Brevet FR2945665A1 — publié le 20101119

Procédé de revêtement d'un substrat semi-conducteur par électrodéposition DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne généralement une composition d'électrodéposition destinée au revêtement d'une surface d'un substrat par du cuivre, notamment d'une surface constituée d'un matériau électriquement résistif. ETAT DE LA TECHNIQUE L'invention trouve essentiellement application dans le domaine de la microélectronique pour la métallisation de vias traversants (dénommés �through silicon vias � ou � through wafer vias � ou � through wafer interconnect � en anglais) clef de voûte de l'intégration des puces électroniques (dénommées � chip � ou � die � en anglais) en trois dimensions (3D) ou intégration verticale. Les systèmes électroniques actuels se composent, pour la plupart, de plusieurs circuits intégrés, ou composants, et chaque circuit intégré remplit une ou plusieurs fonctions. Par exemple, un ordinateur comporte au moins un microprocesseur et plusieurs circuits mémoires. Chaque circuit intégré correspond usuellement à une puce électronique dans son propre boîtier (dénommé � package � en anglais). Les circuits intégrés sont brasés ou enfichés sur, par exemple, un circuit imprimé (dénommé � printed circuit board � ou � PCB � en anglais) qui assure la connexion entre les circuits intégrés. Depuis plusieurs générations de circuits intégrés, le besoin permanent d'augmenter la densité de fonctionnalité conduit à concevoir les systèmes selon le concept du � système sur puce � (dénommé � system on chip � en anglais). Tous les composants et blocs de circuit nécessaires à la mise en oeuvre de l'ensemble des fonctions du système sont alors réalisés sur la même puce, sans utiliser le support d'un circuit imprimé. En pratique, il est néanmoins très difficile d'obtenir un � système sur puce � de haute performance car les procédés de fabrication des circuits logiques et mémoires, par exemple, diffèrent très substantiellement. L'approche � système sur puce � aboutit donc à consentir des compromis quant aux performances des différentes fonctions réalisées sur la même puce. De plus la taille de telles puces et leur rendement de fabrication atteignent les limites de leur faisabilité économique. Une autre approche consiste à fabriquer dans un même boîtier un module assurant l'interconnexion de plusieurs circuits intégrés, lesquels peuvent alors provenir du même substrat semi-conducteur ou de substrats différents. Le boîtier ainsi obtenu ou � module multi puce � (dénommé � multi chip module � ou � MCM � en anglais) se présente ainsi sous la forme d'un composant unique. Il existe différentes technologies de substrat � MCM � e.g. laminé, céramique. Dans tous les cas l'approche � MCM � permet d'obtenir une plus haute densité d'interconnexion et donc une meilleure performance qu'une approche � PCB � classique. Néanmoins, elle ne s'en distingue pas fondamentalement. Outre l'encombrement et le poids du boîtier, les performances d'un � MCM � restent limitées par les éléments parasites associés à la longueur des connexions du substrat et aux fils de connexion (dénommés � wire bonding � en anglais) reliant le substrat ou les puces aux broches (dénommées � pins � en anglais) du boîtier. Grâce à la mise en oeuvre d'une intégration en trois dimensions (3D) ou intégration verticale, les puces sont superposées (dénommé � stacked � en anglais) et reliées entre elles par des interconnexions verticales. L'empilement obtenu comporte plusieurs couches ou strates de composants actifs ou puces, il constitue un circuit intégré en trois dimensions (dénommé � 3D integrated circuit � ou � 3D IC � en anglais). Les bénéfices de l'intégration 3D relèvent à la fois : (1) de l'amélioration des performances e.g. réduction du temps de propagation et de la puissance dissipée, augmentation de la rapidité de fonctionnement du système associée à la communication accélérée entre les blocs fonctionnels, augmentation de la bande passante de chaque bloc fonctionnel, augmentation de l'immunité au bruit, (2) de l'amélioration des coûts e.g. augmentation de la densité d'intégration, meilleur rendement de fabrication grâce à l'emploi de la génération de puce électronique la plus appropriée à chaque bloc fonctionnel, amélioration de la fiabilité, et (3) de la possibilité de réaliser des systèmes hautement intégrés par l'empilement de technologies hétérogènes (ou co-intégration) i.e. mettant en jeu différents matériaux et/ou différents composants fonctionnels. Aujourd'hui l'intégration 3D se révèle une alternative indispensable aux approches conventionnelles, qui atteignent leurs limites en termes de performance, de diversification des fonctionnalités et de coût de réalisation. Après empilement, par exemple par collage, les puces peuvent être individuellement connectées aux broches du boîtier par des fils de connexions. Néanmoins l'interconnexion des puces entre elles avec une densité d'interconnexion élevée ne peut être obtenue que par la mise en oeuvre de vias traversants. Les fondements et avantages de l'intégration 3D ont été décrits par exemple dans : A.W. Topol, D.C. La Tulipe, L. Shi, D.J. Frank, K. Bernstein, S.E. Steen, A. Kumar, G.U. Singco, A.M. Young, K.W. Guarini et M. Leong, "Three-dimensional integrated circuits" IBM Journal Res. & Dev., vol. 50, N° 4/5, July/September 2006, pages 491-506. L'amincissement des tranches de silicium (dénommées � wafers � en anglais), l'alignement entre les couches, le collage (dénommé � bonding � en anglais) des couches, la gravure et la métallisation des vias traversants au sein de chaque couche sont les technologies élémentaires nécessaires à la réalisation de circuits intégrés en trois dimensions. Les circuits en trois dimensions peuvent être réalisés en amincissant la tranche de silicium avant la fabrication des vias traversants (e.g. U.S. Patent Nos 7,060,624; 7,148,565). La gravure et la métallisation des vias peuvent aussi se faire avant amincissement de la tranche de silicium (e.g. U.S. Patent No 7,060,624; 7,101,792). Dans ce cas les vias sont gravés dans le silicium, puis métallisés jusqu'à la profondeur souhaitée avant d'amincir la tranche de silicium. Lors de leur métallisation les vias sont donc fermés ou � borgnes � (dénommés � blind vias� en anglais). La bonne conductivité électrique du cuivre et sa résistance élevée au phénomène d'électromigration, c'est-à-dire la faible migration des atomes de cuivre sous l'effet de la densité de courant électrique susceptible d'être une cause importante de défaillance, en font en particulier un matériau de choix pour la métallisation des vias traversants. Les vias