Brevet FR2989195A1 — publié le 20131011

La présente invention concerne un procédé de simulation d'un placement de motifs par auto assemblage de copolymères à blocs dans un contour imprimé sur plaque par lithographie. Elle concerne également un procédé de conception d'un circuit imprimé mettant en oeuvre ce procédé de simulation. Enfin, elle concerne également un système de conception et un programme d'ordinateur correspondants. Le placement de motifs, tels que des lignes conductrices, des contacts ou des piliers, par auto assemblage de copolymères à blocs dans un contour préalablement imprimé par une technique de lithographie est une technique récente de conception de circuits imprimés électroniques, par exemple décrite dans l'article de Sanders et al, intitulé « Integration of directed self-assembly with 193 nm lithography », Journal of Photopolymer Science and Technology, vol. 23, N°1 (2010), pages 11-18. Cette technique consiste dans un premier temps à imprimer un premier motif sur plaque par une technique de lithographie connue, par exemple une photolithographie, une lithographie par faisceau d'électrons ou autre, le premier motif obtenu incluant au moins un contour imprimé dans lequel des motifs plus fins, par exemple de dimensions nanométriques, sont destinés à être placés. A cette échelle nanométrique et dans un deuxième temps, le placement des motifs plus fins se fait par auto assemblage de copolymères à blocs introduits dans le contour. Les motifs obtenus dépendent des ratios moléculaires choisis dans les copolymères et de la portion moléculaire supprimée après le placement effectué. Ainsi, à l'aide de copolymères à deux blocs A et B de natures différentes et reliés entre eux par une liaison covalente, il est possible selon les ratios choisis d'obtenir des lignes, des contacts, des piliers, des tranchées ou autres. Cette technique permet, de cette façon, d'atteindre des résolutions nanométriques ouvrant des perspectives de miniaturisation des composants en microélectron igue. Mais cette technique doit être scrupuleusement mise en oeuvre pour contrôler spatialement avec précision le positionnement des motifs, d'une part pour répondre aux besoins du design, d'autre part pour respecter un alignement entre différents niveaux de circuit. Or, que ce soit au niveau des contours ou au niveau des motifs plus fins à l'intérieur des contours, les motifs sur plaques subissent les distorsions classiques induites par un manque de résolution, des variations de doses, de focus, des effets dans la résine, etc. C'est la raison pour laquelle il est avantageux de pouvoir procéder à une simulation de placements de motifs par auto assemblage de copolymères à blocs dans des contours imprimés sur plaque par lithographie, en complément d'une correction optique de proximité dite OPC (de l'anglais « Optical Proximity Correction »). Cela permet en effet d'anticiper les distorsions (objectif principal d'une OPC), puis d'affiner cette anticipation par une simulation des placements de motifs. Il existe notamment des propositions de simulation des effets physico- chimiques entrant en jeu dans l'auto assemblage de copolymères à blocs. De la sorte, il peut être envisagé de simuler le placement de motifs sur la base d'une telle simulation d'effets physico-chimiques. Mais cette approche est très complexe et coûteuse en temps de calcul. Ainsi elle ne peut être appliquée qu'à de très petits volumes de copolymères. Il peut ainsi être souhaité de prévoir un procédé de simulation du type précité qui permette de s'affranchir d'au moins une partie des problèmes et contraintes précités. Il est donc proposé un procédé de simulation d'un placement de motifs par auto assemblage de copolymères à blocs dans un contour imprimé sur plaque par lithographie, comportant les étapes suivantes : extraction de paramètres géométriques du contour enregistrés en mémoire, sélection, par un processeur ayant accès à la mémoire, d'au moins un extremum local d'une figure d'interférence produite à l'intérieur du contour à partir des paramètres géométriques du contour par application