Brevet FR2947097A1 — publié le 20101224

L'invention se rapporte au domaine de la microélectronique. Elle concerne plus particulièrement un appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur et un appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire pour la fabrication de galettes de semi-conducteur. La plupart des composants électroniques et microélectroniques tels que les mémoires magnétiques, les circuits CMOS ou les processeurs sont réalisés à l'aide d'empilements de couches de matériaux minces et de très grande pureté. Les matériaux déposés sont, par exemple, des conducteurs (métaux), des semi-conducteurs (silicium, germanium, composés du type III-V ou II-IV, par exemple) ou des isolants (oxydes, nitrure, par exemple). Ils sont déposés sur des substrats de silicium ou de germanium ou d'autres matériaux. Ces substrats sont en forme de disque avec des diamètres de 200 mm ou 300 mm. D'autres formes de substrat sont également possibles. Chaque substrat subit plusieurs étapes de traitement comme le dépôt d'une ou plusieurs couches de matériaux, le traitement thermique et la gravure. On obtient alors un disque ou une galette de semi-conducteur qui sera ensuite traité pour obtenir une multitude de composants électroniques. Dans l'industrie microélectronique, ces étapes sont classiquement réalisées dans un système multi chambres sous vide (jusqu'à environ 10-' Torr). Chacune des étapes du process est réalisée dans une chambre ou module distinct. Chaque chambre est associée à une opération de dépôt de couche de matériaux, de traitement thermique ou de gravure. Un bras robotisé placé dans une enceinte sous vide distribue les substrats d'une chambre à une autre. Les besoins technologiques de réduction d'échelle des composants électroniques et d'amélioration des performances des circuits intégrés en terme de consommation électrique et de vitesse, nécessitent la réalisation de couches de matériaux plus minces avec des matériaux nouveaux, d'une pureté ou d'une qualité structurelle (cristalline) supérieure. L'utilisation d'alliages semi-conducteurs tels les semi-conducteurs du type III-V ou Il-VI, et le dépôt de couches de matériaux de quelques couches atomiques d'un matériau de grande qualité peuvent répondre à ces besoins. Les techniques connues de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire telles les techniques du type dépôt par épitaxie par jets moléculaires (MBE � molecular beam epitaxy �) ou dépôt par jet moléculaire (MBD � molecular beam deposition �) permettent d'atteindre ces performances. Ces techniques nécessitent des conditions d'ultravide, c'est à dire une pression dans les chambres de réaction inférieure à 10-9 Torr pour éviter la contamination du substrat, des différentes couches, et des différentes interfaces. Il a été envisagé d'effectuer des dépôts de couches minces sur un substrat dans un appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire, puis de transférer le substrat dans un autre appareil qui est un système multi chambres utilisés dans l'industrie microélectronique pour y effectuer d'autres dépôts ou traitements. Mais l'exposition des couches et interfaces à des hauts vides ou des atmosphères neutres ou à l'air, entre les dépôts ou traitements, nuit à la qualité finale des dispositifs électroniques Les techniques connues de dépôt par évaporation de matériaux par jet 15 moléculaire sont incompatibles avec les systèmes multi chambres classiques utilisés dans l'industrie microélectronique. En effet, les techniques de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire utilisent généralement une seule chambre de dépôt capable de déposer de nombreux matériaux et alliages, AsGa, InGaAs, InP, dopé ou non, 20 par exemple, alors que les systèmes multi chambres utilisés dans l'industrie microélectronique requièrent plusieurs chambres de réaction dans lesquelles sont déposées en générale un matériau ou alliage et parfois plusieurs, mais toujours en nombre limité pour éviter les contaminations parasites. De plus, pour pouvoir être utilisés dans les lignes de fabrication de 25 l'industrie du silicium, les systèmes multi chambres doivent répondre aux normes SEMI. Notamment, ces systèmes doivent fonctionner dans des conditions de vide ou de pression supérieur à 10-$ Torr. La taille des substrats est normalisée (200, 300, ou 450 mm de diamètre). Il existe également des contraintes au niveau des dimensions des chambres, de l'électronique et des 30 logicielles commandant les différents équipements (robots, sources, par exemple). Les systèmes de MBE ou MBD utilisent généralement des matériaux solides placés dans des creusets (ou sources d'évaporation) et qui sont évaporés sous vide par chauffage à l'aide de filaments ou par bombardement 35 électronique. La plupart des matériaux étant à l'état liquide lors de l'évaporation, le creuset est généralement placé plus ou moins verticalement en bas de la chambre de réaction. Le substrat est placé au dessus des creusets avec la face à