Brevet FR2940663A1 — publié le 20100702

DESCRIPTION La présente invention a pour objet un dispositif électronique passif destiné à agir contre les remontées capillaires dans les murs et les fondations, ce en vue de leur assèchement, ce dispositif comprenant principalement, en tant que composants fonctionnels, des circuits oscillants LC montés sur des supports isolants, lesdits circuits étant logés dans un boîtier de protection perméable aux champs électromagnétiques. On sait que les murs des constructions, notamment des constructions anciennes, subissent souvent à leur partie inférieure, près du sol, des dégradations ou désordres dus à l'humidité qui provient généralement des remontées capillaires d'eau dans le mur. Le phénomène de l'humidité montante par remontée capillaire dans un mur est connu sous le nom de � poussée osmotique � et varie suivant la nature des matériaux constitutifs d'un mur. Il s'explique par le fait qu'un mur est chargé positivement à sa partie inférieure humide et négativement à sa partie supérieure sèche. Ces deux zones du mur, sèche et humide, de charge électrique opposée, donnent naissance à un champ électrique qui exerce une force d'attraction sur les molécules d'eau dans les capillaires, en direction de la partie supérieure du mur. Cependant, on a constaté que d'autres facteurs, liés à la présence de champs de stimulation électromagnétiques d'origine telluriques, interviennent également dans les remontées capillaires et que ceux-ci sont particulièrement actifs au-dessus de sources, cours d'eau souterrains, failles géologiques, zones ayant subi de forts mouvements tectoniques ou encore des zones comportant des minéraux piézo-électriques tels le quartz. Les fréquences de ces champs électromagnétiques se situent dans tout le spectre électromagnétique allant des hautes fréquences (HF) aux micro-ondes, avec des dominantes dans les très hautes fréquences (VHF), de 30 à 300MHz, les ultra hautes fréquences (UHF), de 300 MHz à 3GHz, et les micro-ondes, notamment la bande de fréquence des micro-ondes, de 1GHz à 3GHz, qui couvre la fin de la bande de fréquence des UHF. Ces champs sont identiques à ceux contribuant à la croissance et à la vie de la végétation en général et il est clairement établi, à ce jour, -2- que ces champs électromagnétiques, d'origine tellurique, ont des caractéristiques différentes de celles décrites par la théorie de Maxwell. Les travaux des professeurs ENDROS et LOTZ montrent que les cours d'eau souterrains chargés de sels minéraux et dotés de propriétés électrochimiques provoquent, en circulant à travers les sables, graviers et failles géologiques, un courant d'électricité mesurable à la surface du sol. Ce courant serait créé par la dissymétrie des charges positives et négatives des molécules d'eau, les charges négatives se fixant sur les particules du sous-sol et les charges positives, plus petites, continuant en écoulement libre. Dans les zones construites où règnent ces activités électromagnétiques, les molécules d'eau subissent des déviations des moments magnétiques de leurs dipôles moléculaires, normalement dirigés selon le champ électromagnétique terrestre. Il se forme alors des charges électriques dans les murs traversés par ces champs électromagnétiques, dont il résulte une force électromotrice (f.é.m) et une différence de potentiel mesurable pour un mur, entre le bas de celui-ci et la limite d'humidité (frange d'humidité) Cette force électromotrice crée à son tour un champ électrique qui donne naissance à une force mécanique, dirigée de bas en haut, d'énergie suffisante pour accroître le pompage des molécules d'eau vers le haut du mur, jusqu'à leur niveau d'équilibre. C'est pour cette raison que l'on observe souvent que les remontées d'eau par capillarité sont irrégulières sur les murs (hauteur de la frange d'humidité) bien que la nature des sols et des matériaux en présence soit identique. Actuellement, pour combattre l'humidité montante, les procédés nécessitent des interventions manuelles et des travaux lourds et coûteux sur les murs ou, dans certains cas, l'utilisation de produits chimiques néfastes pour l'environnement. On connaît également des dispositifs dits � électro-physique � tels que celui décrit dans le document EP-A-O 152 510 qui comporte des selfs et des condensateurs électriques montés sur des supports isolants et reliés parallèlement entre eux, l'ensemble étant logé dans un coffret perméable aux champs électromagnétiques. Mais un tel appareil agit seulement sur les champs électromagnétiques dont les fréquences sont situées dans une bande de -3- fréquence comprise entre 10 kHz et 150 MHz, excluant, d'une part, les fréquences VHF de 150 MHz à 300 MHz, lesquelles sont également en cause dans les remontées capillaires comme l'a constaté le présent inventeur, et, d'autre part, les fréquences UHF et les