pluralité de K coeffi- cients ci avec i variant de 1 à K) qui paramétrisent On notera que l'on a considéré ici que la fonction Pc de correspondance transforme p en q mais l'invention s'applique également à une fonction de correspondance trans- formant p en une fonction g(q) où g est une fonction de prétraitement de q. Le principe du procédé de calibration selon l'invention consiste alors à trouver l'ensemble c tel que, pour l'ensemble des mesures on minimise la dis- tance :1 - qexp PC(Pexp) (que l'on peut également écrire D(qexp, Pc(Pexp))). Le problème de calibration revient à résoudre l'équation : ê = Argmin, ciexp - Pc(Pexp) Cela signifie que ê est la valeur estimée pour laquelle la distance D entre qexp et Pc- lnexp,1 est minimale. A titre d'exemple, et de façon non limitative, la distance pourra être la distance des moindres carrés : D2(Fi.F2) = (Fi(ï,i) - F2(i,i))2 (norme L2) ou la distance des moindres valeurs absolues : (F1, F2) = 1F1 (i, j) - F2 (i, j) (norme L1) Une fois les coefficients c déterminés à partir des échantillons de ré- férence, la technique de caractérisation CD-SEM peut ensuite être utilisée seule. Les paramètres p sont mesurés, et leur relation physique au profil est déterminée par l'équation : q = Pc(P) Le procédé selon l'invention peut également présenter une ou plu- sieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou se- Ion toutes les combinaisons techniquement possibles : la technique de caractérisation de référence est choisie parmi l'une des techniques suivantes : o la microscopie à force atomique, dite technique AFM ; o la scattérométrie, dite technique OCD ; o la microscopie électronique à transmission TEM ; - le nombre de mesures est supérieur ou égal au nombre de coefficients à déterminer dans la fonction de correspondance (on notera que la valeur de certains coefficients peut être fixée ; dans ce cas, ils ne sont plus à déterminer) ; - à titre d'exemple uniquement, ledit paramètre représentatif d'une mesure fournie par la technique de caractérisation de référence est choisi parmi les paramètres suivants : o largeur du motif ; o hauteur du motif ; o angle de pente ; o mesure représentative de l'arrondi supérieur ou inférieur du motif ; o mesure représentative de la forme des flancs du motif ; o ... - à titre d'exemple uniquement, ledit paramètre obtenu par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM est choisi parmi les paramètres suivants : o position du ou des pics de diffraction de l'image CD-SEM ; o largeur du ou des pics de diffraction de l'image CD-SEM ; o les niveaux de signaux (niveau de signal haut et bas, niveau du signal de fond) ; o l'élargissement des fonctions exponentielles utilisées pour la modélisation ; o la position du bas et/ou du haut du motif ; o ... - à titre d'exemple uniquement, la distance minimisée est choisie parmi l'une des distances suivantes : o la distance des moindres carrés pondérés ou non ; o la distance des moindres valeurs absolues ; o la distance estimée par minimum d'entropie ; o ... - selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la fonction de correspondance est une fonction linéaire des différents coefficients caractérisant ladite fonction ; ce modèle linéaire est avantageux car simple à mettre en oeuvre dans la mesure où il offre une solution unique au problème de minimisation, notamment en utilisant une distance telle que la distance des moindres carrés ; - un mode de réalisation de ce modèle linéaire consiste à écrire la fonction de correspondance sous la forme d'une fonction polynomiale du ou des paramètres représentatifs d'une mesure fournie par la technique CD-SEM ; - une extension de ce modèle linéaire consiste à écrire la fonction de correspondance reliant le paramètre q représentatif d'une mesure fournie par la technique de caractérisation de référence et le ou les paramètres p obtenus par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM selon la relation suivante : a = fi(p). ci