Brevet FR2930033A1 — publié le 20091016

Dispositif et procédé de détection d'éléments en milieu fluidique Domaine technique de l'invention L'invention est relative à un dispositif de détection d'éléments en milieu fluidique comportant : 10 au moins un résonateur acoustique comportant une surface destinée à la fixation desdits éléments, ledit résonateur comportant des moyens de génération d'ondes de Lamb, et des électrodes de mesure destinées à fournir des signaux représentatifs de la fréquence de résonance du résonateur, 15 des moyens électroniques de traitement connectés aux électrodes de mesure du résonateur. 20 État de la technique De manière connue, la détection d'élément en milieu aqueux peut se faire en utilisant la variation de la fréquence de résonance d'un résonateur acoustique. Une application possible de ces détecteurs est d'observer 25 l'hybridation de molécules sur des récepteurs appropriés. Un dispositif intégré, comportant des détecteurs en parallèle, sur chacun desquels ont été déposés des récepteurs chimiques, peut être immergé pour réaliser un procédé collectif de détection. Ce procédé est un procédé chimique. Lorsque le dispositif est immergé dans plusieurs milieux fluidiques différents, des 30 molécules sont susceptibles de venir s'hybrider aux récepteurs greffés sur chaque résonateur. Si une molécule vient à s'hybrider, celle-ci devient5 solidaire du résonateur et en modifie la fréquence de résonance. En s'hybridant sur les récepteurs, les éléments affectent la fréquence de résonance du résonateur. Cette modification de fréquence du résonateur peut alors s'observer par détection électrique. De tels dispositifs utilisent classiquement des ondes acoustiques de surface (SAVV). Pour pouvoir fonctionner, les dispositifs SAW doivent présenter une onde acoustique qui ne doit pas perdre d'énergie dans l'eau, en effet une perte d'énergie diminuerait fortement la sensibilité du dispositif. Afin d'éviter une telle perte d'énergie, les ondes acoustiques sont générées de manière à être lparallèles à la surface en contact avec le liquide. Les dispositifs à ondes acoustiques de surface sont bien adaptés dans la mesure où il est possible de générer des ondes de cisaillement, qui induisent un déplacement des ondes uniquement dans le plan du résonateur. Cependant les dispositifs à ondes acoustiques de surface présentent l'inconvénient de nécessiter un substrat piézoélectrique or, le silicium utilisé en général pour la microélectronique n'est pas un substrat piézoélectrique. La réalisation de tels dispositifs ne peut donc pas être réalisé à faible coût par des méthodes classiques de la microélectronique, notamment sur des substrats de 200mm de diamètres. Une autre possibilité est d'utiliser des ondes dites de Lamb et de faire en sorte que les ondes acoustiques ne puissent pas se propager dans le liquide. L'onde de Lamb est une onde de volume qui peut se propager dans une plaque, c'est-à-dire dans un milieu solide dont l'épaisseur est très faible devant ses dimensions latérales. Il existe deux types d'ondes de Lamb, les ondes de Lamb symétriques et les ondes de Lamb antisymétriques. Seules les ondes de Lamb antisymétriques peuvent être suffisamment lentes pour éviter de générer une onde acoustique dans le liquide.30 L'article � Lamb wave and plate mode in ZnO/silicon and AIN/Silicon membrane Application to sensor able to operate in contact with Liquid � de T. Laurent, publié dans � Sensors and Actuators � Vol. 87 (2000), p26 à 37, décrut un tel résonateur acoustique utilisé en tant que détecteur de masse en milieu liquide non visqueux utilisant des ondes de Lamb antisymétriques. Comme illustré aux figures 1 à 3, ce dispositif comporte un substrat de silicium 1, dans lequel est formée une cavité 2, recouverte par une membrane 3 en silicium ou en oxyde de silicium (SiO2) et par un plan métallique 14, cet ensemble étant lui-même recouvert par un empilement io piézoélectrique 4. L'empilement 4 comporte une couche en matériau piézoélectrique, par exemple en nitrure d'aluminium ou en oxyde de zinc sur laquelle sont déposées des électrodes (non représentées). Le dispositif peut comporter comme illustré à la figure 2, deux ensembles d'électrodes interdigitées, une électrode d'excitation 5a du matériau piézoélectrique et une 15 seconde électrode de contrôle 5b. Dans la variante illustrée à la figure 3, l'électrode d'excitation 5a est disposée entre deux électrodes de contrôle 5b. La mesure du temps de propagation entre l'électrode d'excitation 5a et la ou les électrodes de contrôle 5b représente la vitesse de propagation des ondes acoustiques dans un milieu aqueux. 