Brevet FR2944910A1 — publié le 20101029

Dispositif de mémorisation magnétique à vortex La présente invention concerne un dispositif de mémorisation magné-tique à vortex. Elle trouve une application dans les technologies de l'information, notamment dans la réalisation de points mémoire et de mémoire non-volatiles de type MRAM (� Magnetic Random Access Memory � pour mémoire magnétique à accès aléatoire) visant à remplacer les mémoires volatiles à accès aléatoire basés sur les dispositifs à semiconducteurs. De façon connue, l'état vortex est la configuration magnétique de plus basse énergie pour l'aimantation d'une nanostructure (typiquement un nanodisque) à rémanence. Nous utiliserons dans toute la suite de la description indifféremment le terme de plaquette ou � platelet � (couramment utilisée dans la terminologie anglo-saxonne) pour désigner la forme de la cellule mémoire correspondant en fait à tout nano-objet élémentaire magnétique dans un état vortex. Les conditions de présence d'un état vortex d'une cellule ont déjà été décrites, notamment dans le document � Single-Domain Circular Nanomagnets � (Coburn et al. û Physical Review Letters û Volume 83, Number 5, 2 Août 1999). Une cellule dans un état vortex possède une configuration magnétique spatialement inhomogène (i.e. l'aimantation a une orientation différente selon le point où l'on se trouve à l'intérieur de la cellule). La figure 1 illustre l'orientation de l'aimantation sur une cellule C dans un état vortex, la cellule ayant par exemple la forme d'un nano-disque. On constate que l'aimantation (les vecteurs d'aimantation sont représentés par des flèches) se trouve dans le plan de la cellule et tourne soit dans le sens horaire soit dans le sens contra-horaire (le sens horaire est ici représenté). L'aimantation de la cellule apparaît spontanément (i.e. sans champ extérieur), le comportement circulaire de l'aimantation s'expliquant par la minimisation spontanée du champ de fuite. Il existe donc une première dégénérescence de l'aimantation d'une cellule dans un état vortex appelée chiralité dont le signe c=-1 dépend du sens dans lequel tourne l'aimantation dans le plan. On observe par ailleurs une singularité au centre de la cellule (dans une zone V appelée � coeur de vortex �) dans laquelle l'aimantation ne peut plus tourner. Cette zone centrale V (ayant un diamètre de quelques nanomètres) possède des dimensions qui sont sensiblement égales à la longueur caractéristique d'échange Lex (i.e. environ 5 nm) qui définit la longueur minimale au-dessous de laquelle l'aimantation ne peut plus varier. Comme l'aimantation ne peut pas varier au sein du coeur de vortex V, elle va avoir tendance à sortir perpendiculairement au plan de la cellule vers le haut (on dira que l'aimantation ou polarité du coeur p est égale à +1) ou vers le bas (on dira alors que l'aimantation ou polarité du coeur p est égale à -1). On constate donc une seconde dégénérescence de la cellule à l'état vortex se- Ion que le coeur de vortex a une aimantation perpendiculaire au plan de la cellule vers le haut (p=+1) ou vers le bas (p=-1). On connaît des dispositifs de mémorisation magnétique de type MRAM utilisant un ensemble des points mémoires à l'état vortex. Le document US7072208 décrit un tel dispositif MRAM comportant une jonction tun- nel magnétique incluant une couche libre et une couche de référence séparées par une barrière tunnel, chacune des deux couches étant dans un état vortex. Selon ce dispositif, on utilise la chiralité c de l'aimantation tournante (fixe dans le cas de la couche de référence et variable dans le sens horaire et antihoraire dans le cas de la couche libre) pour mesurer la variation de résistance et déterminer une information binaire � 0 � ou � 1 �. Le change-ment d'orientation de l'aimantation (horaire versus antihoraire) se fait en appliquant un champ statique de forte amplitude. Un tel dispositif est toutefois assez complexe à obtenir et nécessite la présence d'une couche de référence permettant de mesurer la résistance de la jonction tunnel magnétique. Il nécessite en outre beaucoup d'énergie pour la phase d'écriture et le retournement de la chiralité de l'aimantation. Le document � Polarization Selective Magnetic Vortex Dynamics and Core Reversai in Rotating Magnetic Fields � (Curcic et al. û Physical Review Letters, 2008, 101, 197204) décrit un procédé permettant de retourner sé- lectivement à champ magnétique nul (ou rémanence) l'aimantation du coeur de vortex en utilisant un champ magnétique oscillant à une fréquence de résonance à polarisation circulaire droite ou gauche, ce champ étant parallèle au plan de la cellule. La réponse du coeur de vortex à cette oscillation cor- respond à un mouvement circulaire (mouvement gyrotropique) du coeur de vortex autour de sa position d'équilibre, le coeur de vortex (assimilable à un ressort) possédant une constante de raideur relativement faible. Les deux polarités du coeur possèdent chacune un sens de gyration particulier de sorte qu'il convient d'appliquer un champ à polarisation circulaire dans un sens ou dans l'autre selon que la polarité est vers le haut ou vers le bas ; on notera que le sens de rotation est indépendant de la chiralité de l'aimantation autour du coeur et dépend uniquement de la polarité du coeur. Lorsque le rayon de gyration augmente, la vitesse de déplacement du coeur augmente également jusqu'à atteindre une vitesse critique entraînant le retournement de l'aimantation du coeur de vortex. Une fois que la polarité du coeur est retournée, elle revient à sa position d'équilibre centrale. Ce procédé pose cependant certains problèmes dans la mesure où il nécessite la génération d'un champ à polarisation circulaire extrêmement difficile à réaliser. Dans ce contexte, la présente invention a pour but de fournir un dis-positif magnétique comportant un réseau de cellules à l'état vortex ne nécessitant pas la génération d'un champ à polarisation circulaire et permet-tant de diminuer de façon significative la consommation en énergie dans la phase d'écriture où il est nécessaire d'utiliser une excitation pour changer l'état de la cellule. A cette fin, l'invention propose un dispositif magnétique de mémorisation comportant un réseau de cellules magnétiques planes disposées sur un substrat, les dimensions de chaque cellule magnétique étant choisies de sorte que la cellule soit dans un