d'un modèle de propagation d'ondes interférant entre elles, fourniture, par le processeur et à partir de cet extremum local, de paramètres de placement d'au moins un motif destiné à être obtenu par auto assemblage de copolymères à blocs dans le contour. Il a en effet été constaté, de façon surprenante, qu'un modèle de propagation n'ayant a priori pas de corrélation avec les phénomènes physico-chimiques mis en jeu dans le placement de motifs par auto assemblage de copolymères à blocs dans des contours donnés, est finalement particulièrement adapté pour anticiper le placement de ces motifs, ceux-ci étant localisables à partir des extrema locaux de figures d'interférences produites par ce modèle de propagation. Comme les interférences entre ondes se propageant selon un modèle donné sont en outre simples à calculer en tous points, il en résulte une estimation du placement de motifs par auto assemblage de copolymères à blocs qui est à la fois précise et simple à calculer. De façon optionnelle : - les paramètres géométriques du contour sont des points de ce contour, - l'étape de sélection comporte l'application d'un premier modèle de propagation d'ondes émises à partir de ces points, produisant une figure d'interférence à l'intérieur du contour, et la sélection d'au moins un maximum local de la partie imaginaire de cette figure d'interférence. De façon optionnelle également, la figure d'interférence produite par le premier modèle, notée 10(M) en un point M quelconque situé à l'intérieur du contour, est définie par l'expression suivante : r I o(M)=Ë i=o façon suivante : 1 si f 0=r-diY e 2422 ) , où f est une fonction d'atténuation définie de la 2iz( piM et où {pt,0 i pno' 2,122 1-e 2 Pn°2 L et où Co est un paramètre constant, par exemple choisi proche de 1, et EJ_, est 10 l'ensemble des maxima locaux sélectionnés à l'itération précédente ou par application du premier modèle s'il s'agit de la première itération. De façon optionnelle également, le paramètre Co est défini à partir d'une calibration dudit modèle de propagation sur quelques motifs De façon optionnelle également, l'étape de sélection s'arrête lorsque le 15 nombre d'extrema locaux sélectionnés atteint un nombre attendu de motifs à placer dans le contour par auto assemblage de copolymères à blocs, ce nombre attendu étant par exemple défini comme étant le ratio entre la surface intérieure du contour et un espace naturel moyen connu, occupé par chacun de ces motifs dans un environnement sans contrainte de contour, pour leur placement par auto assemblage 20 de copolymères à blocs. Il est également proposé un procédé de conception d'un circuit imprimé destiné à comporter au moins un contour imprimé sur plaque par lithographie, au moins un motif devant être placé par auto assemblage de copolymères à blocs dans ce contour, comportant les étapes suivantes : 25 - enregistrement en mémoire de paramètres géométriques d'une pluralité de contours de formes différentes, - exécution des étapes d'un procédé de simulation tel que défini précédemment pour chacun desdits contours, et - sélection d'un contour à partir des paramètres de placement fournis pour 30 chacun desdits contours, sur la base d'un placement souhaité prédéfini d'au moins un motif dans le circuit imprimé. De façon optionnelle, un procédé de conception d'un circuit imprimé selon l'invention peut en outre comporter les étapes suivantes : impression du contour sélectionné sur une plaque du circuit imprimé par photolithographie, et insertion et auto assemblage de copolymères à blocs dans ce contour imprimé. Il est également proposé un programme d'ordinateur téléchargeable depuis un réseau de communication et/ou enregistré sur un support lisible par ordinateur et/ou exécutable par un processeur, caractérisé en ce qu'il comprend des instructions pour l'exécution des étapes d'un procédé de simulation ou pour l'exécution des étapes d'un procédé de conception tels que définis précédemment, lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur. Enfin, il est également proposé un système de conception de circuit imprimé, comportant : une mémoire de stockage de paramètres géométriques d'une pluralité de contours de formes différentes, un simulateur programmé pour la mise en oeuvre d'un procédé de simulation tel que défini précédemment pour chacun desdits contours, et un sélecteur de contour à partir des paramètres de placement fournis pour chacun desdits contours, sur la base d'un placement souhaité prédéfini d'au moins un motif dans le circuit imprimé. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés dans lesquels : la figure 1 représente schématiquement la structure générale d'un système de conception de circuit imprimé, selon un mode de réalisation de l'invention, la figure 2 illustre les étapes successives d'un procédé de simulation mis en oeuvre par le système de conception de la figure 1, la figure 3 illustre un positionnement naturel de copolymères à blocs pour un arrangement cylindrique vertical théorique sans contrainte de contour, la figure 4 illustre le résultat d'une exécution du procédé de simulation de la figure 2 sur un contour donné, et la figure 5 illustre les étapes successives d'un procédé de conception de circuit imprimé, selon un mode de réalisation de l'invention. Le système 10 de conception de circuit imprimé représenté schématiquement sur la figure 1 comporte un module de traitement 12 associé de façon classique à une mémoire 14 (par exemple une mémoire RAM). Il peut par exemple être mis en oeuvre dans un dispositif informatique tel qu'un ordinateur classique comportant un processeur associé à une ou plusieurs mémoires pour le stockage de fichiers de données et de programmes d'ordinateurs. Le module de traitement 12 peut alors lui-même être considéré comme formé d'un processeur associé à une mémoire de stockage des instructions qu'il exécute sous forme de programmes d'ordinateurs. Le module de traitement 12 tel qu'illustré sur la figure 1 comporte ainsi fonctionnellement trois programmes d'ordinateurs 16, 18 et 20. Le premier programme d'ordinateur 16 est un programme de génération et d'enregistrement de paramètres géométriques de contours. A partir d'un contour C à imprimer sur plaque, par exemple défini et corrigé par OPC, il est conçu pour fournir un ensemble P de paramètres géométriques de ce contour C sous la forme d'un fichier numérique. Dans le mode de réalisation qui va être détaillé, ces paramètres sont des points p, du contour C répartis le plus régulièrement possible le long de ce contour. Le contour C lui-même peut être fourni sous forme d'image numérique issue d'une simulation, d'une observation par microscope électronique à balayage, etc. L'ensemble P={pt,Oi do et D(pn_ipi do où D désigne la distance curvilinéaire le long du contour C et do est un paramètre positif dont la valeur réelle est proche du quart du pas naturel pno séparant les microphases que génèrent les copolymères considérés sur une surface libre, le pas naturel pno représentant la distance naturelle entre les copolymères à blocs considérés à l'équilibre énergétique. La première condition impose une répartition régulière des points p, le long du contour C. La deuxième condition propose un sens de l'ensemble P des points p, le long du contour C. Enfin, la troisième condition définit les positions relatives des premier et dernier points de l'ensemble P dans le contour C qui est fermé. Ainsi, à partir d'une pluralité de contours Cl, ..., ON de formes différentes, le premier programme d'ordinateur 16 fournit une pluralité d'ensembles Pl, PN de paramètres géométriques respectifs de ces contours sous la forme de fichiers numériques. Ces fichiers numériques Pl, PN sont alors stockés en mémoire 14. Le deuxième programme d'ordinateur 18 est un simulateur programmé pour la mise en oeuvre d'un procédé de simulation qui sera détaillé en référence à la figure 2. A partir de chaque fichier P,, il fournit un ensemble M, de paramètres de placement de motifs dans le contour C, considéré, ce placement de motifs correspondant, par l'efficacité de la simulation, à celui d'un auto assemblage de copolymères à blocs dans le contour C, considéré lorsque ce dernier