Brevet FR2931261A1 — publié le 20091120

DISPOSITIF POUR HOLOGRAPHIE ELECTRONIQUE L'invention porte sur un dispositif pour holographie électronique et sur un microscope électronique équipé d'un tel dispositif. L'holographie électronique est une technique avancée de microscopie électronique pour la caractérisation d'échantillons. Son application la plus courante est la détermination des champs électromagnétiques à l'intérieur d'un échantillon. La demande de brevet en France FR 07 06711 déposée le 25 septembre 2007 et non publiée à la date de dépôt de la présente Demande, décrit une nouvelle technique basée sur l'holographie électronique en champ sombre pour mesurer des déformations à l'échelle nanométrique dans un échantillon cristallin. Le dispositif de l'invention est destiné en particulier à la mise en oeuvre de cette technique, mais cela ne constitue pas une limitation. En effet, d'autres techniques holographiques plus conventionnelles peuvent également bénéficier des caractéristiques innovantes d'un tel dispositif. Le procédé holographique pour la mesure des déformations cristallines décrit par la demande FR 07 06711 précitée comporte : - la préparation d'un échantillon cristallin en forme de lame à faces planes et parallèles, comprenant une zone de mesure, dont on veut mesurer les déformations cristallines, et une zone de référence, supposée sans déformations et coplanaire avec la première zone ; - l'éclairage dudit échantillon avec un faisceau cohérent d'électrons, à une longueur d'onde permettant leur diffraction par le réseau 25 cristallin de l'échantillon ; - la sélection, au moyen d'un diaphragme, des faisceaux électroniques diffractés au premier ordre par l'échantillon, et leur superposition au moyen d'un biprisme au niveau d'un plan image. Dans le plan image, les deux faisceaux diffractés interfèrent ; 30 l'examen de la figure d'interférence ainsi obtenue permet de déterminer toute différence de paramètre cristallin et/ou d'orientation entre les zones de référence et de mesure dans le plan d'observation. On en déduit une information sur l'état de déformation de cette dernière zone. Cette technique peut s'appliquer, par exemple, à la caractérisation des transistors basés sur la technologie du silicium sous contrainte (� strained silicon �). Pour examiner un tel transistor, on doit en découper une tranche selon un plan perpendiculaire aux faces du substrat et contenant la direction source û drain. La zone de mesure dont on veut déterminer l'état de déformation est la région qui se trouve immédiatement au-dessous de la grille ; la zone de référence correspond à une région �profonde � du substrat. Comme la mesure nécessite l'observation simultanée des deux régions, et comme la région déformée présente souvent des dimensions relativement grandes, il faut disposer d'un champ de vue relativement important, de l'ordre de plusieurs pm2. Réciproquement, le microscope électronique utilisé pour la mise en oeuvre de la méthode doit présenter un grandissement relativement faible. Or, les microscopes électroniques du commerce comportent généralement un objectif principal dont la longueur focale est de l'ordre de 1 mm. Un tel objectif introduit un grandissement important (de l'ordre de 50) et ne convient pas à la réalisation de rnesures à faible ou moyenne résolution et à grand champ de vue. Par conséquent, pour la mise en oeuvre de la méthode de la demande FR 07 06711 avec un champ de vue suffisamment large (ci-après � mode large champ �) il est nécessaire de ne pas alimenter l'objectif principal et d'utiliser comme objectif une autre lentille de la colonne, située plus en aval par rapport au sens de propagation du faisceau électronique. Cette solution n'est pas satisfaisante. En effet : - L'agencement de la colonne du microscope ne permet généralement pas d'introduire un diaphragme dans le plan focal de la lentille utilisée comme objectif. Or, un diaphragme est nécessaire pour sélectionner les faisceaux électroniques diffractés au premier ordre : on est donc obligés d'utiliser dans ce but le diaphragme de l'objectif principal. Mais les faisceaux électroniques ne