Brevet FR2928226A1 — publié le 20090904

ARRIÈRE-PLAN 1. Domaine Un aspect des modes de réalisation présentés ici concerne un dispositif à semiconducteur comportant une pluralité de transistors. 2. Description de la technique associée Les dispositifs à semiconducteurs recherchent non seulement des performances élevées mais également une miniaturisation et un haut niveau d'intégration. Une mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) est une mémoire volatile, exempte d'opérations de rafraîchissement et qui fonctionne à grande vitesse. La SRAM trouve des applications dans une diversité de dispositifs. La SRAM est généralement construite à partir de cellules unitaires en parallèle, dans lesquelles les électrodes de grille des transistors sont disposées linéairement, de façon parallèle entre elles dans un plan. Les régions actives sont disposées linéairement, de façon parallèle entre elles et elles coupent les électrodes de grille. Des agencements de cellules unitaires de SRAM sont présentés dans les publications de brevet japonais n° 6-350053, 8-37241, 9-321152 et 10-335487. Dans les agencements décrits, les électrodes de grille et les régions actives sont inclinées de manière à couper mutuellement les lignes de mots et les lignes de bits dans une couche supérieure en vue plane. Pour réduire de taille et augmenter le niveau d'intégration dans les cellules unitaires de SRAM, on réduit la taille des électrodes de grille et des régions actives, en rétrécissant l'espace compris entre les éléments adjacents et en prolongeant les éléments avec un certain angle d'inclinaison. La demande d'une miniaturisation et d'un niveau d'intégration accrus augmente à mesure que les SRAM trouvent des applications dans une plus large gamme de domaines et ont une plus grande taille de mémoire. Dans chaque transistor constituant la SRAM, une électrode de contact est disposée dans chacune des régions actives des deux côtés d'une électrode de grille afin de réaliser une connexion électrique avec une couche de câblage supérieure. La distance comprise entre l'électrode de grille et l'électrode de contact est déjà étroite dans la conception 1 actuelle de la SRAM, et la marge de position autorisée entre elles est très petite. Il est souhaitable pour les techniques classiques de chercher à accroître la miniaturisation et le niveau d'intégration en assurant la marge de position. Le même phénomène peut se produire, non seulement sur la SRAM mais également sur d'autres dispositifs à semiconducteur constitués d'une pluralité de transistors. RÉSUMÉ Selon un aspect d'un mode de réalisation, un dispositif à semiconducteur comporte une paire d'électrodes de grille s'étendant de manière adjacente l'une à l'autre sans être parallèles, une région de source et/ou de drain située entre les deux électrodes de grille pour former une paire de transistors avec les électrodes de grille, et une électrode de contact disposée entre les deux électrodes de grille, en contact avec la région de source et/ou de drain dans une zone de contact telle que le centre de la zone de contact est décalé par rapport au centre de la région de source et/ou de drain dans une direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente. Ces aspects et avantages ainsi que d'autres qui apparaîtront par la suite résident dans les détails de construction et de fonctionnement comme décrit et revendiqué plus complètement ci-après, référence étant faite aux dessins annexés qui en constituent une partie, dans lesquels des références numériques analogues se réfèrent à des parties analogues. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue plane illustrant une partie principale d'une SRAM à réseau parallèle ; la figure 2 illustre l'axe central d'une région active s'étendant linéairement ; la figure 3 est une vue plane d'une cellule unitaire dans laquelle des transistors sont disposés avec un certain angle d'inclinaison selon un mode de réalisation ; la figure 4 est une vue plane d'une cellule unitaire selon un premier mode de réalisation ; la figure 5 est une vue plane illustrant une partie principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le premier mode de réalisation ; la figure 6 illustre l'axe central coudé d'une région active selon un mode de réalisation ; la figure 7 est une vue plane illustrant une partie principale d'un autre exemple d'agencement d'électrodes de contact selon un mode de réalisation la figure 8 est une vue plane illustrant une cellule unitaire selon un deuxième mode de réalisation ; la figure 9 est une vue plane illustrant une partie principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le deuxième mode de réalisation la figure 10 illustre l'axe central d'une région active coudée comportant une partie en projection selon un mode de réalisation ; la figure 11 est une vue plane d'une cellule unitaire selon un troisième mode de réalisation ; la figure 12 est une vue plane illustrant une partie principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le troisième mode de réalisation la figure 13 est une vue plane d'une cellule unitaire selon un quatrième mode de réalisation ; la figure 14 est une vue plane d'une cellule unitaire selon un cinquième mode de réalisation ; la figure 15 est une vue plane illustrant une partie principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le cinquième mode de réalisation ; et la figure 16 est une vue plane illustrant une partie principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le sixième mode de réalisation. DESCRIPTION DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS Les SRAM des modes de réalisation sont décrites ci-dessous en référence aux dessins. La structure de base d'une SRAM à réseau parallèle est décrite. La figure 1 est une vue plane de la SRAM à réseau parallèle. La figure 1 illustre quatre cellules unitaires seulement constituant la SRAM à réseau parallèle. Une cellule unitaire 10a incluse dans une boîte indiquée par une ligne en trait mixte sur la figure 1 est décrite. La cellule unitaire 10a comporte six transistors, à savoir, des transistors de charge L1 et L2 disposés dans sa partie centrale, des transistors de commande D1 et D2 et des transistors de transfert T1 et T2 disposés des deux côtés de la partie centrale. La cellule unitaire 10a comporte des limites de région de puits 11 et 12, où des régions de type semiconducteur dopées avec des impuretés différentes se rejoignent, comme représenté par les lignes en trait mixte de deux points et un tiret. Les transistors de commande Dl et D2 et les transistors de transfert Ti et T2, inclus dans les régions de puits 13 et 15 sont des transistors de type n. Les transistors de charge L1 et L2 inclus dans la région de puits 14 sont des transistors de type p. Dans la géométrie des six transistors de la SRAM à réseau parallèle, l'électrode de grille 16 du transistor de charge L1 et du transistor de commande Dl, l'électrode de grille 17 du transistor de charge L2 et du transistor de commande D2, les électrodes de grille 18 et 19 des transistors de transfert Ti et T2, sont linéaires et parallèles entre elles en vue plane. Dans la SRAM à réseau parallèle, les régions de source et/ou de drain 20, 21, 22 et 23 s'étendent linéairement en vue plane sensiblement perpendiculairement aux électrodes de grille 16 à 19. La région de source et/ou de drain 20 est disposée de manière à être sensiblement perpendiculaire à l'électrode de grille 16 dans la cellule unitaire 10a. La région de source et/ou de drain 21 est disposée de manière à être