Brevet FR2982078A1 — publié le 20130503

STRUCTURE DE TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne, d'une manière générale, le domaine des circuits intégrés et, plus particulièrement, une structure de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) et un procédé de fabrication. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) est un type de transistor à effet de champ (1-ET) dans lequel une hétérojonction est généralement formée entre deux matériaux semi-conducteurs ayant des bandes interdites différentes. Dans les HEMT, des porteurs de charge à haute mobilité sont généralement générés, par exemple, au moyen d'une hétérojonction entre une couche donneuse de type n hautement dopée à grande bande interdite et une couche de canal non dopée à bande interdite étroite. Le courant dans un HEMT est généralement confiné dans un canal très étroit au niveau de la jonction et passe entre la borne de source et la borne de drain, le courant étant par une tension appliquée à la borne de grille. En général, un transistor peut être classé en transistor à appauvrissement ou en transistor à enrichissement. Dans diverses applications, il peut être souhaitable d'avoir un dispositif de commutation à enrichissement présentant une tension d'étranglement supérieure à 1 volt (V) et une densité de courant maximale relativement élevée. OBJET DE L'INVENTION Un objet de l'invention est un appareil comprenant : une couche tampon formée sur un substrat, la couche tampon étant couplée de façon épitaxiale au substrat, une couche de canal formée sur la couche tampon pour fournir un passage pour le courant dans un dispositif à transistor, la couche de canal étant couplée de façon épitaxiale à la couche tampon, une couche d'espacement formée sur la couche de canal, la couche 30 d'espacement étant couplée de façon épitaxiale à la couche de canal, une couche barrière formée sur la couche d'espacement, la couche barrière étant couplée de façon épitaxiale à la couche d'espacement, la couche barrière comprenant de l'aluminium, de l'azote et au moins un métal choisi parmi l'indium et le gallium, un diélectrique de grille directement couplé à la couche d'espacement ou à la couche de canal, et une grille formée sur le diélectrique de grille, la grille étant directement couplée au diélectrique de grille. Dans les modes de réalisation de l'appareil de l'invention, on peut utiliser l'une ou l'autre des caractéristiques suivantes ou toutes les caractéristiques suivantes : - la couche tampon comprend du nitrure d'aluminium et de gallium (AlxGai_ xN), où x est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium, la couche de canal comprend du nitrure de gallium (GaN), la couche d'espacement comprend du nitrure d'aluminium (A1N) et la couche barrière comprend du nitrure d'indium et d'aluminium (InyAli_yN), où y est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'indium et d'aluminium ; - la couche tampon possède une épaisseur située entre 0,1 micron et 2 microns et la valeur de x est située entre 0,05 et 1, la couche de canal possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms, la couche d'espacement possède une épaisseur située entre 5 angstrôms et 30 angstrôms et la couche barrière possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms et la valeur de y est située entre 0,13 et 0,21 ; - le diélectrique de grille comprend de l'oxyde d'aluminium (A1203), du nitrure de silicium (SiN), de l'oxyde de hafnium (Hf02), du dioxyde de silicium (SiO2) ou de l'oxy-nitrure de silicium (SiON), et le diélectrique de grille possède une épaisseur située entre 20 angstrôms et 200 angstrôms ; - la grille est une grille en forme de T à plaque de champ, la grille comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (Ir), du molybdène (Mo) ou de l'or (Au), et la grille fait partie d'un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité 30 électronique (HEMT) à enrichissement (e-mode) ; - une source formée sur la couche barrière et un drain formé sur la couche barrière, dans lequel la source et le drain se prolongent tous les deux à travers la couche barrière et la couche d'espacement dans la couche de canal, la source est un contact ohmique, le drain est un contact ohmique et une plus courte distance entre le drain et la grille est supérieure à une plus courte distance entre la source et la grille ; - le substrat, le substrat comprenant du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), du saphir (A1203), du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (AIN), et une couche de diélectrique formée sur la couche barrière. De plus, l'invention concerne également un procédé comprenant : le dépôt épitaxial d'une couche tampon sur un substrat, le dépôt épitaxial d'une couche de canal sur la couche tampon, la couche de canal fournissant un passage pour le courant dans un dispositif à transistor, le dépôt épitaxial d'une couche d'espacement sur la couche de canal, le dépôt épitaxial d'une couche barrière sur la couche d'espacement, la couche barrière comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga), l'élimination sélective d'une partie de la couche barrière pour exposer la couche d'espacement, le dépôt d'un matériau diélectrique de grille sur la couche d'espacement exposée pour former un diélectrique de grille qui est directement couplé à la couche d'espacement, et le dépôt d'un matériau de grille sur le d'électrique de grille pour former une grille du dispositif à transistor qui est directement couplée au diélectrique de grille. Dans des modes de réalisation du procédé de l'invention, on peut utiliser l'une ou l' autre des caractéristiques suivantes ou toutes les caractéristiques suivantes : - la couche tampon comprend du nitrure d'aluminium et de gallium (AlxGai_ IN), où x est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium ; la couche de canal comprend du nitrure de gallium (GaN), la couche d'espacement comprend du nitrure d'aluminium (AIN), et la couche barrière comprend du nitrure d'indium et de gallium et d'aluminium (InyGazAli_y_,N), où y et z sont des valeurs entre 0 et 1 qui représentent les quantités relatives d'indium et de gallium ; - la couche tampon possède une épaisseur située entre 0,1 micron et 2 microns et la valeur de x est située entre 0,05 et 1, la couche de canal possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms, la couche d'espacement possède une épaisseur située