Brevet FR2940323A1 — publié le 20100625

Procédé de dépôt de films d'oxydes sur tubes métalliques texturés Domaine de l'invention La présente invention se rapporte au domaine des dispositifs supraconducteurs à haute température, c'est-à-dire aux dispositifs électriques incorporant des matériaux céramiques, notamment de type YBa2Cu3O7_x (appelés YBaCuO), qui montrent une supraconductivité à la température de l'azote liquide. La présente invention concerne des procédés chimiques permettant l'épitaxie de films minces d'oxydes sur substrats métalliques ronds de faible diamètre millimétriques. Ces films servent à la fois de barrière chimique pour éviter la diffusion du métal dans la couche de supraconducteur YBaCuO, et de matrice pour l'épitaxie de couches supraconductrices. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé permettant la formation par voie chimique de couches tampons par l'épitaxie de films d'oxydes sur substrats métalliques avant le dépôt de la céramique de type YBaCuO. Etat de la technique Les matériaux céramiques de type YBaCuO (appelés aussi YBCO) permettent de fabriquer des dispositifs supraconducteurs à la température de l'azote liquide. Ces dispositifs comportent un substrat, en général métallique, sur lequel est déposée une couche de YBaCuO, par exemple par un procédé d'épitaxie pour déposer des YBaCuO à partir d'une phase gazeuse comme décrit dans les documents WO 95/02711 et US 5,945,162 (Centre National de la Recherche Scientifique). On souhaite constamment améliorer les densités de courant qui peuvent être transportées par ces dispositifs. Cette limite est liée à la décroissance rapide de la densité de courant critique Je lorsque l'on augmente l'épaisseur des couches YBaCuO. Cela est décrit par exemple dans l'article "Overcoming the barrier to 1000 A/cm width superconducting coatings" par S.R. Foltyn et al., paru dans Applied Physics Letters 87 (16), 162505 (2005). La présence de défauts cristallographiques, qui deviennent plus fréquents lorsque l'épaisseur des films YBaCuO augmente, est un des facteurs qui semblent contribuer à cette décroissance. Les films YBaCuO, déposés en général par un procédé épitaxique, doivent avoir une structure cristallographique aussi proche que possible de celle d'un monocristal ; cela implique en particulier l'alignement des grains selon deux directions perpendiculaires. La minimisation de leurs défauts cristallographiques (tels que les dislocations aux joints de grains) et des défauts d'orientation cristallographique entre les grains) est un enjeu essentiel. Pour favoriser la croissance cristalline des couches épitaxiques de YBaCuO, il serait souhaitable de les déposer sur un substrat monocristallin approprié. Mais ces substrats sont chers. En pratique, et en vue d'applications à grande échelle, on dépose donc les films YBaCuO sur des substrats métalliques texturés biaxialement. Des substrats métalliques texturés biaxialement peuvent être obtenus par un procédé spécifique de laminage à fort écrouissage suivi d'un recuit de recristallisation ; ces substrats de forme généralement plate sont connus de l'homme du métier sous l'acronyme RABiTS (� Rolling-Assisted Biaxially Textured Substrates �). Ils sont décrits par exemple dans l'article "Deposition of biaxially-oriented metal and oxide buffer-layer films on textured Ni tapes : new substrate for high-current, high-temperature superconductors" par Qing He, D.K. Christen et al. (paru dans la revue Physica C 275 (1997), p. 155-161), dans l'article "Using RABiTS to Fabricate High-Temperature Superconducting Wire" par A. Goyal et al. (paru dans la revue JOM (Juillet 1999), p. 19 û 23), dans l'article � Industrial Fe-Ni alloys for HTS coated conductor tapes � par J.L. Soubeyroux et al. (paru dans la revue Journal of Physics, Conference Series 97 (2008), 012069), et dans l'article "Recent progress in the fabrication of high-JC tapes by epitaxial deposition of YBCO on RABiTS" par A. Goyal et al. (paru dans la revue Physica C 357-360 (2001), p. 903 û 913). Cependant, en fonction de la nature chimique du substrat, il peut être nécessaire de déposer une couche tampon (� buffer layer �) entre la surface métallique du substrat et la céramique YBaCuO, afin d'éviter que le métal du substrat ne diffuse dans la céramique YBaCuO, et que le métal du substrat ne forme un oxyde dont la croissance perturbe la cristallographie de la surface. Cela est par exemple le cas des substrats d'alliages de nickel qui sont fréquemment utilisés pour déposer les YBaCuO. Cette couche tampon doit être à la fois dense et mince. Elle doit être dense afin de constituer une barrière efficace pour la diffusion du nickel. Elle doit être mince pour permettre des torsions sans fracture lors de la mise en forme du câble. Elle doit répliquer aussi fidèlement que possible la structure cristalline de la surface du substrat (voir l'article � ln situ strain and transport magneto-optical investigations in superconductors � par A. Villaume et al., paru dans la revue Superconductor Science and Technology 21 (2008) 034009). On utilise par exemple des couches minces d'oxyde mixte de lanthane û zirconium La2Zr2O7 (voir par exemple le brevet US 6,451,450 (UT-Battelle)), la demande de brevet WO 2008/078852 (Korea Institute of Machinery & Materials), les brevets US 6,537,689 et 7,261,776 (American Superconductor Corp.), et la demande de brevet US 2008/0113869 (V. Selvamanickam). Ce composé peut aussi être déposé de manière non stoechiométrique (voir la demande de brevet US 2008/0039330 (Wolf et al)). On peut aussi utiliser des oxydes d'autres terres rares (samarium, gadolinium, dysprosium, erbium, ytterbium) auxquels s'ajoutent l'yttrium et le scandium, ou plusieurs couches de composition différente, par exemple La2Zr2O7 / CeO2, voir US 2007/01977045 (Trithor GmbH) et US 2007/0026247 (UT-Batelle, LLC). La publication intitulée � La2Zr2O7 single buffer layer for YBaCuO RABiTS coated conductors � (Caroff et al, Supercond. Sci. Technol. 21 (2008) 075007) décrit la préparation par MOD de couches tampon de La2Zr2O7 (LZO) de haute qualité sur des substrats métalliques (alliages Niû5 at.% W) bitexturés par le procédé RABiTS et le dépôt subséquent de couches YBaCuO (de 450 à 800 nm d'épaisseur) par � pulsed injection MOCVD �, conduisant à une architecture simple et peu coûteuse NiWRAB;TS/LZOMOO/YBaCOMOCVD. Dans cette nouvelle combinaison des procédés MOD et MOCVD, une couche tampon LZOMOD unique est suffisante pour assurer une compatibilité structurale entre YBaCuO et NiW, et protéger le substrat de l'oxydation pendant le dépôt MOCVD de YBaCuO. Les films YBaCuO croissent epitaxialement sur le LZO et possèdent des densités de courant critique JJ proche de 1 MA.cm"2 à 77 K avec une température critique TT de 91 K et un tT~ II serait souhaitable de disposer de conducteurs ronds sous formes de fils pour pouvoir fabriquer des câbles conducteurs électriques, supra-conducteurs à la température de l'azote liquide, permettant le passage de fortes densités de courant, suffisamment flexibles et robustes pour des applications en milieu industriel, et suffisamment simples à fabriquer pour être économiquement viables. L'article � YBaCuO Thick Films on Planar and Curved Technical Substrates � de H.C. Freyhardt et al., paru en 1997 dans la revue IEEE Transactions on Applied Superconductivity, vol 7 n° 2, p. 1426 û 1431, décrit le dépôt par pulvérisation cathodique de couches de type YSZ (yttria-stabilized zirconia) sur des surfaces planes et