Brevet FR2914495A1 — publié le 20081003

AMELIORATION DE LA QUALITE D'UNE COUCHE MINCE PAR RECUIT THERMIQUE HAUTE TEMPERATURE CONTEXTE, La présente invention est relative à la réalisation de structures composites. Plus précisément l'invention concerne un procédé de formation d'une structure comprenant une couche en matériau semi-conducteur prélevée à partir d'un substrat donneur, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : (a) implantation d'espèces atomiques pour former une zone de fragilisation dans le substrat donneur à une profondeur déterminée ; (b) assemblage du substrat donneur à un substrat receveur ; (c) apport d'énergie pour détacher la couche prélevée du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation ; (d) traitement de finition de la couche prélevée en vue d'améliorer son état de surface. Des procédés du type mentionné ci-dessus sont déjà connus de l'homme du métier. Les procédés de type Smart CutTM en sont un exemple qui 20 correspondent à un mode préféré de mise en oeuvre de l'invention. De tels procédés permettent de réaliser des structures comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur. Afin d'obtenir des précisions sur la technologie susmentionnée, l'homme du métier pourra, par exemple, se référer à : 25 - J.-P. COLINGE, Silicon-on-Insulator technology: materials to VLSI, second edition , p. 50-51, Kluwer Academic Publishers, 1991. Les structures obtenues par de tels procédés sont mises en oeuvre pour des applications dans les domaines de la microélectronique, de l'optique et / ou de l'optronique. 30 Ces structures sont du type silicium sur isolant (en anglais, Silicon On Insulator , (SOI)), dans le cas où la couche prélevée est en silicium ou du type silicium contraint sur isolant (en anglais, strained SOI , (sSOI)) dans le cas où 2 2914495 la couche prélevée est en silicium contraint. D'autres types de structures composites peuvent également être obtenues. L'étape (a) consiste en l'implantation d'une ou plusieurs espèces ionisées dans le substrat donneur qui va par la suite former une zone de défauts plus ou 5 moins enterrée selon l'énergie d'implantation. Ces défauts vont pouvoir évoluer et mener au détachement de la couche prélevée lors de l'étape (c). L'énergie utilisée lors de l'étape (c) est au moins en partie apportée sous forme thermique par un recuit de détachement. Par conséquent c'est le budget thermique (c'est-à-dire, en première approche le couple température / durée du 10 traitement thermique) qu'il convient de considérer pour déterminer le moment où la couche à prélever se détachera. Outre le budget thermique, la répartition de la température (entre le haut et le bas du four) a aussi son importance. Après le détachement effectué à l'étape (c), on peut généralement 15 observer des rugosités, des imperfections sur la couche prélevée, et/ou une diminution de la qualité cristalline en surface. Etant donné les applications visées, les spécifications sur l'état de surface des structures utilisées sont généralement très sévères : la rugosité de la couche mince est un paramètre qui dans une certaine mesure conditionne la qualité des composants qui seront réalisés sur la structure. Pour traiter ces défauts de surface on peut mettre en oeuvre un traitement de finition dans le but de se conformer aux exigences de rugosité finale que doit satisfaire la face libre du substrat pour son emploi ultérieur. Ces étapes de finition correspondent à des étapes supplémentaires de procédé qui ont tendance à complexifier le procédé et à en augmenter le coût. Une méthode connue pour diminuer les défauts de surface tels que mentionnés ci-dessus consiste à mener le recuit de détachement (étape (c)) à haute température (ce qui correspond par convention à une température de plus de 500 C dans le présent texte). Dans les documents US 2003/0216008 et WO 2005/086228 il est mentionné des exemples de tels recuits de détachement notamment en exposant les plaques à haute température pendant une durée déterminée afin d'initier le détachement. 3 2914495 Ces documents montrent que la rugosité est diminuée lorsque le recuit de détachement est réalisé en partie à haute température ce qui permet par la suite de simplifier l'étape de finition. On pense en effet, que le fait de prolonger le recuit de détachement à une 5 haute température , permet de guérir certains défauts des surfaces issues du détachement. Le fait de mener le recuit de détachement à de telles températures produit cependant un effet indésirable : il est parfois difficile de décoller le substrat donneur de la structure réalisée. 