Brevet FR2986926A1 — publié le 20130816

La présente invention se rapporte à la commutation d'une ligne de potentiel d'une alimentation électrique par l'intermédiaire d'un dispositif électronique à semi-conducteurs. Par exemple, cette ligne de potentiel est le « point froid » de l'alimentation électrique. Le point froid d'une alimentation électrique correspond à sa borne négative ou à la masse du circuit qu'elle alimente. Par opposition, le « point chaud » de l'alimentation correspond à sa borne positive. Dans les installations aéronautiques, les contraintes pour un interrupteur point froid, c'est-à-dire un interrupteur chargé de déconnecter un circuit de charge du point froid d'une alimentation, peuvent par exemple être : - la coupure du point froid d'une alimentation 28 Volts Courant Continu (dans la suite VDC, sigle de Volts Direct Current en terminologie anglo-saxonne) d'un réseau électrique d'un aéronef moyenne puissance (typiquement quelques ampères), et - la tolérance aux contraintes environnementales aéronautiques, et plus particulièrement aux agressions dues aux effets indirects de la foudre de polarités positive et négative. La figure 11 représente un circuit électronique typique répondant au besoin décrit précédemment. Un tel circuit comporte un générateur 10 de tension continue de 28 V alimentant un circuit de charge, représenté par une résistance de charge 11 (R[), via un module de commutation 12. Le module de commutation comporte un sous-module interrupteur 13 pour ouvrir et fermer, au niveau d'une borne de raccordement A, la connexion du circuit de charge au point froid 14 (ou masse) et pour empêcher le courant de circuler dans le circuit de charge. Le module de commutation comporte par ailleurs un sous-module de commande 15 pour commander le sous-module interrupteur et un sous-module de limitation du courant 16 pour limiter le courant à l'entrée du module de commutation. Les contraintes aéronautiques liées aux effets indirects de la foudre peuvent se modéliser, comme illustré par la figure 2, au niveau de la borne de raccordement A du module de commutation. L'agression de la foudre sur le circuit peut se modéliser par un générateur de tension impulsionnelle 20 en série avec une impédance 21 (Ri) de faible valeur, typiquement 1 ohm. Cette tension impulsionnelle s'applique aux bornes d'une diode transil 22 chargée de protéger l'équipement accueillant l'ensemble formé par le générateur 10 et le circuit de charge 11. L'agression se matérialise alors en entrée de l'interface du circuit par l'application d'une tension résiduelle VRES, par exemple de +71,8 Volts ou -71,8 Volts pendant 333 ps (pour une agression de type WF5A décrite dans la norme DO-160) au niveau de la borne de raccordement A si le sous-module interrupteur 13 se trouve dans un état haute impédance (devant l'impédance de 1 ohm du générateur représentant l'agression foudre) et d'un fort courant pouvant atteindre +500 Ampères ou -500 Ampères pendant 200 ps environ au niveau de la borne de raccordement A si l'interrupteur se trouve dans un état basse impédance (devant l'impédance de 1 ohm du générateur représentant l'agression foudre). Sur la figure 3, on retrouve les éléments de la figure 1 avec les mêmes signes de référence. Le module interrupteur comporte de façon classique un transistor MOSFET canal N 300 et d'une diode 301. Une diode intrinsèque parasite 302 du transistor 300 est également représentée. La diode 302 n'est pas un composant réellement présent dans le circuit mais modélise de manière classique un défaut du transistor 300. La diode 302 a son anode connectée à la source du transistor 300 et sa cathode connectée au drain du transistor 300. Le transistor 300 est piloté par le sous-module de commande 15 qui peut être isolé galvaniquement ou non du reste du circuit. Le sous-module de limitation de courant 16 comporte une résistance de shunt 303, une résistance 304 et un transistor bipolaire 305. Le circuit comporte un générateur 28 V DC 10. La borne négative du générateur est connectée à la source du transistor 