Brevet FR2957548A1 — publié le 20110923

PROCEDE DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT COMPRENANT DU POLYSILICIUMI. DE L'OXYDE DE SILICIUM ET DU NITRURE DE SILICIUM La présente invention concerne des procédés de polissage chimicomécanique. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique permettant de polir un substrat comportant du polysilicium en présence de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques sont déposées sur ou éliminées d'une surface d'une plaque (« wafer ») de semi-conducteur. De fines couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par nombre de techniques de dépôt. Les techniques de dépôt communes dans le traitement moderne incluent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu sous le nom de pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), et le plaquage électrochimique (ECP). A mesure que des couches de matériaux sont séquentiellement déposées et éliminées, la surface Ea plus haute de la plaque devient non plane. Du fait qu'un traitement ultérieur de semi-conducteur (par exemple, une métallisation) requiert que la plaque ait une surface plate, la plaque a besoin d'être aplanie. La planarisation est utile dans l'élimination d'une topographie de surface non souhaitée et de défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, des dommages au réseau cristallin des rainures et des couches ou matériaux contaminés. La planarisation chimico-mécanique, ou polissage chîmicomécanique (CMP) est une technique courante utilisée pour aplanir des substrats, tels que des plaques de semi-conducteur. Dans le CMP classique, une plaque est montée sur un ensemble support et positionnée en contact avec un tampon de polissage dans un appareil CMP. L'ensemble support fournit une pression régulable à la plaque, la pressant contre le tampon de polissage. Le tampon est déplacé (par exemple tourné) par rapport à la plaque à l'aide d'une force d'entraînement externe. Simultanément, une composition de polissage (« une boue ») ou une autre solution de polissage est disposée entre la plaque et le tampon de polissage. Ainsi, la surface de la plaque est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la surface du tampon et de la boue. Un procédé utilisé pour isoler des éléments d'un dispositif à semi-conducteur, désigné par procédé d'isolation de tranchée peu profonde (STI) impliquait classiquement l'utilisation d'une couche de nitrure de silicium formée sur un substrat en silicium, des tranchée peu profondes formées dans la couche de nitrure de silicium et un matériau diélectrique (par exemple un oxyde) déposé pour remplir les tranchées. Typiquement, un excès de matériau diélectrique est déposé au sommet du substrat pour garantir un remplissage complet des tranchées. La couche de matériau diélectrique en excès est ensuite éliminée pour exposer la couche de nitrure de silicium au moyen de techniques de planarisation chimicomécanique. Les conceptions de dispositif passées mettaient en avant une sélectivité de planarisation chimico-mécanique envers l'oxyde de silicium par rapport au nitrure de silicium (c'est-à-dire une vitesse d'élimination du nitrure silicium plus élevée que la vitesse d'élimination du nitrure de silicium). Dans ces conceptions de dispositif, la couche de nitrure de silicium servait de couche d'arrêt pour le processus de planarisation chimïco-mécanique. Certaines conceptions de dispositif récentes exigent des compositions de polissage qui assurent une sélectivité vis-à-vis d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium par rapport au polysilicium (c'est-à-dire une vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium plus élevée que la vitesse d'élimination du polysilicium) à utiliser dans des processus de pianarisation chimico-mécanique. Une formulation de polissage à utiliser dans un processus de planarisation chimico-mécanique qui assure une sélectivité vis-à-vis d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium par rapport au polysilicium est divulguée par la publication de demande de brevet U.S. n° 2007/0 077 865 de Dysard et al. Dysard et al. divulguent un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, lequel procédé comprend les étapes consistant à : (i) mettre en contact un substrat comprenant du polysilicium et un matériau choisi choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium avec un système de polissage chimicomécanique comprenant : (a) un abrasif, (b) un support liquide, (c) environ 1 ppm à environ 100 ppm, par rapport au poids du support liquide et de tout composant qui y est dissous ou mis en suspension, d'un copolymère poly(oxyde d'éthylène)/poly(oxyde de propylène) ayant une balance hydrophile-hypophile (HLB) d'environ 15 ou moins, et (d) un tampon de polissage, (ii) déplacer le tampon de polissage par rapport au substrat et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat. Une autre formulation de polissage à utiliser dans un processus de planarisation chimico-mécanique qui assure une sélectivité vis-à-vis d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium par rapport au polysilicium est divulguée dans le brevet