10 Ceci est généralement expliqué par un phénomène de recollement du substrat donneur et de la structure réalisée au niveau de l'interface de détachement lorsque l'assemblage est soumis à une haute température . RESUME DE L'INVENTION 15 La présente invention se propose de pallier aux problèmes susmentionnés, et notamment de permettre la mise en oeuvre d'un recuit de détachement haute température en réduisant les risques de recollement. A cet effet l'invention propose un procédé de formation d'une structure comprenant 20 une couche en matériau semi-conducteur prélevée à partir d'un substrat donneur, le procédé comprenant les étapes successives suivantes, (a) implantation d'espèces atomiques pour former une zone de fragilisation dans le substrat donneur à une profondeur déterminée ; (b) assemblage du substrat donneur à un substrat receveur ; (c) apport d'énergie pour détacher la couche 25 prélevée du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation en mettant en oeuvre un recuit de détachement mené à haute température ; (d) traitement de finition de la couche prélevée en vue d'améliorer son état de surface, caractérisé en ce que dans l'étape (c) de détachement, le recuit de détachement haute température évolue selon une rampe montante permettant d'atteindre une haute 30 température, ladite haute température correspondant à la température maximale du recuit de détachement et en ce que la durée d'exposition à ladite haute température est limitée de manière à éviter l'apparition d'une défectivité significative à la surface de la structure obtenue à l'issue du détachement. 4 2914495 Des aspects préférés, mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants - la durée (D) d'exposition à ladite haute température est inférieure ou égale à une limite qui est une fonction linéaire (L) de la haute température, - la fonction linéaire est de la forme : D = -3/5 HT + 450, où HT et D sont 5 respectivement, la haute température exprimée en degrés Celsius et la durée d'exposition à ladite haute température exprimée en minutes, - la durée (D) d'exposition à ladite haute température est égale à ladite limite (L), - la durée d'exposition à ladite haute température est nulle de sorte que 10 ladite rampe montante est immédiatement suivie d'une rampe descendante lors de laquelle la température décroît, - dans la rampe montante la température croit de 10 C par minute, - la température dans la rampe descendante décroît de 10 C par minute, 15 - la valeur maximale de la haute température atteinte lors de la rampe montante est supérieure à 500 C, -la valeur maximale de la haute température atteinte lors de la rampe montante est supérieure à 600 C, - la température maximale atteinte lors de la rampe montante est 20 comprise entre 700 C et 750 C, - la phase d'implantation (a) est une étape de co-implantation et de manière préférée des espèces d'hydrogène et d'hélium sont implantées, en implantant typiquement d'abord l'hydrogène, En outre, l'invention concerne une structure du type silicium sur isolant 25 obtenue après avoir mis en oeuvre les étapes (a) (b) et (c) du procédé de l'invention, cette structure présentant une rugosité mesurée après détachement de 10 Angstrôms RMS pour des surfaces de 10x10 m2. 5 2914495 PRESENTATION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit laquelle est purement illustrative et non limitative et doit 5 être lue en regard des figures annexées sur lesquelles : - la figure 1 représente le budget thermique mis en oeuvre pendant un recuit de détachement conformément à la présente invention, la figure 2 représente le budget thermique mis en oeuvre pendant un recuit de détachement tel que connu dans l'art antérieur, 10 - la figure 3 représente la rugosité moyenne (exprimée en Haze DWN) de structures SOI après détachement en fonction de la température maximale atteinte lors du recuit de détachement, pour des durées d'exposition à la température maximale égales à 0, 10, et 30 minutes respectivement, les figures 4a, 4b et 4c représentent les cartographies de défauts 15 observées après détachement sur des structures SOI obtenues en mettant en oeuvre un recuit de détachement de type connu dans lequel l'exposition à la haute température est de durée égale à 30 minutes, la haute température étant égale à 500 C (4a), 600 C (4b) et 675 C (4c), - la figure 5 représente une cartographie de défauts observée après 20 détachement sur une structure SOI obtenue en mettant en oeuvre un recuit de détachement selon l'invention présentant un pic de température égale à 675 C, - la figure 6 est un tableau illustrant des résultats obtenus en termes de facilité de détachement dans des structures ayant subi des recuits de 25 détachement dans lesquels la valeur de la haute température et la durée d'exposition sont variables, - la figure 7 représente la rugosité moyenne (exprimée en Haze DWN) d'une structure SOI après détachement en fonction de la température maximale atteinte lors du recuit de détachement, chacune de ces structures 30 ayant été obtenues par une implantation de type différent : Hydrogène+Hélium, Hélium+Hydrogène, Hydrogène seul, - la figure 8 représente la rugosité moyenne locale RMS