entre 5 angstrôms et 30 angstrôms, et la couche barrière possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms et la valeur de y est située entre 0,13 et 0,21 ; - la partie de la couche barrière est sélectivement éliminée selon un procédé de gravure, le diélectrique de grille est déposé selon un procédé de dépôt de couche atomique (ALD), le diélectrique de grille comprend de l'oxyde d'aluminium (A1203), du nitrure de silicium (SiN), de l'oxyde de hafnium (Hf02), du dioxyde de silicium (SiO2) ou de l'oxy-nitrure de silicium (SiON), et le diélectrique de grille possède une épaisseur située entre 20 angstrôms et 200 angstrôms ; - la grille est une grille en forme de T à plaque de champ, la grille comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (h), du molybdène (Mo) ou de l'or (Au), et la couche de canal est conçue pour fournir un passage pour le courant dans un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité électronique (HEMT) à enrichissement (e-mode) ; - la formation d'une source sur la couche barrière et la formation d'un drain sur la couche barrière, dans lequel la source et le drain se prolongent tous les deux à travers la couche barrière et la couche d'espacement dans la couche de canal, dans lequel une plus courte distance entre le drain et la grille est supérieure à une plus courte distance entre la source et la grille, et dans lequel la source et le drain sont tous les deux des contacts ohmiques ; - la fourniture du substrat, le substrat comprenant du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), du saphir (A1203), du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (AIN) ; et la formation d'une couche de diélectrique sur la couche barrière ; - la couche tampon, la couche de canal, la couche d'espacement et la couche barrière sont toutes déposées de façon épitaxiale par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou dépôt en phase gazeuse organométallique (MOCVD). BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les modes de réalisation seront mieux compris à la lecture de la description détaillée suivante, conjointement avec les dessins joints. Pour faciliter cette description, des numéros de référence identiques désignent des éléments de structure identiques. Les modes de réalisation sont illustrés à titre d'exemple et non dans un but limitatif sur les figures des dessins joints. La figure 1 illustre schématiquement une vue en coupe d'un circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 2 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 3 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 4 est un schéma de procédé permettant de fabriquer un circuit intégré selon divers modes de réalisation. La figure 5 illustre schématiquement un exemple de système comprenant un circuit intégré selon divers modes de réalisation. DESCRIPTION PLUS DETAILLEE Les modes de réalisation de la présente description proposent des configurations structurelles d'un circuit intégré (CI), tel qu'un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité électronique (HEMT), et un procédé de fabrication. Dans la description détaillée suivante, il est fait référence aux dessins joints qui forment une partie de celle-ci, sur lesquels des numéros identiques désignent des parties identiques, les dessins illustrant des modes de réalisation dans lesquels le sujet de la présente description peut être mis en pratique. Il est entendu que d'autres modes de réalisation peuvent être utilisés et que des modifications structurelles ou logiques peuvent être réalisées sans s'écarter de l'étendue de la présente description. Par conséquent, il ne doit pas être considéré que la description détaillée suivante est une limite, et l'étendue des modes de réalisation est définie par les revendications jointes et leurs équivalents. Dans le cadre de la présente description, l'expression «A et/ou B » signifie (A), (B) ou (A et B). Dans le cadre de la présente description, l'expression « A, B et/ou C » signifie (A), (B), (C), (A et B), (A et C), (B et C) ou (A, B et C). La description peut utiliser les expressions « dans un mode de réalisation » ou « dans des modes de réalisation », qui peuvent chacune faire référence à un ou plusieurs des modes de réalisation identiques ou différents. En outre, les termes « comprenant », « ayant », « incluant » et équivalents, tels qu'utilisés dans les modes de réalisation de la présente invention, sont synonymes. Le terme « couplé » peut faire référence à une connexion directe, à une connexion indirecte ou à une communication indirecte. L'expression « couplé à », avec ses dérivés, peut être utilisée dans le présent document. « Couplé » peut avoir une ou plusieurs des significations suivantes. « Couplé » peut signifier que deux ou plus de deux éléments sont en contact physique ou électrique direct. Cependant, « couplé » peut également signifier que deux ou plus de deux éléments sont indirectement en contact les uns avec les autres, toutefois en coopérant ou interagissant encore les uns avec les autres, et peut signifier qu'un ou plusieurs autres éléments sont couplés ou connectés entre les éléments que l'on dit être couplés les uns aux autres. Dans divers modes de réalisation, l'expression « une première couche formée sur une seconde couche » peut signifier que la première couche est formée au-dessus de la seconde couche, et qu'au moins une partie de la première couche peut être en contact direct (par exemple, en contact physique et/ou électrique direct) ou en contact indirect (par exemple, avec une ou plusieurs autres couches entre la première couche et la seconde couche) avec au moins une partie de la seconde couche. La figure 1 illustre schématiquement une vue en coupe d'un circuit intégré 100 selon divers modes de réalisation. Par exemple, le circuit intégré 100 peut être 20 un dispositif HEMT. Le circuit intégré 100 peut être fabriqué sur un substrat 102. Le substrat 102 comprend généralement un matériau de support sur lequel un empilement 101 de couches est déposé. Dans un mode de réalisation, le substrat 102 comprend du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), de l'oxyde aluminium (A1203) ou 25 « saphir », du nitrure de gallium (GaN) et/ou du nitrure d'aluminium (AIN). D'autres matériaux comprenant des systèmes de matériaux semi-conducteurs appropriés des groupes II à VI et des groupes III à V peuvent être utilisés pour le substrat 102 dans d'autres modes de réalisation. Dans un mode de réalisation, le substrat 102 comprend tout matériau sur lequel du GaN peut croître de façon épitaxiale. 