Brevet FR2963478A1 — publié le 20120203

GRB 10-2007FR 1 Dispositif semi-conducteur comprenant un composant passif de condensateurs et procédé pour sa fabrication. La présente invention concerne le domaine des dispositifs semi-conducteurs. I1 est connu de réaliser des plaquettes reconstituées comprenant, dans des emplacements, des puces de circuits intégrés noyées dans une matière d'encapsulation et de scier ces plaquettes de façon à former des dispositifs semi-conducteurs individualisés. Néanmoins, il n'est pas possible aujourd'hui d'intégrer dans les plaquettes, dans le voisinage des puces, des condensateurs tels que ceux couramment utilisés, notamment à cause de leurs formes et de leurs moyens de connexion électrique. I1 est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Ce procédé comprend : placer, sur au moins un emplacement d'une surface de réception d'un support, une face avant de connexion électrique d'au moins une puce de circuits intégrés et une face avant d'au moins un composant passif comprenant des plaques conductrices séparées par des plaques diélectriques formant des condensateurs ; et former sur ladite surface de réception une couche d'une matière d'encapsulation de façon à obtenir, dans ledit emplacement, une plaquette comprenant un bloc d'encapsulation dans lequel la puce et le composant passif sont noyés et présentant une face frontale la face avant de la puce et la face avant du composant passif ; puis relier sélectivement au moins certaines desdites plaques conductrices à la puce, de telle sorte qu'au moins certains des condensateurs soient reliés à la puce. I1 est ainsi possible de pré-fabriquer un composant passif de structure simple, de l'intégrer dans le bloc d'encapsulation, puis de constituer un ou plusieurs condensateurs, selon le besoin, lors de la réalisation des connexions électriques à la puce. Le procédé peut comprendre : former au moins une piste avant de connexion électrique sur la face frontale de la plaquette. Le procédé peut comprendre : former au moins une piste arrière de connexion électrique sur la face arrière de la plaquette, un via de connexion électrique au travers de la plaquette et une piste avant de connexion électrique sur la face frontale de la plaquette, la piste arrière et la piste avant étant reliées par le via de connexion électrique. Le procédé peut comprendre : placer le composant passif de telle sorte que lesdites plaques s'étendent perpendiculairement à ladite surface de réception, puis relier sélectivement au moins certains des champs desdites plaques conductrices à la puce. Le procédé peut comprendre : placer le composant passif de telle sorte que lesdites plaques s'étendent parallèlement à ladite surface de réception. Le procédé peut comprendre : placer un composant passif présentant une plaque diélectrique sur la surface de réception, puis former au moins une plaque conductrice additionnelle sur la face avant de cette plaque diélectrique pour former un condensateur comprenant cette plaque conductrice et la plaque conductrice adjacente du composant passif, séparées par cette première plaque diélectrique. I1 est également proposé un dispositif semi-conducteur, qui comprend une plaquette présentant une face frontale et comprenant au moins une puce de circuits intégrés présentant une face avant de connexion électrique, au moins un composant passif présentant une face avant et comprenant des plaques conductrices séparées par des plaques diélectriques, formant des condensateurs, et un bloc d'encapsulation dans lequel la puce de circuits intégrés et le composant passif sont noyés, une face avant du bloc d'encapsulation, la face avant de la puce de circuits intégrés et la face avant du composant passif formant la face frontale de la plaquette ; et des moyens de connexion électrique reliant au moins certaines desdites plaques conductrices et la puce de circuits intégrés, ces moyens de connexion électrique étant formés sur la face frontale de la plaquette et/ou sur la face arrière de la plaquette, au travers du bloc d'encapsulation et sur la face frontale de la plaquette. Le composant passif peut comprendre des