Brevet FR2914494A1 — publié le 20081003

PROCEDE DE REPORT D'UNE COUCHE MINCE DE MATERIAU DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le transfert de films minces ou de composants sur un substrat, et plus particulièrement un procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche transférée à base d'un matériau III-V, c'est-à-dire un matériau comportant des éléments des colonnes IIIb et Vb de la classification périodique des éléments, et particulièrement d'un matériau de type III-N, c'est-à-dire de nitrure d'un matériau de type III, sur un support. Elle concerne notamment la technique dite Smart CutTM . Cette technique est par exemple décrite dans "Smart-Cut technology : an industrial application of ion implantation induced canities", B. Aspar, C. Lagahe, H. Moriceau, A. Soubie, Mat. Res. Soc. Symposium Proc.Vol. 510, 1998, Material Research Society. L'invention peut être appliquée au domaine de l'électronique de forte puissance, RF et micro-onde, mais aussi au domaine de l'optoélectronique, et particulièrement à la réalisation de LED et de diodes LASER. Elle s'applique également à la croissance cristalline de matériaux, notamment par épitaxie. Le procédé selon l'invention peut aussi être mis en oeuvre dans une structure GaNOI (Nitrure de Gallium sur Isolant), destinée à la production commerciale de films minces de GaN, par exemple pour la réalisation de composants électroniques ou optoélectroniques. La formation et le transfert d'une couche mince par le procédé Smart CutTM vont être rappelés en liaison avec les figures 1A à 1D. Sur un substrat 1 d'un matériau, par exemple du silicium, dont on veut reporter une couche sur un substrat cible ou raidisseur, on forme une couche superficielle 2, de faible épaisseur. Cette couche 2 est constituée par exemple d'un oxyde déposé ou d'un oxyde thermique. Il est ensuite procédé (figure 1B) à une étape d'implantation ionique de gaz rare 3 formant dans le substrat 1 une couche 6 d'espèces implantées. Cette étape permet de former, à une profondeur d'implantation Rp, une zone de fragilisation dans le substrat 1, au niveau de la couche 6 d'espèces implantées. Elle délimite également une zone 4 du substrat 1 qui constitue la couche qui va être reportée. Cette étape d'implantation est souvent suivie d'un polissage (figure 1C) et plus généralement d'un lissage de la micro-rugosité de la couche 2. Il peut ensuite être procédé à un assemblage par collage moléculaire de l'ensemble sur un deuxième substrat 8 (figure 1D). Une dissociation du substrat 1 au niveau de la zone de fragilisation est alors réalisée par activation thermique et/ou mécanique, supprimant la couche 6 de l'assemblage réalisé. Sur le deuxième substrat 8 vont donc subsister la couche 2 ainsi que la couche reportée 4. En général, la couche superficielle 2 forme au moins en partie la couche isolante de la structure SOI (Silicium sur Isolant) que l'on cherche à obtenir (on rappelle qu'une telle structure comporte un film de matériau actif sur film isolant, ce dernier reposant sur un substrat). Cette couche superficielle 2 fait également office de couche de collage pour l'adhérence moléculaire lors de l'assemblage par collage moléculaire. On exploite ainsi avantageusement, par l'intermédiaire d'un oxyde de silicium, déposé ou obtenu par oxydation thermique, les conditions d'un collage moléculaire hydrophile. Il est habituel de former cette couche de collage avant l'implantation. En effet, la formation de cette couche, par dépôt ou oxydation, apporte un budget thermique à la structure qui pourrait initier un phénomène de cloquage si l'étape d'implantation était déjà réalisée, et ainsi empêcher les étapes ultérieures de collage et de transfert. La couche superficielle 2 intervient également comme diffuseur pour limiter le phénomène de canalisation des ions dans le cristal qui peut apparaître au cours de l'implantation ionique. La couche superficielle 2 joue donc de 25 nombreux rôles et est généralement réalisée avant implantation. Lors de l'étape d'implantation ionique, la profondeur de pénétration des espèces dans le substrat 1 varie en fonction de la nature des matériaux 30 implantés et des conditions de mise en oeuvre technologiques de l'implantation. Ainsi, on ajuste l'épaisseur de la couche 4 de matériau actif transférée à l'aide du type, de la dose et de l'énergie des espèces implantées 3, ainsi que de la nature du matériau 1 et de la nature et de l'épaisseur de la couche superficielle 2 qui s'intercale pendant la phase d'implantation. Or, il n'est pas toujours possible, en pratique, d'augmenter la dose et l'énergie des ions implantés afin d'accroître cette profondeur, pour au moins trois raisons. La première raison est liée à une considération de coût de mise en oeuvre technologique car les dispositifs d'implantation commerciaux dédiés à ces applications sont en général limités à environ 200 keV. La seconde raison est due à l'élévation de température pendant l'implantation, elle-même liée à l'énergie et à la dose de l'implantation, et qui peut déclencher un phénomène de cloquage et empêcher ainsi la réalisation