Brevet FR2951336A1 — publié le 20110415

Dispositif à ondes acoustiques comprenant un filtre à ondes de surface et un filtre à ondes de volume et procédé de fabrication Le domaine de l'invention est celui des filtres de bande et plus 5 particulièrement celui des filtres à ondes acoustiques. Le développement des télécommunications radiofréquences depuis une dizaine d'années se traduit par un encombrement des bandes de fréquence autorisées. Pour profiter des plages de fréquence disponibles, les systèmes doivent inclure un filtrage de bande, avec une bande de transition 10 étroite. Seuls les filtres à résonateurs en technologie SAW (ondes de surface) ou BAW (ondes de volume), utilisant les propriétés piézoélectriques des matériaux, permettent de tenir ces spécifications avec de faibles pertes et un encombrement réduit. Aujourd'hui, les couches piézoélectriques utilisées pour ces filtres sont réalisées par dépôt permettant de concevoir des 15 filtres à ondes acoustiques de volume (filtres BAW) ou à partir de substrats massifs permettant de concevoir des filtres à ondes acoustiques de surface (filtres SAW). Les spécifications demandées par les professionnels des équipements de télécommunications sont de plus en plus difficiles en termes 20 de réjection hors bande et de raideur de transition, sans pour autant se relâcher sur les autres paramètres (pertes d'insertion, variations dans la bande...). La seule façon de redonner un peu de latitude de conception consiste à réduire notablement les variations de fréquence dues à la température. 25 On rappelle à titre indicatif que la variation de la fréquence de résonance d'un résonateur sur quartz est déterminée par la formule suivante : f(T) = fo [1 + CTF1 (T-To) + CTF2 (T-To)2 + ...] avec fo la fréquence à To, To la température de référence (25°C par 30 convention), CTF1 le coefficient du premier ordre exprimé en ppm/°C et CTF2 le coefficient du second ordre exprimé en ppb/°C2. Pour CTF1, en passant, par exemple, de 35 ppm/°C à 20 ppm/°C ou moins, il est possible d'améliorer les performances de manière significative et ainsi la compétitivité des produits. La figure 1 a schématise une structure de filtre SAW : sur un substrat piézoélectrique massif Sp1éZO,s, des métallisations en surface typiquement pouvant être de type peignes d'électrodes interdigitées Ms1 et Ms2 assurent l'excitation du matériau piézoélectrique permettant la propagation d'ondes acoustiques de surface. Les filtres à ondes de surface restent actuellement la solution standard pour la synthèse et la réalisation de filtres RF dans la gamme 50 MHz û 3 GHz compte tenu de leur robustesse, leur simplicité technologique de mise en oeuvre et la multitude de structures de filtre accessible, offrant au concepteur une véritable stratégie de conception en fonction des spécifications imposées. Par exemple et bien qu'affectés par des dérives thermiques, les filtres sur tantalate et niobate de lithium permettent de réaliser des largeurs de bande relative supérieures à celles des filtres à ondes de volume grâce à leurs coefficients de couplage élevés (plus de 10%) et leur facteur de qualité Q. Ainsi on peut obtenir des produits Qxfmax des ondes de surface proche de 1013 alors que ceux obtenus avec les ondes de volume sur films minces restent de l'ordre de 4.1012. La figure lb schématise une structure de filtre à ondes de volume : un substrat piézoélectrique Sp;éZO, ä est inséré entre deux métallisations M1 et M2 permettant la propagation d'ondes de volume. Les filtres à ondes de volume ont été proposés il y a trente ans environ, à des fréquences de quelques MHz à quelques dizaines de MHz, utilisant principalement des éléments d'impédance ou des structures à couplage latéral sur quartz pour des applications à bandes étroites, mais leur mise en oeuvre pour les radiofréquences ne date que d'une dizaine d'années, suite aux travaux pionniers de Lakin (K.M. Lakin et J.S. Wang, UHF composite bu/k wave resonators, 1980 IEEE Ultrasonics Symposium Proceedings, pages 834-837) sur l'utilisation de couches piézoélectriques déposées par pulvérisation cathodique à de telles fins. La société Agilent a été la première à développer un filtre RF de type filtre FBAR correspondant à l'acronyme de « Film Bulk Acoustic Resonator » à base d'éléments d'impédance tirant parti de films minces de nitrure d'aluminium (AIN), matériau polycristallin déposé. Les résonateurs BAW exploitent la résonance en épaisseur d'une couche piézoélectrique mince qui est isolée acoustiquement du substrat soit par une membrane (technologie FBAR utilisée par la société AVAGO Technologies), soit par un réseau de Bragg (technologie SMR utilisée par la société Infineon). Le matériau le plus employé en technologie BAW est à l'heure actuelle le Nitrure d'Aluminium (AIN), qui présente l'avantage de présenter des coefficients de couplage piézoélectriques de l'ordre de 6.5 %, et également de présenter de faibles pertes acoustiques et diélectriques, ce qui permet la synthèse de filtres présentant des bandes passantes compatibles avec les spécifications réclamées par la plupart des standards de télécommunication localisés entre 2 et 4 GHz. Néanmoins, plusieurs problèmes continuent à se poser, face aux spécifications extrêmement contraignantes présentées par quelques bandes 15 de fréquences, telles que le standard DCS. Les coefficients de couplage piézoélectrique permis par l'AIN n'autorisent pas