est imprimé sur plaque par lithographie. Ainsi, à partir de la pluralité d'ensembles Pl, PN de paramètres géométriques, le deuxième programme d'ordinateur 18 fournit une pluralité d'ensembles M1, MN de paramètres de placement de motifs respectifs dans les contours Cl, ..., ON sous la forme de fichiers numériques. Ces fichiers numériques M1, MN sont alors stockés en mémoire 14. Les paramètres de placement de motifs sont par exemple les coordonnées des centres des motifs placés par auto assemblage des copolymères à blocs. Le troisième programme d'ordinateur 20 est un sélecteur de contour à partir de la pluralité d'ensembles M1, MN de paramètres de placement de motifs fournis pour chacun des contours Cl, ..., ON, sur la base d'un placement souhaité prédéfini d'au moins un motif dans le circuit imprimé à concevoir. Ce placement souhaité est par exemple prédéfini sous la forme d'un fichier Ms de paramètres définis de la même façon que ceux des fichiers M1, ..., MN. Par une simple comparaison des paramètres du fichier Ms avec les paramètres des fichiers M1, ..., MN, à l'aide d'un critère de distance quelconque par exemple, l'un de ces fichiers M1, MN est sélectionné et le contour correspondant aussi. Ce dernier est noté Cs sur la figure 1. On notera par ailleurs que les programmes d'ordinateurs 16, 18, 20 sont présentés comme distincts, mais cette distinction est purement fonctionnelle. Ils pourraient tout aussi bien être regroupés en un ou plusieurs logiciels. Leurs fonctions pourraient aussi être au moins en partie micro programmées ou micro câblées dans des circuits intégrés dédiés. Ainsi, en variante, le dispositif informatique mettant en oeuvre le système de conception 10 pourrait être remplacé par un dispositif électronique composé uniquement de circuits numériques (sans programme d'ordinateur) pour la réalisation des mêmes actions. Le procédé de simulation illustré sur la figure 2 et mis en oeuvre par le simulateur 18 comporte une première étape 100 d'extraction d'un ensemble P -{p,,Oi di Dans ces deux expressions, le paramètre cl, peut être choisi égal à la moitié du pas naturel pno et le paramètre d2 égal à pno. Il est possible également de calibrer ces paramètres à partir de résultats obtenus sur quelques structures élémentaires. On note ainsi que le modèle de propagation choisi impose une phase nulle en tout point de A situé à la distance p2° ducontour C et une atténuation vers l'intérieur du contour C qui commence à cette même distance 2-pno du contour C. Au cours de cette même étape 102, au moins un extremum local de la première figure d'interférence dans l'intérieur A du contour C, en l'occurrence un maximum local, est sélectionné. Soit E0 l'ensemble des extrema locaux de lo. Le critère de sélection, et donc de constitution de l'ensemble E0, est par exemple le suivant : f E0=IM e A VM'E A , 0 MM' ' Im(10(M'))} , où lm eee* est la fonction donnant la partie imaginaire d'un nombre complexe quelconque. E0 est donc l'ensemble des points de A pour lesquels un extremum local de la partie imaginaire de lo est atteint. L'étape 102 est suivie d'une boucle d'étapes 104, 106 répétée autant de fois qu'un critère d'arrêt CA n'est pas satisfait. Le critère d'arrêt est par exemple le nombre attendu de motifs dans le contour C par auto assemblage de copolymères à blocs. Pour illustrer ce critère d'arrêt CA dans le cas particulier de motifs tels que des contacts ou piliers, un positionnement naturel de copolymères à blocs est représenté sur la figure 3 pour un arrangement cylindrique vertical théorique sans contrainte de contour. Selon cet arrangement, chaque contact ou pilier est distant des autres d'une distance égale au pas naturel pno, ce qui donne une structure régulière hexagonale dans laquelle chaque contact ou pilier occupe un espace naturel moyen Esp de pno , soit pno2 pno . On peut supposer que l'espace occupé par chaque motif 2 2 dans le contour C doit être aussi proche que possible de cet espace naturel moyen. Ainsi, le critère d'arrêt CA peut être donné par la formule suivante : ( pno2 2A CA= E Al( -'1 ) = E( , où E est la