Brevet FR2911003A1 — publié le 20080704

La présente invention concerne un procédé de mise à nu d'un circuit intégré par ablation d'une enveloppe de polymère recouvrant initialement le circuit intégré. Les circuits intégrés sont gravés dans un bloc de silicium muni de connexions latérales réalisées notamment en cuivre permettant la connexion du circuit interne à un circuit imprimé portant d'autres composants électroniques. Le circuit intégré est encapsulé dans une enveloppe de polymère maintenant rigidement les pattes de connexion en permettant la manipula- fion du circuit et en assurant sa protection. Pour l'analyse du fonctionnement des circuits intégrés, il est nécessaire dans certains cas de pouvoir accéder au circuit intégré tout en conservant son intégrité et ses capacités de fonctionnement. A cet effet, il est connu de procéder localement à l'ablation de l'enveloppe de polymère permettant de mettre à nu une surface du circuit intégré. Pour l'ablation de l'enveloppe de polymère, il est connu d'appliquer un faisceau laser de forte puissance sur l'enveloppe de polymère et de balayer le circuit intégré afin de provoquer la dégradation de l'enveloppe. Ce procédé est mis en oeuvre dans une installation spécifique per-mettant de contrôler avec précision l'application du laser. En effet, une application trop importante au faisceau laser conduit à une attaque du silicium et à une détérioration du circuit. Pour éviter une telle détérioration, le laser est appliqué de manière modérée mais des îlots de polymère restent en place sur le circuit, ce qui nuit à l'observation ultérieure du circuit intégré. Il est par ailleurs connu d'utiliser un plasma pour attaquer l'enveloppe de polymère au droit du circuit intégré. Cette attaque s'effectue dans une enceinte étanche adaptée dans laquelle est disposé le circuit. Cette enceinte permet d'établir un plasma au-dessus du circuit. Le plasma provoque une attaque de l'enveloppe polymère. Toutefois, l'action du plasma est très lente et ne permet que de retirer une épaisseur très réduite de l'enveloppe plastique. Compte tenu de la faible capacité d'ablation du plasma, il est connu de préparer l'échantillon en réduisant mécaniquement ou chimiquement l'épaisseur de l'enveloppe polymère disposée au-dessus du circuit intégré. A cet effet, suivant un premier mode de mise en oeuvre, un polissage à plat de l'enveloppe du circuit intégré est effectué à partir d'une meule, permettant ainsi de ne laisser qu'une faible épaisseur de l'enveloppe qui est ensuite éliminée par l'action du plasma. Suivant une autre mode de mise en oeuvre, l'essentiel de l'épaisseur de l'enveloppe est éliminée par une attaque chimique à l'aide d'un acide et 10 notamment d'acide nitrique ou sulfurique. L'action de l'acide est délicate à arrêter et peut causer un endommagement du circuit ou des connexions électriques au boîtier. Ces deux procédés de mise en oeuvre prévoient ainsi une préparation de l'échantillon en dehors de l'enceinte d'application du plasma, puis une 15 étape ultérieure de traitement de l'échantillon au plasma pour retirer la dernière épaisseur de polymère alors que l'échantillon a été placé dans l'enceinte dans laquelle est créé le plasma. De tels procédés, sont relativement longs à mettre en oeuvre puis-qu'ils nécessitent la mise en oeuvre de deux techniques d'ablation différen-20 tes. L'invention a pour but de proposer un procédé de mise à nu de la sur-face d'un circuit intégré qui puisse être mis en oeuvre rapidement tout en permettant d'obtenir un état de surface satisfaisant du circuit intégré . A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de mise à nu d'un cir- 25 cuit intégré par ablation d'une enveloppe de polymère recouvrant initiale-ment le circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comporte une application combinée d'un rayonnement laser et d'un plasma sur l'enveloppe recouvrant initialement le circuit intégré. Suivant des modes particuliers de mise en oeuvre, le procédé corn-30 porte