Brevet FR3003684A1 — publié le 20140926

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium dans une structure du type semi-conducteur sur isolant. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Un procédé de dissolution connu de l'état de la technique, et illustré aux figures lA et 1B, est un procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium 9 dans une structure 5 du type semi-conducteur sur isolant, comprenant de sa face arrière 6 vers sa face avant 7 un substrat support 8, 10 la couche de dioxyde de silicium 9 et une couche de semi-conducteur 10. La face avant 7 correspond à la surface libre de la couche de semiconducteur 10. L'homme du métier trouvera une description technique d'un tel procédé dans les articles de Kononchuk (Kononchuck et al., Novel trends in SOI 15 technology for CMOS applications, Solid state Phenomena, Vols. 156-158 (2010) pp69-76, ainsi que Konochuck et al., Internai Dissolution of Buried Oxide in SOI Wafers, Solid State Phenomena, Vols. 131-133 (2008) pp113- 118) Ce procédé de dissolution peut être mis en oeuvre dans un four 1, 20 illustré à la figure 2, dans lequel une pluralité de structures 5 sont maintenues sur un support 4 de sorte que le support 4 est adapté pour maintenir les structures 5 avec une distance prédéterminée - typiquement de quelques millimètres - entre chaque structure 5, la face avant 7 d'une structure 5 étant en regard de la face arrière 6 de la structure 5 adjacente à 25 ladite face avant 7. Les structures 5 sont soumises à une atmosphère non oxydante. L'atmosphère non oxydante est assurée par un flux continu de gaz inerte ou réducteur. Le flux de gaz inerte entre dans le four 1 par une entrée 2, et en ressort 30 par une sortie 3. La mise en oeuvre d'un tel traitement thermique entraîne la diffusion d'atomes d'oxygène compris dans la couche de dioxyde de silicium 9 au travers de la couche de semi-conducteur 10. La réaction desdits atomes d'oxygènes avec la couche de semi5 conducteur 10 génère des produits volatiles comprenant du monoxyde de semi-conducteur (ScO). Cependant, les gaz présents à la surface des structures 5, notamment les produits volatiles générés, influent sur la dissolution. Ainsi, le monoxyde de semi-conducteur ralentit la réaction de 10 dissolution lorsque sa concentration en surface des structures 5 augmente. Or, la composition de l'atmosphère du four 1 n'est pas homogène. En effet, du fait du faible espacement entre les structures 5, l'évacuation des produits volatiles s'effectue uniquement par diffusion au niveau du bord des structures 5. 15 Il en résulte une accumulation des produits volatiles plus importante au centre de la surface des structures 5 qu'en leur bord. Ceci implique que la réaction de dissolution est plus rapide à la périphérie qu'au centre des structures 5. Par ailleurs, l'atmosphère du four 1 est obtenue par un flux constant 20 d'un gaz inerte ou réducteur. Le flux de gaz entraine de son entrée 2 dans le four 1 vers sa sortie 3 au moins une partie des produits volatiles. Par conséquent, au cours de son trajet dans le four 1, le flux de gaz se charge en produits volatiles. 25 Selon leur emplacement dans le four, les structures sont donc soumises à une concentration variable de produits volatiles. Enfin, le flux de gaz peut contenir de faibles quantités d'oxygène. En effet, dans la mesure où une absence totale d'oxygène dans le flux de gaz nécessiterait de mettre en oeuvre des moyens très complexes, on 30 tolère un faible pourcentage d'oxygène dans le flux gazeux entrant dans le four, L'oxygène compris dans l'atmosphère du four 1 limite la dissolution de la couche de dioxyde de silicium 9, et dégrade la rugosité de la surface libre de la couche de semi-conducteur 10. L'oxygène contenu dans le flux de gaz réagit préférentiellement avec les structures 5 proches de l'entrée 2 de gaz. Le flux de gaz s'appauvrit donc en oxygène de l'entrée 2 du four 1 vers la sortie 3. Il résulte de cette inhomogénéité de l'atmosphère du four 1 des variabilités importantes sur les caractéristiques des structures 5. Le principal inconvénient de ce procédé de dissolution est que la non homogénéité de l'atmosphère du four 1 conduit à une dégradation de l'uniformité en épaisseur de la couche de dioxyde de silicium 9 et de la couche de semi-conducteur 10, comme illustré à la figure 1A. En effet, à l'issue du traitement thermique, l'épaisseur de la couche de 15 dioxyde de silicium 9 et l'épaisseur de la couche de semi-conducteur 10 sont plus importantes au centre qu'au bord de la structure. Un autre inconvénient de ce procédé de dissolution est qu'il n'est pas uniforme pour toutes les structures 5 de type semi-conducteur sur isolant contenues dans le four 1. 