Brevet FR2956411A1 — publié le 20110819

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne en général les dépôts en phase vapeur de matériaux pour l'industrie de la microélectronique. Elle adresse plus particulièrement le problème de la réalisation de sources de vapeur permettant un dépôt en continu sur de grandes surfaces pouvant être interrompu sans inconvénient. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les développements toujours plus nombreux de composants électroniques et optiques et leur intégration au sein d'un même dispositif ont conduit à élaborer des techniques sophistiquées de dépôt de matériaux très divers destinés à former, sur un substrat, les couches minces dont sont constitués ces dispositifs. Les dépôts en phase vapeur recouvrent une très large gamme de procédés incluant notamment ceux qualifiés de dépôts chimiques en phase vapeur et généralement désignés sous leur acronyme de CVD, de l'anglais « chemical vapor deposition ». Comme le suggère le nom, ce type de dépôt implique qu'une réaction chimique se produise lors de l'opération parce que l'on aura, par exemple, introduit préalablement un gaz précurseur dans la chambre de dépôt ou parce qu'une réaction chimique s'opère avec une couche d'un matériau déjà déposé sur le substrat voire avec le substrat lui-même. D'autres types de dépôts en phase vapeur n'impliquent pas qu'une telle réaction chimique ait à se produire. Il s'agit alors de réaliser un simple dépôt physique par évaporation dans une atmosphère neutre contrôlée et/ou à un niveau de vide plus ou moins grand. Quelle que soit la technique de dépôt en phase vapeur à laquelle on a besoin d'avoir recours le dispositif mécanique constituant, dans la chambre de dépôt, la source d'évaporation du matériau à déposer est toujours un élément critique à mettre en oeuvre pour obtenir une bonne uniformité en épaisseur des couches minces déposées et un bon contrôle de leurs caractéristiques physico chimiques. La source est d'autant plus difficile à réaliser que la production en masse, à faible coût, de dispositifs électroniques et optiques demande que les substrats sur lesquels ils sont réalisés soient toujours de plus grandes tailles afin de produire un toujours plus grand nombre de dispositifs, ou des dispositifs de plus en plus grands, au cours d'un même cycle de fabrication. Il n'est donc pas étonnant qu'on ait besoin de disposer d'une source permettant de déposer, continûment, en phase vapeur, divers matériaux sur une largeur pouvant se mesurer en dizaines de centimètres voire de l'ordre du mètre. Par ailleurs, la production industrielle de tels dispositifs implique que le dépôt puisse être interrompu et repris à volonté sans dommage pour la source et le matériau qui est évaporé. Si l'industrie de la microélectronique a longtemps été essentiellement confrontée au besoin d'avoir à déposer des matériaux tels que des diélectriques ou des métaux, la fabrication de dispositifs électroluminescents comme les afficheurs et écrans à base de diodes électroluminescentes organiques (DELOs) demande d'avoir recours au dépôt de matériaux organiques beaucoup plus fragiles. L'évaporation à partir d'une source linéaire de grande largeur de matériaux organiques pose le problème critique du gradient de température qu'il faut pouvoir observer entre le point de création de la vapeur et les points de diffusion de celle-ci, c'est-à-dire les buses disposées sur toute la largeur de la source, dans la chambre de dépôt. En effet, pour éviter la condensation du matériau sur les parois des tubes transportant la vapeur et sur celles du diffuseur constituant la source il faut pouvoir maintenir un gradient de température toujours positif afin d'éviter que des zones froides ne puissent faire descendre la température du gaz au dessous de son point de rosée. Ceci est d'autant plus difficile à réaliser que, comme c'est le cas pour les matériaux organiques, la température de destruction du matériau à déposer est proche de sa température d'évaporation. On peut considérer qu'au-delà de 450°C la plupart des matériaux se décomposent. De plus une différence entre les températures d'évaporation et de