Brevet FR2979479A1 — publié le 20130301

COMPOSITION DE VERRE POUR PROTEGER UNE JONCTION SEMICONDUCTRICE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR La présente invention concerne une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur et un dispositif à semi-conducteur. On connaît un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur où une couche de verre pour la passivation est formée de telle sorte que la couche de verre couvre une portion d'exposition de jonction pn dans un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur mesa (voir le document de brevet 1, par exemple). Les figures 8(a) à 8(d) et les figures 9(a) à 9(d) sont des vues qui expliquent un tel procédé classique de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. C'est-à-dire, les figures 8(a) à 8(d) et les figures 9(a) à 9(d) sont des vues montrant des étapes respectives du procédé classique. Le procédé classique de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend, comme le 20 montrent les figures 8(a) à 8(d) et les figures 9(a) à 9 (d) , une « étape de formation de substrat semiconducteur », « une étape de formation de tranchée », « une étape de formation de couche de verre », « une étape de formation de photorésine », « une étape 5 d'élimination de film d'oxyde », « une étape de formation de région de surface rugosifiée », « une étape de formation d'électrode », et « une étape de découpe de substrat semi-conducteur » dans cet ordre. Ci-après, le procédé classique de fabrication d'un 10 dispositif à semi-conducteur est expliqué dans l'ordre des étapes. (a) Etape de formation de substrat semi-conducteur Tout d'abord, une couche de diffusion de type ID+ 912 est formée par diffusion d'une impureté de 15 type p à partir d'une surface d'un substrat semiconducteur de type n- (substrat en silicium de type n-) 910, et une couche de diffusion de type n+ 914 est formée par diffusion d'une impureté de type n- à partir de l'autre surface du substrat semi-conducteur de type 20 n- 910 formant ainsi un substrat semi-conducteur dans lequel une jonction pn agencée en parallèle à une surface principale du substrat semi-conducteur est formée. Ci-après, des films d'oxyde 916, 918 sont formés par oxydation thermique sur une surface de la couche de diffusion de type p4- 512 et une surface de la couche de diffusion de type ri+ 914 respectivement (voir la figure 8(a)). (b) Etape de formation de tranchée Ensuite, une portion d'ouverture prédéterminée est formée sur le film d'oxyde 916 à une position prédéterminée par photogravure. Après la gravure du film d'oxyde, le substrat semi-conducteur est ultérieurement gravé formant ainsi une tranchée 920 ayant une profondeur qui va au-delà de la jonction pn telle que mesurée à partir d'une surface du substrat semi-conducteur (voir la figure 8(b)). (c) Etape de formation de couche de verre Ensuite, une couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est formée sur une surface interne de la tranchée 920 et une surface du substrat semi-conducteur à proximité de la tranchée 920 par électrophorèse, et la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est cuite de sorte qu'une couche de verre 924 pour passivation est formée sur une surface de la tranchée 920 (voir la figure 8(c)). (d) Etape de formation de photorésine Ensuite, une photorésine 926 est formée de sorte que la photorésine 926 couvre une surface de la couche de verre 912 (voir la figure 8(d)). (e) Etape d'élimination de film d'oxyde Ensuite, le film d'oxyde 916 est gravé à l'aide de la photorésine 926 en tant que masque de sorte que le film d'oxyde 916 au niveau d'une position 930 où un film d'électrode à plaquage Ni doit être formé est éliminé (voir la figure 9(a)). (f) Etape de formation de région de surface rugosifiée Ensuite, une surface du substrat semi-conducteur au niveau de la position 930 où le film d'électrode à plaquage Ni doit être formé est soumise à un traitement de rugosification de surface formant ainsi une région de surface rugosifiée 932 pour améliorer l'adhésivité entre une électrode à plaquage Ni et le substrat semiconducteur (voir la figure 9(b)). (g) Etape de formation d'électrode Ensuite, un plaquage Ni est appliqué sur le substrat semi-conducteur formant ainsi une électrode anode 934 sur la région de surface rugosifiée 932 et formant une électrode cathode 936 sur l'autre surface du substrat semi-conducteur (voir la figure 9(c)). (h) Etape de découpe de substrat semi-conducteur Ensuite, le substrat semi-conducteur est découpé par découpage en dés ou similaire au niveau d'une portion centrale de la couche de verre 924 divisant 5 ainsi le substrat semi-conducteur en puces qui constituent les dispositifs à semi-conducteur mesa (diodes pn) respectivement (voir la figure 9(d)). Comme expliqué jusqu'ici, le procédé classique de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend 10 l'étape de formation de la tranchée 920 qui va au-delà de la jonction pn telle que mesurée à partir d'une surface du substrat semi-conducteur où la jonction pn agencée en parallèle à la surface principale est formée (voir la figure 8(a) et la figure 8(b)), et l'étape de 15 formation de la couche de verre 924 pour la passivation à l'intérieur de la tranchée 920 de telle sorte que la couche de verre 924 couvre la portion d'exposition de jonction pn (voir la figure 8(c)). En conséquence, dans le procédé classique de fabrication d'un dispositif à 20 semi-conducteur, en découpant le substrat semiconducteur après la formation de la couche de verre 924 pour la passivation à l'intérieur de la tranchée 920, des dispositifs à semi-conducteur mesa ayant une tension de claquage élevée peuvent être fabriqués. Document de brevet 1 JP-A-2004-87 955 Un matériau en verre qui est utilisé pour former une couche de verre pour la passivation doit satisfaire les conditions (a) à (d) suivantes, à savoir, la condition (a) selon laquelle un matériau en verre peut être cuit à une température correcte (1 100 °C ou en déssous, par exemple), la condition (b) selon laquelle un matériau en verre supporte des produits chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) selon laquelle un matériau en verre a un coefficient de dilatation thermique proche du coefficient de dilatation thermique du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation thermique moyen à une température de 50 °C à 500 °C qui est proche d'un coefficient de dilatation thermique moyen du silicium à une température de 50 °C à 500 °C), et la condition (d) selon laquelle le matériau en verre présente une excellente propriété isolante. Compte tenu de ce qui précède, « un matériau en verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » a été généralement utilisé. Cependant, « le matériau en verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » contient du plomb qui impose un fardeau important pour l'environnement et donc, on pense que l'utilisation du « matériau en verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » sera bannie dans un futur proche. D'un autre côté, selon les expériences réalisées par les inventeurs de la présente invention, on a découvert que dans le cas où un matériau en verre ne contenant pas de plomb est utilisé en tant que matériau en verre utilisé pour former une couche de verre pour la passivation, même lorsqu'aucune bulle n'est générée pendant un procédé de fabrication d'une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, il se peut que des bulles soient générées à partir d'une surface limite entre une « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice. Dans un tel cas, une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur est détériorée. La présente invention a été réalisée au vu de circonstances mentionnées ci-dessus, et un objectif de la présente invention est de proposer une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur et un