Brevet FR2969814A1 — publié le 20120629

PROCEDES POUR LIER DIRECTEMENT LES UNES AUX AUTRES DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES, ET STRUCTURES SEMI- CONDUCTRICES LIÉES FORMEES EN UTILISANT CES PROCEDES Domaine technique La présente invention concerne des procédés pour lier directement les unes aux autres des structures semi-conductrices, et des structures semi-conductrices liées en utilisant ces procédés. Contexte L'intégration tridimensionnelle (3D) de deux structures semi-conductrices ou plus peut apporter un certain nombre d'avantages à des applications de microélectronique. Par exemple, une intégration tridimensionnelle de composants microélectroniques peut résulter en une amélioration des performances électriques et de la consommation d'énergie tout en réduisant l'aire de l'empreinte au sol du dispositif. Voir, par exemple, P. Garrou, et d'autres, « The Handbook of 3D Integration », Wiley-VCH (2008). L'intégration tridimensionnelle de structures semi-conductrices peut avoir lieu par la fixation d'une puce semi-conductrice à une ou plusieurs puces semi- conductrices supplémentaires (c'est-à-dire, puce à puce OV (D2D)), d'une puce semi-conductrice à une ou plusieurs tranches semi-conductrices (c'est-à-dire, puce à tranche semi-conductrice (D2W)), ainsi que d'une tranche semi-conductrice à une ou plusieurs tranches semi-conductrices supplémentaires (c'est-à-dire, tranche semi-conductrice à tranche semi-conductrice (W2W)), ou une combinaison de celles-ci. Les techniques de liaison utilisées pour lier une structure semi-conductrice à une autre structure semi- conductrice peuvent être classées de différentes manières, la première étant le cas où une couche de matériau intermédiaire est prévue entre les deux structures semi-conductrices pour les lier l'une à l'autre, et la deuxième étant le cas où l'interface de liaison permet à des électrons (c'est-à-dire, un courant électrique) de traverser l'interface. Les « procédés dits de liaison directe » sont des procédés dans lesquels une liaison chimique solide-solide directe est établie entre deux structures semi- conductrices pour les lier l'une à l'autre sans utiliser un matériau de liaison intermédiaire entre les deux structures semi-conductrices pour les lier l'une à l'autre. Des procédés de liaison métal-métal ont été développés pour lier un matériau métallique au niveau d'une surface d'une première structure semi-conductrice à un matériau métallique au niveau d'une surface d'une deuxième structure semi-conductrice. Les procédés de liaison métal-métal directe peuvent également être classés en fonction de la plage de température dans laquelle chacun est mis en oeuvre. Par exemple, certains procédés de liaison métal-métal directe sont mis en oeuvre à des températures relativement élevées, ce qui résulte en une fusion au moins partielle du matériau métallique au niveau de l'interface de liaison. Ces processus de liaison directe peuvent être indésirables pour une utilisation pour lier des structures semi-conductrices traitées qui comprennent une ou plusieurs structures de dispositif, étant donné que les températures relativement élevées peuvent affecter négativement les structures de dispositif formées plus tôt. Les procédés de « liaison par thermocompression » sont des procédés de liaison directe dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de liaison à des températures élevées entre deux cents degrés Celsius (200 °C) et environ cinq cents degrés Celsius (500 °C), et souvent entre environ trois cents degrés Celsius (300 °C) et environ quatre cents degrés Celsius (400 °C). Des procédés de liaison directe supplémentaires ont été développés qui peuvent être mis en oeuvre à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. Ces processus de liaison directe mis en oeuvre à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins sont appelés ici procédés de liaison directe « à température ultra faible ». Les procédés de liaison directe à température ultra faible peuvent être mis en oeuvre par un retrait soigneux des impuretés superficielles et des composés de surface (par exemple, des oxydes natifs), et en augmentant la zone de contact étroit entre les deux surfaces à l'échelle atomique. La zone de contact étroit entre les deux surfaces est généralement réalisée en polissant les surfaces de liaison pour réduire la rugosité de surface jusqu'à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de liaison, ce qui résulte en une déformation plastique, ou à la fois en polissant les surfaces de liaison et en appliquant une pression pour obtenir cette déformation plastique. Certains procédés de liaison directe à température ultra faible peuvent être mis en oeuvre sans appliquer de pression entre les surfaces de liaison au niveau de l'interface de liaison, bien qu'une pression puisse être appliquée entre les surfaces de liaison au niveau de l'interface de liaison dans d'autres procédés de liaison directe à température ultra faible afin d'obtenir une résistance de liaison appropriée au niveau de l'interface de liaison. Les procédés de liaison directe à température ultra faible dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de liaison sont souvent appelés dans l'art procédés de « liaison assistée de surfaces » ou « SAB ». Ainsi, tels qu'utilisés ici, les termes « liaison assistée de surfaces » et « SAB » désignent et comprennent n'importe quel processus de liaison directe dans lequel un premier matériau est directement lié à un deuxième matériau en apposant le premier matériau contre le deuxième matériau et en appliquant une pression entre les surfaces de liaison au niveau de l'interface de liaison à une température de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. Les liaisons métal-métal directes entre des caractéristiques conductrices actives dans des structures semi-conductrices peuvent, dans certains cas, être sujettes à une défaillance mécanique ou une défaillance électrique après une période de temps même si une liaison métal-métal directe acceptable peut être établie initialement entre les caractéristiques conductrices des structures semi-conductrices. Bien que cela ne soit pas totalement compris, on pense que cette défaillance peut être au moins partiellement provoquée par un ou plusieurs de trois mécanismes associés. Les trois mécanismes associés sont la localisation des contraintes, qui peut être favorisée par de gros grains, la croissance des grains associée à la déformation, et le transfert de masse au niveau de l'interface de liaison. Ce transfert de masse au niveau de l'interface de liaison peut être au moins partiellement dû à une électromigration, une séparation des phases, etc. Une électromigration est la migration d'atomes de métal dans un matériau conducteur du fait d'un courant électrique. Divers procédés pour améliorer la durée de vie des interconnexions d'électromigration ont été examinés dans l'art. Par exemple, des procédés pour améliorer la durée de vie électromagnétique des interconnexions de cuivre sont examinés dans le document de J. Gambino et d'autres, « Copper Interconnect Technology for the 32 nm Node and Beyond », IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), pages 141 à 148. Bref résumé Ce résumé est fourni pour présenter une sélection de concepts sous une forme simplifiée, lesquels concepts sont décrits davantage dans la description détaillée ci-dessous de certains modes de réalisation en exemple de l'invention. Ce résumé n'est pas destiné à identifier les caractéristiques principales ou les caractéristiques essentielles du sujet revendiqué, et n'est pas destiné non plus à être utilisé pour limiter l'étendue du sujet revendiqué. Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés de liaison directe d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice. Une couche d'encapsulation peut être formée qui comprend un métal et du silicium au niveau d'une surface d'une première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Une surface de la couche d'encapsulation peut définir une première surface de liaison de la première caractéristique métallique. Une deuxième surface de liaison d'une deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice peut être liée directement à la première surface de liaison de la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend en outre des procédés de liaison directe d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice. Une couche d'encapsulation métallique peut être formée au niveau d'une surface d'une première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Une surface de la couche d'encapsulation métallique définit une première surface de liaison de la première caractéristique métallique. Une deuxième surface de liaison d'une deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice peut être liée directement à la première surface de liaison de la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Dans encore d'autres modes de réalisation de procédés de l'invention, une première structure semi-conductrice peut être liée directement à une deuxième structure semi-conductrice en utilisant des procédés dans lesquels une première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice est dopée avec des impuretés, et une deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice est liée directement à la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. s Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des structures semi-conductrices liées qui peuvent être formées en utilisant des procédés tels que décrits dans le présent document. Par exemple, une structure semi-conductrice liée peut comprendre une première structure semi-conductrice comprenant une première caractéristique métallique, et une deuxième structure