Brevet FR2918301A1 — publié le 20090109

REVETEMENT BARRIERE DEPOSE PAR PLASMA COMPRENANT AU MOINS TROIS COUCHES, PROCEDE D'OBTENTION D'UN TEL REVETEMENT ET RECIPIENT REVETU D'UN TEL REVETEMENT La présente invention a pour domaine d'application les revêtements barrières en couche mince déposés par mise en oeuvre d'un plasma à faible pression, c'est-à-dire à une pression inférieure à la pression atmosphérique, et plus précisément à une pression de l'ordre de 5.10"4 bar. De manière courante, il est injecté un fluide réactionnel, en général à l'état gazeux, sous faible pression dans une zone de traitement afin d'obtenir de tels revêtements. Un champ électromagnétique est formé dans la zone de traitement afin de porter ce fluide à l'état de plasma, c'est-à-dire pour en provoquer une ionisation au moins partielle. Les particules issues de cette ionisation peuvent alors se déposer sur les parois de l'objet placé dans la zone de traitement. Les dépôts par plasmas à basse pression, ou plasmas froids, permettent de déposer des couches minces sur des objets en matière plastique, par exemple des films ou des récipients, notamment dans le but de diminuer la perméabilité aux gaz, tels que l'oxygène et le dioxyde de carbone. Il est ainsi possible d'utiliser une telle technologie pour revêtir d'un matériau barrière les bouteilles en plastique destinées à conditionner des produits sensibles à l'oxygène, tels que la bière ou les jus de fruits, ou des produits carbonatés tels que les sodas. Un dispositif permettant de recouvrir la face interne ou externe d'une bouteille en plastique avec un revêtement barrière est par exemple décrit dans le document WO99/49991. Il est ainsi connu du document FR 2 812 568 au nom de la Demanderesse de réaliser un procédé mettant en oeuvre un plasma à basse pression pour déposer un revêtement barrière sur un substrat à traiter, du type dans lequel le plasma est obtenu par ionisation partielle, sous l'action d'un champ électromagnétique, d'un fluide30 réactionnel injecté sous faible pression dans une zone de traitement, le procédé comportant au moins une étape consistant à déposer sur le substrat une couche d'interface qui est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé et un composé azoté, et une étape consistant à déposer, sur la couche d'interface, une couche barrière, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx. Toutefois, même si le revêtement barrière obtenu selon le procédé décrit dans le document FR 2 812 568 est satisfaisant, il serait particulièrement intéressant d'améliorer les propriétés barrières du récipient en plastique obtenu pour ainsi augmenter le temps de conservation des boissons conditionnées dans ces récipients tout en conservant leurs qualités nutritives. Il serait également particulièrement intéressant, par rapport aux procédés selon l'art antérieur, de réaliser un procédé de dépôt par plasma de couches barrières internes qui serait facile à mettre en oeuvre d'un point de vue industriel en ne nécessitant pas un réglage trop précis. Pour ce faire, selon un premier de ses aspects, la présente invention porte sur un procédé mettant en oeuvre un plasma à faible pression pour déposer un revêtement barrière sur un substrat, du type dans lequel le plasma est obtenu par ionisation partielle, sous l'action d'un champ électromagnétique, d'un fluide réactionnel injecté sous faible pression dans une zone de traitement, le procédé comportant au moins une étape consistant à déposer sur le substrat une première couche qui est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé et un composé azoté, et une étape consistant à déposer, sur la première couche, une deuxième couche composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx, caractérisé en ce que ledit procédé comporte au moins une étape consistant à déposer, sur la deuxième couche, une troisième couche qui est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé et un composé azoté. Avantageusement, l'étape consistant à déposer une deuxième couche composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé, un composé azoté et de l'oxygène. Selon un mode de réalisation avantageux, le composé azoté est de l'azote gazeux. De manière avantageuse, le composé organosilicé est un organosiloxane, préférentiellement de l'hexaméthyldisiloxane, du triméthydisiloxane ou du triméthylsilane. 