micro-ondes, au-delà de 300 MHz. Le document EP 0 354 150 décrit un dispositif capable de neutraliser efficacement les effets des champs de stimulation électromagnétiques telluriques exerçant le pompage de l'eau vers le haut du mur, dans les rayonnements électromagnétiques situés dans les fréquences basses, VHF, UHF et les micro-ondes. Il comporte des circuits oscillants parallèles, à savoir au moins quatre selfs reliées respectivement à au moins quatre condensateurs électriques, montés sur des supports isolants et reliés parallèlement entre eux, et disposés en deux paires de selfs comportant, chacune, une self interne et une self externe, chaque self interne étant reliée, électriquement, d'une part, par ses deux extrémités au condensateur correspondant et, d'autre part, par une extrémité à la self externe correspondante, ces selfs externes étant, en outre, reliées chacune par leurs deux extrémités à un dipôle rayonnant correspondant, qui est lui-même relié électriquement, par ses deux pôles, au condensateur correspondant, chaque self externe étant ainsi, également, reliée, électriquement, à chaque condensateur. L'ensemble des quatre circuits oscillants parallèles ainsi formés et associés aux dipôles rayonnants est logé dans un coffret de protection perméable aux champs électromagnétiques et a pour effet de créer un contrechamp déphasé électriquement par rapport aux champs initiaux de stimulation électromagnétique, de façon à annuler l'effet de pompage de l'eau vers le haut des murs. Toutefois, ce dispositif agit uniquement, dans la bande de fréquence des VHF, jusqu'à environ 150 MHz et, seulement, dans les bandes de fréquence des UHF et des micro-ondes, jusqu'à environ 2 GHz. On connaît également des dispositifs électroniques actifs alimentés en énergie et permettant la création de champs électromagnétiques. Cependant, ces dispositifs électroniques actifs qui sont consommateurs d'énergie n'offrent pas une grande autonomie et présentent 35 des constitutions plus complexes. La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients en proposant un dispositif contre les remontées capillaires -4- capable de couvrir un spectre de fréquence, dans les bandes de fréquence VHF, UHF et des micro-ondes, plus large, en valeur supérieure, que les dispositifs actuels, à savoir, notamment, au-delà de 150 MHz pour la bande de fréquence VHF et au-delà de 2 GHz pour la bande de fréquence des micro-ondes. Le dispositif électronique passif selon l'invention destiné à agir contre les remontées capillaires dans les murs et les fondations, ce en vue de leur assèchement, est du type comprenant principalement, en tant que composants fonctionnels, des circuits oscillants LC montés sur des supports isolants, lesdits circuits étant logés dans un boîtier de protection perméable aux champs électromagnétiques, et se caractérise en ce qu'il comprend au moins un circuit oscillant primaire apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence VHF, au moins un circuit oscillant primaire apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence UHF et au moins un circuit oscillant primaire apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans le domaine des micro-ondes, lesdits circuits oscillants primaires étant indépendants les uns des autres et constitués, chacun, d'une self primaire reliée électriquement à un condensateur primaire et/ou associée à la capacité parasite du circuit considéré et en ce que lesdites selfs primaires, à structure sensiblement plate, sont situées approximativement dans un même plan de référence. Le dispositif selon l'invention permet notamment de corriger et de réorienter naturellement les molécules d'eau pour qu'elles ne soient plus poussées vers le haut d'un mur chargé négativement. L'invention sera mieux comprise, grâce à la description ci-après, qui se rapporte à plusieurs modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs, et expliqués avec références aux dessins schématiques annexés, dans lesquels : - la figure 1 est une vue de dessus d'un premier mode de réalisation du dispositif selon l'invention, hors coffret de protection, - les figures 2a, 2b et 2c sont des vues de profil, respectivement, de trois circuits oscillants primaires, du dispositif de la figure 1, associés, chacun, à un circuit oscillant complémentaire, - les figures 3a, 3b et 3c sont des vues de profil, respectivement, de trois circuits oscillants primaires, dans un deuxième -5- mode de réalisation de l'invention, associés, chacun, à un circuit oscillant complémentaire, - la figure 4a est une vue de profil schématique de la position relative d'un circuit oscillant primaire par rapport au circuit oscillant complémentaire associé, selon l'invention, dans une disposition coaxiale, - la figure 4b est une vue de profil schématique de la position relative d'un circuit oscillant primaire par