Brevet FR3006103A1 — publié le 20141128

Module à semi-conducteur de puissance et procédé de fabrication d'un module à semi-conducteur de puissance L'invention concerne en tout premier lieu un module à semi-conducteur de puissance, notamment un module IGBT, servant de module à semi-conducteur convertisseur, comprenant un circuit à semi-conducteur ayant une multiplicité de semi-conducteurs de puissance disposée dans un boîtier commun, donc une combinaison de plusieurs IGBT et des diodes de roues libres associées (IGBT- Insulated Gate Bipolar Transistor soit transistor bipolaire à grille isolée). L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un module à semi-conducteur de puissance de ce genre. On utilise dans ce qui suit, par souci de simplification du langage, habituellement l'expression module à semiconducteur de puissance. Cette expression englobe toutefois toujours des modules IGBT comme mode de réalisation particulier d'un module à semi-conducteur de puissance servant de module à semi-conducteur convertisseur. On sait qu'un convertisseur est un appareil électrique qui transforme de la tension continue en de la tension alternative et du courant continu en un courant alternatif ou de la tension alternative en tension 25 continue et un courant alternatif en courant continu. Un convertisseur qui transforme de la tension continue en de la tension alternative est désigné aussi comme étant un onduleur. Un convertisseur qui transforme de la tension alternative en de la tension continue est désigné aussi d'une manière correspondante comme étant un redresseur. Un convertisseur, notamment un convertisseur de fréquence, et un entraînement formé par un convertisseur comprend, d'une manière en soi connue, un redresseur 5 servant de convertisseur d'entrée et alimentant un circuit intermédiaire en tension continue ainsi qu'un onduleur alimenté par le circuit intermédiaire et servant de convertisseur de sortie. Lors d'une alimentation à partir d'une batterie, le convertisseur se réduit à un 10 circuit intermédiaire en tension continue alimenté directement par la batterie ou par une autre source de tension et à un onduleur alimenté par le circuit intermédiaire et servant de convertisseur de sortie. Cette situation apparaît par exemple pour un moteur 15 électrique alimenté au moyen du convertisseur et servant de dispositif de traction de véhicules routiers électriques alimentés par batterie. Le circuit intermédiaire sert d'accumulateur d'énergie. Une possibilité, en soi connue, de réalisation d'un 20 accumulateur d'énergie de ce genre est constitué sous la forme d'un condensateur ou d'un réseau de condensateurs, désigné dans ce qui suit en résumé et, conformément à la terminologie habituelle, par condensateur de circuit intermédiaire. 25 On connaît des modules IGBT qui sont constitués par exemple sous la forme de parallélépipèdes et qui sont pourvus de trous dans leurs zones de coin. Un module IGBT de ce genre est, à des fins de refroidissement, mis en application par la plaque de fond sur un dissipateur de 30 chaleur. Le module IGBT est, pour la fixation, vissé au dissipateur de chaleur par les trous. Par le DE 10 2005 055 608 B3 on connaît un module à semi- conducteur de puissance qui comprend une multiplicité de condensateurs montés en parallèle. Pour la mise en contact des condensateurs, il est prévu deux barres de courant par lesquelles les éléments formant borne des 5 condensateurs sont mis en contact. On cherche à garantir un contact conducteur de l'électricité durable en faisant en sorte qu'une pièce d'application d'une pression et ayant des bras constitués élastiquement presse les éléments formant borne des condensateurs sur les barres 10 de courant respectives, celles-ci étant soutenues sur leur côté inférieur par une pièce de contre-pression. L'inconvénient de cet état connu de la technique réside dans le nombre des éléments individuels nécessaires et dans la nécessité d'une mise en position correcte de ces 15 éléments les uns par rapport aux autres. L'invention vise un module à semi-conducteur de puissance du type mentionné ci-dessus qui, en faisant l'économie d'éléments nécessaires jusqu'ici, peut être fabriqué d'une manière peu coûteuse et, en outre, en raison des 20 éléments dont on fait l'économie, d'une manière simple et peu compliquée. L'invention vise en outre un procédé de fabrication d'un module à semi-conducteur de puissance de ce genre. L'invention a donc