20 En effet, la couche de dioxyde de silicium 9 n'est pas dissoute dans les mêmes proportions d'une structure 5 à l'autre. Les inconvénients précités ne sont pas observés dans un four 1 contenant une seule structure 5. Cependant, étant donné des temps de traitement thermique relativement longs et pour des raisons économiques, il 25 n'est pas envisageable d'un point de vue industriel d'exécuter un tel procédé dans un four 1 ne contenant qu'une seule structure 5. Cependant, certaines applications nécessitent d'avoir recours à une couche de dioxyde de silicium 9 d'une épaisseur inférieure à 50 nm, de sorte à pouvoir appliquer, par exemple, une tension électrique s'exerçant sur des 30 dispositifs réalisés dans ou sur la couche de semi-conducteur 10. Un contrôle très précis de l'épaisseur de ladite couche dioxyde de silicium est alors nécessaire. Par ailleurs, les structures 5 désignées par le terme FDSOI, pour « Fully Depleted Silicon On Insulator », c'est-à-dire SOI totalement déserté, sont particulièrement avantageuses pour la réalisation de composants électroniques tels que des transistors FDMOS (acronyme de « Fully Depleted Metal Oxide Semiconductor »), dont le canal est formé dans ou sur la couche de semi-conducteur 10. Du fait de l'extrême finesse de l'épaisseur de la couche de semi- conducteur 10 (i.e. de l'ordre de 12 nm), la tension de seuil du transistor (usuellement notée Vt), qui dépend de cette épaisseur, est très sensible aux variations d'épaisseur de la couche de semi-conducteur 10. Un but de l'invention est donc de proposer un procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium permettant un contrôle précis des 15 épaisseurs des couches de semi-conducteur et de dioxyde de silicium. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION La présente invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités, et concerne un procédé de dissolution d'une couche 20 de dioxyde de silicium dans une structure du type semi-conducteur sur isolant, comprenant de sa face arrière vers sa face avant un substrat support, la couche de dioxyde de silicium et une couche de semiconducteur, le procédé de dissolution étant mis en oeuvre dans un four dans lequel une pluralité de structures sont maintenues sur un support, le support 25 étant adapté pour maintenir avec une distance prédéterminée entre chaque structure, la face avant d'une structure étant en regard de la face arrière de la structure adjacente à ladite face avant, l'atmosphère du four étant une atmosphère non oxydante, le procédé de dissolution entraînant la diffusion d'atomes d'oxygène compris dans la couche de dioxyde de silicium au 30 travers de la couche de semi-conducteur et générant des produits volatiles résultant de la réaction desdits atomes d'oxygène avec la couche de semi- conducteur, ledit procédé remarquable en ce que le four comprend des pièges adaptés pour réagir avec les produits volatiles de sorte à réduire le gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la face avant d'au moins une structure. Dans le présent texte, la direction verticale est définie comme étant perpendiculaire au sol sur lequel est installé le four. Les termes « supérieur » et « inférieur » sont définis par rapport à cette direction verticale. Par Gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la face avant d'une structure, on entend la variation de la concentration des produits volatiles dans l'espace compris entre la face avant de la structure et la face arrière de la structure adjacente à ladite face avant, et selon des directions comprises dans un plan parallèle à la face avant de la structure. Par opposition, on définit un gradient de concentration des produits volatiles perpendiculaire à la face avant d'une structure comme étant la non uniformité de la concentration des produits volatiles dans l'espace compris