Brevet FR2983306A1 — publié le 20130531

CAPTEUR DE CHAMP MAGNETIQUE [1] L'invention concerne un capteur de champ magnétique ainsi qu'un capteur de courant incorporant ce capteur de champ magnétique. L'invention concerne 5 également un barreau magnétorésistif utilisé dans ces capteurs. [2] Typiquement, les capteurs de courant concernés fonctionnent pour des courants variant de 10pA à 5000A, en particulier donc pour les forts courants, supérieurs à 100 A. [3] Par matériau non magnétique, on désigne par la suite un matériau ne 10 présentant pas d'aimantation mesurable en champ nul. Un tel matériau non magnétique est donc dépourvu de Fer, de Cobalt et de Nickel. [4] Un capteur connu de courant comporte : - un conducteur électrique s'étendant le long d'une direction X, et - un capteur connu de champ magnétique fixé sans aucun degré de liberté à ce 15 conducteur électrique. [005] Le capteur connu de champ magnétique comporte au moins un barreau magnétorésistif comprenant un empilement d'au moins : - une première couche magnétique , dite « couche de référence » dont la direction d'aimantation est fixe et perpendiculaire à la direction longitudinale à plus ou moins 20 10° près, - une seconde couche magnétique, dite « couche libre », dont l'axe de plus facile aimantation est parallèle à la direction longitudinale et dont l'aimantation peut tourner lorsqu'elle est soumise au champ magnétique à mesurer, et - une couche non magnétique, dite « espaceur », interposée entre les deux couches 25 précédentes pour former une jonction tunnel ou une vanne de spin. [006] Dans les capteurs connus, la longueur du barreau dans sa direction longitudinale est au moins vingt fois supérieure à sa plus grande largeur dans une direction transversale perpendiculaire à la direction longitudinale et parallèle aux couches de l'empilement. 30 [007] Un tel capteur connu de courant est par exemple décrit dans la demande de brevet US2004/0137275. Un autre capteur connu est décrit dans le document AO suivant : Bill Drafts, « Magnetoresistive Current Sensor Improves Motor Drive Perfomance », Pacific Scientific - OECO, 4607 SE International Way, Milwaukie, OR 97222. 35 [008] Dans ces capteurs, le rapport de forme des barreaux magnétiques est important, c'est-à-dire supérieur à vingt, quarante ou cent. Par « rapport de forme », on désigne le rapport de la longueur du barreau magnétorésistif sur sa largeur. [009] Ce rapport de forme important est nécessaire pour pouvoir régler la sensibilité du barreau magnétorésistif sur une très large gamme et donc permettre à ce barreau magnétorésistif de mesurer des champs magnétiques de forte intensité. En effet, plus le rapport de forme est important, plus il est difficile de faire tourner la direction d'aimantation de la couche libre. Il a donc été proposé des barreaux magnétorésistifs ayant un rapport de forme supérieur à 1000. Toutefois, ces barreaux magnétorésistifs sont alors très longs, ce qui rend le capteur encombrant. [cm cl De plus, les barreaux magnétorésistifs présentent une hystérésis. En effet, la variation de leur résistance en fonction du champ magnétique à mesurer n'est pas la même selon que le champ magnétique à mesurer augmente ou diminue. Pour éviter ce problème, la solution actuelle consiste à utiliser des sources auxiliaires qui génèrent un champ magnétique parallèlement à la direction de plus facile aimantation de la couche libre. Typiquement, ces sources auxiliaires de champ magnétique sont des aimants permanents ou des conducteurs électriques. La présence de ces sources auxiliaires accroît la complexité du capteur et son encombrement. [0011] L'invention vise à remédier à au moins l'un de ces inconvénients. Elle a donc pour objet un capteur de champ magnétique dans lequel : - la couche libre est réalisée dans un matériau magnétostrictif qui présente un coefficient Às de magnétostriction dont la valeur absolue est supérieure à 20 ppm à 25°C, et - le barreau magnétorésistif comporte une couche génératrice de contrainte apte à 20 exercer une contrainte mécanique uniaxiale a, parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, telle que le produit Àso- soit positif et supérieur à 500 ppm.MPa à 25°C. [0012] Le fait d'exercer une contrainte mécanique sur la couche libre dans la direction longitudinale produit les mêmes effets que les sources auxiliaires de champ 25 magnétique. Dans le capteur ci-dessus, les sources auxiliaires peuvent donc être simplifiées ou omises ce qui simplifie la fabrication du capteur. [0013] De plus, à performance égale avec les capteurs connus dépourvus de la couche génératrice, le barreau magnétorésistif du capteur ci-dessus : - a un rapport de forme plus petit ce qui décroit son encombrement, et/ou 30 - a une largeur plus grande ce qui améliore le rapport signal/bruit. [0014] Les modes de réalisation de ce capteur de champ magnétique peuvent présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ le capteur comporte un pont de Wheatstone comprenant une première et une seconde branches raccordées en parallèle entre un premier potentiel et un 35 second potentiel, - la première branche comportant successivement, en allant du premier potentiel vers le second potentiel, un premier et un deuxième exemplaires du barreau magnétique raccordés en série par l'intermédiaire d'un premier point milieu, - la seconde branche comportant successivement, en allant du premier potentiel vers le second potentiel, un troisième et un quatrième exemplaires du barreau magnétique raccordés en série par l'intermédiaire d'un second point milieu ; ^ les résistances des deuxième et troisième exemplaires du barreau magnétique varient dans le même sens lorsqu'ils sont soumis à une même variation du champ magnétique extérieur ; ^ les résistances des premier, deuxième, troisième et quatrième exemplaires du barreau magnétique varient dans le même sens lorsqu'ils sont soumis à une même variation du champ magnétique extérieur. [0015] Ces modes de réalisation du capteur de champ magnétique présentent en outre les avantages suivants : - l'utilisation d'un pont de Wheatstone permet d'augmenter la sensibilité de la mesure du champ magnétique, et - le fait que les résistances des deuxième et quatrième exemplaires du barreau magnétorésistif varient dans le même sens permet de compenser les biais de mesure liés à la présence d'un champ magnétique extérieur homogène sur toute la surface du capteur ou causés par des variations de température. [0016] L'invention a également pour objet un capteur de courant dans lequel le capteur de champ magnétique ci-dessus est fixé au conducteur électrique de manière à ce que la direction d'aimantation de la couche de