Brevet FR2936613A1 — publié le 20100402

COUPLEUR DE LUMIERE ENTRE UNE FIBRE OPTIQUE ET UN GUIDE D'ONDE REALISE SUR UN SUBSTRAT SOI DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte à un coupleur de lumière entre une fibre optique et un guide d'onde réalisé sur un substrat SOI. Un tel coupleur de lumière trouve des applications dans le domaine de l'optoélectronique et notamment pour les circuits nanophotoniques. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les composants optoélectroniques réalisés à partir de guides optiques planaires microstructurés ou nanostructurés permettent de mettre en oeuvre des fonctions qui leur sont propres (résonateur, multiplexeur/démultiplexeur en longueur d'onde, coupleur, ...) et permettent également d'obtenir un couplage efficace avec une fibre optique pour une communication avec des circuits extérieurs. Les composants optoélectroniques de couplage interviennent notamment dans les réseaux de transmission de données par fibre optique et dans les circuits photoniques intégrés (intra-puce et inter-puce). Un tel composant peut être considéré comme une brique de base de dispositifs plus complexes. Les technologies des guides optiques planaires permettent d'intégrer de façon compacte, et sur une même puce, des fonctions complexes de gestion 2 de faisceaux optiques comme le multiplexage, le démultaplexage, la modulation, le routage spectral, etc... Ces fonctions peuvent être aussi bien dédiées à des liaisons optiques très courte distance, à l'échelle du millimètre (comme les communications intra-puce) que pour de très longues distances, de l'ordre de plusieurs kilomètres (comme un réseau métropolitain). En outre, ces fonctions optiques apporteront une solution aux problèmes liés à l'augmentation du débit des bus d'interconnexion. L'intégration sur une même puce d'une forte densité de fonctions optiques requiert une miniaturisation poussée des circuits photoniques, réduisant de ce fait la section des guides d'onde planaires à des dimensions submicroniques. Or, pour les applications moyennes et longues distances (par exemple de quelques mètres à plusieurs kilomètres), le moyen de transport privilégié est la fibre optique dont le diamètre caractéristique demeure élevé : de dix à quelques dizaines de pm typiquement. Pour atteindre un niveau de couplage optimal, l'interfaçage entre ces deux systèmes doit donc compenser cette forte désadaptation dimensionnelle. Une autre difficulté concerne la polarisation de la lumière : le signal optique circulant dans des réseaux fibrés ne possède pas de polarisation définie : c'est une quantité aléatoire qui change continuellement avec le temps. D'autre part, un circuit intégré photonique est naturellement très sensible à la polarisation. En effet, un guide d'onde optique de rapport de forme arbitraire ne propage pas, 3 a priori, les deux états de polarisation d'un signal optique à la même vitesse (sauf si la section du guide est rigoureusement carrée). On parle alors de dispersion en polarisation du mode optique (� polarisation mode dispersion � en anglais), ou de manière équivalente, de guide d'onde optique biréfringent. En réception, cette sensibilité est incompatible avec une connexion directe du circuit au réseau de fibres optiques dans lesquelles l'état de polarisation est à la fois méconnu et instable. Par conséquent, un des tous premiers besoins est de développer des coupleurs de lumière performants, c'est-à-dire à faible niveau de pertes et insensibles à la polarisation. Du point de vue de la conception, on trouve une certaine redondance dans la littérature, les travaux réalisés se distinguant essentiellement par le choix des matériaux employés. Deux exemples significatifs, qui se différencient par des variantes technologiques et conceptuelles, sont donnés ci- dessous. Le document � Polarization insensitive lowloss coupling technique between SOI waveguides and high mode field diameter single-mode fibers � de J.V. GALAN et al., Optics Express, vol. 15, n°11, 28 mai 2007, pages 7058 à 7065, divulgue un coupleur possédant une nano-pointe inversée positionnée à fleur du dispositif. L'injection de la lumière véhiculée par la fibre optique est réalisée grâce à une technique de type rainure en V (� V-groove � en anglais) largement éprouvée. Les meilleurs taux de couplage calculés 4 demeurent cependant élevés, de l'ordre de 3,5 dB et dans une gamme spectrale relativement réduite (environ 100 nm). Le document � Efficient silicon-on- insulator fiber coupler fabricated using 248-nm-deep UV lithography � de G. ROELKENS et al., IEEE Photonics Technology Letters, vol. 17, n°12, décembre 2005, pages 2613 à 2615 propose une approche différente. Un