Brevet FR2934683A1 — publié le 20100205

CAPTEUR BIOLOGIQUE A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP La présente invention se situe dans le domaine des capteurs électroniques destinés à l'analyse d'échantillon biologique, appelés capteurs biologiques électroniques dans la suite de la description. De tels capteurs permettent, par exemple, de détecter une mutation ADN/protéine en analysant un échantillon contenant des cellules biologiques. De manière plus précise, l'invention concerne un capteur biologique électronique mettant en oeuvre un transistor à grille suspendue, de type SGFET (Suspended-Grid Field Effect Transistor). L'utilisation de transistor à grille suspendue pour la mesure de données biologiques est connue dans l'état de la technique. Ces transistors sont généralement basés sur une structure de type métal-oxyde (MOSFET : metal-oxyde semiconductor field effect transistor). Un transistor MOSFET comprend une couche de métal formant la grille du transistor, superposée à une couche d'oxyde, elle-même posée sur un substrat semi-conducteur faiblement dopé avec des porteurs de charges électriques. Le substrat comporte en outre deux zones fortement dopées, sur une profondeur inférieure à l'épaisseur du substrat semi-conducteur, par des porteurs de charge d'un type différent de celui des porteurs dopant le substrat, et formant une source et un drain du transistor. Le substrat situé entre les zones fortement dopées forme un canal de conduction, dans lequel se déplacent les porteurs de charge lorsqu'une différence de potentiel est créée entre la source et la grille du transistor. Ce canal de conduction est caractérisé par sa longueur, à savoir la distance entre le drain et la source, et par sa largeur. Dans la suite de la description, on désignera par longueur de grille la dimension de la grille dans la direction de la longueur du canal, et par largeur de grille la dimension de la grille dans la direction orthogonale à la longueur. Dans les capteurs électroniques destinés à l'analyse d'échantillons biologiques, on utilise des transistors à structure de type MOSFET, avec les modifications suivantes : - la couche de métal formant la grille est remplacée par une couche en un matériau polycristallin, par exemple une couche de polysilicium, et - l'oxyde situé sous la grille, généralement appelé oxyde sacrificiel, est entièrement gravé, de manière à créer un espace libre entre la grille et la zone canal. Un tel transistor est appelé � à grille suspendue �, du fait de cet espace libre, destiné à recevoir l'échantillon biologique à analyser. Dans ce cas, la largeur de la grille correspond à la dimension parallèle à la grille des zones source et drain fortement dopées. Il convient de préciser ici que, dans un transistor à grille suspendue, les zones du substrat situées sous la grille sont des zones non fortement dopées, c'est à dire que ce sont des zones ne formant ni une source ni un drain d'un transistor à effet de champ. On sait que les caractéristiques électriques d'un transistor MOSFET varient en fonction de la quantité de charges électriques présentes sous la grille. Ainsi, lorsque l'on souhaite effectuer des analyses d'échantillons, on fixe sous la grille une sonde composée de brins ADN/protéine. Ces brins représentent une charge électrique, et le transistor présente alors une courbe caractéristique Id = f(Vg) d'évolution du courant de drain en fonction de la tension de grille. On introduit la solution à analyser, dite solution cible, sous la grille et, si cette solution contient des brins complémentaires à la sonde ADN, ou l'anti-protéine de la protéine, il se produit une hybridation, c'est à dire un accrochage des brins entre eux, qui a pour conséquence une augmentation de la quantité de charges électriques se trouvant sous la grille. Cette augmentation modifie les valeurs des grandeurs électriques caractéristiques du transistor. Une telle modification se traduit par un décalage de la courbe caractéristique Id = f(Vg). En revanche, si la solution cible ne contient pas de brins complémentaires ou d'anti-protéine, il n'y a pas d'accrochage lorsque l'on effectue un rinçage, la quantité de charge est conservée, et on ne note donc aucune modification de la courbe caractéristique Id= f(Vg). L'invention part de la constatation que les capteurs existants présentent généralement une sensibilité de mesure pouvant s'avérer insuffisante dans le cas de mesures précises à effectuer, ou dans le cas de mesures sur des solutions cible présentant de faibles concentrations en brins d'ADN. L'invention vise donc à remédier à cet inconvénient en proposant un capteur ayant une sensibilité de mesure meilleure que les capteurs existants. La sensibilité d'un capteur biologique électronique dépend de deux paramètres : d'une part la concentration de l'échantillon à analyser, et d'autre part la surface de capture du capteur. Or, les échantillons à analyser sont généralement