Brevet FR2973157A1 — publié le 20120928

Procédé de réalisation d'îlots de matériau contraint au moins partiellement relaxé La présente invention se rapporte au domaine de la fabrication de semiconducteurs. Plus particulièrement, la présente invention se rapporte à un processus destiné à la réalisation d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé. Les matériaux de type III - V sont devenus récemment le centre de beaucoup de recherches en raison d'une vaste gamme d'applications dans lesquelles ils surpassent les tranches classiques de silicium. Par exemple des matériaux III - V présentent d'excellentes performances pour des applications optoélectroniques, photovoltaïques et de puissance, telles que des cellules photovoltaïques, en particulier des cellules photovoltaïques à jonctions multiples, des diodes laser, des diodes LED, des diodes et beaucoup plus. Cependant, à la différence du silicium, la réalisation de tranches non épitaxiées de matériaux III - V est très onéreuse ou même, dans certains cas, impossible. Dans ces cas, une technique possible pour obtenir des structures non épitaxiées de matériaux III - V est de faire les croître de manière épitaxiale à partir d'un substrat formant germe. Par exemple, comme représenté sur la figure 6, il est possible d'utiliser un substrat donneur comportant des couches épitaxiales III - V contraintes, une couche III - V (GaN) et une couche contrainte 6130 (InGaN) en plus sur laquelle est déposée une couche conforme ou de faible viscosité 6120, réalisée en borophosphosilicate BPSG, c'est-à-dire du SiO2 qui contient par exemple 4,5 % de bore et 2 % de phosphore et présente une température de transition de verre d'environ 800 °C, ou tout autre matériau conforme. La couche contrainte est transférée sur un nouveau substrat intermédiaire 6110 par l'intermédiaire de la couche de borophosphosilicate, ou tout autre matériau conforme, par un traitement de type Smart CutTM donnant pour résultat la structure 6100. Lors de l'exécution d'une étape de relaxation, par exemple en augmentant la température de la structure 6100, la couche contrainte peut être partiellement relaxée en faisant s'écouler la couche de faible viscosité, le flux étant une déformation plastique par opposition à la relaxation élastique d'îlots contraints. Cependant une telle étape de relaxation S61 souffre d'un problème connu sous la dénomination de gauchissement. Plus particulièrement, la couche résultante au moins partiellement relaxée d'InGaN 6231 présente une forme ondulée, due à la contrainte du réseau libéré au moins partiellement dans la direction D1. De plus, dans la structure 6200, la couche 6221 peut également être voilée. Les problèmes de gauchissement mentionnés ci-dessus peuvent être réduits par un processus de fabrication tel que celui illustré sur la figure 7 et connu d'après le document du brevet EP2151852A1. Comme on peut le voir sur la figure 7, une structure 7100 inclut un substrat de support, constitué par exemple de Si, SiC, Ge ou saphir, 7110 une couche conforme ou de relaxation, par exemple du BPSG, un composé de SiO2 comprenant du bore B (BSG) ou du phosphore P (BPG), 7120 et des îlots de matériau contraint, par exemple de l'InGaN, 7130. La structure 7100 est ensuite soumise à une étape de relaxation S71 en chauffant la structure 7100 et en faisant s'écouler la couche conforme. La structure résultante 7200 inclut des îlots 7231 d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé. La relaxation au moins partielle des îlots 7231 résulte en une couche conforme allongée 7221, au moins au niveau de l'interface avec les îlots 7231. Pendant une autre étape de dépôt S72, une couche enterrée 7340 est déposée sur les îlots 7231 du matériau au moins partiellement relaxé. Au sommet de la couche enterrée 7340, un second substrat de support 7350 est ensuite soudé pour enterrer la couche 7340. La structure résultante 7300 comprend de ce fait des îlots 7231 d'un matériau au moins partiellement relaxé, lesquelles sont reliés à la fois au premier substrat de support 7110 par l'intermédiaire de la couche 7221 et au second substrat de support 7350 par l'intermédiaire de la couche 7340. Pendant une autre étape de transfert S73, la structure 7400 incluant les îlots 7231 du matériau au moins partiellement relaxé, la couche enterrée 7340 et le second substrat de support 7350 sont séparés de la structure 7300. La séparation peut être obtenue, par exemple, par décollement par laser qui comprend l'illumination d'une couche absorbante entre le substrat et les îlots 7231 grâce à un laser. En variante, la séparation pourrait être obtenue en éliminant à la fois le substrat de support 7110 et la couche formant germe allongée 7221, par exemple par polissage chimico mécanique (CMP) ou également par implantation d'ions dans la couche formant germe (7120) et en chauffant ensuite la structure 7300. À ce point, une croissance épitaxiale de structures 7560 au moins partiellement relaxées, en utilisant les îlots 7231 comme germes, peut être exécutée dans une étape S74. De même, en régulant la valeur de la relaxation pendant l'étape S71, on peut commander les caractéristiques physiques telles que le paramètre du réseau, la faible densité de dislocation, le degré de relaxation des structures 7560 au moins partiellement relaxées. Cependant, un tel processus présente encore certains inconvénients. Il requiert un nombre élevé d'étapes et le phénomène de gauchissement peut encore apparaître en fonction de la taille des îlots. De plus, lorsque la contrainte sur le matériau contraint est élevée, un craquage et une délamination de l'lnGaN peuvent être observés. La contrainte peut dépendre de la mauvaise correspondance de réseau entre la couche formant germe et les îlots ainsi que de l'épaisseur des îlots. Plus l'épaisseur est grande, plus la contrainte est élevée. Dans le cas d'îlots d'InGaN et d'une couche formant germe en GaN, plus la valeur de ln dans l'InGaN est élevée, plus grandes sont la mauvaise correspondance de réseau et la contrainte. Le but de la présente invention est donc d'améliorer le processus en réduisant la quantité d'étapes et en réduisant en outre le phénomène