Brevet FR2914132A1 — publié le 20080926

DISPOSITIF ELECTRONIQUE POUR LE TRANSPORT D'INFORMATIONS NUMERIQUES DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un dispositif électronique pour le transport d'informations numériques sur longues distances, comprenant un émetteur associé à un récepteur magnétorésistif. Par informations numériques on entend des 0 et des 1 , également dénommés informations ou signaux logiques par opposition aux signaux analogiques. La présente invention se rapporte donc au domaine des infrastructures informatiques destinées à la transmission rapide de données entre composants voisins ou distants, au moyen de connections à fils ou lignes. Par composants voisins on désigne des composants appartenant à une même carte électronique, tandis que les composants distants désignent par exemple deux périphériques plus ou moins éloignés comme la carte graphique et l'écran d'un micro-ordinateur. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, on réalise actuellement des processeurs dont les fréquences de fonctionnement sont de plus en plus élevées, s'étalant typiquement de quelques GHz à une vingtaine de GHz pour certains prototypes. Une telle amélioration des performances des microprocesseurs permet de traiter des informations numériques de plus en plus rapidement et donc de résoudre des algorithmes de plus en plus complexes en un temps de plus en plus court. C'est pourquoi on cherche également à développer des dispositifs émetteurs- récepteurs aptes à transporter ces informations numériques à des vitesses de plus en plus élevées afm de suivre les cadences de traitement des microprocesseurs. Ces dispositifs ou ensembles émetteurs-récepteurs sont fréquemment désignés par leur dénomination anglo-saxonne transceiver parfois traduite par transcepteur . Parmi les ensembles émetteurs-récepteurs de l'art antérieur, on trouve différentes architectures de dispositifs électroniques, dont le fonctionnement dépend de l'application recherchée. Ainsi, la façon de transporter les informations numériques, c'est-à-dire de les encoder, puis de les décoder, dépend du débit d'informations à transmettre et de la distance sur laquelle il faut transporter ces informations. C'est la raison pour laquelle de nombreux standards de communication ont été créés pour répondre aux divers besoins spécifiques. Parmi ces standards, on en trouve de trois catégories. La première catégorie comporte des standards non différentiels, dont les plus connus sont : - le standard dit LVTTL (pour Low Voltage Transistor Transistor Logic) est transporté par une ligne simple avec une fréquence inférieure à 250 MHz ; - le standard GTL (pour Gunning Transceiver Logic) utilise une ligne simple, dont le drain du transistor est ouvert et fonctionne à des fréquences inférieures à 200 MHz. Ces deux standards sont généralement mis en oeuvre dans les circuits électroniques traditionnels pour des distances d'interconnexion relativement courtes (ex. : le standard GTL ou encore le bus de communication externe des Pentium Pro d'Intel) et des débits moyennement élevés. Comme dérivé du standard GTL, il existe le standard AGTL+ pour transporter des débits importants au moyen des bus des cartes mères. La seconde catégorie est liée aux besoins de communication entre divers éléments d'une même unité électronique. Dans le cas où il s'agit de transférer des informations entre mémoires, il est nécessaire de disposer d'une bande passante importante, en particulier pour les mémoires à accès rapide, telles que les mémoires SRAM ou DRAM (pour Static Random Access Memory et Dynamic Random Access Memory). Pour une telle application, on utilise généralement le standard HSTL (pour High Speed Transceiver Logic) ou le standard SSTL (pour Sub Series Terminated Logic), lesquels permettent de transporter des informations numériques sur de très courtes distances avec des fréquences de l'ordre de 400 Mhz au moyen de lignes simples ou différentielles. La troisième catégorie comporte des standards différentiels pour transporter des débits d'informations très élevés, typiquement à des fréquences supérieures à 800 Mhz, sur de longues distances, parfois de plusieurs centaines de mètres, comme dans le cas des réseaux ADSL (pour Asynchronous Digital Subscriber Line), on peut employer des liaisons série point-à-point fonctionnant selon les standards LVDS (Low Voltage Differential Signalling), ECL (pour Emitter Coupled Logic) ou CML (pour Current Mode Logic). De manière connue, le standard LVDS s'appuie sur une technologie à base de CMOS, ce qui lui permet de présenter un bon rapport entre coût, consommation et performances, de l'ordre de 1 Gb/s pour une puissance de 1 mW. Quant aux standards ECL et CML, ils permettent de transporter l'information à plus haut débit, typiquement de l'ordre de 2 Gb/s, mais pour une consommation nettement supérieure à celle du standard LVDS, typiquement de l'ordre de 200 mW, et pour un coût plus élevé, car il met en oeuvre une technologie spécifique. La technologie mise en oeuvre par le standard LVDS utilise pour transmettre l'information sur de longues distances de faibles courants, de l'ordre de 3,5 mA et une connexion différentielle, qui permet de rejeter la plupart du bruit affectant les lignes de transmission puisque ce bruit apparaît très majoritairement en mode commun (pour lequel la réjection des circuits différentiels est très élevée). Cette réjection permet d'utiliser de faibles tensions, et donc de réduire la consommation électrique. La présente invention se situe dans cette troisième catégorie des transceivers différentiels pour longues distance, avec en outre un haut débit d'informations à transmettre, sans avoir pour autant les inconvénients du standard LVDS. Selon le standard LVDS, l'excursion de la tension de sortie de l'émetteur est relativement élevée, de l'ordre de 350 mV, qui correspond au seuil de fonctionnement des grilles des transistors d'entrée du récepteur. Comme le fonctionnement est différentiel, l'excursion en tension est au moins égale à deux fois ce seuil, soit environ 700 mV. Le courant requis pour transporter les informations numériques, quoique faible, demeure relativement élevé, de l'ordre de 3,5 mA. Par conséquent, la puissance dynamique nécessaire pour générer les signaux transportant les informations numériques est de l'ordre de 2,1 mW, et ne saurait fonctionner en dessous d'une excursion en tension différentielle de 700 mW. En outre, compte tenu de l'impédance électrique de la ligne de transport, l'intégrité des signaux émis n'est pas garantie pour des distances de transport supérieures à 15 m. De plus, cette impédance empêche ces dispositifs électroniques d'adresser les informations numériques depuis un seul émetteur vers une pluralité de récepteurs, car les signaux sont dégradés lors de leur réception. 