Brevet FR2970110A1 — publié le 20120706

-1- PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE DIELECTRIQUE POLYCRISTALLINE. DOMAINE DE L'INVENTION L'invention a trait au domaine de la fabrication d'une couche diélectrique polycristalline sur du métal, et plus particulièrement la fabrication d'une couche diélectrique de condensateur intercalée entre deux électrodes métalliques. 10 ETAT DE LA TECHNIQUE Les couches diélectriques ayant une constante diélectrique élevée présentent de nombreuses applications, notamment dans les condensateurs compacts à forte capacité. 15 La constante diélectrique d'un matériau diélectrique dépend non seulement des atomes qui le composent, mais également de l'agencement spatial des molécules entre elles. Ainsi par exemple, l'oxyde de zirconium (ZrO2) présente une constante diélectrique égale à 18 dans sa forme amorphe, c'est-à-dire sans structure particulière, et une constante diélectrique égale à 45 lorsqu'il présente une structure cristalline tétragonale ou cubique. 20 Une manière d'augmenter la capacité d'un condensateur sans augmenter le volume de sa couche diélectrique est donc de réaliser cette dernière sous une forme cristalline. Or, la forme et la géométrie finale d'une structure cristalline dépend des conditions de 25 germination et donc de la structure géométrique et chimique de la surface sur laquelle elle est fabriquée. Toutefois, la croissance cristalline d'un matériau diélectrique est délicate lorsque celle-ci est réalisée sur du métal. En effet, le métal peut induire une forme dite «polycristalline» pour le matériau diélectrique, c'est-à-dire un matériau diélectrique formé de cristaux juxtaposés. L'interface entre les cristaux est usuellement désignée sous 30 l'expression «joints de grain». Par polycristallin, il faut comprendre un matériau comprenant des cristaux éventuellement noyés dans une matrice de matériau diélectrique n'ayant pas cristallisé, c'est-à-dire de matériau diélectrique amorphe. Il existe donc différents taux de 35 cristallisation en fonction du volume total de cristaux, le taux de cristallisation étant défini comme le ratio entre le volume des cristaux et le volume total de matière. Or, la constance diélectrique d'un matériau diélectrique augmente à mesure que son taux de 2970110 -2- cristallisation augmente. En pratique, il est donc recherché une couche diélectrique présentant le plus degré de cristallisation le plus élevé. Une forme polycristalline impliquant la présence de joints de grain, il est très fréquent 5 d'observer des joints de grains s'étendant sur toute l'épaisseur de la couche diélectrique. De tels joints de grains, dits « traversant » dans la suite du document, constituent des chemins de fuite privilégiés pour les électrons, ce qui s'avère très préjudiciable. Notamment dans le cas d'un condensateur cela signifie que les joints de grains traversant relient électriquement les deux électrodes du condensateur. En outre, on observe également la présence de joints de grains traversant abaisse sensiblement la tension de claquage électrique de celui-ci. Pour éviter la présence de joints de grains traversant, une couche intercalaire en matériau diélectrique amorphe est prévue dans le plan médian de la couche diélectrique. Par exemple, une couche diélectrique sans joint de grains traversant comprend un empilement formé d'une couche d'alumine amorphe (Al203) intercalée entre deux couches de ZrO2 polycristalline. Si la couche d'alumine empêche la présence de joint de grains traversant, elle limite cependant fortement la croissance polycristalline du ZrO2, et fait ainsi chuter le taux de cristallisation final des couches en ZrO2 et par conséquent également la constante diélectrique totale de la couche diélectrique. Ainsi, avec une telle structure, une constante diélectrique égale à 20 est au maximum obtenue. Intercaler une couche diélectrique amorphe pour empêcher l'apparition de joint de grains traversant va donc à l'encontre du but premier visé, à savoir l'obtention d'une structure polycristalline ayant la constante diélectrique la plus élevée possible. EXPOSE DE L'INVENTION Il existe donc un