Brevet FR2989549A1 — publié le 20131018

Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un capteur d'image recevant du rayonnement infrarouge ainsi qu'à son procédé de gestion. Etat de la technique Un capteur d'image infrarouge transforme le rayonne- ment infrarouge en un signal électrique. Le capteur d'image infrarouge comporte habituellement une matrice de capteurs infrarouges avec de nombreux pixels de capteurs d'infrarouges répartis régulièrement et intégrés dans une puce de capteur. Le signal électrique contient une in- formation relative au rayonnement infrarouge incident combinée à un niveau de signal résultant de la température de la puce de capteur elle-même. Pour obtenir une image riche en contraste, il faut compenser le niveau du signal. Le document DE 10 2006 028 435 A 1 décrit un capteur pour la détection à résolution locale avec au moins un élément de cap- teur micro-structuré dont la caractéristique varie en fonction de la température et qui a au moins une membrane au-dessus de la cavité logeant l'élément de capteur sous la membrane ; cet élément de capteur est branché par des lignes d'alimentation passant dans, sur ou sous la membrane. En particulier, plusieurs éléments de capteur peuvent être réalisés sous la forme d'une couche monocristalline. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet un capteur d'image re- cevant du rayonnement infrarouge caractérisé par une matrice de pixels formée de pixels de capteur sensibles au rayonnement infrarouge et si- tués dans la région du côté arrière d'un substrat transparent au rayonnement infrarouge, au moins un pixel de référence dans la zone du côté arrière à une distance latérale de la matrice de pixels et recevant une valeur de référence pour compenser les valeurs des pixels de capteur et un écran opaque au rayonnement infrarouge relié au côté avant du substrat à l'opposé de son côté arrière et couvrant au moins le pixel de référence. L'invention a également pour objet un procédé de réalisa- tion d'un capteur d'image pour recevoir le rayonnement infrarouge, consistant à appliquer un écran opaque au rayonnement infrarouge sur le côté avant de substrat de capteur d'image, protégeant au moins un pixel de référence contre le rayonnement infrarouge. Enfin, l'invention a pour objet un procédé de gestion d'un capteur d'image consistant à mesurer une valeur de référence du pixel de référence et compenser un certain signal d'image d'un pixel de cap- teur en utilisant la valeur de référence. Selon un développement de l'invention, un pixel de réfé- rence comme pixel image d'une matrice de capteur infrarouge peut être couverte aussi complètement que possible contre le rayonnement infra- rouge arrivant sur le capteur d'image infrarouge. Le pixel de référence enregistre la température de la matière du capteur d'image infrarouge pour permettre d'éliminer par le calcul, l'influence de la température sur le signal du pixel image. Le rayonnement infrarouge est coupé par un écran inté- gré dans le capteur d'image infrarouge. L'écran comporte une ouverture transparente par laquelle le rayonnement infrarouge arrive dans la région du pixel image. L'écran permet de couvrir une zone du pixel de référence. L'arrête de l'ouverture de l'écran ou d'une zone de la surface du substrat non couverte par l'écran peut être prévu sur le capteur d'image infrarouges en tenant compte de l'angle d'incidence prévisible du rayonnement infrarouge. Un écran intégré dans le capteur d'image infrarouges permet d'intégrer d'autant plus facilement le capteur d'image infrarouge par exemple dans une caméra infrarouge que l'écran ne nécessite pas d'ajustages compliqués, qui seraient nécessaires dans le cas d'un écran libre. L'intégration permet de diminuer la distance entre l'écran et les pixels si bien que le pixel de référence pourra être plus proche des pixels d'image et être ainsi couplé thermiquement, directement et de meilleure façon aux pixels d'image. Le couplage direct du pixel de réfé- rence permet de donner au capteur d'image infrarouge un rapport de contrastes élevés sans nécessiter de refroidissement compliqué. L'écran solidaire du capteur est insensible aux secousses, ce qui donne un capteur d'image infrarouge plus robuste. L'invention crée un capteur d'image recevant le rayonne- ment infrarouge et ayant les caractéristiques développées ci-dessus. Selon un développement préférentiel de l'invention, l'écran à une ouverture transparente au rayonnement infrarouge, en regard de la matrice de pixels. L'invention a également pour objet un procédé de réalisa- tion