traversants sont généralement réalisés de façon similaire au � procédé Damascene � (utilisé dans le domaine de la microélectronique pour la fabrication d'éléments d'interconnexion des circuits intégrés) selon une succession d'étapes comportant : - la gravure des vias dans ou au travers de la tranche de silicium ; - le dépôt d'une couche diélectrique isolante (généralement constituée d'oxyde ou de nitrure de silicium, par exemple) ; - le dépôt d'une couche barrière ou � liner� (généralement constituée de tantale (Ta), titane (Ti), nitrure de tantale (TaN), nitrure de titane (TiN), titanate de tungstène (TiW), nitrure ou carbure de tungstène (WON) ou de combinaisons de ces matériaux, par exemple) servant à empêcher la migration du cuivre ; - le dépôt d'une mince couche de cuivre métallique, appelée couche de germination ("seed layer" en anglais) ; - le remplissage des vias par électrodéposition de cuivre ; et - l'élimination du cuivre en excès par polissage mécano-chimique. Ce schéma d'intégration permettant la fabrication des vias traversants présente un point faible majeur. En effet, la gravure anisotrope du silicium (e.g. U.S. Patent No 5,501,893) conduit le plus souvent à un profil en tonneau (dénommé � bowing � en anglais), rugueux, cannelé ou strié (dénommé � scalloping � en anglais). Ainsi les flancs des vias peuvent être partiellement non recouverts ou recouverts d'une épaisseur insuffisante de couche barrière et de couche de germination, provoquant alors un remplissage ultérieur imparfait présentant des défauts de matière (appelés � voids � en anglais). De plus, les couches barrière et de germination réalisées sur les flancs des motifs présentent par nature une adhérence différente de celles déposées sur la surface plane du substrat. Ces inconvénients rendent très délicat l'emploi de procédés de dépôt physique ou chimique à partir d'une phase vapeur (PVD ou � Physical Vapor Déposition � et CVD ou � Chemical Vapor Déposition � en anglais, respectivement) qui peuvent être utilisés pour le dépôt de la couche barrière et de la couche de germination. Dans ces conditions, la présente invention a pour but de résoudre le nouveau problème technique consistant en la mise au point d'un nouveau schéma d'intégration utilisable pour la fabrication des vias traversants, permettant de s'affranchir des difficultés techniques issues de la gravure anisotrope de silicium. EXPOSE DE L'INVENTION A cette fin, on propose un procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant les étapes de : - gravure (S1) pour former au moins un motif formant un creux, notamment de type � via traversant �, par rapport à la surface dudit substrat semi-conducteur ; - dépôt (S2) d'une couche diélectrique isolante sur ladite surface dudit substrat semi-conducteur ; - dépôt (S3) d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore sur ladite couche diélectrique isolante ; - revêtement (S4) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore par une couche de cuivre métallique, l'étape de revêtement (S4) comprenant une électrodéposition utilisant une solution d'électrodéposition adaptée pour une croissance du cuivre métallique sur du silicium dopé in-situ au phosphore. Un tel procédé de traitement présente l'avantage de former des substrats semi-conducteur présentant un profil plat dans lesquels les défauts liés à la gravure ne sont pas présents au niveau de la couche de cuivre. En effet, le dépôt de silicium dopé in-situ au phosphore présente l'avantage de ne pas être influencé par les défauts à la surface du substrat de sorte que la surface de la couche résistive formée par du silicium dopé in-situ au phosphore est plane, ou à tout le moins sans défaut substantiel. L'étape d'électrodéposition ultérieure qui est adaptée pour permettre un dépôt de cuivre métallique sur une telle couche de silicium dopé in-situ au phosphore permet de former un empilement sans défaut apparent. Des variantes préférées mais non limitatives de ce procédé de traitement sont les suivantes : - l'étape de revêtement (S4) comprend les sous-étapes successives suivantes : o mise en contact (S4-0) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore avec la solution d'électrodéposition, et o polarisation (S4-2) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore à un potentiel électrique permettant l'électrodéposition de cuivre métallique sur ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore. - l'étape de revêtement (S4) comprend en outre une sous-étape de maintien (S4-1), pendant une durée déterminée, de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore en contact avec la solution d'électrodéposition sans polarisation électrique, ladite sous-étape de maintien (S4-1) étant effectuée entre la sous-étape de mise en contact (S4-0) et la sous-étape de polarisation (S4-2). - l'étape de revêtement (S4) comprend en outre une sous-étape de sortie à chaud (S4-3) au cours de laquelle ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore est séparée de la solution d'électrodéposition tandis qu'elle est encore sous polarisation électrique, ladite sous-étape de sortie à chaud (S4-3) étant effectuée après la sous-étape de polarisation (S4-2). - l'étape de revêtement (S4) comprend une étape préalable de pré-mouillage comprenant une mise en contact du substrat semi-conducteur avec une solution liquide. - la mise en contact du substrat semi-conducteur avec la solution liquide est effectuée par une technique physico-chimique comprenant l'utilisation de jets pour envoyer la solution liquide à haute pression, et/ou l'utilisation d'ultra-sons, et/ou l'utilisation du vide. - le procédé comprend en outre une étape de recuit (S5) effectué après l'étape de revêtement (S4), ledit recuit (S5) étant effectuée à une température choisie pour permettre une diffusion du cuivre dans la couche de silicium dopé in-situ au phosphore, de manière à former un siliciure de cuivre. - la solution d'électrodéposition comprend, en solution dans un solvant : o des ions de cuivre en une concentration comprise entre 14 et 120 mM, et o de l'éthylènediamine, o le rapport molaire entre l'éthylènediamine et le cuivre étant compris entre 1,80 et 2,03, et le pH de ladite composition étant compris entre 6,6 et 7,5.35 Selon un autre aspect, on propose un empilement multicouche caractérisé en ce qu'il comprend : - un substrat semi-conducteur avec une surface présentant un motif formant au moins un creux, notamment de type � via traversant �, - une couche diélectrique isolante couvrant ladite surface, - une couche de silicium dopé in-situ au phosphore couvrant ladite couche diélectrique isolante, et - une couche de cuivre métallique couvrant ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore. Selon un mode de réalisation préféré, la couche de cuivre d'un tel empilement remplit ledit au moins un creux et comprend une surface externe plane. DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative et doit être lue en regard des dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est un diagramme schématique illustrant les étapes d'un mode de réalisation du procédé de traitement selon l'invention ; - la figure 2 est un diagramme schématique illustrant les sous-étapes d'un mode de réalisation de l'étape de revêtement du procédé de traitement selon l'invention ; - la figure 3 représente le protocole galvano-pulsé utilisé pour la croissance de la couche de germination ; - la figure 4 représente une vue en coupe au microscope à balayage d'un via de dimension 50pm*200pm recouvert d'une couche de germination telle que déposée dans l'exemple 4 ; - la figure 5 représente une vue en coupe au microscope à balayage du bas d'un via de dimension 50pm*300pm recouvert d'une couche de germination telle que déposée dans l'exemple 5 ; - la figure 6 représente une vue en coupe au microscope à balayage du bas d'un via de dimension 50pm*400pm recouvert d'une couche de germination telle que déposée dans l'exemple 5. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Il a été découvert, et ceci constitue le fondement de la présente invention, qu'il était possible de résoudre le problème technique énoncé plus haut en remplaçant les étapes de dépôt de la couche barrière et de la couche de germination par de nouvelles étapes. La figure 1 est un diagramme schématique illustrant les étapes d'un mode de réalisation du procédé de traitement selon l'invention. Ainsi, selon un premier aspect, le dépôt d'une couche barrière peut être avantageusement remplacé par le dépôt d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore, appelé couche ISDP (selon l'acronyme anglais � in situ doped polysilicon with phosphorus �), qui a pour fonction de lisser les défauts liés à la gravure anisotrope du silicium. Le dépôt de la couche de germination est remplacé par une étape de croissance de cuivre par électrodéposition effectué à partir d'une composition d'électrodéposition spécifique adaptée pour que le cuivre métallique puisse croitre sur la couche de silicium dopé in-situ au phosphore. De manière préférée, la solution d'électrodéposition utilisée est un mélange à base de cuivre et d'éthylènediamine précisément choisi. En particulier, elle comprend en solution dans un solvant : - des ions de cuivre en une concentration comprise entre 14 et 120 mM ; - de I'éthylènediamine ; - le rapport molaire entre l'éthylènediamine et le cuivre étant compris entre 1,80 et 2,03 ; - le pH de ladite composition étant compris entre 6,6 et 7,5. Par électrodéposition on entend ici un procédé qui permet de recouvrir une surface d'un substrat par un revêtement métallique ou organométallique, dans lequel le substrat est polarisé électriquement et mis au contact d'un liquide contenant des précurseurs dudit revêtement métallique ou organométallique, de manière à former ledit revêtement. Lorsque le substrat est conducteur de l'électricité, l'électrodéposition est par exemple réalisée par passage d'un courant entre le substrat à revêtir constituant une électrode (la cathode dans le cas d'un revêtement métallique ou organométallique) et une seconde électrode (l'anode) dans un bain contenant une source de précurseurs du matériau de revêtement (par exemple des ions métalliques dans le cas d'un revêtement métallique) et éventuellement divers agents destinés à améliorer les propriétés du revêtement formé (régularité et finesse du dépôt, résistivité, etc.), éventuellement en présence d'une électrode de référence. Par convention internationale le courant et la tension passant ou appliqué au substrat d'intérêt, c'est-à-dire à la cathode du circuit électrochimique, sont négatifs. Dans l'ensemble de ce texte, lorsque ces courants et tensions sont mentionnés par une valeur positive, il est implicite que cette valeur représente la valeur absolue dudit courant ou de ladite tension. Les compositions d'électrodéposition présentées peuvent être mises en oeuvre pour toute séquence de réalisation des circuits en trois dimensions (métallisation préalable ou postérieure à l'étape d'amincissement de la tranche de silicium). De telles compositions d'électrodéposition permettent d'obtenir une couche de croissance de cuivre conduisant à un taux de couverture du substrat particulièrement élevé (supérieur à 99 %) y compris dans les zones les plus critiques et ce même lorsque la structure présente un facteur de forme élevé (rapport d'aspect supérieur à 3 : 1, voire de l'ordre de 10 à 15 : 1) et un volume de via relativement élevé (de 0,8.101 à 5.106 pm3). Ces compositions sont donc parfaitement compatibles avec une utilisation à l'échelle industrielle. Une famille préférée de compositions comprend celles dont les ions de cuivre sont présents en une concentration comprise entre 16 et 64 mM. Une autre famille préférée de compositions comprend celles dont le rapport molaire entre les ions de cuivre et l'éthylènediamine est compris entre 1,96 et 2,00. Bien qu'il n'y ait pas de restriction de principe sur la nature du solvant (pourvu qu'il solubilise suffisamment les espèces actives de la solution et n'interfère pas avec l'électrodéposition), il s'agira de préférence d'eau. D'une façon générale, la composition d'électrodéposition selon l'invention comprend une source d'ions du cuivre, en particulier d'ions cuivriques Cul+. Avantageusement, la source d'ions du cuivre est un sel de cuivre tel qu'en particulier le sulfate de cuivre, le chlorure de cuivre, le nitrate de cuivre, l'acétate de cuivre, de préférence le sulfate de cuivre, et de préférence encore le sulfate de cuivre pentahydraté. Selon une caractéristique particulière, les ions du cuivre sont présents au sein de la composition d'électrodéposition en une concentration comprise entre 14 et 120 mM ; de préférence entre 16 et 64 mM. D'excellents résultats ont été obtenus avec des compositions dans lesquelles la source d'ions du cuivre est présente en une concentration comprise entre 16 et 32 mM. Dans la composition d'électrodéposition utilisée, le rapport molaire entre les ions du cuivre et l'éthylènediamine est avantageusement compris entre 1,80 et 2,03, de préférence entre 1,96 et 2,00. D'une façon générale, la composition d'électrodéposition utilisée présente un pH compris entre 6,6 et 7,5. Cette valeur est normalement atteinte lorsque la composition d'électrodéposition est constituée uniquement d'ions du cuivre et