Brevet FR2940852A1 — publié le 20100709

L'invention concerne généralement, dans le domaine micro-technologique, le transfert d'une couche depuis un substrat de départ vers un substrat final, avant d'éventuelles autres étapes pouvant faire intervenir d'autres transferts. 15 Situation de la problématique Diverses techniques de transfert de couche sont déjà connues, parmi lesquelles on peut notamment citer les deux suivantes. Le procédé � Eltran�� décrit un procédé de transfert de films minces basé sur la formation d'une couche fragile dans un premier substrat, 20 des étapes technologiques appliquées à une portion superficielle de ce substrat telles que oxydation, épitaxie, réalisation de circuits..., le collage du premier substrat fragilisé, par cette portion superficielle sur un substrat support (par collage moléculaire ou anodique ou via des adhésifs) et la fracture provoquée au niveau de la couche fragile, par exemple par l'application de contraintes 25 mécaniques. Cette couche fragile est en principe une couche poreuse, généralement obtenue par anodisation du matériau à partir d'une face libre ; cette couche poreuse est donc typiquement située en surface au moment de sa formation. Dans la mesure où il est fréquent qu'on ait besoin, ultérieurement, que cette couche poreuse soit enterrée, à une profondeur non nulle de la 30 surface, il est connu de recristalliser une partie de cette couche poreuse dont l'épaisseur, à partir de la surface libre, détermine la profondeur de la couche poreuse résiduelle. Toutefois, le plus souvent, on complète le substrat de 1 départ grâce au dépôt par épitaxie d'une couche additionnelle (d'où l'intitulé du procédé, qui découle de � Epitaxial Layer Transfer �). De manière habituelle, le matériau constitutif du substrat de départ est du silicium et le second substrat est au moins en surface électriquement isolant, de sorte que, après transfert de la couche du substrat de départ qui surmonte la couche poreuse, on obtient du silicium sur isolant (� Silicium On Insulator �, soit � SOI �). Le procédé � Smart Cut �� décrit un autre procédé de transfert de films, généralement minces, basé sur l'implantation d'ions gazeux, le collage du substrat implanté sur un substrat support après la réalisation éventuelle d'étapes technologiques, et la fracture provoquée au niveau de la zone implantée, par exemple par un traitement thermique et/ou l'application de sollicitations mécaniques. L'article � Cleave-Engineered Layer Transfer Using Porous Silicon de M. B. Joshi, S. L. Hayashi, S. J. Hu, and M. S. Goorsky - paru dans ECS Proceedings 2008 - décrit un procédé de réalisation d'un substrat démontable basé sur l'implantation d'un substrat cristallin InP, le collage moléculaire de ce substrat sur un substrat Si comportant une couche poreuse en surface, le transfert par la technoloqie � Smart Cut � � de la couche InP sur le substrat Si poreux, la croissance de couches épitaxiales sur la couche InP ainsi reportée (la couche poreuse est alors enterrée), puis le report des couches épitaxiales par collage sur un nouveau substrat et la séparation mécanique au niveau de la couche de Si poreux enterrée. Dans ce procédé la couche poreuse est réalisée dans le substrat Si, car la technique la plus couramment utilisée pour rendre poreuse une partie superficielle d'un substrat, à savoir l'anodisation, est mieux connue et maîtrisée dans Si que dans InP. Par contre l'utilisation d'un substrat temporaire Si poreux a des inconvénients, notamment du fait que Si et InP ont des coefficients de dilatation thermique (� CTE � en anglais) très différents, ce qui implique de fortes contraintes pendant la croissance des couches épitaxiales. En pratique les substrats mis en oeuvre en micro-technologie ne sont pas nécessairement homogènes et peuvent être formés d'une couche utile portée par un support ; toutefois, l'inconvénient précité subsiste compte tenu de l'épaisseur importante de la couche utile. Problème technique et présentation de l'invention L'invention concerne un procédé de transfert de couches mettant en oeuvre, comme ci-dessus, la réalisation d'une structure comportant deux couches fragiles enterrées, mais qui permet d'éviter ces inconvénients. En d'autres termes, l'invention a pour objet un procédé de transfert de couches mettant en oeuvre la réalisation de deux couches fragiles enterrées, permettant un détachement sélectif au niveau de chacune de ces couches fragiles, tout en étant compatible avec la réalisation d'étapes intermédiaires