Brevet FR2980394A1 — publié le 20130329

STRUCTURE MULTICOUCHE OFFRANT UNE ETANCHEITE AUX GAZ AMELIOREE. DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR La présente invention se rapporte à une structure multicouche offrant une étanchéité aux gaz améliorée. Il est connu de réaliser un dépôt d'une couche mince, typiquement entre 100 nm et plusieurs centaines de nm, en matériau inorganique dense sur substrat polymère épais, typiquement de 10 }lm à quelques centaines de }gym, par exemple un substrat en PET (Polyéthylène téréphtalate) afin d'améliorer son étanchéité aux gaz. Cette technique est largement utilisée dans le domaine de l'emballage alimentaire pour améliorer la conservation des aliments. Cependant ce dépôt inorganique génère des contraintes mécaniques liées notamment aux différentiels de comportements mécanique et thermique entre la couche inorganique et le polymère, i.e. la différence de modules élastiques, de capacités de déformation, la différence d'expansion thermique... Ces contraintes occasionnent un endommagement de la couche inorganique déposée, ce qui a pour effet de limiter ses propriétés fonctionnelles. Des fissures peuvent alors apparaître, qui réduisent les propriétés barrière aux gaz de l'ensemble formé par le substrat polymère et le dépôt inorganique. Le document US 2003/0203210 décrit un procédé consistant à réaliser des empilements alternés de couches inorganiques et de couches de polymère, ayant une épaisseur de 1 pm à quelques pm sur le substrat polymère épais. L'alternance de couches inorganiques et organiques permet alors de décorréler les défauts de chaque couche inorganique et ainsi d'améliorer considérablement les propriétés barrière aux gaz. Le substrat polymère ainsi recouvert possède des propriétés barrière aux gaz suffisantes pour protéger des dispositifs fortement sensibles à l'atmosphère tels que les dispositifs d'optoélectronique organique ou OLED (Organic Light Emitting Diodes). Cependant de telles structures alternées ont un coût de réalisation relativement élevé, ce qui les rend peu adaptées à des applications bas coût, comme par exemple des applications photovoltaïques. EXPOSÉ DE L'INVENTION C'est par conséquent un but de la présente invention d'offrir un dispositif présentant une structure offrant des propriétés barrière aux gaz augmentées par rapport à celles des structures de l'état de la technique et un procédé de réalisation d'une telle structure et présentant un coût de réalisation réduit par rapport aux procédés existants. Le but précédemment énoncé est atteint par une structure multicouche formée d'un substrat, d'au moins une couche en matériau de type SiOxNyH, et au moins une couche de Si02, la couche en matériau de type SiOxNyli, étant destinée à être interposée entre le substrat et la couche de Si02. La couche de type SiOxNyli, forme une couche d'accommodation mécanique entre le substrat et la couche de SiO2 et permet d'adapter les contraintes entre le substrat et la couche de SiO2 ce qui évite ou limite la détérioration de la couche de Si02, améliorant donc l'étanchéité aux gaz de la couche de SiO2. En d'autres termes, on réalise une couche formant une interface mécanique entre le substrat et la couche de SiO2 plus épaisse et moins rigide que la couche de Si02, qui permet d'éviter la rupture de la couche de SiO2. Le substrat est par exemple un substrat polymère, de préférence transparent. Cet empilement bicouche peut être répété, un tel empilement offre des propriétés de propriétés barrière aux gaz remarquables, bien supérieures à celles attendues par la somme des propriétés barrière aux gaz de deux empilements bicouches. Dans un autre exemple de réalisation, une couche d'un autre matériau peut être déposée sur la structure bicouche, par exemple en polymère. La structure selon l'invention est obtenue par exemple par la conversion par irradiation VUV et UV d'un précurseur de type perhydropolysilazane liquide (PHPS). De manière très avantageuse, la formation de la couche de SiO2 et la formation de la couche en matériau de type SiOxNyH, sont simultanées et se font dans des conditions spécifiques appauvries en oxygène et en eau. La présente invention a alors pour objet une structure multicouche comportant un substrat, et un premier empilement d'une couche de SiO2 et une couche en matériau de type SiOxNyH, disposée entre le