Brevet FR2921751A1 — publié le 20090403

PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À ARCHITECTURE ASYMÉTRIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR La présente invention concerne un procédé de réalisation de dispositif semi- conducteur à architecture 3D (à trois dimensions) asymétrique, et un procédé de réalisation de dispositif MOS (Metal Oxide Semiconductor en anglais, ou semi-conducteur d'oxyde de métal) à double grille auto-alignée, ou grille entourante, asymétrique. Des procédés connus permettent de fabriquer des dispositifs MOS à grilles multiples. Les grilles de ces dispositifs peuvent par exemple être réalisées par gravure, telle une gravure jonction ou une gravure isotrope. Le problème majeur de l'architecture à grilles multiples est la difficulté de réalisation due à leur architecture en trois dimensions. Or, la réalisation de doubles grilles par gravure pose des difficultés, notamment au niveau de l'alignement et du contrôle dimensionnel des grilles, et du fait que la gravure s'applique sur l'ensemble du masque utilisé. Certaines difficultés apparaissent également à cause de la réduction des dimensions technologiques réalisées. La lithographie optique est également beaucoup utilisée dans la réalisation de dispositifs semi-conducteurs. Mais cette technique n'est pas utilisée dans la réalisation de dispositifs à double grille auto-alignée car elle ne permet pas de réaliser de motifs en profondeur dans un matériau. La lithographie par faisceau d'électrons, appelée lithographie � E-Beam �, représente une alternative technologique intéressante. En effet, elle permet la formation de motifs en profondeur dans un matériau grâce à la profondeur de pénétration des électrons projetés durant la lithographie. Le brevet FR-A-2 858 876 propose une solution auto-alignée réalisée par lithographie E-Beam, représentée sur la figure 1. Dans cette solution, une zone localisée est reproduite à partir d'une lithographie E-Beam avec une forte tension pour pouvoir dissiper les électrons dans les couches inférieures. Sur la figure 1, un transistor MOS 1 est réalisé par lithographie E-Beam. Ce transistor 1 comporte une zone de source 2 et une zone de drain 3. Ces deux zones 2 et 3 sont reliées par un pont conducteur 4. Le transistor 1 comporte également une double grille 5, 6, entourant le pont conducteur 4. Cette solution permet de résoudre les problèmes d'alignement de grilles car ces deux grilles 5, 6 sont auto-alignées. En effet, les deux grilles 5, 6 sont réalisées simultanément durant une seule étape de lithographie, par un même faisceau d'électrons. Toutefois, cette solution ne permet pas un contrôle dimensionnel en 3 dimensions car les deux grilles ont la même CD (Critical Dimension en anglais, ou dimension critique), c'est-à-dire la même largeur. Des études récentes ont montré par simulations que des grilles dissymétriques peuvent augmenter les performances d'un transistor. La figure 2 représente deux architectures MOS 7a, 7b comportant chacune une zone de source 10a, 10b et une zone de drain 11a, llb reliées par un pont conducteur 12a, 12b. Chaque architecture 7a, 7b comporte une double grille 8a, 9a et 8b, 9b auto-centrée. Sur la première architecture 7a, la grille inférieure 9a est plus large que la grille supérieure 8a, ces deux grilles étant centrées avec le milieu du pont conducteur 12a. Sur la seconde architecture 7b, les largeurs des grilles 8b, 9b sont identiques à celles des grilles 8a, 9a. Sur cette seconde architecture 7b, la grille supérieure 8b n'est pas centrée avec le milieu du pont conducteur 12b mais est décalée du côté de la zone de drain llb ou de source 10b, les grilles 8b et 9b étant dans cet exemple auto-centrées vis-à-vis du drain llb. Des simulations ont permis de montrer que de telles structures permettent d'obtenir des valeurs de courant de saturation, de transconductance et de capacité de grille, supérieures aux valeurs obtenues avec, par exemple, un dispositif tel que celui décrit dans le brevet FR-A-2 858 876. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de proposer un procédé de réalisation de dispositif semi- conducteur à architecture 3D asymétrique permettant de contrôler les trois dimensions des zones insolées, et notamment de contrôler indépendamment les largeurs des zones insolées dans plusieurs niveaux du dispositif. Un autre but de l'invention est de proposer un procédé de réalisation qui soit rapide et compatible avec les contraintes de production, notamment de dispositif semi-conducteur à double grille auto-alignée symétrique et/ou asymétrique. Pour cela, l'invention propose un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à architecture asymétrique, ledit dispositif comportant un substrat sur lequel est disposé au moins un empilement dans cet ordre d'une première couche photosensible, d'une couche non photosensible et d'une seconde couche photosensible, ledit procédé comportant au moins une étape d'insolation d'une première zone dans chacune des couches photosensibles par un premier faisceau d'électrons traversant la couche non photosensible, et au moins une autre étape d'insolation d'au moins une seconde zone d'une des deux couches photosensibles par un second faisceau d'électrons ou de photons ou d'ions, la seconde zone étant en partie superposée à l'une des premières zones. Ainsi, il est possible de lithographier des zones dans deux couches photosensibles superposées en choisissant la largeur des zones insolées dans chacune des couches photosensibles. On peut ensuite réaliser, à partir du dispositif obtenu, des dispositifs semi-conducteurs comportant des doubles grilles auto-alignées asymétriques, tels que des transistors MOS. L'invention concerne également un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à architecture 3D asymétrique, ledit dispositif comportant un substrat sur lequel est disposé un empilement dans cet ordre d'au moins une première couche photosensible, d'au moins une couche non photosensible et d'au moins une seconde couche photosensible, ledit