plaques qui s'étendent perpendiculairement à la face frontale de la plaquette, les moyens de connexion électrique étant reliés aux champs des plaques conductrices. Lesdites plaques peuvent s'étendre sur l'épaisseur de la plaquette. Le composant passif peut comprendre des plaques qui s'étendent parallèlement à la face frontale de la plaquette. Le composant passif peut comprendre une plaque diélectrique adjacente à la face frontale de la plaquette, au moins une plaque conductrice étant formée sur la face avant de cette plaque diélectrique, par exemple en même temps qu'au moins une piste de connexion à la puce. Des dispositifs semi-conducteurs vont maintenant être décrits à titre d'exemples non limitatifs, illustrés par le dessin sur lequel : - la figure 1 représente une coupe un dispositif semi- conducteur ; - la figure 2 représente une vue frontale du dispositif semi-conducteur de la figure 1, sans couche superficielle ; - la figure 3 représente une vue en perspective d'un composant passif du dispositif semi-conducteur de la figure 1 ; - la figure 4 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 1, selon une étape de fabrication ; - la figure 5 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 1, selon une autre étape de fabrication ; - la figure 6 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 1, selon une autre étape de fabrication ; - la figure 7 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 1, selon une autre étape de fabrication ; - la figure 8 représente une coupe un autre dispositif semi- conducteur ; - la figure 9 représente une vue frontale du dispositif semi-conducteur de la figure 8, sans couche superficielle ; - la figure 10 représente une vue en perspective d'un composant passif du dispositif semi-conducteur de la figure 8 ; - la figure 11 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 8, selon une étape de fabrication ; - la figure 12 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 8, selon une autre étape de fabrication ; - la figure 13 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 8, selon une autre étape de fabrication ; - et la figure 14 représente le dispositif semi-conducteur de la figure 8, selon une autre étape de fabrication. Un dispositif semi-conducteur 1 illustré sur les figures 1 à 3 comprend une plaquette 2 qui présente une face frontale 3 et une face arrière 4, parallèles. La plaquette 2 comprend un bloc d'une matière d'encapsulation diélectrique 5 dans lequel sont noyés une puce de circuits intégrés préfabriquée 6 et un composant passif préfabriqué 7, placés de telle sorte qu'une face avant 8 de la puce 6, dans laquelle sont formés les circuits intégrés et qui présente des plots de connexion électrique, une face avant 9 du composant passif 7 et une face avant 10 du bloc d'encapsulation 5 soient dans un même plan constituant la face frontale 3 de la plaquette 2, le composant passif 7 étant placé latéralement et à distance de la puce 6. Ainsi, la face avant 8 de la puce 6 et la face avant 9 du composant passif 7 ne sont pas couvertes par le bloc d'encapsulation 5. Le composant passif 7 comprend une pluralité de plaques superposées, disposées parallèlement à la face frontale 3 de la plaquette 2. Selon l'exemple représenté, le composant passif 7 comprend successivement, dans le sens de l'épaisseur de la plaquette 2, une plaque diélectrique 11 présentant la face 9 précitée, une plaque conductrice 12, une plaque diélectrique 13 et une plaque conductrice 14, les plaques conductrices 12 et 14 étant par exemple métalliques. La plaque 12 recouvre complètement la plaque 11, la plaque 13 ne recouvre pas complètement la plaque 12 et la plaque 14 recouvre complètement la plaque 13, la plaque conductrice 14 étant, dans l'exemple représenté, à distance de la face arrière 4 de la plaquette 2. Sur la face frontale 3 de la plaquette 2, sont formées deux plaques avant conductrices 15 et 16, qui sont reliées à des plots de connexion électrique de la face avant 8 de la puce 6 par des pistes avant de connexion électrique 17 et 18, les plaques conductrices 15 et 16 étant localisées sur la face frontale 9 de la plaque