des matières biologiques difficiles à obtenir, et l'augmentation de la concentration d'un 30 échantillon est donc coûteuse, notamment en temps. La présente invention part de cette constatation et vise à proposer un capteur dans lequel la surface de capture, c'est à dire la surface de la grille suspendue au-dessus du canal de conduction, est 35 supérieure à celle des capteurs existants. Les grilles des transistors mis en oeuvre dans les capteurs biologiques présentent généralement une surface de forme rectangulaire. L'augmentation de la surface de grille suspendue peut alors consister en une augmentation de la longueur de la grille et/ou en une augmentation de la largeur de la grille. Or, on a constaté que l'augmentation de l'une et/ou l'autre de ces dimensions présentait de nombreux inconvénients en termes de réalisation technique, pouvant conduire à de mauvaises performances, voire à des dysfonctionnements, du capteur biologique. En effet, une augmentation de la largeur de la grille conduit nécessairement à une augmentation de la portance de cette grille, ce qui peut induire une déformation de la grille, et ainsi créer de nombreux problèmes tels que : une courbure au niveau du centre, qui peut conduire à une usure précoce du capteur, une disparition de l'espace libre entre la grille et la zone de canal, destiné à recevoir l'échantillon à analyser, ou une casse de la grille. Par ailleurs, une augmentation de la longueur de la grille, bien que ne présentant pas les inconvénients précités, rend plus difficile la fabrication du transistor, puisqu'il est nécessaire de creuser la matière sur une grande surface, afin de créer le vide sous la grille. Le creusement de la matière est effectué par attaque chimique en introduisant une solution d'attaque sous la grille. La solution d'attaque chimique est introduite par des ouvertures qui sont contiguës à la grille. De manière plus précise, la solution d'attaque est introduite dans des zones correspondant aux extrémités du canal de conduction situées d'une part entre une source et la grille, et d'autre part entre un drain et la grille. En conséquence, si la longueur de la grille augmente, la distance entre les points d'introduction de solution d'attaque augmente également, et il est plus difficile, et surtout beaucoup plus long, de procéder à l'élimination de l'ensemble de la matière. Il s'avère même parfois impossible d'éliminer une partie de la matière se situant au centre de la grille. L'invention vise donc à fournir un capteur biologique dans lequel la surface de capture est supérieure à celle présente dans les capteurs existants dans l'état de la technique, tout en évitant les inconvénients précités. Ainsi, l'invention concerne un capteur électronique pour l'analyse d'échantillon biologique, mettant en oeuvre un transistor à effet de champ, le capteur comportant : - un substrat semi-conducteur présentant deux zones dopées avec des porteurs de charges électriques, formant respectivement une zone source et une zone drain du transistor à effet de champ, - une couche d'oxyde, dit sacrificiel, superposée au substrat, et - une couche de matériau polycristallin superposée à l'oxyde sacrificiel et formant la grille du transistor, cette grille comportant deux faces latérales s'étendant dans une direction parallèle à un canal de conduction du transistor, et deux faces latérales s'étendant dans une direction orthogonale au canal de conduction de transistor, une face inférieure rectangulaire, et une face supérieure rectangulaire, l'oxyde sacrificiel situé sous la grille étant creusé de manière à créer un espace libre entre la grille et le canal de conduction, cet espace étant destiné à recevoir un échantillon biologique à analyser, le capteur étant caractérisé en ce que la couche de matériau polycristallin formant la grille du transistor présente une ouverture débouchant d'une part sur la face inférieure de la grille et d'autre part sur la face supérieure de la grille, de manière à mettre en communication une partie du substrat à semi-conducteur formant le canal de conduction avec l'extérieur du transistor. Un procédé de fabrication de la grille d'un transistor à grille suspendue est ici décrit en se référant à la figure 1, montrant un transistor à effet de champ tel qu'utilisé dans les capteurs de l'état de la technique. Un tel transistor comporte une grille 1, une source 2 et un drain 3. La fabrication de la grille consiste en une première étape de définition du dessin de la grille sur une couche de matériau polycristallin déposé sur le substrat semi-conducteur comportant des zones dopées, puis en une seconde étape de creusage de la matière sous ce dessin de grille. L'étape de définition est effectuée de la manière suivante : - on dépose sur la couche de matériau polycristallin, par exemple du silicium, un film fin sensible aux radiations lumineuses, tel qu'une photorésine, - on appose un masque comportant des parties opaques et transparentes, définissant le dessin de la grille souhaité ; - le substrat est exposé à des radiations lumineuses, qui modifient la nature de la résine aux emplacements transparents du masque, - on procède ensuite à une étape de gravure, qui permet d'éliminer le matériau polycristallin uniquement aux emplacements sur lesquels la résine a été soumise aux radiations, les autres emplacements étant protégés par la résine intacte. Une fois la définition de la grille effectuée, on creuse la matière 25 sous cette grille, par un procédé d'attaque chimique, afin de créer une grille suspendue. La solution chimique permettant cette attaque est introduite sur les zones contiguës à la grille, et en communication avec l'extérieur du transistor, identifiées par les chiffres de référence 4 et 5 sur la figure 1. 30 Ainsi que mentionné précédemment, si la distance entre les points d'introduction de solution chimique est trop importante, du fait d'une trop grande dimension de la surface de grille dans la direction L, il est long et difficile de procéder au creusage de la matière. La présente invention remédie avantageusement à cet 35 inconvénient puisque la grille utilisée dans un capteur selon l'invention 15 20 comporte une ou plusieurs ouvertures, ce qui permet de fournir un point d'entrée supplémentaire pour la solution d'attaque chimique, et ainsi d'accélérer le creusement. Plusieurs configurations sont envisagées pour la réalisation de ce capteur. Ces configurations seront ultérieurement détaillées à l'aide de figures. De manière générale, ces différentes configurations sont toutes caractérisées en ce que l'ouverture formée dans la grille est préférentiellement rectangulaire, et bordée par des éléments de grille sur au moins trois côtés. Dans une première configuration, appelée � à barreau ajouré � dans la suite de la description, la grille comporte une ouverture rectangulaire ne débouchant sur aucune face latérale de la grille, et les zones dopées formant une source et un drain sont disposées respectivement de part et d'autre de la grille. Dans une deuxième configuration, appelée � à drain ou source commun � la grille comporte une ouverture rectangulaire ne débouchant sur aucune face latérale, et une zone fortement dopée formant un drain est située dans la zone du substrat mise à jour par l'ouverture pratiquée dans la grille, la surface de la zone de drain étant strictement inférieure à la surface de l'ouverture. Selon une réalisation particulière de la configuration à drain commun, le substrat semi-conducteur comprend deux zones fortement dopées situées de part et d'autre de la grille, formant deux zones sources de deux transistors à effet de champ commandés par le drain commun. Dans une troisième configuration, appelée � à serpentin �, la grille comporte plusieurs ouvertures rectangulaires, ne communiquant pas les unes avec les autres. Chaque ouverture débouche sur une face latérale de la grille, les ouvertures débouchent alternativement sur les deux faces de la grille parallèles au canal de conduction, de façon que la surface de la grille ait une forme de serpentin. Dans une réalisation avantageuse, les ouvertures rectangulaires ont toutes la même taille. Selon un mode de réalisation de la configuration à serpentin, le substrat contient un nombre de zones fortement dopées égal au nombre d'ouvertures pratiquées dans la grille, chaque zone ayant une surface inférieure à la surface des ouvertures rectangulaires, et les zones formant alternativement des sources et drains de transistor à effet de champ. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un capteur électronique pour l'analyse d'échantillon biologique, mettant en oeuvre un transistor à effet de champ, le procédé comportant les étapes suivantes : - on dope fortement deux zones d'un substrat semi-conducteur avec des porteurs de charges électriques, de manière à former respectivement une zone source et une zone drain du transistor à effet de champ, - on superpose une couche d'oxyde, dit sacrificiel, au substrat, - on superpose une couche de matériau polycristallin à l'oxyde sacrificiel de manière à former la grille du transistor, cette couche comportant deux faces latérales s'étendant dans une direction parallèle à un canal de conduction du transistor, et deux faces latérales s'étendant dans une direction orthogonale au canal de conduction de transistor, une face inférieure rectangulaire, et une face supérieure rectangulaire, - on creuse l'oxyde sacrificiel situé sous la grille de manière à créer un espace libre entre la grille et le canal de conduction, cet espace étant destiné à recevoir un échantillon biologique à analyser, le procédé étant caractérisé en ce que la couche de matériau polycristallin formant la grille du transistor présente une ouverture débouchant d'une part sur la face inférieure de la grille et d'autre part sur la face supérieure de la grille, de manière à mettre en communication