semi-conductrice comprenant une deuxième caractéristique métallique. La deuxième caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice peut être liée directement à la première caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. Des impuretés peuvent être présentes au niveau d'une interface de liaison entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique. Dans d'autres modes de réalisation, les structures semi-conductrices liées peuvent comprendre une première structure semi-conductrice comprenant une première caractéristique métallique comportant une première surface principale, et une deuxième structure semi-conductrice comprenant une deuxième caractéristique métallique au moins partiellement entourée d'un matériau diélectrique. La deuxième caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice peut avoir une deuxième surface principale liée directement à une partie de la première surface principale de la première caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. Un matériau d'encapsulation peut être disposé directement entre une surface du matériau diélectrique et une autre partie de la première surface principale de la première caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice.35 Brève description des dessins La présente invention peut être plus complètement comprise avec référence à la description détaillée qui suit de modes de réalisation en exemple de la présente invention, qui sont illustrés sur les figures jointes, sur lesquelles : les figures lA à 1G sont des vues en coupe transversale simplifiées illustrant des modes de réalisation en exemple de procédés de formation de structures semi-conductrices liées de l'invention ; les figures 2A à 2F sont des vues en coupe transversale simplifiées illustrant des modes de réalisation en exemple supplémentaires de procédés de formation de structures semi-conductrices liées de l'invention ; et les figures 3A à 3G sont des vues en coupe transversale simplifiées illustrant des modes de réalisation en exemple supplémentaires de procédés de formation de structures semi-conductrices liées de l'invention. Description détaillée Les illustrations présentées dans le présent document ne représentent pas des vues réelles d'un quelconque matériau, dispositif, système, ou procédé particulier, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées pour décrire des modes de réalisation de l'invention. Les rubriques utilisées dans le présent document ne devraient pas être considérées comme limitant l'étendue des modes de réalisation de l'invention tels que définis par les revendications ci-dessous et leurs équivalents légaux. Les concepts décrits dans n'importe quelle rubrique spécifique sont généralement applicables à d'autres sections tout au long de la description entière. Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure semi-conductrice » désigne et comprend n'importe quelle structure qui est utilisée dans la formation d'un dispositif à semi-conducteurs. Les structures semi-conductrices comprennent, par exemple, des puces et des tranches semi-conductrices (par exemple, des substrats de support et des substrats de dispositif), ainsi que des ensembles ou des structures composites qui comprennent deux puces et/ou tranches semi-conductrices ou plus intégrées de manière tridimensionnelle les unes avec les autres. Les structures semi-conductrices comprennent également des dispositifs à semi- conducteurs entièrement fabriqués, ainsi que des structures intermédiaires formées pendant la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs. Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure semi-conductrice traitée » désigne et comprend n'importe quelle structure semi-conductrice qui comprend une ou plusieurs structures de dispositif au moins partiellement formées. Les structures semi-conductrices traitées sont un sous-ensemble de structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices traitées sont des structures semi-conductrices. Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure semi-conductrice liée » désigne et comprend n'importe quelle structure qui comprend deux structures semi- conductrices ou plus qui sont liées les unes aux autres. Les structures semi-conductrices liées sont un sous-ensemble de structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices liées sont des structures semi-conductrices. En outre, les structures semi-conductrices liées qui comprennent une ou plusieurs structures semi-conductrices traitées sont également des structures semi-conductrices traitées. Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure de dispositif » désigne et comprend n'importe quelle partie d'une structure semi-conductrice traitée, c'est-à-dire, comprend, ou définit au moins une partie d'un composant actif ou passif d'un dispositif à semi-conducteurs à former sur ou dans la structure semi-conductrice. Par exemple, les structures de dispositif comprennent des composants actifs et passifs de circuits intégrés tels que des transistors, des transducteurs, des condensateurs, des résistances, des lignes conductrices, des trous d'interconnexion conducteurs, et des pastilles de contact conductrices. Telle qu'utilisée ici, l'expression « interconnexion à travers la tranche » ou « TWI » désigne et comprend n'importe quel trou d'interconnexion conducteur s'étendant à travers au moins une partie d'une première structure semi- conductrice qui est utilisé pour réaliser une interconnexion structurelle et/ou électrique entre la première structure semi-conductrice et une deuxième structure semi-conductrice à travers une interface entre la première structure semi-conductrice et la deuxième structure semi-conductrice. Les interconnexions à travers la tranche semi-conductrice sont également appelées dans l'art par d'autres expressions, telles que « trous d'interconnexion à travers le silicium », « trous d'interconnexion à travers le substrat », « trous d'interconnexion à travers la tranche de semi-conducteur », ou les abréviations de ces expressions, telles que « TSV » ou « TWV ». Les TWI s'étendent généralement à travers une structure semi-conductrice dans une direction généralement perpendiculaire aux surfaces principales généralement plates de la structure semi-conductrice (c'est-à-dire, dans une direction parallèle à l'axe « Z »). Telle qu'utilisée ici, l'expression « surface active », lorsqu'elle est utilisée en relation avec une structure semi-conductrice traitée, désigne et comprend une surface principale exposée de la structure semi-conductrice traitée qui a été, ou qui sera, traitée pour former une ou plusieurs structures de dispositif dans et/ou sur la surface principale exposée de la structure semi-conductrice traitée. Telle qu'utilisée ici, l'expression « surface arrière », lorsqu'elle est utilisée en relation avec une structure semi-conductrice traitée, désigne et comprend une surface principale exposée de la structure semi-conductrice traitée d'un côté de la structure semi-conductrice traitée opposé à une surface active de la structure semi-conductrice. Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés améliorés de liaison directe d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice pour former une structure semi-conductrice liée. En particulier, des modes de réalisation de l'invention peuvent comprendre des procédés de formation de liaisons métal-métal directes entre des caractéristiques métalliques d'une première structure semi-conductrice et des caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice, de sorte que la durée de vie de l'électromigration des caractéristiques métalliques liées soit prolongée par rapport aux procédés connus précédemment. Dans certains modes de réalisation, les procédés de liaison métal-métal directe de l'invention peuvent comprendre des procédés de liaison non par thermocompression. Un premier ensemble de modes de réalisation en exemple de l'invention est décrit ci-dessous avec référence aux figures lA à 1G. En faisant référence à la figure 1A, une première structure semi-conductrice 100 peut être formée. La première structure semi-conductrice 100 peut comprendre une ou plusieurs caractéristiques de dispositif actives, telles que, par exemple, un ou plusieurs d'une pluralité de transistors 102 (qui sont représentés schématiquement sur les figures), une pluralité de trous d'interconnexion conducteurs 104 s'étendant verticalement, une pluralité de pistes conductrices 106 s'étendant horizontalement, et une pluralité de pastilles de liaison 108. Un ou plusieurs trous d'interconnexion conducteurs 104, une ou plusieurs pistes conductrices 106, et/ou une ou plusieurs pastilles de liaison 108 peuvent être exposés au niveau d'une surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. Les caractéristiques de dispositif actives peuvent comprendre des matériaux électriquement conducteurs et/ou des matériaux semi-conducteurs qui sont entourés d'un matériau diélectrique non conducteur 112. A titre d'exemple et non de limitation, un ou plusieurs des trous d'interconnexion conducteurs 104, des pistes conductrices 106 et des pastilles de liaison 108 peuvent comprendre un métal ou un alliage métallique conducteur tel que, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. Selon certains modes de réalisation de l'invention, une couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium (par exemple, un siliciure métallique) peut être formée au niveau d'une surface d'au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice 100 avant de lier directement cette caractéristique métallique à au moins une caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice, comme décrit plus en détail ci- dessous. En tant qu'exemple non limitatif, une ou plusieurs pastilles de