Brevet FR2915809A1 — publié le 20081107

B 08-1464 FR Société dite : GENERAL ELECTRIC COMPANY Système de surveillance ou d'imagerie à structure d'interconnexion pour matrice de capteurs à grande surface Invention de : WODNICKI Robert Gideon MILLS David Martin FISHER Rayette Ann WOYCHIK Charles Gerard Priorité d'une demande de brevet déposée aux Etats-Unis d'Amérique le 2 mai 2007 sous le n 11/743.391 Système de surveillance ou d'imagerie à structure d'interconnexion pour matrice de capteurs à grande surface Cette invention concerne globalement les systèmes de surveillance ou d'imagerie matriciels à grande surface du type utilisé pour l'analyse par ultrasons ou par rayons X, et porte en particulier sur des systèmes et procédés qui combinent des matrices de transducteurs à haute densité avec des circuits de traitement. Les systèmes de surveillance et d'imagerie ultrasonore utilisent des groupements, réseaux ou matrices de transducteurs pour créer de courtes impulsions acoustiques à haute fréquence qui subissent une réflexion contre des interfaces surfaciques au niveau desquelles il existe une variation d'impédance acoustique. Les transducteurs convertissent l'énergie réfléchie en signaux électriques qui sont traités afin de générer des informations d'images bidimensionnelles ou tridimensionnelles descriptives d'un sujet étudié. Les cellules de transducteur acoustique sont typiquement des structures multicouches composées de transducteurs micro-usinés piézoélectriques configurés avec des circuits électroniques en un ensemble formant sonde. Les signaux électriques sont en outre traités par des circuits de formation de faisceau, typiquement à l'extérieur de la sonde, pour générer et afficher des images des structures étudiées. Il est souhaitable que les sondes à ultrasons contiennent une partie des circuits de formation de faisceau intégrée à la matrice de transducteurs, car cela peut réduire la complexité et les effets potentiellement défavorables attribuables aux câbles de connexion entre la sonde et un système externe qui remplit des fonctions de traitement de signaux et de commande. Par exemple, d'importants effets de capacité peuvent apparaître avec des câbles de connexion s'étendant sur des distances de l'ordre de plusieurs mètres. En outre, les signaux reçus de l'ensemble transducteur peuvent être faibles, sujets à des parasites RF et peuvent posséder un rapport signal sur bruit (S/B) trop bas. Pour atténuer ces effets, des cellules de circuit frontal, assurant par exemple l'amplification, la génération d'impulsions et la commutation émission/réception, peuvent être intégrées à une matrice de transducteurs. Les matrices de transducteurs des sondes à ultrasons couvrent typiquement une surface d'environ 20 cm'. De nouvelles applications de surveillance et d'imagerie médicale, telles que le dépistage d'hémorragies internes et de tumeurs, nécessitent des matrices beaucoup plus grandes, de l'ordre de 300 cm'. Des matrices encore plus grandes peuvent être souhaitables dans des applications non médicales. Ces grandes matrices peuvent être formées en juxtaposant un grand nombre de modules transducteurs en rangées et en colonnes. Chaque module transducteur est composé d'une sous-matrice de cellules de transducteur et d'un circuit intégré couplé à la sous-matrice. Les performances des matrices de transducteurs à grande surface se détériorent sensiblement quand il existe des variations importantes de l'espacement entre modules. Dans une forme de l'invention, un système de surveillance ultrasonore est formé avec une sonde comprenant une matrice de cellules de transducteur agencées en rangées et en colonnes et formées le long d'un premier plan à un premier pas suivant une première direction. Un circuit intégré comprenant une matrice de cellules de circuit est formé le long d'un deuxième plan parallèle au premier plan. Les cellules de circuit sont espacées l'une de l'autre suivant la première direction à un deuxième pas inférieur au premier pas. Une première des cellules de transducteur est alignée verticalement, suivant une direction perpendiculaire à l'un des plans, avec une première des cellules de circuit et a une connexion à elle, et une deuxième des cellules de transducteur est décalée de l'alignement vertical par rapport à la position d'une deuxième cellule de circuit pour ne pas se trouver au-dessus de la deuxième cellule de circuit. Un sous-système de connexion est positionné entre la matrice de cellules de transducteur et la matrice de cellules de circuit, et configuré pour former la connexion de la première cellule de transducteur à la première cellule de circuit et pour connecter la deuxième cellule de transducteur à la deuxième cellule de circuit. Une structure d'interconnexion est positionnée pour établir des connexions électriques entre le circuit intégré et des circuits de traitement. Une partie du sous-système connecteur et les cellules de circuit peuvent être formées comme partie de la même structure de circuit intégré. Le système peut comprendre en outre des circuits de traitement connectés au circuit intégré par la structure d'interconnexion, et/ou un pupitre de commande connecté à la sonde par la structure d'interconnexion. Les circuits de traitement peuvent être positionnés dans le pupitre et des informations peuvent être transférées entre la sonde et le pupitre de commande via un câble couplé entre un connecteur de ligne dans la sonde et un connecteur de ligne dans le pupitre de commande. Le sous-système de connexion peut comprendre un connecteur incluant une pluralité de conducteurs et un système de redistribution incluant une deuxième pluralité de conducteurs, un premier des conducteurs du connecteur connectant la première cellule de transducteur à un premier des conducteurs du système de redistribution, et un deuxième des conducteurs du connecteur connectant la deuxième cellule de transducteur à un deuxième des conducteurs du système de redistribution, le premier des conducteurs du système de redistribution étant connecté électriquement à la première cellule de circuit et le deuxième des conducteurs du système de redistribution étant connecté électriquement à la deuxième cellule de circuit. La sonde peut être configurée avec une matrice de modules transducteurs, chaque module étant composé d'une sous-matrice des cellules de transducteur et d'une sous-matrice des cellules de circuit. Le système peut comprendre en outre un groupement de plages d'entrée/sortie (E/S) formées le long d'un bord du circuit intégré, et une ou plusieurs plages E/S supplémentaires chacune située au-dessus ou formée directement au-dessus d'une des cellules de circuit. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée suivante de quelques exemples de réalisation, illustrée par les dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est un schéma synoptique d'un système d'imagerie ultrasonore; la figure 2 est une vue plane partielle d'un ensemble transducteur matriciel à grande surface; la figure 3 représente en coupe l'ensemble transducteur matriciel à grande surface de la figure 2; la figure 4 est une vue partielle en coupe d'un autre exemple d'un module transducteur; la figure 5 est une vue partielle en coupe d'un autre exemple d'un module transducteur; la figure 6 est une vue partielle en coupe d'un autre exemple d'un module transducteur; la figure 7 est une vue partielle en coupe d'encore un autre exemple d'un module transducteur selon l'invention; et la figure 8 est une vue partielle en coupe d'encore un autre exemple d'un module transducteur selon l'invention. Les mêmes numéros sont utilisés sur toutes les figures pour repérer des caractéristiques correspondantes. Certaines caractéristiques individuelles sur les figures peuvent ne pas être représentées à l'échelle. La figure 1 représente un exemple d'un système de surveillance ultrasonore 100, du type utilisé pour l'imagerie médicale dans cet exemple, comprenant une sonde qui est relativement légère et adaptée à une utilisation manuelle. Plus généralement, des formes de réalisation de l'invention incluent, sans y être limitées, des systèmes de surveillance ou d'imagerie acoustique qui incorporent généralement de grandes matrices de transducteurs. Le système 100 comprend une sonde 110 connectée à un pupitre de commande 120 par un câble multivoie 130 et un écran d'affichage 140 connecté au pupitre 120. La sonde 110 comprend un ensemble transducteur 101 composé d'une matrice 102 de cellules de transducteur 103, d'un connecteur 105, d'une pluralité de circuits intégrés à application spécifique (ASIC) 106, et d'une structure d'interconnexion 107. Le pupitre 120 comprend un organe de commande système 122, un dispositif de formation de faisceau principal 124, un processeur d'image 126, et un convertisseur de balayage 127. La matrice de cellules de transducteur 102 comprend une pluralité de sous-matrices de transducteurs 104, contenant chacune un même nombre de cellules de transducteur 103 agencées en colonnes et en rangées. La figure 2 représente en vue plane un exemple de sous-matrices de transducteurs 104. Chaque sous-matrice 104 est couplée à un circuit ASIC 106 correspondant par le connecteur 105. Le terme circuits de traitement, tel qu'il est utilisé dans la présente, désigne divers types de circuits analogiques ou numériques qui remplissent des fonctions de traitement de signaux communes aux systèmes d'imagerie et de surveillance incluant le système 100. On comprendra par exemple que les circuits placés dans la sonde ou dans le pupitre de commande, par exemple le processeur d'image, incluent des circuits de traitement remplissant des fonctions telles qu'amplification, filtrage, formation de faisceau ou traitement d'image. Bien que des formes de réalisation représentées spécifient des emplacements pour ces circuits, cela n'est pas du tout restrictif. Des circuits placés dans le pupitre de commande peuvent être partiellement ou entièrement intégrés à l'intérieur de la sonde, et des circuits placés dans la sonde peuvent être positionnés dans un pupitre. En outre, certaines formes de réalisation qui incorporent l'invention peuvent ne pas requérir de console. La structure d'interconnexion 107 est couplée pour envoyer et recevoir des signaux entre les circuits ASIC 106, associés chacun à une des sous-matrices de transducteurs 104, et des circuits, par exemple des circuits de traitement, inclus dans le pupitre de commande 120. Selon les formes de réalisation des figures 3-7, l'ensemble 101 comprend un grand nombre de circuits ASIC 106, chacun connecté à une sous-matrice 104 correspondante comprenant un grand nombre de cellules de transducteur 103. Des informations sont transférées entre la sonde 110 et le pupitre de commande 120 via le câble 130 qui est couplé entre un connecteur de ligne 119 dans la sonde 110 et un connecteur de ligne 129 dans le pupitre de commande 120. Dans le pupitre de commande 120, l'organe de commande système 122 est couplé au dispositif de formation de faisceau principal 124, au processeur d'image 126 et aux circuits ASIC 106 de la sonde 110 pour fournir des signaux de synchronisation nécessaires au fonctionnement du système 100. Chaque circuit ASIC 106 fournit des signaux électroniques d'émission à une sous-matrice de transducteurs 104 pour générer des ondes de pression ultrasonore, représentées dans ce cas par des ondes ultrasonores 142, qui peuvent être renvoyées à la matrice sous la forme de réflexions 144 depuis une zone d'investigation 146 dans un objet 141 étudié. Le dispositif de formation de faisceau principal 124 est couplé au convertisseur de balayage 127 pour former une image sur l'écran 140. La vue plane de la figure 2 représente un ensemble transducteur 101 du système d'imagerie ultrasonore 100, composé d'un grand nombre de modules transducteurs 10 agencés en rangées x; et en colonnes y formant une matrice 11 de l'ensemble 101. L'ensemble transducteur 101 est fonctionnellement interchangeable avec n'importe lequel des ensembles transducteurs 201, 301, 401, 501 et 601 représentés sur les figures 4-7 et le module 10 est fonctionnellement interchangeable avec n'importe lequel des modules 20, 30, 40 et 50 des figures 4-7. Les cellules de transducteur 103 sont fonctionnellement interchangeables avec des cellules de transducteur représentées dans d'autres formes de réalisation, et les sous-matrices 104 sont fonctionnellement interchangeables avec des sous-matrices représentées dans d'autres formes de réalisation. Chaque module 10 comprend une sous-matrice 104 de cellules de transducteur 103 dont les cellules 103 sont agencées en rangées xr et en colonnes yc, de sorte que les sous-matrices 104 forment ensemble la grande matrice 102 comprenant toutes les cellules de transducteur 103 agencées en rangées xr et en colonnes yc. Les rangées xr et les colonnes yc et les modules 10 s'étendent le long d'un plan P11 (représenté sur la figure 3) et, dans certaines formes de réalisation, toutes les cellules 103 sont positionnées dans le même plan. Dans d'autres formes de réalisation, les cellules peuvent former une matrice ayant une courbure par rapport au plan P11. Chaque module 10, comprenant une sous-matrice de transducteurs 104 et un circuit ASIC 106 correspondant, est couplé à la structure d'interconnexion 107 pour former l'ensemble transducteur 101. La figure 3 est une vue partielle, en coupe suivant la ligne A-A' de la figure 2, d'un exemple de module transducteur 10 de l'ensemble transducteur 101. Chaque module 10 comprend une sous-matrice 104 de cellules de transducteur 103 dont les cellules 103 sont agencées en rangées xr et en colonnes yc, de sorte que les sous-matrices 104 forment ensemble la plus grande matrice 102 comprenant toutes les cellules de transducteur 103 agencées en rangées xr et en colonnes yc. Les rangées xr et les colonnes yc et les modules 10 s'étendent le long du plan P11 et, dans certaines formes de réalisation, toutes les cellules 103 sont positionnées dans le même plan. Chaque module 10, comprenant une sous-matrice de transducteurs 104 et un circuit ASIC 106 correspondant, est couplé à la structure d'interconnexion 107 pour former l'ensemble transducteur 101 comme représenté sur la figure 1. Chaque module 10 est composé de la sous-matrice de transducteurs 104, du circuit ASIC 106 comprenant une pluralité de cellules de circuit