Brevet FR2982080A1 — publié le 20130503

B11-3667FR 1 Procédé de communication sans fil entre deux dispositifs, notamment au sein d'un même circuit intégré, et système correspondant L'invention concerne la microélectronique, et plus particulièrement la communication sans fil entre deux dispositifs, tout particulièrement mais non exclusivement lorsque ces deux dispositifs sont incorporés au sein d'un même circuit intégré, ou encore au sein d'une structure intégrée tridimensionnelle. Actuellement, la solution communément utilisée pour la communication de données entre deux dispositifs à l'intérieur d'une même puce électronique est basée sur une transmission radiofréquence. Cependant, de telles solutions sont coûteuses à mettre en oeuvre, car elles nécessitent l'introduction d'antennes radiofréquence dans la puce. Selon un mode de mise en oeuvre, il est proposé un procédé totalement nouveau de communication sans fil entre deux dispositifs, en particulier lorsque ces deux dispositifs sont disposés à l'intérieur d'une même puce électronique. Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, il est proposé d'insérer dans chaque dispositif un générateur thermoélectrique, et d'utiliser pour l'un, l'effet Peltier et pour l'autre, l'effet Seebeck, pour permettre la transmission d'informations sans fil entre les deux dispositifs. Selon un aspect, il est proposé un procédé de communication sans fil entre un premier dispositif et un deuxième dispositif, le premier dispositif et le deuxième dispositif comprenant respectivement un premier générateur thermoélectrique et un deuxième générateur thermoélectrique, les deux générateurs thermoélectriques étant en couplage thermique ; on génère un premier signal au sein du premier dispositif, on alimente électriquement le premier générateur thermoélectrique en fonction du premier signal de façon à créer un premier gradient thermique dans le premier générateur, et un deuxième gradient thermique dans le deuxième générateur, et on génère un deuxième signal au sein du deuxième dispositif à partir de l'énergie électrique produite par le deuxième générateur thermoélectrique en réponse audit deuxième gradient thermique. La mise en couplage thermique des deux générateurs thermoélectroniques peut être obtenue par exemple en disposant les deux générateurs thermoélectriques l'un à côté de l'autre ou bien, au moins en partie l'un au dessus de l'autre. On peut incorporer le premier dispositif et le deuxième dispositif au sein d'un même circuit intégré, ou bien au sein d'une structure intégrée tridimensionnelle et plus particulièrement au sein du dispositif de liaison (« interposer », selon une dénomination anglosaxonne bien connue de l'homme du métier) entre les éléments de la structure. Une application particulièrement simple à mettre en oeuvre, mais non limitative, du procédé, consiste en la transmission d'une information logique (« 0 » ou « 1 ») entre les deux dispositifs. Plus précisément, selon un mode de mise en oeuvre dans lequel le premier signal est un premier signal logique capable de prendre un premier état logique et un deuxième état logique, et le deuxième signal est un deuxième signal logique capable de prendre le premier état logique et le deuxième état logique, on alimente électriquement le premier générateur en présence du premier signal logique ayant le premier état logique, et on génère le deuxième signal logique ayant le premier état logique en présence de l'énergie électrique produite par le deuxième générateur thermoélectrique, tandis qu'on génère le deuxième signal logique ayant le deuxième état logique en absence d' énergie électrique produite par le deuxième générateur thermoélectrique. Selon un autre aspect, il est proposé un système de communication sans fil, comprenant : un premier dispositif comportant un premier générateur thermoélectrique, des premiers moyens de génération configurés pour générer un premier signal, des moyens d'alimentation configurés pour alimenter électriquement le premier générateur thermoélectrique en fonction du premier signal de façon à générer un premier gradient thermique dans le premier générateur thermoélectrique, un deuxième dispositif comportant un deuxième générateur thermoélectrique en couplage thermique avec le premier générateur thermoélectrique, des moyens de délivrance configurés pour délivrer une information électrique en réponse à un deuxième gradient thermique généré dans le deuxième générateur thermoélectrique à partir du premier gradient thermique, des deuxièmes moyens de génération configurés pour générer un deuxième signal en fonction de ladite information