procédé comportant au moins une première étape d'insolation d'une zone dans chacune des couches photosensibles par un premier faisceau d'électrons traversant la couche non photosensible, et au moins une seconde étape d'insolation d'au moins une des deux couches photosensibles par un second faisceau d'électrons, élargissant au moins une zone insolée d'une des première ou seconde couches photosensibles par rapport à l'autre zone insolée. La première et/ou la seconde couche photosensible peut être à base d'une résine photosensible, par exemple de type HSQ ou non. Lorsque l'insolation de la seconde zone est mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons, la tension d'accélération du premier faisceau d'électrons peut être supérieure à la tension d'accélération du second faisceau d'électrons. La largeur du premier faisceau d'électrons peut être supérieure à la largeur du second faisceau. Le nombre d'électrons apportés dans les premières zones par le premier faisceau d'électrons et/ou le nombre d'électrons, ou de photons, ou d'ions, apportés dans la seconde zone par le second faisceau, peuvent être ajustés en fonction de la sensibilité de la première et/ou de la seconde couche photosensible, par exemple par la durée de l'étape d'insolation des premières zones et/ou la durée de l'étape d'insolation de la seconde zone. La tension d'accélération du premier faisceau d'électrons et/ou, lorsque l'insolation de la seconde zone est mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons ou d'ions, la tension d'accélération du second faisceau d'électrons, peuvent être ajustées en fonction de l'épaisseur de la première et/ou de la seconde couche photosensibles et/ou de la couche non photosensible. La seconde zone peut être réalisée dans la première couche photosensible, l'insolation de la seconde zone étant mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons. Le nombre d'électrons apportés par le second faisceau d'électrons et/ou la tension d'accélération et/ou la largeur du second faisceau d'électrons peuvent être ajustés pour que la largeur d'insolation du second faisceau d'électrons dans la première couche photosensible soit supérieure à la largeur d'insolation du second faisceau d'électrons dans la seconde couche photosensible. L'étape d'insolation de la seconde zone 20 peut conserver la largeur de la première zone insolée dans la seconde couche photosensible. La seconde zone peut être insolée dans la seconde couche photosensible. L'étape d'insolation de la seconde zone 25 peut conserver la largeur de la zone insolée dans la première couche photosensible. Lorsque l'insolation de la seconde zone est mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons, le nombre d'électrons apportés par le second faisceau 30 d'électrons et/ou la tension d'accélération du second faisceau d'électrons peuvent être ajustés pour que la profondeur d'insolation du second faisceau d'électrons soit inférieure ou égale à l'épaisseur de la seconde couche photosensible et de la couche non photosensible. Le second faisceau peut également insoler une troisième zone dans la couche photosensible ne comportant pas la seconde zone, la troisième zone pouvant être en partie superposée à la premières zone formée dans ladite couche photosensible ne comportant pas la seconde zone, l'une de la seconde zone ou de la troisième zone formée dans la première couche photosensible pouvant être de dimensions supérieures à l'autre de la seconde zone ou de la troisième zone. Le procédé peut comporter en outre une troisième étape d'insolation, mise en oeuvre par un troisième faisceau d'électrons ou de photons ou d'ions, d'au moins une des deux couches photosensibles, élargissant au moins une des zones insolées. Lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons, la tension d'accélération du premier faisceau d'électrons peut être supérieure à la tension d'accélération du troisième faisceau d'électrons. La largeur du premier faisceau d'électrons peut être supérieure à la largeur du troisième 25 faisceau. Le nombre d'électrons, ou de photons, ou d'ions, apportés par le troisième faisceau, et/ou, lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons, la tension 30 d'accélération du troisième faisceau d'électrons peuvent être ajustés en fonction de l'épaisseur et/ou de la sensibilité de la première et/ou de la seconde couche photosensibles. Le troisième faisceau peut élargir la zone insolée dans la première couche photosensible, la troisième étape d'insolation étant alors mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons, ou la seconde couche photosensible. Lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons, le nombre d'électrons apportés par le troisième faisceau d'électrons et/ou la tension d'accélération et/ou la largeur du troisième faisceau d'électrons étant ajustés pour que la largeur d'insolation du troisième faisceau d'électrons dans la première couche photosensible soit supérieure à la largeur d'insolation du troisième faisceau d'électrons dans la seconde couche photosensible. Lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons, le nombre d'électrons apportés par le troisième faisceau d'électrons et/ou la tension d'accélération du troisième faisceau d'électrons peuvent être ajustés pour que la profondeur d'insolation du troisième faisceau d'électrons soit inférieure ou égale à l'épaisseur de la seconde couche photosensible et de la couche non photosensible. Le troisième faisceau peut élargir les zones insolées dans les deux couches photosensibles, l'élargissement de la zone insolée dans la première couche photosensible étant plus important que l'élargissement de la zone insolée dans la seconde couche photosensible. La largeur des zones insolées dans l'une des couches photosensibles peut être différente de la largeur des zones insolées dans l'autre des couches photosensibles. Une des zones insolées dans chacune des couches photosensibles peuvent comporter un de leurs côtés alignés verticalement l'un par rapport à l'autre. Les zones insolées dans les deux