Brevet FR2998740A1 — publié le 20140530

CIRCUIT DE COMMANDE ADAPTATIF D'ISOLATION DE TRANSFORMATEUR DE COMMANDE La présente invention relève du domaine technique des produits électroniques et concerne en particulier un circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande. Suite à la crise mondiale énergétique, la réduction de la consommation énergétique et la protection de l'environnement sont devenues des nécessités universellement reconnues. Afin d'accroître les rendements des convertisseurs électriques CA/CC et CC/CC, les demi ponts, ponts intégraux et leurs convertisseurs résonnants LLC sont déjà largement utilisés. Cependant du fait que la fréquence de travail des convertisseurs résonnants varie selon la charge négative, l'inductance de fuite des transformateurs, le Qg des transistors à effet de champ et les diodes intrinsèques des résistances de commande et des transistors à effet de champ modifient tous la forme d'onde de commande et son temps mort ; dans les techniques actuelles, lors de l'utilisation d'un contrôle fixe de temps mort, si le temps mort est trop long, il n'est pas possible de réaliser un commutateur à tension nulle ; si le temps mort est trop court, un phénomène de connexion directe entre les transistors à effet de champ en amont et en aval d'un même bras de pont est susceptible de se produire, entraînant une défaillance du convertisseur résonnant. Le but principal de la présente invention est de fournir un circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande, destiné à réduire la distorsion et le retard de signal de commande, à réaliser un commutateur à tension nulle, à réduire les pertes de commutation et à accroître les rendements tout en évitant les « phénomènes de connexion directe ». Afin d'atteindre le but susmentionné, la présente invention fournit un circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande, ledit circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande comprenant : une source électrique, un premier transistor à effet de champ et un second transistor à effet de champ, le drain du premier transistor à effet de champ étant connecté à la borne positive de la source électrique, la source étant connectée au drain du second transistor à effet de champ ; la source dudit second transistor à effet de champ étant connectée à la borne négative de ladite source électrique ; un transformateur de commande doté d'une première bobine et d'une seconde bobine ; un premier circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle, dont une extrémité est connectée à ladite première bobine et l'autre extrémité est connectée à la grille dudit premier transistor à effet de champ ; un second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle, dont une extrémité est connectée à ladite seconde bobine et l'autre extrémité est connectée à la grille dudit second transistor à effet de champ ; un premier sous-circuit à contrôle de temps mort 5 adaptable servant à fournir à la grille dudit premier transistor à effet de champ le niveau électrique correspondant à la tension entre le drain du premier transistor à effet de champ et la source ; un second sous-circuit à contrôle de temps mort 10 adaptable servant fournir à la grille dudit second transistor à effet de champ le niveau électrique correspondant à la tension entre le drain du second transistor à effet de champ et la source. De préférence, ledit premier circuit de commande 15 rapide à tension positive unidirectionnelle comprend une première résistance, une seconde résistance, une première diode et une première triode, dans lequel la première triode est une triode PNP dont la base est respectivement connectée à une extrémité de ladite première bobine et de 20 ladite seconde résistance via la première résistance, le collecteur est connecté à l'autre extrémité de ladite première bobine, l'émetteur est connecté à la cathode de ladite première diode, en outre l'anode de ladite première diode est connectée à l'autre extrémité de ladite seconde 25 résistance. De préférence, ledit second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle comprend une troisième résistance, une quatrième résistance, une seconde diode et une seconde triode, dans lequel la seconde triode est une triode PNP dont la base est respectivement connectée à une extrémité de ladite seconde bobine et de ladite quatrième résistance via la troisième résistance, le collecteur est connecté à l'autre extrémité de ladite 5 seconde bobine, l'émetteur est connecté à la cathode de ladite seconde diode, en outre l'anode de ladite seconde diode est connectée à l'autre extrémité de ladite quatrième résistance ; l'extrémité connectant ladite première