guide de section carrée en polymère est superposé sur la nano-pointe. L'inconvénient majeur de cette approche est que le dispositif obtenu ne fonctionne que pour la polarisation TE (pour � transverse electric �) et que les pertes sont assez élevées (typiquement -2 db). Une autre difficulté, également importante, concerne l'encapsulation et la fiabilité de la structure proposée. En outre, le polymère ne conserve pas ses propriétés dans le temps et sous fort flux lumineux. Il se dégrade en présentant une forte augmentation de son absorption. EXPOSÉ DE L'INVENTION Pour remédier aux inconvénients cités ci-dessus, la présente invention propose un coupleur de lumière permettant de coupler la lumière sortant d'une fibre optique à un guide d'onde, par exemple en silicium, de section rectangulaire (éventuellement de section carrée) pour les deux états de polarisation TE et TM (pour � Transverse Magnetic � en anglais). Il est à noter que la lumière peut parcourir un trajet inverse, c'est-à-dire du guide d'onde vers le guide optique. On parlera alors de coupleur bidirectionnel. Le coupleur est constitué d'un injecteur, par exemple en SiOX (silice chargée de nanocristaux de silicium), et d'un collecteur adiabatique qui est une nano-pointe inversée en silicium. 5 L'invention a donc pour objet un coupleur de lumière entre une fibre optique et un guide d'onde réalisé sur un substrat semi-conducteur sur isolant, le substrat semi-conducteur sur isolant comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur dans laquelle est réalisé le guide d'onde, le coupleur étant réalisé sur le substrat semi-conducteur sur isolant, caractérisé en ce qu'il comprend un injecteur de lumière et un collecteur adiabatique constitué par une nano-pointe inversée formée à partir de la couche mince de matériau semi-conducteur, l'injecteur étant formé sur l'isolant et présentant une face de réception d'une extrémité de la fibre optique, le collecteur adiabatique ayant une section transversale qui augmente depuis une première extrémité située du côté de ladite extrémité de la fibre optique jusqu'à une deuxième extrémité se raccordant au guide d'onde, l'injecteur recouvrant le collecteur adiabatique. L'injecteur peut avoir une forme choisie parmi un guide d'onde en ruban ou un guide d'onde en arête. Selon une variante de réalisation, l'injecteur ayant une forme en guide d'onde en arête, l'arête du guide d'onde formant l'injecteur possède une largeur invariante. Selon une autre variante de réalisation, l'injecteur ayant une forme en guide d'onde en arête, l'arête du guide d'onde formant l'injecteur a une forme adiabatique, sa largeur décroissant depuis sa face de 6 réception de l'extrémité de la fibre optique. Selon une variante de réalisation, la largeur de l'arête du guide d'onde formant l'injecteur décroît de manière linéaire. Selon une variante de réalisation, la largeur de la nano-pointe formant le collecteur décroît depuis sa deuxième extrémité d'une façon choisie parmi une décroissante linéaire, une décroissance polynomiale et une décroissance exponentielle. Selon une variante de réalisation, le coupleur comporte une couche d'encapsulation en matériau électriquement isolant, par exemple une couche d'oxyde de silicium. Le collecteur peut être en un matériau choisi parmi le silicium, l'InP et le GaAs. L'injecteur peut être en un matériau choisi parmi la silice chargée de nano-cristaux de silicium, le nitrure de silicium chargé en nano-cristaux de silicium et le SiON chargé ou non de nano-cristaux de silicium. Avantageusement, le substrat semiconducteur sur isolant est un substrat silicium sur isolant. Le substrat silicium sur isolant peut alors comprendre un support supportant successivement une couche d'oxyde de silicium et une couche mince de silicium. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre 30 d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : 20 25 7 - la figure 1 est une vue en perspective d'un coupleur de lumière selon la présente invention, - les figures 2A à 2F illustrent un premier mode de réalisation d'un coupleur de lumière selon la présente invention, - les figures 3A à 3D illustrent un deuxième mode de réalisation d'un coupleur de lumière selon la présente invention, - la figure 4 est une vue en coupe transversale montrant un injecteur utilisable pour un coupleur de lumière selon la présente invention, - la figure 5 est une vue en perpective d'un injecteur adiabatique utilisable pour un coupleur de lumière selon la présente invention, - les figures 6 à 9 montrent différentes formes possibles, vues de dessus, pour un collecteur adiabatique selon la présente invention, - les figures 10 et 11 montrent d'autres