Brevet FR2979166A1 — publié le 20130222

B11041 - 11-GR3-0080FRO1 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR MOS Domaine de l'invention La présente invention concerne la fabrication d'un transistor MOS. Elle vise plus particulièrement la fabrication d'un transistor MOS comportant une grille conductrice comprenant 5 au moins une couche métallique. Exposé de l'art antérieur Un transistor MOS comprend couramment une grille conductrice isolée formée à la surface d'un substrat semiconducteur, par exemple un substrat de silicium. La grille 10 délimite des régions de source et de drain du transistor. Dans un exemple de réalisation classique, la grille conductrice est en silicium polycristallin, et est isolée du substrat par une couche d'oxyde de silicium. La grille isolée est généralement formée à la surface du substrat avant la 15 formation des régions de source et de drain du transistor. La grille sert notamment de masque lors d'une étape d'implantation d'éléments dopants dans les régions de source et de drain. Après l'implantation, un recuit d'activation des éléments dopants est prévu à une température relativement élevée, par exemple à une 20 température supérieure à 600°C. Dans certains transistors MOS, on souhaite utiliser comme isolant de grille un matériau à plus forte permittivité B11041 - 11-GR3-0080FR01 2 diélectrique que l'oxyde de silicium, et réaliser une grille conductrice comprenant au moins une couche métallique. Dans ce type de transistors MOS, le recuit d'activation des éléments dopants peut entraîner des contraintes indésirables, notamment en raison des différences de coefficient de dilatation thermique entre le matériau métallique de la grille et le substrat semiconducteur. Pour pallier cet inconvénient, on a proposé un procédé de fabrication d'un transistor MOS dans lequel la grille est 10 formée seulement après le recuit d'activation des éléments dopants. Les figures 1A à 1F illustrent de façon schématique différentes étapes d'un tel procédé et sont des vues en coupe d'une portion de substrat semiconducteur 1 à partir duquel sont 15 formés deux transistors MOS. En pratique, un grand nombre de transistors MOS sont fabriqués simultanément dans et sur une même tranche semiconductrice. La figure 1A représente une étape de formation des régions de source et de drain des transistors MOS. Chaque 20 transistor MOS est délimité par des régions isolantes 3, formées dans la partie supérieure du substrat 1. Les régions isolantes 3 sont par exemple des tranchées peu profondes remplies d'oxyde de silicium, communément désignées par l'acronyme d'origine anglo-saxonne STI ("Shallow Trench Isolation" - isolation par tranchée 25 peu profonde). Pour chaque transistor MOS, une grille 5 en silicium polycristallin est formée au-dessus d'un isolant de grille 7. La grille 5 est une grille provisoire servant à délimiter les zones d'implantation d'éléments dopants pour former les régions de 30 source et de drain 11 du transistor correspondant. Dans cet exemple, des espaceurs 9 sont prévus de part et d'autre de la grille 5 pour préserver une certaine distance entre la grille 5 et les régions de source et de drain 11. Les régions de source et de drain 11 sont ensuite 35 réalisées par implantation d'éléments dopants à partir de la B11041 - 11-GR3-0080FRO1 3 face supérieure du substrat. Après l'implantation, un recuit d'activation des éléments dopants est prévu, par exemple à une température supérieure à 600°C. La figure 1B représente une étape postérieure au recuit d'activation des éléments dopants, au cours de laquelle sont déposées successivement une couche de nitrure de silicium 13, par exemple une couche de SiN ou de Si3N4, et une couche d'oxyde de silicium 15, recouvrant les régions de source et de drain 11 et les grilles 5. La couche d'oxyde de silicium 15 a une épaisseur au moins égale à celle des grilles 5. A titre d'exemple, les grilles 5 ont une épaisseur de l'ordre de 40 à 70 nm, la couche de nitrure de silicium 13 a une épaisseur de l'ordre de 20 à 40 nm, et la couche d'oxyde de silicium 15 a une épaisseur supérieure à 200 nm. La couche de nitrure de silicium 13 sert de couche d'arrêt lors d'une étape ultérieure de gravure localisée de la couche 15 en vue de réaliser des contacts de source, de drain et de grille. La couche d'oxyde de silicium 15 sert d'isolant entre le substrat et un premier niveau métallique d'interconnexion de composants de la puce. Comme cela apparaît sur la figure 1B, la couche d'oxyde de silicium 15 présente des excroissances du côté de sa face supérieure. Ces excroissances sont situées