Brevet FR2977977A1 — publié le 20130118

PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DÉTECTEUR PHOTOSENSIBLE PAR DÉTÉCTION AUTOMATIQUE D'UN RAYONNEMENT INCIDENT L'invention concerne un procédé de commande d'un dispositif photosensible, par exemple d'un détecteur numérique de rayons X comprenant une matrice de points photosensibles. En particulier, elle concerne un procédé de commande de la lecture de charges électriques accumulées dans les points photosensibles du dispositif. L'invention s'applique également à la détermination d'une quantité de photons reçue par le dispositif photosensible. Les techniques de dépôt en films minces de matériaux semi- conducteurs, tels que le silicium amorphe hydrogéné, sur des supports isolants, par exemple en verre, permettent de réaliser des dispositifs photosensibles formés d'une matrice de points sensibles au rayonnement visible ou proche du visible. Ces dispositifs photosensibles sont appelés détecteurs à l'état solide, détecteurs à semi-conducteurs ou encore 15 détecteurs à panneaux plats. Ils peuvent être utilisés dans le cadre de la formation d'images radiologiques par rayons X en interposant un scintillateur entre le rayonnement X et la matrice de points photosensibles, de manière à convertir le rayonnement X en rayonnement lumineux dans la bande de longueurs d'onde des points photosensibles. Chaque point photosensible est 20 en général au moins constitué d'un élément photosensible tel qu'une diode et d'un élément interrupteur en série, par exemple un transistor à effet de champ. Chaque point photosensible est connecté entre un conducteur colonne et un conducteur ligne. Durant une phase dite de prise d'image, les éléments photosensibles sont exposés à un rayonnement qu'ils convertissent 25 en charges électriques. Durant une phase dite de lecture, une impulsion de lecture est successivement appliquée aux éléments interrupteurs par les conducteurs ligne afin de transférer les charges électriques vers des circuits de lecture par l'intermédiaire des conducteurs colonne. Pour la radiologie médicale, des dispositifs photosensibles ont été réalisés sous forme de 30 cassettes utilisées en association avec une station de base comprenant une source de rayonnement X. Les cassettes peuvent être mobiles afin d'être facilement placées à proximité d'un patient dont on souhaite obtenir une image radiologique. Les détecteurs à l'état solide présentent de nombreux avantages par rapport aux films radiologiques, notamment en termes d'exploitation des images. Cependant, une synchronisation est généralement nécessaire entre la station de base et la cassette pour synchroniser la fenêtre d'acquisition, c'est-à-dire l'intervalle de temps pendant lequel le détecteur à l'état solide est apte à convertir les photons reçus, avec la fenêtre de rayonnement, c'est-à-dire l'intervalle de temps pendant lequel des rayons X sont émis par la station de base. En effet, en l'absence de synchronisation, la fenêtre de rayonnement peut débuter avant la fenêtre d'acquisition ou se terminer après. Le patient est alors soumis inutilement à 1 o une dose de rayons X. En outre, l'exposition des points photosensibles à un rayonnement pendant la phase de lecture dégrade la qualité de l'image radiologique. Ainsi, la synchronisation permet de s'assurer que l'intégralité de la fenêtre de rayonnement est incluse dans la fenêtre d'acquisition, l'intégralité du rayonnement X émis par une station de base pouvant alors 15 être traitée par la cassette mobile. La synchronisation impose donc la présence de moyens de liaison entre la station de base et la cassette. Hors les stations de base prévues à l'origine pour fonctionner avec des cassettes à films radiologiques ne comportent pas de tels moyens de liaison. Le remplacement d'une cassette à films radiologiques par une cassette 20 comprenant un détecteur à l'état solide impose par conséquent des modifications structurelles de la station de base. Ces modifications structurelles entraînent une complexification du système radiologique et un surcoût d'installation. De plus, les moyens de liaison présentent des inconvénients. En particulier, un moyen de liaison filaire restreint la mobilité 25 d'une cassette mobile. Une liaison sans fil permet plus de mobilité mais ne permet en général pas de synchronisation. Tel est notamment le cas des liaisons sans fil basées sur la norme IEEE 802.11. En outre, les contraintes de compatibilité électromagnétique dans le domaine médical imposent de très faibles puissances d'émission. Il se pose alors des problèmes de fiabilité 30 de la liaison sans fil. Un but de l'invention est notamment de remédier à tout ou partie des inconvénients précités en permettant à un dispositif photosensible de traiter l'ensemble d'un rayonnement reçu sans nécessiter de moyens de 35 liaison avec la source du rayonnement. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de commande d'un dispositif photosensible comprenant un conducteur colonne, des conducteurs ligne et des points photosensibles, chaque point photosensible étant relié entre le conducteur colonne et l'un des conducteurs ligne, et comprenant un élément photosensible apte à convertir un flux de photons en charges électriques, et un transistor commandé par le conducteur ligne correspondant, les transistors étant commandés à l'état bloqué pendant une phase d'acquisition où le flux de photons est converti en charges électriques, et étant successivement commandés à l'état passant pendant une phase de lecture de manière à 1 o transférer ligne par ligne les charges électriques vers le conducteur colonne. Chaque transistor introduit à l'état bloqué une capacité de couplage parasite entre l'élément photosensible et le conducteur colonne correspondants. Le procédé se caractérise en ce qu'il comporte une étape consistant à déterminer un potentiel électrique sur le conducteur colonne à un instant où 15 les transistors sont commandés à l'état bloqué. Selon une première forme