Brevet FR2939999A1 — publié le 20100618

CAPTEUR D'IMAGE A DOUBLE TRANSFERT DE CHARGES POUR GRANDE DYNAMIQUE ET PROCEDE DE LECTURE L'invention concerne les capteurs d'image électronique et plus particulièrement ceux qui fonctionnent à partir de pixels actifs en technologie MOS. L'invention concerne notamment un procédé de commande des différents transistors qui constituent les pixels. Les pixels actifs comprennent en général une photodiode et trois, quatre ou cinq transistors MOS permettant de contrôler la lecture des charges générées par la lumière dans la photodiode. Les pixels à trois transistors fonctionnent en transférant directement sur un conducteur de colonne le potentiel de la photodiode, potentiel qui varie en fonction de l'éclairement et du temps d'intégration de la lumière. Les pixels à quatre transistors fonctionnent en transférant d'abord de la photodiode vers un noeud de stockage capacitif les charges générées par la lumière, puis en reportant sur un conducteur de colonne le potentiel du noeud de stockage ; un des transistors sert à réinitialiser le potentiel du noeud de stockage avant le transfert de charges de la photodiode vers le noeud de stockage. Les pixels à cinq transistors comportent en outre un transistor de réinitialisation du potentiel de la photodiode. On s'intéresse ici plus particulièrement aux pixels à quatre ou cinq transistors. La structure d'un pixel à cinq transistors est rappelée à la figure 1. Un tel pixel comporte une photodiode PD, un noeud de stockage capacitif ND (représenté par un simple point sur la figure 1, et réalisé en pratique par une petite diffusion de type N dans un substrat de type P), un transistor de transfert de charges Ti entre la cathode de la photodiode et le noeud de stockage, un transistor T2 de réinitialisation du potentiel du noeud de stockage, un transistor T3 de réinitialisation du potentiel de la cathode de la photodiode, un transistor suiveur T4, un transistor de sélection de ligne T5. Pour un pixel à quatre transistors le transistor T3 serait supprimé. La photodiode est en général constituée par une diffusion de type N dans un substrat P, mais cette diffusion est de préférence recouverte d'une région superficielle P+ reliée à la masse, ce qui permet de mieux fixer son potentiel lorsqu'elle est réinitialisée. Le transistor de transfert T1 est commandé par un signal de transfert TG. Le transistor T2 de réinitialisation du noeud de stockage a son drain relié à un potentiel de réinitialisation VRS (qui est en général le potentiel d'alimentation Vdd) et il est commandé par un signal de commande de réinitialisation RST. Le transistor T3 de réinitialisation de la photodiode est relié entre la cathode de la photodiode et un potentiel d'alimentation Vdd. Il est commandé par un signal de réinitialisation Rph. Le transistor suiveur T4 a son drain relié à un potentiel de référence qui peut être l'alimentation Vdd, sa source reliée au transistor de sélection de ligne T5, et sa grille reliée au noeud de stockage ND. Enfin, le transistor de sélection de ligne T5 a sa grille reliée à un conducteur de sélection de ligne LS qui relie tous les transistors de sélection de ligne d'une même ligne de pixels ; cette ligne est commandée par un signal de sélection de ligne SEL propre à cette ligne ; le drain de T5 est relié à la source du transistor suiveur et sa source est reliée à un conducteur de colonne CC commun à tous les pixels d'une même colonne de pixels. Ce conducteur de colonne est relié à un circuit de lecture non représenté, au pied de la colonne. Le fonctionnement habituel d'une matrice comprenant de tels pixels à cinq transistors est le suivant. Il est décrit en référence au chronogramme de la figure 2. Un créneau temporel Rph est appliqué à la grille du transistor T3. Sa durée ou sa position dépend du temps d'intégration désiré pour une image. En effet, tant que ce créneau est actif il empêche toute intégration de charges dans la photodiode. Le temps d'intégration Ti démarre lorsque ce créneau se termine (temps to). A la fin de la durée Ti un créneau de transfert TG est appliqué à la grille des transistors de transfert T1 de la ligne. Ce créneau autorise le déversement dans le noeud de stockage ND de toutes les charges accumulées dans la photodiode. La fin de ce créneau marque la fin du temps d'intégration Ti pour une ligne ou pour toute la matrice. Le transistor de sélection de ligne T5 est alors rendu conducteur par un créneau de sélection de ligne SEL (ligne par ligne). Seul le créneau SEL pour la première ligne de la matrice est représenté. Les créneaux pour les autres lignes