Brevet FR2991112A1 — publié le 20131129

Laser semiconducteur optimisé DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine des lasers semiconducteurs, et plus particulièrement des dispositifs de lasers semiconducteurs en réseau spatialement cohérents émettant un faisceau optique de puissance dans l'infrarouge, proche (longueurs d'onde comprises entre 0.8 pm et 3 pm), moyen (3 pm à 10 pm) ou lointain (10 pm à 300 pm). La présente invention s'applique notamment aux dispositifs de diodes lasers 10 en réseau et aux dispositifs de lasers à cascade quantique en réseau dénommés selon l'acronyme QCL pour « Quantum Cascade Laser » en langue anglaise. ETAT DE LA TECHNIQUE 15 Le besoin de puissance dans le domaine infrarouge est actuellement satisfait par l'utilisation de sources lasers à gaz, tel que le CO2, ou des sources à conversion de fréquence. Mais ces lasers sont encombrants, présentent un coût élevé, sont peu robustes et possèdent un faible rendement et donc une 20 consommation élevée. A partir de lasers semiconducteurs, la solution la plus simple pour obtenir de la puissance est d'utiliser des structures émettrices larges, mais cela conduit à des faisceaux émis qui n'ont pas une bonne qualité optique. 25 Une solution est la réalisation d'une large structure active comprenant un réseau de plusieurs émetteurs émettant en phase, ce qui signifie que les différents émetteurs sont spatialement cohérents entre eux. Un premier exemple de dispositif de lasers semiconducteurs en réseau est 30 obtenu à partir de diodes laser. Cette structure comprend une structure active continue et planaire comprenant une fine zone de gain, typiquement de quelques nm à quelques dizaines de nm, elle-même comprenant un empilement de quelques couches semiconductrices formant des puits quantiques (par exemple AIGaAS/GaAs, ou InGaAs/InP). Ces structures émettent un faisceau optique de longueur d'onde typiquement comprise entre 0.8 pm et 3 pm. La structure active est disposée entre deux couches réalisant un confinement de l'onde optique dans la direction verticale perpendiculaire au plan de la structure active. La structuration de la couche active en différents émetteurs s'effectue perpendiculairement à la direction de propagation, selon une direction latérale. L'indice de réfraction est rendu périodique latéralement dans l'une des couches par gravure, ce qui conduit à un confinement latéral de l'onde optique et à une pluralité d'émetteurs répartis selon la périodicité de l'indice. Le mode de gravure standard grave partiellement la zone active et est dénommé « shallow etching » en langue anglaise. Un inconvénient de ces structures est que les émetteurs sont faiblement couplés, et que cela n'apporte pas d'amélioration thermique. Un autre inconvénient est que l'émission cohérente présente en général plusieurs lobes, c'est-à-dire que le laser émet plusieurs faisceaux de directions différentes. Cela nuit à la brillance du laser, et de façon générale à la qualité optique (mesurée par le paramètre M2). Dans les années 80, une structuration dans le plan de la couche supérieure, dénommé jonction Y, a permis d'obtenir une propagation dans le dispositif en réseau du mode fondamental, et ainsi une émission laser sur ce mode (US 4866724). Un inconvénient est que cette approche ne maximise pas la puissance émise. Un second exemple de dispositif de lasers semiconducteurs en réseau est obtenu à partir de lasers à cascade quantique dénommés QCL pour « Quantum Cascade Laser » en anglais. Ces lasers émettent un faisceau 30 optique de longueur d'onde comprise entre 3 pm et 300 pm. Un laser à cascade quantique comprend une structure active comprenant un empilement de plusieurs centaines à plusieurs milliers de couches réalisant une alternance de couches définissant un puits quantique et de couches définissant une barrière quantique. La structure active est située entre deux 2 9 9 1 1 12 3 structures réalisant une fonction de guidage de l'onde optique et d'injection des porteurs. Par exemple, la structure active comprend une alternance de AllnAs et de GalnAs et présente une épaisseur comprise entre lpm et 3 pm. 5 Pour obtenir de la puissance à partir d'un seul laser QCL, la solution la plus simple est d'utiliser une structure large. Cette solution n'est pas satisfaisante pour des considérations de qualité optique du faisceau émis (filamentation, multi-modicité), et également, dans le cas des QCL, pour des considérations thermiques. 