Brevet FR2965932A1 — publié le 20120413

Procédé de caractérisation de défaut électrique affectant un circuit électronique, dispositif associé et support d'enregistrement d'informations L'invention a pour domaine celui des procédés de caractérisation de défaut électrique affectant un circuit électronique, ainsi que les dispositifs pour mettre en ceuvre de tels procédés. L'analyse de défaillance est une étape importante dans la phase de développement des circuits électroniques, en particulier des circuits électroniques destinés à être intégrés au sein d'un boîtier fermé (« package »). En effet, lorsqu'un circuit est identifié comme défectueux, il est impératif d'en déterminer la cause pour prendre les mesures correctives adaptées afin que ce défaut n'affecte pas les circuits devant être produits à l'avenir. Lorsqu'il s'agit d'un défaut électrique du type court-circuit entre deux pistes conductrices du circuit ou du type discontinuité de la conductivité le long d'une piste conductrice du circuit, une des questions auxquelles doit répondre l'analyse de défaillance est la localisation de ce défaut, et plus généralement la caractérisation de ce défaut. Une technique de localisation de défaut connue est la technique MCI (pour « Magnetic Current Imaging »). Cette technique permet de réaliser une cartographie des courants circulant dans un circuit. Au moyen d'une sonde extrêmement sensible (par exemple du type SQUID), la composante selon une direction, par exemple la direction Z, du champ magnétique rayonné par le circuit disposé dans un plan XY, est mesurée en différents points d'une surface de référence. Il s'agit ensuite d'inverser la cartographie du champ magnétique ainsi obtenue, en utilisant des transformations de Fourier inverses, afin d'obtenir une cartographie des sources du champ magnétique mesuré, c'est-à-dire des courants circulant dans le circuit. Puis, en comparant la cartographie des courants obtenue à partir du circuit défectueux et une cartographie des courants obtenue à partir d'un circuit dont on sait qu'il fonctionne correctement, il est possible de localiser le défaut affectant le circuit défectueux testé. La résolution théorique de la technique MCI est d'environ la moitié de la taille de la sonde utilisée, de 15 lm dans l'exemple d'une sonde SQUID. La technique MCI est fortement limitée par la distance entre une source du champ magnétique et la sonde. En pratique, les sources se situant à plus de 5 à 6 mm de la sonde ne peuvent pas être détectées isolément et contribuent à l'incertitude de la mesure. Un autre problème provient du fait que la technique MCI ne mesure que la composante selon la direction Z du champ magnétique. Les composantes selon les 2 directions X et Y ne sont pas mesurées. De ce fait, les courants circulant selon la direction Z, c'est-à-dire dans l'épaisseur du circuit, et qui n'ont aucun contribution à la composante selon la direction Z du champ magnétique, ne peuvent être détectés. Ces courants ne peuvent donc pas être identifiés par la technique MCI. Enfin, la technique MCI modélise les courants circulant dans le circuit par des distributions de courant circulant dans le plan XY du circuit. La technique MCI est ainsi spécifique à la localisation de défaut dans des circuits bidimensionnels (2D). Mais, arrive sur le marché une nouvelle génération de circuits dits circuits 3D, réalisés par l'empilement de puces. Dans ces circuits 3D, il peut etre prévu un plan de masse. Or, dans le cas d'un court-circuit avec le plan de masse, le courant du court-circuit s'écoule d'abord sensiblement selon l'épaisseur du circuit pour rejoindre le plan de masse, et, une fois dans le plan de masse, s'écoule ensuite de manière diffuse à travers le plan de masse vers une patte de sortie du circuit. La technique MCI ne peut donc pas détecter le courant de court-circuit, ni lorsqu'il s'écoule vers le plan de masse, ni lorsqu'il s'écoule dans le plan de masse : dans le premier cas il s'écoule selon la direction Z (épaisseur du circuit) ; dans le second cas son intensité est trop faible et il est trop éloigné de la sonde pour que le champ magnétique qu'il génère soit analysable à l'aide de cette technique. En conséquence, pour ces circuits 3D, on en revient aux techniques d'analyse destructives du circuit défectueux, qui consistent à déconditionner celui-ci. Ces techniques ne donnent pas de bons résultats puisque, bien souvent, lors de la destruction du circuit, le défaut que l'on cherche à caractériser est altéré. L'invention a donc pour but de répondre aux problèmes précités en proposant un procédé de localisation de défaut non destructif qui soit plus rapide à mettre en ceuvre et plus précis que les techniques connues, et qui avantageusement, permette de prendre en compte les courants circulant dans l'épaisseur du circuit et ceux circulant dans le plan de masse du circuit. Pour cela l'invention a pour objet un procédé de caractérisation d'un défaut électrique affectant un circuit électronique, consistant à réaliser une cartographie réelle du champ magnétique en mesurant, au moyen d'une sonde, en différents points autour du circuit, au moins une composante du champ magnétique rayonné par le circuit placé dans un état de fonctionnement prédéterminé, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : a) appliquer une transformation à une hypothèse initiale sur la nature du défaut, pour obtenir une hypothèse courante, la transformation étant apte à modifier la