particulière de réalisation, le procédé comprend les étapes supplémentaires suivantes : ^ déterminer le potentiel électrique sur le conducteur colonne à un 20 deuxième instant où les transistors sont commandés à l'état bloqué, ^ déterminer une différence du potentiel électrique sur le conducteur colonne entre les premier et deuxième instants, ^ comparer la différence de potentiel électrique à un seuil prédéterminé, 25 ^ si la différence de potentiel électrique est supérieure au seuil prédéterminé, commander successivement les transistors de manière à transférer individuellement les charges électriques de chaque point photosensible vers le conducteur colonne. Cette forme particulière de réalisation permet de détecter une évolution du 30 potentiel électrique entre deux instants, et de déclencher la lecture des charges électriques en cas d'évolution significative. Selon une deuxième forme particulière de réalisation, le dispositif photosensible comprend ne conducteurs colonne, chaque point 35 photosensible étant relié entre l'un des conducteurs colonne et l'un des conducteurs ligne de manière à former une matrice de points photosensibles, le potentiel électrique étant déterminé n, fois successivement sur chacun des conducteurs colonne dans un premier intervalle de temps où les transistors sont commandés à l'état bloqué, les potentiels formant une première suite de potentiels pour chaque conducteur colonne. Le procédé comporte de plus les étapes suivantes : ^ déterminer le potentiel électrique n, fois successivement sur chacun des conducteurs colonne dans un deuxième intervalle de temps où les transistors sont commandés à l'état bloqué, les potentiels formant une 1 o deuxième suite de potentiels pour chaque conducteur colonne, ^ déterminer, relativement à chaque conducteur colonne et à chaque occurrence dans les suites de potentiels, une différence de potentiel entre le potentiel électrique de la première suite et le potentiel électrique correspondant de la deuxième suite, les différences de potentiel formant une 15 image test de ne colonnes par n, lignes de pixels, - tester l'exposition des points photosensibles, ladite étape comprenant les sous-étapes successives suivantes : - découper l'image test en blocs de m colonnes par n, lignes de pixels, 20 - déterminer, pour chaque bloc, une moyenne des différences de potentiel, - comparer chaque moyenne à un seuil prédéterminé fonction de la dimension m des blocs, - si aucune moyenne n'est supérieure au seuil prédéterminé, répéter 25 l'étape de test avec une dimension m de bloc supérieure à la dimension m précédente, - si au moins une moyenne est supérieure au seuil prédéterminé, commander successivement les transistors de manière à transférer individuellement les charges électriques de chaque point photosensible vers 30 le conducteur colonne correspondant. Cette forme particulière de réalisation permet d'optimiser la détection d'une exposition du dispositif photosensible quelle que soit la largeur de la zone exposée. L'invention a notamment pour avantage qu'elle permet de remplacer tout type de cassette mobile dans un système radiologique sans nécessiter de modification structurelle. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, faite en regard de dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente un exemple de dispositif photosensible auquel peut s'appliquer le procédé de commande selon l'invention ; - la figure 2 représente les étapes principales du procédé de commande selon l'invention ; - la figure 3 représente des étapes du procédé de commande selon une première forme particulière de réalisation de l'invention dans laquelle un potentiel électrique est lu périodiquement tant qu'il n'a pas évolué significativement ; - la figure 4 représente un exemple d'enchaînement temporel des étapes du procédé de commande selon la première forme particulière de réalisation de l'invention ; - la figure 5 représente des étapes du procédé de commande selon une deuxième forme particulière de réalisation de l'invention dans laquelle le potentiel électrique est lu plusieurs fois sur plusieurs conducteurs colonne ; - la figure 6 représente un exemple d'image test obtenue par le procédé de commande selon la deuxième forme particulière de réalisation de 25 l'invention, ladite image étant découpée en blocs ; - la figure 7 illustre le principe d'une détection pyramidale selon la deuxième forme particulière de réalisation de l'invention ; - la figure 8 représente graphiquement un exemple de probabilité d'occurrence de moyennes d'un bloc correspondant à une zone 30 non exposée du dispositif photosensible de la figure 1 ; - la figure 9 représente graphiquement un exemple de probabilité d'occurrence des moyennes d'un bloc correspondant à une zone exposée du dispositif photosensible ; - la figure 10 représente graphiquement un exemple de taux de 35 non-détection en fonction de la moyenne d'un bloc ; - la figure 11 représente graphiquement la relation entre une dimension d'un bloc et une moyenne minimale de ce bloc pouvant être détectée avec un taux de non-détection donné ; - la figure 12 représente graphiquement la relation entre la 5 dimension d'un bloc et la moyenne de ce bloc pour une exposition sur une surface donnée du dispositif photosensible ; - la figure 13 regroupe dans un même graphique les graphiques des figures 11 et 12 ; - la figure 14 illustre l'effet d'une variation de la dimension des 1 o blocs sur la détection d'une exposition du dispositif photosensible. La figure 1 représente un exemple de dispositif photosensible 10 auquel peut s'appliquer le procédé de commande selon l'invention. Le dispositif photosensible 10 comprend une matrice 11 de points 15 photosensibles, un circuit de commande lignes 12 et un ensemble 13 de circuits de lecture de charges 131, 132 et 133. Dans l'exemple de la figure 1, la matrice 11 est formée de trois lignes L1 à L3 par trois colonnes C1 à C3 de points photosensibles, référencés P1 à P9 individuellement, et