des étapes ultérieures de collage et de transfert. A ce titre, l'invention décrite dans la suite pourra avantageusement s'appliquer à des matériaux III-V à faible conductivité thermique (typiquement inférieure à 3 W.K-1. cm-1, ainsi qu'à des matériaux III-N tels que du GaN et/ou de l'InGaN. En effet, pour ces matériaux, l'élévation de température associée à l'implantation peut poser problème. La troisième raison vient du fait que plus la dose implantée est élevée, plus l'épaisseur de la zone endommagée est importante, d'où une plus grande défectivité et un plus grand endommagement de la couche transférée, ce qui n'est pas toujours compatible avec l'application visée. Si l'on tient compte de ces différents paramètres et limitations, et compte tenu des doses requises pour déclencher la fragilisation de certains matériaux, la fenêtre des conditions d'implantations n'est pas équivalente pour tous les matériaux et peut réduire la valeur de profondeur de pénétration (Rp) accessible. C'est notamment le cas du GaN pour lequel, par exemple pour une implantation d'hydrogène réalisée avec une énergie de 60 KeV, une simulation SRIM indique que la valeur du Rp est de 70 nm environ, si l'on intercale une couche superficielle de SiO2 de 500 nm pour environ 600 nm pour le silicium dans les mêmes conditions. Au-delà d'une épaisseur d'environ 600 nm de silice, les ions ne pénètrent plus dans le GaN et il n'est donc pas possible, dans ces conditions, de transférer une couche de nitrure de gallium. Or, dans certains cas il peut être nécessaire d'avoir une couche superficielle épaisse ; par exemple, si l'on souhaite obtenir une structure de type SOI avec un oxyde épais (typiquement >1 }gym). En effet, pour une telle structure, l'oxyde peut servir par exemple de couche de démontage pour le film mince après que des opérations technologiques (épitaxie, formation de composants...) aient été réalisées. Ce démontage (lift off) pourra être réalisé par attaque chimique (HF) de l'oxyde et nécessite des épaisseurs suffisantes d'oxyde. Un autre exemple correspond à un substrat 1 très rugueux ou présentant une surface texturée (volontairement ou non). C'est le cas pour certains matériaux obtenus par exemple au moyen de techniques de croissance par épitaxie. La rugosité de surface varie avec les conditions de croissance épitaxiale et peut atteindre de très fortes valeurs (aspect non transparent visible à ',œil). C'est le cas également si l'on souhaite réutiliser directement, ou en limitant les étapes de recyclage, un substrat donneur ayant subi, comme décrit précédemment, un cycle d'implantation, collage et fracture. Une condition à remplir pour assurer l'adhérence moléculaire entre ce substrat 1 et le deuxième substrat 2 (illustré figure 1D), ainsi qu'un bon contrôle de l'homogénéité du film transféré 4, est l'obtention d'une faible rugosité aux interfaces de collage ( Par exemple, dans le cas de matériaux obtenus par épitaxie, tels que le GaN, la rugosité d'une couche réalisée par la technique MOCVD sur un substrat de saphir, peut atteindre une valeur moyenne de 100 nm P-V pour des couches de plusieurs microns d'épaisseur, et présente aussi dans certains cas des défauts localisés en terrasses de hauteurs d'environ 1 }gym. De plus, ce type de matériau pose de réelles difficultés pour le polissage et il est difficile d'obtenir des valeurs de rugosité aussi faibles que celles couramment atteintes sur le silicium, et notamment une rugosité RMS de moins de 1 nm. Il n'est donc pas envisageable de chercher à planariser directement cette couche. Les figures 2A et 2B illustrent le cas d'un substrat 11 à surface 10 présentant une forte rugosité. La formation d'une couche superficielle 12 de faible épaisseur (figure 2B) ne permet pas d'atténuer les effets dus à la rugosité initiale. Par contre, la formation d'une couche 15 épaisse (figure 2C), d'épaisseur 3(P-V), permet d'atténuer fortement, voire de faire disparaître les défauts de surface et la forte rugosité initiale. Mais l'implantation d'ions 13 pour former une zone de fragilisation 16 dans le substrat 11 doit être faite à travers cette forte épaisseur de la couche 15 (figure 2C). Il est ensuite possible d'aplanir cette couche 15, la couche 19 à transférer étant délimitée par la zone 16 d'implantation et par le niveau moyen 18 défini par les rugosités de surface (figure 2D). L'ensemble ainsi obtenu peut être reporté sur un deuxième substrat, comme sur la figure 1D. Pour éviter d'avoir une couche superficielle trop épaisse avant implantation, on pourrait prévoir d'amincir cette couche avant implantation, par exemple par polissage mécano-chimique. Cependant, selon les techniques de polissage utilisées, une telle opération détériore l'uniformité d'épaisseur de la couche, et donc de la couche finale reportée, ce qui est difficile à rectifier après transfert. Cette homogénéité de surface est observable optiquement sur le substrat final (franges...) et a un impact important, notamment sur l'homogénéité de température à la surface du substrat lors de la croissance ultérieure de couches actives, par exemple d'InGaN, et