Brevet FR2979991A1 — publié le 20130315

- 1 - CAPTEUR DE PRESSION PIEZOELECTRIQUE DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un capteur de pression et plus particulièrement un capteur de pression comprenant un matériau piézoélectrique. ART ANTERIEUR Afin de mesurer une pression, c'est-à-dire une force appliquée sur une surface, il est bien connu d'utiliser différents types de capteur de pression. Les capteurs de pression les plus courants sont les capteurs à jauge de contrainte. Ces capteurs fonctionnent en mettant en oeuvre l'effet piézo-résistif, c'est à dire l'effet d'une pression sur les caractéristiques d'une résistance appelée jauge de contrainte. La variation géométrique d'une jauge de contrainte se traduit par une variation de sa résistance. Ces capteurs comportent quatre jauges de contraintes, telles qu'une jauge à fil, une jauge à trame pelliculaire ou une jauge à semi-conducteur par exemple, montées en pont de Wheatstone sur un corps d'épreuve déformable. Les variations des résistances des jauges permettent alors de déterminer la pression exercée sur le corps d'épreuve. Toutefois, bien que ces capteurs de pression soient robustes et fiables, ils présentent une faible sensibilité. On connaît également des capteurs de pression à capacité variable constitués d'un diaphragme, d'une plaque métallique statique, d'un matériau isolant et d'un diélectrique. La capacité entre deux plaques de métal, à savoir le diaphragme et la plaque statique, se modifie quand la distance qui les sépare varie, c'est-à-dire quand une pression est exercée sur le diaphragme.30 - 2 - Ce type de capteur de pression à capacité variable permet de mesurer la variation de capacité entre un diaphragme métallique et une plaque de métal fixe, et sont généralement très stables et linéaires ; toutefois, ces capacités sont sensibles aux températures élevées et sont plus complexes à mettre en place que la plupart des capteurs de pression. Enfin, on connaît également les capteurs de pression piézoélectriques qui fonctionnent selon le principe piézoélectrique. Ainsi, un matériau piézoélectrique, tel que le quartz par exemple, se charge électriquement lorsque ledit matériau est soumis à une sollicitation mécanique telle qu'une pression. La charge électrique est proportionnelle à la force qui s'exerce sur le matériau piézoélectrique et se mesure en picocoulombs. Ainsi, pour mesurer une pression au moyen d'un capteur de pression piézoélectrique, il convient de mesurer la tension apparaissant aux bornes du matériau piézoélectrique. Néanmoins, il est particulièrement difficile de mesurer de faibles variations de tension de sorte que ces capteurs de pression piézoélectriques sont considérés comme peu sensibles, c'est-à-dire ne permettant pas de mesurer de faibles pressions ou de faibles variations de pression. EXPOSE DE L'INVENTION L'un des buts de l'invention est de remédier aux inconvénients de ces capteurs de pression piézoélectriques en proposant un capteur de pression comportant un matériau piézoélectrique de conception simple et peu onéreuse et procurant une grande sensibilité des mesures. A cet effet, et conformément à l'invention, il est proposé un capteur de pression comprenant un matériau piézoélectrique. Ce capteur comprend un substrat inférieur sur lequel sont déposées deux électrodes partiellement recouvertes par une couche semi- conductrice, une couche piézoélectrique étant positionnée en contact avec la couche semi- conductrice de telle manière que le matériau semi-conducteur soit en contact avec le matériau piézoélectrique et avec les deux électrodes. Lesdites électrodes sont destinées à être connectées à une source de tension ou à un dispositif de mesure de l'intensité d'un - 3 - courant généré par le déplacement des charges électriques dans la couche semiconductrice entre les électrodes, lesdites charges électriques étant créées lorsqu'une pression est exercée sur la couche piézoélectrique. On comprend bien que le capteur de pression selon l'invention permet de transférer les charges, créées lorsqu'une pression est exercée sur la couche piézoélectrique, dans un semi-conducteur qui est en contact électrique avec cette dernière. L'application d'une tension entre les deux électrodes précitées permet de transférer les charges dans le semi-conducteur et de récupérer un courant électrique proportionnel à la pression appliquée, la mesure du courant étant beaucoup plus fiable que la mesure de tension utilisée dans les capteurs piézoélectriques de l'art antérieur. Selon un mode de réalisation de l'invention, le capteur comprend en outre une couche diélectrique réalisée en un matériau diélectrique, insérée