de transducteur 227 (par exemple 227a-227e), et d'un connecteur 105 servant d'interface de connexion de circuit entre les cellules de transducteur 103 individuelles de la sous-matrice 104 et les cellules de circuit 227 correspondantes du circuit ASIC 106. Le connecteur 105 peut, comme représenté, être un ensemble circuit souple 240 ayant une pluralité de plages de contact supérieures de circuit souple 243 (par exemple 243a-243e) formées le long d'une surface supérieure 241, une pluralité de plages de contact inférieures de circuit souple 244 (par exemple 244a-244e) formées le long d'une surface inférieure 242, et une pluralité de chemins conducteurs 245 (par exemple 245a-245e) connectant des plages 243 et 244 appariées; et comprenant en outre une partie de connecteur souple, appelée extrémité ou queue souple 249-1 dans la présente. Le connecteur 105 peut aussi établir des connexions électriques pour un ou plusieurs autres circuits ASIC voisins du circuit ASIC 106 représenté. Les cellules de transducteur 103 de chaque sous-matrice 104 sont connectées au circuit ASIC 106 du module 10 par le connecteur 105. Une matrice de modules transducteurs 10 peut être connectée à la structure d'interconnexion 107 formée d'un substrat rigide 280, par exemple une carte de circuit imprimé. Spécifiquement, de multiples queues souples 249-1 à 249-n peuvent former l'interface de connexion entre l'un des modules 10 et le substrat 280 de la structure d'interconnexion 107. Les queues souples peuvent incorporer des connecteurs de carte de circuit imprimé conventionnels, des connecteurs de circuit souple à pression, un film conducteur anisotrope (ACF), ou n'importe quel autre mécanisme de connexion permettant de réaliser la fixation à la structure d'interconnexion 107. La structure 107 est couplée à une partie formant connecteur d'ensemble 290 pour envoyer et recevoir des signaux vers et depuis le pupitre de commande 120 (représenté sur la figure 1). Dans chaque cellule de transducteur 103, le composant transducteur 211 est constitué d'un matériau piézoélectrique tel que du titanate et zirconate de plomb (PZT) formé sur une électrode inférieure ou arrière 213 qui est connectée à une plage de contact de transducteur 212 associée (par exemple, 212a-212e) formée le long d'une surface inférieure 217 de l'électrode arrière 213. Une électrode avant 214 est un mince matériau conducteur déposé sur la surface supérieure 215 de la sous-matrice de transducteurs 104 entière, qui peut servir d'électrode de masse commune pour toutes les cellules de transducteur 103 du module 10. En plus du matériau piézoélectrique, chaque composant transducteur 211 peut comprendre une ou plusieurs couches d'adaptation (non représentées) qui confèrent des propriétés acoustiques appropriées pour émettre des signaux acoustiques vers un objet étudié et pour en recevoir des signaux acoustiques. La masse commune peut être formée parmi les couches d'adaptation au lieu ou en plus d'être positionnée sur le dessus du matériau piézoélectrique, par exemple avec une électrode avant. Chaque électrode arrière 213 et son composant transducteur 211 associé sont électriquement isolés des autres électrodes et composants par une série d'espaces ou saignées 216 qui peuvent être créés en sciant parallèlement les composants transducteurs 211 et les électrodes arrière 213. Avant ou après la séparation des cellules de transducteur 103, des couches d'adaptation peuvent être appliquées pour reconnecter l'électrode avant 214 des cellules de transducteur 103 afin qu'elles partagent une électrode commune. Les cellules de transducteur 103 peuvent par exemple être des cellules de transducteur au titano-zirconate de plomb (PZT), un matériau monocristallin tel que du magno-niobate de plomb et titanate de plomb (PMN-PT) ou du zinco-niobate de plomb et titanate de plomb (PZN-PT), des cellules de transducteur à ultrasons micro-usiné capacitif (cMUT), des cellules de transducteur à ultrasons micro-usiné piézoélectrique (pMUT) ou des cellules de transducteur au poly(difluorure de vinylidène) (PVDF). Le circuit ASIC 106 comprend un substrat 220, une surface supérieure 221, une surface inférieure 222, une région de circuit 223, et une région d'entrée/sortie (E/S) 224 formée le long d'un bord 232 du circuit ASIC 106 et s'étendant vers l'intérieur du substrat de circuit ASIC 220. La région E/S 224 peut comprendre des circuits E/S ou des circuits de protection. La région de circuit 223 du circuit ASIC 106 est formée d'un groupement de cellules de circuit de transducteur similaires, par exemple 227a-227e, chaque cellule de circuit 227 ayant un contact de cellule de circuit 228 (repérés 228a-228e) situé le long de la surface supérieure 221 du circuit ASIC 106 et connecté à une plage de contact inférieure de circuit souple 244 par une plage de connexion de cellule de circuit 229. Chaque cellule de circuit 227 envoie des signaux électriques à une seule cellule de transducteur 103 et reçoit des signaux de la même cellule de transducteur 103. La région E/S 224 du circuit ASIC 106 est formée d'une pluralité d'éléments E/S 230, chaque élément E/S 230 ayant un contact d'élément E/S 231 le long de la surface supérieure 221 du circuit ASIC 106, connecté par une plage de connexion E/S 233 attenante à une plage de contact E/S inférieure de circuit souple 246 menant à des rubans conducteurs à l'intérieur du connecteur 105 pour envoyer et recevoir des signaux vers et depuis le pupitre de commande 120 représenté sur la figure 1. Les rubans individuels, s'étendant dans la partie 249-1 du connecteur et connectant les plages de contact E/S 246 à la structure d'interconnexion 107, ne sont pas représentés sur la figure 3. Les circuits ASIC 106 peuvent être amincis jusqu'à une épaisseur globale allant de 25 à 100 microns pour former un module souple. Des matrices courbes formées de modules souples peuvent offrir une meilleure qualité d'image que des matrices formées dans un plan. Une matrice courbe peut être formée en juxtaposant des modules relativement petits le long d'une surface courbe. A savoir, la matrice courbe peut être composée d'une série de modules plats formés le long d'un plan avec des inclinaisons variables par rapport au plan. Les sous-matrices de transducteurs 104 sont attachées à la surface supérieure 241 de l'ensemble circuit souple 240 par une première couche 271 d'adhésif conducteur anisotrope, facilitant une connexion électrique entre les plages de contact supérieures de circuit souple 243 (243a-243e) de l'ensemble 240 et les plages de contact de transducteur 212. Selon une autre possibilité, la connexion entre les plages de contact supérieures de circuit souple 243 et les plages de contact de transducteur 212 peut être formée avec des billes de soudure ou "puce sur circuit souple", ou en appliquant un adhésif non conducteur auquel on applique ensuite chaleur et pression pour chasser l'adhésif lorsque les surfaces électriques entrent en contact l'une avec l'autre. Des connexions avec des circuits ASIC peuvent aussi être réalisées en utilisant une technique conventionnelle à base de circuit souple à haute densité, dans laquelle des connexions au circuit ASIC