Brevet FR2961717A1 — publié le 20111230

Domaine de l'invention Les différents modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des systèmes et des procédés de traitement gazeux d'un certain nombre de substrats au sein d'une chambre de réaction et, plus particulièrement, des systèmes et des procédés de traitement gazeux du dépôt de matériaux sur un certain nombre de substrats au sein d'une chambre de réaction. Contexte Les systèmes de traitement gazeux d'un certain nombre de substrats, et, en particulier, de traitement gazeux du dépôt de matériaux sur un certain nombre de substrats, sont largement utilisés pour la-formation d'un certain nombre de types de matériaux comprenant, par exemple, les semi-conducteurs, les diélectriques, et les céramiques. Un certain nombre de systèmes peut être utilisé pour le dépôt de matériaux, comme, par exemple, les systèmes qui utilisent des technologies telles que le dépôt en phase gazeuse organométallique (MOCVD), l'épitaxie en phase vapeur par halogénures (HVPE), l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et le dépôt en couches atomiques (ALD). Les systèmes MOCVD (également désignés « épitaxie 25 en phase vapeur organométallique » (OMVPE), et « épitaxie en phase vapeur métallorganique (MOVPE)) peuvent être utilisés pour la formation d'un certain nombre de matériaux comprenant des matériaux semi-conducteurs (comme les III-arséniures, les III- phosphures, les III-antimoniures, les III-nitrures et leurs mélanges), des matériaux diélectriques (comme le nitrure de silicium, les oxydes de silicium) et les matériaux céramiques (comme les nitrures de titane, les oxydes de titane). Les systèmes MOCVD utilisent généralement un certain nombre de gaz de traitement comprenant, par exemple, un ou plusieurs gaz précurseur(s) qui participe(nt) aux réactions chimiques sur des substrats chauffés afin de former des matériaux souhaités sur les substrats chauffés. En outre, les gaz de traitement peuvent comprendre un certain nombre de gaz supplémentaires ; lesdits gaz supplémentaires peuvent être utilisés, par exemple, comme gaz porteurs, comme dopants et comme diluants. Comme cela est indiqué ci-dessus, le MOVCD peut être utilisé pour le développement de matériaux semi-conducteurs. En particulier, le MOVCD peut être utilisé pour le développement de matériaux semi-conducteurs composites. Par exemple, les systèmes MOVCD peuvent être utilisés pour former des matériaux semi-conducteurs de type III-V, le gaz de traitement pouvant comprendre un ou plusieurs précurseur(s) du groupe III (comme des alkyles métalliques), un ou plusieurs précurseur(s) du groupe V (comme de l'arsine, de l'hydrogène phosphoré, de l'ammoniac et de l'hydrazine) et un certain nombre de gaz supplémentaires qui peuvent agir, par exemple, comme des gaz porteurs, des dopants et des diluants (comme l'hydrogène, l'hélium, l'argon, le silane et le bis(cyclopentadiényle)magnésium). Les gaz de traitement sont généralement introduits dans la chambre de réaction du système MOCVD en utilisant un certain nombre d'injecteurs de gaz. Les injecteurs de gaz sont configurés pour promouvoir l'interaction entre les gaz de traitement sur un substrat chauffé, afin qu'un matériau soit déposé sur le substrat chauffé. Les positions réelles et relatives des différents injecteurs de gaz dans la chambre de réaction peuvent influencer la qualité du matériau déposé. De plus, les positions réelles et relatives des différents injecteurs de gaz peuvent également influencer la propreté de la chambre de réaction et le fonctionnement des différents composants dans la chambre de réaction. Bref résumé Les différents modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des systèmes et des procédés de traitement gazeux d'un ou plusieurs substrat(s) au sein d'une chambre de réaction et, plus particulièrement, des systèmes et des procédés de dépôt d'un ou plusieurs matériau(x) sur au moins un substrat dans une chambre de réaction. Les systèmes et les procédés vont maintenant être décrits brièvement en termes de modes de réalisation exemplaires de l'invention Ce résumé est destiné à présenter une sélection de concepts sous une forme simplifiée. Ces concepts sont décrits plus en détail dans la description détaillée des modes de réalisation exemplaires de l'invention. Ce résumé n'est pas destiné à identifier les caractéristiques essentielles du sujet de l'invention, ni à limiter l'étendue du sujet de l'invention. Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend un système de traitement gazeux d'au moins un substrat. Le système peut comprendre une chambre de réaction et au moins une structure de support de substrat configurée pour maintenir au moins un substrat disposé au sein de la chambre de réaction. La structure de support du substrat peut tourner autour d'un axe de rotation. Le système peut également comprendre une pluralité d'injecteurs de gaz. Par exemple, le système peut comprendre au moins un injecteur de gaz statique et au moins un injecteur de gaz mobile. L'injecteur de gaz statique peut être disposé sur la structure de support de substrat au sein de la chambre de réaction. L'injecteur de gaz mobile peut également être disposé sur la structure de support de substrat. L'injecteur de gaz mobile peut être rapproché et éloigné de la structure de support de substrat, et peut comprendre un entraînement destiné à rapprocher et à éloigner l'injecteur de gaz mobile de la structure de support de substrat, et un ou plusieurs orifices de sortie de gaz destiné(s) à évacuer un ou plusieurs gaz de traitement de l'injecteur de gaz mobile. Dans d'autres modes de réalisation, la présente invention comprend un système de traitement gazeux qui comprend au moins une structure de support de substrat configurée pour maintenir au moins un substrat au sein d'une chambre de réaction, un premier injecteur de gaz séparé de la structure de support, et un second injecteur de gaz comprenant au moins un orifice de sortie de gaz qui est disposé entre le premier injecteur de gaz et la structure de support de substrat. Le second injecteur de gaz peut être déplacé entre une première position et une seconde position au sein de la chambre de réaction. L'orifice de sortie de gaz au moins du second injecteur de gaz peut être rapproché de la structure de support de substrat au moins lorsque le second injecteur de gaz se trouve dans la seconde position, par rapport à la situation dans laquelle le second injecteur de gaz se trouve dans la première position. D'autres modes de réalisation de l'invention comprennent un procédé de traitement gazeux d'au moins un substrat dans une chambre de réaction. Au moins un orifice de sortie de gaz d'au moins un injecteur de gaz mobile peut être positionné à un premier emplacement dans la chambre de réaction. Ledit positionnement de l'orifice de sortie de gaz au moins peut comprendre la diminution d'une première distance de séparation entre l'orifice de sortie de gaz au moins de l'injecteur de gaz mobile et au moins un injecteur de gaz statique, et l'augmentation d'une seconde distance de séparation entre l'orifice de sortie de gaz au moins de l'injecteur de gaz mobile et une structure de support de substrat au sein de la chambre de réaction. Au moins un substrat peut être chargé sur la structure de support de substrat, et l'orifice de sortie de gaz au moins dudit injecteur de gaz mobile au moins peut être déplacé d'un premier emplacement à un second emplacement au sein de la chambre de réaction. Ledit déplacement de l'orifice de sortie de gaz au moins peut comprendre l'augmentation de la première distance de séparation entre l'orifice de sortie de gaz au moins de l'injecteur de gaz mobile au moins et l'injecteur de gaz statique au moins, et la diminution de la seconde distance de séparation entre l'orifice de sortie de gaz au moins de l'injecteur de gaz mobile au moins et la structure de support de substrat. Au moins un gaz de traitement peut être évacué de l'injecteur de gaz mobile au moins, et au moins un autre gaz de traitement différent peut être évacué de l'injecteur de gaz statique au moins.35 Brève description des schémas La présente invention peut être comprise plus en détail en référence à la description détaillée suivante des modes de réalisation exemplaires de la présente invention, qui sont illustrés sur les figures jointes, sur lesquelles : La figure 1 illustre schématiquement une vue d'ensemble d'un exemple non limitatif de système de traitement gazeux d'un certain nombre de substrats et, plus particulièrement, de dépôt de matériaux sur un certain nombre de substrats. Les figures 2A et 2B illustrent schématiquement des modes de réalisation exemplaires de systèmes et de procédés utilisant un injecteur de gaz statique et un injecteur de gaz mobile. Les figures 3A et 3B illustrent schématiquement des vues développées d'exemples non limitatifs de systèmes d'entraînement pour un injecteur de gaz mobile. Les figures 4A et 4B illustrent schématiquement des vues en coupe développées de configurations non limitatives d'orifices de sortie de gaz d'un injecteur de gaz mobile et d'un injecteur de gaz statique. Description détaillée Les illustrations présentées ici ne sont pas des vues réelles d'une structure, d'un matériau, d'un appareil, d'un système ou d'un procédé particuliers, mais sont simplement des représentations idéalisées utilisées pour décrire la présente invention. Des en-têtes sont utilisés pour des raisons de clarté uniquement, et sans aucune limitation. Un certain nombre de références est cité, et leurs descriptions sont intégrées dans leur intégralité à titre de référence. Tel qu'utilisé ici, le terme « chambre de réaction » désigne et comprend n'importe quel type d'enceinte dans laquelle un ou plusieurs gaz est/sont utilisé(s) pour traiter un ou plusieurs substrat(s). Tel qu'utilisé ici, le terme « substrat » désigne et comprend n'importe quelle structure qui a été ou qui sera traitée en utilisant un ou plusieurs gaz dans une chambre de réaction. Tel qu'utilisé ici, le terme « structure de support de substrat » désigne et comprend n'importe quel dispositif qui est utilisé pour supporter un ou plusieurs substrat(s) dans une chambre de réaction. Les structures de support de substrats comprennent, sans s'y limiter, les suscepteurs qui supportent les substrats sur la totalité de leur surface inférieure, les structures en forme d'anneau qui supportent les substrats uniquement le long de leurs bords périphériques, et les structures en trépied qui supportent les substrats en trois points ou plus sur leur surface inférieure. Tel qu'utilisé ici, le terme « injecteur de gaz » désigne et comprend n'importe quel dispositif ou appareil utilisé pour injecter du gaz dans une chambre de réaction. Tel qu'utilisé ici, le terme « orifice de sortie de gaz » désigne et comprend la sortie d'un injecteur de gaz par laquelle le gaz est évacué