bobine et ladite première résistance et l'extrémité connectant 10 ladite seconde bobine et le collecteur de ladite seconde triode Q12 étant des extrémités homonymes. De préférence, ledit premier sous-circuit contrôle de temps mort adaptable comprend un troisième transistor à effet de champ, une troisième diode, une 15 cinquième résistance et une sixième résistance, dans lequel le drain dudit troisième transistor à effet de champ est connecté à la grille dudit premier transistor à effet de champ, la source est connectée à la source dudit premier transistor à effet de champ, la grille est respectivement 20 connectée à la source dudit premier transistor à effet de champ via la cinquième résistance et à la cathode de ladite troisième diode via la sixième résistance, l'anode de ladite troisième diode est connectée au drain dudit premier transistor à effet de champ. 25 De préférence, un premier groupe de diodes est en outre connecté entre la grille dudit troisième transistor à effet de champ et ladite cinquième résistance, ledit premier groupe de diodes comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie, ladite borne d'entrée étant connectée à une extrémité de ladite cinquième résistance avec ladite sixième résistance, la borne de sortie étant connectée à la grille dudit troisième transistor à effet de champ ; ledit premier groupe de diodes étant formé par une diode ou au moins deux diodes successivement connectées en série. De préférence, ledit premier sous-circuit contrôle de temps mort adaptable comprend en outre une troisième triode, ladite troisième triode étant de type triode PNP, son émetteur étant connecté à la grille dudit troisième transistor à effet de champ, son collecteur étant connecté à la source dudit troisième transistor à effet de champ, la base étant connectée à l'extrémité de connexion de ladite cinquième résistance avec ladite sixième résistance. De préférence, ledit second sous-circuit contrôle de temps mort adaptable comprend un quatrième transistor à effet de champ, une quatrième diode, une septième résistance et une huitième résistance, dans lequel le drain du quatrième transistor à effet de champ est connecté à la grille dudit second transistor à effet de champ, la source est connectée à la source dudit second transistor à effet de champ, la grille est respectivement connectée à la source dudit second transistor à effet de champ via la septième résistance et à la cathode de ladite quatrième diode via la huitième résistance, l'anode de ladite quatrième diode est connectée au drain dudit second transistor à effet de champ. De préférence, un second groupe de diodes est en outre connecté entre la grille dudit quatrième transistor à effet de champ et ladite septième résistance, ledit second groupe de diodes comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie, ladite borne d'entrée étant connectée à une extrémité de connexion de ladite septième résistance avec ladite huitième résistance, la borne de sortie étant connectée à la grille dudit quatrième transistor à effet de champ ; ledit second groupe de diodes étant formé par une diode ou au moins deux diodes successivement connectées en série. De préférence, ledit second sous-circuit contrôle de temps mort adaptable comprend en outre une quatrième triode, ladite quatrième triode étant de type triode PNP, son émetteur étant connecté à la grille dudit quatrième transistor à effet de champ, son collecteur étant connecté à la source dudit quatrième transistor à effet de champ, la base étant connectée à une extrémité de ladite septième résistance avec ladite huitième résistance. Dans la présente invention, grâce à l'agencement du premier circuit de commande rapide à tension positive 20 unidirectionnelle et du second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle, lorsque le transformateur de commande émet un signal de commande à tension positive au circuit de commande correspondant, le circuit de commande correspondant émet un signal de 25 commande à tension positive ; lorsque le transformateur de commande émet un signal de commande à tension négative, le circuit de commande correspondant émet un signal de commande à tension nulle, en outre le courant de la bobine du transformateur de commande correspondant est limité à moins de quelques milliampères, afin de réduire la consommation d'électricité et le retard de commande. Le premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable surveille en temps réel la tension Vds du premier transistor à effet de champ, lorsque la tension Vds du premier transistor à effet de champ est inférieure à sa tension de fonctionnement, ledit premier sous-circuit contrôle de temps mort