dégradation peut être de l'ordre de 10 à 100°C. Ces faibles différences limitent la possibilité d'évaporer à une vitesse plus élevée. De plus les sources linéaires de grande largeur constituées de multiples volumes sont plus sensibles que les sources ponctuelles puisqu'il faut alors contrôler ce faible gradient sur toute la surface du diffuseur, depuis le creuset d'évaporation jusqu'à chacune des buses. D'autres problèmes doivent pouvoir être surmontés qui sont rendus plus difficiles en raison de cette faible différence entre températures d'évaporation et de destruction. Le système de chauffage peut lui-même créer des irrégularités de température à la surface du creuset d'évaporation. Celles-ci contribuent à dégrader localement le matériau à déposer ce qui réduit son temps d'utilisation et entraîne des pertes alors que ce type de matériaux est le plus souvent très coûteux. Il faut préciser le risque qu'un matériau en cours de dégradation peut entraîner une perte de qualité du film déposé sans qu'on puisse s'en rendre compte; le risque de diminution du rendement de production est alors important. Dans le cadre d'une production industrielle cela entraîne d'autres inconvénients sérieux comme le fait qu'il faut alors introduire une quantité limitée de matériau dans le creuset entre deux dépôts pour réduire ces pertes ce qui est difficilement compatible avec une production continue dans une ligne de fabrication. Les sources linéaires suscitent un grand intérêt notamment pour leur capacité à atteindre des vitesses élevées de dépôt. Elles permettent aussi d'obtenir un bon rendement d'utilisation du matériau principalement en raison du fait que la distance source substrat peut être nettement plus faible qu'avec une source ponctuelle. La présence de buses multiples et leur conception visant à uniformiser le dépôt sur une grande surface est un atout majeur qui rend leur utilisation indispensable pour la production à grande échelle de dispositifs tels que les dispositifs électroluminescents mentionnés plus haut. Cependant cette faible distance conjuguée à une grande vitesse d'évaporation rend les systèmes classiques d'obturation par écran (qui permettent d'interrompre le dépôt sur le substrat) difficilement réalisables pour des raisons mécaniques. L'encombrement des systèmes d'obturation classiques est incompatible avec un diffuseur long par buses. Ils sont aussi difficilement utilisables en raison de la rapidité avec laquelle ils s'encrassent. Il existe aussi des sources équipées avec une vanne permettant de fermer le tube de transport de vapeur afin d'interrompre la diffusion de celle-ci vers le substrat pour ne pas gaspiller le matériau à évaporer. La vanne, lorsqu'elle est fermée, réduit alors très fortement le volume du conduit connecté au point de création de la vapeur. Cette forte réduction de volume produit une variation brutale de la charge du système de génération de vapeur qui fait augmenter très fortement la pression dans la zone de création de vapeur. Cette forte variation de pression provoque alors une élévation de la température jusqu'à saturation de la zone de création de vapeur. Élévation de température qui à son tour va créer une dégradation thermique du matériau à déposer. C'est donc un objet général de l'invention que de remédier au moins en partie aux inconvénients décrits ci-dessus des sources linéaires utilisées dans les systèmes de dépôt en phase vapeur devant fonctionner en continu avec des phases d'arrêt et de reprise du dépôt. C'est aussi un objet de l'invention que de décrire une source linéaire permettant le dépôt de matériaux organiques dont la température de destruction est proche de la température d'évaporation. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre ces objectifs, l'invention décrit une source de déposition d'un matériau en phase vapeur comportant une enceinte pourvue de deux zones. La première zone est une zone de production de vapeur dotée d'un réceptacle du matériau et de moyens de chauffage du matériau placé dans le réceptacle. La seconde est une zone de diffusion présentant une chambre en liaison avec la zone de production et dotée d'au moins un orifice de sorte à transmettre le matériau en phase vapeur vers l'extérieur de l'enceinte à travers l'orifice. La source est caractérisée en ce que, d'une part, la chambre comporte une paroi intérieure et une enveloppe extérieure délimitant un espace intermédiaire rempli d'un fluide caloporteur et, d'autre part, qu'elle est munie de moyens de chauffage du fluide caloporteur. L'invention peut inclure en outre les options suivantes : - les moyens de chauffage du fluide caloporteur comportent au moins 30 une résistance électrique tout ou partie en contact avec l'enveloppe extérieure de la chambre. - la résistance électrique est en contact avec la surface extérieure de l'enveloppe extérieure de la chambre. - les moyens de chauffage comportent au moins une résistance électrique placée, tout ou partie, dans l'espace intermédiaire. - la résistance électrique est en contact avec la surface extérieure de la paroi intérieure. - les moyens de chauffage du fluide caloporteur comportent un dispositif de chauffage du fluide caloporteur situé à l'extérieur de la chambre et des moyens de circulation du fluide caloporteur entre le dispositif de chauffage et l'espace intermédiaire. - la conductivité thermique de la paroi intérieure est supérieure à la conductivité thermique de l'enveloppe extérieure. - le réceptacle comporte une paroi intérieure et une enveloppe extérieure délimitant un deuxième espace intermédiaire rempli d'un fluide caloporteur. - les moyens de chauffage du réceptacle comportent au moins une résistance électrique tout ou partie en contact avec l'enveloppe extérieure du réceptacle. - les moyens de chauffage du réceptacle comportent au moins une résistance électrique placée tout ou partie dans le deuxième espace intermédiaire. - les moyens de chauffage du réceptacle, comportent un dispositif de chauffage du fluide caloporteur situé à l'extérieur du réceptacle et des moyens de circulations du fluide caloporteur entre le dispositif de chauffage et le deuxième espace intermédiaire. - la conductivité thermique de la paroi intérieure du réceptacle est supérieure à la conductivité thermique de l'enveloppe extérieure du réceptacle. - le réceptacle comprend une ou plusieurs ailettes sur sa surface intérieure en contact avec le matériau. - au moins un orifice comporte une buse traversant l'espace intermédiaire. - l'espace intermédiaire entoure toute la surface extérieure de la paroi intérieure de la chambre. - la zone de production de vapeur et la chambre sont en liaison à angle droit. - la zone de production de vapeur est centrée sur la largeur de la chambre. - un moyen de chauffage est localisé au niveau du au moins un orifice. - le moyen de chauffage localisé comprend, pour chaque orifice, un filament autour de la paroi périphérique de l'orifice. - le filament est situé à l'extérieur de l'espace intermédiaire. - le filament est situé dans l'espace intermédiaire. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : Les FIGURES 1A et 1B illustrent une source linéaire de dépôt en phase vapeur selon l'invention dans laquelle des filaments chauffants sont enroulés sur l'enveloppe extérieure du four de chauffe et du diffuseur de vapeur contenant un fluide caloporteur. Les FIGURES 2A et 2B illustrent une variante de la source linéaire de dépôt en phase vapeur selon l'invention dans laquelle les filaments chauffants sont directement en contact avec le fluide caloporteur. Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Les figures 1A et 1B illustrent une source linéaire de dépôt en phase vapeur selon l'invention dans laquelle des filaments chauffants sont enroulés sur l'enveloppe extérieure du four de chauffe et du diffuseur. L'invention décrit comment réaliser une source linéaire de dépôt en phase vapeur 10 permettant d'obtenir un très faible gradient de température entre le four de chauffe ou zone de production 20 du matériau et les buses d'évaporation formant des orifices 30 d'une chambre 50. Une source de déposition du type de l'invention comporte une zone de production de vapeur au niveau de laquelle un matériau est transformé pour accéder à une phase vapeur, par apport de chaleur. La source comporte, en liaison