Pp génériquement. Une telle matrice peut bien entendu être formée d'un plus 20 grand nombre de points photosensibles, pouvant aller jusqu'à plusieurs millions de points. Par ailleurs, les points photosensibles peuvent également être disposés selon une unique colonne de manière à former une barrette de détection. Chaque point photosensible Pp comprend une diode photosensible Dp et un transistor à effet de champ (FET) T. Les diodes photosensibles 25 pourraient être remplacées par tout élément photosensible capable de convertir un rayonnement lumineux en charges électriques, par exemple un phototransistor. Par ailleurs, un scintillateur peut être placé entre une source de rayonnement X et la matrice 11 afin de réaliser une image à rayons X. Les transistors T sont par exemple des transistors à couches minces, mieux 30 connus sous la dénomination anglo-saxonne de "Thin Film Transistors" (TFT). Le dispositif photosensible 10 comprend en outre des conducteurs ligne X1 à X3 reliant respectivement des sorties 121 à 123 du circuit de commande lignes 12 aux grilles des transistors T de la première ligne L1 de points photosensibles P1 à P3, aux grilles des transistors T de la deuxième 35 ligne L2 de points photosensibles P4 à P6, et aux grilles des transistors T de la troisième ligne L3 de points photosensibles P7 à P9. Le dispositif photosensible 10 comprend également des conducteurs colonne Y1 à Y3. Le conducteur colonne Y1 relie les drains des transistors T de la première colonne C1 de points photosensibles P1, P4 et P7 au circuit de lecture de charges 131. Le conducteur colonne Y2 relie les drains des transistors T de la deuxième colonne C2 de points photosensibles P2, P5 et P8 au circuit de lecture de charges 132. Le conducteur colonne Y3 relie les drains des transistors T de la troisième colonne C3 de points photosensibles P3, P6 et P9 au circuit de lecture de charges 133. Dans chaque point photosensible Pp, la 1 o source du transistor T est connectée à la cathode de la diode photosensible Dp. Les anodes de toutes les photodiodes Dp sont reliées à une sortie 124 du circuit de commande lignes 12. La sortie 124 délivre une tension de polarisation Vpo,ar, négative par rapport au potentiel de référence du dispositif photosensible 10. La tension Vpoiar est par exemple de l'ordre de - 7 V. 15 Le dispositif photosensible 10 de la figure 1 fonctionne de la manière suivante. Dans une phase d'acquisition d'une image, la matrice 11 est exposée à un flux de photons. Les photons sont convertis en charges électriques au niveau de chaque point photosensible Pp par la photodiode 20 Dp. La quantité de charges électriques est proportionnelle au nombre de photons reçus par la photodiode Dp. Les transistors T sont à l'état bloqué, de sorte que les charges électriques s'accumulent dans chaque point photosensible Pp au point de connexion entre la photodiode Dp et le transistor T. Il en résulte une baisse de potentiel de ce point de connexion, 25 appelé "point flottant". Les charges électriques accumulées dans chaque point photosensible doivent ensuite être lues afin de pouvoir restituer une image en deux dimensions du flux de photon reçus par la matrice 11. La lecture des charges électriques des points photosensibles Pp s'effectue ligne par ligne, simultanément pour tous les points photosensibles d'une même 30 ligne. A cet effet, dans une phase de lecture, le circuit de commande lignes 12 applique à chaque conducteur ligne X1-X3 adressé une impulsion de lecture faisant passer les transistors T de la ligne adressée à l'état passant. Les points flottants de la ligne adressée retrouvent alors leur potentiel de polarisation, ce qui fait circuler dans chaque conducteur colonne Y1 à Y3 un 35 courant proportionnel à la quantité de charges accumulées au point flottant correspondant. Les circuits de lecture de charges 131 à 133 exploitent ces courants afin de déterminer la quantité de photons reçue par chaque point photosensible Pp de la ligne adressée. L'invention repose sur une propriété intrinsèque des transistors, à savoir la présence d'une capacité de couplage parasite existant naturellement à l'état bloqué entre le drain et la source d'un transistor à effet de champ, de même qu'entre le collecteur et l'émetteur d'un transistor bipolaire. Cette capacité de couplage parasite est relativement faible, par 1 o exemple de l'ordre de 10 femtofarad (10-15 farad), mais néanmoins suffisante pour engendrer une variation du potentiel des conducteurs colonne. Par effet de couplage capacitif, une variation de potentiel du point flottant de chaque point photosensible Pp connecté à un conducteur colonne Y1-Y3 entraîne une variation proportionnelle du potentiel de ce conducteur colonne Y1-Y3. Ainsi, 15 la variation du potentiel d'un conducteur colonne Y1-Y3 est proportionnelle à la somme des variations de potentiel du point flottant de tous les points photosensibles Pp connectés à ce conducteur colonne Y1-Y3. Sur la figure 1, la capacité de couplage parasite de chaque transistor T est représentée par un condensateur C dont une première électrode est connectée au point 20 flottant (point de connexion entre une photodiode Dp et le transistor T associé) du point photosensible Pp considéré et dont une deuxième électrode est connectée au conducteur colonne Y1-Y3 auquel est relié le point photosensible Pp. Il est noté que cette capacité de couplage parasite pourrait être renforcée par la présence d'un condensateur connecté en parallèle, 25 c'est-à-dire entre le drain et la source de chaque transistor T. La figure 2 représente des étapes possibles du procédé de commande faisant l'objet de l'invention. Ce procédé s'applique par exemple au dispositif photosensible 10 de la figure 1. Dans une première étape 21, un 30 premier test est effectué : le potentiel électrique Vn_1 de l'un des conducteurs colonne Y1 à Y3 est déterminé à un premier instant tn_1. Dans une deuxième étape 22, un deuxième test est effectué : le potentiel