Brevet FR2972301A1 — publié le 20120907

B11-0104FR 1 Procédé de fabrication d'une membrane poreuse électriquement conductrice, et dispositif correspondant. L'invention concerne la microélectronique, et plus particulièrement les membranes poreuses électriquement conductrices fixées sur un support, notamment mais non exclusivement celles utilisables comme électrodes dans une pile à combustible. Selon un mode de mise en oeuvre, il est proposé une réalisation particulièrement simplifiée d'une membrane poreuse électriquement conductrice et de sa fixation sur son support, permettant en outre d'avoir une surface d'échange très importante et une taille et une forme de pore aisément ajustables. Selon un aspect il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif comportant une membrane poreuse électriquement conductrice fixée sur un support, le procédé comprenant une réalisation de la membrane et du support à partir d'un même élément en silicium, ladite réalisation comportant une formation locale d'une région de silicium poreux dans ledit élément en silicium et une siliciuration au moins partielle de ladite région de silicium poreux, la région poreuse siliciurée formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice et la partie restante en silicium dudit élément formant ledit support. Ainsi à partir d'un même élément ou substrat en silicium, on réalise à la fois la membrane poreuse, le support et la fixation de la membrane sur le support. En variante le traitement produisant ladite membrane poreuse électriquement conductrice peut comporter uniquement une formation d'au moins une couche d'au moins un métal sur la région de silicium poreux de façon à tapisser les pores avec au moins un métal, sans qu'il soit nécessaire de procéder à une siliciuration. C'est le cas par exemple lorsqu'on utilise un métal, tel que l'or, ne pouvant pas conduire à une formation d'un siliciure de métal. Cela étant, l'utilisation de silicium poreux siliciuré est très avantageuse, en particulier lorsque la membrane est utilisée comme électrode, car cela permet d'avoir une surface d'échange très importante par rapport au volume initial de silicium poreux. Ainsi, à titre d'exemple, on peut obtenir un m2 de surface d'électrode (membrane poreuse électriquement conductrice) pour un mm3 de silicium poreux initial. Comme il est bien connu de l'homme du métier, le silicium poreux est obtenu par anodisation électrochimique de silicium massif dans une solution d'acide fluorhydrique (HF). L'homme du métier saura aisément ajuster les paramètres de l'électrochimie ainsi que le dopage du silicium de façon à obtenir la hauteur souhaitée pour la région de silicium poreux et pour la taille souhaitée pour les pores ainsi que pour leur forme. Lorsque l'épaisseur de l'élément initial en silicium correspond à l'épaisseur désirée pour la membrane, il suffit de former localement la région de silicium poreux dans l'élément et par exemple de siliciurer au moins en surface, ou bien totalement cette région poreuse pour obtenir ladite membrane électriquement conductrice. On obtient ainsi une membrane poreuse obturant un passage traversant dans ledit support, ce passage traversant étant formé des pores de ladite membrane. Cela étant l'épaisseur de la membrane peut être plus faible que sa plus grande dimension transversale (par exemple son diamètre dans le cas d'une membrane en forme de disque, ou bien sa largeur ou bien sa longueur dans le cas d'une membrane de forme rectangulaire), par exemple dans un rapport de 10 à 100 voire plus. Selon un mode de réalisation, il est alors prévu lorsque l'épaisseur de l'élément initial en silicium est supérieure à l'épaisseur désirée pour la membrane, que ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprenne une formation au sein de l'élément de ladite région de silicium poreux possédant une première face en continuité avec une première face de l'élément communiquant avec l'extérieur de l'élément, un dépôt de métal au contact de la région de silicium poreux et éventuellement une formation d'un siliciure dudit métal de façon à obtenir une région poreuse électriquement conductrice, et une formation locale dans ledit élément d'une cavité débouchante délimitée par ledit support et une deuxième face de ladite région poreuse électriquement conductrice, opposée à la première face, ladite région poreuse électriquement conductrice formant une membrane poreuse électriquement conductrice obturant un orifice traversant dudit élément. Cet orifice traversant est formé ici de la cavité débouchante et des pores de la membrane. Cela étant, en variante, la formation de la cavité débouchante peut être effectuée avant la siliciuration de ladite région poreuse. En d'autres termes, selon un mode de mise en oeuvre, ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprend une formation au sein de