Brevet FR2935197A1 — publié le 20100226

RÉFÉRENCE CROISÉE À UNE DEMANDE ASSOCIÉE Cette demande est basée sur et revendique le bénéfice de priorité sur la demande de brevet japonais n° 2008-211950, déposée le 20 août 2008. DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un substrat radiofréquence multicouche comportant une partie de connexion connectant une ligne ruban et une ligne microruban, et elle concerne de façon plus spécifique le substrat radiofréquence multicouche comportant une partie de connexion connectant une ligne ruban et une ligne microruban dans laquelle le VSWR (rapport d'ondes stationnaires en tension) est amélioré. DESCRIPTION DE L'ARRIÈRE-PLAN Dans un substrat radiofréquence, pour minimiser la taille et obtenir une haute densité, un substrat est réalisé en couches multiples et il utilise un grand nombre de lignes ruban dont le câblage radiofréquence passe à l'intérieur du substrat. Toutefois, lors de la connexion d'un câblage radiofréquence avec un composant de circuit ou un dispositif externe, on utilise une ligne microruban car il est nécessaire d'exposer le câblage radiofréquence sur le substrat. Il est en conséquence nécessaire de connecter la ligne ruban et la ligne microruban. Une structure pour connecter une ligne ruban et une ligne microruban utilisant un trou traversant comportant un conducteur intérieur est proposée par JP P2002-190546A. La figure 4A est une vue de dessus représentant une partie de connexion connectant une ligne ruban et une ligne microruban d'un substrat radiofréquence multicouche utilisant une technologie classique. La figure 4B est une vue en coupe transversale par la ligne III-III de la figure 4A. Dans un substrat radiofréquence multicouche 100, une ligne ruban 6 comporte un premier conducteur de masse 51, un deuxième conducteur de masse 52, un conducteur central 50 et des couches diélectriques 61 et 62 prévues parmi les conducteurs 50, 51 et 52. La ligne microruban 8 comporte une couche diélectrique 61, un conducteur central 54 et un troisième conducteur de masse 55. Les conducteurs 54 et 55 sont formés sur les deux faces de la couche diélectrique 61. Le conducteur central 54 de la ligne microruban 8 et le premier conducteur de masse 51 de la ligne ruban 6 sont formés sur une surface de la couche diélectrique 61. Le substrat radiofréquence multicouche 100 comporte une autre couche diélectrique 63 pour former un autre câblage. Dans la zone représentée sur la figure 4B, une couche formant conducteur 53, une couche formant conducteur 56 et une couche formant conducteur 57 sont formées. Le deuxième conducteur de masse 52 est connecté à la couche formant conducteur 53 en utilisant des trous d'interconnexion 71 et 72 et le troisième conducteur de masse 55 est connecté à la couche formant conducteur 56 et à la couche formant conducteur 57 par des trous d'interconnexion 73 et 74. Le substrat radiofréquence multicouche 100 est relié à la masse extérieurement par les couches formant conducteur 53 et 57. Le conducteur central 50 de la ligne ruban 6 et le conducteur central 54 de la ligne microruban 8 sont connectés électriquement en utilisant un trou traversant 75 comportant un conducteur à l'intérieur d'un trou de pénétration formé dans les couches diélectriques 61, 62 et 63. Pour des raisons de processus de fabrication du substrat radiofréquence multicouche 100, à la différence des trous d'interconnexion 71, 72, 73 et 74, le trou traversant 75 est formé de manière à pénétrer dans les couches diélectriques 61, 62 et 63. Une partie du conducteur du trou traversant 75 située au-dessous du conducteur central 50 est inutile pour connecter le conducteur central 50 et le conducteur central 54. Cette partie de conducteur inutile joue le rôle de tronçon et produit une capacité parasite inutile 76. La capacité parasite inutile crée une onde stationnaire qui dégrade alors le VSWR. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Un objectif de la présente invention est de fournir un substrat radiofréquence multicouche comportant une partie de connexion connectant une ligne ruban et une ligne microruban et améliorant le VSWR. Un substrat radiofréquence multicouche selon un mode de réalisation comporte une pluralité de couches diélectriques superposées ; un premier conducteur central prévu entre ladite pluralité de couches diélectriques et ayant une première surface principale et une deuxième surface principale, ladite première surface principale étant tournée vers une surface de ladite pluralité de couches diélectriques superposées ; un premier conducteur de masse tourné vers ladite première surface principale dudit premier conducteur central par l'intermédiaire de ladite couche diélectrique ; un deuxième conducteur de masse tourné vers ladite deuxième surface principale dudit premier conducteur central par l'intermédiaire de ladite couche diélectrique ; un deuxième conducteur central formé sur ladite surface de ladite pluralité de couches diélectriques superposées ; un troisième conducteur de masse tourné vers ledit deuxième conducteur central formé parmi ladite pluralité de couches diélectriques ; un trou traversant comportant un conducteur, pénétrant dans ladite couche diélectrique entre ledit premier conducteur central et ledit deuxième conducteur central, et connectant électriquement ledit premier conducteur central et ledit deuxième conducteur central ; et un trou isolant relié audit trou traversant et formé dans ladite couche diélectrique stratifiée. Un procédé de fabrication de substrat radiofréquence multicouche selon un mode de réalisation comporte le dépôt d'une pluralité de conducteurs de masse, d'une pluralité de couches diélectriques, d'un conducteur central d'une ligne ruban et d'un conducteur central d'une ligne microruban dans une configuration multicouche pour former un substrat multicouche comportant ladite ligne ruban et ladite ligne microruban, dans lequel ledit conducteur central de ladite ligne microruban est disposé sur une surface dudit substrat multicouche et dans lequel ledit conducteur central de ladite ligne ruban est disposé dans une couche différente dudit conducteur central d'une ligne microruban ; la formation d'un trou de pénétration pénétrant dans ledit conducteur central de ladite ligne microruban, ledit conducteur central de ladite ligne microruban, et ladite pluralité de couches diélectriques superposées ; la formation d'un conducteur connectant électriquement ledit conducteur central de ladite ligne ruban et ledit conducteur central de ladite ligne microruban dans ledit trou de pénétration ; et la formation d'un trou isolant en coupant et en supprimant ledit conducteur formé dans ledit trou de pénétration à partir d'une surface dudit substrat multicouche tournée vers une surface sur laquelle est formée ladite ligne microruban, avec une étendue telle qu'une pointe dudit trou isolant n'atteint pas ledit conducteur central de ladite ligne ruban. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1A est une vue de dessus d'un substrat radiofréquence multicouche selon un mode de réalisation. La figure 1B est une vue en coupe transversale par la ligne I-I de la figure 1A. La figure 1C est une vue en coupe transversale montrant un exemple de trou isolant. La figure 2A est une vue de dessus d'un substrat radiofréquence multicouche d'un mode de réalisation dans lequel une pluralité de trous traversants sont prévus dans un conducteur central d'une ligne microruban. La figure 2B est une vue en coupe transversale agrandie par la ligne II-II de la figure 2A. La figure 2C est une vue en coupe transversale agrandie montrant un exemple de trou isolant. La figure 3 est une courbe qui compare et représente le VSWR d'un substrat radiofréquence multicouche classique et le VSWR du substrat radiofréquence multicouche selon le mode de réalisation. La figure 4A est une vue de dessus du substrat radiofréquence multicouche utilisant une technologie classique. La figure 4B est une vue en coupe transversale par la ligne III-III de la figure 4A. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Un mode de réalisation d'un substrat radiofréquence multicouche selon la présente invention est décrit ci-après en détail en référence aux dessins. La figure 1A est une vue de dessus du substrat radiofréquence multicouche selon ce mode de réalisation. La figure 1B est une vue en coupe transversale par la ligne I-I de la figure 1A. Le substrat radiofréquence multicouche 1 comporte une couche diélectrique 22, une couche diélectrique 23 et une couche diélectrique 24, qui sont superposées par l'intermédiaire de conducteurs. La couche diélectrique 22 comporte une première et une deuxième surface principales 221 et 222 opposées l'une à l'autre. La couche diélectrique 22 comporte une troisième et une quatrième surface principales 231 et 232 opposées l'une à l'autre. La couche diélectrique 24 comporte une cinquième et une sixième surface principales 241 et 242 opposées l'une à l'autre. En ce qui concerne la couche diélectrique 22 et la couche diélectrique 23, la deuxième surface principale 222 et la troisième surface principale 231 sont tournées l'une vers l'autre. En ce qui concerne la couche diélectrique 23 et la couche diélectrique 24, la quatrième surface principale 232 et la cinquième surface principale 241 sont tournées l'une vers l'autre. Le substrat radiofréquence multicouche 1 comporte une ligne ruban 2 et une ligne microruban 4. La ligne ruban 2 comporte une couche diélectrique 22, une couche diélectrique 23, un conducteur central 10, un premier conducteur de masse 11 et un deuxième conducteur de masse 12. Le conducteur central 10 est formé entre la couche diélectrique 22 et la couche diélectrique 23. Le premier conducteur de masse 11 est formé sur la première surface principale 221 de la couche diélectrique 22 et à l'opposé de la première surface principale 101 du conducteur central 10. Le deuxième conducteur de masse 12 est formé entre la couche diélectrique 23 et la couche diélectrique 24 et à l'opposé de la deuxième surface principale 102 du conducteur central 10. La première surface principale 101 du conducteur central 10 est à l'opposé de la première surface principale 221 qui est une surface des couches diélectriques superposées 22, 23 et 24. La ligne microruban 4 comporte une couche diélectrique 22, un conducteur central 20 et un troisième conducteur de masse 14. Le conducteur central 20 est formé sur la première surface principale 221 de la couche diélectrique 22. Le troisième conducteur de masse 14 est formé entre la couche diélectrique 22 et la couche diélectrique 22 et est à l'opposé du conducteur central 20 par l'intermédiaire de la couche diélectrique 22. Le conducteur central 20 est séparé du premier conducteur de masse 11 de façon à ne pas être électriquement connecté au premier conducteur de masse 11. Le conducteur central 20 est formé sur la partie la plus haute du substrat radiofréquence multicouche 1, c'est-à-dire la première surface principale 221 des couches diélectriques superposées 22, 23 et 24, pour être connecté avec l'extérieur. Dans le substrat radiofréquence multicouche 1 du mode de réalisation, pour former un autre câblage dans une zone qui n'est pas illustrée, la couche diélectrique 24 est formée. Pour mettre à la masse à l'extérieur le substrat radiofréquence multicouche 1, des conducteurs de masse 13 et 16 sont formés sur la sixième surface principale 242 de la couche diélectrique 24. Le conducteur de masse 15 est formé entre la couche diélectrique 23 et la couche diélectrique 24 du côté de la ligne microruban 4. Le conducteur de masse 12 est connecté au conducteur de masse 13 en utilisant des trous d'interconnexion 35 et 36. Le conducteur de masse 14 est connecté au conducteur de masse 15 et au conducteur de masse 16 en utilisant des trous d'interconnexion 37 et 38. En connectant la ligne ruban 2 et la ligne microruban 4, le conducteur central 10 de la ligne ruban 2 et le conducteur central 20 de la ligne microruban 4 sont électriquement connectés par le conducteur 34 du trou traversant 30. Un trou traversant signifie un trou ou un trou de pénétration à l'intérieur duquel se trouve un conducteur. Le trou traversant 30 comporte un trou de pénétration 33 qui pénètre dans les couches diélectriques 22, 23 et 24 et le conducteur 34 prévu dans le trou de pénétration 33. Toutefois, une partie du conducteur 34 est éliminée par le trou isolant 40 qui est mentionné ultérieurement et l'extrémité du conducteur 34 est située du côté du conducteur central 10 par rapport au milieu du conducteur central 10 et du deuxième conducteur de masse 12. Le conducteur 34 du trou traversant 30 est formé par exemple sur une surface interne du trou de pénétration 33 par dépôt de métal. Le conducteur 34 peut ne pas être seulement le conducteur d'un film formé sur la surface interne du trou de pénétration 33 mais également une broche de conducteur insérée dans le trou de pénétration 33, ou les deux. En outre, le substrat