Brevet FR2962258A1 — publié le 20120106

Arrière-plan de l'invention La présente invention se rapporte au domaine de la réalisation de structures semi-conducteurs multicouches (également dénommées "multilayer semiconductor wafers" en anglais) réalisées par transfert d'au moins une couche sur un substrat final. Un tel transfert de couche est obtenu par collage, par exemple par adhésion moléculaire, d'une première plaque (ou substrat initial) sur une deuxième plaque (ou substrat final), la première plaque étant en général amincie après collage. La couche transférée peut comprendre en outre tout ou partie d'un composant ou d'une pluralité de microcomposants. La présente invention s'applique plus particulièrement aux structures multicouches obtenues par collage, et présentant, au niveau de l'interface de collage, une faible énergie de surface (inférieure à 1 J/m2) comme par exemple les structures de type SOS (pour « Silicium Sur Saphir », ou « Silicon-on-Sapphire » en anglais). Le terme SOS désigne les structures multicouches comprenant une première plaque de silicium reportée sur un substrat en saphir cristallin (AI2O3). SOS est une technologie parmi la famille SOI (« Silicium sur Isolant » ou « Silicon-On-Isolant » en anglais). La technologie SOS est en particulier utilisée dans les applications radiofréquences en raison de ses bonnes performances en termes notamment d'isolation électrique et de dissipation thermique. L'invention concerne le problème des fragments de matériau qui apparaissent de manière indésirable sur la surface exposée de la couche transférée lors de la fabrication d'une structure multicouche, de type SOS par exemple. Ce phénomène de contamination a été observé à la suite d'une étape technologique mettant en oeuvre une gravure chimique d'au moins une partie d'une structure multicouche SOS. Cette étape technologique peut correspondre, par exemple, à une gravure chimique réalisée sur la première plaque d'une structure multicouche SOS lors d'une étape d'amincissement. Ce problème de contamination a été plus particulièrement observé lorsque qu'il n'a pas été possible de stabiliser complètement l'interface de collage entre les deux plaques de la structure multicouche SOS. La technique fréquemment utilisée, au cours de la fabrication de structures multicouches pour nettoyer la surface d'une couche transférée après une étape de gravure chimique, consiste à réaliser une étape de rinçage (ou de nettoyage) au moyen d'un jet sous pression. En général, on applique manuellement un jet d'eau (ou une solution de rinçage quelconque) sous pression sur la surface de la plaque à nettoyer. Cependant, la Déposante a constaté que l'efficacité de cette technique reste limitée puisqu'elle ne permet d'éliminer que partiellement les fragments présents à la surface de la plaque à nettoyer. Par ailleurs, cette technique de rinçage nécessite une intervention humaine, ce qui limite l'industrialisation de l'étape de rinçage. Il existe donc aujourd'hui un besoin pour un procédé permettant 15 d'empêcher que de tels fragments de matériau viennent contaminer une structure multicouche, notamment du type SOS, lors de sa fabrication. Objet et résumé de l'invention A cet effet, la présente invention propose un procédé de 20 traitement d'une structure multicouche, la structure multicouche comprenant une plaque collée sur un substrat au niveau d'une interface de collage, une couche d'oxyde de collage étant disposée entre la plaque et le substrat, le procédé comprenant au moins une étape de gravure chimique de la plaque, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : 25 avant l'étape de gravure chimique, une étape de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage par gravure chimique à l'acide fluorhydrique de la structure multicouche de manière à éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage. De manière avantageuse, le procédé de l'invention permet 30 d'éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage d'une structure multicouche, par exemple de type SOS, portion à partir de laquelle des fragments peuvent se détacher lors d'une étape ultérieure de gravure chimique et ainsi venir contaminer la surface de la structure. L'invention permet en particulier de minimiser la source des 35 fragments d'oxyde susceptibles de venir contaminer la surface exposée d'une structure multicouche lors d'une étape technologique ultérieure réalisée avec une gravure chimique. Le procédé de l'invention s'applique en particulier lorsque la structure multicouche présente au niveau de l'interface de collage une énergie de surface inférieure à 1 J/m2. Par ailleurs, la plaque peut comprendre des microcomposants. Dans ce document, on entend par « microcomposants », tous dispositifs ou motifs résultant des étapes technologiques réalisées sur les plaques d'une structure multicouche. Il peut s'agir en particulier de composants actifs ou passifs, de simples prises de contact ou