Brevet FR2922677A1 — publié le 20090424

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine de la microscopie à champ 5 proche à balayage dite SPM selon l'acronyme anglo-saxon �Scanning Probe Microscopy � et plus particulièrement aux capteurs pour SPM. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION 10 Dans le domaine de la microscopie à champs proche SPM (acronyme de Scanning Probe Microscopy), telle que l'AFM (Atomic Force Microscopy), la STM (Scanning Tunneling Microscopy) ou techniques similaires, il est connu d'utiliser des capteurs constitués d'une pointe montée sur un bras dit levier. Ces pointes sont utilisées pour mesurer les forces atomiques ou sub-atomiques d'interaction 15 sur des surfaces. Par exemple, dans la microscopie à force atomique (AFM), l'image d'une surface est obtenue en détectant les variations de déflection ou d'amplitude d'oscillation du capteur (dans le cas où celui-ci est mis en mouvement par l'oscillation d'un bimorphe piézoélectrique). 20 Le mode dit de contact est par exemple décrit dans les brevets américains US RE34,489, US 6,642,517 et la demande de brevet EP 0480136 et le mode dit de contact intermittent est décrit notamment dans les brevets américains US 5,412,980 et US 5,415,027 et la demande de brevet international WO 0046569 Ces pointes particulièrement fines, et dont les dimensions sont de l'ordre de 25 quelques nanomètres à quelques micromètres, sont généralement constituées entre autres de silicium (Si) ou de nitrure de silicium (Si3N4). La demande de brevet européen EP 1359593 et certaines demandes de brevet japonais telles que JP8262040 et JP10206435 décrivent notamment des procédés de fabrication de telles pointes. i Néanmoins, ces pointes, et plus particulièrement les pointes en silicium (Si) et en nitrure de silicium (Si3N4) présentent l'inconvénient d'être fragiles et de se casser ou de s'encrasser rapidement lors du balayage, diminuant ainsi fortement la résolution des microscopes. Lesdites pointes ne pouvant être nettoyées, il est nécessaire de les remplacer fréquemment. De plus, l'application d'un champ électrique provoque une détérioration éventuelle des pointes nécessitant de les remplacer régulièrement afin de palier la perte de résolution. Afin de remédier à ces inconvénients, on a déjà imaginé de recouvrir les pointes d'une couche obtenue dans un matériau présentant une grande dureté, un coefficient de collage faible et une grande conductivité, telle que du carbure de silicium par exemple. C'est le cas par exemple de la demande de brevet internationale WO 95/02894 qui décrit une pointe pour microscope à champ proche et son procédé de fabrication. Le procédé consiste à former une pointe dans un premier matériau tel que du silicium par exemple, puis à faire réagir la pointe avec une vapeur organique ou ammoniaque jusqu'à ce qu'une partie de la paroi extérieure de la pointe se convertisse en un second matériau tel que du carbure de silicium (SiC). Les pointes obtenues selon ce type de procédé présentent l'inconvénient d'être onéreuses et hétérogènes d'une pointe à l'autre. En effet, lors de la conversion du silicium en carbure de silicium, l'apex de la pointe s'arrondit de manière aléatoire, sans qu'il soit possible de prévoir et contrôler le rayon de courbure de l'apex. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION L'un des buts de l'invention est donc de remédier à tous ces inconvénients en proposant : une pointe en carbure de silicium massif destinée à un capteur pour microscope à champ proche un capteur comportant une telle pointe et un procédé de fabrication d'une pointe en carbure de silicium massif. La pointe est de conception simple, peu onéreuse, présentant une grande dureté et permettant un éventuel nettoyage de la pointe pour sa réutilisation à plusieurs reprises. A cet effet et conformément à l'invention, il est proposé une pointe destinée à un capteur remarquable en ce que ladite pointe est obtenue dans du carbure de silicium massif. Par � SiC massif� on entend, dans le cadre de la présente invention, tout composé chimique constitué des atomes de silicium (Si) et de carbone (C) liés chimiquement entre eux et dont au moins une dimension linéaire de la taille (hauteur, largeur, longueur, diamètre, etc.) est supérieure à 1 mm. La structure atomique du SiC massif peut être monocristalline, poly-cristalline ou amorphe. Le poly-type du SiC massif peut être, par exemple: 6H-SiC, 4H-SiC, 2H-SiC, 3C-SiC, 15R-SiC, 21 R-SiC, 24R-SiC, 27R-SiC, etc. La composition chimique du SiC massif peut être, par exemple: SiC ou tout autre composé exprimé par la formule SixC(1-x), avec 0 .) permettent, par exemple, (de part leur inertie chimique plus ou moins marquée) de nettoyer la pointe ou encore d'y accrocher des particules ou le revêtement adéquat selon l'application en champ proche souhaitée (tribologie, mesures électriques, mesures optiques, mesures en milieu biologique, ...). De plus, la dureté du SiC ouvre de nouvelles perspectives pour certains modes, par exemple dans le domaine de la mesure et de l'interprétation de la nano-indentation...DTD: L'apex de la pointe présente une largeur ou un diamètre inférieur à 500 nanomètres, préférentiellement inférieur à 20 nanomètres, et encore plus préférentiellement inférieur à 10 nanomètres. Par ailleurs, la hauteur (hc) de l'apex de la pointe peut être parfaitement contrôlée par le design technologique lors de sa fabrication. Cette hauteur peut être inférieure à 300 pm, préférentiellement supérieure à 10 pm, et encore plus préférentiellement compris entre 20 et 40 pm. De plus, la ou les paroi(s) de la pointe peuvent être concaves. La concavité dépendra du masque choisi. Un autre objet de l'invention concerne un capteur constitué d'une pointe obtenue dans du carbure de silicium massif solidaire d'un bras dit levier. L'apex de la pointe présente une largeur ou un diamètre inférieur à 500 nanomètres, préférentiellement inférieur à 20 nanomètres, et encore plus préférentiellement inférieur à 10 nanomètres. Par ailleurs, la hauteur (hc) de l'apex de la pointe peut être parfaitement contrôlée par le design technologique lors de sa fabrication. Cette hauteur peut être inférieure à 300 pm, préférentiellement supérieure à 10 pm, et encore plus préférentiellement comprise entre 20 et 40 pm. De plus, la ou les parois de la pointe peuvent être concaves. La concavité 20 dépendra du masque choisi. Selon une première variante d'exécution du capteur suivant l'invention, la pointe est collée à l'une des extrémités libre du levier. Ledit levier est obtenu dans un matériau choisi parmi la liste suivante de : carbure de silicium (SiC), silicium (Si), nitrure de silicium (Si3N4), tout matériau ou 25 tout métal se prêtant aux techniques de microscopie champ proche. Selon une seconde variante d'exécution du capteur suivant l'invention, la pointe et le levier sont obtenus d'un seul tenant dans du carbure de silicium. Un dernier objet de l'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins une pointe destinée à un capteur, remarquable en ce qu'il comporte au moins les 30 étapes suivantes de formation d'une couche formant un masque (appelée par la suite � couche de masque �) sur un substrat massif en carbure de silicium, de formation d'au moins une saignée traversante dans cette couche, ladite saignée présentant un chemin fermé, puis de gravure du substrat massif à travers la saignée de la couche sacrificielle afin de former un creux partiellement fermé délimitant une pointe dans le substrat massif, de retrait de la couche de masque, et finalement de détachement de la pointe. La couche de masque est de préférence formée au moins par dépôt d'un isolant électrique sur le substrat massif de SiC. La saignée présente une forme d'anneau, une forme de polyèdre ou une 10 autre forme en fonction de la forme souhaitée de la pointe. Par ailleurs, la gravure du substrat massif consiste en une gravure qui est obtenue de préférence par une attaque électrochimique du substrat massif de SiC à une profondeur inférieure à l'épaisseur dudit substrat massif. Le retrait de la couche de masque est obtenu par une attaque appropriée (par 15 exemple gravure chimique, traitement par plasma, etc.) de ladite couche de masque. De plus, le détachement de la pointe est obtenu par toute technique appropriée de rupture du substrat (par exemple, par pression mécanique). Après l'étape de détachement de la pointe, cette dernière est collée