Brevet FR2983636A1 — publié le 20130607

L'invention concerne un procédé d'aplanissement d'un substrat comportant une surface libre présentant des irrégularités. Le substrat peut être destiné à des applications en micro-électronique et/ou optoélectronique. L'invention concerne également un procédé d'amincissement d'un substrat. Les performances d'une structure semi-conductrice formée à partir d'un substrat peuvent se dégrader significativement en raison d'irrégularités de surface du substrat, et ce tout particulièrement lorsque la structure semiconductrice est développée avec un degré de miniaturisation important se manifestant par une densité de circuits élevée. Ainsi, le substrat à partir duquel est formée la structure semi-conductrice doit être sensiblement plan. Un procédé d'aplanissement d'un substrat connu de l'état de la technique, illustré aux figures 1A à 1C, est un procédé d'aplanissement d'un substrat 100 comportant une surface libre présentant des irrégularités 15 comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une couche superficielle 140 sur la surface libre du substrat 100, ladite couche superficielle 140 étant réalisée dans un matériau présentant une vitesse d'enlèvement par polissage, la couche superficielle 140 présentant des irrégularités de surface correspondant aux irrégularités 20 de la surface libre du substrat 100, lesdites irrégularités de surface présentant des régions saillantes 141 et des régions non saillantes 142, b) polissage de la couche superficielle 140. La couche superficielle 140 formée lors de l'étape a) possède un degré de conformité avec la surface libre du substrat 100, c'est-à-dire, 25 qu'elle reproduit, soit en partie soit en totalité, les irrégularités de cette surface. A titre d'illustration, la figure 1A représente un substrat 100. La figure 1 B représente l'étape de formation de la couche superficielle 140 sur la surface libre du substrat 100. L'étape a) de formation de la couche superficielle 140 est suivie d'une 30 étape b) de polissage, généralement un polissage du type mécanico- chimique CMP (selon l'acronyme de l'appellation anglo-saxonne Chemical Mechanical Polishing), comme cela est représenté en figure 1C. L'étape b) de polissage vise à réduire les irrégularités de surface de la couche superficielle de manière à aplanir le substrat. Cependant, l'aplanissement du substrat 100 obtenu après l'étape b) de polissage n'est pas satisfaisant dans la mesure où cette étape b) introduit une variation en épaisseur de la couche superficielle 140 qui n'est pas uniforme spatialement, comme visible à la figure 1C. En outre, cette non uniformité spatiale est d'autant plus accentuée 10 que la quantité de matière enlevée de la couche superficielle 140 est importante. Or, en règle générale, plus les irrégularités de la surface libre du substrat 100 à éliminer sont importantes, plus l'épaisseur de la couche superficielle 140 formée et son enlèvement doivent être importants. Il est 15 ainsi typiquement conseillé de former une couche superficielle 140 et de retirer une épaisseur de cette couche d'au moins 3 fois la distance entre la région saillante la plus haute et la région non saillante la plus basse (« Peak to Valley » en terminologie Anglo-Saxonne). Par « région saillante », on entend une région s'étendant au-delà du plan moyen de la surface libre de 20 la couche superficielle. Par « région non saillante », on entend une région s'étendant en deçà du plan moyen de la surface de la couche superficielle. En d'autres termes, la couche superficielle doit être d'autant plus épaisse que la distance entre régions saillantes et régions non saillantes est importante. 25 Le contrôle de l'uniformité d'épaisseur de la couche 140 après l'étape b) de polissage CMP reste donc très difficile. Cela pose des problèmes lorsque des étapes de gravure de tranchées, par exemple, doivent être effectuées avec un contrôle strict de leur profondeur afin d'effectuer des interconnexions. En effet, la non uniformité en épaisseur de la couche 30 superficielle 140 après l'étape b) de polissage risque de faire apparaître des zones de sur gravure ou de sous gravure. La présente invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités, et concerne un procédé d'aplanissement d'un substrat comportant une surface libre présentant des irrégularités, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une couche superficielle sur la surface libre du substrat, ladite couche superficielle étant réalisée dans un matériau présentant une vitesse d'enlèvement par polissage, la couche superficielle présentant des irrégularités de surface correspondant aux irrégularités de la surface libre du substrat, lesdites irrégularités de surface présentant des régions saillantes et des régions non saillantes, b) polissage de la couche superficielle; ledit procédé étant remarquable en ce qu'il comprend entre l'étape a) et l'étape b), une introduction d'espèces dans la