l'élément de ladite région de silicium poreux possédant une première face en continuité avec une première face de l'élément communiquant avec l'extérieur de l'élément, une formation locale dans ledit élément d'une cavité débouchante délimitée par ledit support et une deuxième face de ladite région poreuse, opposée à la première face, un dépôt de métal au contact de la région de silicium poreux et éventuellement une formation d'un siliciure dudit métal de façon à obtenir une région poreuse électriquement conductrice, ladite région poreuse électriquement conductrice formant une membrane poreuse électriquement conductrice obturant un orifice traversant dudit élément. En variante la cavité peut-être formée avant la formation de la région poreuse. Ainsi selon un mode de mise en oeuvre, ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprend une formation au sein de l'élément d'une première cavité débouchante, ladite formation locale dans ledit élément de ladite région de silicium poreux à partir de la paroi de fond de ladite première cavité débouchante, un dépôt de métal au contact de la région de silicium poreux et éventuellement une formation d'un siliciure dudit métal de façon à obtenir une région poreuse électriquement conductrice, ladite région poreuse électriquement conductrice formant une membrane poreuse électriquement conductrice obturant un orifice traversant dudit élément. En particulier lorsque l'élément initial en silicium est particulièrement épais par rapport à l'épaisseur désirée pour la membrane, il peut être prévu selon un mode de mise en oeuvre la formation de deux cavités débouchantes de part et d'autre de la membrane électriquement conductrice. Plus précisément selon un mode de mise en oeuvre, ladite réalisation comprend en outre une formation au sein du support d'une deuxième cavité débouchante, les deux cavités débouchantes étant séparées par ladite région de silicium poreux électriquement conductrice, par exemple siliciurée, formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice obturant ledit orifice traversant. La deuxième cavité debouchante peut être formée avant ou après la siliciuration de la région de silicium poreux. La siliciuration de ladite région poreuse peut être partielle (dans ce cas la totalité de la région poreuse est partiellement siliciurée et la membrane poreuse électriquement conductrice comprend du silicium poreux recouvert en surface d'un siliciure de métal) ou bien totale (dans ce cas la totalité de la région poreuse est totalement siliciurée et la membrane poreuse électriquement conductrice ne comprend que du siliciure de métal). Selon un mode de mise en oeuvre, ladite formation locale de silicium poreux comprend une réalisation de pores sensiblement rectilignes et parallèles. Selon un mode de mise en oeuvre, ladite formation locale de silicium poreux comprend une réalisation de pores une taille de l'ordre de quelques nanomètres. Selon un autre aspect, il est proposé un dispositif, comprenant une membrane poreuse électriquement conductrice fixée sur un support en silicium et délimitée par ledit support. Ladite membrane poreuse électriquement conductrice peut être totalement formée d'un siliciure de métal ou bien comporter du silicium poreux recouvert d'au moins un métal ou d'un siliciure de métal Selon un autre aspect, il est proposé une utilisation du dispositif obtenu par le procédé de fabrication tel que défini ci-avant, comme électrode d'une pile à combustible, par exemple une biopile, lorsque qu'un fluide actif circule à travers la membrane poreuse pour venir interagir avec un produit actif. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en oeuvre, nullement limitative, et des dessins annexés, sur lesquels : - les figures 1 à 15 illustrent schématiquement différents mode de mises en oeuvre du procédé selon l'invention, et - les figures 16 à 18 illustrent schématiquement un exemple d'utilisation d'une membrane poreuse électriquement conductrice selon l'invention. D'une façon générale, un dispositif comportant une membrane fixée, par exemple à sa périphérie, sur un support, peut être réalisé aisément en utilisant des techniques classiques et connues en soi, utilisées en microélectronique pour la fabrication des circuits intégrés. Généralement, plusieurs dispositifs sont réalisés simultanément à partir d'une même plaque de silicium. Puis, après réalisation complète des dispositifs, la plaque peut être découpée de façon à individualiser les dispositifs obtenus. Les dispositifs peuvent être par exemple réalisés avec une technologie 0,35 microns, sur des plaques semiconductrices ou « wafers » de 200 mm de diamètre, ou bien dans des plaques de 300 mm de diamètre avec une technologie CMOS avancée. On va maintenant se référer plus particulièrement aux figures 1 à 10 pour illustrer un premier exemple de réalisation