Brevet FR2934714A1 — publié le 20100205

TRANSISTOR ORGANIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE D'UN TEL TRANSISTOR DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention a trait au domaine des transistors organiques, comme par exemple les transistors à film mince plus communément connus sous l'expression anglo-saxonne � OTFT � (pour � Organic thin film transistor �). 10 ETAT DE LA TECHNIQUE Sur la figure 1, il est représenté un transistor organique à film mince 10 selon l'état de la technique présentant une structure � grille haute û contact bas �. 15 Le transistor 10 comporte un substrat 12, sur lequel sont formés deux éléments conducteurs 14, 16 constituant respectivement le drain et la source du transistor 10. Une couche semi-conductrice 18 est déposée sur le drain 14 et la source 16, la couche semi-conductrice 18 étant elle-même recouverte par une couche de diélectrique 20, sur laquelle est formé un troisième élément conducteur 22, constituant la grille du transistor 10. 20 Comme cela est connu en soi, l'effet transistor est obtenu en appliquant une tension entre la grille 22 et le substrat 12 de manière à créer, dans la couche semi-conductrice 18, un canal de porteurs 23 entre le drain 14 et la source 16. Pour obtenir un canal 23 qui s'étende avec certitude du drain 14 à la source 16, la grille 22 recouvre partiellement 25 ceux-ci. Ainsi, la grille 22 présente une surface 24 en regard d'une surface 26 du drain 14 et une surface 28 en regard d'une surface 30 de la source 16. Toutefois, deux conducteurs ayant des surfaces en regard et séparés par une couche diélectrique forment une capacité. On observe ainsi que des capacités parasites existent 30 d'une part entre la grille 22 et le drain 14, et d'autre part entre la grille 22 et le drain 14 en raison des surfaces en regard 24 et 26 et des surfaces en regard 28 et 30. Pour diminuer de telles capacités parasites, la couche diélectrique 20 peut être constituée d'un diélectrique de faible permittivité électrique relative, ou diélectrique � low k �, 35 caractérisé par des valeurs de permittivité relative inférieure à 4.5 Or, plus un matériau présente une permittivité électrique relative faible, plus il est difficilement polarisable. De fait, la diminution de la permittivité de la couche diélectrique 20 s'accompagne d'une augmentation de la tension d'alimentation entre la grille 22 et le substrat 12 pour créer le canal de porteurs entre le drain 14 et la source 16. Augmenter la tension d'alimentation pose cependant des problèmes de coût et nécessite des transistors de plus grandes surfaces qui puissent supporter des tensions plus élevées. La réalisation de transistors organiques de grande surface nécessite usuellement la mise en oeuvre de techniques de fabrication par voie liquide ou d'impression. Or, ce type de techniques est généralement efficace avec des semi-conducteurs de type P, mais s'avère de mise en oeuvre difficile pour des conducteurs de type N, ce qui réduit d'emblée le type de transistors réalisables. Une autre solution consiste à diminuer l'épaisseur de la couche de diélectrique 20 afin de réduire les capacités parasites. Cependant la diminution de l'épaisseur de cette couche s'accompagne notamment d'une augmentation des courants de fuite et de l'instabilité électrique du transistor. En outre, en modifiant les propriétés globales de la couche diélectrique 20, notamment pour diminuer les capacités parasites, on modifie également la capacité de la région 32 de la couche diélectrique 20 agencée au dessus du canal 23. Or, cette capacité doit être élevée, notamment pour éviter des phénomènes d'hystérésis qui nuisent à la qualité du transistor 10. Pour pallier certains de ces inconvénients, il a été proposé, un transistor dont la permittivité diélectrique relative de la couche semi-conductrice varie en fonction de son épaisseur. Ce transistor 44, illustré à la figure 2, est analogue à celui décrit en relation avec la figure 1, à la différence que la couche diélectrique 20 comporte une première sous-couche 42 de diélectrique à forte permittivité diélectrique relative, ou matériau �high k �, du côté grille, et une seconde sous-couche 44 de diélectrique � low k �, du côté source et drain. Comme cela est connu en soi, un diélectrique � high k � est caractérisé par une permittivité diélectrique relative supérieure ou égale à 4, certains matériaux � high k � ayant une permittivité diélectrique relative pouvant aller jusqu'à 100, voire même au-delà. Un tel agencement