d'interconnexions. Dans une mise en oeuvre particulière de l'invention, l'étape de gravure chimique correspond à une étape d'amincissement chimique de la plaque. Par ailleurs, lorsque la plaque amincie est en silicium, l'étape de gravure chimique peut être réalisée avec une solution de TMAH et/ou une solution de KOH. Le procédé de traitement selon l'invention peut comprendre en outre une étape d'amincissement mécanique de la plaque, l'étape de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage étant réalisée après l'étape d'amincissement mécanique. L'étape de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage peut également comprendre l'immersion d'au moins une partie de la structure multicouche dans une solution d'acide fluorhydrique de préférence inférieure ou égale à 10% en poids pendant une durée comprise entre 60 et 400 secondes. L'utilisation d'une solution d'acide fluorhydrique inférieure ou égale à 10% permet de contrôler de manière optimale la vitesse de gravure de la partie exposée de la couche d'oxyde de collage située en périphérie de la structure multicouche. La couche d'oxyde de collage peut quant à elle être une couche de dioxyde de silicium (SiO2). Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, le substrat est en un matériau apte à résister à l'étape de gravure chimique comme du saphir, ou recouvert d'une couche de nitrure ou d'une couche d'oxyde apte à résister à l'étape de gravure chimique. Une telle couche d'oxyde peut, par exemple, être de l'ordre de 200 Â d'épaisseur. Selon un mode de réalisation particulier, la plaque est une plaque de type SOI ou une plaque comprenant un empilement de couches comprenant une couche d'oxyde enterrée, le procédé comprenant, après l'étape de désoxydation partielle de la couche de collage et avant l'étape de gravure chimique de la plaque, les étapes successives suivantes : une étape de gravure chimique préliminaire pour éliminer une portion périphérique d'une couche de la plaque intercalée entre la couche d'oxyde de collage et la couche d'oxyde enterrée ; une étape de désoxydation partielle de la couche enterrée par gravure à l'acide fluorhydrique pour éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde enterrée. La Déposante a constaté que la portion périphérique de la couche d'oxyde enterrée est également source de fragments d'oxyde, ceux-ci étant susceptibles de venir contaminer la surface de la structure multicouche lors d'une étape de gravure chimique ultérieure. Ce mode de réalisation est avantageux en ce qu'il permet d'éliminer cette portion périphérique et donc de minimiser la source de fragments d'oxyde pouvant se déposer sur la plaque lors d'une étape d'amincissement chimique, par exemple. D'autre part, l'étape de gravure chimique préliminaire peut être réalisée avec une solution de TMAH ou une solution de KOH, la durée de l'étape de gravure chimique préliminaire étant de préférence inférieure ou égale à 20 minutes. De plus, l'étape de désoxydation partielle de la couche enterrée peut être réalisée avec une solution de gravure dont la concentration en acide fluorhydrique est inférieure ou égale à 10% en poids, l'étape de désoxydation se déroulant sur une durée de préférence comprise entre 200 et 600 secondes. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure multicouche comprenant les étapes successives suivantes : - formation d'une couche d'oxyde de collage sur au moins une plaque ou un substrat, - collage de la plaque sur le substrat au moyen de la couche d'oxyde de collage de manière à former la structure multicouche, - recuit de la structure multicouche, amincissement mécanique de la plaque, et - amincissement chimique de la plaque, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'élimination d'une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage conformément au procédé de traitement selon l'un des modes de réalisation mentionnés ci-avant. Dans un mode de réalisation particulier, la plaque est une plaque de type SOI ou une plaque comprenant un empilement de couches comprenant une couche d'oxyde enterrée, le procédé de fabrication étant caractérisé en ce qu'il comprend l'élimination d'une portion périphérique d'une couche de la plaque intercalée entre la couche d'oxyde de collage et la couche d'oxyde enterrée et d'une portion périphérique de la couche d'oxyde enterrée. Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures : les figures 1A à 1D sont des vues en coupe représentant de manière schématique un procédé de réalisation connu d'une structure multicouche de type SOS ; la figure 2 représente, sous forme d'un organigramme, les principales étapes du procédé illustré en figures lA à 1D; les figures 3a à 3i représentent, de façon schématique, un procédé de traitement et un procédé de fabrication selon un premier mode (E20, E26a) et un deuxième mode (E20, E22, E24, E26b) de réalisation de l'invention ; et la figure 4 représente, sous forme d'un organigramme, les principales étapes du procédé de l'invention conformément aux premier et deuxième modes de réalisation illustrés en figures 3a à 3i. Description détaillée d'un mode de réalisation La présente invention s'applique, d'une manière générale, à la désoxydation partielle d'une structure multicouche de façon à minimiser la source des fragments de matériau susceptibles d'apparaître sur la surface exposée de la structure au cours de son procédé de fabrication. L'invention s'applique en particulier, mais non exclusivement, aux structures multicouches de type SOS. On réalise une structure multicouche SOS en collant une première plaque sur une deuxième plaque, ou substrat, en saphir constituant le support de la première plaque, une couche d'oxyde de collage étant présente entre les deux plaques. Les plaques composant une structure multicouche se présentent généralement sous la forme de tranches ou "wafers" au contour généralement circulaire et peuvent présenter différents diamètres, notamment des diamètres de 100 mm, 150 mm, 200 mm ou 300 mm. Toutefois, il peut également s'agir de plaques de forme quelconque, comme une plaque de forme rectangulaire, par exemple. Ces plaques présentent de préférence un bord chanfreiné, à savoir un bord comprenant un chanfrein supérieur et un chanfrein inférieur. Ces chanfreins sont en général de forme arrondie. Toutefois, les plaques peuvent présenter des chanfreins ou tombées de bord de différentes formes telles qu'une forme en biseau. Le rôle de ces chanfreins est de faciliter la manipulation des plaques et d'éviter les bris de bords qui pourraient se produire si ces bords étaient saillants, de tels bris étant sources de contamination en particules des surfaces des plaques. Un exemple de procédé de fabrication connu d'une structure multicouche SOS est à présent décrit en référence aux figures lA à 1D et 2. Comme représenté en figures lA à 1D, une structure multicouche SOS 111 est formée par assemblage d'une première plaque 108 avec une deuxième plaque (ou substrat) 110 en saphir cristallin (étape Ell). Dans cet exemple, la première plaque 108 correspond à une structure SOI comprenant une couche d'oxyde enterrée 104 intercalée entre deux couches de silicium (i.e. la couche supérieure 101 et la couche inférieure 102). Les première et deuxième plaques 108 et 110 présentent ici le même diamètre. Elles pourraient toutefois avoir des diamètres différents. Dans l'exemple décrit ici, on procède à l'oxydation de toute la surface de la première plaque 108, et ce avant collage sur la deuxième plaque 110. Cette oxydation est réalisée au moyen d'un traitement thermique en milieu oxydant et permet de former une couche d'oxyde 106 (dite couche d'oxyde de collage) sur toute la surface de la première plaque 108 avant collage sur la deuxième plaque 110. Dans le cas présent, la couche d'oxyde 106 est une couche de SiO2. Une couche d'oxyde de collage 106 se retrouve ainsi à l'interface de collage entre la première plaque 108 et le substrat 110 et permet un meilleur collage entre celles-ci. Selon une première alternative, on peut déposer une couche d'oxyde de collage sur la face à assembler (dite face de collage) de la première plaque 108, et ce avant collage sur la deuxième plaque 110. Selon une autre alternative, il est possible, avant collage des deux plaques 108 et 110, de former une couche d'oxyde de collage sur la face de collage du substrat 110, ou alternativement, de former une couche d'oxyde de collage sur la face de collage de chacune des deux plaques 108 et 110. Les alternatives ci-dessus permettent, comme dans l'exemple de la figure 1B, d'intercaler une couche d'oxyde de collage entre les deux plaques 108 et 110 avant collage. Par ailleurs, la première plaque 108 présente un bord chanfreiné, à savoir un bord comprenant un chanfrein supérieur 107a et un chanfrein inférieur 107b. La deuxième plaque 110 présente de la même manière un bord comprenant un chanfrein supérieur 109a et un chanfrein inférieur 109b. Dans l'exemple décrit ici, l'assemblage de la première plaque 108 et du substrat 110 est réalisé au moyen de la technique d'adhésion moléculaire bien connue de l'homme du métier. D'autres techniques de collage peuvent toutefois être utilisées, comme par exemple le collage anodique, métallique, ou avec adhésif. Pour rappel, le principe du collage par adhésion moléculaire est basé sur la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire sans l'utilisation d'un matériau spécifique (colle, cire, brasure, etc.). Une telle opération nécessite que les surfaces à coller soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, et qu'elles soient suffisamment rapprochées pour permettre d'initier un contact, typiquement à une distance inférieure à quelques nanomètres. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer l'adhérence moléculaire (collage induit par l'ensemble des forces attractives (forces de Van Der Waals) d'interaction électronique entre atomes ou molécules des deux surfaces à coller). On notera que la première plaque 108 peut comprendre des microcomposants (non représentés sur les figures) au niveau de sa face de collage avec la deuxième plaque 110, notamment dans le cas de la technologie d'intégration tridimensionnelle de composants (3D-integration) qui nécessite le transfert d'une ou plusieurs couches de microcomposants sur un support final, ou encore dans le cas de transfert de circuits comme par exemple dans la fabrication d'imageurs éclairés en face arrière. Une fois l'étape E11 de collage réalisée, la structure multicouche 111 subit un recuit modéré de renforcement de l'interface de collage (par exemple de 100°C à 400°C pendant 2 heures) qui a pour but de renforcer le collage entre la première plaque 108 et la deuxième plaque 110 (étape E12). Après ce recuit, on procède en général à l'amincissement de la première plaque 108 de manière à former une couche transférée d'une épaisseur déterminée (par exemple, de 60 pm environ) sur la plaque support 110. Cette opération d'amincissement comprend généralement une étape de gravure chimique. Or, la Déposante a constaté l'apparition de fragments de matériaux indésirables sur la surface exposée de la première plaque 108 à la suite d'une étape d'amincissement impliquant une phase chimique. Une étude approfondie a permis de mettre en évidence le mécanisme de formation de ces fragments. Le mécanisme de formation est décrit plus en détail en relation avec les figures 1C et 1D qui illustrent un exemple d'étape d'amincissement de la première plaque 108. L'étape d'amincissement comprend dans cet exemple deux sous-étapes distinctes. La première plaque 108 est tout d'abord amincie mécaniquement à l'aide d'une meule ou tout autre outil apte à user mécaniquement le matériau de la première plaque 108 (« grinding » en anglais) (sous-étape E13). Cette première sous-étape d'amincissement permet d'éliminer la majeure partie de la couche supérieure 102 de façon à ne conserver qu'une couche résiduelle 112 (figure 1C). On procède ensuite à une deuxième sous-étape d'amincissement correspondant à une gravure chimique de la couche résiduelle 112 (sous-étape E14). Cette deuxième sous-étape consiste à placer la structure multicouche 111 dans un bain comprenant une solution de gravure 120 (figure 1D). Dans l'exemple décrit ici, la solution de gravure utilisée est une solution de TMAH permettant de graver le silicium de la première plaque 108. D'autres solutions d'attaque chimique peuvent toutefois être envisagées, celles-ci étant choisies notamment en fonction de la composition de la première plaque à amincir. Pour des plaques à amincir en silicium, on peut par exemple utiliser une solution de TMAH ou une solution de KOH. La couche d'oxyde enterrée 104 intercalée entre les couches 101 et 102 de la première plaque 108 sert de couche d'arrêt lors de la gravure chimique qui est alors interrompue au niveau de la couche d'oxyde 104. La gravure chimique permet ainsi d'éliminer la couche résiduelle 112. La Déposante a cependant observé qu'à l'issue de la gravure chimique, des fragments de matériau 118 étaient présents sur la surface exposée de la première plaque 108. Ces fragments 118 présentent typiquement une taille supérieure à 2 pm. Une étude a permis de démontrer que ces fragments de matériau sont des débris provenant des bords de la première plaque. Plus précisément, en raison de la présence de bords chanfreinés sur les première et deuxième plaques, la force de collage au voisinage de la périphérie des deux plaques est limitée. Malgré l'étape E12 de recuit modéré de renforcement de l'interface de collage, une portion annulaire en périphérie de la première plaque 108 située au voisinage du chanfrein inférieur 107b présente un mauvais collage (voire l'absence totale de collage) sur la deuxième plaque 110. La Déposante a observé que, lors de la gravure chimique (E14) de l'étape d'amincissement, la solution de gravure 120 a tendance à graver latéralement les bords de la première plaque 108 ainsi que la couche d'oxyde de collage 106. Cette action de gravure latérale cause notamment des cassures non contrôlées de la couche d'oxyde de collage 106, et plus particulièrement au niveau de la portion périphérique de la couche d'oxyde 106 qui est exposée à l'attaque de la solution de gravure 120. Ce phénomène de cassure entraîne ainsi la formation de débris ou de fragments d'oxydes 118 (de SiO2, dans le cas présent) provenant, au moins en partie, de cette portion périphérique de la couche d'oxyde de collage 106. Ces fragments d'oxyde viennent alors se déposer en partie sur la surface exposée de la première plaque amincie 108 (figure 1D) lors de la gravure chimique E14. A noter que, sous l'action de gravure latérale de la solution de gravure 120, des fragments d'oxyde, de silicium et/ou de circuit provenant des bords de la première plaque 108 sont également susceptibles