Brevet FR3005967A1 — publié le 20141128

La présente invention se rapporte à un nouveau procédé de fabrication d'un lingot de silicium, doté de joints de grains symétriques. En particulier, un tel lingot peut être avantageusement dédié à donner, par découpe, des plaquettes de silicium monocristallin dénué de joints de grains. De telles plaquettes sont particulièrement avantageuses dans le cadre de l'élaboration de cellules et modules photovoltaïques. Actuellement, les cellules photovoltaïques sont majoritairement fabriquées à partir de silicium mono ou multi-cristallin. La filière de production de silicium cristallin la plus courante met en jeu la solidification de lingots à partir d'un bain de silicium liquide. Ces lingots sont ensuite découpés en plaquettes qui peuvent être transformées en cellules photovoltaïques. Les lingots de silicium multicristallin sont classiquement réalisés par fusion d'une charge de silicium, suivie d'une solidification directionnelle. Cette technique permet avantageusement de cristalliser de grands volumes de silicium ; et la taille des lingots usinés peut être ajustée en variant la dimension des creusets. Malheureusement, ce procédé très productif présente un inconvénient majeur au regard de la structure cristalline des lingots de silicium ainsi réalisés. De fait, cette technique conduit à des lingots présentant une structure cristalline caractérisée par un nombre très important de grains et d'orientations cristallines différentes, mais également par une densité de dislocations élevée, ces dislocations étant réparties de manière inhomogène dans le lingot. Par conséquent, ce procédé n'est pas efficace pour obtenir un lingot de silicium quasi-monocristallin, dit «mono-like », c'est-à-dire constitué très majoritairement (notamment à plus de 90 %) de matériau monocristallin. Depuis quelques années, des techniques ont été développées pour élaborer des lingots de silicium mono-like par solidification directionnelle avec des structures cristallines améliorées, notamment via un meilleur contrôle de la germination, comme décrit dans le document Fujiwara et al., Growth of structure-controlled polycrystalline silicon ingots for solar cells by casting, Acta Materialia, 54 (2006), 3191-3197, ou encore via l'utilisation de germes monocristallins couvrant le fond du moule de solidification, comme proposé dans les documents WO 2007/084934, US 2010/0192838, US 2010/0193989, US 2010/0193664, WO 2009/014963, US 2010/0197070 et US 2013/0095028. Toutefois, l'utilisation de germes monocristallins n'est pas suffisante pour que la croissance soit exempte de défauts. En effet, pour réaliser un lingot mono-like adapté à des tailles de creuset industrielles, il est nécessaire d'ajouter au fond du creuset plusieurs germes. Malheureusement, les germes, ainsi positionnés les uns à côté des autres en fond de creuset créent, suivant leurs dimensions et leurs désorientations respectives, de nombreux joints de germes, sources de défauts dans les lingots mono-like. En effet, les joints de germes présents au niveau du pavage en fond de creuset sont à l'origine de la formation de joints de grains, qui peuvent ne pas être parallèles à la direction de cristallisation, et au voisinage desquels peuvent se développer des dislocations et sous- joints dans le lingot mono-like obtenu par solidification dirigée par reprise sur germes. Ainsi, la propagation des joints de grains à partir de la position initiale des joints de germes dans le lingot de silicium n'est nullement maitrisée. Ces défauts cristallins peuvent donc être situés à divers endroits dans le lingot mono-like formé, et donc dans les plaquettes de silicium résultantes de la découpe en briques de ce lingot. De plus, les dislocations et sous-joints accumulés autour de ces joints diminuent les caractéristiques photovoltaïques (courant, facteur de forme, tension) des cellules réalisées avec des matériaux les contenant et, par conséquent, peuvent s'avérer particulièrement préjudiciables au regard du rendement de la cellule photovoltaïque qui sera formée à partir d'une telle plaquette. Par conséquent, il demeure un besoin de disposer d'une méthode d'élaboration d'un lingot de silicium mono-like, permettant de palier les inconvénients précités. La présente invention vise précisément à répondre à ce besoin. Plus particulièrement, elle propose un nouveau procédé pour former un lingot de