l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - le procédé comporte d'abord une étape d'application d'un rayonne-ment laser puis une étape d'application d'un plasma ; - l'étape d'application du plasma est initiée alors que le circuit intégré est toujours soumis à un rayonnement laser ; - l'application du rayonnement laser est effectuée jusqu'à ce que l'épaisseur de la couche de polymère résiduelle au-dessus du circuit intégré 5 soit comprise entre 50 pm et 200 pm ; - le procédé comporte deux phases successives de traitement d'abord par application d'un rayonnement laser puis par-application d'un plasma. -l'application du rayonnement laser est effectuée alors que le circuit intégré est soumis à l'application d'un plasma ; 10 - le procédé comporte une étape de pulvérisation d'un flux gazeux vers la surface du circuit intégré propre à dégager les particules résiduelles présentes sur le circuit intégré ; - le plasma est un plasma sous vide ; - le plasma est un plasma atmosphérique ; et 15 - le plasma contient de l'oxygène et du tétra fluorure de carbone. L'invention a également pour objet un procédé de test d'arrachement des conducteurs de liaison d'un circuit intégré initialement recouvert par une enveloppe de polymère comprenant : - une étape initiale de mise à nu du circuit intégré et des conducteurs 20 de liaison par un procédé tel que décrit ci-dessus, et - une étape de test d'arrachement des conducteurs ainsi mis à nu. L'invention a enfin pour objet une installation de mise à nu d'un circuit intégré par ablation d'une enveloppe de polymère recouvrant initialement le circuit intégré comportant : 25 - des moyens d'application d'un rayonnement laser vers la surface du circuit intégré ; et - des moyens d'application, combinée à l'application d'un rayonne-ment laser, d'un plasma sur l'enveloppe recouvrant initialement le circuit intégré. 30 Suivant un mode particulier de réalisation, l'installation comporte une platine de support du circuit intégré lors de son traitement et les moyens d'application du rayonnement laser et les moyens d'application du plasma sont propres à agir sur la même platine de support. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la Figure 1 est une vue schématique d'un premier mode de réalisa-5 tion d'une installation de mise à nu d'un circuit intégré selon l'invention ; - la Figure 2 est une vue en perspective de la chambre de l'installation de la Figure 1 ; - la Figure 3 est un organigramme du procédé mis en oeuvre pour la mise à nu d'un circuit intégré ; 10 - la Figure 4 est une vue schématique en élévation d'un autre mode de réalisation pour l'installation de mise en oeuvre du procédé ; et - la Figure 5 est un schéma montrant les étapes successives de traitement d'un échantillon comprenant deux circuits dans une même enveloppe. 15 L'installation 10 illustrée sur la Figure 1 est propre à assurer la mise à nu d'un échantillon 12 formé d'un circuit intégré contenu dans une enveloppe de polymère par mise en oeuvre successive d'un faisceau laser et d'un plasma sous vide. Le circuit 12 est porté par une platine 13. Cette installation comporte une chambre à vide 14 délimitant une en-20 ceinte étanche 16. La chambre 14 est représentée plus en détail sur la Fi- gure 2. La chambre 14 présente un fond plat 18, une paroi latérale généralement cylindrique 20 et un couvercle 22 de forme générale tronconique surmontée par un plafond plat 24. Le plafond 24 présente une fenêtre transparente 26 disposée au droit de la partie centrale du fond 18 où se trouve la platine 13 sur la Figure 1 lorsque celle-ci est en position de traitement du circuit. Une source laser 28 est disposée à l'extérieur de la chambre 14 en regard de la fenêtre 26 et est tournée vers l'échantillon 12. Ce laser est par 30 exemple un laser Galvano, de type Nd :Yag ou un laser Excimer. Ce laser est relié pour sa commande par une unité centrale de pilotage 30. L'unité centrale de pilotage 30 est formée par exemple d'un ordinateur associé à des cartes d'entrée et de sortie. La source laser 