diélectrique 11 et étant distantes l'une de l'autre. Les plaques avant conductrices 15 et 16 présentent la même épaisseur que les pistes avant de connexion électrique 17 et 18. En arrière des plaques 12 et 14 et entre ces plaques 12 et 14 et la face arrière 4 de la plaquette 2, sont aménagés des trous 19 et 20 dans le bloc d'encapsulation 5, qui sont remplis d'une matière conductrice de façon à former des vias de connexion électrique 21 et 22. Selon une variante, le composant passif 7 pourrait présenter la même épaisseur que la plaquette 2. Dans ce cas, le via de connexion électrique 22 pourrait être supprimé. Latéralement à la puce 6 et au composant passif 7 et entre la face frontale 3 et la face arrière 4 de la plaquette 2, des trous traversants 23 et 24 sont aménagés dans le bloc d'encapsulation 5 et sont remplis d'une matière conductrice de façon à former des vias de connexion électrique 25 et 26. Sur la face frontale 3 de la plaquette 2, sont formées des pistes avant de connexion électrique 27 et 28 reliant respectivement les vias 25 et 26 à des plots de connexion électrique de la face avant 8 de la puce 6 et, sur la face arrière 4 de la plaquette 2, sont formées des pistes arrière de connexion électriques 29 et 30 reliant respectivement les vias 21 et 22 et les vias 25 et 26. Ainsi, le composant passif 7 définit trois condensateurs reliés à la puce 6 , à savoir un premier condensateur C l comprenant la plaque conductrice 12 et la plaque conductrice 15 séparées par la plaque diélectrique 11, un second condensateur C2 comprenant la plaque conductrice 12 et la plaque conductrice 16 séparées par la plaque diélectrique 11, et un troisième condensateur C3 comprenant les plaques conductrices 12 et 14 séparées par la plaque diélectrique 13. Sur la face frontale 3 de la plaquette 2 et recouvrant les plaques conductrices 15 et 16 et les pistes de connexion électrique 17, 18, 27 et 28, est aménagée une couche diélectrique 31, intégrant un réseau de connexion électrique 32 permettant de relier sélectivement des plots de connexion électrique de la face avant 8 de la puce 6 et des billes extérieures de connexion électrique 33 placées sur une face frontale de la couche 31. Sur la face arrière 4 de la plaquette 2 et recouvrant les pistes de connexion électrique 29 et 30, est aménagée une couche diélectrique de protection 34. Le dispositif semi-conducteur 1 peut être réalisé de la manière suivante, en mettant en oeuvre de façon adaptée les moyens utilisés dans le domaine de la microélectronique. Comme illustré sur la figure 4, on dispose, respectivement sur des emplacements adjacents 35, par exemple carrés, d'une surface de réception 36 d'un support 37, des puces 6 et des composants passifs 7, en plaçant leurs faces avant 8 et 9 contre la surface de réception 36, la surface de réception 36 étant par exemple auto-collante. Comme illustré sur la figure 5, on forme une couche d'encapsulation 38 sur la surface de réception 36 du support 37, noyant les puces 6 et les composants passifs 7 et on procède à un dressage ou désépaississement de cette couche 38, par exemple jusqu'à la face arrière des puces 6 de façon à obtenir une grande plaquette reconstituée 39 formant, respectivement dans les emplacements 35, des blocs encapsulation 5 portant des puces 6 et des composants passifs 7. Puis, comme illustré sur la figure 6, on réalise, respectivement dans les emplacements 35, les trous 19, 20, 23 et 24 dans la couche d'encapsulation 38 et on remplit ces trous d'une matière conductrice de façon à former les vias 21, 22, 25 et 26 dans respectivement les blocs encapsulation 5. Puis, comme partiellement illustré sur la figure 7, on réalise sur la face frontale 3 de la plaquette 2, la couche 31, en y intégrant respectivement dans les emplacements 35 et sur le même niveau de métallisation, les plaques conductrices 15 et 16, les pistes avant de connexion électrique 17, 18, 27 et 28 et le réseau de connexion électrique 32. Une couche intermédiaire diélectrique pourrait être formée directement sur la face frontale de la plaquette 2, les plaques conductrices 15 et 16, les pistes avant de connexion