localement entre la couche piézoélectrique et la couche semi-conductrice. Selon une caractéristique avantageuse du capteur de pression selon l'invention, la couche piézoélectrique comporte des dipôles alignés selon la direction de pression exercée, ce qui permet d'augmenter le nombre de charges collectées, et donc d'augmenter la sensibilité du capteur. Cet alignement peut se faire une seule fois avant l'utilisation du capteur. Les dipôles de la couche piézoélectrique sont avantageusement alignés en appliquant un champ électrique entre des électrodes choisies judicieusement. De préférence, le champ électrique appliqué entre les électrodes est compris entre 0,3 et 0,7 volt par micromètre à une température comprise entre 40 et 60 °C pendant une durée comprise entre 20 minutes et 8 heures. En effet, la température améliore la mobilité des charges, de sorte que l'alignement est obtenu plus rapidement et/ou de manière plus complète.30 - 4 - Par ailleurs, le substrat inférieur est avantageusement réalisé en un matériau choisi dans le groupe comprenant le verre, le silicium dopé ou non, les polymères tels que polyéthylène téréphtalate (PET), polyéthylène naphtalate (PEN), polyimides (PI), polycarbonate, acrylates, etc. De préférence, la couche semi-conductrice est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant : - les molécules organiques semi-conductrices telles que tetracene, pentancene, phtalocyanine, - les polymères semi-conducteurs tels que polytiophène, polyfluorène, polyphenylene vinylene ou leurs dérivés tels que poly (3-octyl), thiophene, poly [2-methoxy-5-(2'- ethyl-hexyloxy)-1,4-], phenylene, vynilene ou oligomère tel que a-sexithiophènes. De plus, la couche piézoélectrique est avantageusement réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant le polyfluoridevinylidène (plyvinylidène fluoré), les copolymères de polyvinylidènefluoride, et le PZT (Plomb - Zinc - Oxyde de titane). De manière particulièrement avantageuse, le capteur de pression selon l'invention comporte en outre : - une couche diélectrique déposée sur la couche semi-conductrice, - une électrode de grille déposée sur la face supérieure de la couche diélectrique, - une couche isolante déposée sur la couche supérieure de la couche diélectrique et l'électrode de grille, la couche piézoélectrique étant déposée sur l'ensemble couche semi-conductrice / couche diélectrique / électrode de grille / couche isolante de telle manière que le matériau piézoélectrique soit en contact avec le matériau semi-conducteur et les deux électrodes. Un tel capteur de pression présente alors une structure de transistor à effet de champ de type à « grille haute », de sorte qu'un même composant peut servir de transistor quand aucune pression n'est appliquée sur la couche piézoélectrique et se transforme en capteur de pression sensible lorsqu'une pression est appliquée sur ladite couche piézoélectrique. - 5 - De préférence, le matériau diélectrique est réalisé en un matériau choisi dans le groupe comprenant le dioxyde de silicium, le nitrate de silicium, le dioxyde de titane, l'oxyde d'aluminium, le dioxyde d'hafnium, les polyimides, les polyvinyles, le pirolydone, le polyméthylméthacrylate, le polyamide, le parylène, le polystyrène, les fluoropolymères. De plus, les électrodes sont réalisées en un matériau choisi dans le groupe comprenant les métaux, tels que l'aluminium, le titane, le nickel, l'or, le chrome, etc..., les particules métalliques, les oxydes métalliques tels que l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'indium-zinc, etc..., les polymères conducteurs tels que 3, 4 - polyéthylène dioxythiophène- polystirène, sulfonate (PEDOT : PSS) ou polyaniline, etc..., ou les matériaux en silicium dopé. DESCRIPTION SOMMAIRE DES FIGURES D'autres avantages et caractéristiques ressortiront mieux de la description qui va suivre, de plusieurs variantes d'exécution du capteur de pression comprenant un matériau piézoélectrique conforme à l'invention, données à titre d'exemple non limitatifs et en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une représentation schématique en coupe d'un capteur de pression comprenant un matériau piézoélectrique conforme à l'invention, - la figure 2 est une vue schématique de dessus du capteur de pression de la figure 1, - les figures 3A à 3C sont des représentations schématiques des différentes étapes de mesure de la pression exercée sur la couche piézoélectrique du capteur de pression selon l'invention, - la figure 4 est une représentation graphique de l'intensité du courant en fonction de la tension mesurée aux bornes des électrodes du capteur de pression selon