30 L'empilement 101 de couches (ou simplement « empilement 101 ») formé sur le substrat 102 peut comprendre des couches de système de matériaux différents déposées de façon épitaxiale, qui forment une ou plusieurs hétérojonctions/hétérostructures. Dans un mode de réalisation, l'empilement 101 du circuit intégré 100 comprend une couche tampon 104 formée sur le substrat 102. La couche tampon 104 peut fournir une transition de structure cristalline entre le substrat 102 et les autres composants (par exemple, la couche de canal 106) du circuit intégré 100, en jouant ainsi le rôle de couche tampon ou isolante entre le substrat 102 et les autres composants du circuit intégré 100. Par exemple, la couche tampon 104 peut fournir une relaxation de contrainte entre le substrat 102 et les autres matériaux à réseaux cristallins mal appariés (par exemple, la couche de canal 106). La couche tampon 104 peut être couplée de façon épitaxiale au substrat 102. Dans certains modes de réalisation, la couche tampon 104 peut comprendre 10 du nitrure d'aluminium et de gallium (AlxGai_xN), où x est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium. Dans certains modes de réalisation, la valeur de x est située entre environ 0,05 (par exemple, 5 % d'Al) et environ 1 (par exemple, 100 % d'Al). Une valeur de x peut être choisie sur la base d'une tension d'étranglement souhaitée pour le circuit intégré 100. Par exemple, une 15 augmentation du pourcentage (%) d'Al dans le composé AlxGai_xN peut correspondre à une diminution de la tension d'étranglement du circuit intégré 100. Dans certains modes de réalisation, un changement de 5 % dans la composition d'Al aboutit à un décalage d'environ 1 volt (V) de la tension d'étranglement. La couche tampon 104 peut avoir une épaisseur située entre environ 0,1 micron et environ 2 20 microns dans une direction sensiblement perpendiculaire à une surface du substrat 102 sur lequel la couche tampon 104 est formée. La couche tampon 104 peut comprendre d'autres matériaux appropriés, comme AlInGaN, et/ou d'autres épaisseurs dans d'autres modes de réalisation. L'empilement 101 peut comprendre en outre une couche de canal 106 formée 25 sur la couche tampon 104. La couche de canal 106 peut fournir un passage pour le courant des porteurs de charges mobiles entre une borne de source, appelée source 112 ci-dessous dans le présent document, et une borne de drain, appelé drain 114 ci-dessous dans le présent document, du circuit intégré 100. La différence entre les valeurs de bande interdite pour diverses couches du circuit intégré 100 crée une 30 hétérojonction qui se trouve généralement à l'interface d'une couche donneuse à bande interdite plus large (par exemple, la couche d'espacement 108 et/ou la couche barrière 110), qui peut être dopée, et d'une couche à bande interdite plus étroite (par exemple, la couche de canal 106), qui peut être non dopée. En fonctionnement, un gaz électronique bidimensionnel (2DEG) peut se former à l'hétérojonction, ce qui permet par exemple aux électrons de s'écouler dans un plan sensiblement bidimensionnel à travers la couche de canal 106. La couche de canal 106 peut être couplée de façon épitaxiale à la couche tampon 104. Dans certains modes de réalisation, la couche de canal 106 peut comprendre du nitrure de gallium (GaN). La couche de canal 106 peut avoir une épaisseur d'environ 50 angstrôms à environ 150 angstrôms dans une direction sensiblement perpendiculaire à une surface de la couche tampon 104 sur laquelle la couche de canal 106 est formée. Une épaisseur de la couche de canal 106 peut être choisie sur la base d'une tension d'étranglement souhaitée pour le circuit intégré 100. Par exemple, une diminution de l'épaisseur de la couche de canal 106 peut correspondre à une augmentation de la tension d'étranglement du circuit intégré 100. La couche de canal 106 peut comprendre d'autres matériaux appropriés, comme InGaN, et/ou d'autres épaisseurs dans d'autres modes de réalisation. L'empilement 101 de couches peut comprendre en outre une couche d'espacement 108 formée sur la couche de canal 106. La couche d'espacement 108 peut être couplée de façon épitaxiale à la couche de canal 106. Dans certains modes de réalisation, la couche d'espacement 108 peut comprendre du nitrure d'aluminium (A1N) et avoir une épaisseur située entre environ 5 angstrôms et 30 angstrôms dans une direction sensiblement perpendiculaire à une surface de la couche de canal 106 sur laquelle la couche d'espacement 108 est formée. La couche d'espacement 108 peut comprendre d'autres matériaux appropriés et/ou d'autres épaisseurs dans d'autres modes de réalisation. Dans certains modes de réalisation, la couche d'espacement 108 est une couche de croissance ou une couche d'amorçage qui facilite la formation cristalline de la couche barrière 110. L'empilement 101 de couches peut comprendre en outre une couche barrière 110 formée sur la couche d'espacement 108. La couche barrière 110 peut être couplée de façon épitaxiale à la couche d'espacement 108. Dans certains modes de réalisation, la couche barrière 110 peut comprendre de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga). Dans un mode de réalisation, la couche barrière 110 comprend du nitrure d'indium et d'aluminium (InyAli_yN), où y est une valeur comprise entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'indium et d'aluminium. La composition de la couche barrière 110 peut compléter la composition de la couche de canal 106. Par exemple, dans certains modes de réalisation, la composition d'indium dans la couche barrière 110 peut correspondre à une valeur de y égale à 0,18. Cette concentration en indium permet à la couche barrière 110 d'avoir une structure de réseau qui s'apparie à 5 une structure de réseau de la couche de canal 106. Une telle correspondance permet d'obtenir une contrainte relativement faible, ce qui peut rendre le circuit intégré 100 plus fiable lors de son fonctionnement. Bien qu'une variance à partir d'une concentration de 18 % d'indium puisse accroître le mésappariement des structures de réseau, une telle variance peut également fournir des caractéristiques de 10 fonctionnement souhaitables pour des modes de réalisation particuliers. Par exemple, la diminution