Brevet FR2914493A1 — publié le 20081003

i SUBSTRAT DEMONTABLE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat démontable comportant une couche de liaison dont la structure est modulable en fonction de l'énergie de collage que l'on souhaite obtenir au sein du substrat démontable. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Dans de nombreuses applications microélectroniques, optoélectroniques et électroniques, il est intéressant de pouvoir détacher une couche semiconductrice d'un substrat, celle-ci contenant (ou non) tout ou partie d'un composant électronique, pour éventuellement la reporter sur un autre support. Une application particulièrement avantageuse consiste à utiliser un substrat de type semiconducteur sur isolant (SeOl) pouvant être démonté au niveau de l'isolant. Un tel substrat SeOI comprend successivement un substrat dit intermédiaire, une couche d'isolant et une couche semiconductrice. Le démontage au niveau de l'isolant permet de libérer la couche semiconductrice et de réutiliser le substrat intermédiaire. Différentes méthodes ont été développées afin de reporter la couche semiconductrice sur un support final, et éventuellement de récupérer le substrat intermédiaire. Le document WO02/084722 décrit ainsi la réalisation d'une interface par collage d'une face d'une plaque et d'une face d'une autre plaque, comprenant une étape préalable de traitement d'au moins une des deux faces pour contrôler le niveau de tenue mécanique de l'interface. Ce traitement consiste à contrôler la rugosité et/ou l'hydrophilie d'au moins une des faces, ce qui a pour effet de diminuer l'énergie de liaison de l'interface démontable, et par conséquent permet de faciliter le démontage. En effet, à une échelle microscopique, la rugosification, telle que pratiquée dans l'état de la technique, crée des cavités à la surface. Par conséquent, l'aire de la surface de contact réel est inférieure à l'aire de l'interface de collage, ce qui permet de diminuer l'énergie de collage. Toutefois, la technique de rugosification présente l'inconvénient que la répartition des cavités est aléatoire et irrégulière sur la face traitée. De plus, les formes et dimensions (profondeur et aire) de ces cavités ne sont pas constantes. Il en résulte que le procédé ne permet pas d'obtenir une énergie de liaison prédéfinie et reproductible. De plus, ce traitement s'applique à toute la surface du substrat et ne permet pas de traiter de manière différente des zones particulières de l'interface. Une autre technique développée dans le document WO02/084721 propose la réalisation d'une interface avec des zones de tenues mécaniques différentes. Ce document prévoit qu'au moins une première zone ayant une tenue mécanique faible soit entourée par au moins une seconde zone périphérique présentant une tenue mécanique supérieure pour éviter les risques de délamination ; en particulier, une telle interface peut se présenter sous la forme de parcelles de tenue mécanique faible entourées par des zones de tenue mécanique supérieure, chaque parcelle correspondant à un composant. On comprend donc que ce procédé permet de créer des interfaces avec des énergies de collage différenciées selon les parcelles, mais les parcelles ainsi définies restent de dimensions importantes (de 1 micron à quelques millimètres), de sorte qu'il existe un risque d'arrachement lors du démontage. Les traitements décrits plus haut sont donc peu précis car ils ne permettent pas de maîtriser, à une échelle suffisamment petite, l'état de surface de l'interface de collage et par conséquent son énergie de liaison. De plus, ils nécessitent des interfaces parfaitement uniformes et planes en vue d'un collage optimal. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et de proposer un substrat démontable dont l'énergie de collage est modulable et reproductible, garantissant d'une part un collage avec une énergie de liaison forte, et d'autre part un démontage pouvant être effectué sans risque d'arrachement. Conformément à l'invention, il est proposé un substrat démontable comprenant successivement au moins un premier substrat, une couche de liaison démontable et un deuxième substrat semiconducteur, ladite couche de liaison comportant une pluralité d'îlots répartis sur la surface du premier substrat selon un motif déterminé et séparés les uns des autres par des régions de nature différente réparties selon un motif complémentaire. Selon d'autres caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison : - lesdites régions de nature différente sont dans un matériau différent de celui des îlots ; -lesdites régions de nature différente sont du vide ; - les îlots ont une épaisseur identique sur toute la surface de la couche de liaison ; - les îlots ont une épaisseur comprise entre 10 et 100 angstrdms ; - la longueur et la largeur des îlots sont comprises entre 10 angstrôms et 1 micron ; -les îlots sont en SiO2 ou en Si3N4 ; - les régions séparant les îlots comprennent des canaux disposés selon des cercles concentriques et des canaux disposés de manière sensiblement radiale ; - les îlots ont une forme sensiblement identique et sont répartis de manière homogène sur la surface de la couche de liaison ; - le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent au moins deux couches de matériaux différents. Un autre objet de l'invention est d'offrir un procédé permettant d'obtenir un substrat démontable dont la valeur de l'énergie de collage au niveau de l'interface de collage démontable peut être ajustée de façon sélective, en fonction de l'utilisation ultérieure dudit substrat. Un tel procédé doit permettre d'obtenir une gamme de substrats plus ou moins facilement démontables, c'est-à-dire susceptibles d'être démontés par l'apport d'une énergie plus ou moins forte. Conformément à l'invention, il est proposé un procédé de préparation d'une couche de liaison démontable sur un premier substrat destiné à être collé sur un deuxième substrat semiconducteur, le procédé comprenant la formation d'îlots répartis sur la surface du premier substrat selon un motif déterminé et séparés les uns des autres par des régions de nature différente réparties selon un motif complémentaire. Par ailleurs, selon d'autres caractéristiques avantageuses, mais non limitatives de l'invention : - lesdites régions de nature différente sont dans un matériau différent de celui des îlots ; - lesdites régions de nature différente sont du vide ; - le procédé comprend les étapes de : i) formation d'un masque sur la surface du premier substrat selon ledit motif complémentaire, de sorte que le masque ne recouvre pas les zones correspondant au motif, ii) formation desdits îlots dans les zones du premier substrat non recouvertes par le masque ; - la formation des îlots est effectuée par gravure ; - la formation des îlots est effectuée par un traitement plasma du matériau du premier substrat ; - le plasma est du type 02, N2 ou un mélange ; - une étape iii) de retrait du masque est réalisée pendant ou après l'étape ii). - après la formation des îlots, on colle un deuxième substrat sur la couche de liaison démontable ; - avant le collage, on réalise une zone de fragilisation dans le deuxième substrat de manière à définir une couche mince ; - après le collage, on détache le reste du deuxième substrat le long de la zone de fragilisation ; - le collage est un collage par adhésion moléculaire ; - après le collage on effectue un traitement thermique destiné à renforcer l'énergie de collage ; - l'étape de collage est suivie d'une étape de démontage du deuxième substrat et du premier substrat ; - le démontage est effectué par une gravure chimique ; - après le démontage, la couche mince est reportée sur un support final. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui va en être faite, en référence aux dessins annexés sur lesquels : 10 - la figure 1 représente un substrat démontable conforme à l'invention ; - la figure 2 présente une première variante de répartition des îlots ; - la figure 3 présente une deuxième variante de répartition des îlots ; - la figure 4 est un graphe simulant l'épaisseur limite des îlots pour laquelle les canaux se referment ; 15 - Les figures 5A à 5C représentent les étapes de formation de la couche de liaison démontable ; - Les figures 6A et 6B représentent les étapes du démontage d'une couche autoportée ; - Les figures 7A à 7D représentent les étapes du démontage après report de la 20 couche transférée sur un substrat final. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La description qui va suivre s'applique plus particulièrement à des substrats démontables de type silicium sur isolant (SOI), mais peut s'appliquer à d'autres 25 matériaux tel que des substrats GeOI (Germanium On Insulator), GaNOI (GaN On Insulator), GaNOS (GaN On Saphirre), SopSiC (Silicon on poly-SiC), SapOS (Sapphire On Sapphire), ou encore des substrats comportant des couches ferroélectriques ou piézoélectriques sur isolant, mais aussi des substrats sur lesquels sont déjà partiellement ou totalement réalisés des composants (intégration 3D, 3o retournement de la couche processée).5 En référence à la figure 1, le substrat démontable selon l'invention comprend successivement au moins un premier substrat 10, une couche de liaison 20 et un deuxième substrat 30. Le premier substrat 10 sert de support mécanique. A ce titre, il peut également être qualifié de substrat intermédiaire, car ce substrat permet la fabrication d'une couche semiconductrice finale issue du substrat 30 qui sera ensuite reportée sur un substrat final, ce substrat 10 pouvant optionnellement être réutilisé après le démontage. Ce premier substrat 10 est dans un matériau semiconducteur ou non, par exemple du silicium. Il peut être constitué d'une seule couche ou de plusieurs couches de matériaux différents. Le deuxième substrat 30 peut être qualifié de substrat source car, dans un procédé de type Smart CutTM, il comporte une zone de fragilisation permettant de transférer une couche mince 31 vers le premier substrat 10 ou substrat intermédiaire. Ce deuxième substrat 30 ou substrat source est dans un matériau semiconducteur tel que du silicium par exemple. Il peut être constitué d'une seule couche ou éventuellement de plusieurs couches de matériaux différents, comme par exemple une couche de silicium recouverte d'une couche de SiO2 ou de Si3N4, en fonction des applications que l'on veut en faire ultérieurement. La couche de liaison 20 est formée d'une pluralité d'îlots 21, séparés les uns des autres par des régions 22 de nature différente. De manière particulièrement avantageuse, les îlots 21 sont dans un matériau isolant tel que du SiO2 ou du Si3N4. Selon un premier mode de réalisation, les régions de nature différente sont dans un matériau différent de celui des îlots. On peut ainsi envisager des îlots 21 et des régions 22 respectivement constitués d'oxyde et de nitrure, ou bien respectivement d'oxyde et de silicium poreux. On peut aussi considérer des îlots d'une épaisseur très faible par rapport à la surface du substrat 10. On aura alors par exemple des îlots 21 d'oxyde séparés par des régions 22 de silicium, l'épaisseur des îlots 21 étant suffisamment faible pour que le collage se fasse entre les substrats 10 et 30 dans les régions 22 entre les îlots 21 avec une faible énergie de collage au niveau du silicium. Selon un mode de réalisation préféré, les régions 22 de nature différente sont du vide, de sorte que les îlots 21 sont en relief par rapport à la surface du premier substrat 10. Ces régions 22 entourant les îlots pourront également, dans la suite du texte, être désignées par le terme de canaux . Comme on le verra, la présence de ces canaux facilite le démontage du deuxième substrat 30 et du premier substrat 10.. L'épaisseur à partir de laquelle on considère que les îlots 21 sont entourés de vide dépend des matériaux utilisés et des traitements thermiques qui suivent. En effet, il existe des forces mécaniques qui tendent à refermer les canaux entre des îlots si la hauteur de ces îlots est trop faible. En particulier, lorsque l'on applique des traitements thermiques à une structure comportant des îlots, le matériau des îlots se réorganise en ayant tendance à combler le vide qui existe entre les îlots. A cet égard, on pourra se référer au modèle présenté par PI5RI et al. (Materials Science and Engineering R25, 1999, ppl-88, modèle p8). La figure 4, qui reprend ce modèle, représente la hauteur limite à laquelle les canaux se referment, et l'on constate que pour une épaisseur des îlots supérieure à 1 nm, on obtient des canaux qui ne se referment pas. Par conséquent, pour une distance entre îlots 21 allant jusqu'à la centaine de nanomètres, si les îlots sont en SiO2 et que l'on applique des traitements thermiques faibles, on peut considérer qu'une épaisseur des îlots 21 de l'ordre du nanomètre est suffisante. En revanche, dans le cas d'un traitement thermique fort, pour obtenir des régions 22 de vide entre les îlots 21 et former ainsi des canaux entre les îlots, il faut former des îlots 21 de plusieurs nanomètres d'épaisseur, plus précisément d'une épaisseur de l'ordre de 50 à 100 A. On peut également se limiter à des canaux plus étroits, c'est-à-dire dont la largeur est de l'ordre de quelques dizaines de nm. Selon un mode de réalisation préféré, l'épaisseur des îlots 21 est constante et est comprise entre 5 et 