traiter faisant face aux sources d'évaporation, c'est-à-dire orientée vers le bas. Au contraire, dans les systèmes multi chambres utilisés dans l'industrie microélectronique, le substrat est positionné avec sa face à traiter dirigée vers le haut. De plus, les réacteurs des systèmes de MBE ou MBD sont encombrants car ils utilisent un grand nombre de source d'évaporation et ont une grande géométrie sources/substrats afin de réaliser des dépôts avec des épaisseurs d'une grande précision pouvant aller jusqu'à une couche atomique, sur des grandes surfaces pouvant aller jusqu'à 500 mm de diamètre, ceci entrainant des réacteurs d'un grand diamètre. Il est impossible de les intégrer en l'état dans un système multi chambres utilisé dans l'industrie microélectronique. Un des objectifs de l'invention est donc de fournir un appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire pour la fabrication de galettes de semi-conducteur plus compact, et compatible avec les systèmes multi chambres de l'industrie microélectronique. Un autre objectif de l'invention est de fournir un appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur permettant de réaliser toutes les étapes de dépôts et de traitements sur la galette de semi-conducteur in situ. L'invention concerne un appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprenant un substrat recouvert d'au moins une couche de matériaux, ledit substrat comprenant une face à traiter A et une face non à traiter B, et l'appareil de fabrication comprenant : - un module de convoyage central comportant plusieurs ports latéraux et des moyens de convoyage aptes à convoyer ledit substrat d'un port latéral à un autre, ledit module de convoyage central étant apte à fonctionner dans des conditions de vide supérieur à 10-8 Torr, - un module de chargement connecté à un ou plusieurs ports du module de convoyage central, ledit module de chargement étant apte à recevoir un ou plusieurs substrats, - un ou plusieurs modules de traitement du substrat fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10-8 Torr, chaque module de traitement étant connecté à l'un des ports du module de convoyage central et apte à recevoir ledit substrat pour effectuer une opération de traitement sur sa face à traiter A. Selon l'invention l'appareil de fabrication comprend : - au moins un module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire fonctionnant dans des conditions de vide inférieur à 10.8 Torr, ledit module de dépôt par jet moléculaire étant connecté à l'un des ports du module de convoyage central et apte à recevoir ledit substrat pour déposer une couche de matériaux sur sa face à traiter A. Dans différents modes de réalisation possibles, le dispositif de l'invention peut être défini également par les caractéristiques suivantes qui pourront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles et qui apportent chacune des avantages spécifiques : - ledit module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire comprend un sas le reliant à l'un des ports du module de convoyage central, ledit sas permettant de rendre compatible la pression entre le module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire et le module de convoyage central, ledit sas comprenant une ouverture à chacune de ses extrémités latérales apte à être fermée par une vanne, et des moyens de pompages aptes à fournir des conditions de vide inférieur à 10.8 Torr et des conditions de vide supérieur à 10.8 Torr à l'intérieur du sas, - dans ledit module de dépôt par évaporation par jet moléculaire, la face à traiter A du substrat est orientée vers la partie inférieure dudit module, et en ce que dans le module de traitement du substrat, la face à traiter A du substrat est orientée vers la partie supérieure dudit module de traitement, ledit appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprenant un module de retournement apte à retourner la face à traiter A du substrat vers le haut lorsque le substrat est destiné à être transféré vers un module de traitement, ou vers le bas lorsque le substrat est destiné à être transféré vers un module de dépôt par évaporation par jet moléculaire, - le module de retournement est intégré dans le module de convoyage central, - ledit module de retournement est positionné entre l'un des ports du module de convoyage central et l'un des modules de traitement du substrat ou l'un des modules de dépôt par évaporation par jet moléculaire, - ledit module de retournement est intégré dans ledit sas, - ledit module de retournement comprend un moyen de retournement, et un moyen de déplacement longitudinal disposé entre une desdites ouvertures du module de retournement et le moyen de retournement, le moyen de déplacement longitudinal comportant un support apte à supporter le substrat, et à être mobile entre une position de déchargement ou de chargement du substrat par le moyen de retournement, et une position d'évacuation ou de réception du substrat à travers l'une des ouvertures du module de