Brevet FR2970092A1 — publié le 20120706

ONERA 316.FRD 1 Procédé de fabrication d'objets de grande précision par lithographie haute résolution et par formage par dépôt par voie sèche et objets ainsi obtenus L'invention concerne un procédé de fabrication d'objets de grande précision par lithographie haute résolution ainsi que les objets obtenus par la mise en oeuvre de ce procédé. Elle s'intéresse tout particulièrement à la fabrication d'objets de grande précision en matériaux non déposables par galvanoplastie, et tout spécialement d'objets de faible dimension, c'est-à-dire de dimension millimétrique. Il peut s'agir, par exemple, d'objets ou de composants micromécaniques ou de Systèmes ElectroMécaniques (ou MEMS, abréviation de Micro-Electro-Mechanical Systems) utilisés dans le domaine de l'aéronautique, de l'horlogerie, etc. Il est bien connu de l'homme de l'art qu'il n'est pas possible d'atteindre un tel résultat grâce à la seule technique dite "LIGA", acronyme de l'expression allemande "Lithographie, Galvanoformung, Abformung", qui signifie "Lithographie, Galvanoplastie, Moulage". Cette technique consiste à revêtir un substrat, conducteur ou non conducteur de l'électricité, d'une résine polymérisée (résine positive) ou d'une résine photopolymérisable (résine négative). Cette résine est illuminée à travers un masque qui comporte des régions opaques (ou transparentes) par un rayonnement électromagnétique adapté de courte longueur d'onde, c'est-à-dire allant de l'ultra-violet (LIGA-UV) aux rayons X (LIGA-X). Par cette technique, on réalise ainsi un "pochoir" qui définit les structures à imprimer dans l'épaisseur de la résine. La conséquence de l'interaction polymère/onde électromagnétique est soit de détruire la polymérisation dudit polymère (résine positive), soit d'engendrer la polymérisation et/ou la réticulation de la résine (résine négative). Les chaînes du polymère ayant été sectionnées (résine positive) ou au contraire aucune réaction de polymérisation-réticulation n'ayant été engendrée (résine négative), ce polymère peut être facilement éliminé. Les jours ou lumières ainsi créés dans la résine peuvent être mis à profit, soit pour y faire croître un dépôt par électrolyse d'une solution (procédé LIGA proprement dit), soit pour dissoudre tout ou partie du substrat sur lequel la résine était déposée (cas de la dissolution du cuivre par du perchlorure de fer pour la fabrication des circuits imprimés, par exemple). Ces techniques ont été abondamment enseignées dans la littérature. Un procédé LIGA typique, connu de l'état de l'art, comprend les étapes suivantes : 10 choisir un substrat conducteur de l'électricité ; déposer sur le substrat une couche de résine photosensible d'une épaisseur variant de 10µm à 2mm ; polymériser ladite résine, si nécessaire ; disposer un masque au-dessus de la surface de la résine ; 15 irradier la résine au moyen d'une ligne de lumière (rayons X) d'un synchrotron (LIGAX) ou d'une lampe à rayonnement ultra-violet (LIGA-UV) ; développer, c'est-à-dire éliminer la résine dépolymérisée (résine positive) ou non polymérisée-réticulée (résine négative) électroformer dans la cavité créée un métal ou un alliage (fer, nickel, cobalt, cuivre, 20 zinc, ou des alliages tels que nickel-cobalt, nickel-palladium ou des co-dépôts tels que zinc-nickel, cobalt-étain, ou encore des dépôts composites tels que NiCo + CrAIYTa, cette liste étant non limitative) ; éliminer la résine photosensible ; et séparer du substrat conducteur de l'électricité, les composants micromécaniques ainsi 25 fabriqués. Une telle technique a l'avantage de pouvoir réaliser des composants d'une très grande précision dans les directions X et Y, c'est-à-dire dans le plan du dépôt. En revanche, la précision dans la direction Z, c'est-à-dire dans la direction perpendiculaire au plan du dépôt 30 épaisseur du dépôt), est, quant à elle, liée à la maîtrise du procédé de dépôt. Pour obtenir une précision dans la direction Z, il existe, bien sûr, la possibilité de créer des formes 2 imbriquées du même matériau ou d'un matériau différent. Il suffit alors de répéter la procédure sur le premier niveau créé, avec un second masque par exemple, soit en conservant le même dépôt, soit en le changeant. L'inconvénient d'un tel procédé est toutefois de nécessiter des matériaux conducteurs de l'électricité, sauf, peut-être, dans le cas où un matériau, tel qu'un oxyde, serait enchâssé au sein de la structure (dépôt composite ou enchâssement d'une pierre tel qu'il est pratiqué par les galvanoplastes versés dans la bijouterie). Ainsi, quelle que soit la technique utilisée, il existe une limitation aux matériaux qui formeront l'objet final. Cette limitation est liée, soit dans le cadre d'un dépôt électrolytique, aux lois de l'électrochimie pour déposer le matériau final (il n'est pas possible de réduire des éléments dont le potentiel normal RedOx est inférieur au domaine de stabilité thermodynamique de leur solvant, en général de l'eau), soit, dans le cadre d'un usinage de précision par voie chimique de l'objet final, aux lois de la chimie (il faut que le