U.S. n` 6 626 968 de Park et al. Park et al. divulguent une composition de polissage chimico- mécanique sous forme de boue ayant un pH de 7 à 11 pour un polissage simultané d'une surface comportant une couche d'oxyde de silicium et une couche de polysilicium, ladite composition de boue étant essentiellement constituée d'eau, de grains abrasifs choisis dans le groupe constitué par la silice (SIO)), l'alumine (AI)03), l'oxyde de cérium (CeO2), l'oxyde de manganèse (Mn02), et leurs mélanges, et environ 0,001 % à environ 5 % en poids d'un additif polymère choisi dans le groupe constitué par le poly(vinylméthyléther) (PVME), le poly(éthylène glycol) (PEG), le poly(oxyéthylène 23 lauryl éther) (POLE), le polyacide propanoïque) (PPA), le polyacide acrylique) (PAA), le poly(étherglycolbiséther) (PEGBE), et leurs mélanges, où l'additif polymère améliore le rapport de sélectivité d'élimination de la couche d'oxyde de silicium par rapport à l'élimination de la couche de polysilicium. Néanmoins, pour soutenir le domaine dynamique des conceptions de dispositif à utiliser dans la fabrication de systèmes à semi-conducteur, il est nécessaire de proposer en continu des compositions de polissage chimico-mécanique formulées pour conférer un équilibre souhaitable de propriétés de polissage pour se conformer à des besoins de conception changeants. Par exemple, il reste à proposer des compositions de polissage chimico-mécanique qui présentent une vitesse d'élimination spécialement adaptée et une sélectivité de vitesse d'élimination qui favorise l'élimination de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium par rapport au polysilicium ; et qui favorise également l'élimination de l'oxyde de silicium par rapport au nitrure de silicium. La présente invention propose un procédé de polissage chimico- mécanique d'un substrat, comprenant le étapes consistant à fournir un substrat, dans lequel le substrat comprend du polysilicium et de l'oxyde silicium et du nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique comprenant, comme composants initiaux (et de préférence essentiellement constitué de) : de l'eau ; un abrasif ; un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther, où le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther comporte une portion hydrophobe comportant un groupe alkyle lié à un cycle aryle et une portion hydrophile acyclique non ionique comportant 4 à 100 atomes de carbone ; et une substance selon la formule I HO(I) 10 dans laquelle chacun de RI, R2, R3, R4, R5, R6 et R2 est un groupe de pontage de formule -(CH2)n-, où n est un entier choisi parmi 1 à 10 ; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique avec une surface de polissage ; déplacer !a surface de polissage par rapport au substrat ; distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de 15 polissage ; et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat ; où au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat ; et où au moins une partie de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium est éliminée du substrat. La présente invention propose également un procédé de polissage 20 chimico-mécanique d'un substrat, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat, dans lequel le substrat comprend du polysilicium et de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique comprenant (de préférence essentiellement constitué de), comme composants initiaux : de l'eau ; un abrasif; ; un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther, où le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther comporte une portion hydrophobe comportant un groupe alkyle lié à un cycle aryle et une portion hydrophile acyclique non ionique comportant 4 à 100 atomes de carbone ; et une substance selon la formule I HO(I) dans laquelle chacun de R1, R2, R3, R4, R5, R6 et R7 est un groupe age de formule -(CH2)ä-, où n est un entier choisi parmi 1 à Ig ; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique avec une surface de polissage ; déplacer la surface de polissage par rapport au substrat distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage ; et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat ; où au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat ; et où au moins une partie de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium est éliminée du substrat ; et où la composition de polissage chimico-mécanique présente un pH de polissage de 2 à 5. La présente invention propose en outre un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat, où le substrat comprend du polysilicium et de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique, comprenant (de préférence essentiellement constituée de) comme composants initiaux : de l'eau ; un abrasif ; un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther, où le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther a pour formule R 0--#-CH2CH20 - CH2CH,SO3M /x 10 dans laquelle R est un groupe alkyle en Cr, à io ramifié ; x vaut 2 à 8 ; M est choisi dans le groupe constitué par H, Na, K, Li et NH4; ; et le diéthylènetriaminepentakis(acide