électrique. Bien que tous types de générateurs thermoélectriques conviennent, il est particulièrement intéressant d'utiliser un générateur thermoélectrique compatible avec les technologies et procédés de fabrication déjà largement utilisés dans le domaine de la microélectronique, en particulier pour la fabrication de mémoires non volatiles embarquées (« Embedded Memory ») selon la dénomination bien connue de l'homme du métier, c'est-à-dire des mémoires qui sont réalisées sur le même circuit intégré que celui contenant un autre composant, par exemple un processeur, par opposition aux modules de mémoires externes qui sont réalisés sur un circuit intégré spécifique externe et différent de celui contenant un processeur. Il est notamment proposé d'utiliser des couches de matériau, par exemple de polysilicium, déjà disponibles pour réaliser les cellules mémoires, et ce sans que le générateur nécessite l'adjonction de masques supplémentaires ou d'étapes de procédé supplémentaires par rapport au procédé de fabrication de cellules mémoires existantes, ou nécessite à tout le moins l'adjonction de quelques étapes de procédé supplémentaires, particulièrement simples à mettre en oeuvre. Ainsi, lorsque les deux générateurs thermoélectriques sont disposés l'un à côté de l'autre, on peut prévoir, selon un mode de réalisation, que chaque générateur thermoélectrique comprenne un substrat semiconducteur et des régions isolantes parallèles, au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, ledit au moins un ensemble de thermocouples étant situé dans le substrat et comprenant des régions semiconductrices parallèles s'étendant dans le substrat, deux régions semiconductrices voisines ayant respectivement l'un et l'autre de deux types de conductivité opposés et étant séparées par une région isolante. En variante, selon un autre mode de réalisation, toujours compatible avec un placement l'un à côté de l'autre des deux générateurs thermoélectriques, chaque générateur thermoélectrique comprend un substrat semiconducteur recouvert d'une couche isolante, au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle comportant plusieurs paires parallèles de régions semiconductrices parallèles enrobées dans un matériau isolant ayant respectivement deux types de conductivité opposés. En variante, les deux générateurs thermoélectriques peuvent être disposés au moins en partie l'un au dessus de l'autre. Et, selon un mode de réalisation compatible avec un tel placement, l'un des générateurs thermoélectriques comprend un substrat semiconducteur et des régions isolantes parallèles, un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, ledit ensemble de thermocouples étant situé dans le substrat et comprenant des régions semiconductrices parallèles s'étendant dans le substrat, deux régions semiconductrices voisines ayant respectivement l'une et l'autre deux types de conductivité opposés et étant séparées par une région isolante, et l'autre générateur thermoélectrique comprend le substrat et les régions isolantes parallèles et un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, ledit ensemble de thermocouples comprenant au dessus de chaque région isolante au moins une paire de régions semiconductrices enrobées dans un matériau isolant ayant respectivement deux types de conductivité opposés. Quelle que soit la configuration, chaque générateur thermoélectrique comprend en outre par exemple des moyens de connexion électriquement conducteurs assurant la liaison électrique entre les régions semiconductrices de l'ensemble de thermocouples, ces moyens de connexion étant situés au dessus du substrat et reliant une zone d'extrémité d'une région semiconductrice ayant l'un des deux types de conductivité à une zone d'extrémité d'une région semiconductrice ayant l'autre type de conductivité. Selon un mode de réalisation, le premier signal étant un premier signal logique capable de prendre un premier état logique et un deuxième état logique et le deuxième signal étant un deuxième signal logique capable de prendre le premier état logique et le deuxième état logique, les moyens d'alimentation sont configurés pour alimenter électriquement le premier générateur en présence du premier signal logique ayant le premier état logique, et les deuxième moyens de génération sont configurés pour générer le deuxième signal logique ayant le premier état logique en présence de l'information électrique produite par lesdits moyens de délivrance et pour générer le deuxième signal logique ayant le deuxième état logique en absence d'information électrique produite par lesdits moyens de délivrance. Selon un autre aspect, il est proposé un circuit intégré incorporant le système tel que défini ci avant. Selon un autre aspect, il est proposé une structure intégrée tridimensionnelle comprenant au moins deux éléments électriquement interconnectés par un dispositif de liaison, et incorporant en outre le système tel que défini ci avant, ce système pouvant être par exemple au moins en partie incorporé dans le dispositif de liaison de la structure intégré tridimensionnelle. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée de modes de mise en oeuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : la figure 1 illustre schématiquement un exemple de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, les figures 2 à 4 illustrent schématiquement des modes de réalisation d'un système selon l'invention, la figure 5 illustre très schématiquement un exemple de réalisation d'un circuit intégré incorporant un exemple de système selon l'invention, les figures 6 à 9 illustrent schématiquement d'autres modes de réalisation de générateurs thermoélectriques incorporables dans des modes de réalisation de dispositifs selon l'invention, et la figure 10 illustre schématiquement un exemple de réalisation d'une structure intégrée selon l'invention. Sur la figure 1, deux dispositifs DIS 1 et DIS2 comprennent chacun un générateur thermoélectrique GEN1 et GEN2 disposés relativement l'un à l'autre en couplage thermique. On génère (10) un premier signal 51 au sein du premier dispositif et on alimente électriquement (11) le premier générateur thermoélectrique GEN1 en fonction du premier signal. En d'autres termes, la valeur du courant ou de la tension délivrée aux bornes du générateur GEN1 dépend de la valeur du premier signal 51. En conséquence, de par l'effet Peltier, l'alimentation électrique du premier générateur GEN1 génère, dans ce générateur, un premier gradient thermique AT1 (12). Tandis que les deux générateurs GEN1 et GEN2 sont en couplage thermique, ce premier gradient thermique AT1 génère (13) dans le générateur GEN2, un deuxième gradient thermique AT2. De par l'effet Seebeck, ce deuxième gradient thermique AT2 génère, aux bornes du deuxième générateur thermoélectrique GEN2, une énergie électrique, par exemple une différence de potentiel AV2 (14). On génère alors un deuxième signal S2 (15) en réponse à ladite énergie électrique produite. En d'autres termes, la valeur du signal S2 dépend de la valeur de l'énergie électrique produite, par exemple la valeur de la différence de potentiel AV2. On établit ainsi une communication sans fil entre le dispositif DIS1 et DIS2. La figure 2 illustre très schématiquement un exemple de réalisation d'un système SYS de communication sans fil entre les deux dispositifs DIS1 et DIS2, permettant notamment la mise en oeuvre du procédé décrit à la figure 1. Plus précisément, le premier dispositif DIS1 comprend le premier générateur GEN1, des premiers moyens de génération MG1 configurés pour générer un premier signal Si, des moyens d'alimentation MLM connectés entre une tension d'alimentation Vdd et la masse, et configurés pour alimenter électriquement le premier générateur thermoélectrique GEN1 en fonction du premier signal S1 de façon à générer le premier gradient thermique AT1 dans le premier générateur thermoélectrique. A cet égard, les moyens d'alimentation MLM peuvent générer une différence de potentiel AV1 aux bornes du générateur GEN1, ce qui revient à faire circuler dans ce générateur GEN1 un courant Il. De par l'effet Peltier, la circulation du courant I1 dans le générateur GEN1 va créer le gradient de température AT1 ainsi qu'une zone chaude SH à une extrémité de ce premier générateur GEN1. Le deuxième générateur GEN2 du dispositif DIS12 étant en couplage thermique avec le premier générateur GEN1, une extrémité de ce deuxième générateur GEN2 se situe dans la zone chaude SH. Et, comme l'autre extrémité est à une température plus basse, il se crée donc un deuxième gradient thermique AT2 dans ce deuxième générateur GEN2, ce qui permet de produire en sortie de ce générateur une information électrique correspondante, par exemple une différence de potentiel AV2. Le deuxième dispositif DIS2 comporte alors des moyens de délivrance MSE configurés pour délivrer cette information électrique à des deuxièmes moyens de génération MG2 également connectés entre la tension d'alimentation Vdd et la masse. Ces deuxièmes moyens de génération MG2 sont configurés pour générer un deuxième signal S2 en fonction de ladite information électrique AV2. A titre indicatif, les moyens MSE peuvent être par exemple tout simplement des pistes métalliques, ou, lorsque le générateur