5 La présente invention a donc pour objet un dispositif électronique ne présentant pas les inconvénients des dispositifs de l'art antérieur, en particulier une consommation électrique excessive, une distance de transport des informations limitée et/ou un coût de mise en oeuvre onéreux et la limitation du nombre de récepteurs. OBJET DE L'INVENTION La présente invention se rapporte donc à un dispositif permettant de transporter des informations numériques sur de longues distances de manière simple et économique à 10 mettre en oeuvre, tout en ayant une consommation électrique faible, et en autorisant le multi-adressage des récepteurs, c'est-à-dire la possibilité pour un émetteur d'adresser simultanément plusieurs récepteurs, ceci grâce à une utilisation nouvelle de composants électroniques et magnétiques agissant en synergie, et à la mise en oeuvre d'éléments magnétiques pour réaliser une fonction de circuit logique. Plus précisément 15 ces éléments magnétiques sont magnétorésistifs. Conformément à l'usage, ces éléments magnétorésistifs qui comportent au moins une couche ferromagnétique dure et une couche ferromagnétique douce séparées par une couche intercalaire non ferromagnétique (métallique ou isolante) sont appelés ci-après empilements magnétorésistifs . Dans de tels empilements, l'une ou l'autre des couches 20 ferromagnétiques, ou les deux, peuvent être elles-mêmes composées de plusieurs couches ferromagnétiques et non ferromagnétiques conçues de telle manière que l'ensemble se comporte comme une seule couche ferromagnétique de performances améliorées, formant ce que l'on appelle une couche magnétique de synthèse. Dans ce qui suit, on écrira conformément à l'usage, couche magnétique en lieu et place de 25 couche ferromagnétique . L'objet de l'invention est un dispositif de transmission des informations numériques ( transceiver en anglais) comportant des moyens électroniques, appelés émetteur, générant des impulsions de courant, au moins un ensemble de moyens de réception, 30 appelés récepteur, convertissant les impulsions reçues en impulsions logiques compatibles avec le fonctionnement des circuits électroniques logiques standards. Selon l'invention, le récepteur reçoit les impulsions de courant émises par l'émetteur dans un couple d'empilements magnétorésistifs, c'est-à-dire d'éléments 35 magnétorésistifs comportant une couche ferromagnétique dure et une couche ferromagnétique douce séparées par une couche intercalaire, la couche dure de chaque empilement magnétorésistif étant piégée dans une orientation magnétique fixe, la couche douce de chaque empilement étant en l'absence de courant dans sa position de facile aimantation servant de référence, et présentant une orientation magnétique modulable par les impulsions de courant issues de l'émetteur, de manière à induire une modification de résistance suffisante pour déclencher un signal électrique en tension ou en courant, les modifications de résistance des deux empilements traversés par une même impulsion coopérant pour former un signal différentiel. De manière préférentielle, les deux empilements sont identiques mais excités en sens inverse par le courant issu de l'émetteur et ayant parcouru la ligne de transmission reliant l'émetteur au récepteur considéré, créant ainsi le fonctionnement différentiel. Habituellement, l'axe de facile aimantation de la couche douce de chaque empilement magnétorésistif est approximativement orthogonal à l'aimantation de la couche dure, ceci afin de maximiser les variations de résistance lors de la modulation de l'orientation magnétique. De manière préférentielle, les empilements magnétorésistifs sont réalisés de manière à ce que la stabilité des axes de facile aimantation soit faible, de manière à ce qu'un faible champ magnétique suffise à les écarter de cette position, le but n'étant pas ici le maintien stable de l'information comme dans le cas d'une mémoire. Ainsi, la modulation de l'orientation magnétique de la couche douce de chaque 20 empilement est suffisamment faible pour que cette orientation ne bascule pas entre deux positions stables mais oscille autour d'une position stable. Ceci est généralement réalisé selon un premier mode de réalisation de l'invention dans lequel des empilements magnétorésistifs ont la forme de plots de section quasi- 25 cylindrique, et non elliptique comme dans les mémoires qui s'efforcent au contraire d'avoir deux états très stables. Selon un second mode de réalisation de l'invention, les deux empilements magnétorésistifs sont suffisamment proches l'un de l'autre pour qu'il existe entre leurs 30 couches douces un couplage magnétostatique. Dans ce cas le changement d'orientation de la couche douce d'un empilement magnétorésistif contribue au changement de l'orientation de l'autre empilement magnétorésistif. Par cette interaction magnétostatique, le basculement de l'une des couches douces contribue au basculement de l'autre : ce phénomène de réaction positive de chaque empilement sur l'autre accroît 35 la vitesse de commutation et autorise des bandes passantes très élevées. Selon ce second mode de réalisation, il est préférable que leur forme diffère de plots de section circulaire, et ait au contraire la forme de deux lettres C ou deux lettres U se faisant face, de manière à minimiser les entrefers séparant chaque empilement de 1' autre. De manière préférentielle, la modulation de l'orientation magnétique de la couche douce de chaque empilement est suffisamment faible pour que cette orientation de l'aimantation varie autour d'une position d'équilibre sans qu'il y ait basculement proprement dit, c'est à dire sans que lors de la suppression du courant l'aimantation ne relaxe dans sa position d'équilibre opposé à la position d'équilibre initial. Cette configuration minimise l'énergie nécessaire à la modification de leur orientation magnétique et augmente la vitesse de commutation. Toutefois, lorsque cette dernière condition préférentielle n'est pas remplie et qu'il se produit un basculement de l'aimantation en l'absence de courant, le fonctionnement du transceiver ne s'en trouve pas affecté. En effet, l'axe de facile aimantation de la couche douce étant perpendiculaire à celui de la couche dure, s'il vient à basculer de 180 la configuration est symétrique par rapport à la configuration avant basculement et le fonctionnement également. Selon l'invention, l'émetteur et le ou les récepteurs sont montés en série. Par l'expression reçoit les impulsions de courant dans un couple d'empilements magnétorésistifs , on entend au sens de l'invention que ces impulsions circulent dans un conducteur disposé au voisinage de l'un et l'autre des empilements magnétorésistifs, selon une orientation, un sens et à une distance choisis pour que ces impulsions de courant modifient l'orientation de l'aimantation de la couche douce de chacun de ces empilements magnétorésistifs. Il en résulte que ce courant n'occasionne pas une chute de tension décelable puisque l'impédance d'entrée du dispositif est un simple tronçon de conducteur électrique passant au voisinage de deux empilements magnétorésistifs. À titre d'exemple, pour produire un champ de 7 Oe nécessaire au retournement d'une jonction de section cylindrique, il suffit d'un courant de 3 mA dans une ligne de 1 m de long (c'est-à-dire quasi-infmie devant les dimensions du transceiver), dont la section a 500 nm de large sur 100 nm de haut, située à 200 nm des jonctions à écrire. La taille d'une jonction étant de l'ordre de 300 nm, on estime que la longueur de ligne d'écriture qui participe au basculement de cette jonction est de 1 m. La ligne étant en 35 cuivre, la résistance d'un tronçon de 1 m est de 0,3 ohms environ. Pour le courant d'écriture de 3 mA, la puissance consommée dans cette jonction est de 2, 7 w alors que le standard LVDS requiert sous une tension d'au moins 0,6 V une puissance d'environ 2 mW, c'est-à-dire 740 fois plus. En outre le standard LVDS exigeait un produit RI constant, alors que l'invention se contente d'un courant au moins égal à 3 mA, et qui doit seulement ne pas atteindre une valeur à ce point élevée qu'elle ferait basculer de manière non voulue une autre jonction. Il n'y a pas de dissipation de puissance décelable à l'intérieur du récepteur, et le nombre de récepteurs placés en série sur le trajet d'une même ligne électrique est extrêmement élevé, limité seulement par la résistance globale de cette ligne et la capacité de l'émetteur à y générer le courant requis. On peut également noter qu'il n'existe pratiquement pas de seuil de fonctionnement en tension pour un transceiver selon l'invention. En outre, cette impédance d'entrée quasi-nulle améliore