Brevet FR2990757A1 — publié le 20131122

CAPTEUR CAPACITIF A MATERLAU POREUX AYANT UN AGENCEMENT AMELIORE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte au domaine des capteurs capacitifs doté d'un matériau poreux, et s'applique à la détection de fluide et en particulier aux capteurs de gaz et/ou d'humidité. Elle concerne un dispositif capteur capacitif à matériau poreux ayant un agencement amélioré permettant notamment d'améliorer sa sensibilité. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Un capteur capacitif est généralement formé 15 d'électrodes disposées de part et d'autre d'une couche de matériau diélectrique. Certains capteurs capacitifs tels que les capteurs de gaz et/ou d'humidité intègrent un matériau poreux, et ont une capacité susceptible de varier en 20 fonction d'une quantité de gaz ou de liquide adsorbée par ce matériau. Le document « A novel surface-micromachined capacitive porous silicon humidity sensor », Z.M. Rittersma et al., Sensors and Actuators B 68 (2000) 25 210-217 divulgue par exemple un capteur capacitif doté d'électrodes métalliques sous forme de peignes interdigités ou d'une grille et comportant une couche de matériau semi-conducteur poreux. Le document "Measurement of gas Moisture in the ppm range using porous silicon and porous alumina sensors", Tarikul Islam et al., Sensors and Materials, Vol.16, N°7(2004) 345-356, divulgue quant à lui un capteur capacitif avec des électrodes déposées en surface d'une couche de Si nano-poreux dans lequel le diamètre de pores est de l'ordre de 1 nm à 3 nm. Le document WO 2010/006877 présente un capteur capacitif à diélectrique poreux pour la détection de faibles niveaux d'humidité, en particulier inférieur à 20 % HR, intégrant une couche de matériau diélectrique hydrophile nano-poreux à forte porosité ouverte disposée entre des électrodes. L'épaisseur du matériau diélectrique poreux est relativement faible, ce qui peut avoir tendance à limiter la sensibilité du capteur. La réalisation d'une couche de matériau diélectrique poreux épaisse, en particulier supérieure à 2 micomètres nécessite de réaliser plusieurs dépôts. Il se pose le problème d'améliorer la sensibilité des capteurs capacitifs intégrant un matériau poreux, et notamment de ceux destinés à une détection d'un gaz et/ou d'humidité et/ou à une mesure d'une quantité de gaz et/ou d'humidité. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention prévoit tout d'abord un capteur de type capacitif formé sur un support comportant : au moins un matériau poreux donné disposé entre au moins une première électrode et une deuxième électrode, ainsi qu'entre au moins une des électrodes et le support. Le matériau poreux est ainsi disposé sous au moins une desdites électrodes et le support de façon à isoler électriquement la au moins une desdites électrodes du support. Une telle disposition du matériau poreux donné permet d'obtenir une meilleure isolation électrique par rapport au support et d'améliorer ainsi la sensibilité du capteur. Le matériau poreux donné permet de faire 10 varier une capacité en fonction d'une quantité de liquide ou de gaz adsorbée, tout en participant à l'isolation de la capacité par rapport au support. Le support peut être un substrat, en particulier un substrat semi-conducteur massif, par 15 exemple à base de silicium. La mise en oeuvre d'un tel capteur sur un substrat massif est moins couteuse et moins complexe à mettre en oeuvre que sur un substrat SOI (SOI pour « Silicon on Insulator » ou silicium sur isolant). Par 20 ailleurs, l'isolation peut être assurée par le matériau poreux et réalisée sans qu'une couche d'oxyde enterrée soit nécessaire. Le matériau poreux peut être avantageusement formé à partir du matériau du substrat, par exemple à 25 base de silicium rendu poreux. Cela permet d'éviter une étape de dépôt de matériau poreux. Le matériau poreux peut, en variante, comprendre ou être formé d'un matériau diélectrique 30 poreux. Le matériau poreux peut être formé d'un matériau diélectrique à base de silicium ou d'un matériau à base de MSQ ou d'un matériau isolant présentant des pores de tailles inférieures au micron. Le matériau poreux peut être un matériau nano-poreux c'est-à-dire doté de pores de dimension ou de diamètre de l'ordre du nanomètre. Le matériau poreux peut être prévu avec des pores de faible diamètre, compris par exemple entre 2 nm et 100 nm. Le matériau poreux peut être également prévu avec une porosité ouverte supérieure à 30 % Cela permet d'obtenir une surface développée importante et de fixer un nombre important de molécules, 15 en particulier de molécules d'eau lorsque le capteur capacitif est un capteur d'humidité. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le matériau poreux peut avoir subi un traitement hydrophile et être doté de sites hydrophiles, en particulier pour 20 une application du capteur capacitif comme capteur d'humidité. Le capteur d'humidité mis en oeuvre suivant l'invention peut être en particulier adapté pour une détection de taux d'humidité faible, par exemple entre 25 0 % HR et 20 % HR, ou entre 0 et 10 % HR. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le matériau poreux peut être fonctionnalisé, et avoir subi une fonctionnalisation de la surface des pores par un ou plusieurs composés spécifiques permettant l'adsorption 30 de gaz déterminés, notamment lorsque le capteur capacitif est un capteur de gaz, en particulier adapté pour une détection de très faibles niveaux de quantité de gaz. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le capteur peut être agencé de sorte que la première 5 électrode et la deuxième électrode sont disposées dans ledit matériau poreux. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le capteur peut être agencé de sorte que la première électrode est dotée d'au moins une branche conductrice 10 située entre deux branches conductrices de la deuxième électrode. Ces branches conductrices peuvent être situées dans un même plan parallèle au support. La première électrode et la deuxième 15 électrode peuvent être sous forme de peignes ayant des branches interdigitées. Selon une autre possibilité de mise en oeuvre, la première électrode et/ou la deuxième électrode peuvent être entourées par, et en contact avec, une ou 20 plusieurs couches de matériau diélectrique poreux. Selon un agencement particulier, des couches de matériau diélectrique poreux peuvent être disposées sur ledit matériau poreux donné. La présente invention concerne également un 25 procédé de réalisation d'un capteur capacitif, comprenant : a) la formation sur un support de tranchées séparées entre elles par au moins un matériau poreux, le matériau poreux étant également disposé entre le support 30 et les tranchées, b) remplissage des tranchées à l'aide d'un matériau conducteur. Le remplissage à l'étape b) peut être total ou éventuellement partiel et effectué de manière à tapisser le fond et les parois des tranchées. Ainsi, l'étape b) permet de former des électrodes à base dudit matériau conducteur qui sont entourées de matériau poreux et peuvent être isolées du support par l'intermédiaire du matériau poreux. Le support peut être un substrat, tel qu'un substrat massif à base de semi-conducteur, en particulier à base de silicium. Les tranchées peuvent être réalisées par gravure d'un matériau donné. Ensuite, une formation de pores dans le matériau donné encore appelée porosification peut être effectuée, en particulier au niveau des parois des tranchées. Les tranchées peuvent être alors réalisées à 20 travers un masquage de protection permettant de protéger des zones du support de l'étape de porosification. Le procédé peut comprendre en outre, après l'étape b), le retrait de zones dudit matériau conducteur dépassant de l'embouchure des tranchées en se 25 servant du masquage de protection comme couche d'arrêt à la planarisation. En variante, l'étape a) du procédé peut comprendre : - la formation dans le support d'une cavité, 30 - le remplissage de ladite cavité par un matériau poreux, - puis formation des tranchées par gravure du matériau poreux. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, un traitement pour rendre hydrophile le 5 matériau poreux peut être prévu. En effectuant un tel traitement, par exemple par oxydation du matériau poreux, le caractère hydrophile de ce dernier peut être augmenté. Selon une autre possibilité de mise en oeuvre 10 du procédé, une fonctionnalisation du matériau poreux peut être prévue. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de 15 réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures lA et 1B, illustrent un exemple d'agencement de capteur capacitif comportant 20 un matériau poreux dans lequel des dents de peignes d'électrodes sont disposés, le matériau poreux étant également réparti entre un substrat semi-conducteur sur lequel le capteur est formé et les électrodes de ce capteur, 25 - les figures 2A à 2E, illustrent un exemple de procédé, suivant l'invention, de réalisation d'un capteur d'humidité de type capacitif comportant un matériau poreux, - la figure 3, illustre une variante de 30 réalisation d'un capteur d'humidité de type capacitif comportant un matériau diélectrique poreux enrobant une portion des électrodes, un autre matériau poreux étant disposé entre le matériau diélectrique poreux et le substrat sur lequel le capteur est formé, - la figure 4, illustre une autre variante de réalisation d'un exemple de capteur de type capacitif comportant un matériau diélectrique poreux enrobant une portion des électrodes et en contact avec le substrat sur lequel le capteur est formé, - les figures 5A-5E, illustrent une autre variante de réalisation d'un exemple de capteur capacitif. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un exemple de capteur capacitif, mis en oeuvre suivant l'invention, est donné sur les figures 1A-1B. Le capteur est formé sur un support 100, qui 25 peut être un substrat à base de matériau semiconducteur, par exemple un substrat massif en Silicium. Le capteur comprend des électrodes 115, 125 d'une capacité. Une première électrode 115 peut être dotée 30 d'une branche conductrice dite « principale » 1150 qui s'étend dans une direction donnée parallèlement au support 100, et de branches conductrices 115a, 115b, 115c, 115d, dites « secondaires » reliées à la branche principale 1150 et qui s'étendent dans une direction donnée orthogonale à celle de la branche principale et parallèle au support 100. Une deuxième électrode 125 peut être également dotée d'une branche conductrice principale 1250 qui s'étend dans une direction donnée parallèlement au support 100, et de branches conductrices 125a, 125b, 125c, secondaires reliées à la branche principale et qui s'étendent dans une direction donnée orthogonale à la branche principale et parallèle au support 100. Les électrodes 115, 125 peuvent comprendre ainsi chacune un motif en forme de peigne. Sur la figure LA, les électrodes 115, 125 sont représentées en vue de dessus et sous forme de peignes interdigités. Ainsi, les électrodes 115 et 125 sont 20 disposées de sorte qu'au moins une branche conductrice 125a secondaire d'une des électrodes est située dans un même plan parallèle au support, entre deux branches conductrices 115a, 115b secondaires de l'autre électrode. 25 Les électrodes 115, 125 sont disposées dans une zone de matériau poreux 108 d'épaisseur e=e1+e2 comprise par exemple entre 1 pm et 5 pm. L'épaisseur el de matériau poreux entre les électrodes, correspondant à une hauteur (mesurée dans 30 une direction orthogonale au plan du support) de matériau poreux disposé entre les électrodes peut être prévue par exemple de 4 pm, de préférence entre 1 pm et 5 pm. De même l'épaisseur e2 de matériau poreux entre le support et au moins une des électrodes peut 5 être prévue par exemple d'au moins 1 pm, de préférence entre 0,5 pm et 5 pm. Une épaisseur importante de matériau poreux disposée entre les électrodes ainsi qu'entre les électrodes et le support participe à une amélioration de 10 la sensibilité du capteur. Le matériau poreux 108 est disposé entre les électrodes 115 et 125, et sépare les électrodes 115, 125 du substrat. Il peut ainsi jouer à la fois le rôle de diélectrique pour la capacité du capteur et d'isolant 15 électrique entre les électrodes 115, 125 et le substrat 100. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le matériau poreux 108 peut être à base du matériau du substrat 100 que l'on a rendu poreux. Le matériau poreux 20 108 peut être par exemple du Si poreux lorsque le substrat 100 est un substrat en silicium massif. Le matériau poreux 108 peut comporter des pores de faible diamètre par exemple compris entre 2 nm et 100 nm. Cela permet de détecter de faibles quantité 25 d'humidité ou de gaz. Le matériau poreux 108 poreux peut être prévu avec une porosité ouverte comprise par exemple entre 20 % et 60 % et de préférence supérieure à 30 %. Cela permet d'obtenir une surface développée importante 30 et de fixer un nombre important de molécules d'eau à faible humidité. Le matériau poreux 108 peut également comprendre ou éventuellement être à base d'un matériau diélectrique poreux. Selon une application particulière du 5 capteur capacitif, ce dernier peut être intégré à un dispositif de détection d'humidité ou de mesure d'une quantité d'humidité. Dans ce cas, le matériau poreux 108 peut comporter des sites hydrophiles. Lorsque l'humidité 10 varie dans l'atmosphère environnant la capacité, la permittivité de la couche de matériau poreux qui adsorbe l'humidité est modifiée proportionnellement à la quantité d'eau adsorbée. Cette variation peut être importante même à faible humidité dans la