adaptable ne fonctionne plus, lorsque la tension Vds du premier transistor à effet de champ est égale à la tension de fonctionnement, le premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable surveille l'ouverture et l'état de recouvrement inverse des diodes intrinsèques du premier transistor à effet de champ, et ajuste la largeur d'impulsion du signal de commande correspondant ; parallèlement, un second sous-circuit contrôle de temps mort adaptable est agencé et surveille en temps réel la tension Vds du second transistor à effet de champ, lorsque la tension Vds du second transistor à effet de champ est inférieure à sa tension de fonctionnement, ledit second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable ne fonctionne plus, lorsque la tension Vds du second transistor à effet de champ est égale à la tension de fonctionnement, le second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable surveille l'ouverture et l'état de recouvrement inverse des diodes intrinsèques du second transistor à effet de champ, et ajuste la largeur d'impulsion du signal de commande correspondant, réalisant un ajustement de temps mort adaptable. C'est pourquoi le circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande fourni par la présente invention permet de réduire les distorsions et retards de signaux de commande. En fonction de l'importance du courant de fonctionnement de la cavité du convertisseur résonnant et des spécificités de recouvrement inverse des diodes intrinsèques du premier transistor à effet de champ et du second transistor à effet de champ, il s'adapte en temps réel et ajuste le temps mort des transistors en amont et en aval d'un même bras de pont, réalisant un commutateur à tension nulle, réduisant les pertes de commutation et augmentant les rendements tout en évitant les « phénomènes de connexion directe ». La réalisation, les caractéristiques et avantages fonctionnels de l'atteinte du but de la présente invention sont décrits de façon plus approfondies à l'aide des modes 15 de réalisations et des messins. Il faut comprendre que les modes de réalisations mentionnés ici sont uniquement destinés expliquer la présente invention et ne constituent pas de limites envers celle-ci. 20 Sur ces dessins : - la Figure 1 représente le schéma de circuit du premier mode de réalisation du circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande de la présente 25 invention, et - la Figure 2 représente le schéma de circuit du second mode de réalisation du circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande de la présente invention. En référence à la Figure 1, la Figure 1 5 représente le schéma de circuit du premier mode de réalisation du circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande de la présente invention. Le circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande du présent mode de réalisation 10 comprend : une source électrique V1, un premier transistor à effet de champ Q1 et un second transistor à effet de champ Q2, le drain du premier transistor à effet de champ Q1 étant connecté à la borne positive de la source électrique 15 V1, la source étant connectée au drain du second transistor à effet de champ Q2 ; la source du second transistor à effet de champ Q2 étant connectée à la borne négative de la source électrique ; un transformateur de commande T1 doté d'une 20 première bobine S1 et d'une seconde bobine S2 ; un premier circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle 10, dont une extrémité est connectée à la première bobine S1 et l'autre extrémité est connectée à la grille du premier transistor à effet de 25 champ Q1 ; un second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle 20, dont une extrémité est connectée à la seconde bobine S2 et l'autre extrémité est connectée à la grille du second transistor à effet de champ Q2 ; un premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable 30, servant fournir le niveau électrique correspondant à la tension entre le drain du premier transistor à effet de champ Q1 et la source à la grille du premier transistor à effet de champ Q1 ; un second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable 40, servant fournir le niveau électrique correspondant à la tension entre le drain du second transistor à effet de champ Q2 et la source à la grille du second transistor à effet de champ Q2 ; En particulier, le premier circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle 10 susmentionné comprend une première résistance R1, une seconde résistance R2, une première diode D1 et une première triode Q11, dans lequel la première triode Q11 est une triode PNP dont la base est respectivement connectée à une