1000 angstrôms, préférentiellement entre 10 et 100 A. Les îlots 21 sont répartis sur la surface du premier substrat selon un motif déterminé, les régions 22 de nature différente étant réparties selon un motif complémentaire. On pourra optimiser les motifs suivant le mode de démontage choisi. Par exemple, pour un démontage par voie chimique (liquide ou gazeuse) on pourra favoriser des canaux ayant une disposition radiale ainsi que d'autres sous forme de cercles concentriques qui faciliteront la propagation de la solution de gravure dans la couche 20, comme cela est représenté par exemple sur la figure 2. On pourra alors envisager des canaux 22 d'une largeur de l'ordre de quelques dizaines à quelques centaines de nm, séparant des îlots 21 pouvant faire quelques centaines de nanomètres à quelques pm de large. Dans ce contexte, il est plus important de contrôler la taille des canaux 22 que celle des îlots 21, puisque ce sont les canaux qui permettent la propagation de la solution de gravure jusqu'au centre de la couche de liaison 20. Si l'on favorise un démontage mécanique, alors on préfèrera une répartition la plus homogène possible des îlots, telle que représentée par exemple sur la figure 3, avec des îlots de forme sensiblement identique et de dimensions faibles pour ne pas entraîner d'à-coups dans la propagation de l'onde de fracture et éviter d'éventuels arrachements. On envisagera alors des îlots 21 de quelques nm à quelques dizaines, voire centaines, de nanomètres séparés par des canaux 22 présentant sensiblement les mêmes dimensions. L'énergie de collage sera contrôlée par le rapport entre la surface des îlots 21 et celle des canaux 22. On peut également envisager une séparation mécanique assistée par voie 20 chimique permettant un démontage plus aisé au niveau des bords de plaque en particulier. La longueur et la largeur des îlots 21 peuvent donc varier de l'ordre du nanomètre jusqu'à quelques microns, préférentiellement de 1 nm à un micron, voire de 1 nm à quelques dizaines de nanomètres. Les îlots 21 sont donc suffisamment 25 petits pour qu'il n'y ait pas de risque d'arrachement lors du démontage. On a ainsi défini une topologie de surface, c'est-à-dire un ensemble d'îlots répartis selon un motif souhaité, présentant une différence de niveau constante entre la face supérieure du premier substrat et la face supérieure des îlots. La topologie prend donc en compte non seulement l'épaisseur des îlots mais aussi leur surface 30 ainsi que leur répartition sur la surface du premier substrat. La couche de liaison présente donc l'avantage de permettre la réalisation d'un collage de bonne qualité lors de l'assemblage avec le deuxième substrat 30 ; en effet, comme les îlots sont tous au même niveau, la couche de liaison présente une épaisseur uniforme même si elle est discontinue, ce qui permet d'assurer une bonne énergie de collage. La couche de liaison présente par ailleurs l'avantage d'être plus facile à démonter qu'une couche qui serait constituée du même matériau que celui des îlots mais qui serait continue. En effet, la surface de collage correspond à la surface totale des îlots, et est donc inférieure à la surface totale de l'interface entre les deux substrats. La force de démontage à appliquer pour séparer le deuxième substrat 30 du premier substrat 10 est donc plus faible. Pour le démontage, une gravure chimique se révèle particulièrement adaptée. En effet, les canaux qui sont formés par les régions de vide 22 permettent la diffusion de la solution (ou du gaz) de gravure jusqu'au centre de l'interface formée par l'assemblage des deux substrats 10 et 30, ce qui favorise un démontage homogène sur toute la surface. Dans le cas où l'on souhaite graver à travers un masque en résine, on utilisera de manière préférée de l'acide fluorhydrique (HF) ou du fluorure d'ammonium. Sous forme liquide, l'acide fluorhydrique sera préférentiellement utilisé dans des concentrations pouvant aller de 5 à 50%. Sous forme gazeuse on utilisera du HF à une température suffisante pour qu'il soit gazeux (c'est-à-dire à une température supérieure à 106 C pour du HF dilué à 49% dans l'eau). Dans le cas où les matériaux à graver sont différent du SiO2, on utilisera des 25 solutions de gravure adaptées, connues de l'homme du métier. Même si les îlots 21 ont une épaisseur trop faible pour que des canaux existent entre eux, et que la couche de collage 20 peut, à une échelle macroscopique, sembler plane, le léger relief au niveau des îlots 21 fait que dans les régions 22 entre les îlots, la distance entre les molécules du premier substrat 10 et celles du deuxième 30 substrat 30 est plus grande, ce qui génère une liaison chimique plus faible et une plus 2914493 i0 faible énergie de collage. Au contraire, il y a une bonne énergie de collage entre les îlots 21 et le deuxième substrat 30. On comprend donc qu'en choisissant une topologie adaptée pour la couche de liaison, on peut moduler la force nécessaire pour démonter le substrat. 