électrique Vn du même conducteur colonne Y1-Y3 est déterminé à un deuxième instant tn. Un test, c'est-à-dire la détermination du potentiel électrique d'un conducteur colonne 35 Y1-Y3, est effectué au moyen du circuit de lecture de charges 131-133 associé au conducteur colonne Y1-Y3 considéré. Les charges électriques présentes sur le conducteur colonne sont lues et converties en une valeur numérique représentative du potentiel électrique du conducteur colonne. Dans une troisième étape 23, la différence de potentiel électrique AV (Vn - Vn_1) du conducteur colonne Y1-Y3 entre les instants tn et tn_1 est déterminée. Dans une quatrième étape 24, cette différence de potentiel AV est comparée à un seuil S prédéterminé. En fonction du résultat de cette comparaison, une étape de lecture 25 est déclenchée ou non. En particulier, si la différence de potentiel AV est supérieure au seuil S, une phase de lecture est exécutée, les lignes L1 à L3 de points photosensibles Pp étant lues successivement par application d'une impulsion de lecture sur chacun des conducteurs ligne X1 à X3. La détermination du seuil S résulte d'un compromis entre deux exigences antagonistes. Selon une première exigence, le seuil S ne doit pas être trop faible afin d'éviter l'exécution d'une phase de lecture alors que la matrice 11 n'a pas été exposée à un flux de photons. En effet, même en l'absence d'exposition, une différence de potentiel d'un conducteur colonne Y1-Y3 peut être observée en raison du bruit introduit par les différents composants électroniques, notamment par le circuit de lecture de charges 131-133 lors de la détermination du potentiel. A l'inverse, le seuil S ne doit pas être trop élevé afin d'éviter de manquer une phase d'acquisition d'une image. La figure 3 représente une forme particulière de réalisation de l'invention permettant de vérifier en permanence l'arrivée de photons sur la matrice 11 du dispositif photosensible 10. Le dispositif photosensible 10 est dans un mode veille, c'est-à-dire que des tests sont effectués à des intervalles de temps réguliers. La durée Tv de chaque intervalle de temps est par exemple de l'ordre de quelques millisecondes ou quelques dizaines de millisecondes. Cette durée Tv peut être fixée de manière à être inférieure à la durée minimale d'exposition, c'est-à-dire la durée minimale pendant laquelle le dispositif photosensible 10 est susceptible d'être exposé à un flux de photons. Une telle condition est par exemple nécessaire lorsque, pendant la phase d'acquisition, les circuits de lecture de charge font dériver lentement le potentiel électrique sur le conducteur colonne auquel ils sont connectés. Il est alors nécessaire de comparer le potentiel électrique sur un conducteur colonne entre un instant où le dispositif photosensible 10 n'est pas exposé à un flux de photons, et un instant où il est effectivement exposé à un flux de photons. La différence de potentiel AV déterminée lors de l'étape 23 est la différence entre le potentiel électrique Vn d'un conducteur colonne Y1-Y3 déterminé lors du dernier test à l'instant tn et le potentiel Vn_1 déterminé lors de l'avant-dernier test à l'instant tn_1. Sur la figure 3, la répétition des tests est réalisée par une boucle comprenant les étapes 22, 23 et 24, ainsi qu'une étape supplémentaire 31 fermant la boucle. L'étape 31 est effectuée à l'issue de l'étape 24 si la différence de potentiel AV n'est pas supérieure au seuil S. Dans cette étape 31, le potentiel Vn devient le potentiel Vn_1. A l'issue de l'étape 31, une nouvelle étape 22 de test est effectuée dans laquelle un nouveau potentiel Vn est déterminé. Ainsi, ce potentiel Vn peut être comparé dans l'étape 23 au nouveau potentiel Vn_1 déterminé lors de la précédente étape 22. La figure 4 représente, par deux chronogrammes, l'enchaînement temporel des différentes étapes du procédé de commande. Un premier chronogramme 41 représente le fonctionnement du dispositif photosensible 10. Un deuxième chronogramme 42 représente le fonctionnement de la source de photons ou de rayons X. Le dispositif photosensible 10 est dans le mode veille 411 entre des instants tn_2 et tW. Pendant ce mode veille 411, des tests 412 sont exécutés à différents instants tn_2, tn_1 et tn. La durée Tv sépare les tests successifs. Après chaque test 412, la différence de potentiel AV entre les deux derniers tests est déterminée et comparée au seuil S. En l'occurrence, après l'instant tn_1, la différence de potentiel AV est insuffisante pour déclencher une phase de lecture. Un nouveau test est alors effectué à l'instant tn. A un instant tX, précédant l'instant tn, un flux de photons ou de rayons X commence à être émis par la source en direction du dispositif photosensible 10. La durée d'émission est notée dX. Ainsi, lors de l'étape 24 suivant le test 412 à l'instant tn, il est déterminé que la différence de potentiel AV est supérieure au seuil S. Une étape 25 de lecture doit donc être déclenchée. Au préalable, une étape d'attente 413 est effectuée à partir de l'instant tW. Cet instant t, se produit une durée de après l'instant tn, la durée de étant la durée de traitement des étapes 23 et 24. L'étape d'attente 413 est effectuée pendant une durée dW, jusqu'à un instant tr. Elle permet de s'assurer que l'émission de photons ou de rayons X est terminée au moment de la phase de lecture. En effet, la lecture des points photosensibles pendant leur exposition donnerait une image très dégradée. En outre, dans le cas d'une imagerie X, seulement une partie du rayonnement X reçu par le patient serait exploitée. La durée d, doit donc être supérieure à la durée maximale d'exposition, c'est-à-dire la durée maximale pendant laquelle le dispositif photosensible 10 est susceptible d'être exposé à un flux de photons. A l'issue de l'étape d'attente 413, l'étape de lecture 25 peut être exécutée. Dans le but de réduire l'impact du bruit électronique introduit par les composants du dispositif photosensible 10, le procédé selon