silicium mono-like, permettant de maitriser la propagation des joints de grains sur toute la hauteur du lingot. La présente invention concerne ainsi, selon un premier de ses aspects, un procédé de fabrication d'un lingot de silicium, doté de joints de grains symétriques, comprenant au moins les étapes consistant en : (i) disposer d'un creuset d'axe (Z) longitudinal, dont le fond comporte un pavage formé de germes de silicium monocristallin de forme prisme droit ; et (ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon une direction de croissance colinéaire à l'axe (Z) ; caractérisé en ce que le pavage en étape (i) est formé de deux types de germes A et B d'orientations cristallines distinctes et disposés de manière jointive et alternée, un germe A présentant un réseau cristallin symétrique du réseau cristallin d'un germe B contigu, par rapport au plan P défini par la frontière entre lesdits germes A et B. Dans la suite du texte, et sauf indication contraire, un germe et/ou lingot et/ou wafer, définis par la suite, sont caractérisés pour le référentiel orthogonal d'axes (x), (y) et (z), correspondant aux trois directions principales, respectivement du germe, du lingot ou du wafer. De préférence, l'axe (z) d'un germe et/ou d'un lingot est colinéaire à l'axe (Z) longitudinal du creuset. L'axe longitudinal du creuset désigne la ligne joignant l'ensemble des barycentres des sections transversales dudit creuset (parois du creuset inclus). L'axe longitudinal peut être plus particulièrement un axe de symétrie pour le creuset. Par «joint de grains symétrique », on entend désigner un joint de grains plan, présent dans le lingot de silicium formé à l'issue de la solidification dirigée du silicium, et définissant un plan de symétrie cristalline pour les réseaux cristallins situés de part et d'autre de ce plan. De préférence, le plan d'un joint de grains symétrique comporte un axe colinéaire à l'axe (Z) du creuset. On entend bien entendu par «forme prisme droit », une forme approximativement de type prisme de droit. En particulier, les germes du pavage en fond de creuset présentent des parois latérales verticales ou sensiblement verticales (déviation de ± 5°). Par ailleurs, les surfaces des germes sont approximativement planes, aux irrégularités de surface près. On désignera dans la suite du texte, comme étant la « base du germe », la surface globalement plane du germe en regard du fond du creuset. Comme détaillé par la suite, la base des germes peut être de forme variée, notamment de forme carrée ou rectangulaire ou encore parallélogramme. De préférence, elle est de forme carré ou rectangulaire, les germes étant alors approximativement de forme pavé droit. Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne un lingot de silicium doté de joints de grains symétriques obtenu selon un tel procédé. Comme illustré dans l'exemple qui suit, la position des joints de grains étant ainsi maîtrisée lors de la fabrication du lingot selon le procédé de l'invention, il est possible d'éliminer, selon une variante de réalisation, lors de la découpe du lingot en briques, ces joints de grains. Ainsi, les plaquettes de silicium, plus généralement appelées « wafers », formées à partir de ces briques, sont avantageusement dénuées de joints de grains. Ainsi, selon encore un autre de ses aspects, la présente invention concerne un procédé de fabrication de plaquettes de silicium monocristallin et dénué de joints de grains, comprenant une étape de découpe d'un lingot de silicium tel que défini précédemment, en briques, le long des plans P. D'autres caractéristiques, avantages et modes d'application du procédé, du lingot de silicium et plaquettes obtenues selon l'invention, ressortiront mieux à la lecture de la description détaillée qui va suivre, de l'exemple de réalisation de l'invention et à l'examen des dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 représente, de manière schématique et partielle, en coupe transversale, les différentes étapes d'un procédé de fabrication d'un lingot et de plaquettes de silicium selon l'invention ; - la figure 2 représente, en vue 3D, un germe de silicium de forme pavé droit à base carrée ; - la figure 3 représente, en vue 3D, la découpe d'un lingot Cz en germes monocristallins (2) présentant une désorientation du réseau cristallin autour de l'axe (Z,) ; - la figure 4 représente, en vue 3D, la formation d'un germe B