300 par la résistance de shunt 303. La borne négative du générateur est par ailleurs connectée à la masse 14 du circuit. La base du transistor 305 est connectée à la source du transistor 300 via la résistance 304. L'émetteur du transistor 305 est connecté à la borne négative du générateur 10. Le collecteur du transistor 305 est connecté à la grille du transistor 300 via la résistance 307. Cette résistance permet de maitriser la vitesse de décharge de la grille du transistor 300. Le sous-module de commande 15 comporte une diode Zener 306 dont l'anode est connectée à la source du transistor 300 et la cathode est connectée à la grille du transistor 300. La diode 306 vise à limiter la tension grille-source du transistor 300 afin qu'elle ne dépasse pas sa valeur limite lors du fonctionnement du circuit. Une capacité 308 montée en parallèle à une résistance 309 relie la source du transistor 300 à la grille de ce transistor, via une résistance 310. La résistance 309 vise à assurer la fermeture du transistor 300 lorsque le circuit n'est pas alimenté. De plus l'ensemble des résistances 309, 310 et de la capacité 308 forme un montage de filtrage pour protéger le circuit d'éventuelles perturbations hautes fréquences. Le sous-module de commande 15 est piloté par un générateur de signal de commande 311 qui génère un signal de commande d'ouverture ou de fermeture du transistor 300. Afin d'isoler galvaniquement le générateur de signal de commande du reste du circuit, on interpose entre lui et le reste du circuit un optocoupleur 312. L'optocoupleur est connecté d'une part à la borne positive du générateur 10, via une résistance de polarisation 313 et d'autre part à la grille du transistor 300, via la résistance 309. Comme dans le circuit de la figure 2, une résistance de charge 11 (RL) est connectée entre la borne positive du générateur et l'anode de la diode 301 (qui correspond également à la borne de raccordement A). Le fonctionnement du module de commutation est décrit dans la suite. Lorsque le circuit de commande applique sur la grille du transistor 300 une tension suffisamment positive, le transistor est mis en conduction (son impédance tend à s'annuler). La diode 301 entre alors en conduction, la tension à ses bornes s'annule et le courant fonctionnel (ou de fonctionnement) If (orienté dans le sens de conduction de la diode 301) peut traverser le module interrupteur 13. Lorsque la tension de grille du transistor 300 est maintenue proche de zéro, le transistor 300 est à l'état « ouvert » (ou « haute impédance »), il bloque le passage du courant fonctionnel dans le sens de fonctionnement. Le courant est bloqué par la diode intrinsèque parasite 302. La diode 301 réalise ainsi le blocage du courant dans le sens inverse au courant fonctionnel, quel que soit l'état du transistor 300. Lorsque le circuit est soumis à une agression foudre « positive », c'est-à-dire que le sens du courant engendré correspond au sens du courant fonctionnel If et que le transistor 300 est ouvert (c'est-à-dire qu'il est en état haute impédance), la contrainte appliquée sur l'entrée du module interrupteur (c'est-à-dire la borne de raccordement A) est la tension d'écrêtage de la protection foudre (ici une tension résiduelle Vres de + 71,8V). Si le calibre du transistor est choisi de manière à avoir une tension drain-source maximale Vdsmax supérieure ou égale à 100V, le transistor 300 supporte cette tension. Lorsqu'on soumet le circuit à une agression foudre « positive » et que le transistor 300 est fermé, c'est-à-dire qu'il est en état basse impédance pour le sens fonctionnel du courant, le courant le traversant augmente fortement. Sans le sous-module de limitation du courant, le courant traversant pourrait augmenter jusqu'à plusieurs centaines d'ampères en quelques dizaines de microsecondes. Une limitation de courant se déclenche pour un courant supérieur au niveau fonctionnel maximum et maintient la dissipation de puissance engendrée (définie par 111,-, X Vres, Ilim représentant le courant limite et Vres la tension résiduelle à la