Brevet FR3003090A1 — publié le 20140912

DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI REFERENCE CROISEE A UNE APPLICATION ASSOCIEE Cette demande d'utilité revendique priorité sur la Demande Taïwan Numéro de Série 102107813, déposée le 06 mars 2013, et la 10 Demande Taïwan Numéro de Série 102147056, dépose le 19 décembre 2013, qui sont incorporées à la présente par référence. ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 15 1. Domaine de l'invention L'invention se rapporte à un dispositif photovoltaïque et à un procédé de fabrication de celui-ci et, particulièrement, à un dispositif photovoltaïque apte à prévenir un effet de dégradation induite par le 20 potentiel (PID; potential-induced degradation) et à un procédé de fabrication de celui-ci. 2. Description de la technique antérieure 25 Récemment, plus d'études ont montré que les fiabilités et les performances de dispositifs photovoltaïques et de modules stratifiés peuvent être significativement affectées par un effet de PID (dégradation induite par le potentiel). Les fabricants de tels dispositifs se consacrent donc à développer des dispositifs photovoltaïques et 30 des modules stratifiés qui sont aptes à prévenir un effet de PID. Dès 2005, la Sunpower Corporation a découvert qu'un effet de PID apparaissait dans les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de 0689-73407Pa-cc type n. Les modules stratifiés fabriqués à partir des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type n sont utilisés en environnement chaud et humide sur une longue durée et fonctionnent sous haute tension (potentiel), de telle sorte qu'un courant de fuite passe entre des verres et des matériaux stratifiés, et un grand nombre de charges sont accumulées sur la surface des dispositifs photovoltaïques, ce qui détériore la passivation de surface et la jonction avant des dispositifs photovoltaïques. Ce courant de fuite, cette accumulation de charges et cette détérioration de la passivation de surface et de la jonction avant résultent en ce que les caractéristiques de performance des dispositifs photovoltaïques, par exemple le facteur de remplissage (FF), la densité de courant de court-circuit (J.c), la tension à circuit ouvert (\Toc), etc., diminuent sensiblement, et ainsi les performances des modules stratifiés fabriqués à partir des dispositifs photovoltaïques sont inférieures à la norme acceptée. Les phénomènes de détérioration ci-dessus sont appelés effets de PID. En ce qui concerne les dispositifs photovoltaïques à base de silicium, certaines techniques antérieures ajustent l'indice de réfraction d'une couche antireflets de SiNx pour atteindre le but de prévenir un effet de PID. Cependant, cette approche sacrifie légèrement l'efficacité de la couche antireflets de SiNx. A savoir, la propriété de transmission de lumière de la couche antireflets de SiNx diminue. De plus, cette approche n'est pas nécessairement applicable à d'autres types de dispositifs photovoltaïques. Certains articles ont fait remarquer que les effets de PID peuvent être de façon générale divisés en les trois mode suivants : l'effet de la région active superficielle du matériau semi-conducteur ; les phénomènes de dégradation de performances et de diversion de jonctions semi-conductrices ; et la corrosion électrolytique et la migration d'ions métal. De façon générale, l'effet de PID commence essentiellement par le bord du dispositif photovoltaïque. Donc, comment prévenir l'effet de PID apparaissant dans le dispositif photovoltaïque et le module stratifié fabriqué à partir de celui-ci, spécialement pour l'effet de PID commençant par le côté du dispositif photovoltaïque, pour prolonger la durée de vie utile du dispositif photovoltaïque, est le sens de diligence des personnes expertes dans ce domaine. RESUME DE L'INVENTION 10 En conséquence, un but de l'invention est de proposer un dispositif photovoltaïque apte à prévenir un effet de PID et un procédé de fabrication de celui-ci. 15 Un dispositif photovoltaïque selon un mode de réalisation préféré de l'invention inclut une combinaison de structures de semiconducteurs et une première couche de protection. La combinaison de structures de semi-conducteurs présente une pluralité de surfaces latérales, et inclut une jonction p-n, une jonction n-p, une jonction p- 20 i-n, une jonction n-i-p, une jonction tandem, une multi-jonction, ou autre type de jonction. En particulier, la première couche de protection est formée de façon à recouvrir les surfaces latérales de la combinaison de structures de semi-conducteurs. Ainsi, la première couche de protection est apte à prévenir l'effet de PID du dispositif 25 photovoltaïque de l'invention. De plus, le dispositif photovoltaïque de l'invention inclut également une deuxième couche de protection. La deuxième couche de protection est formée de façon à recouvrir la première couche de 30 protection. Un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque selon un mode de réalisation préféré de l'invention consiste, premièrement, à préparer une combinaison de structures de semi-conducteurs, où la combinaison de structures de semi-conducteurs a une pluralité de surfaces de bords, et inclut une jonction p-n, une jonction n-p, une jonction p-i-n, une jonction n-i-p, une jonction tandem, une multis jonction, ou autre type de jonction. Enfin, le procédé de l'invention consiste à former une première couche de protection pour recouvrir les surfaces latérales de la combinaison de structures de semiconducteurs. 