Brevet FR2983635A1 — publié le 20130607

Structure semiconducteur sur isolant avec des caractéristiques électriques améliorées La présente invention se rapporte au domaine des semiconducteurs. Plus particulièrement, elle se rapporte à une structure semiconductrice comprenant une première couche semiconductrice, une couche semiconductrice massive, une couche d'isolation entre la première couche et la couche semiconductrice massive, une première région implantée et une seconde région dopée. Des tranches Silicium sur Oxyde (SOI) ou d'oxyde enterré ultra mince (UTBOX) sont caractérisées avec avantage par de faibles variations de la tension de seuil et sont donc d'un intérêt grandissant pour la technologie CMOS présente et future. En particulier, la technologie CMOS entièrement appauvrie autorise des circuits à faible tension et à faible énergie fonctionnant à des vitesses élevées. De plus, des composants SOI entièrement appauvris sont considérés comme étant les candidats les plus prometteurs autorisant des effets de canal court (SCE) réduits, en particulier avec des noeuds en dessous de 22 nm. Des tranches Silicium sur Isolant (SOI) forment la base de la technologie MOSFET et CMOS à hautes performances. Le contrôle de l'effet SCE est principalement facilité par la minceur de la couche active de silicium formée au-dessus de l'isolant, c'est-à-dire la couche d'oxyde enterré (BOX). Afin de réduire l'effet de couplage entre la source et le drain et en outre par rapport au dimensionnement de composants à film mince pour des technologies futures, la fourniture de couches BOX très minces est obligatoire. Le contrôle de la tension de seuil dépend également de la minceur des couches BOX. Une implantation appropriée du substrat en dessous de la couche BOX conduisant à la formation d'une grille arrière permet un ajustement précis de la tension de seuil par polarisation de la grille arrière. En conséquence, afin de fournir un transistor à double porte fiable et performant sur une tranche SOI, il est important d'obtenir un bon contrôle sur la grille arrière et sur la couche BOX. Les figures 5a à 5d illustrent des structures semiconductrices 5100 à 5300 conformes à la technique antérieure. Comme on peut le voir sur la figure 5a, une structure semiconductrice 5100 inclut une première couche semiconductrice 5101, une couche d'isolation 5102 et une couche semiconductrice massive 5103. La couche d'isolation 5102 est placée entre la première couche semiconductrice 5101 et la couche semiconductrice massive 5103 de façon à les séparer électriquement. La première couche semiconductrice 5101 pourrait être, par exemple, du silicium. La couche d'isolation 5102 pourrait être, par exemple, un oxyde de silicium. La couche semiconductrice massive 5103 pourrait être, par exemple, du silicium. Grâce à cette disposition d'exemple, la structure semiconductrice 5100 serait une tranche SOI, la couche d'isolation 5102 serait l'oxyde BOX et la couche semiconductrice massive 3013 pourrait agir comme grille arrière pour des transistors réalisés sur la première couche semiconductrice 5101. Afin de procurer une meilleure conductivité de la couche semiconductrice massive 5103, la structure semiconductrice 5100 est dopée par l'intermédiaire d'une étape de dopage S51 comme illustré sur la figure 5b. Pendant l'étape de dopage S51, un matériau de dopage 5204 est implanté dans la structure semiconductrice 5100 de façon à obtenir la structure semiconductrice 5200 illustrée sur la figure 5c. Le dopage peut être réalisé, par exemple, par un bombardement ionique. Pour la formation d'un plan de masse de type p, le matériau de dopage 5204 pourrait être, par exemple, du bore. L'utilisation de bore est préférée à d'autres matériaux tels que de l'In ou du BF2. Ceci est dû au fait que des implants en In peuvent avoir pour résultat la détérioration des propriétés électriques de l'oxyde BOX en raison de la masse élevée de In et de son interaction avec le SiO2. Une implantation en BF2, où le nombre d'atomes de fluor est deux fois supérieur que celui du bore peut en outre résulter en une quantité significative de F introduite dans le silicium. Une telle combinaison d'atomes B et F peut résulter en une médiocre activation