en regard des grilles 5 (en vue de dessus), et sont liées au fait que les grilles 5 forment elles-mêmes des saillies par rapport à la surface supérieure du substrat 1. La figure 1C représente une étape d'aplanissement de la couche d'oxyde de silicium 15, et de retrait d'une partie supérieure de cette couche, par polissage mécano-chimique (CMP, acronyme d'origine anglo-saxonne signifiant "chemical mechanical planarization"). Le polissage mécano-chimique est arrêté à proximité de la couche de nitrure de silicium 13, une faible épaisseur d'oxyde de silicium 15 pouvant être maintenue au-dessus des grilles 5. La figure 1D représente une étape ultérieure de retrait d'une partie supérieure de la couche de nitrure de 35 silicium 13 et de la couche d'oxyde de silicium 15 par un B11041 - 11-GR3-0080FR01 4 deuxième polissage mécano-chimique (CMP). Le deuxième polissage mécano-chimique est arrêté lorsqu'on atteint la face supérieure des grilles 5 en silicium polycristallin. L'objectif des premier (figure 1C) et deuxième polissages mécano-chimique (figure 1D) est de retirer une partie supérieure des couches d'oxyde de silicium 15 et de nitrure de silicium 13 pour libérer l'accès à la face supérieure des grilles 5. La raison pour laquelle deux étapes de polissage distinctes sont prévues est qu'un seul polissage ne permettrait pas d'obtenir un compromis satisfaisant entre le temps de polissage et la planéité de la surface de la tranche semiconductrice obtenue à l'issue du polissage. Lors du premier polissage mécano-chimique, on privilégie la vitesse de polissage au détriment de la planéité de la surface. Lors du deuxième polissage mécano-chimique, on privilégie la planéité de la surface au détriment de la rapidité de traitement. La figure 1E représente une étape d'élimination par gravure des grilles provisoires 5 en silicium polycristallin. A l'issue de cette étape, il subsiste une ouverture 16 à l'emplacement de chaque grille provisoire 5, au fond de laquelle s'étend un isolant de grille 7. La figure 1F représente la réalisation de grilles définitives 19 dans les ouvertures 16. Chaque grille 19 comprend au moins une couche métallique 17 revêtant les parois latérales 25 et le fond de l'ouverture 16 correspondante, le reste de l'ouverture étant rempli de silicium polycristallin 18 ou d'un autre matériau conducteur de remplissage adapté, par exemple de l'aluminium. Les dimensions des grilles définitives 19 correspondent sensiblement aux dimensions des grilles provi30 soires 5 formées à l'étape décrite en relation avec la figure 1A. Ainsi, ce procédé permet de réaliser des transistors MOS munis d'une grille comprenant une couche métallique sans qu'aucun recuit à température élevée ne soit nécessaire après le 35 dépôt de la couche métallique de la grille. B11041 - 11-GR3-0080FR01 Un inconvénient de ce procédé réside dans le fait que, malgré la prévision d'un polissage mécano-chimique en deux temps, la tranche semiconductrice présente encore des défauts de planéité non négligeables à l'issue du deuxième polissage. En 5 effet, il est difficile, par de tels procédés, de polir avec la même vitesse, à l'échelle de la tranche, l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. La vitesse de polissage est sensible à la densité des motifs de grille, qui fait varier localement la proportion des zones d'oxyde de silicium par rapport aux zones 10 de nitrure de silicium. De plus, les procédés de polissage connus ne permettent pas un arrêt précis sur la couche de silicium polycristallin des grilles 5. A titre d'exemple, à l'issue du deuxième polissage mécano-chimique, on observe des variations d'épaisseur de 15 plusieurs dizaines de nanomètres à l'échelle de la tranche. En particulier, on observe un sur-polissage des couches d'oxyde de silicium 15 et de nitrure de silicium 13 dans certaines régions de la tranche semiconductrice, ce qui entraîne une réduction de la profondeur des ouvertures 16 situées dans ces régions. Il en 20 résulte des différences de fonctionnement entre les différents transistors de la tranche. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication de 25 transistors MOS palliant au moins en partie certains des inconvénients des procédés décrits ci-dessus. Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication de transistors MOS dans lequel la grille est formée après le recuit 30 d'activation des éléments dopants. Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est prévoir un procédé de fabrication de transistors MOS dans lequel la grille comprend au moins une couche métallique. B11041 - 11-GR3-0080FR01 6 Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est prévoir un procédé de fabrication de transistors MOS permettant que les grilles des transistors aient toutes la même épaisseur sur toute l'étendue d'une tranche semi- conductrice. Un mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé de fabrication d'un transistor MOS dans et sur un substrat semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : a) former une grille provisoire en silicium polycristallin à la surface du substrat ; b) revêtir la grille provisoire et le substrat d'un empilement d'une couche de nitrure de silicium et d'une couche d'oxyde de silicium, la couche d'oxyde de silicium présentant une épaisseur au moins égale à celle de la grille provisoire ; c) aplanir la face supérieure de l'empilement en retirant une partie supérieure de la couche d'oxyde de silicium par polissage mécano-chimique ; et d) retirer une partie supérieure supplémentaire de la couche d'oxyde de silicium et une partie supérieure de la couche de nitrure de silicium par gravure par plasma déporté, ladite gravure étant interrompue lorsque la face supérieure de la grille provisoire est rendue accessible. Selon un mode de réalisation de la présente invention, à l'étape d), le plasma et les conditions de gravure sont choisis de façon que l'oxyde de silicium et le nitrure de 25 silicium soient gravés à la même vitesse. Selon un mode de réalisation de la présente invention, à l'étape d), le plasma et les conditions de gravure sont choisis de façon que la gravure de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium soit sélective par rapport au silicium 30 polycristallin. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé ci-dessus comprend en outre, après l'étape d), les étapes suivantes : e) éliminer par gravure la grille provisoire ; et f) former, en remplacement de la grille B11041 - 11-GR3-0080FR01 7 provisoire, une grille définitive comprenant au moins une couche métallique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé ci-dessus comprend en outre, entre les étapes a) et 5 b), une étape de formation de régions de source et de drain par implantation d'éléments dopants suivie d'un recuit. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le plasma est généré à partir d'un mélange gazeux d'ammoniac et de trifluorure d'azote. 10 Selon un mode de réalisation de la présente invention, à l'étape d), la température de la partie supérieure de la couche d'oxyde de silicium et de la couche de nitrure de silicium varie alternativement entre une température haute et une température basse. 15 Selon un mode de réalisation de la présente invention, ladite température haute est comprise entre 140°C et 180°C, et ladite température basse est comprise entre 20°C et 40°C. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium est supérieure à 20 200 nm ; l'épaisseur de la couche de nitrure de silicium est comprise entre 20 et 40 nm ; et l'épaisseur de la grille provisoire en silicium polycristallin est comprise entre 40 et 70 nm. Brève description des dessins 25 Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures lA à 1F, décrites précédemment, sont des 30 vues en coupe d'une portion de substrat semiconducteur, illustrant de façon schématique différentes étapes d'un procédé de fabrication de transistors MOS ; et la figure 2 illustre de façon schématique un équipement comprenant une chambre de gravure par plasma et une B11041 - 11-GR3-0080FRO1 8 enceinte de génération d'un plasma en dehors de la chambre de gravure. Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures 5 et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Description détaillée Dans les procédés du type décrit en relation avec les figures 1A à 1F, un double polissage mécano-chimique est prévu 10 pour retirer une partie supérieure d'une couche d'oxyde de silicium 15 et d'une couche de nitrure de silicium 13 de façon à libérer l'accès à la face supérieure de grilles provisoires 5 en silicium polycristallin. Les inventeurs proposent ici de remplacer le deuxième polissage mécano-chimique par une gravure 15 par plasma. Dans un mode de réalisation préféré, les inventeurs proposent d'utiliser une gravure par plasma déporté, c'est-à-dire que le plasma est généré non pas dans la chambre de gravure elle-même, mais dans une enceinte extérieure à la chambre, des particules issues du plasma étant ensuite introduites dans la 20 chambre pour la gravure. Dans un exemple de réalisation, des étapes initiales de fabrication sont prévues, comprenant : - la formation de grilles provisoires 5 en silicium polycristallin