Brevet FR2981228A1 — publié le 20130412

Circuit de commande d'un circuit élévateur de tension La présente invention concerne un circuit de commande d'un circuit élévateur de tension. Elle concerne également un circuit élévateur de tension, un dispositif de commande d'un transistor MOSFET à canal N et un système de régulation de la vitesse de rotation d'un groupe moto-ventilateur équipant une installation de ventilation, de chauffage et/ou de climatisation pour véhicule automobile. Plus particulièrement, la présente invention concerne le domaine technique des véhicules automobiles équipés du système d'arrêt et de redémarrage automatique 10 du moteur à combustion interne connu sous l'appellation « Stop & Start ». La fonction « Stop & Start » arrête le moteur à combustion interne lorsque le véhicule est à l'arrêt, par exemple en raison d'un passage à un feu rouge. Quand la circulation devient à nouveau possible, la fonction « Stop & Start » met en oeuvre un démarrage rapide du moteur à combustion interne. Une telle mise en service 15 provoque une chute de tension sur le réseau de bord du véhicule telle que la tension de ce réseau peut passer en dessous d'un seuil déterminé, en dessous duquel certains équipements se mettent à l'arrêt. Parmi ces équipements, on trouve le groupe moto-ventilateur, ou GMV, qui assure une circulation d'un flux d'air vers l'habitacle en vue de le conditionner thermiquement. Ainsi, cette chute de tension au 20 démarrage du moteur à combustion interne arrête le GMV et dégrade alors le conditionnement thermique de l'habitacle. Pour la régulation de la vitesse de rotation du GMV, un transistor MOSFET à canal N, raccordé entre la tension d'alimentation et le GMV et commandé par sa tension de grille, est utilisé. 25 Lors de l'arrêt et redémarrage automatique du véhicule, par exemple en raison d'un passage à un feu rouge, la tension de grille du transistor MOSFET chute. Cette chute peut descendre à un niveau tel que le transistor MOSFET fonctionne en mode linéaire et ne peut donc plus assurer la régulation du GMV. Les systèmes de régulation de l'état de la technique ne prévoient pas de 30 solution pour remédier à ce risque. La présente invention vise à améliorer la situation en proposant un moyen permettant de limiter au maximum une chute de la tension de grille du transistor MOSFET lors du redémarrage du véhicule. A cet effet, l'invention concerne un circuit de commande d'un circuit élévateur de tension comprenant : - un premier transistor PNP dont l'émetteur est raccordé à une tension d'entrée ; - un deuxième transistor NPN dont le collecteur est raccordé au collecteur du premier transistor, l'émetteur du deuxième transistor étant raccordé à une masse, caractérisé en ce que l'émetteur dudit deuxième transistor est raccordé à la masse à travers une première résistance et sa base est raccordée à la masse à travers au moins une diode. La première résistance et la diode raccordant respectivement l'émetteur et la base du deuxième transistor NPN à la masse permettent de contrôler précisément la différence de potentiel aux bornes de ladite première résistance et de limiter le courant circulant dans les deux transistors lors d'un court-circuit. De manière remarquable, l'utilisation de la diode garantit une homogénéité du circuit vis-à-vis des variations de température, la tension de la diode variant de la même manière que la tension entre la base et l'émetteur du deuxième transistor NPN. Selon une réalisation préférée, la base du deuxième transistor est raccordée à la masse à travers trois diodes disposées en série. Ce nombre de diodes permet d'assurer la tension nécessaire pour commander le deuxième transistor NPN dans les cas d'utilisation les plus sévères. Ces cas d'utilisation les plus sévères ont lieu par exemple pour des températures variant de - 40°C à 150°C et concernent également les pires cas technologiques des composants. Avantageusement, la valeur de la première résistance est inférieure à dix ohms. Cette valeur assure un compromis entre la nécessité de garantir le respect des conditions limites d'utilisation des transistors pendant le temps de court-circuit et la nécessité de limiter la chute de tension aux bornes de cette première résistance. Avantageusement, la base du deuxième transistor est raccordée à une tension de référence à travers une deuxième résistance. Cela permet de maîtriser la tension de la base du deuxième transistor NPN. L'invention concerne également un circuit élévateur de tension comprenant un circuit de commande selon l'invention et un étage de sortie, raccordé au collecteur des premier et deuxième transistors, aux bornes duquel est récupérée une tension de sortie supérieure