Brevet FR2980728A1 — publié le 20130405

COMPOSITION DE FONDANT ET PROCEDE DE SOUDAGE La présente invention concerne une composition de fondant comprenant, comme composants initiaux : un acide carboxylique et un agent fondant représenté par la formule I, où RI, R2, R3 et R4 sont choisis indépendamment parmi un hydrogène, un groupe C1_80 alkyle substitué, un groupe C1_80 alkyle non substitué, un groupe C7_80 arylalkyle substitué et un groupe C7-80 arylalkyle non substitué; et où zéro à trois de R1, R2, R3 et R4 est (sont) un hydrogène. La présente invention concerne aussi un procédé de soudage d'un contact électrique. Les processus de soudage vont des processus de soudage manuels, à la main aux processus de soudage automatisés. L'utilisation de matériaux fondants dans les processus de soudage, manuels et automatisés, est également bien connue. En fait, l'utilisation de soudure seule ne conduira généralement pas à une. interconnexion électrique acceptable. Les matériaux fondants remplissent de multiples fonctions dans le processus de soudage. Par exemple, les matériaux fondants agissent pour retirer tout oxyde qui peut s'être formé sur les contacts métalliques (par exemple les régions de soudure, les plots de contact, les broches de contact, les trous de passage recouverts de cuivre) ; pour augmenter le mouillage de la soudure sur les contacts métalliques. Différents procédés ont été employés pour appliquer des matériaux fondants à la surface d'un contact métallique pendant le processus de soudage. Dans certains procédés, des matériaux fondants contenant de la soudure sont utilisés. Par exemple, de tels matériaux combinés ont été fournis sous forme d'un fil de forme annulaire incorporant une âme de matériau fondant. Quand la soudure fond par chauffage, le matériau fondant dans l'âme est activé, en faisant fondre les surfaces qui doivent être interconnectées par la soudure fondue. On connaît également des pâtes de soudure dans lesquelles un matériau fondant et une poudre de soudure sont combinés pour former une suspension stable généralement 30 homogène de particules de soudure dans la pâte. Une application significative commercialement d'un procédé de soudage automatisé est la fabrication des dispositifs semi-conducteurs. C'est-à-dire que des processus de soudage par refusion sont communément utilisés dans la production automatisée de dispositifs semi-conducteurs, où une puce de semiconducteur est montée sur une plaque de circuit imprimé (PCB). Dans certains procédés de production automatisés de ce type, une pâte de soudure est appliquée à une plaque de circuit imprimé, par exemple en utilisant la sérigraphie ou l'impression au stencil. La puce de semi-conducteur est ensuite mise en contact avec la PCB et la pâte de soudure est chauffée pour faire refondre la soudure dans la pâte, en formant des interconnexions électriques entre la puce de semiconducteur et la PCB. Le chauffage peut être facilité par exemple par exposition de la pâte de soudure à de la lumière infrarouge ou par chauffage dans un four. Dans certaines applications, l'ensemble puce de semi-conducteur/PCB est traité encore avec un matériau de sous-remplissage qui remplit sensiblement la zone interstitielle entre la puce de semi-conducteur et la PCB, en encapsulant les interconnexions. Etant donné les demandes pour la production en masse de dispositifs 15 électroniques contenant des circuits de complexité et de miniaturisation croissantes, des processus de soudage automatisés rapides sont apparus, comme, par exemple, ceux incorporant des processus à prélèvement et immersion ("pick and dip"). Dans de tels processus, un fondant peut être appliqué à une pluralité de contacts électriques sur une puce de semi-conducteur par immersion de la partie 20 contacts électriques de la puce de semi-conducteur dans un bain de fondant. Les contacts électriques recouverts de fondant sur la puce de semi-conducteur peuvent être ensuite mis en contact avec une PCB comprenant des contacts électriques correspondants et des billes de soudure. Les billes de soudure peuvent ensuite être chauffées pour interconnecter par refusion la puce de semi-conducteur et la PCB. 25 A titre d'alternative, le processus à prélèvement et immersion peut être employé avec des composants de dispositifs qui ont des contacts électriques avec de la soudure pré-appliquée. Dans ces processus, la soudure pré-appliquée est recouverte de matériau fondant par immersion puis mise en contact avec le ou les contacts électriques correspondants et chauffée pour la refusion, en formant les 30 interconnexions électriques. De nombreux composants électroniques s'adaptent à cette dernière catégorie de processus du fait qu'ils sont fabriqués avec une quantité de soudure suffisante sur une plaque de composant pour faciliter l'interconnexion du composant avec un autre composant électrique (par exemple une PCB). Dans la plupart des cas, l'utilisation de fondants disponibles dans le commerce laisse des résidus ioniques sur les régions soudées, qui peuvent conduire de manière indésirable à une corrosion du circuit et à des courts-circuits. Ainsi, des étapes de processus supplémentaires sont nécessaires pour retirer de tels résidus après la formation des interconnexions soudées. Pour les processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, les connexions de soudure formées entre la puce de semi-conducteur et la PCB conduisent à un interstice relativement petit entre la puce de semi-conducteur et la PCB (par exemple Certains fondants sans nettoyage à faibles résidus ayant une faible teneur en solides sont disponibles dans le commerce. Une composition de fondant dont il est dit qu'elle minimise sensiblement ou élimine sensiblement les résidus de fondant lors du soudage de composants électroniques est décrite dans la publication de demande de brevet US n° 20100175790 au nom de Duchesne et al. Duchesne et al. décrivent une composition de matière comprenant un fondant, où ledit fondant consiste essentiellement en une combinaison de : (a) un agent fondant et (b) un solvant ; où ledit agent fondant : (1) comprend un cétoacide ; ou (2) comprend un ester acide ; ou (3) comprend un mélange dudit cétoacide avec ledit ester acide ; et où ledit solvant comprend un mélange d'un solvant collant choisi parmi les alcools polyhydroxylés ou leurs mélanges, et d'un solvant non collant choisi parmi les alcools monohydroxylés ou leurs mélanges. Néanmoins, il subsiste un besoin de compositions de fondant qui sont sans durcissement, qui facilitent des connexions par soudage fiables et qui sont adaptables pour faciliter la compatibilité avec les matériaux de sous-remplissage à 30 base d'époxyde conventionnels. La présente invention fournit une composition de fondant comprenant, comme composants initiaux : un acide carboxylique ; et un agent fondant représenté par la formule I : R1 I N, 2 R3-1\1\ R4 (I) où RI, R2, R3 et R4 sont choisis indépendamment parmi un hydrogène, un groupe C1_80 alkyle substitué, un groupe C1_80 alkyle non substitué, un groupe C7-80 arylalkyle substitué et un groupe C7-80 arylalkyle non substitué; et où zéro à trois de R1, R2, R3 et R4 est (sont) un hydrogène. La présente invention fournit un procédé d'application de soudure à un contact électrique comprenant : la fourniture d'un contact