Brevet FR3007576A1 — publié le 20141226

DOMAINE DE L'INVENTION L'invention se situe dans le domaine de l'électronique, l'optique et/ou l'optoélectronique. La présente invention concerne plus précisément un procédé de 5 transfert d'une couche de circuits enterrée. Différents composants électroniques sont fabriqués à partir d'un substrat incluant une telle couche de circuits enterrée. Parmi ceux-ci, on peut citer à titre d'exemple, les capteurs utilisant la technologie de l'illumination par la face arrière, (connus de l'homme du métier sous l'acronyme de "BSI sensor", 10 pour "Backside Illumination sensor"). Ils sont basés sur une nouvelle disposition des différentes couches les constituant. Ces capteurs permettent d'augmenter la quantité de lumière capturée et sont donc plus performants. Ils sont destinés à être utilisés notamment dans les écrans des tablettes et téléphones de dernière génération. 15 ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION L'amincissement d'un substrat utilisé dans les domaines techniques précités peut s'effectuer par exemple par gravure chimique. Lorsque l'on amincit un substrat du type semi-conducteur sur 20 isolant (Se01), la gravure chimique est relativement facile à employer parce que la couche d'oxyde enterrée sert de couche d'arrêt de gravure. Lorsqu'il s'agit d'un substrat massif, l'amincissement est un peu plus complexe puisqu'il est alors nécessaire de créer une couche d'arrêt de gravure, par exemple par dopage de type p ou n dudit substrat massif. 25 Toutefois, dans le cas particulier où le substrat donneur comprend une couche de circuits enterrée, la gravure chimique de la couche de matériau qui recouvre ladite couche de circuits enterrée devient vraiment problématique. En effet, les solutions chimiques utilisées (par exemple l'acide sulfurique (1-12504), l'acide phosphorique (1-13PO4) ou l'acide fluorhydrique (HF) dans le cas de la 30 gravure du silicium) sont particulièrement agressives vis-à-vis des métaux et donc de la couche comportant lesdits circuits. Il en résulte une gravure latérale de cette couche de circuits enterrée qui peut atteindre un centimètre ou plus depuis le bord. Les capteurs BSI fabriqués au niveau de cette zone endommagée sont alors inutilisables. On connait déjà d'après le document EP 1 962 325, un procédé de 5 fabrication d'un substrat collé, par transfert de couches, qui comprend des étapes de réalisation d'une rainure périphérique sur la face avant d'un substrat donneur, d'oxydation thermique de ce substrat, de collage d'un substrat receveur sur ladite face avant et d'amincissement dudit substrat donneur depuis sa face arrière, jusqu'à atteindre le fond de ladite rainure. 10 Un tel procédé permet de transférer uniquement sur le substrat receveur, la partie centrale du substrat donneur et d'éliminer la partie périphérique mal collée de celui-ci. Ce document ne décrit toutefois absolument pas le traitement de substrats donneurs comprenant une couche de circuits enterrée et d'ailleurs une 15 telle couche ne supporterait pas l'oxydation thermique réalisée, ni le traitement thermique après collage à plus de 1000°C, décrits dans ce document. L'invention a donc pour but de proposer un procédé de transfert d'une couche de circuits enterrée qui résolve les inconvénients précités de l'état de la technique et notamment, qui évite l'endommagement de ces circuits. 20 A cet effet, l'invention concerne un procédé de transfert d'une couche de circuits (2) enterrée. Conformément à l'invention, ce procédé comprend les étapes suivantes : - prendre un substrat donneur comprenant intérieurement une 25 zone d'arrêt de la gravure et recouvert sur l'une de ses faces, dite "avant", d'une couche de circuits, - réaliser sur toute la circonférence dudit substrat donneur, du côté de sa face recouverte de la couche de circuits, soit une tranchée périphérique qui s'étend à distance du bord latéral de ce substrat, soit un 30 détourage périphérique, ce détourage ou cette tranchée étant réalisés sur une profondeur telle qu'ils traversent entièrement la couche de circuits et se prolongent dans le substrat donneur, - déposer sur la face exposée de ladite couche de circuits et sur la face détourée ou sur les parois de ladite tranchée, une couche d'un matériau 35 d'arrêt sélectif vis-à-vis de la gravure de ladite couche de circuits, dite "deuxième couche d'arrêt", sans obturer ladite tranchée, - coller un substrat receveur sur ledit substrat donneur du côté recouvert par ladite deuxième couche d'arrêt, - amincir le substrat donneur (1) par gravure chimique de sa face arrière, jusqu'à atteindre ladite zone d'arrêt de la gravure, de façon à obtenir le 5 transfert de ladite couche de circuits enterrée sur ledit substrat receveur. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : - ladite zone d'arrêt de la gravure est une couche dite "première couche d'arrêt", d'un matériau sélectif vis-à-vis de la gravure du matériau de la 10 partie arrière du substrat donneur ; - ladite zone d'arrêt de la gravure est une interface entre une couche avant dopée et une couche arrière non dopée du substrat donneur ; - le détourage périphérique ou la tranchée périphérique présente une profondeur telle qu'il ou qu'elle traverse ladite zone d'arrêt de la gravure, 15 sans pénétrer dans la partie arrière ou la couche arrière du substrat donneur ; - le détourage périphérique ou la tranchée périphérique est réalisé(e) sur une profondeur telle qu'il ou qu'elle ne traverse pas ladite zone d'arrêt de la gravure et en ce que, après l'étape d'amincissement par gravure chimique, on procède à une étape supplémentaire d'élimination mécanique de la 20 couronne périphérique résiduelle du substrat donneur, notamment par meulage ou polissage mécano-chimique (CMP) ; - le détourage périphérique ou la tranchée périphérique présente une profondeur telle qu'il ou qu'elle traverse ladite zone d'arrêt de la gravure et se prolonge dans la partie arrière ou la couche arrière du substrat donneur et en 25 ce que, après l'étape d'amincissement par gravure chimique, on procède à une étape supplémentaire d'élimination mécanique du résidu de ladite seconde couche d'arrêt, notamment par meulage ou polissage mécano-chimique (CMP) ; - la deuxième couche d'arrêt est déposée par une technique choisie parmi le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt par rotation ; 30 - la tranchée périphérique est réalisée à l'aide d'une technique choisie parmi la gravure laser, la gravure sèche et la gravure liquide ; - ladite tranchée périphérique est située à une distance du bord latéral du substrat donneur, inférieure ou égale à 5 mm ; - la largeur de la tranchée est comprise entre 10 [Inn et 500 [Inn ; 35 - les matériaux constituant la première et la deuxième couche d'arrêt sont choisis parmi les oxydes ou les nitrures ; - les matériaux constituant la première et la deuxième couche d'arrêt sont choisis parmi l'oxyde de silicium, l'oxynitrure de silicium ou l'oxycarbure de silicium ; - les matériaux constituant la première et la deuxième couche 5 d'arrêt sont identiques ; - le substrat donneur est réalisé en un matériau semi-conducteur ; - le collage des substrats donneur et receveur s'effectue par adhésion moléculaire. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 10 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, des modes de réalisation possibles. Sur ces dessins : 15 - Les figures 1 à 6 sont des schémas représentant les différentes étapes d'un mode de réalisation du procédé conforme à l'invention, - les figures 7 à 9 sont des schémas représentant quelques-unes des étapes d'un autre mode de réalisation du procédé conforme à l'invention, et - les figures 10A à 10D et 11A à 11D sont des vues de détail et à 20 une échelle agrandie de variantes de réalisation de certaines étapes du procédé illustré sur les figures 4 et 5. DESCRIPTION DETAILLEE D'UN MODE DE REALISATION Un premier mode de réalisation de l'invention va maintenant être 25 décrit en faisant référence aux figures 1 à 6. Sur la figure 1, on peut voir un substrat donneur 1 présentant une face 11, dite "face arrière", et une face opposée 12, dite "face avant". La face avant 12 est recouverte d'une couche de circuits 2. En outre, ce substrat donneur 1 présente intérieurement une zone 30 d'arrêt de la gravure. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, cette zone d'arrêt de la gravure est une couche 7 de matériau dénommée "première couche d'arrêt". La couche d'arrêt 7 partage ainsi le substrat donneur 1 entre une 35 partie 102, dite "avant", qui s'étend entre cette couche d'arrêt 7 et la couche de circuits 2 et une partie 101, dite "arrière", qui s'étend entre cette couche d'arrêt 7 et la face arrière 11. Dans l'exemple représenté, ces parties avant 102 et arrière 101 sont nnonocouches. Toutefois, elles pourraient également être multicouches. La première couche d'arrêt 7 est réalisée dans un matériau sélectif vis-à-vis du (des) matériau(x) constituant ledit substrat donneur 1 et notamment de sa partie arrière 101. Cette première couche d'arrêt 7 peut être obtenue par dépôt, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ou par épitaxie sur la partie 10 arrière 101. Elle peut également être obtenue par transfert de couche. La partie avant 102 peut être obtenue après la formation de la couche 7, par les mêmes techniques que celles précitées pour la couche 7. Selon une autre variante de réalisation, la couche d'arrêt 7 peut également être implantée dans le substrat donneur 7, par dopage. Cette 15 technique permet d'éviter l'étape d'ajout de la partie avant 102 évoquée précédemment. A titre d'exemple purement illustratif, le substrat donneur 1 peut être du type "semi-conducteur sur isolant" (Se01) ou "silicone sur isolant" (SOI). Dans ce cas, la couche d'arrêt 7 est constituée d'oxyde de silicium (5i02). 20 Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, la zone d'arrêt de la gravure peut être simplement une interface entre deux couches du substrat donneur. Cette variante de réalisation est représentée sur la figure 7. L'interface porte la référence 7' et s'étend entre une couche arrière 101' et une couche avant 102' du substrat donneur 1'. 25 De préférence, la couche avant 102' est une couche de même nature chimique que la couche 101', mais fortement dopée. On notera que quel que soit le mode de réalisation de la zone d'arrêt de gravure 7, 7' celle-ci est toujours réalisée avant la formation de la couche de circuits 2. 30 L'étape suivante du procédé est représentée sur la figure 2 et consiste à réaliser sur toute la circonférence du substrat donneur 1, du côté de sa face recouverte par la couche de circuits 2, une tranchée périphérique 3, qui s'étend à distance du bord 13 latéral de ce substrat donneur. Cette tranchée 3 est réalisée sur une profondeur telle qu'elle 35 traverse entièrement la couche de circuits 2 et qu'elle se prolonge dans le substrat donneur 1 jusqu'à une profondeur qui sera détaillée ultérieurement en liaison avec les figures 10 et 11. De préférence, la tranchée périphérique 3 est réalisée à l'aide d'une technique choisie parmi la gravure laser, la gravure sèche et la gravure liquide. Avec les deux premières techniques, il n'est pas nécessaire de protéger la couche de circuits 2, en revanche avec la gravure liquide, il faut rajouter un masque de gravure au-dessus de la couche 2, afin de graver uniquement la partie désirée. A titre d'exemple, la tranchée 3 présente avantageusement une largeur L1 comprise entre 10 [Inn et 500 [Inn. Par ailleurs, cette tranchée périphérique 3 est située de préférence à une distance D1 du bord 13 latéral du substrat donneur, inférieure ou égale à 5 mm. Une telle distance permet de maximiser la portion centrale conservée de la couche de circuits 2, puisque c'est celle-ci qui sera utilisée ultérieurement pour la fabrication de composants électroniques. La face exposée 21 de la couche de circuits 2, c'est-à-dire sa face avant, ainsi que les parois intérieures latérales et de fond de la tranchée 3, sont ensuite recouvertes d'une couche 4 d'un matériau d'arrêt de la gravure, sélectif vis-à-vis de la gravure de ladite couche de circuits 2 est dite "deuxième couche d'arrêt". Cette étape s'effectue par dépôt, de préférence par une technique choisie parmi le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt par rotation connu sous l'appellation anglaise de "spin coating". Le "dépôt par rotation" consiste à déposer un matériau visqueux sur la partie centrale du substrat et à mettre en rotation ce dernier selon un axe central. L'étape de formation de la couche 4, illustrée sur la figure 3, est réalisée en