fonction Arrondie renvoyant l'entier 2 )"`/3pn le plus proche. Une exécution de la boucle d'étapes 104, 106 est repérée par un indice jk1. Au cours d'une j-ième exécution de l'étape 104, le simulateur 18 du module de traitement 12 fournit une nouvelle figure d'interférence produite à l'intérieur A du contour C par la simulation d'une propagation d'ondes interférant entre elles à partir des points de l'ensemble EJ_, qui sont considérés comme des points d'émissions de ces ondes. Un nouveau modèle de propagation fournissant de bons résultats pour la boucle d'étapes 104, 106 est indiqué à titre d'exemple ci-dessous. Ce modèle est défini de telle sorte qu'en tout point M situé à l'intérieur A du contour C, la nouvelle figure d'interférence prend la valeur suivante : I (M)= I0(M)+ C0 lEM 2i4DEMO-0,75pno) EEE1_1 pno définie de la façon suivante : , où la fonction d'atténuation g est g(r)= (r- pn0)2 1 si pno ( 9r2 si r> pno' 22 1- e 2Pn°2 d2 Dans ces expressions, le paramètre Co est choisi par exemple proche de 1. Il peut aussi être défini à partir d'une calibration préalable du modèle, comme les paramètres dl et d2. Au cours de cette même étape 104, au moins un extremum local de la nouvelle figure d'interférence IJ dans l'intérieur A du contour C, en l'occurrence un maximum local, est sélectionné. On note alors EJ l'ensemble des extrema locaux de I. Le critère de sélection, et donc de constitution de l'ensemble EJ, est par exemple le suivant : Ej={MEA Im(1- (M'))} . 3 e e 9i±* VM'E AetO Si CA est atteint, on passe à une étape finale 108 de fin de simulation, au cours de laquelle l'ensemble M de paramètres de placement de motifs dans le contour C est fourni. Plus exactement, M = E. Autrement dit, on considère que le placement des motifs destinés à être obtenus par auto assemblage de copolymères à blocs dans le contour C se fait sur les extrema locaux de la dernière figure d'interférence calculée. La figure 4 illustre le résultat d'une exécution du procédé de simulation de la figure 2 sur un contour C simple, à l'intérieur duquel deux motifs peuvent être a priori placés par auto assemblage de copolymères à blocs. L'ensemble P est constitué de points p, répartis le long du contour C. L'ensemble M fourni en fin de simulation comporte deux motifs centrés en deux points rn, et m2. Le procédé illustré sur la figure 5 est un procédé de conception d'un circuit imprimé destiné à comporter au moins un contour imprimé sur plaque par lithographie, au moins un motif devant être placé par auto assemblage de copolymères à blocs dans ce contour. II comporte une première étape 200 d'enregistrement en mémoire 14 des paramètres géométriques d'une pluralité de contours Cl, ..., ON de formes différentes. Cette première étape 200 est réalisée par exécution du premier programme d'ordinateur 16 et fournit la pluralité d'ensembles Pl, - - PN de paramètres géométriques respectifs des contours Cl, - - CN. Il comporte ensuite une étape 202 d'exécution des étapes 100 à 108 du procédé de simulation précédemment détaillé pour chacun des contours Cl, CN. Cette étape 202 est réalisée par exécution du deuxième programme d'ordinateur 18 et fournit la pluralité d'ensembles M1, ..., MN de paramètres de placement de motifs. Il comporte ensuite une étape 204 de sélection d'un contour Cs exécutée par le troisième programme d'ordinateur 20 dont le fonctionnement a déjà été détaillé. Il comporte ensuite une étape 206 d'impression effective du contour sélectionné sur une plaque du circuit imprimé par photolithographie. Cette étape ne sera pas détaillée parce que bien connue. Enfin, il comporte une étape 208 d'insertion et auto assemblage de copolymères à blocs dans le contour imprimé pour placer le ou les motifs souhaités. Cette étape ne sera pas détaillée non plus parce que bien connue également. Il apparaît clairement qu'un système de conception, qu'un procédé de simulation et qu'un procédé de conception tels que ceux décrits précédemment permettent de faciliter la fabrication de circuits imprimés dans lesquels des motifs sont formés par auto assemblage de copolymères à