électrique ; la fourniture d'une composition de fondant de la présente invention ; l'application de la composition de fondant au contact électrique ; la fourniture d'une soudure ; la fusion de la soudure ; et le déplacement de la composition de fondant appliquée au contact électrique avec la soudure fondue ; où la soudure fondue forme un contact physique avec le contact électrique et se lie au contact électrique. DESCRIPTION DETAILLEE La composition de fondant de la présente invention est conçue pour faciliter la compatibilisation avec différentes compositions de sous-remplissage, de sorte que, de préférence, les surfaces soudées ne nécessitent pas de nettoyage avant l'application d'une composition de sous-remplissage pour former une jonction électrique terminée. Le terme « composition de fondant sans nettoyage » telle qu'il est utilisé ici et dans les revendications annexées désigne des compositions de fondant qui présentent une faible activité de résidus de fondant ou pas d'activité de résidus de fondant avec une teneur en halogénures 250 °C (de préférence encore > 300 °C, de manière particulièrement 10 préférée > 325 °C) et une perte de poids en pourcentage R4 premier ère (Ha); R4 premier mère (Ilb); et R4 second mère premier mère Un exemple d'un dimère selon la formule (Ha) est le 1-(2-éthyl- hexyloxy)-3-(4-(2-(3-(4-(2-(4-(3-(4-(2-(3-(heptan-3-yloxy) -2-hydroxypropyl- amino)propan-2-y1)-1-méthylcyclohexylamino)-2-hydroxypropoxy)phény1)- propan-2-yl)phénoxy)-2-hydroxypropylamino)propan-2-y1) -1-méthylcyclohexylamino)propan-2-ol, comme suit: second mère OH La composition de fondant de la présente invention comprend éventuellement en outre un solvant. Un solvant est éventuellement inclus dans la composition de fondant de la présente invention pour faciliter la délivrance de l'agent fondant amine à la surface, ou aux surfaces, qui doivent être soudées. De préférence, la composition de fondant contient 8 à 95 % en poids de solvant. Le solvant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention est de préférence un solvant organique choisi parmi les hydrocarbures (par exemple dodécane, tétradécane); les hydrocarbures aromatiques (par exemple benzène, toluène, xylène, triméthylbenzène, benzoate de butyle, dodécylbenzène); les cétones (par exemple méthyléthylcétone, méthylisobutylcétone, cyclohexanone); les éthers (par exemple tétrahydrofurane, 1,4-dioxane et tétrahydrofurane, 1,3-dioxalane, diprolylèneglycol diméthyléther); les alcools (par exemple 2-méthoxy-éthanol, 2-butoxyéthanol, méthanol, éthanol, isopropanol, a-terpinéol, alcool benzylique, 2-hexyldécanol); les esters (par exemple acétate d'éthyle, lactate d'éthyle, acétate de butyle, adipate de diéthyle, phtalate de diéthyle, monobutylacétate de diéthylèneglycol, acétate de monométhyléther de propylèneglycol, lactate d'éthyle, 2-hydroxyisobutyrate de méthyle, acétate de monométhyléther de propylèneglycol); et amides (par exemple N-méthylpyrrolidone, N,N-diméthylformamide et N,N-diméthylacétamide); dérivés de glycol (par exemple cellosolve, butylcellosolve); glycols (par exemple éthylèneglycol; diéthylèneglycol; dipropylèneglycol; triéthylèneglycol; hexylèneglycol; 1,5-pentanediol); éthers de glycol (par exemple propylèneglycol monométhyléther, méthylcarbitol, butylcarbitol); et solvants pétroliers (par exemple éther de pétrole, naphta). De préférence encore, le solvant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention est un solvant organique choisis parmi la méthyléthylcétone; le 2-propanol; le propylèneglycol monométhyléther; l'acétate de propylèneglycol monométhyléther ; le lactate d'éthyle et le 2-hydroxyisobutyrate de méthyle. De manière particulièrement préférable, le solvant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention est le propylèneglycol monométhyléther. La composition de fondant de la présente invention comprend éventuellement en outre un agent épaississant. De préférence, la composition de fondant contient 0 à 30 % en poids d'agent épaississant. L'agent épaississant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention peut être choisi parmi les matériaux résiniques sans durcissement (c'est à dire La composition de fondant de la présente invention, comprend éventuellement en outre une charge inorganique. Les charges inorganiques peuvent être choisies parmi l'alumine, l'hydroxyde d'aluminium, un aluminosilicate, la cordiérite, le silicate de lithium et d'aluminium, l'aluminate de magnésium, l'hydroxyde de magnésium, l'argile, le talc, le trioxyde d'antimoine, le pentoxyde d'antimoine, l'oxyde de zinc, la silice colloïdale, la silice fondue, la poudre de verre, la poudre de quartz et les microsphères de verre. La composition de fondant de la présente invention comprend en outre éventuellement un antioxydant. De préférence, la composition de fondant de la 10 présente invention contient 0,01 à 30 % en poids d'antioxydant. La composition de fondant de la présente invention comprend en outre éventuellement un additif choisi parmi les agents de matage, les agents colorants, les agents antimousse, les stabilisants de dispersion, les agents chélatants, les particules thermoplastiques, les agents imperméables aux UV, les ignifugeants, les 15 agents nivelants, les promoteurs d'adhésion et les agents réducteurs. La composition de fondant de la présente invention comprend de préférence (consiste essentiellement en), comme composant initial : 3,99 à 100 % en poids d'un complexe fondant formé par la combinaison d'un acide carboxylique avec un agent fondant amine représenté par la formule I. De 20 préférence, la composition de fondant de la présente invention comprend (consiste essentiellement en), comme composants initiaux: 3,99 à 100 % en poids d'un complexe fondant formé par la combinaison d'un acide carboxylique et d'un agent fondant amine représenté par la formule I, 0 à 95 % en poids (de préférence encore 8 à 95 % en poids) d'un solvant, 0 à 30 % en poids d'un agent épaississant, 25 0 à 30 % en poids (de préférence encore 1 à 30 % en poids) d'un agent thixotropique, et 0 à 30 % en poids (de préférence encore 0,01 à 30 % en poids) d'un antioxydant. La composition de fondant de la présente invention peut être utilisée par exemple dans la production de composants électroniques, de modules 30 électroniques et de plaques de circuits imprimés. La composition de fondant peut être appliquée à la surface ou aux surfaces qui doivent être soudées par toute technique conventionnelle incluant les techniques de pulvérisation de liquide, les techniques de moussage de liquide, les techniques de prélèvement et d'immersion, les techniques à la vague, ou toute autre technique conventionnelle capable de 2 9 80 72 8 16 distribuer un liquide ou un semi-solide sur une plaquette de silicium ou un substrat. La composition de fondant de la présente invention comprend éventuellement en outre une poudre de soudure; où la composition de fondant est 5 une pâte de soudure. De préférence, la poudre de soudure est un alliage choisi parmi Sn/Pb, Sn/Ag, Sn/Ag/Cu, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi/hl, Sn/Bi et Sn/In (de préférence où la poudre de soudure est un alliage choisi parmi 63 % en poids de Sn/37 % en poids de Pb; 96,5 % en poids de Sn/3,5 % en poids de Ag; 96 % en poids de Sn/3,5 