Brevet FR2957457A1 — publié le 20110916

B10050 - 09-GR1-427 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN POINT MÉMOIRE ANTI-FUSIBLE Domaine de l'invention La présente invention concerne un point mémoire non-volatile à anti-fusible. Elle vise plus particulièrement un procédé de réalisation d'un tel point mémoire. Exposé de l'art antérieur Un anti-fusible est un élément programmable une fois, dans lequel un état programmé correspond à un état conducteur et un état non programmé correspond à un état non conducteur. On considérera ici des anti-fusibles constitués de condensateurs, dans lesquels la programmation consiste à claquer la couche isolante du condensateur. On s'intéressera plus particulièrement à la réalisation d'un point mémoire anti-fusible en technologie CMOS, dans lequel le condensateur est en fait un transistor MOS, et dans lequel la programmation consiste à claquer l'oxyde de grille du transistor MOS. La figure 1 est un schéma électrique équivalent d'un point mémoire anti-fusible 10, en technologie MOS. Le point mémoire 10 comprend un transistor MOS à canal N 11 de sélection, et un transistor MOS à canal N 13 d'enregistrement, ou transistor anti-fusible. La source S13 du transistor 13 est reliée au drain D11 du transistor 11, et le caisson de corps du transistor 13 est relié à la masse. B10050 - 09-GR1-427 2 Lors d'une opération d'écriture, un potentiel VH d'écriture, relativement élevé, est appliqué à la grille G13 du transistor 13, et un potentiel VL, faible devant VH, est appliqué à la source S11 du transistor 11. Si le transistor 11 est mis à l'état passant par application d'un potentiel de sélection VSEL sur sa grille G11, il se produit un claquage de l'oxyde de grille du transistor 13. Il se forme alors un court-circuit permanent entre la grille G13 et le caisson de corps du transistor 13. A titre d'exemple, lors d'une opération d'écriture, le potentiel VH peut être de l'ordre de 7 V et le potentiel VL peut être fixé à 0 V. On notera que l'oxyde de grille du transistor de sélection 11 devra être sensiblement plus épais que l'oxyde de grille du transistor 13 afin que le transistor 11 ne soit pas endommagé lors de l'opération d'écriture. Lors d'une opération de lecture, le transistor 11 est mis à l'état passant par application d'un potentiel de sélection VSEL sur sa grille G11. Un potentiel de lecture est appliqué à la grille G13 du transistor 13, et un potentiel inférieur au potentiel de lecture est appliqué à la source S11 du transistor 11. L'opération de lecture consiste à mesurer le courant circulant dans le transistor 11. Si l'oxyde de grille du transistor 13 est claqué, un courant circule entre la grille G13 du transistor 13 et la source S11 du transistor 11. En revanche, si l'oxyde de grille du transistor 13 est intact, aucun courant ne circule entre la grille G13 du transistor 13 et la source S11 du transistor 11. A titre d'exemple, lors d'une opération de lecture, le potentiel de lecture appliqué à la grille G13 peut être de l'ordre de 2,5 V et le potentiel appliqué à la source S11 peut être fixé à 0 V. Des bibliothèques de cellules standard sont généra- lement utilisées pour faciliter la conception et la synthèse des circuits intégrés. Chaque cellule correspond à un composant élémentaire, par exemple un transistor MOS, ou à un ensemble de composants. Pendant la synthèse d'un circuit intégré, des B10050 - 09-GR1-427 3 cellules de la bibliothèque sont sélectionnées, agencées, et interconnectées, pour fournir les fonctions requises du circuit. Pour minimiser les coûts, on réalise généralement un point mémoire anti-fusible du type décrit en relation avec la figure 1, en utilisant des transistors MOS correspondant à des éléments standard de bibliothèque disponibles dans la filière technologique de fabrication considérée. Couramment, dans une technologie donnée, il existe deux types de transistors MOS à canal N standard (et leurs complémentaires à canal P), respectivement un transistor NMOSGO1 (et son complémentaire PMOSGOI), de taille minimum, destiné à la mise en oeuvre des fonctions logiques des circuits intégrés, et un transistor NMOSGO2 (et son complémentaire PMOSGO2), d'épaisseur d'oxyde de grille supérieure à celle du transistor NMOSGO1, destiné à la mise en oeuvre des fonctions de puissance des circuits intégrés (par exemple des fonctions d'amplification de sortie). A titre d'exemple, l'épaisseur d'oxyde de grille el du transistor NMOSGO1 peut être de l'ordre de 1 à 3 nm, et l'épaisseur