Brevet FR2971887A1 — publié le 20120824

B 10-4710FR 1 Photosite à transfert de charges amélioré L'invention concerne les dispositifs d'imagerie notamment à réseau matriciel de photosites, et plus particulièrement le transfert de charges au sein de chaque photosite. Un dispositif d'imagerie, ou capteur, est un composant électronique photosensible servant à convertir un rayonnement électromagnétique en un signal électrique analogique. Ce signal est ensuite amplifié puis numérisé par un convertisseur analogique-numérique et enfin traité pour obtenir une image numérique. Le dispositif d'imagerie met à profit l'effet photoélectrique qui permet aux photons incidents d'arracher des électrons à chaque élément actif, appelé photosite. Un dispositif d'imagerie comprend généralement des photosites agencés en matrice, chaque photosite correspondant à un pixel d'une image. Les photons captés par le dispositif d'imagerie à base de composants semi-conducteurs sont convertis en photoporteurs dans le silicium, c'est-à-dire en paires électrons/trous. Plus précisément, les charges créées dans les zones photosensibles sont stockées dans le photosite avant d'être lues grâce à un système électronique. Deux grandes famille de dispositifs d'imagerie, ou capteurs, sont disponibles : les capteurs à transfert de charge, ou capteurs CCD (de l'anglais Charge-Coupled Device), et les capteurs CMOS, ou capteurs CMOS APS (APS signifiant en anglais Active Pixel Sensor). Un photosite classique comprend généralement une photodiode destinée à transformer les photons captés en un signal électrique correspondant grâce à l'effet photoélectrique. La photodiode comporte généralement pour cela une jonction PN formée dans un substrat semi- conducteur. Deux types de photodiodes existent : les photodiodes comprenant uniquement une jonction PN et les photodiodes pincées comprenant une couche dopée N comprise entre deux couches dopées P, la couche dopée N étant optimisée pour être complètement désertée B 10-471 OFR 2 de porteurs libres après le cycle de commande du transistor de transfert de charges. Une photodiode pincée PNP diffère d'une photodiode comportant une simple jonction PN en ce qu'elle est couplée à une grille de transfert de charges permettant de commander le transfert de charges vers le noeud de lecture, d'une part, et en ce que la couche dopée N est désertée de toute charge après le transfert. Une photodiode pincée PNP permet ainsi la réalisation d'un double échantillonnage corrélé, c'est-à-dire d'un échantillonnage comprenant à chaque fois une mesure sans charge suivie d'une mesure avec charges. Les photodiodes pincées fonctionnent par accumulation de charges dans une zone de stockage de charges, puis transfert des charges dans la capacité du noeud de lecture, puis mesures de la tension délivrée par ce noeud de lecture grâce à un transistor suiveur. Les photodiodes pincées permettent ainsi d'accumuler une quantité de charges proportionnelle au signal lumineux et à un temps d'intégration. Une photodiode pincée comprend une zone de collecte de charges définie par les trois couches respectivement dopées Pl, N et P2, et une zone de stockage de charges comportant la couche dopée N. En conditions d'accumulation de charges, un potentiel de blocage est appliqué à la grille du transistor de transfert de charges. Un potentiel de polarisation, par exemple de OV, est également appliqué aux couches dopées Pl et P2. Ce potentiel de polarisation des couches dopées Pl et P2 permet de définir un potentiel de référence pour la zone de stockage de charges, soit la couche dopée N. Le potentiel de blocage et le potentiel de référence de la zone de stockage de charges permettent de définir les conditions aux limites d'un puits de potentiel qui caractérise la zone de stockage de charges. Le puits de potentiel ainsi défini dépend non seulement de la valeur des deux potentiels, mais également de la valeur du dopage de la couche dopée N et des dimensions géométriques de la photodiode. En effet, les dimensions de ce puits de potentiel, notamment sa profondeur maximale correspondant au potentiel d'appauvrissement B 10-4710FR 3 noté Vmax, c'est-à-dire à la tension du puits de potentiel lorsqu'il est vide de charges, sont définies principalement par la valeur du dopage effectif (Net doping en anglais) des zones Pl, P2 et N de la photodiode et par ses dimensions géométriques correspondant à sa