d'un dispositif EL. Pour des raisons de simplification, on ne décrira ici que la réalisation d'un seul dispositif. Dans une première étape illustrée sur la figure 1, on forme dans un élément ou substrat de silicium SB, une région de silicium poreux RP, par exemple dans une région centrale du substrat. Comme il est bien connu de l'homme du métier, le silicium poreux est obtenu par anodisation électrochimique de silicium massif dans une solution d'acide fluorhydrique (HF). Bien entendu, la région du substrat que l'on ne souhaite pas transformer en silicium poreux est protégée par un masque dur, par exemple en nitrure ou en oxyde de silicium. On peut aussi protéger ces régions en les transformant en type n par implantation ionique de phosphore, d'arsenic ou tout autre dopant de type n pour le silicium. L'homme du métier saura ajuster les paramètres de l'électrochimie ainsi que le dopage du silicium de façon à obtenir la hauteur souhaitée pour la région de silicium poreux RP et pour la taille souhaitée pour les pores ainsi que pour leur forme. La première face F11 de la région poreuse RP est en continuité avec la première face F101 du substrat en silicium. A titre indicatif sur la figure 1, l'épaisseur e de la région de silicium poreux RP est par exemple de l'ordre de 50 µm. D'une façon générale, comme illustré sur la figure 2, les pores PR sont des chemins de forme quelconque. La région poreuse RP de la figure 2, dont les pores PR ont par exemple une largeur de l'ordre de 10 nm a été obtenue à partir d'un substrat de silicium dopé P+ avec un niveau de dopage de 1019 cm-3 anodisé à une densité de courant de 50 mA/cm2 dans une solution à 25 % d'acide fluorhydrique. I1 est également possible, moyennant une modification des conditions opératoires, d'obtenir une région poreuse RP dont les pores PR sont plus réguliers et forment par exemple des colonnes sensiblement rectilignes et parallèles. Une telle géométrie des pores est plus efficace pour la circulation d'un électrolyte à travers la future membrane électriquement conductrice. L'homme du métier pourra par exemple se référer à l'article de J.E.A.M. van den Meerakker et autres intitulé « Etching of Deep Macropores in 6 in. Si Wafers », Journal of the Electrochemical Society, 147 (7) 2757-2761 (2000). Puis, comme illustré sur la figure 3, on dépose une couche de métal CM à la périphérie de la région RP ainsi que sur la région RP de façon à infiltrer les pores de la région de silicium poreux RP. Le métal peut être par exemple du titane, du platine, du nickel ou bien de l'or. Le métal peut être déposé par un procédé auto-catalytique mettant en oeuvre des réactions chimiques au niveau du silicium plongé dans un bain liquide dudit métal qui s'effectuent sans utilisation d'une source extérieure de courant. Le métal peut être aussi déposé par dépôt de couche atomique (ALD : Atomic Layer Deposition). Puis, lorsque le métal utilisé le permet on peut procéder de façon classique à une formation d'un siliciure de métal (siliciuration) par traitement thermique, de façon à former la membrane poreuse électriquement conductrice entourée ici d'une zone de contact siliciurée. La description qui suit concerne une région de silicium poreux subissant une siliciuration au moins partielle, mais elle peut s'appliquer également, notamment en ce qui concerne la formation des cavités, au cas où la région de silicium poreux ayant les pores tapissés de métal comme décrit ci-dessus, ne subit pas de traitement de siliciuration ultérieur. Plus précisément, la figure 4 illustre schématiquement une structure régulière de pores PR formant des chemins traversants en colonne tapissés de titane. Après siliciuration 90, le silicium est transformé en siliciure de titane TiSi2. I1 convient de noter qu'après siliciuration, il y a une réduction de volume. Plus précisément, le volume de siliciure de métal et le métal est inférieur au volume de silicium et de métal ayant réagi avec le silicium. On a ainsi une réduction de volume de 20% pour du titane et de 15% pour du platine. On obtient donc la structure de la figure 5. Le métal n'ayant pas réagi peut être retiré par une chimie appropriée, par exemple NH4OH+H2O2+H2O dans le cas du titane, de façon à former la membrane poreuse MBC électriquement conductrice entourée ici de la zone de contact siliciurée périphérique ZC (figures 6 et 7) en contact avec la membrane. Bien entendu, l'homme du métier saura choisir la taille initiale des pores de la région de silicium poreux RP, la quantité de métal infiltré dans les pores de cette région poreuse, ainsi que les paramètres de la siliciuration de façon à obtenir in fine une membrane électriquement conductrice poreuse avec des pores de taille (diamètre) désirée. Puis, comme illustré sur la figure 8, on forme une cavité CV en utilisant un masque de gravure classique, non représenté