5 Concrètement, plus la somme des surfaces des îlots sera petite, plus le substrat sera facile à démonter. Par ailleurs, en jouant sur la taille des motifs, on peut obtenir différentes répartitions des zones de collages pour une même surface totale des îlots. Ainsi, on peut avoir de grandes zones de collage séparées de grandes zones vides (ce qui 10 conduira plus facilement à la création de cloques ou d'arrachements) ou préférer des espaces plus petits mais plus nombreux, de façon à mieux homogénéiser l'énergie de collage. On va maintenant décrire un procédé de préparation d'une couche de liaison 15 démontable et la fabrication d'un substrat démontable conforme à l'invention tel que décrit plus haut. La description qui va suivre propose un procédé de type SmartCutTM pour transférer une couche semiconductrice d'un substrat source vers un substrat intermédiaire recouvert de sa couche de liaison, mais d'autres techniques connues de l'homme du métier, telles que celles de BSOI (Bonded SOI) ou encore BESOI 20 (Bond and Etch Back), peuvent être envisagées suivant le type de couche de liaison et la résistance mécanique de celle-ci au rodage. Ces techniques reposent, outre sur un collage par adhésion moléculaire, sur un enlèvement physique du substrat source par des techniques de type polissage et/ou des techniques de gravure chimique qui conduisent à la destruction de ce dernier. En référence à la figure 5A, une première étape consiste à former un masque 40 qui va définir le motif souhaité sur la surface du premier substrat 10. Le masque 40 est formé de manière à ne pas recouvrir les zones de la surface du premier substrat 10 sur lesquelles on veut former les îlots. Un premier mode de réalisation du masque 40 utilise la technique de la photolithographie, bien connue de l'homme du métier: on dépose une résine photosensible sur toute la surface du premier substrat 10 puis on l'expose à une radiation lumineuse au travers d'un 2914493 Il masque placé sur le substrat ou sur la source lumineuse ; enfin, on dissout la résine dans les zones non insolées. Selon un autre mode de réalisation, on dépose un masque sur toute la surface du substrat puis on grave sélectivement certaines zones par lithographie. Une autre façon de créer un masque 40 avec des motifs consiste à 5 utiliser une résine dans laquelle les motifs sont imprimés par un système de presse : on parle de nano-indentation. On pourra optimiser les motifs suivant le mode de démontage choisi. Par exemple, comme on l'a décrit plus haut en référence à la figure 2, pour un démontage par voie chimique (liquide ou gazeuse) on pourra favoriser des canaux 10 ayant une disposition radiale ainsi que d'autres sous forme de cercles concentriques qui faciliteront la propagation de la solution de gravure dans la couche de liaison 20. Si, comme on l'a décrit plus haut en référence à la figure 3, on favorise un démontage mécanique, alors on préfèrera une répartition la plus homogène possible des îlots. La limite inférieure de la taille des îlots est déterminée par les techniques de 15 lithographie ou de nano-indentation. La limite supérieure est déterminée par le souci d'éviter la formation de défauts tels que des cloques ou des arrachements lors du démontage. De manière préférée, la longueur et la largeur des îlots seront comprises entre 1 nanomètre et 1 micron. En référence à la figure 5B, une deuxième étape consiste à transformer ou à 20 remplir les zones exemptes de masque ou cavités. Selon un mode préféré de réalisation, on applique un traitement plasma. Le plasma, tout en gravant légèrement la surface des cavités, permet la croissance d'une très fine couche à l'intérieur des cavités. Par exemple, lors d'un traitement plasma sous oxygène appliqué à un substrat de silicium, on forme une fine couche de SiO2 , l'oxyde étant plus volumineux 25 que le Si de départ. L'ordre de grandeur de ce gonflement est de quelques angstrdms. La nature du plasma