Brevet FR2984923A1 — publié le 20130628

SYSTÈMES DE DÉPÔT COMPRENANT DES CHAMBRES DE RÉACTION CONFIGURÉES POUR RÉALISER DES OPÉRATIONS DE MÉTROLOGIE IN SITU ET PROCÉDÉS CONNEXES DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION [0001] Des modes de réalisation de l'invention se rapportent, d'une façon générale, à des systèmes adaptés pour déposer des matériaux sur des substrats et à des procédés de fabrication et d'utilisation de tels systèmes. De façon plus spécifique, des modes de réalisation de l'invention se rapportent à des procédés de dépôt par croissance épitaxiale en phase vapeur (VPE, Vapor Phase Epitaxy, en anglais) et à des procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, Chemical Vapor Deposition, en anglais) adaptés pour déposer des matériaux semi-conducteurs III-V sur des substrats ainsi qu'à des procédés de fabrication et d'utilisation de tels systèmes. CONTEXTE DE L'INVENTION [0002]Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux solides sur des substrats, et il est couramment employé dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteur. Au cours d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs qui réagissent, se décomposent ou qui réagissent et se décomposent à la fois, d'une manière qui conduit au dépôt d'un matériau solide sur la surface du substrat. [0003] Un type particulier de procédé de dépôt chimique en phase vapeur est connu dans l'art sous le nom de dépôt par croissance épitaxiale en phase vapeur (ou épitaxie en phase vapeur, VPE). Au cours d'un procédé VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une chambre de réaction, vapeurs qui réagissent, se décomposent ou qui réagissent et se décomposent à la fois, d'une manière qui conduit au dépôt par croissance épitaxiale d'un matériau solide sur la surface du substrat. On utilise souvent des procédés VPE pour déposer des matériaux semiconducteurs III-V. Quand une des vapeurs réactives utilisées dans un procédé VPE comprend une vapeur d'hydrure, le procédé peut être appelé procédé de dépôt par croissance épitaxiale en phase vapeur d'hydrure (HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy, en anglais). [0004]On utilise des procédés HVPE pour former des matériaux semi-conducteurs III-V comme, par exemple, du nitrure de gallium (GaN). Dans ce type de procédé, une croissance épitaxiale de GaN sur un substrat conduit à une réaction en phase vapeur entre du chlorure de gallium (GaC1) et de l'ammoniac (NH3), réaction qui est exécutée à l'intérieur d'une chambre de réaction à des températures élevées comprises entre 500 °C environ et 1100 °C environ. Le NH3 peut être fourni à partir d'une source standard de gaz NH3. [0005] Dans certains procédés, la vapeur de GaC1 est produite en faisant passer un gaz de chlorure d'hydrogène (HC1) (qui peut être fourni à partir d'une source standard de gaz HC1) sur du gallium (Ga) liquide chauffé de sorte à former du GaC1 in situ à l'intérieur de la chambre de réaction. Le gallium liquide peut être chauffé à une température comprise entre 750 °C environ et 850 °C environ. Le GaC1 et le NH3 peuvent être dirigés vers (par exemple, en dessus) une surface d'un substrat chauffé, comme une tranche de matériau semiconducteur par exemple. Le brevet américain (US) N° 6 179 913, délivré le 30 janvier 2001 à Solomon et autres, décrit un système d'injection de gaz adapté pour être utilisé dans de tels systèmes et de tels procédés. [0006] Dans de tels systèmes, il peut être nécessaire d'ouvrir la chambre de réaction à l'air libre afin de remplir la source de gallium liquide. D'autre part, dans de tels systèmes, il peut ne pas être possible de nettoyer la chambre de réaction in situ. [0007] Pour résoudre ces problèmes, des procédés et des systèmes ont été mis au point, qui utilisent une source externe d'un précurseur GaC13 qui est directement injecté dans la chambre de réaction. Des exemples de tels procédés et de tels systèmes sont décrits, par exemple, dans la publication de la demande de brevet US N° US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et autres. BREF RÉSUMÉ DE L'INVENTION [0008] Ce résumé de l'invention a pour but de présenter une sélection de concepts sous une forme simplifiée, lesdits concepts étant décrits par ailleurs dans la description de l'invention qui suit sous la forme de modes de réalisation fournis à titre d'exemples. Le présent résumé de l'invention ne vise T. 4 pas à identifier des caractéristiques clés ou des caractéristiques essentielles de l'objet revendiqué, et il ne vise pas non plus à limiter la portée de l'objet revendiqué. [0009] Dans certains modes de réalisation, la présente invention se rapporte à des systèmes de dépôt. Les systèmes de dépôt comprennent une chambre de réaction ayant une ou plusieurs parois de chambre. Au moins un émetteur de rayonnement thermique est configuré de façon à émettre un rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre et dans une région intérieure de la chambre de réaction. Le rayonnement thermique peut comprendre des longueurs d'ondes à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes dans au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique. La au moins une paroi de chambre au travers de laquelle le rayonnement thermique est transmis comprend un matériau transparent qui est au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes. Les systèmes de dépôt selon l'invention comprennent par ailleurs au moins un dispositif de métrologie comprenant un capteur. Le capteur est placé à l'extérieur de la chambre de réaction et orienté et configuré de façon à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique passant d'un intérieur de la chambre de réaction à un extérieur de la chambre de réaction. Le signal de rayonnement électromagnétique peut comprendre une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes dans laquelle le rayonnement thermique est émis. Au moins un volume du matériau opaque est placé de sorte à empêcher au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le "V s au moins un émetteur de rayonnement thermique d'être détectée par le capteur du au moins un dispositif de métrologie. Le matériau opaque est opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes dans laquelle le rayonnement thermique est émis. [0010] Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des procédés de fabrication de systèmes de dépôt. Au moins un émetteur de rayonnement thermique peut être placé à l'extérieur de et à proximité d'une chambre de réaction comprenant une ou plusieurs parois de chambre. Le au moins un émetteur de rayonnement thermique peut être orienté de façon à émettre un rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre et dans une région intérieure de la chambre de réaction. Le au moins un émetteur de rayonnement thermique peut comprendre un émetteur configuré de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique. La au moins une paroi de chambre au travers de laquelle le rayonnement thermique est émis peut être sélectionnée de sorte à comprendre un matériau transparent qui est au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes dans laquelle le rayonnement thermique est émis. Un capteur d'au moins un dispositif de métrologie peut être placé à l'extérieur de et à proximité de la chambre de réaction. Le capteur peut être orienté de sorte à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique passant d'un intérieur de la chambre de réaction à un extérieur de la chambre de réaction. Le capteur peut être sélectionné de sorte à comprendre un capteur qui est configuré de façon à détecter le signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes dans laquelle le rayonnement thermique est émis par le ou les émetteurs de rayonnement thermique. Au moins un volume de matériau opaque est placé à un endroit qui empêche au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le au moins un émetteur de rayonnement thermique d'être détectée par le capteur du au moins un dispositif de métrologie. Le matériau opaque peut être sélectionné de sorte à comprendre un matériau opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes dans laquelle le rayonnement thermique est émis. [0011] Dans d'autres modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des procédés de dépôt de matériau sur des substrats de pièces à travailler utilisant les systèmes de dépôt. Au moins un substrat de pièce à travailler peut être placé dans une région intérieure d'une chambre de réaction. Un rayonnement thermique peut être émis dans la région intérieure de la chambre de réaction à partir d'au moins un émetteur de rayonnement thermique placé à l'extérieur de la chambre de réaction au travers d'au moins une partie d'une ou de plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction. La une ou les plusieurs parois de chambre au travers desquelles le rayonnement thermique est émis peut (peuvent) comprendre un matériau transparent qui est transparent au rayonnement thermique. Au moins un gaz de transformation peut être introduit dans la chambre de réaction. Au moins un du substrat de pièce à travailler et du au moins un gaz de transformation peut être chauffé par le rayonnement thermique. Un matériau peut être déposé sur le au moins un substrat de pièce à travailler à partir du au moins un gaz de transformation. Un capteur d'au moins un dispositif de métrologie peut être utilisé dans le but de détecter un signal de rayonnement électromagnétique représentatif d'au moins une caractéristique du substrat de pièce à travailler. Le capteur peut être placé à l'extérieur de et à proximité de la chambre de réaction. Le signal de rayonnement électromagnétique détecté par le capteur peut passer, de l'intérieur de la chambre de réaction jusqu'au capteur, au travers d'une ou de plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction qui sont transparentes au signal de rayonnement électromagnétique. Le capteur peut être protégé contre au moins une partie du rayonnement thermique émis par l'émetteur de rayonnement thermique au moyen d'au moins un volume de matériau opaque. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS [0012]La présente invention ressortira plus clairement à la lecture de la description détaillée qui suit de modes de réalisation fournis à titre d'exemples de l'invention, qui sont illustrés sur les dessins annexés, sur lesquels : [0013] la figure 1 est une vue en perspective éclatée qui illustre de façon schématique un mode de réalisation fourni à titre d'exemple d'un système de dépôt comprenant un volume de matériau opaque utilisé 30 dans le but de protéger un capteur d'un dispositif de métrologie contre un rayonnement thermique émis par un émetteur de rayonnement thermique du système de dépôt ; [0014] la figure 2 est une vue en perspective partielle du système de dépôt montré sur la figure 1 ; [0015] les figures 3A à 3B sont des graphiques simplifiés et illustrés de façon schématique, qui sont utilisés pour illustrer des relations entre les longueurs d'ondes du rayonnement thermique émis par les 5 émetteurs de rayonnement thermique du système de dépôt illustré sur les figures 1 et 2, et la transmissivité du matériau transparent (voir figure 3B) et du matériau opaque (voir figure 3C), en fonction d'une longueur d'onde de divers composants du système de dépôt 10 illustré sur les figures 1 et 2. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION [0016]Les illustrations proposées dans le présent 15 document ne tendent pas à représenter des vues réelles d'un système, d'un composant ou d'un dispositif particulier mais elles tendent à représenter plutôt des vues idéalisées qui sont employées pour décrire des modes de réalisation de la présente invention. 20 [0017]Tel qu'il est employé dans ce document, le terme « matériau semi-conducteur III-V » désigne et comprend n'importe quel matériau semi-conducteur comprenant au moins de façon prédominante un ou plusieurs éléments appartenant au groupe IIIA de la 25 table périodique des éléments (B, Al, Ga, In et Ti) et un ou plusieurs éléments appartenant au groupe VA de la table périodique des éléments (N, P, As, Sb et Bi). Par exemple, des matériaux semi-conducteurs III-V comprennent les éléments suivants, mais ne se limitent 30 pas à eux : GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AIN, AlP, AlAs, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. [0018]Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « gaz » comprend des gaz (en d'autres termes, des fluides qui n'ont ni forme ni 35 volume indépendants) et des vapeurs (en d'autres termes, des gaz qui contiennent en eux, une matière liquide ou solide diffusée, en suspension), les termes « gaz » et « vapeur » étant utilisés comme des synonymes dans le présent document. [0019] La figure 1 illustre un exemple d'un système de dépôt 100 selon la présente invention. Le système de dépôt 100 comprend une chambre de réaction au moins sensiblement encloisonnée 102, au moins un émetteur de rayonnement thermique 104, un dispositif de métrologie 106, et un volume de matériau opaque (non représenté sur la figure 1) qui est configuré et placé de sorte à protéger un capteur 108 du dispositif de métrologie 106 contre au moins une partie d'un rayonnement émis par l'émetteur de rayonnement thermique 104. Ces composants du système de dépôt 100 vont maintenant être décrits de façon plus détaillée dans ce qui suit. Dans certains modes de réalisation, le système de dépôt 100 peut comprendre un système CVD et il peut comprendre un système de dépôt VPE (par exemple, un système de dépôt HVPE). [0020]La chambre de réaction 102 peut comprendre une ou plusieurs parois de chambre. Par exemple, les parois de la chambre peuvent comprendre : une paroi supérieure orientée horizontalement 124 ; une paroi inférieure orientée horizontalement 126 ; et une ou plusieurs parois latérales orientées verticalement 128 qui s'étendent entre la paroi supérieure 124 et la paroi inférieure 126. [0021] Le système de dépôt 100 peut comprendre par ailleurs : un dispositif d'injection de gaz 130 utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz de transformation dans la chambre de réaction 102 ; et un sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132 utilisé pour évacuer des gaz de transformation à l'extérieur de la chambre de réaction 102, et pour charger des substrats à l'intérieur de la chambre de réaction 102 et pour décharger des substrats hors de la chambre de réaction 102. Le dispositif d'injection de gaz 130 peut être configuré de façon à injecter un ou plusieurs gaz de transformation au travers d'une ou plusieurs des parois latérales 128 de la chambre de réaction 102. [0022] Dans certains modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut avoir la forme géométrique d'un prisme rectangulaire allongé, comme montré sur la 10 figure 1. Dans certains autres modes de réalisation de l'invention, le dispositif d'injection de gaz 132 peut être placé à une première extrémité de la chambre de réaction 102, et le sous-ensemble de chargement et d'évacuation peut être placé à une seconde extrémité 15 opposée de la chambre de réaction 102. Dans d'autres modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut avoir une autre forme géométrique. [0023]Le système de dépôt 100 comprend une structure support de substrat 134 (par exemple, un 20 suscepteur), configuré de façon à supporter un ou plusieurs substrats de pièces à travailler 136 sur lesquels on souhaite déposer ou autrement placer un matériau semi-conducteur à l'intérieur du système de dépôt 100. Par exemple, le un ou les plusieurs 25 substrats de pièces à travailler 136 peuvent comprendre des puces ou des tranches. Comme montré sur la figure 1, la structure support de substrat 134 peut être couplée à une fusée 139, qui peut être couplée (par exemple, couplée directement et structurellement, 30 couplée magnétiquement, etc.) à un dispositif de commande d'entraînement (non représenté), comme un moteur électrique par exemple, qui est configuré de façon à commander une rotation de la fusée 139 et, partant, de la structure support de substrat 134 à 35 l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0024] Le système de dépôt 100 comprend par ailleurs un système d'écoulement de gaz qui est utilisé pour réguler l'écoulement de gaz de transformation dans la chambre de réaction 102. Par exemple, le système de dépôt 100 peut comprendre : au moins un dispositif d'injection de gaz 130 adapté pour injecter un ou plusieurs gaz de transformation dans la chambre de réaction 102 à une première position 103A ; et un dispositif à dépression 133 adapté pour aspirer le un ou les plusieurs gaz de transformation dans la chambre de réaction 102, de la première position 103A à une seconde position 103B, et pour évacuer le un ou les plusieurs gaz de transformation hors de la chambre de réaction 102 à la seconde position 103B. Le dispositif d'injection de gaz 130 peut comprendre, par exemple, un collecteur d'injection de gaz comprenant des raccords configurés de façon à se coupler à des conduits qui acheminent un ou plusieurs gaz de transformation depuis des sources de gaz de transformation. [0025] En continuant de se référer à la figure 1, le système de dépôt 100 peut comprendre cinq conduits d'amenée de gaz 140A à 140E qui acheminent des gaz depuis des sources de gaz de transformation respectives 142A à 142E jusqu'au dispositif d'injection de gaz 130. En option, des vannes de gaz (141A à 141E) peuvent être utilisées afin de réguler l'écoulement de gaz sélectivement dans les conduits d'amenée de gaz 140A à 140E, respectivement. [0026] Dans certains modes de réalisation, au moins une des sources de gaz 142A à 142E peut comprendre une source externe d'au moins un de Ga013, de InCl3 ou de AlC13, comme décrit dans la publication de la demande de brevet N° US 2009/0223442 Al. Les gaz GaC13, InC13 et AlC13 peuvent exister sous la forme d'un dimère comme, par exemple, du Ga2C16, du In2Cl6 et du Al2C16, respectivement. De ce fait, au moins une des sources de gaz 142A à 142F peut comprendre un dimère comme, par exemple, du Ga2C16, du In2Cl6 ou du Al2C16. [0027] Dans des modes de réalisation dans lesquels une ou plusieurs des sources de gaz 142A à 142E est, ou comprend, une source de GaC13, la source de GaC13 peut comprendre un réservoir de GaC13 liquide maintenu à une température d'au moins 100 °C (par exemple, environ 130 °C), et elle peut aussi comprendre des moyens physiques adaptés pour améliorer le taux d'évaporation du GaC13 liquide. Ces moyens physiques peuvent comprendre, par exemple : un dispositif configuré de façon à agiter le GaC13 liquide ; un dispositif configuré de façon à vaporiser le GaC13 liquide ; un dispositif configuré de façon à amener un gaz porteur à s'écouler rapidement sur le GaC13 liquide ; un dispositif configuré de façon à amener un gaz porteur à faire des bulles dans le GaC13 liquide ; un dispositif configuré de façon à disperser le GaC13 liquide par ultrasons, un dispositif piézoélectrique par exemple ; et similaires. A titre d'exemple non limitatif, un gaz porteur : du He, du N2, du H2 ou du Ar par