Brevet FR2935195A1 — publié le 20100226

-GR3-184 LD-RI GRB07-2638FR Société Anonyme dite : STMicroelectronics SA et Société par Actions Simplifiée : STMicroelectronics (CROLLES 2) SAS Dispositif semi-conducteur à paires de plots Invention de : Eric SABOURET Yves SALMON Laurent HOAREAU Dispositif semiconducteur à paires de plots La présente invention concerne le domaine des dispositifs semi-conducteurs à circuits intégrés. Dans de tels dispositifs, il est habituel de réaliser, dans une dernière couche, des vias de connexion électrique extérieure alignés et disposés selon un pas déterminé et de réaliser des plots extérieurs rectangulaires de connexion électrique, formés au-dessus des vias pour y souder des fils de connexion électrique. Ces plots rectangulaires de connexion électrique sont disposés les uns à côté des autres selon la direction du pas et présentent entre eux un espace d'isolement qui s'étend perpendiculairement à la direction du pas. Dans certains cas, les plots rectangulaires de connexion électrique sont allongés dans une direction perpendiculaire à la direction du pas de façon à disposer d'un endroit permettant de placer des pointes de test en contact avec eux, à côté des fils de connexion électrique, de telle sorte que les points de contact des pointes de test et les soudures des fils de connexion électrique sont alignés perpendiculairement à la direction du pas. Une telle disposition limite les possibilités de réduction du pas car pour une section déterminée des fils de connexion électrique, il faut pouvoir disposer d'une surface minimum sur les plots de connexion électrique pour la soudure, fixant une largeur minimum des plots, tout en laissant un endroit disponible pour placer les pointes de test. Selon un mode de réalisation, il est proposé un dispositif semi-conducteur à circuits intégrés qui peut comprendre des plots de connexion électrique extérieure sur une face et des vias de connexion électrique débouchant respectivement sous les plots. Les vias de connexion électrique peuvent être disposés selon un pas déterminé dans une direction déterminée et étant respectivement associés à des zones successives de ladite face qui s'étendent perpendiculairement à cette direction du pas. Les plots de connexion électrique peuvent être groupés par paires successives, les plots de chaque paire de plots de connexion électrique pouvant présenter entre eux un espace d'isolement tel que, perpendiculairement à la direction du pas, ces plots sont espacés, les plots de chaque paire de plots de connexion électrique pouvant s'étendre sur une paire de zones successives associées à deux vias successifs. Lesdites zones peuvent éventuellement être rectangulaires et voisines par leurs grands côtés. Ledit espace d'isolement peut éventuellement s'étendre principalement selon ladite direction du pas. Ledit espace d'isolement peut éventuellement présenter deux parties successives décalées perpendiculairement à ladite direction du pas. Les plots de connexion électrique desdites paires de plots peuvent éventuellement être symétriques par rapport au point de symétrie desdits paires de zones. Les bords périphériques des plots de connexion électrique de chaque paire de plots peuvent éventuellement correspondre substantiellement aux bords périphériques de chaque paire de zones. Les vias de connexion électrique (4a, 4b) de chaque paire de vias peuvent éventuellement être décalés perpendiculairement à ladite direction du pas. Un dispositif semi-conducteur à circuits intégrés particulier va maintenant être décrit à titre d'exemple non limitatif et illustré par le dessin sur lequel : - la figure 1 représente une vue de dessus d'un dispositif semi- conducteur avant formation de plots de connexion électrique extérieure : - la figure 2 représente une vue de dessus d'un dispositif semi-conducteur après formation de plots de connexion électrique extérieure ; - la figure 3 représente une coupe perpendiculaire à la direction du pas d'un dispositif semi-conducteur selon III-III de la figure 2 ; - et la figure 4 représente une coupe selon la direction du pas d'un dispositif semi-conducteur selon IV-IV de la figure 2. Le dispositif semi-conducteur 1 représenté comprend des plots de connexion électrique extérieure 2, formés sur une face 3a, et des vias de connexion électrique 4 formés dans une couche antérieure 3 et débouchant respectivement sous les plots de connexion électrique extérieure 2. Les vias de connexion électrique 4 appartiennent à un réseau intégré de connexion électrique permettant de relier sélectivement les plots de connexion électrique extérieure 2 à des contacts électriques de parties actives ou de composants électroniques intégrés non représentés. Comme le montre la figure 1, les vias de connexion électrique 4 sont disposés selon un pas déterminé P dans une direction déterminée D Sur la face 3a, aux vias de connexion électrique 4 peuvent être respectivement attribuées des zones arbitraires identiques 5 par exemple de formes rectangulaires et successives, voisines ou à faibles distances par leurs grands côtés qui s'étendent perpendiculairement à la direction du pas D, leurs petits côtés étant alignés, de telle sorte