sont pas focalisés dans le plan de ce diaphragme : ces faisceaux seront donc coupés de manière asymétrique à des angles qui dépendent de la zone de l'échantillon dont ils sont issus. Cela introduit une distorsion de l'image hors-axe. En outre, pour ne pas couper excessivement les faisceaux diffractés, il est nécessaire d'avoir recours à un diaphragme relativement large, qui n'élimine pas efficacement les électrons diffusés. II en résulte une réduction du contraste de l'image. - En mode large champ, le système optique du microscope ne permet pas la formation d'une vraie image focalisée du diaphragme objectif principal. Son placement est donc difficile. - Le faisceau électronique diffracté par l'échantillon doit être centré sur l'axe optique du microscope, et se propager parallèlement à ce dernier. Cela signifie que le faisceau incident doit être suffisamment incliné. Or, les systèmes d'éclairage conventionnels en mode large champ limitent fortement l'angle d'inclinaison maximale du faisceau électronique incident, ce qui oblige à utiliser un faisceau très énergétique, pour lequel l'angle de diffraction est relativement petit. Même avec cette précaution, certains échantillons restent hors de portée de la méthode. L'utilisation d'un microscope en mode double lentille (ou � dual-lens �, voir le document US 7,015,469) permet d'atténuer ce dernier 20 problème, mais laisse subsister les autres. L'invention vise donc à fournir un dispositif d'optique électronique adapté à la mise en oeuvre du procédé holographique pour la mesure des déformations cristallines décrit par la demande FR 07 06711 précitée. Un tel dispositif peut également trouver application dans d'autres 25 techniques d'holographie électronique, en champ clair. Un dispositif selon l'invention comprend : un couple de bobines déflectrices de faisceau ; des moyens d'insertion pour placer un échantillon sur le trajet d'un faisceau électronique ayant traversé ledit couple de bobines déflectrices ; une première lentille électromagnétique pour former 30 une image dudit échantillon ; et un diaphragme disposé dans le plan focal image de ladite première lentille et centré sur l'axe optique de cette dernière, pour intercepter des électrons focalisés par ladite première lentille hors dudit axe optique ; et se caractérise en ce que lesdits moyens d'insertion sont adaptés pour permettre le positionnement d'un échantillon à l'extérieur d'une région à fort champ magnétique de ladite première lentille électromagnétique, en amont de cette dernière par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique. Les différents éléments d'un tel dispositif sont connus par eux-mêmes, et se retrouvent dans un microscope électronique conventionnel, mais pas selon l'agencement de l'invention. En effet, dans un microscope électronique conventionnel l'échantillon est situé à l'intérieur de l'objectif, immergé dans son champ magnétique, et pas en amont de ce dernier. La seule exception est constituée par les microscopes utilisant comme objectif une lentille � dite � de Lorentz, qui se caractérise par un champ magnétique quasi-nul au niveau du plan de l'échantillon ; voir par exemple, K Tsuno and T Taoka, Japanese Journal of Appliecl Physics 22 (1983) 1041. Mais ces microscopes utilisés dans le cadre de mesures particulières, en particulier sur des échantillons magnétiques, ne comportent pas de diaphragme dans le plan focal de l'objectif, et la structure dudit objectif ne permet pas, concrètement, l'introduction d'un tel diaphragme. Une précision s'impos,e au sujet de la notion de plan focal d'une lentille électromagnétique. En principe, la longueur focale d'une telle lentille n'est pas fixe, mais varie en fonction du courant électrique d'alimentation. En réalité, cependant, les aberrations sphérique et chromatique sont minimisées par une valeur déterminée de longueur focale, et augmentent rapidement en s'éloignant de cette valeur. Par conséquent, une lentille électromagnétique ne peul: être utilisée en pratique qu'à l'intérieur d'une plage relativement restreinte de longueurs focales. Autrement dit, le plan focal d'une lentille électromagnétique peut se déplacer seulement à l'intérieur d'une région spatiale limitée. D'ailleurs, la gamme des distances focales utilisables doit rester compatible avec les caractéristiques des lentilles qui suivent dans la colonne, et qui sont à des positions fixes. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, au moins ledit couple de bobines déflectrices, ladite première lentille électromagnétique, un moyen d'introduire un échantillon, et ledit diaphragme peuvent être reliés entre eux par un élément structurel pour former un ensemble pouvant être introduit dans la colonne d'un microscope électronique. Cela permet d'adapter à la technique holographique de la demande FR 07 06711 un appareil préexistant. Avantageusement, ledit élément structurel peut être constitué par un objectif électromagnétique présentant une longueur focale optimale plus courte que celle de ladite première lentille et coaxial avec cette dernière, à l'intérieur duquel sont disposés les bobines déflectrices et la première lentille. Cet objectif n'a pas vocation à être utilisé lors de l'effectuation d'une mesure selon le procédé de la demande FR 07 06711 ; mais il permet de faire de l'imagerie � classique �, en champ clair, ou d'utiliser le procédé holographique en champ sombre avec un fort grandissment, sans avoir à modifier à nouveau l'appareil. En particulier, la forme et les dimensions dudit ensemble peuvent être adaptées pour permettre son introduction dans la colonne d'un microscope électronique après enlèvement d'un objectif principal de ce dernier. L'ensemble de l'invention remplace donc l'objectif du microscope préexistant. Selon d'autres modes de réalisation avantageux de l'invention : - Les positions axiales respectives dudit ou de chaque couple de bobines déflectrices et des moyens d'insertion de l'échantillon peuvent être adaptées pour permettre de diriger sur ledit échantillon un faisceau électronique présentant une inclinaison d'au moins 5 mrad, et de préférence compris entre 5 et 35 mrad, par rapport audit axe optique. - Ledit ou chaque couple de bobines déflectrices du faisceau et lesdits moyens d'insertion d'un échantillon peuvent être agencés de manière à permettre le positionnement du point pivot dudit ou de chaque couple de bobines déflectrices en correspondance dudit échantillon, lorsque ce dernier est situé dans un plan eucentrique d'un porte-échantillon. - Ladite première lentille électromagnétique peut présenter une longueur focale optimale, minimisant le niveau des aberrations, supérieure ou égale à 5 mm, de préférence comprise entre 5 et 30 mm, et d'une manière encore préférée comprise entre 10 et 20 mm. En outre, la position axiale desdits moyens d'insertion d'un échantillon et la longueur focale optimale de ladite première lentille peuvent être adaptées pour permettre la formation d'une image dudit échantillon avec un grandissement compris entre 3 et 20, et de préférence entre 5 et 10. Cela permet l'obtention d'un champ de vue suffisamment large (de l'ordre de quelques pm2). - Ladite première lentille peut être une lentille de Lorentz. - Le dispositif de l'invention peut comporter également un biprisme, disposé sur l'axe optique de la première lentille, en aval dudit diaphragme par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique. - Le dispositif peut comporter aussi une deuxième lentille électromagnétique, coaxiale avec la première lentille et disposée en aval dudit biprisme par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique, ladite deuxième lentille pouvant être adaptée pour relayer une image de l'échantillon formée par la première lentille. - En variante, le dispositif peut comporter une deuxième lentille électromagnétique, coaxiale avec la première lentille et disposée en amont dudit biprisme par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique, ladite deuxième lentille pouvant être adaptée pour relayer une image de l'échantillon formée par la première lentille. Dans ce cas, la deuxième lentille peut être adaptée pour permettre une rotation contrôlée de l'image dudit échantillon autour dudit axe optique. - Dans les deux cas, la deuxième