Brevet FR2933389A1 — publié le 20100108

STRUCTURE A BASE D'UN MATERIAU GETTER SUSPENDU DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne une structure à base d'un matériau getter. Une telle structure peut notamment être utilisée dans le domaine des microsystèmes électromécaniques (MEMS) ou nanosystèmes électromécaniques (NEMS), par exemple des accéléromètres, des gyromètres, ou tout autre dispositif destiné à être disposé dans un environnement sous vide poussé ou sous pression contrôlée. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Un matériau getter est un matériau comportant, de façon intrinsèque et/ou de par sa morphologie microscopique, des propriétés absorbantes et/ou adsorbantes vis-à-vis de molécules gazeuses, pouvant ainsi former une pompe de gaz chimique lorsque celui-ci est disposé dans un environnement clos. Ce type de matériau peut également être utilisé dans de nombreuses applications microélectroniques telles que les tubes à vide, les systèmes à effet de champ ou encore les MEMS ou NEMS, pour réaliser un environnement sous vide poussé ou sous pression contrôlée. Dans le cas des MEMS ou NEMS encapsulés, un environnement sous vide poussé formé autour du dispositif permet par exemple d'obtenir un meilleur fonctionnement des systèmes mécaniques résonnants mais aussi des systèmes 2 optiques sensibles à l'absorption du rayonnement lumineux par des gaz environnants. Des matériaux getter non évaporables sont par exemple des métaux tels que du titane, du zirconium, de l'hafnium, ou encore des alliages métalliques binaires de ces trois métaux. Un tel matériau getter non évaporable est généralement déposé directement sur une paroi de l'enceinte dans laquelle on cherche à réaliser une pompe chimique sous la forme d'une couche mince. Ce matériau est ensuite activé thermiquement en le chauffant à travers la paroi de l'enceinte sur laquelle il est déposé. Le document US 6 923 625 B2 décrit la réalisation d'une telle couche mince de matériau getter. La capacité de pompage d'une telle couche mince de matériau getter est déterminée par la surface du matériau en contact avec le gaz à absorber. Plus cette surface est grande, plus la capacité d'absorption du matériau getter est importante. Dans le document US 6 923 625 B2, il est décrit notamment que la couche mince de matériau getter peut être déposée sur une surface présentant des saillies. Ainsi, la surface du matériau getter déposé sur les parois latérales des saillies permet d'augmenter la surface totale absorbante du matériau getter dans la cavité. L'inconvénient majeur d'une telle couche mince de matériau getter est la puissance, c'est-à-dire la quantité d'énergie et le temps de chauffe, nécessaire pour réaliser son activation thermique. Le document EP 1 518 599 A2 décrit la réalisation de deux couches superposées de matériau 3 l'une, déposée contre un substrat, est à matériau getter à faible température Un tel empilement de matériaux getter permet d'obtenir de meilleures capacités d'absorption peut être activé thermiquement avec une d'activation plus basse que celle nécessaire pour une simple couche mince de matériau getter. EXPOSÉ DE L'INVENTION 10 Un but de la présente invention est de proposer une structure à base d'un matériau getter demandant une puissance d'activation thermique inférieure à celle nécessaire pour activer thermiquement les structures connues de matériau 15 getter. Pour cela, la présente invention propose une structure getter comportant un substrat et au moins une couche à base d'au moins un matériau getter reliée mécaniquement au substrat par l'intermédiaire d'au 20 moins un support, la surface du support en contact avec le substrat étant inférieure à la surface d'une face principale de la couche de matériau getter en contact avec le support. Ainsi, grâce au support, la couche de 25 matériau getter n'a pas de contact thermique direct avec le substrat. De plus, étant donné que la surface du support en contact avec le substrat est inférieure à celle de la couche de matériau getter en contact avec le support, la puissance, c'est-à-dire la quantité 30 d'énergie et le temps de chauffe, pour réaliser getter dont base d'un d'activation. des gaz et température5 4 l'activation thermique du matériau getter est donc inférieure à la puissance utilisée pour l'activation thermique d'une couche de matériau getter ou d'un empilement de couches de matériau getter déposé directement sur un substrat. La surface des parties du support en contact avec le substrat au-dessus desquelles se trouve la couche de matériau getter peut être inférieure à la surface d'une face principale de la couche de matériau getter en contact avec le support. Une partie, par exemple au plus 10 %, ou 20 %, ou 30 %, ou 40 %, ou 50 %, de la surface de la face principale de la couche de matériau getter peut être en contact avec le support formé par exemple par des espaceurs disposés entre la couche de matériau getter et le substrat. De plus, la surface du matériau getter se trouvant du côté du support, mais qui n'est pas en contact avec le support, permet d'augmenter la surface totale d'absorption de la couche du matériau getter. En effet, une telle structure permet d'utiliser non seulement la face avant de la couche de matériau getter, mais également une partie de la face arrière de la couche de matériau getter pour réaliser une absorption gazeuse. Ainsi, pour une même quantité de matériau getter, une telle structure getter permet d'obtenir une plus grande capacité d'absorption que celle obtenue par une couche mince ou un empilement de couches de matériau getter déposé directement sur le substrat. La structure peut comporter une ou plusieurs couches de matériau getter, cette ou ces couches pouvant être à base d'un ou plusieurs matériaux getter différents. 