Brevet FR2965396A1 — publié le 20120330

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un substrat démontable, son procédé de fabrication et 5 son procédé de démontage. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION La réalisation d'un substrat démontable, c'est-à-dire un substrat duquel on peut retirer une couche, dite "démontable", présentant des propriétés particulières, est un problème qui 10 se pose de longue date dans l'industrie électronique, optique ou optoélectronique, notamment lors de la fabrication de composants. On peut se référer par exemple aux documents US 6159323 (transfert sélectif d'une puce) ou US2004/222500. Ainsi, par exemple, il serait souhaitable, à l'issue d'un procédé de fabrication de composants dans une couche supérieure d'un substrat, dite "couche active", de pouvoir 15 démonter ladite couche active en totalité ou, sélectivement une partie de celle-ci, comme par exemple une puce. Dans ce cas, la couche démontable inclut au minimum ladite couche active, voire présente une épaisseur plus importante. Dans la suite de la description et des revendications, l'expression "couche active" désigne une couche qui comprend tout ou partie de composants destinés à l'industrie 20 électronique, optique ou optoélectronique, et l'expression "couche démontable", la couche apte à être démontée. Ce procédé de démontage doit respecter plusieurs contraintes : il ne doit pas faire subir de dommages à la couche active et doit laisser la surface de la couche active séparée dans un état ne nécessitant pas ou peu de post-traitement. 25 De préférence, ce procédé doit permettre le recyclage du reste du substrat, et il doit être le plus simple et le moins onéreux possible. Différents procédés ont été explorés, mais sans procurer l'ensemble des avantages escomptés. Un but de la présente invention est donc de concevoir un substrat démontable, son 30 procédé de fabrication et son procédé de démontage, qui procurent l'ensemble des avantages évoqués ci-dessus. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION A cet effet, l'invention propose un substrat démontable pour l'industrie électronique, optique et/ou optoélectronique, comprenant une couche démontable reposant sur une zone fragilisée enterrée. Conformément à l'invention, cette zone fragilisée enterrée est constituée d'un matériau semi-conducteur, plus dense à l'état liquide qu'à l'état solide, et comprenant par endroits des précipités d'impuretés naturellement volatiles. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, prises seules ou en combinaison : - ce substrat comprend une couche active de composants électronique, optique et/ou optoélectronique, formée dans et/ou sur ladite couche démontable ; - ladite zone fragilisée enterrée est en silicium, et les impuretés naturellement volatiles sont choisies parmi l'arsenic et l'antimoine. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat démontable. II comprend les étapes consistant à : - a) fournir un substrat, dit "intermédiaire", qui comprend une zone de fragilisation enterrée en un matériau semi-conducteur, plus dense à l'état liquide qu'à l'état solide, dopé à l'aide d'impuretés naturellement volatiles, et une couche démontable qui s'étend entre cette zone de fragilisation enterrée et l'une des faces dite "avant" de ce substrat, - b) effectuer une fusion localisée de la totalité de ladite zone de fragilisation ou d'une partie de celle ci, de façon à créer au moins une surface libre entre le matériau liquéfié de ladite zone de fragilisation et un volume de gaz, puis la laisser recristalliser de façon à former une zone, dite "fragilisée", qui présente par endroits des précipités d'impuretés naturellement volatiles. Selon d'autres caractéristiques de ce procédé, prises seules ou en combinaison : - ladite zone de fragilisation enterrée est formée par implantation desdites impuretés naturellement volatiles, au sein de la couche de matériau semi-conducteur plus dense à l'état liquide qu'à l'état solide ; - ladite zone de fragilisation enterrée et la couche démontable sont formées par dépôt par épitaxie ; - l'étape b) de fusion localisée est répétée au moins une fois ; - il comprend également une étape consistant à former une couche active de composants électroniques, optiques et/ou optoélectroniques, dans et/ou sur ladite couche démontable ; - ladite couche active est formée après l'étape de fusion ; - ladite couche active est formée avant l'étape de