Brevet FR3006110A1 — publié le 20141128

Dispositif émetteur de lumière de type coeur-coquille à haut rendement Domaine technique de l'invention L'invention concerne le domaine de l'émission de lumière à base de diode électroluminescente. L'invention a pour objet plus particulièrement un dispositif émetteur de 15 lumière. État de la technique 20 Dans le domaine des diodes électroluminescentes, il existe des diodes planaires, dites « 2D » et des diodes en trois dimensions, dites « 3D ». De nombreux matériaux peuvent être utilisés pour former ces diodes. Le principe de base d'une diode consiste en l'injection de trous et d'électrons en vue de provoquer leurs recombinaisons pour émettre de la 25 lumière, c'est-à-dire générer des photons. Les diodes 2D présentent le désavantage d'avoir beaucoup de défauts cristallographiques dans lesquels on a bien des recombinaisons de trous et d'électrons mais qui génèrent de la chaleur à la place de photons. 10 3006 1 10 2 Ainsi, dans le but de réduire les recombinaisons non-émissives de photons et d'ainsi améliorer l'efficacité d'une diode, il a été développé des diodes 3D appelées coeur/coquille. En fait, une telle diode comporte une âme formée par un nano-élément (notamment sous forme de tige) 5 s'étendant à partir d'un substrat, et autour de laquelle on a fait croître le reste de la diode pour profiter de toute ou partie de la surface extérieure de l'âme pour former une jonction entre deux semi-conducteurs. Le document KR20120055390 décrit une diode 3D comprenant une tige formée par un premier matériau semi-conducteur dopé n s'élevant d'un substrat. La tige est recouverte par une couche active, elle-même recouverte par un deuxième matériau semi-conducteur dopé p. le deuxième matériau semi-conducteur est entièrement recouvert par une électrode destinée à injecter les trous. Par ailleurs, au niveau d'une extrémité de la tige opposée au substrat, un troisième matériau semi- conducteur est interposé entre la couche active et le deuxième matériau semi-conducteur. Le troisième matériau semi-conducteur peut être dopé p, mais de dopage inférieur au dopage p du deuxième matériau, ou peut aussi ne pas être dopé. Ce troisième semi-conducteur disposé au niveau de la pointe de la tige permet de réduire les fuites de courant, améliorant ainsi l'efficacité et le rendement de la diode. En particulier, le troisième semi-conducteur accroit l'impédance de la diode électroluminescente au niveau de la pointe de la tige de façon à ce qu'elle devienne supérieure à celle sur les flancs de la tige. Dans le cas présent, il s'agit de la formation d'une barrière énergétique puisque un dopage plus faible forme une barrière. Le dépôt spécifique du troisième matériau n'est pas aisé car il doit être localisé uniquement au niveau de la pointe de l'âme, demandant ainsi une épitaxie spécifique de croissance coûteuse. Objet de l'invention Le but de la présente invention est de proposer une solution permettant d'améliorer le rendement et l'efficacité des diodes électroluminescentes (ou LED). On tend vers ce but notamment grâce à un dispositif émetteur de lumière comprenant : - un premier élément semi-conducteur à champ électrique interne comportant une première surface de première orientation cristallographique polaire et/ou semi-polaire, et une deuxième surface de deuxième orientation cristallographique non polaire, - une jonction destinée à émettre de la lumière et formée entre le premier élément semi-conducteur et un deuxième élément semi- conducteur au moins au niveau de la deuxième surface, - une électrode disposée en regard de la deuxième surface, avec interposition du deuxième élément semi-conducteur et ne présentant pas de partie à l'aplomb de la première surface. Avantageusement, le dispositif comporte un substrat et un organe comprenant une paroi latérale s'étendant du substrat et rejoignant une extrémité de l'organe opposée au substrat, l'organe comportant le premier élément semi-conducteur de sorte que l'extrémité de l'organe délimite la première surface et que la deuxième surface est délimitée par au moins une partie de la paroi latérale. De préférence, le deuxième élément semi-conducteur est disposé de sorte à former la jonction au niveau de la première surface et de la deuxième surface, notamment formant respectivement une première diode électroluminescente et une deuxième diode électroluminescente. En fait, l'électrode peut être agencée de sorte à ce que le passage du courant dans la deuxième diode électroluminescente soit favorisé par rapport au passage du courant dans la première diode électroluminescente. Par exemple, la résistance électrique entre l'électrode et la première surface est supérieure à la résistance électrique entre l'électrode et la deuxième surface. Selon une réalisation, l'extrémité de l'organe est disposée entre le substrat et une troisième surface planaire, notamment sensiblement parallèle au substrat, au niveau de laquelle l'électrode et le deuxième élément semi-conducteur affleurent. Selon une autre réalisation, l'extrémité de l'organe et une face de l'électrode opposée au substrat sont incluses dans un même plan, de préférence sensiblement parallèle au plan du substrat. De préférence, le deuxième élément semi-conducteur forme un fourreau 20 dans lequel est disposée au moins une partie de l'organe comprenant