où les K coefficients ci désignent la pluralité de coefficients caractérisant la fonction de correspondance et les fonctions fi(p) désignent des fonctions de prétraitement du ou des paramètres p la fonction de correspondance est une fonction non linéaire des différents coefficients caractérisant ladite fonction ; - une autre extension de ce modèle linéaire consiste à écrire la fonction de correspondance reliant le paramètre q représentatif d'une mesure fournie par la technique de caractérisation de référence et le ou les paramètres p obtenus par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM selon la relation suivante : g (g) = fi(p). ci où les K coefficients ci désignent la pluralité de coefficients caractérisant la fonction de correspondance, la fonction g(q) désigne une fonction de prétraitement du paramètre q et les fonctions fi(p) désignent des fonctions de prétraitement du ou des paramètres p ; - ladite fonction de correspondance transforme au moins un paramètre obtenu par modélisation d'une mesure fournie par la technique CDSEM en au moins un paramètre représentatif d'une mesure fournie par une technique de caractérisation de référence (dans l'exemple précédent, la fonction g est donc la fonction identité). D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clai- rement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : - la figure 1 illustre schématiquement un profil d'intensité d'électrons secondaires en fonction du profil d'un motif obtenu via une instrumen- tation de type CD-SEM ; - les figures 2a et 2b illustrent un premier exemple de modélisation mathématique paramétrique d'une image CD-SEM; - la figure 3a illustre schématiquement l'intensité d'un profil CD-SEM pour un profil de motif sortant ; - la figure 3b illustre schématiquement l'intensité d'un profil CD-SEM pour un profil de motif rentrant ; - la figure 4 représente les différentes étapes du procédé selon l'invention ; - la figure 5 illustre un second exemple de modélisation mathématique d'une image CD-SEM ; - la figure 6 est une image CD-SEM d'une ligne de résine sur silicium ; - la figure 7 représente deux pics de diffraction des électrons secondaires aux bords de la ligne imagée par CD-SEM représentée en fi- gure 6. La figure 4 illustre schématiquement les différentes étapes du procédé 100 selon l'invention. Le procédé de calibration 100 selon l'invention vise à calibrer une technique CD-SEM pour la meure d'une dimension critique CD d'un motif quelconque (trous, plots, ligne, tranchée,..) appartenant à un circuit microé- lectronique. Le matériau du motif peut également être quelconque. Ce motif peut être par exemple un motif isolé ou appartenant à un réseau de motifs répétés périodiquement. Il peut s'agir d'un motif obtenu après n'importe quelle étape (lithographie, gravure,...) d'un procédé de fabrication. 3009 863 16 Selon une étape 101 du procédé 100 selon l'invention, il convient de sélectionner des échantillons de référence représentatifs du domaine de validité de la calibration que l'on souhaite réaliser. Par exemple, si l'on veut calibrer le CD-SEM sur des échantillons de 5 lignes de résine ayant une largeur de 20 nm à 100 nm, et un angle de pente de 70° à 90°, on prendra un nombre N d'échantillonssuffisamment variés pour couvrir la plage de variation des deux paramètres, par exemple à travers l'utilisation d'une matrice dose-focus ou expo-focus (i.e. On fait varier spatialement sur la plaquette les paramètres d'insolation du procédé litho- 10 graphique ; dans une direction la puissance optique déposée - c'est-à-dire la dose - et dans l'autre direction la hauteur de focalisation - c'est-à-dire le focus). On comprend aisément qu'une détermination délicate de paramètres avec un modèle CD-SEM et une technique de référence AFM, TEM ou OCD peu robustes impliquera de resserrer le nombre d'échantillons dans le do- 15 maine critique où la précision est recherchée ; on pourra également sur- échantillonner sur une