Brevet FR3006499A1 — publié le 20141205

LENTILLE ELECTROSTATIQUE A MEMBRANE ISOLANTE OU SEMICONDUCTRICE L'invention concerne les lentilles électrostatiques destinées à la focalisation d'un faisceau de particules chargées, et notamment d'un faisceau d'électrons. Ces lentilles sont utilisées notamment dans les canons à électrons de microscopes électroniques ou d'appareils de lithographie par faisceau d'électrons. Un but de l'invention est d'améliorer les possibilités de focalisation du faisceau d'électrons émis par une cathode. On rappelle qu'une lentille électrostatique est constituée dans son principe de la manière suivante : on place sur le trajet du faisceau d'électrons une ou plusieurs électrodes en forme de plaques percées d'un trou à travers lequel passe le faisceau d'électrons. Des potentiels sont appliqués aux électrodes pour induire des champs électriques différents en amont et en aval de chaque électrode. L'interaction entre ces champs électriques et le faisceau d'électrons dévie les électrons et les ramène vers un point ou une zone de focalisation. La distance focale peut être calculée assez simplement en fonction des valeurs des champs électriques et de l'énergie des électrons. Pour un faisceau d'électrons d'énergie donnée, la focalisation est d'autant plus forte que les champs électriques sont forts et donc d'autant plus forte que les tensions appliquées aux électrodes sont élevées. Mais la focalisation est d'autant plus faible que l'énergie du faisceau est plus forte. Il en résulte une difficulté de focalisation pour les faisceaux d'énergie élevée car il devient nécessaire d'appliquer des tensions très élevées entre des électrodes rapprochées, ce qui engendre des risques de claquage. Les lentilles électrostatiques de focalisation d'électrons ont par ailleurs un inconvénient qui est le fait qu'elles focalisent aussi bien les électrons que les ions qui ont la même énergie. Il en résulte que si le faisceau d'électrons émis par une cathode et focalisé sur une surface arrache des ions positifs à cette surface, ces ions positifs peuvent remonter le faisceau de l'aval vers l'amont et bombarder la cathode sur laquelle la lentille électrostatique tend à les focaliser ; cela engendre un risque de détérioration de la cathode, ou tout simplement un risque de contamination affectant ses propriétés. C'est la raison pour laquelle on préfère parfois focaliser le faisceau d'électrons par des lentilles électromagnétiques qui n'ont pas cet inconvénient car elles agissent différemment sur les électrons et sur les ions. Cependant, dans certaines applications on préfère utiliser des 5 lentilles électrostatiques. En effet les lentilles électromagnétiques nécessitent des bobinages, des forts courants, des blindages électromagnétiques, ce qui les rend coûteuses. Les systèmes de focalisation moins coûteux, applicables notamment aux faisceaux d'énergie relativement faibles (moins de 100 keV), utilisent plutôt des lentilles électrostatiques. C'est le cas des systèmes de 10 lithographie à faible énergie, des spectromètres, des canons à électrons de tubes à rayons cathodiques, etc. Par ailleurs, des systèmes de lithographie électronique multifaisceaux pourraient difficilement utiliser des lentilles électromagnétiques en raison de l'encombrement des dispositifs électromagnétiques et doivent donc utiliser des lentilles électrostatiques. 15 Enfin, il faut rappeler que les lentilles électrostatiques sont affectées d'aberrations géométriques et aberrations chromatiques, ou même des aberrations d'astigmatisme. Il faut tenir compte de ces aberrations et on a déjà proposé des systèmes complexes multipolaires pour les corriger, comme par exemple dans les publications de brevet EP0500179, 20 EP1492151, EP1811540. On a proposé également des grilles conductrices bombées pour déformer les équipotentielles autour d'une ouverture de passage de faisceau dans une électrode d'accélération de canon à électron, dans le but de corriger des aberrations sphériques (brevet US 4567399). 