retournement, ledit moyen de retournement étant apte à saisir le substrat positionné sur le support du moyen de déplacement longitudinal, à pivoter autour d'un axe horizontal pour retourner le substrat, et à le décharger sur un autre support, - le moyen de retournement comprend des moyens de pivotement pour retourner le substrat et des moyens de préhension pour saisir et relâcher le substrat, lesdits moyens de préhension comportant deux bras semi circulaires formant une tenaille, et des moyens d'articulation pour permettre le resserrement ou le desserrement des bras semi circulaires lorsque le moyen de retournement est en position de chargement ou de déchargement du substrat, - le ou les modules de traitement du substrat comprennent au moins un module de dépôt CVD, PECVD, PVD, MOCVD ou de gravure. L'invention fournit ainsi un appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur compact et permettant de réaliser toutes les étapes de dépôts et de traitements sur la galette de semi-conducteur in situ et sous vide, sans transfert du substrat d'un appareil à un autre. Cet arrangement en chambre multiple permet également d'obtenir une forte productivité car les étapes sont réalisées successivement sans transport du substrat vers un autre système externe, tel un système de dépôt MBE. Il est possible de déposer des matériaux semi-conducteurs épitaxiés (monocristallins), des métaux (polycristallins) et des isolants (amorphes) dans un même appareillage, et dans des conditions d'ultravide. Il est possible de réaliser des empilements de couches en maintenant les interfaces extrêmement propres, et des empilements nouveaux. La réalisation de transistors hautes performances est possible, en déposant un empilement de matériaux composé de type III-V (AsGa) ou Il-VI , par exemple, sur une couche de Silicium/Germanium, puis un oxyde de grille à haute permittivité (La2Hf2O7 par exemple), et un métal binaire (de type TaN par exemple). Les couches minces de matériaux obtenues sont de faible épaisseur (quelques couches atomiques jusqu'à une couche atomique) et présentent des interfaces résolues à la monocouche atomique près et une grande uniformité d'épaisseur, de composition ou de dopage sur des grandes surfaces. L'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur permet également d'éviter les contaminations métalliques. L'invention concerne également un appareil, ou module, de dépôt par jet moléculaire pour la fabrication de galettes de semi-conducteur comprenant un substrat destiné à être recouvert d'au moins une couche de matériaux, le substrat comprenant une face à traiter A et une face non traitée B, et l'appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire comprenant : - une chambre de réaction comprenant une partie supérieure et une partie inférieure, - au moins une source de matériaux positionnée dans la partie inférieure de la chambre de réaction et dirigée vers sa partie supérieure, - un porte échantillon positionné dans la partie supérieure de la chambre de réaction et apte à supporter le substrat de façon à ce que ce dernier présente sa face à traiter A orientée vers la ou les sources de matériaux, - des moyens de pompage aptes à fournir des conditions de vide 30 inférieur à 10-$ Torr dans la chambre de réaction. Selon l'invention, l'appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire comprend : - un module de retournement en communication avec la chambre de réaction, le module étant apte à être connecté de façon étanche à un 35 ensemble d'appareils de fabrication de galettes de semi-conducteur fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10-8 Torr, et comportant un ou plusieurs modules de traitement du substrat dans lesquels le substrat présente sa face à traiter A orientée vers la partie supérieure du module, le module de retournement comprenant des moyens de retournement aptes à retourner la face à traiter A du substrat vers le haut lorsque le substrat est destiné à être transféré vers l'ensemble d'appareils de fabrication de galettes de semi-conducteur fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10-8 Torr. L'invention fournit un appareil, ou module, de dépôt par jet moléculaire compact et compatible avec les systèmes multi chambres utilisés dans l'industrie microélectronique, et répondant aux normes SEMI (normes SEMI E72-0600, SEMI E6-0303, SEMI E51-0200, SEMI E70-1103, entre autres). L'invention sera décrite plus en détail en référence aux dessins annexés 15 dans lesquels : - la figure 1 représente un appareil de fabrication de galettes de semi- conducteur, selon un mode de réalisation possible de l'invention, - la figure 2 représente une vue en coupe longitudinale d'un appareil ou module de dépôt par jet moléculaire, selon un mode de réalisation 20 possible de l'invention, - la figure 3 représente la vue de dessus de cet appareil ou module de dépôt par jet moléculaire, - la figure 4 représente un appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur, selon un autre mode de