radiofréquence multicouche 1 comporte un trou isolant 40 relié au trou traversant 30 et ne comporte pas de conducteur à l'intérieur. Le trou isolant 40 peut être formé par un procédé quelconque. Le trou isolant 40 peut être créé en perçant ou en coupant une section du trou traversant 30 ou par un autre procédé. Le diamètre 91 du trou isolant 40 est plus grand que le diamètre 90 du trou traversant 30. Le conducteur 34 du trou traversant 30 et les couches diélectriques 23 et 24 autour du trou traversant 30 sont coupés en même temps et le trou isolant 40 est creusé dans les couches diélectriques 23 et 24. Si (pl est plus petit que cpO, le conducteur 34 du trou traversant 30 ne peut pas être coupé et ne peut pas être enlevé du trou isolant 40. En formant le trou isolant 40, le conducteur 34 du trou traversant 30 est coupé du côté du conducteur de masse 13 et 16 avec une étendue telle qu'une pointe du trou isolant 40 parvient au-dessus du milieu du conducteur central 10 et du deuxième conducteur de masse 12 mais n'atteint pas le conducteur central 10. C'est-à-dire que le conducteur 34 est coupé jusqu'au conducteur central 10 plutôt que jusqu'au milieu du conducteur central 10 et dudit deuxième conducteur de masse 12. En étant coupée de cette manière, la longueur L1 du conducteur central 34 allant du conducteur central 10 jusqu'au trou isolant 40 devient plus petite que la moitié de la distance LO allant du conducteur central 10 jusqu'au deuxième conducteur de masse 12. Si L1 est plus grande que la moitié de LO, une capacité parasite inutile peut apparaître. La figure 1C est un dessin représentant le trou isolant 41 créé par une fraise d'extrémité. La fraise d'extrémité est un type de fraise et est un outil de découpe comportant plusieurs lames sur une circonférence externe d'une forme cylindrique et avec lequel une face d'extrémité de découpe devient un plan. Lorsqu'on utilise la fraise d'extrémité, la face d'extrémité du trou isolant 41 devient plane, la longueur L2 du conducteur allant du conducteur central 10 jusqu'au trou isolant 40 peut être plus petite et le VSWR peut être encore amélioré. La figure 2A et la figure 2B représentent un substrat radiofréquence multicouche 1 selon un autre mode de réalisation. La figure 2A est une vue de dessus d'un substrat radiofréquence multicouche 1. La figure 2B est une vue en coupe transversale agrandie par la ligne II-II de la figure 2A. Le substrat radiofréquence multicouche 1 comporte une pluralité de trous traversants 32 connectant électriquement le conducteur central 10 de la ligne ruban 2 et le conducteur central 20 de la ligne microruban 4. Un trou isolant 42 est formé, incluant tous les trous traversant 32. Lors de la formation du trou isolant 42 par découpe, le diamètre 93 de chaque trou isolant 42 est plus grand que la plus longue distance (p2 entre les trous traversants 32. Si (p3 est plus petit que (p2, le conducteur 34 du trou traversant 32 peut ne pas être enlevé. D'autre part, en étant coupée de cette manière, la longueur L3 du conducteur 34 allant du conducteur central 10 jusqu'au trou isolant 42 est plus petite que la moitié de la distance LO allant du conducteur central 10 jusqu'au deuxième conducteur de masse 12. Si L3 est plus grande que la moitié de LO, la capacité parasite inutile peut apparaître. La figure 2C est une vue en coupe transversale agrandie montrant un exemple dans lequel des trous isolants 43 sont formés pour chaque trou traversant 32. Lors de la formation du trou isolant 43 par découpe, le diamètre (p5 de chaque trou isolant 43 est plus grand que le diamètre (p4 de chaque trou traversant 32. Si 95 est plus petit que 94, le conducteur 34 du trou traversant 32 peut ne pas être enlevé. La figure 3 est une courbe qui compare et représente le VSWR d'un substrat radiofréquence multicouche classique 100 et le VSWR d'un substrat radiofréquence multicouche 1 selon le mode de réalisation. La courbe 51 représente le VSWR du substrat radiofréquence multicouche classique 100. Lorsqu'on utilise un substrat radiofréquence multicouche classique 100 avec une fréquence élevée, le VSWR se dégrade rapidement. La courbe 52 représente le VSWR du substrat radiofréquence multicouche 1 selon le mode de réalisation. Lorsqu'on utilise le substrat radiofréquence multicouche 1 selon le mode de réalisation avec une