à la tension d'entrée. Avantageusement, le circuit élévateur comprend un étage d'entrée, raccordé aux bases des premier et deuxième transistors, pour commander l'ouverture et la fermeture desdits transistors. De préférence, l'étage d'entrée est apte à recevoir une commande de modulation d'impulsion en largeur sur une borne d'entrée dudit étage d'entrée. Selon une réalisation préférée, l'étage d'entrée comprend deux transistors MOSFET dont les grilles sont raccordées à la borne d'entrée, de préférence à travers des résistances. Avantageusement, l'étage d'entrée comprend un pont diviseur de tension raccordé à la base du premier transistor. De préférence, le pont diviseur de tension comprend deux résistances. Avantageusement, l'étage de sortie comprend : - deux diodes et un premier condensateur raccordés en série successivement entre la tension d'entrée et la masse ; et - un deuxième condensateur raccordé entre le collecteur du premier transistor et les deux diodes, la tension de sortie étant égale à la tension aux bornes du premier condensateur. Cet étage de sortie comprenant deux diodes et deux condensateurs constitue ainsi une pompe de charge fonctionnant en doubleur de tension. De préférence, les diodes de l'étage de sortie sont des diodes Schottky. L'invention concerne également un dispositif de commande d'un transistor MOSFET à canal N comprenant un circuit élévateur de tension selon l'invention. L'invention concerne aussi un système de régulation de la vitesse de rotation d'un groupe moto-ventilateur équipant une installation de ventilation, de chauffage et/ou de climatisation pour véhicule automobile, comprenant un transistor MOSFET à canal N et un dispositif de commande dudit transistor MOSFET selon l'invention. Le transistor MOSFET est raccordé, de préférence, entre une tension d'alimentation et le groupe moto-ventilateur. Le terme « raccordé » signifie, dans toute la description de la présente invention, connecté directement ou par l'intermédiaire d'une résistance de faible 30 impédance. Des exemples de réalisation de l'invention vont maintenant être décrits de façon plus précise, mais non limitative, en regard des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est un schéma illustrant la structure d'un circuit élévateur de tension comprenant un circuit de commande selon un mode de réalisation de l'invention; et - la figure 2 est un schéma illustrant la structure d'un système de régulation selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 1 représente un circuit élévateur de tension 2 selon un mode de réalisation préféré de l'invention. Le circuit 2 comprend un circuit de commande 1 comprenant principalement deux transistors bipolaires 4, 6, un étage d'entrée 8 pour commander l'ouverture et la fermeture des transistors 4, 6 et un étage de sortie 10 aux bornes duquel est récupérée une tension de sortie Vout. Le premier transistor bipolaire 4 est un transistor PNP dont l'émetteur El est raccordé à la tension d'entrée Vin, la base B1 est raccordée à l'étage d'entrée 8 et le collecteur Cl est raccordé à l'étage de sortie 10. Le deuxième transistor bipolaire 6 est un transistor NPN dont le collecteur C2 est raccordé au collecteur Cl du premier transistor 4, la base B2 est raccordée à l'étage d'entrée 8 et l'émetteur E2 est raccordé à la masse à travers une première résistance 12. La valeur de cette première résistance 12 est inférieure à 10 ohms, par exemple égale à 5 ohms. La base B2 du deuxième transistor NPN 6 est en outre raccordée à la masse, à travers au moins une et avantageusement selon l'exemple de la figure 1, trois diodes 14, 16, 18 disposées successivement en série et orientées selon un même sens, l'anode de la diode 14 étant raccordée à la base B2 et la cathode de la diode 18 étant raccordée à la masse. La base B2 du deuxième transistor NPN 6 est également raccordée à une tension de référence Vref, égale à 5V par exemple, à travers une deuxième résistance 20. Grâce à la tension de référence Vref, aux diodes 14, 16, 18 et à la résistance 12, la tension de la base B2 est complètement maîtrisée. L'étage d'entrée 8 est apte à recevoir, sur une borne d'entrée 23, un signal de commande de modulation d'impulsion en largeur 24, dite commande PWM (« Pulse Width Modulation »), depuis un microcontrôleur non représenté. Cet étage d'entrée 8 comprend deux transistors MOSFET 26, 28 dont les grilles G1, G2 sont raccordées à la borne d'entrée 23 du signal PWM par l'intermédiaire de deux résistances 30, 32 respectivement. Le drain D1 du premier transistor MOSFET 26 est raccordé à la base B1 du premier transistor PNP 4 et à une tension d'entrée Vin à travers un pont diviseur de tension comprenant une résistance 