cylindriques ; leur surface a été polie par voie mécanique ou électrochimique. La demande de brevet EP 1 916 720 (Nexans) décrit un procédé pour fabriquer des tubes en métal biaxialement texturé, dans lequel un ruban plat (aussi appelée bande plate) est formé autour d'une âme métallique disposée dans son axe long en tube fendu, les deux chants parallèles étant ensuite soudés l'un contre l'autre sur toute leur longueur par une soudure de type MIG ou TIG ou laser. Ce tube est ensuite étiré pour réduire son diamètre jusqu'à ce que l'âme soit en contact avec toute la paroi interne du tube. Ensuite on dépose une couche de YBaCuO d'une épaisseur comprise entre 1 pm et 5 pm à partir d'une phase gazeuse ou liquide suivi d'un traitement thermique. Une couche d'une épaisseur de 100 nm à 200 nm d'oxyde de cérium ou d'oxyde de lanthane û zirconium peut être déposée avant le dépôt de YBaCuO, en utilisant les mêmes techniques que celles employées pour le dépôt de YBaCuO. Cependant, ce document ne contient aucun exemple concret pour la fabrication d'un tel produit, et ne mentionne pas les performances de tels dispositifs. La demande de brevet US 2008/0119365 d'Arnaud Allais et Nat Dirk décrit un procédé de fabrication d'un conducteur électrique supraconducteur de section circulaire. Le procédé consiste à apporter un support métallique tel qu'un fil, une corde ou un tube d'un diamètre compris entre 0,5 et 3 mm, et de préférence en acier. Une couche métallique est ensuite déposée sur le support métallique, cette couche ayant une épaisseur comprise entre 1 et 20 nm. Le dépôt est réalisé par PVD, CVD, ou CSD (dépôt d'une solution chimique). Le film ainsi déposé est ensuite soumis à un traitement de texturation de manière à ce que dans la mesure du possible tous les grains de cristaux soient alignés (la méthode utilisée pour la texturation n'est pas précisée). Une couche tampon de La2Zr2O7 est ensuite optionnellement déposée, par trempage dans une solution d'acide propionique dans laquelle sont dissous de l'acétylacétonate de lanthane et de l'acétylacétonate de zircone. Le liquide déposé sèche et le matériau est soumis à un traitement thermique à 1000°C (la durée du traitement n'étant pas précisée) pour obtenir une couche épitaxiée de La2Zr2O7, sur laquelle une couche de YBaCuO est ensuite déposée par épitaxie. Le problème que la présente invention vise à résoudre est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif supraconducteur long, de section sensiblement circulaire, dans lequel le matériau supraconducteur est une céramique de type YBaCuO, déposée sur la surface externe d'un tube ou fil ou cylindre métallique et ledit procédé incluant le dépôt d'une couche tampon d'oxyde sur la surface externe du tube ou fil ou cylindre métallique préalablement au dépôt de la couche de YBaCuO. Objet de l'invention Un premier objet de l'invention est un procédé de dépôt d'une couche tampon d'oxyde de métaux épitaxique sur une surface fonctionnalisée d'un substrat métallique texturé, et de préférence un substrat métallique long de section sensiblement circulaire ou elliptique, à texture cube présentant des grains d'orientation [001] perpendiculaire au sens long du substrat, et dont la direction [100] est parallèle au sens long du substrat, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : (1) on dépose une couche d'un précurseur d'un oxyde de type (A)2_xB2+xO, où A représente un métal de valence 3 (tel que le La, Y, Gd, Dy, Lu, Sc, Nd, Sa ; le La étant préféré), ou un mélange de plusieurs de ces métaux, et B un métal de valence 4 (tel que le Zr, Ti, Sn, Hf, Pb, Ce ; le Zr étant préféré), tel que le La2Zr2O7,(appelé aussi LZO), et x est un nombre compris entre -0,1 et +0,1 , à partir d'une solution aqueuse des carboxylates (et préférentiellement des propionates) desdits métaux A et B, cette solution ayant de préférence une viscosité, mesurée à la température du procédé, comprise entre 1 mPa s et 20 mPa s, et encore plus préférentiellement comprise entre 2 mPa s et 10 mPa s, (2) on laisse sécher ladite couche de précurseur, de préférence à une température comprise entre 80 et 100°C, (3) on effectue un traitement thermique pour pyrolyser ledit précurseur d'oxyde et pour former l'oxyde, au moins une partie dudit traitement thermique étant effectuée sous balayage de gaz réducteur, de préférence Ar + 5%(vol) H2), ledit gaz réducteur ayant de préférence une vitesse de balayage supérieure à 0,005 cm/s, préférentiellement comprise entre 0,012 cm/s et 0,1 cm/s, et encore plus préférentiellement comprise entre 0,04 cm/s et 0,08 cm/s. Avantageusement, le traitement thermique (étape (3)) comprend une phase dite de pyrolyse et une phase dite de cristallisation. La phase de pyrolyse implique un traitement thermique compris entre 150°C et environ 450°C, qui peut être effectué au moins en partie sous pression réduite. La phase de cristallisation implique un traitement thermique compris entre environ 450°C et environ 1100°C, préférentiellement comprise entre 800°C et 1100°C, et préférentiellement entre 850°C et 1000°C, pour former l'oxyde. La phase de cristallisation est effectuée sous balayage de gaz réducteur, comme indiqué ci-dessus. Avantageusement le traitement thermique comprend une vitesse de montée en température comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 250°C/h et 2000°C/h et encore plus préférentiellement entre 500°C/h et 2000°C/h, suivi d'un palier à la température T pendant une durée comprise entre 1 et 120 minutes, préférentiellement entre 10 et 90 minutes, et encore plus préférentiellement entre 20 et 60 minutes, et suivi d'un refroidissement à une vitesse comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 100°C/h et 1000°C/h et encore plus préférentiellement entre 100°C/h et 500°C/h. Un deuxième objet de l'invention est l'utilisation de ce procédé dans un procédé de fabrication de dispositifs supraconducteurs comportant une couche supracondutrice d'oxyde mixte terre rare û baryum - cuivre (TRBaCuO) ou d'oxyde mixte yttrium û baryum û cuivre (YBaCuO ou YBCO), ladite couche supraconductrice étant déposé sur ladite couche tampon. Un troisième objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un conducteur électrique supraconducteur de section transversale sensiblement circulaire ou elliptique, ledit conducteur comportant une couche d'oxyde mixte terre rare ûbaryum - cuivre (TRBaCuO) ou d'oxyde mixte yttrium û baryum û cuivre (YBaCuO ou YBCO) en tant que matériau supraconducteur déposée sur un substrat métallique de section sensiblement circulaire, ledit procédé comportant, dans l'ordre indiqué, les étapes suivantes : (a) on approvisionne un substrat métallique long de section sensiblement circulaire ou elliptique, et typiquement un substrat tubulaire, ledit substrat ayant une texture cube présentant des grains d'orientation [001] perpendiculaire à l'axe du substrat ; (a) (b) (c) (d) (e) on effectue un traitement de fonctionnalisation au moins de la surface externe dudit substrat métallique, de préférence par un traitement au H2S ; on dépose une couche tampon d'oxyde métallique épitaxique au moins sur la surface externe fonctionnalisée dudit tube à partir d'une solution liquide, en utilisant le procédé qui correspond au premier objet de la présente invention ; on dépose la couche de TRBaCuO ou de YbaCuO, sur la couche d'oxyde métallique déposée à l'étape (c) ; on dépose une couche de protection en métal, de préférence en argent ; on effectue un traitement oxydant. Un dernier objet de l'invention est un conducteur électrique supraconducteur de section 15 transversale sensiblement circulaire ou elliptique susceptible d'être obtenu par le procédé précité. Description des figures Les figures 1 à 4 se rapportent à la présente invention. 