Brevet FR2928780A1 — publié le 20090918

La présente invention concerne un matériau diélectrique artificiellement structuré (qui est un matériau qui est au moins un diélectrique à certaines fréquences, mais pas nécessairement diélectrique pour le courant continu), ainsi qu'un procédé de fabrication de celuiùci, plus particulièrement, mais non exclusivement un semblable matériau ayant une constante diélectrique nulle ou négative dans certaines bandes de fréquence prédéterminées. Dans certaines applications, il serait avantageux que la constante diélectrique d'un matériau puisse être ajustée en vue d'une application particulière, au moins pour une gamme de fréquence spécifique. Ce matériau serait particu lièrement avantageux dans des applications telles que des radomes permettant que la constante diélectrique du matériau du radome soit appariée avec celle de l'air afin de maximiser la transmission. On connaît des matériaux naturels qui ont une constante diélectrique nulle ou négative pour le rayonnement de fréquences particulières, par exemple des métaux. La fréquence à laquelle la constante diélectrique d'un matériau est nulle est connue comme la fréquence d'oscillation de plasma Wp et, dans les métaux, ceci se produit dans la gamme optique, de sorte que des métaux sont de bons réflecteurs de la lumière. On peut obtenir une explication pour les propriétés ciùdessus en considérant la structure atomique d'un métal selon le modèle de Jellium. Selon ce modèle, le métal peut être considéré comme comprenant des ions positifs disposés dans une structure de réseau fixe et qu'on approcherait comme une "gelée" uniforme comme charge positive fixe, avec les "électrons libres" faiblement liés, ou électrons de valence, formant un gaz ou fluide électronique associé qui est libre de se déplacer. Dans un tel modèle, le gaz électronique aura de préférence un point de repos préféré par rapport au fond positif où la charge électrique nette est nulle. Un champ électrique appliqué provoquera un déplacement du nuage électronique dans une direction constante par rapport au fond positif, et jusqu'à ce qu'il soit arrêté par une force de rappel créée par le déséquilibre apparaissant dans la charge électrique nette en fonction de la position. Le système se comporte comme un oscillateur harmonique forcé et, lorsque la fréquence du champ appliqué augmente, un point est atteint auquel le champ change à la fréquence résonnante de l'oscillateur ("oscille"). A ce point, le gaz électronique oscillera simplement à la fréquence de résonance d'oscillation du gaz qui est la fréquence de plasma w1,. En général, une bande de noeuds de plasma existera avec des longueurs d'onde variables et une dispersion correspondante. Aux fréquences disposées notablement auùdessus de la fréquence de plasma, le gaz électronique ne peut pas répondre 2 suffisamment vite au champ et la contribution à la constante diélectrique se sature à une valeur associée avec la charge polarisable liée sur les ions. Il existe certaines applications où il serait souhaitable de réduire la fréquence de plasma à des fréquences infrarouges ou microùondes et en dessous. Ceci rendrait possible de produire des matériaux ayant une constante diélectrique voulue à une fréquence spécifique, lequel matériau pourrait former la base d'une structure absorbant les microùondes hautement efficace avec des applications telles que des matériaux absorbants pour le radar destinés à des installations de radar invisibles et générales. Une constante diélectrique agençable pourrait également être utilisée dans des matériaux pour radomes avec des caractéristiques de bonne adaptation avec l'air libre. Toutefois, la fréquence de plasma est donnée par : 2 ne 2 cnp eom où n est la densité d'électrons, e est la charge présente sur un électron, et m* est la masse effective de l'électron. Le paramètre cc) est la constante diélectrique de l'air libre, en unités internationales. La réduction de la fréquence de plasma par réduction de la densité d'électrons n peut être réalisée jusqu'à la bande infrarouge, mais des matériaux ayant une densité n basse et une mobilité suffisamment élevée ne sont pas disponible pour des fréquences inférieures. Selon un premier aspect de la présente invention, il est proposé un matériau diélectrique artificiellement structuré qui comprend un réseau interconnecté de canaux conducteurs (dans le contexte de cette description, ce terme couvre tous les types de trajets conducteurs sensiblement linéaires mais non nécessairement rectilignes, y compris des fils conducteurs