significativement l'immunité aux bruits. En effet, les bruits électromagnétiques sont modélisables par une source de tension en série avec une impédance interne Zo, qui est généralement moyenne ou élevée, voire très élevée. Lorsque les bruits induisent une tension dans un circuit d'impédance Zi, celle-ci se trouve divisée par le rapport d'impédances Zi / (Zo + Zi), de sorte qu'il est connu d'abaisser l'impédance d'entrée des circuits pour limiter l'incidence des bruits électromagnétiques. Avec une impédance d'entrée Zi quasi-nulle, l'invention se situe dans des conditions optimales, encore jamais réalisées, pour diminuer la vulnérabilité aux bruits. Il va de soi pour l'homme du métier que la mise en oeuvre d'empilements magnétorésistifs dans l'invention implique l'existence, dans le récepteur, d'un circuit intégré électronique d'alimentation apte à polariser la partie magnétorésistive du récepteur et d'un circuit intégré électronique de lecture apte à mesurer la résistance de l'empilement et à la traduire sous forme de niveaux logiques. En d'autres termes, le dispositif électronique objet de l'invention comporte un émetteur et un récepteur magnétiquement couplés, l'émetteur générant un courant d'écriture de manière à modifier l'orientation magnétique des couches magnétiques douces de chacun des empilements d'un couple d'empilements magnétorésistifs.35 L'émetteur est constitué des moyens électroniques pour générer dans la boucle d'écriture un courant engendrant localement un champ magnétique de façon à en moduler l'orientation magnétique des couches douces. Il s'agit généralement d'un circuit intégré électronique. Dans le récepteur, ce courant parcourt un conducteur placé selon une orientation et à une distance permettant cette modulation. Comme le même courant circule au voisinage des deux empilements magnétorésistifs, selon une orientation et à une distance lui permettant de moduler l'orientation magnétique de la couche magnétique douce, et que les signaux de sortie sont associés de manière à coopérer, les couples d'empilements magnétorésistifs fournissent un signal différentiel qui amplifie davantage les le signal utile que les artefacts tendant à affecter les magnétorésistances en mode commun. De manière préférentielle, les empilements magnétorésistifs sont polarisés en tension au moyen d'électrodes placées de part et d'autre de l'empilement par rapport au plan des couches, la grandeur électrique mesurée étant le courant traversant cet empilement magnétorésistif perpendiculairement au plan des couches. Mais selon une variante les empilements magnétorésistifs sont polarisés en courant, et la grandeur électrique mesurée est la différence de potentiel entre les extrémités de l'empilement magnétorésistif. Selon une forme de réalisation pratique de l'invention, les circuits intégrés de l'émetteur et du récepteur peuvent être réalisés par la technologie CMOS. Le dispositif électronique ainsi constitué combine alors la technologie CMOS et les dispositifs magnétiques, en particulier magnétorésistifs, tels qu'ile existent dans les mémoires magnétiques MRAM (pour Magnetic Random Acess Memory). Si l'association de ces deux technologies existe déjà dans l'art antérieur lorsqu'il est nécessaire de bénéficier des fonctions des deux technologies (comme par exemple dans des mémoires magnétiques dont les circuits de mise en oeuvre et le multiplexage /démultiplexage sont électroniques), cette association ne présente aucune synergie susceptible de conduire à des performances supérieures à la somme des performances de chaque technologie prise séparément. Il n'existe pas non plus de circuits logiques (au sens de circuit logique électronique) mettant en oeuvre des composants magnétiques. Une autre caractéristique importante de l'invention réside dans le choix du courant des impulsions électriques déclenchant le récepteur. Les dispositifs magnéto résistifs mis en oeuvre dans le récepteur comportent une couche dure, dont l'aimantation est fixée selon une direction de référence, et une couche douce conçue pour que son aimantation soit le plus possible parallèle ou antiparallèle avec la direction de l'aimantation de la couche dure en fonctionnement, afm de maximiser les variations de résistance. Par le plus possible , on entend qu'il s'agit d'un objectif du concepteur, mais que pour certaines formes des couches magnétiques, notamment celles qui ont la forme de la lettre C ou U, il n'est pas possible de garder, en tout point de la couche magnétique, cet antiparallélisme. Dans ce dernier cas, la forme des couches magnétiques est néanmoins conçue de manière à ce que le comportement global de ce circuit soit le comportement des portions où les orientations magnétiques de la couche dure et de la couche douce sont parallèles ou antiparallèles. Lors de la transmission d'un signal logique 0 ou 1 , l'orientation magnétique de la couche douce se décale selon le cas de 90 degrés, par opposition avec les dispositifs de mémoires magnétiques où le décalage recherché et de 180 degrés (retournement de la direction d'aimantation). Ce décalage de l'orientation magnétique de la couche douce de 90 degrés requiert un champ magnétique inférieur au champ magnétique requis pour un retournement tels qu'utilisé dans les mémoires. La couche douce de chaque empilement magnétorésistif s'oriente en l'absence de courant dans la ligne reliant l'émetteur au récepteur, selon son axe de facile aimantation (cf. Fig. 4a) perpendiculaire à l'aimantation de la couche dure. La modulation de son orientation magnétique par rapport à son orientation au repos afm d'obtenir l'un ou l'autre des deux états instables engendrés de manière reproductible et fiable par l'impulsion de courant dans un sens ou dans l'autre, selon que la valeur transmise est 0 ou 1, est caractéristique de l'invention (cf. Fig. 4b et 4c). Le choix d'une impulsion de courant modulant cette orientation de 90 degrés par rapport à sa position d'équilibre selon le signal logique 0 ou 1 reçu, constitue une réalisation préférentielle en ce qu'elle maximise le TMR (pour Tunnel MagnetoResistance , qui représente la variation relative de résistance ohmique entre les états d'orientation extrêmes) lorsque l'angle entre l'orientation magnétique de la couche dure et celle de la couche douce est de 0 ou 180 . Mais une modulation d'un angle inférieur à 90 reste conforme à l'invention dès lors qu'elle permet une variation décelable, reproductible et fiable de la résistance électrique transversale de chaque empilement magnétique. Il permet à l'homme du métier d'adapter le principe de l'invention à diverses configurations particulières, par exemple pour diminuer la consommation ou augmenter la vitesse de commutation de l'ensemble du transceiver. Une troisième caractéristique importante de l'invention concerne la stabilité des états magnétiques. Dans les dispositifs mémoires magnétorésistifs, une stabilité élevée des états magnétiques est recherchée, qui conduit généralement aux choix d'une forme ovale, assez éloignée d'un cercle, pour la forme des couches magnétiques constituant l'empilement magnétorésistif. Dans l'invention, au contraire, on recherche une faible stabilité des deux états magnétiques, qui n'ont jamais besoin d'être maintenus longtemps. Cette faible stabilité contribue aussi à diminuer le temps de réponse, donc augmenter la cadence maximale de transmission. Ainsi les jonctions magnétiques ont préférentiellement une forme ronde, qui minimise cette stabilité, ou une forme proche d'un cercle. À titre d'exemple, le retournement de l'aimantation dans une jonction ronde est typiquement de 5 à 7 ce, alors qu'il serait de 50 à 70 ce dans le cas d'une jonction semblable mais de forme ovale, telle qu'utilisée classiquement