10 Afin de conserver une bonne qualité de faisceau, les lasers QCL de puissance actuels sont donc limités à une cavité étroite. Un exemple est un laser QCL utilisant une cavité de 8 pm, émettant à une longueur d'onde de 4.6 pm et délivrant une puissance continue de 5W. Pour l'obtention de puissance optique, une solution est comme 15 précédemment de créer une large structure active, comprenant un réseau de plusieurs émetteurs émettant en phase, ce qui signifie que les différents émetteurs sont spatialement cohérents. Cela permet de dissiper la chaleur latéralement, de manière similaire à un « radiateur » et de contrôler la qualité du faisceau du fait du réseau ainsi crée. La structuration de l'émetteur est 20 généralement périodique perpendiculairement à la direction de propagation. Les réseaux ont permis d'apporter une solution à la qualité de faisceau des lasers larges. Comme précédemment, un inconvénient de ces dispositifs est que l'émission cohérente présente en général plusieurs lobes, c'est-à-dire que le laser émet 25 plusieurs faisceaux de directions différentes. Cela nuit à la brillance du laser, et de façon générale à la qualité optique (mesurée par le paramètre M2). Récemment, un dispositif de lasers QCL en réseau spatialement cohérents entre eux a été réalisé par couplage évanescent (G.M. de Naurois, M. carras, B.Smozrag, O. Patard, F. Alexandre, et X. Marcadet, « Coherent quantum cascade laser micro-stripe arrays », AIP Advances 1, 032165 ,2011). Ce dispostif comprend des émetteurs discrets sous forme de rubans étroits et parallèles, séparés d'une distance inférieure à 1.5 fois la longueur d'onde d'émission. Chaque ruban comprend une structure active, la structure active étant disposée entre deux structures guidantes et injectrices. Dans ce cas, le laser émet sur un mode dénommé mode asymétrique, qui présente en champ lointain deux lobes correspondant à deux directions de faisceau. Il présente l'inconvénient de ne pas laser selon un lobe unique. Un but de l'invention est de palier à l'inconvénient précité, en proposant un dispositif laser comprenant des lasers semiconducteurs en réseau 5 spatialement cohérents émettant selon le mode fondamental qui ne comprend qu'un seul lobe d'émission. DESCRIPTION DE L'INVENTION 10 La présente invention a pour objet un dispositif comprenant une pluralité de lasers semi-conducteurs en réseau spatialement cohérents, comprenant : -au moins une structure active disposée selon un plan Oxy et comprenant au moins une couche à gain apte à générer une onde optique présentant au moins une longueur d'onde d'émission et destinée à émettre lorsque des 15 porteurs de charges sont injectés dans ladite structure active, -ladite structure active étant disposée entre une structure supérieure et une structure inférieure déposée sur un substrat, -lesdites structures supérieure et inférieure étant adaptées pour permettre l'injection de porteurs de charges dans ladite structure active et le 20 confinement de ladite onde optique dans ledit plan Oxy et, - ledit dispositif comprenant une pluralité de rubans formant guides optiques et définis par au moins une desdites structure, lesdits rubans étant parallèles entre eux selon une direction d'alignement y comprise dans ledit plan Oxy, et ledit dispositif étant étant el que : 25 -chaque ruban comprend au moins une première extrémité en forme de pointe, -ladite pluralité de rubans est agencée selon au moins un premier ensemble de rubans et au moins un deuxième ensemble de rubans -deux rubans successifs d'un même ensemble sont espacés d'une distance 30 de séparation constante inférieure ou égale à ladite longueur d'onde d'émission, -lesdites