couche superficielle de sorte que la vitesse d'enlèvement des régions saillantes est supérieure à la vitesse d'enlèvement des régions non saillantes lors de l'étape b) de polissage. Ainsi, l'introduction d'espèces dans la couche superficielle permet de moduler localement les vitesses d'enlèvement afin d'enlever de la matière de manière sélective lors de l'étape b) de polissage. Cette modulation locale des vitesses d'enlèvement est mise en oeuvre de sorte que la vitesse d'enlèvement des régions saillantes est supérieure à la vitesse d'enlèvement des régions non saillantes lors de l'étape b) de polissage. L'enlèvement de matière de la couche superficielle est alors plus rapide dans les régions saillantes que dans les régions non saillantes. Par conséquent, un tel procédé d'aplanissement selon l'invention permet d'aplanir le substrat en réduisant significativement la non-uniformité spatiale de la variation en épaisseur de la couche superficielle après l'étape b) de polissage. Selon une forme d'exécution, les régions saillantes délimitent des 30 motifs régulièrement espacés entre eux. Ainsi, la présence de régions saillantes délimitant des motifs régulièrement espacés entre eux, permet l'utilisation de techniques de masquage par des procédés de photolithographie connus de l'homme de métier afin d'introduire des espèces selon des motifs réguliers. Selon un mode de mise en oeuvre, l'introduction d'espèces se fait dans les régions saillantes. Ainsi, il est possible de moduler la vitesse d'enlèvement des régions saillantes, et de la rendre plus importante que la vitesse d'enlèvement des régions non saillantes. Avantageusement, les espèces introduites dans les régions saillantes comportent du phosphore ou de l'arsenic dont la concentration est supérieure à 11 018 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 11019 Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 1'1020 Atomes / cm3 Ainsi, la concentration en espèces introduites permet d'observer une augmentation significative sur les vitesses d'enlèvement des régions dans lesquelles le Phosphore ou l'Arsenic ont été introduits. Selon un mode de mise en oeuvre, l'introduction d'espèces se fait dans les régions non saillantes. Ainsi, il est possible de moduler la vitesse d'enlèvement des régions non saillantes, et de la rendre moins importante que la vitesse d'enlèvement des régions saillantes. Avantageusement, les espèces introduites dans les régions non saillantes comportent du bore dont la concentration est supérieure à 5*1 01° 25 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1102° Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 51020 Atomes / cm3. Ainsi, la concentration en espèces introduites permet d'observer une diminution significative sur les vitesses d'enlèvement des régions dans lesquelles le Bore a été introduit. 30 L'introduction de Bore dans les régions non saillantes, et l'introduction de Phosphore ou d'Arsenic dans les régions saillantes permet d'augmenter la différence des vitesses d'enlèvement des régions saillantes et des régions non saillantes. Ceci permet alors de minimiser l'enlèvement nécessaire pour aplanir la couche superficielle, et donç améliorer l'uniformité en épaisseur du substrat après polissage de la couche superficielle. Selon une forme d'exécution, l'introduction d'espèces est réalisée par une technique choisie parmi les techniques suivantes : diffusion à haute température, dopage par activation plasma, implantation ionique. L'invention est avantageusement complétée par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison 10 techniquement possible : - le substrat comprend au moins un des matériaux sélectionné dans le groupe suivant : Silicium, Carbure de Silicium, Alliage de Silicium-Germanium, du verre, une céramique, un alliage métallique. - la couche superficielle est formée lors de l'étape a) par un dépôt, de 15 préférence selon une technique CVD, ou LPCVD, ou PECVD. - la couche superficielle comporte au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants : oxyde de silicium, nitrure de silicium ou oxynitrure, nitrure d'aluminium, oxyde d'aluminium, nitrure d'aluminium, oxyde d'hafnium, silicium poly cristallin, ou silicium amorphe. 20 La présente invention se rapporte également à un procédé d'amincissement d'un substrat. Un procédé d'amincissement d'un substrat connu de l'état de la technique, illustré aux figures 2A et 2B, comprend les étapes : a) formation d'une couche superficielle 240 sur le substrat 200, ladite 25 couche superficielle 240 étant réalisée dans un matériau présentant une vitesse d'enlèvement par polissage, ladite couche superficielle 240 comprenant une partie supérieure et une partie inférieure, b) polissage de la couche superficielle 240 de manière à enlever au moins partiellement la partie supérieure. 