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu; 96,4 % en poids de Sn/2,9 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu; 96,5 % en poids de Sn/3 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu; 42 % en poids de Sn/58 % en poids de Bi; 99,3 % en poids de Sn/0,7 % en poids de Cu; 91 % en poids de Sn/9 % en poids de Zn et 89 % en poids de Sn/8 % en poids de Zn/3 % en poids de Bi). La pâte de soudure comprend de préférence : 1 à 50 % en poids (de 15 préférence encore 5 à 30 % en poids, de manière particulièrement préférable 5 à 15 % en poids) d'un complexe fondant formé par la combinaison d'un acide carboxylique et d'un agent fondant représenté par la formule I ; et 50 à 99 % en poids d'une poudre de soudure. La pâte de soudure peut être combinée par des techniques conventionnelles, par exemple par malaxage et mélange de la poudre 20 de soudure avec le complexe fondant au moyen d'un appareillage conventionnel pour de telles opérations. La pâte de soudure peut être utilisée par exemple dans la production de composants électroniques, de modules électroniques et de plaques de circuits imprimés. La pâte de soudure peut être appliquée à la surface ou aux surfaces qui 25 doivent être soudées par toute technique conventionnelle incluant l'impression de la pâte de soudure au travers d'un masque de soudure conventionnel au moyen d'un appareil de soudage ou d'un appareil de sérigraphie. L'agent fondant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention peut être préparé au moyen de techniques de synthèse conventionnelles 30 bien connues de l'homme du métier moyen. Le complexe fondant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention peut être préparé par exemple en : (a) combinant un agent fondant selon la formule I avec un acide carboxylique (voir par exemple l'exemple 8) ; ou (b) ajoutant un acide carboxylique à un certain stade pendant la préparation d'un agent fondant selon la formule I. Par exemple, en (b), un acide carboxylique peut être mélangé avec la menthane diamine (i) avant de faire réagir la menthane diamine pour former un agent fondant selon la formule I (voir, par exemple l'exemple 9) ; ou (ii) à un certain stade pendant la réaction de la menthane diamine pour former un agent fondant selon la formule I (voir, par exemple, l'exemple 10). Éventuellement, un agent fondant selon la formule I et un acide carboxylique peuvent être combinés dans un solvant (par exemple 1,3-dioxolane) pour faciliter la formation du complexe fondant. Le solvant peut ensuite être retiré par évaporation pour laisser le complexe fondant. Le procédé d'application de soudure à un contact électrique de la présente invention comprend : la fourniture d'un contact électrique ; la fourniture d'une composition de fondant de la présente invention ; l'application de la composition de fondant au contact électrique ; la fourniture d'une soudure ; la fusion de la soudure ; et le déplacement de la composition de fondant appliquée au contact électrique avec la soudure fondue ; où la soudure fondue forme un contact physique avec le contact électrique et se lie au contact électrique. Dans le procédé, de manière souhaitable, la soudure fondue vient en contact intime avec le contact électrique pour faciliter la formation d'une liaison métallique entre le matériau de soudure et le contact électrique, en formant une bonne liaison mécanique et électrique entre la soudure et le contact électrique. Il est possible d'utiliser toute technique de soudage conventionnelle dans le procédé de la présente invention. Par exemple, il est possible d'utiliser un soudoir ou un fer à souder pour chauffer le contact électrique et la soudure à une température supérieure à la température du point de fusion pour la soudure. Il est possible d'utiliser un bain de soudage où de la soudure dans un état liquide est transférée au contact électrique par immersion du contact électrique dans la soudure fondue. Il est possible de mettre en oeuvre des techniques de soudage à la vague conventionnelles. Egalement, il est possible d'utiliser des techniques de soudage par refusion où de la soudure préalablement déposée sur un second contact électrique est amenée à proximité du premier contact électrique et chauffée à une température supérieure à la température du point de fusion de la soudure, où la soudure fond et subit une refusion, en venant en contact avec le premier contact électrique et le second contact électrique, en formant un contact électrique entre le premier contact électrique et le second contact électrique. Le procédé d'application de soudure à un contact électrique de la présente invention peut éventuellement faire partie d'un processus de soudage à puce retournée ("flip chip"), où une puce de semi-conducteur est montée sur une plaque de circuit imprimé, où la puce de semi-conducteur comprend une pluralité de premiers contacts électriques et où la plaque de circuit imprimé comprend une pluralité de seconds contacts électriques. Dans un tel procédé à puce retournée, la composition de fondant de la présente invention est appliquée à l'une, ou aux deux, de la pluralité de premiers contacts électriques et de la pluralité de seconds contacts électriques pour faciliter la liaison par soudure de la pluralité de premiers contacts électriques à la pluralité de seconds contacts électriques pour former des interconnexions électriques. De préférence, le processus de soudage à puce retournée comprend en outre une étape de sous-remplissage où une résine thermodurcissable est fournie pour encapsuler les interconnexions électriques. De manière particulièrement préférable, la résine thermodurcissable est une résine époxyde. Certains modes de réalisation de la présente invention vont maintenant être décrits en détail dans les exemples suivants. Exemples 1-5 : Synthèse d'un agent fondant Les agents fondants identifiés dans le tableau 1 ont été préparés à partir des produits identifiés dans le tableau 1 au moyen du processus suivant. Spécifiquement, dans un récipient réactionnel équipé d'un élément chauffant et 25 d'un agitateur, (0,1 mole) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTm MD) a été ajoutée. Le récipient réactionnel a ensuite été rendu inerte avec de l'azote et (0,2 mole) de réactif A identifié dans le tableau 1 a ensuite été ajoutée au récipient réactionnel à la température ambiante, sous agitation. La température du point de réglage sur l'élément chauffant a 30 ensuite été portée à 75°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures. La température du point de réglage de l'élément chauffant a ensuite été portée à 140°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures supplémentaires. La température du point de réglage de l'élément chauffant a20 ensuite été réduite à 80°C et un vide a été appliqué au récipient réactionnel, ce qui a réduit la pression dans le récipient à 30 mm Hg. Le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée dans ces conditions pendant deux (2) heures supplémentaires pour fournir l'agent fondant produit tel qu'identifié dans le tableau 1. La température du point d'ébullition des agents fondants produits pour les exemples 1-3 ont ensuite été mesurées par calorimétrie différentielle à balayage (CDB) en utilisant une montée de 10°C/min de 25°C à 500°C. La température du point d'ébullition (TPE) mesurée pour l'agent fondant produit pour les exemples 1-3 est fournie dans le tableau 1. Egalement, la perte de poids en pourcentage pour l'agent fondant produit pour les exemples 1-3 par chauffage à 250°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour l'agent fondant produit pour les exemples 1-3 est fournie dans le tableau 1. TABLEAU 1 Ex. RéactifA Alent fondant 1 2-éthylhexylglycidyléther NH-y,0 OH H N 1-1,-----0-W., OH TPE par CDB > 325 °C PP par ATG = 9 % en poids (@ 250 °C) 2 crésylglycidyléther N H--y-...,0 OH HN C' Y el OH TPE par CDB > 325 °C PP par ATG = 8 % en poids (@ 250 °C) 2 9 80 72 8 3 1-naphtylglycidyléther NH--0 des IOH HN 0 OH IO el TPE par CDB > 350 °C PP par ATG = 8 % en poids (@ 250 °C) 4 C12-14 alkylglycidyléther ..'