Brevet FR2979466A1 — publié le 20130301

CELLULE MEMOIRE RRAM A FILAMENTS CONDUCTEURS AYANT UNE CROISSANCE CONTROLEE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention se rapporte au 5 domaine des dispositifs microélectronique dotés de mémoires et plus particulièrement à celui des cellules mémoires comprenant une zone isolante disposée entre deux électrodes et dont la conduction peut être modifiée en fonction de l'état de polarisation de ces 10 électrodes par l'apparition de chemins conducteurs ou de filaments conducteurs dans le matériau isolant de cette zone. Elle prévoit la mise en oeuvre d'une cellule mémoire aux performances électriques améliorées, en 15 particulier en termes de définition des états logiques mémorisés, de continuité dans le temps des performances électriques de la mémoire, de contrôle de la consommation. La présente invention trouve des 20 applications notamment dans la réalisation de cellules mémoires RRAM ou CBRAM ou PMC ou OxRAM améliorées. Elle permet également de fabriquer des dispositifs dotés d'une pluralité de cellules mémoires RRAM ou CBRAM ou PMC ou OxRAM ayant entre elles des performances 25 uniformes. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les cellules mémoires CBRAM (CBRAM pour « conductive-bridging RAM ») encore appelées PMC (PMC pour « programmable metallization cells ») ont un fonctionnement basé sur la formation, au sein d'un électrolyte solide 2, d'éléments conducteurs 5 appelés parfois « dendrites » ou « nano-fils » ou « filaments » entre deux électrodes 1 et 3, lorsque ces électrodes 1 et 3 sont portées à des potentiels respectifs appropriés (figures lA et 1B). La formation des filaments est due à la dissolution d'ions métalliques issus d'une des 10 électrodes 3 et permet d'obtenir une conduction électrique donnée entre les deux électrodes 1 et 3. En modifiant les potentiels respectifs appliqués aux électrodes 1 et 3, il est possible de modifier la répartition et le nombre de filaments, et 15 de modifier ainsi la conduction électrique entre les deux électrodes 1 et 3. En inversant par exemple le potentiel entre les électrodes, il est possible de faire disparaître ou de réduire les filaments, de manière à supprimer ou à 20 réduire considérablement la conduction électrique due à la présence des filaments conducteurs. Les cellules PMC ont ainsi un fonctionnement à deux états : un état « ON » ou « SET » de faible résistance électrique entre les électrodes et un état « OFF » ou « RESET » 25 d'importante résistance diélectrique entre les électrodes. Cependant, la répartition et la localisation des filaments a un caractère aléatoire. Cette répartition aléatoire pose notamment 30 des problèmes en termes de reproductibilité du comportement des cellules PMC ou CBRAM. Dans un dispositif de mémorisation comportant une pluralité de cellules PMC ou CBRAM, la polarisation nécessaire au bon fonctionnement de chaque cellule ainsi que le courant consommé peut varier fortement d'une cellule à l'autre. Par ailleurs, le caractère aléatoire de la formation des filaments peut entrainer des problèmes de consommation en courant trop élevée. La technologie de cellule mémoire appelée 10 RRAM (RRAM pour « restistive random access memory ») est similaire à celle des cellules PMC ou CBRAM. Dans une cellule mémoire RRAM, on fait varier la conductivité d'une zone de matériau diélectrique située entre deux électrodes, en fonction 15 de l'état de polarisation de ces dernières. Dans le matériau diélectrique qui a normalement un caractère isolant, on forme des chemins de conduction dans le matériau, en appliquant des potentiels appropriés. 