extrémité de la première bobine S1 et de la seconde résistance R2 via la première résistance R1, le collecteur est connecté l'autre extrémité de la première bobine S1, l'émetteur est connecté à la cathode de la première diode D1, en outre l'anode de la première diode D1 est connectée à l'autre extrémité de la seconde résistance R2. Le second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle 20 susmentionné comprend une troisième résistance R3, une quatrième résistance R4, une seconde diode D2 et une seconde triode Q12, dans lequel la seconde triode Q12 est une triode PNP dont la base est respectivement connectée à une extrémité de la seconde bobine S2 et de la quatrième résistance R4 via la troisième résistance R3, le collecteur est connecté à l'autre extrémité de la seconde bobine S2, l'émetteur est connecté à la cathode de la seconde diode D2, en outre l'anode de la seconde diode D2 est connectée à l'autre extrémité de la quatrième résistance R4 ; l'extrémité connectant la première bobine S1 et la première résistance R1 et l'extrémité connectant la seconde bobine S2 et le collecteur de la seconde triode Q12 sont des extrémités homonymes. Le premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable 30 susmentionné comprend un troisième transistor à effet de champ Q3, une troisième diode D3, une cinquième résistance R5 et une sixième résistance R6, dans lequel le drain du troisième transistor à effet de champ Q3 est connecté à la grille du premier transistor à effet de champ Q1, la source est connectée à la source du premier transistor à effet de champ Q1, la grille est respectivement connectée à la source du premier transistor à effet de champ Q1 via la cinquième résistance R5 et à la cathode de la troisième diode D3 via la sixième résistance R6, l'anode de ladite troisième diode D3 est connectée au drain du premier transistor à effet de champ Q1. Le second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable 40 susmentionné comprend un quatrième transistor à effet de champ Q4, une quatrième diode D4, une septième résistance R7 et une huitième résistance R8, dans lequel le drain du quatrième transistor à effet de champ Q4 est connecté à la grille du second transistor à effet de champ Q2, la source est connectée à la source du second transistor à effet de champ Q2, la grille est respectivement connectée à la source du second transistor à effet de champ Q2 via la septième résistance R7 et à la cathode de la quatrième diode D4 via la huitième résistance, l'anode de la quatrième diode D4 est connectée au drain du second transistor à effet de champ Q2. Dans le présent mode de réalisation, les parties internes des transistors à effet de champ sont toutes dotées de diodes intrinsèques, avant conductivité du transistor à effet de champ, c'est sa diode intrinsèque qui est d'abord conductrice, de plus, le moment de mise hors tension du transistor à effet de champ dépend des caractéristiques de recouvrement inverse et du courant de tension de la diode intrinsèque. Le premier transistor à effet de champ Q1 et le second transistor à effet de champ Q2 susmentionnés sont en amont et en aval d'un même bras de pont. Lorsque le circuit fonctionne en résonnance, que le premier transistor à effet de champ Q1 et sa diode intrinsèque sont coupés et que le second transistor à effet de champ Q2 et sa diode intrinsèque sont conducteurs, la tension Vds entre le drain du second transistor à effet de champ Q2 et la source est de OV, de sorte que la tension de la grille du quatrième transistor à effet de champ Q4 est de OV, ledit quatrième transistor à effet de champ Q4 est coupé, la conductivité du second transistor à effet de champ Q2 peut être commandée par le signal de commande de niveau haut de la seconde bobine S2 via la quatrième résistance R4 et la seconde diode D2. Lorsque la diode intrinsèque du premier transistor à effet de champ Q1 est conductrice et que le second transistor à effet de champ Q2 et sa diode intrinsèque sont coupés, la tension Vds entre le drain du second transistor à effet de champ Q2 et la source est de 400V, de sorte que la tension de la grille du quatrième transistor à effet de champ Q4 équivaut à la tension aux deux extrémités de la septième résistance R7, c'est-à-dire que la grille du quatrième transistor à effet de champ Q4 est de niveau haut, de sorte que le quatrième transistor à effet de champ Q4 est conducteur, c'est pourquoi la grille du second transistor à effet de champ Q2 est limitée à 0 par le quatrième transistor à effet de champ Q4 via la quatrième résistance R4 et la seconde diode D2, de sorte que le signal de niveau haut de la seconde bobine S2 est limité et ne peut pas