30 L'étape b) de polissage est généralement un polissage de type mécanico-chimique CMP L'amincissement de la couche superficielle 240 lors de l'étape b) de polissage induit une variation en épaisseur de la couche superficielle 240 qui n'est pas uniforme spatialement. Ce phénomène est d'autant plus important que la quantité de matière enlevée de la couche superficielle 240 est importante. Le contrôle de l'uniformité d'épaisseur de la couche superficielle 240 après l'étape b) de polissage reste donc très difficile, et cela pose des problèmes lorsque l'uniformité d'épaisseur de la couche 240 est un paramètre primordial pour la fabrication de composants. Afin de permettre la réalisation de tranchées ou la réalisation d'interconnexions ou de circuits de manière fiable sur toute la surface du substrat 200, il est primordial que l'épaisseur de la couche superficielle 240 soit la plus uniforme possible. L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients 15 précités, et concerne également un procédé d'amincissement d'un substrat, ledit procédé comprenant les étapes : a) formation d'une couche superficielle sur le substrat, ladite couche superficielle étant réalisée dans un matériau présentant une vitesse d'enlèvement par polissage, ladite couche superficielle comprenant une 20 partie supérieure et une partie inférieure, b) polissage de la couche superficielle de manière à enlever au moins partiellement la partie supérieure; ledit procédé étant remarquable en ce qu'il comprend entre l'étape a) et l'étape b), une introduction d'espèces dans la couche superficielle de 25 sorte que la vitesse d'enlèvement de la partie supérieure est supérieure à la vitesse d'enlèvement de la partie inférieure lors de l'étape b) de polissage. Ainsi, l'introduction d'espèces dans la couche superficielle permet de moduler la vitesse d'enlèvement de la partie supérieure par rapport à la partie inférieure de la couche superficielle. Cet ajustement des vitesses 30 d'enlèvement est mis en oeuvre afin d'enlever de manière séleciive la partie supérieure, et limiter l'enlèvement de la partie inférieure lors de l'exécution du procédé d'amincissement selon l'invention. Cet enlèvement sélectif de matière permet donc de minimiser la non uniformité en épaisseur de la couche superficielle lors de l'étape b) de polissage. Selon un mode de mise en oeuvre, l'introduction d'espèces se fait dans la partie supérieure de la couche superficielle. Ainsi, il est possible de moduler la vitesse d'enlèvement de la partie supérieure, et de la rendre plus importante que la vitesse d'enlèvement des la partie inférieure. Avantageusement, les espèces introduites dans la partie supérieure de la couche superficielle comportent du phosphore ou de l'arsenic dont la concentration est supérieure à 1*1018 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 11018 Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 1*1020 Atomes / cm3. Ainsi, lorsqu'ils sont introduits dans la partie supérieure de la couche superficielle, le Phosphore et l'Arsenic sont des espèces permettant d'augmenter la vitesse d'enlèvement de ladite partie supérieure par rapport à la partie inférieure ; la concentration en espèces introduites permet d'observer une augmentation significative sur les vitesses d'enlèvement de la partie de la couche superficielle dans laquelle le Phosphore ou l'Arsenic ont été introduits. Selon un mode de mise en oeuvre l'introduction d'espèces se fait dans la partie inférieure de la couche superficielle. Ainsi, il est possible de moduler la vitesse d'enlèvement de la couche inférieure, et de la rendre moins importante que la vitesse d'enlèvement des 25 la couche supérieure. Avantageusement, les espèces introduites dans la partie inférieure de la couche superficielle comportent du bore dont la concentration est supérieure à 5'1018 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1*1020 Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 5*1020 Atomes / 30 cm3. Lorsqu'if est introduit dans la partie inférieure de la couche superficielle, le Bore est une espèce permettant de diminuer la vitesse d'enlèvement de ladite partie inférieure par rapport à la partie supérieure. Ainsi, la concentration en espèces introduites permet d'observer une diminution significative sur les vitesses d'enlèvement de la partie de la couche superficielle dans laquelle le bore a été introduit. L'introduction de Bore dans la partie inférieure, et l'introduction de Phosphore ou d'Arsenic dans la partie supérieure de la couche superficielle permet d'augmenter la différence des vitesses d'enlèvement de la partie supérieure et de la partie inférieure de la couche superficielle. Ceci permet alors de minimiser la non uniformité en épaisseur de la couche superficielle après polissage. Avantageusement, l'introduction d'espèces est réalisée par une technique choisie parmi les techniques suivantes : diffusion à haute 15 température, dopage par activation plasma, implantation ionique. L'invention est avantageusement complétée par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible : -le substrat est comporte au moins un des matériaux suivants : 20 Silicium, Carbure de Silicium, Alliage de Silicium-Germanium, du verre, une céramique, un alliage métallique. -la couche superficielle est formée lors de l'étape a) par un transfert de couche à partir d'un substrat donneur. -la couche superficielle est formée lors de l'étape a) par un dépôt, de 25 préférence selon une technique CVD, ou LPCVD ou PECVD. -la couche superficielle comporte au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants : oxyde de silicium, nitrure de silicium ou oxynitrure, nitrure d'aluminium, oxyde d'aluminium, nitrure d'aluminium, oxyde d'hafnium, silicium, silicium poly cristallin, ou silicium amorphe. 