fusion ; - ladite zone de fragilisation est en silicium et les impuretés naturellement volatiles implantées sont choisies parmi l'arsenic et l'antimoine ; - la dose d'impuretés naturellement volatiles implantées est comprise entre 1015 et 1017 at/cm2 ; - l'épaisseur de la zone fragilisée est comprise entre 100 nm (100 nanomètres) et 10 pm (10 micromètres) ; - la zone de fragilisation enterrée est plus absorbante vis-à-vis du rayonnement infrarouge que le reste du substrat intermédiaire et l'étape b) comprend l'application d'un rayonnement infrarouge ; - ledit rayonnement est appliqué au moyen d'un laser infrarouge ; - la durée d'application du traitement infrarouge est comprise entre 10 ns (10 nanosecondes) et 10 ps (10 microsecondes). Enfin, l'invention concerne un procédé de démontage du substrat démontable précité. II comprend les étapes consistant à : - coller un substrat receveur sur au moins une partie de la surface libre de ladite couche démontable, - appliquer des contraintes mécaniques et/ou thermiques, de façon à détacher ladite couche démontable, du reste du substrat, le long de ladite zone fragilisée enterrée. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lumière de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A à 1E représentent les différentes étapes d'un mode de fabrication d'un substrat démontable conforme à l'invention, - les figures 2A à 2E représentent les différentes étapes d'un autre mode de fabrication d'un substrat démontable conforme à l'invention, - les figures 3A et 3B représentent les deux premières étapes d'un autre mode encore de fabrication d'un substrat démontable conforme à l'invention, - les figures 4, 5 et 6 sont des vues de détail, agrandies, de la zone fragilisée dudit substrat démontable, ces figures représentant des exemples des différents phénomènes physiques survenant lors de l'étape de fragilisation utilisant un faisceau laser, - les figures 7A et 7B représentent les étapes successives d'un premier mode de réalisation du procédé de démontage dudit substrat démontable, et - les figures 8A et 8B les étapes successives d'un second mode de réalisation dudit procédé de démontage. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION On va maintenant décrire en liaison avec les figures 1A à 1E, un premier mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un substrat démontable conforme à l'invention. En référence à la figure 1A, on considère un substrat de départ 1, duquel on cherche à démonter une couche. On définit pour ce substrat 1, une face avant 1A, qui correspond à la face du substrat du côté de laquelle la couche démontable sera formée, et une face arrière 1B qui est opposée à la couche avant 1A. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 1A et 2A, le substrat de départ 1 est constitué d'une couche unique de matériau, dite "couche de départ 10". On parle alors de substrat massif. Conformément à l'invention, cette couche de départ 10 est réalisée dans un matériau choisi parmi les matériaux semi-conducteurs qui sont moins denses à l'état solide qu'à l'état liquide. De ce fait, ils occupent plus de place sous forme solide que sous forme liquide. On citera par exemple le silicium et le germanium. La couche de départ 10 peut éventuellement être de type n ou p ou intrinsèque. Selon une variante non représentée sur les figures, le substrat de départ 1 peut également être multicouches, dès lorsqu'il comprend une couche d'un matériau semi-conducteur, moins dense à l'état solide qu'à l'état liquide, qui constitue la couche de départ 10. En référence à la figure 1B, une première étape du procédé comprend l'introduction, par implantation ionique au sein de la couche de départ 10, d'impuretés dites "naturellement volatiles". De préférence, après cette implantation, la couche de départ 10 subit un traitement thermique dit "de recuit" (ordre de grandeur typique 1000°C, une heure) permettant de restituer la cristallinité de la couche et de rendre électriquement actives les impuretés naturellement volatiles si ces dernières sont dopantes. Par "impuretés naturellement volatiles", on désigne dans la suite de la description et des revendications, des impuretés qui présentent une courbe de tension de vapeur en fonction de la température, croissant fortement avec la température, c'est-à-dire qui présentent une tension de vapeur de 100 Pascal au moins pour une température inférieure ou égale à 900°C. Par ailleurs, de préférence, les