Brevet FR2940533A1 — publié le 20100625

Matériau multicouche, en particulier pour la protection contre les rayonnements électromagnétiques, et son procédé de fabrication. La présente invention concerne un matériau multicouche utilisable, en particulier, 5 dans le domaine de la protection contre électromagnétique pour stopper la propagation des radiations électromagnétiques, et son procédé de fabrication. La structure du matériau permet la réalisation d'écrans en feuilles planes et souples jusqu'à des dimensions importantes. Le matériau, équipé de couches réalisant des écrans contre les rayonnements électromagnétiques, est d'une grande souplesse, et peut ainsi 10 être intégré dans, ou sur tout type de cloison, mur, sol, plafonds. L'objectif est de pouvoir stopper des radiations comprises entre 0,9 et 500 GHz. Ce matériau permet de réaliser des écrans afin de bloquer les ondes électromagnétiques et leur propagation tant de l'extérieur vers l'intérieur qu'inversement, assurant ainsi une protection totalement sécuritaire pour des environnements 15 confidentiels ou confinés, tel que les salles de chirurgie, les casinos, les milieux carcéraux, les salles de conférences, les véhicules, les aéronefs ou même la domotique. Le principe de réalisation de ce matériau, consiste à déposer des couches minces de matériaux écrans compatibles avec la propagation des ondes électromagnétiques, simultanément sur deux substrats, les deux substrats étant ensuite collés ensemble, de 20 manière à insérer les écrans de protection électromagnétique au milieu des substrats. L'invention a pour objet un matériau comprenant un premier substrat sensiblement plan, une première pluralité comportant au moins une couche, de couches de matériaux successivement déposées sur ledit premier substrat, une première couche de matériau métallique de collage déposée sur ladite première pluralité de couches, un second 25 substrat sensiblement plan, une seconde pluralité comportant au moins une couche, de couches de matériaux successivement déposées sur ledit second substrat, une seconde couche de matériau métallique de collage déposée sur ladite seconde pluralité de couches, la première couche de matériau métallique de collage et la seconde couche de matériau métallique de collage se confondant. 30 Selon une autre caractéristique de l'invention, la première pluralité et la seconde pluralité comportent un même nombre de couches. Selon une autre caractéristique de l'invention, la première pluralité et la seconde pluralité comportent une même succession de couches de matériaux, afin de réaliser un matériau symétrique. 35 Selon une autre caractéristique de l'invention, les matériaux des substrats sont choisis parmi : - matériau organique tressé, - matériau organique non tressé, - plastique rigide, - plastique souple, - papier de toute nature, - tissu synthétique, - polyester. Selon une autre caractéristique de l'invention, les substrats présentent des épaisseurs comprises entre 0,1 et 0,3 mm. Selon une autre caractéristique de l'invention, une couche mince déposée présente une épaisseur comprise entre 200 et 2000 nm, avantageusement égale à 800 nm +/-5%. Selon une autre caractéristique de l'invention, les matériaux successivement déposés en couches minces sur les substrats sont choisis parmi : - les métaux suivants : Al, Cu, Au, AiSi, ln, Fe, Hf, Ni, Rh, Pd, Pt, Si, Ag, Sn, Ta, Ti, 15 TiC, Y, Zn, Zr, W, - les alliages ou composés suivants : Au/Ge, AI/Cu, Ni/Cr, - les métalloïdes suivants : AsGa, Ge, Si, PbTe, CdTe, ou - les diélectriques suivants : Oxydes, Fluorures, Tellures, Séléniures, Sulfures, et particulièrement AI2O3, SiO2, TiO2, Ti2O3, Ta2O5, ITO, SnO2, Y2O3, HfO2, LaF3, ZrO2. 20 Selon une autre caractéristique de l'invention, le matériau métallique de la première couche de collage et le matériau métallique de la seconde couche sont identiques et choisis parmi bismuth, antimoine, plomb, thallium, cadmium ou indium, et préférentiellement de l'indium. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'épaisseur de la première couche de 25 collage et l'épaisseur de la seconde couche sont sensiblement identiques, comprises entre 200 et 2000 nm, et avantageusement égales à 800 nm +/-5%. Selon un mode de réalisation avantageux, la première et la seconde pluralité comprennent une première couche de cuivre et une seconde couche d'AiSi. L'invention concerne encore un procédé de fabrication d'un matériau selon les 30 modes de réalisation précédents, comprenant les étapes suivantes : - déplacement en continu du premier substrat au travers de différents modules de traitement, - décapage du premier substrat au sein d'un premier module de décapage. - dépôt d'une première pluralité de couches minces successives sur ledit premier 35 substrat au sein d'une première pluralité de modules de dépôt, - dépôt d'une première couche de matériau métallique de collage au sein d'un module de dépôt, et en parallèle des étapes précédentes - déplacement en continu du second substrat au travers de différents modules de traitement, - décapage du second substrat au sein d'un second module de décapage, - dépôt d'une seconde pluralité de couches minces successives sur ledit second substrat au sein d'une seconde pluralité de modules de dépôt, - dépôt d'une seconde couche de matériau métallique de collage au sein d'un module de dépôt, les deux substrats ainsi munis de leurs couches minces déposées sont ensuite pressés l'un contre l'autre, leur couches de collage respectives se faisant face, afin de se coller, au sein d'un module de pressage/collage. Selon une autre caractéristique de l'invention, les étapes de décapage sont réalisées sous vide par décapage ionique. Selon une autre caractéristique de l'invention, les étapes de dépôt de couches minces sont réalisées sous vide par pulvérisation cathodique. Selon une autre caractéristique de l'invention, les étapes de dépôt de couches minces de matériau métallique de collage sont réalisées sous vide par pulvérisation cathodique. Selon une autre caractéristique de l'invention, les étapes de décapage et de dépôt sont réalisées en phase réactive gazeuse. Selon une autre caractéristique de l'invention, les étapes de décapage et de dépôt sont densifiées par magnétron. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'étape de pressage/collage est 25 réalisée sous vide et à basse température. Selon une autre caractéristique de l'invention, où le vide est maintenu en continu de la première à la dernière étape. Un avantage du matériau selon l'invention est d'emprisonner entre les deux substrats les couches écrans électromagnétiques, les protégeant ainsi contre les 30 agressions de l'environnement, mécaniques ou chimiques. Un autre avantage du matériau est de pouvoir être réalisé sur des substrats souples et de grandes dimensions permettant de réaliser des écrans aisés à mettre en place dans de nombreux domaines. D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront plus 35 clairement de la description détaillée donnée ci-après à titre indicatif en relation avec des dessins sur lesquels : - la figure 1 présente une vue en coupe du matériau avant l'étape de collage, - la figure 2 présente une vue en coupe du matériau selon l'invention, - la figure 3 présente un tableau des valeurs d'atténuation obtenues avec un matériau selon l'invention en fonction de la fréquence. Selon la figure 1 ou 2, le matériau comprend un premier substrat 1 sensiblement plan. Ce premier substrat 1 supporte un premier empilage de couches 3-5 minces successives de matériaux. Ces couches 3-5 forment une première pluralité 2 de couches. Cette première pluralité 2 comporte au moins une couche, mais peut en comprendre trois comme sur la figure, ou un nombre encore plus grand. Au dessus de cet empilage 2, est présente une