lentille peut être adaptée pour former une image du plan focal de ladite première lentille électromagnétique afin de permettre un positionnement précis du diaphragme. L'invention porte également sur un microscope électronique à transmission comportant un dispositif tel que décrit ci-dessus. D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : - La figure la, un schéma très simplifié d'une colonne de microscope électronique à transmission comprenant un dispositif selon un premier mode de réalisation de l'invention ; - La figure lb, un schéma très simplifié d'une colonne de microscope électronique à transmission comprenant un dispositif selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ; - La figure 2, un ensemble pouvant être introduit dans la colonne d'un microscope électronique préexistant et portant les éléments essentiels du dispositif de l'invention ; et - La figure 3, un schéma de principe du procédé holographique pour la mesure des déformations cristallines décrit en détail 15 par la demande FR 07 06711 précitée. Comme représenté sur la figure 3, un canon électronique CE génère un faisceau électronique spatialement cohérent FC, qui se propage le long de l'axe optique du microscope. Le faisceau FE est de préférence monoénergétique (monochromatique)ä accéléré à une tension de l'ordre de 50 20 - 1500 kV. Un condenseur électromagnétique LC permet de collimater ce faisceau, mais également de l'incliner par rapport à l'axe optique ; l'angle d'inclinaison est fortement exagéré sur la figure : en réalité il est typiquement compris entre 5 et 35 mrad. La valeur exacte de cet angle dépend à la fois de l'énergie des électrons et du paramètre cristallin de l'échantillon E sur lequel 25 est effectuée la mesure. Le faisceau collimaté et incliné est dirigé sur un échantillon E, supporté par un porte-échantillon PIE. Cet échantillon se présente sous la forme d'une lame cristalline mince, constituée de deux parties coplanaires, A et B. La partie A est supposée non déformée et sert de référence ; la partie B 30 présente des déformations à l'échelle nanométrique que l'on veut caractériser. On indique par F°A, F°B les faisceaux électroniques transmis par les parties A et B de l'échantillon E, et par FIA, F'B les faisceaux diffractés au 2931261 a premier ordre. L'angle d'incidence du faisceau FE a été choisi de telle manière que les faisceaux diffractés FIA, F1B se propagent de manière sensiblement parallèle à l'axe optique du microscope. Les faisceaux électroniques issus de l'échantillon sont 5 focalisés par une lentille électromagnétique L1 faisant fonction d'objectif, mais ayant une longueur focale bien plus longue que l'objectif principal d'un microscope électronique classique. Un diaphragme DL1 situé dans le plan focal de la lentille L1 sélectionne les seuls faisceaux diffractés FIA, F1B, porteurs d'une information sur la structure cristalline des deux parties de 10 l'échantillon. Les faisceaux diffractés sont ensuite déviés par un biprisme BP, constitué par un fil conducteur chargé à un potentiel prédéterminé, typiquement compris entre 40 et 400 V, mais dépendant entre autres de l'énergie du faisceau d'électrons. Ensuite, un système de lentilles de projection LP superpose les faisceaux dans un plan image où est disposé un détecteur matriciel SD qui enregistre des franges d'interférence dont peut être déduite une composante de la différence de paramètre cristallin entre les zones A et B de l'échantillon. Le schéma de la figure 3 n'a été introduit que pour illustrer la méthode de mesure. Les figures la et lb montrent comment cette méthode peut être mise en oeuvre à l'aide d'un microscope électronique à transmission modifié conformément à l'invention. Comme dans le cas de la figure 3, un faisceau électronique collimaté FE est généré par un canon électronique CE couplé à un condensateur CE. Mais, à la sortie du condensateur, ce faisceau se propage parallèlement à l'axe optique AO du microscope. Un couple de bobines déflectrices DF (DF1, DF2 sur la figure 2) dévie ce faisceau, tout en le décalant latéralement pour qu'il soit incident sur l'échantillon E en position