Brevet FR2968831A1 — publié le 20120615

PROCÉDÉS DE FORMATION DE MATÉRIAUX MASSIFS DE NITRURE III SUR DES COUCHES MATRICIELLES DE CROISSANCE DE NITRURE DE MÉTAL ET STRUCTURES FORMÉES PAR CES PROCÉDÉS DOMAINE En règle générale, les modes de réalisation de l'invention concernent des procédés de dépôt de matériaux de nitrure III sur des substrats, et des structures formées par ces procédés. Plus particulièrement, les modes de réalisation de l'invention concernent des procédés de dépôt de matériaux de nitrure III sur des substrats qui comprennent une couche matricielle de croissance comprenant un matériau de nitrure de métal, et des structures formées par ces procédés. CONTEXTE Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux solides sur des substrats, et est couramment utilisé dans la fabrication d'appareils semi-conducteurs. Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent à la fois de telle manière que cela entraîne le dépôt d'un matériau solide sur la surface du substrat. Un type particulier de procédé CVD est nommé dans l'art épitaxie en phase vapeur (VPE). Dans les procédés VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une chambre réactionnelle, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent à la fois de telle manière que cela entraîne le dépôt épitaxial d'un matériau solide sur la surface du substrat. Les procédés VPE sont souvent utilisés pour déposer des matériaux semi-conducteurs de type III-V. Lorsque l'une des vapeurs réactives dans un procédé VPE comprend une vapeur d'halogénure, le procédé peut être nommé épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE). D'après l'art, on sait former des matériaux semi-conducteurs de nitrure III tels que le nitrure de gallium (GaN) en utilisant des procédés VPE dans lesquels des matériaux précurseurs organométalliques (MO) sont décomposés dans une chambre réactionnelle pour former le matériau semiconducteur de nitrure III. De tels procédés sont souvent nommés procédés d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE), et peuvent également être caractérisés comme étant des procédés de dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD). De tels procédés MOVPE sont habituellement réalisés en utilisant plusieurs procédés de pré-dépôt séquentiels avant le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III souhaité. Ces procédés séquentiels de pré-dépôt peuvent comprendre une cuisson à l'hydrogène à température élevée du substrat de croissance (par exemple un substrat de saphir), une nitruration du substrat de croissance, la formation d'une couche de nucléation d'un matériau de nitrure III à des températures relativement basses sur le substrat de croissance, le recuit de la couche de nucléation à des températures relativement élevées, la coalescence de la couche de nucléation, et enfin la croissance de la couche de matériau de nitrure III sur la couche de nucléation. Les procédés HVPE sont également utilisés pour former des matériaux semiconducteurs de nitrure III tels que le nitrure de gallium (GaN). Dans de tels procédés, la croissance épitaxiale de GaN sur un substrat peut être due à une réaction en phase vapeur entre le monochlorure de gallium (GaCl) et de l'ammoniac (NH3) qui est réalisée dans une chambre réactionnelle à des températures élevées comprises entre environ 500 °C et environ 1000 °C. Le NH3 peut être fourni par une source standard de NH3 gazeux. Dans certains procédés, la vapeur de GaCl est fournie en faisant passer du chlorure d'hydrogène (HC1) gazeux (qui peut être fourni par une source standard d'HCl gazeux) sur du gallium (Ga) liquide chauffé pour former in situ du GaCl dans la chambre réactionnelle. Le gallium liquide peut être chauffé à une température comprise entre environ 750 °C et environ 850 °C. Le GaCl et le NH3 peuvent être dirigés vers (par exemple, sur) une surface d'un substrat chauffé, telle qu'une tranche de matériau semi-conducteur. Le brevet US n° 6 179 913, délivré le 30 janvier 2001 au nom de Solomon et al., décrit un système d'injection de gaz pour une utilisation dans ces systèmes et procédés. Les différents procédés séquentiels de pré-dépôt mentionnés ci-dessus en ce qui concerne les procédés MOVPE utilisés pour former les matériaux semiconducteurs massifs de nitrure III peuvent être difficiles à réaliser dans un réacteur de dépôt HVPE. BREF RÉSUMÉ Ce résumé sert à introduire une sélection de concepts d'une forme simplifiée, ces concepts étant davantage décrits dans la description détaillée ci-dessous de certains exemples de modes de réalisation de la présente invention. Ce résumé n'a pas pour but d'identifier les caractéristiques clés ou les caractéristiques essentielles du sujet revendiqué, ni pour but d'être utilisé pour limiter la portée du sujet revendiqué. Comme précédemment mentionné, les différents procédés séquentiels de pré-dépôt utilisés pour former une couche de nucléation de matériau de nitrure III sur le substrat de croissance avant le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur la couche de nucléation peuvent être difficiles à réaliser dans un réacteur de dépôt HVPE. En conséquence, les procédés HVPE connus utilisés pour déposer le matériau semiconducteur massif de nitrure III utilisent généralement un substrat de croissance qui comprend une couche de nucléation d'un matériau de nitrure de métal ex situ (c'est-à-dire dans un procédé de dépôt séparé réalisé dans une chambre séparée) sur un substrat en utilisant un procédé MOCVD. Le matériau massif de nitrure III souhaité est ensuite déposé sur le substrat de croissance dans un procédé HVPE séparé réalisé dans une chambre séparée. Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés de dépôt de matériaux semiconducteurs massifs de nitrure III sur des substrats de croissance. Une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal est formée sur un substrat pour former un substrat de croissance, et le matériau semiconducteur massif de nitrure III est déposé sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE). Le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance peut comprendre la décomposition d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal pour former un gaz précurseur de chlorure de métal du groupe III et la réaction du gaz précurseur de chlorure de métal du groupe III avec un gaz précurseur du groupe V pour former un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance. Dans au moins certains modes de réalisation, la présente invention concerne des procédés de dépôt de matériaux massifs de nitrure III sur des substrats de croissance en utilisant des procédés HVPE sans formation ex situ des couches matricielles de nucléation en utilisant des procédés MOCVD. Dans certains modes de réalisation, la présente invention concerne des procédés de dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance. Une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal est formée sur un substrat en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur non aux organométalliques (MOCVD) dans une première chambre pour former le substrat de croissance, et le matériau semiconducteur massif de nitrure III est déposé sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans une seconde chambre. Le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance peut comprendre l'écoulement de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre. Dans d'autres modes de réalisation des procédés de 35 dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat, une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal est formée sur un substrat en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) dans une chambre pour former le substrat de croissance, et le matériau semiconducteur massif de nitrure III est déposé sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans la même chambre. Le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant le procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) peut comprendre l'écoulement de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre. Dans encore d'autres modes de réalisation des procédés de dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance, une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal est formée sur un substrat en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans une chambre pour former le substrat de croissance, et le matériau semiconducteur massif de nitrure III est déposé sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans la même chambre. Le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant le procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) peut comprendre l'écoulement de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre. D'autres modes de réalisation de l'invention comprennent les structures comprenant le matériau semiconducteur massif de nitrure III qui sont formées en utilisant les procédés décrits ici.35 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention peut être mieux comprise en se référant à la description détaillée suivante des exemples de modes de réalisation de la présente invention, qui sont illustrés sur les figures jointes, dans lesquelles : la figure 1 est une vue transversale simplifiée d'un substrat qui peut être utilisé selon les modes de 10 réalisation des procédés de l'invention ; la figure 2 est une vue transversale simplifiée d'un substrat de croissance qui peut être utilisé selon les modes de réalisation des procédés de l'invention, et qui peut être formé par un dépôt d'une couche 15 matricielle de nucléation sur le substrat de la figure 1 ; la figure 3 est une vue transversale simplifiée d'une structure qui comprend un matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé sur la couche matricielle 20 de nucléation du substrat de croissance de la figure 2 selon les modes de réalisation des procédés de l'invention ; la figure 4A est une vue transversale illustrant schématiquement un exemple de mode de réalisation d'un 25 système de dépôt HVPE qui comprend une chambre réactionnelle et au moins un injecteur de gaz, et qui peut être utilisée dans les modes de réalisation des procédés de l'invention ; la figure 4B est une vue transversale schématique 30 de la chambre réactionnelle illustrée sur la figure 4A prise le long de la ligne de coupe 4B-4B illustrée sur celle-ci ; la figure 5 illustre schématiquement un mode de réalisation d'un injecteur de gaz de thermalisation qui peut être utilisé dans le système de dépôt de la figure 4A ; la figure 6 illustre schématiquement un autre exemple de mode de réalisation d'un injecteur de gaz qui peut être utilisé dans le système de dépôt de la figure 4A ; la figure 7 est une coupe en perspective partielle agrandie d'une partie de l'injecteur de gaz de la figure 6 ; et la figure 8 est un graphe représentant schématiquement un procédé de dépôt qui peut être utilisé pour déposer un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance selon les modes de réalisation de l'invention et en utilisant un système de dépôt HVPE tel que celui illustré sur les figures 4A et 4B. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DES MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION Les illustrations présentées ici ne sont pas les vues réelles d'un composant, dispositif ou système particulier, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées pour décrire les modes de réalisation de la présente invention. Un certain nombre de références sont citées ici, mais aucune des références citées, quelle que soit la manière dont elles sont caractérisées ici, n'est admise comme art antérieur par rapport à l'invention du sujet revendiqué ici. Comme utilisé ici, le terme « matériau semiconducteur de type III-V » signifie et comprend n'importe quel matériau semiconducteur qui est au moins majoritairement composé d'un ou plusieurs éléments du groupe IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) et d'un ou plusieurs éléments du groupe VA du tableau périodique (N, P, As, Sb et Bi). Par exemple, les matériaux semiconducteurs de type III-V comprennent, sans limitation, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, A1N, A1P, AlAs, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. Comme utilisé ici, le terme « matériau semiconducteur de nitrure III » signifie et comprend tout matériau semiconducteur de type III-V qui est au moins majoritairement composé d'un ou plusieurs éléments du groupe IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) et d'azote. Par exemple, les matériaux semiconducteurs de nitrure III comprennent GaN, InN, A1N, InGaN, GaAlN, InA1N, etc. Comme utilisé ici, le terme « nitrure de métal » signifie un composé de métal et d'azote. Les matériaux de nitrure de métal comprennent, sans limitation, le nitrure d'aluminium (A1N), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure de gallium aluminium (Al,Gal_XN), le nitrure de titane (TiN), le nitrure de hafnium (HfN), le nitrure de chrome (CrN), le nitrure de tungstène (WN) et le nitrure de tantale (TaN). Comme utilisés ici, les termes « dépôt chimique en phase vapeur » et « CVD » sont synonymes et signifient et comprennent tout procédé utilisé pour déposer un ou plusieurs matériaux solides sur un substrat dans une chambre réactionnelle dans laquelle le substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent à la fois de telle manière que cela entraîne le dépôt du ou des matériaux solides sur une surface du substrat. Comme utilisés ici, les termes « épitaxie en phase vapeur » et « VPE » sont synonymes et signifient et comprennent tout procédé CVD dans lequel le substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent à la fois de telle manière que cela entraîne le dépôt épitaxial du ou des matériaux solides sur une surface du substrat. Comme utilisés ici, les termes « épitaxie en phase vapeur aux halogénures » et « HVPE » sont synonymes et signifient et comprennent tout procédé VPE dans lequel au moins un gaz réactif utilisé dans le procédé VPE comprend une vapeur d'halogénure. Comme utilisé ici, le terme « organométallique » signifie et comprend tout composé comprenant au moins un élément métallique et une espèce chimique organique comprenant au moins un ligand à base de carbone. Les organométalliques sont parfois nommés « métallorganiques » et ces termes sont synonymes pour les besoins de cette description. Les organométalliques comprennent, sans limitation, le triméthylgallium (TMG), le triéthylgallium (TEG), le triméthylaluminium (TMA), le triéthylaluminium (TEA), le tétrakisdiéthylaminotitane (TDEAT) et le tétrakis(diméthylamido)titane (TDEAT). Comme utilisés ici, les termes « épitaxie en phase vapeur aux organométalliques » et « MOVPE » sont synonymes et signifient et comprennent tout procédé VPE dans lequel au moins une vapeur réactive utilisée dans le procédé VPE comprend une vapeur organométallique. Comme utilisés ici, les termes « procédé de dépôt chimique en phase vapeur non aux organométalliques » et « procédé non-MOCVD » sont synonymes et signifient et comprennent tout procédé de dépôt qui n'est pas un procédé MOCVD. Comme utilisés ici, les termes « procédé d' épitaxie en phase vapeur non aux organométalliques » et « procédé non-MOVPE » sont synonymes et signifient et comprennent tout procédé de dépôt qui n'est pas un procédé MOVPE. Comme utilisé ici, le terme « gaz » comprend les gaz (fluides qui n'ont ni forme indépendante, ni volume) et les vapeurs (gaz qui comprennent un liquide diffusé ou une matière solide suspendue dans celui-ci) et les termes « gaz » et « vapeur » sont synonymes ici. Les figures 1 à 3 illustrent le dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance selon les modes de réalisation de l'invention. En se référant à la figure 1, un substrat (10) est proposé. En général, le substrat (10) peut être un corps plat, discoïdal, et peut généralement être circulaire, rectangulaire, etc. Le substrat (10) peut comprendre ce qui est connu dans l'art sous le nom de « matrice » ou « tranche ». Le substrat (10) peut se composer au moins en grande partie d'un matériau homogène (12). Le matériau (12) peut comprendre, par exemple, une céramique telle qu'un oxyde (par exemple le dioxyde de silicium (SiO2) ou l'oxyde d'aluminium (Al2O3) (par exemple le saphir qui est l'a-Al2O3)) ou un nitrure (par exemple le nitrure de silicium (Si3N4) ou le nitrure de bore (BN)). Comme autres exemples, le matériau {12) peut comprendre un matériau semiconducteur tel que le silicium (Si), le germanium (Ge), un matériau semiconducteur de type III- V, etc. Dans certains modes de réalisation, le matériau (12) du substrat (10) peut se composer au moins en grande partie d'un cristal unique du matériau (12). En outre, dans de tels modes de réalisation, le cristal unique peut avoir une orientation cristallographique choisie, de sorte qu'une surface principale exposée (14) du matériau (12) comprend un plan cristallographique choisi du cristal unique du matériau (12). Dans un exemple non limitatif, le substrat (10) peut être choisi pour comprendre un substrat de saphir. De tels substrats de saphir sont disponibles dans le commerce. En se référant à la figure 2, une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut être formée (par exemple déposée) sur la surface principale exposée (14) pour former un substrat de croissance (20). Selon les modes de réalisation des procédés de l'invention, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut être formée sur le substrat de plusieurs manières différentes, qui sont décrites plus en détail ci-dessous. À titre d'exemple et sans limitation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut être déposée sur la surface principale exposée (14) de sorte que la couche matricielle (18) a une épaisseur moyenne T1 comprise entre environ deux nanomètres (2 nm) et environ cinq micromètres (5 pm). La couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) est utilisée pour faciliter le dépôt d'un matériau semiconducteur massif de type III-V sur le substrat (10) avec une épaisseur totale moyenne souhaitée tout en maintenant les densités de défauts dans le matériau semiconducteur massif de type III-V aux concentrations souhaitées. En raison des différences entre les structures du réseau cristallin du matériau (12) du substrat (10) et du matériau semiconducteur massif de type III-V qui doit être déposé sur le substrat (10) (ces différences sont souvent nommées dans l'art « incohérence du réseau cristallin »), la structure cristalline du matériau semiconducteur massif de type III-V peut comprendre des concentrations non souhaitées, relativement importantes de défauts tels que des dislocations si le matériau semiconducteur massif de type III-V doit être directement déposé sur la surface principale exposée (14) du substrat (10). Par conséquent une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) est proposée entre le substrat (10) et le matériau semiconducteur massif de type III-V qui peut avoir une composition et/ou une microstructure choisie de sorte que la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) a une incohérence du réseau cristallin relativement moins élevée avec le substrat (10) et le matériau semiconducteur massif de type III-V à déposer sur celle-ci par rapport à l'incohérence du réseau cristallin entre le substrat (10) et le matériau semiconducteur massif de type III-V. En d'autres termes, la couche matricielle de nucléation peut être utilisée pour minimiser l'incohérence du réseau cristallin entre le substrat (10) et le matériau semiconducteur massif de type III-V à déposer dessus, et de telles couches matricielles de nucléation (18) sont également nommées dans l'art couches « tampons ». En outre, la couche matricielle de nucléation peut être utilisée comme couche de germination pour nucléer la croissance du matériau semiconducteur massif de type III-V dessus, et de telles couches matricielles de nucléation (18) sont également nommées dans l'art couches de « germination ». En se référant à la figure 3, après la formation du substrat de croissance (20), le matériau semiconducteur massif de type III-V (22) peut être nucléé et déposé sur une surface principale exposée (19) de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) en utilisant un procédé HVPE. Bien qu'une liaison discrète soit visible entre la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) et le matériau semiconducteur massif de type III-V (22) dans le dessin simplifié de la figure 3, il faut noter que la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) et le matériau semiconducteur massif de type III-V peuvent, dans certains modes de réalisation, avoir au moins en grande partie la même composition, et il peut être difficile ou impossible de visualiser ou bien d'identifier une quelconque liaison discrète entre la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) et le matériau semiconducteur massif de type III-V (22). À titre d'exemple et sans limitation, le matériau semiconducteur massif de type III-V (22) peut être déposé sur le substrat de croissance (20) avec une épaisseur totale moyenne T2 d'au moins environ cinq micromètres (5 }gym), d'au moins environ sept micromètres (7 pm), d'au moins environ dix micromètres (10 pm), d'au moins environ vingt micromètres (20 pm) ou même d'au moins environ trente micromètres (30 pm). La présence de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) préparée selon les modes de réalisation de la présente invention peut faciliter le dépôt du matériau semiconducteur massif de type III-V (22) avec cette épaisseur totale moyenne T2, tout en maintenant les densités de dislocation dans le matériau semiconducteur massif de type III-V (22) sur la surface principale exposée (23) du matériau semiconducteur massif de type III-V (22) à des concentrations d'environ 5 x 108 par centimètre carré ou moins. Les figures 4A et 4B sont des illustrations simplifiées illustrant schématiquement un mode de réalisation d'un système de dépôt HVPE (100) qui peut être utilisé dans les modes de réalisation des procédés de l'invention, comme décrit ici. Dans des exemples non limitatifs, le système de dépôt (100) peut comprendre un système de dépôt tel que décrit dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0223442 Al publiée le 10 septembre 2009 au nom d'Arena et al., la demande de brevet US provisoire n° de série 61/157 112 déposée le 3 mars 2009 au nom d'Arena et al., et la demande de brevet US n° de série 12/894 724 déposée le 30 septembre 2010 au nom de Bertran. Le système de dépôt (100) illustré sur les figures 4A et 4B comprend une chambre réactionnelle (102) et un ou plusieurs injecteurs de gaz (comme décrit plus en détail ci-dessous). Dans la description suivante du système de dépôt (100) et, plus particulièrement, de la chambre réactionnelle (102) du système de dépôt (100), les termes « longitudinal » et « transversal » sont utilisés pour indiquer les sens relatifs à la chambre réactionnelle (102) d'après les figures 4A et 4B, le sens longitudinal étant le sens vertical par rapport à la figure 4A et le sens s'étendant dans le plan de la figure 4B, et les sens transversaux ou latéraux étant ceux s'étendant horizontalement par rapport à chacune des figures 4A et 4B. Les sens transversaux sont également nommés sens s'étendant « d'un côté à l'autre du réacteur ». Le système de dépôt (100) comprend la chambre réactionnelle (102), une structure de support du substrat (104) (par exemple un suscepteur) configurée pour supporter un ou plusieurs substrats à travailler (106) (qui peuvent initialement comprendre un substrat (10) comme illustré sur la figure 1 ou un substrat de croissance (20) comme illustré sur la figure 2) sur lesquels on souhaite déposer ou sinon fournir un matériau du système de dépôt (100). À titre d'exemple non limitatif, la chambre réactionnelle (102) peut avoir une hauteur d'environ deux pouces, une largeur d'environ douze pouces, et une longueur d'environ vingt pouces, et la structure de support du substrat (104) peut être configurée pour supporter un substrat à travailler (106) de huit pouces, un substrat à travailler (106) de six pouces, un substrat à travailler (106) de trois pouces quatre ou un substrat à travailler (106) de huit pouces deux. Le système de dépôt (100) comprend en outre des éléments chauffants (108) (figure 4B), qui peuvent être utilisés pour chauffer de manière sélective le système de dépôt (100), de sorte qu'une température moyenne dans la chambre réactionnelle (102) peut être contrôlée dans une plage de températures élevées souhaitable pendant les processus de dépôt. Les éléments chauffants (108) peuvent comprendre, par exemple, des éléments chauffants résistants ou des éléments chauffants rayonnants. Comme illustré sur la figure 4B, la structure de support du substrat (104) peut être montée sur un axe (110), qui peut être couplé (par exemple couplé de manière structurelle directement, couplé de manière magnétique, etc.) à un dispositif d'entraînement (112) tel qu'un moteur électrique qui est configuré pour entraîner la rotation de l'axe (110) et, par conséquent, de la structure de support du substrat (104) dans la chambre réactionnelle (102). Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs des chambre réactionnelle (102), structure de support du substrat (104), axe (110) et tout autre composant dans la chambre réactionnelle (102) peuvent être au moins dans l'ensemble constitués d'un matériau céramique réfractaire tel qu'un oxyde de céramique (par exemple la silice (quartz), l'alumine, la zircone, etc.), un carbure (par exemple le carbure de silicium, le carbure de bore, etc.) ou un nitrure (par exemple le nitrure de silicium, le nitrure de bore, etc.). Le système de dépôt (100) comprend en outre un système d'écoulement de gaz utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre réactionnelle (102) et pour éjecter les gaz hors de la chambre réactionnelle (102). En se référant à la figure 4A, le système de dépôt (100) peut comprendre trois conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) qui transportent les gaz provenant des sources de gaz respectives (128A, 128B, 128C). Facultativement, des dispositifs (117A, 117B, 117C), qui peuvent comprendre un ou plusieurs des vannes, régulateurs de contre-pression et régulateurs de débit massique, peuvent être utilisés pour contrôler de manière sélective le flux de gaz à travers les conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) respectives. Dans certains modes de réalisation, au moins l'une des sources de gaz (128A, 128B) peut comprendre une source externe d'un trichlorure de métal tel que GaC13, InC13 ou A1C13r comme décrit dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0223442 Al. GaC13, InC13 et AlC13 peuvent exister sous la forme d'un dimère tel que, par exemple Ga2C16, In2Cl6 et Al2C16 respectivement. En conséquence, au moins l'une des sources de gaz (128A, 128B) peut comprendre un dimère tel que Ga2C16, In2Cl6 ou Al2C16. Comme exemple non limitatif, une ou plusieurs sources de gaz (128A, 128B) peuvent offrir un débit massique de vapeur de GaCl3 sous forme de composant précurseur du groupe IIIA. La source de gaz (128C) peut comprendre une source externe d'un précurseur du groupe VA, tel que l'ammoniac (NH3) Dans les modes de réalisation dans lesquels une ou plusieurs des sources de gaz (128A, 128B) sont ou comprennent une source de GaC13r la source de GaC13 comprend un réservoir de GaC13 liquide maintenu à une température d'au moins 120 °C (par exemple d'environ 130 °C) et peut comprendre un moyen physique pour améliorer la vitesse d'évaporation du GaC13 liquide. Un tel moyen physique peut comprendre, par exemple, un dispositif configuré pour agiter le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour pulvériser le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour faire circuler un gaz vecteur rapidement sur le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour faire barboter un gaz vecteur dans le GaC13 liquide, un dispositif, tel qu'un dispositif piézoélectrique, configuré pour disperser par ultrasons le GaC13 liquide, et analogue. Comme exemple non limitatif, un gaz vecteur, tel que He, N2, H2 ou Ar, ou un mélange de ceux-ci (par exemple un mélange de N2 et H2) peut être mis à barboter dans le GaC13 liquide, tandis que le GaCl3 liquide est maintenu à une température d'au moins 120 °C, de sorte que le gaz source peut comprendre un ou plusieurs gaz vecteurs. La circulation de la vapeur de GaCl3 dans un ou plusieurs injecteurs de gaz (150A, 150B) peut être contrôlée dans certains modes de réalisation de l'invention. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels un gaz vecteur est mis à barboter dans le GaCl3 liquide, la circulation de GaCl3 à partir de la source de gaz (128A, 128B, 128C) dépend d'un ou plusieurs facteurs, y compris par exemple la température du GaC13, la pression au-dessus du GaCl3 et la circulation du gaz vecteur qui barbote dans le GaC13. Alors que le débit massique de GaC13 peut être, en principe, contrôlé par l'un quelconque de ces paramètres, dans certains modes de réalisation, le débit massique de GaC13 peut être contrôlé en faisant varier la circulation du gaz vecteur en utilisant un régulateur de débit massique. Dans certains modes de réalisation, les 35 températures des conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B) peuvent être contrôlées entre les sources de gaz (128A, 128B) et les injecteurs de gaz (150A, 150B). Les températures des conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B) et des capteurs, régulateurs de débit massique et analogues associés peuvent augmenter progressivement d'une première température (par exemple d'environ 120 °C ou plus) à la sortie des sources de gaz (128A, 128B) respectives jusqu'à une seconde température (par exemple d'environ 160 °C ou moins) au niveau des injecteurs de gaz (150A, 150B) afin d'empêcher la condensation des gaz (par exemple la vapeur de GaCl3) dans les conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B) et analogues. Facultativement, la longueur des conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B) entre les sources de gaz (128A, 128B) respectives et les injecteurs de gaz (150A, 150B) peut être d'environ trois pieds ou moins, d'environ deux pieds ou moins, ou même d'environ un pied ou moins. La pression des gaz sources peut être contrôlée en utilisant un ou plusieurs systèmes de contrôle de pression. Chacune des deux conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B) peut facultativement s'étendre vers l'un des deux injecteurs de gaz (150A, 150B) respectifs, qui sont décrits plus en détail ci-dessous. Dans d'autres modes de réalisation, le système de dépôt (100) peut comprendre moins de deux (par exemple un (e)) conduites d'arrivée de gaz et injecteurs de gaz respectifs, ou le système de dépôt {100) peut comprendre plus de deux (par exemple trois, quatre, cinq, etc.) conduites d'arrivée de gaz et injecteurs de gaz respectifs. Dans le mode de réalisation des figures 4A et 4B, les injecteurs de gaz (150A, 150B) sont entièrement situés à l'extérieur de la chambre réactionnelle (102). Cependant, dans d'autres modes de réalisation, les injecteurs de gaz (150A, 150B) peuvent être entièrement placés à l'intérieur de la chambre réactionnelle (102) ou au moins une partie des injecteurs de gaz (150A, 150B) peut se prolonger au moins partiellement dans la chambre réactionnelle (102). Le système de dépôt (100) peut en outre comprendre trois évents (116A, 116B, 116C) qui offrent une communication fluide entre l'extérieur et l'intérieur de la chambre réactionnelle (102). Chaque évent (116A, 116B, 116C) peut offrir une communication fluide par l'intermédiaire d'une paroi, du plafond et/ou du fond de la chambre réactionnelle (102) entre l'un des injecteurs de gaz (150A, 150B) respectifs et l'une des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) respectives dans la chambre réactionnelle (102). Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) dans la chambre réactionnelle (102) peuvent être utilisées pour transporter les gaz vers les sites souhaités dans l'enceinte. Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) peuvent être situées et configurées pour injecter des gaz à l'intérieur de la chambre réactionnelle (102) selon des sens choisis par rapport aux substrats à travailler (106) portés par la structure de support du substrat (104). Les gaz transportés par les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C), tels que les gaz précurseurs et les gaz vecteurs, peuvent circuler dans le sens longitudinal à travers la chambre réactionnelle (102) (sens vertical par rapport à la figure 4A) et peuvent être injectés dans des sens se prolongeant vers les substrats à travailler (106) de manière longitudinale dans la chambre réactionnelle (102), les sens étant orientés au moins dans l'ensemble parallèlement aux surfaces principales exposées supérieures des substrats à travailler (106). Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) peuvent être supportées et maintenues en place dans la chambre réactionnelle (102) en utilisant des supports de conduite. L'agencement et la configuration particuliers des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) est simplement un ou une des nombreux agencements et configurations qui peuvent être utilisés dans les modes de réalisation de l'invention, et d'autres modes de réalisation des chambres réactionnelles (102) peuvent avoir des configurations et des agencements différents des conduites de dispersion de gaz dans la chambre réactionnelle (102). Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) peuvent être activement chauffées, passivement chauffées ou chauffées de manière passive et active. Par exemple, les éléments de production de chaleur (non illustrés) peuvent être positionnés de manière adjacente à au moins une partie des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C). Dans certains modes de réalisation, les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) sont chauffées par les éléments chauffants (108) (figure 4B). Facultativement, les structures de transfert thermique passif (par exemple les structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être situées de manière adjacente à ou proche d'au moins une partie des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) dans la chambre réactionnelle (102) pour améliorer le transfert de chaleur vers les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C). Les structures de transfert thermique passif (par exemple les structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être présentes dans la chambre réactionnelle (102) comme décrit par exemple dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et al. Par exemple, une plaque de transfert thermique (124) (représentée sur les figures 4A et 4B par une ligne en pointillé) peut être placée dans la chambre réactionnelle (102) de sorte que la plaque de transfert thermique (124) se prolonge à travers la chambre réactionnelle (102) sur la structure de support du substrat (104) et les substrats à travailler (106) supportés par la structure de support du substrat (104). La plaque de transfert thermique (124) peut faciliter dans un procédé de thermalisation, la circulation des gaz à proximité de la plaque de transfert thermique (124) en absorbant le rayonnement des éléments chauffants (tels que les éléments chauffants (108)) et en irradiant de nouveau la chaleur absorbée dans les gaz du procédé. Une telle structure de transfert thermique passif peut améliorer le transfert de chaleur à l'intérieur de la chambre réactionnelle (102), et peut améliorer l'homogénéité et la consistance de la température dans la chambre réactionnelle (102). Les structures de transfert thermique passif peuvent comprendre des matériaux ayant des valeurs d'émissivité élevées (proches de l'unité) (matériaux de corps noir) qui sont également capables de supporter une température élevée, les environnements corrosifs que l'on peut rencontrer dans le système de dépôt (100). Ces matériaux peuvent comprendre par exemple le nitrure d'aluminium (AIN), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C) qui ont respectivement des valeurs d'émissivité de 0, 98, 0,92 et 0, 92. Les sous-produits gazeux, les gaz vecteurs et tout 35 gaz précurseur en excès peuvent être évacués hors de la chambre réactionnelle (102) par l'intermédiaire d'un orifice de sortie de la chambre (126). Comme mentionné précédemment, un ou plusieurs injecteurs de gaz (150A, 150B) du système de dépôt (100) des figures 4A et 4B peuvent être ou comprendre un injecteur de gaz comme décrit plus en détail ci-dessous en se référant aux figures 5 à 7. Dans certains modes de réalisation, les injecteurs de gaz (150A, 150B) peuvent comprendre des injecteurs de gaz tels que ceux décrits dans la demande internationale WO 2010/101715 Al, publiée le 10 septembre 2010 au nom de Arena et al. Par exemple, la figure 5 est une vue en perspective d'un injecteur de gaz de thermalisation (160), qui peut être utilisé pour un ou les deux injecteurs de gaz (150A, 150B) illustrés sur la figure 4A. Comme illustré sur la figure 