Brevet FR2950197A1 — publié le 20110318

Membrane piézoélectrique à actionnement optimisé et procédé de fabrication de la membrane Le domaine de l'invention est celui des microsystèmes et plus particulièrement celui des membranes pouvant être utilisées dans les micropompes ou bien dans les actionneurs piézoélectriques pour imprimante à jet d'encre. Actuellement, il existe des membranes piézoélectriques couches minces qui utilisent des couches de matériaux piézoélectriques tels que le zirconate titanate de plomb (PZT) ou un alliage d'alumium et de nitrure AIN, décrit dans la demande de brevet américaine US2006/0209128. Les membranes peuvent fonctionner selon deux modes possibles d'actionnement : le mode de coefficient d31 ou le mode de coefficient d33. De manière générale, les coefficients d31 et d33 répondent aux équations suivantes, en fonction de variation de déformation sous l'action d'un champ électrique appliqué sur un matériau de polarisation P d 31= S1/ E3 d33 = S3 / E3 avec S1 correspondant à la déformation selon l'axe 1 et S3 correspondant à la déformation selon l'axe 3, E3 correspondant au champ électrique suivant l'axe 3, tels que schématisés en figure 1. Les modes de fonctionnement dépendent du sens selon lequel le matériau est polarisé et du sens selon lequel on applique un champ électrique d'actionnement. Les figures 2a et 2b illustrent ainsi deux structures typiques d'actionnement de coefficients d31 et d33. Dans un mode dit «d31» , la tension est appliquée entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure comme montré en figure 2a. Dans le cas du mode dit «d33», la tension est appliquée entre les électrodes supérieures notées + et ù sur la figure 2b. Plus précisément, la structure comporte une membrane réalisée à la surface d'un substrat 1, ladite membrane comportant une couche 3 de matériau piézoélectrique apte à se déformer, à la surface d'une couche élastique 2 et comportant en outre des électrodes d'actionnement, dans le 3o cas décrit en figure 2a, il s'agit d'électrodes inférieure Einf et d'électrode supérieure Esup entre lesquelles sont insérées les couches 2 et 3. Dans le cas de la figure 2b, il s'agit d'électrodes supérieures de commande Eisup . En fonctionnement, la membrane a un profil non monotone. C'est-à-dire que la courbure est, à un instant donné, convexe à certains endroits, concave à d'autres. Murait a montré (Murait-P; Kohli-M; Maeder-T; Kholkin-A; Brooks-K; Setter-N; Luthier-R, Sensors-and-Actuators-A, 48(2), 157 (1995)), que le profil était à peu près celui illustré en figure 3 qui illustre le profil de courbure d'une membrane mixte couche élastique/couche piézoélectrique. L'abscisse x=0, correspond à la position au centre de la membrane, l'abscisse x=0.001 correspond au bord de la membrane, sur la zone bloquée. ~o Ainsi, que la membrane fonctionne en régime d33 ou d31, le matériau piézoélectrique ne doit pas être actionné partout sur la membrane sinon il est contre-productif. En effet, il est indispensable de le faire fonctionner de façon identique sur une zone de courbure de même signe. Dans un matériau piézoélectrique non ferroélectrique pour lequel il 15 n'y pas de polarisation par le champ électrique (tel que l'AIN ou le ZnO ou le quartz), la déformation dans le plan, Sp répond à l'équation suivante (1) : 31 (1) ep Avec ep épaisseur du matériau piézoélectrique et V la tension appliquée. 20 H est à noter et notamment décrit dans la publication de KyongWon Seo, JongSeon Park, HyongJung Kim et al., Micromachined piezoelectric microspeakers fabricated with high quality AIN thin films, Integrated Ferroelectrics, 95 (74-82), pp. 74-82 (2007) que dans le cas de certains matériaux critallins couramment utilisés tel que AIN, le signe du coefficient 25 d31 dépend de l'orientation cristalline du matériau. Ainsi, quand la polarisation du matériau AIN est dirigée comme illustrée sur la figure 2a, le coefficient d31 est négatif. C'est cette déformation piézoélectrique qui est à l'origine d'un moment piézoélectrique qui induit la déflexion de la membrane. 30 Il est connu d'utiliser un changement de signe de l'excitation piézoélectrique sur un matériau type AIN, avec deux électrodes supérieures distinctes entre le centre de la membrane et le bord de la membrane comme présenté sur les figures 4a et 4b qui illustrent respectivement une vue de V dessus et une vue en coupe d'une structure dans laquelle est créée une excitation simultanée dans les deux zones de courbures différentes, de la membrane. On utilise ici un actionnement d31 dans les deux zones mais en inversant le signe de la tension appliquée. Les tensions sont appliquées entre les électrodes supérieures E;sup et l'électrode inférieure E;nf qui reste à la masse. Cela permet d'appliquer un moment piézoélectrique de signe différent suivant les zones convexe et concave de la membrane, améliorant ainsi l'actionnement. Dans ce contexte, la présente invention propose une solution ~o permettant d'obtenir une déflexion optimale en utilisant un actionnement mixte de type d31 et de type d33 dans les deux zones de courbure différentes de la membrane actionnée et compatible par ailleurs avec l'utilisation de matériaux piézoélectriques ferroélectriques qui présentent l'intérêt de pouvoir être repolarisables. 