Brevet FR2964249A1 — publié le 20120302

CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE A EMETTEUR SELECTIF A CONTACT LOCALISE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE DOMAINE DE L'INVENTION 5 L'invention a trait au domaine des cellules photovoltaïque à émetteur sélectif. ETAT DE LA TECHNIQUE 10 Une cellule photovoltaïque comporte usuellement une photodiode formée d'une jonction PN réalisée en un matériau semi-conducteur, tel que le silicium par exemple. La photodiode comporte une première zone de silicium dopée par des impuretés de type P, comme par exemple du silicium dopé par du bore, en contact avec une deuxième zone de silicium dopée par des impuretés de type N, comme par exemple du phosphore. La 15 photodiode est ainsi classiquement réalisée sous la forme d'une couche dopée de type N, réalisée sur la face d'un substrat de type P. La couche dopée N est recouverte d'une couche de passivation et d'antireflet pour assurer une bonne absorption des photons, et des contacts électriques sont par ailleurs prévus 20 pour la collecte du courant généré par la photodiode sous l'action d'un rayonnement. Ainsi donc, la couche dopée N doit, d'une part, présenter un bon contact ohmique avec les contacts électriques, et donc avoir une résistance de contact la plus faible possible au niveau des contacts électriques, et d'autre part avoir une faible concentration en dopants 25 pour faciliter la passivation au moyen de la couche antireflet. Comme il n'est pas possible d'obtenir ces caractéristiques avec une unique concentration en dopants, il est donc usuellement prévu une variation de la concentration en dopants de la couche dopée N afin d'induire des propriétés électriques spécifiques. Ainsi, la couche 30 dopée N consiste usuellement en une couche de faible dopage dans laquelle sont formées des régions de fort dopage. Les zones de faible dopage permettent une passivation facilitée par la couche de passivation et d'antireflet ainsi qu'une réduction des recombinaisons Auger, alors que les régions de fort dopage sont connectées aux contacts électriques avec lesquels elles présentent un bon contact ohmique en raison de leur 35 résistance carrée réduite. Une telle structure est communément nommée « émetteur sélectif». La figure lA est vue schématique simplifiée du dessus d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif 10 et la figure lB est une vue en coupe selon l'axe A-A de la figure lA. Comme illustré sur ces figures, la cellule photovoltaïque 10 comporte un substrat en silicium dopé P 12, sur lequel est formée une couche de silicium dopée N 14, par exemple réalisée au moyen d'une diffusion dite « POCL3 », d'une diffusion dite « BCL3 », d'une implantation ionique, d'un dépôt d'une source dopante par exemple à la tournette ou par spray suivi d'un recuit, ou toute autre technique de dopage appliquée sur le substrat 12. Des régions surdopées 16, de concentration en dopants n2 supérieure à la concentration n1 de la couche 14, sont par ailleurs réalisées dans cette dernière pour la reprise de contact électrique avec une métallisation 18. Les régions surdopées 16 et la métallisation 18 forment ensemble une structure de prise de contact selon un motif donné qui permet la collecte du photocourant généré dans la cellule 10. Enfin, une couche de passivation et d'antireflet 20, constituée d'un diélectrique antiréfléchissant, par exemple du SiN, recouvre la couche semi-conductrice 14. Comme illustré sur la vue en coupe schématique de la figure 1C, la métallisation 18 est obtenue en appliquant une pâte métallique 22 sur la couche de passivation 20, l'ensemble étant ensuite soumis à un recuit. La couche de passivation 20 étant imperméable au métal de la pâte 22, cette dernière comprend un agent capable de traverser la couche 20 lors du recuit, comme par exemple un fritté de verre. Ainsi, lors du recuit, la pâte 22 traverse donc la couche de passivation 20, qui disparaît à cet endroit, et forme un contact électrique dans l'épaisseur des régions surdopées 16, tel qu'illustré à la figure lB. Par ailleurs, pour des raisons de simplification du procédé de fabrication, la structure de prise de contact