10 De façon distincte de la technique antérieure, la première couche de protection recouvrant les surfaces latérales de la combinaison de structures de semi-conducteurs est apte à prévenir l'effet de PID du dispositif photovoltaïque de l'invention. 15 L'avantage et l'esprit de l'invention peuvent être compris à partir de la description qui suit et avec les dessins annexés. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS ANNEXES 20 La Figure lA est une vue en coupe transversale d'un dispositif photovoltaïque selon un mode de réalisation préféré de l'invention. Les Figures 2 à 3 montrent par l'illustration, par l'intermédiaire de vues en coupe, les procédures d'un procédé selon un mode de 25 réalisation préféré de l'invention pour fabriquer un dispositif photovoltaïque. Les Figures 4 à 7 montrent par l'illustration, par l'intermédiaire de vues en coupe, les procédures du premier exemple du procédé de 30 l'invention pour fabriquer un dispositif photovoltaïque à base de silicium. Les Figures 8 à 9 montrent par l'illustration, par l'intermédiaire de vues en coupe, les procédures du deuxième exemple du procédé de l'invention pour fabriquer un dispositif photovoltaïque à base de silicium. Les Figures 10 à 11 montrent par l'illustration, par 5 l'intermédiaire de vues en coupe, les procédures du troisième exemple du procédé de l'invention pour fabriquer un dispositif photovoltaïque à base de silicium. Les Figures 12 à 13 montrent par l'illustration, par 10 l'intermédiaire de vues en coupe, les procédures du quatrième exemple du procédé de l'invention pour fabriquer un dispositif photovoltaïque à base de silicium. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 15 En référence à la Figure 1, la Figure 1 montre schématiquement un dispositif photovoltaïque 1 selon un mode de réalisation préféré de l'invention par l'intermédiaire d'une vue en coupe. 20 Comme montré sur la Figure 1, le dispositif photovoltaïque 1 de l'invention inclut une combinaison de structures de semiconducteurs 10 et la première couche de protection 12. La combinaison de structures de semi-conducteurs 10 présente une pluralité de surfaces latérales 102, et inclut une jonction p-n, une 25 jonction n-p, une jonction p-i-n, une jonction n-i-p, une jonction tandem, une multi-jonction, ou autre type de jonction. À savoir, le dispositif photovoltaïque 1 de l'invention peut être un dispositif photovoltaïque à silicium monocristallin, un dispositif photovoltaïque à silicium de type monocristallin, un dispositif photovoltaïque à 30 silicium multi-cristallin ou polycristallin, un dispositif photovoltaïque à base de GaAs, un dispositif photovoltaïque à film mince de silicium amorphe, un dispositif photovoltaïque à film mince de silicium microcristallin (i.t-Si), un dispositif photovoltaïque à film mince de CdS, un dispositif photovoltaïque à film mince de CdTe, un dispositif photovoltaïque à film mince de CuInSe2 (CIS), un dispositif photovoltaïque à film mince de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS), un dispositif photovoltaïque à film mince sensibilisé par un colorant, etc. Sur la Figure 1, seule une jonction 104 est illustrée dans la combinaison de structures de semi-conducteurs comme représentative. En particulier, la première couche de protection 12 est formée de façon à recouvrir la pluralité de surfaces latérales 102 de la combinaison de structures de semi-conducteurs 10. Ainsi, la première couche de protection 12 est apte à prévenir l'effet de PID du dispositif photovoltaïque 1 de l'invention. Dans un mode de réalisation, la première couche de protection 15 12 peut être constituée d'un oxyde d'aluminium, d'un oxyde de titane, d'un oxyde de zirconium, d'un oxyde de hafnium, ou d'un mélange entre ceux-ci. Dans un mode de réalisation, la première couche de protection 20 12 a une épaisseur dans une plage de 0,2 nm à 100 nm. Également comme montré sur la Figure 1, en outre, le dispositif photovoltaïque 1 de l'invention inclut également une deuxième couche de protection 14. La deuxième couche de protection 14 est 25 formée de façon à recouvrir la première couche de protection 12. Dans un mode de réalisation, la deuxième couche de protection 14 peut être constituée d'un nitrure de silicium, d'un oxynitrure de silicium ou d'un mélange entre ceux-ci. 30 En référence aux Figures 2 à 3, ces dessins montrent par l'illustration, par l'intermédiaire de vues en coupe, les procédures d'un procédé selon un mode de réalisation préféré de l'invention pour fabriquer un dispositif photovoltaïque 1 comme montré sur la Figure 1. Comme montré sur la Figure 2, premièrement, le procédé de s l'invention consiste à préparer une combinaison de structures de