méthylphosphonique) ; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique avec une surface de polissage ; 15 déplacer la surface de polissage par rapport au substrat ; distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage ; et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat ; où au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat ; et où au moins une partie dudit au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le 20 nitrure de silicium est éliminée du substrat ; et où la composition de polissage chimico-mécanique présente un pH de polissage de 2 à 5, ajusté avec un acide inorganique. DESCRIPTION DETAILLEE Le procédé de polissage chimico-mécanique de présente invention est utile pour polir un substrat comprenant du polysilicium en combinaison avec de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention contient une quantité d'un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther réduisant la vitesse d'élimination de polysilicium, en combinaison avec une substance selon la formule L L'incorporation de la substance selon la formule I facilite l'ajustement de la sélectivité de vitesse d'élimination de la composition de polissage chimico-mécanique entre l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium, tout en présentant un effet minimal sur la vitesse d'élimination du polysilicium. Spécifiquement, l'incorporation de la substance selon la formule I en combinaison avec le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther augmente la vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium par rapport à la vitesse d'élimination du nitrure de silicium avec un effet minimal sur la vitesse d'élimination du polysilicium. L'expression « sensiblement inférieure » telle qu'utilisée ici et dans les revendications annexées concernant la réduction de la vitesse d'élimination (pour la vitesse mesurée en Â/min) résultant de l'addition d'un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I à la composition de polissage chimicomécanique signifie que la vitesse d'élimination du polysilicium est de 50 % Inférieure. A savoir, l'expression suivante sera satisfaite lorsque la vitesse d'élimination de polysilicium sera sensiblement inférieure «Aie-A)/Ai 100 > 50 où A est la vitesse d'élimination de polysilicium en min pour une composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention contenant un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I ; Agi, est la vitesse d'élimination de polysilicium Â/min obtenue dans des conditions identiques à l'exception que le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther et la substance selon la formule I sont absents de la composition de polissage chimico-mécanique. L'expression « effet minimal » utilisée ici et dans les revendications annexées en référence au changement de vitesse d'élimination du polysilicium (pour une vitesse d'élimination mesurée en Nat)) résultant de l'addition d'une substance selon la formule 1 à la composition de polissage chimico-mécanique signifie que la vitesse d'élimination du polysilicium change de 20 %. A savoir, l'expression suivante sera satisfaite lorsque l'addition de la substance selon la formule I à la composition de polissage chimico-mécanique aura un effet minimal sur la vitesse d'élimination du polysilicium : (valeur absolue de (Bo-B)/Bo)*100 où B est la vitesse d'élimination du polysilicium en Â/min pour une composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention contenant un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule 1 ; Bo est la vitesse d'élimination du polysilicium A/min dans des conditions identiques à l'exception que la substance selon la formule I est absente de la composition de polissage chimico-mécanique. Le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther utilisé dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention peut être représenté par la formule générale R-503H ou sous forme d'un sel, R-S où R comprend une portion hydrophobe acyclique et une portion hydrophile acyclique non ionique. Le fragment acide sulfonique (c'est-à-dire -SO H) et le fragment sulfonate (-S03) sont utilisés de façon interchangeable !ci. La portion hydrophobe dans le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther comprend groupe alkyle lié à un cycle aryle. En particulier, la portion hydrophobe comprend un groupe alkyle comportant 4 à 24 atomes de carbone lié à un cycle aryle, de préférence un cycle benzène. De préférence, la portion hydrophobe comprend un groupe alkyle comportant 4 à 15 atomes de carbone lié à un cycle benzène. De manière davantage préférée, la portion hydrophobe comprend un groupe alkyle comportant 6 à 10 atomes de carbone lié à un cycle benzène. Le groupe alkyle lié au cycle aryle peut être soit une chaîne droite, soit une chaîne ramifiée. Le groupe alkyle lié au cycle aryle peut être saturé ou insaturé. De manière préférée entre toutes, le groupe alkyle lié au cycle aryle est un groupe alkyle saturé à chaîne ramifiée comportant 6 à 10 atomes de carbone. La portion hydrophile acyclique non ionique dans le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther contient 4 à 100 atomes de carbone. De