substrat et la couche de Si02, dans laquelle la couche de SiO2 et la couche en matériau de type SiOxNyH, présentent des épaisseurs telles que l'épaisseur de la couche de SiO2 est inférieure ou égale 60 nm, l'épaisseur de la couche en matériau de type SiOxNyH, est supérieure à deux fois l'épaisseur de la couche de SiO2 et la somme des épaisseurs de la couche de SiO2 et de la couche en matériau de type SiOxNyHz est comprise entre 100 nm et 500 nm et dans laquelle z est strictement inférieur au rapport (x+y)/5, avantageusement z est strictement inférieur au rapport (x+y)/10. De manière très avantageuse, la valeur de x décroît de l'interface entre le couche en matériau de type SiOxNyH, et la couche de SiO2 vers le substrat, et la valeur de y croît de l'interface entre le couche en matériau de type SiOxNyHz et la couche de SiO2 vers le substrat. De préférence, x varie de 2 à 0 et/ou y varie de 0 à 1. Selon une autre caractéristique avantageuse, le matériau de la couche de SiO2 présente un module d'Young supérieur ou égal à 30 GPa et la couche en matériau de type SiOxNyHz a un module d'Young inférieur ou égal à 20 GPa. L'empilement peut présenter un indice de réfraction supérieur à 1,5. Selon une autre caractéristique avantageuse, le ou les empilements est ou sont obtenu(s) par conversion d'un précurseur inorganique de type perhydropolysilazane, l'empilement présentant une transmittance correspondant à la liaison Si-H supérieure à 80%, avantageusement supérieure à 90%, de la transmittance de la liaison Si-H du précurseur inorganique de type perhydropolysilazane avant conversion, mesurée par spectrométrie infrarouge en réflexion dans le cas d'un substrat en matériau polymère. Ou le ou les empilements est ou sont obtenu(s) par conversion d'un précurseur inorganique de type perhydropolysilazane, l'empilement présentant une absorbance correspondant à la liaison Si-H inférieure à 20%, avantageusement inférieure à 10%, de l'absorbance de la liaison Si-H du précurseur inorganique de type perhydropolysilazane avant conversion, mesurée par spectrométrie infrarouge en transmission dans le cas d'un substrat en silicium. La couche de SiO2 et la couche en matériau de type SiOxNyHz sont par exemple en matériaux amorphes. Par exemple, le substrat est en matériau polymère. La structure multicouche peut comporter une couche en matériau polymère sur la couche de SiO2 du 20 premier empilement sur la face opposée à celle en contact avec la couche en matériau de type SiO,NyHz. Selon un autre exemple de réalisation, la structure multicouche peut comporter n empilements, n étant un entier positif supérieur ou égal à 1, chaque 25 empilement comportant chacun une couche de (SiO2)i et une couche en matériau de type SiOxiNyiHzi, i étant un entier positif compris entre 1 et n, les couches de (SiO2)i et en matériau de type SiOxiNyiHzi de chaque empilement ayant des épaisseurs telles que l'épaisseur 30 des couches de (SiO2)i est inférieure ou égale 60 nm, l'épaisseur des couches en matériau de type SiOxiNyiHzi est supérieure à deux fois l'épaisseur de la couche de (SiO2)i et la somme des épaisseurs de la couche de (SiO2)i et de la couche en matériau de type SiOxiNyiHzi est comprise entre 100 nm et 500 nm et dans laquelle zi est strictement inférieur au rapport (xi+yi)/5, avantageusement zi est strictement inférieur au rapport (xi+yi)/10, xi, yi, zi étant identiques ou non pour les différents valeurs de i. La structure multicouche peut également comporter au moins une couche en matériau polymère disposée entre la couche de (SiO2)i d'un empilement et la couche en matériau de type SiOxiNyiHzi de l'empilement suivant directement. Par exemple, la structure multicouche comporte n-1 couches en matériau polymère, chacune des couches en matériau polymère étant disposée entre deux empilements. La présente invention a également pour objet un procédé de réalisation d'une structure multicouche selon l'invention, comportant: a) le dépôt sur un substrat d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilazane, b) la conversion par irradiation par des rayonnements VUV à une longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm et un rayonnement ultraviolet à une longueur d'onde supérieure ou égale à 200 nm sous une atmosphère présentant un taux d'oxygène supérieur à 10 ppm et inférieur à 500 ppm et un taux d'eau inférieur ou égal