constituée des zones surdopées 16 et de la métallisation 18 est réalisée sous la forme des barrettes parallèles traversant de part en part la cellule 10. Un tel motif pour la structure de prise de contact nécessite en effet un alignement unidirectionnel de la métallisation 18, qui est plus simple à mettre en oeuvre qu'un alignement bidirectionnel. On observe cependant que les cellules photovoltaïques à émetteur sélectif telles que 35 précédemment décrites présentent un courant de court-circuit et une tension de circuit ouvert limités par le volume des zones surdopées existantes. EXPOSE DE L'INVENTION Le but de l'invention est de résoudre le problème susmentionné en proposant une cellule photovoltaïque ayant une performance accrue, notamment en ce qui concerne le courant de court-circuit et la tension en circuit ouvert, tout en restant de fabrication simple. A cet effet, l'invention a pour objet une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif comportant : ^ une première couche semi-conductrice de première conductivité électrique ; ^ une deuxième couche semi-conductrice de deuxième conductivité électrique opposée à la première conductivité électrique, recouvrant la première couche de manière à former une jonction PN ; et ^ une structure de prise de contact électrique pour la collecte du photocourant dans la jonction PN, la structure formant un motif sur la deuxième couche semi-conductrice et comportant : o des zones surdopées de deuxième type de conductivité réalisées dans la deuxième couche semi-conductrice ; et o une métallisation en contact électrique avec lesdites zones surdopées. Selon l'invention, ^ les zones surdopées forment des zones discontinues du motif de la structure de prise de contact ; ^ et la métallisation comporte des contacts électriques solidaires des zones surdopées et des pistes métalliques agencées sur la deuxième couche semi-conductrice et reliant lesdits contacts électriques selon le motif de la structure de prise de contact. En d'autres termes, le volume total des zones surdopées est réduit par rapport à l'état de la technique. Or, les zones semi-conductrices fortement dopées sont hautement recombinantes pour les porteurs de charge. La diminution de leur volume implique donc une augmentation du courant de court-circuit et de la tension de circuit ouvert de la photodiode. De plus, la collecte du photocourant est toujours réalisée de manière efficace en raison du bon contact ohmique entre les zones surdopées et la métallisation. Parallèlement, la métallisation peut être réalisée suivant des motifs connus de l'état de la technique, par exemple sous forme de bandes parallèles afin de mettre en oeuvre un alignement unidirectionnel, de sorte que la fabrication de la cellule photovoltaïque n'est pas complexifiée. 3 L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif du type précité, comportant : ^ la formation d'une première couche semi-conductrice de première conductivité électrique ; ^ la formation, sur la première couche, d'une deuxième couche semi-conductrice de deuxième conductivité électrique opposée à la première conductivité électrique, de manière à former une jonction PN ; ^ la formation de zones surdopées de deuxième type de conductivité dans la deuxième couche semi-conductrice ; et ^ la formation d'une métallisation sur la deuxième couche semi-conductrice en contact électrique avec lesdites zones surdopées, de manière à créer une structure de prise de contact électrique de motif prédéterminé pour la collecte du photocourant dans la jonction PN. Selon l'invention, ^ la formation des zones surdopées consiste à former des zones discontinues du motif de la structure de prise de contact ; ^ et la formation de la métallisation comporte la réalisation de contacts électriques solidaires des zones surdopées et la réalisation de pistes métalliques agencées sur la deuxième couche semi-conductrice et reliant lesdits contacts électriques selon le motif de la structure de prise de contact. Selon un premier mode de réalisation, la formation de la métallisation comporte le dépôt d'un matériau métallique sur la deuxième couche semi-conductrice selon le motif de la