Brevet FR3007194A1 — publié le 20141219

La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une pluralité de structures comportant chacune successivement un substrat, un diélectrique comprenant un oxyde, et une couche active comprenant un matériau semi-conducteur. Par « couche active », on entend une couche (ou une pluralité de sous-couches) sur laquelle ou dans laquelle seront fabriqués des composants destinés à des applications notamment dans les domaines de la microélectronique, l'optique, l'optoélectronique. Un procédé de fabrication connu de l'état de la technique, illustré à la 10 figure 1A, comporte les étapes : a) fourniture d'une enceinte 10 adaptée pour recevoir la pluralité de structures S, b) circulation d'un flux gazeux F (matérialisée par les flèches) dans l'enceinte 10 de sorte que l'enceinte 10 présente une atmosphère non 15 oxydante, c) traitement thermique de la pluralité de structures S à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un 20 matériau volatil. L'enceinte fournie lors de l'étape a) appartient à un dispositif 1, et est équipée d'un système de support 4 adapté pour supporter les structures S. L'atmosphère non oxydante peut être obtenue lors de l'étape b) par un flux gazeux F continu de gaz inerte (tel que de l'argon) ou réducteur. Par 25 « non oxydante », on entend une atmosphère présentant une teneur en oxygène inférieure à 10 ppm. Le flux gazeux F est injecté dans l'enceinte 10 via l'entrée 2 et est évacué de l'enceinte 10 via la sortie 3. Le traitement thermique est effectué lors de l'étape c) à haute température, classiquement de l'ordre de 1200 °C. 30 Il est à noter que les étapes b) et c) sont préférentiellement exécutées simultanément. Un tel procédé de l'état de la technique est notamment employé lorsque le diélectrique comporte du dioxyde de silicium, et lorsque le matériau semi-conducteur de la couche active comporte du silicium. Le matériau volatil produit comporte alors du monoxyde de silicium. L'étape c) permet donc de dissoudre partiellement le diélectrique. Un tel procédé de l'état de la technique est particulièrement avantageux pour la fabrication de structures nécessitant une épaisseur de diélectrique inférieure à 200 nm. L'homme du métier trouvera une description technique d'un tel procédé dans les articles de Kononchuk (Kononchuck et al., Novel trends in SOI technology for CMOS applications, Solid state Phenomena, Vols. 156-158 (2010) pp69-76, ainsi que Konochuck et al., Internai Dissolution of Buried Oxide in SOI Wafers, Solid State Phenomena, Vols. 131-133 (2008) pp113- 118). Toutefois, un tel procédé de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où la demanderesse a constaté que la dissolution du diélectrique lors de l'étape c) n'est pas uniforme, ce qui conduit à une non uniformité de l'épaisseur du diélectrique dans la structure fabriquée. Cette non uniformité est d'autant plus pénalisante que l'épaisseur du diélectrique désirée est faible (par exemple inférieure à 20 nm ou 10 nm) et que le diamètre de la structure est importante (300 mm, 450 mm). La présente invention vise à remédier à l'inconvénient précité et concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de structures comportant chacune successivement un substrat, un diélectrique comprenant un oxyde, et une couche active comprenant un matériau semi-conducteur, le procédé comportant les étapes : a) fourniture d'une enceinte adaptée pour recevoir la pluralité de structures, b) circulation d'un flux gazeux dans l'enceinte de sorte que l'enceinte présente une atmosphère non oxydante, c) traitement thermique de la pluralité de structures à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un matériau volatil, le procédé étant remarquable en ce que les étapes b) et c) sont exécutées de sorte que le flux gazeux présente une vitesse de circulation entre la pluralité de structures, notée Vf, supérieure à la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux gazeux, notée Vd. La demanderesse a constaté que la non uniformité de la dissolution du diélectrique lors de l'étape c) est essentiellement due à une accumulation du matériau volatil au voisinage de la couche active plus importante au centre de la structure qu'aux bords de la structure. Il résulte de ce gradient de concentration du matériau volatil une surépaisseur du diélectrique au centre de la structure. En effet, la vitesse de circulation du flux gazeux entre la pluralité de structures est très faible relativement à la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux gazeux ; typiquement VfNd Ainsi, de tels rapports entre la vitesse de circulation du flux gazeux dans l'enceinte et la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux P t 3007194 4 gazeux conduisent à réduire drastiquement le gradient de concentration du matériau volatil au voisinage de la couche utile entre chaque structure. Selon un mode de réalisation, l'étape b) est exécutée de sorte que le flux gazeux circule au voisinage de la couche active de chaque structure. 