préférence, la portion hydrophile acyclique non ionique contient 6 à 50 atomes de carbone. De manière encore davantage préférée, la portion hydrophile acyclique non ionique contient 6 à 20 atomes de carbone. La portion hydrophile acyclique non ionique peut être soit une chaîne droite, soit une chaîne ramifiée. La portion hydrophile acyclique non ionique peut être saturée ou insaturée. De préférence, la portion hydrophile acyclique non ionique est un poly(oxyde d'alkylène) à chaîne droite saturée ou insaturée. De manière préférée entre toutes, la portion hydrophile acyclique non ionique est une chaîne droite de poly(oxyde d'éthylène). Le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther est facultativement ajouté à ta composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans Ce procédé de la présente invention sous forme de sel d'ammonium, de potassium, d'ammonium quaternaire, de sodium ou de lithium. De préférence, le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther est ajouté à la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention sous forme de sel de sodium. De préférence, le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther a pour formule CH2CH2O CH2 dans laquelle R est un groupe alkyle en C6 à la ramifié ; x vaut 2 à 8 ; M est choisi dans le groupe constitué par H, Na, K, Li et NH4 (de manière davantage préférée H et Na de manière préférée entre toutes M est Na). La quantité de composé sulfonate d'alkylarylpolyéther utilisée dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est choisie pour adapter spécialement la vitesse d'élimination de polysilicium à la vitesse 'élimin ation d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée contient de préférence, comme composant initial, 0,0001 à 1 % en poids du composé sulfonate d'alkylarylpolyéther. De manière davantage préférée la composition de polissage chimico-mécanique utilisée comprend, comme composant initial, 0,01 à 1 %, de manière encore davantage préférée 0,01 à 0,1 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,01 à 0,05 % en poids, du composé sulfonate d'alkylarylpolyéther. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le 12 procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention contient comme composant initiai, une substance selon la formule I HO HO (I) dans laquelle chacun de RI, R2, R3, R4, R5, R6 et R7 est un groupe de pontage de formule -(CH2)n-, où n est un nombre entier choisi parmi 1 à 10. De préférence, n est un nombre entier indépendamment choisi parmi 1 à 4 pour chacun de R1, R2, R3, R4, R5, R6 et R7. De manière davantage préférée, N est un nombre entier indépendamment choisi parmi 2 à 4 pour chacun de RI, R2, R3, R4, R5, R6 et R7. De manière préférée entre toutes, la substance selon la formule I est le diéthylènetriaminepentakis(acide méthylphosphonique), qui répond â [a formule suivante HO Facultativement, un ou plusieurs des atomes d'azote dans la substance selon la formule I peuvent être fournis sous forme quaternaire, 5 où l'atome d'azote adopte une charge positive. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend, comme composant initial, 0,001 à 1 % en poids de la substance selon la formule L Dans certaines applications préférées, la 10 composition de polissage chimico-mécanique comprend, comme composant initial, 0,001 à 0,2 % en poids, de manière davantage préférée 0,008 à 0,03 % en poids, de manière préférée entre toutes 0,00 0,015 % en poids de la substance selon la formule L L'eau contenue dans la composition de polissage chimico- 15 mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est de préférence au moins l'une choisie parmi l'eau désionisée et l'eau distillée pour limiter les impuretés secondaires. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans ie procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention contient OH HOC OH O HO 0,1 à 40 % en poids d'abrasif, de préférence 5 à 25 % en poids d'abrasif. L'abrasif utilisé a de préférence une taille moyenne de particule de La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention contient en outre des additifs additionnels choisis parmi les dispersants, les agents tensioactifs, les tampons, les agents anti-mousse et les biocides. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention a un pH 5, de préférence de 2 à 4, de manière davantage préférée de 2 à 3. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée peut inclure un agent d'ajustement du pH inorganique et organique. Facultativement, l'agent d'ajustement du pH est choisi parmi un acide inorganique (par exemple, l'acide nitrique, l'acide sulfurique, l'acide chlorhydrique et l'acide phosphorique). Le substrat poli dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend du polysilicium, de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium. Le polysilicium dans le substrat peut être tout matériau de polysilicium approprié connu dans l'art. Le polysilicium peut être dans toute phase appropriée, et peut être amorphe, cristallin ou l'une de leurs combinaisons. L'oxyde de silicium dans le substrat, s'il est présent, peut être tout matériau d'oxyde de silicium approprié connu