de la concentration en indium jusqu'à 13 %, par exemple, peut induire davantage de charges (courant), mais également augmenter la contrainte dans le circuit intégré 100. A l'inverse, l'augmentation de la concentration en indium jusqu'à 21 %, par exemple, peut induire moins de charges, mais réduit également la 15 contrainte globale dans le circuit intégré 100. Dans certains modes de réalisation, la valeur de y est comprise entre 0,13 et environ 0,21. D'autres valeurs de y peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. Dans certains modes de réalisation, la couche barrière 110 peut comprendre du nitrure d'indium et de gallium (InyGai_yN), où y est une valeur entre 0 et 1 qui 20 représente une quantité relative d'indium et de gallium. Dans d'autres modes de réalisation, la couche barrière 110 peut comprendre du nitrure d'indium et de gallium et d'aluminium (InyGazAli_y_,N), où y et z représentent chacun une valeur entre 0 et 1 qui représente respectivement une quantité relative d'indium et de gallium. La quantité relative d'aluminium peut être calculée sur la base des quantités relatives 25 d'indium et de gallium. La couche barrière 110 peut avoir une épaisseur d'environ 50 angstrôms à environ 150 angstrôms dans une direction sensiblement perpendiculaire à une surface de la couche d'espacement 108 sur laquelle la couche barrière 110 est formée. La couche barrière 110 peut comprendre d'autres matériaux appropriés et/ou d'autres 30 épaisseurs dans d'autres modes de réalisation. Le circuit intégré 100 comprend en outre une structure de grille 120 comprenant une borne de grille 118 et un diélectrique de grille 116. La borne de grille 118 joue le rôle de borne de connexion pour le circuit intégré 100 et le diélectrique de grille 116 réduit le passage du courant dans le circuit intégré 100 jusqu'à une valeur sensiblement nulle quand le circuit intégré 100 est éteint. Le diélectrique de grille 116 peut être formé sur la couche d'espacement 108. Par exemple, la couche barrière 110 peut être sélectivement évidée pour former une ouverture qui permet le dépôt d'un matériau électriquement isolant afin de former le diélectrique de grille 116 sur la couche d'espacement 108. Dans un mode de réalisation, le diélectrique de grille est couplé directement à la couche d'espacement 108. Dans certains modes de réalisation, le diélectrique de grille 116 comprend de l'oxyde d'aluminium (A1203), du nitrure de silicium (SiN), de l'oxyde de hafnium 10 (Hf02), du dioxyde de silicium (SiO2) ou de l'oxy-nitrure de silicium (SiON). Dans certains modes de réalisation, le diélectrique de grille 116 possède une épaisseur située entre 20 angstrôms et 200 angstrôms. D'autres matériaux et/ou d'autres épaisseurs peuvent être utilisés pour le diélectrique de grille 116 dans d'autres modes de réalisation, notamment d'autres stoechiométries ou quantités relatives des éléments 15 pour les matériaux mentionnés ci-dessus. La borne de grille 118 peut être formée sur le diélectrique de grille 116 et directement couplée au diélectrique de grille 116. Dans certains modes de réalisation, une partie de la borne de grille 118 est formée dans l'ouverture de la couche barrière 110. La partie de la borne de grille 118 formée dans l'ouverture de la couche barrière 20 110 peut faire partie d'une partie tronc ou inférieure de la borne de grille 118, comme on peut le voir. Une partie supérieure de la borne de grille 118 peut s'étendre à partir de la partie tronc de la borne de grille 118 dans des directions opposées qui sont sensiblement perpendiculaires à une direction de la longueur de la partie tronc de la borne de grille 118, comme on peut le voir. Une telle configuration de la partie 25 tronc et de la partie supérieure de la borne de grille 118 peut être appelée grille en forme de T. Dans certains modes de réalisation, la borne de grille 118 peut comprendre une grille à plaque de champ, qui peut augmenter la tension de claquage et/ou réduire le champ électrique entre la borne de grille 118 et le drain 114. La borne de grille 118 comprend généralement un matériau électroconducteur, 30 tel qu'un métal. Dans certains modes de réalisation, la borne de grille 118 comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (Ir), du molybdène (Mo), de l'or (Au) et/ou de l'aluminium (Al). Dans un mode de réalisation, la borne de grille 118 comprend un matériau déposé dans l'ordre suivant : Ni suivi de Pt, qui est suivi d'Ir, qui est suivi de Mo, qui est suivi d'Au. Dans un mode de réalisation, un matériau comprenant du Ni/Pt/Ir/Mo est disposé dans la partie tronc de la borne de grille 118 pour fournir un contact de grille avec le matériau du diélectrique de grille 116 et un matériau comprenant de l'Au est disposé dans la partie supérieure de la borne de grille 118 pour que la borne de grille 118 puisse présenter une conductivité et une faible résistance. Dans certains modes de réalisation, la borne de grille 118, le diélectrique de grille 116 et la couche d'espacement 108 sont les composants respectifs d'une structure métal - isolant - semi-conducteur (MIS). La borne de grille 118 peut être couplée de façon capacitive à la couche d'espacement 108 et/ou à la cause de canal 106 par l'intermédiaire du diélectrique de grille 116. La structure MIS qui comprend le diélectrique de grille 116 peut fournir un dispositif de commutation efficace pour des applications de commutation de puissance, notamment des applications de conditionnement de puissance telles que les convertisseurs courant alternatif (CA)/courant continu (CC), les convertisseurs CC/CC, les convertisseurs CC/CA et équivalents. Une barrière de type Schottky entre la borne de grille 118 et la couche d'espacement 108 ou la couche de canal 106 peut ne pas être idéale ou efficace dans de telles applications de commutation, en raison d'un passage de courant/fuite davantage persistant quand une tension d'arrêt est appliquée à la barrière de type Schottky. Dans certains modes de réalisation, le circuit intégré 100 peut comprendre un dispositif de commutation à enrichissement (e-mode), qui utilise une tension positive de grille de la borne de grille 118 par rapport à la tension de source de la source 112 afin qu'un courant puisse passer dans le circuit intégré 100. Ce fonctionnement est contraire à celui d'un dispositif à appauvrissement (d-mode), qui utilise une tension négative de grille par rapport à