Brevet FR3002484A1 — publié le 20140829

La présente invention concerne un procédé d'obtention d'une surface de collage d'un substrat support métallique fritté en vue d'effectuer un collage direct sur un substrat receveur. L'invention concerne également une structure comprenant un substrat support métallique fritté collé par collage direct à un substrat receveur comprenant une couche fonctionnalisée d'un matériau semi-conducteur. Dans l'industrie des matériaux semi-conducteurs, le collage métallique direct est une technologie largement employée pour assurer l'assemblage de deux substrats présentant des couches de collage métalliques 10 et aboutir notamment à des structures 3D fonctionnalisées. Aujourd'hui dans un nombre croissant d'applications telles que l'éclairage, le photovoltaïque et la puissance, il apparait intéressant d'utiliser le collage direct pour assembler des substrats fonctionnalisés par des composants pour LEDs, cellules solaires, transistors ou diodes de puissance 15 etc. avec des substrats métalliques massifs. Non seulement le collage direct est fiable mais l'utilisation d'un substrat métallique conducteur électrique et thermique offre de plus la possibilité de former une électrode commune aux composants, tout en permettant de fournir un puits de chaleur pour la dissipation thermique et/ou par exemple un blindage électromagnétique à 20 l'image d'une cage de Faraday. L'hétérostructure assemblée par collage direct est néanmoins sensible aux différences de coefficients de dilatation thermique (CTE acronyme anglais de Coefficient of Thermal Expansion) des différents matériaux mis en jeu. Il est donc avantageux de choisir un substrat métallique à base de 25 matériaux qui présentent des CTE les plus proches possibles des matériaux semi-conducteurs les plus couramment utilisés, tels que le Si (3 ppm/K), le Ge (5.8 ppm/K), le SiC (2.7 ppm/K), le GaN (5.6 ppm/K). Les métaux de transitions réfractaires c'est-à-dire à haute température de fusion sont privilégiés tels que le Molybdène (7 ppm/K) ou le Tungstène (5.7 ppm/K) qui ont un CTE beaucoup 30 plus faible que celui du Cuivre (17ppm/K) ou de l'Aluminium (23.1 ppm/K). De plus, ces matériaux présentent l'avantage d'avoir un très bon comportement à haute température, telle que 900°C, et une faible sensibilité à la corrosion. La quasi-totalité des substrats massifs composés de ces métaux est obtenue par métallurgie des poudres, plus précisément par frittage 35 (compactage de poudre) et seulement une faible proportion, par exemple 5 à 10 % des substrats de molybdène, est produite par électrofusion au four à arc à électrode consommable ou à bombardement électronique. Les substrats électrofondus présentent une morphologie et des propriétés thermomécaniques beaucoup plus homogènes que celles des 5 substrats frittés ce qui rend leur usinage, polissage et préparation beaucoup plus simple. Ces substrats électrofondus sont par exemple utilisés en tant que miroir (ie rugosité RMS, selon l'acronyme anglais Root Mean Square, Une autre option de préparation de surface est de recouvrir le substrat d'un matériau beaucoup plus mou et facile à travailler tel que le cuivre. Un bon comportement est observé lors du polissage d'une couche de cuivre déposée sur un substrat de molybdène fritté ce qui rend possible un assemblage par collage direct avec un substrat receveur de silicium comprenant des composants. Néanmoins, une couche de cuivre est introduite dans la structure et du fait des différences de CTE entre les matériaux (Si//Cu//Mo), cette couche occasionne des problèmes de fiabilité et des modes de défaillance par fatigue de la structure. La présente invention vise à pallier l'un ou plusieurs de ces inconvénients. A cet effet, la présente invention propose un procédé d'obtention d'une surface de collage d'un substrat support métallique fritté adaptée à un collage direct comprenant les étapes consistant à : - a) Fournir un substrat de base métallique fritté présentant une surface de base comportant une rugosité RMS inférieure 6 nanomètres et une rugosité PV inférieure à 100 nanomètres, - b) Bombarder d'espèces ioniques ladite surface de base, - c) Déposer une couche métallique sur ladite surface de