besoin concernant un procédé de fabrication d'une couche diélectrique à constante diélectrique élevée, de nature polycristalline et formée sur un métal, qui limite, voire évite, la formation de joints de grains traversant. Un mode de réalisation de l'invention a ainsi pour objet un procédé de fabrication d'un condensateur formé d'une couche diélectrique polycristalline intercalée entre deux électrodes métalliques, la couche diélectrique étant formée par une croissance polycristalline d'un oxyde métallique diélectrique prédéterminé sur une des électrodes métalliques, dans lequel au moins une condition de croissance de l'oxyde diélectrique est modifiée au cours de la formation de la couche diélectrique polycristalline de manière à 2970110 -3- obtenir une variation des propriétés polycristallines de l'oxyde diélectrique dans l'épaisseur de ladite couche. En d'autres termes, en modifiant une condition de croissance de la couche diélectrique, 5 l'agencement relatif des cristaux entre eux, et/ou leur taille, est également modifié. Ainsi, la probabilité est faible de voir un joint de grains formé dans la totalité de l'épaisseur du matériau diélectrique polycristallin fabriqué en appliquant les nouvelles conditions de croissance se superposer à un joint formé dans la totalité de l'épaisseur du matériau diélectrique polycristallin déjà fabriqué en appliquant les anciennes conditions de 10 croissance. En modifiant plusieurs fois les conditions, la probabilité de voir se superposer des joints de grain pour former au final un joint de grains traversant est quasi nulle. Grâce à l'invention, il est ainsi obtenu de manière simple des couches diélectriques sans joint de grains traversant et présentant des constantes diélectriques supérieures à 35. Par ailleurs, on notera que le procédé consiste à modifier un ou plusieurs paramètres de fonctionnement au cours de la mise en oeuvre d'un seul et même processus de croissance. Selon un mode de réalisation de l'invention, la couche diélectrique est réalisée au moyen 20 d'un dépôt de couches atomiques assisté par plasma, ou dépôt PEALD (abréviation de l'expression anglo-saxonne «Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ») comprenant une succession de cycles élémentaires de dépôt comportant chacun une phase d'alimentation en précurseur métallique de l'oxyde diélectrique et une phase d'application d'un plasma, et en ce que la au moins une condition de croissance 25 polycristalline modifiée comprend le temps d'alimentation en précurseur métallique de la couche diélectrique. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche diélectrique est réalisée au moyen d'un dépôt de couches atomiques assisté par plasma, comprenant une succession 30 de cycles élémentaires de dépôt comportant chacun une phase d'alimentation en précurseur métallique de l'oxyde diélectrique et une phase d'application d'un plasma, et en ce que la au moins une condition de croissance polycristalline modifiée comprend une condition portant sur une propriété du plasma et/ou sur la durée d'application du plasma. 35 Selon un mode de réalisation de l'invention, la ou chaque condition de croissance polycristalline est modifiée régulièrement de manière à obtenir une succession de strates d'une épaisseur inférieure à 5 nanomètres, et de préférence d'une épaisseur sensiblement égale à 1 nanomètre. 15 -4- Selon un mode de réalisation de l'invention, le matériau de la couche diélectrique est du ZrO2 ou du Hf02 ou du SrTiO3. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention et les avantages de celle-ci seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre, faite en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : ^ la figure 1 est une vue schématique d'un premier exemple de système de dépôt PEALD ; ^ la figure 2 est une vue schématique d'un deuxième exemple de système de dépôt PEALD ; ^ la figure 3 est un chronogramme schématique de différentes phases d'un dépôt 15 PEALD selon un mode de réalisation de l'invention ; et ^ la figure 4 est une vue schématique en coupe d'une couche diélectrique intercalée entre deux électrodes métalliques et réalisée selon un mode de réalisation de l'invention. 20 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Il est illustré à la figure 1 un premier exemple de système de dépôt PEALD 10 pour fabriquer une couche d'oxyde diélectrique polycristalline sur substrat métallique 16, par exemple une électrode de condensateur. 25 Le système 10 comporte un réacteur hermétique 12 dans lequel est placé un plateau 14 pour recevoir le substrat métallique 16. Le plateau 14 comporte des moyens de réglage pilotable de sa température (non représenté), comme par exemple une résistance chauffante. D'autres moyens de chauffage peuvent être envisagés, comme par exemple 30 un chauffage par des lampes. Le réacteur 12 comprend un premier orifice d'admission 18 pour son alimentation avec un premier précurseur de l'oxyde diélectrique à déposer, un deuxième orifice d'admission 20 pour son alimentation avec un deuxième précurseur de l'oxyde diélectrique à déposer, 35 et un troisième orifice d'admission 22 pour son alimentation avec du gaz de purge. Chacun des orifices 18, 20, 22 est relié à une unité d'alimentation en gaz pilotable 24, 26, 28 réglant le débit et la durée d'alimentation de chacun des gaz entrant dans le réacteur 12. 2970110 -5- Un orifice d'échappement 30 est également prévu dans le réacteur 12 et est relié à une unité de pompage pilotable 32 comprenant une vanne papillon pour réguler la pression des gaz dans le réacteur 12. L'unité de pompage 30 est également prévue pour réaliser 5 des purges du réacteur 12. Le système 10 comporte également une unité de production de plasma 34 pour délivrer du plasma au dessus du substrat 16. Par exemple, l'unité de production de plasma 34 comprend une enceinte interne 36 ayant un orifice d'alimentation 38 en plasma du 10 réacteur 12, un orifice d'admission 40 d'un gaz à partir duquel est formé le plasma, ledit orifice 40 étant relié à une unité d'alimentation pilotable 42 réglant le débit et la durée d'alimentation de l'enceinte 36 avec ce gaz. Le plasma est formé en soumettant le gaz dans l'enceinte 40 à des décharges électriques produites par un circuit de décharge comprenant par exemple des électrodes planes parallèles 44, 46 entre lesquelles se forment le plasma, ledit circuit de décharge étant connecté pour son alimentation en énergie électrique à une unité d'alimentation électrique pilotable 48 délivrant un signal électrique radiofréquence. Comme cela est connu en soi, un plasma se caractérise usuellement par la puissance électrique délivrée au circuit de décharge, communément désignée sous l'expression « puissance du plasma ». Enfin, le système de dépôt PEALD 10 comporte une unité de contrôle 50 connectée aux unités d'alimentation en gaz 24, 26, 28, 42, au plateau 14, à l'unité d'alimentation électrique 48 et à l'unité de pompage 32 pour commander le fonctionnement de ceux-ci. Un deuxième exemple de système de dépôt PEALD 60 est illustré schématiquement à la figure 2. Le système 60 diffère du premier système 10 décrit ci-dessus par l'unité de production de plasma. Selon ce deuxième exemple, l'unité de production de plasma comporte une électrode 62 placée dans le réacteur 12 au dessus du plateau 14. Le plateau 14 est par ailleurs métallique, constituant ainsi une seconde électrode, et est connecté à la masse. L'électrode 62 est connectée à un circuit de décharge capacitif 64, par exemple un condensateur 64, lui-même électriquement connecté à l'unité d'alimentation électrique pilotable 48 qui délivre au circuit capacitif 64 une énergie radiofréquence en fonction d'une commande générée par l'unité de contrôle 50. En se référant à la figure 3, l'unité de contrôle 50 commande les organes venant d'être décrits de manière à ce que le dépôt PEALD d'une couche d'oxyde diélectrique sur le substrat métallique 16 soit constitué d'une succession de cycles élémentaires produisant 2970110 -6- chacun une couche atomique d'oxyde diélectrique. Chacun des cycles élémentaires comporte successivement: ^ une phase d'alimentation du réacteur 12 avec le premier précurseur, par exemple un précurseur d'un métal de transition entrant dans la constitution de la couche 5 d'oxyde diélectrique, selon un débit et une durée prédéterminés ; ^ une phase de purge des gaz et résidus présents dans le réacteur 12 ; ^ une phase d'alimentation du réacteur 12 avec le deuxième précurseur, par exemple un précurseur d'oxydation, selon un débit et une durée prédéterminés ; ^ une phase d'attente pour stabiliser la phase gazeuse au dessus du substrat 10 métallique 16 ; ^ une phase d'alimentation du réacteur 12 avec du plasma selon une puissance de plasma et un durée prédéterminées ; et ^ une phase d'attente ou de purge des gaz et résidus présents dans le réacteur 12. 