Brevet FR2920589A1 — publié le 20090306

La présente invention concerne un procédé d'obtention d'un substrat hybride, c'est-à-dire à plusieurs couches, comprenant au moins une couche d'un matériau nitruré de type III/N. Un tel substrat est destiné à être utilisé dans des applications dans le 5 domaine de l'électronique, l'optique et l'opto-électronique. Les matériaux nitrurés dits "de type III/N" sont des matériaux associant l'azote et un élément de la colonne III de la classification périodique, il s'agit notamment du nitrure de gallium (GaN) et des divers nitrures ou alliages nitrurés à base d'iridium (In), de bore (B) et d'aluminium (Al). 10 Ce sont des matériaux prometteurs pour des applications dans des dispositifs électroniques de forte puissance, à haute fréquence ou soumis à des températures élevées, tels que les diodes électroluminescentes émettant dans le visible ou l'ultraviolet (LED) ou les diodes laser bleu/violet. Pour mémoire, on rappellera ci-après la structure cristallographique 15 du GaN de symétrie hexagonale, en se reportant à la figure 1 jointe qui la représente de façon schématique. Sur cette figure, on peut voir que le nitrure de gallium possède une structure cristallographique hexagonale définie par une maille cristalline qui est un prisme et dont la base a des arêtes de même longueur a (3,18961 ou 0,31896 nm) et 20 désorientées de 120°. La hauteur du prisme est notée c (5,1855Â ou 0,51855 nm). Dans les cristaux hexagonaux, il est d'usage d'utiliser une notation à 4 indices (h,k,i,l), liés aux vecteurs al, a2, a3 et c pour nommer les plans cristallographiques. Les substrats de nitrure de gallium (GaN) les plus courants ont l'axe cristallographique "c" normal à leur surface. On dit que leur croissance est réalisée 25 selon l'axe "c" ou que leur plan de croissance est le plan c. Ces substrats sont dénommés "GaN standard" dans la suite de la description, ils sont qualifiés de polaires. Les substrats en GaN standard ont l'inconvénient de présenter des effets indésirables de polarisation spontanée et piézoélectrique, comme exposé dans 30 l'Article de B.A. Haskell & al., "Structural and morphological characteristics of planar (11-20) a -plane gallium nitride grown by hydride vapor phase expitaxy" Applied Physics Letters, Volume 83, Number 8, 25 août 2003, p 1554-1556. Ils rie sont donc pas toujours parfaitement adaptés à la réalisation de composants électroniques pour les applications technologiques précitées. De plus, il n'existe pas de procédé industriel permettant de reporter facilement une couche de matériau nitruré de type III/N sur un substrat. L'Article de A. Tauzin & al., "Transfer of two-inch GaN film by the Smart CutTM technology", Electronics Letters 26th May 2005 Vol. 41 No. 11 décrit la possibilité de reporter un film de GaN standard sur un substrat support par la technologie Smart CutTM. Cet article étudie les conditions de cloquage dans un matériau de GaN. Le cloquage ne survient que lorsque le GaN est implanté avec des doses d'hydrogène d'au moins 2.1017 H+/cm2. Les articles de I. Radu & al., "Formation of nanovoids in high-dose hydrogen impanted GaN", Applied Physics Letters 89, 031912 (2006), de R. Singh & al., "Investigation of hydrogen implantation induced blistering in Ga1V", Phys. Stat Sol. (c) 3, N°6, 1754 û 1757 (2006) et de S.O. Kucheyev & al., "Blistering of H-implanted Ga11n" Journal of Applied Physics, volume 91, Number 6, 15 mars 2002, p 3928 û 3930, évoquent également l'apparition de défauts de type cloques ("blisters" en anglais) suite au recuit de GaN standard implanté avec de l'hydrogène à des doses supérieures ou égales à 2,6.1017H/cm2. L'article de C.H. Seager & al., "Infrared and transmission electron microscopy studies of ion-implanted H in GaN", Journal of Applied Physics, volume 85, Numéro 5, mars 1999, p 2568 û 2573, montre également l'apparition de cavités pyramidales, dans du GaN standard implanté avec des ions H+ à des doses comprises entre 2.1016 H+/cm2 et 1.1017H+/cm2, suivi d'un budget thermique de une heure vers 890°C. Toutes les valeurs mentionnées montrent que les doses d'implantation permettant de fracturer le GaN sont au moins cinq fois plus importantes que celles nécessaires pour fracturer du silicium et sont donc plus difficiles à appliquer dans un procédé industriel. En effet, selon la densité du courant d'implantation utilisée, la mise en oeuvre de doses aussi élevées nécessite une implantation qui peut durer jusqu'à plusieurs dizaines d'heures. Enfin, l'article de D. Alquier et al., "Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers" Applied Physics