5 Ainsi, une circulation forcée du matériau volatil est créée entre la pluralité de structures. Selon une forme d'exécution, l'enceinte fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal, l'étape b) comporte une injection du flux gazeux dans l'enceinte dirigée parallèlement à l'axe longitudinal, et l'étape 10 a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte de moyens de guidage agencés pour guider le flux gazeux injecté au voisinage de la couche active de chaque structure, les moyens de guidage comportant préférentiellement des ailettes disposées sur le pourtour de l'enceinte. Selon une variante d'exécution, l'enceinte fournie lors de l'étape a) 15 s'étend suivant un axe longitudinal, l'étape b) comporte une injection du flux gazeux dans l'enceinte dirigée parallèlement à l'axe longitudinal, l'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte d'organes de support agencés pour supporter la pluralité de structures, et les organes de support sont mobiles en rotation relativement à l'enceinte autour de l'axe longitudinal 20 de sorte que le flux gazeux circule au voisinage de la couche active de chaque structure. Selon une caractéristique, les organes de support d'une structure forment une hélice s'enroulant partiellement autour de l'axe longitudinal, chaque organe de support de la structure formant une pale de l'hélice. 25 Ainsi, de tels organes de support permettent de réduire drastiquement le gradient de concentration du matériau volatil au voisinage de la couche utile entre chaque structure par un brassage du flux gazeux. Selon une variante d'exécution, l'enceinte fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal, et l'étape b) comporte une injection du 30 flux gazeux dans l'enceinte dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal et orientée vers chaque structure de sorte que le flux gazeux circule au voisinage de la couche active de chaque structure. Avantageusement, le procédé comporte une étape d'évacuation du flux gazeux circulant au voisinage de la couche active de chaque structure, l'évacuation du flux gazeux hors de l'enceinte étant dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal de l'enceinte. Ainsi, une telle évacuation dédiée à chaque structure permet d'éviter un gradient de concentration du matériau volatil suivant l'axe longitudinal. Selon une autre variante d'exécution, l'étape b) comporte une étape d'injection du flux gazeux dans l'enceinte dirigée au centre de chaque structure. 10 Ainsi, une circulation forcée du matériau volatil est créée du centre de la structure vers les bords de la structure, et ce afin d'éviter un gradient de concentration du matériau volatil au voisinage de la couche utile entre chaque structure. Avantageusement, l'étape a) comporte une étape consistant à 15 équiper l'enceinte d'organes de support agencés pour supporter la pluralité de structures, et les organes de support forment des conduits agencés pour guider le flux gazeux injecté au centre d'une structure. Ainsi, de tels organes de support assurent une double fonction : le support des structures et l'injection du flux gazeux. 