semi-conducteurs 10, où la combinaison de structures de semiconducteurs 10 a une pluralité de surfaces latérales 102, et inclut une jonction p-n, une jonction n-p, une jonction p-i-n, une jonction n-i-p, une jonction tandem, une multi-jonction, ou autre type de 10 jonction. Sur la Figure 2, seule une jonction 104 est illustrée dans la combinaison de structures de semi-conducteurs comme représentative. Enfin, comme montré sur la Figure 3, le procédé de l'invention 15 consiste à former une première couche de protection 12 pour recouvrir la pluralité de surfaces latérales 102 de la combinaison de structures de semi-conducteurs 10. De plus, le procédé de l'invention consiste à former une 20 deuxième couche de protection 14, qui recouvre la première couche de protection 12, pour terminer la structure du dispositif photovoltaïque 1 comme montré sur la Figure 1. Ci-après, seront décrites en détails les structures et la 25 fabrication de certains exemples de dispositifs photovoltaïques à base de silicium réalisés conformément au dispositif photovoltaïque 1 et à la fabrication de celui-ci de l'invention. En référence aux Figures 4 à 7, ces dessins montrent 30 schématiquement la structure et la fabrication du premier exemple du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium réalisé conformément à l'invention par l'intermédiaire de vues en coupe transversale. Comme montré sur la Figure 4, premièrement, le procédé du premier exemple de l'invention consiste à préparer une combinaison de structures de semi-conducteurs 10, où la combinaison de structures de semi-conducteurs 10 a une pluralité de surfaces latérales 102, une surface avant 106 et une surface arrière 108 opposée à la surface avant 106. Sur la Figure 4, seule une jonction 104 est illustrée dans la combinaison de structures de semiconducteurs 10 comme représentative. La combinaison de structures de semi-conducteurs 10 préparée inclut un substrat de silicium 101 d'un premier type de conductivité. Le substrat de silicium 101 peut être un substrat de silicium monocristallin, un substrat de silicium de type monocristallin ou un substrat de silicium multi-cristallin ou polycristallin, etc. L'épaisseur du substrat de silicium 101 peut être, sans toutefois s'y limiter, dans une plage d'environ 150 gm à 230 gin. La combinaison de structures de semi-conducteurs 10 inclut également la jonction 104. Les types disponibles de la jonction 104 ont été décrits en détails ci-dessus, et ne seront pas décrits ici. Également comme montré sur la Figure 4, le procédé de l'invention consiste en outre à traiter la surface avant 106 par un traitement de texturation. À savoir, la surface avant 106 est une surface texturée. La texturation de la surface avant 106 peut être mise en oeuvre par gravure d'une solution acide ou alcaline pour former des structures grossières telles que des structures en pyramide sur la surface avant 106. La surface avant 106 texturée sert comme une surface d'incidence de lumière, et peut efficacement abaisser la réflectivité de lumière incidente. Des technologies typiques de texturation de surface sont mises en pratique pour former des rainures en forme de V ou des structures en pyramide, où la rugosité de la surface texturée va de l'échelle micrométrique à l'échelle sub-centimétrique. Avec une efficacité croissante de conversion photoélectrique du dispositif photovoltaïque comme demandée, une technologie a été développée pour améliorer la rugosité de la surface d'incidence de lumière du 5 dispositif photovoltaïque à l'échelle nanométrique, où la morphologie de la surface d'incidence de lumière du dispositif photovoltaïque affiche une distribution de nanotiges qui ont un facteur de forme très élevé (profondeur 1 ium, largeur 100 nm). Une réflexion ultrabasse en bande large ( Comme montré sur la Figure 6, ensuite, le procédé du premier exemple de l'invention consiste à former une couche antireflets 16 pour recouvrir la surface avant 106 et la première couche de protection 12 sur la bord de la surface avant 106. Dans un mode de réalisation, la formation de la couche antireflets 16 peut être effectuée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD), etc. De plus, la couche antireflets 16 peut non seulement abaisser le taux de recombinaison de porteurs à la surface du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium, mais également améliorer le photocourant du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium et réaliser des effets de protection pour le dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium, par exemple anti-rayures, anti-humidité, etc. Comme montré sur la Figure 7, ensuite, le procédé du premier exemple de l'invention consiste à former une électrode avant 17 sur la couche antireflets 16 sur la surface avant 106, où l'électrode avant 17 est en contact ohmique avec la surface avant 106. Dans un mode de réalisation, l'électrode avant 17 peut être formée par frittage d'une pâte métallique prédéterminée (par exemple une pâte d'argent) qui est d'abord appliquée sur la surface avant 106 par sérigraphie ou dépôt local(e). Lors du