rapport au circuit oscillant complémentaire associé, selon l'invention, dans une disposition décalée axialement, - la figure 5 est une vue de profil de deux supports isolants plans inclinés par rapport au plan de référence, - la figure 6 est une vue en plan (sans le support isolant), dans un mode de réalisation alternatif, de la structure spiralée plane d'une self primaire respectivement complémentaire pouvant faire partie d'un circuit oscillant primaire apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans le domaine des micro-ondes. En se référant à la figure 1, on peut voir que le dispositif électronique passif destiné à agir contre les remontées capillaires dans les murs et les fondations, ce en vue de leur assèchement, comprend principalement, en tant que composants fonctionnels, des circuits oscillants LC 1, 4; 2, 5; 3, 6 montés sur des supports isolants, lesdits circuits étant logés dans un boîtier, non représenté, perméable aux champs électromagnétiques donc ne présentant pas de blindage électrique. Le dispositif selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend au moins un circuit oscillant primaire 2, 5 apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence VHF, au moins un circuit oscillant primaire 1, 4 apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence UHF et au moins un circuit oscillant primaire 3, 6 ou 10 apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans le domaine des micro-ondes. On peut voir également, sur les différentes figures, que, d'une part, les circuits oscillants primaires 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10, montés chacun sur un support isolant 8, sont indépendants les uns des autres et constitués, chacun, d'une self primaire 1, 2, 3 reliée électriquement à un condensateur primaire 4, 5, 6 et/ou associée à la capacité parasite du circuit considéré et, -6- d'autre part, les selfs primaires 1, 2, 3 ou 10, à structure sensiblement plate, sont situées, approximativement, dans un même plan de référence. On entendra par circuits oscillants primaires 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10 indépendants les uns des autres, des circuits qui n'ont pas de liens entre eux électriquement et, partant, des circuits qui n'ont pas, ou sensiblement pas, d'interactions, notamment électromagnétiques, les uns avec les autres. Si on se réfère maintenant aux figures 2a, 2b et 2c et aux figures 3a, 3b et 3c, et par extension à la figure 6 (en tant qu'alternative partielle), on peut voir qu'à chaque circuit oscillant primaire 1, 4; 2, 5; 3, 6 peut être associé, respectivement, au moins un circuit oscillant complémentaire 1', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10', monté sur un support isolant 8'. Chaque circuit oscillant complémentaire 1', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10' comporte une self complémentaire 1', 2', 3' ou 10' reliée, électriquement, à un condensateur complémentaire 4', 5', 6' et/ou associée à la capacité parasite du circuit considéré et chaque self complémentaire 1', 2', 3' ou 10' peut être disposée sensiblement parallèlement à la self primaire 1, 2, 3 ou 10 associée du circuit oscillant primaire 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10 correspondant. D'autre part, chaque self complémentaire 1', 2', 3' ou 10' d'un circuit oscillant complémentaire l', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10', représenté schématiquement sur la figure 4a et sur la figure 4b par son support isolant 8' et sur la figure 6, peut présenter une structure et un positionnement par rapport à la self primaire 1, 2, 3 ou 10, du circuit oscillant primaire 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10 correspondant, qui sont fonction du diagramme de rayonnement recherché et des fréquences à neutraliser. Ainsi, une telle self complémentaire l', 2', 3' ou 10', peut être, par rapport à la self primaire 1, 2, 3 ou 10, du circuit oscillant 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10 primaire correspondant, identique ou différente, disposée co-axialement (figure 4a) ou décalée axialement (D) dans l'espace (figure 4b), en contact direct ou avec un écartement E, de préférence, inférieur à environ 170 mm. Les circuits oscillants complémentaires 1', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10' ont pour fonction d'augmenter l'efficacité du dispositif selon la présente invention et, plus particulièrement, d'augmenter le rendement et l'intensité du contre champ électromagnétique et de modifier le diagramme de rayonnement. Le calcul de la fréquence d'oscillation des circuits oscillants primaires 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10, respectivement complémentaire l', 4'; 2', 5 10 15 20 25 30 35 -7- 5'; 3', 6' ou 10', dans les différentes bandes de fréquence se fait selon la formule utilisée en radio-technique (confer document EP 0 354 150), à savoir : de spires de chaque self primaire 1, 2, respectivement complémentaire 1', 2', d'un circuit oscillant primaire 1, 4 ; 2, 5, respectivement complémentaire 1', 4'; 2', 5' apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence VHF ou UHF correspondante, est compris entre 8 et 60 spires, préférentiellement entre 10 et 48 spires, et la valeur de la capacité d'un condensateur primaire 4, 5, respectivement complémentaire 4', 5', relié, électriquement, à ladite self primaire 1, 2, respectivement complémentaire 1', 2', est avantageusement comprise entre 0,01 et 3�F, préférentiellement entre 0.1 et 21.tF. Par ailleurs, le nombre de spires de la self primaire 3, respectivement complémentaire 3', du circuit oscillant primaire 3, 6, respectivement complémentaire 3', 6', apte à neutraliser les rayonnements dans le domaine des micro-ondes, est avantageusement compris entre 1 et 5 spires, préférentiellement entre 1 et 3 spires, et la valeur de la capacité du condensateur primaire 6, respectivement complémentaire 6' relié, électriquement, à ladite self primaire 3, respectivement complémentaire 3', est avantageusement comprise entre 1 et 22 pF. La capacité du condensateur 6, respectivement 6' peut être constituée uniquement par la capacité parasite, qui est alors associée à la self 3, 3' pour former le circuit oscillant considéré. Par ailleurs, le diamètre de chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement, complémentaire 1', 2', 3' est, avantageusement, compris entre 50 et 260 mm et le pas de chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement, complémentaire 1', 2', 3' est, avantageusement, compris entre 0,2 et 6 mm. Chaque circuit oscillant primaire 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10, respectivement complémentaire l', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10', peut être monté sur un support isolant plan primaire 8, respectivement complémentaire 8', en sorte que chaque self primaire 1, 2, 3 ou 10, respectivement F = 1/2n LC où: F : Fréquence L : Inductance C : Capacité Le nombre -8- complémentaire 1', 2', 3' ou 10', présente une structure spiralée plane (figure 2a, figure 2b, figure 2c et figure 6). La structure spiralée plane de chaque self primaire 1, 2, 3 ou 10, respectivement complémentaire 1', 2', 3' ou 10', peut être réalisée à partir d'au moins un conducteur de cuivre ou d'au moins une bande de cuivre étamée, argentée ou dorée, disposé(e) à même le support isolant plan primaire 8, respectivement complémentaire 8' correspondant. Chaque condensateur primaire 4, 5, 6, respectivement complémentaire 4', 5', 6', peut être relié, électriquement, au centre et à l'extrémité de la self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', correspondante du circuit oscillant concerné. Comme le montre schématiquement et partiellement la figure 6 des dessins, et en remplacement des circuits primaires 3, 6 et le cas échéant complémentaires 3', 6', il peut être prévu de manière alternative que la structure spiralée plane de la self primaire 10 respectivement complémentaire 10' du au moins un circuit oscillant primaire 10 respectivement complémentaire 10' apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans le domaine des micro-ondes comprend plusieurs bras spiralés 30 imbriqués les uns dans les autres de manière alternée et reliés électriquement entre eux à leur extrémité intérieure formant le point central de révolution ou centre 30' desdits bras spiralés 3 et que, d'une part, chaque bras spiralé 30 s'étend sur 1 à 3 tours et, d'autre part, le pas de la structure spiralée ainsi obtenue est constant ou augmente progressivement depuis ledit point central 30'. Les bras spiralés 30 sont avantageusement au nombre de 2 à 5. En accord avec la variante de réalisation précitée, les selfs primaire 10 et complémentaire 10' sont identiques et forment chacune respectivement un circuit oscillant primaire ou un circuit oscillant complémentaire, ce en association avec une capacité parasite correspondante présente au niveau dudit circuit. Dans le cadre de cette variante, les circuits oscillants 1, 4 et 2, 5 neutralisant les rayonnements VHF et UHF peuvent présenter la structure et la constitution définies précédemment. Le centre d'une self primaire 1, 2, 3 ou 10, respectivement complémentaire l', 2', 3' ou 10', peut être relié, en outre à, un brin métallique conducteur, un barreau de ferrite 7, un barreau aimanté ou un quartz, de quelques millimètres à quelques centimètres de longueur. -9- Le brin métallique conducteur, le barreau de ferrite 7 respectivement 7', le barreau aimanté ou le quartz, peut être positionné, perpendiculairement, au support isolant plan primaire 8, respectivement complémentaire 8', correspondant, ou intégré, perpendiculairement, dans ledit support isolant plan primaire 