ici. Pour la réalisation de cette cavité, on peut utiliser une technique identique à celle utilisée en microélectronique pour la formation de vias traversant un substrat, communément désignés par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon de « TSV » (« Through Silicon Vias »). La deuxième face F21 de la membrane MBC, opposée à la première face F11, forme la paroi de fond de la cavité CV formée dans la partie restante du substrat SB. Cette cavité CV est par conséquent délimitée par la deuxième face F21 de la membrane poreuse et, latéralement, par la partie restant du substrat qui forme un support SP pour la membrane MBC. Cette cavité CV débouche au niveau de la deuxième face du support SP, opposée à la première face F101. La cavité CV forme, avec les pores de la membrane poreuse MBC, un orifice traversant OR, qui est par conséquent obturé par cette membrane poreuse MBC. On obtient alors le dispositif EL. Des variantes de mise en oeuvre sont possibles. Ainsi, comme illustré sur la figure 9, on peut effectuer la siliciuration 112 de la région de silicium poreux RP (formée dans l'étape 110) après la formation 111 de la cavité CV. I1 est également possible comme illustré sur la figure 10 de former d'abord une cavité CV (étape 120) puis de former (étape 121) la région RP de silicium poreux à partir de la paroi de fond de la cavité, puis de procéder à la siliciuration 121. La variante illustrée sur les figures 11 à 13, prévoit la réalisation d'un dispositif EL3 comportant deux cavités débouchantes situées de part et d'autre de la membrane. Ainsi, on procède tout d'abord, à l'aide d'un masque de gravure, à la gravure de la cavité CV13 de l'élément EL3 (figure 11) en utilisant également la technique de fabrication des TSV. Puis, on réalise (figure 12) à partir du fond de la cavité CV13, une région de silicium poreux RP. Puis, on réalise à partir de l'autre face du support en silicium, la cavité CV23 d'une façon analogue à la réalisation de la cavité CV13 (figure 13). On procède ensuite à une siliciuration 130 de la région RP de façon à obtenir la membrane électriquement conductrice MBC. En variante, comme illustré sur la figure 14, il est possible d'effectuer la siciuration 142 de la région poreuse après formation 140 de la cavité CV13 et formation locale 141 de la région poreuse mais avant formation de la cavité CV23. Dans les modes de mise en oeuvre qui viennent d'être décrits, le dépôt de métal s'effectue jusque dans les pores de la région poreuse. En variante, comme illustré sur la figure 15, pour former la membrane électriquement conductrice, il serait possible de déposer la couche de métal CM sur l'ensemble du substrat SB et de la région poreuse RP, (par exemple un dépôt PVD) puis de procéder à la siliciuration. Dans les modes de réalisation qui viennent d'être décrits, la membrane est totalement formée de siliciure de métal. En variante la région poreuse pourrait n'être que partiellement siliciurée (en surface) de façon à obtenir une membrane poreuse électriquement conductrice MBC comportant du silicium recouvert de siliciure de métal. Un dispositif à membrane tel que celui qui vient d'être décrit peut être utilisé par exemple comme cathode ou comme anode pour un boîtier de pile à combustible ou de biopile. Une biopile, connue également sous la dénomination anglosaxonne de « BioFuel Cell », est une pile à combustible qui utilise des enzymes ou des microorganismes tels que des bactéries, pour convertir en électricité une partie de l'énergie disponible dans un substrat biodégradable. D'une façon générale, une biopile comporte une électrode, formant anode, placée au contact d'enzymes assurant la transformation du substrat biodégradable, par exemple du glucose, notamment en électrons capturés par l'anode. La biopile comprend également une cathode au niveau de laquelle un accepteur d'électrons, par exemple de l'oxygène (contenu dans l'air par exemple), est réduit, en eau. Une différence de potentiel apparaît donc entre l'anode et la cathode. I1 existe de nombreuses publications dans le domaine des biopiles. On peut citer notamment l'article de Philippe Cinquin et autres, intitulé « A Glucose BioFuel Cell Implanted in Rats », PLoS ONE/www.plosone.org, May 2010/volume 5/Issue 51e10476, qui décrit la réalisation d'une biopile expérimentale implantée dans un rat. Cette biopile est capable de produire in vivo de l'électricité grâce au phénomène d'oxydoréduction mentionné ci avant, à partir de l'oxygène et du glucose présents dans les liquides physiologiques du rat. Deux poudres différentes (enzymes) sont respectivement utilisées au niveau de l'anode et de la cathode. On peut également citer l'article de Lewis Dartnell, intitulé « Sparks of Life » et disponible à l'adresse internet http://www.ucl.ac.uk/-ucbplyd/sparkspage.htm. Cet article décrit une biopile utilisant