longueurs de diffusion thermique de ces impuretés naturellement volatiles dans le matériau à l'état solide composant ladite couche de départ 10 sont faibles, comparées à l'épaisseur de cette couche 10. Ainsi, pendant les traitements thermiques nécessaires à l'élaboration de composants sur le substrat (qui seront décrits ultérieurement), la distance parcourue par ces impuretés sera faible. On notera également que si la somme du budget thermique de recuit de la couche implantée et du budget thermique de réalisation des composants est équivalente à l'application d'une température T (exprimée en degré Celsius) pendant une durée t (exprimée en secondes) et que l'épaisseur de la couche de départ 10 est E, alors il faudra respecter la règle suivante : D.t E où D représente le coefficient de diffusion thermique des impuretés naturellement volatiles implantées dans un matériau donné. A titre d'exemple, si la somme des budgets thermiques précités est équivalente à l'application d'une température de 1 100°C pendant 2 heures, soit 7 200 secondes et que E est égale à 2 pm, alors il faudra que : D.t 2.104 cm soit : D 5,5.10-12 cm2/s Or, les tables des coefficients de diffusion thermique de l'arsenic et de l'antimoine montrent qu'à la température de 1100°C, ces coefficients de diffusion dans le silicium se situent dans la gamme des 1.10-14 cm2/s. La règle précédente est donc bien respectée. Ainsi, au cours des traitements thermiques nécessités par la fabrication ultérieure des composants pour l'industrie électronique, optique ou opto-électronique, ces impuretés naturellement volatiles ne migrent pas ou peu. En conséquence, dans le cas où la couche de départ 10 est du silicium, lesdites impuretés sont choisies avantageusement parmi l'arsenic (As) et l'antimoine (Sb), pris isolément ou en combinaison, l'antimoine étant moins volatil que l'arsenic mais moins apte à diffuser dans le silicium. De préférence, ces impuretés sont implantées avec une dose comprise entre 1015 et 1017 at/cm2. A l'issue de cette étape d'implantation et de l'étape éventuelle de recuit thermique, lesdites impuretés naturellement volatiles se trouvent distribuées à l'intérieur d'une zone 3, dite "de fragilisation". Si ces impuretés sont implantées avec une énergie suffisante, la zone de fragilisation 3 est ménagée à une certaine profondeur dans la couche de départ 10 et délimite avec la face avant 1A, une couche démontable 2. Dans le cas contraire, ces impuretés se trouvent au niveau de la face avant 1A ou à une profondeur très faible à l'intérieur de la couche 10. Dans ces deux cas, la couche démontable 2 sera soit formée intégralement par épitaxie, soit rendue plus épaisse également par épitaxie. Une autre possibilité de fabrication du substrat intermédiaire 1' va maintenant être décrite en faisant référence aux figures 3A et 3B. Dans ce cas, on utilise une couche de départ 10, sur laquelle on vient déposer par épitaxie, une couche 3 d'un matériau choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, monocristallins qui sont moins denses à l'état solide qu'à l'état liquide. Cette couche 3 est alors dopée à l'aide d'impuretés naturellement volatiles, telles que celles décrites précédemment, de façon à former la zone de fragilisation 3. Enfin, la couche démontable 2 est déposée, également par épitaxie, sur la zone de fragilisation 3 (voir figure 3B). Cette technique permet d'avoir, si on le souhaite, une couche de départ 10 et une couche 3 dans des matériaux différents. Quelle que soit la variante de réalisation utilisée pour former la zone de fragilisation 3, son épaisseur est de préférence comprise entre 100 nm et 10 pm. On obtient ainsi un substrat dit "intermédiaire", référencé 1'. Bien que cela ne soit pas représenter sur les figures, on notera que cette zone de fragilisation 3 pourrait éventuellement n'être formée que sur une partie de la couche 10, à condition de n'introduire les impuretés que sur une partie de la couche 3. Comme on peut le voir sur la figure 1C, on procède ensuite à la formation de composants électroniques, optiques ou optoélectroniques, par des étapes de dépôt, de lithographie, de gravure et de traitements thermiques, bien connues de l'homme du métier et qui ne seront pas décrites ici plus en détails. Ces composants sont formés dans ou sur ladite couche démontable 2. On obtient ainsi une couche de composants, dite "couche active" 4 qui peut s'étendre sur la totalité de la face avant 1A (comme représenté sur la figure 1C) ou sur une partie de celle-ci uniquement. On effectue ensuite, comme représenté sur la figure 1 D, un traitement visant à transformer la zone de fragilisation 3 en une zone fragilisée 3'. Pour ce faire, on applique par la face arrière 1B du substrat 1, un flux lumineux, par exemple au moyen d'un faisceau laser F. Le choix du laser et de ses caractéristiques est guidé par l'application des règles suivantes : - sa longueur d'onde doit être telle, que le flux lumineux ne soit pas absorbé avant d'atteindre la zone de fragilisation 3 et soit par contre absorbé sélectivement par cette zone 3.; - la durée de l'impulsion doit être telle que le dépôt d'énergie soit sensiblement adiabatique, c'est-à-dire qu'il n'y ait pas ou quasiment pas d'échanges de chaleur avec les matériaux constituant les couches 2 et 10, situées de part et d'autre de la zone de fragilisation 3. Ceci se traduit par le respect de l'inéquation suivante : Dti Ainsi, à titre d'exemple, pour un coefficient de diffusivité thermique à haute température dans le silicium de 0,1 cm2/s et une épaisseur de la zone 3 de 1 pm, la durée ti de la pulsation du laser doit être inférieure à 100.10-9 s, (100 nanosecondes). - la densité d'énergie de la pulsation doit être suffisante pour faire fondre toute l'épaisseur de la zone de fragilisation 3, localement, c'est-à-dire au niveau de la zone traitée par le faisceau laser. A titre d'exemple purement illustratif, dans le cas où le substrat 1 est en silicium et où la zone de fragilisation 3 contient des impuretés d'antimoine (Sb), on choisira un laser infrarouge (par exemple CO2). On notera que le phénomène de fusion peut également s'étendre légèrement de part et d'autre de la zone de fragilisation 3, par exemple dans la couche démontable 2 ou dans la couche de départ 10, (c'est-à-dire sous la zone de fragilisation 3). Le matériau constituant la couche 3 présente la particularité d'être moins dense à l'état solide qu'à l'état liquide. A titre d'exemple, le silicium présente une densité à l'état liquide de l'ordre de 2,57, qui est supérieure d'environ 10% à sa densité à l'état solide (de l'ordre de 2,33). De ce fait, le matériau présent au niveau de la zone de fragilisation 3 occupe plus de place sous forme solide que liquide. II en résulte que la liquéfaction de la zone de fragilisation enterrée 3 conduit à l'apparition d'un volume libre, c'est-à-dire non occupé par une phase solide ou liquide et 2965396 s corrélativement à la formation d'au moins une surface interne libre pour la phase liquide du matériau qui a fondu. La surface libre ainsi formée peut se présenter sous de multiples formes, dont trois exemples sont illustrés sur les figures 4 à 6. 5 Dans la variante représentée sur la figure 4, le matériau liquéfié de la zone de fragilisation 3 (référencé 3a) s'étend au contact de la couche de départ 10 et des portions de la zone de fragilisation 3 non liquéfiées situées de part et d'autre. II présente par ailleurs une surface interne libre 31 orientée vers le haut de la figure 4, c'est-à-dire en regard de la couche démontable 2. Le volume libre 32 s'étend entre cette surface libre 31 et la couche 10 démontable 2. La figure 5 représente la situation inverse, dans laquelle le matériau liquéfie 3a s'étend au contact de la couche démontable 2 et des portions de la zone de fragilisation 3 non liquéfiées, mais ne vient pas au contact de la couche de départ 10. Le volume libre 32 s'étend alors entre la surface libre 31 et la couche 10. 15 Enfin, la figure 6 représente une situation dans laquelle il existe plusieurs volumes libres 32, répartis sous forme de bulles au sein du matériau liquéfié 3a. A l'intérieur de la portion de matériau liquéfié 3a, les impuretés naturellement volatiles que contenait la couche 3 à l'état solide, s'échappent à travers la (les) surface(s) libre(s) 31 en direction du (des) volume(s) libre(s) 32 qui s'est (se sont) formé(s). Ce volume libre 32 20 contient du gaz. Lorsque le faisceau laser est retiré, le matériau liquéfié 3a se recristallise. Toutefois, lors du refroidissement du matériau, les impuretés naturellement volatiles n'ont pas le temps de se réincorporer en totalité dans le matériau recristallisé. De ce fait, elles restent piégées au niveau de l'ultime position de la surface libre 31 du matériau 3a, au 25 moment de sa disparition du fait de sa resolidification, ou à proximité immédiate de cette position. En d'autres