8, respectivement complémentaire 8', en sorte que la longueur émergeant au-dessus du support isolant plan primaire 8, respectivement complémentaire 8', soit comprise entre environ 40 et 100 % de la longueur totale. Dans une variante, chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', peut présenter une structure spiralée cylindrique (figure 3a, figure 3b et figure 3c) et les spires de chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', sont alors bobinées sur un support isolant cylindrique primaire 9, respectivement complémentaire 9'. Les selfs 1, 1', 2, 2', 3 et 3' constituent dans ce cas, avec les supports 9 et 9', des structures cylindriques plates, c'est-à-dire de faible hauteur ou épaisseur axiale par rapport à leur diamètre. On notera que, conformément à l'invention, les supports isolants représentés sur la figure 4a et sur la figure 4b peuvent être, selon la structure desdits supports, des supports isolants plans 8, 8', tels que représentés schématiquement, ou des supports isolants cylindriques plats 9, 9'. Dans une autre forme de réalisation, chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', peut présenter une structure spiralée cylindrique plate (c'est-à-dire de faible hauteur) et les spires de chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', peuvent être constituées par un fil rigide et autoportant. Chaque condensateur primaire 4, 5, 6, respectivement complémentaire 4', 5', 6', est avantageusement relié, électriquement, à l'extrémité basse et à l'extrémité haute de la self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', correspondante du circuit oscillant concerné. Un barreau de ferrite, un barreau aimanté ou un quartz, de quelques millimètres à quelques centimètres de longueur, peut être positionné, sensiblement axialement, à l'intérieur de la structure cylindrique plate de chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire l', 2', 3'. Un brin métallique conducteur peut être fixé à l'extrémité haute de - 10- chaque self primaire 1, 2, 3, respectivement complémentaire 1', 2', 3', correspondante du circuit oscillant concerné. Conformément à l'invention un brin, un barreau de ferrite ou un barreau aimanté est, avantageusement, fixé à un support isolant correspondant par l'intermédiaire d'une bague de serrage, laquelle bague étant, de préférence, une bague métallique pouvant être soudée audit support isolant correspondant. Toujours conformément à l'invention, un brin, un barreau de ferrite et un barreau aimanté auront chacun pour fonction d'augmenter l'inductance du circuit oscillant primaire 1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10, respectivement complémentaire 1', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10' correspondant, tandis qu'un quartz aura pour fonction d'homogénéiser le contre champ électromagnétique. Dans une première configuration, deux supports isolants, qui peuvent être des supports isolants plans primaires 8 ou des supports isolants cylindriques primaires 9, respectivement complémentaire 8' ou 9', des circuits oscillants primaires 1, 2; 4, 5, respectivement complémentaires 1', 2'; 4', 5', aptes à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les bandes de fréquence VHF et UHF, sont inclinés, chacun, d'un angle proche de ou sensiblement égal à 0° par rapport au plan de référence P. Dans une deuxième configuration, comme on peut le voir sur la figure 5, deux supports isolants, qui peuvent être des supports isolants plans primaires 8 ou des supports isolants cylindriques primaires 9, respectivement complémentaire 8' ou 9', des circuits oscillants primaires 1, 2; 4, 5, respectivement complémentaires 1', 2'; 4', 5', aptes à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les bandes de fréquence VHF et UHF, sont inclinés, chacun, d'un angle a, approximativement de 1° à 30°, préférentiellement de 1 ° à 20°, par rapport au plan de référence P, ceci de manière à former une configuration en V entre lesdits supports isolants 8 ou 9, respectivement complémentaires 8' ou 9', d'un angle [3, approximativement, de 120° à 180°. Cette configuration permet ainsi une augmentation de l'angle d'émission et de réception 0, complémentaire de l'angle [3 sur 360°. L'ouverture en V est orientée, soit vers le bas pour concentrer les champs électromagnétiques, soit vers le haut pour disperser lesdits champs électromagnétiques. -11- Dans les deux configurations décrites précédemment, un support isolant, qui peut être un support isolant plan primaire 8 ou un support isolant cylindrique primaire 9, respectivement complémentaire 8' ou 9', d'un circuit oscillant primaire 3, 6 ou 10, respectivement complémentaire 3', 6' ou 10', apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les micro-ondes est, de préférence, situé dans ledit plan de référence P. La capacité C de chaque circuit oscillant LC primaire 