de l'injecteur de gaz et pénètre dans un espace au sein d'une chambre de réaction. Des modes de réalisation exemplaires de la présente invention comprennent des systèmes et des procédés de traitement gazeux d'un certain nombre de substrats (comme pour le dépôt de matériaux sur un certain nombre de substrats) et, plus particulièrement, des systèmes et des procédés de dépôt chimique en phase vapeur sur un certain nombre de substrats. Les modes de réalisation de l'invention peuvent comprendre, par exemple, l'utilisation d'un certain nombre d'injecteurs de gaz dans une chambre de réaction, les injecteurs de gaz pouvant comprendre un ou plusieurs injecteur(s) de gaz statique(s) et un ou plusieurs injecteur(s) de gaz mobile(s). Le ou les injecteur(s) de gaz mobile(s) peut/peuvent être déplacé(s) par rapport au ou aux injecteur(s) de gaz statique(s), ainsi qu'aux substrats déposés sur une structure de support de substrats. Lesdits injecteurs de gaz peuvent améliorer la qualité du ou des matériau(x) déposé(s), et peuvent améliorer la propreté de la chambre de réaction ou des composants de la chambre de réaction. Par conséquent, la durée de vie utile de la chambre de réaction ou d'un ou plusieurs composant(s) de la chambre de réaction peut être allongée. Des modes de réalisation exemplaires de l'invention sont décrits ci-dessous en référence à la figure 1. La figure 1 illustre une vue d'ensemble d'un exemple non limitatif de système 100 destiné au traitement gazeux d'un certain nombre de substrats, et plus particulièrement au dépôt de matériaux sur un certain nombre de substrats. Le système 100 comprend une chambre de réaction 102, une structure de support de substrat 104, un injecteur de gaz statique 106 et un injecteur de gaz mobile 108. La chambre de réaction 102 peut comprendre un certain nombre de parois latérales 110, un plafond 112 et un plancher 114, et peut être entourée par un logement de réacteur 118. Les matériaux utilisés pour fabriquer la chambre de réaction 102 peuvent être sélectionnés afin d'être compatibles avec les produits chimiques corrosifs, les températures et les pressions généralement utilisés pendant les processus de dépôt. Ces matériaux peuvent .9 comprendre, par exemple, du quartz et de l'acier inoxydable. La chambre de réaction 102 peut comprendre une structure de support de substrat 104 comprenant un certain nombre de creux en forme de disque, généralement désignés poches 120. Chaque poche 120 peut être configurée pour recevoir un substrat 122 ou un support de substrat 124, afin que la structure de support de substrat 104 puisse porter un certain nombre de substrats 122 ou de supports de substrats 124. L'exemple non limitatif illustré sur la figure 1 illustre une structure de support de substrat en forme de disque 104 qui comprend six poches séparées 120 destinées à porter des substrats 120 et/ou des supports de substrats 124. La structure de support de substrat 124 peut avoir n'importe quel nombre d'autres configurations, et peut avoir n'importe quel nombre de poches 120. De plus, les poches 120 peuvent être situées à des emplacements autres que ceux du mode de réalisation illustré sur la figure 1. Par exemple, chaque poche 120 peut comprendre un seul substrat 122', ou un support de substrat 124 capable de porter une pluralité de substrats 122. Ainsi, chaque structure de support de substrat 104 peut porter une pluralité de substrats 122, et peut porter des substrats 122 de différents diamètres (2" ou 54,14 mm, 4" ou 108,28 mm, 6" ou 162,42 mm, 8" ou 216,56 mm ou 12" ou 324,84 mm) pendant un seul processus de dépôt. La structure de support de substrat 10 peut être chauffée par un ou plusieurs élément(s) chauffant(s). Par exemple, un ou plusieurs élément(s) chauffant(s) à résistance, élément(s) chauffant(s) à lampe, élément(s) chauffant(s) à induction, et élément(s) chauffant(s) à radiofréquences (non illustrés) peut/peuvent être utilisé(s) pour augmenter la température des substrats .10 112 portés par la structure de support de substrat 104 jusqu'à atteindre une température souhaitable pour un processus de dépôt. Le système 100 peut également comprendre une broche de support 126 sur laquelle la structure de support de substrat 104 peut être montée. La broche de support 126 peut être configurée pour tourner dans la chambre de réaction 102 autour d'un axe de rotation 128, afin que la structure de support de substrat 104 montée sur la broche de support 126 puisse également tourner autour de l'axe de rotation 128. Le mouvement des substrats 122 dans la chambre de réaction 102 par la rotation de la structure de support de substrat 104 autour de l'axe de rotation 128 pendant un processus de dépôt peut être utilisé pour contrer les inhomogénéités de développement et peut améliorer l'uniformité des matériaux déposés. La broche de support 126 peut être tournée par un entraînement 130. L'entraînement 130 peut comprendre, par exemple, un moteur. Dans certains modes de réalisation, la broche de support 126 peut être couplée magnétiquement à l'entraînement 130 afin de supporter la broche 126 dans la chambre de réaction 102. La vitesse de rotation autour de l'axe de rotation 128 peut être variable afin de pouvoir ajuster le processus (optimisation, par exemple). Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, les poches individuelles 120 peuvent également être tournées de manière indépendante afin que les poches individuelles 120 puissent être tournées indépendamment de la rotation de la structure de support de substrat 104. Par exemple, la poche 120' peut être reliée à un système d'entraînement supplémentaire (non illustré) par le biais d'un axe 132, à l'aide, par exemple, d'un couplage magnétique. Dans ce mode de réalisation, la poche 120' et l'axe 132 peuvent être tournés autour .11 d'un axe de rotation supplémentaire 134 qui peut s'étendre dans un centre de la poche 120'. Dans d'autres modes de réalisation, la poche 120' peut être entraînée afin de tourner autour de l'axe de rotation 134, en utilisant un système d'engrenages (non illustré) qui accouple l'axe 132 à la broche de support 126, afin que la rotation de la broche de support 126 provoque la rotation de l'axe 132 par le biais du système d'engrenages. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le système 100 peut ne pas comprendre la structure de support de substrat 104, et chacun de la pluralité de substrats 122 et/ou de supports de substrats 124 peut être supporté individuellement par des broches de support distinctes telles que l'axe 132. Dans certains modes de réalisation, la broche de support 126 peut être couplée magnétiquement à l'entraînement 130 en vue de la rotation, à l'aide de techniques similaires à celles décrites dans le brevet US n°5 795 448, publié le 18 août 1998 par Hurwitt et al. Comme cela est indiqué précédemment, la chambre de réaction 102 peut comprendre un ou plusieurs injecteur (s) de gaz mobile(s). Comme cela est illustré sur la figure 1, la chambre de réaction 102 comprend un injecteur de gaz mobile 108. D'autres détails de l'injecteur de gaz mobile 108 sont décrits ci-dessous en référence aux figures 2A et 2B, aux figures 3A et 3B et à la figure 4A. Toujours en référence à la figure 1, l'injecteur de gaz mobile 108 peut comprendre une structure généralement cylindrique. Dans d'autres modes de réalisation, l'injecteur de gaz mobile 108 peut avoir une autre forme ou configuration. L'injecteur de gaz mobile 108 peut être fabriqué avec n'importe quel ,12 nombre de matériaux, et peut être fabriqué à l'aide de matériaux compatibles avec les produits chimiques corrosifs, les températures et les pressions auxquels les matériaux peuvent être soumis pendant les processus de dépôt. En tant qu'exemples non limitatifs, lesdits matériaux peuvent comprendre le quartz et l'acier inoxydable. L'injecteur de gaz mobile 108 peut être placé dans la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 104 et les substrats 122 peuvent être portés par la structure de support de substrat 104. L'injecteur de gaz mobile 108 peut avoir un axe central 1036 qui coïncide avec l'axe de rotation 128 de la structure de support de substrat 104. L'injecteur de gaz mobile 108 peut également comprendre un ou plusieurs entraînement(s) 138 destiné(s) à assurer une ou plusieurs composante(s) de mouvement (c'est-à-dire des degrés de liberté de mouvement) afin que l'injecteur de gaz mobile 108 et un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) a l'injecteur de gaz mobile 108 puissent se déplacer par rapport à un ou plusieurs injecteur(s) de gaz statique(s) 106 et par rapport à la structure de support de substrat 104. Par exemple, l'entraînement 138 peut être utilisé pour assurer une composante de mouvement le long de l'axe de rotation 128 (c'est-à-dire de haut en bas selon la perspective des figures). Plus précisément, la capacité à déplacer l'injecteur de gaz mobile 108 le long de l'axe de rotation 128 peut être avantageuse pour un certain nombre de raisons. Par exemple, en référence à la figure 2A, une première distance de séparation dl peut être définie comme la distance entre l'emplacement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et l'emplacement d'une pluralité ,13 d'orifices de sortie de gaz 142 de l'injecteur de gaz statique 106 le long de l'axe de rotation 128. En contrôlant sélectivement le mouvement de l'injecteur de gaz mobile 1089 le long de l'axe de rotation 128 vers le haut et vers le bas (selon la perspective des figures), la première distance de séparation dl peut être contrôlée de manière sélective (c'est-à-dire augmentée ou diminuée) selon les besoins. En outre, une seconde distance de séparation d2 peut être définie comme étant la distance entre l'emplacement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et l'emplacement de la structure de support de substrat 104 le long de l'axe de rotation 128. En contrôlant sélectivement le mouvement de l'injecteur de gaz mobile 108 le long de l'axe de rotation 128 vers le haut et vers le bas (selon la perspective des figures), la seconde distance de séparation d2 peut également être contrôlée de manière sélective (c'est-à-dire augmentée ou diminuée) selon les besoins. Dans certains modes de réalisation, la première distance de séparation dl et la seconde distance de séparation d2 peuvent être inversement proportionnelles, et peuvent ne pas être variées indépendamment l'une de l'autre. Dans d'autres modes de réalisation, cependant, il est possible de varier la première distance de séparation dl et la seconde distance de séparation d2 indépendamment l'une de l'autre, et il est possible de modifier l'une sans changer l'autre. Par exemple, la structure de support de substrat 104 peut être configurée afin de pouvoir se déplacer avec l'injecteur de gaz mobile 108. Dans certains modes de réalisation de l'invention, il peut être avantageux de placer l'injecteur