20 Dans ce type de type de cellule mémoire, la formation des chemins de conduction est également aléatoire et pose le même type de problèmes que pour les cellules mémoires PMC ou CBRAM. Il se pose donc le problème de réaliser une 25 nouvelle cellule mémoire basée sur la formation d'éléments conducteurs ou de chemins conducteurs dans un matériau isolant, dans lequel cette formation serait davantage contrôlée. EXPOSÉ DE L'INVENTION 30 La présente invention concerne tout d'abord une cellule mémoire comprenant : une première électrode et une deuxième électrode ainsi qu'au moins une zone située entre la première électrode et la deuxième électrode, la zone de la cellule comportant des régions, par exemple sous forme de particles ou d'inclusions, à base d'un premier matériau incorporées dans une couche donnée en un deuxième matériau diélectrique, ces régions formant des zones de passages préférentielles de lignes d'un champ électrique créé par application de potentiels adaptés sur la première électrode et la deuxième électrode, et de favoriser la création de chemins conducteurs, ou d'éléments conducteurs, ou de filaments conducteurs, dans ces zones de passage préférentielles. Le premier matériau et le deuxième matériau peuvent être diélectriques. La présente invention concerne ainsi une cellule mémoire comprenant : une première électrode et une deuxième électrode ainsi qu'au moins une zone diélectrique située entre la première électrode et la deuxième électrode, la zone diélectrique de la cellule comportant des régions à base d'un premier matériau diélectrique de constante diélectrique k1 incorporés dans une couche donnée en un deuxième matériau diélectrique de constante diélectrique k2, avec k2 Ainsi, la zone diélectrique d'une cellule suivant l'invention peut comporter des régions de constante diélectrique plus élevées que le reste du matériau isolant situé entre les électrodes, formant des zones de passages préférentielles de lignes d'un champ électrique créé par application de potentiels adaptés sur la première électrode et la deuxième électrode, et de favoriser la création de chemins conducteurs, ou d'éléments conducteurs, ou de filaments conducteurs, dans ces zones de passage préférentielles. Le premier matériau diélectrique peut être 5 un matériau de type appelé « high-k », c'est-à-dire de constante diélectrique k1 élevée telle que k1 > 4,2. Le deuxième matériau diélectrique peut être un matériau de type appelé « low-k », de constante diélectrique k2 L'étape a) de formation de ladite zone diélectrique peut comprendre la réalisation d'un empilement diélectrique comportant une première couche à base dudit premier matériau diélectrique accolée à ladite couche donnée à base du deuxième matériau diélectrique. Le premier matériau peut avoir une constante diélectrique k1 4,2. La réalisation dudit empilement peut comprendre des étapes de : - formation d'une première couche à base dudit premier matériau diélectrique, - formation sur ladite première couche de 15 ladite couche donnée à base dudit deuxième matériau diélectrique, - formation d'une troisième couche à base dudit premier matériau diélectrique sur ladite deuxième couche. 20 La formation des régions de constante diélectrique k2 peut, selon une possibilité de mise en oeuvre, être effectuée à l'aide d'au moins une étape de recuit thermique dudit empilement diélectrique. Ainsi, le premier matériau diélectrique 25 issu de ladite première couche et/ou de ladite troisième peut avoir tendance à se diffuser dans le deuxième matériau diélectrique et former lesdites régions à base dudit deuxième matériau diélectrique. Selon une autre possibilité, la formation 30 des régions de constante diélectrique k1 peut être réalisée par traitement dudit empilement diélectrique à l'aide d'un plasma. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A, 1B illustrent un dispositif de cellule mémoire suivant l'art antérieur ; - la figure 2 illustre une cellule mémoire suivant l'invention, dotée d'électrodes situées de part et d'autre d'une zone isolante comportant des moyens pour permettre une répartition contrôlée de filaments conducteurs lorsque la cellule est polarisée de manière adéquate ; - la figure 3 illustre un autre exemple de cellule mémoire suivant l'invention, dotée d'électrodes situées de part et d'autre d'une zone diélectrique comportant une couche de matériau « low-k » dans laquelle des régions de dimensions nanométriques à base de matériau « high-k » sont formées de manière et permettent de favoriser la formation de filaments conducteurs ou de chemins conducteurs lorsque la cellule est polarisée de manière adaptée ; - les figures 4A-4G illustrent un exemple de procédé de réalisation, suivant l'invention, d'une cellule mémoire à filaments dans laquelle une zone isolante disposée entre deux électrodes comporte des régions dans lesquelles une formation de filaments conducteurs est favorisée ; - les figures 5A-5D illustrent une variante d'exemple de procédé de réalisation d'une cellule mémoire suivant l'invention ; - les figures 6A-6B un exemple de procédé 5 de réalisation d'une cellule mémoire suivant l'invention dotée d'un transistor de commande ; - les figures 7A-7C illustrent différents agencements, au sein d'une cellule mémoire suivant l'invention, d'un empilement diélectrique formé entre 10 deux électrodes et comportant des régions dans lesquelles une formation de filaments conducteurs est favorisée ; - les figures 8A-8B illustrent différents agencements d'un exemple de cellule mémoire suivant 15 l'invention associée à un transistor de commande ; Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. 20 Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 25 Un exemple de cellule mémoire mis en oeuvre suivant l'invention est donné sur la figure 2. Cette cellule peut être une cellule d'une mémoire de type RRAM ou PMC ou CBRAM ou OxRam, basée sur la formation de chemins conducteurs ou d'éléments conducteurs dans une zone isolante située entre des électrodes. Cette cellule mémoire comporte une première électrode 104 encore appelée électrode inférieure, surmontée d'une zone diélectrique 110 elle-même surmontée d'une deuxième électrode 124 encore appelée électrode supérieure. La première électrode 104 et la deuxième électrode 124 peuvent être prévues à base d'un matériau 10 métallique. Selon une possibilité de mise en oeuvre, une des électrodes parmi la première électrode 104 et la deuxième électrode 124 peut être une électrode soluble, c'est à dire dont le matériau, par exemple à base de 15 cuivre ou d'argent ou de Zinc ou d'Aluminium est susceptible de se dissoudre dans la zone diélectrique 102, tandis que l'autre électrode forme une électrode inerte et peut être par exemple à base d'Au ou de Pt. La zone diélectrique 110 peut être formée 20 d'au moins un matériau diélectrique donné de constante diélectrique k2 et comporte des régions 120 à base d'un matériau diélectrique de constante diélectrique k1 avec k1 > k2. La zone diélectrique 110 peut être par 25 exemple à base de SiO2 poreux ou de Si3N4 tandis que les régions 120 peuvent être à base d'un matériau diélectrique de constante diélectrique plus élevée tel que du GeS2, Hf02 ou A1203, du ZrO2 ou du TiO2. Le matériau diélectrique donné peut être un 30 matériau diélectrique communément appelé « low-k » de constante diélectrique k2 faible, c'est-à-dire au moins inférieure à la constante diélectrique du SiO2 standard ou à 4,2. Les régions 120 peuvent être sous forme d'inclusions, ou de particules, ou de zones, de taille 5 nanométrique, réparties dans l'épaisseur dudit matériau diélectrique donné. Le matériau diélectrique des régions 120 peut être un matériau diélectrique communément appelé « high-k » de constante diélectrique k1 élevée, c'est- 10 à-dire au moins supérieure à la constante diélectrique du SiO2 standard ou à 4,2. Dans un autre exemple de réalisation donné sur la figure 3, la zone diélectrique située entre les électrodes 104 et 124, est formée d'un empilement d'une 15 première couche 111 d'un premier matériau diélectrique de constante diélectrique k1 de type « high-k », surmontée d'une deuxième couche 113 de matériau diélectrique de constante diélectrique k2 de type « low-k », elle-même surmontée d'une troisième couche 20 115 de matériau diélectrique de constante diélectrique k1 de type « high-k ». Les régions 120 sous