de gauchissement. Le but mentionné ci-dessus est obtenu grâce au procédé conforme à la revendication 1. Le procédé conforme à l'invention est un procédé consistant à former des îlots d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé sur un substrat cible comprenant l'une quelconque des étapes consistant à : a) former des îlots du matériau contraint sur un côté d'un premier substrat, b) souder le premier substrat, sur le côté incluant les îlots du matériau contraint, sur le substrat cible, et c) après l'étape de soudure, séparer le premier substrat du substrat cible et relaxer au moins partiellement les îlots du matériau contraint grâce à un premier traitement thermique. En exécutant le procédé de l'invention, il est possible d'obtenir des îlots d'un matériau au moins partiellement relaxé qui sont reliés à un substrat de transfert, et le phénomène de gauchissement peut être encore réduit grâce à la présence à la fois du premier substrat et du substrat cible sur les deux côtés des îlots pendant l'étape b). Dans certains modes de réalisation, le procédé peut en outre comprendre l'étape d) consistant à former une couche de matériau de préhension et/ou une couche de matériau de relaxation sur les îlots du matériau contraint, la couche de matériau de préhension améliorant l'adhérence entre les îlots et la couche de matériau de relaxation. Grâce à la formation de la couche d'un matériau de relaxation, la soudure entre les deux substrats peut être facilitée. Dans certains modes de réalisation, le substrat cible peut inclure sur sa surface une couche de matériau de liaison et, pendant l'étape b), la soudure peut apparaître entre la couche de matériau de relaxation et la couche d'un matériau de liaison. Dans certains modes de réalisation, le matériau de relaxation et le matériau de liaison peuvent être du BPSG ou tout matériau qui s'écoule à une température de transition du 10 verre comprise entre 600 et 1000 °C. Dans certains modes de réalisation, la couche de liaison peut comprendre une couche d'absorption de rayonnement électromagnétique tel qu'une couche de SiXNy:H. Dans certains modes de réalisation, l'étape de relaxation au moins partielle des îlots peut inclure les étapes consistant à chauffer le premier substrat soudé et le substrat cible à 15 environ la température de transition du verre de la couche de relaxation, de préférence de 600 °C à 1000 °C, pendant quelques heures, de préférence de 2 à 6 heures. Dans certains modes de réalisation, l'étape c) peut consister en une relaxation élastique. Dans certains modes de réalisation, après l'étape c), la topologie de surface des îlots du matériau au moins partiellement relaxé peut être maintenue en dessous de 10 nm RMS et 20 de préférence 6 nm mesurés par métrologie Zygo sur un champ d'approximativement 140 micromètres par 100 micromètres. Dans certains modes de réalisation, le procédé peut en outre comprendre l'étape e) consistant à former une couche formant germe sur le côté du premier substrat, avant l'étape a), dans lequel, pendant l'étape a), les îlots du matériau contraint peuvent être 25 formés sur la couche formant germe. Dans certains modes de réalisation, la couche formant germe peut être constituée de l'un quelconque de GaN, de tous matériaux semiconducteurs, du silicium, d'alliages III - V, de matériaux III - N, d'alliages binaires, ternaires, quaternaires tels que de l'AIGaN ou de l'Al InGaN. Dans certains modes de réalisation, le procédé peut en outre comprendre l'étape f), avant l'étape b), consistant à implanter une espèce ionique dans une zone à l'intérieur de la couche formant germe sur le premier substrat, ou dans le premier substrat, afin de former une couche de faiblesse. En implantant des ions dans une zone à l'intérieur de la couche du matériau au moins partiellement relaxé, il est possible, pendant l'étape c), en plus de relaxer au moins partiellement les îlots, de transférer les îlots depuis le premier substrat vers le substrat cible par un affaiblissement de la couche du matériau au moins partiellement relaxé. Grâce au fait que la relaxation et le transfert sont obtenus en une seule étape, on peut réduire le nombre d'étapes nécessaires. Dans certains modes de réalisation, pendant l'étape c), le traitement thermique peut être exécuté de telle sorte que la couche de faiblesse soit séparée. Grâce à ce procédé, la relaxation des îlots et l'affaiblissement de la zone implantée avec des ions peuvent être obtenus pendant le même traitement thermique. De plus, en exécutant ce procédé, les îlots peuvent être au moins partiellement relaxés, l'apparition d'un gauchissement peut être gênée et il ne se produit aucune délamination. Le substrat cible est un substrat de support et de renforcement en même temps et il favorise une relaxation latérale sans gauchissement. Dans certains modes de réalisation, pendant l'étape c), la séparation et la relaxation peuvent apparaître simultanément. Dans certains modes de réalisation, les îlots du matériau contraint au moins partiellement relaxé soudé au substrat cible, peuvent être séparés et déplacés physiquement à distance du premier substrat. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur d'une couche double, composée du matériau contraint et de la couche formant germe qui peut être séparée du premier substrat, peut se situer dans la plage de 150 à 500 nm. Dans certains modes de réalisation, l'étape a) peut en outre comprendre la formation de tranchées dans le premier substrat ou dans la couche formant germe en suivant la forme des îlots de matériau contraint, et la couche de faiblesse peut être formée en dessous desdites tranchées. Dans certains modes de réalisation, pendant le premier traitement thermique, la température de chauffage peut être modifiée à une vitesse se trouvant dans la plage de 1 °C/min à 50 °C/min, de préférence de 1 °C/min à 20 °C/min. Dans certains modes de réalisation, le procédé peut en outre inclure l'étape g) d'un second traitement thermique à environ la température de transition du verre de la couche de relaxation, lequel peut être exécuté après avoir déplacé physiquement le matériau contraint au moins partiellement relaxé à