de gaz mobile 108 et le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de celui-ci à proximité de la structure de support de .14 substrat 104. Par exemple, l'injecteur de gaz mobile 108 peut être placé dans la chambre de réaction 102 afin que la première distance de séparation d1 soit relativement importante (maximisée, par exemple) et que la seconde distance de séparation d2 soit relativement faible (minimisée, par exemple), comme cela est illustré sur la figure 2A. Par exemple, pendant les processus de dépôt, il peut être avantageux de placer le ou les orifice(s) de sortie de gaz 104 de l'injecteur de gaz mobile 108 à proximité de la structure de support de substrat 104, afin qu'un gaz précurseur puisse être injecté par le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 à proximité du ou des substrat(s) 122 porté(s) par la structure de support de substrat 104. En tant qu'exemple non limitatif, il peut être avantageux de placer le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 à une distance de l'ordre d'un millimètre (1 mm) à environ cent cinquante millimètres (150 mm) de la structure de support de substrat 104 pendant les processus de dépôt. En outre, pendant les processus de dépôt, il peut être avantageux de maintenir une séparation significative entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, comme cela est illustré sur la figure 2A. En tant qu'exemple non limitatif, il peut être avantageux de maintenir une séparation entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, de l'ordre d'environ cinquante millimètres (50 mm) à environ cinq cent millimètres (500 mm) pendant les processus de dépôt. Le maintien d'une séparation significative entre les emplacements .15 des orifices de sortie de gaz 140 et 142 peut être utilisé pour empêcher tout mélange prématuré des gaz précurseurs distribués respectivement par ceux-ci, étant donné que le mélange prématuré des gaz précurseurs peut provoquer des interactions indésirables entre les phases gazeuses. Dans d'autres modes de réalisation des procédés de l'invention, il peut être avantageux de placer l'injecteur de gaz mobile 108 et ses orifices de sortie de gaz 140 à proximité de l'injecteur de gaz statique 106. En d'autres termes, l'injecteur de gaz mobile 108 peut être placé dans la chambre de réaction 102 afin que la première distance de séparation d1 soit relativement faible (minimisée, par exemple) et que la seconder distance de séparation d2 soit relativement importante (maximisée, par exemple), comme cela est illustré sur la figure 2B. Par exemple, pendant le chargement des substrats 122 dans la chambre de réaction 102 et/ou le retrait des substrats de la chambre de réaction 102, il peut être avantageux de diminuer la première distance de séparation d1 afin d'assurer un espace physique dans la chambre de réaction 102. Les substrats 122 peuvent être chargés manuellement ou automatiquement dans la chambre de réaction 102 et/ou déchargés de la chambre de réaction 102. Par exemple, comme cela est illustré sur la figure 2B, un bras robotisé 144 muni d'un système de saisie de substrat adapté 146 (comme un dispositif à lance Bernoulli) peut être utilisé afin d'introduire et de retirer automatiquement les substrats de la chambre de réaction 102. La diminution de la première distance de séparation d1 peut empêcher l'injecteur de gaz mobile 108 de gêner mécaniquement le bras robotisé 144, le corps d'un opérateur humain, et/ou les substrats 122. Dans certains modes de réalisation des procédés de l'invention, l'injecteur de gaz mobile 108 et ses orifices de sortie de gaz 140 peuvent être placés à un emplacement intermédiaire afin que la première distance de séparation d1 et la seconde distance de séparation d2 se trouvent à mi-chemin entre les valeurs maximales et minimales. En tant qu'exemple non limitatif, chacune de la première distance de séparation d1 et de la seconde distance de séparation d2 peut être de l'ordre d'environ un millimètre (1 mm) à environ cinq cent millimètres (500 mm). Pendant les processus de dépôt, la position de l'injecteur de gaz mobile 108 et de son ou de ses orifice(s) de sortie de gaz 140 peut être utilisée comme un paramètre de réglage pour former un matériau souhaité sur les substrats 122 portés par la structure de support de substrat 104. L'injecteur de gaz mobile 108 et les orifices de sortie de gaz associés 140 peuvent être déplacés à un emplacement choisi avant le dépôt. En outre, l'injecteur de gaz mobile 108 et les orifices de sortie de gaz 140 peuvent être déplacés pendant un processus de dépôt afin d'ajuster le processus de dépôt selon les besoins (comme par exemple afin d'améliorer ou d'optimiser un ou plusieurs aspect(s) du processus de dépôt). Un certain nombre de procédés peut être utilisé pour conférer des composantes de mouvement à l'injecteur mobile 108. Les figures 3A et 3B sont des vues schématiques agrandies de la partie supérieure de la chambre de réaction 102 et de l'injecteur de gaz mobile 108, et illustrent des exemples non limitatifs de moyens permettant de conférer des composantes de mouvement à l'injecteur de gaz mobile 108. En référence à la figure 3A, une composante de mouvement le long de l'axe de rotation 128 peut être conférée à l'injecteur de gaz mobile 108 par l'entraînement 138A. L'entraînement 138A peut comprendre un entraînement linéaire et peut être actionné par une énergie hydraulique, pneumatique, électrique et mécanique, ou un mélange de celles-ci. L'entraînement 138A peut être relié à une plaque d'entraînement 148 par le biais d'un arbre de transmission 150. La plaque d'entraînement 148 peut être reliée à l'injecteur de gaz mobile 108 afin que l'actionnement de l'entraînement 138A provoque un mouvement de l'injecteur de gaz mobile 108 le long de l'axe de rotation 128 (c'est-à-dire vers le haut et vers le bas selon la perspective des figures). Un orifice d'entrée de gaz de traitement 152 peut être utilisé pour fournir un gaz de traitement à la chambre de réaction 102 par le biais de l'injecteur de gaz mobile 108. Dans certains modes de réalisation, le gaz de traitement introduit dans la chambre de réaction 102 par l'injecteur de gaz mobile 108 peut comprendre, par exemple, des précurseurs métallorganiques (comme du triméthylaluminium, du triéthylaluminium, du triméthylgallium, du triéthylgallium, du triméthylindium, du triéthylindium, etc.), des gaz dopants et des gaz diluants. Le gaz de traitement introduit par l'orifice d'entrée de gaz 152 peut pénétrer dans une préchambre 154. La préchambre 154 peut être enfermée et définie, par exemple, par la plaque d'entraînement 148, des éléments de logement 156 et des soufflets 158, comme cela est illustré sur les figures 3A et 3B. La préchambre 154 peut être en communication de fluide avec l'injecteur de gaz mobile 108 par le biais d'une entrée 160, afin que le gaz de traitement introduit à l'aide de l'orifice d'entrée de gaz 152 puisse être transporté vers l'injecteur de gaz mobile 108 et évacué de l'injecteur de gaz mobile 108 par ses orifices de sortie 140. La préchambre 154 peut être étanchéisée par rapport à l'intérieur de la chambre de réaction 102', à l'aide de joints 162. Les joints 162 peuvent comprendre, par exemple, des joints toriques ou des joints ferrofluidiques. Les joints 162 peuvent assurer l'isolation de la préchambre 154, mais peuvent également permettre le mouvement de l'injecteur de gaz mobile 108 à travers le plafond 112 de la chambre de réaction. Lors de l'actionnement de l'entraînement 138A, les soufflets 158 peuvent se développer et le volume de la préchambre 154 peut augmenter en conséquence (voir figure 2B) tout en maintenant une communication de fluide entre l'orifice d'entrée de gaz 152 de l'injecteur de gaz mobile 108 et l'entrée 160. Les soufflets 158 peuvent être fabriqués avec n'importe quel nombre de matériaux, comme, par exemple, un métal, un polymère, ou tout autre matériau flexible adéquat. En plus de garantir un mouvement le long de l'axe de rotation 128, l'injecteur de gaz mobile 108 peut également tourner autour de l'axe de rotation 128, comme cela est indiqué par la flèche de direction sur la figure 3B. La rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 autour de l'axe de rotation 128 peut être assurée par un entraînement 138B. L'entraînement 138B peut comprendre un entraînement de rotation, et peut être actionné par une énergie hydraulique, pneumatique, électrique et mécanique, ou un mélange de celles-ci. L'entraînement 138B peut être relié à l'injecteur de gaz mobile 108 par le biais d'un arbre de transmission 164. L'arbre de transmission 164 peut être relié à l'injecteur de gaz mobile 108 afin que l'actionnement de l'entraînement 138B provoque un mouvement de rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 autour de l'axe de rotation 128. Des joints supplémentaires 162" peuvent être prévus afin de garantir un mouvement sensiblement exempt de frottement de l'injecteur de gaz mobile 108 tout en maintenant une étanchéité au liquide de la préchambre 154. Dans certains modes de réalisation, il peut être avantageux de tourner l'injecteur de gaz mobile 108 pendant un processus de dépôt. Par exemple, la rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 peut augmenter l'uniformité des matériaux déposés sur les substrats 122. Le ou les entraînement(s) relié(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut/peuvent être commandé(s) par un certain nombre de procédés. Dans certains modes de réalisation, l'entraînement 138A et/ou l'entraînement 138B peut/peuvent être commandé (s) à l'aide d'un système de commande 164 illustré sur les figures 3A et 3B. Le système de commande 164 peut être couplé de manière opérationnelle à l'injecteur de gaz mobile 108, à la chambre de réaction 102 et à un ou plusieurs entraînement(s) 138 afin que le système de commande 164 contrôle leur fonctionnement. Le système de commande 164 peut comprendre un logiciel informatique. Le système de commande 164 peut comprendre un ou plusieurs dispositif(s) d'entrée, qui peut/peuvent être utilisé(s) pour contrôler le fonctionnement de la chambre de réaction 102, et, en particulier, de l'injecteur de gaz mobile 108. Par exemple, un utilisateur peut indiquer un emplacement d'injecteur de gaz mobile souhaité et/ou une vitesse de rotation souhaitée dans la chambre de réaction 102 à l'aide du ou des dispositif(s) d'entrée, et le système de commande 164 peut contrôler le fonctionnement de l'injecteur de gaz mobile 108 et actionner le ou les entraînement(s) 138 afin de déplacer l'injecteur de gaz mobile 108 dans une position souhaitée et à une vitesse souhaitée. En outre, un utilisateur peut indiquer un paramètre d'accumulation souhaitée du gaz de traitement dans la chambre de réaction 102 en utilisant un ou plusieurs dispositif(s) d'entrée, et le système de commande 164 peut contrôler la position et la rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 dans la chambre de réaction 102 afin que le paramètre d'accumulation atteigne une valeur souhaitée. Cette opération de l'injecteur de gaz mobile 108 peut utiliser un système de commande en boucle fermée. En d'autres termes, un ou plusieurs dispositif(s) ou système(s) de surveillance in situ (comme des capteurs) (non illustrés) peut/peuvent être utilisé(s) pour surveiller le statut du matériau déposé et pour fournir des données au système de commande 164, et le système de commande 164 peut contrôler la position et/ou la vitesse de rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 en réponse auxdites données reçues de la part desdits dispositifs ou systèmes de surveillance pendant un processus de dépôt. Comme cela est illustré sur la figure 2A, l'injecteur de gaz mobile 108 peut comprendre un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz 140. La taille, la forme, la position et/ou le regroupement des orifices de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 peuvent être configurés afin d'assurer une distribution souhaitée des gaz de traitement 166' au sein des substrats 122. La densité spatiale des orifices de sortie de gaz 140 peut être sélectionnée selon les caractéristiques de l'écoulement gazeux entre les orifices de sortie de gaz 140, la structure de support de substrat 104 et les substrats associés 122 placés dessus. Ces caractéristiques peuvent comprendre l'empreinte du gaz, ou sa surface de couverture, produite par les orifices de sortie de gaz 140 sur les substrats 122. La sélection des paramètres particuliers pour la disposition des orifices de sortie de gaz 140 peut être effectuée en fonction des caractéristiques de l'écoulement gazeux, et les paramètres estimés peuvent être redéfinis par expérimentation. Dans certains modes de réalisation, une répartition uniforme d'un ou plusieurs gaz de traitement au sein des substrats 122 peut être souhaitée, auquel cas les orifices de sortie de gaz 140 peuvent répartis de manière uniforme autour de la circonférence de l'injecteur de gaz mobile 108. Cette configuration des orifices de sortie de gaz 140 est illustrée par l'exemple non limitatif illustré sur la figure 4A. La figure 4A illustre une vue en coupe schématique de l'injecteur de gaz mobile 108 et illustre huit (8) orifices de sortie de gaz 140 qui sont répartis de manière uniforme autour de la circonférence de l'injecteur de gaz mobile 108. Les orifices de sortie de gaz 140 produisent des flux gazeux radiaux correspondants 166', qui sont distribués aux substrats 122 par l'injecteur de gaz mobile 108 dans une direction orientée à un angle supérieur à zéro (comme par exemple de manière au moins sensiblement perpendiculaire) par rapport à l'axe de rotation 128. En d'autres termes, le gaz peut être évacué des orifices de sortie de gaz 140 dans une direction orientée à environ 90° par rapport à l'axe de rotation 128. Il doit également être noté que, même si la figure 1 et les figures 2A et 2B illustrent les orifices de sortie de gaz 140 comme ayant une forme circulaire, d'autres formes peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation de l'invention. Dans certains modes de réalisation des systèmes de l'invention, le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 peut/peuvent être positionné(s) à proximité de la région de base 168 de l'injecteur de gaz mobile 108, comme cela est illustré schématiquement sur la figure 2A. La proximité du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 par rapport à la région de base 168 peut contribuer à la réduction (à la minimisation, par exemple) de la seconde distance de séparation d2 entre les orifices de sortie de gaz 140 et la structure de support de substrat 104. Le positionnement des orifices de sortie de gaz 140 de manière à réduire ou à minimiser la seconde distance de séparation d2 peut être souhaitable pendant certains processus de dépôt, étant donné que les flux gazeux radiaux 166' évacués par les orifices de sortie de gaz 140 peuvent être spatialement séparés des gaz de traitement 166' évacués par l'injecteur de gaz statique 106 jusqu'à ce que les gaz interagissent sur et à proximité des substrats 122, réduisant (empêchant) ainsi les interactions indésirables entre les phases gazeuses et les problèmes liés à ces interactions. Dans d'autres modes de réalisation des systèmes de l'invention, une ou plusieurs plaque(s) déflectrice(s), comme une première plaque déflectrice 170' et/ou une seconde plaque déflectrice 170", peut/peuvent être utilisée(s) en conjonction avec l'injecteur de gaz mobile 108, comme cela est illustré sur les figures 2A et 2B. Les plaques déflectrices 170', 170" peuvent faire partie intégrante de l'injecteur de gaz mobile 108. Dans d'autres modes de réalisation, les plaques déflectrices 170', 170" peuvent comprendre des éléments distincts reliés à et portés par l'injecteur de gaz mobile 108. La forme, la position et la taille des plaques déflectrices 170', 170" peuvent être sélectionnées afin d'orienter le ou les flux gazeux radiaux 166' dans les directions d'évacuation souhaitées, afin que les flux gazeux radiaux 166' soient évacués dans une direction située à un angle supérieur à zéro (comme par exemple de manière au moins sensiblement perpendiculaire) par rapport à l'axe de rotation 128. La plaque déflectrice 170' peut être disposée à proximité (de manière adjacente, par exemple) du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 sur un côté de celui-ci éloigné de la structure de support de substrat 104. Dans certains modes de réalisation de l'invention, la plaque déflectrice 170" peut être disposée à proximité (de manière adjacente, par exemple) des orifices de sortie de gaz 140 associés à l'injecteur de gaz mobile 108 sur un côté de celui-ci proche de la structure de support de substrat 104. La plaque déflectrice 170" peut être incluse, par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels la structure de support de substrat 104 comprend un certain nombre d'axes, comme cela est illustré sur la figure 1. Les plaques déflectrices 170', 170" peuvent être dimensionnées afin de protéger les flux gazeux radiaux 166' évacués par les orifices de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 jusqu'à ce que le gaz des flux gazeux radiaux 166' se trouve à proximité des substrats 122 portés par la structure de support de substrat 104. Comme cela est illustré sur la figure 2A, les plaques déflectrices 170', 10" possèdent un diamètre extérieur L et s'étendent sur la structure de support de substrat 104, jusqu'aux bords externes des substrats 122. Cette configuration des plaques déflectrices 170', 170" peut être souhaitable étant donné que le gaz de traitement des flux gazeux radiaux 166' peut rester sensiblement séparé du gaz de traitement 166" évacué par le ou les injecteur(s) de gaz statique(s) 106 jusqu'à ce que les gaz de traitement se trouvent au-dessus et à proximité (comme par exemple de manière adjacente) des substrats 122. Les systèmes de certains modes de réalisation de l'invention peuvent également comprendre un ou plusieurs injecteur(s) de gaz statique(s) 106. Des exemples non-limitatifs d'injecteurs de gaz statiques sont illustrés sur la figure 1, les figures 2A et 2B et la figure 4B. La chambre de réaction 102 peut comprendre un certain nombre d'injecteurs de gaz statiques. Par exemple, la figure 1 illustre un injecteur de gaz statique unique et solide 106. Dans d'autres modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut comprendre une pluralité d'injecteurs de gaz statiques, comme les quatre injecteurs de gaz statiques 106' illustrés en lignes fantômes, qui peuvent fonctionner en conjonction avec l'injecteur de gaz mobile 108 pour le traitement gazeux des substrats 122. Dans certains modes de réalisation de l'invention, l'injecteur de gaz statique 106 peut être disposé à la verticale par-dessus la structure de support de substrat 104 (selon la perspective des figures) et peut s'étendre par-dessus la structure de support de substrat 104, comme cela est illustré sur la figure 1 et sur les figures 2A et 2B. Plus précisément, l'injecteur de gaz statique 106 peut être dimensionné et configuré afin que l'injecteur de gaz statique 106 puisse fournir un certain nombre de gaz de traitement aux substrats 122 dans la chambre de réaction 102. L'injecteur de gaz statique 106 peut s'étendre latéralement, partiellement ou entièrement au sein de la structure de support de substrat 104, afin que les substrats 122 supportés par la structure de support de substrat 104 pussent être traités au gaz par un seul injecteur de gaz statique 106. L'injecteur de gaz statique 106 peut être configuré pour être monté sur la chambre de réaction 102, et l'injecteur de gaz statique 106 peut être monté à une distance de séparation prédéfinie d3 de la structure de support de substrat 104. Par exemple, un certain nombre de fixations de logement 172 (figures 2A et 2B) peut être utilisé pour fixer l'injecteur de gaz statique 106 sur le plafond 112 de la chambre de réaction 102, afin que l'injecteur de gaz statique 106 soit fixé à la distance de séparation prédéfinie d3 des substrats 122. Dans certains l'invention, la distance de peut être sélectionnée de modes de réalisation de séparation prédéfinie d3 sorte qu'il existe une séparation suffisante 106 et les substrats thermique générée par entre l'injecteur de gaz statique chauffés 122, afin que l'énergie les substrats chauffés 122 puisse ne puisse pas chauffer l'injecteur de gaz statique 106 d'une quelconque manière significative qui pourrait affecter le processus de dépôt. Dans certains modes de réalisation, la distance de séparation prédéfinie d3 peut être de l'ordre d'environ cinquante millimètres (50 mm) à environ cinq cent millimètres (500 mm). Le fait d'empêcher tout chauffage significatif de l'injecteur de gaz statique 106 peut limiter la formation de dépôts indésirables sur l'injecteur de gaz statique 106, limitant ainsi la nécessité d'effectuer des processus de nettoyage longs sur l'injecteur de gaz statique 106. L'injecteur de gaz statique 106 peut en outre être protégé contre tout chauffage indésirable en ajoutant des systèmes de refroidissement à circulation d'eau (non illustrés). Ces systèmes de refroidissement à circulation d'eau sont connus dans l'art et peuvent être utilisés dans les modes de réalisation de la présente invention afin d'empêcher la formation de dépôts indésirables sur l'injecteur de gaz statique 106. L'injecteur de gaz statique 106 peut également comprendre une ouverture 174 formée à l'intérieur, comme cela est illustré sur la figure 1 et les figures 2A et 2B. L'ouverture 174 peut avoir un axe central qui coïncide avec l'axe de rotation 128. L'ouverture 174 peut être dimensionnée et configurée afin de recevoir l'injecteur de gaz mobile 108 à travers l'ouverture 174, de sorte que