base, l'empilement dudit substrat de base et de ladite couche métallique formant le substrat support métallique, et - d) Effectuer un polissage mécanique et/ou chimique d'une surface exposée de la couche métallique de sorte à obtenir la surface de collage adaptée au collage direct. Par l'expression 'surface exposée de la couche métallique', on 25 entend dans le présent document, la surface libre de la couche métallique déposée située du coté opposé à la surface en contact avec le substrat de base. Grâce à cette combinaison d'étapes, le procédé de l'invention permet notamment d'obtenir un état de surface de collage rendant possible la 30 réalisation d'un collage direct d'un substrat support métallique fritté sur un substrat receveur. Le collage obtenu présente une bonne tenue mécanique, compatible avec son intégration future. L'étape b) de bombardement ionique de la surface de base agit comme un facteur d'homogénéisation des propriétés structurelles et 35 mécaniques de la surface. Cette étape permet notamment d'isoler des propriétés structurelles et mécaniques du substrat de base de la couche métallique déposée ultérieurement à l'étape c) et limite la révélation des grains lors l'étape d) de polissage mécanique et/ou chimique de la surface exposée. Sans vouloir être lié à une quelconque théorie scientifique il semble que l'effet d'homogénéisation de l'étape b) est double et que cette étape a une 5 conséquence à la fois sur l'étape de dépôt c) et sur l'étape d) de polissage mécanique et/ou chimique. L'hypothèse que l'on peut suggérer est que, sur le plan structurel, les ions accélérés par le bombardement bousculent les atomes ordonnés de la structure cristalline de la surface de base ce qui a pour effet d'amorphiser le 10 matériau à la surface par création d'un chaos à l'échelle atomique composé de lacunes, d'interstitiels et de dislocations. Cette amorphisation de la surface est partielle ou totale et s'accompagne également d'une redistribution de la rugosité par l'arrachement de blocs de matière (composés de plusieurs atomes ayant une structure cristalline) et un re-dépôt naturel. 15 En procédant de la sorte, le chaos structurel interdit une reproduction exacte des propriétés structurelles des grains du substrat de base dans la couche métallique déposée à la surface de base. De plus le nivellement de la dureté du matériau en surface du substrat de base homogénéise le comportement de la couche métallique déposée vis-à-vis du 20 procédé de polissage mécanique et/ou chimique. Ainsi les étapes c) et d) réalisées après l'étape b) permettent d'absorber la rugosité PV de la surface, par exemple en termes de rayures générées lors de la préparation du substrat de base, de lisser et de planariser la surface exposée. Ainsi, si l'étape a) est suivie directement de l'étape c) et d) ou 25 uniquement de l'étape d), une révélation des grains est observée à la surface conduisant à un état de surface incompatible avec la technique de collage direct. Il est donc important d'executer les étapes du procédé dans l'ordre indiqué. Par ailleurs, si les étapes b) à d) sont réalisées sur un état de 30 surface différent de celui du substrat de base de l'étape a) la rugosité de surface compatible avec un collage direct est plus difficilement obtenue. Avantageusement, l'étape d) est effectuée de sorte que la surface de collage présente une rugosité RMS inférieure 0,6 nanomètre et une rugosité PV inférieure à 10 nanomètres. Ces valeurs de rugosité permettent d'obtenir un 35 très bon collage direct. Dans le présent document, les valeurs de rugosité RMS (acronyme anglais de Root Mean Square) indiquées ont été mesurées sur un champ 5 micromètres x 5 micromètres, et les valeurs de rugosité PV (acronyme anglais de Peak to Valley) indiquées ont été mesurées sur un champ de 1001 00pm2. Selon une possibilité, le procédé comprend avant l'étape a) une étape i) consistant à effectuer un polissage mécanique de la surface de base. Cette étape i) de polissage mécanique permet de planariser et de lisser la surface indépendamment de la nature chimique et cristalline du matériau travaillé. Elle permet de diminuer fortement et efficacement la rugosité jusqu'à atteindre 6 nm RMS et une