fréquence élevée, le VSWR n'empire pas défavorablement. En référence à la figure 1A et à la figure 1B, un procédé de fabrication d'un substrat radiofréquence multicouche 1 selon le mode de réalisation dans lequel un trou isolant 40 est formé par découpe est ensuite expliqué. Premièrement, des conducteurs de masse 11, 12, 13, 14, 15 et 16, des couches diélectriques 22, 23 et 24, un conducteur central 10 d'une ligne ruban 2 et un conducteur central 20 d'une ligne microruban 4 sont déposés, et le substrat multicouche comportant la ligne ruban 2 et la ligne microruban 4 est formé. Le substrat multicouche est formé de façon que le conducteur central 20 puisse être situé sur la surface du substrat multicouche et que le conducteur central 10 puisse être situé dans une couche différente du conducteur central 20. Deuxièmement, le trou de pénétration 33 qui pénètre dans le conducteur central 10 de la ligne ruban 2, le conducteur central 20 de la ligne microruban 4 et les couches diélectriques 22, 23 et 24 est formé. Troisièmement, le conducteur 34 connectant électriquement le conducteur central 10 de la ligne ruban 2 et le conducteur central 20 de la ligne microruban 4 est formé dans ce trou de pénétration 33. De plus, à partir d'une surface du substrat multicouche à l'opposé d'une surface sur laquelle est formé le conducteur central 20 de la ligne microruban 2, le conducteur 34 prévu dans le trou de pénétration 33 est coupé et enlevé de manière à former un trou isolant 40. Dans ce cas, le conducteur 34 est coupé et enlevé avec un étendue telle que la pointe du trou isolant 40 ne coupe pas le conducteur central 10. En ce qui concerne la longueur du conducteur 34 allant du conducteur central 10 jusqu'au trou isolant 40, il est souhaitable que la longueur soit plus petite que la moitié de la distance allant du conducteur central 10 jusqu'au conducteur de masse 12. Comme énoncé ci-dessus, le substrat radiofréquence multicouche du mode de réalisation est muni du trou isolant connectant électriquement le conducteur central de connexion du trou traversant 10 de la ligne ruban 2 et le conducteur central 20 de la ligne microruban 204, et ne comportant pas de conducteur à l'intérieur de celui-ci. Pour cette raison, le VSWR s'améliore à la connexion de la ligne ruban et de la ligne microruban. Dans le mode de réalisation, un conducteur de masse 11 de la ligne ruban 2 et le conducteur central 20 de la ligne microruban 4 sont formés sur la surface principale 221 de la couche diélectrique 22. Toutefois, la ligne ruban n'est pas limitée à cette structure. Par exemple, le substrat radiofréquence multicouche peut être formé en incorporant des couches diélectriques supplémentaires et la ligne ruban peut être formée parmi les couches diélectriques. D'autres modes de réalisation ou modifications de la présente invention apparaîtront aux hommes de l'art en considérant la spécification et la mise en pratique de l'invention ici décrite. Il est voulu que la spécification et les exemples de mode de réalisation soient considérés uniquement comme des exemples, la portée et l'esprit réels de l'invention étant indiqués par ce qui suit. REVENDICATIONS1. Substrat radiofréquence multicouche, comprenant : une pluralité de couches diélectriques superposées ; un premier conducteur central prévu entre ladite pluralité de couches diélectriques et ayant une première surface principale et une deuxième surface principale, ladite première surface principale étant tournée vers une surface de ladite pluralité de couches diélectriques superposées ; un premier conducteur de masse tourné vers ladite première surface principale dudit premier conducteur central par l'intermédiaire de ladite couche diélectrique ; un deuxième conducteur de masse tourné vers ladite deuxième surface principale dudit premier conducteur central par l'intermédiaire de ladite couche diélectrique ; un deuxième conducteur central formé sur ladite surface de ladite pluralité de couches diélectriques superposées ; un troisième conducteur de masse tourné vers ledit deuxième conducteur central formé parmi ladite pluralité de couches diélectriques ; un trou traversant pénétrant dans ladite couche diélectrique entre ledit premier conducteur central et ledit deuxième conducteur central, et comportant un conducteur connectant électriquement ledit premier conducteur central et ledit deuxième conducteur central ; et un trou isolant relié audit trou traversant et formé dans ladite couche diélectrique stratifiée. 