dans l'art ; par exemple, le verre de borophosphosilicate (BPSG), l'orthosilicate de tétraéthyle gravé au plasma (PL - EOS), l'oxyde thermique, le verre de silicate non dopé et l'oxyde de plasma haute densité (HDP). Le nitrure de silicium dans le substrat, s'il est présent, peut être tout matériau du nitrure de silicium approprié connu dans l'art ; par exemple le Si ampon de polissage chimico-mécanique utilisé dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention peut être tout tampon de polissage approprié connu dans l'art. Le tampon de polissage chimico-mécanique peut facultativement être choisi parmi les tampons de polissage tissés et non tissés. Le tampon de polissage chimico-mécanique peut être constitué de tout polymère approprié de densité, dureté, épaisseur, compressibilité et module variables. Le tampon de polissage chimico-mécanique peut être rainuré et perforé si nécessaire. Le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec la substance selon la formule I contenu dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimicomécanique de la présente invention réduit de préférence la vitesse d'élimination du polysilicium (telle que mesurée en Angstrom/minute (Â/min)) à une vitesse différentielle plus grande qu'il ne réduit la vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. Nous définissons la réduction relative (AX) de la vitesse d'élimination d'un film X, comme r X=(X-Xo)/Xo, où X et X0 représentent les vitesses d'élimination du film X, mesurées en Â/min au moyen d'une composition de polissage sans (X0) et avec (X) l'addition d'un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I. L'inclusion d'un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I dans la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention satisfait de préférence au moins l'une des équations suivantes (i) ypolysilicium > \oxyde de silicium et (ii) ypolysilicium> ASItelles que mesurées dans les conditions de polissage exposées dans les exemples. Par exemple, si un polissage dans les conditions exposées dans les exemples avec une composition dépourvue de composé sulfonate d'alkylarylpolyéther et d'une substance selon la formule I assure une vitesse d'élimination témoin Xa = 500 Â/min pour le polysilicium 500 Â/min pour le dioxyde de silicium et Ce nitrure de silicium ; et l'addition d'un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I à la composition de polissage réduit la vitesse d'élimination du polysilicium à X=300 A/min, alors la vitesse d'élimination d'au moins un élément choisi parmi le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium doit être > 300 Â/min. De préférence, dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention, la vitesse d'élimination de polissage du polysilicium présentée par la composition polissage chimico-mécanique comprenant un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I est sensiblement inférieure à la vitesse d'élimination du polysilicium obtenue dans les mêmes conditions à l'exception que le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther et la substance selon la formule I sont absents. De préférence, la réduction de la vitesse d'élimination du polysilicium obtenue par l'addition du composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I à la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention est ≥ 50 % ; de manière davantage préférée 60 %, de manière préférée entre toutes ? 80 % (c'est-à-dire la réduction de vitesse d'élimination = ((Ao-A)/Ao)*100)), telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples. Typiquement, la réduction de vitesse d'élimination de polysilicium obtenue par l'addition du composé sulfonate d'alkylarylpolyéther en combinaison avec une substance selon la formule I à la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de la présente invention est %. préférence, la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention présente une réduction de vitesse d'élimination de polissage pour le polysilicium de 50 %, de manière davantage préférée 60 %, de manière préférée entre toutes 80 % (c'est-à-dire une réduction de vitesse d'élimination = ((A0-A)/Aj 100)), telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples ; et présente un changement de vitesse d'élimination de polissage pour au moins un élément choisi parmi l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium 800 Â/min, de manière davantage préférée > 1 000 Â/min, de manière préférée entre toutes 1 200 Â/min ; une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium amorphe de > 5 : 1, de préférence > 6 : 1, de manière davantage préférée > 7 : 1, (c'est-à- dire vitesse d'élimination du nitrure silicium : vitesse d'élimination polysilicium amorphe) ; une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium cristallin de > 25 : 1; de préférence > 40 : 1 ; de manière davantage préférée > 50 : 1 (c'est-à-dire vitesse d'élimination de le nitrure de silicium : vitesse d'élimination de polysilicium cristallin) ; une vitesse d'élimination d'oxyde de silicium de > 500 Â/min, de préférence > 1 000 Â/rnîn, de manière davantage préférée > 1 200 Â/min ; une sélectivité entre