mesurée sur des surfaces de 10x10 m2 en fonction de la température maximale atteinte lors 6 2914495 du recuit de détachement, chacune de ces structures ayant été obtenues par une implantation de type différent : Hydrogène+Hélium, Hélium+Hydrogène, Hydrogène seul, - la figure 9 est un tableau regroupant pour différentes conditions 5 d'implantation et pour plusieurs valeurs de la haute température la faisabilité du détachement en menant un recuit de détachement selon l'invention. DESCRIPTION DE L'INVENTION 10 Comme déjà mentionné, l'invention concerne la réalisation de structures comprenant une couche en matériau semi-conducteur prélevée à partir d'un substrat donneur, selon les étapes générales (a) à (c) ou (d) mentionnées en introduction de ce texte. 15 La couche en matériau semi-conducteur est obtenue par détachement au niveau d'un substrat donneur fragilisé par implantation d'espèces. L'invention peut en particulier permettre d'améliorer la qualité de la structure obtenue par mise en oeuvre de procédé de type Smart CutTM notamment en réduisant la rugosité et la défectivité de la structure obtenue à 20 l'issu du recuit de détachement, avant d'éventuelles étapes de finition. L'invention permet également de minimiser ces étapes de finition et donc de diminuer la durée du procédé. Dans le cadre du procédé selon l'invention, différentes conditions d'implantation dans un substrat donneur (étape (a)) et de recuit de détachement 25 (étape (c)) ont été évaluées pour obtenir des structures de type SOI. L'étape d'implantation (a) a ainsi été mise en oeuvre selon trois variantes notées H, H+He et He+H : - H : implantation en hydrogène seul (les conditions qui seront commentées dans le présent texte correspondent à une concentration égale à 1,0x1016 cm-2 et 30 une énergie d'implantation égale à 32 keV) ; - He+H : co-implantation séquentielle d'hélium puis d'hydrogène (les conditions qui seront commentées dans le présent texte correspondent à une concentration égale à 1,0x1016 cm-2 pour chacune des deux espèces et des 7 2914495 énergies d'implantation égales à 32 keV pour l'hydrogène et 52 keV pour l'hélium) ; - H+He : co-implantation séquentielle d'hydrogène puis d'hélium (les conditions qui seront commentées dans le présent texte correspondent à une 5 concentration égale à 1,0x1016 cm-2 pour chacune des deux espèces et des énergies d'implantation égales à 32 keV pour l'hydrogène et 52 keV pour l'hélium). Dans une variante avantageuse, on procédera ainsi à une étape de coimplantation. On désignera de manière générale l'étape (a) comme étape 10 d'implantation, qu'une ou plusieurs espèces soient implantées. On précise que la co-implantation permet de réduire la dose des espèces implantées. Suite à l'étape d'implantation, l'étape d'assemblage (b) est mise en oeuvre par mise en contact du substrat donneur avec le substrat receveur. 15 Ces substrats assemblés subissent ensuite un recuit de détachement selon une évolution de température déterminée. Comme illustré sur la figure 1, le recuit de détachement commence généralement par un palier de température égale à 200 C pendant environ une heure, ce qui contribue à renforcer l'interface de collage. 20 La température augmente ensuite selon une rampe montante pendant laquelle la température croît (à une vitesse pouvant être de 10 C par minute) jusqu'à une haute température supérieure ou égale à 500 C. Sitôt la haute température atteinte, on fait décroître immédiatement la température (à une vitesse pouvant être de 10 C par minute) jusqu'à atteindre 25 une température de l'ordre de 200 C, l'exposition à une haute température est donc limitée. La figure 2 illustre quant à elle un recuit de détachement de type connu dans lequel la haute température est stabilisée dans un palier (qui peut avoir une durée de l'ordre de 30 minutes, par exemple). 30 Afin de caractériser la qualité des structures SOI suite au recuit de détachement celles-ci sont soumises à plusieurs tests : test de rugosité , test de défectivité . Ces deux types de test traduisent deux qualités distinctes des structures. 8 2914495 La rugosité est celle de la surface de la couche transférée, après détachement. C'est cette rugosité que des recuits de détachement haute température connus cherchent à réduire. La défectivité correspond quant à elle û en tous cas au sens du présent 5 texte û à des défauts de taille sensiblement plus importante que les grandeurs représentatives de la rugosité. Ces défauts correspondant à des arrachements partiels de la couche transférée. La défectivité traduisant ainsi les éventuels recollements de la couche avant son transfert. Dans ce texte le terme de défaut correspond à cette défectivité et il ne couvre donc en particulier pas la 10 rugosité. La mesure du haze DWN renseigne sur la rugosité moyenne mesurée sur toute la surface de la structure obtenue. Ce haze est mesuré par SPI balayant