Brevet FR2962613A1 — publié le 20120113

Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant comportant un filtre à impédance adaptable à base de matériau de type pérovskite Le domaine de l'invention est celui des dispositifs d'adaptation d'impédance particulièrement intéressants en tant que suiveur d'impédance de composant et notamment d'antenne dans les chaînes d'émission ou de réception de circuit radiofréquence, confronté à des variations d'impédance. Actuellement, les besoins en matière d'agilité se font de plus en plus pressants, en raison notamment de l'encombrement croissant du spectre électromagnétique, de l'augmentation systématique des débits demandés, et de la reconfigurabilité logicielle des terminaux mobiles. De manière générale, une chaine d'émission RF telle qu'illustrée en figure 1, comporte trois bloc principaux entre par exemple, la génération d'un signal radio en forte puissance, et l'antenne. Ces trois blocs sont l'amplificateur de puissance PA, le circuit d'adaptation CA en sortie d'amplificateur, qui assure le transfert de l'énergie de l'amplificateur vers l'antenne, et le filtre d'antenne FA, qui assure la pureté spectrale du signal émis par le système vers l'antenne ANT. Les amplificateurs, les filtres et les antennes étant réalisés par des 20 fournisseurs souvent différents, les composants doivent donc pouvoir être fonctionnels à une impédance caractéristique Zc donnée. Avec la miniaturisation poussée dans la téléphonie mobile, l'optimisation conduit les constructeurs d'antennes à vouloir se libérer de la contrainte d'impédance standard. Il en résulte, pour les concepteurs de 25 systèmes, soit la nécessité d'ajouter un circuit d'adaptation en sortie de filtre, soit de disposer de filtres dont l'impédance Zx est adaptée à l'impédance propre de l'antenne, tendant à implémenter ainsi le schéma tel qu'illustré en figure 2. La prise en charge de ces comportements dynamiques assure non 30 seulement un gain à court terme sur la consommation en énergie des systèmes actuels, mais elle permet aussi de mettre en oeuvre certains systèmes innovants par leur reconfigurabilité. Plusieurs approches élaborées jusqu'à présent sont décrites dans la littérature et notamment dans l'article suivant : "An Automatic Antenna 35 Tuning System using only RF-Signal Amplitudes", E.L. Firrao, A.J. Annema, and B. Nauta, IEEE TCAS-II, 2008. Les auteurs, de l'université de Twente et de Thales, proposent une adaptation dynamique d'antenne en corrélation avec le concept de l'adaptation par réglage séparé de la partie réelle et de la partie imaginaire. Après que le système ait obtenu une information sur la désadaptation de l'antenne vis-à-vis de la chaine RF, des éléments réglables dynamiquement permettent le déplacement du lieu d'impédance de l'antenne. L'impédance est adaptée après un temps de convergence. Le principe a été démontré pour un signal à 900MHz, et des cas discrets d'impédances. Cependant la robustesse face à une large bande de fréquence, et pour des vastes lieux d'impédances reste à démontrer. D'autres auteurs comprenant une équipe du CEA ont développé une approche sensiblement différente, en collaboration avec l'université de Bordeaux et le groupe Sorin, spécialisé notamment dans la mise au point de pacemakers dans l'article "A fast and accurate automatic matching network designed for ultra low power medical applications", Wai Chan; De Foucauld, E.; Vincent, P.; Hameau, F.; Morche, D.; Delaveaud, C.; Dal Molin, R.; Pons, P.; Pierquin, R.; Kerherve, E.; Circuits and Systems, 2009. IEEE ISCAS 2009. Un circuit d'adaptation contenant plusieurs éléments variables est piloté par un microcontrôleur ou processeur dont le rôle est de spécifier les consignes de réglage en fonction de l'analyse d'un signal prélevé à travers un atténuateur. La démonstration de l'approche a été réalisée autour de la bande ISM 402-405MHz, et suppose un temps de traitement de presque 1 ms. La figure 3 illustre l'auto-adaptation d'impédance d'antenne à 400MHz par microcontrôleur. Des résultats comparables ont été publiés par la même équipe pour la bande ISM 2.4GHz dans l'article suivant :"A 2.4GHz CMOS automatic matching network design for pacemaker applications", Chan Wai Po F; De Foucauld, E.; Vincent, P.; Hameau, F.; Kerherve, E.; Molin R, D.; Pons, P.; Pierquin, R.; Circuits and Systems and TAISA Conference, 2009. Si le principe théorique de l'adaptation directe par