distance du premier substrat. Dans certains modes de réalisation, le procédé peut en outre comprendre l'étape h), pendant ou avant l'étape g), consistant à amincir la couche formant germe. En exécutant l'amincissement avant l'étape g) du second traitement thermique, la relaxation des îlots peut être facilitée par la quantité réduite de matériau formant germe de renforcement. Dans certains modes de réalisation, les étapes g) et h) peuvent être répétées jusqu'à ce que les îlots soient pratiquement relaxés. Dans certains modes de réalisation, la couche d'un matériau de relaxation et/ou la couche d'un matériau de liaison peuvent être en partie ou complètement formées en motifs en suivant des îlots de matériau contraint avant l'étape g) et/ou l'étape h) afin de faciliter la relaxation complète. Dans certains modes de réalisation, le matériau contraint peut être de l'InGaN contraint incluant de préférence de l'indium entre 3 et 20 %, plus préférentiellement entre 5 et 15 %, du SiGe contraint ou un matériau III - V contraint. Dans certains modes de réalisation, l'un quelconque du premier substrat et du substrat cible peuvent être constitués de l'un quelconque parmi le saphir, le silicium, le SiC ou le Ge, le premier substrat et le substrat cible étant de préférence identiques ou présentant un coefficient semblable de dilatation thermique. Un coefficient semblable de dilatation thermique aide à éviter des dilatations différentes des substrats pendant le traitement thermique, ce qui affaiblirait la structure. Dans certains modes de réalisation, la taille des îlots peut se trouver dans la plage allant d'environ 300 nm par 300 nm à quelques millimètres par quelques millimètres et peut présenter une forme quelconque. Dans certains modes de réalisation, les îlots de matériau au moins partiellement relaxé peuvent être soudés sur un substrat final, et le substrat cible peut être séparé par décollement par laser. Par exemple, un quelconque du premier substrat, du substrat intermédiaire et du substrat cible peut être en saphir qui est transparent au rayonnement électromagnétique d'un laser Ar / F fournissant une lumière de 193 nm. Si l'écoulement du processus utilise un substrat de silicium ou un substrat de SiC, le décapage ou le polissage du substrat peut être utilisé pour l'éliminer, et/ou le substrat peut ne pas être recyclé et être détruit. Un second transfert d'InGaN relaxé par une seconde soudure sur un troisième substrat et un processus de décollement par laser peuvent permettre de faire à nouveau croître par épitaxie le matériau III - V sur la face en Ga. Dans certains modes de réalisation, les îlots de matériau au moins partiellement relaxé peuvent être soudés au substrat final par une couche d'oxyde non conforme présentant une température de transition du verre au-dessus de 1000 à 1200 °C. La présente invention peut en outre se rapporter à une couche de travail d'un matériau III - V, Il - VI ou IV relaxé que l'on peut faire croître de manière épitaxiale sur les îlots d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé obtenu grâce au procédé de l'un quelconque des précédents modes de réalisation. La présente invention peut en outre se rapporter à un composant optoélectronique et/ou photovoltaïque tel qu'une diode LED, un laser, une cellule solaire, formé dans ou sur la couche de travail conformément au mode de réalisation précédent. Les dessins annexés sont incorporés dans la description et forment une partie de celle-ci afin d'illustrer plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Ces dessins, avec la description, servent à expliquer les fonctions, les avantages et les principes de l'invention. Les dessins ne servent que dans le but d'illustrer des exemples préférés et en variante des possibilités de réalisation et d'utilisation de l'invention, et ils ne doivent pas être interprétés comme limitant l'invention aux seuls modes de réalisation illustrés et décrits. D'autres fonctions et avantages deviendront évidents d'après ce qui suit et une description plus particulière des divers modes de réalisation de l'invention, telle qu'elle est illustrée dans les dessins annexés, dans lesquels des références identiques se rapportent à des éléments identiques et dans lesquels : les figures 1 à 5 sont des dessins simplifiés illustrant un processus de formation d'îlots d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé conformément à la présente invention, la figure 6 est un dessin simplifié illustrant un processus de formation de couche de matériau contraint au moins partiellement relaxé conformément à l'état de la technique, et la figure 7 est un dessin simplifié illustrant un processus de formation d'îlots de matériau contraint au moins partiellement relaxé conformément à l'état de la technique. Les figures illustrent les étapes détaillées d'un processus de formation d'îlots d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé conformément à un mode de réalisation de la présente invention. Comme on peut le voir sur la figure 1, une structure 1100 inclut un premier substrat de support 1110, une couche formant germe 1120 et une couche de matériau contraint 1130. Le substrat de support 1110 pourrait être du saphir (AI2O3) ou du silicium, du SiC ou du Ge. La couche formant germe 1120 est une couche monocristalline et pourrait être du GaN. La couche de matériau contraint 1130 est une couche cristalline, de préférence un matériau monocristallin et pourrait être de l'InGaN, présentant une concentration élevée d'indium dans l'InGaN si le but est d'obtenir un paramètre élevé de réseau après la relaxation en vue de l'épitaxie du matériau relaxé d'InGaN pour former une couche de travail à son sommet, de préférence supérieure à 7 à 8 % jusqu'à 15 %. L'épaisseur de la couche formant germe 1120 pourrait se trouver dans la plage d'au moins 2 gm afin de diminuer la densité de dislocation sur la surface. L'épaisseur de la couche de matériau contraint 1130 pourrait se trouver dans la plage allant de 50 nm à 300 nm en fonction du pourcentage d'indium. Les réseaux atomiques de la couche formant germe 1120 et de la couche de matériau contraint 1130 sont différents lorsque les matériaux