Brevet FR2980918A1 — publié le 20130405

B11179 - DI 02726-03 1 POINT MÉMOIRE RAM À UN TRANSISTOR Domaine de l'invention La présente invention concerne un point mémoire RAM à un transistor. Exposé de l'art antérieur Un point mémoire à un transistor a déjà été décrit par les présents inventeurs dans la demande de brevet français non publiée 10/52612 du 07/04/2010 (B10224). La figure 1 reproduit la figure 1 de cette demande de brevet français. Le point mémoire comprend un transistor MOS formé sur une couche isolante 1 reposant sur un support 3, généralement une plaque de silicium. La zone occupée par le transistor MOS, ou zone active, est délimitée par une périphérie isolante 5. Le transistor MOS comprend des régions de source et de drain fortement dopées d'un premier type de conductivité 7 et 8 séparées par une région de corps. Les régions de source et de drain sont respectivement solidaires d'une métallisation de source 10 et d'une métallisation de drain 11 reliées à des bornes de source S et de drain D. La partie de corps du transistor est surmontée d'une grille isolée 12 reliée à une borne de grille G. La région de corps est divisée dans le sens de son épaisseur en une région de corps supérieure 13 du côté de la grille 12 et une région de corps inférieure 14 au voisinage de B11179 - DI 02726-03 2 la couche isolante 1. La région de corps supérieure 13 est du type de conductivité opposé à celui des drain/source et a de préférence un niveau de dopage inférieur à 1016 atomes/cm3. La région de corps inférieure 14 est du même type de conductivité que celui des drain/source. Son niveau de dopage est de préférence choisi dans une plage de 1016 à 1018 atomes/cm3 en fonction de son épaisseur de façon que cette partie inférieure 14 soit complètement déplétée à l'état 0 et qu'elle contienne suffisamment d'électrons disponibles à l'état 1, les états 0 et 1 étant définis ci-après. Cette demande de brevet français décrit également un mode d'écriture et de lecture de ce point mémoire. Pour écrire un 1, on applique d'abord une tension positive relativement élevée, par exemple 1 à 3 volts, sur le drain du transistor, et la grille est mise à un potentiel positif pendant une courte durée, pendant que la tension positive est appliquée sur le drain. Il en résulte qu'une région de canal est formée dans la région de corps supérieure (pendant cette phase, une faible proportion de courant peut sans inconvénient circuler dans la région de corps inférieure) et que des électrons circulent de la source au drain. Etant donné que la différence de potentiel drain-source est choisie relativement élevée, ces électrons vont créer par impact des paires électrons-trous dans la région de corps supérieure. Les électrons créés participent à la circulation de courant et les trous demeurent dans la région de corps supérieure. Si on interrompt brutalement le passage de courant entre source et drain, en commutant la grille à un potentiel négatif avant de commuter le drain, des trous demeureront dans la région de corps supérieure 13. Pour écrire un 0 dans le point mémoire, à nouveau, on rend la grille positive mais cette fois-ci, on connecte le drain 8 à une tension faiblement positive, nulle ou même négative. Alors, la différence de potentiel source-drain est insuffisante pour assurer la création de paires électrons-trous, et, en raison de la polarisation électrostatique créée par la grille B11179 - DI 02726-03 3 dans la région de corps supérieure 13, les trous éventuellement présents dans cette région de corps supérieure seront évacués vers le drain et/ou la source. Ainsi, dans un cas (écriture d'un 1), des trous sont stockés dans la région de corps supérieure 13 et dans l'autre cas (écriture d'un 0), aucune charge n'est stockée dans cette région de corps supérieure. En phase de lecture, une tension négative est appliquée sur la grille et une tension faiblement positive sur le drain. En phase de rétention, une tension négative est 10 appliquée sur la grille et une tension nulle sur le drain. Dans le cas où un 0 a été mémorisé, c'est-à-dire qu'aucune charge n'est stockée dans la région de corps supérieure 13, les transistors en parallèle partageant un même drain et une même source sont tous deux bloqués : il ne passe pas de 15 courant dans le transistor correspondant à la région de corps supérieure puisque la grille est négative, et la tension négative de grille déplète la région de corps inférieure qui ne laisse donc également pas passer de courant. On comprendra que la région de corps supérieure doit être suffisamment mince pour 20 que la grille ait une influence suffisante sur la région de corps inférieure, c'est pourquoi on a indiqué que cette région de corps supérieure avait une épaisseur de préférence voisine de 10 nm. Par contre, dans le cas où un 1 a été écrit, c'est-à- 25 dire que des charges positives sont stockées dans la région de corps supérieure 13, aucun courant ne circule dans le transistor correspondant à cette région de corps supérieure puisque la grille est négative et qu'il n'est pas créé de région de canal d'électrons dans cette région de corps supérieure. Par contre, 30 les charges positives stockées dans la région de corps supérieure font écran au potentiel