Brevet FR3001337A1 — publié le 20140725

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne les diodes électroluminescentes organiques. Elle reçoit pour application avantageuse un procédé de réalisation de structures, au sein d'un dispositif d'émission lumineuse, obtenues par irradiation laser. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE L'utilisation de couches minces transparentes et conductrices est essentielle dans le domaine des diodes électroluminescentes organiques. Ces films minces appartiennent à la famille des oxydes transparents et conducteurs (En anglais : TCO Transparent Conductive Oxide), et possèdent des épaisseurs d'une centaine de nanomètres. Ces oxydes TCO sont généralement déposés sur des substrats de verre, et utilisés comme électrodes transparentes et conductrices dans les diodes électroluminescentes organiques (En anglais : OLED Organic Light Emitting Diode). La transmission de ces oxydes TCO est généralement supérieure à 80% ; ces oxydes possèdent une résistivité de l'ordre de 15 Ohm/square. D'autres couches transparentes et conductrices ont été développées pour réduire la résistivité des oxydes TCO. Cette méthode consiste à déposer des empilements de couches de type TCO/Ag/TCO/Ag, où Ag représente le matériau Argent. Ainsi déposées, ces multicouches peuvent atteindre une résistivité de l'ordre de 4 Ohm/square. Tous ces substrats conducteurs et transparents nécessitent une étape de réalisation de motifs avant de déposer les couches organiques. Plusieurs techniques de réalisation de motifs ont été utilisées sur ces substrats conducteurs. On peut citer, pour exemple, la photolithographie (gravure par voie liquide ou sèche), l'ablation laser ou encore, la technique de lift-off (photo- résine). Ces méthodes de réalisation de motifs s'avèrent, cependant, souvent incompatibles avec la fabrication des diodes électroluminescentes organiques. En effet, la photolithographie utilise des voies chimiques ; ce qui complique le processus dans un système de production. D'autre part, l'utilisation du lift-off souffre d'une mauvaise résolution, particulièrement dans un système de production. Toutes ces méthodes introduisent, par conséquent, une étape supplémentaire lourde pour un système de production, principalement lorsqu'elles concernent les substrats de grande surface. Une méthode se distingue, néanmoins, des autres : c'est l'ablation laser. Elle représente actuellement la seule méthode adaptée pour la production des OLED sur des substrats de grande surface. Plusieurs publications relatent l'utilisation de laser pour l'ablation de couches, formées par exemple d'oxyde d'Indium et d'Etain (ITO), et les conséquences d'un tel procédé sur les couches. Dans U.S. Pat. No 6,593,593, un laser Nd:YAG de 1064 nm est utilisé pour l'ablation d'une couche d'oxyde de Zinc (ZnO) et d'une couche d'ITO déposées sur un substrat de verre. Cependant, un tel laser souffre des effets thermiques qui peuvent introduire des défauts sur les bords. En effet, l'ablation laser introduit une fusion de la couche conductrice, et par conséquent, un dépôt de la matière sur les bords de la gravure ; induisant, par la suite, des défauts électriques dans les diodes électroluminescentes organiques. Zheng KUANG et al. (Applied Surface Science 258 (2012) 7601-7606) utilisent une gravure d'ITO de 50 nm avec un laser (Nd :VAN de 1064 nm) ultracourt (10 ps), à diffraction multiple. Les mesures profilométriques dans la partie gravée, montrent des pics d'ITO déposés sur les bords entre 20 et 40 nm d'épaisseur. Il apparaît, certes, que les défauts de gravure d'ITO sont plus conséquents en augmentant l'épaisseur de l'ITO. Matt HENRY et al. (Journal of Laser Micro/Nanoengineering Vol. 2, No. 1, 2007) utilisent l'ablation d'une couche d'ITO de 100 nm par un laser Nd :YAG à 1064 nm. Les résultats montrent des pics d'ITO sur le bord de la gravure d'épaisseur supérieure à 40 nm. Mira PARK et al. (Optics and Laser in Engineering 44 (2006) 138-146) présentent le résultat d'une gravure laser d'une couche d'ITO déposée sur un substrat de verre. Des défauts ont été observés sur la bordure de la zone gravée, caractérisés par la présence de pics formés par la fusion de l'ITO gravé. Le même phénomène a été observé par YAVAS et al. (Journal of Applied Physics, 1999, 85, 4207) et révèle des pics supérieurs à 100 nm sur