plage où l'on sait que l'on a peu de précision (par exemple sur des CD faibles). On conçoit également facilement que plus la plage de validité est grande, plus le nombre d'échantillons sera important. Ce type de technique de sélection d'échantillons est du domaine du 20 plan d'expérience (dit également DOE pour « Design of Experiments » selon la terminologie anglaise). Un échantillonnage a priori peut par exemple être déterminé par un maillage régulier ou par un maillage de type Cube Latin (« Latin Square » en anglais). Il existe aussi des techniques itératives telles que les fonctions de réponse de type Krigeage qui peuvent indiquer au fur et 25 à mesure les points d'échantillonnage en fonction de la variabilité des para- mètres observés. Pour l'illustration du présent mode de réalisation nous resterons dans le cas où il existe une technique DOE nous permettant de déterminer correctement les paramètres du modèle. Ainsi, nous supposerons ici que nous disposons de N motifs de calibration qui font suffisamment va- rier les paramètres d'intérêt. Il faut noter que dans ce qui va suivre, on sup- posera que le nombre de mesures est supérieur ou égal au nombre de coefficients à déterminer. Il convient de noter que le nombre de mesures n'est pas nécessairement égal au nombre d'échantillons. L'étape 101 de sélection des échantillons de référence représentatifs du domaine de validité de la calibration s'accompagne d'une étape 102 consistant à déterminer la fonction (désignée indifféremment par la suite par les termes loi ou modèle) de correspondance reliant le ou les paramètre(s) ob- tenu(s) par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM et le ou les paramètre(s) représentatif(s) d'une mesure fournie par une technique de caractérisation de référence différente de la technique CD-SEM, de manière préférentielle l'une des techniques AFM, TEM ou OCD. Comme nous allons le voir par la suite, il existe différents types de modèles susceptibles d'être utilisés pour relier les paramètres mathéma- tiques CD-SEM p et les paramètres physiques de la technique de référence q. Selon l'invention, il conviendra d'avoir au moins un paramètre p et au moins un paramètre q sachant que l'on peut avoir plusieurs paramètres p et plusieurs paramètres q et qu'on n'a pas nécessairement le même nombre de paramètres p et q. De même, les paramètres q peuvent être représentatifs de mesures issues d'une ou plusieurs techniques de référence ; on peut par exemple avoir certains paramètres issus de l'AFM et certains autres issus de l'OCD ou du TEM. On entend par paramètre physique de la technique de référence un paramètre représentatif d'une mesure fournie par la technique de caractérisation de référence. Ainsi, à titre illustratif uniquement, le paramètre physique de référence peut être la largeur telle que la largeur d'une ligne de résine sur silicium obtenue via une technique AFM. Sans être exhaustif, les paramètres physiques de référence peuvent également être la hauteur des motifs, l'angle de pente, etc. De même, on entend par paramètre mathématique CD-SEM une information obtenue par modélisation mathématique de l'image CD-SEM. On notera que les exemples donnés ci-dessous concernent le cas d'une modélisation mathématique d'une image CD-SEM étant entendu que l'invention pourrait également s'appliquer au cas d'une modélisation physique de l'image CD-SEM. Dans les exemples mentionnés ci-dessous, à titre d'exemple uniquement, nous avons considéré les seuls paramètres de position des pics de diffraction dans l'image CD-SEM mais l'invention s'applique à tout type de paramètre susceptible d'être obtenu via la modélisation des images (largeur des pics, etc) CD-SEM voire même des conditions de mesure (grossisse- ment des images, doses, temps de mesure, etc). Selon un premier mode de réalisation de l'étape 102, on suppose que la loi qui relie les paramètres de référence q aux paramètres mathématiques CD-SEM p est une loi polynomiale en