20 Selon un mode de réalisation, le procédé comporte une étape d'évacuation du flux gazeux hors de l'enceinte, et une partie du flux gazeux évacué est réinjecté dans l'enceinte. Ainsi, la concentration de matériau volatil est homogénéisée le long de l'enceinte en plus de l'homogénéité de concentration entre le centre et 25 les bords des structures. Avantageusement, la couche active de chaque structure présente une surface libre, l'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte de moyens de support agencés pour supporter la pluralité de structures, et le procédé comporte une étape de mise en mouvement de 30 rotation des moyens de support autour d'un axe perpendiculaire à la surface libre de la couche active de chaque structure. Ainsi, une telle mise en mouvement permet d'éviter une asymétrie du flux gazeux circulant au voisinage de la couche active de chaque structure. Selon une forme d'exécution, le diélectrique comporte du dioxyde de silicium, le matériau semi-conducteur de la couche active comporte du silicium, et le matériau volatil produit comporte du monoxyde de silicium. D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre de modes de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en 10 référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1A (déjà commentée) est une vue en coupe longitudinale d'un dispositif pour mettre en oeuvre un mode de réalisation selon l'état de la technique, - la figure 1B est une vue en coupe longitudinale d'un dispositif pour 15 mettre en oeuvre un premier mode de réalisation de l'invention, - la figure 2 est une vue en coupe transversale d'un dispositif pour mettre en oeuvre un deuxième mode de réalisation de l'invention, - la figure 3 est une vue en coupe longitudinale d'un dispositif pour mettre en oeuvre le deuxième mode de réalisation de l'invention, 20 - la figure 4 est une vue en coupe transversale d'un dispositif pour mettre en oeuvre un troisième mode de réalisation de l'invention, - la figure 5 est une vue en coupe transversale d'un dispositif pour mettre en oeuvre un quatrième mode de réalisation de l'invention. Pour les différents modes de réalisation, les mêmes références 25 seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. Le dispositif 1 illustré à la figure 1B est un dispositif pour fabriquer une pluralité de structures S comportant chacune successivement un substrat, un diélectrique comprenant un oxyde, et une couche active 30 comprenant un matériau semi-conducteur. Le dispositif 1 comporte : - une enceinte 10 adaptée pour recevoir la pluralité de structures S, - des moyens de circulation d'un flux gazeux F dans l'enceinte 10 de sorte que l'enceinte 10 est susceptible de présenter une atmosphère non oxydante, - des moyens de chauffage susceptibles de générer un traitement thermique de la pluralité de structures S à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un matériau volatil. Par « non oxydante », on entend une atmosphère présentant une 10 teneur en oxygène inférieure à 10 ppm. L'enceinte 10 est équipée d'un système de support 4 adapté pour supporter les structures S. L'enceinte 10 s'étend suivant un axe longitudinal Z'-Z vertical. Les moyens de circulation comportent une pluralité de conduits 15 d'injection 20 du flux gazeux dans l'enceinte 10. Les conduits d'injection 20 sont reliés entre eux par une entrée 2 du flux gazeux F. Chaque conduit d'injection 20 est dédié à une structure S. Les conduits d'injection 20 sont configurés pour que le flux gazeux F présente une vitesse de circulation entre les structures S, notée Vf, supérieure à la vitesse de diffusion du 20 matériau volatil dans le flux gazeux F, notée Vd. Plus précisément, chaque conduit d'injection 20 peut présenter un diamètre inférieur à une valeur prédéterminée en deçà de laquelle Vf/Vd k 100, de préférence Vf/Vd k 1000. Le diamètre de chaque conduit d'injection 20 peut être constant, de préférence compris entre 0,5 mm et 1,5 mm, encore préférentiellement 25 sensiblement égal à 1 mm. L'injection du flux gazeux F dans l'enceinte 10 est dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal Z'-Z et orientée vers chaque structure S de sorte que le flux gazeux F circule au voisinage de la couche active de chaque structure S. Les moyens de circulation comportent une pluralité de conduits 30 d'évacuation 30 du flux gazeux F hors de l'enceinte 10. La pluralité de conduits d'évacuation 30 est agencée en regard de la pluralité de conduits d'injection 20. Les conduits d'évacuation 30 sont reliés entre eux par une sortie 3 du flux gazeux F. Dans le mode de réalisation illustré aux figures 2 et 3, le dispositif 1 diffère du dispositif illustré à la figure 1B en ce que : - l'injection du flux gazeux F dans l'enceinte 10 est dirigée parallèlement à l'axe longitudinal Z'-Z, - l'enceinte 10 est équipée de moyens de guidage agencés pour guider le flux gazeux F injecté au voisinage de la couche active de chaque structure S. Les moyens de guidage comportent des