à la surface d'un substrat semiconducteur 1 ; 25 - la formation, par implantation d'éléments dopants suivie d'un recuit d'activation des éléments dopants, de régions de source et de drain 11 délimitées par les grilles provisoires 5 ; - les dépôts successifs d'une couche de nitrure de 30 silicium 13 et d'une couche d'oxyde de silicium 15 au-dessus des régions de source et de drain 11 et des grilles provisoires 5 ; et - un polissage mécano-chimique pour aplanir la couche d'oxyde de silicium 15 et retirer une partie supérieure de cette 35 couche. B11041 - 11-GR3-0080FRO1 9 Ces étapes correspondent par exemple aux étapes de fabrication décrites ci-dessus en relation avec les figures 1A à 1C. Le polissage mécano-chimique est arrêté à proximité de la couche de nitrure de silicium 13, une faible épaisseur d'oxyde de silicium 15 pouvant être maintenue au-dessus des grilles 5. Après le polissage, les inventeurs proposent de mettre en oeuvre une gravure par plasma, pour retirer une partie supérieure de la couche de nitrure de silicium 13 et de la couche d'oxyde de silicium 15, de façon à libérer l'accès à la face supérieure des grilles provisoires 5. Après que la face supérieure des grilles 5 a été libérée, des étapes ultérieures de fabrication sont prévues, comprenant : - le retrait des grilles provisoires 5 ; et - la formation de grilles définitives 19 comprenant au moins une couche métallique 17. Ces étapes correspondent par exemple respectivement aux étapes décrites ci-dessus en relation avec les figures 1E et 1F. La figure 2 est une vue en coupe illustrant un exemple d'équipement adapté à la mise en oeuvre de l'étape de gravure par plasma déporté prévue pour libérer l'accès à la face supérieure des grilles provisoires 5. Cet équipement comprend une chambre de gravure 21, entourée de parois 33, et une enceinte de génération d'un plasma 23, disposée à l'extérieur de la chambre de gravure. Dans cet exemple, la chambre 21 a une forme sensiblement parallélépipédique. Un conduit 25 permet d'acheminer des réactifs sous forme gazeuse jusqu'à l'enceinte 23. Dans la partie supérieure de la chambre de gravure, un diffuseur comprenant deux plaques perforées 27 est destiné à distribuer uniformément dans la chambre 21 des particules issues du plasma généré dans l'enceinte 23. Une plaque métallique 31, maintenue parallèle aux faces supérieure et inférieure de la chambre 21, est disposée sous le diffuseur 27 et comprend des B11041 - 11-GR3-0080FRO1 10 ouvertures permettant le passage des particules. La plaque 31 délimite les parties supérieure et inférieure de la chambre 21. Un support 39, situé dans la partie inférieure de la chambre 21, est adapté à recevoir une tranche semiconductrice 37 dans une position parallèle à la plaque 31. Le support 39 est mobile, ce qui permet de faire varier la distance séparant la tranche 37 de la plaque 31. En fonctionnement, des réactifs sous forme gazeuse sont acheminés par le conduit 25 dans l'enceinte 23. Un plasma est généré dans l'enceinte 23 à partir de ces réactifs. La tranche 37 est placée sur le support 39. La plaque 31 est reliée à des moyens de chauffage non représentés, et constitue une source de chaleur destinée à maintenir la chambre à une température adaptée à l'opération de gravure. Dans un premier temps, le support 39 est en position basse, c'est-à-dire que la tranche 37 est éloignée de la plaque 31. Les particules issues du plasma sont dirigées vers la surface de la tranche 37 par le diffuseur 27. Les particules sont absorbées par la surface supérieure de la tranche 37, et réagissent avec l'oxyde de silicium de la couche 15 et/ou le nitrure de silicium de la couche 13. L'émission de particules vers la tranche 37 est ensuite arrêtée, par exemple en interrompant l'arrivée des réactifs gazeux dans le conduit 25, et le support 39 est déplacé en position haute de façon à rapprocher la tranche 37 de la plaque 31. Il en résulte une augmentation de la température de la face supérieure de la tranche 37. L'augmentation de température entraîne la sublimation des sous-produits des réactions chimiques qui ont eu lieu à la surface de la tranche 37, d'où il résulte un léger amincissement de la couche d'oxyde de silicium 15 et/ou de la couche de nitrure de silicium 13. Après la sublimation, le support 39 est déplacé en position basse pour éloigner la tranche 37 de la plaque 31, et le plasma peut être à nouveau activé. La gravure de la couche d'oxyde de silicium 15 et de la couche de nitrure de silicium 13 est ainsi réalisée par cycles répétés d'absorption des particules issues B11041 - 11-GR3-0080FR01 