Brevet FR2945147A1 — publié le 20101105

Dispositif memristor à résistance ajustable grâce au déplacement d'une paroi magnétique par transfert de spin et utilisation dudit memristor dans un réseau de neurones La présente invention concerne un dispositif à résistance ajustable, couramment appelé memristor, fonctionnant grâce au déplacement d'une paroi magnétique par transfert de spin. Elle s'applique par exemple dans le domaine des circuits neuromimétiques du type réseaux neuronaux sur puce et plus généralement aux architectures de calculateurs bio-inspirés. Ces 50 dernières années, l'informatique purement numérique de type Von Neumann a fait des progrès considérables. Cependant, même les ordinateurs les plus puissants dotés des algorithmes les plus évolués ne parviennent pas à réaliser rapidement des traitements en apparence simples, tels que l'interprétation d'images, pourtant réalisés en une fraction de seconde par le cerveau humain. Ce dernier en effet fonctionne de manière massivement parallèle et analogique, contrairement aux ordinateurs actuels. Les circuits neuromimétiques analogiques réalisés sur puce, qui tentent de reproduire le fonctionnement du cerveau humain, peuvent permettre d'aller au-delà des architectures conventionnelles. Les architectures à réseaux de neurones fonctionnent à partir de méthodes d'apprentissage : un circuit est entraîné à réagir de la façon désirée à une entrée donnée. Ceci est obtenu en ajustant les valeurs des composants du circuit de manière à converger vers la sortie souhaitée pour une entrée donnée. Une implémentation sur puce requiert donc l'utilisation de composants nanométriques, analogiques, reconfigurables et rapides. Jusqu'en 2008, les circuits neuromimétiques sur puces étaient entièrement réalisés avec des transistors. Notamment, plusieurs transistors étaient utilisés pour reproduire la plasticité d'une seule synapse connectant deux neurones. Mais en 2008, l'équipe de Hewlett-Packard dirigée par Stanley Williams a publié plusieurs brevets et articles où il est proposé de réaliser des circuits neuronaux en utilisant un transistor par neurone et un �memristor � par synapse connectant deux neurones (D. B. Strukov et al., Nature 453, 80 (2008) et J.J. Yang et al., Nature Nano. 3, 429 (2008)). Un memristor est une résistance nanométrique de valeur configurable dans une plage continue par la charge électrique qui l'a précédemment traversée. Dans le cas présent des circuits neuronaux, son application principale est de simuler sur puce la plasticité des synapses. Un memristor de Hewlett-Packard forme une structure comportant une couche isolante inséré entre des couches métalliques ordinaires. En appliquant un courant à la structure, des lacunes d'oxygène se créent, qui vont migrer sous l'effet de la tension et induire un changement de résistance. Le fonctionnement de ces memristors repose donc sur l'effet d'électromigration des ions. Malheureusement, cet 15 effet d'électromigration des ions implique des températures de fonctionnement élevées et donc une fragilité potentielle du dispositif. Mais surtout, cet effet d'électromigration des ions implique une vitesse de fonctionnement faible puisque liée à la mobilité des ions: la résistance des memristors de Hewlett-Packard varie très lentement. 20 C'est pourquoi la demanderesse s'est orientée vers une technologie radicalement différente de celles utilisées dans les memristors connus, à savoir la magnétorésistance. En effet, la demanderesse a 25 démontré expérimentalement qu'il est possible de déplacer une paroi magnétique dans un élément magnétique par transfert de spin, dans un sens ou dans l'autre suivant le signe du courant appliqué à l'élément magnétique. La demanderesse a notamment mesuré cet effet dans des vannes de spin, qui sont des dispositifs dans lesquels deux couches magnétiques sont 30 séparées par une couche métallique (J. Grollier et al., Appl. Phys. Lett. 83, 509 (2003)). Et il a été récemment suggéré (X. Wang et al., IEEE Electron Device Letters 30, 741 (2009)) que ces vannes de spin pourraient peut-être permettre de réaliser des memristors. Etonnamment, cette dernière publication ne donne aucun détail d'implémentation, alors que la réalisation 35 d'un memristor à partir d'une vanne de spin est difficile à envisager. Ceci est dû au fait que l'effet memristif dans les vannes de spin est négligeable, car la magnétorésistance y est faible, de l'ordre de 10%. Une vanne de spin ne peut donc que fournir une résistance de valeur très faible. C'est pourquoi la réalisation d'un memristor à partir d'une vanne de spin est difficile à envisager. La demanderesse a déposé en 2005 