25 L'invention propose un perfectionnement pour améliorer les possibilités de focalisation de faisceaux d'électrons par des lentilles électrostatiques. Pour cela, on propose une lentille électrostatique pourvue d'au moins une électrode conductrice percée d'au moins une ouverture de 30 passage d'un faisceau d'électrons, caractérisée en ce que l'ouverture de passage est fermée au moins partiellement par une membrane mince de matériau isolant ou semiconduicteur transparent aux électrons du faisceau. Le matériau isolant ou semiconducteur de la membrane a de préférence une permittivité diélectrique élevée. La permittivité est de 35 préférence supérieure à 3. Le matériau est de préférence du silicium isolant, c'est-à-dire du silicium faiblement dopé donc théoriquement semiconducteur mais pratiquement isolant (permittivité voisine de 12) ou du nitrure de silicium (permittivité voisine de 4). Il peut être aussi du carbure de silicium. L'épaisseur de la membrane est de préférence inférieure à 2 5 micromètres pour n'engendrer qu'une faible atténuation et une faible dispersion du faisceau électronique (pour des faisceaux d'au moins 50 keV). La présence de la membrane isolante (ou légèrement semiconductrice) modifie les propriétés de focalisation en réduisant la distance focale pour des valeurs données de champs électriques appliqués, 10 ou en réduisant la valeur des champs électriques nécessaires pour une distance de focalisation donnée. Cette membrane participe également à la réduction de la remontée d'ions positifs vers la source d'électrons parce qu'elle constitue un obstacle matériel à cette remontée. De plus, la présence de cette membrane facilite la correction des 15 aberrations de la focalisation, aberrations géométriques ou chromatiques dues à la constitution de la lentille. En effet, pour effectuer certaines corrections, on peut structurer la membrane en modulant son épaisseur par gravure ou dépôt de matériaux isolants, ou encore en déposant sur la membrane mince un matériau conducteur gravé selon un motif déterminé. Le 20 motif conducteur gravé peut notamment servir à former des électrodes polarisables à des tensions différentes les unes des autres. Cette correction d'aberrations par une structuration de la membrane mince est beaucoup plus simple à réaliser que la correction multipolaire envisagée dans l'art antérieur. L'électrode de la lentille électrostatique peut comporter plusieurs 25 ouvertures de passage d'électrons, fermées chacune par une fine membrane isolante pour laisser passer plusieurs faisceaux électroniques, notamment dans des applications de lithographie multifaisceaux. Chaque membrane peut être structurée. 30 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 représente le principe général d'une lentille électrostatique ; - la figure 2 représente le principe d'une lentille électrostatique selon l'invention avec une membrane isolante ; - la figure 3 représente l'allure générale du champ électrique le long de l'axe du faisceau en présence de potentiels appliqués aux électrodes 5 de la lentille, la lentille centrale étant obstruée par une membrane mince ; - la figure représente la transparence de la membrane aux électrons de 50 keV en fonction de son épaisseur ; - la figure 5 représente la transparence de la membrane aux électrons en fonction de l'énergie du faisceau pour divers matériaux 10 constituant la membrane et diverses épaisseurs ; - la figure 6 représente en vue de face et en coupe latérale l'électrode centrale avec sa membrane ; - la figure 7 représente l'électrode centrale avec sa membrane dans une configuration où la membrane n'est pas plane ; 15 - la figure 8 représente une réalisation dans laquelle la membrane possède une épaisseur variable ; - la figure 9 représente une réalisation dans laquelle la membrane porte des électrodes métalliques ; - la figure 10 représente une électrode centrale avec plusieurs 20 ouvertures fermées chacune par une membrane respective pour une lentille multifaisceaux. Le principe général d'une lentille électrostatique destinée à la focalisation d'un faisceau d'électrons est rappelé à la figure 1. 