réalisation de l'invention, 25 - la figure 5 représente un module de retournement selon un premier arrangement possible, - la figure 6 représente un module de retournement selon un deuxième arrangement possible, - la figure 7 représente un module de retournement selon un troisième 30 arrangement possible, - la figure 8 représente le détail d'un module de retournement, selon un mode de réalisation possible de l'invention. Sur les figures 2 et 3, les éléments non essentiels à la compréhension de l'invention n'ont pas été référencés. La figure 1 représente un appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur, selon un mode de réalisation possible de l'invention. On entend par galette de semi-conducteur, un substrat 1 recouvert d'au moins une couche de matériaux et ayant subi différentes opérations pour obtenir un disque qui sera ensuite traité pour obtenir une multitude de dispositifs électroniques ou microélectroniques tels des mémoires magnétiques, des circuits logiques (transistors, microprocesseurs, DRam), des détecteurs infrarouges, des diodes électroluminescentes bleues, des diodes lasers, des capteurs, ou des composants RF, par exemple. Le substrat 1 comprend une face à traiter A et une face non traitée B. L'appareil de fabrication comprend plusieurs modules ou chambres dont un module de convoyage central 2 comportant plusieurs ports latéraux 3 et des moyens de convoyage 4 aptes à convoyer le substrat 1 d'un port latéral 3 à un autre. Le module de convoyage central 2 est apte à fonctionner dans des conditions de vide ou pression supérieur à 10-$ Torr. Le module de convoyage central 2 est conforme aux normes SEMI. On entend par ports latéraux 3 des ouvertures aptes à communiquer de façon étanche avec un module. Ces ouvertures sont préférentiellement de forme rectangulaire et peuvent être fermées par une vanne. Les moyens de convoyage 4 comprennent un support 15b apte à supporter le substrat 1 et à être mobile en rotation. Les moyens de convoyage 4 sont positionnés au centre du module de convoyage central 2. Le support 15b est également mobile en translation. Les moyens de convoyage 4 permettent de positionner le substrat devant un port 3 sélectionné. La vanne du port 3 étant ouverte, le support est translaté vers le module associé au port 3 pour y déposer le substrat 1. Dans l'exemple de la figure 1, le module de convoyage central 2, est relié à une pompe secondaire permettant d'atteindre une pression d'environ 2x10-8 Torr. L'appareil de fabrication comprend également un module de chargement 5 connecté à un ou plusieurs ports 3 du module de convoyage central 2. Le module de chargement 5 est apte à recevoir un ou plusieurs substrats 1 de silicium ou de germanium ou autre, de 200, 300, ou 450 mm de diamètre, par exemple, avant leur transfert vers les différents modules. Le module de chargement 5 est conforme aux normes SEMI. L'appareil de fabrication comprend un ou plusieurs modules de traitement du substrat 7 fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10.8 Torr. Chaque module de traitement 7 est connecté à l'un des ports 3 du module de convoyage central 2 et est apte à recevoir le substrat 1 pour effectuer une opération de traitement sur sa face à traiter A. Chaque module de traitement du substrat 7 comprend au moins un système de dépôt CVD (� Chemical Vapor Deposition �), PECVD (� Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition �), PVD (� Physical Vapor Deposition �), MOCVD (� Metal Organique Chemical Vapor Deposition �), de traitement thermique ou de gravure ou autre. Ces modules de traitement du substrat 7 sont des modules classiquement utilisés dans l'industrie microélectronique et répondent aux normes SEMI. Dans ces modules de traitement du substrat 7, le substrat 1 est positionné en bas du module avec sa face à traiter A dirigée vers le haut. Les différents modules ci-dessus forment un système multi chambres utilisés dans l'industrie microélectronique. L'appareil de fabrication comprend au moins un module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 fonctionnant dans des conditions de vide ou de pression inférieur à 10.8 Torr. Chaque module de dépôt par jet moléculaire 6 est connecté à l'un des ports 3 du module de convoyage central 2 et apte à recevoir le substrat 1 pour déposer une couche de matériaux sur sa face à traiter A. Chaque module ou appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 comprend un réacteur MBE ou MBD 32. La figure 2 représente une vue en coupe longitudinale d'un module ou appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 comprenant un réacteur MBE 32. Le réacteur MBE 32 comprend une chambre de réaction 20 comprenant une partie supérieure 21 et une partie inférieure 22. Le réacteur MBE 32 comprend au moins une source de matériaux 23 positionnée dans la partie inférieure de la chambre de réaction 22 et dirigée vers sa partie supérieure 21. La source de matériaux 23 peut être un creuset entouré d'un filament ou un creuset destiné à subir