Letters 86, 211911 (2005) décrit des résultats d'expériences d'implantation d'ions hélium He+ dans du GaN standard. Il y est précisé qu'une implantation d'ions He+ dans du GaN, à des doses supérieures à 1.1016 He+/cm2 suivie d'un traitement thermique vers 1000-1100°C pendant 2 minutes conduit à la formation de cavités dont certaines sont de forme cylindrique et d'autres de forme pyramidale. Toutefois, ce document ne décrit absolurnent pas la mise en oeuvre d'un procédé industriel de transfert de couches. Un des buts de la présente invention est d'offrir un procédé de transfert d'une couche d'un matériau nitruré de structure cristallographique hexagonale et de type III/N, notamment du nitrure de gallium (GaN), qui soit facilement industrialisable, c'est-à-dire qui utilise des doses d'implantation plus faibles que celles décrites dans la littérature, par exemple dans l'article de A. Tauzin & al., "Transfer of two-inch GaN film by the Smart Cutm technology", Electronics Letters 26th May 2005 Vol. 41 No. 11 où les doses décrites sont de 2.1017 H+/cm2 à 5.101 H+/cm2). Un autre but de l'invention est de fournir une couche d'un matériau nitruré de structure cristallographique monocristalline hexagonale et de type III/N de bonne qualité cristallographique, y compris après avoir subi des étapes d'implantation ionique et de transfert de couches. A cet effet, l'invention concerne un procédé d'obtention d'un substrat hybride comprenant au moins une couche dite "active" d'un matériau nitruré du type III/N destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optique et l'opto-électronique. Conformément à l'invention, ce procédé comprend les étapes consistant à : - sélectionner un substrat dit "source" en matériau nitruré de type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale et dont l'axe cristallographique "c" s'étend selon une direction parallèle ou sensiblement parallèle à l'une de ses faces, dite � face d'implantation �, - effectuer une implantation d'ions hélium He+ dans ce substrat source, au travers de sa face d'implantation, à une dose d'implantation égale ou supérieure à 1.101 He+/cm2, dans le but de former à l'intérieur de celui-ci, à une profondeur moyenne contrôlée d'implantation, un ensemble de nanocavités définissant une zone de fragilisation, cette dernière délimitant ladite couche active, -transférer ladite couche active par l'application d'un budget énergétique global, qui comprend un budget thermique, dit "de développement des cavités", apte à provoquer la transformation desdites nanocavités en cavités de plus grandes dimensions et un budget énergétique complémentaire dit "de détachement", apte à provoquer le détachement de la couche active du reste du substrat source. Grâce à ces caractéristiques de l'invention, il est possible de réduire le temps d'implantation, et donc la durée totale du procédé ainsi que de diminuer le coût du produit obtenu et l'endommagement causé au matériau traversé par les ions lors de l'implantation. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : - la dose d'implantation des ions hélium He+ est comprise entre 1.1016 He+/cm2 et 1.10' He+/cm2 ; le transfert de ladite couche active de matériau nitruré comprend une 10 étape de collage par adhésion moléculaire d'un raidisseur sur la face d'implantation dudit substrat source ; - l'application du budget thermique de développement des cavités est réalisée avant le collage dudit raidisseur ; - l'application du budget thermique de développement des cavités est 15 réalisée après le collage dudit raidisseur ; - le transfert de ladite couche active de matériau nitruré comprend une étape de dépôt d'une couche de matériau sur la face d'implantation dudit substrat source ; - ledit dépôt est une homo-épitaxie ou une hétéro-épitaxie ; 20 - l'étape d'épitaxie apporte tout ou partie du budget thermique de développement des cavités ; - l'étape d'épitaxie apporte tout ou partie du budget énergétique de détachement ; - l'étape d'épitaxie apporte le budget énergétique global de transfert 25 de ladite couche active ; - ledit budget thermique de développement des cavités comprend l'application d'une température d'au moins 800°C ; - le budget énergétique complémentaire de détachement est d'origine mécanique ; 30 - l'énergie d'implantation des ions hélium He+ est comprise entre 30 et 250 keV ; - ledit substrat source est réalisé dans un matériau choisi parmi le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (A1N), le nitrure d'indium (InN), le nitrure de bore (BN) et les alliages nitrurés d'au moins deux matériaux parmi 35 l'aluminium, le gallium, le