borne A) à un niveau acceptable pour l'interrupteur pendant la durée de l'agression. Cette limitation de courant est réalisée par la résistance de shunt 303 qui polarise la jonction base - émetteur du transistor bipolaire 305 lorsque le courant dans la résistance de shunt atteint un niveau suffisant. Le transistor bipolaire ainsi mis en conduction vient décharger la grille du transistor 300 et limite le niveau du courant lors de l'agression foudre. Lorsqu'on soumet le circuit à une agression foudre « négative » (c'est-à-dire que le sens du courant engendré est inverse au sens du courant fonctionnel If) et que l'interrupteur est ouvert (c'est-à-dire en état haute impédance) ou fermé (c'est-à-dire en état basse impédance), la diode intrinsèque parasite 302 empêche la circulation d'un courant inverse. La contrainte appliquée ici sur l'entrée du module interrupteur (c'est-à-dire la borne A) est une tension de - 71,8V. Si le calibre de la diode 301 choisi est suffisant, c'est-à-dire que la tension résiduelle Vr est supérieure ou égale à 100V, le module interrupteur supporte cette tension. Cependant, un dispositif tel que décrit précédemment présente les inconvénients suivants. La diode 301, lorsqu'elle est en conduction présente une chute de tension variant avec le courant de fonctionnement If et pouvant approcher 1V. Cette chute de tension peut ne pas être tolérée, en fonction de la tension minimale requise aux bornes du circuit de charge. La tension de conduction dans la diode est responsable de pertes non négligeables, équivalentes au produit de la tension VF aux bornes de la diode 301 par le courant de fonctionnement If. Dans le cas d'un courant fonctionnel de 4 ampères, on atteint ainsi des pertes de l'ordre de 3 Watts en régime permanent. Pour dissiper une telle puissance, la diode 301 doit alors être intégrée dans un boîtier de composant de type TO-220. Il existe donc un besoin pour s'affranchir d'au moins certains inconvénients de la diode du sous-module interrupteur du module de commutation tels que décrits précédemment. Un premier aspect de l'invention concerne un module de commutation pour ouvrir ou fermer une connexion entre un premier noeud d'un circuit d'alimentation électrique et un deuxième noeud de raccordement d'un circuit de charge audit circuit d'alimentation électrique, comportant un premier interrupteur commandé et un deuxième interrupteur commandé associés pour raccorder ledit premier noeud audit deuxième noeud. Le premier interrupteur commandé est configuré pour autoriser ou bloquer la circulation du courant dans un sens de fonctionnement selon un premier signal de commande appliqué au premier interrupteur et le deuxième interrupteur commandé est configuré pour laisser ou empêcher un courant électrique de circuler dans le module de commutation dans un sens opposé au sens de fonctionnement. Le deuxième interrupteur est commandé par un deuxième signal de commande appliqué au deuxième interrupteur et qui est fonction d'un potentiel électrique du deuxième noeud. Ainsi, on remplace la diode du module interrupteur selon la figure 3 par un interrupteur commandé par le potentiel de la borne de raccordement, comme par exemple un transistor MOSFET. Un tel module peut être intégré dans une structure de commutation d'alimentation composée d'un ou plusieurs interrupteurs, par exemple placés sur le point froid de l'alimentation. Un module selon l'invention peut permettre d'éviter des pertes énergétiques dues à la chute de tension dans la diode du circuit selon la figure 20 3. Un module selon l'invention peut être réalisé avec des composants de taille réduite, diminuant ainsi la taille globale du module. Les premier et deuxième interrupteurs peuvent être associés en série. 