de venir polluer la surface exposée de cette dernière. La Déposante a donc mis au point un procédé de traitement permettant d'éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage 106 de la structure multicouche 111. Un exemple de mise en oeuvre du procédé de traitement selon l'invention, et plus généralement, un exemple de mise en oeuvre du procédé de fabrication selon l'invention est à présent décrit en référence aux figures 3a à 3i et 4. On considère en figures 3a et 3b une structure multicouche 211 identique à la structure 111 représentée en figure 1C, à savoir une structure multicouche SOS obtenue à l'issue des étapes de collage (E11), de recuit (E12) et d'amincissement mécanique (E13) comme décrites ci- dessus. La figure 3b représente, de manière plus détaillée, la structure 211 illustrée en figure 3a au niveau du bord périphérique des plaques 208 et 210. Plus précisément, la structure multicouche 211 considérée est constituée d'une première plaque 208 collée sur une deuxième plaque (ou substrat) 210 en saphir, une couche d'oxyde de collage 206 ayant été formée (par oxydation) sur toute la surface de la première plaque 208 avant collage sur la deuxième plaque 210. Dans cet exemple, la première plaque 208 est une structure SOI : elle est constituée d'une couche d'oxyde enterrée 204 (identique à la couche 104) intercalée entre deux couches de silicium, à savoir une couche supérieure 212 amincie mécaniquement dite couche résiduelle (identique à la couche 112) et une couche inférieure 201 (identique à la couche 101). Dans l'exemple considéré ici, l'épaisseur de la couche d'oxyde de collage 206 au niveau de l'interface de collage est de 500 Â environ. De plus, les couche inférieure 201 et couche résiduelle 212 présentent respectivement des épaisseurs de 750 Â et de 65 pm. La couche d'oxyde enterrée 204 présente dans cet exemple une épaisseur de 2000 Â environ. On notera cependant que la deuxième plaque 210 n'est pas nécessairement en saphir. Alternativement, la plaque 210 peut par exemple être en silicium. Comme indiqué précédemment, l'invention s'applique plus généralement aux structures multicouches obtenues par collage, et en particulier à celles présentant une faible énergie de surface (inférieure à 1 3/m2) au niveau de leur interface de collage. Par ailleurs, comme indiqué ci-avant en référence aux figures 1A et 1B, d'autres modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour disposer une couche d'oxyde de collage entre les plaques 208 et 210. Il est ainsi possible de former une couche d'oxyde de collage sur la surface de collage de la première plaque 208 et/ou sur la surface de collage de la deuxième plaque 210, avant collage des deux plaques. Ainsi, lorsque le substrat 210 est en silicium par exemple, il est possible d'oxyder la totalité de la surface du substrat avant collage avec la première plaque 208, en prenant soin dans ce cas à ce que la couche d'oxyde formée soit suffisamment épaisse pour résister aux gravures mises en oeuvre dans le procédé de traitement de l'invention. Plus précisément, une fois l'étape d'amincissement mécanique E13 effectuée, la structure multicouche 211 subit une étape E20 de désoxydation partielle de la couche 206 d'oxyde de collage. Au cours de cette étape E20, la structure multicouche 211 est placée dans une solution de gravure 222 comprenant de l'acide fluorhydrique (HF) (figure 3c). Lorsque la structure multicouche 211 est immergée dans la solution de gravure 222, l'acide fluorhydrique attaque en premier lieu la couche d'oxyde de collage 206 au niveau de sa partie exposée au voisinage de la périphérie des plaques. Lors de cette étape E20, la solution de gravure 222 s'introduit notamment entre les plaques 208 et 211 au niveau de la couronne de l'interface de collage, c'est à dire, au niveau des bords chanfreinés des deux plaques qui présentent une mauvaise interface de collage (ou l'absence totale de collage). L'étape E20 de désoxydation partielle permet ainsi d'éliminer la portion périphérique de la couche d'oxyde de collage 206 à partir de laquelle des fragments peuvent se détacher lors d'une gravure chimique ultérieure et venir contaminer la surface de la structure (figure 3d). Dans cet exemple, la solution de gravure 222 présente une concentration en HF en poids (notée CHF1) de 10% et l'étape E20 de désoxydation partielle de la couche 206 d'oxyde de collage consiste à immerger la structure multicouche 211 dans cette solution de gravure 222 pendant un temps Ti compris préférentiellement entre 60 et 400 secondes. Dans cet exemple, Tl est fixé à 70 secondes. A noter que d'autres concentrations CHF1 en HF sont cependant envisageables. La concentration CHF1 est de préférence inférieure ou égale à 10% (en poids). Il est en effet nécessaire que la concentration en HF soit modérée afin que la gravure soit relativement lente et permette : de maîtriser précisément l'avancement de la désoxydation au cours de l'étape