référence du barreau magnétorésistif soit perpendiculaire à la direction X à plus ou moins 10° près. [0017] Les modes de réalisation de ce capteur de courant peuvent comporter les caractéristiques suivantes : ^ le conducteur électrique comporte un premier et un second brins parallèles à la direction X, ces brins étant électriquement raccordés l'un à l'autre de manière à ce que le courant à mesurer circule dans un sens dans le premier brin et dans le sens opposé dans le second brin, et le deuxième exemplaire du barreau magnétique s'étend le long du premier brin et le troisième exemplaire du barreau magnétique s'étend le long du second brin de sorte que le deuxième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du premier brin que du deuxième brin et le troisième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du second brin que du premier brin ; ^ le premier exemplaire du barreau magnétique s'étend le long du premier brin et le quatrième exemplaire du barreau magnétique s'étend le long du second brin de sorte que le premier exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du premier brin que du deuxième brin et le quatrième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du second brin que du premier brin. [0018] Ce mode de réalisation du capteur de courant présente en outre l'avantage suivant - placer au moins l'un des barreaux magnétorésistifs de la première branche à proximité du premier brin et au moins l'un des barreaux magnétostrictifs de la 5 seconde branche à proximité du second brin permet d'accroître la sensibilité du capteur de courant et limite le bruit. [0019] L'invention a également pour objet un barreau magnétorésistif pour le capteur de champ magnétique ou de courant ci-dessus. [0020] Les modes de réalisation de ce barreau magnétorésistif peuvent comporter 10 une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ la couche génératrice est une couche précontrainte, différente des couches libres, de référence et de l'espaceur, d'épaisseur supérieure à l'épaisseur de la couche libre, cette couche précontrainte exerçant en permanence la contrainte a sur la couche libre ; 15 ^ l'empilement des couches libres, de référence et de l'espaceur est sensiblement parallélépipédique et la couche précontrainte recouvre au moins une partie d'une face dans la grande longueur du parallélépipède ; ^ le barreau comporte : - un substrat rigide, 20 - la couche génératrice est une poutre d'épaisseur e dont les extrémités sont fixées sans aucun degré de liberté au substrat, cette poutre comportant une branche centrale qui s'étend entre les deux extrémités, cette branche centrale étant suspendue au-dessus du substrat, - un actionneur commandable apte à étirer ou à comprimer la branche 25 centrale, et - l'empilement est déposé sur une face de cette branche centrale de manière à ce que la contrainte uniaxiale appliquée par la branche centrale soit parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, l'épaisseur de l'empilement étant inférieure à l'épaisseur e ; 30 ^ la couche libre est plus proche de la face de la branche centrale sur laquelle l'empilement est déposé que la couche de référence ; ^ la longueur du barreau est au moins quarante fois ou cent fois supérieure à sa largeur transversale. [0021] Ces modes de réalisation du barreau magnétorésistif présentent en outre les 35 avantages suivants : - l'utilisation d'une couche précontrainte permet d'exercer la contrainte mécanique en permanence sur la couche libre sans consommer d'énergie électrique, - entourer la couche libre par la couche précontrainte permet d'exercer une contrainte uniaxiale dans la direction longitudinale du barreau magnétostrictif à cause du facteur de forme de ce barreau et cela même si la couche précontrainte est éloignée de la couche libre, - utiliser une couche génératrice en forme de poutre suspendue et un actionneur commandable apte à étirer ou comprimer cette poutre permet de faire varier la 5 contrainte appliquée sur la couche libre. [0022] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la figure 1 est une illustration schématique et en perspective d'un capteur de courant 10 de forte intensité, - la figure 2 est une illustration schématique et en coupe verticale de la section transversale d'un barreau magnétorésistif utilisé dans le capteur de la figure 1, - la figure 3 est une illustration schématique en vue de dessus d'une contrainte appliquée sur une couche libre du barreau magnétorésistif de la figure 2, 15 - la figure 4 est un graphe illustrant la modification de la sensibilité du barreau magnétorésistif de la figure 2 causée par l'application d'une contrainte sur la couche libre, - la figure 5 est un graphe illustrant la variation de la contrainte mécanique en fonction d'un ratio entre des débits de deux gaz différents, 20 - la figure 6 est un graphe illustrant l'ajustement d'une contrainte dans une couche précontrainte en fonction d'une température de recuit, - les figures 7 et 8 illustrent la réponse, respectivement, d'un capteur de courant dépourvu de couche précontrainte et du capteur de la figure 1, et - la figure 9 est une illustration schématique et en coupe verticale d'un autre mode de 25 réalisation d'une couche génératrice de contrainte. [0023] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. [0024] Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l'homme du métier ne sont pas décrites en détail. 30 [0025] La figure 1 représente un capteur 2 de courant de forte intensité. Ce capteur 2 comporte un conducteur électrique 4. Le conducteur 4 comporte ici deux brins 6, 7 rectilignes et parallèles à une direction horizontale X d'un repère orthogonal X, Y, Z. Dans le repère X, Y, Z, la direction Y est également horizontale et la direction Z est verticale. 