une partie du substrat à semi-conducteur formant le canal de conduction avec l'extérieur du transistor. Comme précédemment expliqué, la définition de la grille est effectuée en mettant en oeuvre un masque permettant de dessiner, sur le substrat, les éléments de grille. Ainsi, un procédé selon l'invention est tel que le masque utilisé à cet effet définit une grille présentant une ouverture. De manière avantageuse, la grille est de forme rectangulaire, et l'ouverture débouche, ou non, sur un des côtés de cette surface rectangulaire. De manière générale, l'invention concerne un procédé de fabrication mettant en oeuvre les étapes précitées, de manière à fabriquer un capteur biologique selon l'une ou l'autre des configurations décrites dans la présente demande. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront avec la description de certains de ses modes de réalisation, cette description étant effectuée à titre non limitatif à l'aide des figures 2 à 4, qui montrent trois configurations différentes d'un capteur biologique selon l'invention. La figure 1, déjà décrite, montre une vue de dessus d'un transistor à effet de champ tel qu'utilisé dans un capteur biologique électronique de l'état de la technique. La figure 2 montre une vue de dessus d'un capteur selon l'invention, mettant en oeuvre une configuration à barreau ajouré. La figure 3 montre une vue de dessus d'un capteur selon l'invention, mettant en oeuvre une configuration à drain / source commun. La figure 4 montre une vue de dessus et une vue en coupe d'un capteur selon l'invention, mettant en oeuvre une configuration serpentin. Sur la configuration montrée sur la figure 2, le capteur comporte une grille 10 ayant une ouverture rectangulaire 11 ne débouchant sur aucune face latérale de la grille. De cette façon, la grille est constituée de quatre éléments rectangulaires 12, 13, 14, et 15, reliés entre eux de manière à former un rectangle ajouré. Ces quatre éléments rectangulaires sont définis au moment de l'étape de dessin de la grille, comme expliqué précédemment. Les zones 16 et 17 forment, respectivement, la source et le drain du transistor à effet de champ.35 Du fait de la configuration de la grille, au cours de l'étape de creusage de la matière pour obtenir un transistor à grille suspendue, il est possible d'introduire une solution d'attaque chimique non seulement aux emplacements 18 et 19, comme c'est le cas dans les capteurs existants, mais également au centre de la grille, au niveau de l'ouverture rectangulaire 11. Ainsi, dans cette configuration, la longueur de grille à creuser est largement inférieure à celle à creuser dans la configuration existante montrée en figure 1, ce qui permet de faciliter et d'accélérer le procédé de fabrication. Par exemple, si on souhaite obtenir une surface de capture de trois cent soixante micromètres carrés, dans les capteurs existants, on utilise, par exemple, une grille de largeur vingt micromètres (dimension W sur la figure 1), et de longueur dix-huit micromètres (dimension L sur la figures). Par conséquent, la surface de matière à creuser s'étend sur une longueur de dix-huit micromètres. En revanche, dans la configuration selon l'invention, montrée en figure 2, on utilise une grille de largeur vingt micromètres (dimension W sur la figure 2), et de longueur dix-huit micromètres (dimension L sur la figure 2). Cette grille comporte une ouverture rectangulaire 11 de largeur deux micromètres et de longueur est vingt micromètres. Dans ce cas, la surface de matière à creuser s'étend sur une longueur égale à deux fois quatre micromètres, et non pas dix-huit micromètres, ce qui permet de diminuer le temps de creusage, et donc de fabrication. En outre, la largeur de la grille est identique dans les deux cas, et il n'y a donc pas d'augmentation de la portance, ce qui permet d'éviter les inconvénients liées à une trop forte portance, précédemment mis en évidence. La figure 3 montre une configuration de capteur selon l'invention précédemment décrite comme � configuration à drain /source commun �. De manière plus précise, cette figure montre un élément unitaire d'une configuration à transistors multiples. Cet élément comporte une grille 20 munie d'une ouverture rectangulaire 21. L'élément comporte en outre deux zones sources 22 et 23, et une zone drain 24. Les zones sources et drain correspondent, comme expliqué précédemment, à des zones fortement dopées d'un substrat semi-conducteur non représenté sur cette figure. La grille 20 est superposée à ce substrat semi-conducteur, et une partie de la matière située sous la grille est creusée, de manière à obtenir une structure dite � à grille suspendue �. Dans le cas présent, les zones fortement dopées sont positionnées de la manière suivante : - les zones sources 22 et 23 sont situées respectivement de part et d'autre de la grille, et - la zone drain 24 est située au centre de l'ouverture pratiquée dans la grille. Ainsi, le drain 24 représente un drain commun permettant de commander deux transistors à effet de champ, mettant respectivement en oeuvre la source 22 et la source 23. Dans une réalisation avantageuse, un capteur biologique selon l'invention comporte une pluralité d'éléments tels que celui montré en figure 3, et disposés en cascade les uns des autres, de manière à former une pluralité de transistors à effet de champ. Cette configuration permet d'augmenter la somme des surfaces de grille situées en regard des éléments de source et de drain, c'est à dire la surface de capture du capteur, et donc sa sensibilité, sans toutefois augmenter les temps de fabrication. En effet, dans un procédé de fabrication de transistor à grille suspendue, au moment du creusement du substrat situé sous la grille, on introduit une solution d'attaque chimique en toutes les zones � libres � du substrat à semi-conducteur, c'est à dire tous les zones du substrat qui ne sont pas fortement dopées (c'est à dire qu'elles ne forment ni un drain ni une source d'un transistor), et qui ne sont pas recouvertes par une grille de transistor. Or, dans la configuration montrée en figure 3, ces zones libres sont au nombre de quatre (25, 26, 27 et 28), et la surface de grille située entre deux zones consécutives est de taille suffisamment faible, par exemple de longueur inférieure à cinq microns, pour que la matière située sous cette surface puisse être rapidement et aisément creusée. La figure 4 montre une dernière configuration avantageuse d'un capteur selon l'invention, dite configuration à serpentin. Dans cette configuration, le substrat semi-conducteur inclus dans le capteur biologique comprend trois zones sources (30a, 30b et 30c) et deux zones drains (31a et 31b), permettant deux former trois transistors à effet de champ : le premier transistor met en oeuvre la source 30a et le drain 31a, le deuxième transistor met en oeuvre la source 30b et le drain 31a, et le troisième transistor met en oeuvre la source 30c et le drain 31b. A ce substrat semi-conducteur est superposée une grille 32 comportant trois ouvertures rectangulaires 33a, 33b et 33c. Comme montré sur la figure 4, ces ouvertures rectangulaires débouchent alternativement sur les faces latérales de la grille situées dans la direction du canal de conduction, de façon que la grille ait une forme de serpentin. Les différentes zones sources et drain sont situées alternativement dans les ouvertures rectangulaires, de manière à former une pluralité de transistors à effet de champ en cascade. Ainsi, la zone drain 31a est positionnée au niveau de la première ouverture 33a, la zone source 30b est positionnée au niveau de la deuxième ouverture 33b, et la zone drain 31b est située au niveau de la troisième ouverture 33c. Les zones sources 30a et 30c sont, quant à elles, situées de part et d'autre de la grille 32. En outre, dans la réalisation montrée sur cette figure, le capteur comprend des éléments de passivation 34, superposés au substrat 36, au niveau des zones sources et drains fortement dopées (30a, 30b, 30c, 31a et 31b), et destinés à protéger ce dernier lors de l'utilisation du capteur. De manière préférentielle, lors de la fabrication du transistor, on commence par déposer une couche de passivation sur l'ensemble de la surface du substrat. Cette couche est ensuite gravée, au niveau des ouvertures 35, de manière à permettre le passage de la solution chimique destinée au creusage de l'oxyde sacrificiel, pour permettre la création d'un espace libre sous la grille. Ces éléments de passivation, bien que montrés uniquement sur la figure 4, peuvent être utilisés dans n'importe quelle autre configuration de l'invention. Le nombre d'éléments montré sur la figure 4 ne limite en aucun cas la portée de l'invention en ce sens. En effet, selon les réalisations, le substrat à semi-conducteur comporte un nombre plus important de zones sources et drain, et la grille 32 comporte également un plus grand nombre d'ouvertures, de manière à former des transistors à effet de champ. Ainsi, de manière générale, la présente invention permet de fournir un capteur biologique électronique avec une sensibilité améliorée par rapport aux capteurs existants, sans toutefois en augmenter le temps et/ou le coût de fabrication. Une telle configuration permet d'augmenter de manière avantageuse la longueur de grille en contact avec l'échantillon à analyser, sans toutefois augmenter la largeur de chacune des parties de grille. Ainsi, un capteur de ce type présente une meilleure sensibilité que les capteurs existants, sans être toutefois plus long ni plus difficile à fabriquer, puisque le creusement de matière est effectué en introduisant une solution d'attaque dans les ouvertures situées entre une partie de source et une partie de grille, ou entre une partie de drain et une partie de grille. En outre, l'invention permet de fournir un capteur ne présentant pas de risque de casse de la grille due à une trop forte portance, puisque la largeur de grille n'est pas augmentée de manière trop importante par rapport aux configurations de l'état de la technique. En outre, on précise ici que cette invention s'applique aussi bien aux transistors de type N qu'aux transistors de type P. REVENDICATIONS1. Capteur électronique pour l'analyse d'échantillon biologique, mettant en oeuvre un transistor à effet de champ, le capteur comportant - un substrat semi-conducteur présentant deux zones dopées avec des porteurs de charges électriques, formant respectivement une zone source (16) et une zone drain (17) du transistor à effet de champ, - une couche d'oxyde, dit sacrificiel, superposée au substrat, et - une couche de matériau polycristallin superposée à l'oxyde sacrificiel et formant la grille (10) du transistor, cette grille comportant deux faces latérales s'étendant dans une direction parallèle à un canal de conduction du transistor, et deux faces latérales s'étendant dans une direction orthogonale au canal de conduction de transistor, une face inférieure rectangulaire, et une face supérieure rectangulaire, l'oxyde sacrificiel situé sous la grille étant creusé de manière à créer un espace libre entre la grille et le canal de conduction, cet espace étant destiné à recevoir un échantillon biologique à analyser, le capteur étant caractérisé en ce que la couche de matériau polycristallin formant la grille (10) du transistor présente une ouverture (11) débouchant d'une part sur la face inférieure de la grille et d'autre part sur la face supérieure de la grille, de manière à mettre en communication une partie du substrat à semi-conducteur formant le canal de conduction avec l'extérieur du transistor. 2. Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la grille (10) comporte une ouverture rectangulaire (11) ne débouchant sur aucune de ses faces latérales, et en ce que les zones dopées formant une source (16) et un drain (17) sont disposées respectivement de part et d'autre de la grille (10). 3. Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la grille 20) comporte une ouverture rectangulaire (21) ne débouchant sur aucune face latérale, et en ce qu'une zone fortement dopée formant un drain (24) est située dans la zone du substrat mise à jour par l'ouverture pratiquéedans la grille, la surface de la zone de drain étant strictement inférieure à la surface de l'ouverture. 4. Capteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur comprend deux zones fortement dopées (22, 23) situées de part et d'autre de la grille, formant deux sources de deux transistors à effet de champ commandé par le drain commun (24). 5. Capteur selon la revendication 1 caractérisé en ce que la grille (32) comporte plusieurs ouvertures rectangulaires (33a, 33b, 33c), ne communiquant pas les unes avec les autres, chaque ouverture débouchant sur une face latérale de la grille, les ouvertures débouchant alternativement sur les deux faces de la grille parallèles au canal de conduction, de façon que la surface de la grille ait une forme de serpentin. 6. Capteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le substrat contient un nombre de zones (30a, 30b, 30c, 31a et 31b) fortement dopées égal au nombre d'ouvertures pratiquées dans la grille, chaque zone ayant une surface inférieure à la surface des ouvertures rectangulaires, les zones formant alternativement des sources et drains de transistors à effet de champ. 7. Procédé de fabrication d'un capteur électronique pour l'analyse d'échantillon biologique, mettant en oeuvre un transistor à effet de champ, le procédé comportant les étapes suivantes : - on dope fortement deux zones d'un substrat semi-conducteur avec des porteurs de charges électriques, de manière à former respectivement une zone source (16) et une zone drain (17) du transistor à effet de champ, - on superpose une couche d'oxyde, dit sacrificiel, au substrat, et - on superpose une couche de matériau polycristallin à l'oxyde sacrificiel de manière à former la grille (10) du transistor, cette couche comportant deux faces latérales s'étendant dans une direction parallèle à un canal de conduction du transistor, et deux faces latérales s'étendant dans une direction orthogonaleau canal de conduction de transistor, une face inférieure rectangulaire, et une face supérieure rectangulaire, et - l'oxyde sacrificiel sous la grille est creusé de manière à créer un espace libre entre la grille et le canal de conduction, cet espace étant destiné à recevoir un échantillon biologique à analyser, le procédé étant caractérisé en ce que la couche de matériau polycristallin formant la grille (10) du transistor présente une ouverture (11) débouchant d'une part sur la face inférieure de la grille et d'autre part sur la face supérieure de la grille, de manière à mettre en communication une partie du substrat à semi-conducteur formant le canal de conduction avec l'extérieur du transistor.