pour objet un module à semi-conducteur 25 de puissance, notamment un module IGBT, comprenant un circuit à semi-conducteur ayant une multiplicité de semiconducteurs de puissance disposée dans un boîtier commun, caractérisé par au moins un condensateur, qui est disposé dans le même boîtier, qui sert dans le module à semi- 30 conducteur de puissance de condensateur intermédiaire et qui a au moins un premier élément formant borne et un deuxième élément formant borne, dans lequel un contact conducteur de l'électricité peut être provoqué entre les éléments formant borne et le circuit à semi-conducteur au moyen du boîtier, en pouvant appliquer au moyen du boîtier une force sur les éléments formant borne, qui maintient les éléments formant borne en contact avec des surfaces de contact du circuit à semi-conducteur. Dans un module à semi-conducteur de puissance, notamment dans un module IGBT, qui comprend un circuit à semiconducteur ayant une multiplicité de semi-conducteurs de puissance disposée dans un boîtier commun, notamment des IGBT, il est prévu ce qui suit : au moins un condensateur servant de condensateur de circuit intermédiaire est mis dans le boîtier du module à semi-conducteur de puissance. Le condensateur de circuit intermédiaire a un premier élément formant borne et un deuxième élément formant borne désigné dans ce qui suit en résumé comme étant les éléments formant borne. Un contact conducteur de l'électricité entre les éléments formant borne et le circuit à semi-conducteur peut être provoqué au moyen du boîtier et est provoqué au moyen du boîtier lorsqu'un module à semi-conducteur de puissance est monté. Cela s'effectue par le fait que l'on peut, au moyen du boîtier, appliquer une force aux éléments formant borne et qu'elle est appliquée lorsque le module à semi- conducteur de puissance est monté, force qui maintient les éléments formant borne en contact avec des surfaces de contact du circuit à semi-conducteur. Le module à semi-conducteur de puissance ainsi proposé comprend sous la forme d'un circuit à semi-conducteur correspondant un convertisseur d'entrée et/ou un convertisseur de sortie ayant des semi-conducteurs de puissance adéquats, notamment ce que l'on appelle des IGBT. Le module à semi-conducteur de puissance comprend également le condensateur de circuit intermédiaire. Le convertisseur d'entrée et/ou le convertisseur de sortie sont ensemble avec le condensateur de circuit intermédiaire rassemblés en une forme de construction prenant peu de place de manière à obtenir dans l'ensemble un module à semi-conducteur de puissance. L'avantage de l'invention réside dans le fait que des éléments nécessaires jusqu'ici, par exemple dans le DE 10 2005 055 608 B3 les barres de courant nécessaires en plus des éléments formant borne proprement dits des condensateurs, ne sont plus nécessaires et qu'ainsi également, la fabrication de module à semi-conducteur de puissance de ce genre est simplifiée car, il était nécessaire jusqu'ici, par exemple dans le DE 10 2005 055 608 B3, de mettre en position les éléments formant borne des condensateurs par rapport aux barres de courant et ainsi de mettre en position les barres de courant par rapport au module à semi-conducteur de puissance. On se dispense maintenant de cette double mise en position. Dans le module à semi-conducteur de puissance suivant l'invention, on prévoit bien plutôt que les éléments formant borne viennent directement en contact avec le circuit à semi-conducteur en les repoussant directement sur des surfaces de contact du circuit à semi-conducteur. Cette pression est appliquée au moyen du boîtier et est obtenue ainsi lors du montage du module à semi-conducteur lors de sa mise dans le boîtier. Un boîtier de ce genre est réalisé habituellement en deux parties ou au moins en deux parties en ayant une partie de base et un couvercle. Dans un boîtier de ce genre, la pression décrite peut être appliquée au moyen du couvercle du boîtier. L'invention vise également un procédé de fabrication d'un module à semi-conducteur de puissance du type décrit ci-après. On met le condensateur de circuit intermédiaire par ses éléments formant borne en relation ou en position par rapport au circuit à semi-conducteur, notamment dans une partie adéquate du boîtier, de manière à ce que les extrémités libres des éléments formant borne se trouvent au-dessus des surfaces de contact du circuit à semiconducteur. Dans un autre stade du procédé, on