largeur, longueur et épaisseur. L'épaisseur correspond à la distance entre les deux jonctions PIN et NP2. La capacité de stockage de charges de la photodiode, notée Qsat, dépend des dimensions du puits de potentiel, notamment du potentiel d'appauvrissement et du volume de la zone de stockage. Le potentiel d'appauvrissement correspond à la différence de potentiel entre le potentiel de la couche N où le puits de potentiel est maximum et le potentiel de polarisation des couches Pl et P2 lorsque la couche N est complètement désertée de porteurs libres. La qualité de l'image obtenue est définie, d'une part, par la capacité de stockage de charges dans le puits de potentiel de la zone de stockage. En effet, le signal électrique généré dépend du nombre de charges stockées, puis transférées. Mais la qualité de l'image obtenue est définie, d'autre part, par le transfert de charges entre la zone de stockage de charges et le noeud de lecture via le transistor de transfert de charges. En effet, il faut que toutes les charges accumulées dans la zone de stockage de charges soient transférées pour obtenir une bonne qualité d'image. Si toutes les charges ne sont pas transférées pour chacun des photosites, il y a un risque de bruit électronique sur l'image et un effet de rémanence qui sera présent sur l'image suivante. Par exemple, deux photosites adjacents ayant reçus des photons identiques risquent de ne pas produire exactement la même image de part l'existence de charges résiduelles dans les photosites à l'issue du transfert de charge, et donc de détériorer la qualité de l'image obtenue. Par ailleurs, dans le cas de deux images identiques capturées successivement, celles-ci risquent de différer si le transfert de charges n'est pas total dans chaque photosite. B 10-4710FR 4 Enfin dans un cas où des charges restent dans la photodiode après le transfert, ces charges risquent de modifier l'image suivante provoquant un effet de rémanence. Le taux de transfert agit donc directement sur la qualité de l'image obtenue, via une perturbation du signal électrique généré. Dans une photodiode pincée PNP, la quantité maximale de charges stockées dans la zone de stockage de charge varie avec le potentiel d'appauvrissement Vmax, alors que l'optimisation du transfert de charges varie de manière inverse au potentiel d'appauvrissement Vmax. En effet, pour augmenter la capacité de stockage de charges, Qsat, le potentiel d'appauvrissement Vmax doit être augmenté, alors que pour améliorer le transfert de charges le potentiel d'appauvrissement Vmax doit être diminué. Le document US 2010/0176276 décrit un photosite comprenant une photodiode pincée et un transistor de transfert de charges dont la forme a été modifiée afin d'adopter une forme générale de T. Le transistor de transfert en forme de T permet ainsi d'amener le transistor au-dessus de la zone de stockage maximal de charges, c'est-à-dire au niveau de la zone de stockage de charges où le potentiel correspond au potentiel d'appauvrissement. Cependant, une configuration comprenant un transistor de transfert ayant une partie péninsulaire avançant au-dessus de la photodiode comporte plusieurs inconvénients. D'une part, une partie de la photodiode est couverte par la partie péninsulaire du transistor de transfert de charges et la surface de capture des photons est par conséquent réduite. En effet, la partie péninsulaire du transistor de transfert de charges située au-dessus de la photodiode, réfléchie et absorbe une quantité importante de photons irradiant la photodiode. D'autre part, une telle configuration ne permet plus de réaliser un auto-alignement de la photodiode par rapport au transistor de transfert de charges. En effet, dans une telle configuration le transistor de transfert de charges doit être disposé après l'implantation de la photodiode de manière à ce que la partie péninsulaire se positionne au-dessus de la zone de stockage maximal de charges où régne le B 10-4710FR maximum du puits de potentiel. Alors que, dans un processus de réalisation de photosite conventionnel, la photodiode est implantée après le transistor, la photodiode étant alors alignée par rapport au transistor de transfert. 5 Selon un mode de réalisation, il est proposé un photosite dont la topographie est modifiée de manière à rapprocher la zone de stockage de charges où régne le maximum de puits de potentiel, c'est-à-dire le potentiel d'appauvrissement, du transistor de transfert de charges. En rapprochant la zone de stockage de charges où régne le maximum de puits de potentiel du transistor de transfert de charges, il est possible de diminuer les tensions de fonctionnement du transistor de transfert et des couches dopées P, d'une part, et d'augmenter la quantité de charges stockées et transférées, d'autre part. Selon un aspect, il est proposé un photosite comprenant, dans un substrat semi-conducteur, une photodiode pincée dans la direction de la profondeur du substrat comportant une zone de stockage de charges, et un transistor de transfert de charges apte à transférer les charges stockées. Selon une caractéristique générale de l'aspect, la zone de stockage de charges comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert définissant au moins une zone d'étranglement adjacente au transistor de transfert de charges. Le pincement permet ainsi de localiser la position du maximum du puits de potentiel (potentiel d'appauvrissement), non plus au centre de la photodiode mais à une distance plus proche de la position de la zone de transfert de charges. La première direction est généralement orthogonale à la direction de pincement vertical de la photodiode (selon la profondeur du substrat). Le pincement de la zone de stockage de charges modifie le potentiel électrostatique de la zone de stockage de charges de manière à concentrer un maximum de charges à proximité du transistor de transfert de charges, en définissant une zone d'étranglement, B 10-4710FR 6 comportant le potentiel d'appauvrissement, à proximité de la grille de transfert. Le photosite comprend préférentiellement au moins une région délimitant avec le transistor de transfert de charges ladite au moins une zone d'étranglement. De préférence, la distance entre ladite au moins une région et le transistor de transfert de charge comptée selon la première direction est supérieure à la distance entre ladite au moins une région et un bord de la zone de stockage de charges comptée selon une seconde direction orthogonale à la première direction, de manière à ce que le maximum de potentiel électrostatique soit localisé à proximité du transistor de transfert de charges favorisant ainsi le transfert de charges. Une restriction de la dimension transversale de la photodiode est ainsi appliquée, la dimension transversale s'étendant le long de la seconde direction orthogonale à la première direction. Cette restriction transversale permet d'optimiser la distribution électrostatique de la zone de stockage de charges. En effet, cette restriction transversale évite d'avoir une configuration d'une photodiode large avec un pincement central pour laquelle le maximum du puits de potentiel ne serait pas adjacent au transistor de transfert de charges. De préférence, la zone de stockage de charges comprend un dopage ajusté pour que le puits de potentiel de la zone d'étranglement ait un potentiel d'appauvrissement compris entre une tension de base définie par la différence de potentiel entre le potentiel de surface sous la grille du transistor de transfert lorsque ledit transistor de transfert est bloquant et le potentiel de surface sous la grille du transistor de transfert lorsque ledit transistor de transfert est passant, et cinquante pourcent de ladite tension de base. Le pincement dans la première direction modifie la distribution électrostatique et, par conséquent, le potentiel d'appauvrissement, qui diminue avec la largeur du puits de potentiel. Pour des raisons de simplification de notation, le pincement dans la première direction sera nommé pincement latéral. B 10-4710FR 7 Le potentiel d'appauvrissement varie plus vite avec les dimensions géométriques de la zone de stockage de charges qu'avec le dopage. En revanche, la capacité de stockage de charges, Qsat, varie proportionnellement aussi bien avec le dopage qu'avec les dimensions géométriques de la zone de stockage de charges. Ainsi, en pinçant la photodiode latéralement, la capacité de stockage sera augmentée pour un potentiel d'appauvrissement identique entre une photodiode pincée latéralement et une photodiode non pincée latéralement. Dans une approximation au premier ordre, le potentiel d'appauvrissement varie proportionnellement avec le dopage de la zone de stockage de charges et quadratiquement avec chacune des dimensions géométriques de la zone de stockage de charges. Dans cette même