..jorNH-r.,-;0 ,-Alkyl (C12-C14) HN Y-0--AllWI(C12-C14) OH 5 p-t-butylphénylglycidyléther NH -o OH HN 0 OH Exemple 6 : Synthèse d'un agent fondant dimère Un agent fondant dimère a été préparé au moyen du processus suivant. Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (34 g) de menthane 5 diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTm) et (37,4 g) d'un produit réactionnel liquide d'épichlorhydrine et de bisphénol A (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous D.E.R.Tm 331TM) ont été ajoutés. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le contenu du récipient réactionnel a 10 été laissé sous agitation à la température ambiante pendant une nuit, et est devenu solide. Puis, (37,2 g) de 2-éthylhexylglycidyléther (disponible auprès de Momentive Performance Materials) ont été introduits dans le récipient réactionnel. Le récipient réactionnel a ensuite été chauffé jusqu'à 150°C avec une montée d'une heure à partir de la température ambiante puis maintenu à 150°C 15 pendant trois heures. Le contenu du récipient réactionnel a ensuite été mis à refroidir jusqu'à la température ambiante pour fournir un produit agent fondant dimère. Exemple 7 : Synthèse d'un agent fondant dimère Un autre agent fondant dimère a été préparé au moyen du processus suivant. Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (34 g) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous Primene') et (37,4 g) d'un produit réactionnel résine époxyde liquide d'épichlorhydrine et de bisphénol A (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous D.E.R. Tm 331Tm) ont été ajoutés. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le contenu du récipient réactionnel a été laissé sous agitation à la température ambiante pendant une nuit, et est devenu solide. Puis, (40,0 g) de 1-naphtylglycidyléther (disponible auprès de Momentive Performance Materials) ont été introduits dans le récipient réactionnel. Le récipient réactionnel a ensuite été chauffé à 75°C et maintenu à cette température pendant une heure. Le récipient réactionnel a ensuite été chauffé encore à 150°C avec une montée d'une heure à partir de 75°C puis maintenu à 150°C pendant trois heures. Le contenu du récipient réactionnel a ensuite été mis à refroidir jusqu'à la température ambiante pour fournir un produit agent fondant dimère. Exemple 8 : Préparation d'un complexe fondant L'agent fondant (18,07 g ; 33,3 mmoles) préparé selon le processus présenté dans l'exemple 1 a été mélangé à la main avec de l'acide 1,4-dihydroxy- 2-naththoïque (1,69 g ; 8,3 mmoles) dans les conditions ambiantes au moyen d'une spatule pour former un complexe fondant ayant un rapport d'équivalents d'azote d'amine d'agent fondant à la teneur en acide d'acide carboxylique (- COOH) de 2 : 1. La perte de poids en pourcentage du complexe fondant par chauffage à 30 230°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour le complexe fondant était 14,2 % en poids. Exemple 9 : Préparation d'un complexe fondant Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (0,33 mole) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTM MD) a été ajoutée. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le récipient réactionnel a ensuite été rendu inerte avec de l'azote et (0,66 mole) de 2- éthylhexylglycidyléther (provenant de Hexion Specialty Chemicals) a ensuite été ajoutée au récipient réactionnel à la température ambiante sous agitation. La température du point de réglage sur la plaque chauffante a ensuite été portée à 75°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures. La température du point de réglage de la plaque chauffante a ensuite été portée à 140°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures supplémentaires. Le contenu du récipient réactionnel a ensuite été refroidi à 75°C et de l'acide 1,4-dihydroxy-2- naphtoïque (16,9 g ; 0,083 mole) a ensuite été ajouté lentement au récipient réactionnel en 30 minutes. La température du point de réglage de la plaque chauffante a ensuite été fixée à 80°C et un vide a été appliqué au récipient réactionnel, ce qui a réduit la pression dans le récipient à 30 mm Hg. Le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée dans ces conditions pendant deux (2) heures supplémentaires pour former un complexe fondant. La perte de poids en pourcentage du complexe fondant par chauffage à 230°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour le complexe fondant était 14,7 % en poids. Exemple 10 : Préparation d'un complexe fondant Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (0,33 mole) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTM MD) a été ajoutée. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le récipient réactionnel a ensuite été rendu inerte avec de l'azote et (0,083 mole) d'acide 1,4-dihydroxy-2-naphtoïque a été ajoutée lentement en 30 minutes à la température ambiante sous agitation. (0,66 mole) de 2-éthylhexylglycidyléther (provenant de Hexion Specialty Chemicals) a ensuite été ajoutée au récipient réactionnel à la température ambiante sous agitation. La température du point de réglage sur la plaque chauffante a ensuite été portée à 75°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures. La température du point de réglage de la plaque chauffante a ensuite été portée à 140°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures supplémentaires. La température du point de réglage de la plaque chauffante a ensuite été portée à 80°C et un vide a été appliqué au récipient réactionnel, ce qui a réduit la pression dans le récipient à 30 mm Hg. Le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée dans ces conditions pendant deux (2) heures supplémentaires pour fournir un complexe fondant. La perte de poids en pourcentage pour le complexe fondant par chauffage à 230°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour le complexe fondant était 13,8 % en poids. Exemple 11: Evaluation de la capacité fondante La capacité fondante du complexe fondant préparé selon l'exemple 10 a été évaluée au moyen du processus suivant. Un coupon de cuivre a été utilisé comme contact électrique destiné à être soudé. Une petite goutte du complexe fondant préparé selon l'exemple 10 a été distribuée sur la surface destinée à être soudée du coupon de cuivre. Quatre billes d'un diamètre de 0,381 mm d'une soudure sans plomb (95,5 % en poids de Sn/4,0 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu) ont été placées dans la goutte de complexe fondant sur le coupon de cuivre. La plage de fusion de la soudure sans plomb utilisée était 217 