Brevet FR2926925A1 — publié le 20090731

L'invention se situe dans le domaine de la fabrication d'hétérostructures destinées à des applications dans les domaines de l'électronique, l'optique ou l'opto-électronique. Elle concerne plus précisément un procédé de fabrication de telles 5 hétérostructures, qui comprend des étapes de collage d'un substrat dit "donneur" sur un substrat dit "receveur" et de transfert d'une couche issue de ce substrat donneur sur ce substrat receveur. Les hétérostructures de ce type, obtenues par les procédés connus de l'état de la technique, présentent des défauts au niveau de l'interface de collage et à 10 la surface de la couche transférée. Parmi ces défauts de surface, on trouve des zones non transférées (ZNT), des cloques, des lacunes ou "voids". Ces défauts ont diverses origines et notamment une mauvaise qualité de l'interface de collage. 15 On tonnait déjà d'après l'état de la technique, des procédés ayant pour but d'améliorer la qualité de ce collage. Il s'agit notamment de traitements de surface, qui permettent d'éliminer toute contamination avant collage. Ces techniques habituelles sont compatibles avec les techniques de collage de plaquettes et permettent d'éliminer la plupart des contaminants, sans dégrader l'état de surface 20 des plaquettes. Ainsi, un traitement classique à l'aide d'un bain chimique connu sous l'acronyme "RCA" (d'après l'expression anglaise "Radio Corporation of America" ) consiste à traiter les faces des plaquettes, successivement avec une première solution comprenant un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde 25 d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée, puis avec une seconde solution comprenant un mélange d'acide chlorhydrique (HCl), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau désionisée . Une autre technique habituellement utilisée consiste à appliquer une solution de peroxyde d'hydrogène et d'acide sulfurique, appelée communément � CARO � ou encore � Piranha Clean �. 30 Toutefois, ces procédés ne sont pas suffisants pour obtenir une très bonne qualité de collage pour toutes les hétérostructures, notamment lorsqu'il s'agit de substrats du type semi-conducteur sur isolant, connus sous l'acronyme "SeOl", d'après l'expression anglaise de "Semiconductor On Insulator", de substrats comprenant une couche d'oxyde isolante fine, connus sous l'acronyme "UTBOX", d'après l'expression anglaise de "Ultra Thin Buried Oxyd " ou de substrats n'en comprenant pas du tout, comme par exemple les hétérostructures connues de l'homme du métier sous l'acronyme "DSB", d'après l'expression anglaise "Direct Silicon Bonding" qui signifie "collage direct sur silicium". Pour mémoire, on rappelle ci-après que les substrats "UTBOX" désignent des substrats de type SOI (d'après l'expression anglaise "Silicon On Insulator") dans lesquels la couche d'oxyde enterrée est d'une épaisseur inférieure ou égale à 50 nm (50 nanomètres), voire même inférieure à 25 nm. Les substrats DSB comprennent une couche active de matériau semi-conducteur collée directement sur un substrat receveur ou substrat massif également semi-conducteur, sans formation d'une couche intermédiaire. Or, il est connu que le nombre de défauts d'interface augmente significativement dans le cas de couches isolantes enterrées fines. Ceci est en relation avec la capacité qu'a la couche isolante enterrée d'absorber l'eau et les gaz existant à l'interface de collage plus cette couche isolante est fine, moins elle absorbe l'eau et plus de défauts sont formés. On sait par ailleurs, d'après l'article V. Beyer et al., "Dissociation of Si+ ion implanted and as-grown thin Si02 layers during annealing in ultra pure neutral amblent by emanation of SiO2", Journal of Applied Physics 101, 053516 (2007), que le fait de traiter un film d'oxyde de silicium (SiO2) déposé par épitaxie sur un substrat en silicium, par un recuit à 1150°C, dans une atmosphère d'argon exempte d'oxygène, à pression ambiante conduit à la dissolution partielle du film de SiO2 et à l'apparition de trous dans ce film. Toutefois, l'auteur ne s'intéresse absolument pas aux procédés de collage et de transfert de couches, ni à l'amélioration de la qualité de ce collage. L'article de R.H. Esser et al., "Directional diffusion and void formation at a Si (001) bonded wafer interface", Journal of Applied Physics, vol 92, n°4, 15 août 2002, décrit diverses expériences menées sur le collage hydrophobe à 30 basse température (400°C) de deux plaquettes de silicium. Des essais ont été effectués en gravant dans l'une des plaquettes à coller, soit des grilles de tranchées non débouchantes de 150 im de large et de 2 .im de profondeur sur toute la longueur, soit des séries de tranchées alignées selon la direction , puis en la collant sur l'autre plaquette et en leur faisant subir un 35 recuit à 400°C pendant 16 heures. Les résultats ont montrés une disparition des défauts de type "vides" (connus sous la dénomination "voids" en anglais) autour des tranchées, alors que ce type de défauts était visible après un recuit à 400°C sur les plaquettes témoins ne comportant pas de tranchées. Toutefois, ce type de tranchées de très grandes dimensions ne permet pas d'obtenir un collage de qualité entre deux substrats et ne peut donc absolument pas être mis en œuvre dans un procédé de transfert de couche, sauf à provoquer l'apparition de nombreux défauts ou encore à diminuer la tenue de l'interface de collage, celle-ci étant en relation directe avec la surface de contact existante entre la couche transférée et le substrat. De plus, les tranchées sont formées par lithographie, ce qui rend le procédé long et difficile à réaliser. L'invention a pour but de résoudre les inconvénients précités de l'état de la technique et notamment de fournir un procédé permettant d'améliorer la qualité d'une interface de collage dans un procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant une étape de transfert de couche. A cet effet, l'invention concerne un procédé de fabrication d'hétérostructures pour des applications dans les domaines de l'électronique, l'optique ou l'opto-électronique. Conformément à l'invention, ce procédé comprend les étapes consistant à : - former et/ou déposer une couche d'oxyde de silicium SiO2 d'une épaisseur inférieure ou égale à 25 nanomètres sur un premier substrat dit "donneur" et/ou sur un second substrat dit "receveur", - soumettre le ou les substrat(s) (recouvert(s) de la couche d'oxyde de silicium à un traitement thermique à une température comprise entre 900°C et 1200°C, sous une atmosphère contrôlée contenant au moins l'un des gaz choisis parmi l'argon, l'hydrogène et l'azote, et ne contenant pas d'oxygène, de façon à former à l'intérieur de ladite couche d'oxyde de silicium, des trous traversants et/ou des trous débouchants, dits de "piégeage", - coller les deux substrats l'un avec l'autre de façon que la ou les couches d'oxyde de silicium SiO2 soi(ent) disposée(s) entre eux, - effectuer un recuit de renforcement de l'interface de collage entre les deux substrats, à basse température, lesdits trous de piégeage étant aptes à 35 retenir les espèces gazeuses présentes au niveau de cette interface, - transférer une partie du substrat donneur, dite "couche active" sur le substrat receveur, de façon à obtenir la dite hétérostructure. Grâce à ces caractéristiques de l'invention, les trous formés servent à piéger l'hydrogène présent au niveau de l'interface de collage, de sorte que le collage est grandement amélioré, et par ailleurs les trous formés sont d'une dimension suffisamment faible pour ne pas nuire à la qualité du collage et donc à celle de la couche transférée. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison - l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium SiO2 est inférieure ou égale à 10 nanomètres le traitement thermique de formation des trous de piégeage est réalisé par un recuit thermique rapide de type RTA, pendant une durée comprise entre 30 secondes et 2 minutes environ ; -le traitement thermique de formation des trous de piégeage est réalisé dans un bâti d'épitaxie pendant une durée d'au moins 10 minutes ; - les trous de piégeage formés ont un diamètre de trois micromètres au maximum ; - l'un des substrats parmi le substrat donneur et le substrat receveur 20 est réalisé en silicium ; - le traitement thermique de formation des trous de piégeage est suivi d'une étape de gravure à l'acide, destinée à graver le substrat supportant la couche d'oxyde de silicium SiO2 en regard desdits trous de piégeage, afin d'augmenter la profondeur totale de ceux-ci ; 25 - la gravure du substrat supportant la couche d'oxyde de silicium SiO2 est effectuée à l'acide chlorhydrique ; - la couche d'oxyde de silicium SiO2 est obtenue par oxydation thermique du ou des substrat(s) sur le(s)quel(s) elle repose ou par une technique choisie parmi les dépôts chimiques en phase vapeur du type CVD ou les dépôts 30 chimiques en phase vapeur sous faible pression du type LPCVD ; - la couche d'oxyde de silicium SiO2 est déposée à l'aide d'un plasma sous oxygène ; - le transfert de la couche active comprend la formation d'une zone de fragilisation à l'intérieur du substrat donneur avant l'étape de collage des deux 35 substrats ; - la couche d'oxyde de silicium SiO2 est formée ou déposée sur le substrat donneur et en ce que l'étape de formation de la zone de fragilisation (13, 13') et/ou ioniques est effectuée après le traitement thermique de formation des trous de piégeage ; - ladite couche active présente une épaisseur comprise entre environ 25 et 500 nanomètres, et en ce qu'après avoir obtenu ladite hétérostructure, on la chauffe dans une atmosphère inerte et/ou réductrice, à une température comprise entre environ 1100°C et 1300°C, pendant une durée comprise entre environ quelques minutes et quelques heures, de façon à réduire l'épaisseur de ladite couche d'oxyde de silicium SiO2; - le chauffage est poursuivi jusqu'à éliminer complètement la couche d'oxyde de silicium SiO2 et à obtenir une hétérostructure dans laquelle la couche active repose directement sur le substrat receveur ; L'invention concerne également une hétérostructure comprenant un substrat dit "receveur" et une couche active entre lesquels est intercalée au moins une couche d'oxyde comprenant des trous de piégeage d'espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau d'une interface de collage de cette hétérostructure, ces trous de piégeage étant présents en une densité comprise entre 0,1 et 100 trous par centimètre carré de surface de la face supérieure libre de ladite couche d'oxyde et présentant un diamètre inférieur ou égal à 3 micromètres. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, plusieurs modes de réalisation possibles. Sur ces dessins : - les figures 1A à 1E sont des schémas représentant les différentes étapes successives d'un premier mode de réalisation du procédé conforme à l'invention, - les figures 2A à 2F et 3A à 3F sont des schémas représentant les 30 différentes étapes successives respectivement d'un deuxième et d'un troisième mode de réalisation de ce procédé, - les figures 4A à 4C sont des schémas représentant la transformation d'une hétérostructure obtenue par l'un des procédés représenté sur les figures précédentes en une hétérostructure du type "UTBOX" ou "DSB" précité, 35 Un premier mode de réalisation de l'invention va maintenant être décrit en faisant référence aux figures lA à 1F. Sur la figure 1A, on peut voir un substrat donneur 1 et un substrat receveur 2. Ils présentent respectivement une face avant 11, 21 et une face opposée arrière 12, 22. Ces deux substrats sont réalisés de préférence dans un matériau semi-conducteur, par exemple un matériau choisi parmi ceux couramment utilisés dans le domaine de l'électronique, notamment le silicium. De préférence, au moins l'un des deux substrats 1 et 2 est en silicium, de préférence le substrat donneur. L'étape suivante représentée sur la figure 1B consiste à former et/ou déposer une couche d'oxyde de silicium (SiO2) 3, sur la face avant 11 du substrat donneur 1, et/ou une couche d'oxyde de silicium (SiO2) 4, sur la face avant 21 du substrat receveur 2. La face supérieure libre de la couche d'oxyde 3 porte la référence 31, 15 celle de la couche 4, la référence 41. Pour des raisons qui seront détaillées ci-après, l'épaisseur de chacune de ces couches d'oxyde de silicium est inférieure ou égale à 25 nm (25 nanomètres), de préférence inférieure ou égale à 10 nm (10 nanomètres). Lorsque la couche d'oxyde est formée, elle l'est par oxydation 20 thermique du substrat sur lequel elle repose, cette oxydation étant menée à des températures comprises entre 800°C et 1000°C. Dans ce cas, ce substrat est obligatoirement en silicium. Lorsque la couche d'oxyde de silicium est déposée, elle l'est par une technique de dépôt choisie, par exemple, parmi : le dépôt chimique en phase vapeur, 25 connu sous l'acronyme "CVD", d'après la terminologie anglaise de "Chemical Vapor Deposition", le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression, connu sous l'acronyme "LPCVD", d'après la terminologie anglaise de "Low Pressure Chemical Vapor Deposition", ou un procédé de dépôt en couches atomiques, connu sous l'acronyme "ALD",d'après la terminologie anglaise de "Atomic Layer Deposition" 30 ou encore un procédé dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, connu sous l'acronyme de "PECVD", d'après la terminologie anglais de "Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition". Il est également possible de procéder au dépôt de la couche d'oxyde de silicium par la technique LPCVD précitée, mais à partir d'un précurseur de type 35 tétraéthylorthosilicate (TEOS), cette technique étant connue sous l'acronyme "LPCVD TEOS". Enfin, il est également possible déposer la couche d'oxyde de silicium à l'aide d'un plasma sous oxygène. Pour une description plus détaillée de cette technique, on pourra se reporter au site Internet http://www.research.ibm.com/journal/rd/431/hess.html ou à l'article de. S. Taylor et al. "A review of the plasma oxidation of silicon and its applications", Semicond. Sei. Technol. 8 1426-1433 (1993). Lorsque la couche de SiO2 est déposée, le substrat donneur ou receveur traité peut être dans un matériau autre que du silicium. La couche de SiO2 3 et/ou 4 peut également être native. Dans ce 10 dernier cas, elle se forme par oxydation naturelle du substrat 1 et/ou 2 à l'air libre ou pendant les procédures de nettoyage. Comme représenté sur la figure 1C, on procède ensuite à un traitement thermique visant à former des trous dits de "piégeage" à l'intérieur de la couche d'oxyde de silicium. 15 Les trous formés dans la couche d'oxyde 3 portent la référence 30 et ceux formés dans la couche d'oxyde 4 la référence 40. Ces trous sont formés en soumettant la couche d'oxyde 3, 4, à un traitement thermique à une température comprise entre 900°C et 1200°C, sous une atmosphère contrôlée contenant au moins l'un des gaz choisis parmi l'argon, 20 l'hydrogène et l'azote, et ne contenant pas d'oxygène. En d'autres termes, le four peut être alimenté par l'un de ces trois gaz au choix ou par un mélange d'au moins deux de ceux-ci. Ce traitement peut eue effectué par un recuit thermique rapide connu sous l'acronyme "RTA" d'après l'expression anglaise "Rapid Thermal Annealing", 25 dans un four approprié, ou dans un bibi d'éprtaxie. Le temps de recuit peut varier entre une durée comprise entre 30 secondes et 15 minutes environ, L'application de l'une de ces deux techniques, combinée à l'épaisseur limitée de la couche de SiO2 permet de créer à l'intérieur de cette dernière une pl _iralité de trous traversants et/ou de trous débouchants. de forme sensiblement 30 circulaire, d'un diamètre inférieur ou égal à 3 urn, Ces trous sont formés par une désintégration locale �le l'oxyde due à la diffusion du silicium à travers la fine couche de SiO2. Par l'expression "trous traversants", on désigne des trous qui débouchent à une extrémité sur la face supérieure libre 31 de la couche d'oxyde 35 (respectivement la face libre 41 de la couche 4), et à l'autre extrémité en regard de la face avant 11 du substrat donneur 1, (respectivement la face avant 21 du substrat 2). Par l'expression trous débouchants", on désigne des trous qui débouchent sur la face supérieure libre 31 de la couche d'oxyde 3, (respectivement la face libre 41 de la couche 4), mais qui ne débouchent pas en regard de la face avant 11 du substrat donneur 1, (respectivement de la face avant 21 du substrat 2). Le budget thermique fourni lors du traitement thermique de formation des trous de piégeage et l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium et/ou 4 sont choisis de façon à obtenir une densité de trous comprise de préférence entre 0,1 et 100, préférentiellement entre 1 à 10 trous de piégeage par centimètre carré de surface des faces 31 ou 41 des couches d'oxyde. La faible dimension des trous de piégeage combinée à leur densité de répartition à la surface de l'oxyde permet de ne pas détériorer la qualité du collage qui intervient ultérieurement (voir figure ID). De façon optionnelle, le traitement de formation des trous de piégeage est suivi d'une étape de gravure à l'acide, destinée à graver le substrat supportant la couche d'oxyde de silicium (SiO2) en regard desdits trous de piégeage, afin d'augmenter la profondeur totale de ceux-ci. L'acide sera choisi pour effectuer une gravure sélective, c'est-à-dire pour ne pas graver l'oxyde de silicium mais uniquement le substrat situé dessous. A titre d'exemple, lorsque le substrat supportant la couche d'oxyde est en silicium, on utilisera de l'acide chlorhydrique de préférence à l'état gazeux. Si le traitement de formation des trous est effectué dans une enceinte (bâti) d'epitaxie, il suffit alors de fermer l'alimentation en argon, azote ou hydrogène et d'introduire l'acide chlorhydrique dans l'enceinte. On procède ensuite au collage des deux substrats 1 et 2 l'un avec 25 l'autre, de façon que la ou les couches d'oxyde de silicium (SiO2) 3, 4 soi(ent) disposée(s) entre eux, comme représenté sur la figure ID. Ce collage est hydrophile, il est effectué de préférence par adhésion moléculaire, c'est-à-dire par mise en contact intime des faces 11 ou 31 avec les faces 21 ou 41, en fonction du ou des substrats sur lequel (lesquels) sont formées la 30 ou les couche(s) d'oxyde. L'interface de collage porte la référence 5. Sur les figures, elle est représentée entre les faces 31 et 41. Si seul l'un des deux substrats 1 ou 2 est recouvert d'une couche d'oxyde, cette interface de collage s'étend alors entre la couche d'oxyde et le substrat 35 en regard. Dans ce dernier cas, il est également possible d'avoir une couche isolante, par exemple en nitrure de silicium Si3N4 ou encore en oxynitrure de silicium SiXOyNZ sur le substrat qui n'est pas recouvert d'oxyde de silicium, l'interface de collage s'étend alors entre la couche de SiO2 et cette couche d'isolant. On effectue ensuite un recuit de renforcement de l'interface de collage 5 à basse température, c'est-à-dire à des températures comprises entre 25°C 5 et 500°C. Au cours de ce recuit, des gaz comme par exemple de l'hydrogène peuvent se former. L'hydrogène formé est piégé dans les trous de piégeage 30 et/ou 40, ce qui évite la formation de bulles de gaz au niveau de l'interface de collage et donc 10 l'apparition de cloques sur la face arrière 12 du substrat donneur 1. Enfin, comme représenté sur la figure 1E, on meule et/ou on polit une partie arrière dite "reste" du substrat donneur 1, jusqu'à ne conserver qu'une épaisseur de matériau définissant une couche 14, dite "active" qui se trouve reportée sur le substrat receveur 2. 15 On obtient l'hétérostructure 6. Un deuxième mode de réalisation est décrit en faisant référence aux figures 2A à 2F. Les éléments identiques au premier mode de réalisation portent les mêmes références numériques et ne seront pas décrits de nouveau en détails. Ce deuxième mode diffère du premier par le mode de transfert de la 20 couche active 14 sur le substrat receveur 2. Le transfert est obtenu par la formation d'une zone de fragilisation à l'intérieur du substrat source 1, celle-ci étant constituée d'une zone poreuse 13. Cette zone poreuse 13 peut être obtenue par le procédé connu sous la dénomination ELTRANTM et décrit par exemple dans l'ouvrage "Silicon wafer 25 bonding technology for VLSI and MEMS applications", S.S. 1äyer and A.J. Auberton-Hervé, IEE (2002). Conformément à ce procédé, un premier substrat source 10 subit un traitement approprié de façon à rendre sa face supérieure 100 poreuse, puis une couche 10' est formée sur cette face 100 par épitaxie, de façon à obtenir une zone 30 poreuse 13 enterrée. L'ensemble définit le substrat source 1, auquel les différentes étapes du procédé décrites en liaison avec les figures 1B à 1E sont ensuite appliquées. Le détachement représenté sur la figure 2F consiste à appliquer des contraintes d'origine mécanique (par exemple lame), thermique et/ou chimique au 35 niveau de la zone poreuse 13, pour obtenir l'hétérostructure 6. lo Un troisième mode de réalisation est décrit en faisant référence aux figures 3A à 31-1. Les éléments identiques au premier mode de réalisation portent les mêmes références numériques et ne seront pas décrits de nouveau en détails. Ce troisième mode diffère du premier par le mode de transfert de la couche active 14 sur le substrat receveur 2. Le transfert est obtenu par la formation d'une zone de fragilisation à l'intérieur du substrat source 1, celle-ci étant constituée d'une zone implantée 13'. Les figures 3A et 3B sont identiques aux figures lA et 1B. Ensuite, comme représenté sur les figures 3C et 3D, on réalise le traitement thermique de formation des trous de piégeage 30 à l'intérieur de la couche de SiO2 3, puis l'on procède à l'implantation d'au moins une catégorie d'espèces atomiques et/ou ioniques à l'intérieur du substrat source 1, de préférence depuis sa face avant, pour définir la zone de fragilisation 13'. Par implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques, ou entend tout bombardement d'espèces atomiques et/ou ioniques, susceptibles d'introduire ces espèces dans le substrat donneur 1, avec une concentration maximale à une profondeur prédéterminée du substrat par rapport à la surface bombardée, en vue d'y créer la zone de fragilisation. De préférence, on implante des ions hydrogène ou hélium, ou les 20 deux s'il s'agit d'une co-implantation. Ce procédé est mis en oeuvre dans la technologie connue sous la dénomination Smart CutTM. On pourra se reporter à ce sujet à la littérature concernant ce procédé, et notamment à l'ouvrage �Silicon wafer bonding techn000gy fore VLSI and MEMS applications�, S.S. Lyer and A.J. Auberton-Hervé, IEE (2002). 25 Selon d'autres variantes de réalisation non représentées sur les figures, il est également possible de ne pas déposer la couche d'oxyde de silicium 3 sur le substrat donneur 1 ou de l'y déposer avant l'implantation permettant la formation de la zone de fragilisation mais sans y former les trous de piégeage, dès lors que dans ce cas le substrat receveur 2 est recouvert d'une couche d'oxyde de 30 silicium qui subit le traitement de formation des trous de piégeage. Les étapes de collage des deux substrats et de détachement du reste 15 représentées sur les figures 3E et 3F sont identiques à ce qui a été décrit en liaison avec les figures 2E et 2F. Une variante de réalisation de l'invention va maintenant être décrite 35 en faisant référence aux figures 4A et 4B. Dans ce cas, l'hétérostructure 6, obtenue conformément à l'un quelconque des procédés décrits précédemment, est soumise à un traitement thermique permettant sa transformation en substrat de type "UTBOX" ou "DSB Ce traitement thermique est mis en oeuvre, de façon que l'épaisseur de la couche d'oxyde 3 ou 4 (ou 3 et 4 si les deux sont présentes comme représenté sur la figure 4A) diminue, par diffusion de l'oxygène à travers la couche active 14. Ce traitement est réalisé dans une atmosphère inerte et/ou réductrice, telle qu'une atmosphère contenant de l'argon ou de l'hydrogène ou un mélange des deux. Si la couche active 14 est suffisamment mince, une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde 3, 4 diffuse au travers et s'évapore dans l'atmosphère au niveau de sa surface. Cette diffusion est accélérée par le fait que l'atmosphère dans laquelle a lieu la réaction est inerte et/ou réductrice, ou plus exactement non oxydante. La demanderesse a démontré que le paramètre principal affectant la durée de dissolution est la température de recuit et l'épaisseur de la couche active 14 et que par ailleurs le résultat ne dépend pas de la concentration en oxygène dans le substrat receveur 2. D'une manière générale la température et la durée du traitement thermique, ainsi que l'épaisseur de la couche d'oxyde 3, 4 et l'épaisseur de la couche active 14 seront choisies pour inciter l'oxygène présent dans la couche d'oxyde 3, 4 à diffuser à travers la couche active 14, plutôt qu'à travers le substrat receveur 2. De préférence, ce traitement thermique ou recuit de dissolution est mené sous une atmosphère contenant de l'argon et/ou de l'hydrogène, à une température comprise entre environ 1100°C et 1300°C, pendant une durée comprise entre environ quelques minutes et quelques heures. De préférence également, la couche active 14 représentée sur la figure 4A doit être d'une épaisseur comprise entre 25 et 500 nanomètres, de préférence entre 25 et 250 nanomètres, de préférence encore entre 25 et 120 nanomètres et l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium 3 ou 4 ou l'épaisseur de la somme des deux doit être comprise entre 1 et 50 nanomètres. Par ailleurs, on notera que plus l'épaisseur de la couche 14 est importante et plus la vitesse de dissolution de la couche d'isolant 3, 4 est faible. Plus la température du traitement thermique de dissolution est élevée, plus la dissolution est rapide. Comme illustré sur la figure 4B, le traitement peut être poursuivi jusqu'à dissolution partielle de la couche d'oxyde de silicium SiO2 3 et/ou 4. On obtient dans ce cas une hétérostructure de type "UTBOX", référencée 6' dont la ou les couches d'oxyde ont diminué en épaisseur et sont référencées 3' et 4'. La couche active 14' est plus épaisse que la couche initiale 14. Comme représenté sur la figure 4C, le traitement peut être poursuivi à des températures et pendant des durées telles que la couche d'oxyde disparaît complètement, de sorte que l'on obtient le substrat de type DSB 6", avec une couche active 14" encore plus épaisse. La présente invention permet ainsi de piéger tout type de contaminants, comme par exemple des espèces gazeuses (telles que de l'hydrogène ou autre), des espèces liquides (comme de l'eau), susceptibles ou non de diffuser au sein du substrat. L'invention permet de piéger également des particules organiques ou métalliques pouvant être présentes au niveau de l'interface de collage. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'hétérostructures (6, 6', 6") pour des applications dans les domaines de l'électronique, l'optique ou l'opto-électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - former et/ou déposer une couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) 5 d'une épaisseur inférieure ou égale à 25 nanomètres sur un premier substrat (1) dit "donneur" et/ou sur un second substrat (2) dit "receveur", - soumettre le ou les substrat(s) (1, 2) recouvert(s) de la couche d'oxyde de silicium (3, 4) à un traitement thermique à une température comprise entre 900°C et 1200°C, sous une atmosphère contrôlée contenant au moins l'un des 10 gaz choisis parmi l'argon, l'hydrogène et l'azote, et ne contenant pas d'oxygène, de façon à former à l'intérieur de ladite couche d'oxyde de silicium (3, 4), des trous traversants et/ou des trous débouchants (30, 40), dits de "piégeage", - coller les deux substrats (1, 2) l'un avec l'autre de façon que la ou les couches d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) soi(ent) disposée(s) entre eux, 15 - effectuer un recuit de renforcement de l'interface de collage (5) entre les deux substrats (1, 2), à basse température, lesdits trous de piégeage (30, 40) étant aptes à retenir les espèces gazeuses présentes au niveau de cette interface, - transférer une partie (14) du substrat donneur (1), dite "couche active" sur le substrat receveur (2), de façon à obtenir la dite hétérostructure. 20 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) est inférieure ou égale à 10 nanomètres. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le traitement thermique de formation des trous de piégeage est réalisé par un recuit 25 thermique rapide de type RTA, pendant une durée comprise entre 30 secondes et 2 minutes environ. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le traitement thermique de formation des trous de piégeage est réalisé dans un bâti d'épitaxie pendant une durée d'au moins 10 minutes. 30 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les trous de piégeage (30, 40) formés ont un diamètre de trois micromètres au maximum. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins l'un des substrats parmi le substrat donneur (1) et le substrat receveur (2) est réalisé en silicium. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le traitement thermique de formation des trous de piégeage (30, 40) est suivi d'une étape de gravure à l'acide, destinée à graver le substrat supportant la couche d'oxyde de silicium (Si02) en regard desdits trous de piégeage (30, 40), afin d'augmenter la profondeur totale de ceux-ci. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la gravure 10 du substrat supportant la couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) est effectuée à l'acide chlorhydrique. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) est obtenue par oxydation thermique du ou des substrat(s) (1, 2) sur le(s)quel(s) elle repose ou par une 15 technique choisie parmi les dépôts chimiques en phase vapeur du type CVD ou les dépôts chimiques en phase vapeur sous faible pression du type LPCVD. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) est déposée à l'aide d'un plasma sous oxygène. 20 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le transfert de la couche active comprend la formation d'une zone de fragilisation (13, 13') à l'intérieur du substrat donneur (1) avant l'étape de collage des deux substrats (1, 2). 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en 25 ce que la couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) est formée ou déposée sur le substrat donneur (1, 2) et en ce que l'étape de formation de la zone de fragilisation (13, 13') est effectuée après le traitement thermique de formation des trous de piégeage (30, 40). 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en 30 ce que ladite couche active (14) présente une épaisseur comprise entre environ 25 et 500 nanomètres, et en ce qu'après avoir obtenu ladite hétérostructure (6), on la chauffe dans une atmosphère inerte et/ou réductrice, à une température comprise entre environ 1100°C et 1300°C, pendant une durée comprise entre environ quelques minutes et quelques heures, de façon à réduire l'épaisseur de ladite couche 35 d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4). 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le chauffage est poursuivi jusqu'à éliminer complètement la couche d'oxyde de silicium SiO2 (3, 4) et à obtenir une hétérostructure (6") dans laquelle la couche active (14") repose directement sur le substrat receveur (2). 15. Hétérostructure (6) comprenant un substrat (2) dit "receveur" et une couche active (14) entre lesquels est intercalée au moins une couche d'oxyde (3, 4) comprenant des trous de piégeage (30, 40) d'espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau d'une interface de collage (5) de cette hétérostructure (6), ces trous de piégeage (30, 40) étant présents en une densité comprise entre 0,1 et 100 trous par centimètre carré de surface de la face supérieure libre (31, 41) de ladite couche d'oxyde (3, 4) et présentant un diamètre inférieur ou égal à 3 micromètres.