Brevet FR2985370A1 — publié le 20130705

B11454 - DD13262 CV 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHE SUR UN SUPPORT Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure multicouche, correspondant par exemple à une plaquette de circuits intégrés, sur un support par collage 5 moléculaire. Exposé de l'art antérieur Pour certaines applications, il est souhaitable de réaliser une plaquette de circuits intégrés sur un support. En particulier, pour des applications dans le domaine de l'optique, 10 le support doit être isolant et transparent. Il s'agit par exemple de verre. Un exemple d'application concerne la fabrication d'un écran de visualisation transmissif. Les figures lA à 1C représentent des coupes schématiques de structures obtenues à des étapes successives d'un 15 procédé de fabrication d'une plaquette de circuits intégrés sur un support par collage moléculaire. La figure lA représente, de façon schématique, un élément 10 ayant une structure du type SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator). 20 L'élément 10 comprend un support initial 12, par exemple un substrat de silicium monocristallin. L'épaisseur es B11454 - DD13262 CV 2 du support initial 12 est, par exemple, de plusieurs centaines de micromètres, et est, par exemple, égale à environ 700 pin. Le support initial 12 peut correspondre à un cylindre dont le diamètre est supérieur à une centaine de millimètres, et est égal, par exemple, à environ 200 mm ou 300 mm. Le support initial 12 comprend une face plane 13 recouverte d'une couche isolante 14, par exemple en dioxyde de silicium. L'épaisseur e2 de la couche isolante 14 est, par exemple, de l'ordre de 1 pin. La couche isolante 14 est recouverte d'une plaquette de circuits intégrés 16. La plaquette de circuits intégrés 16 comprend un empilement de couches dans lequel sont formés des composants électroniques actifs et/ou passifs et des pistes conductrices reliant ces composants. A titre d'exemple, la plaquette de circuits intégrés 16 comprend une couche 18 d'un matériau semi- conducteur, par exemple du silicium monocristallin, recouvrant la couche isolante 14 et dans et sur laquelle sont formés les composants électroniques actifs et/ou passifs, par exemple des transistors 20. La plaquette de circuits intégrés 16 comprend, en outre, un empilement de couches isolantes 22, par exemple en dioxyde de silicium, recouvrant la couche de silicium 18 et dans lequel sont formées des pistes 24 et des vias 26 d'un matériau conducteur pouvant venir au contact des composants électroniques. A titre d'exemple, l'épaisseur e3 de la plaquette 16 est de l'ordre de quelques micromètres. La dernière couche isolante de l'empilement 22 de couches isolantes forme une face supérieure plane 28 opposée au support 12. La figure 1B représente la structure obtenue après la réalisation d'un collage moléculaire entre la face 28 de l'élément 10 et un support final 30. Le support final 30 est en un matériau différent du silicium, par exemple en verre. L'épaisseur ev du support final 30 est supérieure à plusieurs centaines de micromètres, et est, par exemple, égale à environ 700 pin. Le support final 30 comprend une face 32 appliquée contre la face 28. Le collage moléculaire consiste à créer une liaison entre les faces 28 et 32 sans l'apport de matière extérieure (comme B11454 - DD13262 CV 3 une colle ou une matière adhésive). Pour cela, les faces 28 et 32, convenablement nettoyées, sont mises au contact l'une de l'autre à température ambiante. Une pression peut être exercée localement sur le support 30 pour amorcer le collage. Le front de propagation de la zone collée se répand alors de la région d'amorce sur l'ensemble des surfaces en regard. La figure 1C représente la structure obtenue après le retrait du support initial 12. Le retrait du support initial 12 peut comprendre une étape de rectification mécano-chimique pour retirer la plus grande partie du support initial 12 suivie d'une étape de gravure chimique sélective pour retirer le reste du support initial 12. La couche isolante 14 peut servir de couche d'arrêt lors du retrait du support initial 12. Le procédé se poursuit généralement par la réalisation de vias conducteurs au travers de la couche isolante 14 et de la couche de silicium 