entre la face avant de la structure et la face arrière de la structure adjacente à ladite face avant, et selon une direction perpendiculaire à la face avant de la structure. Ainsi, la disposition, dans le four, de pièges adaptés pour réagir avec les produits volatiles permet d'absorber lesdits produits. Il en résulte une diminution du gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la face avant de chaque structure. Par conséquent, la cinétique de dissolution de la couche de dioxyde de silicium est sensiblement égale en tout point de la structure. Par ailleurs, l'absorption des produits volatiles permet d'avoir sensiblement la même concentration de produits volatiles au voisinage de la face avant de chaque structure. Ainsi, le procédé de dissolution est sensiblement uniforme d'une structure à l'autre. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges disposées sur la face arrière des structures du type semi-conducteur sur isolant. Ainsi les pièges sont au plus proche de la face avant de chaque structure. Une telle proximité des pièges et de la surface avant des structures permet une meilleure efficacité du piégeage des produits volatiles. Par ailleurs, la face avant de chaque structure est exposée de manière uniforme à la couche comprenant les pièges. La concentration des produits volatiles à la surface de chaque structure est ainsi plus uniforme, donc le gradient parallèle réduit. En outre, la disposition des pièges au voisinage immédiat de la face avant de chaque structure limite la quantité de produits volatiles entrainés par le flux de gaz. Par conséquent, la cinétique du procédé de dissolution est 15 sensiblement équivalente pour chacune des structures. Ainsi, la réaction de dissolution n'étant plus limitée par la distance séparant deux structures successives, il est possible d'augmenter la capacité de chargement du four pour exécuter le procédé de dissolution. Par ailleurs, ce mode de mise ne oeuvre ne nécessite pas de 20 modification du four. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges disposés sur la face arrière sont compris dans une couche d'une épaisseur supérieure à 30 nm, de préférence supérieure à 50 nm. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges sont compris dans un 25 revêtement recouvrant en tout ou partie le support. Ainsi, il n'est pas nécessaire d'ajouter des étapes de fabrication aux structures pour exécuter le procédé de dissolution. Par ailleurs, le support étant sorti du four après chaque procédé de dissolution, il peut facilement être revêtu d'un matériau de piégeage 30 adéquat. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges sont compris dans des couches de piégeage recouvrant au moins partiellement la face avant de substrats dits « substrats pièges ». Les substrats pièges sont disposés sur le support, chaque substrat piège étant positionné à la place d'une structure du type semi-conducteur, et inséré entre deux structures du type semi-conducteur sur isolant, la face avant du substrat piège étant en regard de la face arrière de la structure du type semi-conducteur sur isolant. Ainsi, il n'est pas nécessaire d'ajouter des étapes de fabrication aux structures pour exécuter le procédé de dissolution. Par ailleurs, les substrats pièges étant sortis du four après chaque procédé de dissolution, il est possible de former de nouveaux pièges sur le support lorsque ces derniers sont saturés en produits volatiles Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges sont compris dans un revêtement recouvrant en tout ou partie la paroi intérieure du four. Par intérieur du four, on entend l'espace dans lequel le support maintenant les structures est introduit pendant l'exécution du procédé de dissolution. Selon un mode de mise en oeuvre, la réaction entre les produits volatiles et les pièges est une réaction d'absorption des produits volatiles par les pièges. Ainsi l'absorption des produits volatiles par les pièges prévient la contamination du four, du support ou des structures. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges comprennent du dioxyde de silicium. Une couche mince comprenant du dioxyde de silicium disposé sur la face arrière d'une structure, et d'une épaisseur supérieure à 30 nm, voir supérieure à 50 nm, résistera à un procédé de dissolution à une température comprise entre 900°C et 1300°C. En revanche, l'oxyde natif, naturellement présent sur la face arrière d'une structure du silicium sur isolant, de par sa faible épaisseur et sa composition chimique s'évapore lors d'un tel traitement et ne peut jouer le rôle de piège. A cet égard, l'homme du métier trouvera une description technique de l'évaporation de l'oxyde sous atmosphère non oxydante dans E.Bussmann et al., Thermal instability of silicon-on-insulator thin films measured by low- energy electron microscopy, Innovation in Thin Film Processing and Characterisation, vol. 12, 012016, 2010. En outre le dioxyde de silicium est compatible avec les procédés de fabrication des structures semi-conductrices. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges comprennent au moins un des matériaux suivants : Tungstène, Nitrure d'aluminium, Alumine. Ainsi, ces matériaux présentent l'intérêt d'être très stables en température. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche de semi-conducteur comprend du silicium. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche de semi-conducteur a une épaisseur supérieure à 100 nm, préférentiellement supérieure à 200 nm, encore plus préférentiellement supérieure à 300 nm. Ainsi, de telles épaisseurs de la couche de semi-conducteur ralentissent la réaction de dissolution. Par conséquent, les pièges ont le temps de réagir de manière efficace avec les produits volatiles. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche de dioxyde de silicium a une épaisseur inférieure à 50 nm, préférentiellement inférieure à 25 nm, encore plus préférentiellement inférieure à 15 nm. Selon un mode de mise en oeuvre, l'atmosphère du four comprend au moins une espèce choisie parmi : argon, dihydrogène. Selon un mode de mise en oeuvre, la température du four est maintenue entre 900°C et 1300°C. Selon un mode de mise en oeuvre, des pièges adaptés pour réagir avec le dioxygène compris dans l'atmosphère du four sont disposés dans le four. Selon un mode de mise en oeuvre, les pièges destinés à réagir avec le dioxygène sont des substrats de silicium. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre des modes de mise en oeuvre d'un procédé de dissolution selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : - Les figures 1A - 1B sont des représentations schématiques d'une structure traitée par un procédé de dissolution d'une structure de type semi-conducteur sur isolant selon les techniques connues de l'art antérieur ; - La figure 2 est une représentation schématique d'un four destiné à l'exécution d'un traitement thermique de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium selon les techniques connues de l'art antérieur ; Les figures 3A - 3B sont des représentations schématiques d'une structure traitée selon l'invention ; - La figure 4 est une représentation schématique d'un four destiné à l'exécution d'un traitement thermique de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium selon l'invention ; - La figure 5 est une représentation schématique d'une structure traitée selon un mode de réalisation de l'invention ; La figure 6 est une représentation schématique d'un substrat piège selon l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Pour les différents modes de mise en oeuvre, les mêmes références 30 seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. Le procédé de dissolution, illustré aux figures 3A et 3B, est un procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium 90 dans une structure 50 du type semi-conducteur sur isolant. La structure 50 du type semi-conducteur sur isolant comprend de sa 5 face arrière 60 vers sa face avant 70 un substrat support 80, la couche de dioxyde de silicium 90 et une couche de semi-conducteur 100. Le procédé de dissolution est mis en oeuvre dans un four 10, illustré à la figure 4, dans lequel une pluralité de structures 50 sont maintenues sur un support 40, lesdites structures étant parallèles les unes aux autres. 10 La face avant 70 d'une structure 50 est en regard de la face arrière 60 de la structure 50 adjacente à ladite face avant 70. Le support 40 est adapté pour maintenir les structures 50 avec une distance prédéterminée entre chaque structure 50. La distance prédéterminée entre chaque structure 50 peut être 15 inférieure à 15 mm, de préférence inférieure à 10 mm. L'atmosphère du four 10 est une atmosphère non oxydante. Le procédé de dissolution entraîne la diffusion d'atomes d'oxygène compris dans la couche de dioxyde de silicium 90 au travers de la couche de semi-conducteur 100. 20 Des produits volatiles résultant de la réaction desdits atomes d'oxygène avec la couche de semi-conducteur 100 sont générés. Les produits volatiles comprennent du monoxyde de semi-conducteur (ScO) Des pièges 110 adaptés pour réagir avec les produits volatiles sont 25 disposés dans le four 10 de sorte à réduire le gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la face avant 70 d'au moins une structure 50. La teneur en oxygène de l'atmosphère non oxydante est préférentiellement inférieure à 10 ppm (ppm : partie par millions). L'atmosphère non oxydante du four 10 est assurée par un flux de gaz 30 inerte ou réducteur. Le flux de gaz inerte ou réducteur peut entrer dans le four 10 par une entrée 20, et en ressort par une sortie 30. L'atmosphère du four 10 peut comprendre au moins une espèce choisie parmi une des espèces suivante : argon, dihydrogène. Pendant le procédé de dissolution, la température du four 10 peut être maintenue à une température comprise entre 900°C et 1300°C, par exemple 1150°C. Les conditions de mise en oeuvre de ce procédé de dissolution, notamment sa durée, peuvent être adaptées pour dissoudre partiellement la 10 couche de dioxyde de silicium 90. Le substrat support 80 peut comprendre au moins un des matériaux suivants : Silicium, Germanium, Alumine, quartz. La couche de semi-conducteur 100 peut comprendre au moins un des matériaux suivants : Silicium, Germanium, Alliage de silicium Germanium. 15 Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, et tel qu'illustré à la figure 5, les pièges 110 sont disposés sur la face arrière 60 de structures 50. De manière avantageuse, un revêtement comprenant les pièges 110 peut être formé sur la face arrière 60 des structures 50. 20 Ainsi les pièges 110 sont au plus proche de la face avant 70 de chaque structure 50. Une telle proximité des pièges 110 et de la face avant 70 des structures 50 permet une meilleure efficacité du piégeage des produits volatiles. Par ailleurs, la face avant 70 de chaque structure est exposée de 25 manière uniforme à la couche comprenant les pièges 110. La concentration des produits volatiles sur la face avant 70 de chaque structure 50 est ainsi plus uniforme, donc le gradient parallèle réduit. En outre, la disposition des pièges 110 au voisinage immédiat de la face avant 70 de chaque structure 50 limite la quantité de produits volatiles 30 entrainés par le flux de gaz. Par conséquent, les variations de concentration en produits volatiles dans le four 10 sont réduites. Ainsi, les variabilités de dissolution d'une structure 50 à l'autre sont réduites. Par conséquent, la couche de dioxyde de silicium 90 est dissoute sensiblement dans les mêmes proportions d'une structure 50 à l'autre. De manière alternative ou complémentaire, et tel qu'illustré à la figure 6 les pièges 110 peuvent être compris dans des couches de piégeage sur la face avant 70 de substrats dits substrats pièges 120. Les substrats pièges 120 sont disposés sur le support 40 à la place de certaines structures 50. Par conséquent, les variations de concentration en produits volatiles dans le four 10 sont réduites. Ainsi, les variabilités de dissolution d'une structure 50 à l'autre sont 15 réduites. De manière particulièrement avantageuse, les pièges 110 disposés sur la face arrière 60 des structures 50 ou sur la face avant des couches de piégeage des substrats pièges 120 peuvent comprendre du dioxyde de silicium. 