thermoélectrique GEN2 comporte des barreaux (comme on va le voir plus en détail ci après), un prolongement des barreaux correspondant. Dans un exemple particulier, les premiers moyens de génération MG1 peuvent comporter des moyens logiques configurés pour générer un premier signal logique Si susceptible de prendre un premier état logique, par exemple l'état logique « 1 », ou bien un deuxième état logique, par exemple l'état logique « 0 ». Les moyens d'alimentation MLM vont alors alimenter électriquement le premier générateur GEN1 lorsque le premier signal logique S1 a la valeur 1, et ne vont pas l'alimenter dans le cas contraire. En conséquence, les deux gradients thermiques AT1 et AT2 ne seront générés qu'en présence d'un signal logique Si ayant la valeur 1. Les deuxièmes moyens de génération MG2 sont également configurés, pour délivrer comme signal S2, un signal logique capable de prendre également la valeur « 0 » ou la valeur « 1 ». A cet égard, les deuxièmes moyens MG2 peuvent également comporter des circuits logiques. Et, en présence d'une différence de potentiel AV2 non nulle, les deuxièmes moyens MG2 vont délivrer un signal logique S2 ayant la valeur logique 1, tandis qu'en présence d'une différence de potentiel AV2 nulle, les moyens MG2 vont délivrer un signal logique S2 ayant la valeur logique « 0 ». En conséquence, le système SYS permet donc ici aisément la transmission d'une information logique « 0 » ou « 1 » entre les deux dispositifs. A titre d'exemple, le signal S1 peut être un signal de commande d'activation d'un bloc spécifique du dispositif DIS2. Et, ce bloc spécifique va être activé en réponse au signal S2 ayant la valeur logique « 1 ». Tout type de générateur thermoélectrique convient pour l'application de l'invention. Cela étant, les générateurs thermoélectriques comprennent, de façon classique, un support et un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle. Des thermocouples thermiquement connectés en parallèle s'entendent comme étant des thermocouples destinés à être tous soumis à un même gradient de température, par exemple lorsqu'une source de chaleur est disposée à une des extrémités des thermocouples, et lorsqu'une source froide est disposée à l'autre extrémité. Il se crée alors aux deux bornes de l'ensemble des thermocouples reliés électriquement en série, une différence de potentiel qui est due à l'effet Seebeck. Les générateurs thermoélectriques ont fait l'objet de nombreuses publications. On peut notamment citer l'article de Vullers et autres, intitulé « Micropower energy harvesting », Solid-State Electronics 53 (2009) 684-693, l'article de Yang et autres, intitulé « Design and verification of a thermoelectric energy harvester with stacked polysilicon thermocouples by CMOS process", Sensors and actuators A157 (2010) 258-266, l'article de Pin-Hsu Kao et autres, intitulé Fabrication and Characterization of CMOS-MEMS Thermoelectric Micro Generators, Sensors 2010, 10, 1315-1325, l'article de Joao Paulo Carmo et autres, intitulé « A planar thermoelectric power generator for integration in wearable microsystems », Sensors and Actuators A161 (2010), 199-204, l'article de S.M. Yang et autres, intitulé « Development of a thermoelectric energy harvester with thermal isolation cavity by standard CMOS process", Sensors and Actuators A153 (2009), 244250, l'article de Ziyang Wang et autres, intitulé « Realization of a wearable miniaturized thermoelectric generator for human body applications », Sensors and Actuators A156 (2009), 95-102, l'article de Hélène Lhermet et autres, intitulé « Efficient Power Management Circuit : From Thermal Energy Harvesting to Above-IC Microbattery Energy Storage », IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.43, n°1, Janvier 2008, l'article de Till Huesgen et autres, intitulé « Design and fabrication of MEMS thermoelectric generators with high temperature efficiency", Sensors and Actuators A145-146 (2008), 423-429, l'article de David Koester et autres, intitulé « Embedded thermoelectric coolers for semiconductor hot spot cooling », 2006 IEEE, l'article de Hiromichi Ohta et autres, intitulé « Critical thickness for giant thermoelectric Seebeck coefficient of 2DEG confined in SrTiO3/SrTio 8Nb0.203 superlattices", Thin Solid Films 516 (2008), 5916-5920. Tous ces articles décrivent soit les principes généraux des générateurs thermoélectriques basés sur l'effet Seebeck, en utilisant par exemple des supports en céramique, ou bien décrivent des générateurs utilisant des matériaux non compatibles avec des technologies CMOS, tels que des matériaux piézoélectriques, ou encore des générateurs basés