un bombardement électronique pour évaporer le matériau à vaporiser. Le réacteur MBE 32 comprend un porte échantillon 24 positionné dans la partie supérieure 21 de la chambre de réaction et apte à supporter le substrat 1 de façon à ce que ce dernier présente sa face à traiter A orientée vers la ou les sources de matériaux 23. La plupart des matériaux étant à l'état liquide lors de l'évaporation, le creuset est placé plus ou moins verticalement en bas de la chambre de réaction. Le réacteur MBE 32 comprend des volets 25 pour obturer les sources de matériaux 23. Le réacteur MBE 32 comprend des moyens de pompage (non illustrés) aptes à fournir des conditions de vide inférieur à 10-8 Torr dans la chambre de réaction. La pression dans la chambre de réaction 22 est préférentiellement inférieure à 10-9 Torr. Le module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 comprend un sas 8 le reliant à l'un des ports 3 du module de convoyage central 2. Plus précisément, le sas 8 relie l'un des ports 3 du module de convoyage central 2 à la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6, comme illustré sur la figure 5. Le sas 8 permet de rendre compatible la pression entre le module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 et le module de convoyage central 2. Comme illustré sur la figure 8, le sas 8 comprend une ouverture 10a, 10b, à chacune de ses extrémités latérales, et des moyens de pompage lui permettant d'être ouvert alternativement sur des modules dont les conditions de vide sont inférieur à 10-8 Torr ou les conditions de vide sont supérieur à 10-8 Torr. Ces moyens de pompage comprennent des pompes primaires et secondaires. Un capteur de pression est également prévu. Chaque ouverture 10a, 10b peut être fermée par une vanne de façon étanche, et est préférentiellement de forme rectangulaire. Le sas 8 permet de mettre en communication le module de convoyage central 2 et le module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 qui sont à des pressions différentes. Le sas 8 répond aux normes SEMI. L'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprend un 35 module de retournement 9 apte à retourner la face à traiter A du substrat 1 vers le haut lorsque le substrat 1 est destiné à être transféré vers un module de traitement 7, ou vers le bas lorsque le substrat 1 est destiné à être transféré vers un module de dépôt par évaporation par jet moléculaire 6. Selon un mode de réalisation de l'invention, le sas 8 comprend le module de retournement 9, comme illustré sur les figures 1 à 5, et 8. Dans le module de dépôt par évaporation par jet moléculaire 6, le substrat 1 est positionné au niveau de la partie supérieur du module 21, et la face à traiter A du substrat 1 est orientée vers la partie inférieure du module 22 de dépôt par évaporation par jet moléculaire 6. Et, dans le module de traitement du substrat 7, la face à traiter A du substrat 1 est orientée vers la partie supérieure du module de traitement 7. Le module de retournement 9 permet ainsi d'orienter la face à traiter A du substrat 1 en fonction du module destiné à effectuer une opération sur cette face A. Comme illustré sur la figure 8, le module de retournement 9 comprend un moyen de retournement 11, et un moyen de déplacement longitudinal 12 disposé entre une des ouvertures 10a, 10b du module de retournement 9 et le moyen de retournement 11. Cette ouverture 10b est en communication avec la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6. Le moyen de déplacement longitudinal 12 comporte un support 13 apte à supporter le substrat 1, et à être mobile entre une position de déchargement ou de chargement du substrat 1 par le moyen de retournement 11, et une position d'évacuation ou de réception du substrat 1 à travers l'une des ouvertures du module de retournement 10a, 10b. Plus précisément, cette ouverture 10a, 10b correspond à celle qui est en communication avec la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6. Le moyen de retournement 11 est apte à saisir le substrat 1 positionné sur le support 13 du moyen de déplacement longitudinal, à pivoter autour d'un axe horizontal pour retourner le substrat 1, et à le décharger sur un support fixe 15a. Un autre support mobile longitudinalement 15b est apte à saisir le substrat 1 du support fixe 15a. Cet autre support mobile longitudinalement 15b est solidaire du module de convoyage central 2. Le moyen de retournement 11 comprend une articulation 16 pour retourner 35 le substrat 1 et des moyens de préhension 17 pour saisir et relâcher le substrat 1. Les moyens de préhension 17 comportent deux bras semi circulaires 18a, 18b, ou presque, formant une tenaille, et des moyens d'articulation 19 pour permettre le resserrement ou le desserrement des bras semi circulaires 18a, 18b lorsque le moyen de retournement 11 est en position de chargement ou de déchargement du substrat 1. Les différents supports 13, 15a et 15b ont des dimensions adaptées à des substrats 1 ayant des diamètres de 200 mm ou 