frittage, une fritte de verre dans la pâte métallique passe à travers la couche antireflets 16 pour venir au contact du silicium de la surface avant 106, et ensuite pour réaliser un contact ohmique entre l'électrode avant 17 et la surface avant 106. Dans un autre mode de réalisation, le procédé du premier exemple de l'invention consiste à former des rainures sur la couche antireflets 16 où la surface avant 106 à l'intérieur des rainures est exposée, et ensuite à former l'électrode avant 17 dans les rainures pour recouvrir la surface avant 106 exposée. Également comme montré sur la Figure 7, ensuite, le procédé du premier exemple de l'invention consiste à former au moins une 30 barre omnibus arrière 18 sur la surface arrière 108. Également comme montré sur la Figure 7, enfin, le procédé du premier exemple de l'invention consiste à former une électrode arrière 19 pour recouvrir la surface arrière 108 hormis l'au moins une barre omnibus arrière 18 pour terminer le dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium du premier exemple. Dans un mode de réalisation, il est possible d'appliquer une pâte métallique prédéterminée sur la couche antireflets 16 et la surface arrière 108 par sérigraphie ou dépôt local(e), et ensuite d'effectuer une cocuisson dans une plage de température de 570°C à 840°C pour terminer l'électrode avant 17, l'au moins une barre omnibus arrière 18 et l'électrode arrière 19. Le dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium sera intégré dans un module. Lors de l'utilisation du module intégré constitué du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium, la première couche de protection 12 recouvrant la pluralité de surfaces latérales 102 de la combinaison de structures de semi-conducteurs 10 peut protéger contre des charges accumulées sur des matériaux intégrés (typiquement un éthylène-acétate de vinyle (EVA) ou un verre) dans le substrat de silicium 101 du premier type de conductivité le long de la surface de la première couche de protection 12. Ainsi, la première couche de protection 12 peut efficacement prévenir l'effet de PID du dispositif photovoltaïque 1 de l'invention, spécialement pour l'effet de PID partant des surfaces latérales 102 du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium. En référence aux Figures 8 à 9, ces dessins montrent schématiquement la structure et la fabrication du deuxième exemple 25 du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium réalisé selon l'invention par l'intermédiaire de vues en coupe transversale. Le procédé du deuxième exemple de l'invention est sensiblement similaire au procédé du premier exemple, et, donc, ne 30 sera décrite ci-après que la différence entre le procédé du deuxième exemple et le procédé du premier exemple. Comme montré sur la Figure 8, le procédé du deuxième exemple de l'invention consiste à étendre la première couche de protection 12 également jusqu'au bord de la surface arrière 108 et à recouvrir la surface avant 106. Également comme montré sur la Figure 8, le procédé du 5 deuxième exemple de l'invention consiste à former une couche antireflets 16 pour recouvrir la première couche de protection 12 sur la surface avant 106. Également comme montré sur la Figure 8, le procédé du deuxième exemple de l'invention consiste à former une deuxième couche de protection 14 pour recouvrir la première couche 10 de protection 12. Comme montré sur la Figure 9, enfin, le procédé du deuxième exemple de l'invention consiste à former une électrode avant 17 sur la couche antireflets 16, où l'électrode avant est en contact ohmique 15 avec la surface avant 106. Le procédé du deuxième exemple de l'invention consiste également à former au moins une barre omnibus arrière 18 sur la surface arrière 108, et à former une électrode arrière 19 pour recouvrir la surface arrière 108 hormis l'au moins une barre omnibus arrière 18 pour terminer le dispositif photovoltaïque 1 à 20 base de silicium du deuxième exemple. Dans un mode de réalisation, le procédé du deuxième exemple de l'invention peut réaliser un contact ohmique entre l'électrode avant 17 et la surface avant 106 avec une fritte de verre dans la pâte métallique à travers la couche antireflets 16 pour mettre l'électrode avant 17 en contact avec le 25 silicium de la surface avant 106 lors du frittage. Dans un autre mode de réalisation, le procédé du deuxième exemple de l'invention consiste à former des rainures sur la couche antireflets 16 et la première couche de protection 12 où la surface avant 106 à l'intérieur des rainures est exposée, et ensuite à former l'électrode 30 avant 17 dans les rainures pour recouvrir la surface avant 106 exposée. En référence aux Figures 10 à 11, ces dessins montrent schématiquement la structure et la fabrication du troisième exemple du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium réalisé selon l'invention par l'intermédiaire de vues en coupe transversale. Le procédé du troisième exemple de l'invention est sensiblement similaire au procédé du premier exemple, et, donc, ne sera décrite ci-après que la différence entre le procédé du