avec la zone de production de vapeur, une zone de diffusion de la dite vapeur apte à amener la vapeur, par des orifices 30, à l'extérieur de la source, pour opérer le dépôt du matériau. La source comporte une chambre, réalisant la diffusion, à savoir une répartition de la vapeur depuis la zone de production 20. La liaison entre la zone de production 20 et la chambre 50 s'opère dans les cas représentés par un conduit 40, dans la continuité du réceptacle 21 du matériau 23 à évaporer. Avantageusement, le conduit 40 est une partie solidaire de la chambre 50 formant un raccord en forme de « T » entre les deux zones de la source. L'adjectif linéaire s'entend d'une source ayant une pluralité de buses (ce qui ets un cas préféré de l'invention), les buses étant juxtaposées suivant une dimension de la source. De préférence, cette juxtaposition comporte un alignement des buses suivant une droite mais ce cas n'est pas limitatif. Le creuset ou réceptacle 21 du four contient le matériau 23 destiné à être évaporé, par exemple un matériau organique du type de ceux qui sont utilisés pour la fabrication de diodes électroluminescentes. Il baigne dans un fluide caloporteur 25 qui est présent tout autour du creuset dans un espace intermédiaire ci après dénommé deuxième espace intermédiaire (en référence à un espace intermédiaire également formé au niveau de la chambre 50 et décrit plus loin) entre les deux tubes coaxiaux formant le four de chauffe, c'est- à-dire le creuset lui-même et l'enveloppe extérieure 29 du four. Cette configuration tubulaire est avantageuse mais non limitative. D'une manière générale, le deuxième espace intermédiaire est formé entre une paroi intérieure du réceptacle 21, recevant le matériau 23, et une enveloppe 29. Avantageusement, le deuxième espace intermédiaire couvre une partie de base et la paroi latérale du réceptacle 21, la partie de ce dernier opposée à la base étant en liaison avec la chambre 50.. Dans l'exemple de mise en oeuvre de l'invention des figures 1A et 1B le chauffage est assuré par des filaments 27 qui entourent l'enveloppe extérieure du four de chauffe. Le réceptacle 21 n'est donc pas directement en contact avec les filaments chauffants ce qui évite de créer des points chauds avec les inconvénients mentionnés dans l'introduction sur l'état de la technique : durée d'utilisation du matériau à évaporer raccourcie, dégradation et perte d'un matériau coûteux. Le chauffage du creuset est donc indirect. Il se fait par l'intermédiaire du fluide caloporteur qui assure une très bonne homogénéité de la température d'évaporation. Comme pour le réceptacle 21, la chambre baigne dans le fluide caloporteur 25 présent dans tout l'espace dans l'exemple annulaire aménagé entre d'une part, le conduit 40 et la paroi interne 52 du diffuseur, et d'autre part une enveloppe extérieure tubulaire 60, en forme de T dont les branches sont coaxiales respectivement avec le conduit 40 et la partie transversale de la chambre 50. Ce fluide caloporteur doit pouvoir assurer un transfert thermique dans une gamme de température compatible avec la température d'évaporation des matériaux. La contrainte principale du choix du fluide est sa stabilité chimique en fonction de la température afin que ses propriétés physico-chimiques restent indépendantes de l'élévation de température. Pour les matériaux organiques plus particulièrement considérés il faut un fluide qui puisse fonctionner typiquement jusqu'à 400°C. Les fluides pourront être de compositions chimiques différentes : à base de silicone, de complexes aromatiques synthétiques ou à base de produits de synthèse. De plus, il est préférable qu'ils aient un coefficient de dilatation thermique faible pour garantir un volume constant de liquide et un coefficient de transfert thermique élevé afin d'optimiser la quantité de chaleur transmise aux parois intérieures de la source. Des fluides satisfaisant ces critères sont disponibles commercialement. Ce sont par exemple : - le Therminol 75® produit par la société SOlutia Europe SPRL/BVBA 3 Rue Laid Burniat, B-1348 Louvain la Neuve (Sud) Belgique - le Syltherm 800® produit par la société `Dow Chemical' dont le siège