Brevet FR2935533A1 — publié le 20100305

DEMANDE DE BREVET B08-1407FR - ODE/EVH Société Anonyme dite : STMicroelectronics SA Condensateur tridimensionnel et procédé de conception topologique d'un tel condensateur Invention de : Eric PICOLLET Claire DEGLISE-FAVRE Rémi MAGAND Condensateur tridimensionnel et procédé de conception topologique d'un tel condensateur L'invention concerne, de manière générale, la conception et la fabrication de condensateurs, en particulier pour applications à hautes fréquences. Elle concerne plus particulièrement la conception et la fabrication de condensateurs tridimensionnels destinés à être implantés au dessus d'un substrat semi-conducteur, notamment en protocole MOM (� Metal-Oxyde-Metal �). Une application particulièrement intéressante concerne la conception de condensateurs MOM pour application à hautes fréquences en technologie CMOSO45, c'est-à-dire une technologie utilisant une finesse de gravure de 45 nanomètres. Mais l'invention s'applique également, de manière générale, à la conception de condensateurs tridimensionnels pouvant utiliser toute autre technologie CMOS, voire les technologies utilisant une finesse de gravure de 32 nanomètres. Par rapport aux condensateurs planaires, les condensateurs tridimensionnels présentent un certain nombre d'avantages. Ils permettent en particulier l'intégration de condensateurs avec une densité accrue et donc avec une valeur de capacité importante par unité de surface, tout en ayant une résistance d'accès faible et un facteur de qualité élevé et stable. Les condensateurs tridimensionnels, également désignés par l'appellation condensateurs � 3D �, sont traditionnellement réalisés en formant des électrodes réparties sur plusieurs niveaux de métallisation. Par exemple, en technologie CMOSO45, un condensateur 3D peut être formé en utilisant sept niveaux de métallisation dans lesquels sont formées des électrodes respectives du condensateur, qui forment deux à deux un ensemble de condensateurs élémentaires. Comme illustré sur la figure 1, qui illustre l'organisation des électrodes dans des niveaux de métallisation inférieurs, les électrodes comportent chacune un ensemble de barreaux ou doigts s'étendant parallèlement mais orientés alternativement dans l'empilement selon deux directions perpendiculaires en formant, avec un barreau en vis-à-vis d'une même électrode et avec un barreau d'une électrode inférieure ou supérieure, des condensateurs élémentaires. Plus particulièrement, comme on le voit sur la figure 1, chaque niveau de métallisation, tel que M;, comporte une électrode E; formée par l'association de deux peignes P1 et P2 imbriqués, comprenant chacun un ensemble de barreaux B s'étendant parallèlement selon une première direction générale à partir d'un barreau latéral d'extrémité B', tandis que dans un autre niveau de métallisation immédiatement supérieur ou inférieur, les barreaux B du peigne s'étendent selon une deuxième direction perpendiculaire à la première direction. En outre, selon cette configuration, les barreaux de chaque peigne d'un niveau de métallisation M;, qui forment une électrode positive ou négative, sont reliés aux barreaux d'un autre niveau de métallisation M'; qui forme des électrodes, respectivement positives ou négatives, par l'intermédiaire de vias tels que V. Par ailleurs, dans le but d'augmenter les fonctionnalités électriques du condensateur, les niveaux de métallisation supérieurs, ici les niveaux de métallisation M6 et M7, ont une configuration spécifique et, en particulier, un facteur d'échelle différent, la taille des barreaux et l'épaisseur de ces électrodes étant accrues sur ces niveaux de métallisation M6 et M7. Comme on le voit, les électrodes des niveaux de métallisation M6 et M7 ont une configuration identique et comportent deux peignes imbriqués P1 et P2 formés d'une association de barreaux en parallèle et ayant en outre, tant dans le niveau de métallisation M6 que dans le niveau de métallisation M7, la même orientation. Par ailleurs, les concepteurs de composants électroniques passifs, et en particulier de condensateurs tridimensionnels, doivent, à partir de règles de conception ou de � design � qui leur sont imposées, relatives