6, l'injecteur de gaz (160) comprenant une conduite (162) qui comprend une partie d'entrée (164), une partie centrale hélicoïdale (166) et une partie de sortie (168). Un gaz source (par exemple GaC13), un gaz vecteur (par exemple H2, N2, etc.) ou un mélange d'un gaz source et d'un gaz vecteur peut être approvisionné à la partie d'entrée (164). Le gaz ou les gaz s'écoulent de la partie d'entrée {164), à travers la partie centrale hélicoïdale (166) vers la partie de sortie (168) et dans la chambre réactionnelle {102) (figure 4A). Au moins la partie centrale hélicoïdale (166) de la conduite (162) peut être chauffée, comme décrit plus en détail ci-dessous. En refroidissant la conduite (162), une longueur de l'espace physique occupé par la conduite (162) est significativement inférieure à la longueur réelle du circuit de circulation à travers la conduite (162). En d'autres termes, une longueur de la conduite (162) peut être plus longue que la distance la plus courte entre la partie d'entrée (164) et la partie de sortie (168). La conduite (162) peut avoir d'autres configurations. Par exemple, la conduite (162) peut avoir une configuration en serpentin qui comprend une pluralité de sections linéaires en général parallèles reliées ensemble bout à bout par des sections incurvées qui se prolongent par un angle de 180°. La conduite (162) peut être configurée pour chauffer le gaz circulant dans la conduite (162) pendant un temps souhaitable (par exemple un temps de séjour), qui peut dépendre de la zone transversale du circuit de circulation dans la conduite (162), du débit du gaz source dans la conduite (162) et de la longueur globale de la conduite (162). La conduite (162) peut être façonnée et configurée pour être située proche d'un ou plusieurs éléments chauffants actifs ou passifs, comme décrit plus en détail ci-dessous. Comme illustré sur la figure 5, au moins la partie centrale hélicoïdale (166) de la conduite (162) peut être contenue dans un boîtier externe (170). Le boîtier externe (170) peut également servir de conduite menant un gaz supplémentaire pour les gaz tels que les gaz de purge. Par exemple, comme illustré sur la figure 5, le boîtier externe (170) peut comprendre une entrée de boîtier (172) et une sortie de boîtier (174). Le gaz de purge peut être poussé à s'écouler dans le boîtier externe (170) à partir de l'entrée de boîtier (172) vers la sortie de boîtier (174). Le gaz de purge peut être chauffé par l'injecteur de gaz de thermalisation (160) lorsqu'il passe dans le boîtier externe (170). La conduite (162) et le boîtier externe (170) peuvent comprendre un matériau réfractaire qui est stable et inerte à des températures élevées auxquelles ils sont soumis pendant leur utilisation. Par exemple, la conduite (162) et le boîtier externe (170) peuvent être en et au moins comprendre en grande partie du quartz. L'injecteur de gaz de thermalisation (160) peut être chauffé en utilisant des éléments de production de chaleur actifs proches (par exemple adjacents) du boîtier externe (170) et/ou de la partie centrale hélicoïdale (166) de la conduite (172). Les éléments chauffants actifs comprennent les éléments émettant un rayonnement tels que les lampes à rayons infrarouges, les éléments chauffants inducteurs, les éléments chauffants électriques tels que les éléments chauffants résistants et analogues. L'injecteur de gaz de thermalisation (160) peut également comprendre des éléments chauffants passifs qui ne génèrent pas eux-mêmes de la chaleur, mais qui sont utilisés pour redistribuer, refléter ou sinon affecter le transfert thermique dans et autour de l'injecteur de gaz de thermalisation (160). Par exemple, comme illustré sur la figure 5, l'injecteur de gaz de thermalisation (160) peut comprendre un élément chauffant actif (180), qui peut comprendre un appareil de chauffage chauffé par résistance qui entoure au moins partiellement l'extérieur du boîtier externe (170). Par conséquent, les gaz circulant à travers la conduite (162) et/ou le boîtier externe (170) peuvent être chauffés par l'élément chauffant actif (180). Comme illustré sur la figure 5, un élément chauffant facultatif (182), qui peut être actif ou passif, peut être placé dans le boîtier externe (170). L'élément chauffant (182) peut avoir une forme cylindrique allongée, et la partie centrale hélicoïdale (166) de la conduite (162) peut serpenter autour de l'élément chauffant (182) comme illustré sur la figure 5. À titre d'exemple et sans limitation, l'élément chauffant (182) peut comprendre une tige comprenant un matériau de corps noir qui est utilisée pour redistribuer la chaleur générée par l'élément chauffant actif (180). La présence de l'élément chauffant (182) peut améliorer l'efficacité à laquelle les gaz dans la partie centrale hélicoïdale (166) du serpentin (162) et les gaz dans le boîtier externe (170) sont chauffés par l'élément chauffant actif (180). Dans des modes de réalisation de l'invention dans lesquels le gaz source alimenté à l'injecteur de gaz de thermalisation (160) par l'une des sources de gaz (128A, 128B) comprend un trichlorure de métal tel que le GaCl3 et un gaz vecteur d'hydrogène H2, le trichlorure de métal et le gaz d'hydrogène peuvent se décomposer pour former une vapeur de monochlorure de métal telle qu'une vapeur de GaCl et d'HCl, laquelle vapeur peut sortir par la partie de sortie (168) de la conduite (162) et aller dans la chambre réactionnelle (102). Dans d'autres modes de réalisation, les injecteurs de gaz (150A, 150B) peuvent comprendre les injecteurs de gaz décrits dans la demande de brevet US n° de série 12/894 724. Par exemple, les injecteurs de gaz (150A, 150B) peuvent comprendre un réservoir configuré pour contenir un métal liquide ou un autre élément, tel que par exemple du gallium (Ga) liquide, de l'aluminium (Al) liquide ou de l'indium (In) liquide ou une substance organométallique telle que le triméthylgallium (TMG), le triéthylgallium (TEG), le triméthylaluminium (TMA), le triéthylaluminium (TEA), le tétrakisdiéthylaminotitane (TDEAT) et le tétrakis(diméthylamido)titane (TDMAT). Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le réservoir peut être configuré pour contenir un réactif solide pour une réaction avec un gaz source (ou un produit de décomposition ou réactionnel d'un gaz source). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un volume solide d'un ou plusieurs matériaux tels que par exemple le silicium (Si) solide ou le magnésium (Mg) solide. La figure 6 est une vue en perspective d'un injecteur de gaz (200) qui peut être utilisé pour un ou les deux injecteurs de gaz (150A, 150B) illustrés sur la figure 4A. Comme illustré sur la figure 6, l'injecteur de gaz (200) comprend une entrée (202), une sortie (204), une conduite de thermalisation (206) et un contenant (210). Le contenant (210) est configuré pour contenir un réactif liquide. Par exemple, un métal liquide, tel que le gallium liquide, l'indium liquide, l'aluminium liquide, etc., ou une substance organométallique liquide peut être placé(e) dans le contenant (210). Un gaz source (par exemple le GaC13), un gaz vecteur (par exemple H2, N2 etc.) ou un mélange d'un gaz source et d'un gaz vecteur peut être approvisionné vers l'entrée (202). Le ou les gaz sources peuvent circuler à partir de l'entrée (202) dans la conduite de thermalisation (206). La conduite de thermalisation (206) peut être configurée pour chauffer le gaz circulant dans la conduite de thermalisation (206) pendant un temps souhaitable (par exemple un temps de séjour), qui peut dépendre de la zone transversale du circuit de circulation dans la conduite de thermalisation (206), du débit du gaz source dans la conduite de thermalisation (206) et de la longueur globale de la conduite de thermalisation (206). La conduite de thermalisation (206) peut être façonnée et configurée pour être située proche d'un ou plusieurs éléments chauffants actifs ou passifs, comme décrit plus en détail ci-dessous. En outre, la conduite de thermalisation (206) peut comprendre une ou plusieurs sections incurvées ou boucles de sorte que la longueur de l'espace physique occupé par la conduite de thermalisation (206) est significativement inférieure à la longueur réelle du circuit de circulation dans la conduite de thermalisation (206). En d'autres termes, une longueur de la conduite de thermalisation (206) peut être plus longue que la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210). Dans certains modes de réalisation, la longueur de la conduite de thermalisation (206) peut être au moins environ deux fois la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210), au moins environ trois fois la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210), ou même au moins environ quatre fois la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210). Par exemple, la conduite de thermalisation (206) peut avoir une configuration en serpentin, comme illustrée sur la figure 6, qui comprend une pluralité de sections linéaires en général parallèles reliées ensemble bout à bout par des sections incurvées qui se prolongent par un angle de 180°. La conduite de thermalisation (206) peut comprendre un tube qui est au moins en grande partie constitué d'un matériau réfractaire tel que le quartz par exemple. Dans certains modes de réalisation, le gaz peut comprendre un gaz source qui se décompose au moins partiellement dans la conduite de thermalisation (206). Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels le gaz comprend un gaz source de Gac13 et un gaz vecteur comprenant de l'H2, le gaz source peut se décomposer pour former du GaCl gazeux et du chlorure d'hydrogène (HCl). Les gaz circulent de la conduite de thermalisation (206) dans le contenant (210). La figure 7 est une coupe partielle agrandie du contenant (210). Comme illustré sur la figure 7, le contenant (210) comprend une paroi inférieure (212), une paroi supérieure (214) et au moins une paroi latérale (216). Dans le mode de réalisation des figures 6 et 7, le réservoir possède une forme en général cylindrique de sorte que la paroi inférieure (212) et la paroi supérieure (214) ont chacune une forme circulaire et sont chacune au moins planes dans l'ensemble, et de sorte que la paroi latérale (216) est au moins cylindrique (par exemple tubulaire) dans l'ensemble. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le réservoir peut être configuré selon d'autres configurations géométriques. La paroi inférieure (212), la paroi supérieure (214) et au moins l'une des parois latérales (216) définissent ensemble un corps creux, dont l'intérieur définit un réservoir pour contenir un réactif liquide tel que du gallium liquide ou une substance organométallique. L'espace intérieur dans le contenant creux (210) peut être partiellement rempli avec un réactif liquide. Par exemple, le contenant (210) peut être rempli avec un réactif liquide jusqu'au niveau indiqué par la ligne en pointillé (220) sur la figure 7, de sorte qu'un vide ou espace (222) est présent au-dessus du réactif liquide dans le contenant (210). Les gaz circulant hors de la conduite de thermalisation (206) peuvent être injectés dans l'espace (222) au-dessus du réactif liquide dans le contenant (210). Dans un exemple non limitatif, les gaz circulant hors de la conduite de thermalisation (206) peuvent circuler à travers la paroi inférieure (212) dans un tube (224). Dans certains modes de réalisation, le tube (224) peut comprendre une partie constitutive de la conduite de thermalisation (206) qui se prolonge dans le contenant (210). Le tube (224) peut se prolonger dans le réactif liquide placé dans le contenant de liquide au niveau de l'espace (222) au-dessus du réactif liquide. Le tube (224) peut comprendre un coude de 90° de sorte qu'une partie terminale du tube (224) se prolonge de manière horizontale au-dessus du réactif liquide. Comme illustré sur la figure 7, une ouverture peut être présente dans la paroi latérale cylindrique du tube (224) sur l'un de ses côtés faisant face à la surface du réactif liquide, de sorte que les gaz circulant dans le tube (224) sortent du tube (224) par l'ouverture (226). Les gaz sortant par l'ouverture (226) peuvent être dirigés hors de l'ouverture dans un sens orienté vers la surface du réactif liquide pour favoriser une réaction entre un ou plusieurs composants des gaz et le réactif liquide. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels le gaz source comprend du GaC13 transporté dans un gaz vecteur tel que l' H2, et le gaz source s'est décomposé pour comprendre du GaCl gazeux et une espèce chlorée telle que par exemple du chlorure d'hydrogène (HC1) dans la conduite de thermalisation (206), le réactif liquide dans le contenant de liquide peut comprendre du gallium liquide, qui peut réagir avec le gaz chloré (par exemple l'HCl) généré dans la conduite de thermalisation (206) pour former du GaCl gazeux additionnel. Les gaz dans l'espace (222) au-dessus du réactif liquide dans le contenant (210) peuvent circuler hors du contenant par l'intermédiaire d'un évent (228). Par exemple, l'évent (228) peut être situé dans la paroi supérieure (214) du contenant au-dessus de la partie du tube (224) se prolongeant horizontalement. L'évent (228) peut conduire à une conduite de sortie (230) dont l'extrémité peut délimiter la sortie (204) de l'injecteur de gaz (200). Dans d'autres modes de réalisation, les gaz circulant hors de la conduite de thermalisation (206) peuvent être injectés dans le réactif liquide dans le contenant (210), de sorte que les gaz remontent sous forme de bulles dans le réactif liquide jusqu'à l'espace (222) au-dessus du réactif liquide. Les divers composants du contenant (210) peuvent être au moins dans l'ensemble constitués d'un matériau réfractaire tel que le quartz par exemple. Le GaCl peut être un gaz précurseur souhaité pour la formation de GaN. Par conséquent, en convertissant l'espèce chlorée en excès telle que par exemple le chlorure d'hydrogène gazeux (HC1) qui provient de la décomposition thermique du GaC13 et de l'H2 (dans des systèmes qui utilisent un gaz source comprenant du GaC13 et de l'H2) en GaCl additionnel, on peut éviter les effets néfastes de l'espèce chlorée en excès sur le matériau de GaN déposé, car la quantité de l'espèce chlorée qui entre dans la chambre réactionnelle (102) peut être réduite. Ces effets néfastes peuvent comprendre, par exemple, l'incorporation d'atomes de chlore dans le réseau cristallin du nitrure de gallium et le craquage ou la délamination du film de GaN déposé. L'introduction de chlorure d'hydrogène (HC1) gazeux en excès dans la chambre réactionnelle peut entraîner l'action du chlorure d'hydrogène en tant qu'attaquant chimique sur le GaN dans la chambre réactionnelle, réduisant ainsi la vitesse de croissance ou empêchant même la croissance du GaN. En outre, en faisant réagir l'espèce chlorée en excès avec le gallium liquide pour former du GaCl additionnel, l'efficacité du système de dépôt (100) peut être améliorée. Le système de dépôt HVPE (100) décrit ci-dessus en se référant aux figures 4A et 4B peut être utilisé pour déposer le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) sur un substrat de croissance (20) selon les modes de réalisation de l'invention, comme précédemment décrit en se référant à la figure 3. La figure 8 est un graphe représentant schématiquement un exemple non limitatif d'un procédé de dépôt HVPE qui peut être utilisé pour déposer le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) sur un substrat de croissance (20) en utilisant le système de dépôt (100) des figures 4A et 4B. Le procédé de dépôt illustré sur la figure 8 est donné comme exemple, et d'autres procédés de dépôt HVPE peuvent également être utilisés pour déposer le matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance (20) (figure 3). En se référant à la figure 8, le procédé de dépôt de l'exemple est représenté en traçant la température T dans la chambre réactionnelle (102) en fonction du temps t. Comme illustré sur le graphe, le procédé de dépôt comprend dix (10) étapes, qui sont séquentiellement nommées Si à 510. Les paramètres d'un exemple non limitatif du procédé de dépôt pour chacune des dix étapes Si à no sont illustrés dans le tableau 1 ci-dessous. TABLEAU 1 Étape Description Temp. Temps Pression Source Source Gaz de groupe III groupe V purge Si Chargement 350 °C --- Atm --- S2 Stabilisation 400 °C 30 s 200 Torr --- --- N2 10 slm S3 Chauffage --- 4,5 min 200 Torr --- NH3 1 slm N2 15 slm H2 2 slm S4 Stabilisation 1025 °C 30 s 200 Torr --- NH3 N2 23 slm 18 sin' H2 16 slm S5 1er dépôt 1025 °C 5,0 min 200 Torr N2 2,5 slm NH3 N2 23 slm H2 0,8 slm 18 slm H2 5 slm GaC13 51 sccm S6 2e dépôt 1025 °C 20,0 min 200 Torr N2 2,5 slm NH3 N2 23 slm H2 1,2 slm 18 slm H2 5 slm GaC13 80 sccm S7 Recuit 1025 °C 10,0 min 200 Torr --- NH3 N2 23 slm 14 slm H2 5 slm S8 Refroidissement --- 4,5 min 200 Torr --- NH3 N2 23 slm 14 slm H2 12 slm S9 Purge 400 °C 5,0 min Atm --- --- N2 16 slm S10 Déchargement 350 °C --- Atm --- --- N2 10 slm Comme illustré sur la figure 8 et le tableau 1, l'étape S1 est une étape de chargement pendant laquelle les substrats à travailler (106) sont chargés sur la structure de support du substrat (104). Après le chargement des substrats à travailler (106) sur la structure de support du substrat (104), la chambre réactionnelle (102) est chauffée à une température T1 de 350 °C à pression atmosphérique tout en faisant circuler un gaz de purge comprenant du N2 dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 10 litres standard par minute (slm). Comme illustré sur la figure 8, l'étape de stabilisation S2 commence au temps t1 et se prolonge pendant une durée de 30 secondes. Pendant l'étape de stabilisation S2, la chambre réactionnelle (102) est chauffée à une température T2 de 400 °C à une pression de 200 Torr tout en faisant circuler un gaz de purge dans la chambre réactionnelle (102). Le gaz de purge comprend du N2 à un débit de 15 slm et de l'H2 à un débit de 2 slm. L'étape de chauffage S3 commence au temps t2 et se prolonge pendant une durée de 4,5 minutes. Pendant l'étape de chauffage S3, la chambre réactionnelle (102) est chauffée de manière stable et continue à une vitesse de chauffage sensiblement constante d'une température T2 à une température T3 de 1025 °C. La pression dans la chambre réactionnelle (102) est maintenue à 200 Torr pendant l'étape de chauffage S3. Pendant l'étape de chauffage S3, un gaz source de groupe V comprenant du NH3 circule dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 1 slm, et un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 23 slm et de l'H2 à un débit de 16 slm passe dans la chambre réactionnelle (102). L'étape de stabilisation S4 commence au temps t3 et se prolonge pendant une durée de 30 secondes. Pendant l'étape de stabilisation S4, la chambre réactionnelle (102) est maintenue à la température T3 de 1025 °C et à une pression de 200 Torr. Pendant l'étape de stabilisation S4, un gaz source du groupe V comprenant du NH3 circule dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 18 slm, et un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 23 slm et de l'H2 à un débit de 5 slm passe dans la chambre réactionnelle (102). L'étape de ler dépôt S5 commence au temps t4 et se prolonge pendant une durée de 5,0 minutes. Pendant l'étape de dépôt S5, la chambre réactionnelle (102) est maintenue à la température T3 de 1025 °C et à une pression de 200 Torr. Pendant l'étape de dépôt S5, un gaz source du groupe III comprenant du GaCl3 circule dans la chambre réactionnelle à un débit de 51 centimètres cubes standard par minute (sccm) avec un gaz vecteur comprenant du N2 à un débit de 2,5 slm et de l'H2 à un débit de 0,8 slm Un gaz source du groupe V comprenant du NH3 circule dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 18 slm. Un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 23 slm et de l'H2 à un débit de 5 slm circule également dans la chambre réactionnelle (102). L'étape de 2e dépôt S6 commence au temps t5 et se prolonge pendant une durée de 20,0 minutes. Pendant l'étape de 2e dépôt S6, la chambre réactionnelle (102) est maintenue à la température T3 de 1025 °C et à une pression de 200 Torr. Pendant l'étape de 2e dépôt S6, le débit du gaz source du groupe III comprenant du GaCl3 est augmenté à 80 sccm, le GaCl3 étant transporté par le gaz vecteur comprenant du N2 à un débit de 2,5 slm et de l'H2 à un débit de 1,2 slm et un gaz source du groupe V comprenant du NH3 circule dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 18 slm. Un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 23 slm et de l'H2 à un débit de 5 slm circule également dans la chambre réactionnelle (102) pendant l'étape de 2e dépôt S6. Pendant l'étape de ler dépôt S5 et/ou l'étape de 2e dépôt S6, le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut être déposé sur le substrat de croissance (20) dans le procédé HVPE à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 pm) par heure ou même à une vitesse d'au moins environ vingt micromètres (20 }gym) par heure. Les vitesses de dépôt peuvent être significativement plus élevées que les vitesses de dépôt qui peuvent être obtenues en utilisant les procédés MOCVD pour le dépôt de matériaux semiconducteurs massifs de nitrure III. L'étape de recuit S7 commence au temps t6 et se prolonge pendant une durée de 20,0 minutes. Pendant l'étape de recuit S7, la chambre réactionnelle (102) est maintenue à la température T3 de 1025 °C et à une pression de 200 Torr. Pendant l'étape de recuit S7, un gaz source du groupe V comprenant du NH3 circule dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 14 slm, et un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 23 slm et de l'H2 à un débit de 5 slm passe dans la chambre réactionnelle (102). L'étape de refroidissement S8 commence au temps t7 et se prolonge pendant une durée de 4,5 minutes. Pendant l'étape de refroidissement S8, la chambre réactionnelle (102) est refroidie de manière stable et continue à une vitesse de refroidissement sensiblement constante de la température T3 à la température T2 de 400 °C. La pression dans la chambre réactionnelle (102) est maintenue à 200 Torr pendant l'étape de refroidissement S8. Pendant l'étape de refroidissement S8, un gaz source du groupe V comprenant du NH3 circule dans la chambre réactionnelle (102) à un débit de 14 slm, et un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 23 slm et de l'H2 à un débit de 12 slm passe dans la chambre réactionnelle (102). L'étape de purge S9 commence au temps t8 et se prolonge pendant une durée de 5,0 minutes. Pendant l'étape de purge S9, la chambre réactionnelle (102) est maintenue à la température T2 de 400 °C tandis que la pression dans la chambre réactionnelle (102) est réduite de 200 Torr à la pression atmosphérique. Pendant l'étape de purge S9, un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 16 slm passe dans la chambre réactionnelle (102). L'étape de déchargement S10 commence au temps t9 et se prolonge jusqu'à ce que les substrats à travailler (106) soient déchargés de la chambre réactionnelle (102). Pendant l'étape de déchargement S10, la chambre réactionnelle (102) est réduite à, et maintenue à, la température T1 de 350 °C, et la pression est maintenue à la pression atmosphérique, tandis qu'un gaz de purge comprenant du N2 à un débit de 10 slm passe dans la chambre réactionnelle (102). ' En se référant de nouveau aux figures 1 à 3, comme précédemment mentionné, selon les modes de réalisation des procédés de l'invention, le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut être déposé sur le substrat de croissance (20) en utilisant un procédé HVPE (tel que décrit ci-dessous) sans formation ex situ (par exemple en utilisant un autre système de dépôt et/ou dans une autre chambre réactionnelle) de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) sur le substrat (10) en utilisant un procédé MOCVD. Dans certains modes de réalisation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) est formée sur le substrat (100) en utilisant un procédé non-MOCVD dans une première chambre réactionnelle pour former le substrat de croissance (20) et le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) est déposé sur le substrat de croissance (20) en utilisant un procédé HVPE tel que celui décrit ci-dessus dans une seconde chambre réactionnelle qui est différente de la première chambre réactionnelle. Par exemple, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) peut comprendre du nitrure d'aluminium (AlN) et/ou du nitrure de titane (TiN), et peut être formée sur le substrat (100) en utilisant un procédé de dépôt physique activé par plasma (PEPVD) ou un procédé de dépôt chimique activé par plasma (PECVD). À titre