l'extrémité dudit organe. Avantageusement, le deuxième élément semi-conducteur est disposé de sorte à former la jonction avec le premier élément semi-conducteur uniquement au niveau de la deuxième surface. Selon une réalisation particulière, le dispositif comporte une troisième surface planaire au niveau de laquelle affleurent l'extrémité de l'organe, le deuxième élément semi-conducteur, et une face de l'électrode opposée au substrat, la troisième surface étant de préférence inclue dans un plan sensiblement parallèle au plan du substrat. Selon une autre réalisation particulière, le dispositif comporte une troisième surface planaire au niveau de laquelle affleurent l'extrémité de l'organe et le deuxième élément semi-conducteur, et il comporte un épaulement formé par l'électrode et le deuxième élément semi- conducteur de sorte que la troisième surface est disposée entre le substrat et un plan incluant une face de l'électrode opposée au substrat. De préférence, le dispositif comporte un nanofil dont au moins une partie forme le premier élément semi-conducteur. L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif émetteur de lumière comportant les étapes suivantes : - la formation d'un premier élément semi-conducteur à champ électrique interne comportant une première surface de première orientation cristallographique polaire et/ou semi-polaire, et une deuxième surface de deuxième orientation cristallographique non polaire, - la formation d'une jonction émettrice de lumière entre le premier élément semi-conducteur et un deuxième élément semi- conducteur au moins au niveau de la deuxième surface. - la formation d'une électrode associée au deuxième semiconducteur et disposée de sorte à ne pas présenter de partie à l'aplomb de la première surface. De préférence, le procédé comporte les étapes suivantes : - fournir un substrat, notamment un substrat en saphir, - faire croître, à partir du substrat, un nanofil formant le premier élément semi-conducteur, de sorte que la paroi latérale du nanofil forme la deuxième surface et rejoigne une extrémité du nanofil opposée au substrat formant la première surface, - recouvrir au moins une partie du nanofil correspondant à la deuxième surface, avec ou sans interposition de puits quantiques, avec le deuxième élément semi-conducteur, Avantageusement, l'étape de formation de l'électrode comporte : - une étape de recouvrement du deuxième élément semi- conducteur, de préférence en totalité sauf au niveau d'une face du deuxième élément semi-conducteur en regard du substrat, par un matériau destiné à former ladite électrode. - une étape de retrait par gravure en direction du substrat d'une partie du matériau destiné à former l'électrode au moins jusqu'à affleurement du deuxième élément semi-conducteur, ou une étape de retrait par gravure en direction du substrat d'une partie du matériau destiné à former l'électrode et d'une partie du deuxième élément semi-conducteur au moins jusqu'à affleurement de la première surface. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés sur les dessins annexés, dans lesquels : - la figure 1 illustre une structure de bande d'une diode électroluminescente donnant l'énergie en fonction de la profondeur pour une orientation cristallographie polaire, - la figure 2 illustre une structure de bande d'une diode électroluminescente donnant l'énergie en fonction de la profondeur pour une orientation cristallographie apolaire, - les figures 3 et 4 illustrent une mise en oeuvre d'un dispositif émetteur de lumière selon une réalisation de l'invention, - la figure 5 illustre les plans d'orientation cristallographique au niveau d'un nanofil, - la figure 6 est une vue en coupe d'une première mise en oeuvre d'un premier mode d'exécution de l'invention, - la figure 7 est une vue en coupe d'une deuxième mise en oeuvre d'un premier mode d'exécution de l'invention, - la figure 8 illustre une vue en perspective de la figure 6, - la figure 9 illustre une vue en coupe selon la ligne de coupe Cl de la figure 8, ladite vue étant orientée vers le substrat, - la figure 10 est une vue en coupe d'une première mise en oeuvre d'un deuxième mode d'exécution de l'invention, - la figure 11 est une vue en coupe d'une deuxième mise en oeuvre d'un deuxième mode d'exécution de l'invention, - la figure 12 illustre une vue en perspective de la figure 10, - les figures 13 à 15 illustrent différentes étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif émetteur de lumière, - la figure 16 illustre une vue en coupe d'une réalisation particulière de l'invention sur la base de la figure 6. Description de modes préférentiels de l'invention On s'intéresse ici plus particulièrement aux diodes électroluminescentes (aussi connues sous l'acronyme LED par l'homme du métier), notamment de type coeur-coquille, dont la jonction p/n comporte un matériau semiconducteur présentant un champ électrique interne. Un tel matériau peut, par exemple, être un nitrure semi-conducteur en phase cristalline wurtzite comme le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, ou peut-être de l'oxyde de zinc, etc. Les analyses réalisées dans le cadre de l'invention ont démontrées que la présence d'un champ électrique interne dans un matériau semi- conducteur peut provoquer un déséquilibre lorsque la cristallographie du matériau présente des plans