par exemple à la technologie employée, ou aux contraintes du circuit à réaliser, portant par exemple sur la valeur de capacité à obtenir ou sur le raccordement du condensateur, concevoir une configuration de condensateur permettant d'obtenir les fonctionnalités électriques requises, tout en limitant la consommation en silicium qui est un matériau très coûteux. Au vu de ce qui précède, il est proposé, selon la présente description, une architecture de condensateur tridimensionnel et un procédé de conception d'un tel condensateur, permettant, en fonction des règles de conception imposées, la réalisation d'un condensateur permettant d'améliorer encore les fonctionnalités électriques fournies. Selon une première approche, il est ainsi proposé un condensateur tridimensionnel comprenant un empilement d'électrodes superposées formées dans des niveaux de métallisation respectifs d'un circuit intégré comprenant en outre au moins deux électrodes additionnelles superposées formées au dessus dudit empilement, les électrodes additionnelles comprenant chacune un ensemble d'au moins un barreau s'étendant selon une première direction, une partie au moins desdits barreaux comprenant des ramifications s'étendant selon une deuxième direction. I1 a été constaté qu'une telle structure, selon laquelle les barreaux situés par exemple au centre des niveaux de métallisation supérieurs de l'empilement des électrodes du condensateur, comportent des ramifications transversales, permet d'améliorer considérablement les fonctionnalités du condensateur et, en particulier, d'obtenir, pour une même surface, une augmentation de la capacité unitaire, et une baisse de la résistance d'accès à facteur de qualité constante ou, en d'autres termes, à capacité équivalente constante et à résistance d'accès équivalente constante, une réduction significative de la surface du condensateur limitant, de la sorte, la consommation en silicium. Selon une autre caractéristique de ce condensateur, les ramifications sont constituées par des doigts s'étendant perpendiculairement aux barreaux. Dans un mode de réalisation, les électrodes additionnelles comportent des barreaux d'extrémité rectilignes non ramifiés et des barreaux médians ramifiés prévus entre les barreaux d'extrémité. Les barreaux de l'une des électrodes additionnelles peuvent s'étendre parallèlement aux barreaux de l'autre électrode additionnelle. Selon encore une autre caractéristique de ce condensateur tridimensionnel, les barreaux de chaque électrode additionnelle comprennent une paire de motifs identiques appareillés et imbriqués comprenant chacun un premier ensemble d'au moins un barreau s'étendant parallèlement à chaque barreau d'un autre motif selon ladite première direction, et un deuxième ensemble d'au moins un barreau s'étendant parallèlement aux barreaux du deuxième ensemble de barreaux de l'autre motif selon ladite deuxième direction. Les ramifications peuvent par ailleurs s'étendre à partir des barreaux médians du premier ensemble de barreaux. Les barreaux du premier ensemble de barreaux peuvent, quant à eux, être formés à partir de l'un des barreaux du deuxième ensemble de barreaux. Selon encore une autre caractéristique du condensateur tridimensionnel, les électrodes de l'empilement d'électrodes comprennent chacune une paire de motifs identiques et imbriqués comprenant chacune un premier ensemble de barreaux s'étendant parallèlement à chaque barreau d'un autre motif selon l'une des première et deuxième directions, et un deuxième ensemble de deuxième barreau s'étendant parallèlement à chaque deuxième barreau de l'autre motif selon l'autre desdites première et deuxième directions. Les motifs de chaque électrode de l'empilement peuvent être orientées selon une direction différente de celle des motifs d'une électrode immédiatement supérieure ou inférieure. Selon un autre aspect, il est également proposé un procédé de conception d'un condensateur tridimensionnel comprenant un empilement d'électrodes superposées formé dans des niveaux de métallisation respectifs d'un circuit intégré, et comprenant au moins deux électrodes additionnelles superposées formées au dessus dudit empilement, de sorte que chaque électrode