Brevet FR2918212A1 — publié le 20090102

PROCEDE POUR LA REALISATION D'UNE MATRICE DE DETECTION DE RAYONNEMENTS ELECTROMAGNETIQUES ET PROCEDE POUR REMPLACER UN MODULE ELEMENTAIRE D'UNE TELLE MATRICE DE DETECTION DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention a trait au domaine des détecteurs de rayonnements électromagnétiques, et notamment dans le domaine du spectre infrarouge et visible. Elle concerne plus particulièrement la réalisation de très grands plans focaux, typiquement supérieurs à 100 mm, et notamment leur réparation. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Les détecteurs de rayonnements électromagnétiques sont classiquement constitués d'un circuit de détection desdites ondes à détecter, et donc sensibles à la gamme de longueurs d'onde correspondante, transformant de manière connue un rayonnement électromagnétique en un signal électrique. Ce circuit de détection est associé à un circuit électronique de lecture, destiné à transformer les signaux électriques issus du circuit de détection pour les rendre susceptibles de subir un traitement ultérieur, notamment après amplification. De manière connue également, la liaison tant mécanique qu'électrique intervenant entre le circuit de détection et le circuit de lecture s'effectue par la technologie dite d'hybridation par billes ou microbilles, également dénommée sous l'expression anglo- saxonne flip chip . Ces billes ou microbilles sont réalisées en indium, voire en alliage étain/plomb. Le circuit de détection est traditionnellement composé d'un matériau transparent ou peu absorbant du rayonnement à détecter, et est par exemple constitué de CdTe, CdZnTe, voire de germanium, sur lequel est déposé par épitaxie (en phase liquide, en phase vapeur, voire par jet moléculaire) une couche mince absorbante de HgCdTe constituant le circuit de détection proprement dit. Le circuit de lecture est le plus souvent réalisé en silicium. Ces différentes technologies sont aujourd'hui bien maîtrisées. Cependant, les évolutions observées dans le domaine de la détection, et plus particulièrement dans le domaine spatial, nécessitent de faire appel à des plans focaux de très grandes dimensions, typiquement supérieures à 100 mm. Ceci impose, s'agissant de l'élément de détection proprement dit, la mise en oeuvre de plusieurs modules élémentaires de détection aboutés l'un à l'autre ou disposés en quinconce. Or, de tels systèmes de détection ont un certain nombre d'exigences liées notamment à la focalisation, à la reconstitution d'une barrette de détection de très grandes dimensions..., qui imposent dès lors des contraintes sur les positionnements relatifs des divers modules élémentaires, d'une part dans les deux dimensions du plan dans lequel ils sont inscrits (cotes X, Y), et d'autre part sur la dispersion selon la cote Z, c'est-à-dire selon la direction perpendiculaire au plan des diverses diodes constituant le plan focal. Parmi les solutions techniques proposées à ce jour, on a tout d'abord proposé la fixation mécanique des différents modules élémentaires constitutifs du plan focal par vissage ou clampage sur le réseau ou substrat d'interconnexion. On a représenté en relation avec la figure 1, une illustration de cette technologie. On a ainsi représenté par la référence 1 le substrat d'interconnexion et par la référence 2 les différents modules élémentaires montés en quinconce, propres à constituer la barrette de détection. Chacun de ces modules 2 comporte un circuit de lecture 3, et dans l'exemple décrit deux circuits de détection 4, 5 correspondant à deux gammes de longueurs d'onde différentes. Chacun de ces modules 2 est collé sur une semelle de report 6, typiquement réalisée en molybdène, le vissage ou le clampage 7 ne pouvant s'effectuer directement sur le circuit de lecture. On a également proposé (voir figure 2) un maintien mécanique des différents modules élémentaires par collage. Selon cette technologie, chacun des modules élémentaires 2 est positionné sur le réseau ou substrat d'interconnexion 1, et son maintien en position est assuré par polymérisation d'un lit de colle déposé entre le circuit de lecture 3 et ledit substrat d'interconnexion. Enfin on a proposé (voir figure 3), un mode de fixation des modules élémentaires 2 sur le substrat d'interconnexion 1 par hybridation, mettant en oeuvre là encore la 35 technologie Flip Chip . 