25 Par exemple, un troisième interrupteur commandé est connecté à une borne de commande du deuxième interrupteur commandé et au deuxième noeud pour protéger le module contre une surintensité dans le sens opposé au sens de fonctionnement. Par exemple encore, les deuxième et troisième interrupteurs 30 comportent chacun au moins un transistor, les sources des deuxième et troisième transistors sont connectées au deuxième noeud et le drain du troisième transistor est connecté à la grille du deuxième transistor. Le module peut être utilisé comme interrupteur point froid. Ainsi, le potentiel du premier noeud est par exemple le potentiel le plus faible dans un circuit duquel fait partie le module. Alternativement, le premier noeud est connecté à une masse du circuit duquel fait partie le module. Un deuxième aspect de l'invention concerne un dispositif antifoudre pour alimentation électrique comportant un module selon le premier aspect. D'autres caractéristiques et d'autres avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description non-limitative suivante, faite en référence aux figures suivantes parmi lesquelles, en outre les figures 1, 2 et 3: la figure 4 est un circuit général selon des modes de réalisation, et la figure 5 est une représentation plus détaillée du circuit de la figure 4. Comme décrit dans la suite de la description, les modes de réalisation de l'invention offrent un moyen de s'affranchir de l'utilisation d'une diode dans le sous-module interrupteur d'un module de commutation pour une alimentation électrique, en lui substituant un montage basé sur un interrupteur commandé par le potentiel de la borne de raccordement du module de commutation au circuit de charge. La figure 4 illustre un circuit général selon des modes de réalisation de l'invention, dans le cas d'une commutation du point froid d'une alimentation 25 électrique. Un tel circuit comporte un générateur 40 de tension continue de 28 V DC alimentant un circuit de charge, représenté par une résistance de charge 41 (RL), via un module de commutation 42. Le module de commutation comporte un sous-module interrupteur 43 30 pour ouvrir et fermer, au niveau d'une borne de raccordement A, la connexion du circuit de charge au point froid 44 (ou masse) et pour empêcher le courant de traverser le circuit de charge. Le module de commutation comporte par ailleurs un sous-module de commande 45 pour commander le sous-module interrupteur et un sous-module de limitation du courant 46 pour limiter le courant à l'entrée du module de commutation. Le sous-module interrupteur comporte quant à lui un premier 5 interrupteur commandé 47 connecté en série avec un deuxième interrupteur commandé 48 entre le point froid de l'alimentation et la borne de raccordement A. Le premier interrupteur commandé est notamment chargé d'ouvrir et de fermer la connexion entre le point froid de l'alimentation et la borne de raccordement. Le deuxième interrupteur commandé est notamment chargé 10 d'empêcher le courant de circuler depuis la masse selon des phases de fonctionnement qui sont décrites dans la suite. Le premier interrupteur commandé est commandé par le sous-module de commande 45. Le deuxième interrupteur commandé est commandé par une unité de commande 49 configurée pour ouvrir ou fermer l'interrupteur 15 commandé 48 en fonction du potentiel électrique de la borne de raccordement A. L'unité de commande 49 peut aussi assurer une protection de l'interrupteur commandé 48 contre les surtensions, lors d'agressions foudre. La figure 5 présente le schéma électrique de la figure 4 de manière 20 plus détaillée. Les éléments communs aux figures 4 et 5 portent les mêmes références. L'interrupteur commandé 47 comporte un transistor 500, par exemple de type MOSFET canal N. La diode intrinsèque parasite 501 du transistor 500, qui est une diode fictive modélisant un défaut d'un transistor non 25 idéal, a été représentée. L'interrupteur commandé 48 comporte également un transistor 502, par exemple de type MOSFET canal N. La diode intrinsèque parasite 503 du transistor 502 a également été représentée. Les transistors 500 et 502 sont positionnés en drain commun (ou tête-bêche). 