l'invention peut être optimisé de différentes manières. Dans une première variante, il est tenu compte de la différence de potentiel de plusieurs - voire de tous les - conducteurs colonne Y1-Y3, et non uniquement l'un d'entre eux. A cet effet, les étapes 21 à 23 peuvent être réalisées pour chaque conducteur colonne Y1 à Y3. L'étape 24 peut par exemple consister à comparer la somme des différences de potentiel sur l'ensemble des conducteurs colonne Y1 à Y3 avec un seuil global. Elle peut aussi consister à comparer individuellement la différence de potentiel des conducteurs colonne à un seuil, une phase de lecture n'étant exécutée que si le nombre de comparaisons positives, c'est-à- dire le nombre de différences de potentiel supérieures au seuil, est supérieur à un nombre donné. Les conducteurs colonne considérés peuvent être adjacents ou non. Dans une deuxième variante de réduction de l'impact du bruit électronique, le potentiel du ou des conducteurs colonne Y1-Y3 est déterminé plusieurs fois successivement pour un même test. Une valeur moyenne du potentiel est ensuite déterminée pour chaque conducteur colonne Y1-Y3 considéré. La différence de potentiel AV déterminée lors de l'étape 23 est alors la différence entre la valeur moyenne du potentiel électrique Vn déterminé lors du dernier test à l'instant tn et la valeur moyenne du potentiel électrique Vn_1 déterminé lors de l'avant-dernier test à l'instant tn-1 Le procédé de commande selon l'invention permet à un dispositif photosensible comprenant une matrice de points photosensibles de se synchroniser de manière autonome, indépendamment de la source de photons ou de rayons X. Dans le domaine de l'imagerie médicale, où les dispositifs photosensibles peuvent être intégrés dans des cassettes mobiles, il devient possible de remplacer n'importe quel dispositif photosensible, notamment les cassettes à films radiologiques ou les cassettes comprenant des moyens de synchronisation avec la source de rayonnement X, sans modifier l'interface du système. En outre, le procédé de commande ne nécessite pas d'ajouter de composants matériels au dispositif photosensible ou à la source de photons ou de rayons X. Contrairement aux solutions ou un dispositif à chambre d'ionisation est placé dans le plan d'entrée du dispositif photosensible, le procédé de commande selon l'invention ne 1 o dégrade pas la qualité du signal qui arrive sur la matrice. La figure 5 représente une forme particulière de réalisation du procédé de commande selon l'invention. Cette forme de réalisation s'applique à des dispositifs photosensibles comprenant plusieurs 15 conducteurs colonnes. Elle s'appuie d'une part sur la prise en compte du potentiel électrique sur tous les conducteurs colonne et, d'autre part, sur une détermination répétée de ces potentiels électriques pour un même test. Pour la suite de la description, on considère un dispositif photosensible comprenant np conducteurs colonnes, c'est-à-dire np colonnes de points 20 photosensibles Pp. Dans une première étape 51, le potentiel électrique est déterminé n, fois successivement sur chacun des np conducteurs colonne. Ces n, x n~ potentiels sont déterminés dans un premier intervalle de temps durant une phase d'acquisition, c'est-à-dire dans un intervalle de temps où les 25 transistors T du dispositif photosensible sont commandés à l'état bloqué. Ces potentiels forment, pour chaque conducteur colonne, une première suite de potentiels. Ils sont notés V1,1,i où 1 désigne la première suite de potentiels, i est un entier compris entre 1 et n, et désigne l'occurrence dans la première suite, et j est un entier compris entre 1 et np et désigne l'un des conducteurs 30 colonne. Dans une deuxième étape 52, le potentiel électrique est à nouveau déterminé n, fois successivement sur chacun des np conducteurs colonne. Ces n, x np potentiels sont déterminés dans un deuxième intervalle de temps, toujours durant la phase d'acquisition. Ils forment, pour chaque 35 conducteur colonne, une deuxième suite de potentiels. Les potentiels de la première et de la deuxième suite sont notés respectivement V1,1,i et où i est un entier compris entre 1 et n, et désigne l'occurrence dans la suite considérée, et j est un entier compris entre 1 et ne et désigne l'un des conducteurs colonne. Dans une troisième étape 53, des différences de potentiels AV;,i entre les potentiels électriques V1,1,i de la première suite et les potentiels électriques V2,1,i correspondants de la deuxième suite sont déterminées. Une différence de potentiel est déterminée relativement à chaque conducteur colonne j et à chaque occurrence i dans les suites de potentiels. En 1 o particulier, pour chaque conducteur colonne, une différence AV1,i est déterminée entre le premier potentiel V1,1,i de la première suite et le premier potentiel V2,1,i de la deuxième suite, entre le deuxième potentiel V1,2,i de la première suite et le deuxième potentiel V2,2,i de la deuxième suite, et ainsi de suite pour toutes les occurrences i des deux suites de potentiels. Toutes ces 15 différences de potentiels peuvent être représentées sous forme d'une image test de ne colonnes par n, lignes de pixels, chaque ligne de l'image test correspondant à une occurrence i dans les suites de potentiels, les colonnes correspondant aux conducteurs colonne j du dispositif photosensible. La valeur de chaque pixel de l'image test est égale à la différence de potentiel 20 AV;,i pour l'occurrence i et le conducteur colonne j considérés. Dans une quatrième étape 54, l'exposition des points photosensibles est testée. Cette étape 54 comprend les sous-étapes suivantes. Dans une première sous-étape 541, une variable m est initialisée à une valeur entière prédéterminée. Les dispositifs photosensibles 25 comprennent généralement un nombre de colonnes égal à une puissance de deux. La variable m est alors avantageusement fixée par la relation m = ne/2n, où n est un entier supérieur ou égal à 1. La valeur de l'entier n est discutée