dépend de la nature de la couche isolante que l'on souhaite former dans les cavités. Ainsi, dans le cas où le substrat 10 est en silicium, un traitement plasma oxygène est utilisé préférentiellement pour former une couche 30 de SiO2, tandis qu'un plasma azote est préféré pour obtenir une couche de Si3N4. L'homme du métier choisira le plasma adapté en fonction du matériau du substrat 10 et du matériau souhaité pour les îlots 21. Il est également possible de combiner différents types de plasmas. On peut ainsi envisager une double activation : plasma N2 sur le substrat 30 et plasma 02 sur le substrat 10 : de la sorte, la couche de Si3N4 formée sur le substrat 30 sert également de barrière de gravure, qui peut être utile pour des étapes techniques ultérieures. Si les îlots 21 sont obtenus par plasma, leur épaisseur est déterminée par les conditions du plasma. A cet égard, on pourra se référer à l'article de Vitale et al., Reduction of silicon recess caused by plasma oxidation during high-density plasma polysilicon gate etching, J. Vac. Sci. Technol. B 21(5), Sept/Oct 2003. On peut ainsi obtenir un oxyde d'une épaisseur allant de l'ordre de 25 A à 100 A environ. Comme le montre l'article de Vitale et al., lors d'un traitement plasma 02 d'une plaque de Si, après la création initiale de l'oxyde, il y a une compétition entre la gravure de l'oxyde par le plasma et l'oxydation du Si sous-jacent. Ceci conduit à l'enfoncement des îlots 21 dans le substrat 10. La hauteur des marches correspondant à la différence de niveau entre le sommet des îlots et la surface des régions du substrat 10 situées entre les îlots, diminue. Elle peut être contrôlée précisément par le temps de plasma. On peut ainsi obtenir des marches de l'ordre de 5 A. De manière préférée, on cherche à former des marches dont la hauteur est comprise entre une dizaine et une centaine d'angstrôms. Le traitement plasma présente donc l'avantage de contrôler très précisément l'épaisseur des îlots formés, de l'ordre de quelques angstrôms. Les plages de conditions "standard" d'utilisation du plasma pour former des îlots 21 à la surface du substrat 10 conformément à l'invention sont : - Puissance RF : 0 à 4000 Watts - Pression : 10 à 200 mTorr - Débit : 50 à 2000 sccm - Gaz : 02, N2, Ar, .... - Température : 5 à 60 C - Durée : 5 secondes à plusieurs minutes Typiquement, pour créer un îlot de 75 A d'épaisseur (qui formera une marche de 40 A environ) on pourra utiliser un plasma d'O2 à une puissance RF de 1300 W pendant 20 s sous une pression de 50 mTorr et avec un débit de 200 sccm, à température ambiante. De façon alternative, on peut également envisager un plasma à base de gaz fluorés (CF4, Ar, 02) permettant une gravure plus efficace pour faire des îlots en terminant par un plasma 02 pur pour retrouver une surface hydrophile et/ou pour retirer la résine. Un autre avantage du traitement plasma est son effet d'activation des substrats et de renforcement des énergies de collage de substrats collés par adhésion moléculaire. Ainsi, le traitement plasma présente l'intérêt de combiner en une seule étape la formation de la couche isolante et l'activation. Une autre façon de combler les cavités consiste à former par dépôt ou par oxydation thermique des îlots en SiO2, par des techniques bien connues de l'homme du métier. Lorsque l'on utilise une oxydation thermique, on peut contrôler l'épaisseur d'oxyde entre environ 20 et plusieurs milliers d'angstrôms. Selon une variante de réalisation, on peut réaliser une oxydation thermique en plus de la formation des îlots par traitement plasma, afin d'obtenir des îlots ayant une épaisseur plus importante. Dans un tel cas, on effectue d'abord une oxydation du premier substrat 10 sur toute sa surface, suivie de l'étape de masquage décrite précédemment, puis on grave l'oxyde au moyen du traitement plasma dans les cavités ouvertes dans le masque. En référence à la figure 5C, une troisième étape consiste à retirer le masque 40, de façon à obtenir une couche de liaison 20 constituée d'îlots isolants 21 répartis selon le motif souhaité. Si ces îlots ont été obtenus par le traitement plasma décrit auparavant, ils sont en plus activés. Si tel n'est pas le cas, une étape supplémentaire d'activation par plasma peut être envisagée. En fonction de la nature du masque 40, on peut employer un traitement plasma ou une gravure chimique de manière à retirer sélectivement le masque. Selon une variante de réalisation, on peut utiliser le traitement plasma pour retirer le masque 40 en même temps que l'on forme les îlots 21. En effet, les résines photosensibles sont, de façon relativement classique, retirées en utilisant un plasma d'oxygène. Si l'on ne souhaite pas que le traitement plasma retire la résine, on choisira une épaisseur de résine suffisante pour qu'elle ne soit pas entièrement consommée lors de l'activation plasma. En revanche, si l'on souhaite dans un même et unique traitement, créer les îlots et retirer la résine, il suffira de choisir une nature de résine et une épaisseur adaptées pour que la totalité soit consommée durant le traitement. On adonc obtenu une couche de liaison 20 formée d'îlots 21 séparés les uns des autres par des régions 22 de nature différente, de préférence par du vide, de sorte que les îlots 21 sont en relief par rapport à la surface du premier substrat 10. La surface de collage entre la couche de liaison 20 et le deuxième substrat 30 correspond à la somme des surfaces des îlots 21, laquelle est inférieure à la surface totale de l'interface. Comme l'utilisation d'un masque permet de définir des motifs de façon très précise, on maîtrise parfaitement la surface de collage. Par ailleurs, on contrôle également très précisément l'épaisseur des îlots 21, de sorte que la couche de collage 20, bien que discontinue, présente une épaisseur uniforme, ce qui permet de garantir une bonne énergie de collage avec le deuxième substrat 30. De plus, on peut choisir la taille et la répartition des îlots 21 de façon à minimiser la formation de défauts tels que des cloques. Une quatrième étape consiste à coller par adhésion moléculaire le deuxième substrat 30 sur le premier substrat 10 recouvert de sa couche isolante 20 formée d'îlots 21. Au préalable, des étapes classiques de polissage et de nettoyage peuvent être envisagées. Le deuxième substrat 30 peut optionnellement comporter une couche isolante (par exemple SiO2 ou Si3N4) à sa surface. En référence aux figures 6A ou 7A, il peut également avoir été soumis à une étape d'implantation destinée à créer une zone de fragilisation (représentée en pointillés) en vue du transfert d'une fine couche 31 vers le premier substrat 10. Pour des structures de type SeOI comme par exemple des SOI, une étape de traitement thermique est préférentiellement appliquée en vue de renforcer l'énergie de collage entre les îlots de la couche isolante et le deuxième substrat, au moyen des traitements thermiques classiques. En référence aux figures 6B ou 7B, dans le cas particulier où le deuxième substrat 30 a subi l'étape d'implantation mentionnée plus haut, on procède ensuite, au moyen d'un traitement thermique, chimique ou de l'application de forces mécaniques, au détachement du reste 32 du deuxième substrat 30, le long de la zone de fragilisation. On va maintenant décrire différents modes de détachement de la couche de liaison. Le détachement est réalisé soit par démontage mécanique soit par gravure préférentielle, telle qu'un traitement HF par exemple, ce traitement chimique étant facilité par la présence des zones non collées entre les îlots. Plusieurs cas se présentent selon l'épaisseur et le devenir de la couche que l'on veut détacher. En référence à la figure 6B, si la couche est suffisamment épaisse pour être autoportée, elle est démontée au niveau de la couche de liaison 20. Typiquement, une couche peut être autoportée si son épaisseur est supérieure à quelques microns. En référence à la figure 7B, si la couche est plus fine, elle doit être reportée sur un substrat final 60 qui lui servira de support. A cet effet, en référence à la figure 7C, on colle sur la couche 31 ledit substrat final 60, puis, en référence à la figure 7D, on procède au démontage au niveau de la couche de liaison 20. Selon une autre variante de réalisation, la couche 31 peut servir comme couche germe pour une croissance par épitaxie. La couche 31 peut également être collée sur un autre support mécanique (film plastique, couche métallique...) par exemple pour les applications du type cartes à puce.25 REVENDICATIONS 1 û Substrat démontable comprenant successivement au moins un premier substrat (10), une couche de liaison démontable (20) et un deuxième substrat (30) semiconducteur, caractérisé en ce que ladite couche de liaison (20) comporte une pluralité d'îlots (21) répartis sur la surface du premier substrat (10) selon un motif déterminé et séparés les uns des autres par des régions (22) de nature différente réparties selon un motif complémentaire. 