détériore les propriétés optiques de ces couches. Il résulte de tout ceci, par exemple pour les matériaux III-V, et notamment les matériaux III-N, de forte densité, c'est-à-dire à faible profondeur de pénétration des ions, ou à faible conductivité thermique, ou dont la rugosité de surface est élevée ou texturée, une limitation, parfois rédhibitoire, de l'épaisseur maximum du film 19 transférable. Pour les matériaux dont la profondeur de pénétration est faible, l'épaisseur de la couche superficielle de collage, au travers de laquelle s'effectue l'implantation, peut devenir critique et limiter fortement l'épaisseur de matériau qui sera transférée. Pour les matériaux denses, texturés ou à forte rugosité de surface, qui nécessitent une couche de collage épaisse, la technique usuelle résulte en une épaisseur de film 19 transférable qui peut être réduite ou trop faible pour les applications visées. Le tableau ci-dessous montre, par exemple dans le cas de l'implantation d'ions hydrogènes, la comparaison du Rp calculé avec le logiciel de simulation SRIM 2003 pour le GaN et le Si. Rp, on le rappelle, est la profondeur de la zone de fragilisation, repérée depuis la surface de la couche de collage et correspondant à la concentration maximum des espèces implantées. Densité en g/cm3 Rp en pm Rp en pm à à 60 Kev 180 Kev 2,33 0, 6 1,7 6, 15 0, 4 1 3, 21 0, 36 1, 1 C'est notamment le cas pour l'obtention de structures GaNOI, à partir d'un substrat 11 de GaN autoporté dont la face de polarité azote, c'est-à-dire la face N, présente une assez forte rugosité, qu'il est difficile de réduire par polissage. En outre la densité du GaN et les conditions usuelles de mise en oeuvre d'une implantation ionique limitent sensiblement la profondeur de pénétration ionique accessible. Si GaN SiC Le document "Transfers of 2-inch GaN films onto sapphire substrates using smart cut technology" de Tauzin et al., Electronics letters IEEE UK, vol. 41, n 11, 26 mai 2005, pages 668-670, décrit le transfert d'un film mince de GaN sur un support par la technologie Smart CutTM , en utilisant un collage hydrophile par la formation d'une couche de collage en SiO2 sur chacune des parties avant de réaliser la fracture. L'implantation est réalisée sur la face Ga du GaN dont la rugosité est moindre et pour laquelle le collage est le plus favorable. Le document US 2005/0101105 décrit un transfert d'une couche mince sur un substrat final à partir d'un substrat source fragilisé au préalable. L'utilisation d'une ou deux couches de collage à base de SiO2 permet d'assembler le substrat source fragilisé et le support avant la fracture. L'utilisation de deux couches de collage de SiO2 permet l'utilisation de techniques de collage bien connues de l'homme du métier, faciles à mettre en oeuvre. Les deux couches de collage peuvent être également à base Si3N4, plus résistant aux températures élevées, ce qui permet d'optimiser la qualité cristalline de l'épitaxie qui se retrouvera sur le substrat réalisé. De plus, on augmente la vitesse de dépôt et évite la diffusion de Ga dans le support. Lors du transfert d'une couche mince provenant d'un substrat source à base d'un matériau III-V sur un support, une couche de collage telle qu'un oxyde (par exemple du SiO2) ne permet pas un collage suffisant entre une face, par exemple la face N dans le cas d'un matériau III-N, du substrat source et le support pour obtenir une fracture satisfaisante. En effet, les affinités entre les différentes natures des matériaux utilisés ne sont pas suffisantes pour permettre une bonne adhésion entre eux, un décollement pouvant avoir lieu entre le matériau III-V et la couche d'oxyde et non au niveau de la zone fragilisée dans le substrat source. De plus, lorsque la structure assemblée est soumise à des variations de température, les différences entre les coefficients de dilatation thermique (CIE) du matériau support, de la couche transférée dans un matériau du groupe III-V et de la couche d'oxyde conduisent à une dilatation différente de chacun des matériaux, pouvant conduire à un décollement à l'endroit le plus fragile de la structure, c'est-à-dire l'interface entre le matériau III-V et la couche d'oxyde. Par ailleurs, le polissage de la couche d'oxyde déposée sur le matériau III-V préalablement au collage provoque l'arrachement de celle-ci. Ainsi, toute mise sous contrainte de la structure risque de la fragiliser et de provoquer un décollement au niveau de la couche d'adhésion. Il se pose donc le problème de trouver un nouveau procédé permettant de réaliser un transfert de films minces ou de composants sur un substrat et ne présentant pas les limitations qui ont été expliquées ci-dessus, et notamment d'offrir un collage suffisant entre le substrat et le support. EXPOSÉ DE L'INVENTION Selon un premier aspect, l'invention concerne un procédé dans lequel une étape d'implantation ionique est réalisée préalablement au dépôt d'une couche de collage superficielle sur un substrat destiné à être transféré sur un support. Cette approche est particulièrement avantageuse dans le cas de matériaux pour lesquels la profondeur de