additionnelle comprenne un ensemble d'au moins un barreau s'étendant selon une première direction et qu'une partie au moins des barreaux comprend des ramifications s'étendant selon une deuxième direction. Selon une caractéristique de ce procédé, on calcule un nombre de barreaux pour chaque électrode additionnelle, on calcule la distance disponible pour les ramifications, et l'on adapte le nombre de barreaux de manière à obtenir une longueur disponible pour les ramifications supérieure à une distance minimale requise entre barreaux. En d'autres termes, on adapte le nombre de barreaux de manière à délimiter, par exemple au centre de l'électrode, une distance suffisante entre barreaux pour ménager les ramifications, en tenant compte de la distance minimale requise entre les barreaux, et en particulier entre les ramifications et un barreau en vis-à-vis pour satisfaire aux exigences requises, en particulier par les règles de conception. Par exemple, selon une autre caractéristique de ce procédé, on détermine le nombre de ramifications à partir de la longueur des barreaux, de la longueur des ramifications, et de l'espace entre des ramifications voisines, et la longueur des ramifications à partir de la distance entre les barreaux et l'espace minimum requis entre les barreaux. Par exemple, selon un mode de mise en oeuvre, on fixe la largeur des ramifications égale à la largeur des barreaux. Dans un mode de mise en oeuvre, le procédé comporte les étapes de : - calcul du nombre de barreaux en fonction de la largeur des barreaux et de l'espace entre les barreaux ; - calcul de l'espacement entre les barreaux ramifiés ; - comparaison de l'espacement calculé avec une valeur minimale d'espacement requis entre une ramification et un barreau ramifié voisin ; et - modification du nombre de barreaux calculés de manière à obtenir une valeur d'espacement supérieure à la valeur minimale requise. Ce procédé peut en outre comporter une étape d'adaptation de l'espacement entre les barreaux préalable au calcul de la longueur des ramifications. On peut en outre calculer la distance entre deux ramifications voisines. On peut, par ailleurs, orienter les barreaux de manière à obtenir la plus grande longueur totale des ramifications. Par exemple, pour ce faire, on peut calculer la différence entre, d'une part, la longueur des ramifications pour une première configuration dans laquelle les barreaux s'étendent dans une première direction, multipliée par le nombre de ramifications, et, d'autre part, la longueur des ramifications pour une deuxième configuration dans laquelle les barreaux s'étendent dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, multipliée par le nombre de ramifications, et l'on choisit la première ou la deuxième configuration selon le résultat du calcul de ladite différence. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés : - les figures 1 et 2, dont il a déjà été fait mention, illustrent schématiquement l'architecture générale d'un condensateur tridimensionnel selon l'état de la technique ; - la figure 3 illustre, de manière schématique et en perspective, le concept d'architecture d'un condensateur tridimensionnel comprenant des ramifications centrales ; - la figure 4 est une vue de dessus du niveau de métallisation supérieur du condensateur tridimensionnel à ramifications de la figure 3 ; 30 - la figure 5 illustre schématiquement la conception d'un condensateur tridimensionnel ; - la figure 6 montre les principales phases d'un procédé de conception d'un condensateur tridimensionnel à ramifications latérales ; - la figure 7 est une vue de dessus d'un condensateur tridimensionnel à ramifications latérales montrant les principaux paramètres pris en considération lors de la conception ; - les figures 8 à 16 montrent diverses configurations d'un condensateur tridimensionnel à ramifications latérales ; et - la figure 17 est un tableau montrant les gains en valeur de capacité, de résistance et de facteur de qualité, grâce à la présence de ramifications latérales centrales. En se référant tout d'abord à la figure 3, on va décrire un exemple de réalisation d'un condensateur tridimensionnel MOM réalisé en technologie 45 nanomètres. Comme on