veillant bien sûr à ne pas obturer la tranchée 3 préalablement formée. La viscosité du matériau utilisé pour former la couche 4 d'arrêt de gravure et la vitesse de rotation sont choisies de façon à ne pas obturer la tranchée 3. Les matériaux constituant la première couche d'arrêt 7 et la seconde couche d'arrêt 4 sont de préférence choisis parmi les oxydes ou les nitrures, de préférence encore choisis parmi l'oxyde de silicium (Si02), l'oxynitrure de silicium (SiOxNy), l'oxycarbure de silicium (SiOxCy) ou le nitrure de silicium (Si3N4). L'oxyde de silicium peut par exemple être déposé à partir de tétraéthoxysilane (TEOS) dans un plasma d'oxygène ou d'oxygène-argon. De façon avantageuse mais non obligatoire, les matériaux constituant la première couche d'arrêt 7 et la deuxième 4 sont identiques. La couronne périphérique de matériaux qui s'étend radialernent au-delà de la tranchée 3 porte la référence 14. Comme représenté sur la figure 4, on procède ensuite au collage d'un substrat receveur 5 sur la deuxième couche d'arrêt 4 déposée sur le substrat donneur 1. Ce collage s'effectue de préférence par adhésion moléculaire. On notera que le substrat donneur 5 peut éventuellement être recouvert d'une couche de collage 50, par exemple une couche d'oxyde de silicium (Si02) ou une couche de nitrure de silicium (Si3N4). Comme on peut le voir sur la figure 5, on procède ensuite à 15 l'amincissement du substrat donneur 1 par gravure chimique depuis sa face arrière 11, de façon à éliminer la partie arrière 101, et à atteindre la couche 7 d'arrêt de la gravure. Cette étape a également pour effet d'éliminer la couronne périphérique 14 dudit substrat donneur, non collée sur le substrat receveur 5, 20 soit directement, soit après une étape supplémentaire d'amincissement mécanique, comme cela sera décrit ultérieurement plus en détail. On obtient ainsi la couche de circuits 2 enterrée sous la couche avant 102, transférée sur le substrat receveur 5. Le substrat final ainsi obtenu porte la référence 6 (voir figure 6). 25 La présence de la couche d'arrêt 7 et de la deuxième couche d'arrêt 4 sur la face exposée 21 et le bord latéral de la couche de circuits 2 garantit l'absence d'endommagement des circuits pendant la phase d'amincissement par gravure chimique et évite les infiltrations. Dans le cas où la zone d'arrêt est une couche d'arrêt 7 en oxyde de 30 silicium et où le matériau de la partie arrière 101 est du silicium, l'amincissement par gravure chimique sera avantageusement réalisé à l'aide d'un bain de tétrarnéthylanrinnoniunn hydroxyde (TMAH) ou de KOH (hydroxyde de potassium). Dans le cas où la zone d'arrêt est une interface d'arrêt 7', et où la 35 couche arrière 101' est du silicium et la couche avant 102' du silicium fortement dopé, l'amincissement par gravure chimique peut s'effectuer à l'aide d'une solution d'acide sulfurique (H2SO4), d'une solution d'acide phosphorique (H3PO4), d'acide fluorhydrique (HF) ou d'acide propanoïque (C2H5COOH). Le procédé de transfert représenté sur les figures 7 à 9 va maintenant être décrit. Il s'agit d'une variante du procédé décrit précédemment 5 en référence aux figures 1 à 6. Les mêmes éléments portent les mêmes références numériques. Dans ce cas, le substrat donneur, référencé 1', est soumis à un détourage périphérique. La partie détourée porte la référence 3'. Ce détourage est réalisé sur toute la circonférence du substrat 10 donneur 1' et sur une profondeur telle qu'il traverse entièrement la couche de circuits 2 et se prolonge dans le substrat donneur 1'. Ce détourage peut s'effectuer par un polissage ou un meulage, par exemple à l'aide d'un outil appliqué sur une partie du bord latéral 13 du substrat donneur 1'. 