à 20 l'extrémité libre d'un bras dit levier. Ledit bras est obtenu dans un matériau choisi parmi la liste suivante de : carbure de silicium (SiC), silicium (Si), nitrure de silicium (Si3N4) tout matériau ou tout métal se prêtant aux techniques de microscopie champ proche. Selon une variante d'exécution du procédé conforme à l'invention, ledit 25 procédé comporte, préalablement à l'étape de dépôt de la couche de masque, une étape de formation par électrochimie d'au moins un bras dans le substrat massif de telle manière que chaque pointe formée se trouve à une extrémité d'un bras dit levier. Selon une autre variante d'exécution du procédé suivant l'invention, ce 30 dernier comporte, après l'étape de gravure du substrat massif pour former au moins une pointe, une étape de découpe, par exemple au laser, pour former au moins un bras dit levier de telle manière que chaque pointe formée se trouve à une extrémité d'un levier. Le procédé selon l'invention peut comporter soit : - une étape de finition des pointes consistant en l'application d'un flux ions focalisé sur lesdites pointes, - soit une étape de finition des pointes consistant à rendre la pointe poreuse pour faciliter certaines réactions chimiques ou biologiques, - soit une étape de finition des pointes consistant en un dépôt d'une couche mince de matériau pour améliorer certaines de ses propriétés électriques, magnétiques, électromagnétiques ou mécaniques. Le procédé conduit à la formation d'objets (notamment des pointes) qui 15 peuvent être nettoyés. Le capteur suivant l'invention trouvera de nombreuses applications notamment dans le domaine des microscopes à champ proche (SPM). BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 D'autres avantages et caractéristiques ressortiront mieux de la description qui va suivre de plusieurs variantes d'exécution, données à titre d'exemples non limitatifs, d'une pointe, d'un capteur comportant une pointe et du procédé de fabrication d'une pointe conformes à l'invention, à partir des dessins annexés sur 25 lesquels : -les figures 1A à 11 sont des représentations schématiques des différentes étapes du procédé de fabrication du capteur conforme à l'invention, - les figures 2A à 21 sont des représentations schématiques des différentes étapes d'une variante d'exécution du procédé de fabrication du capteur conforme à 30 l'invention, - les figures 3A à 31 sont des représentations schématiques des différentes étapes d'une seconde variante d'exécution du procédé de fabrication du capteur conforme à l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION On décrira ci-après un capteur en carbure de silicium particulièrement destiné à des microscopes à champ proche de type AFM ; néanmoins, ledit capteur suivant l'invention pourra aisément être adapté pour des capteurs de phénomènes électriques / magnétiques (charge, potentiel, champ, capacité, courant...) ou de réactions chimiques, biologiques, etc... Ledit capteur sera alors recouvert d'un ou plusieurs composés réactifs spécifiques à la ou les réactions chimiques ou biologiques que l'on souhaite mettre en évidence, ladite réaction étant mise en évidence par une variation de déflection du capteur et donc de sa réponse mécanique. Eventuellement, le capteur pourra être rendu poreux par des techniques appropriées pour faciliter certaines réactions chimiques ou biologiques. Le dépôt d'une couche mince de matière sur le capteur pourra être mis en oeuvre pour améliorer certaines de ses propriétés électriques, magnétiques, électromagnétiques ou mécaniques. On décrira ci-après la fabrication d'une pointe à partir d'un substrat massif ; toutefois, il est bien évident qu'une pluralité de pointes sera de préférence fabriquée simultanément de manière collective sur un même substrat sans pour autant sortir du cadre de l'invention. En référence aux figures 1A à 11, le procédé comporte une première étape de formation d'une couche 1 (Figure 1B) formant un masque sur un substrat massif 2 en carbure de silicium (Figure 1A). Ladite couche de masque 1 est de préférence formée au moins par dépôt d'un isolant électrique sur le substrat massif de SiC. L'épaisseur de la couche de masque déposée va dépendre de ses propriétés électriques, de