des bandes passantes relatives supérieures à 3 %. De telles largeurs de bande nécessitent déjà l'utilisation d'électrodes présentant une très forte impédance acoustique (en Molybdène ou en Tungstène), de 20 manière à confiner l'énergie élastique dans la couche piézoélectrique, et des épaisseurs soigneusement déterminées de manière à maximiser leur influence sur le coefficient de couplage piézoélectrique des résonateurs comme décrit dans l'article de R. Aigner, « Bringing BAW technology into volume production: the Ten Commandments and the seven deadly sins », 25 Proceedings of the third international symposium on acoustic wave devices for future mobile communication systems (2007) et dans la publication de J. Kaitila, « Review of wave propagation in BAW thin film devices: progress and prospects », Proceedings of the 2007 IEEE Ultrasonics Symposium. Il n'existe à l'heure actuelle pas de solutions crédibles pour 30 l'extension de cette bande relative à pertes constantes. De nombreuses recherches sont à ce jour menées pour trouver d'autres matériaux présentant des coefficients de couplage piézoélectrique plus élevés, mais force est de constater qu'il est difficile de mettre en évidence d'autres matériaux proposant de faibles pertes acoustiques et que l'on sache déposer de 35 manière reproductible et uniforme comme décrit dans l'article de P. Murait et al., « Is there a better material for thin film BAW applications than AIN », Proceedings of the 2005 IEEE Ultrasonics Symposium. A l'inverse, des matériaux monocristallins tels que le Niobate de Lithium ou le Tantalate de Lithium proposent des coefficients de couplages électromécaniques très élevés, permettant la réalisation de filtres présentant des largeurs de bandes relatives de l'ordre de 50 %o mais leur mise en oeuvre reste complexe. Par ailleurs des standards tels que le DCS nécessitent à la fois une large bande passante et une forte réjection des standards adjacents. Répondre simultanément à l'ensemble de ces contraintes nécessite d'utiliser des résonateurs possédant de très forts coefficients de qualité. De ce fait, les limites imposées par les matériaux eux-mêmes, plus que par la structure, commencent à se profiler, et il est fort probable que des matériaux poly-cristallins ne puissent à terme plus répondre à la montée en coefficients de qualité, surtout face à la montée en fréquence des standards vers les 10 GHz. Avec des coefficients de qualité intrinsèques de l'ordre de la dizaine de milliers à des fréquences supérieures à 1 GHz comme décrit dans l'article de « D. Gachon et al., Filters using high overtone bulk acoustic resonators on thinned single-crystal piezoelectric layer », présenté au 2008 European Frequency and Time Forum, les matériaux monocristallins se présentent là encore comme une solution intéressante. Les résonateurs BAW à base de nitrure d'aluminium AIN utilisent un mode de vibration longitudinale capable de générer un rayonnement acoustique dans l'air, ce qui est source de pertes acoustiques additionnelles. De plus, les changements de volume associés au mode de compression provoquent des pertes acoustiques accrues à l'intérieur du matériau notamment décrit dans « H.L. Salvo et al., Shear mode transducers for high Q bulk microwave resonators », Proceedings of the 41st Annual Frequency Control Symposium (1987). Un moyen de réduire ces deux sources de pertes est d'exploiter des ondes de cisaillement, ce qui nécessite l'emploi d'autres matériaux que l'AIN, ou de modifier l'orientation cristalline de couches d'AIN déposées. Des études se sont intéressées au dépôt de couches d'AIN avec un axe cristallographique c dans le plan du substrat, ou avec un angle de 35° par rapport à la normale, mais la qualité du matériau obtenu s'est avérée moins bonne que dans le cas d'un axe c vertical comme l'ont montré les auteurs, J.S. Wang et al., « Sputtered c-axis piezoelectric films and shear wave resonators », Proceedings of the 37th Annual Frequency Control Symposium (1983). II ressort de cet état de l'art qu'en général, chaque type de filtres présente des avantages et des inconvénients. Par exemple les filtres SAW sont connus pour avoir des forts coefficients de couplage permettant un plus fort taux de réjection. Les filtres BAW sont plutôt utilisés pour leurs faibles pertes d'insertion et leur compensation en température plus efficace que sur les SAW. Ainsi, il peut être intéressant de réaliser un filtre combinant filtre SAW et filtre BAW pour tirer avantage de chaque système. Se pose alors le problème du packaging, pour intégrer un filtre SAW et un filtre BAW dans le même système, avec toute la problématique de place, poids et donc coût associé et d'optimisation des performances de chacun des filtres. Il a déjà été proposé de co-intégrer un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) et un filtre à ondes acoustiques de volume (BAW) au sein d'un même dispositif, la co-intégration SAW/BAW se faisant au niveau du packaging en mettant cote à cote des filtres BAW et SAW issus de deux ou plusieurs lignes de fabrication distinctes. Pour ce qui est de la co-intégration sur un même substrat, il a été proposé dans l'article de « N.Lobo, D.C.Malocha : School of Electrical Engineering and Computer Science University of Central Florida, Orando, FL, 1051-0117/06, 2006 IEEE, Ultrasonics Symposium » d'utiliser des électrodes communes pour la réalisation du filtre SAW et celle