centrée par rapport audit axe optique. D'une manière conventionnelle, le point en correspondance duquel le faisceau dévié croise l'axe optique est appelé � point pivot �. Le courant d'alimentation des bobines déflectrices doit donc être choisi de telle manière que leur point pivot soit positionné sur la surface de l'échantillon. La notion de point pivot et le fonctionnement des bobines déflectrices sont expliqués en détail dans l'article de John M. Rodenburg � Understanding Transmission Electron Microscope Alignment : A Tutorial �, Microscopy and Analysis 18 (3), 9 û 11, 2004. II est intéressant de noter que les bobines déflectrices peuvent être désactivées, pour passer à un mode d'imagerie � classique � en champ claire, sans que le faisceau électronique se déplace latéralement quittant la région d'intérêt. L'agencement respectif des bobines déflectrices et du porte-échantillon PE est choisi de manière à permettre une inclinaison suffisante (5 û 35 mrad) du faisceau FE en mode grand champ, notamment en les positionnant le plus près possible de l'objet. Dans les figures, seul un couple de déflectrices est représenté. En pratique, cependant, on utilisera de préférence deux couples, permettant de dévier le faisceau dans deux plans perpendiculaires. Comme expliqué plus haut, l'angle d'inclinaison du faisceau incident est choisi de telle manière que le faisceau diffracté au premier ordre par l'échantillon soit parallèle à l'axe optique. L'angle d'inclinaison, 0g, est donc donné dans l'approximation des petits angles par : 0g = où X est la longueur d'onde des électrons incidents, et dg est la distance entre les plans atomiques qui diffractent. Pour une tension 25 d'accélération de V0 Volts, la longueur d'onde est donné par : 2.(nm) = 1,226391(V0 0,97845x10-6V )°'5. La séparation des plans (hkl) dans un matériau cubique est donnée par: dg = a/j(h2+k2+12) 30 où a est le paramètre de maille. 2931261 to Pour des applications à la microélectronique, il faut pouvoir observer le silicium. Les plans les plus espacés, et donc qui donnent les angles les plus faibles, sont de type {111}. Si on veut pouvoir mesurer les déformations cristallines dans la direction de type avec un seul 5 hologramme, il faut pouvoir utiliser les plans de type {220}. Pour la direction , il faut utiliser les plans de type {400}. Le tableau ci-après donne les angles requis pour les différents plans cristallins du silicium à trois valeurs d'énergie des électrons. Silicium a = 0,543 nm 80 kV 200 kV 300 kV da 4,18 pm 2,51 pm 1,97 pm {111} 0,313 nm 13,3 mrad 8 mrad 6,3 mrad (0,77°) (0,46°) (0,36°) {220} 0,192 nm 21,8 mrad 13,1 mrad 10,3 mrad (1,25°) (0,75°) (0,59°) {004} 0,136 nm 30,7 mrad 18,4 mrad 14,5 mrad (1,8°) (1 °) (0,83°) En fait, il est préférable d'utiliser des électrons d'énergie 10 inférieure à 140 keV pour éviter d'induire un endommagement de type dit � knock-on �, qui peut provoquer à son tour une relaxation des contraintes que l'on cherche à mesurer. Pour le germanium, les angles indiqués dans le tableau doivent être augmentés de 4,1%. 15 La figure 3 représente également, en trait pointillé, l'emplacement de la lentille objectif LO du microscope dans sa configuration conventionnelle. Lors de la mise au point de l'instrument, il est nécessaire de régler finement l'orientation de l'échantillon E. Pour cette raison, il est 20 opportun qu'il soit porté par le porte-échantillon PE au niveau du plan eucentrique de ce dernier. Les bobines déflectrices DF1, DF2 sont conçues de manière à diriger le faisceau électronique en position centrée sur l'échantillon E lorsque ce dernier se trouve dans le plan eucentrique de l'échantillon, et cela indépendamment de l'angle d'inclinaison du faisceau incident. Autrement dit, le point pivot du couple de déflectrice doit peut être amené dans le plan eucentrique du porte-échantillon PE. Une lentille électromagnétique L1 est disposée en aval de l'échantillon E, dans le sens de propagation du faisceau électronique, à une distance d1>0 de ce dernier. Cette lentille doit fournir un grandissement relativement faible, typiquement compris entre 3 et 20, et de préférence entre 