première couche 6 composée d'un matériau métallique de collage. De manière similaire, le matériau comprend encore un second substrat 12 sensiblement plan aussi. Ce second substrat 12 supporte un second empilage de couches 8-10 minces successives de matériaux. Ces couches 8-10 forment une seconde pluralité 11 de couches. Cette seconde pluralité 11 comporte, elle aussi, au moins une couche, mais peut en comprendre un nombre plus grand. Au dessus de cet empilage 11, est présente une seconde couche 7 composée d'un matériau métallique de collage. Le matériau est tel que ces deux substrats 1, 12, équipés de leurs couches 3-10 sont disposés tête-bêche afin que la première couche 6 de matériau métallique de collage et la seconde couche 7 de matériau métallique de collage se confondent. Ainsi les deux substrats 1, 12 encadrent et protègent l'empilage des couches 3-10 entre eux deux. Les couches actives d'écrans sont ainsi protégées contre les agressions mécaniques ou chimiques, notamment hydriques, par les deux substrats 1, 12. Selon un mode de réalisation particulier, la première pluralité 2 et la seconde pluralité 11 comportent un même nombre de couches. Selon encore un mode de réalisation particulier, la première pluralité 2 et la seconde pluralité 11 comportent des successions de couches identiques tant en terme de matériau qu'en terme d'épaisseurs respectives des couches. Ainsi le matériau présente une symétrie des couches écrans qui est mise à profit pour la réalisation de certains filtres contre les radiations électromagnétiques. Les substrats 1, 12, sont des supports se présentant avantageusement en feuilles planes. De plus ils sont constitués de matériaux avantageusement souples afin de faciliter la mise en place du matériau final. Les matériaux des substrats 1, 12, sont avantageusement choisis parmi : - matériau organique tressé, - matériau organique non tressé, - plastique rigide, - plastique souple, - papier de toute nature, - tissu synthétique, - polyester. Les dimensions des substrats sont avantageusement importantes afin de simplifier l'utilisation du matériau dans des applications de protection de bâtiments ou d'habitations. Ainsi le procédé de fabrication envisagé permet de réaliser le matériau en continu, sous forme de rouleaux de 1,5m de large et d'au moins 100m. Bien que le principe du matériau selon l'invention soit applicable à tout type de substrat, les substrats 1, 12, de faibles épaisseurs sont privilégiés afin de conserver une souplesse importante, afin de simplifier la mise en place. Les substrats 1, 12, présentent avantageusement des épaisseurs comprises entre 0,1 et 0,3 mm. Les couches de matériaux déposées peuvent l'être selon différents procédés connus de l'homme du métier. Avantageusement le procédé de pulvérisation cathodique avantageusement densifiée par magnétron est préféré. Ces couches sont réalisées en couches minces, afin d'économie des quantités de matériaux utilisés, aux épaisseurs techniquement nécessaires en fonction du filtrage/écrantage recherché. Certains matériaux nécessitent des épaisseurs plus ou moins importantes en fonction de leurs propriétés physico-chimiques ou des radiations électromagnétiques que l'on souhaite filtrer. Une épaisseur typique de matériau déposé par couche est comprise entre 200 et 2000 nm. La régularité de l'épaisseur d'une couche est un critère de qualité important et cette épaisseur est déterminée à +/-5%. Une épaisseur typique d'une couche mince déposée est égale à 800 nm +1-5%. La succession, le nombre de couches et les matériaux choisis pour réaliser une pluralité 2, 11, de couches sont déterminées par simulation en fonction des bandes de fréquences que l'on souhaite voir filtrer ou laisser passer. Les connaissances physico-chimiques des propriétés des matériaux et de leurs compatibilités entre eux permettent de déterminer les matériaux utilisés et les possibilités