Brevet FR3004004A1 — publié le 20141003

Processus d'assemblage de cellules photovoltaïques avec transfert multiple La présente invention a trait au domaine des cellules photovoltaïques. Elle a trait en particulier à un 5 procédé de fabrication d'une pluralité de cellules photovoltaïques dans lequel les cellules peuvent être déplacées depuis une première position dans laquelle elles sont séparées entre elles à une première distance jusqu'à une deuxième position dans laquelle elles sont 10 séparées entre elles à une deuxième distance supérieure à la première distance, cela de manière rapide et économique. Ces dernières années, du fait de l'augmentation constante du prix de l'énergie, dicté en particulier par 15 l'augmentation constante du prix des combustibles fossiles, les sources d'énergie renouvelable ont bénéficié d'un intérêt croissant. Une forme d'énergie renouvelable particulièrement appréciée est l'énergie photovoltaïque, qui peut être installée virtuellement 20 n'importe où, sur des surfaces variant de quelques centimètres carrés à des ensembles photovoltaïques couvrant plusieurs kilomètres carrés. Les générateurs à concentration à semi-conducteurs du groupe III-V constituent une forme de générateurs 25 photovoltaïques particulièrement avantageuse. Plus spécifiquement encore, les cellules photovoltaïques à concentration multijonction à semi-conducteurs III-V sont préférées, car elles permettent d'obtenir des rendements beaucoup plus élevés que la technologie 30 standard au silicium. Dans le module photovoltaïque à concentration, la taille des cellules photovoltaïques est réduite grâce à l'utilisation d'une lentille qui focalise la lumière d'une grande surface sur une surface plus petite, qui correspond à la plus petite taille des cellules photovoltaïques. Ceci implique que les cellules photovoltaïques ne recouvrent pas toute la surface du module mais sont au contraire espacées entre elles. Selon le facteur de concentration de la lumière, l'utilisation d'un dissipateur thermique peut être nécessaire pour éviter des pertes de rendement du fait de l'augmentation de température des cellules photovoltaïques. Lors de la réalisation du module, l'approche standard est par conséquent de saisir et de placer chacune des cellules en respectant un certain espacement entre elles, par exemple au-dessus du dissipateur thermique qui fait partie du module photovoltaïque à concentration. Une telle approche standard est illustrée sur la figure 6. En particulier, la figure 6 illustre une pluralité de vues en coupe du produit durant différentes étapes du processus de fabrication. Un substrat 8130 est pourvu, sur lequel une couche photovoltaïque 8120 est pourvue à l'étape S81. La couche photovoltaïque 8120 peut par exemple être créée par croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs III-V tels que le phosphure d'indium gallium et l'arséniure de gallium sur par exemple une plaquette de germanium, ce qui conduit à une cellule solaire multijonction commune de type InGaP/GaAs/Ge. La plaquette de germanium présente typiquement un diamètre de 4 pouces, 6 pouces ou 8 pouces. La couche photovoltaïque 8120 peut en outre comprendre un revêtement anti-réfléchissant et des contacts métalliques sur le côté avant et/ou le côté arrière. Lors de l'étape S82, la couche photovoltaïque 8120 est découpée de manière à réaliser une pluralité de cellules photovoltaïques 8121-8124 séparées entre elles. Le substrat 8130 doit servir de support de stabilisation pour la couche photovoltaïque 8120. Dans le cas de la 5 couche multijonction InGaP/GaAs/Ge mentionnée précédemment, la couche photovoltaïque 8120 comprenant la plaquette de germanium et les couches semiconductrices à croissance épitaxiale sont pourvues sur un film adhésif, en particulier un film typiquement bleu 10 avec un adhésif dont l'adhésion est réduite après une exposition aux rayons ultraviolets, qui fait office de substrat 8130 de manière à maintenir les positions des cellules photovoltaïques 8121-8124 après la découpe/séparation. La plaquette de germanium doit 15 présenter une épaisseur minimale de manière à permettre ensuite de saisir et de placer les cellules. Une partie de cette plaquette de germanium constitue la jonction de base de la multijonction InGaP/GaAs/Ge, alors que le reste du substrat de germanium fait office de raidisseur 20 pour les cellules photovoltaïques séparées. Une telle séparation ou découpe peut être obtenue par gravure, découpe au diamant, sciage, séparation par laser ou toute autre technique utilisée dans le domaine de la fabrication d'éléments photovoltaïques et, plus 25 généralement, dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs. Lors de l'étape S83, les cellules photovoltaïques 8121-8124 sont saisies une par une sur le substrat 8130 et placées sur un dissipateur thermique 8140, réalisant ainsi la structure 8101. De cette façon, 30 l'application de colle conductrice ou de matériau de soudure 8131-8134 est nécessaire pour fixer chaque cellule photovoltaïque individuelle sur le dissipateur thermique 8140. On peut également imaginer plusieurs dissipateurs thermiques 8140 pour chaque cellule photovoltaïque individuelle 