35 [0026] Ces brins 6, 7 sont électriquement raccordés entre eux par un brin supplémentaire 10 de sorte que le courant à mesurer circule dans un sens dans le brin 6 et dans le sens opposé dans le brin 7. Ici, ces brins 6, 7 et 10 forment un « U ». [0027] Les brins 6, 7 sont également raccordés, respectivement, à des bornes E et S d'entrée et de sortie du courant à mesurer. [0028] Un support 14 électriquement isolant repose, sans aucun degré de liberté, sur les brins 6 et 7 du conducteur 4. Par la suite, on considère qu'un matériau est isolant si sa résistivité est supérieure à 1 Cl.m et, de préférence, supérieure à 104 Cl.m à 25°C. [0029] Le capteur 2 comporte également un capteur 16 de champ magnétique fixé sans aucun degré de liberté sur le support 14. Ce capteur 16 comporte quatre barreaux magnétorésistifs 20 à 23 électriquement raccordés entre eux pour former un pont de Wheatstone. Un barreau magnétorésistif est un composant dont la résistivité varie en fonction du champ magnétique dans lequel il est placé. Les barreaux magnétiques dont il s'agit ici sont soit des vannes de spin soit des jonctions tunnel magnétique et non pas des dispositifs à magnétorésistance anisotrope. [0030] Ce pont de Wheatstone comprend une première et une seconde branches électriquement raccordées en parallèle entre des potentiels de référence V+ et V-. Le potentiel V- est par exemple la masse ou la terre. La première branche comprend successivement, en allant du potentiel V+ vers le potentiel V-, les barreaux magnétorésistifs 20 et 21 raccordés en série par l'intermédiaire d'un point milieu A. La seconde branche comprend successivement, en allant du potentiel V+ vers le potentiel V-, les barreaux 22 et 23 raccordés en série par l'intermédiaire d'un point milieu B. [0031] Les potentiels VA et VB au niveau des points milieux A et B sont donnés par les relations suivantes : VA = (V+ - V_)R2/(R1 ±R2) VB = (V+ - V_)R4/(R3+R4) ou R1, R2, R3 et R4 désignent les résistances, respectivement, des barreaux 20 à 23. [0032] Ici, chaque barreau 20 à 23 a essentiellement une forme de parallélépipéde rectangle dont au moins deux grandes faces s'étendent horizontalement. La direction dans laquelle s'étend principalement le barreau est appelée direction longitudinale. Ici, cette direction est horizontale et parallèle à la direction X. La direction transversale est la direction horizontale orthogonale à la direction longitudinale. Elle 30 est parallèle à la direction Y. [0033] Chaque barreau présente un rapport de forme important, c'est-à-dire un rapport de forme supérieur à vingt et, de préférence, supérieur à quarante ou cent. Ce rapport de forme est défini par le rapport de forme entre la longueur L du barreau sur sa largeur transversale W. 35 [0034] Par exemple, la longueur L est supérieure à 50 ou 100 pm et, de préférence, inférieure à 1 mm. La largeur transversale W est typiquement supérieure à 0,3 pm ou 1 pm et, de préférence, inférieure à 15 pm ou 30 pm. [0035] Ici, les barreaux 20 et 21 sont disposés au-dessus du brin 6 de manière à être au moins deux ou trois fois plus proches de ce brin 6 que du brin 7. Ainsi, les 40 barreaux 20 et 21 sont essentiellement sensibles au champ magnétique H1 créé par le courant qui circule dans le brin 6. La direction de ce champ magnétique HI est représentée sur la figure 1 par une flèche HI qui s'étend dans la direction Y. [0036] De façon similaire, les barreaux 22 et 23 sont disposés au-dessus du brin 7 de manière à être deux ou trois fois plus proches de ce brin 7 que du brin 6. Ainsi, les barreaux 22 et 23 sont essentiellement sensibles au champ magnétique HI créé par le courant qui circule dans le brin 7. La direction de ce champ magnétique HI est représentée sur la figure 1 par une flèche HI qui s'étend dans la direction opposée à la direction Y. [0037] Les barreaux 21 et 22 sont agencés de sorte que leurs résistances respectives varient dans le même sens en réponse à la même variation du courant I à mesurer. Ici, les barreaux 21 et 22 sont identiques. [0038] Dans ce mode de réalisation, les barreaux 20 et 23 sont également identiques aux barreaux 21 et 22. Toutefois, le capteur 16 est agencé de manière à ce que leur résistance ne varie pas en réponse à une variation de l'intensité du courant I dans le conducteur 4. Par exemple, le capteur 16 comprend un écran magnétique interposé entre les barreaux 20 et 23 et le conducteur 4. [0039] Enfin, le capteur 2 comporte une unité électronique 26 de traitement. Cette unité est apte à traiter la différence de potentiels entre les points A et B pour établir l'intensité du courant I circulant dans le conducteur 4. [0040] Les structures des différents barreaux magnétorésistifs sont identiques et seule la structure du barreau 20 est décrite plus en détail en références à la figure 2. [0041] Le barreau 20 comporte un empilement 28, immédiatement consécutif, d'une couche de référence 30, d'un espaceur 32 et d'une couche libre 34 dans la direction verticale. Un tel empilement pour obtenir une magnétorésistance géante ou GMR (Geant Magneto-Resistance) est conventionnel. Les GMR sont également connues sous le terme « vanne de spin ». Cet empilement ne sera donc pas décrit en détail. [0042] La couche 30 de référence a une aimantation de direction fixe et perpendiculaire à la direction X. Par « direction fixe », on désigne ici le fait que la direction d'aimantation de cette couche est beaucoup plus difficile à modifier que la 30 direction d'aimantation de la couche libre. [0043] Par exemple, la couche 30 est une couche ferromagnétique. Elle peut être réalisée en cobalt, en nickel ou en fer ou dans leurs alliages tels que CoFe, NiFe, CoFeB ou autres. [0044] La direction d'aimantation de la couche 30 de référence est fixée à l'aide 35 d'une couche 36 anti-ferromagnétique. La couche 36 sert à piéger la direction d'aimantation de la couche 30. Par exemple, la couche 36 est réalisée dans un alliage de manganèse tel que l'un des alliages suivants IrMn, PtMn, FeMn, NiMn ou autres. [0045] L'espaceur 32 est une couche réalisée en matériau non magnétique. Cet espaceur 32 est suffisamment épais pour découpler magnétiquement les couches 30 et 34. Ici, l'espaceur 32 est une couche en matériau conducteur tel que du cuivre. [0046] La couche libre 34 présente une direction d'aimantation qui peut plus facilement tourner que celle de la couche de référence. La direction de plus facile aimantation de cette couche 34 est ici parallèle à la direction longitudinale du barreau, c'est-à-dire ici la direction X. Par exemple, la couche 34 est une couche réalisée en matériau ferromagnétique ou un empilement de couches ferromagnétiques. [0047] La couche libre 34 est réalisée dans un matériau magnétostrictif. Ici, ce sont les propriétés magnétostrictives inverses, également connues sous l'expression anglaise de « villari effect » qui sont exploitées. Les propriétés magnétostrictives inverses consistent à modifier les propriétés magnétiques d'un matériau en réponse à une variation de la contrainte mécanique exercée sur ce matériau. Typiquement, l'application d'une contrainte uniaxiale a sur un matériau magnétostrictif produit un champ magnétique d'anisotropie uniaxiale appelé Hk ou H0. L'intensité de ce champ H, est donnée par la relation suivante : H, = 3Às6/Ms, où : - Às est le coefficient de magnétostriction du matériau exprimé en ppm (partie par million ou 10-6), et - Ms est le moment magnétique du matériau à saturation. [0048] Le coefficient Às de magnétostriction est une grandeur standard en magnétisme qui traduit l'allongement relatif (du ppm au %) lorsque le matériau est saturé par application d'un champ magnétique. Les techniques de mesure sont standardisées. Par exemple, il peut s'agir d'une méthode directe telle que la déflexion d'un bilame avec l'application d'un champ magnétique et détection optique de la flexion (voir équipementier banc de mesure Lafouda® US) ou d'une méthode indirecte telle que la mesure du cycle d'hystérésis en appliquant une contrainte (voir équipementier BH looper® SHB US). [0049] De préférence, la couche libre présente un coefficient Às dont la valeur absolue est supérieure à 10, 20 ou 40 ppm. Ici, on suppose que la couche libre 30 présente des propriétés magnétostrictives positives et donc un coefficient Às positif. [0050] L'empilement 28 comprend à chaque extrémité une électrode conductrice, respectivement, 38 et 40 pour faire circuler le courant qui traverse le barreau magnétorésistif perpendiculairement au plan des couches 30, 32 et 34. [0051] Le barreau 20 comporte également une couche 44 génératrice d'une 35 contrainte uniaxiale en tension dans la couche libre 34 parallèlement à la direction X. Autrement dit, cette couche 44 tend à étirer la couche libre 34 dans la direction X. [0052] On notera qu'une contrainte uniaxiale en tension dans la direction X est équivalent à exercer une contrainte en compression dans la direction Y sur la couche libre 34. [0053] Dans ce mode de réalisation, la couche 44 est une couche précontrainte qui exerce une contrainte en compression uniforme sur l'ensemble des faces verticales de la couche libre 34. A cet effet, la couche 44 recouvre la totalité des faces verticales de la couche libre 34. Dans ce mode de réalisation, la couche 44 est directement 5 déposée sur l'empilement 28 et recouvre la majorité des faces verticales de cet empilement ainsi que la totalité de sa face supérieure. Ainsi, la couche 44 entoure uniformément la couche libre 34. L'épaisseur de la couche 34 est supérieure à l'épaisseur de la couche libre et, typiquement, supérieure à l'épaisseur de l'empilement 28. Pour simplifier la figure 2, les rapports d'épaisseurs n'ont pas été 10 respectés sur cette figure. [0054] Typiquement, la couche précontrainte 44 exerce une contrainte compressive uniforme a sur la couche libre d'au moins 10 MPa et, de préférence, d'au moins 30 ou 40 MPa. Une telle contrainte a est dite « positive » car elle correspond à une contrainte en tension dans la direction X. A l'inverse, une contrainte a qui comprime 15 la couche libre 34 dans la direction X est dite « négative » et a une valeur négative. [0055] La contrainte exercée par la couche 44 est ajustée en jouant, par exemple, sur les conditions de dépôt de cette couche 44. Ici, la contrainte a est ajustée pour que le produit Àso- soit positif et supérieur à 300 ppm.MPa et, de préférence, supérieur à 500 ppm.MPa ou 1000 ppm.MPa. Le fait que le produit Àso- est positif signifie que si 20 le coefficient de magnétostriction Às est positif, il faut que la contrainte a exercée soit également positive et corresponde donc à une contrainte en tension. Réciproquement, si ce coefficient Às est négatif, la contrainte a doit l'être également, il s'agit alors d'une contrainte en compression. [0056] Les conditions de dépôt sur lesquelles il faut jouer dépendent du matériau 25 choisi pour réaliser la couche 44. En effet, il peut s'agir de la température de dépôt, de la proportion de précurseurs, de la vitesse de dépôt ou autres. [0057] Par exemple, la couche 44 est réalisée dans un matériau électriquement isolant tel qu'un oxyde ou un nitrure. Ainsi, la couche 44 peut être réalisée en Sil-14, SiO2, TEOS (Si(OC2H5)4), SiN, SiON, Si3N4,..., etc. Dans le cas du SiON, la contrainte 30 a est ajustée en jouant sur le ratio entre les débits de gaz N20 et NH3 comme montré sur le graphe de la figure 4. L'abscisse de ce graphe représente le ratio des débits de gaz N20 et de gaz NH3. L'ordonnée représente la contrainte a exprimée en MPa. [0058] La couche 44 peut aussi être réalisée en métal non magnétique tel que du W2N, Ru, Pt ou autres. Dans ce cas, la contrainte a peut être ajustée en fonction 35 d'une température de recuit comme illustré sur le graphe de la figure 5 dans le cas particulier du platine. Sur le graphe de la figure 5, les abscisses représentent la température de recuit utilisée tandis que les ordonnées représentent la valeur de la contrainte a exprimée en MPa. La demande de brevet WO 2011/001293 décrit aussi des méthodes pour ajuster la contrainte a dans une couche précontrainte. [0059] Lorsque la couche 44 est réalisée en métal, la valeur de la contrainte a peut être ajustée après les dépôts de l'empilement 28 et de la couche 44. A l'inverse, lorsque la couche 44 est un isolant, l'ajustement de la valeur de la contrainte a est réalisé directement lors du dépôt de la couche 44. [0060] La figure 3 permet de comprendre comment une contrainte a uniformément répartie sur la couche libre 34 permet d'exercer une contrainte uniaxiale dans cette couche. Sur la figure 3, la couche 34 est représentée en vue de dessus. Les flèches C uniformément réparties sur le pourtour de la couche 34 représentent la contrainte a exercée sur ce pourtour. [0061] Etant donné que la couche 34 est beaucoup plus longue que large, les faces verticales parallèles à la direction X sont soumises à une force beaucoup plus importante que les faces verticales d'extrémité parallèles à la direction Y. Ainsi, la contrainte en compression exercée dans la direction X est négligeable devant la contrainte en compression exercée dans la direction Y. Cette contrainte en compression dans la direction Y est équivalente à une contrainte en tension dans la direction X. Ainsi, une contrainte uniaxiale en tension apparaît dans la couche libre 34 car la contrainte en compression dans la direction X est négligeable. A contrario, le même agencement appliqué à une couche libre 34 ne présentant pas de facteur de forme important ne permet pas la création d'une contrainte uniaxiale. [0062] La figure 4 illustre la variation de la résistivité du barreau magnétique 20 en fonction de l'intensité du champ magnétique dans lequel il est placé. L'axe des ordonnées est exprimé en pourcentage de la résistance du barreau 20 en absence de champ magnétique. L'axe des abscisses est exprimé en Tesla. La courbe 50 représente la réponse d'un barreau magnétorésistif identique au barreau 20 mais dépourvu de la couche 44. La courbe 52 représente la réponse du barreau 20 dans les mêmes conditions. La présence de la couche 44 permet de linéariser la réponse du barreau magnétorésistif et surtout de réduire ou d'éliminer l'hystérésis dans sa réponse. De plus, la couche 44 