d'oxyde de grille e2 du transistor NMOSGO2 peut être de l'ordre de 3 à 5 nm. Par souci de simplification, on utilise ici les termes "oxyde de grille". On notera cependant que la région isolante entre la grille et le caisson du transistor n'est pas nécessairement constituée d'oxyde de silicium. Elle peut être constituée d'autres matériaux adaptés à forte constante diélectrique. La figure 2 est une vue en coupe représentant de façon schématique un exemple de réalisation du point mémoire 10 décrit en relation avec la figure 1. Dans cet exemple, le transistor anti-fusible 13 correspond à une cellule standard NMOSGO1 d'épaisseur de grille el, et le transistor de sélection 11 correspond à une cellule standard NMOSGO2 d'épaisseur de grille e2 supérieure à el. Le transistor NMOSGO1 (à droite sur la figure 2) est formé dans un caisson PWel1GO1, dopé de type P, lui-même formé dans un substrat semiconducteur non représenté. Le transistor B10050 - 09-GR1-427 4 NMOSGO1 comprend des régions de source 18NGO1 (S13) et de drain 19NGO1 (D13), de type N+, situées de part et d'autre d'une grille 20NGO1 (G13) isolée du substrat par une couche isolante 21NGO1 d'épaisseur el. Des régions 22NGO1 de type N, plus faiblement dopées que les régions 18NGO1 et 19NGO1, sont formées de part et d'autre de la grille, dans la partie supérieure du caisson, sous des espaceurs isolants 24NGO1. Dans cet exemple, des poches de type P 26NGO1, plus fortement dopées que le caisson PWel1GO1, sont disposées en partie autour des régions 22NGO1, de façon à isoler l'une de l'autre les deux régions 22NGO1. Une région de type P 27NGO1, plus fortement dopée que le caisson PWe11GO1, est implantée sous la grille, au niveau de la région de canal, pour ajuster la tension de seuil du transistor. On notera que dans la pratique, les régions 22NGO1 de source et de drain, de type N, débordent légèrement sous la grille du transistor. Le transistor NMOSGO2 (à gauche sur la figure 2) est formé dans un caisson PWe11GO2, dopé de type P, de niveau de dopage différent du caisson PWe11GO1. Le transistor NMOSGO2 comprend des régions de source 18NGO2 (S11) et de drain 19NGO2 (D11), de type N+ (de même niveau de dopage que les régions 18NGO1 et 19NGO1 dans cet exemple) situées de part et d'autre d'une grille 20NGO2 (G11) isolée du substrat par une couche isolante 21NGO2 d'épaisseur e2. Des régions 22NGO2 de type N, plus faiblement dopées que les régions 18NGO2 et 19NGO2, sont formées de part et d'autre de la grille, dans la partie supérieure du caisson, sous des espaceurs isolants 24NGO2. Une région de type P 27NGO2, plus fortement dopée que le caisson PWe11GO2, est implantée sous la grille, au niveau de la région de canal, pour ajuster la tension de seuil du transistor. Dans cet exemple, les régions de source 18NGO1 du transistor NMOSGO1 et de drain 19NGO2 du transistor NMOSGO2 sont communes et il n'est pas prévu de région isolante de séparation entre les deux transistors. Les régions de source, de drain, et de grille, sont recouvertes d'une couche 28 de prise de contact B10050 - 09-GR1-427 en siliciure. De plus, une couche isolante 29, comprenant par exemple de l'oxyde de silicium, recouvre l'ensemble formé par les deux transistors. Des nias 30, traversant la couche 29, viennent en contact des régions de siliciure 28 et permettent de 5 réaliser des connexions électriques avec les régions de source, de drain et de grille. Le point mémoire 10 présente l'avantage d'être compact et peu onéreux, puisqu'il est formé exclusivement à partir de cellules élémentaires standard de la filière technologique considérée. Toutefois, cet élément mémoire présente plusieurs inconvénients. Notamment, il comporte, côte à côte, des transistors réalisés dans des caissons de dopages différents, ce qui pose des problèmes de réalisation et peut dégrader les performances de l'un des transistors si le caisson de l'autre transistor déborde de son côté. Par ailleurs, on constate que le courant de lecture à l'état conducteur varie d'un point mémoire à l'autre. Il serait souhaitable d'optimiser le transistor antifusible pour pallier au moins en partie certains des inconvénients de la structure ci-dessus. Toutefois, créer un transistor spécifique pour le transistor anti-fusible pose des problèmes car il faudrait normalement prévoir une cellule standard supplémentaire et des étapes de fabrication supplémentaires. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un procédé de réalisation d'un point mémoire optimisé ne comportant pas d'étapes de fabrication autres que les étapes de fabrication usuelles des transistors standard de la filière technologique considérée, et n'utilisant pas de masques supplémentaires. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé de fabrication d'un point mémoire comprenant un transistor MOS de sélection et un transistor MOS anti- fusible, dans une filière technologique adaptée à la fabrication d'un premier type de transistors MOS d'une première épaisseur de B10050 - 09-GR1-427 6 grille et d'un second type de transistors MOS d'une seconde épaisseur de grille supérieure à la première épaisseur, ce procédé comprenant les étapes suivantes : former le transistor de sélection selon les étapes de fabrication de transistor à canal N du second type ; et former le transistor anti-fusible essentiellement selon les étapes de fabrication de transistor à canal N du premier type, en modifiant l'étape suivante : au lieu de faire une implantation de type P dans la région de canal en même temps que dans les transistors à canal N du premier type, faire une implantation de type N dans la région de canal en même temps que dans les transistors à canal P du premier type. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les étapes de fabrication du transistor anti-fusible comprennent en outre la modification suivante : au lieu de former le caisson de corps en même temps que dans les transistors à canal N du premier type, former le caisson de corps en même temps que dans les transistors à canal N du second type. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les transistors du premier type sont des transistors de 20 dimensions minimales de la filière technologique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les régions de source et de drain du transistor à canal N du premier type comprennent des portions plus faiblement dopées à proximité de la grille. 25 Selon un mode de réalisation de la présente invention, les étapes de fabrication du transistor anti-fusible comprennent en outre la modification suivante : au lieu de former les portions de source et de drain plus faiblement dopées en même temps que dans les transistors à canal N du premier type, former 30 les portions de source et de drain plus faiblement dopées en même temps que dans les transistors à canal N du second type. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les transistors à canal N du premier type comprennent des espaceurs isolants de part et d'autre de la grille. B10050 - 09-GR1-427 7 Selon un mode de réalisation de la présente invention, les transistors à canal N du premier type comprennent des poches de type P disposées de part et d'autre de la grille, autour d'une partie des régions de source et de drain, et le transistor anti-fusible ne comprend pas de poches de type P autour des régions de source et de drain. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, est un schéma électrique équivalent d'un point mémoire anti-fusible en technologie MOS ; la figure 2, précédemment décrite, est une vue en coupe représentant de façon schématique un exemple de réalisation du point mémoire de la figure 1, dans une filière technologique de fabrication donnée ; les figures 3A à 3I sont des vues en coupe représentant de façon schématique des étapes de fabrication de divers transistors standard d'une filière technologique donnée, et d'un transistor anti-fusible selon un mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 4 est une vue en coupe représentant de façon 25 schématique un point mémoire anti-fusible formé selon le procédé décrit en relation avec les figures 3A à 3I. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de 30 plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses vues en coupe ne sont pas tracées à l'échelle. Les inventeurs ont étudié le comportement du point mémoire 10 décrit en relation avec la figure 2, et notamment les 35 phénomènes conduisant à la dispersion des courants de lecture B10050 - 09-GR1-427 8 d'un point mémoire à un autre. Le court-circuit formé à travers l'oxyde de grille 21NGO1 du transistor anti-fusible, suite à une opération d'écriture, est généralement un court-circuit ponctuel, ou de dimensions très inférieures (en vue de dessus) aux dimensions de l'oxyde de grille. Ce court-circuit peut se produire à n'importe quelle position de l'oxyde de grille 21NGO1. En particulier, le court-circuit peut se produire soit au dessus de la région de canal, de type P, soit au dessus de la région de