20 25 Le maintien en position peut, dans le cas d'espèce, être renforcé par polymérisation d'une colle que l'on aura fait migrer entre le circuit de lecture 3 et le réseau d'interconnexion 1 (underfilling) û cela ne peut constituer qu'un renfort éventuel du maintien. Quelle que soit la technologie mise en oeuvre, une difficulté se fait jour lorsque l'on observe que l'un ou plusieurs des détecteurs ne satisfont plus aux performances prescrites, notamment en suite d'une dégradation accidentelle, voire lorsque l'on constate une évolution de performance d'un ou plusieurs module(s) élémentaire(s) entre la phase de tri desdits modules et la phase de test après assemblage final sur le substrat d'interconnexion. En effet, le remplacement d'un tel module élémentaire défaillant ne doit pas affecter les modules adjacents. En outre, la mise en place d'un nouveau module doit répondre 15 aux spécifications électro-optiques requises. Enfin, on doit conserver après remplacement d'un tel module élémentaire les spécifications géométriques, notamment au niveau du plan focal final, le positionnement des photosites en X, Y et Z. A ce jour, on ne connaît pas de méthode permettant de procéder ainsi au remplacement d'un module élémentaire défectueux. C'est l'objet de la présente invention de proposer une telle méthode. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention vise ainsi tout d'abord un procédé pour la réalisation d'une matrice de détecteurs de rayonnements électromagnétiques. Cette matrice est 30 constituée d'une pluralité de modules de détection élémentaires, rapportés sur un substrat d'interconnexion, lesdits modules étant eux-mêmes composés d'au moins un circuit de détection dudit rayonnement associé à un circuit de lecture par hybridation, ledit circuit de lecture étant lui-même solidarisé au substrat d'interconnexion par hybridation. 35 Selon l'invention, ce procédé consiste : - à déposer sur le substrat d'interconnexion un nombre déterminé de quantités de matériau de brasure ou d'hybridation, destinées à constituer les billes d'hybridation, et ce selon au moins deux réseaux, au moins le réseau utilisé pour l'hybridation nominale étant relié à des plots d'interconnexion par le biais de pistes métalliques conductrices, les dépôts de matériau de brasure ou d'hybridation de l'autre ou des autres réseaux étant inférieurs en volume à ceux dudit réseau d'hybridation nominale ; - à déposer sur le substrat d'interconnexion ainsi muni des au moins deux réseaux de matériau de brasure, un flux de matériau sous forme liquide remplissant les fonctions de désoxydation dudit matériau de brasure ou d'hybridation, de limitation de ré-oxydation dudit matériau après réalisation effective de ladite brasure, de transfert de chaleur, outre de diminution des tensions de surface ; - à rapporter les modules élémentaires à hybrider sur le substrat d'interconnexion ; -puis à élever la température de l'enceinte au sein de laquelle sont positionnés les différents éléments à hybrider jusqu'à atteindre au moins la température de fusion du matériau de brasure ou d'hybridation afin d'assurer la brasure ou l'hybridation effective des modules sur le substrat d'interconnexion entre eux par effet de refusion. En d'autres termes, l'invention consiste à ménager au moins deux réseaux d'éléments différents adaptés pour réaliser l'hybridation des modules élémentaires sur le substrat d'interconnexion : ^ un premier réseau, destiné de manière traditionnelle à assurer l'hybridation dite nominale du ou des modules élémentaires sur le substrat d'interconnexion ; ^ et au moins un second réseau, de dimensions plus réduites, et notamment de volume inférieur donc de hauteur plus faible que le premier réseau, de telle sorte à ne pas venir en contact avec le ou lesdits modules élémentaires lors de la réalisation de l'hybridation nominale, et destiné, après remplacement éventuel d'un module élémentaire défectueux ou non conforme aux préconisations prescrites, à permettre néanmoins la réalisation d'une nouvelle hybridation d'un module élémentaire de remplacement. L'invention concerne donc également un procédé pour remplacer un module de détection élémentaire rapporté par hybridation sur un substrat d'interconnexion comportant une pluralité de tels modules élémentaires juxtaposés ou aboutés les uns à coté des autres afin de définir un plan focal de grandes dimensions. Ces modules élémentaires sont rapportés sur le substrat d'interconnexion par un premier réseau de billes d'hybridation, notamment réalisées en indium ou en alliage étain/plomb, lesdites billes étant connectées à un ou plusieurs plot(s) de connexion externes par une ou plusieurs pistes conductrices. Le substrat d'interconnexion comporte également au moins un second réseau de billes d'hybridation, dont les dimensions sont inférieures à celles des billes dudit premier réseau d'hybridation. Ce procédé consiste : - tout d'abord, à retirer la couche de protection