18 et connectés à des pistes métalliques 24 de la plaquette de circuits intégrés 16. La formation de ces vias comprend des étapes de photolithographie, incluant des étapes dans lesquelles une couche d'une résine photosensible recouvrant la couche isolante 14 est exposée à un rayonnement au travers d'un masque pour reproduire le motif du masque sur la couche de résine. Dans ce but, le dispositif d'exposition, qui comprend notamment les systèmes optiques pour former le motif dans la couche de résine photosensible, doit être placé avec précision par rapport à la plaquette de circuits intégrés 16. Dans un procédé de fabrication à une échelle industrielle, les étapes de photolithographie doivent être réalisées le plus rapidement possible. Dans ce but, le dispositif d'exposition est réglé au préalable pour que le motif à trans- férer se forme sans réglage supplémentaire de façon correcte dans la couche de résine pour une plaquette de circuits intégrés qui aurait les dimensions attendues. Toutefois, des déformations sont observées dans la plaquette de circuits intégrés 16 après l'étape de collage. En 35 particulier, un rétrécissement est observé, c'est-à-dire que B11454 - DD13262 CV 4 deux repères formés sur la face de collage 28 avant l'étape de collage sont rapprochés l'un de l'autre après l'étape de collage. En outre, les déformations relatives observées dans la plaquette de circuits intégrés 16 dans un plan parallèle à la face 28 varient généralement selon la direction considérée. De ce fait, le rétrécissement relatif observé peut varier entre environ 16 ppm et 24 ppm selon la direction considérée, parallèlement à la face 28. Une déformation moyenne de 20 ppm peut généralement être compensée par le dispositif d'exposition. Néanmoins, dans certains cas, la déformation moyenne peut être trop importante pour être compensée par le dispositif d'exposition. En outre, il n'est pas possible de corriger, par le dispositif d'exposition, les différences de déformations relatives qui varient selon la direction considérée. De ce fait, il peut y avoir des erreurs d'alignement entre le dispositif d'exposition et la plaquette de circuits intégrés lors des étapes de photolithographie réalisées après le collage. Un besoin existe donc d'un procédé de fabrication par collage moléculaire d'une structure multicouche, correspondant par exemple à une plaquette de circuits intégrés, sur un support dans lequel les déformations dans la plaquette de circuits intégrés qui résultent de l'opération de collage sont réduites, voire supprimées. Résumé Un objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une structure multicouche sur un support par collage moléculaire qui pallie les inconvénients des 30 procédés connus. Selon un autre objet de la présente invention, les déformations relatives dans la structure multicouche qui résultent de l'opération de collage sont inférieures à 5 ppm. Selon un autre objet de la présente invention, le 35 procédé de fabrication par collage moléculaire comporte un B11454 - DD13262 CV nombre réduit d'étapes supplémentaires par rapport à un procédé de fabrication par collage moléculaire connu. Ainsi, la présente invention prévoit un procédé de fabrication d'une structure multicouche sur un premier support 5 en un premier matériau ayant un premier module d'Young. Le procédé comprend les étapes successives suivantes : prévoir un second support recouvert de la structure multicouche, la structure multicouche ayant une face plane opposée au second support, le second support étant en un second matériau ayant un second module d'Young différent du premier module d'Young ; appliquer à ladite face des premières déformations ; réaliser un collage moléculaire du premier support sur ladite face, le collage moléculaire entraînant l'apparition de 15 secondes déformations dans ladite face en l'absence des premières déformations, les premières déformations étant opposées aux secondes déformations ; et retirer le second support, les déformations relatives résultantes dans ladite face étant inférieures à 5 ppm. 20 Le fait que les premières déformations sont opposées aux secondes déformations signifie que les premières déformations sont sensiblement égales en valeur absolue aux secondes déformations et sont de sens opposé. Selon un exemple de réalisation de l'invention, ladite 25 face est déformée en appliquant le second support sur un gabarit. Selon un exemple de réalisation de l'invention, ladite face est déformée en maintenant fixe le centre du second support et en déplaçant la périphérie du second support. 