oxyde de silicium et polysilicium amorphe de 5: 1, de préférence > 8 : 1, de manière davantage préférée > 10 : 1, (c'est-à-dire vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium : vitesse d'élimination de polysilicium amorphe) ; et une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium cristallin de > 25 : 1 ; de préférence > 50 : 1 ; de manière davantage préférée > 60 : 1 (c'est-à- dire vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium : vitesse d'élimination de polysilicium cristallin), telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples. De préférence, le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention assure simultanément un polissage sélectif (c'est-à-dire une élimination) à la fois de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium par rapport au polysilicium (c'est-à-dire qu'il présente une vitesse d'élimination à la fois pour l'oxyde de silicium et pour le nitrure de silicium plus élevée que la vitesse d'élimination pour le polysilicium, telle que mesurée dans les conditions de polissage exposées dans les exemples). La quantité du composé sulfonate d'alkylarylpolyéther et de la substance selon la formule I contenus dans composition de polissage chimicomécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention peut être choisie pour adapter sur mesure la vitesse d'élimination du polysilicium à la vitesse d'élimination d'au moins l'un choisi parmi le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium et également adapter sur mesure la vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium au nitrure de silicium. La composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention permet un fonctionnement avec une faible pression nominale de tampon de polissage, par exemple de 3 à 35 kPa. La faible pression nominale de tampon de polissage améliore la performance de polissage en réduisant la formation de rayures et d'autres défauts de polissage non souhaitables et minimise les dommages aux matériaux fragiles. On décrira a présent certains modes de réalisation de la présente invention en détail dans les exemples suivants. Exemple 1 Compositions de polissage chimico-mécanique On décrit les compositions de polissage chimico-mécanique (CMPC) évaluées dans le Tableau 1. La composition de polissage chimicomécanique A est une formulation comparative, qui n'entre pas dans la portée de l'invention revendiquée. Tableau 1 CMP Composé sulfonate Substan Abram pH alkylarylpolyéthere ce de C'% o en na formule (% en Lo/o en poids poinds o'ds A -- 12 2, 1 0 01 10 2 5 2 0 2 01 10 2,5 0 __ 10 2,5 r le composé sulfonate d'alkylary éther utilisé dans les exemples était selon la formule CIL dans laquelle x vaut 2; et M est Na (spécifiquement le Triton X200 disponible auprès de The Dow Chemicai Company). la substance de formule I utilisée était le diéthylènetriaminepentakis(acide méthylphosphonique) l'abrasif utilisé dans les exemples était la silice colloidale Kleboso R PL.1598B25 (fabriquée par AZ Electronic Materials et disponible auprès de The Dow Chemical Company). y on a ajusté le pH de la composition le cas échéant en utilisant du HNO3 ou du KOH. 10 Exemple 2 Essais de polissage On a évalué les compositions de polissage chimico-mécanique décrites dans le Tableau 1 au moyen de plaques de couverture de 200 mm, spécifiquement (A) des plaques diélectriques de TEOS ; (B) des 15 plaques diélectriques en Si3N4 et (C) des plaques diélectriques en polysilicium amorphe et (D) des plaques diélectriques en polysilicium cristallin. On a utilisé une plate-forme de polissage Mirra® d'Applied Materials pour polir toutes les plaques de couverture dans les exemples au moyen d'un tampon de polissage comprenant une couche de polissage en 20 poly(uréthane) contenant des microparticules polymères à âme creuse et un sous-tampon non tissé imprégné de poly(uréthane) (à savoir un tampon de polissage IC1010' '' disponible dans le commerce auprès de Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.). Les conditions de polissage utilisées dans tous les exemples incluaient une vitesse de chariot de 25 93 tr/min ; une vitesse de support de 87 tr/min ; avec un débit de milieu de polissage de 200 mL/min et un force descendante de 20,7 kPa. Les vitesses d'élimination pour chacune des expériences de polissage sont fournies dans le Tableau 2. Il faut noter que les vitesses d'élimination étaient calculées à partir de l'épaisseur de film avant et après polissage. Spécifiquement, on a déterminé une vitesse d'élimination au moyen d'un système de métrologie à film mince optique SpectraFX 20Q disponible auprès de KLA-Tencor. Tableau 2 CMPC Vitesse Si3N4 Polysilicium Polysilicium d'élimination de /minl amorphe cristallin TEOS À /min À/min) Â/min) A 1296 1412 649 223 1 4 0 3 2 3 55 2 1228 975 122 19 Exemple 2 Essais de polissage On a évalué la composition de polissage chimico-mécanique 3 décrite dans le Tableau 1 au moyen des plaques de couverture de 200 mm, spécifiquement (A) des plaques diélectriques de TEOS ; (B) des plaques diélectriques de Si3N4 et (C) des plaques diélectriques de polysilicium amorphe. On a utilisé une plate-forme de polissage