Brevet FR2979069A1 — publié le 20130222

PROCEDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE DU TUNGSTENE La présente invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat comprenant du tungstène. Plus particulièrement, la présente invention 5 concerne un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat semi-conducteur comprenant des trous d'interconnexion (vias) de tungstène. Le tungstène est largement utilisé dans la fabrication des semi-conducteurs pour la formation de trous d'interconnexion et de trous de contact reliant les lignes métalliques inter-couche dans la fabrication des circuits intégrés. Typiquement, les 10 trous d'interconnexion sont gravés à travers un diélectrique inter-couche (DIC) sur des lignes d'interconnexion ou un substrat semi-conducteur. Une fine couche d'adhérence, par exemple de nitrure de titane ou de titane, peut alors se former sur le DIC et dans le trou d'interconnexion gravé. Un film de tungstène est alors déposé superficiellement sur la couche d'adhérence et dans le trou d'interconnexion. L'excès 15 de tungstène est alors éliminé par polissage chimico-mécanique (PCM) pour former les trous d'interconnexion de tungstène. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le PCM est une variable importante dans la détermination du succès du PCM. En fonction du choix de l'abrasif et des autres additives, la composition de polissage chimico-mécanique peut être 20 conçue pour offrir un polissage efficace des diverses couches présentes aux vitesses de polissage souhaitées tout en minimisant les imperfections superficielles, les défauts, la corrosion, et l'érosion du diélectrique inter-couche à proximité des trous d'interconnexion de tungstène. Par ailleurs, la composition de polissage chimicomécanique peut être utilisée pour offrir une sélectivité contrôlée du polissage par 25 rapport aux autres matériaux présents à la surface du substrat qui est poli tels que, par exemple, le titane, le nitrure de titane, le nitrure de silicium et autres. Typiquement, le procédé de PCM du tungstène est réalisé à l'aide d'une composition de polissage chimico-mécanique qui comprend des particules abrasives et un réactif chimique. Les compositions de polissage conventionnelles pour le PCM du tungstène 30 utilisent de fines particules d'alumine (A1203) ou de silice (Si02) en tant que matériau abrasif dans un environnement oxydant agressif. Le choix de l'agent d'oxydation dépend de la formulation globale de la composition de polissage et des conditions spécifiques du procédé d'intégration du PCM du tungstène. Les compositions de polissage utilisées sont de plus en plus souvent formulées avec des ingrédients qui sont conçus pour décaper (etch) le tungstène dans le but d'augmenter la vitesse d'élimination du tungstène présentée par la composition. Dans bien des cas, cependant, la composition résultante décape le tungstène d'une manière qui décape chimiquement le tungstène de la surface au lieu de convertir le tungstène en un film oxydé souple qui s'élimine plus facilement de la surface par abrasion mécanique. En raison de cette action chimique accrue, ces compositions tendent à entraîner le retrait du bouchon de tungstène. Les trous d'interconnexion de tungstène en retrait, dans lesquels la surface du tungstène dans le trou d'interconnexion est inférieure à celle du matériau diélectrique inter-couche environnant peut entraîner des problèmes de contact électrique sur les autres régions du dispositif. Par ailleurs, la zone en retrait au centre des trous d'interconnexion de tungstène peut entraîner une non- planéité accrue du dispositif dans les couches suivantes du dispositif. Le décapage du tungstène du centre des trous d'interconnexion peut également entraîner un phénomène de « formation de trous de serrure » (keyholing ) indésirable. Une solution proposée pour améliorer la formation des trous d'interconnexion de tungstène est décrite par Grumbine, et al. dans le brevet U.S. N° 6 136 711. Grumbine, et al. décrivent une composition de polissage chimico-mécanique comprenant : un composé qui est capable de décaper le tungstène ; et au moins un inhibiteur du décapage du