Brevet FR2944645A1 — publié le 20101022

L'invention se situe dans le domaine de la fabrication de substrats "silicium sur isolant", connus de l'homme du métier sous l'acronyme "SOI", d'après l'expression anglaise "Silicon On Insulator". Un substrat SOI comprend une couche d'oxyde de silicium SiO2, enterrée entre un substrat support en silicium et une couche superficielle de silicium, dénommée "couche active" car c'est sur celle-ci ou dans celle-ci que seront fabriqués ultérieurement les composants destinés à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optique, l'optoélectronique ou la microélectronique. La présente invention concerne plus spécifiquement un procédé d'amincissement d'un substrat initial de type SOI, qui permet d'obtenir un substrat SOI dont la couche superficielle de silicium est fine, voire même extra fine, et dont la surface est exempte ou quasiment exempte de particules polluantes. L'intégration des transistors en microélectronique se fait avec des dimensions de plus en plus petites, puisqu'il s'agit d'augmenter le nombre de transistors réalisés sur une plaque (ou substrat). Le franchissement du "noeud technologique des 22 nanomètres", c'est-à-dire le fait de fabriquer des transistors dont la largeur sera de 22 nanomètres ou moins, risque d'imposer l'utilisation des substrats SOI connus de l'homme du métier sous l'appellation anglaise de "fully depleted", qui signifie "complètement appauvris". Dans de tels substrats, la couche superficielle de silicium constitue une couche dite "d'épuisement" ou de "deplétion", dans laquelle la concentration des charges mobiles est très inférieure à celle de l'équilibre. La fabrication d'un transistor dénommé "fully depleted" nécessite une réduction de l'épaisseur de la couche superficielle active de silicium, qui de ce fait doit être inférieure ou égale à 50 nanomètres, de préférence encore de l'ordre de 10 à 30 nanomètres. On notera également que l'épaisseur de la couche d'oxyde enterrée peut être réduite, c'est-à-dire inférieure à 15 nanomètres, lorsque l'on souhaite utiliser ce type de substrats SOI pour la fabrication de composants destinés à des applications de type "basse puissance" ou de type "mémoire". Plus la couche active superficielle de silicium doit être fine et plus il est nécessaire de retirer une quantité importante de matière du substrat SOI initial. Lorsque l'on cherche à amincir la couche active superficielle de silicium du substrat, notamment par gravure, on constate que les bords de plaques sont fragiles, qu'ils peuvent se casser et former ainsi des particules qui viennent se redéposer sur ladite couche active et polluer celle-ci. Par ailleurs, dans les procédés de fabrication de substrats SOI de l'état de la technique, il est connu d'effectuer un traitement de recuit thermique rapide, connu de l'homme du métier sous la dénomination "RTA" (pour "Rapid Thermal Annealing" selon la terminologie anglaise). On sait que ce traitement de RTA a pour effet de diminuer la rugosité de la couche superficielle de silicium et de lisser celle-ci. On sait également, d'après le document FR-2 852 143 de la demanderesse, que le traitement de RTA peut avoir un effet de recouvrement et d'encapsulation du bord périphérique de la couche d'oxyde enterrée du substrat SOI et que cette encapsulation permet de prévenir l'attaque chimique et la délamination du bord de la couche d'oxyde enterrée, lors d'une étape ultérieure de traitement du substrat. Un tel traitement de recuit thermique rapide RTA est donc effectué couramment parmi les étapes de finition d'un substrat SOI. Or, la demanderesse a constaté que lorsque l'on amincit de façon importante la couche active de silicium, la couche dite "d'encapsulation", c'est-à-dire la couche située en regard du bord périphérique de l'oxyde enterré, est endommagée et ne joue plus son rôle de protection. On peut voir sur la figure 1 jointe, qui représente l'état de la technique, une couche CE d'encapsulation partielle du bord d'un substrat SOI dont la couche active de silicium CA présente une épaisseur d'au moins 100 nanomètres. Cette couche d'encapsulation est consolidée par l'apparition de ponts PT de silicium générés pendant le traitement de RTA. Sur le schéma en perspective de la figure 1A, on peut également voir les ponts PT et la couche d'oxyde OX qui apparait par endroit entre les ponts PT. En revanche, et comme on peut le voir sur la figure 2 jointe qui représente le résultat d'un essai effectué par la demanderesse, si l'on cherche à amincir encore la couche active CA de silicium d'un substrat SOI, et ce, en utilisant un procédé d'oxydation thermique suivi d'une étape de gravure, on constate que les ponts PT se sont rompus ou ont disparus. Dans ce cas, après un tel traitement, la couche d'encapsulation ayant été fortement endommagée