Brevet FR2922685A1 — publié le 20090424

L'invention concerne le domaine de l'optoélectronique et en particulier, les émetteurs de rayonnement utilisant des semi-conducteurs et les photorécepteurs. De façon classique, les dispositifs optoélectroniques tels que les dispositifs émetteurs de lumière de type LED (Light Emitting Device) ou lasers, sont obtenus par épitaxies successives de différents matériaux semi-conducteurs. Ainsi, la famille de matériaux III-N (GaN, AIN...) présente de bonnes caractéristiques physiques pour la réalisation de diodes électroluminescentes pour des longueurs d'ondes allant du proche UV jusqu'au vert. Ces matériaux posent cependant un problème majeur. En effet, il n'existe pas de substrat adapté, en termes de paramètres de maille, de densité de défauts et de taille, permettant de faire croître des couches planaires présentant de bonnes qualités cristallines. Compte tenu de l'indice de réfraction élevé des semi-conducteurs, lequel est compris entre 2 et 3,5, une part importante de la lumière émise au sein du matériau ne peut donc pas en sortir. De façon classique, ces effets néfastes peuvent être réduits en rendant la surface de la diode rugueuse. Cependant, depuis quelques années, l'apparition d'une nouvelle structure de matériau permet de résoudre ce problème. II s'agit des nanofils qui sont des semi- conducteurs dont la dimension transversale est de taille nanométrique. Ainsi, le diamètre typique d'un nanofil est de quelques dizaines à quelques centaines de nanomètres, tandis que sa hauteur totale est de l'ordre du micron. Ces nanofils peuvent être réalisés sur des substrats dont le paramètre de maille est largement différent et ils peuvent également améliorer l'extraction de la lumière. II est ainsi possible de réaliser des nanofils avec de bonnes propriétés structurales et physiques. En ce qui concerne l'extraction de lumière, chaque nanofil peut être considéré comme un guide d'ondes. Compte tenu de sa forme quasi cylindrique, de sa taille et de son indice de réfraction (plus grand que le milieu ambiant), le guidage de la lumière est réalisé sensiblement parallèlement à l'axe de croissance des nanofils. La lumière arrive ainsi à l'extrémité des nanofils avec un angle faible par rapport à l'axe de celui-ci, c'est-à-dire un angle inférieur à l'angle limite de réflexion totale, ce qui facilite la sortie de la lumière. C'est pourquoi, ont déjà été réalisés des composants optoélectroniques, par exemple LED ou diode laser, mettant en oeuvre des nanofils. Les procédés mis en ceuvre consistent tout d'abord à obtenir des nanofils sur un substrat. Ces procédés sont largement décrits dans l'état de la technique. On peut notamment se référer au document WO 2004/088755 qui fait référence au processus VLS (Vapor Liquid Solid). Ils peuvent par exemple être réalisés à base de matériaux issus d'une famille III-N, GaAs, ZnC), InP, sur un substrat par exemple en silicium ou saphir. Le procédé consiste alors à remplir les interstices entre les nanofils par le dépôt d'une couche de matériau diélectrique, isolant électriquement, par exemple de type SiO2, dont l'épaisseur est supérieure à la hauteur des nanofils. Le matériau doit bien remplir les interstices. L'étape suivante consiste à planariser cette couche, tout en éliminant le surplus de matériau diélectrique au dessus des nanofils. Est ainsi obtenue une surface plane, l'extrémité supérieure des nanofils affleurant la surface. Si le matériau déposé est un planarisant, l'étape de planarisation est omise. Une autre étape consiste alors à déposer sur cette surface plane une couche semi-transparente conductrice qui vient en contact avec la face supérieure des nanofils. Cette couche est classiquement réalisée en ITO (Indium Tin Oxide). Après dépôt de cette couche d'ITO sur toute la surface, des motifs géométriques sont définis par des techniques classiques de microélectronique de type photolithographie. Enfin, des contacts électriques sont réalisés, un au niveau du substrat, et l'autre au niveau de la couche semi- transparente conductrice. On peut notamment se référer à l'article suivant :"High-Brightness Light Emitting Diodes Using Dislocation-Free Indium Gallium Nitride/Gallium Nitride Multiquantum-Well Nanorod Array", NANO LETTERS, 2004, Vol.4, No.6, 1059-1062". Ce procédé permet d'obtenir un composant de type LED ou diode laser, dans lequel l'émission de lumière s'effectue au travers de la couche semi-transparente. Cependant, la