tungstène, dans lequel l'inhibiteur du décapage du tungstène est un composé qui comprend un groupe fonctionnel contenant de l'azote choisi parmi les composés comportant trois atomes de carbone ou plus qui forment des ions alkylammonium, les aminoalkyles comportant trois atomes de carbone ou plus, les acides aminés autres que les acides aminés contenant du soufre et leurs mélanges. L'utilisation d'une étape de feutrage de l'oxyde après l'étape de polissage du tungstène est un autre moyen d'obtenir une meilleure topographie du trou 30 d'interconnexion de tungstène. Ces étapes de feutrage de l'oxyde sont de plus en plus importantes puisque la taille du contact sur les substrats semi-conducteurs continue de diminuer. Par conséquent, il existe un besoin persistant en nouvelles compositions de polissage chimico-mécanique et en nouveaux procédés d'utilisation de formulations de feutrage du tungstène permettant d'obtenir une meilleure performance de la topographie. La présente invention décrit un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du tungstène ; la fourniture d'une composition de pâte de polissage chimico-mécanique comprenant (ou essentiellement constituée de), en tant que composants initiaux : de l'eau ; 0,1 à 5 % en poids d'un abrasif ; 0,005 à 0,1 % en poids d'un composé diquaternaire répondant à la formule (I) : 7+ R3 A R2 R' R6 R7 anion(s) (I) dans laquelle chaque radical A est indépendamment choisi parmi un atome de N ou de P ; dans laquelle R' est choisi parmi un groupe alkyle en C1 à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C,5 et un groupe aralkyle en C6 à C15 ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en Ci à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C,5, un groupe aralkyle en C6 à C,5 et un groupe alkaryle en C6 à C15 ; et dans laquelle l'anion de la formule (I) peut être tout anion ou combinaison d'anions qui compense la charge 2+ du cation de la formule (I) ; 0,001 à 10 % en poids d'au moins l'un d'un acide phtalique, d'un anhydride phtalique, d'un composé de phtalate et d'un dérivé de l'acide phtalique ; et 0,001 à 10 % en poids d'iodate de potassium ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique fournie a un pH de 1 à 4 ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse de décapage statique du tungstène de 5 5 Â/min et une vitesse d'élimination du tungstène de 100 Â/min ; dans lequel la composition de polissage chimico- mécanique contient La présente invention décrit également un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du tungstène ; la fourniture d'une composition de pâte de polissage chimico-mécanique comprenant (ou essentiellement constituée de), en tant que composants initiaux : de l'eau ; 1,5 à 3,5 % en poids de l'abrasif, l'abrasif étant un abrasif à base de silice colloïdale ayant une granulométrie moyenne de 10 à 100 nm ; 0,01 à 0,1 % en poids du composé diquaternaire ; dans laquelle chaque radical A représente un atome de N ; dans laquelle R' représente un groupe -(CH2)4- ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R2 représentent chacun un groupe -(CH2)3CH3 ; 0,01 à 1 % en poids d'hydrogénophtalate d'ammonium ; et 0,01 à 1 % en poids d'iodate de potassium ; et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique fournie a un pH de 2 à 3 ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse de décapage statique du tungstène de 5 5 Â/min et une vitesse d'élimination du tungstène de 100 Â/min ; dans lequel la composition de polissage chimico- mécanique contient De préférence, l'eau utilisée en tant que composant initial dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimicomécanique de la présente invention est au moins l'une d'une eau désionisée et d'une eau distillée afin de limiter les impuretés accidentelles. Les abrasifs adéquats pour l'utilisation dans la composition de polissage chimico- mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprennent, par exemple, les oxydes inorganiques, les hydroxydes inorganiques, les oxydes d'hydroxydes inorganiques, les borures de métaux, les carbures de métaux, les nitrures de métaux, les particules polymères et les mélanges comprenant au