28 est portée par des moyens 32 de déplacement du faisceau laser dans le plan du circuit 12 suivant deux directions perpendiculaires l'une à l'autre. Ces moyens de déplacement sont reliés à l'unité centrale de pilotage 30 propre à commander la position du laser et permettant un balayage de la surface supérieure du circuit 12 par le faisceau laser. Par ailleurs, la paroi tronconique 22 du couvercle est pourvue d'une fenêtre transparente 34 en arrière de laquelle est disposée une caméra d'observations 36 placée à l'extérieur de l'enceinte et dirigée pour observer l'échantillon 12 disposé dans l'enceinte. La caméra 36 est reliée à un moniteur d'observations 38 permettant de suivre l'évolution de la mise à nu de la surface du circuit intégré. Comme illustré sur la figure 1, l'axe optique de la caméra 36 est déca-lé angulairement par rapport à la normale au circuit 12. Ainsi, avantageusement, un circuit correcteur d'images est interposé entre la caméra 36 et le moniteur 38. Ce circuit correcteur d'images est propre à mettre en oeuvre un algorithme de traitement d'images permettant de redresser l'image initialement sous forme de trapèze obtenue du circuit afin que cette image ait une forme rectangulaire comme si celle-ci avait été observée avec un axe optique de caméra perpendiculaire à la normale au cir- cuit. En variante, un miroir ou un ensemble de miroirs est disposé à l'intérieur de l'enceinte entre la caméra 36 et le circuit 12, afin de modifier le faisceau entre la caméra et le circuit et ainsi assurer, par une correction des angles, un redressement de l'image. Suivant encore un mode de réalisation, deux caméras avec des angles différents sont positionnées pour observer le circuit. Les images obtenues par les deux caméras sont adressées à une unité de traitement d'images permettant de produire une image stéréoscopique du circuit. Suivant un mode de réalisation avantageux, les trois approches pré- cédentes sont combinées. Ainsi, deux caméras sont par exemple mises en oeuvre pour obtenir une image stéréoscopique du circuit alors qu'une troisième caméra est associée à un jeu de miroirs ou à une unité de traitement d'images afin d'obtenir une image rectangulaire redressée du circuit. Une buse 40 d'injection d'un gaz de nettoyage est ménagée au tra- vers de la paroi tronconique 22. Cette buse est dirigée vers le circuit intégré 12. La buse 40 est alimentée depuis une source 42 de gaz de nettoyage sous pression. L'alimentation de la buse 40 à partir du gaz contenu dans la 5 source 32 est pilotée par l'unité centrale de pilotage 30 pilotant une vanne 44. Le gaz contenu dans la source 42 projeté par la buse 40 est par exemple formé de dioxyde de carbone propre à pulvériser les matières non ôtées par le plasma. 10 L'enceinte comporte en outre des moyens 46 d'établissement d'un plasma sur la surface à mettre à nu du circuit intégré 12. Ces moyens 46 comportent une couronne 48 d'injection d'un gaz propre à être ionisé. Cette couronne est disposée suivant l'axe de la chambre à l'intérieur de la chambre au voisinage de la fenêtre 26. La couronne 48 comporte un ensemble de 15 perforations réparties à sa périphérie et dirigées vers le circuit 12. La couronne 48 est alimentée par une source de gaz de ionisation 50 disposée à l'extérieur de la chambre à laquelle la couronne est reliée au travers d'une vanne 52 pilotée par l'unité centrale de pilotage 30. Le gaz contenu dans la source 50 est formé par exemple d'un mé-20 lange d'oxygène et de tétra-fluorure de carbone. Les moyens 46 d'établissement d'un plasma comportent en outre un générateur radio fréquence 54 relié à la platine 13 de support de l'échantillon. Ce générateur 54 est propre à créer un champ électromagnétique intense propre à provoquer l'ionisation du gaz contenu dans la chambre. 