microcontrôleur est démontré, et a fait l'objet d'un brevet déposé par le CEA (EP2037576), sa mise en oeuvre demeure complexe, et limitée par l'implémentation physique. Ainsi, la couverture en impédance dépend de la complexité du circuit d'adaptation, et notamment du nombre d'éléments réglables, ainsi que de leur nature (inductance ou condensateur). D'autre part, cette approche qui a le mérite d'être directe (et non itérative) donc susceptible d'être rapide, nécessite de pouvoir déterminer analytiquement la valeur des éléments de réglage. La détermination analytique est aisément implémentable au sein du microcontrôleur. Cependant la complexité de l'implémentation augmente avec le nombre d'éléments variables, ainsi qu'avec la présence d'éléments filtrants entre l'amplificateur et l'antenne. La performance de cette approche dépend du nombre d'éléments 1 o accordables disponibles, de leur plage de variation, de leur qualité, ainsi que du champ de dispersion en impédance de l'antenne. Ainsi, si un filtre après amplification est nécessaire, le schéma illustré en figure 4 devient applicable. Un capteur C est positionné en sortie de l'amplificateur et présente une impédance d'entrée et une impédance de 15 sortie Z1, la chaîne comporte en outre le filtre F et un circuit d'adaptation CA, un processeur P est prévu pour influer sur le circuit d'impédance et adapter ce dernier aux variations d'impédance de l'antenne ANT. L'adaptation a lieu après le filtre, qui doit alors présenter une impédance caractéristique identique à l'impédance de sortie de 20 l'amplificateur de puissance. Rappelons que le filtre est un élément réciproque, c'est-à-dire qu'il présente la même impédance en entrée et en sortie. Dans le but de relâcher les contraintes sur le circuit d'adaptation ajustable, et accroître le champ d'application de la méthode décrite ici, le 25 demandeur propose un dispositif d'adaptation d'impédance de composant particulièrement simple et rapide permettant de disposer de filtres agiles en impédance ayant des temps d'adaptation extrêmement brefs et ce en utilisant des matériaux dont la permittivité diélectrique peut être adaptée rapidement. 30 Plus précisément la présente invention a pour objet un dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant comportant au moins un filtre caractérisé en ce que ledit filtre est à impédance adaptable et comporte au moins deux résonateurs couplés à ondes acoustiques, au moins un des résonateurs comprenant un matériau de type pérovskite et des moyens pour appliquer une tension audit résonateur permettant d'en faire varier la permittivité et l'impédance. Selon une variante de l'invention, chaque résonateur comprend un matériau de type pérovskite. Selon une variante de l'invention, le filtre comporte des résonateurs à ondes de volume. Selon une variante de l'invention, le filtre comporte des résonateurs à ondes de volume de type FBAR acronyme correspondant au terme anglo-saxon « Film Bulk Acoustic Resonator » comportant un empilement de 1 o couches comprenant au moins une membrane de support et une couche de matériau de type pérovskite. Selon une variante de l'invention, le filtre comporte des résonateurs à ondes de volume de type SMR, acronyme correspondant au terme anglo-saxon « Solidly Mounted Resonator », comprenant au moins un réflecteur 15 acoustique et une couche de matériau de type pérovskite. Selon une variante de l'invention, le matériau de type pérovskite est à base de Baryum-Strontium-Titanate (BST). Un matériau tel qu'un pérovskite de type Lead-Magnesium-Niobate (PMN), ou encore un matériau de type de Lead-Zirconium-titanate (PZT), ou 20 encore un matériau parmi la liste antérieurement décrite dans le document US 6,583,688 B2, peuvent également être utilisés dans la présente invention. Selon une variante de l'invention, le filtre comporte un ensemble de résonateurs montés en structure échelle et/ou en structure treillis. Selon une variante de l'invention, le filtre est couplé à d'autres 25 éléments d'impédance. Selon une variante de l'invention, le composant est une antenne. Selon une variante de l'invention, le composant est un amplificateur. Selon une variante de l'invention, le composant est un transistor. L'invention a encore pour objet une chaîne d'émission et/ou de 30 réception radiofréquence comportant au moins un amplificateur, une antenne et un réseau d'adaptation d'impédance entre l'amplificateur et l'antenne, caractérisée en ce que le réseau d'adaptation d'impédance comporte un dispositif d'adaptation d'impédance selon l'invention. Par chaîne d'émission et/ou de réception, on inclut bien entendu la 35 transmission. 