à 221°C. Le coupon de cuivre a ensuite été placé sur une plaque chauffante préchauffée à 145°C et maintenu dans cette position pendant deux (2) minutes. Les coupons de cuivre ont ensuite été placés sur une autre plaque chauffante préchauffée à 260°C et maintenus dans cette position jusqu'à ce que la soudure atteigne des conditions de refusion. Le coupon de cuivre a ensuite été retiré de la chaleur et évalué par (a) l'étendue de fusion et de coalescence des quatre billes de soudure placées initialement, (b) la taille de la soudure ayant subi une coalescence résultante pour évaluer l'écoulement et l'étalement et (c) la liaison de la soudure à la surface du coupon de cuivre. La capacité fondante du complexe fondant a été déterminée comme étant 4 sur une échelle de 0 à 4, où : 0 = pas de fusion entre les gouttes de soudure et pas de liaison de la soudure au coupon de cuivre ; 1,2 = fusion partielle à complète entre les gouttes de soudure, mais pas de liaison de la soudure au coupon de cuivre ; 3 = fusion complète entre les gouttes de soudure mais étalement et écoulement minimes de la soudure ; 4 = fusion complète entre les gouttes de soudure, bon étalement et bon écoulement de la soudure sur la surface du coupon de cuivre et liaison de la soudure au coupon de cuivre.10 COMPOSITION DE FONDANT ET PROCEDE DE SOUDAGE La présente invention concerne une composition de fondant comprenant, comme composants initiaux : un acide carboxylique et un agent fondant représenté par la formule I, où RI, R2, R3 et R4 sont choisis indépendamment parmi un hydrogène, un groupe C1_80 alkyle substitué, un groupe C1_80 alkyle non substitué, un groupe C7_80 arylalkyle substitué et un groupe C7-80 arylalkyle non substitué; et où zéro à trois de R1, R2, R3 et R4 est (sont) un hydrogène. La présente invention concerne aussi un procédé de soudage d'un contact électrique. Les processus de soudage vont des processus de soudage manuels, à la main aux processus de soudage automatisés. L'utilisation de matériaux fondants dans les processus de soudage, manuels et automatisés, est également bien connue. En fait, l'utilisation de soudure seule ne conduira généralement pas à une. interconnexion électrique acceptable. Les matériaux fondants remplissent de multiples fonctions dans le processus de soudage. Par exemple, les matériaux fondants agissent pour retirer tout oxyde qui peut s'être formé sur les contacts métalliques (par exemple les régions de soudure, les plots de contact, les broches de contact, les trous de passage recouverts de cuivre) ; pour augmenter le mouillage de la soudure sur les contacts métalliques. Différents procédés ont été employés pour appliquer des matériaux fondants à la surface d'un contact métallique pendant le processus de soudage. Dans certains procédés, des matériaux fondants contenant de la soudure sont utilisés. Par exemple, de tels matériaux combinés ont été fournis sous forme d'un fil de forme annulaire incorporant une âme de matériau fondant. Quand la soudure fond par chauffage, le matériau fondant dans l'âme est activé, en faisant fondre les surfaces qui doivent être interconnectées par la soudure fondue. On connaît également des pâtes de soudure dans lesquelles un matériau fondant et une poudre de soudure sont combinés pour former une suspension stable généralement homogène de particules de soudure dans la pâte. Une application significative commercialement d'un procédé de soudage automatisé est la fabrication des dispositifs semi-conducteurs. C'est-à-dire que des processus de soudage par refusion sont communément utilisés dans la production automatisée de dispositifs semi-conducteurs, où une puce de semiconducteur est montée sur une plaque de circuit imprimé (PCB). Dans certains procédés de production automatisés de ce type, une pâte de soudure est appliquée à une plaque de circuit imprimé, par exemple en utilisant la sérigraphie ou l'impression au stencil. La puce de semi-conducteur est ensuite mise en contact avec la PCB et la pâte de soudure est chauffée pour faire refondre la soudure dans la pâte, en formant des interconnexions électriques entre la puce de semiconducteur et la PCB. Le chauffage peut être facilité par exemple par exposition de la pâte de soudure à de la lumière infrarouge ou par chauffage dans un four. Dans certaines applications, l'ensemble puce de semi-conducteur/PCB est traité encore avec un matériau de sous-remplissage qui remplit sensiblement la zone interstitielle entre la puce de semi-conducteur et la PCB, en encapsulant les interconnexions. Etant donné les demandes pour la production en masse de dispositifs électroniques contenant des circuits de complexité et de miniaturisation croissantes, des processus de soudage automatisés rapides sont apparus, comme, par exemple, ceux incorporant des processus à prélèvement et immersion ("pick and dip"). Dans de tels processus, un fondant peut être appliqué à une pluralité de contacts électriques sur une puce de semi-conducteur par immersion de la partie contacts électriques de la puce de semi-conducteur dans un bain de fondant. Les contacts électriques recouverts de fondant sur la puce de semi-conducteur peuvent être ensuite mis en contact avec une PCB comprenant des contacts électriques correspondants et des billes de soudure. Les billes de soudure peuvent ensuite être chauffées pour interconnecter par refusion la puce de semi-conducteur et la PCB. A titre d'alternative, le processus à prélèvement et immersion peut être employé avec des composants de dispositifs qui ont des contacts électriques avec de la soudure pré-appliquée. Dans ces processus, la soudure pré-appliquée est recouverte de matériau fondant par immersion puis mise en contact avec le ou les contacts électriques correspondants et chauffée pour la refusion, en formant les 30 interconnexions électriques. De nombreux composants électroniques s'adaptent à cette dernière catégorie de processus du fait qu'ils sont fabriqués avec une quantité de soudure suffisante sur une plaque de composant pour faciliter l'interconnexion du composant avec un autre composant électrique (par exemple une PCB). Dans la plupart des cas, l'utilisation de fondants disponibles dans le commerce laisse des résidus ioniques sur les régions soudées, qui peuvent conduire de manière indésirable à une corrosion du circuit et à des courts-circuits. Ainsi, des étapes de processus supplémentaires sont nécessaires pour retirer de tels résidus après la formation des interconnexions soudées. Pour les processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, les connexions de soudure formées entre la puce de semi-conducteur et la PCB conduisent à un interstice relativement petit entre la puce de semi-conducteur et la PCB (par exemple Certains fondants sans nettoyage à faibles résidus ayant une faible teneur en solides sont disponibles dans le commerce. Une composition de fondant dont il est dit qu'elle minimise sensiblement ou élimine sensiblement les résidus de fondant lors du soudage de composants électroniques est décrite dans la publication de demande de brevet US n° 20100175790 au nom de Duchesne et al. Duchesne et al. décrivent une composition de matière comprenant un fondant, où ledit fondant consiste essentiellement en une combinaison de : (a) un agent fondant et (b) un solvant ; où ledit agent