extrémités en pointe des rubans du premier ensemble étant orientées dans le sens opposé à celui desdites extrémités en pointe des rubans du deuxième ensemble et pénétrant entre les extrémités en pointes 35 des rubans du deuxième ensemble sur une distance de pénétration définissant une première zone de couplage par laquelle un mode fondamental de l'onde optique est transmis par couplage du premier ensemble de rubans au deuxième ensemble de rubans. Avantageusement deux rubans successifs appartenant respectivement audit premier ensemble et audit deuxième ensemble sont espacés d'une distance de décalage constante sensiblement égale à la moitié de ladite distance de séparation. Avantageusement, lesdits rubans du deuxième ensemble comprennent une deuxième extrémité en forme de pointe coopérant avec des extrémités en forme de pointe de rubans d'un troisième ensemble de rubans de la même manière que les extrémités des rubans du premier ensemble coopèrent avec les extrémités des rubans du deuxième ensemble, lesdites extrémités réalisant une deuxième zone de couplage dans laquelle ledit mode fondamental de l'onde optique est transmis par couplage du deuxième ensemble de rubans au troisième ensemble de rubans. Avantageusement le dispositif comprend une série de N ensembles de 20 rubans ayant chacun des extrémités en forme de pointe coopérant avec des extrémités en forme de pointe d'un autre ensemble pour définir des zones de couplage entre chaque ensemble. Selon une variante, ladite structure active comprend un empilement de 25 plusieurs centaines à plusieurs milliers de couches réalisant une alternance de couches définissant un puits quantique et de couches définissant une barrière quantique. Avantageusement, le dispositif comprend une pluralité de structures actives 30 et chaque ruban est défini par une structure active. Avantageusement, la structure inférieure et la structure supérieure sont continues et disposées respectivement en dessous et au dessus des structures actives. Avantageusement le dispositif comprend une pluralité d'empilements comprenant une structure active et une structure supérieure, chaque ruban étant défini par un empilement. Avantageusement, le dispositif comprend une pluralité d'empilements comprenant une structure inférieure, une structure active et une structure supérieure, chaque ruban étant défini par un empilement. Avantageusement, un matériau intermédiaire occupe les zones 10 intermédiaires entre deux rubans, et ledit matériau intermédiaire présente une conductivité thermique supérieure à la conductivité thermique d'une structure active. Avantageusement la structure active comprend un empilement de couches 15 actives, deux couches actives étant séparées par une couche de séparation présentant une conductivité thermique supérieure à la conductivité thermique d'une couche active. Selon une autre variante, structure active est continue et planaire, et 20 comprend quelques couches semiconductrices formant des puits quantiques. Avantageusement, chaque ruban est réalisé dans une partie de la structure supérieure. 25 D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en regard des dessins annexés, données à titre d'exemple non limitatifs et sur lesquels : 30 -la figure 1 décrit un dispositif laser selon l'invention vu de dessus, -la figure 2 décrit une variante préférée de l'invention, -la figure 3a représente la distribution de champ et la distribution d'énergie associée à l'émission de deux émetteurs émettant en phase selon le mode antisymétrique, -la figure 3b représente la distribution de champ et la distribution d'énergie associée à l'émission de deux émetteurs émettant en phase selon le mode symétrique, -la figure 4 décrit un exemple de simulation de l'évolution du coefficient de 5 transmission du mode fondamental en fonction de la longueur des pointes d'un dispositif selon l'invention, -la figure 5 décrit un exemple de simulation de l'évolution du coefficient de transmission du mode asymétrique fondamental en fonction de la longueur des pointes d'un dispositif selon l'invention, 