Brevet FR2923652A1 — publié le 20090515

PROCEDE DE FABRICATION DE NANOFILS PARALLELES A LEUR SUBSTRAT SUPPORT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de nanofils parallèles à leur substrat support. Ce procédé peut notamment s'appliquer au domaine de la micro-électronique, en particulier pour la réalisation de transistors à nanofils. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les nanofils parallèles à leur substrat support presentent un intérêt certain pour la fabrication de transistors à effet de champ. Dans ce cas, un nanofil est lié à ses extrémités à des contacts servant d'électrodes (source et drain). Les fils peuvent faire de quelques nanomètres de diamètre à quelques centaines de nanomètres avec un optimum à 20 nm. La longueur des fils peut aller d'une fois le diamètre à 10 fois le diamètre. Les dimensions des contacts (longueur et largeur pour un contact rectangulaire) sont supérieures à la largeur des nanofils et peuvent aller de 10 nm à plusieurs micromètres. Le nanofil est au contact ou non avec le substrat sous-jacent, par sa partie inférieure. Dans le cas où le nanofil est au contact du substrat, on parlera d'un � nanofil sur substrat �. Dans le cas où le nanofil n'est pas au contact avec le substrat, on parlera d'un � nanofil libre �. Dans le cas de l'application à un transistor notamment, le matériau constituant le nanofil et le matériau constituant les contacts sont semi-conducteurs monocristallins, par exemple en Si, SiGe, Ge, GaAs, A1GaAs ou amorphe. Le matériau constituant le nanofil est identique au matériau des contacts. Le substrat peut être constitué d'un monocouche ou d'un multicouche. Dans le cas d'un nanofil sur substrat, la couche supérieure du substrat est un diélectrique, par exemple du SiO2 ou Al203. Dans le cas d'un nanofil libre, la couche supérieure du substrat peut être un diélectrique (par exemple du SiO2 ou Al2O3), ou bien un conducteur ou un semi-conducteur (par exemple du Si, SiGe, Ge, GaAs ou AlGaAs ou un matériau amorphe). Le document US 2005/0275010 divulgue un procédé de fabrication d'un transistor à nanofil. Ce transistor est fabriqué à partir d'un substrat SOI. La figure 1 montre une structure de transistor en cours de fabrication. On reconnaît le support en silicium 1 du substrat SOI et la couche d'oxyde enterré 2 et, sur cette couche d'oxyde, la structure du transistor réalisée à partir de la couche superficielle de silicium du substrat SOI dont 3, 4 et 5. La structure de région de source 3, une région il subsiste les parties transistor comprend une de drain 4 et une région de canal 5 en forme de barreau de par rapport aux régions de drain références 6 et 7 désignent des largeur restreinte et de source. Les zones d'oxyde de silicium situées respectivement sur les régions de source 3 et de drain 4. Les zones 6 et 7 proviennent du procédé de fabrication et peuvent s'étendre complètement à la surface des parties 3, 4 et 5. Les zones 6 et 7 seront éliminées par la suite. La figure 2 montre la structure de transistor à un stade ultérieur de fabrication. Cette structure résulte d'un recuit à température élevée. Le recuit a provoqué un réarrangement des atomes de silicium. Le réarrangement est induit par une migration en surface des atomes de silicium due à la tendance à minimiser l'énergie de surface. Durant le recuit, le réarrangement des atomes au niveau de la région de canal de largeur restreinte a pour conséquence d'arrondir les coins du barreau formant la région de canal. Cette région de canal se transforme alors en un nanofil 8. La figure 3 montre la structure de transistor complétée par la formation d'une grille 9, intercalée entre les régions de source 3 et de drain 4 et enrobant le nanofil 8. Le recuit permet de lisser et d'arrondir la section du nanofil et d'assurer une reconstruction de la surface cristalline du nanofil afin d'en optimiser ses caractéristiques électriques. Le lissage permet de diminuer la rugosité et donc d'augmenter la mobilité des porteurs de charges électriques transitant dans le nanofil qui sert comme canal de conduction. À fort champ transversal (c'est-à-dire un champ perpendiculaire à l'axe du nanofil), les porteurs de charges interagissent avec la rugosité de l'interface entre le fil et le diélectrique de grille, ce qui dégrade leur mobilité. L'arrondissement de la section des fils permet de ne plus avoir de coin sur les fils et donc de