d'un capteur d'image recevant le rayonnement infrarouge comme défini ci-dessus. L'écran est installé sur un côté ou sur la surface princi- pale du substrat en regard du côté du substrat portant la matrice de pixels. L'application de l'écran de façon opposée permet de réaliser le branchement électrique des pixels sans perturber le rayonnement infra- rouge ou sans utiliser de lignes compliquées pour brancher les pixels à travers l'écran. L'invention a également pour objet un procédé de gestion d'un capteur d'image comme celui décrit ci-dessus. Un capteur d'image est un composant sensible au rayon- nement et qui fournit un signal d'image à partir du rayonnement incident vis-à-vis du composant et contenant une information d'image résolue dans un système de coordonnées. Le rayonnement infrarouge est un rayonnement électromagnétique dans un spectre de longueurs d'onde entre la lumière visible à courte longueur d'onde et le rayonne- ment à grandes longueurs d'onde Tera-Hertz. Le rayonnement infrarouge est un rayonnement chaud. Une matrice de pixels comporte un groupe de pixels de capteur installées régulièrement. La matrice de pixels peut avoir par exemple avec un contour rectangulaire. Les pixels du capteur sont par exemple répartis en lignes horizontales et colonnes verticales. Un capteur de pixels peut-être un récepteur de rayonnement et fournir les différentes valeurs d'intensité du rayonnement dans la région des pixels de capteur. Le substrat est une matière de support pour un capteur d'image. Le substrat se présente sous la forme d'un disque mince. Les pixels de capteur peuvent être réalisés par exemple en tech- nique des semi-conducteurs dans la zone de surface du substrat. Un pixel de référence est un pixel de capteur qui fournit une valeur correspondant à la température du substrat. Le capteur d'image comporte un ou plusieurs pixels de référence. Les pixels de référence peuvent être concentrés en un lieu ou être répartis dans la matrice de pixels. La dis- tance latérale est celle prise dans la direction du plan d'extension principale du capteur d'image. La distance latérale peut-être en périphérie de la matrice de pixels. En variante, la distance latérale est celle autour d'un pixel de référence. L'écran peut être un masque. Une ouverture d'écran peut-être un trou dans le masque formé par l'écran. L'ouverture de l'écran peut comporter une matière transparente au rayonnement infrarouge mais cette ouverture peut également être libre de toutes matières. L'écran est appliqué à la surface du capteur d'image par des étapes du procédé de la technique des semi-conducteurs. L'écran peut être en une matière réfléchissant et/ou ab- sorbant le rayonnement infrarouge. Par exemple l'écran est en un métal pour être réfléchissant. L'écran peut être en dioxyde de Silicium pour absorber le rayonnement infrarouge. La surface limite (dioptre) de l'écran entre la zone opaque et l'ouverture transparante de l'écran correspondent à une distance la- térale entre une arrête de l'écran et une arrête de la matrice de pixels. La distance entre les arrêtes peut être la distance projetée latéralement et suivant laquelle l'ouverture de l'écran dépasse la matrice de pixels. En variante, la distance entre les arrêtes est la distance projetée latéra- lement et suivant laquelle l'écran dépasse du ou des pixels de référence. La distance des arrêtes permet au rayonnement infrarouge de tomber sur les pixels images dans la plage de l'angle d'acceptance. La plage de l'angle d'acceptance est l'angle par rapport par rapport à la verticale au plan d'extension principale du capteur d'image. La plage de l'angle d'acceptance peut se déterminer par la réfraction du rayonnement in- frarouge à la surface limite entre l'environnement et le capteur d'image. La réfraction est définie par l'indice de réfraction des matières concernées traversée par le rayonnement infrarouge. La distance entre la matrice de pixels et le pixel de réfé- rence peut être double de la distance des arrêtes. Dans le cas d'une dis- tance des arrêtes au moins double, le rayonnement infrarouge ne pourra pas tomber sur le pixel de référence par réfraction. Le pixel de référence peut être couplé thermiquement au substrat. Par exemple le pixel de référence peut comporter des ponts thermiques entre le substrat et la zone sensible du pixel de référence peut comporter des ponts thermiques avec le substrat. Le couplage thermique permet de mieux subir les influences thermiques sur la matrice de pixels et qui perturbent le pixel de référence ; le signal de la matrice de pixels peut se compenser avec le signal du pixel de référence pour arriver à une meilleure qualité de signal. Le capteur d'image comporte un ensemble de pixels de référence qui ont au moins la distance latérale par rapport à la matrice de pixel et sont couverts par l'écran. Les pixels de référence peuvent être répartis autour de la matrice de pixels pour enregistrer les in- fluences parasites sur un grand nombre de points. Cela permet de mieux compenser l'image du capteur d'image et d'avoir un contraste élevé plus régulier. Pour une première plage de fréquences du rayonnement infrarouge, le substrat est transparant et il est opaque pour une se- conde plage de fréquences du rayonnement infrarouge. Le substrat peut par exemple absorber ou réfléchir le rayonnement dans la bande des fréquences. Grâce à la nature imperméable vis-à-vis de certaines longueurs d'ondes on pourra obtenir des informations détaillées concernant les autres plages de longueur d'ondes. Dessins La présente invention sera décrite, ci-après, de manière plus détaillée à l'aide d'un exemple de capteur d'image et de son procédé de fabrication représenté schématiquement dans les dessins annexés dans lesquels les mêmes éléments ou des éléments analogues ou de même fonction portent les mêmes références dans les différentes fi- gures. Ainsi : - la figure 1 est un schéma par blocs d'un capteur d'image recevant un rayonnement infrarouge correspondant à un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 2 montre un ordinogramme d'un procédé de réalisation d'un capteur d'image recevant le rayonnement infrarouge selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 3 est un schéma d'un procédé de réalisation d'un capteur d'image recevant le rayonnement infrarouge selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 4 est une vue en coupe d'un capteur d'image recevant un rayonnement infrarouge selon un exemple de réalisation de l'invention, et - la figure 5 est une vue de dessus d'un capteur d'image recevant le rayonnement infrarouge selon un exemple de réalisation de l'invention. Description de mode de réalisation La figure 1 est un schéma de principe de la structure d'un capteur d'image 100 recevant le rayonnement infrarouge 102 selon un exemple de réalisation de l'invention. Le capteur d'image a un subs- trat 104, une matrice de pixels 106, au moins un pixel de référence 108 et écran 110. Le substrat 104 est transparent au rayonnement infrarouge 102. La matrice de pixels 106 est formée de pixels de capteur 112 sensible au rayonnement infrarouge, ces pixels étant situés au niveau du côté arrière 114 du substrat 104. Le pixel de référence 108 est éga- lement prévu dans la région du côté arrière (ou dos) 114 à une distance latérale de la matrice de pixels 106. L'écran 110 est opaque au rayonnement infrarouge 102. L'écran 110 a une ouverture 116 transparente au rayonnement infrarouge 102. L'écran 110 est fixé au côté avant 118 à l'opposé du côté arrière ou dos 114 du substrat 104. L'ouverture 116 de l'écran est située à l'opposé et au moins de façon à couvrir complètement la zone de la matrice de pixels 106. L'écran 110 couvre au moins le pixel de référence 108. L'ouverture d'écran 116 a les bords écartés de la matrice de pixels 106 pour que le rayonnement infrarouge 102 puisse arriver selon une certaine plage d'angles d'acceptance sur les pixels du bord de la matrice de pixels 106 sans cacher ces pixels situés au niveau du bord. La figure 2 montre l'ordinogramme d'un procédé 200 de gestion d'un capteur d'image recevant le rayonnement infrarouge selon l'exemple de réalisation de l'invention. Le capteur d'image peut être réa- lisé comme celui de la figure 1. Le procédé 200 a une étape 202 pour déterminer, une étape 204 pour mesurer et une étape 206 pour compenser. Dans l'étape 202 consistant à déterminer, la matrice de pixels du capteur d'image génère un signal d'image 208 qui est l'image du rayonnement infrarouge, incident, arrivant sur le capteur d'image. Le signal d'image 208 comporte différentes valeurs qui représentent chacune une intensité du rayonnement infrarouge arrivant sur un pixel. Ces valeurs sont combinées à une valeur de décalage correspondant au rayonnement thermique du capteur d'image. Dans l'étape de mesure 204, à l'aide du pixel de référence, on mesure la valeur de référence 210 qui représente la température (décalage) du capteur d'image. Le pixel de référence est couvert contre le rayonnement infrarouge par l'écran du capteur d'image. La température du capteur d'image correspond à celle du rayonnement thermique du capteur