15 Plus précisément, la présente invention a pour objet une membrane comprenant sur un substrat, un empilement de couches comportant au moins une couche de matériau piézoélectrique disposée entre une couche d'électrode supérieure et une couche d'électrode inférieure , caractérisée en ce qu'elle comprend au moins une première zone et au 20 moins une seconde zone, au moins une des couches d'électrodes étant discontinue dans la seconde zone de manière à créer un ensemble d'électrodes élémentaires dans un même plan pour l'application d'un champ électrique parallèle au plan des couches, le champ électrique applicable dans la première zone étant perpendiculaire au plan des couches et les 25 zones étant telles que la déformation dans le plan des couches, du matériau piézoélectrique dans la première zone est de signe opposé à la déformation dans ledit plan, du matériau piézoélectrique dans la deuxième zone. On définit dans la présente demande de manière générale, une déformation comme une variation relative de longueur. Ainsi chaque 30 première zone présente une déformation négative (soit un raccourcissement) dans le plan, la deuxième zone présentant une déformation positive (soit une élongation) dans le plan et vice et versa. Selon une variante de l'invention, le substrat comporte une cavité sur toute ou partie de l'empilement. Selon une variante de l'invention, la membrane comprend une première zone centrale et deux secondes zones latérales. Selon une variante de l'invention, la membrane comprend deux premières zones latérales et une seconde zone centrale. Selon une variante de l'invention, l'une des zones est centrale et l'autre zone est périphérique de la zone centrale. Selon une variante de l'invention, la membrane comprend en outre une couche élastique supportant la couche de matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, la membrane comporte en outre une couche tampon déposée sur la couche élastique permettant de favoriser la réalisation de la couche de matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention, la membrane comporte en outre une couche d'arrêt de gravure. Selon une variante de l'invention, la membrane comprend une électrode inférieure enterrée dans la couche de matériau piézoélectrique, présente dans ladite première zone centrale. Selon une variante de l'invention, la membrane comporte des électrodes élémentaires inférieures enterrées dans la couche de matériau piézoélectrique au niveau des secondes zones. Selon une variante de l'invention, le matériau piézoélectrique est de type ferroélectrique. Avantageusement le matériau ferroélectrique est de type PbZrTiO3 (PZT) ou PbMgNbTiO3 (PMNT) ou BaFeO3 (BST) ou BaTiO3 ou BiFeO3. Selon une variante de l'invention, le matériau piézoélectrique est un matériau électrostrictif. Avantageusement, le matériau électrostrictif est de type SrTiO3, BaSrTiO3, Pb(Mg,Nb)TiO3. Selon une variante de l'invention, la couche élastique est en matériau de type silicium ou un alliage de silicium (SiO2, SiN) ou ZrO2, la couche tampon pouvant être en ZrO2. Selon une variante de l'invention, l'électrode inférieure présente une épaisseur suffisante, typiquement de l'ordre de l'épaisseur de la couche de matériau piézoélectrique, permettant de s'affranchir de la présence d'une couche élastique. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'une membrane selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes 5 suivantes : - le dépôt à la surface d'un substrat d'un empilement de couches comprenant au moins une couche de matériau piézoélectrique, une couche d'électrode inférieure, une couche d'électrode supérieure ; - la structuration d'au moins une des couches d'électrode de ~o manière à définir au moins une première zone de membrane dans laquelle on peut appliquer un champ électrique perpendiculaire au plan de couches et au moins une seconde zone dans laquelle on peut appliquer un champ électrique parallèle au plan des couches. Selon une variante de l'invention, la structuration de la couche 15 d'électrode est réalisée par usinage ionique. Selon une variante de l'invention, le dépôt de matériau piézoélectrique est effectué par procédé sol-gel. Selon une variante de l'invention, le procédé comporte en outre la gravure profonde du substrat pour définir une cavité. 