Brevet FR2911598A1 — publié le 20080725

PROCEDE DE RUGOSIFICATION DE SURFACE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine de la réalisation de microstructures ainsi que le traitement de substrats en matériaux semi-conducteurs. Certaines opérations, telles que des opérations de collage, imposent en microélectronique de disposer de surfaces à coller aussi lisses que possibles. Par contre, la réalisation de certains dispositifs, et notamment du type mettant en oeuvre une membrane ou une partie mobile, peuvent nécessiter d'avoir recours à des surfaces, en regard l'une de l'autre mais ne pouvant pas adhérer l'une à l'autre, afin justement de pouvoir éviter des collages intempestifs de la membrane sur la surface située en regard et de pouvoir maintenir la mobilité de cette membrane. Ainsi le document FR 2 857 953 divulgue un tel procédé de réalisation de structures de type BSOI dans lequel on réalise une zone dite structurée, permettant d'éviter de coller à une autre surface. Ce type de structures trouve un intérêt dans le domaine des MEMS, et plus particulièrement dans le cas où la membrane superficielle de silicium doit être libérée pour la fabrication de capteurs. Au moment de l'étape de libération de la membrane, étape qui comporte par exemple une attaque de l'oxyde sous-jacent, ou pendant le fonctionnement du capteur, il arrive que cette membrane se colle au substrat, induisant ainsi un dysfonctionnement du composant. Comme expliqué dans le document ci-dessus, un substrat BSOI qui comporte une interface enterrée rugueuse permet de palier ce problème : la rugosité de l'interface enterrée évite tout collage entre la membrane et le support. Dans le document FR 2 857 953 la rugosification de la surface met en oeuvre diverses techniques, par exemple un amincissement mécanique et/ou chimique (polissage mécano-chimique, grinding, gravure TMAH ou HF/HNO3). Ces techniques peuvent créer des défauts à la surface du substrat semi-conducteur (et même en profondeur du substrat dans le cas du grinding) qui pourront lors de la fabrication du substrat BSOI antisticking (anti-adhérent) spécifique générer des défauts (par exemple des défauts de collage ou des défauts structuraux dans la couche SOI). Dans le cas où le substrat rugosifié est aminci pour devenir la couche active, ces défauts peuvent gêner la réalisation de certains types de composants. La rugosification peut aussi se faire par le dépôt d'un matériau non monocristallin, donc différent du substrat monocristallin. Le matériau déposé a alors des propriétés physiques - par exemple une conductivité thermique et/ou électrique - différentes de celles du substrat de départ ce qui, là aussi, peut gêner certaines applications. Il se pose donc le problème de trouver un autre procédé permettant de réaliser une surface rugueuse sur un substrat, sans accroître la densité de défauts du substrat initial et sans modifier ses principales caractéristiques physiques. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention permet la réalisation d'un premier substrat monocristallin semiconducteur à surface rugosifiée. Ce premier substrat rugosifié est un matériau homogène présentant une très faible densité de défauts, identique à celle du substrat de départ (du Si monocristallin par exemple). Ce substrat rugosifié peut être ensuite utilisé pour la réalisation de structures antisticking, c'est-à-dire des structures BSOI ayant une interface enterrée rugosifiée. L'invention concerne en particulier un procédé de formation d'une interface rugueuse ou d'une topologie dans un substrat semi-conducteur, comportant : - la formation, sur une surface dudit substrat, d'une zone d'irrégularités en un matériau pouvant être oxydé et/ou ne faisant pas écran à une oxydation thermique, - la formation d'une interface rugueuse dans le substrat semi-conducteur par oxydation thermique de, ou à