30 La commande du transistor 500 est réalisée par le sous-module de commande 45. Ce sous-module de commande est similaire au sous-module de commande 15 décrit en référence à la figure 3. Son contenu n'est donc pas plus détaillé. La commande du transistor 500 par le sous-module 45 est identique à la commande du transistor 300 par le sous-module 15. Cette commande n'est donc pas détaillée ici. Le sous-module de limitation de courant 46 est également similaire au sous-module 16 de la figure 3. Son contenu n'est donc pas détaillé ici. Le transistor 502 est commandé par l'unité de commande 49. Cette unité comporte une résistance de tirage (pull-up en terminologie anglo-saxonne) 504 qui permet la commutation spontanée du transistor 502 à l'état passant lorsque le transistor 500 est passant. La résistance 504 est connectée en série avec une diode 505 entre la borne positive du générateur 40 et la grille du transistor 502. La diode 505 a sa cathode connectée à la grille du transistor 502. La diode 505 permet d'empêcher le courant de circuler dans la résistance lorsque le circuit subit une agression foudre positive et d'éviter de polariser le circuit à l'inverse. L'unité de commande comporte également un montage de protection contre les surtensions négatives 506 qui permet d'assurer la commutation quasi spontanée du transistor 502 à l'état bloqué lorsqu'une agression foudre négative apparaît sur la source du transistor 502. Le montage 506 comporte une résistance de tirage 507 en série avec une diode 508. La résistance de tirage 507 est connectée entre la masse 44 et l'anode de la diode 508. La cathode de la diode 508 est connectée à la cathode d'une diode Zener 509. La résistance de tirage 507 permet de polariser le montage et la diode 508 permet d'éviter la polarisation inverse du montage en cas d'agression foudre positive. La diode Zener 509 a son anode connectée à la source d'un transistor 510 et sa cathode connectée à la grille du transistor 510. Le transistor 510 est par exemple un transistor MOSFET canal N. La diode 509 vise à limiter la tension grille-source du transistor 510 afin qu'elle ne dépasse pas sa valeur limite lors du fonctionnement du circuit. Une résistance 511 est connectée en parallèle sur la diode 509. La résistance 511 vise à assurer la fermeture du transistor 510 lorsque le circuit n'est pas alimenté. Le transistor 510 a son drain connecté à la grille du transistor 502 et sa source connectée à la borne de raccordement A (et ainsi également à la source du transistor 502). Le transistor 510 commande alors le transistor 502 en ouverture et en fermeture en fonction du potentiel à la borne de raccordement du circuit. L'unité de commande 49 comporte également un montage de filtrage pour protéger le circuit d'éventuelles perturbations hautes fréquences. Ainsi, une capacité 512 est montée en parallèle à une résistance 513 et relie la source du transistor 502 à la grille de ce transistor. Pour limiter la tension grille-source du transistor 502 afin qu'elle ne dépasse pas sa valeur limite lors du fonctionnement du circuit, une diode Zener 514 est connectée avec l'anode sur la source du transistor 502 et la cathode sur la grille du transistor 502. Le transistor 500 est piloté de la même manière que le transistor 300 du circuit décrit en référence à la figure 3. Lorsque le circuit de commande applique sur la grille du transistor 500 une tension suffisamment positive, le transistor est mis en conduction. Le drain de la diode parasite 503 est ainsi ramené au potentiel de la masse 44 et le courant fonctionnel If circule à travers la diode parasite 503. La source du transistor 502 est ramenée à un potentiel proche de la masse 44, à la chute de tension dans la diode 503 près. Le circuit de commande applique alors une tension suffisamment positive sur la grille du transistor 502 pour le mettre en conduction. La protection contre l'agression foudre positive est réalisée de manière identique à celle décrite pour le circuit de la figure 3. En ce qui concerne la protection contre l'agression foudre négative, le circuit de commande et de protection permet au transistor 502 de s'ouvrir et de fournir à l'interrupteur une protection similaire à celle d'une diode lorsque d'une telle agression. On remplit alors une fonction