couches photosensibles peuvent être sensiblement centrées verticalement l'une par rapport à l'autre. Les étapes d'insolation peuvent être répétées plusieurs fois au cours du procédé, pour former différentes zones insolées dans les couches photosensibles, le nombre de faisceaux utilisés pouvant varier selon les zones insolées dans les couches photosensibles. Le procédé peut comporter au moins une étape d'insolation d'une zone de largeur identique dans chacune des couches photosensibles par un faisceau d'électrons traversant la couche non photosensible. Le procédé peut comporter en outre une étape de gravure des zones insolées ou des zones non insolées selon que le matériau de la couche photosensible soit de polarité positive ou négative, dans au moins l'une des couches photosensibles. Les couches photosensibles peuvent être à base une résine organique ou minérale, telle une résine HSQ, la couche non photosensible pouvant être au moins à base d'un semi-conducteur, tel que du silicium, et/ou d'un diélectrique tel que de l'oxyde de silicium. La présente invention concerne également un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à double grille auto-alignée asymétrique, comportant les étapes de : - réaliser au moins un pont en semi-conducteur, tel que du silicium, passant au-dessus d'au moins une zone active d'un substrat à base de semi- conducteur, tel que du silicium, - déposer au moins une couche d'oxyde, tel que de l'oxyde de silicium, au moins autour du pont et sur la zone active, - recouvrir au moins le pont et remplir au moins un espace vide entre la zone active et le pont d'un matériau photosensible, par exemple une résine organique telle qu'une résine de type à amplification chimique à base de PHS (PolyHydroxyStryrène) ou minérale telle qu'une résine HSQ, formant ainsi au moins une première et une seconde couche photosensibles superposées, -insoler par au moins un faisceau d'électrons, par exemple en faisant varier la tension d'accélération, au moins une zone dans chacune des couches photosensibles, lesdites zones étant superposées et placées au-dessus et en dessous du pont, selon les étapes d'insolation d'un procédé, objet de la présente invention, - supprimer les zones insolées ou non insolées selon la polarité du matériau photosensible, positive ou négative, des couches photosensibles, - remplir au moins l'espace précédemment occupé par les deux zones insolées par un matériau conducteur, formant ainsi au moins une grille asymétrique, - supprimer le matériau restant des couches photosensibles, - remplir des espaces vides situés sous le pont de part et d'autre de la grille par un matériau isolant, par exemple de type minéral tel que du nitrure. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur à architecture 3D asymétrique réalisé selon l'un des procédés précédents, comportant au moins deux zones insolées lors d'étapes d'isolation par faisceaux d'électrons. Les largeurs des zones insolées dans les deux couches photosensibles peuvent être différentes. Les zones insolées dans les deux couches photosensibles peuvent comporter chacune un de leurs côtés alignés verticalement l'un par rapport à l'autre. Les zones insolées dans les deux couches photosensibles peuvent être sensiblement centrées verticalement l'une par rapport à l'autre. Enfin, la présente invention concerne également un transistor MOS à double grille auto-alignée asymétrique réalisé selon le procédé de la revendication ci-dessus. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente un dispositif semi-conducteur à double grille auto-alignée réalisé selon un procédé de l'art antérieur, - la figure 2 représente un dispositif semi-conducteur à double grille de l'art antérieur, - la figure 3 représente un dispositif semi-conducteur à architecture 3D asymétrique réalisé selon un procédé, objet de la présente invention, - les figures 4A à 4E représentent plusieurs étapes de lithographie réalisées durant un procédé de réalisation, objet de la présente invention, - les figures 5A à 5G représentent les étapes d'un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à double auto- alignée asymétrique, objet de la présente invention, - les figures 6 et 7 représentent un exemple de structure réalisée par un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à architecture asymétrique, objet de la présente invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord à la figure 3 qui représente un dispositif semi-conducteur à architecture 3D (à trois dimensions) asymétrique 100 comportant des zones 101 à 109 insolées. Le dispositif semi-conducteur 100 comporte un substrat 110 par exemple à base de semi-conducteur, tel que du silicium. Une première couche photosensible 111, par exemple à base de résine, est disposée sur le substrat 110. La résine utilisée peut être organique ou minérale, telle que par exemple de la résine HSQ (Hydrogen SilsesQuioxane). Lorsque des zones de la résine HSQ sont insolées, celles-ci se transforment en un matériau isolant. Dans le cas d'une résine de polarité négative, les zones non insolées peuvent ensuite être gravées sélectivement par rapport aux zones insolées. Dans le cas d'une résine positive, ce sont les zones insolées qui peuvent ensuite être gravées sélectivement. Une couche non photosensible 112 est disposée sur la première couche de résine 111. Cette couche non photosensible 112 est par exemple réalisée à base d'un semi-conducteur, tel que du silicium, et/ou d'un matériau diélectrique, tel que de l'oxyde de silicium. Une seconde couche photosensible 113 est empilée sur la couche non photosensible 112. Cette seconde couche 113 peut par exemple être réalisée à base de résine, organique ou minérale, par exemple de la résine HSQ. Le choix des matériaux (résine organique ou minérale, polarité de la résine, ...) dépend du type de dispositif à réaliser. Le dispositif 100 est ici asymétrique, c'est à dire que des motifs 102b à 108b et 109 réalisés par des étapes de lithographie dans la première couche photosensible 111 sont différents des motifs 101 