8121-8124. Les dissipateurs thermiques peuvent être réalisés en cuivre, en aluminium ou en d'autres métaux, et contenir d'autres éléments tels qu'une diode de dérivation ou des plots de contact. La structure 8101 peut ensuite être placée dans un module, en y ajoutant une couche de lentille (non illustrée), au-dessus des cellules 8121-8124. Une telle approche est cependant lente et coûteuse, principalement parce que les cellules photovoltaïques 8121-8124 doivent être saisies indépendamment et une par une sur le substrat 8130 et placées sur le dissipateur thermique 8140. Le processus de saisie et de placement peut être manuel ou automatique, mais demeure pas moins un processus effectué en série, compliqué et lent. Ce processus ne permet pas de traiter simultanément toutes les cellules sur une plaquette. En outre, un type de processus de saisie et de placement a été développé par Semprius, tel que décrit dans le document W02011/123285A1, qui peut être utilisé pour transférer une pluralité de cellules en liant sélectivement des cellules largement espacées d'une plaquette et en les déposant sur une autre structure en respectant leur espacement initial. Dans ce processus, toutes les cellules de la plaquette de départ ne sont pas traitées simultanément, et une modification de leur espacement mutuel n'est pas non plus décrite. En outre, l'approche par saisie et placement n'est pas satisfaisante car les cellules doivent être fabriquées avec une certaine épaisseur pour procurer une rigidité suffisante afin de permettre leur manipulation. De plus, dans le cas des cellules InGaP/GaAs/Ge communes, le substrat en germanium épais initial est plutôt cher. Les couches épaisses de la couche photovoltaïque 8120 peuvent aussi provoquer des pertes du fait de leur résistance élevée au passage du courant et/ou de la chaleur. Des couches fines dont la conductivité est suffisante sont préférées pour minimiser de telles pertes. Une couche épaisse de soudure ou de colle conductrice 8131-8134 est utilisée pour connecter les couches semi-conductrices 8121-8124 au dissipateur thermique 8140. Cette couche provoque également des 10 pertes additionnelles par résistance et des problèmes de fiabilité du fait de différences de dilatation thermique et de corrosion, qui peuvent progressivement endommager la connexion. L'objet de la présente invention est par conséquent de 15 procurer une solution à ces problèmes, en abaissant ainsi les coûts et/ou en augmentant la vitesse de production des modules photovoltaïques. En d'autres termes, un objectif est de procurer un procédé automatique d'expansion de cellules distribuées depuis 20 une plaquette de taille A vers une configuration distribuée sur une plaquette de taille B, où B>A, par exemple de 4 pouces vers 8 pouces ou de 6 pouces vers 12 pouces. La présente invention peut avoir trait à un procédé de 25 fabrication d'une pluralité de cellules photovoltaïques comprenant les étapes : d'obtention d'une pluralité de cellules photovoltaïques, espacées entre elles d'une première distance ; de fixation d'un matériau étirable à la pluralité de cellules photovoltaïques ; et d'étirage 30 du matériau étirable de telle sorte que la pluralité de cellules photovoltaïques viennent à être espacées entre elles d'une deuxième distance, dans lequel la deuxième distance est supérieureà la première distance. Cette solution a comme avantage que les cellules peuvent être éloignées simultanément les unes des autres jusqu'à une deuxième distance selon un processus simple et en parallèle. Dans certains modes de réalisation, le procédé de fabrication peut en outre comprendre l'étape de positionnement de la pluralité de cellules photovoltaïques Sur un substrat cible alors que les cellules sont encore fixées au matériau étirable, après l'étape d'étirage. Cette solution a comme avantage que le matériau étirable peut être utilisé non seulement pour éloigner les 15 cellules les unes des autres, mais aussi pour les déplacer sur le substrat cible et pour les positionner précisément sur le substrat cible. Dans certains modes de réalisation, le procédé de fabrication peut en outre comprendre l'étape 20 d'assemblage de la pluralité de cellules photovoltaïques sur le substrat cible, après l'étape de positionnement ; et d'enlèvement du matériau étiré de la pluralité de cellules photovoltaïques, après l'étape d'assemblage. Cette solution a comme avantage que les cellules peuvent 25 être maintenues fermement en place et stabilisées mécaniquement, lors de l'étape d'assemblage, par le matériau étirable ou étiré. Dans certains modes de réalisation, le procédé de fabrication peut en outre comprendre l'étape 30 d'enlèvement du matériau étiré de la pluralité de cellules photovoltaïques, après l'étape de positionnement ; et d'assemblage de la pluralité de cellules photovoltaïques sur le substrat cible, après l'étape d'enlèvement. Cette solution a comme avantage que l'assemblage est facilité, car l'accès aux cellules est amélioré par l'enlèvement du matériau étirable étiré avant l'assemblage. Dans certains modes de réalisation, la pluralité de cellules photovoltaïques peut être obtenue à partir d'une plaquette de taille