d'orientation différents. Dans le cas particulier du GaN, un champ électrique interne géant, pouvant atteindre des valeurs de 9MW/cm est orienté comme le plan C (0001). Le plan C est dit alors polaire. A l'inverse, le plan M (1100) est non polaire. En conséquence, dans les boites/puits quantiques à base de GaN orientées selon le plan C, le champ électrique interne induit une modification des propriétés optiques et principalement une réduction de l'efficacité radiative, plus connue sous le nom d'effet Stark confiné quantique. En 3006 1 10 9 revanche, pour les boites/puits quantiques orientées selon des plans non polaires (plan M : 1100) ou semi-polaires, l'effet Stark est respectivement absent ou simplement réduit. Les figures 1 et 2 illustrent une structure de bandes calculée dans le cas d'un puits de GaN/AIGaN réalisé selon les 5 orientations (0001) donc un plan polaire pour la figure 1, et (1100) donc un plan non polaire pour la figure 2. L'effet Stark se manifeste par un non recouvrement des fonctions d'onde des électrons et des trous. Autrement dit, lorsqu'une diode a une structure présentant une orientation polaire et une orientation non polaire, le courant optera principalement pour une 10 zone de la diode présentant une impédance plus faible (c'est-à-dire une tension seuil plus faible ou une résistance série plus faible), ainsi, une grande majorité du courant passera par la zone de plan polaire. Cependant, cette zone de plan polaire est associée à un effet Stark comme évoqué ci-dessus et donc le rendement en est grandement 15 diminué du fait du non recouvrement illustré à la figure 1. De plus, l'effet Stark génère un spectre décalé vers le rouge, ce qui n'est pas souhaitable dans le cadre d'un dispositif émetteur de lumière. Ainsi, des enseignements donnés ci-dessus, il a résulté le développement d'un dispositif émetteur de lumière particulièrement 20 adapté de sorte à présenter un bon rendement et à favoriser le passage du courant par une surface d'orientation cristallographique non polaire afin d'obtenir le meilleur recouvrement des fonctions d'onde des électrons et des trous. Comme illustré aux figures 3 et 4, le dispositif émetteur de lumière 1 25 comprend un premier élément semi-conducteur 2 à champ électrique interne comportant une première surface 2a de première orientation cristallographique polaire et/ou semi-polaire, et une deuxième surface 2b de deuxième orientation cristallographique non polaire (aussi appelée apolaire). Autrement dit, le premier élément semi-conducteur 1 peut être formé par un nitrure semi-conducteur en phase cristalline wurtzite, notamment le nitrure de gallium, ou le nitrure d'aluminium. Ce premier élément semi-conducteur 2 est avantageusement dopé n. En outre, le dispositif 1 comporte un deuxième élément semi-conducteur 3, avantageusement dopé p. Une jonction 4 destinée à émettre de la lumière est formée entre le premier élément semi-conducteur 2 et le deuxième élément semi-conducteur 3 au moins au niveau de la deuxième surface 2b. On comprend alors que la jonction 4 est une jonction p/n. Le dispositif 1 comporte aussi une électrode 5 disposée en regard de la deuxième surface 2b, avec interposition du deuxième élément semi-conducteur 3 et ne présentant pas de partie à l'aplomb de la première surface 2a. Ainsi, dans ces conditions, le dispositif émetteur de lumière forme une diode électroluminescente. Par « jonction formée entre le premier élément semi-conducteur 2 et le deuxième élément semi-conducteur 3 au moins au niveau de la deuxième surface 2b », on entend que le deuxième élément semiconducteur 3 recouvre tout ou partie de la deuxième surface 2b avec éventuellement interposition d'une couche/zone active comprenant, par exemple, des puits quantiques. En fait, l'électrode 5 est configurée de sorte à injecter des porteurs dans le deuxième élément semi-conducteur 3. Lorsque ce deuxième élément semi-conducteur 3 est dopé p, l'électrode est configurée de sorte à injecter des trous dans le deuxième élément semi-conducteur 3. L'électrode 5 peut être en OTC (pour oxyde transparent conducteur). Par ailleurs, une autre électrode 6 peut être formée de sorte à injecter des porteurs dans le premier élément semi-conducteur 2 (pointillés). Lorsque ce premier élément semi-conducteur 2 est dopé n, ladite autre électrode 6 est configurée de sorte à injecter des électrons dans le premier élément semi-conducteur 2. Les premier et deuxième éléments semi-conducteurs 2,3 peuvent être constitués de mêmes matériaux mais dopés différemment entre un dopage p et un dopage n, ou peuvent être constitués de matériaux différents dopés différemment entre un dopage p et un dopage n. Par « à l'aplomb », on entend par exemple que la normale de la première surface 2a, de préférence en tout point de la première surface 2a, ne passe pas par l'électrode 5 associée au deuxième élément semiconducteur 3. Ainsi, en évitant de placer une partie d'électrode 5 en face de la première surface 2a, on évite, ou on limite, l'utilisation de la première surface 2a dans le cadre de la génération de photons. Comme illustré à la figure 4, le dispositif 1 peut avantageusement comporter un substrat 7 et un organe 8 comprenant une paroi latérale 8a s'étendant du substrat 7 et rejoignant une extrémité 8b de l'organe 8 opposée au substrat 7. L'organe 8 comporte le premier élément semiconducteur 2 de sorte que l'extrémité 8b de l'organe 8 délimite (ou avantageusement constitue) la première surface 2a et que la deuxième surface 2b est délimitée par au moins une partie de la paroi latérale 8a. L'organe 8 peut être constitué par le premier élément semi-conducteur 2. 