20 La figure 1 montre des images microscopiques de la surface d'un substrat revêtu d'une couche tampon de LZO selon l'invention. La longueur de la barre représente 10 pm. La figure 2 montre un schéma de tube texturé selon l'invention. Les axes de texture sont indiqués : l'axe parallèle au sens long du tube, et un axe radial au tube (i.e. perpendiculaire au sens long du tube). 25 La figure 3 montre une courbe de la résistance électrique en fonction de la température pour un produit fabriqué selon le procédé de l'invention. L'axe horizontal est gradué en Kelvin, l'axe vertical en Ohm. La figure 4 montre un tube à aspiration différentielle utilisé pour le traitement thermique de la couche tampon selon un mode de réalisation de l'invention. 30 Les repères suivants sont utilisés sur cette figure : 1 - Espace extérieur ; 2 - Espace intérieur ; 3 ù Paroi perforée 4 ù Direction de l'aspiration ; 5 ù Direction de l'entrée de gaz 6 ù Produit à traiter Les flèches indiquent une direction d'écoulement de gaz. Description de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un conducteur électrique supraconducteur comportant une couche de céramique de type (TR)Ba2Cu3O7_x (où TR symbolise un ou plusieurs éléments de terre rare ; ce composé étant appelé ici, indépendamment de sa stoeichiométrie, � TRBaCuO �) ou de type YBa2Cu3O7_x (appelé ici, indépendamment de sa stoeichiométrie, � YBaCuO �), de type Bi2Sr2Ca2Cu3010+y, de type TI2Ba2Cu2Cu3O10+y, ou de type HgBa2Ca2Cu308_y en tant que matériau supraconducteur déposée sur un substrat métallique texturé. Elle concerne notamment un procédé de fabrication d'un conducteur électrique supraconducteur comportant une couche d'oxyde mixte d'yttrium ù baryum ùcuivre (YBaCuO ou YBCO, cette désignation étant indépendante de la stoeichiométrie de la formule). Dans un mode de revendication avantageux de l'invention, le procédé comporte, dans l'ordre indiqué, les étapes suivantes : (i) 25 (ii) 30 (iii) (iv) (v) (vi) on approvisionne un substrat métallique long de section sensiblement circulaire ou elliptique, et typiquement un substrat tubulaire, ledit substrat ayant une texture cube présentant des grains d'orientation [001] perpendiculaire au sens long du substrat, et dont la direction [100] est parallèle au sens long du substrat ; on effectue un traitement de fonctionnalisation au moins de la surface externe dudit substrat métallique, de préférence par un traitement au H2S ; on dépose une couche tampon d'oxyde de métaux épitaxique au moins sur la surface externe fonctionnalisée dudit tube à partir d'une solution liquide ; on dépose la couche de TRBaCuO ou de YbaCuO, sur la couche d'oxyde métallique déposée à l'étape (iii) ; on dépose une couche de protection en métal, de préférence en argent ; on effectue un traitement oxydant ; ledit procédé étant caractérisé en ce que : à l'étape (iii), (b) on dépose une couche d'un précurseur d'un oxyde de type A2_XB2+XO, où A représente un métal de valence 3 (tel que le La, Y, Gd, Dy, Lu, Sc, Nd, Sa ; le La étant préféré) ou un mélange de plusieurs de ces métaux, et B un métal de valence 4 (tel que le Zr, Ti, Sn, Hf, Pb, Ce ; le Zr étant préféré), tel que le La2Zr207,(appelé aussi LZO), et x est un nombre compris entre -0,1 et +0,1 , à partir d'une solution aqueuse des propionates (carboxylates) desdits métaux A et B, cette solution ayant de préférence une viscosité, mesurée à la température du procédé, comprise entre 1 mPa s et 20 mPa s, et encore plus préférentiellement comprise entre 2 mPa s et 10 mPa s, (c) on laisse sécher ladite couche de précurseur, de préférence à une température comprise entre 80 et 100°C, (d) on effectue un traitement thermique à une température T comprise entre 800°C et 1100°C, et préférentiellement entre 850°C et 1000°C, pour former l'oxyde, ce traitement thermique étant effectué : avec une vitesse de montée en température comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 250°C/h et 2000°C/h et encore plus préférentiellement entre 500°C/h et 2000°C/h, suivi d'un palier à la température T pendant une durée comprise entre 1 et 120 minutes, préférentiellement entre 10 et 90 minutes, et encore plus préférentiellement entre 20 et 60 minutes, et suivi d'un refroidissement à une vitesse comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 100°C/h et 1000°C/h et encore plus préférentiellement entre 100°C/h et 500°C/h ; sous balayage de gaz réducteur, de préférence Ar + 5%(vol) H2), ledit gaz réducteur ayant de préférence une vitesse de balayage supérieure à 0,005 cm/s, préférentiellement comprise entre 0,012 cm/s et 0,1 cm/s, et encore plus préférentiellement comprise entre 0,04 cm/s et 0,08 cm/s. 30 Selon l'invention, à l'étape (ii) : on effectue avantageusement un traitement de fonctionnalisation du substrat métallique par un procédé comportant les étapes de : 9 25 traitement sous vide (un vide d'environ 10-3 bar convient) avec une vitesse de montée en température de 800°C/h, avec un palier à 600°C pendant une durée d'au moins 1 minute et de préférence comprise entre 10 et 60 minutes (avantageusement pendant environ 30 minutes), suivi d'un refroidissement jusqu'à température ambiante, - traitement de fonctionnalisation, de préférence par balayage de gaz inerte (Ar) avec 0,1%(vol) H2S à la température ambiante et à une pression comprise entre 10-3 bar et 10 bar, préférentiellement à la pression atmosphérique, pendant une durée d'au moins 1 minute, et avantageusement d'environ 30 minutes, - traitement sous balayage de gaz inerte Ar + 5%(vol) H2 avec une vitesse de montée en température de 800°C/h, avec un palier à 850°C pendant 30 minutes, suivi d'un refroidissement jusqu'à température ambiante. 15 Nous décrivons ici en détail chacune des étapes. (i) Approvisionnement d'un substrat métallique Le procédé selon l'invention peut s'appliquer à des substrats métalliques texturés plats ou courbés, et notamment à des substrats de section sensiblement circulaire ou 20 elliptique. Ces substrats peuvent être tubulaires. Ils doivent être en un métal qui cristallise dans une structure de type CFC (cubique à faces centrées). Ils peuvent être en nickel ou en nickel allié au tungstène, et doivent posséder une texture cube {100} . Des substrats tubulaires qui conviennent pour la réalisation de l'invention peuvent être fabriqués par un procédé de soudage des chants dans lequel un ruban 25 plat (aussi appelée bande plate) est formé autour d'une âme métallique disposée dans son axe long en tube fendu, les deux chants parallèles étant ensuite soudés l'un contre l'autre sur toute leur longueur par une soudure de type MIG ou TIG. La soudure par laser est également possible ; elle n'entraîne aucun risque de pollution si elle procède sans métal d'apport. Ce tube est ensuite étiré pour réduire son diamètre jusqu'à ce que 30 l'âme soit en contact avec toute la paroi interne du tube. D'autres procédés peuvent convenir pour obtenir ces substrats texturés de section sensiblement circulaire ou elliptique. 