formes possibles, vues de dessus, pour un collecteur adiabatique selon la présente invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS DE LA PRESENTE INVENTION L'injecteur a une forme bien précise. Celui-ci possède soit une géométrie de type guide arête dans un premier mode de réalisation, soit une géométrie de type ruban dans un deuxième mode de réalisation. Le collecteur est toujours positionné en aval de l'injecteur. Avantageusement, la nano-pointe a une largeur de départ inférieure au dixième de la longueur d'onde minimale d'opération pour éviter les problèmes 8 liés à la diffraction du mode optique. Le couplage du mode injecté se fait progressivement à mesure que la largeur du collecteur s'agrandit jusqu'à atteindre celle du guide d'onde. Dans la suite de la description, on va décrire deux modes de réalisation mis en oeuvre sur un substrat SOI. La figure 1 est une vue en perspective, et partiellement en coupe, d'un coupleur de lumière selon la présente invention. Le coupleur est réalisé sur un substrat SOI 1. Le substrat 1 comprend un support 2, par exemple en silicium, supportant successivement une couche d'oxyde de silicium 3, appelée couche d'oxyde enterrée ou BOX et d'indice optique 1,45, et une couche mince de silicium. Le guide d'onde est réalisé sur le substrat SOI 1. La couche mince de silicium est, de manière connue de l'homme de l'art, gravée pour former le guide d'onde. A titre d'exemple, le guide d'onde peut avoir 500 nm environ de largeur et 200 nm environ d'épaisseur. Le collecteur 4 est formé en effilant l'extrémité du guide d'onde à connecter jusqu'à une largeur inférieure à 100 nm par lithographie DUV-193 nm. La variation de la largeur du collecteur 4 (ou nano-pointe), variation linéaire dans le cas de la figure 1, est réalisée sur une longueur de quelques centaines de }gym. Une couche épaisse de silice chargée de nano-cristaux de silicium (SiOX) et d'indice optique d'environ 1,5 est déposée, puis structurée pour définir un injecteur 5 à faible contraste d'indice pour la fibre optique 6 de 10 }gym de coeur, mise en aboutement 9 sur la face de réception 7 de l'injecteur 5. L'ensemble est ensuite encapsulé dans une couche de silice 8. Les résultats de modélisation montrent que le mode optique de la fibre pénètre sans difficulté dans la partie injecteur du dispositif. Cette transition � toute en douceur � est assurée grâce aux rapports de forme et aux contrastes d'indice similaires. Ensuite, le mode se couple progressivement, et de manière évanescente, au guide en silicium à mesure que sa section et son indice efectif augmentent. Les simulations montrent des efficacités de couplage supérieures à 90% sur une large gamme spectrale et pour les deux états de polarisation. Il est à noter que cette conception est très robuste vis-à-vis des aléas des procédés de fabrication. Les figures 2A à 2F illustrent un premier mode de réalisation d'un coupleur de lumière selon la présente invention. Ces figures montrent l'injecteur et le collecteur en coupe transversale. Dans ce mode de réalisation, l'injecteur possède une géométrie en arête. La figure 2A montre le substrat 1 constitué du support 2 en silicium, de la couche d'oxyde enterrée 3 (par exemple de 2 pm d'épaisseur) et de la couche mince de silicium 9 (par exemple de 220 nm d'épaisseur). Le substrat 1 peut être un substrat de 220 mm. La figure 2B illustre la définition de la nano-pointe inversée. Un masque dur est d'abord déposé sur la couche mince de silicium 9. Ce masque dur peut avoir 10 typiquement 100 nm d'épaisseur. Une couche de résine est ensuite déposée sur le masque dur. On procède ensuite à une lithographie de la résine par la technique dite � Deep-UV �. Le masque dur est ouvert par gravure sèche et la couche mince de silicium est gravée jusqu'à la couche d'oxyde enterrée 3 pour obtenir la micro-pointe 4. La partie subsistante 10 du masque dur est ensuite éliminée par gravure humide (chimique). La figure 2C illustre la première étape de la formation de l'injecteur. Sur la structure obtenue précédemment, on effectue un dépôt conforme de silice chargée en nano-cristaux de silicium 11. L'épaisseur de la couche de silice 11 peut être comprise entre 1 et 10 pm selon les applications. Le dépôt peut se faire par PECVD, évaporation, pulvérisation, LPCVD, etc... Ce dépôt de silice est ensuite planarisé par polissage mécano-chimique jusqu'au niveau symbolisé par la ligne en pointillés 12. La figure 2D illustre la deuxième étape de la formation de l'injecteur. Pour cela, sur la structure obtenue précédemment, on dépose une couche de résine épaisse et on définit la largeur de l'injecteur en arête au moyen d'une lithographie � Deep-UV �. On