réduit encore plus la sensibilité du barreau magnétorésistif, ce qui rend possible la mesure de courant ayant une intensité encore plus grande ou la réalisation, à performance égale, d'un barreau plus court ou plus large. Ainsi, les effets de la couche 44 sont équivalents à ceux obtenus avec l'utilisation d'une source auxiliaire de champ magnétique mais sans avoir recours à une telle source auxiliaire. [0063] La figure 7 représente les mesures délivrées par un capteur identique au capteur 2 mais équipé de source auxiliaire de champ magnétique générant dans la direction longitudinale de chaque barreau magnétorésistif un champ magnétique de 130 Oe. Les barreaux magnétorésistifs utilisés pour tracer la courbe 60 de la figure 7 sont dépourvus de couche génératrice de contrainte. Sur les figures 7 et 8, l'axe des abscisses représente l'intensité du courant à mesurer tandis que l'axe des ordonnées représente la différence de potentiels entre les points A et B exprimée en millivolt. [0064] La figure 8 représente les mesures délivrées par le capteur 2 dans le cas où la couche 44 est agencée pour exercer une contrainte compressive a de 60 MPa. Comme le montre les courbes 60 (figure 7) et 62 (figure 8), les résultats obtenus sont quasiment identiques. Ainsi, la couche 44 permet de se passer complètement des 5 sources auxiliaires de champ magnétique. [0065] La figure 9 représente un barreau magnétorésistif 70 utilisable en lieu et place de chaque barreau 20 à 23 dans le capteur 2. Ce barreau 70 comporte un empilement 72 magnétorésistif. Cet empilement 72 est déposé sur une couche 74 génératrice de contrainte uniaxiale. Plus précisément, la couche 74 est une poutre 10 dont les extrémités opposées 76, 77 sont ancrées sans aucun degré de liberté sur un substrat rigide 78. La partie de la poutre 74 située entre les extrémités ancrées 76, 77 définit une branche centrale 80 suspendue au-dessus du substrat 78. La poutre 74 et l'actionneur mécanique pour générer une contrainte uniaxiale dans cette poutre sont par exemple identiques à ceux décrits dans la demande de brevet FR2 905 793. En 15 particulier, au moins l'une des extrémités 76, 77 et, de préférence, les deux extrémités ainsi que la branche centrale 80 sont réalisées en matériau piézoélectrique. Les extrémités 76, 77 sont alors interposées entre une électrode supérieure 82 et une électrode inférieure 83 pour commander et actionner ce matériau piézoélectrique. 20 [0066] La poutre s'étend essentiellement dans la direction longitudinale de l'empilement 72 pour générer une contrainte uniaxiale parallèle à cette direction. L'épaisseur e de la branche centrale 80 dans la direction verticale est strictement supérieure à l'épaisseur de la couche libre de l'empilement 72 et, typiquement, supérieure à l'épaisseur de l'empilement 72. Par exemple, l'épaisseur e est 25 supérieure à 1pm ou 3pm. L'épaisseur de l'empilement 72 est souvent inférieure à 100 ou 200 ou 500nm. [0067] Pour créer efficacement une contrainte a dans la couche libre de l'empilement 72, les faces horizontales de la couche libre et la poutre ne doivent pas être séparées de plus d'une distance d strictement inférieur à l'épaisseur e de la 30 poutre. De préférence, la distance d est inférieure à dix ou cent fois l'épaisseur e. Ici, l'empilement 72 est, par exemple, identique à l'empilement 28 sauf que l'empilement est réalisé dans l'ordre inverse. Ainsi, la couche libre 34 et la poutre 74 sont uniquement séparés par l'électrode 38. L'épaisseur de l'électrode 38 est choisie inférieure à dix ou cent fois l'épaisseur e. 35 [0068] Ce mode de réalisation fonctionne comme le précédent sauf que la contrainte a exercée sur la couche libre par la couche 74 est réglable en jouant sur la tension entre les électrodes 82 et 83. [0069] De nombreux autres modes de réalisation sont possibles. Par exemple, l'empilement 28 peut être remplacé par un empilement formant une jonction tunnel 40 magnétique utilisant l'effet tunnel plus connue sous l'acronyme de TMR (Tunnel magnétoresistance). Dans une jonction tunnel, l'espaceur est un matériau non magnétique isolant. Par exemple, il peut s'agir d'un oxyde ou d'un nitrure d'aluminium. Par exemple, l'espaceur est réalisé en alumine A1203, en oxyde de manganèse MgO ou en titanate de strontium (SrTiO3) ou autres. [0070] Dans un autre mode de réalisation, le barreau 20 est agencé de manière à ce que sa résistance varie en sens inverse de la résistance du barreau 21 lorsqu'ils subissent tous les deux la même variation de champ magnétique. De préférence, l'amplitude des variations de la résistivité des barreaux 20 et 21 en réponse à une même variation du champ magnétique sont égales à plus ou moins 10 % près. Par 10 exemple, les barreaux 20 et 21 sont identiques mais monté en sens inverse de sorte que la direction d'aimantation de la couche de référence de l'un d'eux est en sens inverse de celle de l'autre barreau. Il est aussi possible de retourner la direction d'aimantation de la couche de référence par effet magnétothermique local. On chauffe alors la couche de référence de l'un des deux barreaux puis on applique 15 localement un champ magnétique pour retourner la direction d'aimantation de la couche de référence de ce barreau. Les barreaux 22 et 23 sont agencés de manière similaire à ce qui vient d'être décrit pour les barreaux 20 et 21. Dans ce mode de réalisation, l'écran magnétique entre les barreaux 20 et 22 et le conducteur 4 est omis. 20 [0071] Il est aussi possible de conformer le conducteur 4 en méandre pour que le courant à mesurer circule dans un même sens sous les barreaux 20 et 22 et en sens opposé sous les barreaux 21 et 23. Dans ce mode de réalisation, l'écran magnétique est omis. [0072] La couche libre peut être réalisée dans un matériau magnétique présentant 25 des propriétés magnétostrictives négatives, ce qui correspond à un coefficient Às strictement inférieur à zéro. Par exemple, la couche libre est en cobalt. Dans ce cas, la couche génératrice de la contrainte a est conçue pour générer une contrainte uniaxiale compressive dans la direction X et non plus, comme précédemment, dans la direction Y. Dans le cas d'une couche précontrainte telle que la couche 44, celle-ci 30 est agencée pour exercer une contrainte a négative dans la direction X. [0073] La couche 44 doit recouvrir au moins une face de l'empilement 28 qui s'étend dans la direction longitudinale du barreau. De préférence, la couche 44 recouvre cette face à partir d'une de ses extrémités jusqu'à l'extrémité opposée dans la direction longitudinale, c'est-à-dire ici le long de la direction X. 35 [0074] Ainsi, en variante, la couche génératrice 44 recouvre une face