10 De manière avantageuse, afin de réduire le temps total pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, les étapes s'enchaînent en continu de telle sorte que, dans la zone de traitement, le fluide réactionnel demeure à l'état de plasma lors des transitions des différentes étapes. 15 Avantageusement, pour une zone de traitement présentant un volume de 500 mL, le débit d'injection de l'hexaméthyldisiloxane est compris entre 4 et 12 sccm, et est préférentiellement de 5 sccm, le débit d'injection de l'azote gazeux est compris entre 10 et 100 sccm, et est préférentiellement de 30 sccm, le débit d'injection du dioxygène est compris entre 40 et 120 sccm, la puissance microondes appliquée est 20 comprise entre 200 et 500 W, et est préférentiellement de 350 W. Afin de permettre une cadence de production la plus élevée possible, le temps de dépôt de la première couche est compris entre 0.2 et 2 secondes, en ce que le temps de dépôt de la deuxième couche est compris entre 1 et 4 secondes et en ce que le 25 temps de dépôt de la troisième couche est compris entre 0.2 et 2 secondes, le temps total du procédé étant compris entre 2.4 et 4 secondes. Selon un second de ses aspects, la présente invention porte également sur un revêtement barrière déposé sur un substrat par plasma à basse pression, comportant 30 une première couche barrière, déposée sur le substrat, composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène, ainsi qu'une deuxième couche barrière, déposée sur la première couche barrière, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx, le revêtement étant caractérisé en ce qu'il comporte une troisième couche barrière, déposée sur la deuxième couche barrière,5 composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène. De manière avantageuse, l'épaisseur des première et troisième couches est inférieure à 20 nm, et de manière préférentielle est d'environ 4 nm. Avantageusement, la première couche et la troisième couche ont sensiblement la même composition chimique. Selon une forme de réalisation avantageuse du revêtement selon l'invention, la deuxième couche est composé essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx avec x compris entre 1.8 et 2.1. De manière avantageuse, la première couche et/ou la troisième couche présentent une composition chimique de formule SiOxCyHzNu, la valeur de x étant comprise entre 1 et 1.5, et préférentiellement de 1.25, la valeur de y étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 1.5, la valeur de z étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 0.85, et la valeur de u étant comprise entre 0.1 et 1, et est préférentiellement de 0.5. De manière supplémentaire, le revêtement selon l'invention comprend une quatrième couche, déposée sur la troisième couche, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx ainsi qu'une cinquième couche, déposée sur la quatrième couche, composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène. Selon un troisième de ses aspects, la présente invention porte également sur un récipient en matière polymère, caractérisé en ce qu'il est recouvert, sur au moins une de ses faces, d'un revêtement barrière tel que précédemment indiqué. Avantageusement, le récipient est revêtu d'un revêtement barrière sur sa face interne. De manière avantageuse, le récipient est une bouteille en polyéthylène téréphtalate. La présente invention est maintenant décrite à l'aide d'un exemple uniquement illustratif et nullement limitatif de la portée de l'invention et à partir de l'illustration suivante dans laquelle la figure 1 est une vue schématique en coupe axiale d'un mode de réalisation possible d'un poste de traitement approprié pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. L'invention est par la suite décrite dans le cadre du traitement de récipients en matière plastique, et plus précisément sous la forme d'un dispositif et d'un procédé permettant le revêtement de la face interne d'un récipient en matière plastique, tel qu'une bouteille. Le poste 10 de traitement peut par exemple faire partie d'une machine rotative comportant un carrousel animé d'un mouvement continu de rotation autour d'un axe vertical. Le poste 10 de traitement comporte une enceinte 14 réalisée en matériau conducteur de l'électricité et formée d'une paroi cylindrique tubulaire 18 d'axe Al vertical. L'enceinte 14 est fermée à son extrémité inférieure par une paroi inférieure de fond 20. 20 A l'extérieur de l'enceinte 14, fixé à celle-ci, on trouve un boîtier 22 qui comporte des moyens (non représentés) pour créer à l'intérieur de l'enceinte 14 un champ électromagnétique apte à générer un plasma et qui sont notamment aptes à générer un rayonnement électromagnétique dans le domaine UHF, c'est-à-dire dans le domaine 25 des micro-ondes. Dans ce cas, le boîtier 22 peut donc renfermer un magnétron dont l'antenne 24 débouche dans un guide d'onde 26 se présentant, par exemple, sous la forme d'un tunnel de section rectangulaire qui débouche directement à l'intérieur de l'enceinte 14, au travers de la paroi latérale 18. Toutefois, l'invention pourrait aussi être mise en oeuvre dans le cadre d'un dispositif muni d'une source de rayonnement 30 de type radiofréquence, et/ou la source pourrait aussi être agencée différemment, par exemple à l'extrémité axiale inférieure de l'enceinte 14. A l'intérieur de l'enceinte 14, on trouve un tube 28 d'axe Al qui est réalisé avec un matériau transparent, par exemple en quartz, pour les ondes électromagnétiques15 introduites dans l'enceinte 14 via le guide d'onde 26. Ce tube 28 est destiné à recevoir un récipient à traiter et délimite une cavité 32 dans laquelle il sera créé une dépression une fois le récipient à l'intérieur de l'enceinte. L'enceinte 14 est partiellement refermée à son extrémité supérieure par une paroi supérieure 36 qui est pourvue d'une ouverture centrale de telle sorte que le tube 28 soit totalement ouvert vers le haut pour permettre l'introduction du récipient 30 dans la cavité 32. Pour refermer l'enceinte 14 et la cavité 32, le poste 10 de traitement comporte un couvercle 34 qui est mobile axialement entre une position haute (non représentée) et une position basse de fermeture étanche illustrée à la figure 1 où le couvercle 34 vient en appui de manière étanche contre la face supérieure de la paroi supérieure 36 de l'enceinte 14. Le couvercle 34 porte des moyens 54 de support du récipient de type connu en soi, sous la forme d'une cloche à griffes qui vient s'engager ou s'encliqueter autour du col, de préférence sous la collerette du récipient (les récipients étant préférentiellement des bouteilles en matériau thermoplastique, par exemple en polyéthylène téréphtalate (PET) et comportent une collerette en excroissance radiale à la base de leur col). Le traitement interne du récipient impose de pouvoir contrôler à la fois la pression et la composition des gaz présents à l'intérieur du récipient. Pour cela, l'intérieur du récipient doit pouvoir être mis en communication avec une source de dépression et avec un dispositif d'alimentation en fluide réactionnel 12. Ce dernier comporte donc une source 16 de fluide réactionnel relié par une tubulure 38 à un injecteur 62 qui est agencé selon l'axe A 1 et qui est mobile par rapport au couvercle 34 entre une position haute escamotée (non représentée) et une position basse dans laquelle l'injecteur 62 est plongé à l'intérieur du récipient 30, au travers du couvercle 34. Une vanne commandée 40 est interposée dans la tubulure 38 entre la source 16 de fluide et l'injecteur 62. Pour que le gaz injecté par l'injecteur 62 puisse être ionisé et former un plasma sous l'effet du champ électromagnétique créé dans l'enceinte, il est nécessaire que la pression dans le récipient soit inférieure à la pression atmosphérique, par exemple de l'ordre de 5.104 bar. Pour mettre en communication l'intérieur du récipient avec une source de dépression (par exemple une pompe), le couvercle 34 comporte un canal interne 64 dont une terminaison principale débouche dans la face inférieure du couvercle, plus précisément au centre de la surface d'appui contre laquelle est plaqué le col de bouteille 30. Dans l'exemple illustré, le canal 64 interne du couvercle 24 comporte une extrémité de jonction 66 et le circuit de vide de la machine comporte une extrémité fixe 68 qui est disposée de telle sorte que les deux extrémités 66, 68 soient en regard l'une de l'autre lorsque le couvercle est en position de fermeture. Le fonctionnement du dispositif qui vient d'être décrit peut donc être le suivant. Une fois le récipient chargé sur la cloche à griffes 54, le couvercle s'abaisse vers sa position de fermeture. Dans le même