procède à une gravure sèche partielle de la couche de SiOX 11. Cette étape est représentée à la figure 2D qui montre l'injecteur en SiOX 5 et la couche subsistante de résine 12. La couche 12 est ensuite enlevée et on procède à un nettoyage par plasma d'oxygène. Sur la structure obtenue, on réalise un dépôt conforme de silice 13 comme le montre la figure 11 2E. La couche de silice 13 est ensuite planarisée par polissage mécano-chimique. On obtient le coupleur de lumière selon l'invention vu en coupe transversale sur la figure 2F. Les figures 3A à 3D illustrent un deuxième mode de réalisation d'un coupleur de lumière selon la présente invention. Ces figures montrent l'injecteur et le collecteur en coupe transversale. Dans ce mode de réalisation, l'injecteur possède une géométrie en ruban. Ce deuxième mode de réalisation utilise un substrat SOI tel que celui illustré par la figure 2A. La nano-pointe inversée est définie de la même manière que celle illustrée par la figure 2B. Comme précédemment, la partie subsistante du masque dur est éliminée. On effectue ensuite un dépôt conforme d'oxyde de silicium 14. Sur la couche d'oxyde de silicium 14, on dépose une fine couche de nitrure de silicium 15 SiN ou Si3N4, selon les conditions stoechiométriques du dépôt. L'épaisseur de la couche 15 peut aller de quelques centaines de nm à 1 pm. Le dépôt peut se faire par PECVD, évaporation, pulvérisation, LPCVD, etc... La structure obtenue est montée à la figure 3A. On procède alors à la lithographie de l'injecteur. La couche de nitrure de silicium 15 est gravée soit chimiquement, soit par gravure sèche de type ionique réactive. Ensuite, la couche d'oxyde de silicium 14 est gravée à son tour jusqu'à la couche d'oxyde enterrée 3 soit chimiquement, soit par gravure 12 sèche de type ionique réactive. Le temps de gravure est déterminé pour arrêter la gravure sur la couche d'oxyde enterrée 3. La structure obtenue est montrée à la figure 3B. On procède ensuite au dépôt d'une couche de silice chargée de nano-cristaux de silicium jusqu'au-dessus de la couche de nitrure de silicium 15. La couche de silice chargée de nano-cristaux de silicium est planarisée par polissage mécano-chimique avec arrêt sur la couche de nitrure de silicium 15 qui est une couche dure servant d'arrêt au polissage. On obtient l'injecteur 16 comme le montre la figure 3C. On constate qu'une partie de la couche d'oxyde enterrée 3 a été chargée de nano-cristaux de silicium. On procède ensuite à l'encapsulation de l'injecteur 16 par dépôt d'une couche de silice épaisse 17 réalisé de préférence par PECVD. La structure finale obtenue est montrée à la figure 3D. Les coupleurs de lumière selon l'invention, dont deux modes de réalisation viennent d'être décrits, fournissent un couplage optimal, insensible à la polarisation. Ils permettent de réduire l'encombrement du circuit optique. L'approche technologique est simple. Les procédés de fabrication des structures décrites exploitent des technologies dites planaires, donc compatibles CMOS. Dans les deux modes de réalisation décrits ci-dessus, l'injecteur est en silice chargée de nanocristaux de silicium. Cependant, l'injecteur peut être réalisé en d'autres matériaux comme des nitrures ou d'autres oxydes, par exemple des silices nitrurées 13 (SiON par exemple) chargées ou non de nano-cristaux de silicium. Les matériaux choisis doivent conserver un contraste d'indice assez faible par rapport au milieu environnant. Les flancs de l'injecteur peuvent être verticaux comme sur la figure 2F. Ils peuvent aussi être obliques, dépendant du type de gravure utilisé pour le définir, comme sur la figure 4 qui est une vue en coupe transversale. Sur cette figure, la référence 18 désigne l'injecteur et la référence 19 désigne sa couche d'encapsulation. L'injecteur peut avoir plusieurs configurations possibles selon l'axe de propagation optique. Une première approche consiste à lui donner une structuration invariante selon sa longueur. Cette approche est illustrée sur la figure 1 où la largeur de l'arête de l'injecteur est constante selon l'axe de propagation optique. Une autre variante consiste à lui conférer une structuration adiabatique selon cet axe optique. La figure 5 montre une telle configuration. Elle montre un injecteur 20 constitué par un guide optique en arête. On voit que la largeur de l'arête 21 diminue de manière linéaire depuis sa face de réception 22, de l'extrémité d'une fibre optique. Le matériau dans lequel est défini le collecteur (ou nano-pointe) peut être à base de silicium (cristallin, amorphe) dopé ou non. D'autres matériaux à fort indice optique comme les composés III-V (InP, GaAs) peuvent aussi être utilisés dans les 