source, de type N, au niveau du débordement de la région de source sous la grille 20NGO1. Si le court-circuit est situé au niveau de la région de canal du transistor, lors d'une opération de lecture, il se produit une chute de tension, notamment liée à la jonction PN entre la région de canal (P) et la région de source (N). Il en résulte une diminution du courant de lecture du point mémoire. En revanche, si le court-circuit est situé directement au niveau de la région de source du transistor, cette chute de tension n'apparaît pas et le courant de lecture est d'autant plus fort. On observe donc une dispersion des courants de lecture d'un point mémoire à un autre. La présente description vise un point mémoire antifusible dans lequel la région de canal du transistor antifusible est moins résistive que dans le transistor standard NMOSGO1. Elle vise notamment un point mémoire dans lequel, lors des opérations de lecture, aucune chute de tension liée à des jonctions du transistor n'a lieu, et ce quelle que soit la position du court-circuit dans l'oxyde du transistor antifusible. Le transistor anti-fusible et le transistor de sélection sont formés dans des caissons de même niveau de dopage. Le procédé de réalisation d'un tel point mémoire ne comporte pas d'étapes de fabrication autres que les étapes usuelles de fabrication des transistors standard de la filière technologique considérée. De façon générale, on décrit ici un point mémoire dans 35 lequel le transistor de sélection est fabriqué selon les étapes B10050 - 09-GR1-427 9 de fabrication d'un transistor NMOSGO2 standard, et le transistor anti-fusible est fabriqué essentiellement selon les étapes de fabrication d'un transistor NMOSGO1 standard, certains seulement des masques utilisés étant modifiés pour optimiser le transistor anti-fusible en utilisant des étapes de fabrication d'autres transistors standard de la technologie. Les figures 3A à 3I sont des vues en coupe représentant de façon schématique des étapes de fabrication de divers transistors standard d'une filière technologique donnée, et d'un transistor anti-fusible. Sur les figures 3A à 3I, les première, deuxième, troisième et quatrième colonnes en partant de la gauche représentent respectivement des étapes de fabrication du transistor standard à canal N NMOSGO1, de son complémentaire à canal P PMOSGO1, du transistor standard à canal N NMOSGO2, et d'un transistor non-standard NMOSANTIFUS, adapté à être utilisé comme transistor anti-fusible dans un point mémoire. Comme l'illustre la figure 3A, la réalisation des transistors standard NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2 comprend une étape de formation de caisson, respectivement PWel1GO1 de type P d'un premier niveau de dopage, NWe11GO1 de type N, et PWe11GO2 de type P d'un second niveau de dopage. La réalisation du transistor NMOSANTIFUS comprend une étape de formation d'un caisson PWe11GO2, identique à l'étape de formation de caisson du transistor NMOSGO2. C'est-à-dire qu'au moment de l'étape de formation des caissons PWe11GO1, au lieu d'être ouvert comme pour les transistors NMOSGO1, le masque définissant le caisson du transistor NMOSANTIFUS est fermé. En revanche, au moment de l'étape de formation des caissons PWe11GO2, le masque définissant le caisson du transistor NMOSANTIFUS est ouvert. Sur la figure, on a représenté les caissons des transistors NMOSGO1, PMOSGO1, NMOSGO2 et NMOSANTIFUS juxtaposés deux à deux. On peut bien entendu choisir de prévoir ou non une séparation isolante entre les transistors. Il pourra s'agir de tranchées remplies d'un isolant tel que l'oxyde de silicium. Une B10050 - 09-GR1-427 10 telle isolation présente cependant l'inconvénient d'augmenter l'encombrement de la structure. Comme l'illustre la figure 3B, la réalisation des transistors standard NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2 comprend une étape de formation, par implantation de dopants à la surface du caisson, d'une région (respectivement 27NGO1, 27PGO1, 27NGO2) de même type de conductivité que le caisson mais de niveau de dopage supérieur. Cette implantation permet notamment d'ajuster la tension de seuil des transistors. Au lieu d'une implantation de surface de type P comme pour les transistors NMOSGO1, la réalisation du transistor NMOSANTIFUS comprend une étape d'implantation de surface d'une région de type N 27PGO1, en même temps que l'étape d'implantation de surface des transistors PMOSGO1. Si la technologie considérée permet de choisir parmi