15 La deuxième couche d'arrêt 4 est donc déposée à la fois sur la face exposée 21 de la couche de circuits 2 et sur la face latérale détourée 13' du substrat donneur 1. Après collage du substrat receveur 5 (voir figure 8) et amincissement chimique du substrat donneur 1 (voir figure 9), on obtient la 20 couche de circuits 2 transférée sur le substrat receveur 5, soit directement, soit après une étape supplémentaire de polissage mécanique, comme cela sera décrit ultérieurement. On obtient le substrat final référence 6', qui diffère du substrat 6 de la figure 6 en ce que la partie avant 102 est remplacée par la couche avant 25 102'. Bien que l'option du détourage annulaire périphérique ait été décrite uniquement en liaison avec les figures 7 à 9, sur lesquelles le substrat donneur 1' est un substrat qui comprend une interface d'arrêt 7', il faut comprendre que cette étape de détourage pourrait également être réalisée sur 30 le substrat donneur 1 représenté sur les figures 1 à 6, qui comprend la couche d'arrêt 7. Inversement, le substrat donneur 1' des figures 7 à 9 pourrait être soumis à la formation de la tranchée périphérique 3, comme décrit sur les figures 1 à 6. Dans les différents modes de réalisation décrits précédemment, les épaisseurs de la première couche d'arrêt 7 et de la deuxième couche d'arrêt 4 se situent de préférence entre 0,01 [Inn et 100 [Inn. Le paramètre concernant la profondeur de la tranchée périphérique 3 dans le substrat donneur 1 va maintenant être décrit en liaison avec les figures 10A à 10D et 11A à 11D. Bien que cela ne soit pas représenté sur ces figures, le raisonnement est le même si la tranchée 3 est remplacée par un détourage périphérique 3' ou si le substrat donneur est un substrat 1' présentant une interface d'arrêt 7'. Sur la figure 10A, la tranchée 3 est réalisée sur une profondeur telle qu'elle traverse entièrement la couche de circuits 2 et se prolonge dans le substrat donneur 1 mais sans atteindre la couche d'arrêt 7. Sur la variante représentée à la figure 10B, cette tranchée 3 atteint cette fois la couche d'arrêt 7 mais ne la traverse pas. Dans ces deux cas de figure, après l'étape d'amincissement chimique de la partie arrière 101 et, comme on peut le voir respectivement sur les figures 11A et 11B, la couronne périphérique 14 reste rattachée à la partie avant 102 par une épaisseur de matériau plus ou moins importante. Dans ces deux cas, il sera nécessaire de réaliser une étape supplémentaire d'élimination mécanique de cette couronne résiduelle 14, notamment par un meulage ou un polissage mécano-chimique latéral. Dans la variante de réalisation représentée sur la figure 10C, la tranchée périphérique 3 présente une profondeur telle qu'elle traverse la couche 7 d'arrêt de la gravure, sans toutefois pénétrer dans la partie arrière 101 25 de matériau du substrat donneur 1. Dans ce cas, la gravure chimique est suffisante pour éliminer la couronne périphérique 14. En effet, l'épaisseur résiduelle 40 de la deuxième couche d'arrêt 4 est trop faible et donc trop fragile pour retenir la couronne périphérique 14. Cette variante est donc la variante préférentielle de réalisation 30 de l'invention, (voir figure 11C). Enfin, selon une quatrième variante de réalisation de l'invention, la tranchée périphérique 3 présente une profondeur telle, que non seulement elle traverse la couche 7 d'arrêt de la gravure mais qu'elle se prolonge dans la partie arrière 101, (voir figure 10D). 35 Dans ce cas, et comme représenté sur la figure 11D, après l'étape de gravure chimique, on constate qu'il reste une "marche" 41 du matériau de la deuxième couche d'arrêt 4. Cette marche sera alors éliminée soit du fait de sa fragilité inhérente à sa faible épaisseur, soit par un meulage ou un polissage mécano-chimique, si l'on souhaite obtenir une planéité sans défauts. Grâce aux caractéristiques de l'invention, la couche de circuits 2 5 est protégée pendant son transfert et la couche 102' ou la partie avant 102 qui la recouvre peut être ajustée à l'épaisseur désirée en choisissant la position de la zone d'arrêt 7. REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche de circuits (2) enterrée, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - prendre un substrat donneur (1,1') comprenant intérieurement une zone (7,7') d'arrêt de la gravure et recouvert sur l'une de ses 5 faces (12), dite "avant", d'une couche de circuits (2), - réaliser sur toute la circonférence dudit substrat donneur (1,1'), du côté de sa face recouverte de la couche de circuits (2), soit une tranchée périphérique (3) qui s'étend à distance du bord latéral (13) de ce substrat, soit un détourage périphérique (3'), ce détourage (3') ou cette 10 tranchée (3) étant réalisés sur