25 Le générateur 54 est relié pour son pilotage à l'unité centrale de pilo- tage 30. Des bouches d'aspiration 56 sont disposées dans le fond 18 autour de l'échantillon 12. Ces bouches sont reliées à une pompe à vide 58 pilotées par l'unité centrale de pilotage 30. Lés bouches 56 sont propres à aspirer le 30 gaz contenu dans la chambre ainsi que les débris obtenus lors de la dislocation de l'enveloppe sous l'action du rayonnement laser et du plasma. Comme illustré sur la Figure 2, la platine de support de l'échantillon 13 est montée déplaçable à coulissement par rapport à la chambre 14. La chambre 14 comporte dans sa paroi latérale 20 une ouverture d'introduction 60 au travers de laquelle la platine 13 supportant l'échantillon 12 est montée coulissante. La platine 13 est solidaire d'un tiroir coulissant 62 montée déplaçable sur deux coulisses latérales 64 solidaires de la chambre 14. Le ti- roir 64 est déplaçable entre une position de mise en place du circuit dans laquelle la platine est essentiellement au dehors de la chambre 14 et la position de traitement du circuit dans laquelle la platine 13 et notamment l'échantillon se trouvent au droit de la fenêtre 26. La platine 13 et le tiroir 62 sont pourvus d'un joint d'étanchéité per- mettant d'assurer l'étanchéité de la chambre 16 lorsque la platine est en position de traitement de l'échantillon. La platine comporte une équerre 66 de positionnement du circuit intégré 12. Un masque de protection 68 est enfin disposé au-dessus du circuit et porté par la platine 13. Ce masque délimite un orifice 70 pour le passage du faisceau laser et du plasma au droit de la partie devant être mise à nu du circuit intégré. Pour la mise à nu d'un circuit intégré, le circuit est d'abord positionné sur la platine 13 au dessous du masque 68 puis la platine est introduite dans la chambre. Le vide est ensuite effectué dans la chambre à partir de la pompe 58. La surface devant être mise à nu du circuit intégré est ensuite soumise à un rayonnement laser depuis la source 28 à l'étape 72 de la Figure 3. Le faisceau laser mis en oeuvre a de préférence une puissance comprise entre 1 et 50 Watts. II est appliqué pendant une durée par exemple comprise entre 5 et 30 secondes. Le faisceau laser est en particulier appli- qué afin de permettre l'ablation de l'enveloppe du circuit sur l'essentiel de son épaisseur, ne laissant qu'une épaisseur résiduelle comprise entre 50 et 200 m et de préférence égale à 100 m. Pendant le traitement par le faisceau laser, l'évolution du circuit est observée depuis la caméra 36. Les débris de l'enveloppe retirés sont re30 cueillis par les bouches 56. Après qu'il ne reste plus que la couche résiduelle de polymère, un plasma est établi au voisinage du circuit 12 à l'étape 74 sans que le circuit n'ait été sorti de l'enceinte 16 et alors que celle-ci est toujours sous vide. Ce plasma est établi par injection de gaz depuis la couronne 48 et création d'un champ magnétique par le générateur 54. Le plasma présente de préférence les caractéristiques propres à assurer une dislocation de la résine présente. La température, le niveau de pression de travail, et la nature des gaz employés sont choisis suivant le type et l'épaisseur de résine. II est appliqué pendant une durée comprise entre 30 et 240 minutes. La présence du plasma permet, par l'action des particules ionisées une élimination complète de la couche résiduelle de polymère, même dans les parties en contre dépouille du circuit et sous les connections en cuivre. Pendant l'application du plasma, des pulvérisations périodiques de dioxyde de carbone permettent l'élimination des résidus obtenus. Suivant une variante de réalisation, la première étape 72 de mise en oeuvre du rayonnement laser s'effectue alors que le circuit intégré est sou- mis à un plasma. Lorsque cela s'avère nécessaire, par exemple du fait de l'inégale épaisseur de la couche résiduelle de polymère recouvrant le circuit, les étapes 72 et 74 successives d'application d'un laser et d'un plasma sont réitérées afin de permettre l'ablation de la couche résiduelle dans les régions où celle-ci est la plus épaisse par l'intermédiaire du faisceau laser, après une action antérieure du laser et du plasma. A l'issue de la seconde application