des couches 1120 et 1130 sont dans leur état naturel non contraint c'est-à-dire, avec un paramètre nominal de réseau. Cependant, lorsque l'on fait croître de manière épitaxiale la couche 1130 au sommet de la couche 1120, grâce à une croissance pseudomorphe, ceci résulte en une contrainte du matériau cristallin de la couche 1130. Par exemple, si la couche 1120 est du GaN et que la couche 1110 est du saphir, on fait croître le GaN sur le saphir qui n'a pas le même paramètre de réseau que celui du GaN, de sorte que la couche de GaN est contrainte. En 9 outre, par exemple, si la couche 1130 est de l'InGaN, elle peut conserver le paramètre de réseau de la couche formant germe en GaN qui a conservé le paramètre de réseau du substrat en saphir 1110. Comme l'lnGaN comporte plus de mauvaises correspondances de réseau par rapport au saphir que par rapport au GaN, la couche d'InGaN peut être plus contrainte que la couche de GaN. En variante, la structure 1100 pourrait comprendre d'autres couches entre le substrat de support 1110 et la couche formant germe 1120 et/ou entre la couche formant germe 1120 et la couche de matériau contraint 1130. Pendant une formation en motifs ultérieure à l'étape S11, un ou plusieurs trous ou tranchées 1240 sont alors réalisés dans la structure 1100, par exemple en utilisant l'ablation par lithographie ou par laser, en obtenant ainsi la structure 1200. Comme on peut le voir sur la figure 1, le trou 1240 réalise une découpe au travers de la couche de matériau contraint 1130 et au moins à l'intérieur de la couche formant germe 1120, ce qui crée ainsi au moins deux îlots 1231 de matériau contraint. La profondeur 1241 du trou 1240, le long de la direction Dl, est au moins plus longue que l'épaisseur de la couche de matériau contraint 1130. Plus préférentiellement, la profondeur est plus longue que la profondeur de la zone de faiblesse formée par une implantation ultérieure dans la couche formant germe 1120. La largeur 1242 du trou 1240 le long de la direction D2 pourrait se trouver dans la plage allant de 5 gm à 50 µm par exemple, de préférence entre 5 et 10 µm. Plus la largeur 1242 le long de la direction D2 est petite, plus il est facile de réaliser la dernière étape de transfert des îlots de matériau contraint 1231. De manière caractéristique, on peut obtenir une largeur 1242 du trou 1240 de l'ordre de 8 µm. Comme illustré sur la figure 2, une ou plusieurs étapes de dépôt S21 sont effectuées pour déposer au moins l'une d'une couche d'un premier matériau de liaison ou de préhension 2151, une couche d'un second matériau de liaison ou de relaxation 2150 et une couche d'un matériau diélectrique 2153 ou toute couche d'oxyde et éventuellement la même que le matériau de préhension ou le matériau de relaxation. En fonction de la manière dont sont effectuées les étapes de dépôt, deux structures résultantes pourraient être obtenues : la structure 2100 A et la structure 2100B. Dans la première variante, la structure 2100A est obtenue en remplissant le trou 1240 par l'intermédiaire d'une étape de dépôt d'une couche de matériau diélectrique 2153 sur la structure 1200, le matériau diélectrique 2153 présentant une épaisseur correspondant à au moins la profondeur 1241 du trou 1240, et par une étape d'exécution d'un polissage CMP de façon à éliminer des îlots 1231 de matériau contraint le matériau diélectrique 2153 en excès, ce qui laisse ainsi le matériau diélectrique seul à l'intérieur du trou 1240. À la suite d'une telle étape de remplissage, une couche d'un matériau de préhension 2151 et ensuite une couche d'un matériau de relaxation 2150 sont déposées, les deux couches 2151 et 2150 présentant une épaisseur combinée 2154 le long de la direction Dl. Dans la seconde variante, la structure 2100B est obtenue en déposant un matériau de préhension 2151 et ensuite en déposant une couche de matériau de relaxation 2150 présentant une épaisseur combinée 2154 le long de la direction Dl. Sur la figure 2, l'épaisseur combinée 2154 est plus courte que la profondeur 1241 du trou 1240. Les deux couches de matériau 2150, 2151 résulteraient de ce fait en des îlots 2152 B de matériaux 2150, 2151 comme représenté dans la structure 2100B. Le matériau diélectrique 2153 pourrait être un oxyde de silicium, par exemple tout matériau qui peut être poli et aplani par polissage CMP. Le matériau de relaxation 2150 dans ce mode de réalisation est du BPSG, mais il pourrait également être toute couche conforme pour l'étape de relaxation. De manière générale, il pourrait être tout matériau qui s'écoule entre une température de transition du verre de 600 et de 1000 °C, par exemple une couche de BPSG qui contient 4,5 % de bore et 2 % de phosphore et se situe aux alentours de 850 °C. Plus préférentiellement, le matériau ne libère aucune particule contaminante pendant un traitement thermique. L'utilisation d'un tel matériau peut permettre une meilleure soudure avec le substrat cible 3170 comme décrit ultérieurement, en particulier dans le cas où le même matériau 3190 est également prévu sur le substrat cible 3170. L'épaisseur de la couche du matériau de relaxation 2150 le long de la direction Dl est, de manière caractéristique, dans la plage de 300 nm à plus de 1 µm, de préférence elle présente une valeur d'environ 500 nm. Le matériau de préhension 2151 dans ce mode de réalisation est du SiO2, mais il pourrait également être un quelconque matériau qui permet une forte adhérence entre un matériau III - N et du BPSG. Le SiO2 peut être déposé par dépôt PECVD et un traitement thermique peut être appliqué afin de réaliser un dégazage et de rendre plus dense la couche afin de fournir l'effet d'adhérence le plus fort. L'utilisation de SiO2 permet une meilleure adhérence entre la couche de matériau contraint 1130, ou les îlots 1231, et le matériau de préhension 2151. L'épaisseur de la couche du matériau de préhension 2151 le long de la direction Dl est inférieure à celle du matériau de relaxation 2150 et pourrait se trouver dans la plage de 10 nm à 100 nm, de préférence à une valeur de 50 nm. Dans une troisième variante non représentée sur la figure 2, seul le matériau de relaxation 2150 pourrait être