négatif de la grille et un courant d'électrons va circuler dans le transistor ayant pour source et drain les régions 7 et 8 et comme corps la région non déplétée de corps inférieure 14. B11179 - DI 02726-03 4 Ainsi, on pourra reconnaître un état 1 d'un état 0 par la circulation d'un courant ou l'absence de circulation d'un courant lors d'une phase de lecture. On notera également que, du fait que pendant l'état de 5 lecture seul un potentiel faiblement positif est appliqué sur le drain, il ne se crée pas de charges par impact dans la région de corps inférieure 14 pendant une lecture. La figure 7 de cette demande de brevet est reproduite dans la figure 2 de la présente demande. Cette figure illustre 10 très schématiquement une réalisation FINFET d'une variante de la structure de la figure 1. Le corps du transistor, au lieu d'être divisé en deux régions, est divisé en trois régions : une région de gauche 41 de type P, une région centrale 43 de type N et une région de droite 45 de type P. Une grille isolée 46 est disposée 15 en regard de la région de gauche 41 et une grille isolée 47 est disposée en regard de la région de droite 45. On obtient ainsi un point mémoire bibit, c'est-à-dire un point mémoire à quatre états. La grille de gauche permet de stocker ou non des charges dans la région de corps de gauche 41. La grille de droite permet 20 de stocker ou non des charges dans la région de corps de droite 45. On obtient un premier état (11) si des charges sont stockées à gauche et à droite, un deuxième état (00) si aucune charge n'est stockée ni à gauche ni à droite, un troisième état (10) si des charges sont stockées à gauche et pas à droite, et un 25 quatrième état (01) si des charges sont stockées dans la région à droite et pas à gauche. Les états (01) et (10) pourront être différenciés de diverses manières. Notamment, si les grilles de gauche et de droite sont différentes (travail de sortie différent ou épaisseur d'isolant différente) et/ou si les tensions 30 appliquées sont différentes, on stockera à chaque écriture d'un 1 une quantité plus ou moins grande de charges dans la région de corps de gauche et dans la région de corps de droite. Ainsi, les quatre valeurs possibles du courant dans la région de corps centrale peuvent être bien différenciées. B11179 - DI 02726-03 On notera que dans la réalisation illustrée en figure 2, les deux grilles sont distinctes et commandées indépendamment pour déterminer des états distincts du point mémoire. Résumé 5 Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir une structure de point mémoire à un transistor qui soit encore plus sensible que la structure décrite dans la demande de brevet susmentionnée, c'est-à-dire en particulier qui soit commandable et qui puisse être maintenu en rétention par des tensions plus faibles. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un tel point mémoire présentant un rapport entre le courant de lecture à l'état 1 et le courant de lecture à l'état 0 qui soit encore plus important que dans les dispositifs antérieurs. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un tel point mémoire qui puisse être encore plus miniaturisé que les dispositifs antérieurs et notamment dont la longueur de grille puisse être plus faible. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un tel point mémoire dont la fabrication soit compatible avec les technologies émergentes de transistors FinFET et de transistors à nanofils dans lesquelles la longueur de grille est de 22 nm ou moins. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de drain, une région de type N entourée sur la plus grande partie de sa périphérie d'une région de type P quasi intrinsèque, la région de type P étant elle-même entourée d'une grille isolée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le niveau de dopage de la région de type N est de l'ordre de B11179 - DI 02726-03 6 2.1018 à 2.1019 atomes par cm3 et le niveau de dopage de la région de type P de l'ordre de 1014 à 1016 atomes par cm3. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le bâtonnet est constitué d'un morceau de silicium formé dans 5 une couche de silicium sur isolant. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le bâtonnet est constitué d'un morceau d'un nanofil de silicium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la longueur de la grille est inférieure à la longueur de la 10 région de type P qu'elle entoure. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif 15 en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2, décrites précédemment, correspondent respectivement aux figures 1 et 7 de la demande de brevet français 10/52612 ; les figures 3A et 3B sont respectivement une vue en 20 coupe dans une direction longitudinale et une vue en coupe selon le plan BB de la figure 3A d'un mode de réalisation d'un point mémoire à un transistor ; et les figures 4A et 4B sont respectivement une vue en perspective et une vue en coupe agrandie selon le plan BB de la 25 figure 4A d'un mode de réalisation d'un point mémoire à un transistor. Comme cela est habituel dans la représentation des micro et nano composants, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. 