10 -la figure 6 décrit un mode de réalisation du dispositif selon l'invention vu en coupe selon le plan Oxz, où chaque ruban est défini par une structure active, - la figure 7 illustre schématiquement un exemple de procédé de fabrication du dispositif laser selon l'invention décrit figure 6, le dispositif étant vu en 15 coupe selon le plan Oxz. - la figure 8 décrit un autre mode de réalisation du dispositif dans lequel le dispositif comprend une pluralité d'empilements comprenant une structure active et une structure supérieure, chaque ruban étant défini par un empilement, 20 -la figure 9 décrit un autre mode de réalisation du dispositif dans lequel le dispositif comprend une pluralité d'empilements comprenant une structure inférieure, une structure active et une structure supérieure, chaque ruban étant défini par un empilement, - la figure 10 décrit une mode de réalisation de l'invention où la structure 25 active est multicouche, - la figure 11 décrit un dispositif selon l'invention, comprenant une pluralité de lasers semiconducteurs de type diode laser en réseau. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 30 La figure 1 décrit un dispositif laser selon l'invention comprenant des lasers semiconducteurs en réseau spatialement cohérents entre eux vu de dessus. Le dispositif laser 1 comprend au moins une structure active disposée selon un plan Oxy, la structure active comprenant au moins une couche à gain 35 apte à générer une onde optique présentant au moins une longueur d'onde 2 9 9 1 1 1 2 8 d'émission À, et destinée à émettre une onde lumineuse de type laser lorsque des porteurs sont injectés dans la structure active. La structure active est disposée entre une structure supérieure et une structure inférieure déposée sur un substrat. Les structures supérieures et inférieures ont deux fonctions principales. Une fonction d'injection de porteurs de charges dans la structure active et une fonction de confinement de l'onde optique dans le plan Oxy. Par exemple, ces structures présentent un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction de la structure active de manière à réaliser une fonction guidante de l'onde optique générée afin qu'elle se propage selon une direction de propagation comprise dans ledit plan Oxy. Le dispositif 1 selon l'invention comprend une pluralité de rubans 10 parallèles entre eux selon une direction d'alignement y comprise dans le plan Oxy, et formant guide d'onde. Les rubans sont définis par au moins une des 15 structures précédentes. D 5 À. Du fait de la fonction guidante des rubans, l'onde optique générée se propage dans les rubans selon une direction de propagation parallèle à la direction des rubans y. 20 Préférentiellement les rubans sont étroits, c'est-à-dire de largeur La faible par rapport à la longueur d'onde d'émission À, par exemple d'un facteur supérieur ou égal 2, préférentiellement à 4 : La 5 À/2, préférentiellement La .5 À/4 . Les rubans selon l'invention ont une forme spécifique et sont agencés d'une 25 manière particulière afin de permettre la sélection et la propagation du mode optique fondamental dans le dispositif. Chaque ruban 10 comprend au moins une première extrémité 16 en forme de pointe. Les rubans 10 sont agencés selon au moins un premier ensemble de rubans 30 101 et au moins un deuxième ensemble de rubans 102. Deux rubans successifs d'un même ensemble sont espacés d'une distance de séparation D constante et inférieure ou égale à la longueur d'onde d'émission À : Les extrémités en pointe 16 des rubans 10 du premier ensemble 101 sont orientées en sens opposé par rapport aux extrémités 16 des rubans 10 du deuxième ensemble 102 et pénètrent entre les extrémités en pointe 16 des rubans du deuxième ensemble 102 sur une distance de pénétration d. Les extrémités des rubans du premier et du deuxième ensemble sont donc tête-bêche et inter-digitées. La distance de pénétration d définit une zone de couplage 30 qui correspond à une bande de recouvrement où à la fois une partie des extrémités des rubans du premier ensemble et une partie