p. L'analyse des mesures de la technique CD-SEM et de la technique de référence AFM/OCD d'un motif i donne lieu au vecteur ligne de paramètre pi: et qi:. Ici, les techniques CD-SEM et de référence AFM/OCD donnent pour chaque échantillon m et n paramètres (longueur respective des vecteurs lignes p, et qi.). Si l'on suppose par exemple que ces données sont reliées par un polynôme d'ordre 2 avec termes croisés, on a donc avec m=2 (i.e. deux paramètres CD-SEM pH et pie pour le motif i) et en considérant le premier terme qii du vecteur ligne qi: = Co + Pi2 + P;2;1 C3 + P/2;2 C4 + PilPi2 C5 = (1Pil Pi2 P71 Pi2 PilPi2 /Co \ Cl C2 C3 C4 C51 avec K (ici K=5) coefficients ci caractérisant la fonction de correspondance Ainsi, en réalisant N mesures (étape 103), on obtient la relation matri- cielle suivante : /1 Pu P12 Pn P12 P11P12 \ /CO' 1 P21 P22 P21 P22 P21P22 Cl g: ,1 - - - C2 =P1C 1 mi Pa gi Pi2 Pz 1P22 C3 Ci \ 1 PN1 PN2 PN1 PN2 PNiPN21 \c51 En accord avec la notation précédemment utilisée, on a donc Pc = -P1 x c où la fonction Pc est la fonction de correspondance qui trans- forme p en q (q Pc(p)). On observe ici que le modèle choisi est un modèle linéaire en fonction des coefficients ci (vecteur c) de sorte qu'il existe une relation matricielle entre le vecteur des paramètres q et le vecteur c des coefficients ci, ladite matrice dépendant uniquement des paramètres p et non des coefficients ci. Selon l'étape 104, la détermination des coefficients du vecteur de paramètres c est réalisée par la minimisation de la distance : ê = Argmine 144 - Pic Si l'on souhaite minimiser selon la norme L2 des moindres carrés, la solution est directement donnée par la relation : c ecti où e est la matrice pseudo-inverse de PI. Lorsque la distance n'est pas L2 (L1 par exemple), ou bien que des contraintes sont ajoutées au système (contraintes sur des intervalles auxquels doivent appartenir les paramètres, contraintes linéaires ou non linéaires des paramètres, ajout de fonctions de pénalité,...) d'autres algorithmes connus de l'homme du métier peuvent être utilisés pour la résolution du système linéaire. Selon l'étape 105, une fois le vecteur c déterminé après minimisation, la connaissance de la fonction Pc à laquelle on applique ce jeu de coefficients c permet d'utiliser le procédé CD-SEM paramétrique seul (i.e. sans le concours d'une autre technique de caractérisation) aussi bien en R&D qu'en production sur l'ensemble de la gamme de validité : en d'autres termes, on mesure les paramètres CD-SEM mathématiques fi, la ligne de PI est alors constituée, et la quantité physique d'intérêt Qt est trouvée par la simple formule ch = Comme mentionné plus haut, les paramètres CD-SEM mathéma- tiques peuvent être de différents types. Prenons, par exemple le modèle CDSEM d'un rectangle (illustré en figure 5) s'écrivant avec les paramètres xi, x2, a, b, w, yo qui représentent respectivement les deux abscisses des pics d'intensité d'électrons secondaires, les niveaux de signal bas et haut, l'élargissement des fonctions exponentielles et le niveau du signal de fond. La modélisation du profil peut être alors par exemple réalisée par la fonction y(x) qui se décompose en trois sous-fonctions selon que x est inférieur à x1, compris entre x1 et x2 et supérieur à x2 : y(x) yo + (a + b) exp(-(x - xi)2/2/w2) si x x2 Les paramètres mathématiques du modèle sont donc ici (en prenant yo=0) : x1, x2, a, b, w. Si on prend le document « CD characterization of nanostructures in SEM metrology » (C. G. Frase, E. Buhr, et K. Dirscherl, Meas. Sci. Technol., vol. 18, n° 2, p. 510, février. 