A, et le substrat cible peut être une plaquette de taille B supérieure à la taille A, et la pluralité de cellules photovoltaïques peut être fixée au matériau étirable et étirée depuis la taille initiale A dont la valeur est 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces ou 8 pouces jusqu'à une taille respective supérieure B dont la valeur est 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces ou 12 pouces. Cette solution a comme avantage que la fabrication 20 d'assemblages de cellule solaire est facilitée en utilisant des tailles de plaquette standard aussi bien pour le substrat initial que pour le substrat cible, qui sont utilisées communément en technologie des semiconducteurs et sont donc faciles à mettre en oeuvre sur 25 les lignes de production existantes. Dans certains modes de réalisation, l'étape d'assemblage peut comprendre une liaison au substrat cible, en particulier une liaison directe ou une liaison métallique. Cette solution a comme avantage qu'une connexion électrique et thermique améliorée peut être obtenue entre les cellules et le substrat cible. Dans certains modes de réalisation, l'étape d'assemblage 5 peut comprendre en outre des étapes de préparation de collage, en particulier le dépôt de colle conductrice ou le dépôt d'un adhésif et/ou d'une couche intermédiaire conductrice sur au moins un élément parmi la pluralité de cellules photovoltaïques et le substrat cible, ou une 10 préparation de surface par un traitement au plasma ou un polissage mécanique chimique avant la liaison. Cette solution a comme avantage qu'une liaison plus résistante et de meilleure qualité est obtenue. Dans certains modes de réalisation, le substrat cible 15 peut être un substrat semi-conducteur et peut comprendre des contacts avec la pluralité de cellules photovoltaïques. Cette solution a comme avantage que des connexions subséquentes à la cellule peuvent être réalisées via des 20 connexions au substrat cible, sur lequel des contacts plus grands peuvent être réalisés que sur les cellules elles-mêmes, ce qui facilite la réalisation de connexions telles que des connexions par pontage. Dans certains modes de réalisation, le procédé de 25 fabrication peut en outre comprendre l'étape de découpe du substrat cible de manière à réaliser une pluralité d'assemblages de cellule solaire, chaque assemblage de cellule solaire comprenant une cellule des pluralités de cellules photovoltaïques. Cette solution a comme avantage que les assemblages de cellule solaire peuvent être ensuite placés sur une autre structure, telle qu'un dissipateur thermique ou une plaque de base d'un module. Étant donné que les assemblages de cellule solaire sont de dimensions supérieures à celles des cellules photovoltaïques, la manipulation desdits assemblages est plus facile que la manipulation desdits cellules. Dans certains modes de réalisation, le procédé de 10 fabrication peut en outre comprendre l'étape d'assemblage de la pluralité d'assemblages de cellule solaire sur un dissipateur thermique. Cette solution a comme avantage que la chaleur générée dans les cellules peut être dissipée. 15 Dans certains modes de réalisation, les cellules photovoltaïques peuvent être des cellules photovoltaïques à concentration multijonction à semiconducteurs III-V. Cette solution a comme avantage que le rendement des 20 cellules peut être augmenté. Dans certains autres modes de réalisation, les cellules photovoltaïques à concentration multijonction à semiconducteurs III-V peuvent être pourvues ou formées sur un substrat semi-conducteur, en particulier un semi25 conducteur GaAs, InP, Ge ou Si, et le procédé de fabrication peut en outre comprendre l'élimination du substrat et la séparation des cellules photovoltaïques. Cette solution a comme avantage que le processus d'étirage peut être mis en oeuvre lors du processus de 30 fabrication des cellules photovoltaïques à concentration à semi-conducteurs III-V ; l'élimination des substrats généralement coûteux permet de réduire les coûts, car ces substrats peuvent être réutilisés dans des processus de fabrication subséquents d'autres cellules. Dans certains autres modes de réalisation, les cellules photovoltaïques à concentration multijonction à semiconducteurs III-V peuvent présenter une épaisseur de plusieurs microns, en particulier inférieure à 10 pm. Cette solution a comme avantage que même des couches de cellule photovoltaïque très fines peuvent être transférées, ce qui réduit les pertes électriques dues à des substrats normalement assez épais qui sont conservés pour procurer de la rigidité, et réduit donc plus encore les coûts de fourniture de tels substrats. En outre, la présente invention peut avoir trait à une structure semi-conductrice comprenant un matériau étiré fixé à une pluralité de cellules photovoltaïques de telle sorte que la pluralité de cellules photovoltaïques viennent à être espacées entre elles d'une deuxième distance, dans laquelle la deuxième distance est supérieure à une première distance qui sépare la pluralité de cellules photovoltaïques les unes des autres lorsque le matériau étirable n'est pas étiré. Dans certains modes de réalisation, le matériau étirable 25 