la surface à analyser. Son principe repose sur la détection de l'intensité lumineuse diffusée par la plaque en réponse à un rayon laser de longueur d'onde égale à 15 488 nm. L'intensité lumineuse diffusée est récupérée par deux canaux de tailles différentes : un canal étroit (on parle alors de haze DNN) ou un canal large (on parle alors de haze DWN). La figure 3 représente le haze DWN de structures SOI après détachement en fonction de la température maximale atteinte lors du recuit de détachement, 20 pour des durées d'exposition à la température maximale égales à 0 (c'est-à-dire recuit de détachement selon l'invention), 10, et 30 minutes. Les figures 4a, 4b et 4c représentent les cartographies de défauts observées par SPI après détachement sur des structures SOI pour des températures maximales du recuit de détachement respectivement égales à 25 500 C, 600 C et 675 C. L'exposition à cette haute température est de 30 minutes (recuit de détachement de type connu). Sur les figures 3, 4a, 4b et 4c les conditions d'implantation sont celles mentionnées précédemment. La figure 3 indique clairement, comme connu et comme mentionné 30 précédemment, que le fait d'augmenter la température du recuit de détachement permet d'améliorer la rugosité. En effet, tel qu'illustré sur la figure 3, quelle que soit la durée d'exposition la rugosité moyenne s'améliore (diminue) lorsque la température maximale du recuit de détachement augmente. 9 2914495 La figure 3 indique en outre que le fait de diminuer la durée d'exposition à une haute température permet d'opérer dans de bonnes conditions, le recuit de détachement à de plus hautes températures. Plus précisément, on a constaté sur les structures dont les qualités sont 5 illustrées sur la figure 3 qu'il était en pratique difficile, voire impossible, de détacher correctement la couche à transférer pour des températures de détachement supérieures à 700 C (dans le cas d'un palier de 30 minutes à cette température de détachement) et supérieure à 750 C (dans le cas d'un palier de 10 minutes). 10 Ceci est à rapprocher des résultats illustrés par les figures 4a, 4b et 4c. En effet, on remarque sur ces figures que le fait d'élever la haute température entraîne une augmentation des arrachements sur les bords de la couche transférée de la structure obtenue : il a été difficile de détacher les substrats. 15 En outre, on assiste à ces hautes températures à un phénomène de recollement dû aux liaisons Silicium-Silicium. Sur la figure 4c de nombreux arrachements sont ainsi visibles sur les bords de la plaque. Ce phénomène d'arrachement est diminué lorsque l'on met en place le 20 recuit de détachement conformément à l'invention comme cela est bien visible sur la figure 5 où comparativement à la figure 4c (qui correspond à la même valeur de haute température les défauts sur les bords ont nettement diminué. Le tableau de la figure 6 illustre, de manière synthétique, bien l'avantage que présente la diminution de la durée d'exposition à une haute température . 25 En effet nous avons vu plus haut que le fait d'augmenter la haute température permet d'améliorer la rugosité après détachement mais que cela est susceptible d'entraîner un recollement des substrats. Le tableau sur le figure 6 illustre les résultats en termes de défectivité obtenus à l'issue de différentes conditions de recuit de détachement (valeur de la 30 haute température , durée d'exposition à cette haute température ). Sur ce tableau lorsque les cases sont blanches, cela signifie que le décollement se réalise correctement et lorsqu'il y a un dégradé de couleurs (blanc + gris ou noir + gris), il devient de plus en plus difficile de séparer les 10 2914495 substrats mais cela reste encore possible, par contre lorsqu'elles sont noires les substrats sont fortement abîmés, voire cassés, ce qui traduit un recollement excessif. Par exemple, pour une durée d'exposition de 30 minutes à une haute 5 température supérieure à 750 C il n'a pas été possible de décoller les substrats alors que cela a été possible pour une durée d'exposition inférieure pour la même haute température . Le tableau de la figure 6 permet d'identifier une limite L qui délimite des conditions limites (valeur de la plus haute température pendant le recuit de 10 détachement - que l'on notera HT ; durée d'exposition à cette plus haute température û que l'on notera D) permettant d'obtenir une structure de bonne qualité en termes de défectivité. Cette limite L sépare deux domaines Dl et D2. Le domaine Dl correspond à des conditions acceptables. Le domaine D2 correspond quant à lui à des conditions qui conduisent à une défectivité trop 15 importante. Selon l'invention on réalise le recuit de détachement dans le domaine Dl c'est-à-dire qu'on garde la valeur de la plus haute température et la durée d'exposition inférieure à des valeurs limites. On constate que la limite L correspond à