peuvent être formées d'un seul tenant avec des traversées conductrices dans le matériau souple, c'est-à-dire en établissant un contact électrique entre les traversées et des plages sur le circuit ASIC. On se rapportera par exemple au brevet des Etats-Unis n 5.527.741 incorporé par référence dans la présente. Les circuits ASIC 106 sont attachés à la surface inférieure 242 de l'ensemble circuit 240 par une deuxième couche 272 d'adhésif conducteur anisotrope, facilitant une connexion électrique entre les plages de contact inférieures de circuit souple 244 et les plages de connexion de circuit 229. Selon une autre possibilité, la connexion électrique entre les plages de contact inférieures de circuit souple 244 et les plages de connexion de circuit 229 peut aussi être formée avec des billes de soudure ou "puce sur circuit souple" ou d'autres procédés bien connus tels qu'un collage à déplacement par compression. La deuxième couche d'adhésif 272 établit aussi des contacts électriques entre les plages de contact E/S inférieures de circuit souple 246 et les plages de connexion E/S 233. Dans d'autres formes de réalisation, une couche de désadaptation conductrice ou non conductrice possédant une impédance acoustique élevée (par exemple, > 60 MRayls) peut être placée entre l'ensemble circuit souple 240 et la sous- matrice de transducteurs 104. Pour des supports non conducteurs, des traversées peuvent être formées à travers les couches afin d'établir des connexions entre les cellules de transducteur 103 et l'ensemble circuit 240. Il est aussi envisagé de pouvoir positionner une structure de renforcement multicouche possédant une faible impédance acoustique (par exemple, Dans la forme de réalisation de la figure 4, chaque plage de contact de transducteur 212 est située au-dessus d'une plage de connexion 329 correspondante à laquelle elle est connectée par une traversée de circuit souple 366. Chaque traversée 366 est un conducteur connectant une cellule de transducteur 103 à un chemin conducteur 345 du système de redistribution 350. Une première couche 371 d'adhésif conducteur anisotrope facilite la connexion électrique entre les plages de contact supérieures de circuit souple 363 et les plages de contact de transducteur 212 appariées. Une deuxième couche 372 d'adhésif conducteur anisotrope facilite la connexion électrique entre les plages de contact inférieures de circuit souple 364 individuelles et les plages de connexion de circuit 329 correspondantes pour la connexion aux cellules de circuit, et facilite la connexion électrique entre les plages de contact E/S inférieures de circuit souple 365 et les plages de connexion E/S 333. Les cellules de transducteur 103 de la sous-matrice 104 sont agencées en rangées xr et en colonnes yc s'étendant le long du plan Pl l au-dessus du circuit ASIC 306 et de la queue souple 369-1 au premier pas d'espacement ail uniforme. Les cellules de circuit 327 du circuit ASIC 306 sont formées à un deuxième pas d'espacement, noté a13 dans cette forme de réalisation, le long du deuxième plan P13 de telle manière que a13 Le circuit ASIC 406 comprend en outre une pluralité de cellules de circuit 427a-427e similaires formées le long d'un deuxième plan P14 parallèle au plan P11. Chaque cellule de circuit 427, ayant un contact de cellule de circuit 428 (428a-428e) le long d'une interface 425 entre le substrat de circuit ASIC 420 et la structure de métallisation de circuit ASIC 450, envoie et reçoit des signaux électriques vers et depuis une cellule de transducteur 103 associée via l'un de plusieurs chemins conducteurs 445 (par exemple, 445a-445e) formés dans la structure de métallisation 440 couvrant le substrat 420 du circuit ASIC 406. Dans la région E/S 424, le circuit ASIC 406 comprend une pluralité de cellules E/S 430, chaque cellule E/S ayant un contact E/S 431 formé aussi le long de la surface 425 du substrat. La structure de métallisation de circuit ASIC 450 comprend une pluralité de plages de contact de cellule de circuit 429 formées le long de la surface supérieure 421 du circuit ASIC. Chaque chemin conducteur vertical 452 dans la structure de métallisation de circuit ASIC 450 établit une connexion électrique entre chaque contact de cellule de circuit 428 et une plage de contact de cellule 429 associée. Dans d'autres formes de réalisation, les chemins conducteurs 452 entre les contacts de cellule de circuit 428 et les plages de contact de cellule de circuit 429 correspondantes appariées peuvent être formés avec des décalages horizontaux. Une pluralité de traversées de puce 436 sont formées dans la région E/S 424 du circuit ASIC 406. Chaque traversée de puce 436 est remplie ou revêtue d'un matériau conducteur tel que du cuivre, et une plage métallique sous soudure 433 est formée au niveau de chaque traversée le long de la surface inférieure 422 du circuit ASIC 406. Les traversées de puce 436 sont représentées en traits interrompus car elles peuvent se trouver dans un plan différent de celui défini par la ligne A-A'. Des bosses de soudure 434 sont formées sur les plages métalliques sous soudure 433. La structure d'interconnexion 407 est une carte de circuit imprimé souple à grande surface 481 ayant une surface supérieure 482 et une surface inférieure 483. Elle comprend une pluralité de plages de contact de circuit souple 484 formées sur sa surface supérieure 482. Des contacts électriques entre les plages de contact E/S 433 et les plages de contact de circuit souple 484 sont établis par soudage de bosses, en formant des plages soudées 485. Une couche 486 d'adhésif diélectrique est prévue autour des plages soudées 485. La carte 481, couplée à la partie connecteur 490, établit des connexions électriques entre des modules 30 individuels et le pupitre de commande 120 représenté sur la figure 1. Dans d'autres formes de réalisation, la structure d'interconnexion 407 peut comprendre une structure de carte imprimée telle qu'un substrat en verre revêtu d'une couche de silicium amorphe, un substrat en polyimide, un substrat en céramique, ou une carte de circuit imprimé. Dans le module 30, certaines des cellules de transducteur 103 (par exemple, la cellule 103a) sont alignées verticalement par rapport aux cellules de circuit 427 (par exemple, la cellule 427a), tandis qu'il existe des décalages horizontaux entre d'autres cellules 103 (par exemple, la cellule 103d) et les cellules de circuit 427 associées (par exemple, la cellule 427d). La connexion entre des cellules de transducteur 103 et des cellules de circuit 427 qui ne sont pas alignées verticalement entre elles est réalisée par le système de redistribution 444 formé dans la structure de métallisation post-traitée 440 comprenant de multiples chemins conducteurs 445. Chaque chemin conducteur 445 établit une connexion électrique entre une plage de contact de connecteur 443 et une plage de connexion de cellule de circuit 429 correspondante. Pour la cellule de transducteur 103a située directement au-dessus de la cellule de circuit 427a, une connexion électrique entre la cellule de transducteur 103a et la cellule de circuit 427a est établie par le contact de cellule de circuit 428a, un chemin conducteur 452 