peut être réalisé en matériau métallique à l'emplacement où est fixée la pluralité de cellules photovoltaïques. Cette solution a comme avantage que la structure semiconductrice ainsi obtenue peut représenter une cellule solaire multijonction collée à un matériau étirable 30 constituant un matériau de dissipateur thermique final. L'invention sera décrite plus en détail ci-après l'aide d'un exemple, en utilisant des modes de réalisation avantageux et en regard des dessins. Les modes de réalisation décrits sont uniquement des configurations possibles dans lesquelles les caractéristiques individuelles peuvent cependant, comme décrit ci-dessus, être mises en oeuvre indépendamment les unes des autres, peuvent être omises, ou peuvent être combinées entre différents modes de réalisation. Les mêmes éléments illustrés sur différents dessins sont désignés par les mêmes références. La description relative à de mêmes éléments illustrés sur différents dessins peut être en partie omise. Les dessins sont décrits brièvement ci-dessous. - Les figures 1 à 3 illustrent schématiquement des étapes d'un procédé de fabrication pour une pluralité de cellules photovoltaïques conformément à un mode de réalisation selon la présente invention. - La figure 4 illustre schématiquement le fonctionnement d'un matériau étirable conformément à un autre mode de réalisation selon la présente invention. - La figure 5 illustre schématiquement le fonctionnement d'un autre matériau étirable conformément à un autre mode de réalisation selon la présente invention. - La figure 6 illustre schématiquement un procédé de fabrication pour un assemblage de cellule solaire conformément à l'état de l'art. Les figures 1 à 3 illustrent schématiquement un procédé de fabrication pour une pluralité de cellules photovoltaïques conformément à un mode de réalisation selon la présente invention. Tout comme il été décrit en référence à la figure 6, une couche photovoltaïque 8120 est pourvue sur un substrat 8130, formant ainsi la structure 8100. Le substrat peut être un film adhésif tel qu'illustré schématiquement sur la figure 1, ou même une plaquette d'arséniure de gallium, de phosphure d'indium ou de germanium conventionnelle, avec un diamètre typique de 4 pouces, 6 pouces ou 8 pouces. La couche photovoltaïque 8120 peut comprendre un revêtement anti-réfléchissant et des contacts métalliques sur le côté avant et/ou le côté arrière. Après l'étape S82 mise en oeuvre sur la structure 8100, tel qu'illustré déjà schématiquement sur la figure 6, la couche photovoltaïque 8120 qui est déjà pourvue sur le substrat 8130 est découpée, ce qui produit la pluralité de cellules photovoltaïques 8121-8124 disponibles au-dessus du substrat 8130. Lors de l'étape de placement S13, le matériau étirable 1150 est appliqué au-dessus des cellules photovoltaïques 8121-8124. Le matériau étirable 1150 est réalisé en matériaux polymères, métalliques ou autres qui peuvent être étirés par application d'une force mécanique, d'une pression ou de chaleur. On peut par exemple utiliser un matériau épais qui s'étire thermiquement par chauffage. Le matériau étirable est fixé aux cellules photovoltaïques 8121-8124 en utilisant un adhésif non permanent tel qu'une colle UV, une colle thermique ou des forces électrostatiques. Après l'application du matériau étirable 1150, lors d'une étape S14, le substrat 8130 est éliminé, déposant ainsi des cellules photovoltaïques 8121-8124 espacées entre elles selon une première distance et fixées au côté inférieur du matériau étirable 1150, formant ainsi une structure non étirée 1180. Contrairement à l'approche standard de saisie et placement décrite au regard de la figure 6, aucune épaisseur minimale n'est requise pour les cellules photovoltaïques 8121-8124 dans les modes de réalisation de la présente invention. Les cellules photovoltaïques peuvent par exemple être formées sur les types mentionnés précédemment de plaquettes d'arséniure de gallium (GaAs), de phosphure d'indium (InP) ou de germanium (Ge) sur un substrat 8130, par exemple par croissance épitaxiale ou par des techniques de liaison , et où le substrat 8130 est finalement représenté à l'étape S14. Par exemple conformément à notre invention, dans le cas d'une cellule multijonction InGaP/GaAs/Ge, on peut également éliminer la partie de la plaquette de substrat de germanium qui est utilisée à des fins de raidissement et permettait un processus de saisie et de placement. La figure 1 montre clairement que la structure non étirée 1180 peut également être obtenue par l'application du matériau étirable 1150 sur la structure initiale 8100, l'enlèvement du substrat 8130 et la séparation ou la découpe subséquente des cellules. Dans une étape ultérieure, le matériau étirable 1150 et la structure non étirée 1180 sont étirés lors d'une étape d'étirage S21, ce qui produit le matériau étiré 1151 et la structure étirée 1190. Lors de l'étape d'étirage S21 en particulier, la dimension latérale du matériau étirable 1150 est augmentée par étirage du matériau étirable 1150 dans au moins une direction. Il en résulte que la distance entre chacune des cellules 8121-8124 augmente selon au moins une direction dans