pouvant impliquer des températures élevées, notamment au moment d'étapes d'épitaxie. L'invention propose à cet effet un procédé de transfert d'une couche depuis un substrat de départ vers un substrat final, selon lequel : * on prépare une structure comportant un substrat de départ surmonté d'une couche additionnelle ayant une surface libre, cette couche additionnelle comportant une couche poreuse située sous la surface libre et au-dessus d'une couche fragilisée par implantation située au sein de ce substrat de départ, cette couche poreuse et cette couche fragilisée par implantation délimitant une couche de transfert, * on colle la surface libre de la structure à un substrat intermédiaire, * on provoque, par application d'énergie thermique, un détachement au niveau de la couche fragilisée, en sorte de mettre à nu une surface du substrat de départ, * on effectue des étapes technologiques à cette surface mise à nu par le détachement, * on colle la surface mise à nu et ayant fait l'objet des étapes technologiques à un substrat final, et * on provoque, par application d'au moins de l'énergie mécanique, un détachement au niveau de la couche poreuse, en sorte d'obtenir, d'une part la couche de transfert portée par le substrat final et, d'autre part, le substrat intermédiaire. On appréciera que, puisque la structure préparée comporte une couche poreuse au dessus d'une couche fragilisée par implantation, la formation de cette couche poreuse ne nécessite pas que le matériau capable de devenir poreux (c'est-à-dire le matériau de la couche additionnelle) soit présent sur une grande épaisseur ; il n'est même pas nécessaire que ce matériau soit présent sur une épaisseur égale à celle de la couche utile à transférer sur le substrat final. Il en découle que le comportement de l'ensemble auquel sont appliquées les étapes technologiques n'est pas influencé significativement par ce matériau ; cela réduit les contraintes à respecter lors du choix de ce matériau. En particulier, lors de la réalisation d'étapes technologiques à haute température, par exemple lors de la croissance de couches par épitaxie, le comportement de la structure obtenue après le détachement au niveau de la couche fragilisée par implantation est principalement déterminé par celui du substrat intermédiaire, bien plus que par celui du matériau de la couche poreuse. L'inconvénient constaté ci-dessus à propos du document de Joshi et al peut donc être évité grâce à l'invention. La couche additionnelle, en pratique formée par dépôt, peut être directement poreuse ou être rendue poreuse après dépôt par application à cette couche additionnelle d'un traitement propre à rendre poreuse au moins une partie supérieure de cette couche additionnelle, la formation par implantation de la couche fragilisée ayant lieu avant, ou après, le dépôt de cette couche additionnelle et/ou l'application du traitement propre à rendre poreuse cette couche additionnelle. Il est en effet à noter que la fragilisation par implantation peut être réalisée avant la formation de la couche additionnelle, après cette formation mais avant le traitement propre à rendre poreuse au moins une partie de cette couche, voire après ce traitement. De manière avantageuse ledit traitement est appliqué en sorte de ne 30 rendre poreuse qu'une partie de l'épaisseur de la couche additionnelle, en sorte de laisser subsister dans cette couche additionnelle une partie dense entre le substrat de départ et la couche poreuse ; cela permet, grâce à la partie non rendue poreuse, de bien contrôler l'épaisseur de la couche utile. Dans ce cas, après le report de la couche de transfert sur le substrat final, on peut prévoir une étape d'élimination de cette partie restée dense de la couche additionnelle (pour libérer la couche utile). De manière préférée, ledit traitement propre à rendre poreuse au moins une partie de la couche additionnelle est un traitement d'anodisation ; un avantage de ce traitement est qu'on en connaît bien les conditions opératoires nécessaires pour obtenir des caractéristiques de porosité données. De manière également avantageuse, la couche additionnelle est déposée par pulvérisation par faisceau d'ions, ce qui est une technique de dépôt qui permet la mise en oeuvre de températures tout à fait modérées, par exemple inférieures à 200°C. On appréciera que l'invention permet que l'épaisseur de cette couche additionnelle déposée soit très faible, pouvant être égale, ou à peine supérieure, à l'épaisseur de la couche poreuse à réaliser ; il peut ainsi suffire que cette épaisseur soit de l'ordre du micron (par exemple entre 0.4 et 2 microns) ; en effet, de manière avantageuse, l'épaisseur de la couche additionnelle est au plus égale à deux microns. Cela conforte les avantages mentionnés ci-dessus à propos de la faible épaisseur avec laquelle le matériau de la couche poreuse peut être présent. De manière préférée, la couche poreuse est séparée de la surface libre par une couche de liaison, ce qui permet d'obtenir un assemblage de très bonne qualité avec le second substrat, sans que cela puisse avoir des inconvénients sur la couche utile, lorsqu'elle sera solidarisée au substrat final, puisque l'interface de collage avec le substrat intermédiaire est situé à l'opposé de cette couche utile par rapport à la couche poreuse. Le matériau de la couche poreuse est avantageusement en silicium, puisque c'est un matériau dont on connaît bien les conditions de traitement à appliquer pour y générer une porosité donnée ; toutefois, en variante, le matériau constitutif de cette couche à rendre poreuse peut être : - plus généralement un matériau semi-conducteur (InP, GaAs, Ge,...) ; en effet, les semi-conducteurs peuvent être rendus poreux par anodisation, - un métal (Aluminium, cuivre, acier, nickel, titane...) déposé par pulvérisation (� spray �) ou par compactage d'une poudre de ces métaux, - un oxyde, par exemple un verre par rotation, parfois appelé � SOG � (spin on glass) en abrégé (il s'agit d'une technique de réalisation notamment décrite dans le document US6919106) ou un oxyde obtenu par le dépôt et l'oxydation d'une couche métallique. Cette couche additionnelle doit être bien sûr compatible avec la couche utile sous-jacente, notamment en termes de contamination. Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, éventuellement combinées : - l'implantation est effectuée avec au moins de l'hydrogène, ce qui est une technique d'implantation bien maîtrisée ; toutefois, en variante, l'implantation peut aussi impliquer de l'hélium (isolément ou en combinaison avec l'hydrogène), ou une autre espèce gazeuse, voire une espèce propre à provoquer la formation de précipités pouvant être rendus liquides, - le collage au substrat intermédiaire est un collage moléculaire, ce qui est une forme de collage connue pour être très efficace, - le détachement au niveau de la couche fragilisée par implantation est uniquement provoqué par un apport d'énergie thermique ; cela a l'avantage de ne minimiser le risque que le détachement au niveau de la couche poreuse 25 puisse se produire en même temps, - les étapes technologiques comportent au moins une étape de croissance par épitaxie, ce qui correspond à une application tout à fait intéressante de l'invention, - les étapes technologiques comportent la formation d'au moins une 30 partie d'un composant micro-technologique ; il peut s'agir notamment d'un composant électronique, optique, mécanique, etc. - le collage au substrat final est effectué par collage moléculaire ou par collage par apport de matière ; en fait, la nature de ce collage dépend du choix du substrat final, et on comprend que, puisque ce collage n'intervient qu'à la fin du procédé, la mise en oeuvre de ce procédé n'impose pas de contrainte particulière concernant le choix du substrat final et quant au choix des modalités de collage, - le détachement au niveau de la couche poreuse est provoqué par application d'énergie mécanique appliquée respectivement au substrat intermédiaire et au substrat final, c'est-à-dire de manière globale à l'ensemble ; en variante également avantageuse, le détachement au niveau de la couche poreuse est provoqué par application d'énergie mécanique localisée au niveau de cette couche poreuse, ce qui peut avoir comme avantage de minimiser la quantité d'énergie consommée, tout en réduisant le risque que cette application d'énergie puisse avoir des conséquences sur le reste du substrat final ou de la couche utile transférée ; le détachement peut en particulier être provoqué par l'application d'ultra-sons. De manière également avantageuse, l'on utilise le reliquat du premier substrat comme premier substrat lors d'un nouveau cycle de préparation, collage, détachement, réalisation d'étapes technologiques, collage et détachement. Il peut en fait y avoir plusieurs cycles de mise en oeuvre du procédé à partir d'un même substrat de départ, jusqu'à consommation de sa matière utile. De manière également avantageuse, l'on utilise le substrat intermédiaire pour un