10 Sur ces substrats métalliques texturés biaxialement, de préférence de section transversale sensiblement circulaire ou elliptique, et notamment sur des tubes, on réalise successivement des traitements de fonctionnalisation du substrat métallique, de dépôt chimique d'un précurseur de la couche tampon, de traitement thermique, en vue d'obtenir une couche tampon constituée d'un film d'oxyde, le plus dense possible et hypertexturé. On utilise pour cela la croissance par épitaxie sur les grains du substrat. On part d'un précurseur métal-organique mouillant qui permet d'effectuer le dépôt qui est séché puis traité thermiquement pour synthétiser l'oxyde. (ii) Fonctionnalisation du substrat Préalablement au dépôt du précurseur métal-organique de la couche tampon LZO, le substrat doit avoir été fonctionnalisé. La fonctionnalisation du substrat métallique a deux objectifs : elle a pour objet d'assurer une couche d'adaptation permettant la liaison de l'oxyde LZO sur le métal : il s'agit de créer des sites cristallographiques sur le métal susceptibles de se lier à ceux de l'oxyde. Ainsi on obtient une couche qui reproduit la structure atomique du substrat (i.e. l'épitaxie). Elle a également pour objet de créer une surface chimiquement stable, car cette surface sera forcément exposée à la pression ambiante lorsque le substrat sera trempé dans la solution pour déposer la couche tampon. Cette étape est essentielle pour permettre une liaison chimique des atomes de l'oxyde à ceux du métal. En pratique, la fonctionnalisation du substrat est réalisée de préférence par un traitement de surface, consistant en un dépôt d'une ou plusieurs monocouches de soufre. On sait que le soufre forme une couche chimisorbée ordonnée sur les métaux à structure cristallographique CFC (cubique face centrée) généralement utilisés comme substrats. Cette couche de soufre peut être obtenue par un traitement thermique approprié, et avantageusement par un procédé comportant les étapes de : - traitement sous vide (un vide primaire, i.e. de l'ordre de 10-3 bar, suffit) avec une vitesse de montée en température comprise entre 600°C/h et 1000°C/h (et de préférence d'environ 800°C/h), suivi d'un palier à une température comprise entre 550°C et 650°C (de préférence à environ 600°C) pendant environ 30 minutes, puis d'un refroidissement jusqu'à température ambiante, balayage de gaz inerte (Ar) avec environ 0,1%(vol) H2S à température ambiante pendant environ 30 minutes, à la pression atmosphérique ; - traitement sous balayage de gaz réducteur, de préférence Ar + 5%(vol) H2, avec une vitesse de montée en température comprise entre 600°C/h et 1000°C/h (et de préférence d'environ 800°C/h), suivi optionnellement d'un palier à une température comprise entre 750°C et 900°C (de préférence à environ 850°C) pendant environ 30 minutes, puis d'un refroidissement jusqu'à température ambiante. Le contrôle de cette couche peut être fait par des techniques d'analyse de surface connues de l'homme du métier pour cet usage, comme l'Auger, le RHEED. Le traitement de sulfuration est connu dans son principe : on dépose sous ultravide une monocouche de soufre, comme suggéré dans l'article "RHEED Studies of Epitaxial Oxide Seed-Layer Growth on RABiTS Ni(001) : The Role of Surface Structure and Chemistry", par C. Cantoni et al., (disponible sur le serveur d'internet [condmat.supr.con], arXiv :cond-mat/0106254v1). Ce procédé n'a pas été exploité, à la connaissance des inventeurs, à une pression atmosphérique ou de vide primaire pour fonctionnaliser un substrat cylindrique destiné à recevoir une couche de LZO déposée par voie liquide. Un procédé de dépôt de soufre sur le substrat avant dépôt de la couche YBaCuO à pression atmosphérique est décrit également dans les demandes de brevet de la société American Superconductor Corp., US 2007/0197395 (mais dans ce document, une couche tampon métallique ou oxydique autre que LZO est déposée au-dessus de cette couche de soufre, avant dépôt de la couche YBaCuO) et US 2007/0179063. Alternativement, on peut utiliser pour le traitement de fonctionnalisation un composé soufré, tel qu'un sulfure organique ; cependant, le carbone risque de gêner la fonctionnalisation de surface. On peut aussi traiter la surface aux vapeurs de soufre, mais c'est difficile à doser. Compte tenu de la disponibilité et de la simplicité de la molécule H2S, ce traitement est préféré. On peut aussi fonctionnaliser la surface par la création d'une monocouche d'oxygène. Le résultat du procédé de fonctionnalisation est une couche de fonctionnalisation 30 stable à l'air pendant la durée nécessaire pour transférer le substrat dans la phase liquide pour épitaxie. Dans le cas où le substrat métallique contient du soufre, il est possible d'utiliser la couche de surface qui se forme par ségrégation à la suite de certains traitements thermiques du métal, qui tiennent alors lieu de traitement de fonctionnalisation. La ségrégation ayant lieu lors du refroidissement, c'est le refroidissement qui doit être soigneusement contrôlé. Dans certains cas, le recuit de texturisation peut ainsi comprendre le recuit de fonctionnalisation. (iii) Dépôt de la couche tampon Le dépôt de la couche tampon est une caractéristique essentielle de la présente invention. La couche est obtenue par dépôt chimique en solution suivi d'un traitement thermique. Cette couche tampon est primordiale car c'est sur celle-ci qu'est dupliquée 10 la texture de la couche YBaCuO qui, si elle est correcte, permettra le passage de grandes densités de courant de courant électrique. Une couche tampon optimale reproduit d'une part la texture du substrat et constitue d'autre part une barrière efficace à la diffusion. Une couche constitue une barrière efficace à la diffusion en particulier si elle est dense ou ne présente qu'une faible porosité formée de petits trous non 15 connectés. La couche tampon déposée dans le cadre de la présente invention est un oxyde de type A2_xB2+XO7 où A est un métal de valence 3 (tel que le La ou un lanthanide, tel que Gd, Dy, Lu, Nd, Sa, ou le Sc ; le La étant préféré) et B un métal de valence 4 (tel que le Zr, Ti, Sn, Hf, Pb, Ce, Ta ; le Zr étant préféré), tel que le La2Zr2O7 (appelé aussi LZO), 20 et x est un nombre compris entre -0,1 et +0,1. Elle est très préférentiellement un oxyde mixte de lanthane et zircone de composition nominale La2Zr2O7 (LZO). En effet, il a été montré récemment (Caroff et al, Sup.Sci.Technol. 2008, 21 075007) qu'il était possible, sur des substrats plats, de n'avoir qu'une seule couche tampon de LZO, ce qui est très économique. On peut utiliser d'autres oxydes que LZO, tels que par exemple SrTiO3, 25 LaMnO3, YSZ, mais alors il faut une architecture en général complexe car très peu d'oxydes arrivent à satisfaire toutes les fonctions des tampons en une fois. C'est pour-quoi on préfère largement les couches de type A2_xB2+XO7 et plus spécialement le LZO. En particulier, si une couche tampon composée de plusieurs couches est envisagée, les inventeurs préfèrent utiliser une telle couche LZO en contact avec le substrat 30 métallique. Mais ils préfèrent une couche homogène, appliquée en une seule fois. Les inventeurs ont montré qu'une bonne qualité de couche tampon (et notamment une couche de LZO déposée comme décrit ci-dessous) permet de simplifier énormément l'architecture des supraconducteurs déposés. Ainsi la structure multicouche Ni5W/LZO/YBaCuO/protection(Ag) déposée sur un substrat plat permet de faire passer5 près de 1 MA/cm2 à 77°K alors que les solutions de l'état de la technique proposent jusqu'à 10 couches tampon pour parvenir au même résultat. Le procédé selon l'invention permet en particulier d'utiliser un seul type de couche tampon, et de ce fait, il