presse alors, lorsqu'on met dans le boîtier ou lorsque l'on ferme le boîtier, les extrémités libres des éléments formant borne sur les surfaces de contact au moyen du boîtier. La pression d'application ainsi appliquée se maintient tant que le boîtier est fermé. Celui-ci reste fermé au moins pendant que le module à semi-conducteur de puissance est en fonctionnement et que le boîtier complète les éléments disposés dans le boîtier, à savoir au moins le circuit à semi-conducteur et le condensateur intermédiaire en un module à semi-conducteur de puissance. On peut automatiser aussi facilement un procédé de ce genre de fabrication de module à semi-conducteur de puissance. On met d'abord le circuit à semi-conducteur et le condensateur intermédiaire de la manière décrite dans une partie inférieure du boîtier. On met ensuite la partie supérieure du boîtier. La partie supérieure du boîtier et la partie inférieure du boîtier enferment le montage et forment le boîtier du module à semi-conducteur de puissance obtenu. On obtient ainsi en mettant la partie supérieure du boîtier la mise en contact décrite des surfaces de contact du circuit à semi-conducteur par les éléments formant borne du condensateur de circuit intermédiaire. On décrira maintenant des perfectionnements de l'invention. Les caractéristiques mentionnées ne signifient pas que l'on renonce à l'obtention d'une protection autonome pour les combinaisons de caractéristique. Dans un mode de réalisation du module à semi-conducteur de puissance, il est prévu un module à semi-conducteur de puissance, caractérisé en ce que la force appliquée par le boîtier aux éléments formant borne peut être transmise aux éléments formant borne au moyen d'un élément formant ressort se trouvant entre le boîtier et les éléments formant borne. Un élément formant ressort rend possible une application simple et peu compliquée de force par le boîtier, donc par exemple, d'une partie du boîtier servant de partie supérieure aux éléments formant borne. Un ressort hélicoïdal est envisagé comme mode de réalisation possible de l'élément formant ressort ou de chaque élément formant ressort. Le module suivant l'invention peut comporter plusieurs ressorts hélicoïdaux comme éléments formant ressort. Si le ou si chaque élément formant ressort, donc par exemple un ressort hélicoïdal, ou une multiplicité de ressorts hélicoïdaux, est mis sur le boîtier ou sur un élément formant borne ou sur les éléments formant borne, 25 il n'est plus nécessaire de mettre séparément en position l'élément formant ressort ou chaque élément formant ressort, car par la mise sur le boîtier ou sur l'élément formant borne, l'élément formant ressort se trouve déjà dans une position conforme. 30 Si l'élément formant ressort, ou si chaque élément formant ressort, est mis par exemple sur le boîtier donc sur la face intérieure du boîtier ou de la partie supérieure du boîtier, et y est mis dans une position appropriée pour la mise en contact d'un élément formant ressort, il se trouve en raison de cette situation dans une position (position conforme) qui fait que, lorsque l'on met le boîtier/la partie supérieure du boîtier, l'élément formant ressort vient en contact mécaniquement avec l'élément formant borne. Il en va de même si l'élément formant ressort est mis sur une face supérieure, tournée vers le boîtier à mettre 10 ultérieurement, de l'élément formant borne. L'élément formant ressort se trouve alors aussi dans une position conforme qui fait que, lorsque le boîtier est mis, l'élément formant ressort vient mécaniquement en contact avec l'élément formant borne. 15 Lors d'une application de ce genre de l'élément formant ressort ou de chaque élément formant ressort, il est possible d'appliquer une force du boîtier à l'élément formant borne, ce qui en définitive fait que l'élément formant borne est pressé sur la surface de contact 20 respective du circuit à semi-conducteur. Par cette pression d'application, appliquée à l'élément formant ressort au moyen du boîtier, on obtient un contact électrique plus sûr et durable entre l'élément formant borne et la surface de contact. Le condensateur de 25 circuit intermédiaire est ainsi raccordé au circuit à semi-conducteur. Le raccordement s'effectue seulement au moyen des éléments formant borne du condensateur de circuit intermédiaire et sans utilisation d'autres conducteurs. 