Brevet FR2929041A1 — publié le 20090925

ELEMENT MAGNETIQUE A ECRITURE ASSISTEE THERMIQUEMENT DOMAINE TECHNIQUE La présente invention se rattache au domaine des éléments magnétiques à jonction tunnel magnétique ou à vanne de spin, tels que ceux utilisés dans les mémoires magnétiques à accès aléatoire non volatiles, permettant, de manière connue, le stockage, la lecture et l'écriture de données dans les systèmes électroniques. Plus spécifiquement, elle s'applique aux mémoires magnétiques à accès aléatoire, désignées de manière traditionnelle sous l'acronyme MRAIVI, constituées d'un ensemble de points mémoire formés chacun par une jonction tunnel magnétique, également désignée sous l'acronyme JTM. Dans ce qui suit, on entend donc par � élément magnétique � un empilement de couches magnétiques comportant au moins une couche dite � de référence �, une couche dite � de stockage � et entre celles-ci une couche isolante ou semi-conductrice ou à chemins de courant confinés. La définition de la notion de couche de référence et de couche de stockage apparaîtra de manière plus précise dans la suite de la présente description. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Les mémoires magnétiques MRAM ont connu un regain d'intérêt avec la mise au point de jonctions tunnel magnétiques présentant une forte magnétorésistance à température ambiante. Ces mémoires magnétiques à accès aléatoire présentent en effet de nombreux atouts : - rapidité comparable à celle des SRAM, - non volatilité, comme les mémoires flash, - absence de fatigue à la lecture et à l'écriture, - insensibilité aux radiations ionisantes. Ce faisant, elles sont susceptibles de remplacer les mémoires de technologie plus traditionnelle (DRAM, SRAIVI, flash) et ainsi devenir une mémoire universelle. 5 Les premières architectures de mémoires magnétiques sont constituées d'un ensemble de points mémoire ou cellules mémoire, constitués chacun d'un élément dit �à magnétorésistance géante �, constitué d'un empilement de plusieurs couches métalliques alternativement magnétiques et non magnétiques. On a par exemple décrit ce type de structure dans les documents US 4 949 039 et US 5 159 513 pour les structures de base, et dans le document US 5 343 422 pour la réalisation d'une mémoire RANI à partir de telles structures de base. 10 Cette technologie, de par son architecture, permet la réalisation de mémoires non volatiles avec une technologie simple, mais cependant de capacité limitée. En effet, le fait que les éléments mémoire ou points mémoire soient connectés en série le long de chaque ligne, limite la possibilité d'intégration, puisque le signal est de plus en plus faible lorsque le nombre d'éléments ou points mémoire augmente. 15 La mise au point des points mémoire à jonction tunnel magnétique a permis l'augmentation significative des performances et du mode de fonctionnement de ces mémoires. De telles mémoires magnétiques à jonction tunnel magnétique ont par exemple été décrites dans le document US A 5 640 343. Dans leurs formes les plus 20 simples, elles sont composées de deux couches magnétiques de champs de retournements différents, découplées magnétiquement par une couche mince isolante, appelée barrière tunnel. Lorsque les aimantations des couches respectives de stockage et de référence, constituant les deux couches magnétiques précitées, situées de part et d'autre de la barrière tunnel, sont anti-parallèles, la résistance de la jonction tunnel 25 magnétique est élevée. A l'inverse, lorsque les aimantations sont parallèles, cette résistance devient faible. L'architecture la plus classique dite � FIMS �, acronyme de l'expression anglo-saxonne �Field Induced Magnetic Switching �, c'est-à-dire le renversement de l'aimantation par 30 un champ magnétique externe, créé par des lignes de courant ou conducteurs associés à chacun desdits points magnétiques est celle décrite dans le document US A 6 021 065 et dans la publication "Journal of Applied Physics" vol. 81, 1997, page 3758 et représentée sur la figure 1. 