30 Les deux inventions ainsi présentées sont liées entre elles de manière à former un seul concept inventif général consistant à introduire des espèces dans une couche superficielle formée sur un substrat afin d'autoriser un polissage sélectif ultérieur de cette couche superficielle par modulation de la vitesse d'enlèvement. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative, et doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels : - Les figures 1A - 1C sont des représentations schématiques d'un substrat traité par un procédé d'aplanissement selon les techniques connues de l'art antérieur ; Les figures 2A - 2B sont des représentations schématiques d'un substrat traité par un procédé d'amincissement selon les techniques connues de l'art antérieur ; - Les figures 3A - 3B sont des représentations schématiques d'un substrat traité par un procédé d'aplanissement selon l'invention - Les figures 4A - 4E sont des représentations schématiques d'un substrat traité par un procédé d'aplanissement selon un premier mode de mise en oeuvre de l'invention ; Les figures 5A - 5E sont des représentations schématiques d'un substrat traité par un procédé d'aplanissement selon un second mode de mise en oeuvre de l'invention Les figures 6A - 6B sont des représentations schématiques d'un substrat traité par un procédé d'amincissement selon l'invention. Le procédé d'aplanissement selon l'invention est destiné à être mis en oeuvre pour toute structure comportant un substrat 100, présentant une 25 surface libre 103. La surface libre 103 du substrat 100 présente des irrégularités de surface. A titre d'exemple, sur la figure 3A, la surface libre 103 dudit substrat 100 présente des irrégularités de surface. Le substrat 100 peut être constitué de tous les matériaux utilisés 30 habituellement dans l'industrie de la micro-électronique, de l'optique, l'opto- électronique et le photovoltaïque. Notamment, le substrat 100 comprend au moins un des matériaux sélectionné dans le groupe suivant: silicium, Carbure de silicium, silicium germanium, le verre, une céramique, un alliage métallique. Le procédé selon l'invention commence par l'étape a) de formation d'une couche superficielle 140 en recouvrement de la surface libre 103 du substrat 100, tel que présenté sur la figure 3B. La couche superficielle 140 est formée lors de l'étape a) par un dépôt conforme, de préférence selon la technique CVD ou LPCVD ou PECVD.. Par conforme, on entend que la couche superficielle 140 présente des irrégularités de surface qui suivent les irrégularités de la surface libre 103 du substrat 100. La surface de la couche superficielle présente des régions saillantes 141 et des régions non saillantes 142. Par région saillante 141, on entend une région s'étendant au-delà du plan moyen de la surface de la couche superficielle 140. Par région non saillante 142, on entend une région s'étendant en deçà du plan moyen de la surface de la couche superficielle 140. La distance entre la région saillante 141 la plus haute et la région non saillante 142 la plus basse correspond à la hauteur 144 (« Peak to Valley » en terminologie Anglo-Saxonne). La hauteur 144 peut varier de quelques dizaines d'Angstrôms à quelques milliers d'Angstrôms. De manière avantageuse, les régions saillantes 141 peuvent délimiter des motifs régulièrement espacés entre eux sur toute la surface de la couche superficielle 140. L'épaisseur de la couche superficielle 140 est avantageusement comprise entre 1 et 3 fois la hauteur 144. La couche superficielle 140 comporte au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivant : oxyde de silicium, le nitrure de silicium ou oxynitrure, le nitrure d'aluminium, l'oxyde d'aluminium, le nitrure d'aluminium, l'oxyde d'hafnium, le silicium poly cristallin, et le silicium amorphe. La couche superficielle 140 est préférentiellement constituée de silicium poly cristallin, ou de silicium amorphe. Ainsi, dans un mode de réalisation particulièrement avantageux, une couche superficielle 140 de silicium amorphe de 2000 à 10000 Angstrôm d'épaisseur est déposée par PECVD à une température de 300cC avec comme précurseur par exemple du Silane (SiH4). Selon un autre mode de réalisation, on fait suivre l'étape