Brevet FR3003086A1 — publié le 20140912

Dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication Domaine technique Les modes de réalisation décrits dans le présent mémoire se rapportent à des dispositifs à semi-conducteur produits sur des substrats, en particulier à des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteur de ce genre sur des substrats comprenant du SiC. Arrière-plan technologique Les dispositifs à semi-conducteur employant du SiC sont coûteux habituellement, en raison des prix des substrats, qui sont normalement un facteur principal du prix du produit fabriqué. On ne peut pas compenser habituellement cet inconvénient par d'autres perfectionnements, tels que des pertes plus petites du produit ou analogue. Il y a quelques concepts consistant à séparer de minces- couches de SiC d'une tranche de SiC, à les lier sur des plaques de support en carbone ou en métal et de faire passer l'empilement de couches résultant dans son entier dans la production de tranches. Comme la tranche d'origine en SiC serait réutilisable, dans le cas de couches épitaxiales en SiC même pour un nombre illimité de cycles, le coût de la matière de base pourrait être réduit significativement dans ce cas. Mais la pile de support devrait pouvoir résister aux températures hautes du traitement du dispositif en SiC et il n'y aurait pas d'interaction autorisée avec une chimie de procédé, un traitement et analogue. Résumé Suivant une première facette, il est prévu un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, dans lequel : on se procure un substrat semi-conducteur ; on met sur le substrat au moins un dispositif a semi5 conducteur ayant une face arrière opposée au substrat semi-conducteur et une face avant tournée vers le substrat semi-conducteur ; on met une couche de contact sur la face arrière du dispositif à semi-conducteur ; on réalise une liaison de la couche de contact avec un 10 support auxiliaire et on sépare le au moins un dispositif à semi-conducteur du substrat. De préférence : - on sépare en outre le dispositif à semi-conducteur du 15 support auxiliaire ; - le au moins un dispositif à semi-conducteur ne comprend pas d'oxyde de grille ; - le support auxiliaire comprend au moins l'un des éléments choisis dans le groupe consistant en : silicium, 20 métal, carbone, céramiques et verre ; - séparer le au moins un dispositif à semi-conducteur du substrat semi-conducteur comprend fendre le dispositif à semi-conducteur pour le séparer du substrat ; - séparer le au moins un dispositif à semi-conducteur du 25 substrat semi-conducteur comprend : mettre une couche intermédiaire entre le substrat semi-conducteur et le au moins un dispositif à semi-conducteur et manipuler ensuite mécaniquement la couche intermédiaire ; - la couche intermédiaire comprend au moins l'un de : du 30 SiC poreux, et une couche monocristalline, et le substrat semi-conducteur est séparé du dispositif à semiconducteur en manipulant la couche intermédiaire par un jet de fluide ; 3 se procurer au moins un dispositif à semi-conducteur comprend : déposer une première couche épitaxiale sur le substrat semi-conducteur ; implanter un agent de dopage dans la couche épitaxiale et déposer une deuxième couche 5 épitaxiale sur la première couche épitaxiale. Suivant un mode de réalisation, il est prévu un produit intermédiaire pour la fabrication d'un dispositif à semiconducteur. Ce produit intermédiaire comprend un substrat 10 semi-conducteur ; un dispositif à semi-conducteur sur le substrat ayant une face arrière opposée au substrat semiconducteur et une face avant tournée vers le substrat semi-conducteur ; une couche de contact sur la face arrière du dispositif à semi-conducteur et un support 15 auxiliaire lié à la couche de contact. De préférence : - le substrat semi-conducteur comprend du SiC ; - le dispositif à semi-conducteur comprend au moins une 20 couche comprenant du SiC ; - le produit intermédiaire comprend en outre, entre le dispositif à semi-conducteur et le substrat semiconducteur, une région intermédiaire, qui a une grande concentration atomique en impureté en raison d'une 25 implantation d'ions. D'autres aspects, avantages et caractéristiques de la présente invention apparaîtront dans la description qui va suivre et dans les dessins annexés. 