20 Cet article illustre l'utilisation des ondes de Lamb antisymétriques dans le but de déterminer une variation de fréquences et remonter ainsi à une mesure de masse. Ainsi le dispositif comporte au moins un résonateur acoustique muni d'une surface destinée à la fixation desdits éléments. Le résonateur 25 comporte des moyens de génération d'ondes de Lamb, et des électrodes destinées à fournir des signaux représentatifs de la fréquence de résonance du résonateur. Les électrodes de mesures sont reliées à des moyens électroniques de traitement. 30 Objet de l'invention L'objet de l'invention consiste à réaliser un dispositif de détection d'éléments, facile à réaliser et à utiliser. Ce but est atteint par le fait que les moyens de génération d'ondes de Lamb sont des moyens favorisant la génération d'ondes de Lamb symétriques et que les moyens électroniques de traitement déterminent la variation de la fréquence de résonance des ondes de Lamb symétriques, représentatives de la présence des éléments. Selon un mode de réalisation préférentiel, le résonateur acoustique générant les ondes de Lamb symétriques comporte un empilement piézoélectrique, les moyens de génération d'ondes de Lamb symétriques comportant au moins une électrode supérieure, disposée sur l'empilement piézoélectrique, et au moins une électrode inférieure, disposée sous l'empilement piézoélectrique. L'invention est aussi relative à un procédé de détection d'éléments en milieu fluidique au moyen d'un dispositif de détection, le procédé comporte les étapes successives suivantes : la détermination de la fréquence de résonance étalon correspondant à la génération d'ondes de Lamb symétriques, la mise du dispositif dans ledit milieu fluidique, la mesure de la fréquence de résonance des ondes de Lamb symétriques, dans le milieu fluidique, la détection desdits éléments en fonction de la différence entre la fréquence de résonance en milieu fluidique et la fréquence de résonance 30 étalon. 4 Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : Les figures 1 à 3 illustrent un dispositif selon l'art antérieur. io La figure 4 illustre un dispositif selon l'invention Les figures 5 à 7, 9 et 10 illustrent deux modes de réalisation particuliers d'un résonateur selon l'invention. La figure 8 illustre schématiquement le déplacement des ondes de Lamb symétriques. 15 Les figures 11, 12 et 14 illustrent différentes implémentations d'un dispositif selon l'invention. La figure 13 illustre une vue de dessus du dispositif selon l'invention. La figure 15 illustre schématiquement l'hybridation d'éléments sur le résonateur. 20 Description des modes préférentiels de réalisation Comme illustré à la figure 4, le dispositif de détection d'élément en milieu 25 fluidique comporte au moins un résonateur 6 acoustique muni d'une surface 7 destinée à la fixation des éléments pour en détecter leur présence. Le résonateur 6 comporte des moyens de génération d'ondes de Lamb ainsi que des électrodes de mesure 8 destinées à fournir des signaux représentatifs de la fréquence de résonance du résonateur 6. Des moyens 30 électroniques 9 de traitement sont connectés aux électrodes de mesure 8 du résonateur 6, ces moyens électroniques 9 permettent l'interprétation des signaux fournis par les électrodes de mesure 8. La notion de résonance est prendre au sens large. En effet, une anti- résonance étant associée à chaque résonance, les moyens électroniques de traitement peuvent interpréter la variation de fréquence de résonance ou d'antirésonance. On entend donc par résonance aussi bien la résonance proprement dite que l'antirésonance. io Pour détecter correctement un élément dans un milieu fluidique, il est important que le dispositif ne génère pas d'ondes acoustiques dans le fluide. En effet, la polarisation acoustique correspond au déplacement d'un point de la surface d'un matériau vertical et/ou horizontal. Ainsi, il faut faire en sorte que la fréquence de résonance du résonateur soit inférieure à la fréquence 15 de déplacement des ondes acoustiques dans le fluide. C'est pour cela que les ondes de Lamb antisymétriques sont largement utilisées. Il est en effet possible d'obtenir des ondes de Lamb antisymétriques à des fréquences très faibles, proche de OHz, largement en dessous de la fréquence de déplacement des ondes acoustiques dans le fluide. 20 La présente invention se base sur l'utilisation des ondes de Lamb symétriques. Bien que ces ondes soient classiquement considérées comme des ondes parasites induisant une onde dans le fluide qui disperse l'énergie acoustique, elle peuvent être, contrairement aux préjugés lorsqu'elles sont 25 exploitées correctement, utilisées pour détecter la présence d'éléments en milieu fluidique. Lorsque les ondes de Lamb symétriques sont utilisées dans un dispositif les favorisant, la polarisation acoustique résultante est quasiment horizontale. Les composantes verticales sont peu présentes évitant ainsi la génération d'ondes acoustiques longitudinales dans le fluide. 30 Les moyens de génération d'onde de Lamb sont des moyens favorisant la génération d'ondes de Lamb symétriques. Ainsi lorsque le dispositif est plongé dans un fluide alors que le résonateur 6 est placé à sa fréquence de résonance correspondant à la génération des ondes de Lamb symétriques, les éléments contenus dans le fluide, compatibles avec la surface 7 destinée à la fixation desdits éléments, deviennent solidaires de cette surface 7 entraînant une variation de la fréquence de résonance du résonateur. Cette variation est mesurée par les électrodes de mesure 8 puis transmise aux moyens électroniques 9 de traitement pour y être interprétée. Ainsi le procédé de détection d'éléments en milieu fluidique au moyen d'un dispositif de détection comporte les étapes successives suivantes : la détermination de la fréquence de résonance étalon correspondant à la génération d'ondes de Lamb symétriques au niveau du résonateur, - la mise du dispositif dans ledit milieu fluidique dans lequel on souhaite vérifier la présence de certains éléments, la mesure de la fréquence de résonance des ondes de Lamb symétriques lorsque le dispositif est placé dans le milieu fluidique, la détection desdits éléments en fonction de la différence entre la fréquence de résonance en milieu fluidique et la fréquence de résonance étalon. La fréquence de résonance du résonateur dans le milieu fluidique est mesurée par les électrodes de mesure 8 puis interprétée par les moyens électroniques 9 de traitement. Les moyens électroniques 9 de traitement interprètent alors les signaux pour déterminer si la variation entre la fréquence de résonance en milieu fluidique et la fréquence de résonance étalon correspond à la présence de certains éléments dans le fluide. Une couche d'hybridation peut recouvrir une partie ou tout le résonateur de manière à former la surface 7 destinée à la fixation des éléments. Comme illustré à la figure 15, cette couche comporte des récepteurs 11 adaptés à certains éléments 10, ainsi lorsque le résonateur est plongé dans le fluide certains éléments 10 peuvent s'hybrider sur les récepteurs 11, l'hybridation provoque alors une modification de la masse du résonateur induisant une variation de la fréquence de résonance. De préférence, les récepteurs sont formés sur une couche organique recouvrant la surface 7. Selon un mode de réalisation particulier illustré à la figure 5, le résonateur acoustique générant des ondes de Lamb symétriques comporte un empilement piézoélectrique 4 et au moins une électrode inférieure 12, disposée sous l'empilement piézoélectrique 4. Les moyens de génération d'ondes de Lamb du résonateur comportent au moins une électrode supérieure 5a disposée sur l'empilement piézoélectrique 4. De préférence, les rnoyens de génération d'ondes de Lamb du résonateur comportent au moins trois électrodes supérieures 5a, 5b et 5c (figure 6), sensiblement parallèles et disposées sur l'empilement piézoélectrique 4. La disposition symétrique des électrodes par rapport au matériau piézoélectrique permet de favoriser la génération d'ondes de Lamb symétriques. La combinaison des électrodes supérieures 5a, 5b et 5c et inférieure 12 permet de favoriser la génération d'ondes de Lamb symétriques dans l'empilement piézoélectrique 4 comportant, de préférence, au moins une couche en matériau piézoélectrique. Les électrodes de mesure et les électrodes supérieures 5a, 5b et 5c peuvent constituer une même entité et fournir à la fois les fonctions de mesure et de génération des ondes de Lamb symétriques. Les rnoyens de génération d'ondes de Lamb symétriques peuvent comporter 30 des moyens d'application d'une tension (+/-) entre deux électrodes supérieures adjacentes. Selon le développement illustré à la figure 6, l'électrode inférieure 12 peut être à potentiel flottant. Ainsi, lorsqu'une tension est appliquée entre deux électrodes supérieures 5a, 5b adjacentes pour générer des ondes de Lamb symétriques, la structure du résonateur se déforme comme illustré à la figure 7, correspondant sensiblement au profil des ondes de Lamb symétriques illustré à la figure 8. Ainsi, en appliquant une tension alternative entre les électrodes supérieures 5a/5b et 5b/5c à une fréquence correspondant à la résonance d'un mode de vibration générant des ondes de Lamb symétriques, un champ de déformation est généré dans l'empilement piézoélectrique. Dans les zones où l'électrode supérieure 5a est polarisée positivement, dans le cas où l'empilement piézoélectrique 4 a sa polarisation électrique P vers le bas, l'épaisseur de l'empilement piézoélectrique 4 augmentera entre l'électrode supérieure 5a correspondante et l'électrode à potentiel flottant 12. À l'inverse, dans les zones où une électrode supérieure 5b est polarisée négativement, l'empilement piézoélectrique 4 aura tendance à diminuer son épaisseur. Selon un autre développement illustré à la figure 9, les moyens de générations d'ondes de Lamb comportent une pluralité d'électrodes inférieures 12a, 12b et 12c constituant chacune avec une électrode supérieure 5a, 5b et 5c, disposée en regard, un couple d'électrodes 5a/12a, 5b/12b et 5c/12c. Les moyens de génération d'ondes de Lamb symétriques comportent alors des moyens pour appliquer une tension entre les électrodes d'un couple d'électrodes 5a/12a, 5b/12b et 5c/12c. Afin de favoriser la génération d'ondes de Lamb symétriques, la tension entre deux couples d'électrodes adjacents est opposée (par exemple 5a potentiel positif, 5b potentiel négatif et 5c potentiel positif). Il est alors obtenu, sur le même principe que précédemment, une déformation du résonateur (figure 10) dans le cas où l'empilement piézoélectrique 4 a sa polarisation électrique P vers le bas. De préférence, l'empilement piézoélectrique a une épaisseur d'environ 10nm à 5�m, notamment afin d'assurer une rigidité suffisante à la membrane. À titre d'exemple, on peut choisir un matériau piézoélectrique de type AIN ou Pb(Ze, Ti)O3 (appelé PZT) ou ZnO. Bien entendu, cette liste n'est pas limitative. Selon un mode de réalisation particulier illustré aux figures 11 à 13, le dispositif de détection d'éléments en milieu fluidique comporte un substrat 1. Une membrane 3 en forme de pont, dont les extrémités sont ancrées sur le substrat 1, est réalisée au-dessus du substrat 1 de manière à délimiter une cavité 2 entre la membrane 3 et le substrat 1. Préalablement à la libération de la membrane, l'empilement piézoélectrique 4 est formé sur la membrane 3 et comporte au moins une couche en matériau piézoélectrique supportant les électrodes supérieures 5a, 5b, 5c disposées sur l'empilement piézoélectrique. La ou les électrodes inférieures sont disposées entre la membrane 3 et l'empilement 4. In fine, la membrane 3 est libérée par la gravure de la couche sacrificielle, formant ainsi la cavité 2. Comme illustré à la figure 12, le dispositif peut être obtenu à partir d'un substrat de silicium 1 sur lequel on réalise une oxydation thermique pour former une couche d'oxyde de silicium 13. Cette couche 13 a, de préférence, une épaisseur de 0,51um. On dépose ensuite un polymère qui sert de couche sacrificielle délimitant ultérieurement la cavité 2 de forme trapézoïdale. Cette couche sacrificielle a, de préférence, une épaisseur de 1,.5�m. Une couche de nitrure de silicium destinée à constituer la membrane 3 est ensuite déposée, par exemple par PECVD, sur