s'affranchir du phénomène de déclenchement multiple du transistor, ce qui a pour conséquence une amélioration de la pente de la courbe Id(Vg) dite � pente sous le seuil �, où Id est le courant entre les contacts de source et drain (traversant le nanofil) et Vg est la tension de la grille. Le recuit permet donc d'arrondir la section du nanofil par migration en surface des atomes de silicium. Cependant, il se produit également une migration des atomes de silicium du nanofil vers les régions de source et de drain qui sont du même matériau que le nanofil. Il peut en résulter un phénomène de pincement du nanofil (appelé � nano-wire necking � dans la terminologie anglo-saxonne). Ce phénomène de migration est illustré par les figures 4A à 4C qui sont des vues de dessus d'un substrat 11 supportant un barreau 12 dont les extrémités sont reliées à des régions de drain 13 et de source 14. La figure 4A montre la structure avant recuit. Cette structure est donc similaire à celle de la figure 1. Lors du recuit, comme le montre la figure 4B, il peut se produire des pincements 16 du nanofil 15 à ses deux extrémités, c'est-à-dire proche des contacts de source 13 et de drain 14. Le pincement des nanofils est un problème car il crée des résistances d'accès supplémentaires. Le pincement dégrade ainsi les performances des transistors. Le pincement peut conduire, si le recuit se poursuit, à la rupture du nanofil aux endroits référencés 17 (voir la figure 4C). Il n'y a plus alors de liaison électrique entre le nanofil 15 et les contacts de source 13 et de drain 14. Il en résulte une perte totale de la fonctionnalité du transistor. Pour remédier à ce phénomène de pincement du nanofil, le document US 2005/0275010 préconise l'insertion d'une zone masquée sur au moins l'une des régions de source et de drain. Le masque comprend un matériau vers lequel les atomes de silicium ne migrent pas, comme le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium ou l'oxyde de silicium. Puisque les atomes de silicium n'ont pas tendance à migrer vers les régions masquées, la quantité d'atomes qui migre effectivement est limitée et, par conséquent, le pincement est également limité. La solution préconisée par le document US 2005/0275010 présente cependant l'inconvénient d'avoir à réaliser des masques sur les régions de source et de drain, ces masques pouvant être multicouches, ce qui implique des étapes supplémentaires dans le procédé de fabrication (dépôt, gravure, élimination). Pour résumer les différents états du nanofil (ou nanobarreau) avant le recuit, selon l'art antérieur, on peut trouver : - un nanofil sur un substrat d'un seul niveau, - un nanofil libre d'un seul niveau, cet état nécessitant l'utilisation d'un matériau sacrificiel, - des nanofils sur plusieurs niveaux où le fil inférieur est sur le substrat (avec une organisation matricielle), - des nanofils sur plusieurs niveaux où le fil inférieur est libre (avec une organisation matricielle), état qui nécessite également l'utilisation d'un matériau sacrificiel. Lors d'un recuit, un fil sur substrat restera sur le substrat, tandis qu'un fil libre restera libre. EXPOSÉ DE L'INVENTION Les inventeurs de la présente invention ont découvert qu'il est possible de maîtriser le dimensionnement des pincements provoqués sur les nanofils par un recuit. Il est alors possible de prévoir le dimensionnement du pincement en fonction des types de matériaux utilisés et des conditions du recuit (température de recuit, durée du recuit, nature et pression du gaz présent pendant le recuit). L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'au moins un nanofil, le nanofil étant parallèle à son substrat support, le procédé comprenant : - la formation sur le substrat support d'une structure comprenant un barreau et deux régions, une première extrémité du barreau étant solidaire de l'une des deux régions et une deuxième extrémité du barreau étant solidaire de l'autre région, la largeur du barreau étant inférieure à la largeur des régions, - la soumission du barreau à un recuit sous atmosphère gazeuse pour transformer le barreau en nanofil, caractérisé en ce que le recuit est effectué dans des conditions permettant une maîtrise du dimensionnement d'au moins un pincement se produisant sur le nanofil lors de sa formation, le rayon du nanofil au niveau du pincement étant alors déterminé par le graphe de la figure 6 pour lequel : rneck