ci-après. Dans une deuxième sous-étape 542, l'image test est découpée en blocs de n, lignes par m colonnes de pixels. La variable m 30 définit ainsi une dimension des blocs. La figure 6 représente un exemple d'image test 61 découpée en 7 blocs notés 611 à 617. Dans une troisième sous-étape 543, une moyenne MAVi des différences de potentiels AV;,i est déterminée pour chaque bloc. Dans une quatrième sous-étape 544, chaque moyenne MAVi est comparée à un seuil prédéterminé Sm. Ce seuil Sm est 35 déterminé en fonction de la dimension m. Si aucune des moyenne MAVi n'est supérieure au seuil Sm, l'étape 54 est répétée avec une dimension m supérieure à la dimension m considérée précédemment. L'augmentation de la dimension m est représentée par une sous-étape 545 effectuée à la place de la sous-étape 541 d'initialisation de la dimension m. Lorsque la dimension m est fixée par la relation m = np/2n, la dimension m des blocs peut être augmentée en diminuant la valeur de l'entier n, par exemple d'une unité. On peut alors parler de détection pyramidale, la dimension m des blocs étant doublée à chaque sous-étape 545. La figure 7 illustre le principe de la détection pyramidale. L'avantage de cette détection est que la moyenne 1 o MAVi de chaque bloc d'un niveau donné peut être obtenue par la moyenne des deux blocs du niveau précédent. Si, lors de la sous-étape 544, au moins l'une des moyennes MAVi est supérieure au seuil Sm, une étape de lecture 55 est déclenchée. Cette étape 55 consiste, comme précédemment, à lire successivement les différentes lignes de points photosensibles Pp par 15 application d'une impulsion de lecture sur chacun des conducteurs ligne. La suite de la description illustre l'impact de la dimension m sur le taux de fausse alarme et sur le taux de non-détection. Par fausse alarme, on entend le fait qu'une étape de lecture 55 est déclenchée alors que le 20 dispositif photosensible n'a pas été exposé. Par non-détection, on entend le fait qu'une étape de lecture 55 n'est pas déclenchée alors que le dispositif photosensible a été exposé. On considère que chaque pixel de l'image test, c'est-à-dire chaque colonne du dispositif photosensible, est soumis à un bruit électronique d'écart-type s, par exemple égal à 8,2 Isb, où lsb est le sigle de 25 l'expression anglo-saxonne "least significant bit", 1 lsb étant la plus petite variation de tension pouvant être discrétisée sur un conducteur colonne. Statistiquement, le bruit d'un pixel dans une image test suit une loi normale de variance 2.s2. Pour un bloc correspondant à une zone non exposée du dispositif photosensible, la moyenne des pixels du bloc suit une loi normale 30 de moyenne zéro et de variance 2.s2/(n,.m). La figure 8 illustre, par un graphique, un exemple de probabilité d'occurrence des moyennes MAVi d'un bloc correspondant à une zone non exposée. Dans cet exemple, on considère un bruit électronique d'écart-type s égal à 8,2 Isb, une dimension m égale à 50 et un nombre n, de lignes égal à 3. Ainsi, un bloc de 35 dimensions 3 x 50 correspondant à une zone non exposée a une chance sur 10000 d'avoir une moyenne MAVi égale à 4. A partir de ce graphique, il est possible de déterminer un seuil de détection Sm en fonction du taux de fausse alarme souhaité. Les hypothèses suivantes sont considérées à titre d'exemple. Un test, c'est-à-dire la détermination d'une série de potentiels V1,i, est effectué toutes les 100 millisecondes (ms). L'objectif est d'obtenir une seule fausse alarme en 10 ans de fonctionnement. Sur ces 10 ans, le nombre de tests est égal à (10 x 365 x 24 x 60 x 60 x 10 =) 3,2 x 109. Le taux de fausse alarme doit donc être égal à 3,2 x 10-10. Le graphique permet de déterminer un seuil de détection Sm égal à 6,4. Un bloc dont la moyenne MAVi est supérieure à 6,4 est donc considéré comme correspondant à une zone exposée avec un taux de fausse alarme égal à 3,2 x 1 0-10 On considère à présent un bloc correspondant à une zone exposée du dispositif photosensible. Ce bloc subit la même loi statistique qu'un bloc correspondant à une zone non exposée, mais avec une moyenne statistique mb qui dépend du flux de photons reçu. La figure 9 illustre, par un graphique, un exemple de probabilité d'occurrence des moyennes MAVi d'un bloc correspondant à une zone exposée avec une moyenne statistique mb égale au seuil de détection Sm. Comme illustré par la figure 9, il y a autant de chances que la moyenne MAVi soit inférieure au seuil de détection Sm que supérieure à ce seuil. La figure 10 représente, par un graphique, un exemple de taux de non-détection en fonction de la moyenne mb d'un bloc. Le graphique permet de déterminer que, pour une exposition donnant une moyenne mb égale à 8 Isb, la probabilité de détection est égale à 95%. Cela signifie que sur 100 blocs testés avec une moyenne de 8 Isb, 5 blocs ne seraient pas détectés. Un tel taux de non-détection n'est pas toujours acceptable, notamment lorsqu'un patient est soumis à un rayonnement X. Les hypothèses suivantes sont considérées à titre d'exemple. Une exposition a lieu toutes les 20 minutes. La dimension m des blocs est égale à 50 et le nombre ne de conducteurs colonne est égal à 2880. On considère toujours un bruit électronique d'écart-type s égal à 8,2 Isb. L'objectif est de ne manquer qu'une exposition tous les 10 ans. Le taux de non-détection voulu est donc de (1/(10x365x24x60x(1/20)x(2880/50) =) 6,6 x 10-8. La moyenne MAVi du bloc correspondant est par exemple égale à 11,5 Isb. En résumé, un bloc dont la moyenne MAVi est égale à 11,5 lsb est considéré comme correspondant à une zone exposée avec un taux de non-détection égal à 6,6 x 10-8. Ainsi, le dispositif photosensible doit être au minimum exposé à un flux tel que la moyenne MAVi d'un bloc soit égale à 11,5 lsb pour que le dispositif photosensible soit considéré comme ayant été exposé à un rayonnement avec un taux de non-détection égal à 6,6 x 10-8. Cette moyenne minimale détectable est notée Md. La moyenne minimale