présence de cette couche semi-transparente présente des inconvénients importants. En effet, il convient qu'elle soit la plus conductrice possible. Or, la plupart des matériaux présentant une bonne conductivité électrique absorbent la lumière. Par ailleurs, cette couche doit être également fortement transparente pour permettre une bonne extraction de lumière. En conséquence, les caractéristiques techniques que doit présenter cette couche étant antinomiques, les matériaux choisis résultent d'un compromis. Ainsi, on retient généralement une couche semi- conductrice et semi-transparente, comme certains oxydes tels ITO ou ZnO, ou encore des matériaux métalliques déposés en fine couche, dont l'épaisseur est inférieure à 5nm. L'invention a pour objet de pallier ces inconvénients en proposant un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique à base de semi-conducteurs de type nanofils qui rend inutile la présence d'une couche conductrice semi-transparente recouvrant la surface des nanofils. Ce procédé permet donc d'obtenir des dispositifs optoélectroniques pour lesquels il n'existe pratiquement pas de déperdition de la lumière émise. Ainsi, l'invention concerne un procédé de réalisation de dispositifs optoélectroniques, à base de semi-conducteurs de type nanofils, dans lequel : - des nanofils sont réalisés sur un substrat, lesdits nanofils présentant une structure de type guide d'ondes, - une première zone de contact électrique est réalisée au niveau du substrat, et - une deuxième zone de contact électrique est réalisée au niveau desdits nanofils, caractérisé en ce que la deuxième zone de contact électrique est prévue sur le pourtour des nanofils, sur une hauteur h déterminée de ceux-ci et à proximité de leur extrémité opposée au dit substrat, ainsi qu'entre lesdits nanofils, la face supérieure des nanofils étant découverte. Ce procédé est également caractérisé en ce que la deuxième zone de contact électrique est obtenue par dépôt d'une couche de matériau conducteur électrique. L'invention concerne un autre procédé de réalisation de dispositifs optoélectroniques, à base de semi-conducteurs de type nanofils. Ce procédé comporte les étapes suivantes : - l'obtention de nanofils sur un substrat, lesdits nanofils présentant une structure du type guide d'ondes, - le dépôt d'une couche de matériau pour remplir des interstices entre les nanofils, éventuellement ultérieurement planarisée, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes d'obtention d'une couche d'un matériau conducteur électrique sur le pourtour desdits nanofils, sur une hauteur h déterminée et au niveau de leur extrémité opposée au dit substrat, ainsi qu'entre lesdits nanofils, la face supérieure desdits nanofils étant à nu. Dans un mode préféré de mise en oeuvre de ce procédé de réalisation, les étapes d'obtention d'une couche d'un matériau conducteur électrique consistent en : - la gravure de ladite couche de matériau pour mettre à nu l'extrémité supérieure des nanofils sur une hauteur h déterminée, - le dépôt d'une couche de matériau conducteur électrique sur ladite hauteur h des nanofils, - le dépôt d'une autre couche d'un matériau pour remplir les interstices entre les nanofils, suivi éventuellement d'une étape de planarisation, - la gravure de ladite autre couche de matériau pour 5 découvrir la partie supérieure des nanofils, - la gravure de ladite couche de matériau conducteur électrique pour mettre à nu la face supérieure des nanofils, - le retrait du matériau conducteur électrique présent sur la face supérieure des nanofils et enfin, 10 - le retrait de l'autre couche de matériau encore présente sur le matériau conducteur électrique. Les procédés sont également caractérisés par les caractéristiques supplémentaires suivantes : - les nanofils sont dopés avec des porteurs appropriés pour 15 assurer une bonne continuité électrique entre le substrat et les nanofils, - le dopage des nanofils, sur la hauteur h, est réalisé avec des porteurs de conductivité opposée à celle des porteurs présents dans le reste des nanofils, - le contact entre les nanofils et le substrat est réalisé 20 directement ou indirectement, - des fils métalliques sont fixés au niveau de chacune desdites zones de contact électrique, et - une dernière couche de matériau dit phosphorescent est déposée de façon à recouvrir la face supérieure des nanofils. 