du B. Cependant de purs implants en bore ne sont pas optimaux du fait que le bore présente une tendance à diffuser et pourrait se séparer dans l'oxyde BOX, c'est-à-dire dans la couche d'isolation 5102.35 Par exemple, comme illustré sur les figures 5c et 5d, un certain nombre d'atomes de dopage pourrait être implantés dans des structures semiconductrices 5200 et 5300. Plus particulièrement, des atomes de dopage 5205 et 5206 de la structure semiconductrice 5200 pourraient être le résultat de l'étape d'implantation S51. C'est-à-dire que même lorsque l'étape de dopage S51 est exécutée de façon à ne réaliser qu'une zone dopée 5210 dans la couche semiconductrice massive 5103, un ou plusieurs atomes de dopage 5205 pourraient être implantés dans la première couche semiconductrice 3013 et un ou plusieurs atomes de dopage 5206 pourraient être implantés dans la couche d'isolation 3012. De plus, pendant une étape de diffusion S52, ayant pour résultat la structure semiconductrice 5300 représentée sur la figure 5d, le nombre d'atomes de dopage 5205 et 5206 pourrait augmenter, comme indiqué par les atomes de dopage 5305 et 5306 en raison de la diffusion du matériau de dopage 5204 provenant de la couche semiconductrice massive 5103 dans la couche d'isolation 5102 et dans la première couche semiconductrice 5101. Une telle diffusion de bore dans la couche d'isolation 5102 peut affecter fortement les propriétés électriques de la couche d'isolation 5102 du fait que la pénétration de bore augmente le piège de charges dans le SiO2 et dégrade les propriétés de l'interface SiO2 / Si, comme décrit dans le document « Impact sur la pénétration de bore sur la fiabilité de l'oxyde de grille et durée de vie d'un composant dans les PMOSFET poly P+ » publié dans le compte-rendu des documents techniques du symposium international de 1997 sur la technologie, les systèmes et les applications d'intégration VLSI. C'est par conséquent le but de la présente invention d'améliorer le processus de telle sorte que la diffusion puisse être réduite ou empêchée. Ce but est atteint avec la structure semiconductrice comprenant une première couche semiconductrice, une couche semiconductrice massive, une couche d'isolation entre la première couche et la couche semiconductrice massive, une première zone implantée et une seconde zone dopée au moins partiellement à l'intérieur de la couche semiconductrice massive, la première zone implantée se trouvant au moins partiellement à l'intérieur de la couche d'isolation et étant configurée de façon à empêcher toute diffusion d'un second matériau de dopage de la seconde zone dopée à l'intérieur de la couche d'isolation. Grâce à une telle approche, il est possible de réaliser une structure dans laquelle la couche d'isolation présente de bonnes caractéristiques électriques. Dans certains modes de réalisation, le second matériau de dopage de la seconde zone dopée peut être l'un quelconque parmi le bore et/ou le BF2 et/ou le B18H22 et/ou tout autre élément moléculaire contenant du bore. Grâce à une telle approche, on peut obtenir une bonne conductivité électrique de la couche semiconductrice massive. Dans certains modes de réalisation, un premier matériau de la première zone implantée peut être du fluor et/ou du chlore. Dans certains modes de réalisation, la première zone implantée peut présenter une épaisseur se situant dans la plage de 40 à 80 nm, de préférence 75 nm. Grâce à une telle approche, il est possible d'empêcher efficacement ou au moins de réduire la diffusion du second matériau de dopage et d'améliorer les caractéristiques électriques de la couche d'isolation. Dans certains modes de réalisation, la seconde zone dopée peut présenter une épaisseur se situant dans la plage de 150 à 400 nm, de préférence 200 nm. Grâce à une telle approche, on peut obtenir une bonne conductivité électrique de la couche semiconductrice massive. Dans certains modes de réalisation, la première couche semiconductrice peut présenter une épaisseur se situant dans la plage de 8 à 20 nm, de préférence 12 nm, et/ou la couche semiconductrice massive présente une épaisseur (T3) se situant dans la plage de 750 à 800 pm, de préférence 775 pm, et/ou la couche d'isolation présente une épaisseur (T2) se situant dans la plage de 8 à 40 nm, de préférence 25 nm. 30 Grâce à une telle approche, on peut obtenir de bonnes caractéristiques électriques des transistors réalisés sur la première couche semiconductrice 1101. Dans certains modes de réalisation, la structure semiconductrice peut en outre comprendre un transistor réalisé sur la première couche semiconductrice, les couches semiconductrices massives pouvant agir comme grille arrière pour le transistor. Grâce à une telle approche, il est possible d'obtenir un bon contrôle sur le canal des transistors. Dans certains modes de réalisation, la première couche semiconductrice peut être l'une quelconque de Si et/ou de Si contraint et/ou de SiGe et/ou de Ge et/ou de couches III - V, et/ou la couche semiconductrice massive peut être du Si et/ou la couche d'isolation peut être un oxyde de silicium. Grâce à une telle approche, il est possible de réaliser une structure semiconductrice grâce à des processus standards, ce qui réduit de ce fait les coûts de fabrication. Il est de même possible d'obtenir de bonnes performances des transistors réalisés sur la première couche semiconductrice. De plus, le but de la présente invention est également atteint grâce au procédé de fabrication d'une structure semiconductrice, la structure semiconductrice comprenant une première couche semiconductrice, une couche semiconductrice massive et une couche d'isolation située entre la première couche et la couche semiconductrice massive, laquelle comprend les étapes consistant en une première implantation et une seconde implantation de dopage dans une seconde zone dopée au moins partiellement à l'intérieur de la couche semiconductrice massive, la première implantation étant exécutée dans une première zone implantée au moins partiellement à l'intérieur de la couche d'isolation, la première zone implantée étant configurée de sorte à empêcher toute diffusion, à l'intérieur de la couche d'isolation, d'un second matériau de dopage de la seconde zone dopée. Grâce à une telle approche, il est possible de fabriquer la structure semiconductrice présentant de bonnes caractéristiques électriques tout en minimisant le nombre d'étapes.35 Dans certains modes de réalisation, la première implantation peut comprendre une implantation ionique présentant une énergie se situant dans la plage de 5 à 15 keV, de préférence 10 keV, et une dose se situant dans la plage de 1E13 à 1E14 /cm2, de préférence 3E13 .cm2, et/ou la seconde implantation des tentes peut comprendre une implantation ionique présentant une énergie se situant dans la plage de 20 à 60 keV, de préférence 30 keV, et une dose se situant dans la plage de 1E13 à 2E14 /cm2, de préférence 5E13 /cm2. Grâce à une telle approche, on peut obtenir les profils de dopage souhaités pour obtenir de bonnes caractéristiques électriques de la structure semiconductrice. L'invention sera décrite plus en détail à titre d'exemple ci-après en utilisant des modes de réalisation avantageux et en faisant référence aux dessins. Les modes de réalisation décrits ne sont que des configurations possibles dans lesquelles les fonctions individuelles peuvent cependant, comme décrit ci-dessus, être mises en oeuvre indépendamment l'une de l'autre ou peuvent être omises. Des éléments identiques illustrés dans les dessins portent des références identiques. Des parties de la description se rapportant aux éléments identiques illustrés par les différents dessins peuvent être exclues. Dans les dessins : Les figures 1a à 1f sont des vues simplifiées d'une structure semiconductrice et d'un procédé permettant de fabriquer une structure semiconductrice conformément à la présente invention, la figure 2 est une vue simplifiée du profil de dopage d'une structure semiconductrice conforme à la présente invention, les figures 3a et 3b sont des illustrations simplifiées de profils d'implantation conformes à d'autres modes de réalisation de la présente invention, la figure 4 est une illustration simplifiée de profils d'implantation conformes avec encore d'autres modes de réalisation de la présente invention, et les figures 5a à 5d sont des vues simplifiées d'une structure semiconductrice conforme à l'état de la technique. Une structure semiconductrice