Brevet FR2911722A1 — publié le 20080725

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A STRUCTURE MULTIGRILLE EN ZIGZAG La présente invention est relative à un transistor à effet de champ et, plus particulièrement, à un transistor à effet de champ à structure multigrille en zigzag. On utilise dans des dispositifs de communications des éléments de 10 commutation servant à commuter des signaux à haute fréquence. Réduire les dimensions de ces dispositifs et améliorer leurs performances nécessite donc un élément de commutation d'une grande puissance pouvant fonctionner à basse tension. Plusieurs transistors à effet de champ (ci-après appelés "TEC") peuvent être couplés en série pour former un tel élément de commutation. Cependant, il est difficile de 15 réduire ses dimensions puisque l'utilisation de plusieurs TEC a pour conséquence une plus grande surface occupée par les TEC. Pour surmonter ce problème, il a été proposé des éléments de commutation à structure multigrille. Une structure multigrille est une structure dans laquelle plusieurs électrodes de grilles sont disposées entre deux électrodes ohmiques. On 20 notera qu'il est courant d'utiliser la structure à double grille dans laquelle deux électrodes de grilles sont disposés parallèlement l'une à l'autre. En outre, dans une structure multigrille, on peut utiliser plusieurs formes d'électrodes de grilles. Les électrodes de grilles en zigzag sont particulièrement avantageuses pour ce qui est de réduire la surface occupée par les TEC. 25 La structure multigrille est avantageuse en ce qu'elle permet de réduire les dimensions des éléments de commutation. Cependant, le potentiel de la région entre les grilles varie avec la position, puisqu'il se trouve dans un état flottant. Par conséquent, il n'est pas possible de supprimer totalement la conduction entre les électrodes ohmiques lorsque le TEC est mis dans l'état bloquant. 30 Un procédé pour résoudre ce problème a consisté à coupler aux électrodes ohmiques la région n' entre les grilles à l'aide de résistances de stabilisation de potentiel (se reporter, par exemple, à la publication de brevet JP-A-2006-165 224, ouverte à l'inspection publique). Dans cette structure, la région n+ précitée entre les grilles est maintenue au même potentiel (stabilisé) que l'une des électrodes ohmiques.5 Cependant, l'utilisation d'électrodes de grilles en zigzag pose le problème suivant. Dans un TEC à structure multigrille en zigzag selon la technique antérieure, toutes les parties des électrodes de grilles en zigzag constituent une partie des grilles du TEC et contribuent donc à son fonctionnement. Plus particulièrement, par exemple, lorsque les électrodes de grilles en zigzag sont disposées sur une couche de GaAs de type N formée sur un substrat semiconducteur isolant, les parties de chaque électrode de grille qui s'étendent perpendiculairement et celles qui s'étendent parallèlement par rapport à l'orientation cristalline [0, T ,T ] de la couche GaAs de type N constituent une partie des grilles du TEC et contribuent donc à son fonctionnement. Par conséquent, ces parties qui s'étendent perpendiculairement et parallèlement doivent être conformes aux caractéristiques requises des grilles du TEC. En particulier, elles doivent avoir une forte tension de claquage (par exemple, 10 V ou plus). Par ailleurs, on a employé des TEC à structures creuses pour obtenir une tension de claquage renforcée et de meilleures caractéristiques à haute fréquence. En particulier, dans cette structure en creux, la couche active de type N est plus mince sous et autour des électrodes de grilles que sous les électrodes ohmiques. Une telle structure permet de réduire la résistance de source et la concentration du champ électrique dans la région en alliage de drain. La structure creuse est formée par attaque chimique par voie humide. Par exemple, un fil d'oxyde de silicium est formé sur une couche de semiconducteur de type N, à savoir une couche de GaAs de type N, puis des ouvertures sont formées par photolithographie à travers le film d'oxyde de silicium jusqu'à la couche de GaAs de type N. La couche de GaAs de type N découverte est ensuite attaquée par voie humide en utilisant le film d'oxyde de silicium comme masque pour former des creux dans la couche de GaAs de type N. Ensuite, après le dépôt d'une matière d'électrode de grille, des électrodes de grilles sont formées par soulèvement (procédé lift-off ) dans les creux. Puisque l'attaque par voie humide ci-dessus est isotrope, la couche de GaAs de type N est attaquée non seulement dans le sens de son épaisseur, mais encore dans des directions perpendiculaires à celle-ci. Cependant, la vitesse d'attaque diffère dans les différentes directions, c'est-à-dire qu'il y a une différence d'ampleur d'attaque chimique dans une direction perpendiculaire et dans une direction parallèle par rapport à l'orientation cristalline de la couche de GaAs de type N. Il faut souligner que la direction qui assure une plus grande ampleur d'attaque dépend de la combinaison de l'orientation cristalline de la couche de semiconducteur de type N et de l'agent d'attaque utilisé. La différence d'ampleur d'attaque dans les directions perpendiculaire et parallèle (par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche de semiconducteur de type N) a pour conséquence une différence de largeur entre les parties des creux qui s'étendent dans ces directions. Il faut souligner que les parties les plus étroites des creux ont une tension de claquage plus faible. De la sorte, il est difficile de former les parties des creux s'étendant perpendiculairement et parallèlement (par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche de semiconducteur de type N) de telle manière que la tension de claquage soit suffisante dans les deux cas. En outre, dans le cas d'électrodes de grilles en zigzag, la concentration du champ électrique au niveau de leurs parties coudées réduit la tension de claquage des électrodes de grilles même en l'absence d'une forte différence de largeur entre les parties perpendiculaires et les parties parallèles des creux dans lesquelles sont disposées ces électrodes de grilles. La présente invention a été élaborée compte tenu des problèmes ci-dessus. Par conséquent, la présent invention vise à réaliser un TEC à structure multigrille en zigzag apte à avoir des caractéristiques de fonctionnement améliorées même si les parties perpendiculaires et parallèles des creux de la couche de semiconducteur de type N (par rapport à une orientation cristalline de la couche de semiconducteur de type N) ont des largeurs différentes. La présente invention vise également à réaliser un TEC à structure multigrille en zigzag apte à avoir une tension de claquage suffisante. D'autres objectifs et avantages de la présente invention apparaîtront dans la description ci-après. Selon un premier aspect de la présente invention, un transistor à effet de champ à structure multigrille en zigzag comprend une paire d'électrodes