dans le cadre des mémoires. Selon une variante alternative, cette faible stabilité peut être obtenue par un choix judicieux des matériaux magnétiques constituant chaque magnétorésistance, ou par une combinaison entre le choix des matériaux et la forme de l'empilement magnétorésistif. Selon une réalisation préférentielle de l'invention, les couples d'empilements magnétorésistifs ont leurs couches magnétiques douces placées de telle manière qu'il existe entre elles un couplage magnétostatique suffisamment fort pour que le basculement d'une de ces couches douces induise le basculement en sens inverse de l'autre couche douce, leurs aimantations restant toujours antiparallèles. Une telle structure permet de minimiser le courant circulant dans le via reliant les deux branches de la boucle de la ligne d'écriture, puisqu'un tel couplage magnétostatique facilite la modulation de l'orientation magnétique des couches douces. Un tel couplage magnétostatique contribue en outre au maintien des deux jonctions magnétiques dans des orientations magnétiques opposées, renforçant le fonctionnement différentiel. Selon une variante préférentielle de la précédente, les deux éléments de chaque couple d'empilements magnétorésistifs sont placés du même côté d'un même substrat, et le couplage magnétique entre leurs couches douces est obtenu en donnant à chacun de ces empilements une géométrie en forme de C, et en plaçant ces deux éléments face à face, les ouvertures des deux C étant tournées l'une vers l'autre. En d'autres termes, les deux empilements magnétorésistifs d'un couple peuvent être constitués par des éléments en forme de C positionnés dans un même plan de manière à défmir entre eux deux entrefers et à former essentiellement une couronne, sur l'axe de symétrie de laquelle se trouve un via reliant les branches de la boucle d'écriture. Une telle structure permet d'augmenter le couplage magnétostatique entre les deux empilements magnétorésistifs et de créer une réaction positive entre le changement d'orientation d'une des couches douces et le changement d'orientation de l'autre couche douce, ce couplage tendant à les maintenir antiparallèles. Avantageusement, la lettre C est déformée de manière à assurer la prépondérance fonctionnelle des zones où la couche douce à une orientation magnétique parallèle ou antiparallèle à celle de la couche dure. Selon une seconde variante préférentielle, les deux éléments de chaque couple d'empilements magnétorésistifs sont placés du même côté d'un même substrat, et le couplage magnétique entre leurs couches douces est obtenu en donnant à chacun de ces empilements une géométrie en forme de U, et en plaçant ces deux éléments face à face, les ouvertures des deux U étant tournées l'une vers l'autre. Avantageusement, la lettre U est déformée de manière à assurer la prépondérance fonctionnelle des zones où la couche douce à une orientation magnétique antiparallèle à celle de la couche dure. Ainsi cette seconde variante peut encore être améliorée en constituant le U non par deux branches parallèles réunies par un demi-cercle, mais par deux branches parallèles réunies par une troisième branche perpendiculaire, dont la longueur est inférieure aux branches parallèles et avantageusement la plus courte possible. A titre d'exemple, on peut réunir deux branches parallèle de longueur L par une branche perpendiculaire de longueur L' Le couplage magnétorésistifs rend possible et avantageux d'effectuer le basculement des éléments magnétorésistifs avec un courant plus faible que celui qui est utilisé dans des éléments magnétorésistifs utilisés pour la mémorisation. En outre, une moindre saturation favorise le basculement rapide, et donc une fréquence de fonctionnement élevée pour le transceiver. De telles jonctions présentent en effet des performances intéressantes, en particulier en termes de temps de réponse à un champ magnétique. Selon une forme de réalisation alternative de l'invention, les jonctionsmagnétiques à effet tunnel peuvent être magnétiquement indépendantes l'une de l'autre. 25 35 Selon un mode de réalisation pratique de cette forme de réalisation de l'invention, les éléments magnétorésistifs peuvent être constitués chacun par un plot cylindrique. Une telle géométrie permet d'orienter les couches douches relativement facilement, 5 c'est-à-dire avec une consommation faible, et d'avoir une réactivité de l'aimantation relativement rapide (en mode capteur avec une couche dure orientée à 90 degrés).]. Selon une caractéristique particulière de l'invention, les éléments magnétorésistifs peuvent être constitués chacun d'une jonction magnétique à effet tunnel. En pratique, les jonctions magnétiques peuvent être réalisées en oxyde de magnésium (MgO) et les électrodes à partir d'alliages de fer, de cobalt et/ou de bore. En pratique, le circuit intégré de lecture peut être apte à amplifier le différentiel de 15 courant de façon à générer une tension représentative de la résistance électrique des éléments résistifs. Ainsi, le circuit de lecture délivre un signal modulé en tension, dont l'exploitation peut être aisément réalisée par des périphériques appropriés, tels que ceux réalisés en 20 technologie CMOS. Selon un mode de réalisation de l'invention, le dispositif électronique objet de l'invention peut comprendre plusieurs récepteurs magnétiquement couplés en série à l'émetteur par l'intermédiaire des branches d'écriture. En pratique, tous ces récepteurs peuvent être affectés de façon identique par le courant d'écriture. Cette forme de réalisation de l'invention permet d'adresser une même information 30 numérique à plusieurs récepteurs au moyen d'une seule ligne d'écriture. En pratique encore, les couches douces peuvent présenter chacune une anisotropie magnétique faible, de manière à permettre une modulation de leurs orientations magnétiques rapide et peu consommatrice d'énergie. Ainsi, la chute de tension le long de la ligne d'écriture n'a pas d'impact sur le récepteur, de sorte qu'on peut se passer de répéteurs ou d'amplificateurs tout en conservant l'intégrité du signal. Le coût énergétique est identique pour un ou plusieurs récepteurs. 10 Selon une forme de réalisation avantageuse de l'invention, les jonctions magnétiques peuvent présenter une faible surface de résistance et une magnétorésistance élevée, de préférence supérieure à 200%. Ce faisant, on augmente la vitesse de transmission binaire, la vitesse de conversion magnétique étant supérieure à la vitesse électrique (CMOS). BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent ressortiront mieux de l'exemple de réalisation qui suit. Cet exemple est donné à titre indicatif et non limitatif, à l'appui des figures annexées parmi lesquelles : ^ la figure 1 est une représentation schématique des blocs fonctionnels émetteur et récepteur d'un dispositif électronique conforme à l'invention ; ^ les figures 2a et 2b sont des représentations schématiques du dispositif électronique illustré par la figure 1 ; sur ces figures apparaissent les détails du circuit intégré constituant l'émetteur et du dispositif magnétorésistif constituant le premier étage du récepteur ; la figure 2a illustre le transport de l'information numérique 0 , tandis que la figure 2b illustre le transport de l'information numérique 1 ; ^ les figures 3a et 3b sont des représentations schématiques en perspective de deux architectures différentes permettant de réaliser le dispositif magnétorésistif du récepteur pour un dispositif conforme à la présente invention ; ^ les figures 4a à 4c illustrent le fonctionnement du dispositif magnétorésistif illustré par la figure 3b, en particulier les orientations magnétiques des couches douces des éléments magnétorésistifs d'un tel dispositif ; les figures 4a, 4b et 4c montrent respectivement le dispositif magnétorésistif au repos, lors de la transmission d'un 0 et lors de la transmission d'un 1 ; ^ la figure 5 est une représentation schématique d'un circuit intégré de lecture constituant le deuxième étage du récepteur d'un dispositif électronique conforme 30 à l'invention ; ^ la figure 6 est une représentation schématique par bloc fonctionnel montrant le multi-adressage d'informations numériques depuis un émetteur vers plusieurs récepteurs. 