d'empilement. Les matériaux candidats en fonction des applications peuvent être choisis parmi un large éventail. Ces matériaux peuvent être choisis parmi : - les métaux suivants : Al, Cu, Au, AiSi, ln, Fe, Hf, Ni, Rh, Pd, Pt, Si, Ag, Sn, Ta, Ti, TiC, Y, Zn, Zr, W, - les alliages ou composés suivants : Au/Ge, AI/Cu, Ni/Cr, - les métalloïdes suivants : AsGa, Ge, Si, PbTe, CdTe, ou - les diélectriques suivants : Oxydes, Fluorures, Tellures, Séléniures, Sulfures, et particulièrement AI203, SiO2, TiO2, Ti203, Ta205, ITO, Sn02, Y203, Hf02, LaF3. ZrO2. Certains matériaux, principalement les métaux sont utilisés pour leurs propriétés écrans aux radiations électromagnétiques. D'autres peuvent être utilisés afin de réaliser une couche d'accroche sur le substrat afin de permettre le dépôt d'un autre matériau non nécessairement compatible avec ledit substrat. Certains matériaux, par exemple diélectriques permettent de séparer en les assemblant, deux couches de matériaux autrement non compatibles entre eux et qui ne se fixeraient pas l'un sur l'autre en cas de dépôt. Une telle séparation peut aussi empêcher des migrations inter couches. Certains matériaux, tel l'inox (AiSi) n'ont qu'une fonction de protection environnementale des couches inférieures, par exemple en interdisant le passage de l'eau. Les propriétés électromagnétiques, physicochimiques et les compatibilités de ces matériaux sont connues de l'homme du métier Le matériau métallique de collage de la première couche 6 de collage et le matériau métallique de la seconde couche 7 sont nécessairement identiques pour que le collage, réalisé par soudage par diffusion puisse se réaliser. Ce matériau est choisi parmi les candidats suivants : bismuth, antimoine, plomb, thallium, cadmium ou indium. Compte tenu de la dangerosité/toxicité des cinq premiers matériaux, le matériau métallique des deux couches 6, 7, est préférentiellement de l'indium. L'épaisseur de la première couche 6 de collage et l'épaisseur de la seconde couche 20 7 sont sensiblement identiques pour un bon soudage. Elles sont comprises entre 200 et 2000 nm, avec une valeur optimale préférée de 800 nm +/-5%. Le matériau est ainsi constitué de trois parties, deux substrats 1, 12, équipés de couches 3-5, 8-10, minces de protection électromagnétique et une couche 6, 7, métallique de collage. L'ensemble des couches 3-10, est logé au milieu des deux substrats 1, 12. 25 La couche 6, 7, métallique de collage réalisée sous vide et la phase de pressage/collage sous pression, assurent un parfait collage et assure une parfaite conductivité des deux substrats 1, 12. Selon un mode de réalisation particulier, une première couche de cuivre est déposée afin de réaliser le filtre anti radiations, une seconde couche d'inox (AiSi) est 30 ensuite déposée, afin de � fermer � et d'empêcher le cuivre de migrer. Une couche de matériau de collage, par exemple de l'indium, est ensuite déposée. Les deux substrats 1, 12, reçoivent ce même traitement avant d'être pressés/collés l'un contre l'autre. Les épaisseurs retenues sont avantageusement : 35 Cu 0,8 pm +/-4%, AiSi 0,2 pm +/-2% In : 0,5 pm +1-2%. Un tel matériau sandwich présente les performances d'atténuation radioélectriques illustrées au tableau de la figure 3. La première colonne indique la fréquence du rayonnement. La seconde colonne indique l'atténuation obtenue avec un unique substrat recouvert de sa pluralité de couches, 3-6, tandis que la deuxième colonne indique l'atténuation obtenue avec un matériau selon l'invention, comportant deux substrats recouverts de leurs pluralités de couches 3-6, 7-10, et collés. Les matériaux précédemment décrits peuvent être réalisés au moyen d'un procédé comprenant les étapes suivantes. Une machine permettant de mettre en oeuvre ledit procédé est présentée et décrite 10 en détail dans une autre demande de brevet de la demanderesse, déposé à la même date que la présente. Le premier 1, respectivement second 12 substrat est déplacé au travers de différents modules de traitement successifs. Le moyen de déplacement en continu des substrats 1, 12, fait l'objet d'un autre brevet de la demanderesse le décrivant plus en 15 détail. Avant toute chose, afin d'être préparé au dépôt d'une première couche 3, 10, de matériau, le substrat 1, 12, est décapé au sein d'un premier module de décapage. Ensuite le substrat 1, 12, reçoit un premier dépôt d'une première couche mince 3, 10, au sein d'un premier module de dépôt. 