à partir d'un germe A par rotation d'un angle de 180° autour de l'axe (y) ou de l'axe (x) ; - la figure 5 représente, en vue de dessus, un pavage en fond de creuset « Gen5 », conforme à l'invention, à l'aide des germes A et B ; - la figure 6 représente, de manière schématique, l'évolution d'un joint de grain symétrique (6) et d'un joint de grain non symétrique (7), sur la hauteur d'un lingot, à partir de germes présentant différentes orientations cristallines (figure 6a) ; et la découpe du lingot (figure 6b) ; - la figure 7 représente, en vue 3D, le briquetage d'un lingot type Gen5 selon les plans P (Pi, P2, P3/ - - -). Il convient de noter que, pour des raisons de clarté, les différents éléments sur les figures sont représentés en échelle libre, les dimensions réelles des différentes parties n'étant pas respectées. Dans la suite du texte, les expressions « compris entre ... et ... », « allant de ... à ... » et « variant de ... à ... » sont équivalentes et entendent signifier que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. Sauf indication contraire, l'expression « comportant/comprenant un(e) » doit être comprise comme « comportant/comprenant au moins un(e) ». ETAPE (i) : PAVAGE EN FOND DE CREUSET Comme précisé précédemment, le procédé de l'invention met en oeuvre un pavage en fond du creuset par des germes (2) de silicium monocristallin. Selon un mode de réalisation particulier, le pavage est formé au fond d'un creuset classique. On peut encore envisager des creusets dont le fond lui-même est formé du pavage de germes. De préférence, les germes pavent la totalité de la surface du fond du creuset (par exemple, dans le cas d'un creuset en graphite) ou la quasi-totalité de la surface du fond du creuset (par exemple, dans le cas d'un creuset qui peut être sujet à un retrait, par exemple de 2 %, tel que les creusets en silice, il subsiste une surface au fond du creuset non couverte par les germes). Selon un mode de réalisation particulier, la plus petite dimension des germes de silicium A et/ou B est supérieure ou égale à 95 mm. Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, les germes sont de forme pavé droit, de base carrée ou rectangulaire. De tels germes permettent avantageusement un pavage en fond du creuset sous la forme d'un quadrillage, en particulier divisé en carrés ou en rectangles. Comme détaillé dans la suite du texte, un tel pavage permet de simplifier le briquetage du lingot formé à l'issue du procédé de l'invention. La figure la représente, en vue de coupe, un creuset (1) dont le fond est tapissé d'un pavage de germes (2) conforme à l'invention. Bien entendu, il appartient à l'homme du métier d'ajuster le nombre de germes formant le pavage en fond de creuset, et leur dimension, au regard de la dimension du creuset utilisé, et en prenant en considération la dimension des briques et plaquettes de silicium souhaitées, le diamètre du fil de découpe qui sera utilisé, le cas échéant, pour la découpe du lingot en briques, etc.. Selon une première variante de réalisation, le pavage est réalisé à l'aide de germes de forme pavé droit à base carrée, comme représenté en figure 2, en particulier de côté (D) d'un carré supérieur ou égal à 95 mm. Tel qu'illustré sur la figure 2, un germe est défini par trois axes (x), (y), (z), définis par les arrêtes du germe, l'axe (z) étant colinéaire à l'axe (Z) du creuset. A titre d'exemple, pour la réalisation de wafers de dimension classique 156 x 156 mm, les germes peuvent être de dimension de base carrée de l'ordre de 157 x 157 mm, comme illustré dans l'exemple 1. Un tel pavage régulier du fond du creuset à l'aide de 5 x 5 germes à base carrée est par exemple représenté en vue de dessus en figure 5. Selon une seconde variante de réalisation, le pavage est réalisé à l'aide de germes de forme pavé droit à base rectangulaire, en particulier de largeur supérieure ou égale à 95 mm et de longueur supérieure ou égale à deux fois la largeur. De préférence, l'ensemble des germes formant le pavage en fond de creuset présente la même épaisseur (e) suivant l'axe (Z). L'homme du métier est à même d'ajuster l'épaisseur (e) des germes mis en oeuvre, au regard notamment de la hauteur du lingot souhaité et de la forme du front de solidification du four utilisé. D'une manière générale, l'épaisseur (e) est supérieure ou égale à 5 mm. A titre d'exemple, elle peut être d'environ 25 mm. Comme