à 1000 ppm, de sorte à former un empilement d'une couche de SiO2 et une couche en matériau de type SiO,NyHz.30 Le procédé de réalisation peut comporter l'étape c) de dépôt d'une couche de matériau polymère après l'étape b). Selon un autre exemple de réalisation, le 5 procédé de réalisation comporte la répétition des étapes a) et b) ou a), b) et c). La présente invention a également pour objet un procédé de réalisation d'une structure multicouche, comportant: 10 a') le dépôt sur un substrat d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilazane sur le substrat, b') la conversion par irradiation par des rayonnements ultraviolet à une longueur d'onde 15 supérieure à 220 nm sous une atmosphère présentant un taux d'oxygène et un taux d'eau inférieurs à 10 ppm, c') le dépôt sur la couche formé à l'étape b', d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilazane sur le substrat, 20 d') la conversion par irradiation par des rayonnements VUV à une longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm sous une atmosphère présentant un taux d'oxygène supérieur à 10 ppm et inférieur à 500 ppm. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 25 La présente invention sera mieux comprise à l'aide de la description qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels : - la figure 1 est une représentation schématique vue de côté d'un exemple d'une structure 30 selon l'invention, 8 la figure 2 est vue de côté d'un la figure 3 est une représentation autre exemple de une représentation - schématique structure, - graphique de la mesure du flux d'eau de la structure de la figure 2 en fonction du temps en jour, -la figure 4 est une représentation schématique vue de côté d'un autre exemple de structure selon l'invention, - la figure 5 est une représentation schématique vue de côté d'une variante de la structure de la figure 4. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur la figure 1, on peut voir une structure 15 S1 selon l'invention comportant un substrat 2 et un empilement El d'une première couche A en Si02 et une deuxième couche B en matériau de type SiO,NyHz. Le substrat 2 est par exemple un matériau polymère, par exemple de type polyester comme le PET 20 (polyéthylène téréphtalate), le PEN (polyéthylène naphtalate), ou de type polyoléfine comme le PE (polyéthylène), le PP (polypropylène), le polyamide.... D'autres matériaux sont envisageables comme substrat, par exemple le silicium monocristallin ou amorphe, ou 25 le verre. De préférence le substrat est transparent. La deuxième couche B est déposée directement sur le substrat 2 et s'interpose entre le substrat 2 et la première couche A. La première couche A a une épaisseur eA, et un module d'Young MA, et la deuxième couche B a une épaisseur eB, et un module d'Young MB. Les épaisseurs des première A et deuxième B couches B sont telles que : - eA 30 GPa, et - MB La mesure des modules d'Young des couches A et B peuvent être réalisés suivant les techniques décrites dans les documents "A simple guide to determine elastic properties of films on substrate from naoindentation experiments", S. Bec, A. Tonck and J Loubet, in Philosophical Magazine, Vol.86, Nos. 33-35, 21 NOv.-11 Dec.2006, pp5347-5358 et dans le document "In vivo measurements of the elastic mechanical properties of human skin by indentation tests", in Medical Engineering & Physics, 30(2008) pp599-606. L'indice de réfraction de la structure S1 est de préférence supérieur à 1,5. Les matériaux des couches A et B peuvent être amorphes. La deuxième couche B étant plus épaisse que la première couche A et étant moins rigide que la couche A, du fait de son module d'Young plus faible, celle-ci permet d'adapter les contraintes entre la première couche A et le substrat 2 et ainsi d'éviter la rupture de la première couche A. En outre, la deuxième couche B permet de limiter la déformation de la structure formée par le substrat 2 et la structure bicouche liée au phénomène de déformation différentielle entre la première couche A et le substrat 2, qui pourrait se traduire par une courbure de l'ensemble. La première couche A en SiO2 du fait de sa densité offre naturellement des propriétés d'étanchéité aux gaz. Grâce à la présence de la deuxième couche B qui forme une couche d'adaptation mécanique, les propriétés d'étanchéité aux gaz de la première couche A ne sont pas ou