2. Substrat radiofréquence multicouche selon la revendication 1, dans lequel la pointe dudit conducteur dudit trou traversant est située du côté d'un conducteur central plutôt qu'au milieu dudit premier conducteur central et dudit deuxième conducteur de masse. 3. Substrat radiofréquence multicouche selon la revendication 1, dans lequel ledit trou isolant est formé en coupant ledit conducteur dudit trou traversant, et le diamètre intérieur du trou isolant est plus grand que le diamètre dudit trou traversant. 4. Substrat radiofréquence multicouche selon la revendication 3, dans lequel ledit trou traversant comporte une pluralité de trous traversants, et ledit trou isolant comporte l'ensemble de ladite pluralité de trous traversants. 5. Substrat radiofréquence multicouche selon la revendication 3, dans lequel ledit trou traversant comporte une pluralité de trous traversants, et ledit trou isolant comporte une pluralité de trous isolants prévus pour chacun de ladite pluralité de trous traversants. 6. Procédé de fabrication de substrat radiofréquence multicouche, comprenant : le dépôt d'une pluralité de conducteurs de masse, d'une pluralité de couches diélectriques, d'un conducteur central d'une ligne ruban et d'un conducteur central d'une ligne microruban dans une configuration multicouche pour former un substrat multicouche comportant ladite ligne ruban et ladite ligne microruban, dans lequel ledit conducteur central de ladite ligne microruban est disposé sur une surface dudit substrat multicouche et dans lequel ledit conducteur central de ladite ligne ruban est disposé dans une couche différente dudit conducteur central d'une ligne microruban ; la formation d'un trou de pénétration pénétrant dans ledit conducteur central de ladite ligne microruban, ledit conducteur central de ladite ligne microruban, et ladite pluralité de couches diélectriques superposées ; la formation d'un conducteur connectant électriquement ledit conducteur central de ladite ligne ruban et ledit conducteur central de ladite ligne microruban dans ledit trou de pénétration ; et la formation d'un trou isolant en coupant et en supprimant ledit conducteur formé dans ledit trou de pénétration à partir d'une surface dudit substrat multicouche tournée vers une surface sur laquelle est formée ladite ligne microruban, avec une étendue telle qu'une pointe dudit trou isolant ne coupe pas ledit conducteur central de ladite ligne ruban. 7. Procédé de fabrication du substrat radiofréquence multicouche selon la revendication 6, dans lequel lesdites découpe et suppression dudit conducteur dudit trou de pénétration sont effectuées par une fraise d'extrémité. 8. Substrat radiofréquence multicouche, comprenant : une première couche diélectrique comportant une première surface principale et une deuxième surface principale tournées l'une vers l'autre ;une deuxième couche diélectrique comportant une troisième surface principale et une quatrième surface principale tournées l'une vers l'autre et déposées sur ladite première couche diélectrique de façon que ladite deuxième surface principale et ladite troisième surface principale soient tournées l'une vers l'autre ; un conducteur central de la ligne ruban agencé entre ladite première couche diélectrique et ladite deuxième couche diélectrique ; un premier conducteur de masse agencé sur ladite première surface principale de façon à être tourné vers ledit conducteur central de ladite ligne ruban ; un deuxième conducteur de masse agencé sur ladite quatrième surface principale de façon à être tourné vers ledit conducteur central de ladite ligne ruban ; un conducteur central d'une ligne microruban formée sur ladite première surface principale séparé dudit premier conducteur de masse ; un troisième conducteur de masse formé entre ladite première couche diélectrique et ladite deuxième couche diélectrique et tourné vers ledit conducteur central de ladite ligne microruban ; un trou traversant ayant un conducteur connectant ledit conducteur central de ladite ligne microruban et ledit conducteur central de ladite ligne ruban ; et un trou isolant relié audit trou traversant et formé dans ladite deuxième couche diélectrique.