latérale de l'empilement 28 parallèle à la direction longitudinale. Par exemple, la couche 44 recouvre uniquement la partie des faces latérales de l'empilement 28 en vis-à-vis ou en contact direct avec les faces verticales de la couche libre 34. Ainsi, il n'est pas nécessaire que la couche 44 recouvre la face supérieure ou inférieure de cet empilement ou que la couche 44 recouvre la totalité des faces verticales de cet empilement. [0075] A l'inverse, la couche 44 peut recouvrir uniquement la face horizontale supérieure et/ou inférieure de la couche libre 34 sans recouvrir les faces verticales de cette couche libre. Ainsi sur la figure 2, la couche 44 peut être disposée uniquement au-dessus de la couche 38 et/ou en-dessous de la couche 40. Dans ce cas, la distance d maximale qui sépare la couche 44 de la face horizontale la plus proche de la couche libre 34 est inférieure à la distance d précédemment décrite dans le cas de la poutre 74. [0076] La couche 44 peut être directement en contact avec l'empilement 28 ou séparé de l'empilement 28 par une ou plusieurs couches intermédiaires. Notamment, dans le cas où la couche 44 est une couche métallique, de préférence, une couche électriquement isolante est interposée entre la couche 44 et l'empilement 28 pour ne pas mettre en court-circuit les différentes couches de l'empilement. [0077] On choisira avantageusement de déposer l'empilement de façon à ce que la couche libre soit au plus près de la couche 44. [0078] Ainsi, dans cette description, lorsque l'on dit que la couche 44 « recouvre » l'empilement 28, cela désigne l'un quelconque des modes de réalisation décrit ci-dessus et, en particulier, que : - la couche précontrainte peut être indifféremment au-dessus ou en dessous de la couche libre dans l'empilement, et - qu'elle peut être directement au contact de cette couche libre ou séparée de cette couche libre par une couche intermédiaire, par exemple, une couche d'isolation électrique ou une couche de croissance. [0079] Dans le cas où la couche précontrainte s'étend uniquement parallèlement à l'une des faces horizontales de la couche libre, de préférence, une face horizontale de la couche libre est directement en contact avec une face horizontale correspondante de la couche précontrainte. A cet effet, l'électrode 38 ou 40 est déplacée pour être directement en contact mécanique avec la couche libre seulement par une extrémité de cette couche, par exemple, par l'intermédiaire de l'une de ses faces verticales. posol Dans le cas où la couche précontrainte 34 entoure la couche libre, la couche génératrice n'a pas besoin d'être directement en contact avec la couche libre pour exercer la contrainte a sur cette couche libre. Par exemple, des couches intermédiaires non précontraintes séparent la couche précontrainte de la couche libre. Dans ce cas, la distance entre la couche précontrainte et la couche libre n'a pas besoin d'être inférieure à la distance d précédemment définie. [0081] De préférence, la couche de référence est réalisée dans un matériau non magnétostrictif c'est-à-dire dont la valeur absolue du coefficient Às est inférieure à au moins cent fois la valeur absolue du coefficient de magnétostriction de la couche libre. Par exemple, la couche de référence est réalisée en alliage FeNi. [0082] La couche de référence peut aussi être réalisée dans un matériau magnétostrictif. Dans ce cas là, son coefficient de magnétostriction est du même 5 signe que le coefficient de magnétostriction de la couche libre. [0083] La présence de la couche génératrice de contrainte peut être combinée à la présence des sources auxiliaires de champ magnétique des capteurs connus pour, par exemple, décroître l'encombrement du barreau magnétorésistif ou simplifier les sources auxiliaires ou décroître le rapport signal sur bruit du capteur. 10 [0084] Le barreau 20 peut avoir d'autres formes qu'un parallélépipède rectangle. Par exemple, il est conformé en méandre ou en fer à cheval. Le barreau magnétorésistif peut aussi être formé de plusieurs brins rectilignes et parallèles entre eux dont les extrémités sont recourbées pour rejoindre l'extrémité d'un brin immédiatement adjacent. Dans ce cas, chaque brin a un facteur de forme supérieur à vingt, quarante 15 ou cent. [0085] L'actionneur mécanique qui étire ou comprime la poutre 74 peut être réalisé différemment. Par exemple, il peut s'agir d'un actionneur thermique qui crée une différence de dilatation entre le substrat et la poutre. Il peut aussi s'agir d'un actionneur électrostatique. REVENDICATIONS1. Capteur de champ magnétique comportant au moins un barreau magnétorésistif (20-23) comprenant un empilement (28 ; 72) d'au moins : - une première couche magnétique (30), dite « couche de référence » dont la direction d'aimantation est fixe et perpendiculaire à la direction longitudinale du barreau magnétorésistif à plus ou moins 10° près, - une seconde couche magnétique (34), dite « couche libre », dont l'axe de plus facile aimantation est parallèle à la direction longitudinale et dont l'aimantation peut tourner lorsqu'elle est soumise au champ magnétique à mesurer, et - une couche non magnétique (32), dite « espaceur », interposée entre les deux couches précédentes pour former une jonction tunnel ou une vanne de spin, la longueur du barreau dans sa direction longitudinale étant au moins vingt fois supérieure à sa plus grande largeur dans une direction transversale perpendiculaire à la direction longitudinale et parallèle aux couches de l'empilement, caractérisé en ce que : - la couche libre (34) est réalisée dans un matériau magnétostrictif qui présente un coefficient À. de magnétostriction dont la valeur absolue est supérieure à 20 ppm à 25°C, et - le barreau magnétorésistif comporte une couche (44; 78) génératrice de contrainte apte à exercer une contrainte mécanique uniaxiale a, parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, telle que le produit Àsa soit positif et supérieur à 500 ppm.MPa à 25°C. 2. Capteur selon la revendication 1, dans lequel le capteur comporte un pont de Wheatstone comprenant une première et une seconde branches raccordées en parallèle entre un premier potentiel et un second potentiel, - la première branche comportant successivement, en allant du premier potentiel vers le second potentiel, un premier et un deuxième exemplaires (20, 21) du barreau magnétique raccordés en série par l'intermédiaire d'un premier point milieu (A), - la seconde branche comportant successivement, en allant du premier potentiel vers le second potentiel, un troisième et un quatrième exemplaires (22, 23) du barreau magnétique raccordés en série par l'intermédiaire d'un second point milieu (B). 