du filtre BAW, les optimisations desdits deux filtres ne pouvant par la même, être réalisées indépendamment l'une de l'autre. Il a aussi été proposé dans le brevet US 6 424 238 ou dans la demande de brevet US 2007/0057772, une co-intégration par des approches 30 packaging de deux puces couplées mais peu compactes. Enfin une approche différente, décrite dans la demande de brevet US 2008/0284541, propose la fabrication d'un substrat pour la réalisation d'un BAW. II y est mentionné l'intégration d'autres composants (type LED, HEMT ...). Cependant la même couche active est utilisée pour l'ensemble des composants ne permettant pas l'optimisation indépendante de chacun des filtres, respectivement SAW et BAW en l'occurrence. C'est pourquoi, dans ce contexte, la présente invention propose un 5 nouveau dispositif très compact utilisant un même substrat sur lequel sont réalisés les deux types de filtres SAW et BAW. Plus précisément, la présente invention a pour objet un dispositif à ondes acoustiques comportant au moins un filtre à ondes acoustiques de surface et un filtre à ondes acoustiques de volume, caractérisé en ce qu'il 10 comprend sur un substrat comportant un second matériau piézoélectrique : - un empilement de couches comportant au moins une première couche métallique et une couche d'un premier matériau piézoélectrique ; - l'empilement de couches étant partiellement gravé de manière à définir une première zone dans laquelle les premier et second matériaux 15 piézoélectriques sont présents et une seconde zone dans laquelle le premier matériau piézoélectrique est absent ; - une seconde métallisation au niveau de la première zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de volume intégrant le premier matériau piézoélectrique et une troisième métallisation au niveau de la seconde 20 zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de surface intégrant le second matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, le substrat est en second matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, le substrat comporte une couche 25 de second matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, le second matériau piézoélectrique est de type LiNbO3, LiTaO3, La3Ga5SiO14 (langasite), La3Ga5.5Ta0.5O14 (langatate). Selon une variante de l'invention, le second matériau 30 piézoélectrique est de type SrTiO3 (STO) ou PbZrTiO3 (PZT) ou AIN ou ZnO . Selon une variante de l'invention, le premier matériau piézoélectrique est de type LiNbO3 (LNO), LiTaO3 (LTO), La3Ga5SiO14 (langasite), La3Ga5.5Ta0.5O14 (langatate), SrTiO3 (STO) ,PbZrTiO3 (PZT), AIN , ZnO. Selon une variante de l'invention, le substrat est de type saphir, silicium, quartz, verre. Selon une variante de l'invention, la première couche métallique est en métal de type cuivre (Cu) , alliage de cuivre et d'aluminium (AlCu), 5 tungstène (W), Molybdène (Mo), AISi, Cr. Selon une variante de l'invention, le dispositif comporte en outre au moins une couche de collage moléculaire insérée entre la première métallisation et le second matériau piézoélectrique, de type oxyde basse température de type SiO2. 10 Selon une variante de l'invention, le dispositif comporte en outre une couche de découplage située sur la couche de second matériau piézoélectrique et sous la première couche métallique. Selon une variante de l'invention, la couche de découplage est une couche d'air. 15 Selon une variante de l'invention, la couche de découplage comprend une structure de réseau de Bragg, ledit réseau pouvant comporter une alternance de couches de tungstène (W) et de silice (SiO2). L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques comportant au moins un filtre à ondes 20 acoustiques de surface et un filtre à ondes acoustiques de volume selon l'invention caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la formation d'un empilement comportant au moins une couche de second matériau piézoélectrique, une couche de première métallisation (MI) et une couche d'un premier matériau piézoélectrique; 25 - la gravure partielle dudit empilement de manière à définir une première zone dans laquelle les premier et second matériaux piézoélectriques sont présents et une seconde zone dans laquelle le premier matériau piézoélectrique est absent ; - la réalisation d'une seconde métallisation au niveau de la 30 première zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de volume intégrant le premier matériau piézoélectrique et une troisième métallisation au niveau de la seconde zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de surface intégrant le second matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, la formation de l'empilement 35 comporte le report de la couche de premier matériau piézoélectrique associée à la couche de première métallisation sur la couche de second matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, le report de la couche de premier matériau piézoélectrique associée à la couche de première métallisation sur la couche de second matériau piézoélectrique comporte : - la définition d'une couche mince de premier matériau piézoélectrique au sein d'un substrat de premier matériau piézoélectrique comportant une couche supérieure de première métallisation définissant un premier ensemble ; - l'assemblage dudit premier ensemble comportant ladite couche mince de premier matériau piézoélectrique défini au sein d'un substrat de premier matériau piézoélectrique côté première métallisation sur le second matériau piézoélectrique ; - la séparation dudit substrat de premier matériau piézoélectrique 15 de ladite couche mince de premier matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, la définition de la couche mince de premier matériau piézoélectrique comporte les étapes suivantes : - la métallisation d'un substrat comportant au moins en surface le premier matériau piézoélectrique ; 20 - l'implantation d'ions dans ledit substrat pour créer dans le premier matériau piézoélectrique une zone fragile enterrée définissant la couche mince de premier matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, l'implantation ionique est réalisée avec des ions hydrogène et /ou des ions hélium. 