d'éthylènediamine dans les proportions mentionnées précédemment. Le pH de la composition peut éventuellement être ajusté dans la gamme de pH précitée au moyen d'un tampon tel que l'un de ceux décrits dans : � Handbook of chemistry and physics ù 84th edition � David R. Lide, CRC Press, dans le cas où la composition d'électrodéposition selon l'invention comporte des composés autres que la source d'ions du cuivre et l'éthylènediamine. Une composition d'électrodéposition actuellement préférée comprend, en solution aqueuse: - des ions de cuivre, en une concentration comprise entre 16 et 64 mM ; - de l'éthylènediamine ; - le rapport molaire entre l'éthylènediamine et les ions de cuivre étant compris entre 1,96 et 2,00 ; - le pH de ladite composition étant compris entre 6,6 et 7,5. Le processus de revêtement de la couche de silicium dopé in-situ au phosphore par du cuivre métallique peut être mis en oeuvre par une étape d'électrodéposition simple en utilisant la solution d'électrodéposition spécifique présentée ci-dessus. Selon ce processus d'électrodéposition, on met d'abord en contact la couche de silicium dopé in-situ au phosphore formée sur le substrat semi-conducteur avec la solution d'électrodéposition spécifiée, puis on polarise la surface de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore pendant une durée suffisante pour former ledit revêtement de cuivre. Préalablement au procédé d'électrodéposition, un pré-mouillage ayant pour fonction de forcer la pénétration de la solution d'électrodéposition dans les � vias traversants � peut être nécessaire dans certains cas, comme par exemple dans le cas de vias traversants avec des facteurs de forme très importants. Ce pré-mouillage peut être effectué avec la solution d'électrodéposition elle-même ou bien avec des solutions acides, neutres ou basiques, comme par exemple de l'eau dé-ionisée. Lesdits substrats sont mis en contact avec lesdites solutions liquides en utilisant diverses techniques physico-chimiques capables de forcer la pénétration des solutions liquides dans les vias traversants. Ces techniques physico-chimiques peuvent être des jets permettant d'envoyer les liquides à haute pression, des ultra-sons ou l'utilisation du vide. Selon un mode de réalisation préféré tel qu'illustré à la figure 2, l'étape de revêtement de la couche de silicium dopé in-situ au phosphore par du cuivre métallique est mis en oeuvre selon le procédé d'électrodéposition comprenant : - une étape (S4-1) dite d'� entrée à froid � au cours de laquelle la surface de la couche de silicium dopé in-situ au phosphore à revêtir est mise en contact sans polarisation électrique avec un bain d'électrodéposition contenant la solution d'électrodéposition spécifiée, et est de préférence maintenue dans cet état pendant une durée d'au moins 1 minute ; - une étape (S4-2) de formation du revêtement, c'est-à-dire de croissance de cuivre, au cours de laquelle ladite surface est polarisée pendant une durée suffisante pour former ledit revêtement ; - une étape (S4-3) dite de � sortie à chaud � au cours de laquelle ladite surface est séparée du bain d'électrodéposition tandis qu'elle est encore sous polarisation électrique. Dans le processus d'électrodéposition, l'étape de croissance du cuivre en tant que tel, par électrodéposition, est conduite pendant une durée suffisante pour former le revêtement souhaité. Cette durée peut être déterminée par l'homme du métier, en considérant que la croissance du film est fonction de la charge qui est égale à l'intégrale temporelle du courant électrique passé dans le circuit pendant le temps du dépôt (loi de Faraday). Au cours de l'étape de formation du revêtement, la surface à revêtir peut-être polarisée, soit en mode galvanostatique (courant imposé fixe), soit en mode potentiostatique (potentiel imposé et fixe, éventuellement par rapport à une électrode de référence), soit encore en mode pulsé (en courant ou en tension). D'une façon générale, il a été observé qu'un revêtement particulièrement satisfaisant peut être obtenu par polarisation en mode pulsé, de préférence de manière à imposer des créneaux de courant. D'une façon générale, cette étape peut être réalisée en imposant des créneaux de courant correspondants à un courant par unité de surface maximum dans une gamme de 0,6 mA/cm2 à 10 mA/cm2, et plus particulièrement de 1 mA/cm2 à 5 mA/cm2 et à un courant par unité de surface minimum dans une gamme de 0 mA/cm2 à 5 mA/cm2, et de préférence de 0 mA/cm2. Plus particulièrement, la durée de polarisation au courant maximum peut être comprise entre 2.10-3 et 1,6 secondes, de préférence entre 0,1 et 0,8 seconde, par exemple de l'ordre de 0,35 seconde, tandis que la durée de polarisation au courant minimum peut être comprise entre 2.10-3 et 1,6 secondes, de préférence entre 0,1 et 0,8 seconde, par exemple de l'ordre de 0,25 seconde. Le nombre de cycles à réaliser au cours de cette étape de revêtement dépend de l'épaisseur souhaitée du revêtement. Ce mode de mise en oeuvre de l'invention a permis de réaliser des couches de germination de cuivre présentant une épaisseur comprise entre 50 nm et 2 pm sur des substrats très résistifs de structures de type � via traversant �, dont la résistance carrée peut atteindre 1000 ohm/carré, voire même quelques méga ohm/carré. Suite au dépôt de la couche de cuivre, un recuit est de préférence effectué pour améliorer l'adhérence entre la couche de cuivre et la couche de silicium dopé. Ce recuit est effectué à une température permettant la diffusion du cuivre dans le silicium pour former un siliciure de cuivre. Cette température, telle que décrite dans de nombreux ouvrages de métallurgie, doit être de l'ordre de 550°C. Le schéma de fabrication des empilements avec � vias traversants � découlant de la présente invention est donc généralement découpé en une succession d'étapes comprenant : - la gravure (S1) des vias dans ou au travers de la tranche de silicium ; - le dépôt (S2) d'une couche diélectrique isolante (généralement constituée d'oxyde ou de nitrure de silicium, par exemple) ; - le dépôt (S3) d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore permettant de lisser les défauts issus de la gravure des vias dans ou au travers de la tranche de silicium ; - le dépôt (S4) d'une mince couche de cuivre métallique, appelée couche de germination (� seed layer� en anglais) par un processus d'électrodéposition, et éventuellement le remplissage des vias par ce même processus d'électrodéposition de cuivre ; et - l'élimination du cuivre en excès par polissage mécano-chimique. Selon un second aspect, la présente invention a pour objet la fabrication d'une structure de type � via