Brevet FR2935501A1 — publié le 20100305

Arrière-plan de l'invention L'invention se situe dans l'optimisation des opérations de lecture/écriture dans une mémoire non volatile réinscriptible. On rappelle en premier lieu qu'une mémoire non volatile est une mémoire adaptée à conserver ses données en l'absence d'alimentation électrique. De façon connue, les mémoires non volatiles réinscriptibles sont partitionnées en une pluralité de zones, chacune de ces zones pouvant être effacée/écrite individuellement un nombre limité de fois, typiquement de l'ordre d'un million pour les mémoires les plus performantes. Afin de prolonger au maximum la durée de vie d'une telle mémoire, il est connu de chercher à répartir les opérations d'écriture sur l'ensemble de ses zones (technique dite de � wear leveling �, répartition d'usage). Le document US 2006/0155917 décrit une telle méthode dans laquelle on enregistre dans une table d'une mémoire FLASH, pour chacun des blocs de cette mémoire, un compteur du nombre d'effacements effectués sur ce bloc, et on sélectionne, pour une écriture, le bloc disponible associé au plus petit compteur. Pour une mémoire FLASH de 4096 blocs, la taille de cette table est de l'ordre de 8 Ko. Cette méthode impose en outre de copier régulièrement la table dans la mémoire vive, ce qui, du fait de la taille de cette table est un inconvénient majeur. Objet et résumé de l'invention La présente invention propose un procédé de gestion des opérations d'accès à une mémoire non volatile réinscriptible d'un dispositif qui ne présente pas les inconvénients de ceux de l'art antérieur. Ce procédé comporte: - une étape de détermination, à partir d'une table d'usage, d'au moins un point chaud de ladite mémoire non volatile ; - une étape de détection d'au moins une opération visant à accéder à ce point chaud ainsi déterminé ; et - une étape de réalisation de l'opération précitée dans une zone d'une mémoire non volatile réinscriptible dite � de vieillissement � déterminée par un mécanisme de répartition d'usage. Conformément à l'invention, la table d'usage est mémorisée dans une mémoire vive ou dans une mémoire à accès rapide, par exemple une mémoire de type RAM (en anglais Random Access Memory). D'une façon générale, l'invention propose, contrairement à l'art antérieur précité, de détecter les points chauds de la mémoire non volatile réinscriptible, à savoir les zones de cette mémoire les plus sollicitées en lecture, écriture, effacement, et de mettre en place un mécanisme de répartition d'usage que pour ces seuls points chauds. Cette politique permet très avantageusement l'utilisation d'une table d'usage de taille très faible, typiquement de l'ordre de quelques dizaines d'octets pour une mémoire non volatile réinscriptible de 4096 blocs, en comparaison des 8 Ko de la table utilisée dans l'art antérieur précité. Et c'est grâce à cette caractéristique avantageuse que la table d'usage selon l'invention peut être stockée en RAM, ou dans une mémoire à accès rapide, par nature coûteuse, chose inenvisageable dans l'art antérieur. Il en découle que le procédé de gestion d'accès selon l'invention est d'exécution beaucoup plus rapide que celui de l'art antérieur. Corrélativement, l'invention concerne un dispositif comportant : - une mémoire non volatile réinscriptible ; - des moyens de détermination, à partir d'une table d'usage mémorisée dans une mémoire vive ou dans une mémoire à accès rapide, d'au moins un point chaud de la mémoire non volatile ; - des moyens de détection d'au moins une opération visant à accéder au point chaud ainsi déterminé ; et - des moyens de réalisation de l'opération précitée dans une zone d'une mémoire non volatile réinscriptible dite � de vieillissement � déterminée par des moyens de mise en oeuvre d'un mécanisme de répartition d'usage. Le dispositif selon l'invention peut notamment être constitué par une carte à microcircuit, telle une carte SIM ou par une clef USB. Dans un mode préféré de réalisation de l'invention, au moins une partie de la table d'usage est sauvegardée dans une table de sauvegarde mémorisée dans d'une mémoire non volatile réinscriptible du dispositif. Cette caractéristique est importante, lorsque l'invention est mise en oeuvre dans un dispositif susceptible d'être éteint fréquemment car elle permet de sauvegarder les informations sur les points chauds. Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, la table de sauvegarde est de taille inférieure à la table d'usage et au cours de l'étape de sauvegarde, on sauvegarde dans la table de sauvegarde, les enregistrements de la table d'usage correspondants aux points les plus chauds. Cette caractéristique permet très avantageusement de continuer la recherche et la détection de nouveaux points chauds lorsque la table de sauvegarde est pleine. Dans un mode particulier de réalisation, le dispositif selon 15 l'invention comporte des moyens pour transmettre au moins une partie de ladite table de sauvegarde sur réception d'une requête. Cette caractéristique permet avantageusement d'obtenir à distance des informations sur la position et les degrés d'usure de ses points chauds. Du fait de la mise en oeuvre d'un mécanisme de répartition 20 d'usage, l'information recueillie sur ces seuls points chauds permet d'en déduire, avec une excellente probabilité, le degré d'usure de la mémoire dans son ensemble. Dans un mode de réalisation du procédé de gestion selon l'invention, les sauvegardes peuvent être effectuées à des instants choisis 25 aléatoirement. Dans une variante préférée, la sauvegarde est effectuée lorsqu'un nombre d'accès à l'un des points chauds déterminés dépasse un seuil ajusté dynamiquement en fonction d'une fréquence de mises sous tension du dispositif. 30 Cette caractéristique permet avantageusement d'optimiser le rythme des sauvegardes en fonction de la fréquence des mises sous tension du dispositif. En particulier, elle permet d'augmenter le rythme des sauvegardes lorsque la fréquence des mises sous tension augmente. Dans un mode particulier du procédé de gestion selon 35 l'invention, la zone de la mémoire de vieillissement dans laquelle on effectue effectivement l'opération d'accès, est choisie cycliquement dans un buffer réservé à cet effet. Cette caractéristique simplifie fortement les opérations de lecture des données qui étaient destinées à un point chaud déterminé, puisqu'il suffit, pour retrouver la dernière écriture destinée à ce point chaud, de repérer, dans la mémoire de vieillissement, la dernière zone comportant l'adresse de ce point chaud. Dans un mode particulier de réalisation, les différentes étapes du procédé de gestion sont déterminées par des instructions de 10 programmes d'ordinateurs. En conséquence, l'invention vise aussi un programme d'ordinateur sur un support d'informations, ce programme étant susceptible d'être mis en oeuvre dans un dispositif tel que mentionné ci-dessus ou plus généralement dans un ordinateur, ce programme 15 comportant des instructions adaptées à la mise en oeuvre des étapes d'un procédé de gestion tel que décrit ci-dessus. Ce programme peut utiliser n'importe quel langage de programmation, et être sous la forme de code source, code objet, ou de code intermédiaire entre code source et code objet, tel que dans une 20 forme partiellement compilée, ou dans n'importe quelle autre forme souhaitable. L'invention vise aussi un support d'informations lisible par un ordinateur, et comportant des instructions d'un programme d'ordinateur tel que mentionné ci-dessus. 25 Le support d'informations peut être n'importe quelle entité ou dispositif capable de stocker le programme. Par exemple, le support peut comporter un moyen de stockage, tel qu'une ROM, par exemple un CD ROM ou une ROM de circuit microélectronique, ou encore un moyen d'enregistrement magnétique, par exemple une disquette (floppy disc) ou 30 un disque dur. D'autre part, le support d'informations peut être un support transmissible tel qu'un signal électrique ou optique, qui peut être acheminé via un câble électrique ou optique, par radio ou par d'autres moyens. Le programme selon l'invention peut être en particulier 35 téléchargé sur un réseau de type Internet. Alternativement, le support d'informations peut être un circuit intégré dans lequel le programme est incorporé, le circuit étant adapté pour exécuter ou pour être utilisé dans l'exécution du procédé en question. Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures : - la figure 1 représente un dispositif conforme à l'invention, dans un mode préféré de réalisation ; et - les figures 2 et 3 représentent, sous forme d'organigramme, les principales étapes d'un procédé de gestion conforme à un mode 15 particulier de réalisation de l'invention. Description détaillée d'un mode de réalisation La figure 1 représente un dispositif 1000 conforme à l'invention. Ce dispositif peut notamment être constitué par une carte à 20 microcircuit, telle une carte SIM ou par une clef USB. Ce dispositif 1000 comporte un processeur 200, une mémoire réinscriptible non volatile 100 (ci-après dénommée � mémoire non volatile 100 �), une mémoire morte de type ROM 300 et une mémoire vive de type RAM 400. 25 La mémoire morte 300 constitue un support d'enregistrement conforme à l'invention, lisible par le processeur 200, sur lequel est enregistré un programme d'ordinateur conforme à l'invention, ce programme comportant des instructions pour l'exécution des étapes d'un procédé de gestion selon l'invention, les principales étapes de ce procédé 30 étant représentées sous forme d'organigramme aux figures 2 et 3. De façon connue, le processeur 200 comporte un bus 500 d'entrée/sortie sur lequel il peut recevoir des ordres de lecture ou d'écriture dans la mémoire non volatile 100. La mémoire non volatile 100 peut notamment être une mémoire 35 de type FLASH ou une mémoire EEPROM. La mémoire ROM 300 comporte un système d'exploitation 310 comprenant un programme 311, pour gérer la mémoire non volatile 100 et la mémoire vive 400, ci-après dénommé � gestionnaire de mémoire � 311. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la mémoire non volatile 100 est divisée en deux et comporte une première partie 120 constituée par une mémoire de travail standard et une deuxième partie 110, appelée � buffer de vieillissement �, pour la mise en oeuvre de l'invention. A titre d'exemple, on a référencé 121 une zone de la mémoire de travail 120, démarrant à l'adresse X. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la frontière 113 entre les deux parties de la mémoire non volatile 100 est configurable lors de la personnalisation du dispositif 1000. Conformément à l'invention, le dispositif 1000 comporte dans une mémoire à accès rapide, une table d'usage 410 destinée à mémoriser des informations représentatives des zones de la mémoire de travail 120 fréquemment accédées en lecture ou en écriture, de telles zones étant qualifiées de � points chauds �. Dans le mode de réalisation décrit ici, la table d'usage 410 est 20 mémorisée dans la mémoire vive 400. Dans le mode de réalisation décrit ici, la table 410 est organisée en lignes, chaque ligne comportant un enregistrement associé à un point chaud avec les champs suivants : • champ d'adresse 411 : adresse du début du point chaud ; • champ longueur 412 : taille du point chaud en octets ; • champ compteur 415 : compteur représentatif de l'activité du point chaud. 25 Dans le mode de réalisation décrit ici, au moins une partie de la table d'usage 410 est recopiée régulièrement dans une table de sauvegarde 410' de la mémoire non volatile 100, de sorte que l'information sur l'activité des points chauds n'est pas perdue lorsque le dispositif 1000 est éteint. 30 Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la table de sauvegarde 410' est mémorisée dans une sous-partie 111 du buffer de vieillissement 110 réservée à des informations système. Dans le mode de réalisation décrit ici, la table de sauvegarde 410' est de taille inférieure à la table d'usage 410. On appelle Y le nombre d'enregistrements qui peuvent être mémorisés dans la table de sauvegarde 410', ce nombre Y étant, dans le mode de réalisation décrit ici, mémorisé dans un registre 330 de la mémoire morte 300. Dans un autre mode de réalisation, le nombre Y pourrait être mémorisé dans la sous-partie 111 réservée du buffer de vieillissement 110 par exemple. Conformément à l'invention, le buffer de vieillissement 110 vise à préserver les points chauds de la mémoire de travail 120. A cet effet, les accès à ces points chauds sont détournés vers des zones du buffer de vieillissement, ces zones étant déterminées par un mécanisme de répartition d'usage. Dans le mode de réalisation décrit ici, le buffer de vieillissement est constitué, hormis en ce qui concerne la sous-partie 111 réservée aux informations système, par un buffer tournant dans lequel les zones sont choisies cycliquement. Tout autre mécanisme de