exemple, peuvent être amenés à faire des bulles dans le GaC13 liquide, tandis que le GaC13 liquide est maintenu à une température d'au moins 100 °C, de telle sorte que le gaz source peut comprendre un ou plusieurs gaz porteurs dans lesquels un gaz précurseur est acheminé. [0028] Dans certains modes de réalisation de l'invention, la température des conduits d'amenée de gaz 140A à 140E peut être régulée entre les sources de gaz 142A à 142E et la chambre de réaction 102. Les températures des conduits d'amenée de gaz 140A à 140E et des capteurs de débit massique et des contrôleurs associés, et similaires, peuvent augmenter progressivement, depuis une première température (par exemple, environ 100 °C ou plus) à la sortie des sources de gaz respectives 142A à 142E jusqu'à une seconde température (par exemple, environ 150 °C ou moins) au point d'entrée dans la chambre de réaction 102 dans le but de prévenir une condensation des gaz (par exemple, de la vapeur de GaC13 ) dans les conduits d'amenée de gaz 140A à 140E. En option, la longueur des conduits d'amenée de gaz 140A à 140E entre les sources de gaz respectives 142A à 142E et la chambre de réaction 102 peut être d'environ trois pieds (91,50 cm environ) ou moins, d'environ deux pieds (61 cm environ) ou moins, voire même d'environ un pied (30,48 cm) ou moins. La pression des gaz sources peut être régulée au moyen d'un ou de plusieurs systèmes de régulation de pression. [0029] Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, le système de dépôt 100 peut comprendre moins de cinq (par exemple, de un à quatre) conduits d'amenée de gaz et sources de gaz respectives, ou bien le système de dépôt 100 peut comprendre plus de cinq (par exemple, six, sept, etc.) conduits d'amenée de gaz et sources de gaz respectives. [0030] Le un ou les plusieurs conduits d'amenée de gaz 140A à 140E s'étendent jusqu'au dispositif d'injection de gaz 130. Le dispositif d'injection de gaz 130 peut comprendre un ou plusieurs blocs de matériau au travers desquels les gaz de transformation sont acheminés dans la chambre de réaction 102. Un ou plusieurs conduits de refroidissement 131 peuvent s'étendre au travers des blocs de matériau. Un fluide de refroidissement peut être amené à s'écouler au travers du un ou des plusieurs conduits de refroidissement 131 de sorte à maintenir le gaz ou les gaz qui s'écoulent au travers du dispositif d'injection de gaz 130 par le biais des conduits d'amenée de gaz 140A à 140E, à l'intérieur d'une plage de température souhaitable durant un fonctionnement du système de dépôt 100. Par exemple, il peut être souhaitable de maintenir le gaz ou les gaz qui s'écoulent au travers du dispositif d'injection de gaz 130 par le biais des conduits d'amenée de gaz 140A à 140E, à une température de moins de 200 °C environ (par exemple, environ 150 °C) durant un fonctionnement du système de dépôt 100. [0031] En option, le système de dépôt 100 peut comprendre un four intérieur à gaz précurseur 138, comme décrit dans la demande de brevet provisoire américaine N° de série 61/526,143, qui a été enregistrée le 22 août 2011 au nom de Bertram et autres, et intitulée « SYSTÈMES DE DÉPÔT COMPRENANT UN FOUR À GAZ PRÉCURSEUR À L'INTÉRIEUR D'UNE CHAMBRE DE RÉACTION, ET PROCÉDÉS CONNEXES. » [0032] En continuant de se référer à la figure 1, le sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132 peut comprendre une chambre à vide 194 dans laquelle des gaz qui s'écoulent dans la chambre de réaction 102 sont aspirés par un vide à l'intérieur de la chambre à vide 194 et évacués hors de la chambre de réaction 102. Le vide à l'intérieur de la chambre à vide 194 est créé par le dispositif à dépression 133. Comme montré sur la figure 1, la chambre à vide 194 peut être placée en dessous de la chambre de réaction 102. [0033] Le sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132 peut comprendre par ailleurs un dispositif d'émission de rideau de gaz de drainage 196 qui est configuré et orienté de sorte à assurer une interception globalement planaire de gaz de drainage en cours d'écoulement, qui s'écoulent hors du dispositif d'émission de rideau de gaz de drainage 196 et jusque dans la chambre à vide 194. Le sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132 peut aussi comprendre une porte d'accès 188, qui peut être sélectivement ouverte pour charger et/ou décharger des substrats de pièces à travailler 136 depuis la structure support de substrat 134, et qui peut être sélectivement fermée pour traiter les substrats de pièces à travailler 136 au moyen du système de dépôt 100. Dans certains modes de réalisation de l'invention, la porte d'accès 188 peut comprendre au moins une plaque configurée de façon à se déplacer entre une première position fermée et une seconde position ouverte. Dans certains modes de réalisation de l'invention, la porte d'accès 188 peut s'étendre au travers d'une paroi latérale de la chambre de réaction 102. [0034] La chambre de réaction 102 peut être au moins sensiblement encloisonnée, et un accès à la structure support de substrat 134 via la porte d'accès 188 peut être empêché quand la plaque de la porte d'accès 188 est dans la première position fermée. Un accès à la structure support de substrat 134 peut être rendue possible via la porte d'accès 188 quand la plaque de la porte d'accès 188 est dans la seconde position ouverte. [0035] Le rideau de gaz de drainage émis par le dispositif d'émission de rideau de gaz de drainage 196 peut réduire ou prévenir l'écoulement de gaz hors de la chambre de réaction 102 durant un chargement et/ou un déchargement de substrats de pièces à travailler 136. [0036] Des sous-produits gazeux, des gaz porteurs 30 et des gaz précurseurs en excédent peuvent être évacués hors de la chambre de réaction 102 par le biais du sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132. [0037]Le système de dépôt 100 peut comprendre une pluralité d'émetteurs de rayonnement thermique 104, 35 comme illustré sur la figure 1. Les émetteurs de rayonnement thermique 104 sont configurés de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique. Par exemple, les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent comprendre des lampes thermiques (non représentées) configurées de façon à émettre de l'énergie thermique sous forme de rayonnement électromagnétique. [0038] Dans certains modes de réalisation de l'invention, les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être placés à l'extérieur de et en dessous de la chambre de réaction 102, adjacents à la paroi inférieure 126. Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être placés en dessus de la chambre de réaction 102 adjacents à la paroi supérieure 124, à côté de la chambre de réaction 102 adjacents à une ou plusieurs parois latérales 128, ou à une combinaison de ces positions. [0039] Les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être agencés en une pluralité de rangées d'émetteurs de rayonnement thermique 104, qui peuvent être commandés indépendamment les uns des autres. En d'autres termes, l'énergie thermique émise par chaque rangée d'émetteurs de rayonnement thermique 104 peut être contrôlée de façon indépendante. Les rangées peuvent être orientées dans le sens transversal par rapport à la direction de l'écoulement net des gaz dans la chambre de réaction 102, ce qui correspond à la direction allant de la gauche vers la droite sur la vue en perspective de la figure 1. De ce fait, les rangées d'émetteurs de rayonnement thermique 104 commandés indépendamment les uns des autres, peuvent être utilisées pour fournir un gradient thermique sélectionné à l'intérieur de la chambre de réaction 102, lorsque cela est souhaité. [0040] Les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être placés à l'extérieur de la chambre de réaction 102 et configurés de façon à émettre un rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de chambre de la chambre de réaction 102 et dans une région intérieure de la chambre de réaction 102. De ce fait, au moins une partie des parois de la chambre au travers de laquelle le rayonnement thermique doit passer dans la chambre de réaction 102 peut comprendre un matériau transparent, de sorte à permettre une transmission efficace du rayonnement thermique dans la région intérieure de la chambre de réaction 102. Le matériau transparent peut être transparent, dans le sens où le matériau peut être au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique à des longueurs d'ondes correspondant au rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104. Par exemple, au moins 80 % environ, au moins 90 % environ, voire même au moins 95 % environ d'au moins une plage des longueurs d'ondes du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 qui viennent frapper sur le matériau transparent peuvent passer au travers du matériau transparent et dans la région intérieure de la chambre de réaction 102. [0041] À titre d'exemple non limitatif, le matériau transparent peut comprendre un matériau céramique réfractaire transparent, comme du quartz transparent par exemple (en d'autres termes, du dioxyde de silicium (Si02)). Le quartz transparent peut être de la silice fondue (verre de quartz) et il peut avoir une microstructure amorphe. Dans d'autres modes de ,% - réalisation supplémentaires de la présente invention, tout autre matériau réfractaire, qui est stable tant physiquement que chimiquement aux températures et dans les environnements auxquels le matériau est soumis 5 durant des processus de dépôt réalisés au moyen du système de dépôt 100, et qui