3006 1 10 12 Selon une réalisation non limitative, le rapport de la hauteur de l'organe 8 sur le plus grand diamètre de sa section est supérieur ou égal à 1 et inférieur à 1000. Pour un rapport de 1, cela signifie que la surface d'occupation au sol est proche de la surface active du composant (par 5 exemple à un facteur 2 près). Au-delà d'un facteur 1000, l'organe serait très long et, dans ces conditions, il serait compliqué de distribuer le courant jusqu'au sommet de l'organe 8. Avantageusement, l'organe 8 peut être obtenu par nucléation et croissance à partir du substrat 7. Ainsi, un élément de nucléation 9 peut 10 former la base de l'organe 8 à son interface avec le substrat 7. Selon un mode d'exécution préférentiel, le dispositif comporte un nanofil dont au moins une partie forme le premier élément semi-conducteur 2. En fait, l'organe 8 peut être constitué par le nanofil, par exemple obtenu par croissance à partir de l'élément de nucléation 9. Ainsi, le dispositif 15 émetteur de lumière peut comporter une diode électroluminescente coeur-coquille formée en partie par le nanofil. De préférence, le nanofil présente, dans un plan sensiblement perpendiculaire à sa direction de croissance (c'est-à-dire un plan sensiblement parallèle au plan du substrat), une section de profil hexagonale. La figure 5 illustre l'organe 8 20 constitué par un nanofil après sa croissance à partir du substrat 7. Dans ce cas, la paroi latérale 8a est délimitée par six pans plans adjacents deux à deux et s'étendant chacun entre le substrat 7 et l'extrémité 8b de l'organe 8. Cette forme hexagonale peut être obtenue à partir d'un substrat en saphir, par exemple par croissance d'un nanofil en nitrure de gallium. Il résulte d'une telle croissance, notamment lorsque le substrat 7 est d'orientation 111 sans couche de nucléation, que l'extrémité 8b est d'orientation cristallographique sur plan C (c'est-à-dire orientation polaire) et que chacun des pans présente une orientation cristallographique sur plan M, (c'est-à-dire non polaire). En fait, de manière générale, si le deuxième élément semi-conducteur 3 recouvre la première surface 2a et la deuxième surface 2b, il résulte la formation de deux types de diodes électroluminescentes au sein de la même jonction. Une première diode dite axiale utilisant la première surface 2a et une deuxième diode dite radiale utilisant la deuxième surface 2b. Ainsi, l'approche proposée consiste selon un premier mode d'exécution à conserver ces deux types de diode en favorisant la diode radiale dans laquelle l'effet Stark est très limité ou absent (cas de la figure 2), et selon un deuxième mode, plus radical, à supprimer la diode axiale. Dans les différents modes d'exécution décrits ci-après, l'électrode 5 et le deuxième élément semi-conducteur 3 forment préférentiellement une structure s'étendant entre un premier plan Pl et un deuxième plan P2 sensiblement parallèles entre eux, ces premier et deuxième plans P1, P2 étant aussi sensiblement parallèles à un troisième plan P3 incluant le substrat 7, le premier plan P1 étant plus éloigné du substrat 7 que le deuxième plan P2. Selon le premier mode d'exécution illustré aux figures 6 et 7, le deuxième élément semi-conducteur 3 est disposé de sorte à former la jonction au niveau de la première surface 2a et de la deuxième surface 2b, ceci formant notamment respectivement une première diode électroluminescente et une deuxième diode électroluminescente. Autrement dit, le deuxième élément semi-conducteur 3 recouvre tout ou partie de la première surface 2a et tout ou partie de la deuxième surface 2b avec ou sans interposition d'une couche active comprenant par exemple des puits quantiques. En fait, selon ce premier mode de réalisation, l'électrode 5 est agencée de sorte à ce que le passage du courant dans la deuxième diode électroluminescente soit favorisé par rapport au passage du courant dans la première diode électroluminescente. Ceci peut, par exemple, être réalisé par le fait que la résistance électrique entre l'électrode 5 et la première surface 2a est supérieure à la résistance électrique entre l'électrode 5 et la deuxième surface 2b. Pour comprendre le phénomène, il faut représenter la première diode électroluminescente et la deuxième diode électroluminescente comme des diodes électroluminescentes branchées en parallèle. Comme évoqué précédemment, dans le cas classique la première diode électroluminescente consomme une grande partie du courant et pour rééquilibrer les choses il suffit d'augmenter la résistance série de la première diode électroluminescente. La suppression d'une partie de l'électrode 5 à l'aplomb va forcer le courant à circuler dans le deuxième élément semi-conducteur et faire plus de chemin pour passer par l'électrode 5 associée au deuxième élément semi-conducteur 3. Selon une première mise en oeuvre du premier mode d'exécution illustrée à la figure 6, l'extrémité 8b (délimitant la première surface 2a) de l'organe 8 est disposée entre le substrat 7 et une troisième surface planaire 10, notamment