rugosité PV inférieure à 100 nm. Comme cette étape ce polissage mécanique génère des défauts de surface caractéristiques, tels que des rayures, rendant impossible un collage direct, les étapes a) à d) successives sont indispensables pour l'obtention d'une couche à la surface adaptée au collage direct. Avantageusement, la couche métallique déposée est formée du même matériau métallique que le substrat de base fritté. De ce fait, le matériau de la couche métallique déposée présente un CTE identique à celui du substrat de base ce qui évite la création de contraintes par des dilatations ou des contractions différentes selon les matériaux au cours de variations de températures. De préférence, le procédé comprend une étape e) exécutée après l'étape d), comprenant un collage direct de la surface de collage sur une surface de réception d'un substrat receveur. Il est ainsi possible de former une structure stable dans la durée, comprenant deux substrats collés par collage direct, sans introduction de couche de matériau notamment de glue, adhésif, etc.., à l'interface de collage entre le substrat support métallique et le substrat receveur. Selon une disposition, l'étape e) de collage direct est réalisée à température ambiante. En effet, la rugosité RMS et la rugosité PV obtenues par les étapes précédentes permettent un collage direct dans de très bonnes conditions. Il est alors possible d'obtenir un collage direct sans traitement thermique. Avantageusement, le substrat receveur comporte au moins une couche fonctionnalisée de matériau semi-conducteur, à la surface de réception. 35 La conduction thermique et électrique à l'interface du collage direct permet notamment de former une électrode commune aux composants fabriqués dans la couche fonctionnalisée de matériau semi-conducteur et un puits de chaleur pour améliorer la dissipation thermique. Elle assure également un blindage électromagnétique. De préférence, la couche fonctionnalisée comprend un matériau 5 monocristallin. Ainsi, les performances des dispositifs formés à partir de cette couche sont optimisées. En variante, le substrat receveur est totalement formé d'un matériau monocristallin. Selon une disposition, la couche fonctionnalisée de matériau semi10 conducteur forme le substrat receveur. De préférence, le matériau semi-conducteur de la couche fonctionnalisée est choisi parmi le silicium, le germanium, le SiGe, le SiC, ou des matériaux binaires, ternaires, quaternaires formés à partir des éléments III et V tels que le GaN, GaAs, InP, InGaN, et l'AIGaN. Beaucoup de composants 15 peuvent être formés à partir de ces matériaux et leur CTE sont proches de ceux des métaux formant le substrat support métallique. De préférence, les fonctionnalités de la couche fonctionnalisée de matériau semi-conducteur comprend des composants pour des LED's, des cellules solaires, des transistors ou des diodes de puissance. Une structure 3D 20 fonctionnalisée peut ainsi être obtenue. Selon une possibilité, le substrat de base comprend un matériau métallique fritté choisi parmi des métaux de transition réfractaires, de préférence le matériau métallique est choisi parmi le molybdène, le tungstène, le tantale, le niobium et le rhénium et les alliages de ces différents matériaux. 25 Ces matériaux présentent avantageusement des CTE proches des matériaux semi-conducteurs les plus couramment utilisés. Ainsi, leur utilisation dans la fabrication de structures fonctionnalisées par collage direct allongent la longévité de la structure, permettent des traitements thermiques à des températures élevées et permettent de diminuer les coûts de fabrication par 30 comparaison à l'utilisation de substrats métalliques fabriqués par électrofusion. Selon une disposition, l'étape b) de bombardement d'espèces ioniques est réalisée avec une dose comprise entre 1E13 et 5E17 at/cm2 par implantation ionique avec une énergie comprise entre 500eV et 250KeV ou par immersion plasma avec une énergie comprise entre 500eV et 50KeV. Ces 35 conditions de bombardement permettent une amorphisation efficace du matériau à la surface de base tout en provoquant son durcissement structurel. L'épaisseur de matériau implanté est d'au moins 10 nm, typiquement de l'ordre de 20 nm. L'immersion plasma ayant une action plus superficielle, elle sera en général préférée à l'implantation ionique. De préférence, les espèces ioniques sont obtenues à partir des 5 éléments choisis parmi He, Ne, Ar, Kr, Xe. Ces espèces ioniques provenant de gaz rares ne réagissent pas avec le matériau implanté dans les conditions d'implantation (et notamment de doses) utilisées. Il peut s'agir d'espèces ioniques simples telles que l'He+ ou multiénergisées telles que l'He++. 