déposé à la place de la couche de matériau de préhension 2151 et du matériau de relaxation 2150. Encore en variante, plus de deux matériaux pourraient être déposés. L'étape de dépôt S21 de la couche de préhension 2151 et du matériau de relaxation 2150 pourrait être exécutée par toute technique appropriée telle que le dépôt LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur à basse pression), le dépôt PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) ou toutes autres techniques. À la suite du dépôt du matériau de relaxation 2150, une étape de chauffage pourrait être exécutée pour l'une quelconque des structures 2100A et 2100B afin de densifier les matériaux 2150 et 2151 en même temps. L'étape de chauffage pourrait être exécutée en insérant l'une quelconque des structures 2100A et 2100B dans une enceinte de chauffage à une température supérieure à la température de dépôt et en dessous de la température d'écoulement pendant une durée se trouvant dans la plage de 1 heure à 4 heures, de préférence une heure. Ce recuit dépend des propriétés des matériaux dans la structure 2100A et 2100B. Une étape d'implantation ionique S22 pourrait ensuite être effectuée sur l'une quelconque des structures 2100A et 2100B, ce qui aurait respectivement pour résultat les structures 2200A et 2200B. L'étape d'implantation implante une espèce ionique, par exemple des ions d'hydrogène et/ou d'hélium, dans la couche formant germe 1120 afin de former une zone prédéterminée de séparation 2260, 2261. Comme on peut le voir sur la figure 2, différentes zones d'implantation 2260 et 2261 pourraient être obtenues, lesquelles présenteraient des profondeurs différentes le long de la direction Dl, en fonction de l'énergie d'implantation. Par exemple, une épaisseur plus mince 2260 est obtenue grâce à des énergies d'implantation dans la plage de 60 KeV à 90 KeV. Une profondeur plus importante 2261 pourrait être obtenue grâce à des énergies d'implantation dans la plage de 100 KeV à 130 KeV. En régulant la profondeur de la zone d'implantation à l'intérieur de la couche formant germe 1120, on peut commander respectivement l'épaisseur 2262 ou 2263 de la couche formant germe 1120 séparée et de la couche de matériau contraint 1130 ou des îlots 1231 jusqu'à la zone d'implantation 2260 ou 2261. De manière caractéristique, l'épaisseur 2262, 2263 se trouve dans une plage de 100 nm à 500 nm. Cette implantation peut être réalisée par l'intermédiaire de la couche de relaxation 2150. L'épaisseur 2262 et 2263 commence depuis le fonds de la couche 1130 d'InGaN contrainte jusqu'au sommet des flèches 2262 et 2263 sur la figure 2. Cette couche sera transférée avec une couche III - V contrainte et une couche 1120 de GaN qui fournit une partie de l'effet de renforcement présent dans le flux du processus. Plus l'implantation est profonde, moins la couche de matériau contraint est endommagée par l'implantation. Cependant, pour une implantation plus profonde, il peut exister une contrainte supérieure dans le substrat soudé composé des couches 1120, 1130 et du substrat cible, ce qui peut résulter en une délamination. En variante, la profondeur de la zone d'implantation et l'épaisseur des couches 2150, 2151, 1130 et 1120 pourraient être régulées de façon à obtenir une zone d'implantation à l'intérieur du substrat de support 1110. En ce qui concerne la structure 2100B, en raison de la présence du trou 2140B, l'étape d'implantation ionique S22 résulte en des zones d'implantation 2260A et 2261A tout comme en des zones 2260B et 2261B. Les zones d'implantation 2260A et 2261A correspondent pratiquement aux zones d'implantation 2260 et 2261. Cependant, en raison de la présence du trou 2140B, les ions qui sont implantés au travers du trou atteindront un niveau plus profond dans la structure 2200B. Plus particulièrement elles résulteront en des zones d'implantation 2260B et 2261 B. Ensuite, une étape de soudure S31 est exécutée sur l'une quelconque des structures 2200A et 2200B en soudant respectivement la structure 2200A sur la structure 3100A ou la structure 2200B sur la structure 3100B, comme illustré sur la figure 3A. Comme on peut le voir sur la figure 3A, la structure 3100A ou 3100B inclut un substrat cible 3170, une couche de séparation ou une couche d'absorption 3180 et une couche de liaison 3190. Le substrat cible 3170 dans ce mode de réalisation est du saphir, mais il pourrait être également un quelconque substrat si le coefficient de dilatation thermique est semblable à celui du premier substrat, auquel cas il peut être un substrat transparent si un décollement par laser est requis dans le flux du processus. En option, le premier substrat et le substrat cible sont identiques ou présentent un coefficient semblable de dilatation 13 thermique afin d'éviter une dilatation thermique différente et toute délamination de couche pendant le traitement thermique. La couche de séparation 3180 de ce mode de réalisation est du SiXNy:H, mais elle pourrait être également l'un quelconque de couches de séparation et d'un substrat cible correspondant à la longueur d'onde de l'équipement de décollement par laser. Le substrat cible transparent en saphir peut être éliminé lors d'une étape ultérieure par un processus de décollement par laser pendant lequel la lumière laser entre par l'intermédiaire du substrat cible transparent 3170 et est absorbée par la couche3180. L'épaisseur de la couche de SiN 3180 pourrait se trouver dans la plage allant de 50 nm à 300 nm, de préférence 200 nm. La couche de liaison 3190 dans ce mode de réalisation est du BPSG, mais elle pourrait également être toute couche de matériau conforme. L'utilisation d'un tel matériau est avantageuse en ce qu'elle prouve un meilleur effet de soudure et de relaxation avec la couche de relaxation 2150 des structures 2100A, 2100B. L'épaisseur de la couche de liaison 3190 le long de la direction Dl pourrait se trouver dans la plage de 500 nm à 3 µm, de préférence 1 µm. L'étape de soudure S31 pourrait inclure une étape de polissage CMP consistant en l'exécution d'un polissage CMP à la fois sur la couche de liaison 3190 et sur la couche de matériau de relaxation 2150 afin d'obtenir une