15 Afin de limiter, voire empêcher, les joints de grains traversant, un cycle élémentaire selon un premier profil est d'abord répété un nombre Ni prédéterminé de fois. Puis le profil du cycle élémentaire est modifié, et le cycle élémentaire modifié est répété un nombre N2 prédéterminé de fois, et ainsi de suite. A la figure 3 par exemple, le profil du cycle élémentaire est modifié trois fois et la modification porte sur les caractéristiques de la 20 phase d'alimentation du réacteur 12 avec le premier précurseur, notamment sa durée, et sur les caractéristiques de la phase d'alimentation du réacteur 12 avec du plasma, notamment sa durée et/ou la puissance du plasma. La modification du profil des cycles élémentaires a ainsi pour effet de modifier les 25 conditions de croissance des cristaux de la couche d'oxyde métallique, et donc une variation des propriétés polycristallines dudit oxyde dans l'épaisseur de ladite couche, par exemple l'agencement relatif des cristaux les uns par rapport au autres ou encore leur taille, ce qui « casse » le développement d'éventuels joints de grains qui auraient commencé à se développer. 30 De manière avantageuse, la modification du profil des cycles élémentaires porte sur : ^ la durée et le débit des phases d'alimentation en précurseurs ; ^ la durée de la phase d'alimentation en plasma ; ^ la puissance du plasma ; 35 ^ le type de précurseur, différents précurseurs donnant le même matériau diélectrique déposé sur l'élément 16 pouvant être alternés ; et ^ la température du plateau 14, et donc de l'élément 16. 2970110 -7- En effet, les inventeurs ont noté qu'une modification de ces paramètres au cours de la formation de la couche limite l'apparition de joints de grains traversant. La figure 4 illustre un exemple de couche d'oxyde diélectrique 70 fabriquée entre deux 5 électrodes métalliques 72, 74 en modifiant cinq fois le profil des cycles élémentaires, donnant lieu à la formation de six strates 76, 78, 80, 82, 84, 86 d'oxyde diélectrique, les propriétés polycristallines d'une strate variant des propriétés cristallines d'une strate adjacente. Comme cela est visible, les conditions de dépôt appliquées pour obtenir une strate induisent la formation de joints de grains 88 dans ladite strate à des emplacements 10 donnés. Cependant, la modification des conditions de dépôt donnant lieu à une strate adjacente dont les propriétés polycristallines sont différentes, les joints de grains dans cette strate adjacente se forment à des endroits différents, ou à tout le moins avec une très faible probabilité de se former dans le prolongement des joints de grains dans la strate déjà formée. Au final, avec plusieurs modifications des conditions de dépôt au cours de 15 celui-ci, la probabilité de formation de joints de grains dans le prolongement les uns et des autres est très faible, voire quasi nulle. Il va à présent être décrit un mode de réalisation particulier de fabrication d'une couche de ZrO2 sur une électrode métallique, par exemple en TiN, par un dépôt PEALD. 