35 Chaque élément mémoire ou point mémoire (10) est constitué de l'association d'un transistor de technologie CMOS (12) et d'une jonction tunnel magnétique JTM (11). Ladite jonction tunnel (11) comporte au moins une couche magnétique (20), appelée � couche de stockage �, une fine couche isolante (21), et une couche magnétique (22) dite � couche de référence �. De manière préférentielle, les deux couches magnétiques (20) et (21) sont réalisées à base de métaux 3d (Fe, Co, Ni) et leurs alliages (susceptibles de contenir du bore ou du zirconium de telle sorte à rendre amorphe la structure desdites couches et d'aplatir leurs interfaces), et la couche isolante (21) est traditionnellement constituée d'alumine amorphe (AlOX) ou d'oxyde de magnésium cristallin ou texturé (MgO). Avantageusement, la couche de référence, peut elle-même être constituée d'un empilement de plusieurs couches, tel que par exemple décrit dans le document US 5 583 725 et ce, afin de constituer une couche dite � antiferromagnétique synthétique � (SAF). De même, il est possible de remplacer, pour chacun des points mémoire, la jonction tunnel magnétique unique par une double jonction tunnel magnétique, tel que par exemple décrit dans la publication Y. Saito & al, Journal of Magnetism and Magnetic Materials �, Volume 223, 2001, page 293. Dans ce cas, la couche de stockage est interposée entre deux couches isolantes, la structure comportant deux couches de référence positionnées sur les faces opposées auxdites couches isolantes respectives. Les impulsions de champ magnétique produites en faisant circuler dans les lignes de courant (14) et (15) des impulsions électriques courtes, typiquement 2 à 50 nanosecondes, et d'intensité de l'ordre de plusieurs milliampères assurent la sélectivité à l'écriture du point mémoire localisé à l'intersection de ces lignes de courant. En effet, l'intensité de ces impulsions et leur synchronisation sont ajustées, de sorte que seule l'aimantation du point mémoire situé à l'intersection de ces deux lignes de courant soit susceptible de commuter. De par le mécanisme d'écriture de ces points mémoire, on est à même de comprendre 30 les limites de cette architecture : ^ dans la mesure où l'écriture est assurée par un champ magnétique extérieur, elle est assujettie à la valeur du champ de retournement individuel de chaque point mémoire. Comme la fonction de distribution des champs de retournement pour l'ensemble des points mémoire est large (en effet, elle n'est pas uniforme en raison 35 des contraintes de fabrication et des fluctuations statistiques intrinsèques), il est nécessaire que le champ magnétique sur le point mémoire sélectionné soit supérieur au champ de retournement le plus élevé de la distribution, au risque de renverser renverser accidentellement certains points mémoire situés sur la ligne ou sur la colonne correspondante, où le champ de retournement situé dans la partie basse de la distribution est plus faible que le champ magnétique généré par la ligne ou la colonne seule. ^ de plus, attendu qu'en général, la valeur moyenne du champ de retournement augmente lorsque la taille des points mémoire diminue, ce que l'on tend à obtenir pour des raisons d'encombrement et de coût, un courant d'autant plus important est attendu dans les générations de produits futurs. En conséquence, la puissance électrique requise pour le fonctionnement de ces mémoires sera d'autant plus grande que l'intégration sera poussée. ^ enfin, la stabilité de l'aimantation de la couche libre vis-à-vis des fluctuations thermiques n'est plus assurée lorsque la taille du point mémoire diminue. En effet, la barrière d'énergie à franchir pour faire commuter l'aimantation de cette couche d'une orientation à l'autre est proportionnelle au volume de cette couche. Lorsque le volume diminue, la hauteur de la barrière devient alors comparable à l'agitation thermique. L'information écrite dans la mémoire n'est alors plus conservée. Pour pallier cette difficulté, on est obligé d'augmenter l'anisotropie magnétique de la couche libre en choisissant un matériau de plus forte anisotropie ou en accentuant l'anisotropie de forme du point mémoire, par exemple. Mais ce faisant, le champ magnétique nécessaire à la commutation magnétique augmente, résultant en une consommation électrique accrue pour générer le champ nécessaire à la commutation magnétique. Aussi, afin de surmonter cette difficulté, on a proposé la mise en oeuvre de mémoires magnétiques à accès aléatoire à écriture assistée thermiquement, dénommées selon l'acronyme � TA-MRAIVI �. La particularité de l'empilement du point mémoire de cette architecture est le piégeage de la couche de stockage par une couche antiferromagnétique de température de blocage inférieure à la celle de la deuxième couche antiferromagnétique piégeant la couche de référence. Cette technique est par exemple décrite dans le document US 6 385 082. Dans cette configuration, la sélectivité à l'écriture est réalisée par une élévation de température