d'image détectée par la matrice de pixels. Dans l'étape 206, on compense le signal d'image 208 avec la valeur de référence 210 pour obtenir un signal d'images compensé 212. Les composantes du signal d'image 208 résultant du rayonnement thermique du capteur d'image sont filtrées ce qui donne une image 212 riche en contraste et à faible bruit. Le décalage du signal d'image qui provient uniquement de la température du capteur d'image mais non du rayonnement infrarouge incident arrivant sur les pixels du capteur peut se compenser de cette manière. La figure 3 montre le diagramme d'un procédé 300 de réalisation d'un capteur d'image pour recevoir le rayonnement infra- rouge selon un exemple de réalisation de l'invention. Le procédé 300 comptant une étape 302 consistant à installer un écran opaque au rayonnement infrarouge sur le substrat du capteur d'image pour un capteur d'image comme celui de la figure 1. Dans la région de la matrice de pixels sensibles au rayonnement infrarouge, l'écran a une ouverture transparente au rayonnement infrarouge. L'écran couvre au moins un pixel de référence contre le rayonnement infrarouge. Cette application consiste à fixer l'écran sur le substrat et ne plus le déplacer par rapport à celui-ci. La figure 4 montre la section d'un capteur d'image 100 recevant du rayonnement infrarouge selon un exemple de réalisation de l'invention. Le capteur d'image 100 correspond à celui de la figure 1. Le capteur d'image 100 est fixé sur un circuit ASIC 400. Le capteur d'image 100 (ou la puce infrarouge IR) est relié au circuit ASIC 400 par plusieurs points de liaisons 402. L'écran 110 est écarté de la matrice de pixels 106 d'une distance d'arrête x (distance latérale) de sorte que l'ouverture 116 de l'écran est deux fois plus grande que la distance latérale des arrêtes, par rapport à la matrice de pixels 106. Le pixel de référence 108 est décalé latéralement par rapport à la matrice de pixels de la distance latérale 2x (distance pixels d'image/pixels de référence) en étant protégé par l'écran 110 contre la lumière infrarouge incidente. L'écran 110 est une couche absorbante ou réfléchissante. La lumière infrarouge peut traverser l'ouverture 116 de l'écran ou la fenêtre de l'écran suivant un angle d'acceptance aair 404. Si la lumière infrarouge arrive suivant un angle d'incidence inférieur ou égal à l'angle d'acceptance aair 404, la lumière infrarouge est réfractée par le dioptre entre le substrat 104 et l'air ambiant pour arriver suivant un angle d'acceptance plus réduit asubstrat 406 sur un pixel de la matrice de pixels 106. Dans cet exemple de réalisation, le substrat 104 est en Silicium et c'est pourquoi son angle d'acceptance est aSilicium 406. Les différents pixels 108, 112 sont intégrés dans le substrat 104. Sur leurs côtés non tournés vers l'ouverture de diaphragme 116 sur le circuit ASIC, les pixels 108, 112 sont écartés par une cavité qui les protège contre le rayonnement thermique du circuit ASIC 400. La figure 4 est une vue en coupe schématique d'un réseau de capteur IR 100 (réseau de capteur infrarouge) équipé d'une installation d'écran 110 pour couvrir le pixel de référence 108. La figure 5 est une vue de dessus d'un capteur d'image 100 récepteur de rayonnement infrarouge selon un exemple de réalisation de l'invention. La vue de dessus montre le capteur d'image 100 de la figure 4 et en dessous de celui-ci, un circuit ASIC 400. Une colonne entière de pixels de référence 108 est située à la distance (latérale) 2x (distance entre les pixels d'image et les pixels de référence) par rapport à la matrice de pixels d'image 106. L'ouverture 116 de l'écran est une fenêtre autour de la matrice de pixels à une distance d'arrêtes x. La fi- gure 5 est une vue du dessus schématique d'un réseau de capteur in- frarouge IR 100 avec une installation d'écran 110 pour couvrir les pixels de référence 108. En d'autres termes, les figures 1, 4 et 5 montrent un ré- seau de capteur IR 100 avec un dispositif d'écran pour le réseau de cap- teur IR 100. Dans les réseaux de capteurs IR 100 intégrés, à résolution locale, très poussée, pour la détection de la température, on utilise des diodes pn 108, 112 dont la variation de tension correspond environ 2 Mv/K en fonction de la température. Pour augmenter la sensibilité on utilise des diodes de ré- férence 108. En formant la différence des signaux de capteurs et des signaux de référence, on peut également détecter de faibles variations (variations de température) pour des signaux de décalage relativement grand et éliminer les influences parasites