20 Tout d'abord, les conditions de dépôt suivantes permettent l'obtention d'une couche de ZrO2 polycristalline par un dépôt PEALD: ^ une température du substrat T comprise dans l'intervalle 4Tsl= [100°C ; 300°C], de préférence une température T de substrat comprise dans l'intervalle 4T 2 = 25 [200 ; 250°C], de préférence une température T sensiblement égale à 250°C ; ^ une pression totale PT dans le réacteur 12 comprise dans l'intervalle entre APT = [0,1 torr; 50 torrs], avec une préférence pour une pression totale PT sensiblement égale à 5 torrs ; ^ un premier précurseur, celui de Zr, choisi parmi : 30 o le tris(dimethylamino)cyclopentadienylzirconium (plus connu sous le terme « ZyALD ») ; o le bis(methylcyclopentadienyl)methoxymethylzirconium (plus connu sous le terme « ZrD-04 ») ; et o le tetrakis[EthylMethylAmino]zirconium (plus connu sous le terme de 35 « TEMAZ ») ; avec une préférence pour le ZyALD ; 2970110 -8- ^ une durée d'alimentation DPI du réacteur 12 avec le premier précurseur comprise dans l'intervalle ADPI = [100 ms ; 5 s], avec de préférence une durée d'alimentation Dp1 sensiblement égale à 500 ms ; ^ une pression partielle P PI du précurseur de Zr comprise dans l'intervalle 4PPPZ = 5 [0,001 torr ; 10 torrs], de préférence une pression partielle & pl sensiblement égale à 0,01 ton ^ du dioxygène (02) en tant que second précurseur. De manière avantageuse, l'02 est injecté dans le réacteur 12 conjointement avec de l'argon (Ar) qui permet de diluer l'02 et de stabiliser le plasma ; 10 ^ une pression partielle P P2 de l'02 comprise dans l'intervalle 4PPP2 = [0,01 torr ; 5 torrs], de préférence une pression partielle 4PPP2 sensiblement égale à 0,1 torr ; ^ pour un plasma obtenu avec une puissance de plasma Pw comprise dans l'intervalle 4Pw = [20 W ; 2000W] pour des électrodes planes circulaires d'un diamètre de 350mm, parallèles entre elles et espacées d' l cm, avec de préférence une puissance 15 de plasma Pw sensiblement égale à 100w; et ^ une durée d'alimentation en plasma Dw comprise dans l'intervalle 4Dw = [50 ms ; 5s], de préférence une durée d'alimentation en plasma Dw sensiblement égale à 1s. On notera ainsi que chacun des paramètres ci-dessus présente une variabilité importante 20 permettant une large modification de ceux-ci tout en garantissant l'obtention d'une couche polycristalline. En outre, il est observé que pour les valeurs données ci-dessus, on obtient un contrôle et une reproductibilité des conditions de dépôt élevés. Par ailleurs, il est observé que pour 25 les valeurs préférentielles données ci-dessus, on obtient un rendement du dépôt maximum, puisque pour cinq molécules de précurseur du Zr injectées dans le réacteur 12, une est effectivement impliquée dans le dépôt d'une couche atomique sur le substrat 16. Une séquence de fabrication d'une couche de ZrO2 polycritalline sans joint de grains 30 traversant est ainsi par exemple : ^ un cycle élémentaire répété Ni fois selon le première profil suivant : o le premier précurseur est du ZyALD ; o Dp1 = 100 ms ; o les valeurs L, PT, ppl,l'pPZ, Pw, Dw sont comprises dans leurs intervalles 35 respectifs et sont de préférence égales respectivement à leurs valeurs préférentielles ; ^ suivi d'un cycle élémentaire répété N, fois selon le deuxième profil suivant : o le premier précurseur est du ZyALD ; 2970110 -9- o DDp1=1s; o les valeurs L, PT, ppl,l'pPZ, Pw, Dw sont comprises dans leurs intervalles respectifs et sont de préférence égales respectivement à leurs valeurs préférentielles ; 5 ^ suivi d'un cycle élémentaire répété N fois selon le troisième profil suivant : o le premier précurseur est du ZyALD ; o Dw=5s; o les valeurs L, PT,2pPI,2pP2, Pw, /p1 sont comprises dans leurs intervalles respectifs et sont de préférence égales respectivement à leurs valeurs préférentielles ; ^ suivit d'un cycle élémentaire répété N4 fois selon le quatrième profil suivant : o le premier précurseur est du ZyALD ; o Pw = 2000 W ; o les valeurs L, 121,1p) p1,_P Pz, Dom, Dp1 sont comprises dans leurs intervalles respectifs et sont de préférence égales respectivement à leurs valeurs préférentielles ; ^ optionnellement suivi d'un cycle élémentaire répété N fois selon le cinquième profil suivant : o le premier précurseur est du ZrD-04 ou du TEMAZ ; 20 o les valeurs L, P T,~P p1,±3 Pz, Dw, Pw sont comprises dans leurs intervalles respectifs et de préférence sont égales respectivement à leurs valeurs préférentielles On notera également qu'outre la possibilité de limiter, voire éviter, l'apparition de joints 25 de grains traversant, il existe un degré de liberté pour choisir les tailles des cristaux de la couche de ZrO2 et l'épaisseur élémentaire déposée par cycle élémentaire. Notamment, il est possible de fabriquer des cristaux de petites tailles, c'est-à-dire de dimensions inférieures ou égales à 1 nanomètre, qui présentent l'avantage de constituer une phase cristalline quadratique, ou tétragonale, ayant une forte constante diélectrique. 