répartition d'usage peut être utilisé, et notamment celui décrit dans le document US2006/0155917 introduit dans 20 le préambule de la présente demande. A la figure 1, on a représenté 3 enregistrements successifs 112a, 112b, 112c, comportant des données M1, M2, M3 qui auraient été écrites, sans la mise en oeuvre de l'invention, dans la zone 121 de la mémoire de travail 120 démarrant à l'adresse X. 25 Dans le mode de réalisation décrit ici, chaque enregistrement 112a, 112b, 112c comporte : • un champ TLi comportant la taille de l'enregistrement en octets ; • un champ d'adresse, comportant l'adresse X dans la mémoire de travail 120 à partir de laquelle les données Mi auraient dû être 30 enregistrées ; et • un champ comportant ces données Mi proprement dites. Dans le mode de réalisation décrit ici, le processeur 200 est adapté à transmettre au moins une partie de la table de sauvegarde 140' sur réception d'une requête à cet effet, par exemple sur le bus 500. En référence à la figure 2, nous allons maintenant décrire un procédé de gestion conforme à l'invention dans un mode préféré de réalisation. Nous supposerons que ce procédé est mis en oeuvre par le dispositif 1000 de la figure 1. On suppose que l'on se place à la fin de la personnalisation (étape [10) de ce dispositif, la personnalisation ayant notamment fixé : - la frontière configurable 113 entre la mémoire de travail 120 et le buffer de vieillissement 110 de la mémoire non volatile 100 ; et - la taille des tables d'usage 410 et de sauvegarde 410'. Dans l'exemple décrit ici, la table de sauvegarde 410' de la zone des informations système 111 du buffer de vieillissement 110 est initialisée à vide pendant la personnalisation (c'est-à-dire avec la valeur 0 dans chacun de ses registres). Nous supposerons que le dispositif 1000 est ensuite mis sous tension au cours d'une étape [15. Au cours d'une étape [20, le gestionnaire de mémoire 311, recopie le contenu de la table de sauvegarde 410' dans la table d'usage 410 de la mémoire vive 400. Cette opération ne génère pas de débordement, la table 410 étant de taille supérieure à la table 410'. Nous supposerons que le dispositif 1000 reçoit à l'étape E25 une commande conduisant ce dispositif 1000 à effectuer des opérations de lecture/écriture dans la mémoire non volatile 100. Cette commande peut par exemple être reçue sur le bus 500 d'entrée/sortie du processeur 200. L'opération de lecture/écriture peut aussi être effectuée à l'initiative du dispositif 1000. Dans le mode de réalisation décrit ici, le programme de gestion selon l'invention comporte une boucle constituée par les étapes E35 à [105 qui va maintenant être décrite, pour traiter chacune des opérations de lecture ou d'écriture dans la mémoire non volatile 100, suite à la commande reçue à l'étape [25. Dans le mode de réalisation décrit ici, cette boucle est mise en oeuvre conjointement par le gestionnaire de mémoire 311 et par le processeur 200. Nous supposerons que cette opération de lecture ou d'écriture est destinée à une zone 121 de la mémoire de travail 120, démarrant à l'adresse X. Au cours d'un test [40, le processeur 200 vérifie si la table d'usage 410 comporte au moins un enregistrement démarrant à cette adresse X, à savoir un enregistrement comportant l'adresse X dans son champ 411. Lorsque le résultat du test E40 est négatif, ce test est suivi par une étape E42 au cours de laquelle on initialise un compteur C avec la valeur 0, pour représenter le fait que la table 410 ne comporte pas encore d'enregistrement couvrant l'adresse X. Puis, au cours d'une étape [45, le gestionnaire de mémoire 311 réalise l'opération de lecture ou d'écriture à l'adresse X de la mémoire de travail 120. L'étape E45 est alors suivie par un test E50 au cours de laquelle le gestionnaire de mémoire 311 détermine si l'opération en cours de traitement est une opération de lecture ou une opération d'écriture. S'il s'agit d'une opération de lecture, le test E50 est suivi par une étape de réponse E55 au cours de laquelle le gestionnaire de mémoire 311 retourne les données lues et informe l'entité à l'origine de la commande reçue à l'étape E25 que l'opération de lecture a bien été effectuée. S'il s'agit d'une opération d'écriture, le test E50 est suivi par un test E58 au cours duquel le processeur 200 vérifie si le