la tension de source pour étrangler le passage du courant dans le circuit intégré 100. La capacité de faire fonctionner le circuit intégré 100 comme commutateur à enrichissement, par rapport à un commutateur à appauvrissement, peut être partiellement due aux systèmes de matériaux décrits et utilisés dans l'empilement 101 et/ou à l'ajustement de la tension d'étranglement par la 30 variation de l'épaisseur et/ou des matériaux (par exemple, Al) de la couche tampon 104 et/ou de la couche de canal 106, comme décrit dans le présent document. Les configurations décrites dans le présent document pour le circuit intégré 100 peuvent fournir un dispositif de commutation à enrichissement présentant une tension d'étranglement supérieure à 1 volt (V) et une densité de courant maximale relativement élevée d'environ 2,5 ampères (A)/millimètre (mm) de largeur de grille. Le circuit intégré 100 peut comprendre une source 112 et un drain 114 formés sur la couche barrière 110. La source 112 et le drain 114 peuvent se prolonger tous les deux à travers la couche barrière 110 et la couche d'espacement 108 dans la couche de canal 106, comme on peut le voir. Selon divers modes de réalisation, la source 112 et le drain 114 sont des contacts ohmiques. La source 112 et le drain 114 peuvent comprendre des contacts reformés pouvant fournir une résistance de contact relative plus basse que les contacts formés de manière classique. Dans des modes de réalisation, la résistance des contacts de la source 112 et du drain 114 est d'environ 0,01 ohm.mm. La source 112 et le drain 114 peuvent comprendre tous les deux un matériau électroconducteur, tel qu'un métal. Dans un mode de réalisation, la source 112 et le drain 114 comprennent tous les deux du titane (Ti), de l'aluminium (Al), du molybdène (Mo), de l'or (Au) ou du silicium (Si), ou leurs combinaisons. D'autres matériaux peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Dans un mode de réalisation, une distance Dl entre le drain 114 et la grille 118 est supérieure à une distance Si entre la source 112 et la grille 118. La distance Dl peut être la distance la plus courte entre le drain 114 et la grille 118 et la distance Si peut être la distance la plus courte entre la source 112 et la grille 118 dans certains modes de réalisation. Une distance S1 plus courte que la distance Dl peut augmenter la tension de claquage grille 118 sur drain 114 et/ou réduire la résistance de la source 112. Une couche de diélectrique 122 peut être formée sur la couche barrière. 110 dans certains modes de réalisation. La couche de diélectrique 112 peut comprendre, par exemple, du nitrure de silicium (SiN). D'autres matériaux peuvent être utilisés pour la couche de diélectrique 122 dans d'autres modes de réalisation. La figure 2 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) 200 selon divers modes de réalisation. Le circuit intégré 200 de la figure 2 peut s'accorder aux modes de réalisation décrits en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1, sauf que la structure de grille 120 du circuit intégré 200 se prolonge dans la couche d'espacement 108. Dans certains modes de réalisation, le diélectrique de grille 116 peut se prolonger dans la couche d'espacement 108. Par exemple, la couche d'espacement 108 peut être évidée, au moins partiellement, au moyen d'un procédé similaire ou identique au procédé utilisé pour évider la couche barrière 110. Le diélectrique de grille 116 peut être formé dans la partie évidée de la couche d'espacement 108 et la grille 118 peut être formée sur le diélectrique de grille 116. La figure 3 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) 300 selon divers modes de réalisation. Le circuit intégré 300 de la figure 3 peut s'accorder aux modes de réalisation décrits en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1, sauf que la structure de grille 120 du circuit intégré 300 se prolonge dans la couche de canal 106. Dans certains modes de réalisation, le diélectrique de grille 116 peut se prolonger dans la couche de canal 108. Par exemple, la couche d'espacement 108 et la couche de canal 106 peuvent être évidées au moyen d'un procédé similaire ou identique au procédé utilisé pour évider la couche barrière 110. Le diélectrique de grille 116 peut être formé dans la partie évidée de la couche de canal 106 et la grille 118 peut être formée sur le diélectrique de grille 116. Dans d'autres modes de réalisation, le diélectrique de grille 116 peut être formé sur la couche tampon 104 par évidement de la couche de canal 106 ou peut être formé de façon à se prolonger dans la couche tampon 104 en évidant une partie de la couche tampon 104. La figure 4 est un schéma du procédé 400 permettant de fabriquer un circuit intégré (par exemple, le circuit intégré 100 de la figure 1) selon divers modes de réalisation. Le procédé 400 peut comprendre la formation d'une couche tampon (par exemple, la couche tampon 104 de la figure 1) sur un substrat (par exemple, le substrat 102 de la figure 1) dans l'étape 402, la formation d'une couche de canal (par exemple, la couche de canal 106 de la figure 1) sur la couche tampon dans l'étape 404, la formation d'une couche d'espacement (par exemple, la couche d'espacement 108 de la figure 1) sur la couche de canal dans l'étape 406 et la formation d'une couche barrière (par exemple, la couche arrière 110 de la figure 1) sur la couche d'espacement dans l'étape 408. Selon divers modes de réalisation, la couche tampon, la couche de canal, la couche d'espacement et la couche barrière sont toutes déposées de façon épitaxiale par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou/et dépôt en phase gazeuse organométallique (MOCVD). D'autres techniques de dépôt appropriées peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. La formation des couches dans les étapes 402, 404, 406 et 408 peut fournir un empilement (par exemple, l'empilement 101 de la figure 1) de couches couplées de façon épitaxiale. Les matériaux et/ou les épaisseurs pour les couches de l'empilement peuvent s'accorder aux modes de réalisation déjà décrits en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1. Dans l'étape 410, le procédé 400 peut comprendre en outre la formation d'une source (par exemple, la source 112 de la figure 1) et d'un drain (par exemple, le drain 114 de la figure 1). La source et le drain peuvent être formés sur la couche barrière. Dans un mode de