suivent, sans se chevaucher. Pendant tout le créneau SEL, le potentiel présent sur le noeud de stockage ND des transistors de la ligne est reporté par le transistor suiveur T4 sur le conducteur de colonne CC et est lu par un circuit de lecture respectif associé à chaque colonne. Pendant le créneau SEL, et ceci pour chaque ligne, un créneau de commande SHS est appliqué dans le circuit de lecture (non représenté) au pied de la colonne de pixels, pour prendre un premier échantillon du potentiel présent sur le conducteur de colonne. Ce potentiel dépend de la quantité de charges résultant de l'éclairement du pixel pendant la durée d'intégration Ti. Puis, toujours pendant le même créneau SEL, un créneau RSTL est appliqué aux grilles des transistors T2 de tous les pixels de la ligne sélectionnée. Le potentiel du noeud de stockage est réinitialisé à une valeur dictée par la valeur VRS appliquée au drain des transistors T2. Enfin, toujours pendant le même créneau SEL, un créneau SHR est appliqué au circuit de lecture pour prendre un deuxième échantillon du potentiel du conducteur de colonne. Un convertisseur analogique-numérique convertit la différence entre les deux échantillons. Le convertisseur est spécifique à chaque colonne ou bien unique pour toutes les colonnes. On souhaite que le capteur enregistre des images ayant la plus grande dynamique possible, c'est-à-dire qu'on veut des pixels sensibles en présence d'un faible éclairement mais capables de recevoir des images très lumineuses sans saturation. Plusieurs solutions ont été recherchées pour obtenir une grande dynamique. Une solution consiste à utiliser une capture successive de plusieurs images avec des temps d'intégration différents. Si le signal fourni par un pixel ayant subi un temps d'intégration long est saturé, il est remplacé par un signal du même pixel, ayant subi un temps d'intégration court. Cela suppose de prendre plusieurs images successives et le temps d'acquisition globale est long. De plus il faut traiter les images pixel par pixel pour choisir le signal le mieux adapté pour chacun avant de passer à une image suivante. Une autre solution consiste à avoir une matrice mixte avec des petits pixels et des grands pixels. Les petits pixels, moins sensibles, servent s'il y a beaucoup de lumière. II faut un traitement adapté complexe et on réduit la résolution globale de la matrice. Une autre solution encore consiste à mesurer le temps que met un pixel pour arriver à saturation pour en déduire une information sur le niveau de lumière en présence d'éclairements saturants. Cela suppose des pixels plus complexes. Des solutions avec des pixels à fonction logarithmique ou linéaire-logarithmique ou à variation de pente de la courbe de réponse ont par ailleurs été proposées pour des pixels à trois transistors. Elles reposent sur une variation du potentiel de la grille du transistor de réinitialisation de la photodiode. Ces solutions sont sensibles à des dispersions technologiques : dispersion de tensions de seuil des transistors des différents pixels et dispersion du potentiel à vide de la photodiode après réinitialisation. L'invention a pour but de proposer un procédé de commande du capteur, qui permet plus facilement d'obtenir une grande dynamique, et qui permet une grande dynamique en conservant une linéarité du signal par rapport à la luminosité reçue, pour les faibles éclairements comme pour les forts éclairements. Cette linéarité facilite en particulier les corrections colorimétriques dans les capteurs d'image en couleurs, alors qu'une réponse non linéaire rend plus difficile les corrections colorimétriques. Une réponse non linéaire rend également plus difficile les corrections automatique de gain ou d'exposition. Selon l'invention, on propose un procédé de lecture des charges issues des pixels d'une matrice de prise d'image, dans lequel les pixels d'une même ligne sont adressés simultanément pour établir chacun, sur un conducteur de colonne respectif relié à un circuit de lecture, un niveau de potentiel représentant les charges générées par l'éclairement de ce pixel, et dans lequel un pixel comprend au moins une photodiode, un noeud de stockage de charges, et un transistor de sélection de ligne pour relier le noeud de stockage au conducteur de colonne ou l'isoler de ce conducteur. Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce que l'intégration de charges dans la photodiode et la lecture des charges sont faites selon la succession d'opérations suivantes : intégration de charges dans la photodiode pendant une première durée d'intégration Tif, premier transfert des charges ainsi intégrées de la photodiode vers le noeud de stockage à la fin de la première durée d'intégration, intégration de charges dans la photodiode pendant une deuxième durée Ti2, établissement d'une connexion entre le noeud de stockage et le conducteur de colonne, premier échantillonnage, dans une capacité du circuit de lecture, d'un premier niveau de potentiel présent à ce moment sur le conducteur de colonne et résultant du premier transfert de charges, deuxième transfert de charges de la photodiode dans le noeud de stockage, deuxième échantillonnage conditionnel, dans la même capacité, d'un deuxième niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne et résultant du deuxième transfert de charges, le deuxième échantillonnage ~o étant conditionné par le résultat d'une comparaison entre le premier ou le deuxième niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne et un niveau de seuil prédéterminé, et enfin, conversion analogique-numérique du niveau de potentiel échantillonné dans la capacité et transmission du résultat de la comparaison. 15 En d'autres mots, deux lectures successives de niveau de potentiel sont faites après deux intégrations de durées différentes consécutives, et on écrase la première lecture par la deuxième en fonction du niveau de signal engendré sur le conducteur de colonne par la plus courte des deux durées. Selon que le niveau dépasse ou non le seuil on choisit de 20 conserver le niveau échantillonné dans la capacité pendant la première durée ou de le remplacer par celui qui est échantillonné après la deuxième durée ; on convertit ensuite en valeur numérique le niveau conservé ou le nouveau niveau échantillonné. De plus on conserve en mémoire le résultat de la comparaison. Si le seuil est dépassé, on multiplie ultérieurement le 25 résultat de la conversion numérique par une valeur qui est dans le rapport de la plus longue à la plus courte durée. Si le seuil n'est pas dépassé, on conserve le résultat de la conversion. En pratique la multiplication est faite en dehors du capteur d'image, le capteur n'envoyant qu'un bit d'instruction sur la nécessité d'une multiplication. 30 L'invention est applicable en principe dans le cas des modes de fonctionnement de capteurs dits en "rolling shutter", c'est-à-dire dans lesquels la réinitialisation des photodiodes est faite ligne par ligne et non simultanément pour toutes les lignes. Toutes les lignes intègrent des charges 35 pendant une même durée mais pas aux mêmes moments. En pratique, le pixel comprend un transistor de remise à niveau du noeud de stockage, permettant de remettre à un niveau prédéterminé le potentiel du noeud de stockage ; la remise à niveau est faite par mise en conduction brève de ce transistor après le premier échantillonnage ; et un échantillonnage intermédiaire, dans une deuxième capacité d'échantillonnage du circuit d'échantillonnage, est effectué entre cette remise à niveau et le deuxième échantillonnage ; la conversion analogique-numérique porte sur la différence de potentiel entre le niveau échantillonné dans la première capacité et le niveau de potentiel échantillonné dans la deuxième capacité, et non sur la valeur absolue du potentiel de la première capacité, de sorte que des chutes de tension telles que la chute de tension grille-source du transistor suiveur, ainsi que d'autres bruits basse fréquence, s'éliminent. La première durée d'intégration Tif est de préférence une durée beaucoup plus courte que la deuxième durée d'intégration Ti2. Dans ce cas, la comparaison avec le seuil est effectuée avec le deuxième niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne, résultant du deuxième transfert de charges de la photodiode vers le noeud de stockage. Pour cela, l'instant de comparaison est situé entre le début d'un créneau de sélection de la ligne de pixels et une réinitialisation du potentiel du noeud de stockage ; le résultat de la comparaison est conservé ensuite. Mais on peut aussi prévoir (de manière moins avantageuse) que la deuxième durée de stockage est beaucoup plus courte que la première. Dans ce cas la comparaison avec le seuil est effectuée avec le potentiel présent sur le conducteur de colonne et stocké dans la première capacité d'échantillonnage après le premier transfert de charges. Outre le procédé de lecture qui vient d'être résumé, l'invention propose un capteur d'image en technologie MOS, comprenant une matrice de pixels organisée en lignes et en colonnes, les pixels d'une même colonne étant reliés à un conducteur de colonne lui-même relié à un circuit de lecture, chaque pixel comportant une photodiode reliée par un