35 MODES DE REALISATION DE L'INVENTION La figure 1 illustre les blocs fonctionnels composant un dispositif électronique conforme à l'invention. Un émetteur 100 comprenant un circuit intégré 101 est destiné à écrire dans le premier étage 151 d'un récepteur 150 par l'intermédiaire d'une boucle d'écriture 140. Par écriture on désigne en fait l'émission de signaux électriques par modulation de courant depuis le circuit intégré d'écriture 101 vers le premier étage 151 du récepteur 150. D'autre part, le récepteur 150 comporte un circuit intégré de lecture 152 électriquement relié au premier étage 151 par l'intermédiaire de connexions 191 et 192. La longueur de la boucle ou ligne d'écriture 140 représente la distance sur laquelle les informations numériques 0 et 1 sont transportées. Bien évidement, les informations numériques parviennent au circuit intégré d'écriture 101 depuis une source située en amont et schématisée sur la figure 1. De même, le circuit intégré de lecture 152 du récepteur 150 transmet les informations numériques provenant de l'étage magnétorésistif 151 qu'il a décodées à un ou plusieurs autres composants aptes à exploiter ces informations numériques. Les figures 2a et 2b illustrent plus en détail le fonctionnement du dispositif électronique schématisé sur la figure 1. Sur ces figures, les références numériques désignant des pièces semblables à celles de la figure 1 sont augmentées de 100. Conformément à l'invention, le circuit intégré d'écriture 201 est entièrement réalisé en technologie CMOS. Ce circuit d'écriture 201 comporte quatre transistors 202-205 montés deux à deux en parallèle. En l'espèce, les transistors de la paire 202-203 sont du type PMOS, tandis que les transistors de la paire 204-205 sont du type NMOS (respectivement pour Positive Metal Oxyde semiconductor et Negative Metal Oxyde Semiconductor). D'une part, les transistors PMOS 202-203 (symbolisés par un cercle rapporté sur leurs grilles) ont leurs sources communes (connectées au générateur de courant) et, d'autre part, les transistors NMOS 204-205 ont leurs sources communes connectées à la masse 207. La source commune est alimentée par un générateur de courant 206 délivrant un courant pouvant être inférieur à 3 mA, ce qui, en pratique, est inférieur au courant nécessaire au fonctionnement d'un dispositif mettant en oeuvre le standard LVDS (3,5 mA). Pour le reste, le circuit intégré d'écriture 201 fonctionne de manière semblable aux circuits intégrés des émetteurs mis en oeuvre avec le standard LVDS. De plus, les transistors 202 et 204 sont reliés à la sortie d'un inverseur logique 210, tandis que les transistors 203 et 205 sont reliés à l'entrée de l'inverseur logique 210. Par conséquent, si l'information logique à transmettre, appliquée à l'entrée de l'inverseur logique est `A'=0 , les transistors 203 et 204 sont en mode `on', tandis que les transistors 202 et 205 sont en mode `off et réciproquement si `A'=1 , les PMOS étant actifs si leur grille est à 0 , les NMOS sont actifs si leur grille est à 1 ; ceci permet d'assurer la bidirectionnalité du courant dans la boucle 240. Par conséquent, si `A'=0 , le courant provenant de la source connectée au générateur de courant 206 circule dans le transistor 203 jusqu'à une branche 241 de la ligne d'écriture 240 pour atteindre l'étage magnétorésistif 251 du récepteur 250. Comme les branches 241 et 242 ne forment en fait qu'une boucle 240, ce courant revient par la branche 242 dans l'émetteur 201, où il s'écoule à travers le transistor 204 vers la source commune/la masse 207. Ainsi, l'information numérique 0 a été transportée depuis l'émetteur 201 vers le récepteur 251 par l'intermédiaire de la boucle d'écriture 240. Inversement, la figure 2b illustre le transport de l'information numérique 1 dans la ligne d'écriture 240. Pour cela, l'entrée de l'inverseur logique 210 est mise sous tension, plaçant sa sortie à un potentiel nul (0 V). Comme le courant d'écriture circule dans les branches 241 et 242 selon des directions opposées (aller ou retour), il est parfois qualifié de courant bidirectionnel. Conformément à l'invention, ce courant arrive dans l'étage 251 du récepteur 250 et il circule à proximité du dispositif magnétorésistif caractéristique de la présente invention. Le fonctionnement de ce dispositif magnétorésistif est détaillé ci-après, mais il est déjà schématisé sur les figures 2a et 2b. Ainsi, une ellipse 252 symbolise les orientations magnétiques d'une couche ferromagnétique douce appartenant à l'un des éléments magnétorésistifs du dispositif constituant l'étage magnétique 251 du récepteur 250. Les flèches contenues dans l'ellipse 252 symbolisent les champs magnétiques coercitifs générés localement par le courant d'écriture. Conformément à l'invention, les couches ferromagnétiques douces sont formées par des jonctions magnétiques à effet tunnel. Comme le montrent les figures 2a et 2b, ces jonctions magnétiques sont, conformément à l'invention, constamment en opposition de phase l'une par rapport à l'autre. Dans ce cas précis, les jonctions magnétiques sont donc magnétiquement couplées. La figure 3a illustre l'architecture du dispositif magnétorésistif 251 avec deux éléments magnétorésistifs 253, 254 en forme de C magnétiquement couplés. Le courant d'écriture IE arrive ici par la branche 241 et repart par la branche 242. Entre ces deux branches, le courant d'écriture IE transite par une via 255 constituée d'un conducteur électrique s'étendant à égale distance des éléments magnétorésistifs 253 et 254. Ces éléments 253 et 254 en forme de C, ou de demi-couronnes, sont tournés l'un vers l'autre, tandis que la via 255 est positionnée de manière coaxiale à l'axe de symétrie de l'ensemble formé par les deux éléments magnétorésistifs 253 et 254. Ainsi, le courant d'écriture transportant une information numérique 0 ou 1 génère un champ magnétique au niveau des éléments magnétorésistifs 253 et 254. Chacun de ces éléments magnétorésistifs 253 et 254 est composé d'une couche ferromagnétique dure (non représentée) et d'une couche ferromagnétique douce (non représentée). Ces deux couches sont séparées par une couche intercalaire (non représentée). Toutefois, les éléments magnétorésistifs 253 et 254 pourraient également être composés d'un empilement de plusieurs couches en matériaux magnétiques ou amagnétiques différents. Par conséquent, il n'y a pas de contact électrique direct entre le circuit intégré d'écriture et l'étage magnétique 251 du récepteur. C'est pourquoi le courant d'écriture IE n'est pas influencé ni altéré lorsqu'il circule dans la boucle 240 formée par les branches 241 et 242. Comme cela est exposé par la suite en relation avec la figure 6, cette propriété permet d'adresser la même information numérique depuis un seul émetteur vers plusieurs récepteurs. Au contraire, dans le cas des dispositifs électroniques fonctionnant selon les standards LVDS, on génère une tension différentielle entre les deux branches de la ligne d'écriture, laquelle est lue au niveau du récepteur. Le courant support de l'information est donc altéré dans le récepteur au moment de la mesure de la différence de tension entre les branches, ce qui empêche la transmission de la même information à d'autres récepteurs. De manière