travers, ce matériau et d'une partie du substrat semi-conducteur. Selon la présente invention on dépose ou on forme sur une surface du premier substrat un matériau ayant une topologie, ou une rugosité, d'amplitude supérieure à la topologie, ou rugosité initiale, de ladite surface du substrat, puis on oxyde ce matériau et au moins une partie du substrat, ou on oxyde une partie de ce substrat à travers ce matériau. L'étape d'oxydation peut être une étape 5 d'oxydation thermique sèche ou humide à des températures comprises entre 950 C et 1200 C. Les conditions de l'étape d'oxydation sont adaptées de manière à permettre d'oxyder au moins entièrement le matériau ajouté sur le premier substrat. 10 Le front d'oxydation atteint également le substrat de façon préférentielle. Selon un mode de réalisation, on forme une couche, homogène ou hétérogène, sur le premier substrat, cette couche étant rugueuse et ayant une 15 épaisseur d comprise par exemple entre 100 nm et 1 }gym. Cette couche n'agit pas comme barrière à l'oxydation. Le substrat est par exemple un matériau semi-conducteur tel que le silicium, et la couche est alors, par exemple, en Silicium polycristallin. 20 La topologie ou la rugosité de surface initiale du matériau ou de la couche formée sur la surface du premier substrat est transférée au substrat par oxydation de ce matériau ou de cette couche, ou par oxydation à travers ce matériau (si c'est un oxyde par 25 exemple). La consommation totale par oxydation de la couche déposée va permettre d'éliminer des défauts, notamment cristallins, de la couche p-Si déposée. Le front d'oxydation atteint ensuite le substrat initial. 30 On se retrouve donc avec un oxyde superficiel (par exemple issu de la consommation du matériau poly-Si et d'une partie du substrat) et un substrat Si initial (de préférence monocristallin) dont la densité de défauts est identique ou comparable à celle du substrat de départ. L'interface oxyde/silicium est rugueuse, la rugosité de surface du matériau déposé ayant été transférée au cours de l'avancée du front d'oxydation. Eventuellement l'oxyde peut ensuite être retiré et un nouveau dépôt d'oxyde ou une nouvelle oxydation peut être effectuée sur la surface rugueuse du substrat. L'oxyde initial ou nouveau peut donc subir un polissage mécano-chimique dans l'optique d'un collage par adhésion moléculaire. On peut ainsi réaliser un assemblage avec un autre substrat ayant subi un traitement selon l'invention ou avec un substrat massif ou bulk, non traité. Dans les deux cas une partie de l'assemblage, par exemple l'un des deux substrats assemblés, peut ensuite être traitée, par exemple par amincissement. La rugosité ou la topologie peut être formée par le dépôt d'une couche en oxyde de silicium ou d'une couche en polysilicium ou en silicium amorphe. Selon encore un autre mode de réalisation, la rugosité ou la topologie peut être induite par le dépôt de particules à la surface du substrat. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - Les figures 1A-1C représentent un mode de réalisation de l'invention. - Les figures 2A-2B et 3A-3B représentent un autre mode de réalisation de l'invention. - Les figures 4A-4C illustrent deux autres modes de réalisation de l'invention. - Les figures 5A et 5B représentent l'assemblage d'un substrat selon l'invention avec un autre substrat. - Les figures 6A et 6B représentent l'assemblage de deux substrats selon l'invention. - La figure 7 représente un substrat selon l'invention dans lequel la couche d'oxyde a été éliminée puis remplacée par une autre couche d'oxyde. - Les figures 8 et 9 représentent des dispositifs sans rugosités (figure 8) et les problèmes de collage correspondants, et avec rugosités (figure 9). EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Selon l'invention on sélectionne un substrat 2 en un premier matériau, semi-conducteur et monocristallin, dont