des extrémités du ruban du 10 deuxième ensemble sont présentes. La forme et l'agencement de ces extrémités en pointe définissent la zone de couplage 30 dans laquelle le mode optique fondamental, dénommé également mode symétrique, est transmis par couplage du premier ensemble de rubans 101 au deuxième ensemble de rubans 102, comme 15 expliqué plus loin. La distance de pénétration d est comprise entre 0% et 100% de la longueur I de l'extrémité 16, avantageusement entre 30% et 100%. La forme et l'agencement des rubans des lasers en réseau selon l'invention 20 réalise une propagation sélective du mode fondamental au détriment des autres modes, opérant ainsi un filtrage au profit du seul mode fondamental. Les rubans du deuxième ensemble 102 sont décalés par rapport aux rubans du premier ensemble 101 d'une distance de décalage b selon une direction x 25 perpendiculaire à la direction d'alignement y, y étant égale à la direction de propagation de l'onde optique. Un fonctionnement optimum correspondant à une onde se propageant sensiblement symétriquement par rapport à l'axe de la pointe est obtenu pour une distance de décalage ô égale à la moitié de la distance de séparation D soit : 30 i5 = D/2 La figure 2 décrit une variante préférée de l'invention, où la distance de pénétration d entre est égale à la longueur I de l'extrémité 16. Le recouvrement des extrémités en pointes interdigitées est dans ce cas total. Un avantage du recouvrement total est de réaliser un meilleur couplage entre les rubans du premier ensemble et les rubans du deuxième ensemble. Selon une variante préférée de l'invention également décrite figure 2, les rubans 10 du deuxième ensemble 102 comprennent une deuxième extrémité 5 16 en forme de pointe qui coopèrent avec des extrémités 16 en forme de pointe de rubans d'un troisième ensemble de rubans 103 de la même manière que les extrémités des rubans du premier ensemble 101 coopèrent avec les extrémités des rubans du deuxième ensemble 102. Les extrémités tête-bêche du deuxième ensemble 102 et troisième ensemble 103 102 10 réalisent une deuxième zone de couplage 30, dans laquelle le mode fondamental de l'onde optique est transmis par couplage du deuxième ensemble de rubans 102 au troisième ensemble de rubans 103, de la même façon qu'il est transmis du premier ensemble au deuxième ensemble. Avantageusement, on peut ainsi réaliser une série de N ensemble de rubans 15 ayant chacun des extrémités en forme de pointe, ces extrémités coopérant avec des extrémités en forme de pointe d'un autre ensemble pour définir des zones de couplages entre chaque ensemble. Le mode fondamental se transmet successivement d'un ensemble à l'ensemble suivant via les zones de couplage 30. 20 Les zones 31 situées en dehors des zones de couplage 30 et correspondant à des parties rectangulaires des rubans, sont dénommées zone de propagation. Dans ces zones, le mode optique se propage de manière classique. 25 Nous allons à présent expliquer pourquoi l'agencement des rubans selon l'invention permet une sélection du mode fondamental au détriment des autres modes, Dans le cas de l'état de la technique, le dispositif en réseau comprend N 30 rubans étroits et parallèles entre eux, séparés d'une distance D. Les modes de cette structure sont des combinaisons linéraires de N modes élémentaires des rubans individuels. Il existe N combinaisons possibles, créant ainsi N modes, également dénommé supermodes, afin de distinguer les modes des émetteurs individuels et le supermode du dispositf en réseau. 