Brevet FR2943459A1 — publié le 20100924

Domaine de l'invention L'invention concerne un procédé de finition de la surface de substrats semi-conducteurs destinés à des applications en micro-électronique et/ou en opto-électronique. L'invention concerne notamment la fabrication de substrats de type Semi-conducteur sur Isolant (SeOI). Présentation de l'Art Antérieur Les SeOI sont couramment utilisés dans l'industrie électronique. Ils incluent par exemple le Silicium sur Isolant (SOI) ou le Germanium sur Isolant (GeOI). La fabrication de substrats de type SeOI peut faire appel à divers procédés, notamment des procédés impliquant la création d'une zone de fragilisation dans l'épaisseur d'un substrat de départ, dit substrat donneur, et une fracture au niveau de cette zone, après assemblage du substrat donneur avec un substrat receveur. Ce type de SeOI comprend ainsi au moins deux couches, l'une provenant du substrat donneur, l'autre du substrat receveur. Le procédé Smart CutTM est un exemple connu d'un tel procédé. On pourra en particulier trouver des détails sur ce type de procédé dans nombre de documents déjà publiés, tels que par exemple l'extrait pages 50 et 51 de l'ouvrage � Silicon-on-Insulator technology : material tools VLSI, second edition � de Jean-Pierre Colinge chez � Kluwer Academic Publishers �. Les procédés de fabrication de SeOI permettent notamment d'obtenir une couche utile (comme par exemple du Silicium) sur une des faces d'un substrat, ladite couche utile ayant une surface libre. Par � surface libre �, on entend la surface d'une couche du substrat qui est exposée à l'environnement extérieur (par opposition à une surface d'interface qui est au contact de la surface d'une autre couche ou d'un autre élément). Avant les étapes de finition, la surface libre de la couche utile n'est en général pas parfaitement lisse et présente une certaine rugosité. Cette rugosité de la surface libre est due notamment à certaines étapes du 1 procédé de fabrication. Ces étapes de fabrication peuvent par exemple être l'étape de fracture du substrat donneur. Il peut aussi s'agir de la croissance d'une couche tampon sur une face du substrat receveur, ladite couche tampon étant par exemple une couche de Silicium Germanium (SiGe). Il est alors nécessaire de lisser la surface libre du substrat, ce qui est accompli dans les dites étapes de finition. La rugosité est généralement exprimée par une valeur quadratique moyenne dite RMS (selon l'acronyme de l'expression anglo-saxonne � Root Mean Square �), ou par une densité de pouvoir spectral dite PSD (selon l'acronyme de l'expression anglo-saxonne � Power Spectral Density �). A titre d'exemple, il est courant de trouver des spécifications de rugosité ne devant pas dépasser 5 Angstrôms en valeur RMS. Les mesures de rugosité peuvent être effectuées grâce à un microscope à force atomique AFM (selon l'acronyme de l'appellation anglo- saxonne Atomic Force Microscop). Avec ce type d'appareil, la rugosité est mesurée sur des surfaces balayées par la pointe du microscope AFM, allant de 1x1 pm2 à 10x10 pm2, et plus rarement 50x50 pm2, voire 100x100 pm2. En général, la rugosité est dite � hautes fréquences � ou � basses fréquences �. La rugosité dite à hautes fréquences correspond à des surfaces balayées de faibles dimensions (de l'ordre de 1x1 pm2). La rugosité dite à basses fréquences correspond à des surfaces balayées de dimensions plus importantes (de l'ordre de 10x10 pm2 ou plus). L'étape de finition de la fabrication des SeOl, consistant à lisser la surface libre des substrats SeOI afin de gommer les rugosités définies précédemment, peut notamment faire appel à des procédés comme le polissage mécanico-chimique CMP (selon l'acronyme de l'appellation anglo-saxonne Chemical Mechanical Polishing) ou le processus de lissage par recuit thermique rapide RTA (selon l'acronyme de l'appellation anglo-saxonne Rapid thermal annealing). Le CMP et le RTA peuvent également être combinés. Le CMP est un procédé de polissage combinant la friction mécanique et l'action chimique. En particulier, le principe du CMP est de venir transformer par une action chimique la surface qu'on veut polir, et ensuite enlever cette surface transformée par abrasion mécanique. Un inconvénient