Brevet FR2957547A1 — publié le 20110923

PROCEDE DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT COMPRENANT DU POLYSILICIUM ET AU MOINS UN ELEMENT CHOISI PARMI L'OXYDE DE SILICIUM ET LE NITRURE DE SILICIUM La présente invention concerne des procédés de polissage chimicomécanique. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique permettant de polir un substrat comportant du polysilicium en présence d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques sont déposées sur ou éliminées d'une surface d'une plaque (« wafer ») de semi-conducteur. De fines couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par nombre de techniques de dépôt. Les techniques de dépôt communes dans le traitement moderne incluent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu sous le nom de pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), et le plaquage électrochimique (ECP). A mesure que des couches de matériaux sont séquentiellement déposées et éliminées, la surface la plus haute de la plaque devient non plane. Du fait qu'un traitement ultérieur de semi-conducteur (par exemple, une métallisation) requiert que la plaque ait une surface plate, la plaque a besoin d'être aplanie. La planarisation est utile dans l'élimination d'une topographie de surface non souhaitée et de défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, des dommages au réseau cristallin, des rainures et des couches ou matériaux contaminés. La planarisation chimico-mécanique, ou polissage chimicomécanique (CMP) est une technique courante utilisée pour aplanir des substrats, tels que des plaques de semi-conducteur. Dans le CMP classique, une plaque est montée sur un ensemble support et positionnée en contact avec un tampon de polissage dans un appareil CMP. L'ensemble support fournit une pression régulable à la plaque, la pressant contre le tampon de polissage. Le tampon est déplacé (par exemple tourné) par rapport à la plaque à l'aide d'une force d'entraînement externe. Simultanément, une composition de polissage (« une boue ») ou une autre solution de polissage est disposée entre la plaque et le tampon de polissage. Ainsi, la surface de la plaque est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la surface du tampon et de la boue. Un procédé utilisé pour isoler des éléments d'un dispositif à semi-conducteur, désigné par procédé d'isolation de tranchée peu profonde (STI) impliquait classiquement l'utilisation d'une couche de nitrure de silicium formée sur un substrat en silicium, des tranchées peu profondes formées dans la couche de nitrure de silicium et un matériau diélectrique (par exemple un oxyde) déposé pour remplir les tranchées. Typiquement, un excès de matériau diélectrique est déposé au sommet du substrat pour garantir un remplissage complet des tranchées. La couche de matériau diélectrique en excès est ensuite éliminée pour exposer la couche de nitrure de silicium au moyen de techniques de planarisation chimicomécanique. Les conceptions de dispositif passées mettaient en avant une sélectivité de planarisation chimico-mécanique envers l'oxyde de silicium par rapport au nitrure de silicium (c'est-à-dire une vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium plus élevée que la vitesse d'élimination du nitrure de silicium). Dans ces conceptions de dispositif, la couche de nitrure de silicium servait couche d'arrêt pour le processus de planarisation chimico-mécanique. Certaines conceptions de dispositif récentes exigent des compositions de polissage qui assurent une sélectivité vis-à-vis d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium par rapport au polysilicium (c'est-à-dire une vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium plus élevée que la vitesse d'élimination du polysilicium) à utiliser dans des processus de planarisation chimico-mécanique. Une formulation de polissage à utiliser dans un processus de planarisation chimico-mécanique qui assure une sélectivité vis-à-vis d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium par rapport au polysilicium est divulguée par la publication de demande de brevet U.S. n° 2007/0 077 865 de Dysard et al. Dysard et al. divulguent un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, lequel procédé comprend les étapes consistant à : (i) mettre en contact un substrat comprenant du polysilicium et un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium avec un système de polissage chimico-mécanique comprenant : (a) un abrasif, (b) un support liquide, (c) environ 1 ppm à environ 100 ppm, par rapport au poids du support liquide et de tout composant qui y est dissous ou mis en suspension, d'un copolymère poly(oxyde d'éthylène)/poly(oxyde de propylène) ayant une balance hydrophile-hypophile (NeB) d'environ 15 ou moins, et (d) un tampon de polissage, (ii) déplacer le tampon de polissage par rapport au substrat et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat. Une autre formulation de polissage à utiliser dans un processus de planarisation chimico-mécanique qui assure une sélectivité vis-à-vis d'au moins un élément parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium par rapport au polysilicium est divulguée dans le brevet U.S. n° 6 626 968 de Park et al. Park et al. divulguent une composition