électrique 17, 18, 27 et 28 et le réseau de connexion électrique 32 étant alors réalisés sur cette couche intermédiaire diélectrique et traversant cette dernière aux endroits souhaités de connexion électrique. Par ailleurs, le réseau de connexion électrique 32 pourrait néanmoins présenter plusieurs niveaux métalliques. Puis, on réalise sur la face arrière 4 de la plaquette 2, la couche 34, en y intégrant respectivement dans les emplacements 35 et sur le même niveau de métallisation, les pistes arrière de connexion électrique 29 et 30. Puis, on place les billes de connexion électrique 33 sur la couche avant 31. Enfin, on singularise, le long des bords des emplacements 35, la grande plaquette 39 finalement obtenue, par exemple par sciage, de façon à obtenir une pluralité de dispositifs semi-conducteur 1. I1 résulte de ce qui précède que c'est lorsque l'on réalise les plaques avant conductrices 15 et 16, en même temps que les pistes avant de connexion électrique 17 et 18, que l'on détermine les valeurs des capacités des condensateurs C l et C2, notamment en choisissant les surfaces de ces plaques 15 et 16. Bien entendu, on pourrait choisir de réaliser un ou plusieurs condensateurs en formant une ou plusieurs plaques conductrices sur la face frontale 3, en même temps qu'une ou plusieurs pistes de connexion électrique à la puce 6. De plus, disposant d'un composant passif préfabriqué, comprenant plusieurs condensateurs, on pourrait ne connecter que certains des condensateurs, en fonction de la puce 6 utilisée et des besoins liés au fonctionnement et aux applications de cette dernière. Un autre dispositif semi-conducteur 50 illustré sur les figures 8 à 10 comprend une plaquette 51 qui présente une face frontale 52 et une face arrière 53, parallèles. La plaquette 51 comprend un bloc d'une matière d'encapsulation 54 dans lequel sont noyés une puce de circuits intégrés préfabriquée 55 et un composant passif préfabriqué 56 placés de telle sorte qu'une face avant de connexion électrique 57 de la puce 55, une face avant 58 du composant passif 56 et une face avant 59 du bloc d'encapsulation 5 soient dans un même plan constitué par la face frontale 52 de la plaquette 51, le composant passif 56 étant placé latéralement et à distance de la puce 55. Le composant passif 56 comprend une pluralité de plaques superposées, disposées perpendiculairement à la face frontale 52 de la plaquette 51. Selon l'exemple représenté, le composant passif 56 comprend quatre plaques conductrices parallèles 60, 61, 62 et 63, par exemple métalliques, séparées par trois plaques diélectriques 64, 65 et 66, de façon à former trois condensateurs CIO, C l l et C12. Les plaques conductrices 60-63 et les plaques diélectriques 64-66 sont placées de façon à présenter des champs avant qui constituent la face 58 du composant passif 56, dans le plan de la face frontale 57 de la plaquette 51, et des champs arrière opposés qui sont dans le plan de la face arrière 53 de la plaquette 51, les plaques conductrices 60-63 et les plaques diélectriques 64-66 présentant en conséquence, entre ces champs opposés, une largeur correspondant à l'épaisseur de la plaquette 51. A titre d'exemple, les condensateurs C10-C12 peuvent être reliés à la puce 55 de la manière suivante. Par exemple, des pistes avant de connexion électrique 67, 68 et 69 peuvent être formées sur la face frontale 52 de la plaquette 51 pour relier les champs avant des plaques conductrices 60, 61 et 62 à des plots avant de la puce 55, en s'étendant sur ces champs avant et sur ces plots, de telle sorte que les condensateurs C I O et C l l sont reliés à la puce 55 respectivement par les pistes avant 67 et 68 et par les pistes avant 68 et 69. En outre, le bloc d'encapsulation 54 peut présenter un trou traversant 70 rempli d'une matière constituant un via de connexion électrique 71, une piste avant de connexion électrique 72 peut être formée sur la face frontale 52 de la plaquette 51 pour relier le via 71 et un plot avant de la puce 55, en s'étendant sur ce via et ce plot, et une piste arrière de connexion électrique 73 peut être formée sur la face arrière 53 de la