et des fibres conductrices, le diamètre des canaux et la distance moyenne entre interconnexions étant choisis de façon que le matériau composite ait une fréquence de plasma vue par le rayonnement incident à une fréquence prédéterminée, ou à l'intérieur d'une bande prédéterminée de fréquence, si bien que le matériau possède une partie réelle de la constante diélectrique pour le rayonnement incident qui est inférieure ou égale à zéro pour un rayonnement incident qui est en dessous ou au niveau de la fréquence ou de la bande de fréquence du rayonnement incident. La présente invention exploite les propriétés électromagnétiques de canaux conducteurs. Lorsque des électrons sont contraints à des canaux étroits, il (1) est produit un grand effet inductif, qui ralentit les électrons dans leurs trajectoires. Ceci peut être interprété comme le fait que le potentiel vectoriel magnétique A ajoute un terme électromagnétique à la masse d'un électron dans un matériau massif m* (dans l'équation du mouvement). Ceci est une modification de la quantité de mouvement d'une particule P dans un champ magnétique, où : Pm*v_+cA/c=meffv (2) où e est la charge présente sur un électron, v est la vitesse de l'électron, et c est la 10 vitesse de la lumière. A partir de l'équation (2) ciùdessus, on peut voir que la quantité de mouvement apparente d'un électron augmente du fait de l'effet inductif et, par conséquent, l'électron se comporte comme s'il avait une masse effective meff plus élevée. En substituant meff qui est plus grand que m* du fait de l'inductance des 15 canaux conducteurs minces, à m* de l'équation (2), on réduit cop et, par conséquent, l'invention permet de fabriquer un matériau ayant une fréquence de plasma prédéterminée. Le rayon des canaux, r, et la distance moyenne entre interconnexions, a, peuvent être déterminés par considération du fait que tous les électrons sont confinés dans les canaux de sorte que, lorsqu'un courant quelconque 20 circule, un fort champ magnétique est établi autour des canaux, ce qui est donné par : I e H (R) ù ùniv -23rR= 2tR 25 où I est le courant passant dans le canal, R est la distance depuis le canal, n1 est le nombre d'électrons par unité de longueur de fil, et v est la vitesse électronique moyenne. Ce champ peut être exprimé par : H(R)=,uoù1 VxA(R) (4) où A (R) = PO 2 %v e ln (a/R) (5) (3) 30 où "a" est l'écartement moyen entre interconnexions ou bien, dans une structure en réseau, la constante de réseau. En mécanique classique, les électrons placés dans un champ magnétique ont une contribution supplémentaire à leur quantité de mouvement, qui est eA, et, par conséquent, la quantité de mouvement supplémentaire par unité de longueur du fil est : en1A(r)_'u 0e22 2 1 vin (air) = men-111v (6) itn 2 meff=�°2 t ln(a/r) (7) En pratique, ceci est la contribution dominante sur les bandes de fréquence intéressantes et la masse réelle m de l'électron sera omise dorénavant. En substituant meff à m* dans l'équation 1, on obtient : 2ù nv e 2 2 rnv/nc 2 Jtc 2 P Eo meff Eouoln(a/r) = a lln(a/r) De préférence, on choisit a et r de façon que le coefficient de tassement du réseau soit inférieur à 10 %, "a" étant du même ordre, mais étant sensiblement 20 plus petit que la longueur choisie. Le paramètre r est un paramètre libre, mais, pour accorder la structure, il doit être sensiblement plus petit que a, afin d'assurer que le champ magnétique puisse pénétrer dans les fils individuels et les voir. Le paramètre r est également limité parce que la technique peut procurer, de sorte que a et r doivent s'équilibrer pour optimiser la structure. 25 Le réseau est de préférence une structure tridimensionnelle et est interconnecté, de façon que la structure ne se décompose pas en plans isolés de manière que le débit du courant électronique ne soit pas rompu. On peut augmenter la capacité de stockage d'énergie de la structure proposée (par unité de volume) en revêtant les fils à l'aide d'un matériau à haute 30 perméabilité magnétique (u). Ceci augmente l'énergie magnétique stockée et, de plus, confine le champ, ce qui permet une plus haute densité de fils. Les matériaux réels ayant un� élevé ont également un E élevé, mais ceci n'est pas sérieux en pratique, car le champ magnétique sera limité au revêtement tandis que le champ 15 (8) électrique s'étalera dans tout l'espace. Toutefois, il peut y avoir des problèmes de conductivité aux interconnexions des canaux. Alors qu'il est possible d'appliquer le revêtement de façon à permettre que les canaux conducteurs soient connectés au-dessous de celui-ci, ceci peut être 5 un inconvénient. Toutefois, il est probable qu'un revêtement faiblement conducteur pourrait permettre un "court-circuit" effectif sur lui-même là où les canaux conducteurs se croisent, en même temps qu'un courant signifiant serait aussi transporté axialement. (Ceci est plus dure à réaliser aux fréquences élevées, où le courant tende à être limité à la surface.) Des fils en hélice autorisent une conduction capacitive axiale entre les spires et sont, dans une certaine mesure, auto-espacés. Ceci est une option de fabrication qui nécessite moins de connexions croisées. Selon un deuxième aspect de l'invention, il est proposé un procédé permettant de produire un matériau diélectrique artificiellement structuré, le procédé comprenant les opérations suivantes : déterminer une fréquence ou une bande de fréquence pour laquelle on souhaite que le matériau ait une constante diélectrique égale ou inférieure à zéro ; déterminer la fréquence de plasma ; et former un réseau de canaux interconnectés dans un milieu diélectrique, en sélectionnant le diamètre des canaux à la distance moyenne entre interconnexions de façon que le matériau composite ait la fréquence de plasma voulue, telle qu'elle est vue par le rayonnement incident à la fréquence prédéterminée ou dans la bande de fréquence déterminée et de sorte que le matériau ait une partie réelle de la constante diélectrique pour le rayonnement incident inférieure ou égale à zéro pour un rayonnement incident situé au-dessous ou au niveau de la fréquence de la bande de fréquence du rayonnement incident. Les exemple de matériaux structurés selon l'invention venant d'être décrit, à titre d'exemple seulement, en référence avec les dessins annexés, qui : la figure 1 est une illustration schématique d'une structure en réseau selon la présente invention ; les figures 2 à 6 illustrent divers procédés par lesquels une structure en réseau selon la présente invention peut être fabriquée ; et la figure 7 illustre la relation de dispersion pour des ondes de plasma de surface entre deux feuilles de métal. En référence avec la figure 1, il est illustré une structure en réseau cubique régulier comprenant un certain nombre de fibres en acier inoxydable conductrices 1, ayant chacune une grande longueur par comparaison avec la pério- 6 dicité a des fibres. La valeur de a détermine l'intervalle des longueurs d'onde de fonctionnement et, pour les applications aux micro-ondes, à la bande J, a vaut environ 3 mm. Typiquement, le diamètre de la fibre a doit être inférieur à 1/10 de l'écartement a, et, pour un fonctionnement à fréquence supérieure, il faut réduite la valeur de a. Aux fréquences infrarouges, une valeur appropriée pour r doit être petite, par exemple 1 nm, ce qui donne la limite naturelle de la capacité d'application de la technique. On choisit la période "a" du réseau de façon qu'elle soit appropriée à la gamme de fréquence choisie, et celle-ci est typiquement aux environs de la fréquence de plasma effective donnée par l'équation 8. En insérant les valeurs suivantes dans l'équation 8 à savoir, ,uo = 4n x 10-7,s=1,602x10-19,r=1,0x10-6, on obtient a=15mm,wp(calculé)=2,57 GHz, a=5mm, wp(calculé)=8,2 GHz, a=3mm, wp(calculé)=14,09 GHz. Ceci a été contrôlé par analyse numérique détaillée. En référence avec les figures 2 et 3, il est illustré un procédé par lequel une structure selon la présente invention peut être fabriquée. Le procédé comprend l'opération consistant à disposer les fibres conductrices 1 le long d'une fibre diélectrique 2 afin de former une fibre composite 3, un certain nombre de ces fibres composites 3 étant ensuite empilé comme représenté sur la figure 3 pour former un réseau cubique conducteur parfaitement tridimensionnel. D'autres procédés de formation d'une structure en réseau régulier sont envisagés, comme un tricotage ou un tissage tridimensionnel, ou un traitement du type velours modifié. Les fibres diélectriques 2 peuvent être des fibres de verre. Dans une démonstration pratique de matériaux, on a construit une structure en sandwich multicouche 4, comme représenté sur la figure 4, qui est constituée de fils d'un diamètre de 20 microns, fait à partir de cuivre plaqué or suivant des lignes droites présentant un écartement de 5 mm entre les lignes et séparées par une feuille de polymère de 3 mm vis-à- vis de la couche suivante de fils 7 disposée à angle droit par rapport à la première. On complète le sandwich par une succession d'autres fils séparés en feuilles à 3 mm qui sont disposés alternativement à angle droit. Ceci produit une cellule tridimensionnelle de dimension 5 mm x 5 mm x 6 mm. Ceci a été mesuré à l'aide d'ondes planes de micro-ondes sous incidence normale dans la bande de fréquence de 2 à 18 GHz, et s'est révélé montrer la fréquence de plasma prévue à 9 GHz, avec une valeur négative pour la 7 partie réelle de la constante diélectrique dans la bande de fréquence située auùdessous de cette fréquence de plasma. L'élargissement de cette réponse dépend de la résistivité des fils à la fréquence de mesure, que l'on a réduit par un revêtement d'or. Indépendamment de la technique de fabrication, il faut prendre soin de placer les fibres suivant les trois dimensions de manière à assurer un bon contact électrique entre les fibres conductrices 1 à l'endroit où elles se coupent. La structure ne doit pas être une structure en réseau régulier, mais elle pourrait aussi être un groupement de fibres conductrices s'interconnectant de manière aléatoire qui comprend des faisceaux de fibres disposés dans un matériau matriciel, par exemple un liquide diélectrique que l'on pourrait ensuite faire durcir pour produire un réseau pseudorégulier, la longueur des fibres conductrices et le coefficient de tassement étant sélectionnés de manière à produire un écartement moyen a, des connexions électriques apparaissant également à un intervalle pseudopériodique a, les fibres conductrices assurant la conduction dans les trois dimensions à peu près suivant la période donnée. Dans une structure en réseau régulier, une courbe modeste des fibres conductrices n'affecterait pas fortement les propriétés du matériau. Un autre groupement pseudoaléatoire possible peutùêtre obtenu par placement de courtes fibres conductrices, d'une longueur comprise entre 3 et 12 mm, en suspension dans un liquide diélectrique. De nouveau, le coefficient de tassement et la longueur des fibres doivent être tels qu'il est produit des trajets de conduction pseudopériodiques dans les trois dimensions, de bons contacts électriques étant établis entre les fibres avec une pseudopériode moyenne a. Selon un autre procédé de production d'un matériau diélectrique artificiellement structuré, on fait en sorte d'encourager des polymères conducteurs ou des chaînes du type polymère ayant des diamètres appropriés à former un réseau pseudopériodique suivant trois dimensions, avec une bonne conductivité électrique et un bon contact électrique à l'emplacement des "modes". Ceci pourra être obtenu par un traitement biologique, chimique ou électrochimique, par exemple une version tridimensionnelle des pellicules de LangmuirùBlodgett. Une autre technique à l'aide de laquelle on pourrait fabriquer une structure selon la présente invention consisterait à utiliser un modelage par laser ou un traitement de gravure humide directe de substrats métalliques visant à produire une structure en nids d'abeilles appropriée qui pourrait alors former le réseau conducteur tridimensionnel voulu ayant les valeurs appropriées pour la périodicité 8 et le diamètre des canaux. Selon une possibilité, on pourrait fabriquer la structure en tissant une série de fibres conductrices suivant une structure tridimensionnelle, comme illustré sur la figure 5, comprenant un certain nombre d'hélices coupées droites qui sont interverrouillées de manière à maintenir les fibres sous tension et à produire des connexions à chaque sommet. Cette structure pourrait être autoùporteuse, les fils étant préétamés et étant ultérieurement cuits au four de manière à fixer la structure et à assurer un bon contact électrique. Une structure selon la présente invention pourra également être formée à partir d'un certain nombre de polyèdres comprenant chacun des canaux conducteurs au niveau de leurs bords, le côté étant soit ouvert, soit fabriqué à partir d'une feuille diélectrique dont la fibre conductrice est formée à partir d'un matériau conducteur sur le bord des feuilles, un tétraèdre étant illustré sur la figure 6. On agence ensuite ensemble un certain nombre de ces éléments soit suivant une pile ordonnée, soit selon un amoncellement quelconque. On pourrait cuire au four des mousses à cellules ouvertes ou seule des intersections des bulles subsistent, pour donner un réseau en carbone, ou même en métal, ayant les caractéristiques voulues. Les canaux pourraient être fait d'un coeur rigide non conducteur, ayant un revêtement mince très conducteur. Aux fréquences élevées, où le courant est limité à la surface du fil, ceci pourrait donner une structure plus légère et plus résistante que la version à fils pleins, avec toutefois