dans la structure de métallisation de circuit ASIC 450, la plage de connexion de cellule de circuit 429a, le chemin conducteur 445a rectiligne entre la plage de contact de connecteur 443a et la plage de connexion de cellule de circuit 429a, la plage de contact de connecteur 443a et la plage de contact de transducteur 212a. Pour la cellule de transducteur 103d non directement située au-dessus de la cellule de circuit 427d, une connexion électrique entre la cellule de transducteur 103d et la cellule de circuit 427d est établie par le contact de cellule de circuit 428d, un chemin conducteur 452 dans la structure de métallisation de circuit ASIC 450, la plage de connexion de cellule de circuit 429d, le chemin conducteur 445d entre la plage de contact de connecteur 443d et la plage de connexion de cellule de circuit 429d, la plage de contact de connecteur 443d et la plage de contact de transducteur 212d. l0 Le chemin conducteur 445d comprend une portion horizontale 445-H, c'est-à-dire parallèle au plan P11, pour rattraper le défaut d'alignement entre la cellule de transducteur 103d et la cellule de circuit 427d. L'exemple de chemin 445d illustre la fonction de redistribution remplie par le système de redistribution 444 (incluant par exemple les chemins 445c, 445d et 445e) dans la structure de métallisation post-traitée 15 440 quand le pas ail des cellules de transducteur 103 diffère du pas a14 des cellules de circuit 427. Spécifiquement, quand des plages de contact de transducteur 212 ne peuvent pas se trouver au-dessus des contacts de cellule de circuit associés sur le circuit ASIC 406, la connexion peut être réalisée sans modifier la distribution uniforme des cellules de transducteur 103 dans le module 30. 20 Les cellules de transducteur 103 de chaque sous-matrice 104 sont formées en rangées xr et en colonnes yc s'étendant le long d'un premier plan Pll au-dessus de la région de circuit 423 et au-dessus de la région E/S 424 au premier pas d'espacement ail uniforme. Les cellules de circuit 427 du circuit ASIC 406 sont formées au deuxième pas d'espacement a14 le long d'un deuxième plan P14 parallèle au plan Pl l de telle manière 25 que a14 Les sous-matrices de transducteurs 104 sont attachées à la surface supérieure 541 de l'interposeur 540 par une première couche 571 d'adhésif conducteur anisotrope. Le connecteur 505 comprend une pluralité de plages de contact supérieures d'interposeur 543 (par exemple 543a-543e) formées le long d'une surface supérieure 541 de l'interposeur 540, une pluralité de plages de contact inférieures d'interposeur 544 (par exemple 544a-544e) formées le long d'une surface inférieure 542 de l'interposeur 540, et une pluralité de chemins conducteurs 545 (par exemple 545a-545e) pour connecter des plages 543 et 544 appariées. L'interposeur 540 sert de système de redistribution 546 comprenant de multiples chemins conducteurs 545 établissant des connexions électriques entre le circuit ASIC 506 et la sous-matrice de transducteurs 104 correspondante. Le circuit ASIC 506, comprenant un substrat 520, une surface supérieure 521 et une surface inférieure 522, est fonctionnellement similaire au circuit ASIC 106 de la figure 3, mais comprend une région de circuit 523 et une région E/S 524 formées le long de la surface inférieure 522 du circuit ASIC 506. Les modules 40 sont couplés à la structure d'interconnexion 407 pour former l'ensemble transducteur 501. Le connecteur 505 et le système de redistribution 546 peuvent être formés d'un ensemble circuit souple comprenant un ou plusieurs circuits souples et peuvent aussi établir des connexions électriques entre les circuits ASIC 506 voisins. Les cellules de transducteur 103 sont attachées à la surface supérieure 541 de l'interposeur 540 par une première couche 571 d'adhésif conducteur anisotrope, et la surface supérieure 521 du circuit ASIC 506 est attachée à la surface inférieure 542 de l'interposeur 540 par une deuxième couche 572 d'adhésif conducteur anisotrope. Le circuit ASIC 506, comprenant une pluralité de cellules de circuit 527 dans une région de circuit 523 et une pluralité de cellules de circuit E/S 530 dans une région E/S 524 formée le long d'un bord 532 du circuit ASIC 506, comprend aussi une série de traversées de puce 536 remplies ou revêtues d'un matériau conducteur tel que du cuivre. Les traversées de puce conductrices 536 sont représentées en traits interrompus car elles se trouvent dans un plan différent de celui défini par la ligne A-A'. Dans chaque cellule de circuit 527, un contact de cellule de circuit 528 formé le long de la surface inférieure 522 du circuit ASIC 506 est couplé par une traversée 536 à une plage de contact dorsale ou arrière 529 correspondante formée le long de la surface supérieure 522 du circuit ASIC 506. Dans la région E/S 524, une pluralité de contacts E/S 531 sont formés le long de la surface inférieure 522 du circuit ASIC 506. La structure d'interconnexion 407 est formée d'une carte de circuit imprimé souple à grande surface 481 comprenant une pluralité de plages de contact de circuit souple 484formées sur sa surface supérieure 482 comme décrit à propos de la figure 5. Des contacts électriques entre les contacts E/S 531 individuels et les plages de contact de circuit souple 484 correspondantes sont établis par soudage de bosses. Une plage métallique sous soudure 548 est formée sur chaque contact E/S 531 et une bosse de soudure 549 est formée sur chaque plage métallique sous soudure 548. Le soudage entre les bosses de soudure 549 et les plages de contact de circuit souple 484 est réalisé par application de chaleur et pression, formant des plages soudées 585. Un adhésif diélectrique 586 est prévu autour des plages soudées 585. Les plages soudées 585 sont globalement des empilements de plages de connexion métalliques multicouches. Les connexions entre l'interposeur 540 et le circuit ASIC 506 peuvent aussi être réalisées par soudage de bosses. Spécifiquement, les contacts 529 peuvent prendre la forme de plages métalliques sous soudure avec des bosses de soudure 549 formées dessus. Le soudage entre les bosses de soudure formées sur les contacts 529 et les plages de contact d'interposeur 544 est réalisé par application de chaleur et pression pour former un empilement de plages de connexion métalliques multicouche. Comme représenté dans d'autres formes de réalisation, les cellules de transducteur 103 de la sous-matrice 104 sont formées en rangées xr et en colonnes yc qui s'étendent le long d'un premier plan Pll au-dessus de la région de circuit 523 et au-dessus de la région E/S 524 à un premier pas d'espacement ail uniforme. Les cellules de circuit 527 du circuit ASIC 506 sont formées à un deuxième pas d'espacement, noté ais dans cette forme de réalisation, le long d'un deuxième plan P15 parallèle au plan Pl 1 de telle manière que ais Dans le module 40, certaines cellules de transducteur 103 (par exemple, la cellule 103a) sont alignées verticalement par rapport aux cellules de circuit 527 (par exemple, la cellule 527a), tandis qu'il existe des décalages horizontaux entre d'autres cellules 103 (par exemple, la cellule 103d) et les cellules de circuit 527 associées (par