Brevet FR2982419A1 — publié le 20130510

REVENDICATIONS1. Dispositif microélectronique émetteur de rayonnement lumineux comprenant au moins un premier transistor (TI) doté de zones de source (103a) et de drain (103b) formées dans au moins une première zone (103) semi-conductrice dopée N et d'une grille (106), au moins un deuxième transistor (12) doté de zones de source et de drain formées dans au moins une deuxième zone (113) semi-conductrice dopée P et d'une grille, la grille du premier transistor et la grille du deuxième transistor étant disposées en regard l'une de l'autre, de part et d'autre d'une zone comprenant une région donnée à base d'au moins un matériau semi-conducteur intrinsèque ou non-dopé. 2. Dispositif microélectronique selon la revendication 1, la grille du premier transistor et la grille du deuxième transistor étant disposées tête bêche. 3. Dispositif microélectronique suivant l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite région donnée (101c) semi-conductrice comprend un matériau à gap direct. 4. Dispositif microélectronique suivant l'une des revendications 1 à 3, dans lequel ladite région donnée est formée d'une hétéro-structure comportant un empilement d'au moins un premier matériau semi-conducteur, d'au moins un deuxième matériau semi- conducteur de gap différent de celui du premier matériausemi-conducteur ou d'un empilement formé d'au moins un premier matériau semi-conducteur, d'au moins un deuxième matériau semi-conducteur et d'au moins un troisième matériau semi-conducteur, le deuxième matériau semi-conducteur étant situé entre le premier matériau semi-conducteur et le troisième matériau semi-conducteur et ayant un gap plus faible que celui desdits premier matériau semi-conducteur et troisième matériau semiconducteur. 5. Dispositif microélectronique suivant l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la zone de source (103a) du premier transistor (TI) est en regard et séparée d'une zone (113a) de source ou de drain du deuxième transistor (12) par au moins une zone isolante (131a), la zone de drain (103b) du premier transistor étant en regard et séparée d'une zone (113b) de source ou de drain du deuxième transistor (12) par au moins une autre zone isolante (131b). 6. Dispositif microélectronique suivant l'une des revendications 1 à 5, ladite région donnée ayant une épaisseur comprise entre 2 nm et 100 nm. 7. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique émetteur de rayonnement lumineux comprenant, des étapes de : - réalisation d'au moins un premier transistor (T11,T 113, 114) reposant sur un premier substrat, le premier substrat comprenant une couche de support (300), une couche isolante (301) et une fine couche semi-conductrice (302), le premier transistorétant doté de zones de source (103a) et de drain (103b) formées dans au moins une première zone (103) semiconductrice dopée N et d'une grille (106), - formation d'au moins un deuxième transistor (121, 122/ 123, 124) reposant sur un deuxième substrat, le deuxième substrat comprenant une couche de support (400), une couche isolante (401), et une fine couche semi-conductrice (402), le deuxième transistor (12) étant doté de zones de source et de drain formées dans au moins une deuxième zone (113) semi-conductrice dopée P et d'une grille, - retrait de la couche de support (300 ou 400) et de ladite couche isolante (301 ou 401) d'un substrat donné parmi le premier substrat et le deuxième 15 substrat, - retrait de la couche de support (400 ou 300) d'au moins une portion donnée de la couche isolante (401 ou 301) de l'autre substrat parmi le premier substrat et le deuxième substrat, ladite 20 portion donnée étant retirée de manière à dévoiler la fine couche semi-conductrice (302 ou 402) en regard d'une grille d'un transistor donné parmi ledit premier transistor et le deuxième transistor, - assemblage de la fine couche semi25 conductrice (302 ou 402) dudit substrat donné avec ladite fine couche semi-conductrice (402 ou 302) dudit autre substrat ou avec un matériau semi-conducteur donné (336) formé sur ladite fine couche semiconductrice dudit autre substrat, le premier transistor 30 (Tn, 112, 113, 114) étant placé en regard du deuxième transistor (Tn, Tn, 123, 124). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le retrait de ladite portion donnée est effectué de manière à former une ouverture (332) dans la couche isolante dévoilant la fine couche semi-conductrice en regard d'une grille d'un transistor donné parmi ledit premier transistor et le deuxième transistor, le procédé comprenant, préalablement à l'étape c), la croissance dudit matériau semi-conducteur donné (336) sur ladite fine couche semi-conductrice dudit autre substrat de manière à recouvrir la couche isolante dudit autre substrat. 9. Procédé selon la revendication 7, ledit matériau semi-conducteur donné (336) est un matériau à gap direct et/ou étant un matériau ayant un gap plus faible que le matériau de ladite fine couche semiconductrice du premier substrat et du matériau de la fine couche semi-conductrice du deuxième substrat.20