l'invention, - la figure 5 est une représentation schématique d'une variante d'exécution de la polarisation de la couche piézoélectrique du capteur de pression selon l'invention, - la figure 6 est une représentation schématique en coupe d'une variante d'exécution du capteur de pression selon l'invention, - la figure 7 est une vue schématique de dessus de la figure 6. - 6 - - la figure 8 est une vue analogue à la figure 6, d'une variante d'exécution de l'invention. - la figure 9 est une vue analogue à la figure 1, illustrant un capteur de pression en mode transistor « grille basse ». DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Par souci de clarté, dans la suite de la description, les mêmes éléments ont été désignés par les mêmes références au sein des différentes figures. De plus, les diverses vues en coupe ne sont pas nécessairement tracées à l'échelle. En référence aux figures 1 et 2, le capteur de pression 1 selon l'invention comprend un substrat inférieur 2, sur lequel sont déposées deux électrodes 3, 4, respectivement une électrode de source 3 et une électrode de drain 4. Le substrat inférieur 2 est réalisé en un matériau choisi dans la liste suivante : verre, substrat de silicium dopé ou non, polymères tels que polyéthylène téréphtalate (PET), polyéthylène naphtalate (PEN), polyimide (PI), polycarbonate, acrylates, etc. Il est cependant bien évident que le substrat inférieur 2 peut être obtenu dans tout autre matériau bien connu de l'homme du métier. Par ailleurs, les électrodes de source 3 et de drain 4 sont réalisées en métal, tel que l'aluminium, le titane, le nickel, l'or, le chrome, etc..., ou en particules métalliques, en oxydes métalliques, tels que l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'indium-zinc, etc..., voire en polymères conducteurs, tels que le 3, 4 - polyéthylène dioxythiophène-polystirène, sulfonate (PEDOT : PSS), la polyaniline, etc..., en silicium dopé ou dans tout autre matériau conducteur approprié bien connu de l'homme du métier. Lesdites électrodes de source 3 et de drain 4 sont partiellement recouvertes par une couche semi-conductrice 5 réalisée en matériau semi-conducteur. En outre, une couche diélectrique 6 réalisée en matériau diélectrique est déposée sur la couche semiconductrice 5. - 7 - Ladite couche semi-conductrice 5 est avantageusement réalisée en un matériau organique semi-conducteur du type tetracene, pentancene, phtalocyanine, polymères semiconducteurs tels que polytiophène, polyfluorène, polyphenylene vinylene ou leurs dérivés tels que poly (3-octyl), thiophene, poly [2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-], phenylene, vynilene ou oligomère tel que a-sexithiophènes. Toutefois, la couche semi-conductrice 5 peut également être réalisée en un matériau inorganique semi-conducteur bien connu de l'homme du métier tel que le silicium ou l'arséniure de gallium (GaAs) par exemple, sans pour autant sortir du cadre de 10 l'invention. Ladite couche diélectrique 6 est réalisée en dioxyde de silicium, nitrate de silicium, dioxyde de titane, oxyde d'aluminium, dioxyde d'hafnium, ou encore en polyimide, polyvinyle, pyrolidone, polyméthylméthacrylate, polyamide, parylène, polystyrène, 15 fluoropolymères, ou dans tout autre matériau diélectrique bien connu de l'homme du métier. Le capteur comporte par ailleurs une électrode de grille 7, déposée sur la face supérieure de la couche diélectrique 6. L'électrode de grille 7 et la couche diélectrique 6 sont 20 recouvertes par une couche isolante 8 procurant une isolation électrique. Une couche piézoélectrique 9 réalisée en un matériau piézoélectrique, est déposée sur l'ensemble constitué par la couche isolante 8, la couche diélectrique 6 et la couche semiconductrice 5, de telle manière que le matériau semi-conducteur de la couche semi- 25 conductrice 5 soit en contact d'une part avec le matériau piézoélectrique de la couche piézo-électrique 9, et d'autre part avec les électrodes de source 3, de drain 4 et de grille 7. La couche piézo-électrique 9 est isolée électriquement par rapport à l'électrode de grille 7. 