détectable Md est fonction de la dimension m des blocs. La figure 11 illustre, par un graphique, la relation entre la dimension m d'un bloc et la moyenne minimale détectable Md. Ce graphique montre que plus les blocs sont larges, plus la moyenne minimale détectable Md est faible. Par ailleurs, un dispositif photosensible n'est pas forcément exposé sur toute la surface de sa matrice. Ainsi, pour une exposition donnée, seuls certains des conducteurs colonne peuvent être reliés à des points photosensibles ayant reçu un rayonnement. La dimension m des blocs doit donc également tenir compte des zones exposées de la matrice. A titre d'exemple, on considère une exposition sur une surface de 100 x 100 points photosensibles. Dans un souci de simplification, les blocs sont toujours considérés comme étant centrés sur cette surface. La figure 12 illustre, par un graphique, la relation entre la dimension m d'un bloc, et la moyenne MAVi d'un bloc correspondant à une telle exposition. Si la dimension m du bloc centré sur la zone exposée est inférieure ou égale à la largeur de la surface exposée, la moyenne MAVi de ce bloc reste constante. En revanche, si la dimension m du bloc devient supérieure à la largeur de la surface exposée, la moyenne MAVi du bloc diminue. La figure 13 regroupe les deux graphiques des figures 11 et 12 dans un seul graphique. Une première courbe 131 représente la moyenne minimale détectable Md Une deuxième courbe 132 représente la moyenne MAVi. Les courbes 131 et 132 font apparaître que, pour une exposition sur une largeur de 100 colonnes avec une moyenne mb environ égale à 17 Isb, un bloc centré sur la zone d'exposition est détecté comme correspondant à une zone d'exposition avec un taux de non-détection de 6,6 x 10-8 si et seulement si sa dimension m est comprise entre 25 et 450. Par ailleurs, il apparaît un optimum de détection pour une dimension m égale à la largeur de l'exposition. Cependant, cette largeur d'exposition n'est généralement pas connue. Or, dans certains domaines d'imagerie, la surface exposée peut énormément varier entre les différentes expositions. Par conséquent, une unique dimension m ne permet pas au dispositif photosensible de détecter des expositions de n'importe quelle largeur. L'étape de test 54 de l'exposition des points photosensibles permet donc au dispositif photosensible d'adapter la dimension m des blocs à la largeur effective de l'exposition. La figure 14 illustre l'effet de la variation de la dimension m des blocs sur la détection d'une exposition. Elle représente, par un graphique, la moyenne minimale détectable Md en fonction de la largeur L de la zone exposée pour différentes dimensions m de blocs. Une première courbe 141 représente la moyenne minimale détectable Md pour une dimension m égale à 30. Une deuxième courbe 142 représente la moyenne minimale détectable Md pour une dimension m égale à 100. Une troisième courbe 143 représente la moyenne minimale détectable Md pour une dimension m égale à 500. Enfin, une quatrième courbe 144 représente la moyenne minimale détectable Md pour une dimension m prenant successivement les valeurs 32, 64, 128, 256, 512 et 1024. Les courbes 141 à 144 montrent que la variation de la dimension m des blocs permet une détection optimale quelle que soit la largeur de la zone exposée. La capacité de couplage parasite des transistors d'une matrice de points photosensibles peut être utilisée de manière analogue dans le but de mesurer la quantité de photons ou de rayons X reçue par le dispositif photosensible. En effet, la variation de potentiel des points flottants, et donc des conducteurs colonne, est proportionnelle à la quantité de photons ou de rayons X reçue. En réalisant plusieurs tests de détermination du potentiel sur les conducteurs colonne pendant la phase d'acquisition, il est possible d'en déduire la quantité de photons ou de rayons X reçue. Cette fonction de quantification du rayonnement peut notamment être utilisée pour asservir la puissance d'émission du flux de photons ou de rayons X, ou pour interrompre l'émission une fois que la quantité désirée de photons ou de rayons X a été reçue. REVENDICATIONS1. Procédé de commande d'un dispositif photosensible (10) comprenant un conducteur colonne (Y1-Y3), des conducteurs ligne (X1-X3) et des points photosensibles (Pp), chaque point photosensible (Pp) étant relié entre le conducteur colonne (Y1-Y3) et l'un des conducteurs ligne (X1-X3), et comprenant un élément photosensible (Dp) apte à convertir un flux de photons en charges électriques, et un transistor (T) commandé par le conducteur ligne (X1-X3) correspondant, les transistors (T) étant commandés à l'état bloqué pendant une phase d'acquisition où le flux de photons est converti en charges électriques, et étant successivement commandés à l'état 1 o passant pendant une phase de lecture de manière à transférer ligne par ligne les charges électriques vers le conducteur colonne (Y1-Y3), chaque transistor (T) introduisant à l'état bloqué une capacité de couplage parasite (C) entre l'élément photosensible (Pp) et le conducteur colonne (Y1-Y3) correspondants, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte une étape 15 (21, 22) consistant à déterminer un potentiel électrique sur le conducteur colonne (Y1-Y3) à un instant (tn_2, tn_1, tn) où les transistors (T) sont commandés à l'état bloqué. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant les étapes 20 supplémentaires suivantes : ^ déterminer (22) le potentiel électrique sur le conducteur colonne (Y1-Y3) à un deuxième instant (tn) où les transistors (T) sont commandés à l'état bloqué, ^ déterminer (23) une différence du potentiel électrique sur le 25 conducteur colonne (Y1-Y3) entre les premier et deuxième instants, ^ comparer (24) la différence de potentiel électrique à un seuil prédéterminé, ^ si la différence de potentiel électrique est supérieure au seuil prédéterminé, commander (25) successivement les transistors (T) de 30 manière à transférer individuellement les charges électriques de chaque point photosensible (Pp) vers le conducteur colonne (Y1-Y3). 