Brevet FR2970597A1 — publié le 20120720

PROCEDE DE GRAVURE DE COUCHES MICRO-ELECTRIQUES PAR UN FAISCEAU LASER DOMAINE DE L'INVENTION L'invention a trait au domaine de la gravure laser, telle que mise en oeuvre lors de procédés de fabrication de composants microélectroniques. ÉTAT DE LA TECHNIQUE La gravure laser est un procédé connu pour ôter une couche de matériau déposée à la surface d'un autre matériau. En irradiant la couche de matériau à ôter, l'énergie électromagnétique échauffe superficiellement cette dernière, puis la chaleur se propage jusqu'à l'interface entre les deux matériaux où elle s'accumule jusqu'à ce qu'il se forme une cloque. La couche de matériau à ôter se décolle ainsi du matériau sur lequel elle est déposée. L'énergie nécessaire au décollement caractérisée par la fluence reçue du laser, la durée d'irradiation et la longueur d'onde du laser, ou de manière équivalente par la puissance surfacique, la durée d'irradiation et la longueur d'onde du laser, dépend des caractéristiques de la couche de matériau à ôter et des caractéristiques du matériau sur lequel ladite couche est déposée. Il convient donc d'adapter les propriétés du laser à chaque cas particulier. Or, il est fréquent qu'une couche de matériau à ôter soit déposée sur deux matériaux différents. Par exemple, lors de la fabrication d'un transistor organique, les électrodes métalliques de drain et de source, usuellement en or, sont déposées sur un substrat en plastique, puis une couche de semi-conducteur organique d'une centaine de nanométres d'épaisseur est déposée en recouvrant le tout. A ce stade de la fabrication, les électrodes nécessitent alors d'être dégagées. Cependant, en irradiant la couche de semi-conducteur avec une fluence et une durée d'irradiation choisies pour décoller la portion de couche de semi-conducteur déposée sur le substrat en plastique, on détériore également les électrodes métalliques, voire même on décolle celles-ci du substrat en plastique. Ainsi par exemple, pour décoller une couche de semi-conducteur de 100 nanométres déposée sur un substrat en polyéthylène naphtalate (PEN), il faut au minimum une fluence de 70 mJ/cm pour une irradiation de 30 nanosecondes avec un laser à 245 nanométres. Or, une telle irradiation est incompatible avec des électrodes de drain et de source en or déposées sur le substrat puisque ces électrodes sont détériorées dés que la fluence est supérieure à 55 mJ/cm2. Il est ainsi impossible de décoller à la fois la portion de couche de semi-conducteur déposée sur le substrat en plastique et à la fois la portion de couche de semi-conducteur déposée sur les électrodes métalliques à l'aide d'une seule et même irradiation appliquée sur la totalité de la couche de semi-conducteur organique. Usuellement, cette couche est donc ôtée à l'aide d'un traitement chimique, qui présente l'inconvénient de laisser des résidus. EXPOSE DE L'INVENTION Le but de la présente invention est de proposer un procédé de gravure par laser qui abaisse l'énergie du laser nécessaire au décollement d'un premier matériau déposé sur un deuxième matériau, ce qui rend possible notamment le décollement d'un matériau déposé sur deux matériaux différents. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de gravure par un faisceau laser de longueur d'onde prédéterminée d'une zone d'une couche d'un premier matériau, ladite zone étant déposée à la surface d'au moins deux deuxièmes matériaux, le procédé consistant : ^ à déposer une couche d'un troisième matériau sur la couche de premier matériau, le 20 premier et le troisième matériau présentant une affinité chimique lors de l'application du faisceau laser supérieure à l'affinité chimique lors de ladite application entre le premier matériau chacun desdits au moins deuxièmes matériaux ; et ^ à appliquer le faisceau laser sur une zone d'une surface libre de la couche de troisième matériau à l'aplomb de la zone de la couche de premier matériau avec une 25 fluence dudit faisceau laser entrainant le décollement de ladite zone. En d'autres termes, il a pu être observé qu'en déposant sciemment une couche qui adhère sur la couche de premier matériau plus fortement que la couche de premier matériau n'adhère sur les deuxièmes matériaux, l'énergie minimale nécessaire au décollement de 30 la couche de premier matériau est plus faible. Comme précédemment décrit, pour décoller une couche de matériau semi-conducteur de 100 nanométres déposée sur une couche de PEN en irradiant directement la couche de matériau semi-conducteur, il est nécessaire de prévoir une fluence d'au moins de 70 35 mJ/cm2 pour une irradiation de 30 nanosecondes avec un laser à 248 nanométres. A titre d'exemple de l'invention, en déposant sur une couche de matériau semi-conducteur organique une couche de 30 nanométres de polymère fluoré, la fluence minimale nécessaire chute à 