et un procédé de fabrication conformes à la présente invention seront à présent décrits en faisant référence aux figures la à 1f. Comme on peut le voir sur la figure 1 a, une structure semiconductrice 1100 inclut une première couche semiconductrice 1101, une couche semiconductrice massive 1103 et une couche d'isolation 1102 située entre la première couche 1101 et la couche semiconductrice massive 1103. La première couche semiconductrice 1101 peut être réalisée en l'un quelconque du silicium et/ou de Si contraint et/ou de SiGe et/ou de Ge et/ou de couches III - V. La couche d'isolation 1102 peut être un oxyde de silicium. La couche semiconductrice massive 1103 peut être du silicium. La première couche semiconductrice 1101 présente une épaisseur T1 se trouvant dans la plage de 8 à 20 nm, de préférence 12 nm, la couche d'isolation 1102 présente I une épaisseur T2 se situant dans la plage de 8 à 40 nm, de préférence 25 nm, la couche semiconductrice massive 1103 présente une épaisseur T3 se situant dans la plage de 750 à 800 pm, de préférence 775 pm. Bien que non illustrée sur la figure 1 a, la structure semiconductrice pourrait en outre comprendre une couche d'oxyde sacrificiel par-dessus la première couche semiconductrice 1101. La couche d'oxyde sacrificiel peut présenter une épaisseur se trouvant dans la plage de 2 à 5 nm, de préférence 2 nm. L'oxyde sacrificiel protège la première couche semiconductrice 5101 d'une contamination possible pendant l'étape d'implantation ionique. Les épaisseurs des couches 1101 et 1102 sont telles qu'elles procurent des paramètres électriques améliorés pour les composants fabriqués. Sur la base de ces valeurs d'épaisseurs, les paramètres des implants suivants B et F, tels que les énergies et les doses, sont ajustés en conséquence. La structure semiconductrice 1100 peut par exemple être obtenue par un processus de type SmartCut®. Plus particulièrement, ceci implique de procurer la structure semiconductrice en formant une première couche isolante intermédiaire pardessus la couche semiconductrice massive 1103, de former une seconde couche d'isolation intermédiaire par-dessus un substrat semiconducteur, de souder les première et seconde couches d'isolation intermédiaires, en obtenant de ce fait une couche d'isolation 1102 dans un processus de transfert de tranches et d'éliminer une partie du substrat semiconducteur, en obtenant ainsi la première couche semiconductrice 1101. Comme illustré sur la figure 1 b, pendant une première étape d'implantation S11, un premier matériau 1207 est implanté dans la structure semiconductrice 1100, ce qui résulte en la structure semiconductrice 1200 de la figure 1 c. L'implantation du premier matériau peut être réalisée avant ou après la formation d'un isolation par tranchée superficielle (STI). Le premier matériau 1207 est du fluor ou, comme alternative, du chlore. Lorsque le premier matériau est inséré par implantation ionique, le fluor est plus avantageux du fait qu'il est plus léger que le chlore. Le premier matériau 1207 est implanté dans une première zone implantée 1220 s'étendant au moins partiellement à l'intérieur de la couche d'isolation 1102 et présentant une épaisseur T4 mesurée à partir du sommet de la structure semiconductrice 1200, faisant de 40 à 80 nm, de préférence 75 nm. De cette manière, comme cela sera examiné ci-dessous, le premier matériau 1207 empêche la diffusion d'un second matériau de dopage 1304 à l'intérieur de la couche d'isolation 1102. Ceci est avantageux du fait que le second matériau de dopage pourrait avoir un impact négatif sur les caractéristiques électriques la couche d'isolation 1102. De plus ceci est par ailleurs avantageux du fait que le premier matériau 1207 présente un effet profitable positif sur la couche d'isolation 1102. Plus particulièrement, la fiabilité du système métal - oxyde - silicium est améliorée grâce à l'incorporation du premier matériau 1207 dans la couche d'isolation 1102. La génération des états formant interface et l'accumulation de charges positives d'oxyde pendant une contrainte électrique ou une irradiation sont, en fait, en général réduites en utilisant cette approche. Comme illustré sur la figure 1 d, pendant une seconde étape de