évoqué précédemment, selon une caractéristique essentielle du pavage réalisé selon le procédé de l'invention, le pavage est formé de deux types de germes A et B d'orientations cristallines distinctes, plus particulièrement d'orientations cristallines distinctes selon les axes (x) et/ou (y) ; et disposés de manière jointive et alternée, comme représenté schématiquement en figure 5 dans le cadre de germes à base carrée. Chaque germe A présente un réseau cristallin symétrique du réseau cristallin d'un germe B contigu, par rapport au plan P défini par la frontière (3) entre lesdits germes A et B, comme représenté schématiquement en figure la. La différence d'orientation entre les réseaux cristallins des germes A et B est appelée « désorientation totale ». Cette désorientation totale se traduit par une opération de rotation autour d'un axe de désorientation et d'un angle de désorientation 20. Par la suite, on nommera « désorientation totale », l'angle de désorientation 20 le plus petit parmi toutes les opérations de rotation précitées ; et on nommera « axe de désorientation », l'axe associé à cet angle. De préférence, la désorientation totale 20 entre le réseau cristallin du germe A et le réseau cristallin du germe B contigu est supérieure ou égale à 4°, en particulier supérieure ou égale à 5°, et plus particulièrement comprise entre 6° et 45°. Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, les réseaux cristallins des germes A et B présentent tous deux une direction colinéaire à l'axe (Z), de préférence une direction (ou proche de ), colinéaire à l'axe (Z), chacun des germes étant avantageusement désorienté selon un même angle 0 par rapport à cette direction selon (x) et/ou (y). La désorientation 0 d'un germe peut être déterminée par des méthodes de 20 mesure connues de l'homme du métier, par exemple par mesure des angles avec la méthode de Laue, par diffraction de rayon X ou encore par diffraction des électrons rétrodiffusés (EBSD pour « Electron BackScattered Diffraction » en langue anglaise). Selon un mode de réalisation préféré, la désorientation entre les réseaux 25 cristallins des germes A et B s'effectue autour d'un axe . De préférence, l'axe est confondu avec l'axe (Z) du creuset et/ou avec l'axe (z) du germe. Un tel mode de réalisation s'avère particulièrement avantageux, au regard des plaquettes qui seront formées par découpe du lingot obtenu à partir d'un tel pavage de germes selon le procédé de l'invention. 30 De fait, les surfaces des wafers issus de la découpe des briques perpendiculairement à la surface du lingot, suivant les plans de joints de grains verticaux, comme décrit plus précisément dans la suite du texte, sont, aux irrégularités de découpe près, sensiblement parallèles aux plans (001). Etant d'orientation (001), les surfaces des wafers ainsi formés présentent la caractéristique d'être efficacement texturisées par une texturation basique (à base de KOH ou NaOH par exemple). Il peut en résulter un gain de réflectivité d'environ 5 à 12 % relatif en face, comparativement à des texturations basiques sur d'autres orientations ou à des texturations acides sur une orientation quelconque. De manière avantageuse, il est possible de s'affranchir de la mesure des angles de désorientation 0 de chacun des germes mis en oeuvre, en réalisant de manière aisée le pavage selon l'invention à partir d'un seul type de germes. Ainsi, selon un mode de réalisation particulier, le pavage en fond du creuset est réalisé à partir de germes de silicium identiques, le germe B étant obtenu à partir d'un germe A ayant subi une rotation d'un angle de 180° autour de l'un des vecteurs perpendiculaires aux faces latérales du germes, c'est-à-dire dans le cadre d'un pavage sous forme d'un quadrillage, autour du vecteur autour de l'axe (x) ou (y). A titre d'exemple, la figure 4 représente l'obtention des germes A et B de type pavé droit, le germe B étant obtenu par rotation d'un angle de 180° autour de l'axe (y). Les germes (2) de silicium mono-cristallin peuvent être par exemple issus d'un lingot de silicium élaboré selon une technique de tirage Czochralski (encore appelé lingot « Cz »), technique dans laquelle un germe mono-cristallin de silicium est mis en contact avec un bain de silicium en fusion, afin de faire croître un lingot monocristallin. Cette méthode fournit généralement des lingots Cz de forme cylindrique. Ils peuvent être