dont sont revêtus le ou les plot(s) de connexion externe(s) relié(s) électriquement audit premier réseau de billes d'hybridation, dite hybridation nominale ; - puis à faire migrer, notamment par capillarité, une solution conductrice entre ledit module élémentaire à remplacer et le substrat d'interconnexion, afin d'induire par réaction électrochimique la dissolution à tout le moins partielle dudit premier réseau de billes d'hybridation ; - à retirer le module à remplacer ; - puis à hybrider le module de remplacement par une nouvelle élévation de température de l'enceinte dans laquelle est située l'ensemble à une température au moins égale à la température de fusion du matériau constitutif desdites billes d'hybridation du second réseau, pour assurer la solidarisation par refusion. Avantageusement, le module de remplacement comporte un circuit de détection (ou de lecture) plus épais que le circuit de détection (ou de lecture) du module remplacé, afin de compenser la variation de hauteur des billes d'hybridation entre les deux réseaux. En outre, selon une variante de l'invention, le dépôt de la solution électriquement conductrice est réalisé sur la face arrière du module élémentaire à remplacer. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent ressortiront mieux de l'exemple de réalisation qui suit, donné à titre indicatif et non limitatif à l'appui des figures annexées. La figure 1 est une représentation schématique vue du dessus d'une technologie de 35 l'art antérieur mettant en oeuvre le clampage ou vissage mécanique des modules élémentaires sur le substrat d'interconnexion. 30 La figure 2, également déjà décrite, est une représentation schématique de la technologie de l'art antérieur vue du dessus, mettant en oeuvre la technologie du collage des modules élémentaires sur le substrat d'indexation. La figure 3 est une vue schématique en section longitudinale d'une autre technologie de l'art antérieur, mettant en oeuvre l'hybridation des modules élémentaires sur le substrat d'interconnexion. La figure 4 est une représentation schématique en section de l'hybridation d'un module élémentaire conforme à l'invention, avant réparation ou remplacement. La figure 5 est une vue analogue à la figure 4, après remplacement. La figure 6 est une vue du dessus de l'implantation des billes d'hybridation selon une forme particulière de réalisation de l'invention. La figure 7 est une représentation schématique en section d'un plan focal nominal, c'est à dire ne comportant que des modules élémentaires originaux. La figure 8 est une représentation schématique en section d'un plan focal après 15 remplacement d'un module élémentaire conformément au procédé de l'invention. MODE DE REALISATION DE L'INVENTION Les modules élémentaires de détection conformes à l'invention sont réalisés de la 20 manière suivante, étant rappelé que dans l'optique générale de la présente invention, il est possible d'hybrider plusieurs circuits de détections 4, 5 sur un même circuit de lecture 3, en fonction du nombre de gammes de longueurs d'onde que le détecteur final est destiné à détecter. 25 Ce circuit de détection 4 est par exemple constitué d'une première couche d'un matériau transparent aux rayonnements infrarouges, d'une épaisseur typique comprise entre 200 à 800 m, par exemple constitué de CdTe ou de CdZnTe. On dépose sur cette première couche par épitaxie par jet moléculaire par exemple, une seconde couche plus mince en HgCdTe 4', constituant la couche de détection proprement dite. 30 Celle-ci est donc disposée en face avant du circuit de détection. Il s'agit en l'espèce d'un dispositif avec éclairement face arrière. Le circuit de lecture 3 est constitué quant à lui d'un empilement de silicium aminci 3' constituant la face avant du circuit de lecture sur une couche plus épaisse de 35 germanium. La liaison rigide entre ces deux matériaux est assurée soit par de la colle époxy, soit par adhésion moléculaire, et ce de manière connue. Parallèlement et de manière connue, afin de réaliser l'hybridation du circuit détection sur le circuit de lecture, on implante des surfaces de mouillabilité sur les faces respectivement avant du circuit de détection et avant du circuit de lecture, à l'aplomb les unes des autres pour favoriser l'accroche des microbilles d'indium 8 assurant l'hybridation. Le substrat ou réseau d'interconnexion 1 sur lequel sont implantés les différents modules ainsi réalisés, présente avantageusement un coefficient de dilatation thermique sur la plage de température de fonctionnement 80K-400/450K très proche de celui du germanium constitutif du substrat de contrainte collé au silicium aminci du circuit