30 Selon un exemple de réalisation de l'invention, les premières déformations varient en fonction des directions cristallographiques du second support. Selon un exemple de réalisation de l'invention, l'application des premières déformations comprend la mise en 35 extension de ladite face. B11454 - DD13262 CV 6 Selon un exemple de réalisation de l'invention, le second support est en silicium monocristallin, ladite face étant une face cristallographique (001), le second support étant un cylindre ayant un axe de symétrie de révolution, et dans les premières déformations ayant une symétrie de révolution d'ordre 4 autour dudit axe. Selon un exemple de réalisation de l'invention, l'application des premières déformations comprend l'application, dans un premier plan contenant ledit axe et la direction cristallographique [100] ou [010] du second support, d'un premier écartement, mesuré selon ledit axe, entre le centre et la périphérie de ladite face, et dans un second plan contenant ledit axe et la direction cristallographique [110] du second support, d'un second écartement, mesuré selon ledit axe, entre le centre et la périphérie de ladite face, le premier écartement étant strictement inférieur au second écartement. Selon un exemple de réalisation de l'invention, le premier matériau est isolant. Selon un exemple de réalisation de l'invention, le 20 premier matériau est transparent. Selon un exemple de réalisation de l'invention, le premier matériau est du verre. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que 25 d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures LA à 1C, décrites précédemment, représentent les structures obtenues à des étapes successives d'un 30 procédé de fabrication connu d'une plaquette de circuits intégrés sur un support isolant ; la figure 2 représente l'évolution du module d'Young dans un plan (100) d'un support en silicium monocristallin ; la figure 3 est une coupe schématique illustrant le 35 principe de l'invention ; B11454 - DD13262 CV 7 la figure 4 est une coupe schématique d'un exemple de réalisation d'un système de déformation d'un support selon l'invention ; la figure 5 représente une vue en perspective avec 5 coupe du gabarit du système de déformation de la figure 4 ; les figures 6 et 7 sont respectivement une coupe latérale schématique et une vue de dessous, partielles et schématiques, d'un autre exemple de réalisation d'un système de déformation d'un support selon l'invention ; et 10 les figures 8A à 8E représentent des structures obte- nues à des étapes successives d'un exemple de réalisation d'un procédé de fabrication connu d'une plaquette de circuits intégrés sur un support isolant selon l'invention. Description détaillée 15 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. 20 Le principe de l'invention se base sur une analyse des phénomènes physiques qui se produisent lors d'une opération de collage moléculaire de deux supports comprenant des matériaux de natures différentes. Au niveau du front de propagation de la zone collée, on observe une mise en extension locale des 25 supports. Lorsque les modules d'Young des matériaux des supports sont différents, les déformations locales résultantes ne sont pas identiques. La face collée du support dont le module d'Young est le plus faible s'étend davantage que la face collée du support dont le module d'Young est le plus élevé. Le collage se 30 produit alors que les supports sont déformés. Après avoir collé les deux supports et retiré l'un des supports pour ne laisser qu'une couche mince collée à l'autre support, des déformations dans la couche mince sont observées. En général, lors du collage d'une plaquette de 35 circuits intégrés sur un support final en verre, la plaquette de B11454 - DD13262 CV 8 circuits intégrés repose sur un support initial, retiré par la suite, qui est un substrat de silicium monocristallin. Les inventeurs ont mis en évidence que, lors du collage moléculaire de la plaquette