usinés, de manière conventionnelle, comme représenté schématiquement en figure 3, et découpé en tranches perpendiculaires à l'axe (Z,) du cylindre pour obtenir des germes de forme pavé droit. Le tirage donne un lingot de silicium avec un plan cristallographique perpendiculaire à l'axe (Z,) du lingot et déterminé par l'orientation cristalline du germe (par exemple ). Il est alors possible d'usiner des germes (2) avec la désorientation 0 du réseau cristallin souhaitée, par découpe du lingot Cz avec une rotation autour de l'axe du cylindre (Z,), comme représenté schématiquement en figure 3. Par exemple, sur la figure 3, le cristal d'un germe (21) (qui possède un cubage imaginaire et parfait des faces (i, j, k) représentant les plans perpendiculaires aux directions du lingot Cz usiné) ne possède aucune désorientation par rapport aux axes (x), (y) et (z) du germe, à la différence du germe (2) usiné avec une désorientation cristalline 0 autour de l'axe (Z,) de plusieurs degrés. Pour un tel germe (2), le cristal de silicium est désorienté d'un angle 0 non nul autour de l'axe (Z,) par rapport aux axes (x) et (y) du germe, l'axe (z) étant colinéaire à l'axe (Z,). Un autre germe (2) réalisé dans les mêmes conditions pourra ensuite être utilisé afin d'être retourné, comme représenté en figure 4, et former un germe de type B, ce qui permet d'obtenir une désorientation totale 20 entre les réseaux cristallins des germes contigus A et B. Selon une autre variante de réalisation, les germes (2) de silicium proviennent du recyclage d'un lingot élaboré lors d'une précédente solidification dirigée selon le procédé de l'invention. Plus particulièrement, les germes peuvent être issus du prélèvement, partiel ou total, d'une tranche horizontale, ou du prélèvement partiel d'une tranche verticale, d'un lingot de silicium formé selon le procédé de l'invention. ETAPE (ii) : FORMATION DU LINGOT DE SILICIUM Dans une seconde étape du procédé de l'invention, on procède à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon une direction de croissance colinéaire à l'axe (Z), comme représenté schématiquement en figure lb. L'homme du métier est à même d'ajuster les conditions opératoires pour l'élaboration du lingot de silicium par solidification dirigée. Celle-ci peut être opérée dans un four conventionnel de solidification dirigée, comme par exemple dans un four de cristallisation de type HEM (provenant du nom anglais « Heat Exchange Method») ou de type Bridgman avec un chauffage fixe par le haut et les côtés, qui permet de cristalliser la charge de silicium avec un gradient de température contrôlé. D'une manière générale, la solidification dirigée est effectuée en faisant fondre, dans un premier temps, une charge de silicium dans le creuset préparé en étape (i). Lorsque le silicium est complètement en fusion, et que les germes commencent à fondre, le silicium en fusion (4) est solidifié, de façon dirigée, à faible vitesse (typiquement de 5 à 30 mm/h). La solidification dirigée peut être réalisée par déplacement du système de chauffage et/ou par refroidissement contrôlé, permettant un déplacement progressif du front de solidification (front de séparation entre la phase solide et la phase liquide) vers le haut du creuset, comme représenté schématiquement en figure lb. Le lingot (5) obtenu à l'issue de la solidification dirigé peut être ensuite refroidi, notamment jusqu'à température ambiante (20°C ± 5°C). Selon un mode de réalisation particulier, le lingot (5) formé par solidification dirigée peut présenter une hauteur, mesurée suivant l'axe (Z) de croissance, supérieure ou égale à 100 mm, en particulier allant de 180 à 800 mm. De manière avantageuse, comme représenté schématiquement en figure lc, les joints de grains se propagent dans le lingot de silicium de manière contrôlée à partir des joints de germes, suivant les plans Pi, P2, P3,... définis par les frontières (3) entres chacun des germes A et B de réseaux cristallins symétriques, et perpendiculairement à la surface des germes. A titre d'exemple schématique, la figure 6a représente un joint de grains (6) symétrique formé dans le lingot de silicium (5) à partir de deux germes (2) contigus conformes à l'invention, présentant des réseaux cristallins symétriques l'un de l'autre (germes accolés « +10° » et « -10° », désorientation totale de 20° suivant l'axe (Z)), par rapport au plan P défini par la frontière (3) entre les germes. PLAQUETTES DE SILICIUM Comme évoqué précédemment, le procédé de l'invention permet avantageusement de contrôler la propagation des joints de grains dans le lingot formé. Selon un mode de réalisation particulier, tout ou partie des joints de grains symétriques peuvent être utilisés à réaliser un marquage identifiant ou esthétique. Un tel marquage peut être par exemple utile pour identifier les cellules comportant des joints de grains symétriques, marquer l'identité du producteur de lingots ou wafers, ou aider à la traçabilité dans le processus. Après éboutage standard des zones périphériques du lingot, ce dernier peut être découpé en briques. Selon une première variante de réalisation, la découpe du lingot peut être opérée indépendamment de la position des plans de joints P (Pi, P2, P3, ...) définis par les frontières entre les germes (2) du pavage en fond de creuset. Les briques résultantes contiennent ainsi des joints de grains symétriques. Selon une seconde variante de réalisation, comme représenté schématiquement en figure lc, la découpe peut être opérée le long des plans P (P1, P2, P3, ....), définis par les frontières entre les germes (2) du pavage en fond de creuset. Les joints de grains étant présents dans le lingot formé selon le procédé de l'invention suivant les plans P, la découpe du lingot de silicium le long de ces plans, permet ainsi d'éliminer les joints de grains et d'obtenir avantageusement des briques dénuées de joints de grains. Les positions de découpe du lingot sont aisément identifiables sur le lingot dans la mesure où elles se situent au niveau des frontières entre les germes tapissant le fond du creuset. L'homme du métier est à même d'ajuster les moyens conventionnels de découpe des lingots de silicium en briques, pour obtenir une découpe efficace du lingot le long des plans P de joints de grains. La découpe peut être opérée à l'aide d'un fil de découpe ou encore d'une scie à bande. A titre d'exemple, la figure 6b représente, de manière schématique, la découpe du lingot (5) le long du joint de grains symétrique (6), à l'aide d'un fil de découpe (8). Pour un lingot élaboré à partir d'un pavage de germes de type quadrillage, la découpe peut être par exemple opérée à l'aide d'une machine conventionnelle de type Squarer, ou scie à bande. Il appartient à l'homme du métier d'adapter le pas du guide-fils, au regard de la dimension des germes de pavage mis en oeuvre et du diamètre des fils de découpe utilisés, de manière à ce que la découpe à l'aide du Squarer se fasse le long de chacun des plans P et permette d'éliminer les joints de grains symétriques du lingot. Une telle découpe est représentée schématiquement en figure 7. Les plaquettes de silicium peuvent être ensuite élaborées à partir de ces briques, selon des techniques classiques connues de l'homme du métier, notamment par découpe des briques, rectification des faces, éboutages des extrémités haute et basse pour ajuster les dimensions de la plaquette etc. Ces plaquettes de très haute qualité cristalline, dotées de joints de grains symétriques ou totalement dénuées de joint de grains selon la variante de découpe mise en oeuvre, peuvent être avantageusement utilisées pour l'élaboration de cellules photovoltaïques, par exemple pour les filières homoj onction ou hétéroj onction. L'invention va maintenant être décrite au moyen de l'exemple suivant donné bien entendu à titre illustratif et non limitatif de l'invention. EXEMPLES (i) Préparation des germes Les germes de première utilisation sont issus de lingots Cz. Le lingot Cz choisi possède un diamètre de 9 pouces (228,6 mm) et une orientation suivant Z (à ± 0,5° près). Sachant que l'on souhaite réaliser des cellules possédant une surface de 156 (±0,5) x 156 (±0,5) mm2, la dimension des germes sera : Dgerme Dbrique avant rectification + Efils = 156,7 + 0,6 = 157,3 mm Le lingot Cz est ainsi usiné en germes de surface 157,3 x 157,3 mm2 et d'épaisseur de 20 mm. La découpe est réalisée avec une rotation autour de l'axe Z par rapport à une position référence de cubage 3 faces , pour introduire une désorientation 0 du réseau cristallin des germes, comme représenté schématiquement en figure 3. Les germes prélevés sont placés au fond de creuset avec un pavage tel que représenté en figure 5, alternant un germe A, prélevé tel quel du lingot Cz, et un germe B, qui a subi par rapport au germe A, une