de dépôt de la couche de silicium amorphe par un recuit à une température supérieure à 500`C, pendant au moins 30 min, sous une atmosphère non oxydante, de préférence sous N2 ou sous Ar, qui permet de transformer la couche superficielle 140 de silicium amorphe précédemment formée en silicium poly cristallin. Après l'étape a) de formation de la couche superficielle 140, on y introduit des espèces. A cette fin, un masque est formé sur la couche superficielle 140 de manière à définir des zones dites « exposées », non recouvertes par le masque, et des zones dites « non exposées », recouvertes par le masque. Le masque permet d'introduire des espèces dans la couche superficielle 140 en regard des zones « exposées » de manière à modifier sensiblement la vitesse d'enlèvement par CMP des zones dans lesquelles des espèces sont introduites par rapport à la vitesse d'enlèvement par CMP du matériau non traité. Les espèces introduites sont confinées dans la couche superficielle 140 c'est-à-dire qu'elles s'étendent en profondeur dans la couche superficielle 140, sans la traverser entièrement. L'introduction d'espèces peut avantageusement être réalisée par une technique choisie parmi les techniques suivantes : implantation ionique, 25 diffusion à haute température, dopage par activation plasma. De manière avantageuse, les espèces introduites comprennent au moins un des éléments sélectionnés dans le groupe suivant : Bore, Phosphore, Arsenic. Avantageusement, le Bore, l'Arsenic ou le Phosphore peuvent être 30 introduits dans les zones «exposées », en surface de la couche superficielle 140. Par ailleurs, il a été constaté expérimentalement qu'une région dans laquelle le bore est introduit présentera alors une vitesse d'enlèvement par CMP d'au moins 50% inférieure à la vitesse d'enlèvement de la région sans espèces introduites, tandis qu'une région dans laquelle le Phosphore ou l'Arsenic est introduit présentera une vitesse d'enlèvement par .CMP d'au moins 10% supérieure à la vitesse d'enlèvement de la région sans espèce introduite. Ainsi, selon les figures 4A à 4D, dans un premier mode de réalisation particulièrement avantageux pour introduire les espèces, un film d'oxyde de silicium 150 est déposé par PECVD à une température de 400`C sur la surface libre de la couche superficielle 140. L'épaisseur de ce film d'oxyde de silicium 150 est comprise entre 1000 et 10000 Angstrôm. Une couche de résine photosensible 160 est ensuite déposée sur toute la surface du film d'oxyde de silicium 150. Un masque photo lithographique 170 présentant un motif correspondant aux régions non saillantes 142 de la surface de la couche superficielle 140 est appliqué. En d'autres termes, le motif du masque comporte des ouvertures correspondant aux zones dites « exposées ». On procède ensuite à l'insolation de la résine au travers du masque. Les zones de résine insolées sont éliminées sélectivement, par exemple par dissolution dans un solvant, de manière à définir le motif correspondant au masque photo lithographique. On procède alors à une étape de gravure de l'oxyde de silicium 150 dans les zones exposées. Cette gravure est typiquement effectuée par gravure 25 sèche, par exemple par gravure plasma. La couche résiduelle de résine est ensuite éliminée à l'aide d'un solvant approprié. On procède alors à l'introduction d'espèces, par exemple du Bore, dans les régions non saillantes 142 de la couche superficielle 140. Le profil de concentration en Bore introduit débouche sur la surface libre des régions 30 non saillantes 142 et s'étend jusqu'à une profondeur 143. La profondeur 143 peut correspondre à l'épaisseur de la couche superficielle 140 que l'on désire enlever dans les régions non saillantes 142. L'introduction du Bore peut être effectuée par implantation, ou par plasma. Avantageusement, la concentration en Bore introduit est supérieure à 5*1019 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 11 02° Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 51 02° Atomes / cm3. On procède ensuite à l'élimination du masque par gravure. On procède, éventuellement, ensuite à un recuit d'activation des espèces introduites à une température supérieure à 650t, p endant au moins 2 heures, sous gaz inerte, i.e. non oxydant. L'azote et l'argon peuvent être 10 avantageusement choisis pour former une atmosphère inerte. Un second mode de réalisation d'introduction des espèces, représenté aux figures 5A à 5D, diffère du premier mode de réalisation en ce que :. - le masque photo lithographique dont le motif correspond aux régions 15 saillantes 141 de la surface de la couche superficielle 140 est appliqué. En d'autres termes, les ouvertures du masque correspondent aux zones dites exposées. Les espèces introduites comprennent au moins un élément sélectionné dans le groupe : Phosphore, Arsenic. 