blocs dans des contours imprimés sur plaque par lithographie. En proposant un modèle de placement des motifs original et simple à simuler, les performances de fabrication sont en effet améliorées. On notera par ailleurs que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits précédemment. En particulier, les paramètres Co, cl, et d2 des modèles de propagation présentés peuvent prendre des valeurs différentes de celles choisies. Ils peuvent avantageusement être définis à partir d'un apprentissage sur quelques motifs. L'homme du métier saura les adapter au contexte. De même, les modèles de propagation peuvent être choisis différemment, en fonction du contexte également. En particulier également, si une approche itérative est choisie pour estimer une figure d'interférence à l'intérieur d'un contour donné comme cela a été détaillé précédemment, le critère d'arrêt peut être différent de celui proposé. En variante, on peut par exemple déterminer à l'avance le nombre d'itérations. D'une façon générale, cinq itérations au plus suffisent. Par ailleurs, le critère d'arrêt pourrait être atteint, donc testé, dès l'exécution de l'étape 102, sans nécessiter alors d'exécution de la boucle d'étapes 104, 106. Il apparaîtra plus généralement à l'homme de l'art que diverses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation décrits ci-dessus, à la lumière de l'enseignement qui vient de lui être divulgué. Dans les revendications qui suivent, les termes utilisés ne doivent pas être interprétés comme limitant les revendications aux modes de réalisation exposés dans la présente description, mais doivent être interprétés pour y inclure tous les équivalents que les revendications visent à couvrir du fait de leur formulation et dont la prévision est à la portée de l'homme de l'art en appliquant ses connaissances générales à la mise en oeuvre de l'enseignement qui vient de lui être divulgué. REVENDICATIONS1. Procédé de simulation d'un placement de motifs (m1, m2) par auto assemblage de copolymères à blocs dans un contour (C) imprimé sur plaque par lithographie, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : extraction (100) de paramètres géométriques (P) du contour (C) enregistrés en mémoire (14), sélection (102, 104, 106), par un processeur (12) ayant accès à la mémoire (14), d'au moins un extremum local d'une figure d'interférence produite à l'intérieur du contour à partir des paramètres géométriques (P) du contour (C) par application d'un modèle de propagation d'ondes interférant entre elles, fourniture (108), par le processeur (12) et à partir de cet extremum local, de paramètres (M) de placement d'au moins un motif destiné à être obtenu par auto assemblage de copolymères à blocs dans le contour (C). 2. Procédé de simulation selon la revendication 1, dans lequel : les paramètres géométriques (P) du contour sont des points de ce contour, l'étape de sélection (102, 104, 106) comporte l'application (102) d'un premier modèle de propagation d'ondes émises à partir de ces points, produisant une figure d'interférence à l'intérieur du contour (C), et la sélection (102) d'au moins un maximum local de la partie imaginaire de cette figure d'interférence. 3. Procédé de simulation selon la revendication 2, dans lequel la figure d'interférence produite par le premier modèle, notée 10(M) en un point M quelconque situé à l'intérieur du contour (C), est définie par l'expression suivante : 10(m)=ËfPiM façon suivante : )e PtM Pno , où f est une fonction d'atténuation définie de la 1 si r et où {pt,0 i 4. Procédé de simulation selon la revendication 3, dans lequel les paramètres cl, et d2 sont définis à partir d'une calibration dudit modèle de propagation sur quelques motifs. 