sa tenue mécanique et de sa résistance chimique par rapport à la solution de la gravure électrochimique. Tout procédé de dépôt permettant de déposer la couche de masque peut être utilisé (par exemple, dépôt par évaporation thermique, toute sorte de dépôt chimique en phase vapeur (dépôt CVD selon l'acronyme de l'expression anglosaxonne � Chemical Vapor Deposition �), dépôt par technique sol-gel, etc.). En référence à la figure 1C, une saignée traversante 3 est ensuite pratiquée dans la couche de masque 1 jusqu'à la face supérieure du substrat massif 2. Cette saignée 3 est obtenue par exemple par le procédé de photolithographie. Ladite saignée 3 présente un chemin fermé annulaire, en référence à la figure ID qui est une vue partielle de dessus du substrat représenté sur la figure 1C, afin d'obtenir une pointe globalement conique comme on le verra plus loin. Néanmoins, ladite saignée 3 pourra présenter un chemin fermé de forme quelconque tel qu'un chemin polyédrique, elliptique ou similaire, la forme de la pointe du capteur dépendant de la forme du chemin fermé de la saignée 3. Le substrat massif 2 est alors gravé, en référence à la figure 1E, à travers la saignée 3 de la couche de masque 1 afin de former un creux partiellement fermé 4 délimitant une pointe 5 globalement conique (selon le masque utilisé) dans le substrat massif 2. La gravure consiste en une gravure du substrat massif 2 à une profondeur inférieure à l'épaisseur dudit substrat massif 2. Les caractéristiques de la gravure sont choisies de telle sorte que la pointe 5 présente des dimensions nanométriques. Par exemple, la gravure est obtenue par une attaque électrochimique durant laquelle le substrat de SiC se trouve en contact avec un électrolyte formé au moins à base d'acide (acide fluoridrique, par exemple). Ce substrat est traversé par un courant électrique. Les paramètres de gravure tels que la densité de courant, la composition chimique, la concentration de l'électrolyte, la pression et la température ambiante seront choisis en fonction des besoins (vitesse de gravure, aspect d'anisotropie de pointes formées, densité de pointes sur le substrat etc). Ainsi, la pointe obtenue présente une forme globalement conique (selon le masque utilisé) présentant une hauteur variable selon le temps d'attaque et un diamètre ou une largeur à son apex inférieur à 500 nanomètres, préférentiellement inférieur à 20, et encore plus préférentiellement inférieur à 10 nanomètres. La hauteur de l'apex de la pointe sera préférentiellement inférieure à 300 micromètres, encore plus préférentiellement supérieure à 10 micromètres, et encore plus préférentiellement comprise entre 20 et 40 micromètres. On observera que le procédé suivant l'invention est reproductible. Par ailleurs, les pointes 5 en carbure de silicium obtenues suivant le procédé sont particulièrement dures, résistantes et sont susceptibles d'être nettoyées évitant ainsi d'être remplacées régulièrement contrairement aux pointes des capteurs de l'art antérieur. De plus, la paroi de la pointe 5 peut être légèrement concave de sorte que 10 son apex est particulièrement fin permettant ainsi d'avoir une grande résolution pour les microscopes à champ proche. Après l'étape de gravure électrochimique, en référence à la figure 1 F, la portion de la couche de masque 1 s'étendant entre la saignée 3 est retirée automatiquement lors de la gravure ou par tout moyen approprié (par exemple, 15 gravure chimique, traitement par plasma, etc.). Puis, en référence à la figure 1G, la couche de masque 1 restante est retirée par une attaque chimique, gravure plasma ou toute autre technique de retrait approprié. Finalement, la pointe 5 est détachée mécaniquement du substrat massif 2 par une rupture du substrat, par exemple au moyen de pointes qui cassent le fond du 20 creux partiellement fermé 4, puis elle est collée sur l'extrémité libre d'un bras dit un levier 6 adapté au mode SPM auquel le capteur est destiné. Le levier 6 pourra notamment être obtenu dans un matériau choisi parmi la liste suivante de : carbure de silicium (SiC), silicium (Si), nitrure de silicium (Si3N4), tout matériau ou tout métal se prêtant aux techniques de microscopie champ proche. 