20 - Les espèces sont introduites dans les régions saillantes 141 de la couche superficielle Le profil de concentration en Phosphore ou en Arsenic introduit débouche sur la surface exposée à l'environnement extérieur des régions saillantes 141 et s'étend jusqu'à une profondeur 145. La 25 profondeur 145 correspond à l'épaisseur de couche superficielle 140 que l'on désire enlever dans les régions saillantes 141. - Avantageusement, la concentration en Phosphore ou en Arsenic introduit peut être supérieure à 1*1 019 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1*1019 Atomes / cm3, encore plus 30 préférentiellement supérieure à 11 02° Atomes / cm3. - Les espèces sont avantageusement introduites au moins sur toute la hauteur de la région saillante 141. Dans un troisième mode de réalisation particulièrement avantageux permettant d'effectuer une implantation des régions saillantes 141 avec du 5 phosphore et des régions non saillantes 142 avec du bore, combinant ainsi les deux premiers modes de réalisation précédemment cités. Après l'étape d'introduction d'espèces dans la couche superficielle 140, une étape b) de polissage de la couche superficielle 140 est mis en oeuvre afin d'aplanir la surface de la couche superficielle 140. 10 Avantageusement ce polissage est un polissage mécano-chimique (CMP). Le polissage CMP, « Chemical-Mechanical Polishing » en terminologie anglo-saxonne consiste en un polissage hybride combinant une action chimique et une force mécanique. Un tissu de polissage est appliqué avec pression sur la surface en rotation du matériau. La solution chimique 15 chargée en fines particules solides est appliquée sur le matériau. Ladite solution chimique vient circuler entre la surface à traiter et le tissu de polissage et décuple l'efficacité du polissage. La technologie CMP permet d'adapter avec précision les vitesses d'enlèvement (« Removal rate » en terminologie Anglo-Saxonne) par le 20 choix du couple « solution chimique chargée en fines particules solides » / « tissu de polissage » en fonction du matériau à polir. Les régions saillantes 141 et les régions non saillantes 142 n'ayant pas subit la même introduction d'espèces, la vitesse d'enlèvement de la couche superficielle par CMP ne sera pas la même dans ces deux régions. Nous sommes alors en présence 25 d'un polissage sélectif, pour lequel la sélectivité est définie par le rapport des vitesses d'enlèvement dans les régions saillantes 141 et les régions non saillantes 142. Donc, si le Phosphore ou l'Arsenic a été avantageusement introduit dans les régions saillantes 141, et le Bore a été introduit dans les régions 30 non saillantes 142, les régions saillantes subissent un enlèvement plus fort que les régions non saillantes. Ce mode de réalisation permet alors d'obtenir une surface 140 aplanie avec un enlèvement modéré par rapport à un procédé de CMP standard non sélectif. Bien entendu, les modes de mise en oeuvre de l'invention décrits ci-dessus ne présentent aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations 5 peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention. La présente invention se rapporte également à un procédé d'amincissement. Le procédé d'amincissement selon l'invention est destiné à toute structure composé d'un substrat 200, présentant une surface 203. 10 Le substrat 200 peut comprendre au moins un matériau sélectionné parmi tous les matériaux utilisés habituellement dans l'industrie de la micro-électronique, de l'optique, l'opto-électronique et le photovoltaïque, notamment les matériaux suivants : silicium, Carbure de silicium, silicium germanium, le verre, une céramique, un alliage métallique. 15 Le procédé selon l'invention commence par l'étape a) de formation d'une couche superficielle 240 en recouvrement de la surface libre 203 du substrat 200, tel que présenté sur la figure 6A. La couche superficielle 240 présente une partie supérieure 241 et une partie inférieure 242. 20 La couche superficielle 240 formée lors de l'étape a) peut faire appel à divers procédés, notamment des procédés comprenant le transfert de couche à partir d'un substrat donneur. Lesdits procédés de transfert impliquent la création d'une zone de fragilisation dans l'épaisseur d'un substrat de départ, dit substrat donneur, et une fracture au niveau de cette 25 zone, après assemblage du substrat donneur avec un substrat receveur. La couche superficielle 240 peut également être réalisée lors de l'étape a) par un dépôt, de préférence selon une technique CVD, ou LPCVD ou PECVD. La couche superficielle 240 comporte au moins un matériau choisi parmi 30 les matériaux suivants : oxyde de silicium, le nitrure de silicium ou oxynitrure, le nitrure d'aluminium, l'oxyde d'aluminium, le nitrure d'aluminium, l'oxyde d'hafnium, le silicium, le silicium poly cristallin, et le silicium amorphe. La couche superficielle 240 est préférentiellement constituée de silicium, silicium poly cristallin, ou de silicium amorphe. La couche de silicium amorphe ou de silicium poly cristallin peut être obtenue par les techniques de dépôt