le voit, dans l'exemple décrit, le condensateur tridimensionnel comporte ici sept niveaux de métallisation, les niveaux de métallisation supérieurs M6 et M7 étant configurés de manière à réduire la résistance d'accès et augmenter la valeur de capacité pour une même surface de circuit. Comme indiqué précédemment, les condensateurs tridimensionnels traditionnels comportent un ensemble d'électrodes superposées réparties dans des niveaux de métallisation du circuit intégré, et en partie supérieure, des électrodes additionnelles formées dans les niveaux de métallisation M6 et M7. Les niveaux de métallisation supérieurs M6 et M7 ont une configuration et une orientation identiques en peignes imbriqués, de sorte que chaque électrode comporte une paire de peignes P1 et P2 formés chacun par une association de barreaux B s'étendant selon une première direction à partir d'un barreau transversal B' s'étendant selon une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, telle que les barreaux de l'un des peignes soient intercalés entre deux barreaux de l'autre peigne. Dans le but d'améliorer les performances électriques du condensateur, les électrodes des niveaux de métallisation supérieurs M6 et M7 sont modifiées de telle sorte que les barreaux situés au centre comportent des ramifications latérales R qui s'étendent parallèlement selon la deuxième direction, c'est-à-dire parallèlement aux barreaux B' à partir desquels s'étendent les barreaux ramifiés B. Selon cette configuration, les deux barreaux centraux en regard des peignes comportent des ramifications imbriquées de sorte que les ramifications de l'un des barreaux s'étendent entre les ramifications R de l'autre barreau. En d'autres termes, selon cette configuration en peignes, chaque peigne comporte deux ensembles de doigts ou barreaux, à savoir un premier ensemble de barreaux B parallèles, ici au nombre de quatre, qui s'étend selon l'une direction X ou Y du circuit, ici la direction Y, et qui comportent des barreaux ramifiés centraux, et un deuxième ensemble de barreaux B', ici au nombre de un, à partir duquel ou desquels s'étendent les barreaux B et qui s'étendent selon l'autre direction X. Les ramifications de l'un des barreaux sont ici au nombre de deux et sont disposées chacune entre deux ramifications de l'autre peigne, ici au nombre de trois. Mais, bien entendu, et comme cela sera détaillé par la suite, tout autre configuration peut également être adoptée. Comme on le voit également sur la figure 4, selon cette configuration, seuls les niveaux de métallisation M6 et M7, qui adoptent une configuration identique et une même orientation, sont modifiés, les niveaux de métallisation inférieurs adoptant une configuration traditionnelle, c'est-à-dire une configuration en peignes imbriqués, de sorte que dans l'empilement des électrodes, les orientations des barreaux diffèrent de 90° d'un empilement à l'autre. En se référant à la figure 5, la conception d'un condensateur tridimensionnel à ramifications latérales centrales s'effectue à partir de paramètres de conception imposés au concepteur, tels que la valeur de la capacité, le premier niveau de métallisation à partir duquel les électrodes doivent être formées, le dernier niveau de métallisation, le premier niveau de raccordement du condensateur dans le circuit intégré, le dernier niveau de raccordement et, le cas échéant, les dimensions planaires (en X,Y) du condensateur. La conception s'effectue également à partir de règles de conception, imposées par exemple par la technologie employée, telles que l'espacement entre les barreaux, ou la largeur des barreaux. A partir des paramètres de conception, la configuration des niveaux de métallisation inférieurs, par exemple les niveaux de métallisation M1 à M5, est élaborée, en utilisant un modèle mathématique tendant à déterminer, notamment, le nombre de barreaux ou doigts dans chacune des première et deuxième direction X et Y. A partir de ces paramètres du condensateur, des paramètres de conception et des règles de conception, il est ensuite procédé à la conception des niveaux de métallisation M6 et M7. En se référant aux figures 6 et 7, cette phase de conception consiste essentiellement à