du CMP est que l'action chimique est exercée directement sur la surface libre, ce qui peut avoir des effets néfastes sur ladite surface libre, comme par exemple la création de trous dans une surface de Germanium. Un autre inconvénient du CMP est qu'il peut entrainer une inhomogénéité d'épaisseur de la couche utile des substrats. Le RTA consiste à recuire sous atmosphère réductrice, contenant par exemple de l'hydrogène, le substrat SeOI afin de lisser la surface libre. Un inconvénient du RTA est qu'il agit essentiellement sur les rugosités de surface de fréquence spatiale élevée, en particulier inférieure ou égale à 10x10 pm2. Un autre inconvénient encore est que le RTA se mène à haute température, c'est à dire à une température en général supérieure à 1000 °C. Le RTA ne peut donc être utilisé pour des couches utiles comportant du Germanium (Ge), car cet élément se liquéfie à 930 °C. Présentation de l'invention L'invention propose une alternative aux procédés de lissage précités, afin de pallier au moins un des inconvénients précités. A cet effet, on propose selon l'invention un procédé de finition de la surface d'un substrat semi-conducteur, ledit substrat comprenant un ensemble de couches comprenant une couche utile de semi-conducteur sur au moins une des faces dudit substrat, ladite couche utile comprenant une surface libre rugueuse, ledit procédé étant adapté pour lisser la surface libre, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives : - création d'une couche de protection en recouvrement de la surface de la couche utile, - au moins une séquence polissage-oxydation, ladite séquence comprenant les étapes successives: polissage de la surface de la couche de protection, ledit polissage étant réglé pour ne pas attaquer la couche utile, et oxydation par voie thermique du substrat avec apport d'oxygène gazeux, pour transformer une partie de la couche utile en une couche d'oxyde, afin de réduire la rugosité de la surface de la couche utile. L'invention est avantageusement complétée par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible : - la couche de protection est une couche d'oxyde ou de nitrure ; - le polissage de la surface de la couche de protection est un polissage sélectif, apte à polir sélectivement la couche de protection sans attaquer la couche utile ; - la création d'une couche d'oxyde ou de nitrure en recouvrement de la surface de la couche utile comporte un dépôt de nitrure ou d'oxyde ; - le dépôt de nitrure ou d'oxyde se fait par PECVD ou LPCVD ; - la création d'une couche d'oxyde ou de nitrure en recouvrement de la surface de la couche utile comporte une oxydation par voie thermique sèche ou humide avec apport d'oxygène gazeux ou une nitruration par voie thermique avec apport d'azote gazeux ; - l'oxydation par voie thermique du substrat se fait par voie thermique sèche ou humide ; - l'étape de polissage est une étape de polissage non sélective ; - une couche de protection est créée en recouvrement de la surface de la couche utile avec une épaisseur 1 à 3 fois supérieure à la distance crête à creux (également désignée par la terminologie anglo-saxonne � peak-to-valley �) de la surface de la couche utile ; - une couche de protection est créée en recouvrement de la surface de la couche utile avec une épaisseur 1.8 fois supérieure à la distance crête à creux (� peak-to-valley �) de la surface de la couche utile ; - la couche utile est du germanium, et la création d'une couche d'oxyde de germanium comme couche de protection en recouvrement de la surface de la couche utile se fait par oxydation par voie thermique avec apport d'oxygène à une température comprise entre 450 et 550°C, et le polissage est un polissage non aqueux, notamment de type CMP, ou un polissage sec ; - la couche utile comporte du silicium, et la création d'une couche d'oxyde de silicium comme couche de protection en recouvrement de la surface de la couche utile se fait par oxydation par voie thermique avec apport d'oxygène à une température inférieure à 600°C. Un avantage de l'invention est de proposer un procédé de finition qui ne risque pas d'endommager la surface libre de la couche utile du substrat. Un autre avantage de l'invention est de proposer un procédé de finition qui est mis