25 Une électrode centrale EL2 est constituée par une plaque conductrice percée d'une ouverture de diamètre D pour le passage d'un faisceau d'électrons EB ; elle est portée à un potentiel V2. Des champs électriques différents de valeur Ea et Eb sont créés de part et d'autre de l'ouverture, et la présence de ces champs différents engendre l'effet de 30 focalisation électrostatique parce qu'ils créent un champ radial au voisinage de l'ouverture dans l'électrode. Ces champs sont créés par exemple par deux autres électrodes EL1 et EL3, respectivement en amont et en aval de l'électrode EL2 dans le sens du trajet du faisceau, portées à des potentiels respectifs V1 et V3. Ces deux autres électrodes sont également percées par 35 des ouvertures pour laisser passer le faisceau d'électrons. Le diamètre du faisceau et donc des ouvertures peut être très petit, jusqu'à quelques dizaines de micromètres, mais il peut aussi être de plusieurs millimètres. La distance focale F de la lentille électrostatique ainsi constituée est donnée en première approximation par 1/F = - (Eb-Ea)/4Vf où Vf est 5 l'énergie du faisceau d'électrons. Les électrodes sont représentées comme étant des plaques percées d'un trou. Elles pourraient aussi être des cylindres creux juxtaposés le long de l'axe du faisceau, le diamètre intérieur du cylindre constituant le diamètre D de l'ouverture ; les cylindres sont portés à des potentiels 10 différents et l'effet de lentille est produit à la jonction entre deux cylindres. Le principe de la lentille selon l'invention est représenté à la figure 2. L'ouverture de passage dans l'électrode EL2 est fermée par une membrane mince M en matériau isolant ou éventuellement semiconducteur, 15 transparent aux électrons. Dans le cas général, la membrane ferme complètement l'ouverture comme cela est représenté à la figure 2, mais dans certains cas on peut envisager que la fermeture ne soit que partielle, la membrane pouvant être ajourée. Dans l'exemple représenté, la membrane est plane mais on verra qu'elle peut être bombée (en forme de cloche ou de 20 calotte sphérique ou à peu près sphérique). La figure 3 représente le profil du champ électrique le long de l'axe du faisceau lorsque des potentiels de 10 volts, 200 volts et 2500 volts (valeurs données à titre d'exemple) sont appliqués aux électrodes 25 respectives EL1, EL2, et EL3 situées à des abscisses respectives de 0 millimètre, 1 millimètre, et 2 millimètres (origine placée arbitrairement à l'endroit de la première électrode). Une discontinuité du champ existe à l'endroit de la membrane mince isolante, en raison de la constante diélectrique de la membrane. La discontinuité est d'autant plus grande que la 30 constante diélectrique est plus élevée. Or, la modification du profil du champ électrique le long de l'axe du faisceau entre l'amont et l'aval de l'électrode central est un élément important d'action sur la longueur focale de la lentille. La longueur focale se déduit du calcul des trajectoires des électrons en présence des champs électriques auxquels ils sont soumis. Les trajectoires 35 des électrons se déduisent directement d'une équation qui, si on ne tient pas compte des dérivées du troisième ordre ou plus, c'est-à-dire des aberrations géométriques ou chromatiques, peut s'écrire (pour une lentille à symétrie de révolution) : 4V(z)r"(z) + 2 V'(z)r'(z) + V"(z)r(z) = 0, où r(z) est la distance par rapport à l'axe d'un électron d'abscisse z. L'abscisse est définie le long de l'axe, V(z) est le potentiel sur l'axe optique à l'abscisse (z) où se situe l'électron, r'(z) est la dérivée de r par rapport à l'abscisse z le long de l'axe, r"(z) est la dérivée seconde de r, c'est-à-dire la dérivée de r'(z) par rapport à z, V'(z) est la dérivée de V(z) par rapport à l'abscisse z, et V"(z) est la dérivée seconde de V(z). Au premier ordre, la différence des champs électriques en amont et en aval de l'électrode centrale EL2 agit directement sur la longueur focale ; donc la dérivée première du potentiel V(z) agit directement sur la longueur focale. Mais au deuxième ordre, la dérivée seconde joue un rôle important dans le calcul des trajectoires et sur la longueur focale ; par conséquent, la présence de la membrane mince de constante diélectrique différente de 1, qui modifie la dérivée seconde du potentiel, modifie la longueur focale. Le tableau ci-dessous donne à titre d'exemple les valeurs de longueurs focales obtenues en fonction de la valeur du potentiel V3 appliqué à l'électrode EL3, les autres potentiels restant constants (V1 = 10 volts, V2 = 200 volts), ceci pour trois valeurs différentes de la permittivité diélectrique relative Er de la membrane isolante : Er = 1 (équivalent d'une absence de membrane), Er = 3,9 (membrane en nitrure de silicium), Er = 11,9 (membrane en silicium isolant). L'épaisseur de la membrane est de moins de 25 1 micromètre. V1 = 10 volts, V2 = 200 volts Distance focale pour divers Er V3 Er = 1 Er = 3,9 Er =11,9 500 volts 8,80 mm 4,02 mm 3,78 mm 2500 volts 0,875 