laquelle le matériau étirable 1150 est étiré. Grâce à cette étape, les cellules peuvent être espacées entre elles d'une deuxième distance prédéterminée conformément à la quantité d'étirage latéral exercée sur le matériau étirable 1150, de manière parallèle et simultanée, sans avoir à déplacer chaque cellule indépendamment en série. Grâce à cette approche, le procédé de fabrication décrit précédemment permet une production de modules photovoltaïques plus rapide et/ou plus économique. En d'autres termes, au lieu d'un traitement en série de saisie et de positionnement des cellules une par une, depuis une première position dans laquelle elles sont rapprochées jusqu'à une deuxième position dans laquelle elles sont séparées les unes des autres, une telle séparation est obtenue en parallèle pour toutes les cellules à la fois grâce à l'utilisation d'un matériau étirable 1150. Lors d'une étape de positionnement S22, la pluralité de cellules photovoltaïques 8121-8124 est positionnée au-dessus d'un substrat semi-conducteur optionnel 2160. En variante, les cellules 8121-8124 peuvent être placées à cette étape au-dessus du dissipateur thermique 8140, fixées par collage et/ou soudage, et le matériau étiré 1151 est enlevé, ce qui produit la structure 8101. Dans les deux cas, le substrat semi-conducteur 2160 ou le dissipateur thermique 8140 fait office de substrat cible pour l'assemblage des cellules 8121-8124. Si les cellules 8121-8124 sont placées sur un substrat 30 semi-conducteur optionnel 2160, elles peuvent être assemblées par collage, par brasage et/ou soudage, en particulier par soudage laser, et/ou par liaison, en particulier par liaison directe ou par liaison métallique, et/ou tout autre processus approprié. Le substrat semi-conducteur 2160 peut être une plaquette quelconque parmi des plaquettes silicium molybdène, Si, SiGe, Ge, Si sur Mo, SiAl, Si sur SiAl, etc. Lors de l'étape d'enlèvement S23, le matériau étiré 1151 est éliminé par exemple par exposition aux rayons ultraviolets, à la chaleur, à des agents chimiques, à des solvants, par une force mécanique, ou en libérant une charge électrostatique, et les cellules 8121-8124 sont laissées assemblées au substrat semi-conducteur 2160, formant ainsi la structure 2101. Lors d'une étape de traçage de motifs S24, des contacts 2161-2163 et une connexion par pontage 2164 sont réalisés sur le substrat semi-conducteur 2160 ainsi que sur la pluralité de cellules 8121-8124. En particulier, un contact de face avant 2161 est connecté à un contact de cellule avant 2162 placé au-dessus de chacune des cellules 8121-8124 via une connexion par pontage 2164, alors qu'un contact de face arrière 2163 est connecté électriquement à la face arrière de chacune des cellules 8121-8124 via un chemin conducteur qui traverse le substrat semiconducteur 2160. Dans le cas d'autres types de substrats cible, le contact arrière peut être formé par dépôt métallique d'un plot de contact avant le positionnement et l'assemblage des cellules photovoltaïques, de manière à connecter électriquement chacun des contacts de face arrière 2163 à chaque face arrière des cellules photovoltaïques. Il en résulte la structure 2102, qui contient ainsi une pluralité de cellules 8121-8124 avec les contacts électriques respectifs 2161-2163 sur les côtés avant et arrière de chacune des cellules. Aussi bien dans le cas où les cellules 8121-8124 sont placées sur un dissipateur thermique 8140 que dans le cas où elles sont placées sur un substrat semiconducteur 2160, l'utilisation du matériau étirable 1150 comme élément étirable et comme élément de positionnement est avantageux pour simplifier le processus de fabrication. En particulier, le matériau étirable 1150 est d'abord utilisé comme élément étirable, de manière à séparer les cellules 8121-8124 lors de l'étape d'étirage S21, et est ensuite utilisé comme élément structurel pour le positionnement des cellules 8121-8124 dans leur position cible lors de l'étape de positionnement S22. La manipulation des cellules 8121-8124 est encore simplifiée grâce à ce double usage du matériau étirable 1150. Comme décrit ci-dessus, l'étape de positionnement S22 peut être mise en oeuvre en maintenant la connexion entre le matériau étiré 1151 et les cellules 8121-8124 pendant que les cellules sont assemblées sur le dissipateur thermique 8140 ou sur le substrat semi-conducteur 2160. La présente invention n'est toutefois pas limitée à cela, et l'étape de positionnement S22 peut en variante être mise en oeuvre en utilisant le matériau étiré 1151 pour positionner les cellules 8121-8124 sur le substrat cible, en enlevant le matériau étiré 1151, avant d'assembler les cellules sur le substrat cible, tout en laissant les cellules dans leur position respective sur le substrat cible, et en fixant ensuite les cellules sur le substrat cible. Dans ce dernier cas, les cellules sont maintenues en position de plusieurs manières, par exemple par collage, par attraction magnétique ou électrostatique, ou simplement par friction. Alors que la figure 2 illustre schématiquement une vue en coupe de la structures durant les étapes de fabrication S21-S24, la figure 3 illustre schématiquement une