est plus simple que les procédés connus. En particulier, le procédé selon l'invention permet de déposer une telle couche sur un substrat courbé, par exemple sur un tube, de manière à obtenir par la suite une couche supraconductrice à la température de l'azote liquide, ce qui ne semble pas être possible avec les procédés selon l'état de la technique. L'obtention d'une couche tampon de bonne qualité selon le procédé de l'invention fait 10 intervenir de multiples facteurs. (1) Précurseur La décomposition du précurseur doit donner un oxyde. Dans la présente invention, on utilise de préférence des carboxylates dans lesquels le cation est coordonné à des 15 oxygènes. L'avantage des carboxylates est leur stabilité vis-à-vis de l'humidité de l'atmosphère. Le précurseur est déposé par voie liquide, et en particulier par trempage. Parmi les carboxylates, on préfère les propionates. Pour obtenir une couche de LZO, le précurseur utilisé dans la présente invention est une solution à 0,6 mol/I de LaZr(prop), (La / Zr = 1 :1, i.e. la solution contient 0,3 mol/I 20 de La et 0,3 mol/I de Zr) dans l'acide propionique. LaZr(prop), est de préférence préparé par attaque dans l'acide propionique de La(acac)3 x 3 H2O et Zr(acac)4 (où � acac � désigne l'acétylacétonate) séparément, en chauffant légèrement (typiquement à environ 60°C), sans évaporer une quantité significative d'acide propionique. La concentration maximale de LaZr(prop), utilisable semble être 0,9 mol/I. 25 Pour obtenir d'autres couches de type A2_xB2+x07, on utilise avantageusement également les carboxylates, et de manière encore plus préférée les propionates des métaux A et B. (2) Viscosité La viscosité ri de la solution est un paramètre très important car elle conditionne 3 0 l'épaisseur déposée après trempage. La viscosité de solutions de propionate de métaux, et notamment celle de solutions de propionate de LZO (LaZr(prop)7), dans l'acide propionique dépend de la concentration de la solution. On sait (voir par exemple Knoth et al, Sup. Sci.Technol. 18(2005), p. 334-339) que la viscosité d'une solution de 0,05 mol/I vaut 1,5 mPas, 2,5 pour 0,15 mol/I, et 6,5 mPas pour une concentration de 0,3 mol/I. L'épaisseur déposée après la trempe d est donnée par l'équation de Landau û Levich : (77024 d=a y14 Gog� 1 % où y est la tension de surface liquide-vapeur, p la densité du liquide et v la vitesse de retrait hors du bain, et a est un paramètre numérique qui vaut environ 0,94. Des adjuvants tels que des composés plurifonctionnalisés, sélectionnés par exemple parmi les polyamines, les polyamides, les polyéthers, les aminoalcools, ou de 10 véritables polymères, comme par exemple le polyméthacrylate de méthyle (PMMA), le polyéthylène glycol (PEG), l'alcool polyvinylique (PVA), peuvent être ajoutés à la solution de propionates pour épaissir la solution et augmenter l'épaisseur déposée. D'autre part, l'épaisseur du dépôt de précurseur dépend également de la température du bain. L'élévation de la température de quelques degrés peut modifier de plusieurs 15 dizaines de % l'épaisseur finale d'oxyde obtenu après traitement thermique. On préfère ne pas dépasser 40°C, et encore plus préférentiellement ne pas dépasser 30°C. Au-dessus de 40°C, la composition de la solution se modifié dû à l'évaporation d'acide (typiquement d'acide propionique si on utilise des propionates). Une température trop basse du bain est susceptible de conduire à un début de cristallisation d'une des 20 espèces présentes dans le bain. Par conséquent, on préfère une température comprise entre 20°C et 30°C. La viscosité de la solution précurseur à la température du procédé est préférentiellement comprise entre 1 mPa s et 20 mPa s, et encore plus préférentiellement comprise entre 2 mPa s et 10 mPa s. Cette mesure est effectuée de manière classique par un viscosimètre à bille. 25 Le procédé selon l'invention fait intervenir un substrat de forme cylindrique, tel qu'un tube. Le dépôt se fait par trempage. Lorsque l'on retire le substrat du liquide, celui-ci s'écoule mais une pellicule reste déposée, dont l'épaisseur est régie par la loi écrite plus haut. La géométrie cylindrique du substrat modifie les écoulements par rapport à la géométrie plane, en particulier à cause des effets de bords qui sont différents. 30 (3) Séchage Le séchage permet d'obtenir une couche solide qui a l'aspect d'une résine polymérique. Elle rend l'objet manipulable aisément. Pour obtenir cette couche, la5 couche de précurseur déposée par voie liquide est séchée, de préférence à une température comprise entre 80°C et 100°C, avantageusement par un chauffage infra-rouge. Ce séchage conduit à la polymérisation au moins partielle de la résine, attestée par le fait que le précurseur devient rigide et seulement partiellement soluble dans les solvants usuels. Les étapes de trempe et séchage/polymérisation sont faites dans une atmosphère contrôlée. Cela implique, d'une part, la protection contre des poussières qui viendraient faire des � pailles � dans le film. Cela implique également un contrôle soigneux du taux d'humidité, afin que le procédé soit reproductible. Un taux d'humidité relative de 20% convient. Un taux plus faible peut également convenir. (4) Epaisseur déposée En général, la gamme d'épaisseur optimale de LZO, compte tenu des propriétés du supraconducteur qui le recouvre ensuite, se situe entre 30 nm et 250 nm. Les inventeurs ont pu déposer sur des surfaces courbées, et notamment sur des tubes d'un diamètre de quelques millimètres, jusqu'à 250 nm de LZO, en plusieurs dépôts successifs, sans craques et avec des qualités de textures correctes, bien que ces couches ne soient pas toujours cristallisées en surface comme requis. A condition d'avoir des qualités de texture et de cristallisation correctes, il est préférable d'avoir une couche tampon dont non seulement la densité, mais aussi l'épaisseur soit élevée, dans les limites indiquées ci-dessus. En effet, les inventeurs ont trouvé que les propriétés de la couche supra-conductrice TRBaCuO ou YBaCuO, sont meilleures pour les plus fortes épaisseurs de LZO. Une explication pourrait être que les défauts de surface du substrat sont davantage masqués avec des couches tampon épaisses. On préfère une épaisseur comprise entre 60 nm et 250 nm, et encore plus préférentiellement comprise entre 80 nm et 250 nm. En effet, le procédé selon l'invention permet de déposer une épaisseur comprise entre 30 nm et environ 120 nm en une seule fois, sans formation de craquelures. Le dépôt de plusieurs couches l'une sur l'autre, ces couches étant de composition identique, donne une meilleure densification de la couche tampon obtenue. La couche déposée, en un seul dépôt ou en plusieurs dépôts successifs, est texturée bi-axialement. Le procédé selon l'invention diffère des procédés sur substrat plat par la texture du substrat. Dans les rubans plats, la texture est tridimensionnelle et présente deux directions orthogonales préférentielles. Ceci signifie que les grains sont orientés les uns par rapport aux autres dans le plan et perpendiculairement au plan. Si on roule ce ruban pour en faire un tube, on va mécaniquement introduire des désorientations radiales entre grains, et créer des contraintes de surface. La désorientation radiale moyenne entre grains peut être calculée si l'on connaît le nombre de grains sur 360°. Un substrat sous la forme d'un tube, tel qu'utilisé dans le cadre de la présente invention, présente typiquement une taille moyenne de grains de 50 