5 15 20 25 30 L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 illustre une chaîne d'émission RF comprenant un filtre, selon l'art connu ; - la figure 2 illustre une chaîne d'émission RF comprenant un filtre avec une impédance adaptable à celle de l'antenne selon l'art connu ; la figure 3 illustre une solution d'auto-adaptation d'impédance d'antenne selon l'art antérieur ; la figure 4 illustre le schéma de l'adaptation dynamique d'impédance avec filtre d'émission ; la figure 5 illustre l'évolution de la déformation sous l'effet d'un champ électrique dans un matériau piézoélectrique classique et dans un matériau électrostrictif ; la figure 6 illustre la variation d'impédance en fonction de la fréquence et ce pour différentes tensions appliquées sur une couche de BST de 580 nm d'épaisseur en présence d'électrodes de Platine de 200 nm ; la figure 7 illustre la modélisation électromécanique d'un matériau passif et d'un matériau piézo-électrique ; la figure 8 illustre l'évolution de la permittivité en fonction de la tension DC appliquée pour un résonateur à ondes de volume à base de BST dans un modèle de type Mason ; la figure 9 illustre l'évolution de l'impédance équivalente en fonction de la tension DC appliquée pour un résonateur à ondes de volume à base de BST; la figure 10 illustre l'évolution du coefficient de couplage en fonction de la tension DC appliquée pour un résonateur à ondes de volume à base de BST; la figure 11 illustre l'évolution des coefficients de qualité Qs et Qp respectivement aux fréquences de résonances dites série et parallèle en fonction de la tension DC appliquée pour un résonateur à ondes de volume à base de BST ; la figure 12 illustre l'évolution des fréquences de résonance dites série et parallèle en fonction de la tension DC appliquée pour un résonateur à ondes de volume à base de BST ; - les figures 13a, 13b et 13c illustrent l'évolution de la puissance transmise et des pertes au niveau d'un filtre à base de BST utilisé dans la présente invention et dans une première gamme de tensions appliquées ; - les figures 14a, 14b et 14c illustrent l'évolution de la puissance transmise et des pertes au niveau d'un filtre à base de BST utilisé dans la présente invention et dans une seconde gamme de tensions appliquées ; - la figure 15 illustre un schéma de dispositif d'adaptation 15 d'impédance selon l'invention ; - la figure 16 illustre un exemple de filtre adaptable en impédance selon l'invention comprenant huit résonateurs de type BAW et dans une structure de type « Double Lattice » - la figure 17 illustre une coupe transversale d'un exemple 20 d'empilement technologique permettant la réalisation d'un résonateur de type FBAR dans un filtre adaptable utilisé dans la présente invention ; - la figure 18 illustre une vue de dessus d'un exemple d'implantation de filtre adaptable en impédance et utilisé dans la 25 présente invention. Selon la présente invention, il est proposé de réaliser un filtre adaptable en impédance à partir de résonateurs comportant un matériau de type pérovskite et tel qu'il dispose d'une grande latitude de variation de 30 constante diélectrique sous l'action d'une variation de champ électrique appliqué. Ce type de matériau présente en effet des constantes diélectriques élevées et susceptibles de pouvoir varier fortement sous l'action d'un champ électrique. L'invention va être décrite ci-après dans le cadre de résonateurs à 35 ondes de volume, mais peut néanmoins tout aussi bien être mise en oeuvre 10 avec des filtres à ondes de surface ou à ondes de Lamb, lesdits filtres comportant un matériau de type pérovskite présentant des propriétés telles que l'impédance de chaque résonateur peut être modifiée à l'aide d'une tension continue appliquée à ses bornes. L'intérêt des matériaux de type pérovskite et notamment au plomb Pb(Mgii3Nb2,3)O3) (PMN) est illustré en figure 5. De manière générale, ces matériaux sont des matériaux d'organisation cristalline telle qu'ils présentent des propriétés électrostrictives très prononcées, qui se traduisent notamment par la présence d'un 1 o coefficient de couplage piézoélectrique dépendant d'une tension continue appliquée. Ainsi, le matériau pérovskite présente une pente