25 On notera que la forme telle qu'une forme annulaire ou polyédrique et les dimensions de la saignée 3 pourront être adaptées afin d'obtenir des pointes de forme conique ou pyramidale et d'optimiser les propriétés mécaniques et structurales (taille de l'extrémité, hauteur, facteur d'anisotropie, densité superficielle) des pointes 5. Io Accessoirement, on pourra appliquer une étape de finition sur les pointes 5 consistant en un flux d'ions focalisé de gallium dit FIB selon l'acronyme anglo-saxon � Focused Ion Beam � afin d'effiler l'apex des pointes 5. II va de soi que des ions, autres que de gallium, pourront être utilisés sans 5 pour autant sortir du cadre de l'invention. Selon une première variante d'exécution du procédé suivant l'invention, en référence aux figures 2A à 21, le procédé comporte une première étape de pré- découpe d'un bras dit levier 6 (Figure 2B) dans un substrat massif 2 en carbure de silicium (Figure 2B). Puis une étape de formation d'une couche 1 (Figure 2C) 10 formant un masque sur le substrat massif 2. Ladite couche de masque 1 est de préférence formée au moins par dépôt d'un isolant électrique sur le substrat massif de SiC. L'épaisseur de la couche de masque déposée va dépendre de ses propriétés électriques, de sa tenue mécanique et de sa résistance chimique par rapport à la solution de la gravure électrochimique. Tout procédé de dépôt 15 permettant de déposer la couche de masque peut être utilisé (par exemple dépôt par évaporation thermique, toute sorte de dépôt chimique en phase vapeur (dépôt CVD), dépôt par technique sol-gel, etc.). En référence à la figure 2D, une saignée traversante 3 est ensuite pratiquée dans la couche de masque 1 jusqu'à la face supérieure du substrat massif 2, au 20 droit de l'une des extrémités libre du levier 6 (Figure 2E). Cette saignée 3 est obtenue par exemple par photolithographie. Ladite saignée 3 présente de la même manière que précédemment un chemin fermé annulaire, en référence à la figure 2E qui est une vue partielle de dessus du substrat représenté sur la figure 2D, afin d'obtenir une pointe globalement conique comme on le verra plus loin. 25 Le substrat massif 2 est alors gravé, en référence à la figure 2F, à travers la saignée 3 de la couche de masque 1 afin de former un creux partiellement fermé 4 délimitant une pointe 5 dans le substrat massif 2. La gravure consiste en une gravure du substrat massif 2 dans la zone pré-découpée 6 à une profondeur inférieure à l'épaisseur dudit substrat massif 2. Les caractéristiques de la gravure 30 sont choisies de telle sorte que la pointe 5 présente des dimensions 2922677 Il nanométriques. Par exemple, la gravure est obtenue par une attaque électrochimique durant laquelle le substrat de SiC se trouve en contact avec un électrolyte formé au moins à base d'acide (acide fluoridrique, par exemple). Ce substrat est traversé par un courant électrique. Les paramètres de gravure tels que la densité de courant, la composition chimique, la concentration de l'électrolyte, la pression et la température ambiante seront choisis en fonction des besoins (vitesse de gravure, aspect d'anisotropie des pointes formées, densité de pointes sur le substrat etc). Ainsi, la pointe obtenue présente une forme globalement conique (la forme exacte sera déterminée par le masque utilisé) présentant une hauteur variable selon le temps d'attaque et un diamètre ou une largeur à son apex inférieur à 500 nanomètres, préférentiellement inférieur à 20 nanomètres, et encore plus préférentiellement inférieur à 10 nanomètres. La hauteur de l'apex de la pointe 5 sera préférentiellement inférieure à 300 micromètres, encore plus préférentiellement supérieure à 10 micromètres, et encore plus préférentiellement comprise entre 20 et 40 micromètres. Après, l'étape de gravure isotrope, en référence à la figure 2G, la portion de la couche de masque 1 s'étendant entre la saignée 3 est retirée automatiquement lors de la gravure ou par tout moyen approprié (par exemple : gravure chimique, traitement par plasma, etc.). Puis, en référence à la figure 2H, la couche de masque 1 restante est retirée par une attaque chimique, gravure plasma ou toute autre attaque appropriée. Finalement, la pointe 5 et le levier 6 sont détachés du