commander le second transistor à effet de champ Q2. C'est-à-dire que la durée de temps mort du second transistor à effet de champ Q2 est prolongée et que la largeur d'impulsion du signal de commande est rendue étroite. Lorsque le second transistor à effet de champ Q2 et sa diode intrinsèque sont coupés et que le premier transistor à effet de champ Q1 et sa diode intrinsèque sont conducteurs, le premier transistor à effet de champ Q1 et sa diode intrinsèque sont conducteurs, la tension Vds entre le drain du premier transistor à effet de champ Q1 et la source est de OV, de sorte que la tension de la grille du troisième transistor à effet de champ Q3 est de OV, ledit troisième transistor à effet de champ Q3 est coupé, la conductivité du premier transistor à effet de champ Q1 peut être commandée par le signal de commande de niveau haut de la seconde bobine S1 via la seconde résistance R2 et la première diode Dl. Lorsque la diode intrinsèque du second transistor à effet de champ Q2 est conductrice et que le premier transistor à effet de champ Q1 et sa diode intrinsèque sont coupés, la tension Vds entre le drain du premier transistor à effet de champ Q1 et la source est de 400V, de sorte que la tension de la grille du troisième transistor à effet de champ Q3 équivaut à la tension aux deux extrémités de la cinquième résistance R5, c'est-à-dire que la grille du troisième transistor à effet de champ Q3 est de niveau haut, de sorte que le troisième transistor à effet de champ Q3 est conducteur, c'est pourquoi la grille du premier transistor à effet de champ Q1 est limitée à 0 par le troisième transistor à effet de champ Q3 via la seconde résistance R2 et la première diode D1, de sorte que le signal de niveau haut de la première bobine S1 est limité et ne peut pas commander le premier transistor à effet de champ Ql. C'est-à-dire que la durée de temps mort du premier transistor à effet de champ Q1 est prolongée et que la largeur d'impulsion du signal de commande est rendue étroite. Lorsqu'arrive le signal de commande 15V de niveau haut de la première bobine S1 et que le troisième transistor à effet de champ Q3 est coupé, le signal commande la conductivité du premier transistor à effet de champ Q1 via la seconde résistance R2 et la première diode Dl. Lorsque la première bobine S1 passe de 15V niveau haut à 15V niveau bas, la première triode Q11 est conductrice et le premier transistor à effet de champ Q1 est rapidement coupé via la première résistance Rl. Il faut expliquer que 5 dans le présent mode de réalisation, le réglage de la valeur de la seconde résistance R2 permet d'ajuster la vitesse de conductivité du premier transistor à effet de champ Q1 ; le réglage de la valeur de la première résistance R1 permet d'ajuster la vitesse de coupe du 10 premier transistor à effet de champ Ql. Lorsqu'arrive le signal de commande 15V de niveau haut de la seconde bobine S2 et que le quatrième transistor à effet de champ Q4 est coupé, le signal commande la conductivité du second transistor à effet de champ Q2 via 15 la quatrième résistance R4 et la seconde diode D2. Lorsque la première bobine S2 passe de 15V niveau haut à 15V niveau bas, la seconde triode Q12 est coupée et le second transistor à effet de champ Q2 est rapidement coupé via la troisième résistance R3. Il faut expliquer que dans le 20 présent mode de réalisation, le réglage de la valeur de la quatrième résistance R4 permet d'ajuster la vitesse de conductivité du second transistor à effet de champ Q2 ; le réglage de la valeur de la troisième résistance R3 permet d'ajuster la vitesse de coupe du second transistor à effet 25 de champ Q2. Pour résumer ce qui précède, dans la présente invention, grâce à l'agencement du premier circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle et du second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle, lorsque le transformateur de commande émet un signal de commande à tension positive au circuit de commande correspondant, le circuit de commande correspondant émet un signal de commande à tension 5 positive ; lorsque le transformateur de commande émet un signal de commande à tension négative, le circuit de commande correspondant émet un signal de commande à tension nulle, en outre le courant de la bobine du transformateur de commande correspondant est limité à moins de quelques 10 milliampères, afin de réduire la consommation d'électricité et le retard de commande. Le premier sous-circuit contrôle de temps mort adaptable surveille en temps réel la tension Vds du premier transistor à effet de champ, lorsque la tension Vds du premier transistor à effet de champ est 15 inférieure à sa tension de fonctionnement, ledit premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable ne fonctionne plus, lorsque la tension Vds du premier transistor à effet de champ est égale à la tension de fonctionnement, le premier sous-circuit à contrôle de temps 20 mort adaptable surveille l'ouverture et l'état de recouvrement inverse des diodes intrinsèques du premier transistor à effet de champ, et ajuste la largeur d'impulsion du signal de commande correspondant ; parallèlement, un second sous-circuit à contrôle de temps 25 mort adaptable est agencé et surveille en temps réel la tension Vds du second transistor à effet de champ, lorsque la tension Vds du second transistor à effet de champ est inférieure à sa tension de fonctionnement, ledit second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable ne fonctionne plus, lorsque la tension Vds du second transistor à effet de champ est égale à la tension de fonctionnement, le second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable surveille l'ouverture et l'état de recouvrement inverse des diodes intrinsèques du second transistor à effet de champ, et ajuste la largeur d'impulsion du signal de commande correspondant, réalisant l'ajustement de temps mort adaptable. C'est pourquoi le circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande fourni par la présente invention permet de réduire les distorsions et retards de signaux de commande. En fonction de l'importance du courant de fonctionnement de la cavité du convertisseur résonnant et des spécificités de recouvrement inverse des diodes intrinsèques du premier transistor à effet de champ et du second transistor à effet de champ, il s'adapte en temps réel et ajuste le temps mort des transistors en amont et en aval d'un même bras de pont, réalisant un commutateur à tension nulle, réduisant les pertes de commutation et augmentant les rendements tout en évitant les « phénomènes de connexion directe ». Il est à noter que la source V1 susmentionnée est une source d'alimentation en courant continu de 280-430V. En outre, en référence à la Figure 2, la Figure 2 représente le schéma de circuit du second mode de réalisation du circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande de la présente invention. Dans le présent mode de réalisation, basé sur le mode de réalisation précédent, un premier groupe de diodes D11 est connecté entre la grille du troisième transistor à effet de champ Q3 et la cinquième résistance R5, ledit premier groupe de diodes D11 comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie, ladite borne d'entrée étant connectée à une extrémité de la cinquième résistance R5 avec la sixième résistance R6, la borne de sortie étant connectée à la grille du troisième transistor à effet de champ Q3 ; le premier groupe de diodes D11 étant formé par une diode ou au moins deux diodes successivement connectées en série. Le premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable 30 susmentionné comprend en outre une troisième triode Q13, ladite troisième triode Q13 étant de type triode PNP, son émetteur étant connecté à la grille dudit troisième transistor à effet de champ Q3, son collecteur étant connecté à la source du troisième transistor à effet de champ Q3, la base étant connectée à l'extrémité de connexion de la cinquième résistance R5 avec la sixième résistance R6. Un second groupe de diodes D12 est en outre connecté entre la grille du quatrième transistor à effet de champ Q4 et la septième résistance R7 susmentionnés, ledit second groupe de diodes D12 comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie, la borne d'entrée étant connectée à une extrémité de connexion de la septième résistance R7 avec la huitième résistance R8, la borne de sortie étant connectée à la grille du quatrième transistor à effet de champ Q4 ; le second groupe de diodes D12 étant formé par une diode ou au moins deux diodes successivement connectées en série. Le second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable 40 susmentionné comprend en outre une quatrième triode Q14, ladite quatrième triode Q14 étant de type triode PNP, son émetteur étant connecté à la grille dudit quatrième transistor à effet de champ Q4, son collecteur étant connecté à la source du quatrième transistor à effet de champ Q4, la base étant connectée à une extrémité de la septième résistance R7 avec la huitième résistance R8. Dans le présent mode de réalisation, nous donnons une explication détaillée à l'aide de l'exemple de la formation d'un groupe de diodes D11 à deux diodes. Le premier groupe de diodes comprend par exemple une diode d'étage avant et une diode d'étage arrière, la cathode de la diode d'étage avant constituant la borne de sortie