liaison 108 peuvent être exposées au niveau de la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. Lors de la formation des pastilles de liaison 108, un matériau à base d'oxyde 114 peut être disposé au niveau de (par exemple, sur ou dans) la surface principale exposée des pastilles de liaison 108. A titre d'exemple et non de limitation, les pastilles de liaison 108 peuvent comprendre du cuivre ou un alliage de cuivre, et le matériau à base d'oxyde 114 peut comprendre un oxyde de cuivre (par exemple, du Cux0). Le matériau à base d'oxyde 114 peut résulter d'une oxydation volontaire ou involontaire des surfaces exposées des pastilles de liaison 108, et peut résulter d'un ou de plusieurs processus effectués précédemment, tels qu'un procédé de polissage chimique-mécanique (CMP) effectué pendant la fabrication des pastilles de liaison 108. Le matériau à base d'oxyde 114 peut également simplement résulter de l'exposition des pastilles de liaison 108 à un gaz comprenant de l'oxygène (par exemple, l'air). En faisant référence à la figure 1B, le matériau à base d'oxyde 114 peut être retiré des pastilles de liaison 108. A titre d'exemple et non de limitation, un processus de gravure chimique humide ou un processus de gravure au plasma à sec peut être utilisé pour retirer le matériau à base d'oxyde 114 des pastilles de liaison 108. Par exemple, des processus de gravure au plasma argon à sec peuvent être utilisés pour graver le matériau à base d'oxyde 114. En tant qu'exemples supplémentaires, des acides inorganiques tels que l'acide chlorhydrique et/ou l'acide nitrique, ainsi que des acides organiques tels que l'acide citrique et/ou l'acide acétique, peuvent être utilisés dans les processus de gravure chimique humide pour retirer le matériau à base d'oxyde 114. Après le retrait de tout matériau à base d'oxyde 114 qui peut être présent à la surface des pastilles de liaison 108, une couche d'encapsulation 116 comprenant du silicium peut être formée au niveau de (par exemple, sur ou dans) la surface principale exposée des pastilles de liaison 108, comme montré sur la figure 1C. En tant qu'exemple non limitatif, dans les modes de réalisation dans lesquels les pastilles de liaison 108 comprennent du cuivre ou un alliage de cuivre, la couche d'encapsulation 116 comprenant du silicium peut comprendre du siliciure de cuivre (par exemple, du CuSix). Le siliciure de cuivre peut être formé au niveau de la surface des pastilles de liaison 108 comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre, par exemple, en exposant les surfaces exposées 115 des pastilles de liaison 108 à un gaz comprenant du SiH4. A titre d'exemple et non de limitation, la couche d'encapsulation 116 peut comprendre ce qui est appelé dans l'art une barrière auto-alignée (SAB) formée en utilisant un dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) (lesquelles SAB sont souvent appelées dans l'art PSAB) comme présenté, par exemple, dans les documents de Chattopadhyay et d'autres, In Situ Formation of a Copper Silicide Cap for TDDB and Electromigration Improvement, IEEE 06CH37728, 44th Annual International Reliability Physics Symposium, San Jose, 2006 ; de L.G. Gosset et d'autres, Advanced Metallization Conference, 2003 ; et de S. Chhun et d'autres, Microelectronic Engineering 76, 2004, page 106. Le processus PSAB a une grande sélectivité, un faible coût de mise en oeuvre et des avantages de fiabilité d'interconnexion. La grande sélectivité du processus PSAB peut apparaître à travers les différences naturelles de réactivité et des produits de réaction des éléments constitutifs gazeux dans le processus CVD avec les surfaces de cuivre et de diélectrique. Dans le cas d'un PSAB à base de Si, le SiH4 présente une réaction activée thermiquement avec le cuivre, mais la réaction sur la surface de diélectrique résulte en la formation d'un film isolant sur le matériau diélectrique 112. Autrement dit, le processus PSAB, en plus de former une couche d'encapsulation en siliciure de cuivre 116 sur les pastilles de liaison 108, peut former une couche de SiC (non montrée) sur la surface principale exposée du matériau diélectrique 112. La présence de siliciure de cuivre sur la surface des pastilles de liaison en cuivre 108 protège le cuivre d'une oxydation. Dans certains modes de réalisation, la couche d'encapsulation 116 peut être formée pour avoir une épaisseur moyenne initiale d'environ quarante nanomètres (40 nm) ou moins, d'environ vingt nanomètres (20 nm) ou moins, ou même d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins (c'est-à-dire, avant une liaison et/ou un autre traitement subséquent). Dans certains modes de réalisation, la couche d'encapsulation 116 comprenant du silicium peut en outre être traitée pour modifier une composition de la couche d'encapsulation 116. A titre d'exemple et non de limitation, la couche d'encapsulation 116 comprenant du silicium peut être exposée à un gaz ou un plasma comprenant de l'azote (NH3) pour former une couche d'encapsulation 118 qui comprend à la fois des atomes de silicium et d'azote. En tant qu'exemple non limitatif, dans les modes de réalisation dans lesquels la couche d'encapsulation 116 comprend du siliciure de cuivre (par exemple, du CuSix), le siliciure de cuivre peut être exposé à un plasma de NH3 pour former du nitrure de silicium-cuivre (CuSiN). A titre d'exemple et non de limitation, une couche d'encapsulation 116 de nitrure de silicium-cuivre peut être formée comme présenté dans la publication de demande de brevet US n° 2008/0 213 997 Al, publiée le 4 septembre 2008 au nom de Lee et d'autres. Par exemple, les pastilles de liaison 108 peuvent être exposées à un premier plasma obtenu à partir d'hélium, après quoi les pastilles de liaison 108 peuvent être exposées à un deuxième plasma obtenu à partir d'un gaz réducteur pour retirer l'oxyde de cuivre de la surface de cuivre. Les pastilles de liaison peuvent ensuite être exposées à un silane, qui réagit avec la surface de cuivre des pastilles de liaison 108 pour former de manière sélective du siliciure de cuivre. Après la formation du siliciure de cuivre sur les surfaces des pastilles de liaison 108, les pastilles de liaison 108 peuvent être exposées à un troisième plasma obtenu à partir d'ammoniac et d'azote moléculaire pour former le nitrure de silicium-cuivre sur les surfaces des pastilles de liaison 108. Après la formation de la couche d'encapsulation 118 qui comprend des atomes d'un métal, de silicium et d'azote (par exemple, du CuSiN), les pastilles de liaison 108 peuvent être directement liées aux caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice. En faisant référence à la figure 1E, la première structure semi-conductrice 100 peut être alignée avec la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient alignées avec les pastilles de liaison 208 métalliques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice 200. Comme montré sur la figure 1E, la deuxième structure semi-conductrice 200 peut comprendre des structures de dispositif actives supplémentaires, telles que, par exemple, des trous d'interconnexion conducteurs 204 s'étendant verticalement, des pistes conductrices 206 s'étendant latéralement. Bien que non montré sur les figures, la deuxième structure semi-conductrice 200 peut également comprendre des transistors. Les surfaces des couches d'encapsulation 118 sur les pastilles de liaison 108 peuvent définir une ou plusieurs surfaces de liaison 120 des pastilles de liaison 108, et les surfaces exposées à l'extérieur des pastilles de liaison 208 peuvent définir les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 la deuxième structure semi-conductrice 200. En faisant référence à la figure 1F, après l'alignement, la première structure semi-conductrice 100 peut être alignée avec la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient alignées avec les pastilles de liaison 208 métalliques conductrices de la deuxième structure semi- conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100 peut être placée en butée contre la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les surfaces de liaison 120 des pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient en butée directement contre les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. En faisant référence à la figure 1G, les surfaces de liaison 120 des pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 100 peuvent ensuite être directement liées aux surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 pour former une structure semi-conductrice liée 300. Par exemple, les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être directement liées aux surfaces de liaison 120 des pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 100 dans un processus de liaison non par thermocompression directe métal-métal (par exemple, cuivre-cuivre), ce qui, dans certains modes de réalisation, peut être effectué à des températures de quatre cents degrés Celsius (400 °C) ou moins. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le processus de liaison non par thermocompression peut comprendre un processus de liaison directe à température ultra faible effectué à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. Comme montré sur la figure 1G, dans certains modes de réalisation, lors d'une liaison directe des pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 100 aux pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200, un ou plusieurs éléments de la couche d'encapsulation 118 au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 peuvent diffuser dans les pastilles de liaison 108 et/ou les pastilles de liaison 208, de sorte que la couche d'encapsulation 118 n'est plus présente en tant que phase distincte au niveau de l'interface liée entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208. Au moins une partie de la couche d'encapsulation 118 peut rester sur au moins une partie des pastilles de liaison 108, comme montré sur la figure 1G. La présence d'au moins une partie de la couche d'encapsulation 118 sur les 7 2969814 19 pastilles de liaison 108 à la suite du processus de liaison peut être bénéfique pour des raisons examinées plus en détail ci-dessous. Avant la liaison de la première structure semi- 5 conductrice 100 à la deuxième structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100 et la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être traitées pour retirer les impuretés superficielles et les composés de surface indésirables 10 et peuvent être aplanies pour augmenter la zone de contact étroit à l'échelle atomique entre les surfaces de liaison 120 des pastilles de liaison 108 et les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208. La zone de contact étroit entre les surfaces de liaison 15 120 et les surfaces de liaison 220 peut être obtenue en polissant les surfaces de liaison 120 et les surfaces de liaison 220 pour réduire la rugosité de surface de celles-ci jusqu'à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces 20 de liaison 120 et les surfaces de liaison 220, ce qui résulte en une déformation plastique, ou à la fois en polissant les surfaces de liaison 120, 220 et en appliquant une pression entre la première structure semi-conductrice 100 et la deuxième structure semi- 25 conductrice 200 pour obtenir cette déformation plastique. Dans certains modes de réalisation, la première structure semi-conductrice 100 peut être directement liée à la deuxième structure semi-conductrice 200 sans 30 application de pression entre les surfaces de liaison 120, 220 au niveau de l'interface de liaison entre elles, bien qu'une pression puisse être appliquée entre les surfaces de liaison 120, 220 au niveau de l'interface de liaison dans certains procédés de 35 liaison directe à température ultra faible afin d'obtenir une résistance de liaison appropriée au niveau de l'interface de liaison. Autrement dit, les procédés de liaison directe utilisés pour lier les pastilles de liaison 108 de la première structure semi- conductrice 100 aux pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent comprendre des procédés de liaison à liaison assistée de surfaces (SAS) dans certains modes de réalisation de l'invention. Dans certains modes de réalisation, les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 peuvent différer au moins quant à l'une d'une taille et d'une forme. Plus particulièrement, les pastilles de liaison 108 peuvent avoir une première section transversale dans un plan parallèle à l'interface liée entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208, et les pastilles de liaison 208 peuvent avoir une deuxième section transversale dans un plan parallèle à l'interface liée entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 qui diffère de la première section transversale des pastilles de liaison 108. Les pastilles de liaison 108 peuvent avoir une première forme en coupe dans un plan parallèle à l'interface liée entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208, et les pastilles de liaison 208 peuvent avoir une deuxième forme en coupe dans un plan parallèle à l'interface liée entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 qui diffère de la première forme en coupe des pastilles de liaison 108. Dans les modes de réalisation dans lesquels les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 ont des formes différentes, elles peuvent avoir des tailles identiques ou différentes. Dans des modes de réalisation supplémentaires, les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison t 2969814 21 208 peuvent avoir au moins sensiblement les mêmes taille et forme en coupe au niveau de l'interface de liaison entre elles. Cependant, dans ces modes de réalisation, les pastilles de liaison 108 et les 5 pastilles de liaison 208 peuvent être intentionnellement ou non intentionnellement mal alignées les unes par rapport aux autres. Dans les modes de réalisation dans lesquels les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 10 208 diffèrent au moins quant à l'une de la taille et de la forme et/ou sont mal alignées les unes par rapport aux autres, au moins une partie de la couche d'encapsulation 118 sur une ou plusieurs des pastilles de liaison 108 peut ne pas être en butée contre, et 15 peut ne pas être directement liée à une partie quelconque d'une pastille de liaison 208. Ces parties de la couche d'encapsulation 118 peuvent être en butée contre un matériau diélectrique 212 entourant les pastilles de liaison 208, par exemple. Ces parties de 20 la couche d'encapsulation 118 peuvent être ou peuvent ne pas être liées au matériau diélectrique 212 en butée, et peuvent ne pas entièrement se dissoudre dans les pastilles de liaison 108 lors de la liaison des pastilles de liaison 108 aux pastilles de liaison 208. 25 Dans ces modes de réalisation, la présence d'au moins une partie de la couche d'encapsulation 118 au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 108 et le matériau diélectrique 212 après le processus de liaison peut améliorer la durée de vie utile et/ou améliorer 30 les performances des structures conductrices formées par les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 contiguës. Par exemple, la présence de la couche d'encapsulation 118 au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 108 et le matériau 35 diélectrique 212 peut gêner ou empêcher un transfert de masse au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 108 et le matériau diélectrique 212, qui peut se produire du fait, par exemple, d'une électromigration. La présence de la couche d'encapsulation 118 peut également supprimer l'apparition de phénomènes thermomécaniques indésirables, tels que, par exemple, des changements indésirables dans la microstructure qui pourraient résulter des fluctuations de température auxquelles les structures peuvent être soumises pendant un traitement et/ou un fonctionnement subséquent. Dans des modes de réalisation supplémentaires, les surfaces exposées d'une ou de plusieurs caractéristiques actives de la deuxième structure semi- conductrice 200, telles que les surfaces exposées des pastilles de liaison 208, peuvent être traitées comme examiné ci-dessus en relation avec les pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice, de sorte que les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 108 comprennent une couche d'encapsulation (similaire à la couche d'encapsulation 116 et/ou la couche d'encapsulation 118), qui peut comprendre un composé ou un mélange (par exemple, une solution solide) qui comprend l'un ou les deux du silicium et de l'azote (par exemple, du CuSix ou du CuSiN). Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus en relation avec les figures lA à 1G, les couches d'encapsulation 116, 118 ne sont pas de nature métallique (c'est-à-dire que les liaisons atomiques entre les atomes ne sont pas des liaisons sensiblement métalliques, mais plutôt de nature ionique et/ou covalente), mais sont plutôt des matériaux diélectriques, bien qu'elles comprennent des atomes de métal tel que de cuivre (en plus d'éléments non métalliques tels que le silicium et/ou l'azote). Des modes de réalisation supplémentaires de l'invention comprennent des procédés similaires à ceux décrits ci-dessus en relation avec les figures lA à 1G, mais dans lesquels la couche d'encapsulation comprend une couche d'encapsulation métallique. Des exemples de ces modes de réalisation sont décrits ci-dessous avec référence aux figures 2A à 2F. La figure 2A illustre une première structure semi-conductrice 400 qui est sensiblement identique à la première structure semi-conductrice 100 de la figure 1A, et comprend des dispositifs actifs comprenant des transistors 102, des trous d'interconnexion conducteurs 104 s'étendant verticalement, des pistes conductrices 106 s'étendant horizontalement et des pastilles de liaison 108. Au moins certains des dispositifs actifs peuvent être entourés d'un matériau diélectrique 112. La première structure semi-conductrice 400, lors de la formation de celle-ci, peut comprendre un matériau à base d'oxyde 114 au niveau d'une surface exposée des pastilles de liaison 108, comme examiné précédemment en relation avec la structure semi-conductrice 100 de la figure 1A. Par exemple, les pastilles de liaison 108 peuvent comprendre un métal ou un alliage métallique (par exemple, du cuivre, un alliage de cuivre, du CoSnP, du PD, etc.), et le matériau à base d'oxyde 114 peut comprendre un oxyde de ce métal (par exemple, un oxyde de cuivre). Comme montré sur la figure 2B, le matériau à base d'oxyde 114 peut être retiré des pastilles de liaison 108 en utilisant, par exemple, un processus de gravure chimique humide ou un processus de gravure au plasma à sec, comme décrit précédemment avec référence à la figure 1B. En faisant référence à la figure 2C, une couche 35 d'encapsulation métallique 416 peut être formée sur et/ou dans les surfaces exposées 115 des pastilles de liaison 108 après le retrait du matériau à base d'oxyde (figure 2A) des surfaces des pastilles de liaison 108. La couche d'encapsulation métallique 416 peut avoir une composition différente d'une composition des pastilles de liaison 108, et peut avoir une composition sélectionnée de manière à gêner ou empêcher une diffusion atomique indésirable et/ou des phénomènes thermomécaniques qui pourraient se produire au niveau de l'interface de liaison formée pendant un processus de liaison suivant. En tant qu'exemple non limitatif, la couche d'encapsulation métallique peut comprendre un