mm 0,727 mm 0,700 mm 5000 volts 0,644 mm 0,550 mm 0,534 mm On comprend avec ce tableau qu'on pourrait réduire la longueur focale en l'absence de membrane au-dessous de 0,644 mm en augmentant la tension V3 au-delà de 5000 volts. Mais une augmentation de la tension V3 aboutirait à un risque de claquage. Mais on peut diminuer la longueur focale à 0,550 mm ou même 0,534 mm par la présence d'une membrane de permittivité suffisamment élevée, sans augmenter la tension V3. De la même manière, on déduit de ce tableau que si on recherche une longueur focale de 0,644 mm, on peut l'obtenir avec une tension V3 d'environ 3000 volts et non 5000 volts si une membrane mince de nitrure de silicium ou de silicium est utilisée. L'utilisation d'une telle membrane suppose qu'elle soit suffisamment transparente aux électrons. Par "suffisamment transparente", on entend une transparence de préférence supérieure à 98%. Pour un matériau donné, cette transparence dépend à la fois de l'épaisseur de la membrane et de l'énergie des électrons du faisceau : elle diminue avec l'épaisseur et augmente avec l'énergie. La transparence dépend également du matériau et principalement du numéro atomique des constituants de ce matériau, la transparence diminuant avec l'augmentation du numéro atomique. La transparence peut être modélisée à partir d'équations telles que l'équation de Bethe qui représente la perte d'énergie (-dE) d'un faisceau 20 d'électrons le long d'un parcours élémentaire (dS) à travers une couche de matériau : dE 47t1U e4 (4E0 1/2 . ln - dS (471E0 )2 2E0 I ) 25 eo est la permittivité du vide, e est la charge de l'électron, N est le nombre d'atomes par unité de volume ; ce nombre est lié à la densité du matériau, plus grande si N est plus grand, plus petite si N est plus petit, 30 Z est le numéro atomique du matériau, E0 est l'énergie des électrons incidents, I est l'énergie moyenne d'ionisation du matériau dans lequel se propagent les électrons ; elle dépend du numéro atomique et elle est définie de manière empirique ; une valeur donnée dans la littérature est parfois, en electron-volts, I = (9,76 + 58,8xZ1'19) pour Z supérieur ou égal à 13, ou parfois une expression simplifiée I = 11,5xZ. Il est donc préférable de réaliser la membrane avec des constituants à faible numéro atomique. Si et SiN en sont deux exemples particulièrement intéressants du fait qu'on maîtrise bien les procédés technologiques de dépôt et gravure de ces matériaux très utilisés en microélectronique. La figure 4 représente à titre d'exemple la variation du coefficient de transmission T en fonction de l'épaisseur de la membrane pour un faisceau d'énergie 50 keV et une membrane en nitrure de silicium SiN (par exemple du nitrure stoechiométrique Si3N4). Le coefficient de transmission reste au-dessus de 98% aux environs de 2 micromètres d'épaisseur. La figure 5 représente la variation du coefficient de transmission en fonction de l'énergie du faisceau pour différentes épaisseurs de membranes en silicium Si et différentes épaisseurs de membranes en nitrure de silicium SiN. On voit sur ces courbes qu'il est préférable d'utiliser des membranes d'épaisseur inférieure à 50 nanomètres si l'énergie est inférieure à 20 keV, pour avoir une transmission supérieure à 98%. Pour une même épaisseur, le nitrure de silicium est plus transparent aux électrons que le silicium. La figure 6 représente l'électrode centrale EL2 avec son ouverture fermée par la membrane M en matériau isolant. La membrane peut être réalisée par exemple par gravure profonde de la face arrière d'une plaque de silicium pour ne conserver qu'un film superficiel. Par exemple, la plaque de silicium peut être une plaque SOI, c'est-à-dire un substrat de silicium recouvert d'une couche isolante elle-même recouverte d'une couche superficielle de silicium très fine ; la gravure profonde par la face arrière peut éliminer localement le substrat et la couche isolante jusqu'à ne garder que la couche de silicium superficielle qui sert alors de membrane. Le silicium de la couche superficielle est alors du silicium très peu dopé, pour être suffisamment isolant électriquement. Typiquement, le niveau de dopage est compris entre 1014 et 1019 atomes/cm3, de préférence entre 1014 et 1018 atomes/cm3 Le substrat pourrait aussi être recouvert d'une couche de nitrure de silicium et la gravure par la face arrière éliminerait le