2007) cité précédemment en référence à la fonction M(x) illustrée en figure 2b, les paramètres mathématiques CD-SEM peuvent être : X1, X2, X3, X4, X5, SO, S1 , S2, S3, tO, t1 , t2, t3, t4, t5, A, B, C, D. Dans ce dernier cas, compte tenu du nombre de paramètres à déterminer, le nombre d'échantillons doit être plus élevé et/ou des contraintes sur les paramètres doivent être imposées. Une possibilité pour réduire le nombre de paramètres peut consister à: - poser : = _ x5+x4 2 - imposer : 0 x3 = (ul + u2)/2 0 - _3, 0 t = t,vi. Les paramètres mathématiques à calibrer deviennent alors : ui, u2, So, S1, S2, t, A, B, C, D. Sans altérer la généralité de l'approche linéaire (à savoir que l'on a toujours un système linéaire pouvant s'écrire selon la relation matricielle : q = P x c), selon l'étape 102, on peut remarquer que la constitution de la matrice P1 pour la détermination du paramètre physique qi à partir des paramètres p est arbitraire. En effet, on peut tout aussi bien effectuer un prétrai- terrent des paramètres CD-SEM p afin de constituer la matrice P1 ; en d'autres termes, il n'est pas nécessaire de reprendre directement les paramètres p. Le système vu précédemment peut alors s'écrire sous la forme : Mg:4) = I fo(PL) fo(P2:) fi(PL) f2(P4:) f3(P1T) f4(PL) f5(PL) 1 f5(P2:) /co\ = fo(PiT) fi(P2:) f2(P2:) f3(P2:) f4(P2:) f5(Pi:) f5(PN:)/ Cl ) f2(pi:) f3(Pi: ) f4(Pi:) C2 fi(piv,) f2(pN:) f3(pN:) .14(PN ) C3 Cl C51 (relation 1) où les K fonctions fi(p) (K étant également le nombre de coefficients ci carac- térisant la fonction de correspondance) sont des fonctions de prétraitement à choisir par l'utilisateur en fonction des spécificités du problème. Dans l'exemple ci-dessus, une fonction de prétraitement fg est également appliquée au vecteur q (i.e. les paramètres p comme q peuvent être prétraités). Dans ce cas, pour atteindre q après cela, il faut inverser la fonction fg ; en d'autres termes, on obtiendra q = fq-1 (fq(q)). Nous allons dans ce qui suit illustrer le cas de l'extension du modèle linéaire en utilisant des fonctions de prétraitement simples. Le paramètre q est ici la largeur w de lignes de résine sur silicium ob- tenue par une mesure AFM qui est ici la technique de référence. L'analyse des 14 données (N=14) donne un vecteur q:i comportant 14 largeurs de ligne Les données du vecteur sont mentionnées en nm dans la deuxième colonne du tableau 1 ci-dessous. Image n° w obtenue par AFM (nm) Delta = x2-x1 (nm) CDSEM (80%) 1 32,84 23,09 32,92 2 43,15 29,45 38,88 3 52,33 37,45 47,40 4 89,02 73,53 81,86 5 100,65 86,11 94,07 6 111,66 95,34 105,90 7 121,54 105,74 114,63 8 129,85 115,43 123,76 9 139,33 123,99 133,81 10 147,30 132,52 142,23 11 157,10 143,87 152,14 12 166,85 153,36 162,53 13 176,56 164,45 173,65 14 279,84 267,50 275,82 Tableau 1 Parallèlement aux mesures de la technique de référence, on réalise des images CD-SEM et une analyse paramétrique de ladite image : le modèle utilisé est par exemple le modèle illustré en figure 5 (approximation du profil d'intensité par la fonction y(x) détaillée plus haut). En contraignant les paramètres a, b et w et pour simplifier l'explication du procédé seulement l'invention, on considère ici uniquement deux paramètres mathématiques x1 et x2 pour les images obtenues par la technique CD-SEM correspondant à la position des deux pics de diffraction des électrons secondaires aux bords de la ligne. Ces pics, illustrés en figure 5 (et correspondant à l'image CD-SEM de la figure 4), sont notés pour l'image j : = pi,l et Xi,2 = Pi.2. (on suppose que Xj,2 > x2,1). A ce stade, on ne sait pas comment sont reliées les positions des pics obtenues en CD-SEM et les largeurs des lignes obtenues par la technique de référence AFM. La troisième colonne du tableau 1 indique la valeur de la différence pi,2-po (i.e. xi,2-xi,i) pour chaque mesure i. Si la distance entre deux pics était égale à la valeur donnée par l'AFM, on aurait qi,i = -pi,i ± On constate en comparant les valeurs de la deuxième colonne et de la troisième colonne que ce n'est absolument pas le cas. L'erreur quadratique moyenne par rapport à l'AFM est ici égale à 14.1 nm. A titre de comparaison, on trouve également dans la dernière colonne du tableau 1 la mesure de la dimension critique obtenue par la technique d'analyse CD-SEM non calibrée, à savoir une analyse par étude des contours des