du rayonnement laser, une dernière étape de traitement par plasma est appliquée. Suivant encore un mode de réalisation, le plasma créé dans la cham- bre 16 est entretenu non pas par la création d'un champ magnétique grâce au générateur 54 mais par la soumission à un rayonnement laser de puissance adaptée, ce rayonnement étant propre à ioniser le gaz dans la chambre mais étant insuffisant pour en lui-même attaquer l'enveloppe de polymère. On conçoit qu'avec un tel procédé, le circuit peut être mis à nu de manière très précise, du fait de l'action finale du plasma. Par ailleurs, la mise en oeuvre combinée du rayonnement laser et du plasma dans une même enceinte réduit les manipulations et permet donc un procédé de mise à nu très rapide et facile à mettre en oeuvre. Le fait de rester sous vide entre les deux opérations permet de ne pas oxyder les métaux constituant le circuit ou les connexions du circuit avec l'air ambiant. L'action combinée du laser dans un premier temps et du plasma dans un second temps permet une mise à nu très satisfaisante des fils de connexion reliant le circuit intégré proprement dit aux pattes de connexion latérales faisant saillie par rapport au boîtier. En effet, l'action du laser per-met de dégager la surface supérieure de ces fils de connexions alors que le polymère situé au-dessous des fils de connexion est retiré par l'action du plasma, sans que les fils de connexion ne soient endommagés. Une telle mise à nu des fils de connexion est particulièrement utile pour une étape ultérieure de tests d'arrachement des fils de connexion, les résultats obtenus aux tests d'arrachement n'étant pas modifiés par l'action agressive mise en oeuvre pour retirer le polymère. Sur la Figure 4 est illustré un autre mode de réalisation de mise à nu d'un circuit intégré. Sur cette Figure, les éléments identiques ou correspondant à ceux de la Figure 1 sont désignés par les mêmes numéros de référence. Dans ce mode de réalisation, le plasma sous vide est remplacé par un plasma atmosphérique. Ainsi, la chambre 14 est supprimée. L'échantillon 12 supporté par la platine 13 est comme précédemment disposé en regard de la source laser 28 et des moyens 40, 42, 44 d'injection d'un gaz de nettoyage sont prévus. Les moyens d'établissement d'un laser atmosphérique comporte une buse 100 de libération d'un gaz plasmatique reliée à une source de gaz 102 contenant de l'oxygène ou un mélange d'oxygène et de tétra-fluorures de carbone. Le laser est utilisé comme source d'excitation du gaz injecté afin de provoquer l'ionisation du gaz plasmatique. Le procédé mis en oeuvre dans cette installation est identique à celui mis en oeuvre dans l'installation de la Figure 1, le circuit 12 étant soumis d'abord à un rayonnement laser puis soumis à une attaque par plasma. Sur la figure 5 sont illustrées les étapes successives de la mise à nu de la surface de deux circuits intégrés dans un même boîtier formé de polymère. De nos jours, il est connu d'associer plusieurs circuits intégrés 100A, 100B dans un même polymère 102, permettant ainsi d'avoir l'équivalent d'une carte électronique miniature. De tels circuits sont appelés couramment "système in package" (système dans un boîtier ou SIP) ou "multi cheap module" (module multi composant ou MCM). Les circuits intégrés disposés dans un tel boîtier peuvent avoir des surfaces supérieures situées à des ni- veaux différents, notamment lorsque les circuits intégrés ont des épaisseurs différentes. Selon l'invention, le boîtier est d'abord soumis à l'étape 104 à un rayonnement laser visant à retirer l'essentiel de l'épaisseur de la couche de couverture. La partie retirée est notée 105. Cette ablation est réalisée par plusieurs passes effectuées avec le rayonnement laser, le nombre de pas-ses étant plus important au-dessus du circuit dont la face supérieure est la plus profonde. Ainsi, le laser est appliqué de manière à laisser subsister sur chacun des circuits une couche résiduelle de polymère 102 de sensiblement la même épaisseur. Ensuite, comme