substrat, la couche isolante (si elle est présente) et la couche de silicium superficielle jusqu'à ne garder que la couche de nitrure de silicium. Le substrat de silicium peut être 5 en silicium fortement dopé ou dégénéré (avec une concentration de donneurs ou d'accepteurs supérieure à 1019 atomes/cm3) donc conducteur pour constituer l'électrode elle-même dans laquelle la gravure profonde constitue l'ouverture fermée par la membrane. Alternativement, la plaque de silicium peut être rapportée sur l'électrode en faisant coïncider l'ouverture de 10 la plaque et la membrane formée à partir de la plaque. D'une manière générale, les lentilles électrostatiques sont affectées d'aberrations de plusieurs types : aberrations géométriques et notamment aberrations sphériques, aberrations chromatiques, ou encore 15 aberrations d'astigmatisme. Les aberrations géométriques sont d'autant plus importantes que le grandissement du système de focalisation est élevé et la sensibilité à ces aberrations est particulièrement forte dans les microscopes électroniques. Les aberrations sphériques sont dues à ce qu'une lentille électrostatique est toujours plus convergente pour les trajectoires 20 périphériques que pour les trajectoires centrales. Les aberrations chromatiques sont dues à ce que la distribution d'énergie n'est pas uniforme dans le faisceau, certains électrons ayant plus d'énergie que d'autres ; elles sont également d'autant plus significatives que le grandissement du système optique est élevé. Les aberrations d'astigmatisme sont dues à des défauts de 25 symétrie ou d'alignement dans la lentille ; la convergence n'est pas la même selon la direction initiale des électrons et ce défaut constitue une aberration d'astigmatisme. Ces aberrations peuvent être corrigées en tout ou en partie par la structure ou la forme de la membrane isolante. Les corrections précises ne 30 peuvent bien entendu être déterminées que par des simulations à l'aide de logiciels qui évaluent les champs électrostatiques et la trajectoire des électrons. Mais les exemples suivants indiquent des possibilités de structuration de membrane qui ont un effet sur les aberrations par l'intermédiaire des différences locales de trajectoires des électrons en 35 fonction de l'endroit où ils traversent la membrane. Ces différences de trajectoires résultent de la distribution de permittivités diélectriques qui est modifiée par la modification de structure de la membrane. Tout d'abord, la membrane peut être bombée plutôt que plane comme cela est représenté sur la figure 7. On sait faire des membranes 5 bombées en forme de cloche ou de calotte sphérique ou à peu près sphérique par une application de contraintes périphériques tout autour de la plaque dont l'ouverture est fermée par la membrane. Pour une plaque de silicium avec une ouverture fermée par une membrane de silicium ou de nitrure de silicium, les contraintes de compression sont appliquées sur tous 10 les côtés de la plaque selon les flèches représentées sur la figure 7. Les contraintes peuvent être d'origine mécanique ou piézoélectrique. Des ouvertures locales dans la membrane plane ou bombée peuvent avoir une action sur la distribution des champs électriques donc sur les trajectoires d'électrons. Ces ouvertures peuvent être distribuées de 15 manière à corriger en partie certaines des aberrations. Les ouvertures peuvent en particulier être disposées avec une répartition qui n'est pas uniforme sur la surface de la membrane mais qui au contraire est faite selon une géométrie à plusieurs pôles (quadrupolaire, ou hexapolaire ou octopolaire), c'est-à-dire qui présente des variations en fonction d'une 20 position angulaire dans le plan de la membrane. La géométrie de la distribution des trous peut également présenter des variations qui sont fonction d'une distance radiale par rapport au centre du faisceau, en plus ou à la place des variations selon la position angulaire. Des modifications locales d'épaisseur de la membrane peuvent 25 également avoir un effet. Ces modifications peuvent être produites soit par gravure locale du matériau de la membrane sur une partie de l'épaisseur de la membrane soit par un dépôt d'une autre couche isolante sur la membrane et enlèvement local de cette couche. La figure 8 représente une membrane avec une épaisseur localement modifiée ; dans le cas représenté il s'agit de 30 surépaisseurs Ep