nouveau cycle de préparation, collage, détachement, réalisation d'étapes technologiques, collage et détachement. Description détaillée d'au moins un exemple de réalisation Des objets, caractéristiques et avantages de l'invention ressortent de la description qui suit, donnée à titre d'exemple illustratif non limitatif en regard du dessin annexé sur lequel : - la figure 1 est une vue schématique d'un premier substrat comportant une couche fragilisée par implantation ionique, - la figure 2 en est une vue schématique après le dépôt d'une couche additionnelle, - la figure 3 en est une vue schématique après formation d'une couche poreuse et dépôt d'une couche de liaison, - la figure 4 en est une vue schématique après collage à un substrat intermédiaire, - la figure 5 en est une vue schématique après détachement au niveau de la couche fragilisée, - la figure 6 est une vue schématique de la partie supérieure détachée à la figure 5, après réalisation d'étapes technologiques, - la figure 7 en est une vue schématique après collage, par la face inférieure ayant fait l'objet des étapes technologiques, à un substrat final, et - la figure 8 est une vue schématique de la structure de la figure 7 après détachement au niveau de la couche poreuse. Les figures 1 à 8 représentent, de manière schématique, un exemple de mise en oeuvre du procédé de l'invention. Il doit bien être compris que les diverses couches ne sont pas à une même échelle, les épaisseurs en cause 25 étant très faibles en réalité. On commence (voir la figure 1) par la préparation d'un substrat de départ, noté 10, au sein duquel on forme, à une distance choisie sous la surface libre 10A, une couche 11 fragilisée par implantation ionique ; cette implantation est typiquement faite avec au moins une espèce gazeuse, telle 30 que l'hydrogène et/ou l'hélium, ou un autre gaz rare de bas poids atomique, ou encore d'autres éléments pouvant contribuer à une fragilisation (par exemple en favorisant la formation de précipités à bas point de fusion). Cette couche 20 implantée et fragilisée 11 délimite, avec la surface libre 10A, une couche utile 10B, dont l'épaisseur peut être comprise, en fonction des conditions d'implantation et du matériau constitutif de la partie superficielle du substrat 10, de quelques centaines de nanomètres à quelques microns. La partie du substrat située sous la couche 11 est notée 10'. Le substrat 10 est ici représenté comme étant homogène, mais il faut bien comprendre qu'il peut être formé de plusieurs couches, dont une couche supérieure portée par un support quelconque ; en pratique la couche située au-dessus de la couche implantée 11 est homogène, tout en pouvant être recouverte d'une éventuelle couche de liaison pouvant favoriser le dépôt de la couche additionnelle 12. Sur la surface libre 10A du substrat 10, on forme ensuite, par exemple par évaporation, une couche 12 (voir la figure 2). Le matériau de cette couche est de préférence choisi en sorte de pouvoir être rendu poreux, au moins sur une partie de l'épaisseur de cette couche. Il s'agit avantageusement de silicium, par exemple polycristallin. La formation de cette couche additionnelle est avantageusement formée à basse température, inférieure à 400°C, de manière à ne pas risquer de provoquer un détachement intempestif au niveau de la couche fragilisée. En variante, cette couche est en un alliage Si-Ge ou encore en un autre matériau semi-conducteur (InP, GaAs, par exemple) ou un métal (notamment : aluminium, cuivre, acier, nickel, titane, ...) déposé par pulvérisation ou par compactage d'une poudre, ou encore un oxyde de type SOG ou obtenu par dépôt et oxydation. On forme ensuite (voir la figure 3) une couche poreuse 13 sur au moins une partie de l'épaisseur de cette couche déposée. Cette couche poreuse est superficielle, puisque la technique classique consistant à rendre une couche poreuse, à savoir l'anodisation, agit à partir de la surface extérieure de cette couche. Dans l'exemple ici considéré, seule une partie de l'épaisseur de la couche 12 est rendue poreuse ; la partie résiduelle restée dense est notée 12'. En variante, on peut déposer directement une couche poreuse, par exemple par compactage de poudres métalliques sur le substrat ou par dépôt contrôlé de silicium poreux selon la technique décrite dans l'article � Microfabrication Using One-Step LPCVD Porous Polysilicon films � de Dougherty et al û Journal of Microelectromechanical systems, Vol 12, n° 4, August 2003 pp 418-424. Cette couche poreuse est