10 Avantageusement, l'étape c) de dépôt de la couche métallique est effectuée jusqu'à atteindre une épaisseur de couche supérieure ou égale à trois fois la rugosité PV de ladite surface de base obtenue à l'étape b). Une telle épaisseur de couche permet en effet de niveler la rugosité PV de la surface de base de sorte que les rayures formées par exemple à l'étape i) du 15 procédé selon l'invention ne sont pas reproduites sur la surface exposée de la couche métallique déposée. De préférence, l'étape c) de dépôt est effectuée à une température inférieure au tiers de la température de fusion du matériau métallique de la couche métallique déposée. Ainsi, les défauts crées à la surface de base par le 20 bombardement ionique de l'étape b) ne sont pas restaurés par cet apport d'énergie thermique dans la couche métallique. Selon un deuxième aspect, l'invention propose une structure, notamment pour des applications dans le domaine des LED's, de la puissance et du photovoltaïque, caractérisée en ce que la structure comprend 25 successivement de sa base vers sa surface, un substrat de base fritté métallique dont la surface de base est formée au moins en partie d'un matériau métallique comprenant des espèces ioniques implantées par bombardement sur la surface de base, une couche métallique de compostion chimique identique à celle du substrat de base métallique, l'empilement du substrat de 30 base et de la couche métallique formant un substrat support métallique fritté comportant une surface de collage présentant une rugosité RMS inférieure 0,6 nanomètres et une rugosité PV inférieure à 10 nanomètres. L'obtention d'une surface de collage présentant une telle rugosité RMS et PV traduit l'utilisation de l'homognéisation des propriétés mécaniques 35 et structurelles de la surface du substrat de base fritté en amont, ce qui permet ainsi un collage direct. Avantageusement, la surface de collage est scellée directement à une surface de réception d'un substrat receveur par collage direct. Par l'expression 'scellée directement' on entend dans le présent document qu'il n'y a pas de matériau ni autre couche intermédiaire à l'interface de collage entre le substrat support métallique et le substrat receveur. De préférence, le substrat receveur comprend au moins une couche fonctionnalisée de matériau semi-conducteur, de préférence monocristallin, à la surface de réception. Le contact direct entre le substrat support métallique et la couche fonctionnalisée permet de faciliter la prise de contact électrique des composants formés dans la couche fonctionnalisée, facilite la dissipation thermique de la chaleur produite par le fonctionnement des composants tout en permettant un collage fiable sur la durée. De préférence, le matériau métallique du substrat de base fritté est choisi parmi les métaux de transition réfractaires, de préférence le matériau métallique est choisi parmi le molybdène, le tungstène, le tantale, le niobium et le rhénium et les alliages de ces différents matériaux et la couche fonctionnalisée de matériau semi-conducteur formant le substrat receveur comprend du Si, du Ge, du SiGe, du SiC ou des matériaux binaires, ternaires, quaternaires formés à partir des éléments III et V tels que le GaN, GaAs, InP, InGaN, et l'AIGaN. De la sorte, les matériaux utilisés présentent des CTE proches les uns des autres de sorte que la structure formée est peu sensible aux changements de températures. Par ailleurs, les matériaux des substrats métalliques utilisés étant peu coûteux, la fabrication d'une telle structure présente un coût de revient diminué de sorte qu'elle peut être utilisée dans de nombreuses applications, notamment pour des produits de grande consommation. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation de celle-ci, donné à titre d'exemple non limitatif et fait en référence aux dessins annexés. Les figures ne respectent pas nécessairement l'échelle de tous les éléments représentés de sorte à améliorer leur lisibilité. Dans la suite de la description, par souci de simplification, des éléments identiques, similaires ou équivalents des différentes formes de réalisation portent les mêmes références numériques. - Les figures 1 à 5 illustrent de façon schématique une réalisation du procédé selon l'invention. - La figure 6 illustre de façon schématique une structure fonctionnalisée résultante d'un collage direct selon un mode de réalisation du 5 procédé de l'invention. La figure 1 illustre un substrat de base 1 métallique massif de molybdène fritté dont la surface de base 2 présente une rugosité comprise entre 20 et 30 nanomètres RMS sur un champ de 5*5pm2 et une rugosité PV comprise entre 150 et 250 nanomètres mesurée par interférométrie optique sur 10 un champ de 100x100pm2. Ces caractéristiques correspondent aux caractéristiques typiques des substrats frittés actuellement commercialisés. Plus généralement, le substrat de base 1 peut être formé d'un métal fritté réfractaire tel que du molybdène, du tungstène, du tantale, du rhénium ou du niobium ou d'un alliage de ces métaux. 15 La figure 2 illustre l'étape i) du procédé consistant à effectuer un polissage mécanique sur la surface de base 2, par exemple avec une solution aqueuse de diamant sur un tapis abrasif. La rugosité RMS de la surface de base 2 obtenue après ce polissage est comprise entre 2 et 6 nanomètres, la rugosité PV de la surface de base 2 est comprise entre 25 et 100 nanomètres. 20 Par ailleurs, le polissage sur le substrat de base 1 génère également des rayures à la surface de base 2, qui sont fonction de la technique de polissage mécanique employée. Ces rayures correspondent typiquement à des lignes courbes d'au moins 100pm de longueur (qui en général vont de bout en bout de la surface), avec une largeur de l'ordre de 500nm à 5pm et une profondeur 25 en général supérieure à 100nm. Selon une autre possibilité, le polissage mécanique peut être réalisé avec une solution aqueuse d'alumine sur un tapis abrasif. La figure 3 illustre l'étape b) du procédé qui consiste à bombarder la surface de base 2 du substrat de base 1 de molybdène avec des espèces 30 ioniques formées à base d'hélium avec une dose de 1E16 at/cm2 et une énergie de 10keV. Le bombardement est réalisé par implantation ionique, selon une variante, le bombardement peut être réalisé par immersion plasma. L'amorphisation d'au moins une partie du matériau métallique à la surface de base 2 du substrat de base 1 résultant du bombardement des espèces 35 ioniques est schématiquement illustrée par un film 3 de matériau. Le matériau de ce film 3 a été homogénisé structurellement et mécaniquement parlant sur la surface de base 2 du substrat de base 1 mais il est entendu dans le présent document que l'homogénisation n'a pas obligatoirement lieu sur la totalité de la surface de base 2, que le film 3 peut être continu comme discontinu et que l'homogénisation peut être répartie très irrégulièrement en surface comme en profondeur. L'épaisseur de la zone implantée par bombardement est supérieure à 10 nm et typiquement de l'ordre de 20 nm. Selon une variante de réalisation non illustrée, les espèces ioniques implantées peuvent être formées à base de Ne, Ar, Kr, Xe avec une dose comprise entre 1E13 at/cm2 et 5E17 at/cm2et une énergie comprise entre 10 500eV et 250keV. Selon encore une autre variante, le bombardement des espèces ioniques est obtenu par immersion plasma avec énergie comprise entre 500eV et 50keV. La figure 4 illustre l'étape c) du procédé consistant à déposer une 15 couche métallique 4 de molybdène par une technique de dépôt conventionnelle notamment par la technique PVD (acronyme anglais de Physical Vapor Deposition). La température du dépôt est d'environ 100°C de sorte à être inférieure au tiers de la température de fusion du matériau métallique et éviter la restauration des défauts crées par le bombardement ionique à la surface de 20 base 2 sous-jacente. La couche métallique 4 