30 L'électrode de grille 7 est réalisée en un matériau de même nature que celui constitutif des électrodes de source 3 et de drain 4. - 8 - La couche isolante 8 est obtenue par dépôt d'un matériau diélectrique choisi parmi les matériaux constitutifs de la couche 6 (cf. supra), et la couche piézoélectrique 9 est réalisée en un matériau choisi dans la liste suivante : polyvinylidène fluoride (PVDF), les copolymères de polyvinylidène fluoride tels que PVDF-TrFE ou PVDF-TFE ou dans tout autre matériau présentant des propriétés piézo-électriques bien connu de l'homme du métier. Ladite couche piézoélectrique 9 présente de préférence une épaisseur comprise entre 1 et 40 micromètres, ladite épaisseur dépendant notamment de la valeur de la pression à mesurer, c'est-à-dire son ordre de grandeur, et de la nature du matériau piézoélectrique constitutif de la couche piézoélectrique 9. L'homme du métier n'aura pas de difficultés pour adapter l'épaisseur de la couche piézoélectrique en fonction de ces deux facteurs. Par ailleurs, la couche piézoélectrique 9 comporte des dipôles alignés, lesdits dipôles étant alignés dans le sens de la pression à mesurer. Après le dépôt de la couche piézo- électrique 9, les dipôles sont désordonnés. Afin d'aligner les dipôles de la couche piézoélectrique 9, on applique un champ électrique E entre deux électrodes, l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4 par exemple, à une valeur comprise entre 0,3 V.m-1 et 0,7 V.m-1 par micromètre d'épaisseur de la couche piézoélectrique 9, à une température comprise entre 40 et 60 °C et pendant une durée comprise entre 20 minutes et 8 heures. On peut observer que le capteur de pression 1 ainsi défini présente une structure de transistor organique à effet de champ du type à « grille haute » et « contacts bas ». Ainsi, lorsqu'aucune pression n'est exercée sur ledit capteur, ce dernier peut avantageusement 25 fonctionner normalement comme un transistor organique à effet de champ. Il va être expliqué ci-après le fonctionnement du capteur de pression 1 selon l'invention à partir d'un exemple de réalisation et en référence aux figures 3A à 3C, 4 et 5. 30 En référence à la figure 3A, le capteur de pression 1 est obtenu par dépôt de 3 nanomètres d'or sur un substrat de polyéthylène naphthalate (PEN) d'une épaisseur d'environ 125 micromètres. La couche d'or est alors gravée pour définir une électrode de source 3 et une électrode de drain 4. - 9 - On dépose alors par héliogravure une couche semi-conductrice 5 en triisopropylsilyl (TIPS) pentacène d'environ 90 nanomètres d'épaisseur, recouvrant partiellement les électrodes de source 3 et de drain 4. Cette couche est ensuite recouverte d'une couche diélectrique 6 réalisée en fluoropolymère commercialisé sous la marque CYTOP® par exemple sur une épaisseur d'environ 800 nanomètres. Ensuite, on dépose 50 nanomètres d'or sur ladite couche diélectrique 6 pour former l'électrode de grille 7, puis une couche isolante réalisée en CYTOP® sur une épaisseur d'environ 1 micromètre, et finalement on dépose une couche piézoélectrique 9 de polyvinylidène fluoride (PVDF) ou d'un copolymère de polyvinylidène fluoride tels que PVDF-TrFE ou P(VDF-TFE) sur une épaisseur d'environ 1 micromètre. Afin d'aligner les dipôles de la couche piézoélectrique 9 pour permettre la réalisation d'une mesure de pression latérale, c'est à-dire pour la mesure d'une pression exercée sur un bord latéral de la couche piézoélectrique 9, un champ électrique E est appliqué entre les électrodes de source 3 et de drain 4. Ce champ électrique E présente une intensité de 0,5 V/i.tm et il est appliqué à une température de 50°C pendant 30 minutes. En référence à la figure 3B, les dipôles de la couche piézoélectrique 9 sont alors alignés parallèlement au substrat inférieur 2. Lorsqu'une pression est exercée sur l'un des bords latéraux de la couche piézoélectrique 9, en référence à la figure 3C, des charges 10 se créent dans ladite couche piézoélectrique au niveau du point de pression. En appliquant une tension dite Vps entre l'électrode de drain 4 et l'électrode de source 3, les charges 10 sont transférées dans la couche semi- conductrice 5 et passent dans le canal de conduction 11 située entre l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4. Le déplacement des charges 10 dans le canal de conduction 11 de la couche semi- conductrice 5 induit une augmentation du courant Ips mesuré aux bornes des électrodes de source 3 et de drain 4. - 10 - Comme on peut le voir sur la figure 4, le courant Ips mesuré aux bornes des électrodes de source 3 et de drain 4 est proportionnel à la pression exercée sur le bord latéral de la couche piézoélectrique 9. Ainsi, une augmentation de la pression latérale exercée sur la couche piézoélectrique 9 engendre une augmentation proportionnelle du courant Ips par accumulation et transport des charges dans le canal de conduction 11 de la couche semi- conductrice 5. Afin de permettre la mesure d'une pression verticale, en référence à la figure 5, il est nécessaire préalablement d'aligner verticalement les dipôles de la couche piézoélectrique 9. A cet effet, une électrode 12 est positionnée sur la surface supérieure de la couche piézoélectrique 9, puis un champ électrique E est appliqué entre ladite électrode 12 et l'électrode 3, outre en l'électrode 12 et l'électrode 4, voire entre l'électrode 12 et les électrodes 3 et 4. Ce champ électrique E présente une intensité de 0,5 V/i.tm et il est appliqué à une température de 50°C pendant 30 minutes à plusieurs heures. Les dipôles de la couche piézoélectrique 9 sont alors alignés verticalement. Lorsqu'une pression est exercée sur la surface supérieure de la couche piézoélectrique 9, des charges 10 se créent dans la couche piézoélectrique 9 au niveau du point de pression. En appliquant une tension dite Vps entre l'électrode de drain 4 et l'électrode de source 3, de la même manière que précédemment, les charges 10 sont transférées dans la couche semi-conductrice 5 et passent dans le canal de conduction 11 située entre l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4. Le déplacement des charges 10 dans le canal de conduction 11 de la couche semi-conductrice engendre une augmentation du courant Ibs mesuré aux bornes des électrodes de source 3 et de drain 4, ladite augmentation du courant Ips étant proportionnelle à la pression exercée sur la face supérieure de la couche piézoélectrique 9. On notera que pour procéder à l'alignement vertical des dipôles de la couche piézo- électrique 9, l'électrode de grille 7 peut être utilisée afin d'appliquer le champ électrique E en substitution de l'électrode 12. Toutefois, l'alignement des dipôles ne sera alors pas parfaitement vertical et les dipôles de la couche piézo-électrique 9 sont susceptibles de créer des capacités parasites qui altèrent les performances du capteur, lorsque ce dernier fonctionne en tant que transistor, c'est-à-dire lorsqu'aucune pression n'est exercée sur la face supérieure de la couche piézoélectrique. Selon une variante d'exécution du capteur de pression selon l'invention et en référence aux figures 6 et 7, la couche piézoélectrique 9 est déposée sur la couche semi-conductrice 5, de telle manière que le matériau piézoélectrique de ladite couche 9 soit en contact d'une part avec le matériau semi-conducteur de la couche semi-conductrice 5, et d'autre part avec les électrodes de source 3 et de drain 4. Selon une variante d'exécution représentée à la figure 8, on introduit une couche diélectrique 6 entre la couche piézoélectrique 9 et la couche semi-conductrice 5. Ce faisant, on dispose : - d'un fonctionnement en mode « capteur », comme pour le mode de réalisation représenté en relation avec la figure 6 ; - d'un fonctionnement en mode « transistor », où le rôle de la grille est joué par la couche piézoélectrique 9. La modulation habituelle de la tension de grille est ici constituée d'une modulation de pression sur la couche piézoélectrique, qui par effet capacitif, ouvre plus ou moins le canal de transport des charges entre les électrodes 3 et 4. De la même manière que précédemment, la couche piézoélectrique 9 comporte des dipôles alignés, lesdits dipôles étant alignés dans le sens de la pression à mesurer. Afin d'aligner les dipôles de la couche piézo-électrique 9, on applique un champ électrique E entre l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4 par exemple, à une intensité comprise entre 0,3 et 0,7 V.m-1 par micromètre d'épaisseur de la couche piézoélectrique 9, à une température comprise entre 40 et 60 °C et pendant une durée comprise entre 20 minutes et 8 heures. Le fonctionnement du capteur est strictement identique au fonctionnement du capteur précédemment décrit à l'exception près que cette variante d'exécution du capteur de pression n'est pas susceptible de fonctionner comme un transistor organique à effet de champ. - 12 - Enfin, il est bien évident que les exemples que l'on vient de donner ne sont que des illustrations particulières en aucun cas limitatives quant aux domaines d'application de l'invention. Il est ainsi possible de réaliser un capteur de pression conforme à l'invention avec une structure transistor « grille basse », tel que représenté sur la figure 9. REVENDICATIONS1. Capteur de pression (1) comprenant un matériau piézoélectrique, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un substrat inférieur (2) sur lequel sont déposés deux électrodes (3, 4) partiellement recouvertes par une couche semi-conductrice (5) réalisée en un matériau semi-conducteur, et une couche piézoélectrique (9) réalisée en un matériau piézoélectrique, et en contact avec la couche semi-conductrice (5) de telle manière que le matériau semi-conducteur soit en contact avec le matériau piézoélectrique et avec les deux électrodes (3, 4), lesdites électrodes (3, 4) étant aptes à être connectées à une source de tension ou à un dispositif de mesure de l'intensité d'un courant généré par le déplacement de charges électriques (10) dans la couche semi-conductrice (5) entre les électrodes (3, 4), lesdites charges électriques (10) étant créées lorsqu'une pression est exercée sur la couche piézoélectrique (9). 