éventuellement recouverte d'une couche de liaison 14 en vue de l'étape suivante. Cette étape est, elle aussi, conduite à une température suffisamment basse pour ne pas risquer de provoquer un détachement intempestif au niveau de la couche fragilisée 11. En variante, l'implantation est réalisée après le dépôt de la couche 12 polycristalline (de préférence en silicium) et la formation de la couche poreuse. On comprend néanmoins que l'implantation est alors réalisée en sorte de garantir que la couche implantée, donc fragilisée, est située en dessous de la couche poreuse ; en effet, ainsi que cela sera expliqué ci-dessous, la partie de la structure de la figure 3, qui sera finalement transférée sur un substrat final, est délimitée par les deux couches fragilisées que sont la couche implantée 11 et la couche poreuse 13. L'objet des figures 1 à 3 est en effet de former, selon l'invention, une structure comportant un premier substrat et une couche poreuse portée par ce premier substrat située sous une surface libre 14A (avec ou sans couche de liaison) et au-dessus d'une couche fragilisée par implantation au sein de ce premier substrat, cette couche poreuse et cette couche fragilisée par implantation délimitant une couche à transférer sur un substrat final, après y avoir réalisé des étapes technologiques. Compte tenu de ce que, dans l'exemple considéré, les étapes technologiques ne sont à appliquer qu'à la face devant être mise à nu par détachement le long de la couche implantée, cette couche à transférer n'a pas besoin d'être homogène et peut donc être multicouche, le matériau constitutif de la zone poreuse pouvant subsister dans la partie à transférer (si l'on veut que la couche à transférer soit homogène, on peut notamment prévoir de rendre poreuse la totalité de la couche 12. En pratique, le matériau de la couche est choisi en sorte d'être raisonnablement facile à déposer, facile à porosifier, et facile, le cas échéant, à éliminer après le transfert sur le substrat final. On peut noter qu'il s'agit principalement d'une couche sacrificielle L'étape suivante (voir la figure 4) consiste à assembler la structure doublement fragilisée de la figure 3 à un substrat intermédiaire 20. Il s'agit avantageusement d'un collage, avec apport de matière (par exemple de l'adhésif), ou par collage moléculaire. Un traitement thermique de consolidation peut alors être appliqué, du moment que ce traitement ne conduise pas non plus à un détachement prématuré au niveau de la couche 11 (à moins de réaliser cette consolidation au moment où le détachement est souhaité û voir ci-dessous). On procède ensuite (voir la figure 5) au détachement de la structure constituée des couches 10B, 12 à 14 et du substrat intermédiaire, vis-à-vis du premier substrat, le long de la couche implantée 11 ; on comprend que le substrat de départ est ainsi diminué de l'épaisseur de la couche 10B qui a été transférée sur le substrat 20. Le détachement de la figure 5 est provoqué par l'application d'énergie thermique, éventuellement complétée par de l'énergie mécanique. Ce détachement peut, selon qu'on applique en outre, ou non, des contraintes mécaniques, ou que la fragilisation par implantation a été puissante ou non, être effectué à une température comprise entre 200°C et 700°C. On comprend que, si l'assemblage entre la structure de la figure 3 avec le substrat 20 est réalisé par collage moléculaire, il est possible de profiter du traitement thermique destiné à provoquer le détachement le long de la couche implantée 11 pour consolider ce collage. La surface de la structure de la figure 4 ainsi mise à nu (la surface inférieure de la couche mince 10B) peut alors faire l'objet d'étapes technologiques, pouvant en pratique comporter la réalisation de tout ou partie de composants électroniques, optiques ou mécaniques ; ces étapes peuvent aussi comporter des étapes de croissance par épitaxie. Ces étapes technologiques peuvent se faire sous la surface mise à nu et/ou sur cette surface. Les modifications apportées par ces étapes sont schématisées, à la figure 6, par une couche 15. Ces étapes technologiques impliquent souvent des températures élevées (pouvant atteindre, voire dépasser, 700°C), mais cela n'a pas d'effet significatif sur la couche poreuse car un détachement au niveau de celle-ci dépend principalement de l'application, ou non, de sollicitations mécaniques. On comprend donc que cela laisse un grand choix dans les étapes technologiques à appliquer. La structure de la figure 6 est ensuite