rayon du nanofil au niveau du pincement ro = rayon initial du nanofil t = temps de recuit B = Dç.v.y.S22/kB.T avec . D3 = coefficient de diffusion de surface du matériau du nanofil v = nombre d'atomes de surface du nanofil par unité de surface, y = énergie de surface du nanofil S2 = volume atomique des atomes du nanofil kB = constante de Boltzmann T = température de recuit. Selon un mode de mise en oeuvre particulier, le recuit est effectué dans des conditions permettant en outre une maîtrise de la localisation du pincement ou des pincements lors de la formation du nanofil, la localisation du pincement ou des pincements étant alors déterminée par le graphe de la figure 8 pour lequel : Lneck est la distance entre un pincement et la région de la structure la plus proche du pincement, Lwire étant la longueur du nanofil, moyennant quoi il se forme soit un pincement unique au milieu du nanofil, soit un pincement double. Selon un autre mode de mise en œuvre particulier, la formation sur le substrat support de la structure comprenant un barreau et deux régions provoque la création d'un évasement à chaque extrémité du barreau dans sa solidarisation avec les deux régions. L'évasement peut se faire selon un angle de 45° sur chaque bord du nanofil. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'au moins un transistor à nanofil, comprenant . -la mise en œuvre du procédé ci-dessus de fabrication d'au moins un nanofil, l'une des régions de la structure étant prévue pour constituer le drain du transistor, l'autre région de la structure étant prévue pour constituer la source du transistor, - la formation d'au moins une grille pour le transistor sur le nanofil à l'emplacement dudit au moins un pincement. Ce procédé de fabrication d'un transistor à nanofil permet la fabrication d'un transistor 25 comprenant un nanofil présentant un pincement unique et une grille unique recouvrant le pincement unique. Il permet aussi la fabrication d'un transistor comprenant un nanofil présentant deux pincements et une grille unique recouvrant les deux pincements. Il permet encore 30 la fabrication d'un transistor comprenant un nanofil présentant deux pincements et deux grilles, une 20 première grille recouvrant un premier pincement et une deuxième grille recouvrant un deuxième pincement. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - la figure 1, déjà décrite, montre une structure de transistor à nanofil selon l'art connu en cours de fabrication, - la figure 2, déjà décrite, montre la structure de transistor à nanofil de la figure 1 à un stade ultérieur de fabrication, selon l'art connu, la figure 3, déjà décrite, montre la structure de transistor à nanofil de la figure 2 complétée par la formation d'une grille, selon l'art connu, - les figures 4A à 4C, déjà décrites, sont des vues de dessus d'un substrat supportant un barreau, destiné à la formation d'un nanofil, dont les extrémités sont reliées à des régions de drain et de source, illustrant le phénomène de migration des atomes du nanofil en cours de formation, - la figure 5A reprend la structure représentée à la figure 4A et la figure 5B montre l'effet de pincement dû au recuit sur un détail de la figure 5A, - la figure 6 est un graphe représentant la 30 quantification du pincement en fonction du temps, - la figure 7 représente l'algorithme du code numérique MoveFilm appliqué à un nanofil libre, - la figure 8 est un graphe représentant la distance Lneck entre le pincement et le contact en fonction de la longueur du nanofil et de son rayon initial ro, - la figure 9 est un diagramme représentant l'évolution du profil de la surface d'un nanofil libre pendant un recuit, en fonction du temps t, du rayon initial du nanofil ro et du coefficient B, pour Lwire-6 ro, la figure 10 est un diagramme représentant le profil de la surface d'un nanofil libre de longueur Lwire=6 ro, avant et après recuit pendant un temps t=0,97 ro4/B, la figure 11 est un diagramme représentant l'évolution du profil de la surface d'un nanofil libre pendant un recuit, en fonction du temps t, du rayon initial du nanofil ro et du coefficient B, pour Lwire=7 ro, - les figures 12 et 13 sont des diagrammes représentant le profil de la surface d'un nanofil libre de longueur Lwire=7 ro, avant et après un recuit pendant un temps t=1,4 ro4/B, - les figures 14A et 14B représentent des zones de rattachement entre des nanofils et leur contact