état vortex, le coeur de vortex de chaque cellule ayant une aimantation possédant une première et une deuxième position d'équilibre de direction opposée et sensiblement perpendiculaire au plan de ladite cellule, chacune desdites deux positions représentant une in-formation binaire, ledit dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'écriture des informations binaires stockées sur les cellules, lesdits moyens d'écriture incluant des moyens pour appliquer sélectivement et de manière simultanée au voisinage de chaque cellule : - un premier champ magnétique statique (noté par la suite HE) de polarisation sensiblement perpendiculaire au plan de ladite cellule ; - un champ magnétique radiofréquence (ou rf) à polarisation linéaire et sensiblement orienté parallèlement au plan de ladite cellule, de sorte que : - l'application simultanée dudit premier champ magnétique statique HE et dudit champ magnétique radiofréquence à une première fréquence sur la cellule sélectionnée entraîne : o la commutation de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la première position d'équilibre vers la deuxième position d'équilibre sous l'effet d'un mouvement cir- culaire du coeur autour de ladite première position d'équilibre entraînant le retournement de l'aimantation ; o le maintien de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la deuxième position d'équilibre ; - l'application simultanée dudit premier champ magnétique statique HE et dudit champ magnétique radiofréquence à une deuxième fréquence différente de ladite première fréquence sur la cellule sélectionnée entraîne : o la commutation de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la deuxième position d'équilibre vers la première position d'équilibre sous l'effet d'un mouvement circulaire dudit coeur autour de ladite deuxième position d'équilibre entraînant le retournement de l'aimantation ; o le maintien de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la première position d'équilibre. Grâce à l'invention, on utilise la levée de dégénérescence liée à la polarité du coeur de vortex, volontairement créée et contrôlée à la fois par un champ magnétique statique de polarisation et par la forme géométrique de la cellule entraînant l'état vortex. On utilise ainsi un champ magnétique radiofréquence planaire à pola- risation linéaire qui inclut donc à la fois une polarisation circulaire droite et une polarisation circulaire gauche et on ajoute à ce champ radio fréquence (parallèle au plan de la cellule) et un champ magnétique statique perpendiculaire. La présence de ce champ statique permet d'obtenir deux fréquences de résonance différentes selon que l'on cherche à retourner la polarité du coeur de vortex du bas vers le haut ou du haut vers le bas. En s'appuyant sur le phénomène de résonance pour amplifier la réponse à l'excitation, la fréquence nécessaire pour atteindre la vitesse de rotation seuil du coeur de vortex au-delà de laquelle sa polarité se retourne est différente selon que la polarité est initialement vers le haut ou vers le bas. Notons que dans le cas particulier de la rémanence (où le champ statique est nul), l'emploi d'un champ micro-onde de polarité linéaire seul (i.e. contenant les deux polarisations circulaires) ne résoudrait pas le problème puisqu'alors de multiples renversements de polarité seraient observés, nécessitant un timing très précis du pulse micro-onde d'écriture. En effet, à champ statique nul, l'aimantation du coeur de vortex tournerait, par couplage avec l'une des deux polarisations circulaires du champ radiofréquence à polarisation linéaire, à quasi la même fréquence (par exemple dans le sens horaire pour l'aimantation vers le haut et dans le sens trigonométrique pour l'aimantation vers le bas) jusqu'à son retournement ; une fois retournée, on risquerait de retourner à nouveau l'autre polarité qui se couplerait avec l'autre polarisation circulaire également incluse dans la polarisation linéaire du champ radiofréquence : on obtiendrait dès lors un état aléatoire sans maîtriser l'état d'aimantation du coeur de vortex, à défaut de contrôler très précisément l'amplitude, la durée et la forme du pulse radiofréquence en fonction de la géométrie exacte de chaque cellule. En rajoutant la composante statique du champ, on introduit une discrimination de fréquence de sorte que la première polarité (par exemple p=+1) tourne plus vite que la deuxième polarité (par exemple p=-1) ; ainsi, la fréquence de résonance du champ magnétique radiofréquence nécessaire pour retourner l'aimantation du coeur du bas vers le haut est différente de la fréquence de résonance nécessaire pour retourner l'aimantation du coeur du haut vers le bas. L'intérêt d'un tel dispositif est qu'il permet de maîtriser de façon sélective en fréquence l'écriture d'une in- formation dans une cellule (typiquement une première polarité p=+1 représentant un � 1 � binaire et une deuxième polarité p=-1 représentant un � 0 � binaire). Le retournement de l'aimantation s'appuyant sur un phénomène résonant, il n'est pas nécessaire d'appliquer un champ magnétique radiofré- quence de forte intensité pour atteindre la vitesse critique permettant le retournement du coeur de vortex. L'effet bras de levier du phénomène résonant est d'autant plus important que la largeur de la raie de résonance est étroite ce qui peut être obtenue par l'usage de matériaux ayant un très faible amortissement magnétique. D'autre part l'étroitesse de la largeur de raie augmente la sélectivité comme nous allons le voir ci-dessous. Nous notons aussi qu'aux puissances requises pour le retournement de p, les processus non-linéaires dominent. Ils impliquent un décalage (de l'ordre de grandeur de la largeur de raie) vers les basses fréquences de la fréquence optimum d'écriture par rapport à la fréquence de résonance nominale. Le fait d'utiliser un champ radiofréquence de polarisation linéaire permet d'inclure les deux polarisations circulaires sans avoir à générer un champ circulaire droit et gauche difficile à obtenir. Une fois que l'aimantation du coeur est retournée grâce à une des deux composantes circulaires du champ linéaire à la bonne fréquence de résonance, l'autre composante circulaire du champ magnétique linéaire va se coupler très faiblement au vortex car comme la fréquence n'est pas égale à la fréquence de résonance nécessaire à la mise en rotation du vortex, le