assemblée, le long de la face ayant fait l'objet des étapes technologiques, donc le long de la couche 15, à un substrat final 30, par exemple par collage, en pratique par collage moléculaire ou avec apport de matière (voir la figure 7), ce qui laisse possible un grand choix pour le matériau constitutif de ce substrat 30. Si besoin, les surfaces à coller peuvent être traitées préalablement pour faciliter le collage, notamment s'il s'agit d'un collage moléculaire. On provoque alors un détachement du second substrat vis-à-vis de la structure comportant les couches centrales, par application de contraintes mécaniques, appliquées à l'ensemble des substrats 20 et 30, ou localisées au niveau de la couche poreuse 13 (voir la figure 8). Un traitement (chimique par exemple) peut être réalisé à ce stade pour éliminer le reliquat de la couche poreuse subsistant sur la couche utile 10B ou sur l'éventuelle couche 12', cette couche 12' pouvant être elle-aussi éliminée à ce stade pour libérer la couche utile 10B. On obtient ainsi un substrat 20 comportant une couche 14, et un substrat 30 comportant un empilement de couches 10B+15. Après éventuelle élimination de la couche 14, le substrat 20 peut être recyclé en tant que substrat intermédiaire lors d'un cycle ultérieur. En fait, on comprend qu'un tel recyclage peut être réalisé en conservant la couche 14 si elle a été formée en vue de faciliter l'assemblage de la couche poreuse au substrat 20 : un collage de ce substrat à une nouvelle couche poreuse, au cours d'un cycle ultérieur sera d'autant plus solide qu'il y aura une couche 14 sur la couche poreuse et sur le substrat (il est même possible d'assurer un collage direct entre la couche poreuse et une couche 14 portée par le substrat 20 du fait d'un cycle antérieur de mise en oeuvre du procédé de l'invention). Il est à noter que le substrat 30 est qualifié de � substrat final �, mais que ce mot � final � vise seulement à désigner le substrat sur lequel sont situées les couches à la fin de la mise en oeuvre du procédé de l'invention ; bien entendu, les couches 10B et 15 (et la couche 12 si on n'a pas choisi de l'éliminer) peuvent faire ensuite l'objet d'étapes technologiques ultérieures, pouvant faire intervenir d'autres étapes de transfert vers un autre substrat. Il est à noter que les divers substrats (le substrat qui fait l'objet de la fragilisation par implantation, le substrat intermédiaire (ou temporaire) et le substrat final) peuvent être choisis en prenant comme critère principal leur compatibilité avec les contraintes imposées par les étapes technologiques de la figure 6 ; en particulier, ces substrats peuvent être choisis en fonction des étapes technologiques à réaliser sur la surface mise à nu après détachement au sein du substrat de départ (en particulier, il est possible de choisir les matériaux constitutifs des substrats en fonction principalement de leurs coefficients de dilatation thermique). L'empilement de couches porté par le substrat final ne dépend du premier substrat que par la couche 10B, mais ne dépend pas du matériau choisi pour le second substrat 20 auquel sont appliquées les conditions nécessaires pour les étapes technologiques. Le choix du matériau pour le second substrat 20, ainsi que pour le substrat 30, s'en trouve simplifié. Exemple 1 Un substrat de GaAs est implanté avec des ions H+ à 100keV ù 6.1016 H/cm2. Une couche de Si polycristallin d'épaisseur 300nm est déposée à température ambiante par évaporation. Le substrat est ensuite plongé dans un électrolyte d'HF et d'éthanol (la concentration d'HF étant de 25%), et soumis à un courant de densité 30mA/cm2, pendant environ 10sec. Ces paramètres d'anodisation permettent la formation de pores sur toute l'épaisseur de la couche Si polycristallin déposée, avec une porosité de l'ordre d'environ 40%. Une couche de collage SiO2 d'épaisseur 100nm est alors déposée à température ambiante par pulvérisation par faisceau d'ions IBS (� Ion Beam Sputtering �). Le substrat est alors collé sur un substrat Saphir par adhésion moléculaire, et la fracture est provoquée au niveau de la zone implantée par un traitement thermique dans la gamme des 200-500°C. Le GaAs et le Saphir ayant des coefficients de dilatation thermique très proches, la structure peut subir des étapes d'épitaxie à haute température, sans risque de détérioration. Des multi-couches III-V peuvent en conséquence être réalisées, par exemple des empilements AIGaAs / GalnP / ou analogues, de manière à former une cellule solaire