de lecture. Ce substrat d'interconnexion est d'ailleurs avantageusement réalisé en germanium. En effet, outre le fait qu'on observe pas d'effet bilame entre le circuit de lecture et le substrat d'interconnexion, la mise en oeuvre de germanium est compatible avec le traitement sur les chaînes de fonderie silicium, en particulier pour les dépôts métalliques et les opérations de photolithographie nécessaires à l'obtention des motifs d'indexation permettant d'assurer le positionnement précis des différents modules élémentaires sur ledit substrat d'interconnexion. Il est rappelé que 80K est la température de fonctionnement du détecteur, et 400K la température utilisable pour le collage. Selon une caractéristique de l'invention, et ainsi qu'on peut bien l'observer sur la figure 6, on implante sur le substrat d'interconnexion 1 non pas un, mais deux réseaux (voire trois) de quantités de matériau destinées à faire fonction de billes d'hybridation. Le premier réseau 9, réalisé en indium, est relié par le biais de pistes métalliques conductrices 11 à l'extérieur de la zone d'implantation des modules au niveau de plots d'interconnexion externes 12. Ces plots sont typiquement réalisés en or, et sont isolés par masquage notamment au moyen d'une résine photosensible ou d'une couche isolante, par exemple réalisée en ZnS lors de l'opération d'hybridation des modules élémentaires. Corollairement, un second réseau 10 de quantités de matériau d'hybridation de même nature que le réseau 9 est déposé, par exemple en alternance avec ledit premier réseau. Ce second réseau est également réalisé en indium, mais en revanche,, il n'est pas relié à des plots de connexion externes car ce second réseau constitue le dernier réseau utilisable pour l'hybridation. Dans le cas particulier de l'implantation de trois réseaux (non représentés), cas offrant deux possibilités de réparation, seuls les deux premiers réseaux sont reliés à des plots externes par des pistes métalliques conductrices distinctes des pistes conductrices 11. Selon une autre caractéristique de l'invention, le volume de matériau d'hybridation déposé pour ledit second réseau 10 est inférieur à celui dudit premier réseau 9, l'objectif recherché, lors de l'hybridation du module élémentaire 2 sur le substrat d'interconnexion 1 étant que ledit second réseau ne vienne pas en contact avec ledit module et ne soit pas affecté par cette hybridation dite nominale . L'hybridation nominale du ou des modules élémentaires sur le substrat d'interconnexion intervient de manière traditionnelle par élévation de la température de l'enceinte dans laquelle est positionné l'ensemble des ces différents éléments à une température au moins égale à la température de fusion du matériau d'hybridation, pour assurer l'hybridation effective par effet de refusion. Préalablement à ces opérations, un flux de matériau sous forme liquide appelé flux de soudure, est déposé sur le substrat d'interconnexion. De manière classique, ce flux de soudure est tout d'abord destiné à assurer la désoxydation du matériau d'hybridation et de limiter sa ré-oxydation lors de l'opération effective de brasure, c'est-à-dire lors de l'opération de refusion. Ce flux assure également la fonction de transfert de chaleur, mais également de diminution des phénomènes de tension de surface, permettant ainsi audit matériau d'adopter sensiblement la forme d'une bille globalement circulaire, d'où le terme de billes d'hybridation. En fonctionnement normal, c'est à dire dans le cas où aucun des modules élémentaires ne s'avère défaillant, soit en raison d'une dégradation d'origine mécanique ou autre, soit en raison de son procédé de fabrication, le second réseau 10 ne remplit aucune fonction. En revanche, en cas de dégradation de l'un de ces modules élémentaires en cours d'opération, voire en cours d'hybridation, il s'est avéré souhaitable de pouvoir remplacer le module en question, et c'est dans cette hypothèse que le second réseau 10 va devenir opérationnel. A cet effet, on retire tout d'abord la couche de protection des plots de connexion externes 12 reliés au premier réseau 9 de billes d'hybridation nominale au niveau du module défectueux. Puis, on fait migrer par capillarité dans la zone de connectique correspondante, c'est-à-dire entre ledit module défectueux et le substrat d'interconnexion, une solution conductrice de l'électricité, et par exemple un flux d'hybridation, cette migration étant localisée au niveau du seul module défectueux. La migration dudit flux peut être aisément réduite au seul module défectueux en choisissant un apport réduit (micro dépôt par seringue) couplé à une migration par capillarité. En tout état de cause, tout dépôt excédentaire serait sans influence sur les autres billes car le transfert de matière (consommation de l'indium) ne concerne que les billes couplées électriquement au plot de connexion externe. En raison de la nature conductrice de ce flux d'une part, et de la différence des potentiels normaux d'oxydoréduction respectivement de l'indium (-0,33 volts) constitutif du matériau d'hybridation, et de l'or (+0,99 volts) constitutif des plots de connexion externes d'autre part, il se produit une réaction électrochimique ou effet pile, dont la conséquence est la consommation des billes d'hybridation dudit premier réseau 9 soumises à cette différence de potentiels redox. Au surplus, on sélectionne les billes à supprimer, et à tout le moins fortement réduire par le biais des plots de connexion externes 12. Le bouclage électrique apporté par la solution conductrice conduit à un transfert immédiat de matériau. En présence d'or et d'indium, le déplacement de l'indium vers l'or conduit à la complète disparition de la bille d'indium (hors composé intermétallique Or-In. Ainsi, en raison du fait que le second réseau 10 de billes d'hybridation n'est pas relié aux plots de connexion externes 12, celui- ci n'est pas affecté par les réactions corrosives résultant de cette réaction électrochimique. Seul le premier réseau 9 est ainsi consommé, totalement ou partiellement, en fonction de la durée de soumission de cette zone d'interconnexion au flux ainsi introduit. Ce faisant, il devient possible après un certain temps de réaction, typiquement quelques secondes, de retirer le module élémentaire défectueux, qui n'est plus alors 35 relié mécaniquement-audit substrat d'interconnexion 1. Avantageusement, on procède alors à une phase de nettoyage de la zone ainsi découverte du substrat d'interconnexion. Dans le cas particulier de l'utilisation d'un flux d'hybridation, la complète élimination passe généralement par un rinçage au flux pur suivi d'une aspersion d'eau désionisée (par exemple au moyen d'un jet haute pression) puis d'un séchage sous azote gazeux La mise en place du module élémentaire de remplacement 2' s'effectue alors de la manière suivante. On redépose une nouvelle couche de flux d'hybridation sur la zone concernée du substrat d'interconnexion et notamment sur les billes constitutives du second réseau 10. On procède à un soufflage pour limiter la quantité de flux. Ce soufflage peut être orienté vers l'extérieur du réseau d'interconnexion afin de canaliser l'élimination des surplus. La présence d'éventuelles traces de flux à l'aplomb des autres modules serait sans impact sur la tenue de ces modules. L'ensemble du plan focal est à nouveau nettoyé après réparation pour élimination des résidus de flux. Puis, on positionne le module élémentaire de remplacement 2' en lieu et place du module remplacé, et on procède à une phase d'hybridation à l'instar de ce qui a été précédemment décrit. Selon une variante de l'invention, au lieu de déposer le flux d'hybridation sur le substrat d'interconnexion, il est possible de déposer ledit flux sur la face arrière du module élémentaire de remplacement. On conçoit qu'en raison de la plus faible quantité de matériau d'hybridation constitutif du second réseau 9, la cote selon l'axe Z des photosites dudit module de remplacement 2' ne correspond pas à la cote originale du module remplacé 2, la différence de volume des billes dudit réseau 10 se traduisant par une plus faible hauteur h des billes correspondantes. On a matérialisé par Ah cette variation de hauteur au sein de la figure 8, cette variation étant susceptible d'atteindre quelques micromètres. Cette défocalisation des photosites concernés est préjudiciable à la qualité de la matrice de détecteurs correspondante. Afin de palier cette variation de cote, on sélectionne alors un module élémentaire dont le circuit de détection 4 (ou dont le circuit de lecture) présente une épaisseur supérieure, pour ainsi rattraper la cote originale selon l'axe Z. On conçoit dès lors le remplacement aisé d'un module élémentaire défectueux au sein d'un plan focal comportant une pluralité de tels modules juxtaposés ou aboutés les uns avec les autres au moyen du procédé de l'invention. La présente invention a été décrite en mettant en oeuvre la combinaison HgCdTe/CdTe/Ge, dans laquelle la couche active a été déposée par épitaxie par jets moléculaires sur un substrat en Germanium. Cependant, elle peut également être mise en oeuvre avec une fonction de détection réalisée par des puits quantiques élaborés par épitaxie sur substrats AsGa, ou encore avec un circuit de détection constitué d'un substrat InSb