moins l'un des composés précédents. Les oxydes inorganiques adéquats comprennent, par exemple, la silice (S102), l'alumine (A1203), la zircone (Zr02), l'oxyde de cérium (Ce02), l'oxyde de manganèse (Mn02), l'oxyde de titane (Ti02) ou les combinaisons comprenant au moins l'un des oxydes précédents. Les formes modifiées de ces oxydes inorganiques, telles que les particules d'oxydes inorganiques revêtues de polymères organiques et les particules inorganiques revêtues peuvent également être utilisées si on le souhaite. Les carbures, borures et nitrures de métaux adéquats comprennent, par exemple, le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le carbonitrure de silicium (SiCN), le carbure de bore, le carbure de tungstène, le carbure de zirconium, le borure d'aluminium, le carbure de tantale, le carbure de titane, ou les combinaisons comprenant au moins l'un des carbures, borures et nitrures de métaux précédents. De préférence, l'abrasif utilisé est un abrasif à base de silice colloïdale. Plus préférablement, l'abrasif utilisé est une silice colloïdale ayant une granulométrie moyenne de 1 à 100 nm (plus préférablement de 10 à 100 nm, de manière préférée entre toutes de 25 à 75 nm) tel que déterminé par les techniques de diffusion de la lumière laser bien connues. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de préférence, en tant que composant initial, 0,1 à 5 % en poids (plus préférablement 1,5 à 3,5 % en poids) d'abrasif. De préférence, l'abrasif est un abrasif à base de silice colloïdale. De manière préférée entre toutes, la composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend, en tant que composant initial, 0,1 à 5 0/0 en poids (plus préférablement 1,5 à 3,5 % en poids) d'un abrasif à base de silice colloïdale ayant une granulométrie moyenne de 1 à 100 nm (plus préférablement de 10 à 100 nm, de manière préférée entre toutes de 25 à 75 nm). La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de préférence, en tant que composant initial, une substance diquaternaire répondant à la formule (I) : (1) dans laquelle chaque radical A est indépendamment choisi parmi un atome de N ou de P, de préférence chaque radical A représentant un atome de N ; dans laquelle Rl est choisi parmi un groupe alkyle en Cl à Cis saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C,5 et un groupe aralkyle en C6 à C15 (de préférence un groupe alkyle en C2 à CiO ; plus préférablement un groupe alkyle en C2 à C6 ; encore plus préférablement un groupe -(CH2)6- et un groupe -(CH2)4- ; de manière préférée entre toutes un groupe -(0-12)4-) ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en Cl à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C15, un groupe aralkyle en C6 à C15 et un groupe alkaryle en C6 à C15 (de préférence un atome d'hydrogène et un groupe alkyle en C1 à C6 ; plus préférablement un atome d'hydrogène et un groupe butyle ; de manière préférée entre toutes un groupe butyle) ; et dans laquelle l'anion de la formule (I) peut être tout anion ou combinaison d'anions qui compense la charge 2+ du cation de la formule (I) (de préférence l'anion (les anions) dans la formule (I) est (sont) choisi(s) parmi les anions halogénure, les anions hydroxyde, les anions nitrate, les anions sulfate et les anions phosphate ; plus préférablement les anions halogénure et les anions hydroxyde ; de manière préférée entre toutes les anions hydroxyde). De préférence, la composition de polissage chimico-mécanique utilisée comprend, en tant que composant initial, 0,005 à 0,1 % en poids (plus préférablement 0,01 à 0,1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,01 à 0,03 % en poids) d'une substance diquaternaire répondant à la formule (I). De manière préférée entre toutes, la composition de polissage chimico-mécanique utilisée comprend, en tant que composant initial, 0,005 à 0,1 % en poids (plus préférablement 0,01 à 0,1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,01 à 0,03 % en poids) d'une substance diquaternaire répondant à la formule (I), dans laquelle chaque radical A représente un atome de N ; RI représente un groupe - 2+ 2- R' -A 1 anion(s) R (CH2)4- ; et où R2, R3, R4, R5, R6 et R2 représentent chacun un groupe -(CH2)3CH3. L'inclusion de la substance diquaternaire optionnelle répondant à la formule (I) dans la composition de pâte de polissage chimico-mécanique de la présente invention donne (dans les conditions de polissage indiquées dans les Exemples) une vitesse d'élimination accrue de l'oxyde de silicium, une vitesse d'élimination réduite du Si3N4 et une vitesse d'élimination légèrement accrue du tungstène. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de préférence, en tant que composant initial, 0,001 à 10 % en poids (plus préférablement 0,01 à 1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,05 à 0,5 % en poids) d'au moins l'un d'un acide phtalique, d'un anhydride phtalique, d'un composé de phtalate et d'un dérivé de l'acide phtalique. De préférence, l'acide phtalique est incorporé dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée par addition d'un composé de phtalate comme par exemple de hydrogénophtalate de potassium ; ou par addition d'un dérivé de l'acide phtalique comme par exemple de l'hydrogénophtalate d'ammonium. De manière préférée entre toutes, la composition de polissage chimico-mécanique utilisée comprend, en tant que composant initial, 0,001 à 10 % en poids (plus préférablement 0,01 à 1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,05 à 0,5 % en poids) d'hydrogénophtalate d'ammonium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de préférence, en tant que composant initial, 0,001 à 10 % en poids (plus préférablement 0,01 à 1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,1 à 0,5 % en poids) d'iodate de potassium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention a de préférence un pH de 1 à 4 (plus préférablement de 2 à 3). Les acides adéquats pour ajuster le pH de la composition de polissage chimico-mécanique comprennent, par exemple, l'acide nitrique, l'acide sulfurique et l'acide chlorhydrique. Les bases adéquates pour ajuster le pH de la composition de polissage chimico-mécanique comprennent, par exemple, l'hydroxyde d'ammonium, l'hydroxyde de potassium, l'hydroxyde de tétraméthylammonium et le bicarbonate ; de préférence l'hydroxyde de tétraméthylammonium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend également, optionnellement, des additifs supplémentaires choisis parmi les agents antimousse, les dispersants, les tensioactifs et les tampons. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est exempte d'agent oxydant peroxy. Le terme « agent oxydant peroxy » tel qu'utilisé ici et dans les revendications connexes désigne les agents oxydants choisis parmi le peroxyde d'hydrogène, l'hydrogénoperoxyde d'urée, les sels de percarbonate, le peroxyde de benzoyle, l'acide peracétique, le peroxyde de sodium, le peroxyde de di-tert-butyle, les sels de monopersulfate, les sels de dipersulfate et les composés à base de fer(III). Le terme « exempte d'agent oxydant peroxy » tel qu'utilisé ici et dans les revendications connexes signifie que la composition de polissage chimico-mécanique contient Le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de préférence : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du tungstène (le substrat étant de préférence constitué de tranches de semi-conducteur comprenant des trous d'interconnexion de tungstène) ; la fourniture d'une composition de pâte de polissage chimico-mécanique comprenant (ou essentiellement constituée de), en tant que composants initiaux : de l'eau ; 0,1 à 5 % en poids (de préférence 1,5 à 3,5 % en poids) de l'abrasif (de préférence, l'abrasif étant un abrasif à base de silice colloïdale ayant une granulométrie moyenne de 10 à 100 nm (de préférence de 25 à 50 nm)) ; 0,005 à 0,1 % en poids (de préférence 0,01 à 0,1 % en poids ; plus préférablement 0,01 à 0,03 % en poids) d'un composé diquaternaire répondant à la formule (I) : R4 R5 A R R6 R' R7 anion(s) 2+ (I) dans laquelle chaque radical A est indépendamment choisi parmi un atome de N ou de P (de préférence, dans laquelle chaque radical A représente un atome de N) ; dans laquelle R1 est choisi parmi un groupe alkyle en Cl à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C15 et