dopage S12, un second matériau de dopage 1304 est implanté dans la structure semiconductrice 1200, ce qui a pour résultat la structure semiconductrice 1300 de la figure 1 e. Bien que cela ne soit pas illustré sur les figures, cette étape de dopage peut être exécutée après la formation d'un isolation STI.35 Le second matériau de dopage 1304 est l'un quelconque du bore, et/ou de BF2 et/ou deB18H22 et/ou de tout autre élément moléculaire contenant du bore. Le bore sous forme atomique est préféré du fait qu'il présente un masse inférieure par comparaison à d'autres éléments moléculaires contenant du bore. Le second matériau de dopage 1304 est implanté dans une seconde zone dopée 1310 s'étendant au moins partiellement à l'intérieur de la couche semiconductrice massive 1303 et présentant une épaisseur T5 de 150 à 400 nm, de préférence 200 nm, mesurée depuis le sommet de la structure semiconductrice 1200. Comme illustré sur la figure 1f, pendant une étape S13, le second matériau de dopage 1304 diffuse dans la structure semiconductrice 1300, ce qui a pour résultat la structure semiconductrice 1400 de la figure 1f. La diffusion du second matériau de dopage 1304 peut être accélérée par la présence d'étapes sous haute température après l'étape S13, lors de la réalisation suivante de transistors. Cependant, la diffusion du second matériau de dopage 1304 est limitée par la présence du premier matériau 1207. En conséquence, la détérioration des caractéristiques électriques de la couche d'isolation 1102 en raison de la diffusion du second matériau de dopage 1304 à partir de la couche semiconductrice massive 1103 dans la couche d'isolation 1102 est empêchée en raison de la présence du premier matériau 1207. Encore plus particulièrement, la queue du premier matériau 1207 s'étendant depuis la couche d'isolation 1102 jusqu'à la couche semiconductrice massive 1103 empêche la diffusion. De plus, la présence du premier matériau 1207 à l'intérieur de la couche d'isolation 1102 améliore les caractéristiques électriques de la couche d'isolation 1102 comme examiné ci-dessus. En conséquence, la première zone implantée 1220 permet d'obtenir un effet de synergie (i) en empêchant la diffusion du second matériau de dopage 1304 dans la couche d'isolation 1102 et (ii) en améliorant les caractéristiques électriques de la couche d'isolation 1102.35 En faisant référence à la figure 2, un profil simplifié de la première zone 1220 et de la seconde zone dopée 1310 sera à présent décrit. Comme on peut le voir sur la figure 2, une vue simplifiée d'une structure semiconductrice 1300 (sur le côté gauche) est placée côte à côte d'un diagramme de profils (sur le côté droit). La vue simplifiée de la structure semiconductrice 1300 n'inclut pas les atomes du premier matériau ni du second matériau de dopage, dans le but de faciliter l'interprétation, du fait que leur profil de répartition est déjà indiqué dans le diagramme de profils. Le diagramme de profils est composé par un axe de profondeur 2001 s'étendant dans la direction de la profondeur de la structure semiconductrice 1300, et par un axe de concentration 2002 représentant la concentration d'un matériau donné à une profondeur donnée de la structure semiconductrice 1300. L'axe de concentration 2002 présente une échelle logarithmique. L'axe de profondeur 2001 présente une échelle linéaire. Deux lignes continues dans le diagramme de profils illustrent le profil de la première zone 1220 et de la seconde zone dopée 1310. Les lignes pointillées, s'étendant depuis la structure semiconductrice 1300 dans le diagramme de profils, représentent les niveaux de profondeur de la première couche semiconductrice 1101, de la couche d'isolation 1102 et de la couche semiconductrice massive 1103. Les lignes en points et traits représentent différentes valeurs des deux lignes continues. Plus particulièrement, la première ligne continue 2008 illustre le profil de concentration en matériau de la première zone implantée 1220. Comme on peut le voir, la première zone implantée 1220 présente une première valeur faible de concentration 2005 et une première valeur forte de concentration 2007. Plus particulièrement, la première valeur faible de concentration 2005 représente la