Brevet FR2929773A1 — publié le 20091009

Dispositif de commande d'un actionneur piézo-électrique ultrasonore L'invention concerne un dispositif de commande, embarqué sur un véhicule automobile, d'au moins un actionneur piézo-électrique ultrasonore piloté électroniquement et lié avec un injecteur de carburant dans un moteur à combustion interne. Plus précisément, l'invention concerne, selon un premier de ses aspects, un dispositif de commande tel que celui de l'état de l'art partiellement illustré sur les figures 1-2 et décrit, par exemple, dans la io demande de brevet français FR 2 847 743. Ce dispositif est conçu pour commander au moins un actionneur piézo-électrique ultrasonore 4, piloté électroniquement à partir d'un calculateur de contrôle 10 et d'une source de tension continue Vbatt (quelques dizaines de volts, par exemple, 12 V ou 42 V). Le dispositif de commande comporte : 15 - un premier étage 1 d'élévation de ladite tension continue Vbatt alimenté par la source de tension continue Vbatt et conçu pour générer une tension intermédiaire continue Vinter (quelques centaines de volts, par exemple, 250 V) dans une ligne d'alimentation 5, 20 - un deuxième étage 2 de stockage alimenté, via la ligne d'alimentation 5, par la tension intermédiaire continue Vinter générée par le premier étage 1, et comportant un premier moyen de stockage 20 connecté, d'une part, à une masse K, et, d'autre part, à la ligne d'alimentation 5, et conçu pour stocker la tension 25 intermédiaire continue Vinter, - un troisième étage 3 de modulation de la tension intermédiaire continue Vinter alimenté, via la ligne d'alimentation 5, par la tension intermédiaire continue Vinter stockée par le deuxième étage 2, et conçu pour générer une tension d'excitation alternative VE 30 (supérieure à mille volts, par exemple, 1200 V) de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore 4. Ce dispositif de commande connu permet de délivrer une commande en tension intermédiaire continue Vinter du type � activation/maintien � qui vise à assurer un fonctionnement attendu de l'injecteur 7, à savoir : - délivrer, par le premier 1 et le deuxième 2 étages, une forte amplitude de tension intermédiaire continue Vinter au troisième étage 3 pendant une courte phase d'activation de l'injection, c'est-à-dire, au cours des premiers instants de l'injection, pour initier une io excitation quasi instantanée, par le troisième étage 3, de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore 4, de manière à accélérer une ouverture de l'injecteur 7 en assurant ainsi un débit de carburant dans un cylindre du moteur 6, - délivrer, par le premier 1 et le deuxième 2 étages, une amplitude 15 modérée de tension intermédiaire continue Vinter au troisième étage 3 pendant une longue phase de maintien de l'injection, c'est-à-dire, jusqu'à la fin de l'injection, une fois les dits premiers instants écoulés, pour maintenir l'excitation, par le troisième étage 3, de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore 4, de manière à conserver 20 l'injecteur 7 en position ouverte pour le reste de l'injection. Pour réaliser ces variations d'amplitude de tension, le dispositif de commande selon FR 2 847 743 et, en particulier, le premier 1 et le deuxième 2 étages (notamment des moyens commutateurs (transistors) et autres moyens composants passifs), doivent être 25 surdimensionnés car doivent être prévus pour supporter une puissance maximale fournie au troisième étage 3 pendant la phase d'activation. Bien que délivrée à des temps courts, cette puissance maximale s'avère supérieure par rapport à une puissance modérée délivrée à des temps longs de la phase de maintien. De ce fait, un compromis délicat 30 doit être réalisé entre la compacité du dispositif de commande et des moyens volumineux car surdimensionnés du premier 1 et du deuxième 2 2 étages pour délivrer au troisième étage 3 ladite commande � activation/maintien �. La présente invention, qui s'appuie sur cette observation originale, a principalement pour but de proposer un dispositif de commande visant au moins à réduire l'une au moins des limitations précédemment évoquées. A cette fin, le dispositif de commande, par ailleurs conforme à la définition générique qu'en donne le préambule ci-dessus, est essentiellement caractérisé en ce que le deuxième étage comprend au io moins : - un deuxième moyen de stockage monté entre la ligne d'alimentation et la masse en parallèle avec le premier moyen de stockage et conçu pour stocker la tension intermédiaire continue Vinter, - un premier moyen commutateur monté en série entre le deuxième 15 moyen de stockage et la masse et conçu pour commander sélectivement un stockage de la tension intermédiaire continue Vinter par le deuxième moyen de stockage jusqu'à une consigne de basse tension continue VBT telle que VBT Le fait qu'au moins le premier étage n'est plus dimensionné à la puissance (maximale) d'activation mais seulement à celle (modérée) de maintien le rend moins volumineux (et moins onéreux) et, donc, contribue in fine à une meilleure compacité du dispositif de commande selon l'invention. Selon un deuxième de ses aspects, l'invention concerne un moteur à combustion interne utilisant le dispositif de commande selon l'invention, c'est-à-dire un tel moteur où est disposé ce dispositif de commande. io D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : la figure 1 représente un schéma électronique simplifié partiel 15 d'un dispositif de commande connu à trois étages permettant de piloter un actionneur piézo-électrique ultrasonore pour injecter un carburant dans un moteur à combustion interne, la figure 2 représente un schéma électronique simplifié partiel d'un troisième étage du dispositif de commande connu à trois étages 20 formé par un modulateur de tension et connecté à l'actionneur piézo-électrique ultrasonore, les figures 3 à 5 représentent trois schémas électroniques simplifiés partiels respectivement de première, deuxième et troisième variantes d'un deuxième étage du dispositif de commande à trois 25 étages selon l'invention, la figure 6 illustre schématiquement un algorithme de commande, lors de stockage de tension intermédiaire (charge), d'un premier et d'un deuxième moyens commutateur de la troisième variante du deuxième étage du dispositif de commande à trois étages selon 30 l'invention représentée sur la figure 5, la figure 7 représente un schéma électronique simplifié partiel d'une première variante d'un premier étage du dispositif de commande à trois étages selon l'invention formé par un convertisseur de tension du type FLYBACK isolé de manière galvanique, la figure 8 représente un schéma électronique simplifié partiel d'une deuxième variante d'un premier étage du dispositif de commande à trois étages selon l'invention formé par un convertisseur de tension du type BOOST. Les figures 1 et 2, présentant l'état de l'art, ont déjà été io discutées ci-dessus. Comme annoncé précédemment et illustré sur les figures 3-8, l'invention concerne un dispositif de commande embarqué sur un véhicule automobile et conçu pour commander au moins un actionneur piézo-électrique ultrasonore 4 piloté électroniquement à partir d'un 15 calculateur de contrôle 10 et d'une source de tension continue Vbatt. L'actionneur 4 est lié avec un injecteur 7 de carburant, par exemple, dans un cylindre d'un moteur à combustion interne 6. Dans un autre exemple (non représenté sur les figures), l'injecteur 7 peut aussi être installé dans un conduit d'échappement pour injecter du carburant, par 20 exemple, dans un moyen de dépollution logé dans ledit conduit pour y faciliter une réaction d'oxydation des suies. Le dispositif de commande comporte (figures 3-5, 7-8) : - un premier étage 1 d'élévation de ladite tension continue Vbatt alimenté par la source de tension continue Vbatt et conçu pour 25 générer une tension intermédiaire continue Vinter dans une ligne d'alimentation 5, - un deuxième étage 2 de stockage alimenté, via la ligne d'alimentation 5, par la tension intermédiaire continue Vinter générée par le premier étage 1, et comportant un premier moyen de 30 stockage 20 connecté, d'une part, à une masse K, et, d'autre part, à la ligne d'alimentation 5, et conçu pour stocker la tension intermédiaire continue Vinter, - un troisième étage 3 de modulation de la tension intermédiaire continue Vinter alimenté, via la ligne d'alimentation 5, par la tension intermédiaire continue Vinter stockée par le deuxième étage 2, et conçu pour générer une tension d'excitation alternative VE de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore 4. Selon l'invention, le deuxième étage 2 comprend au moins (figures 3-5) : io - un deuxième moyen de stockage 21 monté entre la ligne d'alimentation 5 et la masse K en parallèle avec le premier moyen de stockage 20 et conçu pour stocker la tension intermédiaire continue Vinter, - un premier moyen commutateur 22 monté en série entre le 15 deuxième moyen de stockage 21 et la masse K et conçu pour commander sélectivement un stockage de la tension intermédiaire continue Vinter par le deuxième moyen de stockage 21 jusqu'à une consigne de basse tension continue VBT telle que VBT Grâce à cet agencement, il est possible de rendre le premier 20 et le deuxième 21 moyens de stockage interchangeables. En outre, cette topologie permet de moduler la haute tension VHT pour produire des injections multiples de carburant pendant le même cycle de compression dans le cylindre. De préférence, le deuxième étage 2 comprend au moins un troisième moyen commutateur 24 monté en série entre le premier moyen de stockage 20 et la ligne d'alimentation 5 et conçu pour commander sélectivement un stockage de la tension intermédiaire io continue Vinter par le premier moyen de stockage 20 jusqu'à une consigne de haute tension continue VHT telle que VBT CI. De préférence, C2 > 3*C1 lorsque : - le premier condensateur est utilisée pour délivrer, via la ligne d'alimentation 5, la haute tension VHT au troisième étage 3 pendant une courte phase d'activation de l'injection, c'est-à-dire, au cours des premiers instants (entre environ 20ps et environ 200ps) de 30 l'injection, pour initier une excitation quasi instantanée, par le troisième étage 3, de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore 4, de manière à accélérer une ouverture de l'injecteur 7 en assurant ainsi un débit de carburant dans le cylindre du moteur 6, et - le deuxième condensateur est utilisée pour délivrer, via la ligne d'alimentation 5, la basse tension VBT au troisième étage 3 pendant une longue (� 200 ps) phase de maintien de l'injection, c'est-à-dire, jusqu'à la fin de l'injection, une fois les dits premiers instants écoulés, pour maintenir l'excitation, par le troisième étage 3, de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore 4, de manière à conserver l'injecteur 7 en position ouverte pour le reste de l'injection. io Grâce à ces agencements, un dimensionnement du dispositif de commande et, en particulier, un dimensionnement du deuxième étage 2 (et, surtout, celui des dits condensateurs représentant des sources d'énergie électrique lors des phases d'activation et de maintien), peut être optimisé en tenant compte du fait que les besoins 15 en énergie électrique du troisième étage 3 sont plus faibles pour la phase d'activation (qui, dans l'exemple ci-dessus, est puisée à partir de la première capacité CI) par rapport aux besoins en énergie électrique pour la phase de maintien (qui, dans l'exemple ci-dessus, est puisée à partir de la deuxième capacité C2). 20 En outre, en absence du troisième moyen commutateur 24 (par exemple, pour la topologie illustrée sur la figure 3), un phénomène de rééquilibrage de tension se produit entre le premier et le deuxième condensateurs (lors de leur commutation pour délivrer la tension dans la ligne d'alimentation 5) entre la fin de la phase d'activation et la début 25 de la phase de maintien. Dans ce cas, le rapport C2 > CI entre les capacités (et, plus encore, le rapport C2 > 3*C1) contribue à rendre ce rééquilibrage plus rapide et, de ce fait, à minimiser un dégagement de chaleur qui l'accompagne, de manière à protéger une intégrité du circuit électronique du dispositif de commande. 30 Comme illustré sur la figure 5, le premier moyen commutateur 22 monté en série entre le deuxième moyen de stockage 21 et la masse K peut comprendre au moins un premier transistor M2 présentant : - une première source S2 connectée à la masse K, - un premier drain D2 connecté au deuxième moyen de stockage 21, - une première grille G2 connectée à un premier bloc de commande 25, - un premier substrat B2 connecté à la masse K, et le troisième moyen commutateur 24 monté en série entre le premier moyen de stockage 20 et la ligne d'alimentation 5 peut comprendre au io moins un deuxième transistor M3 présentant : - une deuxième source S3 connectée à la ligne d'alimentation 5, - un deuxième drain D3 connecté au premier moyen de stockage 20, - une deuxième grille G3 connectée au premier bloc de commande 25, 15 - un deuxième substrat B3 connecté à la ligne d'alimentation 5. L'utilisation du premier M2 et du deuxième M3 transistors permet de commander aisément le deuxième 21 et le premier 20 moyens de stockage à l'aide du premier bloc de commande 25, en particulier, en minimisant les pertes énergétiques au moment des 20 commutations entre la première capacité CI et la deuxième capacité C2 et en offrant une plus grande facilité de fonctionnement et une plus grande dynamique dans les valeurs de tensions disponibles en phase de maintien. Comme illustré sur la figure 5, le premier transistor M2 25 comprend au moins une première diode d2 présentant une première anode A2 connectée à la première source S2 et une première cathode i0 X2 connectée au premier drain D2 et le deuxième transistor M3 comprend au moins une deuxième diode d3 présentant une deuxième anode A3 connectée à la deuxième source S3 et une deuxième cathode X3 connectée au deuxième drain D3. Grâce à cette topologie, il est possible de maintenir la haute tension VHT toujours supérieure à la basse tension VBT (VHT > VBT), en particulier lors de la décharge (lorsque le deuxième étage 2 alimente en tension le troisième étage 3). En effet, dès que le premier condensateur en décharge (partant de la haute tension VHT) approche la basse io tension VBT du deuxième condensateur, il se produit une connexion entre ces deux condensateurs par le biais de la première d2 et de la deuxième d3 diodes, de manière à maintenir l'inéquation : VHT > VBT. Cette propriété présente des intérêts de fiabilité et de coût dans la mesure où aucun système additionnel n'est nécessaire pour assurer 15 l'inéquation VHT > VBT lors d'un fonctionnement du dispositif de commande en décharge ou en charge (lorsque le premier étage 1 alimente en tension le deuxième étage 2). De préférence, le premier transistor M2 est du type à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur (en anglais MOSFET), à canal 20 N (avec un courant assuré par un déplacement d'électrons), et le deuxième transistor M3 est du type à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur (en anglais MOSFET) à canal P (avec un courant assuré par un déplacement de trous). La première d2 et la deuxième d3 diodes existent 25 respectivement de façon structurelle sur le premier M2 et le deuxième M2 transistors du type MOSFET. Grâce à cette topologie, il est donc possible de faire une économie des pièces distinctes (du type première d2 et deuxième d3 diodes décrites ci-dessus encombrant le circuit électronique du dispositif de commande), ladite première d2 et ladite 30 deuxième d3 diodes étant implantées dans les transistors MOSFET en rendant ainsi le circuit électronique du dispositif de commande encore plus miniature. Il Comme illustré sur la figure 4, le deuxième moyen commutateur 23 monté en série entre le premier moyen de stockage 20 et la masse K peut comprendre au moins un troisième transistor M4 présentant : - une troisième source S4 connectée à la masse K, - un troisième drain D4 connecté au premier moyen de stockage 20, - une troisième grille G4 connectée à un second bloc de commande 26, - un troisième substrat B4 connecté à la masse K, le troisième transistor M4 peut comprendre au moins une troisième io diode d4 présentant une troisième anode A4 connectée à la troisième source S4 et une troisième cathode X4 connectée au troisième drain D4, le troisième transistor M4 étant, de préférence, du type à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur (en anglais MOSFET) à canal N. Les avantages procurés par le deuxième moyen commutateur 15 23 ainsi formé sont sensiblement similaires que ceux déjà discutés ci-dessus en rapport avec le premier moyen commutateur 22 comprenant le premier transistor M2 et ne seront détaillés ici. Subsidiairement, notons que chacun des deux blocs de commande 25, 26 peut comprendre au moins un module du type 20 appelé en anglais � driver � et référencé � Z � sur les figures 3 à 5. Chaque driver Z est disposé entre la grille du transistor correspondant et la masse K et délivre, au niveau de ladite grille, une tension de commande VDD qui permet de rendre le transistor correspondant fermé, c'est-à-dire, permettant au un courant électrique de passer (en absence 25 de tension VDD ou lorsque la tension VDD reste inférieure à un certain seuil propre au transistor, ce dernier reste bloqué, c'est-à-dire, ouvert, en interdisant toute circulation du courant électrique). Pour minimiser davantage le circuit électronique du dispositif de commande, les deux blocs de commande 25, 26 peuvent être confondus (figure 5) de manière à comprendre, par exemple, autant des drivers Z que des transistors M2, M3 à commander. De préférence, le premier étage 1 comprend au moins un convertisseur de tension du type FLYBACK isolé de manière galvanique (grâce à un transformateur Tf), comme celui illustré, par exemple, sur la figure 7, et comprenant la source de tension continue Vbatt, par exemple, une batterie 12 V ou 42 V d'une capacité Cbatt, le transformateur Tf comprenant deux inductances Lf couplées magnétiquement, une diode Df, un moyen commutateur (par exemple, un quatrième transistor M5 du type MOSFET commandé à son tour par le driver Z) pilotant l'une des deux inductances Lf. De part le rapport de transformation de tension du transformateur Tf, il est possible de réaliser des gains en tension à la sortie du premier étage 1 tout en préservant une dynamique imposée par le cycle de compression dans le cylindre (et, donc, de l'injection). De plus, un effet d'inductance de fuite des moyens magnétiques du transformateur Tf permet d'assurer une commutation douce du quatrième transistor M5, (une commutation douce signifie une fermeture du quatrième transistor M5 à un instant où la tension à ses bornes est faible. La tension faible est une tension qui occasionne, à chaque commutation, une dissipation énergétique dans le quatrième transistor M5 inférieure ou égale à une dissipation résistive ou magnétique dans le transformateur Tf) ce qui améliore davantage un rendement de puissance du premier étage 1 comprenant le convertisseur de tension du type FLYBACK. L'isolement galvanique permet aussi d'améliorer les performances du premier étage 1 en compatibilité électromagnétique, dite CEM, c'est-à-dire, en une capacité du premier étage 1 à fonctionner sans introduire de perturbations électromagnétiques dans le circuit électronique du dispositif de commande, en particulier pour un gain en tension Vinter/ Vbatt > 10. De manière alternative, le premier étage 1 peut comprendre au moins un convertisseur de tension du type BOOST, comme celui illustré, par exemple, sur la figure 8, et comprenant la source de tension continue Vbatt, par exemple, une batterie 12 V ou 42 V d'une capacité Cbatt, une inductance LB, une diode Df, un moyen commutateur (par exemple, un cinquième transistor MI du type MOSFET) commandé par le driver Z. L'avantage de cet agencement réside dans une robustesse du convertisseur de tension du type BOOST. Le troisième étage 3 de modulation peut présenter une topologie connue, par exemple, celle illustrée sur la figure 2, décrite dans la demande de brevet français FR 2 847 743 et comprenant une inductance Lp pilotée par un moyen commutateur (par exemple, un sixième transistor M6 du type MOSFET commandé à son tour par le driver Z), un moyen de stockage (par exemple, un condensateur d'une capacité électrique Cp). Quant au fonctionnement du dispositif de commande selon l'invention, il est à noter que la charge et la décharge du deuxième étage 2 (plus particulièrement, du premier 20 et du deuxième 21 moyens de stockage) ne sont jamais simultanées : - soit une première partie du circuit électronique du dispositif de commande incluant le premier 1 et le deuxième 2 étages, est active (la charge), - soit une deuxième partie du circuit électronique incluant le deuxième 2 et le troisième 3 étages de commande est active. De ce fait, la ligne d'alimentation 5 fonctionne également de manière cyclique : - soit en charge (entre deux cycles de compression dans le cylindre, c'est-à-dire, entre deux injections), par le premier étage 1, du deuxième étage 2. Le troisième étage 3 est alors inactif, son moyen commutateur étant ouvert (le sixième transistor M6 sur la figure 2 déconnectant dans son état � ouvert � l'inductance Lp du troisième étage 3 de la masse K), - soit en décharge (au cours de chaque injection), en alimentant en tension le troisième étage 3, d'abord (lors de la phase d'activation), s à partir du premier moyen de stockage 20, ensuite (lors de la phase de maintien), à partir du deuxième moyen de stockage 21. Le premier étage 1 est alors inactif, son moyen commutateur étant ouvert (pour le convertisseur de tension du type BOOST (figure 8) c'est le cinquième transistor MI en état � ouvert � déconnecte 10 l'inductance LB du premier étage 1 de la masse K ; pour le convertisseur de tension du type FLYBACK (figure 7), c'est le quatrième transistor M5 en état � ouvert � déconnecte l'une des inductances Lf du transformateur Tf du premier étage 1 de la masse K). 15 Un premier exemple de fonctionnement est décrit en rapport avec le dispositif de commande muni du premier transistor M2, comme illustré sur la figure 3. Dans ce cas, au début de la charge, le premier transistor M2 reste fermé (en connectant la deuxième capacité C2 à la masse K). Par 20 conséquent, les deux capacités CI et C2 sont chargées jusqu'à la consigne de basse tension continue VBT (tension adaptée pour la phase de maintien) telle que VBT to). Du fait que les deux capacités CI et C2 se retrouvent connectées par l'intermédiaire de la diode d3, ces capacités CI et C2 sont chargées jusqu'à la consigne de basse tension continue VBT (tension adaptée pour la phase de maintien). Ensuite, le premier transistor M2 s'ouvre (en déconnectant la deuxième capacité C2 de la masse K). En prenant en considération qu'un premier laps i2 > 0 de temps nécessaire pour ouvrir le premier transistor M2 à canal N est inférieur à un deuxième laps i3 > ti2 > 0 de temps nécessaire pour fermer le deuxième transistor M3 à canal P (figure 6), le deuxième transistor M3 se ferme, passé ledit deuxième laps ti3, en connectant la première capacité CI à la ligne d'alimentation 5. De ce fait, la tension de la deuxième capacité C2 reste inchangée (égale à la consigne de basse tension continue VBT) lorsque la charge de la première capacité CI se poursuit (à partir du premier étage 1 via la ligne d'alimentation 5) jusqu'à la consigne de haute tension continue VHT telle que VBT Au début de la décharge (au cours de l'injection), lors de la phase d'activation, le premier transistor M2 reste ouvert (en déconnectant la deuxième capacité C2 de la masse K) tandis que le deuxième transistor M3 reste fermé (en connectant la première capacité Ci à la ligne d'alimentation 5). Pendant le passage en phase de maintien (après ledit deuxième laps de temps ti3), le deuxième transistor M3 s'ouvre (en déconnectant la première capacité CI de la ligne d'alimentation 5) et le premier transistor M2 se ferme (en connectant la deuxième capacité C2 à la masse K). Contrairement au premier exemple ci-dessus, aucun rééquilibrage de charge ne s'opère pas dans ce deuxième cas entre la première CI et la deuxième C2 capacités. En effet, tant que la tension aux bornes de la première capacité CI est supérieure à celle aux bornes de la deuxième capacité C2 (VHT > VBT) les deux respectives diodes d2, d3 � voient � une tension à leurs respectives anodes A2, A3 et cathodes X2, X3 strictement positive (VD2 = VX2 > VS2 = VA2 et VD3 = VX3 > VS3 = VA2, figure 5). La première diode d2 et la deuxième diode d3 sont donc bloquées (sauf si l'on excède une tension d'isolation du MOFSET ce qui n'arrive pas dans des conditions prévues d'utilisation). Le circuit électronique du dispositif de commande se comporte donc comme si les dites diodes d2, d3 n'existaient pas. Si la tension aux bornes de la première capacité CI baisse suffisamment pour égaler celle aux bornes de la deuxième capacité C2, la tension aux bornes des diodes respectives d2, d3 s'annule, puis tend à descendre en dessous de 0 (VD2 = VX2 REVENDICATIONS1. Dispositif de commande d'au moins un actionneur piézo-électrique ultrasonore (4), piloté électroniquement à partir d'un calculateur de contrôle (10) et d'une source de tension continue (Vbatt), comportant : - un premier étage (1) d'élévation de ladite tension continue (Vbatt) alimenté par la source de tension continue (Vbatt) et conçu pour générer une tension intermédiaire continue (Vinter) dans une ligne d'alimentation (5), io - un deuxième étage (2) de stockage alimenté, via la ligne d'alimentation (5), par la tension intermédiaire continue (Vinter) générée par le premier étage (1), et comportant un premier moyen de stockage (20) connecté, d'une part, à une masse (K), et, d'autre part, à la ligne d'alimentation (5), et conçu pour stocker la tension 15 intermédiaire continue (Vinter), - un troisième étage (3) de modulation de la tension intermédiaire continue (Vinter) alimenté, via la ligne d'alimentation (5), par la tension intermédiaire continue (Vinter) stockée par le deuxième étage (2), et conçu pour générer une tension d'excitation alternative (VE) 20 de l'actionneur piézo-électrique ultrasonore (4), caractérisé en ce que le deuxième étage (2) comprend au moins : - un deuxième moyen de stockage (21) monté entre la ligne d'alimentation (5) et la masse (K) en parallèle avec le premier moyen de stockage (20) et conçu pour stocker la tension 25 intermédiaire continue (Vinter), - un premier moyen commutateur (22) monté en série entre le deuxième moyen de stockage (21) et la masse (K) et conçu pour commander sélectivement un stockage de la tension intermédiaire continue (Vinter) par le deuxième moyen de stockage (21) jusqu'àune consigne de basse tension continue (VBT) telle que VBT 2. Dispositif de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que le deuxième étage (2) comprend au moins un deuxième moyen commutateur (23) monté en série entre le premier moyen de stockage (20) et la masse (K) et conçu pour commander sélectivement un stockage de la tension intermédiaire continue (Vinter) par le premier moyen de stockage (20) jusqu'à une consigne haute tension continue (VHT) telle que VHT 3. Dispositif de commande selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le deuxième étage (2) comprend au moins un troisième moyen commutateur (24) monté en série entre le premier moyen de stockage (20) et la ligne d'alimentation (5) et conçu pour commander sélectivement un stockage de la tension intermédiaire continue (Vinter) par le premier moyen de stockage (20) jusqu'à une consigne de haute tension continue (VHT) telle que VBT 4. Dispositif de commande selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier moyen de stockage (20) comprend au moins un premier condensateur présentant une première capacité électrique (CI), et en ce que le deuxième moyen de stockage (21) comprend au moins un deuxième condensateur présentant une deuxième capacité électrique (C2) telle que C2 > CI. 5. Dispositif de commande selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le premier moyen commutateur (22) monté en série entre le deuxième moyen de stockage (21) et la masse (K) comprend au moins un premier transistor (M2) présentant : - une première source (S2) connectée à la masse (K), - un premier drain (D2) connecté au deuxième moyen de stockage (21), - une première grille (G2) connectée à un premier bloc de commande(25), - un premier substrat (B2) connecté à la masse (K), et en ce que le troisième moyen commutateur (24) monté en série entre le premier moyen de stockage (20) et la ligne d'alimentation (5) 5 comprend au moins un deuxième transistor (M3) présentant : - une deuxième source (S3) connectée à la ligne d'alimentation (5), - un deuxième drain (D3) connecté au premier moyen de stockage (20), - une deuxième grille (G3) connectée au premier bloc de commande - un deuxième substrat (B3) connecté à la ligne d'alimentation (5). 6. Dispositif de commande selon la revendication 5, caractérisé en ce que le premier transistor (M2) comprend au moins une première diode (d2) présentant une première anode (A2) connectée 15 à la première source (S2) et une première cathode (X2) connectée au premier drain (D2) et en ce que le deuxième transistor (M3) comprend au moins une deuxième diode (d3) présentant une deuxième anode (A3) connectée à la deuxième source (S3) et une deuxième cathode (X3) connectée au deuxième drain (D3). 20 7. Dispositif de commande selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que le premier transistor (M2) est du type à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur à canal N, et en ce que le deuxième transistor (M3) est du type à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur à canal P. 25 8. Dispositif de commande selon l'une quelconques des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que le deuxième moyen commutateur (23) monté en série entre le premier moyen de stockage (20) et la masse (K) comprend au moins un troisième transistor (M4) 20présentant : - une troisième source (S4) connectée à la masse (K), - un troisième drain (D4) connecté au premier moyen de stockage (20), - une troisième grille (G4) connectée à un second bloc de commande (26), - un troisième substrat (B4) connecté à la masse (K), en ce que le troisième transistor (M4) comprend au moins une troisième diode (d4) présentant une troisième anode (A4) connectée à la troisième source (S4) et une troisième cathode (X4) connectée au troisième drain (D4), et en ce que le troisième transistor (M4) est du type à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur à canal N. 9. Dispositif de commande selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le premier étage (1) comprend au moins un convertisseur de tension du type FLYBACK isolé de manière galvanique. 10. Dispositif de commande selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le premier étage (1) comprend au moins un convertisseur de tension du type BOOST. 21