valeur d'un paramètre caractéristique du défaut ; b) superposer l'hypothèse courante à une topologie initiale du circuit pour obtenir une topologie courante ; c) simuler, aux différents points prédéterminés, ladite au moins une composante du champ magnétique généré par la topologie courante, de manière à obtenir une cartographie simulée courante ; d) estimer la valeur courante d'une fonction de corrélation entre la cartographie mesurée et la cartographie simulée courante ; et, e) itérer les étapes a) à d) pour rechercher un maximum de la fonction de corrélation en modifiant la valeur dudit paramètre caractéristique du défaut, la valeur du paramètre caractéristique correspondant audit maximum permettant de déterminer, avec l'hypothèse initiale sur la nature du défaut, une valeur dudit paramètre du défaut réel. Suivant les modes particuliers de réalisation, le procédé comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le procédé comporte une étape initiale de configuration d'une hypothèse initiale (Hyp_0) consistant à choisir un type de défaut élémentaire et à définir la valeur initiale d'au moins un paramètre du défaut ; - le type de défaut élémentaire est choisi parmi les types segment et réseau de résistances ; - lorsque le défaut élémentaire est du type réseau de résistances, le réseau comportant des nceuds et des mailles, chaque maille portant une résistance élémentaire, la transformation est choisi parmi les transformations affectant le nceud du réseau sur lequel est injecté le courant du défaut, les transformations affectant le nceud du réseau par lequel le courant quitte le défaut, et les transformations portant sur l'intensité du courant du défaut ; - l'étape de simulation du champ magnétique comporte une étape initiale consistant à déterminer la valeur des courants circulant dans chacune des mailles du réseau de résistances ; - le procédé comporte une étape préalable de choix de la topologie initiale et en ce que la topologie initiale choisie est une topologie finale résultant de l'application du procédé précédent en utilisant une première transformation apte à modifier un premier paramètre du défaut ; - l'itération de l'étape a) consiste à appliquer une transformation dite élémentaire à une hypothèse formulée à l'itération précédente pour obtenir l'hypothèse formulée à l'itération courante, une transformation élémentaire étant apte à faire varier d'une quantité prédéterminée le paramètre caractéristique du défaut, et l'étape e) consiste, à chaque itération de l'étape d), à tester la valeur courante de la fonction de corrélation : - si ladite valeur courante est supérieure à la valeur de la fonction de corrélation à l'itération précédente, retenir, pour l'itération suivante, l'hypothèse formulée à l'itération courante en tant qu'hypothèse formulée à l'itération précédente ; - sinon, ne pas retenir l'hypothèse formulée à l'itération courante et sélectionner (160), pour l'itération suivante, une transformation élémentaire suivante dans un groupe ordonné de transformations élémentaires, et ceci jusqu'à avoir parcouru l'ensemble du groupe ordonné de transformations élémentaires. - Le procédé est mis en ceuvre à plusieurs reprises avec des orientations différentes du circuit défectueux par rapport à un plan perpendiculaire à la composante du champ magnétique mesuré par la sonde. L'invention a également pour objet un dispositif pour la mise en ceuvre du procédé de caractérisation d'un défaut électrique affectant un circuit électronique présenté précédemment, comportant un banc d'essai pour la réalisation d'une cartographie réelle du champ magnétique rayonné par le circuit placé dans un état de fonctionnement prédéterminé, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre : - un moyen d'application d'une transformation à une hypothèse sur la nature d'un défaut, pour obtenir une hypothèse courante, la transformation étant apte à modifier la valeur d'un paramètre caractéristique du défaut ; - un moyen de superposition de l'hypothèse courante, à une topologie initiale du circuit, pour obtenir une topologie courante ; - un moyen de simulation de l'amplitude de ladite au moins une composante du champ magnétique généré par la topologie courante, pour obtenir une cartographie simulée courante ; - un moyen de corrélation propre à déterminer la valeur courante d'une fonction de corrélation entre la cartographie mesurée et la cartographie simulée courante ; et, - un moyen de recherche d'un maximum de la fonction de corrélation pour différentes valeurs du paramètre caractéristique du défaut. Suivant les modes particuliers de réalisation, le dispositif comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - la transformation étant une transformation élémentaire, le moyen de recherche d'un maximum comporte : - un moyen de comparaison de la valeur courante avec la valeur à l'itération précédente de la fonction de corrélation ; - un moyen pour affecter l'hypothèse formulée à l'itération courante en tant qu'hypothèse formulée à l'itération précédente ; - le dispositif comporte un moyen de sélection de la transformation à appliquer dans un groupe ordonné de transformations. L'invention a également pour objet un support d'enregistrement d'informations, caractérisé en ce qu'il comporte des instructions pour l'exécution du procédé de localisation d'un défaut électrique dans un circuit défectueux présenté précédemment, lorsque les instructions sont exécutées par un calculateur