dispositif à semi-conducteur, grâce auquel un dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée peut être fabriqué à l'aide d'un matériau en verre ne contenant pas de plomb de la même manière qu'un cas classique où « un matériau en verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé. Un objectif de la présente invention est également de proposer une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur et un dispositif à semi-conducteur, grâce auquel il est possible de supprimer la génération de bulles qui peuvent être générées à partir d'une surface limite entre une « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice, moyennant quoi la détérioration d'une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur peut être supprimée. Une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la présente invention contient au moins Si02, A1203, MO et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. Ici, M dans le MO mentionné ci-dessus indique l'un des métaux alcalino-terreux. Dans la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la présente invention, il est préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contienne de l'oxyde de nickel en tant que l'« au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse » mentionné ci-dessus. Dans la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la présente invention, il est préférable que la teneur en SiO2 soit établie à 20 une valeur qui se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole, la teneur en A1203 soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, la teneur en CaO soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole, la teneur en MgO soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. Dans la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la présente invention, il est préférable que la teneur en SiO2 soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole, la teneur en A1203 soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole, la teneur en CaO soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole, la teneur en ZnO soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole, la teneur en B2O3 soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel soit établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. Un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la présente invention est un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur ayant une portion d'exposition de jonction pn où une jonction pn est exposée ; et une seconde étape de formation d'une couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn dans cet ordre, dans lequel, dans la seconde étape, la couche de verre est formée à l'aide d'une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice qui contient au moins Si02, A1203, MO, et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. Ici, M dans le MO mentionné ci-dessus indique l'un des métaux alcalino-terreux. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la première étape comprenne : une étape de préparation d'un substrat semi-conducteur ayant une jonction pn agencée en parallèle à une surface principale du substrat semi-conducteur ; et une étape de formation d'une tranchée ayant une profondeur qui va au-delà de la jonction pn telle que mesurée depuis une surface du substrat semi-conducteur formant ainsi la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée, et que la seconde étape comprenne une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la seconde étape comprenne une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre directement la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la seconde étape comprenne une étape de formation d'un film isolant sur la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée, et une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn avec le film isolant interposé entre elles. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la première étape comprenne une étape de formation de la portion d'exposition de jonction pn sur une surface d'un substrat semi-conducteur, et que la seconde étape comprenne une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semi-conducteur. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la seconde étape comprenne une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la 10 couche de verre couvre directement la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semi-conducteur. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est 15 préférable que la seconde étape comprenne une étape de formation d'un film isolant sur la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semiconducteur, et une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre la 20 portion d'exposition de jonction pn avec le film isolant interposé entre elles. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contienne de l'oxyde de nickel en tant que l'« au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse » mentionné ci-dessus. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice soit établie de telle 10 sorte que la teneur en SiO2 se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole, la teneur en A1203 se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, la teneur en Ca0 se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole, la teneur en MgO se situe dans une plage 15 de 11 % en mole à 21 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est 20 préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice soit établie de telle sorte que la teneur en SiO2 se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole, la teneur en A1203 se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole, la teneur en CaO se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole, la teneur en ZnO se situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole, la teneur en B2O3 se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention est un dispositif à semi-conducteur qui comprend un élément semi-conducteur ayant une portion d'exposition de jonction pn où une jonction pn est exposée, et une couche de verre qui est formée de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn, dans lequel la couche de verre est formée à l'aide d'une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice qui contient au moins Si02, A1203, MO, et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. Ici, M dans le MO mentionné ci- dessus indique l'un des métaux alcalino-terreux. Dans le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semi- conductrice contienne de l'oxyde de nickel en tant que l'« au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse » mentionné ci-dessus. Dans le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice soit établie de telle sorte que la teneur en SiO2 se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole, la teneur en A1203 se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, la teneur en CaO se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole, la teneur en MgO se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. Dans le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice soit établie de telle sorte que la teneur en SiO2 se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole, la teneur en A1203 se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole, la teneur en CaO se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole, la teneur en ZnO se situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole, la teneur en B203 se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. Selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur et le dispositif à semi-conducteur de la présente invention, comme on peut le comprendre clairement à partir des exemples décrits plus loin, de la même manière qu'un cas classique où « un matériau en verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé, un dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée peut être fabriqué en utilisant un matériau de verre ne contenant pas de plomb. Selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur et le dispositif à semi-conducteur de la présente invention, la composition de verre pour protéger une jonction semi- conductrice contient au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse et par conséquent, comme on peut le comprendre clairement à partir des exemples décrits plus loin, il est possible de supprimer la génération de bulles qui peuvent être générées à partir d'une surface limite entre une « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice, moyennant quoi la détérioration d'une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur peut être supprimée. Ici, on ignore le détail de la raison pour laquelle la génération de bulles générées à partir de la surface limite entre la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice et le substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » peut être supprimée lorsque la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contient un oxyde métallique tel que l'oxyde de nickel. Cependant, les inventeurs de la présente invention estiment que lorsque la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contient un oxyde métallique tel que l'oxyde de nickel, la « mouillabilité de la composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice avec le substrat semi-conducteur (silicium) est augmentée de sorte que des bulles sont à peine générées ». Dans la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la présente invention, « la composition ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K » signifie que « la composition ne contient aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K en tant que composants » et n'exclut pas la composition de verre où les composants mentionnés ci-dessus sont mélangés dans des matières brutes des composants respectifs qui constituent le verre en tant qu'impuretés. Il en va de même pour le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur et le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention. La raison pour laquelle la composition ne contient 20 sensiblement pas de Pb est que l'objectif de la présente invention réside en ce que le dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée peut être fabriqué en utilisant « un matériau de verre ne contenant pas de plomb » de la même manière que le cas classique où « un matériau de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé. En outre, la raison pour laquelle la composition 5 ne contient sensiblement aucun parmi P, As et Sb est que bien qu'il soit avantageux en termes de température de cuisson que la composition de verre contienne ces composants, il se peut que la propriété isolante soit diminuée du fait de la diffusion de ces composants dans 10 le substrat semi-conducteur pendant la cuisson. En outre, la raison pour laquelle la composition de verre ne contient sensiblement aucun parmi Li, Na et K est que bien qu'il soit avantageux en termes de coefficient de dilatation thermique moyen et de 15 température de cuisson que la composition de verre contienne ces composants, il se peut que la propriété isolante soit diminuée. Les inventeurs de la présente invention ont mené des études et découvert que même lorsque la composition 20 de verre ne contient sensiblement aucun de ces composants (à savoir, Pb, P, As, Sb, Li, Na, K), à condition que la composition de verre contienne au moins Si02, A1203, MO et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », la composition de verre peut être utilisée en tant que composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice. A savoir, selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice de la présente invention, comme il peut être clairement compris à partir des exemples décrits plus loin, le dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée peut être fabriqué en utilisant « un matériau en verre ne contenant pas de plomb » de la même manière que le cas classique où « un matériau de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé. Les figures 1(a) à 1(d) sont des vues expliquant 15 un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un mode de réalisation 3. Les figures 2(a) à 2(d) sont des vues expliquant un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation 3. 20 Les figures 3(a) à 3(c) sont des vues expliquant un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un mode de réalisation 4. Les figures 4(a) à 4(c) sont des vues expliquant un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation 4. La figure 5 est un tableau montrant un résultat 5 des exemples. Les figures 6(a) et 6(b) sont des vues expliquant des bulles b générées à l'intérieur d'une couche de verre 124 dans l'évaluation préliminaire. Les figures 7(a) et 7(b) sont des photographies 10 expliquant les bulles b générées à l'intérieur de la couche de verre 124 dans l'évaluation suivante. Les figures 8(a) à 8(d) sont des vues expliquant un procédé classique de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. 15 Les figures 9(a) à 9(d) sont des vues expliquant le procédé classique de fabrication du dispositif à semi-conducteur. Ci-après, une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, un procédé de 20 fabrication d'un dispositif à semi-conducteur et un dispositif semi-conducteur selon la présente invention sont expliqués conjointement avec les modes de réalisation montrés sur les dessins. Le mode de réalisation 1 concerne une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice. La composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1 contient Si02, A1203, CaO, MgO, et de l'oxyde de nickel, et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. Pour être plus spécifique, la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole (par exemple, 62,6 % en mole), la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole (par exemple 15,3 % en mole), la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole (5,5 % en mole), la teneur en MgO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole (par exemple, 15,6 % en mole), et la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole (par exemple, 1 % en mole). Selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice du mode de réalisation 1, comme on peut le comprendre également à partir des modes de réalisation décrits plus loin, il est possible de fabriquer un dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée à l'aide d'un matériau de verre ne contenant pas de plomb de la même manière qu'un cas classique où « un matériau de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé. Selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice du mode de réalisation 1, la composition de verre pour protéger une jonction semi10 conductrice contient de l'oxyde de nickel et par conséquent, comme on peut le comprendre à partir des exemples décrits plus loin, il est possible de supprimer la génération de bulles qui peuvent être générées à partir d'une surface limite entre une 15 « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi- 20 conductrice, moyennant quoi la détérioration d'une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur peut être supprimée. La raison pour laquelle la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole est que lorsque la teneur en SiO2 est inférieure à 53 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée ou que la propriété isolante soit diminuée, tandis que lorsque la teneur en SiO2 dépasse 73 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée. La raison pour laquelle la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole est que lorsque la teneur en A1203 est inférieure à 11 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée ou que la propriété isolante soit diminuée, tandis que lorsque