25 Selon une variante de l'invention, la séparation est réalisée par traitement thermique. Selon une variante de l'invention, le report de la couche de premier matériau piézoélectrique associée à la couche de première métallisation sur la couche de second matériau piézoélectrique comprend : 30 - une étape d'assemblage d'un premier substrat comportant au moins une couche de premier matériau piézoélectrique recouvert d'une couche supérieure de première métallisation avec un second matériau piézoélectrique et - une étape d'amincissement du premier substrat par rodage / polissage de manière à définir une couche mince de premier matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, l'assemblage est effectué par 5 collage moléculaire. Selon une variante de l'invention, le premier ensemble comprend une première couche de collage, le second matériau piézoélectrique étant recouvert d'une seconde couche de collage. Selon une variante de l'invention, le premier ensemble comporte 10 une couche de découplage. Selon une variante de l'invention, la formation de l'empilement comportant au moins dans cet ordre une couche de second matériau piézoélectrique , une couche de première métallisation et une couche d'un premier matériau piézoélectrique, est obtenue par dépôt de la couche de 15 première métallisation et de la couche d'un premier matériau piézoélectrique sur la couche de second matériau piézoélectrique . Selon une variante de l'invention, la couche de second matériau piézoélectrique est constituée par la partie superficielle d'un substrat massif de second matériau piézoélectrique. 20 Selon une variante de l'invention, la couche de second matériau piézoélectrique (P;ézo2) est déposée ou épitaxiée ou reportée sur un substrat. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce 25 aux figures annexées parmi lesquelles : - les figures la et lb illustrent respectivement des structures à ondes acoustiques de surface et à ondes acoustiques de volume ; - la figure 2 illustre un exemple de dispositif selon l'invention ; - la figure 3 illustre les principales étapes d'un procédé de report de 30 film à base d'implantation/fracture ; - les figures 4a à 4h illustrent les différentes étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif selon l'invention. De manière générale, le dispositif de l'invention comprend comme illustré en figure 2, un substrat comportant au moins en surface un matériau piézoélectrique. Avantageusement et comme décrit ci-après, le substrat peut être le matériau piézoélectrique Plézo2 sur lequel est disposé un empilement comportant une couche de métal M1, une couche de matériau piézoélectrique Plézol et une couche de métal M2, définissant ainsi une première zone dans laquelle est réalisé le filtre à ondes acoustiques de volume de type BAW. Avantageusement une couche de découplage acoustique est prévue entre le deuxième matériau piézoélectrique et la couche de métal M1 pour découpler les deux couches piézoélectriques. Le substrat Plézo2 comporte par ailleurs dans une seconde zone, un ensemble métallisé M3 permettant de définir un jeu d'électrodes à la surface dudit matériau piézoélectrique de manière à réaliser le filtre à ondes acoustiques de surface. Les matériaux piézoélectriques peuvent être de différents types : ils peuvent être polycristallins notamment lorsqu'ils sont déposés et éventuellement recuits (cas de SrTiO3 ou PbZrTiO3 ou AIN ou ZnO), ils sont avantageusement monocristallins lorsqu'ils sont reportés (cas LiNbO3, LiTaO3, La3Ga5SiO14, La3Ga5.5Tao.5O14). Un procédé de fabrication particulièrement adapté à la fabrication d'un dispositif de l'invention va être décrit ci-après. Afin de réaliser la couche mince de matériau Piézol monocristallin, on peut avantageusement avoir recours à deux types de techniques existantes de report de couches minces permettant de conserver le caractère monocristallin du substrat de départ dans lequel cette couche mince est prélevée: une première technique basée sur l'implantation d'ions gazeux (typiquement hydrogène) dite technique d'implantation/fracture, et une deuxième technique basée sur un amincissement mécanique après collage dit technique de collage / amincissement mécanique. Ces techniques permettent de reporter une couche monocristalline sur un substrat de réception ou substrat hôte. Ces techniques sont parfaitement maîtrisées sur Silicium permettant entre autres la fabrication industrielle de plaquettes SOI (Silicon On Insulator). Ces deux techniques se différencient par la gamme d'épaisseur de matériau que l'on cherche à reporter, le procédé par collage /amincissement mécanique étant limité à des épaisseurs de l'ordre de quelques microns