Brevet FR3001225A1 — publié le 20140725

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure par collage direct de deux couches de matériau présentant une forte énergie de collage. Selon un autre aspect, la présente invention concerne une structure comprenant deux couches de matériaux mises en contact et adaptées pour un collage direct avec une forte énergie de collage. Le collage direct est une technique de collage utilisée de façon industrielle depuis de nombreuses années notamment pour l'élaboration de substrat SOI (acronyme anglais de Silicon On Insulator). Cette technique consiste à provoquer l'adhérence de deux matériaux sans l'ajout de matière adhésive telle que de la colle par exemple. En préparant suffisamment bien les deux surfaces en terme de planéité, de contamination particulaire, de contamination d'hydrocarbure, il est possible de coller deux surfaces à température et pression ambiante directement. Mais le collage à température ambiante, juste après mise en contact des deux surfaces, conduit à une énergie de collage relativement faible, souvent inférieure à environ 500mJ/m2. Pour augmenter l'énergie de collage, il est souvent nécessaire d'effectuer un recuit thermique des deux surfaces mises en contact à des températures supérieures à 200°C pendant une à plusieurs heures. L'énergie de collage alors obtenue peut alors atteindre 4J/m2 comme c'est le cas par exemple dans le collage d'une surface de silicium avec une surface d'oxyde de silicium. Il est aussi possible de traiter les surfaces à coller par un plasma, par exemple un plasma d'azote dans le cas de surface d'oxyde de silicium, qui permet d'atteindre plus rapidement des énergies de collage améliorées pour un même budget thermique appliqué. Sans l'application d'un budget thermique à haute température et surtout s'il n'est pas possible d'effectuer des traitements plasma, il peut être en revanche difficile d'obtenir de fortes énergies de collage. C'est le cas par exemple lors du collage de deux surfaces d'oxyde thermique dont le recuit thermique après mise en contact est effectué à 200°C, l'énergie de collage reste aux alentours de 1,5J/m2. Un des buts de la présente invention est de pallier un ou plusieurs de ces inconvénients. A cet effet, et selon un premier aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure par collage direct entre une première couche de matériau et une deuxième couche de matériau, le procédé comprenant les étapes consistant à : - a) Fournir les première et deuxième couches comprenant chacune une surface de collage, une au moins des première et deuxième couches comprenant des évidements débouchant à la surface de collage de ladite au moins une couche, et la surface de collage de l'une au moins des première et deuxième couches étant formée au moins en partie par un film d'oxyde de silicium, - b) Mettre en contact les surfaces de collage des première et deuxième couches de sorte à fournir la structure et à créer une interface de collage direct entre les première et deuxième couches, - c) Remplir au moins en partie au moins un évidement par un fluide comprenant des molécules d'eau, et - d) Appliquer un budget thermique permettant de réaliser un recuit de collage. Dans ce procédé, la présence d'un film d'oxyde de silicium à 15 l'interface de collage direct et de molécules d'eau à proximité de l'interface de collage direct permet de réaliser un collage direct entre deux couches de matériau avec une forte énergie de collage, sans obligatoirement traiter au préalable les surfaces à coller par plasma et en limitant la température du budget thermique pour le recuit de collage à des basses températures. En 20 effet, la présence de molécules d'eau à proximité d'une interface de collage direct comprenant de l'oxyde de silicium améliore l'énergie de collage de l'interface, et ce même à basse température de recuit. Par l'expression 'budget thermique' on entend dans le présent document, l'application d'une température déterminée pendant une durée déterminée. Par l'expression 25 'basse température', on entend dans le présent document une température allant de la température ambiante, autour de 20°C, à 400°C, de préférence une température inférieure ou égale à 350°C et de préférence encore une température inférieure à environ 250°C, par exemple entre 20°C et 250°C ou entre 50°C et 200°C. 30 Il est entendu dans le présent document que les étapes a), b), c) et d) ne sont pas systématiquement réalisées successivement dans l'ordre énoncé. Selon les variantes de réalisation du procédé, l'étape c) peut notamment être réalisée avant l'étape b) du procédé. C'est notamment le cas lorsque le fluide est de l'air est chargé d'humidité. 