fondant : (1) comprend un cétoacide ; ou (2) comprend un ester acide ; ou (3) comprend un mélange dudit cétoacide avec ledit ester acide ; et où ledit solvant comprend un mélange d'un solvant collant choisi parmi les alcools polyhydroxylés ou leurs mélanges, et d'un solvant non collant choisi parmi les alcools monohydroxylés ou leurs mélanges. Néanmoins, il subsiste un besoin de compositions de fondant qui sont sans durcissement, qui facilitent des connexions par soudage fiables et qui sont adaptables pour faciliter la compatibilité avec les matériaux de sous-remplissage à 30 base d'époxyde conventionnels. La présente invention fournit une composition de fondant comprenant, comme composants initiaux : un acide carboxylique ; et un agent fondant représenté par la formule I : R1 I N, 2 R3-1\1\ R4 (I) où RI, R2, R3 et R4 sont choisis indépendamment parmi un hydrogène, un groupe C1_80 alkyle substitué, un groupe C1_80 alkyle non substitué, un groupe C7-80 arylalkyle substitué et un groupe C7-80 arylalkyle non substitué; et où zéro à trois de R1, R2, R3 et R4 est (sont) un hydrogène. La présente invention fournit un procédé d'application de soudure à un contact électrique comprenant : la fourniture d'un contact électrique ; la fourniture d'une composition de fondant de la présente invention ; l'application de la composition de fondant au contact électrique ; la fourniture d'une soudure ; la fusion de la soudure ; et le déplacement de la composition de fondant appliquée au contact électrique avec la soudure fondue ; où la soudure fondue forme un contact physique avec le contact électrique et se lie au contact électrique. DESCRIPTION DETAILLEE La composition de fondant de la présente invention est conçue pour faciliter la compatibilisation avec différentes compositions de sous-remplissage, de sorte que, de préférence, les surfaces soudées ne nécessitent pas de nettoyage avant l'application d'une composition de sous-remplissage pour former une jonction électrique terminée. Le terme « composition de fondant sans nettoyage » telle qu'il est utilisé ici et dans les revendications annexées désigne des compositions de fondant qui présentent une faible activité de résidus de fondant ou pas d'activité de résidus de fondant avec une teneur en halogénures 250 °C (de préférence encore > 300 °C, de manière particulièrement 10 préférée > 325 °C) et une perte de poids en pourcentage R4 premier ère (Ha); R4 premier mère (Ilb); et R4 second mère premier mère Un exemple d'un dimère selon la formule (Ha) est le 1-(2-éthyl- hexyloxy)-3-(4-(2-(3-(4-(2-(4-(3-(4-(2-(3-(heptan-3-yloxy) -2-hydroxypropyl- amino)propan-2-y1)-1-méthylcyclohexylamino)-2-hydroxypropoxy)phény1)- propan-2-yl)phénoxy)-2-hydroxypropylamino)propan-2-y1) -1-méthylcyclohexylamino)propan-2-ol, comme suit: second mère OH La composition de fondant de la présente invention comprend éventuellement en outre un solvant. Un solvant est éventuellement inclus dans la composition de fondant de la présente invention pour faciliter la délivrance de l'agent fondant amine à la surface, ou aux surfaces, qui doivent être soudées. De préférence, la composition de fondant contient 8 à 95 % en poids de solvant. Le solvant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention est de préférence un solvant organique choisi parmi les hydrocarbures (par exemple dodécane, tétradécane); les hydrocarbures aromatiques (par exemple benzène, toluène, xylène, triméthylbenzène, benzoate de butyle, dodécylbenzène); les cétones (par exemple méthyléthylcétone, méthylisobutylcétone, cyclohexanone); les éthers (par exemple tétrahydrofurane, 1,4-dioxane et tétrahydrofurane, 1,3-dioxalane, diprolylèneglycol diméthyléther); les alcools (par exemple 2-méthoxy-éthanol, 2-butoxyéthanol, méthanol, éthanol, isopropanol, a-terpinéol, alcool benzylique, 2-hexyldécanol); les esters (par exemple acétate d'éthyle, lactate d'éthyle, acétate de butyle, adipate de diéthyle, phtalate de diéthyle, monobutylacétate de diéthylèneglycol, acétate de monométhyléther de propylèneglycol, lactate d'éthyle, 2-hydroxyisobutyrate de méthyle, acétate de monométhyléther de propylèneglycol); et amides (par exemple N-méthylpyrrolidone, N,N-diméthylformamide et N,N-diméthylacétamide); dérivés de glycol (par exemple cellosolve, butylcellosolve); glycols (par exemple éthylèneglycol; diéthylèneglycol; dipropylèneglycol; triéthylèneglycol; hexylèneglycol; 1,5-pentanediol); éthers de glycol (par exemple propylèneglycol monométhyléther, méthylcarbitol, butylcarbitol); et solvants pétroliers (par exemple éther de pétrole, naphta). De préférence encore, le solvant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention est un solvant organique choisis parmi la méthyléthylcétone; le 2-propanol; le propylèneglycol monométhyléther; l'acétate de propylèneglycol monométhyléther ; le lactate d'éthyle et le 2-hydroxyisobutyrate de méthyle. De manière particulièrement préférable, le solvant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention est le propylèneglycol monométhyléther. La composition de fondant de la présente invention comprend éventuellement en outre un agent épaississant. De préférence, la composition de fondant contient 0 à 30 % en poids d'agent épaississant. L'agent épaississant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention peut être choisi parmi les matériaux résiniques sans durcissement (c'est à dire La composition de fondant de la présente invention, comprend éventuellement en outre une charge inorganique. Les charges inorganiques peuvent être choisies parmi l'alumine, l'hydroxyde d'aluminium, un aluminosilicate, la cordiérite, le silicate de lithium et d'aluminium, l'aluminate de magnésium, l'hydroxyde de magnésium, l'argile, le talc, le trioxyde d'antimoine, le pentoxyde d'antimoine, l'oxyde de zinc, la silice colloïdale, la silice fondue, la poudre de verre, la poudre de quartz et les microsphères de verre. La composition de fondant de la présente invention comprend en outre éventuellement un antioxydant. De préférence, la composition de fondant de la 10 présente invention contient 0,01 à 30 % en poids d'antioxydant. La composition de fondant de la présente invention comprend en outre éventuellement un additif choisi parmi les agents de matage, les agents colorants, les agents antimousse, les stabilisants de dispersion, les agents chélatants, les particules thermoplastiques, les agents imperméables aux UV, les ignifugeants, les 15 agents nivelants, les promoteurs d'adhésion et les agents réducteurs. La composition de fondant de la présente invention comprend de préférence (consiste essentiellement en), comme composant initial : 3,99 à 100 % en poids d'un complexe fondant formé par la combinaison d'un acide carboxylique avec un agent fondant amine représenté par la formule I. De 20 préférence, la composition de fondant de la présente invention comprend (consiste essentiellement en), comme composants initiaux: 3,99 à 100 % en poids d'un complexe fondant formé par la combinaison d'un acide carboxylique et d'un agent fondant amine représenté par la formule I, 0 à 95 % en poids (de préférence encore 8 à 95 % en poids) d'un solvant, 0 à 30 % en poids d'un agent épaississant, 25 0 à 30 % en poids (de préférence encore 1 à 30 % en poids) d'un agent thixotropique, et 0 à 30 % en poids (de