forme d'inclusions ou de particules ou de zones nanométriques de diélectrique « high-k » sont réparties dans la couche de matériau 25 diélectrique 113 de type « low-k ». Pour l'un ou l'autre des exemples de dispositifs illustrés sur les figures 2 et 3, les régions diélectriques 120 peuvent avoir une dimension maximale DM de l'ordre de plusieurs nanomètres, par 30 exemple comprise entre 2 nm et 5 nm. Par dimension maximale DM, on entend la dimension la plus importante des régions 120 mesurée dans une direction parallèle au plan principal de la zone diélectrique 110 (le plan principal de la zone diélectrique étant lui-même défini comme un plan parallèle au plan [0; ;ii] du repère orthogonal [0;i; ; donné sur les figures 2 et 3) c'est-à-dire un plan également parallèle à une des faces, supérieure ou inférieure, de la couche diélectrique 113. Des lignes de champ électrique 190 sont illustrées sur les figures 2 et 3 lorsque le dispositif est polarisé et que l'on applique des potentiels adaptés sur les électrodes 104 et 124. Ces lignes de champ 190 traversent la zone diélectrique 110 en passent préférentiellement dans les régions 120 de matériau diélectrique de constante diélectrique k2 plutôt que dans des zones de matériau diélectrique de constante diélectrique k1. Lorsque l'état de polarisation de la 20 cellule est tel que cette dernière est mise dans un état « ON » de faible résistivité de la zone 110, des chemins conducteurs ou éléments conducteurs sous forme de filaments ou dendrites (non représentés sur les figures 2 et 3) sont répartis en majorité dans des 25 zones où les lignes de champs 190 sont concentrées, et en particulier traversent les régions 120 de diélectrique « high-k » plutôt que celles de diélectrique « low-k ». Les régions 120 forment ainsi des zones par 30 lesquelles passent préférentiellement les filaments conducteurs. Un exemple de procédé de réalisation d'une cellule mémoire suivant l'invention, va à présent être donné en liaison avec les figures 4A-4G. On forme tout d'abord une première électrode 104, qui peut être par exemple sous forme d'une ligne métallique, par exemple à base de Cu réalisée dans une couche isolante 101, qui peut être par exemple à base de SiO2. Une couche 102 barrière de diffusion, par 10 exemple à base de TaN peut être prévue entre la première électrode 104 et la couche isolante 101 (figure 4A). Puis (figure 4B), on forme une autre couche 106 susceptible de jouer le rôle de barrière de 15 diffusion, qui est conductrice et recouvre la première électrode 101. Cette autre couche barrière 106 de diffusion peut être par exemple à base de TaN. On grave ensuite cette couche barrière 106 de manière à former 20 une zone barrière 106 sur la première électrode 104. On forme ensuite (figure 4C) une autre couche isolante 108, par exemple à base de SiCN, dans laquelle on réalise une ouverture 109 dévoilant la zone 106 située en regard de la première électrode 104 25 (figure 4D). Puis (figure 4E), on réalise un empilement de matériaux diélectriques avec au moins une couche donnée d'un matériau diélectrique de constante diélectrique kl, accolée à une autre couche d'un 30 matériau diélectrique de constante diélectrique k2 telle que k1 > k2. Le matériau diélectrique de ladite couche donnée peut être en particulier un matériau de type communément appelé « high-k », ayant une constante diélectrique k1 élevée, c'est à dire supérieure à la constante diélectrique du SiO2 et en particulier supérieure à 4,2. Le matériau diélectrique de ladite autre couche peut être en particulier un matériau de type communément appelé « low-k », ayant une constante diélectrique k2 faible, c'est à dire inférieure à la constante diélectrique du SiO2 et en particulier inférieure à 4,2. Dans cet exemple, l'empilement que l'on réalise est un tri-couches formé d'une première couche 111 à base d'un matériau diélectrique 112 de constante diélectrique kl, recouvert d'une deuxième couche 113 à base d'un deuxième matériau diélectrique 114 de