traversant � dans la fabrication d'interconnexions pour des circuits intégrés. Les dimensions de ces structures de type � via traversant � présentent un facteur de forme élevé (rapport d'aspect supérieur à 3 : 1, voire de l'ordre de 10 à 15 : 1) et un volume de via relativement élevé (de 0,8.101 à 5.106 pm3). Ces compositions sont donc parfaitement compatibles avec une utilisation à l'échelle industrielle. Ce procédé de fabrication est particulièrement utile pour la réalisation de vias traversants recouverts d'une couche diélectrique isolante présentant une épaisseur pouvant être de l'ordre de 10 nm à 10 pm, de préférence de 200 nm à 2 pm, par exemple de l'ordre de 1.5 pm, d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore présentant une épaisseur pouvant être de l'ordre de 10 nm à 10 pm, de préférence de 200 nm à 2 pm, par exemple de l'ordre de 1.5 pm, et d'une couche de germination de cuivre présentant une épaisseur pouvant être de l'ordre de 50 nm à 2 pm, de préférence de 200 à 1.5 pm, par exemple de l'ordre de 300 nm La présente invention va maintenant être illustrée par les exemples non limitatifs suivants, dans lesquels la succession d'étapes selon l'invention est utilisée pour fabriquer des vias traversants revêtus d'une couche diélectrique isolante, d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore et d'une couche de germination de cuivre. Ces exemples trouvent notamment application dans la fabrication de structures d'interconnexion en cuivre pour circuits intégrés. EXEMPLE 1 : Préparation d'une couche de germination de cuivre sur une couche d'ISDP à l'aide d'une composition d'électrodéposition à base d'un mélange de 10 cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement Al. Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple est constitué d'une plaque de silicium de 15 150 mm de diamètre et de 675 pm d'épaisseur. Cette plaque est recouverte d'une couche de silice ayant une épaisseur de 1.6 pm, elle-même revêtue d'une couche polysilicium dopé au phosphore (ISDP) d'épaisseur de 1.5pm. A2. Solution d'électrodéposition : La solution d'électrodéposition mise en oeuvre dans cet exemple est une solution 20 aqueuse contenant 8,4 mL/L (ou 128 mM) d'éthylènediamine et 16 g/L (ou 64 mM) de Cu504 (H2O)5, présentant un pH de 7,2. A3. Equipement : Dans cet exemple, on a utilisé un équipement de dépôt électrolytique représentatif de ceux employés dans l'industrie de la microélectronique capable de traiter des plaques 25 de 150 mm de diamètre. Cet équipement comporte une cellule de dépôt électrolytique dans laquelle est réalisé le dépôt de la couche de germination et une station de rinçage/séchage utilisée après dépôt. La cellule de dépôt électrolytique comporte une anode en cuivre, la plaque de 30 silicium revêtue par la couche d'ISDP, constituant la cathode de cette cellule. Cette cellule comporte en outre une alimentation électrique stabilisée permettant de fournir jusqu'à 120 V et 15 A et un dispositif de mise en contact électrique de la cathode physiquement isolé de la solution par un joint d'étanchéité. Ce dispositif de mise en contact électrique est généralement de forme annulaire et permet une alimentation du 35 substrat en plusieurs points de contact disposés de manière régulière sur celui-ci. Elle comporte également un dispositif de support de la plaque à revêtir comportant des moyens de mise en rotation de la dite plaque à vitesse prédéterminée. B. Protocole expérimental B1. Etape 1 : � pré-mouillaqe � Dans cet exemple, aucun pré-mouillage du substrat n'a été effectué. B2. Etape 2 : � Entrée à froid � Cette étape peut être décomposée en deux sous étapes : B2-1. Le substrat précité est introduit dans la cellule de dépôt électrolytique de façon à ce que la face comportant la couche d'ISDP vienne au contact du dispositif de mise en contact électrique, ce dernier n'étant toujours pas alimenté électriquement. B2-2. L'ensemble formé par le dispositif de mise en contact électrique et le substrat, qui sera dénommé par la suite � ensemble cathodique � est mis en contact par trempage avec la solution d'électrodéposition. Cette mise en contact, dont la durée est généralement inférieure ou égale à 5 secondes (par exemple 2 secondes) est réalisée alors que le dispositif n'est toujours pas alimenté électriquement. De préférence, l'ensemble cathodique est alors maintenu dans la solution d'électrodéposition sans polarisation pendant une durée d'au moins 1 minute. B3. Etape 3 : Formation du revêtement de cuivre L'ensemble cathodique est alors polarisé en mode galvano-pulsé et simultanément mis en rotation à une vitesse de 20 à 100 tours par minutes (20 tours par minute par exemple). La Figure 3 décrit en détail le protocole galvano-pulsé susceptible d'être utilisé, avec une période totale P comprise entre 10 ms et 2 s (0,6 s dans l'exemple), un temps de polarisation ToN compris entre 2 ms et 1,6 s (0,24 s dans l'exemple) en imposant un courant par unité de surface généralement compris entre -0,6 mA/cm2 et -10 mA/cm2 (- 1,34 mA/cm2 dans l'exemple), un temps de repos sans polarisation compris entre 2 ms et 1,6 s (0,36 s dans l'exemple). La durée de cette étape dépend, comme on le comprend, de l'épaisseur souhaitée de la couche de germination. Cette durée peut être facilement déterminée par l'homme du métier, la croissance du film étant fonction de la charge passée dans le circuit. Dans les conditions précitées, la vitesse de dépôt est d'environ 1,6 nm par coulomb de charge passée dans le circuit, ce qui donne une durée de l'étape d'électrodéposition de l'ordre de 60 minutes pour obtenir un revêtement ayant une épaisseur de 950 nm. B4. Etape 4 : � Sortie à froid � Cette étape peut être décomposée en deux sous étapes : B4-1. Après l'étape d'électrodéposition, la polarisation est coupée et l'ensemble cathodique revêtu de cuivre est retiré de la solution d'électrodéposition à vitesse de rotation nulle. La durée de cette phase est d'environ 2 secondes. La vitesse de rotation est alors portée à 500 tours par minute pendant 10 secondes, la polarisation de l'ensemble cathodique étant coupée pendant cette dernière phase. Un pré-rinçage à l'eau dé-ionisée est effectué dans la cellule. B4-2. Le substrat revêtu de la couche de germination est alors transféré dans le module de rinçage/séchage pour subir un rinçage à l'eau dé-ionisée. L'eau de rinçage est alors évacuée puis un séchage sous balayage d'azote est réalisé. La rotation est alors stoppée pour permettre le retrait du substrat revêtu et séché. 15 C. Résultats obtenus En appliquant le protocole expérimental exposé ci-dessus, une couche de cuivre de 950 nm et de 400 nm d'épaisseur a été obtenue. Les mesures et caractérisations effectuées après dépôt de la couche de germination sont présentées dans les exemples 7 20 et 8. EXEMPLE 2 : Préparation d'une couche de germination de cuivre sur une couche d'ISDP débarrassé de son oxyde de silicium natif, à l'aide d'une composition d'électrodéposition à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine. 25 A. Matériel et équipement Al. Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple est constitué d'une plaque de silicium de 150 mm de diamètre et de 675 pm d'épaisseur. Cette plaque est recouverte d'une couche 30 de silice ayant une épaisseur de 1.6 pm, elle-même revêtue d'une couche polysilicium dopé au phosphore (ISDP) d'épaisseur de 1.5pm. Dans cet exemple, un traitement chimique du substrat a été effectué avant de démarrer le procédé d'électrodéposition. Ce traitement a pour but d'enlever l'oxyde de silicium formé à la surface de l'ISDP. Il consiste par exemple à immerger la plaque dans 35 une solution liquide NH4F/HF dans des proportions volumiques 50:1, pendant une durée de 4 minutes. A2. Solution d'électrodéposition : La solution d'électrodéposition utilisée dans cet exemple est identique à celle de l'exemple 1. A3. Equipement : L'équipement utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. B. Protocole expérimental Le protocole expérimental mis en oeuvre dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. C. Résultats obtenus En appliquant le protocole expérimental exposé ci-dessus, une couche de cuivre de 950 nm d'épaisseur a été obtenue. Les mesures et caractérisations effectuées après dépôt de la couche de germination sont présentées dans les exemples 7 et 8. EXEMPLE 3 : Préparation d'une couche de germination de cuivre sur une couche d'ISDP à l'aide d'une composition d'électrodéposition à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine avec augmentation de la vitesse de dépôt. A. Matériel et équipement Al. Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. A2. Solution d'électrodéposition : La solution d'électrodéposition utilisée dans cet exemple est identique à celle de l'exemple 1. A3. Equipement : L'équipement utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. B. Protocole expérimental B1. Etape 1 : � pré-mouillaqe � Dans cet exemple, aucun pré-mouillage du substrat n'a été effectué. B2. Etapes 2 : � entrée à froid � Cette étape est identique à celle de l'exemple 1. B3. Etape 3 : Formation du revêtement de cuivre L'ensemble cathodique est alors polarisé en mode galvano-pulsé et simultanément mis en rotation à une vitesse de 20 à 100 tours par minutes (20 tours par minute par exemple). La Figure 3 décrit en détail le protocole galvano-pulsé susceptible d'être utilisé, avec une période totale P comprise entre 10 ms et 2 s (0,2 s dans l'exemple), un temps de polarisation ToN compris entre 2 ms et 1,6 s (0,1 s dans l'exemple) en imposant un courant par unité de surface généralement compris entre -0,6 mA/cm2 et -10 mA/cm2 (-1,34 mA/cm2 dans l'exemple), un temps de repos sans polarisation compris entre 2 ms et 1,6 s (0,1 s dans l'exemple). La durée de cette étape dépend, comme on le comprend, de l'épaisseur souhaitée de la couche de germination. Cette durée peut être facilement déterminée par l'homme du métier, la croissance du film étant fonction de la charge passée dans le circuit. Dans les conditions précitées, la vitesse de dépôt est d'environ 2,7 nm par coulomb de charge passée dans le circuit, ce qui donne une durée de l'étape d'électrodéposition de l'ordre de 29 minutes pour obtenir un revêtement ayant une épaisseur de 1 pm. B4. Etape 4 : � Sortie à froid � Cette étape est identique à celle de l'exemple 1. C. Résultats obtenus En appliquant le protocole expérimental exposé ci-dessus, une couche de cuivre de 1 pm d'épaisseur a été obtenue. Les mesures et caractérisations effectuées après dépôt de la couche de germination sont présentées dans les exemples 7 et 8. EXEMPLE 4 : Préparation d'une couche de germination dans des structures de type � via traversant � à l'aide d'une composition d'électrodéposition à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement Al. Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple est constitué d'une plaque de silicium de 150 mm de diamètre et de 675 pm d'épaisseur, gravée avec des motifs cylindriques de type � via traversant � de profondeur 200 pm et de diamètre 50 pm. Cette plaque est recouverte d'une couche de silice ayant une épaisseur de 1.6 pm, elle-même revêtue d'une couche polysilicium dopé au phosphore (ISDP) d'épaisseur de 1.5 pm. A2. Solution d'électrodéposition : La solution d'électrodéposition utilisée dans cet exemple est identique à celle de l'exemple 1. A3. Equipement : L'équipement utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. B. Protocole expérimental B1. Etape 1 : � pré-mouillaqe � Un traitement physico-chimique est effectué avant l'étape 2 � entrée à froid � dans le but d'accroitre la mouillabilité de la solution d'électrodéposition dans les vias et de chasser les bulles d'air. Il consiste à immerger la plaque dans une solution acide ou neutre (par exemple de l'eau dé-ionisée) et à placer le tout dans une cuve à ultrasons pendant une durée d'au moins 5 minutes (par exemple 10 minutes). Ce traitement chimique peut varier suivant la nature du substrat et la dimension des vias traversants. Le wafer peut ainsi être prélevé de la solution et introduit mouillé dans la cellule de d'électrodéposition. B2. Etapes 2, 3, 4 : Ces étapes sont identiques à celles de l'exemple 1. C. Résultats obtenus Les mesures et caractérisations effectuées après dépôt de la couche de germination en appliquant le protocole expérimental exposé ci-dessus sont présentées dans l'exemple 9. EXEMPLE 5 : Préparation d'une couche de germination dans des structures de type � via traversant � à l'aide d'une composition selon l'invention à base d'un mélange 30 de cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement A1. Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple est constitué d'une plaque de silicium de 35 150 mm de diamètre et de 675 pm d'épaisseur, gravée avec des motifs cylindriques de type � via traversant � de profondeur 300 pm et de diamètre 50 pm. Cette plaque est recouverte d'une couche de silice ayant une épaisseur de 1.6 pm, elle-même revêtue d'une couche polysilicium dopé au phosphore (ISDP) d'épaisseur de 1.5pm. A2. Solution d'électrodéposition : La solution d'électrodéposition utilisée dans cet exemple est identique à celle de l'exemple 1. A3. Equipement : L'équipement utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. B. Protocole expérimental B1. Etape 1 : � pré-mouillaqe � Un traitement physico-chimique est effectué avant l'étape 2 � entrée à froid � dans le but d'accroitre la mouillabilité de la solution d'électrodéposition dans les vias et de chasser les bulles d'air. Ce traitement est effectué dans le module de rinçage/séchage utilisé également lors de l'étape 4. Le substrat est inséré dans ce module de rinçage/séchage et mis en rotation à la vitesse de 1 rpm pendant au moins 1 minute (par exemple 7 minutes), puis 100 rpm pendant au moins 1 minute (par exemple 7 minutes) et enfin 1 rpm pendant au moins 1 minute (par exemple 7 minutes). Une solution acide ou neutre (par exemple de l'eau dé-ionisée) est envoyée sur le substrat pendant toute la durée de mise en rotation dudit substrat, par l'intermédiaire de buses de spray situées en vis-à-vis. Suite à ce traitement, la rotation est stoppée pour permettre le retrait du substrat. Le wafer est introduit mouillé dans la cellule de d'électrodéposition B2. Etapes 2, 3, 4 : Ces étapes sont identiques à celles de l'exemple 1. C. Résultats obtenus Les mesures et caractérisations effectuées après dépôt de la couche de germination en appliquant le protocole expérimental exposé ci-dessus sont présentées dans l'exemple 9. EXEMPLE 6: Préparation d'une couche de germination dans des structures de type � via traversant � à l'aide d'une composition selon l'invention à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement A1. Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple est constitué d'une plaque de silicium de 150 mm de diamètre et de 675 pm d'épaisseur, gravée avec des motifs cylindriques de type � via traversant � de profondeur 400 pm et de diamètre 50 pm. Cette plaque est recouverte d'une couche de silice ayant une épaisseur de 1.6 pm, elle-même revêtue d'une couche polysilicium dopé au phosphore (ISDP) d'épaisseur de 1.5pm. A2. Solution d'électrodéposition : La solution d'électrodéposition utilisée dans cet exemple est identique à celle de l'exemple 1. A3. Equipement : L'équipement utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 1. B. Protocole expérimental B1. Etape 1 : � pré-mouillaqe � Un traitement physico-chimique est effectué avant l'étape 2 � entrée à froid � dans le but d'accroitre la mouillabilité de la solution d'électrodéposition dans les vias et de chasser les bulles d'air. Ce traitement est effectué dans une cellule spécifique où un vide peut être effectué. Le substrat est inséré dans cette cellule et une dépression est appliquer à l'aide d'une pompe à palette (dans l'exemple la pression est de 1 mbar). Toujours sous dépression, une solution acide ou neutre (par exemple de l'eau dé-ionisée) est introduite dans cette cellule et vient recouvrir le substrat. Lorsque tout le wafer est immergé, la cellule est mise lentement à pression atmosphérique. Le wafer peut ainsi être prélevé de la solution et introduit mouillé dans la cellule de d'électrodéposition. B2. Etapes 2, 3, 4 : Ces étapes sont identiques à celles de l'exemple 1. C. Résultats obtenus Les mesures et caractérisations effectuées après dépôt de la couche de germination en appliquant le protocole expérimental exposé ci-dessus sont présentées dans l'exemple 9. EXEMPLE 7 : Caractérisation de la résistivité de la couche de germination obtenue sur la couche d'ISDP à l'aide d'une composition d'électrodéposition à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement La résistance carrée (dénommée � sheet resistance � en anglais) a été mesurée à l'aide d'un appareil de type mesure � 4 pointes � (dénommé � four point probe � en anglais) bien connu de l'homme du métier pour la mesure de la résistance électrique des couches minces. Elle est exprimée en ohm/carré et elle est équivalente à la résistivité pour un système bidimensionnel, c'est-à-dire dans lequel le courant circule dans le plan de la couche et non dans un plan perpendiculaire à cette couche. Mathématiquement, on obtient la valeur de la résistance carrée en divisant la résistivité du matériau (exprimée en ohm.m ou micro-ohm.cm) constitutif de la couche par l'épaisseur de cette couche (exprimée en mou nm). Les recuits sont effectués dans un four tubulaire horizontal. Il se compose d'un socle supportant un corps cylindrique, lui-même constitué d'un tube intérieur en céramique autour duquel est enroulé l'élément chauffant. Une enveloppe métallique et grillage cylindrique métallique enveloppent le tout afin de permettre la ventilation du tube céramique. Le four est utilisé en conjonction avec un tube de quartz destiné à recevoir les échantillons. Ce tube de quartz s'insère dans le tube en céramique. Le tube de quartz est muni à son extrémité gauche d'un rodage amovible auquel est connecté un tuyau souple permettant d'amener un balayage de gaz (mélange N2 96% / H2 4%) dans le tube. Ceci permet d'effectuer des recuits d'échantillons sous atmosphère N2/H2 avec un taux extrêmement réduit d'oxygène. Les recuits peuvent être également réalisés dans divers équipements comme de type RTP (Rapid thermal processing) ou RTA (rapid thermal annealing). Dans ces fours à recuit rapide, les éléments chauffants sont des lampes et le substrat est chauffé par rayonnement infrarouqe. B. Méthode de mesure La valeur de résistance carrée multipliée par l'épaisseur de la couche de germination donne la résistivité du cuivre. C. Résultats obtenus Les résistivités du cuivre obtenues aux exemples 1 à 3 qui précèdent sont indiquées dans le tableau 1. Tableau 1 : résistivité des couches de germination en cuivre obtenues selon les exemples 1 à 3. Couche de Epaisseur Cu Résistivité Conditions de Résistivité après germination en (nm) avant recuit recuit recuit cuivre obtenue (pohm.com) (pohm.com) selon exemple 1 400 2.5 670°C 8min 3.6 exemple 1 950 2.4 670°C 8min 3.4 exemple 2 950 2.2 670°C 8min 4.3 exemple 3 1000 2.4 670°C 8min 6.3 Une augmentation de résistivité de la couche de germination est observée dans tous les cas après recuit, liée à la formation de siliciure de cuivre. Ces niveaux de résistivité mesurés avant et après recuit sont tout à fait compatibles avec une utilisation à l'échelle industrielle. EXEMPLE 8 : Caractérisation de l'adhésion de la couche de germination obtenue 10 sur la couched'ISDP à l'aide d'une composition d'életrodéposition à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement L'équipement utilisé dans cet exemple est identique à celui de l'exemple 7, mais 15 les recuits peuvent être également réalisés dans divers équipements comme de type RTP. B. Méthode de mesure L'adhésion ou énergie d'interface a été mesurée à l'aide de la technique dite de 20 � test des carrés �. Un motif représentant 16 carrés de 0,5cm de côté est tracé à l'aide d'une pointe diamant dans la couche de germination. Un ruban adhésif est ensuite disposé sur ces carrés, et une force de tension verticale est appliquée manuellement en effectuant un arrachement de ce ruban adhésif. Un comptage du nombre de carrés restants sur l'échantillon est alors effectué, représentatif de l'énergie d'adhésion entre le 25 substrat ISDP et la couche de germination. C. Résultats obtenus Le Tableau 2 ci-dessous rassemble les résultats obtenus aux exemples 1 à 3 qui précèdent. Tableau 2 : adhésion des couches de germination en cuivre obtenues selon les exemples 1 à 3. Couche de germination Epaisseur Conditions Adhésion après recuit en cuivre obtenue Cu (nm) de recuit (X/16 carrés) selon exemple 1 400 670°C 8min 11/16 exemple 1 950 670°C 8min 11/16 exemple 2 950 670°C 8min 16/16 exemple 3 1000 670°C 8min 16/16 EXEMPLE 9 : Caractérisation de la couverture de la couche de germination obtenue 5 dans des structures de type � via traversant � à l'aide d'une composition d'électrodéposition à base d'un mélange de cuivre et d'éthylènediamine. A. Matériel et équipement La couverture et la conformité de la couche de germination en cuivre ont été 10 évaluées à partir d'observations en coupe au microscope électronique à balayage, en focalisant sur le bas des structures qui constitue la zone la plus difficile à couvrir. B. Méthode de mesure Le pourcentage de couverture est mesuré dans la zone basse des structures, 15 entre le fond des vias et 4 pm au dessus. Un pourcentage de 100% correspond à une couverture complète i.e. dans la zone basse la surface de la barrière est entièrement recouverte de cuivre. Une surface partiellement recouverte de cuivre est caractérisée par la fraction de la surface recouverte de cuivre, exprimée en pourcent. Lorsque la couverture est complète, le pourcentage de conformité est calculé en 20 rapportant l'épaisseur de la couche de germination sur les surfaces verticales (profil ou flanc) du via à celle sur les surfaces horizontales en haut du via. L'épaisseur sur les surfaces verticales est mesurée à une profondeur du via donnée (4 pm au dessus du fond du via). Un pourcentage de 100% correspond à une conformité parfaite. 25 C. Résultats obtenus Le Tableau 3 ci-dessous rassemble les résultats obtenus sur les couches de germination de cuivre préparées à l'aide des compositions des exemples 4 à 6 qui précèdent.5 Les observations au microscope électronique à balayage sont reportées sur la Figure 4 dans le cas de l'exemple 4, Figure 5 dans le cas de l'exemple 5 et Figure 6 dans le cas de l'exemple 6. Tableau 3 : conformité et couverture des couches de germination en cuivre obtenues selon les exemples 4 à 6. Couche de germination en Couverture (%) Conformité (%) cuivre obtenue selon exemple 4 100 40-60 exemple 5 100 10-30 exemple 6 100 10-20 REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant les étapes de : - gravure (S1) pour former au moins un motif formant un creux, notamment de type � via traversant �, par rapport à la surface dudit substrat semi-conducteur ; - dépôt (S2) d'une couche diélectrique isolante sur ladite surface dudit substrat semi-conducteur ; - dépôt (S3) d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore sur ladite couche diélectrique isolante ; - revêtement (S4) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore par une couche de cuivre métallique, l'étape de revêtement (S4) comprenant une électrodéposition utilisant une solution d'électrodéposition adaptée pour une croissance du cuivre métallique sur du silicium dopé in-situ au phosphore. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de revêtement (S4) comprend les sous-étapes successives suivantes : - mise en contact (S4-0) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore avec la solution d'électrodéposition, et - polarisation (S4-2) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore à un potentiel électrique permettant l'électrodéposition de cuivre métallique sur ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape de revêtement (S4) comprend en outre une sous-étape de maintien (S4-1), pendant une durée déterminée, de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore en contact avec la solution d'électrodéposition sans polarisation électrique, ladite sous-étape de maintien (S4-1) étant effectuée entre la sous-étape de mise en contact (S4-0) et la sous-étape de polarisation (S4-2). 4. Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, dans lequel l'étape de revêtement (S4) comprend en outre une sous-étape de sortie à chaud (S4-3) au cours de laquelle ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore est séparée de la solution d'électrodéposition tandis qu'elle est encore sous polarisation électrique, ladite sous-étape de sortie à chaud (S4-3) étant effectuée après la sous-étape de polarisation (S4-2). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape de revêtement (S4) comprend une étape préalable de pré-mouillage comprenant une mise en contact du substrat semi-conducteur avec une solution liquide. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la mise en contact du substrat semi- conducteur avec la solution liquide est effectuée par une technique physico-chimique comprenant l'utilisation de jets pour envoyer la solution liquide à haute pression, et/ou l'utilisation d'ultra-sons, et/ou l'utilisation du vide. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant en outre une étape de recuit (S5) effectué après l'étape de revêtement (S4), ledit recuit (S5) étant effectuée à une température choisie pour permettre une diffusion du cuivre dans la couche de silicium dopé in-situ au phosphore, de manière à former un siliciure de cuivre. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la solution d'électrodéposition comprend, en solution dans un solvant : - des ions de cuivre en une concentration comprise entre 14 et 120 mM, et - de l'éthylènediamine, le rapport molaire entre l'éthylènediamine et le cuivre étant compris entre 1,80 et 2,03, et le pH de ladite composition étant compris entre 6,6 et 7,5. 9. Empilement multicouche caractérisé en ce qu'il comprend : - un substrat semi-conducteur avec une surface présentant un motif formant au moins un creux, notamment de type � via traversant �, - une couche diélectrique isolante couvrant ladite surface, - une couche de silicium dopé in-situ au phosphore couvrant ladite couche diélectrique isolante, et - une couche de cuivre métallique couvrant ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore. 10. Empilement selon la revendication 9, dans lequel la couche de cuivre remplit ledit au moins un creux et comprend une surface externe plane.