termes, ces impuretés naturellement volatiles se trouvent piégées à l'interface ou aux interfaces situées entre le matériau recristallisé de la zone de fragilisation 3 et la couche démontable 2 ou entre la zone 3 et la couche de départ 10, ou bien encore à 30 l'intérieur de la zone de fragilisation 3. De ce fait, la concentration en impuretés naturellement volatiles excède, au moins par endroits, la solubilité limite de ces impuretés dans le matériau de la zone 3, ce qui conduit à leur précipitation sur une épaisseur de quelques plans atomiques. II se forme donc, par endroits, des défauts constitués d'impuretés concentrées se présentant, par exemple sous forme de précipités, insérés dans le réseau cristallin. Ceci a pour effet de déformer ce dernier et de le mettre sous contrainte. La présence, après recristallisation, de ces impuretés sous forme de précipités, dans la zone de fragilisation 3 ou dans son voisinage, conduit ainsi à la formation autour de ces précipités, de défauts secondaire cristallins, tels que des dislocations, des boucles, des amorces de ruptures, des fautes d'empilement, ou encore des amas de lacunes. La présence des précipités et de ces défauts secondaires induits fragilise cette zone 3 et facilite le détachement de la couche démontable 2, par exemple au moyen de contraintes mécaniques et/ou thermiques, comme cela sera décrit ultérieurement. Par souci de concision, on désignera par «précipité d'impuretés naturellement volatiles», l'ensemble des défauts résultant du piégeage des impuretés au niveau des volumes libres 32 qui disparaissent lors de la resolidification. Comme décrit ci-dessus, cette dénomination comprend donc les précipités eux-mêmes ainsi que les défauts secondaires induits. A titre d'exemple, lorsque le matériau du substrat de départ 1 est du silicium, le coefficient de diffusion thermique des impuretés du type antimoine ou arsenic, dans le silicium liquide, est de l'ordre de 104 cm2/s. Pour une durée de recristallisation de l'ordre de la microseconde et une concentration initiale en impuretés de l'ordre de 102° .cm-3, une quantité de l'ordre de 1015 impuretés par cm2 restent piégées au niveau de l'interface 31 précitée lors de la resolidification. Cette très forte concentration d'impuretés, supérieure à 1015 at/cm2 sur une épaisseur de quelques plans atomiques, correspond une concentration volumique qui peut atteindre en moyenne quelques 1021 at/cm3 et qui se trouve donc au delà de la solubilité limite de ces impuretés. En conséquence, ceci aboutit à la fragilisation de la zone 3 qui devient une zone fragilisée 3'. L'application du flux lumineux est effectuée localement sur une surface correspondant aux dimensions du faisceau laser, soit sous forme d'impulsions, soit sous forme d'un flux laser continu balayé sur toute ou partie de la face arrière 1B du substrat, de façon à fragiliser l'étendue nécessaire. On peut ainsi traiter toute la surface du substrat pour transférer la totalité de la couche démontable 2. On peut également traiter une étendue plus limitée, de manière à ne transférer ultérieurement qu'une partie de la couche démontable 2, comme par exemple une puce. Le traitement lumineux peut également être répété plusieurs fois, si nécessaire, afin d'augmenter successivement la densité d'impuretés et d'atteindre le degré de fragilisation désiré, afin de faciliter le démontage de la couche démontable 2. Les impuretés qui s'évaporent de la phase liquide ne peuvent provenir que d'une épaisseur faible sous la surface, de l'ordre de la longueur de diffusion en phase liquide. De ce fait, la quantité d'impuretés est limitée. Si l'on répète l'opération de traitement au laser plusieurs fois, on augmente la quantité d'impuretés que l'on fait sortir de la phase liquide. Par ailleurs, on notera que le chauffage induit par la fusion de la zone de fragilisation 3 étant transitoire, il n'engendre aucun effet thermique sur la couche active 4. Les performances des composants de cette couche sont donc préservées. Le substrat démontable ainsi obtenu, qui inclut la zone fragilisée 3' porte la référence 1". On va maintenant décrire en liaison avec les figures 2A à 2E, un troisième mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un substrat démontable conforme à l'invention. Les éléments identiques à ceux représentés sur les figures 1A à 1E portent les mêmes références numériques et ne seront pas décrits de nouveau. Ce troisième mode de réalisation diffère