permet de diminuer la tension d'alimentation du diélectrique et d'augmenter la capacité dans la région 32 mais ne règle pas de façon efficace le problème des capacités de fuite qui sont toujours présentes. EXPOSE DE L'INVENTION Le but de la présente invention est de résoudre les problèmes susmentionnés en proposant un transistor organique à film mince, qui permette une capacité élevée au dessus du canal, une tension d'alimentation et des capacités parasites réduites. A cet effet, l'invention a pour objet un transistor organique à film mince comportant : ^ un élément conducteur formant drain ; ^ un élément conducteur formant source espacé du drain ; ^ un élément conducteur formant grille présentant une surface en regard du drain et une 15 surface en regard de la source ; ^ une couche semi-conductrice au contact du drain et de la source ; et ^ une couche diélectrique agencée entre d'une part la grille et d'autre part la source et le drain, la couche diélectrique présentant une permittivité diélectrique variable en fonction de son épaisseur, 20 Selon l'invention : • la couche diélectrique comporte une couche d'un premier matériau diélectrique de permittivité diélectrique relative inférieure à quatre dans laquelle est formé, au moins entre lesdites surfaces en regard, un volume d'un second matériau, ledit volume ayant 25 une section globalement décroissante depuis la grille vers l'espace entre le drain et la source, • et la permittivité diélectrique relative du second matériau est supérieure à quatre. Il est entendu que dans le présent document une permittivité diélectrique relative est dite 30 faible lorsqu'elle est inférieure à 4 et élevée lorsqu'elle est supérieure à 4. Par � globalement �, on entend ici que la section du volume proche de la grille est supérieure à la section du volume proche de la région de la couche semi-conductrice entre le drain et la source dans laquelle se forme le canal de porteurs, la section du volume 35 pouvant décroitre de manière monotone ou non. En d'autres termes, la portion de diélectrique entre les surfaces en regard de la grille et de la source et la portion de diélectrique entre les surfaces en regard de la grille et du drain sont essentiellement constituées de diélectrique de faible valeur de permittivité diélectrique relative, réduisant de fait les capacités parasites. En outre, la portion de diélectrique entre la grille et le canal de porteurs se formant entre le drain et la source voit essentiellement du diélectrique ayant une valeur élevée de permittivité diélectrique relative. De fait, la capacité de cette portion de diélectrique est élevée, ce qui réduit les phénomènes d'hystérésis et permet de diminuer la tension entre la grille et le substrat nécessaire à la formation du canal de porteurs dans la couche semi-conductrice. Par ailleurs, la section globalement décroissante du volume du second matériau crée dans la couche diélectrique un gradient de permittivité diélectrique. Ce gradient de permittivité diélectrique permet d'augmenter les performances du transistor. On notera à cet égard que prévoir un volume de section constante au dessus de la région semi-conductrice dans laquelle se forme le canal de porteurs, comme un cylindre de matériau � high k � par exemple, ne permet pas d'obtenir un transistor fonctionnant de manière satisfaisante en raison de l'absence d'un tel gradient de permittivité relative. De préférence, la permittivité diélectrique relative du premier matériau est inférieur ou égale à deux, et la permittivité diélectrique relative du second matériau est supérieure ou égale à huit. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le volume présente une section 25 décroissante de manière monotone. Plus particulièrement, le volume est un volume de révolution, notamment conique, ou trapézoïdal. En d'autres termes, le gradient de permittivité diélectrique décroit de manière monotone en fonction de l'épaisseur de la couche de diélectrique, ce qui concentre les lignes de 30 champs électriques vers le canal de porteurs formé entre le drain et la source. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, la couche diélectrique comporte une portion du premier matériau diélectrique au dessus de l'espace entre le drain et la source. En d'autres termes, une portion du premier matériau diélectrique est présente au dessus de la surface de la couche semi-conductrice, ce qui réduit les instabilités électriques dans le transistor. 35 Plus particulièrement, l'épaisseur de la portion du premier matériau diélectrique est inférieure à 400 nanomètres permettant ainsi d'obtenir une capacité élevée au dessus du canal de porteurs, tout en évitant les problèmes de courant de fuite et de claquage. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le second matériau est métallique. Plus particulièrement, la grille est métallique, et le volume du second matériau est formé d'un seul tenant avec celle-ci. Selon une mode de réalisation particulier de l'invention, le second matériau est un diélectrique. Dans une première variante, le diélectrique est préférentiellement de l'alumine Al2O3. Dans une seconde variante, le second matériau comporte des nanocharges à permittivité diélectrique relative supérieure à quatre dispersées dans une matrice organique à permittivité diélectrique relative inférieure à quatre. Les nanocharges, qui ont en général un diamètre compris entre environ 30 nanomètres et environ 50 nanomètres, ont de préférence une permittivité diélectrique relative supérieure à 100, et sont des nanoparticules comprises dans le groupe constitué de BaTiO3, Ta2O5, Al2O3 et TiO2. Ces nanoparticules présentent l'avantage d'avoir une très forte permittivité diélectrique relative et leurs dimensions nanométriques permettent de les disperser de façon homogène dans un matériau à faible permittivité diélectrique relative. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le premier matériau diélectrique est du fluoropolymère ou du polystyrène. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une couche de diélectrique pour transistor organique présentant un gradient de permittivité diélectrique en fonction de son épaisseur, ledit procédé comportant : ^ une étape de formation d'une couche d'un premier matériau diélectrique ; ^ une étape de dépôt, sur la surface de la couche du premier matériau, d'un mélange de solvant et de nanocharges présentant une permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau ; et ^ une étape de chauffage de la couche du premier matériau diélectrique, la compétition entre l'évaporation du solvant par chauffage et la pénétration par absorption des nanocharges par le premier matériau diélectrique formant dans la couche du premier matériau un volume d'un second matériau de section globalement décroissante en fonction de l'épaisseur de la couche du premier matériau et de permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau. En d'autres termes, ce procédé est spécialement adapté pour la fabrication de la couche diélectrique entrant dans la constitution du transistor selon l'invention. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une couche de diélectrique pour transistor organique présentant un gradient de permittivité diélectrique en fonction de son épaisseur, ledit procédé comportant : ^ une étape de formation d'une couche d'un premier matériau diélectrique ^ une étape de gravure dans le premier matériau diélectrique d'une cavité ayant section globalement décroissante ; et ^ une étape de remplissage de ladite cavité par un second matériau présentant une permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau. En d'autres termes, ce procédé est spécialement adapté pour la fabrication de la couche diélectrique entrant dans la constitution du transistor selon l'invention. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent 20 des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : - la figure 1 est une vue schématique en section d'un premier transistor organique à film mince de l'état de la technique décrit dans le préambule ; - la figure 2 est une vue schématique en section d'un second transistor organique à film mince de l'état de la technique décrit dans le préambule ; 25 - la figure 3 est une vue schématique en section d'un transistor organique à film mince selon une premier mode de réalisation de l'invention ; - la figure 4 est une vue schématique en section d'un transistor organique à film mince selon une deuxième mode de réalisation de l'invention ; - la figure 5 est une vue schématique de la couche diélectrique des transistors des 30 figures 3 et 4 sur laquelle sont représentées des tranches élémentaires de celle-ci ; - la figure 6 est une courbe illustrant l'évolution de la permittivité diélectrique relative de la couche semi-conductrice entrant dans la constitution des transistors des figures 3 et 4 en fonction de l'épaisseur de celle-ci ; - la figure 7 est une courbe illustrant l'évolution de la capacité de la couche semi-35 conductrice entrant dans la constitution des transistors des figures 3 et 4 en fonction de la largeur de celle-ci ; - la figure 8 est une vue schématique en section d'un transistor organique à film mince selon une troisième mode de réalisation de l'invention ;15 - les figures 9 à 11 sont des vues schématiques illustrant un procédé de fabrication selon l'invention de la couche semi-conductrice entrant dans la constitution du transistor de la figure 4. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Sur la figure 3, un transistor organique à film mince selon un premier mode de réalisation de l'invention, présentant la structure � grille haute ù contact bas �, est illustré de manière schématique sous la référence générale 50. Le transistor 50 comporte un substrat 52 sur lequel sont formés deux éléments conducteurs 54, 56, constituant respectivement le drain et la source du transistor 50. Une couche semi-conductrice 58 est déposée sur le drain 54 et la source 56, la couche semi-conductrice 58 étant elle-même recouverte par une couche de diélectrique 60 sur laquelle est formé un troisième élément conducteur 62, constituant la grille du transistor 50. Selon l'invention, la couche diélectrique 60 comporte une couche 64 de diélectrique � low k �, notamment un polymère � low k � comme un fluoropolymère ou un polystyrène, dans laquelle est formée une cavité 66 remplie d'un diélectrique �high k �. La cavité 66 formée dans la couche de diélectrique � low k � 64, qui débute sous la grille 22 avec une grande surface 70, présente une section décroissante en fonction de l'épaisseur de la couche 64, la section minimale 72 de la cavité 66 faisant face à la portion 63 de semi-conducteur entre le drain 54 et la source 56 dans laquelle se forme le canal de porteurs. La cavité 66, qui est de préférence un volume de révolution tel qu'un cône, se termine à une hauteur h de la couche de semi-conducteur 58. Dans une première variante, le diélectrique � high k � est de l'alumine Al203. Dans une seconde variante, le diélectrique � high k � 68 remplissant la cavité 66, comporte avantageusement des nanocharges � high k �, de diamètre compris entre environ 30 nanomètres et environ 50 nanomètres et de permittivité diélectrique relative de préférence supérieure à 100, dispersées dans une matrice organique, telle que le polymère � low k � de la couche 64 par exemple, avec une densité supérieure ou égale à 6.08 g/ml. Par exemple, les nanocharges sont des nanoparticules de BaTiO3, de Ta205, de Al203 ou de TiO2. Sur la figure 4, il est illustré un second mode de réalisation de l'invention. Le transistor 80 selon ce mode de réalisation est analogue à celui décrit en relation avec la figure 3, à la différence que la cavité 66, formée dans la couche de diélectrique � low k � 64, est remplie de métal 82, et de préférence du même métal que celui qui constitue la grille 22 lorsque celle-ci est métallique. Dans un tel cas, la grille et le volume de métal remplissant la cavité 66 sont réalisés d'un seul tenant, ce qui augmente la robustesse mécanique du transistor et simplifie le processus de fabrication de celui-ci. On notera que la permittivité diélectrique relative d'un métal est supérieure à la permittivité diélectrique relative du diélectrique � low k � de la couche 64. Grâce à la formation de la cavité 66 remplie de diélectrique �high k � ou de métal dans la couche de diélectrique � low k � 64, il est ainsi obtenu un gradient de permittivité diélectrique relative dans l'épaisseur de la couche 64. En effet, comme cela est visible sur la figure 5 qui illustre la couche de diélectrique 60, la permittivité diélectrique relative Er(dxi) d'une tranche élémentaire � dxi � de la couche 60 est égale à: � r(dxi) _ S1 ( dxi) x �r 1 + S2 (dxi) x �r 2 où • S1 (dxi) est la surface de la portion de tranche élémentaire � dxi � correspondant au diélectrique � low k � de permittivité diélectrique relative �r1 , • et S2(dxi) est la surface de la portion de tranche élémentaire � dxi � 25 correspondant au matériau remplissant la cavité 66 (diélectrique � high k � 68 ou métal 82) de permittivité diélectrique relative �r2 . De fait, il existe en fonction de l'épaisseur e de la couche diélectrique 60, un gradient de permittivité diélectrique, comme cela est visible à la figure 6. Cette figure illustre en 30 abscisse la permittivité diélectrique relative équivalente de la couche 60 et en ordonnée, l'épaisseur de celle-ci. On notera ainsi qu'à l'interface avec la grille 62, la permittivité diélectrique relative équivalente de la couche 60 est élevée