en oeuvre à basse température. Un autre avantage encore de l'invention est de décrire un procédé de finition qui réduit la rugosité à hautes et basses fréquences. Enfin, un autre avantage de l'invention est de proposer un procédé de finition pouvant être utilisé même dans le cas d'une couche utile en Germanium. Présentation des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative, et doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels : - La figure 1 est une représentation schématique d'un substrat semi- conducteur à traiter par le procédé de finition selon l'invention ; - La figure 2 une représentation schématique d'un substrat semi- conducteur après la création d'une couche d'oxyde ou de nitrure ; - La figure 3 une représentation schématique d'un substrat semi- conducteur après une étape de polissage sélectif ; - La figure 4 une représentation schématique d'un substrat semi- conducteur après une étape de polissage non sélectif ; - La figure 5 une représentation schématique d'un substrat semi-conducteur après une étape d'oxydation. Description détaillée En figure 1, on a représente un substrat 1 semi-conducteur. Le substrat 1 comprend une couche 4 utile de semi-conducteur sur au moins une de ses faces. Il s'agit par exemple d'une couche de silicium (Si) ou de germanium (Ge). Le substrat 1 semi-conducteur comprend un ensemble de couches superposées. Dans le cas d'un substrat 1 de type Semi-conducteur sur Isolant (SeOI), la couche 30 est en général une couche d'isolant électrique, comme une couche d'oxyde, et la couche 31 une couche support de semi-conducteur. Comme cela est représenté de manière schématique et avec une amplitude exagérée en Figure 1, la couche 4 utile comprend une surface 7 libre rugueuse. Dans le cas d'un substrat obtenu par un transfert, la rugosité est majoritairement causée par l'étape de fracture précédant l'obtention du substrat 1. A titre indicatif, la rugosité de la surface 7 libre après fracture est typiquement de 50û100 Angstrôms en valeur RMS à hautes fréquences (surface balayée, 1x1 pm2), et dans la même fourchette à basses fréquences (surface balayée, 10x10 pm2). La rugosité après fracture est très élevée et est difficile à mesurer de manière significative avec un microscope ATM. Le procédé selon l'invention vise notamment à lisser la surface 7 libre rugueuse, c'est-à-dire à minimiser sa rugosité, afin d'obtenir un substrat 1 avec une couche 4 utile dont la qualité est suffisante et compatible avec l'utilisation de cette couche 4 utile dans des applications en micro- et/ou opto-électronique. La première étape du procédé comporte la création d'une couche de protection 20 en recouvrement de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile, comme on peut le voir en figure 2, où la couche de protection 20 recouvre la couche 4 utile et comporte une surface 21, qui est libre. Comme la couche de protection 20 recouvre la couche 4 utile du substrat 1, ladite couche de protection 20 permet notamment de protéger la dite couche utile 4, et ce lors d'une étape de polissage ultérieure du procédé selon l'invention, qui sera décrite par la suite. En particulier, lors de ladite étape de polissage, la couche de protection 20 permet d'éviter que l'interaction mécanique de polissage qui peut exister entre le tissu de polissage et la couche 4 utile vienne endommager ladite couche 4 utile. De même, dans le cas où le tissu de polissage comprend une substance chimique (également désignée par l'expression anglo-saxonne � slurry �) contenant des agents chimiques susceptibles d'exercer une action chimique sur la couche 4 utile, la présence de la couche de protection 20 en recouvrement de la couche 4 utile empêche que les agents chimiques viennent endommager ladite couche 4 utile. Par ailleurs, et comme on le verra par la suite, la couche de protection 20 remplit, une fois polie, une fonction supplémentaire lors d'une étape d'oxydation par voie thermique du substrat 1, qui est une étape succédant à l'étape de polissage. Dans cette étape d'oxydation, le fait que la couche de protection 20 recouvre la couche 4 utile va permettre aux zones de la surface 7 de la couche 4 utile correspondant à des maximums en hauteur (� crêtes �) d'être plus oxydés que les zones correspondant à des minimums en hauteur (� creux �), et ce de par leur proximité avec la surface du substrat 1, c'est-à-dire la surface 21 de la couche de protection 20, ce qui va finalement permettre de lisser ladite surface 7. Avantageusement, la couche de protection 20 est une couche d'oxyde 16 ou de nitrure 17 Les techniques de création d'une couche d'oxyde 16 ou de nitrure 17 comme couche de protection 20 en recouvrement de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile comportent notamment le dépôt d'oxyde ou de nitrure, et l'oxydation ou la nitruration par voie thermique. La technique de dépôt d'oxyde ou de nitrure consiste à venir déposer un film d'oxyde ou de nitrure au-dessus de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile. Les procédés PECVD (selon l'acronyme de l'appellation anglo-saxonne Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou LPCVD (selon l'acronyme de l'appellation anglo-saxonne Low Pressure Chemical Vapour Deposition) sont notamment mais non limitativement utilisés. Le procédé PECVD permet de déposer des films à relativement basse température : 250 à 350°C pour un dépôt d'oxyde, comme par exemple du SiO2, et 380 à 400°C pour un dépôt de nitrure, comme par exemple du Si3N4. L'avantage d'un dépôt à basse température est de préserver le bilan thermique, c'est-à-dire de minimiser la température et la durée du traitement appliqué aux matériaux des couches du substrat 1. On entend par dépôt à basse température un dépôt effectué à une température sensiblement inférieure à 500°C. Dans le cas où l'on crée une couche de nitrure 17 en recouvrement de la surface 7 d'une couche 4 utile comportant du germanium (Ge), il est préférable de créer ladite couche de nitrure 17 par dépôt de nitrure, car le germanium est sensible aux températures élevées. Si le bilan thermique des matériaux des couches du substrat 1 ne doit pas être impérativement préservé, il est possible d'utiliser un dépôt par le procédé LPCVD. Cette technique consiste à réaliser un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. Ce dépôt s'effectue normalement dans un four à mur chaud à des températures de l'ordre de 500 à 600°C. Comme énoncé précédemment, la création d'une couche d'oxyde 16 ou de nitrure 17 en recouvrement de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile peut également être réalisée par oxydation ou nitruration par voie thermique. L'oxydation ou la nitruration par voie thermique consiste à placer le substrat 1 dans une atmosphère comportant notamment de l'oxygène ou de l'azote gazeux, et à le chauffer à une température choisie notamment en fonction du matériau de la couche 4 utile. L'oxydation par voie thermique du substrat 1 peut se faire par voie thermique sèche ou humide. Par voie sèche, l'oxydation est par exemple menée en chauffant le substrat 1 sous oxygène gazeux. Par voie humide, l'oxydation est par exemple menée en chauffant le substrat 1 dans une atmosphère d'oxygène et d'hydrogène gazeux mélangés, l'oxygène étant en excès, ce qui permet de charger l'atmosphère en vapeur d'eau. Par voie sèche ou humide, selon des procédés classiques connus de l'homme du métier, l'atmosphère d'oxydation peut aussi être chargée en acide chlorhydrique. Dans le cas d'une couche 4 utile comportant du silicium, il est avantageux de procéder à une oxydation par voie thermique humide. L'oxydation peut être menée à une température inférieure à 600°C. Dans le cas d'une couche 4 utile comportant du germanium, il est avantageux de procéder à une oxydation par voie thermique dans une atmosphère d'oxygène, dont la concentration en oxygène est de diluée à pur. L'oxydation de la couche 4 utile comportant du germanium peut se faire par voie thermique voie sèche ou humide. On entend par atmosphère d'oxygène diluée une atmosphère contenant de l'oxygène gazeux dilué avec un autre gaz. Dans le cas d'une oxydation thermique par voie sèche, l'oxygène peut être par exemple dilué dans de l'argon (Ar) ou du diazote (N2). Dans le cas du germanium, l'oxydation peut être menée à une 20 température comprise entre 450 et 550 °C. Par ailleurs, dans le cas où la couche 4 utile comprend du SiGe, l'oxydation par voie thermique du substrat 1 est accompagnée, comme cela est connu de l'homme du