sur des procédés technologiques du type MEMS (Micro Electro Mechanical System) et présentant des cavités dans le substrat sous les thermocouples. On peut donc utiliser, pour chaque générateur GEN1 et GEN2, l'un des générateurs décrits dans ces publications, sans pour autant qu'il soit nécessaire d'utiliser deux structures identiques pour les deux générateurs. Le premier générateur GEN1 est basé sur l'effet Peltier, qui est l'effet inverse de l'effet Seebeck, tandis que le deuxième générateur GEN2 est basé sur l'effet Seebeck. La figure 3 illustre plus en détails mais toujours de façon schématique, un exemple de réalisation de générateur thermoélectrique. Dans ce mode de réalisation, la structure des deux générateurs est identique. On ne décrira ici, à des fins de simplification, que la structure du générateur GEN1. Le générateur GEN1 est disposé au sein de et/ou sur un substrat semiconduteur SB, par exemple en silicium, et comporte un ensemble ENSI de thermocouple THE. Chaque thermocouple THE comporte ici une région semiconductrice en forme de barreau, de type de conductivité N, référencée RSN1, et une région semiconductrice de type de conductivité P, référencée RSPI également en forme de barreau. Les deux régions semiconductrices du thermocouple TH, sont parallèles et reliées électriquement à une de leurs extrémités, et l'ensemble des thermocouples TH, sont reliés électriquement en série de façon à former une chaîne de barreaux parallèles ayant alternativement le type de conductivité N et le type de conductivité P. La circulation d'un courant dans l'ensemble thermocouple NS1 crée à l'extrémité ZX2 une source chaude SH, et à l'autre extrémité ZX1 une source froide SF. En ce qui concerne le deuxième générateur GEN2, la source chaude SH se situe également au niveau de la deuxième extrémité ZX2 de l'ensemble ENS2 de thermocouple, et la source froide au niveau de l'autre extrémité ZX1. Les thermocouples de l'ensemble ENSI sont thermiquement connectés en parallèle, c'est-à-dire qu'ils sont connectés de façon à être soumis tous ensemble au même gradient de température. Sur la figure 3, le couplage thermique entre les deux générateurs GEN1 et GEN2 s'effectue en disposant les deux générateurs côte à côte. En variante, il serait possible, comme illustré sur la figure 4, de placer les deux générateurs GEN1, GEN2, et plus particulièrement leurs ensembles respectifs de thermocouple ENSI et ENS2, au moins en partie l'un au dessus de l'autre. Dans un mode de réalisation particulièrement intéressant, il est prévu de disposer les deux dispositifs DIS1 et DIS2 au sein d'un même circuit intégré CI. Les dispositifs DIS1 et DIS2 peuvent alors comporter des blocs fonctionnels différents du circuit intégré et destinés à communiquer l'un avec l'autre par une communication sans fil (figure 5). Dans ce cas, il est particulièrement intéressant que chaque générateur thermoélectrique soit compatible avec les technologies et procédés de fabrication déjà largement utilisés dans le domaine de la microélectronique, en particulier pour la fabrication de mémoires non volatiles embarquées. On peut à cet égard, comme il va être décrit ci après, utiliser des couches de matériau, par exemple de polysilicium, déjà disponible pour réaliser les cellules-mémoires. On va maintenant décrire en se référant plus particulièrement à la figure 6 et à la figure 7, un mode de réalisation compatible avec un procédé de fabrication classique de mémoire embarquée, et compatible avec un placement côte à côte des deux générateurs. Là encore, la structure des deux générateurs GEN1 et GEN2 est identique et l'on ne décrit ici, à des fins de simplification, que la structure du générateur GEN1. Sur la figure 6, le support du générateur GEN comprend un substrat semiconducteur SB, par exemple en silicium, au sein duquel sont ménagées des régions isolantes parallèles RIS, par exemple des régions du type STI (Shallow Trench Isolation). L'ensemble de thermocouples ENSI est situé dans le substrat SB et comprend des régions semiconductrices parallèles RSN, RSP s'étendant dans le substrat, deux régions semiconductrices voisines RSN, RSP ayant respectivement l'un et l'autre de deux types de conductivité, en l'espèce le type de conductivité N et le type de conductivité P, et sont séparées par une région isolante RIS. L'ensemble est recouvert par une couche isolante CS1, par exemple une couche de nitrure de silicium, elle-même recouverte d'un enrobage isolant, par exemple du dioxyde de silicium SiO2. La réalisation d'un tel générateur est parfaitement compatible avec le procédé de fabrication classique des mémoires