rugosité de la surface des deux couches 2150 et 3190 dans la plage de 5 Angstrôm RMS au maximum, de préférence une valeur inférieure à 5 Angstrôm RMS, mesurée par un microscope à force atomique (AFM) sur un champ dans la plage de 5 x 5 micromètres carrés. Le choix de telles valeurs de rugosité améliore la soudure. Ensuite, la structure 3100A est mise en contact avec la structure 3200A, ou la structure 3100B est mise en contact avec la structure 3200B pour lancer la soudure. Les structures soudées résultantes sont illustrées sur la figure 3B. La structure 3300B est pratiquement semblable à la structure 3300A, à l'exception de la zone 2140B entre deux îlots. Ensuite, par l'intermédiaire d'une étape de séparation et de relaxation, S41, les structures 4100A et 41008 sont respectivement obtenues à partir des structures 3300A et 3300B, comme illustré sur la figure 4. L'étape de séparation et de relaxation pourrait être réalisée en insérant la structure 3300A ou la structure 3300B dans une enceinte de chauffage et en exécutant les étapes de chauffage qui suivent : (i) démarrage à la température ambiante, puis (ii) chauffage jusqu'à une température située dans une plage allant de 50 °C à 250 °C et maintien de la température pendant une durée de 30 minutes à quelques heures, puis (iii) chauffage jusqu'à une température située dans une plage allant de 280 °C à 700 °C et maintien de la température pendant une durée située dans une plage de quelques minutes à plus de 20 heures en fonction des conditions de l'implant, puis (iv) chauffage jusqu'à une température située dans une plage de 400 °C à 900 °C en fonction des propriétés des couches conformes, et maintien de la température pendant une durée située dans une plage de 2 à 6 heures. À partir d'une première étape de chauffage jusqu'à la suivante, les changements de température sont réalisés à une vitesse située dans la plage allant de 1 °C/min jusqu'à 50 °C/min et plus, de préférence de 1 °C/min jusqu'à 20 °C/min pour la totalité de l'accélération et de la décélération ou du refroidissement. L'effet de l'étape de séparation et de relaxation S41 peut être vue sur les structures 4100A ou 4100B de la figure 4. Comme on peut le voir sur la figure 4, la structure 4100A ou la structure 4100B résulte de la séparation du substrat de support 1110 et d'une partie de la couche formant germe 1120 des structures 3300A et 3300B, respectivement. La partie de la couche formant germe 1120 séparée consiste en la partie de la couche formant germe 1120 qui est située entre la zone d'implantation ionique 2260, 2261 et le substrat de support 1110. De plus, l'étape de séparation et de relaxation S41 amène les îlots 1231 des matériaux contraints à se relaxer au moins partiellement grâce à l'écoulement de la couche de relaxation 2150 et de la couche de liaison 3190, ce qui forme ainsi des îlots 4132 d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé. Ceci peut être vu sur la figure 4, sur laquelle la longueur 4102 le long de la direction D2 de la couche contrainte formant germe 4120 est plus longue que la longueur originelle 3101 de n'importe quelle structure 3300A et 3300B le long de la direction D2. L'avantage d'effectuer à la fois la séparation et la relaxation en une seule étape de chauffage est que l'on peut réduire le nombre d'étapes. De plus, en maintenant une partie transférée de la couche formant germe 1120 (4121) et du premier substrat 1110 dans les structures 3300A et 3300B, la relaxation d'îlots 1231 de matériau contraint peut être obtenue sans gauchissement et, du point de vue élasticité, de telle sorte qu'aucune nouvelle défaillance cristalline telle qu'une dislocation soit formée, qu'aucune crique soit formée dans le matériau de l'îlot, et que n'apparaisse aucune délamination. En effet, la présence du premier substrat 1110 au sommet de la structure pendant l'étape de relaxation fournit un important effet de renforcement qui permet d'éviter le gauchissement et qui maintient la stabilité de la structure composite. En outre, si l'étape de séparation et de relaxation apparaît simultanément, les risques de manipulation et d'endommagement provenant de possibles éraflures avec le mandrin sont réduits. En ce qui concerne la structure 4100B, les mêmes effets sont observés à l'exception de ce que la structure 4100B inclut en outre entre les îlots un trou 4191 B dérivant du trou 2140B. Ensuite, et en option, une étape supplémentaire de relaxation et d'amincissement S42 pourraient être exécutée sur les structures 4100A ou 4100B, ce qui aurait ainsi pour résultat les structures 4200A et 4200B. Les couches conformes 4191 et 4151 sur le substrat cible peuvent également être au moins formées en motifs en suivant les bords d'îlots existants afin de faciliter la relaxation si nécessaire. L'étape de relaxation et d'amincissement S42 pourrait être réalisée en insérant l'une quelconque des structures 4100A et 4100B dans une enceinte de chauffage et en chauffant l'enceinte dans une plage de 800 °C à 1000 °C pendant une période dans une plage de 1 heure à 8 heures. De plus, avant, pendant ou après le processus de chauffage, la couche contrainte formant germe 4121 pourrait être amincie, donnant pour résultat une épaisseur réduite 4204 par comparaison à l'épaisseur 4103 des structures 4100A ou 4100B. Ceci présente l'effet de faire s'écouler la couche conforme de BPSG 4151 et la couche conforme 4191, de telle sorte qu'au moins une partie de la contrainte par compression dans les îlots 4132 du matériau contraint au moins partiellement relaxé peut effectuer une relaxation, et le paramètre de réseau est augmenté. Ceci peut être vu sur la figure 4, dans 16 laquelle, à des fins d'illustration, la longueur 4203 le long de la direction D2 des îlots au moins relaxés 4233 et plus importante que la longueur 4102 des îlots moins relaxés 4232. Les mêmes effets sont obtenus pour la structure 4200B à l'exception de ce que la structure 4200B inclut en outre un trou 4191 B dérivant du trou 2140B. Conformément à d'autres variantes, l'étape de relaxation et d'amincissement S42 pourrait également être exécutée plus d'une seule fois afin d'effectuer en outre progressivement