transistor de transfert à un noeud de stockage, et un transistor de sélection de ligne pour relier le noeud de stockage au conducteur de colonne ou l'isoler de ce conducteur. Ce capteur est caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour effectuer pendant un même cycle d'intégration et de lecture des charges d'un pixel deux transferts de charges, le premier après une première durée d'intégration, le deuxième après une deuxième durée d'intégration, un moyen pour échantillonner dans une capacité d'échantillonnage le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après le premier transfert de charges, un comparateur pour comparer à un seuil le potentiel pris par le conducteur de colonne après la plus courte des deux durées, un moyen pour remplacer ou non, en fonction du résultat de la comparaison, le contenu de la capacité d'échantillonnage par le niveau de potentiel pris par le conducteur ~o de colonne après le deuxième transfert de charges, et un moyen pour fournir un signal de sortie numérique qui est, selon le résultat de la comparaison, - soit une valeur numérique représentant le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après la plus longue des deux durées, 15 - soit une valeur numérique représentant le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après la plus courte des deux durées, - et un bit d'information sur le résultat de la comparaison. Ce bit représente une information sur le choix de la valeur 20 transmise. Il représente aussi une instruction binaire sur la nécessité de multiplier la valeur fournie en sortie par le rapport entre la plus longue et la plus courte des deux durées. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront 25 à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1, déjà décrite, représente la constitution classique d'un pixel actif CMOS à cinq transistors ; - la figure 2, déjà décrite, représente le chronogramme classique 30 de fonctionnement du pixel de la figure 1 ; - la figure 3 représente le chronogramme de fonctionnement dans le procédé selon l'invention ; - la figure 4 représente un circuit de lecture adapté à la mise en oeuvre du procédé de lecture selon l'invention ; - la figure 5 représente un autre chronogramme possible dans une variante de réalisation du procédé de lecture. Le procédé selon l'invention peut être appliqué à un pixel à cinq transistors semblable à celui de la figure 1. Le chronogramme de commande selon l'invention est représenté à la figure 3 dans un cas où un cycle d'intégration de charges comprend deux durées successives Tif puis Ti2 où Tif est beaucoup plus courte que Ti2. On verra plus loin que l'inverse peut être prévu. ~o Un créneau temporel de réinitialisation Rph est appliqué à la grille du transistor T3 pour toute une ligne de pixels. Ce créneau agit pour vider vers le potentiel d'alimentation Vdd les charges stockées dans la photodiode PD. Tant que dure ce créneau, l'intégration de charges dans la photodiode est empêchée. Elle est ensuite autorisée dès la fin de ce créneau, à un 15 instant to et jusqu'à la fin de la lecture des charges correspondant au cycle d'intégration en cours. Un nouveau cycle d'intégration débute lors d'un nouveau créneau Rph. Le créneau Rph est fourni indépendamment pour chaque ligne, de sorte que le temps to commence à des instants successifs pour les lignes 20 successives. Seul le chronogramme correspondant à une ligne est représenté. Une première intégration de charges dans la photodiode PD se produit à partir du temps to et pendant une durée Tif . A un instant intermédiaire au cours de cette durée, on produit sur 25 la grille des transistors T2 de tous les pixels de la ligne un bref créneau RSTa qui rend conducteur ces transistors. Le potentiel du noeud de stockage ND est réinitialisé, pour tous les transistors de la ligne, à une valeur fixe. Puis un créneau de transfert de charges TGa est appliqué à la grille de commande des transistors de transfert T1 de la ligne. Les charges 30 générées par la lumière dans la photodiode se déversent dans le noeud de stockage. Elles modifient le potentiel de ce noeud. La fin de la première durée d'intégration de charges Tif est définie par la fin du premier créneau de transfert TGa. Une deuxième durée d'intégration Ti2 commence alors. La photodiode a été vidée de ses charges pendant le créneau TGa et intègre maintenant d'autres charges. Avant la fin de la durée Ti2, on établit sur la ligne LS un créneau SEL de sélection de la ligne de pixels pour enclencher le processus de lecture des pixels de cette ligne. Ce créneau rend conducteur le transistor de sélection de