embarquées, et ne nécessite aucune modification de procédé ni adjonction de niveau de masque. L'enrobage isolant ENR est par exemple celui dans lequel sont réalisés les niveaux de métallisation du circuit intégré. A cet égard, et d'une façon générale, quelle que soit la structure de l'ensemble de thermocouple utilisée, le générateur comprend des moyens de connexion électriquement conducteurs assurant la liaison électrique entre les régions semiconductrices des thermocouples, ces moyens de connexion étant situés au dessus du substrat et reliant une zone d'extrémité d'une région semiconductrice ayant l'un des deux types de conductivité, par exemple le type de conductivité N, à une zone d'extrémité d'une région semiconductrice ayant l'autre type de conductivité, par exemple le type de conductivité P. Par exemple, ces moyens de connexion sont enrobés dans le matériau isolant ENR et comprennent des pistes métalliques parallèles aux régions semiconductrices, et connectées auxdites zones d'extrémité par des liaisons électriques verticales, par exemple des contacts ou des vias. Et, de façon à être parfaitement compatible avec des procédés de réalisation classiques de composants, par exemple des mémoires embarquées, les pistes métalliques des moyens de connexion sont situées sur au moins un des niveaux de métallisation du circuit intégré CI. Ceci est illustré plus particulièrement sur la figure 7, qui montre les moyens de connexion du générateur de la figure 6. Ainsi, la zone d'extrémité ZX1 de la région semiconductrice RSN est électriquement connectée à la zone d'extrémité homologue ZX1 de la région RSP1 par une piste métallique PM enjambant la région isolante RIS séparant ces deux régions RSN1 et RST1, cette piste métallique étant reliée aux zones d'extrémité ZX1 par des vias V. De même, les zones d'extrémité ZX2 des régions RSN1 et RSP2 sont également connectées ensemble par une piste métallique PM enjambant la région RIS séparant ces deux régions RSN1 et RSP2. Cette piste métallique PM est connectée aux zones d'extrémité ZX2 par des vias V. De même, les deux zones d'extrémité ZX1 des régions RSP2 et RSN2 sont connectées de la même façon par une piste métallique PM enjambant la région isolante RIS, cette piste métallique étant connectée aux zones ZX1 par l'intermédiaire de vias V. Un autre mode de réalisation compatible notamment avec un placement côte à côte des deux générateurs GEN1 et GEN2 est illustré sur la figure 8. Là encore, la structure de chaque générateur est identique, et on ne décrira que celle du générateur GEN1. L'ensemble ENSI de thermocouple comporte ici, au dessus de la couche isolante CS1 recouvrant le substrat SB, des paires parallèles de régions semiconductrices parallèles RSPB, et RSNB, enrobées dans un matériau isolant ENR et ayant respectivement les deux types de conductivité N et P. Là encore, le générateur de la figure 8 est parfaitement compatible avec des procédés de fabrication de mémoire non-volatile embarquée. Le mode de réalisation de la figure 9 est compatible avec un placement l'un au dessus de l'autre des deux générateurs GEN1, GEN2, et est également compatible avec un procédé de fabrication du type mémoire embarquée. Comme on peut le voir sur la figure 9, le générateur GEN1 présente une structure analogue à celle décrite en référence à la figure 8, tandis que le générateur GEN2 présente une structure analogue à celle décrite en référence à la figure 6. Bien entendu, les structures des deux générateurs GEN1 et GEN2 pourraient être inversées. Plus précisément, les paires de régions semiconductrices RSPBi et RSNBi de l'ensemble ENSI du générateur GEN1 sont cette fois-ci disposées au dessus des régions isolantes parallèles RIS ménagées dans le substrat SB. Et, l'ensemble ENS2 du générateur GEN2 est formé ici des régions semiconductrices parallèles RSN et RSP respectivement disposées entre les régions parallèles RIS. On se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 10, pour illustrer un mode de réalisation d'une structure intégrée tridimensionnelle incorporant un système SYS tel que celui décrit par exemple en référence aux figures précédentes. Sur la figure 10, la référence STD désigne la structure intégrée tridimensionnelle, comportant un dispositif de liaison ou interposeur INTP sur la face supérieure duquel sont connectés dans cet exemple deux circuits intégrés Cil et C12, par exemple par l'intermédiaire de billes de connexion BL (« bumps »). Par ailleurs, la structure intégrée STD comporte également un troisième élément, à savoir en l'espèce une carte de circuit intégré (« Printed Circuit Board » : PCB) sur laquelle est