l'axe central de l'ouverture 174 coïncide avec l'axe central 136 de l'injecteur de gaz mobile 108 dans certains modes de réalisation de l'invention. L'injecteur de gaz statique 106 peut être configuré afin qu'au moins une partie de l'injecteur de gaz mobile 108 puisse passer à travers l'injecteur de gaz statique 106 le long de l'axe de rotation 128. Par exemple, il peut être souhaitable que l'axe central 136 de l'injecteur de gaz mobile 108 coïncide avec l'axe de rotation 128, afin que l'injecteur de gaz mobile 108 puisse se déplacer le long de l'axe de rotation 128. Ainsi, l'injecteur de gaz statique 106 peut comprendre l'ouverture 174 afin de permettre à l'injecteur de gaz mobile 108 de se déplacer dans la chambre de réaction 102. Il doit être noté que l'ouverture 174 peut être dimensionnée et configurée pour permettre à une pluralité d'injecteurs de gaz mobiles tels que l'injecteur de gaz mobile 108 de passer à travers l'ouverture 174. Dans d'autres modes de réalisation, l'injecteur de gaz statique 106 peut comprendre une pluralité d'ouvertures telles que l'ouverture 174, et chaque ouverture de ladite pluralité peut être configurée pour permettre à un injecteur de gaz mobile d'une pluralité d'injecteurs de gaz (tel que l'injecteur de gaz mobile 108) de passer à travers l'ouverture respective. L'injecteur de gaz statique 106 peut également comprendre un ou plusieurs orifice(s) d'entrée de gaz 176 en communication de fluide avec la préchambre 178 voir les figures 2A et 2B). Ainsi, le gaz de traitement peut être fourni à la préchambre 178 par une source de gaz de traitement par le biais du ou des orifice(s) d'entrée de gaz 176. Dans certains modes de réalisation, une plaque de base poreuse perméable au gaz 180 peut être disposée à la base de la préchambre 178. Les pores de la plaque de base poreuse perméable au gaz 180 peuvent définir une pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 qui sont en communication de fluide avec la préchambre 178, afin qu'un gaz de traitement 166" puisse être évacué de la préchambre 178 et fourni à la chambre de réaction 102 par les pores (qui définissent les orifices de sortie de gaz 142) de la plaque de base poreuse perméable au gaz 180. Le gaz de traitement 166" peut être évacué de la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 vers le bas (selon la perspective des figures), vers les substrats 122. Plus précisément, le ou les orifice(s) d'entrée de gaz 176 en communication de fluide avec la préchambre 178 peut/peuvent être utilisé(s) pour l'introduction de gaz de traitement à l'intérieur de la chambre de réaction 102' par le biais de l'injecteur de gaz statique 106. Dans certains modes de réalisation des systèmes de l'invention, le gaz de traitement introduit à l'intérieur de la chambre de réaction 102' par l'injecteur statique 106 peut comprendre, par exemple, des précurseurs du groupe V (arsine, phosphine, ammoniac, diméthylhydrazine, etc.) ainsi que différents gaz porteurs, des gaz dopants et des gaz diluants. Le ou les orifice(s) d'entrée de gaz 176 peut/peuvent être utilisé(s) pour alimenter la préchambre 178. Comme cela est mentionné précédemment, la préchambre 178 peut comprendre une plaque de base poreuse perméable au gaz 180. La préchambre 178 peut être capable d'égaliser la pression dans les orifices d'entrée de gaz 176 de façon à assurer une distribution uniforme du gaz de traitement aux orifices de sortie de gaz 142 associés à la plaque de base poreuse perméable au gaz 180. La plaque de base poreuse perméable au gaz 180, généralement désignée « fritte », peut être fabriquée, par exemple, en métal ou en céramique, et peut contenir une pluralité de pores reliant de manière fluidique l'intérieur de la chambre de réaction 102' avec la préchambre 178, formant par conséquent la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142, comme cela est illustré plus en détail sur la vue en coupe schématique de la figure 4B. Comme cela est illustré sur la vue en coupe schématique de l'injecteur de gaz statique de la figure 4B, l'injecteur de gaz statique 106 comprend une pluralité de pores 182 qui agissent comme une pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 afin d'introduire le gaz de traitement dans la chambre de réaction 102. La figure 4B illustre également le fait que l'injecteur de gaz statique 106 puisse également comprendre une ouverture 174 comme cela est décrit précédemment, qui peut être disposée à proximité de l'axe de rotation 128. L'injecteur de gaz statique 106 peut avoir un axe central qui coïncide avec l'axe de rotation 128. Comme cela est décrit précédemment, l'ouverture 174 peut être dimensionnée et configurée pour recevoir au moins une partie de l'injecteur de gaz mobile 108 à travers l'ouverture 174. Comme cela est décrit ci-dessus, la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 en communication de fluide avec la préchambre 178 à l'aide de la plaque de base poreuse perméable au gaz 180 peut provoquer une évacuation du gaz de traitement 166" vers le bas (selon la perspective des figures), vers les substrats 122, de façon au moins sensiblement parallèle à l'axe de rotation 128. Cependant, en plus d'offrir une source de gaz de traitement, la pluralité de flux gazeux évacués 166" peut offrir un rideau de protection contre le gaz à la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 associés à l'injecteur de gaz statique 106, étant donné que la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 évacue une pluralité de flux gazeux 166" qui peuvent empêcher sensiblement les dépôts indésirables de se former sur l'injecteur de gaz statique 106. Certains modes de réalisation des systèmes de l'invention peuvent également comprendre un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz supplémentaire(s) 184, comme cela est illustré sur la figure 2A. Lesdits orifices de sortie de gaz supplémentaires 184 peuvent être disposés entre l'injecteur de gaz statique 106 et l'injecteur de gaz mobile 108. Le ou les orifice(s) de sortie de gaz. supplémentaire(s) 184 peut/peuvent offrir un ou plusieurs rideau(s) de protection contre le gaz 186. Le ou les orifice(s) de sortie de gaz supplémentaire(s) 182 peut/peuvent être utilisé(s) pour produire un ou plusieurs rideau(x) de protection contre le gaz 186, qui peut/peuvent protéger l'injecteur de gaz mobile 108 contre l'accumulation de dépôts indésirables sur l'injecteur de gaz mobile 108, ce qui permet de prolonger les intervalles de temps entre les processus de nettoyage de la chambre de réaction. Les modes de réalisation de l'invention peuvent également comprendre des procédés de traitement gazeux d'une pluralité de substrats dans une chambre de réaction, et, plus particulièrement, un traitement gazeux pour le dépôt d'un ou plusieurs matériau(x) sur un ou plusieurs substrat(s) au sein d'une chambre de réaction. Par exemple, les procédés peuvent comprendre la formation d'un ou plusieurs matériau(x) sur un ou plusieurs substrat(s) en utilisant les systèmes décrits ci-dessus. Ces procédés peuvent être utilisés pour la formation de n'importe quel nombre de matériaux comprenant, par exemple, des matériaux semi-conducteurs (comme les III-arséniures, les III-phosphures, les III-antimoniures, les III-nitrures et leurs mélanges), des matériaux diélectriques (comme le nitrure de silicium, les oxydes de silicium) et les matériaux céramiques (comme les nitrures de titane, les oxydes de titane, etc.). Les modes de réalisation des procédés de l'invention peuvent comprendre l'utilisation d'un injecteur de gaz mobile 108, et peuvent comprendre le positionnement d'un injecteur de gaz mobile 108 par rapport à un ou plusieurs injecteur(s) de gaz statique(s) 106 et par rapport à une structure de support de substrat 104, comme cela est décrit précédemment ici, afin d'améliorer les processus de formation du matériau souhaité sur un ou plusieurs substrat(s) 122. Par conséquent, les modes de réalisation des procédés de l'invention peuvent comprendre le positionnement d'un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à un injecteur de gaz mobile 108 le long d'un axe de rotation 128 au sein de la chambre de réaction 102, comme cela est illustré, par exemple, sur la figure 2B. Le positionnement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut comprendre la diminution d'une première distance de séparation dl entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et le ou les orifice(s) de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, et l'augmentation d'une seconde distance de séparation d2 entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et une structure de support de substrat 104. Ledit positionnement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut placer les orifices de sortie de gaz 140 à proximité du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106 et laisser une séparation substantielle entre la base 168 (c'est-à-dire la surface inférieure) de l'injecteur de gaz mobile 108 et les structures de support de substrats 104. Ladite séparation substantielle entre la base 168 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la structure de support de substrat 104 peut être suffisante pour introduire un mécanisme de chargement et/ou de déchargement 144 comprenant un mécanisme de saisie 146 à insérer à l'intérieur de la chambre de réaction 102' afin d'introduire et/ou de retirer un ou plusieurs substrat(s) 122. En tant qu'exemple non-limitatif, la seconde distance de séparation d2 entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la structure de support de substrat 104 peut être augmentée entre environ vingt cinq millimètres (25 mm) et environ cinq cent millimètres (500 mm). La diminution de la première distance de séparation dl entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et le ou les orifice(s) de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106 peut comprendre l'actionnement de l'entraînement 138A, afin que l'entraînement 138A soulève la plaque d'entraînement 148 à l'aide de l'arbre de transmission 150, comme cela est illustré sur la figure 2B et la figure 3A. Le soulèvement de la plaque d'entraînement 148 peut en outre comprendre l'augmentation du volume dans la préchambre 154, étant donné que la plaque d'entraînement 148 peut être reliée aux soufflets 158, et, étant donné que les soufflets 158 se déplient ou se développent, le volume de la préchambre 154 peut augmenter afin d'accepter le mouvement de l'injecteur de gaz mobile 108. Les modes de réalisation de l'invention peuvent également comprendre le chargement d'un ou plusieurs substrat(s) 122 sur une structure de support de substrat 104 qui peut tourner autour d'un axe de rotation 128. En référence à la figure 2B, dès que le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 est/sont positionné (s) à proximité du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, il peut y avoir