de circuits intégrés sur le support final, les déformations résultantes observées dans la plaquette de circuits intégrés sont essentiellement dues à la nature du matériau du support initial utilisé pour l'application de la plaquette de circuits intégrés contre le support final. En effet, l'épaisseur de la plaquette de circuits intégrés est faible par rapport à l'épaisseur du support initial et il est possible de la négliger. Le module d'Young du verre est inférieur au module d'Young du silicium de sorte que l'on observe, après le collage, un agrandissement relatif négatif dans un plan de la plaquette de circuits intégrés parallèle aux faces collées qui dépend de la direction considérée. Les inventeurs ont mis en évidence que les différences de déformations relatives dans la plaquette de circuits intégrés provenaient des propriétés mécaniques anisotropes du matériau formant le support initial. En particulier, les inventeurs ont mis en évidence que les différences de déformations relatives dans la plaquette de circuits intégrés étaient liées aux variations du module d'Young du matériau formant le support initial selon la direction considérée dans un plan parallèle aux faces collées. La figure 2 représente une courbe Co d'évolution du module d'Young dans un plan cristallographique (100) du support 12 en silicium monocristallin. Le module d'Young varie entre une valeur d'environ 130 GPa pour les directions cristallographiques [100] et [010] et une valeur de 170 GPa pour la direction cristallographique [110]. Pour les structures SOI actuellement disponibles dans le commerce, la face 13 du support initial 12 en silicium correspond généralement à une face cristallographique (100). Les inventeurs ont observé que le rétrécissement relatif est de l'ordre de 16 ppm dans les directions cristallographiques [100] B11454 - DD13262 CV 9 et [010] et est de l'ordre de 24 ppm dans la direction cristallographique [110]. La figure 3 illustre le principe du présent exemple de réalisation de l'invention. Les inventeurs ont mis en évidence qu'il est possible de compenser les déformations qui résultent du collage moléculaire de deux supports de matériaux ayant des modules d'Young différents en appliquant une déformation déterminée à l'un des supports avant et pendant le collage. Plus précisément, en figure 3, on a représenté de façon schématique le support initial 12 et le support final 30. Les inventeurs ont mis en évidence que la couche isolante 14 et la plaquette 16, dont les épaisseurs sont nettement inférieures aux épaisseurs des supports 12, 30, peuvent être négligées et il peut être considéré que la face 28 est la face du support 12. Le support 12 est en silicium monocristallin et le support 30 est en verre de sorte qu'un collage moléculaire entre les supports 12, 30 entraîne l'apparition d'un rétrécissement de la face 28 du support 12. Le principe de l'invention est de déformer le support en silicium 12 avant le collage et de coller le support 30 au support 12 alors que le support 12 est déformé. Plus précisément, le support en silicium 12 est déformé en maintenant fixe le centre du support 12 et en déplaçant certains points de la périphérie du support 12 d'une distance F. La face 28 du support 12 est alors mise en traction alors que la face 34 du support 12 opposée à la face 28 est mise en compression. Si on considère que le support 30 est seulement posé sans collage sur la face 28 du support 12, il épouse la forme du support 12 de sorte que la face 32 du support 30 est mise en compression. Lorsque les deux supports 12 et 30 correspondent à des cylindres de même rayon r, un écart c apparaît entre le bord périphérique du support 30 et le bord périphérique du support 12. L'écart dépend de la distance F. La valeur de la distance F est choisie pour que l'écart c soit égal, en valeur absolue, au rétrécissement relatif entre le support 12 et le support 30 35 après collage en l'absence de déformation préalable du support B11454 - DD13262 CV 10 12. Les inventeurs ont mis en évidence que, après le collage et le relâchement du support 12, le rétrécissement du support 12 est alors sensiblement nul. De façon générale, la distance F est obtenue par la relation (1) suivante : 1 r2 F = - - £ (1) 2 e3 La distance F, à