de type rotative modèle 6EC de système CMP Strasbaugh nSpireTM pour polir toutes les plaques de couverture dans les exemples au moyen d'un tampon de polissage comprenant une couche de polissage en poly(uréthane) contenant des mieroparticules polymères à âme creuse et un sous-tampon non tissé imprégné de polyuréthane) (à savoir un tampon de polissage IC1010rm disponible dans le commerce auprès de Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.). Les conditions de polissage utilisées dans tous les exemples incluaient une vitesse de chariot de 93 tr/min ; une vitesse de support de 87 tr/min ; avec un débit de milieu de polissage de 200 mL/min et une force descendante de 20,7 kPa. Les vitesses d'élimination pour chacune des expériences de polissage sont fournies dans le Tableau 3. Il faut noter que es vitesses d'élimination ont été calculées a partir de l'épaisseur de film avant et après polissage. Spécifiquement, on a déterminé les vitesses d'élimination au moyen d'un système de métrologie à film mince optique SpectraFX 200 disponible auprès de KiA-Tencor. Tableau CMPC Vitesse d'élimination de Si3N4 Polysilicium amorphe TEOS {A/minl (A/min Amin 3 812 1588 248 REVENDICATIONS1. Procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : fournir substrat, dans lequel le substrat comprend du polysilicium de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium ; fournir une composition de polissage chimico-mécanique comprenant, comme composants initiaux : de l'eau ; un abrasif; et un composé sulfonate d'alkylarylpolyéther, où le composé sulfonate d'alkylarylpolyéther comporte une portion hydrophobe comportant un groupe alkyle lié à un cycle aryle et une portion hydrophile acyclique non ionique comportant 4 à 100 atomes de carbone et une substance selon la formule 1 HO(1) dans laque( 1e chacun des groupes R', R3, R4, R5, et est un groupe de pontage de formule où n est un entier choisi parmi 1 à 10; fournir un tampon de polissage chimico-mécanique présentant e surface de polissage ; déplacer la surface de polissage par rapport au substrat ; distribuer la composition de polissage chimico-mécanique sur la surface de polissage , et abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat et dans lequel au moins une partie du polysilicium est éliminée du substrat ; et au moins une partie de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium est éliminée du substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat comprend du polysilicium en présence d'oxyde de silicium et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium supérieure ou égale à 5 : 1. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium supérieure ou égale à 500 Â/min ; avec une vitesse de chariot de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par minute, un débit de composition de polissage chimico-mécanique de 200 mL/min, une force descendante nominale de 3 psi sur une machine de polissage de 200 mm ; et dans lequel le tampon de polissage chimicomécanique comprend une couche de polissage en polyuréthane) contenant des microparticules polymères à âme creuse et un sous-tampon non tissé imprégné de poly(uréthane). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le polysilicium est du polysilicium amorphe et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium amorphe supérieure ou égale à . Procédé selon la revendication 3, dans lequel le polysilicium est du polysilicium cristallin et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre oxyde de silicium et polysilicium cristallin supérieure ou égale à 10 : 1. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium supérieure ou égale à 10 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une vitesse d'élimination du nitrure de silicium supérieure ou égale à 500 Â/min ; avec une vitesse de chariot 15 de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par minute, un débit de composition de polissage chimico-mécanique de 200 mL/min, une force descendante nominale de 3 psi sur une machine de polissage de 200 mm ; et dans lequel le tampon de polissage chimico-mécanique comprend une couche de polissage en poly(uréthane) contenant des 20 microparticules polymères à âme creuse et un sous-tampon non tissé imprégné de poly(uréthane). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le polysilicium est du polysilicium amorphe et dans lequel la composition de polissage 25 chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicium amorphe supérieure ou égale à 5 : 1. 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le polysilicium est polysilicium cristallin et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique présente une sélectivité de vitesse d'élimination entre nitrure de silicium et polysilicïum cristallin supérieure ou égale 10 : L 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel composé sulfonate d'alky arylpolyéther a pour formule CH2CH20 CH2CH2S03M X dans laquelle R est un groupe alkyle en C6à Io ramifié x vaut 2 à 10 8 ; M est choisi dans le groupe constitué par H, Na, K, Li et NH4; ; dans lequel la substance selon la formule I est le diéthylènetriaminepentakis(acide méthylphosphonique).