mesure où la 15 permittivité diélectrique de l'eau est très supérieure à celle du matériau poreux envisagé. La permittivité diélectrique s du matériau poreux 108 peut être, par exemple, de l'ordre de 12 lorsque le matériau poreux 108 est du Si, tandis que la permittivité diélectrique s de 20 l'eau est de l'ordre de 80. Le capteur suivant l'invention peut être adapté à des mesures de taux d'humidité allant de 0 à 20 % HR et ayant une importante sensibilité pour des faibles niveaux d'humidité, par exemple entre 25 0 et 10 % HR. Selon une autre possibilité d'application particulière du capteur capacitif suivant l'invention, ce dernier peut être intégré à un dispositif de détection d'un gaz ou une mesure d'une quantité d'un 30 gaz. Dans ce cas, le matériau poreux 108 peut être fonctionnalisé. Par exemple, pour détecter du CO2, on fonctionnalise le matériau poreux avec un composé de type poly(allilamine) de formule : [CH2CH(CH2NH2)]n). Pour détecter du NO2, on recouvre par exemple le matériau poreux de ITO (Indium Thin Oxide). Un exemple de procédé de réalisation d'un capteur capacitif suivant l'invention et du type de celui qui vient d'être décrit, va à présent être donné en liaison avec les figures 2A à 2E. Le matériau de départ de ce procédé peut être un support ou une plaque (« wafer » selon la terminologie anglo-saxonne) de matériau semi-conducteur, par exemple un substrat 100 de Si et d'épaisseur par exemple de l'ordre de 725 pm, qui peut comporter une face avant polie (figure 2A). Ensuite, on forme une couche de protection 102 sur une face du substrat 100. Cette couche de protection 102 est prévue pour protéger des zones du substrat qu'elle recouvre lors d'une étape ultérieure de porosification. La couche de protection 102 peut être en particulier à base d'un matériau susceptible de résister à une attaque chimique à base de HF. La couche de protection 102, peut être ainsi par exemple à base de Si3N4 et avoir une épaisseur par exemple de l'ordre de nm. La couche de protection 102 peut, en variante, être réalisée par oxydation du support 100, de manière à former une couche d'oxyde de silicium Te0S, puis par dépôt d'une couche de Si3N4 sur la couche de TeOS 30 (figure 2B). Puis, on réalise des tranchées 105 dans le substrat 100 qui traversent la couche de protection 102. Pour cela, une gravure de la couche de protection 102 à travers un masquage 104 comportant des ouvertures peut être réalisé de manière à reproduire ces ouvertures dans la couche de protection 102. Le masquage 104 peut être par exemple à base de résine photosensible. Ensuite, le substrat 100 est gravé en se servant de la couche de protection 102 comme masque dur. Les tranchées 105 réalisées dans le substrat 100 peuvent avoir une profondeur par exemple comprise entre 1 pm et 5 pm (figure 2B). Pour certaines applications, les tranchées peuvent être plus profondes et par exemple de l'ordre de 20 pm. Le masquage de résine 104 est ensuite retiré. On effectue, ensuite une porosification des parois des tranchées 105. Le matériau du substrat 100 20 peut être ainsi rendu poreux dans une zone jouxtant ou limitrophe aux tranchées (figure 2C). Cette porosification peut être réalisée par voie électrochimique, et plus précisément par dissolution anodique en milieu acide fluorhydrique, en 25 particulier lorsque le substrat 100 est à base de Si. Pour cela, on peut immerger le substrat 100 dans un milieu d'acide fluorhydrique de concentration pouvant varier par exemple entre 1 % et 50 %. Avec un tel procédé, les zones de la face du 30 substrat 100 dévoilées par les ouvertures réalisées dans la couche de protection 102 sont consommées au fur et à mesure de l'anodisation tandis que l'autre face du substrat 100 sert de prise de contact pour des moyens de polarisation. L'épaisseur de matériau poreux 108 formée peut être par exemple comprise entre 1 pm et 3 pm. Ensuite, on forme des électrodes pour le capteur. Pour cela, on effectue tout d'abord un dépôt d'un matériau conducteur 110 dans les tranchées 105. (figure 2D). Le matériau conducteur 110 peut être un matériau métallique tel que de l'AlCu. Le dépôt peut être réalisé par exemple par PECVD (PECVD pour « plasma enhanced chemical vapour deposition », ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Ensuite, pour retirer des régions de matériau conducteur 110 dépassant de l'embouchure des tranchées, on peut effectuer une planarisation ou un polissage, par exemple par CMP (CMP pour « chemical mechanical polishing »), afin de former des électrodes 115, 125. La couche de protection 102 