concentration de la première zone implantée 1220 au niveau de la surface supérieure de la première couche semiconductrice 1101. Le profil de la première zone implantée 1220 augmente alors progressivement à mesure que la profondeur dans la structure semiconductrice 1300 augmente jusqu'à une valeur correspondant à la première valeur forte de concentration 2007. À partir de là, à mesure que la profondeur augmente, la concentration de la première zone implantée 1220 diminue progressivement jusqu'à la valeur correspondant à 1E17 atomes / cm3 à une profondeur correspondant à une première épaisseur 2003 de la zone implantée, correspondant sensiblement à l'épaisseur T4 sur la figure lc. La première valeur faible de concentration 2005 pourrait présenter une valeur se situant dans la plage de 1E1 7 à 3E18 atomes / cm3, de préférence 1E1 8 atomes / cm3. La première valeur forte de concentration 2007 pourrait présenter une valeur se situant dans la plage 1E1 8 à 1E1 9 atomes / cm3, de préférence 5E18 atomes / cm3. La première épaisseur 2003 de la zone implantée pourrait présenter une valeur se situant dans la plage de 40 à 80 nm, de préférence 75 nm. Pour une couche d'isolation 1102 présentant une épaisseur de 25 nm, une première couche semiconductrice 1101 présentant une épaisseur de 10 nm et une couche d'oxyde sacrificiel présentant une épaisseur de 2 nm, ceci pourrait être obtenu par une première étape d'implantation S11 présentant une énergie dans la plage de 5 à 15 keV, de préférence 10 keV, et une dose se situant dans la plage de 1E13 à 1 E1 4 / cm2, de préférence 3E13 / cm2. Une seconde ligne continue 2009 illustre le profil de dopage de la seconde zone dopée 1310. Comme on peut le voir, la seconde zone dopée 1310 présente une seconde valeur faible de concentration en dopant 2004 et une seconde valeur forte de concentration en dopant 2006. Plus particulièrement, la seconde valeur faible de concentration en dopant 2004 représente la concentration en dopant de la seconde zone dopée 1310 à la surface supérieure de la première couche semiconductrice 1101. Le profil de dopant de la seconde zone dopée 1310 augmente ensuite progressivement à mesure que la profondeur dans la structure semiconductrice 1300 augmente jusqu'à une valeur correspondant à la seconde valeur forte de concentration en dopant 2006. À partir de là il diminue progressivement à mesure que la profondeur dans la structure semiconductrice 1300 augmente. La seconde valeur faible de concentration 2004 pourrait présenter une valeur se situant dans la plage de 1 E1 6 à 5E17 / cm3, de préférence 2E17 / cm3. La seconde valeur forte de concentration 2006 pourrait présenter une valeur se situant dans la plage 1 E1 8 à 1E1 9 / cm3, de préférence 4E18 / cm3. Pour une couche d'isolation 1102 présentant une épaisseur de 25 nm, une première couche semiconductrice 1101 présentant une épaisseur de 10 nm et une couche d'oxyde sacrificiel présentant une épaisseur de 2 nm, ceci pourrait être obtenu par une seconde étape d'implantation S12 présentant une énergie dans la plage de 20 à 60 keV, de préférence 30 keV, et une dose se situant dans la plage de 1E13 à 2E14 / cm2, de préférence 5E13 / cm2. L'implantation de la seconde zone dopée 1310 pourrait être réalisée après l'implantation de la première zone implantée 1220. Comme on peut le voir d'après la figure 2, une première ligne continue 2008 illustrant le profil de la première zone implantée 1220 s'étend au moins partiellement à l'intérieur de la couche d'isolation 1102. De plus, on peut noter qu'une grande quantité de premier matériau 1207 est implantée à l'intérieur de la couche d'isolation 1102 du fait que l'échelle de l'axe de concentration est logarithmique. En même temps, une seconde ligne continue 2009 illustrant le profil de dopage de la seconde zone dopée 1310 s'étend au moins partiellement à l'intérieur de la couche semiconductrice massive 1103. De plus, on peut noter qu'une grande quantité de second matériau de dopage 1304 est implantée à l'intérieur de la couche semiconductrice massive 1103 du fait que l'échelle de l'axe de concentration est logarithmique. En outre, la première ligne continue 2008 illustrant le profil de la première zone implantée 1220 présente