20 En revanche, l'oxyde natif, naturellement présent sur la face arrière d'une structure du silicium sur isolant, de part sa faible épaisseur et sa composition chimique s'évapore lors d'un tel traitement et ne peut jouer le rôle de piège. Les pièges 110 comprenant du dioxyde de silicium sont 25 avantageusement formés par des techniques de déposition de films minces. Parmi les techniques de déposition de films, on citera les techniques de déposition en phase vapeur à faible pression, et de déposition en phase vapeur activée par plasma connues de l'homme du métier. De manière alternative, la formation d'un film de dioxyde de silicium en 30 face arrière 60 d'un substrat support 80 en silicium ou en face avant d'un substrat piège 120 peut avantageusement être exécutée par oxydation thermique. Le film formé en face arrière 60 d'une structure 50 ou en face avant d'un substrat piège 120 peut avoir une épaisseur supérieure à 30 nm, 5 préférentiellement supérieure à 50 nm. De manière alternative, les pièges 110 peuvent comprendre au moins un des matériaux suivant : Titane, Tungstène, Nitrure d'aluminium, Alumine. Ces matériaux peuvent absorber le monoxyde de semi-conducteur formé lors du procédé de dissolution de la couche de dioxyde de silicium 90. 10 Ces matériaux peuvent être formés sous forme de films par des techniques de déposition de films connues de l'homme du métier. Par exemple les techniques d'évaporation sont particulièrement bien adaptées pour la formation de films de Titane, Tungstène. Le nitrure d'aluminium et l'alumine sont avantageusement formés par des techniques de déposition 15 chimique en phase vapeur, ou de dépôt en couche atomique. De manière alternative ou complémentaire, des pièges 110 peuvent être compris dans un revêtement recouvrant tout ou partie le support 40. Ainsi les pièges 110 sont à proximité de la face avant 70 des structures 50. 20 Par conséquent, les produits volatiles sont efficacement piégés. De manière particulièrement avantageuse, les pièges 110 comprennent du dioxyde de silicium. Les pièges 110 comprenant du dioxyde de silicium sont avantageusement formés par des techniques de dépositions en phase 25 vapeur, ou par oxydation thermique Le revêtement formé sur le support 40 peut avoir une épaisseur supérieure à 50 nm, voir supérieure à 500 nm. De manière alternative, les pièges 110 peuvent comprendre au moins un des matériaux suivant : Titane, Tungstène, Nitrure d'aluminium, Alumine. Ces matériaux peuvent être formés sous forme de film par des 30 techniques de déposition de film connues de l'homme du métier. Par exemple des techniques des techniques de déposition chimique en phase vapeur, ou de dépôt de en couche atomique. De manière complémentaire, les pièges 110 sont compris dans un revêtement recouvrant en tout ou partie la paroi intérieure du four 10. De manière particulièrement avantageuse, les pièges 110 comprennent du dioxyde de silicium. De manière alternative, les pièges 110 peuvent comprendre au moins un des matériaux suivant : Titane, Tungstène, Nitrure d'aluminium, Alumine. De manière particulièrement avantageuse, la couche de semi- 10 conducteur 100 a une épaisseur supérieure à 100 nm, préférentiellement supérieure à 200 nm, encore plus préférentiellement supérieure à 300 nm. Pour de telles épaisseurs de couche de semi-conducteur 100, la vitesse de dissolution est inférieure à 0.5 A/minute. Ainsi, les produits volatiles formés lors du procédé de dissolution ont le 15 temps de diffuser vers les pièges. Par conséquent, les variations de concentration en produits volatiles sont réduites. De manière avantageuse, la couche de dioxyde de silicium 90 a une épaisseur inférieure à 50 nm, préférentiellement inférieure à 25 nm, encore 20 plus préférentiellement inférieure à 15 nm. De manière avantageuse, des pièges 120 adaptés pour réagir avec le dioxygène compris dans l'atmosphère du four 10 peuvent également être disposés dans le four 10. 25 Les pièges 120 destinés à réagir avec le dioxygène peuvent être des substrats de silicium disposés sur le support 40 à la place de certaines structures 50. De préférence, les substrats de silicium destinés à réagir avec le dioxygène compris dans l'atmosphère du four sont disposés à proximité de 30 l'entrée de gaz inerte ou réducteur. Encore plus préférentiellement, les substrats de silicium sont disposés en amont du flux de gaz inerte ou réducteur par rapport aux structures 50. Ainsi, l'oxygène compris dans le flux de gaz inerte ou réducteur réagit avec les pièges 120 avant d'atteindre une structure 50. Le procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium 90 selon l'invention permet de rendre homogène la composition de l'atmosphère du four 10 L'accumulation des produits volatiles est réduite. Par conséquent, il est possible de limiter la dégradation de l'uniformité 10 en épaisseur de la couche de dioxyde de silicium 90 et de la couche de semi-conducteur 90 constatée dans l'art antérieur. Par ailleurs, le procédé selon l'invention permet la dissolution plus uniforme d'une structure 50 à l'autre, par rapport au procédé de l'art antérieur. 