métier, d'un phénomène de condensation du germanium en profondeur, c'est-à-dire d'une transformation de la couche 4 25 utile en une couche de germanium quasi-pure, et d'une création d'une couche d'oxyde 16 de silicium (SiO2) en recouvrement de ladite couche 4 utile de germanium. La nitruration peut être effectuée en chauffant le substrat 1 dans une atmosphère d'azote gazeux à des températures comprises par exemple 30 entre 600°C et 900°C. Ainsi, le procédé selon l'invention met en oeuvre une oxydation ou une nitruration à des températures inférieures à 900°C, c'est-à-dire à basse température par rapport à des procédés de l'art antérieur. Ceci est particulièrement avantageux, notamment dans le cas où l'on procède à une oxydation d'une couche 4 utile comprenant du germanium, car le germanium se liquéfie à environ 930°C. Il est possible de créer la couche de protection 20 (et donc par exemple la couche d'oxyde 16 ou de nitrure 17) de sorte que ladite couche de protection 20 ait une topologie et une rugosité conformes à la topologie et à la rugosité initiales de la couche 4 utile qu'elle recouvre. Dans ce cas, la surface 21 de la couche de protection 20 a une rugosité sensiblement identique à la rugosité initiale de la surface 7 de la couche 4 utile. La suite du procédé selon l'invention consiste à opérer au moins une séquence polissage-oxydation, c'est-à-dire comprenant une étape de polissage suivie d'une étape d'oxydation. Cette séquence peut être répétée de manière itérative, comme on l'explicitera dans la suite. Le polissage de la couche de protection 20 doit être réglé pour ne pas attaquer la couche 4 utile, afin de ne pas endommager ladite couche 4 utile. On entend par l'attaque d'une couche de matériau par un procédé de polissage un enlèvement de matière de ladite couche d'au moins 50 Angstrôms. En dessous de ce seuil, il sera considéré que la couche en question n'est pas attaquée. Avantageusement, on utilise un polissage sélectif, apte à polir sélectivement la couche de protection 20 sans attaquer la couche 4 utile. Le polissage sélectif permet de polir la couche de protection 20 de manière préférentielle à la couche 4 utile. Dans ce type de polissage, c'est la couche de protection 20 qui est polie, la couche 4 utile étant, elle, préservée. L'intérêt d'un tel polissage est que l'interaction qui peut exister entre le tissu de polissage et la couche 4 utile est négligeable et ne conduit pas à l'attaque de ladite couche 4 utile. Par exemple, dans certains procédés de polissage sélectif, l'enlèvement de matière de la couche 4 utile est inférieur à 20 Angstrôms. La technique du polissage sélectif est bien connue de l'homme du métier. La sélectivité d'un polissage est définie par le ou les rapport(s) (R) des vitesses de polissage de deux ou plusieurs matériaux différents dans des conditions de polissage identiques. Un polissage sélectif se caractérise par un rapport R élevé (ou faible, selon le choix du sens du quotient), par exemple compris entre 10 et 200. Un polissage non sélectif se caractérise par un rapport R proche de la valeur 1, typiquement de 1 à 6, les vitesses de polissage étant à peu près équivalentes pour les différents matériaux considérés. Le polissage sélectif peut être un polissage de type mécanique ou mécanico-chimique, comme le CMP. Le risque d'endommager la couche 4 utile est nul, étant donné que le polissage sélectif va attaquer uniquement la couche de protection 20. Contrairement aux polissages non sélectifs, il est possible de polir la surface 21 de la couche de protection 20 jusqu'à ce que les crêtes 29 de la surface 7 de la couche utile 4 commencent à être découvertes. On entend par crêtes les zones de la surface 7 correspondant à des maximums en hauteur. A ce stade, on peut avantageusement poursuivre l'application du polissage sélectif, puisque le polissage sélectif n'attaque pas le matériau de la couche 4 utile. De plus, ce polissage n'attaque pas non plus le matériau de la couche de protection 20 présent dans les creux 28 de la surface 7 de la couche 4 utile, comme par exemple l'oxyde ou le nitrure, car le tissu de polissage ne peut pas les atteindre du fait des crêtes 29 qui persistent. On entend par creux 28 les zones de la surface 7 correspondant à