rotation de 180° autour de l'axe (x) ou (y) comme représenté en figure 4, ce qui permet d'obtenir une désorientation totale 20 et donc la symétrie désirée entre les germes A et B. (ii) Croissance directionnelle du silicium par reprise sur germes Le four de cristallisation utilisé pour la cristallisation par reprise sur germes est un four de taille « Gen 5 » (370 à 700 kg de charge) possédant trois zones de chauffe pilotées en température ou en puissance : une zone de chauffe haute, une zone de chauffe basse et une zone de chauffe latérale. Un lingot de silicium est formé dans le creuset par la succession des étapes suivantes : - fusion dirigée de la charge de silicium et fusion partielle des germes ; - croissance par solidification dirigée ; et - refroidissement du lingot. (iii) Découpe du lingot Le lingot obtenu est ensuite découpé en briques dans un « squarer » avec un pas de guide-fils de 157,3 mm et une épaisseur de découpe de 600 iam par trait de découpe. Les briques résultantes ont une surface de 156,7 mm avant rectification et 156,3 mm après 200 iam de rectification par face. Les plaquettes découpées dans de telles briques sont exemptes de joints de grains issus des joints de germes.20 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un lingot de silicium (5), doté de joints de grains (6) symétriques, comprenant au moins les étapes consistant en : (i) disposer d'un creuset (1) d'axe (Z) longitudinal, dont le fond comporte un pavage formé de germes (2) de silicium monocristallin de forme prisme droit ; et (ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon une direction de croissance colinéaire à l'axe (Z) ; caractérisé en ce que le pavage en étape (i) est formé de deux types de germes A et B d'orientations cristallines distinctes et disposés de manière jointive et alternée, un germe A présentant un réseau cristallin symétrique du réseau cristallin d'un germe B contigu, par rapport au plan P défini par la frontière (3) entre lesdits germes A et B. 2. Procédé selon la revendication 1, la plus petite dimension d'un germe A et/ou d'un germe B étant supérieure ou égale à 95 mm. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel tout ou partie des germes (2) sont de forme pavé droit, de base rectangulaire ou carrée. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, les germes (2) présentant la même épaisseur (e) suivant l'axe (Z), en particulier (e) étant supérieure ou égale à 5 mm. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le pavage des germes (2) est sous forme d'un quadrillage, en particulier divisé en carrés ou en rectangles. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, la désorientation 20 entre le réseau cristallin du germe A et le réseau cristallin du germe B 25 contigu étant supérieure ou égale à 4°, en particulier supérieure ou égale à 5° et plus particulièrement comprise entre 6° et 45°. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, le réseau cristallin dudit germe A et le réseau cristallin dudit germe B présentant tous deux une direction, en particulier une direction , colinéaire à l'axe (Z). 30 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le pavage est obtenu à partir de germes identiques, le germe B étant obtenu à partird'un germe A ayant subi une rotation d'un angle de 180° autour de l'un de vecteurs perpendiculaires aux faces latérales du germe. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, les germes (2) étant issus d'un lingot Cz (10) de silicium ; ou du recyclage d'un lingot formé selon le 5 procédé tel que revendiqué en revendication 1, en particulier par prélèvement partiel ou total d'une tranche horizontale, ou par prélèvement partiel d'une tranche verticale. 10. Lingot de silicium (5) doté de joints de grains (6) symétriques, obtenu selon le procédé de l'une quelconque des revendications 1 à 9. 11. Lingot selon la revendication 10, présentant une hauteur mesurée suivant 10 l'axe (Z) de croissance supérieure ou égale à 100 mm, en particulier allant de 180 à 800 mm. 12. Procédé de fabrication de plaquettes de silicium monocristallin et dénué de joints de grains, comprenant une étape (iii) de découpe d'un lingot (5) de silicium tel que défini selon la revendication 10 ou 11, en briques, par découpe le long des plans P. 15 13. Procédé selon la revendication précédente, la découpe étant effectuée à l'aide d'un fil de découpe (8) ou d'une scie à bande.