Brevet FR2912839A1 — publié le 20080822

CONTEXTE La présente invention est relative à la réalisation de structures composites pour l'électronique, l'optique ou la microélectronique. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de collage de deux substrats entre eux. L'invention concerne également un procédé de formation d'une structure comprenant une couche en matériau semi-conducteur prélevée à partir d'un substrat donneur, ledit substrat donneur ayant lui-même été constitué par collage 10 de deux substrats. Pour coller deux substrats entre eux, on procède typiquement à la mise en contact d'un premier substrat avec un second substrat de manière à réaliser un collage par adhésion moléculaire des substrats entre eux. Une application d'un tel collage est celle qui est faite dans le cadre de la 15 réalisation de structures du type semi-conducteur sur isolant (en anglais, Semiconductor On Insulator, (SeOl)), et en particulier les structures du type silicium sur isolant SOI (en anglais, Silicon On Insulator (SOI)). Dans ce cadre d'application, l'un au moins des substrats à coller présente une couche d'oxyde en surface ; à titre d'exemple, on réalise typiquement un 20 collage Si/SiO2 ou encore un collage SiO2/SiO2 afin de former une structure SOI. Le collage par adhésion moléculaire est une technique permettant de faire adhérer l'un à l'autre deux substrats présentant des surfaces parfaitement planes ( poli-miroir ) et cela sans application d'adhésif (de type colle, glue, etc.). Les surfaces en question sont en général celles de substrats en matériau 25 électriquement isolant (quartz, verre, par exemple) ou en matériau semi- conducteur (Si, GaAs, SiC, Ge, par exemple). Le collage est typiquement initié par application locale d'une légère pression sur un ou les deux substrats mis en contact. Une onde de collage se propage ensuite sur toute l'étendue des substrats 30 en quelques secondes, pour rapprocher les deux substrats à l'échelle atomique. L'énergie de collage obtenue à température ambiante est généralement assez faible par rapport à celle observée entre deux solides liés de façon covalente, ionique ou métallique. 2 2912839 Afin d'obtenir un collage satisfaisant de deux substrats entre eux, on réalise habituellement avant collage une préparation de l'une et/ou l'autre des surfaces à coller. Il s'agit là d'augmenter la tenue mécanique et/ou d'accroître la qualité de l'interface de collage. 5 Une telle préparation implique typiquement un traitement chimique û appelé nettoyage û des surfaces des substrats à coller. Le nettoyage vise notamment à procurer une ou plusieurs des propriétés suivantes pour les surfaces à coller : l'absence de particules ; l'absence d'hydrocarbures ; l'absence de contaminants métalliques ; - une faible rugosité de surface, typiquement inférieure à 5 A RMS ; - une forte hydrophilie, c'est-à-dire une densité importante de liaisons silanols (liaisons Si-OH) terminant les surfaces à coller. A titre d'exemples, de nettoyage avant collage, on peut mentionner : - le nettoyage de type RCA, à savoir la combinaison d'un bain SC1 (en anglais, Standard Clean 1 ) comprenant de l'hydroxyde d'ammonium (NH4OH) du peroxyde d'hydrogène (H2O2) et de l'eau (H2O) adapté au retrait des particules et des hydrocarbures et d'un bain SC2 (en anglais, Standard Clean 2 ) comprenant de l'acide chlorhydrique (HCI), du peroxyde d'hydrogène (H2O2) et de l'eau (H2O) adapté au retrait des contaminants métalliques ; - le nettoyage avec une solution ozonée (03) adapté au retrait des contaminants organiques ; - le nettoyage avec une solution contenant un mélange d'acide sulfurique et d'eau oxygénée (en anglais, Sulfuric Peroxide Mixture, (SPM)). Le contrôle des différents paramètres de nettoyage (notamment la température des bains) permet de prévenir l'apparition de certains défauts au niveau de l'interface de collage de la structure collée. Ces défauts occasionnés sont par exemple des cloques au niveau de 30 l'interface de collage entre les deux substrats. Un autre type de défaut peut par ailleurs être observé dans le cas où on opère un transfert d'une couche mince du substrat donneur vers un substrat receveur, les procédés du type Smart CutTM étant un exemple avantageux d'un 3 2912839 tel transfert (concernant les procédés du type Smart CutTM, l'homme du métier pourra par exemple se référer à Silicon Wafer bonding technology for VLSI and MEMS applications, S.S. lyer and A.J. Auberton-Hervé, IEE, 2002). Dans un tel cas, on peut en effet observer des trous dans la couche mince transférée, 5 localisés dans la région périphérique du substrat receveur. Ces zones transférées, de diamètre compris entre 50pm et 2mm, localisées entre 0,5 à 5mm du bord de la structure sont appelés picots (ou encore edge voids , en anglais). La figure 1 montre, schématiquement, une vue en coupe d'un SOI avec un 10 picot. Les couches transférées sur le substrat receveur présentent un trou de diamètre typiquement compris entre 50pm et 2mm, situé à 1-5mm du bord de la structure. Les picots sont ainsi des défauts macroscopiques liés à un mauvais collage en bord des substrats. Il s'agit de défauts graves et généralement rédhibitoires. 