et égale à Er(dxl) = S1(dx1) x �r, + S2 (dxl) x �r2 , où SI (dxi) est la surface de diélectrique � low k � au et S2(dxi) la surface du matériau remplissant la cavité 66 niveau de ladite interface avec 35 la grille 62.20 La section de la cavité 66, ici un cône, décroit de façon monotone. La surface du matériau de la cavité 66 dans les tranches élémentaires diminue également. La permittivité diélectrique relative équivalente de la couche diélectrique 60 diminue donc à mesure qu'on se rapproche de la couche de semi-conducteur 58, pour être égale à la permittivité diélectrique relative sr, du diélectrique � low k � à l'interface avec la couche de semi-conducteur 58. Un tel gradient de permittivité diélectrique relative a pour effet d'améliorer la communication entre le champ électrique formé dans la couche de diélectrique 60 et la grille 62, tout en augmentant la capacité équivalente de la portion de la couche diélectrique agencée au dessus du canal de porteurs. La géométrie de la couche de diélectrique 60 permet également d'avoir une épaisseur maximale de diélectrique � low k � au niveau du drain 54 et de la source 56, afin de minimiser les capacités parasites présentes au niveau des surfaces de recouvrement entre d'une part la grille 62 et le drain 64, et d'autre part la grille 62 et la source 56. Par ailleurs, le gradient de permittivité diélectrique dans la couche diélectrique 60 a pour effet d'augmenter les performances du transistor en concentrant les lignes de champ électrique vers le canal de porteurs formé entre le drain 54 et la source 56. La figure 7 illustre quant à elle l'évolution de la capacité équivalente de la couche diélectrique 60 en fonction de la largeur L de celle-ci. Grâce à la présence de la cavité 66 remplie de matériau de permittivité diélectrique supérieure à celle du diélectrique � low k �, il est obtenu un profil avantageux de capacité. Selon ce profil, la capacité équivalente de la couche diélectrique 60 est maximale au niveau de l'axe de symétrie X de la cavité, c'est-à-dire au dessus de la portion 63 dans laquelle se forme le canal de porteurs, et diminue à mesure que l'on s'éloigne de cet axe, pour être minimale au niveau du drain 54 et de la source 56. Par ailleurs, la hauteur h de diélectrique � low k � présente sous la cavité 66 recouvre intégralement la couche semi-conductrice 58, ce qui réduit les instabilités diélectriques dans le transistor. On observe en outre que la valeur de la capacité équivalente de la couche diélectrique 60 au niveau du canal de porteurs dépend principalement de la hauteur de diélectrique � low k � recouvrant la couche semi-conductrice 58, et plus particulièrement dépend de manière inverse de cette hauteur h. Une hauteur h inférieure à 400 nanomètres permet notamment d'atteindre une capacité élevée entre la grille 62 et le canal de porteurs. A titre d'exemple, avec un diélectrique � low k � de permittivité diélectrique relative égale à 2, on obtient une capacité d'environ 4 nanofarads par cm'. Comme cette capacité évolue peu pour des valeurs de hauteur h supérieure à 400 nanomètres, en choisissant une hauteur h inférieure à 400 nanomètres, on a donc une capacité élevée tout en évitant des problèmes électriques tels que des courants de fuite ou des claquages. Bien qu'un diélectrique �high k � et un métal définissent chacun un gradient de permittivité diélectrique relative et une capacité variable lorsqu'ils forment un volume décroissant dans une couche de diélectrique � low k �, un gradient de permittivité diélectrique relative plus important est obtenu à l'aide du diélectrique � high k � qu' avec du métal. Inversement, une variation de capacité plus importante est obtenue à l'aide d'un métal qu' avec un diélectrique � high k �. Le choix des matériaux utilisés pour remplir la cavité 66 dépend donc de l'application visée. Par exemple si le matériau � low k � est de faible qualité, le matériau remplissant la cavité 66 est préférentiellement un diélectrique � high k �, comme un céramique � high k � par exemple. A l'inverse, si le matériau � low k � est de bonne qualité, le matériau remplissant la cavité 66 peut présenter une permittivité diélectrique relative pas très élevée, et peut être du métal. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples décrits ci-dessus. Bien qu'un volume, dont la section décroît de manière monotone en fonction de l'épaisseur de la couche de diélectrique � low k �, soit préféré pour éviter les capacités parasites de recouvrement, un gradient de permittivité et une capacité variable sont obtenus quelle que soit la forme du volume dès lors que celui-ci présente une surface à l'interface avec la grille plus grande que la surface en regard de la région de la couche semi-conductrice 58 dans laquelle est formé le canal de porteurs. Par exemple, le volume peut être trapézoïdal ou pyramidal. Notamment, le choix du type de section de la cavité 66 (circulaire, carrée, etc...) peut être dicté par la forme de la grille 62 s'il est décidé que la cavité 66 recouvre exactement la grille 62. De même, il a été décrit en relation avec les figures 3 et 4 une cavité 66 qui recouvre exactement la grille 62. De fait la couche diélectrique 60 comporte des portions de diélectrique � high k � ou de métal entre les surfaces en regard de la grille 62 et du drain 54 et de la source 56.35 En variante, tel que cela est illustré à la figure 8, la cavité 66 est formée uniquement dans la portion du diélectrique � low k � au dessus de la portion 63 de la couche semi-conductrice 58 dans laquelle se forme le canal de porteurs. Les capacités parasites sont ainsi encore réduites. De même, il a été décrit des transistors présentant une structure dite � grille haute û contact bas � (plus communément connue sous l'expression anglo-saxonne � top gatebottom contact �). Bien entendu, la présente invention s'applique également aux structures de transistors dites � grille basse-contact bas � (ou � bottom gate û bottom contact �), � grille haute - contact haut � (ou � top gate - top contact �) et � grille basse - contact haut � (ou � bottom gate - top contact �). Les figures 9 à 11 illustrent un premier procédé de fabrication d'une couche de diélectrique � low k � dans laquelle est aménagé un volume de section décroissante de 15 diélectrique � high k �, telle que mise en oeuvre dans un transistor selon l'invention. Dans une première étape illustrée à la figure 9, une goutte 100 d'un mélange de nanoparticules de diélectrique � high k �, comme des nanoparticules de BaTiO3, de Ta2O5, de Al2O3 ou de TiO2, et de solvant est déposée, par exemple par une technique de 20 jet d'encre, sur la surface d'une couche de diélectrique � low k � 102, et plus particulièrement un polymère � low k � tel qu'un polymère fluoré comme le polystyrène de permittivité diélectrique relative comprise entre 2 et 2,5. Comme illustré à la figure 10, la couche de polymère � low k � 102 est alors chauffée, 25 par exemple au moyen d'une plaque chauffante 104 sur laquelle elle repose, à une température suffisante pour évaporer efficacement le solvant de la goutte déposée 100, par exemple la température d'évaporation du solvant. Par exemple en utilisant du toluène comme solvant, une température de chauffage égale à environ 100°C est choisie. 30 Un phénomène de compétition entre l'évaporation du la goutte 100 et la pénétration de celle-ci dans le polymère 102 est alors observé. La goutte 100 se dissout ainsi partiellement dans le polymère 102 en formant un volume de section décroissante de nanocharges � high k � dispersées dans une matrice organique (ici le polymère � low k �), tel un cône ou un cône tronqué (figure 11). 35 Le choix du solvant ainsi que celui de la température permet notamment de régler la profondeur de pénétration des nanoparticules dans le polymère, et donc la forme finale du volume de diélectrique � high k � dans la couche de diélectrique � low k �. Selon un second procédé de fabrication d'une couche de diélectrique pour transistor organique selon l'invention, une couche d'un premier matériau diélectrique � low k � est gravée, par exemple par une attaque chimique, une abrasion laser, un emboutissage ou autres, pour former dans celle-ci une cavité ayant une section globalement décroissante comme un cône par exemple. La cavité ainsi formée est alors remplie d'un second matériau présentant une permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau, comme un diélectrique � high k � ou un métal, le remplissage étant par exemple réalisé au moyen d'une dispersion d'un liquide ou au moyen d'un dépôt par pulvérisation après masquage des zones de la couche du premier matériau à ne pas modifier. REVENDICATIONS1. Transistor organique (50 ; 80 ; 90) comportant : ^ un élément conducteur formant drain (54) ; ^ un élément conducteur formant source (56) espacé du drain (54) ; ^ un élément conducteur formant grille (62), présentant une surface en regard du drain (54) et une surface en regard de la source (56) ; ^ une couche semi-conductrice (58) au contact