temps, l'injecteur s'abaisse au travers de la terminaison principale 65 du canal 64, mais sans l'obturer. Lorsque le couvercle en position de fermeture, il est possible d'aspirer l'air contenu dans la cavité 32, laquelle se trouve reliée au circuit de vide grâce au canal interne 64 du couvercle 34. Dans un premier temps, la soupape est commandée pour être ouverte si bien que la pression chute dans la cavité 32 à la fois à l'extérieur et à l'intérieur du récipient. Lorsque le niveau de vide à l'extérieur du récipient a atteint un niveau suffisant, le système commande la fermeture de la soupape. Il est alors possible de continuer le pompage exclusivement à l'intérieur du récipient 30. Une fois la pression de traitement atteinte, le traitement peut commencer selon le procédé de l'invention. Il est alors dans un premier temps procédé à l'injection dans la zone de traitement d'un mélange d'un composé organisilicé, par exemple un organosiloxane, et préférentiellement d'hexaméthyldisiloxane (HMDSO), et d'azote gazeux (N2) pendant un temps T 1, de préférence inférieur à une seconde.30 Puisque les organosiloxanes, tels que le HMDSO, le triméthydisiloxane, le triméthylsilane et le tétraméthylsiloxane (TMDSO), sont généralement liquides à température ambiante (en général aux alentours de 20-25 C), et afin de les injecter dans la zone de traitement sous forme gazeuse, il est soit utilisé un gaz porteur qui, dans un bulleur, se combine à des vapeurs de l'organosiloxane, soit travaillé à la pression de vapeur saturante de l'organosiloxane. En général, le gaz porteur est un gaz rare, tel que l'hélium ou l'argon, même s'il est préférentiellement utilisé l'azote gazeux (N2) comme gaz porteur. Des microondes sont alors appliquées pendant un temps T2, ce qui permet de porter à l'état de plasma le: mélange gazeux injecté, T2 correspondant au temps nécessaire pour déposer une première couche interne sur le substrat à traiter, à savoir un film ou la face interne d'un récipient en matière plastique, telle que du PET. Préférentiellement, afin d'obtenir la première couche barrière sur le substrat, pour une zone de traitement présentant un volume de 500 mL, le débit d'injection de l'hexaméthyldisiloxane est compris entre 4 et 12 sccm (standard centimètre cube par minute), et est préférentiellement de 5 sccm, le débit d'injection de l'azote gazeux (N2) est compris entre 10 et 100 sccm, et est préférentiellement de 30 sccm, et la puissance microondes appliquée est comprise entre 200 et 500 W, et est préférentiellement de 350 W. Le temps de dépôt de la première couche est compris entre 0.2 et 2 secondes, ce qui permet d'obtenir une première couche barrière dont l'épaisseur est d'environ 4 nm. La première couche formée est ainsi composée d'atomes de silicium Si, d'atomes de carbone C, d'atomes d'oxygène O, d'atomes d'azote N et d'atomes d'hydrogène H et présente une composition chimique de formule SiOxCyHzNu, la valeur de x étant comprise entre 1 et 1.5, et préférentiellement de 1.25, la valeur de y étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 1.5, la valeur de z étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 0.85, et la valeur de u étant comprise entre 0.1 et 1, et est préférentiellement de 0.5. De manière préférentielle, la proportion de la première couche est d'environ 20% d'atomes de silicium, environ 25% d'atomes d'oxygène, environ 30% d'atomes de carbone, environ 10% d'atomes d'azote et environ 15% d'atomes d'hydrogène. Afin de former une deuxième couche barrière composée essentiellement d'un oxyde de silicium de type SiOx sur la première couche barrière, il est injecté dans la zone de traitement en plus du mélange de HMDSO et de N2 une quantité d'oxygène pendant un temps T3. De manière préférentielle, il est prévu d'injecter de l'azote gazeux lors de l'étape du dépôt de la seconde couche, même si l'azote n'est pas nécessaire pour l'obtention d'une couche de type SiOx. Des microondes sont alors appliquées pendant un temps T4, ce qui correspond au temps nécessaire pour former la deuxième couche de type SiOx. En effet, l'oxygène, largement excédentaire dans le plasma lors de son injection, provoque l'élimination presque complète (les atomes de carbone, d'azote et d'hydrogène qui sont apportés soit par le HMDSO, soit par l'azote. Préférentiellement, afin d'obtenir la seconde couche barrière