E20, et - de limiter la gravure latérale non souhaitée. De plus, une concentration CHF1 excessive peut rendre le processus de gravure HF difficilement contrôlable et peut conduire à des décollements indésirables. Le temps Ti pendant lequel la structure multicouche 211 est exposée à l'action de gravure de la solution 222 est alors choisi en fonction de la concentration CHF1 choisie, de façon à contrôler la quantité de la couche d'oxyde de collage 206 qui est éliminée en périphérie. En effet, si la structure multicouche subit une attaque HF pendant un temps Ti excessif, l'acide fluorhydrique s'infiltre trop profondément à l'interface de collage entre les plaques 208 et 210, dégradant de ce fait la qualité du collage entre ces deux plaques. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, après l'étape E20 de désoxydation partielle, on procède à une étape E26 de gravure chimique (notée plus spécifiquement E26a pour le premier mode de réalisation décrit ici). Dans l'exemple décrit ici, cette étape E26 correspond à une étape d'amincissement chimique dont l'objet est d'éliminer la couche résiduelle 212. Pour se faire, on immerge la structure multicouche 211 pendant un temps T2 dans une solution de gravure 220 identique à la solution de gravure 120 décrite en référence à la figure 1D (figure 3e). Comme indiqué ci-dessus, pour des plaques à amincir en silicium, cette solution de gravure peut, par exemple, comprendre une solution de TMAH ou une solution de KOH. Dans l'exemple décrit ici, la solution de gravure 220 est une solution de TMAH diluée à 25% et chauffée à une température de 80 °C environ. La couche d'oxyde enterrée 204 fait alors office de couche d'arrêt vis-à-vis de l'action de gravure de la solution 220. Le temps T2 est choisi de manière à ce que toute la couche résiduelle 212 soit éliminée à l'issue de l'étape E26 (figure 3f). T2 est, par exemple, compris entre 3 et 4 heures, et s'élève de préférence à 3h45. Comme expliqué précédemment, la Déposante a observé que la couche d'oxyde de collage 206 en bord de plaque 208 est à l'origine de la formation de fragments d'oxyde venant contaminer la surface de la structure multicouche 211 lors d'une étape de gravure chimique. L'élimination d'une portion périphérique de cette couche d'oxyde 206 (i.e. la portion exposée) lors de l'étape E20 de gravure HF permet de réduire de manière très significative les fragments d'oxyde susceptibles de se déposer sur la surface exposée de la structure 211 lors de l'étape E26. Aussi, l'invention permet de manière avantageuse de minimiser la source des fragments d'oxyde susceptibles de venir contaminer la surface exposée de la structure multicouche 211 lors d'une étape de gravure ultérieure, telle que l'étape E26 par exemple. On comprendra toutefois que la deuxième étape E26 de gravure chimique ne correspond pas nécessairement à une étape d'amincissement chimique de la première plaque 208 mais peut correspondre à une quelconque étape technologique impliquant une gravure chimique. Une telle étape peut, par exemple, être réalisée avec une solution de TMAH ou une solution de KOH et peut, par exemple, avoir pour objet la formation d'un ou de plusieurs microcomposants (dans la première plaque 208 par exemple). Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, après l'étape E20 de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage 206, on réalise une étape E22 de gravure chimique préliminaire. Au cours de cette étape E22, on immerge pendant un temps T3 la structure multicouche 211 dans une solution de gravure. Dans le cas présent, cette solution de gravure présente les mêmes caractéristiques que celles de la solution 220 précédemment décrite : on utilise une solution de TMAH diluée à 25% et chauffée à une température de 80 °C environ. L'étape E22 de gravure chimique préliminaire permet d'éliminer le bord exposé de la couche inférieure 201, c'est-à-dire la portion périphérique qui n'est plus protégée par la couche d'oxyde de collage 206 sous-jacente (figure 3g). L'élimination de cette portion annulaire de la couche inférieure 201 est possible car l'étape E20 permet au préalable d'ouvrir une surface d'attaque en périphérie sur la couche inférieure 201. Le temps T3 de gravure est choisi de façon à être inférieur ou égal à 20 min, et est de préférence compris entre 5 min et 20 min. On notera que, lors de cette étape E22 de gravure chimique préliminaire, la couche supérieure résiduelle 212 est peu ou pas altérée par l'action de gravure de la solution de TMAH. La durée T3 est en effet relativement limitée ( On notera que l'étape précédente E22 de gravure chimique préliminaire a avantageusement permis d'ouvrir une surface d'attaque sur une portion périphérique de la couche d'oxyde enterrée 204. L'étape E24 de désoxydation partielle permet ainsi d'éliminer le bord exposé de la couche d'oxyde enterrée 204, c'est-à-dire, la portion périphérique qui n'est plus protégée par la couche