de polissage chimico- mécanique sous forme de boue ayant un pH de 7 à 11 pour un polissage simultané d'une surface comportant une couche d'oxyde de silicium et une couche de polysilicium, ladite composition de boue étant essentiellement constituée d'eau, de grains abrasifs choisis dans le groupe constitué par la silice (SiO2), l'alumine (Al203), l'oxyde de cérium (Ce02), oxyde de manganèse (MnO et leurs mélanges, et environ 0,001 % à environ 5 % en poids d'un additif polymère choisi dans le groupe constitué par le poly(vinylméthyléther) (PVME), le poly(éthylène glycol) (PEG), le poly(oxyéthylène 23 lauryl éther) (POLE), le poly(acide pmpanoïque) (PPA), le poly(acide acrylique) (PAA), le poly(étherglycolbiséther) (PEGBE), et leurs mélanges, où l'additif polymère améliore le rapport de sélectivité d'élimination de la couche d'oxyde de silicium par rapport à l'élimination de la couche de polysilicium. Néanmoins, pour soutenir le domaine dynamique des conceptions de dispositif à utiliser dans la fabrication de systèmes à semi-conducteur, il est nécessaire de proposer en continu des compositions de polissage chimico-mécanique formulées pour conférer un équilibre souhaitable de propriétés de polissage pour se conformer à des besoins de conception changeants. Par exemple, il reste à proposer des compositions de polissage chimico-mécanique qui présentent une vitesse d'élimination spécialement adaptée et une sélectivité de vitesse d'élimination qui favorise l'élimination d'au moins un élément choisi parmi le nitrure silicium et l'oxyde de silicium par rapport au polysilicium. La présente invention propose un procédé de polissage chimico mécanique d'un substrat, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat, dans lequel le substrat comprend du polysilicium et au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique comprenant, comme composants initiaux (et de préférence essentiellement constitué de) : de l'eau ; un abrasif; et un composé acide organosulfonique acyclique, où te composé acide organosulfonique acyclique comporte une portion hydrophobe acyclique comportant 6 à 30 atomes de carbone et une portion hydrophile acyclique non ionique comportant 10 à 300 atomes de carbone ; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique avec une surface de polissage ; déplacer la surface de polissage par rapport au substrat ; distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage ; et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat ; où au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat et où au moins une partie dudit au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium est éliminée du substrat. La présente invention propose également un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat, dans lequel le substrat comprend du polysilicium et au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium fournir une composition de polissage chimico-mécanique comprenant, comme composants initiaux (et de préférence essentiellement constitué de) : de l'eau un abrasif et un composé acide organosulfonique acyclique, où le composé acide organosulfonique acyclique comporte une portion hydrophobe acyclique comportant 6 à 30 atomes de carbone et une portion hydrophile acyclique non ionique comportant 10 à 300 atomes de carbone ; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique avec une surface de polissage ; déplacer la surface de polissage par rapport au substrat ; distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage ; et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat ; où au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat ; et où au moins une partie dudit au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium est éliminée du substrat ; et où la composition de polissage chimico-mécanique présente un pH de polissage de 2 à 5. La présente invention propose en outre un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat, où le substrat comprend du polysilicium et au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique, comprenant (de préférence essentiellement constituée de) comme composants initiaux de l'eau ; un abrasif ; et un composé acide organosulfonique acyclique, où le composé acide organosulfonique acyclique a pour formule R(EO)XSO3Na, où R est un alcool gras comportant 6 à 30 atomes de carbone ; EO est l'oxyde d'éthylène et x vaut 10 à 300 ; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique avec une surface de polissage ; déplacer la surface de polissage par rapport au substrat ; distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage ; et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat ; où au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat; et où au moins une partie dudit au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium est éliminée du substrat ; où la composition de polissage chimicomécanique présente un pH de polissage de 2 à 5, ajusté avec un acide inorganique. DESCRIPTION DETAILLEE Le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est utile pour polir un substrat comprenant du polysilicium en combinaison avec au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention contient une quantité d'un composé acide organosulfonique acyclique réduisant la vitesse