ligne T5. Ceci active le transistor suiveur T4 et reporte le potentiel du noeud de stockage ND sur le conducteur de colonne CC (à une tension grille-source de transistor près). Le conducteur de colonne prend alors un premier niveau de potentiel. Le créneau SEL reste actif pendant toute la durée de lecture des pixels de la ligne considérée, puis il s'interrompt et ce n'est qu'après cette interruption qu'un créneau semblable peut être appliqué à une autre ligne. Pendant le créneau SEL sont effectuées les opérations suivantes : - un créneau de commande SHSI est appliqué dans le circuit de lecture (représenté sur la figure 4) au pied de la colonne de pixels, pour recueillir dans une première capacité Cl du circuit de lecture un premier échantillon du potentiel présent sur le conducteur de colonne ; ce potentiel résulte du premier transfert de charges et dépend donc de l'éclairement du pixel pendant la première durée d'intégration Tif ; - dans le cas où on veut faire (ce qui est bien préférable) une lecture par différence entre le niveau de potentiel après déversement de charges et le niveau de potentiel après réinitialisation du noeud de stockage, on établit, un deuxième créneau de réinitialisation RSTb ; ce créneau est appliqué aux grilles des transistors T2 de la ligne de pixels ; le potentiel du noeud de stockage est réinitialisé à une valeur fixe ; un créneau de commande SHR est alors appliqué au circuit de lecture, pour prendre un échantillon intermédiaire du potentiel de colonne réinitialisé, dans une deuxième capacité d'échantillonnage C2 du circuit de lecture ; - on applique ensuite, pour tous les pixels de la ligne, un deuxième créneau de transfert TGb à la grille du transistor de transfert Ti ; les charges intégrées pendant la durée Ti2 dans la photodiode se déversent dans le noeud de stockage ND ; la durée Ti2 se termine à la fin du créneau TGb ; le potentiel du conducteur de colonne suit (à une tension grille-source près) le nouveau potentiel du noeud de stockage suite à ce deuxième transfert de charges. Selon l'invention, on choisit de stocker ou de ne pas stocker dans la première capacité du circuit de lecture le potentiel pris à ce moment par le conducteur de colonne, et le choix est fait, dans l'exemple de chronogramme de la figure 3, en fonction du deuxième niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne à la suite du deuxième déversement de charges représentant l'éclairement pendant la durée Ti2 : si ce deuxième niveau indique le dépassement d'un seuil de quantité de charges dans le noeud de ~o stockage, ce qui revient à indiquer un risque de saturation du signal mesuré, on ne fait pas le déversement ; si au contraire il n'y a pas de dépassement de ce seuil de quantité de charges, on fait le déversement. Pour cela, un deuxième créneau de commande SHS2 est appliqué conditionnellement au circuit de lecture pour prendre un deuxième 15 échantillon du potentiel du conducteur de colonne dans la première capacité d'échantillonnage du circuit de lecture. Ce créneau SHS2 n'est appliqué que sous réserve d'une condition définie par la comparaison entre le deuxième niveau de potentiel du conducteur de colonne après le deuxième déversement et une valeur de seuil. Le créneau SHS2 a été représenté en 20 pointillés sur la figure 3 car il peut être présent ou absent selon le résultat de la comparaison. La comparaison est effectuée au cours de la lecture, c'est-à-dire pendant le créneau SEL. L'instant de la comparaison tcomp est situé après la fin du deuxième créneau de transfert TGb. La comparaison avec un seuil est 25 donc faite à partir du potentiel présent sur le conducteur de colonne et résultant du deuxième déversement de charges. Ce potentiel représente l'éclairement pendant la duréeTi2. Le résultat de la comparaison est gardé en mémoire jusqu'à la fin de la lecture (fin du créneau SEL). Ce résultat est transmis comme 30 information binaire à la sortie du capteur, cette information représentant une information sur le dépassement d'un seuil de saturation du pixel. Ainsi, dans le cas de la figure 3 où Tif est beaucoup plus court que Ti2, la lecture fonctionne selon deux possibilités : - si le potentiel du conducteur de colonne résultant du 35 deuxième déversement de charges montre que la quantité de charges intégrées pendant la durée Ti2 dépasse un seuil, alors on considère qu'il y a saturation du noeud de stockage ; on n'émet pas de créneau SHS2 ; on conserve les charges stockées dans la première capacité d'échantillonnage ; on les convertit en numérique, on les transmet à la sortie du capteur et on transmet aussi un bit