susmentionnée, l'anode de la diode d'étage arrière constituant la borne de sortie susmentionnée, de plus l'anode de la diode d'étage avant et la cathode de la diode d'étage arrière sont connectées. Étant donné l'ajout du premier groupe de diodes D11 à la grille du troisième transistor à effet de champ Q3, la tension de seuil commandée par la grille du troisième transistor à effet de champ Q3 peut être accrue de façon adéquate. Le troisième transistor à effet de champ Q3 utilise par exemple un transistor à effet de champ commandé par 2V, à ce moment il faut une tension supérieure aux 3,4V qui parviennent aux deux extrémités de la résistance R5 pour pouvoir commander la coupe du troisième transistor à effet de champ Q3. C'est pourquoi dans la présente invention le nombre de transistors à effet de champ du premier groupe de diodes D11 peut être ajusté de façon adéquate, des transistors à effet de champ adaptés à différentes tensions de commande peuvent être choisis, parallèlement, il peut être garanti que lors du processus de mise en marche et de mise l'arrêt, les transistors à effet de champ correspondants ne fonctionnent pas, ce qui accroît l'aspect pratique du circuit. On peut comprendre que les principes du second groupe de diodes D12 et du premier groupe de diodes Dll susmentionnés sont identiques et aucune description supplémentaire n'en sera donnée. Il est bien entendu que les modes de réalisation de la présente invention qui ont été décrits ci-dessus ont été donnés à titre indicatif et non limitatif et que des modifications peuvent être apportées sans que l'on s'écarte pour autant du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS1 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande, caractérisé par le fait qu'il 5 comprend : une source électrique (V1), un premier transistor à effet de champ (Q1) et un second transistor à effet de champ (Q2), le drain du premier transistor à effet de champ (Q1) étant connecté à la borne positive de ladite source 10 électrique (V1), la source étant connectée au drain dudit second transistor à effet de champ (Q2), la source dudit second transistor à effet de champ (Q2) étant connectée à la borne négative de ladite source électrique (V1) ; un transformateur de commande (T1) doté d'une 15 première bobine (S1) et d'une seconde bobine (S2) ; un premier circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle (10), dont une extrémité est connectée à ladite première bobine (S1) et l'autre extrémité est connectée à la grille dudit premier 20 transistor à effet de champ (Q1) ; un second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle (20), dont une extrémité est connectée à ladite seconde bobine (S2) et l'autre extrémité est connectée à la grille dudit second transistor à effet 25 de champ (Q2) ; un premier sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable (30) servant à fournir à la grille dudit premier transistor à effet de champ (Q1) le niveau électrique correspondant à la tension Vds entre le drain dudit premier 30 transistor à effet de champ (Q1) et la source ; etun second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable (40) servant à fournir à la grille dudit second transistor à effet de champ (Q2) le niveau électrique correspondant à la tension Vds entre le drain dudit second transistor à effet de champ (Q2) et la source. 2 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit premier circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle (10) comprend une première résistance (R1), une seconde résistance (R2), une première diode (D1) et une première triode (Q11), dans lequel la première triode (Q11) est une triode PNP dont la base est respectivement connectée à une extrémité de ladite première bobine (S1) et de ladite seconde résistance (R2) via la première résistance (R1), le collecteur est connecté à l'autre extrémité de ladite première bobine (S1), l'émetteur est connecté à la cathode de ladite première diode (D1), en outre l'anode de ladite première diode (D1) est connectée à l'autre extrémité de ladite seconde résistance (R2). 3 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit second circuit de commande rapide à tension positive unidirectionnelle (20) comprend une troisième résistance (R3), une quatrième résistance (R4), une seconde diode (D2) et une seconde triode (Q12), dans lequel la seconde triode (Q12) est unetriode PNP dont la base est respectivement connectée à une extrémité de ladite seconde bobine (S2) et de ladite quatrième résistance (R4) via la troisième résistance (R3), le collecteur est connecté à l'autre extrémité de ladite seconde bobine (S2), l'émetteur est connecté à la cathode de ladite seconde diode (D2), en outre l'anode de ladite seconde diode (D2) est connectée à l'autre extrémité de ladite quatrième résistance (R4) ; l'extrémité connectant ladite première bobine (S1) et ladite première résistance (R1) et l'extrémité connectant ladite seconde bobine (S2) et le collecteur de ladite seconde triode (Q12) sont des extrémités homonymes. 