constante diélectrique k2 avec k1 > k2, et d'une troisième couche 115 à base d'un troisième matériau diélectrique. Le matériau diélectrique de ladite troisième couche peut, par exemple, être identique au premier matériau diélectrique 112 de la première couche et avoir une constante diélectrique k1. La première couche 111 et la troisième couche 115 peuvent être à base d'un matériau diélectrique 112 « high-k » tel que par exemple du TiO2, Hf02 ou ZrO2. La première couche diélectrique 111 peut avoir une épaisseur prévue par exemple entre 5 nm et 20 nm, par exemple de l'ordre de 10 nm, tandis que la troisième couche diélectrique 115 peut avoir une épaisseur prévue par exemple entre 5 nm et 20 nm, par exemple de l'ordre de 10 nm. La deuxième couche diélectrique 113 peut quant à elle être à base d'un deuxième matériau 5 diélectrique 114 « low-k », par exemple un matériau diélectrique poreux tel que du SiO2 poreux. La deuxième couche diélectrique 113 peut être prévue avec une épaisseur inférieure à celle de la première couche diélectrique 111 et/ou de la troisième 10 couche diélectrique 115. La deuxième couche diélectrique 113 peut être prévue par exemple entre 2nm et 5 nm, par exemple de l'ordre de 3nm. On forme ensuite une couche conductrice 15 122, destinée à former une autre couche barrière. La couche conductrice 122 peut être par exemple à base de TiN ou de TaN (figure 4E). On forme ensuite une pluralité de régions diélectriques de constante diélectrique k1 de taille 20 nanométrique incorporées dans l'épaisseur de la deuxième couche 113 de l'empilement diélectrique à base du deuxième matériau diélectrique 114 de constante diélectrique k2 (figure 4F). Pour cela, on peut effectuer un recuit, par 25 voie plasma ou laser induisant une température à la surface de la couche 120 de l'ordre de 600°C à 700°C, de manière à faire diffuser des particules ou des zones de matériau diélectrique 114 des premières et troisièmes couches 111 et 115 diélectriques dans la 30 deuxième couche diélectrique 113. Selon une possibilité de mise en oeuvre (non représentée sur les figures 4A-4G), cette étape peut être réalisée avant le dépôt de la couche conductrice 122. Ainsi, on peut former des régions 120 de diélectrique de constante diélectrique k1 de type 5 « high-k », dans une couche à base du premier diélectrique k2 d'un type « low-k ». Les régions 120 de diélectrique de constante diélectrique k1 formées dans la deuxième couche 113 peuvent avoir une dimension maximale DM qui 10 peut être comprise entre 2 et 5 nanomètres, par exemple de l'ordre de 3 nanomètres. Par dimension maximale DM, on entend la dimension la plus importante de ces régions mesurée dans une direction parallèle au plan principal de la 15 zone diélectrique (mesurée dans une direction parallèle au plan [0; i ;ii] du repère orthogonal [0; i ; j ;ii] sur la figure 4F). Selon une variante de réalisation des régions 120 à base de matériau de constante 20 diélectrique k1 dans la couche diélectrique 113 à l'aide d'un traitement plasma, par exemple un plasma à base d'argon ou d'azote. Pour cette variante, les régions 120 sont formées avant la couche conductrice 122. 25 Avec un tel traitement plasma, on réduit le budget thermique nécessaire à la réalisation des régions 120 et on évite ainsi de porter le dispositif à des températures trop élevées. Puis, on peut réaliser un motif dans 30 l'empilement de couches diélectriques 111, 113, 115, et de la couche conductrice 122 en regard de l'électrode 104, par gravure de cet empilement. Ensuite, on dépose une couche 124 sur l'ensemble destiné à former une deuxième électrode, en 5 particulier une électrode inerte pour la cellule mémoire. La couche 124 peut être par exemple à base de W ou de Pt ou de TaN et peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 20 nm et 50 nm (figure 4G). Selon une variante de l'exemple de procédé 10 de réalisation qui vient d'être donné, on peut réaliser la couche isolante 108 avant la zone barrière 106. Ainsi, après