courte du point mémoire à adresser, réalisée par une impulsion de courant traversant ledit point mémoire considéré. Pour écrire le point, cette élévation de température est alors combinée soit à une impulsion de champ magnétique, soit au phénomène de transfert de spin obtenu par l'injection d'un courant polarisé en spin à travers la couche de stockage dudit point mémoire. L'empilement type d'un point mémoire caractéristique pour l'architecture de mémoires magnétiques à écriture assistée thermiquement TA-MRAM est représenté au sein de la figure 2. Dans cet empilement de la jonction tunnel magnétique (31), la couche de stockage (40) est piégée par une couche antiferromagnétique (41). De même que dans le cas des mémoires FIMS, une couche isolante (42) est comprise entre la couche de stockage (40) et la couche de référence (43). Selon cette configuration, les deux couches magnétiques sont avantageusement réalisées en des métaux de transition 3d (Fe, Co, Ni) et leurs alliages, préférentiellement dopées (avec du bore ou du zirconium notamment), et la couche isolante peut être de l'alumine ou de l'oxyde de magnésium. Selon une version avantageuse, la couche magnétique de référence (43) est couplée à une couche antiferromagnétique (44), dont la fonction est de bloquer la couche (43) afin que son aimantation ne bascule pas lors de l'écriture. La température de blocage de la couche antiferromagnétique (44) piégeant la couche de référence (43) est largement supérieure à la température de blocage de la couche antiferromagnétique (41) piégeant la couche de stockage (40). Là encore, la couche magnétique de référence (43) peut être une couche antiferromagnétique synthétique constituée de plusieurs couches. Selon cette configuration, la couche anti-ferromagnétique (41) possède une température limite dite � de blocage � TB au dessus de laquelle le champ magnétique dit � d'échange � stabilisant qu'elle exerce sur la couche libre (40) n'est plus effectif sur la couche libre (40). On sélectionne le matériau constituant la couche antiferromagnétique (41) ainsi que son épaisseur, de telle sorte que la température de blocage TB soit supérieure à la température d'utilisation de la mémoire (température de fonctionnement au repos). De la même manière, on sélectionne la température de blocage TB de la couche anti-ferromagnétique (44) adjacente à la couche piégée (43) afin qu'elle soit supérieure et assez éloignée de la température de blocage de la couche anti-ferromagnétique (41). Cette architecture particulière comporte deux ou trois niveaux de ligne de courant suivant que la commutation est réalisée par transfert de spin ou par champ magnétique. Tout d'abord, pour l'écriture par champ magnétique, une ligne de courant (30) dite � ligne de champ �, est située sous la jonction tunnel magnétique (31) sans être en contact avec cette dernière. Cette ligne est destinée à générer le champ magnétique nécessaire au renversement de la couche de stockage (40), dès lors qu'un courant électrique de plusieurs milliampères la traverse et génère un échauffement dépassant la température de blocage de la couche antiferromagnétique (41) piégeant la couche de stockage (40). Cette ligne n'existe pas lorsque la commutation est réalisée par injection de courant polarisé en spin. Deuxièmement, une autre ligne de courant (32) dite � Bit line �, est située au-dessus de la jonction tunnel magnétique (31) du point mémoire considéré et en contact avec celle-ci. Enfin, une troisième ligne de courant (33) dite � Word fine � est en contact, par l'intermédiaire d'un via (34), avec un transistor CMOS (35), dont la � word fine � constitue la grille. De même que pour l'architecture FIMS, dans une architecture TA-MRAIVI la � word fine � commande l'ouverture ou la fermeture du canal des transistors sur toute sa longueur par l'application ou non d'une l0 tension seuil, chacun des transistors fonctionnant en mode interrupteur pour chacun des points mémoire associés. En mode écriture, le transistor CMOS (35) du point mémoire à écrire est fermé par l'application d'une tension adéquate dans la � word fine � (33). Un courant de 15 chauffage est alors envoyé dans le point mémoire à écrire par la � bit fine � (32). A partir d'une certaine densité de courant, celui-ci induit l'élévation de température de la jonction tunnel magnétique (31) au-dessus de la température de blocage de la couche antiferromagnétique (41). Le champ d'échange stabilisant la couche libre (40) devient alors nul, et ladite couche de stockage peut être écrite à des champs très réduits. Pour 20 écrire la couche de stockage (40), une impulsion électrique est alors envoyée dans la ligne de champ (30) une fois que la température de blocage est atteinte (au bout de quelques nanosecondes). Cette impulsion génère un champ magnétique suffisant pour retourner l'aimantation de la couche de stockage (40) dans le sens souhaité (écriture du bit "1" ou "0"). Pour une commutation par injection de courant polarisé en spin, on se 25 sert du courant de chauffage à la fois pour chauffer la couche de stockage du point mémoire et pour appliquer un couple de transfert de spin sur l'aimantation de cette couche. Pour ce faire, le flux d'électrons du courant de chauffage doit être polarisé en spin, ce qui est généralement réalisé en le faisant traverser une couche magnétique additionnelle appelée couche de polarisation û dans le cas de l'empilement de la figure 2 30 ce rôle est joué par la couche de référence. Une fois que la couche de stockage (40) a été écrite, on coupe alors le courant de chauffage dans la jonction tunnel magnétique (31) (par coupure du courant dans la � bit fine � (32) et ouverture du transistor (35)). La température globale du point mémoire chute alors très rapidement (quelques nanosecondes) en deçà de la température de blocage de la couche antiferromagnétique 35 (41) (à la température de fonctionnement au repos typiquement), et le champ d'échange reprend alors sa valeur initiale mais dans le sens opposé, stabilisant à nouveau la couche de stockage (40). De telles mémoires magnétiques à écriture assistée thermiquement présentent un certain nombre d'avantages, parmi lesquels on peut citer : une amélioration significative dans la sélectivité à l'écriture du fait que seul le point mémoire à écrire est chauffé ; la conservation de l'information écrite dans la mémoire même lorsque le point mémoire est exposé à des champs magnétiques parasites à température ambiante ; une amélioration de la stabilité thermique de l'information par la mise en oeuvre de matériaux avec une forte anisotropie magnétique à température ambiante (intrinsèque ou due au champ d'anisotropie d'échange de la couche l0 antiferromagnétique piégeant la couche de stockage (40)); la possibilité de réduire de manière significative la taille des cellules des points mémoire sans affecter leur limite de stabilité de par l'utilisation de matériaux avec une forte anisotropie magnétique à température ambiante ou à couche de stockage piégée par anisotropie d'échange; 15 une réduction de la consommation lors de l'écriture ; la possibilité d'obtenir des cellules de stockage multi-niveaux dans certaines circonstances. Nonobstant ces avantages, on se heurte cependant à certaines difficultés sur le plan de 20 la technologie de fabrication. La principale de ces difficultés est liée à la nécessité d'appliquer une impulsion de courant à travers la jonction tunnel magnétique afin de chauffer le point mémoire à une température supérieure à la température de blocage de la couche antiferromagnétique 25 piégeant la couche de stockage. Cette impulsion de courant est susceptible de soumettre la couche d'oxyde ultramince, constitutive de la barrière tunnel, à un stress électrique important. En effet, la tension associée pourrait approcher, voire dépasser dans des systèmes non adaptés du point de vue du confinement thermique la tension de claquage d'une telle couche d'oxyde, se situant typiquement autour de 1 Volt. En outre, même si 30 la tension appliquée sur la barrière tunnel est inférieure à sa tension de claquage, le stress lié à l'impulsion de courant électrique peut aboutir à des effets de vieillissement importants à longue échéance, notamment après un grand nombre de cycles d'écriture. 35 L'objectif de la présente invention est de proposer un système innovant permettant de simultanément disposer d'un courant suffisamment important injecté à travers le point mémoire tout en minimisant le plus possible la tension aux bornes de la couche d'oxyde ultramince constituant la barrière tunnel. Ceci permet d'obtenir à la fois un couple de spin et/ou un échauffement suffisamment efficaces pour l'écriture du point mémoire et de minimiser les risques de claquage et de vieillissement de la barrière tunnel. Afin de satisfaire à cette double demande, il a été proposé par le passé la mise en oeuvre d'une double jonction tunnel, c'est-à-dire de deux jonctions tunnel magnétiques, séparées l'une de l'autre par une couche métallique, telle que par exemple