peu dégradées. La quantité de liaisons Si-H restante après conversion du PHPS dans les couches A et B est très faible. Cette caractéristique peut être mesurée en spectrométrie infrarouge à transmission ; la bande correspondant aux liaisons Si-H est comprise entre 2100 et 2300 cm-1 (nombre d'onde). L'absorbance correspondant à la liaison Si-H de la structure de l'invention est inférieure à 20%, de préférence inférieure à 10%, de l'absorbance de la liaison Si-H du PHPS avant traitement. Cette absorbance en transmission peut être mesurée lorsque le dépôt est effectué sur substrat transparent aux infra rouge, tel qu'un substrat en silicium. Cette faible quantité de Si-H peut également être détectée lorsque la structure est déposée sur un substrat polymère. La mesure est alors effectuée en réflexion et la transmittance dans la gamme de nombre d'onde 2100-2300 cm-1 est supérieure à 80%, de préférence supérieure à 90%. Nous allons maintenant décrire un exemple de procédé de réalisation de la structure S1. On recouvre une face du substrat 2 avec un précurseur inorganique liquide, par exemple de type 20 perhydropolysilazane. On irradie ensuite le précurseur au moyen d'un rayonnement ultraviolet lointain ou ("VUV: Vacuum Ultraviolet" en terminologie anglo-saxonne) de longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm et un rayonnement 25 UV de longueur d'onde supérieure ou égale à 200 nm. Par exemple, l'irradiation se fait au moyen d'une lampe mercure basse pression qui combine une longueur d'onde VUV de 185 nm et une longueur d'onde UV de 254 nm. Le dépôt et la conversion sont faits, par 30 exemple, à température ambiante. La dose reçue pour le rayonnement à 185 nm est par exemple inférieure à 20 joules/cm2. De manière très avantageuse, les couches A et B sont réalisées simultanément dans un procédé en une étape. A cette fin, l'étape de conversion est réalisée dans un milieu appauvri en oxygène et en eau afin de limiter l'épaisseur de la couche A ainsi que la conversion de la couche B, ce qui permet d'obtenir les caractéristiques des couches mentionnées ci-dessus. Le milieu appauvri présente : - un taux d'oxygène inférieur à 500 ppm, - un taux d'eau inférieur ou égal à 1000 ppm. De manière alternative, le procédé peut se dérouler en deux étapes: lors d'une première étape, une couche d'un précurseur inorganique liquide, par exemple de type perhydropolysilazane, est déposée sur le substrat, cette couche est ensuite soumise à une irradiation UV de longueur d'onde supérieure à 220 nm avec une présence d'oxygène et d'eau négligeables, i.e. inférieure à 10 ppm. Lors d'une deuxième étape, une autre couche du même précurseur inorganique que celui de la première couche est déposée sur la première couche, cette deuxième couche subit une irradiation par VUV à une longueur d'onde supérieure à 200 nm en présence d'oxygène, la concentration d'oxygène est alors comprise entre 10 ppm et 500 ppm. Sur la figure 2, on peut voir un exemple de structure offrant des propriétés barrière aux gaz remarquables. La structure S2 comporte un substrat 2, un premier empilement El, qui est identique à celui de la structure S1, et un empilement E2 comportant une couche de Si02 A2 et une couche B2 en matériau de type SiOx,Ny,}1,,. La couche B2 est déposée directement sur la première couche Al de la structure S1 telle que décrite précédemment en relation avec la figure 1. Les épaisseurs des couches A2 et B2 sont telles que : - eA2 Sur la figure 4, on peut voir un autre exemple de structure S3 selon l'invention. La structure S3 comporte la structure S1 de la figure 1 et une couche 4 en matériau polymère, ce matériau peut être identique ou différent de celui du substrat 2. En variante, la couche 4 pourrait être réalisée avec des matériaux hybrides tels que les organosilanes. La structure S4 peut former, outre une barrière aux gaz, une barrière à d'autres éléments, par exemple aux rayons UV. Elle peut former une barrière thermosoudable ou une barrière présentant une fonction additionnelle, comme par exemple former une zone d'impression. Grâce à la couche B, les problèmes d'ordre mécanique lors du dépôt de la couche en matériau polymère 4 sont limités, tels que la courbure de l'ensemble de l'empilement. La couche 4 est déposée par exemple en 20 solution puis par évaporation et/ou polymérisation si cela est requis. Sur la