Brevet FR2944132A1 — publié le 20101008

Structure de stockage optique d'informations et procédé d'optimisation de réalisation de cette structure Le domaine de l'invention est celui du domaine du stockage de données sur disques optiques, et plus particulièrement sur disques optiques � haute densité � nécessitant l'emploi de techniques dites de Super- Résolution (SR) pour être lus. De manière générale, lorsqu'on cherche à accroître la densité d'informations enregistrées sur un disque optique, on est limité par des performances du dispositif de lecture des informations. Le principe de base est que l'on ne peut que très difficilement lire des informations physiques inscrites dans le disque si leur dimension est inférieure à la limite de résolution du système optique qui est utilisé pour lire ces informations. Typiquement pour une lecture par un laser rouge de longueur d'onde de 650 nm et une ouverture numérique de 0,6, on ne peut lire correctement des informations de dimension inférieure à 0,4 micromètre. C'est pourquoi des méthodes dites de super-résolution ont été développées pour lire des informations dont la dimension physique est inférieure, voire même très inférieure, à la longueur d'onde. Ces méthodes se fondent sur les propriétés optiques non-linéaires de certains matériaux utilisés pour la fabrication des disques optiques. Typiquement, les propriétés optiques du matériau dans lequel sont enregistrées les informations, peuvent varier de manière non-linéaire en fonction de l'intensité d'un faisceau optique de lecture. Ainsi, un laser de lecture peut modifier localement les propriétés optiques du matériau par des effets thermiques, optiques, thermo-optiques et/ou optoélectroniques sur des dimensions plus petites que la dimension du spot de lecture ; du fait du changement de propriété, une information optique présente dans un très petit volume peut devenir détectable. En effet, le laser de lecture peut être focalisé très fortement de manière à présenter une section petite (de l'ordre de la longueur d'onde) avec une distribution de puissance gaussienne, très concentrée en son centre et très atténuée en périphérie. Ainsi en choisissant une puissance de laser de lecture telle que la densité de puissance sur une petite partie de la section modifie au centre du faisceau significativement une propriété optique de la couche de matériau, alors que la densité de puissance en dehors de cette petite portion de section ne modifie pas significativement cette propriété optique, on peut par la même rendre lisible une information qui ne le serait pas sans cette modification. La propriété optique peut typiquement être l'augmentation de la transmission optique dans le cas où la lecture d'un bit constitué par des marques physiques sur le disque optique nécessite une transmission du faisceau laser jusqu'aux marques physiques. En ayant recours à ce type de propriétés optiques non-linéaires, il devient notamment possible d'utiliser un faisceau laser de lecture apparaissant comme focalisé sur un diamètre beaucoup plus étroit que ce que permet la longueur d'onde dudit faisceau de lecture. De manière générale, les informations inscrites sur des disques sont réalisées dans des couches de matériaux déposés sur un support pressé contenant des zones convexes et d'autres concaves, dénommées respectivement "lands" pour plats ou plots et "pits" pour cuvettes ou creux. Les "pits" (cuvettes) et "lands" (plats) d'un disque ne correspondent pas directement à des 1 et 0. Le début et la fin d'une cuvette (c'est à dire ses bordures) correspondent chacun à des 1, et toutes les autres zones (à la fois dans les plats et cuvettes) correspondent à des 0. Le nombre de 0 entre les bordures des cuvettes est déterminé par un calcul de temps très précis. Si un bit unique requiert un temps T pour passer sous la tête de lecture, alors on parle de � pits � de 2T pour les plus petits, sachant que l'on réalise de manière standard également des � pits � allant au-delà et jusqu'à par exemple 8 T comme représenté à titre indicatif en figure 1. Dans le cas des disques pré-enregistrés (Read-Only Memory - ROM) classiques (DVD et Blu-ray), une simple couche réfléchissante suffit pour permettre la détection des marques contenues sous forme de plots ou de pits dans le substrat structuré comme représenté en figure 1, la dimension de ces marques étant plus grande que la limite de résolution de la tête optique, définie par le produit À/4.ON, où À la longueur d'onde du laser d'écriture et ON est