des conditions dans lesquelles la 20 durée D est une fonction sensiblement linéaire de la plus haute température HT. Plus précisément, on peut caractériser la limite L comme correspondant à l'équation : D = -3/5 HT + 450. II est, grâce à la mise en évidence de cette limite, possible d'optimiser 25 l'exposition à des hautes températures en choisissant une durée D et une température HT qui correspondent à un point de la limite L. Dans une variante de mise en oeuvre de l'invention, l'exposition à la haute température maximale atteinte lors du recuit de détachement est instantanée et on fait décroître la température dès que cette valeur maximale a 30 été atteinte. Ceci correspond à l'exemple de la figure 1 notamment. Les figures 7 et 8 illustrent des rugosités obtenues en sortie de recuit de détachement sur des structures SOI pour différentes valeurs de la température maximale du recuit de détachement et pour différentes variantes d'implantation. 11 2914495 On précise que sur ces figures : - lorsque la température maximale du recuit de détachement est égale à 500 C le recuit utilisé est de type connu, avec un palier à 500 C pendant 30 minutes (cf. figure 2), 5 -lorsque la température maximale du recuit de détachement est supérieure à 500 C le recuit présente un pic de température supérieure à 500 C et redescend immédiatement, conformément à une variante de l'invention (cf. figure 1). Sur la figure 7 le haze DWN est représenté en fonction de la température 10 maximale du recuit de détachement (comprise entre 500 C et 800 C), mesuré sur une structure SOI pour les trois types de variante d'implantation. On retrouve l'évolution globale du haze DWN qui diminue pour les températures maximales plus élevées. Cette diminution, qui correspond à un meilleur état de surface et particulièrement sensible pour une température 15 maximale supérieure à 600 C. On remarque également que le gain le plus important est à observer pour la variante H+He. En effet pour une température inférieure à 650 C le haze DWN est très élevé mais à partir de 650 C il diminue et rejoint rapidement le haze DWN de la variante He+H. 20 Les observations effectuées au SPI, et illustrées sur la figure 7, sont à corréler avec les mesures de rugosité par un microscope à force atomique (en anglais, Atomic Force Microscop (AFM)). Celui-ci permet de déterminer la rugosité caractérisée par une valeur quadratique moyenne (en anglais, Root Mean Square (RMS)) de la taille des défauts en balayant à l'aide du 25 microscope une partie de la surface mesurée sur des surfaces de 2x2 m2 à 40x40 m2, cette rugosité dite RMS est exprimée en Angstrôms (A). Sur la figure 8 est ainsi représentée la rugosité RMS mesurée sur des surfaces de 10x10 1.tm2 de structures SOI en fonction de la température maximale du budget thermique du recuit de détachement. 30 La rugosité RMS décroît en fonction de la température du recuit de détachement. Il est à remarquer que les deux variantes de co-implantation présentent des rugosités inférieures à celles de la variante H. 12 2914495 Par ailleurs pour les trois variantes, on a constaté qu'il est particulièrement avantageux d'amener le recuit de détachement à des températures supérieures à 600 C. A partir de 750 C les deux variantes de co-implantations permettent 5 d'obtenir des surfaces de rugosité équivalentes. Dans tous les cas, on amène le recuit de détachement à une haute température , en minimisant la durée d'exposition aux hautes températures (afin notamment de guérir ou en tout état de cause de réduire les défauts de surfaces issus du détachement). 10 Le tableau de la figure 9 illustre (sur le même principe que le tableau de la figure 6), pour les trois variantes d'implantations testées la faisabilité de décoller les substrats après le recuit de détachement selon l'invention dans la variante où la température décroît sitôt la température maximale atteinte lors du détachement. 15 Ce tableau indique que l'implantation H+He produit les meilleurs résultats en termes de défectivité. Ceci identifie ce type d'implantation comme le plus avantageux alors qu'il pouvait être considéré équivalent à une implantation He+H sur le fondement de la seule rugosité. Grâce à ces résultats il est possible d'évaluer la température limite quant 20 au choix de la valeur du pic de température du recuit de détachement selon l'invention, en effet pour les trois variantes d'implantation il n'a pas été possible de décoller les plaques au-delà de 800 C. L'invention permet ainsi de : - bénéficier d'un état de surface amélioré après détachement, grâce à 25 l'exposition à une haute température, - tout en retardant l'apparition des inconvénients dus au recollement, grâce à la limitation de la durée d'exposition à une haute température . Ainsi les résultats montrés dans la présente description montrent bien que le budget thermique de l'invention permet d'améliorer l'état de surface de la 30 structure obtenue lorsque la température est supérieure à 500 C, et plus particulièrement supérieure à 600 C et inférieure ou égale à 750 C. Il est également à noter que l'on obtient des résultats particulièrement avantageux en utilisant une variante de co-implantation lors de l'étape (a). Et, la 13 2914495 co-implantation H+He produit des résultats particulièrement avantageux en termes de défectivité. En outre l'élimination du palier permet de diminuer la durée des procédés de type Smart CutTM, la durée du recuit de détachement étant diminuée. 