est déposée sur environ un micromètre de sorte que son épaisseur est supérieure ou égale à au moins trois fois la rugosité PV de la surface de base 2 sur laquelle la couche métallique 4 est déposée. Il est ainsi possible de combler les irrégularités de la rugosité PV et d'éviter de la dupliquer à la surface exposée 5. La rugosité 25 atteinte à la surface exposée 5 de la couche métallique 4 est ainsi comprise entre 2 et 6 nanomètres et la rugosité PV est comprise entre 25 et 100 nm. Du fait de la présence du film 3 implantée en surface 2, le dépôt de la couche métallique 4 est décorelé des grains de surface du substrat de base 1. Le dépôt est à tendance colonnaire et les grains obtenus ont une taille 30 limitée par l'épaisseur déposée et reste dans tous les cas plus petite que celle des grains du substrat de base 1. Selon une autre possibilité, la couche métallique 4 déposée peut être constituée d'un autre matériau métallique que le Mo. De préférence, ce matériau peut être choisi parmi les métaux qui présentent un CTE proche de 35 celui du substrat de base 1 fritté, par exemple le tungstène, le molybdène, le tantale, le rhénium, le niobium ou des alliages de ces métaux. La figure 5 illustre l'étape d) du procédé consistant à effectuer un polissage mécano-chimique à la surface exposée 5 de la couche métallique 4 de Mo déposée de sorte à obtenir la surface de collage 500 adaptée au collage direct. A cet effet, une solution aqueuse de silice colloïdale comprenant un 5 agent oxydant H202 est utilisée pour un polissage d'une durée d'environ trois minutes. La rugosité de la surface de collage 500 ainsi obtenue est d'environ 0.6 nanomètre et la rugosité PV de la surface 500 est d'environ 7 nanomètres. L'état de cette surface de collage 500 est alors compatible avec un collage métallique direct. On peut notamment obtenir un collage direct à température 10 ambiante. La figure 6 illustre l'étape e) du procédé consistant à mettre en contact et à coller la surface de collage 500 sur une surface de réception 6 d'un substrat receveur 7 en silicium massif pouvant avoir été fonctionnalisé au préalable, de sorte à obtenir une structure 800 fonctionnalisée avec embase 15 métallique. Selon une autre possibilité, le substrat receveur 7 peut comprendre un matériau semi-conducteur différent du silicium notamment choisi parmi le Ge, le SiC, le SiGe ou un matériau binaire, ternaire, quaternaire formé à partir des éléments III et V tels que le GaN, InGaN, et l'AIGaN. 20 Selon une variante non illustrée, le substrat receveur 7 peut comprendre une couche fonctionnalisée d'un matériau semi-conducteur à la surface de réception 6. Les fonctionnalités du substrat receveur 7 peuvent notamment comprendre des composants pour LEDs, cellules solaires, transistors ou 25 diodes de puissance. Ainsi, la présente invention propose un procédé d'obtention d'une surface de collage 500 d'un substrat support métallique 100 peu coûteux en vue de réaliser un collage direct, par exemple à température ambiante, sur un substrat receveur 7 fonctionnalisé, comprenant notamment au moins une 30 couche d'un matériau semi-conducteur, avantageusement monocristallin, de sorte à fabriquer à faible coût des structures 3D fonctionnelles 800 fiables dans le temps. Il va de soi que l'invention n'est pas limitée aux variantes de réalisation décrites ci-dessus à titre d'exemples mais qu'elle comprend tous les 35 équivalents techniques et les variantes des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons. REVENDICATIONS1. Procédé d'obtention d'une surface de collage (500) d'un substrat support (100) métallique fritté adaptée à un collage direct comprenant les étapes consistant à : - a) Fournir un substrat de base (1) fritté métallique présentant une surface de base (2) comportant une rugosité RMS inférieure 6 nanomètres et une rugosité PV inférieure à 100 nanomètres, - b) Bombarder d'espèces ioniques ladite surface de base (2), - c) Déposer une couche métallique (4) sur ladite surface de base (2), l'empilement dudit substrat de base (1) et de ladite couche métallique (4) formant le substrat support (100) métallique fritté, et - d) Effectuer un polissage mécanique et/ou chimique d'une surface exposée (5) de la couche métallique (4) de sorte à obtenir la surface de collage (500) adaptée au collage direct. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'étape d) 20 est effectuée de sorte que la surface de collage (500) présente une rugosité RMS inférieure 0,6 nanomètre et une rugosité PV inférieure à 10 nanomètres. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 à 2 caractérisé en ce que le procédé comprend avant l'étape a) une étape i) consistant à effectuer un 25 polissage mécanique de la surface de base (2). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la couche métallique (4) est formée du même matériau métallique que le substrat de base (1). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que le procédé comprend une étape e) exécutée après l'étape d), comprenant un collage direct de ladite surface de collage (500) sur une surface de réception (6) d'un substrat receveur (7). 30 35 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le substrat receveur (7) comporte au moins une couche fonctionnalisée dematériau semi-conducteur, de préférence monocristallin, à la surface de réception (6). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat de base (1) comprend un matériau métallique fritté choisi parmi les métaux de transition réfractaires, de préférence le matériau métallique est choisi parmi le molybdène, le tungstène, le tantale, le niobium et le rhénium et les alliages de ces différents matériaux. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'étape b) de bombardement d'espèces ioniques est réalisée avec une dose comprise entre 1E13 et 5E17 at/cm2 par implantation ionique avec une énergie comprise entre 500eV et 250KeV ou par immersion plasma avec une énergie comprise entre 500eV et 50KeV. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les espèces ioniques sont obtenues à partir des éléments choisis parmi He, Ne, Ar, Kr, Xe. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'étape c) de dépôt de la couche métallique (4) est effectuée jusqu'à atteindre une épaisseur de couche métallique (4) supérieure ou égale à trois fois la rugosité PV de la surface de base (2) obtenue à l'étape b). 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'étape c) de dépôt est effectuée à une température inférieure au tiers de la température de fusion du matériau de la couche métallique (4) déposée. 12. Structure (800), notamment pour des applications dans le domaine des LED's, de la puissance et du photovoltaïque, caractérisée en ce que la structure (800) comprend successivement de sa base vers sa surface, un substrat de base (1) fritté métallique dont la surface de base (2) est formée au moins en partie d'un matériau métallique comprenant des espèces ioniques implantées par bombardement sur la surface de base (2), une couche métallique (4) de compostion chimique identique à celle du substrat de base (1) métallique, l'empilement du substrat de base (1) et de la couche métallique (4) formant un substrat support métallique (100) fritté comportant une surface decollage (500) présentant une rugosité RMS inférieure 0,6 nanomètre et une rugosité PV inférieure à 10 nanomètres. 13. Structure (800) selon la revendication 12, caractérisée en ce 5 que la surface de collage (500) est scellée directement à une surface de réception (6) d'un substrat receveur (7) par collage direct. 14. Structure (800) selon la revendication 13, caractérisée en ce que le substrat receveur (7) comprend au moins une couche fonctionnalisée de 10 matériau semi-conducteur, de préférence monocristallin, à la surface de réception (6). 15. Structure (800) selon la revendication 14, caractérisée en ce que le matériau métallique du substrat de base fritté (1) est choisi parmi les 15 métaux de transition réfractaires, de préférence le matériau métallique est choisi parmi le molybdène, le tungstène, le tantale, le niobium et le rhénium et les alliages de ces différents matériaux et en ce que la couche fonctionnalisée de matériau semi-conducteur forme le substrat receveur (7) et comprend du Si, du Ge, du SiGe, du SiC ou des matériaux binaires, ternaires, quaternaires 20 formés à partir des éléments III et V tels que le GaN, GaAs, InP, InGaN, et l'AIGaN.