déterminer l'espacement entre les barreaux de manière à pouvoir créer des extensions latérales tout en tenant compte de l'espacement requis entre les barreaux et, en particulier, de l'espacement requis entre les extensions latérales de l'un des barreaux et un barreau ramifié en vis-à-vis. Lors de la conception des niveaux de métallisation à barreaux ramifiés, ici les niveaux M6 et M7, au cours d'une première étape 10, on calcule le nombre de barreaux nbEA de chaque électrode supérieure. Les électrodes additionnelles des niveaux M6 et M7 ont une structure identique et une même orientation. Les calculs mis en oeuvre s'appliquent donc aux deux couches. Pour calculer le nombre de barreaux nbEA, on procède aux calculs suivants : wfEA = Width min DRM(M6, M7) (1) spcfEA = Spacing min DRM(M6,M7) (2) nbEA = tronc(nb x.wf + (nbx -1).sp cf (3) 2(w fEA + spcfE A) ~ dans lesquels : - Widthmin DRM désigne la largeur minimum de ligne de métal réalisable en fabrication; - Spacingmin DRM désigne l'espacement minimum entre 2 lignes de métal réalisable en fabrication; - tronc désigne l'opération de troncature, c'est-à-dire la partie entière ; - wfEA désigne la largeur des barreaux ; - spcfEA désigne l'espace entre les barreaux ; - nbx et spcf désignent respectivement le nombre de barreaux et l'espacement entre barreaux dans les niveaux de métallisation inférieurs. Lors de l'étape 11 suivante, on procède au calcul de l'espacement ou distance AIA entre barreaux ramifiés, comme illustré sur la figure 7, à partir de la relation suivante AIA = nbx.wf + (nbx -1).spcf ù 2.[nbEA.wfEA + (nbEA -1).spcfEA] (4) I1 convient alors, lors de l'étape 12 suivante, de vérifier que l'espacement entre les barreaux ramifiés est suffisant pour incorporer des ramifications, en tenant compte de l'espacement requis entre les barreaux ramifiés spcflA. Si tel n'est pas le cas, c'est-à-dire si AIA est inférieur à la valeur minimum requise spcflA, on retranche un barreau pour chaque peigne ou, en d'autres termes, on retranche une paire de barreaux pour chaque niveau de métallisation M6 ou M7 (étape 12'). Au contraire, si tel est le cas, on procède au calcul de la longueur des barreaux ramifiés et de leur nombre. On procède ainsi tout d'abord au calcul de la longueur LIA des barreaux ramifiés selon la relation suivante : LIA = AIA ù spcflA (5) 2 Lors de l'étape 14 suivante, on procède à une adaptation de l'espacement entre les barreaux de manière à s'adapter à la technologie et en particulier au pas de grille. Pour ce faire, on calcule un paramètre E, selon la relation suivante : e = nbx.wf + (nbx -1).spcf ù 2.[nbEA.wfA + (nbEA -1).spcfA]+ LIA + spcfA (6) Si au cours de cette étape 14, on constate que la valeur de ce paramètre c est non nulle, lors de l'étape 15 suivante, on procède à un nouveau calcul d'espacement spcfA selon la relation suivante : spcfA = nbx.wf + (nbx -1).spcf ù 2.(nbEA.wfA ù LIA) (7) 2.nbEA Puis la procédure retourne à l'étape 13 précédente pour procéder à un nouveau calcul de la longueur de doigt. Lorsqu'il a été vérifié que le paramètre c est égal à zéro, lors de l'étape 16 suivante, on procède au calcul du nombre de 20 ramifications nbIA selon la relation suivante : nbIA = tronc wfA + spcfA ~ Puis, lors de l'étape 17 suivante, on calcule l'espacement spcflA entre les barreaux ramifiés ou, en d'autres termes, la distance 25 entre les ramifications du barreau ramifié de l'un des peignes, et du barreau ramifié de l'autre peigne, selon la relation suivante : nbIA ù l (9) On calcule alors un paramètre a qui correspond à la différence 30 entre, d'une part, le nombre de ramifications selon une première ( LEA (8) spcflA2 = LEA ù nbIA.wfA configuration selon laquelle ces ramifications s'étendent selon une première direction X du circuit intégré multipliée par leur longueur et, d'autre part, le nombre de ramifications selon une seconde configuration selon laquelle ces ramifications s'étendent selon une seconde direction Y du circuit intégré multipliée par leur longueur (étape 18). En d'autres termes, on procède au calcul du paramètre a suivant a = nblA _ xdir.LIA xdir ù nblA _ ydir.LIA ydir (10) Si la valeur de ce paramètre a est négative, on procède à un changement