ohmiques et une couche de semiconducteur formée entre les deux électrodes ohmiques et ayant un creux qui possède une partie s'étendant perpendiculairement et une partie s'étendant parallèlement par rapport à une orientation cristalline prédéterminée de la couche de semiconducteur. Une pluralité d'électrodes de grilles en zigzag sont formées dans le creux de la couche de semiconducteur et chaque électrode de grille en zigzag a une partie s'étendant perpendiculairement et une partie s'étendant parallèlement par rapport à l'orientation cristalline prédéterminée de la couche de semiconducteur. La partie s'étendant perpendiculairement est disposée dans la partie s'étendant perpendiculairement du creux, et la partie s'étendant parallèlement est disposée dans la partie s'étendant parallèlement du creux. La couche de semiconducteur comporte une région non active formée autour de la partie s'étendant perpendiculairement ou de la partie s'étendant parallèlement de la pluralité d'électrodes de grille par rapport à l'orientation cristalline prédéterminée de la couche de semiconducteur. La couche de semiconducteur comporte en outre une région active dans une surface principale de celle-ci et entre la pluralité d'électrodes de grilles, et la région active s'étend de manière continue depuis les extrémités d'entrée de la pluralité d'électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci. Une électrode de calage de potentiel est présente sur une surface de la région active qui s'étend de façon continue. Selon un deuxième aspect de la présente invention, un transistor à effet de champ possède une structure multigrille en zigzag et comprend une paire d'électrodes ohmiques et une couche de semiconducteur formée entre la paire d'électrodes ohmiques. La couche de semiconducteur comporte une région active et une région non active. Une pluralité d'électrodes de grilles sont formées sur la couche de semiconducteur et possèdent une ou plusieurs parties coudées. La région active de la couche de semiconducteur est disposée entre la pluralité d'électrodes de grilles de manière à s'étendre de façon continue depuis les extrémités d'entrée de la pluralité d'électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci. La région non active de la couche de semiconducteur est formée autour de la partie coudée de la pluralité d'électrodes de grilles. Selon un troisième aspect de la présente invention, un transistor à effet de champ à structure multigrille en zigzag comprend une paire d'électrodes ohmiques et une couche de semiconducteur formée entre la paire d'électrodes ohmiques, et la couche de semiconducteur comporte une région active. Une pluralité d'électrodes de grilles en zigzag est formée sur la couche de semiconducteur et présente une partie coudée. La région active de la couche de semiconducteur est disposée entre la pluralité d'électrodes de grilles afin de s'étendre de manière continue depuis les extrémités d'entrée de la pluralité d'électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci. La partie coudée de la pluralité d'électrodes de grilles a une forme d'arc avec un rayon de courbure prédéterminé.35 Ainsi, selon le premier aspect de la présente invention, lorsque la partie du creux de la couche de semiconducteur qui s'étend perpendiculairement par rapport à l'orientation cristalline prédéterminée de la couche de semiconducteur a une largeur plus petite que la partie du creux qui s'étend parallèlement, une région non active est formée autour de la partie des électrodes de grilles qui s'étend perpendiculairement disposée dans la partie du creux qui s'étend perpendiculairement. D'autre part, lorsque la partie du creux de la couche de semiconducteur qui s'étend parallèlement a une largeur inférieure à celle de la partie du creux qui s'étend perpendiculairement, une région non active est formée autour de la partie des électrodes de grilles qui s'étend parallèlement disposée dans la partie du creux qui s'étend parallèlement. Cet agencement empêche le fonctionnement du TEC d'être très affecté par le fait que la partie du creux qui s'étend perpendiculairement et celle qui s'étend parallèlement ont des largeurs différentes. En outre, comme la région active de la couche de semiconducteur entre les électrodes de grilles s'étend de manière continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. En outre, selon le deuxième aspect de la présente invention, une région non active est formée autour d'une partie coudée des électrodes de grilles, ce qui réduit à cet endroit la concentration du champ électrique et empêche de ce fait une diminution de la tension de claquage du transistor à effet de champ. En outre, puisque la région active de la couche de semiconducteur entre les électrodes de grilles s'étend de manière continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. Par ailleurs, selon le troisième aspect de la présente invention, une partie coudée des électrodes de grilles a une forme d'arc avec un rayon de courbure prédéterminé, ce qui réduit la concentration du champ électrique dans cette partie et empêche donc une diminution de la tension de claquage du transistor à effet de champ. En outre, puisque la région active de la couche de semiconducteur entre les électrodes de grilles s'étend de manière continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. Par ailleurs, encore d'autres aspects et avantages de la présente invention 5 apparaîtront dans la description ci-après. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés, sur lesquels : 10 la figure 1 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une première forme de réalisation de la présente invention ; la figure 2A est une vue en coupe transversale, prise suivant la ligne A-A' de la figure 1, représentant des coupes transversales de parties parallèles des doigts 4 et 5 de grilles par rapport à l'orientation cristalline [0, LI] de la couche 1 de GaAs de 15 type N ; la figure 2B est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne B-B' de la figure. 1, représentant des coupes transversales de parties perpendiculaires des doigts 4 et 5 de grilles par rapport à l'orientation cristalline précitée ; la figure 3 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une 20 deuxième forme de réalisation de la présente invention ; la figure 4 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une troisième forme de réalisation de la présente invention ; et la figure 5 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une quatrième forme de réalisation de la présente invention. 