5 et 10, pour permettre d'obtenir un champ de vue suffisamment large. Pour cela, elle doit avoir une longueur focale optimale fopt, c'est à dire minimisant les aberrations, relativement longue, c'est à dire supérieure ou égale à 5 mm, de préférence comprise entre 5 et 30 mm, et d'une manière encore préférée comprise entre 10 et 20 mm. Pour comparaison, l'objectif principal d'un microscope électronique conventionnel présente typiquement une longueur focale de l'ordre de 1 mm. Pour rappel, si f est la longueur focale de la lentille L1, le grandissement de l'échantillon E est donné par f/(d1-f). Cela signifie que la distance d, est du même ordre de grandeur que la longueur focale f de la lentille. L'échantillon est donc spatialement séparé de la lentille L1, alors que dans un microscope électronique conventionnel, il se trouve immergé dans le champ magnétique de l'objectif principal. La résolution spatiale ponctuelle p de l'instrument dépend à la fois de la longueur d'onde des électrons et de la constante d'aberration sphérique Cs, p=0,67 CS°'252 °'75 Le tableau suivant donne la valeur de Cs (dimensionnellement homogène à une longueur) en fonction de la résolution requise et de la 25 tension d'accélération des électrons : tension d'accélération 1 résolution 80 kV 200 kV 300 kV 0,5 nm 4 mm 20 mm 40 mm 1 nm 6,8 cm 31 cm 65 cm 2nm 1,1 m 5,Om 10m 4nm 17m 80m 160m Pour une résolution spatiale ponctuelle de 1 nm à 200 kV, il faut donc une Cs d'un maximum de 31 cm. La constante d'aberration sphérique est typiquement de l'ordre de la longueur focale de la lentille. Une Cs de 10 cm à 1 m pour des lentilles d'une longueur focale de l'ordre de 20 mm est possible. Voir à ce propos : - M.A. Schofield, M. Beleggia, Y. Zhu & G. Pozzi, � Characterization of JEOL 2100F Lorentz-TEM for low-magnification electron holography and magnetic imaging �, Ultramicroscopy (2007) doi:10.1016/j.ultramic.2007.10.015. - E. Snoeck, P. Hartel, H. Mueller, M. Haider & P.C. Tiemeijer, � Using a CEOS-objective lens corrector as a pseudo Lorentz lens 10 in a Tecnai F20 TEM �, Proc. IMC16 Sapporo (2006) CD. L'ultime limite de la résolution est la limite d'information de la lentille. Cette limite est typiquement plus grande que la limite de résolution ponctuelle. Elle est déterminée par les incohérences et les instabilités du système. Le facteur le plus important est l'aberration chromatique de la lentille 15 conjuguée avec la largeur énergétique de la source d'électrons. La lentille LI peut être une lentille de Lorentz. Un diaphragme DL1 est positionné, de manière réglable et mobile, dans le plan focal image de la lentille L1 pour couper le faisceau électronique transmis par l'échantillon à l'ordre zéro, les électrons diffusés et 20 les ordres supérieurs de diffraction. Typiquement, il est requis de couper les faisceaux à des angles (rapportés au plan de l'échantillon) de l'ordre de 1 mrad de l'axe optique AO. Dans le plan focal image, les faisceaux à un angle de 0 apparaissent à une distance de l'axe optique de f0, où f est la longueur focale de la lentille L1. Comme la longueur focale de la lentille L1 est plus 25 grande que celle d'un objectif classique, l'ouverture du diaphragme DL1 sera, elle aussi, plus grande de celle d'un diaphragme classique. Le centrage de ce diaphragme sera donc plus simple. En aval du diaphragme DL1, et en amont du plan de l'image de l'échantillon formée par la lentille L1 (plan P11) se trouve un biprisme BP 30 de type classique, simple ou multiple. La figure la montre une deuxième lentille électromagnétique L2, située en aval du biprisme BP et du plan image P11. Cette lentille peut avoir une double fonction : premièrement, elle permet de former une image du plan 5 focal de L1, afin de pouvoir placer le diaphragme ; deuxièmement, elle permet de former l'image du plan image P11 dans un deuxième plan image PI2, afin de réaliser un hologramme. En aval de cette deuxième lentille se trouvent des lentilles de projection LP conventionnelles, qui projettent l'hologramme réalisé dans le 10 plan PI2 sur le détecteur matriciel SD. Selon la variante de la figure 1 b, la deuxième lentille