approximation, la quantité de charges de la zone de stockage de charges varie proportionnellement avec le dopage et chacune des dimensions de la zone de stockage de charges. Par exemple, dans le cadre d'une approximation au premier ordre, si l'on réduit une des dimensions géométriques de la zone de stockage de charges d'un facteur 2, le potentiel d'appauvrissement sera diminué d'un facteur 4. Pour obtenir un même potentiel d'appauvrissement, le dopage sera alors augmenté d'un facteur 4. La capacité de stockage de charges variant linéairement avec la valeur du dopage et chacune des dimensions de la zone de stockage de charges, la capacité de stockage de charge sera augmentée d'un facteur 2 par rapport à une photodiode classique. Par ailleurs, le potentiel d'appauvrissement du puits de potentiel reste préférentiellement inférieur à la tension de base afin que le transfert de charges puisse être réalisé complètement, c'est-à-dire de manière à ce qu'il ne reste pas de charges résiduelles. Avantageusement, ladite au moins une région comprend une zone dopée d'un type de conductivité opposé au type de conductivité de la zone de stockage de charges. B 10-4710FR 8 Les portions de la zone de stockage de charges de part et d'autre de ladite au moins une région peuvent avantageusement être symétriques par rapport à la première direction. Dans un premier mode de réalisation, ladite au moins une région peut comprendre un plot, ou îlot de pincement situé au moins au sein de la zone de stockage de charges. De préférence, la distance entre l'îlot de pincement et le transistor de transfert de charges est supérieure à la distance entre ledit îlot de pincement et le bord de la zone de stockage de charges situé à l'opposé du transistor de transfert de charges par rapport à l'îlot, de sorte que le maximum de potentiel électrostatique soit localisé à proximité du transistor de transfert de charges favorisant ainsi le transfert de charges. Dans un second mode de réalisation, ladite au moins une région peut comprendre une péninsule de pincement s'étendant depuis un bord du photosite en direction du transistor de transfert de charges. Dans une configuration où le photosite ne comprend qu'une région péninsulaire, la zone de stockage de charges comporte une forme générale de U dont la base est accolée au transistor de transfert de charges et définie ladite zone d'étranglement. Selon un autre aspect, il est proposé un dispositif d'imagerie comprenant un réseau matriciel de photosites comprenant au moins un photosite comme décrit ci-dessus. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée d'un mode de réalisation, nullement limitatif, et des dessins annexés sur lesquels : - La figure la représente de manière schématique une coupe transversale d'un photosite classique selon l'art antérieur ; - Les figures lb et le présentent schématiquement les courbes de potentiel du photosite classique de la figure la respectivement lorsque le transistor de transfert est bloqué et lorsqu'il est passant ; B 10-4710FR 9 - La figure 2 illustre une vue de dessus d'un ensemble de quatre photosites classiques ; - La figure 3a représente de manière schématique une coupe transversale selon la direction de transfert d'un photosite selon un mode de réalisation ; - Les figures 3b et 3c présentent schématiquement la courbe de potentiel du photosite de la figure 3a respectivement lorsque le transistor de transfert est bloqué et lorsqu'il est passant ; - La figure 4 illustre une vue de dessus d'un ensemble de quatre photosites selon un premier mode de réalisation ; - La figure 5 illustre une vue de dessus d'un ensemble de quatre photosites selon un deuxième mode de réalisation. Sur la figure la est représentée de manière schématique une 15 vue en coupe transversale d'un photosite classique selon l'art antérieur. Plus particulièrement la vue est une coupe transversale réalisée selon la direction de transfert de charges définie par l'axe I-I' sur la figure 2. Le photosite conventionnel est formé dans un substrat 1 semi-20 conducteur comprenant une photodiode pincée 2 couplée à un transistor de transfert de charges TG qui est couplé à un noeud de mesure SN distant de la photodiode pincée 2. De manière classique, un transistor de transfert de charges TG est disposé sur un substrat 1 initialement dopé P. La photodiode pincée 25 2 est ensuite formée de manière à être alignée par rapport au transistor de