du drain (54) et de la source (56) ; et ^ une couche diélectrique (60) agencée entre d'une part la grille (62) et d'autre part la source (56) et le drain (54), la couche diélectrique (60) présentant une permittivité diélectrique variable en fonction de son épaisseur, caractérisé en ce que la couche diélectrique (60) comporte une couche (64) d'un premier matériau diélectrique de permittivité diélectrique inférieure à quatre, dans lequel est formé, au moins entre lesdites surfaces en regard, un volume (66) d'un second matériau (68 ; 82), ledit volume (66) ayant une section globalement décroissante depuis la grille (62) vers l'espace entre le drain (54) et la source (56), et en ce que la permittivité diélectrique relative du second matériau est supérieure à quatre. 2. Transistor organique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la permittivité diélectrique relative du premier matériau est inférieure ou égale à deux, et en ce que la permittivité diélectrique relative du second matériau est supérieure ou égale à huit. 3. Transistor organique selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le volume (66) présente une section décroissante de manière monotone. 4. Transistor organique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le volume (66) 30 est un volume de révolution, notamment conique, ou trapézoïdal. 5. Transistor organique selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche diélectrique (60) comporte une portion h du premier matériau diélectrique au dessus de l'espace (63) entre le drain (54) et la source (56). 6. Transistor organique selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'épaisseur de la portion h du premier matériau diélectrique est inférieure à 400 nanomètres. 35 7. Transistor organique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le second matériau (82) est métallique. 8. Transistor organique selon la revendication 7, caractérisé en ce que la grille (62) est métallique, et en ce que le volume (66) du second matériau (82) est formé d'un seul tenant avec celle-ci. 9. Transistor organique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le second matériau (68) est un diélectrique. 10. Transistor organique selon la revendication 9, caractérisé en ce que le second matériau (68) est de l'alumine. 11. Transistor organique selon la revendication 9, caractérisé en ce que le second 15 matériau (68) comporte des nanocharges à permittivité diélectrique relative supérieure à quatre dispersées dans une matrice organique à permittivité diélectrique relative inférieure à quatre. 12. Transistor organique selon la revendication 11, caractérisé en ce que les 20 nanocharges ont une permittivité diélectrique relative supérieure à 100. 13. Transistor organique selon l'une des revendications 11 ou 12, caractérisé en ce que les nanocharges sont des nanoparticules comprises dans le groupe constitué de BaTiO3, Ta2O5, Al2O3 et TiO2. 14. Transistor organique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau diélectrique est du fluoropolymère ou du polystyrène. 30 15. Procédé de fabrication d'une couche de diélectrique pour transistor organique présentant un gradient de permittivité diélectrique en fonction de son épaisseur, ledit procédé comportant : ^ une étape de formation d'une couche d'un premier matériau diélectrique ; ^ une étape de dépôt, sur la surface de la couche du premier matériau, d'un 35 mélange de solvant et de nanocharges présentant une permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau ; et 25^ une étape de chauffage de la couche du premier matériau diélectrique, la compétition entre l'évaporation du solvant par chauffage et la pénétration par absorption des nanocharges par le premier matériau diélectrique formant dans la couche du premier matériau un volume d'un second matériau de section globalement décroissante en fonction de l'épaisseur de la couche du premier matériau et de permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau. 16. Procédé de fabrication d'une couche de diélectrique pour transistor organique présentant un gradient de permittivité diélectrique en fonction de son épaisseur, ledit procédé comportant : ^ une étape de formation d'une couche d'un premier matériau diélectrique ; ^ une étape de gravure dans le premier matériau diélectrique d'une cavité ayant section globalement décroissante ; et ^ une étape de remplissage de ladite cavité par un second matériau présentant une permittivité diélectrique relative supérieure à celle du premier matériau.