25 L'invention concerne aussi un dispositif optoélectronique comportant au moins un semi-conducteur de type nanofil, présentant une structure du type guide d'ondes, avec deux zones de contact électrique, l'une d'elle étant située sur le pourtour dudit au moins un nanofil, à proximité de l'une de ses extrémités, la face supérieure dudit nanofil ne participant pas au 30 contact électrique. Ce dispositif est également caractérisé par les caractéristiques additionnelles suivantes : - la zone de contact électrique située sur le pourtour dudit au moins un nanofil est constituée par une couche d'un matériau conducteur électrique qui laisse à découvert la face supérieure du nanofil, - le dopage dudit au moins un nanofil, dans la zone de contact électrique située sur son pourtour, est réalisé avec des porteurs de conductivité opposée à celle des porteurs présents dans le reste du nanofil, et - le dispositif comprend une couche d'un matériau dit phosphorescent recouvrant la face supérieure dudit au moins un nanofil pour convertir la lumière issue dudit nanofil en lumière dite blanche. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, avantages et caractéristiques de celle-ci apparaitront plus clairement à la lecture de la description qui suit et qui est faite au regard des dessins annexés, sur lesquels les figures 1 à 10 représentent différentes étapes des procédés selon l'invention permettant l'obtention de dispositifs optoélectroniques, à base de semi-conducteurs de type nanofils. Les éléments communs aux différentes figures seront désignés par les mêmes références. Bien entendu, la description qui suit n'est donnée qu'à titre d'exemple et n'est absolument pas limitative. La première étape de ces procédés consiste à réaliser des nanofils sur un substrat, ces nanofils présentant une structure de type guide d'ondes. A titre d'exemple, sur un substrat de silicium orienté (111) 1 fortement dopé de type n et donc bon conducteur électrique, des nanofils peuvent être obtenus par tout procédé approprié. Ainsi, des nanofils de la famille de matériaux III-V pourront être obtenus par épitaxie, par jets moléculaires ou par MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) sans catalyseur. La densité des nanofils obtenus sera d'environ quelques 108cm"2 et ils présenteront une hauteur de 311m pour un diamètre d'environ 300nm. Lorsque le diamètre des nanofils est suffisamment important, on peut considérer que le champ optique du faisceau lumineux émis par les nanofils est essentiellement confiné à l'intérieur des nanofils. Ainsi, la déperdition du faisceau lumineux émis par les nanofils est très faible. Pour obtenir cette propriété, il est nécessaire que le diamètre des nanofils soit de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde divisée par l'indice de réfraction du nanofil. Les longueurs d'ondes considérées dans le cadre de la présente invention sont comprises entre 200nm et quelques microns. Il convient donc que les nanofils aient un diamètre supérieur à quelques centaines de nanomètres, compte tenu de l'indice optique du matériau. Ces nanofils seront constitués d'une jonction pn en matériau GaN, au milieu de laquelle seront présents trois puits quantiques d'InGaN. Par une mesure par photoluminescence, ces puits émettent à une longueur d'onde voisine de 450nm. Les nanofils sont dopés de type n au niveau du substrat, dans cet exemple, de façon à assurer une bonne continuité électrique entre le substrat et les nanofils. Comme il sera expliqué ultérieurement, au niveau de leur extrémité supérieure, opposée au substrat, les nanofils seront dopés avec des porteurs de type p. Ce dopage sera réalisé sur une hauteur déterminée h qui sera précisée dans la suite de la description. Enfin, les nanofils pourront être, soit en contact direct avec le substrat de silicium, soit en contact indirect avec celui-ci, une couche d'AIN, dopée avec des porteurs de type n et de faible épaisseur, étant alors intercalée entre le substrat et les nanofils. L'étape suivante consiste à déposer, sur la plaquette obtenue, une couche de matériau planarisantä de façon à remplir les interstices entre les nanofils. Le matériau utilisé peut être un polymère planarisant largement utilisé dans le domaine de la microélectronique, par exemple du type BCB ou polyimide. Dans le cas particulier décrit, le polymère utilisé est le polymère accuflo T27 de la société Honeywell. Comme l'illustre la figure 1, le matériau planarisant 3 remplit complètement l'espace entre les nanofils 2, tout en présentant sur le dessus une surface 30 