sensiblement parallèle au substrat 7, au niveau de laquelle l'électrode 5 et le deuxième élément semi-conducteur 3 affleurent. De préférence, la troisième surface planaire 10 est constituée par l'affleurement de l'électrode 5 et du deuxième élément semi-conducteur 3. Plus particulièrement, la troisième surface 10 peut être incluse dans le premier plan P1 et l'électrode 5 et le deuxième élément semi-conducteur 3 affleurent aussi au niveau du deuxième plan P2. Par ailleurs, l'extrémité 8b peut être incluse dans un quatrième plan P4 sensiblement parallèle aux plans P1, P2 et P3 et disposé entre les premier et deuxième plans PI et P2. Selon une deuxième mise en oeuvre du premier mode d'exécution illustrée à la figure 7, l'extrémité 8b (délimitant la première surface 2a) de l'organe 8 et une face de l'électrode 5 opposée au substrat 7 sont incluses dans un même plan (P4), de préférence sensiblement parallèle au plan du substrat 7. Plus particulièrement, une face du deuxième élément semi-conducteur 3 opposée au substrat 7 peut être incluse dans le premier plan P1, une face de l'électrode 5 et une face du deuxième élément semi-conducteur 3 en regard du substrat 7 peuvent être incluses dans le deuxième plan P2 et l'extrémité 8b et une face de l'électrode opposée au substrat peuvent être incluses dans un quatrième plan P4 parallèle aux plans P1, P2 et P3 et disposé entre les premier et deuxième plans PI et P2. La deuxième mise en oeuvre du premier mode d'exécution est avantageuse par rapport à la première mise en oeuvre du premier mode d'exécution dans le sens où elle magnifie la valeur de la résistance série de la première diode, le courant aura alors encore plus tendance à passer par la deuxième diode au détriment de la première diode. De manière équivalente, l'électrode 5 pourra également présenter une épaisseur croissante au moins entre les plans PI et P4 de la figure 7. De préférence, comme illustré aux figures 8 et 9, le deuxième élément 25 semi-conducteur 3 forme un fourreau dans lequel est disposée au moins une partie de l'organe 8 comprenant l'extrémité dudit organe 8. Par définition, un fourreau comporte un trou non débouchant, le fond du trou non débouchant étant alors en face de la première surface 2a. Par ailleurs, de préférence uniquement, la paroi latérale du deuxième élément semi-conducteur 3, c'est-à-dire une paroi du deuxième élément semi-conducteur 3 sensiblement perpendiculaire au substrat 7, est recouverte par l'électrode 5. Autrement dit, l'électrode 5 peut former une gaine ouverte à ses deux extrémités et entourant le deuxième élément semi-conducteur 3. Selon un deuxième mode d'exécution illustré aux figures 10 et 11, le deuxième élément semi-conducteur 3 est disposé de sorte à former la jonction 4 avec le premier élément semi-conducteur 2 uniquement au niveau de la deuxième surface 2b. Autrement dit, la première surface 2a ne participe pas à former la jonction 4, c'est-à-dire qu'à l'aplomb de la première surface 2a, il n'y a pas de partie du deuxième élément semi- conducteur 2, ni d'éventuelle couche active contenant des puits quantiques. Selon une première mise en oeuvre du deuxième mode d'exécution illustrée à la figure 10, le dispositif comporte une troisième surface planaire 10 au niveau de laquelle affleurent l'extrémité 8b de l'organe 8 (délimitée par la première surface 2a), le deuxième élément semi- conducteur 3, et une face de l'électrode 5 opposée au substrat 7, la troisième surface 10 étant de préférence inclue dans un plan sensiblement parallèle au plan du substrat 7, notamment le premier plan P1 défini précédemment. Une face de l'électrode 5 et une face du deuxième élément semi-conducteur 3 en regards du substrat 7 peuvent être incluses dans le deuxième plan P2 disposé entre le premier plan P1 et le troisième plan P3 incluant le substrat 7. Selon une deuxième mise en oeuvre du deuxième mode d'exécution illustrée à la figure 11, le dispositif comporte une troisième surface planaire 10 au niveau de laquelle affleurent l'extrémité 8b de l'organe 8 (délimitée par la première surface 2a) et le deuxième élément semi- conducteur 3. Par ailleurs le dispositif comporte un épaulement 11 formé par l'électrode 5 et le deuxième élément semi-conducteur 3 de sorte que la troisième surface 10 est disposée entre le substrat 7 et un plan incluant une face de l'électrode 5 opposée au substrat 7. Dans ce cas, le premier plan P1 peut inclure la face de l'électrode 5 opposée au substrat 7, le deuxième plan P2 peut inclure une face de l'électrode 5 et une face du deuxième élément semi-conducteur 3 en regards du substrat 7, et un quatrième plan P4 peut inclure la troisième surface 10. Les première et deuxième mises en oeuvre du deuxième mode d'exécution permettent toutes deux de supprimer la première diode électroluminescente évoquée précédemment. De préférence, comme illustré à la figure 12, le deuxième élément semi-conducteur 3 et l'électrode 5 forment chacun une gaine ouverte à ses deux extrémités, la gaine formée par le deuxième élément semi-conducteur 3 entourant au moins une partie de l'organe 8 et la gaine formée par l'électrode 5 entourant le deuxième élément semi-conducteur 3. Ces deux gaines sont, de préférence, coaxiales et d'axe sensiblement parallèles à l'axe longitudinal de l'organe 8 sensiblement perpendiculaire au substrat 