une queue s'étendant à l'intérieur de la couche semiconductrice massive 1103. Grâce à un tel profil, la concentration du second matériau de dopage 1304 dans la couche semiconductrice massive 1103 procure un profil de dopage favorable pour que la couche semiconductrice massive 1103 agisse comme une grille arrière pour des transistors réalisés sur la première couche semiconductrice 1101. De plus, la concentration de la queue du premier matériau 1207 dans la couche semiconductrice massive 1103 procure un profil favorable pour empêcher la diffusion du second matériau de dopage 1304 dans la couche d'isolation 1102, ce qui empêche de ce fait la détérioration des caractéristiques électriques de la couche d'isolation 1102 provoquée par une quantité trop élevée du second matériau de dopage 1304. Et encore, la concentration du premier matériau 1207 dans la couche d'isolation 1102 procure en outre un profil favorable pour améliorer les caractéristiques électriques de la couche d'isolation 1102.35 Par conséquent, un effet de synergie des deux profils résulte en plus de deux effets favorables. Les figures 3a et 3b sont des illustrations simplifiées d'autres modes de réalisation conformes à la présente invention. En particulier, elles illustrent des profils de concentration résultant des étapes S11 et S12 utilisant du fluor comme premier matériau 1207 et du bore comme second matériau de dopage 1304. Plus particulièrement, elles illustrent le cas dans lequel la couche d'isolation 1102 présente une épaisseur de 25 nm, la première couche semiconductrice 1101 présente une épaisseur de 10 nm et la couche d'oxyde sacrificiel présent une épaisseur de 2 nm, alors que la couche semiconductrice massive 1103 est du silicium. Sur les deux figures 3a et 3b, l'axe vertical indique la concentration en atomes / cm3, alors que l'axe horizontal indique la profondeur depuis le sommet de la structure semiconductrice en n'incluant pas la couche d'oxyde sacrificiel. Sur les deux figures 3a et 3b, le profil de fluor 3001 est implanté avec une énergie de 10 keV et une dose de 3E13, alors que le profil de bore 3002 est implanté avec une énergie de 30 keV et une dose de 5E13. Bien que des modes de réalisation ci-dessus ont été décrits en faisant référence à deux étapes d'implantation S11 et S12, on devra comprendre que les deux étapes implantation S11 et S12 n'impliquent pas nécessairement que deux implantations mais pourrait être chacune réalisée par une ou plusieurs sous étapes d'implantation. Par exemple, pour l'étape S12 incluant un dopage au bore, des implantations en chaîne, c'est-à-dire la combinaison de deux implantations au bore avec des énergies différentes, peuvent être utilisées avec avantage. Ceci est illustré sur la figure 4. Une approche semblable, bien que non illustrée, peut être utilisée pour le premier matériau 1207. Plus particulièrement, la figure 4 illustre un mode de réalisation dans lequel une étape S12 d'implantation au bore est réalisée grâce à une ou plusieurs sous étapes combinées. En particulier, le profil d'implantation est réalisé dans les conditions suivantes : la couche d'isolation 1102 présentant une épaisseur de 10 nm, la première couche semiconductrice 1101 présentant une épaisseur de 10 nm et la couche d'oxyde sacrificiel présentant une épaisseur de 8 nm alors que la couche semiconductrice massive 1103 est du silicium. Chaque courbe est réalisée par une combinaison des deux implantations. En particulier, le long de la droite 4001, depuis le bas du schéma vers le haut, chaque ligne est réalisée par la combinaison d'implantation suivantes : 40 keV avec une dose de 1E13 et 60 keV avec une dose de 4E13, 35 keV avec une dose de 2E13 et 55 keV avec une dose de 5E13, 30 keV avec une dose de 2E13 et 50 keV avec une dose de 8E13, 30 keV avec une dose de 4E13 et 50 keV avec une dose de 6E13. De plus, une étape d'implantation supplémentaire (non représentée sur les figures) comportant du carbone et/ou du fluor comme éléments d'implantation pourraient être réalisée à une profondeur plus importante que la première zone implantée 1220. L'élément d'implantation carbone est préféré du fait que sa masse atomique est inférieure à celle du fluor. Le profil du carbone implanté