inférieure 201 sous-jacente (figure 3h). La concentration CHF4 est de préférence inférieure ou égale à 10% en poids. De même que pour CHF1 lors de l'étape E20, la concentration CHF4 doit être suffisamment modérée pour que l'on puisse maîtriser précisément l'avancement de la désoxydation au cours de l'étape E24 et éviter les éventuels décollement à l'interface de collage des deux plaques 208 et 210. De plus, le temps T4 est défini en fonction de la concentration CHF4 choisie. T4 est, par exemple, compris entre 200 et 600 secondes. Lorsque CHF4 = 10 % (en poids), T4 est fixé préférentiellement à 280 secondes environ. Selon ce deuxième mode de réalisation, après l'étape E24 de désoxydation partielle de la couche d'oxyde enterrée 204, on réalise l'étape E26 de gravure chimique telle que précédemment décrite (notée plus spécifiquement E26b dans ce deuxième mode de réalisation). Comme expliqué précédemment, l'étape E26 correspond dans cet exemple à une étape d'amincissement chimique de la première plaque 208. A l'issue de cette étape de gravure chimique, la couche supérieure résiduelle 212 est totalement éliminée (figure 3i). De même que dans le premier mode de réalisation, l'étape E20 réalisée dans le deuxième mode permet avantageusement d'éliminer la portion exposée de la couche d'oxyde de collage 206 située en périphérie de plaque. L'élimination de cette portion de couche d'oxyde 206 permet de réduire de manière significative les fragments d'oxyde susceptibles de se déposer sur la surface exposée de la structure multicouche 211 lors de l'étape E26 de gravure chimique. L'étape E24 de désoxydation partielle réalisée dans ce deuxième mode de réalisation permet en outre d'éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde enterrée 204. La Déposante a en effet constaté que la portion exposée de cette couche d'oxyde 204 est également source de fragments d'oxyde lorsque la structure multicouche 211 subit une gravure chimique (comme, par exemple, lors d'une étape d'amincissement chimique). Ce deuxième mode de réalisation conduit donc à des résultats encore meilleurs que le premier mode de réalisation puisqu'il permet de réduire encore davantage la quantité de fragments d'oxyde susceptibles de venir contaminer la surface exposée de la structure multicouche 211 lors d'une étape de gravure chimique. On notera qu'en général, après l'étape E26 de gravure chimique, on réalise une étape de rinçage. Le procédé de traitement de l'invention est également avantageux en ce que ses paramètres d'application (notamment CHF1, Ti et T2, et éventuellement T3, T4 et CHF4 dans le cas du second mode de réalisation) sont contrôlables et reproductibles. Cette technique peut ainsi être optimisée et automatisée à des fins industrielles. L'étape E20 et éventuellement les étapes E22 et E24 peuvent en effet être intégrées, avant une étape E26 de gravure chimique, dans un procédé de fabrication conventionnel d'une structure multicouche, de type SOS par exemple. Le substrat 210 en saphir est avantageux en ce qu'il est capable de résister aux gravures chimiques successives, à savoir les gravures réalisées lors des étapes E20, E26 et éventuellement lors des étapes E22 et E24 dans le cas du second mode de réalisation de l'invention. On notera par ailleurs que le substrat 210 de saphir peut contenir différents types d'impuretés sous forme de traces (titane, fer, vanadium...) et ce, dans des concentrations quelconques. Le substrat 210 peut cependant être formé d'un autre matériau que le saphir à condition que celui-ci soit résistant aux attaques chimiques mentionnées ci-avant. Alternativement, le substrat 210 peut être formé d'un matériau quelconque recouvert d'une couche de protection (en oxyde ou en nitrure, par exemple) suffisamment épaisse pour ne pas être totalement éliminée à l'issue des différentes gravures mises en oeuvre dans le procédé de l'invention. Le substrat 210 peut, par exemple, être recouvert d'une couche d'oxyde dont l'épaisseur est de l'ordre de 2000 Â. D'autre part, on notera que, bien que ça ne soit pas obligatoire, il est préférable de réaliser l'étape E13 d'amincissement mécanique avant l'étape E20 de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage 206. La Déposante a en effet constaté que cette étape E13 d'amincissement mécanique engendre des contraintes mécaniques importantes sur la structure multicouche 211 et conduit généralement à un agrandissement de la couronne peu ou mal collée à l'interface de collage entre les deux plaques 208 et 210. La réalisation de l'étape E13 avant l'étape E20 (quelque soit le mode de réalisation) permet d'optimiser l'accès de l'acide fluorhydrique dans l'interface de collage entre les deux plaques 208 et 210, de façon à éliminer au maximum les sources potentielles de contamination. Le procédé de traitement selon l'invention s'applique à tous types de structure multicouche obtenue par collage, et plus particulièrement, aux structures