réalisation, des matériaux, tels qu'un ou plusieurs métaux, sont déposés sur la couche barrière dans une zone où la source et le drain doivent être formés, par exemple selon un procédé d'évaporation. Les matériaux utilisés pour former la source et le drain peuvent comprendre les métaux déposés dans l'ordre suivant : du titane (Ti) puis de l'aluminium (Al), puis du molybdène (Mo), puis du titane (Ti), puis de l'or (Au). Les matériaux déposés peuvent être chauffés (par exemple, à environ 850 °C pendant environ 30 secondes au moyen d'un procédé de recuit thermique rapide) afin que les matériaux pénètrent et fusionnent avec le matériau sous-jacent de la couche barrière, de la couche d'espacement et/ou de la couche de canal. Dans des modes de réalisation, la source et le drain se prolongent tous les deux à travers la couche barrière et dans la couche d'espacement dans la couche de canal. Une épaisseur de la source et du drain peut être de 1000 angstritims à 2000 angstrôms. D'autres épaisseurs pour la source et le drain peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. La source et le drain peuvent être formés dans un procédé de reformation pour fournir des contacts ohmiques présentant une résistance réduite de contact ou 25 une résistance réduite. Dans le procédé de reformation, le matériau de la couche barrière, de la couche d'espacement et/ou de la couche de canal est éliminé sélectivement (par exemple, gravé) dans des zones où la source et le drain doivent être formés. Un matériau hautement dopé (par exemple, un matériau n++) est déposé dans les zones où la couche barrière, la couche d'espacement et la couche de canal 30 ont été éliminées sélectivement. Le matériau hautement dopé de la source et du drain peut être un matériau similaire au matériau utilisé pour la couche de canal. Par exemple, dans un système où la couche de canal comprend du GaN, un matériau à base de GaN qui est hautement dopé avec du silicium (Si) peut être déposé de façon épitaxiale dans les zones éliminées de manière sélective jusqu'à une épaisseur d'environ 400 angstrôms à 700 angstrôms. Le matériau hautement dopé peut être déposé de façon épitaxiale par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou dépôt en phase gazeuse organométallique (MOCVD), ou selon des combinaisons appropriées de celles-ci. D'autres matériaux, épaisseurs et techniques de dépôt pour le matériau hautement dopé peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Un ou plusieurs métaux comprenant, par exemple, du titane (Ti) et/ou de l'or (Au), peuvent être formés/déposés sur le matériau hautement dopé à une épaisseur de 1000 angstrôms à 1500 angstrôms, par exemple selon un procédé de retrait. D'autres matériaux, épaisseurs et/ou techniques pour le ou les métaux peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Dans certains modes de réalisation, la source et le drain peuvent être formés selon un procédé d'implantation qui utilise des techniques d'implantation pour introduire une impureté (par exemple, du silicium) pour fournir un matériau hautement dopé dans la source et le drain. Après l'implantation, la source et le drain sont soumis à un recuit à température élevée (par exemple, de 1100 °C à 1200 °C). Le procédé de reformation peut éviter de préférence la température élevée associée au recuit post-implantation. Dans l'étape 412, le procédé 400 peut comprendre en outre la formation d'une structure de grille (par exemple, la structure de grille 120 de la figure 1). La structure de grille peut comprendre une partie électroconductrice ou une grille (par exemple, la grille 118 de la figure 1) et une partie électriquement isolante ou un diélectrique de grille (par exemple, le diélectrique de grille 116 de la figure 1). Le diélectrique de grille peut être formé sur la couche d'espacement. Une partie de la couche barrière peut être sélectivement évidée pour former une ouverture à travers la couche barrière. Dans un mode de réalisation, un procédé de gravure élimine sélectivement le matériau de la couche barrière pour exposer la couche d'espacement. Dans certains modes de réalisation, une couche de diélectrique (par exemple, la couche de diélectrique 122 de la figure 1) est formée sur la couche barrière et une couche de réserve est déposée sur la couche de diélectrique et modelée pour former une ouverture qui correspond à l'ouverture à former dans la couche barrière. Dans un mode de réalisation, un procédé de gravure anisotrope peut éliminer sélectivement le matériau de la couche de diélectrique de la couche barrière sous-jacente afin d'exposer la couche d'espacement pour permettre le dépôt du matériau diélectrique de grille. La couche d'espacement peut être traitée et/ou nettoyée pour minimiser la densité des pièges entre le diélectrique de grille et la couche d'espacement. Dans d'autres modes de réalisation, un procédé de gravure anisotrope peut éliminer le matériau de la couche de diélectrique, de la couche barrière, de la couche d'espacement (par exemple, la couche d'espacement 108 de la figure 2), de la couche de canal (par exemple, la couche de canal 106 de la figure 3) et/ou de la couche tampon pour permettre la formation du diélectrique de grille, de façon que le diélectrique de grille se prolonge dans la couche d'espacement, la couche de canal et/ou la couche tampon, comme décrit en connexion avec les figures 2 et 3. Un traitement et/ou nettoyage similaire peut être utilisé pour minimiser la densité des pièges entre le diélectrique de grille et la couche de canal ou entre le diélectrique de grille et la couche tampon dans certains modes de réalisation. Le matériau du diélectrique de grille peut être déposé sur la couche d'espacement selon n'importe quelle technique de dépôt appropriée, notamment par dépôt de couche atomique (ALD) ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). D'autres techniques de dépôt peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. Les épaisseurs et/ou les matériaux pour le diélectrique de grille peuvent s'accorder aux modes de réalisation déjà décrits en connexion avec la figure 1. La grille peut être formée sur le diélectrique de grille en déposant un matériau de grille sur le diélectrique de grille dans l'ouverture de la couche barrière. Le matériau de grille peut être déposé selon n'importe quel procédé de dépôt approprié, notamment par évaporation, ALD et/ou CVD. Dans un mode de réalisation, du nickel (Ni) est tout d'abord déposé sur le diélectrique de grille puis du platine (Pt), de l'iridium (Ir) et du molybdène (Mo) sont déposés de manière séquentielle. De l'or (Au) peut être séquentiellement déposé sur le molybdène. Dans un mode de réalisation où la grille est une grille en forme de T, une partie tronc de la grille en T peut être formée par le dépôt d'un ou de plusieurs métaux pour remplir l'ouverture formée dans la couche barrière et dans la couche de diélectrique afin de faciliter la formation du diélectrique de grille. Une partie supérieure de la grille en T peut être formée selon des procédés de dépôt métallique/gravure ou un procédé de retrait. Diverses opérations sont décrites sous la forme de multiples opérations discrètes, de façon à mieux comprendre le sujet revendiqué. Cependant, il ne doit pas être considéré que l'ordre de la description implique que ces opérations dépendent nécessairement d'un ordre. En particulier, ces opérations peuvent ne pas être exécutées dans l'ordre de présentation. Les opérations décrites peuvent être effectuées dans un ordre différent de celui du mode de réalisation décrit. Diverses opérations supplémentaires peuvent être mises en oeuvre et/ou des opérations décrites peuvent être omises dans d'autres modes de réalisation. Les modes de réalisation d'un circuit intégré 100 décrits dans le présent document, et les appareils comprenant un tel circuit intégré 100, peuvent être incorporés dans divers autres appareils et systèmes. Un schéma de principe d'un exemple de système 500 est illustré sur la figure 5. Comme on peut le voir, le système 500 comprend un module d'amplificateur de puissance (PA) 502, qui peut être un module PA de fréquence radio (RF) dans certains modes de réalisation. Le 15 système 500 peut comprendre un émetteur/récepteur 504 couplé au module d'amplificateur de puissance 502, comme illustré. Le module d'amplificateur de puissance 502 peut comprendre un circuit intégré (par exemple, le circuit intégré 100, 200 ou 300 des figures 1 à 3) décrit dans le présent document. Le module d'amplificateur de puissance 502 peut recevoir un signal RF 20 d'entrée, RFin, provenant de l'émetteur/récepteur 504. Le module d'amplificateur de puissance 502 peut amplifier le signal RF d'entrée, RFin, pour fournir le signal RF de sortie, RFout. Le signal RF d'entrée, RFin, et le signal RF de sortie, RFout, peuvent tous les deux faire partie d'une chaîne de transmission, notées respectivement Tx RFin et Tx - RFOut sur la figure 5. 25 Le signal RF de sortie amplifié, RFout, être fourni à un module de commutation d'antenne (ASM) 506 qui effectue une liaison radio (OTA) du signal RF de sortie, RFout, par l'intermédiaire d'une structure d'antenne 508. L'ASM 506 peut également recevoir des signaux RF par l'intermédiaire de la structure d'antenne 508 et coupler les signaux RF reçus, Rx, à l'émetteur/récepteur 504 le long d'une 30 chaîne de réception. Dans divers modes de réalisation, la structure d'antenne 508 peut comprendre une ou plusieurs antennes directionnelles et/ou omnidirectionnelles, par exemple une antenne dipolaire, une antenne monopolaire, une antenne à plaque, une antenne-cadre, une antenne microruban ou n'importe quel autre type d'antenne appropriée pour l'émission/réception OTA de signaux RF. Le système 500 peut être n'importe quel système comprenant une amplification de puissance. Le circuit intégré 100, 200 ou 300 peut fournir un dispositif de commutation efficace pour des applications de commutation de puissance, notamment dans des applications de conditionnement de puissance telles que les convertisseurs courant alternatif (CA)/courant continu (CC), les convertisseurs CC/CC, les convertisseurs CC/CA et équivalents. Dans divers modes de réalisation, le système 500 peut être particulièrement utile pour effectuer une amplification de puissance à une puissance élevée de fréquence radio et à une fréquence élevée. Par exemple, le système 500 peut être approprié pour les communications terrestres et par satellite, les systèmes radar et éventuellement dans diverses applications industrielles et médicales. Plus précisément, dans divers modes de réalisation, le système 500 peut être un appareil choisi parmi un dispositif radar, un dispositif de communication par satellite, un téléphone mobile, une station de base de téléphone cellulaire, un appareil de radiodiffusion ou un système amplificateur pour télévision. Bien que certains modes de réalisation aient été illustrés et décrits dans le présent document dans un but descriptif, de très nombreux modes de réalisation alternatifs et/ou équivalents calculés pour atteindre les mêmes objectifs peuvent se substituer aux modes de réalisation présentés et décrits, sans s'écarter de l'étendue de la présente description. La présente demande est destinée à couvrir n'importe quelle adaptation ou variation des modes de réalisation décrits dans le présent document. Par conséquent, il est manifestement prévu que les modes de réalisation décrits dans le présent document soient seulement limités par les revendications et leurs équivalents. REVENDICATIONS1. Appareil (100) comprenant : une couche tampon (104) formée sur un substrat (102), la couche tampon étant couplée de façon épitaxiale au substrat ; une couche de canal (106) formée sur la couche tampon pour fournir un passage pour le courant dans un dispositif à transistor, la couche de canal étant couplée de façon épitaxiale à la couche tampon ; une couche d'espacement (108) formée sur la couche de canal, la couche d'espacement étant couplée de façon épitaxiale à la couche de canal ; une couche barrière (110) formée sur la couche d'espacement, la couche barrière 10 étant couplée de façon épitaxiale à la couche d'espacement, la couche barrière comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; un diélectrique de grille (116) directement couplé à la couche d'espacement ou à la couche de canal ; et 15 une grille (118) formée sur le diélectrique de grille, la grille étant directement couplée au diélectrique de grille. 2. Appareil selon la revendication 1, dans lequel : la couche tampon (104) comprend du nitrure d'aluminium et de gallium (Al'Gai_,N), 20 où x est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium ; la couche de canal (106) comprend du nitrure de gallium (GaN) ; la couche d'espacement (108) comprend du nitrure d'aluminium (AIN) ; et la couche barrière (110) comprend du nitrure d'indium et d'aluminium (InyAli-yn 25 où y est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'indium et d'aluminium. 3. Appareil selon la revendication 2, dans lequel : la couche tampon (104) possède une épaisseur située entre 0,1 micron et 2 microns et 30 la valeur de x est située entre 0,05 et 1 ;la couche de canal (106) possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms ; la couche d'espacement (108) possède une épaisseur située entre 5 angstrôms et 30 angstrôms ; et la couche barrière (110) possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms et la valeur de y est située entre 0,13 et 0,21. 4. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : le diélectrique de grille (116) comprend de l'oxyde d'aluminium (A1203), du nitrure de silicium (SiN), de l'oxyde de hafnium (Hf02), du dioxyde de silicium (SiO2) ou de l'oxy-nitrure de silicium (SiON) ; et le diélectrique de grille possède une épaisseur située entre 20 angstrôms et 200 angstrôms. 5. Appareil selon la revendication 4, dans lequel : la grille (118) est une grille en forme de T à plaque de champ ; la grille comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (Ir), du molybdène (Mo) ou de l'or (Au) ; et la grille fait partie d'un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité 20 électronique (HEMT) à enrichissement (e-mode). 6. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre : une source (112) formée sur la couche barrière (110) ; et un drain (114) formé sur la couche barrière, dans lequel la source et le drain se 25 prolongent tous les deux à travers la couche barrière et la couche d'espacement (108) dans la couche de canal (106), la source est un contact ohmique, le drain est un contact ohmique et une plus courte distance entre le drain et la grille (118) est supérieure à une plus courte distance entre la source et la grille. 30 7. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre : le substrat (102), le substrat comprenant du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), du saphir (A1203), du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (A1N) ; etune couche de diélectrique (122) formée sur la couche barrière (110). 8. Procédé comprenant : le dépôt épitaxial d'une couche tampon sur un substrat, le dépôt épitaxial d'une couche de canal sur la couche tampon, la couche de canal (106) fournissant un passage pour le courant dans un dispositif à transistor ; le dépôt épitaxial d'une couche d'espacement sur la couche de canal ; le dépôt épitaxial d'une couche barrière sur la couche d'espacement, la couche barrière (110) comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; l'élimination sélective d'une partie de la couche barrière pour exposer la couche d'espacement (108) ; le dépôt d'un matériau diélectrique de grille sur la couche d'espacement exposée pour former un diélectrique de grille qui est directement couplé à la couche d'espacement ; 15 et le dépôt d'un matériau de grille sur le d'électrique de grille pour former une grille du dispositif à transistor qui est directement couplée au diélectrique de grille (116). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel : 20 la couche tampon (104) comprend du nitrure d'aluminium et de gallium (Al'Gai_xN), où x est une valeur entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium ; la couche de canal (106) comprend du nitrure de gallium (GaN) ; la couche d'espacement (108) comprend du nitrure d'aluminium (AIN) ; et 25 la couche barrière (110) comprend du nitrure d'indium et de gallium et d'aluminium (InyGazAli_y_,N), où y et z sont des valeurs entre 0 et 1 qui représentent les quantités relatives d'indium et de gallium. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel : 30 la couche tampon (104) possède une épaisseur située entre 0,1 micron et 2 microns et la valeur de x est située entre 0,05 et 1 ; la couche de canal (106) possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms ;la couche d'espacement (108) possède une épaisseur située entre 5 angstrôms et 30 angstrôms ; et la couche barrière (110) possède une épaisseur située entre 50 angstrôms et 150 angstrôms et la valeur de y est située entre 0,13 et 0,21. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel : la partie de la couche barrière (110) est sélectivement éliminée selon un procédé de gravure ; le diélectrique de grille (116) est déposé selon un procédé de dépôt de couche atomique (ALD) ; le diélectrique de grille comprend de l'oxyde d' aluminium (A1203), du nitrure de silicium (SiN), de l'oxyde de hafnium (Hf02), du dioxyde de silicium (SiO2) ou de l'oxy-nitrure de silicium (SiON) ; et le diélectrique de grille possède une épaisseur située entre 20 angstrôms et 15 200 angstrôms. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel : la grille (118) est une grille en forme de T à plaque de champ ; la grille comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (Ir), du molybdène 20 (Mo) ou de l'or (Au) ; et la couche de canal (106) est conçue pour fournir un passage pour le courant dans un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité électronique (HEMT) à enrichissement (e-mode). 25 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, comprenant en outre : la formation d'une source sur la couche barrière ; et la formation d'un drain sur la couche barrière, dans lequel la source (112) et le drain (114) se prolongent tous les deux à travers la couche barrière (110) et la couche d'espacement (108) dans la couche de canal (106), 30 dans lequel une plus courte distance entre le drain et la grille (18) est supérieure à une plus courte distance entre la source et la grille, et dans lequel la source et le drain sont tous les deux des contacts ohmiques. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, comprenant en outre : la fourniture du substrat, le substrat comprenant du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), du saphir (A1203), du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (A1N) ; et la formation d'une couche de diélectrique (122) sur la couche barrière (110). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel la couche tampon (104), la couche de canal (106), la couche d'espacement (108) et la couche barrière (110) sont toutes déposées de façon épitaxiale par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou dépôt en phase gazeuse organométallique (MOCVD).