structure de reprise de contact, et le recuit de la cellule photovoltaïque à une température sélectionnée pour obtenir à la fois une prise de contact du matériau métallique avec les zones surdopées et une pénétration du matériau métallique dans la deuxième couche sur une épaisseur inférieure à celle de la deuxième couche semi-conductrice. Notamment, le procédé comporte la formation d'une couche diélectrique sur la deuxième couche semi-conductrice préalablement à la formation de la métallisation, la couche diélectrique étant imperméable au métal entrant dans la constitution de la métallisation, et le matériau métallique est déposé sur la couche diélectrique et comporte un agent apte à traverser la couche diélectrique lors du recuit, notamment du fritté de verre.35 Selon un deuxième mode de réalisation, le procédé comporte la formation d'une couche diélectrique sur la deuxième couche semi-conductrice préalablement à la formation de la métallisation, la couche diélectrique étant imperméable au métal entrant dans la constitution de la métallisation, et la formation de la métallisation comporte : ^ la réalisation de trous dans la couche diélectrique à l'aplomb des zones surdopées de manière à faire affleurer celles-ci au moins partiellement ; ^ le dépôt d'un matériau métallique sur la couche de passivation et sur les zones surdopées affleurant, selon le motif de la structure de reprise de contact ; et ^ le recuit de la cellule photovoltaïque de manière à obtenir une prise de contact du matériau métallique avec les zones surdopées. Selon un troisième mode de réalisation, le procédé comporte la formation d'une couche diélectrique sur la deuxième couche semi-conductrice préalablement à la formation de la métallisation, la couche diélectrique étant imperméable au métal entrant dans la constitution de la métallisation, et la formation de la métallisation comporte : ^ le dépôt d'un premier matériau métallique sur la couche diélectrique à l'aplomb des zones surdopées, le premier matériau métallique comportant un agent apte à traverser la couche diélectrique lors d'un recuit ; ^ le dépôt d'un second matériau métallique, sans agent apte à traverser la couche, sur la couche diélectrique à l'emplacement des pistes métalliques ; et ^ le recuit de la cellule photovoltaïque de manière à obtenir une prise de contact du matériau métallique avec les zones surdopées. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : ^ la figure lA est une vue schématique de dessus d'une cellule photovoltaïque de l'état de la technique, telle que déjà décrite dans le préambule ; ^ la figure lB est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure lA selon l'axe A-A, telle que déjà décrite dans le préambule ; ^ la figure 1C est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure lA selon l'axe A-A lors de sa fabrication, illustrant son état précédant l'application d'un recuit, telle que déjà décrite dans le préambule ; ^ la figure 2A est une vue schématique de dessus d'une cellule photovoltaïque selon un premier mode de réalisation de l'invention ; ^ la figure 2B est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure 2A selon l'axe B-B lors de sa fabrication, illustrant son état précédant l'application d'un recuit ; ^ la figure 2C est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure 2A selon l'axe B-B ; ^ la figure 3A est une vue schématique de dessus d'une cellule photovoltaïque selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ; ^ la figure 3B est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure 3A selon l'axe C-C lors de sa fabrication, illustrant son état précédant l'application d'un recuit ; ^ la figure 3C est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure 3A selon l'axe C-C ; ^ la figure 4A est une vue schématique de dessus d'une cellule photovoltaïque selon un troisième mode de réalisation de l'invention ; ^ la figure 4B est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure 4A selon l'axe D-D lors de sa fabrication, illustrant son état précédant l'application d'un recuit ; et ^ la figure 4C est une vue schématique en coupe de la cellule de la figure 4A selon l'axe D-D. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION En se référant aux figures 2A et 2C, une cellule photovoltaïque 30 selon un premier mode de réalisation de l'invention comporte un substrat en silicium dopé P 32 sur lequel est 25 formée une couche silicium dopée N 44. Des régions surdopées 36, de concentration en dopants n2 supérieure à la concentration nl de la couche 34, sont par ailleurs réalisées dans cette dernière pour la reprise de contact électrique avec une métallisation 38 présentant une bonne conduction électrique 30 et un bon contact ohmique avec les régions surdopées 36. Les régions surdopées 36 et la métallisation 38 forment ensemble une structure de prise de contact selon un motif donné qui permet la collecte du photocourant généré dans la cellule 30. Enfin, de manière optionnelle, une couche diélectrique antireflet et de passivation (non 35 représentée) est déposée sur la couche N 34. La métallisation 38 traverse ladite couche antireflet et pénètre dans la couche N 34 et les régions surdopées 36. Les régions surdopées 36 et la métallisation 38 sont conçues de manière à ce que la surface de contact entre les régions surdopées 36 et la métallisation soit inférieure à la surface totale de la métallisation 38, tout en permettant une collecte efficace du photocourant. Plus particulièrement, les régions surdopées 36 se présentent sous la forme de plages de dimensions réduites, par exemple des plages de section carrée de 250 µm de côté séparées d'une distance de 2 millimètres. La métallisation 38 comporte quant à elle des contacts électrique 40, en contact ohmique avec les régions surdopées 36, et connectés électriquement par des pistes métalliques 42 formées dans la couche N 34 selon un motif souhaité. De cette manière, les régions surdopées 36 ne sont pas agencées sous la totalité de la métallisation 36 et forment donc des zones discontinues de la structure de prise de contact. Les régions surdopées 36 ont donc un volume réduit par rapport aux régions surdopées de l'état de la technique, ce qui augmente le courant de court-circuit et la tension de circuit ouvert. De manière avantageuse, la géométrie de la métallisation 36 est optimisée pour diminuer l'ombrage de celle-ci sur la couche 34. Ainsi, la largeur des pistes métalliques 42 est réduite par rapport à la largeur des plages métalliques 40. La géométrie de la métallisation 34 est également avantageusement choisie pour simplifier la fabrication de la cellule photovoltaïque. Par exemple, la métallisation 34 se présente sous la forme de bandes métalliques parallèles qui ne nécessitent qu'un alignement unidirectionnel pour leur fabrication. Bien qu'il ait été décrit une couche P 32 dans laquelle est formée une couche N 34 et des régions surdopées N 36, la cellule photovoltaïque peut comprendre une couche N 32, une couche P 34 et des régions surdopées P 36. 30 Il va à présent être décrit un procédé de fabrication de la cellule photovoltaïque venant d' être décrite. Selon ce procédé, une pâte métallique est déposée par sérigraphie, ou toute autre méthode adaptée pour former un motif métallique sur la couche 34 ou la couche diélectrique 35 antireflet et de passivation. L'ensemble est alors recuit pour faire pénétrer la pâte dans la couche 34 et les régions surdopées 36 sans toutefois pénétrer jusque dans la couche P 32. La métallisation 38 est ainsi réalisée en un minimum d'étapes. 25 La pâte métallique comprend un métal choisi pour sa bonne conductivité électrique et ses capacités à réaliser un bon contact ohmique avec les régions surdopées 36, comme par exemple de l'argent pour une reprise de contact avec des régions surdopées N, ou un alliage d'argent et d'aluminium par une reprise de contact avec des régions surdopées P. Le procédé débute classiquement par la formation de la couche de silicium dopée N 34 dans la couche dopée P 32, réalisée optionnellement après une texturation chimique de la couche 32, par exemple par un traitement par du KOH 1% à 80°C pendant 40 minutes, afin d'augmenter la surface de réception du rayonnement électromagnétique. La couche N 34 est par exemple réalisée par une technique dite de diffusion « POC13 » qui