une demande internationale de brevet No. WO 2006/064022 Al, qui divulgue un dispositif comportant deux éléments magnétiques séparés par un élément isolant. Le dispositif permet de commuter de manière reproductible entre deux états d'aimantation stables et identifiables à des états logiques "0" ou "1", permettant ainsi de stocker de l'information. La commutation entre les deux états d'aimantation se fait par déplacement d'une paroi magnétique dans l'un des éléments magnétiques entre deux positions stables. Malheureusement, ce dispositif ne permet pas de faire varier continûment la résistance dans une plage, car la paroi magnétique n'a que deux positions stables vers lesquels elle tend irrémédiablement. II ne fournit donc que deux valeurs de résistance, correspondant chacune à l'un des deux états d'aimantation. II ne s'agit donc pas d'un memristor. L'invention a notamment pour but de fournir un memristor magnétorésistif, c'est-à-dire une résistance dont la valeur peut être ajustée dans une plage large et continue, en exploitant le déplacement d'une paroi magnétique par transfert de spin. A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif à résistance ajustable comportant deux éléments magnétiques séparés par un élément isolant ou semi-conducteur. La résistance du dispositif dépend de la position d'une paroi magnétique dans l'un des éléments magnétiques, la paroi magnétique séparant deux zones dudit élément magnétique ayant chacune sa propre direction d'aimantation homogène. Le dispositif comporte des moyens pour déplacer la paroi magnétique dans l'élément magnétique par application d'un courant électrique polarisé en spin, de telle sorte que la résistance du dispositif est ajustable dans une plage continue de valeurs. L'invention a également pour objet un dispositif à résistance ajustable comportant un empilement de deux couches magnétiques séparées par une couche isolante ou semi-conductrice, l'empilement formant un barreau. Une première des deux couches magnétiques comporte une paroi magnétique séparant deux zones ayant des directions d'aimantation homogènes sensiblement parallèles à l'axe longitudinal du barreau mais de sens opposés. La paroi magnétique est sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal du barreau. La deuxième des deux couches magnétiques a une direction d'aimantation homogène sensiblement parallèle à l'axe longitudinal du barreau. Le dispositif comporte des moyens pour déplacer la paroi magnétique dans la première couche magnétique le long du barreau par application d'un courant électrique polarisé en spin, de telle sorte que la résistance du dispositif varie dans une plage continue de valeurs lorsque la paroi magnétique se déplace le long du barreau. Dans un mode de réalisation préférentiel, les moyens pour déplacer la paroi magnétique le long du barreau peuvent inclure au moins deux électrodes disposées sur la première couche magnétique et/ou sur la deuxième couche magnétique, lesdites électrodes permettant d'appliquer au barreau le courant électrique polarisé en spin. Avantageusement, la paroi magnétique ne peut se déplacer le long du barreau que lorsque le courant polarisé en spin appliqué entre les électrodes a une densité de courant supérieure à un seuil donné. Au-dessus de ce seuil, l'amplitude de déplacement de la paroi magnétique le long du barreau peut varier linéairement avec la durée d'application entre les électrodes du courant polarisé en spin. Le signe du courant polarisé en spin appliqué entre les électrodes peut déterminer le sens de déplacement de la paroi magnétique le long du barreau. Le dispositif peut comporter un réservoir de nucléation à une extrémité du barreau, de manière à faciliter la création de la paroi 30 magnétique. Dans un mode de réalisation, la paroi magnétique dans la première couche magnétique peut être située à une extrémité du barreau, la première couche ayant alors une seule direction d'aimantation homogène sensiblement parallèle à l'axe longitudinal du barreau, de telle sorte que la 35 résistance du dispositif est égale à l'une des bornes de la plage continue de valeurs. Le dispositif peut alors être utilisé comme synapse excitatrice entre deux neurones dans un réseau de neurones, le courant appliqué au barreau permettant de diminuer la valeur de la résistance à partir de la borne maximale de la plage continue de valeurs. Le dispositif peut également être utilisé comme synapse inhibitrice entre deux neurones, le courant appliqué au barreau permettant d'augmenter la valeur de la résistance à partir de la borne minimale de la plage continue de valeurs. Le dispositif peut aussi comporter des