connue, par exemple dans le domaine des mémoires MRAM (pour Magnetic Random Access Memory), la couche dure de chacun des éléments magnétorésistifs est piégée dans un état magnétique fixe qui sert de référence, tandis que chaque couche douce présente une orientation magnétique variable. Précisément, l'orientation magnétique des deux couches douces est modifiée par le passage du courant d'écriture dans le via 255. La résistance de l'empilement ainsi réalisé dépend de la différence angulaire des moments magnétiques des deux couches. L'angle, référencé par rapport à l'axe facile est nul pour la couche dure, la résistance ne dépend donc que de l'angle entre le moment magnétique de la couche douce et l'axe facile de celle-ci. Conformément à l'invention, le dispositif magnétorésistif 251 est relié électriquement au circuit intégré de lecture 261 par l'intermédiaire de conducteurs 291 et 292. Selon un principe connu, le circuit intégré de lecture mesure la valeur de la résistance électrique de chacun des éléments magnétorésistifs 253 et 254 en injectant un courant de lecture par l'intermédiaire des conducteurs 291 et 292. Le dispositif magnétorésistif 251 permet donc de détecter les variations du champ magnétique local qu'engendre le courant d'écriture lors de son passage dans la via 255 qui forme une connexion différentielle. Le dispositif magnétorésistif 251 convertit donc l'information numérique transportée par le courant d'écriture en une variation de grandeur électrique que le deuxième étage 261 peut interpréter. Le fonctionnement du deuxième étage est détaillé ci-après en relation avec la figure 5. Comme exposé précédemment, les deux jonctions magnétiques à effet tunnel que forment les éléments magnétorésistif 253 et 254 sont magnétostatiquement couplées entre elles, de manière à ce que leurs orientations se trouvent constamment en opposition de phase. Une telle structure permet donc de réduire au minimum le courant d'écriture qu'il est nécessaire de faire circuler dans la via 255 pour moduler les orientations magnétiques des couches douces des éléments 253 et 254. En effet, le couplage magnétostatique entre les éléments 253 et 254 double la variation de l'orientation magnétique de l'une ou l'autre des couches douces. Ainsi, même une faible variation d'orientation magnétique peut être mesurée à l'aide du courant de lecture. En effet, compte tenu de la variation de la résistance de chacun des éléments 253 et 254, lorsque l'on polarise les jonctions magnétiques par l'intermédiaire d'électrodes 256 et 257 respectivement en contact avec les éléments 253 et 254, le circuit de lecture 261 collecte des courants différents sur l'un et l'autre des conducteurs 291 et 292. Par la suite, le circuit intégré de lecture 251, réalisé en technologie CMOS, peut amplifier cette différence de courant de façon à retranscrire l'information numérique qu'elle représente ( 0 ou 1 ) sous la forme d'une tension. La figure 3b illustre une architecture alternative à celle du dispositif magnétorésistif 251. Comme le fonctionnement du dispositif magnétorésistif 351 représenté sur la figure 3b est analogue au fonctionnement au dispositif magnétorésistif 251 de la figure 3a, il ne sera pas exposé en détail sauf pour en souligner les singularités. En l'occurrence, les deux éléments magnétorésistifs 353 et 354 sont ici magnétiquement indépendants l'un de l'autre. Ces éléments magnétorésistifs 353 et 354 peuvent être formés par des jonctions magnétiques à effet tunnel conventionnelles, par exemple présentant un empilement de matériaux identiques à ceux utilisés dans les mémoires MRAM (pour Magnetic Random Acess Memory). En particulier, les couches ferromagnétiques douces de cette jonction magnétique peuvent présenter une forme circulaire ou quasi circulaire de façon à minimiser l'énergie, donc le courant d'écriture, nécessaire à la modulation de leur orientation magnétique. En effet, contrairement aux mémoires MRAM, le but n'est pas le stockage stable et non volatil d'une information, mais son transfert rapide au moyen d'une consommation faible. C'est pourquoi des couches douces de forme circulaire induisent des seuils de commutation faibles et une dynamique de la couche douce, c'est-à-dire une possibilité de modulation de son orientation, importante. Ces deux derniers paramètres permettent donc d'obtenir des cycles d'aimantation des couches libres présentant des temps de réponse très faibles, ce qui accroît d'autant la vitesse de lecture des informations numériques parvenues au récepteur. Les figures 4a à 4c illustrent différentes phases de fonctionnement du dispositif magnétorésistif 351 illustré par la figure 3b. La figure 4a illustre l'état de repos du dispositif magnétorésistif 351, la figure 4b illustre la transmission d'un 0 , tandis que la figure 4c illustre la transmission d'un 1 . Ces figures 4a à 4c montrent la fm de la boucle d'écriture ainsi que les deux branches 341 et 342 qui la constituent. Deux électrodes 358 et 359 servent à polariser les éléments magnétorésistifs 353 et 354. Les électrodes 358 et 359 sont représentées chacune avec un cercle en trait plein symbolisant l'orientation magnétique de la couche douce de l'élément magnétorésistif correspondant ainsi qu'avec un cercle en traits pointillés matérialisant chacun des conducteurs 391 et 392 reliant l'étage magnétique 351 à l'étage électronique de lecture du récepteur. Dans un récepteur conforme à la présente invention, la détection des informations numériques reçues est opérée par le circuit CMOS de lecture sous un champ magnétique. Le champ magnétique local H généré par le courant de lecture circulant dans les branches 341 et 342 doit donc stabiliser les orientations magnétiques des éléments magnétorésistifs 353 et 354 durant la phase de lecture par le circuit CMOS situé en aval du dispositif magnétorésistif 351. Or, la durée de cette phase de lecture par le circuit CMOS est fonction des valeurs absolues et relatives du courant généré par une polarisation entre les électrodes 356 et 358 d'une part et les électrodes 357 et 359 d'autre part. Pour minimiser la durée de cette phase de lecture, il faut donc maximiser la valeur du courant de polarisation. Si l'on tient compte des problèmes de fluctuation des process magnétiques et électroniques dans le circuit CMOS, il est alors nécessaire de choisir une faible résistance nominale (faible constante de temps) pour chaque jonction magnétique et une forte magnétorésistance tunnel. Si l'on considère maintenant la partie gauche de la figure 4a, en particulier au niveau de l'électrode 358, le champ magnétique H généré localement par le courant d'écriture est ici horizontal dans le plan de la figure et orienté vers la gauche. La flèche verticale descendante inscrite dans le cercle magnétique symbolise l'orientation de référence de la couche ferromagnétique dure. Dans le cas de la figure 4a, l'orientation de la couche ferromagnétique douce est également verticale et descendante, puisque le dispositif est ici au repos. Dans le cas de la figure 4b, on souhaite transporter l'information numérique 0 . Pour cela, le circuit CMOS d'écriture émet un courant d'écriture IE dans la branche 341, de manière à générer localement un champ magnétique H horizontal dans le plan de la figure et orienté vers l'extérieur (vers la gauche pour la partie gauche de la figure). Au niveau de l'élément magnétorésistif 353, ce champ magnétique H modifie l'orientation magnétique de la couche douce, ce qui est illustré par la flèche inscrite dans le cercle orientée obliquant vers le bas et à gauche. Cet état magnétique, en combinaison avec l'état symétrique de l'élément 354 représenté sur la partie droite de la figure 4b, traduit la réception d'un 0 . A l'inverse, la figure 4c représente la réception de l'information numérique 1 . Pour cela, le circuit CMOS d'écriture émet un courant d'écriture dans la branche 342, ce courant revenant par la branche 341. Au niveau de l'élément 353 (partie gauche de la figure 4c), le champ magnétique local H est alors orienté horizontalement dans le plan de la figure et vers l'intérieur (vers la droite pour la partie gauche de la figure). La couche dure de référence est bien évidement toujours orientée selon la flèche verticale descendante, tandis que la couche douce est désormais orientée vers le bas et vers la droite. Cette orientation magnétique correspond à l'information numérique 1 . Ainsi, la résistance électrique des éléments 353 et 354 est différente selon qu'ils se trouvent orientés comme sur la figure 4b ou comme sur la figure 4c. De manière connue, la résistance électrique d'un empilement de couches magnétiques est donnée en première approximation (tension de polarisation faible et température ambiante) par la relation : R= Rp.