matériau de cet objet soit soluble dans la solution d'attaque). Enfin, cette technique ne peut pas non plus permettre de fabriquer des objets micromécaniques d'assez grandes dimensions, tels que des paliers à gaz de 4mm de long et 20 de faible diamètre. L'invention a notamment pour but de surmonter les inconvénients précités. Elle propose à cet effet un procédé de fabrication d'un objet de grande précision formé d'au 25 moins un matériau inorganique, comprenant les étapes suivantes : utiliser un procédé de lithographie à haute résolution pour former un moule négatif de l'objet à fabriquer, dans un matériau résistant à une étape de formage par dépôt par voie sèche et pouvant soit être éliminé sans altération de l'objet qui aura été fabriqué, 30 soit être séparé dudit objet ; et réaliser au moyen du moule négatif un dépôt par voie sèche d'au moins un matériau inorganique pour constituer l'objet à fabriquer. Ainsi, le procédé de l'invention réside pour l'essentiel dans la combinaison de deux 5 techniques en soi connues séparément, à savoir un procédé de lithographie à haute résolution et un dépôt par voie sèche. La première technique permet de réaliser directement ou indirectement un moule négatif, c'est-à-dire une empreinte de l'objet à fabriquer, dans un matériau résistant tel que défini 10 précédemment. La deuxième technique permet de réaliser un dépôt par voie sèche du matériau inorganique dans ou sur le moule négatif pour constituer l'objet à fabriquer. 15 La technique LIGA est bien connue et a fait l'objet de nombreuses publications dans la littérature. On peut se référer notamment aux deux publications suivantes : « Microgrippers fabricated by the LIGA technique" par S. Ballandras, S. Basrour, L. Robert, S. Megtert, P. Blind, M. Rouillay, P. Bernède, W. Daniau in Sensors and Actuators A: Physical, Volume 58, Issue 3, 30 March 1997, pages 265-272 et "Microfabrication : LIGA-X and 20 applications" par R. K. Kupka, F. Bouamrane, C. Cremers, S. Megtert in Applied Surface Science, Volume 164 issues 1-4, 1 September 2000, pages 97-110. La deuxième technique met en oeuvre un dépôt par voie sèche du ou des matériaux inorganiques devant constituer l'objet à fabriquer. 25 Par l'expression « dépôt par voie sèche », on entend désigner ici tout procédé de dépôt par voie sèche, pourvu que l'empreinte obtenue par la technique de lithographie haute résolution résiste aux conditions physico-chimiques, notamment à l'atmosphère et à la température du dépôt par voie sèche. Il est donc nécessaire que le matériau constitutif du 30 moule négatif soit capable de résister à l'étape de formage par dépôt par voie sèche et qu'il puisse ensuite soit être éliminé sans altération de l'objet qui aura été fabriqué, soit être séparé dudit objet. Ce dépôt par voie sèche est avantageusement choisi parmi les suivants : un dépôt physique par pulvérisation cathodique triode (PCT), un dépôt chimique en phase vapeur ou CVD (abréviation de Chemical Vapor Deposition), assisté ou non par plasma, un dépôt par frittage à plasma d'étincelles ou SPS (abréviation de Spark Plasma Sintering), un dépôt physique en phase vapeur ou PVD (abréviation de Physical Vapor Deposition)), et un dépôt physique par évaporation, par exemple un dépôt physique en phase vapeur par faisceau d'électrons ou EB-PVD (abréviation de Electron Beam Physical Vapor Deposition). Parmi les différentes techniques de dépôt physique mentionnées précédemment, on préfère tout particulièrement le dépôt par pulvérisation cathodique triode (PCT), connu aussi sous le nom de "Triode Sputtering", terme anglo-saxon. De plus amples informations sur ce dépôt par pulvérisation cathodique triode peuvent être 20 trouvées dans le brevet US 4 111 783. Cependant, il faut noter qu'il existe souvent une confusion entre la pulvérisation cathodique triode et la pulvérisation cathodique diode, plus connue sous son appellation anglo-saxonne : « Physical Vapor Deposition » (en abrégé PVD). Cette dernière technique PVD, constituant un dépôt physique en phase vapeur, est également envisagée dans le cadre de l'invention, comme mentionné plus haut. Dans le cadre des techniques LIGA, la technique PVD est essentiellement utilisée pour des 30 buts différents : 5 25 au cours de l'étape lithographique pour réaliser des masques opaques aux rayons X (LIGA-X), comme enseigné notamment par le brevet US 6 810 104 B2, et pour réaliser une couche d'accrochage métallique permettant un meilleur formage électrochimique (LIGA-UV), comme enseigné par la publication EP 1 835 050 Al. Les techniques de dépôt physique par voie sèche sont également connues. En particulier, la pulvérisation cathodique triode (PCT) permet d'obtenir des dépôts minces et épais (jusqu'à quelques dixièmes de millimètres), et ceci pour des applications très diverses. 