compteur C égale 0, ce qui signifie qu'un enregistrement doit être créé dans la table X. Si tel est le cas, le test E58 est suivi par un test E60 au cours duquel le processeur 200 détermine s'il existe au moins une ligne libre dans la table 410 de la mémoire vive 400. Si tel est le cas, le résultat du test E60 est positif, sinon il est négatif. Lorsque le résultat du test E60 est positif, ce test est suivi par une étape E65 au cours de laquelle le processeur 200 crée un enregistrement dans la table 410, avec les informations suivantes : • champ d'adresse 411 : adresse X de début de la zone 121 ; • champ longueur 412 : taille de la zone 121 ; • champ compteur 415 : 1 L'étape E65 de création d'enregistrement, ou le test E58 lorsque son résultat est négatif, ou le test E60 lorsque son résultat est négatif, est suivi par l'étape E55 de réponse déjà décrite au cours de laquelle le gestionnaire de mémoire 311 informe l'entité à l'origine de la commande reçue à l'étape E25 que l'opération d'écriture a bien été effectuée. Lorsque le résultat du test E40 est positif, ce test est suivi par une étape E67 au cours de laquelle le processeur 200 incrémente d'une unité le champ compteur 415 de l'enregistrement démarrant à l'adresse X. Nous supposerons que l'enregistrement concerné est celui de la L1ème ligne de la table d'usage 410, autrement dit qu'il porte le numéro L. L'étape E67 est suivie par un test E70 au cours duquel le gestionnaire de mémoire 311 vérifie si le numéro L de cet enregistrement est inférieur au nombre Y d'enregistrements qui peuvent être mémorisés dans la table de sauvegarde 410'. Si tel est le cas, le résultat du test E70 est positif, sinon il est négatif. Lorsque le résultat du test E70 est négatif, il est suivi par l'ensemble des étapes E45 à E65 déjà décrites. Lorsque le résultat du test E70 est positif, on considère que l'on est en train de traiter une opération de lecture/écriture sur un point chaud de la mémoire de travail 120 et on met en oeuvre un mécanisme de protection de ce point chaud en épargnant la zone 121 de la mémoire de travail 120 et en allant écrire/lire dans le buffer de vieillissement 110. Si l'opération concernée est une opération d'écriture, le test E70 est suivi, quand son résultat est positif, par un test [85, au cours de laquelle le gestionnaire de mémoire 311 détermine si le buffer de vieillissement 110 est plein. Si tel est le cas, le résultat du test E85 est positif, sinon il est négatif. Si le résultat du test E85 est négatif, le gestionnaire de mémoire 311 effectue, au cours d'une étape E90, l'opération d'écriture qui était destinée à la zone 121 d'adresse X de la mémoire de travail 120, dans le buffer de vieillissement 110, avec un mécanisme de gestion d'usure. Dans le mode de réalisation décrit ici, il crée pour cela un enregistrement 112i au début de la zone libre du buffer de vieillissement 110 avec : • un champ TL comportant la longueur de l'enregistrement ; • un champ d'adresse comportant l'adresse X de la zone 121 ; et • un champ comportant ces données proprement dites. L'étape E90 est suivie par l'étape E55 de réponse déjà décrite au cours de laquelle le gestionnaire de mémoire 311 informe l'entité à l'origine de la commande reçue à l'étape E25 que l'opération d'écriture a bien été effectuée. Dans le mode de réalisation décrit ici, lorsque le buffer de vieillissement 110 est plein (résultat du test E85 positif), on vide ce buffer 110, après avoir pris soin de recopier dans la mémoire de travail 120 (ou en RAM), le dernier des contenus M1, M2, M3 associé à chacun des enregistrements de la table 410. A cet effet, au cours d'une étape [100, le gestionnaire de mémoire 311 parcourt la table 410, et recopie, pour chaque enregistrement de cette table, le dernier contenu associé à cet enregistrement dans la mémoire de travail 120. Ainsi, dans l'exemple de la figure 1, lorsqu'en parcourant la table 410, le gestionnaire de mémoire 311 identifie l'enregistrement {X, 2, C}, il recherche dans le buffer de vieillissement 110 le dernier contenu correspondant à l'adresse X, obtient M3, et recopie ce contenu M3, d'une longueur de TL3 octets, à l'adresse X de la mémoire de travail 120, c'est- à-dire dans la zone 121 à laquelle ce contenu était destiné. Le gestionnaire de mémoire efface ensuite le contenu du buffer de vieillissement, au cours d'une étape [105, à l'exception de la zone 111 réservée aux informations système. Cette étape [105 est suivie par l'étape E90 déjà décrite dans laquelle le gestionnaire de mémoire créé un enregistrement 112 au début de la zone libre du buffer de vieillissement pour l'opération d'écriture X associée à la commande reçue à l'étape [25, puis rend compte de cette opération (étape E55) à l'entité à l'origine de cette commande. Si au cours du test E70 le gestionnaire de mémoire détermine que l'opération concernée est une opération de lecture, ce test E70 est suivi, quand son résultat est positif, par une étape [75, au cours de laquelle le gestionnaire de mémoire 311 lit, dans le buffer de vieillissement 110, le dernier contenu Mi associé à cette adresse X. Dans l'exemple de la figure 1, le dernier contenu correspondant à l'adresse X, est le contenu M3. Ce contenu est retourné à l'entité à l'origine de la commande reçue à l'étape [25, au cours de l'étape E55 de réponse déjà décrite. Dans tous les cas, l'étape E55 de réponse est suivie par l'étape E25 d'attente d'une nouvelle commande à traiter. Dans le mode de réalisation décrit ici, le procédé de gestion selon l'invention sauvegarde régulièrement les points chauds, à savoir les Y premiers enregistrements de la table d'usage 410, dans la table de sauvegarde 410'. Dans l'exemple de réalisation décrit, cette sauvegarde est réalisée au cours d'un processus de sauvegarde PS, mis en oeuvre à chaque fois qu'une commande d'écriture est reçue à l'étape E25 et qui va maintenant être décrit en référence à la figure 3. Dans cet exemple de réalisation, la zone 111 des informations systèmes comporte quatre registres, CPT_PWON, CPT_MAJ, CPT_W, 15 SEUIL_W, qui mémorisent respectivement : • le nombre de mises sous tension du dispositif 1000 ; • le nombre de sauvegarde déjà effectuées' ; • le nombre d'opérations d'écritures depuis la dernière sauvegarde ; • et le nombre d'opérations d'écritures devant être effectuées entre 20 deux sauvegardes consécutives. Lors de la personnalisation, les trois premiers compteurs CPT_PWON, CPT_MAJ, et CPT_W sont initialisés à 0 et le registre SEUIL_W est initialisé avec une constante, par exemple choisie entre 1000 et 100.000. 25 Le compteur CPT_PWON de mises sous tension est incrémenté à chaque mise sous tension (étape [15). Le processus de sauvegarde PS comporte une première étape E300 au cours de laquelle le processeur 200 incrémente le compteur CPT W d'écritures. 30 Dans le mode de réalisation décrit ici, le processus de sauvegarde comporte une étape E305 au cours de laquelle, le processeur 200 ajuste éventuellement le nombre SEUIL_W d'opérations d'écritures devant être effectuées entre deux sauvegardes consécutives, en fonction de la fréquence d'écritures dans la mémoire non volatile 100 et de la 35 fréquence de mises sous tension du dispositif 1000. L'homme du métier comprendra que ces fréquences peuvent être obtenues à partir du compteur de mises sous tension CPT_PWON, du nombre total d'écritures (cumul des compteurs CPT_W depuis la personnalisation) et du temps écoulé depuis la fin de cette personnalisation. Par exemple, si le dispositif 1000 est très fréquemment mis sous tension, il peut être préférable de diminuer le nombre SEUIL_W. Puis, au cours d'un test E310, le processeur 200 vérifie si le nombre d'écritures CPT_W depuis la dernière sauvegarde est supérieur à ce seuil SEUIL_W. Si tel est le cas le résultat du test E310 est positif et ce test est suivi par une étape E315, au cours de laquelle le processeur 200 tri la table d'usage 410 par ordre décroissant des compteurs. Cette étape permet de mettre à jour les points les plus chauds 15 dans les Y premiers enregistrements de la table d'usage 410. Puis au cours d'une étape E320, ces Y premiers enregistrements, sont sauvegardés dans la table de sauvegarde 410'. Le compteur CPT_W est ensuite réinitialisé au cours d'une étape E325. REVENDICATIONS1. Procédé de gestion des opérations d'accès à une mémoire non volatile réinscriptible (100) d'un dispositif (1000), ce procédé comportant: - une étape ([40) de détermination, à partir d'une table d'usage, (410), d'au moins un point chaud (121) de ladite mémoire non volatile ; - une étape (E35) de détection d'au moins une opération visant à accéder audit point chaud (121) ainsi déterminé ; - une étape de réalisation de ladite opération (E75, E90) dans une zone (112i) d'une mémoire non volatile réinscriptible (111) dite � de vieillissement �, ladite zone étant déterminée ([90) par un mécanisme de répartition d'usage ; ledit procédé étant caractérisé en ce que ladite table d'usage (410) est mémorisée dans une mémoire vive ou dans une mémoire à accès rapide (400). 2. Procédé de gestion selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une étape (E320) de sauvegarde d'au moins une partie de ladite table d'usage (410) dans une table de sauvegarde (410') mémorisée dans d'une mémoire non volatile réinscriptible (111) dudit dispositif (1000). 3. Procédé de gestion selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite étape (E320) de sauvegarde est effectuée lorsqu'un nombre d'accès (CPT_W) à au moins un desdits point chaud (121) dépasse un seuil prédéterminé (NB_W) ajusté (E305) dynamiquement en fonction d'une fréquence de mises sous tension dudit dispositif (1000). 4. Procédé de gestion selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite zone (112i) de la mémoire de vieillissement (111) est choisie cycliquement dans un buffer réservé à cet effet.35 5. Procédé de gestion selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que ladite table de sauvegarde (410') est de taille inférieure à ladite table d'usage (410) et en ce que, au cours de ladite étape de sauvegarde (E320), on sauvegarde dans ladite table de sauvegarde (410'), les enregistrements de ladite table d'usage (410) correspondants aux points les plus chauds. 6. Programme d'ordinateur comportant des instructions pour l'exécution des étapes du procédé de gestion selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 lorsque ledit programme est exécuté par un ordinateur. 7. Support d'enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d'ordinateur comprenant des instructions pour l'exécution des étapes du procédé de gestion selon l'une quelconque des revendications 1 à 5. 8. Dispositif (1000) comportant : - une mémoire non volatile réinscriptible (100) ; - des moyens (311) de détermination, à partir d'une table d'usage (410), d'au moins un point chaud (121) de ladite mémoire non volatile ; - des moyens (311) de détection d'au moins une opération visant à accéder audit point chaud (121) ainsi déterminé ; - des moyens (311) de réalisation de ladite opération (E75, E90) dans une zone (112i) d'une mémoire non volatile réinscriptible (111) dite � de vieillissement �, ladite zone étant déterminée ([90) par des moyens (200) de mise en oeuvre d'un mécanisme de répartition d'usage ; ledit dispositif étant caractérisé en ce que ladite table (410) est mémorisée dans une mémoire vive (400) ou dans une mémoire à accès rapide (400). 30 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (200) de sauvegarde d'au moins une partie de ladite table d'usage (410) dans une table de sauvegarde (410') mémorisée dans une mémoire non volatile réinscriptible (111) dudit dispositif (1000). 35 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (200) pour compter les accès audit au moins un point chaud et en ce que lesdits moyens (200) de sauvegarde effectuent ladite sauvegarde lorsqu'un nombre d'accès (CPT_W) à au moins un desdits point chaud (121) dépasse un seuil prédéterminé (NB_W) ajusté (E305) dynamiquement en fonction d'une fréquence de mises sous tension dudit dispositif (1000). 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (311) pour choisir ladite zone (112i) de la mémoire de vieillissement (111) de façon cyclique dans un buffer réservé à cet effet. 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que ladite table de sauvegarde (410') est de taille inférieure à ladite table d'usage (410) et en ce que lesdits moyens de sauvegarde (200) sauvegardent ([320), dans ladite table de sauvegarde (410, les enregistrements de ladite table d'usage (410) correspondants aux points les plus chauds. 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (200) pour transmettre au moins une partie de ladite table de sauvegarde (140') sur réception d'une requête. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, caractérisé en ce qu'il est constitué par une carte à microcircuit, telle une carte SIM ou par une clef USB.25