l'ouverture numérique de l'objectif de focalisation. Dans ce cas, tel qu'illustré en figure 2, le dépôt d'une simple couche mince réfléchissante métallique 11 dont l'épaisseur peut varier entre 10 et 40 nm sur un substrat 10 se fait de façon conforme sur les bits d'information prémoulés dans le substrat plastique. De façon conforme signifie que la couche mince épouse parfaitement la géométrie du substrat sur lequel elle est déposée. Typiquement, la longueur des plus petites marques (marques 2T) étant de 150 ou 160 nm (correspondant respectivement à une capacité de 23 ou 25Go), pour une profondeur comprise entre 40 et 60 nm, le motif structuré sur le substrat se retrouve parfaitement reproduit après dépôt, par la technique dite PVD � Physical Vapour Deposition �, de la couche métallique, 1 o sans distorsion ni modification des caractéristiques géométriques initiales du substrat, l'ensemble étant recouvert d'une couche de protection 12. Les marques peuvent ainsi être lues par un faisceau laser F de lecture à la longueur d'onde À = 0,85 grâce à une optique de focalisation OF, d'ouverture numérique ON = 0,85. 15 En revanche, dans le cas de disques ROM Super-Résolution, le substrat contient des marques plus courtes que la limite de résolution de la tête optique. Lorsque le substrat est recouvert d'une simple couche métallique semblable à celle utilisée dans les disques ROM classiques, les marques ne peuvent pas être détectées par le spot focalisé et aucun signal 20 n'est détecté à basse puissance de lecture. Toutefois, un signal peut-être obtenu en provenance de ces petites marques lorsqu'un masque optique est introduit dans le disque afin de perturber le processus de lecture des disques, fondé sur la diffraction du spot focalisé par le réseau formé par les marques. 25 Dans le cas de disques optiques SR (ROM, R et RW), ce masque est réalisé grâce à un empilement � actif � de couches minces, dont les propriétés optiques varient de manière réversible sous l'influence d'une excitation optique intense délivrée par le laser continu porté à haute puissance comme explicité en introduction de la présente demande. 30 La demanderesse a déjà décrit dans les demandes de brevet suivantes n°0700938, 0702562, 0702561, un empilement particulièrement intéressant (représenté en figure 3) constitué d'une couche de matériau semi-conducteur 112 en InSb (couche active ayant des propriétés non linéaires optiques) encapsulée entre deux couches 111 et 113 de matériau 35 diélectrique ZnS-SiO2, susceptible de délivrer un signal d'excellente qualité (on peut considérer que c'est le cas lorsque le bit � Error Rate �, noté bER, est inférieur ou égal à 3.10-4, valeur limite permettant une utilisation commerciale) en provenance de séquences comprenant des petites marques de 80 nm comme illustré en figure 3, ce qui permet de doubler la capacité des disques (correspondant à une capacité de l'ordre de 50Go) par rapport au format Blu-Ray standard (capacité 23Go) dont les plus petites marques mesurent 160 nm. Il est à noter que dans le cas de ces structures à super-résolution, d'une part l'empilement de couches minces déposées sur le substrat est de 1 o plusieurs dizaines de nanomètres, correspondant à une épaisseur totale bien supérieure à la fine couche métallique du disque Blu-ray ROM standard, et d'autre part la longueur des marques est inférieure à la limite de résolution du système optique (inférieure à 120nm). Le cumul de ces deux conditions pose le problème de la réalisation 15 et de la reproduction sans distorsion du motif géométrique de base prémoulé sur le substrat après le dépôt de l'ensemble des couches de l'empilement à super-résolution. En effet, quel que soit l'empilement de couches nécessaire dans le cadre de technique à super-résolution, il demeure nécessaire d'arriver à 20 obtenir la capacité attendue d'informations, grâce à des dimensions de marques satisfaisantes. Typiquement on cherchera à réaliser une marque 2T de 80 nm, avec une profondeur d'environ 40nm (pour une capacité d'environ 50 Go) après déposition des différentes couches minces quels que soient les effets de 25 distorsion induits par la technique de dépôt. Par exemple, la couche active de matériau actif (pouvant typiquement être de l'ordre de 20 nm de matériau InSb), déposée sur une couche de matériau diélectrique, typiquement d'épaisseur 50 nm, doit porter l'information et avoir la capacité attendue. 