le bord de la gravure d'ITO par un laser Nd :YLF. Dans le cas de multicouches TCO/Ag/TCO/Ag, par exemple, les défauts sont plus conséquents étant donné que la fusion de la couche d'Ag introduit des pics plus conducteurs que ceux d'un TCO, et par conséquent, des défauts électriques plus conséquents dans les diodes électroluminescentes organiques. Tous ces problèmes de gravure par laser introduisent des défauts électriques nuisant aux performances des diodes électroluminescentes organiques. Suite à la formation de pics et, donc, à la présence d'une zone altérée à la surface d'une couche formée en un matériau TCO après irradiation laser, la présente invention propose une méthode permettant de s'affranchir de ces défauts ainsi que de surmonter les inconvénients précédemment observés lors de l'utilisation des techniques actuelles. RESUME DE L'INVENTION La présente invention a pour objet un procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique, comprenant les étapes suivantes : - une étape de formation d'une couche inférieure, représentant une première électrode, sur un substrat, - une étape de formation d'une couche organique au dessus d'au moins une partie de la couche inférieure, - une étape de formation d'une couche supérieure, représentant une deuxième électrode, au dessus d'au moins une partie de la couche organique. Ledit procédé est caractérisé en ce qu'il comprend: - à l'issue de l'étape de formation de la couche inférieure, une étape de gravure par irradiation laser de ladite couche inférieure de sorte à venir former au moins une ouverture dans la couche inférieure; ladite ouverture ayant une profondeur égale à l'épaisseur de la couche inférieure, et produisant une zone altérée de la couche inférieure au voisinage de l'ouverture, - à l'issue de l'étape de gravure, une étape de formation d'une couche isolante, disposée de sorte à recouvrir au moins une partie de la zone altérée de la couche inférieure située en bordure de l'ouverture. La présente invention concerne également une diode électroluminescente organique comprenant un substrat, une couche inférieure représentant une première électrode, une couche organique au dessus de la couche inférieure et une couche supérieure représentant une deuxième électrode au dessus de la couche organique. La diode est caractérisée en ce qu'elle comprend : - au moins une ouverture formée par irradiation laser dans la couche inférieure; ladite ouverture ayant une profondeur égale à l'épaisseur de la couche inférieure, - une zone altérée de la couche inférieure au voisinage de l'ouverture, - une couche isolante, disposée de sorte à recouvrir une partie de la zone altérée de la couche inférieure située en bordure de l'ouverture. Ainsi, la présente invention propose un procédé simple et peu onéreux qui, grâce à l'insertion d'une couche électriquement isolante recouvrant une zone altérée, permet de remédier aux problèmes inhérents à une irradiation laser. De manière particulièrement avantageuse, l'invention permet de s'affranchir des défauts électriques causés par l'ablation laser, tout en garantissant de meilleures performances pour les diodes électroluminescentes organiques. BREVE INTRODUCTION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels : - la figure 1A représente une vue schématique en coupe longitudinale et la figure 1B une vue de dessus d'une couche inférieure formée sur un substrat. - la figure 2A représente une vue schématique en coupe longitudinale et la figure 2B une vue de dessus de la couche inférieure après irradiation laser. Des ouvertures de différents motifs sont visibles à la surface de la couche inférieure ainsi qu'une zone altérée s'étendant selon les contours des ouvertures. - la figure 3A représente une vue schématique en coupe longitudinale et la figure 3B une vue de dessus de la formation d'une couche isolante, recouvrant une partie de la zone altérée après ablation laser et une partie du substrat au travers des ouvertures. - la figure 4A représente une vue schématique en coupe longitudinale et la figure 4B une vue de dessus de la formation de la couche organique s'étendant sur une partie de la couche inférieure et sur une partie de la couche isolante. - la figure 5A représente une vue schématique en coupe longitudinale et la figure 5B une vue de dessus de la formation d'une couche supérieure au dessus de