et 102a à 108a réalisés dans la seconde couche photosensible 113, la différence entre deux motifs superposés l'un au dessus de l'autre pouvant être une différence des dimensions de motifs et/ou d'alignement l'un par rapport à l'autre. Plusieurs étapes de lithographie mises en oeuvre durant un procédé de réalisation du dispositif 100 vont maintenant être décrites, en référence aux figures 4A à 4E. La figure 4A représente une étape de lithographie mise en oeuvre pour la réalisation de la zone 101 du dispositif 100. Seule une partie du dispositif 100 est représentée sur la figure 4A. La zone 101 est réalisée par une étape d'insolation de la seconde couche de résine 113. Cette insolation peut par exemple être réalisée par un faisceau optique (appelé également faisceau photonique ou faisceau de photons), ou par un faisceau d'ions, par exemple un faisceau protonique, ou encore par un faisceau d'électrons 121 comme c'est le cas sur la figure 4A. Dans le cas d'une insolation par faisceau d'électrons 121, la dose du faisceau d'électrons 121, c'est-à-dire le nombre d'électrons apportés par le faisceau 121 dans la première couche photosensible 111, est ici inférieure au seuil de sensibilisation du matériau de la première couche photosensible 111 afin que cette première couche photosensible 111 ne soit pas insolée par les électrons du faisceau 121, en choisissant par exemple une durée d'insolation adéquate. Il est également possible que la tension d'accélération du faisceau 121 soit ajustée pour que la profondeur d'insolation du faisceau d'électrons 121 n'atteigne pas la première couche photosensible 111. Cet ajustement de la dose et/ou de la tension d'accélération du faisceau d'électrons 121 peut également réalisé en fonction de la photosensibilité, ou sensibilité, des couches 111 et 113, ainsi que de l'épaisseur de l'une ou des couches photosensibles 111 et 113 et/ou de l'épaisseur de la couche non photosensible 112. L'homme de l'art saura définir les épaisseurs des différentes couches ainsi que la dose et/ou la tension d'accélération du faisceau d'électrons 121 permettant d'insoler la zone 101 de la seconde couche photosensible 113. Dans le cas d'une insolation de la zone 101 par un faisceau optique, la taille du faisceau et/ou la durée d'insolation, déterminant le nombre de photons se trouvant dans la zone 101 après l'étape d'insolation, sont choisie en fonction des paramètres de la zone 101 à réaliser. On réalise ensuite l'insolation des deux zones 102a, 102b du dispositif 100, comme cela est représenté sur la figure 4B. Cette insolation est ici réalisée par un seul faisceau d'électrons 122. La dose et/ou la tension d'accélération du faisceau d'électrons 122 sont suffisamment élevées pour insoler à la fois la zone 102a dans la seconde couche photosensible 113, traverser la couche non photosensible 112 et insoler la zone 102b dans la première couche photosensible 111. Le faisceau d'électrons 122 a une tension d'accélération supérieure à celle du faisceau d'électrons 121 de la figure 4A et/ou un dose d'électrons adaptée aux niveaux de photosensibilité des couches 111 et 113 par exemple obtenue par un temps d'insolation supérieur au temps d'insolation de la zone 101. Etant donné que les zones 102a, 102b sont créées par un seul faisceau d'électrons 122, elles possèdent une largeur sensiblement similaire l'une avec l'autre et correspondant à la largeur du faisceau 122, et sont auto-alignées, les bords respectifs des zones 102a, 102b étant sensiblement alignés les uns au dessus des autres, et centrées l'une au dessus de l'autre. On réalise ensuite l'insolation des deux zones 103a, 103b du dispositif 100, comme cela est représenté sur les figures 4C et 4D. Ici, l'insolation des couches photosensibles 111 et 113 est réalisée en deux étapes. La première étape d'insolation, représentée sur la figure 4C, consiste à insoler des premières zones 103a et 114, respectivement dans les seconde et première couches photosensibles 113 et 111 par un premier faisceau d'électrons 123a traversant la couche non photosensible 112. Cette étape d'insolation est par exemple similaire à l'insolation réalisée pour former les zones 102a et 102b. Les zones 103a et 114 ont, après la première étape d'insolation, chacune une largeur sensiblement similaire et sont auto-alignées et centrées l'une au dessus de l'autre. Le terme largeur est interprété selon la vue en coupe illustrée : les zones insolées ont une forme quelconque dans le plan parallèle au support, et les deux zones insolées de même � largeur � sont telles que leur forme est sensiblement superposable perpendiculairement à ce plan. On réalise ensuite une seconde étape d'insolation, représentée sur la figure 4D. Cette seconde étape d'insolation est réalisée par un second faisceau d'électrons 123b. Ce second faisceau d'électrons 123b à une tension d'accélération ajustée pour que le second faisceau 123b ait une forme différente dans la première couche photosensible 111 et dans la seconde couche photosensible 113, et ainsi obtenir une � poire � de diffusion d'électrons dont la section est plus large au niveau de la couche 111 qu'au niveau de la couche 113. Le temps d'insolation est également adapté pour que le nombre d'électrons injectés dans les couches photosensibles permette une telle insolation, selon les niveaux de photosensibilité des couches 111 et 113. Ce second faisceau d'électrons 123b passe par une partie gauche de la zone insolée 103a de la seconde couche photosensible 113. Sur la figure 4D, on voit que ce second faisceau d'électrons 123b permet d'insoler une seconde zone 115 plus large dans la première couche photosensible 111 que la zone insolée dans la seconde couche photosensible 113. Cette seconde zone 115 est en partie superposée à la première zone 114 réalisée dans la couche 111. Ainsi, on réalise la zone insolée 103b (formée par les zones 114 et 115) dans la première couche photosensible sans élargir la zone insolée 103a dans la seconde couche photosensible 113. La tension d'accélération du premier faisceau d'électrons 