une relaxation des îlots 4132 du matériau contraint au moins partiellement relaxé tout en empêchant encore tout gauchissement dû à la présence de la couche 4222. Ensuite, comme on peut le voir sur la figure 5, une étape supplémentaire de relaxation et d'amincissement S51 est exécutée sur les structures 4200A et 4200B, ce qui donne ainsi pour résultat les structures 5100A et 5100B. L'étape de relaxation et d'amincissement S51 pourrait être réalisée en insérant l'une quelconque des structures 4200A et 4200B dans une enceinte de chauffage et en chauffant l'enceinte dans une plage de 800 °C à 1000 °C pendant une période dans une plage de 1 heure à 8 heures. De plus, avant, pendant ou après le processus de chauffage, la couche 4222 pourrait être amincie ce qui aurait éventuellement pour résultat l'élimination totale de la couche 4222. Ceci présente l'effet de transporter au moins partiellement la contrainte des îlots 4132 du matériau contraint au moins partiellement relaxé sur la couche du matériau contraint de préhension et/ou sur la couche contrainte de liaison 4292, et/ou sur la couche 4252, résultant respectivement en une couche de matériau contraint de préhension et/ou en une couche contrainte de liaison 5193 et/ou en une couche 5153. Ceci peut être vu sur la figure 5, sur laquelle la longueur 5104 le long de la direction D2 des îlots 5134 du matériau contraint au moins partiellement relaxé des structures 5100A et 5100B est plus importante que la longueur 4203 de la couche contrainte formant germe 4222 et des îlots 4233 du matériau contraint au moins partiellement relaxé des structures 4200A et 4200B. Les mêmes effets sont obtenus pour la structure 5100B à l'exception de ce qu'elle inclut en outre un trou 4191 B dérivant du trou 2140B. Les îlots relaxés peuvent être transférés sur un substrat final tel que du saphir afin de recouvrir la bonne polarité et d'avoir une couche de liaison qui présente une viscosité élevée entre un îlot et le substrat final, l'élément - III faisant face au Ga. La soudure peut être une soudure directe ou bien être effectuée avec des couches de viscosité élevée, ou avec une couche non conforme ou qui présente une température de transition du verre au-dessus de 1000 °C, telle que du SiO2, de telle sorte qu'aucun écoulement n'apparaisse pendant le traitement thermique de l'épitaxie. Le second transfert peut être réalisé par un décollement par laser si une couche absorbante de Sl Ny:H peut être prévue entre le substrat cible et les îlots. L'une quelconque des couches 3180, 5193, 5153, 2151 et 5134 et les nouvelles couches de liaison peuvent être transférées sur le substrat final. Durant l'étape de croissance S52, on faire croître par épitaxie les structures 5000 constituées d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé en utilisant comme germes les îlots 5134 du matériau contraint au moins partiellement relaxé. Le matériau des structures 5000 pourrait être identique au matériau des îlots 5134. En variante, il pourrait être un matériau différent présentant une structure de réseau atomique compatible, tels que des matériaux III - N, II - VI ou des matériaux IV. De préférence, on fait croître les structures 5000 lorsque les îlots de matériau sont transférés sur le substrat final comportant une couche de viscosité élevée. Alors on peut éliminer totalement l'une quelconque des couches 3180, 3193, 5153 et 2151. Cette dernière étape pourrait inclure des étapes de polissage CMP et/ou de décapage. Une fois la couche 5134 au sommet de la structure finale, on pourrait obtenir par épitaxie la nouvelle croissance de I'InGaN sur le matériau contraint relaxé. Si le matériau contraint relaxé n'est pas polaire, la nouvelle croissance peut être obtenue par épitaxie directement sur la couche 5134 représentée dans l'étape S52. Les mêmes effets sont obtenus sur la structure 5200B à l'exception de ce que la structure 5200B inclut en outre un trou 4191 B dérivant du trou 2140B. La quantité de relaxation des structures 5000 et, par correspondance, des îlots 5134 de matériau contraint partiellement relaxé, peut être régulée précisément en commandant le nombre de fois où est exécutée l'étape de relaxation et d'amincissement S42. De préférence, les îlots sont pratiquement relaxés à la fin du flux du processus de telle sorte que la structure 5000 est également pratiquement relaxée. Du fait que la couche formant germe 4222 n'est éliminée que vers la fin du processus, on peut empêcher l'apparition de gauchissement grâce au substrat restant 1110 pendant l'étape de relaxation. Le processus conforme au mode de réalisation et aux variantes de la présente invention, qui sont décrits ci-dessus, permet ainsi de réduire le nombre d'étapes alors que dans le même temps on obtient une relaxation des matériaux contraints III - V, dans laquelle on peut empêcher pour l'essentiel tout gauchissement. En outre, la présente invention réduit le craquage et le délamination observés dans la technique antérieure grâce à la présence du premier substrat pendant l'étape de relaxation. REVENDICATIONS1. Procédé destiné à la formation d'îlots d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé sur un substrat cible, incluant les étapes suivantes : a) la formation (S11) d'îlots (1231) du matériau contraint sur un côté du premier substrat (1110), caractérisé par : b) la soudure (S31) du premier substrat sur le côté incluant les îlots du matériau contraint sur le substrat cible (3170), et c) après l'étape de soudure, la séparation du premier substrat du substrat cible et la relaxation au moins partielle (S41) des îlots du matériau contraint grâce à un premier traitement thermique. 2. Procédé selon la revendication 1 incluant en outre l'étape suivante : d) la formation (S21) d'une couche (2151) d'un matériau de préhension et/ou d'une couche (2150) de matériau de relaxation par-dessus les îlots du matériau contraint, la couche de matériau de préhension améliorant l'adhérence entre les îlots et la couche de matériau de relaxation. 3. Procédé selon la revendication 2 dans lequel : le substrat cible inclut par-dessus sa surface une couche (3190) d'un matériau de liaison, et pendant l'étape b), la soudure apparaît entre la couche de matériau de relaxation et la couche de matériau de liaison. 