7. L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif émetteur de lumière notamment tel que décrit précédemment. Un tel procédé de fabrication peut comporter une étape de formation d'un premier élément semi-conducteur 2 à champ électrique interne comportant une première surface 2a de première orientation cristallographique polaire et/ou semi-polaire et une deuxième surface 2b de deuxième orientation cristallographique non polaire comme illustré à la figure 13. En particulier, il peut être fourni un substrat 7 (figure 13), notamment un substrat en saphir, et l'étape de formation du premier élément semi- conducteur 2 peut être réalisée notamment en faisant croître, à partir du substrat 7, un nanofil formant le premier élément semi-conducteur 2 (de préférence à partir d'un élément de nucléation 9), de sorte que la paroi latérale du nanofil forme la deuxième surface 2b et rejoigne une extrémité du nanofil, opposée au substrat 7, formant la première surface 2a. Par ailleurs, le procédé peut comporter une étape de dopage, notamment de type n, du premier élément semi-conducteur 2 en vue de réaliser la jonction décrite ci-avant dans le cadre du dispositif. Par exemple, ce dopage peut être réalisé au cours de la croissance du premier élément semi-conducteur. Le dopage n peut être réalisé en introduisant lors de la croissance un précurseur d'un donneur, dans le cas du GaN il s'agit par exemple de Si. Après l'étape de formation du premier élément semi-conducteur 2, le procédé peut comporter une étape de formation de la jonction 4 émettrice de lumière entre le premier élément semi-conducteur 2 et un deuxième élément semi-conducteur 3 au moins au niveau de la deuxième surface 2b (figure 14). Ceci peut par exemple être réalisé en recouvrant au moins une partie du nanofil 8 correspondant à la deuxième surface 2b, avec ou sans interposition de puits quantiques, avec le deuxième élément semi- conducteur 3. Par ailleurs, le procédé peut comporter une étape de dopage, notamment de type p, du deuxième élément semi-conducteur 3 en vue de réaliser la jonction 4 décrite ci-avant. Par exemple, ce dopage peut être réalisé au cours de la croissance du deuxième élément semi-conducteur. Le dopage p peut être réalisé en introduisant lors de la croissance un précurseur d'un accepteur en plus des précurseurs du GaN, dans le cas du GaN il s'agit par exemple de Mg (ou du Zn) les précurseur du GaN sont, par exemple tri méthyl gallium et ammoniac. Enfin le procédé comporte une étape de formation d'une électrode 10 associée au deuxième semi-conducteur et disposée de sorte à ne pas présenter de partie à l'aplomb de la première surface 2a (figures 3, 4, 6, 7, 8, 10, 11 et 12). L'électrode 5 peut en fait être formée en deux temps. Dans un premier temps il est réalisé au moins un recouvrement du deuxième élément 15 semi-conducteur 3, de préférence en totalité sauf au niveau d'une face du deuxième élément semi-conducteur 3 en regard du substrat 7, par un matériau 12 (par exemple du TCO) destiné à former l'électrode 5 (figure 15). Dans un deuxième temps la formation de l'électrode comporte une étape de gravure pour former l'une des réalisations choisie parmi les 20 figures 3, 4, 6, 7, 8, 10, 11 ou 12. Autrement dit, l'étape de formation de l'électrode 5 peut comporter une étape de retrait par gravure en direction du substrat 7 d'une partie du matériau destiné à former l'électrode 5 au moins jusqu'à affleurement du deuxième élément semi-conducteur 3, ou une étape de retrait par gravure en direction du substrat 7 d'une partie du 25 matériau destiné à former l'électrode et d'une partie du deuxième élément semi-conducteur 3 au moins jusqu'à affleurement de la première surface 2a. Dans le cas où l'on souhaite former un dispositif selon l'une des figures 6 ou 7, la gravure du matériau 12 destiné à former l'électrode est avantageusement anisotrope c'est-à-dire que le matériau 12 destiné à former l'électrode doit être gravé sur un plan parallèle au plan polaire ou semi-polaire issu du premier élément semi-conducteur 2, et non gravé sur les plans non polaires. Par ailleurs, la gravure du matériau destiné à former l'électrode 5 présente, de préférence, une sélectivité de gravure importante par rapport aux semi-conducteurs formant le dispositif, ceci afin d'éviter de détériorer le reste du dispositif (notamment le nanofil). Si le premier élément semi-conducteur 2 est en GaN et l'électrode 5 est un oxyde transparent conducteur composé d'ITO (oxyde d'indium-étain), on pourra, par exemple, utiliser un mélange gazeux comprenant du méthane et de l'hydrogène car ce mélange ne grave pas le GaN. De plus, la gravure ne requiert pas de photolithographie, car on utilise les formes atypiques d'un dispositif coeur-coquille tel qu'illustré à la figure 15. En fait, à l'issue de l'étape de retrait par gravure, on obtient une diode coeur-coquille dépourvue de son sommet en OTC. Concernant le deuxième mode d'exécution des figures 10 ou 11, le matériau 12 peut être gravé comme décrit ci-avant puis une gravure anisotropique peut venir retirer le deuxième matériau semi-conducteur 3 à l'aplomb de la première surface 2a ainsi que l'éventuelle couche active à l'aplomb de la première surface 2a. De manière générale à tout ce qui a été dit précédemment, le deuxième élément semi-conducteur 3 peut être réalisé en GaN, InGaN, AIGaN, 