15 En effet, en l'absence de couche mince servant de couche active pour la formation de composants électroniques à la localisation d'un picot, aucun composant ne peut être fabriqué à cette localisation. Etant donné la taille des picots, un composant électronique comprenant au moins un picot est nécessairement défectueux. 20 Les défauts de type cloques , correspondent à un décollement local entre la couche mince transférée et le substrat receveur. Par exemple, dans le cas d'un SOI obtenu par le procédé Smart CutTM, le collage d'un substrat receveur Si sur un substrat donneur oxydé et implanté peut conduire à l'observation de cloques sur la structure obtenue après transfert. Ces cloques 25 résultent du décollement local entre le silicium receveur et l'oxyde de la couche mince transférée, comme cela est schématisé sur la figure 2. Ce décollement local est favorisé par d'éventuelles particules, traces d'hydrocarbures, ou encore des irrégularités de surface (micro-rugosité localement plus élevée) à la surface d'un et/ou des deux substrats mis en contact. Dans le cas où le collage est réalisé en vue d'un transfert de type Smart CutTM (dans un souci de simplification on se référera dans la suite de ce texte à ce cas par formation d'un SOI ), les cloques créées au niveau de l'interface de 4 2912839 collage entre le substrat donneur et le substrat receveur peuvent se dilater lors du recuit de détachement qu'implique un tel transfert, ceci peut endommager la couche utile de la structure finale obtenue à l'issue du transfert. Comme cela est schématisé sur la figure 2, dans le cadre de la formation 5 d'un SOI, les cloques peuvent être localisées au centre comme en périphérie de la structure. Les cloques sont ainsi des défauts macroscopiques, circulaires de diamètre typiquement compris entre 0,1mm et 3mm, à l'issue d'un transfert de couche mince. 10 Les cloques sont dans un tel cas des défauts rédhibitoires pour un SOI. Il est connu que les défauts de type cloques et picots sont liés au collage et à la préparation de la surface. Plus précisément, il a été observé que certaines conditions de nettoyage avant collage conduisaient à des collages dans lesquels : 15 - on prévient l'apparition de défauts de type cloques au niveau de l'interface de collage, en utilisant notamment un bain SC1 de faible concentration et surtout à faible température (typiquement de l'ordre de 65 C au plus), - on prévient l'apparition de défauts de type picots au niveau de l'interface de collage après transfert, en utilisant notamment un bain SC1 à haute 20 température (typiquement de l'ordre de 70 C au moins). Les conditions, mentionnées ci-dessus, permettant d'éviter les défauts de type cloques et picots sont ainsi antagonistes. En pratique, l'étape de préparation par nettoyage implique donc de trouver un compromis (notamment en ce qui concerne la température à laquelle on effectue 25 le nettoyage avant collage) afin d'obtenir une interface de collage au niveau de laquelle on observera plus ou moins de cloques et de picots. 5 2912839 RESUME DE L'INVENTION La présente invention se propose de pallier aux problèmes susmentionnés, et notamment de supprimer la nécessité d'un compromis dans la 5 définition des conditions (température en particulier) de nettoyage, pour prévoir l'apparition de défauts de type picots et l'apparition de défauts de type cloques au niveau de l'interface de collage entre deux substrats. A cet effet, l'invention propose selon un premier aspect un procédé de collage de deux substrats entre eux au cours duquel on procède à la mise en 10 contact des surfaces desdits substrats, comprenant au moins une étape de nettoyage de la surface de l'un et/ou l'autre des substrats à coller avant la mise en contact de leurs surfaces, caractérisé en ce que - l'étape de nettoyage est réalisée de manière à ce que chaque surface nettoyée soit peu rugosifiée, et en ce que 15 - le collage est en outre précédé d'un chauffage d'au moins un substrat à coller, ledit chauffage étant initié avant la mise en