des propriétés électriques identiques. Il a été décrit ciùdessus quelques procédés au moyen desquels on pourrait fabriquer une structure selon l'invention, mais on imaginera que toute technique de fabrication appropriée pourrait être utilisée pour reproduire une semblable structure. Un matériau artificiellement structuré selon l'invention possède un certain nombre d'applications. Les modes de surface de matériaux selon l'invention, ainsi que d'autres modes que l'on créera facilement en structurant encore la géométrie d'un matériau selon l'invention, possèdent une très haute densité d'états et ont souvent une nature résonnante. Il est donc envisagé qu'il soit possible de produire des intensités locales élevées de microùondes pour des puissances d'entrée modestes, ce qui donne un moyen de produire des microùondes dans de très petits volumes sans qu'il soit nécessaire de faire appel à une cavité résonnante classique. Avec la constante diélectrique négative, la possibilité existe que des modes de surface satisfont l'équation Eeff + 1 = O. Ces modes pourraient être couplés à un rayonnement électromagnétique externe rendant possibles des applications d'émetteurs ou de détecteurs sur une large bande de fréquence. Les modes de surface du matériau offrent également la possibilité de plusieurs guides d'ondes nouveaux, les modes présents sur deux surfaces se trouvant en proximité étroite interagissant afin de donner un mode symétrique et antisymétrique avec dispersion. Ceci est illustré sur la figure 7, qui montre la relation de dispersion pour des ondes de plasma de surface entre deux feuilles de métal. Le mode antiùsymétrique tend vers zéro pour q petit, et le mode symétrique tend vers la fréquence de plasma dans la masse. Au contraire d'un guide d'ondes classique, la vitesse de groupe d'un matériau selon l'invention est commandée par la fréquence de plasma et peut être très inférieure à la vitesse de la lumière. Dans les guides d'ondes constitués de deux plaques parallèles de matériau selon l'invention, la vitesse de groupe peut être inférieure à la vitesse de la lumière, ce qui offre la possibilité de réaliser de nouveaux filtres d'ondes millimétriques. Une autre application possible du matériau concerne les dispositifs de lévitation. Ceci a lieu du fait que la fréquence de plasma Re (Eeff) = 0 offre de nouvelles conditions limites. Un matériau infiniment conducteur (ou un bon métal) impose que le champ électrique soit situé (presque) perpendiculairement à la surface. Un matériau obéissant à l'équation ciùdessus impose que le champ électrique (pour wp) se trouve parallèlement à la surface de la même manière qu'un supraconducteur (u = 0) impose que les champs magnétiques soient parallèles (pour le courant continu). A la fréquence de plasma, le matériau repousse plutôt qu'il n'attire les lignes de force électriques et, par conséquent, il est repoussé par les champs électriques intenses et peut donc trouver commodément des applications dans des dispositifs de lévitation. Il est probable que l'application potentielle la plus importante de ce nouveau matériau naisse de la capacité à réaliser un matériau à constante diélectrique faible ou nulle pour des bandes de fréquence particulières en équilibrant le matériau diélectrique de l'environnement du fond à l'aide de la matrice à constante diélectrique négative, ce qui permet d'obtenir la constante diélectrique voulue. Ceci peut être utilisé pour produire le matériau de radome "parfait" ayant E = 1, c'estùàùdire adapté à l'air de façon à adapter les ondes électromagnétiques allant à et venant d'antennes d'émission/réception. Le matériau offre également un substrat à constante diélectrique faible pour des dispositifs et circuits microùondes de manière à réduire la capacité tout en offrant d'autres propriétés comme une conductivité thermique élevée, ainsi qu'une taille réduite -10 (couplage intra-circuit réduit). Le matériau pourrait également être utilisé pour réaliser une phase RF uniforme sur un grand circuit. Une autre application d'un matériau selon la présente invention est celle de matériau absorbant les micro-ondes. Les colloïdes métalliques sont connus pour être, aux fréquences optiques, des éléments absorbants extrêmement efficaces du rayonnement optique, ce que l'on appelle les noirs-or étant un exemple. On estime que ces colloïdes réalisent cette absorption du fait de la création d'une structure de bande interdite photonique formée à partir des états fortement résonnants basés autour de la fréquence de plasma de surface des sphères