la surface 4 présente une rugosité égale à R1 (figure 1A). Un deuxième matériau 6 est ensuite formé ou déposé à la surface de ce substrat. La surface de ce matériau présente une rugosité R2 relative au type de couche déposée et à la technique de dépôt utilisée. Cette rugosité R2 est supérieure à la rugosité R1 du substrat 2. Elle provient de différences d'altitude ou de niveaux (suivant un axe z perpendiculaire à la surface 4 du substrat), entre les zones élevées et les zones basses de la surface du deuxième matériau 6. Elle présente un profil d'altitude dont l'amplitude maximale (c'est par exemple une certaine rugosité) R2, est supérieure à la rugosité R1 du substrat 2, lorsque les rugosités sont comparées à la même fréquence (haute ou basse fréquence). On réalise ensuite une oxydation thermique. En fonction de la nature du deuxième matériau 6, le front d'oxydation va soit l'oxyder entièrement, soit le traverser entièrement (s'il s'agit déjà d'un oxyde), et transférer au moins partiellement le profil de topologie et de rugosité dans le substrat massif initial 2. A l'issue de cette oxydation, la topologie ou la rugosité du deuxième matériau 6, transférée dans le substrat 2, sera soit conservée, soit diminuée, mais reste supérieure à la rugosité initiale R1 de la surface 4. Cela aura pour conséquence de générer une interface rugueuse 12, entre l'oxyde thermique 10 généré par l'oxydation thermique et le substrat 2 (figure 1C). Si elle n'est pas initialement en un oxyde, la couche 6, déposée sur le substrat 2, et éventuellement une partie du substrat, aura été entièrement transformée lors de l'oxydation. Si la couche 6 est un oxyde (c'est par exemple de l'oxyde de silicium), l'oxydation aura transféré la rugosité ou la topologie de la surface dans le substrat 2, une partie de ce dernier étant en outre oxydée. Selon un mode de réalisation de l'invention, illustré en figures 1A-1C, un substrat 2 de départ, par exemple en silicium, est sélectionné. Un dépôt 6 est formé sur la surface 4 du substrat 2. Ce dépôt est par exemple en polysilicium ou en silicium amorphe. La rugosité R2 de ce dépôt 6, de l'ordre de quelques nm RMS en AFM (microscope à force atomique), par exemple comprise entre 1 nm et 10 nm, par exemple encore pour des fenêtres de scan de 5 }gym x 5 }gym, est adaptée à la réalisation de structures antisticking . L'étape d'oxydation est ensuite réalisée. Dans le cas du dépôt d'une couche 6 en silicium polycristallin ou amorphe, on forme de préférence une épaisseur e (figure 1C) d'oxyde thermique 10 supérieure ou égale à: e=d/0.44 Cette épaisseur correspond à l'épaisseur d'oxyde thermique 10 permettant d'oxyder la totalité de la couche 6 déposée sur la surface 4. A la fin de cette étape d'oxydation, le front d'oxydation 12 ou l'interface oxyde-substrat se trouve soit sensiblement à la profondeur d/0.44 sous la surface 8, soit dans le substrat 2 lui-même (donc à une profondeur, sous la surface 8, supérieure à d/0.44). Ce front ou cette interface a une surface de topologie ou de rugosité finale R3 égale ou sensiblement inférieure à R2, mais supérieure à R1. Cette rugosité R3 est suffisante pour que, si une membrane est positionnée en regard de cette surface de rugosité R3 et vient en contact avec elle, une adhésion de la membrane sur cette surface ne puisse se produire au point d'entraver la mobilité de la membrane. La rugosité R3 de l'interface 12 peut être adaptée : la rugosité de surface R2 du matériau déposé 6 est d'autant plus élevée que l'épaisseur déposée est importante. Par ailleurs la génération d'un oxyde thermique de plus forte épaisseur tend à réduire la rugosité à l'avant du front d'oxydation. Ainsi, en jouant sur les 2 paramètres que sont l'épaisseur d du dépôt 6 et l'épaisseur d'oxydation, il est possible de contrôler la rugosité finale R3 de l'interface enterrée 12, interface oxyde/silicium dans l'exemple donné. Ces considérations restent valables si la couche 6 est déjà une couche d'oxyde. L'épaisseur d de la couche 6 peut varier de quelques nm ou dizaines de nm à quelques }gym, par exemple de 5 nm à 3 }gym. On peut donner l'exemple des conditions expérimentales suivantes : -épaisseur de silicium polycristallin d = 400 nm, - e = 1,2 }gym, -température lors de l'oxydation : 1100 C, - Rugosité finale de l'interface enterrée : 3 nm RMS, en scan de 5x5pm. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, illustré sur les figure 2A, 2B et 3A, 3B, on réalise un dépôt de billes ou de particules (pas forcément de forme sphérique) 14, 14' par exemple en silice ou en silicium, à la surface du substrat 2. Ces billes vont former une topologie, au sens déjà expliqué ci-dessus, en surface de ce substrat 2. L'amplitude de cette topologie est définie par le diamètre d des billes, ou la dimension maximale, mesurée suivant l'axe z (perpendiculaire à la surface 4 du substrat 2), des particules déposées. Les particules de la figure 2A ont un diamètre dl, celles de la figure 3A un diamètre d2 inférieur à dl. Lors de l'étape d'oxydation, un front d'oxydation irrégulier va être généré, ce qui aura là encore pour conséquence de former une interface 22, 22' rugueuse ou reproduisant sensiblement la topologie initiale formée par les billes ou les particules 14, 14'. Cette interface est de type oxyde/silicium dans l'exemple d'un substrat 2 en silicium et de particules 14, 14' initialement en silicium. La rugosité, ou l'amplitude de la topologie, de l'interface 22, 22' dépend de la dimension maximale, mesurée suivant l'axe z, des particules 14, 14' déposées (la dimension de ces particules peut aller de quelques dizaines de nm à quelques }gym, par exemple de 10 nm ou 20 nm à 1um ou à 10 }gym) et de l'épaisseur de l'oxyde thermique 20, 20'. En effet, plus cet oxyde est épais, plus la rugosité, ou l'amplitude de la topologie, de l'interface 22, 22' est atténuée. On peut ainsi générer des rugosités et/ou des topologies à la fois hautes et/ou basses fréquences (ces fréquences sont les fréquences spatiales de répétition des irrégularités à la surface du substrat) en fonction de la densité et de la taille des particules 14, 14' déposées. Dans le cas de particules de Si, une épaisseur d'oxyde thermique supérieure ou égale à: e=d/0.44 permet de consommer la quasi-totalité des particules. Cette fois d correspond au diamètre ou à la taille maximum de la plus grande particule. Cette technique permet également de créer des inhomogénéités de concentration et de taille de particules 14, 14' sur la plaque, permettant ainsi de former différents types de rugosité et/ou de topologie sur une même plaque : pour cela on dépose des particules 14, 14' de diamètres variés, par exemple des particules de diamètre dl et des particules de diamètre d2 inférieur à dl. Deux autres modes de réalisation vont être expliqués en liaison avec les figures 4A-4C. Selon l'un de ces modes de réalisation de l'invention, on réalise un dépôt 36 d'oxyde ou de nitrure (par des techniques LPCVD ou PECVD) rugueux sur le substrat 2. La rugosité R2 de la surface 38 de ce dépôt est supérieure à la rugosité R1 de la surface initiale 4 du substrat 2 (figure 4A). Lors de l'oxydation thermique, un front d'oxydation irrégulier 31 se produit (figure 4B), comme dans les autres cas expliqués ci-dessus. Le caractère irrégulier est dû à la rugosité de surface de la couche 36 déposée. Est ainsi formée une interface enterrée 32 rugueuse, possédant une rugosité R3, proche de R2, plus particulièrement légèrement inférieure à R2. La durée de l'étape d'oxydation est telle que le front d'oxydation atteigne au moins le substrat 2 initial et éventuellement progresse dans ce substrat 2, au-delà de sa surface initiale 4. Dans le cas d'une couche 36 d'oxyde, celle-ci est traversée par le front