coeur de vortex va rester quasiment immobile ; dès lors, si on veut à nouveau changer la polarité du coeur, il conviendra de modifier la fréquence du champ radiofréquence pour être à la bonne fréquence de ré- sonance entraînant la gyration. Le dispositif selon l'invention peut également présenter une ou plu-sieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : - le dispositif selon l'invention comporte des moyens de lecture des in-formations binaires stockées sur les cellules, lesdits moyens de lecture incluant : o des moyens pour appliquer simultanément au voisinage de la cellule à lire : • un second champ magnétique statique de polarisation (noté par la suite HL) sensiblement perpendiculaire au plan de ladite cellule ; • un champ magnétique radiofréquence à polarisation linéaire et sensiblement orienté parallèlement au plan de ladite cellule ; de sorte que lorsque la fréquence dudit champ magnétique radiofréquence 5 est égale à une troisième fréquence, l'application simultanée dudit second champ magnétique statique et dudit champ magnétique radiofréquence sur la cellule sélectionnée entraîne : ^ une absorption de la puissance radiofréquence par la cellule correspondant à l'excitation d'un mouvement circulaire dudit coeur de vortex se trouvant dans la première position d'équilibre autour de ladite première position d'équilibre, cette absorption rf entraînant un échauffement local sans entraîner le retournement de l'aimantation ; ^ le maintien de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la deuxième position d'équilibre ; o des moyens pour faire circuler sélectivement dans la cellule à lire un courant de lecture ; 20 - pour être sélectif en fréquence, l'amplitude (on sous-entend la valeur absolue) du champ magnétique statique de polarisation sensiblement perpendiculaire H dudit premier (HE phase écriture) et dudit second (HL phase lecture) champ magnétique statique est telle que : Hmin Chaque cellule 4 est un nano-disque de type plaquette ou � platelet � à l'état vortex. On notera que la forme de la cellule 4 est ici celle d'un disque mais il est également possible de prendre une cellule présentant une autre forme (par exemple elliptique ou parallélépipédique) dès lors que l'état vortex est présent. Comme nous l'avons déjà mentionné dans la partie intro- ductive, l'état vortex est la configuration magnétique de plus basse énergie pour l'aimantation d'une nanostructure à rémanence. Une cellule dans un état vortex possède une configuration magnétique spatialement inhomogène (i.e. l'aimantation a une orientation différente selon le point où l'on se trouve à l'intérieur de la cellule). Comme illustré en figure 1, l'orientation de l'aimantation sur une cellule C dans un état vortex se trouve dans le plan de la cellule et tourne soit dans le sens horaire soit dans le sens contra-horaire (le sens horaire est ici représenté). L'aimantation de la cellule apparaît spontanément (i.e. sans champ extérieur), le comportement circulaire de l'aimantation s'expliquant par la minimisation spontanée du champ de fuite. Il existe une donc une première dégénérescence de l'aimantation d'une cellule dans un état vortex selon que l'aimantation tourne dans un sens ou dans l'autre. On observe par ailleurs une singularité au centre de la cellule (dans une zone V appelée � coeur de vortex �) dans laquelle l'aimantation ne peut plus tourner. Cette zone centrale V (ayant un diamètre de quelques nanomètres) possède des dimensions qui sont sensiblement égales à la longueur caractéristique d'échange Lex (i.e. environ 5 nm) qui définit la longueur minimale au-dessous de laquelle l'aimantation ne peut plus varier. Comme l'aimantation ne peut pas varier au sein du coeur de vortex V, elle va avoir tendance à sortir perpendiculairement au plan de la cellule vers le haut (on dira que l'aimantation ou polarité du coeur p est égale à 1) ou vers le bas (on dira alors que l'aimantation ou polarité du coeur p est égale à -1). On constate donc une seconde dégénérescence de la cellule à l'état vortex selon que le coeur de vortex a une aimantation perpendiculaire au plan de la cellule vers le haut (p=+1) ou vers le bas (p=-1). Ces deux états p=+1 et p=-1 sont deux états très stables vis à vis d'un champ statique perpendiculaire permettant notamment la réalisation de points mémoires non volatiles, l'une des deux polarités p correspondant à l'information binaire � 1 � et l'autre po- larité p correspondant à l'information binaire � 0 �. L'amplitude Hmax typique du champ statique perpendiculaire au substrat 2 pour retourner la polarisation est de l'ordre de 3000 Oe, ce qui représente une barrière d'énergie de l'ordre de 400 fois l'énergie des fluctuations thermiques à la température ambiante. On notera que l'application d'un champ statique extérieur planaire de l'ordre de quelques centaines d'Oersted peut être suffisante pour éjecter le coeur de vortex de la plaquette. Un dispositif simple d'écrantage par un film de Permalloy (ou tout autre matériau à forte perméabilité) permet de s'en affranchir. Cet écran permet aussi de se protéger des ondes électromagnétiques extérieures parasites. Les conditions sur les dimensions de la cellule pour que cette dernière soit dans un état vortex impliquent que l'épaisseur de la cellule soit supérieure à la longueur d'échange et que le rayon (le petit rayon dans le cas d'une forme elliptique) de la cellule soit supérieur à deux fois l'épaisseur de la cellule. Selon un mode préférentiel de l'invention, le diamètre de chacune des cellules est compris entre 10 nm et 1.0 �m et leur épaisseur t est comprise entre 3 nm et 100 nm. Par ailleurs, le rapport d'aspect R=t/R est inférieur ou égal à 2. A titre d'exemple illustratif et nullement limitatif, les cellules mémoires 4 étudiées ici sont des nano-disques d'épaisseur t = 50 nm et de rayon R = 50 nm, soit un rapport d'aspect R ici égal à 1. Les cellules 4 sont réalisées en NiMnSb (alliage d'Heusler) qui est matériau magnétique doux présentant de faibles pertes magnétiques et un faible coefficient a d'amortissement magnétique de Gilbert compris entre 0.001 et 0.003. Ces cellules 4 sont par exemple obtenues par croissance épitaxiale par jet moléculaire ou MBE (� Molecular Beam Epitaxy � en anglais) sur le substrat 2 (typiquement un substrat InP(001)). Chaque rangée horizontale de cellules 4 est disposée sur une même troisième ligne conductrice 9, lesdites troisièmes lignes étant disposée horizontalement sur le substrat 2 et parallèlement entre elles. L'aimant permanent 3 est disposé sous le substrat 2 et est réalisé par exemple sous la forme d'un cylindre de CoSm de diamètre 1 cm et d'épaisseur 5 mm produisant un champ magnétique statique HL uniforme d'approximativement 600 Oe perpendiculairement au plan du substrat. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée à cette géométrie et l'aimant permanent 3 peut être disposé autrement. À titre d'exemple un second mode de réalisa- tion d'un dispositif magnétique selon l'invention serait identique au dispositif 1 de la figure 2, la seule différence résidant dans le fait qu'il ne comporte pas d'aimant permanent inférieur et que cet aimant permanent est remplacé par une pluralité de paires de lignes composées de matériau à aimantation perpendiculaire utilisées pour créer un champ permanent de polarisation. Chaque paire de lignes coïncidant avec une paire de lignes 8a et 8b, les lignes étant isolées électriquement par une couche isolante. Les autres moyens formant le dispositif serait identiques aux moyens décrits dans l'invention en référence à la figure 2. Chacune des cellules 4 est en contact sur sa partie plane supérieure avec un cône 7 de lecture correspondant. Chaque cône 7 assure un contact électrique de la cellule 4 correspondante avec la deuxième ligne 6 située au-dessus. On trouve au-dessus de la deuxième ligne 6 une première ligne conductrice 5. Pour chaque cellule 4, la projection, dans le plan de la cellule 4, de la troisième ligne 9 située au-dessous de la cellule 4 et des deuxième 6 et première 5 lignes situées au-dessus de la cellule 4 donne trois lignes sécantes se coupant sensiblement au niveau de la cellule. Chaque première ligne 5 est par exemple une ligne de 300 nm d'épaisseur en Au. Ces premières lignes conductrices 5 disposées parallè- lement entre elles selon un premier niveau de métallisation sont par exemple obtenues par évaporation sur une couche de protection 10 (non représentée sur la figure 2) de 50 nm d'épaisseur en Si3N4. Comme nous l'avons déjà mentionné, le dispositif 1 selon l'invention comporte en outre une pluralité de paires de lignes conductrices 8a et 8b ondulées déposées sur le substrat 2 selon un troisième niveau de métallisation. L'ondulation de deux lignes 8a et 8b permet de venir épouser la forme de cellule 4 (i.e. les deux lignes 8a et 8b s'éloignent au niveau de la cellule située entre les deux lignes puis se rapprochent). Ces lignes conductrices ondulées 8a et 8b sont par exemple des bandes en Au de 50 nm d'épaisseur, la distance d séparant la ligne 8a (resp. 8b) de la cellule 4 qu'elle entoure étant par exemple égale à 100 nm. Nous allons décrire, en référence à la figure 4, le procédé permettant de lire l'état d'équilibre d'une cellule 4L identifiée (entourée sur la figure) du dispositif 1 selon l'invention. On entend par lecture de l'état d'équilibre le fait de déterminer si le coeur de vortex de la cellule 4L entourée a une aimantation perpendiculaire au plan de la cellule vers le haut (p=+1) ou vers le bas (p=-1). L'aimant permanent 3 permet de créer un champ magnétique statique de polarisation HL perpendiculaire au plan de la cellule 4L. La présence de ce champ statique HL permet de lever la dégénérescence du mouvement gyroscopique du coeur de vortex en obtenant deux fréquences de résonance différentes fL,p=+1 et fL,p=_1 entraînant respectivement la gyration du coeur de vortex selon que sa polarité p est égale à 1 ou -1. L'amplitude du champ statique HL doit être suffisamment importante pour que la différence fL,p=+1 - fL,p=-1 soit supérieure strictement à Af qui constitue la largeur de raie intrinsèque de la cellule 4L à l'état vortex. Cette lar- geur de raie intrinsèque Af est typiquement égale à 10 MHz. Cette condition est illustrée sur la figure 5 qui représente l'évolution des fréquences de gyration du coeur de vortex en MHz fp=+1 et fp=_1 en fonction de l'amplitude du champ statique perpendiculaire en kOe appliquée à la cellule lue. On observe que, dès qu'on applique un champ statique de faible amplitude, les deux fréquences sont séparées l'une de l'autre et évoluent sensiblement linéairement. La largeur de raie intrinsèque Af est représentée par des traits hachurés denses pour la fréquence fL,p=_1 et par des pointillés denses pour la fréquence fL,p=+1. A titre purement illustratif, la figure 5 montre que, pour un champ statique d'amplitude HL = 100 Oe, on a bien deux fréquences fL,1 et fL,_1 dont la différence est largement supérieure à Af. Le choix d'un champ statique perpendiculaire approprié permet donc de rendre la gyration du coeur de vortex sélective en fréquence. Le fait d'avoir une amplitude du champ statique HL telle que la diffé- rence fL,p=+1 - fL,p=-1 > Af peut se traduire par l'inégalité : HL > Hmin = aHs où Hs désigne le champ magnétique de saturation de la cellule à l'état vortex et a désigne le coefficient d'amortissement magnétique de Gilbert. Dans le cas de l'exemple illustratif utilisant du NiMnSb pour la cellule magnétique, Hmin est sensiblement égal à 30 Oe. Il est bien entendu important dans le dispositif selon l'invention que, pour des raisons d'augmentation de l'efficacité et de minimisation des consommations en énergie à la fois pour la phase d'écriture et de lecture, a soit le plus petit possible. A titre illustratif et non exhaustif, des techniques permettant de ré- duire a peuvent consister à choisir des matériaux composant la cellule avec des coefficient a faible, à utiliser des couches minces épitaxiées, à réaliser des interfaces très planes, à utiliser des matériaux ayant une grande longueur de diffusion de spin de part et d'autre des interfaces (e.g. Cu, Al, Ag), de même qu'une épaisseur de la plaquette qui ne soit pas trop fine. Il convient également que l'amplitude du champ statique H reste inférieure à l'amplitude Hmax du champ statique qui entrainerait le retournement de la polarité du coeur de vortex. Cette valeur Hmax dépend faiblement du rapport d'aspect et de la valeur de Hs. Dans le cas de l'exemple illustratif utilisé, soit un disque de NiMnSb ayant un rapport d'aspect 13=1, Hmax est sensiblement égal à 3000 Oe. On injecte dans la première ligne 5L se trouvant au-dessus de la cellule 4L à lire un courant radiofréquence iL,rf à l'une des deux fréquences fL,p=+1 ou fL,p=_1. Nous ferons l'hypothèse dans ce qui suit que la fréquence de iL,rf est ici égale à fL,p=+1. Ce courant iL,rf va générer sous la première ligne 5L un champ magnétique dynamique à polarisation linéaire et orienté suivant un plan parallèle au plan de la cellule à lire 4L. Le fait d'utiliser un champ radiofréquence de polarisation linéaire permet d'inclure les deux polarisations circulaires droite et gauche. Supposons que la polarité p du coeur de vortex de la cellule 4L soit égale à 1 ; dans ce cas, comme la fréquence de polarisation du champ dy- namique est égale à fL,p=+1, le coeur de vortex va se mettre à tourner en se couplant à l'une des deux polarisations circulaires. La rotation du coeur de vortex va entraîner un réchauffement local de la zone centrale 11 sensible-ment cylindrique de la cellule (telle que représentée en figure 3), dont le diamètre est approximativement le diamètre de gyration du coeur de vortex. Il convient bien entendu de choisir le courant iL,rf de sorte que la puissance du champ dynamique n'entraîne pas le retournement de la polarité de la cellule que l'on cherche à lire. La lecture se fait ensuite en injectant dans la cellule 4L un courant continu i, via la deuxième ligne 6L située au-dessus de la cellule 4L. Le cou- rant passe par le cône 7L situé au-dessus de la cellule 4L puis par la cellule 4L puis enfin par la troisième ligne 9L disposée sous la cellule 4L ; ce cône 7L va permettre de concentrer le courant i, uniquement dans la région 11 qui chauffe. Le réchauffement local se traduit par une augmentation de la résistance de la cellule 4L. Bien entendu, si la polarité p du coeur de vortex de la cellule 4L est égale à -1, le coeur de vortex ne va quasiment pas tourner puisque la fréquence de polarisation du champ dynamique est égale à fL,p=+1. On notera qu'il est également possible de rajouter une interface (par exemple en oxyde vanadium) dont la résistance est très sensible à la tempé- rature entre le cône 7L et la deuxième ligne 6L. Selon ce procédé de lecture, on fait d'abord chauffer (sans retourner la polarité) toutes les cellules situées sous la première ligne 5L parcourue par iL,rf et dont l'état d'équilibre est p=+1 (pour une fréquence fL,p=+1 du champ dynamique) puis on lit individuellement la valeur de la résistance de chaque cellule pour connaitre son état d'équilibre. On notera également que l'on peut utiliser indifféremment l'une ou l'autre des fréquences fL,p_+1 ou fL,p=_lpour la lecture de l'information dans une cellule. En résumé, le dispositif 1 selon l'invention comporte des moyens de lecture de la polarité préférentiellement résonant basés sur une mesure sélective de transport entre deux lignes croisées 6 et 9 en guidant les lignes de courant à travers le coeur de vortex au moyen d'un contact en pointe 7. On notera aussi que la lecture peut se faire par tout autre procédé pouvant faire une discrimination locale de la polarité p=+1 ou p=-1 introduite par le champ statique HL. On citera à titre d'exemple l'utilisation de la magnétorésistance géante en intercalant une couche ferromagnétique entre la couche 6 et la couche 7 du cône. Une forme d'implémentation est l'utilisa- tion de l'effet diode qui est le mixage entre un courant radiofréquence perpendiculaire empruntant le chemin parcouru par IL,rf - entre la ligne 6 et le contact 9 - et les oscillations de résistance due à l'excitation du mode gyrotropique. Il convient dans ce cas que la couche magnétique intercalée entre 6 et 7 ait une aimantation dans le plan. Une autre forme d'implémentation plus directe de la détection de la polarité p serait que la couche magnétique intercalée entre 6 et 7 ait une aimantation hors du plan fixe. Dans ce dernier cas, la chute de potentiel aux bornes du contact est directement reliée à p. Nous allons décrire, en référence à la figure 6, le mécanisme per- mettant d'écrire l'état d'équilibre d'une cellule 4E identifiée (entourée sur la figure) du dispositif 1 selon l'invention. On entend par écriture de l'état d'équilibre le fait de maîtriser l'orientation d'un état d'équilibre p=+1 ou p=-1 dans la cellule 4E, chacun des deux étant très stables et permettant notamment la réalisation de points mémoires non volatiles, l'une des deux polari- tés p correspondant à l'information binaire � 1 � et l'autre polarité p corres- pondant à l'information binaire � 0 �. Comme nous l'avons mentionné en référence à la figure 4, le procédé de lecture permet de faire chauffer sans les retourner toutes les cellules se trouvant dans un même état d'équilibre (p=+1 ou p=-1) et se trouvant sous une même première ligne. On conçoit donc que, pour être sélectif au moment de l'écriture, il convient de rajouter localement (au voisinage de la cellule 4E sur laquelle on cherche à écrire une information) une composante Hoe au champ perpendiculaire statique HL qui va permettre de déplacer la fréquence de gyration uniquement au voisinage de la cellule sur laquelle on écrit. Pour ce faire, on utilise la paire de lignes 8aE et 8bE entourant la cellule 4E. On injecte un courant +ioe dans la ligne 8aE et un courant -ioe dans la ligne 8bE. La présence de ce champ statique HE perpendiculaire cumulant Hoe et HL au voisinage de la cellule 4E permet d'obtenir deux fréquences fE,p=+1 et fE,p=_1 différentes selon que l'on cherche respectivement à retourner la polarité du coeur de vortex de la cellule 4E du haut (p=+1) vers le bas (p=-1) ou du bas (p=-1) vers le haut (p=+1). Comme pour la lecture, l'amplitude du champ statique HE doit être suffisamment importante pour que la différence fE,p=+1 û fE,p=-1 soit supérieure strictement à AfE qui constitue la largeur de raie de la cellule 4L à l'état vortex en écriture. Cette largeur de raie AfE est généralement supérieure à la largeur de raie intrinsèque Af dans la mesure où les impulsions radiofré- quences iE,rf de courant d'écriture qui vont être utilisées sont de durée plus courte que les impulsions radiofréquences iL,rf utilisées pour la lecture. La valeur AfE est typiquement égale à 50 MHz pour des impulsions de courant de 50 ns. Ce phénomène est illustrée sur la figure 5 ; la largeur de raie en écri- ture AfE est représentée par des traits hachurés espacés pour la fréquence fp=_1 et par des pointillés peu denses pour la fréquence fp=+1. A titre purement illustratif, la figure 5 montre que, pour un champ statique HE d'amplitude 300 Oe, on a bien deux fréquences fE,1 et fE,_1 dont la différence est largement supérieure à AfE. Pour appliquer un champ HE = 300 Oe au niveau de la cel- Iule, il est nécessaire d'ajouter HOe = 200 Oe (champ d'Oersted) au champ HL= 100 Oe choisit précédemment. Ceci requière de faire passer un courant d'environ 12 mA dans la paire 8a et 8b pendant la séquence d'écriture. Il convient également que l'amplitude du champ statique HE (dit premier champ statique) reste inférieure à l'amplitude Hmax du champ statique qui entrainerait le retournement de la polarité du coeur de vortex. Une fois qu'un champ statique HE perpendiculaire cumulant Hoe et HL est présent au voisinage de la cellule 4E, on injecte, dans la première ligne 5E se trouvant au-dessus de la cellule 4E dans laquelle on cherche à écrire, un courant radiofréquence iE,rf à l'une des deux fréquences fE,p=+1 ou fE,p=_1 selon que l'on cherche à écrire un � 0 � (p=-1) ou un � 1 � (p=+1). Nous ferons l'hypothèse dans ce qui suit que l'on cherche à � écrire � la polarité du coeur de vortex à une valeur p=-1 ; en conséquence, la fréquence de iE,rf est ici égale à fE,p=+1. Ce courant iE,rf va générer sous la première ligne 5E un champ magnétique dynamique à polarisation linéaire et orienté suivant un plan parallèle au plan de la cellule 4E dans laquelle on cherche à écrire. Le fait d'utiliser un champ radiofréquence de polarisation linéaire permet d'inclure les deux polarisations circulaires droite et gauche. Supposons que la polarité p du coeur de vortex de la cellule 4E soit égale à +1 ; dans ce cas, comme la fréquence de polarisation du champ dynamique est égale à fE,p_+1, le coeur de vortex va se mettre à tourner en se couplant à l'une des deux polarisations circulaires. Lorsque le rayon de gyration augmente, la vitesse de déplacement du coeur augmente également jusqu'à atteindre une vitesse critique entraînant le retournement de l'aimantation du coeur de vortex. Une fois que la polarité du coeur est retour-née (p=-1), elle revient à sa position d'équilibre centrale car elle ne se couple plus au champ rf de fréquence fE,p=+1. On choisit bien entendu le courant iE,rf de sorte que la puissance du champ dynamique entraîne le retournement de la polarité de la cellule 4E. On vient donc de décrire la commutation de la polarité du coeur de p=+1 vers p=-1. Supposons maintenant que la polarité initiale p du coeur de vortex de la cellule 4E soit égale à -1 ; dans ce cas, le coeur de vortex ne va quasiment pas tourner puisque la fréquence de polarisation du champ dynamique est égale à fE,p=+1 ; dès lors, la polarité du coeur de vortex va rester égale à -1. On constate donc que la présence du champ dynamique à la fréquence fE,p=+1 (à polarisation linéaire et orienté parallèlement au plan de la cellule 4E) entraîne de facto l'écriture de p=-1 dans la cellule 4E. Afin d'optimiser la consommation en énergie pendant la séquence d'écriture, il convient préférentiellement de n'appliquer le courant dans la paire 8a 8b que pendant la durée de l'impulsion de courant radiofréquence. Il existe un optimum quant à la longueur, l'amplitude, la fréquence et la forme de l'impulsion rf envoyée dans la ligne 5E. Une apodisation de la forme du pulse ou l'utilisation d'un train de pulse sont des stratégies d'optimisation. On remarquera que la fréquence optimale du pulse se trouvera décalée vers les basses fréquences par rapport à la fréquence de résonance du mode gyrotropique en raison des effets non-linéaires qui affectent les excitations de puissance suffisante pour retourner le coeur de vortex. Un balayage de la fréquence pendant la séquence d'écriture par des pulses qui incorporent les effets non-linéaire permet aussi de gagner en efficacité. A contrario, la présence du champ dynamique à la fréquence fE,p=_ 1 différente de la fréquence fE,p=+1 (à polarisation linéaire et orienté parallèle- ment au plan de la cellule 4E) entraînera l'écriture de p=-1 dans la cellule 4E. En rajoutant la composante statique du champ HE perpendiculaire, on introduit une discrimination de fréquence de sorte que la première polarité (par exemple p=+1) tourne plus vite que la deuxième polarité (par exemple p=-1) ; ainsi, la fréquence de résonance du champ magnétique radiofréquence nécessaire pour retourner l'aimantation du coeur du bas vers le haut est différente de la fréquence de résonance nécessaire pour retourner l'aimantation du coeur du haut vers le bas. L'intérêt d'un tel dispositif est qu'il permet de maîtriser de façon sélective en fréquence l'écriture d'une in- formation dans une cellule. Il est important de noter qu'on ne peut écrire que dans la cellule 4E pour laquelle on cherche à écrire une information ; en d'autres termes, le risque d'écrire par mégarde dans des cellules situées autour de la cellule 4E est très faible pour plusieurs raisons : - les cellules qui ne sont pas sous la même première ligne 5E de courant ne sont pas soumises à un champ magnétique dynamique orienté parallèlement à leur plan ou d'amplitude suffisante pour se coupler dynamiquement à l'excitation rf ; - les cellules qui sont sous la même première ligne 5E de courant ne sont pas entourées par la paire de lignes 8aE et 8bE et la compo- sante statique Hoe créée par les lignes 8aE et 8bE va avoir tendance à se soustraire à HL au voisinage de ces cellules, éloignant leur fré- quence de fE,p=+1 et fE,p=_1 et rendant ces cellules très peu sensibles au champ dynamique. En référence à la figure 5, l'amplitude HE du champ statique est choisie pour correspondre exactement aux deux fréquences de résonance de gyration du coeur de vortex fE,1 et fE,_1. On peut toutefois également prendre une amplitude H, du champ statique inférieure à l'amplitude HE; dans ce cas, les fréquences utilisées fE,1 et fE,_1 ne sont plus exactement égales aux fréquences de résonance de gyration mais sont légèrement décalées. La première fréquence fE,1 est comprise entre la fréquence de résonance de gy- ration du coeur de vortex pour p=+1 et la somme de cette fréquence de résonance et de la demi-largeur de raie AfE/2. La deuxième fréquence fE,_1 est comprise entre la fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex pour p=-1 et la différence entre cette fréquence de résonance et la demi-largeur de raie AfE/2. Ces fréquences étant légèrement différentes des fré- quences de résonance de gyration, elles entraîneront moins efficacement la gyration du coeur de vortex. Il conviendra dès lors d'augmenter la puissance du courant radiofréquence injecté dans la première ligne. Néanmoins, le gain en énergie déposée pendant la séquence d'écriture peut être appréciable puisque le courant injecté dans les paires 8a et 8b s'en trouve diminué. Dans le cas où H, = 150 Oe, on voit qu'il est alors nécessaire de cumuler un champ HOe= 50 Oe au champ HL = 100 Oe. Cela nécessite d'injecter un courant de 3 mA dans la paire 8a et 8b, soit un gain en énergie d'un facteur 16 par rapport au champ HE utilisé précédemment. Il convient ici de noter que l'écart entre les fréquences p=+1 et p=-1 est directement proportionnel à la fois au champ statique perpendiculaire et à la géométrie de la plaquette. Puisque l'invention utilise un phénomène résonant cela pose des contraintes sur l'uniformité des cellules. L'uniformité du champ est facile à obtenir dans le cas de la solution préconisée où un aimant permanent macroscopique est placé derrière le substrat. La demande- resse a vérifié expérimentalement que la distribution de fréquences de résonance pour différents disques de diamètres nominaux identiques est technologiquement faible dans le cas de la lithographie électronique et n'excède pas la dizaine de MHz. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée au mode de réalisation qui vient d'être décrit. Notamment, dans le dispositif selon l'invention, on peut également envisager de remplacer une cellule par plusieurs cellules superposées de dimensions différentes et ayant des couples de fréquences de résonance d'écriture différentes en utilisant par exemple des disques de différents dia-mètres. Typiquement, pour deux cellules, on utiliserait deux fréquences pour écrire un � 0 � ou un � 1 � dans la première cellule et deux autres fréquences pour écrire un � 0 � ou un � 1 � dans une autre cellule superposée à la première. On obtient de la sorte un point mémoire permettant de coder une information sur deux bits. En outre, même si les paires de lignes permettant de créer la seconde composante du champ statique ont été décrites comme ayant une forme ondulée (afin de conserver la symétrie axiale de la cellule), on peut également envisager d'utiliser des paires de lignes droites. On peut aussi imaginer introduire volontairement des défauts d'accrochage du coeur qui permettraient d'augmenter les fréquences de résonance au-delà du cas homogène. Ces défauts pourraient aussi être utilisés à bon escient pour mieux contrôler l'homogénéité entre les caractéristiques des différentes cellules. REVENDICATIONS1. Dispositif (1) magnétique de mémorisation comportant un réseau de cellules (4) magnétiques planes disposées sur un substrat (2), les dimen- sions de chaque cellule (4) magnétique étant choisies de sorte que la cellule (4) soit dans un état vortex, le coeur de vortex de chaque cellule ayant une aimantation possédant une première et une deuxième position d'équilibre de direction opposée et sensiblement perpendiculaire au plan de ladite cellule (4), chacune desdites deux positions représentant une information binaire, ledit dispositif (1) étant caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (3, 5, 8a, 8b) d'écriture des informations binaires stockées sur les cellules, lesdits moyens (3, 5, 8a, 8b) d'écriture incluant des moyens pour appliquer sélectivement et de manière simultanée au voisinage de chaque cellule (4) : - un premier champ magnétique statique de polarisation sensiblement perpendiculaire au plan de ladite cellule (4) ; - un champ magnétique radiofréquence à polarisation linéaire et sensiblement orienté parallèlement au plan de ladite cellule (4) ; de sorte que : - l'application simultanée dudit premier champ magnétique statique et dudit champ magnétique radiofréquence à une première fréquence sur la cellule (4) sélectionnée entraîne : o la commutation de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la première position d'équilibre vers la deuxième position d'équilibre sous l'effet d'un mouvement cir- culaire du coeur autour de ladite première position d'équilibre entraînant le retournement de l'aimantation ; o le maintien de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la deuxième position d'équilibre ; - l'application simultanée dudit premier champ magnétique statique et dudit champ magnétique radiofréquence à une deuxième fréquence différente de ladite première fréquence sur la cellule (4) sélectionnée entraîne :o la commutation de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la deuxième position d'équilibre vers la première position d'équilibre sous l'effet d'un mouvement circulaire dudit coeur autour de ladite deuxième position d'équilibre entraînant le retournement de l'aimantation ; o le maintien de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la première position d'équilibre. 2. Dispositif (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (3, 5) de lecture des informations binaires stoc- kées sur les cellules (4), lesdits moyens (3, 5) de lecture incluant : des moyens pour appliquer simultanément au voisinage de la cel- lule (4) à lire : o un second champ magnétique statique de polarisation sensiblement perpendiculaire au plan de ladite cellule (4); o un champ magnétique radiofréquence à polarisation linéaire et sensiblement orienté parallèlement au plan de ladite cellule (4) ; de sorte que lorsque la fréquence dudit champ magnétique radiofréquence est égale à une troisième fréquence, l'application simultanée dudit second champ magnétique statique et dudit champ magnétique radiofréquence sur la cellule (4) sélectionnée entraîne : o une absorption de la puissance radiofréquence par ladite cellule (4) sélectionnée correspondant à l'excitation d'un mouvement circulaire dudit coeur de vortex se trouvant dans la première position d'équilibre autour de ladite première position d'équilibre, cette absorption radiofréquence entraînant un échauffement local sans entraîner le retournement de l'aimantation ; o le maintien de la direction d'aimantation dudit coeur de vortex se trouvant dans la deuxième position d'équilibre ; des moyens (6, 7, 9) pour faire circuler sélectivement dans la cellule à lire un courant de lecture. 30 3. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'amplitude H dudit premier champ magnétique statique et dudit second champ magnétique statique est telle que : Hmin 4. Dispositif (1) selon l'une des revendications 2 ou 3 caractérisé en ce que l'amplitude dudit premier champ statique est supérieur à l'amplitude dudit second champ statique. 5. Dispositif (1) selon l'une des revendications 2 à 4 caractérisé en ce que lesdits moyens (6, 7, 9) pour faire circuler sélectivement dans la cellule à lire un courant de lecture comportent une pointe (7) de lecture pour faire circuler le courant sensiblement à travers la région autour du coeur de vortex (11) de ladite cellule (4) à lire. 6. Dispositif (1) selon l'une des revendications précédentes caractéri- sé en ce que lesdits moyens (3, 5, 8a, 8b) d'écriture comportent une pluralité de premières lignes (5) conductrices parallèles disposées au voisinage des-dites cellules (4), chacune desdites lignes (5) étant apte à recevoir un courant de fréquence égale à ladite première fréquence ou à ladite deuxième fréquence pour l'application d'un champ magnétique radiofréquence à pola- risation linéaire à ladite première fréquence ou à ladite deuxième fréquence sensiblement orienté parallèlement au plan des cellules (4) situées au-dessous de ladite ligne (5). 7. Dispositif (1) selon la revendication 6 et la revendication 2 caractérisé en ce que chacune desdites lignes (5) de ladite pluralité de premières lignes est apte à recevoir un courant de fréquence égale à ladite troisième fréquence pour l'application d'un champ magnétique radiofréquence à polarisation linéaire à ladite troisième fréquence sensiblement orienté parallèle-ment au plan des cellules situées au-dessous de ladite ligne. 8. Dispositif (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdits moyens d'écriture comportent une pluralité de paires de lignes (8a, 8b) conductrices disposées dans un même plan au voisinage desdites cellules (4), les lignes d'une même paire étant disposées de part et d'autre d'une rangée de cellules, chacune desdites lignes étant apte à recevoir un courant continu de sorte que deux lignes successives (8a, 8b) d'une même paire reçoive un courant de sens inversé l'un par rapport à l'autre pour l'application d'une composante dudit premier champ magnétique statique de polarisation sensiblement perpendiculaire au plan des cellules au voisinage des cellules situées entre les deux lignes successives. 9. Dispositif (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que deux lignes (8a, 8b) d'une même paire sont ondulées de sorte qu'elles entourent les cellules situées entre les deux lignes. 10. Dispositif (1) selon l'une des revendications précédentes caracté- risé en ce que lesdits moyens (3, 5, 8a, 8b) d'écriture comportent un aimant permanent (3) parallèle au substrat (2) pour l'application d'une composante dudit premier champ magnétique statique de polarisation sensiblement perpendiculaire au plan des cellules. 11. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que ledit aimant permanent est disposé sous ledit substrat et est réalisé dans un matériau tel que BiMn, AINiCo ou RCo où R=Y, La, Pr, Nd ou Sm. 12. Dispositif selon la revendication 10 caractérisé en ce que ledit aimant permanent est réalisé sous la forme d'une couche magnétique présentant une anisotropie perpendiculaire. 13. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 12 et selon la revendication 2 caractérisé en ce que lesdits moyens pour appliquer ledit second champ magnétique statique sont formés par ledit aimant permanent parallèle au substrat. 14. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdites cellules sont réalisées dans un matériau ferromagnétique présentant un coefficient d'amortissement magnétique de Gilbert inférieur ou égal à 0.03. 15. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdites cellules sont réalisées dans un matériau ferromagnétique présentant un coefficient d'amortissement magnétique de Gilbert supérieur ou égal à 0.0001. 16. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdites cellules sont réalisées dans un matériau ferromagnétique sélectionné parmi les matériaux suivants : - un alliage métallique tel qu'un alliage NiFe ; - un monocristal métallique tel qu'un alliage d'Heusler du type NiMnSb, CO2MnSi ou CO2MnAl ou tel qu'un métal pur du type Fe ; - un semiconducteur magnétique tel que GaMnAs ; - un monocristal isolant, tel qu'Y3Fe5O12 ou Fe3O4, recouvert par une couche conductrice servant de détecteur bolométrique. 17. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que chacune desdites cellules possède une forme circulaire, elliptique ou parallélépipédique. 18. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que la plus petite dimension de chacune desdites cellules telle que le diamètre dans le cas d'une cellule circulaire, le plus petit des deux diamètres dans le cas d'une cellule de forme elliptique ou la largeur dans le cas d'une cellule parallélépipédique, est comprise entre 10 nm et 1 �m. 19. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que chacune desdites cellules possède une épaisseur comprise entre 3 nm et 100 nm. 20. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que chacune desdites cellules possède un rapport d'aspect R inférieur ou égal à 2. 21. Dispositif selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite première fréquence est sensiblement égale à la fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa première position d'équilibre et ladite deuxième fréquence est sensiblement égale à la fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa deuxième position d'équilibre. 22. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 20 caractérisé en ce que : - ladite première fréquence est supérieure ou égale à la fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa première position d'équilibre et inférieure ou égale à la somme de ladite fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa première position d'équilibre et de la demi-largeur de raie de ladite fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa première position d'équilibre et ; - ladite deuxième fréquence est inférieure ou égale à la fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa deuxième position d'équilibre et supérieure ou égale à la différence entre ladite fréquence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa deuxième position d'équilibre et la demi-largeur de raie de ladite fré- quence de résonance de gyration du coeur de vortex dans sa deuxième position d'équilibre.