10 On citera, par exemple, les études réalisées dans le domaine des composites à matrice titane qui ont permis d'élaborer, par dépôt PCT de titane ou d'aluminure de titane (TiAI) sur fibres, des matériaux possédant une excellente homogénéité structurale et sans altération de la fibre. Cette technique est, par exemple, décrite dans la publication "Continuous fibre reinforced titanium and aluminium composites : a comparison", A. Vassel in Materials 15 Science and Engineering, Volume A263, 1999, pages 305-313 et dans "Intermetallic TiAI-based matrix composites : Investigation of the chemical and mechanical compatibility of a protective coating adapted to an alumina fibre", A. Brunet, R. Valle, A. Vassel in Acta Materialia, Volume 48, 2000, pages 4763-4774. 20 Comme indiqué précédemment, parmi les dépôts physiques par voie sèche, utilisables dans l'invention, on préfère particulièrement le dépôt par pulvérisation cathodique triode (PCT). L'appareillage utilisé pour les dépôts PCT peut être décrit comme une enceinte à vide (avec un pompage cryogénique) contenant un gaz plasmagène (argon par exemple) régulé en 25 débit et pression. Un filament de tungstène chauffé par effet Joule émet des électrons qui sont accélérés par une anode. Ces électrons interagissent avec les atomes d'argon pour donner des ions Ar+. Un champ magnétique créé par deux bobines disposées au dessus et en dessous de la cible permet d'allonger et de confiner les trajectoires électroniques au niveau de la surface de la cible afin d'accroître les chances d'ionisation des molécules de gaz neutre 30 à cet endroit. Ceci a pour conséquence d'augmenter le bombardement de la cible métallique, constituée du matériau à déposer, et de provoquer ainsi un arrachement des atomes de ce5 7 matériau qui vont se déposer sur l'objet à revêtir. L'avantage de cette technique est que le potentiel de la cible n'a aucune influence sur le maintien de la décharge, ce qui permet l'utilisation éventuelle de faibles tensions. Ainsi, les risques de claquage sont réduits et le bombardement engendré étant à des énergies plus faibles, le refroidissement nécessaire de la cible est moindre. Cette indépendance de la cible par rapport au plasma fait que la cible peut avoir n'importe quelle forme, ce qui n'est pas le cas avec des procédés diode. Le substrat, lui aussi, peut être sous n'importe quelle forme. Du fait que le procédé est directif, l'homogénéité du dépôt dépend ensuite de son mouvement et des ombrages éventuels. De plus, dans le système triode, la décharge peut être entretenue à une pression plus faible que dans le montage diode à courant continu (DC diode, PVD traditionnel) de l'ordre de 10 à 10 "2 Pa, ce qui est un avantage du point de vue de la contamination des couches par le gaz utilisé pour former le plasma. Enfin, la vitesse de dépôt est très élevée. Il n'avait pas été possible jusqu'à présent de réaliser des objets, en particulier des objets micromécaniques, de très grande précision et/ou d'aussi grande dimension. Plus précisément, la combinaison des deux techniques mentionnées précédemment, à savoir 20 un procédé de lithographie haute résolution et un procédé de dépôt par voie sèche, en particulier une pulvérisation cathodique triode, permet d'obtenir un tel résultat. Le dépôt physique par voie sèche, en particulier la pulvérisation cathodique triode, en remplacement de l'électroformage, apporte l'avantage d'élargir l'éventail des matériaux 25 disponibles pour obtenir un dépôt : métaux purs, alliages multi-composant et superalliages par plasma neutre ou, par plasma réactif, oxydes, nitrures, carbures ... et, enfin, mélanges de tous ces matériaux avec les systèmes multi-cible. D'autres procédés de dépôt sont envisageables, à condition que 11empreinte obtenue par la 30 technique de lithographie haute résolution résiste aux conditions physico-chimiques de dépôt. Le procédé de l'invention comprend avantageusement une étape préalable dans laquelle on choisit un substrat qui sera utilisé ensuite dans le procédé de lithographie haute résolution pour réaliser le moule négatif. Le moule négatif pourra, selon les cas, être déposé sur le substrat (photolithographie) ou être creusé dans le substrat. De plus, le substrat pourra, selon les cas, être éliminé en partie ou en totalité, être séparé ou être conservé comme partie intégrante de l'objet final à fabriquer. La nature du substrat sera donc choisie à chaque fois en fonction du cas d'espèce considéré (par exemple, un substrat de nickel avec un dépôt de superalliage peut être dissous par une attaque chimique sélective, sans altération du dépôt). Le procédé de lithographie à haute résolution est avantageusement un procédé de photolithographie mettant en oeuvre un rayonnement UV ou un rayonnement X . Le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre selon deux variantes principales, correspondant respectivement à un procédé dit "direct" et un procédé dit "indirect". Dans le procédé direct, le moule négatif est formé directement dans le matériau résistant. 