substrat massif 2 par une action mécanique (pression, par exemple). Ainsi, le capteur constitué de la pointe 5 et du levier 6 est obtenu d'un seul tenant dans du carbure de silicium (SiC). Selon une seconde variante d'exécution du procédé conforme à l'invention, en référence 3A à 31, le procédé comporte une première étape de formation d'une couche 1 (Figure 3B) formant un masque sur un substrat massif 2 en carbure de silicium (Figure 3A). Ladite couche de masque 1 est de préférence formée au moins par dépôt d'un isolant électrique sur le substrat massif de SiC. L'épaisseur de la couche de masque déposée va dépendre de ses propriétés électriques, de sa tenue mécanique et de sa résistance chimique par rapport à la solution de la gravure électrochimique. Tout procédé de dépôt permettant de déposer la couche de masque peut être utilisé (par exemple, dépôt par évaporation thermique, toute sorte de dépôt chimique en phase vapeur (dépôt CVD), dépôt par technique sol-gel, etc.). En référence à la figure 3C, une saignée traversante 3 est ensuite pratiquée dans la couche de masque 1 jusqu'à la face supérieure du substrat massif 2. Cette saignée 3 est obtenue par exemple par photolithographie. Ladite saignée 3 présente un chemin fermé annulaire, en référence à la figure 3D qui est une vue partielle de dessus du substrat représenté sur la figure 3C, afin d'obtenir une pointe globalement conique. Le substrat massif 2 est alors gravé, en référence à la figure 3E, à travers la saignée 3 de la couche de masque 1 afin de former un creux partiellement fermé 4 délimitant une pointe 5 dans le substrat massif 2. La gravure consiste en une gravure du substrat massif 2 à une profondeur inférieure à l'épaisseur dudit substrat massif 2. Les caractéristiques de la gravure sont choisies de telle sorte que la pointe 5 présente des dimensions nanométriques. Par exemple, la gravure est obtenue par une attaque électrochimique durant laquelle le substrat de SiC se trouve en contact avec un électrolyte formé au moins à base d'acide (acide fluoridrique, par exemple). Ce substrat est traversé par un courant électrique. Les paramètres de gravure tels que la densité de courant, la composition chimique et la concentration de l'électrolyte et la température ambiante seront choisis en fonction des besoins (vitesse de gravure, aspect d'anisotropie de pointes formées, densité de pointes sur le substrat etc). Après, l'étape de la gravure, en référence à la figure 3F, la portion de la couche de masque 1 s'étendant entre la saignée 3 est retirée automatiquement lors de la gravure ou par tout moyen approprié (par exemple : gravure chimique, traitement par plasma, etc.). Puis, en référence à la figure 3G, la couche de masque 1 restante est retirée par une attaque chimique, gravure plasma ou une autre attaque appropriée. En référence à la figure 3H, le procédé comporte ensuite une étape de découpe, par exemple au laser, qui peut également avoir lieu avant l'étape 3B, pour former au moins un bras dit levier 6 dans le substrat massif 2 de telle manière que chaque pointe 5 formée s'étende à une extrémité libre d'un levier 6. Finalement, la pointe 5 et le levier 6 sont détachés du substrat massif 2 par une action mécanique (pression, par exemple). Ainsi, en référence à la figure 31, le capteur constitué de la pointe 5 et du levier 6 est obtenu d'un seul tenant dans du carbure de silicium (SiC). Il va de soi que la pointe 5 pourra être solidaire d'un support quelconque sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Enfin, il est bien évident que les exemples qu'on vient de donner ne sont que des illustrations particulières en aucun cas limitatives quant aux domaines d'application de l'invention, ledit capteur suivant l'invention pouvant notamment être adapté pour des capteurs de phénomènes électriques / magnétiques (charge, potentiel, champ, capacité, courant...) ou de réactions chimiques, biologiques, etc... REVENDICATIONS 1 - Pointe (5) destinée à un capteur pour microscope à champ proche caractérisée en ce que ladite pointe (5) est en carbure de silicium massif. 2 - Pointe selon la revendication 1 caractérisée en ce que l'apex de la pointe (5) présente une largeur ou un diamètre inférieur à 500 nanométres. 