des minimums en hauteur. Un schéma du substrat 1 après application d'un polissage sélectif est représenté en figure 3. Si l'on utilise un polissage non sélectif, comme par exemple un polissage CMP non sélectif ou un polissage sec non sélectif, il faut polir la surface 21 de la couche de protection 20 de manière à ne pas découvrir la couche 4 utile, afin de ne pas attaquer ladite couche 4 utile. Il faut donc avantageusement polir la surface 21 de la couche de protection 20 de manière à laisser une fine couche de matériau de la couche de protection 20 au-dessus de la couche 4 utile. Dans le cas où la couche de protection 20 est une couche d'oxyde 16 ou de nitrure 17, il s'agit donc de laisser une fine couche d'oxyde ou de nitrure au-dessus de la couche 4 utile. Un schéma du substrat 1 après application d'un polissage non sélectif est représenté en figure 4. L'utilisation d'un polissage sélectif présente certains avantages. On sait que tout polissage possède une certaine résolution, c'est-à-dire que tout polissage réduit la hauteur d'une couche d'un matériau donné d'une hauteur minimum. La résolution du polissage, définie par rapport à un matériau donnée, sera donc la hauteur minimum de matériau que le polissage enlève d'une couche d'un matériau donné. Si l'on utilise un polissage non sélectif dans la séquence polissage-oxydation, il est préférable de disposer d'une couche de protection 20 de hauteur au minimum supérieure ou égale à la résolution du polissage non sélectif. Dans le cas contraire, le polissage non sélectif va nécessairement attaquer la couche 4 utile, ce qui n'est pas désirable. L'avantage du polissage sélectif est qu'il permet de s'arrêter au niveau des crêtes 29 de la surface 7 de la couche 4 utile sans être limité par la résolution du procédé de polissage utilisé. En effet, le polissage sélectif n'attaque pas couche 4 utile. De même, il est évident qu'il existe une hauteur maximum désirable pour la couche de protection 20 créée à l'étape préalable de création d'une couche de protection 20. En effet, il est inutile de créer une couche de protection 20 trop épaisse puisque celle-ci va être polie à l'étape de polissage qui suit l'étape de création de la couche de protection 20. Avantageusement, l'étape de création d'une couche de protection 20 en recouvrement de la surface 7 de la couche 4 utile forme la couche de protection 20 avec une épaisseur 1 à 3 fois supérieure à la distance crête 29 à creux 28 (� peak-to-valley �) de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile, ou avec une épaisseur 1,8 fois supérieure à la distance crête 29 à creux 28 (� peak-to-valley �) de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile. On rappelle que la distance crête 29 à creux 28 (� peak-to- valley �) est définie comme le maximum de l'ensemble des hauteurs séparant les crêtes 29 des creux 28. L'épaisseur au minimum 1 fois (ou 1,8) fois égale à la distance crête à creux (� peak-to-valley �) de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile correspond à la résolution d'un polissage CMP, à la date du dépôt de l'invention. Il est possible que ces valeurs puissent évoluer avec l'évolution de la résolution des techniques de polissage de type CMP. Si la couche 4 utile est du germanium, et que l'on crée à l'étape précédente du procédé une couche de protection 20 étant une couche d'oxyde 16 de germanium en recouvrement de la couche 4 utile, il faut soit utiliser un polissage non-aqueux, ce qui signifie pour l'homme du métier un polissage utilisant un solvant organique, soit un polissage sec, c'est-à-dire sans solvant et reposant donc essentiellement sur une action de polissage mécanique. En effet, l'oxyde de germanium est soluble en milieu aqueux et risque de se dissoudre si l'on utilise un polissage utilisant une solution comprenant de l'eau, c'est pourquoi le polissage non-aqueux ou le polissage sec sont des procédés de polissage adaptés à cet exemple de réalisation. Dans le cas d'un polissage non-aqueux, c'est-à-dire un polissage utilisant un solvant organique, on peut avantageusement mettre un oeuvre un polissage mécanico-chimique comme le CMP qui utilise, outre le solvant organique, une substance chimique (également désignée par l'expression anglo-saxonne � slurry �) contenant des agents chimiques aptes à exercer une action chimique de transformation de la couche à polir, lesdits agents chimiques étant bien connus de l'homme du métier. L'étape de la séquence polissage-oxydation suivant le polissage est une étape d'oxydation par voie thermique du substrat 1, avec apport d'oxygène. L'oxydation par voie thermique consiste à placer le substrat 1 dans une atmosphère comportant notamment de l'oxygène gazeux, et à le chauffer à une température choisie en fonction du matériau de la couche 4 utile. Cette oxydation peut se faire par voie thermique sèche ou humide. Les conditions opératoires de cette oxydation par voie thermique sont du même type que celles décrites précédemment lors de l'oxydation par voie thermique du substrat 1 pour la création d'une couche d'oxyde 16 comme couche de protection 20 en recouvrement de la surface 7 libre rugueuse de la couche 4 utile. Un objectif de l'oxydation par voie thermique du substrat 1 est de transformer une partie de la couche 4 utile en couche d'oxyde 16, afin de réduire la rugosité de la surface 7 de la couche 4 utile. Dans cette oxydation, la matière des crêtes 29 de la surface 7 de la couche 4 utile va plus être consommée par l'oxydation que celle des creux 28 de la surface 7, car les crêtes 29 sont beaucoup plus proches de la surface du substrat 1, c'est-à-dire de la surface 21 de la couche de protection 20, que les creux 28, situés beaucoup plus en profondeur. L'effet de l'oxydation par voie thermique sur le substrat 1 est illustré en figure 5. Dans le cas où l'on a mis en oeuvre, en début de procédé, la création d'une couche de nitrure 17 comme couche de protection 20, l'effet de l'oxydation par voie thermique, c'est-à-dire une oxydation forte des crêtes 29 et une oxydation faible des creux 28, est plus prononcée. En effet, la création d'une couche de nitrure 17 en début du procédé a notamment l'avantage de bloquer davantage la diffusion de l'oxygène vers les creux 28 lors de l'oxydation par voie thermique, que ne le fait la couche d'oxyde 16. A ce stade du procédé, la rugosité de la surface 7 de la couche 4 active du substrat 1 est réduite en hautes et basses fréquences par rapport à sa rugosité initiale, c'est-à-dire par rapport à sa rugosité avant la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Pour pouvoir lisser davantage la surface 7 de la couche 4 active, on peut réitérer la séquence de polissage-oxydation, autant que nécessaire. Au fur et à mesure des itérations de la séquence de polissage-oxydation, les crêtes 29 et les creux 28 de la surface 7 de la couche 4 utile vont être complètement lissés, ce qui permet d'obtenir une couche 4 utile à la rugosité fortement diminuée. A la fin du procédé, il est possible de nettoyer la couche de protection 20 avec tout type de procédé connu de l'homme du métier. Le procédé selon l'invention permet d'agir sur les rugosités à hautes et basses fréquences, et de réduire lesdites rugosités. Le procédé selon l'invention peut avantageusement être utilisé pour le retrait du � cross-hatch �, qui est un défaut apparaissant par exemple sur une couche 4 utile de SiGe relaxée, et bien connue de l'homme du métier. Ce défaut se forme à la surface de la couche utile et constitue un réseau bien ordonné de microsillons donnant à la surface l'aspect d'un damier, appelé � cross-hatch � dans la technique. Par ailleurs, le procédé selon l'invention s'applique avantageusement à la réutilisation (également désignée selon la terminologie anglo-saxonne � refresh �) des plaques (également désignées selon la terminologie anglo-saxonne � wafers �) de silicium utilisées dans les procédés de fabrication des SeOl, comme le procédé Smart CutTM. En effet, dans ces procédés, on colle un substrat semi-conducteur donneur et un substrat semi-conducteur receveur, ledit substrat semi-conducteur receveur comprenant une couche d'isolant. Après implantation d'ions créant une zone de fragilisation et fracture autour de cette zone, on obtient d'un côté un SeOl, et de l'autre un substrat semi-conducteur que l'on peut réutiliser. Pour pouvoir réutiliser le substrat semi-conducteur issu de la fracture, il faut procéder à des opérations de finition. Le procédé selon l'invention s'applique