figure 5, on peut voir une structure S4 qui est une combinaison de la structure S2 et de la structure S3, dans laquelle l'empilement E2 des couches 25 A2 et B2 est réalisé sur la couche en matériau polymère 4, la couche B2 de type SiOxNyH, étant déposée sur la couche en matériau polymère 4. Comme pour la structure S2, les épaisseurs des couches Al et A2, B1 et B2 respectivement peuvent 30 être identiques ou différentes. La couche en matériau polymère 4 peut renforcer l'effet d'adaptation mécanique apporté par la couche B2 et/ou apporter des propriétés spécifiques autres, par exemple comme la flexibilité de l'ensemble ou des propriétés anti-UV ou absorbeurs d'humidité. La structure S4 offre des propriétés 5 fonctionnelles, en particulier barrières aux gaz similaires à celles de la structure S2. Le procédé de réalisation de la structure S4 comporte la réalisation de la structure 3 et le procédé de réalisation de la structure S1 sur la couche 4. 10 On peut prévoir des structures comportant n empilements bicouches Ei et n-1 couches de polymère 4 pour lesquelles les propriétés fonctionnelles sont démultipliées du fait de la mise en série de n couches denses Ai en SiO2 et des n-1 couches d'interposition en 15 matériau polymère. La structure selon l'invention déposée sur un substrat en matériau polymère offre des propriétés barrière aux gaz améliorée et peut être transparente. Un tel niveau d'étanchéité ne peut être obtenu par des 20 technologies classiques de dépôts, telles que le dépôt physique en phase vapeur, le dépôt chimique en phase vapeur ou le sputtering. De plus, le mode de dépôt par voie humide permet de limiter le coût du procédé et de réaliser des membranes formant des barrières aux gaz 25 très efficaces à faible coût contrairement à des technologies utilisant des chambres à vide tel le dépôt de couches atomiques (ALD pour "Atomic layer Deposition" en terminologie anglo-saxonne) ou le procédé Barix® de la société VITEX. 30 La structure formée par le substrat polymère et l'empilement selon l'invention à faible coût peut être utilisée comme protection de dispositifs sensibles à l'atmosphère, en particulier sensibles à l'eau et à l'oxygène, tels que les dispositifs électronique organique (OLED, OTFT), les dispositifs solaires couches minces (CIGS) ou encore plus généralement pour réaliser des récipients pour des contenus sensibles à l'humidité. Le coût réduit d'une telle structure permet une utilisation dans des domaines très variés.10 REVENDICATIONS1. Structure multicouche comportant un substrat (2), et un premier empilement d'une couche (A) de Si02 et une couche (B) en matériau de type SiOxNyHz disposée entre le substrat (2) et la couche (A) de Si02, dans laquelle la couche (A) de Si02 et la couche (B) en matériau de type SiOxNyHz présentent des épaisseurs (eB, eA) telles que l'épaisseur de la couche (A) de Si02 est inférieure ou égale 60 nm, l'épaisseur de la couche (B) en matériau de type SiOxNyHz (eB) est supérieure à deux fois l'épaisseur (eA) de la couche (A) de Si02 et la somme des épaisseurs de la couche (A) de Si02 et de la couche (B) en matériau de type SiO,NyHz est comprise entre 100 nm et 500 nm et dans laquelle z est strictement inférieur au rapport (x+y)/5, avantageusement z est strictement inférieur au rapport (x+y) /10. 2. Structure multicouche selon la revendication 1 dan laquelle la valeur de x décroît de l'interface entre le couche en matériau de type SiO,NyHz (B) et la couche de Si02 vers le substrat, et la valeur de y croît de l'interface entre le couche en matériau 25 de type SiO,NyHz (B) et la couche de Si02 vers le substrat. 3. Structure multicouche selon la revendication 2, dans laquelle x varie de 2 à 0 et/ou y 30 varie de 0 à 1. 4. Structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle le matériau de la couche (A) de SiO2 présente un module d'Young supérieur ou égal à 30 GPa et la couche (B) en matériau de type SiOxNyH, a un module d'Young (MB) inférieur ou égal à 20 GPa. 5. Structure multicouche selon l'un des revendications 1 à 4, dont l'empilement présente un indice de réfraction supérieur à 1,5. 