social 30 et les bureaux de vente en France sont : `Dow France S.A.S', Avenue Jules Rimet, 93631 La Plaine St Denis. Dans cette mise en oeuvre de l'invention des filaments chauffants 41 entourent aussi l'enveloppe extérieure tubulaire pour chauffer indirectement le diffuseur par l'intermédiaire du fluide caloporteur qui assure ainsi une excellente répartition de la chaleur sur toute l'étendue des surfaces en contact avec d'une part le matériau à évaporer dans le four de chauffe et avec la vapeur dans la chambre avec le conduit 40 d'injection et le diffuseur horizontal d'autre part. Les figures montrent par ailleurs un moyen de chauffage optionnel localisé au niveau des orifices 30. Dans le cas représenté aux figures 1A et 1 B, ce moyen de chauffage local comprend des filaments 31 situés à l'extrémité supérieure des orifices 30, c'est-à-dire en sortie des conduits en forme de buses. Les filaments 31 épousent la paroi périphérique distale des conduits, à l'extérieur de l'espace intermédiaire. A titre d'alternative, les figures 2A et 2B montrent des filaments 31 autour des conduits des orifices 30, à l'intérieur de l'espace intermédiaire. En forme d'anneau, ces filaments 31 assurent un réglage encore plus fin du gradient thermique. Ce moyen de chauffage utilisé en combinaison avec une réalisation du réceptacle 21 et de son enveloppe 20, ainsi que du conduit vertical 40, du corps de la chambre 50 et leur enveloppe 60, dans un ou des matériaux ayant une bonne conduction thermique (du métal par exemple) garantit une très bonne homogénéité thermique tout le long des parois en contact avec le matériau à évaporer ou avec sa vapeur. Cela élimine les points chauds qui seraient produits si les filaments étaient directement en contact avec ces parois. Afin de garantir une bonne homogénéité thermique jusqu'au coeur de la charge en matériau à évaporer placé dans le creuset ou réceptacle 21 celui-ci comprend des ailettes radiales 22. Elles augmentent beaucoup la surface de chauffe entre le creuset et la charge et diffusent par conduction toute la puissance de chauffe dans la totalité de celle-ci afin d'éviter toute différence de température en son sein. Ce qui contribue à éviter que le matériau en contact avec les parois ne se carbonise localement alors que celui au centre de la charge du creuset serait à une température inférieure si cela n'était pas fait. Le faible gradient thermique, et néanmoins toujours positif, qu'il faut avantageusement créer depuis la source de vapeur jusqu'aux buses pour assurer le bon fonctionnement de la source de déposition tout en ne dépassant pas la température de destruction du matériau à déposer peut ainsi être assuré précisément par le contrôle électrique des filaments chauffants et leur répartition sur l'ensemble du diffuseur, du conduit vertical d'injection, et du creuset. La présence du fluide caloporteur lisse très efficacement les variations et empêche l'apparition des points chauds. Dans un mode de réalisation, des commandes différentes des filaments ou résistance 27 et 41 facilitent un tel ajustement. On peut ainsi diviser les résistances 27 et 41 en plusieurs organes commandés de façon différenciée pour ajuster la chauffe selon l'endroit de la source. Enfin, pour permettre l'utilisation de la source linéaire de l'invention dans le cadre d'une production industrielle en continue, il faut aussi pouvoir aussi arrêter et reprendre l'évaporation sans dommage pour les matériaux à évaporer. Cet objectif de l'invention est atteint dans cette première mise en oeuvre de l'invention en plaçant dans le diffuseur une vanne d'arrêt de la vapeur sous forme d'une chemise rotative 70 d'un diamètre correspondant au diamètre intérieur du diffuseur et que l'on peut faire tourner à partir d'une commande mécanique axiale 72. Des orifices 73 sont percés à l'endroit des buses pour laisser passer la vapeur au cours des dépôts. Une simple rotation de la chemise, suffisante pour masquer les buses, permet alors d'interrompre le dépôt. L'orifice inférieur 71 qui est placé en regard du conduit vertical d'injection de la vapeur 40 est d'une forme et de dimensions telles que la rotation pour masquer