exemple, la cellule 527d). La connexion entre des cellules de transducteur 103 et des cellules de circuit 527 qui ne sont pas alignées verticalement entre elles est réalisée par le système de redistribution 546 formé dans l'interposeur 540 et comprenant de multiples chemins conducteurs 545. Chaque chemin conducteur 545 établit une connexion électrique entre une plage de contact supérieure d'interposeur 543 et une l0 plage de contact inférieure d'interposeur 544. Pour la cellule de transducteur 103a située directement au-dessus de la cellule de circuit 527a, une connexion électrique entre la cellule de transducteur 103a et la cellule de circuit 527a est établie par le contact de cellule de circuit 528a, une traversée de puce conductrice 536 dans le circuit ASIC 506, la plage de connexion arrière 529a, la plage de contact inférieure d'interposeur 544a, le 15 chemin conducteur 545a rectiligne entre la plage de contact supérieure d'interposeur 543a et la plage de contact inférieure d'interposeur 544a, la plage de contact supérieure d'interposeur 543a, et la plage de contact de transducteur 212a. Pour la cellule de transducteur 103d non directement située au-dessus de la cellule de circuit 527d, une connexion électrique entre la cellule de transducteur 103d et 20 la cellule de circuit 527d est établie par le contact de cellule de circuit 528d, une traversée de puce conductrice 536 dans le circuit ASIC 506, la plage de connexion arrière 529d, la plage de contact inférieure d'interposeur 544d, le chemin conducteur 545d entre la plage de contact supérieure d'interposeur 543d et la plage de contact inférieure d'interposeur 544d, la plage de contact supérieure d'interposeur 543d, et la 25 plage de contact de transducteur 212d. Le chemin conducteur 545d comprend une portion horizontale 545-H, c'est-à-dire parallèle au plan Pll, pour rattraper le défaut d'alignement entre la cellule de transducteur 103d et la cellule de circuit 527d. L'exemple de chemin 545d illustre la fonction de redistribution remplie par le système de redistribution 546 (incluant par exemple les chemins 545c, 545d et 545e) dans 30 l'interposeur 540 quand le pas ail des cellules de transducteur 103 diffère du pas ais des cellules de circuit 527. Spécifiquement, quand des plages de contact de transducteur 212 ne peuvent pas se trouver au-dessus des contacts de cellule de circuit associés sur le circuit ASIC 506, la connexion peut être réalisée sans modifier la distribution uniforme des cellules de transducteur 103 dans le module 40. Dans l'exemple de configuration de la figure 6, l'espacement entre plages de contact inférieures d'interposeur 544 voisines est uniforme et équivalent au pas ais entre deux cellules de circuit 527 voisines. L'espacement entre plages de contact supérieures d'interposeur 543 voisines est uniforme et équivalent au pas ail entre deux cellules de transducteur 103 voisines. Dans d'autres formes de réalisation, l'espacement entre les l0 plages de contact supérieures d'interposeur 543 peut être non uniforme afin d'augmenter la souplesse de conception. Les agencements décrits plus haut permettent un alignement vertical de chaque plage de contact de transducteur 212 par rapport à une plage de connexion 529 correspondante, et autorisent des modifications appropriées des pas d'espacement, en rattrapant des décalages horizontaux entre les multiples cellules de 15 transducteur 103 et cellules de circuit 527 appariées. La vue partielle en coupe de la figure 7 représente un module 50 d'un ensemble transducteur 601 selon un autre exemple de réalisation. L'ensemble 601 et le module 50 sont respectivement interchangeables avec l'ensemble 101 et le module transducteur 10 de la forme de réalisation de la figure 3. Dans la forme de réalisation de la figure 7, le 20 module 50 est composé de la structure d'interconnexion 407, du circuit ASIC 506 et du connecteur 505 décrits à propos de la figure 6, et d'une sous-matrice 604 de cellules de transducteur 603. La vue du module 50 est aussi prise suivant la ligne A-A' de la figure 2 et suivant une rangée xr de cellules de transducteur 603 qui s'étale sur des modules 50 voisins le long d'un plan P11. Comme représenté, le connecteur 505, formé d'un module 25 540, établit des connexions électriques entre des plages d'interposeur 544 et des plages de connexion arrière 529 appariées dans une couche 672 d'adhésif conducteur anisotrope. Selon une autre possibilité, comme décrit à propos de la figure 6, les connexions entre l'interposeur 540 et le circuit ASIC 506 peuvent aussi être réalisées par soudage de bosses quand les contacts 529 prennent la forme de plages métalliques sous 30 soudure avec des bosses de soudure 549 formées dessus. La sous-matrice 604 de cellules de transducteur 603 est fonctionnellement similaire à la sous-matrice 104 de cellules de transducteur 103 de la figure 3, mais les cellules de transducteur 603 de la figure 7 sont des éléments transducteurs cMUT. Une matrice de telles cellules de transducteur cMUT 603 est typiquement fabriquée sur un substrat de transducteur 640 ayant une surface inférieure 647, qui peut par exemple être fait d'une plaquette de silicium fortement dopé. Pour chaque cellule de transducteur cMUT 603, une mince membrane ou diaphragme 641, par exemple une couche de silicium ou de nitrure de silicium, est suspendue au-dessus du substrat 640. La membrane 641 est soutenue par des supports isolants 642, qui peuvent être faits d'oxyde to de silicium ou de nitrure de silicium. Des cavités 643 présentes entre la membrane 641 et le substrat 640 peuvent être remplies d'air ou de gaz, ou mises sous vide complet ou partiel. Un film ou couche d'un matériau conducteur, tel qu'un alliage d'aluminium ou autre matériau conducteur approprié, forme une électrode avant 644 sur la membrane 641, et des motifs sont formés dans un autre film ou couche de matériau conducteur 15 pour former des électrodes inférieures de transducteur 645 sur le substrat 640. Selon une autre possibilité, les électrodes inférieures peuvent être formées par un dopage approprié du substrat semi-conducteur 640. Comme représenté sur la figure 7, la cellule de transducteur peut être constituée d'une seule cellule cMUT, mais il est aussi possible de configurer de multiples cellules cMUT avec de multiples supports périphériques 642 20 à l'intérieur de l'espace autrement attribué à une seule cellule de transducteur 603. Dans le cas où de multiples cellules cMUT sont configurées à l'intérieur de l'espace autrement attribué à une seule cellule de transducteur 603, une seule traversée 648 pourrait servir à toutes les cellules cMUT présentes dans la zone de la seule cellule de transducteur 603. Une pluralité de traversées 648 sont formées dans le substrat de transducteur 640 25 et remplies d'un matériau conducteur tel que de l'aluminium ou du cuivre. Une pluralité de plages de contact de transducteur 653 sont formées le long de la surface inférieure 647 du substrat de transducteur 640. Les traversées 648 formées dans le substrat de transducteur 640 établissent chacune une connexion électrique entre une électrode inférieure de transducteur cMUT 645 et une plage de contact de