plane et lisse. L'étape suivante, illustrée à la figure 2, consiste en une gravure de la couche de matériau planarisant 3. De façon connue, on utilise un bâti de gravure de type plasma Barrel ou RIE (Reactive Ion Etching) à base d'oxygène. Les paramètres retenus dépendent bien sûr de l'équipement utilisé. La vitesse de gravure retenue est typiquement de l'ordre de 50nm/min. Dans le bâti évoqué plus haut, le plasma d'oxygène créé permet de graver la couche de polymère planarisant de façon uniforme. En calibrant de façon appropriée la vitesse de gravure bien connue de l'homme de l'art, la couche 3 peut être gravée de façon à éliminer la partie 31 de la couche 3 qui dépasse des nanofils 2. La gravure est ensuite poursuivie pour que l'extrémité supérieure des nanofils débouche de la couche 3, sur une hauteur h déterminée. Par exemple, cette hauteur h peut être comprise entre 200 et 500nm. C'est sur cette hauteur que les nanofils ont préalablement été dopés avec des porteurs de type p. Il convient de souligner que contrairement à ce qu'illustrent les figures 1 et 2, les nanofils réalisés par épitaxie peuvent présenter des longueurs variables. En conséquence, le procédé de l'état de la technique décrit précédemment ne permettait de réaliser un contact, par l'intermédiaire de la couche semi-transparente conductrice, que pour les nanofils présentant une longueur suffisamment importante. Pour pouvoir réaliser un contact sur l'ensemble des nanofils, une étape préalable de polissage était nécessaire pour réduire la longueur des nanofils les plus longs. Comme cela apparaîtra dans la suite de la description, l'invention permet de réaliser un contact sur l'ensemble des nanofils, même s'ils présentent des tailles différentes, dans la mesure où la couche de matériau planarisante est gravée de façon suffisamment importante pour dégager l'ensemble des nanofils. L'étape suivante va être décrite en référence à la figure 3. Elle consiste à déposer une couche 4 d'un matériau conducteur électrique. Cette couche est continue. Cette couche de matériau conducteur électrique peut par exemple se présenter sous la forme de deux couches, l'une de nickel, l'autre d'or, ces couches étant déposées par évaporation sous vide, avec des épaisseurs respectives d'environ 20nm et 200nm. Cette évaporation peut être réalisée par des procédés classiques et par exemple dans un évaporateur assisté par faisceaux d'électrons, ou bien par pulvérisation cathodique. Dans ces conditions, les couches de nickel et d'or sont déposées à 0,5nm/s sous vide (pression de l'ordre de 10-' mbar). Les bords de la plaquette sont alors délimités par la technique classique dénommée "lift off' qui est notamment décrite dans � S . Wolf et R.N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era Vol.1, Lattice Press �. L'étape suivante est illustrée en référence à la figure 4. Elle consiste à déposer une couche 5 d'un matériau planarisant sur la couche 4 de matériau conducteur électrique. Le dépôt de cette couche 5 s'effectue de façon similaire à celui de la couche 3 qui a été décrite en référence à la figure 1. L'étape suivante est illustrée à la figure 5 qui est une étape de gravure de la couche 5 de matériau planarisant. Cette gravure peut être réalisée grâce au bâti mentionné précédemment avec un plasma d'oxygène. Les paramètres de la gravure sont choisis de façon à ce que les parties 40 de la couche 4 de matériau conducteur en contact avec la face supérieure 20 des nanofils soit apparente. Ainsi, comme l'illustre la figure 5, les parties 40 de la couche 4 dépassent légèrement de la surface 50 de la couche 51 restante. On comprend ici que la hauteur des nanofils peut être variable. Il suffit d'adapter les paramètres de gravure pour que toutes les parties 40 soient apparentes, la couche 51 gardant une hauteur sensiblement constante. La figure 6 illustre une autre étape de gravure. Cette étape consiste à graver la couche 4 de matériau conducteur, de façon à ce que le matériau conducteur présent sur la face supérieure 20 des nanofils soit retiré. En pratique, ceci revient à retirer les parties 40 de la couche 4. Dans le cas où la couche 4 est formée de deux couches, l'une d'or et l'autre de nickel : pour la couche d'or, la gravure est une gravure humide qui est réalisée avec une solution de type iodure de potassium; pour la couche de nickel, la gravure peut notamment être réalisée avec une solution de disulfate de peroxide d'ammonium mélangée avec du