appliquer pour compenser les déformations dues au collage, peut être obtenue par la relation (2) suivante : 3 r4 (Es - Ev F = co- (2)4 es3 ESEV(ES + Ev) où Ev est le module d'Young du support final, Es est le module d'Young du support initial et colt est une portion de l'énergie de collage. A titre de variante, le support en silicium 12 peut 15 être déformé en maintenant fixe un point ou plusieurs points de la périphérie du support 12 et en déformant le reste de la périphérie du support en silicium 12. La figure 4 représente un exemple de réalisation d'un système 40 adapté à la réalisation d'un collage moléculaire 20 entre les supports 12 et 30 tout en maintenant le support 12 sous une forme déformée. Le système 40 comprend un gabarit 42. Le gabarit 42 comprend une face d'appui 44 contre laquelle est appliqué le support 12. La face 44 est une surface courbe dont la forme est 25 adaptée pour obtenir la déformation souhaitée du support 12. Le gabarit 42 comprend, en outre, un système d'aspiration, non représenté. Le système d'aspiration est adapté à maintenir la face 34 du support 12 en appui contre la face 44. Le gabarit 42 est, par exemple, réalisé en un matériau céramique. Le gabarit 30 42 peut, en outre, comprendre un revêtement, par exemple en téflon, sur la face 44 pour faciliter le glissement latéral du support 12 lors du collage moléculaire. B11454 - DD13262 CV 11 Le système 40 comprend, en outre, un bras 50 mobile en translation selon un axe D, par exemple vertical. Le bras 50 comprend à une extrémité un élément de préhension 52, par exemple une ventouse ou un élément d'aspiration. Le support 30 est maintenu par l'élément de préhension 52 du bras 50. De préférence, lorsque les supports 12, 30 sont cylindriques, l'axe D correspond à l'axe des supports 12, 30. Pour réaliser le collage moléculaire du support 30 sur le support 12, le bras mobile 50 est rapproché du gabarit 42 jusqu'à ce que le support 30 vienne au contact du support 12 au niveau de l'axe D. Les forces présentes lors du collage sont suffisantes pour déformer le support 30 qui épouse alors la forme du support 12. La figure 5 est une vue en perspective d'un secteur d'un exemple de réalisation du gabarit 42 adapté au cas où le support 12 est en silicium et la face 28 est une face cristallographique (100). Le secteur correspond à 1/8'' du gabarit 42. La face 44 a une symétrie de révolution autour de l'axe D d'ordre 4. On appelle D1, D2 et D3 respectivement les directions cristallographiques [100], [010] et [110] de la face 28 du support 12. Dans les plans contenant l'axe D et les directions D1 et D2, la face 44 correspond à la déformée obtenue pour un écartement F1 et dans le plan contenant l'axe D et la direction D3, la face 44 correspond à la déformée obtenue pour un écartement F2. L'écartement F2 est supérieur à l'écartement F1. Les valeurs d'écartement F1 et F2 peuvent être déterminées à partir de la relation (2) et des valeurs suivantes : module d'Young Ev égal à 70 GPa ; module d'Young Es égal à 130 GPa dans la direction 30 cristallographique [100] ou [010] et égal à 170 GPa dans la direction cristallographique [110] ; portion d'énergie de collage colt égale à 30 mJ/m2 rayon r égal à 100 mm ; et épaisseur es égal à 700 pin. B11454 - DD13262 CV 12 A titre d'exemple, l'écartement F1 est de l'ordre de 122 micromètres et l'écartement F2 est de l'ordre de 163 micromètres. Les figures 6 et 7 représentent, de façon partielle et schématique, un autre exemple de réalisation d'un système 50 adapté à la réalisation d'un collage moléculaire entre les supports 12 et 30 tout en maintenant le support 12 sous une forme déformée. Le système 50 comprend un doigt central 52, correspon- dant par exemple à un cylindre d'axe D, sur lequel repose le support 12. Le système 50 comprend, en outre, des bras mobiles 54 disposés à la périphérie du support 12. Chaque bras mobile 54 comprend, à une extrémité, un élément de préhension 56, par exemple une ventouse ou un dispositif d'aspiration. La face 34 du support 12 peut, de façon temporaire, être fixée aux bras 54. Les bras 54 peuvent se déplacer selon des axes parallèles à l'axe D. En fonctionnement, les bras mobiles 54 sont adaptés à exercer une traction sur le support 12 à la périphérie de la face 