5 Les structures du type SOI obtenues après un recuit de détachement selon l'invention présentent une rugosité inférieure aux rugosités obtenues selon un recuit détachement de type connu (avec palier à haute température). Cette rugosité est typiquement de 70 à 100 A RMS pour une implantation d'hydrogène seul et pour une température maximale du recuit de décollement de 500 C. 10 L'exemple décrit s'est focalisé sur des structures SOI, bien entendu l'homme du métier pourra aisément transposer la présente invention à d'autres types de structures pouvant être obtenues via des procédés de type Smart CutTM. Notamment, des résultats comparables à ceux décrits dans la présente 15 description ont été obtenus pour des structures sSOI dans lesquelles l'implantation et la fracture sont réalisées dans du SiGe relaxé. De manière plus générale l'invention est applicable à toute structure obtenue par transfert de la couche selon les étapes (a) à (c) ou (d) rappelées dans ce texte. 14 REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'une structure comprenant une couche en matériau semi-conducteur prélevée à partir d'un substrat donneur, le procédé 5 comprenant les étapes successives suivantes : (a) implantation d'espèces atomiques pour former une zone de fragilisation dans le substrat donneur à une profondeur déterminée ; (b) assemblage du substrat donneur à un substrat receveur ; (c) apport d'énergie pour détacher la couche prélevée du substrat donneur 10 au niveau de la zone de fragilisation en mettant en oeuvre un recuit de détachement mené à haute température ; (d) traitement de finition de la couche prélevée en vue d'améliorer son état de surface, caractérisé en ce que dans l'étape (c) de détachement, le recuit de détachement haute température évolue selon une rampe montante permettant 15 d'atteindre une haute température, ladite haute température correspondant à la température maximale du recuit de détachement et en ce que la durée d'exposition à ladite haute température est limitée de manière à éviter l'apparition d'une défectivité significative à la surface de la structure obtenue à l'issue du détachement. 20 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la durée (D) d'exposition à ladite haute température est inférieure ou égale à une limite qui est une fonction linéaire (L) de la haute température. 25 3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite fonction linéaire est de la forme : D = -3/5 HT + 450, où HT et D sont respectivement, la haute température exprimée en degrés Celsius et la durée d'exposition à ladite haute température exprimée en minutes. 30 4. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que la durée (D) d'exposition à ladite haute température est égale à ladite limite (L). 15 2914495 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la durée d'exposition à ladite haute température est nulle de sorte que ladite rampe montante est immédiatement suivie d'une rampe descendante lors de laquelle la température décroît. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que dans la rampe montante la température croit de 10 C par minute. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce 10 que la température dans la rampe descendante décroît de 10 C par minute. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la valeur maximale de la haute température atteinte lors de la rampe montante est supérieure à 500 C. 9. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la valeur maximale de la haute température atteinte lors de la rampe montante est supérieure à 600 C. 20 10. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la température maximale atteinte lors de la rampe montante est comprise entre 700 C et 750 C. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce 25 que la phase d'implantation (a) est une étape de co-implantation. 12. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que des espèces d'hydrogène et d'hélium sont implantées. 30 13. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'hydrogène est d'abord implanté. 15 16 2914495 14. Structure du type silicium sur isolant obtenue après avoir mis en oeuvre les étapes (a) (b) et (c) du procédé selon la revendication 1, cette structure présentant une rugosité mesurée après détachement de 10 Angstrôms RMS pour des surfaces de 10x10 m2.