la teneur en A1203 dépasse 21 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée. La raison pour laquelle la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole est que lorsque la teneur en CaO est inférieure à 3 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée, tandis que lorsque la teneur en CaO dépasse 9 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée ou la propriété isolante soit diminuée. La raison pour laquelle la teneur en MgO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole est que lorsque la teneur en MgO est inférieure à 11 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée ou que la propriété isolante soit diminuée, tandis que lorsque la teneur en MgO dépasse 21 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée. La raison pour laquelle la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole est que lorsque la teneur en oxyde de nickel est inférieure à 0,01 % en mole, il se peut qu'il devienne difficile de supprimer la génération de bulles qui peuvent être générés à partir d'une surface limite entre une « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, tandis que lorsque la teneur en oxyde de nickel dépasse 3 % en mole, il se peut qu'il devienne difficile de fabriquer un verre homogène. La composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1 peut être fabriquée de la manière suivante. A savoir, on prépare les matières premières (Si02, Al(OH)3, CaCO3, Mg(OH)2 et NiO) selon le rapport de composition mentionné ci-dessus (rapport molaire), et on mélange ces matières premières de façon suffisante par un mélangeur et, par la suite, on place la matière première mélangée dans un creuset en platine dont la température est augmentée à une température prédéterminée dans un four électrique et on la fait fondre pendant un temps prédéterminé. Ensuite, on amène la matière dans un état fondu à s'écouler du creuset et on l'alimente à des rouleaux refroidis à l'eau de sorte que l'on obtient des flocons de verre en forme de fines paillettes. Par la suite, on pulvérise les flocons de verre à une taille moyenne de particule prédéterminée par un broyeur à boulets ou similaire obtenant ainsi une composition de verre pulvérulente. La composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 2 contient Si02, A1203, CaO, ZnO, B2O3 et de l'oxyde de nickel, et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. Pour être plus spécifique, la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole (par exemple, 39,6 % en mole), la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole (par exemple, 10,9 % en mole), la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole (par exemple, 18,8 % en mole), la teneur en ZnO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole (par exemple, 22,8 % en mole), la teneur en B2O3 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole (par exemple, 6,9 % en mole), et la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole (par exemple, 1 % en mole). Selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice du mode de réalisation 2, comme on peut le comprendre également à partir des 20 exemples décrits plus loin, il est possible de fabriquer un dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée à l'aide d'un matériau en verre ne contenant pas de plomb de la même manière qu'un cas classique où « un matériau en verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé. Selon la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice du mode de réalisation 2, la 5 composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice contient de l'oxyde de nickel et par conséquent, comme on peut également le comprendre clairement à partir des exemples décrits plus loin, il est possible de supprimer la génération de bulles qui 10 peuvent être générées à partir d'une surface limite entre une « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche 15 réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, moyennant quoi la détérioration d'une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur peut être supprimée. 20 La raison pour laquelle la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole est que lorsque la teneur en SiO2 est inférieure à 32 % en mole, il se peut que résistance à des produits chimiques soit diminuée ou que la propriété isolante soit diminuée, tandis que lorsque la teneur en SiO2 dépasse 48 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée. La raison pour laquelle la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole est que lorsque la teneur en A1203 est inférieure à 9 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée ou que la propriété isolante soit diminuée, tandis que lorsque la teneur en A1203 dépasse 13 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée. La raison pour laquelle la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole est que lorsque la teneur en CaO est inférieure à 15 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée, tandis que lorsque la teneur en CaO dépasse 23 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée ou que la propriété isolante soit diminuée. La raison pour laquelle la teneur en ZnO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole est que lorsque la teneur en ZnO est inférieure à 18 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée, tandis que lorsque la teneur en ZnO dépasse 28 % en mole, il se peut que la résistance à des produits chimiques soit diminuée, que la propriété isolante soit diminuée, ou que des bulles soient générées à l'intérieur de la couche de verre. La raison pour laquelle la teneur en 3203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole est que lorsque la teneur en 3203 est inférieure à 3 % en mole, une température de cuisson a tendance à devoir être augmentée, tandis que lorsque la teneur en 3203 dépasse 10 % en mole, il se peut que la propriété isolante soit diminuée. La raison pour laquelle la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole est que lorsque la teneur en oxyde de nickel est inférieure à 0,01 % en mole, il se peut qu'il devienne difficile de supprimer la génération de bulles qui peuvent être générées à partir d'une surface limite entre une « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, tandis que lorsque la teneur en oxyde de nickel dépasse 3 % en mole, il se peut qu'il devienne difficile de 5 fabriquer un verre homogène. La composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 2 peut être fabriquée de la manière suivante. A savoir, on prépare les matières premières (Si02, Al(OH)3, Ca003, 10 ZnO, H3B03 et NiO) selon le rapport de composition mentionné ci-dessus (rapport molaire), et on mélange ces matières premières de façon suffisante par un mélangeur et, par la suite, on place la matière première mélangée dans un creuset en platine dont la 15 température est augmentée à une température prédéterminée dans un four électrique et on la fait fondre pendant un temps prédéterminé. Ensuite, on amène la matière dans un état fondu à s'écouler du creuset et on l'alimente à des rouleaux refroidis à l'eau de sorte 20 que l'on obtient des flocons de verre en forme de fines paillettes. Par la suite, on pulvérise les flocons de verre à une taille moyenne de particule prédéterminée par un broyeur à boulets ou similaire obtenant ainsi une composition de verre pulvérulente. Le mode de réalisation 3 concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation 3 est un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur qui comprend : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur qui comprend une portion d'exposition de jonction pn où une jonction pn est exposée ; et une seconde étape de formation d'une couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn dans cet ordre. A la seconde étape, la couche de verre est formée à l'aide d'une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice qui contient Si02, A1203, CaO, MgO et de l'oxyde de nickel, et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K (la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1). La première étape comprend une étape de préparation d'un substrat semi-conducteur comprenant une jonction pn agencée en parallèle à une surface principale du substrat semi-conducteur, et une étape de formation d'une tranchée ayant une profondeur qui va au-delà de la jonction pn telle que mesurée à partir d'une surface du substrat semi-conducteur formant ainsi la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée, et la seconde étape comprend une étape de formation de la couche de verre de sorte que la couche de verre couvre directement la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée. Les figures 1(a) à 1(d) et les figures 2(a) à 2(d) sont des vues expliquant un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3. A savoir, les figures 1(a) à 1(d) et les figures 2(a) à 2(d) sont des vues montrant des étapes respectives du procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, comme le montrent les figures 1(a) à 1(d) et les figures 2(a) à 2(d), « l'étape de formation de substrat semiconducteur », « l'étape de formation de tranchée,», « l'étape de formation de couche de verre », « l'étape de formation de photorésine », « l'étape d'élimination de film d'oxyde », « l'étape de formation de région de surface rugosifiée », « l'étape de formation d'électrode », et « l'étape de découpe de substrat semi-conducteur » sont réalisées dans cet ordre. Par la suite, le procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation 3 est expliqué dans l'ordre des étapes. (a) Etape de formation de substrat semi-conducteur Tout d'abord, une couche de diffusion de type p+ 112 est formée par diffusion d'une impureté de type p à partir d'une surface d'un substrat semiconducteur de type n- (substrat en silicium de type n-) 110, et une couche de diffusion de type n+ 114 est formée par diffusion d'une impureté de type n à partir de l'autre surface du substrat semi-conducteur de type n- 110 formant ainsi un substrat semi-conducteur dans lequel une jonction pn agencée en parallèle à une surface principale du substrat semi-conducteur est formée. Par la suite, des films d'oxyde 116, 118 sont formés par oxydation thermique sur une surface de la couche de diffusion de type p+ 112 et une surface de la couche de diffusion de, type n+ 114 respectivement (voir la figure 1(a)). (b) Etape de formation de tranchée Ensuite, une portion d'ouverture prédéterminée est formée sur le film d'oxyde 116 à une position prédéterminée par un procédé de photogravure. Après la gravure du film d'oxyde, le substrat semi-conducteur est ultérieurement gravé formant ainsi une tranchée 120 ayant une profondeur qui va au-delà de la jonction pn telle que mesurée à partir d'une surface du semiconducteur (voir la figure 1(b)). (c) Etape de formation de couche de verre Ensuite, une couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1 est formée sur une surface interne de la tranchée 120 et une surface du substrat semi-conducteur à proximité de la tranchée 120 par électrophorèse, et la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est cuite de sorte qu'une couche de verre 124 pour passivation est formée (voir la figure 1(c)). En conséquence, la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée 120 est directement couverte par la couche de verre 124. (d) Etape de formation de photorésine Ensuite, une photorésine 126 est formée de sorte 20 que la photorésine 126 couvre une surface de la couche de verre 112 (voir la figure 1(d)). (e) Etape d'élimination de film d'oxyde Ensuite, le film d'oxyde 116 est gravé à l'aide de la photorésine 126 en tant que masque de sorte que le film d'oxyde 116 au niveau d'une position 130 où un film d'électrode à plaquage Ni doit être formé est éliminé (voir la figure 2(a)). (f) Etape de formation de région de surface 5 rugosifiée Ensuite, une surface du substrat semi-conducteur au niveau de la position 130 où le film d'électrode à plaquage Ni doit être formé est soumise à un traitement de rugosification de surface formant ainsi une région 10 de surface rugosifiée 132 pour améliorer l'adhésivité entre une électrode à plaquage Ni et le substrat semiconducteur (voir la figure 2(b)). (g) Etape de formation d'électrode Ensuite, un plaquage Ni est appliqué sur le 15 substrat semi-conducteur formant ainsi une électrode anode 134 sur la région de surface rugosifiée 132 et formant une électrode cathode 136 sur l'autre surface du substrat semi-conducteur (voir la figure 2(c)). (h) Etape de découpe de substrat semi-conducteur 20 Ensuite, le substrat semi-conducteur est découpé par découpage en dés ou similaire au niveau d'une portion centrale de la couche de verre 124 divisant ainsi le substrat semi-conducteur en puces qui constituent les dispositifs à semi-conducteur mesa (diodes pn) (voir la figure 2(d)). Grâce aux étapes mentionnées ci-dessus, le dispositif à semi-conducteur mesa ayant une tension de 5 claquage élevée (dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3) peut être fabriqué. Un mode de réalisation 4 concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semi- 10 conducteur selon le mode de réalisation 4 est, de la même façon que le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une 15 première étape de préparation d'un élément semiconducteur qui comprend une portion d'exposition de jonction pn où une jonction pn est exposée ; et une seconde étape de formation d'une couche de verre de, telle sorte que la couche de verre couvre la portion 20 d'exposition de jonction pn dans cet ordre. A la seconde étape, la couche de verre est formée à l'aide d'une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice qui contient Si02, A1203, CaO, MgO et de l'oxyde de nickel, et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K (la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1). Cependant, ce qui diffère du procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon le mode de réalisation 3, dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon le mode de réalisation 4, est que la première étape comprend une étape de préparation de la portion d'exposition de jonction pn sur une surface du substrat semi-conducteur, et la seconde étape comprend une étape de formation de la couche de verre de telle sorte que la couche de verre couvre directement la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semi-conducteur. Les figures 3(a) à 3(c) et les figures 4(a) à 4(c) sont des vues expliquant un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 4. A savoir, les figures 3(a) à 3(c) et les figures 4(a) à 4(c) sont des vues montrant des étapes respectives du procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Dans le procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 4, comme le montrent les figures 3(a) à 3(c) et les figures 4(a) à 4(c), « l'étape de formation de substrat semiconducteur », « l'étape de formation de couche de diffusion de type p+ », « l'étape de formation de couche de diffusion de type n+ », « l'étape de formation de couche de verre », « l'étape de gravure de couche de verre » et « l'étape de formation d'électrode » sont réalisées dans cet ordre. Par la suite, le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 4 est expliqué dans l'ordre des étapes. (a) Etape de formation de substrat semi-conducteur Tout d'abord, on prépare un substrat semiconducteur où une couche épitaxiale de type n- 212 est stratifiée sur un substrat de silicium de type n+ 210 (voir la figure 3(a)). (b) Etape de formation de couche de diffusion de type p+ Ensuite, après la formation d'un masque Ml sur la couche épitaxiale de type n- 212, on implante une impureté de type p (ion de bore, par exemple) dans une région prédéterminée sur une surface de la couche épitaxiale de type n- 212 par un procédé d'implantation d'ions à l'aide du masque Ml. Puis, une couche de diffusion de type ID+ 214 est formée par diffusion thermique (voir la figure 3(b)). c) Etape de formation de couche de diffusion de type ri+ Ensuite, le masque Ml est éliminé de la couche épitaxiale de type n- 212 et un masque 2 est formé sur la couche épitaxiale de type n- 212. Par la suite, on implante une impureté de type n (ion arsénique, par exemple) dans une région prédéterminée sur la surface de la couche épitaxiale de type n- 212 par un procédé d'implantation d'ions à l'aide du masque 2. Ensuite, une couche de diffusion de type n+ 216 est formée par diffusion thermique (voir la figure 3(c)). (d) Etape de formation de couche de verre Ensuite, le masque M2 est éliminé de la couche épitaxiale de type n- 212. Par la suite, une couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1 est formée sur la surface de la couche épitaxiale de type n- 212 par un procédé de dépôt à la tournette et, par la suite, la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est cuite formant ainsi une couche de verre 215 pour la passivation (voir la figure 4(a)). (e) Etape de gravure de couche de verre Ensuite, un masque M3 est formé sur une surface de la couche de verre 215, et, par la suite, la couche de verre 215 est gravée (voir la figure 4(b)). Du fait d'une telle gravure, une couche de verre 217 est formée sur une région prédéterminée sur la surface de la couche épitaxiale de type n- 212. (f) Etape de formation d'électrode Ensuite, le masque M3 est éliminé de la surface de 10 la couche de verre 215 et, par la suite, une électrode anode 218 est formée sur une région de la surface du substrat semi-conducteur entourée par la couche de verre 217, et une électrode cathode 220 est formée sur une surface arrière du substrat semi-conducteur (voir 15 la figure 4(c)). Grâce aux étapes mentionnées ci-dessus, un dispositif à semi-conducteur plus plan ayant une tension de claquage élevée (le dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation 4) peut être 20 fabriqué. La figure 5 est un tableau montrant les résultats des exemples. Dans les exemples, on prépare les matières premières pour qu'elles aient des rapports de composition décrits dans les exemples 1 et 2 et les exemples de référence 1 à 4 (voir la figure 5), et on mélange ces matières premières de façon suffisante par un mélangeur et, par la suite, on place la matière première mélangée dans un creuset en platine dont la température est augmentée à une température de 1 550 °C dans un four électrique et on la fait fondre pendant deux heures. Par la suite, on amène la matière dans un état fondu à s'écouler du creuset et on l'alimente à des rouleaux refroidis à l'eau de sorte que l'on obtient des flocons de verre sous forme de fines paillettes. Par la suite, on pulvérise les flocons de verre à une taille moyenne de particule de 5 }gym par un broyeur à boulets obtenant ainsi une composition de verre pulvérulente. Les matières premières utilisées dans les exemples sont Si02, Al(OH)3, Ca03, Mg(OH)2, ZnO, H3B03, NiO et PbO. On évalue les compositions de verre respectives obtenues par les procédés mentionnés ci-dessus par les apparences d'évaluation suivants. Apparence d'évaluation 1 (fardeau environnemental) L'objectif de la présente invention réside en ce qu'un dispositif à semi-conducteur ayant une tension de claquage élevée peut être fabriqué en utilisant un matériau de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que le cas classique où « un matériau de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal » est utilisé et par conséquent, le résultat « bon » est donné lorsque la composition de verre ne contient pas de composant plomb, et le résultat « mauvais » est donné lorsque la composition de verre contient un composant plomb. Apparence d'évaluation 2 (température de cuisson) Lorsque la température de cuisson est trop élevée, la température de cuisson influence largement un dispositif à semi-conducteur en cours de fabrication. En conséquence, le résultat « bon » est donné lorsque la température de cuisson est inférieure ou égale à 1 100 °C, le résultat « passable » est donné lorsque la température de cuisson se situe dans une plage de 1 100 °C à 1 200 °C, et le résultat « mauvais » est donné lorsque la température de cuisson dépasse 1 200 °C. Apparence d'évaluation 3 (résistance chimique) Le résultat « bon » est donné lorsque la composition de verre présente une insolubilité à tous les éléments parmi l'eau régale, une solution de plaquage et un acide fluorhydrique, et le résultat « mauvais » est donné lorsque la composition de verre présente une solubilité à l'un quelconque de l'eau régale, d'une solution de plaquage et d'un acide fluorhydrique. Apparence d'évaluation 4 (coefficient de dilatation thermique moyen) Le résultat « bon » est donné lorsque la différence entre un coefficient de dilatation thermique moyen de la composition de verre et un coefficient de dilatation thermique moyen (3,73 x 10-6) du silicium à une température de 50 °C à 500 °C est inférieure ou égale à « 0,5 x 10-6 », le résultat « passable » est donné lorsque la différence se situe dans une plage de « 0,5 x 10-6 à 1,0 x 10-6 », et le résultat « mauvais » est donné lorsque la différence dépasse « 1,0 x 10-6 ». Apparence d'évaluation 5 (propriété isolante) Un dispositif à semi-conducteur (diode pn) est fabriqué par le même procédé que le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, et une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semiconducteur fabriqué est mesurée. Par suite, le résultat « bon » est donné lorsque la caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur se situe dans une plage normale, et le résultat « mauvais » est donné lorsque la caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semiconducteur se situe en dehors d'une plage normale. Apparence d'évaluation 6 (présence ou non-présence de génération de bulles) Un dispositif à semi-conducteur (diode pn) est fabriqué par le même procédé que le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, et on observe si des bulles sont générées ou non à l'intérieur de la couche de verre (en particulier, à proximité d'une surface limite entre la couche de verre et le substrat en silicium) (évaluation préliminaire). En outre, une couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice est formée en appliquant par revêtement la composition de verre pour protéger une jonction semiconductrice selon le mode de réalisation 1 sur le substrat en silicium ayant une taille de 10 mm carré, et la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est cuite formant ainsi la couche de verre. Ensuite, on observe si des bulles sont générées ou non à l'intérieur de la couche de verre (en particulier, à proximité de la surface limite entre la couche de verre et le substrat en silicium) (évaluation ultérieure). Les figures 6(a) et 6(b) sont des vues expliquant les bulles b générées à l'intérieur de la couche de verre 124 dans l'évaluation préliminaire. La figure 6(a) est une vue en coupe d'un dispositif à semi-conducteur lorsque les bulles b ne sont pas générées, tandis que la figure 6(b) est une vue en coupe d'un dispositif à semi-conducteur lorsque les bulles b sont générées. Les figures 7(a) et 7(b) sont des photographies expliquant les bulles b générées à l'intérieur de la couche de verre 124 dans l'évaluation ultérieure. La figure 7(a) est une photographie montrant une surface limite entre un substrat en silicium de type n- 110 et la couche de verre 124 lorsque les bulles b ne sont pas générées, tandis que la figure 7(b) est une photographie montrant une surface limite entre le substrat en silicium de type n- 110 et la couche de verre 124 lorsque les bulles b sont générées de façon