25 ZnO, ZnMgO, ... un semi-conducteur organique de conductivité opposée à celle du matériau composant le semi-conducteur 2 (Par exemple : Pedot-PSS, Cu Pc, NPB dopé F4TCNQ, TPD dopé F4TCNQ....)l'électrode 5 peut être réalisée en OTC (pour Oxyde Transparent Conducteur). Par ailleurs, le dispositif émetteur de lumière peut être passivé. Ainsi, de préférence, une couche de passivation est disposée de sorte à limiter autant que possible la conduction de surface des semi-conducteurs utilisés. La couche de passivation peut être formée par dépôt conforme ou non conforme d'un oxyde, d'un nitrure ou d'un oxynitrure comme par exemple SiO2, Si3N4, etc., ou encore un empilement des matériaux précités. En outre, comme évoqué, la jonction 4 entre les premier et deuxième éléments semi-conducteurs 2, 3 peut comporter une zone (ou couche) active disposée entre le premier élément semi-conducteur et le deuxième élément semi-conducteur. Cette zone active est conformée de sorte à concentrer la recombinaison des trous et des électrons injectés soit à l'interface de la jonction entre le premier élément semi-conducteur 2 et le deuxième élément semi-conducteur 3 soit dans la zone active. Cette zone active peut, par exemple, comporter une structure de type multi puits quantiques, par exemple cette zone active est à base de AlxGayln,N avec x, y et z des coefficients stoechiométriques pouvant varier chacun de 0 à 1 inclus et dont la somme est égale à 1, ces coefficients variant périodiquement pour former respectivement les puits et les barrières des puits dites « cladding layer » en langue anglaise. Bien entendu, ceci n'est qu'un exemple et l'homme du métier est capable d'adapter cette couche active en fonction de ses besoins. Selon un exemple particulier de réalisation illustré à la figure 16, le substrat 100 comporte un empilement selon une première direction dl et comprenant successivement un premier contact 101 formant une première électrode, une couche en silicium 102, une couche de nitrure d'aluminium 103. Ensuite, toujours selon cette première direction d1 un nanofil 104 en nitrure de gallium s'étend à partir de la couche de nitrure d'aluminium 103 de sorte à présenter successivement un premier dopage de type n compris entre 1019 et1029 cm-3 sur une hauteur hl d'environ 4pm et un deuxième dopage de type n à environ 1017 sur une hauteur h2 d'environ 6pm. La largeur ll de ce nanofil 104 est d'environ 1µm et sa hauteur totale h3 est d'environ 10pm. Selon une deuxième direction d2 bidirectionnelle sensiblement perpendiculaire à la première direction dl le nanofil 104 est recouvert par une couche active 105. Cette couche active 102 d'une épaisseur de lOnm selon la deuxième direction d2 comprend une alternation de couches en NID-GaN BQ (BQ pour barrière quantique ou « cladding layer ») et de couches en InGaN PQ (PQ pour puit quantique) d'épaisseur de 1,5nm de sorte à former les puits quantiques. Ensuite, toujours selon la deuxième direction d2 la zone active est recouverte par le deuxième élément semi-conducteur 106 en nitrure de gallium dopé p de sorte à former la jonction p/n. En outre, un deuxième contact 107 en OTC formant l'électrode destinée à injecter les trous dans le deuxième élément semi-conducteur présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 100pm. Dans cet exemple, le plan P1 est situé à une hauteur h4 par rapport au substrat et le plan P2 est situé à la hauteur h1. Cet exemple particulier de la figure 16 permet de former un dispositif du type de celui décrit en relation avec la figure 6, l'homme du métier est alors apte à dériver à partir de ce qui vient d'être dit les dimensions pour réaliser les dispositifs selon les différents modes d'exécution et leurs mises en oeuvres. En particulier, l'homme du métier adaptera aisément l'invention dans les cas où la surface 8b est composée de plusieurs surfaces d'orientation cristallographique distinctes de celle de la surface 8a. Un système d'affichage ou d'éclairage peut comporter un ou plusieurs dispositifs émetteurs de lumière tels que décrits ci-dessus. Dans la présente description, « sensiblement parallèle » peut correspondre à exactement parallèle ou parallèle à plus ou moins 10 degrés. Par ailleurs, « sensiblement perpendiculaire » peut correspondre à exactement perpendiculaire ou perpendiculaire à plus ou moins 10 degrés. REVENDICATIONS1. Dispositif émetteur de lumière (1) comprenant : - un premier élément semi-conducteur (2) à champ électrique interne comportant une première surface (2a) de première orientation cristallographique polaire et/ou semi-polaire, et une deuxième surface (2b) de deuxième orientation cristallographique non polaire, - une jonction (4) destinée à émettre de la lumière et formée entre le premier élément semi-conducteur (2) et un deuxième élément semi-conducteur (3) au moins au niveau de la deuxième surface, - une électrode (5) disposée en regard de la deuxième surface (2b), avec interposition du deuxième élément semi-conducteur (3) et ne présentant pas de partie à l'aplomb de la première surface (2a). 2. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat (7) et un organe (8) comprenant une paroi latérale (8a) s'étendant du substrat (7) et rejoignant une extrémité (8b) de l'organe (8) opposée au substrat (7), l'organe (8) comportant le premier élément semi-conducteur (2) de sorte que l'extrémité (8b) de l'organe (8) délimite la première surface (2a) et que la deuxième surface (2b) est délimitée par au moins une partie de la paroi latérale (8a). 