2 ù Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites régions (22) de nature différente sont dans un matériau différent de celui des îlots (21). 3 û Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites régions (22) de nature différente sont du vide. 4 û Substrat selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les îlots (21) ont une épaisseur identique sur toute la surface de la couche de liaison (20). 5 - Substrat selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les îlots 20 (21) ont une épaisseur comprise entre 10 et 100 angstrôms. 6 - Substrat selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la longueur et la largeur des îlots (21) sont comprises entre 10 angstrôms et 1 micron. 25 7 ù Substrat selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les îlots (21) sont en SiO2 ou en Si3N4. 8 û Substrat selon l'une des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que les régions (22) séparant les îlots (21) comprennent des canaux disposés selon des 30 cercles concentriques et des canaux disposés de manière sensiblement radiale.159 û Substrat selon l'une des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que les îlots (21) ont une forme sensiblement identique et sont répartis de manière homogène sur la surface de la couche de liaison (20). 10 û Substrat selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le premier substrat (10) et/ou le deuxième substrat (30) comprennent au moins deux couches de matériaux différents. 11 -Procédé de préparation d'une couche de liaison démontable (20) sur un premier substrat (10) destiné à être collé sur un deuxième substrat (30) semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend la formation d'îlots (21) répartis sur la surface du premier substrat (10) selon un motif déterminé et séparés les uns des autres par des régions (22) de nature différente réparties selon un motif complémentaire. 12 û Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdites régions (22) de nature différente sont dans un matériau différent de celui des îlots (21). 13 û Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdites régions (22) de nature différente sont du vide. 14 û Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de : i) formation d'un masque (40) sur la surface du premier substrat (10) selon ledit motif 25 complémentaire, de sorte que le masque (40) ne recouvre pas les zones correspondant au motif, ii) formation desdits îlots (21) dans les zones du premier substrat (10) non recouvertes par le masque (40). 30 15 û Procédé selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que la formation des îlots (21) est effectuée par gravure. 516 -Procédé selon l'une des revendications 11 à 15, caractérisé en ce que la formation des îlots (21) est effectuée par un traitement plasma du matériau du premier substrat (10). 17 û Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le plasma est du type 02, N2 ou un mélange. 18 -Procédé selon l'une des revendications 14 à 17, caractérisé en ce qu'une 10 étape iii) de retrait du masque (40) est réalisée pendant ou après l'étape ii). 19 - Procédé selon l'une des revendications 11 à 18, caractérisé en ce qu'après la formation des îlots (21), on colle un deuxième substrat (30) sur la couche de liaison démontable (20). 20 û Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'avant le collage, on réalise une zone de fragilisation dans le deuxième substrat (30) de manière à définir une couche mince (31). 20 21 - Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'après le collage, on détache le reste (32) du deuxième substrat (30) le long de la zone de fragilisation. 22 - Procédé selon l'une des revendications 19 à 21, caractérisé en ce que le collage est un collage par adhésion moléculaire. 23 - Procédé selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé en ce qu'après le collage on effectue un traitement thermique destiné à renforcer l'énergie de collage. 15 2524 ù Procédé selon l'une des revendications 19 à 23, caractérisé en ce que l'étape de collage est suivie d'une étape de démontage du deuxième substrat (30) et du premier substrat (10). 25 ù Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que le démontage est effectué par une gravure chimique. 26 ù Procédé selon l'une des revendications 24 ou 25, caractérisé en ce qu'après le démontage, la couche mince (31) est reportée sur un support final (60).10