consiste à diffuser du phosphore dans le substrat 32 par chauffage de ce substrat sous une atmosphère de POC13 à une température de 835°C, ce qui permet d'obtenir une couche dopée N 34 présentant une résistance carrée d'environ 100 ohms/carré. Plus particulièrement, on observe une diffusion des atomes de phosphore dans l'épaisseur de la couche en silicium 32, ce qui forme la couche N 34, et corollairement, cette diffusion conduit à la formation d'une couche d'oxyde de phosphore, usuellement désignée sous l'acronyme PSG (pour «phosphosilicate glass »). La diffusion POCL3 est bien connue de l'état de la technique, et on pourra par exemple se référer pour plus de détails sur celle-ci au document de Stephan Peters, «Industrial diffusion of phosphorous n-type emitters for standard wafer-based silicon solar cells », Photovoltaïcs International journal, troisième édition. Les régions surdopées 36 sont ensuite formées, par exemple en appliquant localement un faisceau laser à la couche de PSG. Il en résulte des régions N 36 fortement dopées formées au travers de la couche N 34 et dans la couche P 32, la concentration en dopants n2 des régions 36 étant supérieure à la concentration en dopants nl de la couche N 34. En outre, les régions 36 présentent alors une résistance carrée comprise entre 20 et 40 ohms/carré, ce qui permet de fournir un bon contact ohmique avec la métallisation 38 ultérieurement réalisée. Le PSG restant à la surface de la couche N 34 est alors retiré en appliquant de l'acide fluorhydrique à 2% pendant 2 minutes, et une couche diélectrique antireflet et de passivation est optionnellement déposée sur la couche N 34 et les régions surdopées 36, comme par exemple une couche en SiN déposée au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, communément désigné dépôt « PECVD » (« Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition » ) 2964249 Une sérigraphie et un recuit sont alors mis en oeuvre pour réaliser la métallisation 38. Par exemple, une sérigraphie de face avant est mise en oeuvre avec une pâte d'argent, par exemple du type PV 142 de la société Dupont, déposée sur un masque avec des 5 ouvertures carrées de 70 gin de côté, séparées de 2,1 mm et alignées sur les régions surdopées 36. La pâte métallique est ainsi déposée sur la couche N 34 et les régions surdopées 36 selon le motif désiré, tel que cela est illustrée à la figure 2B. 10 Si une couche diélectrique antireflet et de passivation est prévue, la métallisation est alors déposée sur cette couche. Comme la couche diélectrique est très peu perméable, voir imperméable aux métaux, la pâte métallique déposée par sérigraphie sur la couche diélectrique comporte en outre un agent ayant pour fonction de traverser la couche 15 diélectrique lors d'un recuit. Par exemple, la pâte comprend un fritté de verre. Un recuit est alors appliqué en déposant l'ensemble dans un four à haute température, par exemple un four infrarouge à passage continu, porté à une température de 885°C ayant une vitesse de 6500mm/min (figure 2C), tel que le four commercialisé sous la référence 20 D08-000-300-FFN2 par la société Centrotherm. En variante, si une couche diélectrique est présente, le recuit est réalisé à une température supérieure 900°C afin que la pâte métallique traverse cette couche diélectrique. 25 La métallisation pénètre alors dans la couche N 34, et optionnellement la couche diélectrique, et les régions surdopées 36 pour former la métallisation 38 (figure 2C). Les paramètres du recuit et la géométrie de la pâte métallique sont choisis pour que la métallisation 38 ne traverse pas entièrement la couche N 34 et ne pénètre donc pas la 30 couche P 32 afin d'éviter un court-circuit. Par exemple, une température comprise entre 840°C et 930°C permet l'obtention de lignes de largeur comprise entre 60 gm et 150 gm et d'épaisseur comprise entre 40 !am et 80 lun. Un second mode de réalisation de l'invention est à présent illustré en relation avec les 35 figures 3A à 3C. Le deuxième mode de réalisation 50 diffère du premier mode de réalisation 40 en ce qu'une couche diélectrique 52 d'antireflet et de passivation est déposée sur la couche N 34 et