alliage métallique qui comprend des atomes de cobalt, de tungstène et de phosphore (CoWP). Une couche d'encapsulation métallique comprenant du CoWP peut être formée en utilisant des processus de dépôt sans courant avec du diméthylaminoborane (DMAB) en tant que réducteur, comme cela est connu dans l'art. Pour des détails supplémentaires, voir, par exemple, les documents de Gambino et d'autres, Yield and Reliability of Cu Capped with CoWP using a Self Activated Process, IEEE Interconnect Technology Conference, 2006 International, 5 au 7 juin 2006, pages 30 à 32 ; et de Yokogawa et d'autres, Tradeoff Characteristics Between Resistivity and Reliability for Scaled-Down Cu-Based Interconnects, IEEE Transactions On Electron Devices, Vol. 55, n° 1, pages 350 à 357 (janvier 2008). Dans certains modes de réalisation, la couche d'encapsulation métallique 416 peut avoir une épaisseur moyenne d'environ quarante nanomètres (40 nm) ou moins, d'environ vingt nanomètres (20 nm) ou moins, ou même d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins avant le processus de liaison. La couche d'encapsulation métallique 416 peut être 35 formée sur et/ou dans les surfaces exposées 115 (figure 2B) en utilisant, par exemple, un ou plusieurs d'un processus de dépôt sans courant, d'un processus de dépôt électrolytique, d'un processus de dépôt physique, d'un processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD) et d'un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Après la formation de la couche d'encapsulation métallique 416, les pastilles de liaison 108 peuvent être directement liées aux caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice. En faisant référence à la figure 2D, la première structure semi-conductrice 400 peut être alignée avec une deuxième structure semi-conductrice 200. Comme décrit précédemment avec référence à la figure 1E, la deuxième structure semi-conductrice 200 peut comprendre une pluralité de caractéristiques de dispositif actives, qui peuvent comprendre, par exemple, un ou plusieurs de pastilles de liaison 208, de trous d'interconnexion conducteurs 204 s'étendant verticalement et de pistes conductrices 206 s'étendant horizontalement. Les caractéristiques de dispositif actives de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être entourées d'un matériau diélectrique 212. La première structure semi-conductrice 400 peut être alignée avec la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 400 soient alignées avec les pastilles de liaison 208 métalliques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice 200. Les surfaces des couches d'encapsulation métalliques 416 sur les pastilles de liaison 108 peuvent définir une ou plusieurs surfaces de liaison 420 des pastilles de liaison 108, et les surfaces exposées à l'extérieur des pastilles de liaison 208 peuvent définir des surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. En faisant référence à la figure 2E, après l'alignement de la première structure semi-conductrice 400 et de la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 400 soient alignées avec les pastilles de liaison 208 métalliques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 400 peut être placée en butée contre la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les surfaces de liaison 420 des pastilles de liaison 108 de la première structure semi- conductrice 400 soient directement en butée contre les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. En faisant référence à la figure 2F, les surfaces de liaison 420 des pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 400 peuvent ensuite être directement liées aux surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 pour former la structure semi-conductrice liée 500 montrée sur la figure 2F. Les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être directement liées aux surfaces de liaison 420 des pastilles de liaison 108 de la première structure semi-conductrice 400 comme décrit précédemment avec référence aux figures 1F et 1G en relation avec la première structure semi-conductrice 100 et la deuxième structure semi-conductrice 200. Comme montré sur la figure 2F, dans certains modes de réalisation, lors de la liaison directe des pastilles de liaison 108 de la première structure semi- conductrice 400 aux pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200, un ou plusieurs éléments de la couche d'encapsulation métallique 416 au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208 peuvent diffuser dans les pastilles de liaison 108 et/ou les pastilles de liaison 208, de sorte que la couche d'encapsulation métallique 418 n'est plus présente en tant que phase distincte au niveau de l'interface liée entre les pastilles de liaison 108 et les pastilles de liaison 208. Au moins une partie de la couche d'encapsulation métallique 416 peut rester sur au moins une partie des pastilles de liaison 108, comme montré sur la figure 2F. La présence d'au moins une partie de la couche d'encapsulation métallique 416 sur les pastilles de liaison 108 à la suite du processus de liaison peut être bénéfique pour les raisons examinées précédemment dans le présent document avec référence à la figure 1G. Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, des couches d'encapsulation métalliques et/ou non métalliques sont utilisées pour améliorer les particularités des caractéristiques métalliques directement liées. Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, les caractéristiques métalliques peuvent être dopées de manière sélective avec un ou plusieurs éléments dopants pour réduire une électromigration ou autrement améliorer la performance et/ou la durée de vie utile des caractéristiques métalliques directement liées. Des exemples de ces modes de réalisation sont décrits ci-dessous avec référence aux figures 3A à 3G. La figure 3A illustre une première structure semi- conductrice 600 qui est généralement similaire à la première structure semi-conductrice 100 de la figure lA en ce que la structure semi-conductrice 600 comprend des transistors 102, des trous d'interconnexion conducteurs 104 s'étendant verticalement et des pistes conductrices 106 s'étendant horizontalement. La première structure semi-conductrice 600 de la figure 3A est montrée avant la formation de pastilles de liaison 608 dopées sur celle-ci, lesquelles sont montrées sur la figure 3C. Dans certains modes de réalisation, les pastilles de liaison 608 (figure 3C) peuvent être dopées pendant la fabrication des pastilles de liaison 608, comme décrit avec référence aux figures 3A à 3C. Dans d'autres modes de réalisation, cependant, les pastilles de liaison 608 peuvent être dopées après la formation des pastilles de liaison 608. Comme montré sur la figure 3A, des évidements 630 peuvent être formés dans la première structure semi-conductrice 600 à des emplacements auxquels on souhaite former des pastilles de liaison 608 (figure 3C). Par exemple, des processus de masquage et de gravure standard peuvent être utilisés pour former ces évidements 630 dans la première structure semi-conductrice 600. Un matériau de revêtement 632 peut être prévu au-dessus (par exemple, sur) au moins des surfaces exposées de la structure semi-conductrice 600 dans les évidements 630, bien que le matériau de revêtement 632 puisse être déposé en conformité sur au moins la surface active 610 sensiblement entière de la première structure semi-conductrice 600, comme montré sur la figure 3A. Le matériau de revêtement 632 peut comprendre, par exemple, un matériau de barrière ayant une composition sélectionnée pour gêner ou empêcher la diffusion d'une ou de plusieurs espèces atomiques à travers le matériau de revêtement 632. A titre d'exemple et non de limitation, le matériau de revêtement 632 peut comprendre un matériau tel que, par exemple, du TaN ou du TiN. Le matériau de revêtement 632 peut être fourni sur la structure semi-conductrice 600 en utilisant un ou plusieurs, par exemple, d'un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), d'un processus de dépôt physique (par exemple, de pulvérisation), d'un processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD), d'un processus de dépôt de couches atomiques (ALD) et d'un processus de dépôt sans courant. En continuant de faire référence à la figure 3A, un matériau de germe métallique dopé 634 peut être déposé sur le matériau de revêtement 632. Le matériau de germe métallique dopé 634 peut être utilisé pour faciliter le dépôt d'un matériau métallique massif supplémentaire sur celui-ci, comme examiné plus en détail ci-dessous avec référence à la figure 3B. A titre d'exemple et non de limitation, le matériau de germe métallique dopé 634 peut être sensiblement composé d'un métal ou d'un alliage métallique. En tant qu'exemple non limitatif, le matériau de germe métallique dopé 634 peut être composé sensiblement de cuivre ou d'alliage de cuivre. Le matériau de germe métallique dopé 634 peut en outre comprendre un ou plusieurs éléments dopants. En tant qu'exemples non limitatifs, les éléments dopants peuvent comprendre un ou plusieurs de l'aluminium, de l'argent et du manganèse. Les éléments dopants peuvent être introduits dans le matériau de germe métallique 634 pendant le dépôt du matériau de germe métallique 634 sur le matériau de revêtement 632, ou les éléments dopants peuvent être introduits dans le matériau de germe métallique 634 après la formation du matériau de germe métallique 634 sur le matériau de revêtement 632. Le matériau de germe métallique dopé 634 peut être fourni sur la structure semi-conductrice 600 en utilisant un ou plusieurs, par exemple, d'un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), d'un processus de dépôt physique (par exemple, de pulvérisation), d'un processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD), d'un processus de dépôt de couches atomiques (ALD) et d'un processus de dépôt sans courant. En faisant référence à la figure 3B, après la formation du matériau de germe métallique dopé 634 sur le matériau de revêtement 632, le matériau de germe métallique 634 peut être utilisé pour faciliter le dépôt d'un matériau métallique massif 636 sur celui-ci, par exemple, dans un processus de dépôt électrolytique. Par exemple, le matériau de germe métallique dopé 634 peut être sensiblement composé de cuivre dopé ou d'un alliage de cuivre dopé, et le matériau métallique massif 636 peut comprendre du cuivre massif, qui peut être déposé sur le matériau de germe métallique dopé 634 en utilisant un processus de dépôt électrolytique. Après le dépôt du matériau métallique massif 636 sur le matériau de germe métallique dopé 634, la première structure semi-conductrice 600 peut être soumise à un processus de recuit pour amener les éléments dopants (par exemple, l'Al, l'Ag, le Mn, etc.) à diffuser dans le matériau métallique massif 636. La présence des éléments dopants dans le matériau métallique massif 636 peut être bénéfique pour les raisons examinées plus en détail ci-dessous. La concentration des éléments dopants dans le matériau métallique massif 636 peut être contrôlée de manière sélective en contrôlant de manière sélective l'épaisseur à laquelle le matériau de germe métallique dopé 634 est déposé sur le matériau de revêtement 632, comme présenté dans le document de Yokogawa et d'autres, Analysis of Al Doping Effects on Resistivity and Electromigration of Copper Interconnects, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Volume 8, Publication 1, pages 216 à 221 (mars 2008). Dans des modes de réalisation supplémentaires de l'invention, le matériau métallique massif 636 peut être déposé sur le matériau de revêtement 632 en utilisant un ou plusieurs processus autres qu'un processus électrolytique. Par exemple, le matériau métallique massif 636 peut être déposé en utilisant un ou plusieurs d'un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), d'un processus de dépôt physique (par exemple, de pulvérisation), d'un processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD), d'un processus de dépôt de couches atomiques (ALD) et d'un processus de dépôt sans courant, et peut être dopé avec les éléments dopants alors qu'il est déposé. Dans certains modes de réalisation, le matériau métallique massif 636 peut être déposé en une épaisseur moyenne qui est suffisante pour remplir au moins sensiblement les évidements 630 (figure 3A), et du matériau métallique massif 636 en excès peut être présent sur la surface active 610 de la première structure semi-conductrice 600. Ainsi, en faisant référence à la figure 3C, après le dépôt du matériau métallique massif 636, le matériau métallique massif 636 en excès peut être retiré en utilisant, par exemple, un processus de gravure, un processus de polissage, ou un processus de polissage chimique- mécanique (CMP). En tant qu'exemple non limitatif, la surface active 610 de la première structure semi- conductrice 600 peut être soumise à un processus de polissage chimique-mécanique pour retirer le matériau métallique massif 636 en excès de la surface active 610, mais en laissant le matériau métallique massif 636 dans les évidements 630, définissant de ce fait des pastilles de liaison électriquement conductrices 608 dans la surface active 610 qui comprennent les volumes du matériau métallique massif 636 dopé disposé dans les évidements 630 (figure 3A). Comme montré sur la figure 3D, une couche d'encapsulation 618 peut être déposée au moins sur les surfaces exposées des pastilles de liaison 608, et peut être déposée au moins sensiblement entièrement sur la surface active de la première structure semi-conductrice 600. A titre d'exemple et non de limitation, la couche d'encapsulation 618 peut comprendre une couche d'un matériau, tel qu'un carbure (par exemple, du carbure de silicium), un nitrure (par exemple, du nitrure de silicium), un oxyde (par exemple, de l'oxyde de silicium), etc. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la couche d'encapsulation 618 peut comprendre un matériau tel que décrit précédemment dans le présent document en relation avec la couche d'encapsulation 116, la couche d'encapsulation 118, ou la couche d'encapsulation 418, et peut être formée comme décrit précédemment en relation avec celles-ci. A titre d'exemple et non de limitation, la couche d'encapsulation 116 peut être formée pour avoir une épaisseur moyenne initiale d'environ quarante nanomètres (40 nm) ou moins, d'environ vingt nanomètres (20 nm) ou moins, ou même d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins (c'est-à-dire, avant la liaison et/ou un autre traitement subséquent). La couche d'encapsulation 618 peut être un ou plusieurs d'un en phase vapeur (PVD), d'un en phase vapeur (CVD), d'un etc. 618, formée en processus processus processus Après la utilisant, par exemple, de dépôt physique de dépôt chimique de dépôt de couches atomiques (ALD), formation de la couche d'encapsulation les pastilles de liaison 608 peuvent être directement liées aux caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice. En faisant référence à la figure 3E, la première structure semi-conductrice 600 peut être alignée avec une deuxième structure semi-conductrice 200. Comme décrit précédemment avec référence à la figure 1E, la deuxième structure semi-conductrice 200 peut comprendre une pluralité de caractéristiques de dispositif actives, qui peuvent comprendre, par exemple, un ou plusieurs de pastilles de liaison 208, de trous d'interconnexion conducteurs 204 s'étendant verticalement et de pistes conductrices 206 s'étendant horizontalement. Les caractéristiques de dispositif actives de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être entourées d'un matériau diélectrique 212. La première structure semi-conductrice 600 peut être alignée avec la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 soient alignées avec les pastilles de liaison 208 métalliques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice 200. Les surfaces de la couche d' encapsulation 618 sur les pastilles de liaison 608 peuvent définir une ou plusieurs surfaces de liaison 640 des pastilles de liaison 608, et les surfaces exposées à l'extérieur des pastilles de liaison 208 peuvent définir les surfaces de liaison 220 des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. En faisant référence à la figure 3F, après l'alignement de la première structure semi-conductrice 600 et de la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 soient alignées avec les pastilles de liaison 208 métalliques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 600 peut être placée en butée contre la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les surfaces de liaison 640 (figure 3E) des pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 soient en butée directement contre les surfaces de liaison 220 (figure 3E) des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. En faisant référence à la figure 3G, les surfaces de liaison 640 (figure 3E) des pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 peuvent ensuite être directement liées aux surfaces de liaison 220 (figure 3E) des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 pour former la structure semi-conductrice liée 700 montrée sur la figure 3G. Les surfaces de liaison 220 (figure 3E) des pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être directement liées aux surfaces de liaison 640 (figure 3E) des pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 comme décrit précédemment avec référence aux figures 1F et 1G en relation avec la première structure semi-conductrice 100 et la deuxième structure semi- conductrice 200. Comme montré sur la figure 3G, dans certains modes de réalisation, lors de la liaison directe des pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 aux pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200, un ou plusieurs éléments de la couche d'encapsulation 618 au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 608 et les pastilles de liaison 208 peuvent diffuser dans les pastilles de liaison 608 et/ou les pastilles de liaison 208, de sorte que la couche d'encapsulation 618 n'est plus présente en tant que phase distincte au niveau de l'interface liée entre les pastilles de liaison 608 et les pastilles de liaison 208. Au moins une partie de la couche d'encapsulation 618 peut rester sur au moins une partie des pastilles de liaison 608, comme montré sur la figure 3G. La présence d'au moins une partie de la couche d'encapsulation 618 sur les pastilles de liaison 608 à la suite du processus de liaison peut être bénéfique pour les raisons examinées précédemment dans le présent document avec référence à la figure 1G. Comme mentionné précédemment, la présence des éléments dopants dans les pastilles de liaison 608 peut être bénéfique selon au moins un aspect. Par exemple, les éléments dopants peuvent se séparer au niveau des frontières des grains et des interfaces, y compris au niveau de l'interface entre les pastilles de liaison 608 et la couche d'encapsulation 618. Les éléments dopants séparés peuvent gêner la diffusion des atomes métalliques (par exemple, de cuivre) et, ainsi, peuvent améliorer la durée de vie d'électromigration des structures conductrices définies par les pastilles de liaison 608 de la première structure semi-conductrice 600 et les pastilles de liaison 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 contiguës La présence de ces éléments dopants dans les pastilles de liaison 608 peut augmenter la résistivité des pastilles de liaison 