Brevet FR2983343A1 — publié le 20130531

Procédé de prévention d'une panne électrique dans un empilement de couches semi-conductrices, cellule CPV à substrat mince, et assemblage de cellule solaire L'invention se rapporte à un procédé de prévention d'une panne électrique entre au moins deux couches d'un empilement de couches semi-conductrices fixé à un substrat au moyen d'un adhésif conducteur, en particulier lorsque l'empilement de couches semi-conductrices est une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince et le substrat est un dissipateur thermique. L'invention se rapporte aussi à une cellule CPV à substrat mince et à un assemblage de cellule solaire (SCA). Les assemblages de cellules solaires (SCA) à cellules photovoltaïques à concentration (CPV) comprennent typiquement un empilement de couches semiconductrices formant la cellule CPV, qui est fixé par la surface d'une de ses couches à un dissipateur thermique au moyen d'une pâte adhésive électriquement conductrice telle qu'une pâte thermique de contact, par exemple un matériau en pâte d'argent, comme le décrivent les documents US 2011/0048501 Al et US 2008/0230109 Al. Les coûts de production de tels assemblages de cellules solaires peuvent être réduits en utilisant des cellules CPV comprenant un matériau substrat mince, par exemple ayant une épaisseur typiquement inférieure à environ 100 pm, appelé aussi cellules CPV à substrat mince. Cependant, lors de l'utilisation de telles cellules CPV à substrat mince, l'assemblage du SCA peut avoir pour effet de court-circuiter les jonctions du bas de l'empilement de couches semi-conductrices formant la cellule CPV à substrat mince. La raison de cette panne électrique est que la pâte adhésive conductrice fournie entre les surfaces de la cellule CPV à substrat mince et du dissipateur thermique, respectivement, déborde de sorte que le surplus de pâte adhésive conductrice est en contact avec au moins l'une des parois latérales de l'empilement de couches semi-conductrices formant la cellule CPV. En particulier, si la couche de matériau substrat semi-conducteur formant la couche la plus externe de la cellule CPV qui est fixée au dissipateur thermique est plus mince que le surplus de pâte adhésive conductrice, un court-circuit a lieu entre les couches de la cellule CPV qui sont mises en contact par ce surplus de pâte adhésive. En conséquence, des cellules CPV comprenant un matériau substrat semi-conducteur ayant une épaisseur typique d'environ 170 pm à 200 µm ou plus sont utilisées pour éviter de tels courts-circuits. Cependant, l'utilisation de cellules CPV avec des matériaux substrats plus minces est avantageuse pour le SCA étant donné que les substrats minces présentent non seulement des coûts plus bas, mais aussi une résistance plus basse et donc de meilleures conditions thermiques pour le SCA. C'est donc l'objet de la présente invention que d'améliorer le procédé d'assemblage actuel de sorte que, dans le cas d'un SCA comprenant une cellule CPV à substrat mince, l'occurrence de pannes électriques puisse être diminuée, 15 voire même évitée. Selon un aspect de l'invention, cet objectif est atteint avec le procédé inventif de prévention d'une panne électrique entre au moins deux couches d'un empilement de couches semi-conductrices fixé par la surface d'une de ses couches à un substrat 20 au moyen d'un adhésif conducteur comprenant les étapes consistant à: a) fournir un empilement de couches semi-conductrices comprenant deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales ; b) fixer un substrat à l'empilement de couches semi-conductrices au moyen d'un adhésif conducteur fourni sur l'une des 25 surfaces principales de l'empilement de couches semi-conductrices ou sur le substrat ; et c) enlever au moins partiellement l'excédent de matière de l'adhésif conducteur d'au moins l'une des parois adjacentes à la surface principale de l'empilement de couches semi-conductrices fixée au substrat. 30 Le procédé inventif évite avantageusement une panne électrique dans des structures déjà assemblées pour lesquelles le surplus d'adhésif conducteur peut couvrir au moins deux couches d'au moins l'une des parois latérales de l'empilement de couches semi-conductrices. En particulier, lorsque l'empilement de couches semi-conductrices est une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) ou une 35 cellule CPV à substrat mince, et lorsque le substrat est un dissipateur thermique, le procédé inventif évite une panne électrique dans l'assemblage de cellule solaire (SCA) en enlevant le surplus de pâte adhésive, par exemple de pâte d'argent, des bords inférieurs de la cellule CPV. Avantageusement, des procédés d'assemblage déjà existants ne nécessitent pas de modifications importantes étant donné que l'étape consistant à enlever le surplus d'adhésif conducteur peut être ajoutée à la fin des procédés existants. De préférence, l'excédent de matière peut être enlevé par un traitement thermique, en particulier par une technique d'ablation par laser. Un traitement thermique, en particulier utilisant une ablation par laser, a l'avantage d'enlever le surplus de matériau adhésif avec une haute précision, tout en conservant la structure assemblée intacte. Des résultats optimaux ont été observés en enlevant un surplus de pâte thermique adhésive, en particulier de pâte d'argent, dans un SCA comprenant une cellule CPV à substrat mince dans le but d'éviter des courts-circuits entre des couches de la cellule CPV lorsque celle-ci est fixée à un dissipateur thermique. Selon un second aspect, l'objet de l'invention est aussi atteint avec le procédé inventif de prévention d'une panne électrique entre au moins deux couches d'un empilement de couches semi-conductrices fixé par la surface d'une de ses couches à un substrat au moyen d'un adhésif conducteur comprend les étapes consistant à : a) fournir un empilement de couches semi-conductrices comprenant deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales ; b) fournir au moins partiellement une couche isolante sur au moins l'une des parois latérales de l'empilement de couches semi-conductrices ; et c) fixer un substrat à l'empilement de couches semi-conductrices au moyen d'un adhésif conducteur fourni sur l'une des surfaces principales de l'empilement de couches semi-conductrices ou sur le substrat. Ce procédé inventif a l'avantage qu'au moins l'une des parois latérales de