1925 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le matériau de relaxation et le matériau de liaison sont du BPSG ou tout matériau qui s'écoule à une température de transition du verre comprise entre 600 et 1000 °C. 5. Procédé selon la revendication 4 dans lequel la couche de liaison peut comprendre une couche d'absorption de rayonnement électromagnétique telle qu'une couche de SiXNy:H. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5 dans lequel : l'étape de relaxation au moins partielle des îlots inclut les étapes consistant à chauffer le premier substrat soudé et le substrat cible à environ la température de transition du verre de la couche de relaxation, de préférence de 600 °C à 1000 °C, pendant quelques heures, de préférence de 2 à 6 heures. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel l'étape c) consiste en une relaxation élastique. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, après l'étape c), la topologie de surface des îlots du matériau au moins partiellement relaxé est maintenue en dessous de 10 nm RMS et de préférence 6 nm mesurés par métrologie Zygo sur un champ d'approximativement 140 micromètres par 100 micromètres. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 incluant en outre l'étape suivante : e) la formation d'une couche formant germe (1120) sur le côté du premier substrat avant l'étape a), dans lequel pendant l'étape a), les îlots du matériau contraint sont formés sur la couche formant germe. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la couche formant germe est constituée de l'un quelconque de GaN, de tous matériaux semiconducteurs, du silicium, d'alliages III - V, de matériaux III - N, d'alliages binaires, ternaires, quaternaires tels que de l'AIGaN ou de l'AIInGaN. 11. Procédé selon la revendication 9 ou 10 incluant en outre l'étape suivante : f) avant l'étape b), l'implantation (S22) d'une espèce ionique dans une zone (2260, 2261) à l'intérieur de la couche formant germe sur le premier substrat, ou dans le premier substrat, afin de former une couche de faiblesse. 12. Procédé selon la revendication 11 dans lequel : pendant l'étape c), le traitement thermique est exécuté de telle sorte que la couche de faiblesse soit séparée. 13. Procédé selon la revendication 12 dans lequel : pendant l'étape c), la séparation et la relaxation apparaissent simultanément. 14. Procédé selon la revendication 12 ou 13 dans lequel : 20 les îlots du matériau contraint au moins partiellement relaxé soudé au substrat cible, sont séparés et déplacés physiquement à distance du premier substrat. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel l'épaisseur d'une couche double, composée du matériau contraint et de la couche formant germe, qui 25 est séparée du premier substrat, se situe dans la plage de 150 à 500 nm.15 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, dans lequel l'étape a) comprend en outre la formation de tranchées dans le premier substrat ou dans la couche formant germe en suivant la forme des îlots de matériau contraint, et la couche de 5 faiblesse est formée en dessous desdites tranchées. 17. Procédé selon la revendication 1 à 16 dans lequel : pendant le premier traitement thermique, la température de chauffage est modifiée à une vitesse se trouvant dans la plage de 1 °C/min à 50 °C/min, de préférence dans la plage de 1 °C/min à 20 °C/min. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 17 incluant en outre l'étape suivante : g) un second traitement thermique (S42) à environ la température de transition du verre de la couche de relaxation, exécuté après avoir déplacé physiquement 15 le matériau contraint au moins partiellement relaxé à distance du premier substrat. 19. Procédé selon la revendication 18 incluant en outre l'étape suivante : h) pendant ou avant l'étape g), l'amincissement (S42) de la couche formant 20 germe. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel les étapes g) et h) sont répétées jusqu'à ce que les îlots soient pratiquement relaxés. 25 21. Procédé selon la revendication 19 ou 20, dans lequel la couche (2150) d'un matériau de relaxation et/ou la couche (3190) d'un matériau de liaison sont en partie ou 10complètement formées en motifs en suivant les îlots de matériau contraint avant l'étape g) et/ou l'étape h) afin de faciliter la relaxation complète. 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 21, dans lequel le matériau contraint est de l'InGaN contraint incluant de préférence de l'indium entre 3 et 20 %, plus préférentiellement entre 5 et 15 %, du SiGe contraint ou un matériau III - V contraint. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 22, dans lequel l'un quelconque du premier substrat et du substrat cible sont constitués de l'un quelconque parmi le saphir, le silicium, le SiC ou le Ge, le premier substrat et le substrat cible étant de préférence identiques ou présentant un coefficient semblable de dilatation thermique. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 23, dans lequel la taille des îlots peut se trouver dans la plage allant d'environ 300 nm par 300 nm à quelques millimètres par quelques millimètres et peut présenter une forme quelconque. 25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 24, dans lequel les îlots de matériau au moins partiellement relaxé sont soudés à un substrat final, et le substrat cible est séparé par décollement par laser. 26. Procédé selon la revendication 25, dans lequel les îlots de matériau au moins partiellement relaxé sont soudés au substrat final par une couche d'oxyde non conforme présentant une température de transition du verre au-dessus de 1000 à 1200 °C. 25 27. Couche de travail d'un matériau III - V, Il - VI ou IV relaxé que l'on fait croître de manière épitaxiale sur les îlots d'un matériau contraint au moins partiellement relaxé obtenu grâce au procédé de l'une quelconque des revendications 1 à 26.2024 28. Composant optoélectronique et/ou photovoltaïque tel qu'une diode LED, un laser, une cellule solaire, formé dans ou sur la couche de travail conformément à la revendication 27.