3. Capteur selon la revendication 2, dans lequel les résistances des deuxième et troisième exemplaires (21, 22) du barreau magnétique varient dans le même sens lorsqu'ils sont soumis à une même variation du champ magnétique extérieur. 4. Capteur selon la revendication 3, dans lequel les résistances des premier, deuxième, troisième et quatrième exemplaires (20, 21, 22, 23) du barreau magnétique varient dans le même sens lorsqu'ils sont soumis à une même variation du champ magnétique extérieur. 5. Capteur de courant comportant : - un conducteur électrique (4) s'étendant le long d'une direction X, et - un capteur (16) de champ magnétique fixé sans aucun degré de liberté à ce conducteur électrique, caractérisé en ce que : - le capteur (16) de champ magnétique est conforme à l'une quelconque des revendications précédentes, et - le capteur de champ magnétique est fixé au conducteur électrique de manière à ce que la direction d'aimantation de la couche de référence du barreau magnétorésistif (20-23) soit perpendiculaire à la direction X à plus ou moins 10° près. 6. Capteur selon la revendication 4, dans lequel : - le conducteur électrique comporte un premier et un second brins (6,7) parallèles à la direction X, ces brins étant électriquement raccordés l'un à l'autre de manière à ce que le courant à mesurer circule dans un sens dans le premier brin et dans le sens opposé dans le second brin, - le capteur de champ magnétique est conforme à l'une quelconque des revendications 2 à 4, et - le deuxième exemplaire (21) du barreau magnétique s'étend le long du premier brin (6) et le troisième exemplaire (22) du barreau magnétique s'étend le long du second brin (7) de sorte que le deuxième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du premier brin que du deuxième brin et le troisième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du second brin que du premier brin. 7. Capteur selon la revendication 6, dans lequel le premier exemplaire (20) du barreau magnétique s'étend le long du premier brin (6) et le quatrième exemplaire (23) du barreau magnétique s'étend le long du second brin (7) desorte que le premier exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du premier brin que du deuxième brin et le quatrième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du second brin que du premier brin. 8. Barreau magnétorésistif pour un capteur de champ magnétique conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 4 ou un capteur de courant conforme à l'une quelconque des revendications 5 à 7, ce barreau comportant un empilement (28 ; 72) d'au moins : - une première couche magnétique (30), dite « couche de référence » dont la direction d'aimantation est fixe et perpendiculaire à la direction longitudinale du barreau magnétorésistif à plus ou moins 10° près, - une seconde couche magnétique (34), dite « couche libre », dont l'axe de plus facile aimantation est parallèle à la direction longitudinale et dont l'aimantation peut tourner lorsqu'elle est soumise au champ magnétique à mesurer, et - une couche non magnétique (32), dite « espaceur », interposée entre les deux couches précédentes pour former une jonction tunnel ou une vanne de spin, la longueur du barreau dans sa direction longitudinale étant au moins vingt fois supérieure à sa plus grande largeur dans une direction transversale perpendiculaire à la direction longitudinale et parallèle aux couches de l'empilement, caractérisé en ce que : - la couche libre (34) est réalisée dans un matériau magnétostrictif qui présente un coefficient Às de magnétostriction dont la valeur absolue est supérieure à 20 ppm à 25°C, et - le barreau magnétorésistif comporte une couche (44 ; 78) génératrice de contrainte apte à exercer une contrainte mécanique uniaxiale a en tension, parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, telle que le produit Asa soit positif et supérieur à 500 ppm.MPa à 25°C. 9. Barreau selon la revendication 8, dans lequel la couche génératrice (44) est une couche précontrainte, différente des couches libres (34), de référence (30) et de l'espaceur (32), d'épaisseur supérieure à l'épaisseur de la couche libre, cette couche précontrainte exerçant en permanence la contrainte a sur la couche libre. 10. Barreau selon la revendication 9, dans lequel l'empilement des couches libres, de référence et de l'espaceur est sensiblement parallélépipédique et la couche précontrainte (44) recouvre au moins une partie d'une face dans la grande longueur du parallèlépipède. 11. Barreau selon la revendication 8, dans lequel le barreau comporte : - un substrat rigide (78), - la couche génératrice (74) est une poutre d'épaisseur e dont les extrémités sont fixées sans aucun degré de liberté au substrat, cette poutre comportant une branche centrale qui s'étend entre les deux extrémités, cette branche centrale étant suspendue au-dessus du substrat, - un actionneur commandable apte à étirer ou à comprimer la branche centrale, et - l'empilement (72) est déposé sur une face de cette branche centrale de manière à ce que la contrainte uniaxiale appliquée par la branche centrale soit parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, l'épaisseur de l'empilement étant inférieure à l'épaisseur e. 12. Barreau selon la revendication 11, dans lequel la couche libre est plus proche de la face de la branche centrale sur laquelle l'empilement est déposé que la couche de référence. 13. Barreau selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel la longueur du barreau est au moins quarante fois ou cent fois supérieure à sa largeur transversale.REVENDICATIONS 1. Capteur de champ magnétique comportant au moins un barreau magnétorésistif (20-23) comprenant un empilement (28 ; 72) d'au moins : - une première couche magnétique (30), dite « couche de référence » dont la direction d'aimantation est fixe et perpendiculaire à la direction longitudinale du barreau magnétorésistif à plus ou moins 10° près, - une seconde couche magnétique (34), dite « couche libre », dont l'axe de plus facile aimantation est parallèle à la direction longitudinale et dont l'aimantation peut tourner lorsqu'elle est soumise au champ magnétique à mesurer, et - une couche non magnétique (32), dite « espaceur », interposée entre les deux couches précédentes pour former une jonction tunnel ou une vanne de spin, la longueur du barreau dans sa direction longitudinale étant au moins vingt fois supérieure à sa plus grande largeur dans une direction transversale perpendiculaire à la direction longitudinale et parallèle aux couches de l'empilement, caractérisé en ce que : - la couche libre (34) est réalisée dans un matériau magnétostrictif qui présente un