avoir réalisé la première électrode 104, on dépose la couche isolante 108 dans laquelle on réalise l'ouverture 109 dévoilant la 15 première électrode 104 (figure 5A). On dépose ensuite la couche barrière 106 de manière conforme, et notamment de sorte à recouvrir la couche isolante 108 et la première électrode 104. Puis, on réalise l'empilement de couches 20 diélectriques 111, 113, 115, tel que décrit précédemment. On peut ensuite réaliser l'étape de ségrégation décrite précédemment et conduisant à la formation de régions diélectriques 120 de constante diélectrique k1 dans l'épaisseur d'une couche de 25 matériau diélectrique de constante diélectrique k2. Cette étape de réalisation des régions diélectriques 120 peut être comme pour l'exemple de procédé précédemment décrit, être réalisé à l'aide d'un recuit thermique à haute température ou à l'aide d'un 30 traitement plasma. On recouvre ensuite l'empilement diélectrique 111, 113, 115 d'une couche barrière 122. Ensuite, après avoir gravé l'empilement de couches 111, 113, 115, 122, on dépose une couche 5 conductrice destinée à former une deuxième électrode 124, en particulier une électrode inerte pour la cellule mémoire (figure 5D). Selon une possibilité de mise en oeuvre, un transistor de commande peut être prévu au sein de la 10 cellule mémoire mise en oeuvre suivant l'invention. Pour réaliser ce transistor, on peut déposer tout d'abord une couche isolante 230 sur l'électrode 124 (figure 6A), dans laquelle on vient former une zone semi-conductrice destinée à jour le 15 rôle de zone active 240 du transistor T, puis une électrode de grille 250 entourant la zone active, et en contact avec l'électrode 122 supérieure. On réalise ensuite une ligne métallique 270 en contact avec une zone de source ou de drain du transistor T. La ligne 20 métallique peut être formée sur un empilement de couches 261 et 262, la couche 261 pouvant jouer le rôle de contact et la couche 262 de barrière de diffusion. Ces couches 261 et 262 peuvent être réalisées par exemple en TiN ou TaN. 25 Les figures 7A-7C illustrent différents exemples d'agencements de la couche diélectrique 213 comportant des régions de matériau « high-k » au sein d'une épaisseur de matériau « low-k » dans l'empilement diélectrique situé entre les électrodes de la cellule 30 mémoire suivant l'invention dont des exemples de réalisation viennent d'être donnés. Selon une première possibilité, la couche diélectrique 213 peut être située entre deux épaisseurs ou deux couches 211, 215 de matériau diélectrique de constante diélectrique supérieure à k1 (figure TA). Selon une deuxième fossilité de mise en oeuvre (figure 7B), la couche diélectrique 213 peut être située dans la partie supérieure et en particulier au sommet de l'empilement diélectrique situé entre les électrodes 204, 224 et reposer sur une épaisseur ou une couche 211 de matériau diélectrique de constante diélectrique k1. La couche diélectrique 213 peut être dans ce cas en contact avec une couche 222 séparant l'électrode supérieure 224 de la cellule de l'empilement diélectrique dans lequel le processus de formation de filament conducteurs est destiné à se produire. Sur l'exemple de la figure 7C, la couche diélectrique 213 est située dans la partie inférieure de l'empilement diélectrique situé entre les électrodes 204, 224. La couche diélectrique 213 est dans cet exemple en contact avec une couche 206 séparant l'électrode inférieure 204 de la cellule de l'empilement diélectrique dans lequel le processus de formation de filaments conducteurs est destiné à se produire. L'agencement de la figure 7A permet d'assurer un meilleur confinement du champ électrique. Un ou plusieurs composants peuvent être associés et éventuellement intégrés à une cellule 30 mémoire suivant l'invention. Sur les figures 8A-8B, des variantes d'agencements de cellules mémoire à filaments conducteurs dotées d'un empilement diélectrique tel que mis en oeuvre suivant l'invention, associées et connectées chacune à un transistor