20 Ce dernier peut être, par exemple, une résine photosensible ou un métal. Dans le procédé indirect, le moule négatif est formé indirectement dans le matériau résistant, l'étape du procédé de lithographie à haute résolution comprenant alors les sous-étapes suivantes : 25 former un moule positif de l'objet à fabriquer dans un premier matériau, réaliser dans ou sur le moule positif un dépôt d'un second matériau résistant et qui est destiné à constituer le moule négatif. Dans une forme de réalisation, le procédé comprend les étapes ultérieures suivantes : 30 éliminer le moule négatif ou le séparer de l'objet à fabriquer ; et récupérer l'objet ainsi fabriqué.15 9 Le premier matériau est de préférence une résine photosensible. Le second matériau formant le moule négatif est de préférence du nickel. Dans ce cas, le 5 dépôt du second matériau peut être électrolytique. Le second matériau formant le moule négatif pourra ensuite être éliminé, par exemple par attaque chimique, pour récupérer l'objet final. 10 Pour le dépôt physique par voie sèche, on préfère particulièrement le dépôt PCT (pulvérisation cathodique triode), comme mentionné précédemment. Toutefois, on peut également faire appel à d'autres types de dépôts comme un dépôt chimique en phase vapeur ou "CVD" (abréviation de Chemical Vapor Deposition) assisté 15 ou non par plasma. On peut également utiliser un dépôt par frittage à plasma d'étincelles, ou SPS (abréviation de « Spark Plasma Sintering ») ou encore un dépôt physique en phase vapeur ou PVD (abréviation de «Physical Vapor Deposition »). Enfin, on peut encore utiliser des procédés par évaporation comme le procédé EB-PVD (abréviation de « Electron Beam Physical Vapor Deposition » qui signifie «dépôt physique en phase vapeur par faisceau d'électrons »). 25 Les principaux avantages de la pulvérisation cathodique triode par rapport à la PVD (deux électrodes de part et autre d'un plasma) sont : que la décharge peut être obtenue à une pression plus faible, de l'ordre de 104 à 10-2 Pa, ce qui est un avantage du point de vue de la contamination des couches déposées par le gaz utilisé pour former le plasma ; 20 que la troisième électrode (placée au niveau du substrat) permet d'accélérer la vitesse d'obtention du dépôt par voie sèche : 10 à 15 µm par heure, ce qui la rapproche de la vitesse de formage obtenue en galvanoplastie (entre 10 et 100 µm par heure). Ainsi, l'invention repose sur une combinaison unique de deux techniques dont la combinaison n'avait jamais été envisagée conjointement jusqu'à présent. La lithographie haute résolution a pour but de réaliser un moule positif ou négatif haute résolution de l'objet à fabriquer. C'est en effet la précision de la lithographie qui détermine 10 la précision en X et en Y de l'objet fabriqué. Le dépôt par voie sèche permet d'utiliser une très grande variété de matériaux, à savoir tout matériau inorganique et notamment les alliages dont le nombre de constituants est pratiquement illimité. De ce fait, on obtient les principaux résultats et avantages suivants. Tout d'abord, une grande précision d'usinage puisqu'il s'agit de la précision de la méthode de lithographie. Ensuite, il est possible de réaliser des objets de micromécanique de grande dimension, éventuellement par assemblage d'objets petits et/ou peu épais (c'est-à-dire de quelques couches atomiques à environ lmm). 25 Enfin, le procédé de l'invention supprime le verrou technologique que constitue la limitation de choix du matériau, induite par les dépôts électrolytiques, et notamment l'impossibilité de déposer des alliages complexes. En effet, grâce àl'invention, les matériaux utilisables sont tous les matériaux inorganiques 30 (alliages métalliques, céramiques, etc..) dont des matériaux à propriétés exceptionnelles, tels que les alliages réfractaires, les alliages à mémoire de forme, les matériaux hétérogènes, 15 20 11 les céramiques (oxydes, nitrures, carbures, etc...). Un avantage supplémentaire de l'invention est qu'elle permet de réaliser des objets composés de plusieurs matériaux, sans interface d'assemblage, obtenus chacun par la 5 technique ci-dessus. Autrement dit, il est possible de répéter au moins une fois l'étape de lithographie à haute résolution et l'étape de dépôt par voie sèche avec un autre matériau inorganique pour réaliser un objet formé d'au moins deux matériaux inorganiques différents. 10 Si l'on considère le cas particulier du procédé combinant une lithographie haute résolution (LIGA) et un formage par pulvérisation cathodique triode (PCT), on obtient les caractéristiques suivantes. Tout d'abord, grâce à cette combinaison, on enrichit de manière quasi infinie la nature des matériaux pouvant être déposés : de l'élément chimique à l'alliage 15 le plus complexe, tout en conservant la précision obtenue actuellement avec les seuls éléments chimiques déposables par galvanoplastie. En fonction de la voie utilisée pour l'étape lithographique (directe ou indirecte), les épaisseurs obtenues vont de quelques couches atomiques au millimètre. 