les buses n'obstrue en rien le conduit d'injection de vapeur 40. Les figures 2A et 2B illustrent une variante de la source linéaire de dépôt en phase vapeur selon l'invention dans laquelle les filaments chauffants ou résistances électriques sont directement en contact avec le fluide caloporteur. Cette figure illustre la possibilité de placer les filaments chauffants dans les espaces annulaires dans lesquels le fluide caloporteur 25 est présent. Plongés dans le fluide caloporteur les filaments le chauffent directement ce qui assure une homogénéité des températures qui sera au moins aussi bonne que dans le cas précédent. Cela concerne aussi bien les filaments 27 destinés à chauffer le réceptacle 21 que ceux 41 utilisés pour maintenir le gradient de température autour du conduit vertical 40 et de la paroi interne 52. Dans ce cas les parois extérieures sont beaucoup moins chaudes ce qui limite le rayonnement thermique de la source linéaire dans la chambre de dépôt où se trouve la source de déposition. Dans cette seconde mise en oeuvre de l'invention l'enveloppe extérieure du creuset 29 et celle du diffuseur 60 peuvent être avantageusement réalisées dans un matériau ayant une faible conductivité thermique pour réduire encore ce rayonnement. A titre d'alternative, un système de refroidissement par liquide tel de l'eau peut limiter ce rayonnement. On notera aussi que le chauffage du fluide caloporteur peut être déporté dans un réservoir tampon situé à l'extérieur de la chambre de dépôt (non représenté). Le fluide qui est alors en circulation au niveau de la source et/ou la chambre peut être changé en cours d'utilisation permettant, par exemple, un refroidissement rapide de la source et, en général, permettre une régulation de la température à partir d'un dispositif extérieur. Les filaments chauffants peuvent être absents dans ce cas. Dans cette seconde mise en oeuvre de l'invention la chemise 70 rotative est remplacée par une chemise 70 coulissante. Un peu plus courte que le diffuseur formant le corps transversal de la chambre 50, l'obturation des buses est obtenue cette fois par un déplacement latéral de la chemise 70 coulissante réalisé à partir d'une commande axiale 72. Comme précédemment des orifices 73 sont percés à l'endroit des buses pour laisser passer la vapeur au cours des dépôts. L'orifice inférieur 81 qui est placé en regard du conduit vertical d'injection de vapeur 40 est d'une forme et de dimensions telles que le déplacement latéral pour masquer les buses n'obture en rien le conduit de vapeur 40. Bien entendu, les options de réalisation illustrées par les figures 1 et 2 peuvent être combinées sans inconvénient. Le placement des filaments dans le fluide caloporteur pourra être associé avec l'utilisation d'une chemise rotative. L'inverse est aussi possible (chemise coulissante et filaments chauffants entourant les enveloppes). On peut aussi combiner les moyens de chauffage ainsi décrits. De même, le fluide 25 peut être identique pour les deux espaces intermédiaires, ou non. Ces espaces peuvent communiquer pour homogénéiser les températures ou être séparés. On peut également asservir la vanne et l'utiliser pour avoir une régulation du flux émis garantissant un changement de flux rapide ou une stabilité du flux sans variation de la température. Cette solution permet notamment de lisser rapidement les variations de flux qui dépendent du niveau de remplissage en matériau du creuset. On notera que l'espace intermédiaire entoure aussi les buses de diffusion. La vapeur est ainsi chauffée jusqu'à la toute dernière extrémité de la source de déposition. REVENDICATIONS1. Source de déposition d'un matériau en phase vapeur (10) comportant une enceinte pourvue de deux zones avec : une zone de production de vapeur (20) dotée d'un réceptacle (21) du matériau et de moyens de chauffage du réceptacle (21) ; une chambre en liaison (50) avec la zone de production et dotée d'au moins un orifice (30) de sorte à transmettre le matériau en phase vapeur vers l'extérieur de l'enceinte à travers l'orifice (30) ; caractérisée en ce que, d'une part, la chambre (50) comporte une paroi intérieure (52) et une enveloppe extérieure (60) délimitant un espace intermédiaire rempli d'un fluide caloporteur (25) et, d'autre part, que la source de déposition est munie de moyens de chauffage du fluide caloporteur(25). 