35 Le film d'oxyde de silicium peut être un film de dioxyde de silicium SiO2 ou un film d'oxyde non stoechiométrique tel que du SiOx. Le film d'oxyde de silicium peut être un film d'oxyde thermique formé par oxydation d'une couche de matériau de silicium. Le film d'oxyde de silicium peut être un film d'oxyde déposé par une des techniques de dépôt couramment utilisées, telle que la CVD 5 (acronyme anglais de Chemical Vapor Deposition). Selon une possibilité, les première et deuxième couches de matériau comprennent chacune des évidements débouchant à leur surface de collage respective. Au moins un évidement de l'une au moins des première et 10 deuxième couches peut former au moins en partie un évidement avec au moins un évidement de l'autre des première et deuxième couches lorsque ceux-ci se superposent au moment de la mise en contact selon l'étape b) du procédé. Selon une disposition complémentaire, les première et deuxième 15 couches comprennent chacune un film d'oxyde de silicium en surface. Avantageusement, l'étape a) du procédé comprend une étape de formation et d'agencement des évidements dans l'une au moins des première et deuxième couches de sorte que tout point de l'interface de collage direct est situé à une distance inférieure ou égale à une distance seuil d'un bord de 20 l'interface de collage direct, les bords de l'interface de collage direct étant délimités d'une part par les évidements et d'autre part par la périphérie de la structure. Ainsi, la taille, le positionnement et le nombre d'évidements sont déterminés de sorte que les bords de l'interface de collage direct, délimités par 25 les évidements et la périphérie de la structure, sont espacés d'une distance inférieure ou égale à une distance seuil déterminée. Ceci a pour effet que tout point de l'interface de collage direct comprend de l'oxyde de silicium et est à proximité d'un bord de l'interface de collage direct et le cas échéant d'une source de molécules d'eau. En conséquence, tout point de l'interface de 30 collage direct présente une forte énergie de collage même dans le cas d'un recuit de collage effectué à basse température de sorte que la interface complète où le collage direct est mis en oeuvre présente une forte énergie de collage. Avantageusement, le procédé comprend une étape i réalisée après 35 l'étape b) comportant la mise en place de la structure dans une enceinte comprenant un fluide comportant des molécules d'eau. Ainsi le bord de l'interface de collage direct formé par la périphérie de la structure est au voisinage d'une atmosphère humide. Dans cette variante de réalisation, les évidements à proximités de la périphérie de la structure peuvent être plus éloignés de la périphérie de la structure que dans le mode de réalisation précédent tout en permettant à chacun des points de l'interface de collage direct d'être situé à une distance inférieure ou égale à la même distance seuil de molécules d'eau. Selon une variante, au moins un évidement s'étend sensiblement dans un plan de l'interface de collage direct de sorte à déboucher sur un bord latéral de la structure jouxtant le plan de l'interface de collage direct. Ainsi, ledit au moins un évidement communique le cas échéant avec ledit milieu de l'enceinte. Dans cette variante de réalisation, l'étape c) du procédé de remplissage par un milieu comportant des molécules d'au des évidements peut être réalisée par l'étape i) du procédé. Selon une possibilité, la structure comprend une première série d'évidements s'étendant sensiblement dans un plan de l'interface de collage direct de sorte à déboucher sur un bord latéral de la structure jouxtant le plan de l'interface de collage direct. Selon une disposition de l'invention au moins un évidement est hermétique dans la structure. Ledit au moins un évidement hermétique est isolé et enterré au niveau de l'interface de collage direct sans communication avec l'extérieur de la structure. Ledit au moins un évidement hermétique peut être utilisé pour recevoir des dispositifs électroniques tel que des MEMS (acronyme anglais de Micro-Electro-Mechanical Systems). Selon une possibilité, la structure comprend une deuxième série d'évidements hermétiques. Selon une autre variante, le procédé comprend une étape consistant à ménager au moins un orifice à travers l'épaisseur de ladite au moins une des première et deuxième couches de sorte à relier au moins un évidement de ladite au moins une couche à la surface opposée de la surface de collage de ladite au moins une couche. Avantageusement, l'étape c) du procédé comprend une étape consistant à placer la structure à une température comprise entre 20°C et 99°C pendant une durée comprise entre 1 heure et 30 jours. Ce traitement thermique 35 permet d'accélérer le processus permettant d'obtenir une forte énergie de collage à l'interface de collage direct après application du budget thermique de l'étape d) pour le recuit de collage. De préférence, l'application du budget thermique de l'étape d) est réalisée à une température comprise entre 20°C et 400°C, de