devrait coïncider avec celui du profil de bore, c'est-à-dire une implantation ionique avec une énergie se trouvant dans la plage de 20 à 60 keV, de préférence 30 keV. La plage de doses pour des implantations au carbone pourrait être de 5E13 à 1E1 4 /cm2, de préférence 1E1 4 /cm2. Ceci procurerait l'avantage bénéfique d'empêcher encore la diffusion du second matériau de dopage 1304. REVENDICATIONS1. Structure semiconductrice (1300) comprenant : une première couche semiconductrice (1101), une couche semiconductrice massive (1103), une couche d'isolation (1102) entre la première couche et la couche semiconductrice massive, une première zone implantée (1220), et une seconde zone dopée (1310) au moins partiellement à l'intérieur de la couche semiconductrice massive, dans laquelle la première zone implantée est au moins partiellement à l'intérieur de la couche d'isolation et est configurée de façon à empêcher toute diffusion d'un second matériau de dopage (1304) de la seconde zone dopée à l'intérieur de la couche d'isolation. 2. Structure semiconductrice selon la revendication 1, dans laquelle le second matériau de dopage de la seconde zone dopée est l'un quelconque parmi du bore et/ou du BF2 et/ou du B18H22 et/ou tout autre élément moléculaire contenant du bore. 3. Structure semiconductrice selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle un premier matériau (1207) de la première zone implantée est du fluor et/ou du chlore. 4. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la première zone implantée présente une épaisseur (T4, 2003) se situant dans la plage de 40 à 80 nm, de préférence 75 nm. 5. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la seconde zone dopée présente une épaisseur (T5) se situant dans la plage de 150 à 400 nm, de préférence 200 nm. 6. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la première couche semiconductrice présente une épaisseur (T1) se situant dans la plage de 8 à 20 nm, de préférence 12 nm, et/ou la couche semiconductrice massive présente une épaisseur (T3) se situant dans la plage de 750 à 800 nm, de préférence 775 nm, et/ou la couche d'isolation présente une épaisseur (T2) se situant dans la plage de 8 à 40 nm, de préférence 25 nm. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un transistor réalisé sur la première couche semiconductrice, les couches semiconductrices massives agissant comme une grille arrière pour le transistor. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la première couche semiconductrice est l'un quelconque du Si et/ou du Si contraint et/ou du SiGe et/ou du Ge et/ou des couches III - V. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche semiconductrice massive est du Si. Structure semiconductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche d'isolation est un oxyde de silicium. Procédé de fabrication d'une structure semiconductrice, la structure semiconductrice comprenant une première couche semiconductrice (1101), une couche semiconductrice massive (1103) et une couche d'isolation (1102) située entre la première couche et la couche semiconductrice massive, le procédé comprenant les étapes suivantes : une première implantation (S11), et une seconde implantation (S12) dopante dans une seconde zone dopée (1310) au moins partiellement à l'intérieur de la couche semiconductrice massive, dans lequel7. 8. 9. 10. 11. 35la première implantation est exécutée dans une première zone implantée (1220) au moins partiellement à l'intérieur de la couche d'isolation, la première zone implantée étant configurée de sorte à empêcher toute diffusion d'un second matériau de dopage (1304) de la seconde zone dopée à l'intérieur de la couche d'isolation. 12. Procédé de fabrication d'une structure semiconductrice selon la revendication 11, dans lequel la première implantation comprend une implantation ionique présentant une énergie se situant dans la plage de 5 à 15 keV, de préférence 10 keV, et une dose se situant dans la plage de 1E13 à 1E14 / cm2 et/ou la seconde implantation dopante comprend une implantation ionique présentant une énergie se situant dans la plage de 20 à 60 keV, de préférence 30 keV, et une dose se situant dans la plage de 1E13 à 2E14 / cm2, de préférence 5E13 / cm2.15