3. Dispositif selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le deuxième élément semi-conducteur (3) est disposé de sorte à former la jonction (4) au niveau de la première surface(2a) et de la deuxième surface (2b), notamment formant respectivement une première diode électroluminescente et une deuxième diode électroluminescente. 4. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'électrode (5) est agencée de sorte à ce que le passage du courant dans la deuxième diode électroluminescente soit favorisé par rapport au passage du courant dans la première diode électroluminescente. 5. Dispositif selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que la résistance électrique entre l'électrode (5) et la première surface (2a) est supérieure à la résistance électrique entre l'électrode (5) et la deuxième surface (2b). 6. Dispositif selon la revendication 2 et l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que l'extrémité (8b) de l'organe (8) est disposée entre le substrat (7) et une troisième surface planaire (10), notamment sensiblement parallèle au substrat (7), au niveau de laquelle l'électrode (5) et le deuxième élément semi-conducteur (3) affleurent. 7. Dispositif selon la revendication 2 et l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que l'extrémité (8b) de l'organe (8) et une face de l'électrode (5) opposée au substrat (7) sont incluses dans un même plan, de préférence sensiblement parallèle au plan du substrat (7). 8. Dispositif selon la revendication 2 et l'une des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que le deuxième élément semi-conducteur (3) forme un fourreau dans lequel est disposée au moins une partie de l'organe (8) comprenant l'extrémité (8b) dudit organe (8). 3006 1 10 26 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le deuxième élément semi-conducteur (3) est disposé de sorte à former la jonction (4) avec le premier élément semi-conducteur (2) uniquement au niveau de la deuxième surface (2b). 5 10. Dispositif selon la revendication 9 et la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte une troisième surface planaire (10) au niveau de laquelle affleurent l'extrémité (8b) de l'organe (8), le deuxième élément semi-conducteur (3), et une face de l'électrode (5) opposée au substrat (7), la troisième surface (10) étant de préférence inclue dans un plan 10 sensiblement parallèle au plan du substrat (7). 11. Dispositif selon la revendication 9 et la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte une troisième surface planaire (10) au niveau de laquelle affleurent l'extrémité (8b) de l'organe (8) et le deuxième élément semi-conducteur (3), et en ce qu'il comporte un épaulement (11) formé 15 par l'électrode (5) et le deuxième élément semi-conducteur (3) de sorte que la troisième surface (10) est disposée entre le substrat (7) et un plan incluant une face de l'électrode (5) opposée au substrat (7). 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte un nanofil dont au moins une partie 20 forme le premier élément semi-conducteur (2). 13. Procédé de fabrication d'un dispositif émetteur de lumière comportant les étapes suivantes : - la formation d'un premier élément semi-conducteur (2) à champ électrique interne comportant une première surface (2a) de première orientation cristallographique polaire et/ou semi-polaire,et une deuxième surface (2b) de deuxième orientation cristallographique non polaire, - la formation d'une jonction (4) émettrice de lumière entre le premier élément semi-conducteur (2) et un deuxième élément semi-conducteur (3) au moins au niveau de la deuxième surface (2b). caractérisé en ce qu'il comporte une étape de formation d'une électrode (5) associée au deuxième semi-conducteur (3) et disposée de sorte à ne pas présenter de partie à l'aplomb de la première surface (2a). 14. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - Fournir un substrat (7), notamment un substrat en saphir, - Faire croître, à partir du substrat (7), un nanofil formant le premier élément semi-conducteur (2), de sorte que la paroi latérale du nanofil forme la deuxième surface (2b) et rejoigne une extrémité du nanofil opposée au substrat formant la première surface (2a), - Recouvrir au moins une partie du nanofil correspondant à la deuxième surface (2b), avec ou sans interposition de puits quantiques, avec le deuxième élément semi-conducteur (3),2015 Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de formation de l'électrode (5) comporte : - une étape de recouvrement du deuxième élément semiconducteur (3), de préférence en totalité sauf au niveau d'une face du deuxième élément semi-conducteur (3) en regard du substrat (7), par un matériau (12) destiné à former ladite électrode (5). - une étape de retrait par gravure en direction du substrat (7) d'une partie du matériau destiné à former l'électrode (5) au moins jusqu'à affleurement du deuxième élément semi-conducteur (3), ou une étape de retrait par gravure en direction du substrat (7) d'une partie du matériau destiné à former l'électrode (5) et d'une partie du deuxième élément semi-conducteur (3) au moins jusqu'à affleurement de la première surface (2a).