d'oxydation, qui va en outre oxyder le substrat. L'oxydation va permettre le transfert de la rugosité de la surface 38 dans le substrat. Selon encore un autre mode de réalisation de l'invention, il est possible de réaliser une couche 36 en oxyde (par exemple par PECVD ou LPCVD ou par oxydation thermique) ou en nitrure (par exemple par PECVD ou LPCVD), puis de la rugosifier, ou d'accroître la rugosité de cette couche, par attaque au HF (la concentration de ce dernier peut varier de 1 % à 49 %) ou avec du H3PO4 (acide orthophosphorique) pour SiN. Cette attaque est stoppée avant d'atteindre le substrat 2. Si, comme déjà expliqué ci-dessus, on réalise une deuxième oxydation après l'étape de rugosification, le front d'oxydation irrégulier va être transféré dans le substrat 2. Ici aussi, l'épaisseur d'oxyde thermique 40 (figure 4C) formé sera telle que le front d'oxydation traverse l'interface 4 et pénètre dans le substrat 2. La rugosité de l'interface 32 pourra être adaptée en faisant varier, d'une part les paramètres (temps, concentration) de l'attaque HF (ce qui va jouer sur la rugosité initiale de la surface 38), et d'autre part l'épaisseur de l'oxyde 40 résultant de l'étape d'oxydation. Un substrat obtenu par un procédé selon l'invention comporte une interface enterrée 12, 22, 22', 32, avec une rugosité choisie, ou ayant une topologie similaire à la topologie créée initialement, et peut être utilisé pour différentes applications. En particulier, il peut être employé pour la fabrication de substrats BSOI antisticking, en substrat supérieur et/ou support. La couche de matériau 10, 20, 20', 40 peut être éliminée, laissant ainsi le front 12, 22, 22', 32 d'oxydation découvert, à la rugosité R2 souhaitée. Une nouvelle oxydation thermique peut être réalisée pour générer un oxyde de silicium de très bonne qualité. On peut réaliser un collage du substrat oxydé à interface rugueuse. Une préparation de la surface est alors recommandée. Comme illustré en figure 5A, on peut réaliser une étape de polissage mécano-chimique, afin de restituer une bonne rugosité de surface (c'est-à-dire une rugosité adaptée à un collage direct) de la couche d'oxyde 10 (la figure 5A - comme d'ailleurs les figures 6A, 6B - représente la couche 10 à titre d'exemple, mais les autres couches 20, 20', 40, 60 sont aussi concernées). Comme illustré en figure 5B, un collage, par exemple un collage direct par adhérence moléculaire, peut ensuite être réalisé sur un deuxième substrat 52, par exemple de silicium massif (ou bulk ) On peut ensuite amincir ce deuxième substrat 52 ou le premier substrat. Toute technique d'amincissement peut être mise en oeuvre, par exemple une technique mécanique, ou chimique, ou mécano- chimique ou par procédé Smart Cut . Un collage direct peut aussi être réalisé sur un deuxième substrat 102 ayant lui aussi une interface rugueuse enterrée 112 (figure 6A). Ce substrat a été de préférence obtenu selon l'un des procédés décrits ci-dessus. La structure assemblée peut ensuite subir un traitement thermique pour renforcement de l'interface de collage et une ou des étapes d'amincissement jusqu'à l'obtention d'une structure SOI 105, comportant une ou deux interfaces rugueuses oxyde/silicium. La figure 6B représente une telle structure avec deux interfaces rugueuses 12, 112 et une couche résiduelle 110 du deuxième substrat. Lors de l'élaboration de membranes ou partie mobiles de capteurs intégrés, une partie de l'oxyde 10 peut ensuite être enlevée localement par gravure à travers des orifices 111, 113 pratiqués dans la couche résiduelle 110. On peut ainsi créer localement des cavités sous des membranes. L'interface rugueuse 112 permet d'éviter un collage ou une adhérence intempestive de la membrane sur le substrat 2. Une autre utilisation d'un substrat selon l'invention est illustrée en figure 7 : on peut remplacer l'oxyde 10, 20, 20', 40 