de type SiOx, pour une zone de traitement présentant un volume de 500 mL, le débit d'injection de l'hexaméthyldisiloxane est compris entre 4 et 12 sccm, et est préférentiellement de 5 sccm, le débit d'injection de l'azote gazeux est compris entre 10 et 100 sccm, et est préférentiellement de 30 sccm, le débit d'injection du dioxygène est compris entre 40 et 120 sccm, la puissance microondes appliquée est comprise entre 200 et 500 W, et est préférentiellement de 350 W. Le temps de dépôt pour la seconde couche est compris entre 1 et 4 secondes. De manière avantageuse, les débits en HMDSO et en N2 ne sont donc pas modifiés entre l'étape de formation de la première couche barrière et l'étape de formation de la seconde couche barrière, permettant une formation en continu des différentes couches sans temps d'arrêt entre les différentes étapes. Il est ainsi obtenu un matériau de type SiOx où x exprime le rapport de la quantité d'oxygène par rapport à la quantité de silicium et qui est généralement compris entre 1.5 et 2.2 suivant les conditions opératoires utilisées, et est préférentiellement compris entre 1.8 et 2.1. Bien entendu, des impuretés dues au mode d'obtention peuvent s'incorporer en faibles quantités dans cette couche sans en modifier de manière significative les propriétés. La deuxième couche se présente essentiellement sous la forme d'un oxyde de silicium de type SiOx. Il a ainsi pu être constaté que la composition chimique de la deuxième couche est constituée d'environ 30% d'atomes de silicium, d'environ 63% d'atomes d'oxygène, d'environ 3% d'atomes de carbone et d'environ 4% d'atomes d'hydrogène. Après l'arrêt d'injection de dioxygène 02, il est ensuite injecté dans la zone de traitement un mélange de HMDSO et de N2 et il est appliqué des microondes pendant un temps T5, ce qui résulte au dépôt d'une troisième couche barrière sur la deuxième couche. Préférentiellement, afin d'obtenir la troisième couche barrière, pour une zone de traitement présentant un volume de 500 mL, le débit d'injection de l'hexaméthyldisiloxane est compris entre 4 et 12 sccm, et est préférentiellement de 5 sccm, le débit d'injection de l'azote gazeux est compris entre 10 et 100 sccm, et est préférentiellement de 30 sccm, la puissance microondes appliquée est comprise entre 200 et 500 W, et est préférentiellement de 350 W. Le temps de dépôt de la troisième couche est compris entre 0.2 et 2 secondes. De la sorte, il est obtenu une troisième couche barrière dont l'épaisseur est d'environ 4 nm. De nouveau, il est préférentiellement injecté dans la zone de traitement les mêmes débits en HMDSO et en N2 que lors des étapes de formation des première et seconde couches. Le temps total pour procéder aux dépôts des trois couches selon le procédé de l'invention est compris entre 2,4 secondes et 4 secondes, ce qui permet d'atteindre des cadences de production de récipients revêtus compris entre 10 000 récipients/heure à 30 000 récipients/heure. Préférentiellement, les vitesses de dépôt pour la première et la troisième couche sont comprises entre 6 et 12 nm/s, de préférence autour de 9 nmis, et la vitesse de dépôt pour la deuxième couche, de type SiOx, est comprise entre 2 et 6 nm/s, et de préférence autour de 4 nm/s. La troisième couche ainsi formée est composée d'atomes de silicium Si, d'atomes de carbone C, d'atomes d'oxygène O, d'atomes d'azote N et d'atomes d'hydrogène H. Plus précisément, de manière préférentielle, la troisième couche présente une composition chimique de formule SiOxCyHzNu, la valeur de x étant comprise entre 1 et 1.5, et est préférentiellement de 1.25, la valeur de y étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 1.5, la valeur de z étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 0.85, et la valeur de u étant comprise entre 0.1 et 1, et est préférentiellement de 0.5. Selon un mode de réalisation préférentiel, la troisième couche contient environ 20% d'atomes de silicium, environ 25% d'atomes d'oxygène, environ 30% d'atomes de carbone, environ 10% d'atomes d'azote et environ 15% d'atomes d'hydrogène. Bien que de manière préférentielle, la première couche et la troisième couche soient sensiblement identiques et présentent toutes deux une épaisseur inférieure à 20 nm, et préférentiellement de 4 nm, il est également possible que la première couche soit différente de la