agrandie. Suite à l'expérience, on comprend qu'il existe une relation de correspondance favorable entre le résultat d'évaluation préliminaire et le résultat d'évaluation ultérieure de la présente invention. dans l'évaluation ultérieure, le résultat « bon » est donné lorsqu'aucune bulle ayant un diamètre de 50 pm ou plus n'est générée à l'intérieur de la couche 124, le résultat « passable » est donné lorsqu'une à vingt bulles ayant un diamètre de 50 pm ou plus sont générées à l'intérieur de la couche de verre 124, et le résultat « mauvais » est donné lorsque vingt bulles ou plus ayant un diamètre de 50 }gym ou plus sont générées à l'intérieur de la couche de verre 124. Evaluation globale Le résultat « bon » est donné lorsque les résultats respectifs donnés en conformité avec les apparences d'évaluation 1 à 6 mentionnés ci-dessus sont tous « bons », le résultat « passable » est donné lorsqu'au moins un des résultats respectifs est « passable », et le résultat « mauvais » est donné lorsqu'au moins un des résultats respectifs est « mauvais ». Comme on peut le comprendre à partir de la figure 5, le résultant « passable » est donné à la composition de verre des exemples de référence 1 et la composition de verre de l'exemple de référence 2 par rapport à l'apparence d'évaluation 6. En outre, le résultat « mauvais » est donné à la composition de 5 verre de l'exemple de référence 3 par rapport à l'apparence d'évaluation 1. En outre, le résultat « mauvais » est donné à la composition de verre de l'exemple de référence 4 par rapport à l'apparence d'évaluation 3. Au contraire, le résultat « bon » est 10 donné à la fois à la composition de verre de l'exemple 1 et la composition de verre de l'exemple 2 par rapport à toutes les apparences d'évaluation (apparences d'évaluation 1 à 6). En conséquence, on trouve qu'à la fois la composition de verre du mode de réalisation 1 15 et la composition de verre de l'exemple 2 sont des matériaux de verre ne contenant pas de plomb, et sont également les compositions de verre qui satisfont toutes les conditions (a) à (d), à savoir, la condition (a) selon laquelle le matériau en verre doit être cuit 20 à une température correcte (1 100 °C ou moins, par exemple), la condition (b) selon laquelle le matériau de verre supporte des produits chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) selon laquelle le matériau de verre a un coefficient de dilatation thermique proche d'un coefficient de dilatation thermique du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation thermique moyen à une température de 50 °C à 500 °C qui est proche d'un coefficient de dilatation thermique 5 moyen du silicium à une température de 50 °C à 500 °C, et la condition (d) selon laquelle le matériau de verre présente une excellente propriété isolante, et peut supprimer la génération de bulles qui peuvent être générées à partir d'une surface limite entre une 10 « couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice » formée par électrophorèse et un substrat semi-conducteur (silicium) pendant un procédé de cuisson de la couche réalisée en composition de verre pour protéger une jonction semi- 15 conductrice, moyennant quoi la détérioration d'une caractéristique de tension de claquage inverse du dispositif à semi-conducteur peut être supprimée. Bien que la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, le procédé de fabrication 20 d'un dispositif à semi-conducteur et le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention aient été expliqués auparavant, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation mentionnés ci-dessus, et diverses modifications de la présente invention peuvent être réalisées y compris les modifications suivantes, par exemple, sans s'écarter du sens général de la présente invention. Dans le mode de réalisation 3 mentionné ci-dessus, 5 à la seconde étape, la couche de verre est formée de telle sorte que la couche de verre couvre directement la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée. Cependant, la présente invention n'est pas limitée à une telle constitution. Par exemple, un film 10 isolant peut être formé sur la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée et, par la suite, une couche de verre peut être formée de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn avec le film isolant 15 interposé entre elles. Dans le mode de réalisation 4 mentionné ci-dessus, à la seconde étape, la couche de verre est formée telle sorte que la couche de verre couvre directement la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du 20 substrat semi-conducteur. Cependant, la présente invention n'est pas limitée à une telle constitution. Par exemple, un film isolant peut être formé sur la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semi-conducteur et, par la suite, la couche de verre peut être formée de telle sorte que la couche de verre couvre la portion d'exposition de jonction pn avec le film isolant interposé entre elles. Dans les modes de réalisation 3 et 4 mentionnés ci-dessus, la couche de verre est formée en utilisant la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1. Cependant, la présente invention n'est pas limitée à une telle constitution. Par exemple, la couche de verre peut être formée en utilisant la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 2. Encore en outre, la couche de verre peut être formée en utilisant une autre composition de verre pour protéger une jonction semi- conductrice qui contient au moins Si02, A1203, MO et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Na et K. Ici, M dans ledit MO indique l'un des métaux alcalino-terreux. Dans les modes de réalisation 1 et 2 mentionnés ci-dessus, l'oxyde de nickel est utilisé en tant qu'« au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse ». Cependant, la présente invention n'est pas limitée à une telle constitution. Par exemple, l'oxyde de cuivre ou l'oxyde de manganèse peuvent être utilisés en tant qu'« au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde ». de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse Explication des symboles 100, 200, 900 : dispositif à semi-conducteur 110, 910 : substrat semi-conducteur de type n- 112, 912 : couche de diffusion de type p+ 114, 914 : couche de diffusion de type n- 116, 118, 916, 918 : film d'oxyde 120, 920 : tranchée 124, 924 : couche de verre 126, 926 : photorésine 130, 930 : position où le film d'électrode à plaquage Ni doit être formé 132, 932 : région de surface rugosifiée 134, 934 : électrode anode 136, 936 : électrode cathode 210 : substrat semi-conducteur de type n' 212 : couche épitaxiale de type n- 214 : couche de diffusion de type p+ 216 : couche de diffusion de type n+ 215, 217 : couche de verre 218 : couche d'électrode anode 220 : couche d'électrode cathode b : bulle. REVENDICATIONS1. Composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice, dans laquelle la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contient au moins SiO2, A1203, MO et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contenant sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. (Ici, M dans ledit MO indique l'un des métaux alcalino-terreux). 2. Composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la revendication 1, dans laquelle la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contient de l'oxyde de nickel en tant que ledit « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse ». 3. Composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la revendication 2, dans laquelle la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole,la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole, la teneur en MgO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. 4. Composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice selon la revendication 2, dans laquelle la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole, la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole, la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole, la teneur en ZnO est établie à une valeur qui se 20 situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole, la teneur en B2O3 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole, etla teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi5 conducteur (100, 200, 900) comprenant : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur ayant une portion d'exposition de jonction pn où une jonction pn est exposée ; et une seconde étape de formation d'une couche de 10 verre (124, 924) de telle sorte que la couche de verre (124, 924) couvre la portion d'exposition de jonction pn dans cet ordre, dans lequel dans la seconde étape, la couche de verre (124, 924) est formée à l'aide d'une composition de verre 15 pour protéger une jonction semi-conductrice qui contient au moins Si02, A1203, MO, et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contenant sensiblement aucun parmi 20 Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. (Ici, M dans ledit MO indique l'un des métaux alcalino-terreux). 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (100, 200, 900) selon la revendication 5, dans lequel la première étape comprend : une étape de 5 préparation d'un substrat semi-conducteur ayant une jonction pn agencée en parallèle à une surface principale du substrat semi-conducteur ; et une étape de formation d'une tranchée (120, 920) ayant une épaisseur qui va au-delà de la jonction pn telle que 10 mesurée depuis une surface du substrat semi-conducteur formant ainsi la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée (120, 920), et la seconde étape comprend une étape de formation de la couche de verre (124, 924) de telle sorte que la 15 couche de verre (124, 924) couvre la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée (120, 920). 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (100, 200, 900) selon la revendication 6, 20 dans lequel la seconde étape comprend une étape de formation de la couche de verre (124, 924) de telle sorte que la couche de verre (124, 924) couvre directement la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée (120, 920). 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (100, 200, 900) selon la revendication 6, dans lequel la seconde étape comprend une étape de formation d'un film isolant sur la portion d'exposition de jonction pn à l'intérieur de la tranchée (120, 920), et une étape de formation de la couche de verre (124, 924) de telle sorte que la couche de verre (124, 924) couvre la portion d'exposition de jonction pn avec le film isolant interposé entre elles. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur (100, 200, 900) selon la revendication 5, dans lequel la première étape comprend une étape de formation de la portion d'exposition de jonction pn sur une 15 surface d'un substrat semi-conducteur, et la seconde étape comprend une étape de formation de la couche de verre (124, 924) de telle sorte que la couche de verre (124, 924) couvre la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat 20 semi-conducteur. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (100, 200, 900) selon la revendication 9, dans lequel la seconde étape comprend une étape de formation de la couche de verre (124, 924) de tellesorte que la couche de verre (124, 924) couvre directement la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semi-conducteur. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi5 conducteur (100, 200, 900) selon la revendication 9, dans lequel la seconde étape comprend une étape de formation d'un film isolant sur la portion d'exposition de jonction pn sur la surface du substrat semiconducteur, et une étape de formation de la couche de 10 verre (124, 924) de telle sorte que la couche de verre (124, 924) couvre la portion d'exposition de jonction pn avec le film isolant interposé entre elles. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (100, 200, 900) selon l'une quelconque des 15 revendications 5 à 11, dans lequel la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contient de l'oxyde de nickel en tant que ledit « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et 20 l'oxyde de manganèse ». 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (100, 200, 900) selon la revendication 12, dans lequel la composition de verre pour protéger unejonction semi-conductrice est établie de telle sorte que : la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole, la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole, la teneur en MgO est établie à une valeur qui se 10 situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. 14. Procédé de fabrication du dispositif à semi- 15 conducteur (100, 200, 900) selon la revendication 12, dans lequel la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est établie de telle sorte que : la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se 20 situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole, la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole, la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole,la teneur en ZnO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole, la teneur en B2O3 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. 15. Dispositif à semi-conducteur (100, 200, 900) comprenant : un élément semi-conducteur ayant une portion d'exposition de jonction pn où une jonction pn est exposée ; et une couche de verre (124, 924) qui, est formée de telle sorte que la couche de verre (124, 924) couvre la 15 portion d'exposition de jonction pn, dans lequel la couche de verre (124, 924) est formée à l'aide d'une composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice qui contient au moins Si02, A1203, MO, et « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe 20 constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse », et ne contient sensiblement aucun parmi Pb, P, As, Sb, Li, Na et K. (Ici, M dans ledit MO indique l'un des métaux alcalino-terreux).- 63 16. Dispositif à semi-conducteur (100, 200, 900) selon la revendication 15, dans lequel la composition de verre pour protéger une jonction semi-conductrice contient de l'oxyde de nickel en tant que ledit « au moins un oxyde métallique choisi dans un groupe constitué par l'oxyde de nickel, l'oxyde de cuivre et l'oxyde de manganèse ». 17. Dispositif à semi-conducteur (100, 200, 900) selon la revendication 16, dans lequel la composition 10 de verre pour protéger une jonction semi-conductrice est établie de telle sorte que : la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 53 % en mole à 73 % en mole, la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se 15 situe dans une plage de 11 % en mole à 21 % en mole, la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 9 % en mole, la teneur en MgO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 11 % en mole à 21 %.en mole, et 20 la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 3 % en mole. 18. Dispositif à semi-conducteur (100, 200, 900) selon la revendication 16, dans lequel la compositionde verre pour protéger une jonction semi-conductrice est établie de telle sorte que : la teneur en SiO2 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 32 % en mole à 48 % en mole, la teneur en A1203 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 9 % en mole à 13 % en mole, la teneur en CaO est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 15 % en mole à 23 % en mole, la teneur en ZnO est établie à une valeur qui se 10 situe dans une plage de 18 % en mole à 28 % en mole, la teneur en B2O3 est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 3 % en mole à 10 % en mole, et la teneur en oxyde de nickel est établie à une valeur qui se situe dans une plage de 0,01 % en mole à 15 3 % en mole.