d'orientation, puis on met à nouveau en oeuvre les étapes 10 à 17 précédemment mentionnées en changeant l'orientation de la configuration de manière à aboutir à un paramètre a positif ou nul. Lors de l'étape 19 suivante, on retient alors la valeur calculée des divers paramètres permettant de décrire les barreaux et ramifications tels que le nombre, la longueur, la largeur et l'espacement entre les barreaux. On notera que, dans le mode de réalisation qui vient d'être décrit, les niveaux de métallisation supérieurs, ici les niveaux de métallisation M6 et M7, comportent chacun des motifs comprenant une paire de peignes imbriqués. On notera toutefois que la configuration évoquée précédemment n'est nullement limitative, et d'autres variantes peuvent également être envisagées. En se référant tout d'abord aux figures 8 et 9, et comme indiqué précédemment, en fonction de la valeur calculée du paramètre a, il est possible de changer l'orientation des barreaux et de leurs ramifications. I1 est ainsi possible, comme visible sur la figure 8, d'orienter les ramifications de manière qu'elles s'étendent parallèlement à une première direction X et d'orienter les barreaux de sorte qu'ils s'étendent parallèlement à une deuxième direction Y du circuit intégré. Au contraire, il est possible d'orienter les ramifications internes selon la deuxième direction Y et d'orienter les barreaux selon la première direction X (figure 9). En se référant à la figure 10, il est également possible de modifier la longueur des barreaux et, de même, le nombre de ramifications internes. Ainsi, comme visible sur les figures 11 et 12, il est possible de ne prévoir dans les niveaux de métallisation supérieurs qu'une seule ramification et qu'un seul barreau ou, en variante, de ne prévoir qu'une seule paire de barreaux imbriqués comprenant chacun une unique ramification. Mais lorsque l'on prévoit plusieurs barreaux comprenant un ou plusieurs barreaux ramifiés, ceux-ci sont disposés de préférence au centre tandis que les barreaux non ramifiés sont disposés de part et d'autre des barreaux ramifiés. De même, comme indiqué précédemment, la longueur des ramifications peut varier selon les contraintes de conception (figures 13 et 14). En se référant aux figures 15 et 16, il est également possible de prolonger un barreau latéral de chaque peigne par des barreaux additionnels conférant alors aux électrodes une forme à deux spirales imbriquées. En se référant enfin à la figure 1, il a été constaté que la configuration à barreaux ramifiés permettait d'augmenter de manière très significative la valeur de la capacité du condensateur, pour une valeur de résistance et de facteur de qualité sensiblement constant (configuration 2 par rapport à une configuration conventionnelle (configuration 1)). REVENDICATIONS1. Condensateur tridimensionnel comprenant un empilement d'électrodes superposées formées dans des niveaux de métallisation respectifs d'un circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins deux électrodes additionnelles superposées formées au dessus dudit empilement, les électrodes additionnelles comprenant chacune un ensemble d'au moins un barreau (B, B') s'étendant selon une première direction et en ce qu'une partie au moins desdits barreaux comporte des ramifications (R) s'étendant selon une deuxième direction. 2. Condensateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les ramifications (R) sont constituées par des doigts s'étendant perpendiculairement aux barreaux. 3. Condensateur selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les électrodes additionnelles comportent des barreaux d'extrémité (B) rectilignes non ramifiés et des barreaux centraux (B') ramifiés prévus entre les barreaux. 4. Condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les barreaux de l'une des électrodes additionnelles s'étendent parallèlement aux barreaux de l'autre électrode additionnelle. 5. Condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les barreaux de chaque électrode additionnelle comprennent une paire de motifs (P1, P2) identiques appariés et imbriqués comprenant chacun un premier ensemble d'au moins un barreau (B) s'étendant parallèlement à chaque barreau d'un autre motif selon ladite première direction et une deuxième ensemble d'au moins un barreau (B') s'étendant parallèlement aux barreaux du deuxième ensemble de barreaux de l'autre motif selon ladite deuxième direction. 6. Condensateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que les ramifications (R) s'étendent à partir des barreaux centraux (B) du premier ensemble de barreaux. 7. Condensateur selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que les barreaux (B) du premier ensemble de barreaux sont formés à partir de l'un des barreaux (B') du deuxième ensemble de barreaux. 8. Condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les électrodes de l'empilement d'électrodes comprennent chacune une paire de motifs identiques et imbriqués comprenant chacun un premier ensemble de barreaux s'étendant parallèlement à chaque barreau d'un autre motif selon l'une desdites première et deuxième direction et un deuxième ensemble de barreaux s'étendant parallèlement à chaque deuxième barreau de l'autre motif selon l'autre desdites première et deuxième directions. 9. Condensateur selon la revendication 8, caractérisé en ce que les motifs de chaque électrode de l'empilement d'électrodes sont orientés selon une direction différente de celle des motifs d'une électrode immédiatement inférieure ou supérieure. 10. Procédé de conception d'un condensateur tridimensionnel comprenant un empilement d'électrodes superposées formées dans des niveaux de métallisation respectifs d'un circuit intégré, et comprenant au moins deux électrodes additionnelles superposées formées au dessus dudit empilement de sorte que chaque électrode additionnelle comprenne un ensemble d'au moins un barreau (B) s'étendant selon une première direction et qu'une partie au moins des barreaux comprend des ramifications (R) s'étendant selon une deuxième direction, caractérisé en ce que l'on calcule un nombre de barreaux pour chaque électrode additionnelle, on calcule la distance disponible (MA) pour les ramifications et l'on adapte le nombre de barreaux de manière à obtenir une longueur disponible pour les ramifications supérieures à une distance minimale requise (SpcfIA) entre barreaux. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'on détermine le nombre de ramifications à partir de la longueur des barreaux, de la largeur des ramifications et de l'espacement entre des ramifications voisines, et la longueur des ramifications à partir de ladistance entre les barreaux et de l'espacement minimum requis entre les barreaux. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'on fixe la largeur des ramifications égale à la largeur des barreaux. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes de : - calcul du nombre de barreaux en fonction de la largeur des barreaux et de l'espacement entre les barreaux ; - calcul de l'espacement entre les barreaux ramifiés ; - comparaison de l'espacement calculé avec une valeur minimum d'espacement requis entre une ramification et un barreau ramifié voisin ; et - modification du nombre de barreaux calculés de manière à obtenir une valeur d'espacement supérieure à une valeur minium requise. 14. Condensateur selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape d'adaptation de l'espacement requis entre les barreaux préalable au calcul de la longueur des ramifications. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, caractérisé en ce que l'on calcule en outre la distance entre deux ramifications voisines. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'on oriente les barreaux de manière à obtenir la plus grande longueur totale des ramifications. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'on calcule la différence entre, d'une part, la longueur des ramifications pour une première configuration dans laquelle les barreaux s'étendent dans une première direction, multipliée par le nombre de ramifications, et, d'autre part, la longueur des ramifications pour une deuxième configuration dans laquelle les barreaux s'étendent dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, multipliée par le nombre de ramifications, et l'on choisit la première ou la deuxième configuration selon le résultat du calcul de ladite différence.