disposées selon des cercles concentriques, donc avec une symétrie circulaire, mais là encore la distribution des surépaisseurs peut être faite en privilégiant certaines directions radiales et certaines distances, par exemple pour constituer une géométrie à plusieurs pôles (notamment une géométrie quadrupolaire ou hexapolaire ou octopolaire dont on sait qu'elle a 35 une influence sur la correction des aberrations sphériques des lentilles à symétrie de révolution et en partie sur la correction des aberrations chromatiques et d'astigmatisme). La figure 9 représente une autre manière de structurer la membrane : on dépose des électrodes conductrices sur la membrane et on leur applique des potentiels dont on peut déterminer l'influence sur le trajet des électrons. En particulier, on peut appliquer des potentiels qui modifient les champs électriques d'une manière différente selon l'éloignement par rapport au centre du faisceau. Sur la figure 9, les électrodes formées sur la membrane par dépôt et gravure d'une couche conductrice sont circulaires et concentriques et des potentiels Va, Vb, Vc leur sont appliqués. La surface occupée par les électrodes doit être au total assez faible par rapport à la surface de l'ouverture pour ne pas réduire exagérément la transparence de la membrane aux électrons (sauf si les électrodes sont d'épaisseur vraiment très faible telle que quelques nanomètres et en matériau léger tel que l'aluminium Al ou l'alliage AlSi) ; l'épaisseur de la couche conductrice doit être aussi réduite que possible pour la même raison. Les électrodes pourraient également avoir une géométrie multipolaire (notamment quadrupolaire ou hexapolaire ou octopolaire) pour agir sur l'une ou l'autre des différentes sortes d'aberrations constatées. Par exemple, quatre électrodes distinctes en arc de cercle, opposées deux à deux et réparties le long d'un cercle, permettent de créer une structure quadrupolaire pouvant agir sur l'astigmatisme par application de deux différences de potentiel différentes sur les couples d'électrodes opposées. L'ouverture elle-même de l'électrode centrale est en principe 25 circulaire mais pourrait aussi être elliptique, rectangulaire, ou multipolaire, la forme jouant également un rôle dans la correction des aberrations en supprimant la symétrie de révolution. Enfin, pour des applications multifaisceaux, tout ce qui vient d'être 30 dit peut être appliqué à autant d'ouvertures qu'il y a de faisceaux. La figure 10 représente l'électrode EL2 percée de plusieurs trous obturés chacun par une membrane isolante respective pour former sur la même électrode plane plusieurs lentilles électrostatiques. Les électrodes EL1 et EL3 sont également percées d'ouvertures en correspondance avec les ouvertures de 35 l'électrode EL2 dans l'axe de chacun des faisceaux d'électrons. REVENDICATIONS1. Lentille électrostatique pourvue d'au moins une électrode conductrice (EL2) percée d'au moins une ouverture de passage d'un faisceau d'électrons, caractérisée en ce que l'ouverture de passage est fermée au moins partiellement par une membrane mince (M) de matériau isolant ou semi-conducteur transparent aux électrons du faisceau. 2. Lentille électrostatique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le matériau isolant ou semiconducteur de la membrane a une permittivité diélectrique supérieure à3. 3. Lentille électrostatique selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau isolant ou semiconducteur est du silicium faiblement dopé ou du nitrure de silicium ou du carbure de silicium. 4. Lentille électrostatiques selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que l'épaisseur de la membrane est inférieure à 2 micromètres. 5. Lentille électrostatique selon l'une des revendications 1 à 4, 20 caractérisée en ce que la membrane est bombée. 6. Lentille électrostatique selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que la membrane est structurée par des ouvertures ou des modulations d'épaisseur ou des dépôts d'électrodes. 25 7. Lentille électrostatique selon la revendication 6, caractérisée en ce que la structuration de la membrane a une configuration multipolaire. 8. Lentille électrostatique selon l'une des revendications 30 précédentes, caractérisée en ce que l'électrode comporte plusieurs ouvertures fermées chacune par une membrane isolante pour la focalisation de plusieurs faisceaux d'électrons.