30 Description détaillée Les figures 3A et 3B sont respectivement une vue en coupe dans une direction longitudinale et une vue en coupe selon le plan BB de la figure 3A d'un mode de réalisation d'un point mémoire à un transistor. Le point mémoire représenté en figures 35 3A et 3B comprend des régions de source et de drain 101 et 102 B11179 - DI 02726-03 7 séparées par une région intermédiaire comprenant une partie centrale de type N 104 et une partie entourante de type P 105. La partie de type P est elle-même entourée d'un conducteur de grille 107 isolé de cette région de type P par une couche isolante 108. La réalisation de la figure 3B est une réalisation de type FINFET formée à partir d'une partie découpée 104 d'une couche semiconductrice elle-même déposée sur un substrat semiconducteur 110 revêtu d'une couche isolante 111. On comprendra que la structure peut être simplement fabriquée en formant d'abord un bâtonnet (dans un plan de coupe perpendiculaire au plan de coupe de la figure 3B) dont la partie centrale 104 est dopée de type N, les extrémités du bâtonnet étant fortement dopées de type N (N+) pour constituer les régions de source et de drain 101 et 102. Une couche de type P 105 est formée par épitaxie de façon à recouvrir trois côtés de la partie centrale 104. Ensuite, il est procédé à la formation d'une couche isolante 108, par exemple par oxydation thermique ou par dépôt. Enfin, une couche conductrice constituant la grille 107 est déposée sur la couche isolante. La programmation du point mémoire pourra être effec- tuée par effet tunnel bande à bande (Band to Band - ou BTB - tunneling), ou par ionisation par impact. On désignera ci-après par "longueur", les dimensions allant de la source au drain (horizontales en figure 3A), par "largeur" ou épaisseur, les dimensions orthogonales (verticales en figure 3A et horizontales en figure 3B), et par "hauteur", les dimensions verticales dans la représentation de la figure 3B. Le dispositif des figures 3A et 3B pourra alors, à titre d'exemple, avoir les dimensions suivantes : longueur entre drain et source (longueur de canal) : 22 nm largeur de région N 104 : 20 nm, épaisseur de région P 105 : 4 nm, épaisseur d'oxyde de grille : 2 nm largeur totale (avec la grille) : 32 nm B11179 - DI 02726-03 8 L'exemple ci-dessus est donné dans le cadre d'une technologie dans laquelle la longueur de canal est de 22 nm, mais pourra être adapté au cas des technologies futures dans lesquelles on envisage des longueurs de canal de 14 nm puis de 5 11 nm. En effet, un avantage du point mémoire décrit ici est que, étant donné la configuration entourante de la grille, on peut conserver une grille efficace même pour des longueurs de grille nettement inférieures à celles qui resteraient efficaces pour des dispositifs dans lesquels la grille est simplement 10 superposée à la région de canal. Selon un mode de réalisation préféré, la partie centrale de type N de la région intermédiaire est relativement fortement dopée, à un niveau de dopage de l'ordre de 2.1018 à 2.1019 atomes par cm3 et la région de type P périphérique est 15 une région quasi intrinsèque d'un niveau de dopage de type P de l'ordre de 1014 à 1016 atomes par3 cm . Les tensions appliquées sur le drain et la grille (la source étant à la masse) pourront alors être les suivantes : Opération Tension de grille Tension de drain Maintien Un avantage du point mémoire décrit ici est que l'état 1 est stable. Par contre le maintien d'un état 0 nécessite un rafraîchissement. La durée de rétention peut toutefois être supérieure à 100 ms. On notera que ce temps de rétention est amélioré si, comme cela est illustré en figure 3A, la longueur de la grille est inférieure à la longueur de la région N qu'elle entoure. Un avantage du point mémoire décrit ici est que sa programmation, son maintien et sa lecture peuvent être assurés par des tensions particulièrement faibles. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, divers matériaux pourront être choisis pour former de l'isolant de grille, notamment de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, ou des matériaux à forte permittivité. REVENDICATIONS1. Point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain (101, 102 ; 121, 122) et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de drain, une région de type N (104, 124) entourée sur la plus grande partie de sa périphérie d'une région de type P quasi intrinsèque (105, 125), la région de type P étant elle-même entourée d'une grille isolée (107, 127). 2. Point mémoire selon la revendication 1, dans lequel 10 le niveau de dopage de la région de type N (104, 124) est de l'ordre de 2.1018 à 2.1019 atomes par cm3 et le niveau de dopage de la région de type P de l'ordre de 1014 à 1016 atomes par cm3. 3. Point mémoire selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le bâtonnet est constitué d'un morceau de silicium formé 15 dans une couche de silicium sur isolant. 4. Point mémoire selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le bâtonnet est constitué d'un morceau d'un nanofil de silicium. 5. Point mémoire selon l'une quelconque des revendica20 tions 1 à 4, dans lequel la longueur de la grille (107) est inférieure à la longueur de la région de type P (105) qu'elle entoure.