plusieurs niveaux de dopage pour l'implantation de surface de type N du transistor PMOSGO1, on choisira de préférence, pour le transistor NMOSANTIFUS, le niveau de dopage le plus élevé. La figure 3C illustre, pour les transistors standard NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2, une étape de formation d'un oxyde de grille au dessus du caisson. Pour les transistors NMOSGO1 et PMOSGO1 un oxyde de grille d'épaisseur el (respectivement 21NGO1, 21PGO1) est formé à la surface du caisson. Pour le transistor NMOSGO2, un oxyde de grille 21NGO2, d'épaisseur e2 supérieure à el, est formé à la surface du caisson. La réalisation du transistor NMOSANTIFUS comprend une étape de formation d'un oxyde de grille 21GO1 d'épaisseur el, identique à l'étape de formation d'oxyde de grille de l'un des transistors standard NMOSGO1 ou PMOSGO1. La figure 3D illustre, pour les transistors standard NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2, une étape de formation d'une grille conductrice (respectivement 20NGO1, 20PGO1, 20NGO2) au dessus de l'oxyde de grille. La grille est par exemple constituée d'une couche de silicium polycristallin dopé (de type N pour les transistors à canal N NMOSGO1 et NMOSGO2 et de type P pour le transistor à canal P PMOSGOI). La réalisation du B10050 - 09-GR1-427 11 transistor NMOSANTIFUS comprend une étape de formation d'une grille conductrice 20NGO1, identique à l'étape de formation de grille du transistor standard à canal N NMOSGO1. Comme l'illustre la figure 3E, la réalisation des transistors standard NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2 comprend une étape de formation de portions de source et de drain faiblement dopées (respectivement 22NGO1 de type N, 22PGO1 de type P, et 22NGO2 de type N), disposées de part et d'autre de la grille. De telles portions de source et de drain, plus faiblement dopées que les régions de source et de drain principales correspondantes, sont généralement désignées dans la technique par le sigle LDD (de l'anglais "Lightly Doped Drain" - drain faiblement dopé). Par ailleurs, la réalisation des transistors standard de dimensions minimales NMOSGO1 et PMOSGO1 comprend une étape de formation, sous et autour des régions 22NGO1 et 22PGO1, de poches, respectivement 26NGO1 de type P, plus fortement dopées que le caisson PWel1GO1, et 26PGO1 de type N, plus fortement dopées que le caisson NWe11GO1. La réalisation du transistor NMOSANTIFUS comprend une étape de formation de portions de source et de drain 22N faiblement dopées de type N, identique à l'étape de formation des portions de source et de drain des transistors standard à canal N NMOSGO1 ou NMOSGO2. De plus, dans la réalisation du transistor NMOSANTIFUS, on prévoit de préférence de ne pas former de poches de type P sous les régions 22N. On notera que les poches de type P, quand il y en a, sont formées en utilisant le même masque que le masque de formation des régions 22. Pour la réalisation du transistor NMOSANTIFUS, on utilisera soit une étape de formation de portions de source et de drain 22N identique à l'étape de formation des portions de source et de drain du transistor NMOSGO2 (qui ne comprend pas de poches), soit une étape identique à l'étape de formation des portions de source et de drain du transistor NMOSGO1, en orientant la structure, par B10050 - 09-GR1-427 12 rotation, par rapport aux orientations d'implantation de façon à ne pas former les poches dans ce transistor. La figure 3F illustre, pour les transistors NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2, une étape de formation d'espaceurs isolants (respectivement 24NGO1, 24PGO1, 24NGO2) de part et d'autre de la grille, au dessus des portions 22 de sources et de drains faiblement dopées. La réalisation du transistor NMOSANTIFUS comprend une étape de formation d'espaceurs isolants 24GO1, identique à l'étape de formation des espaceurs des transistors standard de dimensions minimales NMOSGO1 et PMOSGO1. Comme l'illustre la figure 3G, la réalisation des transistors NMOSGO1, PMOSGO1, et NMOSGO2 comprend une étape de formation des régions de source (respectivement 18NGO1, 18PGO1, 18NGO2) et de drain (respectivement 19NGO1, 19PGO1, 19NGO2). On notera que les régions de 18NGO1, 18NGO2, 19NGO1 et 19NGO2 sont généralement de même niveau de dopage (N+) et sont réalisées simultanément en utilisant le même masque. La réalisation du transistor NMOSANTIFUS comprend une étape de formation de régions de source 18N et de drain 19N, identique à