bore et l'indium ; - ledit substrat source est issu d'un matériau nitruré massif de type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale dont le plan de croissance est le plan "c" et en ce que ce matériau massif est découpé pour former le substrat source, de façon que l'une des faces de celui-ci s'étende selon un plan parallèle ou sensiblement parallèle à l'axe cristallographique "c" dudit matériau massif ; - ledit substrat source est issu d'un matériau nitruré massif de type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale dont le plan de croissance est le plan "a" ou "m" ; - ledit substrat source est un substrat composite comprenant un matériau support germe, recouvert d'une couche de nitrure de gallium GaN monocristallin dont le plan de croissance est un plan � a � ou � m �, de sorte que sa face libre est parallèle ou sensiblement parallèle à son axe cristallographique "c" ; L'invention concerne également un substrat hybride destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optique et l'opto-électronique. Conformément à l'invention, il comprend une couche dite "active" de matériau nitruré du type III/N , à structure cristallographique monocristalline hexagonale et dont l'axe cristallographique "c" s'étend selon une direction parallèle ou sensiblement parallèle à l'une des faces dite "avant" de ce substrat hybride, cette couche active reposant sur un raidisseur ou une couche déposée, ce substrat hybride ayant été obtenu par le procédé précité. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, un mode de réalisation possible. Sur ces dessins : - la figure 1 est un schéma représentant la structure cristalline du nitrure de gallium (GaN) de symétrie hexagonale, - les figures 2A à 2E et 3A à 3E sont des schémas illustrant les étapes successives de deux variantes de réalisation du procédé conforme à l'invention. En se reportant à la figure 2A, on peut voir un substrat 1 dit "source", en un matériau nitruré du type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale, dont l'axe cristallographique "c" s'étend selon une direction parallèle ou sensiblement parallèle à l'une de ses faces 10. Parmi les matériaux précités, on trouve le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (A1N), le nitrure de bore (BN), le nitrure d'indium (InN) et les alliages nitrurés d'au moins deux matériaux parmi l'aluminium, le gallium, le bore et l'indium, tels que les alliages ternaires , par exemple le nitrure d'indium et de gallium (InGaN), le nitrure d'aluminium et de gallium (AlGaN), le nitrure de gallium et de bore (BGaN) et tels que les alliages quaternaires, par exemple le nitrure d'aluminium, d'indium et de gallium (A1InGaN). De préférence, ce substrat source 1 est fabriqué à partir de matériaux nitrurés massifs à structure cristallographique monocristalline hexagonale, dont le plan de croissance est soit le plan "c" à savoir (0001), soit le plan "a" par exemple (11-20) ou "m" par exemple (10-10). On notera qu'il y a plusieurs plans a et m et un seul plan c. Dans le premier cas où le plan de croissance du matériau massif est un plan c, le matériau est découpé en tranches selon des plans perpendiculaires ou sensiblement perpendiculaires à sa face de plan c, de sorte que la face 10 dudit substrat source 1 obtenu s'étend selon un plan parallèle ou sensiblement parallèle à l'axe cristallographique "c" dudit matériau massif. Dans le second cas où le plan de croissance du matériau massif est un plan a ou m, il n'est pas nécessaire de le préparer par découpage car la face 10 dudit substrat source 1 s'étend intrinsèquement selon un plan parallèle ou sensiblement parallèle à l'axe cristallographique "c" dudit matériau massif. L'expression "sensiblement parallèle" correspond à un écart angulaire 20 de plus ou moins 5° par rapport à cet axe. Le substrat source 1 de plan m ou a peut aussi provenir d'une épitaxie sur un substrat germe dont la surface du matériau présente le plan cristallographique approprié et bien connu de l'homme du métier (se reporter à l'article de T.S.KO et al., "Study on optimal growth of a -plane GaN grown on r- 25 plane sapphire by metal-organic chemical vapor deposition", Journal of Crystal Growth 300 (2007) 308-313). Le GaN plan a peut par exemple, être obtenu par épitaxie sur un substrat de saphir dont la surface présente un plan r, le GaN plan m à partir de substrats de SiC plan m ou de LiA1O2 (100). 30 Comme on peut le voir sur la figure 2B, le substrat source 1 est ensuite soumis à une implantation exclusivement d'ions hélium (Hel, cette implantation étant réalisée de préférence sur sa face 10, dénommée ci-après dans la suite de la description et des revendications "face d'implantation". Elle pourrait éventuellement être réalisée par sa face opposée 11. 10 15 La dose d'implantation est d'au moins 1.1016 He+/cm2. De préférence, elle est en outre inférieure à 4.1017 He+/cm2. De préférence encore, elle est comprise entre 1.1016 He+/cm2 et 1.1017 He+/cm2. L'énergie d'implantation est comprise entre quelques dizaines de keV à quelques centaines de keV et de préférence entre 30 et 250 keV, de manière à obtenir un profil de zone de fragilisation adapté à la fracture et une profondeur d'implantation en rapport avec l'épaisseur souhaitée de la couche à transférer. Cette implantation a pour effet de former à l'intérieur du substrat source 1, à une profondeur moyenne contrôlée d'implantation, un ensemble de nanocavités, c'est-à-dire des cavités de dimensions nanolnétriques. Ces cavités sont sphériques ou sensiblement sphériques et d'un diamètre de 1 à 2 nm environ. Elles définissent ensemble une zone de fragilisation 13. Cette zone de fragilisation 13 délimite d'une part une couche active 14 qui s'étend jusqu'à la face d'implantation 10 et d'autre part un reste 15 qui s'étend 15 jusqu'à la face 11. L'énergie d'implantation est adaptée en fonction de la profondeur à laquelle on veut définir la zone de fragilisation 13 ou plus exactement de l'épaisseur que l'on souhaite donner à la couche active 14 dans le substrat final obtenu. A titre d'exemple, une énergie d'implantation d'ions He+ de 90 keV 20 utilisée dans un substrat de type nitrure de gallium (GaN) permet d'y définir une zone de fragilisation 13, située à une profondeur d'environ 400 nanomètres à partir de sa face d'implantation 10. On notera que les doses d'implantation précitées pour l'hélium sont faibles par rapport aux doses d'ions H+ implantées couramment dans l'état de la 25 technique pour le transfert d'une couche de nitrure de gallium, cette dose étant alors de 3 à 5.1017H+/cm2 . Le procédé conforme à l'invention permet donc de réduire sensiblement les durées d'implantation, de façon proportionnelle à la réduction de la dose utilisée. 30 On réalise ensuite le transfert de la couche active 14, ce qui nécessite de la détacher du reste 15 du substrat source 1. Le transfert de cette couche 14 est obtenu par l'apport d'un budget énergétique suffisant pour réaliser ce détachement, dénommé ci-après � budget énergétique global �. 35 Il se décompose en un budget thermique, dit "de développement des cavités", apte à provoquer la transformation desdites nanocavités 12 en cavités 12' de plus grandes dimensions et en un budget énergétique complémentaire dit "de détachement", apte à provoquer le détachement de la couche active 14 du reste 15 du substrat source 1. Conformément à une première variante de réalisation de l'invention, illustrée sur les figures 2C et 2D, on effectue ce transfert par collage par adhésion moléculaire d'un raidisseur 2 sur la face d'implantation 10 du substrat source 1, puis par l'apport au moins d'un budget de nature thermique, suffisant pour provoquer le développement des nanocavités 12, c'est-à-dire l'accroissement de leurs dimensions. Pour mémoire l'expression "budget thermique" désigne un couple (durée du traitement thermique, température à laquelle il est mis en oeuvre). Sous l'action de ce budget thermique, les nanocavités 12 vont se développer de façon à former des cavités 12', de forme cylindrique pour la plupart, qui s'étendent parallèlement ou sensiblement parallèlement à l'axe c du substrat source 1. Ces cavités peuvent atteindre plusieurs dizaines de nanomètres de longueur après un recuit de quelques minutes à 1000-1100°C pour une implantation par exemple avec une dose de 1.1017 He+1cm2 et une énergie de 100 keV. Cette étape est illustrée sur la figure 2D. Le raidisseur 2 est choisi de préférence parmi des matériaux présentant une différence de coefficient de dilatation thermique �CTE � (d'après l'acronyme de l'expression anglaise �coefficient of thermal expansion �) suffisamment faible avec celui de la couche active 14 pour éviter des contraintes trop fortes lors du traitement thermique de fracture après collage. Par ailleurs, le matériau du raidisseur peut être choisi selon l'usage de la structure finale 3 obtenue. Si la structure 3 est utilisée pour une épitaxie, le matériau du raidisseur sera avantageusement choisi de façon à présenter un CTE proche du matériau à épitaxier. Lorsque la différence de CTE entre les matériaux du raidisseur 2 et de la couche active 14 est très élevée, telle que dans l'exemple du GaN et du saphir, la structure constituée du collage des deux matériaux ne peut résister à un traitement thermique trop élevé. Dans l'exemple du GaN et du saphir, la structure composite ne peut subir un traitement thermique de plus de 300°C sans provoquer son démontage. Il est alors judicieux d'appliquer le budget thermique, dit "de développement", nécessaire à former les cavités 12' avant de procéder au collage du raidisseur. Ensuite, le recuit de stabilisation du collage participe au budget énergétique à apporter pour obtenir la fracture du GaN. Il peut être complété par l'apport d'une contrainte mécanique. Le budget thermique appliqué pour développer les nanocavités 12 est 5 d'au moins quelques minutes à au moins 800°C. L'homme du métier adaptera ce budget en fonction de la nature du matériau nitruré et des conditions d'implantation (en particulier de la dose d'hélium implantée). A titre d'exemple, des expériences réalisées dans du nitrure de 10 gallium (GaN) ont permis de constater que les cavités 12' ne se développaient pas après un traitement thermique de 3 heures 30 à 660°C, mais commençaient à apparaître après un traitement thermique de 2 minutes à 1100°C. L'homme du métier sait que l'application d'un traitement thermique à une température plus faible nécessite d'appliquer le traitement pendant une durée plus importante. 15 A titre d'exemple le nitrure de gallium montre la formation des cavités 12' après un traitement thermique de 1 heure à 800°C. Après l'apport du budget thermique de développement des cavités, on applique un budget énergétique complémentaire pour effectuer le détachement, par exemple une ouverture mécanique à l'aide d'une lame ou l'utilisation d'ultrasons. 20 Une attaque chimique par un traitement à l'aide d'une solution d'acide phosphorique chaud (H3PO4) ou de potasse (KOH) est également applicable pour obtenir le détachement de la couche active 14. Toutefois, ceci suppose de protéger les faces du substrat qui ne doivent pas être traitées. 25 Enfin, le budget énergétique complémentaire peut également être de nature thermique. Le substrat hybride obtenu après le détachement du reste 15 est représenté sur la figure 2E. Il porte la référence 3 et comprend le raidisseur 2 et la couche active 14 de matériau nitruré. 30 Si le raidisseur 2 est mince, c'est-à-dire de l'ordre de 5�m environ, il ne sert qu'à réaliser le transfert dénommé "délaminage" de la couche active 14. Si par contre le raidisseur 2 est plus épais, par exemple de l'ordre de 100 �m, alors le substrat hybride 3 obtenu est suffisamment épais pour être auto-porté et être utilisé par exemple pour faire une reprise d'épitaxie. i0 Une deuxième variante de réalisation est illustrée en faisant référence aux figures 3A à 3E. Les éléments identiques au premier mode de réalisation portent les mêmes références numériques. Cette variante diffère de la première par le mode de transfert de la 5 couche active 14. Dans ce cas, ce transfert s'effectue par le dépôt d'une couche de matériau 4 sur la face d'implantation 10 dudit substrat source 1. La formation de cette couche de matériau 4 est représentée sur la figure 3C. Elle est poursuivie jusqu'à atteindre une certaine épaisseur, comme représenté sur la figure 3D, pour 10 par exemple permettre l'obtention finale d'une structure autoportée. Ce dépôt peut être effectué par une épitaxie. Cette épitaxie est réalisée de préférence sur un bâti d'épitaxie, par des techniques bien connues de l'homme de métier telles que le dépôt chimique en phase vapeur d'organo-métalliques (connu de l'homme du métier sous l'acronyme 15 "MOCVD", de l'expression anglo-saxonne "Metal Organic Chemical Vapor Deposition"), l'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (connue sous l'acronyme "HVPE" d'après l'expression anglo-saxonne de "Hydride Vapor Phase Epitaxy"), l'épitaxie par jet moléculaire (connu sous l'acronyme "MBE" d'après l'expression anglo-saxonne de "Molecular Beam Epitaxy"), les méthodes de croissance latérale 20 (connues sous l'acronyme "ELOG" de l'expression anglo-saxonne �Epitaxial Lateral Over Growth �). Cette épitaxie peut-être une homo- ou une hétéro-épitaxie, en fonction de la nature de la couche de matériau 4 et de celle du substrat source 1. Dans le cas d'une hétéroépitaxie, le matériau de la couche 4 sera 25 choisi par exemple pour présenter un paramètre de maille adapté à celui de la couche active 14 afin d'obtenir la croissance d'une structure cristalline présentant une faible densité de défauts. Ce matériau peut aussi être choisi en fonction de sa différence de coefficient de dilatation thermique CTE avec la couche active 14, pour éviter la formation de fissures dans l'une des deux couches lors du 30 refroidissement. Selon une première variante de réalisation, l'étape d'épitaxie est menée à une température et pendant une durée appropriée pour apporter le budget thermique suffisant pour provoquer la transformation des nanocavités en cavités de plus grandes dimensions. Ce budget thermique peut aussi comprendre un traitement thermique supplémentaire, si l'épaisseur de la couche épitaxiée souhaitée est atteinte avant que le budget nécessaire au développement des cavités 12' n'ait été fourni à la structure. Le budget énergétique complémentaire cle détachement est ensuite appliqué. Il est de même nature que celui décrit pour le premier mode de réalisation (par exemple utilisation d'une lame, d'ultrasons ou attaque chimique ou chauffage). Selon une deuxième variante de réalisation, on applique le budget thermique de développement des cavités avant l'étape d'épitaxie. L'étape d'épitaxie apporte alors un budget énergétique qui participe au détachement de la couche active 14. Ce budget énergétique peut être complété si nécessaire. En d'autres termes, dans ce cas, l'épitaxie apporte tout ou partie du budget énergétique de détachement. Enfin, selon une troisième variante de réalisation, l'épitaxie suffit à elle seule pour fournir la totalité du budget énergétique global nécessaire au 15 transfert de la couche active 14. Comme représenté sur la figure 3E, à l'issue du détachement, on obtient un substrat hybride 3' comprenant la couche active 14 reportée sur la couche épitaxiée 4. Deux exemples de réalisation de l'invention vont maintenant être 20 décrits plus en détails. Exemple 1 : Un substrat en nitrure de gallium (GaN) de structure cristalline hexagonale a été soumis à une implantation d'ions hélium selon une dose 6.1016 He+/cm2 et une énergie de 90 keV sur sa face d'implantation parallèle à son 25 axe cristallographique "c". Cette implantation a permis de définir des cavités formant une zone de fragilisation à une profondeur de 400 nanomètres par rapport à la face d'implantation. Ce substrat a ensuite été soumis à une épitaxie de GaN par la 30 technique précitée d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure "HVPE", jusqu'à obtenir une épaisseur de quelques centaines de microns de GaN. Le procédé de croissance a duré 3 heures, à une température aux alentours de 1000°C, à l'issue duquel le substrat source s'est fracturé dans le plan de la zone de fragilisation. Un substrat hybride a été ainsi obtenu. Dans ce cas, 35 l'épitaxie permet à la fois d'apporter le budget de développement des cavités et le budget de détachement. Exemple 2: Un substrat en nitrure de gallium (GaN) de structure cristalline hexagonale a été soumis à une implantation d'ions hélium selon une dose 6.1016 He+/cm2 et une énergie de 90 keV sur sa face d'implantation parallèle à son axe cristallographique "c". On lui a ensuite appliqué un budget thermique à une température comprise entre 1000°C et 1100°C, pendant une durée adaptée pour permettre le développement des nanocavités 12 en cavités 12', sans formation de cloques à la surface du substrat 1, ni délaminage de la couche active 14. On a ensuite mis sa face plane implantée, non cloquée, en contact intime avec un raidisseur 2 présentant un CTE très différent du substrat de GaN, ici du saphir. On a alors appliqué à l'ensemble un recuit, afin de renforcer l'interface de collage, ce recuit étant mené à une température inférieure à la 15 température de décollement des deux substrats. Une sollicitation mécanique à l'aide d'une lame a entraîné la fracture du matériau dans la zone de fragilisation du GaN. Un substrat hybride comprenant un support en saphir recouvert d'une couche de GaN a ainsi été obtenu. 20 REVENDICATIONS 1. Procédé d'obtention d'un substrat hybride (3, 3') comprenant au moins une couche dite "active" (14) d'un matériau nitruré du type III/N destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optique et l'opto-électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - sélectionner un substrat (1) dit "source" en matériau nitruré de type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale et dont l'axe cristallographique ""c" s'étend selon une direction parallèle ou sensiblement parallèle à l'une de ses faces (10), dite � face d'implantation �, - effectuer une implantation d'ions hélium He+ dans ce substrat source (1), au travers de sa face d'implantation (10), à une dose d'implantation égale ou supérieure à 1.1016 He+/cm2, dans le but de former à l'intérieur de celui-ci, à une profondeur moyenne contrôlée d'implantation, un ensemble de nanocavités (12) définissant une zone de fragilisation (13), cette dernière délimitant ladite couche active (14), - transférer ladite couche active (14) par l'application d'un budget énergétique global, qui comprend un budget thermique, dit "de développement des cavités", apte à provoquer la transformation desdites nanocavités (12) en cavités (12') de plus grandes dimensions et un budget énergétique complémentaire dit "de détachement", apte à provoquer le détachement de la couche active (14) du reste (15) du substrat source (1). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la dose d'implantation des ions hélium He+ est comprise entre 1.1016 He+/cm2 et 1.1017 He+/cm2. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le 25 transfert de ladite couche active (14) de matériau nitruré comprend une étape de collage par adhésion moléculaire d'un raidisseur (2) sur la face d'implantation (10) dudit substrat source (1). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'application du budget thermique de développement des cavités est réalisée avant le 30 collage dudit raidisseur (12). 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'application du budget thermique de développement des cavités est réalisée après le collage dudit raidisseur (12). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transfert de ladite couche active (14) de matériau nitruré comprend une étape de dépôt d'une couche de matériau (4) sur la face d'implantation (10) dudit substrat source (1). 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit dépôt est une homo-épitaxie. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit dépôt est une hétéro-épitaxie. 9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que 10 l'étape d'épitaxie apporte tout ou partie du budget thermique de développement des cavités. 10. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que l'étape d'épitaxie apporte tout ou partie du budget énergétique de détachement. 11. Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que 15 l'étape d'épitaxie apporte le budget énergétique global de transfert de ladite couche active (14). 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit budget thermique de développement des cavités comprend l'application d'une température d'au moins 800°C. 20 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le budget énergétique complémentaire de détachement est d'origine mécanique. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'énergie d'implantation des ions hélium He+ est comprise entre 30 et 25 250 keV. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat source (1) est réalisé dans un matériau choisi parmi le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (A1N), le nitrure d'indium (InN), le nitrure de bore (BN) et les alliages nitrurés d'au moins deux matériaux parmi l'aluminium, 30 le gallium, le bore et l'indium. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat source (1) est issu d'un matériau nitruré massif de type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale dont le plan de croissance est le plan "c" et en ce que ce matériau massif est découpé pour former le substrat 35 source (1), de façon que l'une des faces (10) de celui-ci s'étende selon un planparallèle ou sensiblement parallèle à l'axe cristallographique "c" dudit matériau massif. 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que ledit substrat source (1) est issu d'un matériau nitruré massif de type III/N, à structure cristallographique monocristalline hexagonale dont le plan de croissance est le plan "a" ou "ru". 18. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que ledit substrat source (1) est un substrat composite comprenant un matériau support germe, recouvert d'une couche de nitrure de gallium GaN monocristallin dont le plan de croissance est un plan � a � ou � m �, de sorte que sa face libre (10) est parallèle ou sensiblement parallèle à son axe cristallographique "c". 19. Substrat hybride (3, 3') destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optique et l'opto-électronique, caractérisé en ce qu'il comprend une couche dite "active" (14) de matériau nitruré du type III/N , à structure cristallographique monocristalline hexagonale et dont l'axe cristallographique "c" s'étend selon une direction parallèle ou sensiblement parallèle à l'une des faces (30, 30') dite "avant" de ce substrat hybride, cette couche active (14) reposant sur un raidisseur (2) ou une couche déposée (4) et en ce que ce substrat hybride (3, 3') a été obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes.