Brevet FR2929864A1 — publié le 20091016

AUTO-ASSEMBLAGE DE PUCES SUR UN SUBSTRAT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne l'assemblage de puces ou de composants ou de MEMS ou de circuits intégrés sur un substrat, en particulier dans le domaine de la microélectronique. Cette invention s'applique à l'intégration 3D de ces composants ou puces ou MEMS ou circuits intégrés, ainsi qu'à la conception de micro systèmes intégrés. Le positionnement d'une puce (on utilise par la suite, dans toute la description et les revendications, ce terme ou le terme � composant � pour l'ensemble des dispositifs mentionnés ci-dessus, y compris MEMS ou circuits intégrés) sur un substrat est usuellement effectué par des moyens robotiques de type � pick and place �. Du fait de la baisse des dimensions en intégration 3D, ainsi que des exigences de vitesse de réalisation, cette technique devient de moins en moins adaptée. En outre, sa mise en oeuvre implique l'utilisation de machines coûteuses et complexes. Enfin, cette technique est sérielle, donc coûteuse en terme de temps. Les techniques d'auto-assemblage sont de plus en plus envisagées comme alternatives ou en complément à la robotique. Une telle technique est par exemple celle décrite par T. Fukushima et al. Dans l'article intitulé �New three dimensional integration technology using self assembly technique �, IEEE, 2005. L'avantage de ce type de technique est qu'elle permet de traiter en parallèle un grand nombre de puces et qu'elle est donc moins coûteuse, en particulier que celles de type � pick and place �. Mais les méthodes actuelles d'auto-assemblage mettent pour la plupart en oeuvre des moyens fluidiques, en environnement aqueux, avec alignement par reconnaissance de forme et collage par ajout de matière (colle organique). La localisation de la zone sur laquelle la puce sera hybridée se fait par adsorption locale de molécules de type SAM (alkanethiol), c'est-à-dire qu'une molécule se fixe préférentiellement sur une partie du substrat en créant une zone avec un état de surface différent. Le problème de telles méthodes est que le substrat d'attache doit être composé en surface de matériaux spécifiques d'accroche tels que de l'or ou qu'il doit être creusé pour favoriser l'assemblage, comme dans le document US 6 623 579. En outre, certains matériaux, qui servent de lien entre la puce et le substrat sont organiques, et sont donc une source de pollution. Dans tous les cas, les applications possibles sont limitées du fait de la limitation en température. Par exemple, réaliser un contact fonctionnel (optique, électrique, thermique) est plus complexe si la puce et le substrat sont liés par des molécules organiques. Un problème est donc de trouver un procédé ne présentant pas les limitations ci-dessus et permettant notamment de réaliser un assemblage rapide et précis. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention propose une nouvelle méthode de formation, en surface d'un substrat, d'une zone en vue de l'alignement ou de l'auto-assemblage d'un composant ou d'une puce, ainsi qu'une technique d'assemblage de ce composant ou de cette puce. Tout d'abord, selon l'invention, un procédé de formation, en surface d'un substrat, d'au moins une zone d'attache hydrophile en vue d'un auto-assemblage d'un composant ou d'une puce, comporte la réalisation d'une zone hydrophobe, qui délimite ou définit ladite zone d'attache hydrophile. L'obtention de deux zones, l'une hydrophobe et l'autre hydrophile (zone d'attache) résulte de l'utilisation, en surface du substrat, d'au moins deux matériaux présentant des propriétés de mouillabilité différentes, ce qui résulte, soit de la nature même de ces matériaux soit d'un traitement spécifique de ces matériaux. De la mouillabilité différente résulte, pour une zone, un caractère hydrophile, qui lui permet de constituer une zone d'attache, et pour l'autre un caractère hydrophobe, qui lui permet de délimiter la zone d'attache. On peut réaliser une pluralité de zones d'attache hydrophiles. Le traitement d'une surface selon l'invention peut être local. On peut ainsi localiser aisément une zone d'attache. Une telle zone d'attache et sa zone hydrophobe qui la délimite, peut être réalisée sur tout substrat, par exemple en plastique. 3 Un procédé selon l'invention peut comporter une étape de dépôt, au moins dans la zone d'attache hydrophile, d'une couche de collage, ou d'assistance au collage, d'un composant ou d'une puce. La surface de la zone d'attache peut être transformée pour être rendue hydrophile, par exemple par la formation d'une couche d'oxyde ou de nitrure (associé à un traitement le rendant hydrophile). La surface du substrat peut être initialement homogène, ou hétérogène. Dans ce dernier cas, elle peut comporter au moins un plot et/ou un via et/ou un contact affleurant la surface du substrat et assurant une connexion électrique et/ou optique et/ou thermique. Au moins l'un des plots et/ou nias et/ou contacts est localisé dans la zone d'attache. Le substrat peut comporter en outre des couches de connexion électrique et/ou optique et/ou thermique. Une fois un substrat selon l'invention réalisé, il est possible d'aligner, sur la zone hydrophile, puis de coller sur cette même zone, par exemple par collage direct ou adhésion moléculaire, une puce ou un composant sur la zone d'auto-assemblage, présentant le contraste de mouillabilité localisé souhaité. Un procédé d'assemblage d'un composant ou d'une puce selon l'invention peut donc comporter les étapes suivantes . a) préparation d'un substrat selon l'invention, telle qu'expliqué ci-dessus, b) auto-alignement