l'étape de formation des régions de source et de drain des transistors standard à canal N NMOSGO1 et NMOSGO2. La figure 3H illustre une étape de formation d'une couche de contact en siliciure sur les régions de grille, de source et de drain des transistors NMOSGO1, PMOSGO1, NMOSGO2 et NMOSANTIFUS. Lors d'une étape finale de fabrication, illustrée en figure 3I, les transistors NMOSGO1, PMOSGO1, NMOSGO2 et NMOSANTIFUS sont recouverts d'une couche isolante 29, par exemple en oxyde de silicium. Des nias 30, traversant la couche isolante 29 et venant en contact avec les régions de siliciure 28, peuvent être formés pour réaliser des connexions électriques avec les régions de source, de drain et de grille des transistors. On notera que l'étape, décrite en relation avec la 35 figure 3B, d'implantation d'ajustement dans la région de canal B10050 - 09-GR1-427 13 du transistor, n'est pas nécessairement mise en oeuvre immédiatement après la formation du caisson du transistor. A titre d'exemple, cette étape pourra être mise en oeuvre après la formation de la grille du transistor. On utilisera alors une implantation en oblique (par les côtés), permettant d'atteindre la région de canal malgré la présence de la grille. La figure 4 est une vue en coupe représentant de façon schématique un mode de réalisation d'un point mémoire antifusible 40 du type décrit en relation avec la figure 1. Dans le point mémoire 40, le transistor de sélection 11 correspond à un transistor standard NMOSGO2, et le transistor anti-fusible 13 correspond à un transistor NMOSANTIFUS formé selon le procédé décrit en relation avec les figures 3A à 3I. Selon un avantage du point mémoire 40 de la figure 4, la région de canal du transistor anti-fusible NMOSANTIFUS étant de type N, il n'existe plus de jonction susceptible de réduire le courant de lecture, et ce quelle que soit la position du court-circuit dans l'oxyde de grille du transistor. De plus, le canal du transistor anti-fusible NMOSANTIFUS est moins résistif que le canal d'un transistor NMOSGO1 standard. Ceci est notamment lié au choix d'un niveau de dopage de type N élevé dans la région de canal de ce transistor. En outre, à la différence du transistor NMOSGO1, le transistor NMOSANTIFUS ne comprend pas de poches de type P sous et autour des portions de source et de drain 22N. Ceci permet d'améliorer la conductivité électrique de la région de canal du transistor anti-fusible. Ainsi, une telle structure de point mémoire permet de supprimer ou de réduire fortement la dispersion des courants de lecture par rapport aux structures dans lesquelles le transistor anti- fusible correspond directement à un transistor standard (NMOSGOI) de la technologie considérée. Une telle structure permet en outre que les courants de lecture soient plus élevés que dans les solutions usuelles. En effet, à tensions de lecture identiques, dans un point mémoire 40 (figure 4), le courant de lecture est toujours approximativement identique au courant de B10050 - 09-GR1-427 14 lecture d'un point mémoire 10 (figure 2) dans lequel le court-circuit se serait produit directement au niveau de la région de source du transistor anti-fusible. Ceci permet une meilleure différentiation entre les points mémoire programmés et les points mémoire non programmés. Plus généralement, pour la réalisation du transistor anti-fusible NMOSANTIFUS, on choisit des étapes de fabrication (en jouant sur l'ouverture et la fermeture des masques) parmi les étapes de fabrication des transistors standard de la technologie, de façon à minimiser autant que possible les implantations de type P dans la région de canal, et à les remplacer le cas échéant par des implantations de type N. Selon un autre avantage du point mémoire 40 de la figure 4, la tension d'écriture est susceptible d'être réduite par rapport au point mémoire 10 de la figure 2. En outre, pour une tension d'écriture donnée, la structure 40 (à l'état programmé) présente une meilleure conductivité électrique dans le transistor anti-fusible que la structure 10. Plus généralement, selon un avantage de la structure proposée, à tensions d'écriture identiques, la programmation du point mémoire 40 de la figure 4 est nettement plus rapide que la programmation du point mémoire 10 de la figure 2. Avec la structure proposée, les inventeurs ont notamment mesuré une réduction d'un facteur quarante de la vitesse de programmation du point mémoire. Selon un autre avantage du point mémoire 40 de la figure 4, le transistor de