pièges artificiels pour la paroi, de manière à reproduire des fonctions synaptiques. Par exemple, la première couche magnétique peut être une couche ferromagnétique, comme un matériau magnétique à anisotropie planaire du type d'un alliage NiFe ou d'un alliage CoFeB, ou encore un matériau magnétique à anisotropie perpendiculaire du type d'un alliage CoPt, ou d'un alliage FePt, ou d'un alliage FePd, ou d'un empilement Co/Ni, ou d'un empilement Co/AI203. Par exemple, les deux couches magnétiques peuvent être séparées par une couche isolante contenant de l'oxyde d'aluminium AI203 ou de l'oxyde de magnésium MgO. Elles peuvent également être séparées par une couche semi-conductrice contenant de l'arséniure de gallium GaAs ou un composé à base de GaAs. Par exemple, la deuxième couche magnétique peut également être une couche ferromagnétique. Elle peut notamment contenir du cobalt, ou un alliage NiFe, ou un alliage CoPt, ou un alliage FePt, ou un alliage FePd, ou un empilement Co/Ni ou un empilement Co/AI203. Elle peut également contenir un antiferromagnétique synthétique du type CoFeB/Ru/CoFeB. L'invention a encore pour principaux avantages que, par exploitation de l'effet de magnétorésistance, elle fournit une résistance dont la valeur peut être ajustée rapidement et jusqu'à des valeurs assez élevées. En effet, il a été récemment démontré qu'une paroi poussée par transfert de spin peut atteindre 175 m/s. Cela signifie que la résistance d'un memristor selon l'invention de taille sub-micrométrique basé sur le transfert de spin peut être ajustée par injection de courant en quelques nanosecondes ou moins. Enfin, l'invention limite les risques de détérioration du composant, car les densités de courant mises en jeu pour mettre en mouvement une paroi magnétique par transfert de spin sont inférieures à 108 A.cm-2 (ampère/cm2), c'est-à-dire bien inférieures à celles mises en jeu dans les techniques d'électromigration. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à l'aide de la description qui suit faite en regard de dessins annexés qui 10 représentent : la figure 1, par un schéma, une illustration d'un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention; la figure 2, par deux schémas, une illustration d'un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention, utilisé comme 15 synapse dans un réseau de neurones; la figure 3, par une vue en perspective, une illustration d'un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention en forme de barreau; la figure 4, par des vues de dessus, des illustrations de plusieurs 20 exemples de memristors magnéto-résistifs selon l'invention ayant des formes complexes; la figure 5, par une vue latérale et par une vue de dessus, une illustration d'un exemple d'électrodes de commande d'un memristor magnéto-résistif selon l'invention; 25 la figure 6, par une vue latérale, une illustration d'un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention lors de l'écriture de son état initial; la figure 7, par une vue latérale, une illustration d'un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention lors de la lecture de 30 son état de résistance; la figure 8, par une vue latérale, une illustration d'un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention lors de l'écriture d'un état de résistance différent de son état initial. 35 La figure 1 illustre par un schéma un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention, comportant deux éléments magnétiques FMI et FM2 formant des couches allongées de longueur L, les éléments FMI et FM2 étant séparés par un élément non magnétique I formant également une couche allongée de longueur L. La couche I est un isolant ou un semi-conducteur. La direction des aimantations dans les deux couches magnétiques FMI et FM2 sont schématisées par des flèches. Ainsi, dans le cas de la figure 1, une paroi magnétique est présente dans FMI à une position x qui peut varier avec le temps t, alors que l'aimantation est homogène dans FM2 qui ne présente pas de paroi magnétique. La résistance R d'une telle structure magnéto-résistive est différente selon la configuration des aimantations dans les deux couches. Si les aimantations sont orientées dans le même sens, la configuration est alors dite "parallèle", c'est-à-dire les deux flèches dans le même sens sur la figure 1, et la résistance est notée R=Rp. Si les aimantations sont orientées dans des directions opposées, la configuration est alors dite "antiparallèle", c'est-à-dire les deux flèches en sens inverses sur la figure 1, et la résistance est notée R=RAP. Ainsi, la résistance R de la structure est donnée par l'égalité suivante : R _ RAP x (RAP ùR 1+ P L RP Avantageusement, en injectant un courant polarisé en spin à travers la paroi, il est possible de la déplacer dans un sens ou dans l'autre suivant le signe du courant par effet de transfert de spin. Avantageusement, pour des densités de courant supérieures à une valeur critique Je définie notamment par le piégeage initial de la paroi, la vitesse u de propagation de la paroi par transfert de spin est proportionnelle au courant i injecté selon u= yi où y est un coefficient donné. Avantageusement là encore, la paroi ne bouge pas en dessous de Je (u=0) et le déplacement x à l'instant t est donné par x(t)= yit=yq, où q est la charge totale injectée. La résistance du dispositif dépend donc bien de la charge et pas seulement du courant: c'est ce qui est à l'origine de l'effet mémoire du memristor. Ainsi, pour un échantillon parfait sans centre de piégeage, la "memristance" M en fonction de la charge q est donnée par l'égalité (1) suivante : M(q) = 8 1+ Yq LRAP / RAP ù RP RP Par conséquent, puisque la résistance du dispositif est fonction de la charge, il s'agit bien d'un dispositif multi-états de résistance contrôlable par la charge injectée, grâce au déplacement de paroi par transfert de spin. Et en l'absence de courant appliqué, le dispositif conserve sa dernière valeur de résistance. La figure 2 illustre par des schémas comment un memristor magnéto-résistif selon l'invention peut avantageusement être utilisé comme synapse dans un réseau de neurones. En effet, pour une même polarité du courant injecté, c'est-à-dire pour un même sens de propagation de la paroi magnétique, un memristor magnéto-résistif selon l'invention permet d'implémenter soit une synapse excitatrice, soit une synapse inhibitrice. Une synapse excitatrice est d'autant plus conductrice qu'elle est souvent sollicitée, alors qu'une synapse inhibitrice devient plus isolante à chaque fois qu'elle est stimulée. Ainsi, comme illustré sur la figure 2 dans le cas où RAP>RP, en changeant simplement la direction de l'aimantation de la couche FM2, le memristor magnéto-résistif selon l'invention peut être utilisé soit comme synapse artificielle excitatrice, d'état initial antiparallèle AP dont la résistance diminue quand on lui applique un courant, soit comme synapse artificielle inhibitrice, d'état initial parallèle P dont la résistance augmente quand on lui applique un courant. En changeant la polarité du courant injecté, il est également possible de passer d'un comportement de synapse excitatrice à une synapse inhibitrice. La figure 3 illustre par une vue en perspective un exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention en forme de barreau 5. Le barreau peut être de longueur L pouvant varier de quelques centaines de nanomètres à quelques microns. La largeur w du barreau 5 peut être de l'ordre de la centaine de nanomètres ou moins. L'épaisseur h de l'empilement magnétique formé par le memristor peut être de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres. Une couche 1 forme avantageusement une couche de protection de la couche FM1, typiquement Au, Ru, Ta ou un empilement plus complexe de ces matériaux. La couche 1 peut éventuellement être omise si le matériau constituant FMI le permet. La couche FM1 peut être une couche ferromagnétique où va se propager la paroi magnétique. Il peut s'agir d'un matériau à anisotropie planaire, tel qu'un alliage NiFe, ou CoFeB. Pour réduire la dimension de la paroi à quelques dizaines de nanomètres ou moins et donc réduire L à la centaine de nanomètres, des matériaux à anisotropie perpendiculaire peuvent être utilisés, tels que des alliages CoPt, FePt, FePd, ou encore un empilement de couches de Cobalt et de Nickel (empilement désigné Co/Ni par la suite) ou encore un empilement de couches de Cobalt et d'oxyde d'aluminium (empilement désigné Co/AI203 par la suite). La couche I peut être un isolant ou un matériau semi-conducteur. En effet, l'effet magnéto-résistif exploité par l'invention est l'effet de magnétorésistance tunnel, qui peut aller jusqu'à 600%, ceci afin de maximiser l'amplitude de variation de la résistance entre Rp et RAP et ainsi élargir la plage de résistance. Si I est un isolant, il peut s'agir par exemple d'une barrière tunnel telle que AI203 ou MgO. Si I est un semi-conducteur, il peut s'agir par exemple de GaAs. La couche FM2 est une couche ferromagnétique dont l'aimantation reste fixe. Il peut s'agir par exemple soit d'un ferromagnétique simple du type Co, NiFe, CoPt, FePt, FePd, CoNi ou CoAI203, soit d'un antiferromagnétique synthétique du type CoFeB/Ru/CoFeB. La couche 2, qui peut éventuellement être omise, forme