pm, observée sur une zone d'un diamètre de 2 mm, ce qui conduit à une désorientation radiale moyenne entre grain d'environ 3° ; cela est acceptable. Un tel substrat présente une texture bidirectionnelle avec un axe radial et un axe axial. Sa couche d'oxyde présente typiquement une taille de grain comprise entre 50 nm et 80 nm. (5) Traitement thermique Cette étape est particulièrement critique pour le procédé selon l'invention. Après séchage, le film est porté à une température comprise entre 850 et 1100°C avec une vitesse de montée en température comprise entre 100 et 2000°C/h sous un balayage de gaz réducteur, de préférence un mélange d'argon contenant 5 vol-% H2. L'utilisation d'un tel gaz évite l'oxydation du substrat. II peut être utile d'effectuer un palier à haute température. Le flux et le débit de gaz, la vitesse de montée en température et la température de traitement (température maximum) sont des paramètres essentiels de la phase du traitement thermique. La vitesse de gaz doit être la plus élevée possible, sans risquer de refroidir l'échantillon et elle conditionne le déroulement de la pyrolyse des précurseurs, notamment l'avancement du front de pyrolyse, et l'avancement du front de cristallisation de la partie texturée dans le film. La température du traitement thermique est avantageusement comprise entre 800°C et 1100°C pour former l'oxyde. Elle doit être supérieure à 850°C pour amorcer une cristallisation, et doit être inférieure à la température de recristallisation du substrat sous peine de le voir perdre sa texture. La température optimale dépend du substrat. Pour les substrats de Ni - 5at%W, la température de recristallisation se situe avantageusement proche de 1100°C. Une température trop élevée, et un traitement trop long à température élevée, peut favoriser l'interdiffusion entre le substrat métallique et la couche tampon. En particulier, le tungstène du substrat en nickel - tungstène peut diffuser dans la couche tampon, et le lanthane de la couche tampon peut diffuser dans le substrat métallique. Il peut aussi y avoir des réactions à l'interface. Le traitement thermique se fait avantageusement avec une vitesse de montée en température comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 250°C/h et 2000°C/h et encore plus préférentiellement entre 500°C/h et 2000°C/h, suivi d'un palier à la température T pendant une durée comprise entre 1 et 120 minutes, préférentielle- ment entre 10 et 90 minutes, et encore plus préférentiellement entre 20 et 60 minutes, et suivi d'un refroidissement à une vitesse comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 100°C/h et 1000°C/h et encore plus préférentiellement entre 100°C/h et 500°C/h. Dans un mode de réalisation particulier, le traitement thermique peut être effectué en deux parties ou phases se distinguant par leur domaine de température : une première partie ou phase dite de pyrolyse, allant d'environ 150°C à environ 450°C, et une seconde partie ou phase dite de cristallisation, allant d'environ 450°C à environ 1000°C ou 1100°C. Les vitesses de montée en température à l'intérieur de ces deux régimes peuvent être différentes, par exemple lent en phase de pyrolyse et rapide en phase de cristallisation. De manière avantageuse, le traitement thermique fait intervenir un passage sous vide dans le domaine de la pyrolyse. A la fin de la phase de pyrolyse, on peut laisser refroidir jusqu'à la température ambiante, ou on peut continuer le traitement thermique en augmentant la température pour arriver dans la phase de cristallisation.. Par ailleurs, le traitement thermique pendant la phase de cristallisation doit se faire sous balayage de gaz réducteur, de préférence Ar + 5%(vol) H2), ledit gaz réducteur ayant de préférence une vitesse de balayage supérieure à 0,005 cm/s, préférentielle-ment comprise entre 0,012 cm/s et 0,1 cm/s, et encore plus préférentiellement comprise entre 0,04 cm/s et 0,08 cm/s. Dans un mode de réalisation avantageux de l'invention, ce balayage de gaz est effectué en injectant le gaz préchauffé à contre-courant dans un tube dit à aspiration différentielle, qui est montré schématiquement sur la figure 4. Il comporte une paroi chauffante (7) et des parois internes perforées (3) qui délimitent un espace intérieur (2) et un espace extérieur (1). Le produit à traiter (6) se trouve dans l'espace intérieur (2). Le gaz entre (4) dans le tube, entraîne les produits gazeux de la réaction de pyrolyse et est extrait à l'extérieur du tube par une aspiration (4) à travers les parois perforées (3). La pression dans l'espace intérieur (2) est supérieure à celle dans l'espace extérieur (1). Le balayage de gaz peut aussi être appliqué pendant la phase de pyrolyse, si l'on ne choisit pas d'effectuer la pyrolyse, comme indiqué ci-dessus, sous vide. La croissance de la partie épitaxiée qui démarre de l'interface par nucléation hétérogène sur le substrat doit s'étendre jusqu'à la surface pour permettre une reprise d'épitaxie pour le dépôt d"une couche TRBaCuO ou YBaCuO de bonne qualité. Or, les propriétés des films d'oxyde tampon obtenus par voie chimique font que la nucléation peut aussi se produire dans la partie non épitaxiée par nucléation en phase homogène, les grains germant alors dans des directions aléatoires. Il est indispensable d'éviter cette nucléation en phase homogène afin que le film soit texturé dans toute son épaisseur, jusqu'à la surface. Sans vouloir s'enfermer dans cette hypothèse scientifique, les inventeurs pensent que le carbone et les espèces carbonées, et peut-être aussi l'oxygène et les composés carbonés qui l'emportent, générés par la pyrolyse du précurseur métal-organique, jouent un rôle important dans ce processus et bloquent peut-être la nucléation et la croissance homogène, permettant ainsi à la partie texturée de s'étendre facilement jusqu'à la surface. De même, les inventeurs s'imaginent que le balayage du gaz de conditionnement passant au dessus du film lors de son traitement thermique agit sur la cinétique de la pyrolyse des précurseurs et gère l'avancée du front de croissance de la partie texturée. Cette hypothèse permettrait d'expliquer pourquoi la vitesse de recuit joue un rôle important dans la pyrolyse, la nucléation et la cristallisation, et détermine donc, pour une part, la microstructure du film céramique constituant la couche tampon. De manière surprenante, les inventeurs ont constaté que dans le procédé selon l'invention, la nucléation se fait par épitaxie sur les grains du substrat métallique, conduisant à une couche épitaxique d'excellente qualité, c'est-à-dire cristallisée, texturée en surface et dense, qui permet de déposer ensuite des couches TRBaCuO ou YBaCuO de très bonne qualité. L'obtention par ce procédé d'une couche epitaxique courbée qui est texturée en surface est surprenante, car toute désorientation des grains du substrat risque de se traduire sur les grains ayant nucléés. C'est un des problèmes spécifique à la géométrie non plane ; le procédé selon l'invention permet de résoudre ce problème. Le fait que la couche LZO soit texturée en surface permet à la couche TRBaCuO ou YBaCuO de reprendre cette texture lors de son dépôt par épitaxie ; on obtient ainsi une couche TRBaCuO ou YBaCuO de structure contrôlée qui présente d'excellentes propriétés supraconductrices. C'est donc sur des substrats non plans (i.e. courbés) que le procédé selon l'invention est particulièrement avantageux par rapport aux procédés connus. (iv) Dépôt de la couche de TRBaCuO