3, 6 ou 10, respectivement complémentaire 3', 6' ou 10', apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans les micro-ondes, peut être uniquement constitué par la capacité parasite dudit circuit oscillant LC primaire 3, 6; 10, respectivement complémentaire 3', 6'; 10. La capacité parasite est entendue comme étant la ou les capacités parasites du circuit concerné. Ainsi un tel circuit LC oscillant possède une pulsation w : w= 1/ ,/LC; soit une fréquence F: F = w / 2nr = 1/2n,/LC où C est la valeur équivalente de la capacité parasite. Conformément à l'invention, chaque circuit oscillant complémentaire 1', 2'; 3', 4'; 5', 6' ou 10' peut être relié, électriquement, au circuit oscillant primaire 1, 2; 3, 4; 5, 6 ou 10 auquel il est associé, par l'intermédiaire de l'une des extrémités de la self complémentaire 1 ; 2'; 3' ou 10', à l'une des extrémités, intérieure ou extérieure, de la self primaire 1; 2; 3 ou 10. D'autre part, chaque circuit oscillant primaire 1, 2; 3, 4; 5, 6 ou 10, respectivement complémentaire l', 2'; 3', 4', 5', 6' ou 10', peut être coulé dans une résine isolante, telle qu'une résine époxy ou polyuréthane, de manière à les protéger contre l'oxydation et l'action de l'humidité. Enfin, selon une caractéristique additionnelle de l'invention, il peut être prévu que les circuits oscillants primaires 1, 4, et 2, 5, et le cas échéant complémentaires 1', 4' et 2', 5', aptes à neutraliser les rayonnements électromagnétiques dans les bandes de fréquences VHF et UHF comportent en outre des selfs extérieures, comprenant une ou deux spires chacune, arrangées respectivement autour des selfs primaires 1 ou 2, et le cas échéant complémentaires 1' ou 2', desdits circuits oscillants et - 12 - munies à leurs extrémités de brins rayonnants ou analogues, tels que décrits précédemment. En ce qui concerne l'installation du dispositif selon la présente invention, celui-ci est plus particulièrement destiné à être soit disposé contre un mur soit noyé dans un mur lorsque ce dernier est épais. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et représentés aux dessins annexés. Des modifications restent possibles, notamment du point de vue de la constitution des divers éléments ou par substitution d'équivalents techniques, sans sortir pour autant du domaine de protection de l'invention. REVENDICATIONS1) Dispositif électronique passif destiné à agir contre les remontées capillaires dans les murs et les fondations, ce en vue de leur assèchement, ce dispositif comprenant principalement, en tant que composants fonctionnels, des circuits oscillants LC montés sur des supports isolants, lesdits circuits étant logés dans un boîtier de protection perméable aux champs électromagnétiques, dispositif caractérisé en ce qu'il comprend au moins un circuit oscillant primaire (2, 5) apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence VHF, au moins un circuit oscillant primaire (1, 4) apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence UHF et au moins un circuit oscillant primaire (3, 6; 10) apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans le domaine des micro-ondes, lesdits circuits oscillants primaires (1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10) étant indépendants les uns des autres et constitués, chacun, d'une self primaire (1; 2; 3 ou 10) reliée électriquement à un condensateur primaire (4, 5, 6) et/ou associée à la capacité parasite du circuit considéré et en ce que lesdites selfs primaires (1; 2; 3 ou 10), à structure sensiblement plate, sont situées approximativement dans un même plan de référence (P). 2) Dispositif, selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'à chaque circuit oscillant primaire (1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10) est associé, respectivement, au moins un circuit oscillant complémentaire (1', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10'), comportant chacun une self complémentaire (1', 2', 3' ou 10') reliée, électriquement, à un condensateur complémentaire (4', 5', 6') et/ou associée à la capacité parasite du circuit considéré et en ce que chaque self complémentaire (1' ; 2' ; 3' ou 10') est disposée sensiblement parallèlement à la self primaire (1 ; 2 ; 3 ou 10) associée du circuit oscillant primaire (1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10) correspondant et présente une structure et un positionnement par rapport à la self primaire (1 ; 2 ; 3 ou 10) correspondante qui sont fonction du diagramme de rayonnement recherché et des fréquences à neutraliser. 