qui varie selon la valeur du champ électrique comme illustré sur la courbe 5a de la figure 5, contrairement à un matériau piézoélectrique classique, dont le coefficient de couplage reste constant quelque soit le champ électrique appliqué comme 15 illustré par la courbe 5b. En effet l'intérêt des matériaux de type pérovskite réside dans la non-linéarité de l'évolution de la déformation sous l'effet d'un champ électrique en comparaison avec les matériaux piézoélectriques classiques, permettant avec de tels matériaux, d'obtenir une grande sensibilité en terme de variation 20 de permittivité électriques et donc d'impédance en fonction d'un champ électrique appliqué. La variation des propriétés physiques des matériaux sous l'effet d'un champ électrique Ede (que l'on connait sous le terme d'électrostriction) notamment de la permittivité e, de la raideur c et du facteur de couplage 25 piézoélectrique h, se traduit par les équations suivantes : es = 1 = e (0). e0 fls 2 E 2cosh aresinh2 d` -1 3 EL,2 S2 Ms 2 -h=2GssEd~ 1- DE `c On y reconnait l'ensemble des propriétés physiques des matériaux piézoélectriques classiques, mais auxquels viennent se joindre des + Me 2 D E 33 - C33 +-s h= ES e phénomènes additionnels représentés par les coefficients électrostrictifs Met G, et le coefficient d'amortissement électrique E12. De tels matériaux pour transducteurs acoustiques ont notamment été décrits dans les articles de Foster, F.S.; Ryan, L.K.; Turnbull, D.H.; "Characterization of lead zirconate titanate ceramics for use in miniature high-frequency (20-80 MHz) transducers ; Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, Volume 38, Issue 5, Sept. 1991. Les premières publications faisant mention de l'emploi de tels matériaux en microélectronique datent de 1999, et notamment : Lobl, H.P.; Klee, M.; Wunnicke, O.; Kiewitt, R.; Dekker, R.; Pelt, E.V.; "Piezo-electricAIN and PZT films for micro-electronic applications ; Ultrasonics Symposium, 1999. L'intérêt du PZT (Lead Zirconate Titanate) repose sur ses propriétés piézoélectriques dans des applications radiofréquences. Le PZT, comme la plupart des matériaux pérovskites, présente une forte permittivité diélectrique, ce qui le destinait directement non pas à des applications exploitant les propriétés piézoélectriques comme les filtres ou les résonateurs, mais à des moyens d'intégration de condensateurs à très haute densité. Aujourd'hui, sont proposés des composés alternatifs, comme par exemple le Baryum-Strontium-Titanate (BST) depuis quelques années, comme décrit notamment dans la publication : Ivira, B.; Reinhardt, A.; Defay, E.; Aid, M.; "Integration of electrostrictive Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films into Bulk Acoustic Wave resonator for RF-frequency tuning under DC bias ; Frequency Control Symposium, 19-21 May 2008. La figure 6 reprise de cette publication montre à cet égard la latitude de variation d'impédance en fonction d'une tension appliquée sur une couche de BST de 580 nm d'épaisseur en présence d'électrodes de Platine de 200 nm. Néanmoins, cette publication repose spécifiquement sur l'analyse de la couche BST réalisée, et non intégrée à une problématique de résonateur. Dans ce contexte, le demandeur a choisi d'utiliser un modèle dont la robustesse a été démontrée auparavant dans la réalisation de filtres à base de nitrure d'aluminium, afin de prouver l'intérêt de ce type de matériau dans la problématique adressée dans la présente invention. Il s'agit du modèle électro-acoustique de Mason. Ici, le modèle a été adapté aux particularités du matériau BST, notamment afin d'introduire la dépendance au champ électrique. Les constantes physiques employées sont issues de l'analyse de dispositifs réalisés par le demandeur. Plus précisément le modèle de Mason est de type électromécanique et permet de traduire les effets de charge des matériaux dans le cas de résonateur à ondes de volume et leurs interactions mécaniques en fonction des vitesses de déplacement de part et d'autre de la couche piézoélectrique. Par analogie électromécanique, les forces sont représentées par des 1 o tensions électriques et les vitesses de déplacement sont représentées par des courants électriques. Ainsi, la couche piézoélectrique est modélisée par un bloc à deux ports en tension et un port en courant du fait de ses caractéristiques piézoélectriques et donc de sa capacité à générer une énergie électro-acoustique en présence d'une force à ses interfaces tandis 15 que des autres matériaux passifs, essentiellement les électrodes sont modélisées par des blocs avec des ports essentiellement en tension comme illustré en figure 7. Plus précisément, le demandeur a mis en évidence les caractéristiques suivantes à partir d'un résonateur de type BAW réalisé avec 20 un matériau de BST, les caractéristiques du résonateur étant constituées par l'empilement de couches suivant : - Une couche de matériau piézoélectrique : 300nm de BST - Des électrodes : 100nm de Pt - Des moyens pour appliquer une tension entre 0 et 32V 25 - Une surface de : 12µm x 12µm (500 à 8.5V) Les performances obtenues à 8.5V sont : - Une fréquence série Fs = 3.404GHz - Un coefficient de qualité dit série Qs = 157 - Une fréquence parallèle Fp = 3.565GHz 30 - Un coefficient de qualité dit parallèle Qp = 242 - Un coefficient de couplage Kt2 = 10.65% De l'ensemble des figures 8, 9, 10, 11 et 12 il est possible de tirer les éléments d'analyse suivants, mettant en évidence les propriétés d'un tel 35 résonateur. On note l'évolution de l'impédance du résonateur, liée à celle de la permittivité. On constate que le coefficient de couplage présente une évolution très rapide à champ faible, puis présente une variation faible. On repère également la forte dispersion de la résonance série en comparaison avec celle de la résonance parallèle. On note aussi qu'à champ fort, les deux résonances évoluent en sens contraire. C'est de cette analyse mise en face de besoins nouveaux en matière de fonction de filtrage dans l'auto-adaptation, que sont notamment issus, les éléments inventifs décrits dans la présente invention. Exemple de filtre adaptable en impédance selon l'invention : Le filtre adaptable en impédance comprend une structure en double lattice et des résonateurs à base de matériau de type pérovskite de BST. Les figures 13a, 13b et 13c présentent la réponse d'un tel filtre double lattice dont la tension continue appliquée simultanément sur les résonateurs du filtre prend les valeurs V1, V2 et V3. L'impédance caractéristique équivalente du filtre est donnée en conséquence dans le tableau suivant : Vdc (V) V1 =6V V2 = 19V V3 = 32V Zeq diff (Ça) 100 200 300 On constate que la fréquence centrale du filtre varie un peu de V1 à V3, et de façon plus significative entre V1 et V2 qu'entre V2 et V3. Ceci est dû au fait que les variations du coefficient de couplage et des fréquences de résonance des résonateurs sont plus fortes à basse tension qu'à haute tension, à l'image des courbes présentées en figures 8 à 12. On constate par ailleurs que l'impédance, elle, varie linéairement sur la même plage de variation en tension. Dans le présent exemple, la partie réelle de l'impédance caractéristique du filtre varie d'un facteur 3 (de 100 à 300 Ohms) entre V1 et V3. Le filtre présente une transmission en puissance maximum sur une bande comprise entre 3.3GHz et 3.485GHz, soit 185MHz (qu'on peut exprimer également en pourcentage de la fréquence centrale, soit 5.5% à 3.4GHz). En comparaison des 230MHz (soit 6.7% à 3.4GHz) obtenus pour V=V3, on peut potentiellement perdre 20% en largeur de bande. Le coefficient de réflexion, quant à lui, demeure satisfaisant, de l'ordre de -10dB sur la plage d'utilisation. Il est intéressant de réduire la plage de suivi en impédance, au profit 5 de la largeur de bande exploitable, permettant de s'affranchir des variations fortes à basse tension. Vdc (V) V1 = 13V V2 = 19V V3 = 32V Zeq diff (Ça) 150 200 300 Ainsi, en maintenant le suivi d'impédance entre 150 et 300 Ohms 1 o dans cet exemple (tension comprise entre 13V et 32V), la bande varie de seulement 5%. C'est ce qu'illustrent les figures 14a, 14b et 14c pour des tensions V1, V2 et V3 de 13, 19 et 32V. Selon la présente invention, il est ainsi proposé de réaliser un 15 dispositif d'adaptation d'impédance avec un filtre adaptable en impédance et de l'inclure dans une chaîne de transmission telle que celle illustrée en figure 15. Plus précisément cette chaîne d'amplification fonctionnant en dynamique, comprend un amplificateur de puissance PA, un capteur C dont la fonction est de relever une information sur la désadaptation de l'amplificateur, deux 20 éléments supplémentaires d'impédance EZ1 et EZ2 , le filtre adaptable en impédance Fadp, une antenne et un processeur P ayant pour rôle de piloter les éléments variables. Les éléments d'impédance permettent en