illustré à l'étape 106, les circuits intégrés 100A, 1008 sont soumis à un plasma assurant l'ablation simultanée de la couche résiduelle de polymère restant au-dessus des différents circuits. Quel que soit le mode de réalisation de l'installation, suivant un mode de mise en oeuvre particulièrement avantageux de l'invention, le masque de protection 68 est initialement une plaque pleine formée de polymère ou de métal. L'orifice 70 est directement usiné par le rayonnement laser issu du laser 28. Ainsi, l'ouverture est positionnée de manière très précise et pré-sente une forme exactement satisfaisante pour le traitement du circuit placé au-dessous. Un tel ajustement est difficile à réaliser manuellement avec un positionnement mécanique d'un masque pré-usiné. Par ailleurs, si au cours du traitement du circuit, il apparaît que d'autres zones du circuit doivent être étudiées, lesquelles sont couvertes par le masque de protection 68, un orifice complémentaire est ménagé dans le masque de protection 68 par action du rayonnement laser issu du laser 28 pour créer une autre zone de travail. De même, en variante, l'orifice 70 initial est agrandi par l'action du la- ser. REVENDICATIONS 1. Procédé de mise à nu d'un circuit intégré par ablation d'une enveloppe de polymère recouvrant initialement le circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comporte une application combinée d'un rayonnement laser et d'un plasma sur l'enveloppe recouvrant initialement le circuit intégré. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte d'abord une étape (72) d'application d'un rayonnement laser puis une étape (74) d'application d'un plasma. 3. Procédé selon 2, caractérisé en ce que l'étape (74) d'application du 10 plasma est initiée alors que le circuit intégré est toujours soumis à un rayonnement laser. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que l'application (72) du rayonnement laser est effectuée jusqu'à ce que l'épaisseur de la couche de polymère résiduelle au-dessus du circuit intégré 15 soit comprise entre 50 et 200 pm. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte deux phases successives de traitement d'abord par application d'un rayonnement laser puis par application d'un plasma. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 20 caractérisé en ce que l'application (72) du rayonnement laser est effectuée alors que le circuit intégré est soumis à l'application d'un plasma. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de pulvérisation d'un flux gazeux vers la surface du circuit intégré propre à dégager les particules résiduelles 25 présentes sur le circuit intégré. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le plasma est un plasma sous vide. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le plasma est un plasma atmosphérique. 30 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le plasma contient de l'oxygène et du tétra fluorure de carbone. 11.- Procédé de test d'arrachement des conducteurs de liaison d'un circuit intégré initialement recouvert par une enveloppe de polymère comprenant : - une étape initiale (72, 74) de mise à nu du circuit intégré et des conducteurs de liaison par un procédé selon l'une quelconque des revendi-cations précédentes, et - une étape de test d'arrachement des conducteurs ainsi mis à nu. 12. Installation de mise à nu d'un circuit intégré par ablation d'une enveloppe de polymère recouvrant initialement le circuit intégré comportant : - des moyens (28) d'application d'un rayonnement laser vers la sur- face du circuit intégré ; et - des moyens d'application, combinée à l'application d'un rayonne-ment laser, d'un plasma sur l'enveloppe recouvrant initialement le circuit intégré. 13. Installation selon la revendication 12, caractérisée en ce qu'elle comporte une platine (13) de support du circuit intégré lors de son traitement et en ce que les moyens (28) d'application du rayonnement laser et les moyens (46) d'application du plasma sont propres à agir sur la même platine de support (13).