CVD, déposition chimiques en phase vapeur, LPCVD, et PECVD. Ainsi, dans un mode de réalisation particulièrement avantageux, une couche superficielle 240 de silicium amorphe de 1000 à 10000 Angstrôm d'épaisseur est déposée par PECVD à une température de 300`C. Le 10 précurseur de ce mode de déposition est du Silane (SiH4). Selon un autre mode de réalisation, on fait suivre l'étape de dépôt de la couche de silicium amorphe par un recuit à une température supérieure à 500`C, pendant au moins 30 min, sous une atmosphère non oxydante, de préférence sous N2 ou sous Ar, qui permet de transformer la couche 15 superficielle 240 de silicium amorphe précédemment formée en silicium poly cristallin. Après l'étape a) de formation de la couche superficielle 240, on y introduit des espèces. Les espèces sont introduites dans la couche superficielle 240 de manière à modifier sensiblement la vitesse 20 d'enlèvement par CMP de la partie de la couche superficielle 240 dans laquelle des espèces sont introduites par rapport à la vitesse d'enlèvement par CMP du matériau non traité. L'introduction d'espèces peut avantageusement être réalisée par une technique choisie parmi les techniques suivantes : implantation ionique, 25 diffusion à haute température, dopage par activation plasma. De manière avantageuse, les espèces introduites comprennent au moins un des éléments sélectionnés dans le groupe suivant : Bore, Phosphore, Arsenic. Avantageusement, le Bore, l'Arsenic ou le Phosphore peuvent être 30 introduits. Le Bore introduit induira alors une vitesse d'enlèvement par CMP d'au moins 50% inférieure à la vitesse d'enlèvement du même matériau sans espèce introduite, tandis que l'introduction de Phosphore ou d'Arsenic induira une vitesse d'enlèvement par CMP d'au moins 10% supérieure à la vitesse d'enlèvement du même matériau sans espèce introduite. Ainsi, selon les figures 6A à 6C, dans un premier mode de réalisation particulièrement avantageux, on procède alors à l'introduction d'espèces, par exemple du Bore, dans la partie inférieure 242 de la couche superficielle 240. Le dopage en Bore peut être effectué par implantation, ou par plasma. Avantageusement, la concentration en Bore est supérieure à 51 019 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1*1 02° Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 51029 Atomes / cm3. On procède, éventuellement, ensuite à un recuit d'activation des espèces introduites à une température supérieure à 650`C, p endant au moins 2 heures, sous gaz inerte, i.e. non oxydant. L'azote et l'argon peuvent être avantageusement choisis comme atmosphère inerte. Selon les figures 7A à 7C, dans un second mode de réalisation particulièrement avantageux, on procède alors à l'introduction d'espèces, par exemple du Phosphore ou de l'Arsenic, dans la partie supérieure 241 de la couche superficielle 240. La concentration en Phosphore ou en Arsenic introduit peut être effectué par implantation, ou par plasma. Avantageusement, la concentration en Phosphore ou en Arsenic peut être supérieure à 1*1018 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1*1 019 Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 1'1020 Atomes / cm3 On procède, éventuellement, ensuite à un recuit d'activation des espèces 25 introduites à une température supérieure à 650 Bien entendu, les modes de mise en oeuvre de l'invention décrits ci-dessus ne présentent aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé d'aplanissement d'un substrat (100) comportant une surface libre présentant des irrégularités, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une couche superficielle (140) sur la surface libre du substrat (100), ladite couche superficielle (140) étant réalisée dans un matériau présentant une vitesse d'enlèvement par polissage, la couche superficielle (140) présentant des irrégularités de surface correspondant aux irrégularités de la surface libre du substrat (100), lesdites irrégularités de surface présentant des régions saillantes (141) et des régions non saillantes (142), b) polissage de la couche superficielle (140); ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend entre l'étape a) et l'étape b), une introduction d'espèces dans la couche superficielle (140) de sorte que la vitesse d'enlèvement des régions saillantes (141) est supérieure à la vitesse d'enlèvement des régions non saillantes (142) lors de l'étape b) de polissage. 2. Procédé d'aplanissement selon la revendication 1, dans lequel les régions saillantes (141) délimitent des motifs régulièrement espacés entre eux. 3. Procédé d'aplanissement selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'introduction d'espèces se fait dans les régions saillantes (141). 