contact des surfaces des substrats et prolongé au moins jusqu'à leur mise en contact. Des aspects préférés, mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants : - le chauffage se termine au plus tard à la fin de la propagation de l'onde 20 de collage entre les deux substrats ; -le nettoyage des surfaces de l'un et/ou l'autre des substrats à coller implique une gravure qui conduit à une augmentation de la rugosité de la surface gravée comprise entre 0 et 20% ; - l'étape de nettoyage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller implique 25 une gravure d'une épaisseur inférieure à 15 Angstréms ; - l'étape de nettoyage est mise en oeuvre au moyen d'un bain à base de NH4OH, H2O2, H2O, ou d'un bain à base de NH4OH, H2O2, H2O suivi d'un bain à base de HCI, H2O2, H2O, ou en utilisant un bain ozoné suivi d'un bain à base de NH4OH, H2O2, H2O suivi d'un bain à base de HCI, H2O2, H2O, ou en utilisant un 30 bain d'acide sulfurique et d'eau oxygénée suivi d'un bain à base de NH4OH, H2O2, H2O, suivi d'un bain à base de HCI, H2O2, H2O ; - l'étape de nettoyage est mise en oeuvre en utilisant de l'ozone sec suivi du bain à base de NH4OH, H2O2, H2O, suivi d'un bain à base de HCI, H2O2, H2O ; 6 2912839 - le procédé peut comprendre une étape d'activation par plasma mise en oeuvre après l'étape de nettoyage et avant l'étape de collage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller ; - le plasma est à base d'O2 et/ou de N2 ; 5 - le plasma conduit à une diminution de la rugosité de l'un et/ou l'autre desdits substrats à coller ; - la température du bain à base de NH4OH, H2O2, H2O est inférieure à 65 C ; - le bain à base de NH4OH, H2O2, H2O : 10 - a un dosage en pourcentage massique en NH4OH/H2O2 typiquement compris entre 1/2 et 6/6 et préférentiellement entre 1/2 et 3/4, est à une température comprise entre 5 C et 60 C, préférentiellement entre 40 C et 55 C, 15 est appliqué pendant quelques minutes, préférentiellement trois minutes ; - le bain à base de HCI, H2O2, H2O : a un dosage en pourcentage massique de HCI compris entre 0,3% et 2%, 20 a un dosage en pourcentage massique de H2O2 compris entre 0,3% et 2%, - est à une température de 30 C, - est appliqué pendant quelques minutes, préférentiellement trois minutes ; 25 - avant l'étape de collage, le chauffage est appliqué localement au niveau d'une zone périphérique d'au moins un des deux substrats à coller, il est appliqué de manière uniforme sur l'étendue d'au moins un des deux substrats à coller et est conduit à une température comprise entre 35 C et 90 C, typiquement entre 45 C et 70 C ; 30 - en outre, le chauffage est obtenu par conduction thermique ou par rayonnement. Selon un deuxième aspect, l'invention propose un procédé de formation d'une structure comprenant une couche mince en matériau semi-conducteur 7 2912839 prélevée à partir d'un substrat donneur, le procédé comprenant les étapes suivantes : - mise en contact d'un second substrat avec le substrat donneur de manière à réaliser un collage desdits substrats entre eux, 5 - nettoyage de la surface de l'un et/ou l'autre desdits substrats avant la mise en contact intime des surfaces des substrats à coller, - transfert d'une partie du substrat donneur vers le second substrat de manière à former ladite couche mince sur le second substrat, - caractérisé en ce que le collage est réalisé par un procédé selon le 10 premier aspect de l'invention. PRESENTATION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore 15 de la description qui suit laquelle est purement illustrative et non limitative et doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels outre les figures 1 et 2 déjà discutées : - la figure 3 illustre l'occurrence des cloques (traits pleins) et des picots (traits pointillés) en fonction de la température du bain SC1 ; 20 - les figures 4a et 4b illustrent la propagation de l'onde de collage selon que le collage est initié à partir du centre de la structure (figure 4a) ou du bord de la structure (figure 4b), la région périphérique dans laquelle sont attendus les éventuels picots est représentée par des points ; - la figure 5 illustre une cartographie de la température sur un substrat de 25 silicium de diamètre égal à 300mm, après quinze secondes de chauffage local dans la partie haute du substrat dans le cas où les picots sont attendus dans cette partie en raison d'un collage initié dans la partie basse de ce substrat. DESCRIPTION DE L'INVENTION Comme déjà mentionné, l'invention concerne un procédé de collage de deux substrats entre eux. L'invention vise notamment à s'affranchir du compromis lié à l'apparition de cloques et de picots et mentionné ci-dessus. 30 8 2912839 La Demanderesse est partie du constat que l'occurrence de défauts de type cloques peut être diminuée en modifiant les paramètres des bains utilisés pour le nettoyage des surfaces à coller. Cependant, comme cela a déjà été mentionné, les conditions de 5 nettoyage favorisant la diminution des cloques tendent à augmenter l'occurrence de picots dans le cas d'un transfert. La pratique actuellement connue implique donc généralement de ménager un compromis dans la définition des conditions de nettoyage (en particulier), en fonction de la température et de la quantité de cloques et de picots que l'on est 10 prêt à avoir. La figure 3 illustre schématiquement le principe d'un tel compromis, l'occurrence des cloques (traits pleins) et des picots (traits pointillés) est représentée en fonction de la température du bain SC1. Ainsi : 15 - un nettoyage au moyen d'un bain SC1 à haute température entraînant une gravure ou une rugosification de la surface des substrats nettoyés, permet d'éviter les picots mais favorise l'apparition de cloques, - un nettoyage au moyen d'un bain SC1 à basse température, typiquement inférieure à 65 C, entraînant une faible rugosification et une très légère gravure 20 (enlèvement inférieur à 15 Angstrôms, typiquement 5-10 A) de la surface des substrats nettoyés permet d'éviter les cloques mais favorise l'apparition de picots. Il est à noter que les spécifications en termes d'absence de picots sont de plus en plus sévères. 25 La Demanderesse, propose de choisir lors du nettoyage des surfaces des substrats à coller des conditions visant à prévenir l'apparition de cloques en s'affranchissant lors de ce nettoyage de préoccupations liées à la possible apparition de picots. De telles conditions de nettoyage doivent ainsi produire des surfaces 30 nettoyées qui présentent une rugosité et une épaisseur quasiment inchangées par le nettoyage du fait de la faible gravure. 9 2912839 On rappelle que la faible dégradation de l'un et/ou l'autre des substrats à coller est typiquement obtenue au moyen d'un bain SC1 à faible température, typiquement inférieure à 65 C. De manière plus générale, on pourra mettre en oeuvre tout type de nettoyage 5 permettant d'assurer que l'étape de nettoyage est réalisée de manière à ce que chaque surface nettoyée présente à l'issue du nettoyage une rugosité inchangée par nettoyage ou dans le pire des cas augmentée de 20% par rapport à sa valeur avant l'étape de nettoyage. En outre, la rugosification par nettoyage est associée à une gravure 10 engendrée par celui-ci. Il convient donc de mettre en oeuvre tout type de nettoyage conduisant à une gravure inférieure à 15 Angstrôms, typiquement 5-10 A). Le fait de ne pas dégrader les surfaces de l'un et/ou l'autre des substrats à coller a pour effet de limiter l'apparition des cloques. 15 L'apparition des picots est prévenue par la suite par un contrôle du collage (contrôle de la vitesse de propagation de l'onde de collage) des substrats au moyen d'un chauffage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller. La Demanderesse a développé une méthode permettant de réduire l'occurrence de picots, fondée sur le contrôle de la vitesse de propagation de 20 l'onde de collage par chauffage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller. En effet, il apparaît que c'est d'une part le caractère hydrophile et d'autre part la faible rugosité des surfaces des substrats à coller qui impactent la vitesse de propagation de l'onde de collage. Il apparaît alors que le contrôle de l'apparition des cloques et des picots 25 s'effectue de manière indépendante. Ainsi, dans le cadre de l'invention, on se propose, d'une part, de procéder au nettoyage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller de manière à ce qu'à l'issue du nettoyage, les surfaces des substrats à coller et qui ont été nettoyées soient peu rugosifiées (condition favorisant la prévention de l'apparition de cloques). 30 On précise que le terme peu rugosifiée traduit une augmentation de la rugosité qui est limitée. Plus précisément ceci correspond typiquement à une augmentation de la rugosité de la surface nettoyée qui est comprise entre 0 et 20%. 10 2912839 Pour obtenir une surface peu rugosifiée, on pourra mettre en oeuvre pour le nettoyage une gravure d'une épaisseur inférieure à 15 Angstrôms. On pourra également mettre en oeuvre un nettoyage comprenant plusieurs étapes. Dans tous les cas de figure, à l'issue du nettoyage chaque surface 5 nettoyée a été peu rugosifiée . D'autre part avant collage, on se propose de procéder à un chauffage d'au moins un substrat à coller débutant avant la mise en contact des surfaces des substrats et au moins prolongé jusqu'à leur mise en contact effective. On note que le chauffage se termine au plus tard à la fin de la propagation de 10 l'onde de collage entre les deux substrats. Le nettoyage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller peut être mis en oeuvre en combinant un ou plusieurs bains. Les bains utilisés lors de l'étape de nettoyage conduisent à une augmentation de la rugosité des surfaces de l'un et/ou l'autre des substrats à 15 coller comprise entre 0 et 20% et à une gravure d'épaisseur inférieure à 15 Angstrôms. Un nettoyage conduisant à de tels résultats est un nettoyage comprenant un bain SC1 (mélange à base de NH4OH, H2O2, H2O) pratiqué à une température inférieure à 65 C. 20 Le bain SC1 peut notamment être pratiqué à une température comprise entre 5 C et 60 C (typiquement 40 C-55 C), pendant quelques minutes (typiquement trois minutes), avec des concentrations assez faibles. La concentration en NH4OH / H2O2 (exprimée en pourcentage massique) du bain SC1 est typiquement comprise entre 1/2 et 6/6. Ces dosages en 25 pourcentage massique sont préférentiellement égaux à 1/2 ou 3/4. Un tel nettoyage utilisant un bain SC1 conduit typiquement à une gravure d'environ 5-15 Angstrôms sur un oxyde thermique fragilisé par l'implantation ionique nécessaire pour la formation d'un tel SOI. De manière avantageuse, le bain SC1 peut être précédé d'un bain ozoné, 30 d'un SPM (mélange à base de H2SO4/H2O2) ou encore d'un nettoyage à base d'ozone sec (atmosphère UV/03) pour notamment retirer les contaminations organiques. 11 2912839 Le bain SC1 peut aussi être avantageusement suivi d'un bain SC2 pratiqué à basse température (typiquement 30 C), de faible concentration (exprimée en pourcentage massique) typiquement 0,3 - 2% pour HCI et 0,3 - 2% pour H2O2 (le reste est de l'eau) pendant une durée égale à trois minutes environ. 5 L'utilisation d'un tel SC2 permet d'enlever une très grande partie des contaminations métalliques sans dégrader l'hydrophilie des substrats à coller favorisant la propagation de l'onde de collage lorsque celui-ci est initié. Par ailleurs, l'un et/ou l'autre des deux substrats à coller ainsi nettoyés peuvent également subir un traitement d'activation par plasma, 10 préférentiellement un plasma d'O2 et/ou de N2. Il est à noter que l'étape d'activation par plasma peut également être vue comme une étape de nettoyage à sec à caractère lissant et correspond ainsi à une étape supplémentaire du nettoyage. Son utilisation conduit à une amélioration de l'état de surface de l'un et/ou l'autre desdits substrats à coller. 15 L'activation par plasma étant vue comme une étape de nettoyage, il apparaît par conséquent que le nettoyage est une succession d'étapes. D'après l'invention c'est l'ensemble des étapes de nettoyage qui doit satisfaire les contraintes de rugosité des surfaces à coller. Il est à noter que de manière préférée, ce traitement d'activation par plasma 20 est pratiqué entre le nettoyage et le collage proprement dit, mais peut aussi être pratiqué avant le bain SC1 permettant de retirer les contaminations organiques. Lors du chauffage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller, la gamme de température qui permet d'éliminer les picots s'étend de 35 C à 90 C, typiquement 45 C-70 C. 25 Il est à noter que cette gamme de température résulte du fait qu'il convient de ne pas trop élever la température au risque de diminuer l'énergie de collage. En effet, si les substrats sont collés à une température trop élevée, le collage ne sera pas efficace. Le collage peut même dans certains cas se révéler impossible. 30 En effet, le collage est en pratique effectué sans application de colle ou autre glue. C'est l'eau adsorbée sur chacune des surfaces (quelques monocouches d'eau) mises en contact qui sert de colle et assure l'adhésion des deux substrats en contact par l'intermédiaire de forces de Van der Waals. 12 2912839 Ainsi, si les substrats sont chauffés à une température trop élevée, une trop grande partie de l'eau adsorbée (voire la totalité) est évaporée, ce qui rend le collage impossible : l'onde de collage est dans l'impossibilité de se propager correctement sur la surface de l'un et/ou l'autre des substrats à coller. 5 Il convient donc d'utiliser la plus basse des températures pour le chauffage permettant la disparition des picots, de manière à ne pas faire chuter l'énergie de collage, ce qui ne manquerait pas de faire apparaître d'autres défauts (par exemple des cloques après transfert de la couche mince). De manière avantageuse, il n'est pas utile de chauffer toute la surface de l'un 10 et/ou l'autre des deux substrats à coller. Il est possible de n'en chauffer qu'un. En outre, il est également possible de ne chauffer que la zone où peuvent apparaître les picots. Par exemple, si le collage des deux substrats (de forme circulaire) est initié à partir du bord, il est possible de ne chauffer que le bord diamétralement opposé 15 à ce point. Ainsi, la zone critique d'apparition des picots est chauffée sans impacter le reste du collage en favorisant la propagation de l'onde de collage sur le reste de la surface des substrats à coller. Les figures 4a et 4b illustrent la propagation de l'onde de collage selon si le collage des deux substrats est initié à partir du centre (cf. figure 5a) de la surface 20 ou à partir du bord (cf. figure 5b). Le chauffage local ou sur la totalité d'un ou des substrats peut être réalisé par exemple par conduction thermique (par exemple par contact avec un support qui transmet sa chaleur) ou encore par rayonnement (par exemple une lampe halogène éclairant la totalité ou une partie du ou des substrats à chauffer). 25 En particulier, la zone où peuvent apparaître les picots doit rester à la température désirée jusqu'à ce que les surfaces soient collées dans cette zone. La durée du chauffage dépend fortement du dispositif utilisé pour élever puis contrôler la température de la zone chauffée. Par exemple, à l'aide d'une lampe halogène délivrant une puissance de 500 30 Watts, la durée typique de chauffage est comprise entre 15 secondes et 90 secondes (cette gamme de durées dépend fortement de la distance entre les substrats et la lampe). 13 2912839 A l'issue par exemple d'un chauffage d'une durée de 15 secondes, dans le cas d'un collage initié au bord du substrat, le bord opposé est préférentiellement le point le plus chaud, présentant une température d'environ 50 C. A l'issue, par exemple, d'un chauffage d'une durée de 50 secondes dans les 5 mêmes conditions, le maximum de température mesuré sur l'un et/ou l'autre des substrats atteint une valeur voisine de 70 C. La figure 5 montre une cartographie de température sur un substrat de silicium de diamètre égal à 300mm, après 15 secondes de chauffage local dans le cas où les picots sont attendus dans la partie haute du substrat en raison d'un 10 collage initié dans la partie basse de ce substrat. Le procédé de l'invention permet de réaliser un collage de meilleure qualité dans le cadre de la formation d'un SOI. Dans le cas de la technologie Smart CutTM, ce procédé permet ainsi d'éviter les picots et les cloques simultanément (défauts macroscopiques souvent 15 rédhibitoires) impliquant un gain en rendement et en qualité des structures obtenues. Cette quasi-élimination des cloques et des picots concerne notamment des conditions favorisant l'apparition de cloques, c'est-à-dire lorsque une forte dose d'hydrogène est implantée (H seul) ou dans le cas d'une co-implantation d'hélium 20 et d'hydrogène par exemple. En effet, selon le procédé Smart CutTM, on vient former avant collage, une zone de fragilisation par implantation d'espèces atomiques ou ioniques dans l'épaisseur du substrat donneur, et on procède après collage, au détachement du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation de manière à transférer la 25 couche mince sur un second substrat. L'invention permet également d'éviter le tri des substrats en amont du procédé. En effet, classiquement un tri était opéré, fondé sur les caractéristiques en bord des substrats à coller, c'est comme déjà mentionné, à cet endroit que les picots sont susceptibles d'apparaître. Ce tri conduisait à un important rejet de 30 substrats. Le fait d'utiliser des basses températures pour les bains du nettoyage RCA présente en outre un avantage économique, la durée de vie des bains est plus longue, puisque dans ces conditions il y a une faible évaporation des produits 14 2912839 chimiques composant les bains. Ceci présente l'avantage de limiter les quantités de produits chimiques ajoutés pour stabiliser les concentrations des solutions en fonction du temps. Surtout, ces conditions de nettoyages sont très proches voire identiques aux 5 autres nettoyages qui interviennent dans le procédé Smart CutTM (nettoyage après oxydation, après les traitements thermiques etc.). Industriellement, il suffit donc d'un seul bain et potentiellement d'un seul équipement pour toutes les étapes du procédé. On peut donc envisager d'optimiser le nettoyage et faire l'adaptation 10 nécessaire sur l'étape de collage en modifiant les paramètres de durée et de température du collage. En outre, le procédé de l'invention conduit à des substrats présentant une faible rugosité avantcollage, d'où un collage plus fort et une interface de collage plus facile à stabiliser par la suite. 15 Le procédé selon l'invention permet enfin de s'affranchir du compromis picots/cloques rencontré en faisant varier la température du bain SC1 lors du nettoyage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller. Il apparaît par conséquent que les possibilités de réglage des paramètres du procédé sont simplifiées car on peut régler de façon indépendante les conditions 20 de nettoyage pour minimiser l'apparition de cloques, et les conditions de collage permettant l'élimination des picots. Ci-dessous sont donnés des résultats obtenus par l'utilisation du procédé de l'invention. Dans le cas d'un collage Si / SiO2 implanté pour réaliser un SOI par Smart 25 CutTM, le substrat receveur Si est moins sensible au nettoyage (moins facilement gravé et/ou rugosifié). La rugosité typique d'un tel substrat receveur, mesurée par AFM sur des surfaces de 10x10pm2, est inférieure ou égale à 1 Angstrôm RMS. Le substrat donneur constitué de silicium oxydé en surface puis implanté par co-implantation d'hélium et d'hydrogène par exemple est quant à lui 30 beaucoup plus facilement rugosifié et gravé par le nettoyage car il est fragilisé par l'implantation. Sa rugosité, voisine de 1,2-1,4 Angstrôms RMS avant le nettoyage, atteint environ 2 Angstrôms RMS après un nettoyage RCA avec un SC1 à une température de 75 C conduisant à une gravure de 30 Angstrôms. Par 15 2912839 contre, si le même substrat donneur est soumis au même nettoyage à 40 C, sa rugosité reste inchangée, dans la gamme 1,2-1,4 Angstrôms RMS, et la gravure correspondante est proche de 5 Angstrôms. L'occurrence des cloques est alors environ quatre fois moindre après un nettoyage à 40 C, comparé au même 5 nettoyage à 75 C. Ci-dessous sont donnés des exemples de réalisation de structure sans cloques ni picots. Dans ce premier exemple, le SOI est obtenu selon le procédé Smart CutTM avec un chauffage local de courte durée : 10 -oxydation thermique et co-implantation d'hélium et d'hydrogène de concentrations de l'ordre de 1x1016 et 1x1016 at/cm2 respectivement), nettoyage : - nettoyage des deux substrats au moyen d'un bain d'ozone suivi d'un rinçage, 15 - nettoyage au moyen d'un bain SC1 à 40 C pendant trois minutes suivi d'un rinçage (dosage en pourcentage massique de 3% pour NH4OH et 4% pour H2O2, le reste est de l'eau), nettoyage au moyen d'un bain SC2 à 30 C pendant trois minutes suivi d'un rinçage (dosage en pourcentage massique de 0,7% pour HCI et 20 0.5% pour H2O2), - séchage, -collage avec chauffage local de courte durée : - brossage + rinçage des deux substrats avant collage, séchage par centrifugation, 25 mise en regard des substrats à coller sur une station de collage, - mise en contact des substrats puis initiation du chauffage local par lampe halogène de puissance égale 500 Watts pendant 36 secondes, - initiation du collage lors du chauffage local, 20 secondes après le début de ce dernier, 30 - décollement et finition du SOI selon le procédé Smart CutTM Dans ce second exemple, la structure SOI est obtenue selon le procédé Smart CutTM avec un chauffage local intermédiaire : 16 2912839 - oxydation thermique et implantation d'hydrogène à forte dose de l'ordre de 7x1016 at/cm2. -nettoyage : - nettoyage au moyen d'un bain SC1 à 50 C pendant trois minutes 5 suivi d'un rinçage, - nettoyage au moyen d'un bain SC2 à 30 C pendant trois minutes suivi d'un rinçage, - séchage, activation du substrat donneur par plasma de 02 pur, 10 collage avec chauffage local intermédiaire : - brossage suivi d'un rinçage des substrats à coller avant collage, - séchage par centrifugation, mise en regard des substrats à coller sur une station de collage, - mise en contact des substrats puis initiation du chauffage local par 15 lampe halogène 500 Watts pendant 50 secondes, - initiation du collage lors du chauffage local, 35 secondes après le début de ce dernier, - décollement et finition du SOI selon le procédé standard de Smart CutTM 17 REVENDICATIONS 1. Procédé de collage de deux substrats entre eux au cours duquel on procède à la mise en contact des surfaces desdits substrats, comprenant au moins une étape de nettoyage de la surface de l'un et/ou l'autre des substrats à coller avant la mise en contact de leurs surfaces, caractérisé en ce que - l'étape de nettoyage est réalisée de manière à ce que chaque surface nettoyée soit peu rugosifiée, et en ce que le collage est en outre précédé d'un chauffage d'au moins un substrat à coller, ledit chauffage étant initié avant la mise en contact des surfaces des substrats et prolongé au moins jusqu'à leur mise en contact. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le chauffage se termine au plus tard à la fin de la propagation de l'onde de collage entre les deux substrats. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le nettoyage des surfaces de l'un et/ou l'autre des substrats à coller implique une gravure qui conduit à une augmentation de la rugosité de la surface gravée comprise entre 0 et 20%. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller implique une gravure d'une épaisseur inférieure à 15 Angstrôms. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est mise en oeuvre au moyen d'un bain à base de NH4OH, H2O2, H2O. 30 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est mise en oeuvre au moyen d'un bain à base de NH4OH, H2O2, H2O suivi d'un bain à base de HCI, H2O2, H2O. 18 2912839 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est mise en oeuvre en utilisant un bain ozoné suivi d'un bain à base de NH4OH, H202, H2O suivi d'un bain à base de HCI, H202, H2O. 5 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est mise en oeuvre en utilisant un bain d'acide sulfurique et d'eau oxygénée suivi d'un bain à base de NH4OH, H202, H2O, suivi d'un bain à base de HCI, H202, H2O. 10 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est mise en oeuvre en utilisant de l'ozone sec suivi du bain à base de NH4OH, H202, H2O, suivi d'un bain à base de HCI, H202, H2O. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce 15 que ledit procédé comprend en outre une étape d'activation par plasma. 11. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape d'activation par plasma est mise en oeuvre après l'étape de nettoyage et avant l'étape de collage de l'un et/ou l'autre des substrats à coller. 12. Procédé selon l'une des revendications 10 et 11, caractérisé en ce que le plasma est à base d'02 et/ou de N2. 13. Procédé selon l'une des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que le 25 plasma conduit à une diminution de la rugosité de l'un et/ou l'autre desdits substrats à coller. 14. Procédé selon l'une des revendications 5 à 9, caractérisé en ce que la température du bain à base de NH4OH, H202, H2O est inférieure à 65 C. 15. Procédé selon l'une des revendications 5 à 9, caractérisé en ce que le bain à base de NH4OH, H202, H2O : 2030- a un dosage en pourcentage massique en NH4OH/H2O2 typiquement compris entre 1/2 et 6/6 et préférentiellement entre 1/2 et 3/4, - est à une température comprise entre 5 C et 60 C, préférentiellement entre 40 C et 55 C, - est appliqué pendant quelques minutes, préférentiellement trois minutes. 16. Procédé selon l'une des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que le bain à base de HCI, H2O2, H2O : a un dosage en pourcentage massique de HCI compris entre 0,3% et 2%, 10 - a un dosage en pourcentage massique de H2O2 compris entre 0,3% et 2%, - est à une température de 30 C, - est appliqué pendant quelques minutes, préférentiellement trois minutes. 15 17. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le chauffage est appliqué localement au niveau d'une zone périphérique d'au moins un des deux substrats à coller. 18. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le chauffage est 20 appliqué de manière uniforme sur l'étendue d'au moins un des deux substrats à coller. 19. Procédé selon l'une des revendications 17 et 18, caractérisé en ce que le chauffage est conduit à une température comprise entre 35 C et 90 C, 25 typiquement entre 45 C et 70 C. 20. Procédé selon l'une des revendications 17 à 19, caractérisé en ce que le chauffage est obtenu par conduction thermique. 30 21. Procédé selon l'une des revendications 17 à 20, caractérisé en ce que le chauffage est obtenu par rayonnement. 20 2912839 22. Procédé de formation d'une structure comprenant une couche mince en matériau semi-conducteur prélevée à partir d'un substrat donneur, le procédé comprenant les étapes suivantes : - mise en contact d'un second substrat avec le substrat donneur de 5 manière à réaliser un collage desdits substrats entre eux, - nettoyage de la surface de l'un et/ou l'autre desdits substrats avant la mise en contact intime des surfaces des substrats à coller, - transfert d'une partie du substrat donneur vers le second substrat de manière à former ladite couche mince sur le second substrat, caractérisé en ce que le collage est réalisé par un procédé selon l'une des revendications précédentes.