est suffisamment transparent au rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104, peut être utilisé pour former une ou plusieurs des parois de la 10 chambre du système de dépôt 100. [0042]Comme montré sur la figure 1, dans certains modes de réalisation de l'invention, les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être placés à l'extérieur de et en dessous de la chambre de réaction 15 102, adjacents à la paroi inférieure 126 de la chambre de réaction 102. Dans de tels modes de réalisation, la paroi inférieure 126 peut comprendre un matériau transparent, comme du quartz transparent par exemple, de sorte à permettre une transmission du rayonnement 20 thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 dans la région intérieure de la chambre de réaction 102, comme on l'a vu dans ce qui précède. Bien entendu, les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être placés adjacents à d'autres parois de 25 chambre de la chambre de réaction 102 et au moins une partie de ces parois de chambre peuvent également comprendre un matériau transparent, comme décrit dans le présent document. [0043] Comme on l'a vu dans ce qui précède, le 30 système de dépôt 100 peut comprendre un ou plusieurs dispositifs de métrologie 106 adaptés pour détecter et/ou pour mesurer une ou plusieurs caractéristiques du substrat d'une pièce à travailler 136, ou un matériau déposé sur le substrat de pièce à travailler 136, in 35 situ dans la région intérieure de la chambre de réaction 102. Le un ou les plusieurs dispositifs de métrologie 106 peuvent comprendre, par exemple, un ou plusieurs d'un réflectomètre, d'un déflectomètre et d'un pyromètre. Des réflectomètres sont souvent utilisés dans l'art pour mesurer, par exemple, un taux de croissance et/ou une topographie d'un matériau qui est déposé sur le substrat de pièce à travailler 136 dans la chambre de réaction 102. Des déflectomètres sont souvent utilisés dans l'art pour mesurer une planarité ou une non planarité (par exemple, un cintrage) du substrat de pièce à travailler 136 (et/ou un matériau qui est déposé sur celui-ci). Des pyromètres sont souvent utilisés dans l'art pour mesurer une température du substrat de pièce à travailler 136 à l'intérieur de la chambre de réaction 102. De tels dispositifs de métrologie 106 comprennent un ou plus capteurs 108 adaptés pour détecter et/ou mesurer un rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes prédéterminées de sorte à effectuer leurs mesures respectives. Dans certains de ces dispositifs de métrologie 106, le rayonnement électromagnétique devant être reçu et détecté peut également être émis par le dispositif de métrologie 106. En d'autres termes, le dispositif de métrologie 106 peut émettre un rayonnement électromagnétique vers le substrat de pièce à travailler 136, et détecter ensuite le rayonnement électromagnétique émis après qu'il a été réfléchi, défléchi, ou autrement affecté par le substrat de pièce à travailler 136. [0044] Le un ou les plusieurs dispositifs de métrologie 106 et leurs capteurs associés 108 peuvent être placés à l'extérieur de la chambre de réaction 102. Les capteurs 108 peuvent être orientés et configurés de façon à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique passant d'un intérieur de la chambre de réaction 102 à un extérieur de la chambre de réaction 102. Par exemple, comme montré sur la figure 1, le un ou les plusieurs dispositifs de métrologie 106 et leurs capteurs associés 108 peuvent être placés en dessus de la chambre de réaction 102 adjacents à la paroi supérieure 124. Dans de telles configurations, les capteurs 108 peuvent être orientés et configurés de façon à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique passant au travers de la paroi supérieure 124, depuis l'intérieur de la chambre de réaction 102 vers l'extérieur de la chambre de réaction 102. De ce fait, au moins la partie de la paroi de la chambre (par exemple, la paroi supérieure 124) au travers de laquelle le signal de rayonnement électromagnétique passe pour atteindre les capteurs 108 peut être au moins sensiblement transparente à la longueur d'onde ou aux longueurs d'ondes d'un rayonnement électromagnétique correspondant au signal de rayonnement électromagnétique devant être reçu par les capteurs 108. Comme on l'a vu dans ce qui précède, au moins la partie de la paroi de la chambre au travers de laquelle le signal de rayonnement électromagnétique passe pour atteindre les capteurs 108 peut comprendre un matériau transparent, du quartz transparent par exemple. [0045] La longueur d'onde ou les longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique correspondant au signal de rayonnement électromagnétique devant être reçu par les capteurs 108 peut (peuvent) se situer à l'intérieur d'au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique, et cette longueur d'onde ou ces longueurs d'ondes peut (peuvent) se situer à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique correspondant au s 21 rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104. Par voie de conséquence, un rayonnement électromagnétique parasite émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 peut être reçu et détecté par les capteurs 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106, ce qui peut conduire à la création de bruit dans le signal de rayonnement électromagnétique détecté, et ce qui peut affecter négativement la capacité à obtenir des mesures précises au moyen du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106. Par ailleurs, dans certains cas, les parois de chambre de la chambre de réaction 102 peuvent servir à réfléchir et à guider le rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 vers les capteurs 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106. [0046] Dans ces conditions, selon des modes de réalisation de la présente invention, le système de dépôt 100 peut comprendre par ailleurs un ou plusieurs volumes de matériau opaque placés sélectivement de sorte à empêcher au moins une partie du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 d'être détectée par le capteur 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106. Le matériau opaque peut être opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes correspondant aux longueurs d'ondes du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104. En d'autres termes, le matériau opaque peut être opaque à au moins une partie du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104. Par exemple, 25 % environ ou moins, 15 % environ ou moins, voire même 5 % environ ou moins d'au moins une plage des longueurs d'ondes du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 qui viennent frapper sur un échantillon d'un millimètre d'épaisseur du matériau opaque peuvent passer au travers de l'échantillon de matériau opaque. [0047] À titre d'exemple non limitatif, le matériau opaque peut comprendre un matériau céramique réfractaire opaque, comme du quartz opaque par exemple (en d'autres termes, du dioxyde de silicium (SiO2)). Le quartz opaque peut être de la silice fondue (verre de quartz) et il peut avoir une microstructure amorphe. Dans certains modes de réalisation de l'invention, le quartz peut comprendre des micro vides (en d'autres termes, des bulles) ou toute autre inclusion qui rend le quartz opaque. Dans des modes de réalisation de la présente invention, tout autre matériau réfractaire, qui est stable tant physiquement que chimiquement aux températures et dans les environnements auxquels le matériau est soumis durant des processus de dépôt réalisés au moyen du système de dépôt 100, et qui est suffisamment opaque au rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104, peut être utilisé en tant que le matériau opaque. [0048] Comme montré sur la figure 1, dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs corps opaques 148 comprenant chacun un volume d'un tel matériau opaque peuvent être placés dans la région intérieure de la chambre de réaction 102. Dans certains modes de réalisation de l'invention, le un ou les plusieurs corps opaques 148 peuvent comprendre des structures globalement planaires en forme de plaques. Dans de tels modes de réalisation, les structures globalement planaires en forme de plaques peuvent être orientées horizontalement de sorte à s'étendre dans un sens globalement parallèle à la paroi supérieure 124 et à la paroi inférieure 126, comme montré sur la figure 1. Le un ou les plusieurs corps opaques 148 peuvent être placés entre la paroi supérieure 124 et la paroi inférieure 126, et ils peuvent être placés et orientés de sorte à protéger le capteur ou les capteurs 108 contre au moins une partie du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104. Par exemple, un corps opaque globalement planaire en forme de plaque 148 peut être placé en dessus du four intérieur à gaz précurseur 148, à proximité du dispositif d'injection de gaz 130, et d'autres corps opaques supplémentaires globalement planaires en forme de plaques 138 peuvent être placés à proximité du sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132, comme montré sur la figure 1. [0049] D'autre part, au moins une partie d'une ou de plusieurs des parois de la chambre peut comprendre un volume de matériau opaque. Par exemple, la figure 2 est une vue en perspective simplifiée du système de dépôt 100 montré sur la figure 1. Un matériau opaque est illustré par des parties grisées remplies de petits points sur la figure 2 afin de faciliter la représentation de régions opaques des parois de la chambre. [0050] Comme montré sur la figure 2 et en continuant de se référer à la figure 1, au moins une partie d'une ou de plusieurs des parois latérales 128 peut comprendre un matériau opaque. De telles parois latérales 128 peuvent comprendre les parois latérales 128 qui s'étendent longitudinalement le long de la chambre de réaction 102 entre le dispositif d'injection de gaz 130 et le sous-ensemble de chargement et d'évacuation 132. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 2, les parois latérales 128 qui s'étendent longitudinalement le long de la chambre de 35 réaction 102 sont entièrement formées de matériau opaque. Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, seulement une partie des parois latérales 128 peut comprendre un matériau opaque. [0051]Comme mentionné dans ce qui précède, les capteurs 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106 peuvent être placés à l'extérieur de la chambre de réaction 102 adjacents à une paroi de chambre de la chambre de réaction 102. La paroi de chambre adjacente aux capteurs 108 peut comprendre une ou plusieurs parties transparentes, qui peuvent définir des fenêtres au travers desquelles un signal de rayonnement électromagnétique peut passer avant de venir frapper sur un capteur 108, ainsi qu'une ou plusieurs parties opaques qui protègent le capteur 108 contre un rayonnement électromagnétique parasite émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré sur la figure 2, les capteurs 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106 (figure 1) sont placés adjacents à la paroi supérieure 124. La paroi supérieure 124 comprend un volume 150 de matériau opaque et des fenêtres transparentes 152 qui s'étendent au travers du volume 150 de matériau opaque. Dans ces conditions, un signal de rayonnement électromagnétique peut passer au travers des fenêtres transparentes 152 et venir frapper sur les capteurs 108, et le volume 150 de matériau opaque peut protéger les capteurs 108 contre un rayonnement électromagnétique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 (figure 1). [0052]Les volumes de matériau opaque des parois de la chambre peuvent être des parties intégrales des parois de la chambre ou bien ils peuvent comprendre, par exemple, des plaques ou d'autres corps de matériau opaque qui sont simplement placés adjacents, et éventuellement collés, aux parois respectives de la , chambre. À titre d'exemple non limitatif, le volume 150 de matériau opaque de la paroi supérieure 124 peut comprendre une structure globalement planaire en forme de plaque formée de matériau opaque et ayant des 5 ouvertures qui s'étendent à travers elles pour définir ainsi les fenêtres 152. La structure en forme de plaque peut être placée sur, et éventuellement collée à, une autre structure transparente globalement planaire en forme de plaque formée de matériau transparent, qui 10 forme une partie restante de la paroi supérieure 124. [0053]Les figures 3A à 3C sont des graphiques utilisés pour illustrer des modes de réalisation de la présente invention. La figure 3A est un graphique simplifié et illustré de façon schématique, qui montre 15 un exemple d'un spectre d'émission pour le rayonnement thermique qui peut être émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 (figure 1). En d'autres termes, la figure 3A est un graphique de l'intensité du rayonnement thermique émis en fonction d'une longueur 20 d'onde du rayonnement thermique émis. Les longueurs d'ondes représentées sur la figure 3A (ainsi que sur les figures 3B et 3C) s'étendent depuis la région visible (par exemple, depuis environ 380 nm à environ 760 nm) et jusque dans la région infrarouge (par 25 exemple, depuis environ 750 nm à environ 1,0 mm) du spectre de rayonnement électromagnétique. La figure 3B est un graphique du pourcentage de rayonnement électromagnétique qui est transmis au travers d'un échantillon d'un millimètre d'épaisseur du matériau 30 transparent d'une ou de plusieurs des parois de la chambre, comme on l'a vu dans ce qui précède, en fonction d'une longueur d'onde sur la même plage de longueurs d'ondes que celle représentée sur la figure 3A. D'une façon similaire, la figure 3C est un 35 graphique du pourcentage de rayonnement électromagnétique qui est transmis au travers d'un échantillon d'un millimètre d'épaisseur d'un matériau opaque, comme on l'a vu dans ce qui précède, en fonction d'une longueur d'onde sur la même plage de longueurs d'ondes que celle représentée sur les figures 3A et 3B. [0054] En se référant à la figure 3A, selon des modes de réalisation de la présente invention, une plage de longueurs d'ondes peut être définie comme une plage qui s'étend depuis une première longueur d'onde Al à une seconde longueur d'onde À2, à l'intérieur de laquelle les émetteurs de rayonnement thermique 104 (figure 1) peuvent être configurés de façon à émettre un rayonnement thermique. Les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent aussi émettre un rayonnement thermique à des longueurs d'ondes à l'extérieur de la plage de longueurs d'ondes entre la première longueur d'onde Al et la seconde longueur d'onde 212, mais le rayonnement thermique est émis sur des longueurs d'ondes qui comprennent les longueurs d'ondes entre la première longueur d'onde Al et la seconde longueur d'onde 212. Le capteur 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106 (figure 1) peut être orienté et configure de façon à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes de signal prédéterminées, comme la longueur d'onde de signal À montrée sur la figure 3A par exemple, qui se situe à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes qui s'étend entre la première longueur d'onde Al et la seconde longueur d'onde 212. [0055] Comme mentionné dans ce qui précède, les émetteurs de rayonnement thermique 104 (figure 1) peuvent être configurés de façon à émettre le rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de la chambre et dans une région intérieure de la chambre de réaction 102. La au moins une paroi de chambre au travers de laquelle le rayonnement thermique est transmis peut comprendre un matériau transparent qui est au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique à au moins les longueurs d'ondes de rayonnement se situant dans la plage qui s'étend depuis la première longueur d'onde À1 à la seconde longueur d'onde 212. Par exemple, la figure 3B est un graphique du pourcentage de rayonnement électromagnétique qui est transmis au travers d'un échantillon d'un millimètre d'épaisseur du matériau transparent de la une ou des plusieurs parois de la chambre au travers desquelles le rayonnement thermique est transmis, en fonction d'une longueur d'onde. Comme montré sur la figure 3B, la transmittance moyenne du matériau transparent peut être d'au moins 80 % environ sur la plage des longueurs d'ondes qui s'étend depuis la première longueur d'onde 2\1 à la seconde longueur d'onde À 2 - Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, une transmittance moyenne du matériau transparent peut être d'au moins 90 % environ, voire même d'au moins 95 % environ, sur la plage des longueurs d'ondes qui s'étend depuis la première longueur d'onde 1\1 à la seconde longueur d'onde 212. [0056] De plus, comme mentionné dans ce qui précède, le au moins un volume de matériau opaque du système de dépôt 100 qui est utilisé dans le but de protéger le capteur ou les capteurs 108 du un ou des 30 plusieurs dispositifs de métrologie 106 contre au moins une partie du rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement thermique 104 (figure 1) peut être opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de 35 longueurs d'ondes qui s'étend depuis la première longueur d'onde Ài à la seconde longueur d'onde 212. Par exemple, la figure 3C est un graphique du pourcentage de rayonnement électromagnétique qui est transmis au travers d'un échantillon d'un millimètre d'épaisseur du 5 matériau opaque de la une ou des plusieurs parois de la chambre au travers desquelles le rayonnement thermique est transmis, en fonction d'une longueur d'onde. Comme montré sur la figure 3C, la transmittance moyenne du matériau opaque peut être de 25 % environ ou moins sur 10 la plage des longueurs d'ondes qui s'étend depuis la première longueur d'onde X1 à la seconde longueur d'onde 112. Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, la transmittance moyenne du matériau opaque peut être de 15 % environ ou 15 moins, voire même de 5 % environ ou moins, sur la plage des longueurs d'ondes qui s'étend depuis la première longueur d'onde À1 à la seconde longueur d'onde X2. [0057] Dans certains modes de réalisation de l'invention, les conditions décrites dans ce qui 20 précède peuvent être remplies quand la première longueur d'onde À1 et la seconde longueur d'onde 2\2 sont définies de telle sorte que la zone en dessous de la courbe du spectre d'émission pour le rayonnement thermique émis par les émetteurs de rayonnement 25 thermique 104 (semblable à celle montrée sur la figure 3A) englobe au moins 50 % environ, au moins 60 % environ, voire même au moins 70 % environ de la zone totale en dessous de la section de la courbe du spectre d'émission à l'intérieur de la région visible et de la 30 région infrarouge du spectre de rayonnement électromagnétique (en d'autres termes, de 380 nm à 1,0 mm). [0058] Des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention comprennent des procédés de fabrication et d'utilisation des systèmes de dépôt décrits dans le présent document. [0059] Par exemple, en se référant à nouveau aux figures 1 et 2, un système de dépôt 100 peut être formé en plaçant un ou plusieurs émetteurs de rayonnement thermique 104 à l'extérieur de et à proximité d'une chambre de réaction 102 comprenant une ou plusieurs parois de chambre. Les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être orientés de sorte à émettre un rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de chambre et dans une région intérieure de la chambre de réaction 102. Les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent être sélectionnés de sorte à comprendre un émetteur configuré de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique. La plage de longueurs d'ondes peut s'étendre depuis une première longueur d'onde Al à une seconde longueur d'onde 212, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence aux figures 3A à 3C. [0060] Au moins une des parois de la chambre peut être sélectionnée de sorte à comprendre un matériau transparent qui est au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 3B. [0061] Un capteur 108 d'au moins un dispositif de métrologie 106 peut être placé à l'extérieur de et à proximité de la chambre de réaction 102, et le capteur 108 peut être orienté de sorte à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique passant d'un intérieur de la chambre de réaction 102 à un extérieur de la chambre de réaction 102. Par ailleurs, le capteur 108 peut être sélectionné de telle sorte que le capteur 108 soit configuré de façon à détecter le signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes, comme la longueur d'onde de signal Xs décrite dans le présent document en référence aux figures 3A à 3C. [0062] Au moins un volume de matériau opaque peut être placé à une position qui empêche au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le un ou les plusieurs émetteurs de rayonnement thermique 104 d'être détectée par le capteur 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106. Le matériau opaque peut être sélectionné de sorte à comprendre un matériau opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes qui s'étend depuis la première longueur d'onde Al à la seconde longueur d'onde X2, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 3C. Dans certains modes de réalisation de l'invention, une ou plusieurs des parois de la chambre peuvent être sélectionnées de sorte à comprendre le au moins un volume de matériau opaque. De plus ou en variante, un corps opaque peut être sélectionné de sorte à comprendre le matériau opaque, et le corps opaque peut être placé dans une région intérieure de la chambre de réaction 102. Le corps peut être sélectionné de sorte à comprendre une structure globalement planaire en forme de plaque. [0063] En option, la chambre de réaction 102 peut comprendre une paroi supérieure 124, une paroi inférieure 126, et au moins une paroi latérale 128 qui s'étend entre la paroi supérieure 124 et la paroi inférieure 126. Dans de tels modes de réalisation, le ou les émetteurs de rayonnement thermique 104 peuvent éventuellement être placés à l'extérieur de et en dessous de la chambre de réaction 102 adjacents à la paroi inférieure 126 dans certains modes de réalisation, et le capteur 108 du un ou des plusieurs dispositifs de métrologie 106 peut être placé à l'extérieur et en dessus de la chambre de réaction 102 adjacent à la paroi supérieure 124. Dans de tels modes de réalisation, la paroi inférieure 126 peut être sélectionnée de sorte à comprendre le matériau transparent. D'autre part, au moins une de la paroi supérieure 124 et de la au moins une paroi latérale 128 peut être sélectionnée de sorte à comprendre le au moins un volume de matériau opaque. De plus ou en variante, un corps opaque 148 peut être sélectionné et placé dans la région intérieure de la chambre de réaction 102, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 1. [0064] À titre d'exemples non limitatifs, le matériau transparent peut comprendre un matériau de quartz transparent, et le matériau opaque peut comprendre un matériau de quartz opaque, comme on l'a vu dans ce qui précède. [0065] Des procédés d'utilisation des systèmes de dépôt 100 peuvent être mis en oeuvre conformément à d'autres modes de réalisation de la présente invention. Au moins un substrat de pièce à travailler 136 peut être placé dans une région intérieure d'une chambre de réaction 102. Un rayonnement thermique peut être émis dans la région intérieure de la chambre de réaction 102 depuis au moins un émetteur de rayonnement thermique 104 à l'extérieur de la chambre de réaction 102 au travers d'une ou de plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction 102 comprenant un matériau transparent qui est transparent au rayonnement thermique. Au moins un gaz précurseur peut être 35 introduit dans la chambre de réaction 102, et au moins 32 un du substrat de pièce à travailler 136 et du au moins un gaz précurseur peut être chauffé en utilisant le rayonnement thermique. Un matériau peut être déposé sur le substrat de pièce à travailler 136 à l'intérieur de la chambre de réaction 102 à partir du au moins un gaz précurseur. Un capteur 108 d'au moins un dispositif de métrologie 106 peut être utilisé dans le but de détecter un signal de rayonnement électromagnétique qui représente au moins une caractéristique du substrat de pièce à travailler 136 (comme, par exemple, une caractéristique du matériau qui est déposé sur le substrat de pièce à travailler 136). Le capteur 108 peut être placé à l'extérieur de et à proximité de la chambre de réaction 102. Le signal de rayonnement électromagnétique qui est détecté par le capteur 108 peut passer depuis la région intérieure de la chambre de réaction 102 jusqu'au capteur 108 au travers d'au moins une partie d'une ou de plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction 102 qui est transparente au signal de rayonnement électromagnétique. Le capteur 108 peut être protégé contre au moins une partie du rayonnement thermique émis par le au moins un émetteur de rayonnement thermique 104 en utilisant au moins un volume de matériau opaque, comme on l'a vu dans ce qui précède. Par exemple, le capteur 108 peut être protégé contre au moins une partie du rayonnement thermique en utilisant au moins une paroi de chambre de la chambre de réaction 102 comprenant au moins un volume de matériau opaque. De plus ou en variante, le capteur 108 peut être protégé contre au moins une partie du rayonnement thermique en utilisant au moins un corps opaque 148 placé dans la région intérieure de la chambre de réaction 102, comme on l'a vu dans ce qui précède. [0066] D'autres modes de réalisation fournis à titre d'exemples non limitatifs de la présente invention vont maintenant être décrits dans ce qui suit. [0067] Mode de réalisation N° 1 : Un système de dépôt, comprenant : une chambre de réaction comprenant une ou plusieurs parois de chambre ; au moins un émetteur de rayonnement thermique configuré de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique au travers d'au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre et dans une région intérieure de la chambre de réaction, la au moins une paroi de chambre comprenant un matériau transparent au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes ; au moins un dispositif de métrologie comprenant un capteur placé à l'extérieur de la chambre de réaction et orienté et configuré de façon à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes passant d'un intérieur de la chambre de réaction à un extérieur de la chambre de réaction ; et au moins un volume de matériau opaque, le matériau opaque étant opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes, le au moins un volume du matériau opaque étant placé de sorte à empêcher au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le au moins un émetteur de rayonnement thermique d'être détectée par le capteur du au moins un dispositif de métrologie. s i a 2984923 34 [0068] Mode de réalisation N° 2 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 1, dans lequel le au moins un volume de matériau opaque comprend au moins une partie d'une paroi de chambre de la une ou des 5 plusieurs parois de chambre. [0069] Mode de réalisation N° 3 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 1, comprenant par ailleurs un corps placé dans la région intérieure de la chambre de réaction, le corps comprenant le au moins un 10 volume de matériau opaque. [0070] Mode de réalisation N° 4 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 3, dans lequel le corps placé dans la région intérieure de la chambre de réaction comprend une structure globalement planaire en 15 forme de plaque. [0071] Mode de réalisation N° 5 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 1 à N° 3, dans lequel la une ou les plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction comprennent une 20 paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale qui s'étend entre la paroi supérieure et la paroi inférieure. [0072] Mode de réalisation N° 6 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 5, dans lequel le 25 au moins un émetteur de rayonnement thermique est placé adjacent à la paroi inférieure. [0073] Mode de réalisation N° 7 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 5 ou le mode de réalisation N° 6, dans lequel la paroi inférieure 30 comprend le matériau transparent. [0074] Mode de réalisation N° 8 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 7, dans lequel la paroi inférieure comprend du quartz transparent. [0075] Mode de réalisation N° 9 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 5 à N° 8, dans lequel au moins une partie de la paroi supérieure comprend un volume de matériau opaque, comme du quartz opaque par exemple. [0076] Mode de réalisation N° 10 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 5 à N° 9, dans lequel au moins une partie de la au moins une paroi latérale comprend un volume de matériau opaque, comme du quartz opaque par exemple. [0077] Mode de réalisation N° 11 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 5 à N° 10, dans lequel le capteur du au moins un dispositif de métrologie est placé adjacent à la paroi supérieure. [0078] Mode de réalisation N° 12 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 5 à N° 11, dans lequel le au moins un émetteur de rayonnement thermique est placé à l'extérieur de la chambre de réaction adjacent à la paroi inférieure, au moins une partie de la paroi inférieure comprend le matériau transparent, et le capteur du au moins un dispositif de métrologie est placé à l'extérieur de la chambre de réaction adjacent à la paroi supérieure. [0079] Mode de réalisation N° 13 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 12, dans lequel au moins une de la paroi supérieure et de la au moins une paroi latérale comprend le au moins un volume de matériau opaque. [0080] Mode de réalisation N° 14 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 13, comprenant par ailleurs un autre volume de matériau opaque placé dans la région intérieure de la chambre de réaction entre la paroi supérieure et la paroi inférieure. [0081] Mode de réalisation N° 15 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 12, dans 35 lequel le au moins un volume de matériau opaque est placé dans la région intérieure de la chambre de réaction entre la paroi supérieure et la paroi inférieure. [0082] Mode de réalisation N° 16 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 1 à N° 15, dans lequel le au moins un émetteur de rayonnement thermique comprend une pluralité de lampes. [0083] Mode de réalisation N° 17 : Le système de dépôt selon le mode de réalisation N° 1, dans lequel 10 le matériau transparent comprend du quartz transparent. [0084] Mode de réalisation N° 18 : Le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 1 à N° 17, dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque. 15 [0085] Mode de réalisation N° 19 : Un procédé de fabrication d'un système de dépôt, le procédé consistant : à placer au moins un émetteur de rayonnement thermique à l'extérieur de et à proximité d'une chambre de réaction comprenant une ou plusieurs 20 parois de chambre ; à orienter le au moins un émetteur de rayonnement thermique de telle sorte qu'il émette un rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre et dans une région intérieure de la chambre de 25 réaction ; à sélectionner le au moins un émetteur de rayonnement thermique de telle sorte qu'il comprenne un émetteur configuré de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins 30 une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique ; à sélectionner la au moins une paroi de chambre de telle sorte qu'elle comprenne un matériau transparent au moins sensiblement transparent à un rayonnement 35 électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes ; ri . 2984923 37 à placer un capteur d'au moins un dispositif de métrologie à l'extérieur de et à proximité de la chambre de réaction ; à orienter le capteur de telle sorte qu'il reçoive un signal de rayonnement 5 électromagnétique passant d'un intérieur de la chambre de réaction à un extérieur de la chambre de réaction ; à sélectionner le capteur de telle sorte qu'il comprenne un capteur configuré de façon à détecter le signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes ; à placer au moins un volume de matériau opaque à un endroit qui empêche au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le au moins un émetteur de rayonnement thermique d'être détectée par le capteur du au moins un dispositif de métrologie ; et à sélectionner le matériau opaque de telle sorte qu'il comprenne un matériau opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes. [0086] Mode de réalisation N° 20 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 19, consistant par ailleurs à sélectionner au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque. [0087] Mode de réalisation N° 21 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 20, consistant par ailleurs : à placer un corps dans la région intérieure de la chambre de réaction ; et à sélectionner le corps de telle sorte qu'il comprenne un autre volume de matériau opaque. [0088] Mode de réalisation N° 22 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 19, consistant par ailleurs : à placer un corps dans la région intérieure 35 de la chambre de réaction ; et à sélectionner le corps de telle sorte qu'il comprenne le au moins un volume de matériau opaque. [0089] Mode de réalisation N° 23 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 22, consistant par ailleurs à sélectionner le corps de telle sorte qu'il comprenne une structure globalement planaire en forme de plaque. [0090] Mode de réalisation N° 24 : Le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 19 à 10 N° 23, consistant par ailleurs à sélectionner la une ou les plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction de telle sorte qu'elles comprennent une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale qui s'étend entre la paroi supérieure et la 15 paroi inférieure. [0091] Mode de réalisation N° 25 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 24, consistant par ailleurs à placer le au moins un émetteur de rayonnement thermique adjacent à la paroi inférieure. 20 [0092] Mode de réalisation N° 26 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 24 ou le mode de réalisation N° 25, consistant par ailleurs sélectionner la paroi inférieure de telle sorte qu'elle comprenne le matériau transparent. 25 [0093] Mode de réalisation N° 27 : Le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 24 à N° 26, consistant par ailleurs à sélectionner la paroi inférieure de telle sorte qu'elle comprenne du quartz transparent. 30 [0094] Mode de réalisation N° 28 : Le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 24 à N° 27, consistant par ailleurs à sélectionner la paroi supérieure de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque. i 39 [0095] Mode de réalisation N° 29 : Le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 24 à N° 28, consistant par ailleurs à sélectionner la au moins une paroi latérale de telle sorte qu'elle 5 comprenne le au moins un volume de matériau opaque. [0096] Mode de réalisation N° 30 : Le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 24 à N° 29, consistant par ailleurs à placer le capteur du au moins un dispositif de métrologie adjacent à la 10 paroi supérieure. [0097] Mode de réalisation N° 31 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 30, consistant par ailleurs à sélectionner la paroi supérieure de telle sorte qu'elle comprenne au moins une partie comprenant 15 le matériau transparent. [0098] Mode de réalisation N° 32 : Le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation N° 24 à N° 31, consistant par ailleurs : à placer le au moins un émetteur de rayonnement thermique à l'extérieur de 20 la chambre de réaction adjacent à la paroi inférieure ; à sélectionner la paroi inférieure de telle sorte qu'elle comprenne le matériau transparent ; et à placer le capteur du au moins un l'extérieur de la chambre 25 paroi supérieure. [0099]Mode de dispositif de métrologie à de réaction adjacent à la réalisation N° 33 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 32, consistant par ailleurs à sélectionner au moins une de la paroi supérieure et de la au moins une paroi latérale de 30 telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque. [00100] Mode de réalisation N° 34 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 32 ou le mode de réalisation N° 33, consistant par ailleurs : à placer 35 un corps dans la région intérieure de la chambre de réaction ; et à sélectionner le corps de telle sorte qu'il comprenne le au moins un volume de matériau opaque. [00101] Mode de réalisation N° 35 : Un procédé de dépôt de matériau sur un substrat de pièce à travailler au moyen d'un système de dépôt, consistant : à placer au moins un substrat de pièce à travailler dans une région intérieure d'une chambre de réaction ; à émettre un rayonnement thermique dans la région intérieure de la chambre de réaction à partir d'au moins un émetteur de rayonnement thermique à l'extérieur de la chambre de réaction au travers d'au moins une partie d'une ou de plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction comprenant un matériau transparent au rayonnement thermique ; à introduire au moins un gaz de transformation dans la chambre de réaction ; à chauffer au moins un du substrat de pièce à travailler et du au moins un gaz de transformation au moyen du rayonnement thermique ; à déposer un matériau sur le au moins un substrat de pièce à travailler à partir du au moins un gaz de transformation ; à détecter un signal de rayonnement électromagnétique représentatif d'au moins une caractéristique du au moins un substrat de pièce à travailler au moyen d'un capteur d'au moins un dispositif de métrologie à l'extérieur de et à proximité de la chambre de réaction, le signal de rayonnement électromagnétique passant de l'intérieur de la chambre de réaction jusqu'au capteur, au travers 30 d'une ou de plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction qui sont transparentes au signal de rayonnement électromagnétique ; et à protéger le capteur contre au moins une partie du rayonnement thermique en utilisant au moins un volume de matériau 35 opaque. [00102] Mode de réalisation N° 36 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 35, dans lequel la protection du capteur contre au moins une partie du rayonnement thermique en utilisant au moins un volume 5 de matériau opaque consiste à protéger le capteur contre au moins une partie du rayonnement thermique en utilisant au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre, la au moins une paroi de chambre comprenant le au moins un volume de matériau 10 opaque. [00103] Mode de réalisation N° 37 : Le procédé selon le mode de réalisation N° 35 ou le mode de réalisation N° 36, dans lequel la protection du capteur contre au moins une partie du rayonnement thermique en 15 utilisant au moins un volume de matériau opaque consiste à protéger le capteur contre au moins une partie du rayonnement thermique en utilisant au moins un corps placé dans la région intérieure de la chambre de réaction, le au moins un corps comprenant le au 20 moins un volume de matériau opaque. REVENDICATIONS1. Système de dépôt, comprenant : une chambre de réaction comprenant une ou 5 plusieurs parois de chambre ; au moins un émetteur de rayonnement thermique configuré de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins une de la 10 région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique au travers d'au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre et dans une région intérieure de la chambre de réaction, la au moins une paroi de chambre comprenant 15 un matériau transparent au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes ; au moins un dispositif de métrologie comprenant un capteur placé à l'extérieur de la chambre de réaction 20 et orienté et configuré de façon à recevoir un signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes passant d'un intérieur de la chambre de réaction à un extérieur de la chambre de réaction ; 25 et au moins un volume de matériau opaque, le matériau opaque étant opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes, le au moins un volume du matériau 30 opaque étant placé de sorte à empêcher au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le au moins un émetteur de rayonnement thermique d'être détectée par le capteur du au moins un dispositif de métrologie. 35 2. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un volume de matériau opaque comprend au moins une partie d'une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre. 3. Système de dépôt selon la revendication 1, comprenant par ailleurs un corps placé dans la région intérieure de la chambre de réaction, le corps comprenant le au moins un volume de matériau opaque. 4. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel la une ou les plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction comprennent une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi 15 latérale qui s'étend entre la paroi supérieure et la paroi inférieure. 5. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel le au moins un émetteur de rayonnement 20 thermique est placé adjacent à la paroi inférieure, dans lequel la paroi inférieure comprend le matériau transparent et dans lequel la paroi inférieure comprend du quartz transparent. 25 6. Système de dépôt selon la revendication 5, dans lequel au moins une partie de la paroi supérieure comprend le au moins un volume de matériau opaque, et dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque. 30 7. Système de dépôt selon la revendication 6, dans lequel au moins une partie de la au moins une paroi latérale comprend le au moins un volume de matériau opaque, et dans lequel le matériau opaque 35 comprend du quartz opaque. 10\ 44 8. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel le capteur du au moins un dispositif de métrologie est placé adjacent à la paroi supérieure et 5 au moins une partie de la paroi supérieure comprend le au moins un volume de matériau opaque, et dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque, et dans lequel au moins une partie de la au moins une paroi latérale comprend le au moins un volume de matériau 10 opaque, et dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque. 9. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel le au moins un émetteur de rayonnement 15 thermique est placé à l'extérieur de la chambre de réaction adjacent à la paroi inférieure, au moins une partie de la paroi inférieure comprend le matériau transparent, et le capteur du au moins un dispositif de métrologie est placé à l'extérieur de la chambre de 20 réaction adjacent à la paroi supérieure, et dans lequel au moins une de la paroi supérieure et de la au moins une paroi latérale comprend le au moins un volume de matériau opaque. 25 10. Procédé de fabrication d'un système de dépôt, consistant : à placer au moins un émetteur de rayonnement thermique à l'extérieur de et à proximité d'une chambre de réaction comprenant une ou plusieurs parois de 30 chambre ; à orienter le au moins un émetteur de rayonnement thermique de telle sorte qu'il émette un rayonnement thermique au travers d'au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre et dans une 35 région intérieure de la chambre de réaction ;à sélectionner le au moins un émetteur de rayonnement thermique de telle sorte qu'il comprenne un émetteur configuré de façon à émettre un rayonnement thermique à l'intérieur d'une plage de longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique dans au moins une de la région infrarouge et de la région visible du spectre de rayonnement électromagnétique ; à sélectionner la au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre de telle sorte qu'elle comprenne un matériau transparent au moins sensiblement transparent à un rayonnement électromagnétique dans la plage de longueurs d'ondes ; à placer un capteur d'au moins un dispositif de métrologie à l'extérieur de et à proximité de la 15 chambre de réaction ; à orienter le capteur de telle sorte qu'il reçoive un signal de rayonnement électromagnétique passant d'un intérieur de la chambre de réaction à un extérieur de la chambre de réaction ; 20 à sélectionner le capteur de telle sorte qu'il comprenne un capteur configuré de façon à détecter le signal de rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'ondes à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes ; 25 à placer au moins un volume de matériau opaque à un endroit qui empêche au moins une partie du rayonnement thermique devant être émis par le au moins un émetteur de rayonnement thermique d'être détectée par le capteur du au moins un dispositif de 30 métrologie ; et à sélectionner le matériau opaque de telle sorte qu'il comprenne un matériau opaque à des longueurs d'ondes de rayonnement électromagnétique à l'intérieur de la plage de longueurs d'ondes. 35 11. Procédé selon la revendication 10, consistant par ailleurs à sélectionner au moins une paroi de chambre de la une ou des plusieurs parois de chambre de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque. 12. Procédé selon la revendication 10, consistant par ailleurs : à placer un corps dans la région intérieure de la 10 chambre de réaction ; et à sélectionner le corps de telle sorte qu'il comprenne le au moins un volume de matériau opaque. 13. Procédé selon la revendication 10, consistant 15 par ailleurs à sélectionner la une ou les plusieurs parois de chambre de la chambre de réaction de telle sorte qu'elles comprennent une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale qui s'étend entre la paroi supérieure et la paroi 20 inférieure. 14. Procédé selon la revendication 13, consistant par ailleurs : à placer le au moins un émetteur de rayonnement 25 thermique adjacent à la paroi inférieure ; à sélectionner la paroi inférieure de telle sorte qu'elle comprenne le matériau transparent ; à sélectionner la paroi inférieure de telle sorte qu'elle comprenne du quartz transparent ; et 30 à sélectionner la paroi supérieure de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque, dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque. 15. Procédé selon la revendication 14, consistant par ailleurs à sélectionner la au moins une paroi latérale de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque, et dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque. 16. Procédé selon la revendication 13, consistant par ailleurs : à placer le capteur du au moins un dispositif de 10 métrologie adjacent à la paroi supérieure ; à sélectionner la paroi supérieure de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque, dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque ; et 15 à sélectionner la au moins une paroi latérale de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque, et dans lequel le matériau opaque comprend du quartz opaque. 20 17. Procédé selon la revendication 13, consistant par ailleurs : à placer le au moins un émetteur de rayonnement thermique à l'extérieur de la chambre de réaction adjacent à la paroi inférieure ; 25 à sélectionner la paroi inférieure de telle sorte qu'elle comprenne le matériau transparent ; à placer le capteur du au moins un dispositif de métrologie à l'extérieur de la chambre de réaction adjacent à la paroi supérieure ; et 30 à sélectionner au moins une de la paroi supérieure et de la au moins une paroi latérale de telle sorte qu'elle comprenne le au moins un volume de matériau opaque.