vue du dessus des structures. En particulier, en haut de la figure 3, la structure 2102 est illustrée schématiquement. En particulier, bien que la structure 2102 puisse être une plaquette circulaire dans certains modes de réalisation, seule une section rectangulaire est représentée sur la figure 3 afin de faciliter la représentation. Lors d'une étape de découpe S31, le substrat semi-conducteur 2160 est découpé, ce qui produit une pluralité de structures semiconductrices 3161-3164 qui supportent chacune une cellule photovoltaïque unique, soit respectivement les cellules 8121-8124, et les connexions électriques correspondantes. Les structures semi-conductrices 31613164 font par conséquent office d'assemblages de cellule solaire, procurant un support mécanique pour les cellules 8121-8124 ainsi qu'une connexion électrique sur les faces avant et arrière des cellules. Lors d'une étape d'assemblage S32, la pluralité d'assemblages de cellule solaire peut être placée sur un dissipateur thermique 8140 tel qu'illustré par l'étape S32, réalisant ainsi une structure 3103. Dans d'autres modes de réalisation, des dissipateurs thermiques individuels sont également possibles pour chaque assemblage de cellule solaire. En variante ou en outre, bien que cela ne soit pas illustré, chacune des structures semi-conductrices 316130 3164 peut aussi comprendre d'autres circuits ou fonctionnalités et connexions pour la cellule photovoltaïque sur la structure semi-conductrice et sur les structures avoisinantes. L'une quelconque des structures semi-conductrices 3161-3164 peut par exemple comprendre également une diode de dérivation pour la cellule photovoltaïque. En variante ou en outre, le contact de face avant 2161 peut être réalisé directement sur la cellule photovoltaïque et non pas sur la structure semi-conductrice, moyennant quoi le contact de cellule avant 2162 est remplacé. En variante ou en outre, le contact de face avant 2161 d'une cellule donnée peut encore être connecté au contact de face arrière 2163 d'une cellule avoisinante, de manière à réaliser une connexion série entre les deux cellules photovoltaïques. Une cellules photovoltaïques peut les contacts de face avant 15 cellule. parallèle entre deux être obtenue en connectant respectifs 2161 de chaque connexion En outre, bien que le mode de réalisation ait été décrit en référence à la structure 8100 et aux étapes S82, S13 et S14, un processus quelconque qui permet de placer une pluralité de cellules 8121-8124 sur un matériau étirable 20 1150 peut être utilisé comme base pour l'étape d'étirage subséquente S21 et le placement des cellules séparées sur un substrat cible. Dans certains modes de réalisation, la cellule photovoltaïque peut présenter des dimensions latérales 25 dans une plage de 1 mm2 à 5 cm2, avec de préférence une valeur comprise entre 2 mm2 et 20 mm2, alors que les structures semi-conductrices 3161-3164 peuvent avoir des dimensions latérales comprises dans une plage de 4 mm2 à 2500 mm2, avec de préférence une valeur comprise entre 30 9 mm2 et 1 cm2. Dans certains modes de réalisation, l'étirage peut séparer les cellules d'une distance de 0,5 mm à 1 cm, de préférence de 1,5 mm à 5 mm, d'une plaquette de taille A à une plaquette de taille B supérieure à A. En outre, les contacts 2161-2163 ne sont représentés que schématiquement et peuvent être réalisés sous des formes diverses. Le contact de cellule avant 2162 sur les cellules 8121-8123 peut par exemple être réalisé avantageusement comme une grille de contact avec un recouvrement minimal au milieu de la cellule. La figure 4 illustre schématiquement un fonctionnement 10 possible du matériau étirable 1150 conformément à un mode de réalisation de la présente invention. En particulier, la figure 4 illustre une vue du dessus du matériau étirable 1150 qui, dans certains modes de réalisation, peut être conformé de manière à présenter 15 un chevauchement avec une plaquette de taille A, par exemple une plaquette de 4 pouces. Plus spécifiquement, le matériau étirable 1150 peut être étiré dans une direction quelconque. Dans l'exemple spécifique de la figure 4, le matériau étirable 1150 est étiré dans 20 quatre directions tel qu'illustré par les flèches A1-A4 de manière à produire le matériau étiré 1151 après l'étape d'étirage S61, qui, dans certains modes de réalisation, peut être conformé de manière à présenter un chevauchement avec une plaquette de taille B, par 25 exemple une plaquette de 8 pouces. L'étirage peut être mis en oeuvre par des pinces en tirant avec une force appropriée dans la direction d'étirage souhaitée, ce qui n'est pas illustré, en serrant les côtés du matériau étirable 1150 et en y appliquant une pression, ou par 30 dilatation thermique du matériau étirable 1150, ou par tout autre moyen d'étirage approprié. L'opération d'étirage en deux dimensions de l'étape S61 peut par conséquent être utilisée à l'étape S21 décrite ci-dessus pour un étirage depuis la plaquette de taille A jusqu'à la plaquette de taille B. La figure 5 illustre schématiquement la vue en coupe et 5 le fonctionnement d'un matériau étirable 7350 conforme à un autre mode de réalisation de la présente invention. En