avantageusement et permet de lisser le substrat semi-conducteur, qui peut alors être réutilisé dans un procédé ultérieur de type Smart CutTM Enfin, le procédé selon l'invention peut avantageusement être utilisé dans le cas où la couche 4 utile du substrat 1 comprend un matériau semi- conducteur de type III-V, c'est-à-dire un semi-conducteur composite fabriqué à partir d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments et d'un ou plusieurs éléments de la colonne V. Revendications1. Procédé de finition de la surface d'un substrat (1) semi-conducteur, ledit substrat comprenant un ensemble de couches comprenant une couche (4) utile de semi-conducteur sur au moins une des faces dudit substrat (1), ladite couche (4) utile comprenant une surface (7) libre rugueuse, ledit procédé étant adapté pour lisser la surface (7) libre, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives : - création d'une couche de protection (20) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile, - au moins une séquence polissage-oxydation, ladite séquence comprenant les étapes successives: polissage de la surface (21) de la couche de protection (20), ledit polissage étant réglé pour ne pas attaquer la couche (4) utile, et oxydation par voie thermique du substrat (1) avec apport d'oxygène gazeux, pour transformer une partie de la couche (4) utile en une couche d'oxyde (16), afin de réduire la rugosité de la surface (7) de la couche (4) utile. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de protection (20) est une couche d'oxyde (16) ou de nitrure (17). 3. Procédé de finition selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel le polissage de la surface (21) de la couche de protection (20) est un polissage sélectif, apte à polir sélectivement la couche de protection (20) sans attaquer la couche (4) utile. 4. Procédé de finition selon l'une des revendications 2 et 3, dans lequel la création d'une couche d'oxyde (16) ou de nitrure (17) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile comporte un dépôt de nitrure ou d'oxyde. 16 5. Procédé de finition selon la revendication 4, dans lequel le dépôt de nitrure ou d'oxyde se fait par PECVD ou LPCVD. 6. Procédé de finition selon l'une des revendications 2 et 3, dans lequel la création d'une couche d'oxyde (16) ou de nitrure (17) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile comporte une oxydation par voie thermique sèche ou humide avec apport d'oxygène gazeux ou une nitruration par voie thermique avec apport d'azote gazeux. 7. Procédé de finition selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'oxydation par voie thermique du substrat (1) se fait par voie thermique sèche ou humide. 8. Procédé de finition selon l'une des revendications 1, 2 et 4 à 7, dans lequel l'étape de polissage est une étape de polissage non sélective. 9. Procédé de finition selon la revendication 8, dans lequel la création d'une couche de protection (20) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile forme la couche de protection (20) avec une épaisseur 1 à 3 fois supérieure à la distance crête à creux de la surface (7) de la couche (4) utile. 10. Procédé de finition selon la revendication 8, dans lequel la création d'une couche de protection (20) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile forme la couche de protection (20) avec une épaisseur 1,8 fois supérieure à la distance crête à creux de la surface (7) de la couche (4) utile. 11. Procédé de finition selon l'une des revendications 2 à 10 dans lequel la couche (4) utile est du germanium, et la création d'une couche d'oxyde (16) de germanium comme couche de protection (20) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile se fait par oxydation par voie thermiqueavec apport d'oxygène à une température comprise entre 450 et 550°C, et le polissage est un polissage non aqueux, notamment de type CMP, ou un polissage sec. 12. Procédé de finition selon l'une des revendications 2 à 11 dans lequel la couche (4) utile comporte du silicium, et la création d'une couche d'oxyde (16) de silicium comme couche de protection (20) en recouvrement de la surface (7) de la couche (4) utile se fait par oxydation par voie thermique avec apport d'oxygène à une température inférieure à 600°C.10