occasionnées par l'électronique (par exemple la dérive liée à la variation de température du circuit électronique). Les pixels image 112 sont isolés à la fois électriquement par rapport aux pixels image voisins 112 et au substrat 104 et aussi isolés électriquement pour arriver à une sur-température relative. Le découplage thermique est réalisé par les cavités sous les pixels 112 avec des bras de suspension longs pour le découplage latéral et pour l'encapsulage. Les pixels de référence 108 sont également isolés électri- quement tout en étant bien couplés thermiquement au substrat 104. Le couplage thermique est réalisé par des courts-circuits thermiques, par exemple à l'aide de courts chemins métalliques thermo-conducteurs. L'incidence de la lumière est assurée par la surface en regard des pixels 112. La figure montre l'intégration d'un dispositif d'écran 110 sur la surface supérieure du substrat à l'opposé de la matrice de pixels IR 106 et de leur positionnement par rapport aux pixels images 106 et aux pixels de référence 108. L'intégration permet de réa- liser des caméras IR (caméra infrarouge) thermiquement et/ou spatialement plus sensibles ou à plus forte résolution. Selon l'invention, le composant 100 comporte une ma- trice de pixels 106 avec une lumière à incidence à travers le substrat 104 à partir du dos du composant 100. Au moins un pixel de référence 108 constitue une référence pour les signaux des pixels image 106. Le côté du substrat à l'opposé de celui des pixels 106 comporte un dispositif d'écran 110 avec une ouverture 116 au moins transparente au rayonnement IR dans la région de pixels image 106 et qui est opaque dans la région des pixels de référence 108. L'installation d'écran 110 coupe le rayonnement infrarouge IR dans la région des pixels de diodes de référence 108 par absorption ou par réflexion. Les couches du dispositif d'écran 110 sont constituées au moins par exemple de couches absorbant le rayonnement IR telles que des couches de silice SiO2 ou des couches réfléchissant le rayonnement infrarouge comme par exemple des métaux. L'ouverture 116 dans le dispositif d'écran 110 est en périphéries, plus grande de la distance x que la matrice de pixels images 106. La distance latérale entre la matrice de pixels d'image et pixels de référence est avantageusement d'au moins 2x. La solution selon l'invention offre les avantages suivants. Il n'y a pas d'élévation de température du ou des pixels de référence 108 qui serait provoquée par le rayonnement IR incident. Le pixel de référence 108 est uniquement chauffé par conduction thermique par le substrat 104. Il en résulte un plus fort contraste thermique. La solution selon l'invention permet une intégration plus économique de l'installation d'écran 110 par rapport à une solution non-intégrée qui nécessiterait un ajustage mécanique des écrans dans le chemin des rayons vers la structure optique. Le dispositif d'écran 110 présenté ici ne risque pas de glisser sous l'effet des secousses. Pour augmenter le contraste thermique de la caméra in- frarouge (infrarouge éloigné), on peut utiliser des pixels de référence 108 court-circuités en conduction thermique avec le substrat 104 par des ponts thermiques. Cela permet de référencer des signaux des pixels image 112 isolés thermiquement par rapport au signal des diodes de référence 108 pour que la température de la puce 100 de la caméra n'intervienne pas dans l'environnement qui définit l'image et puisse être éliminée dans le calcul. Enfin, cela se traduit par une plus forte résolution thermique. De façon particulièrement avantageuse, le rayonnement infrarouge à mesurer n'atteint pas les diodes de référence 108 ou seu- lement de façon réduite et il est seulement absorbé faiblement. La coupure du rayonnement peut se faire en installant une couche d'absorption ou de réflexion au dos dans la zone des pixels de référence 108 ou à l'extérieur de la zone 106 des pixels d'image de la puce IR 100. Pour éviter que les pixels image 112 soient partiellement coupés dans la zone du bord, en périphérie la fenêtre d'image 116 est de manière idéale écartée au moins de la distance x par rapport à la zone de pixels d'images 106 : sin Dans cette formule (d) est l'épaisseur de la puce IR 100 ; nsilicium représente l'indice de réfraction du Silicium, n représente l'indice de réfraction de l'air, et aair représente l'angle d'incidence maximum définit par l'optique en amont de la puce IR 100. Les pixels de diode de référence 108 ont normalement une dis- tance minimale de la matrice de pixels images 106 qui en hauteur est