à multi-jonctions. Une fois ces étapes technologiques effectuées, et la cellule réalisée, les multi-couches sont collées sur un support bas coût (par exemple, une céramique ou un film polymère) via un collage métallique, et elles sont détachées au niveau de la couche Si polycristallin poreuse, par exemple par l'application d'ultra-sons, ou d'une force de pelage. La couche Si poreuse résiduelle peut être éliminée par une gravure sélective ou par un léger polissage. Le substrat initial et le substrat temporaire peuvent être recyclés. On peut noter que la couche que l'on rend poreuse a une faible épaisseur, ici inférieure à un micron, ce qui rend négligeable l'influence du matériau constitutif de cette couche lors de la réalisation des étapes technologiques. Il peut être noté que, par ailleurs, les matériaux poreux (et notamment le silicium poreux) ont une propriété de compliance (voir le document WO2003/099707) permettant de relâcher les contraintes entre deux matériaux assemblés présentant des coefficients de dilatation thermique différents. Exemple 2 Un substrat de Si avec une couche d'oxyde thermique d'épaisseur 200nm est implanté avec des ions H+ à 160keV û 5.1016 H/cm2. Une couche de Si polycristallin d'épaisseur 1 pm est déposée à température ambiante par évaporation. Le substrat est ensuite plongé dans un électrolyte d'HF et d'éthanol (la concentration d'HF étant de 12,5%), et soumis à un courant de densité 40mA/cm2, pendant environ 30 sec. Ces paramètres d'anodisation permettent la formation de pores sur une épaisseur d'environ 500nm de Si polycristallin, avec une porosité de l'ordre d'environ 70%. Une couche de collage SiO2 d'épaisseur 400nm est alors déposée à température ambiante par IBS (� Ion Beam Sputtering �). Le substrat est alors collé sur un substrat en silicium par adhésion moléculaire, et la fracture est provoquée au niveau de la zone implantée par un traitement thermique dans la gamme des 200-500°C. La couche transférée peut alors subir des étapes technologiques classiques de réalisation de composants microélectroniques (dopage, oxydation, dépôt,...). Une fois les composants réalisés, la couche active est collée sur un substrat Silicium par adhésion moléculaire, par exemple au moyen d'une couche d'oxyde déposé planarisé. Le collage est consolidé par un recuit à environ 400-500°C (sans dégrader les dispositifs) puis la fracture est induite au niveau de la couche poreuse enterrée, par l'application de contraintes mécaniques (ultra-sons, pelage, traction, cisaillement,...). La couche de Si polycristallin résiduelle est alors retirée par gravure sélective ou par polissage mécano-chimique. Si besoin, la couche d'oxyde révélée sous le Si polycristallin est retirée par gravure HF. Le substrat initial et le substrat temporaire peuvent être recyclés. On peut noter ici aussi que la couche dont une partie est rendue poreuse a une épaisseur très faible, d'à peine un micron. Exemple 3 Sur un substrat de silicium, on dépose à la tournette une couche SOG (spin on glass) de 250nm comme décrit dans l'article � Comparative Study of Pore Size of Low-Dielectric-Constant Porous Spin-On-Glass Films Usint Different Methods of Non-Destructive Instrumentation de Kondoh et al, dans JJAP vol40 (2001), pp L323-326 û part 2, n°4A, 1 April 2001. Un recuit à 450° pendant 30 minutes sous atmosphère d'azote permet de porosifier la couche : on obtient une porosité de 40 à 50%. On implante alors le substrat avec des ions H+ à 160keV û 5.1016 H/cm2 puis on le colle par collage moléculaire sur un substrat de silicium (la couche SOG, comme cela est décrit dans le document EP0820128, sert dans ce cas également de couche de collage). La fracture est ensuite provoquée au niveau de la zone implantée par un traitement thermique comme dans l'exemple 2, puis la réalisation d'étapes technologiques classiques de réalisation de composants microélectroniques. La couche active est ensuite collée sur un substrat Silicium par adhésion moléculaire, par exemple au moyen d'une couche d'oxyde déposé planarisée puis la fracture est induite au niveau de la 5 couche poreuse enterrée, par l'application de contraintes mécaniques. Les résidus de la couche SOG sur la couche utile peuvent être éliminés par voie chimique par exemple (à base de HF). 