de la puce sur la zone d'attache préparée, utilisant les différences de mouillabilité entre les zones hydrophobes du substrat et les autres zones, hydrophiles, c) assemblage, par exemple par collage, de la puce alignée sur le site préparé. Un procédé d'assemblage d'un composant ou d'une puce selon l'invention ne nécessite pas et ne met pas en oeuvre de technique de reconnaissance de forme pour positionner un composant à proximité de sa zone d'attache. Un procédé d'assemblage d'un composant ou d'une puce selon l'invention peut être réalisé dans l'air. Seuls des composants courants de la micro électronique sont mis en oeuvre. L'étape d'alignement peut être réalisée à l'aide d'une goutte d'un liquide, déposée sur la zone hydrophile. Elle peut comporter un matériau adhésif ou de collage en solution. Le composant ou la puce peut comporter un ou plusieurs plots et/ou nias et/ou contacts et/ou une ou plusieurs couches en matériau à fusion à basse température. Dans ce dernier cas, le procédé peut comporter en outre une étape d'accroissement de la température pour réaliser une fusion dudit matériau à fusion à basse température. Un contact ou une liaison en matériau à fusion à basse température peut être formé entre le composant ou la puce et la surface du substrat, par exemple par la technique mentionnée ci dessus. Un procédé selon l'invention peut en outre comporter, avant alignement du composant ou de la puce, une étape de préparation de la surface à assembler de ce composant ou cette puce, telle qu'un polissage et/ou un traitement par plasma oxygène et/ou un traitement UV - ozone. Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, une zone hydrophobe est réalisée en carbone amorphe, par exemple sous forme de couche mince. Le carbone amorphe peut être dopé pour être conducteur. On dépose sur le substrat une couche support de carbone amorphe et on prépare une zone hydrophile. La zone d'attache peut être délimitée par gravure de la couche hydrophobe en carbone amorphe. On peut donc déposer sur le substrat, ayant éventuellement subi l'un des traitements expliqués ci-dessus, une couche support de carbone amorphe et on prépare une zone hydrophile délimitée par une zone en carbone amorphe. Après l'étape c) ci-dessus, la couche de carbone peut être retirée. En variante, le carbone amorphe peut être éliminé partiellement, pour laisser subsister une liaison en carbone amorphe entre au moins un plot du composant et la surface du substrat. Après élimination au moins partielle du carbone amorphe, il est possible de former, par dépôt d'une couche de matériau diélectrique ou en carbone amorphe, une nouvelle surface plane au niveau de la face du composant ou de la puce qui n'est pas assemblée sur le substrat, ou au-dessus de cette face. Cette nouvelle surface plane peut former la surface d'un substrat, puis il est possible de former, sur cette surface, au moins une zone d'attache hydrophile selon l'invention. Il est possible de réaliser une nouvelle étape d'assemblage d'un composant selon l'invention, sur cette nouvelle surface. Un dispositif obtenu par un procédé selon l'invention peut donc être réalisé sur un autre dispositif, lui aussi obtenu par un procédé selon l'invention. A cette fin, on réalise, au niveau de la surface supérieure d'un ou plusieurs composants déjà assemblés sur le substrat, une surface où l'assemblage est possible de nouveau, par exemple pour assembler une puce par-dessus l'autre. Selon un autre mode particulier de réalisation de l'invention, une zone hydrophobe est réalisée en un matériau métallique, par exemple un matériau de conducteurs déjà présents en surface du substrat, ou une ou des portions d'une antenne métallique. Le matériau métallique peut constituer des motifs qui forment un ou des reliefs par rapport à la surface du substrat. Le matériau conducteur peut être de l'argent ou du cuivre ou de l'or ou de l'aluminium ou du tungstène. Plus généralement, il peut s'agir de tout matériau conducteur disponible pour la réalisation de contacts électriques pour la micro-électronique ou les micro-systèmes. Les zones hydrophobes permettent donc, là encore, de délimiter une zone d'attache d'une puce ou d'un composant. Ce dernier pourra être amené puis fixé sur la zone hydrophile par l'une des techniques déjà décrites ci-dessus dans le cadre de l'invention. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - Les figures 1A à 1G représentent des composants assemblés sur des substrats selon l'invention, - les figures 2A-2E représentent des substrats en vue d'une mise en oeuvre de l'invention, - les figures 3A-3C représentent des substrats en vue d'une mise en oeuvre de l'invention, éventuellement avec dépôt de carbone amorphe pour localiser un ou plusieurs sites d'assemblage, - les figures 4A-4C représentent la localisation d'une puce avec un substrat selon l'invention, - les figures 5A-5C représentent des assemblages d'une puce avec un substrat selon l'invention, - les figures 6A-6C représentent des assemblages d'une puce avec un substrat selon l'invention, après retrait au moins partiel de la couche de carbone amorphe, - les figures 7A-7E représentent des assemblages d'une puce avec un substrat selon l'invention, après une reprise de carbone amorphe ou un dépôt de matériau diélectrique sur la couche de carbone amorphe, - les figures 8A et 8B représentent la localisation d'une puce avec un substrat selon l'invention, avec zones hydrophobes métalliques, - les figures 9A et 10A représentent des substrats en vue de dessus, avec chacun une zone d'attache localisée par un contour métallique, - les figures 9B et 10B