préférence encore 0,01 à 30 % en poids) d'un antioxydant. La composition de fondant de la présente invention peut être utilisée par exemple dans la production de composants électroniques, de modules 30 électroniques et de plaques de circuits imprimés. La composition de fondant peut être appliquée à la surface ou aux surfaces qui doivent être soudées par toute technique conventionnelle incluant les techniques de pulvérisation de liquide, les techniques de moussage de liquide, les techniques de prélèvement et d'immersion, les techniques à la vague, ou toute autre technique conventionnelle capable de 2 9 80 72 8 16 distribuer un liquide ou un semi-solide sur une plaquette de silicium ou un substrat. La composition de fondant de la présente invention comprend éventuellement en outre une poudre de soudure; où la composition de fondant est 5 une pâte de soudure. De préférence, la poudre de soudure est un alliage choisi parmi Sn/Pb, Sn/Ag, Sn/Ag/Cu, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi/hl, Sn/Bi et Sn/hi (de préférence où la poudre de soudure est un alliage choisi parmi 63 % en poids de Sn/37 % en poids de Pb; 96,5 % en poids de Sn/3,5 % en poids de Ag; 96 % en poids de Sn/3,5 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu; 96,4 % en poids de 10 Sn/2,9 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu; 96,5 % en poids de Sn/3 % en poids de Ag/0,5 % en poids de Cu; 42 % en poids de Sn/58 % en poids de Bi; 99,3 % en poids de Sn/0,7 % en poids de Cu; 91 % en poids de Sn/9 % en poids de Zn et 89 % en poids de Sn/8 % en poids de Zn/3 % en poids de Bi). La pâte de soudure comprend de préférence : 1 à 50 % en poids (de 15 préférence encore 5 à 30 % en poids, de manière particulièrement préférable 5 à 15 % en poids) d'un complexe fondant formé par la combinaison d'un acide carboxylique et d'un agent fondant représenté par la formule I ; et 50 à 99 % en poids d'une poudre de soudure. La pâte de soudure peut être combinée par des techniques conventionnelles, par exemple par malaxage et mélange de la poudre 20 de soudure avec le complexe fondant au moyen d'un appareillage conventionnel pour de telles opérations. La pâte de soudure peut être utilisée par exemple dans la production de composants électroniques, de modules électroniques et de plaques de circuits imprimés. La pâte de soudure peut être appliquée à la surface ou aux surfaces qui 25 doivent être soudées par toute technique conventionnelle incluant l'impression de la pâte de soudure au travers d'un masque de soudure conventionnel au moyen d'un appareil de soudage ou d'un appareil de sérigraphie. L'agent fondant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention peut être préparé au moyen de techniques de synthèse conventionnelles 30 bien connues de l'homme du métier moyen. Le complexe fondant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention peut être préparé par exemple en : (a) combinant un agent fondant selon la formule I avec un acide carboxylique (voir par exemple l'exemple 8) ; ou (b) ajoutant un acide carboxylique à un certain stade pendant la préparation d'un agent fondant selon la formule I. Par exemple, en (b), un acide carboxylique peut être mélangé avec la menthane diamine (i) avant de faire réagir la menthane diamine pour former un agent fondant selon la formule I (voir, par exemple l'exemple 9) ; ou (ii) à un certain stade pendant la réaction de la menthane diamine pour former un agent fondant selon la formule I (voir, par exemple, l'exemple 10). Éventuellement, un agent fondant selon la formule I et un acide carboxylique peuvent être combinés dans un solvant (par exemple 1,3-dioxolane) pour faciliter la formation du complexe fondant. Le solvant peut ensuite être retiré par évaporation pour laisser le complexe fondant. Le procédé d'application de soudure à un contact électrique de la présente invention comprend : la fourniture d'un contact électrique ; la fourniture d'une composition de fondant de la présente invention ; l'application de la composition de fondant au contact électrique ; la fourniture d'une soudure ; la fusion de la soudure ; et le déplacement de la composition de fondant appliquée au 15 contact électrique avec la soudure fondue ; où la soudure fondue forme un contact physique avec le contact électrique et se lie au contact électrique. Dans le procédé, de manière souhaitable, la soudure fondue vient en contact intime avec le contact électrique pour faciliter la formation d'une liaison métallique entre le matériau de soudure et le contact électrique, en formant une bonne liaison mécanique et 20 électrique entre la soudure et le contact électrique. Il est possible d'utiliser toute technique de soudage conventionnelle dans le procédé de la présente invention. Par exemple, il est possible d'utiliser un soudoir ou un fer à souder pour chauffer le contact électrique et la soudure à une température supérieure à la température du point de fusion pour la soudure. Il est possible d'utiliser un bain de soudage où 25 de la soudure dans un état liquide est transférée au contact électrique par immersion du contact électrique dans la soudure fondue. Il est possible de mettre en oeuvre des techniques de soudage à la vague conventionnelles. Egalement, il est possible d'utiliser des techniques de soudage par refusion où de la soudure préalablement déposée sur un second contact électrique est amenée à proximité du 30 premier contact électrique et chauffée à une température supérieure à la température du point de fusion de la soudure, où la soudure fond et subit une refusion, en venant en contact avec le premier contact électrique et le second contact électrique, en formant un contact électrique entre le premier contact électrique et le second contact électrique. Le procédé d'application de soudure à un contact électrique de la présente invention peut éventuellement faire partie d'un processus de soudage à puce retournée ("flip chip"), où une puce de semi-conducteur est montée sur une plaque de circuit imprimé, où la puce de semi-conducteur comprend une pluralité de premiers contacts électriques et où la plaque de circuit imprimé comprend une pluralité de seconds contacts électriques. Dans un tel procédé à puce retournée, la composition de fondant de la présente invention est appliquée à l'une, ou aux deux, de la pluralité de premiers contacts électriques et de la pluralité de seconds contacts électriques pour faciliter la liaison par soudure de la pluralité de premiers contacts électriques à la pluralité de seconds contacts électriques pour former des interconnexions électriques. De préférence, le processus de soudage à puce retournée comprend en outre une étape de sous-remplissage où une résine thermodurcissable est fournie pour encapsuler les interconnexions électriques. De manière particulièrement préférable, la résine thermodurcissable est une résine époxyde. Certains modes de réalisation de la présente invention vont maintenant être décrits en détail dans les exemples suivants. Exemples 1-5 : Synthèse d'un agent fondant Les agents fondants identifiés dans le tableau 1 ont été préparés à partir des produits identifiés dans le tableau 1 au moyen du processus suivant. Spécifiquement, dans un récipient réactionnel équipé d'un élément chauffant et 25 d'un agitateur, (0,1 