2. Source selon la revendication 1 dans laquelle les moyens de chauffage du fluide caloporteur (25) comportent au moins une résistance électrique (41) tout ou partie en contact avec l'enveloppe extérieure (60) de la chambre (50). 3. Source de déposition selon la revendication 2 dans laquelle la résistance électrique (41) est en contact avec la surface extérieure de l'enveloppe extérieure (60) de la chambre (50). 4. Source du fluide caloporteur (25) selon la revendication 1, 2 ou 3 dans 20 laquelle les moyens de chauffage comportent au moins une résistance électrique (41) placée, tout ou partie, dans l'espace intermédiaire. 5. Source de déposition selon la revendication précédente dans laquelle la résistance électrique (41) est en contact avec la surface extérieure de la paroi intérieure (52). 25 6. Source de déposition selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle les moyens de chauffage du fluide caloporteur (25) comportent un dispositif de chauffage du fluide caloporteur situé à l'extérieur de la chambre etdes moyens de circulation du fluide caloporteur entre le dispositif de chauffage et l'espace intermédiaire. 7. Source selon l'une des revendications 4 à 6 dans laquelle la conductivité thermique de la paroi intérieure (52) est supérieure à la conductivité thermique de l'enveloppe extérieure (60). 8. Source selon l'une quelconque des revendication précédentes dans laquelle le réceptacle (21) comporte une paroi intérieure et une enveloppe extérieure (29) délimitant un deuxième espace intermédiaire rempli d'un fluide caloporteur (25). 9. Source de déposition selon la revendication précédente dans laquelle les moyens de chauffage du réceptacle (21) comportent au moins une résistance électrique (27) tout ou partie en contact avec l'enveloppe extérieure (29) du réceptacle. 10. Source selon l'une des revendications 8 ou 9 dans laquelle les moyens de 15 chauffage du réceptacle (21) comportent au moins une résistance électrique (27) placée tout ou partie dans le deuxième espace intermédiaire. 11. Source selon l'une des revendications 8 à 10 dans laquelle les moyens de chauffage du réceptacle (21), comportent un dispositif de chauffage du fluide caloporteur (25) situé à l'extérieur du réceptacle (21) et des moyens de 20 circulation du fluide caloporteur (25) entre le dispositif de chauffage et le deuxième espace intermédiaire. 12. Source selon l'une des revendications 10 ou 11 dans laquelle la conductivité thermique de la paroi intérieure du réceptacle (21) est supérieure à la conductivité thermique de l'enveloppe extérieure (29) du réceptacle (21). 25 13. Source selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le réceptacle (21) comprend une ou plusieurs ailettes (22) sur sa surface intérieure en contact avec le matériau. 14. Source selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le au moins un orifice (30) comporte une buse traversant l'espace intermédiaire. 15. Source selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l'espace intermédiaire entoure toute la surface extérieure de la paroi intérieure (52) de la chambre (50). 16. Source selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la zone de production de vapeur (20) et la chambre (50) sont en liaison à angle droit. 17. Source selon la revendication précédente dans laquelle la zone de production de vapeur (20) est centrée sur la largeur de la chambre (50). 18. Source selon l'une quelconque des revendications précédentes comportant un moyen de chauffage localisé au niveau du au moins un orifice (30). 19. Source selon la revendication précédente dans laquelle le moyen de chauffage localisé comprend, pour chaque orifice (30), un filament (31) autour de la paroi périphérique de l'orifice (30). 20. Source selon la revendication précédente dans laquelle le filament (31) est situé à l'extérieur de l'espace intermédiaire. 21. Source selon la revendication 19 dans laquelle le filament (31) est situé dans l'espace intermédiaire.