4 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de 15 transformateur de commande selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit premier sous-circuit contrôle de temps mort adaptable (30) comprend un troisième transistor à effet de champ (Q3), une troisième diode (D3), une cinquième résistance (R5) et une sixième résistance 20 (R6), dans lequel le drain dudit troisième transistor à effet de champ (Q3) est connecté à la grille dudit premier transistor à effet de champ (Q1), la source est connectée à la source dudit premier transistor à effet de champ (Q1), la grille est respectivement connectée à la source dudit 25 premier transistor à effet de champ (Q1) via la cinquième résistance (R5) et à la cathode de ladite troisième diode (D3) via la sixième résistance (R6), l'anode de ladite troisième diode (D3) est connectée au drain dudit premier transistor à effet de champ (Q1). 5 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande selon la revendication 4, caractérisé par le fait qu'un premier groupe de diodes (D11) est en outre connecté entre la grille dudit troisième transistor à effet de champ (Q3) et ladite cinquième résistance (R5), ledit premier groupe de diodes (D11) comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie, ladite borne d'entrée étant connectée à une extrémité de ladite cinquième résistance (R5) avec ladite sixième résistance (R6), la borne de sortie étant connectée à la grille dudit troisième transistor à effet de champ (Q3) ; ledit premier groupe de diodes (D11) étant formé par une diode ou au moins deux diodes successivement connectées en série. 6 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande selon la revendication 5, caractérisé par le fait que ledit premier sous-circuit contrôle de temps mort adaptable (30) comprend en outre une troisième triode (Q13), ladite troisième triode (Q13) étant de type triode PNP, son émetteur étant connecté à la grille dudit troisième transistor à effet de champ (Q3), son collecteur étant connecté à la source dudit troisième transistor à effet de champ (Q3), la base étant connectée à l'extrémité de connexion de ladite cinquième résistance (R5) avec ladite sixième résistance (R6). 7 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit second sous-circuit contrôle de temps mort adaptable (40) comprend un quatrième transistor à effet de champ (Q4), une quatrième diode (D4), une septième résistance (R7) et une huitième résistance (R8), dans lequel le drain du quatrième transistor à effet de champ (Q4) est connecté à la grille dudit second transistor à effet de champ (Q2), la source est connectée à la source dudit second transistor à effet de champ (Q2), la grille est respectivement connectée à la source dudit second transistor à effet de champ (Q2) via la septième résistance (R7) et à la cathode de ladite quatrième diode (D4) via la huitième résistance (R8), l'anode de ladite quatrième diode (D4) est connectée au drain dudit second transistor à effet de champ (Q2). 8 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de transformateur de commande selon la revendication 7, caractérisé par le fait qu'un second groupe de diodes (D12) est en outre connecté entre la grille dudit quatrième transistor à effet de champ (Q4) et ladite septième résistance (R7), ledit second groupe de diodes (D12) comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie, ladite borne d'entrée étant connectée à une extrémité de connexion de ladite septième résistance (R7) avec ladite huitième résistance (R8), la borne de sortie étant connectée à la grille dudit quatrième transistor à effet de champ (Q4) ; ledit second groupe de diodes (D12) étantformé par une diode ou au moins deux diodes successivement connectées en série. 9 - Circuit de commande adaptatif d'isolation de 5 transformateur de commande selon la revendication 8, caractérisé par le fait que ledit second sous-circuit à contrôle de temps mort adaptable (40) comprend en outre une quatrième triode (Q14), ladite quatrième triode (Q14) étant de type triode PNP, son émetteur étant connecté à la grille 10 dudit quatrième transistor à effet de champ (Q4), son collecteur étant connecté à la source dudit quatrième transistor à effet de champ (Q4), la base étant connectée à une extrémité de ladite septième résistance (R7) avec ladite huitième résistance (R8).