5 Le substrat peut être avantageusement à base d'au moins un matériau thermiquement isolant tel que du verre, améliorant ainsi l'isolation thermique entre le substrat et le matériau getter. Dans une variante, le substrat peut également être à base d'autres matériaux tels que du silicium, du covar, etc. Lorsqu'au moins une partie du support est à base d'un matériau conducteur, tel que du silicium dopé, un isolant électrique peut alors être disposé entre le support et d'éventuels autres matériaux conducteurs destinés à être en contact avec le support. Le support peut être au moins en partie à base d'un matériau getter. Le support peut comporter au moins un espaceur disposé entre la couche de matériau getter et le substrat. Le support peut comporter au moins une couche structurée à base d'au moins un matériau résistif et au moins un espaceur disposé entre la couche résistive et le substrat, la couche de matériau getter pouvant être disposée contre la couche résistive. Ainsi, en plus de réaliser une isolation thermique entre le substrat et le matériau getter, la couche résistive permet de réaliser une activation thermique par effet Joule du matériau getter en faisant passer un courant à travers ce matériau résistif. De manière avantageuse, la couche résistive peut être à 6 base de tungstène. Toutefois, cette couche résistive peut également être à base d'or, de molybdène, ou tout autre matériau adapté à une activation thermique par effet Joule du matériau getter. Il est également possible d'intégrer une couche barrière, par exemple à base de Pt ou de WN, entre la couche résistive et la couche de matériau getter, permettant ainsi d'éviter une éventuelle diffusion du matériau getter. Dans le cas de l'utilisation d'une couche résistive, l'espaceur peut être à base du matériau résistif. De plus, le motif de structuration de la couche résistive peut être un serpentin. On entend par serpentin, ici et dans tout le reste du document, une 15 ligne continue coudée plusieurs fois en forme d'épingles successives. Ce motif peut également former une ligne continue enroulée en spirale. Une couche du matériau résistif structurée selon ce motif permet notamment de réaliser une bonne résistance chauffante. 20 Une grande partie de la surface de la couche de matériau getter qui est en contact avec le matériau résistif est alors chauffée. La couche de matériau getter peut être structurée selon un motif sensiblement similaire à 25 celui de la couche résistive. Dans une variante, la couche de matériau résistif peut être réalisée au-dessus de la couche de matériau getter, la couche de matériau getter étant disposée entre le substrat, ou le support, et la couche 30 résistive. 10 7 Dans une autre variante, le rôle de couche résistive peut également être rempli par la couche de matériau getter elle-même. Dans ce cas, l'activation thermique par effet Joule peut se faire en faisant passer un courant directement dans la ou les couches de matériau getter. L'espaceur peut comporter, dans un plan parallèle au plan de la face principale de la couche de matériau getter, une section dont la surface peut être comprise entre environ 4 pm' et 25 pm'. Cette surface est de préférence minimisée afin de limiter le pont thermique entre la couche de matériau getter et le substrat, et donc les pertes thermiques. Toutefois, la valeur de cette surface peut dépendre notamment de la filière technologique de la réalisation de la structure getter, qui peut imposer une surface minimum. De plus, la valeur de cette surface dépend également de la tenue mécanique nécessaire pour réaliser cette structure et former de bons ancrages du matériau getter : par exemple, si des déformations des parties suspendues apparaissent par effet de gradients de contraintes ou par effet de flambage, une surface suffisante sera choisie pour que ces déformations ne créées pas de nouveaux ponts thermiques ou ne viennent pas occuper un espace non désiré. Une section de surface comprise entre environ 4 pm' et 25 pm' peut correspondre à la filière technologique MEMS avec une optimisation de la surface suspendue du matériau getter par rapport à la section des espaceurs. De plus, lorsque le support comporte une pluralité d'espaceurs, deux espaceurs voisins peuvent 8 être séparés l'un de l'autre d'une distance comprise entre environ 20 pm et 50 pm, offrant ainsi un bon compromis entre isolation thermique et tenue mécanique. Cette distance est particulièrement intéressante lorsque la structure comporte une couche résistive d'épaisseur comprise entre environ 0,5 }gym et 2 }gym. Le support peut comporter une paroi périphérique d'une cavité disposée entre la couche de matériau getter et le substrat. La structure peut comporter en outre au moins une ouverture réalisée à travers la couche de matériau getter, pouvant former un accès à la cavité. Les parois internes de la cavité formées par le matériau getter peuvent donc former également des surfaces absorbantes d'espèces gazeuses. La structure peut comporter en outre une couche d'isolation thermique et/ou une couche d'adhérence disposée entre le support et la couche de matériau getter et/ou entre le support et le substrat. La couche d'isolation thermique peut être à base d'un oxyde de semi-conducteur et/ou la couche d'adhérence peut être à base de titane et/ou de chrome et/ou de zirconium, ou tout autre matériau adapté pour former ces couches. Le substrat peut être à base d'au moins un matériau transparent à au moins une longueur d'onde pouvant être absorbée par le matériau getter. Ainsi, on peut réaliser une activation thermique du matériau getter par l'intermédiaire de faisceaux lumineux tels que des faisceaux laser ou un rayonnement infrarouge traversant le substrat. 9 La présente invention concerne également un système microélectronique comportant au moins une cavité délimitée par des parois et dans laquelle est disposé au moins un dispositif microélectronique, au moins une paroi de la cavité étant formée par une structure getter telle que décrite précédemment, la couche de matériau getter de la structure getter étant disposée dans la cavité. Le dispositif microélectronique peut comporter au moins un MEMS et/ou un NEMS. L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'une structure getter comportant au moins la réalisation d'un support reliant mécaniquement une couche à base d'au moins un matériau getter à un substrat, la surface du support en contact avec le substrat étant inférieure à la surface d'une face principale de la couche de matériau getter en contact avec le support. L'invention a également pour objet un 20 procédé de réalisation d'une structure getter, comportant au moins les étapes de : dépôt d'une couche sacrificielle sur un substrat ; - dépôt d'un matériau getter, formant au 25 moins une couche à base du matériau getter telle que la couche sacrificielle soit disposée entre la couche de matériau getter et le substrat ; - suppression d'au moins une partie de la couche sacrificielle, formant un support reliant 30 mécaniquement la couche de matériau getter au substrat, la surface du support en contact avec le substrat étant 10 inférieure à la surface d'une face principale de la couche de matériau getter en contact avec le support. Le dépôt du matériau getter peut également être réalisé autour de la couche sacrificielle, le matériau getter déposé autour de la couche sacrificielle pouvant former au moins une partie du support. Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle et l'étape de dépôt du matériau getter, une étape de réalisation d'au moins une ouverture à travers la couche sacrificielle, le dépôt du matériau getter pouvant être également réalisé dans l'ouverture, le matériau getter déposé dans l'ouverture pouvant former au moins une partie du support. Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de dépôt du matériau getter et l'étape de suppression de la partie de la couche sacrificielle, une étape de réalisation d'au moins une ouverture à travers le matériau getter, pouvant former un accès à la couche sacrificielle, la suppression de la partie de la couche sacrificielle pouvant être réalisée au moins par l'intermédiaire de cette ouverture. La réalisation de l'ouverture à travers la couche sacrificielle et/ou la réalisation de l'ouverture à travers le matériau getter peuvent être obtenues par au moins une étape de lithographie et une étape de gravure. La ou les parties restantes de la couche 30 sacrificielle peuvent former, après l'étape de 11 suppression d'une partie de la couche sacrificielle, au moins une partie du support. Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle et l'étape dépôt du matériau getter, une étape de structuration de la couche sacrificielle. Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de dépôt du matériau getter et l'étape de suppression d'une partie de la couche sacrificielle, une étape de structuration de la couche de matériau getter. Le procédé peut comporter en outre au moins une étape de dépôt d'une couche à base d'au moins un matériau résistif sur la couche sacrificielle ou sur la couche de matériau getter, mise en oeuvre entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle et l'étape de dépôt du matériau getter ou entre l'étape de dépôt du matériau getter et l'étape de suppression d'une partie de la couche sacrificielle, la couche de matériau getter pouvant être disposée sur ou sous la couche résistive. Le procédé peut comporter en outre, après l'étape de dépôt de la couche résistive, une étape de structuration de la couche résistive et/ou une étape de réalisation d'ouvertures à travers la couche résistive. Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d'une couche barrière, par exemple à base de Pt ou de WN, disposée entre la couche résistive et la couche de matériau getter. Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d'une couche d'isolation thermique et/ou 12 d'une couche d'adhérence sur le support, mise en oeuvre entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle et l'étape de dépôt du matériau getter, et/ou sur le substrat, mise en oeuvre avant l'étape de dépôt de la couche sacrificielle. Le dépôt du matériau getter peut être réalisé par évaporation et/ou pulvérisation. La suppression de la partie de la couche sacrificielle peut être réalisée par une étape de gravure plasma, par exemple dans le cas d'une couche sacrificielle à base de polymère, ou une gravure humide, par exemple dans le cas d'une couche sacrificielle à base d'un matériau métallique. Le procédé peut comporter en outre, après l'étape de dépôt du matériau getter, une étape de dépôt d'une couche protectrice sur le matériau getter, et une étape de suppression de la couche protectrice mise en oeuvre après l'étape de suppression d'une partie de la couche sacrificielle. L'invention concerne aussi un procédé de réalisation d'un système microélectronique, comportant au moins les étapes de : - mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une structure getter tel que décrit précédemment ; - fermeture d'une cavité délimitée par des parois, par exemple formée sur un substrat, et dans laquelle est disposé au moins un dispositif microélectronique, la structure getter formant une paroi de la cavité, la couche de matériau getter de la structure getter étant disposée dans la cavité. 