une séparation suffisante entre la base 168 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la structure de support de substrat 104 pour pouvoir introduire le mécanisme 144 de chargement et/ou de déchargement des substrats 122 à l'intérieur de la chambre de réaction 102'. Le chargement des substrats 122, ou le chargement des supports de substrats portant chacun une pluralité de substrats 122, peut s'effectuer en ouvrant un robinet vanne 186 afin de permettre l'accès à l'intérieur de la chambre de réaction 102'. Ledit robinet vanne 186 peut être relié à un système de verrouillage de charge (non illustré) afin de permettre le contrôle environnemental de l'intérieur de la chambre de réaction 102'. Le mécanisme 144 peut ensuite pénétrer à l'intérieur de la chambre de réaction 102'. Le mécanisme 144 peut comprendre un ou plusieurs système(s) de saisie configuré(s) pour saisir un substrat 122. Lesdits systèmes de saisie peuvent comprendre, par exemple, un système de saisie mécanique ou un système de saisie à lance Bernoulli. Le système de saisie peut comprendre une tête de saisie 146 destinée à manipuler le ou les substrat(s) 122 ou support(s) de substrats portant chacun une pluralité de substrats 1323. Une pluralité de substrats 122 peut être chargée sur la structure de support de substrat 102 à l'aide du mécanisme 144. Lors du chargement d'un certain nombre de substrats 122 à l'intérieur de la chambre de réaction 102', le mécanisme 144 peut être retiré de l'intérieur de la chambre de réaction 102', et le robinet vanne 186 peut être fermé. Les modes de réalisation de l'invention peuvent également comprendre le positionnement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 en augmentant la première distance de séparation dl entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et le ou les orifice(s) de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, et en diminuant une seconde distance de séparation d2 entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et une structure de support de substrat 104, comme cela est illustré sur la figure 2A. Ledit positionnement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut placer un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 à proximité (de manière au moins sensiblement adjacente, par exemple) de la structure de support de substrat 104. En tant qu'exemple non-limitatif, la seconde distance de séparation d2 entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la structure de support de substrat 104 peut être diminuée jusqu'à atteindre environ un millimètre (1 mm) à environ cent cinquante millimètres (150 mm). Le positionnement d'un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut être souhaitable pour les processus de dépôt afin de promouvoir la séparation des gaz de traitement, comme cela est décrit précédemment ici. L'augmentation de la première distance de séparation dl entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 109 et le ou les orifice(s) de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106 peut comprendre l'actionnement d'un entraînement 138A, afin que l'entraînement 138A abaisse une plaque d'entraînement 148 à l'aide de l'arbre de transmission 150, comme cela est illustré sur la figure 3A. L'abaissement de la plaque d'entraînement 148 peut en outre comprendre la diminution d'un volume au sein de la préchambre 154, étant donné que la plaque d'entraînement 148 peut être reliée à des soufflets 158, et, étant donné que les soufflets 158 se déplient vers l'intérieur ou se rétractent, le volume au sein de la préchambre 154 peut diminuer afin d'accepter le mouvement de l'injecteur de gaz mobile 108. Les procédés de l'invention peuvent en outre comprendre l'évacuation d'une pluralité de gaz de traitement 166' et 166" par au moins l'un de l'injecteur de gaz mobile 108 et du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106. L'évacuation d'une pluralité de gaz de traitement 166' et 166" peut comprendre l'évacuation d'un ou plusieurs gaz de traitement 166' par l'injecteur de gaz mobile 108 à l'aide du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140. L'évacuation du ou des gaz de traitement 166' par l'injecteur de gaz mobile 108 peut produire un ou plusieurs flux gazeux radiaux 166' qui peuvent être orientés dans une direction située à un angle supérieur à zéro (comme par exemple de manière au moins sensiblement perpendiculaire) par rapport à l'axe de rotation 128. Les gaz de traitement évacués du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peuvent comprendre, par exemple, des alkyles métalliques, comme du triméthylaluminium, du triéthylaluminium, du triméthylgallium, du triéthylgallium, du triméthylindium, du triéthylindium, ainsi que des gaz porteurs, des gaz dopants et des gaz diluants. Les flux gazeux radiaux 166' évacués des orifices de sortie de gaz 140 associés à l'injecteur de gaz mobile 108 peuvent être orientés à l'aide d'une ou plusieurs plaque(s) déflectrice(s) 170', 170". Comme cela est décrit précédemment, lesdites plaques déflectrices 170', 170" peuvent également faciliter le maintien de la séparation des gaz de traitement 166' introduits par l'injecteur de gaz mobile 108 et des gaz de traitement 166" introduits par le ou les injecteur (s) de gaz statique (s) 106 jusqu'à ce que les gaz de traitement se trouvent à proximité des substrats 122. Le processus d'évacuation des gaz de traitement 166' de l'injecteur de gaz mobile 108 par le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 peut en outre comprendre la rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 autour de l'axe de rotation 128, et/ou la rotation de la structure de support de substrat 104 autour de l'axe de rotation 128. La rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 et/ou de la structure de support de substrat 104 autour de l'axe de rotation 128 peut être utilisée pour contrer le développement des inhomogénéités, et peut améliorer l'uniformité des matériaux déposés. La rotation de l'injecteur de gaz mobile 108 autour de l'axe de rotation 128 peut comprendre a 2961717 36 l'actionnement de l'entraînement 138B, afin que l'entraînement 138B fasse tourner l'arbre de transmission 164, comme cela est illustré sur la figure 3. La rotation de la structure de support de substrat 5 104 peut comprendre l'entraînement de l'axe de support 126 (figure 1), ladite rotation pouvant être entraînée par l'entraînement 130. L'entraînement 130 peut comprendre, par exemple, un moteur, qui peut être couplé magnétiquement à l'axe 126 à travers la chambre 10 de réaction 102. De plus, la vitesse de rotation autour de l'axe de rotation 128 peut être variable afin de pouvoir ajuster les paramètres du processus (comme par exemple pour l'optimisation du processus). Le processus d'évacuation d'un ou plusieurs gaz de 15 traitement comprend en outre l'évacuation d'un ou plusieurs gaz de traitement 166" du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106 à l'aide de la pluralité d'orifices de sortie de gaz 142 qui sont en communication de fluide avec la préchambre 178 par le 20 biais de la plaque de base poreuse perméable au gaz 180. Plus précisément, le ou les injecteur(s) de gaz statique(s) 106 peut/peuvent être utilisé(s) pour introduire un ou plusieurs gaz de traitement 166" à 25 l'intérieur de la chambre de réaction 102'. Un ou plusieurs injecteur(s) de gaz statique(s) 106 peut/peuvent être utilisé(s) pour introduire les gaz de traitement 166", qui peuvent comprendre, par exemple, un ou plusieurs précurseur(s) du groupe V tels que 30 l'arsine, la phosphine, l'ammoniac et l'hydrazine, ainsi que des gaz porteurs, des gaz dopants et des gaz diluants. Le processus d'évacuation d'un ou plusieurs gaz de traitement 166" du ou des injecteur(s) de gaz 35 statique(s) 106 peut en outre comprendre l'évacuation du ou des gaz de traitement 166" vers le bas (selon la perspective des figures), vers le ou les substrat(s) 122 porté(s) par la structure de support de substrat 104. Par exemple, les gaz de traitement 166" peuvent être évacués vers le bas, de manière au moins sensiblement parallèle à l'axe de rotation 128, vers le ou les substrat(s) 122 porté(s) par la structure de support de substrat 104. Le gaz de traitement peut être introduit dans la préchambre 178 par les orifices d'entrée de gaz 176. Le gaz de traitement peut ensuite passer de la préchambre 178 à l'intérieur de la chambre de réaction 102' par le biais de la plaque de base perméable au gaz 180, produisant ainsi des flux gazeux 166" qui sont dirigés vers le bas (selon la perspective des figures), vers les substrats 122. Les modes de réalisation des procédés de l'invention peuvent également comprendre la protection du ou des injecteurs(s) de gaz statique(s) 106 contre les dépôts indésirables, en utilisant les flux gazeux 166" qui sont orientés vers le bas (comme par exemple de manière sensiblement parallèle à l'axe de rotation 128) afin de protéger le ou les injecteur(s) de gaz statique(s) 106 contre les dépôts indésirables. Le processus d'évacuation d'un ou plusieurs gaz de traitement 166 de l'injecteur de gaz mobile 108 et/ou du ou des injecteurs(s) de gaz statique(s) 106 peut être utilisé pour former un matériau souhaité sur le ou les substrat(s) 122 porté(s) par la structure de support de substrat 104. Plus précisément, le ou les substrat(s) 122 peut/peuvent être chauffé(s) à une température de dépôt en utilisant, par exemple, un ou plusieurs élément(s) chauffant(s). Les éléments chauffants peuvent comprendre, par exemple, des éléments chauffants à résistance, des éléments chauffants à lampe, des éléments chauffants à induction, des éléments chauffants à radiofréquences, etc. (non illustrés) afin d'augmenter la température des substrats 122 jusqu'à atteindre une température souhaitable pour le dépôt. Les gaz de traitement 166 peuvent être évacués de l'injecteur de gaz mobile 108 et/ou du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106 tout en faisant tourner un ou plusieurs de l'injecteur de gaz mobile 108 et de la structure de support de substrat 104 autour de l'axe de rotation 128, afin qu'un ou plusieurs matériau(x) soit/soient déposé(s) sur les substrats chauffés 122. En tant qu'exemple non-limitatif, le ou les substrat(s) 122 peut/peuvent comprendre du saphir, et peut/peuvent être traité(s) à une température supérieure à environ 900 °C tout en tournant la structure de support de substrat 104 autour de l'axe de rotation 128 à une vitesse de rotation d'environ cent tours par minute (100 tr/min) ou moins. Le ou les injecteur(s) de gaz statique(s) 106 peut/peuvent être utilisé(s) pour introduire un flux gazeux 166' comprenant de l'ammoniac (NH3) à l'intérieur de la chambre de réaction 102', vers le bas (selon la perspective des figures). En même temps, le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut/peuvent être utilisé(s) pour évacuer un ou plusieurs