Brevet FR2976123A1 — publié le 20121207

STRUCTURE SEMICONDUCTRICE DESTINEE A EMETTRE DE LA LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte au domaine de la fourniture de moyens d'émission de lumière et plus particulièrement au domaine de la fourniture de moyens d'émission de lumière dans la gamme des ultra-violets (acronyme UV). Durant ces vingt dernières années, l'industrie des semiconducteurs a démontré et développé le fort potentiel des structures semiconductrices pour l'émission de lumière dans les gammes de longueurs d'ondes allant de la gamme des infrarouges au visible. En raison de limites technologiques liées aux matériaux semiconducteurs, le potentiel des structures semiconductrices pour l'émission de lumière dans les longueurs d'ondes allant du proche UV aux UV profonds reste encore à démontrer. L'invention concerne plus particulièrement une structure semiconductrice destinée à émettre de la lumière et au procédé de fabrication d'une telle structure semiconductrice. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Ces dernières années différentes pistes ont été explorées dans le but de développer des structures semiconductrices destinées à émettre de la lumière dans les gammes de longueurs d'ondes des UV. 2 Une première piste concerne des structures semiconductrices basées sur une jonction semiconductrice (généralement connue sous la dénomination jonction p-n) à base de semiconducteurs grand gap à gap direct, tels que l'oxyde de zinc (ZnO), le nitrure de gallium (GaN). En effet, selon un principe, identique à celui utilisé pour la réalisation de structures semiconductrices destinées à émettre de la lumière dans les longueurs d'ondes du visible, le ménagement d'une zone favorable à la recombinaison de paires électron-trou dans une jonction semiconductrice polarisée en direct d'un matériau grand gap à gap direct doit permettre une émission de photons dans les longueurs d'ondes des UV. Ainsi pour une jonction à base de ZnO [1], dont le gap est d'une valeur de 3,37eV, il est possible d'atteindre une longueur d'onde d'environ 370nm. Néanmoins, l'exploitation de ce type de jonction semiconductice reste limitée par les problèmes de dopage existant pour les matériaux semiconducteurs à grand gap. En effet, l'énergie d'activation des dopants de tels matériaux est souvent du même ordre de grandeur ou d'une valeur supérieure à l'énergie thermique à la température ambiante pour au moins l'un des deux types conductivités. En réponse à ce problème et selon un principe similaire, l'utilisation d'hétérojonctions [2] a également été envisagée. Néanmoins ce type d'hétérojonctions présente une problématique liée à la qualité d'interface d'une telle hétérojonction, les défauts d'interface créant des pièges recombinants non 3 radiatifs qui limitent le rendement d'émission des structures semiconductrices presentant une telle hétérojonction. Pour contourner cette limite, J. Simon et ses collaborateurs ont récemment proposé [3] d'utiliser un champ électrique interne à la structure semiconductrice pour injecter des porteurs minoritaires au niveau de l'une des deux zones formant la jonction. Dans ces travaux, le champ électrique est généré par l'utilisation combinée de la différence de gap entre le Nitrure de gallium aluminium (AlGaN) et le nitrure de gallium (GaN), et d'une gradation de la composition en aluminium au niveau de la jonction. Le champ électrique ainsi généré permet l'injection de porteurs minoritaires qui favorise en retour les recombinaisons électron-trou à l'origine de l'émission de lumière. De même, cette gradation permet de limiter les défauts d'interface liés à l'hétérojonction, cette interface étant graduelle. Si ces travaux montrent le fort potentiel de l'injection de porteurs liée à un champ électrique, la faisabilité industrielle reste à démontrer. Une autre solution, décrite dans le brevet français FR 2934716, consiste à générer un champ électrique externe pour obtenir une zone d'inversion du type de porteur dans l'une des deux zones de la jonction. Cette inversion de porteur, obtenue par l'utilisation d'une grille de polarisation de la zone à inverser permet de créer dans cette même zone une région propice à la recombinaison de porteurs et donc à l'émission de lumière. Il en résulte ainsi que même 4 pour un faible dopage de la zone non inversée, la région propice à l'émission n'est limitée que par la zone polarisée. De plus cette région peut être, par la polarisation, éloignée de la jonction et des pièges recombinant non radiatifs qui peuvent s'y trouver dans le cas d'une hétérojonction. Néanmoins, avec la configuration planaire proposée dans ledit brevet, la région émettrice reste limitée par les zones polarisées par la grille, elle- même limitée par la géométrie de l'anode et la cathode, et ne permet donc pas d'obtenir une grande surface d'émission et donc une grande puissance d'émission sans combiner un grand nombre de structures semiconductrices entre elles. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'un des buts de l'invention est de fournir une structure semiconductrice destinée à émettre de la lumière avec utilisation d'un champ électrique externe à la jonction pour injecter des porteurs minoritaires dans une partie de la structure semiconductrice et ainsi en inverser au moins partiellement le type de conductivité, ladite structure présentant une configuration permettant une optimisation de l'injection de porteurs minoritaires dans ladite partie de manière à permettre une amélioration du rendement d'émission par rapport à un agencement de l'art antérieur. A cet effet l'invention concerne une structure semiconductrice adaptée pour émettre de la lumière comportant : un substrat réalisé en un premier matériau semiconducteur présentant un premier type de conductivité, le substrat présentant une première et une seconde face, 5 un premier contact électrique sur la première face, au moins un deuxième matériau semiconducteur, présentant un second type de conductivité formant une première partie de la structure semiconductrice et en contact électrique avec une deuxième partie de la structure semiconductrice présentant la première conductivité de manière à former une jonction, un second contact électrique connecté 15 électriquement avec le deuxième matériau semiconducteur, un moyen de polarisation adapté pour polariser au moins une partie de la structure semiconductrice parmi la première et la deuxième 20 partie, le moyen de polarisation étant agencé de manière à ce que sa polarisation entraîne une inversion du type de porteurs dans ladite partie, la structure semiconductrice comportant : une pluralité de micro- ou nano- 25 structures semiconductrices présentant chacune une première et une seconde extrémité, chacune des premières extrémités étant reliée à la seconde face, chaque micro- ou nano- structure comportant au moins une portion réalisée dans le deuxième matériau 30 semiconducteur de manière à former la première partie, ou chaque micro- ou nano- structure présentant la 6 première conductivité avec la seconde extrémité en contact avec le deuxième matériau semiconducteur, ceci de manière à former la jonction. On entend ci-dessus, et dans la reste de ce document, par un premier type de conductivité et un second type de conductivité des conductivités correspondant à respectivement un premier type de porteurs majoritaires pouvant être choisi dans le groupe comportant les électrons et les trous, et à un second type de porteurs majoritaires différent choisi dans ce même groupe. Une telle structure semiconductrice permet une inversion du type de porteurs au niveau de la seconde face et/ou pluralité de nanostructure ceci de façon 3D, puisque chaque micro- ou nano- structure présente au moins une partie de la première et de deuxième partie de la structure formant la jonction, augmentant ainsi significativement la zone dans laquelle le type de porteurs est inversé et donc dans laquelle les recombinaisons des paires électron-trou peuvent avoir lieu. On optimise ainsi les zones dans lesquelles les recombinaisons paires électron-trou radiatives peuvent avoir lieu et donc les zones d'émission de lumière. Le moyen de polarisation peut comporter une couche d'isolant en contact avec la partie de la structure semiconductrice à polariser et une couche conductrice sur ladite couche