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape (21, 22) consistant à déterminer le potentiel électrique sur le conducteur colonne (Y1-Y3) est répétée périodiquement tant que la différence de potentiel entre les deux derniers instants de détermination n'est pas supérieure au seuil prédéterminé, l'étape (25) de commande des transistors (T) étant alors exécutée. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la durée (Tv) de la période entre deux déterminations successives du potentiel sur un conducteur colonne est inférieure à une durée (dx) minimale pendant laquelle le dispositif photosensible (10) est susceptible d'être exposé à un flux de 1 o photons. 5. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel le seuil est déterminé de manière à éviter l'exécution de l'étape (25) de commande des transistors (T) en l'absence d'exposition des éléments 15 photosensibles (Pp) à un flux de photons, et de manière à éviter la non-exécution de l'étape (25) de commande des transistors (T) après une exposition effective des éléments photosensibles (Pp). 6. Procédé selon l'une des revendications 2 à 5, dans lequel le 20 potentiel électrique sur le conducteur colonne (Y1-Y3) est déterminé plusieurs fois successivement pour une même étape (21, 22) de détermination du potentiel, les différents potentiels étant moyennés avant de déterminer leur différence avec un autre potentiel afin de réduire le bruit associé à la détermination du potentiel. 25 7. Procédé selon l'une des revendications 2 à 6, dans lequel le dispositif photosensible (10) comprend plusieurs conducteurs colonne (Y1-Y3), chaque point photosensible (Pp) étant relié entre l'un des conducteurs colonne (Y1-Y3) et l'un des conducteurs ligne (X1-X3) de manière à former 30 une matrice (11) de points photosensibles (Pp), le potentiel électrique étant déterminé dans chaque étape correspondante (21, 22) sur plusieurs conducteurs colonne (Y1-Y3), l'étape (23) de détermination de la différence de potentiel étant exécutée pour chacun desdits conducteurs colonne (Y1-Y3), et l'étape (24) de comparaison de la différence de potentiel avec le seuil 35 prédéterminé tenant compte de l'ensemble des différences de potentiel. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l'étape (24) de comparaison des différences de potentiel comprend la comparaison individuelle de chaque différence de potentiel avec le seuil prédéterminé, l'étape (25) de commande des transistors (T) n'étant exécutée que si le nombre de comparaisons positives est supérieur à un nombre prédéterminé. 9. Procédé selon l'une des revendications 2 à 8, dans lequel l'étape (25) de commande des transistors (T) est précédée d'une étape 1 o d'attente (413), une durée de l'étape d'attente (413) étant supérieure à une durée (dx) maximale pendant laquelle le dispositif photosensible (10) est susceptible d'être exposé à un flux de photons. 10. Procédé selon la revendication 1, comprenant les étapes 15 supplémentaires suivantes : ^ déterminer (22) le potentiel électrique sur le conducteur colonne (Y1-Y3) à un deuxième instant (te) où les transistors (T) sont commandés à l'état bloqué, ^ déterminer (23) une différence du potentiel électrique sur le 20 conducteur colonne (Y1-Y3) entre les premier et deuxième instants, ^ déterminer la quantité de photons reçue par le dispositif photosensible (10) en fonction de la différence de potentiel. 11. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif 25 photosensible (10) comprend np conducteurs colonne (Y1-Y3), chaque point photosensible (Pp) étant relié entre l'un des conducteurs colonne (Y1-Y3) et l'un des conducteurs ligne (X1-X3) de manière à former une matrice (11) de points photosensibles (Pp), le potentiel électrique étant déterminé (51) n, fois successivement sur chacun des conducteurs colonne (Y1-Y3) dans un 30 premier intervalle de temps où les transistors (T) sont commandés à l'état bloqué, les potentiels formant une première suite de potentiels pour chaque conducteur colonne, le procédé comportant les étapes supplémentaires suivantes : ^ déterminer (52) le potentiel électrique n, fois successivement sur 35 chacun des conducteurs colonne (Y1-Y3) dans un deuxième intervalle detemps où les transistors (T) sont commandés à l'état bloqué, les potentiels formant une deuxième suite de potentiels pour chaque conducteur colonne, ^ déterminer (53), relativement à chaque conducteur colonne et à chaque occurrence dans les suites de potentiels, une différence de potentiel entre le potentiel électrique de la première suite et le potentiel électrique correspondant de la deuxième suite, les différences de potentiel formant une image test de ne colonnes par n, lignes de pixels, - tester (54) l'exposition des points photosensibles, ladite étape comprenant les sous-étapes successives suivantes : - découper (542) l'image test en blocs (611-617) de m colonnes par n, lignes de pixels, - déterminer (543), pour chaque bloc (611-617), une moyenne des différences de potentiel, - comparer (544) chaque moyenne à un seuil prédéterminé 15 fonction de la dimension m des blocs, - si aucune moyenne n'est supérieure au seuil prédéterminé, répéter l'étape de test (54) avec une dimension m de bloc supérieure à la dimension m précédente, - si au moins une moyenne est supérieure au seuil prédéterminé, 20 commander (55) successivement les transistors (T) de manière à transférer individuellement les charges électriques de chaque point photosensible (Pp) vers le conducteur colonne (Y1-Y3) correspondant. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la dimension m 25 des blocs (611-617) est déterminée de manière à ce que l'image test soit découpée une première fois en 2n blocs, avec n un entier supérieur ou égal à 1, la dimension m des blocs étant augmentée à chaque répétition de l'étape de test en diminuant la valeur de n d'une unité.