correspondant, selon l'art connu (figure 14A) et selon l'invention (14B), - la figure 15 est un graphe représentant le minimum du rayon du nanofil au niveau du pincement, rneck, en fonction du temps t, du coefficient B et du rayon initial du nanofil ro, pour les géométries représentées aux figures 14A et 14B. EXPOSE DÉTAILLE DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La maîtrise du dimensionnement du pincement du nanofil lors du recuit s'appuie sur des simulations par l'outil numerique � MoveFilm � développé au Commissariat à l'Energie Atomique. Les bases de ce code numérique appliqué à des films sont exposées dans l'article � Surface diffusion dewetting of thin solid films : Numerical method and application to Si/SiOo � de E. DORNEL et al., Physical Review B 73, 115 427 (2006). Ce code a été modifié pour pouvoir simuler les effets du recuit (arrondissement et pincement) sur des nanofils libres (présentant une symétrie de rotation) et ainsi prévoir le dimensionnement du pincement en fonction des conditions expérimentales à savoir le type de matériau et les conditions du recuit (température du recuit, temps du recuit, nature du gaz et pression du gaz). L'effet de pincement simulé par � MoveFilm � est présenté sur la figure 5B. On note rneck le rayon du fil au niveau du pincement (c'est le lieu du minimum du rayon du nanofil) et Lneck la distance entre le pincement et le contact le plus proche. La quantification du pincement rneck en fonction du temps est présenté sur la figure 6. Les graphes des figures 5B et 6 permettent à l'expérimentateur de dimensionner le pincement du nanofil en fonction de l'espace et du temps les dimensions d'espace se retrouvent de façon homothétique et l'échelle de temps est donné par le facteur B/ro4, où B=D3.v.y.S22/kBT, où D3 est le coefficient de diffusion de surface de l'élément constituant le fil, v est le nombre d'atomes de surface par unité de surface, y est l'énergie de surface du nanofil, 5-2 est le volume atomique des atomes constituant le nanofil, kB est la constante de Boltzmann et T est la température . (Si le matériau du nanofil est composé de plusieurs éléments chimiques (par exemple un alliage), les paramètres DS, v, y et Çà prennent comme valeurs les valeurs du matériau composite correspondant). Par exemple, si le rayon initial du fil est multiplié par 2, le rayon minimum du fil rneck est multiplié par 2 et l'échelle des temps est multiplié par 24 soit par 16. L'expérimentateur peut calculer le coefficient B qui est entièrement déterminé par les paramètres du matériau choisi par lui-même. Par exemple, sur la base des travaux expérimentaux de K. SUDOH et al. (� Numerical Study on Shape Transformation of Silicon Trenches by High-Temperature Hydrogen Annealing �, Jap. J. of Appl. Phys., vol. 43, n°9A, 2004, pages 5937 à 5941), on peut extraire un coefficient B de 3,8.10-8 �m4 . s-1 à 800 °C et de l'ordre de 4,3.10-2 �m4. s-1 à 1100°C, pour du silicium, une atmosphère hydrogénée d'une pression de 10 Torr. Par exemple, si l'expérimentateur choisi un matériau d'énergie de surface de 1 J.m 2, l'échelle de temps sera divisée par 2 par rapport à un matériau d'énergie de surface de 0,5 J.m-2 (car le coefficient B est multiplié par 2). La température du recuit peut également être déterminée par l'intermédiaire du coefficient B : En supposant que le coefficient de diffusion de surface puisse s'écrire suivant la loi d'Arrhénius : Ds=Do. exp (-Ea/ (kB/T)) , si par exemple l'énergie d'activation Ea du matériau choisi par l'utilisateur est de 2,0 eV, l'augmentation de la température de 850°C à 880°C engendre une multiplication par 2 du facteur B et donc le temps est divisé d'un facteur 2. Au premier instant du recuit, le barreau passe d'une section carrée ou rectangulaire à une section circulaire. ro représente le rayon de la section du nanofil circulaire avant pincement. L'invention porte sur l'évolution de cette section circulaire. La figure 5A reprend la structure représentée à la figure 4A. Elle montre un nanofil 22 en cours de formation et dont les extrémités sont reliées à des régions de drain 23 et de source 24. La référence 20 représente la zone dont l'évolution au cours du recuit est détaillée sur la figure 5B. Le même phénomène de pincement se manifeste à l'autre extrémité du nanofil à proximité du contact ou région de source 24. La figure 5B représente le profil de la surface de l'extrémité d'un nanofil 22 libre, lié à la région de drain 23 ou contact dans le cas d'un fil libre long, obtenu à différents temps de recuit. Le trait continu 31 correspond à la surface initiale du nanofil. Le trait interrompu 32 correspond au temps t=0,5.ro4/B. Le trait interrompu 33 correspond au temps t=0,9.ro9/B. Le trait interrompu 34 correspond au temps t=0,955.r04/B. Le trait interrompu 35 correspond au temps t = ro4/B. Les grandeurs caractéristiques sont : ro qui représente le rayon initial du fil, rneck qui représente le rayon du fil au niveau de la zone de constriction (pincement) et Lneck qui représente la distance de la zone de constriction par rapport à la position initiale du bord de la zone de contact la plus proche. La figure 6 illustre le minimum du rayon du fil (au niveau du pincement) rneck, en fonction du temps t, du coefficient B et du rayon initial du fil ro. Ce graphe est relatif au nanofil simulé à la figure 5A. tr représente le temps où rneck=0, c'est-à-dire quand le fil subit la rupture. L'expérimentateur peut, par ce graphe et suivant le matériau et la température du recuit qui déterminent le coefficient B, quantifier rneck (c'est-à-dire l'importance du pincement) et ainsi éviter la rupture du fil. Ce graphe est général pour tous matériaux de coefficient B connu. Le temps caractéristique de rupture tr s'obtient à partir des résultats ci-dessus pour 0,95 ro4/B. On va exposer maintenant les détails du code appliqué à la simulation de l'effet de recuit des nanofils. Cet outil numérique simule l'évolution de la surface du nanofil et des contacts par diffusion de surface. Les détails du code numérique appliqué à des films sont décrits dans l'article de E. DORNEL et al. cité plus haut. On va détailler les étapes principales de l'outil numérique MoveFilm appliqué au nanofil libre présentant un axe de symétrie par rotation. La surface est discrétisée en points de coordonnées (r,z) où r est la distance à l'axe de symétrie z du nanofil. L'algorithme de ce code numérique consiste en une succession de 5 étapes : calcul des potentiels �i en chaque point, calcul des flux de matière Ji entre chaque point Mi et Mi+l, calcul des incréments de matière SNi attribués en chaque point Mi, puis les points sont déplacés et enfin le temps est incrémenté d'un pas de temps dt (voir la figure 7). Soit (ri_1, zi_1) , (ri, zi) et ( ri+1, Zi+1) les coordonnées respectives des points Mi_1, Mi et Mi+l de la surface. Les calculs de ces grandeurs (c'est-à-dire potentiels, flux, incréments de matière et déplacement) ont été reformulés par rapport à l'enseignement de l'article de E. DORNEL et al. cité plus haut. Le potentiel �i est calculé comme le rapport de la variation de la surface sur la variation du volume, en imaginant une accrétion de matière locale au niveau du point Mi, soit : 2 2 r+' - r -rK)i ----lr - li 1 +K I (r i+1 +ri (z i+I -z)-(r l l ,i l +r Xz -z i l ' -z,X2r, +r,)+(z, -z;_,)(2r, +r-~~~+ -r+tXr+, +r +r-,)] où . l; _ (r+1 r 2 + (z;+ = (ri+l - r Xr,+1 + r, + ri K, _ -2 ù z,-I )+ z, (r+I ù ri-I )ù Zi+I r+I + z,-I r-I Le flux est proportionnel à la dérivée surfacique du potentiel, soit entre les points Mi et Mi+1 • J D,y.ùp, kBT l; L'incrément de matière 6Ni attribué au point Mi est déterminé par la conservation de la quantité de matiere, ce qui revient à l'intégrale des flux traversant les cercles de la surface de cotes zi_1 et zi+1 (W, = +r)Ji_, -(r +r+~)J;1di Les points Mi sont déplacés successivement, de façon à ce que ce déplacement engendre un incrément de matière égal à .5Ni. De plus, les points sont déplacés perpendiculairement à la courbe iso-volume. Les points Mi sont donc déplacés du vecteur (éri,6zi) tel que : (51, = 3S2ÔN; N_ ; N,.,K", + où (Nr,i,Nz,i) sont les coordonnées du vecteur normal à la courbe iso-volume en Mi : Nr.; ~ _•' z z 30 + K22 ,, + K,., N r., sr 3Q(W n- N, ,K,, + Nr.,K7, -K,, et . nr -K, L'invention permet également la maîtrise de la localisation du pincement selon l'axe du nanofil, c'est-à-dire selon l'axe z. Dans le cas d'un fil long (c'est-à-dire tel que Lwire>8 ro (voir la figure 5B), le pincement se crée à une distance Lneck égale à environ 1,9 fois le rayon initial du fil (ro) correspondant au plateau atteint pour les fortes valeurs de Lwire/ro sur la figure 8. Cette distance Lneck peut être ajustée en dimensionnant correctement le rapport de la longueur des fils Lwire sur le rayon initial des fils