d'information de saturation qui sera utilisé (en principe à l'extérieur du capteur) pour multiplier la valeur numérique fournie par le rapport entre la durée Ti2 et la durée Tif ; la valeur résultant de la multiplication est une valeur proportionnelle à l'éclairement pendant la durée Tif ; - si au contraire le seuil de quantité de charges n'est pas dépassé, il n'y a pas de risque de saturation ; on émet le créneau SHS2 ; le contenu de la première capacité d'échantillonnage est écrasé et prend un nouvel échantillon du potentiel du colonne, résultant du deuxième déversement de charges ; l'échantillon représente donc l'éclairement pendant la durée Ti2 ; c'est cet échantillon qui est converti en numérique ; le signal de sortie du circuit de lecture est cette valeur, proportionnelle à l'éclairement ; le bit d'information de saturation indique qu'il n'y a pas saturation donc pas de nécessité de multiplier par un coefficient la valeur numérique fournie par le capteur. Bien entendu, dans le cas où un échantillonnage intermédiaire est fait, après le créneau SHR, dans une deuxième capacité d'échantillonnage C2, c'est la différence entre les potentiels dans la première et la deuxième capacité d'échantillonnage qui est appliquée à un convertisseur analogique-numérique pour fournir une valeur de signal représentant l'éclairement, aussi bien à faible éclairement qu'à fort éclairement. On élimine ainsi, par différence, les tensions de décalage introduites notamment par le transistor suiveur T4, et on élimine aussi dans une large mesure, pour les niveaux d'éclairement les plus bas (au dessous du seuil de saturation), le bruit pouvant affecter le niveau du potentiel de réinitialisation du noeud de stockage (bruit dit "bruit de reset"). En effet, on fait alors la différence entre un niveau lu pendant le créneau SHS2 et un niveau de réinitialisation lu immédiatement auparavant (pendant le créneau SHR). La conversion analogique-numérique est effectuée à partir d'un instant tcoäv situé après le créneau SHS2. Elle peut se faire après la fin du créneau de sélection de ligne SEL, pourvu qu'elle soit terminée avant le créneau SHS1 de la ligne suivante. La figure 4 représente un circuit de lecture permettant de mettre en oeuvre le procédé de lecture selon l'invention. Un pixel au croisement d'une ligne et d'une colonne a été représenté. Le circuit de lecture est placé au pied de la colonne. Il comprend dans cet exemple deux capacités d'échantillonnage Cl et C2 ; la capacité Cl est reliée au conducteur de colonne CC par l'intermédiaire d'un interrupteur K1 actionné par les signaux SHS1 (à chaque nouvelle lecture d'une ligne) et SHS2 (à chaque lecture de ligne mais à chaque fois sous réserve du résultat fourni par un comparateur CMP). La capacité C2 est reliée au conducteur de colonne CC par l'intermédiaire d'un interrupteur K2 actionné par les signaux SHR (à chaque nouvelle lecture d'une ligne). Un amplificateur AMP recueille la différence entre les niveaux stockés dans les deux capacités et la transmet à un convertisseur analogique-numérique ADC. Ce dernier est activé au temps tconä comme expliqué ci-dessus. Un petit circuit logique associé au comparateur CMP produit le créneau SHS2 en fonction du résultat de la comparaison entre un niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne (à l'instant tcomp défini plus haut) et un niveau de seuil Vth. Le résultat de la comparaison est conservé en mémoire entre l'instant tcomp et la fin de la lecture de la ligne. Dans l'exemple de la figure 4, le circuit logique produit à la fois le créneau SHS1 et le créneau SHS2. Il reçoit à cet effet un créneau temporel SHI et un créneau temporel SH2 qui sont produits par un séquenceur à deux instants différents correspondant aux instants choisis pour les créneaux SHS1 et SHS2. Le créneau SHI est appliqué à une entrée d'une porte OU LG2 dont la sortie commande l'interrupteur K1. II passe à travers cette porte lorsqu'il est émis et produit le signal SHS1. Le créneau SH2 est appliqué à une entrée d'une porte ET LG1. Il ne passe à travers cette porte, pour fournir un signal SHS2, que pour un des deux états de sortie du comparateur CMP. Une deuxième entrée de la porte ET LG1 reçoit à cet effet la sortie du comparateur CMP. La sortie de la porte ET LG1 est appliquée à une autre entrée de la porte OU LG2. Le comparateur CMP mémorise le résultat (signal SAT) de la comparaison. Le signal SAT a par exemple un état logique 1 si la quantité de charges déversée lors de la deuxième durée d'intégration (la plus longue) dépasse un seuil qui indique un risque de saturation. Le signal SAT est fourni