(1+TMR.(1-cos 0)/2) [I] où: ^ Rp. est la résistance nominale de la jonction lorsque les aimantations des deux couches de l'empilement sont orientées dans le même sens ; ^ TMR représente la magnétorésistance tunnel, c'est-à-dire la variation relative de résistance entre les états d'orientation extrêmes ; ^ 0 est l'angle formé entre les orientations des couches dures et douces. 15 Ainsi, lorsque 0 vaut 0, la jonction magnétique se trouve dans un état parallèle où la résistance atteint son minimum et vaut R = Rp, tandis que lorsque 0 = zt, la jonction magnétique est dans un état antiparallèle et sa résistance électrique est maximale et vaut R = Rp. (1+TMR) . 20 Dans la forme de réalisation de l'invention illustrée par les figures 4a à 4c, l'aimantation de la couche dure (flèche verticale descendante) est orientée à 90 par rapport à l'orientation stable de la couche douce défmie par son anisotropie magnétocristaline. De plus, la structure des éléments magnétorésistifs 353 et 354 est 25 circulaire, ce qui permet d'éliminer l'effet de forme et donc de minimiser le courant d'écriture nécessaire à l'orientation magnétique de la couche douce. Avec l'architecture illustrée par les figures 4a à 4c, l'aimantation de la couche douce oscille autour de sa position d'équilibre (flèche verticale descendante) avec une 30 variation angulaire maximale de 90 . Ces oscillations relativement faibles permettent donc de limiter le courant d'écriture IE à 3 mA en valeur absolue. Néanmoins, l'angle formé entre les orientations de la couche douce et de la couche dure de chacune des jonctions magnétiques des éléments 353 et 354 peut être modulé 35 entre 0 et 180 . Cette amplitude de modulation permet de maximiser la variation relative de la magnétorésistance TMR (pour Tunnel Magnetic Resistance). Si l'on désigne par Vbias la tension de polarisation aux bornes des éléments 353 et 354 et compte tenu de l'expression de la résistance électrique de ces éléments (relation I), le différentiel de courant de lecture est exprimé par la relation : A1read = (Vbias / Rp). (TMR / (1+TMR)) [II] dans le cas où l'on transmet un 0 , tandis que dans la cas où l'on transmet un 1 , le différentiel de courant de lecture devient : Airead = ûVbias / Rp). (TMR / (1+TMR)) [III] Comme exposé précédemment, le circuit CMOS de lecture est apte à amplifier ce différentiel de courant de lecture Ai,ad, puis à le convertir en une tension représentative de l'information numérique transportée 0 ou 1 . Pour former les jonctions magnétiques décrites ici, on peut utiliser une couche d'oxyde de magnésium (MgO), permettant d'obtenir une TMR élevée, présentant une épaisseur faible dans le but d'obtenir une résistance nominale relativement faible. En l'occurrence la résistance nominale Rp de l'empilement des éléments magnétorésistifs vaut environ 152. Pour polariser les éléments magnétorésistifs, les électrodes 356-359 sont constituées de couches comprenant du fer, du cobalt et du bore (B) et typiquement des couches CoFe/CoFeB. Un tel empilement électrodesjonctions donne en effet des résultats expérimentaux intéressants en termes de magnétorésistance tunnel TMR, puisque celle-ci peut atteindre 350%. Par ailleurs, la tension de polarisation employée vaut Vbias=300 mV, ce qui permet de limiter la chute de magnétorésistance tunnel TMR, laquelle décroît avec l'augmentation de la tension de polarisation appliquée. Ainsi, le courant de lecture différentiel Ai,ad atteint en valeur absolue 230 A, courant amplement suffisant pour détecter rapidement l'information numérique reçue au niveau du circuit CMOS de lecture décrit ci-après en relation avec la figure 5. La figure 5 illustre donc un récepteur 550 composé d'un étage magnétique 551 déjà décrit et d'un circuit intégré de lecture 561 électriquement relié à l'étage magnétique 35 551 par l'intermédiaire de deux conducteurs 591 et 592. Conformément à l'invention, le circuit électronique de lecture peut être réalisé en technologie CMOS, et il associe une paire de transistors PMOS, dont les grilles sont reliées de manière à former un circuit de clamp , c'est à dire de limiteur de tension._ Ces deux transistors de clamp permettent de limiter la tension de polarisation Vbias des jonctions magnétiques au moyen d'un réglage opéré en agissant sur la tension Via ,n qui est appliquée sur les deux grilles. Comme le montre la figure 5, les courants issus des drains de chacun de ces transistors PMOS sont ensuite comparés au moyen d'un miroir de courant différentiateur 563. Pour former un tel miroir de courant différentiateur, on emploie deux transistors NMOS, dont les grilles sont portées au potentiel du drain de l'un d'entre eux de manière à générer le courant différentiel Ai,ad qui attaque le buffer ou tampon de sortie. Selon le sens du courant circulant dans ce circuit de lecture, le miroir de courant différentiateur charge ou décharge un étage de sortie formé par un élément tampon ou biffer 564. Cet élément tampon a pour rôle de régénérer l'information numérique transmise par l'émetteur en la convertissant sous la forme d'une tension compatible avec les niveaux logiques des composants CMOS constituant les éléments périphériques situés en aval du dispositif électronique objet de la présente invention. La tension générée par l'élément tampon 564 en fonction du différentiel du courant de lecture est bien évidement représentative de l'information numérique initialement envoyée par le circuit intégré d'écriture. La figure 6 représente une forme de réalisation du dispositif électronique objet de la présente invention, dans laquelle un émetteur 600 adresse des informations numériques identiques à plusieurs récepteurs 650, 750 et 850. Cet adressage multiple, également connu sous le substantif anglo-saxon multidrop , est rendu possible par le fait que le courant d'écriture n'est pas influencé ni altéré par les étages magnétiques des récepteurs, si bien que le courant d'écriture peut être successivement transporté par les lignes 640, 740 et 840 etc... vers autant de récepteurs. Le seul facteur limitatif au nombre de récepteurs est la longueur de la boucle 640-740-840 que doit parcourir le courant d'écriture. Par ailleurs, les informations numériques se propagent dans les lignes d'écriture à la vitesse de propagation de l'onde dans ces lignes, contrairement par exemple à une distribution parallèle des courants dans laquelle l'information arrive simultanément aux différents récepteurs équidistants de l'émetteur. Ainsi, l'objet de la présente invention permet de réaliser un procédé de multiadressage d'informations numériques de manière relativement simple, économique et faiblement consommateur d'énergie. On notera que pour conserver une bonne immunité au bruit, il