30 Pour fabriquer rapidement et simplement un module à semiconducteur de puissance de ce genre, un façonnage défini des éléments formant borne du condensateur de circuit intermédiaire et une position définie du condensateur de circuit intermédiaire à l'intérieure du module à semiconducteur de puissance sont suffisants. En mettant le condensateur de circuit intermédiaire en la position définie, les extrémités libres des éléments formants borne se trouvent en raison de leur façonnage défini déjà « sur » les surfaces de contact du circuit à semiconducteur. Le raccordement conducteur d'électricité du condensateur de circuit intermédiaire au circuit à semi- conducteur est alors finalement ménagé en pressant les éléments formant borne sur les surfaces de contact du circuit à semi-conducteur au moyen du boîtier. Dans un mode de réalisation particulier du module à semiconducteur de puissance, il est prévu qu'au moins deux éléments formant ressort soient guidés au moins par endroit en étant superposés en couches et qu'une couche isolante se trouve entre les éléments formant ressort au moins dans la région du guidage de type en couches. Pour des éléments formant borne de ce genre, empilés quasiment en raison de l'agencement de type en couches, il suffit, pour presser plusieurs éléments formant borne sur leur surface de contact du circuit à semi-conducteur, d'un seul élément formant ressort ou d'une transmission de force sinon appropriée, du boîtier aux éléments formant borne. L'élément formant ressort, ou tout dispositif approprié à cet égard, transmet la force du boîtier à la pile d'éléments formant borne de manière à mettre ainsi chaque élément individuel formant borne d'une manière sûre en contact avec la surface de contact respective du circuit à semi-conducteur. Un exemple de réalisation de l'invention sera explicité d'une manière plus précise dans ce qui suit à l'aide du dessin. Des parties ou des éléments qui se correspondent sont munis dans toutes les figures des mêmes repères. Aux dessins : FIG 1 représente une partie d'un module à semi- conducteur de puissance du type suivant l'invention et FIG 2 représente un mode de réalisation particulier de deux éléments formant borne compris dans le module à semi-conducteur de puissance suivant la figure 1. La figure 1 représente une partie d'un module 10 semi- conducteur de puissance en une vue en élévation coupée en partie. Le module 10 à semi-conducteur de puissance comprend un circuit 12 à semi-conducteur qui n'est pas représenté ici avec plus de détail, un dissipateur 14 de chaleur et un condensateur 16 de circuit intermédiaire. Le circuit 12 à semi-conducteur comprend un ou plusieurs commutateurs à semi-conducteur qui ne sont pas représentés, par exemple ce que l'on appelle des IGBT. Le circuit 12 à semi-conducteur réalise la fonction d'un convertisseur, donc par exemple la fonction d'un redresseur ou d'un onduleur. Le circuit 12 à semiconducteur peut être réalisé aussi de manière à assumer à la fois la fonction d'un redresseur et d'un onduleur. Le raccordement du condensateur 16 de circuit intermédiaire au circuit 12 à semi-conducteur s'effectue sur un côté de sortie d'un circuit 12 à semi-conducteur servant de redresseur et/ou sur un côté d'entrée d'un circuit 12 à semi-conducteur servant d'onduleur. Le circuit 12 à semi-conducteur est appliqué à un substrat connu en soi dans l'électronique de puissance, 30 et désigné dans la terminologie spécialisée sous le nom de DCB (Direct Copper Bonded). Ce substrat procure les liaisons conductrices de l'électricité à l'intérieur du circuit 12 à semi-conducteur et assure une bonne dissipation de la chaleur. Le dissipateur 14 de chaleur est relié en conséquence suivant une grande surface au circuit 12 à semi-conducteur. Le circuit 12 à semiconducteur, le dissipateur 14 de chaleur et le condensateur 16 de circuit intermédiaire sont mis ensemble dans un boîtier 18. On ne peut voir dans la représentation de la figure 1 qu'une partie du boîtier 18. La partie du boîtier représentée est par exemple une partie supérieure de boîtier. Le condensateur 16 de circuit intermédiaire est raccordé au circuit 12 à semi-conducteur par au moins deux éléments 20, 22 formant borne. Dans le mode de réalisation représenté, le condensateur 16 de circuit intermédiaire est raccordé par exactement deux éléments 20,22 formant borne (premier élément 20 formant borne ; deuxième élément 22 formant borne) au circuit 12 à semi- conducteur. Une couche 24 isolante facultative se trouve entre les éléments 20, 22 formant borne. La couche 24 isolante est prévue spécialement lorsque les éléments 20,22 formant borne sont empilés comme le montre la figure 2. Pour le raccordement du condensateur 16 de circuit intermédiaire au circuit 12 à semi-conducteur, les deux éléments 20, 22 formant borne entrent en contact respectivement avec une surface 26, 28 de contact (première surface 26 de contact ; deuxième surface 28 de contact) du circuit 12 à semi-conducteur. Il est prévu à cet effet qu'un contact conducteur de l'électricité entre les éléments 20, 22 formant borne et le circuit 12 à semi-conducteur, donc les surfaces 26 , 28 de contact du circuit 12 à semi-conducteur, soit provoqué au moyen du boîtier 18. A cet effet, une force est appliquée aux éléments 20, 22 formant borne au moyen du boîtier 18. Cette force appliquée par le boîtier 18 maintient les éléments 20, 22 formant borne en contact avec les surfaces 26, 28 de contact du circuit 12 à semiconducteur. Par ce contact mécanique on obtient finalement également un contact conducteur de l'électricité. Par la force de pression appliquée au moyen du boîtier 18, on obtient une mise en contact conductrice de l'électricité qui est sûre et qui garantit, même s'il se produit des vibrations ou des secousses du module 10 à semi-conducteur de puissance, un raccordement fiable du condensateur 16 de circuit intermédiaire au circuit 12 à semi-conducteur. Dans le mode de réalisation représenté à la figure 1 du module 10 à semi-conducteur de puissance, des éléments 30 formant ressort sont représentés sous la forme de ressorts hélicoïdaux comme exemple de moyen approprié pour l'application de la force du boîtier 18 aux éléments 20, 22 formant borne. La figure ne permet pas de voir directement que les éléments 30 formant ressorts ou les ressorts hélicoïdaux 25 sont appliqués facultativement, par exemple à la surface intérieur du boîtier 18 ou au côté supérieur, tourné vers la surface intérieure du boîtier 18, des éléments 20, 22 formant borne. Lorsque l'on applique de la sorte les éléments 30 formant ressort par exemple sur le côté 30 supérieur des éléments 20, 22 formant borne, ceux-ci se trouvent, lors de la fermeture du boîtier 18, directement dans une position qui les rend efficaces pour appliquer une force du boîtier 18 aux éléments 20, 22 formant borne. Une mise en position manuelle des éléments 30 formant ressort ou des ressorts hélicoïdaux, en liaison avec la fermeture du boîtier 18 n'est ainsi pas nécessaire. Cela rend la fabrication du module 10 à semiconducteur de puissance particulièrement rapide et peu compliquée. Il en va de même pour une application des ressorts 30 hélicoïdaux à la face intérieure du boîtier 18. Pour mettre les ressorts 30 hélicoïdaux sur les éléments 20, 22 formant borne sur la face intérieure du boîtier 18, on peut envisager par exemple un collage ou une brasure. La figure 2 représente un mode de réalisation particulier des éléments 20, 22 formant borne. Ceux-ci sont, par endroits, guidés l'un sur l'autre à la manière d'une couche et ont au moins dans la région du guidage de type en couches, une couche 24 isolante entre les éléments 20, 22 formant borne. Cet agencement, couche par couche ou en couches (dans ce cas trois couches : premier élément 20 formant borne, couche 24 isolante, deuxième élément 22 formant borne) et désigné en d'autres endroits de cette description également comme un agencement empilé. La flèche tournée vers le bas, à la figure 2, représente la direction d'une force telle qu'elle est obtenue au moyen du boîtier 18 et par exemple peut être transmise au moyen d'un élément 30 formant ressort ou de plusieurs éléments 30 formant ressort ou sinon à l'aide de moyens de transmission de force appropriés aux éléments 20, 22 formant borne. La force ainsi appliquée sert à obtenir une mise en contact sur des surfaces 26, 28 de contact. La flèche, tournée dans la direction du prolongement des éléments 20, 22 formant borne réalisés en barre de courant, illustre l'emplacement du condensateur 16 de circuit intermédiaire qui n'est pas représenté soi-même à la figure 2. L'agencement représenté à la figure 2 des éléments 20, 22 formant borne peut être désigné aussi comme un agencement 5 entrecroisé des éléments 20 , 22 formant borne et peut s'envisager aussi pour plus de deux éléments 20, 22 formant borne, par exemple en partant d'un plan médian vertical les extrémités libres des éléments 20, 22 formant borne s'étendent en alternance vers la droite et 10 vers la gauche pour venir en contact ainsi de plus en plus avec des surfaces 26, 28 de contact à distance du plan médian. L'avantage d'une conformation des éléments 20, 22 en forme de borne comme représenté à la figure 2 et de 15 l'agencement empilé qui s'ensuit réside dans le fait que, à l'aide du boîtier 18 plusieurs éléments 20,22 formant borne peuvent être pressés ensemble sur les surfaces 26, 28 de contact et rester pressés lorsque le boîtier 18 est monté. 20 Bien que l'invention ait été illustrée et décrite plus précisément en détail par l'exemple de réalisation, l'invention n'est pas limitée par l'exemple ou par les exemples exposés et d'autres variantes peuvent en être déduites par l'homme du métier sans sortir de la portée 25 de protection de l'invention. Des aspects individuels à mettre au premier plan de la description ainsi déposée peuvent être résumés brièvement de la manière suivante : Il est indiqué un module 10 semi-conducteur de puissance 30 comprenant un circuit 12 à semi-conducteur ayant une multiplicité de semi-conducteurs de puissance disposée dans un boîtier 18 commun, qui se caractérise par au moins un condensateur disposé dans le même boîtier 18 et servant dans le module 10 à semi-conducteur de puissance de condensateur 16 de circuit intermédiaire et ayant au moins un premier élément 20 formant borne et un deuxième élément 22 formant borne, un contact conducteur d'électricité entre les éléments 20, 22 formant borne et le circuit 12 à semi-conducteur pouvant être provoqué au moyen du boîtier 18 en appliquant à l'aide du boîtier 18 une force sur les éléments 20, 22 formant borne, force qui maintient les éléments 20, 22 formant borne en contact avec les surfaces 26, 28 de contact du circuit 12 à semi-conducteur. REVENDICATIONS1. Module ( 10 ) à semi-conducteur de puissance, notamment module IGBT, comprenant un circuit ( 12 ) à semi-conducteur ayant une multiplicité de semiconducteurs de puissance disposée dans un boîtier ( 18 ) commun caractérisé par au moins un condensateur qui est disposé dans le même 10 boîtier ( 18 ), qui sert dans le module ( 10 ) à semi- conducteur de puissance de condensateur ( 16 ) intermédiaire et qui a au moins un premier élément ( 20 ) formant borne et un deuxième élément ( 22 ) formant borne, dans lequel un contact conducteur de l'électricité 15 peut être provoqué entre les éléments ( 20, 22 ) formant bornes et le circuit ( 12 ) à semi-conducteur au moyen du boîtier ( 18 ), en pouvant appliquer au moyen du boîtier ( 18 ) une force sur les éléments ( 20, 22 ) formant borne, qui maintient 20 les éléments ( 20, 22 ) formant borne en contact avec des surfaces ( 26, 28 ) de contact du circuit ( 12 ) à semiconducteur. 2. Module ( 10 ) à semi-conducteur de puissance suivant 25 la revendication 1, caractérisé en ce que la force appliquée par le boîtier ( 18 ) aux éléments ( 20, 22 ) formant borne peut être transmise aux éléments ( 20, 22 ) formant borne au moyen d'un élément ( 30 ) formant ressort se trouvant entre le boîtier ( 18 ) et les 30 éléments ( 20, 22 ) formant borne. 3. Module ( 10 ) à semi-conducteur de puissance suivant la revendication 1, caractérisé par un ressort hélicoïdal ou par plusieurs hélicoïdaux comme éléments ( 30 ) formant ressort. 4. Module ( 10 ) à semi-conducteur de puissance suivant la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que le ou chaque élément ( 30 ) formant ressort est appliqué au boîtier ( 18 ) ou à un élément ( 20, 22 ) formant borne ou aux éléments ( 20, 22 ) formant borne. 5. Module ( 10 ) à semi-conducteur de puissance suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend deux éléments ( 20, 22 ) formant borne guidés superposés en couches au moins par endroit et une couche ( 24 ) isolante entre les éléments ( 20, 22 ) formant borne au moins dans la région du guidage de type en couches. 6. Procédé de fabrication d'un module ( 10 ) à semi- conducteur de puissance suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on met le condensateur ( 16 ) de circuit intermédiaire par ces éléments ( 20, 22 ) formant borne en relation avec le circuit ( 12 ) à semi-conducteur, en ce que les extrémités libres des éléments ( 20, 22 ) formant borne se trouvent au-dessus des surfaces ( 26, 28 ) de contact et dans lequel on presse les extrémités libres des éléments ( 20, 22 ) formant borne sur les surfaces ( 26, 28 ) de contact au moyen du boîtier ( 18 ).