les régions N surdopées 36 avant la réalisation de la métallisation 54, la couche diélectrique 52 étant utilisée lors de la fabrication de la métallisation 38 pour ses propriétés d'imperméabilité aux métaux utilisés pour la prise de contact. Plus particulièrement, comme cela est visible à la figure à la figure 3B, une fois les couches P 32 et N 34, les régions N surdopées 36 et la couche diélectrique 52 réalisées, le procédé de fabrication consiste à former des trous dans la couche diélectrique 52, par exemple par ablation laser ou gravure chimique, pour faire apparaître, au moins partiellement, chaque zone surdopée 36. Avantageusement, les zones surdopées 36 et les trous dans la couche diélectrique 52 sont réalisés simultanément par laser. Une pâte métallique sans agent capable de traverser la couche diélectrique 52, est alors déposée par sérigraphie sur la couche 34 et les régions surdopées 36 selon le motif désiré. Notamment, la pâte métallique occupe ainsi le fond des trous et est en contact avec les régions surdopées 36 (figure 3B). Un recuit est alors appliqué de sorte que la pâte métallique en contact avec les régions surdopées 36 pénètre dans celles-ci pour former des contacts électriques 56. La pâte métallique étant par ailleurs dépourvue d'agent capable de traverser la couche diélectrique 52, cette pâte forme à la suite du recuit des pistes métalliques 58 sur la couche diélectrique 52 qui connectent les contacts 56 (figure 3C). Ce mode de réalisation évite donc tout risque de court-circuit par une pénétration trop profonde de la métallisation 38 dans la couche dopée N 34. Un troisième mode de réalisation de l'invention est à présent illustré en relation avec les figures 4A à 4C. Le troisième mode de réalisation 60 diffère du second mode de réalisation 50 en ce qu'aucun trou n'est réalisé dans la couche diélectrique 52 et que deux types de pâtes métalliques sont utilisés pour réaliser la métallisation 38. 35 Plus particulièrement, un premier type de pâte est déposé par sérigraphie sur la couche diélectrique 52 au droit des zones surdopées 36, ce premier type de pâte, par exemple de type PV 142 de la société Dupont, comportant un agent capable de traverser la couche diélectrique 52. Un deuxième type de pâte, par exemple de type PV143 de la société30 Dupont, ne comportant pas un tel agent, est également déposé par sérigraphie sur la couche diélectrique 52 (figure 4B) selon le motif souhaité. L'application du recuit a ainsi pour effet que le premier type de pâte traverse la couche diélectrique 52 et pénètre dans les régions surdopées 36 pour former des contacts électriques 62, et que le second type de pâte ne traverse pas la couche diélectrique 52 sur laquelle il forme des pistes métalliques 64 selon le motif souhaité. Ce troisième mode de réalisation nécessite l'utilisation de deux pâtes et de deux 10 sérigraphies mais évite tout risque de formation de court-circuit avec la couche 32. REVENDICATIONS1. Cellule photovoltaïque (30 ; 50 ; 60) à émetteur sélectif comportant : ^ une première couche semi-conductrice (32) de première conductivité électrique ; ^ une deuxième couche semi-conductrice (34), de deuxième conductivité électrique opposée à la première conductivité électrique, recouvrant la première couche (32) de manière à former une jonction PN ; et ^ une structure de prise de contact électrique (36, 38) pour la collecte du photocourant dans la jonction PN, la structure formant un motif sur la deuxième couche semi-conductrice et comportant : o des zones surdopées (36) de deuxième type de conductivité réalisées dans la deuxième couche semi-conductrice ; et o une métallisation (38) en contact électrique avec lesdites zones surdopées, caractérisée : ^ en ce que les zones surdopées (36) forment des zones discontinues du motif de la structure de prise de contact (36, 38); ^ et en ce que la métallisation (38) comporte des contacts électriques (40 ; 56 ; 62) solidaires des zones surdopées (36) et des pistes métalliques (42 ; 58 ; 64) agencées sur la deuxième couche semi-conductrice (34) et reliant lesdits contacts électriques (40 ; 56 ; 62) selon le motif de la structure de prise de contact. 2. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque (30 ; 50 ; 60) à émetteur sélectif selon la revendication 1, comportant : ^ la formation d'une première couche semi-conductrice (32) de première conductivité électrique ; ^ la formation, sur la première couche (32), d'une deuxième couche semi-conductrice (34) de deuxième conductivité électrique opposée à la première conductivité électrique, de manière à former une jonction PN ; ^ la formation de zones surdopées (36) de deuxième type de conductivité dans la deuxième couche semi-conductrice (34) ; et ^ la formation d'une métallisation (38) sur la deuxième couche semi-conductrice (34) en contact électrique avec lesdites zones surdopées (36), de manière à créer une structure de prise de contact électrique de motif prédéterminé pour la collecte du photocourant dans la jonction PN, caractérisé :^ en ce que la formation des zones surdopées (36) consiste à former des zones discontinues du motif de la structure de prise de contact ; ^ et en ce que la formation de la métallisation (36) comporte la réalisation de contacts électriques (40 ; 56 ; 62) solidaires des zones surdopées (36) et la réalisation de pistes métalliques (42 ; 58 ; 64) agencées sur la deuxième couche semi-conductrice (34) et reliant lesdits contacts électriques (40 ; 56 ; 62) selon le motif de la structure de prise de contact. 3. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la formation de la métallisation (38) comporte le dépôt d'un matériau métallique sur la deuxième couche semi-conductrice (34) selon le motif de la structure de reprise de contact, et le recuit de la cellule photovoltaïque à une température sélectionnée pour obtenir à la fois une prise de contact du matériau métallique avec les zones surdopées (36) et une pénétration du matériau métallique dans la deuxième couche (34) sur une épaisseur inférieure à celle de la deuxième couche semi-conductrice (34). 4. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte la formation d'une couche diélectrique (52) sur la deuxième couche semi-conductrice (34) préalablement à la formation de la métallisation (38), la couche diélectrique étant imperméable au métal entrant dans la constitution de la métallisation (38), et en ce que le matériau métallique est déposé sur la couche diélectrique (52) et comporte un agent apte à traverser la couche diélectrique (52) lors du recuit, notamment du fritté de verre. 5. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte la formation d'une couche diélectrique (52) sur la deuxième couche semi-conductrice (34) préalablement à la formation de la métallisation (38), la couche diélectrique (52) étant imperméable au métal entrant dans la constitution de la métallisation (38), et en ce que la formation de la métallisation (38) comporte : ^ la réalisation de trous dans la couche diélectrique (52) à l'aplomb des zones surdopées (36) de manière à faire affleurer celles-ci au moins partiellement ; ^ le dépôt d'un matériau métallique sur la couche diélectrique (52) et sur les zones surdopées (36) affleurant, selon le motif de la structure de reprise de contact ; et ^ le recuit de la cellule photovoltaïque de manière à obtenir une prise de contact du matériau métallique avec les zones surdopées (36). 6. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte la formation d'une couche diélectrique (52) sur la deuxième couche semi-conductrice (34) préalablement à la formation de la métallisation (38), la couche diélectrique (52) étant imperméable au métal entrant dans la constitution de la métallisation (38), et en ce que la formation de la métallisation (38) comporte : ^ le dépôt d'un premier matériau métallique sur la couche diélectrique (52) à l'aplomb des zones surdopées (36), le premier matériau métallique comportant un agent apte à traverser la couche diélectrique (52) lors d'un recuit ; ^ le dépôt d'un second matériau métallique, sans agent apte à traverser la couche diélectrique, sur la couche diélectrique (52) à l'emplacement des pistes métalliques ; et ^ le recuit de la cellule photovoltaïque de manière à obtenir une prise de contact du matériau métallique avec les zones surdopées (36).15