2 9 9 1 1 1 2 11 La figure 3a représente la distribution de champ sur la courbe 31, et la distribution d'énergie sur la courbe 32 associées à l'émission de deux émetteurs 35 et 36 parmi les N, émettant en phase selon le mode antisymétrique. Ce mode est défini par une distribution de champs ou les 5 maximas sont de signe alternés (+-+-+-+). Ce mode présente donc N-1 noeuds de champ entre les N émetteurs. Ce mode est celui qui a le plus de gain, du fait de la symétrie du dispositif comprenant ces N rubans parallèles, et donc ce mode est celui sur lequel le dispositif, comprenant N émetteurs rubans, émettra. Cette émission selon l'état de la technique est monomode 10 (seul ce mode asymétrique lase) et bi-lobe. La figure 3b représente la distribution de champ sur la courbe 33, et la distribution d'énergie sur la courbe 34 associées à l'émission de deux émetteurs 37 et 38 émettant en phase selon le mode symétrique, également 15 dénommé mode fondamental. Ce mode est défini par une distribution de champs dans un plan perpendiculaire à la direction de propagation de l'onde optique pour laquelle le signe des maximas est invariant (++++). Ce mode ne présente aucun noeud (valeur nulle) de champ entre les N émetteurs, il existe donc une énergie non nulle du champ entre les émetteurs. 20 Afin de favoriser ce mode, la forme et l'agencement des rubans selon l'invention ont pour effet de briser la symétrie du dispositif comprenant les rubans parallèles, en décalant les guides selon une direction latérale x perpendiculaire à la direction des rubans, d'une distance D/2 et en les centrant sur l'ouverture du ruban suivant. Cet agencement permet au mode 25 qui ne présente aucun noeud de champ entre les émetteurs, soit le mode fondamental, de se propager. De manière corrélative, cet agencement permet d'annihiler la propagation du mode antisymétrique, qui présente un champ nul entre les émetteurs. De manière générale, plus l'ordre du mode est élevé, c'est-à-dire plus le nombre de noeuds de champ est élevé, moins il 30 sera favorisé, permettant au seul mode fondamental de se propager. Ainsi, dans les zones 31 de propagation, les N émetteurs guidant l'onde optique sont parallèles, et les modes se propagent uniformément dans la direction y, sens de la longueur des rubans. Dans les zones de couplage 30, 35 les rubans ont une extrémité 16 de forme effilée en pointe, et le long de la pointe, au fur et à mesure que la largeur du ruban diminue, le mode se délocalise et se couple sur les rubans situés à proximité, qui présentent le même motif en pointe. Lors de ce couplage, un filtrage du mode s'opère, favorisant le mode fondamental ou symétrique, au détriment du mode antisymétrique. Selon une variante, le dispositif selon l'invention comprend une pluralité de zones de couplage 30. Selon un aspect de l'invention, la structure active comprend un empilement de plusieurs dizaines à plusieurs centaines de couches réalisant une alternance de couches définissant un puits quantique et de couches définissant une barrière quantique. Les lasers comprenant de telles structures actives sont dénommés lasers à cascade quantique. Ces lasers présentent des longueurs d'onde d'émission comprises dans la l'infrarouge moyen ou lointain. Un exemple de laser semiconducteur à cacade quantique selon l'invention comprend un structure active comportant un empilement de plusieurs milliers de couches alternant GalnAs (puits) et AllnAs (barrière), des couches inférieures et supérieures en InP dopé, par exemple dopé Si (InP :Si), la couche inférieure étant déposée sur un substrat en InP. A titre d'exemple, l'épaisseur de la structure active est comprise entre 1 pm et 3 pm, et l'épaisseur des couches inférieure et supérieure est de quelques pm D'autres lasers à cascade quantique sont par exemple réalisés sur un substrat AsGa. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une pluralité de structures actives. Les figures 4 et 5 décrivent à titre non limitatif une simulation d'un exemple de résultat obtenu avec un dispositif selon l'invention. Pour cet exemple : À = 8.4 pm ; D = 8 pm ; L = 2 pm ; d = 100% de la longueur I ; la structure 35 active est un empilement GalnAs/Al/In/As, le substrat est InP. 2 9 9 1 1 1 2 13 On définit pour chaque mode un coefficient de transmission T. T est égal au maximum à 1 pour chaque mode. T correspond au rapport entre le champ à la sortie de la zone de coupage sur le champ à l'entrée de la zone de couplage. Tsym correspond au coefficient de transmission du mode 5 fondamental ou symétrique, TA-SYM correspond au coefficient de transmission du mode