Le substrat recouvert de sa couche tampon est ensuite recouvert d'une couche supraconductrice de TRBaCuO ou YBaCuO et enfin d'une couche protectrice fine par pulvérisation d'Ag. Cette couche supraconductrice est avantageusement une couche d' YBaCuO. Dans un mode de réalisation, son épaisseur est comprise entre 200 nm et 500 nm. Le dépôt de la couche TRBaCuO ou YBaCuO se fait de préférence par la technique de MOCVD (metal-organic chemical vapour deposition), que l'homme du métier connaît en tant que telle. Une technique de dépôt d'YBaCuO par MOCVD qui convient est décrite par exemple dans la demande de brevet WO 93/08838 et dans l'article publié par Donet et al. dans J. Phys IV Pr 11 AA 319 en 2001. On peut utiliser avantageusement une technique MOCVD à injection périodique de gouttelettes telle que décrite dans les documents WO 95/02711 et US 5,945,162 précités, qui permet de synthétiser des couches minces de matériaux complexes de type TRBaCuO avec un très bon contrôle de la stoechiométrie, de la vitesse de croissance et de la qualité cristalline des films. Son principe repose sur l'utilisation d'une micro-vanne à commande électronique qui permet d'introduire des volumes liquides très précisément contrôlés d'une solution composé de précurseurs organométalliques et d'un solvant. La solution est contenue dans un flacon pressurisé sous atmosphère inerte et connecté à l'injecteur. Des microgouttelettes sont injectées séquentiellement dans un évaporateur (à une température d'environ 250°C) où le solvant et les précurseurs sont vaporisées. Un flux gazeux transporte les précurseurs dans la zone de réaction où la croissance CVD a lieu sur un substrat chauffé. On peut ainsi injecter soit des gouttelettes constituées de mélanges de plusieurs précurseurs, soit successivement des gouttelettes constitué d'un seul précurseur. Cette technique permet le dépôt de couches de composition chimique complexe. (v) Dépôt d'une couche métallique Au-dessus de la couche TRBaCuO ou YBaCuO, on dépose ensuite une couche métallique. Cette couche est de préférence perméable pour l'oxygène, permettant sa diffusion. L'argent donne le meilleur résultat. Cette couche peut être déposée avec toute technique connue, mais on préfère le dépôt dans des conditions permettant l'absence de contaminations d'interface empêchant le transfert de courant entre la couche protectrice d'argent et la couche supraconductrice. Le nettoyage de l'interface peut se faire par exemple par un plasma d'argon-oxygène. Dans un mode de réalisation, on dépose une couche d'argent d'une épaisseur comprise entre 250 nm et 450 nm. (vi) Traitement oxydant Le traitement oxydant est nécessaire car dans les conditions du dépôt MOCVD, le composé YBaCO présente une stoechiométrie de l'oxygène inférieure à 6,93 lui conférant une structure quadratique à haute température, qui transite vers une structure orthorhombique à 500°C. Néanmoins, pour s'approcher de la stoechiométrie idéale de 6,93, le refroidissement doit se faire en pression atmosphérique d'oxygène. Dans un procédé en ligne cette étape est effectuée séparément grâce à traitement post-dépôt à 500°C sous oxygène pur, pendant plusieurs heures, suivis d'une descente lente à quelques centaines de degrés par heure, typiquement 100°C/h. L'argent, compte tenu de sa perméabilité à l'oxygène et de son caractère inerte vis-à-vis de l'oxygène rend possible le traitement oxydant après l'étape de métallisation. Nous décrivons ici deux variantes du procédé selon l'invention. Dans une première variante, on approvisionne un substrat métallique plat, préalablement texturé bi-axialement, qui est revêtu d'une couche tampon d'oxyde métallique épitaxique, en utilisant un procédé de l'état de la technique ou le procédé selon l'invention. Ce substrat plat est ensuite transformé en substrat long de section sensiblement circulaire ou elliptique, et typiquement un substrat tubulaire, de préférence par le procédé de soudage des chants décrit ci-dessus. Lors de ce procédé de roulage - soudage, la couche tampon est inévitablement endommagée, et il est nécessaire de redéposer une seconde couche tampon au-dessus de la première, par le procédé de dépôt décrit ci-dessus. On préfère déposer une ou plusieurs couches d'oxyde métallique épitaxique très mince, d'une épaisseur comprise entre 20 et 60 nm, et de manière encore plus préférée d'environ 40 nm. Ensuite, on poursuit le procédé selon l'invention comme décrit ci-dessus avec le dépôt de la couche de TRBaCuO ou YBaCuO (étape (iv)), le dépôt de la couche de protection en métal (étape (v)) et le traitement oxydant (étape (vi)). Dans une deuxième variante, on approvisionne un substrat plat fortement écroui mais non texturé, et on le transforme en substrat métallique long de section sensiblement circulaire ou elliptique, et typiquement un substrat tubulaire, de préférence en utilisant le procédé de soudage des chants décrit ci-dessus. Ensuite, on effectue un recuit texturant, et poursuit le procédé selon l'invention comme décrit ci-dessus, avec un traitement de fonctionnalisation (étape (ii)), suivi du dépôt de la couche tampon (étape (iii)), le dépôt de la couche de TRBaCuO ou YBaCuO (étape (iv)), le dépôt de la couche de protection en métal (étape (v)) et le traitement oxydant (étape (vi)). Le procédé selon l'invention a de nombreux avantages. Il permet la préparation de conducteurs supraconducteurs à haute température de section transversale sensiblement circulaire ou elliptique par un procédé continu (� reel-to-reel �, i.e. effectué de bobine en bobine) de dépôt successif de couches de grande qualité cristallographique. Exemples Ces exemples servent à illustrer des modes de réalisation de l'invention, mais ne la limitent pas. Des produits avantageux selon l'invention présentent les caractéristiques suivantes : • La couche tampon d'oxyde métallique est une couche de LZO, qui a typiquement une épaisseur comprise entre 80 nm et 210 nm. • La couche de TRBaCuO ou YBaCuO est avantageusement une couche d'YBaCuO présentant une épaisseur comprise entre 200 nm et 500 nm, et typiquement de l'ordre de 350 nm. • La couche de protection en métal est une couche d'argent, qui a typiquement une épaisseur comprise entre 250 nm et 450 nm, et typiquement de l'ordre de 350 nm. Un tel fil d'YBaCuO déposé sur un fil texturé de Ni, présente une température Tc d'au moins 83 K, préférentiellement d'au moins 85 K, et encore plus préférentiellement d'au moins 93 K. La densité de courant, mesurée à 4 K, est supérieure à 3 A par centimètre de périmètre. La figure 1 montre trois micrographies, obtenues par des techniques différentes, d'un même tube revêtu d'une couche de LZO déposée par le procédé selon l'invention. Dans cet exemple, on a déposé la couche de LZO d'une épaisseur de 110 nm sur un substrat plat Ni-5at%W texturé bi-axial, qui a été transformé en tube par un procédé de roulage û soudage. La figure 1(b) montre une micrographie obtenue par microscopie électronique à balayage (tension d'accélération 20 kV) sur le tube roulé-soudé. Lors de la phase d'étirement, la couche de LZO est fracturée selon les bandes de Lüders générées par la déformation du substrat métallique. La micrographie montre les fractures de la couche LZO induites par cette déformation. La figure 1(a) montre une micrographie obtenue par microscopie électronique à balayage en mode de diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD = Electron BackScattered Surface Diffraction) du même tube. Cette technique donne