25 Première forme de réalisation La figure 1 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une première forme de réalisation de la présente invention. Il faut souligner que, bien que le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation ait une structure à 30 double grille en zigzag, la présente invention ne se limite pas à ce type particulier de transistor à effet de champ. La présente invention peut s'appliquer à tout transistor à effet de champ ayant une structure multigrille en zigzag. Considérant la figure 1, une paire d'électrodes ohmiques 2 est disposée sur une couche 1 de GaAs de type N. Une première des électrodes ohmiques 2 est une électrode de source et l'autre électrode ohmique est une électrode de drain. L'impureté de type N dans la couche 1 de GaAs de type N peut être Si (du silicium). Deux creux sont formés dans la surface de la couche 1 de GaAs de type N et entre les électrodes ohmiques 2 (cf. figures 2A et 2B). En outre, des doigts 4 et 5 de grilles sont disposés dans les creux respectifs. Ainsi, ce transistor à effet de champ a une structure à double grille dans laquelle une paire d'électrodes de grilles parallèles, ou deux doigts de grilles parallèles 4 et 5 sont intercalés entre une paire d'électrodes ohmiques 2. En outre, les doigts 4 et 5 de grilles ont une forme en zigzag, comme représenté sur la figure 1. Les creux ci-dessus sont formés, par exemple, de la manière suivante. Pour commencer, un film (non représenté) d'oxyde de silicium est formé sur la couche 1 de GaAs de type N, puis des ouvertures sont ménagées par photolithographie à travers le film d'oxyde de silicium jusqu'à la couche 1 de GaAs de type N. La couche 1 de GaAs de type N est ensuite attaquée par voie humide en utilisant le film d'oxyde de silicium comme masque pour former les creux dans la couche 1 de GaAs de type N. Une matière d'électrode de grille est ensuite déposée, et, par soulèvement (procédé lift-off ), les doigts 4 et 5 de grilles sont formés dans les creux. Toujours en référence à la figure 1, une électrode 10 de calage de potentiel est disposée sur la couche 1 de GaAs de type N et entre les doigts 4 et 5 de grilles pour caler ou fixer le potentiel de la couche 1 de GaAs de type N. L'électrode 10 de calage de potentiel est connectée aux électrodes ohmiques 2 par l'intermédiaire de câblages métalliques 9 et des résistances métalliques 3. L'électrode 10 de calage de potentiel est en métal ohmique. Par ailleurs, les résistances métalliques 3 ont une forte résistance allant de quelques kilohms à quelques dizaines de kilohms et sont réalisées en WSiN, etc. Selon la présente invention, au lieu de réaliser l'électrode 10 de calage de potentiel, on peut former une couche à diffusion d'impureté servant d'élément résistif afin de coupler la région active (c'est-à-dire la couche 1 de GaAs de type N) au moyen d'alimentation électrique afin de produire le même effet. Cet élément résistif correspond aux résistances métalliques 3. Des bornes d'entrée 6 et 7 de grilles sont disposées à l'extérieur des électrodes ohmiques 2 et de la couche 1 de GaAs de type N. Les doigts 4 et 5 de grilles sont respectivement couplés aux bornes d'entrée 6 et 7 de grilles. Des signaux de grilles sont appliqués aux doigts 4 et 5 de grilles respectivement par l'intermédiaire des bornes d'entrée 6 et 7 de grilles. La présente forme de réalisation suppose que les parties des creux qui s'étendent perpendiculairement par rapport à l'orientation cristalline [0, 1:1 ] de la couche 1 de GaAs de type N ont une largeur plus petite que celle des parties des creux qui s'étendent parallèlement. II faut souligner que, sur la figure 1, la direction latérale correspond à une direction perpendiculaire par rapport à ladite orientation cristalline de la couche 1 de GaAs de type N, et que la direction longitudinale correspond à une direction parallèle. La figure 2A est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne A-A' de la figure 1, représentant des coupes transversales de parties des doigts 4 et 5 de grilles qui s'étendent parallèlement à l'orientation cristalline [O,î,î] de la couche 1 de GaAs de type N. En revanche, la figure 2B est une vue en coupe transversale suivant la ligne B-B' de la figure 1, représentant des coupes transversales de parties des doigts 4 et 5 des grilles qui s'étendent perpendiculairement par rapport à ladite orientation cristalline. Comme représenté sur ces figures, la couche 1 de GaAs de type N est formée sur un substrat semi-isolant 102, et des creux 101 sont formés dans la surface de la couche 1 de GaAs de type N. Les parties des creux 101 qui s'étendent perpendiculairement à l'orientation cristalline [O,Ï,î ] de la couche 1 de GaAs de type N (on les appellera ci-après parties du creux 101 qui s'étendent latéralement) ont une plus petites largeur que les parties des creux 101 qui s'étendent parallèlement à cette orientation cristalline (ci-après, on les appellera les parties du creux 101 qui s'étendent longitudinalement). Ainsi, la distance W 1 entre le doigt 5 de grille (ou le doigt 4 de grille) et le bas de la paroi, située en regard, de chaque partie des creux 101 qui s'étend longitudinalement est supérieure à la distance W2 entre le doigt 5 de grille (ou le doigt 4 de grille) et le bas de la paroi, située en regard, de chaque partie des creux 101 qui s'étend latéralement (cf. figures 2A et 2B). Les distances W et W2 peuvent être appelées respectivement les largeurs des parties qui s'étendent longitudinalement et des parties qui s'étendent latéralement, des creux 101, puisque les doigts 4 et 5 de grilles en zigzag ont la même largeur (ou longueur de grille) constante quelle que soit la direction dans laquelle ils s'étendent (par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche 1 de GaAs de type N). Une caractéristique du transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation est qu'une région non active est créée de manière plus fine autour de chaque partie s'étendant latéral enlent (ou de chaque partie s'étendant perpendiculairement par rapport à l'orientation cristalline [0, 1,1 ] de la couche 1 de GaAs de type N) de chaque doigt de grille. Cette région non active est formée en implantant un matériau isolant dans la couche 1 de GaAs de type N. En particulier, en référence à la figure I, des régions non actives 8 sont formées dans la couche 1 de GaAs de type N de telle manière que chaque région non active 8 soit disposée autour d'une partie des doigts 4 et 5 de grilles qui s'étend latéralement. Selon la présente forme de réalisation, l'épaisseur de la couche 1 de GaAs de type N peut par exemple être comprise entre quelques centaines de nanomètres et un micromètre. Des ions hélium ou des ions hydrogène sont implantés dans des parties prédéterminées de la couche 1 de GaAs de type N jusqu'à une profondeur de quelques centaines de nanomètres à quelques micromètres. Cette implantation d'ions transforme ces parties prédéterminées en régions non actives 8. Les régions non actives 8 s'étendent depuis la surface supérieure de la couche 1 de GaAs de type N jusqu'à la surface inférieure de la couche 1 de GaAs de type N, c'est-à-dire jusqu'à la surface du substrat 102. Les parties des doigts 4 et 5 de grilles qui s'étendent latéralement ne peuvent pas constituer une partie des grilles du TEC et ne peuvent donc pas contribuer à son fonctionnement, puisqu'elles sont entourées par les régions non actives 