T de commande sont illustrées. En appliquant un potentiel sur l'électrode de grille 270 adapté de manière à rendre passant le transistor T de commande, on peut appliquer un potentiel sur l'électrode supérieure 224 de la cellule dépendant de celui de la ligne métallique 270, et permettant d'entrainer une formation de filaments conducteurs traversant préférentiellement les régions 220 de matériau diélectrique de constante 15 diélectrique k1 élevée dans l'empilement diélectrique 211, 213, 215. Sur l'exemple de la figure 8A, l'empilement diélectrique 211, 213, 215 est directement en contact avec l'électrode 204 inférieure de la cellule, tandis 20 que sur la variante de la figure 8B, une couche barrière 206 est prévue entre cet empilement diélectrique 204 et l'électrode 204 inférieure. REVENDICATIONS1. Cellule mémoire comprenant : une première électrode (104, 204) et une deuxième électrode (124, 224) ainsi qu'au moins une zone diélectrique (110, 111, 113, 115, 211, 213, 215) située entre la première électrode (104, 204) et la deuxième électrode (124, 224), la cellule étant caractérisée en ce que ladite zone diélectrique comporte des régions (120, 220) à base d'un premier matériau diélectrique (112) de constante diélectrique k1 incorporés dans une couche (113, 213) en un deuxième matériau diélectrique (114) de constante diélectrique k2, telle que k2 2. Cellule mémoire la revendication 1, dans lequel ledit premier matériau diélectrique (112) est un matériau ayant une constante diélectrique k1 > 4,2 ledit deuxième matériau diélectrique (114) a une constante diélectrique k2 3. Cellule mémoire selon la revendication 2, dans lequel ladite zone diélectrique comporte une couche (111) à base dudit premier matériau diélectrique (112) disposée en contact avec ladite couche (113) à base dudit deuxième matériau diélectrique (114). 4. Cellule mémoire selon l'une des revendications 1 à 3, lesdites régions (120, 220) diélectriques ayant une dimension maximale (DM) comprise entre 2 et 5 nanomètres. 5. Cellule mémoire selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant en outre un transistor (T) connecté à la deuxième électrode (124, 224). 6. Procédé de réalisation d'une cellule mémoire comprenant des étapes de : a) formation d'une zone diélectrique sur une couche destinée à former une première électrode (104), ladite zone diélectrique comportant des régions (120, 220) à base d'un premier matériau diélectrique (112) de constante diélectrique k1 incorporées dans une couche (113) à base d'un deuxième matériau diélectrique (114) ayant une deuxième constante diélectrique k2 telle que k2 7. Procédé de réalisation d'une cellule mémoire selon la revendication 6, l'étape a) de formation de ladite zone diélectrique comprenant la réalisation d'un empilement diélectrique comportant une première couche (111) à base dudit premier matériau diélectrique (112) accolée à ladite couche (113) à base du deuxième matériau diélectrique (114). 8. Procédé la revendication 7, ledit premier matériau (112) ayant une constante diélectrique k1 4,2. 9. Procédé de réalisation d'une cellule mémoire selon la revendication 7 ou 8, la réalisation dudit empilement comprenant des étapes de : - formation d'une première couche (111) à base dudit premier matériau diélectrique (112), - formation sur ladite première couche de ladite couche (113) à base dudit deuxième matériau diélectrique (114), - formation d'une troisième couche (115) à 10 base dudit premier matériau diélectrique (112) sur ladite deuxième couche (113). 10. Procédé de réalisation d'une cellule mémoire selon l'une des revendications 7 à 9, la 15 formation des régions (120, 220) de constante diélectrique k2 comprenant au moins une étape de recuit thermique dudit empilement diélectrique. 11. Procédé de réalisation d'une cellule 20 mémoire selon l'une des revendications 7 à 9, la formation des régions (120, 220) de constante diélectrique k1 étant formée par traitement dudit empilement diélectrique à l'aide d'un plasma. 25