ou ayant disparu, le produit chimique utilisé pour la gravure s'infiltre au niveau de l'interface entre la couche d'oxyde enterrée et le silicium superficiel. Le bord du substrat se soulève et des morceaux de silicium, ainsi que du silicium avec des restes d'oxyde, peuvent se casser et se redéposer sur la couche superficielle active du substrat SOI. On observe alors également une pollution importante de ce substrat, ce qui le rend inutilisable ultérieurement dans la fabrication de composants. De plus, les particules polluantes peuvent également rayer la surface du substrat SOI. L'homme du métier était donc dissuadé d'utiliser la gravure pour amincir un substrat SOI, que ce substrat ait subi ou non un traitement de RTA. L'invention a pour objectif de résoudre les inconvénients précités de l'état de la technique. L'invention a notamment pour objectif de fournir un procédé qui permette d'amincir la couche active superficielle d'un substrat initial de type SOI, tout en éliminant les particules générées par cet amincissement, que ce substrat SOI ait subi ou non préalablement un traitement d'encapsulation et/ou un traitement thermique rapide de type RTA. Un objectif particulier de l'invention est de fournir un tel procédé qui permette d'obtenir un substrat SOI dont la couche superficielle active de silicium ait une épaisseur inférieure à 50 nanomètres et soit d'une qualité appropriée à la réalisation ultérieure de composants. A cet effet, l'invention concerne un procédé d'amincissement d'un substrat silicium sur isolant SOI, dit "substrat initial", comprenant une couche d'oxyde de silicium SiO2 enterrée entre un substrat support en silicium et une couche superficielle de silicium. Conformément à l'invention, ce procédé comprend les étapes successives suivantes consistant à effectuer : - un traitement d'oxydation thermique dudit substrat initial, de façon à provoquer l'oxydation d'une partie de ladite couche superficielle de silicium, - un premier cycle de gravure puis de nettoyage, - un second cycle de gravure puis de nettoyage, la gravure du premier cycle étant réalisée de façon à retirer complètement l'oxyde thermique formé, pour amincir ladite couche superficielle de silicium et détacher toutes les parties instables du bord dudit substrat initial, la gravure du second cycle étant réalisée de façon à détacher de la surface dudit substrat aminci, les particules polluantes formées lors dudit premier cycle de gravure et qui s'y sont déposées, de façon à obtenir un substrat silicium sur isolant SOI, dit "final", dont la couche superficielle amincie constitue une couche active. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : - le substrat initial SOI a subi, avant ledit traitement d'oxydation thermique, un traitement de recouvrement et d'encapsulation du bord périphérique de ladite couche d'oxyde de silicium SiO2 enterrée, par une couche, dite "d'encapsulation", issue de ladite couche superficielle, et en ce que le traitement d'oxydation dudit substrat initial est conduit de façon à provoquer l'oxydation de ladite couche latérale d'encapsulation, sur toute sa profondeur, jusqu'à ladite couche d'oxyde de silicium SiO2 enterrée ; - ledit traitement de recouvrement et d'encapsulation est réalisé par un traitement de recuit thermique rapide RTA ; - le traitement d'oxydation thermique est réalisé à une température 15 comprise entre 800°C et 1150°C ; - les différentes étapes d'oxydation et de gravure sont conduites de façon à obtenir un substrat silicium sur isolant final, dont la couche active de silicium, dite "extra-fine" présente une épaisseur inférieure ou égale à 50 nm. - les différentes étapes d'oxydation et de gravure sont conduites de 20 façon à obtenir un substrat silicium sur isolant final, dont la couche active de silicium, dite "extra-fine" présente une épaisseur inférieure ou égale à 30 nm ; - ledit substrat initial silicium sur isolant SOI comprend une couche superficielle de silicium dont l'épaisseur est inférieure ou égale à 400 nm ; - la gravure du premier et/ou du second cycle est effectuée à l'aide 25 d'une solution d'acide fluorhydrique HF pur diluée dans de l'eau, à une concentration comprise entre 10 % et 50 % en volume, à une température comprise entre 20°C et 30°C, pendant une durée comprise entre 30 secondes et 500 secondes; - la gravure du premier cycle est effectuée à l'aide d'une solution 30 d'acide fluorhydrique HF pur dilué dans de l'eau selon une concentration de 10 % en volume, en ce qu'elle est appliquée à une température comprise entre 20°C et 30°C et pendant une durée comprise entre 100 s et 500 s, pour éliminer 100 nm d'oxyde de silicium ; - le nettoyage du premier et/ou du second cycle est effectué par 35 trempage dans de l'eau, puis dans un premier bain d'une solution comprenant