connectée la face inférieure de l'interposeur INTP également par l'intermédiaire de billes de connexion BL. L'interposeur INTP comporte un substrat SB, généralement en silicium, ainsi qu'une partie d'interconnexion INTX comportant plusieurs niveaux de métallisation, au sein desquels sont réalisés des pistes métalliques reliées entre elles pour certaines d'entre elles par des vias. L'ensemble des pistes métalliques et de vias est enrobé dans un enrobage isolant, par exemple du dioxyde de silicium, et permet d'assurer, en particulier, l'interconnexion électrique entre les deux circuits intégrés CIl et C12. Le substrat SB comporte également des liaisons verticales LV électriquement conductrices, réalisées sous la forme de TSV (« Through Silicon Vias ») et permettant de relier électriquement, par exemple, certaines des pistes métalliques de la partie d'interconnexion ITX avec les billes BL de façon à assurer une connexion électrique verticale entre l'un au moins des circuits intégrés CIl et C12 avec la carte CT. Il est proposé ici, selon un aspect de l'invention, d'utiliser l'interposeur INTP pour y incorporer au moins partiellement un système SYS de communication sans fil. Plus précisément, le système SYS va permettre une communication sans fil entre le circuit intégré CIl et le circuit intégré C12. Dans l'exemple décrit ici, l'interposeur INTP incorpore les générateurs GEN1 et GEN2, tandis que les moyens MG1 et MLM du dispositif DIS1 sont incorporés dans le circuit intégré CI1, et que les moyens MG2, qui génèrent le signal S2, sont incorporés dans le circuit intégré C12. Les générateurs GEN1 et GEN2 peuvent être par exemple ceux décrits en référence aux figures 6 à 9. Et, de façon à être parfaitement compatibles avec des procédés de réalisation classique de composants, par exemple de mémoires embarquées, les pistes métalliques des moyens de connexion assurant la liaison électrique entre les régions semiconductrices des thermocouples peuvent être situées sur au moins un des niveaux de métallisation de la partie d'interconnexion ITX de l'interposeur. REVENDICATIONS1. Procédé de communication sans fil entre un premier dispositif et un deuxième dispositif, dans lequel le premier dispositif (DIS 1) et le deuxième dispositif (DIS2) comprenant respectivement un premier générateur thermoélectrique (GEN1) et un deuxième générateur thermoélectrique (GEN2), les deux générateurs thermoélectriques étant en couplage thermique, on génère (10) un premier signal (51) au sein du premier dispositif, on alimente électriquement (11) le premier générateur thermoélectrique en fonction du premier signal de façon à créer (12) un premier gradient thermique (AT1) dans ledit premier générateur et (13) un deuxième gradient thermique (AT2) dans le deuxième générateur, et on génère (15) un deuxième signal au sein du deuxième dispositif à partir de l'énergie électrique produite (14) par le deuxième générateur thermoélectrique en réponse audit deuxième gradient thermique (AT2). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on dispose les deux générateurs thermoélectriques (GEN1, GEN2) l'un à côté de l'autre. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on dispose les deux générateurs thermoélectriques (GEN1, GEN2) au moins en partie l'un au dessus de l'autre. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on incorpore le premier dispositif (DIS1) et le deuxième dispositif (DIS2) au sein d'un même circuit intégré. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier signal (51) étant un premier signal logique capable de prendre un premier état logique (1) et un deuxième état logique (0) et le deuxième signal (S2) étant un deuxième signal logique capable de prendre le premier état logique (1) et le deuxième état logique (0), on alimente électriquement le premier générateur en présence du premier signal logique ayant le premier état logique (1), et on génère le deuxième signal logique (S2) ayant le premier état logique (1) en présence de l'énergie électrique (DV2) produite par le deuxièmegénérateur thermoélectrique (GEN2) et on génère le deuxième signal logique (S2) ayant le deuxième état logique (0) en absence d'énergie électrique produite par le deuxième générateur thermoélectrique. 