combinaison avec le filtre à impédance adaptable de régler l'adaptation d'impédance en corrélation avec l'impédance de l'antenne susceptible de 25 présenter des dispersions. Plus précisément, le filtre adaptable en impédance est réalisé à partir de résonateurs de type BAW et dans une structure de type « Double Lattice », comprenant huit résonateurs référencés 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 et 8 30 agencés électriquement quatre à quatre en treillis, comme indiqué sur la figure 16. Chaque résonateur est piloté électriquement par un générateur de tension continue. Le filtre utilisé dans la présente invention pourrait tout aussi bien fonctionner avec un circuit de type « Ladder » en échelle, ou être de tout autre type comportant un agencement d'au moins deux résonateurs acoustiques, avec possiblement des éléments passifs d'autre nature, comme par exemple des inductances, des capacités ou des lignes de transmission. Un mode de réalisation possible pour chaque résonateur est l'empilement de type FBAR. Il s'agit d'un empilement technologique comprenant un substrat 10 évidé en face arrière, une membrane de support 11, et une couche de matériau électrostrictif 12 inséré entre deux électrodes métalliques 13 et 14 comme indiqué sur la figure 17, représentant la coupe 1 o transversale d'un tel résonateur. Selon cet exemple, les électrodes inférieures sont connectées quatre à quatre, et les électrodes supérieures, deux à deux, les résonateurs étant également avec des références possibles 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 et 8 en figure 18. Il est à noter que d'autres combinaisons de résonateurs correspondant au 15 schéma de la figure 16 seraient également possibles. Toutes les électrodes inférieures sont reliées à la masse DC à travers un dispositif assurant une isolation RF comme illustré en figure 18. Une tension continue identique est ici superposée aux signaux RF en entrée et en sortie du filtre. Selon cet exemple, toutes les tensions appliquées 20 peuvent être identiques pour tous les résonateurs grâce à l'agencement des résonateurs proposé. 25 30 REVENDICATIONS1. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant comportant au moins un filtre caractérisé en ce que ledit filtre est à impédance adaptable (Fadp) et comporte au moins deux résonateurs couplés à ondes acoustiques, au moins un des résonateurs comprenant un matériau de type pérovskite et des moyens pour appliquer une tension audit résonateur permettant d'en faire varier la permittivité et l'impédance. 2. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque résonateur comprend un matériau de type pérovskite. 3. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le filtre comporte des résonateurs à ondes de volume. 4. Dispositif d'adaptation d'un composant comportant au moins un filtre selon la revendication 3, caractérisé en ce que le filtre comporte des résonateurs à ondes de volume de type FBAR comportant un empilement de couches comprenant au moins une membrane de support et une couche de matériau de type pérovskite. 5. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que le filtre comporte des résonateurs à ondes de volume de type SMR comprenant au moins un réflecteur acoustique et une couche de matériau de type pérovskite. 6. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le matériau de type pérovskite est à base de Baryum-Strontium-Titanate (BST). 7. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le filtre comporte un ensemble de résonateurs montés en structure échelle et/ou en structure treillis. 8. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le filtre est couplé à d'autres éléments d'impédance. 10 9. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le composant est une antenne. 10. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une 15 des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le composant est un amplificateur. 11. Dispositif d'adaptation d'impédance d'un composant selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le composant est un 20 transistor. 12. Chaîne d'émission et/ou de réception radiofréquence comportant au moins un amplificateur (PA), une antenne (ANT) et un réseau d'adaptation d'impédance (MN) entre l'amplificateur et l'antenne, 25 caractérisée en ce que le réseau d'adaptation d'impédance comporte au moins un dispositif d'adaptation d'impédance selon l'une des revendications 1 àll.5