transducteur 653 30 correspondante. La vue partielle en coupe de la figure 8 représente un module 60 d'un ensemble transducteur 701 selon un autre exemple de réalisation. L'ensemble 701 et le module 60 sont respectivement interchangeables avec l'ensemble 101 et le module transducteur 10 de la figure 3. Dans la forme de réalisation de la figure 8, le module 60 est composé de la structure d'interconnexion 407, du circuit ASIC 506 et des cellules de transducteur cMUT 603 décrits à propos de la figure 7. Un connecteur 605 est formé le long d'une sous-matrice 604 des cellules de transducteur 603. La vue du module 60 est aussi prise suivant la ligne A-A' de la figure 2 et suivant une rangée xr de cellules de transducteur cMUT 603 qui s'étale sur des modules 60 voisins le long d'un plan P11. Dans cet exemple, le connecteur 605 est intégré aux cellules de transducteur cMUT sur le substrat semi-conducteur 640. Un film ou couche d'un matériau conducteur, tel qu'un alliage d'aluminium ou autre matériau conducteur approprié, forme une électrode avant 644 sur la membrane 641, et des motifs sont formés dans un autre film ou couche de matériau conducteur pour former des électrodes inférieures de transducteur 645 sur le substrat 640. Selon une autre possibilité, les électrodes inférieures peuvent être formées par un dopage approprié du substrat semi-conducteur 640. Comme représenté sur la figure 8, la cellule de transducteur peut être constituée d'une seule cellule cMUT, mais il est aussi possible, comme indiqué à propos de la figure 7, de configurer de multiples cellules cMUT avec de multiples supports périphériques 642 à l'intérieur de l'espace autrement attribué à une seule cellule de transducteur 603. Une pluralité de traversées 648 sont formées dans le substrat de transducteur 640 et remplies d'un matériau conducteur tel que de l'aluminium ou du cuivre. Une pluralité de pastilles de capture 673 peuvent être formées le long d'une surface inférieure 647 du substrat de transducteur 640. Les traversées 648 formées dans le substrat de transducteur 640 établissent chacune une connexion électrique entre une électrode inférieure de transducteur cMUT 645 et une pastille de capture de transducteur 673 correspondante. Le connecteur 605 est fonctionnellement similaire au connecteur 505 de la figure 7, mais est formé comme une structure d'interconnexion, par exemple une métallisation multicouche, sur la surface inférieure 647 du substrat de transducteur 640. Comme représenté, le connecteur 605 établit des contacts électriques entre chaque pastille de capture 673 et une plage de connexion de connecteur 544. Des plages de connexion 544 et des plages de connexion arrière de circuit ASIC 529 appariées sont couplées à l'intérieur d'une couche 672 d'adhésif conducteur anisotrope. Selon une autre possibilité, comme décrit à propos de la figure 6, les connexions entre le connecteur 605 et le circuit ASIC 506 peuvent aussi être réalisées par soudage de bosses quand les contacts 529 prennent la forme de plages métalliques sous soudure avec des bosses de soudure 549 formées dessus. to Dans le module 60, certaines des cellules de transducteur 603 (par exemple, la cellule 603a) sont alignées verticalement par rapport aux cellules de circuit 527 (par exemple, la cellule 527a), tandis qu'il existe des décalages horizontaux entre d'autres cellules 603 (par exemple, la cellule 603d) et les cellules de circuit 527 associées (par exemple, la cellule 527d). La connexion entre des cellules de transducteur 603 et des 15 cellules de circuit 527 qui ne sont pas alignées verticalement entre elles est réalisée par le système de redistribution 605 comprenant de multiples chemins conducteurs 745. Chaque chemin conducteur 745 établit une connexion électrique entre une pastille de capture 673 et une plage de contact 544. La cellule de transducteur 603a est située directement au-dessus de la cellule de circuit 527a à laquelle elle est électriquement 20 connectée. La cellule de transducteur 603d n'est pas située directement au-dessus de la cellule de circuit 527d à laquelle elle est électriquement connectée. Le chemin conducteur 745d comprend une portion horizontale 745-H, c'est-à-dire parallèle au plan P11, pour rattraper le défaut d'alignement entre la cellule de transducteur 603d et la cellule de circuit 527d. L'exemple de chemin 745d illustre la fonction de redistribution 25 remplie par le connecteur à structure de redistribution 605 (incluant par exemple les chemins 745c, 745d et 745e) quand le pas a31 des cellules de transducteur 603 diffère du pas a22 des cellules de circuit 527. Spécifiquement, quand des plages de contact de transducteur ne peuvent pas se trouver au-dessus des contacts de circuit associés sur le circuit ASIC 506, la connexion peut être réalisée sans modifier la distribution uniforme 30 des cellules de transducteur 603 dans le module 60. Les agencements décrits plus haut réalisent l'alignement vertical de chaque plage de contact de transducteur 212 par rapport à une plage de connexion 529 correspondante, et permettent des modifications appropriées des pas d'espacement en rattrapant des décalages horizontaux entre les multiples paires de cellules de transducteur 103 et cellules de circuit 527. La fabrication d'ensembles transducteurs matriciels à grande surface peut être simplifiée par une conception modulaire. Un grand nombre de modules 10 peuvent partager des lignes d'alimentation et des lignes de bus de programmation numérique ainsi qu'un grand nombre de voies de signaux analogiques. Ces lignes d'alimentation et de signaux peuvent être rassemblées en bus par soudage de bosses à une structure d'interconnexion 407 formée d'un substrat à grande surface 481 approprié tel qu'une carte de circuit imprimé souple, comme représenté dans les formes de réalisation des figures 5, 6 et 7. Les lignes d'alimentation et de signaux peuvent aussi être rassemblées en bus sur un panneau en verre ou silicium amorphe, ou une carte de circuit imprimé conventionnelle. Les circuits ASIC 106 peuvent être amincis jusqu'à une épaisseur globale allant de 25 à 100 microns ou plus pour former un module souple. Un ensemble transducteur à grande surface 101 comprenant une pluralité de modules 10 souples incluant des circuits ASIC 106 amincis permet d'obtenir des matrices courbes pour l'imagerie générale. Bien que de multiples formes de réalisation de l'invention aient été décrites, l'invention n'est pas limitée à ces formes. Les personnes ayant des compétences dans l'art pourront imaginer de nombreuses autres modifications, variantes, substitutions et équivalents sans sortir de la portée de la présente invention. LISTE DES COMPOSANTS 10, 20, 30, 40, 50, 60 module(s) 11 matrice 100 système 101 ensemble 102 matrice 103 cellules de transducteur 103a-103d cellule(s) 104 sous-matrice(s) l0 105 connecteur 106 circuits intégrés à application spécifique (ASIC) 107 structure 110 sonde 119 connecteur 15 120 pupitre 122 organe de commande 124 dispositif de formation de faisceau 126 processeur 127 convertisseur de balayage 20 129 connecteur 130 câble 140 écran d'affichage 141 objet 142 ondes ultrasonores 25 144 réflexions 146 zone