8. En revanche, puisque les parties des doigts 4 et 5 de grilles qui s'étendent longitudinalement sont entourées par la région active, elles peuvent constituer une partie des grilles du TEC et donc contribuer à son fonctionnement. De la sorte, dans la présente structure multigrille en zigzag, seules les parties des doigts 4 et 5 de grilles qui s'étendent longitudinalement peuvent agir et donc contribuer au fonctionnement du TEC. Cela signifie que le fonctionnement du TEC n'est pas très affecté par le fait que les parties des creux 101 qui s'étendent latéralement ont une plus petite largeur que les parties des creux 101 qui s'étendent longitudinalement. Une autre caractéristiques du transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation est que la région active de la couche 1 de GaAs de type N entre les doigts 4 et 5 de grilles s'étend de manière continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles (ou des doigts 4 et 5 de grilles) jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, c'est-à-dire que la région active n'est pas divisée par les régions non actives 8. Par conséquent, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche I de GaAs de type N (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles (ou les doigts 4 et 5 de grilles) en appliquant une polarisation à l'électrode 10 de calage de potentiel formée sur la couche 1 de GaAs de type N. Selon la présente forme de réalisation décrite ci-dessus, puisque chaque partie des électrodes de grilles (ou des doigts de grilles) qui s'étend latéralement est entourée par une région non active 8, seules les parties des électrodes de grilles qui s'étendent longitudinalement constituent une partie des grilles du TEC et contribuent donc à son fonctionnement. Par conséquent, le fonctionnement du TEC n'est pas très affecté par le fait que les parties des creux 101 qui s'étendent latéralement ont une plus petite largeur que les parties des creux qui s'étendent longitudinalement. Par ailleurs, puisque la région active de la couche de semiconducteur (c'est-à-dire la couche de GaAs de type N) entre les électrodes de grilles (ou les doigts de grilles) s'étend de façon continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celle-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. Bien que, dans le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation, une région non active soit formée autour de chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend latéralement, la présente invention ne se limite pas à cet agencement particulier. Il faut souligner que les parties des creux 101 qui s'étendent longitudinalement peuvent être dotées d'une largeur inférieure à celle des parties des creux qui s'étendent latéralement en fonction de la combinaison de l'orientation cristalline de la couche de semiconducteur et de l'agent d'attaque utilisé. Dans ce cas, une région non active peut être formée autour de chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend longitudinalement pour permettre seulement aux parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement d'agir et donc de contribuer au fonctionnement du TEC. En outre, selon la présente forme de réalisation, la longueur de grille des parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement peut être comparée avec celle des parties des électrodes de grilles qui s'étendent longitudinalement. Si les parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement ont une longueur de grille plus courte, l'agent d'attaque chimique peut alors être choisi de façon que les parties des creux 101 qui s'étendent latéralement soient formées avec une largeur plus petite que celle des parties des creux qui s'étendent longitudinalement, et vice versa. Ensuite, des régions non actives peuvent être formées autour de n'importe quelles parties des électrodes de grilles présentant une longueur de grille plus courte. Cet agencement permet aux parties des électrodes de grilles ayant une plus grande longueur de grille d'agir et donc de contribuer au fonctionnement du TEC (ainsi, une surface de grille plus grande est employée pour le fonctionnement du TEC). En outre, bien que le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation emploie une couche de GaAs de type N, des couches constituées d'autres composés semiconducteur peuvent être également utilisées, notamment des couches GaN de type N. Dans de tels cas, une région non active peut aussi être formée autour de chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend perpendiculairement ou parallèlement par rapport à une orientation cristalline prédéterminée de la couche de semiconducteur afin de produire les effets avantageux décrits plus haut. Deuxième forme de réalisation 10 La figure 3 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une deuxième forme de réalisation de la présente invention. Bien que le transistor à effet de champs selon la présente forme de réalisation ait une structure à double grille en zigzag, la présente invention ne se limite pas à ce type particulier de transistor à effet de champ. La présente invention peut s'appliquer à tout transistor à effet de champ 15 ayant une structure multigrille en zigzag. Considérant la figure 3, une paire d'électrodes ohmiques 12 est disposée sur une couche 11 de GaAs de type N. Une première des électrodes ohmiques 12 est une électrode de source et l'autre électrode ohmique est une électrode de drain. L'impureté de type N présente dans la couche 11 de GaAs de type N peut être Si (du 20 silicium). Deux creux sont formés dansla surface de la couche Il de GaAs de type N et entre les électrodes ohmiques 12 (cf. figures 2A et 2B). Ces creux peuvent être formés par attaque chimique par voie humide, de la manière déjà décrite à propos de la première forme de réalisation. La présente forme de réalisation suppose que les 25 parties des creux qui s'étendent perpendiculairement par rapport à l'orientation cristalline [0,1,1 ] de la couche 11 de GaAs de type N ont une plus petite largeur que les parties des creux qui s'étendent parallèlement, comme représenté sur les figures 2A et 2B décrites à propos de la première forme de réalisation. I1 faut souligner que, sur la figure 3, la direction latérale correspond à une direction perpendiculaire par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche 11 de GaAs de type N et que la direction longitudinale correspond à une direction parallèle. Considérant la figure 3, des doigts 14, 15, 16 et 17 de grilles sont disposés dans des parties qui s'étendent longitudinalement (ou des parties qui s'étendent parallèlement par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche 11 de GaAs 35 de type N) des creux. Les doigts 14 et 15 de grilles sont couplés l'un à l'autre par un fil métallique 18 disposé dans une partie d'un creux qui s'étend latéralement (ou une partie qui s'étend perpendiculairement par rapport à l'orientation cristalline précitée). Les doigts 16 et 17 de grilles sont d'autre part couplés par un fil