l'empilement de couches semi-conductrices est au moins partiellement isolée électriquement de l'environnement avant l'étape de fixation. Par conséquent, lors de la réalisation de l'étape de fixation de l'empilement de couches semi-conductrices au substrat, au moins l'une parmi les parois latérales de l'empilement de couches semi- conductrices est au moins partiellement isolée de l'adhésif conducteur, évitant ainsi un court-circuit. Le procédé inventif est bien adapté à la prévention de pannes électriques lors de la fixation d'une cellule CPV à substrat mince à un dissipateur thermique au moyen d'un adhésif conducteur tel que la pâte d'argent car les parois latérales de la cellule CPV peuvent être au moins partiellement isolées de la pâte d'argent. De préférence, à l'étape b la couche isolante peut être fournie au moins partiellement sur l'au moins une paroi latérale en direction de la surface principale de l'empilement de couches semi-conductrices qui sera fixée au substrat à l'étape c. 10 En suivant cette variante préférée du procédé inventif, l'isolation peut être fournie de manière sélective plus précisément sur la zone de l'au moins une paroi latérale de l'empilement de couches semi-conductrices qui se trouve en direction de la surface qui sera fixée au substrat à l'étape de fixation. Par conséquent, un 15 avantage est qu'une isolation électrique peut être fournie de manière sélective sur les zones des parois latérales de l'empilement de couches semi-conductrices qui sont plus affectées par le surplus d'adhésif conducteur. Dans le cas d'un SCA, au moins les couches du bas de la cellule CPV à substrat mince entre lesquelles un court-circuit peut avoir lieu en raison d'un excédent d'adhésif conducteur peuvent 20 être isolées, évitant ainsi la panne électrique. Avantageusement, la couche isolante peut couvrir une pluralité de couches de l'empilement de couches semi-conductrices en direction de la surface principale où la fixation aura lieu. 25 Un avantage de cette variante du procédé inventif est que l'isolation peut être fournie de manière encore plus sélective sur les parois latérales d'autant de couches que nécessaire, en fonction du surplus d'adhésif, de sorte qu'un court-circuit entre deux couches ou plus de l'empilement de couches semi-conductrices est évité de 30 manière optimale. Dans le cas de SCA, une prévention optimale de courts-circuits entre des couches de la cellule CPV à substrat mince est réalisée, étant donné que le nombre de couches nécessitant une isolation peut être ajusté de manière sélective en fonction de la quantité d'adhésif conducteur, par exemple de pâte d'argent. 35 Dans une variante préférée d'un mode de réalisation du procédé inventif selon le second aspect, la couche isolante peut être déposée par pulvérisation thermique, en particulier par pulvérisation de plasma. La pulvérisation thermique, en particulier la pulvérisation de plasma, peut être utilisée pour éviter des pannes électriques, en particulier dans le contexte de SCA où les couches du bas d'une cellule CPV à substrat mince qui sera fixée à un dissipateur thermique ont besoin d'être isolées de l'adhésif qui sera utilisé pour la fixation, par exemple la pâte d'argent. Un vaporisateur de gaz avec, par exemple, du 10 gaz de SiOC ou un gaz à base de SiN et TiO peut être combiné avec un faisceau laser afin de déposer un plasma sur le bord inférieur de la cellule CPV à substrat mince, isolant ainsi ledit bord inférieur de la cellule et lui évitant un court-circuit dû à l'adhésif conducteur, par exemple la pâte d'argent, lors du procédé d'assemblage. D'autres techniques pourraient également être utilisées, comme des technologies de 15 trempage ou d'estampage, ou également de pulvérisation ou d'évaporation, ou même une technologie d'impression, en fonction des coûts et/ou de la précision et/ou de la répétitivité devant être atteints. Dans une variante préférée de modes de réalisation des procédés inventifs 20 selon l'un des deux aspects, l'empilement de couches semi-conductrices peut être une cellule photovoltaïque, en particulier une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince, le substrat peut être un dissipateur thermique et l'adhésif conducteur peut être de la pâte thermique de contact, en particulier de la pâte d'argent. 25 Les procédés inventifs selon les deux aspects sont avantageux pour des assemblages de cellules solaires comprenant une cellule CPV à substrat mince fixée à un dissipateur thermique par de la pâte d'argent, pour lesquels le surplus de pâte d'argent peut produire un court-circuit dans les jonctions du bas de la cellule CPV à 30 substrat mince. Par conséquent, dans un mode de réalisation préféré des procédés inventifs selon l'un des deux aspects, l'empilement de couches semi-conductrices peut être une cellule photovoltaïque, en particulier une cellule CPV à substrat mince. Il est toutefois entendu que le procédé inventif marche aussi pour d'autres types de cellules photovoltaïques, en particulier d'autres types de cellules CPV, ou d'autres 35 empilements de couches semi-conductrices. La cellule CPV à substrat mince peut comprendre une couche substrat de quelques nm à plusieurs dizaines de gm, et peut comprendre par exemple du CdTe, du Si, du GaAs, ou un polymère organique. Dans un mode de réalisation préféré, le substrat peut être un dissipateur thermique. Le matériau du dissipateur thermique peut être par exemple l'un parmi du cuivre ou de l'aluminium ou tout autre composé métallique utilisé pour des moyens de dissipation thermique. Il est aussi entendu que le substrat peut être un autre moyen de dissipation thermique ou un autre empilement de couches semi-conductrices ou une structure comprenant une deuxième couche semi-conductrice devant être fixée à l'empilement de couches semi-conductrices, par exemple la cellule CPV à substrat mince, au moyen d'un adhésif conducteur. L'adhésif conducteur peut être de la pâte d'argent ou toute autre pâte adhésive conductrice électrique ou similaire. Dans une variante préférée du procédé inventif selon le second aspect, l'étape b peut comprendre en outre les étapes consistant à : i) appliquer un masque de gravure à la surface principale de l'empilement de couches semi-conductrices qui sera fixée au substrat à l'étape c ; ii) graver au moins partiellement la zone non masquée de la surface principale masquée de l'empilement de couches semiconductrices