20 Afin de réaliser une pluralité 2, 11, de couches déposées, lorsque ladite pluralité comporte plus d'une couche, les couches successives sont successivement déposées. Une seconde couche 4, 9, est déposée sur la première couche, au sein d'un second module de dépôt. Une troisième couche 5, 8, est le cas échéant déposée sur la seconde couche 4, 9, etc. 25 Une couche supplémentaire finale de collage 6, 7, est ensuite de la même manière, au sein d'un module de dépôt, déposée au dessus de la pluralité de couches 3-5, 8-10. La couche de collage 6, 7, est composée d'un matériau de collage. Les deux substrats 1, 12, reçoivent ainsi sensiblement les mêmes traitements et se voient déposer chacun une pluralité de couches 3-5, 8-10, et une couche de collage 6, 7. 30 Selon les applications le nombre et la nature des couches des pluralités 2, 11, peuvent différer ou être identiques. Ces traitements sont avantageusement réalisés en parallèle sur les deux substrats 1, 12, afin qu'ils arrivent simultanément au module de pressage/collage. Le décapage est avantageusement réalisé sous vide par décapage ionique. 35 Le vide, prése it dès avant la phase de décapage permet avantageusement de réaliser un dégazage initial des substrats 1, 12, avant décapage. Le dépôt des ccuches minces 3-10 peut être réalisé par différents procédés connus de l'homme du métier Préférentiellement, afin d'obtenir un dépôt le plus régulier, le dépôt est réalisé sous vide Dar pulvérisation cathodique. Cette technique est d'ailleurs la seule qui permette de réaliser une pénétration suffisante pour réaliser un dépôt d'une première couche sur un matéria u organique tel que ceux envisagés pour les substrats 1, 12. La couche 6, 7, de matériau de collage est déposée de manière identique aux autres couches mines 3-5, 8-10, préférentiellement par pulvérisation cathodique sous vide. Toutes les étapes de décapage, de dépôt de couches minces 3-5, 8-10, de la pluralité ou de dépôt pie couches minces 6, 7, de collage sont réalisées en phase réactive gazeuse. Le gaz neutre utilisé est choisi en fonction de l'opération ou du matériau cathodique déposé. Ainsi le décapage est réalisé sous atmosphère d'oxygène à une pression partielle de f;.10-5 à 5.103 mb, afin de créer un plasma, qui permet le décapage. Les étapes de dépôt par pulvérisation sont réalisées sous atmosphère d'argon à une pression partielle de 4.10-4 à 3.10-3 mb, afin de créer un plasma, qui permet la pulvérisation. Toutes les étapes de décapage, de dépôt de couches minces 3-5, 8-10, de la pluralité ou de dépôt de couches minces 6, 7, de collage sont améliorées en terme de densité de décapage ou de pulvérisation, de manière connue, par utilisation de magnétron. L'étape de colla ge est réalisée par pressage, l'une contre l'autre des deux couches finales 6, 7, de m 3tériau de collage fraîchement déposées, sous vide, à basse température. La figure 1 présente les deux substrats 1, 12 avant assemblage. La figure 2 présente le matériau fini après assemblage. Cette étape de pressage est réalisée à une température comprise entre -110°C et -150°C et à une basse pression limite de 10-6 à 10-' mb. Un tel pressage dans ces conditions, réalise un soudage par diffusion des deux couches 6, 7, de collage, qui se confondent en une couche unique, faisant disparaître la frontière 13 entre les Jeux couches 6, 7. L'effort