2. Capteur de pression (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche diélectrique (6) réalisée en un matériau diélectrique, insérée localement entre la couche piézoélectrique (9) et la couche semi-conductrice (5). 3. Capteur de pression (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une couche diélectrique (6) réalisée en un matériau diélectrique déposé sur la couche semi-conductrice (5), une électrode de grille (7) déposée sur la face supérieure de la couche diélectrique (6), une couche isolante (8) déposée sur la couche supérieure de la couche diélectrique (6) et l'électrode de grille (7), la couche piézoélectrique (9) étant déposée sur l'ensemble couche semi-conductrice (5) / couche diélectrique (6) / électrode de grille (7) / couche isolante (8) de telle manière que le matériau piézoélectrique soit en contact avec le matériau semi-conducteur et les deux électrodes (3, 4). 4. Capteur de pression selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche piézoélectrique (9) comporte des dipôles alignés selon la direction de la pression exercée.- 14 -5. 6. 7 8. 9. 30 10. Capteur de pression selon la revendication 4, caractérisé en ce que les dipôles de la couche piézoélectrique (9) sont alignés en appliquant un champ électrique E entre les électrodes (3, 4). Capteur de pression selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche piézoélectrique (9) reçoit une autre électrode (12), et en ce que un champ électrique E est appliqué entre l'électrode (12) et l'une, l'autre outre les deux électrodes (3, 4) déposées sur le substrat. Capteur de pression selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que le champ électrique E appliqué entre les électrodes (3, 4), outre entre l'électrode (12) et l'une, l'autre ou les deux électrodes (3, 4) est compris entre 0,3 et 0,7 volt par micromètre à une température comprise entre 40 et 60 °C pendant une durée comprise entre 20 minutes et 8 heures. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat inférieur (2) est réalisé en un matériau choisi dans le groupe comprenant le verre, le polycarbonate, le silicium dopé ou non, les polymères tels que le polyéthylène téréphtalate (PET), le polyéthylène naphtalate (PEN), le polyimide (PI) et les acrylates. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (5) est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant les molécules organiques semi-conductrices telles que tetracene, pentancene, phtalocyanine, les polymères semi-conducteurs tels que polytiophène, polyfluorène, polyphenylene vinylene ou leurs dérivés tels que poly (3-octyl), thiophene, poly [2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-], phenylene, vynilene ou oligomère tel que a-sexithiophènes.. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche piézoélectrique (9) est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant le polyvinylidène fluoride (PVDF), les copolymères de- 15 - polyvinylidène fluoride tels que PVDF-TrFE ou PVDF-TFE, et le PZT (Plomb Zinc - Oxyde de titane).. 11. Capteur de pression selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche diélectrique (6) est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant le dioxyde de silicium, le nitrate de silicium, le dioxyde de titane, l'oxyde d'aluminium, le dioxyde d'hafnium, les polyimides, le polyvinyle, le pirolydone, le polymethylmethacrylate, le polyamide, le parylène, le polystyrène et les fluoropolymères. 12. Capteur de pression selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche isolante (8) est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant le dioxyde de silicium, le nitrate de silicium, le dioxyde de titane, l'oxyde d'aluminium, le dioxyde d'hafnium, les polyimides, le polyvinyle, le pirolydone, le polymethylmethacrylate, le polyamide, le parylène, le polystyrène et les fluoropolymères. 13. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que les électrodes (3, 4, 7) sont réalisées en un matériau choisi dans le groupe comprenant les métaux, tels que l'aluminium, le titane, le nickel, l'or, le chrome, etc..., les particules métalliques, les oxydes métalliques tels que l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'indium-zinc, etc..., les polymères conducteurs tels que 3, 4 polyéthylène dioxythiophène-polystirène, sulfonate (PEDOT : PSS) ou polyaniline, etc..., ou les matériaux en silicium dopé.