minimum, le procédé par implantation/fracture permettant quant à lui d'atteindre de très faibles épaisseurs typiquement pouvant être inférieures à environ 0,5 pm mais étant limité pour les valeurs supérieures à 2pm avec un implanteur classique de la microélectronique et à quelques dizaines de pm avec des implanteurs haute énergie. Le procédé de report par implantation/fracture est notamment décrit dans l'article : "Silicon on insulator material technology", Electronic letters, 31 (14), p1201-1202 (1995), il permet notamment la réalisation de substrats SOI « Silicon On Insulator » correspondant à du silicium sur isolant. Ce procédé peut être schématiquement résumé par les quatre étapes suivantes illustrées en figure 3 : Etape 1 : Un substrat donneur A, par exemple de silicium est implanté par des espèces gazeuses (par exemple de l'hydrogène et/ou des gaz rares) pour former une zone fragile enterrée, délimitant dans ce substrat le film mince à transférer. Etape 2 : Le substrat donneur est ensuite assemblé au niveau du film mince précédemment défini, par exemple par collage direct (encore 20 appelé collage moléculaire), avec un substrat de réception B. Etape 3 : Une étape de fracture est ensuite obtenue au niveau de la zone fragile enterrée au moyen d'un traitement thermique éventuellement assisté de l'application de contraintes mécaniques. On obtient alors d'une part le film mince solidaire du substrat de réception, et d'autre part le reliquat 25 du substrat donneur correspondant au substrat donneur initial A, pelé du film mince transféré. Ce dernier peut alors être recyclé pour la réalisation d'un autre transfert. Etape 4: Eventuellement, des traitements finaux peuvent être réalisés, par exemple un recuit à haute température pour consolider 30 l'interface de collage entre le film mince transféré et le substrat de réception L'épaisseur du film mince transféré est directement reliée à l'énergie d'implantation du faisceau d'ions. A titre d'exemple, l'épaisseur de silicium transférée peut aller de quelques dizaines de nm à environ 2pm en utilisant un implanteur conventionnel (énergie Les couches transférées sont uniformes et homogènes en épaisseur car définies par une profondeur d'implantation et non par un amincissement mécanique. C'est un procédé flexible qui permet par exemple la réalisation 5 d'hétérostructures. Outre le silicium, différents matériaux ont déjà été transférés par le biais de cette technique : - le SiC: L. DiCioccio, F. Letertre, Y. Le Tiec, A.M. Papon, C. Jaussaud and M. Bruel : "Silicon carbide on insulator formation by Smart CutTM process", Master. Sci. Eng., vol.B46, pp.349-356 (1997); 10 - le GaAs : E. Jalaguier, B. Aspar, S. Pocas, J.F. Michaud, M. Zussy, A.M. Papon and M. Bruel : "Transfer of thin GaAs film on silicon substrate by proton implantation process", Electronic letters, vol.34, N°4, pp.408-409 (1998).; - l'InP : E. Jalaguier, B. Aspar, S. Pocas, J.F. Michaud, A.M. Papon 15 and M. Bruel : "Transfer of thin InP film onto silicon substrate by proton implantation process", IEEE Proc.11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Davos (Switzerland) (1999); - le GaN : A. Tauzin, T. Akatsu, M. Rabarot, J. Dechamp : "Transfers of 2-inch GaN films onto sapphire substrates using Smart CutTM 20 technology", Electronics Letters 26th May 2005 Vol. 41 No. 11; - ou le Ge : C. Deguet et al - 200 mm Germanium-On-Insulator (GeOl) structures realized from epitaxial Germanium wafers by the Smart CutTM technology û Electro Chemical Society 2005. Ces transferts peuvent être réalisés sur différents 25 substrats récepteurs : quartz, Si, Ge, GaAs, saphir,.... Un tel procédé permet donc de proposer sans de forte perturbation de la technologie, l'intégration d'électrodes ou filtres de Bragg, particulièrement adapté à la problématique de la présente invention. En effet, aujourd'hui dans la majorité des composants pour les micro-systèmes 30 MEMS, les couches de matériaux piézoélectriques sont réalisées par des techniques de dépôts de type PVD ou sol gel. En général, les couches à élaborer pour ces composants sont dans une gamme d'épaisseurs comprises entre quelques centaines de nm et le micron. C'est pourquoi la maîtrise de la fabrication de couches piézoélectriques et électrostrictives monocristallines pour cette gamme d'épaisseurs constitue un verrou technologique important. Des études ont montré la possibilité de transférer par implantation / fracture des couches piézoélectriques. On se référera notamment à la publication : Integration of single-crystal LiNbO3 thin film on silicon by laser irradiation and ion implantation-induced layer transfer, Y.B. Park, B. Min, J. Vahala and H.A. Atwater, Advanced Materials, vol 18 (2006) 1533. Ces auteurs montrent la réalisation d'un transfert de 800 nm de LiNbO3 par coimplantation d'ions H à 80 keV avec une dose de 5e16 ions/cm2 et une énergie d'hélium de 115 keV avec une dose de 1e17 ions/cm2. L'originalité de cette publication est dans le mécanisme de transfert qui se fait à l'aide d'un laser cw-CO2 (100 MW.m"2) utilisé comme source de chaleur à cette fin. Une étude menée par M. Alexe : « Ferroelectric oxide singlecrystalline layers by wafer bonding and Hydrogen/Helium implantation, I. Radu, I. Szafraniak, R. Scholz, M. Alexe, U. Gôsele, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., vol 748 (2003) » s'est attachée à trouver les conditions optimales de cloquage (conditions