50 mJ/cm . De manière générale, il a pu être observé qu'il y a baisse de l'énergie minimale à appliquer dés lors que l'adhérence entre le troisième matériau et le premier matériau est supérieur à l'adhérence entre le premier matériau et les deuxièmes matériaux. Selon un mode de réalisation, le laser est un laser excimére. Selon un mode de réalisation de l'invention, l'épaisseur de la couche de troisième matériau est comprise entre 1 nanométre et 1 micromètre. Selon un mode de réalisation de l'invention, le matériau et l'épaisseur de la couche de 15 troisième matériau est choisie en fonction de la fluence et du faisceau laser, du premier matériau et de l'épaisseur de la zone de premier matériau à décoller. Selon un mode de réalisation de l'invention, le premier matériau est un matériau semi-conducteur organique et les deuxièmes matériaux sont respectivement un matériau 20 plastique et un matériau conducteur. Notamment, le matériau semi-conducteur organique est un polymère fluoré, le matériau conducteur un métal ou un polymère conducteur, et le troisième matériau un polymère fluoré. 25 Plus particulièrement, le troisième matériau est du CYTOP®, et/ou le premier matériau est du TIPS, et/ou le troisième matériau présente une enthalpie de liaison avec le premier matériau supérieure à 15 kJ.mol-1. En outre, l'épaisseur de la couche de polymère fluoré est sensiblement égale à 100 nanométres, l'épaisseur de la couche de premier matériau est 30 sensiblement égale à 100 nanométres, l'épaisseur de la couche de matériau conducteur est sensiblement égale à 30 nanométres, la fluence du faisceau laser est inférieure à 50 mJ/cm2 ; et la durée d'irradiation par le faisceau laser est sensiblement égale à 30 nanosecondes. 35 Selon un mode de réalisation de l'invention, le troisième matériau a une absorption de longueur d'onde du faisceau laser supérieure à celle du premier matériau.10 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à l'analyse de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés dans lesquels les figures 1 à 5 sont des vues schématiques en coupe illustrant un procédé de gravure laser selon l'invention appliqué à l'élimination d'une couche de semi-conducteur organique déposée à la fois sur un substrat en plastique et sur une électrode métallique. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Il va être décrit une application d'un procédé selon l'invention tendant à l'élimination d'une couche de matériau semi-conducteur organique présente sur et autour d'une électrode métallique déposée sur un substrat en plastique, comme cela est par exemple le cas lors de la fabrication d'un transistor organique au cours de laquelle les électrodes de drain et de source nécessitent d'être dégagées pour la suite de la réalisation du transistor. La figure 1 illustre donc schématiquement en coupe un empilement obtenu au cours d'un procédé de fabrication d'un transistor organique. Cet empilement comporte un substrat 10 en PEN (polyéthylène naphtalate), sur lequel est déposée une électrode de drain ou de source 12 par exemple en or, le tout étant recouvert d'une couche de matériau semi-conducteur organique 14, par exemple de la famille des pentacénes, par exemple du TIPS (propylsilylethynyl pentacéne), ou des polymères amorphes par exemple du type TFB (dioctyl-floréne-butylphenyl-diphenylamine). La couche 14 est donc déposée à la fois sur le substrat en plastique 10 et sur l'électrode métallique 12. A ce stade de la fabrication, la couche 14 nécessite d'être éliminée dans une zone 16 sur et autour de l'électrode 12. Afin d'éliminer la portion 16 de la couche de matériau semi-conducteur 14 à l'aide d'un faisceau laser UV excimére, un procédé selon l'invention débute par le dépôt sur la couche 14 d'une couche de polymère par exemple fluoré 18, notamment une couche de CYTOP® de Asahi Glass Co. Ltd d'une épaisseur inférieure à 1 000 nanométres (figure 2). La couche de polymère fluoré 18 absorbe les UV, et donc le rayonnement issu du laser, et son adhérence à la couche de matériau semi-conducteur 14 augmente très fortement par le développement de liaisons chimiques ayant une forte enthalpie de liaison, par exemple une enthalpie de liaison d'énergie supérieure à 15 kJ.mol-' dans le cas des liaisons hydrogènes. De manière avantageuse, le matériau semi-conducteur 14 et/ou le matériau de la couche 18 est un polymère fluoré. 