20 On obtient les mêmes résultats et avantages que précédemment : précision d'usinage en X et en Y de l'ordre du micromètre avec une lithographie X (erreur de 11.tm pour une paroi verticale de lmm) et, dans le cas d'épaisseurs faibles (dépôts de moins de 20 µm), l'utilisation de la lithographie UV permet de garantir une 25 précision de formage de plus ou moins 1 micromètre en X et en Y (précision de formage jamais atteinte avec un superalliage) ; les objets peuvent être de grande dimension (éventuellement par assemblage de petits objets) ou de très petite et/ou très fine dimension (quelques couches atomiques à environ 1 mm) ; 30 les matériaux utilisables peuvent être tous les matériaux inorganiques ; il est possible aussi de réaliser des objets à partir de plusieurs matériaux déposés successivement (composants multi-matériaux). Sous un autre aspect, l'invention concerne un objet tel qu'obtenu par la mise en oeuvre du procédé ci-dessus. Un tel objet peut être, par exemple, réalisé sous la forme d'une butée spirale comprenant une face annulaire sur laquelle sont formés des bossages délimités par des rainures en spirale d'une profondeur de quelques micromètres, ou bien encore réalisé sous la forme d'un palier à lobes de dimension millimétrique. L'invention sera décrite maintenant en référence à quatre exemples de réalisation et aux dessins annexés, ces exemples et dessins étant donnés uniquement à titre illustratif. Sur les dessins annexés : la figure 1 est une vue de face d'une butée munie de rainures en spirale, pouvant être 15 obtenue par le procédé de l'invention ; la figure 2 est une vue en coupe suivant la ligne II-II de la figure 1 ; la figure 3 représente le détail III de la figure 2 à échelle agrandie ; la figure 4 est une vue de face d'un palier à lobes pouvant être obtenu par le procédé de l'invention ; 20 - la figure 5 est une vue de face d'un palier à lobes analogue à celui de la figure 4 inséré dans un tube de réception ; la figure 6 est une vue de dessus d'un moule en résine formé sur un substrat ; la figure 7 est une vue analogue à la figure 6 après formation d'un objet en nickel dans le moule ; 25 - les figures 8A et 8B sont respectivement une vue de face et une vue de profil de l'objet en nickel de la figure 7, une fois séparé du moule ; les figures 9A et 9B sont respectivement une vue de face et une vue en coupe axiale d'un assemblage formé par l'empilement de quatre objets en nickel sur un axe ; - les figures 10A et 10B sont des vues analogues aux figures 9A et 9B après dépôt PCT 30 d'un superalliage ; les figures 1lA et 11B sont des vues analogues aux figures 10A et 10B après rectification de la surface externe du dépôt de superalliage ; les figures 12A et 12B sont des vues analogues aux figures 11A et 11B après ajustement de l'assemblage dans un tube de réception ; et les figures 13A et 13B sont des vues analogues aux figures 12A et 12B après dissolution du nickel, ce qui permet d'obtenir le palier à lobes ajusté dans le tube de réception. Exemple I : Procédé direct photolithographie UV + PCT On se propose de fabriquer une butée spirale 1 pour une microturbine, comme représentée sur les figures 1 à 3. La butée 1 est un objet de très petite dimension devant être réalisé en superalliage base nickel car il devra subir de très fortes températures en milieu oxydant. Il s'agit d'un objet annulaire dont le diamètre extérieur est de l'ordre de 10 mm. L'une des faces annulaires 2 est microstructurée avec des bossages délimités par des rainures en spirale 3 d'une profondeur de quelques micromètres (voir le détail de la figure 3). Un tel usinage est impossible par les techniques conventionnelles (électroérosion, fraisage, etc...). De même, la photolithographie UV associée à la galvanoplastie ne peut pas réaliser des 20 objets en superalliage à base nickel. Conformément à l'invention, on a choisi de construire cette butée à rainures en spirale en réalisant des bossages par photolithographie suivie d'un dépôt PCT de superalliage. 25 On utilise ici un procédé de photolithographie UV sur un substrat approprié. Pour ce faire, le substrat retenu est un superalliage appelé "IN 100" de composition suivante : Eléments Ni Co Cr Al Ti Fe Mo V Nb C Zr B %massique 59;2 13,2 10,3 5,2 4,2 3,3 3,0 0,9 0,6 `0,17 0,05 0,01 Ce substrat a été revêtu de résine photosensible (par exemple SU-8) (résine négative) qui peut résister à des températures de l'ordre de 300°C sous vide. Un masque photolithographique est placé sur la résine et la photolithographie est effectuée pour réaliser un moule négatif en résine photosensible. Ce point a été vérifié par analyse thermogravimétrique (ATG). Une cible en superalliage IN 738LC, dont la fonction est d'apporter le matériau constitutif de l'objet à fabriquer, a été usinée et mise en place. La composition de cet alliage est la suivante : Eléments Ni Cr Co Mo W Ta Nb Al Ti C B Zr %massique 61 16,0 8,5 1,7 2,6 1,7 0,9 3,4 4,5 0,1 0,02 0,1 Le substrat a été placé sur un porte-substrat refroidi de façon à ce que sa température soit toujours inférieure à 300 °C. Les paramètres de pulvérisation choisis sont les suivants : puissance dissipée inférieure à 7,6 W/cm2 (soit un courant de polarisation de la cible de 0,8 A) pour une distance cible-substrat de 40 mm. Dans ces conditions, on a obtenu un dépôt dont la composition chimique est identique à celle de la cible. A ce stade, le dépôt ne présente pas encore la microstructure caractéristique d'un superalliage. Aussi, les opérations de destruction du masque en