la couche d'oxyde de silicium 13 et sur la couche sacrificielle. Elle a, de préférence, une épaisseur de 400nm. On réalise ensuite un empilement comportant la ou les électrodes inférieures 12, puis la couche en matériau piézoélectrique formant l'empilement 4, de préférence réalisée en nitrure d'aluminium, et enfin les électrodes supérieures 5a, 5b et 5c. La ou les électrodes inférieures 12 sont réalisées par pulvérisation de platine (Pt), pour former une couche qui peut mesurer une d'épaisseur de 100nm puis cette couche, qui peut de préférence être de 100nm d'épaisseur, est ensuite gravée par usinage ionique pour former la ou les électrodes inférieures avant le dépôt de la couche en matériau piézoélectrique. Une couche de nitrure d'aluminium d'environ 1�m d'épaisseur destinée à former la couche en matériau piézoélectrique, est ensuite pulvérisée sur l'ensemble du dispositif. Une couche d'environ 100nm d'épaisseur, destinée à la formation des électrodes supérieures 5a, 5b, 5c est ensuite réalisée par pulvérisation de platine (Pt) sur la couche de nitrure d'aluminium formant l'empilement piézoélectrique 4. L'empilement est ensuite délimité par gravure jusqu'au niveau de la couche sacrificielle. Cette gravure de l'empilement est réalisée par gravure ionique de la couche supérieure de platine formant les électrodes supérieures 5a, 5b, 5c, gravure humide pour la couche de nitrure d'aluminium formant l'empilement piézoélectrique 4, et gravure ionique réactive pour la couche de nitrure de silicium formant la membrane 3. Pour terminer, la couche sacrificielle est retirée dans un plasma oxygène pour former une cavité 2. La membrane 3 forme ainsi, dans un plan perpendiculaire aux figures 11 et 12, un pont au- dessus de cette cavité 2 et l'empilement piézoélectrique 4 est disposé longitudinalement sur ce pont pour former le résonateur. Dans une variante de réalisation, illustrée à la figure 14, la cavité 2 est formée dans le substrat 1. Celui-ci est, par exemple, gravé avant oxydation afin de former la cavité 2. La couche oxydée 13 est ensuite réalisée et la couche sacrificielle est constituée par un polymère remplissant la cavité 2. La réalisation de la membrane 3, de l'empilement piézoélectrique et la libération de la membrane 3 par retrait de la couche sacrificielle sont ensuite réalisées comme décrit précédemment.30 Afin d'éviter tout court-circuit ou l'oxydation des électrodes, ces dernières peuvent être recouvertes d'un isolant. Ainsi le dispositif réalisé peut être directement plongé dans le milieu fluidique. Le dispositif réalisé ne présente pas de variation de la résonance lorsqu'il est mis en présence d'un milieu aqueux. Les ondes acoustiques générées dans le milieu aqueux sont donc négligeables. De plus, le dispositif peut être utilisé directement dans le milieu fluidique, alors que certains dispositifs nécessitent d'abord un trempage de la structure dans le milieu fluidique, une évaporation de l'eau, puis seulement un test électrique. Avec ce nouveau dispositif, le test peut être réalisé directement dans le milieu aqueux, d'où un gain de temps très important. II est possible de réaliser sur un même substrat une pluralité de résonateurs. Chaque résonateur peut alors comporter une surface destinée à la fixation d'un type d'éléments différent. Chaque surface est alors munie de récepteurs permettant l'hybridation d'éléments, ainsi lorsque chaque résonateur est placé à sa fréquence de résonance correspondant à la génération d'ondes de Lamb symétriques, le substrat comportant les différents résonateurs peut être plongé dans le fluide et les moyens électroniques de traitement sont capable d'analyser le contenu du fluide en fonction des mesures de le fréquence de résonance de chaque résonateur. Le nombre d'électrodes supérieures est, de préférence, trois mais le 25 résonateur peut en comporter plus afin d'améliorer la formation des ondes de Lamb symétriques. Selon un développement du procédé de détection, la mise du résonateur à sa fréquence de résonance comporte une étape d'étalonnage du dispositif de 30 détection. Ainsi, lors de la détermination de la fréquence étalon, le dispositif est disposé dans l'air ou dans de l'eau. Lorsque le résonateur acoustique comporte un matériau