13 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 à 4 représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure getter, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation, ainsi que les étapes d'un procédé de réalisation d'un système microélectronique, également objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier, - les figures 5 à 8 représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure getter, objet de la présente invention, selon un second mode de réalisation, - la figure 9 représente une structure getter, objet de la présente invention, selon une variante du premier mode de réalisation, - les figures 10 à 13 représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure getter, objet de la présente invention, selon un troisième mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une 14 échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord aux figures 1 à 4 qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure getter 100 selon un premier mode de réalisation, ainsi qu'un procédé de réalisation d'un système microélectronique 1000, selon un mode de réalisation particulier, comportant la structure getter 100. La structure getter 100 est réalisée à partir d'un substrat 102, par exemple à base de verre. Le substrat 102 pourrait également être à base d'un semi-conducteur tel que du silicium, et éventuellement être recouvert d'une couche à base d'oxyde ou de tout autre matériau apte à réaliser une isolation thermique du substrat 102. Comme représenté sur la figure 1, une couche sacrificielle 104, par exemple à base d'une résine, d'un polymère tel qu'une résine photosensible, ou d'un métal tel que du cuivre ou de l'aluminium, est déposée sur le substrat 102. Tout autre matériau sacrificiel peut être utilisé pour former la couche sacrificielle 104, par exemple un oxyde. De manière générale, la couche sacrificielle 104 peut avoir une épaisseur comprise entre environ 1 pm et 10 pm. L'utilisation de résine permet notamment de réaliser 15 une couche sacrificielle 104 de forte épaisseur. De plus, lorsque la couche sacrificielle 104 est à base de résine, il peut être avantageux de réaliser un fluage thermique de cette couche sacrificielle 104, permettant ainsi d'adoucir les passages de marches de cette couche et donc d'améliorer la tenue mécanique de la couche de matériau getter déposée ultérieurement sur cette couche sacrificielle 104. Il est également possible de réaliser un étuvage de la couche sacrificielle lorsque celle-ci est à base de résine. La couche sacrificielle 104 est ensuite structurée, par exemple par lithographie et éventuellement gravure, pour recevoir le dépôt d'une couche à base d'au moins un matériau getter. Des ouvertures 106 sont notamment réalisées à travers cette couche sacrificielle 104. Sur la figure 1, une seule ouverture 106 est représentée. Comme on peut le voir sur la figure 2, un matériau getter est ensuite déposé sur la couche sacrificielle 104. Il est possible de déposer préalablement une sous-couche de protection, par exemple à base de cuivre et/ou de chrome, sur la couche sacrificielle 104, la couche de matériau getter étant ensuite déposée sur cette sous-couche de protection. Dans ce premier mode de réalisation, le matériau getter est du titane, par exemple déposé par évaporation ou pulvérisation, ou toute autre technique de dépôt appropriée. Dans une variante, le matériau getter peut être à base de chrome et/ou de titane et/ou de zirconium et/ou d'un alliage de ces matériaux, et/ou de 16 tout autre matériau présentant des propriétés d'absorption et/ou d'adsorption de molécules gazeuses. Le matériau getter déposé forme notamment au-dessus de la couche sacrificielle 104 une couche 108 de matériau getter. De manière générale, l'épaisseur de la couche 108 de matériau getter peut être comprise entre environ 0,2 pm et 2 pm. Le matériau getter est également déposé sur le substrat 102, autour de la couche sacrificielle 104, formant une paroi périphérique 110 sur laquelle repose la couche 108. La paroi périphérique 110 est ici formée par une portion continue de matériau getter, mais elle pourrait également être formée par plusieurs portions de matériau getter séparées les unes des autres, pouvant ainsi former des piliers. Enfin, le matériau getter est également déposé dans les ouvertures 106, formant ainsi des espaceurs 112, ou piliers de soutien, entre la couche 108 de matériau getter et le substrat 102. Sur l'exemple de la figure 2, un seul espaceur 112 est représenté. La paroi périphérique 110 et les espaceurs 112 forment donc un support sur lequel repose la couche 108 de matériau getter. La couche 108 de matériau getter est ensuite structurée par des étapes de lithographie et de gravure, formant notamment des ouvertures 114 permettant d'accéder à la couche sacrificielle 104. Si la structure comporte une sous-couche de protection disposée sous la couche de matériau getter, les ouvertures 114 sont également réalisées à travers cette sous-couche de protection. 17 On réalise enfin une gravure sélective de la couche sacrificielle 104 par l'intermédiaire des ouvertures 114 réalisées précédemment à travers la couche de matériau getter 108 (voir figure 3). Dans le cas d'une couche sacrificielle à base d'un matériau polymère, la gravure est préférentiellement du type plasma ozone. Cette gravure forme sous la couche 108 une cavité 116 délimitée notamment par la paroi périphérique 110. On obtient donc une couche 108 de matériau getter qui n'est pas en contact direct avec le substrat 102, mais qui est reliée mécaniquement à celui-ci par l'intermédiaire d'un support formé ici par la paroi périphérique 110 et les espaceurs 112 également à base du matériau getter. Ces espaceurs 112 peuvent avoir une section de forme quelconque, ou de forme géométrique, dont les dimensions (diamètre, côtés, ...) sont par exemple comprises entre environ 2 pm et 5 pm. Donc, dans un plan parallèle au plan d'une face principale de la couche 108 de matériau getter en contact avec la paroi périphérique 110 et les espaceurs 112, les espaceurs 112 peuvent avoir une section dont la surface est comprise entre environ 4 pm' et 25 pm'. De plus, la distance séparant deux espaceurs 112 voisins est par exemple comprise entre environ 20 pm et 50 pm, assurant ainsi une bonne tenue mécanique de la couche 108 vis-à-vis d'éventuels risques de flambage de cette couche 108 entre les espaceurs 112. De manière générale, la couche sacrificielle 104 peut être à base de tout matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport au 18 matériau getter et/ou au (x) matériau (x) de la sous-couche de protection. L'épaisseur de cette couche sacrificielle 104 est avantageusement proportionnelle, dans le cas de passages de marche importants, à l'épaisseur de la couche 108 de matériau getter souhaitée afin de ne pas former une couche trop fine ou trop épaisse de matériau getter, pour avoir une bonne tenue mécanique après l'élimination de la couche sacrificielle. Par exemple, pour une couche 108 de matériau getter dont l'épaisseur est comprise entre environ 1 pm et 2 pm, la couche sacrificielle 104 peut avoir une épaisseur comprise entre environ 0,5 pm et 1 pm. Comme représenté sur la figure 4, on intègre la structure getter 100 sur un substrat 1002 comportant une cavité 1004 dans laquelle est disposé un dispositif microélectronique 1006 tel qu'un MEMS ou un NEMS. La structure getter 100 forme une paroi supérieure de la cavité 1004. La couche 108 de matériau getter est donc suspendue dans la cavité 1004 par l'intermédiaire du support formé par la paroi périphérique 110 et les espaceurs 112. Sur la figure 4, le substrat 102 est relié à des parois latérales 1008 de la cavité 1004 par scellement de verre fondu (� glass frit �). Il est également possible d'envisager une configuration associée à un scellement anodique ou un collage moléculaire. Lorsque le substrat 102 est à base de verre et que les parois 1008 sont à base de silicium, on réalise de préférence un scellement anodique offrant une bonne herméticité pour la tenue au vide à l'intérieur de la cavité 1004. 19 On réalise ensuite l'activation thermique du matériau getter de la structure 100, c'est-à-dire ici de la couche 108 ainsi que du support formé par la paroi périphérique 110 et les espaceurs 112. Sur l'exemple de la figure 4, l'activation thermique est réalisée par l'intermédiaire d'une source laser dont les faisceaux 1010 sont représentés. Dans ce premier mode de réalisation, le substrat 102 est transparent, au moins localement au niveau du matériau getter, à la longueur d'onde des faisceaux 1010. Ainsi, l'énergie apportée par ces faisceaux est absorbée par le matériau getter de la structure 100 présent dans la cavité 1004. L'activation thermique peut également être réalisée par un rayonnement infrarouge, par exemple de longueur d'onde À = 1 pm. Dans ce cas, lorsque la couche 108 de matériau getter a une épaisseur supérieure à environ 0,1 pm, celle-ci absorbe environ 45 % de l'énergie lumineuse. La puissance de la lampe utilisée pour réaliser cette activation thermique est donc fonction des dimensions et de la conductivité thermique des matériaux de la couche de matériau getter, des espaceurs et de la paroi périphérique, ainsi que de l'espacement entre les espaceurs, c'est-à-dire de la densité des espaceurs supportant la couche 108 de matériau getter, et de la conductivité thermique du substrat. Par exemple, pour des espaceurs dont le pont thermique formé par chacun est égale à environ 25 pW/K (cas d'un substrat de silicium avec une couche d'isolation thermique à base d'oxyde de 1 um), et dont la densité de répartition est égale à environ 40000 espaceurs/cm', une lampe de 700 W/cm' peut être 20 utilisée pour chauffer le matériau getter à une température de l'ordre de 300°C. Une lampe moins puissante peut être utilisée lorsque l'on réduit la densité des espaceurs et/ou la conductivité thermique des espaceurs et/ou de la paroi périphérique, et/ou si l'on réduit fortement la conductivité thermique du substrat, par exemple en utilisant un substrat de verre à la place d'un substrat de silicium. Cette activation thermique permet au matériau getter de réaliser une absorption des molécules gazeuses présentes dans la cavité 1004, et donc de réaliser par exemple dans cette cavité 1004 un vide poussé. Cette activation thermique du matériau getter peut être réalisée pendant ou après l'assemblage de la structure 100 aux parois latérales 1008. La température d'activation thermique dépend notamment de la nature chimique du matériau getter ou de la composition de l'alliage formant le matériau getter. Cette température peut être comprise entre environ 200°C et 500°C, et être maintenue par exemple pendant quelques minutes, ou une ou plusieurs heures pour réaliser l'activation thermique. Il est également possible de réaliser une activation thermique par effet joule en faisant passer un courant directement dans le matériau getter lorsque la conductivité thermique de celui-ci est suffisante. Par rapport à une simple couche de matériau getter déposée sur une paroi de la cavité 1004, cette structure 100 à couche 108 de matériau getter suspendue permet d'offrir une grande surface d'absorption grâce aux parois de matériau getter de la cavité 116 qui sont 21 également en contact avec l'environnement gazeux de la cavité 1004. Dans une variante du premier mode de réalisation décrit ci-dessus, il est possible que du matériau getter ne soit pas déposé autour de la couche sacrificielle 104, ne formant pas de paroi périphérique soutenant la couche de matériau getter 108. Ainsi, la couche de matériau getter 108 est soutenue uniquement par les espaceurs 112 formés par le matériau getter déposé dans les ouvertures 106 à travers la couche sacrificielle 104. Il est également possible qu'une couche de protection du matériau getter soit déposée sur la couche 108 et éventuellement sur la paroi périphérique 110 durant le procédé de réalisation de la structure 100. Ainsi, on minimise les risques de contamination, d'oxydation et d'absorption gazeuse possibles du matériau getter avant le confinement du matériau getter dans la cavité 1004. Cette couche de protection peut par exemple être à base de chrome et/ou de cuivre. Cette couche de protection peut avoir une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 500 nm. Cette couche de protection est supprimée avant que la structure getter ne soit utilisée pour fermée la cavité 1004, par exemple par gravure chimique sélective. Toutefois, si cette couche de protection sert également de barrière à l'effet getter, cette couche peut être alors à base de métal, d'oxyde ou encore de nitrure. Il est également possible d'utiliser une 30 sous-couche de protection déposée entre la couche sacrificielle et la couche de matériau getter pouvant 22 ne pas faire barrière à l'effet getter. Ainsi, la face arrière de la couche getter et la sous-couche en regard avec la cavité peuvent avoir une fonction getter. Cette couche de protection peut être conservée ou éliminée, entièrement ou seulement en partie. La figure 9 représente la structure getter 100 selon une variante de réalisation. Par rapport à la structure getter représentée sur la figure 3, la structure getter 100 selon cette variante de réalisation comporte une sous-couche de protection 103, par exemple à base de chrome et/ou de cuivre, déposée sur la couche sacrificielle 104 préalablement au dépôt de la couche 108 de matériau getter. De plus, cette structure 100 comporte également une couche de protection 105 déposée sur la couche 108 de matériau getter, pouvant également être à base de chrome et/ou de cuivre. Les ouvertures 114 ont été réalisées à travers la couche 108 de matériau getter, ainsi qu'à travers la couche de protection 105 et la sous-couche de protection 103. Enfin, dans cette variante de réalisation, les portions de la couche sacrificielle 104 ont été conservées. On se réfère maintenant aux figures 5 à 8 qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure getter 200 selon un second mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 5, la structure getter 200 comporte le substrat 102, par exemple similaire à celui décrit en liaison avec le premier mode de réalisation, sur lequel est formée la 23 couche sacrificielle 104, également similaire à celle décrite précédemment. Une couche d'adhérence 202 est ensuite déposée sur la couche sacrificielle 104 (voir figure 6). Cette couche d'adhérence 202 peut être à base de titane et/ou de zirconium et/ou de chrome. En fonction du matériau choisi pour réaliser cette couche d'adhérence 202, elle peut avoir des propriétés absorbantes vis-à-vis d'espèces gazeuses. L'épaisseur de cette couche d'adhérence 202 peut être comprise entre environ 5 nm et 100 nm. Comme représenté sur la figure 7, on dépose ensuite sur la couche d'adhérence 202 un matériau getter, formant une couche 108 par exemple similaire à celle décrite précédemment en liaison avec le premier mode de réalisation. Cette couche 108 est ensuite structurée, formant ainsi des ouvertures 114 à travers cette couche 108. La couche d'adhérence 202 permet d'améliorer l'accroche du matériau getter à la couche sacrificielle 104. On réalise ensuite une gravure de la couche sacrificielle 104 et de la couche d'adhérence 202, notamment à travers les ouvertures 114 formées dans la couche 108 de matériau getter. Les portions restantes de la couche sacrificielle 104 forment ainsi des espaceurs 204, sur lesquels sont disposées les portions restantes de la couche d'adhérence 202, formant des espaceurs 206. Comme dans le premier mode de réalisation décrit précédemment, on obtient donc une couche 108 de matériau getter qui n'est pas en contact thermique 24 direct avec le substrat 102, mais est reliée à celui-ci par l'intermédiaire d'un support formé ici par les espaceurs 204 à base du matériau de la couche sacrificielle 104. La géométrie et la répartition des espaceurs 204, 206 peuvent être similaires à celles des espaceurs 112 décrits précédemment. Comme précédemment, la structure getter 200 est ensuite intégrée sur un substrat comportant une cavité dans laquelle est disposé un dispositif microélectronique, formant une paroi de la cavité. Le matériau getter de la structure 200, c'est-à-dire ici la couche 108, est également activé thermiquement. De plus, cette structure de matériau getter suspendue permet d'offrir une plus grande surface d'absorption par rapport aux structures getter de l'art antérieur car seules les surfaces de la couche 108 en contact avec les espaceurs 206 ne font pas parties de la surface totale d'absorption de la couche 108 de matériau getter. On se réfère aux figures 9 à 12 qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une structure getter 300 selon un troisième mode de réalisation. La structure getter 300 comporte un substrat 302 à base de silicium, sur lequel est formée une couche d'oxyde de silicium 304 réalisant une couche d'isolation thermique autour du substrat 302 (figure 9). Comme dans le premier mode de réalisation, une couche sacrificielle 104 est formée sur la couche d'oxyde 304 et structurée, formant ainsi des ouvertures à travers cette couche 104. Un matériau destiné à 25 servir de matériau chauffant, par exemple du tungstène ou tout autre matériau approprié, est déposé sur la couche sacrificielle 104, formant ainsi une couche 308. Comme représenté sur la figure 10, ce dépôt de matériau chauffant est structuré selon un motif de � serpentin �, c'est-à-dire formant une ligne continue coudée plusieurs fois en forme d'épingles successives. Dans une variante, ce motif pourrait également former une ligne continue enroulée en spirale. Une telle structuration permet à la couche 308 de réaliser une bonne résistance chauffante. Les portions du matériau chauffant déposées à côté de la couche sacrificielle 104 forment une paroi périphérique 310, et le matériau chauffant déposé dans les ouvertures formées à travers la couche sacrificielle 104 forme des espaceurs 312 