la couche organique et sur une partie du substrat, au travers des ouvertures. Par souci de clarté, les éléments sur les figures ne sont pas représentés à l'échelle. DESCRIPTION DETAILLEE Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, les termes « sur » ou « au dessus de » ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément. Il est également précisé qu'une valeur chiffrée comprend une incertitude de mesures étant estimée à un écart, par exemple, de plus ou moins 2% de la valeur. Avant d'entrer dans le détail de formes préférées de réalisation de l'invention en référence aux dessins notamment, d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, qui peuvent être mises en oeuvre de façon combinée selon toutes combinaisons ou de manière alternative, sont indiquées ci-après : - le procédé comprend une étape de formation d'une couche isolante durant laquelle ladite couche isolante est disposée de sorte à couvrir au moins une partie de la paroi d'une ouverture dans la couche inférieure et une partie du substrat formant le fond de l'ouverture. - le procédé comprend une étape de formation d'une couche isolante durant laquelle ladite couche isolante est disposée de sorte à couvrir au moins une partie de la bordure d'une ouverture d'une largeur d'au moins 10 nanomètres. - le procédé comprend une déposition par pulvérisation cathodique de la couche isolante. - le procédé comprend une formation de la couche isolante en un matériau inorganique, et choisi parmi l'Alumine (A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10x), le dioxyde de Silicium (SiO2) ou encore le nitrate de Silicium (SiN). - le procédé comprend la formation de la couche isolante dont l'épaisseur est au moins égale à 50 nanomètres. - le procédé comprend la formation d'une couche isolante dont l'épaisseur est de 200 nanomètres. - I e procédé comprend une étape de gravure formant au moins une ouverture dans la couche inférieure, dont le motif est choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée, ou encore rectangulaire. - la diode comprend une couche inférieure en un matériau transparent et conducteur. - la diode comprend une couche supérieure couvrant une partie du substrat non recouverte par la couche isolante au travers de l'ouverture. - la diode comprend une couche isolante formée en un matériau inorganique choisi parmi l'Alumine (A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10x), le dioxyde de Silicium (SiO2) ou encore le nitrate de Silicium (SiN). - la diode comprend une couche isolante possédant une épaisseur au moins égale à 50 nanomètres. - la diode comprend une couche isolante possédant une épaisseur de 200 nanomètres. Comme indiqué précédemment, le procédé qui suit a pour but de réaliser une ou plusieurs structures dans un dispositif d'émission lumineuse organique, tout en s'affranchissant des défauts inhérents à une étape d'irradiation laser. Dans une première étape de réalisation d'une diode électroluminescente organique, illustrée en figure 1, une couche inférieure 20 est formée sur un substrat 10. De manière avantageuse, le substrat 10 est une plaque plane réalisée en un matériau transparent. Optionnellement, le substrat 10 est en verre. De préférence, la couche inférieure 20 représente une première électrode, dite anode. De manière avantageuse, la couche inférieure 20 est composée d'un matériau inorganique. Selon un mode de réalisation préférentiel où l'émission de la lumière se fait au travers du substrat 10, alors la couche inférieure 20 est choisie en un matériau transparent ou semi-transparent. Un matériau est considéré comme transparent (respectivement semi-transparent) s'il laisse passer les ondes lumineuses d'une certaine gamme de longueurs d'onde, c'est à dire qu'il n'atténue pas (respectivement partiellement) l'intensité des ondes lumineuses le traversant. La couche inférieure 20 est, préférentiellement, formée d'un oxyde transparent conducteur (En anglais TCO : Transparent Conducting Oxide). Optionnellement, la couche inférieure 20 peut être composée d'un empilement de couches de type TCO/Ag/TCO/Ag, où Ag représente de l'argent. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la couche inférieure 20 est choisie en un matériau de type oxyde d'Indium et d'Etain (En anglais ITO : Indium Tin Oxide). Ce matériau possède des propriétés de conductivité électrique et une transparence optique intéressante pour la fabrication de dispositif d'émission lumineuse organique. Optionnellement, la couche inférieure 20 est transparente à au moins 85%, afin de permettre la transmission de la lumière. De préférence, la couche inférieure 20 possède une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de nanomètres (nm ou nanomètre = 10-9 mètre). La figure 2 illustre la formation d'ouvertures 22 dans la couche inférieure 20, à la suite d'une irradiation laser. Les ouvertures 22 ont une profondeur préférentielle égale à l'épaisseur de la couche inférieure 20. Les ouvertures 22 ont, de préférence, une largeur d'au moins 10 micron. Les ouvertures 22 ont la particularité d'être séparées d'une distance au moins égale à 100 micron. Les ouvertures 22 ainsi formées, permettent un accès au substrat 10. L'utilisation d'un laser a pour avantage de former des motifs de différentes formes dans la couche inférieure 22. Le motif peut être choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée, ou encore rectangulaire. De manière particulièrement avantageuse, l'irradiation laser ne nécessite pas d'étape de protection des zones non exposées au laser, et évite donc le recours à un procédé complexe et potentiellement incompatible avec la fabrication de diodes électroluminescentes. Comme évoqué précédemment, l'irradiation laser de la couche inférieure 20 provoque une fusion de ladite couche inférieure 20 en bordure des ouvertures 22, à l'origine de la formation de pics à la surface de la couche inférieure 20. L'ensemble des pics et déformations créés à la surface de la couche inférieure 20 correspond à une zone altérée 24 de la couche inférieure 20 située en bordure des ouvertures 22, s'étalant dans un plan parallèle au substrat 10. On entend par bordure une certaine largeur sur le contour d'une ouverture. La rugosité en surface de la zone altérée 24 dépend principalement de l'épaisseur de la couche inférieure 20. Les pics observés dans la zone altérée 24 5 ont une hauteur comprise entre 10 nm et 200 nm pour une épaisseur d'ITO de 150nm, et une largeur minimale de 1 micron. Par exemple, une mesure profilomètre (non montrée) de bord de gravure d'une couche ITO de 140 nm d'épaisseur, présente des pics supérieurs à 50 nm, s'étalant sur une largeur de 20 micron. Ces pics, dus à la fusion de l'ITO par laser, apparaissent sur le bord de la 10 gravure. La figure 3 illustre l'étape de formation de la couche isolante 50 au dessus de la couche inférieure 20. De manière particulièrement avantageuse, la couche isolante 50 est disposée de sorte à recouvrir une partie de la zone altérée 24 de la couche inférieure 20, située en bordure des ouvertures 22. De préférence, la 15 couche isolante 50 couvre une partie de la paroi de l'ouverture 22 dans la couche inférieure 20 et une partie du substrat 10 formant le fond de l'ouverture 22. La couche isolante 50 a pour avantage d'être déposée par pulvérisation cathodique. La couche isolante 50 est, préférentiellement, formée en un matériau inorganique choisi parmi l'Alumine (A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10x), le dioxyde 20 de Silicium (SiO2) ou encore le nitrate de Silicium (SiN). De manière particulièrement avantageuse, la couche isolante 50 possède une épaisseur permettant de former un revêtement uniforme et homogène sur la zone altérée 24. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche isolante 50 possède une épaisseur au moins égale à 50 nanomètres. Elle peut aussi 25 posséder une épaisseur de 200 nanomètres. La couche isolante 50 a l'avantage d'être formée de telle sorte à parfaitement suivre la rugosité de surface de la zone altérée 24. Les pics apparus lors de l'irradiation laser sont ainsi recouverts par le revêtement que forme la couche isolante 50. La couche isolante 50 a, en outre, la particularité de former un 30 revêtement sur la zone altérée 24, et de ce fait, d'isoler électriquement cette zone, recouverte de défauts. La figure 4 illustre l'étape de formation de la couche organique 30. La couche organique 30 est avantageusement composée d'une ou de plusieurs sous- couches. Ces sous-couches comprennent, de préférence, des matériaux spécifiques, permettant d'améliorer l'injection d'électrons et de trous, et par conséquent, améliorer l'efficacité du dispositif d'émission lumineuse. A titre