pénétration des espèces ioniques est faible, par exemple pour les matériaux cristallins denses, comme GaN, ou InGaN. Elle est avantageuse également pour les matériaux III-N, ou plus généralement les matériaux III-V, de faible conductivité thermique, en évitant des budgets thermiques trop importants liés à des doses et/ou énergies d'implantation élevées. Elle permet également d'introduire une couche de collage épaisse, afin de planariser une surface rugueuse ou texturée. L'invention permet d'augmenter l'épaisseur de la couche de collage autant que nécessaire afin de garantir une planarisation suffisante pour obtenir un collage moléculaire de qualité, sans pénaliser ni la profondeur d'implantation ni l'épaisseur du film transféré. De plus, une couche d'accrochage est déposée avant la couche de collage sur une face du substrat à transférer pour assurer une meilleure adhérence entre celui-ci, la couche de collage et le support. L'invention a également pour but de résoudre les problèmes d'accroches entre un substrat de matériau III-V et une couche de collage à base d'oxyde. 12 L'invention concerne en particulier un procédé de report d'une couche mince à base d'au moins un matériau de type III-V, comportant : une étape de formation d'une couche d'accrochage à base de nitrure sur une face d'un premier substrat à base d'au moins ledit matériau de type III-V, - une étape de formation d'au moins une couche de collage à base d'oxyde sur la couche d'accrochage, une étape d'assemblage du premier substrat, de la couche d'accrochage et de la couche de collage sur un deuxième substrat, une étape d'amincissement du premier substrat par fracture au niveau d'une zone fragile enterrée créée par une précédente étape de fragilisation du premier substrat, formant la couche mince. L'utilisation d'une couche d'accrochage à base de nitrure, par exemple du nitrure de silicium, permet d'améliorer les affinités avec les matériaux III-V par rapport à une couche de collage à base de SiO2, et donc d'obtenir une meilleure adhésion entre le matériau III-V du premier substrat et l'oxyde de la couche de collage. Le matériau constitutif de la couche mince peut être de type III-V et/ou par exemple avoir une densité supérieure à 3 g/cm3, ou une rugosité supérieure à 1 nm RMS, ou une conductivité thermique inférieure à 3W/cm.K. Une étape de polissage de la ou des couche(s) de collage peut être réalisée, notamment après l'étape de formation de la couche de collage. La couche mince peut avoir une épaisseur comprise entre environ 0,1 pm et 1 pm. Le matériau du premier substrat peut être un matériau binaire, ternaire ou quaternaire d'éléments du groupe III-V, par exemple à base de GaN et/ou d'AIN et/ou d'AlGaN et/ou d'InGaN et/ou d'AlInGaN et/ou de GaAs et/ou d'InGaAs et/ou d'InGaP et/ou d'AlGaAs et/ou d'InP et/ou de GaAsN et/ou de BGaN et/ou d'AlBN. Le matériau du premier substrat peut être un matériau de type III-N, tel que du GaN, et/ou de l'InGaN. Dans ce cas, ladite face du premier substrat peut être une face de polarité N ou une face de polarité de l'élément du groupe III du matériau du premier substrat. Le premier substrat peut comporter une couche à base d'un matériau du type III-N, destinée à former la couche mince, disposée sur une couche à base de saphir monocristallin et/ou de silicium monocristallin et/ou de SiC monocristallin. Le deuxième substrat peut être à base de saphir monocristallin et/ou d'Al2O3 et/ou de Si et/ou de SiC et/ou de céramique telle que de l'alumine, et/ou de spinelle telle que du MgAl2O4r et/ou de verre et/ou de l'AIN. La couche d'accrochage peut avantageusement être à base d'AIN et/ou de Si3N4, son collage avec le matériau III-V étant particulièrement efficace. La couche d'accrochage peut être à base de nitrure de silicium et/ou la couche de collage peut être à base de silice. Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de formation de la couche de collage et l'étape d'assemblage, une étape de recuit de densification de la couche de collage. Le deuxième substrat peut comporter également une couche de collage. Dans ce cas, le procédé peut comporter en outre, avant l'étape d'assemblage, une étape de formation d'une autre couche de collage à base d'oxyde, tel que de l'oxyde de silicium, sur le deuxième substrat. Alors, le procédé peut comporter, entre l'étape de formation de l'autre couche de collage et l'étape d'assemblage, une étape de recuit de densification de l'autre couche de collage formée sur le deuxième substrat. L'étape d'assemblage peut être réalisée par adhésion moléculaire. L'étape de fragilisation du premier substrat peut être réalisée par implantation ionique réalisée à travers ladite face du premier substrat. Dans ce cas, l'étape d'implantation ionique peut être réalisée avec un angle d'incidence, mesuré par rapport à la normale à la surface de ladite face du premier substrat implanté traversée par le faisceau d'implantation, différent de 0 . Ceci permet de limiter les effets de canalisation des ions dans le cristal. L'implantation peut être réalisée à travers une couche de protection déposée sur ladite face du