un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée, puis dans un second bain d'une solution comprenant un mélange d'acide chlorhydrique (HCl), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, sur lesquels, outre les figures 1 et 2 qui ont déjà été commentées et qui sont des représentations de photos issues d'une observation au microscope électronique à balayage du bord d'un substrat SOI et la figure 1A qui est une représentation schématique du substrat SOI de la figure 1 : - les figures 3 et 4 sont des représentations issues de l'observation par microscope électronique à balayage de la surface de la couche superficielle de silicium d'un substrat SOI aminci, respectivement à un stade intermédiaire du procédé conforme à l'invention et au stade final ; - et les figures 5A à 5F sont des schémas illustrant les différentes étapes du procédé conforme à l'invention. Le procédé conforme à l'invention va maintenant être décrit. La figure 5A représente un substrat SOI 1 comprenant un substrat support 2 en silicium, recouvert d'une couche 3 d'oxyde de silicium SiO2 et d'une couche superficielle de silicium 4. La couche d'oxyde 3 est donc enterrée entre les deux couches 2 et 4. De préférence, la couche superficielle de silicium présente une épaisseur inférieure ou égale à 400 nm. Ce substrat SOI peut avoir été obtenu, par exemple, par un procédé de transfert de couche mettant en oeuvre les étapes principales suivantes : - création d'une zone de fragilisation dans l'épaisseur d'un substrat donneur, - formation d'une couche d'oxyde sur ce substrat donneur, (de préférence avant la création de la zone de fragilisation), ou sur un substrat receveur, - collage du substrat donneur et du substrat receveur, - détachement au niveau de ladite zone de fragilisation. Un exemple d'un tel procédé de transfert est le procédé SmartCut dont on trouvera une description dans l'ouvrage "Silicon On Insulator Technology : Materials to VLSI û 2ème édition" de Jean-Pierre Colinge chez "Kluwer Academic Publisher", pages 50 et 51. On notera que lors de l'étape de détachement, il est possible que le transfert de couche s'accompagne de la création d'un épaulement périphérique sensiblement annulaire, autour du substrat que l'on a formé. Cet épaulement est couramment désigné par le terme "couronne" et porte la référence 10. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, le substrat SOI 1 est soumis à un recuit thermique rapide RTA, mené à une température comprise entre 1000°C et 1230°C, pendant une brève durée, généralement inférieure à dix minutes, dans une atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon. Ce procédé est mis en oeuvre dans un four approprié. De préférence, il est mené à une température de l'ordre de 1 200°C, pendant une durée inférieure à trois minutes. Comme on peut le voir sur la figure 5B, ce traitement de RTA a pour effet de provoquer le recouvrement et l'encapsulation du bord périphérique 30 de la couche d'oxyde enterrée 3, par une couche latérale dite "d'encapsulation" référencée 40. On notera que ce traitement d'encapsulation peut également être réalisé par un recuit long, par exemple un recuit entre 1000°C et 1250°C, pendant une durée comprise entre 5 minutes et quelques heures, au lieu du RTA. Ce substrat 1 ainsi encapsulé constitue le substrat initial SOI auquel est appliqué le procédé d'amincissement conforme à l'invention. Comme représenté sur la figure 5C, ce procédé d'amincissement comprend une première étape d'oxydation thermique, menée dans un four horizontal (équipement commercialisé par la société TEL), dans des gammes de températures comprises entre 800°C et 1150°C. Cette oxydation thermique est menée dans des conditions permettant l'oxydation totale de la couche latérale 40 d'encapsulation, c'est-à-dire une oxydation s'étendant sur toute sa profondeur jusqu'à atteindre le bord périphérique 30 de la couche d'oxyde enterrée 3. La couche d'encapsulation oxydée porte la référence numérique 40'. Par ailleurs, ce traitement d'oxydation a également pour effet d'oxyder la partie supérieure de la couche superficielle 4 de silicium. Cette partie oxydée porte la référence 41. Le fait de pousser l'oxydation de la couche d'encapsulation 40' jusqu'à la couche d'oxyde enterrée 3 permet, lors des étapes ultérieures, de la retirer complètement et de mettre à nu le bord périphérique 30 de la couche 3. Comme représenté sur la figure 5D, on procède ensuite à une première étape de gravure chimique, réalisée d'une part de manière à retirer l'oxyde thermique 41 et à amincir de ce fait la couche superficielle de silicium 4, et d'autre part à détacher complètement toutes les parties instables du bord dudit substrat, c'est-à-dire la couche d'encapsulation oxydée 40'. La couche superficielle 4 amincie porte la référence 4'. Le substrat SOI aminci porte la référence 