d'élimination de polysilicium, avec un effet minimal sur la vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. L'expression « sensiblement inférieure » telle qu'utilisée ici et dans les revendications annexées concernant la réduction de la vitesse d'élimination (pour la vitesse mesurée en Â/min) résultant de l'addition d'un composé acide organosulfonique acyclique à la composition de polissage chimico-mécanique signifie que la vitesse d'élimination du polysilicium est de > 20 % inférieure. A savoir, l'expression suivante sera satisfaite lorsque la vitesse d'élimination de polysilicium sera sensiblement inférieure : ((Ao-A) /Ao)*100 20 où A est la vitesse d'élimination de polysilicium en â/min pour une composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention contenant un composé acide organosulfonique acyclique ; Aa est la vitesse d'élimination de polysilicium en St/min obtenue dans des conditions identiques à l'exception que le composé acide organosulfonique acyclique est absent de la composition de polissage chimico-mécanique. L'expression « sensiblement inchangée » utilisée ici et dans les revendications annexées concernant le changement de vitesse d'élimination (mesurée en Â/min) pour l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium résultant de l'addition d'un composé acide organosulfonique acyclique à la composition de polissage chimico-mécanique signifie que la vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium change de 10 %. A savoir, l'expression suivante sera satisfaite lorsque la vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium est sensiblement inchangée valeur absolue de Bo-B )/B 0 10 où B est la vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium en Â/min pour une composition de polissage chimicomécanique utilisée dans le procédé de la présente invention contenant un composé acide organosulfonique acyclique Bo est la vitesse d'élimination de l'oxyde silicium ou du nitrure de silicium obtenue dans des conditions identiques à l'exception que le composé acide organosulfonique acyclique est absent de la composition de polissage chimico-mécanique. Le composé acide organosulfonique acyclique utilisé dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention peut être représenté par la formule générale R-SO3H ou sous forme d'un sel, R-SO3-, où R comprend une portion hydrophobe acyclique et une portion hydrophile acyclique non ionique. Le fragment acide sulfonique (c'est-à-dire -SO3H) et le fragment sulfonate (-SO3-) sont utilisés de façon interchangeable ici. La portion hydrophobe acyclique dans le composé acide organosulfonique acyclique est un hydrocarbure acyclique à longue chaîne qui a une longueur appropriée pour une solubilité dans l'eau. En particulier, la portion hydrophobe acyclique a un nombre total de 6 à 30 atomes de carbone. De préférence, la portion hydrophobe acyclique comporte 8 à 20 atomes de carbone et de manière davantage préférée, elle comporte 12 à 16 atomes de carbone. La portion hydrophobe acyclique peut être soit une chaîne droite, soit une chaîne ramifiée. La portion hydrophobe acyclique peut être saturée ou insaturée. De manière préférée entre toutes, la portion hydrophobe acyclique est une chaîne droite dérivée d'un alcool ras. La portion hydrophile acyclique non ionique dans le composé acide organosulfonique acylique contient 10 à 300 atomes de carbone. De préférence, la portion hydrophile acyclique non ionique contient 20 à 200 atomes de carbone. De manière encore davantage préférée, la portion hydrophile acyclique non ionique contient 25 à 150 atomes de carbone. La portion hydrophile acyclique non ionique peut être soit une chaîne droite, soit une chaîne ramifiée. La portion hydrophile acyclique non ionique peut être saturée ou insaturée. De préférence, la portion hydrophile acyclique non ionique est un poly(oxyde d'alkylène) à chaîne droite saturé ou insaturé. De manière préférée entre toutes, la portion hydrophile acyclique non ionique est une chaîne droite de poly(oxyde d'éthylène). Le composé acide organosulfonique acyclique est facultativement ajouté à la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention, sous forme de sel d'ammonium, de potassium, d'ammonium quaternaire, de sodium ou de lithium. De préférence, le composé acide organosulfonique acyclique est ajouté à la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention sous forme de sel de sodium. De préférence, le composé acide organosulfonique acyclique est un sulfate de poly(glyool éther). De manière préférée entre toutes, le composé acide organosulfonique acyclique a pour formule R(EO)i,SO?Na, où R est un alcool gras comportant 6 à 30 atomes de carbone (de manière davantage préférée 8 à 20 atomes de carbone, de manière encore davantage préférée 12 à 16 atomes de carbone) ; EO est l'oxyde d'éthylène et x vaut IO à 300 (de manière davantage préférée 20 à 200, de manière encore davantage préférée 25 à 150 de manière préférée entre toutes 25 à 40). La quantité de composé acide organosulfonique acyclique utilisée dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans te procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est choisie pour adapter spécialement la vitesse d'élimination de polysilicium à ta vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. La composition de polissage chimicomécanique utilisée contient de préférence, comme composant initial, 0,0001 à 1 % en poids du composé acide organosulfonique acyclique ; de manière davantage préférée la composition de polissage chimicomécanique utilisée comprend, comme composant initial, 0,01 à 1 %, de manière encore davantage préférée 0,01 à 0,1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,01 à 0,05 % en poids, du composé acide organosulfonique acyclique. L'eau contenue dans la composition de polissage chimicomécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est de préférence au moins l'une choisie parmi l'eau désionisée et l'eau distillée pour limiter les impuretés secondaires. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention contient 0,1 à 40 % en poids d'abrasif, de préférence 5 à 25 % en poids d'abrasif. L'abrasif utilisé a de préférence une taille moyenne de particule de Aoxyde de silicium et (ii) Apolysilicium>ASi3N4, telle que mesurées dans les conditions de polissage exposées dans les exemples. Par exemple, si un polissage dans les conditions exposées dans les exemples avec une composition dépourvue de composé acide organosulfonique acyclique assure une vitesse d'élimination témoin Xo = 500 Â/min pour le polysilicium et 500 Â/min pour le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium ; et l'addition d'un composé acide organosulfonique acyclique à la composition de polissage réduit la vitesse d'élimination du polysilicium à X=300 Â/min, alors la vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium doit être supérieure à 300 Â/min, Il est souhaitable, dans le procédé de polissage chimico mécanique de la présente invention, que la vitesse d'élimination de polissage du polysilicium présentée par la composition polissage chimico-mécanique comprenant un composé acide organosulfonique acyclique, soit sensiblement inférieure à la vitesse d'élimination du polysilicium obtenue dans !es mêmes conditions à l'exception que le composé acide organosulfonique acyclique est absent. De préférence, la réduction de la vitesse d'alimentation du polysilicium obtenue par l'addition du composé acide organosulfonique acyclique à la composition de polissage chimico- mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention est 25 % ; de manière davantage préférée > 50 % (c'est-à-dire la réduction de vitesse d'élimination = ((Ao-A)/A)) +1100)), telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples). Typiquement, la réduction de vitesse d'élimination de polysilicium obtenue par l'addition du composé acide organosulfonique acyclique à la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention est u 200 %, telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples. Il est souhaitable que la composition de polissage chimico- mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention présente une réduction de vitesse d'élimination de polissage pour le polysilicium de >_ 20 %, de manière davantage préférée >_ 25 %, de manière préférée entre toutes ? 50 % (c'est-à-dire une réduction de vitesse d'élimination = ((Ao-A)/Ao)*100)), telle que mesurée dans !es conditions de polissage exposées dans !es exemples ; et présente un changement de vitesse d'élimination de polissage pour au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium 10 % ; de manière davantage préférée ., 7 % ; de manière encore davantage préférée Il est souhaitable que le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention assure simultanément un polissage sélectif (c'est-à-dire une élimination) à la fois de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium par rapport au polysilicium (c'est-à-dire présente une vitesse d'élimination à la fois pour l'oxyde de silicium et pour le nitrure de silicium plus élevée que la vitesse d'élimination du polysilicium, telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples). La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention permet un fonctionnement avec une faible pression nominale de tampon de polissage, par exemple de 3 à 35 kPa. La faible pression nominale de tampon de polissage améliore la performance de polissage en réduisant la formation de rayures et d'autres défauts de polissage non souhaitables et minimise les dommages aux matériaux fragiles. On décrira à présent certains modes de réalisation de la présente invention en détail dans les exemples suivants. Exemples Compositions de polissage chimico-mécanique On décrit les compositions de polissage chimico-mécanique (CMPC) évaluées dans le Tableau 1. La composition de polissage chimicomécanique A est une formulation comparative, qui n'entre pas dans la portée de l invention revendiquée. Tableau 1. CMPC Composé acide organosulfonique Abrase pH acyclique (% en nids), 1 % en_ poids) final A -- 20 2,5 1 0,01 20 2,5 2 0,02 20 2,5 r le composé acide organosulfonique acyclique utilisé dans les exemples était un sulfate de poly(glyco! éther), spécifiquement le Disponil FES 77, fabriqué par Cognis Chemicals Group et ayant une composition nominale de R(EO)SONa, où R est un alcool gras et EO est l'oxyde d'éthylène. l'abrasif utilisé dans les exemples était la silice colloïdale KlebosolFï) 30I-150i fabriquée par AZ Electronic Materials et disponible auprès de The Dow Chemical Company. on a ajusté le pH de la composition le cas échéant en utilisant du HNO3 ou du KOH. 10 Essais de polissage On a évalué les compositions de polissage chimico-mécanique décrites dans le Tableau 1 au moyen de plaques de couverture de 200 mm, spécifiquement (A) des plaques diélectriques de TEOS ; (B) des plaques diélectriques en Si3N4 et (C) des plaques diélectriques en 15 polysilicium amorphe. On a utilisé une plate-forme de polissage de type rotative modèle 6EC du système CMP Strasbaugh nSpireTM pour polir toutes les plaques de couverture dans les exemples au moyen d'un tampon de polissage comprenant une couche de polissage en poly(uréthane) contenant des microparticules polymères à âme creuse et 20 un sous-tampon non tissé imprégné de poly(uréthane) (à savoir un tampon de polissage ICIOIOTm disponible dans le commerce auprès de Rohm and Naias Electronic Materials CMP Inc.). Les conditions de polissage utilisées dans tous les exemples incluaient une vitesse de chariot de 93 tr/min une vitesse de support de 87 tr/min ; avec un débit de milieu 25 de polissage de 200 mL/min et un force descendante de 20,7 kPa. Les vitesses d'élimination pour chacune des expériences de polissage sont fournies dans le Tableau 2. Il faut noter que les vitesses d'élimination étaient calculées à partir de l'épaisseur de film avant et après polissage. Spécifiquement, on a déterminé une vitesse d'élimination au moyen d'un système de métrologie à film mince optique SpectraFX 200 disponible auprès de KLA-Tencor. Tableau 2 CMPC Vitesse d'élimination de Si3N4 Polysilicium amorphe TEOS Amin (A/min (ÂImin A 1758 1452 446 1720 1500 321 2 1656 1455 220 REVENDICATIONS1, Procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend tes étapes consistant à fournir un substrat, dans lequel le substrat comprend du polysilicium et au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique comprenant, comme composants initiaux : de l'eau un abrasif et un composé acide organosulfonique acyclique, où le composé acide organosulfonique acyclique comporte une portion hydrophobe acyclique comportant 6 à 30 atomes de carbone et une portion hydrophile acyclique non ionique comportant 10 à 300 atomes de carbone fournir un tampon de polissage chimico-mécanique présentant une surface de polissage ; déplacer la surface de polissage par rapport au substrat distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat et dans lequel au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat et au moins une partie dudit au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium est éliminée du substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat comprend du polysilicium en présence d'oxyde de silicium et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium supérieure ou égale à 2 : 1.Procédé selon !a revendication 2, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium supérieure ou égale à 800 Â/min ; avec une vitesse de chariot de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par mine un débit de composition de polissage chimico-mécanique de 200 rnL/min, une force descendante nominale de 20,7 kPa sur une machine de polissage de 200 mm ; et dans lequel le tampon de polissage chimico-mécanique comprend une couche de polissage en poly(uréthane) contenant des microparticules polymères à âme creuse et un sous-tampon non tissé imprégné de poly(uréthane). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le polysilicium est du polysilicium amorphe et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium amorphe supérieure ou égale à 2 : 1. 5. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le polysilicium est du polysilicium amorphe et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium amorphe supérieure ou égale à 5 : 1. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat comprend du polysilicium en présence de nitrure de silicium et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium supérieure ou égale à 2 . 1. 7, Procédé selon la revendication 6, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse d'élimination du nitrurede silicium supérieure ou égaie à 800 n ; avec une vitesse de chariot de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par minute, un débit de composition de polissage chimico-mécanique de 200 mL(min, une force descendante nominale de 20,7 kPa sur une machine de polissage de 200 mm ; et dans lequel le tampon de polissage chimico-mécanique comprend une couche de polissage en poly(uréthane) contenant des microparticules polymères à âme creuse et un sous-tampon non tissé imprégné de poly(uréthane). 10 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le polysilicium est du polysilicium amorphe et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium amorphe supérieure ou égale à 2 : L 15 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le polysilicium est du polysilicium amorphe et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium supérieure ou égale à 5 : 1. 20 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composé acide organosulfonique acyclique a pour formule R(EO)xSO3Na, où R est un alcool gras comportant 6 à 30 atomes de carbone ; EO est l'oxyde d'éthylène et x vaut 10 à 300.