transfert de charges TG, c'est-à-dire de façon à être adjacente au transistor de transfert de charges TG. La photodiode pincée 2 est formée en réalisant une première implantation d'une couche 3 dopée N réalisée au sein d'une couche 4 dopée P de substrat 1, suivie d'une 30 seconde implantation d'une couche 5 dopée P réalisée de sorte à être superposée à la couche 3 dopée N. On obtient ainsi une photodiode pincée 2 comprenant une zone photosensible 6 délimitée en partie sur la périphérie par une région périphérique 7, la zone photosensible 6 comportant une couche 3 10 B 10-4710FR 10 dopée N comprise entre deux couches 4 et 5 dopées P. La photodiode comporte alors une zone de collecte de charges comportant les trois couches 4, 3 et 5 respectivement dopée P, N et P ainsi que la région périphérique dopée P, et une zone de stockage de charges correspondant à la couche 3 dopée N. La zone de stockage de charges recueille et accumule les charges des photoporteurs créés dans la zone de collecte de charges de la photodiode 2. La diode est polarisée par l'application d'un potentiel de polarisation à la couche 4 dopée P induisant une polarisation des couches 5 et 7 également dopées P au même potentiel. La polarisation de la diode permet ainsi le stockage des charges dans la couche 3 dopée N. Par ailleurs, une tension est également appliquée à la grille du transistor de transfert de charges TG, la tension étant différente selon que le photosite est dans une configuration d'accumulation de charges ou bien dans une configuration de transfert des charges accumulées vers le noeud de mesure SN. Les figures lb et le présentent schématiquement les courbes de potentiel du photosite classique de la figure la respectivement lorsque le transistor de transfert de charges TG est bloquant et lorsqu'il est passant. Les potentiels représentés correspondent aux potentiels susceptibles d'être mesurés selon un plan AA' de la figure la. Le transistor de transfert de charges TG est bloqué lorsqu'une tension de l'ordre de -1V par exemple est appliquée à la grille dudit transistor TG. Le blocage du transistor de transfert de charges TG permet d'accumuler des charges de photoporteurs créés par les photons captés dans la photodiode 2 du photosite. Sur la courbe de la figure lb est représenté le potentiel de surface TGoff sous la grille du transistor de transfert de charges TG lorsque ledit transistor TG est bloqué. Lorsque le transistor de transfert de charges TG est bloqué, un puits de potentiel se forme dans la photodiode 2, le transistor de transfert de charges TG formant une barrière de potentiel séparant la zone de stockage de charges de la photodiode 2 du noeud de mesure SN. B 10-4710FR 11 Le puits de potentiel est caractérisé par sa profondeur maximum correspondant au potentiel d'appauvrissement VmaX, et par la distance séparant la zone du potentiel d'appauvrissement V..X et la zone du transistor de transfert de charges TG. Le potentiel d'appauvrissement V..X correspond à la tension intrinsèque au puits de potentiel de la zone de stockage de charges où régne le potentiel électrostatique maximum quand elle est vide de toute charge. Elle est définie par la différence de potentiel entre le potentiel maximum du puits de potentiel et le potentiel de polarisation des zones 4,5 et 7 dopées P. Une fois la zone de stockage de charges remplies, les charges sont transférées de la photodiode 2 vers le noeud de mesure SN via le transistor de transfert de charges TG. Comme illustré sur la figure 1c, la barrière de potentiel créée par le transistor de transfert de charges TG est abaissée en modifiant la tension appliquée à la grille dudit transistor TG. La tension est par exemple passée à 3V. Le changement de tension appliquée à la grille du transistor de transfert de charges TG a pour conséquences de modifier le potentiel de surface mesuré sous la grille dudit transistor de transfert de charges TG. Le transfert des charges est complet lorsqu'il n'existe aucune charge résiduelle dans la zone de stockage de charges à l'issue du transfert. Si le potentiel d'appauvrissement Vmax est supérieur au potentiel de surface TGo' mesuré sous la grille lorsque le transistor de transfert de charges TG est passant, il est alors possible que des charges ne soient pas transférées et restent dans la zone de stockage de charges, créant alors des charges résiduelles. Et ce, du fait que la barrière de