fautmaintenir le plus longtemps possible la nature différentielle des liaisons entre les différents composants, ce qui nécessite une gestion du routage et des interconnexions spécifiques. Par ailleurs, il est possible de réaliser une distribution parallèle, mais cela nécessite une puissance d'écriture, donc une consommation énergétique supérieure, laquelle peut être partiellement compensée par l'utilisation de lignes de très faible impédance. D'autres modes de réalisation de l'invention sont possibles sans pour autant sortir du cadre de cette invention.15 REVENDICATIONS 1. Dispositif électronique destiné à transporter des informations numériques ( 0 , 1 ) sur une longue distance, comprenant un émetteur (100-101 ; 201 ; 600), générant des impulsions de courant, et au moins un ensemble de moyens de réception ou récepteurs (150 ; 250 ; 650, 750, 850), convertissant les impulsions de courant reçues en impulsions logiques compatibles avec le fonctionnement des circuit électroniques logiques standards, caractérisé en ce que le récepteur (150 ; 250 ; 550 ; 650, 750, 850) comprend un couple d'empilements magnétorésistifs (253, 254 ; 353, 354) comportant au moins une couche ferromagnétique dure et une couche ferromagnétique douce séparées par une couche intercalaire non ferromagnétique, la couche dure de chacun des empilements magnétorésistifs (253, 254 ; 353, 354) étant piégée dans un état magnétique perpendiculaire à un axe de facile aimantation servant de référence pour la couche douce du même empilement, cette couche douce de chacun des empilements magnétorésistifs (253, 254 ; 353, 354) présentant une orientation magnétique modulable par les impulsions de courant issues de l'émetteur de manière à induire une modification de la résistance transversale de l'empilement suffisante pour déclencher un signal électrique, les modifications de résistance des deux empilements traversés par une même impulsion coopérant pour former un signal différentiel. 2. Dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la modulation de l'orientation magnétique de la couche douce de chaque empilement est suffisamment faible pour que cette orientation ne bascule pas entre deux positions stables mais oscille autour d'une position stable.. 3. Dispositif électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une impulsion de courant générée par l'émetteur fait varier d'un angle 0 entre 0 et 90 l'orientation magnétique de la couche douce du premier empilement, générant une variation V1 dans un premier sens de la résistance transversale de ce premier empilement, et fait basculer d'un angle 0 l'orientation magnétique de la couche douce du second empilement, générant une variation V2 de la résistance transversale de l'empilement, VI et V2 étant utilisés par un circuit de lecture donnant un signal de sortie fonction de VI û V2 appelé signal différentiel. 4. Dispositif électronique selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'émetteur (100-101 ; 201 ; 600) et le ou les récepteurs (150 ; 250 ; 650) sont montés en série, et l'émetteur (100-101 ; 201 ; 600) est constitué par des moyens électroniques (101 ; 201), notamment constitués par un circuit intégré, aptes à générer dans la boucle d'écriture (140 ; 240-242 ; 341-342 ; 640, 740, 840) un courant engendrant localement un champ magnétique (H) suffisant pour moduler l'orientation magnétique des couches douces. 5. Dispositif électronique selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le récepteur intègre un circuit intégré électronique de lecture apte à polariser la partie magnétorésistive du récepteur et à en déterminer la résistance électrique, pour décoder les informations reçues, ledit circuit intégré étant relié électriquement aux éléments magnétorésistifs du récepteur. 6. Dispositif électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs (253, 254 ; 353, 354) sont polarisés en tension au moyen d'électrodes (256-259 ; 356-359), la grandeur électrique mesurée étant constituée par la différence de courant entre lesdits éléments magnétorésistifs (253, 254 ; 353, 354). 7. Dispositif électronique selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que les circuits intégrés (101, 161 ; 201, 261 ; 561) de l'émetteur (100-101 ; 201 ; 600) et du récepteur (150 ; 250 ; 650, 750, 850) sont réalisés par la technologie CMOS. 8. Dispositif électronique selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les couches douces des empilements magnétorésistifs du ou des récepteurs sont magnétostatiquement couplées entre elles, de telle sorte que le basculement d'une de ces couches douces induise le basculement en sens inverse de l'autre couche douce, leurs aimantations restant toujours antiparallèles. 9. Dispositif électronique selon la revendication 8, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs (253, 254) sont placés du même côté d'un même substrat, et en ce que leurs couches douces est obtenue en donnant à chaque élément une géométrie en forme de C et en plaçant les deux éléments face à face, les ouvertures des deux C étant orientées l'une vers l'autre. 35 10. Dispositif électronique selon la revendication 8, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs d'un couple sont constitués par des éléments en forme de C, positionnés dans un même plan de manière à défmir entre eux deux entrefers et à former essentiellement une couronne, sur l'axe de symétrie de laquelle se trouve une via (255) reliant les branches (241, 242) de la boucle d'écriture (240). 11. Dispositif électronique selon la revendication 8, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs d'un couple sont constitués par des éléments en forme de U, positionnés dans un même plan de manière à défmir entre eux deux entrefers et à former essentiellement une couronne, sur l'axe de symétrie de laquelle se trouve une via (255) reliant les branches (241, 242) de la boucle d'écriture (240). 12. Dispositif électronique selon la revendication 8, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs (253, 254) sont placés du même côté d'un même substrat, et en ce que leurs couches douces est obtenue en donnant à chaque élément une géométrie en forme de U et en plaçant les deux éléments face à face, les ouvertures des deux U étant orientées l'une vers l'autre. 13. Dispositif électronique selon la revendication 11, caractérisé en ce que la lettre U est déformée de manière à assurer la prépondérance fonctionnelle des zones où la couche douce à une orientation magnétique antiparallèle à celle de la couche dure, ledit U étant constitué par deux branches parallèles réunies par une troisième branche perpendiculaire, dont la longueur est inférieure aux branches parallèles, et avantageusement la plus courte possible. 14. Dispositif électronique selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs (353, 354) sont constitués chacun par un plot cylindrique. 15. Dispositif électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les empilements magnétorésistifs (253, 254 ; 353, 354) sont constitués chacun d'une jonction magnétique à effet tunnel. 16. Dispositif électronique selon à la revendication 15, caractérisé en ce que les jonctions magnétiques sont réalisées en oxyde de magnésium (MgO), les électrodes étant réalisées à partir d'alliages de fer, de cobalt et/ou de bore: 5 17. Dispositif électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs récepteurs (650, 750, 850) magnétiquement couplés en série à l'émetteur (600) par l'intermédiaire d'une boucle d'écriture (640, 740, 840). 18. Dispositif électronique selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisé en ce que les jonctions magnétiques présentent une faible surface de résistance et une magnétorésistance élevée, de préférence supérieure à 200%.