25 4. Procédé d'aplanissement selon la revendication 3, dans lequel les espèces introduites dans les régions saillantes (141) comportent du phosphore ou de l'arsenic dont la concentration est supérieure à 11 019 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1*1019 Atomes / cm3, encore 30 plus préférentiellement supérieure à 11029 Atomes / cm3. . Procédé d'aplanissement selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'introduction d'espèces se fait dans les régions non saillantes (142). 6. Procédé d'aplanissement selon la revendication 5, dans lequel les espèces introduites dans les régions non saillantes (142) comportent du bore dont la concentration est supérieure à 51 019 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 11 02° Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 5*1020 Atomes / cm3. 7. Procédé d'aplanissement selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'introduction d'espèces est réalisée par une technique choisie parmi les techniques suivantes : diffusion à haute température, dopage par activation plasma, implantation ionique. 8. Procédé d'aplanissement selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le substrat (100) comprend au moins un des matériaux sélectionné dans le groupe suivant : Silicium, Carbure de Silicium, Alliage de Silicium-Germanium, du verre, une céramique, un alliage métallique. 9. Procédé d'aplanissement selon l'une des revendications 1 à 8 dans lequel la couche superficielle (140) est formée lors de l'étape a) par un dépôt, de préférence selon une technique CVD, ou LPCVD, ou PECVD. 10. Procédé d'aplanissement selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche superficielle (140) comporte au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants : oxyde de silicium, nitrure de silicium ou oxynitrure, nitrure d'aluminium, oxyde d'aluminium, nitrure d'aluminium, oxyde d'hafnium, silicium poly cristallin, ou silicium amorphe. 11. Procédé d'amincissement d'un substrat (200), ledit prodédé comprenant les étapesa) formation d'une couche superficielle (240) sur le substrat (200), ladite couche superficielle (240) étant réalisée dans un matériau présentant une vitesse d'enlèvement par polissage, ladite couche superficielle (240) comprenant une partie supérieure (241) et une partie inférieure (242), b) polissage de la couche superficielle (240) de manière à enlever au moins partiellement la partie supérieure (241) ; ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend entre l'étape a) et l'étape b), une introduction d'espèces dans la couche superficielle (240) de 10 sorte que la vitesse d'enlèvement de la partie supérieure (241) est supérieure à la vitesse d'enlèvement de la partie inférieure (242) lors de l'étape b) de polissage. 12. Procédé d'amincissement selon la revendication 11, dans lequel 15 l'introduction d'espèces se fait dans la partie supérieure (241) de la couche superficielle (240). 13. Procédé d'amincissement selon la revendication 12, dans lequel les espèces introduites dans la partie supérieure (241) de la couche 20 superficielle (240) comportent du phosphore ou de l'arsenic dont la concentration est supérieure à 1*1 019 Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 1*1019 Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 11029 Atomes / cm3. 25 14. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications 11 à 13, dans lequel l'introduction d'espèces se fait dans la partie inférieure (242) de la couche superficielle (240). 15. Procédé d'amincissement selon la revendication 14, dans lequel les 30 espèces introduites dans la partie inférieure (242) de la couche superficielle (240) comportent du bore dont la concentration est supérieure à 51019Atomes / cm3, préférentiellement supérieure à 11020 Atomes / cm3, encore plus préférentiellement supérieure à 51020 Atomes /-cm3. 16. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications 11 à 15, dans lequel l'introduction d'espèces est réalisée par une technique choisie parmi les techniques suivantes : diffusion à haute température, dopage par activation plasma, implantation ionique. 17. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications 11 à 16, dans 10 lequel le substrat (200) comporte au moins un des matériaux suivants Silicium, Carbure de Silicium, Alliage de Silicium-Germanium, du verre, une céramique, un alliage métallique. 18. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications 11 à 17, dans 15 lequel la couche superficielle (240) est formée lors de l'étape a) par un transfert de couche à partir d'un substrat donneur. 19. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications 11 à 17 dans lequel la couche superficielle (240) est formée lors de l'étape a) par un 20 dépôt, de préférence selon une technique CVD, ou LPCVD ou PECVD. 20. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications 11 à 19, dans lequel la couche superficielle (240) comporte au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants : oxyde de silicium, nitrure de silicium ou 25 oxynitrure, nitrure d'aluminium, oxyde d'aluminium, nitrure d'aluminium, oxyde d'hafnium, silicium, silicium poly cristallin, ou silicium amorphe.