d'investigation 211 composant transducteur 212 plage de contact 212a-212e plage de contact 30 213, 214 électrode 215 surface supérieure 216 saignées 217 surface inférieure 220 substrat 221 surface supérieure 222 surface inférieure 223, 224 région 227 cellule(s) de circuit 228 contact 229, 233 plage(s) de connexion 230 éléments 231 contact(s) 232 bord 240 ensemble 241 surface supérieure 242 surface inférieure 243, 244 plage(s) 243a-243e plages 244a-244e plages 245 chemin(s) 245a-245e chemin(s) 245-H portion horizontale 246 plage de contact 249 queue(s) 249-1-249-n queue(s) souple(s) 250 système de redistribution 271, 272 couche 280 substrat 290 partie connecteur 301 ensemble transducteur 305 306 320 321 322 323 324 325 327 327a-327e 328 329 329a-329e 330 331 332 333 340 345, 346 350 360 361 362 363, 364 363a-363e 364a-364e 365 366 369-1-369-n 371, 372 connecteur circuit ASIC substrat surface supérieure surface inférieure région de circuit région interface cellule(s) de circuit cellule(s) de circuit contact plages plage(s) cellules contact bord plages structure chemin(s) système de redistribution carte surface supérieure surface inférieure plage(s) plage(s) plage(s) plage(s) de contact traversées de circuit souple queue(s) souple(s) couche 401 405 406 407 420 421 422 423, 424 425 425 427, 430 427a-427e 428 428a-428e 429 431 432 433 434 436 440 441 442 443 443a-443e 444 445, 452 445a-445e 445-H 450 ensemble connecteur circuit ASIC structure d'interconnexion substrat surface supérieure surface inférieure région(s) interface surface cellule(s) cellule(s) de circuit contact de cellule contact(s) de cellule plage(s) contact de cellule bord plage(s) bosses traversée(s) structure surface supérieure surface inférieure plage(s) plage(s) système de redistribution chemin(s) chemin(s) portion horizontale structure 471 481 482 483 484, 485 486 490 501 505 506 520 521 522 523, 524 527 527a-527d 528 529 530 531 532 536 540 541 542 543, 544 545 545a-545e 546 548 couche carte surface supérieure surface inférieure plage(s) couche partie connecteur ensemble connecteur circuit ASIC substrat surface supérieure surface inférieure région(s) cellule(s) de circuit cellule de circuit contact de cellule plage(s) de connexion cellule(s) contact(s) bord traversée(s) interposeur surface supérieure surface inférieure plage(s) chemin(s) chemin(s) système de redistribution plage(s) 549 571, 572 585 586 601 603 603a 603d 604 605 640 641 642 643 644, 645 647 648 653 672 673 701 745 745a-745e 745-H P11 P12 P14 x Ybosse(s) couche plage(s) adhésif ensemble transducteur cellule(s) de transducteur cellule(s) cellule(s) sous-matrice connecteur substrat membrane ou diaphragme supports cavités électrode(s) surface inférieure traversée(s) plage(s) de contact couche pastille(s) de capture ensemble transducteur chemin(s) chemin(s) portion horizontale plan plan plan rangées colonnes REVENDICATIONS 1. Système de surveillance ultrasonore (100) comprenant une sonde (110) incluant: une matrice (102) de cellules de transducteur (103) agencées en rangées (xr) et en colonnes (yc) et formées le long d'un premier plan (P11) à un premier pas (an) suivant une première direction; un circuit intégré (106) comprenant une matrice de cellules de circuit (227, 327) formées le long d'un deuxième plan (P12) parallèle au premier plan, les cellules de circuit (227, 327) étant espacées l'une de l'autre suivant la première direction à un deuxième pas (a12) inférieur au premier pas (ail), une première des cellules de transducteur (103a) étant alignée verticalement, suivant une direction perpendiculaire à l'un des plans, avec une première des cellules de circuit (227a, 327a) et ayant une connexion (245a, 345a) à elle, et une deuxième des cellules de transducteur (103d) étant décalée de l'alignement vertical par rapport à la position d'une deuxième cellule de circuit (227d, 327d) pour ne pas se trouver au-dessus de la deuxième cellule de circuit; un sous-système de connexion (105, 305) positionné entre la matrice de cellules de transducteur (103) et la matrice de cellules de circuit (227, 327), configuré pour former la connexion (245a) de la première cellule de transducteur (103a) à la première cellule de circuit (227a, 327a) et pour connecter la deuxième cellule de transducteur (103d) à la deuxième cellule de circuit (227d, 327d); et une structure d'interconnexion (107) positionnée pour établir des connexions électriques entre le circuit intégré (106) et des circuits de traitement (124, 126, 127). 2. Système selon la revendication 1, dans lequel une partie du sous-système connecteur (105) et les cellules de circuit (227, 327) sont formées comme partie de la même structure de circuit intégré. 3. Système selon la revendication 1, comprenant en outre des circuits de traitement (126) connectés au circuit intégré (106) par la structure d'interconnexion (107). 4. Système selon la revendication 1, comprenant en outre un pupitre de commande (120) connecté à la sonde (110) par la structure d'interconnexion (107). 5. Système selon la revendication 4, comprenant en outre des circuits de traitement (126) positionnés dans le pupitre (120) et dans lequel des informations sont transférables entre la sonde (110) et le pupitre de commande (120) via un câble (130) couplé entre un connecteur de ligne (119) dans la sonde et un connecteur de ligne (129) dans le pupitre de commande (120). 6. Système selon la revendication 1, le sous-système de connexion (305) comprenant un connecteur (360) incluant une pluralité de conducteurs de connecteur Io (366) et un système de redistribution (350) incluant une deuxième pluralité de conducteurs de système de redistribution (345), dans lequel: un premier des conducteurs de connecteur (366) connecte la première cellule de transducteur (103a) à un premier des conducteurs de système de redistribution (345a), et un deuxième des conducteurs (366) connecte la deuxième cellule de transducteur (103d) 15 à un deuxième des conducteurs de système de redistribution (345d), le premier des conducteurs de système de redistribution (345a) étant connecté électriquement à la première cellule de circuit (327a) et le deuxième des conducteurs de système de redistribution (345d) étant connecté électriquement à la deuxième cellule de circuit (327d). 20 7. Système selon la revendication 1, dans lequel la sonde (110) est configurée avec une matrice de modules transducteurs (10), chaque module étant composé d'une sous-matrice (104) des cellules de transducteur (103) et d'une sous-matrice des cellules de circuit (227). 8. Système selon la revendication 1, comprenant en outre un groupement de 25 plages E/S (233, 246) formées le long d'un bord (232) du circuit intégré (106). 9. Système selon la revendication 7, comprenant en outre un groupement de plages E/S (333), au moins une des plages E/S (333) étant située au-dessus d'une des cellules de circuit (327e). 10. Système selon la revendication 1, comprenant en outre une pluralité de 30 plages E/S (333) formées le long d'un bord (332) du circuit intégré (106) et une ouplusieurs plages E/S supplémentaires (333) chacune située au-dessus ou formée directement au-dessus d'une des cellules de circuit (327e).