résine SU-8 utilisé dans la lithographie ont été confondues avec le traitement d'homogénéisation du superalliage. Pour ce faire, l'ensemble substrat en IN 100 + bossages en spirale en IN738 LC + résine SU-8 a été porté à la température de 1120°C pendant deux heures sous argon, puis a subi un revenu à 845 °C pendant 24 heures sous air. Il va sans dire que le premier traitement a totalement détruit la résine organique et que le second traitement a éliminé toute trace carbonée de la surface. Un examen métallographique effectué à l'issue de ces opérations montre trois résultats importants : 1 °) L'interface substrat/dépôt est quasiment invisible. Tout se passe comme si les bossages avaient été usinés dans la masse ; 2°) Le dépôt présente une microstructure typique de superalliage y/y' avec, cependant, une distribution de la phase y' plus fine que celle constatée dans le substrat IN100 ; 3 °) Le traitement thermique n'a pas déformé le dépôt. Enfin, l'objet ainsi créé a été soumis à un test d'oxydation à haute température, comme il est d'usage pour tout objet devant être utilisé dans les conditions environnementales sévères d'une turbine à gaz. Pour ce faire, la butée spirale fabriquée par photolithographie UV + PCT a été testée en oxydation isotherme à 1100°C pendant 50 heures. Aucun décollement des spirales n'a été observé. A l'issue du test, on constate la formation d'une couche d'oxydes d'une épaisseur de 4 gm à la surface des spirales. La microstructure sous jacente est redevenue monophasée y, ce qui s'explique par la consommation de l'aluminium de la phase y' pour former un oxyde protecteur Al2O3. Cependant, on a noté que, par rapport à l'alliage massif qui constituait le substrat, la zone de déplétion en aluminium est réduite. Cette meilleure résistance du dépôt PCT est probablement due à l'obtention d'une microstructure extrêmement fine, plus fine que celle obtenue avec un matériau massif. Avec cette technique, il est désormais possible de créer des objets en superalliage d'une 15 précision jamais atteinte auparavant : des cotes garanties au micromètre avec une microstructure adaptée à l'usage. Exemple II : Procédé indirect photolithographie X + PCT 20 On se propose de fabriquer des paliers à lobes, constitués par des arcs de cercle décentrés, de grande précision et de grande longueur. Un tel palier 4 est représenté en vue de face sur la figure 4. Il s'agit d'un objet de section annulaire délimitée intérieurement par trois arcs de cercle 5, 6 et 7 dont les centres sont décalés. Ces arcs de cercle sont séparés par des encoches respectives 8, 9 et 10 formant des rainures axiales. Le palier 4 présente un 25 diamètre extérieur de l'ordre de 5 à 6 mm et une longueur axiale de 4 mm. Pour construire cet objet, on réalise, par photolithographie profonde par rayons X, quatre moules positifs de lmm d'épaisseur en polymère. Cette technique permet de contrôler la verticalité d'une microstructure avec une erreur de pente inférieure à 1 micromètre par mm. Les 4 positifs sont ensuite empilés les uns sur les autres, l'alignement étant assuré par des détrompeurs. 30 Ensuite, à l'aide d'une anode centrée sur le tube, un dépôt électrolytique de nickel est effectué à l'intérieur du tube « lobé » qui a été auparavant argenté chimiquement pour obtenir une surface conductrice d'électricité (comme il est bien connu de l'homme de l'art), jusqu'à obtention d'une épaisseur suffisante pour obtenir un dépôt manipulable (0,3mm dans le cas présent). On utilise, ici, un substrat conducteur de l'électricité, par exemple un alliage d'aluminium tel que AU4G , connu sous la dénomination commerciale Duralumin ou Dural. La résine préalablement déposée sur le substrat est ensuite détruite, ce qui permet d'obtenir un moule négatif en nickel électrolytique. Ce moule négatif est ensuite placé au centre d'une cible circulaire en 1N738 LC (superalliage) et la phase de dépôt proprement dite peut commencer. L'épaisseur du dépôt est de 0,5 mm. A l'issue de cette opération et avant démontage, l'extérieur du dépôt est rectifié de façon à pouvoir entrer avec un jeu faible (norme ISO H7G6) dans un autre tube, lisse cette fois ci. Après cette opération de rectification, le nickel est dissous dans une solution d'acide nitrique (50 % en volume) additionnée d'un gramme de chlorure de potassium par litre. Le superalliage ne peut être attaqué chimiquement dans ces conditions. A l'issue de ces opérations, le palier à lobes en superalliage est homogénéisé à 1120 °C pendant deux heures sous argon avec getter pour l'oxygène, traitement suivi d'un revenu à 845 °C pendant 24 heures, toujours sous argon, avec getter pour l'oxygène. Cette dernière précaution est prise pour éviter toute oxydation des lobes. Ce traitement en deux parties est classiquement appliqué aux superalliages au cours de leur élaboration pour, dans un premier temps, précipiter une phase y' finement dispersée et, dans un second temps, stabiliser cette même phase y'. A l'issue de ce traitement, on obtient une microstructure biphasée y/y'. Une fois introduit dans un tube ou manchon de réception, on obtient