30 Ainsi, les intervalles de valeurs décrits précédemment permettent de fabriquer une couche de ZrO2 avec une épaisseur élémentaire déposée par cycle élémentaires qui varie entre 0,1À et 1,5 À. Les conditions sont de préférence également choisies pour obtenir une épaisseur élémentaire déposée par cycle élémentaire supérieure à 1 À afin que la vitesse 35 de dépôt soit adaptée aux exigences de rapidité de fabrication de la production industrielle. 10 15 2970110 -10- Notamment, les conditions de dépôt suivantes permettent d'obtenir des cristaux de petite taille avec une épaisseur de dépôt de 1,5 À par cycle élémentaire : ^ une pression partielle en 02 de 0,ltorr ; ^ une durée d'alimentation du réacteur avec du plasma de 200ms ; 5 ^ une puissance plasma de 100W ; ^ pression totale dans le réacteur de 5 torrs ; et ^ une température du substrat égale à 200°C. Notamment, les conditions de dépôt suivantes permettent d'obtenir des grains de grande 10 taille, c'est-à-dire de dimensions comprises entre 5 nm et 10 nm, avec une épaisseur de dépôt de 1À par cycle élémentaire : ^ une pression partielle en 02 de 0,5 torr ; ^ une durée d'alimentation du réacteur avec du plasma de l s ; ^ une puissance plasma de 500W ; et 15 ^ une température du substrat égale à 250°C. Dans l'exemple décrit ci-dessus, la modification du fonctionnement du dépôt PEALD porte sur le temps d'alimentation du première précurseur du Zr, le type de celui-ci, la puissance du plasma et la durée d'alimentation du plasma. Les inventeurs ont en effet 20 observé que ces paramètres permettent de modifier très sensiblement la façon dont croissent et s'agencent les cristaux, et constituent dont des paramètres permettant une large excursion des propriétés polycristallines de l'oxyde diélectrique déposé. A l'aide d'une modification de ces seuls paramètres, il est ainsi possible de limiter très sensiblement l'apparition de joints de grains traversant. 25 Plus particulièrement, les inventeurs ont observé que prévoir une modification d'un ou plusieurs de ces paramètres lorsqu'une épaisseur d'oxyde diélectrique inférieure à 5 nanomètres est déposée, et de préférence d'une épaisseur sensiblement égale à 1 nanomètre, évite l'apparition des joints de grains traversant. En fonction de l'épaisseur 30 élémentaire moyenne déposée par cycle élémentaire, il a alors aisé d'en déduire le nombre de fois qu'un cycle élémentaire selon un profil déterminé est répété. Bien entendu, les autres paramètres permettent également de contrôler l'apparition des joints de grains traversant et peuvent donc également être modifiés pour limiter 35 l'apparition des joints de grains traversant. Il a été décrit un mode de réalisation de fabrication d'une couche d'oxyde diélectrique polycristalline sur une électrode métallique qui limite, voire empêche, l'apparition de 2970110 -11- joints de grains traversant à l'aide d'un dépôt PEALD. Ce dépôt est avantageux dans la mesure où le fabriquant dispose de deux types de paramètres importants pour contrôler l'apparition des joints de grains, à savoir ceux portant sur l'alimentation du réacteur avec le précurseur du Zr, et ceux portant sur le plasma. 5 D'autres types de fabrication sont cependant possibles. Par exemple, l'emploi d'un dépôt ALD, et la modification des conditions de fonctionnement du dépôt ALD au cours de la fabrication de la couche d'oxyde diélectrique polycristalline permettent également de limiter l'apparition de joint de grain traversant. Notamment, le dépôt ALD se différencie 10 du dépôt PEALD par l'absence de plasma, et le type de précurseur oxydant utilisé, les autres conditions de fonctionnement décrites ci-dessus continuant de s'exercer. Notamment, les précurseurs oxydant sont choisis parmi des espèces plus réactives que le dioxygène, et sont par exemple de l'eau (H2O) ou de