électronique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement de la description détaillée qui va suivre, donnée à titre indicatif et nullement limitatif, les faits en se référant aux dessins annexés, sur lesquels : la figure 1 est une représentation schématique du dispositif selon l'invention ; la figure 2 est un organigramme représentant le procédé selon l'invention ; et, la figure 3 est une représentation d'un défaut élémentaire du type réseau utilisé pour la formulation d'une hypothèse initiale lors de la mise en ceuvre du procédé de la Figure 2. Est représenté schématiquement sur la figure 1, un dispositif pour la mise en ceuvre du procédé de localisation de défaut dans un circuit électrique défectueux. Pour localiser un défaut sur un circuit 1, le dispositif 2 comporte un banc d'essai 4 couplé à un ordinateur 6. Le banc d'essai 4 comporte un moyen 8 de support du circuit 1, un moyen 10 d'alimentation en courant électrique du circuit 1 et une sonde 12 de mesure d'une composante du champ magnétique. La sonde 12 est de préférence une sonde du type SQUID présentant une grande sensibilité. Le moyen de support 8 est propre à être commandé pour modifier la position et l'orientation relatives du circuit 1 par rapport à la sonde 12. Le moyen d'alimentation 10 est propre à être commandé pour fournir un courant électrique adapté de manière à placer le circuit 1 dans un état de fonctionnement particulier souhaité lors du test. L'ordinateur 6 comporte des moyens de mémorisation 14, telle qu'une mémoire vive et une mémoire morte, aptes à stocker les valeurs de variables ou de paramètres, ainsi que les instructions de programmes d'ordinateur. L'ordinateur 6 comporte des moyens de calcul 16, tel qu'un microprocesseur, aptes à exécuter les instructions des programmes stockés dans les moyens de mémorisation 14. L'ordinateur 6 comporte également une interface d'entrée/sortie 17 permettant la communication de l'ordinateur 6 avec des périphériques, tels que le banc d'essai 4 et des moyens d'interface homme/machine 18 (écran, clavier, etc.) de l'ordinateur 6. Parmi les différents programmes d'ordinateur stockés dans les moyens de mémorisation 14, l'ordinateur 6 comporte un programme applicatif 19 dont les instructions, lorsqu'elles sont exécutées par les moyens de calcul 16, permettent la mise en ceuvre du procédé de localisation de défaut décrit ci-après. Le programme 19 est schématisé par les différents modules qu'il comporte, représentés par des pointillés sur la figure 1. Le programme 19 comporte un module de réalisation d'une cartographie réelle 20, un module de définition d'une topologie initiale 22, un module 26 d'élaboration d'une hypothèse initiale, un module de définition d'un groupe de transformations élémentaires 28, un module de sélection 29, un module de transformation 30, un module de superposition 32, un module de simulation 34, un module de corrélation 36, un module de comparaison 38, et un module d'affectation 40 Le module de réalisation d'une cartographie réelle 20. Il permet de commander le banc d'essai 4 de manière à obtenir une cartographie réelle C_0 du champ magnétique rayonné par le circuit 1. Une cartographie associe les valeurs d'au moins une composante du champ magnétique en une série de points prédéterminés par rapport au circuit 1. Pour la cartographie réelle, ces valeurs sont les mesures effectuées par la sonde 12. De préférence, la série de points appartient à une surface de référence plane, parallèle au plan d'un substrat du circuit 1. La cartographie réelle C_0 obtenue par le module 20 est stockée dans les moyens de mémorisation 14. Le module de définition d'une topologie initiale 22. Le module 22 permet d'afficher une fenêtre adaptée sur l'écran de l'ordinateur 6 de manière à ce que l'utilisateur puisse définir une topologie qui sera prise en compte en tant que topologie initiale S_0. Par topologie, on entend dans ce qui suit, une distribution de la densité de courant circulant dans le circuit. Il s'agit non seulement de la géométrie des pistes du circuit, mais également de l'intensité des courants circulant le long de chacune de ces pistes lorsque le circuit est dans un état de fonctionnement particulier. La topologie initiale S_0, définie par l'utilisateur à travers l'interface du module 22, est stockée dans les moyens de mémorisation 14. Un module d'élaboration d'une hypothèse initiale 26. Le module 26 permet de formuler une hypothèse initiale Hyp_0 sur la nature d'un défaut élémentaire affectant le circuit. Le module 26 permet d'afficher une fenêtre adaptée sur l'écran de l'ordinateur de manière à ce que l'utilisateur puisse choisir le type de défaut élémentaire parmi une liste de défauts élémentaires, puis de définir les différents paramètres caractérisant ce défaut. Un premier type de défaut élémentaire est un courant linéique de court-circuit, modélisé par un segment possédant une longueur initiale, parcouru par un courant d'intensité initiale. Pour un segment, l'utilisateur définit la position en X, Y et Z du centre du segment, l'orientation en 0 et cp du segment, la longueur initiale du segment et l'intensité initiale parcourant le segment. Ces paramètres sont mémorisés, en tant qu'hypothèse initiale, dans les moyens de mémorisation 14. Un second type de défaut élémentaire est un courant circulant dans un plan de masse, modélisé par un réseau de résistances. Ce type de défaut élémentaire sera décrit plus en détail ci-dessous en référence à