afin d'obtenir au moins un trou gravé comprenant au moins une paroi latérale adjacente à la surface principale masquée de l'empilement de couches semi-conductrices ; iii) couvrir au moins partiellement d'un matériau de passivation au moins une paroi latérale de l'au moins un trou gravé adjacent à la surface principale masquée de l'empilement de couches semi-conductrices ; et iv) remplir au moins partiellement avec un matériau isolant l'au moins un trou gravé comprenant au moins une paroi latérale au moins partiellement couverte d'un matériau de passivation et adjacente à la surface principale masquée. Cette variante du procédé inventif selon a l'avantage de pouvoir être utilisée par exemple pendant la production de l'empilement de couches semi-conductrices, directement au niveau de la plaquette. Par conséquent, selon un mode de réalisation préféré, le procédé inventif peut être adapté avantageusement à la production industrielle de cellules solaires, de sorte que les plaquettes à partir desquelles les cellules CPV à substrat mince sont formées comprennent déjà un moyen d'isolation dans le but d'éviter des pannes électriques lorsque les cellules CPV sont assemblées aux dissipateurs thermiques dans une autre étape de production.35 Dans une autre variante préférée du procédé inventif, l'étape b peut comprendre en outre l'étape consistant à : v) couper au travers de l'au moins un trou gravé au moins partiellement rempli afin d'obtenir au moins un empilement de couches semi-conductrices avec deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales, dans lequel au moins une paroi latérale comprend au moins partiellement une couche isolante en direction de la surface principale où la fixation aura lieu. Un mode de réalisation préféré de cette variante du procédé inventif selon le second aspect peut être particulièrement avantageux pour les SCA, étant donné qu'une pluralité de cellules CPV à substrat mince avec des parois latérales comprenant des couches isolantes en direction de la surface où la fixation au dissipateur thermique au moyen d'un adhésif conducteur aura lieu peut être fabriquée simultanément à partir d'une plaquette initiale, améliorant ainsi le procédé d'assemblage. L'objet de l'invention est aussi atteint avec un empilement de couches semiconductrices formant une cellule photovoltaïque, en particulier une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince, comprenant : deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes de l'empilement de couches semi-conductrices ; et des parois latérales reliant les deux surfaces principales ; caractérisé en ce qu'au moins une paroi latérale de l'empilement de couches semi-conductrices est au moins partiellement couverte d'une couche isolante. L'empilement inventif de couches semi-conductrices, en particulier la cellule CPV inventive à substrat mince, évite avantageusement une panne électrique dans un SCA dans lequel elle est attachée à un dissipateur thermique au moyen d'un adhésif conducteur électrique car la couche isolante isole au moins partiellement une paroi latérale de la cellule CPV du surplus d'adhésif conducteur. Avantageusement, la couche isolante peut couvrir au moins partiellement l'au moins une paroi latérale en direction d'une des surfaces principales de l'empilement de couches semi-conductrices. Par conséquent, l'empilement inventif de couches semi-conductrices est particulièrement adapté pour éviter un court-circuit dans un SCA de manière sélective car l'isolation est fournie spécifiquement et de manière sélective sur les zones des parois latérales de la cellule CPV qui seront en contact avec l'adhésif conducteur. L'objet de l'invention est aussi atteint avec un assemblage de cellule solaire (SCA) comprenant : un empilement de couches semi-conductrices formant une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince fixée à un dissipateur thermique par une pâte thermique de contact, dans lequel la cellule CPV à substrat mince comprend deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales ; et le dissipateur thermique comprend au moins une surface libre ; caractérisé en ce que la pâte thermique de contact est fournie seulement entre une surface principale de la cellule CPV et l'au moins une surface libre du dissipateur thermique. Le SCA inventif a l'avantage que l'adhésif conducteur, en particulier la pâte thermique de contact, est fourni seulement sur la surface principale de la cellule CPV, en particulier de la cellule CPV à substrat mince, qui est fixée au dissipateur thermique, mais aucun surplus d'adhésif conducteur ou de pâte thermique de contact n'est présent sur l'une quelconque des parois latérales de la cellule CPV. Par conséquent, la pâte thermique de contact ne peut pas produire une panne électrique entre au moins deux couches de la cellule CPV. L'objet de l'invention est aussi atteint avec un assemblage de cellule solaire (SCA) comprenant : un empilement de couches semi-conductrices formant une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince fixé à un dissipateur thermique au moyen d'une pâte thermique de contact, dans lequel la cellule CPV à substrat mince comprend deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales ; et le dissipateur thermique comprend au moins une surface libre ; caractérisé en ce que la pâte thermique de contact est fournie au moins entre une surface principale de la cellule CPV et l'au moins une surface libre du dissipateur thermique ; et les parois latérales de la cellule CPV sont au moins partiellement couvertes par une couche isolante en direction de la surface principale fixée au dissipateur thermique. Le SCA inventif a l'avantage que les parois latérales de la cellule CPV, en particulier de la cellule CPV à substrat mince, sont isolées électriquement de l'environnement. En particulier, des zones choisies des parois latérales sont isolées électriquement d'un quelconque surplus d'adhésif conducteur tel que de la pâte thermique de contact. Par conséquent, une panne électrique ne peut pas avoir lieu en raison de la pâte thermique de contact débordant sur les parois latérales de la cellule CPV à substrat mince. L'invention sera décrite en plus de détail dans ce qui suit en se fondant sur des modes de réalisation avantageux décrits en conjugaison avec les figures suivantes : la figure 1 illustrant schématiquement le procédé inventif dans un premier mode de