608. Ainsi, la concentration des dopants dans les pastilles de liaison 608 peut être sélectionnée de sorte que la résistivité reste à un niveau acceptable, mais de sorte que la diffusion d'atomes métalliques du fait d'une électromigration soit réduite. Bien que des modes de réalisation de l'invention 35 aient été décrits ci-dessus avec référence au traitement des pastilles de liaison des premières structures semi-conductrices en prévoyant des couches d'encapsulation sur celles-ci et/ou en dopant les pastilles de liaison avec des éléments dopants sélectionnés, il est envisagé que d'autres caractéristiques métalliques des premières structures semi-conductrices, telles qu'un ou plusieurs trous d'interconnexion conducteurs 104 et/ou une ou plusieurs pistes conductrices 106, puissent être exposées au niveau d'une surface active et puissent être traitées comme examiné ci-dessus en relation avec les pastilles de liaison, et puissent être directement liées aux caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice d'une manière similaire à celle décrite en relation avec les pastilles de liaison. En plus, il est envisagé que les caractéristiques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice, telles qu'un ou plusieurs des pastilles de liaison 208, des trous d'interconnexion conducteurs 204 et des pistes conductrices 206, puissent être traitées comme décrit dans le présent document en relation avec les pastilles de liaison des premières structures semi-conductrices en prévoyant des couches d'encapsulation sur celles-ci et/ou en dopant les pastilles de liaison avec des éléments dopants sélectionnés, en plus du, ou en tant qu'alternative au traitement des caractéristiques conductrices de la première structure semi-conductrice, avant de lier directement lesdites une ou plusieurs caractéristiques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice à une ou plusieurs caractéristiques conductrices d'un premier semi-conducteur. Des modes de réalisation en exemple non limitatifs supplémentaires de l'invention sont décrits ci-35 dessous : Mode de réalisation 1 : un procédé de liaison directe d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice, comprenant les étapes consistant à : former une couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium au niveau d'une surface d'une première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice, une surface de la couche d'encapsulation définissant une première surface de liaison de la première caractéristique métallique ; et lier directement une deuxième surface de liaison d'une deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice à la première surface de liaison de la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation 2 : le procédé du mode de réalisation 1, comprenant en outre l'étape consistant à former la première caractéristique métallique pour qu'elle comprenne du cuivre. Mode de réalisation 3 : le procédé du mode de réalisation 1 ou du mode de réalisation 2, dans lequel la formation de la couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium comprend l'étape qui consiste à former un composé cuivreux comprenant du silicium au niveau de la surface de la première caractéristique métallique. Mode de réalisation 4 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 3, dans lequel la formation de la couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium comprend l'étape qui consiste à former un siliciure métallique. Mode de réalisation 5 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 3, dans lequel la formation de la couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium comprend l'étape qui consiste à former une couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium et de l'azote. Mode de réalisation 6 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 5, comprenant en outre les étapes consistant à : former la première surface de liaison pour qu'elle ait une première taille ; et former la deuxième surface de liaison pour qu'elle ait une deuxième taille différente de la première taille de la première surface de liaison. Mode de réalisation 7 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 6, comprenant en outre les étapes consistant à : former la première surface de liaison pour qu'elle ait une première forme ; et former la deuxième surface de liaison pour qu'elle ait une deuxième forme différente de la première forme de la première surface de liaison. Mode de réalisation 8 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend un processus de liaison directe à température ultra faible. Mode de réalisation 9 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend un processus de liaison assistée de surfaces. Mode de réalisation 10 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend l'étape qui consiste à placer en butée la première surface de liaison directement contre la deuxième surface de liaison dans un environnement à une température inférieure à environ quatre cents degrés Celsius (400 °C). Mode de réalisation 11 : le procédé du mode de réalisation 10, comprenant en outre l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C). Mode de réalisation 12 : le procédé du mode de réalisation 11, dans lequel l'application d'une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C) comprend l'étape qui consiste à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans un environnement à une température inférieure à environ cent degrés Celsius (100 °C). Mode de réalisation 13 : le procédé du mode de réalisation 12, dans lequel l'application d'une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ cent degrés Celsius (100 °C) comprend l'étape qui consiste à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans un environnement à peu près à température ambiante. Mode de réalisation 14 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 13, comprenant en outre l'étape consistant à doper la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice avec des impuretés avant la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison. Mode de réalisation 15 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 14, comprenant en outre l'étape consistant à former une couche d'encapsulation comprenant un métal et du silicium au niveau d'une surface de la deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice avant la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison, une surface de la couche d'encapsulation au niveau de la surface de la deuxième caractéristique métallique définissant la deuxième surface de liaison de la deuxième caractéristique métallique. Mode de réalisation 16 : un procédé de liaison directe d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice, comprenant en outre les étapes consistant à : former une couche d'encapsulation métallique au niveau d'une surface d'une première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice, une surface de la couche d'encapsulation métallique définissant une première surface de liaison de la première caractéristique métallique ; et lier directement une deuxième surface de liaison d'une deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice à 1a première surface de liaison de la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation 17 : le procédé du mode de réalisation 16, comprenant en outre l'étape consistant à former la couche d'encapsulation métallique pour qu'elle comprenne un alliage métallique. Mode de réalisation 18 : le procédé du mode de réalisation 16 ou du mode de réalisation 17, comprenant en outre l'étape consistant à former la première caractéristique métallique pour qu'elle comprenne du cuivre. Mode de réalisation 19 : le procédé de l'un 35 quelconque des modes de réalisation 16 à 18, comprenant en outre l'étape consistant à former la couche d'encapsulation métallique pour qu'elle comprenne du CoWP. Mode de réalisation 20 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 19, comprenant en outre l'étape consistant à former la couche d'encapsulation métallique pour qu'elle ait une épaisseur moyenne d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins. Mode de réalisation 21 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 20, comprenant en outre les étapes consistant à : former la première surface de liaison pour qu'elle ait une première taille ; et former la deuxième surface de liaison pour qu'elle ait une deuxième taille différente de la première taille de la première surface de liaison. Mode de réalisation 22 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 21, comprenant en outre les étapes consistant à : former la première surface de liaison pour qu'elle ait une première forme ; et former la deuxième surface de liaison pour qu'elle ait une deuxième forme différente de la première forme de la première surface de liaison. Mode de réalisation 23 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 22, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend un processus de liaison directe à température ultra faible. Mode de réalisation 24 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 23, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend un processus de liaison assistée de surfaces. Mode de réalisation 25 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 24, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend l'étape qui consiste à mettre en butée la première surface de liaison directement contre la deuxième surface de liaison dans un environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C). Mode de réalisation 26 : le procédé du mode de réalisation 25, comprenant en outre l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C). Mode de réalisation 27 : le procédé du mode de réalisation 26, dans lequel l'application