la Figure 3. Le module de définition d'un groupe de transformations élémentaires 28. Une transformation élémentaire est une transformation à appliquer à un défaut élémentaire pour qu'il corresponde mieux au défaut réel affectant le circuit. Une transformation dépend du type du défaut élémentaire choisi pour l'hypothèse initiale. Parmi les transformations élémentaires que l'utilisateur peut sélectionner pour un défaut élémentaire du type segment, on trouve par exemple les translations, les rotations, les élongations, les variations de l'intensité parcourant le segment etc. Ce sont en fait toutes les transformations possibles sur les paramètres définissant le défaut élémentaire de l'hypothèse initiale. Le module 28 est propre à présenter une fenêtre adaptée sur l'écran de l'ordinateur de manière à ce que l'utilisateur puisse définir un groupe G en sélectionnant une ou plusieurs des transformations élémentaires possibles qui lui sont présentées, et en ordonnant les transformations choisies au moyen d'un identifiant entier (j dans ce qui suit). Le groupe G ainsi défini est stocké dans les moyens de mémorisation 14. Le module de sélection 29 est apte à sélectionner une transformation dans le groupe G en fonction de la valeur courante de l'entier j. Le module de transformation 30 est apte à appliquer la transformation élémentaire sélectionnée par le module 29, à la valeur d'une variable dénommée « hypothèse formulée à une itération précédente » (Hyp_i-1), pour obtenir la valeur d'une variable dénommée « hypothèse formulée à une itération courante » (Hyp_1). Lors de la première itération, l'hypothèse formulée à l'itération précédente est l'hypothèse initiale que le module 30 est apte à lire dans les moyens de mémorisation. Le module de superposition 32 est apte à ajouter, à la topologie initiale du circuit S_0, l'hypothèse formulée à l'itération courante (Hyp_i) obtenue en sortie du module 30, de manière à obtenir une topologie hypothétique courante (S i). Le module de simulation 34 apte, à partir de la topologie hypothétique courant (S i) obtenue en sortie du module 32, à simuler une cartographie du champ magnétique généré par la topologie hypothétique courante (C i). La cartographie simulée obtenue associe, pour chacun des points prédéterminés utilisés pour la réalisation de la cartographie réelle C_0, la valeur de la composante du champ magnétique en ce point, la composante du champ magnétique étant celle mesurée par le capteur 12. La cartographie simulée à l'itération courante C_i est sauvegardée dans les moyens de mémorisation. Le module 34 comporte un sous-module 35 de détermination des courants circulant sur les mailles d'un réseau de résistances. L'utilisation de ce sous-module 35 sera décrite ci-dessous en référence à la figure 3. Le module de corrélation 36 est apte à déterminer la valeur d'une fonction de corrélation entre la cartographie réelle C_0 en sortie du module 20 et la cartographie simulée courante C i en sortie du module 34. La valeur courante de la fonction de corrélation, Corr_i, est mémorisée. Le module de comparaison 38 est apte à déterminer si la valeur courante Corr_i de la fonction de corrélation est supérieure ou égale à la valeur à l'itération précédente de la fonction de corrélation Corr_i-1. La sortie du module 38 est une variable binaire prenant la valeur 0, (faux), ou la valeur 1, (vrai). Un module d'affectation 40 propre à affecter la valeur de la variable « hypothèse formulée à l'itération courante », à la variable « hypothèse formulée à l'itération précédente ». Le procédé de localisation de défaut dans le circuit 1 défectueux va maintenant être décrit en référence à la figure 2 au travers d'un premier exemple relatif à un défaut du type segment. Lorsqu'un circuit 1 a été identifié comme défectueux, il est placé sur le banc d'essai 4 (étape 100). A l'étape 110, grâce à l'exécution du module 20, une cartographie réelle C_0 est réalisée. Plus précisément, par actionnement des moyens de support 8, le circuit défectueux 1 est par exemple positionné dans le référentiel du banc d'essai 4 de telle sorte que le plan d'un substrat du circuit corresponde au plan XY, et que l'épaisseur du circuit corresponde à la direction Z du repère du banc d'essai. Un point caractéristique du circuit, tel qu'un coin du substrat, est initialement placé à l'origine du repère du banc d'essai. Grâce aux moyens d'alimentation 10, le circuit 1 est alimenté en courant électrique de manière à placer dans un état de fonctionnement prédéterminé. La cartographie du champ magnétique rayonné par le circuit défectueux est alors réalisée. Pour cela, la sonde 12 acquiert une mesure de la composante 2 du champ magnétique pour une série de points. Cette série de points est, de préférence, située sur une surface de référence, par exemple rectangulaire et plane, parallèle au plan XY, et située à distance du circuit 1. La distance séparant la surface de référence du circuit est entre 1 mm et 10 mm. La cartographie réelle obtenue C_0 est sauvegardée dans la mémoire de l'o rd i nateu r6. A l'étape 120, l'utilisateur définit ensuite la topologie initiale S_0 au moyen de l'interface du module 22. La topologie initiale S_0 est par exemple la topologie d'un circuit fonctionnant correctement. A l'étape 130, l'utilisateur définit l'hypothèse initiale Hyp_0 au moyen de l'interface du module 26. L'hypothèse initiale consiste à choisir un défaut du type sagement et à renseigner les paramètres de