déterminantes d'un transfert par implantation /fracture) pour différents matériaux, tels que LiNbO3, LaAIO3, SrTiO3 voire même du PbZrTiO3 , en utilisant des ions Hélium et Hydrogène. Des études similaires, ont été faites dans le LiTaO3 : « Investigation of H+ and B+/H+ implantation in LiTaO3 single crystals » Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 184 (2001) p53, à l'aide d'implantation H+ et co-implantation B+/H+, ces auteurs se sont essentiellement attachés à caractériser les dommages créés par l'implantation et l'effet des recuits de guérison. Enfin la demanderesse a elle-même proposé des solutions de transfert de LiNbO3 selon la technologie implantation/ fracture : J-S. Moulet and al ; "High piezoelectric properties in LiNbO3 transferred layer by the Smart Cut technology for ultra wide band BAW filter application, IEDM 2008 - IEEE- International ûElectron ûDevices -Meeting.-Technical - Digest. 2008. C'est pourquoi, un procédé de l'invention particulièrement adapté à la conception de dispositif de l'invention, propose de coupler l'avantage de la réalisation de filtres SAW et BAW sur des matériaux piézoélectriques en couche mince monocristalline, à celui de pouvoir réaliser sur le même substrat un composant SAW et un composant BAW par une technologie de report de couches minces monocristallines (notamment t par implantation / fracture), laissant par la même plus de latitude quant au choix de l'orientation cristalline et à l'optimisation indépendante de chaque type de composant. Les figures 4a à 4i illustrent ainsi les différentes étapes d'un tel procédé. On réalise le dépôt d'une couche métallique M1 sur un substrat de premier matériau piézoélectrique Piezo1, comme illustré en figure 4a. On procède alors à une Opération d'implantation ionique par exemple à base de H+, de He ou un mélange des deux types selon la nature du matériau piézoélectrique avec des doses comprises entre 1.1016 et 1.1017 ~o at/cm2, et avec une énergie comprise entre 50 keV et 240 keV selon l'épaisseur à transférer, comme illustré en figure 4b, pour créer une zone fragile enterrée permettant de définir la couche mince piézoélectrique à transférer Cp;ézol au sein du substrat piézoélectrique P;ézo1. On notera que si les conditions thermiques le permettent, l'implantation peut être réalisée 15 avant le dépôt de la couche métallique M1. Avantageusement, une couche Cc1 de collage de quelques dizaines voire centaines de nm est déposée par la suite par-dessus la couche métallique comme illustré en figure 4c, par exemple un oxyde de silicium basse température est utilisé (déposé par exemple par Ion Beam Sputtering) 20 suffisamment dense pour ne pas demander de densification. Cette couche est ensuite préparée pour être compatible d'une opération de collage direct, par exemple par une préparation par polissage (de type CMP : polissage mécano chimique avec slurry à base de silice colloïdale) qui permet d'obtenir la rugosité et l'activation chimique de la surface souhaitées pour le collage 25 direct. En parallèle, à partir d'un substrat de second matériau piézoélectrique P;ézo2 , massif monocristallin, on réalise avantageusement le dépôt d'une couche C2 intermédiaire (qui peut servir de couche de découplage acoustique soit directement s'il s'agit d'un réseau de Bragg, soit 30 après élimination, l'air remplaçant la couche éliminée servant alors au découplage proprement dit ), et le dépôt d'une couche de collage Cc2 adaptée à une opération de collage moléculaire ultérieure, comme illustré en figure 4d. Plus précisément, un substrat piézoélectrique (par exemple de type LiNbO3, LiTaO3 ...) massif, est choisi pour l'application SAW (en terme 35 d'orientation, de nature de matériau ...). La couche C2 peut comporter par exemple une couche sacrificielle, ou bien un réseau de Bragg (alternances de couches de W/SiO2 de plusieurs centaines de nm), avec une couche par exemple de SiO2 en surface destinée à servir a posteriori pour le collage et servant de couche de collage Cc2. De même, la couche de collage Ccl peut faire partie intégrante du réseau de Bragg disposé à terme entre le deuxième matériau piézoélectrique et la première couche métallique M1. Les couches Ccl et Cc2 peuvent avoir également un rôle dans la compensation de la variation en température du matériau piézoélectrique lorsque le SAW est compensé. Des couches supplémentaires peuvent également être prévues pour assurer cette compensation. Les deux substrats sont ensuite collés par collage moléculaire comme illustré en figure 4e. Un traitement thermique est ensuite appliqué (entre 100°C et 500°C, préférentiellement 250°C) afin d'initier le transfert du film mince de premier matériau Piezo1 comme illustré en figure 4f permettant de séparer la couche mince piézoélectrique à transférer Cp;ézo1 du reste du substrat de premier matériau piézoélectrique. Des procédés de finition non représentés (tel que traitement 20 thermique et/ou polissage pour obtenir une rugosité compatible avec la réalisation ultérieure de composants) peuvent être effectués. Une partie de l'empilement ainsi réalisé est alors gravé de manière à définir deux zones respectivement dédiées à la formation d'un filtre à ondes acoustiques de volume et à la formation d'un filtre à ondes acoustiques de 25 surface, comme illustré en figure 4g. Plus précisément les couches supérieures sont gravées par exemple par gravure sèche, pour mettre à