d'une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C) comprend l'étape qui consiste à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans un environnement à une température inférieure à environ cent degrés Celsius (100 °C). Mode de réalisation 28 : le procédé du mode de réalisation 27, dans lequel l'application d'une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ cent degrés Celsius (100 °C) comprend l'étape qui consiste à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans un environnement à peu près à température ambiante. Mode de réalisation 29 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 28, comprenant en outre l'étape consistant à doper la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice avec des impuretés avant de lier directement la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison. Mode de réalisation 30 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 29, comprenant en outre l'étape consistant à former une autre couche d'encapsulation métallique au niveau d'une surface de la deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice avant de lier directement la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison, une surface de l'autre couche d'encapsulation métallique au niveau de la surface de la deuxième caractéristique métallique définissant la deuxième surface de liaison de la deuxième caractéristique métallique. Mode de réalisation 31 : un procédé de liaison directe d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice, comprenant les étapes consistant à : doper une première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice avec des impuretés ; et lier directement une deuxième caractéristique métallique sur la deuxième structure semi-conductrice à la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation 32 : le procédé du mode de réalisation 31, comprenant en outre l'étape consistant à sélectionner les impuretés pour qu'elles comprennent au moins l'un de l'aluminium, de l'argent et du manganèse. Mode de réalisation 33 : le procédé du mode de réalisation 31 ou du mode de réalisation 32, dans lequel le dopage de la première caractéristique métallique comprenant les étapes consistant à : former une couche de germe métallique comprenant les impuretés ; et former la première caractéristique métallique sur la couche de germe et diffuser les impuretés de la couche de germe dans la première caractéristique métallique. Mode de réalisation 34 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 31 à 33, comprenant en outre l'étape consistant à former la première caractéristique métallique pour qu'elle comprenne du cuivre. Mode de réalisation 35 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 31 à 34, comprenant en outre les étapes consistant à : former la première surface de liaison pour qu'elle ait une première taille ; et former la deuxième surface de liaison pour qu'elle ait une deuxième taille différente de la première taille de la première surface de liaison. Mode de réalisation 36 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 31 à 35, comprenant en outre les étapes consistant à : former la première surface de liaison pour qu'elle ait une première forme ; et former la deuxième surface de liaison pour qu'elle ait une deuxième forme différente de la première forme de la première surface de liaison. Mode de réalisation 37 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 31 à 36, dans lequel la liaison directe de la deuxième surface de liaison à la première surface de liaison comprend un processus de liaison directe à température ultra faible. Mode quelconque lequel la liaison àde réalisation 38 : le procédé de l'un des modes de réalisation 31 à 37, dans liaison directe de la deuxième surface de la première surface de liaison comprend un processus de liaison assistée de surfaces. Mode quelconque lequel la liaison àde réalisation 39 : le procédé de l'un des modes de réalisation 31 à 38, dans liaison directe de la deuxième surface de la première surface de liaison comprend l'étape qui consiste à mettre en butée la première surface de liaison directement contre la deuxième surface de liaison dans un environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C). Mode de réalisation 40 : le procédé du mode de réalisation 39, comprenant en outre l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de liaison et la deuxième surface de liaison dans l'environnement à une température inférieure à environ deux cents degrés Celsius (200 °C). Mode de réalisation 41 : une structure semi-conductrice liée, comprenant : une première structure semi-conductrice comprenant une première caractéristique métallique ; et une deuxième structure semi-conductrice comprenant une deuxième caractéristique métallique, la deuxième caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice étant directement liée à la première caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice ; et des impuretés au niveau d'un interface de liaison entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique. Mode de réalisation 42 : la structure semi-conductrice liée du mode de réalisation 41, dans - 2969814 46 laquelle les impuretés comprennent au moins l'un de l'aluminium, de l'argent et du manganèse. Mode de réalisation 43 : la structure semi-conductrice liée du mode de réalisation 41 ou du mode 5 de réalisation 42, dans laquelle les impuretés comprennent au moins l'un du silicium et de l'azote. Mode de réalisation 44 : la structure semi-conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 41 à 43, dans laquelle les impuretés 10 comprennent au moins l'un du cobalt, du tungstène et du phosphore. Mode de réalisation 45 : la structure semi-conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 41 à 44, dans laquelle au moins l'une de la 15 première caractéristique métallique et de la deuxième caractéristique métallique comprend du cuivre. Mode de réalisation 46 : la structure semi-conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 41 à 45, dans laquelle : la première 20 caractéristique métallique a une première section transversale dans un plan parallèle à une interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique ; et la deuxième caractéristique métallique a une deuxième section 25 transversale dans un plan parallèle à l'interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique, la deuxième section transversale étant différente de la première section transversale. 30 Mode de réalisation 47 : la structure semi-conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 41 à 46, dans laquelle : la première caractéristique métallique a une première forme en coupe dans un plan parallèle à une interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique ; et la deuxième caractéristique métallique a une deuxième forme en coupe dans un plan parallèle à l'interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique, la deuxième forme en coupe étant différente de la première forme en coupe. Mode de réalisation 48 : une structure semi-conductrice liée, comprenant : une première structure semi-conductrice comprenant une première caractéristique métallique comprenant une première surface principale ; une deuxième structure semi-conductrice comprenant une deuxième caractéristique métallique au moins partiellement entourée d'un matériau diélectrique, la deuxième caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice ayant une deuxième surface principale directement liée à une partie de la première surface principale de la première caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice ; et un matériau d'encapsulation disposé directement entre une surface du matériau diélectrique et une autre partie de la première surface principale de la première caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation 49 : la structure semi-conductrice liée du mode de réalisation 48, dans laquelle le matériau d'encapsulation comprend un matériau diélectrique. Mode de réalisation 50 : la structure semi- conductrice liée du mode de réalisation 49, dans laquelle le matériau d'encapsulation comprend au moins l'un du CuSiN, du SiC et du SiN. Mode de réalisation 51 : la structure semi-conductrice liée du mode de réalisation 48, dans laquelle le matériau d'encapsulation comprend un matériau conducteur. Mode de réalisation 52 : la structure semi-conductrice liée du mode de réalisation 51, dans laquelle le matériau d'encapsulation comprend du CoWP. Mode de réalisation 53 : la structure semi-conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 48 à 52, dans laquelle au moins l'une de la première caractéristique métallique et de la deuxième caractéristique métallique comprend du cuivre. Mode de réalisation 54 : la structure semi-conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 48 à 53, dans laquelle : la première caractéristique métallique a une première section transversale dans un plan parallèle à une interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique ; et la deuxième caractéristique métallique a une deuxième section transversale dans un plan parallèle à l'interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique, la deuxième section transversale étant différente de la première section transversale. Mode de réalisation 55 : la structure semi- conductrice liée de l'un quelconque des modes de réalisation 48 à 54, dans laquelle : la première caractéristique métallique a une première forme en coupe dans un plan parallèle à une interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique ; et la deuxième caractéristique métallique a une deuxième forme en coupe dans un plan parallèle à l'interface liée entre la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique, la deuxième forme en coupe étant différente de la première forme en coupe.