métallique 19 disposé dans une partie de l'autre creux qui s'étend latéralement. Des bornes d'entrée 20 et 21 de grilles sont disposées à l'extérieur des électrodes ohmiques 12 et de la couche 11 de GaAs de type N. Les bornes d'entrée 20 et 21 de grilles sont connectées aux doigts 14 et 16 de grilles respectivement par des fils métalliques 22 et 23. Un signal de grille est appliqué au doigt 14 de grille par l'intermédiaire de la borne d'entrée 20 de grille et du fil métallique 22 et est acheminé IO via le fil métallique 18 jusqu'au doigt 15 de grille, puis jusqu'à un fil métallique 24. De même, un autre signal de grille est appliqué au doigt 16 de grille par l'intermédiaire de la borne d'entrée 21 de grille et du fil métallique 23 et est acheminé via le fil métallique 19 jusqu'au doigt 17 de grille, puis jusqu'à un fil métallique 25. Ainsi, chaque électrode de grille de la présente forme de réalisation 15 comporte des doigts de grilles qui s'étendent longitudinalement et des fils métalliques qui s'étendent latéralement. En outre, ces deux électrodes de grilles parallèles sont disposées entre deux électrodes ohmiques 12. Ainsi, comme le transistor à effet de champ de la première forme de réalisation, le transistor à effet de champ de la présente forme de réalisation a une structure à double grille. En outre, les électrodes 20 de grilles ont une forme en zigzag, puisqu'elles sont constituées de doigts de grilles qui s'étendent longitudinalement et de fils métalliques qui s'étendent latéralement, comme représenté sur la figure 3. Les fils métalliques 18, 19, 22, 23, 24 et 25 et les doigts 14, 15, 16 et 17 de grilles peuvent être formés de matières différentes si ces fils métalliques et doigts de 25 grilles peuvent être maintenus au même potentiel. Par exemple, les fils métalliques 18, 19, 22, 23, 24 et 25 peuvent être constitués d'un empilement de couches de Ti (titane) et de Au (or). Par ailleurs, les doigts 14, 15, 16 et 17 de grilles peuvent être constitués d'un empilement de couches de Ti et de Al (aluminium) ou d'un empilement de couches de Ti, Pt (platine) et Au. 30 Selon la présente forme de réalisation, les fils métalliques 18, 19, 22, 23, 24 et 25 sont de préférence formés par un procédé différent de celui pour les doigts 14, 15, 16 et 17 de grilles. Par exemple, pour commencer, une matière pour former des doigts de grilles est déposée dans les creux, puis les doigts de grilles y sont formés par soulèvement (procédé lift-off ). Ensuite, les fils métalliques sont formés dans les parties des creux qui s'étendent latéralement. Ce procédé permet aux électrodes de grilles d'avoir un motif précis. D'autre part, la formation des électrodes de grilles (à forme en zigzag) lors d'un procédé en une seule étape nécessite la formation, par attaque chimique par voie humide, d'un motif en zigzag fin occupant une petite surface. Cependant, cette attaque par voie humide risque d'aboutir à des défauts de motif, car l'agent d'attaque risque de ne pas pouvoir entièrement couvrir la petite surface visée. Le procédé de formation d'électrodes de grilles selon la présente forme de réalisation décrit ci-dessus ne souffre pas d'un tel problème, puisque les doigts de grilles sont formés uniquement par soulèvement dans les parties des creux qui s'étendent longitudinalement, et les fils métalliques sont formés dans les parties des creux qui s'étendent latéralement, après la formation des doigts de grilles. De la sorte, il est possible de former des électrodes de grilles ayant un motif précis. Selon la présente forme de réalisation, une région non active est formée autour de chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend latéralement, comme dans la première forme de réalisation. En particulier, selon la présente forme de réalisation, les fils métalliques 18, 19, 22, 23, 24 et 25 sont entourés chacun par une région non active 26 formée dans la couche 11 de GaAs de type N, comme représenté sur la figure 3. Ces régions non actives 26 peuvent être formées en implantant des ions hélium ou des ions hydrogène dans des parties prédéterminées de la couche 11 de GaAs de type N. Les parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement ne peuvent pas constituer une partie des grilles du TEC et ne peuvent donc pas contribuer à son fonctionnement, puisqu'elle sont entourées chacune par une région non active. Par conséquent, ces parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement ne sont pas forcément des doigts de grilles et peuvent être n'importe quels conducteurs électriques appropriés. Dans la présente forme de réalisation, il s'agit de fils métalliques, comme décrit plus haut. D'autre part, les doigts de grilles (ou les parties des électrodes de grilles qui s'étendent longitudinalement) sont entourés par la région active et peuvent donc faire partie des grilles du TEC et ainsi contribuer à son fonctionnement. De la sorte, dans cette structure multigrille en zigzag, seules les parties des électrodes de grilles qui s'étendent longitudinalement peuvent agir et donc contribuer au fonctionnement du TEC. Cela signifie que le fonctionnement du TEC n'est pas très affecté par le fait que les parties des creux qui s'étendent latéralement ont une plus petite largeur que les parties des creux qui s'étendent longitudinalement. Considérant la figure 3, la région active de la couche Il de GaAs de type N entre les doigts 14 et 16 de grilles et entre les doigts 15 et 17 de grilles s'étendent de façon continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, c'est-à-dire que la région active n'est pas divisée par les régions non actives 26. Par conséquent, une pastille d'électrode peut être réalisée sur la couche 11 de GaAs de type N et entre les doigts 14 et 16 de grilles (ou entre les doigts 15 et 17 de grilles), et une polarisation peut être appliquée à la pastille d'électrode pour empêcher le potentiel de la couche Il de GaAs de type N (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles. Sur la figure 3, une électrode de calage de potentiel 28 est disposée sur la couche 11 de GaAs de type N et entre les doigts 15 et 17 de grilles (ou entre les fils métalliques 24 et 25) pour caler ou fixer le potentiel de la couche Il de GaAs de type N. L'électrode de calage de potentiel 28 est constituée d'un métal ohmique et est connectée aux électrodes ohmiques 12 par l'intermédiaire de câblages métalliques 27 et de résistances métalliques 13. Par ailleurs, les résistances métalliques 13 ont une forte résistance allant de quelques kilohms à quelques dizaines de kilohms et sont réalisées en WSiN, etc. Bien que, dans le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation, une région non active soit formée autour de chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend latéralement, la présente invention ne se limite pas à cet agencement particulier. Il faut souligner que les parties des creux qui s'étendent longitudinalement peuvent être formées d'une plus petite largeur que les parties des creux qui s'étendent latéralement, en fonction de la combinaison de l'orientation cristalline de la couche de semiconducteur et de l'agent d'attaque chimique utilisé. Dans de tels cas, une région non active peut être formée autour de chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend longitudinalement afin de permettre seulement aux parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement d'agir et donc de contribuer au fonctionnement du TEC. Par ailleurs, selon la présente forme de réalisation, la longueur de grille des parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement peut être comparée avec celle des parties des électrodes de grilles qui s'étendent longitudinalement. Si les parties des électrodes de grilles qui s'étendent latéralement ont une plus courte longueur de grille, l'agent d'attaque chimique peut alors être choisi de façon que les parties des creux qui s'étendent latéralement soient formées de manière à avoir une plus petite largeur que les parties qui s'étendent longitudinalement, et vice versa. Ensuite, les régions non actives peuvent être formées autour de n'importe quelles parties des électrodes de grilles ayant une plus courte longueur de grille. Cet agencement permet aux parties des électrodes de grilles qui ont une plus grande longueur de grille d'agir et donc de contribuer au fonctionnement du TEC (c'est-à-dire qu'une plus grande surface de grilles est utilisée pour le fonctionnement du TEC). Selon la présente forme de réalisation décrite ci-dessus, chaque partie des électrodes de grilles qui s'étend latéralement ou qui s'étend longitudinalement est entourée par une région non active pour permettre seulement aux autres parties des électrodes de grilles de constituer une partie des grilles du TEC et donc de contribuer à son fonctionnement. Cet agencement permet au fonctionnement du TEC de ne pas être très affecté par le fait que les parties des creux qui s'étendent latéralement et 15 celles qui s'étendent longitudinalement ont des largeurs différentes. En outre, puisque la région active de la couche de semiconducteur (ou de la couche de GaAs de type N) entre les électrodes de grilles s'étend de façon continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (ou de la couche active) de 20 varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. Par ailleurs, les électrodes de grilles peuvent être dotées d'une forme en zigzag précise, puisqu'elles sont constituées de doigts de grilles et de fils métalliques formés par des étapes différentes du procédé. Par ailleurs, bien que le transistor à effet de champ selon la présente forme 25 de réalisation emploie une couche de GaAs de type N, on peut utiliser à la place des couches d'autres composés semiconducteur, notamment des couches de GaN de type N. Dans de tels cas, une région non active peut aussi être formée autour de chaque fil métallique des électrodes de grilles (laquelle s'étend perpendiculairement ou parallèlement à une orientation cristalline prédéterminée de la couche de 30 semiconducteur) afin de produire les effets avantageux décrits plus haut. Troisième forme de réalisation La figure 4 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une troisième forme de réalisation de la présente invention. Bien que le transistor à effet 35 de champ selon la présente forme de réalisation ait une structure à double grille en zigzag, la présente invention ne se limite pas à ce type particulier de transistor à effet de champ. La présente invention peut s'appliquer à tout transistor à effet de champ ayant une structure multigrille en zigzag. Considérant la figure 4, une paire d'électrodes ohmiques 32 est disposée sur une couche 31 de GaAs de type N. Une première des électrodes ohmiques 32 est une électrode de source et l'autre électrode ohmique est une électrode de drain. L'impureté de type N dans la couche 31 de GaAs de type N peut être Si (du silicium). Deux creux sont formés dans la surface de la couche 31 de GaAs de type N et entre les deux électrodes ohmiques 32 (cf figures 2A et 2B). Par ailleurs, des doigts 34 et 35 de grilles sont disposés dans leurs creux respectifs. Ainsi, ce transistor à effet de champ a une structure à double grille dans laquelle deux électrodes de grilles parallèles sont intercalées entre deux électrodes ohmiques 32. En outre, les doigts 34 et 35 de grilles ont une forme en zigzag, comme représenté sur la figure 4. Les creux peuvent être formés par attaque chimique par voie humide, de la manière déjà décrite à propos de la première forme de réalisation. La présente forme de réalisation suppose que les parties des creux qui s'étendent perpendiculairement et celles qui s'étendent parallèlement par rapport à l'orientation cristalline [0,1,1 ] de la couche 31 de GaAs de type N ont sensiblement la même largeur (c'est-à-dire, sur les figures 2A et 2B, W W2). Il faut souligner que, sur la figure 4, la direction latérale correspond à une direction perpendiculaire par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche 31 de GaAs de type N, et que la direction longitudinale correspond à une direction parallèle. Des bornes d'entrée 36 et 37 de grilles sont disposées à l'extérieur des électrodes ohmiques 32 et de la couche 31 de GaAs de type N. Les doigts 34 et 35 de grilles sont respectivement connectés aux bornes d'entrée 36 et 37 de grilles. Des signaux de grilles sont appliqués aux doigts 34 et 35 de grilles respectivement par l'intermédiaire des bornes d'entrée 36 et 37 de grilles. Le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation est caractérisé en ce qu'une région non active est disposée autour de chaque partie coudée des électrodes de grilles. Cette région non active est formée en implantant un matériau isolant dans la couche 31 de GaAs de type N. En particulier, en référence à la figure 4, les régions non actives 38 sont formées dans la couche 31 de GaAs de type N de telle manière que chaque région non active 38 soient disposées autour d'une, respective, des parties coudées 39 à 42 du doigt 34 de grille et des parties coudées 43 à 46 du doigt 35 de grille. II faut souligner que les régions non actives 38 sont formées en implantant des ions hélium ou des ions hydrogène dans la couche de GaAs. Selon la présente forme de réalisation, les doigts de grilles, à l'exception de leurs parties coudées, sont entourés par la région active. Par conséquent, les parties des doigts de grilles qui s'étendent latéralement et celles qui s'étendent longitudinalement (ou les parties qui s'étendent perpendiculairement et les parties qui s'étendent parallèlement par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche 31 de GaAs de type N) constituent une partie des grilles du TEC et contribuent donc à son fonctionnement. Cependant, leurs parties coudées ne font pas partie des grilles, puisque chaque partie coudée est entourée par une région non active. Ainsi, selon la présente forme de réalisation, les parties coudées des doigts de grilles, au niveau desquelles