au niveau de l'anode des bactéries nommées Rhodoferax ferrireducens. I1 convient maintenant de proposer des solutions industriellement acceptables permettant notamment de diminuer la taille des implants et d'augmenter la puissance générée par ces biopiles. Dans une application de biopile, on procède comme illustré par exemple sur la figure 16, au remplissage de la cavité CV du dispositif EL de la figure 8 par un produit actif PA approprié, par exemple par emmanchement à force d'un bloc de produit actif formé d'une poudre compacte. Un tel produit actif peut être l'un de ceux mentionné dans l'article de P. Cinquin précité. Un tel dispositif peut alors former un élément de boîtier pour un boîtier de pile à combustible, voire de biopile, tel que celui illustré sur la figure 17. Plus précisément sur la figure 17, la référence EL1 ou EL2 désigne un élément de boîtier du type de celui illustré sur la figure 16 tandis que la référence EL3 désigne un élément de boîtier du type de celui illustré sur la figure 13 avant siliciuration de la région poreuse. Sur la figure 17, la référence BT désigne un boîtier comportant un assemblage de trois éléments de boîtier EL1, EL2, EL3. Les éléments de boîtier sont mutuellement solidarisés par exemple par collage moléculaire, ou bien à l'aide de tout autre moyen comme par exemple une colle. Le premier élément de boîtier EL1 comporte un support ou cadre SPI, par exemple de forme circulaire ou rectangulaire, comportant, par exemple en son centre, un orifice traversant OR1 obturé par une membrane poreuse électriquement conductrice MBC1. Le support SPI comporte également, au niveau d'une première face F101, ici sa face supérieure, une zone de contact ZC1, par exemple une zone comportant également un siliciure de métal. Cette zone ZC1 est ici disposée à la périphérie de la membrane MBC1 et est en contact avec la membrane poreuse MBC1 de façon à être électriquement couplée à cette membrane. La première face F11 de la membrane poreuse MBC1 est en continuité avec la première face F101 du support SPI en silicium, et la deuxième face F21 de la membrane MBC1, opposée à la première face F11, forme la paroi de fond d'une cavité CV11 formée dans le support SPI. Cette cavité CV11 est par conséquent délimitée par la deuxième face F21 de la membrane poreuse et, latéralement, par le support SPI. Cette cavité CV11 débouche au niveau de la deuxième face du support SPI, opposée à la première face F101. La cavité CV11 forme, avec les pores de la membrane poreuse MBC1, l'orifice traversant OR1, qui est par conséquent obturé par cette membrane poreuse MBC1. Un produit actif PAl, par exemple sous la forme d'un disque comportant une poudre compactée, est solidairement et mécaniquement fixé dans la cavité CV11, au contact de la face F21 de la membrane poreuse MBC1. Ce disque de produit actif PAl est par exemple inséré à force dans la cavité CV11. Le deuxième élément de boîtier EL2 a une structure analogue à celle du premier élément de boîtier EL 1. Plus précisément, il comporte un support ou cadre en silicium SP2 comportant en son centre un orifice traversant OR2 obturé par une membrane poreuse électriquement conductrice MBC2, dont la première face F12, ici la face inférieure, est en continuité avec la face inférieure F102 du support SP2. Là encore, une zone périphérique de contact ZC2, électriquement conductrice, par exemple formée de siliciure de métal, est disposée au niveau de la face F102 du support SP2 et est en contact avec la membrane poreuse électriquement conductrice MBC2. Une cavité débouchante CV12 est délimitée d'une part par la face F22, opposée à la face F12, de la membrane MBC2 et, latéralement, par le support SP2. La cavité CV12 et les pores de la membrane poreuse électriquement conductrice MBC2 forment l'orifice traversant OR2 qui est obturé par la membrane poreuse MBC2. Un deuxième produit actif PA2, également sous forme d'un disque de poudre compacte, est solidairement fixé et logé à force dans la cavité CV12 pour venir au contact de la membrane poreuse électriquement conductrice MBC2. Outre ces deux éléments de boîtier EL1, EL2, le boîtier BT comporte un troisième élément de boîtier EL3 pris en sandwich entre les deux éléments EL1 et EL2. Ce troisième élément de boîtier comporte également un support en silicium SP3 comportant en son centre un orifice traversant OR3, obturé par une membrane poreuse MB3 formée ici de silicium poreux. Cette membrane poreuse MB3 peut ne pas être électriquement conductrice. La membrane poreuse MB23 délimite ici avec le support SP3 deux cavités débouchantes CV13 et CV23, respectivement situées de part et d'autre de la membrane poreuse MB3. Une première face F13, ici la face supérieure, de la membrane MB3, forme la paroi de fond de la cavité CV13 et se situe donc en regard du premier produit actif PAl. La deuxième face