troisième exemple et le procédé du premier exemple. Comme montré sur la Figure 10, le o procédé du troisième exemple de l'invention consiste à étendre la première couche de protection 12 également jusqu'au bord de la surface avant 106 et à recouvrir la surface arrière 108. Également comme montré sur la Figure 10, le procédé du 15 troisième exemple de l'invention consiste à former une couche antireflets 16 pour recouvrir la surface avant 106 et la première couche de protection 12 sur le bord de la surface avant 106. Également comme montré sur la Figure 10, le procédé du troisième exemple de l'invention consiste à former une deuxième couche de 20 protection 14 pour recouvrir la première couche de protection 12. Ensuite, le procédé du troisième exemple de l'invention consiste à former au moins une barre omnibus arrière 18 sur la première couche de protection 12 sur la surface arrière 108, où l'au moins une 25 barre omnibus arrière 18 est en contact ohmique avec la surface arrière 108. Par exemple, comme montré sur la Figure 10, le procédé du troisième exemple de l'invention consiste à former au moins une rainure 122 sur la première couche de protection 12 recouvrant la surface arrière 108, où la surface arrière 108 à l'intérieur de l'au 30 moins une rainure est exposée. Ensuite, comme montré sur la Figure 11, le procédé du troisième exemple de l'invention consiste à former l'au moins une barre omnibus arrière 18 dans l'au moins une rainure 122 pour recouvrir la surface arrière 108 exposée. À titre d'alternative, sans formation de la rainure 122, le procédé du troisième exemple de l'invention peut réaliser un contact ohmique entre l'au moins une barre omnibus arrière 18 et la surface arrière 108 avec une fritte de verre dans la pâte métallique à travers la 5 première couche de protection 12 pour contacter la surface arrière 108 lors du frittage. Comme montré sur la Figure 11, enfin, le procédé du troisième exemple de l'invention consiste à former une électrode avant 17 sur 10 la couche antireflets 16, où l'électrode avant 17 est en contact ohmique avec la surface avant 106. Le procédé du troisième exemple de l'invention consiste également à former l'au moins une barre omnibus arrière 18, et une électrode arrière 19 pour recouvrir la première couche de protection 12 recouvrant la surface arrière 108 15 hormis l'au moins une barre omnibus arrière 18 pour terminer le dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium du troisième exemple. Dans un mode de réalisation, le procédé du troisième exemple de l'invention peut réaliser un contact ohmique entre l'électrode avant 17 et la surface avant 106 avec une fritte de verre dans la pâte 20 métallique à travers la couche antireflets 16 et la première couche de protection 12 pour mettre l'électrode avant 17 en contact avec le silicium de la surface avant 106 lors du frittage. Dans un autre mode de réalisation, le procédé du troisième exemple de l'invention consiste à former des rainures sur la couche antireflets 16 et la première 25 couche de protection 12 où la surface avant 106 à l'intérieur des rainures est exposée, et ensuite à former l'électrode avant 17 dans les rainures pour recouvrir la surface avant 106 exposée. En référence aux Figures 12 à 13, ces dessins montrent 30 schématiquement la structure et la fabrication du quatrième exemple du dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium réalisé selon l'invention par l'intermédiaire de vues en coupe transversale. Le procédé du quatrième exemple de l'invention est sensiblement similaire au procédé du premier exemple, et, donc, ne sera décrite ci-après que la différence entre le procédé du quatrième exemple et le procédé du premier exemple. Comme montré sur la s Figure 12, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à étendre la première couche de protection 12 également pour recouvrir la surface avant 106 et pour recouvrir la surface arrière 108. 10 Également comme montré sur la Figure 12, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former une couche antireflets 16 pour recouvrir la première couche de protection 12 sur la surface avant 106. Également comme montré sur la Figure 12, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former une 15 deuxième couche de protection 14 pour recouvrir la première couche de protection 12. Ensuite, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former au moins une barre omnibus arrière 18 sur la 20 première couche de protection 12, où l'au moins une barre omnibus arrière 18 est en contact ohmique avec la surface arrière 108. Par exemple, comme montré sur la Figure 12, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former au moins une rainure 122 sur la première couche de protection 12 recouvrant la surface arrière 25 108, où la surface arrière 108 à l'intérieur de l'au moins une rainure 122 est exposée. Ensuite, comme montré sur la Figure 13, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former l'au moins une barre omnibus arrière 18 dans l'au moins une rainure 122 pour recouvrir la surface arrière 108 exposée. À titre d'alternative, dans 