nu la couche de matériau P;ézo2 de manière à pouvoir réaliser et optimiser les deux composants de façon indépendante l'un par rapport à l'autre (en terme de design / matériau des 30 électrodes ...). On procède ensuite à la réalisation de la métallisation M2 correspondant à l'électrode supérieure du filtre de type BAW, l'électrode inférieure étant constituée par la métallisation MI . On procède également, à la réalisation de la métallisation M3 en surface du matériau Piézo2 dans laquelle on effectue le « design » d' électrodes nécessaires à la conception du filtre SAW , comme illustré en figure 3. Il est possible à ce stade, si une couche de découplage sacrificielle a été prévue, de l'éliminer par exemple par gravure sélective pour laisser entre la couche de second matériau piézoélectrique et la couche de métallisation MI de l'air assurant le découplage acoustique entre les deux couches piézoélectriques. Différentes alternatives au procédé précédemment décrit peuvent 10 être envisagées : En effet, une approche alternative pour obtenir l'opération de transfert peut consister à assembler les deux substrats par exemple par collage direct puis à amincir le substrat de premier matériau piézoélectrique Plézol par une étape de rodage / polissage. Les épaisseurs de matériau 15 obtenues dans ce cas sont en général supérieurs à quelques pm. Selon une autre variante, le substrat massif de matériau P;ézo2 peut être remplacé par un substrat composite formé d'un substrat hôte (par exemple un matériau adapté pour la compensation en température de type saphir, silicium, quartz ....) sur lequel est transféré (par implantation /fracture 20 ou collage / amincissement mécanique) ou déposée ou épitaxiée une couche piézoélectrique. On peut citer par exemple l'épitaxie d'AIN sur un substrat de saphir. De même le substrat massif de matériau Piézo1 dans lequel est réalisée la couche mince de premier matériau piézoélectrique peut être 25 remplacé par un substrat composite formé d'un substrat hôte (par exemple un matériau adapté pour la compensation en température de type saphir, silicium, quartz ....) sur lequel est transféré (par implantation /fracture ou collage / amincissement mécanique) ou déposée ou épitaxiée une couche de premier matériau piézoélectrique. 30 Enfin, il est également possible au lieu de reporter la couche mince de premier matériau piézoélectrique, de la déposer, en déposant par exemple SrTiO3, PbZrTiO3, AIN ou ZnO. Dans ce cas, ce matériau n'est plus monocristallin mais seulement polycristallin. Au besoin un recuit adapté est effectué après dépôt. 35 REVENDICATIONS1. Dispositif à ondes acoustiques comportant au moins un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) et un filtre à ondes acoustiques de volume (BAW), caractérisé en ce qu'il comprend sur un substrat comportant un second matériau piézoélectrique (P;éz02) : - un empilement de couches comportant au moins une première couche métallique (M1) et une couche d'un premier matériau piézoélectrique (P;ézo1) ; - l'empilement de couches étant partiellement gravé de manière à définir une première zone dans laquelle les premier et second matériaux piézoélectriques sont présents et une seconde zone dans laquelle le premier matériau piézoélectrique est absent ; - une seconde métallisation (M2) au niveau de la première zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de volume intégrant le premier matériau piézoélectrique et une troisième métallisation (M3) au niveau de la seconde zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de surface intégrant le second matériau piézoélectrique. 2. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est en second matériau piézoélectrique. 3. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat comporte une couche de second matériau 25 piézoélectrique. 4. Dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le second matériau piézoélectrique est de type LiNbO3, LiTaO3, La3Ga5SiO14 (langasite), La3Ga5.5Ta0,5O14 (langatate). 5. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 3, caractérisé en ce que le second matériau piézoélectrique est de type SrTiO3 (STO) ou PbZrTiO3 (PZT) ou AIN ou ZnO . 30 6. Dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le premier matériau piézoélectrique est de type LiNbO3 (LNO), LiTaO3 (LTO), La3Ga5SiO14 (langasite), La3Ga5.5Tao.5O14 (langatate), SrTiO3 (STO) ,PbZrTiO3 (PZT), AIN , ZnO. 7. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat est de type saphir, silicium, quartz, verre. 8. Dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 1 10 à 7, caractérisé en ce que la première couche métallique est en métal de type cuivre (Cu) , alliage de cuivre et d'aluminium (AlCu), tungstène (W), Molybdène (Mo), AISi, Cr. 9. Dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 15 précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins une couche de collage moléculaire insérée entre la première métallisation et le second matériau piézoélectrique, de type oxyde basse température de type SiO2. 10. Dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 20 précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche de découplage située sur la couche de second matériau piézoélectrique et sous la première couche métallique. 11. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 10, 25 caractérisé en ce que la couche de découplage est une couche d'air. 12. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche de découplage comprend une structure de réseau de Bragg . 13. Dispositif à ondes de surface selon la revendication 12, caractérisé en ce que le réseau de Bragg comporte une alternance de couches de tungstène (W) et de silice (SiO2). 30 14. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques comportant au moins un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) et un filtre à ondes acoustiques de volume (BAW) selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la formation d'un empilement comportant au moins une couche de second matériau piézoélectrique (P1ézo2), une couche de première métallisation (M1) et une couche d'un premier matériau piézoélectrique (Piézo1); - la gravure partielle dudit empilement de manière à définir une première zone dans laquelle les premier et second matériaux piézoélectriques sont présents et une seconde zone dans laquelle le premier matériau piézoélectrique est absent ; - la réalisation d'une seconde métallisation (M2) au niveau de la première zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de volume intégrant le premier matériau piézoélectrique et une troisième métallisation (M3) au niveau de la seconde zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de surface intégrant le second matériau piézoélectrique. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 14, caractérisé en ce que la formation de l'empilement comporte le report de la couche de premier matériau piézoélectrique (P1ézo1) associée à la couche de première métallisation (M1) sur la couche de second matériau piézoélectrique (P1éz02). 16. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 15, caractérisé en ce que le report de la couche de premier matériau piézoélectrique (P1ézo1) associée à la couche de première métallisation (M1) sur la couche de second matériau piézoélectrique (P1ézo2) comporte : - la définition d'une couche mince de premier matériau piézoélectrique au sein d'un substrat de premier matériau piézoélectrique comportant une couche supérieure de première métallisation définissant un premier ensemble ; - l'assemblage dudit premier ensemble comportant ladite couche 35 mince de premier matériau piézoélectrique défini au sein d'un substrat depremier matériau piézoélectrique côté première métallisation sur le second matériau piézoélectrique ; - la séparation dudit substrat de premier matériau piézoélectrique de ladite couche mince de premier matériau piézoélectrique. 17. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 16, caractérisé en ce que la définition de la couche mince de premier matériau piézoélectrique comporte les étapes suivantes : 10 - la métallisation d'un substrat comportant au moins en surface le premier matériau piézoélectrique ; - l'implantation d'ions dans ledit substrat pour créer dans le premier matériau piézoélectrique une zone fragile enterrée définissant la couche mince de premier matériau piézoélectrique. 15 18. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'implantation ionique est réalisée avec des ions hydrogène et /ou des ions hélium. 20 19. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 16, caractérisé en ce que la séparation est réalisée par traitement thermique. 20. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques 25 selon la revendication 15, caractérisé en ce que le report de la couche de premier matériau piézoélectrique (P1éZ0l) associée à la couche de première métallisation (MI) sur la couche de second matériau piézoélectrique (P1 02) comprend : - une étape d'assemblage d'un premier substrat comportant au 30 moins une couche de premier matériau piézoélectrique recouvert d'une couche supérieure de première métallisation avec un second matériau piézoélectrique et - une étape d'amincissement du premier substrat par rodage / polissage de manière à définir une couche mince de premier matériau 35 piézoélectrique.5 21. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 16 à 20, caractérisé en ce que l'assemblage est effectué par collage moléculaire. 22. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon l'une des revendications 16 à 21, caractérisé en ce que le premier ensemble comprend une première couche de collage, le second matériau piézoélectrique étant recouvert d'une seconde couche de collage. 23. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 22, caractérisé en ce que le premier ensemble comporte une couche de découplage. 15 24. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 15, caractérisé en ce que la formation de l'empilement comportant au moins dans cet ordre une couche de second matériau piézoélectrique (Piézo2), une couche de première métallisation (M1) et une couche d'un premier matériau piézoélectrique (Piézol), est obtenue par dépôt 20 de la couche de première métallisation (M1) et de la couche d'un premier matériau piézoélectrique (Piézo1) sur la couche de second matériau piézoélectrique (Piézo2). 25. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques 25 selon l'une des 15 à 24, caractérisé en ce que la couche de second matériau piézoélectrique (Piézo2) est constituée par la partie superficielle d'un substrat massif de second matériau piézoélectrique. 26. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques 30 selon l'une des revendications 15 à 25, caractérisé en ce que la couche de second matériau piézoélectrique (Piézo2) est déposée ou épitaxiée ou reportée sur un substrat. 10 35