réalisation, la figure 2 illustrant schématiquement le procédé inventif dans un deuxième mode de réalisation, et la figure 3 illustrant schématiquement le procédé inventif dans un troisième mode de réalisation. Un premier mode de réalisation du procédé inventif de prévention d'une panne électrique entre au moins deux couches d'un empilement de couches semiconductrices fixé par la surface d'une de ses couches à un substrat au moyen d'un adhésif conducteur est illustré dans les étapes A à G de la figure 1. Selon ce mode de réalisation du procédé inventif, les étapes A à B de la figure 1 illustrent la fourniture d'un empilement de couches semi-conductrices 101 comprenant deux surfaces principales 101a, 101b correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales 101a, 101b ; les étapes C à D de la figure 1 illustrent la fourniture au moins partielle d'une couche isolante 108 sur au moins l'une des parois latérales 104 de l'empilement de couches semi-conductrices 101 ; et les étapes E à G de la figure 1 illustrent la fixation d'un substrat 109 à l'empilement de couches semiconductrices 101 au moyen d'un adhésif conducteur 110 fourni sur l'une des surfaces libres de l'empilement de couches semi-conductrices 101 ou sur le substrat 109 ou les deux. Dans ce premier mode de réalisation, l'empilement de couches semiconductrices 101 peut être une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince 101, le substrat 109 peut être un dissipateur thermique 109, et l'adhésif conducteur 110 peut être une pâte thermique de contact 110. Le premier mode de réalisation du procédé inventif va être décrit plus en détail dans ce qui suit. L'étape A de la figure 1 montre une vue tridimensionnelle de l'empilement de couches 101 du premier mode de réalisation du procédé inventif. L'empilement de couches 101 comprend deux surfaces principales 101a, 101b correspondant aux surfaces libres de ses couches les plus externes, et des parois latérales reliant les deux surfaces principales 101a, 101b. L'une des surfaces principales, ici la surface inférieure 101b, de la cellule CPV à substrat mince 101 correspond à la surface où la fixation au dissipateur thermique 109 aura lieu ultérieurement, tel qu'illustré à l'étape G de la figure 1. La cellule CPV à substrat mince 101 peut être une cellule CPV courante telle que connue dans l'art, comprenant des jonctions inférieures à base de Ge et plusieurs couches épitaxiales fonctionnelles par-dessus celles-ci, telles que des couches émetteur, tampon, fenêtre et autres similaires, ayant des épaisseurs respectives dans la plage d'environ 100 nm ou plus. Le nombre de couches comprises dans l'empilement de couches 101 et leur épaisseur relative ne sont toutefois pas nécessairement représentatifs de cellules CPV à substrats minces réelles et sont purement illustratifs. Comme illustré à l'étape B de la figure 1, dans le premier mode de réalisation du procédé inventif, l'empilement de couches 101 est placé sur une table rotative 102 avec l'une de ses deux surfaces principales 101a, 101b faisant face à la table rotative 102, de préférence la surface principale 101b où la fixation au dissipateur thermique 109 au moyen de la pâte d'argent 110 aura lieu. L'étape B de la figure 1 montre une vue de face en 2D et une vue en 3D de l'empilement de couches 101 reposant sur la table rotative 102. Dans le premier mode de réalisation, la table rotative 102 est pourvue d'un tuyau d'aspiration 103 de sorte que l'empilement de couches 101 est maintenu sur la table rotative 102 par un mandrin à dépression. Dans le premier mode de réalisation, une couche isolante 108 est fournie au moins partiellement sur au moins une paroi latérale 104 de l'empilement de couches 101 en direction de la surface principale 101b de l'empilement de couches 101 qui va être fixé au dissipateur thermique 109. La couche isolante 108 peut être fournie sur toutes les couches ou, tel qu'illustré à l'étape C, seulement sur certaines couches, voire même sur une seule couche, en direction de la surface principale inférieure 101b. Dans ce mode de réalisation, la couche isolante 108 est déposée par pulvérisation thermique, en particulier par pulvérisation de plasma, comme montré aux étapes C et D de la figure 1 illustrant le premier mode de réalisation. Cependant, d'autres techniques de dépôt peuvent aussi être utilisées, telles que des technologies de trempage ou d'estampage, ainsi que de pulvérisation ou d'évaporation, ou même une technologie d'impression. À l'étape C de la figure 1, un courant de fluide 106, en particulier un courant gazeux, est fourni par un vaporisateur 105 afin de fournir un flux de matériau comprenant par exemple un gaz de SiOC ou un gaz à base de SiN et TiO, au moins en direction du bord inférieur 104 de la cellule CPV à substrat mince 101, c'est-à-dire les couches en direction de la surface principale 101b où la fixation au dissipateur thermique 109 aura lieu. Étant donné que la cellule CPV 101 est maintenue sur la table rotative 102 par le mandrin à dépression crée par le tuyau d'aspiration 103, un seul vaporisateur 105 doit être présent et un dépôt peut tout de même avoir lieu sur toutes les parois latérales de l'empilement de couches 101. À l'étape D de la figure 1, qui a lieu typiquement en même temps que l'étape C, le courant de fluide 106 est converti en courant plasma en utilisant un laser 107 focalisé sur les bords inférieurs 104 de l'empilement de couches 101. Ceci conduit ensuite à la formation d'une couche isolante 108 déposée qui couvre partiellement au moins une paroi latérale 104 de l'empilement de couches 101. Lors de l'utilisation d'un gaz de SiOC, une couche isolante 108 de SiOC sera déposée. Pour les propos de cette invention, une épaisseur de couche dans la plage de 50 nm à 200 nm est suffisante et peut être réalisée avec une précision d'environ 10 nm et un délai d'exécution raisonnablement bas (de l'ordre de la minute). Dans le premier mode de réalisation, la table rotative 102 permet de déposer la couche isolante 108 tout autour de l'empilement de couches 101. En fonction du réglage du laser, la couche isolante 108 déposée sera présente sur plusieurs couches en direction des bords inférieurs 104 de l'empilement de couches 101 en direction de la surface principale 101b, voire même sur l'intégralité des parois latérales de l'empilement de couches 101. Aux étapes E à G de la figure 1, l'étape