sensiblement perpendiculaire à l'électrode de grille 17 dans la cellule unitaire 10a. La région de source et/ou de drain 22 est disposée de manière à être sensiblement perpendiculaire aux électrodes de grille 16 et 18 dans la cellule unitaire 10a. La région de source et/ou de drain 23 est disposée de manière à être sensiblement perpendiculaire aux électrodes de grille 17 et 19. Des électrodes de contact 24 à 35 sont disposées de manière à être connectées aux électrodes de grille 16 à 19 et aux régions de source et/ou de drain 20 à 23. Les électrodes de contact 24 à 33 sont centrées sur les axes centraux C des régions de source et/ou de drain respectives 20 à 23. La figure 2 illustre l'axe central C d'une région de source et/ou de drain 100 ayant une forme linéaire en vue plane. Comme illustré sur la figure 2, l'axe central C de la région de source et/ou de drain s'étendant linéairement 100 est un axe d'enveloppe (comme indiqué par la ligne en pointillés) dessiné en reliant les centres des cercles inscrits 110 dans la région de source et/ou de drain 100 en faisant glisser en continu le cercle 110 le long de la région de source et/ou de drain 100. (Le contact du cercle 110 s'effectue en deux points, un point sur le bord droit et l'autre point sur le bord gauche de la région de source et/ou de drain 100). L'axe central C de chacune des régions de source et/ou de drain 20 à 23 à l'intérieur de la cellule unitaire 10a est défini de façon similaire. Les électrodes de contact 24 et 27 des transistors de charge L1 et L2 sont connectées à une ligne d'alimentation Vcc dans une couche supérieure. De façon plus spécifique, les régions de source des transistors de charge L1 et L2 sont toutes deux connectées à la ligne d'alimentation Vcc. Les électrodes de contact 28 et 33 des transistors de commande D1 et D2 sont connectées à une ligne de masse Vss dans la couche supérieure. De façon plus spécifique, les régions de source des transistors de commande Dl et D2 sont toutes deux connectées à la ligne de masse Vss. L'électrode de contact 30 du transistor de transfert Ti est connectée à une première ligne de bits BL1 dans la couche supérieure, et l'électrode de contact 31 du transistor de transfert T2 est connectée à une seconde ligne de bits BL2 dans la couche supérieure. De façon plus spécifique, la région de source du transistor de transfert Tl est connectée à la première ligne de bits BL1 et la région de source du transistor de transfert T2 est connectée à la seconde ligne de bits BL2. Les électrodes de contact 34 et 35 respectivement connectées aux électrodes de grille 18 et 19 des transistors de transfert Ti et T2 sont connectées à une ligne de mots commune WL dans la couche supérieure. On applique la technique de contact partagé aux électrodes de contact 25 et 26 respectivement connectées aux électrodes de grille 17 et 16. L'électrode de contact 25 est connectée à l'électrode de contact 29 dans la couche supérieure, et l'électrode de contact 26 est connectée à l'électrode de contact 32 dans la couche supérieure. De façon plus spécifique, l'électrode de grille 17 du transistor de charge L2 et du transistor de commande D2 est connectée à la région de drain de chaque transistor parmi le transistor de charge L1, le transistor de commande Dl et le transistor de transfert Ti. L'électrode de grille 16 du transistor de charge L1 et du transistor de commande D1 est connectée aux régions de drain du transistor de charge L2, du transistor de commande D2 et du transistor de transfert T2. Un grand nombre de cellules unitaires, chaque unité ayant sensiblement la même structure que la cellule unitaire 10a, sont disposées symétriquement horizontalement côte à côte et verticalement l'une au- dessus de l'autre. Une SRAM à réseau parallèle ayant une taille de mémoire prédéterminée est ainsi construite. Chacun des transistors de charge L1 et L2, des transistors de commande D1 et D2 et des transistors de transfert Ti et T2 peut inclure un transistor à effet de champ (FET) métal-isolant-semiconducteur (MIS). Les transistors peuvent être fabriqués dans un substrat unique. Si chaque transistor est incliné dans une direction prédéterminée en vue plane sans modifier les connexions électriques entre les éléments dans l'implantation de la cellule unitaire 10a de la figure 1, on peut réduire la taille de chaque cellule. La figure 3 est une vue plane de la cellule unitaire, les transistors étant inclinés en vue plane. En référence à la figure 3, l'implantation de la cellule unitaire 10a délimitée par une boîte indiquée par une ligne en trait mixte comme illustré sur la figure 1, est modifiée en une cellule unitaire 10b, chaque transistor étant incliné dans une direction prédéterminée. La cellule unitaire 10a délimitée par la boîte indiquée par une ligne en trait mixte sur la figure 1 est modifiée en la cellule unitaire 10b de la figure 3. De façon plus spécifique, les transistors de transfert Ti et T2 sont respectivement inclinés d'un certain angle dans le sens des aiguilles d'une montre autour des électrodes de contact 29 et 32, les transistors de commande D1 et D2 sont respectivement inclinés d'un certain angle dans le sens des aiguilles d'une montre autour des électrodes de contact 29 et 32, et les transistors de charge L1 et L2 sont inclinés d'un certain angle dans le sens inverse des aiguilles d'une montre. Chaque transistor est incliné dans une direction prédéterminée sans modifier la distance entre l'électrode de grille 16 et chacune des électrodes de contact 24, 25, 28 et 29, la distance entre l'électrode de grille 17 et chacune des électrodes de contact 26, 27, 32 et 33, la distance entre l'électrode de grille 18 et chacune des électrodes de contact 29 et 30 et la distance entre l'électrode de grille 19 et chacune des électrodes de contact 31 et 32. Les électrodes de contact 24, 28 et 31 et les électrodes de contact 27, 30 et 33 sont disposées dans des limites de cellule. Les électrodes de grille 16 et 17 sont conformées en une configuration adaptée aux transistors de commande inclinés D1 et D2 et aux transistors de charge inclinés L1 et L2. On diminue ainsi la taille de la cellule unitaire 10b dans la direction verticale de la figure 3 en inclinant d'un certain angle d'inclinaison les transistors de charge L1 et L2, les transistors de commande D1 et D2 et les transistors de transfert Ti et T2. L'angle d'inclinaison résultant de l'inclinaison de chaque transistor de la cellule unitaire 10b de la figure 3 est de préférence de moins de 90° par rapport à la cellule unitaire l0a de la figure 1 et de façon plus préférable, égal ou inférieur à 45°. Si l'angle d'inclinaison est de 45° ou plus, il est probable que les géométries de certains éléments interfèrent mutuellement et qu'il soit nécessaire de modifier l'agencement de câblage formé dans la couche supérieure. L'angle d'inclinaison égal ou inférieur à 45° libère la cellule unitaire du problème d'interférence des éléments et de modification d'implantation. S'ils sont inclinés en vue plane, les transistors ne conduisent à aucun autre problème de conception difficile. Aucune difficulté ne se présente lors de la fabrication des éléments en se basant sur la conception. Dans la conception de la cellule unitaire de SRAM 10a et de la cellule unitaire de SRAM 10b, il est nécessaire de disposer les éléments de façon à maintenir une distance prédéterminée entre les éléments ou une distance de règle de conception minimale ou de règle de fabrication minimale. De façon plus spécifique, il est nécessaire de maintenir une certaine distance entre l'électrode de grille 16 et chacune des électrodes de contact 24, 25, 28 et 29, entre l'électrode de grille 17 et chacune des électrodes de contact 26, 27, 32 et 33, entre l'électrode de grille 18 et chacune des électrodes de contact 29 et 30 et entre l'électrode de grille 19 et chacune des électrodes de contact 31 et 32. Un court-circuit peut se produire entre l'une des électrodes de grille 16 à 19 et l'une des électrodes de contact 24 à 33 respectivement formées dans les régions de source et/ou de drain 20 à 23 lors de la fabrication du dispositif à semiconducteur en se basant sur la conception, si on ne maintient pas une certaine distance et si la position de formation de l'une des électrodes de grille 16 à 19 et des trous de contact dévie. Les électrodes de contact 24 et 27 à 33 connectées aux régions de source et/ou de drain 20 à 23 sont ainsi décalées dans une direction prédéterminée sur la cellule unitaire 10b dont la taille est miniaturisée en inclinant chaque transistor d'un certain angle d'inclinaison. En conséquence, la réduction de taille est encore favorisée tandis qu'on maintient une distance constante entre chacune des électrodes de grille 16 à 19 et chacune des électrodes de contact 24 et 27 à 33. La figure 4 est une vue plane illustrant la cellule unitaire selon le premier mode de réalisation et la figure 5 est une vue plane illustrant une partie principale de l'agencement des électrodes de contact du premier mode de réalisation. Puisque chaque transistor est incliné d'un certain angle sur la cellule unitaire 10b de la figure 3, les régions de source et/ou de drain 20 à 23 sont inclinées en vue plane. L'électrode de contact 24 est centrée sur l'axe central C de la région de source et/ou de drain coudée 20 (comme représenté par les lignes en trait mixte sur les figures 4 et 5). L'électrode de contact 27 est centrée sur l'axe central C de la région de source et/ou de drain coudée 21 (comme représenté par les lignes en trait mixte sur les figures 4 et 5). Les électrodes de contact 28 à 30 sont centrées sur l'axe central C de la région de source et/ou de drain coudée 22 (comme représenté par les lignes en trait mixte sur les figures 4 et 5). Les électrodes de contact 31 à 33 sont centrées sur l'axe central C de la région de source et/ou de drain coudée 23 (comme représenté par les lignes en trait mixte sur les figures 4 et 5). La figure 6 illustre l'axe central C de chaque région de source et/ou de drain coudée. En référence à la figure 6, l'axe central C d'une région de source et/ou de drain s'étendant linéairement 120 est un axe d'enveloppe (comme indiqué par la ligne en pointillés) dessiné en reliant les centres des cercles inscrits 130 dans la région de source et/ou de drain 120 en faisant glisser en continu le cercle 130 le long de la région de source et/ou de drain 120. (Le contact du cercle 130 s'effectue en deux points, un point sur le bord droit convexe et l'autre point sur le bord gauche concave de la région de source et/ou de drain 120). L'axe central C de chacune des régions de source et/ou de drain 20 à 23 à l'intérieur de la cellule unitaire 10b est défini de façon similaire. Les électrodes de contact 24 et 27 à 33 sont respectivement décalées des axes centraux C des régions de source et/ou de drain 20 à 23 dans une cellule unitaire 10c, comme représenté sur les figures 4 et 5. Comme illustré sur les figures 4 et 5, l'électrode de contact 29 est disposée entre les électrodes de grille 16 et 18 non parallèles entre elles du transistor de commande Dl et du transistor de transfert T1. Selon cet agencement, l'électrode de contact 29 est décalée, le centre de l'électrode de contact 29 étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 et 18 augmente. En disposant l'électrode de contact 29 dans une telle position, on maintient une grande distance par rapport à chacune des électrodes de grille 16 et 18. En d'autres termes, l'électrode de contact 29 est disposée de manière à être plus proche de chacune des électrodes de grille 16 et 18 dans une direction globalement verticale sur la figure 4, de la marge produite avec cet agencement. Les autres électrodes de contact 28 et 30 connectées à la région de source et/ou de drain 22 sont également disposées selon un agencement similaire. Comme illustré sur les figures 4 et 5, l'électrode de contact 28 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 dans une direction le long de laquelle la distance entre l'électrode de grille 16 et une électrode de grille 16, qui n'est pas parallèle à la première électrode de grille 16, dans une autre cellule unitaire 10c symétrique par rapport à la cellule unitaire 10c de la figure 4 et adjacente à celle-ci, augmente. L'électrode de contact 30 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 dans une direction le long de laquelle la distance entre l'électrode de grille 18 et une électrode de grille 18, qui n'est pas parallèle à la première électrode de grille 18, dans une autre cellule unitaire 10c symétrique par rapport à la cellule unitaire de la figure 4 et adjacente à celle-ci, augmente. Il en est de même de la région de source et/ou de drain 23 constituant le transistor de commande D2 et le transistor de transfert T2. De façon plus spécifique, l'électrode de contact 32 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 23 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 et 19 augmente, comme représenté sur la figure 4. L'électrode de contact 31 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 23 dans une direction le long de laquelle la distance entre l'électrode de grille 19 sur la cellule unitaire 10c de la figure 4, et une électrode de grille 19 sur une cellule unitaire 10c (non représentée sur la figure 4) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10c de la figure 4 et adjacente à celle-ci, augmente. L'électrode de contact 33 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 23 dans une direction le long de laquelle la distance entre l'électrode de grille 17 sur la cellule unitaire 10c de la figure 4, et une électrode de grille 17 sur une cellule unitaire 10c (non représentée sur la figure 4) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10c de la figure 4 et adjacente à celle-ci, augmente. Il en est de même des régions de source et/ou de drain 20 et 21 constituant respectivement les transistors de charge L1 et L2. De façon plus spécifique, l'électrode de contact 24 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 20 dans une direction le long de laquelle la distance entre l'électrode de grille 16 sur la cellule unitaire 10c de la figure 4, et une électrode de grille 16 sur une cellule unitaire 10c (non représentée sur la figure 4) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10c de la figure 4 et adjacente à celle-ci, augmente. L'électrode de contact 27 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 21 dans une direction le long de laquelle la distance entre l'électrode de grille 17 sur la cellule unitaire 10c de la figure 4, et une électrode de grille 17 sur une cellule unitaire 10c (non représentée sur la figure 4) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10c de la figure 4 et adjacente à celle-ci, augmente. L'agencement de cette manière des électrodes de contact 24 et 27 à 33 connectées aux régions de source et/ou de drain 20 à 23 augmente la distance entre l'électrode de grille 16 et chacune des électrodes de contact 24, 28 et 29, la distance entre l'électrode de grille 17 et chacune des électrodes de contact 27, 32 et 33, la distance entre l'électrode de grille 18 et chacune des électrodes de contact 29 et 30 et la distance entre l'électrode de grille 19 et chacune des électrodes de contact 31 et 32. Les éléments sont disposés plus près les uns des autres dans une direction globalement verticale sur la figure 4, une distance prédéterminée étant toujours maintenue entre eux. La taille de la cellule unitaire 10c dans une direction globalement verticale sur la figure 4 est ainsi réduite et la taille de la zone occupée par la cellule unitaire 10c est également réduite. La SRAM est ainsi miniaturisée, les cellules unitaires 10c étant intégrées avec un haut niveau d'intégration. Il en résulte ainsi une SRAM de grande capacité mémoire. On peut utiliser une augmentation de la distance entre les éléments pour la marge d'erreur de position durant la formation des éléments. Chacune des électrodes de contact 24 et 27 à 33 est disposée entre deux électrodes de grille correspondantes 16 à 29. Avec cette géométrie, chaque électrode de contact est équidistante des deux électrodes de grille correspondantes qui l'entourent. La partie inférieure de chacune des électrodes de contact 24 et 27 à 33 est partiellement mise en contact avec une partie prédéterminée des régions respectives de source et/ou de drain 20 à 23. Du point de vue de la résistance de contact, la totalité de la partie inférieure de chacune des électrodes de contact 24 et 27 à 33 se trouve de préférence à l'intérieur de la région respective de source et/ou de drain. De façon plus spécifique, la totalité de la partie inférieure de l'électrode de contact 24 est de préférence présente à l'intérieur de la région de source et/ou de drain 20. La totalité de la partie inférieure de l'électrode de contact 27 est de préférence présente à l'intérieur de la région de source et/ou de drain 21. La totalité des parties inférieures des électrodes de contact 28 à 30 est de préférence présente à l'intérieur de la région de source et/ou de drain 22 et la totalité des parties inférieures des électrodes de contact 31 à 33 est de préférence présente à l'intérieur de la région de source et/ou de drain 23. Aucune modification de conception substantielle n'est nécessaire dans la structure de câblage au niveau de la couche supérieure lorsque la cellule unitaire 10c des figures 4 et 5 est fabriquée. Les régions de source et/ou de drain 22 et 23 peuvent avoir des largeurs différentes entre les transistors de transfert Ti et T2 et les transistors de commande Dl et D2. Dans ce cas, on décale également la position des électrodes de contact 28 à 30 et 31 à 33, de la même manière que décrit ci-dessus. La figure 7 est une vue plane d'une partie principale d'un autre 10 exemple d'agencement d'électrodes de contact. Comme illustré sur la figure 7, la largeur de la région de source et/ou de drain 22 de la cellule unitaire 10c (longueur longitudinale de chacune des électrodes de grille 16 et 18) est relativement grande dans le transistor de transfert Ti et relativement petite dans le transistor de 15 commande Dl. Dans ce cas également, les électrodes de contact 28 à 30 sont décalées, leurs centres étant décalés de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille non parallèles 16 et 18 augmente. L'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 est une ligne 20 d'enveloppe qui relie les centres des cercles inscrits dans la région de source et/ou de drain 22 comme décrit en référence à la figure 6. La distance entre l'électrode de grille 16 et chacune des électrodes de contact 28 et 29 et la distance entre l'électrode de grille 18 et chacune des électrodes de contact 29 et 30 sont fixées de manière à 25 être plus grandes que lorsque les électrodes de contact 28 à 30 sont centrées sur l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 (représentée par la ligne en trait mixte sur la figure 7). La taille de la cellule unitaire 10c dans une direction sensiblement verticale sur la figure 7 est ainsi réduite en conséquence et la taille de la cellule unitaire 10c est 30 ainsi réduite. Il en est de même de la région de source et/ou de drain 23 du transistor de transfert T2 et du transistor de commande D2. La figure 8 est une vue plane d'une cellule unitaire 10d du deuxième mode de réalisation et la figure 9 est une vue plane d'une partie 35 principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le deuxième mode de réalisation. Sur les figures 8 et 9, les éléments identiques à ceux qui sont illustrés sur les figures 4 et 5 sont désignés par les mêmes numéros de référence et leur explication détaillée est ici omise. La cellule unitaire 10d des figures 8 et 9 comporte des régions de source et/ou de drain 20a, 21a, 22a et 23a en remplacement des régions de source et/ou de drain 20, 21, 22 et 23 de la cellule unitaire 10c des figures 4 et 5. Les régions de source et/ou de drain 20a, 21a, 22a et 23a coudées globalement en V large en vue plane, comportent respectivement des projections 40, 41, 42 et 43. La projection 40 de la région de source et/ou de drain 20a fait saillie dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 sur des cellules unitaires symétriques et adjacentes 10d, augmente. La projection 41 de la région de source et/ou de drain 21a fait saillie dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 sur des cellules unitaires symétriques et adjacentes 10d, augmente. Les projections 42 de la région de source et/ou de drain 22a font saillie dans des directions le long desquelles la distance entre les électrodes de grille 16 et 18 et la distance entre les électrodes de grille 16 et 18 sur des cellules unitaires symétriques et adjacentes 10d, sont plus grandes. Les projections 43 de la région de source et/ou de drain 23a font saillie dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 et 19 et la distance entre les électrodes de grille 17 et 19 sur des cellules unitaires symétriques et adjacentes 10d, sont plus grandes. Les transistors de charge L1 et L2, les transistors de commande Dl et D2 et les transistors de transfert Ti et T2 sont ainsi construits en se basant sur les régions de source et/ou de drain 20a à 23a. Les électrodes de contact 24 à 33 sont connectées dans des positions prédéterminées des régions de source et/ou de drain respectives 20a à 23a. Les électrodes de contact 24 et 27 à 33 parmi les électrodes de contact 24 à 33, sont respectivement excentrées par rapport aux axes centraux respectifs C des régions de source et/ou de drain 20a à 23a. La figure 10 illustre l'axe central d'une région de source et/ou de drain en forme de V large comportant une projection. Comme illustré sur la figure 10, l'axe central C de la région de source et/ou de drain en forme de V large 150 comportant une projection 140 est un axe d'enveloppe (comme indiqué par la ligne en pointillés) dessiné en reliant les centres O des cercles inscrits 160 dans la région de source et/ou de drain 150 en faisant glisser en continu le cercle 160 le long de la région de source et/ou de drain 150. (Le contact du cercle 160 s'effectue en deux points, un point sur le bord droit et l'autre point sur le bord gauche de la région de source et/ou de drain 150). L'axe central C de chacune des régions de source et/ou de drain 20a à 23a à l'intérieur de la cellule unitaire 10d est défini de façon similaire. Comme illustré sur les figures 8 et 9, l'électrode de contact 29 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22a entre les électrodes de grille non parallèles 16 et 18 du transistor de commande Dl et du transistor de transfert T1 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 et 18, augmente. L'électrode de contact 29 est disposée sur la projection 42 de la région de source et/ou de drain 22a. La distance entre l'électrode de contact 29 et chacune des électrodes de grille 16 et 18 est fixée de manière à être plus grande que lorsque l'électrode de contact 29 est centrée sur l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22a (comme représenté par la ligne en trait mixte sur les figures 8 et 9). Le transistor de transfert T1 et le transistor de commande Dl sont ainsi disposés plus près l'un de l'autre en conséquence dans la direction sensiblement verticale des figures 8 et 9. On augmente plus efficacement la distance entre l'électrode de contact 29 et chacune des électrodes de grille 16 et 18 que lorsque la région de source et/ou de drain 22a n'est pas dotée de la projection 42. Les autres électrodes de contact 28 et 30 connectées à la région de source et/ou de drain 22a sont également disposées de façon similaire. Comme illustré sur les figures 8 et 9, l'électrode de contact 28 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22a entre les électrodes de grille 16 sur les cellules unitaires 10d symétriques entre elles et adjacentes l'une à l'autre dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 augmente. L'électrode de contact 30 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22a entre les électrodes de grille 18 sur les cellules unitaires 10d symétriques entre elles et adjacentes l'une à l'autre dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 18 augmente. Il en est de même de la région de source et/ou de drain 23a. De façon plus spécifique, en référence à la figure 8, l'électrode de contact 32 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 23a entre les électrodes de grille 17 et 19 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 et 19 augmente. L'électrode de contact 31 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 23a entre l'électrode de grille 19 sur la cellule unitaire 10d de la figure 8, et une électrode de grille 19 sur une cellule unitaire 10d (non représentée) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10d de la figure 8 et adjacente à celle-ci, dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 19 augmente. L'électrode de contact 33 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 23a entre l'électrode de grille 17 sur la cellule unitaire 10d de la figure 8, et une électrode de grille 17 sur une cellule unitaire 10d symétrique par rapport à la cellule unitaire 10d de la figure 8 et adjacente à celle-ci, dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 augmente. Il en est de même des régions de source et/ou de drain 20a et 21a. De façon plus spécifique, l'électrode de contact 24 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 20a entre l'électrode de grille 16 sur la cellule unitaire 10d de la figure 8, et une électrode de grille 16 sur une cellule unitaire 10d (non représentée) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10d de la figure 8 et adjacente à celle-ci, dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 augmente. L'électrode de contact 27 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 21a entre l'électrode de grille 17 de la cellule unitaire 10d de la figure 8, et une électrode de grille 17 sur une cellule unitaire 10d (non représentée) symétrique par rapport à la cellule unitaire 10d de la figure 8 et adjacente à celle-ci, dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 augmente. Les électrodes de contact 24 et 27 à 33 sont disposées de cette manière sur les régions de source et/ou de drain 20a à 23a ayant les projections respectives 40 à 43. Les éléments sont disposés plus près les uns des autres dans une direction globalement verticale sur la figure 8, une distance prédéterminée étant toujours maintenue entre eux. La taille de la cellule unitaire 10d dans une direction globalement verticale sur la figure 8 est réduite. On peut augmenter la marge d'erreur de position des éléments durant la formation des éléments. Les régions de source et/ou de drain 20a à 23a sont respectivement dotées des projections 40 à 43 et les électrodes de contact 24 et 27 à 33 sont disposées sur les projections 40 à 43. La taille de la cellule unitaire 10d dans une direction sensiblement verticale sur la figure 8 est réduite sans diminuer la marge d'erreur de position des régions de source et/ou de drain 20a à 23a et des électrodes de contact 24 et 27 à 33. On peut déterminer les mêmes degrés de protubérance ou des degrés différents dans les projections 40 à 43 des régions de source et/ou de drain 20a à 23a. Dans la détermination de la protubérance, il est important de tenir compte de la géométrie des éléments environnants présents dans la direction de la protubérance des projections 40 à 43. Dans une zone marquée par la lettre W sur la figure 8, la projection 42 se rapproche d'une projection 42 sur une cellule unitaire 10d symétrique par rapport à la cellule unitaire 10d d'intérêt et adjacente à celle-ci. La zone W est à l'origine une marge importante et les deux projections 42 sont polarisées à la même tension (Vss). Les projections 42 peuvent ainsi faire saillie jusqu'à un degré tel que les deux projections 42 soient très proches l'une de l'autre ou même se touchent. Dans une zone marquée par la lettre X sur la figure 8, un espace suffisant est présent à l'origine dans la cellule unitaire 10d. Dans une zone marquée par la lettre Y sur la figure 8, les projections 43 sur les cellules unitaires 10d symétriques entre elles et adjacentes l'une à l'autre se rapprochent l'une de l'autre. Puisque les projections 43 dans la zone Y sont reliées à des lignes de bits différentes, il faut apporter du soin de manière à s'assurer que les projections 43 ne soient pas trop proches l'une de l'autre ou ne se touchent pas. Dans une zone marquée par la lettre Z sur la figure 8, la projection 42, en tant que région de drain de type n formée sur un puits de type p 13, se rapproche d'un puits de type n 14. L'importance de la protubérance des projections 42 est déterminée en tenant compte de la tension de claquage entre la projection 42 et le puits 14. La figure 11 est une vue plane d'une cellule unitaire 10e selon le troisième mode de réalisation et la figure 12 est une vue plane illustrant une partie principale d'un agencement d'électrode de contact selon le troisième mode de réalisation. Sur les figures 11 et 12, les éléments identiques à ceux qui sont illustrés sur les figures 8 et 9 sont désignés par les mêmes numéros de référence et leur explication détaillée est ici omise. La cellule unitaire 10e illustrée sur les figures 11 et 12 comporte des électrodes de contact globalement allongées horizontalement 24a et 27a à 33a à la place des électrodes de contact circulaires 24 et 27 à 33 illustrées sur les figures 8 et 9. Les électrodes de contact 24a et 27a à 33a ont une forme elliptique ou globalement rectangulaire en vue plane. Les figures 11 et 12 illustrent les électrodes de contact 24a et 27a à 33a, ayant chacune une forme globalement rectangulaire. Les électrodes de contact 24a et 27a à 33a sont décalées, leurs centres étant décalés des axes centraux respectifs C des régions de source et/ou de drain 20a à 23a dans la direction de la protubérance des projections 40 à 43 des régions de source et/ou de drain 20a à 23a. Les électrodes de contact allongées 24a et 27a à 33a ainsi disposées procurent les avantages suivants par rapport aux électrodes de contact centrées sur l'axe central C (telles que représentées par la ligne en trait mixte sur les figures 11 et 12) : La taille de la cellule unitaire 10e dans une direction globalement verticale sur les figures 11 et 12 est réduite, la distance prédéterminée étant maintenue entre les éléments et on augmente la marge d'erreur de position des éléments durant la formation des éléments. Lorsqu'on utilise les électrodes de contact 24a et 27a à 33a ayant la forme décrite ci-dessus, on peut disposer des petites parties des électrodes de contact 24a et 27a à 33a en dehors des zones des régions de source et/ou de drain respectives 20a à 23a. Même si une partie de chacune des électrodes de contact 24a et 27a à 33a est en dehors de la zone, la partie restante de chacune des électrodes de contact 24a et 27a à 33a est toujours suffisante pour assurer la zone de contact avec les régions de source et/ou de drain 20a à 23a. L'utilisation des électrodes de contact 24a et 27a à 33a ayant une telle forme augmente la marge d'erreur de position entre les régions de source et/ou de drain 20a à 23a et les électrodes de contact 24a et 27a à 33a. On peut utiliser les électrodes de contact 24a et 27a à 33a ayant une forme globalement allongée horizontalement avec les régions de source et/ou de drain 20 à 23 ne comportant pas de projection 40 à 43. Dans ce cas également, le décalage des électrodes de contact 24a et 27a à 33a, leurs centres étant décalés des axes centraux C des régions de source et/ou de drain 20 à 23 procure toujours des avantages de réduction de taille de la cellule unitaire, d'augmentation de la marge d'erreur de position et de diminution de la résistance de contact. La figure 13 est une vue plane d'une cellule unitaire 10f selon le quatrième mode de réalisation. En référence à la figure 13, les éléments illustrés sur la figure 11 sont désignés par les mêmes numéros de référence et leur explication est ici omise. La cellule unitaire 10f de la figure 13 comporte des électrodes de contact 24b, 27b à 29b, 32b et 33b s'étendant linéairement vers l'extérieur depuis les régions de source et/ou de drain 20a à 23a en vue plane au lieu des électrodes de contact 24a, 27a à 29a, 32a et 33a de la figure 11 (comme représenté par les lignes en trait mixte sur la figure 13). Les électrodes de contact 24b, 27b à 29b, 32b et 33b sont réalisées en prolongeant vers l'extérieur les électrodes de contact 24a, 27a à 29a, 32a et 33a de la figure 11 par rapport aux régions de source et/ou de drain 20a à 23a dans la direction de la protubérance des projections 40 à 43, les positions d'extrémité des électrodes de contact 24a, 27a à 29a, 32a et 33a étant fixes. Dans la cellule unitaire 10f, les projections 40 à 43 font en outre saillie dans les zones W et X. Par rapport à la géométrie de la cellule unitaire 10f de la figure 13 relative à une cellule unitaire 10f symétrique par rapport à la cellule unitaire 10f de la figure 13 et adjacente à celle-ci, et la géométrie des éléments situés à l'intérieur de la cellule unitaire 10f de la figure 13, les projections 40 à 43 dans les zones W et X font davantage saillie que dans les autres zones. On considère désormais les électrodes de contact 24b, 27b à 29b, 32b et 33b. Les électrodes de contact 28b et 33b dans la zone W s'étendent respectivement plus près des projections 42 de la même tension (Vss) sur les cellules unitaires 10f symétriques par rapport aux cellules unitaires 10f de la figure 13 et adjacentes à celles-ci. Il est parfaitement acceptable que les électrodes de contact 28b et 33b soient respectivement proches, touchent ou même constituent un corps unitaire avec les électrodes de contact 28b et 33b de la même forme des cellules unitaires adjacentes 10f. Les électrodes de contact 24b et 27b dans la zone X sont respectivement disposées en tenant compte de leur géométrie avec les transistors de transfert Ti et T2. On peut prolonger les électrodes de contact 29b et 32b dans la zone Z de manière à être respectivement proches, touchent ou même constituent un corps unitaire avec les électrodes de contact 25 et 26. On notera que les électrodes de contact 25 et 26 sont connectées aux transistors de charge L1 et L2. Comme expliqué précédemment, la longueur de la protubérance des projections 42 et 43 des régions de source et/ou de drain 22a et 23a est limitée. Si les électrodes de contact 29b et 32b sont prolongées de manière à constituer respectivement un corps unitaire avec les électrodes de contact 25 et 26, aucun câblage pour connecter respectivement les électrodes de contact 29b et 32b aux électrodes de contact 25 et 26 n'est requis au niveau de la couche supérieure. Les électrodes de contact s'étendant linéairement 24b, 27b à 29b, 32b et 33b sont également applicables aux régions de source et/ou de drain 20 à 23 ne comportant pas de projection 40 à 43. Les cellules unitaires 1Oc à 10f comportant les trois types de transistors des transistors de charge L1 et L2, des transistors de commande Dl et D2 et des transistors de transfert Ti et T2 dans l'agencement de câblage incliné ont été expliquées. Si un type, deux types ou les trois types de transistors sont disposés selon un agencement de câblage incliné, on diminue la taille de la cellule unitaire de SRAM en décalant la position des électrodes de contact. Dans la cellule unitaire 10a de la SRAM à réseau parallèle de la figure 1, seuls les transistors de transfert Tl et T2 peuvent être inclinés selon un angle d'inclinaison prédéterminé comme dans la cellule unitaire 10b de la figure 3. Dans ce cas, l'électrode de contact 29 connectée dans une partie coudée de la région de source et/ou de drain 22 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central de la région de source et/ou de drain 22 entre les électrodes de grille non parallèles 16 et 18 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 et 18 augmente. L'électrode de contact 30 connectée dans une partie coudée de la région de source et/ou de drain 22 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central de la région de source et/ou de drain 22 entre l'électrode de grille 18 et une électrode de grille adjacente 16 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 et 18 augmente. L'électrode de contact 32 connectée dans une partie coudée de la région de source et/ou de drain 23 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central de la région de source et/ou de drain 23 entre les électrodes de grille non parallèles 17 et 19 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 17 et 19 augmente. L'électrode de contact 31 connectée dans une partie coudée de la région de source et/ou de drain 23 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central de la région de source et/ou de drain 23 entre l'électrode de grille 19 et une électrode de grille adjacente 17 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 19 et 17 augmente. Les transistors de charge L1 et L2 sont disposés de manière plus compacte en redimensionnant les régions de source et/ou de drain 20 et 21 comme nécessaire. La taille de la cellule unitaire est généralement réduite. Les transistors de charge L1 et L2 et les transistors de commande D1 et D2 disposés sur la cellule unitaire 10a comme illustré sur la figure 1, sont inclinés d'un angle prédéterminé de manière à constituer la cellule unitaire 10b de la figure 3. Dans ce cas également, au moins les électrodes de contact 24 et 27 connectées aux parties coudées des régions de source et/ou de drain 20 et 21, et au moins les électrodes de contact 29, 30, 31 et 32, connectées aux parties coudées sur les régions de source et/ou de drain 22 et 23 sont décalées dans des directions prédéterminées. La taille totale de la cellule unitaire est ainsi globalement réduite. Les transistors de commande D1 et D2 et les transistors de transfert Ti et T2 sur la cellule unitaire 10a de la figure 1 sont inclinés d'un angle prédéterminé de manière à constituer la cellule unitaire 10b de la figure 3. Dans ce cas également, les électrodes de contact 28 à 33 connectées aux parties coudées des régions de source et/ou de drain 22 et 23, sont décalées dans des directions prédéterminées. La taille totale de la cellule unitaire est ainsi globalement réduite. Dans l'un quelconque des trois modes de réalisation ici présentés, les projections peuvent être prolongées depuis les parties des régions de source et/ou de drain auxquelles sont connectées les électrodes de contact. Les électrodes de contact dont la position est décalée peuvent avoir une forme globalement allongée horizontalement en vue plane, dont la totalité de la partie inférieure ou sa partie principale se trouve à l'intérieur de la zone de la région de source et/ou de drain. Les électrodes de contact dont la position est décalée peuvent avoir une forme globalement allongée horizontalement en vue plane, s'étendant linéairement au-delà du bord de la région de source et/ou de drain aussi loin que le permet la géométrie des autres éléments. La figure 14 est une vue plane d'une cellule unitaire 10g selon le cinquième mode de réalisation et la figure 15 est une vue plane d'une partie principale d'un agencement d'électrode de contact selon le cinquième mode de réalisation. Sur les figures 14 et 15, les éléments identiques à ceux qui sont illustrés sur la figure 1 sont désignés par les mêmes numéros de référence et leur explication détaillée est ici omise. La cellule unitaire 10g des figures 14 et 15 est réalisée en faisant en sorte que les électrodes de grille de 16 à 19 coupent la région linéaire de source et/ou de drain 20 à 23 d'un angle différent des angles droits dans la cellule unitaire 10a de la SRAM à réseau parallèle de la figure 1. Les électrodes de contact 24 et 27 à 33 sont décalées par rapport aux emplacements comme indiqué par des lignes en trait mixte dans des directions prédéterminées sur les figures 14 et 15. En se référant aux figures 14 et 15, l'électrode de contact 29 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 entre les électrodes de grille 16 et 18 dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 et 18 augmente. L'électrode de contact 28 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 entre les électrodes de grille 16 sur les cellules unitaires 10g symétriques entre elles et adjacentes l'une à l'autre dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 16 augmente. L'électrode de contact 30 est décalée, son centre étant décalé de l'axe central C de la région de source et/ou de drain 22 entre les électrodes de grille 18 sur les cellules unitaires 10g symétriques entre elles et adjacentes l'une à l'autre dans une direction le long de laquelle la distance entre les électrodes de grille 18 augmente. Il en est de même des électrodes de contact 24, 27 et 31 à 33 dans les autres régions de source et/ou de drain 20, 21 et 23. De cette manière, il peut se produire une augmentation de la distance entre l'électrode de grille 16 et chacune des électrodes de contact 24, 28 et 29, de la distance entre l'électrode de grille 17 et chacune des électrodes de contact 27, 32 et 33, de la distance entre l'électrode de grille 18 et chacune des électrodes de contact 29 et 30 et de la distance entre l'électrode de grille 19 et chacune des électrodes de contact 31 et 32. Les éléments sont disposés plus près les uns des autres dans une direction globalement verticale sur la figure 14, une distance prédéterminée étant toujours maintenue entre eux. La taille de la cellule unitaire 10g dans une direction globalement verticale sur la figure 14 est ainsi réduite. La marge d'erreur de position des éléments est accrue durant la formation des éléments. Les électrodes de grille 16 et 17 peuvent couper les régions de source et/ou de drain 22 et 23 avec un certain angle d'inclinaison en vue plane et peuvent couper les régions de source et/ou de drain 20 et 21 à angle droit en vue plane. On modifie la taille des régions de source et/ou de drain 20 et 21 des transistors de charge L1 et L2 en fonction de la réduction de taille du transistor de commande D1 et du transistor de transfert Ti et du transistor de commande D2 et du transistor de transfert T2. Les éléments sont ainsi disposés, la distance entre eux étant réduite. La taille de la cellule unitaire est globalement réduite. La figure 16 est une vue plane d'une partie principale d'un agencement d'électrodes de contact selon le sixième mode de réalisation. Sur la figure 16, les éléments identiques à ceux qui sont illustrés sur la figure 15 sont désignés par les mêmes numéros de référence et leur explication détaillée est ici omise. Les projections 40 à 43 peuvent être prolongées depuis les régions de source et/ou de drain 20 à 23 lorsque les électrodes de grille 16 à 19 sont inclinées dans la cellule unitaire 10g du cinquième mode de réalisation. Comme illustré sur la figure 16, la région de source et/ou de drain 22 comporte des projections 42, une projection 42 entre les électrodes de grille non parallèles 16 et 18, une projection 42 entre les électrodes de grille 16 sur les cellules unitaires 10h symétriques entre elles et adjacentes l'une à l'autre, et une projection 42 entre les électrodes de grille 18 sur les cellules unitaires 10h symétriques entre elle et adjacentes l'une à l'autre. Les électrodes de contact 28 à 30 sont disposées dans des positions décalées dans la direction de la protubérance des projections 42 de la région de source et/ou de drain 22. Il en est de même des autres régions de source et/ou de drain 20, 21 et 23, et des électrodes de contact 24, 27 et 30 à 33 disposées sur celles-ci. Les régions de source et/ou de drain 20 à 23 configurées de cette manière procurent une réduction de taille des éléments et une augmentation de la marge d'erreur de position de chaque élément par comparaison avec l'agencement dans lequel les électrodes de contact 24 et 27 à 33 sont centrées sur l'axe central C (comme indiqué par la ligne en trait mixte sur la figure 16). La réduction de taille dans une direction globalement verticale sur la figure 16 est effectuée sans diminuer la marge d'erreur de position des régions de source et/ou de drain 24 à 27 et des électrodes de contact 24 et 27 à 33. Dans les cinquième et sixième modes de réalisation, les électrodes de contact 24 et 27 à 33 peuvent avoir une forme globalement allongée horizontalement comme expliqué en référence aux troisième et quatrième modes de réalisation. Les premier et deuxième types de transistors parmi les transistors de charge L1 et L2, les transistors de commande Dl et D2 et les transistors de transfert Ti et T2 peuvent être inclinés d'un angle prédéterminé sur la cellule unitaire 10a de la figure 1. Les types de transistors restants qui ne sont pas inclinés peuvent être disposés de la même manière que décrit en référence aux cinquième et sixième modes de réalisation. De façon plus spécifique, dans les transistors inclinés, l'électrode de contact du côté de l'électrode de grille est décalée et dans les transistors non inclinés, son électrode de grille est inclinée et les électrodes de contact