d'au moins 2x. Comme couche absorbante, on peut utiliser une couche de silice SI02 et pour la couche de réflexion, on utilise des couches métalliques. L'installation d'écran 110 décrite ci-dessus peut subtili- ser dans toutes les applications dans lesquelles on veut détecter le rayonnement thermique avec une résolution dans l'espace et dans lesquelles le coût des puces joue est plus important que la mesure extrêmement précise de la température. A titre d'exemple, on a les systèmes d'information de véhicules automobiles et la thermographie utilisée par exemple pour l'isolation des constructions ou la surveillance de procédés. Dans les applications domestiques l'invention permet de réaliser simplement des caméras de thermographie pour des applications domestiques (isolation, déperdition de chaleur).30 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 100 Capteur d'image 102 Rayonnement infrarouge 104 Substrat 106 Matrice de pixels 108 Pixel de référence 108 Diode pn 110 Ecran 110 Installation d'écran 110 Dispositif d'écran 112 Pixel de capteurs 112 Diode pn/pixel de référence 114 Côté arrière/dos du substrat 116 Ouverture 200 Ordinogramme du procédé de gestion d'un capteur d'image 202-212 Etapes du procédé 200 300 Procédé de réalisation d'un capteur d'image 302 Etape du procédé 300 400 Circuit ASIC 402 Points de liaison 404 Angle d'acceptance Clair 406 Angle d'acceptance n -Substrat 406 Angle d'acceptance25 REVENDICATIONS1°) Capteur d'image (100) recevant du rayonnement infrarouge (102), caractérisé par - une matrice de pixels (106) formée de pixels de capteur (112) sen- Bible au rayonnement infrarouge et situés dans la région du côté ar- rière (114) d'un substrat (104) transparent au rayonnement infrarouge (102), - au moins un pixel de référence (108) dans la zone du côté arrière (114) à une distance latérale (2x) de la matrice de pixels (106) et re- cevant une valeur de référence pour compenser les valeurs des pixels de capteur (112), et - un écran (110) opaque au rayonnement infrarouge (102), relié au côté avant (118) du substrat (104) à l'opposé de son côté arrière (114), et couvrant au moins le pixel de référence (108). 2°) Capteur d'image (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'écran (110) comporte une ouverture (116) transparente au rayonnement infrarouge (102) et située du côté opposé à la matrice de pixels (106). 3°) Capteur d'image (100) selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'écran (110) est en une matière réfléchissant et/ou absorbant le rayon- nement infrarouge (102). 4°) Capteur d'image (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'arrête limite de l'écran (110) est à une distance latérale (x) de l'arrête de la matrice de pixels (106). 5°) Capteur d'image (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce quele dioptre de l'écran 100 entre la zone opaque et son ouverture (116) transparente est à une distance latérale périphérique (x) de l'arrête de l'écran (110) par rapport à celle des pixels de référence (108). 6°) Capteur d'image (100) selon la revendication 4, caractérisé en ce que la distance (2x) entre la matrice de pixels (106) et le pixel de référence (108) est le double de la distance de l'arrête (x). 7°) Capteur d'image (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pixel de référence (108) est couplé thermiquement au substrat (104). 8°) Capteur d'image (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' il comporte un ensemble de pixels de référence (108) qui sont chacun au moins à la distance latérale (2x) de la matrice de pixels (106) et sont couverts par l'écran (110). 9°) Capteur d'image (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (104) est transparent dans une première plage de fréquence du rayonnement infrarouge (102) et opaque pour une seconde plage de fréquence du rayonnement infrarouge (102). 10°) Procédé (300) de réalisation d'un capteur d'image (100) pour recevoir le rayonnement infrarouge (102), procédé caractérisé par les étapes suivantes consistant à : - appliquer (302) un écran (110) opaque au rayonnement infrarouge (102) sur le côté avant (118) du substrat (104) d'un capteur d'image (100), - l'écran (110) protégeant au moins un pixel de référence (108) contre le rayonnement infrarouge (102).11°) Procédé (200) de gestion d'un capteur d'image (100) selon l'une des revendications 1 à 9, consistant à : - mesurer (204) une valeur de référence (210) du pixel de référence, et - compenser (206) un certain signal d'image (208) d'un pixel de cap- teur en utilisant la valeur de référence (210).10