de fixation de l'empilement de couches 101 à un substrat 109 au moyen de l'adhésif conducteur 110 du premier mode de réalisation du procédé inventif est illustrée. Dans l'exemple du premier mode de réalisation, ceci conduit à la fixation d'une cellule CPV à un dissipateur thermique au moyen d'une pâte thermique de contact d'argent. À l'étape E de la figure 1, le substrat 109 est fourni pour effectuer l'assemblage de cellule solaire (SCA), et à l'étape F de la figure 1, l'adhésif conducteur 110 est fourni sur la surface du substrat 109 qui sera fixé à l'empilement de couches 101 avec la couche isolante 108 fournie en direction de la surface principale 101b où la fixation aura lieu. Selon une variante, l'adhésif conducteur pourrait aussi être fourni sur l'empilement de couches 101 ou à la fois sur l'empilement de couches 101 et le substrat 109. L'étape G de la figure 1 illustre la structure de couches finale 111 obtenue après l'étape de fixation du premier mode de réalisation du procédé inventif. La structure de couches finale 111 forme l'assemblage de cellule solaire SCA. L'empilement de couches 101 formant la cellule CPV est attaché au substrat 109 formant le dissipateur thermique au moyen de l'adhésif conducteur 110. La structure de couches finale 111 est caractérisée en ce que les parois latérales de l'empilement de couches 101 sont protégées de l'adhésif conducteur 110 par la couche isolante 108. Par conséquent, lors de la fixation de l'empilement de couches 101 au substrat 109, l'excédent de matière de l'adhésif conducteur 110, qui déborde d'en- dessous de l'empilement de couches 101 de sorte à couvrir au moins partiellement les parois latérales de l'empilement de couches 101 comme illustré à l'étape G de la figure 1, ne peut pas conduire à un court-circuit entre les couches inférieures de l'empilement de couches 101 car ces couches sont isolées électriquement de la pâte thermique de contact 110 au moyen de la couche isolante 108. Un deuxième mode de réalisation du procédé inventif de prévention d'une panne électrique entre au moins deux couches d'un empilement de couches semiconductrices fixé par la surface d'une de ses couches à un substrat au moyen d'un adhésif conducteur est illustré aux étapes A à F de la figure 2. Selon ce mode de réalisation, les étapes A à D de la figure 2 illustrent la fourniture d'un empilement de couches semi-conductrices 201 comprenant deux surfaces principales 201a, 201b correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales 201a, 201b, et la fixation d'un substrat 202 à l'empilement de couches semi-conductrices 201 au moyen d'un adhésif conducteur 203 fourni sur l'une des surfaces principales de l'empilement de couches semi-conductrices 201 ou du substrat 202 ou sur les deux ; et les étapes E à F de la figure 2 illustrent la suppression de l'excédent de matière de l'adhésif conducteur 203 des parois latérales 201c adjacentes aux surfaces principales 201b de l'empilement de couches semi-conductrices 201 fixé au substrat 202. Dans le deuxième mode de réalisation, l'empilement de couches semiconductrices 201 peut correspondre à une cellule photovoltaïque à concentration (CPV) à substrat mince, le substrat 202 peut être un dissipateur thermique, et l'adhésif conducteur 203 peut être de la pâte thermique de contact. Le deuxième mode de réalisation du procédé inventif sera décrit en plus de détails dans ce qui suit. L'étape A de la figure 2 illustre le substrat 202 qui peut jouer le rôle d'un dissipateur thermique et qui va être fixé à l'empilement de couches 201 illustré à l'étape C de la figure 2. Comme décrit en relation au premier mode de réalisation, le nombre de couches compris dans l'empilement de couches 101 et leur épaisseur relative ne sont pas nécessairement représentatifs d'une vraie cellule CPV à substrat mince et sont uniquement illustratifs. De plus, il est fait référence aux propriétés de l'empilement de couches 101 tel qu'illustré à la figure 1. À l'étape B de la figure 2 l'adhésif conducteur 203 est fourni sur la surface libre du dissipateur thermique 202 sur lequel la cellule CPV à substrat mince 201 va être fixée. En tant que variante, l'adhésif conducteur 203 pourrait aussi être fourni sur l'empilement de couches 201 ou à la fois sur l'empilement de couches 201 et sur le substrat 202. À l'étape D de la figure 2, l'assemblage est réalisé en disposant l'empilement de couches 201 sur l'adhésif conducteur 203 pour former ainsi un assemblage de cellule solaire comprenant une cellule CPV et un dissipateur thermique dans l'exemple donné plus haut. Pendant le procédé d'assemblage du deuxième mode de réalisation, un surplus de l'adhésif conducteur 203 utilisé pour la fixation de l'empilement de couches 201 au substrat 202 déborde sur les bords de l'empilement de couches 201 de sorte qu'il couvre au moins partiellement au moins deux de ses couches sur au moins l'une de ses parois latérales 201c, tel qu'illustré à l'étape D de la figure 2. Par conséquent, un court-circuit peut avoir lieu entre les couches de jonction dans la partie inférieure de la cellule CPV à substrat mince 201. Selon le deuxième mode de réalisation, un court-circuit entre les au moins deux couches de l'empilement de couches 201 qui sont mises en contact par le surplus d'adhésif conducteur 203 peut être évité en supprimant l'excédent de matière de l'adhésif conducteur 203 en utilisant un traitement thermique, en particulier une ablation par laser. Ceci est illustré à l'étape E de la figure 2, où un laser 204 est utilisé pour vaporiser le surplus de l'adhésif conducteur 203 des bords inférieurs de la cellule. L'ablation par laser a l'avantage que le surplus de matériau adhésif 203 peut être supprimé avec une précision élevée tout en conservant la structure assemblée intacte. Des résultats optimaux peuvent être obtenus en ajustant la longueur d'onde et la puissance du laser au matériau de la pâte adhésive 203 dans le but d'effectuer la suppression de manière aussi sélective que possible. Pour une suppression de l'excédent de matière de tous les côtés de l'empilement de couches 101, l'empilement peut à nouveau être placé sur une table rotative, comme dans le premier mode de réalisation. L'étape F de la figure 2 illustrant le deuxième mode de réalisation du procédé inventif montre la structure finale 207 après l'étape de suppression du surplus d'adhésif conducteur 203 et la formation d'un assemblage de cellule solaire (SCA). Le SCA inventif 207 comprend l'empilement de couches 201 formant la cellule CPV à substrat mince fixée au substrat 202 formant le dissipateur thermique au moyen de l'adhésif conducteur 203, dans le cas présent la pâte de contact d'argent, dans lequel après l'ablation par laser, l'adhésif conducteur est fourni seulement entre la surface principale 201b de l'empilement de couches 201 et la surface du substrat 202. Par conséquent, étant donné que la pâte de contact conductrice 203 n'est présente sur aucune des parois latérales de l'empilement de couches 201, l'assemblage de cellule solaire inventif 207 du deuxième mode de réalisation tel qu'illustré à l'étape F de la figure 2 a l'avantage qu'une panne électrique ne peut pas avoir lieu en raison d'un quelconque surplus de pâte d'argent 203 court-circuitant les jonctions du bas de la cellule CPV 201. Les premier et deuxième modes de réalisation peuvent en outre être 20 combinés. Par conséquent, un dépôt d'une couche isolante 108 peut être accompagné d'une étape d'ablation par laser. À la figure 3, le procédé inventif est décrit dans un troisième mode de réalisation comprenant les étapes A à H. Selon une variante du procédé inventif 25 suivie dans le troisième mode de réalisation, l'étape A de la figure 3 illustre la fourniture d'un empilement de couches semi-conductrices 301 comprenant deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales reliant les deux surfaces principales ; les étape B à G de la figure 3 illustrent la fourniture au moins partielle d'une couche isolante 308a, 30 308b, 308c, 307b, 307c, 307d sur au moins l'une des parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 de l'empilement de couches semi-conductrices 301 ; et l'étape H de la figure 3 illustre la fixation d'un substrat 310c à l'empilement de couches semi-conductrices 309c au moyen d'un adhésif conducteur 311c fourni sur l'une des surfaces principales de l'empilement de couches semi-conductrices 309c 35 ou sur le substrat 310c. Dans le troisième mode de réalisation, l'empilement de couches semiconductrices est une plaquette de cellules photovoltaïques à concentration (CPV) à substrat mince 301 à partir de laquelle une pluralité de cellules CPV à substrat minces individuelles 309a, 309b, 309c, 309d est obtenue dans des étapes ultérieures du mode de réalisation, le substrat peut être un dissipateur thermique 310c et l'adhésif conducteur 311c peut être une pâte thermique de contact d'argent. Le troisième mode de réalisation du procédé inventif sera décrit en plus de détails dans ce qui suit. Le troisième mode de réalisation comprend les étapes consistant à : fournir un empilement de couches semi-conductrices tel qu'illustré à l'étape A de la figure 3 ; appliquer un masque de gravure 302a, 302b, 302c, 302d à la surface principale 302 de l'empilement de couches semi-conductrices 301 qui sera fixé au substrat 310a, 310b, 310c, 310d, tel qu'illustré à l'étape B de la figure 3 ; graver au moins 15 partiellement la zone non masquée de la surface principale masquée 302 de l'empilement de couches semi-conductrices 301 afin d'obtenir au moins un trou gravé 303a, 303b, 303c comprenant au moins une paroi latérale 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 adjacente à la surface principale masquée 302 de l'empilement de couches semi-conductrices 301, tel qu'illustré à l'étape C de la figure 3 ; couvrir au 20 moins partiellement avec un matériau de passivation 304b, 304c, 304d, 305a, 305b, 305c l'au moins une paroi latérale 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 de l'au moins un trou gravé 303a, 303b, 303c adjacent à la surface principale masquée de l'empilement de couches semi-conductrices 301, tel qu'illustré à l'étape D de la figure 3 ; et remplir au moins partiellement avec un matériau isolant 306a, 306b, 25 306c l'au moins un trou gravé comprenant au moins une paroi latérale 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 au moins partiellement couverte d'un matériau de passivation 304b, 304c, 304d, 305a, 305b, 305c et adjacente à la surface principale masquée 302, tel qu'illustré à l'étape E de la figure 3. 30 Ces étapes seront décrites plus en détails dans ce qui suit. Dans le troisième mode de réalisation, l'empilement de couches semiconductrices 301 est une plaquette de cellules CPV à substrat mince 301 à partir de laquelle des cellules CPV à substrat mince individuelles 309a, 309b, 309c, 309d 35 peuvent être produites. Le troisième mode de réalisation du procédé inventif a l'avantage que l'étape d'isolation des bords inférieurs de la cellule CPV à substrat mince peut être effectuée pendant la production des cellules CPV individuelles à partir de la plaquette originale, et par conséquent le procédé inventif peut être intégré aux procédés de production et d'assemblage industriels de cellules CPV à substrats minces et de SCA. Comme illustré à l'étape A de la figure 3, l'empilement de couches 301 comprend une pluralité de couches semi-conductrices. Le nombre de couches dans l'empilement dépend des cellules CPV à substrat mince qui sont obtenues à partir de l'empilement à la fin du procédé de fabrication. Par conséquent leur nombre et leur épaisseur relative tels qu'illustrés aux diverses étapes de la figure 3 ne sont pas nécessairement représentatifs des cellules CPV à substrat mince réelles et sont seulement destinés à des buts illustratifs, comme mentionné dans le premier mode de réalisation. L'empilement de couches 301 illustré à l'étape A de la figure 3 a une première surface principale sur laquelle au moins l'une des couches les plus externes, ici la couche supérieure, a déjà été traitée de sorte qu'une pluralité d'éléments 301a, 301b, 301c, 301d espacés chacun l'un de l'autre ont été obtenus. Ceci peut être réalisé en fournissant un masque, en gravant les zones non masquées et en enlevant le masque. À l'étape illustrée à la figure 3 le masque de gravure 302, 302b, 302c, 302d est appliqué sur la surface principale 302 de la plaquette 301 sur la face opposée à celle comprenant les éléments individuels 301a, 301b, 301c, 301d. Le masque de gravure 302a, 302b, 302c, 302d couvre une pluralité de zones de l'empilement de couches 301 qui sont essentiellement à l'opposé des éléments individuels 301a, 301b, 301c, 301d, sur la face opposée de l'empilement de couches. Ici, la taille de chaque zone individuelle