troisième couche en terme de composition chimique, même si les première et troisième couches sont toujours composées d'atomes de silicium Si, d'atomes de carbone C, d'atomes d'oxygène O, d'atomes d'azote N et d'atomes d'hydrogène H. Par ailleurs, il convient de noter que les différentes couches formées sur le substrat, et plus particulièrement les différentes couches internes formées à l'intérieur du récipient peuvent comporter d'autres éléments (à savoir d'autres éléments que le Si, C, O, H et N pour les première et troisième couches et: Si et O pour la deuxième couche) en quantités faibles ou à l'état de trace, ces autres composants provenant alors d'impuretés contenues dans les fluides réactionnels utilisés ou tout simplement d'impuretés dues à ]a présence d'air résiduel encore présent en fin de pompage. Après arrêt des microondes et arrêt de l'injection d'un mélange gazeux, le récipient est ensuite remis à la pression atmosphérique. De manière préférentielle, la source 16 réactionnelle, telle que représentée schématiquement sur la figure 1, est constituée d'une première source gazeuse contenant un mélange de HMDSO et d'azote N2 et d'une seconde source gazeuse contenant du dioxygène 02. Les différentes étapes pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention peuvent être réalisées sous la forme d'étapes parfaitement séparées ou, au contraire, sous la forme de plusieurs étapes enchaînées, sans que le plasma ne s'éteigne entre les deux. 10 Le revêtement barrière ainsi obtenu se révèle particulièrement performant quant au taux de perméabilité d'oxygène. Ainsi, une bouteille standard en PET (polyéthylène téréphtalate) de 500 ml sur laquelle il n'a pas été déposé de couches barrières présente un taux de perméabilité de 0.04 centimètre cube d'oxygène entrant dans la bouteille par jour. 15 Après application des trois couches selon le procédé de l'invention, le taux de perméabilité est de 0.001 centimètre cube d'oxygène entrant dans la bouteille par jour mesuré à 1 bar, soit une amélioration d'un facteur 40 de la valeur du taux de perméabilité à l'oxygène par rapport à un récipient en PET selon l'art antérieur non 20 revêtu. Le procédé selon l'invention permet donc d'obtenir un facteur d'amélioration de la barrière à l'oxygène pour un récipient au moins égal à 40 fois. 25 Par ailleurs, il convient de noter, qu'afin de renforcer l'effet barrière et l'imperméabilité à l'oxygène, il est possible de prévoir une quatrième couche, déposée sur la troisième couche, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx ainsi qu'une cinquième couche, déposée sur la quatrième couche, composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et 30 d'hydrogène. Dans ce cas, la quatrième couche peut avoir sensiblement la même composition chimique que la deuxième couche et peut être obtenue dans des conditions similaires de débits et de mélange gazeux injecté tandis que la cinquième couche peut avoir5 sensiblement la même composition chimique que les première et troisième couches et peut être obtenue dans des conditions similaires de débits et de mélange gazeux injecté. De manière générale, il est ainsi possible de prévoir de déposer une alternance de (2n+1) couches barrières sur le substrat (et préférentiellement sur la face interne d'une bouteille), ri étant un nombre entier supérieur ou égal à 1, avec les première, troisième, (2n+1)-ième couches composées essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène, tandis que les deuxième, quatrième, (2n)-ième couches sont composées essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx. La Demanderesse a ainsi pu constater qu'en multipliant le nombre d'interfaces du type SiOxCyHzNu/SiOx, il apparaît une amélioration très nette de l'effet barrière, tout en bénéficiant d'une meilleure maitrise du procédé de dépôt, d'où une facilité de mise en oeuvre d'un point de vue industriel. REVENDICATIONS 1. Procédé mettant en oeuvre un plasma à faible pression pour déposer un revêtement barrière sur un substrat, du type dans lequel le plasma est obtenu par ionisation partielle, sous l'action d'un champ électromagnétique, d'un fluide réactionnel injecté sous faible pression dans une zone de traitement, le procédé comportant au moins une étape consistant à déposer sur le substrat une première couche qui est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé et un composé azoté, et une étape consistant à déposer, sur la première couche, une deuxième couche composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx, caractérisé en ce que ledit procédé comporte au moins une étape consistant à déposer, sur la deuxième couche, une troisième couche qui est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé et un composé azoté. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape consistant à déposer une deuxième couche composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé, un composé azoté et de l'oxygène. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le composé azoté est de l'azote gazeux. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le composé organosilicé est un organosiloxane, préférentiellement de l'hexaméthyldisiloxane, du triméthydisiloxane ou du triméthylsilane. 30 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les étapes s'enchaînent en continu de telle sorte que, dans la zone de traitement, le fluide réactionnel demeure à l'état de plasma lors des transitions des différentes étapes.25 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, pour une zone de traitement présentant un volume de 500 mL, le débit d'injection de l'hexaméthyldisiloxane est compris entre 4 et 12 sccm, et est préférentiellement de 5 sccm, le débit d'injection de l'azote gazeux est compris entre 10 et 100 sccm, et est préférentiellement de 30 sccm, le débit d'injection du dioxygène est compris entre 40 et 120 sccm, la puissance microondes appliquée est comprise entre 200 et 500 W, et est préférentiellement de 350 W. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le temps de dépôt de la première couche est compris entre 0.2 et 2 secondes, en ce que le temps de dépôt de la deuxième couche est compris entre 1 et 4 secondes et en ce que le temps de dépôt de la troisième couche est compris entre 0.2 et 2 secondes, le temps total du procédé étant compris entre 2.4 et 4 secondes. 8. Revêtement barrière déposé sur un substrat par plasma à basse pression, comportant une première couche barrière, déposée sur le substrat, composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène, ainsi qu'une deuxième couche barrière, déposée sur la première couche barrière, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx, le revêtement étant caractérisé en ce qu'il comporte une troisième couche barrière, déposée sur la deuxième couche barrière, composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène. 9. Revêtement selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'épaisseur des première et troisième couches est inférieure à 20 nm, et de manière préférentielle est d'environ 4 nm. 10. Revêtement selon l'une quelconque des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que la première couche et la troisième couche ont sensiblement la même composition chimique. 11. Revêtement selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que la deuxième couche est composé essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx avec x compris entre 1.8 et 2.1. 12. Revêtement selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que la première couche et/ou la troisième couche présentent une composition chimique de formule SiOxCyHzNu, la valeur de x étant comprise entre 1 et 1.5, et préférentiellement de 1.25, la valeur de y étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 1.5, la valeur de z étant comprise entre 0.5 et 2, et est préférentiellement de 0.85, et la valeur de u étant comprise entre 0.1 et 1, et est préférentiellement de 0.5. 13. Revêtement selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend une quatrième couche, déposée sur la troisième couche, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx ainsi qu'une cinquième couche, déposée sur la quatrième couche, composée essentiellement de silicium, de carbone, d'oxygène, d'azote et d'hydrogène. 14. Récipient en matière polymère, caractérisé en ce qu'il est recouvert, sur au moins une de ses faces, d'un revêtement barrière selon l'une quelconque des revendications 8 à 13. 15. Récipient selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il est revêtu d'un revêtement barrière sur sa face interne. 16. Récipient selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il s'agit d'une bouteille en polyéthylène téréphtalate.25