sélection 11 et le transistor antifusible 13 sont formés dans des caissons PWel1GO2 de même niveau de dopage. Ainsi, les performances du transistor de sélection 11 ne risquent pas d'être dégradées par un éventuel débordement du caisson du transistor anti-fusible 13. Ceci permet d'améliorer les performances en lecture et en écriture des points mémoire. Selon un avantage du point mémoire 40, le procédé de réalisation correspondant comprend uniquement des étapes choisies parmi les étapes de réalisation des transistors B10050 - 09-GR1-427 15 standard de la technologie considérée. En outre, pour obtenir le résultat souhaité, le nombre de modifications de masques par rapport à un transistor standard NMOSGO1 est très réduit (de l'ordre de deux à quatre masques dans l'exemple ci-dessus). Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on a décrit ci-dessus un procédé de réalisation d'un point mémoire anti-fusible, ce procédé comprenant uniquement des étapes choisies parmi les étapes de réalisation de trois transistors MOS standard d'une technologie donnée (NMOSGO1, PMOSGO1 et NMOSGO2). L'invention ne se restreint pas à ce cas particulier. L'homme de l'art saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché en utilisant des étapes choisies parmi les étapes de réalisation d'autres cellules élémentaires standard de la technologie considérée. En outre, l'homme de l'art saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché dans le cas ou les transistors standard de la technologie auraient des topologies différentes de celles décrites ci-dessus. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un point mémoire (40) comprenant un transistor MOS de sélection (11) et un transistor MOS anti-fusible (13), dans une filière technologique adaptée à la fabrication d'un premier type de transistors MOS (NMOSG01, PMOSGOI) d'une première épaisseur de grille (el) et d'un second type de transistors MOS (NMOSG02) d'une seconde épaisseur de grille (e2) supérieure à la première épaisseur, ce procédé comprenant les étapes suivantes : former le transistor de sélection (11) selon les 10 étapes de fabrication de transistor à canal N du second type (NMOSG02) ; et former le transistor anti-fusible (13) essentiellement selon les étapes de fabrication de transistor à canal N du premier type (NMOSGOI), en modifiant l'étape suivante : au lieu 15 de faire une implantation de type P dans la région de canal en même temps que dans les transistors à canal N du premier type (NMOSGOI), faire une implantation de type N dans la région de canal (27PG01) en même temps que dans les transistors à canal P du premier type (PMOSGOI). 20 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les étapes de fabrication du transistor anti-fusible (13) comprennent en outre la modification suivante : au lieu de former le caisson de corps en même temps que dans les transistors à canal N du premier type (NMOSGOI), former le 25 caisson de corps (PWel1G02) en même temps que dans les transistors à canal N du second type (NMOSG02). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les transistors du premier type (NMOSG01, PMOSGOI) sont des transistors de dimensions minimales de la filière technologique. 30 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les régions de source (18NG01) et de drain (19NG01) du transistor à canal N du premier type (NMOSGOI) comprennent des portions (22NG01) plus faiblement dopées à proximité de la grille.B10050 - 09-GR1-427 17 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel les étapes de fabrication du transistor anti-fusible (13) comprennent en outre la modification suivante : au lieu de former les portions de source et de drain plus faiblement dopées en même temps que dans les transistors à canal N du premier type (NMOSGOI), former les portions de source et de drain plus faiblement dopées (22N) en même temps que dans les transistors à canal N du second type (NMOSGO2). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 10 à 5, dans lequel les transistors à canal N du premier type (NMOSGOI) comprennent des espaceurs isolants (24GO1) de part et d'autre de la grille. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les transistors à canal N du premier type 15 (NMOSGOI) comprennent des poches (26NGO1) de type P disposées de part et d'autre de la grille, autour d'une partie des régions de source et de drain, et dans lequel le transistor anti-fusible (13) ne comprend pas de poches de type P autour des régions de source et de drain.