ailettes 50 disposées sur le pourtour de l'enceinte 10. Les ailettes 50 s'étendent perpendiculairement à l'axe longitudinal Z'-Z et parallèlement aux structures S. Les ailettes 50 sont réparties le long de l'axe longitudinal Z'-Z de sorte que chaque ailette 50 est coplanaire à une structure S. Lorsqu'une structure S (en pointillés sur la figure 2) est supportée par les organes de support 40 appartenant au système de support 4, l'ailette 50 correspondante épouse une première partie 70 du pourtour de la structure S. L'ailette 50 correspondante délimite une ouverture 6 avec une seconde partie 71 du pourtour de la structure S et le carter 11 du dispositif 1. La circulation du flux gazeux F est ainsi forcée à travers l'ouverture 6. Les ailettes 50 sont agencées suivant l'axe longitudinal Z'-Z relativement aux structures S de sorte que le flux gazeux F circule au voisinage de la couche active de chaque structure S. Dans le mode de réalisation illustré à la figure 4, le dispositif 1 diffère du dispositif illustré à la figure 1B et du dispositif illustré aux figures 2 et 3 en ce que les moyens de circulation comportent une pluralité de conduits d'injection 20 du flux gazeux F dans l'enceinte 10 dirigés au centre d'une structure S. Chaque conduit d'injection 20 forme des moyens de support de la structure S située au-dessus de la structure S au centre de laquelle est dirigé le conduit d'injection 20 correspondant. Les traits pointillés de la figure 4 illustrent l'injection du flux gazeux F. Dans le mode de réalisation illustré à la figure 5, le dispositif 1 comporte un conduit d'évacuation 30 du flux gazeux F hors de l'enceinte 10. Le dispositif 1 comporte un canal de liaison 8 agencé pour relier un conduit d'injection 20 au conduit d'évacuation 30. Le canal de liaison 8 présente un diamètre suffisamment petit relativement aux diamètres du conduit d'injection 20 et du conduit d'évacuation 30 de manière à autoriser un effet Venturi. Dans le mode de réalisation illustré à la figure 6, le dispositif 1 diffère du dispositif 1 illustré aux figures 2 et 3 en ce que les organes de support 40 sont mobiles en rotation relativement à l'enceinte 10 autour de l'axe longitudinal Z'-Z (avec un sens de rotation f2 illustré à la figure 6) de sorte 10 que le flux gazeux F circule au voisinage de la couche active de chaque structure S. Les organes de support 40 d'une structure S forment une hélice s'enroulant partiellement autour de l'axe longitudinal Z'-Z. Chaque organe de support 40 de la structure S correspondante forme une pale de l'hélice. Selon un mode de mise en oeuvre, un procédé selon l'invention est 15 un procédé de fabrication d'une pluralité de structures S comportant chacune successivement un substrat, un diélectrique comprenant un oxyde, et une couche active comprenant un matériau semi-conducteur, le procédé comportant les étapes : a) fourniture d'une enceinte 10 adaptée pour recevoir la pluralité de 20 structures S, b) circulation d'un flux gazeux F dans l'enceinte 10 de sorte que l'enceinte 10 présente une atmosphère non oxydante, c) traitement thermique de la pluralité de structures S à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène 25 présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un matériau volatil. Les étapes b) et c) sont exécutées de sorte que le flux gazeux F présente une vitesse de circulation entre les structures S, notée Vf, 30 supérieure à la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux gazeux F, notée Vd. Les étapes b) et c) peuvent être exécutées de sorte que VfNd 100, de préférence VfNd k 1000. L'étape b) est exécutée de sorte que le flux gazeux F circule au voisinage de la couche active de chaque structure S. Le traitement thermique est effectué lors de l'étape c) à haute température, classiquement de l'ordre de 1200 °C. Selon un mode de mise en oeuvre, l'enceinte 10 fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal Z'-Z. L'étape b) comporte une injection du flux gazeux F dans l'enceinte 10 dirigée parallèlement à l'axe longitudinal (voir figure 3). L'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte 10 de moyens de guidage agencés pour guider le flux gazeux F injecté au voisinage de la couche active de chaque structure S. Les moyens de guidage comportent préférentiellement des ailettes 50 disposées sur le pourtour de l'enceinte 10. Comme illustré aux