le champ électrique a tendance à se concentrer, sont empêchées de faire partie des grilles du TEC, ce qui réduit la concentration du champ électrique au niveau de ces parties coudées et empêche donc une baisse de la tension de claquage du TEC. Il faut en outre souligner que les parties des creux qui s'étendent latéralement et celles qui s'étendent longitudinalement sont formées de manière à avoir sensiblement la même largeur (comme décrit plus haut), ce qui évite donc une dégradation des caractéristiques du TEC en raison de la différence de largeur entre ces parties. Considérant la figure 4, la région active de la couche 31 de GaAs de type N entre les doigts 34 et 35 de grilles s'étend de façon continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, c'est-à-dire que la région active n'est pas divisée par les régions non actives. Par conséquent, une pastille d'électrode peut être réalisée sur la couche 31 de GaAs de type N et entre les doigts 34 et 35 de grilles, et une polarisation peut être appliquée à la pastille d'électrode afin d'empêcher le potentiel de la couche 31 de GaAs de type N (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles (ou les doigts de grilles). Sur la figure 4, une électrode de calage de potentiel 48 est disposée sur la couche 31 de GaAs de type N et entre les doigts 34 et 35 de grilles pour caler ou fixer le potentiel de la couche 31 de GaAs de type N. L'électrode de calage de potentiel 48 est réalisée en métal ohmique et est connectée aux électrodes ohmiques 32 par l'intermédiaire de câblages métalliques 47 et de résistances métalliques 33. En outre, les résistances métalliques 33 ont une forte résistance allant de quelques kilohms à quelques dizaines de kilohms et sont réalisées en WSiN, etc. Selon la présente forme de réalisation décrite ci-dessus, une région non active est fonnée autour de chaque partie coudée des électrodes de grilles afin de réduire la concentration du champ électrique au niveau de la partie coudée et d'empêcher de ce fait une baisse de la tension de claquage du TEC. En outre, puisque la région active de la couche de semiconducteur (ou de la couche 31 de GaAs de type N) entre les électrodes de grilles s'étend de façon continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. En outre, bien que les électrodes de grilles (ou les doigts de grilles) selon la présente forme de réalisation aient une forme en zigzag représentée sur la figure 4, la 15 présente invention ne se limite pas à cette forme particulière de grille. La présente invention peut s'appliquer à toute électrode de grille ayant une ou plusieurs parties coudées. En particulier, sur la figure 4, chaque électrode de grille (ou doigt de grille) s'étend sur trois côtés d'un rectangle. Dans ce cas, les quatre sommets du rectangle 20 correspondent aux parties coudées de l'électrode de grille. Cependant, une autre structure à double grille en zigzag peut être employée, dans laquelle chaque électrode de grille s'étend sur deux côtés d'un triangle. Dans ce cas, les trois sommets du triangle correspondent aux parties coudées de l'électrode de grille. Puisque le champ électrique a tendance à se concentrer au niveau de ces sommets, ou parties coudées, 25 une région non active peut être formée autour de chacun d'eux afm de produire les effets avantageux décrits plus haut. Par ailleurs, bien que le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation emploie une couche de GaAs de type N, d'autres couches constituées par un composé semiconducteur peuvent être utilisées à la place, notamment des 30 couches de GaN de type N. En outre, la présente invention peut également s'appliquer à des TEC ayant une structure multigrille en zigzag dépourvue de creux. Ainsi, même dans ces structures, une région non active peut être formée autour de chaque partie coudée des électrodes de grilles en zigzag afin d'empêcher ou de réduire la concentration du champ électrique au niveau de la partie coudée et ainsi de renforcer la tension de claquage et la fiabilité du TEC. Quatrième forme de réalisation La figure 5 est une vue en plan d'un transistor à effet de champ selon une quatrième forme de réalisation de la présente invention. Bien que le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation ait une structure à double grille en zigzag, la présente invention ne se limite pas à ce type particulier de transistor à effet de champ. La présente invention peut s'appliquer à tout transistor à effet de champ ayant une structure multigrille en zigzag. Considérant la figure 5, une paire d'électrodes ohmiques 52 est disposée sur une couche 51 de GaAs de type N. Une première des électrodes ohmiques 52 est une électrode de source et l'autre électrode ohmique est une électrode de drain. L'impureté de type N dans la couche 51 de GaAs de type N peut être Si (du silicium). Deux creux sont formés dans la surface de la couche 51 de GaAs de type N et entre les électrodes ohmiques 52 (cf. figures 2A et 2B). Par ailleurs, des doigts 54 et 55 de grilles sont disposés dans leurs creux respectifs. Ainsi, ce transistor à effet de champ a une structure à double grille dans laquelle deux électrodes de grilles parallèles 54 et 55 sont intercalées entre deux électrodes ohmiques 52. En outre, les doigts 54 et 55 de grilles ont une forme en zigzag, comme représenté sur la Fig. 5. Les creux peuvent être formés par attaque chimique par voie humide, de la manière déjà décrite à propos de la première forme de réalisation. La présente forme de réalisation suppose que les parties des creux qui s'étendent perpendiculairement et celles qui s'étendent parallèlement par rapport à l'orientation cristalline [0, î ,T ] de la couche 51 de GaAs de type N ont sensiblement la même largeur (c'est-à-dire, sur les figures 2A et 2B, W1 -W2). Il faut souligner que, sur la figure 5, la direction latérale correspond à une direction perpendiculaire par rapport à l'orientation cristalline précitée de la couche 51 de GaAs de type N, et que la direction longitudinale correspond à une direction parallèle. Des bornes d'entrée 56 et 57 de grilles sont disposées à l'extérieur des élec odes ohmiques 52 et de la couche 51 de GaAs de type N. Les doigts 54 et 55 de grilles sont connectés respectivement aux bornes d'entrée 56 et 57 de grilles. Des signaux de grilles sont appliqués aux doigts 54 et 55 de grilles respectivement par l'intermédiaire des bornes d'entrée 56 et 57 de grilles. Le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation est caractérisé en ce que des parties coudées 58 à 61 du doigt 54 de grille et des parties coudées 62 à 65 du doigt 55 de grille ont une forme d'arc à rayon de courbure prédéterminé. Dans le cas de transistors à effet de champ selon la technique antérieure ayant une structure multigrille en zigzag, puisque les doigts de grilles en zigzag sont brusquement coudés à angle droit, le champ électrique se concentre au niveau de ces parties coudées, ce qui provoque une baisse de la tension de claquage. D'autre part, dans