L2 (qui peut être un ensemble de lentilles) peut être placée en amont du biprisme. Cette configuration est avantageuse, car elle permet de faire tourner l'image de l'échantillon par rapport au biprisme, de manière à obtenir un effet 15 équivalent à une rotation physique de l'échantillon lui-même ou du biprisme, ce qui est nécessaire pour aligner le biprisme parallèlement à l'interface entre les zones A et B). Pour des raisons mécaniques, il est préférable de faire tourner l'image de l'échantillon plutôt que le biprisme ou l'échantillon lui-même: en effet, il existe une orientation particulière de stabilité maximale du 20 biprisme ou de l'échantillon par rapport à la colonne du microscope. Cependant, le grandissement introduit par cette deuxième lentille avant le biprisme est susceptible de limiter le champ de vue. La figure 2 montre un ensemble D � monolithique � qui peut être introduit dans un microscope électronique commercial en remplacement 25 de son objectif principal afin de l'adapter à la mise en oeuvre de la technique holographique de mesure des déformations cristallines décrite ci-dessus. Cet ensemble D est essentiellement constitué par le couple de bobines déflectrices, DF1 et DF2, l'objectif LO pourvu d'un passage PPE dans lequel peut être introduit un porte-échantillon de type classique et d'un diaphragme 30 DLO dans son plan focal (la longueur focale de l'objectif est tellement courte que le plan focal se trouve à l'intérieur de la lentille elle-même), la lentille L1 et le diaphragme associé DL1, monté sur un translateur TR. En raison de ses grandes dimensions, l'objectif LO constitue avantageusement l'élément structurel commun auquel sont reliés tous les autres composants de l'ensemble. En particulier, les déflectrices sont situées immédiatement en amont des pièces polaires dudit objectif, tandis que la première lentille L1 est située à l'intérieur des enroulements de l'objectif, en aval de la région à fort champ magnétique (entre les pièces polaires). Un diaphragme (non représenté) peut également être prévu dans le plan focal PF-LO de l'objectif LO. De façon connue en soi, ce plan focal gît à l'intérieur de l'objectif LO lui-même. En variante, on pourrait prévoir un ensemble ne comprenant pas l'objectif LO, et ne permettant donc pas un fonctionnement en imagerie � conventionnelle �. Dans ce cas, les composants DF, L1 et DL1 seraient reliés par un élément structurel, qui peut être notamment constitué par la lentille L1 elle-même. En tout cas, l'ensemble D peut comporter également d'autres éléments tels que la deuxième lentille L2 ou le biprisme BP, si ces composants ne sont pas prévus dans le microscope électronique commercial. Le dispositif de l'invention a été décrit en référence à un procédé d'holographie électronique en champ sombre. Cependant, il pourrait s'appliquer également à d'autres techniques holographiques en champ clair, nécessitant d'un champ de vue relativement large. En particulier, le diaphragme DL1 permet d'éliminer les électrons diffusés à des angles supérieurs à celui correspondant à la résolution spatiale de la lentille, améliorant ainsi le rapport signal-sur-bruit des franges holographiques. REVENDICATIONS1. Dispositif (D) pour holographie électronique comprenant : - au moins un couple de bobines déflectrices de faisceau (DF) ; - des moyens d'insertion (PPE) pour placer un échantillon (E) sur le trajet d'un faisceau électronique (FE) ayant traversé ledit couple de bobines déflectrices ; - une première lentille électromagnétique (L1) pour former une image dudit échantillon ; et - un diaphragme (DL1) disposé dans le plan focal image de ladite première lentille et centré sur l'axe optique (AO) de cette dernière, pour intercepter des électrons focalisés par ladite première lentille hors dudit axe optique ; caractérisé en ce que lesdits moyens d'insertion sont adaptés 15 pour permettre le positionnement d'un échantillon (E) à l'extérieur d'une région à fort champ magnétique de laclite première lentille électromagnétique, en amont de cette dernière par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel au moins 20 ledit couple de bobines déflectrices, ladite première lentille électromagnétique et ledit diaphragme sont reliés entre eux par un élément structurel (LO) pour former un ensemble (D) pouvant être introduit dans la colonne d'un microscope électronique. 