du premier, en ce que la couche active 4 de composants est formée non seulement après la formation de la zone de fragilisation 3, mais également après sa transformation en zone fragilisée 3'. Les autres étapes sont identiques. De ce fait, le traitement laser peut être appliqué indifféremment sur la face avant 1A ou sur la face arrière 1B, sans risque d'endommager les composants et surtout sans interférence de ceux-ci sur le trajet du faisceau lumineux. Enfin, selon un autre mode de réalisation non représenté sur les figures, il est également possible de former la couche active 4 sur la face avant 1A, avant la formation de la zone de fragilisation 3. On peut également envisager d'appliquer le traitement laser avant et après la fabrication des composants, l'ensemble de ces traitements contribuant à fragiliser le substrat au niveau de la zone de fragilisation 3. Le démontage du substrat démontable va maintenant être décrit plus en détails, en référence avec les figures 7A à 8B. Selon une première variante de réalisation illustrée sur la figure 7A, on applique un substrat receveur 5 sur la couche active 4 du substrat démontable 1", par collage par adhésion moléculaire ou par toute autre méthode permettant de solidariser le substrat receveur 5 à la couche active 4. On applique ensuite des contraintes mécaniques à l'empilement de couches ainsi formées, de part et d'autre de la zone fragilisée 3 ou au niveau de celle-ci, par exemple par application de forces de cisaillement, par application d'un jet de fluide ou d'une lame au niveau de ladite zone fragilisée 3'. On peut également appliquer des contraintes thermiques. La couche démontable 2, qui inclut la couche active 4 est ainsi transférée sur le substrat receveur 5, comme illustré sur la figure 7B. Selon une seconde variante de réalisation illustrée sur la figure 8A, on applique un substrat receveur 6 de plus petites dimensions que le substrat démontable 1", de façon à ne démonter qu'une partie de la couche démontable 2, selon les mêmes principes de collage et détachement que ceux décrits ci-dessus. On peut ainsi détacher un seul composant à la demande (par exemple une seule puce). Si, comme représenté sur la figure 8A, seule une partie de la zone de fragilisation 3 a été fragilisée, le faisceau laser est de nouveau appliqué sur le reste 1"a du substrat démontable, de façon à fragiliser soit une partie de la zone 3, soit la totalité. On peut ensuite appliquer un deuxième substrat receveur sur le reste du substrat démontable 1"a et soit procéder au détachement d'un second composant, puis réitérer cette opération jusqu'à avoir prélevé la totalité des composants de la couche active 4, soit procéder au détachement de la totalité du reste de la couche démontable. Grâce à ce procédé de démontage, les composants de la couche active 4 sont transférés sans être endommagés et la couche démontable 2 ne nécessite pas ou peu de traitement post-détachement. Ce procédé est très souple dans son utilisation en raison du caractère modulable du détachement. Enfin, il est possible de recycler le reste du substrat de départ, par exemple pour une utilisation dans la fabrication d'un substrat démontable, comme décrit ci-dessus. On donnera ci-après un exemple de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat démontable. Exemple : On a utilisé comme substrat de départ une couche 10 en silicium faiblement dopé n (1015/cm3). On a formé dessus par épitaxie une zone de fragilisation 3, en silicium monocristallin fortement dopé en antimoine (Sb), (par exemple dopage 2.1019at/cm3), de 3 pm d'épaisseur. Enfin, on a également formé, par épitaxie, une couche démontable 2 en silicium faiblement dopé n dans les mêmes proportions que le substrat de départ, cette couche présentant une épaisseur de 5 pm. On a appliqué ensuite sur la face arrière 1B, un spot laser CO2 à impulsions, qui fournit une énergie de 3J/cm2 pendant une centaine de nanosecondes, le spot pouvant avoir un diamètre de l'ordre de 200 pm à 500 pm. La surface du substrat a été balayée plusieurs fois en laissant refroidir le substrat entre 5 deux passages, par exemple pendant quelques 10 ms. A l'issue de cette étape de fragilisation de la zone 3, on a formé des composants dans ou sur la couche démontable 2. On a enfin procédé au démontage de la couche démontable 2 et des composants en appliquant un substrat receveur 5 contre la face avant du substrat 1, c'est-à-dire la face 10 portant les composants, puis en appliquant des forces mécaniques au niveau de la zone de fragilisation. La couche démontable 2 a ainsi été transférée sur le substrat receveur. REVENDICATIONS5 1. Substrat démontable (1") pour l'industrie électronique, optique et/ou optoélectronique, comprenant une couche démontable (2) reposant sur une zone fragilisée enterrée (3'), caractérisé en ce que cette zone fragilisée enterrée (3') est constituée d'un 10 matériau semi-conducteur, plus dense à l'état liquide qu'à l'état solide, et comprenant par endroits des précipités d'impuretés naturellement volatiles. 