123a est supérieure à celle du second faisceau d'électrons 123b. Le nombre d'électrons amenés dans les zones 103a, 115 par le second faisceau 123b peut également être inférieur au nombre d'électrons amenés dans ces zones 103a, 114 par le premier faisceau 123a. De plus, le premier faisceau d'électrons 123a est ici plus large que le second faisceau d'électrons 123b au niveau de la première couche photosensible 111 afin � d'élargir � la zone 114 seulement dans une direction grâce à la seconde zone 115. La zone 103a dans la seconde couche de résine 113 est donc créée uniquement par le premier faisceau 123a, le second faisceau 123b coopérant avec le premier faisceau 123a pour l'insolation de la zone 103b dans la première couche photosensible 111. On obtient donc deux zones d'insolation 103a et 103b de largeur différente, et auto-alignées, c'est-à-dire qu'elles se superposent au niveau de la zone la moins large. Dans le cas présent, les zones insolées 103a, 103b ont un de leurs côtés, le côté droit sur la figure 4D, aligné verticalement l'un avec l'autre. Là encore, l'homme de l'art saura ajuster la dose, la largeur et la tension d'accélération des faisceaux d'électrons 123a et 123b par rapport aux dimensions des zones insolées souhaitées 103a et 103b, c'est-à-dire au design du circuit, et aux caractéristiques (épaisseur et sensibilité) des couches à insoler 111 et 113. Dans une variante, il est possible d'inverser ces deux étapes d'insolation, en réalisant tout d'abord une partie de la zone 103a et la zone 115 par le second faisceau 123b, puis de former la zone 103a et la zone 114 par le premier faisceau d'électrons 123a. Les deux zones 104a et 104b du dispositif 100 sont également réalisées par deux étapes d'insolation. Les faisceaux d'insolation utilisés peuvent être sensiblement similaires à ceux utilisés pour l'insolation des zones 103a, 103b, représentés sur les figures 4C et 4D. Par rapport à l'insolation des zones 103a et 103b, un second faisceau d'électrons, par exemple similaire au second faisceau d'électrons 123b décrit précédemment, passe par une partie droite de la zone insolée 104a dans la seconde couche photosensible 113, formant ainsi les deux zones 104a, 104b insolées de largeurs différentes auto-alignées dont les côtés gauche de chacune des zones sont alignés verticalement l'un avec l'autre. Là encore, l'étape d'insolation par le second faisceau 123b peut être mise en oeuvre avant l'étape d'insolation par le premier faisceau 123a. Pour la réalisation des zones 105a et 105b, trois étapes d'insolation sont mises en oeuvre. Les deux premières étapes peuvent par exemple être similaires aux deux étapes d'insolation mises en oeuvre pour la réalisation des zones 103a, 103b ou des zones 104a et 104b, en utilisant par exemple les deux faisceaux 123a et 123b représentés sur les figures 4C et 4D. Dans l'exemple de la figure 4E, deux étapes d'insolation similaires à celles mises en oeuvre pour réaliser les zones 103a et 103b sont utilisées pour réaliser en partie les zones 105a et 105b. Une troisième étape d'insolation mettant en oeuvre un troisième faisceau d'électrons 123c permet d'élargir la zone insolée 105b en insolant une troisième zone 116, dans la première couche photosensible 111. Ce troisième faisceau 123c passe par une partie droite de la première zone insolée 105a de la seconde couche photosensible 113, sans élargir ladite zone 105a. La tension d'accélération du premier faisceau 123a est supérieure à celle du second faisceau 123b et du troisième faisceau 123c. La dose du second faisceau d'électrons 123b peut être sensiblement similaire à la dose du troisième faisceau d'électrons 123c. De plus, le premier faisceau 123a est ici plus large que le second faisceau 123b et que le troisième faisceau 123c. On obtient donc ici deux zones insolées 105a et 105b de largeur différente, auto-alignées et centrées verticalement l'une avec l'autre. Les ajustements des doses, des tensions d'accélération et des largeurs des premier, second et troisième faisceaux d'électrons 123a, 123b et 123c sont ajustées en fonction des épaisseurs des différentes couches 111, 112 et 113 et de la sensibilité des couches photosensibles 111 et 113. Là encore, l'ordre des trois étapes d'insolation peut être différent de celui expliqué au-dessus. Sur la figure 3, le dispositif 100 comporte également des zones 106a et 106b insolées dans chacune des couches photosensibles 113 et 111. Ici, la zone 106a insolée dans la seconde couche photosensible 113 est plus large que la zone 106b insolée dans la première couche photosensible 111. De plus, ces deux zones 106 ont chacune leur côté gauche aligné verticalement l'un par rapport à l'autre. Pour cela, on réalise une insolation de la zone 106b et d'une partie de la zone 106a par un faisceau d'électrons par exemple similaire au faisceau 123a représenté sur la figure 4C. Ces premières zones insolées ont alors la même largeur et sont auto-alignées l'une par rapport à l'autre. On réalise ensuite une seconde étape d'insolation par un second faisceau d'électrons, par exemple similaire au faisceau d'électrons 121 représenté sur la figure 4A, ou par un faisceau de photons ou d'ions, permettant ainsi d'élargir la zone 106a en insolant une seconde zone dans la seconde couche photosensible 113 sans modifier la largeur de la zone 106b de la première couche photosensible 111. Ce second faisceau élargit la zone 106a par le côté droit. L'ordre de mise en oeuvre de ces deux étapes d'insolation peut être inversé par rapport à la description ci-dessus. Les zones 107a et 107b sont réalisées de manière similaire aux zones 106a et 106b, excepté l'élargissement de la zone 107a qui est réalisé sur le côté gauche par le second faisceau durant la seconde étape d'insolation. Les zones 108a et 108b sont réalisées tout d'abord par deux étapes d'insolation, par exemple similaires à celles mises en oeuvre pour la réalisation des zones 106a et 106b ou des zones 107a et 107b, puis un troisième faisceau d'électrons, de photons ou d'ions sera utilisé pour élargir