ce défaut élémentaire : segment d'1 mm de long, parcouru par un courant d'1 mA, au centre géométrique du circuit, de sorte que ce segment se trouve aligné avec la direction X (0 = 0 et (p = n/2). Enfin, à l'étape 140, l'utilisateur définit le groupe G des transformations élémentaires à utiliser, au moyen de l'interface du module 28. Un groupe ordonné G est par exemple le suivant : j = 1 : translation élémentaire du défaut sur un pas prédéterminé vers les X positifs ; j = 2 : translation élémentaire du défaut sur un pas prédéterminé vers les X négatifs ; j = 3 : translation élémentaire du défaut sur un pas prédéterminé vers les Y positifs ; j = 4 : translation élémentaire du défaut sur un pas prédéterminé vers les Y négatifs ; j = 5 : translation élémentaire du défaut sur un pas prédéterminé vers les Z négatifs ; j = 6 : translation élémentaire du défaut sur un pas prédéterminé vers les Z négatifs ; j = 7 : transformation élémentaire par rotation du défaut d'un angle prédéterminé positif en e, j = 8 : transformation élémentaire par rotation du défaut d'un angle prédéterminé négatif en 0 ; j = 9 : transformation élémentaire par rotation du défaut d'un angle prédéterminé positif en (P , j = 10: transformation élémentaire par rotation du défaut d'un angle prédéterminé négatif en cp ; j = 11 : transformation élémentaire par étirement d'une longueur prédéterminée de la longueur du défaut ; j = 12 : transformation élémentaire par réduction d'une longueur prédéterminée de la longueur du défaut j = 13 : transformation élémentaire par augmentation d'une variation prédéterminée de l'intensité du courant circulant dans le défaut ; j = 14 : transformation par diminution d'une variation prédéterminée de l'intensité du courant circulant dans le défaut. Ces différentes données de configuration sont placées en mémoire de l'ordinateur 6. Après cette phase de configuration, l'utilisateur lance l'exécution de l'algorithme 150 représenté schématiquement sur la figure 2. La variable réelle Corr_0 et les variables entières i et j sont respectivement initialisées aux valeurs 0, 1 et 1. A l'étape 160, dans la première itération de l'algorithme, la transformation T_1 est sélectionnée dans le groupe G, par le module de sélection 29. Puis, à l'étape 170, l'exécution du module de transformation 30, permet l'application de la transformation T_1 à l'hypothèse initiale Hyp_0, pour obtenir l'hypothèse courante de la première itération Hyp_1. A l'étape 180, l'exécution du module de superposition 32, permet de superposer à la topologie initiale S_0, l'hypothèse courante Hyp_1, de manière à obtenir la topologie courante de la première itération, S_1. A l'étape 190, au moyen du module 34, l'ordinateur 6 calcule le champ magnétique rayonné par la topologie courante S_1 au niveau de la surface de référence, c'est-à-dire de chacun des points de la série de points utilisée pour la réalisation de la cartographie réelle. Puisque la modélisation du problème physique est faite au moyen de distributions linéiques, la loi de Bio et Savart, ainsi que le principe de superposition, autorisent des calculs simples et rapides. Une cartographie simulée C_1 est obtenue et mémorisée. Puis, à l'étape 200, l'exécution du module 36 permet de comparer la cartographie simulée avec la cartographie réelle. La fonction de corrélation possible peut par exemple être une fonction de corrélation utilisée en statistique et connue de l'homme du métier. Une valeur de la corrélation pour cette première itération, Corr_1, est déterminée. A l'étape 210, le module de comparaison 38 est exécuté pour déterminer si la valeur courante de la fonction de corrélation Corr_1 est supérieure ou égale à la valeur précédente de la fonction de corrélation, Corr_0 pour la première itération. Puisque la valeur de Corr_0 a initialement reçu la valeur nulle, la valeur de la fonction de corrélation Corr_1 ne peut être que supérieure à cette valeur nulle. La variable binaire en sortie du module 38 est par conséquent positive. En conséquence, l'hypothèse courante, Hyp_1 est affectée à l'hypothèse précédente, et une nouvelle itération de l'algorithme est effectuée en incrémentant l'entier i (i = i+1). Pour la ià" itération, la valeur de j étant toujours égale à 1, la transformation T_1 est sélectionnée dans le groupe G (étape 160). Puis, l'exécution du module 30 permet l'application de la transformation T_1 à l'hypothèse formulée à l'itération précédente, Hyp_i-1, pour obtenir l'hypothèse formulée à l'itération courante, Hyp_i (étape 170). Puis, l'exécution du module 32 permet de superposer, à la topologie initiale S_0, l'hypothèse formulée à l'itération courante Hyp_i, de manière à obtenir une topologie courante S_i (étape 1). Une fois la topologie courante S_i élaborée, l'ordinateur calcule le champ magnétique rayonné par cette topologie au niveau de la surface de référence. Une cartographies simulée courante C_i est obtenue à l'issue de l'exécution du module 34 (étape 190). Puis, à l'étape 200, l'ordinateur exécute le module 36 pour comparer la cartographie simulée courante C_i avec la cartographie réelle C_0. Une valeur courante Corr_i de la corrélation pour l'itération i est déterminée. A l'étape 210, le module de comparaison 38 est exécuté pour tester la valeur courante Corr_i par rapport à la valeur précédente Corr_i-1 de la fonction de corrélation. - Si la valeur de la corrélation courante Corr_i est supérieure à la valeur de la corrélation précédente Corr_i-1, cela signifie que la transformation de l'hypothèse précédente permet de se rapprocher de la topologie réelle du circuit défectueux. Dans ces conditions, la transformation élémentaire T_1 est conservée et sera appliquée lors de l'itération suivante de l'algorithme. A l'étape 220, la valeur de l'hypothèse courante Hyp_i est affectée en tant qu'hypothèse précédente Hyp_i-1 en vue de l'itération suivante. Une nouvelle itération de l'algorithme 150 est alors débutée après avoir incrémenté d'une unité l'entier i (étape 230). - Si la valeur de la corrélation courante Corr i est inférieure à la valeur de la corrélation précédente Corr_i-1, cela signifie que la transformation appliquée à l'hypothèse précédente conduit à une topologie qui s'éloigne de la topologie réelle du circuit défectueux. L'hypothèse courante Hyp_i n'est pas retenue, et l'entier j est incrémenté d'une unité (étape 240). Ainsi, à l'itération suivante de l'algorithme 150, la transformation suivante dans le groupe G sera sélectionnée par le module 30 et sera appliquée à l'hypothèse précédente Hyp_i dont la valeur n'a pas changée. Une même transformation élémentaire Ti est utilisée de manière à obtenir un maximum relatif de la fonction de corrélation. Puis, une fois ce maximum relatif atteint, la transformation suivante TJ+1 est utilisée dans le but de chercher un nouveau maximum supérieur au précédent. L'ensemble du groupe G est ainsi parcouru et l'exécution de l'algorithme se termine lorsque le nombre (j_max) des transformations élémentaires constituant le groupe G. La dernière topologie hypothétique courante est conservée en tant que topologie finale S (étape 250). L'algorithme converge vers une topologie finale S qui correspond à un maximum de corrélation avec la cartographie réelle. Cette topologie finale est considérée comme étant la topologie réelle du circuit défectueux. Elle donne la localisation (position, orientation, longueur, intensité) du défaut affectant le circuit 1. Dans une première variante de réalisation, la topologie finale S peut être utilisée en tant que topologie initiale S_0 pour une nouvelle exécution de l'algorithme 150 de manière à ajouter un second défaut élémentaire. Ceci permet de localiser plusieurs défauts dans un même circuit ou un défaut unique présentant une forme complexe, assimilable à plusieurs segments d'orientation différentes, disposés bout à bout. Plus généralement, il est possible, grâce à ce procédé et en faisant l'hypothèse de distribution linéiques de courant, de reconstruire l'ensemble du circuit réel, c'est-à-dire à la foi les lignes de courant correspondant aux pistes du circuit, et les lignes de courant correspondant à des défauts affectant le circuit. Dans une seconde variante de réalisation, indépendante de la précédente, la topologie finale S obtenue après une première exécution de l'algorithme 150 avec un premier groupe de transformation, est utilisée en tant que topologie initiale S_0 pour une seconde exécution de l'algorithme 150, mais avec un second groupe de transformations élémentaires. Par exemple, le premier groupe de transformations se caractérise par des pas importants en translation et/ou en rotation, tandis que le second groupe de transformations se caractérise par des pas faibles en translation et/ou en rotation. De cette manière, la première exécution de l'algorithme permet d'obtenir une localisation rapide, mais peu précise de la localisation du défaut, tandis que la seconde exécution de l'algorithme, en utilisant la topologie finale de la première exécution, permet d'obtenir une localisation précise du défaut. Dans une troisième variante, l'utilisateur élabore une stratégie pour que l'algorithme 150 converge plus rapidement. Par exemple, l'utilisateur, après observation de la cartographie réelle C_0, peut décider, lors de la formulation de l'hypothèse initiale, de positionner le défaut élémentaire dans la zone du circuit où il pense que le défaut est localisé. Il peut également ordonner les transformations élémentaires au sein du groupe G dans ce même but. Avantageusement, le procédé dans son intégralité, est mise en ceuvre à plusieurs reprises successives. Entre deux mises en oeuvre, les moyens de support 8 sont actionnés de manière à incliner le circuit 1 d'un angle donné par rapport au plan XY. De cette manière un défaut conduisant à l'écoulement d'un courant dans l'épaisseur du circuit 1 génère une contribution à la composante du champ magnétique mesurée par la sonde 12. Les défauts dans les trois dimensions du circuit peuvent ainsi être localisés. Un second exemple de mise en ceuvre du procédé va maintenant être décrit. Ce second exemple illustre la manière de localiser un défaut du type court-circuit avec le plan de masse du circuit. La localisation d'un tel défaut est fondée sur la modélisation du plan de masse par un réseau de résistances. Le module 26 permet de définir une hypothèse initiale en sélectionnant un défaut élémentaire du type « réseau de résistances ». Un tel réseau est par exemple le réseau 50 à maillage carré de la figure 3. Le réseau 50 comporte des nceuds 54 et des mailles 56, reliées entre elles au niveau des nceuds 54. Chaque maille 56 porte une résistance élémentaire R dont la valeur est identique d'une maille à l'autre. Les paramètres que l'utilisateur doit définir lorsqu'il sélectionne ce type de défaut élémentaire sont le nombre de mailles du réseau et la valeur de la résistance élémentaire R, ainsi que le nceud du réseau 54 in par lequel le courant est injecté dans le réseau, le nceud du réseau 54 out par lequel le courant quitte le réseau, et la valeur de l'intensité totale du courant circulant dans le réseau. Le module 28 présente une pluralité de transformations élémentaires adaptées aux défauts du type « réseau de résistances ». Ces transformations élémentaires sont par exemple : l'augmentation de l'intensité du courant circulant dans le réseau d'une variation prédéterminée ; la diminution de l'intensité du courant circulant dans le réseau d'une variation prédéterminée ; la translation d'un nceud selon la direction X du noeud d'entrée du courant ; la translation d'un nceud selon la direction Y du noeud d'entrée du courant ; la translation d'un nceud selon la direction X du noeud de sortie du courant ; la translation d'un nceud selon la direction Y du noeud de sortie du courant. Au moyen du module 22, l'utilisateur renseigne la topologie initiale S_0. Puis, l'algorithme 150 est exécuté. Le module 32 superpose, à la topologie initiale S_0, l'hypothèse courante Hyp_i qui comporte le réseau de résistances, de manière à obtenir une topologie courante S_i. L'exécution du module de simulation 34 débute par l'appel au sous-module 35 qui a pour but de déterminer l'intensité des courants circulant dans chacune des mailles du réseau 50. Pour cela, le sous-module 35 utilise les lois relatives aux réseaux de résistances qui permettent de déterminer les intensités des courants dans chacun des mailles à partir du nombre de mailles, de la forme du maillage et de la valeur de la résistance élémentaire R. Une fois ce calcul effectué, le module 34 déterminer le champ magnétique total engendré par la topologie courante S_i. En particulier, chaque maille étant considérée comme un segment portant une distribution linéique de courant dont la valeur a été déterminée par le sous-module 35, l'utilisation de la loi de Biot et Savart et du principe de superposition assure une simulation rapide du champ magnétique généré par le réseau de résistances et les autres éléments de la topologie courante S_i. Puis, le module de corrélation 36 détermine le degré de similitude entre la cartographie simulée et la cartographie réelle. A l'itération suivante, la transformation élémentaire sélectionnée par le module 180 dans le groupe G est appliquée à l'hypothèse courante Hyp_i. Par exemple, l'hypothèse est modifiée en déplaçant le nceud d'entrée du courant 54 in d'une maille vers la droite. Suite à cette transformation de l'hypothèse, les étapes 180 à 200 sont itérées. Si la corrélation entre la cartographie simulée et la cartographie réelle augmente, la transformation courante est conservée et appliquée une nouvelle fois au cours de l'itération suivante. Si, au contraire, la corrélation entre la cartographie simulée et la cartographie réelle augmente, la transformation courante, la transformation suivante dans le groupe G est sélectionnée pour l'itération suivante de l'algorithme 150. On procède ainsi jusqu'à avoir considérée toutes les transformations du groupe G. L'hypothèse courante de la dernière itération, qui donne un maximum de corrélation avec la cartographie réelle, permet la localisation du court-circuit avec le plan de masse. Dans une variante de réalisation du procédé, on se donne d'abord un ensemble de valeurs d'un paramètre caractéristique du défaut, associé à une même transformation. Par exemple, pour la transformation de translation selon la direction X, l'ensemble des valeurs est constitué par une dizaine d'abscisses différentes du point de positionnement du défaut du type segment. Puis, pour chaque valeur du paramètre caractéristique, on simule une cartographie et on calcule la fonction de corrélation correspondante. Enfin, on fait une interpolation, par exemple polynomiale, des différentes valeurs obtenues de la fonction de corrélation. Le maximum de la fonction d'interpolation permet de déterminer la valeur optimale du paramètre caractéristique du défaut, dans notre exemple la position selon la direction X de celui-ci. L'algorithme pour la mise en ceuvre du procédé permet d'obtenir des résultats précis (d'environ 1 µm pour une distance sonde/circuit sensiblement égale à celle utilisée dans la technique MCI), en un temps extrêmement rapide. Ceci est dû au fait que le procédé travaille directement sur les sources du champs magnétiques, et que, de plus, il fait l'hypothèse de courants à distribution linéique. REVENDICATIONS1.- Procédé de caractérisation d'un défaut électrique affectant un circuit électronique, consistant à réaliser une cartographie réelle (C_0) du champ magnétique en mesurant, au moyen d'une sonde, en différents points autour du circuit (1), au moins une composante du champ magnétique rayonné par le circuit placé dans un état de fonctionnement prédéterminé , caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : a) appliquer (170) une transformation (Ti) à une hypothèse initiale sur la nature du défaut, pour obtenir une hypothèse courante (Hyp_i), la transformation étant apte à modifier la valeur d'un paramètre caractéristique du défaut ; b) superposer (180) l'hypothèse courante à une topologie initiale (S_0) du circuit pour obtenir une topologie courante (S i) ; c) simuler (190), aux différents points prédéterminés, ladite au moins une composante du champ magnétique généré par la topologie courante, de manière à obtenir une cartographie simulée courante (C i) ; d) estimer (200) la valeur courante (Corr_i) d'une fonction de corrélation entre la cartographie mesurée et la cartographie simulée courante ; et, e) itérer les étapes a) à d) pour rechercher un maximum de la fonction de corrélation en modifiant la valeur dudit paramètre caractéristique du défaut, la valeur du paramètre caractéristique correspondant audit maximum permettant de déterminer, avec l'hypothèse initiale sur la nature du défaut, une valeur dudit paramètre du défaut réel. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une étape initiale de configuration d'une hypothèse initiale (Hyp_0) consistant à choisir un type de défaut élémentaire et à définir la valeur initiale d'au moins un paramètre du défaut. 3.- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le type de défaut élémentaire est choisi parmi les types segment et réseau de résistances. 4.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que, lorsque le défaut élémentaire est du type réseau de résistances, ledit réseau comportant des nceuds et des mailles, chaque maille portant une résistance élémentaire, ladite transformation est choisi parmi les transformations affectant le nceud du réseau sur lequel est injecté le courant du défaut, les transformations affectant le nceud du réseau par lequel le courant quitte le défaut, et les transformations portant sur l'intensité du courant du défaut. 5.- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'étape de simulation du champ magnétique (190) comporte une étape initiale consistant à déterminer la valeur des courants circulant dans chacune des mailles du réseau de résistances. 6.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte une étape préalable de choix de la topologie initiale (S_0) et en ce que la topologie initiale (S_0) choisie est une topologie finale résultant de l'application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 en utilisant une première transformation apte à modifier un premier paramètre du défaut. 7.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'itération de l'étape a) consiste à appliquer une transformation dite élémentaire à une hypothèse formulée à l'itération précédente pour obtenir l'hypothèse formulée à l'itération courante, une transformation élémentaire étant apte à faire varier d'une quantité prédéterminée le paramètre caractéristique du défaut, et en ce que l'étape e) consiste, à chaque itération de l'étape d), à tester la valeur courante de la fonction de corrélation : - si ladite valeur courante est supérieure à la valeur de la fonction de corrélation à 20 l'itération précédente, retenir (220), pour l'itération suivante, l'hypothèse formulée à l'itération courante en tant qu'hypothèse formulée à l'itération précédente ; - sinon, ne pas retenir l'hypothèse formulée à l'itération courante et sélectionner (160), pour l'itération suivante, une transformation élémentaire suivante dans un groupe ordonné de transformations élémentaires, et ceci jusqu'à avoir parcouru l'ensemble du groupe 25 ordonné de transformations élémentaires. 8.- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est mis en ceuvre à plusieurs reprises avec des orientations différentes du circuit défectueux par rapport à un plan perpendiculaire à la composante du 30 champ magnétique mesuré par la sonde. 9.- Dispositif pour la mise en ceuvre du procédé de caractérisation d'un défaut électrique affectant un circuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant un banc d'essai (4) pour la réalisation d'une cartographie réelle (C_0) du champ magnétique rayonné par le circuit placé dans un état de fonctionnement 35 prédéterminé, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre :- un moyen (30) d'application d'une transformation (Ti) à une hypothèse sur la nature d'un défaut, pour obtenir une hypothèse courante (Hyp_i), la transformation étant apte à modifier la valeur d'un paramètre caractéristique du défaut ; - un moyen (32) de superposition de l'hypothèse courante, à une topologie initiale du circuit (S_0), pour obtenir une topologie courante (S i) ; - un moyen (34) de simulation de l'amplitude de ladite au moins une composante du champ magnétique généré par la topologie courante, pour obtenir une cartographie simulée courante (C i) ; - un moyen (36) de corrélation propre à déterminer la valeur courante (Corr_i) d'une fonction de corrélation entre la cartographie mesurée et la cartographie simulée courante ; et, - un moyen de recherche d'un maximum de la fonction de corrélation pour différentes valeurs du paramètre caractéristique du défaut. 10.- Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que, la transformation étant une transformation élémentaire, le moyen de recherche d'un maximum comporte : - un moyen (38) de comparaison de la valeur courante avec la valeur à l'itération précédente (Corr_i-1) de la fonction de corrélation ; - un moyen (40) pour affecter l'hypothèse formulée à l'itération courante en tant qu'hypothèse formulée à l'itération précédente. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte un moyen (29) de sélection de la transformation à appliquer dans un groupe ordonné de transformations. 12.- Support d'enregistrement d'informations, caractérisé en ce qu'il comporte des instructions pour l'exécution d'un procédé de localisation d'un défaut électrique dans un circuit défectueux selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, lorsque les instructions sont exécutées par un calculateur électronique.