30 formation de la rainure 122, le procédé du quatrième exemple de l'invention peut réaliser un contact ohmique entre l'au moins une barre omnibus arrière 18 et la surface arrière 108 avec une fritte de verre dans la pâte métallique à travers la première couche de protection 12 pour contacter la surface arrière 108 lors du frittage. Comme montré sur la Figure 13, enfin, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former une électrode avant 17 sur la couche antireflets 16, où l'électrode avant 17 est en contact ohmique avec la surface avant 106. Le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste également à former l'au moins une barre omnibus arrière 18, et une électrode arrière 19 pour recouvrir la première couche de protection 12 recouvrant la surface arrière 108 hormis l'au moins une barre omnibus arrière 18 pour terminer le dispositif photovoltaïque 1 à base de silicium du quatrième exemple. Dans un mode de réalisation, le procédé du quatrième exemple de l'invention peut réaliser un contact ohmique entre l'électrode avant 17 et la surface avant 106 avec une fritte de verre dans la pâte métallique à travers la couche antireflets 16 et la première couche de protection 12 pour mettre l'électrode avant 17 en contact avec le silicium de la surface avant 106 lors du frittage. Dans un autre mode de réalisation, le procédé du quatrième exemple de l'invention consiste à former des rainures sur la couche antireflets 16 et la première couche de protection 12 où la surface avant 106 à l'intérieur des rainures est exposée, et ensuite à former l'électrode avant 17 dans les rainures pour recouvrir la surface avant 106 exposée. Ci-après va être décrit le résultat de tests de PID de certains dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type A, certains dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type B et certains dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type C. Les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type A sont fabriqués selon le procédé du troisième exemple de l'invention, leurs structures sont comme montrées sur la Figure 11. Les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type B sont fabriqués selon la technique antérieure en ajustant l'indice de réfraction de la couche antireflets de SiN. pour parvenir au but de prévention de l'effet de PID. Les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type C sont des dispositifs photovoltaïques à base de silicium typiques sans s fonction de prévention de l'effet de PID. Les tests de PID de ces dispositifs photovoltaïques à base de silicium de l'invention sont effectués par les modules intégrés réalisés à partir de ceux-ci, et sont effectués pendant 96 heures à une température de 85°C et une humidité relative de 85%. 10 En référence au Tableau 1, les efficacités initiales de conversion photoélectrique et les efficacités de conversion photoélectrique, les rapports de dégradation et les résistances de dérivation (Rshunt) après les tests de PID du dispositif photovoltaïque à base de silicium de 15 type A, du dispositif photovoltaïque à base de silicium de type B et du dispositif photovoltaïque à base de silicium de type C sont listés dans le Tableau 1. La résistance de dérivation du dispositif photovoltaïque à base de silicium dépend de la quantité de courant de fuite du dispositif photovoltaïque à base de silicium, à savoir que plus de 20 résistance de dérivation signifie moins de courant de fuite. Table 1 Efficacité initiale Efficacité de Rapport de Rshunt(n) de conversion conversion détérioration photoélectrique photoélectrique (%) après le test PID Dispositifs 17,70%±0,31% 17,48%±0,29% 1,24% 491,79 photovoltaïques à base de silicium de type A Dispositifs 17,46%±0,19% 16,98%±0,20% 2,72% 135,67 photovoltaïques à base de silicium de type B Dispositifs 17,05%±0,35% 12,82%±4,61% 25,00% 8,67 photovoltaïques à base de silicium de type C Les données listées dans le Tableau 1 prouvent que les efficacités de conversion photoélectrique des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type A et de type B sont toutes supérieures à celles des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type C, et que les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type A et de type B sont tous capables de prévenir efficacement les effets de PID. Les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type C ont des rapports de dégradation significativement élevés, et des résistances de dérivation très faibles. Parce que les dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type B sacrifient légèrement l'efficacité de la couche antireflets, les efficacités de conversion photoélectrique des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type B sont légèrement inférieures à celles des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type A. Les rapports de dégradation des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type B sont supérieurs à ceux des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type A. Les résistances de dérivation des dispositifs photovoltaïques à base de silicium de