d'exemple et sans limitation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut comprendre du nitrure d'aluminium (AIN) et peut être préparée en utilisant les systèmes et les procédés de dépôt physique en phase vapeur activés par plasma (PEPVD) décrits dans le brevet US n° 6 784 085, publié le 31 août 2004 au nom de Cuomo et al. Par exemple, le substrat (100) et une cible métallique du groupe III peuvent être chargés dans une chambre de dépôt par pulvérisation (séparée de la chambre réactionnelle (102) du système de dépôt HVPE (100)). Un environnement activé par plasma très énergétique peut être généré dans la chambre de dépôt par pulvérisation en utilisant un gaz de fond approprié tel que l'argon. Un gaz source contenant de l'azote séparé peut être introduit dans la chambre. De plus, ou en variante, le gaz utilisé pour générer le plasma peut être utilisé en tant que gaz source réactif, auquel cas le gaz de fond peut fournir l'espèce azotée. La cible métallique du groupe III est pulvérisée pour produire une vapeur source de métal du groupe III. La vapeur source de métal du groupe III se combine avec le gaz contenant de l'azote, qui est caractérisé comme comprenant une ou plusieurs espèces telles que de l'azote diatomique, de l'azote atomique, des ions azotés, et de l'azote partiellement ionisé, ainsi que des composés contenant de l'azote tels que l'ammoniac. En conséquence, des vapeurs réactives comprenant des composants du métal du groupe III et de l'azote sont produites dans la chambre réactionnelle, et sont déposées sur et par-dessus la surface principale exposée (14) du substrat (10). La vapeur réactive est déposée sur le substrat (100) pour produire la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) de la figure 2. Dans certains modes de réalisation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) ainsi déposée peut être soumise à un ou plusieurs procédés thermiques pour améliorer la qualité cristalline de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) ainsi déposée. Par exemple, le matériau de nitrure de métal ainsi déposé peut être un matériau polycristallin et/ou amorphe, et peut être soumis à un ou plusieurs procédés thermiques pour améliorer la cristallinité de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18). Dans certains modes de réalisation, le ou les procédés thermiques peuvent comprendre un procédé de recuit thermique rapide (RTA). Le ou les procédés thermiques peuvent être réalisés par exemple dans un four, une chambre de recuit thermique rapide et/ou un réacteur de dépôt en phase vapeur. À titre d'exemple et sans limitation, le ou les procédés thermiques peuvent comprendre la soumission de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) ainsi déposée à une ou des températures supérieures à environ 600 °C, supérieures à environ 800 °C, ou même supérieures à environ 1000 °C. Le ou les procédés thermiques pour le traitement de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) ainsi déposée peuvent être réalisés sous une atmosphère gazeuse contrôlée. Par exemple, l'atmosphère gazeuse peut comprendre de l'ammoniac, de l'azote, de l'hydrogène et/ou de l'argon. La couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut être facultativement dopée avec un ou plusieurs éléments dopants en utilisant des procédés de dopage connus. Par exemple, les gaz contenant un élément dopant peuvent être introduits dans la chambre réactionnelle dans des conditions contrôlées. Dans un autre exemple non limitatif, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut comprendre du nitrure de titane (TiN) et peut être préparée en utilisant les systèmes et les procédés de dépôt chimique en phase vapeur activés par plasma (PECVD) décrits dans le brevet US n° 5 610 106, publié le il mars 1997 au nom de Foster et al. Par exemple, le substrat (10) peut être chargé dans une chambre de dépôt chimique en phase vapeur (séparée de la chambre réactionnelle (102) du système de dépôt HVPE (100)). Une électrode/tête de douche générant une radiofréquence (RF) peut être présente dans la chambre CVD, et des gaz réactifs peuvent être pompés dans la chambre, par l'intermédiaire de l'électrode/tête de douche, et vers le substrat (10). Les gaz réactifs comprennent le tétrachlorure de titane (TiCl4), l'ammoniac (NH3) et un diluant. Le diluant peut comprendre de l'hydrogène, de l'hélium, de l'argon et/ou de l'azote. Le substrat (10) peut être espacé d'environ 0,25 à 3 pouces de l'électrode/tête de douche, de sorte que les ions actifs atteignent le substrat (10). Un plasma est généré à partir des gaz réactifs en utilisant l'électrode/tête de douche générant une RF lorsque les gaz réactifs passent dans l'électrode/tête de douche. Les ions réactifs du plasma atteignent le substrat (10). La pression dans la chambre CVD peut être maintenue entre environ 0,5 Torr et environ 20 Torr (par exemple d'environ 5 Torr). Le substrat (10) peut être maintenu à une température d'environ 400 °C à environ 500 °C (par exemple d'environ 450 C) pendant le procédé de dépôt. Le substrat (10) peut être chauffé en chauffant une structure de support sur laquelle le substrat (10) repose pendant le procédé de dépôt. En outre, la structure de support sur laquelle le substrat (10) repose peut tourner à environ 100 tours par minute ou plus pendant le procédé de dépôt. La concentration des gaz réactifs dans la chambre CVD peut être contrôlée par le débit. En général, le tétrachlorure de titane peut être introduit à un débit d'environ 1 sccm à environ 40 sccm (par exemple à environ 10 sccm). La pression partielle du TiC14 doit être suffisamment basse pour former le TiN. Si la pression partielle du TiCl4 devient trop élevée, il se peut que le TiN ne se forme pas. Lorsque la pression totale est de 5 Torr, la pression partielle du TiC14 peut être inférieure à 0,02 Torr (par exemple d'environ 0,01 Torr à environ 0,001 Torr). À des pressions plus basses (par exemple à environ 0,0001 Torr), la vitesse de la réaction peut être significativement réduite et l'étape de recouvrement peut être inacceptable. Lorsque la pression totale augmente au-dessus de 5 Torr, la pression partielle du TiC14 peut être augmentée en conséquence. En général, le rapport molaire de NH3 à TiC14 peut être d'environ 2:1 (NH3 à TiC14) à environ 100:1 (NH3 à TiC14) (par exemple d'environ 10:1). Selon ces modes de réalisation des procédés de formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18), la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut être formée pour avoir une épaisseur moyenne T1 d'environ vingt-cinq nanomètres (25 nm) ou moins, ou même d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins, et le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut être déposé sur et par-dessus la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) à une épaisseur moyenne T2 d'au moins environ deux micromètres (2 pm), d'au moins environ cinq micromètres (5 pm) ou même d'environ dix micromètres (10 pm) ou plus. Des échantillons ont été préparés en formant une couche matricielle de nucléation d'AIN sur un substrat de saphir en utilisant un procédé de dépôt PEPVD décrit dans le brevet US n° 6 784 085 puis en déposant ensuite du GaN massif sur la couche matricielle de nucléation d'AIN en utilisant un gaz source de trichlorure de métal dans un procédé de dépôt HVPE comme décrit ci-dessus. Dans un premier échantillon, la surface principale exposée (19) (figure 2) de la couche matricielle de nucléation d'AIN est une coupe de 0,5° par rapport au plan A de la structure cristalline de l'AIN, et la couche matricielle de nucléation d'AIN possède une épaisseur moyenne d'environ dix nanomètres (10 nm). Dans un second échantillon, la surface principale exposée (19) (figure 2) de la couche matricielle de nucléation d'AIN est une coupe de 0,25° par rapport au plan A de la structure cristalline de l'AIN, et la couche matricielle de nucléation d'AIN possède une épaisseur moyenne d'environ vingt-cinq nanomètres (25 nm). La qualité cristalline du matériau de GaN massif résultant est mesurée en utilisant une diffractométrie de rayons X (XRD), et on observe que la qualité cristalline est sensiblement équivalente aux qualités cristallines rapportées du GaN massif formé en utilisant des techniques MOCVD classiques. En outre, la rugosité superficielle de la surface principale exposée (23) du matériau de GaN massif est mesurée après le dépôt du matériau de GaN massif sur les couches matricielles de nucléation d'AIN des substrats de croissance. On observe que la surface principale exposée du matériau de GaN massif déposé par-dessus le premier échantillon (coupe de 0,5° par rapport au plan A d'une couche matricielle de nucléation d'AIN de 10 nm) est plus lisse que la surface principale exposée du matériau de GaN massif déposé par-dessus le second échantillon (coupe de 0,25° par rapport au plan A d'une couche matricielle de nucléation d'AIN de 25 nm). En particulier, le premier échantillon montre une rugosité superficielle quadratique moyenne (RMS : root mean square) d'environ 0,92 nm, alors que le second échantillon montre une rugosité superficielle RMS d'environ 10,58 nm. - 2968831 43 En se référant de nouveau aux figures 1 à 3, dans d'autres modes de réalisation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) est formée sur le substrat (100) en utilisant un procédé 5 MOCVD in situ dans la même chambre réactionnelle (102) (figures 4A et 4B) que celle utilisée pour le dépôt ultérieur du matériau semiconducteur de nitrure III massif (22) sur celle-ci dans un procédé HVPE. Par exemple, la couche matricielle de nucléation de nitrure 10 de métal (18) (figure 2) peut comprendre du nitrure de gallium (GaN), du nitrure d'aluminium (AIN), du nitrure de gallium aluminium (Al,Gal_XN) et/ou du nitrure de titane (TiN). Par conséquent, dans certains modes de 15 réalisation, le système de dépôt (100) précédemment décrit en se référant aux figures 4A et 4B peut être capable de réaliser, et est configuré pour réaliser, un procédé MOCVD et un procédé HVPE. En se référant à la figure 4A, à titre d'exemple et sans limitation, une 20 des sources de gaz (128A, 128B) peut comprendre une source de précurseur organométallique tel que le triméthylgallium (TMG), le triéthylgallium (TEG), le triméthylaluminium (TMA), le triéthylaluminium (TEA), le tétrakisdiéthylaminotitane (TDEAT) et/ou le 25 tétrakis(diméthylamido)titane (TDEAT). Dans ces modes de réalisation, il peut ne pas être nécessaire d'utiliser un injecteur de gaz de thermalisation (150A, 150C) conjointement avec la source d'un précurseur organométallique, bien que le précurseur 30 organométallique puisse être transporté dans la chambre réactionnelle en utilisant un gaz vecteur. Par exemple, un gaz vecteur peut être mis à barboter dans un réservoir de précurseur organométallique liquide chauffé pour former une vapeur organométallique, qui peut ensuite s'écouler dans la chambre réactionnelle (102). La vapeur organométallique (102) peut se décomposer dans la chambre réactionnelle (102) entraînant le dépôt de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) sur les substrats à travailler (106) (par exemple les substrats (100) illustrés sur la figure 1). Les procédés MOCVD qui peuvent être utilisés pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) in situ dans la même chambre réactionnelle (102) que celle utilisée pour le dépôt du matériau semiconducteur de nitrure III massif dans un procédé HVPE en utilisant un système de dépôt tel que décrit ici sont décrits par exemple dans la demande de publication de brevet US n° 2009/0184398 Al publiée le 23 juillet 2009 au nom de Choi. Dans certains modes de réalisation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) peut être formée pour avoir une épaisseur moyenne T1 comprise entre environ un demi nanomètre (0,5 nm) et environ deux micromètres (2 pm) et le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut être formé pour avoir une épaisseur moyenne T2 d'au moins environ deux micromètres (2 pm), d'au moins environ cinq micromètres (5 pm), d'au moins environ sept micromètres (7 }gym), d'au moins environ dix micromètres (10 pm), d'au moins environ vingt micromètres (20 pm) ou d'au moins environ trente micromètres (30 pm). En outre, une surface principale exposée (23) du matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut avoir une rugosité de surface