pics pris à un seuillage de 80 % de la hauteur du pic. L'erreur quadratique moyenne par rapport à la mesure AFM est de 5.2 nm : cette erreur quadratique est donc inférieure à l'erreur quadratique obtenue dans le cas du modèle de la distance pic à pic mais reste trop élevée ; l'un des objectifs du procédé de calibration selon l'invention consiste à réduire cette erreur quadratique. Pour des raisons physiques, on peut supposer dans un premier temps que l'on a : q2.1 = 0 + et f (pi, i, pi,2) avec f(xi, x2) = x2-xl ; en reprenant les notations précédentes de la relation 1, on peut écrire : fo(Pii)40(xi, x2)=1 et fi (pii)=fi (xi, x2)=x2-xi On notera par la suite Pi,2 Xi,2 Xi,1 = Le procédé selon l'invention vise à déterminer les coefficients cj (ici deux coefficients cc) et ci caractérisant la fonction de correspondance) puis à utiliser ces coefficients lors de la mise en oeuvre de la technique CD-SEM en production. La constitution de la matrice P1 issue de l'analyse des 14 images donne une matrice de 14 lignes (i.e. le nombre de mesures) et 2 colonnes (i.e. le nombre de coefficients). La matrice pseudo-inverse est déterminée et on obtient expérimentalement : co = 14.33 nm et el = 0.997. L'erreur quadratique moyenne entre le modèle obtenu par le procédé selon l'invention et la mesure de référence (ici la technique AFM) est de 1.68 nm. On obtient donc une erreur quadratique moyenne bien inférieure à l'erreur quadratique moyenne entre le modèle CD-SEM à seuillage de 80 % de la hauteur du pic et la technique AFM. Selon une première variante, on peut intégrer des termes polyno- miaux supplémentaires en rajoutant deux coefficients c2 et c3 supplémen- taires : co + + + En reprenant les notations précédentes de la relation 1, on peut écrire : fo(Pii Hel , x2)=1 fi (pii)=fi(xi, x2)=x2-xi f2(pii)=fi(xi, x2)=(x2-xi)2 f3(pi)=fi(xi, x2)=(x2-xi)3 La matrice P a donc 14 lignes et 4 colonnes. L'erreur quadratique moyenne entre le modèle obtenu par le procédé selon l'invention et la me- sure de référence (ici AFM) est ici de 0.75 nm et est donc encore notable- ment réduite Selon une seconde variante, on peut supposer le modèle suivant : C2 C3 qi 1 = CO + Ai A? En reprenant les notations précédentes de la relation 1, on peut écrire : fo(pii)=fo(xi, x2)=1 fi(pii)41(xi, x2)=x2-xi f2(pif)=fi (xi, x2)=1 /(x2-xi) f3(pii)=f1 (xi, x2)=1/(x2-x1)2 Comme dans le cas précédent, la matrice P a 14 lignes et 4 colonnes. L'erreur quadratique moyenne entre le modèle obtenu par le procédé selon l'invention et la mesure de référence (ici AFM) est ici de 0.73 nm et est donc à nouveau réduite par rapport à la première variante. On comprend au-travers de ces exemples l'importance et l'influence du choix du modèle auquel on va par la suite appliquer les mesures. Selon un autre mode de réalisation du procédé 100 selon l'invention, l'étape 102 peut consister à déterminer une fonction de correspondance qui ne repose pas sur un modèle linéaire ; en d'autres termes, il n'existe pas de relation matricielle entre le vecteur des paramètres q et le vecteur c des coefficients ci, avec une matrice qui dépendrait uniquement des paramètres p et non des coefficients ci. Si l'on revient à la formation initiale, le problème de calibration revient à résoudre l'équation ê = Argmin, qexp - Pc(pexp) c'est-à-dire que ê est la valeur estimée pour laquelle la distance D entre qexp et Pc(Pexp) est minimale. Le problème pris dans sa généralité n'a pas toujours de solution unique, à cause de la non-linéarité de P. Plusieurs stratégies connues de l'homme du métier peuvent être envisagées telles qu'une optimisation globale ou une sélection de domaines convexes (dans lesquels la solution est unique) et une optimisation locale dans le domaine convexe. A titre d'exemple, on peut prendre le modèle non linéaire suivant : oZ = co + c1A, + c2 arctan (-) C3 De manière non limitative, la technologie CD-SEM une fois calibrée par le procédé selon l'invention peut par exemple être