un palier à lobes de très grande précision en superalliage 1N738 LC à microstructure fine. Il était jusqu'ici strictement impossible de pouvoir usiner un tel superalliage (IN738 LC) sur une telle longueur (4mm) avec une telle précision (inférieure au micromètre), quel que soit le moyen d'usinage employé.30 Exemple III : Procédé indirect photolithographie X + PCT Comme dans l'exemple II, on se propose de fabriquer un palier à lobes de grande dimension et de grande longueur en superalliage. Le palier à lobes 4 de la figure 5 est analogue à celui 5 de la figure 4, sauf qu'il est ici inséré dans un tube de réception 11 formant manchon. Par rapport à l'exemple II, seul le procédé d'obtention de la forme complémentaire en nickel change. Dans cet exemple, les formes complémentaires des paliers à lobes sont réalisées par photolithographie X profonde dans une couche 12 de résine PMMA (polyméthacrylate de 10 méthyle) sur un substrat 13 conducteur de l'électricité (figure 6). Ce substrat peut être, comme dans l'exemple II, un alliage d'aluminium tel que l'alliage AU4G, connu sous la dénomination commerciale Duralumin ou Dural. Par la suite, une empreinte des lobes est réalisée par électro-croissance de nickel dans le 15 moule polymère pour former un objet en nickel 14 de forme annulaire (figure 7). Un polissage mécano-chimique permet d'amener chacun des objets de nickel 14 à la bonne épaisseur (1 mm par exemple). Un ébavurage électrochimique est effectué pour éliminer les copeaux résiduels produits lors du polissage. Puis le moule en PMMA est détruit par 20 dissolution dans un solvant organique et le décollement des objets de nickel 14 est réalisé par attaque chimique du substrat. Dans le cas de l'alliage AU4G, cette attaque' est faite dans une solution basique de soude (NaOH) à 10 g/1, cette solution étant inoffensive pour le nickel électroformé. 25 On obtient ainsi des objets de nickel 14 analogues à ceux représentés sur les figures 8A et 8B. Chacun des objets 14 est muni d'un trou de centrage 15 avec détrompeur et comporte extérieurement des ergots en saillie 16 dont le nombre correspond à celui des lobes. Les objets 14 (ici au nombre de quatre) sont empilés les uns sur les autres sur un axe de 30 centrage 17, comme montré sur les figures 9A et 9B. L'alignement précis des objets en nickel 14 est assuré par les détrompeurs. L'ensemble ainsi formé est ensuite placé au centre d'une cible circulaire en alliage IN738 LC et la phase de dépôt PCT proprement dite peut commencer. L'épaisseur du dépôt 18 est de 0,5 mm (figures 10A et 10B). Comme dans l'exemple II, à l'issue de cette opération et avant démontage, l'extérieur du dépôt 18 est rectifié de façon à procurer une surface cylindrique lisse (figures 11A et 11B). Ceci permet à l'ensemble ainsi obtenu de s'ajuster en côte serrée (jeu normalisé H7G6) 10 dans un autre tube lisse qui constitue le tube de réception 11 de la figure 5. Après cette opération de rectification, le nickel est dissous dans une solution d'acide nitrique (50% en volume) additionnée d'un gramme de chlorure de potassium par litre. Le superalliage ne peut être attaqué chimiquement dans ces conditions. 15 A l'issue de ces opérations, le palier à lobes en superalliage est homogénéisé à 1120°C pendant deux heures sous argon avec getter pour l'oxygène, traitement suivi d'un revenu à 845 °C pendant 24 heures, toujours sous argon, avec getter pour l'oxygène. Cette dernière précaution est prise pour éviter toute oxydation des lobes. Ce traitement en deux parties est 20 classiquement appliqué aux superalliages au cours de leur élaboration pour, dans un premier temps, précipiter une phase y' finement dispersée et, dans un second temps, stabiliser cette même phase y'. A l'issue de ce traitement, on obtient bien une structure biphasée y/y'. 25 Une fois introduit dans le tube de réception 11, on obtient un palier à lobes de très grande précision en superalliage IN738 LC à microstructure fine. Il était jusqu'ici strictement impossible de pouvoir usiner un tel superalliage (IN738 LC) sur une telle longueur (4mm) avec une telle précision (inférieure au micromètre) quel que soit le moyen d'usinage employé. 30 Exemple IV - Fabrication d'un objet de grande précision à partir de plusieurs matériaux On se propose de fabriquer un objet de démonstration utilisant plusieurs matériaux. Le premier alliage choisi est un alliage à mémoire de forme, à savoir le nitinol de composition stoechiométrique NiTi. Le second matériau est une céramique de type alumine et le troisième un autre intermétallique, y-TiAI. Pour ce faire, le substrat sur lequel l'échantillon doit être construit est une plaque en céramique. Ici aussi, la précision des différentes parties doit être de l'ordre du micromètre. Pour ce faire, on utilise la séquence suivante : dépôt sur une plaque d'alumine d'une résine photosensible SU-8. Révélation de la forme désirée après illumination par une source d'UV ou de rayons X ; dépôt par PCT du NiTi sur un substrat refroidi (moins de 300°C) ; positionnement d'un masque en nickel électrolytique obtenu par photolithographie