34. Puisque le support 12 est maintenu par le doigt central 52, un déplacement des bras 54 entraîne une déformation du support 12 qui adopte une forme générale bombée. Les bras 54 peuvent être déplacés pour que la face 34 reproduise la forme de la face 44 du gabarit 42 représentée en figure 5. A titre d'exemple, comme cela est représenté en figure 7, le système 50 comprend huit bras mobiles 541 à 548 répartis régulièrement à la périphérie du support 12. A titre d'exemple, le support 12 est orienté par rapport aux bras 541 à 548 de sorte que le plan contenant les axes des bras 541 et 545 contienne également la direction cristallographique [100] ou [010]. Dans ce cas, le plan contenant les axes des bras 543 et 547 contient également la direction cristallographique [100] ou [010] et le plan contenant les axes des bras 542 et 546 ou le plan contenant les axes des bras 544 et 548 contient également la direction cristallographique [110]. B11454 - DD13262 CV 13 Le système 50 comprend, en outre, comme pour le système 40, un bras supplémentaire, non représenté, qui est adapté à appliquer le support 30 contre le support 12, lorsque le support 12 est défo rmé. Les figures 8A à 8E représentent les structures obtenues à des étapes successives d'un exemple de réalisation d'un procédé de fabrication d'une plaquette de circuits intégrés sur un support isolant selon l'invention. La figure 8A représente une structure identique à la structure représentée en figure LA. L'épaisseur es du support initial 12 est par exemple de l'ordre de 700 micromètres. Ceci correspond à l'épaisseur standard des substrats de silicium utilisés de façon classique dans les procédés de fabrication de circuits intégrés. La figure 8B représente une structure obtenue après avoir déformé l'élément 10, par exemple en l'appliquant contre la face 44 du gabarit 42 du système de déformation illustré aux figures 4 et 5. La face 28 a alors la même forme que la face 44 telle qu'illustrée en figure 5. A titre de variante, l'élément 10 peut être déformé en utilisant le système 50 représenté aux figures 6 et 7. La figure 8C représente la structure obtenue après la réalisation d'un collage moléculaire entre la couche isolante supérieure de l'empilement 16 et le support final 30. Le support final 30 est en un matériau isolant et transparent. Il s'agit par exemple de verre. Il s'agit par exemple du verre à base de borosilicate commercialisé par la société Corning sous l'appellation Eagle 2000. De façon connue, le procédé de collage moléculaire peut comprendre des étapes de préparation des faces 28 et 32 à coller. Si besoin, un traitement peut être réalisé pour que la rugosité des faces 28 et 32 soit adaptée à la réalisation d'un collage moléculaire. Les étapes de préparation peuvent, en outre, comprendre le nettoyage des faces 28 et 32 visant à retirer la majorité des particules présentes sur les faces 28 et B11454 - DD13262 CV 14 32 dont le diamètre est, par exemple, supérieur à 0,2 pin. Les étapes de préparation peuvent, en outre, comprendre un traitement chimique des faces 28 et 32 pour favoriser un collage moléculaire de type hydrophile ou hydrophobe. Le collage peut être réalisé à température ambiante. Le collage peut être amorcé en plaquant les faces 28 et 32 l'une contre l'autre et en appliquant une pression localisée sur l'un des supports. Le collage débute alors dans une zone d'amorce et un front de propagation de collage se répand depuis la zone d'amorce jusqu'à ce que la face 28 soit collée en totalité à la face 32. Lorsque les supports 30 et 12 sont cylindriques, la zone d'amorce peut être prévue en région centrale des faces 28 et 32. A titre de variante, la zone d'amorce peut être située sur un bord des faces 28 et 32. Une étape de recuit peut ensuite être réalisée à une température inférieure à la température maximale autorisée pour les matériaux utilisés. Lorsque le support final 30 est en verre, le recuit peut être réalisé jusqu'à une température de 400°C à 500°C pendant une durée d'au moins 1 heure, et en général de plusieurs heures, pour augmenter l'énergie de collage. La figure 8D représente la structure obtenue après avoir arrêté la déformation du support 12. Les faces collées 28 et 32 redeviennent sensiblement planes. La figure 8E