asymétrique. La figure 4 décrit l'évolution de Tsym en fonction de la valeur de I en pm. On constate qu'à partir de 1>30 pm, Tsym est égal à 0.995. Le mode fondamental est transmis au passage de la zone de couplage 30. Le couplage du mode 10 fondamental est très robuste par rapport à la valeur de la longueur I, Tsym restant constant sur la plage étudiée 30-200 pm. La figure 5 décrit l'évolution corrélative de TA-SYM en fonction de la valeur de I en pm. On constate que la valeur de TA-sym est faible comparé à la valeur de Tsym. Pour 1=30 pm, TA-SYM = 0.04, et pour 1=100 pm, TA-SYm est inférieur à 15 0.15. La zone de couplage 30 selon l'invention opère bien comme un filtre qui favorise le mode fondamental au détriment du mode antisymétrique. La figure 6 décrit un mode de réalisation du dispositif selon l'invention où 20 chaque ruban 10 est défini par une structure active 62, le dispositif étant vu en coupe selon le plan Oxz. La couches inférieure 61 et la couche supérieure 62 sont continues et disposées respectivement en dessous et au dessus des zones actives. La couche inférieure est disposée sur le substrat 60. Avantageusement, un 25 matériau intermédiaire possédant de bonnes propriétés thermique et optique occupe les zones intermédiaires 64 situées entre deux structures actives 62. Avantageusement, sa conductivité thermique est supérieure à celle de la structure active, de manière à pouvoir évacuer l'énergie thermique générée par les structures actives. Le matériau intermédiaire est isolant ou semi- 30 isolant électriquement, transparent optiquement pour la longueur d'onde d'émission laser, et son indice de réfraction est inférieur à celui de la structure active. Par exemple le matériau intermédiaire est obtenu par épitaxie. Un avantage de ce mode de réalisation est que la hauteur des zones 35 intermédiaires 64 est égale à la hauteur de la structure active, soit par exemple environ 2pm. Cette hauteur limitée facilite la croissance par épitaxie du matériau intermédiaire. La figure 7 illustre schématiquement un exemple de procédé de fabrication 5 du dispositif laser selon l'invention décrit figure 6, le dispositif étant vu en coupe selon le plan Oxz. En 7a, la structure active 62 est initialement une couche continue composée d'une succession de plusieurs milliers de couches à base de GalnAs (puits) et de AllnAs (barrière), déposée sur la structure inférieure 61 par exemple en 10 InP :Si, elle-même déposée sur un substrat 60, par exemple InP. En 7b on dépose sur la structure active 62 une couche de SiO2 66 relativement épaisse (> 500 nm) et une couche de résine 67. Par lithographie optique le motif de guide en pointe est inscrit dans la résine en 7c. Puis le motif est utilisé comme masque pour graver le SiO2 en 7d puis la 15 zone active en 7e, par gravure sèche ou RIE (pour « Reactive Ion Etching »). Les zones actives 62 ainsi fabriquées ont une forme de ruban avec des extrémités en forme de pointe. La gravure sèche permet d'obtenir une très bonne verticalité des flancs des rubans. Puis la résine est enlevée. Dans l'étape 7f, le matériau intermédiaire est 20 réalisé par épitaxie de manière à occuper les zones intermédiaires 64. Ce matériau est par exemple de l'InP dopé Fer (InP:Fe), qui possède un coefficient de conductivité thermique 10 fois supérieur à celui de la structure active 62. Dans l'étape 7g, la couche de SiO2 est enlevée par attaque chimique et la 25 couche supérieure 63 est réalisée par épitaxie. La couche supérieure est par exemple également en InP :Si, comme la couche inférieure. Dans l'étape 7h, on procède au dépôt des contacts 65, face avant et face arrière. 30 La figure 8 décrit un autre mode de réalisation du dispositif dans lequel le dispositif comprend une pluralité d'empilements comprenant une structure active 62 et une structure supérieure 83, chaque ruban 10 étant défini par un empilement. La couche inférieure 61 est continue. Avantageusement, un matériau intermédiaire occupe les zones 35 intermédiaires 84 entre les structures actives 62 ou entre les rubans 10. 