4 Cette forte enthalpie de liaison a notamment pour effet une adhérence plus forte de la couche 18 sur la couche 14 que celle de la couche 14 sur l'électrode 12 et sur le substrat 10. Le procédé se poursuit alors par l'irradiation de la portion 16 de la couche semi-conducteur 14 avec un faisceau laser 20 selon une fluence et selon une durée d'irradiation appropriées au décollement de la couche 14 à la fois de l'électrode en or 12 et du substrat en PEN 10, comme expliqué ci-dessous (figure 3). Un masque 21 est par exemple déposé sur la couche 18 en laissant libre la portion de couche 18 correspond à la portion 16 à ôter et l'irradiation par le faisceau laser 20 est réalisée pleine plaque. L'énergie électromagnétique incidente s'accumule alors à l'interface 22 entre l'électrode métallique 12 et la couche de matériau semi-conducteur 14 et à l'interface 24 entre la couche de matériau semi-conducteur 14 et le substrat en plastique 10, de sorte que des cloques 26, 28, 30 se forment à ces interfaces 22 et 24 (figure 4). Une fois que les cloques 26, 28, 30 ont atteint une taille critique, le matériau semi-conducteur au dessus de celles-ci se décolle, ce qui a pour résultat de dégager l'électrode métallique 12 sans laisser de résidu de matériau semi-conducteur (figure 5). Le masque 21 et/ou la couche 18 sont ensuite éliminés. Pour une couche de matériau semi-conducteur 14 de 100 nanométres d'épaisseur, une électrode métallique 22 de 30 nanométres d'épaisseur, et un laser ayant une longueur d'onde de 245 nanométres générant un pulse laser de 30 nanosecondes : ^ si l'épaisseur de la couche 18 est comprise entre 1 et 50 nanométres, il faut une fluence minimale comprise entre 30 et 40 mJ.cm2 pour décoller la couche semi-conductrice 14 à la fois de l'électrode métallique 12 et du substrat plastique 10. On n'observe alors aucune dégradation de l'électrode métallique 12; ^ si l'épaisseur de la couche 18 est comprise entre 50 et 100 nanométres, il faut une fluence minimale comprise entre 40 et 50 mJ.cm2 pour décoller la couche semi-conductrice 14 à la fois de l'électrode métallique 12 et du substrat plastique 10. Là encore, aucune dégradation de l'électrode métallique 12 n'est observée ; et ^ si l'épaisseur de la couche 18 est supérieure à 100 nanométres, il faut une fluence minimale comprise entre 50 et 70 mJ.cm2 pour décoller la couche semi-conductrice 14 à la fois de l'électrode métallique 12 et du substrat plastique 10. Pour des fluences supérieures à 55 mlcm2, on observe une dégradation de l'électrode 12. En conséquence, l'épaisseur de la couche 18 est choisie inférieure à 100 nanométres et le faisceau laser est réglé pour une fluence inférieure à 50 mlcm . Cette valeur de la fluence doit être comparée à la valeur de 70 mJ.cm2 qui est la fluence minimale nécessaire à l'élimination d'une portion de couche de matériau semi-conducteur déposée sur le substrat plastique 10 en l'absence de la couche 18 en polymère fluoré. On a ainsi pu observer que le concepteur dispose d'au moins deux paramètres concernant 10 la couche 18 pour régler la fluence du laser sur une valeur qui ne dégrade pas l'électrode métallique 12, à savoir : ^ la nature du matériau de la couche 18 qui définit « l'intensité » de l'adhérence entre cette couche 18 et la couche de semi-conducteur 14 ; et ^ l'épaisseur de la couche 18 qui règle également l'intensité d'un mécanisme, 15 vraisemblablement, comme dit plus haut, de nature vibratoire qui aide au décollement de la couche 14. Il a également été observé qu'à adhérence égale, la fluence minimale diminue à mesure que l'absorption du rayonnement laser par la couche 18 augmente. 20 De manière préférentielle, le matériau de la couche 18 est choisi de façon à adhérer le plus fortement possible à la couche de matériau semi-conducteur de manière à obtenir un différence la plus élevée possible, entre d'une part l'adhérence de cette couche 18 et la couche de matériau semi-conducteur 14, et d'autre par l'adhérence de la couche 14 avec 25 les autres matériaux sur lesquels elle est déposée, puisque la fluence est réglée par l'épaisseur de la couche 18. En effet, plus la couche 18 adhère à la couche 14 et plus la fluence minimale nécessaire au décollement de la couche 14 diminue. La gamme des fluences utilisables est ainsi plus élevée. 30 D'une manière générale, on a observé une diminution de l'énergie nécessaire au décollement dés qu'une couche de matériau plus adhérente est déposée sur une couche à éliminer, cette couche étant elle-même déposée sur un ou plusieurs matériaux. Par exemple, l'exemple décrit ci-dessus concerne une couche de semi-conducteur 35 organique, mais l'invention fonctionne également avec des couches d'isolant organique, comme par exemple une couche en SiO2, en TiO2, ou en Al2O3. De même, l'invention fonctionne également avec des électrodes constituées d'un autre matériau conducteur que l'or, comme par exemple des électrodes en Ni, Cu ou en polymère conducteur (par exemple en PDOT). De même, l'invention fonction avec des substrats réalisés avec d'autres types de plastique que le PEN, comme par exemple des substrats en PET (polyéthylène-téréphtalate) ou en Kaftori (à base de polyimide). On notera que l'exemple de réalisation décrit ci-dessus concerne l'élimination d'une couche déposée sur deux matériaux. On comprendra