l'ozone (03). Il est ainsi possible par exemple de limiter l'apparition des joints de grains en modifiant le temps d'alimentation 15 du réacteur avec le précurseur du Zr et/ou en alternant le type de précurseur du Zr et/ou en alternant le type de précurseur oxydant et/ou en modifiant la température du substrat. De même, l'emploi de dépôt chimique par phase vapeur, ou dépôt « CVD » (acronyme de l'expression anglo-saxonne « Chemical Vapor Deposition »), et la modification des 20 conditions de fonctionnement du dépôt CVD au cours de la fabrication de la couche d'oxyde diélectrique polycristalline permettent également de limiter l'apparition de joints de grains traversant, puisque cette modification entraîne également une modification de la croissance des cristaux. 25 Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, il a été décrit la fabrication d'une couche de ZrO2 polycristalline. Bien entendu, d'autres types de couche d'oxyde diélectrique polycristalline peuvent être fabriqués, notamment des couches d'oxyde d'autres métaux de transition, comme par exemple un oxyde de Hafnium (HfO2), ou encore une couche en SrTiO3, leur fabrication étant réalisée d'une manière analogue à celles décrites 30 précédemment. Par ailleurs, il a été décrit un procédé de fabrication d'une couche diélectrique entant dans la constitution d'un condensateur. Le procédé de fabrication venant d'être décrit s'applique à tout type de couche diélectrique polycristalline, notamment d'oxyde 35 diélectrique, dans lesquelles on souhaite limiter l'apparition de joints de grains traversant, comme par exemple des couches oxydes de grille de transistor, des couches diélectriques entrant dans la constitution de structure métal-isolant-métal, ou structure MIM, ou de DRAM par exemple, notamment de eDRAM. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un condensateur comprenant une couche diélectrique polycristalline intercalée entre deux électrodes métalliques, la couche diélectrique étant formée par une croissance polycristalline d'un oxyde métallique diélectrique prédéterminé sur une des électrodes métalliques, caractérisé en ce qu'au moins une condition de croissance polycristalline de l'oxyde diélectrique est modifiée au cours de la formation de la couche diélectrique polycristalline de manière à obtenir une variation des propriétés polycristallines de l'oxyde diélectrique dans l'épaisseur de ladite couche. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche diélectrique est réalisée au moyen d'un dépôt de couches atomiques assisté par plasma comprenant une succession de cycles élémentaires de dépôt comportant chacun une phase d'alimentation en précurseur métallique de l'oxyde diélectrique et une phase d'application d'un plasma, et en ce que la au moins une condition de croissance polycristalline modifiée comprend le temps d'alimentation en précurseur métallique de la couche diélectrique. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche diélectrique est réalisée au moyen d'un dépôt de couches atomiques assisté par plasma comprenant une succession de cycles élémentaires de dépôt comportant chacun une phase d'alimentation en précurseur métallique de l'oxyde diélectrique et une phase d'application d'un plasma, et en ce que la au moins une condition de croissance polycristalline modifiée comprend une condition portant sur une propriété du plasma et/ou sur la durée d'application du plasma. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la ou chaque condition de croissance polycristalline est modifiée régulièrement de manière à obtenir une succession de strates d'une épaisseur inférieure à 5 nanomètres, et de préférence d'une épaisseur sensiblement égale à 1 nanomètre. 5. Procédé selon l'une quelconques des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche diélectrique est réalisée à base de ZrO2. 6. Procédé selon l'une quelconques des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche diélectrique est réalisée à base de HfO2. 2970110 -13- 7. Procédé selon l'une quelconques des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche diélectrique est réalisée à base de SrTiO3.