avantageusement une couche permettant de piéger l'aimantation de FM2, typiquement un matériau antiferromagnétique tel que IrMn, PtMn ou CoO. La couche 3 forme avantageusement une couche tampon qui peut être utile pour une bonne croissance des matériaux, typiquement Ta, Ru ou un empilement plus complexe des deux. La figure 4 illustre par des vues de dessus des exemples de memristors magnéto-résistifs selon l'invention de formes plus complexes. En effet, un réservoir de nucléation peut être utilisé pour faciliter la création de la paroi, comme schématisé par l'exemple (a) de la figure 4. Pour obtenir des memristances plus complexes que celle de l'équation (1) et ainsi pouvoir reproduire des fonctions synaptiques, des pièges artificiels pour la paroi magnétique peuvent être introduits de manière contrôlée, comme schématisés par les exemples (b) et (c) de la figure 4. La figure 5 illustre par une vue latérale (a) et par une vue de dessus (b) le même exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention en forme de barreau 5 que celui de la figure 3, mais en faisant apparaître en plus des électrodes de commande pour l'écriture puis la lecture de l'état de résistance. Des électrodes 4 peuvent avantageusement être situées en haut du memristor, qui peut comporter d'autres électrodes comme les électrodes 4. Une électrode 6 peut avantageusement être située en bas du memristor. La figure 6 illustre par une vue latérale le même exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention en forme de barreau que celui des figures 3 et 5, lors de l'écriture de l'état initial. L'état initial est soit l'état parallèle P des aimantations pour une synapse inhibitrice, soit l'état antiparallèle AP pour une synapse excitatrice. Cet état initial peut être contrôlé par transfert de spin vertical en appliquant un courant iE entre les électrodes 4 et 6. Suivant la polarité du courant iE injecté et pour une densité du courant iE suffisamment élevée, de l'ordre de 107 A.cm-2, un couple de transfert de spin impose l'état P ou l'état AP. La figure 7 illustre par une vue latérale le même exemple de memristor magnéto-résistif selon l'invention en forme de barreau que celui des figures 3, 5 et 6, lors de la lecture de l'état de résistance. La lecture de l'état de résistance se fait en mesurant la tension V entre les électrodes 4 et 6. Pour ce faire, un courant IL est également injecté entre les électrodes 4 et 6, suffisamment faible pour ne pas perturber la configuration magnétique OL� 'E). La figure 8 illustre par une vue latérale le même exemple de 35 memristor magnéto-résistif selon l'invention en forme de barreau que celui des figures 3, 5, 6 et 7, lors de l'écriture d'un état de résistance différent de l'état initial, toujours par déplacement de la paroi par transfert de spin. Ainsi, après l'écriture de l'état initial, les écritures postérieures peuvent s'effectuer de deux manières différentes. Une première technique est d'appliquer le courant iE latéralement entre les électrodes 4, comme illustré par l'exemple (a) de la figure 8. Une deuxième technique est d'injecter le courant iE verticalement entre les électrodes 4 et 6 comme illustré par l'exemple (b) de la figure 8. Un memristor selon l'invention décrite précédemment a encore pour principal avantage que, même mis hors tension, il conserve sa valeur de résistance telle qu'elle était au moment de la mise hors tension. REVENDICATIONS1. Dispositif à résistance ajustable comportant deux éléments magnétiques (FMI, FM2) séparés par un élément isolant ou semi-conducteur (I), la résistance du dispositif dépendant de la position d'une paroi magnétique dans l'un des éléments magnétiques (FMI), la paroi magnétique séparant deux zones dudit élément magnétique ayant chacune sa propre direction d'aimantation homogène, le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (4, 6) pour déplacer la paroi magnétique dans ledit élément magnétique (FMI) par application d'un courant électrique polarisé en spin (0E), de telle sorte que la résistance du dispositif est ajustable dans une plage continue de valeurs. 2. Dispositif à résistance ajustable comportant un empilement de deux couches magnétiques séparées par une couche isolante ou semi-conductrice (I), l'empilement formant un barreau (5), une première des deux couches magnétiques (FMI) comportant une paroi magnétique séparant deux zones ayant des directions d'aimantation homogènes sensiblement parallèles à l'axe longitudinal du barreau (5) mais de sens opposés, la paroi magnétique étant sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal du barreau (5), la deuxième des deux couches magnétiques (FM2) ayant une direction d'aimantation homogène sensiblement parallèle à l'axe longitudinal du barreau (5), le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (4, 6) pour déplacer la paroi magnétique dans la première couche magnétique (FM1) le long du barreau (5) par application d'un courant électrique polarisé en spin (iE), de telle sorte que la résistance du dispositif varie dans une plage continue de valeurs lorsque la paroi magnétique se déplace le long du barreau (5). 