préférence à une température inférieure ou égale à 350°C et de préférence encore à une température inférieure à 200°C, par exemple entre 20°C et 200° ou encore entre 50°C et 150°C, pendant une durée comprise entre quelques minutes et plusieurs dizaines d'heures et de préférence entre quelques dizaines de minutes et quelques heures. La basse température du budget thermique appliqué permet de réduire les coûts de fabrication. Par ailleurs, le fait d'utiliser une température basse permet de coller des couches de matériaux ayant une différence significative de coefficient de dilatation thermique. De plus, lorsque les couches de matériaux comportent des dispositifs, ceux-ci ne sont pas endommagés par les températures utilisées. De façon avantageuse, le procédé comprend avant l'étape b) de mise en contact des surfaces de collage, une étape consistant à appliquer un traitement plasma sur les surfaces de collage des première et deuxième couches. Il est ainsi possible de sensiblement diminuer la température du budget thermique tout en conservant une forte énergie de collage. Il est notamment possible d'appliquer un budget thermique à température ambiante (environ 20°C) pendant une durée comprise environ entre deux heures et quelques jours. Selon une disposition, ledit fluide comprenant des molécules d'eau comporte de l'air comprenant une humidité relative supérieure à 10% ou de l'eau sous forme liquide. Ces conditions permettent de mettre en contact en permanence suffisamment de molécules d'eau avec la couche d'oxyde de silicium à l'interface de collage direct dans des proportions permettant un renforcement de l'énergie de collage. Un autre fluide gazeux différent de l'air pourrait être utilisé, tel que de l'azote par exemple, dans la mesure où le fluide comprend le même rapport de molécules d'eau. Il est en effet nécessaire que les molécules d'eau puissent venir au contact de l'interface de collage direct, qu'elles puissent être consommées par l'oxyde de silicium et que le fluide soit suffisamment riche en molécules d'eau pour renouveler la présence de molécules d'eau en contact avec l'interface. De préférence, la distance seuil est comprise entre 1,5 et 2,5 cm et de préférence encore, la distance seuil est d'environ 2 cm. Ainsi lorsque les points de l'interface de collage direct sont à environ 2 cm d'un bord de l'interface en contact avec ledit fluide humide, l'énergie de collage est nettement améliorée. De manière concrète, les matériaux de la première couche et/ou de la deuxième couche sont choisis parmi les oxydes de silicium, les matériaux semi-conducteurs, les nitrures de silicium, l'alumine, le SiOC et le diamant. Selon un deuxième aspect, l'invention concerne une structure comprenant une interface de collage direct entre deux surfaces de collage respectivement d'une première couche et d'une deuxième de couche de matériau, la surface de collage de l'une au moins des première et deuxième couches étant formée au moins en partie par un film d'oxyde de silicium, et l'interface de collage direct comprend des évidements, au moins un des évidements étant rempli au moins en partie d'un fluide comprenant des molécules d'eau. Cette structure permet, après recuit de collage, l'obtention d'une forte énergie de collage au niveau des points de l'interface de collage direct situés à proximité des bords de l'interface de collage direct de part la présence de molécules d'eau dans les évidements délimitant les bords de l'interface de collage direct. De préférence, les évidements sont agencés de sorte que tout point de l'interface de collage direct est situé à une distance inférieure ou égale à une distance seuil comprise entre 1,5 et 2,5 cm d'un bord de l'interface de collage direct, les bords de l'interface de collage direct étant délimités d'une part par les évidements et d'autre part par la périphérie de la structure. Ainsi, l'énergie de collage est améliorée en tout point de l'interface de collage direct située à une distance inférieure ou égale à une distance seuil d'un évidement remplie d'un fluide comportant des molécules d'eau. Avantageusement, au moins un évidement s'étend sensiblement selon un plan de l'interface de collage direct de sorte à déboucher sur un bord latéral de la structure jouxtant le plan de l'interface de collage direct. Ainsi, le remplissage de l'évidement avec un fluide comportant des molécules d'eau est facilité en plaçant la structure dans une enceinte comprenant un milieu comportant des molécules d'eau. En effet, les évidements débouchantes ainsi prévus peuvent communiquer avec l'atmosphère extérieure de la structure. Selon une autre disposition, au moins une des première ou deuxième couches comprend au moins un orifice ménagé à travers l'épaisseur de ladite au moins une des première et deuxième couches de sorte à relier au moins un évidement de ladite au moins une couche à la surface opposée de la surface de collage de ladite au moins une couche. Ainsi l'évidement communique avec l'atmosphère extérieure de la structure qui peut comporter ledit comportant des molécules d'eau. Concrètement, le matériau de la première couche et de la deuxième couche est compris parmi les oxydes de silicium, les matériaux semi10 conducteurs, les nitrures de silicium, l'alumine, le SiOC et le diamant. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante des différentes variantes de réalisation de celle-ci, données à titre d'exemple non limitatif et fait en référence aux dessins annexés. Les figures ne respectent pas 15 nécessairement l'échelle de tous les éléments représentés de sorte à améliorer leur lisibilité. Dans la suite de la description, par souci de simplification, des éléments identiques, similaires ou équivalents des différentes formes de réalisation portent les mêmes références numériques. Les figures 1 à 4 représentent une vue en coupe transversale des 20 couches de matériau collées par collage direct selon un mode de réalisation du procédé selon l'invention. Les figures 5 à 7 représentent une variante de réalisation du procédé selon l'invention. La figure 8 illustre une vue en coupe horizontale d'une structure 25 obtenue selon un mode de réalisation du procédé de l'invention. La figure 9 illustre une vue en coupe transversale d'une structure obtenue selon une autre variante de réalisation du procédé selon l'invention. La figure 10 illustre une vue en coupe horizontale une structure obtenue selon encore une autre variante de réalisation du procédé de 30 l'invention. La figure 1 illustre une vue en coupe d'une première couche 1 et d'une deuxième couche 2 de matériau destinées à être collées par collage direct selon l'invention. Les première et deuxième couches 1,2 présentent des surfaces de collages 3,4 disposées face à face pour préparer l'étape b) de 35 mise en contact. Les matériaux des première et deuxième couches 1,2 peuvent être constitués de matériaux oxydés, de matériaux nitrurés ou de semi- conducteurs. Un film d'oxyde de silicium 5 est présent à la surface de collage 3 d'une première couche 1 plane et la deuxième couche 2 présente des évidements 6 débouchant à sa surface de collage 4. Selon une disposition non illustrée, le film d'oxyde de silicium 5 5 peut être formé sur une surface de collage 3,4 évidée au préalable telle que la surface 4 de la deuxième couche 2 illustrée à la figure 1. Selon encore une autre disposition non illustrée, le film d'oxyde de silicium 5 peut avoir été formé au niveau d'une surface de collage 4 de la deuxième couche 2 avant la création des évidements 6 de sorte qu'après évidement, le film 5 ne recouvre 10 pas les parois latérales de la couche 2, ni le fond des évidements 6 mais recouvre juste la surface de collage 4. Comme on le verra plus loin à la figure 5, le film d'oxyde de silicium 5 peut également recouvrir les surfaces de collage 3,4 des première et deuxième couches 1,2 de matériau. La figure 2 illustre les deux surfaces de collages 3,4 mises en 15 contact de sorte à former l'interface de collage direct 7 et la structure 8 souhaitée selon l'étape b) du procédé. Les évidements 6 délimitent alors au moins en partie des évidements 6 débouchant sur l'interface de collage direct 7. Ces évidements 6 sont positionnés de sorte que tout point de l'interface de collage 7 soit à une distance inférieure ou égale à une distance seuil comprise 20 entre 1.5 et 2,5 cm d'un bord 9 de l'interface de collage 7. La figure 3 illustre une étape i) du procédé qui consiste à disposer la structure 8 ainsi formée dans une enceinte 11 comprenant un fluide comportant des molécules d'eau qui recouvre le niveau de l'interface de collage 7. Lorsque les évidements 6 s'étendent sensiblement dans un plan de 25 l'interface de collage 7 tel qu'illustré à la figure 8, les évidements 6 débouchent sur un bord latéral 12 de la structure 8 jouxtant le plan de l'interface de collage 7. Ainsi les évidements 6 communiquent avec le milieu humide contenu dans l'enceinte 11 de sorte que les évidements 6 se remplissent d'un fluide d'eau selon l'étape c) du procédé. Les bords 9 de l'interface de collage 7 sont ainsi 30 en contact avec des molécules d'eau en périphérie de la structure 8 et des évidements 6 délimitant des bords 9 internes de l'interface de collage 7. Puis, la structure est placée à environ 45°C pendant 15 jours avant d'appliquer un budget thermique à basse température, environ 200°C, servant de recuit de collage selon l'étape d) du procédé. Ce budget thermique est 35 réalisé directement dans l'enceinte 11 mais selon une variante de réalisation non illustrée, le budget thermique peut être appliqué dans un four distinct de l'enceinte 11. Ces opérations permettent d'obtenir une énergie de collage renforcée, par exemple de l'ordre de 4J/m2 en