22 et une résistance 34 et sa source S1 est raccordée à la masse. Le drain D2 du deuxième transistor MOSFET 28 est raccordé à la base B2 du deuxième transistor NPN 6 et sa source S2 est raccordée à la masse. Cette configuration de l'étage d'entrée 8 permet d'assurer que lorsque le signal de commande PWM est au niveau logique 1, correspondant typiquement à une tension de 5V en sortie du microcontrôleur, le premier transistor PNP 4 est fermé et le deuxième transistor NPN 6 est ouvert. A l'inverse, lorsque le signal de commande PWM est au niveau logique 0, correspondant typiquement à une tension de OV en sortie du microcontrôleur, le premier transistor PNP 4 est ouvert et le deuxième transistor NPN 6 est fermé. De manière remarquable ici, les résistances 20, 22, 34 sont choisies de manière à limiter le temps pendant lequel les transistors bipolaires 4, 6 sont tous les deux fermés, c'est-à-dire le temps d'ouverture du premier transistor PNP 4 et de fermeture du deuxième transistor NPN 6, et vice versa. Ce temps, pendant lequel il y a un court-circuit entre la tension d'entrée Vin et la masse, doit en effet être réduit pour éviter de trop solliciter les composants du circuit 2, notamment les transistors bipolaires 4, 6 et la première résistance 12. La valeur de la première résistance 12, inférieure à 10 ohms, assure un compromis entre la nécessité de garantir le respect des conditions limites d'utilisation des transistors 4, 6 pendant le temps de court-circuit et la nécessité de limiter la chute de tension aux bornes de cette première résistance 12. L'étage de sortie 10 comprend deux diodes 36, 38, notamment de type Schottky, et un premier condensateur 40 raccordés en série successivement entre la tension d'entrée Vin et la masse ainsi qu'un deuxième condensateur 42 raccordé entre le collecteur Cl du premier transistor PNP 4 et les deux diodes Schottky 36, 38. L'anode de la première diode Schottky 36 est raccordée à la tension d'entrée Vin et sa cathode est raccordée à l'anode de la deuxième diode Schottky 38, la cathode de cette dernière étant raccordée au premier condensateur 40. L'étage de sortie 10 constitue ainsi une pompe de charge permettant de doubler la tension d'entrée Vin pour obtenir une tension de sortie Vout quasiment égale à 2*Vin. Typiquement, la tension Vin est la tension de la batterie d'un véhicule automobile, c'est-à-dire une tension comprise entre 6V et 18V. La tension de sortie Vout est la tension aux bornes du premier condensateur 40. Après le temps de court-circuit évoqué ci-dessus, le courant traversant la première résistance 12 est très faible, de l'ordre de la dizaine de milliampères, de sorte que la tension aux bornes de la première résistance 12 notée Vdrop est de l'ordre de la centaine de millivolts. Le courant de charge du condensateur 42 étant très faible, aucun courant ne traverse les trois diodes 14, 16, 18. En sortie du circuit 2, la tension de sortie Vout est égale à 2*Vin-Vdrop-2*Vd, où Vd est la tension aux bornes de chacune des diodes Schottky 36, 38. La tension Vd 10 étant de l'ordre de 300mV, la tension Vdrop est négligeable par rapport à 2*Vd. Grâce au circuit de l'invention, comprenant des composants de faible coût, il est possible, par exemple, d'obtenir une tension de sortie Vout = 2*Vin - 0.7V. De manière remarquable, grâce à la connexion du premier transistor PNP 4 à la tension d'entrée et du deuxième transistor NPN 6 à la masse, les tensions entre la 15 base et l'émetteur des transistors bipolaires 4, 6 ne génèrent pas de perte au niveau de la tension de sortie Vout. La figure 2 illustre un système 50 de régulation de la vitesse de rotation d'un groupe moto-ventilateur GMV 52 équipant une installation de ventilation, de chauffage et/ou de climatisation pour véhicule automobile. 20 Ce système de régulation 50 comprend un transistor MOSFET à canal N 54 dont le drain D est raccordé, à travers un filtre 56, à une tension d'alimentation positive Valim et dont la source S est raccordée à la borne positive du GMV 52. Aux bornes du moteur est connectée une diode 58. Ici, la tension Valim est égale à la tension Vin de la batterie du véhicule. 