décrite dans le document US 6 950 335. Ce faisant, pour la même densité de puissance, qui constitue le paramètre critique de l'échauffement du point mémoire, on aboutit à une diminution importante de la tension aux bornes de chacune des barrières tunnel. Cependant, cette double jonction tunnel magnétique présente une complexité accrue en termes de réalisation de l'empilement et de réalisation des cellules mémoire, notamment durant la phase de gravure du point mémoire. Au surplus, l'utilisation d'une double jonction tunnel magnétique présente des inconvénients pour une architecture à écriture basée sur le transfert de spin. En effet, si les aimantations des deux couches magnétiques de référence sont bloquées antiparallèlement, l'efficacité du couple de spin est importante, mais la valeur des résistances des deux états mémoire devient comparable et subséquemment, la marge de lecture s'en trouve drastiquement réduite. Alternativement, si les aimantations des deux couches magnétiques de référence sont bloquées parallèlement, la marge de lecture est importante mais l'efficacité du couple de spin est significativement réduite dans la mesure où les deux contributions pour les deux couches de référence se soustraient l'une de l'autre. EXPOSE DE L'INVENTION L'objectif visé par la présente invention est de minimiser la tension à travers la couche mince d'oxyde, constitutive de la barrière tunnel, pour une densité de courant déterminée, c'est-à-dire pour une amplitude de chauffage et/ou un couple de spin donné tout en conservant le même niveau de marge de lecture en termes de résistance ou magnétorésistance. A cet effet, l'invention vise un élément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement et comportant chacun : ^ une couche magnétique de référence, dont l'aimantation est de direction fixe ; ^ une couche magnétique de stockage, couplée magnétiquement avec une couche de piégeage réalisée en un matériau antiferromagnétique, et dont la direction de l'aimantation est variable lorsque ledit élément est chauffé à une température supérieure à la température de blocage de la couche antiferromagnétique ; ^ une couche isolante ou semi-conductrice ou à chemin de courant confiné, interposée entre la couche de référence et la couche de stockage. Selon l'invention, on introduit au niveau de la couche magnétique de référence et/ou de la couche magnétique de stockage une ou plusieurs couche(s) mince(s) de forte résistivité électrique. La mise en oeuvre de telles couches à forte résistivité électrique d'épaisseur très réduite, et notamment de l'ordre voire inférieur au nanomètre, permet d'optimiser la résistance de l'empilement de la jonction tunnel magnétique sans pour autant affecter la résistance propre de la couche constitutive de la barrière tunnel interposée entre la couche de stockage et la couche de référence. Avantageusement, ces couches minces à forte résistivité électrique sont introduites dans les couches ferromagnétiques constitutives de la couche de stockage et de la couche de référence, voire dans la couche antiferromagnétique d'échange piégeant la couche de référence ou à leur surface ou interface. Typiquement, et selon l'invention, cette ou ces couches minces à forte résistivité électrique sont réalisées en oxydes ou nitrures métalliques, le métal étant choisi dans le groupe comprenant le tantale, l'aluminium, le cobalt, le zirconium, le zinc et le magnésium. Ces couches d'oxyde ou de nitrure peuvent être obtenues par dépôt de couches métalliques ultraminces, typiquement d'une épaisseur inférieure à la monocouche, notamment par pulvérisation cathodique (également connue sous l'expression anglo- saxonne � sputtering �). Ces couches métalliques peuvent être oxydées de manière subséquente, par oxydation naturelle ou par plasma ou nitrurées par un dépôt dans une atmosphère partielle d'azote. 5 30 L'épaisseur de ces couches d'oxyde ou de nitrure est préférentiellement inférieure au nanomètre afin d'obtenir des couches préférentiellement discontinues, permettant de conserver la continuité des propriétés magnétiques des couches ferromagnétiques ou antiferromagnétiques au niveau desquelles elles sont rapportées. Selon l'invention, toute ou partie des couches magnétiques entrant dans la constitution de la ou desdites bicouches de la couche de stockage comprend une couche mince d'oxyde ou de nitrure métallique. 10 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent ressortiront mieux de l'exemple de réalisation qui suit, donné à titre indicatif et non limitatif à l'appui des figures annexées. 