figures 2 et 3, Les ailettes 50 s'étendent perpendiculairement à l'axe longitudinal Z'-Z et parallèlement aux structures S. Les ailettes 50 sont réparties le long de l'axe longitudinal Z'-Z de sorte que chaque ailette 50 est coplanaire à une structure S. Lorsqu'une structure S (en pointillés sur la figure 2) est supportée par les organes de support 40 appartenant au système de support 4, l'ailette 50 correspondante épouse une première partie 70 du pourtour de la structure S. L'ailette 50 correspondante délimite une ouverture 6 avec une seconde partie 71 du pourtour de la structure S et le carter 11 du dispositif 1. La circulation du flux gazeux F est ainsi forcée à travers l'ouverture 6. Les ailettes 50 sont agencées suivant l'axe longitudinal Z'-Z relativement aux structures S de sorte que le flux gazeux F circule au voisinage de la couche active de chaque structure S. Selon une variante de mise en oeuvre illustré à la figure 1B, l'enceinte 10 fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal Z'-Z, et l'étape b) comporte une injection du flux gazeux F dans l'enceinte 10 via des conduits d'injection 20. Les conduits d'injection 20 sont reliés entre eux par une entrée 2 du flux gazeux F. L'injection est dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal Z'-Z et orientée vers chaque structure S de sorte que le flux gazeux F circule au voisinage de la couche active de chaque structure S. Comme illustré à la figure 1B, le procédé comporte une étape d'évacuation du flux gazeux F circulant au voisinage de la couche active de chaque structure S via des conduits d'évacuation 30. L'évacuation du flux gazeux F hors de l'enceinte 10 est dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal Z'-Z. La pluralité de conduits d'évacuation 30 est agencée en regard de la pluralité de conduits d'injection 20. Les conduits d'évacuation 30 sont reliés entre eux par une sortie 3 du flux gazeux F. Selon un mode de mise en oeuvre illustré à la figure 4, l'étape b) comporte une étape d'injection du flux gazeux F dans l'enceinte 10 dirigée au centre de chaque structure S. L'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte 10 d'organes de support 40 agencés pour supporter la pluralité de structures S. Au moins un organe de support 40 forme un conduit d'injection 20 agencé pour guider le flux gazeux F injecté au centre d'une structure S. Selon un mode de mise en oeuvre illustré à la figure 5, le procédé comporte une étape d'évacuation du flux gazeux F hors de l'enceinte 10 via un conduit d'évacuation 30. Une partie du flux gazeux F évacué est réinjecté dans l'enceinte 10 via un conduit d'injection 20. Un canal de liaison 8 est agencé pour relier le conduit d'injection 20 au conduit d'évacuation 30. Le canal de liaison 8 présente un diamètre suffisamment petit relativement aux diamètres du conduit d'injection 20 et du conduit d'évacuation 30 de manière à autoriser un effet Venturi. Selon un mode de mise en oeuvre non représenté, la couche active de chaque structure S présente une surface libre, et le procédé comporte une étape de mise en mouvement de rotation du système de support 4 de la pluralité de structures S autour d'un axe perpendiculaire à la surface libre de la couche active de chaque structure S. Ce mode de mise en oeuvre est particulièrement avantageux en combinaison avec les modes de mise en oeuvre illustrés aux figures 1B, 2, 3 et 6. Selon un mode de mise en oeuvre, le diélectrique comporte du dioxyde de silicium, le matériau semi-conducteur de la couche active comporte du silicium, et le matériau volatil produit comporte du monoxyde de silicium. Bien entendu, les modes de réalisation de l'invention décrits ci-dessus ne présentent aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations 5 peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention. C'est ainsi notamment que l'axe longitudinal Z'-Z peut être horizontal. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une pluralité de structures (S) comportant chacune successivement un substrat, un diélectrique comprenant un oxyde, 5 et une couche active comprenant un matériau semi-conducteur, le procédé comportant les étapes : a) fourniture d'une enceinte (10) adaptée pour recevoir la pluralité de structures (S), b) circulation d'un flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) de sorte que 10 l'enceinte (10) présente une atmosphère non oxydante, c) traitement thermique de la pluralité de structures (S) à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un matériau volatil, 15 le procédé étant caractérisé en ce que les étapes b) et c) sont exécutées de sorte que le flux gazeux (F) présente une vitesse de circulation entre la pluralité de structures (S), notée Vf, supérieure à la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux gazeux, notée Vd. 20 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes b) et c) sont exécutées de sorte que VfNd > 100, de préférence Vf/Vd k 1000. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape b) est exécutée de sorte que le flux gazeux (F) circule au voisinage de la couche 25 active de chaque structure (S). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'enceinte (10) fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal (Z'-Z), en ce que l'étape b) comporte une injection du flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) 30 dirigée parallèlement à l'axe longitudinal (Z'-Z), et en ce que l'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte (10) de moyens de guidage agencés pour guider le flux gazeux (F) injecté au voisinage de lacouche active de chaque structure (S), les moyens de guidage comportant préférentiellement des ailettes (50) disposées sur le pourtour de l'enceinte (10). 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'enceinte (10) fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal (Z'-Z), en ce que l'étape b) comporte une injection du flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) dirigée parallèlement à l'axe longitudinal (Z'-Z), en ce que l'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte (10) d'organes de 10 support (40) agencés pour supporter la pluralité de structures (S), et en ce que les organes de support (40) sont mobiles en rotation relativement à l'enceinte (10) autour de l'axe longitudinal (Z'-Z) de sorte que le flux gazeux (F) circule au voisinage de la couche active de chaque structure (S). 15 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que les organes de support (40) d'une structure (S) forment une hélice s'enroulant partiellement autour de l'axe longitudinal (Z'-Z), chaque organe de support (40) de la structure (S) formant une pale de l'hélice. 20 7. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'enceinte (10) fournie lors de l'étape a) s'étend suivant un axe longitudinal (Z'-Z), et en ce que l'étape b) comporte une injection du flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal (Z'-Z) et orientée vers chaque structure (S) de sorte que le flux gazeux (F) circule au voisinage de 25 la couche active de chaque structure (S). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'évacuation du flux gazeux (F) circulant au voisinage de la couche active de chaque structure (S), l'évacuation du flux gazeux (F) hors de 30 l'enceinte (10) étant dirigée perpendiculairement à l'axe longitudinal (Z'-Z). 9. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape b) comporte une étape d'injection du flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) dirigée au centre de chaque structure (S). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte (10) d'organes de support (40) agencés pour supporter la pluralité de structures (S), et en ce que les organes de support (40) forment des conduits (20) agencés pour guider le flux gazeux (F) injecté au centre d'une structure (S). 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'évacuation du flux gazeux (F) hors de l'enceinte (10), et en ce qu'une partie du flux gazeux (F) évacué est réinjecté dans l'enceinte (10). 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la couche active de chaque structure (S) présente une surface libre, en ce que l'étape a) comporte une étape consistant à équiper l'enceinte (10) de moyens de support agencés pour supporter la pluralité de structures (S), et en ce que le procédé comporte une étape de mise en mouvement de rotation des moyens de support autour d'un axe perpendiculaire à la surface libre de la couche active de chaque structure (S). 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le 25 diélectrique comporte du dioxyde de silicium, en ce que le matériau semiconducteur de la couche active comporte du silicium, et en ce que le matériau volatil produit comporte du monoxyde de silicium. 30