que les zones rectangulaires 5 sont aussi établies selon le pas P. Par exemple, les zones rectangulaires sont deux à trois fois plus longues que larges. Dans la direction du pas D, les vias de connexion électrique 4 peuvent être placées au milieu des zones rectangulaires 5, tandis que dans la direction perpendiculaire à la direction du pas D, les vias de connexion électrique 4 peuvent être alternativement décalés par rapport à l'axe de symétrie 6 des zones rectangulaires 5, cet axe de symétrie s'étendant selon la direction du pas D. Chaque via 4 peut être formé de plusieurs vias groupés. Les vias de connexion électrique 4 peuvent être groupés par paires successives 4a et 4b et les zones rectangulaires 5 peuvent être groupés par paires successives 5a et 5b associées. Comme le montre la figure 2, les plots de connexion électrique 2 peuvent être groupés par paires 2a et 2b de la manière suivante. Les plots de connexion électrique 2a et 2b présentent entre eux un faible espace d'isolement 7 de part et d'autre duquel, selon la direction du pas D, ces plots 2a et 2b sont formés, et s'étendent sur les deux zones rectangulaires 5a et 5b. Par exemple, l'espace d'isolement 7 s'étend principalement selon la direction du pas D et présente deux parties d'extrémité 7a et 7b situées de part et d'autre de l'axe de symétrie 6 et légèrement décalées par rapport à cet axe, et présente une courte partie centrale 7c de liaison entre ces parties d'extrémité 7a et 7b. Par exemple, les bords périphériques des plots de connexion électrique 2a et 2b correspondent substantiellement aux bords périphériques des paires de zones rectangulaires 5a et 5b. Ainsi, les plots de connexion électrique 2a et 2b peuvent s'étendre, selon la direction du pas D, sur toute la largeur déterminée entre les grands côtés opposés des zones rectangulaires 5a et 5b, en passant au-dessus de l'espace 8 séparant ces zones rectangulaires 2a et 2b, et s'étendent, perpendiculairement à la direction du pas D, entre l'espace d'isolement 7 et les petits côtés des zones rectangulaires 5a et 5b. De plus, les plots de connexion électrique 2a et 2b peuvent être symétriques par rapport au point de symétrie S des deux zones rectangulaires 5a et 5b prises ensemble. Comme le montre la figure 2, il est alors possible de disposer, sur les faces frontales des plots de connexion électrique 2a et 2b, de zones de soudage 9a et 9b approximativement circulaires, dont le diamètre est plus grand que la largeur des zones rectangulaires 5a et 5b, et de zones de contact l0a et l0b voisines des zones de soudage 9a et 9b dans la direction du pas D, les zones de soudage 9a et 9b étant adjacentes aux côtés les plus courts des plots de connexion électrique 2a et 2b, pris perpendiculairement à la direction du pas D. Les zones de soudage 9a et 9b sont destinées à recevoir des points de soudure de fils de connexion électrique extérieure du dispositif semiconducteur 1 et les zones de contact l0a et l0b sont destinées à recevoir par contact des pointes de contact par exemple d'appareils de tests. Ainsi, il peut être possible de réduire la valeur du pas P des vias de connexion électriques 4 sans devoir réduire la dimension des zones de soudure 9a et 9b. REVENDICATIONS1. Dispositif semi-conducteur à circuits intégrés, comprenant des plots de connexion électrique extérieure (2) sur une face (3a) et des vias de connexion électrique (4) débouchant respectivement sous lesdits plots ; les vias de connexion électrique étant disposés selon un pas déterminé dans une direction déterminée et étant respectivement associés à des zones successives (5a, 5b) de ladite face qui s'étendent perpendiculairement à cette direction du pas ; caractérisé par le fait que les plots de connexion électrique (2a, 2b) sont groupés par paires successives, les plots de chaque paire de plots de connexion électrique présentant entre eux un espace d'isolement (7) tel que, perpendiculairement à la direction du pas, ces plots (2a, 2b) sont espacés, les plots de chaque paire de plots de connexion électrique s'étendant sur une paire de zones successives associées à deux vias successifs. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel lesdites zones (5a, 5b) sont rectangulaires et voisines par leurs grands côtés. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel ledit espace d'isolement (7) s'étend principalement selon ladite direction du pas. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit espace d'isolement (7) présente deux parties successives (7a, 7b) décalées perpendiculairement à ladite direction du pas. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les plots de connexion électrique (5a, 5b) desdites paires de plots sont symétriques par rapport au point de symétrie (S) desdits paires de zones (5a, 5b). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les bords périphériques des plots de connexion électrique (5a, 5b) de chaque paire de plots correspondent substantiellement aux bords périphériques de chaque paire de zones (5a, 5b). 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les vias de connexion électrique (4a, 4b) de chaque paire de vias sont décalés perpendiculairement à ladite direction du pas.