15 La figure 1 déjà décrite est une représentation schématique de l'architecture d'une mémoire magnétique de type FIMS de l'état antérieur de la technique. La figure 2, également déjà décrite, est une représentation schématique d'une mémoire magnétique mettant en oeuvre une mémoire MRAM à écriture assistée thermiquement, 20 également connue de l'état antérieur de la technique. La figure 3 est une représentation schématique d'un point mémoire mis en oeuvre dans le cadre d'une mémoire magnétique à écriture assistée thermiquement de la figure 2. La figure 4 est une représentation de détail de la couche de stockage du point mémoire de la figure 3. 25 MODE DE REALISATION DE L'INVENTION On a abondamment décrit dans le préambule de la présente invention l'état antérieur de la technique relatif aux mémoires magnétiques à accès aléatoire. Ce faisant, et dans l'objectif de simplifier la présente description, seul un point mémoire constitutif de telles mémoires magnétiques va être décrit ci-après plus en détail. Comme déjà dit, celui-ci est fondamentalement constitué d'un élément magnétique magnétorésistif, préférentiellement une jonction tunnel magnétique. Celle-ci comporte une barrière tunnel (42), sélectionnée dans le groupe comprenant entre autres les oxydes d'aluminium Al2O3 et de magnésium MgO. Alternativement, la couche (42) séparant la couche de référence (43) de la couche de stockage (40) peut être de nature semi-conductrice (par exemple à base de silicium ou de germanium ou en GaAs) ou d'une couche métal/oxyde hétérogène, comme les couches à chemin de courant confiné, selon l'expression anglo-saxonne � Current Confined Path � développées dans le contexte des têtes de lecture magnétorésistives pour disque dur. Ces dernières sont par exemple constituées d'alliages Ali_XCux avec x compris entre 0,5 et 10 % atomique, que l'on oxyde, formant une couche d'alumine amorphe, percée de trous métalliques de cuivre. Dans l'objectif visé par la présente invention, si l'on ne souhaite pas affecter la résistance propre de la barrière tunnel (42), en revanche, on vise à augmenter la résistance de la couche de stockage et/ou de la couche de référence. Pour ce faire, et selon l'invention, on dépose au sein et / ou à la surface de la couche ferromagnétique (43) constitutive de la couche de référence, et/ou de la couche ferromagnétique (40) constitutive de la couche de stockage, voire à l'interface entre les couches (40) et (43) avec les couches antiferromagnétiques (41) et (44) auxquelles elles sont respectivement couplées, une très fine couche (48) d'un oxyde ou de nitrure métallique, typiquement mais de manière non limitative constitué d'oxyde (nitrure) de tantale, d'aluminium, de cobalt, de zirconium, de zinc ou de magnésium. Cette couche présente préférentiellement une épaisseur subnanométrique, c'est-à-dire au maximum égale à 1 nanomètre, de telle sorte à ne pas affecter les propriétés magnétiques de la couche magnétique à laquelle elle est associée. Ce dépôt peut être réalisé par pulvérisation cathodique d'une couche subnanométrique de métal qui est oxydée de manière subséquente par oxydation naturelle ou par plasma. Alternativement, la couche métallique peut être nitrurée par dépôt de la couche métallique dans une atmosphère partielle d'azote. Alternativement, l'oxyde peut être déposé directement par pulvérisation dans un plasma réactif. La ou les couches d'oxyde métallique (48) ainsi réalisées sont avantageusement discontinues, ainsi qu'illustré sur la figure 4, pour justement garantir la continuité des propriétés magnétiques des couches ferromagnétiques ou antiferromagnétiques dans lesquelles, sur lesquelles ou à l'interface desquelles elles sont déposées. De par la mise en oeuvre de telles couches d'oxyde ou de nitrure métallique, on augmente la résistance totale de l'empilement sans affecter la résistance propre de la barrière tunnel (42). Ce faisant, on augmente l'efficacité de chauffage, notamment lors de la phase d'écriture, dans la mesure où celui-ci est proportionnel à l'expression RI2, dans laquelle R représente la somme de la résistance de la barrière tunnel et de la résistance de la couche d'oxyde ou de nitrure métallique ainsi déposée. Corollairement, la tension correspondante diminue au niveau de la barrière tunnel en raison de l'introduction de ces résistances additionnelles. Ainsi, considérant une densité de puissance constante, on a les expressions : I MTJ+NOL IMTJ RMTJ RMTJ + R NOL