le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation, les parties coudées des doigts de grilles en zigzag ont une forme d'arc, ce qui réduit la concentration du champ électrique au niveau de ces parties coudées et empêche de ce fait une diminution de la tension de claquage du transistor à effet de champ, Il faut souligner que plus le rayon de courbure des parties coudées est petit, plus la concentration du champ électrique est grande au niveau de ces parties. Par conséquent, les parties coudées ont de préférence un grand rayon de courbure. Cependant, il en résulte une plus grande superficie des électrodes de grilles et donc de plus grandes dimensions des puces. Ce compromis doit être considéré lorsqu'on détermine le rayon de courbure des parties coudées des électrodes de grilles. Selon la présente forme de réalisation, les parties tout entières des doigts de grilles sont entourées par la région active. Par conséquent, les parties des doigts de grilles qui s'étendent latéralement et celles qui s'étendent longitudinalement constituent une partie des grilles du TEC et contribuent donc à son fonctionnement. Il faut souligner en outre que les parties des creux qui s'étendent latéralement et celles qui s'étendent longitudinalement sont formées de manière à avoir sensiblement la même largeur (comme décrit plus haut), ce qui évite une dégradation des caractéristiques du TEC en raison de la différence de largeur entre ces parties. Considérant la figure 5, la région active de la couche 51 de GaAs de type N entre les doigts 54 et 55 de grilles s'étend de façon continue depuis les extrémités d'entrée de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, c'est-à-dire que la région active n'est pas divisée par les régions non actives. Par conséquent, une pastille d'électrode peut être réalisée sur la couche 51 de GaAs de type N et entre les doigts 54 et 55 de grilles et une polarisation peut être appliquée à la pastille d'électrode pour empêcher le potentiel de la couche 51 de GaAs de type N (ou de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles (ou les doigts de grilles). Sur la figure 5, une électrode de calage de potentiel 67 est disposée sur la couche 51 de GaAs de type N et entre les doigts 54 et 55 de grilles pour caler ou fixer le potentiel de la couche 51 de GaAs de type N. L'électrode de calage de potentiel 67 est constitué d'un métal ohmique et est connecté aux électrodes ohmiques 52 par l'intermédiaire de câblages métalliques 66 et de résistances métalliques 53. Par ailleurs, les résistances métalliques 53 ont une grande résistance allant de quelques kilohms à quelques dizaines de kilohms et sont en WSiN, etc. Selon la présente forme de réalisation décrite ci-dessus, les parties coudées des électrodes de grilles ont une forme d'arc à rayon de courbure prédéterminé, ce qui réduit la concentration du champ électrique au niveau de ces parties coudées et empêche de la sorte une diminution de la tension de claquage du TEC. Par ailleurs, comme la région active de la couche de semiconducteur entre les électrodes de grilles s'étend de façon continue depuis les extrémités d'entrée des électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci, il est possible d'empêcher le potentiel de la couche de semiconducteur (de la région active) de varier avec la position entre les électrodes de grilles en appliquant une polarisation à la couche de semiconducteur. En outre, bien que le transistor à effet de champ selon la présente forme de réalisation emploie une couche de GaAs de type N, des couches constituées d'autres composés semiconducteur peuvent être utilisées à la place, notamment des couches de GaN de type N. En outre, la présente invention peut également s'appliquer à des TEC à structures multigrille en zigzag dépourvues de creux. Ainsi, dans ces structures, les parties coudées des électrodes de grilles en zigzag peuvent aussi être réalisées de manière à avoir une forme d'arc à courbure prédéterminée pour empêcher ou réduire la concentration du champ électrique au niveau de ces parties coudées et de ce fait améliorer la tension de claquage et la fiabilité du TEC.30 REVENDICATIONS 1. Transistor à effet de champ à structure multigrille en zigzag, comprenant : une paire d'électrodes ohmiques (2) ; une couche de semiconducteur (1) formée entre lesdites deux électrodes ohmiques (2) et ayant un creux (101) qui possède une partie s'étendant perpendiculairement et une partie s'étendant parallèlement par rapport à une orientation cristalline prédéterminée de ladite couche de semiconducteur (1) ; et plusieurs électrodes de grilles en zigzag formées dans ledit creux (101) de ladite couche de semiconducteur (1) et ayant chacune une partie qui s'étend perpendiculairement et une partie qui s'étend parallèlement par rapport à ladite orientation cristalline prédéterminée de ladite couche de semiconducteur (1), ladite partie qui s'étend perpendiculairement étant disposée dans ladite partie dudit creux (101) qui s'étend perpendiculairement, ladite partie qui s'étend parallèlement étant disposée dans ladite partie dudit creux (101) qui s'étend parallèlement. caractérisé en ce que ladite couche de semiconducteur (1) comporte une région non active (8) formée autour de ladite partie desdites différentes électrodes de grilles qui s'étend perpendiculairement ou autour de ladite partie qui s'étend parallèlement par rapport à ladite orientation cristalline prédéterminée de ladite couche de semiconducteur (1) ; en ce que ladite couche de semiconducteur (1) comporte en outre une région active dans une surface principale de celle-ci et entre lesdites différentes électrodes de grilles, ladite région active s'étendant de façon continue depuis les extrémités d'entrée desdites différentes électrodes de grilles jusqu'aux extrémités terminales de celles-ci ; et en ce qu'une électrode de calage de potentiel (10) est présente sur une surface de ladite région active qui s'étend de façon continue. 2. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que : ladite région non active (8) est formée autour de ladite partie perpendiculaire ou de ladite partie parallèle desdites différentes électrodes de grilles dont la largeur du creux correspondant (101) est plus petite. 3. Transistor à effet de champ selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que: lesdites différentes électrodes de grilles sont constituées par des doigts (14, 15, 16, 17) de grilles et des fils (18, 19, 22, 25), constituées d'une matière différente de celle desdits doigts de grilles, lesdits doigts et lesdits fils étant connectés en série ; ledit doigt de grille sert d'électrode de grille dans ladite région active, et ledit fil sert d'électrode de grille dans ladite région non active (26). 4. Transistor à effet de champ selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que : ladite couche de semiconducteur (1) est une couche de GaAs de type N ; et ladite orientation cristalline prédéterminée est une direction [0,1,1 ].15