20 Selon une variante de l'invention, le procédé comprend en outre la gravure locale de la couche de matériau piézoélectrique. Selon une variante de l'invention la gravure de la couche de matériau piézoélectrique est effectuée par gravure chimique. Selon une variante de l'invention, la gravure de la couche de 25 matériau piézoélectrique est effectuée par gravure sèche. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : 30 la figure 1 illustre les polarisations radiale et longitudinale Pr et P3 d'un matériau polarisé ; les figures 2a et 2b illustrent deux structures typiques d'actionnement de coefficients d31 et d33 dans des membranes de l'art connu ; - la figure 3 illustre le profil de courbure d'une membrane mixte couche élastique/couche piézoélectrique selon l'art connu, en actionnement ; les figures 4a et 4b illustrent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe d'une structure dans laquelle est créée une excitation simultanée dans les deux zones de courbures différentes d'une membrane selon l'art connu ; la figure 5 illustre une variante de l'invention présentant une première zone centrale et deux secondes zones latérales ; la figure 6 illustre une variante de l'invention présentant une seconde zone centrale et deux premières zones latérales ; la figure 7 illustre une variante de l'invention présentant une électrode inférieure enterrée ; la figure 8 illustre une variante de l'invention présentant plusieurs 15 types d'électrodes inférieures enterrées ; la figure 9 illustre une variante de l'invention présentant une couche tampon et une couche d'arrêt de gravure ; les figures 10a et 10b illustrent un exemple de géométrie d'électrodes pouvant être utilisées dans une membrane de 20 l'invention. Selon l'invention, il est proposé d'utiliser un actionnement mixte de type d31 et de type d33 dans les deux zones de courbure différente comme présenté en figure 3. 25 En effet, l'effet d33 induit un coefficient de déformation Sp positif et l'effet d31 induit un coefficient de déformation Sp négatif. On peut donc imposer des déformations piézoélectriques dans le plan de signe différent, ce qui est nécessaire pour obtenir une déflexion optimale de la membrane. 30 La membrane de la présente invention peut fonctionner à champ fort entre le champ coercitif et le champ de claquage avec un matériau piézoélectrique ferroélectrique. Elle peut aussi avantageusement fonctionner avec un matériau électrostrictif de type : SrTiO3, BaSrTiO3, Pb(Mg,Nb)TiO3. La figure 5 illustre une première variante de l'invention comportant une première zone centrale R1c dans laquelle est déployée l'effet d31 et deux secondes zones latérales R21 et R22 dans lesquelles est déployé l'effet d33, au sein d'une couche de matériau piézoélectrique 3 à la surface d'une couche élastique 20 déposée à la surface d'un substrat 10, au sein duquel est réalisée une cavité C. La couche de matériau piézoélectrique est par ailleurs comprise entre une couche d'électrode inférieure E;pf et une couche d'électrode supérieure ESUp permettant de pouvoir appliquer dans la zone R1c des lignes de champ perpendiculaire au plan des couches comme représenté par les flèches sur ladite figure 5. Selon une autres variante de l'invention, la structure de membrane telle qu'illustrée en figure 6 comporte une zone centrale R2c à effet d33 et deux zones latérales R11 et R12 à effet d31. Les électrodes E1isup en région centrales permettent d'appliquer les lignes de champ parallèles au plan des couches, dans le cas où la distance entre les électrodes Efisup est inférieure à l'épaisseur de la couche de matériau piézoélectrique. Il est possible d'optimiser le fonctionnement de ce type de structure. En effet, dans les zones latérales dans lesquelles les lignes de champ sont parallèles au plan des couches on a intérêt à ne pas trop perturber les lignes de champ horizontales avec la présence de l'électrode inférieure, c'est à ce titre qu'une variante de l'invention propose de supprimer dans les secondes zones, l'électrode inférieure comme illustré en figure 7, afin de pouvoir appliquer un champ électrique horizontal dans tout le volume de matériau piézoélectrique de la zone d33. II est à noter que le champ électrique E doit être suffisamment fort pour faire basculer la polarisation dans le sens du champ. Dans la zone d31 au centre de la membrane, comme précédemment explicité, le matériau piézoélectrique induit un coefficient de déformation Sp négatif quand on applique un champ électrique. La membrane est donc dirigée vers le bas. Dans les zones dans lesquelles est déployé l'effet appelée d33, le matériau piézoélectrique induit un coefficient de déformation Sp positif. La membrane a donc tendance également à aller vers le bas, conformément au raisonnement illustré par la figure 3. Cette solution est aussi valable pour les matériaux électrostrictifs. De manière générale, le sens du champ électrique n'a pas d'importance que ce soit sur la zone d33 ou la zone d31. Il est simplement nécessaire de faire apparaître un champ électrique d'une part entre l'électrode inférieure et supérieure de la zone d31 et d'autre part entre les électrodes « + » et « - » de la zone d33. II est à noter que l'on peut aussi optimiser le fonctionnement de ce 1 o type de structure en utilisant au mieux l'ensemble du matériau piézoélectrique. En effet, dans les zones latérales dans lesquelles les lignes de champ sont parallèles au plan des couches, on a intérêt à ne pas trop perturber les lignes de champ horizontales avec la présence de l'électrode inférieure tout en exploitant néanmoins l'ensemble de l'épaisseur de couche 15 de matériau piézoélectrique. On peut ainsi en rapprochant les électrodes E2isup concentrer le champ électrique, cependant ceci est effectué au détriment de l'ensemble de l'épaisseur du matériau piézoélectrique pouvant être utilisée, typiquement la distance entre les électrodes E2isup peut être inférieure à l'épaisseur de la 20 couche piézoélectrique. Selon une autre variante de l'invention, il est prévu de structurer l'électrode inférieure en électrode E;nf et E2i,lnf plutôt que l'électrode supérieure Esup comme illustré en figure 8. II est alors nécessaire de graver 25 localement la couche de matériau piézoélectrique pour avoir accès aux électrodes enterrées. Selon une variante de l'invention, il est proposé comme illustré en figure 9, d'ajouter une couche tampon 40 sur la couche élastique pour 3o améliorer la croissance du matériau piézoélectrique PZT et notamment dans la zone ne présentant pas d'électrode inférieure. En effet de manière classique, les couches de matériau piézoélectrique de type PZT sont réalisées par croissance et il peut être avantageux de déposer au préalable une couche favorisant cette croissance. Dans le cas d'un dépôt de PZT, il peut s'agir d'une couche de ZrO2, particulièrement dans la zone sous l'électrode inférieure. On peut aussi avantageusement utiliser des couches de nucléation sur l'électrode inférieure de type TiO2 ou PbTiO2. Par ailleurs, pour réaliser la structure de membrane, on effectue généralement une opération de gravure en face inférieure et l'on peut également avantageusement prévoir pour cela une couche d'arrêt de gravure 50. Un exemple complet d'empilement de couches est donné ci-après ainsi que les étapes de réalisation permettant de définir les différents jeux d'électrodes utilisés dans la présente invention. Exemple de réalisation : On s'approvisionne en substrat SOI avec une couche mince de Si typiquement de 3pm d'épaisseur ; on effectue le dépôt d'une couche tampon en ZrO2, déposée par pulvérisation réactive d'épaisseur 400nm ; on réalise une couche d'électrode inférieure en Pt déposée par pulvérisation d'épaisseur 100nm ; on dépose juste avant le Platine, une couche de TiO2 de 20nm par pulvérisation réactive servant de couche d'accroche ; on procède à la gravure de la couche d'électrode inférieure en 25 Platine par usinage ionique ; on effectue le dépôt de la couche de matériau piézoélectrique Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) par procédé sol gel, sur une épaisseur de 1 pm en procédant à une opération de recuit à 700°C ; on réalise la gravure du PZT par gravure chimique (HF/HCI) ou 30 sèche (gaz chloré/Argon), pour la reprise de contact sur l'électrode inférieure ; on réalise le dépôt de l'électrode supérieure en Platine sur une épaisseur de 100nm ; on procède à la gravure de l'électrode supérieure par usinage 35 ionique afin de définir les zones d33 et d31 ; enfin on réalise la gravure face arrière pour libérer la membrane par gravure profonde SF6/C4F8 selon un procédé de l'art connu, jusqu'à atteindre la couche d'arrêt de gravure sur l'oxyde enterré du SOI. La géométrie des électrodes dédiées aux premières et secondes zones peuvent être variables, les figures 10a et 10b illustrent un exemple de connexions possibles de type circulaires. La vue de dessus en figure 9a montre qu'une partie des électrodes E2isup/1 peuvent être connectées à un même premier port PI que l'électrode centrale Esup, les autres électrodes E2;sup12 étant connectées à un second port P2. Dans cet exemple, l'électrode inférieure est connectée au port P2. Il est à noter qu'il peut tout aussi bien être envisagé de réaliser des géométries d'électrodes rectangulaires typiquement de 1 mm de long.15 REVENDICATIONS1. Membrane comprenant sur un substrat (10) un empilement de couches comportant au moins une couche de matériau piézoélectrique (30) disposée entre une couche d'électrode supérieure (Esup) et une couche d'électrode inférieure (E;,,f), caractérisée en ce qu'elle comprend au moins une première zone (RiC,R11, R12) et au moins une seconde zone (R2c, R21, R22) , au moins une des couches d'électrodes (E;sup, E;,;nf) étant discontinue dans la seconde zone de . manière à créer un ensemble d'électrodes élémentaires dans un même plan pour l'application d'un champ électrique parallèle au plan des couches, le champ électrique applicable dans la première zone étant perpendiculaire au plan des couches et les zones étant telles que la déformation dans le plan des couches, du matériau piézoélectrique dans la première zone est de signe opposé à la déformation dans ledit plan, du matériau piézoélectrique, dans la deuxième zone. 2. Membrane selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat comporte une cavité sur toute ou partie de l'empilement. 3. Membrane selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle comprend une première zone centrale (R1c) et deux secondes 20 zones latérales (R21, R22). 4. Membrane selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle comprend deux premières zones latérales (R21, R22) et une seconde zone centrale (R2c). 5. Membrane selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que l'une des zones est centrale et l'autre zone est périphérique de la zone centrale. 30 6. Membrane selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche élastique (20) supportant la couche de matériau piézoélectrique. 25 7. Membrane selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre une couche tampon (40) déposée sur la couche élastique permettant de favoriser la réalisation de la couche de matériau piézoélectrique. 8. Membrane selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre une couche d'arrêt de gravure (50). 10 9. Membrane selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend une électrode inférieure enterrée dans la couche de matériau piézoélectrique et présente dans ladite première zone centrale. 15 10. Membrane selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte des électrodes inférieures élémentaires (E2,;nf) enterrées au niveau de la couche de matériau piézoélectrique dans la ou les secondes zones. 20 11. Membrane selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisée en ce que le matériau piézoélectrique est de type ferroélectrique. 12. Membrane selon la revendication 11, caractérisé en ce que le matériau ferroélectrique est de type PbZrTiO3 (PZT) ou PbMgNbTiO3 (PMNT) 25 ou BaFeO3 (BST) ou BaTiO3 ou BiFeO3. 13. Membrane selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisée en ce que le matériau piézoélectrique est un matériau électrostrictif. 30 14. Membrane selon la revendication 13, caractérisée en ce que le matériau électrostrictif est de type SrTiO3, BaSrTiO3, Pb(Mg,Nb)TiO3 . 15. Membrane selon l'une des revendications précédentes caractérisée en ce que la couche élastique est en matériau de type silicium, 35 ou un alliage de silicium (SiO2, SiN) ou ZrO2.5 16. Membrane selon la revendication 15, caractérisée en ce que la couche tampon est en ZrO2. 17. Procédé de fabrication d'une membrane selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - le dépôt à la surface d'un substrat d'un empilement de couches comprenant au moins une couche de matériau piézoélectrique, une couche d'électrode inférieure, une couche d'électrode supérieure ; - la structuration d'au moins une des couches d'électrodes de manière à définir au moins une première zone de membrane dans laquelle on peut appliquer un champ électrique perpendiculaire au plan de couches et au moins une seconde zone dans laquelle on peut appliquer un champ électrique parallèle au plan des couches. 18. Procédé de fabrication d'une membrane selon la revendication 17, caractérisé en ce que la structuration de la couche d'électrode est réalisée par usinage ionique. 19. Procédé de fabrication d'une membrane selon l'une des revendications 17 ou 18, caractérisé en ce que le dépôt de matériau piézoélectrique est effectué par procédé sol-gel. 20. Procédé de fabrication d'une membrane selon l'une des 25 revendications 17 à 19, caractérisé en ce qu'il comporte en outre la gravure profonde du substrat pour définir une cavité. 21. Procédé de fabrication d'une membrane selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la gravure locale de la couche 30 de matériau piézoélectrique pour permettre la reprise de contact de la couche d'électrode inférieure. 22. Procédé de fabrication d'une membrane selon la revendication 21, caractérisé en ce que la gravure de la couche de matériau 35 piézoélectrique est effectuée par gravure chimique. 23. Procédé de fabrication d'une membrane selon la revendication 21, caractérisé en ce que la gravure de la couche de matériau piézoélectrique est effectuée par gravure sèche.5