avecNOL sansNOL I RMTJ VMTJ RMTJ IMTJ+NOL VMTJ lI RMTJ + RNOL où VMTJa°e° NOL désigne la tension aux bornes de la jonction tunnel magnétique intégrant une ou plusieurs couches d'oxyde métallique (NOL pour Nano Oxyde Layer) et où VMTJsans NOL désigne la tension aux bornes de la jonction tunnel magnétique en l'absence de telles couches. Typiquement, la résistance des couches d'oxyde métallique à base d'aluminium ou de tantale est comprise entre 0,5 et 5 n/itm2 dépendant de l'épaisseur et des conditions de réalisation. Si l'on considère un produit résistance fois la surface de la couche d'oxyde métallique de 552,/�m , et de la jonction tunnel de 50 Wtm , le gain en tension est d'environ 5 % pour chacune des couches d'oxyde métallique introduites dans la structure. 5 Si l'on met en oeuvre une structure à empilement multiple au niveau de la couche de stockage dans laquelle plusieurs couches d'oxyde métallique sont introduites conformément à l'invention, l'importance de la diminution du stress électrique peut atteindre 30 %. Pour un produit RA voisin de 20 W tm , le gain en tension peut même être supérieur, typiquement 10 % pour une seule couche d'oxyde métallique à 50 % pour l'introduction d'une telle couche d'oxyde métallique dans une couche de stockage constituée de 10 bicouches (couche magnétique + couche amorphe). 10 Les mémoires magnétiques MRAM ainsi obtenues présentent une endurance fortement améliorée dans la mesure où le stress induit par la phase d'écriture est fortement réduit, et où la tension appliquée à la jonction tunnel magnétique lors de la phase de lecture est faible, typiquement inférieure à 200 mV. 15 Dans le cas de la configuration des mémoires magnétiques à écriture assistée thermiquement (TA-MRAM), et plus particulièrement dans le cadre des mémoires magnétiques à écriture par injection de courant polarisée en spin assistée thermiquement TA-STT-MRAM, essentielles pour aboutir à des caractéristiques dimensionnelles 20 inférieures ou égales à 90 nanomètres, un courant important doit traverser ladite jonction tunnel magnétique. La solution proposée par l'invention mettant en oeuvre des couches d'oxyde ou de nitrure métallique a pour effet de diminuer la tension au niveau de la jonction tunnel, permettant ainsi la mise en oeuvre de cette configuration plus facilement. 25 On conçoit de fait tout l'intérêt de la présente invention pour la réalisation de mémoires magnétiques mettant en oeuvre de tels éléments mémoires, notamment dans le cadre de l'optimisation du nombre de cycles de lecture et d'écriture, et la réduction de courant nécessaire à l'écriture. REVENDICATIONS 1. Elément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement comportant chacun : - une couche magnétique de référence (43), dont l'aimantation est de direction fixe ; - une couche magnétique de stockage (40), piégée par échange avec une couche antiferromagnétique (41), la direction de l'aimantation de la couche de stockage étant variable lorsque ledit élément est chauffé à une température supérieure à la température de blocage de la couche antiferromagnétique (41); - une couche isolante ou semi-conductrice (42) ou à chemin de courant confiné, interposée entre la couche de référence et la couche de stockage ; caractérisé en ce que la couche magnétique de référence (43) et/ou la couche magnétique de stockage (40) comprend une ou plusieurs couche(s) mince(s) (48) de forte résistivité électrique. 2. Elément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la ou des couches (48) de forte résistivité électrique est au plus égale à un nanomètre. 3. Elément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la ou les couches (48) de forte résistivité électrique sont discontinues. 4. Elément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la ou les couches (48) de forte résistivité électrique sont également introduites dans la ou les couches antiferromagnétique d'échange (41, 44) couplée aux couches de stockage et de référence, ou à leur interface. 5. Elément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la ou les couches (48) de forte résistivité électrique sont réalisées en oxyde métallique ou en nitrure métallique. 6. Elément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement selon la revendication 5, caractérisé en ce que le métal entrant dans la composition de l'oxyde ou du nitrure métallique constitutif de la ou des couches (48) est choisi dans le groupe comprenant le tantale, l'aluminium, le magnésium, le zirconium, le zinc et le cobalt.