14 circuits photoniques actifs (amplificateurs, sources lasers, modulateurs). La largeur w de la nano-pointe veut varier selon l'axe de propagation de la lumière z comme montré sur les figures 6 à 9. La figure 6 montre une décroissance f(w) de la largeur de la micro-pointe qui est linéaire en fonction de z. La variation de la largeur de la micro-pointe peut aussi être polynomiale ou exponentielle. La figure 7 montre une décroissance qui est fonction de eZ. La figure 8 montre une décroissance qui est fonction de z2. La figure 9 montre une décroissance qui est fonction de lanzZ n Le collecteur peut également être divisé en plusieurs zones, chacune étant définie par un motif qui lui est propre. Ces zones à motif particulier sont raccordées par des zones de raccordement. Les figures 10 et 11 montrent, vus de dessus, des exemples de tels collecteurs adiabatiques. La figure 10 montre un collecteur comportant trois zones à décroissance linéaire du type illustré par la figure 6 : une zone d'entrée 30, une zone de collection optimisée 31 et une zone de sortie 32 vers le guide d'onde 35. Les zones 30 et 31 sont raccordées par une zone 33 de largeur constante. Les zones 31 et 32 sont raccordées par une zone 34 de largeur constante. La figure 11 montre un collecteur comportant trois zones à variation de largeur : une zone centrale 40 à décroissance du type illustré par la figure 9, une zone d'entrée 41 et une zone de sortie 42 vers le guide d'onde 45 à décroissance du type illustré REVENDICATIONS1. Coupleur de lumière entre une fibre (6) optique et un guide d'onde (35, 45) réalisé sur un substrat semi-conducteur sur isolant (1), le substrat semi-conducteur sur isolant (1) comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur (9) dans laquelle est réalisé le guide d'onde (35, 45), le coupleur étant réalisé sur le substrat semi-conducteur sur isolant (1), caractérisé en ce qu'il comprend un injecteur de lumière (5, 16, 18, 20) et un collecteur adiabatique (4) constitué par une nano-pointe inversée formée à partir de la couche mince de matériau semi-conducteur (9), l'injecteur étant formé sur l'isolant (3) et présentant une face de réception (7, 22) d'une extrémité de la fibre optique (6), le collecteur adiabatique (4) ayant une section transversale qui augmente depuis une première extrémité située du côté de ladite extrémité de la fibre optique (6) jusqu'à une deuxième extrémité se raccordant au guide d'onde (35, 45), l'injecteur (5, 16, 18, 20) recouvrant le collecteur adiabatique (4). 2. Coupleur de lumière selon la revendication 1, dans lequel l'injecteur (5, 16, 18, 20) a une forme choisie parmi un guide d'onde en ruban ou un guide d'onde en arête. 3. Coupleur de lumière selon la revendication 2, dans lequel, l'injecteur (5) ayant une 17 forme en guide d'onde en arête, l'arête du guide d'onde formant l'injecteur possède une largeur invariante. 4. Coupleur de lumière selon la revendication 2, dans lequel, l'injecteur ayant une forme en guide d'onde en arête, l'arête du guide d'onde formant l'injecteur a une forme adiabatique, sa largeur décroissant depuis sa face de réception de l'extrémité de la fibre optique. 5. Coupleur de lumière selon la revendication 4, dans lequel la largeur de l'arête du guide d'onde (21) formant l'injecteur (20) décroît de manière linéaire. 6. Coupleur de lumière selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la largeur de la nano-pointe formant le collecteur décroît depuis sa deuxième extrémité d'une façon choisie parmi une décroissante linéaire, une décroissance polynomiale et une décroissance exponentielle. 7. Coupleur de lumière selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comportant une couche d'encapsulation (8) en matériau électriquement isolant. 8. Coupleur de lumière selon la revendication 7, dans lequel la couche d'encapsulation (8) est en oxyde de silicium. 18 9. Coupleur de lumière selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le collecteur (4) est en un matériau choisi parmi le silicium, l'InP et le GaAs. 10. Coupleur de lumière selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'injecteur (4) est en un matériau choisi parmi la silice chargée de nano-cristaux de silicium, le nitrure de silicium chargé en nano-cristaux de silicium et le SiON chargé ou non de nano-cristaux de silicium. 11. Coupleur de lumière selon la revendication 1, dans lequel le substrat semiconducteur 15 sur isolant (1) est un substrat silicium sur isolant. 12. Coupleur de lumière selon la revendication 11, dans lequel le substrat silicium sur isolant (1) comprend un support (2) supportant 20 successivement une couche d'oxyde de silicium (3) et une couche mince de silicium.