3 - Pointe selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2 caractérisée en ce que la hauteur (hc) de l'apex de la pointe (5) est inférieur à 300 pm. 4 - Capteur constitué d'une pointe (5) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 solidaire d'un support. 5 - Capteur selon la revendication 4 caractérisé en ce que la pointe (5) est solidaire de l'une des extrémités libres d'un bras dit levier (6). 6 - Capteur selon la revendication 5 caractérisé en ce que le levier (6) est constitué par un matériau choisi parmi la liste suivante de : carbure de silicium (SiC), silicium (Si), nitrure de silicium (Si3N4), tout matériau ou tout métal se prêtant aux microscopies champ proche. 7 - Capteur selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6 caractérisé en ce que la pointe (5) est collée à l'une des extrémités libre du levier (6). 8 - Capteur selon les revendications 5 et 6 caractérisé en ce que la pointe (5) et le levier (6) sont obtenus d'un seul tenant dans du carbure de silicium (SiC). 9 - Application du capteur selon l'une quelconque des revendications 4 à 8 à un dispositif de microscopie à champ proche. 10 - Procédé de fabrication d'au moins une pointe (5) selon l'une 25 quelconque des revendications 1 à 3 destinée à un capteur, caractérisé en ce qu'il comporte au moins les étapes suivantes de : - formation d'une couche formant un masque (1) sur un substrat massif (2) en carbure de silicium, - formation d'au moins une saignée traversante (3) dans la couche de 30 masque (1), ladite saignée (3) présentant un chemin fermé,-gravure du substrat massif (2) à travers la saignée (3) de la couche de masque (1) afin de former un creux (4) partiellement fermé délimitant une pointe (5) dans le substrat massif (2), - retrait de la couche de masque (1), et - détachement de la pointe (5) seule ou avec son support. 11 - Procédé selon la revendication 10 caractérisé en ce que la couche de masque (1) est formée au moins par dépôt d'un isolant électrique sur le substrat massif (2) de SiC. 12 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11 10 caractérisé en ce que la saignée (3) présente une forme d'anneau. 13 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11 caractérisé en ce que la saignée (3) présente une forme de polyèdre. 14 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13 caractérisé en ce que la gravure est obtenue par une attaque électrochimique du 15 substrat massif (2) à une profondeur inférieure à l'épaisseur dudit substrat massif (2). 15 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14 caractérisé en ce que le retrait de la couche de masque (1) est obtenu par une attaque chimique ou un traitement par plasma de ladite couche de masque (1). 20 16 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 15 caractérisé en ce que le détachement de la pointe (5) est obtenu par rupture du substrat massif (2) autour de ladite pointe (5). 17 - Procédé selon la revendication 16 caractérisé en ce que le détourage est mécanique. 25 18 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 17 caractérisé en ce que la pointe (5) est collée à l'extrémité libre d'un bras dit levier (6). 19 - Procédé selon la revendication 18 caractérisé en ce que le levier (6) est constitué par un matériau choisi parmi la liste suivante de : carbure de silicium(SiC), silicium (Si), nitrure de silicium (Si3N4), tout matériau ou tout métal se prêtant aux microscopies champ proche. 20 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 à 19 caractérisé en ce qu'il comporte une étape de finition de la pointe (5) consistant 5 en l'application d'un flux d'ions focalisé sur ladite pointe (5). 21 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 à 19 caractérisé en ce qu'il comporte une étape de finition de la pointe (5) consistant à rendre la pointe (5) poreuse pour faciliter certaines réactions chimiques ou biologiques. 10 22 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 à 20 caractérisé en ce qu'il comporte une étape de finition de la pointe (5) consistant en un dépôt d'une couche mince de matériau sur ladite pointe (5) pour améliorer certaines de ses propriétés électriques, magnétiques, électromagnétiques ou mécaniques. 15