30 C'est pourquoi et dans ce contexte, la présente invention a pour objet un nouveau type de structure de stockage optique apportant une solution au problème technique posé pour les disques optiques haute densité qui nécessite l'emploi de techniques de Super-Résolution pour être lus, et 35 donc l'emploi d'un empilement actif de couches minces. Plus précisément, l'invention concerne une structure de stockage optique à haute résolution possédant une capacité de stockage d'informations et comprenant : - un substrat comportant des marques physiques dont la configuration géométrique définit l'information enregistrée, les plus petites marques physiques présentant une longueur sur substrat LS et une largeur sur substrat lS ; - une superposition d'au moins une première couche et d'une 1 o seconde couche dite active à la surface dudit substrat comportant les marques physiques, de manière à créer des marques d'informations assurant la capacité de stockage d'informations au niveau de la seconde couche active, de longueur optimale Lopt et de largeur dite optimale lopt caractérisé en ce que : 15 - la longueur sur substrat des marques répond à la condition suivante : LS = a Lopt + b - la largeur sur substrat des marques répond à la condition suivante : 15=clopt+d avec a et c étant compris entre environ 0,5 et 1 20 b et d étant compris entre environ 30 et 80 nanomètres et Lopt et lopt compris entre 0 et environ 160 nanomètres. Selon une variante de l'invention, le coefficient a est de l'ordre de 0,8, le paramètre b est de l'ordre de 40, la longueur optimale Lopt étant de l'ordre de 80 nanomètres. 25 Selon une variante de l'invention, le coefficient c est de l'ordre de 0,6, le paramètre d est de l'ordre de 60, la largeur optimale étant de l'ordre de 80 nanomètres. Selon une variante de l'invention, la profondeur des marques sur substrat est de l'ordre 50 nm. 30 Selon une variante de l'invention, la superposition de couches comporte une couche active à base de matériau à changement de phase pouvant être de type composé AgInSbTe ou GeSbTe. Selon une variante de l'invention, la superposition de couches comporte une couche active à base de matériau semiconducteur dopé ou 35 non de type InSb, GaSb, ZnO. Selon une variante de l'invention, la structure de stockage optique comporte en outre une troisième couche en matériau diélectrique. Selon une variante de l'invention, les première et troisième couches en matériau diélectrique sont en en ZnS-SiO2. Selon une variante de l'invention, les première et troisième couches en matériau diélectrique sont en oxyde, nitrure ou carbure d'un des éléments suivants : Zr, Si, Al, Hf, Ti, Ta.. Selon une variante de l'invention, les épaisseurs des première et troisième couches sont de l'ordre d'une cinquantaine de nanomètres, 10 l'épaisseur de la seconde couche étant de l'ordre de 20 nm. Selon une variante de l'invention, la structure de stockage optique est destinée à être lue avec une tête par un faisceau de lecture à une longueur d'onde À = 405 nm et présentant une limite de résolution de 120 nm, avec une ouverture numérique ON de 0.85, la capacité de stockage 15 optique de la structure étant d'environ 50 Go. L'invention a aussi pour objet un procédé d'optimisation de réalisation d'une structure de stockage optique permettant d'en améliorer les performances, et plus particulièrement d'améliorer la qualité du signal délivré 20 lors de la lecture. Plus précisément, l'invention a encore pour objet un procédé d'optimisation de réalisation d'une structure de stockage optique selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - la réalisation de marques physiques dans le substrat présentant des 25 longueurs et des largeurs dites de substrat ; - la réalisation d'un empilement de couches comportant une couche active ; - la réalisation de mesures test permettant de déterminer les longueurs, largeurs des marques d'informations assurant la capacité de stockage 30 d'informations au niveau de la seconde couche active ; - la détermination de lois de correspondances entre les longueurs, largeurs de substrat et les longueurs, largeurs des marques dans la couche active. Selon une variante de l'invention, les mesures test sont effectuées 35 par un microscope à force atomique. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 illustre la correspondance entre des marques de gravure et des informations de � 0 � et de � 1 �; - la figure 2 illustre une représentation schématique d'un disque optique Blu-Ray ROM classique, comprenant une simple couche réfléchissante suffisante pour permettre la détection des marques qui sont plus longues (160 nm pour les plus petites) que la limite de résolution de la tête optique (120 nm) ; - la figure 3 illustre une représentation schématique d'un disque optique Blu-Ray ROM SR, comprenant un empilement actif standard ZnS-SiO2/InSb/ZnS-SiO2 permettant la détection de marques plus courtes (80 nm pour les plus petites) que la limite de résolution de la tête optique ; - les figures 4a et 4b illustrent la structure de stockage optique de l'invention avec les dimensions des marques gravées dans le substrat et celles au niveau de la couche sensible ; - les figures 5a, 5b et 5c illustrent un exemple de structure de stockage optique vue de dessus et comportant des marques 2T de 100 nm. Sont représentées les marques respectivement au niveau du substrat, de la première couche diélectrique et de la couche active, ainsi que les observations associées réalisées par microscopie à force atomique ; - la figure 6 illustre l'évolution de la longueur de marques au niveau du substrat en fonction de la longueur des marques inscrites dans la couche active ; - la figure 7 illustre l'évolution de la largeur de marques au niveau du substrat en fonction de la largeur des marques inscrites dans la couche active et en correspondance avec des longueurs de marques données. D'une manière générale, les couches minces de matériaux 35 constituant les disques optiques sont constituées par des procédés dits de PVD (Physical Vapor Deposition), et ce quelle que soit la nature des matériaux (diélectriques, semi-conducteurs, matériaux à changement de phase, ...) constituant ces couches. Cette technique de dépôt est particulièrement intéressante puisqu'elle permet de réaliser des dépôts de couches minces à basse température, compatible avec l'utilisation de substrat en polymère. Selon l'invention et comme illustré en figure 4a, la structure de stockage optique est destinée à pouvoir être lue avec une technique de super-résolution, c'est pourquoi ladite structure comprend un empilement 1 o actif à la surface d'un support 10 comprenant les marques Ms de dimensions définies dans le plan par une longueur Ls et une largeur IS comme représentées en figure 4b, ledit empilement étant constitué : - d'une couche active 112, c'est-à-dire présentant des propriétés non linéaires optiques, 15 - de deux couches diélectriques 111 et 113 situées de part et d'autres de la couche active, qui jouent à la fois un rôle optique (ajustement des propriétés optiques du disque) et thermique (isolation thermique de la couche active). La couche active des disques permettant de répondre à la 20 problématique posée, doit présenter des propriétés non linéaires optiques à la longueur d'onde de travail. Elle peut en particulier être constituée de matériaux à changement de phase pouvant être de type composés AgInSbTe, GeSbTe, entre autres), de matériaux semi-conducteurs, dopés ou non (comme InSb, GaSb, ZnO) et dans lequel on peut ainsi définir des 25 marques optimisées Mopt de dimensions définies dans le plan par une longueur optimale Lopt et une largeur optimale Iopt. Les couches transparentes de matériaux diélectriques de l'empilement actif, qui jouent à la fois un rôle optique pour assurer un ajustement des propriétés optiques du disque et thermique permettant une 30 isolation thermique de la couche active, peuvent préférentiellement être de type : ZrO2, Si3N4, AIN, HfO2, TiO2, SiO2, ... Les substrats utilisés dans les disques permettant de répondre à la problématique posée sont constitués de matériaux polymères et structurés par pressage. Selon l'invention, il est proposé d'optimiser le substrat en modifiant de façon pertinente les géométries des motifs prémoulés de façon à ce que les effets des dépôts successifs des couches minces conduisent à l'obtention de la géométrie adaptée, soit la dimension attendue des marques et donc la capacité voulue au niveau de la couche dite active et porteuse de l'information. Exemple de réalisation : 1 o Selon cet exemple, la structure de stockage optique correspond à un disque SR pré-enregistré destiné à être lu avec une tête optique � Blu-Ray � par un faisceau de lecture à une longueur d'onde À = 405 nm, avec une ouverture numérique ON de 0.85 et présentant une limite de résolution de 120 nm. 15 La structure de stockage optique comporte un substrat structuré contenant des séquences codées selon un algorithme standard (1,7) RLL du format Blu-Ray, si bien que le contenu informatif est matérialisé par la succession de marques et espaces de longueur variable entre 2T et 9T. Dans le cas du format Blu-Ray classique (version 23 Go), les 20 marques 2T mesurent 160 nm. Les disques SR présentés dans cet exemple contiennent des séquences de marques et espaces plus courts que ceux de la norme Blu-Ray. Les petites marques 2T, ont une longueur de 100 nm ou de 80 nm suivant la capacité visée, inférieure à la limite de résolution de la tête optique 25 égale à 120 nm, et nécessitent donc un effet de Super-Résolution pour être détectées. Sur le substrat dans lequel ont été réalisées les marques physiques, on réalise un empilement d'une première couche, d'une seconde couche active et d'une troisième couche. 30 La couche active est une couche de matériau semiconducteur en InSb encapsulée entre les première et troisième couches en matériau diélectrique en ZnS-SiO2. Une configuration offrant de très bonnes performances en termes de qualité de signal est obtenue lorsque la couche active InSb a une épaisseur de 20 nm, et les couches diélectriques ZnS-SiO2 une épaisseur de 50 nm chacune. Les figures 5a, 5b et 5c montrent des observations réalisées par microscopie à force atomique dénommée � AFM � qui permettent de visualiser des dimensions très faibles, typiquement de l'ordre du nanomètre. Ces figures sont respectivement relatives aux marques initiales réalisées au niveau du substrat, de celles apparentes au niveau de la première couche de matériau diélectrique en ZnS-SiO2 d'épaisseur de 50 nm et de celles apparentes au niveau de la couche sensible en InSb d'épaisseur de 20 nm. La demanderesse a constaté que pour des dimensions de marques de l'ordre de 150 nm, aucune précaution particulière n'est à prévoir pour la géométrie initiale du substrat puisque la géométrie des marques en longueur et profondeur n'est quasiment pas modifiée après dépôt de la couche d'InSb porteuse de l'information. Par contre, lorsque la dimension des marques diminue et devient inférieure à 120 nm, la demanderesse a constaté un effet de remplissage des plus petites marques, avec notamment une diminution de la longueur après les dépôts successifs de diélectrique ZnS-SiO2 (50 nm) et de couche sensible en matériau non-linéaire en InSb (20 nm). Il apparaît une diminution de la longueur des marques de 15% après dépôts par rapport au substrat nu dans le cas de marques de 100 nm de diamètre sur le substrat. Cet effet de � remplissage � est encore plus marqué pour les pits de 80 nm. On constate une diminution de la longueur des marques de 20 à 30% après dépôts par rapport au substrat nu. Ces effets des conditions de dépôts sur la géométrie des marques doivent donc être pris en compte pour définir le substrat optimisé. Afin d'obtenir une géométrie après dépôts compatible avec les densités visées, il est nécessaire de mouler par exemple, des pits 2T ayant une longueur de 95-105 nm (80nm+20-30%) pour obtenir après dépôt de la couche porteuse d'information (InSb), la bonne longueur de marques 2T de 80nm. Un procédé d'optimisation a ainsi été élaboré par la demanderesse qui a établi des lois de correspondances entre les longueurs, largeurs des marques dans le substrat et les longueurs, largeurs des marques dans la couche sensible.35 La figure 6 illustre à ce titre l'évolution de la longueur de marques au niveau du substrat en fonction de la longueur des marques inscrites dans la couche active, exprimée en nanomètres. La droite f6 est relative au cas idéal de dépôt d'empilement de couches sans distorsion apportée par les opérations successives de dépôt. La fonction LS = a Lopt + b est celle obtenue à partir de mesures expérimentales effectuées par mesure AFM et représentées par la courbe C6. La figure 7 illustre l'évolution de la largeur de marques au niveau du substrat en fonction de la largeur de marques inscrites dans la couche active, exprimée en nanomètres. La droite f, est relative au cas idéal de dépôt d'empilement de couches sans distorsion apportée par les opérations successives de dépôt. La fonction IS = c lopt + d est celle obtenue à partir de mesures expérimentales effectuées par mesure AFM et représentées par la courbe C7 et ce pour des longueurs de marque données. Typiquement on a de manière connue des marques d'informations pouvant présenter les couples de valeur suivants : Lopt = 80 nm , lopt = 80 nm Lopt = 100 nm , l opt = 90 nm Lopt = 160 nm , lopt = 115 nm A partir de l'établissement de ces lois, on obtient ainsi une structuration optimisée de la géométrie des marques ajoutée à l'empilement adapté de couche minces qui permet d'obtenir un signal de très bonne qualité lorsque le disque est lu à 2.65m/s (capacité du disque 46GB) puisqu'après traitement par un algorithme de traitement de signal avancé de type PRML, un taux d'erreur (bit Error Rate-bER) de 10-5 est obtenu. REVENDICATIONS1. Structure de stockage optique à haute résolution possédant une capacité de stockage d'informations (Cst) et comprenant : - un substrat (10) comportant des marques physiques (Ms) dont la configuration géométrique définit l'information enregistrée, les plus petites marques physiques présentant une longueur sur substrat (Ls) et une largeur sur substrat (Is) ; - une superposition d'au moins une première couche (111) et d'une seconde couche dite active (112) à la surface dudit substrat comportant les 1 o marques physiques, de manière à créer des marques d'informations (Mopt) assurant la capacité de stockage d'informations au niveau de la seconde couche active, de longueur optimale (Lopt) et de largeur optimale (Iopt) caractérisée en ce que : - la longueur sur substrat des marques répond à la condition suivante : 15 Ls = a Lopt + b - la largeur sur substrat des marques répond à la condition suivante : IS=clopt+d avec a et c étant compris entre environ 0,5 et 1 b et d étant compris entre environ 30 et 80 nanomètres 20 et Lopt et Iopt compris entre 0 et environ 160 nanomètres. 2. Structure de stockage optique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le coefficient a est de l'ordre de 0,8, le paramètre b est de l'ordre de 40, la longueur optimale (Lopt) étant de l'ordre de 80 25 nanomètres. 3. Structure de stockage optique selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que le coefficient c est de l'ordre de 0,6, le paramètre d est de l'ordre de 60, la largeur optimale étant de l'ordre de 80 nanomètres. 4. Structure de stockage otique d'informations selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la profondeur sur substrat des marques est de l'ordre de 50 nanomètres. 30 5. Structure de stockage optique selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que la superposition de couches comporte une couche active à base de matériau à changement de phase pouvant être de type composé AgInSbTe ou GeSbTe. 6. Structure de stockage optique selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que la superposition de couches comporte une couche active à base de matériau semiconducteur dopé ou non de type InSb, GaSb, ZnO. 7. Structure de stockage optique selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que la superposition comporte en outre une troisième couche, les première et troisième couches étant en matériau diélectrique. 15 8. Structure de stockage optique selon la revendication 7, caractérisée en ce que les première et/ou troisième couches en matériau diélectrique sont en ZnS-SiO2. 9. Structure de stockage optique selon la revendication 7, 20 caractérisée en ce que les première et/ou troisième couches en matériau diélectrique sont en oxyde, nitrure ou carbure de l'un des éléments suivants : Zr, Si, Al, Hf, Ti, Ta. 10. Structure de stockage optique selon l'une des revendications 1 à 25 8, caractérisée en ce que les épaisseurs des première et troisième couches sont de l'ordre d'une cinquantaine de nanomètres, l'épaisseur de la seconde couche étant de l'ordre de 20 nanomètres. 11. Structure de stockage optique selon l'une des revendications 1 à 30 10, et destinée à être lue avec une tête par un faisceau de lecture à une longueur d'onde À = 405 nm, avec une ouverture numérique ON de 0.85 et présentant une limite de résolution de 120 nanomètres, caractérisée en ce que la capacité de stockage est d'environ 50 Go. 10 12. Procédé d'optimisation de réalisation d'une structure optique selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - la réalisation de marques physiques dans le substrat présentant des longueurs et des largeurs dites de substrat ; - la réalisation d'un empilement de couches comportant une couche active ; - la réalisation de mesures test permettant de déterminer les longueurs et les largeurs des marques d'informations assurant la capacité de 1 o stockage d'informations au niveau de la seconde couche active ; - la détermination de lois de correspondances entre les longueurs et les largeurs de substrat et les longueurs et les largeurs des marques dans la couche active. 15 13. Procédé d'optimisation de réalisation selon la revendication 10, caractérisé en ce que les mesures test sont effectuées par microscopie à force atomique. 20