ro. Dans la zone où Lwire est inférieure ou égale à 6 ro, le pincement est unique et est à équidistance des contacts. Cette zone est intéressante car elle permet l'alignement de la grille à équidistance des contacts, lieu où se trouve le rayon minimum du fil. Dans le cas où Lwire>6 ro, deux pincements sont créés, à proximité de chaque contact. La zone où 3,5 ro 1,9 ro) par rapport au cas où le fil est long (c'est-à-dire d'une longueur supérieure à 8 ro). L'invention permet également la maîtrise de la localisation du pincement sur le nanofil. On va détailler les cas où 3,5 ro Cas où 3,5 ro Au final, on obtient un amincissement des fils au centre de l'espace situé entre les zones de source et de drain, en utilisant une technique connue qui est le recuit (voir les figures 9 et 10). Les avantages de l'invention sont donc une diminution de la cote du fil et l'alignement de la grille au niveau de ce minimum. De la sorte, le phénomène de pincement apparaît comme un avantage et non un inconvénient. Sur la figure 9, la référence 41 désigne le profil initial du nanofil, donc pour t.B/ro4=0. La référence 42 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4 = 0,3. La référence 43 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=0,6. La référence 44 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=0,9. La référence 45 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=0,97. La figure 10 est un diagramme représentant le profil de la surface d'un nanofil libre de longueur Lwire=6 ro, avant et après recuit pendant un temps t = 0,97 B. ro4. Comme pour la figure 9, la référence 41 désigne le profil initial du nanofil et la référence 45 désigne le profil du nanofil après recuit pendant un temps t = 0,97 B.ro4. Le positionnement optimal de la grille est indiqué par la référence 48. La grille se trouve au niveau du minimum de la largeur des fils, ce qui permet un meilleur contrôle du courant par la grille. Les parties du nanofil élargies et proches des contacts ne sont pas sous la grille, ce qui minimise les résistances d'accès. Cas où 6ro initial du nanofil ro et du coefficient B, pour Lwire = 7 r0. Sur la figure 11, la référence 51 désigne le profil initial, donc pour t.B/ro4=0. La référence 52 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=0,1. La référence 53 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=0,3. La référence 54 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=1. La référence 55 désigne le profil du nanofil pour t.B/ro4=1,4. Dans la zone 6 ro permet un meilleur contrôle du courant par la grille. Les parties du nanofil élargies et proches des contacts ne sont pas sous la grille, ce qui minimise les résistances d'accès. L'avantage d'avoir deux pincements proches l'un de l'autre est de pouvoir isoler une faible quantité de matière (la matière entre les deux pincements). Fabriquer une grille unique recouvrant les deux zones de pincements permettrait d'obtenir un effet de type transistor à un ou quelques électrons (voir la figure 13). Au final, on obtient un amincissement des nanofils au centre de l'espace situé entre les zones de source et de drain, en utilisant une technique connue qui est le recuit. Les avantages de l'invention sont donc une diminution locale de la cote du nanofil à deux endroits séparés par un endroit où le nanofil présente un rayon plus grand. De la sorte, le phénomène de pincement apparaît comme un avantage et non un inconvénient. A partir des considérations précédentes et grâce à l'outil numérique utilisé par les inventeurs, ceux-ci sont parvenus à la conclusion que la modification de la courbure entre le nanofil et ses contacts permet de repousser le temps de rupture. Ceci est illustré par les figures 14A et 14B qui représentent des zones de rattachement entre des nanofils et leur contact correspondant selon l'art connu (figure 14A) et selon l'invention (figure 14B). La figure 14A montre des nanofils 61 rattachés à leur contact 62 par un angle a faisant 90°. La figure 14B montre des nanofils 71 rattachés à leur contact 72 par un angle a faisant 45° : la forme des nanofils est donc évasée dans son raccordement avec leur contact. Dans ces conditions, le temps de rupture d'un nanofil est repoussé d'un facteur supérieur à 2 comme cela est illustré sur la figure 15. Cette figure 15 est un graphe représentant le minimum du rayon du nanofil au niveau du pincement, rneck, en fonction