potentiel du transistor de transfert de charges TG n'a pas été suffisamment abaissée par rapport au potentiel d'appauvrissement V.. définissant le puits de potentiel. Sur la figure 2 est illustrée une vue de dessus d'un ensemble de quatre photosites classiques réalisés selon la figure la. L'ensemble comprend quatre photosites conventionnels réalisés dans un substrat 1 semi-conducteur. Chaque photosite conventionnel B 10-4710FR 12 comprend un transistor de transfert de charges TG couplé à un noeud de mesure SN et une photodiode 2. La photodiode 2 comprend une zone photosensible 6 délimitée par une région périphérique 7 permettant de séparer la photodiode 2 des autres photosites. Les noeuds de mesures SN des quatre photosites sont couplés de manière commune à un transistor suiveur SF (source follower), un transistor de lecture RD (Read) et un transistor de réinitialisation RST (Reset). La figure 3a présente de manière schématique une vue en coupe transversale selon la direction de transfert d'un photosite selon un premier mode de réalisation. Dans ce premier mode de réalisation, un photosite 100 est formé dans un substrat 10 semi-conducteur comprenant une photodiode pincée 20 couplée à un transistor de transfert de charges TG qui est couplé à un noeud de mesure SN distant de la photodiode pincée 20. Le transistor de transfert de charges TG est disposé sur le substrat 10 initialement dopé P. La photodiode pincée 20 est ensuite formée de manière à être alignée par rapport au transistor de transfert de charges TG, c'est-à-dire de façon à être adjacente au transistor de transfert de charges TG. La photodiode pincée 20 est formée en réalisant une première implantation d'une couche 30 dopée N réalisée au sein d'une couche 40 dopée P de substrat, suivie d'une seconde implantation d'une couche 50 dopée P réalisée de sorte à être superposée à la couche 30 dopée N. On obtient ainsi une photodiode 20 pincée verticalement, soit selon la profondeur, comprenant une zone photosensible 60 délimitée en partie en périphérie par une région périphérique 70 correspondant à une couche dopée P, la zone photosensible 60 comportant une couche 30 dopée N comprise entre deux couches 40 et 50 dopées P. La zone photosensible 60 de la photodiode 20 comprend une zone de collecte de charges comportant les trois couches 40, 30 et 50 respectivement dopée P, N et P ainsi que la région périphérique 70 dopée P qui peut participer à la collecte de charges, et une zone de stockage de charges correspondant à la couche 30 dopée N. B 10-4710FR 13 Une quatrième implantation est ensuite réalisée. La quatrième implantation correspond à une implantation spécifique de façon à créer une zone de pincement 80 au sein de la zone photosensible 60 de la photodiode 20. L'implantation de cette zone de pincement 80 peut être avantageusement réalisée en même temps que l'implantation de la région périphérique 70 délimitant la zone photosensible 60. La zone de pincement 80 est réalisée sur une profondeur correspondant au moins à l'addition des couches 50 et 30. Les figures 3b et 3c présentent schématiquement les courbes de potentiel du photosite 100 de la figure 3a respectivement lorsque le transistor de transfert est bloquant et lorsqu'il est passant. Les potentiels représentés correspondent aux potentiels susceptibles d'être mesurés selon la direction de transfert dans un plan AA' de la figure 3a. Lorsque le transistor de transfert de charges TG est bloqué, c'est-à-dire lorsque la photodiode est en mesure d'intégrer des charges de photoporteurs créés par les photons captés dans la photodiode du photosite, on observe une courbe des potentiels selon le plan AA' illustrée sur la figure 3b. Par rapport à la courbe de potentiel de la figure lb d'un photosite classique, la zone de stockage de charges où régne le maximum de potentiel électrostatique a été rapprochée de la barrière de potentiel du transistor de transfert de charges TG, alors que la valeur du potentiel d'appauvrissement V..X est la même. L'introduction de ladite zone de pincement 80 au sein de la zone photosensible 60 de la photodiode, provoque un pincement latéral de la photodiode 20, notamment dans une première direction passant par le transistor de transfert de charges TG, définissant une zone d'étranglement 90, et modifiant par conséquent la distribution électrostatique de la zone de stockage des charges correspondant à la couche 30. La