métalliques constituantes. En formant des structures de type colloïdes analogues à partir du matériau selon l'invention, on peut réaliser une forte absorption dans les bandes de fréquence choisies. Le diamètre des particules devrait être sur une échelle grande par comparaison avec l'écartement "a" du réseau de fibres conductrices, mais petite par comparaison à la longueur d'onde du rayonnement électro- magnétique entrant. REVENDICATIONS 1. Matériau composite diélectrique artificiellement structuré, caractérisé en ce qu'il comprend un réseau interconnecté de canaux conducteurs (1), le diamètre (r) des canaux et la distance moyenne (a) entre interconnexions étant choisis de façon que le matériau composite ait une fréquence de plasma, telle que vue par le rayonnement incident pour une fréquence prédéterminée, ou bien dans une bande de fréquence prédéterminée, de sorte que le matériau possède une partie réelle de la constante diélectrique du rayonnement incident qui est inférieure ou égale à 0 pour un rayonnement incident en deçà ou au niveau de la fréquence ou de la bande de fréquence de rayonnement incident. 2. Matériau selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau interconnecté est immergé dans un matériau en matrice. 3. Matériau selon la revendication 2, caractérisé en ce que le coefficient de tassement du réseau est inférieur à 10 % du matériau en matrice. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la fréquence ou bande de fréquence spécifique est en dessous de la bande de fréquence optique. 5. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les fibres sont métalliques. 6. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les fibres sont supraconductrices. 7. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le réseau interconnecté est disposé sous la forme d'une structure en réseau régulier. 8. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les canaux conducteurs possèdent un revêtement de surface en un matériau ayant une perméabilité magnétique élevée par rapport au matériau du canal. 9. Procédé de production d'un matériau composite diélectrique artificiellement structuré, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes : déterminer une fréquence ou une bande fréquence pour laquelle on souhaite que le matériau ait une constante diélectrique égale ou inférieure à zéro ; déterminer la fréquence de plasma ; et former un réseau de canaux interconnectés dans un milieu diélectrique, en choisissant le diamètre des canaux de la distance moyenne entre interconnexions de façon que le matériau 12 composite possède la fréquence de plasma voulue, telle que vue par le rayonnement incident à la fréquence déterminée ou à l'intérieur de la bande de la fréquence déterminée, et si bien que le matériau possède une partie réelle de la constante diélectrique pour le rayonnement incident qui est inférieure ou égale à zéro pour le rayonnement incident se trouvant en dessous ou au niveau de la fréquence ou de la bande de fréquence de rayonnement incident. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à immerger les canaux conducteurs dans un matériau en matrice. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à disposer les canaux suivant une structure en réseau régulier. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à placer les canaux conducteurs sur des tiges non conductrices de matériau et à disposer les tiges de façon que les canaux forment un réseau interconnecté. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à former un réseau aléatoire de canaux. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à tisser les canaux suivant une structure dimensionnelle. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à tricoter des canaux suivant une structure tridimensionnelle. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à encapsuler les canaux dans un matériau en matrice. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caracté risé en ce qu'il comprend l'opération consistant à disposer des canaux conducteurs en suspension dans un liquide diélectrique et à ensuite permettre au liquide de durcir. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que les canaux ont une longueur comprise entre 3 mm et 12 mm.. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à former la structure en réseau à l'aide de techniques de couches minces. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractéù5 risé en ce qu'il comprend l'opération consistant à former la structure en réseau à partir d'une pluralité de polyèdres ayant des bords conducteurs.