premier substrat, ladite couche de protection étant retirée avant la formation de la couche d'accrochage. Dans une première variante, l'étape de fragilisation du premier substrat peut être mise en oeuvre avant l'étape de formation de la couche d'accrochage. Dans ce cas, l'étape de formation de la couche d'accrochage peut être mise en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui provoquant un cloquage du premier substrat. Dans une seconde variante, l'étape de fragilisation du premier substrat peut être mise en oeuvre entre l'étape de formation de la couche d'accrochage et l'étape de formation de la couche de collage. Ainsi, la couche d'accrochage améliore les affinités avec le matériau III-V du premier substrat pour un bon collage et un compromis est trouvé entre la qualité de l'oxyde de la couche de collage et une bonne profondeur d'implantation. De plus, on réduit les contraintes en température concernant le dépôt de la couche d'accrochage ainsi que pour d'autres étapes éventuelles de traitement de la couche d'accrochage. Dans cette seconde variante, l'étape de formation de la couche de collage peut être mise en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui provoquant un cloquage du premier substrat. Enfin, le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de formation de la couche de collage et l'étape d'assemblage, une étape de recuit de densification de la couche de collage mise en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui provoquant un cloquage dans le premier substrat. Dans une autre variante, l'implantation ionique peut être mise en oeuvre après les étapes de formation des couches d'accrochage et de collage. Ainsi, dans cette variante, on réduit les contraintes de température concernant le dépôt des couches de collage et d'accrochage, ainsi que d'autres étapes éventuelles de traitement de ces couches. L'étape de formation de la couche d'accrochage peut être mise en oeuvre à une température inférieure à la température de décomposition du matériau du premier substrat. L'invention concerne également une structure de matériaux comportant : - un substrat, - une couche de collage à base d'oxyde disposée sur une face du substrat, - une couche d'accrochage à base de nitrure disposée sur la couche de collage, - une couche mince en un matériau de densité supérieure à 3 g/cm3, ou à rugosité supérieure à 1 nm RMS ou à conductivité thermique inférieure à 3 W/cm.K, et/ou à base d'au moins un matériau de type III-V, disposée sur la couche d'accrochage. La couche mince peut présenter une face en 25 contact avec la couche d'accrochage de rugosité supérieure à environ 1 nm RMS. Elle a de préférence une épaisseur uniforme à moins d'environ 10 %. Elle a par exemple une épaisseur moyenne comprise entre environ 100 nm et 30 1000 nm. La couche mince peut être à base d'un matériau de type III-N tel que du GaN et/ou de l'InGaN, la couche d'accrochage pouvant alors être en contact avec une face N de la couche mince. Le substrat peut être à base de saphir et/ou de silicium et/ou de SiC. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - Les figures 1A à 1D représentent un procédé selon l'art antérieur, appliqué à un substrat en matériau standard, à surface peu rugueuse, - les figures 2A à 2D représentent un procédé selon l'art antérieur, appliqué à un substrat en matériau dense ou à faible profondeur d'implantation, - les figures 3A à 3D représentent des étapes d'un procédé selon l'invention, - les figures 4A et 4B représentent des étapes de transfert d'une couche de matériau selon l'invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur 25 les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme 20 n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un premier exemple de réalisation de l'invention est illustré sur les figures 3A - 3D. Un premier substrat 30 de départ à base d'un matériau III-V, par exemple du GaAs (figure 3A), peut notamment être un substrat en un matériau dense, par exemple de densité supérieure à environ 3 ou 4 ou 5 ou 6 g/cm3 ou comprise entre une de ces valeurs et environ 6 ou 8 ou 10 g/cm3 et/ou à faible conductivité thermique, typiquement inférieure à 3 W.cm-1.K-1. Une face du substrat 30 peut comporter une surface 40 rugueuse (la rugosité peut par exemple être supérieure à plusieurs nm RMS, par exemple comprise entre environ 1 nm ou 2 nm et 5 nm ou 10 nm RMS ou typiquement entre environ 10 nm RMS et 70 nm RMS, mesurée avec un profilomètre optique sur un champ de 600 x 800 }gym). Dans une variante, le premier substrat pourrait être à base d'un matériau III-N, par exemple du GaN et/ou de l'InGaN. Dans une première étape (figure 3B), une implantation d'espèces gazeuses 32 est réalisée à travers une face du premier substrat 30 telle que la face comportant la surface rugueuse 40, préalablement au dépôt d'une couche d'accrochage 38 et d'une couche de collage 34 (figure 3C). Une zone fragile enterrée 33 est ainsi formée dans le premier substrat 30, par exemple à une profondeur comprise entre environ 0,2 pm et 2 }gym. Alternativement, la zone fragilisée enterrée 33 peut être formée