2. Substrat démontable selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une couche active (4) de composants électronique, optique et/ou optoélectronique, formée dans et/ou sur ladite couche démontable (2). 15 3. Substrat démontable selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite zone fragilisée enterrée (3') est en silicium, en ce que les impuretés naturellement volatiles sont choisies parmi l'arsenic (As) et l'antimoine (Sb). 4. Procédé de fabrication d'un substrat démontable (1") caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : 20 - a) fournir un substrat (1'), dit "intermédiaire", qui comprend une zone de fragilisation enterrée (3) en un matériau semi-conducteur, plus dense à l'état liquide qu'à l'état solide, dopé à l'aide d'impuretés naturellement volatiles, et une couche démontable (2) qui s'étend entre cette zone de fragilisation enterrée (3) et l'une des faces (1A) dite "avant" de ce substrat, 25 - b) effectuer une fusion localisée de la totalité de ladite zone de fragilisation (3) ou d'une partie de celle ci, de façon à créer au moins une surface libre (31) entre le matériau liquéfié (3a) de ladite zone de fragilisation et un volume de gaz (32), puis la laisser recristalliser de façon à former une zone (3'), dite "fragilisée", qui présente par endroits des précipités d'impuretés naturellement volatiles. 30 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite zone de fragilisation enterrée (3) est formée par implantation desdites impuretés naturellement volatiles, au sein de la couche de matériau semi-conducteur plus dense à l'état liquide qu'à l'état solide. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite zone de fragilisation enterrée (3) et la couche démontable (2) sont formées par dépôt par épitaxie. 7. Procédé selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que l'étape b) de fusion localisée est répétée au moins une fois. 8. Procédé selon l'une des revendications 4 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend également une étape consistant à former une couche active (4) de composants électroniques, optiques et/ou optoélectroniques, dans et/ou sur ladite couche démontable (2). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite couche active (4) est formée après l'étape de fusion. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite couche active (4) est formée avant l'étape de fusion. 11. Procédé selon l'une des revendications 4 à 10, caractérisé en ce que ladite zone de fragilisation (3) est en silicium et en ce que les impuretés naturellement volatiles implantées sont choisies parmi l'arsenic et l'antimoine. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la dose d'impuretés naturellement volatiles implantées est comprise entre 1015 et 1017 at/cm2. 13. Procédé selon l'une des revendications 4 à 12, caractérisé en ce que l'épaisseur de la zone fragilisée (3') est comprise entre 100 nm et 10 pm. 14. Procédé selon l'une des revendications 4 à 13, caractérisé en ce que la zone de fragilisation enterrée (3) est plus absorbante vis-à-vis du rayonnement infrarouge que le reste du substrat intermédiaire (1') et en ce que l'étape b) comprend l'application d'un rayonnement infrarouge. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit rayonnement est appliqué au moyen d'un laser infrarouge. 16. Procédé selon la revendication 14 ou 15, caractérisé en ce que la durée d'application du traitement infrarouge est comprise entre 10 ns et 10 bas. 17. Procédé de démontage du substrat démontable (1") selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - coller un substrat receveur sur au moins une partie de la surface libre de ladite couche démontable (2), appliquer des contraintes mécaniques et/ou thermiques, de façon à détacher 30 ladite couche démontable (2), du reste du substrat, le long de ladite zone fragilisée enterrée (3'). 35