équivalente au module interrupteur du circuit de la figure 3, en assurant une amélioration en termes de diminution du poids et des pertes énergétiques. A titre d'illustration, un boîtier TO-220 avec dissipateur utilisé pour dissiper la puissance de la diode 301 dans un circuit comme représenté sur la figure 3 occupe typiquement une surface de 200 mm2. Cette surface ne tient pas compte de la surface qui est également prévue autour du boîtier pour réparation et éventuellement pour permettre des échanges de chaleur avec la carte PCB (sigle de « Printed Circuit Board »). En tenant compte de cette surface supplémentaire, par un facteur dit « d'occupation » qui vaut typiquement 3,5 pour ce type de boîtier, on arrive à une occupation de 700 mm2 sur la carte électronique qui porte le circuit (c'est-à-dire 200x3,5). Avec un module selon des modes de réalisation de l'invention, on réduit fortement la surface nécessaire sur la carte électronique. Par exemple, le transistor 502 peut être installé dans un boîtier de type D-Pak (T0-252AA). Les résistances 504, 507, 511 et 513, ainsi que le condensateur 512 peuvent par exemple chacun être placés dans des boîtiers de type 0603. Les diodes 505, 508, 509 et 514 ainsi que le transistor 510 peuvent être placés dans des boîtiers de type SOT23. Un boîtier de type 0603 occupe typiquement une surface de 1,513 mm2 avec un facteur d'occupation de 6. Un boîtier de type SOT23 occupe typiquement une surface de 7,5 mm2 avec un facteur d'occupation de 6. Un 20 boîtier de type D-Pak occupe typiquement une surface de 70 mm2 avec un facteur d'occupation de 2. On arrive alors à une surface d'occupation sur la carte électronique de 410,4 mm2 (c'est-à-dire 5x1,513x6 + 5x7,5x6 + 1x70x2). Ainsi, on diminue la surface occupée par la fonction sur la carte électronique de 41,4 %. 25 Lorsqu'une agression foudre négative est appliquée sur le transistor 502 alors qu'il est fermé, une forte montée du courant de fonctionnement If se produit au niveau de la borne de raccordement A. Un potentiel de plus en plus négatif apparaît alors sur la source du transistor 502 en fonction de l'impédance de la ligne entre la borne de 30 raccordement A et la masse 14. Cette impédance, considérée comme une imperfection pour un courant fonctionnel, est utilisée pour détecter ce courant. Lorsque ce potentiel est suffisamment négatif, la tension entre la grille et la source du transistor 510 atteint un niveau suffisamment positif pour mettre en conduction ce transistor. La capacité de grille du transistor 502 est alors déchargée et la conduction du courant dû à l'agression (sens inverse du fonctionnel) dans l'interrupteur est bloquée, évitant ainsi une trop forte augmentation de ce courant pouvant endommager l'interrupteur. Lorsque les transistors 500 et 502 sont ouverts et qu'un potentiel positif est présent sur la borne de raccordement A, une haute impédance est conservée au niveau du module de commutation, notamment grâce à la diode parasite 501. L'ordre de grandeur du niveau de courant If déclenchant la protection est déterminé comme décrit ci-après, dans le cas où l'on utilise le module de commutation en complément d'un autre interrupteur sur la ligne de masse. En utilisant le circuit décrit ci-avant pour le module de commutation, l'impédance de ligne du module, ainsi que les interconnections entre le module de commutation et l'interrupteur, participent à l'augmentation de la valeur de l'impédance de ligne. Plus cette impédance est grande, plus l'ouverture du transistor 502, dans le module de commutation, intervient pour un courant faible. Le transistor 510 est de préférence choisi avec une tension de seuil grille-source Vgsth de « niveau logique ». Par exemple, un transistor de type BSS123, qui possède un seuil maximum de fermeture de 1,8V à 25°C (1,6V à 85°C et 2V à -40°C), peut convenir. L'impédance série minimale vaut Z,= 3 x Rdson + Zi + Rshunt Rdson est la résistance des transistors 500, 502 à l'état passant, par exemple 25 milli-ohms (mohms). On considère les transistors 500 et 502 identiques. On