10 REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche micro-technologique depuis un substrat de départ vers un substrat final, selon lequel : * on prépare une structure comportant un substrat de départ (10) surmonté d'une couche additionnelle ayant une surface libre, cette couche additionnelle comportant une couche poreuse (13) située sous la surface libre (14A) et au-dessus d'une couche (11) fragilisée par implantation au sein de ce substrat de départ, cette couche poreuse et cette couche fragilisée par implantation délimitant une couche de transfert (10B, 12'), * on colle la surface libre (14A) de la structure à un substrat intermédiaire (20), * on provoque, par application d'énergie thermique, un détachement au niveau de la couche fragilisée (11), en sorte de mettre à nu une surface du substrat de départ, * on effectue des étapes technologiques (17) à cette surface mise à nu par le détachement, * on colle la surface mise à nu (17) et ayant fait l'objet des étapes technologiques à un substrat final (30), et * on provoque, par application d'au moins de l'énergie mécanique, un détachement au niveau de la couche poreuse (13), en sorte d'obtenir, d'une part la couche de transfert portée par le substrat final et, d'autre part, le substrat intermédiaire. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on prépare la couche additionnelle (12) par dépôt et application à cette couche additionnelle d'un traitement propre à rendre poreuse au moins une partie supérieure de cette couche additionnelle, la formation par implantation de la couche fragilisée (11) ayant lieu avant, ou après, le dépôt de cette couche additionnelle et/ou l'application du traitement propre à rendre poreuse cette couche additionnelle. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit traitement est appliqué en sorte de ne rendre poreuse qu'une partie de l'épaisseur de la couche additionnelle, en sorte de laisser subsister dans cette couche additionnelle (12) une partie dense (12') entre le substrat de départ et la couche poreuse 1(3). 4. Procédé selon la revendication 2 ou la revendication 3, caractérisé en ce que ledit traitement propre à rendre poreuse au moins une partie de la couche additionnelle est un traitement d'anodisation. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la couche additionnelle a une épaisseur au plus égale à deux microns. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que la couche additionnelle est déposée par pulvérisation par faisceau d'ions. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que la couche additionnelle est polycristalline. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, 15 caractérisé en ce que la couche poreuse est séparée de la surface libre par une couche de liaison (14). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche poreuse est en silicium. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, 20 caractérisé en ce que l'implantation est effectuée avec au moins de l'hydrogène. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le collage au substrat intermédiaire est un collage moléculaire. 25 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le détachement au niveau de la couche fragilisée par implantation est uniquement provoqué par un apport d'énergie thermique. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que les étapes technologiques comportent au moins une 30 étape de croissance par épitaxie. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que les étapes technologiques comportent la formation d'au moins une partie d'un composant micro-technologique. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que le collage au substrat final est effectué par apport de matière. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que le détachement au niveau de la couche poreuse est provoqué par application d'énergie mécanique appliquée respectivement au substrat intermédiaire et au substrat final. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que le détachement au niveau de la couche poreuse est provoqué par application d'énergie mécanique localisée au niveau de cette couche poreuse. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le détachement est provoqué par l'application d'ultra-sons. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 18, caractérisé en ce que l'on utilise le reliquat du premier substrat comme premier substrat lors d'un nouveau cycle de préparation, collage, détachement, réalisation d'étapes technologiques, collage et détachement. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 19, caractérisé en ce que l'on utilise le substrat intermédiaire pour un nouveau cycle de préparation, collage, détachement, réalisation d'étapes technologiques, collage et détachement.