que l'invention s'applique également au cas de l'élimination d'une couche déposée sur un seul matériau, par exemple, et sans être limitatif, au cas d'une couche de matériau semi-conducteur organique déposée sur un substrat en plastique. En effet, le simple fait de prévoir une couche 18 appropriée a pour effet de réduire l'énergie minimum nécessaire au décollement, ce qui peut s'avérer avantageux, par exemple en termes d'équipement laser et d'optiques. On notera également que les relations entre les différentes adhérences en jeu ne nécessitent pas d'être établies avant l'irradiation. Ces relations peuvent se réaliser lors de l'application même de l'irradiation sous l'effet de celle-ci, par exemple en raison d'une modification des liaisons entre les différents matériaux. C'est en effet au moment du décollement que ces relations doivent être vérifiées, peu important que ces relations ne soient pas vérifiées avant l'application de l'irradiation. De même, la nature du matériau de la couche déposée sur la couche à éliminer et/ou son épaisseur peuvent être choisies de manière à obtenir une légère différence, par exemple en raison de coût et de contraintes de fabrication. Dans ce cas, l'énergie minimale nécessaire au décollement sera plus élevée et entrainera vraisemblablement une dégradation d'un des matériaux. Cependant, du seul fait de la baisse, même minime, de l'énergie à apporter, cette dégradation sera donc minimisée par rapport à celle constatée dans l'état de la technique. REVENDICATIONS1. Procédé de gravure par un faisceau laser de longueur d'onde prédéterminée d'une zone (16) d'une couche (14) d'un premier matériau, ladite zone (16) étant déposée à la surface d'au moins deux deuxièmes matériaux (10, 12), caractérisé en ce qu'il consiste : ^ à déposer une couche (18) d'un troisième matériau sur la couche (14) de premier matériau, le premier et le troisième matériau présentant une affinité chimique lors de l'application du faisceau laser supérieure à l'affinité chimique lors de ladite application entre le premier matériau et chacun desdits au moins deuxièmes matériaux ; et ^ à appliquer le faisceau laser sur une zone d'une surface libre de la couche (18) de troisième matériau à l'aplomb de la zone (16) de la couche (14) de premier matériau avec une fluence dudit faisceau laser entrainant le décollement de ladite zone (16) . 2. Procédé de gravure par un faisceau laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que le laser est un laser excimére. 3. Procédé de gravure par un faisceau laser selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche (18) de troisième matériau est comprise entre 1 nanométre et 1 micromètre. 4. Procédé de gravure par un faisceau laser selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la nature et l'épaisseur de la couche (18) de troisième matériau sont choisis en fonction de la fluence du faisceau laser, de la nature du premier matériau et de l'épaisseur de la zone (16) de premier matériau à décoller. 5. Procédé de gravure par un faisceau laser selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau est un matériau semi-conducteur organique et les deuxièmes matériaux sont respectivement un matériau plastique et un matériau conducteur. 6. Procédé de gravure par un faisceau laser selon la revendication 5, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur organique est un polymère fluoré, en ce que le matériau conducteur est un métal ou un polymère conducteur, et en ce que le troisième matériau est un polymère fluoré. 7. Procédé de gravure par un faisceau laser selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que le matériau conducteur est de l'or ou du PDOT. 8. Procédé de gravure par un faisceau laser selon la revendication 5, 6 ou 7, caractérisé en ce que le troisième matériau est du CYTOP® et/ou le premier matériau est du TIPS. 9. Procédé de gravure par un faisceau laser selon l'une des revendications 5 à 8, caractérisé en ce que le troisième matériau présente une enthalpie de liaison lors de l'application du faisceau laser avec le premier matériau supérieure à 15 klmol-1. 10. Procédé de gravure par un faisceau laser selon les revendications 8 et 9, caractérisé enceque: ^ l'épaisseur de la couche (18) de polymère fluoré est sensiblement égale à 100 nanométres ; ^ l'épaisseur de la couche (14) de premier matériau est sensiblement égale à 100 nanométres ; ^ l'épaisseur de la couche de matériau conducteur est sensiblement égale à 30 nanométres, ^ la fluence du faisceau laser est inférieure à 50 mJ/cm2 ; et ^ la durée d'irradiation par le faisceau laser est sensiblement égale à 30 nanosecondes. 11. Procédé de gravure par un faisceau laser selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le troisième matériau présente une absorption de longueur d'onde du faisceau laser supérieure à celle du premier matériau.