quadratique moyenne d'environ deux nanomètres (2,0 nm) ou moins (par exemple d'environ 0,112 nm) dans certains modes de réalisation. En se référant de nouveau aux figures 1 à 3, dans d'autres modes de réalisation, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) est formée sur le substrat (100) en utilisant un procédé HVPE in situ dans la même chambre réactionnelle (102) (figures 4A et 4B) que celle utilisée pour le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) sur celle-ci dans un procédé HVPE comme décrit ici. Par exemple, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) peut comprendre du nitrure d'aluminium (A1N) et/ou du nitrure de titane (TiN) et peut être formée en utilisant les procédés décrits dans le brevet US n° 6 221 174 publié le 24 avril 2001 au nom de Chen et al. et dans la demande internationale WO 2010/101715 Al publiée le 10 septembre 2010 au nom de Arena et al. En se référant à la figure 4A, la source de gaz (128A) peut être utilisée pour la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) dans un procédé HVPE, et le gaz source (128B) peut être utilisé pour la formation du matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) dans un procédé HVPE ultérieur. Dans un exemple non limitatif, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) peut comprendre du nitrure d'aluminium (A1N), et la source de gaz (128A) peut comprendre une source d'AlCl3 gazeux. La source de A1C13 gazeux peut comprendre un réservoir d'AiC13 liquide maintenu à une température d'au moins 190 °C (par exemple d'environ 195 °C) et à une pression d'environ 2,5 atmosphères, et peut facultativement comprendre un moyen physique pour améliorer la vitesse d'évaporation de l'AlC13 liquide. Un tel moyen physique peut comprendre, par exemple, un dispositif configuré pour agiter l'AlC13 liquide, un dispositif configuré pour pulvériser l'AlC13 liquide, un dispositif configuré pour faire circuler un gaz vecteur rapidement sur l'AlC13 liquide, un dispositif configuré pour faire barboter un gaz vecteur dans l'AlCl3 liquide, un dispositif, tel qu'un dispositif piézoélectrique, configuré pour disperser par ultrasons l'AlC13 liquide, et analogue. Dans un exemple non limitatif, un gaz vecteur, tel que He, N2, H2 ou Ar, ou un mélange de ceux-ci (par exemple un mélange de N2 et H2) peut être mis à barboter dans l'AlC13 liquide alors que l'AlCl3 liquide est maintenu à une température d'au moins 195 °C, de sorte que le gaz source puisse comprendre un ou plusieurs gaz vecteurs. Facultativement, l'AlC13 et un gaz vecteur comprenant de l'H2 peuvent être alimentés à l'injecteur de thermalisation (150A), l'AlC13 pouvant se décomposer et former de l'AlCl et de l'HCl. L'HCl peut réagir avec l'aluminium liquide contenu dans l'injecteur de thermalisation (150A) pour former plus d'AICl. Les gaz peuvent être ensuite dirigés dans la chambre réactionnelle (102) où l'AlCi peut réagir avec le NH3 alimenté par la source de gaz (128C) pour former de l'AIN sur et par-dessus le substrat. Dans un autre exemple non limitatif, la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) (figure 2) peut comprendre du nitrure de titane (TiN) et la source de gaz (128A) peut comprendre une source de TiC14 gazeux. La source de TiC14 gazeux peut comprendre un réservoir de TiC14 liquide maintenu à une température d'au moins 80 °C, et peut facultativement comprendre un moyen physique pour améliorer la vitesse d'évaporation du TiC14 liquide comme décrit ci-dessus. Dans un exemple non limitatif, un gaz vecteur, tel que He, N2, H2 ou Ar, ou un mélange de ceux-ci (par exemple un mélange de N2 et H2) peut être mis à barboter dans le TiC14 liquide pendant que le TiC14 liquide est maintenu à une température d'au moins 137 °C, de sorte que le gaz source puisse comprendre un ou plusieurs gaz vecteurs. La vapeur de TiC14 peut être ensuite dirigée dans la chambre réactionnelle (102) où le TiC14 peut réagir avec le NH3 alimenté par la source de gaz (128C) pour former du TiN sur et par-dessus le substrat. D'autres détails concernant les paramètres du procédé pour la formation du TiN dans un tel procédé sont décrits dans le brevet US n° 6 221 174 susmentionné. Après la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) dans la chambre réactionnelle (102) en utilisant un procédé HVPE comme décrit ci-dessus, le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut être formé dans la même chambre réactionnelle (102) en utilisant un procédé HVPE comme décrit précédemment en se référant aux figures 3 et 8. Le matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) peut être déposé sur le substrat de croissance (20) après la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) sans retirer le substrat de croissance (20) de la chambre réactionnelle (102) après la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal (18) et avant le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III (22) sur le substrat de croissance (20). Les modes de réalisation des procédés de la présente invention peuvent permettre la préparation de matériaux semiconducteurs massifs de nitrure III sans nécessiter la formation ex situ d'une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal en utilisant un procédé MOCVD. Par conséquent, au moins certains modes de réalisation des procédés de l'invention peuvent être plus efficaces d'un point de vue du coût pour la formation de matériaux semiconducteurs massifs de nitrure III que les procédés connus jusqu'à présent. D'autres exemples de modes de réalisation non limitatifs de l'invention sont décrits ci-dessous. Mode de réalisation 1 : procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance, comprenant : la formation d'une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur un substrat pour former le substrat de croissance ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE), le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprenant : la décomposition d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal pour former un gaz précurseur de chlorure de métal du groupe III, et la réaction du gaz précurseur de chlorure de métal du groupe III avec un gaz précurseur du groupe V pour former le matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 2 : procédé selon le mode de réalisation 1, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur non aux organométalliques (MOCVD) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal. Mode de réalisation 3 : procédé selon le mode de réalisation 1, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal. Mode de réalisation 4 : procédé selon le mode de 35 réalisation 3, dans lequel l'utilisation du procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal comprend : le dépôt d'un matériau de nitrure de métal sur le substrat; et la soumission du matériau de nitrure de métal déposé à un ou plusieurs procédés thermiques pour améliorer la cristallinité du matériau de nitrure de métal déposé. Mode de réalisation 5 : procédé selon le mode de réalisation 4, dans lequel la soumission du matériau de nitrure de métal déposé à un ou plusieurs procédés thermiques pour améliorer la cristallinité du matériau de nitrure de métal déposé comprend la soumission du matériau de nitrure de métal déposé à un procédé de recuit thermique rapide. Mode de réalisation 6 : procédé selon le mode de réalisation 1, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend l'utilisation d'un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal. Mode de réalisation 7 : procédé selon le mode de réalisation 6, dans lequel l'utilisation d'un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal comprend : la décomposition de GaC13, InCl3, A1C13 et/ou TiC14 pour former un gaz précurseur de trichlorure, de dichlorure et/ou de monochlorure du groupe III ; et la réaction du gaz précurseur du groupe III avec un gaz précurseur de NH3 pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat. Mode de réalisation 8 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, comprenant en outre : la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal dans une première chambre ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance dans une seconde chambre différente. Mode de réalisation 9 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, comprenant en outre : la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal dans une chambre et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance dans la chambre dans laquelle la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal est formée. Mode de réalisation 10 : procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance, comprenant : la formation d'une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur un substrat en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur non aux organométalliques (MOCVD) dans une première chambre pour former le substrat de croissance ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans une seconde chambre, le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprenant : la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre. Mode de réalisation 11 : procédé selon le mode de réalisation 10, comprenant en outre le choix du substrat de sorte à comprendre un substrat de saphir. Mode de réalisation 12 : procédé selon le mode de réalisation 10 ou le mode de réalisation 11, comprenant en outre le choix de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal de sorte à comprendre du nitrure d'aluminium et/ou du nitrure de titane. Mode de réalisation 13 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 12, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur non aux organométalliques (MOCVD) comprend la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat en utilisant un procédé de dépôt activé par plasma. Mode de réalisation 14 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 13, dans lequel le matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt de GaN, InN, AIN, InGaN, GaAlN, GaAlN et/ou InAlN sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 15 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 14, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 pm) par heure. Mode de réalisation 16 : procédé selon le mode de réalisation 15, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 pm) par heure comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ vingt micromètres (20 pm) par heure. Mode de réalisation 17 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 16, dans lequel le matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt d'une couche de matériau semiconducteur massif de nitrure III ayant une épaisseur moyenne d'au moins environ deux micromètres sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 18 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 17, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend en outre la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal ayant une épaisseur moyenne d'environ cinquante nanomètres (50 nm) ou moins. Mode de réalisation 19 : procédé selon le mode de réalisation 18, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal ayant une épaisseur moyenne d'environ cinquante nanomètres (50 nm) ou moins comprend la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal ayant une épaisseur moyenne d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins. Mode de réalisation 20 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 19, dans lequel la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre comprend la circulation de GaC13, InC13, A1C13 et/ou TiC14 vers la seconde chambre. Mode de réalisation 21 : procédé selon le mode de réalisation 20, dans lequel la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre comprend en outre la circulation d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre à un débit d'environ 100 sccm ou moins. Mode de réalisation 22 : procédé selon le mode de réalisation 21, dans lequel la circulation d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre à un débit d'environ 100 sccm ou moins comprend la circulation d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers la seconde chambre à un débit d'environ 80 sccm ou moins. Mode de réalisation 23 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 22, comprenant en outre le choix d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal de sorte à comprendre du GaCl3. Mode de réalisation 24 