coefficient À5 de magnétostriction dont la valeur absolue est supérieure à 20 ppm à 25°C, et - le barreau magnétorésistif comporte une couche (44; 78) génératrice de contrainte apte à exercer une contrainte mécanique uniaxiale a, parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, telle que le produit Issa soit positif et supérieur à 500 ppm.MPa à 25°C. 2. Capteur selon la revendication 1, dans lequel le capteur comporte un pont de Wheatstone comprenant une première et une seconde branches raccordées en parallèle entre un premier potentiel et un second potentiel, - la première branche comportant successivement, en allant du premier potentiel vers le second potentiel, un premier et un deuxième exemplaires (20, 21) du barreau magnétique raccordés en série par l'intermédiaire d'un premier point milieu (A), - la seconde branche comportant successivement, en allant du premier potentiel vers le second potentiel, un troisième et un quatrième exemplaires (22, 23) du barreau magnétique raccordés en série par l'intermédiaire d'un second point milieu (B).3. Capteur selon la revendication 2, dans lequel les résistances des deuxième et troisième exemplaires (21, 22) du barreau magnétique varient dans le même sens lorsqu'ils sont soumis à une même variation du champ magnétique extérieur. 4. Capteur selon la revendication 3, dans lequel les résistances des premier, deuxième, troisième et quatrième exemplaires (20, 21, 22, 23) du barreau magnétique varient dans le même sens lorsqu'ils sont soumis à une même variation du champ magnétique extérieur. 5. Capteur de courant comportant : - un conducteur électrique (4) s'étendant le long d'une direction X, et - un capteur (16) de champ magnétique fixé sans aucun degré de liberté à ce conducteur électrique, caractérisé en ce que : - le capteur (16) de champ magnétique est conforme à l'une quelconque des revendications précédentes, et - le capteur de champ magnétique est fixé au conducteur électrique de manière à ce que la direction d'aimantation de la couche de référence du barreau magnétorésistif (20-23) soit perpendiculaire à la direction X à plus ou moins 10° près. 6. Capteur selon la revendication 4, dans lequel : - le conducteur électrique comporte un premier et un second brins (6,7) parallèles à la direction X, ces brins étant électriquement raccordés l'un à l'autre de manière à ce que le courant à mesurer circule dans un sens dans le premier brin et dans le sens opposé dans le second brin, - le capteur de champ magnétique est conforme à l'une quelconque des revendications 2 à 4, et - le deuxième exemplaire (21) du barreau magnétique s'étend le long du premier brin (6) et le troisième exemplaire (22) du barreau magnétique s'étend le long du second brin (7) de sorte que le deuxième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du premier brin que du deuxième brin et le troisième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du second brin que du premier brin. 7. Capteur selon la revendication 6, dans lequel le premier exemplaire (20) du barreau magnétique s'étend le long du premier brin (6) et le quatrième exemplaire (23) du barreau magnétique s'étend le long du second brin (7) desorte que le premier exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du premier brin que du deuxième brin et le quatrième exemplaire du barreau magnétique soit plus proche du second brin que du premier brin. 8. Barreau magnétorésistif pour un capteur de champ magnétique conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 4 ou un capteur de courant conforme à l'une quelconque des revendications précédentes5 à 7, ce barreau comportant un empilement (28 ; 72) d'au moins : - une première couche magnétique (30), dite « couche de référence » dont la direction d'aimantation est fixe et perpendiculaire à la direction longitudinale du barreau magnétorésistif à plus ou moins 10° près, - une seconde couche magnétique (34), dite « couche libre », dont l'axe de plus facile aimantation est parallèle à la direction longitudinale et dont l'aimantation peut tourner lorsqu'elle est soumise au champ magnétique à mesurer, et - une couche non magnétique (32), dite « espaceur », interposée entre les deux couches précédentes pour former une jonction tunnel ou une vanne de spin, la longueur du barreau dans sa direction longitudinale étant au moins vingt fois supérieure à sa plus grande largeur dans une direction transversale perpendiculaire à la direction longitudinale et parallèle aux couches de l'empilement, caractérisé en ce que : - la couche libre (34) est réalisée dans un matériau magnétostrictif qui présente un coefficient As de magnétostriction dont la valeur absolue est supérieure à 20 ppm à 25°C, et - le barreau magnétorésistif comporte une couche (44 ; 78) génératrice de contrainte apte à exercer une contrainte mécanique uniaxiale a en tension, parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, telle que le produit Asa soit positif et supérieur à 500 ppm.MPa à 25°C. 30 9. Barreau selon la revendication 8, dans lequel la couche génératrice (44) est une couche précontrainte, différente des couches libres (34), de référence (30) et de l'espaceur (32), d'épaisseur supérieure à l'épaisseur de la couche libre, cette couche précontrainte exerçant en permanence la contrainte a sur la couche libre. 35 10. Barreau selon la revendication 9, dans lequel l'empilement des couches libres, de référence et de l'espaceur est sensiblement parallélépipédique et la couche précontrainte (44) recouvre au moins une partie d'une face dans la grande longueur du parallélépipède. 10 15 20 2511. Barreau selon la revendication 8, dans lequel le barreau comporte : - un substrat rigide (78), - la couche génératrice (74) est une poutre d'épaisseur e dont les extrémités sont fixées sans aucun degré de liberté au substrat, cette poutre comportant une branche centrale qui s'étend entre les deux extrémités, cette branche centrale étant suspendue au-dessus du substrat, - un actionneur commandable apte à étirer ou à comprimer la branche centrale, et - l'empilement (72) est déposé sur une face de cette branche centrale de manière à ce que la contrainte uniaxiale appliquée par la branche centrale soit parallèle à la direction longitudinale à plus ou moins 10° près, l'épaisseur de l'empilement étant inférieure à l'épaisseur e. 12. Barreau selon la revendication 11, dans lequel la couche libre est plus proche de la face de la branche centrale sur laquelle l'empilement est déposé que la couche de référence. 13. Barreau selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel la longueur du barreau est au moins quarante fois ou cent fois supérieure à sa largeur transversale.