zone de pincement 80 est implantée de manière décentrée et plus éloignée du transistor de transfert de charges TG que de B 10-4710FR 14 l'extrémité de la photodiode 20 opposée audit transistor TG. La distance séparant le transistor de transfert de charges TG de la zone de pincement 80 est supérieure à la distance séparant la zone de pincement 80 de l'extrémité de la photodiode 20 opposée audit transistor TG, et plus généralement supérieure à la distance séparant la zone de pincement 80 de tout point de la région périphérique 70. De cette manière, en rapprochant la zone de stockage de charges où régne le maximum de potentiel électrostatique, soit le potentiel d'appauvrissement, du transistor de transfert de charges TG, on concentre un maximum de charges stockées à proximité du transistor de transfert de charges TG, dans la zone d'étranglement 90 ainsi définie. Le pincement latéral modifie le potentiel d'appauvrissement V..X. En effet, pour des géométries fines, c'est-à-dire pour des petits photosites, le potentiel d'appauvrissement Vmax diminue quadratiquement avec la largeur du puits de potentiel dans une approximation au premier ordre. De plus, le potentiel d'appauvrissement Vmax augmente linéairement avec le dopage de la couche 30 dans une approximation au premier ordre. I1 est ainsi possible de retrouver une valeur de potentiel d'appauvrissement Vmax égale au potentiel d'appauvrissement Vmax pour un photosite conventionnel ne comprenant pas de pincement latéral, sans perdre en capacité de stockage des charges, Qsat, voire en augmentant la capacité de stockage de charges, Qsat. En effet, la capacité de stockage de charges Qsat varie de manière proportionnelle avec le dopage de la zone de stockage des charges 30 et avec les dimensions géométriques de la zone de stockage de charges 30 dans une approximation au premier ordre. Pour une même valeur de potentiel d'appauvrissement Vmax, la capacité de stockage maximal de charges Qsat est donc plus importante que dans un cas où la photodiode n'est pas pincée dans la direction de transfert. Par ailleurs, la valeur du potentiel d'appauvrissement V.. est inférieure à la différence de potentiels entre le potentiel de surface B 10-4710FR 15 TGoff sous la grille du transistor de transfert de charges TG lorsqu'il est bloqué, et le potentiel de surface TGo' sous la grille du transistor de transfert de charges TG lorsqu'il est passant. De cette manière, il est évité que des charges résiduelles apparaissent à l'issu d'un transfert de charges. Sur la figure 4 est illustrée une vue de dessus d'un ensemble de quatre photosites selon le mode de réalisation de la figure 3a. L'ensemble comprend quatre photosites 100 réalisés dans un substrat 10 semi-conducteur. Chaque photosite 100 comprend un transistor de transfert de charges TG couplé à un noeud de mesure SN et une photodiode 20. Les noeuds de mesures SN des quatre photosites sont couplés de manière commune à un transistor suiveur SF (source follower), un transistor de lecture RD (Read) et un transistor de réinitialisation RST (Reset). La photodiode 20 de chaque photosite comprend une zone photosensible 60 délimitée par une région périphérique 70 permettant d'isoler la photodiode 20 des autres photosites, et une zone de pincement 80 en forme d'îlot. L'îlot est décentré par rapport au centre du photosite 100 sur une première direction passant par le centre de la zone photosensible 60 et le transistor de transfert de charges TG. La zone de pincement 80 est décentrée de manière à ce que l'étranglement 90 entre la zone de pincement 80 et le transistor de transfert de charges TG soit plus large que la région 91 définie entre la zone de pincement 80 et la région périphérique 70. De cette manière, la zone de stockage de charges où régne le maximum de potentiel électrostatique est adjacente au transistor de transfert charges TG. Sur la figure 5 est illustrée une vue de dessus d'un ensemble de quatre photosites selon un second mode de réalisation. Les références identiques aux références de la figure 4 désignent des éléments identiques. Dans ce second mode de réalisation, l'ensemble comprend quatre photosites 1000 réalisés dans un substrat 10 semi-conducteur. Chaque photosite 1000 comprend une zone de pincement 800 réalisée de manière à ce que la zone photosensible 600 ait une forme générale B 10-4710FR 16 en U, la base du U étant accolée au transistor de transfert de