mole) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTm MD) a été ajoutée. Le récipient réactionnel a ensuite été rendu inerte avec de l'azote et (0,2 mole) de réactif A identifié dans le tableau 1 a ensuite été ajoutée au récipient réactionnel à la température ambiante, sous agitation. La température du point de réglage sur l'élément chauffant a 30 ensuite été portée à 75°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures. La température du point de réglage de l'élément chauffant a ensuite été portée à 140°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures supplémentaires. La température du point de réglage de l'élément chauffant a20 ensuite été réduite à 80°C et un vide a été appliqué au récipient réactionnel, ce qui a réduit la pression dans le récipient à 30 mm Hg. Le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée dans ces conditions pendant deux (2) heures supplémentaires pour fournir l'agent fondant produit tel qu'identifié dans le tableau 1. La température du point d'ébullition des agents fondants produits pour les exemples 1-3 ont ensuite été mesurées par calorimétrie différentielle à balayage (CDB) en utilisant une montée de 10°C/min de 25°C à 500°C. La température du point d'ébullition (TPE) mesurée pour l'agent fondant produit pour les exemples 1-3 est fournie dans le tableau 1. Egalement, la perte de poids en pourcentage pour l'agent fondant produit pour les exemples 1-3 par chauffage à 250°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour l'agent fondant produit pour les exemples 1-3 est fournie dans le tableau 1. TABLEAU 1 Ex. RéactifA Alent fondant 1 2-éthylhexylglycidyléther NH-y,0 OH H N 1-1,-----0-W., OH TPE par CDB > 325 °C PP par ATG = 9 % en poids (@ 250 °C) 2 crésylglycidyléther N H--y-...,0 OH HN C' Y el OH TPE par CDB > 325 °C PP par ATG = 8 % en poids (@ 250 °C) 2 9 80 72 8 3 1-naphtylglycidyléther NH--0 des IOH HN 0 OH IO el TPE par CDB > 350 °C PP par ATG = 8 % en poids (@ 250 °C) 4 C12-14 alkylglycidyléther ..'..jorNH-r.,-;0 ,-Alkyl (C12-C14) HN Y-0--AllWI(C12-C14) OH 5 p-t-butylphénylglycidyléther NH -o OH HN 0 OH Exemple 6 : Synthèse d'un agent fondant dimère Un agent fondant dimère a été préparé au moyen du processus suivant. Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (34 g) de menthane 5 diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTm) et (37,4 g) d'un produit réactionnel liquide d'épichlorhydrine et de bisphénol A (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous D.E.R.Tm 331TM) ont été ajoutés. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le contenu du récipient réactionnel a 10 été laissé sous agitation à la température ambiante pendant une nuit, et est devenu solide. Puis, (37,2 g) de 2-éthylhexylglycidyléther (disponible auprès de Momentive Performance Materials) ont été introduits dans le récipient réactionnel. Le récipient réactionnel a ensuite été chauffé jusqu'à 150°C avec une montée d'une heure à partir de la température ambiante puis maintenu à 150°C 15 pendant trois heures. Le contenu du récipient réactionnel a ensuite été mis à refroidir jusqu'à la température ambiante pour fournir un produit agent fondant dimère. Exemple 7 : Synthèse d'un agent fondant dimère Un autre agent fondant dimère a été préparé au moyen du processus suivant. Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (34 g) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous Primene') et (37,4 g) d'un produit réactionnel résine époxyde liquide d'épichlorhydrine et de bisphénol A (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous D.E.R. Tm 331Tm) ont été ajoutés. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le contenu du récipient réactionnel a été laissé sous agitation à la température ambiante pendant une nuit, et est devenu solide. Puis, (40,0 g) de 1-naphtylglycidyléther (disponible auprès de Momentive Performance Materials) ont été introduits dans le récipient réactionnel. Le récipient réactionnel a ensuite été chauffé à 75°C et maintenu à cette température pendant une heure. Le récipient réactionnel a ensuite été chauffé encore à 150°C avec une montée d'une heure à partir de 75°C puis maintenu à 150°C pendant trois heures. Le contenu du récipient réactionnel a ensuite été mis à refroidir jusqu'à la température ambiante pour fournir un produit agent fondant dimère. Exemple 8 : Préparation d'un complexe fondant L'agent fondant (18,07 g ; 33,3 mrnoles) préparé selon le processus présenté dans l'exemple 1 a été mélangé à la main avec de l'acide 1,4-dihydroxy- 2-naththoïque (1,69 g ; 8,3 mmoles) dans les conditions ambiantes au moyen d'une spatule pour former un complexe fondant ayant un rapport d'équivalents d'azote d'amine d'agent fondant à la teneur en acide d'acide carboxylique (- COOH) de 2 : 1. La perte de poids en pourcentage du complexe fondant par chauffage à 30 230°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour le complexe fondant était 14,2 % en poids. Exemple 9 : Préparation d'un complexe fondant Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (0,33 mole) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTM MD) a été ajoutée. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le récipient réactionnel a ensuite été rendu inerte avec de l'azote et (0,66 mole) de 2- éthylhexylglycidyléther (provenant de Hexion Specialty Chemicals) a ensuite été ajoutée au récipient réactionnel à la température ambiante sous agitation. La température du point de réglage sur la plaque chauffante a ensuite été portée à 75°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures. La température du point de réglage de la plaque chauffante a ensuite été portée à 140°C et le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée pendant deux (2) heures supplémentaires. Le contenu du récipient réactionnel a ensuite été refroidi à 75°C et de l'acide 1,4-dihydroxy-2- naphtoïque (16,9 g ; 0,083 mole) a ensuite été ajouté lentement au récipient réactionnel en 30 minutes. La température du point de réglage de la plaque chauffante a ensuite été fixée à 80°C et un vide a été appliqué au récipient réactionnel, ce qui a réduit la pression dans le récipient à 30 mm Hg. Le contenu du récipient réactionnel a été mis sous agitation continuée dans ces conditions pendant deux (2) heures supplémentaires pour former un complexe fondant. La perte de poids en pourcentage du complexe fondant par chauffage à 230°C a été mesurée par analyse thermogravimétrique (ATG) en utilisant une montée de la température de 10°C/min à partir de 25°C. La perte de poids (PP) mesurée pour le complexe fondant était 14,7 % en poids. Exemple 10 : Préparation d'un complexe fondant Dans un récipient réactionnel muni d'un barreau d'agitateur, (0,33 mole) de menthane diamine (disponible auprès de The Dow Chemical Company sous PrimeneTM MD) a été ajoutée. Le récipient réactionnel a ensuite été placé sur une plaque chauffante ayant une capacité d'agitation magnétique. Le récipient réactionnel a ensuite été rendu inerte avec de l'azote et (0,083 mole) d'acide 1,4-dihydroxy-2-naphtoïque a été ajoutée lentement en 30 minutes à la température ambiante sous agitation. (0,66 mole) de 2-éthylhexylglycidyléther (provenant de Hexion Specialty Chemicals) a ensuite été ajoutée au récipient réactionnel à la température ambiante sous agitation. La température du point de