1'. On notera que l'oxydation de la couche superficielle 4 de silicium n'est conduite que sur une certaine épaisseur (couche 41), de sorte qu'après le retrait de cette couche 41, la couche amincie 4' présente l'épaisseur que l'on souhaite obtenir. L'homme du métier adaptera donc les paramètres de l'oxydation en tenant compte de l'épaisseur initiale de la couche 4 et de l'épaisseur souhaitée de la couche amincie 4'. Dans une application particulière de l'invention, on obtient un substrat SOI dont la couche active amincie 4' de silicium présente une épaisseur inférieure ou égale à 50 nm (couche 4' extra-fine), voire même inférieure ou égale à 30 nm. L'étape de gravure est réalisée préférentiellement avec un bain d'acide fluoridrique HF. Toutefois, elle pourrait également être réalisée à l'aide d'un 15 autre acide fort, tel que de l'acide sulfurique par exemple. De préférence, on utilise une solution d'acide fluorhydrique HF à une concentration de 10% à 50% en volume dans de l'eau, de préférence à une concentration de 10 % en volume dans de l'eau. Cette solution est appliquée à une température comprise entre 20°C et 30°C, de préférence voisine de 25°C. Ce 20 traitement est mené pendant une durée comprise entre 30 secondes et 500 secondes, de préférence entre 100 secondes et 500 secondes, de préférence encore pendant 100 secondes. Typiquement, on utilise une solution d'acide fluorhydrique HF à une concentration de 10% en volume dans de l'eau, appliquée entre 100 et 500 secondes, 25 entre 20°C et 30°C, pour éliminer 100 nm d'oxyde. Le temps passé dans le bain de HF est bien entendu proportionnel à l'épaisseur de l'oxyde généré par le traitement d'oxydation thermique. Ce temps est toutefois légèrement augmenté afin de s'assurer de l'élimination totale de l'oxyde, conformément à l'invention. 30 Ce premier bain de gravure est suivi d'une première étape de nettoyage par un traitement connu sous la dénomination RCA. Ce premier traitement consiste à plonger successivement le substrat SOI dans : - un premier bain d'eau, de préférence désionisée, - un deuxième bain d'une solution connue sous l'acronyme "SC1" 35 (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 1" qui signifie "solution de nettoyage standard 1 "), et qui comprend un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée, puis - un troisième bain d'une solution connue sous l'acronyme "SC2" (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 2" qui signifie "solution de nettoyage standard 2"), et qui comprend un mélange d'acide chlorhydrique (HCl), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée. De préférence, le bain de SC1 est appliqué à une température de 70°C et pendant une durée de 3 minutes, tandis que le bain de SC2 est appliqué à une température de 30°C et pendant une durée de 3 minutes. A l'issue de cette étape de nettoyage, on observe que de nombreuses particules constituées aussi bien de morceaux de silicium que d'oxyde de silicium se sont déposées à la surface de la couche amincie 4'. Ces particules portent la référence 5 sur la figure 5E. Un exemple de la surface de la couche superficielle 4' d'un substrat SOI obtenu à ce stade du procédé de l'invention est représenté sur la figure 3. Le substrat 1' sort relativement sale de cette étape, voire même avec un degré de saleté maximum puisque les ponts démolis de la couche d'encapsulation latérale 40 se déposent sous forme de particules ou de débris. On procède ensuite à une seconde étape de gravure, de préférence 20 également avec une solution d'acide fluoridrique HF, dans les conditions décrites précédemment. Cette seconde étape de gravure a pour effet de décoller les débris 5 qui se sont accumulés à la surface du substrat SOI aminci 1'. La première étape de nettoyage et la seconde étape de gravure sont 25 des étapes successives, c'est-à-dire qui se suivent. On réalise enfin un traitement de nettoyage RCA, tel que celui décrit précédemment pour obtenir le substrat final 1' représenté sur la figure 5F, dans lequel la couche superficielle de silicium 4' est amincie et constituera ultérieurement la couche active du substrat SOI, c'est-à-dire la couche sur laquelle seront fabriqués 30 les composants. Un exemple du résultat obtenu à l'issue de cette étape de nettoyage est illustré sur la figure 4, sur laquelle on peut constater une disparition importante du nombre de débris polluants. Selon une seconde variante de réalisation de l'invention, le substrat 35 SOI initial 1 n'a pas subi d'étape d'encapsulation. Le traitement d'oxydation est donc mené uniquement de façon à former la couche d'oxyde 41. Les étapes ultérieures sont identiques à ce qui a été décrit pour le premier mode de réalisation. Le procédé conforme à l'invention permet donc, dans le cas ou un traitement de RTA a été effectué, de conserver les effets