de pressage est déterminé en fonction des matériaux constitutifs des substrats 1, 12, et des couches déposées 3-10, afin de ne pas dépasser la limite d'élasticité d'un des riatériaux constitutifs d'une couche ou d'un des deux substrats 1, 12. Un autre brevet de la demanderesse, déposé à la même date que le présent, décrit plus en détail le procedé d'assemblage par pressage utilisé. La bonne cohà;ion des couches déposées 3-5, 6, 7, 8-10, sur les substrats 1, 12, et entre elles, ajoutée à une très forte résistance à l'arrachement dudit soudage par diffusion, contribuent à former un ensemble comprenant les deux substrats 1, 12, et les différentes couches c éposées 3-10, très cohérent et très résistant tant mécaniquement qu'aux diverses pénétrations d'eau ou de corps étrangers, ainsi qu'au vieillissement. Le procédé est tel que depuis l'introduction d'un substrat 1, 12 dans le premier module de traitement et jusqu'au pressage/collage permettant de réaliser le matériau final selon l'invention, un v de poussé est maintenu en continu. Ledit vide est compris entre 10-6 et 10-' mb. L'ensemble du procédé, à l'exclusion de l'étape de pressage, réalisée à froid, est réalisé de préférence à une température sensiblement égale à 36°C. Afin d'assurer un bon stockage du matériau selon l'invention sans risque de 10 vieillissement, le conc itionnement peut être réalisé sous vide, dans la même machine, à la fin du procédé. REVENDICATIONS1. Matériau multicoL che, caractérisé en ce qu'il comprend un premier substrat (1) sensiblement plan, sine première pluralité (2) comportant au moins une couche, de couches (3-5) de matériaux successivement déposées sur ledit premier substrat (1), une première couche (6) de matériau métallique de collage déposée sur ladite première pluralité (2) de couches, un second substrat (12) sensiblement plan, une seconde pluralité (11) comportant au moins une couche, de couches (8-10) de matériaux successivement déposées sur ledit second substrat (12), une seconde couche (7) de matériau métallique de collage déposée : ur ladite seconde pluralité (11) de couches, la première couche (6) de matériau métallique de collage et la seconde couche (7) de matériau métallique de collage se confondan:. 2. Matériau selon la revendication 1, où la première pluralité (2) et la seconde pluralité (11) comportent un même nombre de couches. 3. Matériau selon la revendication 2, où la première pluralité (2) et la seconde pluralité (11) comportent une même succession de couches de matériaux, afin de réaliser un 20 matériau symétrique. 4. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, où les matériaux des substrats (1, 12) sont choisis parmi : - matériau organique tressé, 25 - matériau organique non tressé, - plastique rigiJe, - plastique souple, - papier de toute nature, - tissu synthét que, 30 - polyester. 5. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, où les substrats (1, 12) présentent des épais ;eurs comprises entre 0,1 et 0,3 mm. 35 6. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, où une couche mince déposée présente una épaisseur comprise entre 200 et 2000 nm.I 7. Matériau selon la revendication 6, où une couche mince déposée présente une épaisseur de 800 nm +/-5%. 8. Matériau selon l'un a quelconque des revendications 1 à 7, où les matériaux sui;cessivement déposés en couches minces sur les substrats sont choisis parmi : - les métaux suivants : Al, Cu, Au, AiSi, ln, Fe, Hf, Ni, Rh, Pd, Pt, Si, Ag, Sn, Ta, Ti, TiC, Y, Zn, Zr, W, - les alliages ou comr osés suivants : Au/Ge, AI/Cu, Ni/Cr, - les métalloïdes suivants : AsGa, Ge, Si, PbTe, CdTe, ou - les diélectriques suivants : Oxydes, Fluorures, Tellures, Séléniures, Sulfures, et particulièrement AI2C3, SiO2, TiO2, Ti2O3, Ta2O5, ITO, Sn02, Y2O3, HfO2, LaF3, ZrO2. 