300 mm, ou autres. La figure 8 représente un exemple de module ou appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 comprenant un tel module de retournement 9. Ce module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 est entouré d'un carter de protection. Ce qui suit décrit un exemple de fonctionnement du module de retournement 9 ou sas 8. Après avoir été chargé sur le support 15b du module de convoyage central 2, le substrat 1 est amené devant le port 3 associé à un module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 par le module de convoyage central 2. La pression dans le module de convoyage central 2 est de 10-' Torr et la face à traiter A du substrat est orientée vers le haut. La vanne du sas 8 associée au port 3 est ouverte et le substrat 1 est transféré dans le sas 8 par le support mobile 15b, la deuxième vanne du sas 8 associée à la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 étant fermée. Le support mobile 15b dépose le substrat 1 sur le support fixe 15a. Le support mobile 15b revient dans le module de convoyage 2. La vanne du sas 8 associée au port 3 est fermée. Les moyens de pompage du sas 8 font baisser la pression dans ce dernier jusqu'à au moins 10-9 Torr. Les deux bras semi circulaires 18a, 18b saisissent le substrat 1 du support fixe 15a. Les deux bras semi circulaires 18a, 18b effectuent une rotation à 180° de façon à retourner le substrat 1 sur le support 13 du moyen de déplacement longitudinal 12. La face à traiter A du substrat 1 est orientée vers le bas, c'est-à-dire face au support 13 du moyen de déplacement longitudinal 12. La vanne du sas 8 associée à la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 est ouverte et le substrat 1 est translaté longitudinalement par le moyen de déplacement 12 pour être déposé sur le porte échantillon 24 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6. La face à traiter A du substrat 1 est orientée vers le bas, c'est-à-dire vers la partie inférieure 22 de la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6. Le moyen de déplacement 12 est translaté dans le sas 8. La vanne du sas 8 associée à la chambre de réaction 20 du module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 est refermée, et les opérations de dépôt de couche de matériaux peuvent commencer. De la même façon, après le dépôt terminé, le substrat 1 suit le chemin inverse en étant retourné de l'autre côté par le module de retournement 9. La pression du sas 8 s'adapte à la pression du module de convoyage central 2, qui devient 2x10-8 Torr. On obtient un module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 qui est compatible en pression avec les modules de traitement du substrat 7 et le module de convoyage central 2, fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10-8 Torr. D'autres modes de réalisation sont possibles concernant la position du module de retournement 9. Le module de retournement 9 peut être intégré dans le module de 20 convoyage central 2, comme illustré sur la figure 7. Alternativement, le module de retournement 9 peut être positionné entre l'un des ports 3 du module de convoyage central 2 et l'un des modules de traitement du substrat 7, comme illustré sur la figure 6. Comme représenté sur la figure 1, l'appareil de fabrication de galettes de 25 semi-conducteur peut comprendre deux modules de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6, et deux modules de traitement du substrat 7. La figure 4 représente un autre mode de réalisation dans lequel l'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprend un premier module de convoyage central 2 comportant plusieurs ports latéraux 3, un module de 30 chargement 5 connecté à deux des ports 3 du module de convoyage central 2, et pouvant accueillir au moins 15 substrats. Ces derniers ayant un diamètre de 200 mm ou 300 mm. L'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprend deux modules de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire 6 dont un 35 module ayant une chambre de réaction 20 dédiée au dépôt d'une couche d'alliages semi-conducteurs (groupe III-V) à partir de sources d'Arsenic, de Gallium, d'Indium solides ou gazeuses, et un module ayant une chambre de réaction 20 dédiée au dépôt d'une couche d'oxyde (matériaux isolant et diélectrique). Cette dernière est équipée de sources de matériaux plasma et permet la nitruration ou l'oxydation des métaux. L'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprend également un module d'analyse de surface 26. L'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprend un ensemble de modules de traitement du substrat 28 comportant des deuxièmes moyens de convoyage 4', et un deuxième module de convoyage central 2' comportant plusieurs ports latéraux 3' reliés à un ou plusieurs ports latérales 3 du premier module de convoyage central 2. Les ports latéraux 3', 3 des premier et deuxième moyens de convoyage 4, 4' présentent une interface de connection de forme rectangulaire munie d'une ouverture rectangulaire