du temps t, du coefficient B et du rayon initial du nanofil ro, pour les géométries représentées aux figures 14A et 14B. Le temps tr représente le temps où rneck=O, c'est-à-dire le temps correspondant à la rupture des nanofils. On remarque que pour la géométrie représentée à la figure 14A (a=90°), le temps de rupture est de 0,95 roq/B alors que pour la géométrie représentée à la figure 14B (a=45°), le temps de rupture est de 2,10 ro9/B. La modification de la géométrie proche des contacts permet ainsi de repousser le temps de rupture et permet à l'expérimentateur de choisir le temps et la température du recuit dans des plages moins contraignantes pour lesquelles la rupture n'est pas occasionnée par le recuit. Un autre avantage est un gain sur la variabilité technologique. Par exemple, pour un temps de 0,5 ro4/B une géométrie à 90° selon la figure 14A occasionnera un pincement de 0,65 ro, alors qu'à ce même temps, une géométrie à 45° selon la figure 14B n'occasionnera un pincement que de 0,85 ro (voir les points A et B sur le graphe de la figure 15). REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'au moins un nanofil, le nanofil étant parallèle à son substrat support, le procédé comprenant : - la formation sur le substrat support d'une structure comprenant un barreau et deux régions, une première extrémité du barreau étant solidaire de l'une des deux régions et une deuxième extrémité du barreau étant solidaire de l'autre région, la largeur du barreau étant inférieure à la largeur des régions, - la soumission du barreau à un recuit sous atmosphère gazeuse pour transformer le barreau en nanofil, caractérisé en ce que le recuit est effectué dans des conditions permettant une maîtrise du dimensionnement d'au moins un pincement se produisant sur le nanofil lors de sa formation, le rayon du nanofil au niveau du pincement étant alors déterminé par le graphe de la figure 6 pour lequel : rneck_ rayon du nanofil au niveau du pincement ro = rayon du nanofil formé t = temps de recuit B = DS.v.y.S22/kB.T avec . DS = coefficient de diffusion de surface du matériau du nanofil v = nombre d'atomes de surface du nanofil par unité de surface, y = énergie de surface du nanofil S2 = volume atomique des atomes du nanofil kB = constante de Boltzmann T = température de recuit. 2. Procédé de fabrication d'au moins un nanofil selon la revendication 1, dans lequel le recuit est effectué dans des conditions permettant en outre une maîtrise de la localisation du pincement ou des pincements lors de la formation du nanofil, la localisation du pincement ou des pincements étant alors déterminé par le graphe de la figure 8 pour lequel : Lneck est la distance entre un pincement et la région de la structure la plus proche du pincement, Lwire étant la longueur du nanofil, moyennant quoi il se forme soit un pincement unique au milieu du nanofil, soit un pincement double. 3. Procédé de fabrication d'au moins un nanofil selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la formation sur le substrat support de la structure comprenant un barreau et deux régions provoque la création d'un évasement à chaque extrémité du barreau dans sa solidarisation avec les deux régions. 4. Procédé de fabrication d'au moins un nanofil selon la revendication 3, dans lequel l'évasement se fait selon un angle de 45° sur chaque bord du nanofil.30 5. Procédé de fabrication d'au moins un transistor à nanofil, comprenant : - la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, l'une des régions de la structure étant prévue pour constituer le drain du transistor, l'autre région de la structure étant prévue pour constituer la source du transistor, la formation d'au moins une grille pour le transistor sur le nanofil à l'emplacement dudit au moins un pincement. 6. Transistor à nanofil réalisé par le procédé de fabrication de la revendication 5, comprenant un nanofil présentant un pincement unique et une grille unique recouvrant le pincement unique. 7. Transistor à nanofil réalisé par le procédé de fabrication de la revendication 5, comprenant un nanofil présentant deux pincements et une grille unique recouvrant les deux pincements. 8. Transistor à nanofil réalisé par le procédé de fabrication de la revendication 5, comprenant un nanofil présentant deux pincements et deux grilles, une première grille recouvrant un premier pincement et une deuxième grille recouvrant un deuxième pincement.