9. Matériau selon l'uns quelconque des revendications 1 à 8, où le matériau métall que de la première couche (6) de collage et le matériau métallique de la seconde couche (7) sont identiques et choisis parmi bismuth, antimoine, plomb, thallium, cadmium ou indium. 10. Matériau selon ne quelconque des revendications 1 à 9, où le matériau métallique de la première couche (6) de collage et le matériau métallique de la seconde couche (7) sont de l'indium. 11. Matériau selon I une quelconque des revendications 1 à 10, où l'épaisseur de la 25 première couche (6) (le collage et l'épaisseur de la seconde couche (7) sont sensiblement identiques et comprises entre 200 et 2000 nm. 12. Matériau selon la revendication 11, où l'épaisseur de la première couche (6) de collage et l'épaisseur de la seconde couche (7) sont égales à 800 nm +1-5%. 13. Matériau selon l' me quelconque des revendications 1 à 12, dont la première et la seconde pluralités (2, 11), comprennent une première couche (3, 10) de cuivre et une seconde couche (4, �) d'AiSi et dont les couches de collage (6, 7) sont de l'indium. 35 14. Matériau selon la revendication 13, où les couches présentent les épaisseurs suivantes : 30 12 Cu 0,8 pm +/-4%, AiSi 0,2 pm +/-2% In 0,5 pm +1-2%. 15. Procédé de fabrication d'un matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - déplacement en continu du premier substrat (1) au travers de différents modules de traitement, - décapage du r remier substrat au sein d'un premier module de décapage, - dépôt d'une première pluralité (2) de couches minces (3-5) successives sur ledit premier substra: (1) au sein d'une première pluralité de modules de dépôt, - dépôt d'une première couche de matériau métallique de collage (6) au sein d'un module de dépit, et en ce qu'il comprer d en parallèle des étapes précédentes : - déplacement en continu du second substrat (12) au travers de différents modules de traitement, - décapage du E econd substrat au sein d'un second module de décapage, - dépôt d'une seconde pluralité (11) de couches minces (8-10) successives sur ledit second substrat (12) au sein d'une seconde pluralité de modules de dépôt, - dépôt d'une seconde couche de matériau métallique de collage (7) au sein d'un module de dépit, les deux substrats ainsi munis de leurs couches minces déposées sont ensuite pressés l'un contre l'autre, let. r couches de collage (6, 7) respectives se faisant face, afin de se coller, au sein d'un m,)dule de pressage/collage. 16. Procédé selon la revendication 15, où les étapes de décapage sont réalisées sous vide par décapage ionique. 17. Procédé selon la revendication 15 ou 16, où les étapes de dépôt de couches minces 30 (3-5, 8-10) sont réalis?es sous vide par pulvérisation cathodique. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, où les étapes de dépôt de couches minces de matériau métallique de collage (6, 7) sont réalisées sous vide par pulvérisation cathodic ue. 353 19. Procédé selon l'u ie quelconque des revendications 16 à 18, où l'étape de décapage est réalisée en phase réactive gazeuse sous oxygène à une pression partielle comprise entre 8.10-5 et 5.10-3 nb. 20. Procédé selon l'u le quelconque des revendications 16 à 19, où les étapes de dépôt sont réalisées en phiise réactive gazeuse sous argon à une pression partielle comprise entre 4.104 à 3.10-3 rib. 21. Procédé selon I une quelconque des revendications 16 à 20, où les étapes de 10 décapage et de dépô' sont densifiées par magnétron. 22. Procédé selon 1 une quelconque des revendications 16 à 21, où les étapes de décapage et de dépô. sont réalisées à une température sensiblement égale à 36°C. 15 23. Procédé selon l'u ie quelconque des revendications 15 à 22, où l'étape de collage est réalisée par pressage sous vide compris entre 10-' et 10-6 mb et à basse température comprise entre -110°C et -150°C. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 23, où le vide est maintenu 20 en continu de la prerr ière à la dernière étape et compris entre 10-6 et 10-7 mb.