piézoélectrique, l'étalonnage peut être réalisé en faisant varier la fréquence d'excitation des moyens de génération d'ondes de Lamb jusqu'à ce qu'un pic d'impédance soit mesuré au niveau des électrodes de mesure, le pic correspondant alors à la fréquence de résonance à laquelle des ondes de Lamb symétriques sont générées dans le résonateur. Plus particulièrement, l'utilisation d'un matériau piézoélectrique permet par une excitation électrique d'appliquer une déformation mécanique au io matériau, de manière à générer des ondes de Lamb symétriques dans le matériau quand le pic d'impédance est atteint. Ensuite quand le résonateur est plongé dans un fluide, si des éléments s'hybrident avec ce dernier, la déformation du matériau piézoélectrique est modifiée, impliquant alors une variation d'impédance ou de tension aux bornes des électrodes de mesure. 15 Revendications1. Dispositif de détection d'éléments en milieu fluidique comportant : au moins un résonateur (6) acoustique comportant une surface (7) destinée à la fixation desdits éléments, ledit résonateur comportant des moyens de génération d'ondes de Lamb, et des électrodes de mesure (8) destinées à fournir des signaux représentatifs de la fréquence de résonance du résonateur (6), - des moyens électroniques (9) de traitement connectés aux électrodes de mesure (8) du résonateur, dispositif caractérisé en ce que les moyens de génération d'ondes de Lamb sont des moyens favorisant la génération d'ondes de Lamb symétriques et que les moyens électroniques de traitement déterminent la variation de la fréquence de résonance des ondes de Lamb symétriques, représentatives de la présence des éléments. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le résonateur acoustique générant les ondes de Lamb symétriques comporte un empilement piézoélectrique (4), les moyens de génération d'ondes de Lamb symétriques comportant au moins une électrode supérieure (5a), disposée sur l'empilement piézoélectrique (4), et au moins une électrode inférieure (12), disposée sous l'empilement piézoélectrique (4). 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de génération d'ondes de Lamb symétriques comportant au moins trois électrodes supérieures (5a, 5b, 5c) sensiblement parallèles. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'électrode 30 inférieure (12) est à potentiel flottant. 14 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 4, caractérisé en ce que les moyens de génération d'ondes de Lamb symétriques comportent des moyens d'application d'une tension entre deux électrodes supérieures adjacentes. 6. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'électrodes inférieures (12a, 12b, 12c), constituant chacune, avec une électrode supérieure (5a, 5b, 5c) disposée en regard, un couple d'électrodes, lesdits moyens favorisant la génération d'ondes de Lamb symétriques comportant des moyens pour appliquer une différence de potentiel entre les électrodes d'un couple d'électrodes, la différence de potentiel entre deux couples d'électrodes adjacents étant opposée. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, caractérisé 15 en ce que l'empilement piézoélectrique (4) a une épaisseur comprise entre 10nrn et 5�m. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que des récepteurs (11) à certains éléments (10) sont placés sur le 20 résonateur, la mise du dispositif dans le fluide étant destiné à l'hybridation des éléments (10) correspondants avec les récepteurs (11) pour entraîner une variation de la fréquence de résonance. 9. Procédé de détection d'éléments en milieu fluidique au moyen d'un 25 dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes successives suivantes : la détermination de la fréquence de résonance étalon correspondant à la génération d'ondes de Lamb symétriques, la mise du dispositif dans ledit milieu fluidique, 30 la mesure de la fréquence de résonance des ondes de Lamb symétriques, dans le milieu fluidique, la détection desdits éléments en fonction de la différence entre la fréquence de résonance en milieu fluidique et la fréquence de résonance étalon. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que lors de la détermination de la fréquence étalon, le dispositif est disposé dans l'air ou dans de l'eau.