une profondeur telle qu'ils traversent entièrement la couche de circuits (2) et se prolongent dans le substrat donneur (1,1'), - déposer sur la face exposée (21) de ladite couche de circuits (2) et sur la face détourée (13') ou sur les parois de ladite tranchée (3), une couche d'un matériau d'arrêt (4) sélectif vis-à-vis de la gravure de ladite 15 couche de circuits (2), dite "deuxième couche d'arrêt", sans obturer ladite tranchée (3), - coller un substrat receveur (5) sur ledit substrat donneur (1,1') du côté recouvert par ladite deuxième couche d'arrêt (4), - amincir le substrat donneur (1) par gravure chimique de sa 20 face arrière (11), jusqu'à atteindre ladite zone (7,7') d'arrêt de la gravure, de façon à obtenir le transfert de ladite couche de circuits (2) enterrée sur ledit substrat receveur (5). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite zone d'arrêt de la gravure est une couche (7) dite "première couche d'arrêt", d'un 25 matériau sélectif vis-à-vis de la gravure du matériau de la partie arrière (101) du substrat donneur (1). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite zone d'arrêt de la gravure est une interface (7') entre une couche avant dopée (102') et une couche arrière non dopée (101') du substrat donneur (1'). 30 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le détourage périphérique (3') ou la tranchée périphérique (3) présente une profondeur telle qu'il ou qu'elle traverse ladite zone (7,7') d'arrêtde la gravure, sans pénétrer dans la partie arrière (101) ou la couche arrière (101') du substrat donneur (1,1'). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le détourage périphérique (3') ou la tranchée périphérique (3) est réalisé(e) sur une profondeur telle qu'il ou qu'elle ne traverse pas ladite zone (7,7') d'arrêt de la gravure et en ce que, après l'étape d'amincissement par gravure chimique, on procède à une étape supplémentaire d'élimination mécanique de la couronne périphérique résiduelle (14) du substrat donneur (1,1'), notamment par meulage ou polissage mécano-chimique (CMP). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le détourage périphérique (3') ou la tranchée périphérique (3) présente une profondeur telle qu'il ou qu'elle traverse ladite zone (7,7') d'arrêt de la gravure et se prolonge dans la partie arrière (101) ou la couche arrière (101') du substrat donneur (1,1') et en ce que, après l'étape d'amincissement par gravure chimique, on procède à une étape supplémentaire d'élimination mécanique du résidu (41) de ladite seconde couche d'arrêt (4), notamment par meulage ou polissage mécano-chimique (CMP). 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la deuxième couche d'arrêt (4) est déposée par une technique choisie 20 parmi le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt par rotation. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la tranchée périphérique (3) est réalisée à l'aide d'une technique choisie parmi la gravure laser, la gravure sèche et la gravure liquide. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé 25 en ce que ladite tranchée périphérique (3) est située à une distance (D1) du bord latéral (13) du substrat donneur (1,1'), inférieure ou égale à 5 mm. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la largeur (L1) de la tranchée (3) est comprise entre 10 [Inn et 500 [Inn. 30 1 1 . Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les matériaux constituant la première (7) et la deuxième (4) couche d'arrêt sont choisis parmi les oxydes ou les nitrures. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les matériaux constituant la première (7) et la deuxième (4) couche d'arrêt sont 35 choisis parmi l'oxyde de silicium (Si02), l'oxynitrure de silicium (SiOxNy) ou l'oxycarbure de silicium (SiOxCy).13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les matériaux constituant la première (7) et la deuxième (4) couche d'arrêt sont identiques. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, 5 caractérisé en ce que le substrat donneur (1) est réalisé en un matériau semiconducteur. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le collage des substrats donneur (1) et receveur (5) s'effectue par adhésion moléculaire. 10