type B sont d'évidence inférieures à celles des dispositifs photovoltaïques à base de silicium 5 de type A. D'évidence, l'efficacité de prévention de la PID du dispositif photovoltaïque de l'invention est supérieure à celle du dispositif photovoltaïque des techniques antérieures. De plus, le dispositif photovoltaïque et le procédé de fabrication d'un tel dispositif photovoltaïque de l'invention peuvent être largement appliqués à 10 divers types de dispositifs photovoltaïques. Avec l'exemple et les explications ci-dessus, il est espéré que les caractéristiques et l'esprit de l'invention sont bien décrits. L'homme de l'art observera facilement que de nombreuses modifications et 15 altérations du dispositif peuvent être apportées tout en retenant l'enseignement de l'invention. En conséquence, la description ci-dessus doit être interprétée comme n'étant limitée que par les bornes et limites des revendications annexées. 20 REVENDICATIONS1. Dispositif photovoltaïque, comprenant : une combinaison de structures de semi-conducteurs, ayant une pluralité de surfaces latérales, et comprenant une choisie parmi le groupe consistant en une jonction p-n, une jonction n-p, une jonction p-i-n, une jonction n-i-p, une jonction tandem et une multi-jonction ; et une première couche de protection, formée de façon à recouvrir les surfaces latérales de la combinaison de structures de semi-conducteurs, dans lequel la première couche de protection est apte à prévenir un effet de dégradation induite par le potentiel du dispositif photovoltaïque. 2. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 1, dans lequel la première couche de protection est formée à partir d'un choisi parmi le groupe consistant en un oxyde d'aluminium, un oxyde de titane, un oxyde de zirconium, un oxyde de hafnium et un mélange entre ceux-ci. 3. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 2, comprenant en outre une deuxième couche de protection, formée de façon à recouvrir la première couche de protection, dans lequel la deuxième couche de protection est formée à partir d'un choisi parmi le groupe consistant en un nitrure de silicium, un oxynitrure de silicium et un mélange entre ceux-ci. 4. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 2, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surfaceavant, la surface avant est traitée par un traitement de texturation, la première couche de protection s'étend également jusqu'à un premier bord de la surface avant et un deuxième bord de la surface arrière, ledit dispositif photovoltaïque comprend en outre : une couche antireflets, étant formée sur la surface avant et recouvrant la première couche de protection sur le premier bord de la surface avant ; une électrode avant, étant formée sur la couche antireflets et en contact ohmique avec la surface avant ; au moins une barre omnibus arrière, formée sur la surface arrière ; et une électrode arrière, formée de façon à recouvrir la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 5. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 2, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, la surface avant est traitée par un traitement de texturation, la première couche de protection s'étend également jusqu'à un bord de la surface arrière et pour recouvrir la surface avant, ledit dispositif photovoltaïque comprend en outre : une couche antireflets, formée pour recouvrir la première couche de protection sur la surface avant ; une électrode avant, étant formée sur la couche antireflets et en contact ohmique avec la surface avant ;au moins une barre omnibus arrière, formée sur la surface arrière ; et une électrode arrière, formée de façon à recouvrir la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 6. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 2, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, la surface avant est traitée par un traitement de texturation, la première couche de protection s'étend également jusqu'à un bord de la surface avant et pour recouvrir la surface arrière, ledit dispositif photovoltaïque comprend en outre : une couche antireflets, étant formée sur la surface avant et recouvrant la première couche de protection sur le bord de la surface avant ; une électrode avant, étant formée sur la couche antireflets et en contact ohmique avec la surface avant ; au moins une barre omnibus arrière, étant formée sur la première couche de protection sur la surface arrière et en contact ohmique avec la surface arrière ; et une électrode arrière, formée de façon à recouvrir la première couche de protection sur la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 7. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 2, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surfaceavant, la surface avant est traitée par un traitement de texturation, la première couche de protection s'étend également pour recouvrir la surface avant et pour recouvrir la surface arrière, ledit dispositif photovoltaïque comprend en outre : une couche antireflets, formée pour recouvrir la première couche de protection sur la surface avant ; une électrode avant, étant formée sur la couche antireflets et en contact ohmique avec la surface avant ; au moins une barre omnibus arrière, étant formée sur la première couche de protection sur la surface arrière et en contact ohmique avec la surface arrière ; et une électrode arrière, formée de façon à recouvrir la première couche de protection sur la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque, comprenant les étapes de : préparation d'une combinaison de structures de semiconducteurs, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a une pluralité de surfaces de bords, et comprend une choisie parmi le groupe consistant en une jonction p-n, une jonction n-p, une jonction p-i-n, une jonction n-i-p, une jonction tandem et une multi-jonction ; et formation d'une première couche de protection pour recouvrir les surfaces latérales de la combinaison de structures de semi-conducteurs, dans lequel la premièrecouche de protection est apte à prévenir un effet de dégradation induite par le potentiel du dispositif photovoltaïque. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la première couche de protection est formée à partir d'un choisi parmi le groupe consistant en un oxyde d'aluminium, un oxyde de titane, un oxyde de zirconium, un oxyde de hafnium et un mélange entre ceux-ci. 10. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre l'étape de formation d'une deuxième couche de protection pour recouvrir la première couche de protection, dans lequel la deuxième couche de protection est formée à partir d'un choisi parmi le groupe consistant en un nitrure de silicium, un oxynitrure de silicium et un mélange entre ceux-ci. 11. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, ledit procédé comprend en outre les étapes de : traitement de la surface avant par un traitement de texturation ; extension de la première couche de protection également jusqu'à un premier bord de la surface avant et un deuxième bord de la surface arrière ; formation d'une couche antireflets pour recouvrir la surface avant et la première couche de protection sur le premier bord de la surface avant ;formation d'une électrode avant sur la couche antireflets, dans lequel l'électrode avant est en contact ohmique avec la surface avant ; formation d'au moins une barre omnibus arrière sur la surface arrière ; et formation d'une électrode arrière pour recouvrir la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 10 12. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, ledit procédé comprend en outre les étapes de : 15 traitement de la surface avant par un traitement de texturation ; extension de la première couche de protection également 20 jusqu'à un bord de la surface arrière et pour recouvrir la surface avant ; formation d'une couche antireflets pour recouvrir la première couche de protection sur la surface avant ; 25 formation d'une électrode avant sur la couche antireflets, dans lequel l'électrode avant est en contact ohmique avec la surface avant ; 30 formation d'au moins une barre omnibus arrière sur la surface arrière ; etformation d'une électrode arrière pour recouvrir la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 13. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, ledit procédé comprend en outre les étapes de : traitement de la surface avant par un traitement de texturation ; extension de la première couche de protection également jusqu'à un bord de la surface avant et pour recouvrir la surface arrière ; formation d'une couche antireflets pour recouvrir la surface avant et la première couche de protection sur le bord de la surface avant ; formation d'une électrode avant sur la couche antireflets, dans lequel l'électrode avant est en contact ohmique avec la surface avant ; formation d'au moins une barre omnibus arrière sur la première couche de protection sur la surface arrière, dans lequel l'au moins une barre omnibus arrière est en contact ohmique avec la surface arrière ; et formation d'une électrode arrière pour recouvrir la première couche de protection hormis l'au moins une barre omnibus arrière. 14. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la combinaison de structures de semi-conducteurs a également une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, ledit procédé comprend en outre les étapes de : traitement de la surface avant par un traitement de texturation ; extension de la première couche de protection également o pour recouvrir la surface avant et pour recouvrir la surface arrière ; formation d'une couche antireflets pour recouvrir la première couche de protection sur la surface avant ; 15 formation d'une électrode avant sur la couche antireflets, dans lequel l'électrode avant est en contact ohmique avec la surface avant ; 20 formation d'au moins une barre omnibus arrière sur la première couche de protection sur la surface arrière, dans lequel l'au moins une barre omnibus arrière est en contact ohmique avec la surface arrière ; et 25 formation d'une électrode arrière pour recouvrir la première couche de protection sur la surface arrière hormis l'au moins une barre omnibus arrière.