peut servir de couche d'arrêt au polissage et peut être ensuite retirée (figure 2E). Puis, un traitement pour rendre hydrophile le matériau poreux 108 peut être réalisé, en particulier lorsque le capteur est destiné à remplir le rôle de capteur d'humidité. Ce traitement peut être réalisé par exemple à l'aide de H202. Le traitement pour rendre hydrophile le matériau poreux 108 peut être réalisé, en particulier lorsque le capteur est destiné à remplir le rôle de capteur d'humidité. En variante, ce traitement peut être réalisé entre l'étape de porosification et préalablement à l'étape de remplissage des tranchées 105 par le matériau conducteur 110. Selon une variante du procédé de réalisation du capteur, une étape de fonctionnalisation du matériau poreux 108, en particulier au niveau des parois des tranchées 105 peut être effectuée, notamment lorsque le capteur est destiné à remplir le rôle de capteur de gaz. Cette fonctionnalisation peut être réalisée par exemple après l'étape de porosification et préalablement à l'étape de remplissage des tranchées 105 par le matériau conducteur 110. Par exemple, pour détecter du CO2, on peut fonctionnaliser le matériau poreux avec un composé de type poly(allilamine) (de formule chimique : [CH2CH(CH2NE12) ]n). Pour détecter du NO2, on recouvre par exemple le matériau poreux d'ITO (Indium Tin Oxide). Selon une variante de réalisation du capteur illustrée sur la figure 3, après avoir réalisé la porosification, on peut recouvrir les parois des tranchées par une ou plusieurs couches de matériau diélectrique poreux 158, par exemple de type SiOCH ou MSQ. Selon une autre variante de réalisation du capteur illustrée sur la figure 4, après avoir réalisé les tranchées 105, on peut, à la place de l'étape de porosification, déposer une ou plusieurs couches de matériau diélectrique poreux 158, par exemple de type SiOCH ou MSQ (méthyl-silsesquioxane), de manière à recouvrir les parois des tranchées 105. Puis, on comble les tranchées 105 de matériau conducteur de manière à former les électrodes 115 et 125. Pour cette variante, un matériau diélectrique poreux 158 situé autour et en contact d'une des électrodes 115, 125 est agencé de manière isoler les électrodes 115 et 125 entre elles et à isoler les électrodes 115, 125 du substrat 100. Pour cette variante, l'épaisseur de matériau poreux tapissant les parois et le fond des tranchées peut être prévue épaisse et de préférence au moins égale à 2 pm pour permettre une diffusion de gaz ou de vapeur d'eau dans ledit matériau poreux. Un autre exemple de procédé de réalisation d'un capteur capacitif suivant l'invention est illustré sur les figures 5A à 5E. On prévoit tout d'abord un substrat 200, recouvert d'une couche de protection 202, par exemple à base d'oxyde de silicium TeOS d'épaisseur de l'ordre de 30 nm. Puis, à travers un masquage 204, par exemple à base de résine, recouvrant la couche de protection 202, on réalise une cavité 205 dans le substrat 200, par gravure de la couche de protection 202, puis par gravure du substrat 200, par exemple de type RIE (RIE pour « Reactive Ion Etching » ou gravure ionique réactive) (figure 5A). Après avoir retiré le masquage 204 on effectue ensuite un remplissage de la cavité 205 après remplissage de matériau poreux 208, par exemple de type SiOCH ou de type MSQ (figure 5B). Ce remplissage peut être réalisé par un dépôt de plusieurs couches puis une planarisation (CMP). Puis, à travers un autre masquage 214, par exemple à base de TeOS comportant une pluralité d'ouvertures, on réalise des tranchées 215 (figure 5C). Ensuite, on forme des électrodes pour le capteur. Pour cela, on effectue tout d'abord un dépôt d'un matériau conducteur 210 dans les tranchées 205. (figure 5D), dont on retire ensuite une épaisseur par 5 planarisation. Cette planarisation peut être réalisée de manière à supprimer le masquage 214 (figure 5E). Un exemple particulier détaillé de réalisation d'un capteur capacitif va à présent être donné. 10 Dans cet exemple, le capteur est prévu avec une capacité théorique à 0 % d'humidité relative (HR) de 45 pf, et doté d'un nombre de branches conductrices secondaires 115a, 115b, 115c, 115d, 125a, 125b, 125c, de l'ordre de 150. 15 Les branches secondaires ont une longueur de l'ordre de 1000 pm, une épaisseur de l'ordre de 3 pm, et sont séparées l'une de l'autre d'une distance de l'ordre de 1.2 pm. Dans cet exemple, le matériau poreux 108 est 20 du Si et a une épaisseur de l'ordre de 3 pm, une permittivité de l'ordre de 12, et une porosité ouverte de l'ordre de 35 %. Les applications d'un capteur suivant l'invention sont multiples. 