par diffusion ou par la formation d'une couche poreuse. Les conditions énergétiques et thermiques d'implantation sont de préférence ajustées pour éviter l'effet de cloquage pendant l'implantation et le dépôt des couches d'accrochage 38 et/ou de collage 34 (gamme d'énergie par exemple comprise entre environ 20 et 200 keV). Par ce fait, on peut augmenter sensiblement l'épaisseur d'une couche transférée sans avoir à polir la surface de départ de la couche ou du matériau à transférer. Dans certains cas (en particulier pour les substrats non rugueux), il est possible, pour éviter les problèmes de contamination, d'implanter à travers une fine couche de protection (par exempled'épaisseur inférieure à 150 nm et/ou à base d'un oxyde) déposée sur le premier substrat 30 et retirée avant la formation de la couche d'accrochage 38. Comme représenté sur la figure 3C, la couche d'accrochage 38 à base de nitrure, tel que du nitrure de silicium et/ou du nitrure d'aluminium, et d'épaisseur comprise entre environ 5 nm et 500 nm, ou de préférence comprise entre environ 10 nm et 100 nm, ou égale à environ 50 nm, et la couche de collage 34 à base d'oxyde, tel que de l'oxyde de silicium, et d'épaisseur comprise entre environ 5 nm et 750 nm, ou de préférence comprise entre environ 100 nm et 500 nm, ou égale à environ 450 nm, sont déposées à environ 300 C par PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) sur la face du premier substrat 30 à travers laquelle l'implantation a été réalisée, appelée plus loin face implantée. La couche de collage 34 peut subir, après dépôt, une étape de traitement thermique, ou recuit de densification à basse température. Ce traitement est choisi de manière à éviter la formation de cloques en surface (bullage ou cloquage) et plus généralement la déformation de la surface. Afin de garantir le collage moléculaire qui sera réalisé ultérieurement durant le procédé, il est possible de déposer à relativement basse température ( Le collage moléculaire sur le second substrat 50 peut ensuite être réalisé à température ambiante. Un recuit de transfert peut alors être réalisé, en four à une température comprise par exemple entre environ 200 C et 500 C. L'épaisseur finale de GaN transféré formant la couche mince 36, mesurée sur une coupe transversale en microscopie à balayage, est de l'ordre de 500 nm, résultat assez proche des simulations TRIM. Un procédé classique, avec une implantation réalisée au travers d'une couche de collage 32 en SiO2 réduite à une épaisseur minimum de 300 nm (avant polissage), conduit à une épaisseur maximale transférée d'environ 120 nm. D'une manière générale, l'invention permet un transfert de couches d'épaisseurs par exemple comprise entre 0,1 }gym et 1 }gym, à partir d'un matériau à forte densité, ou à profondeur de pénétration faible ou à rugosité élevée, ou à faible conductivité thermique (typiquement inférieure à 3 W.cm-1K-1) comme l'AIN, le GaN, ou l'InN. L'invention permet d'obtenir une structure de matériaux, comme représenté sur la figure 4B, comportant : - une couche mince 36 en un matériau de densité supérieure à 3 g/cm3, ou à rugosité supérieure à 1 nm RMS ou à conductivité thermique inférieure à 3 W.cm 1.K 1, ou à base d'un matériau III-V ou III-N, - une couche d'accrochage 38 à base de nitrure, - une couche de collage 34 à base d'oxyde, - un substrat 50 sur lequel la couche de collage 34 est maintenue. La couche mince 36 présente une face 37, en contact avec la couche d'accrochage 38, de rugosité supérieure à 1 nm RMS au moins. Du fait du procédé utilisé et décrit ci-dessus, cette couche mince 36 peut présenter une épaisseur uniforme à moins de 10 %. La couche d'accrochage 38 à base de nitrure, tel que du nitrure de silicium et/ou du nitrure d'aluminium, peut avoir une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 500 nm, ou de préférence comprise entre environ 10 nm et 100 nm, ou égale à environ 50 nm. La couche de collage 34 à base d'oxyde, tel que de l'oxyde de silicium, peut avoir une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 10 pm, ou comprise entre environ 5 nm et 1 pm, ou comprise entre environ 5 nm et 750 nm, ou de préférence comprise entre environ 100 nm et 500 nm, ou égale à environ 450 nm. Dans une variante des procédés décrits précédemment, il est possible de réaliser l'étape d'implantation ionique, par exemple à travers la face N du substrat à base d'un matériau III-N tel que du GaN, après les étapes de dépôt des couches d'accrochage 38 et de collage 34, l'implantation étant alors réalisée à travers ces couches d'accrochage 38 et de collage 34. Ainsi, dans cette variante, on réduit les contraintes de température concernant le dépôt des couches de collage 34 et d'accrochage 38. En effet, la couche d'accrochage 38 peut être déposée, par exemple par LPCVD, sur le premier substrat 30 à une température de dépôt inférieure à la température de décomposition du matériau du premier substrat 30, par exemple 900 C dans le cas du GaN. La couche de collage 34 à base d'oxyde de silicium, tel que du HTO silane (oxyde à haute température) ou HTO dichlorosilane, peut