considère que Rdson est aussi la valeur de la résistance de l'interrupteur couplé au module de commutation sur la ligne de masse. Zi est l'impédance parasite des lignes et des interconnexions. Rshunt est la résistance de shunt utilisée pour limiter le courant fonctionnel (résistance 303 de la figure 3). On obtient une valeur minimale de ligne de 200 mohms pour cette impédance série minimale. Le niveau de courant Ifseuil disjonction est exprimé par : nécessaire pour déclencher la r R3+ R2 Ifseuil = R3 u + 17D4 Zi R2 est la valeur de la résistance 507 et R3 est la valeur de la résistance 511. Avec les hypothèses ci-dessus et un choix de résistances R3=2.R2, on place un courant seuil autour de 20A au maximum. La fermeture du transistor 502 étant réalisée en un temps rapide (quelques centaines de nanosecondes), le courant If n'atteint pas une valeur supérieure à 30A (en considérant que la valeur crête du courant lors de l'agression « foudre » est atteinte au bout de 40ps). Ce courant est supportable pour les composants semi-conducteurs pendant le temps très court que dure la montée du courant. Bien entendu, la présente invention ne se limite pas aux formes de réalisation décrites, d'autres variantes et combinaisons de caractéristiques sont possibles. Les différents composants décrits peuvent être substitués par un ou plusieurs autres composants configurés pour remplir les fonctions décrites pour chaque composant des circuits décrits ci-avants. Par exemple, le transistor 510 peut être du type MOSFET ou bipolaire. Le module de commutation décrit précédemment peut s'utiliser seul ou en complément à d'autres modules de commutation. Le module de commutation peut faire partie d'un dispositif anti-foudre notamment dans un circuit de protection d'un aéronef.25 REVENDICATIONS1. Module de commutation (42) pour ouvrir ou fermer une connexion entre un premier noeud (44) d'un circuit d'alimentation électrique (40) et un deuxième noeud de raccordement (A) d'un circuit de charge (41) audit circuit d'alimentation électrique (40), comportant un premier interrupteur commandé (47, 501) et un deuxième interrupteur commandé (48, 503) associés pour raccorder ledit premier noeud (44) audit deuxième noeud (A), le premier interrupteur commandé (47, 501) étant configuré pour autoriser ou bloquer la circulation du courant dans un sens de fonctionnement selon un premier signal de commande appliqué audit premier interrupteur commandé (47, 501) et le deuxième interrupteur commandé (48, 503) étant configuré pour laisser ou empêcher un courant électrique de circuler dans le module de commutation (42) dans un sens opposé au sens de fonctionnement, ledit deuxième interrupteur commandé (48, 503) étant commandé par un deuxième signal de commande appliqué au deuxième interrupteur commandé (48, 503) et étant fonction d'un potentiel électrique dudit deuxième noeud (A). 2. Module selon la revendication 1, comportant en outre un troisième interrupteur commandé (510) connecté a une borne de commande du deuxième interrupteur commandé (48, 502) et audit deuxième noeud (A) pour protéger le module (42) contre une surintensité dans le sens opposé au sens de fonctionnement. 3. Module selon la revendication 2, dans lequel les deuxième et troisième interrupteurs comportent chacun au moins un transistor, et dans lequel les sources des deuxième et troisième transistors sont connectées au deuxième noeud (A) et le drain du troisième transistor est connecté à la grille du deuxième transistor. 4. Module selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel un potentiel du premier noeud est le potentiel le plus faible dans un circuit duquel fait partie le module. 5. Module selon la revendication 4, dans lequel le premier noeud est connecté à une masse dudit circuit duquel fait partie le module. 6. Module selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les premier et deuxième interrupteurs sont associés en série. 7. Dispositif anti-foudre pour alimentation électrique comportant un module selon l'une quelconque des revendications précédentes.10