représente la structure obtenue après le retrait du support initial 12. Le retrait du support initial 12 peut comprendre une étape de rectification mécano-chimique pour retirer la plus grande partie du support initial 12 suivie d'une étape de gravure chimique sélective pour retirer le reste du support initial 12. La couche isolante 14 peut servir de couche d'arrêt lors du retrait du support initial 12. Le procédé se poursuit généralement par la formation de vias conducteurs au travers de la couche isolante 14 et de la couche de silicium 12. Des exemples de réalisation particuliers de la 35 présente invention ont été décrits. Diverses variantes et B11454 - DD13262 CV 15 modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que dans l'exemple de réalisation décrit précédemment, le support final soit en verre et le support initial soit en silicium, il est clair que la présente invention peut s'appliquer au collage moléculaire de tout type de matériau ayant des modules d'Young différents. A titre d'exemple, le support initial et/ou le support final peuvent être en un matériau semiconducteur, par exemple du silicium, du germanium ou de l'arséniure de gallium, en un matériau isolant, par exemple du quartz ou du saphir, ou en tout matériau à bas coût pouvant être utilisé pour réaliser un substrat poignée, par exemple un polymère. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure multicouche (16) sur un premier support (30) en un premier matériau ayant un premier module d'Young, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : prévoir un second support (12) recouvert de la struc- ture multicouche, la structure multicouche ayant une face (28) plane opposée au second support, le second support étant en un second matériau ayant un second module d'Young différent du premier module d'Young ; appliquer à ladite face des premières déformations ; réaliser un collage moléculaire du premier support sur ladite face, le collage moléculaire entraînant l'apparition de secondes déformations dans ladite face en l'absence des premières déformations, les premières déformations étant opposées aux secondes déformations ; et retirer le second support, les déformations relatives résultantes dans ladite face étant inférieures à 5 ppm. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel ladite face (28) est déformée en appliquant le second support (12) sur un gabarit (42). 3. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel ladite face (28) est déformée en maintenant fixe le centre du second support (12) et en déplaçant la périphérie du second support. 4. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les premières déformations varient en fonction des directions cristallographiques du second support (12). 5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des 30 revendications 1 à 4, dans lequel l'application des premières déformations comprend la mise en extension de ladite face (28). 6. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel le second support (12) est en silicium mono-cristallin, dans lequel ladite face (28) est une face cristal-B11454 - DD13262 CV 17 lographique (001), dans lequel le second support (12) est un cylindre ayant un axe (D) de symétrie de révolution, et dans lequel les premières déformations ont une symétrie de révolution d'ordre 4 autour dudit axe. 7. Procédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel l'application des premières déformations comprend l'application, dans un premier plan contenant ledit axe (D) et la direction cristallographique [100] ou [010] du second support (12), d'un premier écartement, mesuré selon ledit axe, entre le centre et la périphérie de ladite face (28), et dans un second plan contenant ledit axe et la direction cristallographique [110] du second support, d'un second écartement, mesuré selon ledit axe, entre le centre et la périphérie de ladite face, le premier écartement étant strictement inférieur au second écar- tement. 8. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le premier matériau est isolant. 9. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des 20 revendications 1 à 8, dans lequel le premier matériau est transparent. 10. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le premier matériau est du verre.