d'isolant. Une telle couche d'isolant sur laquelle est 30 déposée une couche conductrice permet de fournir un moyen de polarisation d'au moins une partie de la 7 structure semiconductrice homogène puisque fourni par une couche conductrice présente sur une couche d'isolant en contact avec ladite partie de la structure semiconductrice. La couche d'isolant peut être en contact avec les zones de la seconde face laissées libres par les micro- ou nano- structures et sur au moins une portion de chaque micro- ou nano- structure. Une telle couche d'isolant peut permettre une polarisation de l'ensemble de la partie de la structure semiconductrice à polariser sans risque de court-circuit, la couche conductrice pouvant être déposée sur cette couche d'isolant sans risque de court-circuit avec la dite partie de la structure semiconductrice. Un tel arrangement de la couche d'isolant permet également, avec une configuration des micro- et nano- structures adéquate, une polarisation de la partie dont le type de porteurs est non inversé, facilitant ainsi l'injection des porteurs minoritaires dans la partie à inverser. La couche conductrice peut être adaptée pour être au moins partiellement transparente à la longueur d'onde à laquelle la structure semiconductrice est destinée à émettre. Ainsi, la lumière émisse peut être transmise au travers de la couche conductrice. La couche conductrice peut être avantageusement de l'oxyde d'indium-étain (IT0), un métal de faible épaisseur de manière à le rendre au moins partiellement transparent à la longueur d'onde 8 d'émission de la structure semiconductrice ou un semiconducteur transparent à la longueur d'onde d'émission de la structure semiconductrice et présentant un fort dopage de manière à le rendre dégénéré et donc conducteur. La couche d'isolant peut être réalisée dans un matériau sélectionné dans le groupe comportant le dioxyde de silicium (SiO2) et les diélectriques "Highk", tels que le dioxyde d'hafnium (HfO2). Le dépôt de tels matériaux étant parfaitement maîtrisé dans l'industrie des semiconducteurs à base de silicium, ces matériaux permettent de fournir une couche isolante présentant l'isolation nécessaire pour la polarisation de la zone à inverser sans présenter les risques de fuites inhérents à une couche d'isolant non maîtrisée. Chaque micro- ou nano- structure peut présenter au moins une dimension réduite selon l'une des directions sensiblement parallèles à la seconde face de manière à former une micro- ou nano- structure 2D, préférentiellement 1D. On entend par micro- ou nano- structure 2D, ou 1D, une micro- ou nano- structure dont une dimension, ou deux dimensions, est inférieure ou du même ordre de grandeur que le libre parcourt moyen électronique correspondant du ou aux matériaux composant ladite micro- ou nano- structure Une telle dimension réduite permet à la fois un confinement quantique et une optimisation de la région du substrat qui est influencée par l'inversion du type de porteurs, ceci tout en limitant les zones 9 d'ombrage liées à la présence des micro- ou nanostructures, ces zones d'ombrages ne l'étant que sur cette dimension réduite. Chaque micro ou nano- structure peut être un nanofil semiconducteur. De telles micro- ou nano- structures peuvent être facilement obtenues en une seule fois par croissance épitaxiale sur toute la surface substrat, limitant ainsi le nombre d'étape de fabrication et donc les coûts de fourniture d'une structure semiconductrice selon l'invention. Selon un premier mode réalisation, chaque micro- ou nano- structure peut présenter une conductivité du même type que celle du premier matériau semiconducteur de manière à former la deuxième partie, la seconde extrémité de chacune des micro- ou nanostructures étant en contact avec le deuxième matériau semiconducteur. De telles micro- ou nano- structures peuvent être obtenues en une seule étape de croissance, limitant ainsi les étapes nécessaires pour la fourniture d'une structure semiconductrice selon l'invention. Selon un autre mode de réalisation chaque 25 micro ou nano- structure peut présenter : une première portion comportant la première extrémité, et présentant une conductivité du même type que celle du premier matériau semiconducteur de manière à former la deuxième partie, et 30 une seconde portion comportant la seconde extrémité, et étant réalisée dans le deuxième 10 matériau semiconducteur de manière à former la première partie. Une telle configuration de chacune des micro- ou nano- structures permet de fournir une structure semiconductrice présentant la jonction au niveau des micro- ou nano- structures permettant ainsi, pour un moyen de polarisation adapté, de polariser à la fois la portion à inversée et la portion non inversée de chacune des micro- ou nano- structures. En effet, une telle configuration permet l'optimisation de l'injection des porteurs minoritaires dans la zone à inverser. Selon une autre forme de réalisation, chaque micro- ou nano- structure peut être entièrement réalisée dans le deuxième matériau semiconducteur de manière à former la première partie. Ainsi la structure présente la jonction au plus proche de la surface du substrat permettant ainsi une inversion du type de porteurs optimisée au niveau de la seconde face. Chaque micro- ou nano- structure peut comporter une fraction d'une couche dite de mouillage en contact avec le substrat, cette fraction de la couche de mouillage formant la première extrémité de ladite micro- ou nano- structure. Avec une telle couche de mouillage, la partie à inverser est formée par les micro- ou nanostructures, l'inversion du type de porteurs peut donc avoir lieu sur l'ensemble de chacune des micro- ou nano- structures, la couche de mouillage comprise. 11 Selon une possibilité de l'invention, au moins une portion du nanofil peut comporter une conformation du type « coeur-coquille », c'est-à-dire que la portion du nanofil est constituée d'au moins deux matériaux semiconducteurs, l'un, dit matériau coeur, formant le centre de ladite portion du nanofil et l'autre, dit matériau coquille, entourant le matériau coeur de manière à former le contour extérieur de la portion de nanofil. Une telle conformation permet à une portion de nanofil, préférentiellement choisie comme celle étant comprise dans la partie à inversée de la structure semiconductrice, de présenter un meilleur confinement quantique dans le matériau coeur avec une interface entre le matériau coeur et le matériau coquille présentant une faible densité de pièges non radiatif, augmentant ainsi le rendement d'émission d'un tel nanofil. Le nanofil peut présenter une seule portion de nanofil comportant une conformation « coeur-coquille », ladite portion de nanofil étant une portion sélectionnée dans le groupe comportant la première portion et la seconde portion. La jonction peut être une hétérojonction. Une telle jonction permet d'utiliser les qualités d'un matériau semiconducteur présentant un gap adéquat pour émettre à la longueur d'onde choisie sans nécessiter que ce même matériau ait la possibilité de présenter les deux types de conductivité pour former la jonction. 12 La partie de la structure semiconductrice de la première et de la seconde partie présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des électrons peut être réalisée dans un matériau semiconducteur présentant un dopage de type n, ledit matériau semiconducteur étant préférentiellement sélectionné dans le groupe comportant l'oxyde de zinc (ZnO), l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure de gallium-aluminium (AlGaN). De tels matériaux semiconducteurs permettent, par l'énergie de leur bande interdite et le fait qu'ils présentent un gap direct, une émission dans la gamme des UV. La partie de la structure semiconductrice de la première et de la seconde partie présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des trous peut être réalisée dans un matériau semiconducteur présentant un dopage de type p, ledit matériau semiconducteur étant préférentiellement sélectionné dans le groupe comportant le nitrure de gallium (GaN), le séléniure de zinc (ZnSe) et le tellurure de zinc (ZnTe). De tels matériaux semiconducteurs permettent, par l'énergie de leur bande interdite et le fait qu'ils présentent un gap direct, une émission dans la gamme des UV. L'invention se rapport également à un Procédé de fabrication d'une structure semiconductrice selon l'invention, ledit procédé de fabrication comportant les étapes consistant à : 13 - fournir un substrat réalisé dans un premier matériau semiconducteur présentant un premier type de conductivité, ledit substrat présentant une première et une seconde face réaliser un premier contact électrique sur la première face, - former une pluralité de micro- ou nanostructures sur la seconde face, chacune des micro- ou nano- structures présentant une première et une seconde extrémité avec chacune des premières extrémités connectée à la seconde face, chaque micro- ou nanostructures comportant au moins une portion réalisée dans un deuxième matériau semiconducteur présentant, ou à même de présenter par l'action d'un matériau dopant, une conductivité d'un deuxième type de manière à former une première partie de la structure semiconductrice avec le substrat et/ou une autre portion de chacune des micro- ou nano- structures formant une deuxième partie de la structure semiconductrice, ou chaque micro- ou nano- structure présentant le premier type de conductivité et formant au moins partiellement une deuxième partie de la structure semiconductrice, former un moyen de polarisation adapté pour polariser au moins une partie parmi la première et la deuxième partie, le moyen de polarisation étant agencé de manière à ce que sa polarisation entraîne une inversion du type de porteurs dans ladite partie, - déposer, si chaque micro- ou nanostructure présente le premier type de conductivité et forme au moins partiellement la deuxième partie de la stucture, un deuxième matériau semiconducteur de 14 manière à former une première partie de la structure semiconductrice, réaliser un second contact électrique en contact avec le deuxième matériau semiconducteur. Un tel procédé permet la formation d'une structure semiconductrice apte à émettre de façon optimisée de la lumière dans des longueurs d'onde des UV, le contact entre la première et la seconde partie permettant la formation de la jonction. Selon une possibilité de l'invention le procédé peut être un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice dont le moyen de polarisation comporte une couche d'isolant en contact avec la partie de la structure semiconductrice à polariser et une 15 couche conductrice sur ladite couche d'isolant, l'étape consistant à former un moyen de polarisation comportant les étapes consistant à: - déposer une couche d'isolant sur les zones de la seconde face laissées libres par les micro-20 ou nano- structures et sur au moins une portion des micro- ou nano- structures, - déposer une couche conductrice sur la couche d'isolant. Un tel procédé permet de fournir une 25 structure semiconductrice avec un moyen de polarisation fournissant une polarisation homogène sur toute la partie de la structure semiconductrice à polariser. Le procédé peut comprendre après l'étape consistant à former un moyen de polarisation et avant 30 l'étape consistant à réaliser le second contact électrique, les étapes consistant à en outre : 10 15 - Supprimer la part de la couche d'isolant et de la couche conductrices présent sur chacune des micro- ou nano- structure au niveau de leur seconde extrémité et au moins au niveau du pourtour à proximité de la seconde extrémité sur chacune des micro- ou nanostructures, - déposer un matériau de remplissage de manière à ce que l'espace entre les micro- ou nanostructures soit au moins partiellement rempli et que chacune des micro- ou nano- structures présente au moins une portion recouverte. De tels étapes permettent le dépôt d'un matériau de remplissage, ce matériau de remplissage permettant la fourniture d'un support pour le dépôt d'un autre matériau, tel qu'un matériau dopant ou le deuxième matériau semiconducteur. Selon une possibilité de l'invention le dépôt de matériau de remplissage peut être réalisé de manière à ce que l'espace entre les micro- ou nano- structures soit totalement rempli, la seconde extrémité de chacune des micro- ou nano- structures affleurant du matériau de remplissage. Selon une variante de l'invention, le procédé de fabrication peut être pour la fabrication d'une structure semiconductrice dans laquelle chaque micro ou nano- structure présente : une première portion comportant la première extrémité, et présentant une conductivité du même type que celle du premier matériau semiconducteur de manière à former la deuxième partie, 16 une seconde portion comportant la seconde extrémité, et étant réalisée dans le deuxième matériau semiconducteur de manière à former la première partie, le procédé comprenant, après l'étape consistant à former un moyen de polarisation et avant l'étape consistant à réaliser le second contact électrique, les étapes consistant à: déposer une couche de remplissage de manière que l'espace entre les micro- ou nanostructure soit rempli et de manière qu'une première portion de chacune des micro- ou nano- structures soit recouverte et qu'une seconde portion de chacune des micro- ou nano- structures dépasse de ladite couche de remplissage, supprimer la part de la couche conductrice et de la couche isolante de la deuxième partie de chacune des micro- ou nano- structures, - déposer une couche de matériau dopant, tel qu'un polymère contenant des ions dopants, ladite couche étant déposée de manière à ce que la seconde extrémité de chacune des micro- ou nano- structures soit affleurante, - effectuer une activation de la couche de matériau dopant de manière à permettre le dopage de la deuxième portion de chacune des micro- ou nanostructures. De telles étapes permettent la fourniture d'une structure dont au moins une portion de chacune des micro- ou nano- structures est dopée par un matériau dopant. 10 15 20 25 30 17 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation, donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre un premier mode de réalisation d'une structure semiconductrice selon l'invention, ladite structure semiconductrice comportant des nanofils présentant le même type de conductivité que le substrat, les figures 2 a) à d) illustrent le procédé de fabrication et d'émission d'une structure semiconductrice selon le premier mode de réalisation, - la figure 3 illustre un deuxième mode de réalisation d'une structure semiconductrice selon l'invention, ladite structure semiconductrice comportant des nanofils présentant une conductivité d'un autre type que celui du substrat, les figures 4 a) à d) illustrent le procédé de fabrication et d'émission d'une structure semiconductrice selon le deuxième mode de réalisation, - la figure 5 illustre un troisième mode de réalisation d'une structure semiconductrice selon l'invention, ladite structure semiconductrice comportant des nanofils présentant une première portion 5 15 20 25 30 18 d'un premier type de conductivité et une portion d'un second type de conductivité, la grille étant présente sur toute la longueur des nanofils , les figures 6 a) à d) illustrent un procédé de fabrication et d'émission d'une structure semiconductrice selon le troisième mode de réalisation, la figure 7, illustre un quatrième mode de réalisation d'une structure semiconductrice selon l'invention, ladite structure semiconductrice comportant des nanofils présentant une première portion d'un premier type de conductivité et une portion d'un second type de conductivité, la grille étant présente sur une seule portion du nanofil, les figures 8 a) à e) illustrent un procédé de fabrication et d'émission d'une structure semiconductrice selon le quatrième mode de réalisation, la figure 9 illustre un cinquième mode de réalisation selon l'invention, ladite structure semiconductrice comportant des nanofils comportant chacun une portion de couche de mouillage et présentant une conductivité d'un autre type que celui du substrat, les figures 10 a) à d) illustrent un procédé de fabrication et d'émission 19 d'une structure semiconductrice selon le cinquième mode de réalisation, Les figures 11 a) à c) illustrent des variantes de réalisation d'une structure semiconductrice selon l'invention, la structure semiconductrice selon ces variantes de réalisation comportant des nanofils présentant au moins une portion de nanofil de type « coeur-coquille », Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 1 est une vue schématique en coupe transversale illustrant un premier mode de réalisation d'une structure semiconductrice 1 selon l'invention. Une telle structure semiconductrice 1 est une structure semiconductrice 1 destinée à émettre de la lumière. Une telle structure semiconductrice 1 est 20 plus particulièrement adaptée pour émettre dans les longueurs d'onde du proche UV et de l'UV profond. Une structure semiconductrice selon ce premier mode de réalisation 1 comporte : un substrat semiconducteur 100 réalisé en un premier matériau semiconducteur 10 présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des électrons, c'est-à-dire de type n, le substrat semiconducteur 100 présentant une première et une seconde face 110, 120, un premier contact électrique 30 sur la première face 110, - une pluralité de nanofils 200 connectés à la seconde face 120, lesdits nanofils 200 présentant le même type de conductivité que le substrat semiconducteur 100, chacun des nanofils 200 comportant une première et seconde extrémité 210, 220, - une couche d'isolant 310 en contact avec les zones 121 de la seconde face 120 laissées libres par les nanofils 200 et avec une partie du pourtour 230 des nanofils 200, une couche de métal 320 en contact avec la couche d'isolant 310 et sans contact avec les nanofils 200, un matériau de remplissage 400 remplissant l'espace entre les nanofils 200, une couche 500 d'un deuxième matériau semiconducteur 20 présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des trous, c'est-à-dire de type p, ladite couche 500 étant en contact avec la 21 seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 de manière à former une jonction semiconductrice 50, un second contact électrique 40 en contact avec la couche 500 du deuxième matériau semiconducteur 20. Le substrat 100 est un substrat semiconducteur classiquement utilisé pour la réalisation de structures émettrices et pouvant présenter une conduction de type n. Pour les applications envisagées, le premier matériau semiconducteur 10 formant le substrat semiconducteur 100 est préférentiellement un semiconducteur dit grand gap. On entend par grand gap que le matériau semiconducteur présente une énergie de bande interdite supérieure à 1,5eV. Ainsi le premier matériau semiconducteur 10 peut être du nitrure de gallium (GaN), du nitrure de gallium-aluminium (AlGaN) ou encore de l'arséniure de gallium (GaAs). De manière à ce que le substrat semiconducteur 100 présente la conductivité n, le premier matériau semiconducteur 10 est dopé n. Le premier contact électrique 30 est préférentiellement un contact électrique de type n de manière à limiter la résistance électrique avec le premier matériau semiconducteur 10. Les nanofils 200 sont connectés au substrat semiconducteur 100 sur la seconde face 120. Chaque nanofil 200 présente sa première extrémité 210 en contact avec la seconde face 120. Chacun des nanofils 200 est réalisé dans un matériau semiconducteur 201 grand gap à gap direct 22 présentant un dopage de type n. On entend par matériau semiconducteur à gap direct un semiconducteur dont le maximum d'énergie de la bande de valence et le minimum d'énergie de la bande de conduction se situent à une valeur du vecteur d'onde k sensiblement également dans le diagramme de dispersion énergétique dudit matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur 201 dans lequel sont réalisés les nanofils 200 est adapté à la longueur d'onde d'émission souhaitée de la structure semiconductrice 1. Ainsi pour une émission de lumière dans la gamme des longueurs d'ondes proches UV, le matériau semiconducteur 201 formant les nanofils 200 peut être de l'oxyde de zinc (ZnO) ou du nitrure de gallium (GaN). Pour une émission dans la gamme des UV profond, le matériau semiconducteur 201 formant les nanofils 200 peut être l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO) ou du nitrure de gallium-aluminium (AlGaN). Selon une possibilité de l'invention le matériau semiconducteur 201 dans lequel sont réalisés les nanofils 200 peut être avantageusement le même que le premier matériau semiconducteur 10. Les nanofils 200 ont préférentiellement un diamètre compris entre 5nm et 1pm pour une longueur 25 comprise entre 50nm et 10pm. Les nanofils 200 forment avec la seconde face 120 une deuxième partie la de la structure semiconductrice 1. La couche de matériau isolant 310 recouvre 30 à la fois les zones 121 de la seconde face 120 laissées libres par les nanofils 200 et une partie du pourtour 23 230 des nanofils 200 en laissant libre la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200. Le matériau isolant formant la couche de matériau isolant 310 peut être le dioxyde de silicium (SiO2), et les diélectriques « high k », tels que le dioxyde d'hafnium (HfO2), par exemple. On entend par diélectrique « high k » un diélectrique possédant une constante diélectrique plus élevée que celle du dioxyde de silicium. La couche de matériau isolant présente une épaisseur comprise entre 5nmm et 50nm. La couche conductrice 320 est préférentiellement adaptée pour être transparente à la longueur d'onde d'émission de la structure semiconductrice 1. Ainsi la couche conductrice 320 peut être une couche d'oxyde d'indium-étain (également connu sous l'acronyme IT0) ou tout autre matériau conducteur et transparent connu de l'homme du métier. Le matériau de remplissage 400 peut être un matériau diélectrique, tel que du dioxyde de silicium ou un matériau diélectrique « low k ». On entend par diélectrique « low k » un diélectrique possédant une constante diélectrique plus faible que celle du dioxyde de silicium. Ce matériau de remplissage 400 peut être, pour faciliter le procédé de fabrication d'une telle structure semiconductrice 1, un matériau du type « Spin On Glass », c'est-à-dire un matériau diélectrique adapté pour être déposé au moyen d'une centrifugeuse. En effet, le dépôt par centrifugation d'un tel matériau permet de combler aisément et efficacement les espaces restés vacant entre les nanofils 200. 24 Selon une possibilité non illustrée et non préférée, il est également possible de ne pas combler l'espace entre les nanofils 200. La seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 affleure de la couche de matériau de remplissage 400 et est en contact avec le deuxième matériau semiconducteur 20. Dans ce mode de réalisation, le deuxième matériau semiconducteur 20 prend la forme d'une couche 500 en contact avec la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 de manière à former la jonction 50. Le deuxième matériau semiconducteur 20 est un matériau semiconducteur présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des trous, c'est-à-dire que le deuxième matériau semiconducteur 20 présente un dopage de type p. Le deuxième matériau semiconducteur 20 est préférentiellement un semiconducteur grand gap, dont l'énergie de la bande interdite est voisine de celle du matériau semiconducteur 201 constituant les nanofils 200. Ainsi le deuxième matériau semiconducteur 20 peut être le nitrure de gallium (GaN), le séléniure de zinc (ZnSe) et le tellurure de zinc (ZnTe). Le deuxième matériau semiconducteur 20 peut être, sans que l'on sorte du cadre de l'invention, le même matériau que le matériau semiconducteur 201 formant les nanofils 200 avec une conductivité de type p, ceci de manière à ce que la jonction 50 soit une homojonction, ou d'un autre matériau semiconducteur, ceci de manière à ce que la jonction 50 soit une hétérojonction. 25 Le deuxième matériau semiconducteur 20 forme une première partie lb de la structure semiconductrice 1. Le second contact électrique 40 est un contact électrique de type p de manière à limiter la résistance électrique avec le deuxième matériau semiconducteur 20. Le procédé de fabrication d'une telle structure semiconductrice 1 comporte, comme illustré sur les figures 2 a) à c), les étapes consistant à : - fournir le substrat 100 réalisé dans le premier matériau semiconducteur 10, - former, tel qu'illustré sur la figure 2 a), une pluralité de nanofils 200 sur la seconde face 120, la première extrémité 210 étant, lors de cette formation, en contact avec la seconde face 120, déposer la couche de matériau isolant 310 sur les zones 121 de la seconde face 120 laissées libres par les nanofils 200 et sur les nanofils 200, déposer la couche conductrice 320 sur la couche de matériau isolant 310, tel qu'illustré sur la figure 2 b), - supprimer, par une attaque sélective, telle qu'une attaque à ions réactif (d'acronyme anglais R.I.E.), la couche de matériau isolant 310 et la couche conductrice 320 de la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 et sur une partie du pourtour 230 de chacun des nanofils 200 à proximité de la seconde extrémité 220, - déposer, par exemple par centrifugation si le matériau de remplissage est un matériau du type 26 « spin on glass », le matériau de remplissage 400 de manière à ce que la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 affleure avec la surface du matériau de remplissage soit plane, - déposer une couche du deuxième matériau semiconducteur 20 de manière à former la jonction 50, réaliser le premier contact électrique 30 en contact avec la première face 110, réaliser un second contact électrique 40 en contact avec le deuxième matériau semiconducteur 20 pour ainsi obtenir la structure semiconductrice illustrée sur la figure 2 c). L'étape de formation des nanofils 200 étant connue par ailleurs, tel que dans les articles de I.C. Robin et de ses collaborateurs [4-51 cette étape n'est pas décrite dans ce document. Dans ce procédé de fabrication, on entend par partie du pourtour 230 de chacun des nanofils 200 à proximité de la seconde extrémité 220, la partie du pourtour de chacun des nanofils 200 qui est à une distance prédéfinie de la seconde extrémité 220, cette distance prédéfinie étant comprise entre 5nm et 150nm, avec une valeur préférée sensiblement égale à 10nm. Une fois formée, la structure semiconductrice 1 est apte à émettre de la lumière dont la longueur d'onde est définie par le matériau 201 des nanofils 200. Cette émission, illustrée sur la figure 2 d), est obtenue par une polarisation de la jonction 50 en direct, c'est-à-dire que le second contact électrique 40 est polarisé positivement relativement au 27 premier contact électrique 30. Cette polarisation peut avoir une valeur comprise entre 1V et 30V, cette valeur devant être adaptée aux matériaux semiconducteurs 10, 20, 201 constituant la structure semiconductrice 1. Pour optimiser le rendement d'émission de la structure semiconductrice 1, la couche conductrice 320 est polarisée négativement relativement au premier contact électrique 30. Cette polarisation peut avoir une valeur -V comprise entre -1V et -30V, cette valeur devant être adaptée au matériau semiconducteur 201 constituant les nanofils. De cette manière, et de façon identique à la structure semiconductrice 1 décrite dans le document FR 2934716, la polarisation de la couche électrique 320 permet, si elle est suffisante, de créer une inversion 5 du type de porteurs dans la deuxième partie la de la structure semiconductrice 1, c'est-à-dire au niveau des nanofils 200 et de la seconde face 120. Cette zone d'inversion s'étendant sur toute la longueur du nanofil 200 permet de créer une zone favorable à la recombinaison électron-trou dans laquelle la recombinaison des paires électron-trou donne lieu à de l'émission de lumière. Il peut également être noté que cette recombinaison a lieu à distance de la jonction 50 entre le matériau semiconducteur 201 formant les nanofils 200 et le deuxième matériau semiconducteur 20, et est donc à distance de cette même interface entre ces deux matériaux 201, 20 généralement riche en défauts recombinant non radiatif optimisant ainsi le rendement de la structure semiconductrice 1. 28 La figure 3 est une vue schématique en coupe transversale illustrant un deuxième mode de réalisation d'une structure semiconductrice 1 selon l'invention. Une structure semiconductrice 1 selon ce deuxième mode de réalisation se différencie de celle 1 selon le premier mode de réalisation en ce que chaque nanofil 200 est entièrement réalisé dans le deuxième matériau semiconducteur 20 de manière à former la première partie lb de la structure semiconductrice 1 et en ce que la structure semiconductrice 1 ne comporte pas de couche 500 de deuxième matériau semiconducteur 20, le second contact électrique 40 étant réalisé en contact avec la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200. Dans une telle structure semiconductrice 1, la jonction 50 est présente à l'interface entre la première extrémité 210 de chacun des nanofils 200 et la seconde face 120, la seconde face 120 formant la deuxième partie la de la structure semiconductrice 1. Dans ce mode de réalisation, le premier matériau semiconducteur 10 est choisi en fonction de la longueur d'onde d'émission souhaitée de la structure semiconductrice 1. Ainsi pour une émission de lumière dans la gamme des proches UV, le premier matériau semiconducteur 10 peut être de l'oxyde de zinc (ZnO) ou du nitrure de gallium (GaN). Pour une émission dans la gamme des UV profond, le premier matériau semiconducteur 10 peut être l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO) ou nitrure de gallium-aluminium (AlGaN). Selon ce même mode de réalisation, le deuxième matériau semiconducteur 20 est 29 préférentiellement un semiconducteur grand gap, dont l'énergie de la bande interdite est voisine de celle du premier matériau semiconducteur 10. Le procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon ce mode de réalisation, tel qu'illustré sur les figures 4 a) à c), se différencie d'un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon le premier mode de réalisation en ce qu'il ne comprend pas d'étape consistant à déposer une couche 500 du deuxième matériau semiconducteur 20 et en ce que l'étape consistant à réaliser un second contact électrique 40 est réalisé en contact avec la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200. L'émission de lumière avec une structure semiconductrice 1 selon le deuxième mode de réalisation est obtenue, tel qu'illustré sur la figure 4 d), de façon similaire à celle d'une structure semiconductrice 1 selon le premier mode de réalisation. La figure 5 illustre un troisième mode de réalisation d'une structure semiconductrice 1 selon l'invention, une telle structure semiconductrice 1 se différencie d'une structure semiconductrice 1 selon le deuxième mode de réalisation en ce que chacun des nanofils 200 comporte une première portion 250 dans un matériau semiconducteur 201' de même type de conductivité que le premier matériau semiconducteur 10 et une deuxième portion 260 dans le deuxième matériau semiconducteur 20, l'interface entre ces deux portions 250, 260 formant la jonction 50 de la structure semiconductrice 1. Selon ce mode de réalisation la 30 deuxième portion 260 forme la première partie lb de la structure semiconductrice 1, la première portion 250 et la seconde face 120 formant la deuxième partie la. Le matériau semiconducteur 201' de la première portion 250 est un semiconducteur grand gap à gap direct. Le matériau semiconducteur 201' de la première portion peut être avantageusement un matériau sensiblement identique au premier matériau semiconducteur 10. Le matériau semiconducteur 201' de la première portion 250 est adapté à la longueur d'onde d'émission souhaitée de la structure semiconductrice 1. Ainsi pour une émission de lumière dans la gamme des proches UV, le matériau semiconducteur 201' de la première portion 250 peut être de l'oxyde de zinc (ZnO) ou du nitrure de gallium (GaN). Pour une émission dans la gamme des UV profond, le matériau semiconducteur 201' de la première portion 250 peut être l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO) ou du nitrure de gallium- aluminium (AlGaN). Le procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon ce troisième mode de réalisation, tel qu'illustré sur les figures 6 a) à c), se différencie d'un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon le deuxième mode de réalisation par l'étape de formation de la pluralité de nanofils 200. En effet, cette étape, pour permettre la réalisation d'une telle structure semiconductrice 1 comprend notamment un changement du matériau déposé pendant la croissance des nanofils 200, ceci de manière 31 à ce que chacun des nanofils 200 puisse présenter la première portion 250 réalisée dans le matériau semiconducteur 201' de la première portion et la deuxième portion 260 réalisée dans le deuxième matériau semiconducteur 20. L'émission de lumière avec une structure semiconductrice 1 selon le troisième mode de réalisation est obtenue, tel qu'illustré sur la figure 6 d), de façon similaire à celle d'une structure semiconductrice 1 selon le premier mode de réalisation. La figure 7 est une vue schématique en coupe transversale illustrant une structure semiconductrice 1 selon un quatrième mode de réalisation. Une telle structure semiconductrice 1 se différencie d'une structure semiconductrice 1 selon le troisième mode de réalisation en ce que la première portion 250 et la seconde portion 260 de chaque nanofils 200 sont toutes deux réalisées dans un même matériau 201', 20 avec un dopage de type n pour la première portion 250 et un dopage de type p pour la deuxième portion 260 de manière à former la jonction 50, en ce que les couches de matériau isolant 310 et de métal 320 sont présents uniquement sur la première portion 250 de chacun des nanofils 200, le matériau de remplissage 400 étant présent autour de ces mêmes portions 250 de nanofils 200 et en ce que la structure semiconductrice 1 présente un polymère dopant 450 remplissant l'espace entre les nanofils 200 au niveau de leur deuxième portion 260. Dans ce mode de réalisation le deuxième matériau semiconducteur 20 et le matériau 32 semiconducteur 201' de la première portion 250 de chacun des nanofils 200 sont tous deux un matériau grand gap à gap direct de type n dont le dopage, pour le deuxième matériau semiconducteur 20, a été inversé en un dopage type p par une activation du polymère dopant 450. Le deuxième matériau semiconducteur 20 et le matériau semiconducteur 201'de la première portion 250 de chacun des nanofils 200 est préférentiellement de l'oxyde de zinc (ZnO), mais ils peuvent être également tout matériau semiconducteur grand gap à gap direct pouvant présenter un dopage n et dont le dopage peut être inversé par la mise en contact avec un polymère dopant 450 et l'activation de ce dernier. Le polymère dopant 450 est un polymère comprenant des ions dopant aptes à migrer dans le matériau semiconducteur en contact avec ledit polymère lors d'une étape d'activation, telle qu'une activation thermique. Ce type de polymère dopant 450 forme un matériau dopant. Le procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon ce mode de réalisation, tel qu'illustré sur les figures 8 a) à d), se différencie d'un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon le troisième mode de réalisation en ce qu'après l'étape de formation des nanofils 200, le procédé de fabrication comprend les étapes consistant à : - déposer une couche de remplissage 400 de 30 manière à ce que l'espace entre les nanofils 200 soit rempli et de manière à ce qu'une première portion 250 33 de chacune des nanofils 200 soit recouverte et à ce qu'une seconde portion 260 de chacun des nanofils 200 dépasse de ladite couche de remplissage 400, - supprimer, tel qu'illustré figure 8 c) la couche conductrice 320 et la couche isolante 310 de la deuxième portion 260 de chacune des nanofils 200, - déposer une couche de polymère dopant 450, ladite couche de polymère dopant 450 étant déposée de manière à ce que la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 affleure, - effectuer une activation de la couche de matériau dopant 450 de manière à permettre le dopage de la deuxième portion 260 de chacun des nanofils 200 et ainsi former le deuxième matériau semiconducteur 20, réaliser le premier contact électrique 30 en contact avec la première face 110, réaliser le second contact électrique 40 en contact avec la seconde extrémité 220 de chacun des nanofils 200 pour ainsi obtenir la structure semiconductrice illustrée sur la figure 8 d). L'émission de lumière avec une structure semiconductrice 1 selon ce mode de réalisation est obtenue, tel qu'illustré sur la figure 8 e) de façon similaire à celle d'une structure semiconductrice 1 selon le premier mode de réalisation. La figure 9 est une vue schématique en coupe transversale illustrant une structure semiconductrice 1 selon un cinquième mode de réalisation. Une telle structure semiconductrice 1 se différencie d'une structure semiconductrice 1 selon le deuxième mode de réalisation en ce que chaque nanofil 34 200 comprend à sa première extrémité 210 une portion de couche de mouillage 215, l'interface entre ladite portion de couche de mouillage 215 et la seconde face 120 formant la jonction 50, en ce que la couche d'isolant 310 est en contact avec les nanofils 200 sans aucun contact avec la seconde face 120 et en ce que le type de conductivité du premier et du deuxième matériau semiconducteur 10, 20 est inversé, le premier matériau semiconducteur 10 présentant un dopage de type p et le deuxième matériau semiconducteur 20 présentant un dopage de type n. Dans ce mode de réalisation on entend donc par nanofil 200, le corps du nanofil 205 en lui-même, c'est-à-dire la partie allongée du nanofil 200, et une portion de la couche de matériau résiduel 215 issus de la croissance des nanofils 200 et présente sur la seconde face 120, cette couche étant généralement nommée couche de mouillage. En effet, selon le type de croissance de nanofils 200 utilisé, comme décrit dans l'article de I.C. ROBIN et ses colaborater[51, il peut exister, consécutivement à la croissance du nanofil 200, une couche dite de mouillage. Une telle couche, du même type que le matériau formant le corps 205 de chacun des nanofils 200, ne présente aucune discontinuité avec le corps 205 de chacun des nanofils 200. Dans ce mode de réalisation, le type de conductivité du premier et du deuxième matériau semiconducteur 10, 20 étant inversé, les types de contact électrique du premier et du deuxième contact électrique 30, 40 sont préférentiellement inversés. 35 Ainsi le premier contact électrique 30 est un contact électrique de type p et le deuxième contact électrique est préférentiellement un contact électrique de type n. La couche de mouillage selon ce mode de réalisation est d'une épaisseur comprise entre 10nm et 150nm avec une épaisseur préférée sensiblement égale à 100nm. Dans ce cinquième mode de réalisation, les nanofils 200 forment la première partie lb de la structure semiconductrice 1 et la seconde face 120 forme la deuxième partie la de la structure semiconductrice 1. Le procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon ce mode de réalisation, tel qu'illustré par les figures 10 a) à d), se différencie d'un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice 1 selon le deuxième mode de réalisation par l'étape de formation des nanofils 200, l'étape de formation des nanofils 200 selon ce mode de réalisation étant une étape de formation comprenant la formation d'une couche de mouillage concomitamment ou précédemment à la formation des corps 205 des nanofils 200. L'émission de lumière avec une structure semiconductrice 1 selon ce cinquième mode de réalisation se différencie dans l'inversion de la tension de polarisation de la jonction 50. En effet, la jonction 50 étant inversée, une polarisation en direct nécessite que le second contact électrique 40 soit polarisé négativement relativement au premier contact 30 électrique. 36 Les figures 11 a) à c) illustrent des possibilités de l'invention pour respectivement le premier, le quatrième et le troisième mode de réalisation. Les structures semiconductrices 1 selon ces possibilités se différencient des structures semiconductrices 1 selon les modes de réalisation dont elles découlent en ce qu'au moins une portion de chacun des nanofils 200 présente une conformation « coeur-coquille ». On entend par conformation « coeur-coquille », une conformation d'au moins une portion de nanofil 200 constituée d'au moins deux matériaux 50, 65, un matériau 60, dit coeur, formant le centre de la portion de nanofil 200 et un matériau 65, dit coquille, formant le contour extérieur de la portion de nanofil 200. Une telle conformation peut également présenter trois ou quatre matériaux selon un principe similaire, les matériaux étant agencés sensiblement concentriquement par rapport à l'axe de la portion de nanofil 200. Ainsi, selon une configuration simple d'un seul matériau coeur 60 et un seul matériau coquille 65 et dans un but de simple illustration de cette possibilité, le matériau coeur 60 peut être de l'oxyde de zinc (ZnO) ou du nitrure de gallium (GaN), le matériau coquille 65 pouvant être respectivement pour ces deux matériaux l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO) et du nitrure de gallium-aluminium (AlGaN). Un tel agencement permet un meilleur confinement et une limitation des défauts recombinants 37 non radiatifs présents au niveau du contour de chaque nanofil 200. Les figures 11 a) et b) illustrent plus particulièrement une structure semiconductrice 1 selon respectivement le premier et le quatrième mode de réalisation avec des nanofils 200 présentant une conformation « coeur-coquille » sur l'ensemble de leur corps 205. La figure 11 c) illustre quant à elle une structure semiconductrice 1 selon le troisième mode de réalisation avec seulement la première portion 250 de chacun des nanofils 200 présentant une conformation du type « coeur-coquille ». Les procédés de fabrication de structures semiconductrices 1 selon cette possibilité se différencient des procédés de fabrication de structures semiconductrices 1 selon le mode de réalisation dont elles sont issues, en ce que l'étape de formation des nanofils 200 comprend au moins une étape de croissance du matériau coeur 60 et une étape de croissance latérale du matériau coquille 65 autour du matériau coeur 60. L'émission de lumière avec des structures semiconductrices 1 selon cette possibilité est obtenue de façon identique à celle des structures semiconductrices 1 selon les modes de réalisation dont elles sont issues Ces trois exemples de structures semiconductrices 1 selon l'invention pouvant comprendre des nanofils 200 comportant au moins une portion présentant une conformation « coeur-coquille » ne sont présentés qu'à titre illustratif et ne sont donc pas 38 limitatif. En effet, l'ensemble des structures selon les modes de réalisation décrits dans ce document peuvent comprendre des nanofils 200 comportant au moins une portion présentant une conformation « coeur- coquille », cette portion étant préférentiellement une portion de chaque nanofil 200 destinée à émettre de la lumière. Selon une autre possibilité de l'invention, non illustrée, chacun des nanofils 200 peut comporter une conformation de type « puits quantique » sur au moins une des ces portions, ladite portion étant préférentiellement choisie comme étant une portion émettrice de lumière. Ainsi, on entend par conformation « puits quantique », le fait que lesdites portions de nanofil 200 comprennent une succession de matériau présentant des bandes interdites de différentes énergies de manière à créer des zones de confinement quantique favorisant, de la même façon que pour une conformation « coeur-coquille », les recombinaisons radiatives. Les matériaux formant une telle conformation peuvent être, par exemple, du même type que ceux utilisés pour une conformation « coeur-coquille », c'est-à-dire de l'oxyde de Zinc (ZnO) ou du nitrure de gallium (GaN) pour le matériau « puits », i.e. dans lequel à lieu le confinement quantique, et de l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO) ou de nitrure de gallium-alluminium (GaAlN) pour le matériau « barrière », i.e. le matériau créant la barrière de potentiel de manière à confiner les porteurs dans le matériau « puits ». Ces exemples sont donnés qu'à titre illustratif et ne sont nullement limitatifs. 39 Dans la majorité des modes de réalisation décrits ci-dessus, le substrat 100 a été choisi volontairement comme présentant une conductivité de type n, il est également envisageable d'inverser le type de conductivité de l'ensemble des matériaux composant 10, 20, 201, 201', 60, 65, les structures semiconductrices 1 décrites, le substrat 100 présentant alors une conductivité de type p et les tensions de polarisation devant être inversées, sans que l'on sorte du cadre de l'invention. De même, l'ordre des étapes des procédés de fabrication décrits ci-dessus est pour une partie de ces étapes purement arbitraire, ainsi il est par exemple envisageable, sans modification des structures semiconductrices 1 obtenues par de tels procédés de fabrication et sans que l'on sorte du cadre de l'invention, d'effectuer l'étape de réalisation du premier contact 30 avant l'étape de formation des nanofils 200. De même, si dans l'ensemble des modes de réalisation, les micro- ou nano- structures sont formées par des nanofils 200, il est également possible de former de telles micro- ou nano- structures par des piliers semi-conducteurs présentant une forme autre que celle de nanofils ou par un ensemble de lamelles semiconductrices parrallèles entre elles dont un des côtés longitudinaux est en contact avec la seconde face 120, ou par tout autre type de micro- ou nanostructures présentant au moins une dimension réduite selon l'une des directions sensiblement parallèles à la 40 seconde face 120 de manière à former une micro- ou nano- structure 2D ou préférentiellement 1D. 41 Références [1] S. J. Jiao et Al. Applied Physics Letters 88 (2006) pages 031911 à 031913. [2] H. Ohta et Al, Applied Physics Letters 83, (2003) pages 1029 à 1031. [3] J. Simon et Al, Science 327 (2010) pages 60 à 64. [4] I.C. Robin et Al, Micoelectronics Journal, 40 (2009) pages 250 à 252. [5] I.C. Robin et Al, Appl. Phys. Lett., 91, (2007) pages 143120 à 143122.15 REVENDICATIONS1. Structure semiconductrice (1) adaptée pour émettre de la lumière comportant : un substrat (100) réalisé en un premier matériau semiconducteur (10) présentant un premier type de conductivité, le substrat (100) présentant une première et une seconde face (110, 120), un premier contact électrique (30) sur la première face (110), au moins un deuxième matériau semiconducteur (20), présentant un second type de conductivité formant une première partie (lb) de la structure semiconductrice (1) et en contact électrique avec une deuxième partie (la) de la structure semiconductrice (1) présentant la première conductivité de manière à former une jonction (50), un second contact électrique (40) connecté électriquement avec le deuxième matériau semiconducteur (20), - un moyen de polarisation adapté pour polariser au moins une partie (la, lb) de la structure semiconductrice parmi la première et la deuxième partie (la, lb), le moyen de polarisation étant agencé de manière à ce que sa polarisation entraîne une inversion du type de porteurs dans ladite partie (la, lb), la structure semiconductrice (1) étant caractérisée en qu'elle comporte : - une pluralité de micro- ou nana- structures (200) présentant chacune une première et une seconde extrémité (210, 220), chacune des premières 43 extrémités (210) étant reliée à la seconde face (120), chaque micro- ou nano- structure (200) comportant au moins une portion réalisée dans le deuxième matériau semiconducteur (20) de manière à former la première partie (lb), ou chaque micro- ou nano- structure (200) présentant le premier type de conductivité avec la seconde extrémité (220) en contact avec le deuxième matériau semiconducteur (20), ceci de manière à former la jonction (50). 2. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 1, dans laquelle le moyen de polarisation comporte une couche d'isolant (310) en contact avec la partie (la, lb) de la structure semiconductrice (1) à polariser et une couche conductrice (320) sur ladite couche d'isolant (310). 3. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 2, dans laquelle la couche d'isolant (310) est en contact avec les zones (121) de la seconde face (120) laissées libres par les micro- ou nanostructures (200) et sur au moins une partie de chaque micro- ou nano- structure (200). 4. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle la couche conductrice (320) est adaptée pour être au moins partiellement transparente à la longueur d'onde à laquelle la structure semiconductrice (1) est destinée à émettre. 44 5. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 2 ou la revendication 3 ou 4 en combinaison avec la revendication 2, dans laquelle la couche d'isolant (310) est réalisée dans un matériau sélectionné dans le groupe comportant le dioxyde de silicium (SiO2) et les diélectriques "High-k", tels que le dioxyde d'hafnium (HfO2). 6. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle chaque micro- ou nano- structure (200) présente au moins une dimension réduite selon l'une des directions sensiblement parallèles à la seconde face (120) de manière à former une micro- ou nano- structure 2D, préférentiellement 1D. 7. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle chaque micro ou nano- structure (200) est un nanofil semiconducteur. 8. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle chaque micro- ou nano- structure (200) présente une conductivité du même type que celle du premier matériau semiconducteur (10) de manière à former la deuxième partie (la), la seconde extrémité (220) de chacune des micro- ou nano- structures (200) étant en contact avec le deuxième matériau semiconducteur (20). 45 9. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle chaque micro ou nano- structure (200) présente : une première portion (250) comportant la première extrémité (210), et présentant une conductivité du même type que celle du premier matériau semiconducteur (10) de manière à former la deuxième partie (la), et une seconde portion (260) comportant la seconde extrémité (220), et étant réalisée dans le deuxième matériau semiconducteur (20) de manière à former la première partie (1b). 10. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle chaque micro- ou nano- structure (200) est entièrement réalisée dans le deuxième matériau semiconducteur (20) de manière à former la première 20 partie (lb). 11. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 10, dans laquelle chaque micro- ou nano- structure (200) comporte une fraction d'une 25 couche (215) dite de mouillage en contact avec le substrat (100), cette fraction de la couche de mouillage (215) formant la première extrémité (210) de ladite micro- ou nano- structure (200). 30 12. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 7 ou l'une quelconque des revendications 8 à 11 en combinaison avec la 10 15 46 revendication 6, dans laquelle au moins une portion (200, 250, 260) de chaque nanofil (200) comporte une conformation du type « coeur-coquille », c'est-à-dire que la portion du nanofil est constituée d'au moins deux matériaux semiconducteurs (60, 65), l'un (60), dit matériau coeur, formant le centre de ladite portion (200, 250, 260) du nanofil (200) et l'autre (65), dit matériau coquille, entourant le matériau coeur (60) de manière à former le contour extérieur de la portion (200, 250, 260) de nanofil (200). 13. Structure semiconductrice (1) selon la revendication 9 en combinaison avec la revendication 12, dans laquelle chaque nanofil (200) présente une seule portion (250, 260) de nanofil comportant une conformation « coeur-coquille », ladite portion (250, 260) de nanofil étant une portion (250, 260) sélectionnée dans le groupe comportant la première portion (250) et la seconde portion (260). 14. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la jonction (50) est une hétérojonction. 15. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la partie (la, lb) de la première et de la seconde partie (la, lb) présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des électrons est réalisée dans un matériau semiconducteur présentant un dopage de type n, ledit matériau semiconducteur étant préférentiellement sélectionné dans le groupe 47 comportant l'oxyde de zinc (ZnO), l'oxyde de zinc manganèse (ZnMgO), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure de gallium-aluminium (AlGaN). 16. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la partie (la, lb) de la première et de la seconde partie (la, lb) présentant une conductivité dont les porteurs majoritaires sont des trous est réalisée dans un matériau semiconducteur présentant un dopage de type p, ledit matériau semiconducteur étant préférentiellement sélectionné dans le groupe comportant le nitrure de gallium (GaN), le séléniure de zinc (ZnSe) et le tellurure de zinc (ZnTe). 17. Procédé de fabrication d'une structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, ledit procédé de fabrication comportant les étapes consistant à : - fournir un substrat (100) réalisé dans un premier matériau semiconducteur (10) présentant un premier type de conductivité, ledit substrat (100) présentant une première et une seconde face (110, 120), réaliser un premier contact électrique (30) sur la première face (110), - former une pluralité de micro- ou nanostructures (200) sur la seconde face (120), chacune des micro- ou nano- structures (200) présentant une première et une seconde extrémité (210, 220) avec chacune des premières extrémités (210) connectée à la seconde face (120), chaque micro- ou nano- structures (200) comportant au moins une portion réalisée dans un 48 deuxième matériau semiconducteur (20) présentant, ou à même de présenter par l'action d'un matériau dopant (450), une conductivité d'un deuxième type de manière à former une première partie (lb) de la structure semiconductrice (1) avec le substrat (100) et/ou une autre portion de chacune des micro- ou nano- structures (200) formant une deuxième partie (la) de la structure semiconductrice (1), ou chaque micro- ou nano- structure (200) présentant le premier type de conductivité et formant au moins partiellement une deuxième partie (la) de la structure semiconductrice (1), former un moyen de polarisation adapté pour polariser au moins une partie (la, lb) parmi la première et la deuxième partie (la, lb), le moyen de polarisation étant agencé de manière à ce que sa polarisation entraîne une inversion du type de porteurs dans ladite partie (la, lb), - déposer, si chaque micro- ou nano- structure (200) présente le premier type de conductivité et forme au moins partiellement la deuxième partie (la), un deuxième matériau semiconducteur (20) de manière à former la première partie (lb), réaliser un second contact électrique (40) en contact avec le deuxième matériau semiconducteur (2 0) . 18. Procédé de fabrication selon la revendication 17 dans lequel le procédé de fabrication est un procédé de fabrication d'une structure 49 semiconductrice (1) selon la revendication 2 ou l'une des revendication 3 à 16 en combinaison avec la revendication 2, l'étape consistant à former un moyen de polarisation comportant les étapes consistant à: - déposer une couche d'isolant (310) sur les zones (121) de la seconde face (120) laissées libres par les micro- ou nano- structures (200) et sur au moins une portion de chaque micro- ou nanostructures (200), - déposer sur la couche conductrice (320) sur la couche d'isolant (310). 19. Procédé de fabrication selon la revendication 17 ou 18 dans lequel, le procédé de 15 fabrication comprend après l'étape consistant à former un moyen de polarisation et avant l'étape consistant à réaliser le second contact électrique, les étapes consistant à en outre : - Supprimer la part de la couche d'isolant 20 (310) et de la couche conductrice (320) présent sur chacune des micro- ou nano- structures au niveau de leur seconde extrémité (220) et au moins au niveau du pourtour (230) à proximité de la seconde extrémité (220) sur chacune des micro- ou nano- structures (200), 25 déposer un matériau de remplissage (400) de manière à ce que l'espace entre les micro- ou nanostructures (200) soit au moins partiellement rempli et que chacune des micro- ou nano- structures (200) présente au moins une portion recouverte. 10 30 50 20. procédé de fabrication selon la revendication 19 pour la fabrication d'une structure semiconductrice (1) selon la revendication 9 ou selon l'une quelconque des revendications 12 à 16 en combinaison avec la revendication 9, le procédé comprenant, après l'étape consistant à former un moyen de polarisation et avant l'étape consistant à réaliser le second contact électrique (40), les étapes consistant à : - déposer une couche de remplissage (400) de manière que l'espace entre les micro- ou nanostructures (200) soit rempli et de manière qu'une première portion (250) de chacune des micro- ou nanostructures (200) soit recouverte et qu'une seconde portion (260) de chacune des micro- ou nano- structures (200) dépasse de ladite couche de remplissage (400), - supprimer la part de la couche isolante (310) et de la couche conductrice (320) de la deuxième portion (260) de chacune des micro- ou nano- structures (200), - déposer une couche de matériau dopant (450), tel qu'un polymère contenant des ions dopants, ladite couche de matériau dopant (450) étant déposée de manière à ce que la seconde extrémité (220) de chacune des micro- ou nano-structures (200) soit affleurante, effectuer une activation de la couche de matériau dopant (450) de manière à permettre le dopage de la deuxième portion (260) de chacune des micro- ou nano- structures (200).30