6. Structure multicouche selon la revendication 4 ou 5, dans laquelle le ou les empilements est ou sont obtenu(s) par conversion d'un précurseur inorganique de type perhydropolysilazane, l'empilement présentant une transmittance correspondant à la liaison Si-H supérieure à 80%, avantageusement supérieure à 90%, de la transmittance de la liaison Si- H du précurseur inorganique de type perhydropolysilazane avant conversion, mesurée par spectrométrie infrarouge en réflexion dans le cas d'un substrat en matériau polymère. 7. Structure multicouche selon la revendication 4 ou 5, dans laquelle le ou les empilements est ou sont obtenu(s) par conversion d'un précurseur inorganique de type perhydropolysilazane, l'empilement présentant une absorbance correspondant à la liaison Si-H inférieure à 20%, avantageusement inférieure à 10%, de l'absorbance de la liaison Si-H du précurseur inorganique de type perhydropolysilazane avant conversion, mesurée par spectrométrie infrarouge en transmission dans le cas d'un substrat en silicium. 8. Structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 7, dans laquelle la couche (A) de SiO2 et la couche (B) en matériau de type SiOxNyHz sont en matériaux amorphes. 9. Structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 8, dans laquelle le substrat (2) est en matériau polymère. 10. Structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 9, comportant une couche (4) en matériau polymère sur la couche (A) de SiO2 du premier empilement sur la face opposée à celle en contact avec la couche (B) en matériau de type SiOXNyHZ. 11. Structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 9, comportant n empilements, n étant un entier positif supérieur ou égal à 1, chaque empilement comportant chacun une couche de (SiO2)i et une couche en matériau de type SiOxiNyiHzir i étant un entier positif compris entre 1 et n, les couches de (SiO2)i et en matériau de type SiOxiNyiHzi de chaque empilement ayant des épaisseurs (eB, eA) telles que l'épaisseur des couches (A) de (SiO2)i est inférieure ou égale 60 nm, l'épaisseur des couches (B) en matériau de type SiOxiNyiHzi (eB) est supérieure à deux fois l'épaisseur (eA) de la couche (A) de (SiO2)i et la somme des épaisseurs de la couche (A) de (SiO2)i et de la couche (B) en matériau de type SiOxiNyiHzi est comprise entre 100 nm et 500 nm et dans laquelle zi est strictement inférieur au rapport (xi+yi)/5, avantageusement zi est strictement inférieur au rapport (xi+yi)/10, xi, yi, ziétant identiques ou non pour les différents valeurs de i. 12. Structure multicouche selon la revendication 11, comportant au moins une couche en matériau polymère disposée entre la couche de (SiO2)i d'un empilement et la couche en matériau de type SiOxiNyiHzi de l'empilement suivant directement. 13. Structure multicouche selon la revendication 12, comportant n-1 couches en matériau polymère, chacune des couches en matériau polymère étant disposée entre deux empilements. 14. Procédé de réalisation d'une structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 13, comportant: a) le dépôt sur un substrat d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilazane, b) la conversion par irradiation par des rayonnements VUV à une longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm et un rayonnement ultraviolet à une longueur d'onde supérieure ou égale à 200 nm sous une atmosphère présentant un taux d'oxygène supérieur à 10 ppm et inférieur à 500 ppm et un taux d'eau inférieur ou égal à 1000 ppm, de sorte à former un empilement d'une couche de SiO2 et une couche en matériau de type SiOxNyHz. 15. Procédé de réalisation selon la revendication 14, comportant l'étape c) de dépôt d'une couche de matériau polymère après l'étape b). 16. Procédé de réalisation selon la revendication 14 ou 15, comportant la répétition des étapes a) et b) ou a), b) et c). 17. Procédé de réalisation d'une structure multicouche selon l'une des revendications 1 à 13, comportant: a') le dépôt sur un substrat d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilazane sur le substrat, b') la conversion par irradiation par des rayonnements ultraviolet à une longueur d'onde supérieure à 220 nm sous une atmosphère présentant un taux d'oxygène et un taux d'eau inférieurs à 10 ppm, c') le dépôt sur la couche formé à l'étape b', d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilazane sur le substrat, d') la conversion par irradiation par des rayonnements VUV à une longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm sous une atmosphère présentant un taux d'oxygène supérieur à 10 ppm et inférieur à 500 ppm.25