également être déposée, par exemple par LPCVD, à une température plus élevée que dans les procédés décrits précédemment et sans être limité par la température de décomposition du matériau du premier substrat 30, qui est alors protégé par la couche d'accrochage 38, et cela sans risque de fracture dans le premier substrat 30, et assurant à l'oxyde de la couche de collage 34 une meilleure stabilité à la température. De plus, il est également possible de mettre en oeuvre une étape de recuit de densification du matériau de la couche de collage 34, à une température comprise entre environ la température de dépôt de la couche de collage 34 et une température égale à environ 1300 C, ou de préférence à une température comprise entre environ 900 C et 1200 C, permettant de renforcer la stabilité du matériau de la couche de collage 34. Cette étape de recuit est ici mise en oeuvre pendant une durée par exemple comprise entre environ 1 min et 5 heures, ou égale à environ 10 min, dans une atmosphère de gaz neutre tel que de l'azote ou en atmosphère légèrement oxydante, c'est-à-dire comportant un faible pourcentage d'oxygène. La fragilisation du premier substrat 30 est ensuite réalisée par une implantation d'ions hydrogène et/ou d'hélium avec une dose totale comprise entre environ 2.1017 atomes/cm' et 5.1017 atomes/cm'. L'énergie du faisceau d'électrons est ajustée pour traverser les couches déposées de collage 34 et d'accrochage 38 et former la zone fragile enterrée 33. Une autre couche de collage à base d'oxyde, tel que du SiO2, et d'épaisseur comprise entre environ 5 nm et 500 nm, ou de préférence comprise entre environ 50 nm et 200 nm par LPCVD, tel que du HTO silane, est déposée sur le deuxième substrat 50, ici à base de saphir. Il est possible de réaliser un recuit de densification du matériau de cette autre couche de collage dans les mêmes conditions que celles du recuit de densification du matériau de la couche de collage 34. Avant d'être collées l'une à l'autre, les deux couches de collage peuvent être polies par planarisation mécano-chimique pour atteindre une rugosité inférieure à environ 0,4 nm RMS. Il est également possible de réaliser une activation du collage par plasma. Dans une autre variante des procédés décrits précédemment, l'étape d'implantation peut être mise en oeuvre après l'étape de formation de la couche d'accrochage 38, et avant l'étape de formation de la couche de collage 34. Dans ce cas, les étapes de dépôt de la couche de collage 34 et de recuit de densification du matériau de la couche de collage 34 sont réalisées avec un budget thermique limité pour ne pas provoquer de cloquage. Par contre, le budget thermique pour le dépôt de la couche d'accrochage et celui du recuit de densification de la couche de collage éventuellement déposée sur le second substrat ne sont pas limités. REVENDICATIONS 1. Procédé de report d'une couche mince (36) à base d'au moins un matériau de type III-V comportant : - une étape de formation d'une couche d'accrochage (38) à base de nitrure sur une face d'un premier substrat (30) à base d'au moins ledit matériau de type III-V, une étape de formation d'au moins une couche de collage (34) à base d'oxyde sur la couche d'accrochage (38), - une étape d'assemblage du premier substrat (30), de la couche d'accrochage (38) et de la couche de collage (34) sur un deuxième substrat (50), une étape d'amincissement du premier substrat (30) par fracture au niveau d'une zone fragile enterrée (33) créée par une précédente étape de fragilisation du premier substrat (30), formant la couche mince (36). 2. Procédé selon la revendication 1, comportant en outre, après l'étape de formation de la couche de collage (34), une étape de polissage de la couche de collage (34). 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la zone fragile enterrée (33) étant formée à une profondeur comprise entre environ 0,2 et 2 }gym.30 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche mince (36) ayant une épaisseur comprise entre environ 0,1 pm et 1 pm. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le matériau du premier substrat (30) étant un matériau binaire, ternaire ou quaternaire d'éléments du groupe III-V. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le matériau du premier substrat étant à base de GaN et/ou d'AlN et/ou d'AlGaN et/ou d'InGaN et/ou d'AlInGaN et/ou de GaAs et/ou d'InGaAs et/ou d'InGaP et/ou d'AlGaAs et/ou d'InP et/ou de GaAsN et/ou de BGaN et/ou d'AlBN. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le matériau du premier substrat (30) étant un matériau de type III-N, tel que du GaN et/ou de l'InGaN. 8. Procédé selon la revendication 7, ladite face du premier substrat (30) étant une face de polarité N. 9. Procédé selon la revendication 7, ladite face du premier substrat (30) étant une face de polarité de l'élément du groupe III du matériau du premier substrat (30). 30 31 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, le premier substrat (30) comportant une couche à base d'un matériau du type III-N, destinée à former la couche mince (36), disposée sur une couche à base de saphir monocristallin et/ou de silicium monocristallin et/ou de SiC monocristallin. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le deuxième substrat (50) étant à base de saphir monocristallin et/ou d'Al2O3 et/ou de Si et/ou de SiC et/ou de céramique telle que de l'alumine, et/ou de spinelle telle que du MgAl2O4r et/ou de verre et/ou de l'AIN. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche d'accrochage (38) étant à base d'AIN et/ou de Si3N4. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche d'accrochage (38) ayant une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 500 nm, ou entre environ 10 nm et 100 nm, ou égale à environ 50 nm. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche de collage (34) étant à base d'oxyde de silicium. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche de collage (34) ayant une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 750 nm, oucomprise entre environ 100 nm et 500 nm, ou égale à environ 450 nm. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, l'étape d'assemblage étant réalisée par adhésion moléculaire. 17. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, entre l'étape de formation de la couche de collage (34) et l'étape d'assemblage, une étape de recuit de densification de la couche de collage (34). 18. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, avant l'étape d'assemblage, une étape de formation d'une autre couche de collage à base d'oxyde, tel que de l'oxyde de silicium, sur le deuxième substrat (50). 19. Procédé selon la revendication 18, comportant en outre, entre l'étape de formation de l'autre couche de collage et l'étape d'assemblage, une étape de recuit de densification de l'autre couche de collage formée sur le deuxième substrat (50). 20. Procédé selon l'une des revendications précédentes, l'étape de fragilisation du premier substrat (30) étant réalisée par implantation ionique (32) réalisée à travers ladite face du premier substrat (30). 21. Procédé selon la revendication 20, l'étape d'implantation ionique (32) étant réalisée avec un angle d'incidence, mesuré par rapport à la normale à la surface de ladite face du premier substrat (30) implanté, différent de 0 . 22. Procédé selon l'une des revendications 20 ou 21, l'implantation étant réalisée à travers une couche de protection déposée sur ladite face du premier substrat (30), ladite couche de protection étant retirée avant la formation de la couche d'accrochage (38). 23. Procédé selon l'une des revendications précédentes, l'étape de fragilisation du premier substrat (30) étant mise en oeuvre avant l'étape de formation de la couche d'accrochage (38). 24. Procédé selon la revendication 23, l'étape de formation de la couche d'accrochage (38) étant mise en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui provoquant un cloquage du premier substrat (30). 25. Procédé selon l'une des revendications 1 à 22, l'étape de fragilisation du premier substrat (30) étant mise en oeuvre entre l'étape de formation de la couche d'accrochage (38) et l'étape de formation de la couche de collage (34).30 26. Procédé selon la revendication 25, l'étape de formation de la couche de collage (34) étant mise en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui provoquant un cloquage du premier substrat (30). 27. Procédé selon l'une des revendications 25 ou 26, comportant en outre, entre l'étape de formation de la couche de collage (34) et l'étape d'assemblage, une étape de recuit de densification de la couche de collage (34) mise en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui provoquant un cloquage dans le premier substrat (30). 28. Procédé selon l'une des revendications 1 à 22, l'étape d'implantation ionique (32) étant mise en oeuvre après les étapes de formation des couches d'accrochage (38) et de collage (34). 29. Procédé selon l'une des revendications 25 à 28, l'étape de formation de la couche d'accrochage (38) étant mise en oeuvre à une température inférieure à la température de décomposition du matériau du premier substrat (30). 30. Structure de matériaux comportant : - un substrat (50), - une couche de collage (34) à base d'oxyde disposée sur une face du substrat (50), -une couche d'accrochage (38) à base de 30 nitrure disposée sur la couche de collage (34),- une couche mince (36), à base d'au moins un matériau de type III-V, disposée sur la couche d'accrochage (3 8) . 31. Structure de matériaux selon la revendication 30, la couche mince (36) présentant une face (37) en contact avec la couche d'accrochage (38) de rugosité supérieure à environ 1 nm RMS. 32. Structure de matériaux selon l'une des revendications 30 ou 31, la couche mince (36) ayant une épaisseur uniforme à moins d'environ 10 % 33. Structure de matériaux selon l'une des revendications 30 à 32, la couche mince (36) étant à base d'un matériau de type III-N, tel que de l'InGaN et/ou du GaN, la couche d'accrochage (38) étant en contact avec une face N de la couche mince (36). 34. Structure de matériaux selon l'une des revendications 30 à 33, le substrat (50) étant à base de saphir et/ou de silicium et/ou de SiC.