adaptée au passage d'un substrat 1 de 200 mm ou 300 mm de diamètre. Le deuxième module de convoyage central 2' est en communication avec plusieurs modules de traitement du substrat 7 dont au moins un module de dépôt PVD et un module de gravure, par l'intermédiaire d'un module de transfert intermédiaire 29. Ce module de transfert intermédiaire 29 permet le transfert du substrat 1 d'un module de convoyage central 2, 2' à un autre. Le module de gravure permet de préparer la surface de couche d'oxyde. Le module de dépôt PVD permet de déposer des couches métalliques pour réaliser des électrodes conductrices par-dessus la couche d'oxyde. Un module d'analyse peut être prévu pour permettre de réaliser des caractérisations par rayon X (XPS) ou par faisceau d'électrons (du type RHEED) ou par champs proches (AFM, STM). L'arrangement décrit ci-dessus est un exemple possible. D'autres arrangements sont également possibles. L'appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur permet de déposer des éléments comme le Si, Hf, Ta, La, Ti, As, Ga, Sb, et le ln, par exemple. Il est possible de réaliser des dépôts réactifs en formant du TaN, TiN, HfO2, par exemple. L'appareil ou module de dépôt par jet moléculaire 6 pour la fabrication de 35 galettes de semi-conducteur présente de faibles dimensions par rapport aux appareils connus. Sa hauteur est inférieure à 3,5 m. Sa longueur est inférieure à 2,8 m et sa largeur est inférieure à 1,2 m. Son poids est inférieur à 6000 kg. Les dimensions du module de dépôt par jet moléculaire 6 répondent aux normes SEMI et plus particulièrement à la norme SEMI E72-0600. Dans l'exemple des figures 2 et 3, le module de dépôt par jet moléculaire 6, muni de son ou ses carters de protection, présente une longueur L1 de 1844,5 mm, une largeur 11 de 1000 mm et une hauteur H1 de 2367 mm. Le module de retournement 9, muni de son carter de protection, présente une longueur L2 de 998,5 mm, et une largeur 12 de 582 mm. Le module de retournement 9 comprend une interface de connection 31 comportant l'ouverture du module de retournement 10b destinée à être associée à un module de dépôt par jet moléculaire 6. Cette interface de connection 31 présente une largeur 13 de 480 mm. L'ensemble module de dépôt par jet moléculaire 6 et module de retournement 9 présente une longueur totale Ltota,e d'environ 2763 mm. Par rapport aux systèmes de l'art antérieur, le module de dépôt par jet moléculaire 6 de l'invention présente des sources de matériaux 23 et autres éléments, comme les injecteurs de gaz précurseur, agencés différemment autour de ce dernier. Les différentes sources de matériaux 23 ne sont pas réparties régulièrement autour de la chambre de réaction 20 du module de dépôt par jet moléculaire 6. Une zone en périphérie de la chambre de réaction 30 est prévue sans source de matériaux 23 ou autre éléments pour permettre l'accès au sas 8 et faciliter les opérations de maintenance sur les sources de matériaux 23 et le sas 8. REVENDICATIONS1. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprenant un substrat (1) recouvert d'au moins une couche de matériaux, ledit substrat (1) comprenant une face à traiter (A) et une face non traitée (B), ledit appareil de fabrication comprenant : - un module de convoyage central (2) comportant plusieurs ports latéraux (3) et des moyens de convoyage (4) aptes à convoyer ledit substrat (1) d'un port latéral (3) à un autre, ledit module de convoyage central (2) étant apte à fonctionner dans des conditions de vide supérieur à 10-$ Torr, - un module de chargement (5) connecté à un ou plusieurs ports (3) du module de convoyage central (2), ledit module de chargement (5) étant apte à recevoir un ou plusieurs substrats (1), - un ou plusieurs modules de traitement du substrat (7) fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10.8 Torr, chaque module de traitement (7) étant connecté à l'un des ports (3) du module de convoyage central (2) et apte à recevoir ledit substrat (1) pour effectuer une opération de traitement sur sa face à traiter (A). caractérisé en ce qu'il comprend : - au moins un module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire (6) fonctionnant dans des conditions de vide inférieur à 10-8 Torr, ledit module de dépôt par jet moléculaire (6) étant connecté à l'un des ports (3) du module de convoyage central (2) et apte à recevoir ledit substrat (1) pour déposer une couche de matériaux sur sa face à traiter (A). 2. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit module de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire (6) comprend un sas (8) le reliant à l'un des ports (3) du module de convoyage central (2), ledit sas (8) permettant de rendre compatible la pression entre le module de dépôt par évaporation dematériaux par jet moléculaire (6) et le module de convoyage central (2), ledit sas (8) comprenant une ouverture (10a, 10b) à chacune de ses extrémités latérales apte à être fermée par une vanne, et des moyens de pompage aptes à fournir des conditions de vide inférieur à 10-8 Torr et des conditions de vide supérieur à 10-8 Torr, à l'intérieur du sas (8). 3. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que dans ledit module de dépôt par évaporation par jet moléculaire (6), la face à traiter (A) du substrat (1) est orientée vers la partie inférieure (22) dudit module (6), et en ce que dans le module de traitement du substrat (7), la face à traiter (A) du substrat (1) est orientée vers la partie supérieure dudit module de traitement (7), ledit appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur comprenant un module de retournement (9) apte à retourner la face à traiter (A) du substrat (1) vers le haut lorsque le substrat (1) est destiné à être transféré vers un module de traitement (7), ou vers le bas lorsque le substrat (1) est destiné à être transféré vers un module de dépôt par évaporation par jet moléculaire (6). 4. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le module de retournement (9) est intégré dans le module de convoyage central (2). 5. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit module de retournement (9) est positionné entre l'un des ports (3) du module de convoyage central (2) et l'un des modules de traitement du substrat (7). 6. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit module de retournement (9) est positionné entre l'un des ports (3) du module de convoyage central (2) et l'un des modules de dépôt par évaporation par jet moléculaire (6), ledit module de retournement (9) étant intégré dans ledit sas (8). 7. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que ledit module de retournement (9) comprend un moyen de retournement (11), et un moyen de déplacement longitudinal (12) disposé entre une desdites ouvertures (10a, 10b) du module de retournement (9) et le moyen de retournement (11), le moyen de déplacement longitudinal (12) comportant un support (13) apte à supporter le substrat (1), et à être mobile entre une position de déchargement ou de chargement du substrat (1) par le moyen de retournement (11), et une position d'évacuation ou de réception du substrat (1) à travers l'une des ouvertures du module de retournement (10a, 10b), ledit moyen de retournement (11) étant apte à saisir le substrat (1) positionné sur le support (13) du moyen de déplacement longitudinal, à pivoter autour d'un axe horizontal pour retourner le substrat (1), et à le décharger sur un autre support (15a). 8. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le moyen de retournement (11) comprend des moyens de pivotement (16) pour retourner le substrat et des moyens de préhension (17) pour saisir et relâcher le substrat (1), lesdits moyens de préhension (17) comportant deux bras semi circulaires (18a, 18b) formant une tenaille, et des moyens d'articulation (19) pour permettre le resserrement ou le desserrement des bras semi circulaires (18a, 18b) lorsque le moyen de retournement (11) est en position de chargement ou de déchargement du substrat (1). 9. Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le ou les modules de traitement du substrat (7) comprennent au moins un système de dépôt CVD, PECVD, PVD, MOCVD ou de gravure. 10. Appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire (6) pour la fabrication de galettes de semi-conducteur comprenant un substrat (1) destiné à être recouvert d'au moins une couche de matériaux, ledit substrat (1) comprenant une face à traiter (A) et une face non traitée (B), ledit appareil de dépôt par évaporation de matériaux par jet moléculaire (6) comprenant :- une chambre de réaction (20) comprenant une partie supérieure (21) et une partie inférieure (22), - au moins une source de matériaux (23) positionnée dans la partie inférieure de la chambre de réaction (22) et dirigée vers sa partie supérieure (21), - un porte échantillon (24) positionné dans la partie supérieure de la chambre de réaction (21) et apte à supporter ledit substrat (1) de façon à ce que ce dernier présente sa face à traiter (A) orientée vers la ou les sources de matériaux (23), - des moyens de pompage aptes à fournir des conditions de vide inférieur à 10-$ Torr dans la chambre de réaction (20), caractérisé en ce qu'il comprend : - un module de retournement (9) en communication avec la chambre de réaction (20), ledit module étant apte à être connecté de façon étanche à un ensemble d'appareils de fabrication de galettes de semi-conducteur fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10-$ Torr, et comportant un ou plusieurs modules de traitement du substrat (7) dans lesquels le substrat (1) présente sa face à traiter (A) orientée vers la partie supérieure dudit module, ledit module de retournement (9) comprenant des moyens de retournement (11) aptes à retourner la face à traiter (A) du substrat (1) vers le haut lorsque le substrat (1) est destiné à être transféré vers l'ensemble d'appareils de fabrication de galettes de semi-conducteur fonctionnant dans des conditions de vide supérieur à 10-$ Torr.