particulier, le matériau étirable 7350 de la figure 5 peut être utilisé comme une alternative au matériau étirable 1150. Le matériau étirable 1150 ou 7350 peut 10 être réalisé en différents matériaux. En particulier, le matériau étirable 1150 ou 7350 peut être réalisé en métal et/ou en matériau polymère. Dans le cas où le matériau étirable 7350 est réalisé en métal, des découpes appropriées peuvent être effectuées aux bords 15 de pliage pour permettre de maintenir le pliage en direction horizontale et verticale du matériau étirable, c'est-à-dire dans les deux directions du plan. Dans le cas où le matériau étirable 7350 est constitué en matériau polymère, une quantité de matière additionnelle 20 pourvue aux bords de pliage procure une élasticité en direction verticale et horizontale par exemple, ce qui maintient la partie du polymère en contact avec les cellules non étirées. Dans les deux configurations, le matériau métallique ou polymère utilisé pour le matériau 25 étirable 7350 est avantageusement utilisé lorsque la cellule ne doit pas être mise sous contrainte. Ceci s'applique en particulier si la couche semi-conductrice 8120 est fine et cassante. Dans d'autres modes de réalisation, une combinaison de plusieurs matériaux peut 30 être envisagée, par exemple des plaques métalliques interconnectées avec un matériau polymère. Les cellules sont fixées aux plaques métalliques et l'interconnexion polymère procure l'élasticité nécessaire pour l'opération d'étirage. Les polymères choisis peuvent être étirés de manière réversible et revenir à l'état initial, par exemple grâce à traitement thermique approprié. Le matériau étirable 7350 montre schématiquement une pluralité de surfaces verticales 7351 et une pluralité de surfaces horizontales 7352 sur lesquelles la pluralité de cellules 8121-8124 est placée. Les surfaces verticales et horizontales peuvent être connectées par 10 des articulations ou peuvent être réalisées à partir d'un élément simple plié, ou par une combinaison de ces deux approches. Lors de l'étape d'étirage S71, le matériau étirable 7350 est étiré selon les directions A5 et A6, moyennant quoi le matériau 7353 est partiellement 15 étiré. Comme on peut le voir sur la figure 5, les surfaces verticales 7351 du matériau étirable 7350 s'écartent les unes des autres, ce qui augmente l'espacement entre les cellules 8121-8141. Durant une pluralité d'étapes d'étirage telles que S71 et une étape 20 d'étirage équivalente S72 selon les directions A7 et A8, le matériau étirable 7350 est étiré vers une position finale correspondant au matériau étiré 7354 dans laquelle les surfaces verticales 7351 sont devenues horizontales, moyennant quoi elles deviennent une 25 prolongation de la surface horizontale originale 7352 avec un espacement de cellules défini, qui est deux fois plus grande que la surface verticale 7351. Bien qu'elle ne soit pas illustrée, la même opération d'étirage en deux dimensions décrite en regard de la figure 4 peut 30 également être utilisée pour le matériau étirable 7350. L'avantage de l'utilisation d'un matériau étirable 7350 par rapport à un matériau étirable 1150 réside en ce que le matériau étirable 7350 ne doit pas être un matériau élastique, ce qui réduit les coûts et permet d'utiliser une gamme plus large de matériaux pour le matériau étirable 1150. En outre, du fait que le matériau étirable 7350 est étiré en déplaçant les surfaces verticales 7351, les dimensions latérales des surfaces horizontales 7352 restent inchangées. Cette solution a comme avantage que la surface de contact entre les surfaces horizontales 7352 et les cellules 8121-8124 10 n'est soumise à aucune contrainte liée à l'étirage potentiel des surfaces horizontales 7352, ce qui procure un meilleur support pour les couches fragiles de la cellule solaire. Bien que le matériau étiré 7354 soit illustré comme 15 étant complètement plat, la présente invention n'y est pas limitée et le matériau étirable peut conserver un profil tridimensionnel à la fin du processus d'étirage. On peut envisager dans d'autres modes de réalisation l'utilisation du matériau étirable 1150 comme substrat 20 final, la structure semi-conductrice qui correspond à la structure étirée 1190 obtenue par l'étirage de la structure non étirée 1180 correspondant aux assemblages de cellule solaire finaux. Ceci peut être avantageux dans le cas où une pile de cellules solaires 25 multijonction complète obtenue sur le substrat 8130 a été constituée de manière inversée de manière à avoir la jonction à plus faible bande interdite exposée, sur laquelle le matériau étirable peut être appliqué. L'application d'un matériau étirable de type métallique, 30 au moins aux emplacements utilisés pour fixer les cellules, conduirait à empiler la structure étirée 1190 représentant une cellule solaire multijonction sur un dissipateur thermique métallique, formant ainsi un assemblage de cellule solaire qui peut être utilisé et connecté subséquemment dans un module de cellule solaire. Dans des modes de réalisation particuliers, les plis ou articulations du matériau étirable métallique 7350 peuvent être utilisés comme guides pour une étape de séparation ultérieure permettant d'individualiser ces assemblages de cellule solaire. En outre, dans d'autres modes de réalisation, les 10 positions des plis ou articulations peuvent être utilisées à des fins d'alignement pour le positionnement et l'assemblage finaux sur le substrat cible. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication pour une pluralité de cellules photovoltaïques, comprenant les étapes d'obtention (S82) d'une pluralité de cellules photovoltaïques (8121-8124) espacées entre elles d'une première distance ; de fixation (S13) d'un matériau étirable (1150) à la pluralité de cellules photovoltaïques ; et d'étirage (S21, S61, S71) du matériau étirable de telle sorte que la pluralité de cellules photovoltaïques viennent à être espacées entre elles d'une deuxième distance, dans lequel la deuxième distance est supérieure à la première distance. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape : de positionnement (S22) de la pluralité de cellules photovoltaïques sur un substrat cible (2160) alors que les cellules sont encore fixées au matériau étirable, après l'étape d'étirage. 3. Procédé de fabrication selon la revendication 2, comprenant en outre les étapes : d'assemblage (S22) de la pluralité de cellules photovoltaïques sur le substrat cible, après l'étape de positionnement ; et d'enlèvement (S23) du matériau étiré de la pluralité de cellules photovoltaïques, après l'étape 30 d'assemblage. 4. Procédé de fabrication selon la revendication 2, comprenant en outre les étapes : d'enlèvement (S23) du matériau étiré (1151) de la 35 pluralité de cellules photovoltaïques, après l'étape de positionnement ; etd'assemblage (S22) de la pluralité de cellules photovoltaïques sur le substrat cible, après l'étape d'enlèvement. 5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel la pluralité de cellules photovoltaïques (8121-8124) est obtenue à partir d'une plaquette de taille A et le substrat cible est une plaquette de taille B supérieure à la taille A, et la pluralité de cellules photovoltaïques est fixée au matériau étirable (1150) et étirée depuis la taille initiale A dont la valeur est 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces ou 8 pouces jusqu'à une taille supérieure B dont la valeur respective est 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces ou 12 pouces. 6. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, dans lequel l'étape d'assemblage comprend une liaison au substrat cible, en particulier une liaison directe ou une liaison métallique. 7. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 3, 4 ou 6, dans lequel l'étape d'assemblage comprend en outre des étapes de préparation de liaison, en particulier le dépôt d'une colle conductrice ou le dépôt d'un adhésif et/ou d'une couche intermédiaire conductrice sur au moins un élément parmi la pluralité de cellules photovoltaïques et le substrat cible, ou une préparation de surface par un traitement au plasma ou un polissage mécanique chimique avant la liaison. 8. Procédé de fabrication selon l'une quelconque 35 des revendications 2 à 7, dans lequel le substrat cible est un substrat semi-conducteur et comprend des contacts(2161-2163) avec la pluralité de cellules photovoltaïques. 9. Procédé de fabrication selon l'une quelconque 5 des revendications 2 à 8, comprenant en outre les étapes : de découpe (S31) du substrat cible de manière à réaliser une pluralité d'assemblages de cellule solaire (3161-3164), chaque assemblage de cellule solaire 10 comprenant une cellule parmi la pluralité de cellules photovoltaïques. 10. Procédé de fabrication selon la revendication 9, comprenant en outre l'étape : 15 d'assemblage (S32) de la pluralité d'assemblages de cellule solaire sur un dissipateur thermique (8140). 11. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les cellules 20 photovoltaïques sont des cellules photovoltaïques à concentration multijonction à semi-conducteurs III-V. 12. Procédé de fabrication selon la revendication 11, dans lequel les cellules photovoltaïques à 25 concentration multijonction à semi-conducteurs III-V sont formées sur un substrat semi-conducteur (8130), en particulier un semi-conducteur GaAs, InP, Ge ou Si, et comprend en outre l'élimination du substrat (S14) et la séparation des cellules photovoltaïques (S82). 30 13. Procédé de fabrication selon la revendication 12, dans lequel les cellules photovoltaïques à concentration multijonction à semi-conducteurs III-V présentent une épaisseur de plusieurs microns, en 35 particulier inférieure à 10 pin. 14. Structure semi-conductrice comprenant un matériau étirable (1151) fixé à une pluralité de cellules photovoltaïques (8121-8124) de telle sorte que la pluralité de cellules photovoltaïques viennent à être espacées entre elles à une deuxième distance, dans lequel la deuxième distance est supérieure à une première distance qui sépare la pluralité de cellules photovoltaïques les unes des autres lorsque le matériau étirable n'est pas étiré (1150). 15. Structure semi-conductrice selon la revendication 14, dans lequel le matériau étirable est réalisé en matériau métallique aux emplacements où est fixée la pluralité de cellules photovoltaïques (8121- 8124).