bénéfiques de lissage de ce traitement. Il permet également grâce à la première étape de gravure poussée, de casser tous les ponts ou zones fragiles de la couche d'encapsulation, ce qui est très facile du fait que la couche d'oxyde de silicium est très fine, de sorte qu'ensuite, la seconde étape de gravure ne démolit plus aucun pont et ne génère donc plus de particules polluantes ou de débris, mais permet de décoller ces particules de la surface du substrat aminci. Ce dernier avantage existe également, même lorsque le substrat SOI initial n'a pas subi d'encapsulation. REVENDICATIONS1. Procédé d'amincissement d'un substrat (1) silicium sur isolant SOI, dit "substrat initial", comprenant une couche (3) d'oxyde de silicium SiO2 enterrée entre un substrat support en silicium (2) et une couche superficielle de silicium (4), ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes consistant à effectuer : - un traitement d'oxydation thermique dudit substrat initial (1), de façon à provoquer l'oxydation d'une partie (41) de ladite couche superficielle (4) de silicium, - un premier cycle de gravure puis de nettoyage, - un second cycle de gravure puis de nettoyage, la gravure du premier cycle étant réalisée de façon à retirer complètement l'oxyde thermique formé (41), pour amincir ladite couche superficielle de silicium (4) et détacher toutes les parties instables du bord dudit substrat initial (1), la gravure du second cycle étant réalisée de façon à détacher de la surface dudit substrat aminci, les particules polluantes formées (5) lors dudit premier cycle de gravure et qui s'y sont déposées, de façon à obtenir un substrat silicium sur isolant SOI (1'), dit "final", dont la couche superficielle amincie (4') constitue une couche active. 2. Procédé d'amincissement selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat initial SOI (1) a subi, avant ledit traitement d'oxydation thermique, un traitement de recouvrement et d'encapsulation du bord périphérique (30) de ladite couche d'oxyde de silicium SiO2 enterrée (3), par une couche (40), dite "d'encapsulation", issue de ladite couche superficielle (4), et en ce que le traitement d'oxydation dudit substrat initial (1) est conduit de façon à provoquer l'oxydation de ladite couche latérale d'encapsulation (40), sur toute sa profondeur, jusqu'à ladite couche (3) d'oxyde de silicium SiO2 enterrée. 3. Procédé d'amincissement selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit traitement de recouvrement et d'encapsulation est réalisé par un traitement de recuit thermique rapide RTA. 4. Procédé d'amincissement selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le traitement d'oxydation thermique est réalisé à une température comprise entre 800°C et 1150°C. 5. Procédé d'amincissement selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les différentes étapes d'oxydation et de gravure sont conduites de façon à obtenir un substrat silicium sur isolant final(1'), dont la couche active (4') de silicium, dite "extra-fine" présente une épaisseur inférieure ou égale à 50 nm. 6. Procédé d'amincissement selon la revendication 5, caractérisé en ce que les différentes étapes d'oxydation et de gravure sont conduites de façon à obtenir un substrat silicium sur isolant final (1'), dont la couche active (4') de silicium, dite "extra-fine" présente une épaisseur inférieure ou égale à 30 nm. 7. Procédé d'amincissement selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat initial (1) silicium sur isolant SOI comprend une couche superficielle (4) de silicium dont l'épaisseur est inférieure ou égale à 400 nm. 8. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la gravure du premier et/ou du second cycle est effectuée à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique HF pur diluée dans de l'eau, à une concentration comprise entre 10 % et 50 % en volume, à une température comprise entre 20°C et 30°C, pendant une durée comprise entre 30 secondes et 500 secondes. 9. Procédé d'amincissement selon la revendication 8, caractérisé en ce que la gravure du premier cycle est effectuée à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique HF pur dilué dans de l'eau selon une concentration de 10 % en volume, en ce qu'elle est appliquée à une température comprise entre 20°C et 30°C et pendant une durée comprise entre 100 s et 500 s, pour éliminer 100 nm d'oxyde de silicium (41). 10. Procédé d'amincissement selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le nettoyage du premier et/ou du second cycle est effectué par trempage dans de l'eau, puis dans un premier bain d'une solution comprenant un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée, puis dans un second bain d'une solution comprenant un mélange d'acide chlorhydrique (HCl), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée.