Brevet FR2928937A1 — publié le 20090925

ALTATECH 3.FRD Dispositif d'introduction d'un fluide dans une chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur, chambre de traitement correspondante et utilisation de la chambre La présente invention concerne le domaine des équipements de dépôt chimique en phase vapeur ( chemical vapor deposition ou CVD en anglais ). De tels équipements sont utilisés en particulier pour la fabrication des circuits intégrés ou de microsystèmes à base de matériaux semiconducteurs. De façon conventionnelle, les circuits intégrés sont fabriqués par dépôt et gravure successifs de couches de différents matériaux à la surface d'une plaquette semiconductrice. Le dépôt peut être effectué dans une chambre contenant un gaz ou un mélange de gaz à des conditions de température et de pression permettant le dépôt de tels matériaux. Le ou les gaz peuvent provenir de bouteilles de gaz sous pression ou bien du réseau de distribution de gaz de l'usine. Comme le montre la feuille de route technologique pour les semiconducteurs (International Technology Roadmap for Semiconductors édition 2007 ), les technologies de fabrication des circuits intégrés font et feront de plus en plus appel au dépôt de matériaux non traditionnels tels que les matériaux à forte permittivité diélectrique, par exemple : HfO2r ZrO2 et leurs silicates respectifs, Ta2O5r Al2O3, BST (titanate de baryum strontium), etc. ou bien des métaux nobles tels que par exemple Pt et Ir, ou alors des oxydes conducteurs tels que par exemple IrO2 ou InSnOX. De même, de nouveaux dispositifs sont développés tels, par exemple, les mémoires non volatiles de type ferroélectriques ou à changement de phase à base respectivement de matériaux tels que PZT titanate de plomb zirconium ) et GST ( alliage de germanium, antimoine et tellurium ). Tous les matériaux cités ci-dessus sont ou seront le plus souvent déposés sur des surfaces présentant des motifs en creux et en relief ( structures 3D ), les creux pouvant présenter des rapports d'aspect ( rapport entre la hauteur et la largeur du motif ) très importants. La couverture de tels motifs par quelque matériau que ce soit impose l'utilisation de la technologie CVD qui est la seule à assurer une bonne couverture de marche avec des propriétés homogènes du matériau déposé sur toutes les surfaces horizontales et verticales. Les matériaux à déposer par CVD nécessitent l'emploi de précurseurs de dépôt qui constituent des réactifs de la réaction chimique hétérogène de dépôt se déroulant à la surface de la plaquette semiconductrice. La plupart des matériaux employés à ce jour en microélectronique font appel à des précurseurs gazeux à température ambiante. Ils peuvent donc être directement utilisés pour le dépôt chimique en phase vapeur. Toutefois, la majorité des matériaux requis par l'ITRS dont, par exemple, ceux cités ci-dessus ne disposent pas de précurseurs gazeux. Les précurseurs existant sont le plus souvent des composés organométalliques qui sont, soit liquides, soit solides à température ambiante. La chimie des précurseurs solides pulvérulents est développée de manière qu'ils puissent être mis en solution dans un solvant approprié. La solution ainsi chargée doit ensuite être évaporée dans une chambre d'évaporation, un injecteur permettant l'injection de la solution, dans une chambre de traitement ou dans cette chambre d'évaporation. Il en est de même dans le cas de l'emploi de précurseurs se présentant sous forme liquide. L'injecteur comprend en général un siège et un obturateur mobile formant soupape. Lors du fonctionnement, des impacts peuvent se produire entre l'obturateur et le siège d'une part et, d'autre part, le mouvement de l'obturateur par rapport aux pièces du corps de l'injecteur se fait avec un certain frottement, ces deux phénomènes étant susceptibles de provoquer l'arrachement de particules polluantes pour le liquide. Ces particules sont susceptibles de se retrouver dans le gaz et d'être déposées sur la plaquette semiconductrice en cours de fabrication. Elles constituent des défauts générant des mises au rebut. L'invention vient améliorer la situation. Le dispositif d'introduction d'au moins un fluide dans une chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur comprend un injecteur d'au moins un fluide. L'injecteur comprend un corps et une pièce mobile formant obturateur. Le corps et/ou l'obturateur présente au moins une surface en matériau de synthèse en contact avec une surface de l'autre élément, obturateur et/ou corps. Le matériau de synthèse présente une épaisseur supérieure à 1 pm. La pièce mobile est entraînée par un actionneur. Le matériau de synthèse réduit considérablement le risque de libération de particules, en particulier de particules électriquement conductrices, considérées comme les plus gênantes si elles se trouvent incluses dans la plaquette semiconductrice. La chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur comprend une entrée de fluide en amont de laquelle est installé un dispositif d'introduction d'au moins un fluide dans ladite chambre, le dispositif comprenant un injecteur d'au moins un fluide. L'injecteur comprend un corps et une pièce mobile formant obturateur, le corps et/ou l'obturateur présentant au moins une surface en matériau de synthèse en contact avec une surface de l'autre élément, obturateur et/ou corps. Le matériau de synthèse est présent sur une épaisseur supérieure à un micron. La pièce mobile est entraînée par un actionneur. La chambre permet d'obtenir un produit résultant du dépôt chimique à taux d'impuretés réduit. L'invention concerne également l'utilisation d'une telle chambre pour le traitement de plaquettes semiconductrices. Le taux de rebut des plaquettes semiconductrices en cours de fabrication ou encore des puces en fin de fabrication peut être significativement réduit. Il en résulte une moindre quantité de déchets, un accroissement de la productivité de la ligne de fabrication et une baisse des prix de revient unitaires. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée de quelques modes de réalisation pris à titre d'exemples et nullement limitatifs et illustrée par les dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est une vue schématique d'un mode de réalisation d'une chambre de traitement ; - la figure 2 est une vue schématique en coupe axiale d'un injecteur ; -la figure 3 est une vue schématique de côté d'un injecteur ; et - la figure 4 est une vue de détail de la figure 2. 15 On connaît dans l'état de la technique, les injecteurs pour moteur thermique visant à fractionner en fines gouttelettes un carburant porté à une pression élevée. Les contraintes de température, d'étanchéité, de pression et de pureté du 20 liquide sont totalement étrangères à celles exigées dans le domaine des chambres de traitement de dépôt chimique en phase vapeur. Dans le domaine du dépôt chimique en phase vapeur, ou CVD, 25 les composés ou les précurseurs d'élément ou de composés à déposer, en phase vapeur, sur un substrat, peuvent être introduits dans une enceinte par injection sous forme liquide. De fines gouttelettes liquides se forment alors par atomisation du liquide injecté. Les composés ou les 30 précurseurs à déposer peuvent être purs, notamment sous forme liquide, ou bien peuvent être dissous dans un10 solvant, lorsqu'ils se présentent sous forme liquide ou solide. Les gouttelettes liquides sont ensuite évaporées dans une chambre qui forme, soit la chambre de dépôt, soit une chambre intermédiaire d'évaporation reliée à la chambre de dépôt. La chambre d'évaporation est maintenue à une pression et à une température permettant l'évaporation des composés. La chambre de dépôt est maintenue sensiblement à la même pression et à une température permettant le dépôt sur un substrat. Pour permettre le transport des composants en phase vapeur dans l'enceinte, un gaz vecteur, inerte ou réactif, peut être introduit indépendamment dans l'enceinte. On peut se reporter au document EP 0 730 671 que le lecteur est invité à consulter. Les injecteurs connus cherchent à obtenir des débits suffisamment faibles dans les conditions thermodynamiques en amont et en aval de l'injecteur. Mais, la Demanderesse menant des recherches poussées sur les injecteurs, s'est rendu compte d'un inconvénient jusqu'à présent ignoré. Les composés ou leurs précurseurs sont livrés dans des réservoirs, par exemple des bouteilles sous pression pour les gaz avec une garantie de taux d'impureté inférieur à un seuil exprimé en parties par million ou en parties par milliard. Or, il s'avère que certaines plaquettes semiconductrices en cours de fabrication ou certaines puces électroniques, après la découpe des plaquettes, sont mises au rebut comme contenant des défauts inclus dans une couche déposée par CVD. Le défaut peut être détecté par vérification optique ou encore par test électrique, selon sa nature. Cherchant à comprendre les causes de tels défauts, la Demanderesse s'est rendu compte qu'il s'agissait majoritairement de particules conductrices, notamment métalliques de compositions étrangères à la couche déposée par CVD dans laquelle la particule était incluse. Après élimination de nombreuses origines possibles de telles particules, la Demanderesse a eu l'idée de s'intéresser au vieillissement de l'injecteur lors de son fonctionnement et s'est rendue compte que les injecteurs classiques comprenaient plusieurs pièces métalliques en contact mutuel, notamment en contact de percussion entre le siège et la soupape, et en contact de glissement entre un support de soupape, par exemple une tige, et une glissière maintenant ledit support de soupape et faisant partie du corps de l'injecteur. La percussion lors de la fermeture de la soupape et le frottement du mouvement du support de soupape par rapport à la glissière provoque une usure progressive se traduisant par une libération de particules métalliques provenant des surfaces de ces pièces. Les particules métalliques incluses dans une couche déposée par CVD appartenant à une puce électronique, sont susceptibles de diffuser dans le silicium et d'en modifier les propriétés semiconductrices, rendant ainsi non fonctionnels les dispositifs fabriqués. Ces particules sont de plus susceptibles de créer des courts-circuits, de modifier des grandeurs électriques telles que la résistance ou la capacité et conduisent donc à un taux de mise au rebut important. Le système de traitement CVD illustré sur la figure 1 comprend un dispositif d'introduction 1 d'un gaz 2 et d'un liquide 3, et une chambre d'évaporation 4 destinée à permettre l'évaporation du liquide 3. La sortie du dispositif d'introduction 1 est reliée à une partie supérieure de la chambre 4. Le liquide peut être un liquide pur, un mélange de liquide, une solution liquide comportant un ou plusieurs composés solides, liquides dissous ou miscibles entre eux, etc. Le dispositif évaporateur peut faire partie d'une installation de dépôt chimique en phase vapeur, d'une installation de dépôt de couche atomique, d'une installation de dépôt de vapeur moléculaire, d'une installation de réaction chimique en phase vapeur, d'une installation de recondensation de vapeur sur un substrat ou toute autre chambre de procédé utilisant des vapeurs issues de l'évaporation d'un composé ou d'un précurseur liquide. La chambre d'évaporation 4 peut être une enceinte thermostatée destinée à l'évaporation du liquide 3 et connectée, par sa partie inférieure à une chambre de dépôt. La chambre d'évaporation 4 peut également être ladite chambre de dépôt. La chambre d'évaporation 4 est munie d'éléments de chauffage et de mise sous pression permettant l'évaporation des gouttelettes des liquides. Le dispositif d'introduction 1 comprend des réservoirs 5 et 6 contenant respectivement le liquide 3 et le gaz 2 et 8 connectés respectivement par des conduites d'alimentation 7a et 7b, à des première et seconde entrées 8 et 9 d'une chambre de mélange 10. Le réservoir 5 de liquide 3 est, par exemple, connecté à un réservoir 11 de gaz sous pression 12, également appelé gaz de poussée, de manière à permettre l'introduction du gaz sous pression 12 par la partie supérieure du réservoir 5, la conduite 7a débouchant en partie inférieure du réservoir 5. Le gaz sous pression 12 permet de maintenir une pression suffisante dans le réservoir 5, notamment supérieure à la pression régnant dans la chambre de mélange 10. Des organes de pressurisation peuvent permettre un contrôle très précis de la pression de poussée du liquide 3. La chambre de mélange comprend également une sortie 13 connectée à l'entrée d'un injecteur 14 destiné à injecter périodiquement, par une même sortie, le contenu de la chambre de mélange 10. Ainsi, lorsque la chambre de mélange 10 contient à. la fois du gaz 2 et du liquide 3, l'injecteur 14 peut injecter dans la chambre d'évaporation 4, un mélange de gaz 2 et de gouttelettes de liquide 3. Dans le cas où la chambre de mélange 10 contient du gaz 2 seulement, le gaz 2 est injecté dans la chambre d'évaporation. 4 par l'injecteur 14. L'introduction du liquide 3 dans la chambre de mélange 10 peut être réalisée par un injecteur 15 également appelé injecteur de liquide et disposé en amont de la première entrée 8 de la chambre de mélange 10. :30 Le liquide 3 peut être introduit en continu dans la chambre de mélange 10 en étant par exemple régulé au moyen d'une vanne proportionnelle ou d'un dispositif de régulation de débit disposé en amont de la première entrée de la chambre de mélange. L'introduction du gaz 2 dans la chambre de mélange 10 peut être réalisée de manière continue. Un régulateur de pression 16 peut être disposé entre le réservoir 6 et la deuxième entrée 9 de la chambre de mélange 10. 10 Le régulateur de pression 16 peut maintenir le gaz vecteur en amont de la deuxième entrée de la chambre de mélange à une pression supérieure à la pression dans la chambre d'évaporation 4. Le dispositif d'introduction 1 comprend un 15 circuit de commande 17 fournissant des signaux de commande Cl et C2 destinés respectivement à commander l'ouverture et la fermeture des injecteurs 14 et 15. Le lecteur est invité à se reporter au document WO 2007/118 20 898. L'injecteur 14 et/ou l'injecteur 15 peuvent présenter la structure illustrée sur la figure 2. L'injecteur comprend un corps 17 présentant une forme générale annulaire. Le 25 corps 17 peut être réalisé en acier inoxydable ou en alliage léger, par exemple à base d'aluminium ou de magnésium. Le corps 17 peut comprendre une partie supérieure 17a et une partie inférieure 17b. La partie inférieure 17b peut être montée dans un alésage de la 30 partie supérieure 17a sur une portion de leurs longueurs respectives. La partie supérieure 17a peut être en :jutée5 axiale contre une surface de la partie inférieure 17b. L'injecteur comprend un noyau magnétique 18 disposé dans un alésage 21 ménagé dans la partie supérieure 17a du corps d'injecteur 17, et une bobine 19 montée autour d'une surface extérieure de révolution de la partie supérieure 17a du corps d'injecteur 17 à un niveau proche dudit noyau magnétique 18. La bobine 19 peut comprendre un enroulement de fils à base de cuivre. Un isolant 20 est monté autour de la bobine 19 et autour de la partie supérieure 17a du corps 17. La bobine est alimentée par des fils 30, voir figure 3. La bobine 19 et l'isolant 20 sont maintenus axialement par une surface de la partie inférieure 17b. Le noyau magnétique 18 est situé dans le prolongement axial de la partie inférieure 17b. Le corps 17 est muni d'un trou traversant 21 sensiblement selon son axe de révolution. Le trou 21 présente une zone supérieure 21a de grand diamètre ménagée dans la partie supérieure 17a, zone supérieure 21a dans laquelle est monté le noyau magnétique 18 de forme annulaire. Le trou 21 présente une zone inférieure 21b de petit diamètre. Une buse d'entrée 22 est également disposée dans le trou 21 à une extrémité du corps 17, par exemple dans la zone supérieure 21a au voisinage du noyau magnétique 18. L'injecteur comprend un obturateur 23 présentant une forme extérieure de tige solidaire en mouvement du noyau magnétique, par exemple vissée ou collée au noyau magnétique 18. Le noyau magnétique 18 est percé d'un trou traversant 24 sensiblement axial débouchant d'un côté vers la buse d'entrée 22 et dans lequel est monté ledit obturateur 23. L'obturateur 23 est également muni d'un trou allongé 25, sensiblement axial débouchant à une extrémité dans le trou 24 du noyau magnétique 18 et fermé à son extrémité opposée. L'obturateur 23 est guidé en translation sensiblement axiale dans la zone inférieure 21b du trou 21. À ladite extrémité opposée, le trou 25 est en communication avec un trou transversal 26 mettant en communication le trou 25 avec une chambre annulaire 27 formée entre l'alésage de la zone inférieure 21b du trou 21 du corps 17 et la surface extérieure de l'obturateur 23. L'alésage de la zone inférieure 21b du trou 21 du corps 17 présente un diamètre sensiblement constant au voisinage de la chambre 27. L'obturateur 23 présente une surface extérieure 23a de petit diamètre disposée entre une surface de grand diamètre 23b en concordance de forme avec l'alésage de la zone inférieure 21b du trou 21 du corps 17 et une portion d'extrémité inférieure 23c formant soupape, par exempte de forme hémisphérique. La portion d'extrémité inférieure 23c est en contact avec un siège 28 de forme complémentaire ou plane ménagé à l'extrémité du corps 17 opposé à la buse d'entrée 22. En d'autres termes, l'obturateur 23 présente une partie soupape, par exemple de construction massive, et une partie de commande, de construction tubulaire, assurant également la communication de fluide. En outre, un. ressort de rappel 29 est monté autour de l'obturateur 23 venant en appui à une extrémité contre un épaulement sensiblement radial du noyau magnétique 18 et à l'extrémité opposée contre un épaulement sensiblement radial ménagé dans la partie inférieure 17b du corps d'injecteur 17. Le ressort hélicoïdal 29 peut être logé dans une zone intermédiaire du trou 21 de diamètre adapté. Dans le mode de réalisation représenté, le ressort 29 est disposé de façon à repousser le noyau magnétique 18 et l'obturateur 23 en direction de la buse d'entrée 22. La bobine 19 est prévue pour agir sur le noyau magnétique 18 en exerçant une force tendant à l'écarter de la buse d'entrée 22. Dans la position illustrée sur la figure 2, le bobinage 19 est inactif, le ressort 29 maintient le noyau magnétique 18 et l'obturateur 23 en position proche de la buse d'entrée 22. La partie d'extrémité 23c de l'obturateur 23 est en contact avec le siège 28 du corps 17. L'obturateur 23 est en position d'obturation. Lorsque le bobinage 19 est excité, le noyau magnétique 18 est attiré axialement vers le bobinage 19 et comprime le ressort 29. Le noyau magnétique 18 s'écarte de la buse d'entrée 22. La partie d'extrémité 23c de l'obturateur 23 s'écarte du siège 28 en laissant un espace annulaire autorisant une communication de fluide. Un fluide peut alors circuler en passant par la buse d'entrée 22, le trou 24 du noyau magnétique 18, le trou 25 sensiblement axial de l'obturateur 23, le trou traversant 26, la chambre annulaire 27 et s'échapper entre le siège 28 et la partie d'extrémité 23c de l'obturateur 23. L'injecteur est alors dans une position d'ouverture. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 2, l'obturateur 23 est réalisé de façon monobloc, par exemple en acier inoxydable. Le corps d'injecteur 17 est réalisé en matériau de synthèse, polymère ou céramique, décrit ci dessous. Dans un autre mode de réalisation, l'obturateur 23 est réalisé en matériau synthétique, notamment à base de polyéther éthercétone et/ou de polytétrafluoroéthylène. Le matériau synthétique peut comprendre un mélange de polyétheréthercétone et de polytétrafluoroéthylène avec de 0 à 80 % de polytétrafluoroéthylène, préférablement de 10 à 20 %. Le coefficient de frottement est abaissé et la résistance à l'abrasion accrue. La dureté Rockwell du polyétheréthercétone peut atteindre la classe M99 au moins. La résistance à l'abrasion peut être supérieure 5.10-4 mm3/Nm au test de Taber avec charge de 1MPa à 1 ms-1. Le matériau de synthèse formant l'obturateur 23 peut en outre comprendre une charge minérale, par exemple à base de fibre de verre ou de carbone. Le corps d'injecteur 17 peut être réalisé en acier inoxydable. Le contact inox sur polymère permet d'éviter la génération de particules métalliques dues à la percussion de l'obturateur 23 sur le siège 28 du corps 17 ou encore dues au frottement de l'obturateur 23 dans l'alésage 21 du corps 17. On réduit fortement la probabilité d'inclusion de particules métalliques dans une plaquette semiconductrice en cours de fabrication et la probabilité de défaut électrique dans une puce. Sur la figure 2, le trou transversal 26 est prévu sensiblement perpendiculaire à l'axe général de l'injecteur. Toutefois, le trou 26 peut être oblique par rapport audit axe. Dans un autre mode de réalisation, le corps 17 est également réalisé en polymère. On réduit encore le risque de libération de particules métalliques, notamment lors du frottement avec le noyau magnétique 18. Dans un autre mode de réalisation, l'obturateur 23 comprend une céramique, par exemple à base d'oxyde de zirconium et/ou d'oxyde d'aluminium. La céramique peut être synthétisée par un traitement thermique. L'obturateur 23 présente alors une résistance mécanique particulièrement élevée ce qui assure une durée de vie longue. De façon générale, on prévoit au moins un matériau de synthèse sur l'une ou les deux surfaces en contact mutuel de l'obturateur 23 et du corps 17. Le matériau de synthèse peut comprendre des éléments non métalliques à plus de 99%. Dans un autre mode de réalisation, l'obturateur 23 est réalisé à base de céramique et le corps 17 d'injecteur est réalisé en polymère, par exemple à base de polyétheréthercétone et/ou de polytétrafluoroéthylène. Dans un autre mode de réalisation, le corps 17 d'injecteur est réalisé à base de céramique et l'obturateur 23 est réalisé en métal ou alliage métallique, par exemple en acier inoxydable ou en alliage léger. L'obturateur 23 peut également être réalisé en polymère. Dans un autre mode de réalisation, le siège 28 du corps 17 est muni d'un revêtement d'épaisseur supérieure à 1 pm, ledit revêtement comprenant un matériau de synthèse. Le matériau de synthèse est préférablement d'épaisseur supérieure à 10 }.m, plus préférablement encore à 50 pm. Le revêtement en matériau de synthèse peut comprendre un polymère, par exemple du polyétheréthercétone et/ou du polytétrafluoroéthylène. Alternativement, le revêtement en matériau de synthèse comprend au moins une céramique, notamment de l'oxyde de zirconium et/ou de l'oxyde d'aluminium. Le corps 17 peut alors être réalisé pour sa partie principale en un matériau ordinairement utilisé pour les injecteurs de chambre de traitement, par exemple en acier inoxydable, en alliage de nickel, d'aluminium, etc. L'obturateur 23 peut également être réalisé en un matériau courant pour ce type de pièce dans ce type d'application. La surface de contact 23c de l'obturateur 23 avec le siège 28 peut être recouverte par un revêtement 31 en matériau de synthèse et du même type, voir figure 4. Le revêtement en matériau de synthèse peut s'étendre sur la surface extérieure de l'obturateur 23, notamment sur la zone de grand diamètre 23b, et/ou dans l'alésage du corps 17 d'injecteur. Lorsqu'un polymère est utilisé pour un revêtement et/ou pour une pièce massive, de corps 17 et/ou d'obturateur 23, ledit polymère peut être chargé de 15 à 60 % de fibre de verre, par exemple de 20 à 40 % pour lui conférer une :30 résistance convenable aux chocs et aux frottements. 17 Dans un mode de réalisation, le matériau de synthèse présente un coefficient de friction dynamique inférieur à 0,3, préférablement inférieur à 0,2. Le polymère peut présenter une dureté Shore D de classe D50 à D 86, et un coefficient de frottement dynamique sur acier de 0,02 à 0,18. Le polymère peut présenter une dureté Shore D supérieure à D50. La céramique peut présenter une dureté Vickers supérieure à 1100. La céramique peut présenter un coefficient de frottement dynamique sur acier inférieur à 0,18, préférablement à 0,16. 15 L'injecteur ainsi réalisé s'avère particulièrement sûr en fonctionnement lorsqu'il est monté dans une chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur, en particulier pour le traitement de plaquettes 20 semiconductrices. On parvient ainsi à réduire significativement le taux de défauts particulaires et/ou électriques d'une plaquette semiconductrice.10 Revendications 1. Dispositif d'introduction d'au moins un fluide dans une chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur, comprenant un injecteur (15) d'au moins un fluide caractérisé par le fait que l'injecteur (15) comprend un corps (17) d'une part et une pièce mobile formant obturateur (23) d'autre part, le corps et/ou l'obturateur présentant au moins une surface (23c, 28) en matériau de synthèse en contact avec une surface de l'autre élément, obturateur et/ou corps, ledit matériau de synthèse présentant une épaisseur supérieure à 1 Kim, l'obturateur (23) étant entraîné par un actionneur (18, 19). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le matériau de synthèse comprend au moins un polymère. 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le polymère comprend du polyétheréthercétone et/ou du 20 polytétrafluoroéthylène. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le polymère comprend du polyétheréthercétone et de 10 à 20% en masse de polytétrafluoroéthylène. 5. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 4 dans lequel le polymère comprend, en outre, une charge minérale. 30 6. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la charge minérale comprend du verre et/ou du 25carbone. 7. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 6, dans lequel le polymère présente une dureté Shore D supérieure à D50 et/ou un coefficient de friction dynamique inférieur à 0,2 préférablement 0,1. 8. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le matériau de synthèse comprend au moins une céramique. 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel la ceramique comprend de l'oxyde de zirconium et/ou d' aluminium. 15 10. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la céramique présente une dureté Vickers supérieure à 1100 et/ou un coefficient de friction dynamique inférieur à 0,3 préférablement 0,16. 20 11. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le corps comprend un matériau de synthèse et l'obturateur comprend de l'acier inoxydable. 12. Dispositif selon l'une des revendications 25 précédentes, dans lequel le matériau de synthèse présente une épaisseur supérieure à 10 pm, préférablement 50 pm. 13. Chambre de traitement (4) par dépôt chimique en phase vapeur comportant un dispositif selon l'une des :30 revendications précédentes. 1910 20 14. Utilisation de la chambre (4) selon la revendication précédente pour le traitement de plaquettes semiconductrices.5