la zone 108a en insolant une troisième zone dans la seconde couche photosensible 113, afin que l'élargissement réalisé sur le côté gauche soit similaire à l'élargissement réalisé sur le côté droit. Enfin, une dernière étape d'insolation du dispositif 100 permet d'insoler la zone 109 dans la première couche photosensible 111. Au niveau de cette zone 109, la seconde couche photosensible 113 a été enlevée au préalable par une gravure. Pour réaliser cette insolation, un unique faisceau d'électrons est utilisé. La dose et/ou le temps d'insolation et/ou la tension d'accélération du faisceau 124 sont assez importantes pour pouvoir traverser la couche non photosensible 112 et former la zone 109 dans la première couche photosensible 111, c'est-à-dire atteindre le seuil de sensibilité de la première couche 111. La configuration des zones insolées sur le dispositif 100 n'est qu'un exemple de configuration. Il est tout à fait possible d'insoler un nombre totalement différent de zones sur un dispositif semi-conducteur, en des positions différentes. Il est également possible que le dispositif 100 comporte plus de deux couches photosensibles et/ou d'une couche non photosensible. Ce procédé de réalisation permet de combiner des insolations optiques ou ioniques avec des insolations par faisceaux d'électrons et peut être facilement mis en oeuvre. En effet, la lithographie optique offre un gain de temps difficile à obtenir avec la lithographie par faisceaux d'électrons. Par contre, la lithographie par faisceaux d'électrons permet d'obtenir une insolation plus précise et surtout une possibilité d'aller contrôler les 3 dimensions de l'insolation réalisée, en insolant par exemple uniquement de nouvelles zones se trouvant dans des zones enterrées. On cherchera donc, dans la réalisation d'un dispositif à semi-conducteur, comportant par exemple des transistor MOS, à optimiser les différentes étapes de lithographie en réalisant toutes les parties non critiques du dispositif par lithographie optique et/ou ionique, et toutes les parties nécessitant une haute résolution et/ou un dimensionnement en profondeur, par exemple pour la réalisation de double grilles asymétriques ou non, par lithographie par faisceaux d'électrons. Il est également possible de prendre en compte d'autres critères tels que l'alignement de grilles entre les transistors ainsi que le contrôle dimensionnel sur la dissymétrie des dispositifs. Les figures 5A à 5G représentent différentes étapes d'un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à double grille auto-alignée asymétrique 500. Pour cela, un pont en semi- conducteur 501, par exemple en silicium, passant au-dessus d'une zone active 502 d'un substrat semi-conducteur 503 est réalisé, comme cela est représenté sur la figure 5A. Une couche d'oxyde 504, par exemple de l'oxyde de silicium, est déposée autour du pont 501 et sur la zone active 502. On recouvre alors l'ensemble de la structure, c'est-à-dire ici le pont 501, et on remplit un espace vide 505 entre la zone active 502 et le pont 501 d'une résine photosensible, formant ainsi une première couche 506a et une seconde couche 506b de résine photosensible, comme cela est représenté sur la figure 5B. Au moins deux zones 507a et 507b de la couche de résine 506a, 506b de largeur différente, superposées et placées au-dessus et en dessous du pont 501, sont réalisées par des étapes de lithographie, par exemple celles décrites précédemment pour la réalisation des zones 105a et 105b du dispositif 100, comme représenté sur la figure 5C. Sur la figure 5D, les deux zones insolées 507a et 507b sont supprimées, par exemple par gravure, de la couche de résine 506a, 506b, créant ainsi deux zones d'espace vide 508a et 508b. Les zones d'espace vide 508a et 508b sont ensuite remplies par un matériau conducteur, tel un métal, formant ainsi une double grille auto-alignée asymétrique 509, représentée sur la figure 5E. La couche de résine restante 506a, 506b est ensuite supprimée, tel que représenté sur la figure 5F. Enfin, des espaces vides 510a et 510b, situées sous le pont 501, de part et d'autre de la grille 509, sont remplis par du nitrure, formant ainsi des espaceurs 511a et 511b. Le dispositif 500 ainsi réalisé peut par exemple être un transistor MOS à double grille auto-alignée asymétrique. Dans une variante, il est possible de conserver les portions restantes de la couche de résine 506a, 506b après la réalisation des espaces vides 508a et 508b, notamment dans le cas d'une résine 506a, 506b négative où les portions restantes seraient transformées en matériau isolant. L'intégration d'un tel dispositif serait alors réalisée à une température inférieure à la température de fluage de la résine. Dans l'ensemble de la description, les zones insolées peuvent être réalisées dans un matériau photosensible positif, les zones insolées étant ensuite supprimées. Il est également possible d'utiliser un matériau photosensible négatif. Dans ce cas, ce sont les zones non insolées qui sont ensuite supprimées. Les figures 6 et 7 représentent un exemple de structure 200 pouvant être réalisée par les étapes de lithographie du procédé décrit précédemment. La figure 6 est une vue de dessus de la structure 200, la figure 7 étant une vue en coupe de cette structure 200. La structure 200 comporte un premier niveau 202 formé ici de quatre éléments de forme parallélépipédique rectangle. Ces quatre éléments sont issus d'une première couche de résine photosensible. La structure 200 comporte également une couche 204 par exemple à base d'un semi-conducteur et/ou d'un diélectrique, et une seconde couche 206 également à base de résine photosensible. Comme cela est représenté sur les figures 6 et 7, deux zones vides 203 et 205 de forme sensiblement circulaire ont été réalisées, par exemple par une première étape de lithographie avec un premier faisceau d'électrons pour former des premières zones insolées dans les première et seconde couches de résine, ces premières zones étant de dimensions sensiblement similaires, puis par une seconde étape de lithographie réalisée avec un second faisceau d'électrons élargissant la zone insolée uniquement dans la seconde couche de résine et non dans la première couche de résine. Les zones 203, 205 ainsi formées sont asymétriques l'une par rapport à l'autre. Ce type de structure mécanique 200 offre une bonne stabilité et peut par exemple servir de base à la réalisation d'un SIP (� System In Package � en anglais). REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à architecture asymétrique (100, 500), ledit dispositif (100, 500) comportant un substrat (110, 503) sur lequel est disposé au moins un empilement dans cet ordre d'une première couche photosensible (111, 506a), d'une couche non photosensible (112, 501) et d'une seconde couche photosensible (113, 506b), ledit procédé comportant au moins une étape d'insolation d'une première zone (103a, 114, 105a) dans chacune des couches photosensibles (111, 113, 506a, 506b) par un premier faisceau d'électrons (123a) traversant la couche non photosensible (112, 501), et au moins une autre étape d'insolation d'au moins une seconde zone (115) d'une des deux couches photosensibles (111, 506a) par un second faisceau d'électrons (123b) ou de photons ou d'ions, la seconde zone (115) étant en partie superposée à l'une des premières zones (114). 2. Procédé selon la revendication 1, l'étape d'insolation des premières zones (103a, 114, 105a) étant mise en oeuvre avant l'étape d'insolation de la seconde zone (115). 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, lorsque l'insolation de la seconde zone (115) est mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons (123b), la tension d'accélération du premier faisceau d'électrons (123a) est supérieure à latension d'accélération du second faisceau d'électrons (123b). 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la largeur du premier faisceau d'électrons (123a) étant supérieure à la largeur du second faisceau (123b). 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le nombre d'électrons apportés dans les premières zones (103a, 114, 105a) par le premier faisceau d'électrons (123a) et/ou le nombre d'électrons, ou de photons, ou d'ions, apportés dans la seconde zone par le second faisceau (123b), étant ajustés en fonction de la sensibilité de la première (111) et/ou de la seconde couche photosensible (113). 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le nombre d'électrons apportés dans les premières zones (103a, 114, 105a) par le premier faisceau d'électrons (123a), et/ou le nombre d'électrons, ou de photons, ou d'ions, apportés dans la seconde zone (115) par le second faisceau (123b), étant ajustés par la durée de l'étape d'insolation des premières zones (103a, 114, 105a) et/ou la durée de l'étape d'insolation de la seconde zone (115). 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la tension d'accélération du premier faisceau d'électrons (123a) et/ou, lorsque l'insolation de la seconde zone (115) est mise en oeuvre par lesecond faisceau d'électrons (123b), la tension d'accélération du second faisceau d'électrons (123b), étant ajustées en fonction de l'épaisseur de la première (111) et/ou de la seconde couche photosensibles (113) et/ou de la couche non photosensible (112). 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la seconde zone (115) étant réalisée dans la première couche photosensible (111), l'insolation de la seconde zone (115) étant mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons (123b). 9. Procédé selon la revendication 8, le nombre d'électrons apportés par le second faisceau d'électrons (123b) et/ou la tension d'accélération et/ou la largeur du second faisceau d'électrons (123b) étant ajustés pour que la largeur d'insolation du second faisceau d'électrons (123b) dans la première couche photosensible (111) soit supérieure à la largeur d'insolation du second faisceau d'électrons (123b) dans la seconde couche photosensible (113). 10. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9, l'étape d'insolation de la seconde zone (115) conservant la largeur de la première zone (103a, 105a) insolée dans la seconde couche photosensible (113). 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, la seconde zone étant insolée dans la seconde couche photosensible (113). 12. Procédé selon la revendication 11, l'étape d'insolation de la seconde zone conservant la largeur de la zone insolée dans la première couche photosensible (111). 13. Procédé selon l'une des revendications 11 ou 12, lorsque l'insolation de la seconde zone est mise en oeuvre par le second faisceau d'électrons (123b), le nombre d'électrons apportés par le second faisceau d'électrons (123b) et/ou la tension d'accélération du second faisceau d'électrons (123b) étant ajustés pour que la profondeur d'insolation du second faisceau d'électrons (123b) soit inférieure ou égale à l'épaisseur de la seconde couche photosensible (113) et de la couche non photosensible (112). 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, ou la revendication 11, le second faisceau insolant également une troisième zone dans la couche photosensible ne comportant pas la seconde zone, la troisième zone étant en partie superposée à la premières zone formée dans ladite couche photosensible ne comportant pas la seconde zone, l'une de la seconde zone ou de la troisième zone formée dans la première couche photosensible étant de dimensions supérieures à l'autre de la seconde zone ou de la troisième zone. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une troisième étape d'insolation, mise en oeuvre par un troisième faisceau d'électrons (123c) ou de photons ou d'ions, d'au moinsune des deux couches photosensibles (111), élargissant au moins une des zones insolées (105b). 16. Procédé selon la revendication 15, lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons (123c), la tension d'accélération du premier faisceau d'électrons (123a) étant supérieure à la tension d'accélération du troisième faisceau d'électrons (123c). 17. Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16, la largeur du premier faisceau d'électrons (123a) étant supérieure à la largeur du troisième faisceau (123c). 18. Procédé selon l'une des revendications 15 à 17, le nombre d'électrons, ou de photons, ou d'ions, apportés par le troisième faisceau (123c), et/ou, lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons (123c), la tension d'accélération du troisième faisceau d'électrons (123c) étant ajustés en fonction de l'épaisseur et/ou de la sensibilité de la première (111) et/ou de la seconde couche photosensibles (113). 19. Procédé selon l'une des revendications 15 à 18, le troisième faisceau (123c) élargissant la zone (105b) insolée dans la première couche photosensible (111), la troisième étape d'insolation étant mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons (123c). 20. Procédé selon l'une des revendications 15 à 19, lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons (123c), le nombre d'électrons apportés par le troisième faisceau d'électrons (123c) et/ou la tension d'accélération et/ou la largeur du troisième faisceau d'électrons (123c) étant ajustés pour que la largeur d'insolation du troisième faisceau d'électrons (123c) dans la première couche photosensible (111) soit supérieure à la largeur d'insolation du troisième faisceau d'électrons (123c) dans la seconde couche photosensible (113). 21. Procédé selon l'une des revendications 15 à 18, le troisième faisceau (123c) élargissant la zone insolée dans la seconde couche photosensible (113). 22. Procédé selon la revendication 21, lorsque la troisième étape d'insolation est mise en oeuvre par le troisième faisceau d'électrons (123c), le nombre d'électrons apportés par le troisième faisceau d'électrons (123c) et/ou la tension d'accélération du troisième faisceau d'électrons (123c) étant ajustés pour que la profondeur d'insolation du troisième faisceau d'électrons (123c) soit inférieure ou égale à l'épaisseur de la seconde couche photosensible (113) et de la couche non photosensible (112). 23. Procédé selon l'une des revendications 15 à 21, le troisième faisceau (123c) élargissant leszones insolées dans les deux couches photosensibles (111, 113), l'élargissement de la zone insolée dans la première couche photosensible (111) étant plus important que l'élargissement de la zone insolée dans la seconde couche photosensible (113). 24. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la largeur des zones insolées dans l'une des couches photosensibles (111) étant différente de la largeur des zones insolées dans l'autre des couches photosensibles (113). 25. Procédé selon l'une des revendications précédentes, une des zones insolées (103a, 114) dans chacune des couches photosensibles (111, 113) comportant un de leurs côtés alignés verticalement l'un par rapport à l'autre. 26. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les zones insolées dans les deux couches photosensibles (111, 113) étant sensiblement centrées verticalement l'une par rapport à l'autre. 27. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les étapes d'insolation étant répétées plusieurs fois au cours du procédé, pour former différentes zones insolées (101, 102a, 102b, 103a, 103b, 104a, 104b, 105a, 105b, 106a, 106b, 107a, 107b, 108a, 108b, 109) dans les couches photosensibles (111, 113), le nombre de faisceaux utilisés pouvant varierselon les zones insolées dans les couches photosensibles (111, 113). 28. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant au moins une étape d'insolation d'une zone (102a, 102b) de largeur identique dans chacune des couches photosensibles (111, 113) par un faisceau d'électrons (122) traversant la couche non photosensible (112). 29. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une étape de gravure des zones insolées ou des zones non insolées selon que le matériau de la couche photosensible (111, 113) soit de polarité positive ou négative, dans au moins l'une des couches photosensibles. 30. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les couches photosensibles (111, 113) étant à base une résine organique ou minérale, telle une résine HSQ. 31. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche non photosensible (112) étant au moins à base d'un semi-conducteur, tel que du silicium, et/ou d'un diélectrique tel que de l'oxyde de silicium. 32. Procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur (500) à double grille auto-alignée 30 asymétrique (509), comportant les étapes de :-réaliser au moins un pont (501) en semi-conducteur, tel que du silicium, passant au-dessus d'au moins une zone active (502) d'un substrat (503) à base de semi-conducteur, tel que du silicium, - déposer au moins une couche d'oxyde (504), tel que de l'oxyde de silicium, au moins autour du pont (501) et sur la zone active (502), - recouvrir au moins le pont (501) et remplir au moins un espace vide (505) entre la zone active (502) et le pont (501) d'un matériau photosensible, par exemple une résine organique telle qu'une résine de type à amplification chimique à base de PHS ou minérale telle qu'une résine HSQ, formant ainsi au moins une première et une seconde couche (506a, 506b) photosensibles superposées, - insoler au moins une zone (507a, 507b) dans chacune des couches photosensibles (506a, 506b), lesdites zones étant superposées et placées au-dessus et en dessous du pont (501), selon les étapes d'insolation d'un procédé selon l'une des revendications 1 à 31, - supprimer les zones insolées (507a, 507b) ou non insolées selon que la polarité du matériau photosensible soit positive ou négative, des couches photosensibles (506a, 506b), - remplir au moins l'espace (508a, 508b) précédemment occupé par les deux zones insolées (507a, 507b) par un matériau conducteur, formant ainsi au moins une grille (509) asymétrique, - supprimer le matériau restant des couches photosensibles (506a, 506b), - remplir des espaces vides (510a, 510b) situés sous le pont (501) de part et d'autre de la grille (509) par un matériau isolant (511a, 511b), par exemple de type minéral tel que du nitrure.5