représentent les substrats les figures 9A et 10A, en vue de dessus, avec une puce localisée dans la zone d'attache délimitée par un contour métallique, - les figures 11A et 11B représentent des empilements d'étages de composants selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Il sera fait mention ci-dessous de la mise en oeuvre d'une technique de collage par adhésion moléculaire. Une telle technique est par exemple décrite dans Q.Y. Tong, U. Gbsele, Semiconductor wafer bonding, John Wiley and Sons, pp 57-67, 1999. Des exemples de dispositifs réalisés conformément à l'invention sont illustrés en figures 1A-1G. Dans chaque cas, le dispositif comporte un substrat support 2 avec lequel, ou à la surface duquel, une puce 3 est assemblée. En variante, il s'agit d'une couche support sur un substrat 1. Ce dernier peut alors être en un matériau quelconque, par exemple en plastique, semi-conducteur ou non. Le substrat 2, ou la couche support, est en un matériau non fonctionnel, diélectrique ou semi- conducteur, par exemple de la liste ci-dessous. Plus particulièrement, l'invention met en oeuvre une portion hydrophile de la surface de ce substrat 2 ou la couche support; dans la suite, cette portion hydrophile est par exemple en un matériau diélectrique ou semi-conducteur, par exemple en Si, ou Ge ou GaAs ou InP ou GaN, ou en SiO2, ou en Si amorphe, ou en Nitrure de Silicium, ou en SiOC, ou en Oxydes d'ITO conducteurs. Le caractère hydrophile peut être créé et/ou renforcé par un traitement approprié, par exemple par adjonction d'une couche ou par traitement plasma (CARO, plasma 02, oxydation thermique). Dans le cas des figures 1A, 1D, 1F et 1G ce substrat 2 et sa surface sont homogènes. Selon les variantes illustrées en figures 1B et 1E, ce substrat 2 ou sa surface peut être hétérogène. Il peut alors notamment présenter des moyens tels que un ou plusieurs plots et/ou vias et/ou contacts assurant une ou plusieurs fonctions électrique et/ou optique et/ou thermique. Il peut également comporter des composants, par exemple CMOS. En figures 1B et 1E, est illustré le cas de vias 4, 6. Comme illustré en figure 2C, une ou plusieurs couches 7, 9, 7', 9' peuvent aussi assurer une ou plusieurs de ces fonctions. Dans l'exemple de la figure 2C, les couches 7, 7' assurent une connexion électrique entre les plots 4, 6 et les plots 4', 6', les couches 9, 9' assurant l'isolation de cette connexion. Les plots ou vias, ou contacts ou couches peuvent être en matériaux différents du matériau du reste du substrat ou de la couche 2, par exemple en cuivre ou en SiO2. Sur les figures 1A - 1C, la référence 20 désigne une couche de carbone amorphe. Cette couche délimite la zone 12 où le report d'un composant ou d'une puce 3 a été réalisé. Sur les deux figures 1D à 1G, la référence 120 désigne une ou des zones hydrophobes métalliques, qui délimitent la zone 12 où le report d'un composant ou d'une puce 3 a été réalisé. Ces zones hydrophobes métalliques forment un ou des reliefs par rapport à la surface 2' du substrat 2. Sur les figures 1D et 1E, les zones 120 comportent un épaulement. Mais il est également possible, comme sur les figures 1F et 1G, que ces zones n'aient pas d'épaulement. En outre la figure 1G représente le cas d'une hybridation au niveau de la zone de contact entre la puce 3 et les zones 120. La puce 3 a alors les plots métalliques permettant d'assurer la connexion avec ces zones 120. Quelle que soit sa nature, homogène ou hétérogène, et quelle que soit la nature de la zone hydrophobe (en carbone amorphe ou métallique) la surface 2' du substrat ou de la couche 2 (voir figures 2A-2E) peut avoir subi un ou des traitements afin de la fonctionnaliser (c'est à dire de la préparer en vue de l'alignement et du collage), de réaliser l'alignement d'un composant ou d'une puce 3, avec une zone d'auto- assemblage, puis l'assemblage par collage, du composant ou de la puce 3 sur cette zone. Ce dernier est représenté en position assemblée sur les figures 1A-1G. Il est également possible que la surface 2' du substrat comporte une couche 8 supplémentaire permettant de faciliter le collage d'un composant ou d'une puce et/ou de renforcer le contraste de mouillabilité entre la zone 12 et la couche 20. Par exemple, une couche de collage 8 en oxyde fin (pas visible sur les figures 1A-1G, mais visible sur les figures 2A-2E) est réalisée par plasma oxygène en surface 2'. Dans le mode de réalisation des figures 1B, 1C et 1E, la puce 3, par exemple une puce de Silicium processée, présente des plots 14, 16 de contacts, afin de réaliser un contact avec les plots 4, 6 du substrat 2 qui affleurent la zone 12 d'attache. La puce des figures 1D et 1E présente des zones de contact avec les zones hydrophobes métalliques. Dans le cas d'une zone hydrophobe en carbone amorphe, et comme illustré sur les figures 1A et 1B, il peut y avoir, après assemblage de la puce 3, une épaisseur 20 résiduelle de carbone. L'assemblage des figures 1A et 1B peut subir une etape supplémentaire d'élimination de la couche 20. Un tel retrait, partiel ou complet, peut être réalisé par un plasma Oxygène ou contenant une portion suffisante d'oxygène. Il en résulte une structure telle que celle des figures 6A-6C. La figure 1C représente un autre assemblage selon l'invention, mais avec deux étages, l'un dont les éléments sont identiques ou similaires à ceux déjà décrits ci-dessus et sont donc désignés par des références identiques, l'autre qui comporte une couche 200 de carbone amorphe empilée sur la première, et un composant ou une puce 300 localisé dans une ouverture de cette couche 200. Pour réaliser ce deuxième étage, on utilise là encore une localisation du composant par contraste de mouillabilité, entre une zone hydrophobe comportant un dépôt 200 de carbone amorphe et une zone hydrophile, réalisée, sur la figure 1C, en partie au-dessus du composant 3 et en partie au-dessus de la couche amorphe 20 de l'étage inférieur. Cette zone hydrophile peut être obtenue par formation d'une couche hydrophile sur le premier étage - comme expliqué plus loin - et délimitation de la zone d'attache par gravure de la couche 300 de carbone amorphe. Ce mode de réalisation est également possible avec les structures des figures 1D et 1E : on dépose sur ces structures une couche de carbone amorphe que l'on vient ensuite planariser pour pouvoir reporter un nouveau composant sur cette face. Le nombre d'étages ainsi empilés peut être quelconque. Les figures 2A-2E représentent des substrats 2 de base à partir desquels un substrat support selon l'invention va pouvoir être réalisé. Le substrat de la figure 2A est homogène, en un matériau semi-conducteur, ou autre, comme déjà indiqué ci-dessus. La surface 2' est uniforme et ne présente pas de topologie. Le substrat de la figure 2D est également homogène, en un matériau semi-conducteur, ou autre, comme déjà indiqué ci-dessus. Mais sa surface 2' n'est pas uniforme et présente une topologie due aux portions ou aux conducteurs métalliques 120. Les substrats des figures 2B, 2C et 2E sont hétérogènes. Ainsi le substrat de la figure 2B comporte des plots 4, 6 dont la fonction et la nature ont aussi déjà été expliquées ci-dessus. Le substrat de chacune des figures 2C et 2E comporte, outre les premiers plots 4, 6, une autre série de plots 4', 6' de connexion avec l'une ou l'autre des fonctions particulières (optiques, électriques ...) déjà expliquées ci-dessus. Ces plots permettent de positionner une ou des puces avec interconnexions. En plus des plots, une ou plusieurs couches ou empilements de couches 7, 9, 7', 9' peuvent être réalisées dans le substrat, par exemple entre des plots 4, 4' et 6, 6'. La surface 2' de chacun des substrats des figures 2B, 2C et 2E est hétérogène. Elle l'est tout d'abord en termes de matériaux : un tel substrat est par exemple en un matériau diélectrique, ou semi-conducteur, qui entoure des plots 4, 6 de métal conducteurs (couche SiOC et Cu). Elle est également hétérogène en termes d'état de surface, les zones où apparaissent les plots présentant un état de surface différents de celui des zones en matériau diélectrique. Un ou des traitements de surface (notamment polissage) permet d'uniformiser cet état de surface. Dans les zones destinées à recevoir une puce ou un composant, la surface 2' de chacune de ces structures est hydrophile, par exemple par le choix des matériaux utilisés pour le substrat 2 et éventuellement pour les plots 4, 6, 4', 6'; ou bien elle est rendue hydrophile, par l'un des traitements déjà mentionnés ci-dessus, avant assemblage du composant ou de la puce 3. On cherche de même à ce que cette surface, au moins dans ces mêmes zones, destinées à recevoir une puce ou un composant, possède les caractéristiques requises pour le type de collage (de préférence un collage direct) qui sera utilisé. Par exemple, cette surface est préparée (par polissage et/ou nettoyage) de manière à permettre un collage direct (comme décrit dans l'ouvrage de Tong cité ci-dessus). D'autres types de collage sont possibles, par exemple le collage par thermo-compression. Dans le cas d'un substrat ou d'une couche 2 hétérogène, les matériaux qui le constituent sont de préférence choisis pour que ces caractéristiques puissent être obtenues, en surface 2', par un traitement approprié, par exemple par polissage et/ou nettoyage. Un critère de sélection des matériaux est la vitesse de polissage des matériaux en question. A partir d'une de ces structures, un revêtement hydrophobe va permettre de localiser ou délimiter une ou des zones 12 d'attache ou d'assemblage d'un ou de plusieurs composants. La figure 2D représente le cas d'un substrat comportant, en surface, des zones métalliques 120 par exemple des portions de conducteurs ou des portions d'antennes. Le substrat lui-même peut être homogène (figure 2D) ou hétérogène (figure 2E). Comme indiqué sur la figure 2D, les zones 120 peuvent aussi ne pas comporter d'épaulement et avoir la forme qui s'étend jusqu'aux traits interrompus. Les structures des figures 2C et 2E peuvent être utilisées dans des empilements tels que celui de la figure 11B : deux étages de composants 3, 300 sont superposés sur un substrat 2. Les connexions entre le substrat 2 et le composant le plus éloigné (ici : le composant 300) de ce substrat sont faites via des zones qui enrobent le ou les composants du premier et du deuxième étage. Des reprises de contact 301 permettent de connecter le ou les composants du dernier étage aux connexions des étages intermédiaires. Dans le cas de la figure 11A, on a aussi deux étages superposés sur un substrat 2, mais via le ou les composant(s) 3 du premier étage. Dans les deux cas (figures 11A et 11B), un nombre n>2 d'étages plus important peut être prévu : on peut donc réaliser connexions entre le substrat 2 et le composant le plus éloigné de ce substrat (celui de l'étage n) soit via le ou les n-1 composants des n-1 premiers étages soit via des zones qui enrobent les composants des n-1 premiers étages. Un procédé de réalisation des structures de substrat, avec couche de matériau hydrophobe en carbone amorphe, va être décrit en liaison avec les figures 3A à 3C, à partir des structures des figures 2A - 2C. La figure 3A représente une seule zone d'attache 12, mais il peut y en avoir plusieurs 12, 12' pour un seul étage, comme illustré en figure 3B. Ces figures sont basées sur un substrat initial du type de la figure 2A, mais on peut également revêtir les substrats des figures 2B et 2C d'une couche de matériau hydrophobe, puis former dans cette couche une ou plusieurs zones d'attache. La figure 1B est d'ailleurs une représentation d'un substrat avec composant fixé dans la zone hydrophile, mais avec un substrat du type de la figure 2B. Au cours de cette étape est par exemple réalisé un dépôt d'une couche mince 20 de carbone 10 amorphe. La zone d'attache est définie par un motif, qui peut être obtenu par gravure de cette couche mince. De même, des bandes 20', 21' (figure 3B) peuvent être définies par gravure de cette couche. Dans ce cas le 15 revêtement de carbone amorphe, qui correspond à chacune des zones d'attaches 12, 12', est limité à une faible portion de la surface 2'. La zone d'attache 12, 12' est la zone non couverte ou non masquée par du C amorphe, mais entourée de ce matériau ou délimitée par ce 20 matériau (sur lequel l'hybridation ou l'attache de composant ne se fera pas). Dans le cas de la figure 3B, l'ensemble constitué par chaque zone d'attache 12, 12' et par ses bandes 20', 21' présente sur la surface du substrat 2 25 une extension latérale L limitée. Réaliser de tels ensembles de largeur limitée permet de former plusieurs zones d'assemblage. C'est le cas de la figure 3B, où une deuxième zone d'assemblage 12' est réalisée, par formation d'autres bandes 21' en carbone amorphe. 30 Une telle extension latérale limitée peut aussi être souhaitable lorsque la couche ou le substrat 2 de support ne présente un état de surface satisfaisant que sur une extension ou une surface limitée, comparable (mais supérieure) à celle de la puce à localiser dans la zone 12. La couche hydrophobe, ici en Carbone amorphe, induit, par rapport au reste de la surface du substrat 2, un contraste en tension de surface - donc en mouillabilité - qui permet la mise en oeuvre d'un auto-assemblage des puces ou composants à assembler. Eventuellement un traitement complémentaire de la surface de chacun des substrats 2 peut être mis en oeuvre, afin d'accentuer la localisation des puces ou composants par différence d'énergie de surface et/ou mouillabilité. On peut réaliser à cette fin une couche superficielle 15 d'oxyde du matériau du substrat 2, à l'aide d'un plasma à l'oxygène. Ce traitement entraîne une légère gravure superficielle de la couche de Carbone amorphe mais n'affecte pas ses propriétés hydrophobes. C'est d'ailleurs un aspect avantageux du Carbone amorphe pour la présente invention, que de ne pas former un oxyde à sa surface après exposition à un plasma comportant de l'oxygène. Après ce traitement, une surface comportant du carbone amorphe et un matériau hydrophile présente un contraste de mouillabilité important permettant de réaliser un auto-alignement. La différence entre les angles de contact d'une goutte d'un liquide positionnée sur la couche de carbone amorphe et celui d'une goutte du même liquide positionnée sur le matériau hydrophile est au minimum d'environ 40°(par exemple pour une goutte d'eau de 0,341 d'eau, et des puces de 5x5 mm2 et d'épaisseur 525 }gym). Elle est par exemple de 80° pour une goutte d'eau de 1 pal sur un substrat de PDMS. On cherche ensuite à réaliser un assemblage d'un composant ou d'une puce, par exemple par un collage direct tel qu'un collage moléculaire. Les figures 4A-4C représentent des étapes d'alignement d'un composant ou d'une puce sur la zone, préparée comme expliqué ci-dessus, d'un substrat selon l'invention. Les figures 4A-4C sont basées sur un substrat initial du type de la figure 2A, mais un alignement peut être réalisé de la même manière à partir de l'un des substrats des figures 2B et 2C, muni d'une ou plusieurs zones d'attache, chacune étant délimitée par une couche hydrophobe. Cet alignement est réalisé grâce au contraste de mouillabilité obtenu par le traitement, décrit précédemment, du substrat. Le composant est amené à proximité du substrat par une technique dite de � pick and place �, ou plus généralement par tout moyen mécanique. Ce composant ou cette puce 3 à assembler possède, par ailleurs, des caractéristiques adaptées au type d'assemblage ou de collage envisagé sur le substrat 2, par exemple une planéité correcte sur l'ensemble de sa surface 3' à assembler et une contamination particulaire, la plus faible possible, de cette surface. Si ce n'est pas le cas, une préparation de la surface 3', par exemple par polissage puis nettoyage, permet d'obtenir les caractéristiques souhaitées. Un autre traitement possible, en vue d'un collage moléculaire hydrophile, est un traitement de type plasma oxygène, ou sous UV/ozone. Mais, de préférence la puce ne reçoit qu'un minimum de traitement, par exemple seulement un traitement de surface. C'est notamment le cas lorsque l'on souhaite assembler de nombreux standards de puces avec des topologies différentes et adapter le substrat grâce à la forme de la couche 20 de carbone amorphe. Les remarques ci-dessus concernant la préparation de la puce s'appliqueront également dans le cas du mode de réalisation avec zone hydrophobe métallique, décrit plus loin en liaison avec les figures 8A - 8B. Dans le cas de la figure 4A, on approche la puce 3 du site d'assemblage 12. On peut donc mettre en oeuvre un alignement ou un positionnement grossier de la puce par un procédé tel qu'un procédé aléatoire, qui permet de réaliser une distribution rapide mais peu précise. Eventuellement, une goutte 13 d'un liquide d'interface, présente sur la zone d'attache, permet d'aligner avec précision la puce 3 sur le motif 12. Ce liquide peut être de l'eau ou de l'eau avec un adhésif liquide (acrylate, époxy), ou un liquide dans lequel est dissoute une colle polymérisable (par exemple un polymère avec une base d'acrylate). Les figures 4B et 4C représentent la même étape, mais pour une puce 3 comportant des plots 5 d'interconnexions pour une liaison avec le substrat via le matériau de la couche 20. Dans le cas de la figure 4C, la puce présente en outre, sur la surface des plots 5 d'interconnexion, une fine couche 5' en un métal à fusion à basse température, qui va permettre de réaliser des interconnexions pour une liaison avec le substrat, par exemple par thermo-compression. En variante, ces plots sont des billes d'indium ou en cuivre. Ces plots peuvent aussi n'être que des plots de connexion ou de contact et pas de fixation, cette dernière étant assurée par la partie de la puce en regard de la zone 12 d'assemblage. Comme déjà indiqué en liaison avec la figure 4A, une goutte 13 d'un liquide d'interface peut être utilisé pour favoriser la réalisation de cette étape d'alignement. Les figures 5A-5C représentent, pour chacune des situations illustrées en figures 4A-4C des assemblages, ainsi obtenus, d'une puce avec un substrat. Le composant ou la puce 3 est localisé dans la zone d'attache 12 créée antérieurement. Un éventuel liquide d'interface a été retiré par évaporation ou séchage ou prise de la colle ou de l'adhésif utilisé. Comme déjà indiqué ci-dessus, on réalise de préférence un assemblage par collage moléculaire. L'éventuelle couche d'oxyde 15 favorise un tel collage. La réalisation des connexions 5, 5' de la puce peut être obtenue par une méthode différente (par exemple : utilisation de billes ou de connexions en cuivre). Un composant ou une puce peut être collé par thermo-compression si le matériau s'y prête (par exemple par un collage métallique avec du cuivre notamment). Ce collage par thermo-compression peut avoir lieu dans la zone hydrophile, ou pas. Dans ce dernier cas, il y a une différence entre, d'une part, les zones de contact, par exemple de type électrique, et, d'autre part, les zones de fixation mécanique (par thermo-compression). Un retrait au moins partiel de la couche hydrophobe 20, 20', 21' peut ensuite être effectué. Il en résulte les structures des figures 6A-6C, respectivement pour chacun des assemblages des figures 5A-5C. Là encore, il peut y avoir plusieurs puces ou composants sur un seul étage. D'éventuelles connexions entre le composant ou la puce (ou les composants ou les puces) et le substrat peuvent être alors établies. Dans le cas des figures 6A et 6C, c'est un retrait intégral de la couche 20 qui a été effectué, par traitement chimique de surface laissant l'assemblage composant 3-substrat 2 inchangé. Un tel traitement chimique est par exemple un traitement par plasma oxygène ou contenant une proportion suffisante d'oxygène. La figure 6B représente le cas d'un retrait partiel de cette couche 20, également par traitement chimique de surface laissant l'assemblage inchangé. Des portions 201 de la couche 20 sont maintenues, pour réaliser une liaison ou un lien fonctionnel entre les plots 5 et la surface 2' du substrat 2, et plus particulièrement ses plots 4, 6. Afin d'assurer une telle fonction le carbone peut avoir été dopé, par exemple pour être conducteur. En figure 6C, après retrait intégral de la couche 20, la température est portée à un niveau permettant la fusion à basse température du métal 5', afin de réaliser la liaison ou le lien fonctionnel 5" entre les plots 5 et la surface 2' du substrat 2, et plus particulièrement ses plots 4, 6. Quel que soit le mode de réalisation, on peut réaliser une deuxième étape d'intégration au dessus de la puce hybridée. On peut notamment réaliser un dépôt d'une nouvelle couche de matériau, dans les zones dans lesquelles le carbone amorphe a été retiré, permettant de retrouver une surface plane fonctionnalisable, à partir de laquelle il sera possible de former un nouvel empilement puce-substrat, le substrat étant cette fois celui obtenu après la reprise de matériau. Ainsi, en figure 7A, est effectuée une reprise 201 de dépôt du Carbone amorphe sur l'ensemble obtenu en figure 6A. Dans certains cas, il est aussi possible de ne pas éliminer cette couche de carbone amorphe (donc de laisser en l'état la structure de la figure 5A), ce qui permet de ne pas de faire une reprise ensuite. Après une étape de polissage de cette couche 201r on retrouve une surface plane fonctionnalisable, sur laquelle un nouvel étage de l'empilement peut être réalisé. Les figures 7B et 7C représentent des cas de dépôt d'une couche 202 de matériau diélectrique sur la couche 201 de Carbone amorphe pour revenir à une surface plane non conductrice en dehors de la zone d'attache. En figure 7C, c'est la même technique, mais c'est la puce décrite en Figure 4B qui est mise en oeuvre. En variante, illustrée en figure 7D, un dépôt 202 d'un matériau autre que du carbone amorphe peut être réalisé directement sur le substrat 2, après retrait de la couche 20 de carbone amorphe. Le matériau de cette couche 202 peut être modifié pour qu'un lien fonctionnel puisse le traverser. Ainsi, en figure 7E, des vias 4-2 et 6-2 ont été réalisés dans la couche 20- 2 pour atteindre le substrat 2 à travers cette dernière. La formation de vias est également réalisable avec les structures des figures 7B et 7C. Autrement dit, après assemblage de la puce (structure obtenue en figures 6A-6C) on peut former un nouveau plan au niveau de la face supérieure de la puce 3 intégrée sur le substrat 2 (ou de la face non assemblée avec le substrat), ou au-dessus de cette face supérieure, en vue d'une nouvelle étape d'intégration, en effectuant un dépôt en un matériau tel qu'un diélectrique, ou en Carbone Amorphe, suivi de polissage type CMP. On se ramène ainsi à l'étape initiale, c'est-à-dire à un nouveau substrat support défini par la composant 3 entouré d'un matériau particulier (le diélectrique ou le carbone amorphe). Sur ce nouveau substrat support, les étapes décrites ci-dessus peuvent être réalisées : formation d'une zone hydrophile délimitée par une zone hydrophobe, puis alignement et assemblage d'une puce ou d'un composant sur la zone hydrophile. On obtient ainsi une structure telle que celle de la figure 1C. Un procédé de réalisation des structures de substrat, avec couche de matériau hydrophobe, ici en un matériau métallique, va être décrit en liaison avec les figures 8A-8B, à partir des structures des figures 2D et 2E, donc des structures de substrat éventuellement avec des plots et éventuellement encore avec des couches 7, 9, 7', 9' qui assurent des fonctions électriques et/ou optiques et/ou thermiques. Comme déjà expliqué ci-dessus : - la surface 2', homogène ou hétérogène, du substrat ou de la couche 2 peut avoir subi un ou des traitements afin de la préparer en vue de l'alignement et du collage, de réaliser l'alignement d'un composant ou d'une puce 3, avec une zone d'auto-assemblage, puis l'assemblage par collage, du composant ou de la puce 3 sur cette zone, - la surface 2' du substrat peut comporter une couche supplémentaire permettant de faciliter le collage d'un composant ou d'une puce et/ou de renforcer le contraste de mouillabilité entre la zone 12 et son pourtour. La surface 2' du substrat 2 présente, ici encore, des variations de mouillabilité en surface, du fait de la présence en cette surface de deux matériaux différents (dont l'un est métallique), dont les propriétés de mouillabilité sont différentes, ce qui résulte soit de la nature de ces matériaux, soit d'un traitement spécifique de tout ou partie de la surface. Le matériau métallique 120 peut être celui d'un conducteur, prévu sur la surface du substrat afin de réaliser une fonction électrique spécifique. Par exemple, il peut s'agir de la définition de la forme d'une antenne en surface du substrat 2. Par exemple la surface peut être en PET, et être munie d'une antenne métallique; ou bien il s'agit d'une surface en oxyde de Silicium avec des zones métalliques. Dans ces deux cas la partie métallique qui entoure la zone cible, sur laquelle on va cherche à attacher un composant ou une puce, va pouvoir être exploitée pour faire de l'auto-assemblage : le composant 3 sera localisé dans la zone d'attache, hydrophile 12, qui est délimitée par la partie 120 métallique et hydrophobe, qui l'entoure. Un exemple de dispositif réalisé conformément à l'invention a été décrit ci-dessus en liaison avec les figures 1D à 1G. Comme déjà indiqué ci dessus, le composant ou la puce 3 à assembler possède des caractéristiques adaptées au type d'assemblage ou de collage envisagé sur le substrat 2, éventuellement ceci résulte d'une préparation de la surface 3' qui permet d'obtenir les caractéristiques souhaitées. Pour réaliser l'alignement cherché de la puce 3 sur la zone d'attache, une goutte d'un liquide d'interface (tous ceux déjà cités ci-dessus sont concernés), par exemple de l'eau, peut être disposée par des moyens manuels ou robotiques sur la zone d'attache ou à son voisinage. Le substrat peut aussi être complètement immergé dans le liquide concerné. Du fait du contraste de mouillabilité la goutte de fluide déposée sur la zone d'attache ou à son voisinage se localise d'elle-même dans cette zone. Le volume de fluide déposé peut induire une épaisseur d'eau qui dépasse celle d'une éventuelle topologie due par exemple à des motifs métalliques qui délimitent la zone hydrophile 12. Une fois exposé à l'air, l'application d'une force externe comme la gravité, ou résultant du passage d'un flux d'air ou de vibrations permet à la goutte 13 de fluide de se retrouver isolée dans la zone d'attache 12. La goutte 13 disposée et correctement localisée agit telle une force de rappel par minimisation de l'énergie de surface de la goutte. Une puce 3 peut ensuite être amenée manuellement ou par un dispositif robotique ou par une technique dite de � pick and place �, ou plus généralement par tout moyen mécanique. Ou bien, on met en oeuvre un alignement ou un positionnement grossier de la puce par un procédé tel qu'un procédé aléatoire, qui permet de réaliser une distribution rapide mais peu précise. Les figures 8A et 8B représentent cette étape, dans le cas d'un substrat et d'une puce respectivement du type de la figure 1D ou 1E. L'alignement de la puce 3 vis-à-vis de la zone 12 dépend de la qualité du confinement, donc de la différence de mouillabilité entre les deux matériaux. Après que la puce ait été disposée sur la goutte d'eau, celle-ci corrige le désalignement induit grâce à une force de rappel. Cette force est le moteur de l'alignement final du composant 3 et de la zone d'alignement 12 et dépend du contraste de mouillabilité entre la zone d'attache 12 et son pourtour hydrophobe, que ce contraste soit naturel ou induit par un éventuel traitement de surface. Le liquide d'interface est ensuite retiré, 5 par évaporation ou séchage ou prise de la colle ou de l'adhésif utilisé. On réalise de préférence un assemblage par collage moléculaire de la puce sur sa zone d'attache 12. Une éventuelle couche 15 d'oxyde dans la zone 12 10 d'attache favorise un tel collage. Un composant ou une puce peut aussi être collé par thermo-compression si le matériau s'y prête (par exemple par un collage métallique avec du cuivre). On obtient ainsi des structures telles que 15 celles des figures 1D à 1G. Les figures 9A et 10A représentent chacune, en vue de dessus, une zone d'attache 12 et sa zone hydrophobe 120, 120' qui la délimite. En figure 10A, les zones 120 sont reliées à d'autres conducteurs 121. 20 Les figures 9B et 10B représentent chacune la même zone que, respectivement, les figures 9A et 10A, mais avec un composant 3 positionné et fixé sur la zone hydrophile. REVENDICATIONS1. Procédé de formation, en surface (2') d'un substrat (2), d'au moins une zone d'attache hydrophile (12, 12') en vue d'un auto-assemblage d'un ou plusieurs composants ou d'une ou plusieurs puces (3, 300), dans lequel on réalise une zone hydrophobe (20), qui délimite la ou les zones d'attache hydrophile. 2. Procédé selon la revendication 1, comportant une étape de dépôt, au moins dans la zone d'attache hydrophile, d'une couche (8) de collage, ou d'assistance au collage, d'un composant ou d'une puce. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, comportant en outre une étape de formation d'une couche d'oxyde (15) dans la zone d'attache (12). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, la surface (2') du substrat (2) étant initialement homogène ou initialement hétérogène. 5. Procédé selon l'une des revendications 1-3, la surface (2') du substrat (2) étant initialement hétérogène au moins un plot (4, 6, 4', 6') et/ou un via et/ou un contact affleurant la surface (2') du substrat (2) et assurant une connexion électrique et/ou optique et/ou thermique, au moins l'un des plots (4, 6, 4', 6') et/ou nias et/ou contacts pouvant être localisé dans la zone d'attache (12). 6. Procédé selon l'une des revendications 4 ou 5, le substrat comportant en outre une ou des couches (7, 9, 7', 9') de connexion électrique et/ou optique et/ou thermique. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, la zone hydrophobe comportant au moins en partie une zone en carbone amorphe. 8 Procédé selon la revendication 7, ladite zone hydrophobe en carbone amorphe étant réalisée sous la forme d'une couche mince (20). 9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, 15 la zone d'attache (12) étant délimitée par gravure de la zone hydrophobe (20) en carbone amorphe. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, la zone hydrophobe comportant au moins en partie 20 une zone en un métal, par exemple choisi parmi Cu, Ag, Au, Al, W. 11. Procédé selon la revendication 10, le métal étant celui d'une ou plusieurs antennes formées 25 en surface du substrat ou d'un ou plusieurs conducteurs formés en surface du substrat. 12. Procédé d'assemblage d'un composant (3, 300) et d'un substrat hydrophile (2), comportant : 30 - la formation, en surface (2') du substrat hydrophile (2), d'au moins une zone d'attache 10hydrophile (12, 12'), selon l'une des revendications 1 à 11, - l'alignement et l'assemblage d'un composant ou d'une puce (3) sur la zone d'attache (12, 12') . 13. Procédé selon la revendication précédente, l'étape d'alignement comportant la mise en oeuvre d'une goutte (13) d'un liquide, pouvant comporter un matériau adhésif ou de collage en solution. 14. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, le composant étant assemblé par collage moléculaire. 15 Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, comportant, avant alignement du composant ou de la puce (3), une étape de préparation de la surface à assembler de ce composant et/ou de cette puce, pouvant comporter un polissage et/ou un traitement par plasma oxygène et/ou sous UV et ozone. 16. Procédé selon l'une des revendications 12 à 15, le composant et/ou la puce comportant un ou plusieurs plots (5, 14, 16) et/ou nias et/ou contacts. 17. Procédé selon l'une des revendications 12 à 16, le composant et/ou la puce comportant une ou plusieurs couches (5') en matériau à fusion à basse température, et le procédé comportant en outre une étape de fusion à basse température dudit matériau.18. Procédé selon la revendication 17, une liaison (5") en matériau à fusion à basse température étant réalisée entre au moins un plot du composant et la surface du substrat. 19. Procédé selon l'une des revendications 12 à 18, prise en combinaison avec l'une des revendications 7 à 9, le carbone amorphe étant éliminé au moins partiellement, après assemblage d'un ou plusieurs composants ou puces. 20. Procédé selon la revendication 19, le carbone amorphe étant éliminé partiellement, pour laisser subsister une liaison (20-1) en carbone amorphe entre au moins un plot du composant et la surface du substrat. 21. Procédé selon la revendication 19 ou 20, comportant, après élimination au moins partielle du carbone amorphe, la formation, par dépôt d'une couche (20-2) de matériau diélectrique ou en carbone amorphe, d'une nouvelle surface plane au niveau de la face du composant ou de la puce (3) qui n'est pas assemblée sur le substrat (2), ou au-dessus de cette face. 22. Procédé selon la revendication 21, ladite nouvelle surface plane formant la surface d'un substrat, comportant en outre la formation, sur cette surface, d'au moins une zone d'attache hydrophile (12, 12') selon l'une des revendications 9 ou 10.23. Procédé selon la revendication 22, ladite nouvelle surface plane formant la surface d'un substrat, comportant en outre la réalisation d'un procédé d'assemblage d'un composant, sur cette nouvelle surface, selon l'une des revendications 19 à 21.