tout point de l'interface de collage 7. Selon une autre possibilité non illustrée, les deux surfaces de 5 collages 3,4 sont traitées par plasma avant la mise en contact selon l'étape b) du procédé et le budget thermique selon l'étape d) est appliqué à une température comprise entre environ 20 et 250°C, par exemple à 50°C, pendant quelques heures à plusieurs jours. Par ailleurs, ce budget thermique peut être appliqué à l'air libre lorsque la température de celui-ci est supérieure ou égale 10 à 20°C. Les figures 5 à 7 illustrent une variante du procédé selon l'invention. Des évidements 6 sont ménagés au niveau des deux surfaces de collage 3,4 des première et deuxième couches 1,2. Un film d'oxyde de silicium 5 est déposé sur chacune des surfaces 3,4 ainsi structurées de sorte à 15 reproduire la topologie des évidements 6. La distance entre les évidements 6 permet d'assurer à tout point de l'interface de collage 7, formée à l'étape ultérieure, d'être situé à une distance inférieure ou égale à 2 cm des bords 9 de l'interface de collage 7. Les évidements 6 d'une des couches de matériau sont remplis du fluide contenant les molécules d'eau selon l'étape c) du procédé de 20 sorte qu'une fois les surfaces 3,4 mises en contact, à pression ambiante par exemple, les évidements 6 formés comprennent un fluide comportant des molécules d'eau. La structure 8 ainsi formée est ensuite placée dans une enceinte 11 comprenant un fluide recouvrant le niveau de l'interface de collage 7 selon 25 une étape i) du procédé. Un traitement thermique est appliqué à l'ensemble de l'interface de collage 7 de l'eau dans l'enceinte 11 et dans les évidements 6 de sorte à présenter une température d'environ 90°C pendant 1 h. Puis, comme illustré à la figure 7, un recuit de collage selon l'étape d) est effectué à 250°C pendant quelques heures, de sorte à renforcer l'énergie 30 de collage de la structure 8 en tout point de l'interface de collage 7. La figure 9 illustre des première et deuxième couches 1,2 de matériau dont les surfaces de collage 3,4 recouverte chacune d'un film d'oxyde de silicium 5 ont été mises en contact. Des évidements 6 hermétiques ont été formées au préalable à l'interface de collage 7 et la communication avec 35 l'extérieur de la structure 8 a été rendue possible par le ménagement d'un orifice 14 dans l'épaisseur d'au moins une des couches 1,2 de matériaux. Les évidements 6 peuvent ainsi être remplis d'un fluide comportant des molécules d'eau, tel que de l'air comportant une humidité relative supérieure à 10% pour améliorer l'énergie de collage après un recuit de collage effectué à 300°C pendant quelques minutes. Comme illustré à la figure 10 par une coupe horizontale de la structure 8 au niveau de son interface de collage 7, les évidements 6 ont été agencés de sorte que tout point de l'interface de collage 7 se situe à une distance inférieure ou égale d'une distance seuil d'un bord 9 de l'interface de collage 7 pouvant communiquer avec un fluide comportant des molécules d'eau présent dans un évidement 6 ou dans une enceinte 11 dans laquelle la structure 8 est disposée. Ainsi, la présente invention propose un procédé de fabrication d'une structure 8 comportant un collage direct entre deux couches 1,2 présentant une forte énergie de collage qui évite l'utilisation de recuit de collage à forte température et évite une étape d'activation des surfaces de collage 3,4 par traitement plasma. Ainsi, le procédé est peu couteux, présente un temps de cycle réduit et est applicable à de nombreux matériaux. Il va de soi que l'invention n'est pas limitée aux variantes de réalisation décrites ci-dessus à titre d'exemple mais qu'elle comprend tous les 20 équivalents techniques et les variantes des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons. 25 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure (8) par collage direct entre 5 une première couche (1) de matériau et une deuxième couche (2) de matériau, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à : - a) Fournir les première et deuxième couches (1,2) comprenant chacune une surface de collage (3,4), une au moins des première et deuxième couches (1,2) comprenant des évidements (6) 10 débouchant à la surface de collage (3,4) de ladite au moins une couche, et la surface de collage (3,4) de l'une au moins des première et deuxième couches (1,2) étant formée au moins en partie par un film d'oxyde de silicium (5), - b) Mettre en contact les surfaces de collage (3,4) des première et 15 deuxième couches (1,2) de sorte à fournir la structure (8) et à créer une interface de collage direct (7) entre les première et deuxième couches (1,2), - c) Remplir au moins en partie au moins un évidement (6) par un fluide comprenant des molécules d'eau, et 20 - d) Appliquer un budget thermique permettant de réaliser un recuit de collage. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape a) comprend une étape de formation et d'agencement des évidements (6) dans 25 l'une au moins des première et deuxième couches (1,2) de sorte que tout point de l'interface de collage direct (7) est situé à une distance inférieure ou égale à une distance seuil d'un bord (9) de l'interface de collage direct (7), les bords (9) de l'interface de collage direct (7) étant délimités d'une part par les évidements (6) et d'autre part par la périphérie de la structure (8). 30 3. Procédé l'une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape i) réalisée après l'étape b) comportant la mise en place de la structure (8) dans une enceinte (11) comprenant un fluide comportant des molécules d'eau. 35 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'au moins un évidement (6) s'étend sensiblement dans un plan de l'interface de collage direct (7) de sorte à déboucher sur un bord latéral (12) de la structure (8) jouxtant le plan de l'interface de collage direct (7). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins un évidement (6) est hermétique dans la structure (8). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape consistant à ménager au moins un orifice (14) à travers l'épaisseur de ladite au moins une des première et deuxième couches (1,2) de sorte à relier au moins un évidement (6) de ladite au moins une couche (1,2) à la surface opposée de la surface de collage (3,4) de ladite au moins une couche (1,2). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'étape c) du procédé comprend une étape consistant à placer la structure (8) à une température comprise entre 20°C et 99°C pendant une durée comprise entre 1 heure et 30 jours. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'application du budget thermique de l'étape d) est réalisée à une température comprise entre 20°C et 400°C, de préférence à une température inférieure ou égale à 350°C et de préférence encore à une température inférieure à 200°C, par exemple entre 20°C et 200° ou entre 50°C et 150°C, pendant une durée comprise entre quelques minutes et plusieurs dizaines d'heures et de préférence entre quelques dizaines de minutes et quelques heures. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que ledit fluide comportant des molécules d'eau est formé au moins en partie par de l'air comportant une humidité relative supérieure à 10% ou par de l'eau sous forme liquide. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la distance seuil est comprise entre 1,5 et 2,5 cm et de préférence la distance seuil est d'environ 2 cm. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les matériaux de la première couche (1) et/ou de la deuxième couche (2) sont choisis parmi les oxydes de silicium, les matériaux semi-conducteurs, les nitrures de silicium, l'alumine, le SiOC et le diamant. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le procédé comprend avant l'étape b) de mise en contact des surfaces de collage (3,4) des première et deuxième couches (1,2), une étape consistant à appliquer un traitement plasma sur les surfaces de collage (2,3) des première et deuxième couches (1,2). 13. Structure (8) caractérisée en ce que la structure (8) comprend une interface de collage direct (7) entre deux surfaces de collage (3,4) respectivement d'une première couche (1) et d'une deuxième de couche (2) de matériau, la surface de collage (3,4) de l'une au moins des première et deuxième couches (1,2) étant formée au moins en partie par un film d'oxyde de silicium (5), et l'interface de collage direct (7) comprend des évidements (6), au moins un des évidements (6) étant rempli au moins en partie d'un fluide comprenant des molécules d'eau. 14. Structure (8) selon la revendication 13, caractérisée en ce que les évidements (6) sont agencés de sorte que tout point de l'interface de collage direct (7) est situé à une distance inférieure ou égale à une distance seuil comprise entre 1,5 et 2,5 cm d'un bord (9) de l'interface de collage direct (7), les bords (9) de l'interface de collage direct (7) étant délimités d'une part par les évidements (6) et d'autre part par la périphérie de la structure (8). 15. Structure (8) selon l'une des revendications 13 à 14, 30 caractérisée en ce qu'au moins un évidement (6) s'étend sensiblement selon un plan de l'interface de collage direct (7) de sorte à déboucher sur un bord latéral (12) de la structure (8) jouxtant le plan de l'interface de collage direct (7). 16. Structure (8) selon l'une des revendications 13 à 15, 35 caractérisée en ce qu'au moins une des première ou deuxième couches (1,2) comprend au moins un orifice (14) ménagé à travers l'épaisseur de ladite au moins une des première et deuxième couches (1,2) de sorte à relier au moinsun évidement (6) de ladite au moins une couche à la surface opposée de la surface de collage (3,4) de ladite au moins une couche (1,2).5