FeCI3 dans les proportions respectives 0,8mol/I et 0,09mol/I. La gravure se fait de préférence à 50°C et la vitesse de gravure est de l'ordre de 30nm/s pour le nickel, tandis qu'elle est de 20 nm/s pour l'or. La figure 7 illustre l'étape suivante consistant à complètement retirer la couche 51 de matériau planarisant restant. Ce retrait est obtenu par gravure avec un plasma d'oxygène. La figure 7 illustre le résultat obtenu. Ainsi, la figure 7 illustre pratiquement un dispositif optoélectronique selon l'invention. En effet, une des zones de contact électrique est réalisée sur la hauteur h des nanofils. Une couche de matériau conducteur électrique est présente à la fois sur la hauteur h des nanofils et entre les nanofils eux-mêmes. Du fait de la gravure intervenue à l'étape illustrée à la figure 6, la face supérieure 20 des nanofils 2 est découverte. Par contre, l'autre zone de contact électrique doit être créée sur la face libre 10 du substrat. La zone de contact sur le substrat 1 porte la référence 11. Comme indiqué précédemment, le substrat retenu dans l'exemple illustré est un substrat de silicium qui est dopé avec des porteurs de type n. Le substrat est donc conducteur et permettra d'injecter uniformément le courant dans les nanofils. Dans l'exemple illustré, il existe une continuité électrique entre le substrat et les nanofils. De façon classique, si cela est nécessaire, le dispositif obtenu peut être découpé par sciage en fonction de la taille désirée. La figure 9 illustre la dernière étape permettant de terminer le dispositif optoélectronique selon l'invention. Cette étape consiste à souder des fils métalliques 6 et 7, d'une part au niveau de la couche 4, et d'autre part au niveau de la zone de contact 11. La figure 10 illustre une variante de mise en oeuvre du procédé d'invention, dans laquelle est déposée, à la surface du dispositif, une couche supplémentaire 8 contenant un matériau dit phosphorescent, par exemple un grenat d'Yttrium aluminium, appelé couramment YAG (Yttrium Aluminium Garnet) dopé cerium. Ce matériau dit phosphorescent va permettre de convertir la lumière quasi-monochromatique issue de la diode, en lumière dite blanche, c'est-à-dire composée d'un spectre large en longueur d'onde. La description qui précède montre que le procédé selon l'invention permet d'obtenir un dispositif optoélectronique à base de semi- conducteurs électroniques de type nanofils, sans que soit nécessaire une couche conductrice semi-transparente recouvrant la surface des nanofils. Au niveau des nanofils., le contact électrique est obtenu par la présence d'un matériau conducteur sur le pourtour des nanofils, au niveau de leur extrémité opposée au substrat. Par ailleurs, la face supérieure des nanofils est complètement découverte. Ceci permet de réaliser un contact, du côté opposé au substrat, sans gêner l'émission de lumière depuis les nanofils. Par ailleurs, la solution selon l'invention permet d'augmenter la surface de contact r du nanofil, dès que la hauteur h de contact est supérieure à la moitié du rayon. En effet, pour un dispositif classique, la surface de contact est égale à icr2. Elle est égale à 2nrh pour un dispositif selon l'invention. Ceci entraine deux avantages substantiels : Il est possible de diminuer la résistance de contact, à dopage de couche constant. Ainsi, les dispositifs pourront fonctionner à une plus faible tension ou consommer moins à une tension constante. Ceci permet également de diminuer le dopage du nanofil sur la hauteur h destinée à être recouverte par les matériaux conducteurs et ceci, à résistance de contact constante. Ceci permettra de diminuer également l'absorption de lumière par les porteurs libres et donc d'augmenter l'efficacité d'extraction de lumière du dispositif optoélectronique obtenu. On comprend que dans la description qui précède, le dépôt d'une couche de matériau planarisant peut être remplacé par le dépôt d'une couche d'un matériau remplissant les interstices, suivi d'une étape de planarisation. Comme cela a été noté précédemment, le procédé selon l'invention permet de réaliser un contact pour tous les nanofils, même s'ils sont de hauteur différente, sans qu'il soit nécessaire de les polir au préalable. Enfin, le procédé selon l'invention permet d'obtenir des dispositifs optoélectroniques de type LED, diode laser, ou photo-détecteur. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de dispositifs optoélectroniques, à base de semi-conducteurs de type nanofils, dans lequel : - des nanofils (2) sont réalisés sur un substrat (1), lesdits nanofils présentant une structure de type guide d'ondes, - une première zone de contact électrique est réalisée au niveau du substrat, et - une deuxième zone de contact électrique est réalisée au niveau des nanofils, caractérisé en ce que la deuxième zone de contact électrique est prévue sur le pourtour des nanofils (2), sur une hauteur (h) déterminée de ceux-ci et à proximité de leur extrémité opposée audit substrat, ainsi qu'entre lesdits nanofils, la face supérieure (20) des nanofils étant découverte. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième zone de contact électrique est obtenue par dépôt d'une couche de matériau conducteur électrique. 3. Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique, à base de semi-conducteurs de type nanofils, comprenant les étapes suivantes: -obtention de nanofils (2) sur un substrat (1), lesdits nanofils présentant une structure du type guide d'ondes, - le dépôt d'une couche de matériau (3) pour remplir les interstices entre les nanofils, éventuellement ultérieurement planarisée, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes d'obtention d'une couche d'un matériau conducteur électrique (4) sur le pourtour desdits nanofils, sur une hauteur (h) déterminée et au niveau de leur extrémité opposée audit substrat, ainsi qu'entre lesdits nanofils, la face supérieure (20) des nanofils étant à nu. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel les étapes d'obtention d'une couche d'un matériau conducteur électrique (4) consistent en :- la gravure de ladite couche de matériau (3) pour mettre à nu l'extrémité supérieure des nanofils sur une hauteur (h) déterminée, - le dépôt d'une couche de matériau conducteur électrique (4) sur ladite hauteur (h) des nanofils, - le dépôt d'une autre couche d'un matériau (5) pour remplir les interstices entre les nanofils, suivi éventuellement d'une étape de planarisation, - la gravure de ladite autre couche de matériau (5) pour découvrir la partie supérieure des nanofils, - la gravure de la couche de matériau conducteur électrique (4) pour mettre à nu la face supérieure (20) des nanofils, - le retrait du matériau conducteur électrique présent sur la face supérieure (20) des nanofils, et enfin - le retrait de l'autre couche de matériau (51) encore présente sur le matériau conducteur électrique. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les nanofils sont dopés avec des porteurs appropriés pour assurer une bonne continuité électrique entre le substrat (1) et les nanofils (2). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le dopage des nanofils (2), sur la hauteur (h), est réalisé avec des porteurs de conductivité opposée à celle des porteurs présents dans le reste des nanofils. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le contact entre les nanofils et le substrat est réalisé directement ou indirectement. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel des fils métalliques (6, 7) sont fixés au niveau de chacune desdites zones de contact électrique. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel une dernière couche de matériau dit phosphorescent (8) est déposée de façon à recouvrir la face supérieure (20) des nanofils. 10. Dispositif optoélectronique comportant au moins un semi-conducteur de type nanofil, présentant une structure de type guide d'ondes,avec deux zones de contact électrique, l'une d'elles étant située sur le pourtour dudit au moins un nanofil (2), à proximité de l'une de ses extrémités, la face supérieure (20) dudit nanofil ne participant pas au contact électrique. 11. Dispositif optoélectronique selon la revendication 10, dans lequel la zone de contact électrique située sur le pourtour dudit au moins un nanofil est constituée par une couche d'un matériau conducteur électrique (4) qui laisse à découvert la face supérieure (20) du nanofil. 12. Dispositif selon les revendications 10 ou 11, dans lequel le dopage dudit au moins un nanofil (:2), dans la zone de contact électrique située sur son pourtour, est réalisé avec des porteurs de conductivité opposée à celle des porteurs présents dans le reste du nanofil. 13. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 12, comprenant une couche d'un matériau dit phosphorescent (8) recouvrant la face supérieure (20) dudit au moins un nanofil (2) pour convertir la lumière issue dudit nanofil en lumière dite blanche.