d'exemple, la couche organique 30 peut notamment comprendre une couche d'injection des trous, une couche de transport des trous, une couche d'émission de la lumière produite par la recombinaison des trous et des électrons, une couche de transport des électrons et une couche d'injection des électrons. L'épaisseur de la couche organique 30 est, avantageusement, comprise entre 10nm et 200nm. Selon un mode de réalisation préférentiel, les conditions de formation des différentes sous-couches de la couche organique 30 se font sous une atmosphère contrôlée. La présence, en effet, d'impuretés dépend de l'atmosphère dans laquelle les structures sont fabriquées. Avantageusement, la couche organique 30 est déposée au dessus de la couche inférieure 20. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 30 est déposée au dessus d'une partie de la couche isolante 50. La couche organique 30 couvre en totalité ou de manière partielle la couche isolante 50. De manière particulièrement avantageuse, la couche isolante 50 recouvre la zone altérée 24 de sorte à ce que la couche organique 30 ne soit pas en contact avec la zone altérée 24. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 30 est formée de sorte à s'étendre, de manière uniforme et continue, d'une première ouverture 22 à une deuxième ouverture 22. La figure 5 illustre l'étape de formation de la couche supérieure 40, constituant généralement une deuxième électrode, soit la cathode. Avantageusement, la couche supérieure 40 est transparente. Optionnellement, elle est semi-transparente. La couche supérieure 40 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. Elle peut, par exemple, être en un matériau tel que l'aluminium ou encore en calcium. Elle est, de préférence, déposée par évaporation thermique ou par pulvérisation cathodique. La couche supérieure 40 est, avantageusement, déposée au dessus de la couche organique 30. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche isolante 50 est disposée de sorte que la couche supérieure 40 ne soit pas en contact avec la zone altérée 24. Ainsi, le procédé selon l'invention s'affranchit des problèmes de courts-circuits provenant de zones de contact entre la couche inférieure 20, représentant une première électrode, et la couche supérieure 40, représentant une deuxième électrode. De manière particulièrement avantageuse, la couche supérieure 40 couvre une partie du substrat 10, non recouverte par la couche isolante 50, au travers de l'ouverture 22. Le procédé selon l'invention a pour avantage de former des structures dans un dispositif comprenant un ensemble de diodes électroluminescentes organiques. Ces structures peuvent être réalisées sur une pleine plaque afin de former une pluralité d'OLED, grâce notamment à l'utilisation d'une couche inférieure 20 d'ITO. Les structures formées sont de forme allongée ou de section rectangulaire. Selon un mode de réalisation, une structure est, par exemple, formée entre deux ouvertures 22. Les motifs des ouvertures 22 ont deux extrémités opposées. La couche isolante 50 est formée, de préférence, sur une partie du bord de la zone altérée d'une première ouverture 22 ainsi que sur une partie du bord de la zone altérée d'une deuxième ouverture 22 ; ces deux parties de bords étant les plus proches l'une de l'autre par rapport aux autres parties de bords des ouvertures 22. Afin de réaliser un meilleur contact, la couche supérieure 40, représentant la deuxième électrode, déborde de l'empilement (formé par la couche inférieure 20, la couche isolante 50 et la couche organique 30) au dessus de l'ouverture 22, de sorte à remplir une partie de l'ouverture 22, non recouverte par la couche isolante, directement en contact avec une partie du substrat 10. De manière particulièrement avantageuse, les contraintes, liées aux problèmes engendrés par l'irradiation laser d'une couche transparente conductrice, ont été surmontées grâce à l'insertion localisée d'une couche isolante venant couvrir la zone altérée, et par conséquent isoler électriquement les défauts. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits, mais s'étend à tous les modes de réalisation conformes à son esprit. REFERENCES 10. Substrat 20. Couche inférieure; première électrode 22. Ouverture dans la couche inférieure 24. Zone altérée de la couche inférieure 30. Couche organique 40. Couche supérieure ; deuxième électrode 50. Couche isolante10 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant les étapes suivantes: - une étape de formation d'une couche inférieure (20), représentant une première électrode, sur un substrat (10), - une étape de formation d'une couche organique (30) au dessus d'au moins une partie de la couche inférieure (20), - une étape de formation d'une couche supérieure (40), représentant 10 une deuxième électrode, au dessus d'au moins une partie de la couche organique (30), caractérisé en ce qu'il comprend: - à l'issue de l'étape de formation de la couche inférieure (20), une étape de gravure par irradiation laser de ladite couche inférieure (20) de sorte à 15 venir former au moins une ouverture (22) dans la couche inférieure (20) ; ladite ouverture (22) ayant une profondeur égale à l'épaisseur de la couche inférieure (20), et produisant une zone altérée (24) de la couche inférieure (20) au voisinage de l'ouverture (22), - à l'issue de l'étape de gravure, une étape de formation d'une couche 20 isolante (50), disposée de sorte à recouvrir au moins une partie de la zone altérée (24) de la couche inférieure (20) située en bordure de l'ouverture (22). 2 Procédé selon la revendication précédente dans lequel, lors de l'étape de formation de la couche isolante (50), ladite couche isolante (50) est disposée de sorte à couvrir au moins une partie de la paroi de l'ouverture (22) et une partie 25 du substrat (10) formant le fond de l'ouverture (22). 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel, la couche isolante (50) est disposée de sorte à couvrir au moins une partie de la bordure de l'ouverture (22) d'une largeur d'au moins 10 nanomètres. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape 30 de formation de la couche isolante (50) comprend une déposition par pulvérisation cathodique. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche isolante (50) forme une couche en un matériauinorganique, et choisi parmi l'Alumine (A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10x), le dioxyde de Silicium (SiO2) ou encore le nitrate de Silicium (SiN). 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche isolante (50) forme une couche dont l'épaisseur est au 5 moins égale à 50 nanomètres. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche isolante (50) forme une couche dont l'épaisseur est de 200 nanomètres. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'étape 10 de gravure forme au moins une ouverture (22) dans la couche inférieure (20), dont le motif est choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée ou rectangulaire. 9. Diode électroluminescente organique comprenant, sur un substrat (10), une couche inférieure (20) représentant une première électrode, une couche organique (30) au dessus de la couche inférieure (20) et une couche supérieure 15 (40), représentant une deuxième électrode, au dessus de la couche organique (30), caractérisée en ce que la diode comprend : - au moins une ouverture (22) formée par irradiation laser dans la couche inférieure (20) ; ladite ouverture (22) ayant une profondeur égale à l'épaisseur de la couche inférieure (20), 20 - une zone altérée (24) de la couche inférieure (20) au voisinage de l'ouverture (22), - une couche isolante (50), disposée de sorte à recouvrir une partie de la zone altérée (24) de la couche inférieure (20) située en bordure de l'ouverture (22). 25 10. Diode selon la revendication précédente dans laquelle la couche inférieure (20) comprend au moins une couche est en un matériau transparent et conducteur. 11. Diode selon l'une des deux revendications précédentes dans laquelle la couche supérieure (40) couvre une partie du substrat (10) non recouverte par la 30 couche isolante (50) au travers de l'ouverture (22). 12. Diode selon l'une des trois revendications précédentes dans laquelle la couche isolante (50) est formée en un matériau inorganique choisi parmi l'Alumine(A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10x), le dioxyde de Silicium (SiO2) ou encore le nitrate de Silicium (SiN). 13. Diode selon l'une des quatre revendications précédentes dans laquelle la couche isolante (50) possède une épaisseur au moins égale à 50 nanomètres. 14. Diode selon l'une des cinq revendications précédentes dans laquelle la couche isolante (50) possède une épaisseur de 200 nanomètres.