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 23, dans le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III donne une surface principale exposée du matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé ayant une rugosité de surface quadratique moyenne d'environ dix nanomètres (10 nm) ou moins. Mode de réalisation 25 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 10 à 24, dans le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III donne une surface principale exposée du matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé ayant une densité de dislocation moyenne d'environ 5 à 9 x 108 par centimètre carré ou moins. Mode de réalisation 26 : procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance, comprenant : la formation d'une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur un substrat en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) dans une chambre pour former le substrat de croissance ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans cette même chambre ; le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance utilisant le procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) qui comprend la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre. Mode de réalisation 27 : procédé selon le mode de réalisation 26, comprenant en outre le choix du substrat de sorte à comprendre un substrat de saphir. Mode de réalisation 28 : procédé selon le mode de réalisation 26 ou le mode de réalisation 27, comprenant en outre le choix de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal de sorte à comprendre du nitrure de gallium, du nitrure d'aluminium, du nitrure de gallium aluminium, du nitrure de hafnium, du nitrure de chrome, du nitrure de tungstène et/ou du nitrure de titane. Mode de réalisation 29 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 28, dans lequel le matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt de GaN, InN, AIN, InGaN, GaAlN, GaAlN et/ou InAlN sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 30 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 29, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 pm) par heure. Mode de réalisation 31 : procédé selon le mode de réalisation 30, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 pm) par heure comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ vingt micromètres (20 pm) par heure. Mode de réalisation 32 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 31, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt d'une couche de semiconducteur massif de nitrure III ayant une épaisseur moyenne d'au moins environ deux micromètres (2 }gym) sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 33 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 32, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend en outre la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal ayant une épaisseur moyenne comprise entre environ un demi nanomètre (0,5 nm) et environ deux micromètres (2,0 pm). Mode de réalisation 34 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 33, dans lequel la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre comprend la circulation de GaC13, InCl3, A1C13 et/ou TiCl4 vers cette même chambre. Mode de réalisation 35 : procédé selon le mode de réalisation 34, dans lequel la circulation de GaC13, InCl3, A1C13 et/ou TiCl4 vers cette même chambre comprend en outre la circulation de GaC13, InCl3, AlC13 et/ou TiC14 vers cette même chambre à un débit d'environ 100 sccm ou moins. Mode de réalisation 36 : procédé selon le mode de réalisation 35, dans lequel la circulation de GaC13, InC13, A1C13 et/ou TiC14 vers cette même chambre à un débit d'environ 100 sccm ou moins comprend la circulation de GaC13, InC13r A1C13 et/ou TiC14 vers cette même chambre à un débit d'environ 80 sccm ou moins. Mode de réalisation 37 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 36, comprenant en outre le choix d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal de sorte à comprendre du GaC13. Mode de réalisation 38 procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 37, dans le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III donne une surface principale exposée du matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé ayant une rugosité de surface quadratique moyenne d'environ deux nanomètres (2,0 nm) ou moins. Mode de réalisation 39 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 38, dans le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III donne une surface principale exposée du matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé ayant une densité de dislocation moyenne d'environ 5 x 108 par centimètre carré ou moins. Mode de réalisation 40 : procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur massif de nitrure III sur un substrat de croissance, comprenant : la formation d'une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur un substrat en utilisant un procédé de dépôt en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans une chambre pour former le substrat de croissance ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans cette même chambre, le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance utilisant le procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) qui comprend la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre. Mode de réalisation 41 : procédé selon le mode de réalisation 40, comprenant en outre le choix du substrat de sorte à comprendre un substrat de saphir. Mode de réalisation 42 : procédé selon le mode de réalisation 40 ou le mode de réalisation 41, comprenant en outre le choix de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal de sorte à comprendre du nitrure d'aluminium et/ou du nitrure de titane. Mode de réalisation 43 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 42, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt de GaN, InN, AIN, InGaN, GaAlN, GaAlN et/ou InAlN sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 44 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 43, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 pm) par heure. Mode de réalisation 45 : procédé selon le mode de réalisation 44, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ dix micromètres (10 }gym) par heure comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance à une vitesse d'au moins environ vingt micromètres (20 }gym) par heure. Mode de réalisation 46 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 45, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprend le dépôt d'une couche de matériau semiconducteur massif de nitrure III ayant une épaisseur moyenne d'au moins environ deux micromètres (2 pm) sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 47 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 46, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend en outre la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal ayant une épaisseur moyenne d'environ cinquante nanomètres (50 nm) ou moins. Mode de réalisation 48 : procédé selon le mode de réalisation 47, dans lequel la circulation de NH3 et d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre comprend en outre la circulation d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre à un débit d'environ 100 sccm ou moins. Mode de réalisation 49 : procédé selon le mode de réalisation 48, dans lequel la circulation d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre à un débit d'environ 100 sccm ou moins comprend la circulation d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal vers cette même chambre à un débit d'environ 80 sccm ou moins. Mode de réalisation 50 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 49, comprenant en outre le choix d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal de sorte à comprendre du GaC13, InCl3r A1C13 et/ou TiC14. Mode de réalisation 51 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 50, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III donne une surface principale exposée du matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé ayant une rugosité de surface quadratique moyenne d'environ dix nanomètres (10,0 nm) ou moins. Mode de réalisation 52 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 51, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III donne une surface principale exposée du matériau semiconducteur massif de nitrure III déposé ayant une densité de dislocation moyenne d'environ 5 x 108 par centimètre carré ou moins. Mode de réalisation 53 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 40 à 52, dans lequel le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant le procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) dans la même chambre comprend le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance sans retirer le substrat de croissance de cette même chambre après la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat pour former le substrat de croissance et avant le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance. Mode de réalisation 54 : structure comprenant un matériau semiconducteur massif de nitrure III, la structure étant préparée conformément à un procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 53. REVENDICATIONS1. Procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur 5 massif de nitrure III sur un substrat de croissance, comprenant : la formation d'une couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur un substrat pour former le substrat de croissance ; et 10 le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance en utilisant un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE), le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance comprenant : 15 la décomposition d'un trichlorure de métal et/ou d'un tétrachlorure de métal pour former un gaz précurseur de chlorure de métal du groupe III, et la réaction du gaz précurseur de chlorure de métal du groupe III avec un gaz précurseur du groupe V pour 20 former le matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de 25 nitrure de métal sur le substrat comprend l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur non aux organométalliques (MOCVD) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal. 30 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) pour former la couche matricielle de 35 nucléation de nitrure de métal. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal comprend : le dépôt d'un matériau de nitrure de métal sur le substrat ; et la soumission du matériau de nitrure de métal déposé à un ou plusieurs procédés thermiques pour améliorer la cristallinité du matériau de nitrure de métal déposé. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la soumission du matériau de nitrure de métal déposé à un ou plusieurs procédés thermiques pour améliorer la cristallinité du matériau de nitrure de métal déposé comprend la soumission du matériau de nitrure de métal déposé à un procédé de recuit thermique rapide. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat comprend l'utilisation d'un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'utilisation d'un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux halogénures (HVPE) pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal comprend : la décomposition de GaC13, InC13, A1C13 et/ou TiC14 pour former un gaz précurseur de trichlorure, de 35 dichlorure et/ou de monochlorure du groupe III, etla réaction du gaz précurseur du groupe III avec un gaz précurseur de NH3 pour former la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal sur le substrat. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre : la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal dans une première 10 chambre ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de nitrure III sur le substrat de croissance dans une seconde chambre différente. 15 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre : la formation de la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal dans une chambre ; et le dépôt du matériau semiconducteur massif de 20 nitrure III sur le substrat de croissance dans la chambre dans laquelle la couche matricielle de nucléation de nitrure de métal est formée. 10. Structure comprenant un matériau 25 semiconducteur massif de nitrure III, la structure étant préparée conformément à un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.