6. Système de communication sans fil, comprenant un premier dispositif (DIS 1) comportant un premier générateur thermoélectrique (GEN1), des premiers moyens de génération (MG1) configurés pour générer un premier signal (51), des moyens d'alimentation (MLM) configurés pour alimenter électriquement le premier générateur thermoélectrique en fonction du premier signal de façon à générer un premier gradient thermique dans le premier générateur thermoélectrique, un deuxième dispositif (DIS2) comportant un deuxième générateur thermoélectrique (GEN2) en couplage thermique avec le premier générateur thermoélectrique (GEN1), des moyens de délivrance (MSE) configurés pour délivrer une information électrique (DV2) en réponse à un deuxième gradient thermique généré dans le deuxième générateur thermoélectrique à partir du premier gradient thermique, des deuxièmes moyens de génération (MG2) configurés pour générer un deuxième signal en fonction de ladite information électrique. 7. Système selon la revendication 6, dans lequel les deux générateurs thermoélectriques (GEN1, GEN2) sont disposés l'un à côté de l'autre. 8. Système selon la revendication 7, dans lequel chaque générateur thermoélectrique comprend un substrat semiconducteur (SB) et des régions isolantes parallèles (RIS), au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, ledit au moins un ensemble de thermocouples (ENSI) étant situé dans le substrat (SB) et comprenant des régions semiconductrices parallèles (RSN, RSP) s'étendant dans le substrat, deux régions semiconductrices voisines ayant respectivement l'un et l'autre de deux types de conductivité opposés et étant séparées par une région isolante. 9. Système selon la revendication 7, dans lequel chaque générateur thermoélectrique comprend un substrat semiconducteur (SB) recouvert d'une couche isolante (CS1), au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle comportant plusieurs paires parallèles de régions semiconductrices parallèles enrobées dans un matériau isolant ayant respectivement deux types de conductivité opposés. 10. Système selon la revendication 6, dans lequel les deux générateurs thermoélectriques (GEN1, GEN2) sont disposés au moins en partie l'un au dessus de l'autre. 11. Système selon la revendication 10, dans lequel - le deuxième générateur thermoélectrique comprend un substrat semiconducteur (SB) et des régions isolantes parallèles (RIS), un deuxième ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, ledit deuxième ensemble de thermocouples (ENSI) étant situé dans le substrat (SB) et comprenant des régions semiconductrices parallèles (RSN, RSP) s'étendant dans le substrat, deux régions semiconductrices voisines ayant respectivement l'une et l'autre deux types de conductivité opposés et étant séparées par une région isolante, et - le premier générateur thermoélectrique comprend le substrat et les régions isolantes parallèles et un premier ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, ledit premier ensemble de thermocouples (ENSI) comprenant au dessus de chaque région isolante au moins une paire de régions semiconductrices enrobées dans un matériau isolant ayant respectivement deux types de conductivité opposés. 12. Système selon l'une des revendications 8, 9 ou 11, dans lequel chaque générateur thermoélectrique comprend des moyens de connexion électriquement conducteurs (PM, V) assurant la liaison électrique entre les régions semiconductrices de l'ensemble de thermocouples, ces moyens de connexion étant situés au dessus du substrat et reliant une zone d'extrémité d'une région semiconductriceayant l'un des deux types de conductivité à une zone d'extrémité d'une région semiconductrice ayant l'autre type de conductivité. 13. Système selon l'une des revendications 6 à 12, dans lequel le premier signal (51) étant un premier signal logique capable de prendre un premier état logique et un deuxième état logique et le deuxième signal (S2) étant un deuxième signal logique capable de prendre le premier état logique et le deuxième état logique, les moyens d'alimentation (MLM) sont configurés pour alimenter électriquement le premier générateur en présence du premier signal logique ayant le premier état logique, et les deuxièmes moyens de génération (MG2) sont configurés pour générer le deuxième signal logique ayant le premier état logique en présence de l'information électrique produite par lesdits moyens de délivrance et pour générer le deuxième signal logique ayant le deuxième état logique en absence d'information électrique produite par lesdits moyens de délivrance. 14. Circuit intégré, incorporant le système selon l'une des revendications 6 à 13. 15. Structure intégrée tridimensionnelle, comprenant au moins deux éléments (CI1, Cl2) électriquement interconnectés par un dispositif de liaison (INTP), et incorporant en outre le système (SYS) selon l'une des revendications 6 à 13. 16. Structure selon la revendication 15, dans laquelle ledit dispositif de liaison (INTP) incorpore au moins en partie ledit système.