11 du plasma (support 39 en position basse) et de sublimation des sous-produits de réaction (support 39 en position haute). A titre d'exemple, à chaque cycle d'absorption/sublimation, une épaisseur de l'ordre de 5 nm de la couche 15 et/ou de la couche 13 est retirée, ce qui permet un contrôle très précis de l'épaisseur gravée. On soulignera que le procédé de gravure par plasma déporté utilisé ici permet d'obtenir une très bonne uniformité de gravure et des sélectivités de gravure de valeurs très élevées, couramment supérieures à 100 pour 1, c'est-à-dire qu'un premier matériau est retiré 100 fois plus vite qu'un second matériau. Ces performances ne se retrouvent pas dans les autres procédés de gravure ionique réactive (bien connus de l'homme de métier sous la désignation anglo-saxonne de R.I.E, pour "Reactive Ion Etching"). Les réactifs et les conditions de gravure sont choisis de façon à obtenir une même vitesse de gravure du nitrure de silicium de la couche 13 et de l'oxyde de silicium de la couche 15. Ceci permet d'obtenir une bonne planéité de la surface supérieure de la tranche semiconductrice. De plus, les réactifs et les conditions de gravure sont choisis de façon à obtenir une excellente sélectivité de gravure du nitrure de silicium de la couche 13 et de l'oxyde de silicium de la couche 15 par rapport au silicium polycristallin des grilles 5, par exemple une sélectivité supérieure à 100 pour 1, par exemple 200 pour 1. Ceci permet d'arrêter la gravure des couches 13 et 15 précisément dès que la face supérieure des grilles 5 est atteinte. A titre d'exemple, en fonctionnement, la plaque 31 est chauffée à une température comprise entre 160 et 200°C, les parois 33 sont à une température comprise entre 70 et 75°C environ et le support 39 est à une température comprise entre 30 et 40°C. Le plasma est généré à partir d'un mélange gazeux d'ammoniac (NH3) et de trifluorure d'azote (NF3), la quantité de NF3 dans le mélange étant comprise par exemple entre 0,2 et B11041 - 11-GR3-0080FR01 12 fois la quantité de NH3, par exemple de l'ordre de 2 fois la quantité de NH3. De l'hydrogène peut être ajouté au mélange gazeux. La température de la tranche 37 est par exemple comprise entre 20 et 40°C pendant les phases d'absorption des particules 5 issues du plasma (support 39 en position basse), et la température de la surface supérieure de la tranche est comprise entre 140 et 180°C, par exemple de l'ordre de 150°C, pendant les phases de sublimation des sous-produits de réaction (support 39 en position haute). La pression dans la chambre de gravure est 10 par exemple comprise entre 1 et 5 Torr, par exemple de l'ordre de 3 Torr (1 Torr équivalent environ à 133,32 Pa). Un avantage du mode de réalisation proposé est qu'il permet d'obtenir une très bonne uniformité de l'épaisseur de la tranche semiconductrice. A titre d'exemple, à l'issue de l'étape 15 de gravure par plasma déporté, on observe des variations d'épaisseur de moins de 2 nm à l'échelle de la tranche, ce que ne permet pas d'obtenir un polissage mécano-chimique du type décrit en relation avec la figure 1D. Ainsi, le procédé proposé permet de contrôler l'épaisseur des grilles des transistors MOS 20 plus précisément que les procédés de fabrication usuels. On a décrit un mode de réalisation dans lequel, à l'issue de l'étape d'aplanissement et de retrait d'une partie supérieure de la couche d'oxyde de silicium 15, une mince épaisseur d'oxyde de silicium recouvre la couche de nitrure de 25 silicium 13 au-dessus des grilles 5. On pourra prévoir une variante dans laquelle le polissage mécano-chimique conduit directement à rendre accessible la couche de nitrure de silicium 13. Le polissage mécano-chimique pourra alors éventuellement être réalisé en deux temps. 30 Dans le cas où une mince épaisseur d'oxyde de silicium est maintenue au-dessus de la couche de nitrure de silicium 13 au-dessus des grilles 5, on pourra prévoir de réaliser l'étape de gravure par plasma en deux temps. Lors d'une première étape de gravure par plasma, on choisit des réactifs et des conditions 35 de gravure aptes à graver l'oxyde de silicium de la couche 15 de B11041 - 11-GR3-0080FR01 13 manière sélective par rapport au nitrure de silicium de la couche 13. Lors d'une deuxième étape de gravure par plasma, on choisit des réactifs et des conditions de gravure aptes à graver l'oxyde de silicium de la couche 15 et le nitrure de silicium de la couche 13 à la même vitesse, et de manière sélective par rapport au silicium polycristallin des grilles 5. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, dans le procédé décrit en relation avec les figures 1A à 1F, la couche d'isolant 7 disposée entre le substrat 1 et les grilles provisoires 5 constitue l'isolant de grille définitif des transistors. Dans une variante de ce procédé, on pourra prévoir un isolant 7 provisoire, ou de former les grilles 5 provisoires directement sur le substrat 1. Dans le cas où un isolant provisoire est prévu, cet isolant devra être retiré à l'étape de retrait des grilles provisoires (figure 1E), et un nouvel isolant de grille définitif devra être déposé à l'étape de formation des grilles définitives (figure 1F). Dans le mode de réalisation décrit en relation avec les figures 1A à 1F, les grilles définitives 19 sont constituées d'une couche métallique 17 recouverte d'une couche de silicium polycristallin 18 ou d'un autre matériau conducteur adapté, par exemple de l'aluminium. L'invention ne se restreint pas à cet exemple particulier. L'homme de l'art saura adapter le procédé proposé quel que soit l'empilement conducteur utilisé pour former les grilles définitives 19 et quelle que soit la nature de l'isolant de grille 7. On a décrit à titre d'exemple un équipement parti-30 culier de gravure par plasma déporté. L'homme de l'art saura utiliser tout autre équipement adapté. A titre d'exemple, on a décrit que le mélange gazeux utilisé pour générer le plasma est un mélange d'ammoniac (NH3) et de trifluorure d'azote (NF3). Tout autre mélange de réactifs 35 et/ou toutes autres conditions de pression et de température B11041 - 11-GR3-0080FRO1 14 aptes à graver, à la même vitesse, de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium, et de manière sélective par rapport à du silicium polycristallin, pourront être utilisées. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un transistor MOS dans et sur un substrat semiconducteur (1), comprenant les étapes suivantes : a) former une grille provisoire (5) en silicium 5 polycristallin à la surface du substrat (1) ; b) revêtir la grille provisoire (5) et le substrat (1) d'un empilement d'une couche de nitrure de silicium (13) et d'une couche d'oxyde de silicium (15), la couche d'oxyde de silicium (15) présentant une épaisseur au moins égale à celle de 10 la grille provisoire (5) ; c) aplanir la face supérieure de l'empilement en retirant une partie supérieure de la couche d'oxyde de silicium (15) par polissage mécano-chimique ; et d) retirer une partie supérieure supplémentaire de la 15 couche d'oxyde de silicium (15) et une partie supérieure de la couche de nitrure de silicium (13) par gravure par plasma déporté, ladite gravure étant interrompue lorsque la face supérieure de la grille provisoire (5) est rendue accessible. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à 20 l'étape d), le plasma et les conditions de gravure sont choisis de façon que l'oxyde de silicium (15) et le nitrure de silicium (13) soient gravés à la même vitesse. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, à l'étape d), le plasma et les conditions de gravure sont 25 choisis de façon que la gravure de l'oxyde de silicium (15) et du nitrure de silicium (13) soit sélective par rapport au silicium polycristallin (5). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre, après l'étape d), les étapes 30 suivantes : e) éliminer par gravure la grille provisoire (5) ; et f) former, en remplacement de la grille provisoire (5), une grille définitive (19) comprenant au moins une couche métallique (17).B11041 - 11-GR3-0080FRO1 16 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre, entre les étapes a) et b), une étape de formation de régions de source et de drain (11) par implantation d'éléments dopants suivie d'un recuit. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le plasma est généré à partir d'un mélange gazeux d'ammoniac et de trifluorure d'azote. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel, à l'étape d), la température de la partie 10 supérieure de la couche d'oxyde de silicium (15) et de la couche de nitrure de silicium (13) varie alternativement entre une température haute et une température basse. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite température haute est comprise entre 140°C et 180°C, et 15 ladite température basse est comprise entre 20°C et 40°C. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel : l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium (15) est supérieure à 200 nm ; 20 l'épaisseur de la couche de nitrure de silicium (13) est comprise entre 20 et 40 nm ; et l'épaisseur de la grille provisoire (5) en silicium polycristallin est comprise entre 40 et 70 nm.