2 9 9 1 1 1 2 15 La figure 9 décrit un autre mode de réalisation du dispositif dans lequel le dispositif comprend une pluralité d'empilements comprenant une structure inférieure 91, une structure active 62 et une structure supérieure 83, chaque 5 ruban 10 étant défini par un empilement. Avantageusement, un matériau intermédiaire occupe les zones intermédiaires 94 entre l'empilement comprenant une structure inférieure 91 et une structure active 62 ou entre les rubans 10. 10 Un avantage des modes de réalisation décrits sur les figures 8 et 9, où les structures inférieures et/ou supérieures contribuent à la définition des rubans, est une meilleure injection des porteurs dans la structure active. La figure 10 décrit une mode de réalisation de l'invention où la structure 15 active 105 est multicouche, comprenant un empilement de couches actives 103, deux couches actives étant séparées par une couche de séparation 106 à base d'un matériau ayant une bonne conductivité thermique, au moins supérieure à la conductivité thermique d'une couche active, afin de réaliser une bonne évacuation de l'énergie thermique générée par les couches 20 actives. Ce matériau est par exemple de l'InP:Si. Dans ce mode de réalisation, l'ensemble des couches actives contribuent à créer du gain. Sur la figure 10, les rubans 10 sont définis par la structure active 105. Alternativement, la structure active multicouche est compatible avec les modes de réalisation de l'invention décrits figure 8 et 9. 25 Avantageusement, un matériau intermédiaire occupe les zones intermédiaires 104 entre les rubans 10. Un avantage de la structure active multicouche est que la présence d'une couche de séparation 106 permet une meilleure dissipation de la chaleur émise par les couches actives 103. 30 Avantageusement pour toutes les variantes des figures 6 à 10, la hauteur des zones intermédiaires 64, 84, 94 et 104 est supérieure ou égale à la hauteur des rubans 10, 105. 2 9 9 1 1 1 2 16 De manière générale, la géométrie en rubans permet une bonne évacuation de chaleur générée par la pluralité de structures actives, tandis que l'agencement spécifique des rubans opère un filtrage des modes optiques se propageant dans le dispositif, au profit du mode fondamental, permettant au dispositif selon l'invention d'émettre une lumière laser selon un faisceau unique autour d'une direction unique, soit un faisceau possédant de bonne propriétés optiques (M2 =1). Selon un autre aspect de l'invention, la structure active est continue et planaire, selon un plan Oxy, et comprend une fine zone de gain, typiquement de quelques nm à quelques dizaines de nm. La zone de gain comporte un empilement de quelques couches semiconductrices (typiquement une à quelques dizaine) formant des puits quantiques (par exemple AIGaAs/AsGa ou InGaAs/InP) Ces structures émettent un faisceau optique de longueur d'onde typiquement comprise entre 0.4pm et 3 pm et sont dénommées diodes laser. La figure 11 décrit un dispositif selon l'invention, comprenant une pluralité de lasers semiconducteurs de type diode laser en réseau, spatialement cohérents. La fine structure active 110 est disposée entre structure inférieure 109 déposée sur un substrat 108, et une structure supérieure 111, ces deux structures réalisant un confinement de l'onde optique dans le plan Oxy de la structure active, de manière à ce que l'onde ne s'étende pas selon la direction perpendiculaire z. L'indice de réfraction d'au moins une des structures 109 ou 110 est rendu périodique latéralement selon x ce qui conduit à un confinement latéral de l'onde optique selon x, et ainsi à une pluralité d'émetteurs répartis selon la périodicité de l'indice, schématisés par les traits en pointillé sur la figure 111. Un exemple de réalisation de rubans selon l'invention est de les réaliser dans une partie de la structure supérieure, comme schématisé figure 11. Du fait du couplage par onde évanescente (rubans parallèles) et des pointes selon l'invention, la mise en phase a lieu tout le long de la propagation tout en favorisant la mode fondamental. 2 9 9 1 1 1 2 17