des informations sur les orientations relatives des grains de la surface. Les parties sombres représentent des grains de La2Zr2O7 avec leurs axes [001] parallèles à la normale de la surface du tube (axe r, voir la figure 4) et leurs axes [100] parallèles à l'axe du cylindre (Z). Les zones gris clair sont tournées de 45° par rapport aux précédentes (direction ). II s'agit de zones de Ni-5at%W découvertes lors de la préparation du tube qui apparaissent en sombre sur la micrographie de la figure 1(b). Elles sont tournées de 45° par rapport aux grains de La2Zr2O7 pour des raisons d'accord de maille cristallographique entre ces deux composés. Les régions blanches correspondent à des grains totalement désorientés. La figure 1(c) montre une micrographie obtenue par microscopie électronique à balayage en mode de diffraction d'électrons rétrodiffusés dans des conditions identique à celles employées pour la figure 1(b), sur un tube dont la couche de LZO a été réparée par dépôt d'une deuxième couche de LZO par le procédé selon l'invention. On observe que ce deuxième dépôt bouche les zones vides causées par le processus de mise en forme du tube, qui sont visibles sur les figures 1(a) et 1(b). Cet exemple montre que la surface fracturée de LZO, endommagé lors de la mise en forme d'un substrat métallique initialement plat, peut être réparée moyennant une deuxième couche de LZO déposée selon le procédé de l'invention. La figure 3 montre qu'un dépôt de YBaCuO sur un tel substrat peut présenter une résistivité de moins de 0,10 0 à 80 K, et une résistivité nulle vers 60 K où il devient supraconducteur. REVENDICATIONS1. Procédé de dépôt d'une couche tampon d'oxyde métallique épitaxique sur une surface fonctionnalisée d'un substrat métallique texturé, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : (1) on dépose une couche d'un précurseur d'un oxyde de type A2_xB2+xO, où A représente un métal de valence 3 (tel que le La, Y, Gd, Dy, Lu, Sc, Nd, Sa ; le La étant préféré) ou un mélange de plusieurs de ces métaux, et B un métal de valence 4 (tel que le Zr, Ti, Sn, Hf, Pb, Ce ; le Zr étant préféré), tel que le La2Zr2O7,(appelé aussi LZO), et x est un nombre compris entre -0,1 et +0,1 , à partir d'une solution aqueuse des carboxylates (et préférentiellement des propionates) desdits métaux A et B, cette solution ayant de préférence une viscosité, mesurée à la température du procédé, comprise entre 1 mPa s et 20 mPa s, et encore plus préférentiellement comprise entre 2 mPa s et 10 mPa s, (2) on laisse sécher ladite couche de précurseur d'oxyde, de préférence à une température comprise entre 80 et 100°C, (3) on effectue un traitement thermique pour pyrolyser ledit précurseur d'oxyde et pour former l'oxyde, au moins une partie dudit traitement thermique étant effectuée sous balayage de gaz réducteur, de préférence Ar + 5%(vol) H2), ledit gaz réducteur ayant de préférence une vitesse de balayage supérieure à 0,005 cm/s, préférentiellement comprise entre 0,012 cm/s et 0,1 cm/s, et encore plus préférentiellement comprise entre 0,04 cm/s et 0,08 cm/s. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement thermique (étape (3)) comprend une phase dite de pyrolyse et une phase dite de cristallisation, la phase de pyrolyse impliquant un traitement thermique compris entre 150°C et environ 450°C, et la phase de cristallisation impliquant un traitement thermique compris entre environ 450°C et environ 1100°C. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit traitement thermique (étape (3)) comprend un traitement à une température T comprise entre 800°C et 1100°C, et préférentiellement entre 850°C et 1000°C, pour former l'oxyde. 25 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le traitement thermique comprend une vitesse de montée en température comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 250°C/h et 2000°C/h et encore plus préférentiellement entre 500°C/h et 2000°C/h, suivi d'un palier à la température T pendant une durée comprise entre 1 et 120 minutes, préférentiellement entre 10 et 90 minutes, et encore plus préférentiellement entre 20 et 60 minutes, et suivi d'un refroidissement à une vitesse comprise entre 100°C/h et 2000°C/h, préférentiellement entre 100°C/h et 1000°C/h et encore plus préférentiellement entre 100°C/h et 500°C/h. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la phase de pyrolyse est effectué au moins en partie à une pression réduite. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que la phase de cristallisation est effectuée sous balayage de gaz réducteur. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ledit substrat métallique est un substrat métallique long de section sensiblement circulaire ou elliptique, à texture cube présentant des grains d'orientation [001] perpendiculaire au sens long du substrat, et dont la direction [100] est parallèle au sens long du substrat. 8. Utilisation du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 dans un procédé de fabrication de dispositifs supraconducteurs comportant une couche supracondutrice d'oxyde mixte Terre Rare û Baryum - Cuivre (TRBaCuO) et notamment d'oxyde mixte Yttrium û Baryum û Cuivre (YBaCuO ou YBCO), ladite couche supraconductrice étant déposé sur ladite couche tampon. 9. Procédé de fabrication d'un conducteur électrique supraconducteur de section transversale sensiblement circulaire ou elliptique, ledit conducteur comportant une couche d'oxyde mixte d'Yttrium û Baryum û Cuivre (YbaCuO ou YBCO) en tant que matériau supraconducteur déposée sur un substrat métallique de section sensiblement circulaire, ledit procédé comportant, dans l'ordre indiqué, les étapes suivantes :(a) on approvisionne un substrat métallique long de section sensiblement circulaire ou elliptique, et typiquement un substrat tubulaire, ledit substrat ayant une texture cube présentant des grains d'orientation [001] perpendiculaire au sens long du substrat, et dont la direction [100] est parallèle au sens long du substrat ; (b) on effectue un traitement de fonctionnalisation au moins de la surface externe dudit substrat métallique, de préférence par un traitement au H2S ; (c) on dépose une couche tampon d'oxyde de métaux épitaxique au moins sur la surface externe fonctionnalisée dudit tube à partir d'une solution liquide, en utilisant le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7; (d) on dépose la couche de TRBaCuO, et notamment de YbaCuO, sur la couche d'oxyde métallique déposée à l'étape (c) ; (e) on dépose une couche de protection en métal, de préférence en argent ; (f) on effectue un traitement oxydant. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le traitement au H2S est effectué à une pression comprise entre 10-3 et 10 bar, et de préférence à la pression atmosphérique. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le traitement au H2S est effectué pendant une durée d'au moins une minute. 12. Conducteur électrique supraconducteur de section transversale sensiblement circulaire ou elliptique susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11. 13. Conducteur électrique supraconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il présente une température Tc d'au moins 83 K, préférentiellement d'au moins 85 K et encore plus préférentiellement d'au moins 93 K.25 14. Conducteur électrique supraconducteur selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu'il présente une densité de courant, mesurée à une température de 4 K, supérieure à 3 A par centimètre de périmètre.5