multicouches SOS dont les plaques présentent des bords chanfreinés (ou des tombées de bord d'une forme quelconque) et/ou qui ne peuvent être portés à des températures élevées afin de stabiliser parfaitement l'interface de collage. REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'une structure multicouche (211), ladite structure multicouche comprenant une plaque (208) collée sur un substrat (210) au niveau d'une interface de collage, une couche d'oxyde de collage (206) étant disposée entre la plaque et le substrat, le procédé comprenant au moins une étape (E26) de gravure chimique de ladite plaque, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : avant l'étape de gravure chimique, une étape (E20) de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage par gravure chimique à l'acide fluorhydrique de la structure multicouche de manière à éliminer une portion périphérique de ladite couche d'oxyde de collage. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la structure multicouche présente au niveau de l'interface de collage une énergie de surface inférieure à 1 J/m2. 3. Procédé selon les revendications 2 ou 3, ladite plaque comprenant des microcomposants. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape (E26) de gravure chimique correspond à une étape d'amincissement chimique de ladite plaque. 25 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape de gravure chimique est réalisée avec une solution de TMAH ou une solution de KOH. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, 30 comprenant en outre une étape (E13) d'amincissement mécanique de ladite plaque, l'étape de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage étant réalisée après ladite étape d'amincissement mécanique. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, 35 dans lequel l'étape de désoxydation partielle de la couche d'oxyde de collage comprend l'immersion d'au moins une partie de la structure20multicouche dans une solution (222) d'acide fluorhydrique inférieure ou égale à 10% en poids pendant une durée comprise entre 60 et 400 secondes. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel ladite couche d'oxyde de collage est une couche de dioxyde de silicium (SiO2). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, le substrat étant apte à résister à l'étape de gravure chimique ou recouvert d'une couche de nitrure ou d'une couche d'oxyde apte à résister à l'étape de gravure chimique. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel ladite plaque est une plaque de type SOI ou une plaque comprenant un empilement de couches comprenant une couche d'oxyde enterrée, ledit procédé comprenant, après l'étape de désoxydation partielle de la couche de collage et avant l'étape de gravure chimique de ladite plaque, les étapes successives suivantes : - une étape (E22) de gravure chimique préliminaire pour éliminer une portion périphérique d'une couche (201) de ladite plaque intercalée entre la couche (206) d'oxyde de collage et ladite couche d'oxyde enterrée (204) ; une étape (E24) de désoxydation partielle de la couche enterrée par gravure à l'acide fluorhydrique pour éliminer une portion périphérique de ladite couche d'oxyde enterrée. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape (E22) de gravure chimique préliminaire est réalisée avec une solution de TMAH ou une solution de KOH, la durée de ladite étape de gravure chimique préliminaire étant inférieure ou égale à 20 minutes. 12. Procédé selon les revendications 10 ou 11, dans lequel l'étape (E24) de désoxydation partielle de la couche enterrée est réalisée avec une solution de gravure dont la concentration en acide fluorhydriqueest inférieure ou égale à 10% en poids, ladite étape de désoxydation se déroulant sur une durée comprise entre 200 et 600 secondes. 13. Procédé de fabrication d'une structure multicouche (211) comprenant les étapes successives suivantes : - formation d'une couche d'oxyde de collage (206) sur au moins une plaque (208) ou un substrat (210), collage (E11) de ladite plaque sur ledit substrat au moyen de la couche d'oxyde de collage de manière à former ladite structure multicouche, - recuit (E12) de ladite structure multicouche, - amincissement mécanique (E13) de la plaque, et - amincissement chimique (E14) de la plaque, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'élimination d'une portion périphérique de ladite couche de collage conformément au procédé de traitement défini dans l'une quelconque des revendications 1 à 12. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la plaque est une plaque de type SOI ou une plaque comprenant un empilement de couches comprenant une couche d'oxyde enterrée, caractérisé en ce qu'il comprend l'élimination d'une portion périphérique d'une couche (201) de la plaque intercalée entre la couche (206) d'oxyde de collage et la couche (204) d'oxyde enterrée et d'une portion périphérique de ladite couche d'oxyde enterrée (204).