plaquette 51 pour relier le via 71 et le champ arrière de la plaque conductrice 63, en s'étendant sur ce via et ce champ, de telle sorte que le condensateur C12 est relié à la puce 55 par le via 71, la piste avant de connexion électrique 72 et la piste arrière de connexion électrique 73. Sur la face frontale 52 de la plaquette 51 et recouvrant la face avant du composant passif 56 et les pistes avant de connexion électrique 67-69 et 72, est aménagée une couche diélectrique 74, intégrant un réseau de connexion électrique 75 permettant de relier sélectivement des plots de connexion électrique de la face avant 57 de la puce 55 et des billes extérieures de connexion électrique 76 placées sur une face frontale de la couche 74. Sur la face arrière 53 de la plaquette 51 et recouvrant la face arrière du composant passif 56 et la piste arrière de connexion électrique 73 est aménagée une couche diélectrique de protection 77. Le dispositif semi-conducteur 50 peut être réalisé de la manière suivante. Comme illustré sur la figure 11, on dispose, respectivement sur des emplacements adjacents 78, par exemple carrés, d'une surface de réception 79 d'un support 80, des puces 55 et des composants passifs 56, en plaçant leurs faces avant 57 et 58 contre la surface de réception 79, la surface de réception 79 étant par exemple auto-collante. Comme illustré sur la figure 12, on forme une couche d'encapsulation 81 sur la surface de réception 79 du support 80, noyant les puces 55 et les composants passifs 56 et on procède à un dressage ou désépaississement de cette couche 81, jusqu'à découvrir les faces arrière des composants passifs 56 de façon à obtenir une grande plaquette reconstituée 82 formant, respectivement dans les emplacements 78, des blocs encapsulation 54 portant des puces 55 et des composants passifs 56. Puis, comme illustré sur la figure 13, on réalise, respectivement dans les emplacements 78, un trou 70 dans la couche d'encapsulation 81 et on remplit ce trou 70 d'une matière conductrice de façon à former les via 71 dans respectivement les blocs encapsulation 54. Puis, comme illustré partiellement sur la figure 14 et de façon équivalente à ce qui a été décrit précédemment à propos du dispositif 1 en référence à la figure 7, on réalise, respectivement dans les emplacements 78, d'une part les pistes avant de connexion électrique 67, 68, 69 et 72 et le réseau 75, dans la couche diélectrique avant 74 et d'autre part la piste arrière de connexion électrique 73 dans la couche diélectrique arrière 77. Puis, on met en place, sur chaque emplacement 78, les billes 76. Enfin, on singularise, le long des bords des emplacements 78, la grande plaquette 82 finalement obtenue, par exemple par sciage, de façon à obtenir une pluralité de dispositifs semi-conducteur 50. Dans les deux exemples qui viennent d'être décrits, disposant d'un composant passif préfabriqué comprenant plusieurs condensateurs, on pourrait ne connecter que certains des condensateurs, en fonction de la puce 55 utilisée et des besoins liés au fonctionnement et aux applications de cette dernière. Selon une variante de réalisation, un dispositif semi-conducteur pourrait comprendre un composant passif dont certains des condensateurs seraient reliés en série ou en parallèle, de façon à créer un condensateur résultant, relié à la puce. Selon une variante de réalisation, un dispositif semi-conducteur pourrait comprendre un composant passif dont au moins l'un des condensateurs serait relié directement à l'une des billes de connexion électrique extérieure. Selon une variante de réalisation, un dispositif semi-conducteur pourrait comprendre un composant passif dont au moins l'un des condensateurs serait relié directement à un autre dispositif semi-conducteur par exemple empilé sur sa face arrière. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. Bien d'autres variantes de réalisation sont possibles, sans 5 sortir du cadre défini par les revendications annexées. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, comprenant : placer, sur au moins un emplacement (35, 78) d'une surface de réception d'un support, une face avant de connexion électrique (8, 57) d'au moins une puce de circuits intégrés (6, 55) et une face avant (9, 58) d'au moins un composant passif (7, 56) comprenant des plaques conductrices (12, 15 ; 60, 61) séparées par des plaques diélectriques (11, 64) formant des condensateurs ; et former sur ladite surface de réception une couche d'une matière d'encapsulation (38, 81) de façon à obtenir, dans ledit emplacement, une plaquette (2, 51)) comprenant un bloc d'encapsulation (5, 54) dans lequel la puce et le composant passif sont noyés et présentant une face frontale (3, 52) comprenant la face avant de la puce et la face avant du composant passif ; puis relier sélectivement au moins certaines desdites plaques conductrices à la puce, de telle sorte qu'au moins certaines des condensateurs soient reliés à la puce. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant : former au moins une piste avant de connexion électrique (17, 67) sur la face frontale (3, 52) de la plaquette. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant : former au moins une piste arrière de connexion électrique (30, 73) sur la face arrière (4, 53) de la plaquette, un via de connexion électrique (26, 71) au travers de la plaquette et une piste avant de connexion électrique (28) sur la face frontale (3, 52) de la plaquette, la piste arrière et la piste avant étant reliées par le via de connexion électrique. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant : placer le composant passif de telle sorte que lesdites plaques (60, 64) s'étendent perpendiculairement à ladite surface de réception, puis relier sélectivement au moins certains des champs desdites plaques conductrices à la puce. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant : placer le composant passif de telle sorte quelesdites plaques (11, 12) s'étendent parallèlement à ladite surface de réception. 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant : placer un composant passif présentant une plaque diélectrique (11) sur la surface de réception, puis former au moins une plaque conductrice additionnelle (15) sur la face avant de cette plaque diélectrique pour former un condensateur comprenant cette plaque conductrice (15) et la plaque conductrice adjacente (12) du composant passif, séparées par cette première plaque diélectrique (11). 7. Dispositif semi-conducteur, comprenant : une plaquette (2, 51) présentant une face frontale et comprenant au moins une puce de circuits intégrés (6, 55) présentant une face avant de connexion électrique, au moins un composant passif (7, 56) présentant une face avant et comprenant des plaques conductrices séparées par des plaques diélectriques, formant des condensateurs, et un bloc d'encapsulation (5, 54) dans lequel la puce de circuits intégrés et le composant passif sont noyés, une face avant du bloc d'encapsulation, la face avant de la puce de circuits intégrés et la face avant du composant passif formant la face frontale de la plaquette ; et des moyens de connexion électrique (17, 26, 28, 30, 28, 71, 72, 73) reliant au moins certaines desdites plaques conductrices et la puce de circuits intégrés, ces moyens de connexion électrique étant formés sur la face frontale de la plaquette et/ou sur la face arrière de la plaquette, au travers du bloc d'encapsulation et sur la face frontale de la plaquette. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le composant passif (56) comprend des plaques qui s'étendent perpendiculairement à la face frontale de la plaquette, les moyens de connexion électrique étant reliés aux champs des plaques conductrices. 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel lesdites plaques s'étendent sur l'épaisseur de la plaquette (51). 10. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le composant passif (7) comprend des plaques qui s'étendent parallèlement à la face frontale de la plaquette (2). 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel le composant passif comprend une plaque diélectrique (11) adjacente à la face frontale (3) de la plaquette (2), au moins une plaque conductrice (15) étant formée sur la face avant de cette plaque diélectrique (11).