à la sortie du capteur et sert à l'établissement de la valeur numérique finale du signal représentant l'éclairement vu par le pixel. Le convertisseur analogique-numérique ADC fournit une valeur numérique par exemple sur N bits et cette valeur est le résultat de la première ou la deuxième intégration selon l'état de la sortie ~o SAT. Si le signal SAT est à un niveau (par exemple 1) qui indique qu'il y a une saturation, la valeur issue de la conversion analogique numérique résulte de l'intégration sur la plus courte des deux durées et devra être multipliée, en principe en dehors du capteur, par un coefficient représentant le rapport Ti2JT1 i. Dans le cas contraire, la valeur de sortie sur N bits est 15 utilisée telle quelle. On notera que le sens de fonctionnement du comparateur dépend du signe des variations de potentiel du conducteur de colonne. Classiquement, le potentiel du conducteur de colonne, supposé positif, est d'autant plus faible que la quantité de charges déversée dans le noeud de 20 stockage est plus grande. Par conséquent, le dépassement d'un seuil de quantité de charges se traduit par la diminution du potentiel de conducteur de colonne au dessous d'un seuil. A titre d'exemple, le nombre N peut être de 10, et le rapport des durées peut être de 64 ou 128. 25 La figure 5 représente une variante de chronogramme de fonctionnement, dans laquelle on choisit d'avoir une durée Ti2 beaucoup plus courte que la durée Tif. La différence par rapport au chronogramme de la figure 3 est le fait que l'instant de la comparaison tcomp est situé avant le deuxième créneau de transfert TGb. La comparaison avec un seuil est donc 30 faite à partir du potentiel présent sur le conducteur de colonne et résultant du premier déversement de charges. Ce potentiel représente l'éclairement pendant la duréeTil alors que dans le cas de la figure 3 il représentait l'éclairement pendant la durée Ti2. Pour faire la comparaison, on peut comparer à un seuil soit le 35 potentiel du conducteur de colonne lorsqu'il est au premier niveau, soit, ce 14 qui revient au même, le potentiel qui a été stocké dans la première capacité d'échantillonnage Cl puisque il est justement égal à ce premier niveau. Si la comparaison est faite en utilisant le conducteur de colonne, il faut faire la comparaison à un instant tcomp situé nécessairement avant le deuxième créneau de transfert TGb et même avant le créneau de réinitialisation RSTb du noeud de stockage.. Si au contraire la comparaison est faite en utilisant le potentiel de la première capacité d'échantillonnage, on peut faire la comparaison à un instant tcomp quelconque mais situé après le créneau SHS1 (et bien sûr avant l'instant prévu pour le créneau SHS2. Le résultat de la ~o comparaison est gardé en mémoire jusqu'à la fin de la lecture et de la conversion analogique-numérique puisqu'il doit être transmis comme information binaire de saturation SAT à la sortie du capteur. Un circuit semblable à celui de la figure 4 peut encore être utilisé 15 mais avec les deux différences suivantes : d'une part le sens de la comparaison doit être inversé, en ce sens que le signal SHS2 doit être émis lorsqu'il y a risque de saturation (dépassement d'une quantité de charges déversée dans le noeud de stockage pendant la durée Tif) ; on remplace alors le potentiel de la capacité d'échantillonnage (résultant de l'éclairement 20 pendant la durée Tif) par le deuxième niveau de potentiel du conducteur de colonne, résultant du deuxième transfert de charges. Et d'autre part, en cas de saturation, le bit de saturation signifie qu'il faut multiplier la sortie du capteur par Til/Ti2 et non par Ti2/Til, c'est-à-dire qu'on le multiplie toujours par le rapport entre la durée la plus longue et la durée la plus courte. REVENDICATIONS1. Procédé de lecture des charges issues des pixels d'une matrice de prise d'image, dans lequel les pixels d'une même ligne sont adressés simultanément pour établir chacun, sur un conducteur de colonne respectif (CC) relié à un circuit de lecture, un niveau de potentiel représentant les charges générées par l'éclairement de ce pixel, et dans lequel un pixel comprend au moins une photodiode (PD), un noeud de stockage de charges (ND), et un transistor de sélection de ligne (T5) pour relier le noeud de stockage au conducteur de colonne ou l'isoler de ce conducteur, procédé caractérisé en ce que l'intégration de charges dans la photodiode et la lecture des charges sont faites selon la succession d'opérations suivantes : intégration de charges dans la photodiode pendant une première durée d'intégration Tif, premier transfert des