X ; dépôt de la céramique par PVD radiofréquence (PVD-RF) ; dépôt sur l'ensemble NiTi + alumine d'une dernière couche de SU-8 (résine) ; révélation de la dernière forme après illumination par une source d'UV ou de rayons X; dépôt par PCT du troisième alliage, le y-TiAl ; élimination de tous les restes de SU-8 et dissolution du nickel électrolytique dans un bain de HNO3 au demi, additionné de 1 g/L de KC1. A l'issue de ces opérations, on obtient un objet bimétallique avec un axe en céramique. Au vu de la nature des matériaux déposés, il est impossible d'obtenir ceci par fabrication directe (dépôt électrolytique, etc..). Cet exemple a été choisi pour démontrer la versatilité du procédé de l'invention. Ainsi, l'invention trouve une application préférentielle dans la fabrication d'objets 30 micromécaniques de grande précision en particulier dans le domaine de l'aéronautique, de l'horlogerie, etc... REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un objet de grande précision formé d'au moins un matériau inorganique, comprenant les étapes suivantes : utiliser un procédé de lithographie à haute résolution pour former un moule négatif de l'objet à fabriquer, dans un matériau résistant à une étape de formage par dépôt par voie sèche et pouvant soit être éliminé sans altération de l'objet qui aura été fabriqué, soit être séparé dudit objet ; et réaliser au moyen du moule négatif un dépôt par voie sèche d'au moins un matériau inorganique pour constituer l'objet à fabriquer. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant une étape préalable dans laquelle on choisit un substrat qui sera utilisé ensuite dans le procédé de lithographie haute résolution pour réaliser le moule négatif 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le moule négatif est formé directement dans le matériau résistant. 4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le matériau résistant est une résine 20 photosensible déposée sur ledit substrat. 5. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le matériau résistant est un métal déposé sur ledit substrat. 25 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le procédé de lithographie à haute résolution est un procédé de photolithographie mettant en oeuvre un rayonnement UV ou un rayonnement X. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant les étapes ultérieures 30 suivantes : - éliminer le moule négatif ; et 2015récupérer l'objet ainsi fabriqué. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape du procédé relatif à la lithographie à haute résolution comprend les sous-étapes suivantes : - former un moule positif de l'objet à fabriquer dans un premier matériau, réaliser dans ou sur le moule positif un dépôt électrolytique d'un second matériau, métallique, et qui est le matériau résistant destiné à constituer le moule négatif, éliminer le premier matériau pour récupérer le moule négatif constitué du second matériau, et dans lequel l'étape de dépôt par voie sèche est réalisée dans ou sur le moule négatif en second matériau. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le premier matériau est une résine photosensible. 10. Procédé selon l'une des revendications 8 et 9, dans lequel le second matériau formant le moule négatif est un dépôt électrolytique. 11. Procédé selon les revendications 8 à 10, dans lequel le second matériau formant le 20 moule négatif est éliminé par attaque chimique. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le dépôt par voie sèche est choisi parmi : un dépôt par Pulvérisation Cathodique Triode (PCT), 25 un dépôt chimique en phase vapeur ou CVD (abréviation de Chemical Vapor Deposition), assisté ou non par plasma, un dépôt par frittage à plasma d'étincelles ou SPS (abréviation de Spark Plasma Sintering), un dépôt physique en phase vapeur ou PVD (abréviation de Physical Vapor 30 Deposition), 2115un dépôt physique par évaporation, par exemple un dépôt physique en phase vapeur par faisceau d'électrons ou EB-PVD (abréviation de Electron Beam Physical Vapor Deposition). 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel, le dépôt par voie sèche est un dépôt par Pulvérisation Cathodique Triode (PCT), 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel on répète au moins une fois l'étape de lithographie à haute résolution et l'étape de dépôt par voie sèche avec un autre matériau inorganique pour réaliser un objet formé d'au moins deux matériaux inorganiques différents. 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel le matériau inorganique est choisi parmi : les métaux purs, les alliages multi-composant, les superalliages, ou toute 15 céramique obtenue par ce procédé et leurs mélanges. 16. Objet tel qu'obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 15. 20 17. Objet selon la revendication 16, réalisé sous la forme d'une butée spirale (1) comprenant une face annulaire (2) sur laquelle sont formée des bossages délimitant des rainures en spirale (3) d'une profondeur de quelques micromètres. 18. Objet selon la revendication 16, réalisé sous la forme d'un palier à lobes (4) de 25 dimension millimétrique.