5. Procédé de simulation selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel l'étape de sélection (102, 104, 106) comporte en outre, suite à l'application dudit premier modèle de propagation et à la sélection d'au moins un maximum local de la partie imaginaire de la figure d'interférence produite par ce premier modèle, une boucle d'étapes (104, 106) comportant l'application d'un nouveau modèle de propagation d'ondes, chaque itération de cette boucle d'étapes comportant : l'application (104) du nouveau modèle par émissions d'ondes à partir d'au moins un maximum local sélectionné à l'itération précédente ou à partir dudit au moins un maximum local sélectionné par application du premier modèle s'il s'agit de la première itération, produisant une nouvelle figure d'interférence à l'intérieur du contour (C), la sélection (104) d'au moins un maximum local de la partie imaginaire de cette nouvelle figure d'interférence. 6. Procédé de simulation selon la revendication 5, dans lequel la nouvelle figure d'interférence, notée 1(M) en un point M quelconque situé à l'intérieur du contour (C) et à la j-ème itération de la boucle d'étapes (104, 106), est définie par l'expression suivante : I (M)= 10(M)+ Co lEM 2,4 EM -0 ,7 5 pno) pno Ee E )e , où la fonction d'atténuation g est définie de la façon suivante : pno r > pno' g(r)= (r-pno)2 1 si r si ( 9r2 2d22 1-e 2P2 "et où Co est un paramètre constant, par exemple choisi proche de 1, et EJ_, est l'ensemble des maxima locaux sélectionnés à l'itération précédente ou par application du premier modèle s'il s'agit de la première itération. 7. Procédé de simulation selon la revendication 6, dans lequel le paramètre Co est défini à partir d'une calibration dudit modèle de propagation sur quelques motifs. 8. Procédé de simulation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape de sélection (102, 104, 106) s'arrête lorsque le nombre d'extrema locaux sélectionnés atteint un nombre attendu de motifs à placer dans le contour (C) par auto assemblage de copolymères à blocs, ce nombre attendu étant par exemple défini comme étant le ratio entre la surface intérieure du contour (C) et un espace naturel moyen connu, occupé par chacun de ces motifs dans un environnement sans contrainte de contour, pour leur placement par auto assemblage de copolymères à blocs. 9. Procédé de conception d'un circuit imprimé destiné à comporter au moins un contour (C) imprimé sur plaque par lithographie, au moins un motif devant être placé par auto assemblage de copolymères à blocs dans ce contour, comportant les étapes suivantes : enregistrement (200) en mémoire (14) de paramètres géométriques (P1, PN) d'une pluralité de contours de formes différentes, exécution (202) des étapes (100, 102, 104, 106, 108) d'un procédé de simulation selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 pour chacun desdits contours, et sélection (204) d'un contour (Cs) à partir des paramètres de placement (M1, ..., MN) fournis pour chacun desdits contours, sur la base d'un placement (Ms) souhaité prédéfini d'au moins un motif dans le circuit imprimé. 10. Procédé de conception d'un circuit imprimé selon la revendication 9, comportant en outre les étapes suivantes : impression (206) du contour sélectionné (Cs) sur une plaque du circuit imprimé par photolithographie, et insertion (208) et auto assemblage de copolymères à blocs dans ce contour imprimé. 11. Programme d'ordinateur (16, 18, 20) téléchargeable depuis un réseau de communication et/ou enregistré sur un support lisible par ordinateur et/ou exécutablepar un processeur, caractérisé en ce qu'il comprend des instructions pour l'exécution des étapes d'un procédé de simulation selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 ou pour l'exécution des étapes d'un procédé de conception selon la revendication 9 ou 10, lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur. 12. Système (10) de conception de circuit imprimé, caractérisé en ce qu'il comporte : une mémoire (14) de stockage de paramètres géométriques (P1, ..., PN) d'une pluralité de contours de formes différentes, un simulateur (18) programmé pour la mise en oeuvre d'un procédé de simulation selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 pour chacun desdits contours, et un sélecteur de contour (20) à partir des paramètres de placement (M1, - .., MN) fournis pour chacun desdits contours, sur la base d'un placement (Ms) souhaité prédéfini d'au moins un motif dans le circuit imprimé.