utilisée pour les techniques de mise au point des modèles OPC (« Optical Proximity Correction » en anglais). Pour cette application, une information fiable sur les dimensions des objets est nécessaire afin de développer les modèles de comportement des outils de lithographie. REVENDICATIONS1. Procédé de calibration d'une technique de caractérisation par mi- croscopie électronique à balayage pour la détermination d'une dimension critique, dite technique CD-SEM, ledit procédé comportant les étapes sui- vantes : - détermination d'une fonction de correspondance transformant au moins un paramètre obtenu par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM en une fonction d'au moins un paramètre représentatif d'une mesure fournie par une technique de caractérisation de référence différente de la technique CD-SEM, ladite fonction de correspondance étant caractérisée par une pluralité de coefficients ; - réalisation de mesures sur une pluralité de motifs choisis pour couvrir le domaine de validité souhaité pour la calibration, lesdites mesures étant réalisées en utilisant à la fois la technique CDSEM à calibrer et la technique de référence ; - détermination, à partir desdites mesures, d'un jeu de coefficients de la fonction de correspondance minimisant la distance entre les fonctions des paramètres mesurés par la technique de référence et l'application de la fonction de correspondance aux paramètres obtenus par modélisation des mesures fournies par la technique CD-SEM; - utilisation dudit jeu de coefficients lors de la mise en oeuvre de la technique CD-SEM calibrée. 2. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que ladite technique de caractérisation de référence est choisie parmi l'une des techniques suivantes : o la microscopie à force atomique, dite technique AFM ; o la scattérométrie, dite technique OCD ; o la microscopie électronique à transmission TEM. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le nombre de mesures est supérieur ou égal au nombre de coefficients à déterminer dans la fonction de correspondance. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la fonction de correspondance est une fonction linéaire des différents coefficients caractérisant ladite fonction. 5. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que la fonction de correspondance reliant le paramètre q représentatif d'une me- sure fournie par la technique de caractérisation de référence et le ou les paramètres p obtenus par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM s'écrit : a = fi(p). ci où les K coefficients ci désignent la plurali- té de coefficients caractérisant la fonction de correspondance et les fonc- tions fi(p) désignent des fonctions de prétraitement du ou des paramètres p. 6. Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce que la fonction de correspondance reliant le paramètre q représentatif d'une mesure fournie par la technique de caractérisation de référence et le ou les paramètres p obtenus par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM s'écrit : g (g) = fi(p). ci où les K coefficients ci désignent la pluralité de coefficients caractérisant la fonction de correspondance, la fonction g(q) désigne une fonction de prétraitement du paramètre q et les fonctions fi(p) désignent des fonctions de prétraitement du ou des paramètres p. 7. Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6 caractérisé en ce que la fonction de correspondance est une fonction polynomiale du ou des paramètres obtenus par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la fonction de correspondance est une fonction non linéaire des différents coefficients caractérisant ladite fonction. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite fonction de correspondance transforme au moins un paramètre obtenu par modélisation d'une mesure fournie par la technique CD-SEM en au moins un paramètre représentatif d'une mesure fournie par une tech- nique de caractérisation de référence.