charges TG et formant une zone d'étranglement 900. La zone de pincement 800 correspond à une zone isolante péninsulaire en regard du transistor de transfert de charges TG. La zone de pincement 800 est dimensionnée de manière à ce que la zone de stockage maximal de charges soit adjacente au transistor de transfert charges TG. De tels photosites comprenant un pincement latéral permettent d'augmenter la quantité de charges stockées au sein d'une photodiode et d'optimiser le transfert de charges de manière à ce qu'il n'y ait aucune charge résiduelle, sans nécessairement ajouter d'étapes supplémentaires dans la réalisation du photosite puisque la zone isolante peut être implantée de manière simultanée aux régions isolantes périphériques, et tout en conservant l'ordre des étapes de fabrication permettant ainsi de bénéficier de l'auto-alignement de la photodiode par rapport au transistor de transfert de charges du photosite. Le photosite proposé comprend une topographie modifiée de manière à rapprocher la zone de stockage de charges où régne le maximum de puits de potentiel, c'est-à-dire le potentiel d'appauvrissement, du transistor de transfert de charges. Ainsi, il est possible de diminuer les tensions de fonctionnement du transistor de transfert et des couches dopées P, ou d'augmenter la quantité de charges stockées et transférées.25 REVENDICATIONS1. Photosite comprenant dans un substrat (10) semi-conducteur une photodiode (20) pincée dans la direction de la profondeur du substrat (10) comportant une zone de stockage de charges (30), et un transistor de transfert de charges (TG) apte à transférer les charges stockées, caractérisé en ce que la zone de stockage de charges (30) comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert de charges (TG) définissant au moins une zone d'étranglement (90) adjacente au transistor de transfert de charges (TG). 2. Photosite selon la revendication 1, comprenant au moins une région (80, 800) délimitant avec le transistor de transfert de charges (TG) ladite au moins une zone d'étranglement (90). 3. Photosite selon la revendication 2, dans lequel la distance entre ladite au moins une région (80, 800) et le transistor de transfert de charge (TG) comptée selon la première direction est supérieure à la distance entre ladite au moins une région et un bord de la zone de stockage de charges (30) comptée selon une seconde direction orthogonale à la première direction. 4. Photosite selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la zone de stockage de charges (30) comprend un dopage ajusté pour que le puits de potentiel de la zone d'étranglement (90) ait une tension d'appauvrissement (V..X) comprise entre une tension de base définie par la différence de potentiel entre le potentiel de surface (TGoff) sous la grille du transistor de transfert (TG) lorsque ledit transistor de transfert (TG) est bloqué et le potentiel de surface (TGo') sous la grille du transistor de transfert (TG) lorsque ledit transistor de transfert (TG) est passant, et cinquante pourcent de ladite tension de base. 5. Photosite selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel ladite au moins une région (80, 800) comprend une zone dopée d'untype de conductivité opposé au type de conductivité de la zone de stockage de charges (30). 6. Photosite selon l'une des revendications 4 à 6, dans lequel les portions de la zone de stockage de charges (30) de part et d'autre de ladite au moins une région (80, 800) sont symétriques par rapport à la première direction. 7. Photosite selon l'une des revendications 2 à 6, dans lequel ladite au moins une région comprend un îlot de pincement (80) situé au moins au sein de la zone de stockage de charges (30). 8. Photosite selon la revendication 7, dans lequel la distance entre l'îlot de pincement (80) et le transistor de transfert de charges (TG) est supérieure à la distance entre ledit îlot de pincement (80) et le bord de la zone de stockage de charges (30) situé à l'opposé du transistor de transfert de charges (TG) par rapport à l'îlot. 9. Photosite selon l'une des revendications 2 à 6, dans lequel ladite au moins une région comprend une péninsule de pincement (800) s'étendant depuis un bord du photosite en direction du transistor de transfert de charges (TG). 10. Dispositif d'imagerie comprenant un réseau matriciel de photosites comprenant au moins un photosite selon l'une des revendications 1 à 9.