des deux côtés de l'électrode de grille sont décalées dans une direction prédéterminée. Avec cet agencement, la taille de la cellule unitaire est globalement réduite. Comme décrit ci-dessus, l'électrode de contact disposée sur la région de source et/ou de drain entre les deux électrodes de grille non parallèles est disposée, son centre étant décalé de l'axe central de la région de source et/ou de drain dans une direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente. La taille de la cellule unitaire est réduite, une distance prédéterminée étant maintenue entre les éléments prédéterminés constituant la cellule unitaire. Cet agencement contribue à une réduction de taille de la SRAM et à une augmentation de la capacité mémoire. Dans l'explication ci-dessus, la SRAM comporte une cellule unitaire de six transistors. Dans la mesure où le fonctionnement de la SRAM est assuré, le nombre de transistors constituant la cellule unitaire n'est pas limité à six. L'agencement décrit ci-dessus est applicable à une SRAM ayant une cellule unitaire incluant des transistors en un nombre différent de six. On peut utiliser un élément de charge tel qu'une résistance à la place du transistor de charge. Le procédé d'agencement décrit ci-dessus est applicable à une diversité de dispositifs à semiconducteurs incluant la SRAM. La présente technique n'est pas limitée à la SRAM. Le procédé d'agencement décrit ci-dessus est également applicable à un autre dispositif à semiconducteur comportant deux électrodes de grille coupant une région de source et/ou de drain. La présente technique contribue également à la miniaturisation d'un dispositif hôte incluant un tel dispositif à semiconducteur. Outre les modes de réalisation décrits ci-dessus, on envisage également les agencements suivants. Le grand nombre de caractéristiques et d'avantages des modes de réalisation apparaissent d'après la description détaillée et ainsi, il est voulu que les revendications annexées couvrent toutes les caractéristiques et avantages des modes de réalisation qui appartiennent à son esprit et à sa portée réels. En outre, puisqu'un grand nombre de modifications et de variantes apparaîtront facilement aux hommes de l'art, il n'est pas souhaité limiter les modes de réalisation inventés à la construction et au fonctionnement exacts illustrés et décrits et en conséquence, on peut recourir à toute modification et équivalents convenables, appartenant à sa portée. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur (l0a) comprenant : une paire d'électrodes de grille (16, 18) s'étendant de manière adjacente l'une à l'autre sans être parallèles ; une région de source et/ou de drain (22) située entre les deux électrodes de grille pour former une paire de transistors avec les électrodes de grille ; et une électrode de contact (29) disposée entre les deux électrodes de grille (16, 18), en contact avec la région de source et/ou de drain dans une zone de contact telle que le centre de la zone de contact est décalé par rapport au centre de la région de source et/ou de drain (22) dans une direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille (16, 18) augmente. 2. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel le centre de la zone de contact est disposé de manière à être équidistant des deux électrodes de grille. 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel la région de source et/ou de drain (23a) comporte une partie coudée entre les deux électrodes de grille. 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, dans lequel la région de source et/ou de drain a une forme convexe faisant saillie dans la direction de la paire d'électrodes de grille dans la direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente. 5. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel la région de source et/ou de drain (23a) comporte une projection (43) faisant saillie entre les deux électrodes de grille (17, 19) dans la direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente. 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel une partie de la zone de contact de l'électrode de contact est disposée sur la région de source et/ou de drain. 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel l'électrode de contact est allongée, s'étendant dans une direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente. 8. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 7, dans lequel l'électrode de contact (24a) s'étend vers l'extérieur au-delà du bord de la région de source et/ou de drain (20a) en vue plane. 9. Dispositif à semiconducteur comprenant : une cellule unitaire (10a) de SRAM comportant un transistor de commande (Dl) ; un transistor de transfert (Ti) ; et un élément de charge ; dans lequel une paire d'électrodes de grille (16, 18) s'étendent de manière adjacente l'une à l'autre sans être parallèles, la paire d'électrodes de grille incluant l'électrode de grille d'un transistor parmi le transistor de commande et le transistor de transfert, dans lequel une région de source et/ou de drain (22) est située entre les deux électrodes de grille pour former le transistor de commande (Dl) et le transistor de transfert (Ti), les électrodes de grille, la région de source et/ou de drain étant partagées en commun par les transistors, et dans lequel une électrode de contact (29) est disposée entre les deux électrodes de grille, en contact avec la région de source et/ou de drain dans une zone de contact telle que le centre de la zone de contact est décalé par rapport au centre de la région de source et/ou de drain dans une direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente. 10. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, dans lequel on utilise l'électrode de grille comme électrode de grille du transistor de commande et électrode de grille du transistor de transfert. 11. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, dans lequel on utilise l'électrode de grille comme électrode de grille de l'un des transistors de commande et électrode de grille du transistor de commande des cellules adjacentes. 12. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, dans lequel on utilise l'électrode de grille comme électrode de grille de l'un des transistors de transfert et électrode de grille du transistor de transfert des cellules adjacentes. 13. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 9, dans lequel l'élément de charge comporte un transistor de charge. 14. Dispositif à semiconducteur comprenant :une cellule unitaire de SRAM comportant un transistor de commande ; un transistor de transfert ; et un transistor de charge ; dans lequel une paire d'électrodes de grille s'étendent de manière adjacente l'une à l'autre sans être parallèles, la paire d'électrodes de grille incluant les électrodes de grille des transistors de charge sur des cellules unitaires adjacentes, dans lequel une région de source et/ou de drain est située entre les deux électrodes de grille pour former le transistor de commande et le transistor de transfert, les électrodes de grille, la région de source et/ou de drain étant partagées en commun par les transistors de charge des cellules unitaires adjacentes, et dans lequel une électrode de contact est disposée entre les deux électrodes de grille, en contact avec la région de source et/ou de drain dans une zone de contact telle que le centre de la zone de contact est décalé par rapport au centre de la région de source et/ou de drain dans une direction le long de laquelle la distance entre les deux électrodes de grille augmente.