par une couche d'oxyde 60 si la première (par exemple la couche 10) n'est pas assez homogène. Pour cela on pourra réaliser une étape de désoxydation par une solution HF (acide fluorhydrique), suivie d'une étape d'oxydation thermique du substrat 2, générant ainsi la couche d'oxyde 60. L'interface 12' ainsi générée a une rugosité inférieure ou égale à celle de l'interface rugueuse 12, de rugosité R3, obtenue après la première oxydation. Un avantage d'un procédé de fabrication selon l'invention est la flexibilité d'obtention d'une interface rugueuse oxyde / silicium : les gammes de fréquences de rugosité qui peuvent être atteintes sont larges, tout en conservant un substrat en un matériau cristallin et exempt de défauts. Un autre avantage des procédés de fabrication décrits est que la couche 6, 14, 36 d'irrégularités utilisée est totalement oxydée lors de l'étape de génération de l'oxyde qui va transférer la rugosité ou la topologie. Ceci permet de réaliser des structures BSOI sans matériau rapporté (uniquement silicium monocristallin et oxyde). Les différents modes de réalisation exposés peuvent être utilisés individuellement, successivement ou bien combinés. Les exemples donnés ci-dessus mettent en oeuvre un substrat ou des substrats en silicium. Mais l'invention peut être appliquée à tous les substrats semi-conducteurs pouvant être oxydés, et notamment: Si monocristallin, Si poly cristallin, Si amorphe, SiC. La réalisation d'une interface enterrée rugueuse selon l'invention est spécialement intéressante pour la fabrication d'un substrat de type BSOI antisticking (antiadhérence), application décrite par exemple dans le document FR 2857953. Dans un procédé selon l'invention, la rugosité obtenue peut être contrôlée par exemple par mesure du haze sur des équipements de type TENCOR 6200 (surfscan). Ce paramètre donne une information sur la rugosité de la surface sur la totalité de la surface du substrat (cartographie dite full wafer ), comme expliqué dans l'article de F.Holsteyns et al. Seeing through the haze, Process monitoring and qualification using comprehensive surface data , paru dans Yield Management Solutions, Spring 2004, p. 50-54. La rugosité peut également être contrôlée par mesure AFM (par microscope à force atomique) sur des scans allant typiquement de 1 }gym' à 10000 }gym'. Les figures 8 et 9 permettent d'illustrer les différences de comportement entre un dispositif sans interface rugueuse et un dispositif avec interface rugueuse. Sur la figure 8, une membrane 110 a été obtenue par gravure d'une cavité 111 dans une couche 120 d'oxyde à travers un orifice 113. L'ensemble repose sur un support 2 en matériau semiconducteur (silicium par exemple). Les zones 107 et 109 de la membrane 110 peuvent adhérer à la surface supérieure du substrat 2 lors de la gravure de l'oxyde sous jacent, ou plus tard, lors des déformations de cette membrane liées au fonctionnement du composant fini. La figure 9 représente encore un dispositif selon l'invention, dans lequel la face supérieure 12 du substrat 2 comporte une rugosité obtenue par un procédé selon l'invention, par exemple tel qu'exposé ci-dessus en liaison avec la figure 6B. Ces rugosités vont empêcher les zones 107 et 109 de la membrane 110 d'adhérer à la surface supérieure 12 du substrat 2. Dans une variante ce pourrait être la face inférieure 112 de la membrane 110 qui comporte une rugosité obtenue par un procédé selon l'invention, par exemple tel qu'exposé ci-dessus en liaison avec la figure 6B. Cette rugosité empêche les zones 107 et 109 de la membrane 110 d'adhérer à la surface supérieure 12 du substrat 2. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'une interface rugueuse (12, 22, 22', 32) dans un substrat semi- conducteur (2), comportant : - la formation, sur une surface (4) dudit substrat, d'une zone d'irrégularités (8, 38) en un matériau (6, 14, 14', 36) pouvant être oxydé, et/ou ne faisant pas écran à une oxydation, - la formation d'une interface rugueuse dans le substrat semi-conducteur (2) par oxydation thermique de, ou à travers, ce matériau (6, 14, 14', 36), et d'une partie du substrat semi-conducteur. 2. Procédé selon la revendication 1, la zone d'irrégularités comportant une couche additionnelle (6, 36) présentant une rugosité (R2) supérieure à la rugosité initiale (R1) de la surface dudit substrat. 3. Procédé selon la revendication 2, la couche additionnelle ayant une épaisseur initiale comprise entre 10 nm et 3 }gym. 4. Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, la rugosité de la couche additionnelle étant comprise entre 1 nm RMS et 10 nm RMS, en scan 5 }gym x 5 }gym. 5. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, la rugosité (R2) de la couche additionnelle(6, 36) étant obtenue par attaque chimique préalable de la couche additionnelle (6, 36), cette attaque chimique préalable n'atteignant pas le substrat (2). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, la zone d'irrégularités étant formée sur une couche en polysilicium ou en silicium amorphe. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, la zone d'irrégularités étant formée sur une couche en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. 8. Procédé selon la revendication 5, la couche additionnelle (6, 36) étant en oxyde thermique ou en nitrure, la rugosité (R2) de cette couche additionnelle (6, 36) étant obtenue par attaque préalable au HF ou au H3PO4. 9. Procédé selon la revendication 1, la zone d'irrégularités comportant des particules (14, 14') déposées à la surface (4) dudit substrat. 10. Procédé selon la revendication 9, les particules ayant un diamètre ou une taille maximum, mesurée suivant un axe perpendiculaire au substrat, compris entre 10 nm et 10 }gym. 11. Procédé selon la revendication 10, les particules ayant des diamètres différents ou des tailles différentes, ces tailles étant mesurées suivant un axe perpendiculaire au substrat. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, l'étape d'oxydation étant une étape d'oxydation thermique sèche ou humide, à température entre 950 C et 1200 C. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, l'étape d'oxydation étant suivie d'une étape d'élimination de l'oxyde formé par oxydation, pour mettre à nu la surface rugueuse, puis d'une étape de formation d'une nouvelle couche d'oxyde thermique. 14. Procédé de formation d'un composant semi-conducteur avec interface rugueuse enterrée, comportant : - la formation d'une interface rugueuse (12, 22, 22', 32) dans un premier substrat semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 13, - une préparation de la surface de l'oxyde ou du matériau (6, 14, 14', 36) oxydé, en vue d'un assemblage avec un deuxième substrat (52, 102), - l'assemblage de la surface de l'oxyde ou du matériau (6, 14, 14', 36) oxydé et du deuxième substrat (52, 102). 15. Procédé selon la revendication 14, le deuxième substrat étant un substrat brut ou bulk. 16. Procédé selon la revendication 15, le deuxième substrat étant un substrat en silicium monocristallin ou poly cristallin ou amorphe, ou en SiC. 17. Procédé selon la revendication 14, le deuxième substrat étant obtenu par un procédé selon l'une des revendications 1 à 13. 18. Procédé selon l'une des revendications 14 à 17, l'un des deux substrats étant ensuite aminci. 19. Procédé selon l'une des revendications 14 à 18, au moins une portion de l'oxyde ou du matériau oxydé étant éliminée. 20. Procédé selon la revendication 19, l'élimination d'une portion de l'oxyde étant réalisée par gravure à travers au moins un orifice (111, 113) réalisé dans un des deux substrats. 21. Procédé selon l'une des revendications 1 à 20, le premier substrat étant un substrat en silicium monocristallin ou poly cristallin ou amorphe, ou en SiC.