monolithique, voire avec comme matériau de détection du silicium, pour le domaine spectral visible. REVENDICATIONS 1. Procédé pour la réalisation d'une matrice de détecteurs de rayonnements électromagnétiques, constituée d'une pluralité de modules de détection élémentaires (2) rapportés sur un substrat d'interconnexion (1), lesdits modules élémentaires (2) étant eux-mêmes composés d'au moins un circuit de détection (4, 5) dudit rayonnement associé à un circuit de lecture (3) par hybridation, ledit circuit de lecture (3) étant lui-même solidarisé au substrat d'interconnexion (1) par hybridation, caractérisé en ce qu'il consiste : - à déposer sur le substrat d'interconnexion (1) un nombre déterminé de quantités de matériau de brasure ou d'hybridation, destinées à constituer les billes d'hybridation avec les modules élémentaires (2), et ce selon au moins deux réseaux, respectivement un premier réseau (9) pour l'hybridation nominale, et au moins un second réseau (10), au moins ledit réseau pour l'hybridation nominale étant relié à des plots d'interconnexion par le biais de pistes métalliques conductrices, les dépôts de matériau de brasure ou d'hybridation du ou desdits second réseau(x) (10) étant inférieurs en volume à ceux dudit premier réseau (9) ; - à déposer sur le substrat d'interconnexion muni de ces au moins deux réseaux de matériau de brasure, un flux de matériau sous forme liquide remplissant les fonctions de désoxydation dudit matériau de brasure ou d'hybridation, de limitation de ré-oxydation dudit matériau après réalisation effective de ladite brasure, de transfert de chaleur, outre de diminution des tensions de surface ; - à rapporter les modules élémentaires à hybrider sur le substrat d'interconnexion ; - puis à élever la température de l'enceinte au sein de laquelle sont positionnés les différents éléments à hybrider jusqu'à atteindre au moins la température de fusion du matériau de brasure ou d'hybridation afin d'assurer la brasure ou l'hybridation effective des modules sur le substrat d'interconnexion entre eux par effet de refusion. 2. Procédé pour la réalisation d'une matrice de détecteurs de rayonnements électromagnétiques selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de brasure desdits premier (9) et second (10) réseaux sont de même nature. 3. Procédé pour pourvoir au remplacement d'un module de détection élémentaire (2) rapporté par hybridation sur un substrat d'interconnexion (1) comportant une pluralité de tels modules élémentaires juxtaposés ou aboutés les uns à coté des autres afin de définir un plan focal de grandes dimensions, lesdits modules élémentaires (2) étant rapportés sur le substrat d'interconnexion par un premier réseau (9) de billes d'hybridation, lesdites billes étant connectées à un ou plusieurs plots de connexion externes (12) par une ou plusieurs pistes conductrices (11), le substrat d'interconnexion comportant également au moins un second réseau (10) de billes d'hybridation; les dimensions des billes dudit au moins second réseau étant inférieures à celles constitutives dudit premier réseau d'hybridation (9), caractérisé en ce qu'il consiste : - tout d'abord, à retirer la couche de protection dont sont revêtus le ou les plots de connexion externes (12) reliés électriquement audit premier réseau (9) de billes d'hybridation ; - puis à faire migrer, notamment par capillarité, une solution électriquement conductrice entre ledit module élémentaire à remplacer (2) et le substrat d'interconnexion, afin d'induire par réaction électrochimique, la dissolution à tout le moins partielle dudit premier réseau (9) de billes d'hybridation ; - à retirer le module à remplacer ; - puis à hybrider le module de remplacement (2') par une nouvelle élévation de température de l'enceinte dans laquelle est située l'ensemble à une température au moins égale à la température de fusion du matériau constitutif desdites billes d'hybridation du second réseau (10) pour assurer la solidarisation par refusion. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau de brasure desdits premier (9) et second (10) réseaux sont de même nature. 5. Procédé selon l'une des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que le module de remplacement (2') comporte un circuit de détection ou un circuit de lecture plus épais que le circuit de détection ou le circuit de lecture du module remplacé, afin de compenser la variation de hauteur des billes d'hybridation entre les deux réseaux. 6. Procédé selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que le dépôt de la solution électriquement conductrice est réalisé sur la face arrière du module élémentaire à remplacer (2).