soutenant la couche 308 formée par le matériau chauffant déposé au-dessus de la couche sacrificielle 104. Il est également possible que la paroi périphérique 310 ne soit pas présente, la couche 308 étant alors soutenue uniquement par les espaceurs 312. Comme représenté sur la figure 11, une couche 108 de matériau getter est déposée sur la couche 308 de matériau chauffant. La couche 108 est également structurée de manière à former des ouvertures 114 à travers la couche 108 de matériau getter, formant un accès à la couche sacrificielle 104 par l'intermédiaire des ouvertures 306 formées à travers la couche de matériau chauffant 308. La couche 108 de matériau getter est donc ici isolée du substrat 302 et supportée par le support formé par la couche 308, la paroi périphérique 310 et 26 les espaceurs 312 de matériau chauffant. La densité des espaceurs 312 et/ou les dimensions de ces piliers 312 sont adaptées aux contraintes mécaniques supplémentaires apportées par la présence de la couche 308 de matériau chauffant en plus de la couche 108 de matériau getter. La couche sacrificielle 104 est ensuite supprimée, par exemple par une gravure à travers les ouvertures 306 et les ouvertures 114, libérant ainsi la structure formée par le matériau chauffant et le matériau getter. On obtient ainsi une cavité 316 formée sous la couche 308 et dans laquelle sont disposés les espaceurs 312. La paroi périphérique 310 délimite ici la cavité 316. Comme dans les modes de réalisation précédents, la structure getter 300 est ensuite intégrée sur un substrat comportant une cavité dans laquelle est disposé un dispositif microélectronique, formant ainsi une paroi de la cavité. Le matériau getter de la structure 300, c'est-à-dire ici la couche 308, est également activé thermiquement en faisant passer un courant à travers la couche 308 de matériau chauffant. Un ou plusieurs contacts peuvent notamment être réalisés à travers un via formé dans le substrat 302 pour contacter le matériau chauffant afin de pouvoir amener le courant dans la couche 308 de matériau chauffant. REVENDICATIONS1. Structure getter (100, 200, 300) comportant un substrat (102, 302) et au moins une couche (108) à base d'au moins un matériau getter reliée mécaniquement au substrat (102, 302) par l'intermédiaire d'au moins un support (110, 112, 204, 308, 310, 312), la surface du support (110, 112, 204, 308, 310, 312) en contact avec le substrat (102, 302) étant inférieure à la surface d'une face principale de la couche (108) de matériau getter en contact avec le support (110, 112, 204, 308, 310, 312). 2. Structure (100, 200) selon la revendication 1, le substrat (102) étant à base de verre. 3. Structure (100, 200, 300) selon l'une des revendications précédentes, la couche (108) à base du matériau getter ayant une épaisseur comprise entre environ 0,2 pm et 2 pm. 4. Structure (100, 200, 300) selon l'une des revendications précédentes, le matériau getter étant à base de titane et/ou de zirconium et/ou d'hafnium. 5. Structure (100) selon l'une des revendications précédentes, le support (110, 112) étant au moins en partie à base d'un matériau getter. 28 6. Structure (100, 200, 300) selon l'une des revendications précédentes, le support comportant au moins un espaceur (112, 204, 312) disposé entre la couche (108) de matériau getter et le substrat (102, 302). 7. Structure (300) selon l'une des revendications 1 à 5, le support comportant au moins une couche structurée (308) à base d'au moins un matériau résistif et au moins un espaceur (312) disposé entre la couche résistive (308) et le substrat (302), la couche (108) de matériau getter étant disposée contre la couche résistive (308). 8. Structure (300) selon la revendication 7, l'espaceur (312) étant à base du matériau résistif. 9. Structure (300) selon l'une des revendications 7 ou 8, le motif de structuration de la couche résistive (308) étant un serpentin. 10. Structure (300) selon l'une des revendications 7 à 9, la couche (108) de matériau getter étant structurée selon un motif sensiblement similaire à celui de la couche résistive (308). 11. Structure (100, 200, 300) selon l'une des revendications 6 à 10, l'espaceur (112, 204, 312) comportant, dans un plan parallèle au plan de la face principale de la couche (108) de matériau getter, une 29 section dont la surface est comprise entre environ 4 pm' et 25 pm'. 12. Structure (100, 200, 300) selon l'une des revendications 6 à 11, dans laquelle, lorsque le support comporte une pluralité d'espaceurs (112, 204, 312), deux espaceurs voisins étant séparés l'un de l'autre d'une distance comprise entre environ 20 pm et 50 pm. 13. Structure (100, 300) selon l'une des revendications précédentes, le support comportant une paroi périphérique (110, 310) d'une cavité (116, 316) disposée entre la couche (108) de matériau getter et le substrat (102, 302). 14. Structure (100, 300) selon la revendication 13, comportant en outre au moins une ouverture (114) réalisée à travers la couche (108) de matériau getter, formant un accès à la cavité (116, 316). 15. Structure (200, 300) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une couche d'isolation thermique (304) et/ou une couche d'adhérence (202) disposées entre le support (204) et la couche (108) de matériau getter et/ou entre le support (308, 310, 312) et le substrat (302). 16. Structure (200, 300) selon la revendication 15, la couche d'isolation thermique (304) 30 étant à base d'un oxyde de semi-conducteur et/ou la couche d'adhérence (202) étant à base de titane et/ou de chrome et/ou de zirconium. 17. Structure (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, le substrat (102) étant à base d'au moins un matériau transparent à au moins une longueur d'onde pouvant être absorbée par le matériau getter. 18. Système microélectronique (1000) comportant au moins une cavité (1004) délimitée par des parois (100, 1008, 1002) et dans laquelle est disposé au moins un dispositif microélectronique (1006), au moins une paroi de la cavité (1004) étant formée par une structure getter (100) selon l'une des revendications 1 à 17, la couche (108) de matériau getter de la structure getter (100) étant disposée dans la cavité (1004). 19. Système (1000) selon la revendication 18, le dispositif microélectronique (1006) comportant au moins un MEMS et/ou un NEMS. 20. Procédé de réalisation d'une structure getter (100, 200, 300), comportant au moins les étapes de . - dépôt d'une couche sacrificielle (104) sur un substrat (102, 302) ; - dépôt d'un matériau getter, formant au moins une couche (108) à base du matériau getter telle 31 que la couche sacrificielle (104) soit disposée entre la couche (108) de matériau getter et le substrat (102, 302) ; - suppression d'au moins une partie de la couche sacrificielle (104), formant un support (110, 112, 204, 308, 310, 312) reliant mécaniquement la couche (108) de matériau getter au substrat (102, 302), la surface du support (110, 112, 204, 308, 310, 312) en contact avec le substrat (102, 302) étant inférieure à la surface d'une face principale de la couche (108) de matériau getter en contact avec le support (110, 112, 204, 308, 310, 312). 21. Procédé selon la revendication 20, le dépôt du matériau getter étant également réalisé autour de la couche sacrificielle (104), le matériau getter déposé autour de la couche sacrificielle (104) formant au moins une partie du support (110, 310). 22. Procédé selon l'une des revendications 20 ou 21, comportant en outre, entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle (104) et l'étape de dépôt du matériau getter, une étape de réalisation d'au moins une ouverture (106) à travers la couche sacrificielle (104), le dépôt du matériau getter étant également réalisé dans l'ouverture (106), le matériau getter déposé dans l'ouverture (106) formant au moins une partie du support (112, 312). 23. Procédé selon l'une des revendications 20 à 22, comportant en outre, entre l'étape de dépôt du 32 matériau getter et l'étape de suppression de la partie de la couche sacrificielle (104), une étape de réalisation d'au moins une ouverture (114) à travers le matériau getter, formant un accès à la couche sacrificielle (114), la suppression de la partie de la couche sacrificielle (114) étant réalisée au moins par l'intermédiaire de cette ouverture (114). 24. Procédé selon l'une des revendications 22 ou 23, la réalisation de l'ouverture (106) à travers la couche sacrificielle (104) et/ou la réalisation de l'ouverture (114) à travers le matériau getter étant obtenue par au moins une étape de lithographie et une étape de gravure. 25. Procédé selon l'une des revendications 20 à 24, la ou les parties restantes (204) de la couche sacrificielle (104) formant, après l'étape de suppression d'une partie de la couche sacrificielle (104), au moins une partie du support. 26. Procédé selon l'une des revendications 20 à 25, comportant en outre, entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle (104) et l'étape dépôt du matériau getter, une étape de structuration de la couche sacrificielle (104). 27. Procédé selon l'une des revendications 20 à 26, comportant en outre, entre l'étape de dépôt du matériau getter et l'étape de suppression d'une partie 33 de la couche sacrificielle (104), une étape de structuration de la couche (108) de matériau getter. 28. Procédé selon l'une des revendications 20 à 27, comportant en outre au moins une étape de dépôt d'une couche (308) à base d'au moins un matériau résistif sur la couche sacrificielle (104) ou sur la couche (108) de matériau getter, mise en oeuvre entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle (104) et l'étape de dépôt du matériau getter ou entre l'étape de dépôt du matériau getter et l'étape de suppression d'une partie de la couche sacrificielle (104), la couche (108) de matériau getter étant disposée sur ou sous la couche résistive (308). 29. Procédé selon la revendication 28, comportant en outre, après l'étape de dépôt de la couche résistive (308), une étape de structuration de la couche résistive (308) et/ou une étape de réalisation d'ouvertures (306) à travers la couche résistive (308). 30. Procédé selon l'une des revendications 20 à 29, comportant en outre une étape de dépôt d'une couche d'isolation thermique (304) et/ou d'une couche d'adhérence (202) sur le support (204), mise en oeuvre entre l'étape de dépôt de la couche sacrificielle (104) et l'étape de dépôt du matériau getter, et/ou sur le substrat (302), mise en oeuvre avant l'étape de dépôt de la couche sacrificielle (104). 34 31. Procédé selon l'une des revendications 20 à 30, le dépôt du matériau getter étant réalisé par évaporation et/ou pulvérisation. 32. Procédé selon l'une des revendications 20 à 31, la suppression de la partie de la couche sacrificielle (104) étant réalisée par une étape de gravure plasma ou de gravure humide. 33. Procédé selon l'une des revendications 20 à 32, comportant en outre, après l'étape de dépôt du matériau getter, une étape de dépôt d'une couche protectrice sur le matériau getter, et une étape de suppression de la couche protectrice mise en oeuvre après l'étape de suppression d'une partie de la couche sacrificielle (104). 34. Procédé de réalisation d'un système microélectronique (1000), comportant au moins les étapes de : - mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une structure getter (100) selon l'une des revendications 20 à 33, - fermeture d'une cavité (1004) délimitée par des parois (100, 1002, 1008) dans laquelle est disposé au moins un dispositif microélectronique (1006), la structure getter (100) formant une paroi de la cavité (1004), la couche (108) de matériau getter de la structure getter (100) étant disposée dans la cavité (1004).