30 Description succincte des dessins Une description complète, incluant son mode de réalisation le meilleur, est donnée plus particulièrement dans le reste de la description, en se reportant aux dessins annexés dans lesquels : Les figures 1 à 6 représentent le procédé de fabrication 5 d'un dispositif à semi-conducteur suivant des modes de réalisation ; Les figures 7 et 8 représentent une séparation d'un produit intermédiaire suivant des modes de réalisation ; 10 Les figures 9 et 10 illustrent d'autres stades de fabrication suivant des modes de réalisation ; La figure 11 représente un produit intermédiaire suivant 15 des modes de réalisation ; La figure 12 illustre une séparation d'un produit intermédiaire suivant les modes de réalisation ; 20 La figure 13 illustre schématiquement un procédé suivant des modes de réalisation. Les éléments dans les figures ne sont pas nécessairement à l'échelle, l'accent étant mis au contraire sur 25 l'illustration du principe de l'invention. En outre, dans les figures, de mêmes repères désignent des parties correspondantes. Description détaillée 30 On se reportera maintenant en détail aux divers modes de réalisation, un ou plusieurs exemples d'entre eux étant illustrés dans chaque figure. Chaque exemple est donné à titre explicatif et non limitatif. C'est ainsi par exemple que des caractéristiques illustrées ou décrites comme faisant partie d'un mode de réalisation peuvent être utilisées dans ou en liaison avec d'autres modes de réalisation et vont donner encore d'autres modes de 5 réalisation. Cet exposé vise à englober des modifications et variations de ce genre. A cet égard, une terminologie directionnelle, telle que « sommet », « bas », « avant », « arrière », etc. est utilisée en se reportant à l'orientation de la figure décrite ou des figures décrites. Mais comme les éléments des modes de réalisation peuvent être mis en position dans un grand nombre d'orientations différentes, la terminologie directionnelle est utilisée à des fins d'illustration et n'est limitative en aucune façon. Il va de soi que d'autres modes de réalisation peuvent être utilisés et que des changements de structure ou logique peuvent être faits, sans sortir de la portée de la présente invention. Il ne faut donc pas prendre la description détaillée qui va suivre dans un sens limitatif et la portée de la présente invention est définie d'une manière générale. Les modes de réalisation décrits utilisent un langage précis, qui ne doit pas être considéré comme limitant la portée de l'invention. Les modes de réalisation peuvent être combinés, sauf mention contraire expresse. Les dessins ne sont pas à l'échelle. Dans le contexte du présent exposé, les expressions « en contact ohmique », « en contact électrique », « en contact », « en connexion ohmique » et « connecté électriquement » visent à décrire qu'il y a une connexion électrique ohmique ou un trajet de courant ohmique entre deux régions, parties ou éléments d'un dispositif à semiconducteur ou entre des bornes différentes d'un dispositif ou de plusieurs dispositifs ou entre une borne ou une métallisation et une partie ou un élément d'un dispositif à semi-conducteur. 5 Le mot « latéral », tel qu'utilisé dans cet exposé, vise à décrire une orientation parallèle à une première surface principale d'un substrat semi-conducteur. Le mot « vertical », tel qu'utilisé dans cet exposé, vise 10 à décrire une orientation qui est perpendiculaire à la première surface du substrat semi-conducteur. L'expression « dispositif à semi-conducteur de puissance vertical » signifiera un dispositif à semi-conducteur de puissance, dans lequel le déplacement de porteurs de 15 charge dans la zone de déplacement est vertical, c'est-à-dire perpendiculaire à la première surface du substrat semi-conducteur. Dans cet exposé, une deuxième surface d'un substrat semi- 20 conducteur est considérée comme étant formée par la surface inférieure ou du côté arrière, tandis que la première surface est considérée comme étant formée par la surface supérieure, avant ou principale du substrat semiconducteur. Les mots « au-dessus », « supérieur », « le 25 plus haut », « au-dessus », « sur », « en dessous », « en dessous », « inférieur », « le plus bas » et « dessous », tels qu'utilisés dans cet exposé, décrivent donc un emplacement spatial relatif d'une caractéristique de structure par rapport à une autre caractéristique de 30 structure, en considération de cette orientation. Les expressions « directement au-dessus », « directement sur », « directement par-dessus », « directement en dessous », « directement en dessous », « voisin » et « connectant/connecté », lorsqu'ils sont utilisés par rapport à deux couches, pellicules, régions, sections, zones ou autres éléments, signifieront que ces objets sont en contact l'un avec l'autre au moins physiquement. Les modes de réalisation du présent exposé se rapportent à des dispositifs à semi-conducteur verticaux, en particulier à des dispositifs à base de SiC, tels que des diodes, des diodes de Schottky, des diodes de Schottky pin fusionnées, des JFET, des MOSFET et analogues, qui 10 sont fabriqués dans l'ordre inverse sur un substrat semiconducteur comprenant du SiC. Dans la phase finale de l'opération de fabrication, un contact du côté arrière est appliqué à une surface du dispositif à semiconducteur opposée au substrat Ensuite, le contact de 15 côté arrière est relié à un support auxiliaire et le dispositif est séparé du substrat. Il est fait usage ainsi de la propriété du SiC que typiquement il ne se produit pas une diffusion considérable d'agent de dopage. 20 On emploie divers procédés pour la séparation dans les modes de réalisation. Des exemples en sont une implantation d'ions dans la région de limite entre le substrat et le dispositif à semi-conducteur, suivie d'un stade de chauffage. Cela donne un dégagement de gaz des 25 ions implantés et ensuite une séparation à la région de limite. D'autres procédés de séparation comprennent l'application de lumière laser à la région de limite, afin de provoquer une surchauffe locale provoquant une séparation. Une autre variante comprend la formation de 30 diverses couches de SiC de structure différente, telles qu'une couche poreuse et une couche monocristalline, qui sont séparées ultérieurement par un jet de fluide sous haute pression, par exemple par un jet d'eau. La figure 1 illustre les premiers stades d'une opération de fabrication d'un dispositif 75 à semi-conducteur à titre d'exemple, à savoir une diode de Schottky ou une diode de Schottky pin fusionnée, suivant des modes de 5 réalisation. Les diodes de Schottky pin fusionnées ou les diodes de pin peuvent, dans certains modes de réalisation, comprendre des structures pn-n et pp-n. Il est prévu un substrat 10 en SiC, sur lequel est déposée, par épitaxie, une première couche 20 semi-conductrice comprenant du SiC et dénommée ainsi première couche 20. La région de bord entre le substrat 10 en SiC et la couche 20 semi-conductrice formera ultérieurement une face 15 avant du dispositif 75 à semi-conducteur fabriqué dans l'opération. La figure 2 illustre que les régions 30 à dopage p pour le système latéral de terminaison de la diode ou pour un renforcement de l'anode, telle que pour une diode de Schottky pin fusionnée, sont implantées dans la première couche 20. Eventuellement, les régions 30 à dopage p sont ensuite recuites pour réduire des défauts. La figure 3 illustre le dépôt épitaxial venant ensuite d'une deuxième couche 40 semi-conductrice comprenant du SiC et dénommée en conséquence deuxième couche 40, ayant un dopage pour la zone de migration du dispositif à semiconducteur. Eventuellement, le taux de dopage augmente avec la durée du dépôt pour obtenir un arrêt de champ. La surface de la deuxième couche 40 loin du substrat 10 forme une face 25 arrière de la diode 75 de Schottky. A la figure 4, une région de contact de cathode est implantée dans la deuxième couche 40. La région de contact est ensuite recuite et une couche 50 métallique de contact est appliquée à la deuxième couche 40. La figure 5 illustre schématiquement que des ions 60 sont 5 implantés dans la région de limite, entre le substrat 10 semi-conducteur et la première couche 20, en ayant une dose d'ions relativement grande par unité de surface du matériau ciblé. De préférence, ces ions sont des protons ayant une énergie allant de 300 keV à 1,5 MeV, et mieux W allant de 500 keV à 1,2 MeV, qui sont appliqués typiquement par le côté de la couche 50 de contact. Dans certains modes de réalisation, les ions peuvent comprendre des particules alpha. Dans ce cas, l'énergie de l'implantation peut être augmentée par rapport à des 15 protons. En général, l'énergie d'implantation doit être sélectionnée de manière à obtenir une plage prévue des ions implantés pour atteindre au moins la profondeur des régions 30 à dopage p. Après l'implantation d'ions, un support 70 auxiliaire est appliqué à la couche 50 20 métallique de contact. Le support auxiliaire peut comprendre du silicium, du métal, du carbone, des céramiques et du verre ou d'autres matériaux appropriés. La figure 6 représente la séparation venant ensuite du 25 dispositif 75 à semi-conducteur fabriqué précédemment, qui, dans ce mode de réalisation, est la diode de Schottky, du substrat 10 en SiC par chauffage. Si la dose d'ion appliquée est suffisante, le chauffage entraîne une formation d'hydrogène à partir des ions 60 implantés, ce 30 qui donne des microbulles détruisant localement la liaison entre le substrat 10 semi-conducteur et l'élément 75 à semi-conducteur qui y est produit. A la figure 6, il est montré que la séparation entre le substrat 10 et le dispositif 75 à semi-conducteur peut se produire non à la région de limite exacte entre la première couche 20 et le substrat 10, mais qu'une mince couche 22 résiduelle de la couche 20 peut rester sur le substrat 10. En pratique, l'emplacement exact de la séparation peut être influencé 5 par le dépôt des ions 60 dans la région de limite. La couche 22 résiduelle n'est pas représentée dans d'autres figures à des fins d'illustration, bien que dans certains modes de réalisation elle puisse être présente, suivant les propriétés détaillées choisies de l'opération de 10 séparation. Dans des modes de réalisation illustrés schématiquement à la figure 7, la séparation peut être exécutée aussi sans l'implantation d'ions décrite précédemment, mais en 15 appliquant de la lumière 100 laser très focalisée sur la région de limite entre le substrat 10 semi-conducteur et le dispositif 75 à semi-conducteur, dans ce cas la diode de Schottky. La lumière provoque une surchauffe localisée du matériau dans la région de limite entre le substrat 10 20 semi-conducteur, comprenant typiquement du SiC, et le dispositif 75 à semi-conducteur produit comme décrit ci-dessus. A la figure 8, la séparation qui s'ensuit du substrat 10 à semi-conducteur est représentée, ce qui donne le dispositif 75 à semi-conducteur séparé ensemble 25 avec le support 70 auxiliaire représenté à la figure 9. La figure 10 représente la séparation éventuelle venant ensuite de la couche 70 de support auxiliaire. 30 Dans des modes de réalisation illustrés à la figure li, l'opération de séparation peut être effectuée aussi en formant une couche 12 poreuse de SiC sur le substrat 10 semi-conducteur en SiC, que l'on recouvre ensuite d'une couche 14 monocristalline en SiC, sur laquelle le 11 dispositif 75 à semi-conducteur est produit. Au lieu des ions 60 ou de la séparation induite par laser comme décrit ci-dessus, on peut détruire la couche 12 poreuse en SiC par un jet 110 d'eau sous haute pression tel que représenté schématiquement à la figure 12, ce qui donne la séparation souhaitée. La face 15 avant du dispositif à semi-conducteur, qui est laissée libre par l'opération de séparation, est ensuite soumise normalement à un traitement ultérieur, qui comprend au moins l'un d'une 10 formation d'une métallisation et d'une passivation. Avant la métallisation, la face 15 avant dénudée du dispositif à semi-conducteur peut être traitée. Le traitement peut comprendre des traitements mécaniques tels qu'un polissage et/ou traitement chimique tel qu'une attaque 15 et/ou une combinaison de traitement mécanique et chimique tel qu'un polissage chemiomécanique (CMP). On peut séparer éventuellement le dispositif à semi-conducteur du support 70 auxiliaire, comme cela a été montré en relation avec la figure 10. 20 On peut réutiliser ensuite le substrat 10 semi-conducteur en SiC qui a été séparé pour un autre cycle de traitement, en produisant un autre dispositif à semiconducteur. Dans certains modes de réalisation, on peut 25 traiter en surface la surface du substrat avant la réutilisation, le traitement pouvant comprendre des traitements mécaniques tels qu'un polissage et/ou un traitement chimique tel qu'une attaque et/ou une combinaison d'un traitement mécanique et chimique tel 30 qu'un polissage chemiomécanique (CMP) et/ou un stade de dépôt épitaxial. Le dispositif 75 à semi-conducteur comprend normalement au moins une couche comprenant du SiC, qui est produite sur le substrat 10 semi-conducteur, comprenant normalement du SiC, et pouvant être, dans certains de modes de réalisation, l'un d'une diode, d'une diode de Schottky comme décrit ci-dessus, d'un JFET et d'un MOSFET. Dans certains modes de réalisation, le dispositif à semi-conducteur ne comprend pas d'oxyde de grille. Dans des modes de réalisation, le substrat 10 semiconducteur peut avoir une épaisseur allant de 0,2 mm à 10 1,0 mm, et d'une manière encore plus préférée, de 0,4 mm à 0,8 mm. Dans l'opération de fabrication du dispositif 75 à semiconducteur, le système du substrat 10 semi-conducteur, 15 ensemble avec le dispositif à semi-conducteur qui y est formé, est considéré comme un produit intermédiaire dans l'opération de fabrication. Le dispositif 75 à semiconducteur a une face 25 arrière opposée au substrat 10 semi-conducteur et une face 15 avant tournée vers le 20 substrat 10 semi-conducteur, une couche 50 de contact sur la face 25 arrière du dispositif 75 à semi-conducteur et normalement un support 70 auxiliaire relié à la couche 50 de contact. 25 La figure 13 illustre un procédé 300 de fabrication d'un dispositif 75 à semi-conducteur suivant certains modes de réalisation. Il consiste à prévoir un substrat semiconducteur dans le rectangle 301, à mettre au moins sur le substrat un dispositif à semi-conducteur ayant une 30 face arrière opposée au substrat semi-conducteur et une face avant tournée vers le substrat semi-conducteur dans le rectangle 302, à mettre une couche de contact sur la face arrière du dispositif à semi-conducteur dans le rectangle 303, à mettre la couche de contact en liaison .3 avec le support auxiliaire dans le rectangle 304 et à séparer le au moins un dispositif à semi-conducteur du substrat dans le rectangle 305. Les modes de réalisation donnés à titre d'exemple de systèmes et procédés de production d'un dispositif à semi-conducteur sont décrits en détail ci-dessus. Les systèmes et procédés ne sont pas limités aux modes de réalisation précis qui sont décrits, mais bien au contraire, des éléments des systèmes et/ou des stades des procédés peuvent être utilisés indépendamment et séparément d'autres éléments et d'autres stades qui sont décrits. C'est ainsi par exemple que l'on peut produire d'autres types de dispositifs à semi-conducteur par les procédés décrits, et que ceux-ci ne sont pas limités en pratique à seulement les dispositifs à semi-conducteur décrits. Bien au contraire, les modes de réalisation donnés à titre d'exemple peuvent être mis en oeuvre et utilisés en liaison avec de nombreux autres dispositifs à semi-conducteur. Bien que des caractéristiques précises de divers modes de réalisation de l'invention puissent être représentées dans certains dessins et non dans d'autres, cela n'a été fait que par commodité. Suivant l'invention, toute caractéristique d'un dessin peut être prise en compte en combinaison avec n'importe quelle autre caractéristique de n'importe quel autre dessin. Cet exposé écrit utilise des exemples pour décrire l'invention, y compris son meilleur mode de réalisation, et pour permettre aussi à tout homme du métier de mettre l'invention en pratique, y compris de faire et d'utiliser n'importe quel dispositif ou système et d'effectuer n'importe quel procédé, suivant l'invention. Bien que l'on ait décrit divers modes de réalisation précis dans ce qui précède, l'homme du métier reconnaîtra que l'esprit et la portée de l'invention permettent d'effectuer des modifications tout aussi efficaces. En particulier, des caractéristiques qui ne s'excluent pas mutuellement des modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent être combinées les unes avec les autres. La portée de l'invention est définie d'une manière générale et peut englober d'autres exemples qui apparaîtront à l'homme du métier. Ces autres exemples font partie de l'invention s'ils ont des éléments de structure qui ne diffèrent pas du langage littéral utilisé dans le présent mémoire ou s'ils englobent des éléments de structure équivalents ayant des différences sans importance par rapport au langage littéral utilisé dans la présente demande. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce que : on se procure un substrat (10) semi-conducteur ; on met sur le substrat (10) au moins un dispositif (75) à semi-conducteur ayant une face (25) arrière opposée au substrat (10) semi-conducteur et une face (13) avant tournée vers le substrat (10) semi-conducteur ; on met une couche (50) de contact sur la face (25) arrière du dispositif (75) à semi-conducteur ; on réalise une liaison de la couche (50) de contact avec un support (70) auxiliaire et on sépare le au moins un dispositif (75) à semi15 conducteur du substrat (10). 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (10) semi-conducteur comprend du SiC. 20 3. Procédé suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dispositif (75) à semiconducteur comprend au moins une couche comprenant du SiC. 25 4. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la face (13) avant du dispositif (75) à semi-conducteur est traitée en outre, après séparation du substrat (10) semi-conducteur, letraitement comprenant au moins l'une de : formation d'une métallisation et une passivation. 5. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (10) semiconducteur est réutilisé après séparation du dispositif (75) à semi-conducteur, pour produire un autre dispositif à semi-conducteur. 6. Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le substrat (10) semi-conducteur est traité en surface avant la réutilisation. 7. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on sépare en outre le dispositif (75) à semi-conducteur du support (70) auxiliaire. 8. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le au moins un dispositif à semi-conducteur ne comprend pas d'oxyde de grille. 9. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce le support (70) auxiliaire comprend au moins l'un des éléments choisis dans le groupe consistant en : silicium, métal, carbone, céramiques et verre. 10. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif (75) à semi-conducteur est la au moins de : une diode, une diode de Schottky, une diode de Schottky pin fusionnée, un JFET et un MOSFET. 11. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que séparer le au moins un dispositif (75) à semi-conducteur du substrat (10) semi- conducteur comprend fendre le dispositif (75) à semiconducteur pour le séparer du substrat (10). 12. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il y a une région de limite entre le au moins un dispositif (75) à semiconducteur et le substrat (10) à semi-conducteur et la séparation est effectuée en implantant des ions (60) dans la région de limite et en chauffant ensuite la région de limite, afin de produire des microbulles de gaz provoquant la séparation. 13. Procédé suivant la revendication 12, caractérisé en ce que les ions comprennent des protons. 14. Procédé suivant la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que les ions comprennent des protons et l'énergie d'implantation des protons est adaptée de manière à déposer les protons dans la région de limite entre le au moins un dispositif (75) à semi-conducteur et le substrat (10) semi-conducteur. 15. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que les ions comprennent des protons ayant une énergie allant de 300 keV à 1,5 MeV. 16. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en que séparer le au moins un dispositif (75) à semi-conducteur du substrat (10) semiconducteur comprend appliquer de la lumière laser, àtravers le substrat, à la région de limite entre le au moins un dispositif (75) à semi-conducteur et le substrat (10) semi-conducteur, afin d'obtenir une surchauffe locale provoquant la séparation. 17. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que séparer le au moins un dispositif (75) à semi-conducteur du substrat (10) semiconducteur comprend : mettre une couche intermédiaire entre le substrat (10) semi-conducteur et le au moins un dispositif (75) à semi-conducteur et manipuler ensuite mécaniquement la couche intermédiaire. 18. Procédé suivant la revendication 17, caractérisé en ce que la couche intermédiaire comprend au moins l'un de : du SiC poreux, et une couche monocristalline, et le substrat semi-conducteur est séparé du dispositif à semi- conducteur en manipulant la couche intermédiaire par un jet de fluide. 19. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce le substrat (10) semi25 conducteur a une épaisseur de 0,2 à 1,0 mm. 20. Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel se procurer au moins un dispositif (75) à semi-conducteur comprend : 30 déposer une première couche (20) épitaxiale sur le substrat (10) semi-conducteur ; implanter un agent de dopage dans la couche (20) épitaxiale etdéposer une deuxième couche (40) épitaxiale sur la première couche (20) épitaxiale. 21. Produit intermédiaire pour la fabrication d'un 5 dispositif (75) à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat (10) semi-conducteur ; un dispositif (75) à semi-conducteur sur le substrat (10) ayant une face (25) arrière opposée au substrat (10) 10 semi-conducteur et une face (13) avant tournée vers le substrat (10) semi-conducteur ; une couche (50) de contact sur la face (25) arrière du dispositif (75) à semi-conducteur et un support (70) auxiliaire lié à la couche (50) de 15 contact. 22. Produit intermédiaire suivant la revendication 21, caractérisé en ce que le substrat (10) semi-conducteur comprend du SIC. 20 23. Produit intermédiaire suivant la revendication 21 ou 22, caractérisé en ce que le dispositif (75) à semiconducteur comprend au moins une couche comprenant du SIC. 25 24. Produit intermédiaire suivant l'une des revendications 21 à 23, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, entre le dispositif (75) à semi-conducteur et le substrat (10) semi-conducteur, une région 30 intermédiaire, qui a une grande concentration atomique en impureté en raison d'une implantation d'ions. 25. Produit intermédiaire suivant la revendication 24, caractérisé en ce que les ions comprennent des protons.