25 Le transistor MOSFET 54 est commandé, au niveau de sa grille G, par la tension de sortie Vout du circuit élévateur 2. Comme le circuit élévateur 2 fonctionne en doubleur quasiment parfait, avec une tension de batterie Vin faible, par exemple de l'ordre de 7V, la tension Vout de commande du transistor MOSFET 54 est suffisante pour garantir que le transistor 30 MOSFET 54 ne passe pas en mode linéaire et que le GMV 52 ne s'arrête pas de fonctionner. Bien entendu, d'autres modes de réalisation sont envisageables. A titre d'exemple, les transistors MOSFET 26, 28 de l'étage d'entrée 8 peuvent être remplacés par d'autres moyens permettant d'avoir une haute impédance au niveau des bases des transistors 4, 6. Grâce à la connexion du premier transistor PNP 4 à la tension d'entrée et du 5 deuxième transistor NPN 6 à la masse, les tensions entre la base et l'émetteur des transistors bipolaires 4, 6 ne génèrent pas de perte au niveau de la tension de sortie Vout, comme déjà expliqué. Grâce à la résistance 12 et à la ou aux diode(s) 14, 16 et 18, l'intensité traversant les transistors 4 et 6 est limitée pendant la phase de changement d'état 10 logique du signal de commande PWM 24 tout en assurant, en fonctionnement pendant un état logique du signal de commande PWM 24 donné, que la tension aux bornes de la résistance 12 est faible et qu'aucun courant ne traverse les diodes 14, 16 et 18, de sorte que le circuit de commande 1 répercute peu de perte sur la tension de sortie Vout, comme expliqué ci-dessus. 15 Ainsi, grâce au circuit de commande selon l'invention, il est possible de commander un transistor MOSFET avec une tension d'alimentation faible et d'assurer que le GMV 52 ne s'arrête pas de fonctionner, du fait que la tension de sortie Vout est suffisante pour garantir que le transistor MOSFET 54 ne passe pas en mode linéaire, comme expliqué ci-dessus. 20 REVENDICATIONS1. Circuit de commande d'un circuit élévateur de tension (2) comprenant : - un premier transistor PNP (4) dont l'émetteur (El) est raccordé à une tension d'entrée (Vin); - un deuxième transistor NPN (6) dont le collecteur (C2) est raccordé au collecteur (C1) du premier transistor (4), l'émetteur (E2) du deuxième transistor (6) étant raccordé à une masse, caractérisé en ce que l'émetteur (E2) dudit deuxième transistor (6) est raccordé à la 10 masse à travers une première résistance (12) et sa base (B2) est raccordée à la masse à travers au moins une diode (14, 16, 18). 2. Circuit de commande selon la revendication 1, dans lequel la base (B2) du deuxième transistor (6) est raccordée à la masse à travers trois diodes (14, 16, 18) 15 disposées en série. 3. Circuit de commande selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la valeur de la première résistance (12) est inférieure à dix ohms. 20 4. Circuit de commande selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la base (B2) du deuxième transistor (6) est raccordée à une tension de référence (Vref) à travers une deuxième résistance (20). 5. Circuit élévateur de tension (2) comprenant un circuit de commande selon l'une 25 quelconque des revendications 1 à 4 et un étage de sortie (10), raccordé aux collecteurs (C1, C2) des premier et deuxième transistors (4, 6), aux bornes duquel est récupérée une tension de sortie (Vout) supérieure à la tension d'entrée (Vin). 6. Circuit élévateur (2) selon la revendication 5, comprenant un étage d'entrée (8), 30 raccordé aux bases (B1, B2) des premier et deuxième transistors (4, 6), pour commander l'ouverture et la fermeture desdits transistors (4, 6). 7. Circuit élévateur (2) selon la revendication 6, dans lequel l'étage d'entrée (8) est apte à recevoir une commande de modulation d'impulsion en largeur (24) sur uneborne d'entrée (23) dudit étage d'entrée (8). 8. Circuit élévateur (2) selon la revendication 7, dans lequel l'étage d'entrée (8) comprend deux transistors MOSFET (26, 28) dont les grilles (G1, G2) sont raccordées à la borne d'entrée (23). 9. Circuit élévateur (2) selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel l'étage d'entrée (8) comprend un pont diviseur de tension (22, 34) raccordé à la base (B1) du premier transistor (4). 10. Circuit élévateur (2) selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel l'étage de sortie (10) comprend : - deux diodes (36, 38) et un premier condensateur (40) raccordés en série successivement entre la tension d'entrée (Vin) et la masse ; et - un deuxième condensateur (42) raccordé entre le collecteur (C1) du premier transistor (4) et les deux diodes (36, 38), la tension de sortie (Vout) étant égale à la tension aux bornes du premier condensateur (40). 11. Circuit élévateur (2) selon la revendication 10, dans lequel les diodes (36, 38) de l'étage de sortie sont des diodes Schottky. 12. Dispositif de commande d'un transistor MOSFET à canal N (54) comprenant un circuit élévateur de tension (2) selon l'une quelconque des revendications 5 à 11. 13. Système de régulation (50) de la vitesse de rotation d'un groupe moto-ventilateur (52) équipant une installation de ventilation, de chauffage et/ou de climatisation pour véhicule automobile, comprenant un transistor MOSFET à canal N (54) et un dispositif de commande dudit transistor MOSFET (54) selon la revendication 12.