25 Parmi ces applications, on peut citer, outre la détection d'humidité dans des composants scellés, la mesure de l'humidité dans l'industrie de la céramique pour le contrôle du séchage des pièces avant cuisson, la mesure de l'humidité dans les papeteries, la mesure de 30 l'humidité dans l'industrie alimentaire, dans les serres, dans l'industrie électronique pour le contrôle des salles blanches, dans les hôpitaux, dans les habitacles automobiles. Un capteur suivant l'invention peut être également utilisé pour les mesures de traces d'eau dans 5 les gaz produits à grande échelle dans un site industriel par exemple au niveau de sites d'extractions. Un capteur suivant l'invention peut être également utilisé au sein d'un dispositif de contrôle des gaz par exemple dans un site industriel où 10 l'humidité est prohibée notamment dans les procédés de synthèses de matériaux purs tels que des produits pharmaceutiques ou par exemple dans des sites de fabrication de polymères. Un capteur suivant l'invention peut être 15 également utilisé pour la détection de fuites dans les composants encapsulés dans les industries de la micro électronique et des microsystèmes de type accéléromètre, gyromètre ou capteurs de pression qui sont protégés par un capot. 20 REVENDICATIONS1. Capteur capacitif comprenant un support sur lequel repose : - au moins une première électrode (115a-115b-115c) et au moins une deuxième électrode (125a-125b), - au moins un matériau poreux (108) disposé entre ladite première électrode et ladite deuxième électrode, ledit matériau poreux étant disposé en outre sous au moins une desdites électrodes, de manière à isoler ladite au moins une desdites électrodes du support. 2. Capteur capacitif selon la revendication 1, au moins une portion de la première électrode (115, 125) et au moins une portion de la deuxième électrode étant situées dans ledit matériau poreux (108, 158). 3. Capteur capacitif selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite portion de la première électrode comporte une branche (115b) conductrice disposée entre deux branches conductrices (125a, 125c) de la deuxième électrode. 4. Capteur capacitif selon l'une des revendications 1 à 3, la première électrode et la deuxième électrode étant sous forme de peignes interdigités.30 5. Capteur capacitif selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le support (100) est à base d'un matériau donné, en particulier semi-conducteur tel que du silicium, ledit matériau poreux étant formé à base dudit matériau donné. 6. Dispositif détecteur d'humidité ou détecteur de gaz comprenant un capteur selon l'une des revendications 1 à 5. 7. Procédé de réalisation d'un capteur capacitif, comprenant : a) la formation sur un support (100) de tranchées (105) séparées entre elles par au moins un matériau poreux (108), le matériau poreux étant également disposé entre le support et le fond des tranchées (105), b) remplissage des tranchées à l'aide d'un matériau conducteur (110). 20 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel les tranchées (105) sont réalisées par gravure d'un matériau donné dudit support, puis porosification dudit matériau donné au niveau des parois et du fond des 25 tranchées. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les tranchées sont réalisées par gravure du support (100), le support étant un substrat semi- 30 conducteur, en particulier à base silicium 10. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9, l'étape a) comprenant la gravure du support pour réaliser des tranchées puis le dépôt d'au moins un matériau diélectrique poreux sur les parois des tranchées. 11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel l'étape a) comprend des étapes de : - formation dans le support d'une cavité (205), - remplissage de ladite cavité (205) par un matériau poreux (210), - puis formation des tranchées (215) par gravure du matériau poreux. 12. Procédé selon l'une des revendications 7 à 11, dans lequel les tranchées sont réalisées à travers un masquage de protection (102). 13. Procédé selon la revendication 12, le procédé comprenant en outre après l'étape b), le retrait par planarisation de zones dudit matériau conducteur (110) dépassant de l'embouchure des tranchées. 14. Procédé selon l'une des revendications 7 à 13, comprenant en outre une étape de traitement pour rendre le matériau poreux hydrophile. 15. Procédé selon l'une des revendications 7 30 à 13, comprenant en outre une étape de fonctionnalisation du matériau poreux.