flux gazeux radiaux 166' comprenant du triméthylgallium dans une direction orientée à un angle (comme par exemple de manière au moins sensiblement perpendiculaire) à l'axe de rotation 128. L'ammoniac et le triméthylgallium sont sensiblement protégés contre le mélange prématuré en raison de la distance de séparation d3 entre les orifices de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 108 et les orifices de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, et en raison de la présence des plaques déflectrices 170', 170". L'ammoniac et le triméthylgallium peuvent interagir par-dessus et à proximité (comme par exemple de manière sensiblement adjacente) du ou des substrat(s) chauffé(s) 122, ce qui peut entraîner la formation d'un matériau semi-conducteur au nitrure de gallium sur les substrats 122. Lors de la formation d'un matériau souhaité à une épaisseur souhaitée, le flux de gaz de traitement évacué par l'injecteur de gaz mobile 108 et le ou les injecteur(s) de gaz statique(s) 106 peut être arrêté. Les modes de réalisation des procédés de l'invention peuvent se poursuivre en repositionnant le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 en diminuant la première distance de séparation dl entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 109 et les orifices de sortie de gaz 142 du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, et en augmentant la seconde distance de séparation d2 entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz 140 de l'injecteur de gaz mobile 109 et la structure de support der substrat 104. Ledit repositionnement du ou des orifice(s) de sortie de gaz 140 associé(s) à l'injecteur de gaz mobile 108 peut placer les orifices de sortie de gaz 140 à proximité du ou des injecteur(s) de gaz statique(s) 106, et assurer une séparation substantielle entre la base 168 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la structure de support de substrat 104. La séparation substantielle entre la base 168 de l'injecteur de gaz mobile 108 et la structure de support de substrat 104 peut être suffisante pour introduire le mécanisme 144, comme cela est décrit précédemment, afin de pouvoir retirer les substrats 122 ayant le ou les matériau(x) souhaité(s) déposé(s) dessus. D'autres modes de réalisation exemplaires non-limitatifs sont décrits ci-dessous : Mode de réalisation 1 : système de traitement gazeux d'au moins un substrat, comprenant : une chambre de réaction ; au moins une structure de support de substrat configurée pour maintenir au moins un substrat disposé dans la chambre de réaction, ladite structure de support de substrat pouvant tourner autour d'un axe de rotation ; au moins un injecteur de gaz statique disposé par-dessus la structure de support de substrat dans la chambre de réaction ; et au moins un injecteur de gaz mobile disposé par-dessus la structure de support de substrat, ledit injecteur de gaz mobile pouvant se rapprocher et s'éloigner de ladite structure de support der substrat, l'injecteur de gaz mobile comprenant : un entraînement destiné à rapprocher et à éloigner ledit injecteur de gaz mobile de ladite structure de support de substrat ; et un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz destiné(s) à évacuer un ou plusieurs gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile. Mode de réalisation 2 : système selon le mode de réalisation 1, dans lequel le ou les orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile est/sont disposé(s) à proximité d'une base dudit injecteur de gaz mobile et configuré(s) pour évacuer le ou les gaz de traitement dans au moins une direction orientée à un angle supérieur à zéro par rapport à l'axe de rotation de ladite structure de support de substrat. Mode de réalisation 3 : système selon le mode de réalisation 2, dans lequel le ou les flux de gaz radiaux sont évacués par-dessus ledit substrat dans une direction perpendiculaire à l'axe de rotation. Mode de réalisation 4 : système selon le mode de réalisation 2 ou le mode de réalisation 3, dans lequel ledit injecteur de gaz mobile comprend en outre au moins une plaque déflectrice configurée pour orienter le ou les gaz de traitement dans ladite direction, ladite plaque déflectrice étant disposée sur un côté du ou des orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile à l'écart de ladite structure de support de substrat. Mode de réalisation 5 : système selon n'importe lequel des modes de réalisation 1 à 4, dans lequel ledit injecteur de gaz mobile comprend en outre un entraînement de rotation configuré pour provoquer une rotation dudit injecteur de gaz mobile autour de l'axe de rotation. Mode de réalisation 6 : système selon n'importe lequel des modes de réalisation 1 à 5, dans lequel l'entraînement destiné à rapprocher et à éloigner ledit injecteur de gaz mobile de ladite structure de support de substrat contrôle une première distance de séparation entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ledit injecteur de gaz statique. Mode de réalisation 7 : système selon n'importe lequel des modes de réalisation 1 à 6, dans lequel l'entraînement destiné à rapprocher et à éloigner ledit injecteur de gaz mobile de ladite structure de support de substrat contrôle une seconde distance de séparation entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ladite structure de support de substrat. Mode de réalisation 8 : système selon n'importe lequel des modes de réalisation 1 à 7, dans lequel ledit injecteur de gaz statique comprend une ouverture qui s'étend dans ledit injecteur de gaz statique, l'ouverture ayant un axe central qui coïncide avec l'axe de rotation. Mode de réalisation 9 : système selon le mode de réalisation 8, dans lequel l'ouverture est dimensionnée et configurée pour recevoir l'injecteur de gaz mobile, l'axe centra de l'ouverture coïncidant avec l'axe central de l'injecteur de gaz mobile. Mode de réalisation 10 : système selon n'importe lequel des modes de réalisation 1 à 9, dans lequel ledit injecteur de gaz statique comprend en outre : au moins une conduite d'alimentation en gaz en communication de fluide avec une préchambre ; une plaque de base poreuse perméable au gaz disposée au niveau d'une base de la préchambre ; et une pluralité d'orifices de sortie de gaz en communication de fluide avec la préchambre par le biais de la plaque de base poreuse perméable au gaz, la pluralité d'orifices de sortie de gaz étant configurée pour évacuer au moins un gaz de traitement vers ledit substrat. Mode de réalisation 11 : système de traitement gazeux, comprenant : au moins une structure de support de substrat configurée pour maintenir au moins un substrat dans une chambre de réaction ; un premier injecteur de gaz séparé de ladite structure de support de substrat ; et un second injecteur de gaz comprenant au moins un orifice de sortie de gaz disposé entre le premier injecteur de gaz et ladite structure de support de substrat, le second injecteur de gaz pouvant être déplacé entre une première position et une seconde position dans la chambre de réaction, ledit orifice de sortie de gaz du second injecteur de gaz étant plus proche de ladite structure de support de substrat lorsque le second injecteur de gaz se trouve dans la seconde position que lorsque le second injecteur de gaz se trouve dans la première position. Mode de réalisation 12 : système de traitement gazeux selon le mode de réalisation 11, dans lequel le premier injecteur de gaz est configuré pour évacuer au moins un premier gaz de traitement, et dans lequel le second injecteur de gaz est configuré pour évacuer au moins un second gaz de traitement, le second gaz de traitement étant différent du premier gaz de traitement. Mode de réalisation 13 : procédé de traitement gazeux d'au moins un substrat dans une chambre de réaction, comprenant : le positionnement d'au moins un orifice de sortie de gaz d'au moins un injecteur de gaz mobile à un premier emplacement dans la chambre de réaction, comprenant : la diminution d'une première distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et au moins un injecteur de gaz statique ; et l'augmentation d'une seconde distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et une structure de support de substrat dans la chambre de réaction ; le chargement d'au moins un substrat sur la structure de support de substrat ; le déplacement dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du premier emplacement à un second emplacement dans la chambre de réaction, comprenant : l'augmentation de la première distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ledit injecteur de gaz statique ; et la diminution de la seconde distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et la structure de support de substrat ; et l'évacuation d'au moins un gaz de traitement par ledit injecteur de gaz mobile et d'au moins un autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique. Mode de réalisation 14 : procédé selon le mode de réalisation 13, comprenant en outre : le retour dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du second emplacement au premier emplacement dans la chambre de réaction, comprenant : la diminution de la première distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ledit injecteur de gaz statique ; et l'augmentation de la seconde distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et la structure de support de substrat ; et le déchargement d'au moins un substrat de la structure de support de substrat. Mode de réalisation 15 : procédé selon le mode de réalisation 13 ou le mode de réalisation 14, dans lequel l'évacuation d'au moins un gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile comprend en outre l'évacuation dudit gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile dans une direction perpendiculaire à un axe de rotation de la structure de support de substrat. Mode de réalisation 16 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 15, dans lequel l'évacuation dudit gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile comprend en outre l'orientation dudit gaz de traitement évacué par ledit injecteur de gaz mobile à l'aide d'une plaque déflectrice. Mode de réalisation 17 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 16, comprenant en outre au moins l'une d'une rotation dudit injecteur de gaz mobile autour d'un axe de rotation et d'une rotation de la structure de support de substrat autour d'un axe de rotation tout en évacuant ledit gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile et ledit autre gaz de traitement différent dudit injecteur de gaz statique. Mode de réalisation 18 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 17, dans lequel le déplacement dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du premier emplacement au second emplacement dans la chambre de réaction comprend en outre le déplacement dudit injecteur de gaz mobile dans une