3) Dispositif, selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le nombre de spires de chaque self primaire (1, 2), respectivement complémentaire (1', 2'), d'un circuit oscillant primaire (1, 4; 2, 5), respectivement complémentaire (1', 4'; 2', 5') apte à neutraliser les-14- rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans la bande de fréquence VHF ou UHF correspondante, est compris entre 8 et 60 spires, préférentiellement entre 10 et 48 spires, et la valeur de la capacité d'un condensateur primaire (4, 5), respectivement complémentaire (4', 5'), relié, électriquement, à ladite self primaire (1, 2), respectivement complémentaire (1', 2'), est avantageusement comprise entre 0,01 et 3�F, préférentiellement entre 0.1 et 2�F, et en ce que le nombre de spires de la self primaire (3), respectivement complémentaire (3'), du circuit oscillant primaire (3, 6), respectivement complémentaire (3', 6'), apte à neutraliser les rayonnements dans le domaine des micro-ondes, est compris entre 1 et 5 spires, préférentiellement entre 1 et 3 spires, et la valeur de la capacité du condensateur primaire (6), respectivement complémentaire (6') relié électriquement à ladite self primaire (3), respectivement complémentaire (3'), ou associé à cette self (3, 3') sous forme de capacité parasite est comprise entre 1 et 22 pF. 4) Dispositif, selon la revendication 3, caractérisé en ce que le diamètre de chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement, complémentaire (1', 2', 3') est compris entre 50 et 260 mm et en ce que le pas de chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement, complémentaire (1', 2', 3') est compris entre 0,2 et 6 mm. 5) Dispositif, selon l'une quelconque des revendication 1 à 4, caractérisé en ce que chaque circuit oscillant primaire (1, 4; 2, 5; 3, 6 ou 10), respectivement complémentaire (1', 4'; 2', 5'; 3', 6' ou 10'), est monté sur un support isolant plan primaire (8), respectivement complémentaire (8'), en sorte que chaque self primaire (1 ; 2 ; 3 ou 10), respectivement complémentaire (1' ; 2' ; 3' ou 10), présente une structure spiralée plane. 6) Dispositif, selon la revendication 5, caractérisé en ce que la structure spiralée plane de chaque self primaire (1 ; 2 ; 3 ou 10), respectivement complémentaire (1' ; 2' ; 3' ou 10'), est réalisée à partir d'au moins un conducteur de cuivre ou d'au moins une bande de cuivre étamée, argentée ou dorée, disposé(e) à même le support isolant plan primaire (8), respectivement complémentaire (8') correspondant, et enroulé(e) en spirale. 7) Dispositif, selon la revendication 5 ou la revendication 6, 35 caractérisé en ce que chaque condensateur primaire (4, 5, 6), respectivement complémentaire (4', 5', 6'), est relié, électriquement, au centre et à-15- l'extrémité libre de la self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3'), correspondante du circuit oscillant concerné. 8) Dispositif selon la revendication 5 ou la revendication 6, caractérisé en ce que la structure spiralée plane de la self primaire (10) respectivement complémentaire (10') du au moins un circuit oscillant primaire (10) respectivement complémentaire (10') apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans le domaine des micro-ondes comprend plusieurs bras spiralés (30) imbriqués les uns dans les autres de manière alternée et reliés électriquement entre eux à leur extrémité intérieure formant le point central de révolution ou centre (30') desdits bras spiralés (3) et en ce que, d'une part, chaque bras spiralé (30) s'étend sur 1 à 3 tours et, d'autre part, le pas de la structure spiralée ainsi obtenue est constant ou augmente progressivement depuis ledit point central (30'). 9) Dispositif, selon la revendication 8, caractérisé en ce que les selfs primaire (10) et complémentaire (10') sont identiques et forment chacune respectivement un circuit oscillant primaire ou un circuit oscillant complémentaire, ce en association avec une capacité parasite correspondante présente au niveau dudit circuit. 10) Dispositif, selon la revendication 7 ou la revendication 9, caractérisé en ce que le centre d'une self primaire (1, 2, 3, 10), respectivement complémentaire (1', 2', 3', 10'), est relié, en outre à, un brin métallique conducteur, un barreau de ferrite (7), un barreau aimanté ou un quartz, de quelques millimètres à quelques centimètres de longueur. 11) Dispositif, selon la revendication 10, caractérisé en ce que le brin métallique conducteur, le barreau de ferrite (7), le barreau aimanté ou le quartz, est positionné, perpendiculairement, au support isolant plan primaire (8), respectivement complémentaire (8'), correspondant, ou intégré, perpendiculairement, dans ledit support isolant plan primaire (8), respectivement complémentaire (8'), en sorte que la longueur émergeant au-dessus du support isolant plan primaire (8), respectivement complémentaire (8'), soit comprise entre environ 40 et 100 % de la longueur totale. 12) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3'), présente une structure spiralée cylindrique et en ce que les spires de chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement-16- complémentaire (1', 2', 3'), sont bobinées sur un support isolant cylindrique primaire (9), respectivement complémentaire (9'). 13) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3'), présente une structure spiralée cylindrique plate et en ce que les spires de chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3'), sont constituées par un fil rigide et autoportant. 14) Dispositif, selon la revendication 12 ou la revendication 13, caractérisé en ce que chaque condensateur primaire (4, 5, 6), respectivement complémentaire (4', 5', 6'), est relié, électriquement, à l'extrémité basse et à l'extrémité haute de la self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3'), correspondante du circuit oscillant concerné. 15) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce qu'un barreau de ferrite, un barreau aimanté ou un quartz, de quelques millimètres à quelques centimètres de longueur, est positionné, sensiblement axialement, à l'intérieur de la structure cylindrique plate de chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3' 16) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisé en ce qu'un brin métallique conducteur est fixé à l'extrémité haute de chaque self primaire (1, 2, 3), respectivement complémentaire (1', 2', 3'), correspondante du circuit oscillant concerné. 17) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les supports isolants primaires (8; 9), respectivement complémentaires (8'; 9'), des circuits oscillants primaires (1, 2; 4, 5), respectivement complémentaires (1', 2'; 4', 5'), aptes à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les bandes de fréquence VHF et UHF, sont inclinés d'un angle proche de ou sensiblement égal à 0° par rapport au plan de référence (P) et en ce qu'un support isolant primaire (8; 9), respectivement complémentaire (8'; 9'), d'un circuit oscillant primaire (3, 6 ou 10), respectivement complémentaire (3', 6' ou 10'), apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les micro-ondes est, de préférence, situé dans ledit plan de référence (P). 18) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les supports isolants primaires (8; 9), respectivement complémentaires (8'; 9'), des circuits oscillants primaires-17- (1, 2; 4, 5), respectivement complémentaires (1', 2'; 4', 5'), aptes à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les bandes de fréquence VHF et UHF, sont inclinés d'un angle (a), approximativement de 1 ° à 30°, préférentiellement de 1° à 20°, par rapport au plan de référence (P), ceci de manière à former une configuration en V entre lesdits supports isolants primaires (8; 9), respectivement complémentaires (8'; 9'), d'un angle ((3), approximativement de 120° à 180°, ladite ouverture en V étant orientée, soit vers le bas pour concentrer les champs électromagnétiques, soit vers le haut pour disperser lesdits champs électromagnétiques et en ce qu'un support isolant primaire (8; 9), respectivement complémentaire (8'; 9'), d'un circuit oscillant primaire (3, 6 ou 10), respectivement complémentaire (3', 6' ou 10'), apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques dans les micro-ondes est, de préférence, situé dans ledit plan de référence (P). 19) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 18, caractérisé en ce que la capacité C de chaque circuit oscillant LC primaire (3, 6 ; 10), respectivement complémentaire (3', 6' ; 10'), apte à neutraliser les rayonnements électromagnétiques d'origine tellurique dans les micro-ondes, est constitué par la capacité parasite dudit circuit oscillant LC primaire (3, 6 ; 10), respectivement complémentaire (3', 6' ; 10'). 20) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 2 à 18, caractérisé en ce que chaque circuit oscillant complémentaire (1', 2'; 3', 4'; 5', 6' ou 10') est relié, électriquement, au circuit oscillant primaire (1, 2; 3, 4; 5, 6 ou 10) auquel il est associé, par l'intermédiaire de l'une des extrémités de la self complémentaire (1'; 2'; 3' ou 10'), à l'une des extrémités, intérieure ou extérieure, de la self primaire (1 ; 2 ; 3 ou 10). 21) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 20, caractérisé en ce que chaque circuit oscillant primaire (1, 2; 3, 4; 5, 6 ou 10), respectivement complémentaire (1', 2'; 3', 4'; 5', 6' ou 10'), est coulé dans une résine isolante. 22) Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 1 à 21, caractérisé en ce que les circuits oscillants primaires (1, 4, et 2, 5), et le cas échéant complémentaires (1', 4' et 2', 5'), aptes à neutraliser les rayonnements électromagnétiques dans les bandes de fréquences VHF et UHF comportent en outre des selfs extérieures, comprenant une ou deux spires chacune, arrangées respectivement autour des selfs primaires (1 ou-18- 2), et le cas échéant complémentaires (1' ou 2'), desdits circuits oscillants et munies à leurs extrémités de brins rayonnants ou analogues.