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens pour déplacer la paroi magnétique le long du barreau incluent au moins deux électrodes (4, 6) disposées sur la première couche magnétique (FMI) et/ou sur la deuxième couche magnétique (FM2), lesdites électrodes permettant d'appliquer au barreau (5) le courant électrique polarisé en spin (iE). 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la paroi magnétique ne se déplace le long du barreau (5) que lorsque le courant polarisé en spin (iE) appliqué entre les électrodes (4, 6) a une densité de courant supérieure à un seuil donné. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que, au-dessus du seuil de densité de courant donné, l'amplitude (x) de déplacement de la paroi magnétique le long du barreau (5) varie linéairement avec la durée d'application (t) entre les électrodes (4, 6) du courant polarisé en spin (iE). 10 6. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le signe du courant polarisé en spin (iE) appliqué entre les électrodes (4, 6) détermine le sens de déplacement de la paroi magnétique le long du barreau (5). 15 7. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un réservoir de nucléation à une extrémité du barreau (5), de manière à faciliter la création de la paroi magnétique. 8. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la paroi 20 magnétique dans la première couche magnétique (FMI) est située à une extrémité du barreau (5), la première couche (FM1) ayant une seule direction d'aimantation homogène sensiblement parallèle à l'axe longitudinal du barreau (5), de telle sorte que la résistance du dispositif est égale à l'une des bornes de la plage continue de valeurs. 25 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il est utilisé comme synapse excitatrice entre deux neurones dans un réseau de neurones, le courant polarisé en spin (iE) appliqué au barreau (5) permettant de diminuer la valeur de la résistance à partir de la borne 30 maximale de la plage continue de valeurs. 10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il est utilisé comme synapse inhibitrice entre deux neurones dans un réseau de neurones, le courant polarisé en spin (iE) appliqué au barreau (5)5permettant d'augmenter la valeur de la résistance à partir de la borne minimale de la plage continue de valeurs. 11. Dispositif selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce qu'il comporte 5 des pièges artificiels pour la paroi, de manière à reproduire des fonctions synaptiques. 12. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche magnétique (FMI) est une couche ferromagnétique. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche ferromagnétique contient un matériau magnétique à anisotropie planaire. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que le matériau à 15 anisotropie planaire contient un alliage NiFe ou un alliage CoFeB. 15. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche ferromagnétique contient un matériau magnétique à anisotropie perpendiculaire. 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que le matériau à anisotropie perpendiculaire contient un alliage CoPt, ou un alliage FePt, ou un alliage FePd, ou un empilement Co/Ni, ou un empilement Co/AI203. 25 17. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les deux couches magnétiques (FMI, FM2) sont séparées par une couche isolante (I) contenant de l'oxyde d'aluminium AI203 ou de l'oxyde de magnésium MgO. 30 18. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les deux couches magnétiques (FMI, FM2) sont séparées par une couche semi-conductrice (I) contenant de l'arséniure de gallium GaAs ou un composé à base de GaAs. 10 20 19. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la deuxième couche magnétique (FM2) est une couche ferromagnétique. 20. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche ferromagnétique contient du cobalt, ou un alliage NiFe, ou un alliage CoPt, ou un alliage FePt, ou un alliage FePd, ou un empilement Co/Ni ou un empilement Co/AI203. 21. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche ~o ferromagnétique contient un antiferromagnétique synthétique du type CoFeB/Ru/CoFeB.