couverte par le masque 302 est plus petite en comparaison à celle des éléments individuels 301a à 301d sur la face opposée. Cependant, la forme et la taille des masques de gravure 302a, 302b, 302c, 302d peuvent être adaptées aux besoins du procédé de fabrication et/ou au produit final. De plus, la formation des éléments individuels 301a à 301d sur la face opposée de l'empilement de couches 301 pourrait aussi être réalisée après la fourniture du masque sur la surface 302. L'étape C de la figure 3 illustre l'étape de gravure ultérieure dans le troisième mode de réalisation du procédé inventif. La gravure, qui peut être sélective et/ou anisotrope, conduit à la formation des trous ou tranchées de gravure 303a, 303b, 303c dans les zones non couvertes par les masques 302a à 302d. À la fin de l'étape de gravure, les trous ont des parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 adjacentes aux zones masquées de la surface principale 302. La profondeur des tranchées couvre une épaisseur au moins supérieure ou égale à l'épaisseur des deux couches du bas de l'empilement de couches 301 en direction de la surface principale masquée 302. L'étape suivante du troisième mode de réalisation est illustrée à l'étape D de la figure 3. À cette étape, les parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 des trous gravés 303a, 303b, 303c sont couvertes avec un matériau de passivation 304b, 304c, 304d, 305a, 305b, 305c. Le matériau de passivation peut être, par exemple, l'un parmi un oxyde ou un nitrure, tel que du SiO, du SiN, du TiO, mais n'est pas limité à ces matériaux, et peut être déposé par toute technique convenable telle qu'une technique de pulvérisation, un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou d'autres techniques similaires. L'étape E de la figure 3 illustre l'étape suivante du troisième mode de réalisation, dans laquelle les trous gravés 303a, 303b, 303c comprennent des parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 couvertes d'un matériau de passivation 304b, 304c, 304d, 305a, 305b, 305c sont remplis au moins partiellement d'un matériau isolant 306a, 306b, 306c. Le matériau isolant peut être, par exemple, un oxyde ou tout autre matériau isolant convenable dans le contexte de l'isolation électrique de matériaux semi-conducteurs pour des cellules solaires. Le remplissage des trous gravés 303a, 303b, 303c est réalisé de sorte que les trous sont au moins remplis jusqu'à la limite entre les masques de gravure 302a, 302b, 302c, 302d et la surface principale 302 de l'empilement de couches 301, ou bien peuvent être totalement remplis, comme illustré à l'étape E de la figure 3. Ensuite, tel qu'illustré à l'étape F de la figure 3, le troisième mode de réalisation comprend en outre l'étape consistant à couper au travers de l'empilement de couches 301 afin d'obtenir des empilements individuels. La coupe est réalisée au travers de l'au moins un trou gravé au moins partiellement rempli 303a, 303b, 303c et entre les éléments individuels 301a à 301d sur la face opposée. La coupe peut être réalisée, par exemple, avec un laser ou en utilisant tout autre moyen adapté pour découper des cellules CPV individuelles 309a, 309b, 309c, 309d à partir d'un empilement de couches 301. Après l'enlèvement des masques de gravure 302a, 302b, 302c, 302d des empilements de couches individuels 309a, 309b, 309c, 309d sont obtenus avec deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 reliant les deux surfaces principales, où les parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 sont couvertes au moins partiellement d'une couche isolante 307b, 307c, 307d, 308a, 308b, 308c en direction de la surface principale 302 où la fixation aura lieu. La couche isolante peut être formée seulement par le matériau de passivation 304b, 304c, 304d, 305a, 305b, 305c ou en plus, tel qu'illustré à l'étape G, comprendre aussi le matériau de remplissage restant 307b, 307c, 307d, 308a, 308b, 308c. Bien entendu, l'étape d'enlèvement du masque de gravure peut aussi être effectuée avant la coupe. Par conséquent, les empilements de couches individuels 309a, 309b, 309c, 309d formant des cellules CPV obtenues après l'étape G comprennent deux surfaces principales 301a, 301b, 301c, 301d, 302 correspondant aux surfaces libres de leurs couches les plus externes, et des parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 reliant les deux surfaces principales 301a, 301b, 301c, 301d, 302 qui sont au moins partiellement couvertes d'une couche isolante, formée ici par le matériau de passivation 304b, 304c, 304d, 305a, 305b, 305c et le matériau de remplissage restant 307b, 307c, 307d, 308a, 308b, 308c. En particulier, les couches isolantes couvrent les parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036 en direction de la surface principale inférieure 302 des cellules 309a, 309b, 309c, 309d sur une pluralité de couches de l'empilement de couches 309a, 309b, 309c, 309d. À l'étape suivante, les empilements de couches individuels 309a à 309d sont fixés à leur substrat respectif au moyen d'un adhésif conducteur. De cette façon, des cellules CPV individuelles sont reliées à leur dissipateur thermique. L'étape H de la figure 3 illustre un SCA inventif 312c obtenu dans le troisième mode de réalisation. Le SCA inventif 312c comprend l'empilement de couches 309c formant la cellule CPV à substrat mince de l'assemblage. L'empilement de couches 309c est fixé à un substrat 310c formant le dissipateur thermique en utilisant un adhésif conducteur 311c, une pâte thermique de contact dans le cas présent, ici une pâte d'argent. La cellule CPV à substrat mince 309c individuelle est fixée au substrat 310c par la surface principale qui est adjacente aux couches avec la couche d'isolation 313. Pendant la fixation de l'empilement de couches 309c au dissipateur thermique 310c, l'excédent d'adhésif conducteur 311c fourni entre la surface de fixation du substrat 310c et la surface de fixation de l'empilement de couches 309c peut déborder d'en-dessous de l'empilement de couches 309c de sorte qu'il couvre au moins partiellement les parois latérales de l'empilement, par exemple, au moins les deux couches inférieures de l'empilement de couches 309c, tel qu'illustré à l'étape H de la figure 3. Étant donné que l'empilement de couches 309c comprend les couches isolantes avec les matériaux de passivation et de remplissage 307b, 307c, 307d, 308a, 308b, 308c sur les parties inférieures de leurs parois latérales 3031, 3032, 3033, 3034, 3035, 3036, couvrant une épaisseur au moins égale ou supérieure à celle de leurs deux couches du bas respectives, un court-circuit ne peut pas avoir lieu entre les couches inférieures de l'empilement de couches 309c en direction de la surface principale 302 fixée au substrat 310c étant donné que ces couches sont isolées électriquement de la pâte thermique de contact 311c. Par conséquent, les modes de réalisation et leurs diverses variantes et combinaisons peuvent éviter efficacement une panne électrique entre des couches d'une cellule CPV à substrat mince lorsque la cellule est fixée à un dissipateur thermique par un adhésif conducteur, avant ou après le procédé d'assemblage. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un assemblage comprenant un empilement de couches semi-conductrices (101) fixé par la surface (101b) d'une de ses couches à un substrat (109) au moyen d'un adhésif conducteur (110), agencé de manière à prévenir un court-circuit entre au moins deux couches de l'empilement de couches semi-conductrices (101), comprenant les étapes consistant à: a) fournir un empilement de couches semi-conductrices (101) comprenant deux surfaces principales (101a, 101b) correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales (104) reliant les deux surfaces principales (101a, 101b) ; b) fournir au moins partiellement une couche isolante (108) sur au moins l'une des parois latérales (104) de l'empilement de couches semiconductrices (101) ; et c) fixer un substrat (109) à l'empilement de couches semi-conductrices (101) au moyen d'un adhésif conducteur (110) fourni sur l'une des surfaces principales (101b) de l'empilement de couches semi-conductrices (101) ou du substrat (109). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel à l'étape b la couche isolante (108) est fournie au moins partiellement sur l'au moins une paroi latérale (104) en direction de la surface principale (101b) de l'empilement de couches semiconductrices (101) qui sera fixée au substrat (109) à l'étape c. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche isolante (108) couvre une pluralité de couches de l'empilement de couches semiconductrices (101) en direction de la surface principale (101b) où la fixation aura lieu. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche isolante (108) est déposée par pulvérisation thermique, en particulier par pulvérisation de plasma. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'empilement de couches semi-conductrices (101) est une cellule photovoltaïque, en particulier une cellule photovoltaïque à concentration, soit cellule CPV, à substrat mince, le substrat (109) est un dissipateur thermique et l'adhésif conducteur (110) est de la pâte thermique de contact, en particulier de la pâte d'argent. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape b comprend en outre les étapes consistant à : i) appliquer un masque de gravure (302c) à la surface principale (302) de l'empilement de couches semi-conductrices (301, 301c) qui sera fixé au substrat (312c) à l'étape c ; ii) graver au moins partiellement la zone non masquée de la surface principale masquée (302) de l'empilement de couches semiconductrices (301, 301c) afin d'obtenir au moins un trou gravé (303b, 303c) ; iii) couvrir au moins partiellement d'un matériau de passivation (304c, 305c) au moins une paroi latérale (3034, 3035) de l'au moins un trou gravé (303b, 303c), et iv) remplir au moins partiellement avec un matériau isolant (306b, 306c) l'au moins un trou gravé (303b, 303c) comprenant au moins une paroi latérale (3034, 3035) au moins partiellement couverte d'un matériau de passivation (304c, 305c). 35 7. Procédé selon la revendication 6, comprenant en outré l'étape consistant à :v) couper au travers de l'au moins un trou gravé au moins partiellement rempli (3034, 3035) afin d'obtenir au moins un empilement de couches semi-conductrices (301c, 309c) avec deux surfaces principales correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales (3034, 3035) reliant les deux surfaces principales, dans lequel au moins une paroi latérale (3034, 3035) comprend au moins partiellement une couche isolante (304c, 305c, 306b, 306c) en direction de la surface principale où la fixation aura lieu. 8. Empilement de couches semi-conductrices formant une cellule photovoltaïque (101, 309c), en particulier une cellule photovoltaïque à concentration, soit cellule CPV, à substrat mince, comprenant : deux surfaces principales (101a, 101b) correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes de l'empilement de couches semi-conductrices (101, 309c) ; et des parois latérales (104) reliant les deux surfaces principales ; caractérisé en ce que au moins une paroi latérale (104, 3034, 3035) de l'empilement de couches semi-conductrices est au moins partiellement couverte d'une couche isolante (108, 304c, 305c, 306b, 306c). 9. Empilement de couches semi-conductrices selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche isolante (108, 304c, 305c, 306b, 306c) couvre au moins partiellement l'au moins une paroi latérale (104, 3034, 3035) en direction de l'une des surfaces principales (101b) de l'empilement de couches semiconductrices (101, 309c). 10. Assemblage de cellule solaire (111, 312c) comprenant :un empilement de couches semi-conductrices (101, 309c) formant une cellule photovoltaïque à concentration, soit cellule CPV, à substrat mince (101, 309c) fixée à un dissipateur thermique (109, 310c) au moyen d'une pâte thermique de contact (110, 311c), dans lequel la cellule CPV à substrat mince (101, 309c) comprend deux surfaces principales (101a, 101b) correspondant aux surfaces libres des couches les plus externes et des parois latérales (104, 3034, 3035) reliant les deux surfaces principales (101a, 101b) ; et le dissipateur thermique (109, 310c) comprend au moins une surface libre ; caractérisé en ce que la pâte thermique de contact (110, 311c) est fournie au moins entre une surface principale (101b) de la cellule CPV (101, 309c) et l'au moins une surface libre du dissipateur thermique (109, 310c) ; et les parois latérales (104, 3034, 3035) de la cellule CPV (101, 309c) sont au moins partiellement couvertes par une couche isolante (108, 304c, 305c, 306b, 306c) en direction de la surface principale (101b) fixée au dissipateur thermique (109, 310c).