charges ainsi intégrées de la photodiode vers le noeud de stockage à la fin de la première durée d'intégration, intégration de charges dans la photodiode pendant une deuxième durée Ti2, établissement d'une connexion entre le noeud de stockage (ND) et le conducteur de colonne (CC), premier échantillonnage, dans une capacité (Cl) du circuit de lecture, d'un premier niveau de potentiel présent à ce moment sur le conducteur de colonne et résultant du premier transfert de charges, deuxième transfert de charges de la photodiode dans le noeud de stockage, deuxième échantillonnage conditionnel, dans la même capacité, d'un deuxième niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne et résultant du deuxième transfert de charges, le deuxième échantillonnage étant conditionné par le résultat d'une comparaison entre le premier ou le deuxième niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne et un niveau de seuil prédéterminé, et enfin, conversion analogique-numérique du niveau de potentiel échantillonné dans la capacité et transmission du résultat de la comparaison. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on établit un signal représentant l'éclairement du pixel en multipliant la sortie de la conversion analogique-numérique par le rapport entre la plus longue et laplus courte durée d'intégration dans le cas où le résultat de la comparaison indique un dépassement de seuil de quantités de charges déversées dans le noeud de stockage pendant la plus courte des durées. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le pixel comprend un transistor de remise à niveau du noeud de stockage, permettant de remettre à un niveau prédéterminé le potentiel du noeud de stockage, en ce que la remise à niveau est faite par mise en conduction brève de ce transistor après le premier échantillonnage, et en ce 1 o qu'un échantillonnage intermédiaire, dans une deuxième capacité d'échantillonnage (C2) du circuit d'échantillonnage, est effectué entre cette remise à niveau et le deuxième échantillonnage. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce 15 que la première durée d'intégration Tif est plus courte que la deuxième durée d'intégration Ti2, et la comparaison avec le seuil est effectuée avec le deuxième niveau de potentiel présent sur le conducteur de colonne, résultant du deuxième transfert de charges de la photodiode vers le noeud de stockage. 20 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la deuxième durée de stockage est plus courte que la première, et la comparaison avec le seuil est effectuée avec le potentiel présent sur le conducteur de colonne et stocké dans la première capacité d'échantillonnage 25 après le premier transfert de charges. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la comparaison est effectuée à un instant (tcomp) situé entre le début d'un créneau de sélection de la ligne de pixels et une réinitialisation (RSTb) du 30 potentiel du noeud de stockage. 7. Capteur d'image en technologie MOS, comprenant une matrice de pixels organisée en lignes et en colonnes, les pixels d'une même colonne étant reliés à un conducteur de colonne lui-même relié à un circuit de lecture, 35 chaque pixel comportant une photodiode reliée par un transistor de transfertà un noeud de stockage, et un transistor de sélection de ligne (T5) pour relier le noeud de stockage au conducteur de colonne ou l'isoler de ce conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour effectuer pendant un même cycle d'intégration et de lecture des charges d'un pixel deux transferts de charges, le premier après une première durée d'intégration (Ti1), le deuxième après une deuxième durée d'intégration (Ti2), un moyen pour échantillonner dans une capacité d'échantillonnage le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après le premier transfert de charges, un comparateur (CMP) pour comparer à un seuil le potentiel pris par le ~o conducteur de colonne après la plus longue des deux durées, un moyen pour remplacer ou non, en fonction du résultat de la comparaison, le contenu de la capacité d'échantillonnage par le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après le deuxième transfert de charges, et un moyen pour fournir un signal de sortie numérique qui est, selon le résultat de la comparaison, 15 - soit une valeur numérique représentant le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après la plus longue des deux durées, - soit une valeur numérique représentant le niveau de potentiel pris par le conducteur de colonne après la plus courte des 20 deux durées, - et un bit d'information sur le résultat de la comparaison.