un groupe aralkyle en C6 à C,5 (de préférence, RI-représente un groupe -(CH2)4-) ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1 à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C15, un groupe aralkyle en C6 à C15 et un groupe alkaryle en C6 à C15 (de préférence, où R2, R3, R4, R5, R6 et R7 représentent chacun un groupe -(CH2)3CH3) ; et dans laquelle l'anion de la formule (I) peut être tout anion ou combinaison d'anions qui compense la charge 2+ du cation de la formule (I) ; 0,001 à 10 % en poids (de préférence 0,01 à 1 % en poids, plus préférablement 0,05 à 0,5 % en poids) d'au moins l'un d'un acide phtalique, d'un anhydride phtalique, d'un composé de phtalate et d'un dérivé de l'acide phtalique (de préférence de l'hydrogénophtalate d'ammonium) ; et 0,001 à 10 % en poids (de préférence 0,01 à 1 % en poids ; plus préférablement 0,1 à 0,5 % en poids) d'iodate de potassium ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique fournie a un pH de 1 à 4 (de préférence de 2 à 3) ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse de décapage statique du tungstène de :5 5 Â/min (telle que mesurée dans les conditions indiquées dans les Exemples) et 5 une vitesse d'élimination du tungstène de 100 Â/min (de préférence 300 Â/min) (telle que mesurée dans les conditions de polissage indiquées dans les Exemples) ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique contient REVENDICATIONS1. Procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du tungstène ; la fourniture d'une composition de pâte de polissage chimico-mécanique comprenant, en tant que composants initiaux : de l'eau ; 0,1 à 5 % en poids d'un abrasif ; 0,005 à 0,1 % en poids d'un composé diquaternaire répondant à la formule (I) : 2+ anion(s) R2 (I) dans laquelle chaque radical A est indépendamment choisi parmi un atome de N ou de P; dans laquelle R1 est choisi parmi un groupe alkyle en C1 à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C15 et un groupe aralkyle en C6 à C15 ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R2 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1 à C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6 à C15, un groupe aralkyle en C6 à C15 et un groupe alkaryle en C6 à C15 ; et dans laquelle l'anion de la formule (I) peut être tout anion ou combinaison d'anions qui compense la charge 2+ du cation de la formule (I) ; 0,001 à 10 % en poids d'au moins l'un d'un acide phtalique, d'un anhydride phtalique, d'un composé de phtalate et d'un dérivé de l'acide phtalique ; et, 0,001 à 10 % en poids d'iodate de potassium ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique fournie a un pH de 1 à 4; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse de décapage statique du tungstène de 5. 5 Â/min et une vitesse d'élimination du tungstène de 2 100 Â/min ; dans lequel la composition de polissage chimicomécanique contient 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse d'élimination du tungstène de 15 300 Â/min. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat comprend en outre un tétraéthylorthosilicate ; dans lequel au moins une certaine partie du tétraéthylorthosilicate est éliminée du substrat ; et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de la vitesse d'élimination du 20 tungstène à la vitesse d'élimination du tétraéthylorthosilicate de 5/1 à 1/5. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat comprend en outre du Si3N4 ; dans lequel au moins une certaine partie du Si3N4 est éliminée du substrat ; et dans lequel la composition de polissage chimicomécanique présente une sélectivité de la vitesse d'élimination du tungstène à la 25 vitesse d'élimination du Si3N4 de 2/1 à 1/2. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la composition de pâte de polissage chimico-mécanique fournie, comprend, en tant que composants initiaux : de l'eau ; 30 1,5 à 3,5 % en poids de l'abrasif, l'abrasif étant un abrasif à base de silice colloïdale ayant une granulométrie moyenne de 10 à 100 nm ;0,01 à 0,1 % en poids du composé diquaternaire ; dans laquelle chaque radical A représente un atome de N ; dans laquelle RI représente un groupe -(CH2)4- ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 représentent chacun un groupe -(CH2)3CH3 ; 0,01 à 1 % en poids d'hydrogénophtalate d'ammonium ; et, 0,01 à 1 % en poids d'iodate de potassium ; et, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique fournie a un pH de 2 à 3. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique facilite une vitesse d'élimination du titane de ?_ 300 Â/min pour une vitesse du chariot de 133 tours par minute, une vitesse du support de 111 tours par minute, un débit de la composition de polissage chimicomécanique de 200 ml/min, et une force nominale vers le bas de 13,8 kPa sur une machine à polir de 200 mm à l'aide d'un tampon de polissage chimico-mécanique qui comprend un tampon de polissage non tissé imprégné de polyuréthane. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le substrat comprend en outre un tétraéthylorthosilicate ; dans lequel au moins une certaine partie du tétraéthylorthosilicate est éliminée du substrat ; et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de la vitesse d'élimination du tungstène à la vitesse d'élimination du tétraéthylorthosilicate de 5/1 à 1/5 pour une vitesse du chariot de 133 tours par minute, une vitesse du support de 111 tours par minute, un débit de la composition de polissage chimico-mécanique de 200 ml/min, et une force nominale vers le bas de 13,8 kPa sur une machine à polir de 200 mm à l'aide d'un tampon de polissage chimico-mécanique qui comprend un tampon de polissage non tissé imprégné de polyuréthane. 8. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le substrat comprend en outre du Si3N4 ; dans lequel au moins une certaine partie du Si3N4 est éliminée du substrat ; et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de la vitesse d'élimination du tungstène à la vitesse d'élimination du Si3N4 de 2/1 à 1/2 pour une vitesse du chariot de 133 tours par minute, une vitesse du support de 111 tours par minute, un débit de la composition de polissage chimico-mécanique de 200 ml/min, et une force nominale vers le bas de 13,8 kPa sur 2 9 79069 25 une machine à polir de 200 mm à l'aide d'un tampon de polissage chimicomécanique qui comprend un tampon de polissage non tissé imprégné de polyuréthane. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la 5 composition de pâte de polissage chimico-mécanique fournie, comprend, en tant que composants initiaux : de l'eau ; 1,5 à 3,5 % en poids de l'abrasif, l'abrasif étant un abrasif à base de silice colloïdale ayant une granulométrie moyenne de 25 à 75 nm ; 10 0,01 à 0,03 % en poids du composé diquaternaire répondant à la formule (I) ; dans laquelle chaque radical A représente un atome de N ; dans laquelle RI représente un groupe -(CH2)4- ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R2 représentent chacun un groupe -(CH2)3CH3 ; 0,05 à 0,5 % en poids d'hydrogénophtalate d'ammonium ; et, 15 0,1 à 0,5 % en poids d'iodate de potassium ; dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique fournie a un pH de 2 à 3. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique facilite une vitesse d'élimination du tungstène de 20 300 Â/min pour une vitesse du chariot de 133 tours par minute, une vitesse du support de 111 tours par minute, un débit de la composition de polissage chimicomécanique de 200 ml/min, et une force nominale vers le bas de 13,8 kPa sur une machine à polir de 200 mm à l'aide d'un tampon de polissage chimico-mécanique qui comprend un tampon de polissage non tissé imprégné de polyuréthane ; et dans 25 lequel le substrat comprend en outre du Si3N4 ; dans lequel au moins une certaine partie du Si3N4 est éliminée du substrat ; et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de la vitesse d'élimination du tungstène à la vitesse d'élimination du Si3N4 de 2/1 à 1/2 pour une vitesse du chariot de 133 tours par minute, une vitesse du support de 111 tours par minute, un débit de la 30 composition de polissage chimico-mécanique de 200 ml/min, et une force nominale vers le bas de 13,8 kPa sur une machine à polir de 200 mm à l'aide d'un tampon depolissage chimico-mécanique qui comprend un tampon de polissage non tissé imprégné de polyuréthane.