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ledit 25 élément structurel est constitué par un objectif électromagnétique présentant une longueur focale optimale plus courte que celle de ladite première lentille et coaxial avec cette dernière, à l'intérieur duquel sont disposés les bobines déflectrices et la première lentille. 4. Dispositif selon l'une des revendications 2 ou 3, dans 30 lequel la forme et les dimensions dudit ensemble sont adaptées pour permettre son introduction dans la colonne d'un microscope électronique après enlèvement d'un objectif principal de ce dernier, dans une position telle 10 2931261 I6 que les bobines déflectrices et la première lentille se trouvent respectivement en amont et en aval de l'emplacement dudit objectif principal par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique. 5. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, 5 dans lequel les positions axiales respectives dudit ou de chaque couple de bobines déflectrices et des moyens d'insertion de l'échantillon sont adaptées pour permettre de diriger sur ledit échantillon un faisceau électronique présentant une inclinaison d'au moins 5 mrad, et de préférence compris entre 5 et 35 mrad, par rapport audit axe optique. 6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit ou chaque couple de bobines déflectrices du faisceau (DF) et lesdits moyens d'insertion d'un échantillon (PPE) sont agencés de manière à permettre le positionnement du point pivot dudit ou de chaque couple de bobines déflectrices en correspondance dudit échantillon, lorsque ce dernier est situé dans un plan eucentrique d'un porte-échantillon. 7. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite première lentille électromagnétique présente une longueur focale optimale (f0 ), minimisant le niveau des aberrations, supérieure ou égale à 5 mm, de préférence comprise entre 5 et 30 mm, et d'une manière encore préférée comprise entre 10 et 20 mm. 8. Dispositif selon la revendication 5 dans lequel la position axiale desdits moyens d'insertion d'un échantillon et la longueur focale optimale de ladite première lentille sont adaptées pour permettre la formation d'une image dudit échantillon avec un grandissement compris entre 3 et 20, et de préférence entre 5 et 10. 9. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite première lentille est une lentille de Lorentz. 10. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, comportant également un biprisme (BP), disposé sur l'axe optique (AO) de la 30 première lentille, en aval dudit diaphragme par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique. 11. Dispositif selon la revendication 10 comportant également une deuxième lentille électromagnétique (L2), coaxiale avec la première lentille et disposée en aval dudit biprisme par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique, ladite deuxième lentille étant adaptée pour former une image de l'échantillon formée par ladite première lentille électromagnétique. 12. Dispositif selon la revendication 10 comportant également une deuxième lentille électromagnétique (L2), coaxiale avec la première lentille et disposée en amont dudit biprisme par rapport à la direction de propagation dudit faisceau électronique, ladite deuxième lentille étant adaptée pour former une image de l'échantillon formée par ladite première lentille électromagnétique. 13 Dispositif selon la revendication 12, dans lequel ladite deuxième lentille est adaptée pour permettre une rotation contrôlée de l'image 15 dudit échantillon autour dudit axe optique. 14. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 13 dans lequel ladite deuxième lentille électromagnétique est également adaptée pour former une image du plan focal de ladite première lentille électromagnétique. 15. Microscope électronique à transmission comportant un 20 dispositif selon l'une des revendications précédentes.