F23 de la membrane MB3, ici la face inférieure, forme la paroi de fond de la cavité CV23 et se situe par conséquent en regard du deuxième produit actif PA2. Les orifices traversants OR1, OR2 et OR3 sont sensiblement alignés de façon à former un orifice traversant global pour le boîtier BT, permettant, comme on le verra plus en détails ci après, la circulation d'un fluide à travers les pores des différentes membranes et desdits orifices traversants. La taille des pores des différentes membranes est choisie de façon à être inférieure à la taille des grains de la poudre de produit actif, de façon à permettre un emprisonnement du produit actif dans les cavités CV11 et CV13 d'une part, et CV23 et CV12 d'autre part. Les dimensions du boîtier BT sont, dans cet exemple de réalisation, avantageusement choisies de façon à ce que le boîtier BT puisse être aisément implanté dans le corps humain. A titre d'exemple non limitatif, la longueur L du boîtier BT peut être de l'ordre du centimètre, par exemple entre 5 et 20 millimètres, tandis que la hauteur H du boîtier peut être de l'ordre du millimètre voire moins, par exemple en 100 et 750 micromètres, et que la profondeur P (largeur) du boîtier peut être du même ordre de grandeur que la longueur. Par ailleurs, la taille des pores des différentes membranes est, dans cet exemple de réalisation, de l'ordre de quelques nanomètres, typiquement deux à trois nanomètres. Dans une application particulière de biopile, cette taille de pores est nettement inférieure à la taille des molécules des produits actifs, mais supérieure à la taille des molécules de glucose et d'oxygène. Dans cette configuration, les molécules des produits actifs restent emprisonnées alors que les molécules de glucose et d'oxygène circulent librement à travers les membranes. Bien entendu, bien que le boîtier ait été représenté ici de forme parallélépipédique, sa forme pourrait être quelconque, par exemple cylindrique. Sur la figure 18, le boîtier BT est utilisé comme pile. Un fluide actif LQA, ou électrolyte, peut alors circuler à travers les différentes membranes poreuses et les orifices traversants, pour venir réagir avec les produits actifs PAl et PA2 avant de s'échapper du boîtier par l'intermédiaire des membranes poreuses MBC1 et MBC2. Bien entendu, comme indiqué ci avant, la dimension des pores des membranes sont ajustées de façon à ce que les produits actifs PAl et PA2 ne s'échappent pas des cavités dans lesquelles ils sont logés, tout en pouvant réagir avec le fluide actif LQA. Dans une application de biopile, le fluide actif contient le « fuel » (Glucose et oxygène par exemple). En d'autres termes, la taille des pores peut être plus importante que deux ou trois nanomètres si la taille des molécules des produits actifs le permet. Les produits actifs peuvent contenir des additifs (graphite, médiateur ou nanotube de carbone). La taille de ces additifs (nanotubes de carbone, par exemple) est plus grande que celle des molécules de produits actifs et ne peuvent donc pas s'échapper des cavités. L'utilisation de membranes poreuses électriquement conductrices obtenues à partir de silicium poreux est particulièrement avantageuse, car le rapport entre le volume de silicium poreux et la surface d'électrode est très important. Ainsi, à titre d'exemple, la surface d'électrode (membrane poreuse électriquement conductrice) peut atteindre un m2 pour un mm3 de silicium poreux initial. La première zone de contact ZC1 électriquement conductrice forme alors par exemple la cathode de la pile tandis que la deuxième zone de contact ZC2, en contact avec la membrane MBC2, forme par exemple l'anode de la pile. De par l'interaction entre les produits actifs PAl, PA2 au contact des membranes électriquement conductrices MBC1 et MBC2, avec le liquide actif LQA, il se développe une différence de potentiel V disponible entre les zones de contact ZC1 et ZC2, et par conséquent entre les deux membranes électriquement conductrices MBC1 et MBC2. Lorsque le boîtier a une taille telle qu'il puisse être implanté dans le corps humain, il peut alors être utilisé comme biopile. On peut alors, à titre d'exemple, utiliser comme produits actifs PAl et PA2, et comme liquide LQA ceux décrits dans l'article de Philippe Cinquin précité. Et, à cet égard, on peut par exemple loger le boîtier BT dans une poche ou une enveloppe appropriée, elle-même implantée dans le corps humain, d'une façon analogue à ce qui a été décrit dans l'article de Philippe Cinquin précité. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif comportant une membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) fixée sur un support (SP), caractérisé en ce qu'il comprend une réalisation de la membrane et du support à partir d'un même élément en silicium (SB), ladite réalisation comportant une formation locale d'une région de silicium poreux (RP) dans ledit élément en silicium (SB) et un traitement de ladite région de silicium poreux produisant une région poreuse électriquement conductrice, la région poreuse électriquement conductrice formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) et la partie restante en silicium dudit élément formant ledit support (SP). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit traitement comporte un tapissage des pores de la région de silicium poreux par au moins un métal. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit traitement comporte une siliciuration au moins partielle de ladite région de silicium poreux, la région siliciurée formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) et la partie restante en silicium dudit élément formant ledit support (SP). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la siliciuration de ladite région poreuse comprend une siliciuration totale de cette région poreuse. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprend une formation au sein de l'élément de ladite région de silicium poreux (RP) possédant une première face (F11) en continuité avec une première face (F101) de l'élément communiquant avec l'extérieur de l'élément, un dépôt de métal au contact de la région de silicium poreux et éventuellement une formation d'un siliciure dudit métal de façon à obtenir une région poreuse électriquement conductrice, et une formation locale dans ledit élément d'une cavité débouchante (CV) délimitée par ledit support et une deuxième face (F21) de ladite régionporeuse électriquement conductrice, opposée à la première face (F11), ladite région poreuse électriquement conductrice formant une membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) obturant un orifice traversant dudit élément. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprend une formation au sein de l'élément de ladite région de silicium poreux (RP) possédant une première face (F11) en continuité avec une première face (F101) de l'élément communiquant avec l'extérieur de l'élément, une formation locale dans ledit élément d'une cavité débouchante (CV) délimitée par ledit support et une deuxième face (F21) de ladite région poreuse, opposée à la première face (F11), un dépôt de métal au contact de la région de silicium poreux et éventuellement une formation d'un siliciure dudit métal de façon à obtenir une région poreuse électriquement conductrice, ladite région poreuse électriquement conductrice formant une membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) obturant un orifice traversant dudit élément. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprend une comprend une formation au sein de l'élément d'une première cavité débouchante (CV13), ladite formation locale dans ledit élément (SB) de ladite région de silicium poreux à partir de la paroi de fond de ladite première cavité débouchante, un dépôt de métal au contact de la région de silicium poreux et éventuellement une formation d'un siliciure dudit métal de façon à obtenir une région poreuse électriquement conductrice, ladite région poreuse électriquement conductrice formant une membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) obturant un orifice traversant dudit élément. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite réalisation comprend en outre une formation au sein du support d'une deuxième cavité débouchante (CV23), les deux cavités débouchantes étant séparées par ladite région de silicium poreux électriquementconductrice formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) obturant ledit orifice traversant. 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite formation locale de ladite région de silicium poreux comprend en outre une formation au sein du support d'une deuxième cavité débouchante (CV23), les deux cavités débouchantes étant séparées par ladite région de silicium poreux. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite formation locale de silicium poreux comprend une réalisation de pores sensiblement rectilignes et parallèles. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite formation locale de silicium poreux comprend une réalisation de pores une taille de l'ordre de quelques nanomètres. 12. Dispositif, comprenant une membrane poreuse électriquement conductrice fixée sur un support en silicium et délimitée par ledit support. 13. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel ladite membrane poreuse électriquement conductrice comporte du silicium poreux recouvert d'au moins un métal ou d'un siliciure de métal. 14. Utilisation du dispositif obtenu par le procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 11 comme électrode d'une pile à combustible, par exemple une biopile, lorsque qu'un fluide actif (LQA) circule à travers la membrane poreuse (MBC) pour venir interagir avec un produit actif.