15 REVENDICATIONS1. Procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium (90) dans une structure (50) du type semi-conducteur sur isolant, comprenant de sa face arrière (60) vers sa face avant (70) un substrat support (80), la couche de dioxyde de silicium (90) et une couche de semi-conducteur (100), le procédé de dissolution étant mis en oeuvre dans un four (10) dans lequel une pluralité de structures (50) sont maintenues sur un support (40), le support (40) étant adapté pour maintenir les structures (50) avec une distance prédéterminée entre chaque structure (50), la 10 face avant (70) d'une structure (50) étant en regard de la face arrière (60) de la structure (50) adjacente à ladite face avant (70), l'atmosphère du four (10) étant une atmosphère non oxydante, le procédé de dissolution entraînant la diffusion d'atomes d'oxygène compris dans la couche de dioxyde de silicium (90) au travers de la couche de semi- 15 conducteur (100) et générant des produits volatiles résultant de la réaction desdits atomes d'oxygène avec la couche de semi-conducteur (100), ledit procédé étant caractérisé en ce que le four (10) comprend des pièges (110) adaptés pour réagir avec les produits volatiles, de sorte à réduire le gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la 20 face avant (70) d'au moins une structure (50). 2. Procédé de dissolution selon la revendication 1, dans lequel les pièges (110) sont disposés sur la face arrière (60) des structures (50) du type semi-conducteur sur isolant. 25 3. Procédé de dissolution selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les pièges (110) sont compris dans un revêtement recouvrant en tout ou partie le support (40). 30 4. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel les pièges (110) sont compris dans des couches de piégeage sur la face - 3003684 17 avant (70) de substrats dits substrats pièges (120), les substrats pièges (120) étant disposés sur le support (40), chaque substrat piège étant inséré entre deux structures (50) du type semi-conducteur sur isolant, la face avant (70) du substrat piège étant en regard de la face arrière (60) de la structure (50) du type semi-conducteur sur isolant. 5. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les pièges (110) sont compris dans un revêtement recouvrant en tout ou partie la paroi intérieure du four (10). 6. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la réaction entre les produits volatiles et les pièges (110) est une réaction d'absorption des produits volatiles par les pièges (110). 7. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel les pièges (110) comprennent du dioxyde de silicium. 8. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel les pièges (110) comprennent au moins un des matériaux suivants : Titane, Tungstène, Nitrure d'aluminium, Alumine. 9. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de semi-conducteur (100) comprend du silicium. 10. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche de semi-conducteur (100) a une épaisseur supérieure à 100 nm, préférentiellement supérieure à 200 nm, encore plus préférentiellement supérieure à 300 nm. 11 Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche de dioxyde de silicium (90) a une épaisseur inférieure à50 nm, préférentiellement inférieure à 25 nm, encore plus préférentiellement inférieure à 15 nm. 12. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel l'atmosphère du four (10) comprend au moins une espèce choisie parmi : argon, dihydrogène. 13. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel la température du four (10) est maintenue entre 900°C et 1300°C. 14. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel des pièges (120) adaptés pour réagir avec le dioxygène compris dans l'atmosphère du four (10) sont disposés dans le four (10). 15. Procédé de dissolution selon la revendication 14, dans lequel les pièges (12) destinés à réagir avec le dioxygène sont des substrats de silicium disposés sur le support (40).