ouverture s'étendant à travers ledit injecteur de gaz statique. Mode de réalisation 19 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 18, dans lequel l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique comprend en outre l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique à l'aide d'une pluralité d'orifices de sortie de gaz en communication de fluide avec une préchambre, par le biais d'une plaque de base poreuse perméable au gaz. Mode de réalisation 20 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 19, dans lequel l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent dudit injecteur de gaz statique comprend en outre l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent dans une direction au moins sensiblement parallèle à un axe de rotation de la structure de support de substrat. Mode de réalisation 21 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 20, dans lequel le déplacement dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du premier emplacement au second emplacement dans la chambre de réaction comprend en outre : l'actionnement d'un entraînement ; et la modification d'un volume d'une préchambre reliée à l'entraînement à l'aide d'un soufflet. Mode de réalisation 22 : procédé selon n'importe lequel des modes de réalisation 13 à 21, comprenant en outre la formation d'au moins un matériau sur ledit .46 substrat au sein de la chambre de réaction à l'aide dudit gaz de traitement évacué dudit injecteur de gaz mobile et dudit autre gaz de traitement différent évacué dudit injecteur de gaz statique.5 REVENDICATIONS1. Système de traitement gazeux d'au moins un substrat, comprenant : une chambre de réaction ; au moins une structure de support de substrat configurée pour maintenir au moins un substrat disposé dans la chambre de réaction, ladite structure de support de substrat pouvant tourner autour d'un axe de rotation ; au moins un injecteur de gaz statique disposé par-dessus la structure de support de substrat dans la chambre de réaction ; et au moins un injecteur de gaz mobile disposé par- dessus la structure de support de substrat, ledit injecteur de gaz mobile pouvant être rapproché et éloigné de ladite structure de support de substrat, l'injecteur de gaz mobile comprenant : un entraînement destiné à rapprocher et à éloigner 20 ledit injecteur de gaz mobile de ladite structure de support de substrat ; et un ou plusieurs orifice(s) de sortie de gaz destiné(s) à évacuer un ou plusieurs gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile. 25 2. Système selon la revendication 1, dans lequel le ou les orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile est/sont disposé(s) à proximité d'une base dudit injecteur de gaz mobile et configuré(s) pour 30 évacuer le ou les gaz de traitement dans au moins une direction orientée à un angle supérieur à zéro par rapport à l'axe de rotation de ladite structure de support de substrat. 3. Système selon la revendication 2, dans lequel le ou les flux gazeux radiaux est/sont évacué(s) par- dessus ledit substrat dans une direction perpendiculaire à l'axe de rotation. 4. Système selon la revendication 2, dans lequel ledit injecteur de gaz mobile comprend en outre au moins une plaque déflectrice configurée pour orienter le ou les gaz de traitement dans au moins une direction à un angle supérieur à zéro par rapport à l'axe de rotation de ladite structure de support de substrat, ladite plaque déflectrice étant disposée sur un côté dudit ou desdits orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile éloigné de ladite structure de support de substrat. 5. Système selon la revendication 1, dans lequel ledit injecteur de gaz mobile comprend en outre un entraînement de rotation configuré pour provoquer la rotation dudit injecteur de gaz mobile autour de l'axe de rotation. 6. Système selon la revendication 1, dans lequel l'entraînement destiné à rapprocher et à éloigner ledit injecteur de gaz mobile de ladite structure de support de substrat contrôle une première distance de séparation entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ledit injecteur de gaz statique. 7. Système selon la revendication 1, dans lequel l'entraînement destiné à rapprocher et à éloigner ledit injecteur de gaz mobile de ladite structure de support de substrat contrôle une seconde distance de séparation entre le ou les orifice(s) de sortie de gaz duditinjecteur de gaz mobile et ladite structure de support de substrat. 8. Système selon la revendication 1, dans lequel ledit injecteur de gaz statique comprend une ouverture qui s'étend dans ledit injecteur de gaz statique, l'ouverture ayant un axe central qui coïncide avec l'axe de rotation. 9. Système selon la revendication 8, dans lequel l'ouverture est dimensionnée et configurée pour recevoir l'injecteur de gaz mobile, l'axe central de l'ouverture coïncidant avec l'axe central de l'injecteur de gaz mobile. 10. Système selon la revendication 1, dans lequel ledit injecteur de gaz statique comprend en outre : au moins une conduite d'alimentation en gaz en communication de fluide avec une préchambre ; une plaque de base poreuse perméable au gaz disposée au niveau d'une base de la préchambre ; et une pluralité d'orifices de sortie de gaz en communication de fluide avec la préchambre par le biais de la plaque de base poreuse perméable au gaz, la pluralité d'orifices de sortie de gaz étant configurée pour évacuer au moins un gaz de traitement vers ledit substrat. 11. Système de traitement gazeux, comprenant : au moins une structure de support de substrat configurée pour maintenir au moins un substrat dans une chambre de réaction ; un premier injecteur de gaz séparé de ladite structure de support de substrat ; etun second injecteur de gaz comprenant au moins un orifice de sortie de gaz disposé entre le premier injecteur de gaz et ladite structure de support de substrat, le second injecteur de gaz pouvant être déplacé entre un premier emplacement et un second emplacement dans la chambre de réaction, ledit orifice de sortie de gaz du second injecteur de gaz étant plus proche de ladite structure de support de substrat lorsque le second injecteur de gaz se trouve au second emplacement que lorsque le second injecteur de gaz se trouve au premier emplacement. 12. Système de traitement gazeux selon la revendication 11, dans lequel le premier injecteur de gaz est configuré pour évacuer au premier gaz de traitement, et dans lequel le second injecteur de gaz est configuré pour évacuer au moins un second gaz de traitement, le second gaz de traitement étant différent du premier gaz de traitement. 13. Procédé de traitement gazeux d'au moins un substrat dans une chambre de réaction, comprenant : le positionnement d'au moins un orifice de sortie de gaz d'au moins un injecteur de gaz mobile à un premier emplacement dans la chambre de réaction, comprenant : la diminution d'une première distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et au moins un injecteur de gaz statique ; et l'augmentation d'une seconde distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et une structure de support de substrat dans la chambre de réaction ;le chargement d'au moins un substrat sur la structure de support de substrat ; le déplacement dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du premier emplacement à un second emplacement dans la chambre de réaction, comprenant : l'augmentation de la première distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ledit injecteur de gaz statique ; et la diminution de la seconde distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et la structure de support de substrat ; et l'évacuation d'au moins un gaz de traitement par ledit injecteur de gaz mobile et d'au moins un autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique. 14. Procédé selon la revendication 13, comprenant en outre : le retour dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du second emplacement au premier emplacement dans la chambre de réaction, comprenant : la diminution de la première distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et ledit injecteur de gaz statique ; et l'augmentation de la seconde distance de séparation entre ledit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile et la structure de support de substrat ;et le déchargement dudit substrat de la structure de support de substrat. 15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'évacuation dudit gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile comprend en outre l'évacuation dudit gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile dans une direction perpendiculaire à un axe de rotation de la structure de support de substrat. 16. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'évacuation dudit gaz de traitement par ledit injecteur de gaz mobile comprend en outre l'orientation dudit gaz de traitement évacué par ledit injecteur de gaz mobile à l'aide d'une plaque déflectrice. 17. Procédé selon la revendication 13, comprenant en outre au moins l'une d'une rotation dudit injecteur de gaz mobile autour d'un axe de rotation et d'une rotation de la structure de support de substrat autour d'un axe de rotation tout en évacuant ledit gaz de traitement dudit injecteur de gaz mobile et ledit autre gaz de traitement différent dudit injecteur de gaz statique. 18. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le déplacement dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du premier emplacement au second emplacement dans la chambre de réaction comprend en outre le déplacement dudit injecteur de gaz mobile à travers une ouverture qui s'étend dans ledit injecteur de gaz statique. 19. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique comprend en outre l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique à l'aide d'une pluralité d'orifices de sortie de gaz en communication de fluide avec une préchambre, par le biais d'une plaque de base poreuse perméable au gaz. 20. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent par ledit injecteur de gaz statique comprend en outre l'évacuation dudit autre gaz de traitement différent dans une direction au moins sensiblement parallèle à un axe de rotation de la structure de support de substrat. 21. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le déplacement dudit orifice de sortie de gaz dudit injecteur de gaz mobile du premier emplacement au second emplacement dans la chambre de réaction comprend en outre : l'actionnement d'un entraînement ; et la modification d'un volume d'une préchambre 25 reliée à l'entraînement à l'aide d'un soufflet. 22. Procédé selon la revendication 13, comprenant en outre la formation d'au moins un matériau sur ledit substrat dans la chambre de réaction à l'aide dudit gaz 30 de traitement évacué par ledit injecteur de gaz mobile et dudit autre gaz de traitement différent évacué par ledit injecteur de gaz statique.