Brevet FR2917234A1 — publié le 20081212

DISPOSITIF MULTI COMPOSANTS INTEGRES DANS UNE MATRICE SEMI-CONDUCTRICE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR Le domaine de l'invention concerne l'assemblage de microsystèmes à l'échelle d'une plaquette en matériau semi-conducteur, par exemple en silicium. Elle concerne notamment les applications pour lesquelles sont recherchées des technologies d'intégration à haute densité de composants passifs, de détecteurs ou composants optoélectroniques ou de MEMs directement sur les circuits, communément appelées "Above IC". Actuellement, les procédés d'intégration hétérogène ne peuvent se faire que sur des plaquettes de silicium entières. Les procédés " Above IC " sont donc limités aux domaines où l'intégrateur du microsystème peut disposer de plaquettes, ce qui implique des coûts importants (de plusieurs centaines de milliers à des millions d'Euros avec le passage en 300mm) en termes de jeu de masques et de fabrication des plaquettes chez un fondeur. Dans ce contexte, il est compréhensible que ces coûts soient un frein à l'émergence de nouvelles technologies et que les acteurs soient très limités. De plus, pour les applications comme la téléphonie, la surface active des circuits intégrés 30 n'est pas suffisante pour y accueillir tous les éléments nécessaires au système (composant passifs, amplificateurs, switch, cmposants SAW ou BAW). Il est en effet nécessaire d'assembler les différents éléments sur des substrats de type PCB (circuit imprimé) ou céramique. Les architectures sont souvent complexes et l'assemblage et l'interconnexion nécessitent beaucoup d'opérations individuelles (placement des composants et câblage filaire). Aujourd'hui l'intégration des microsystèmes est, de manière courante, réalisée par report des composants sur des céramiques ou PCB avec des composants passifs discrets type "CMS". Les composants sont soit collés soit soudés sur les PCB, les connexions électriques étant assurées par des fils métalliques de type "câblage filaire" ou par des brasures dans le cas où les plots de la puce sont en regard du PCB "flip chip". Ce dernier type de report est avantageux, car il réduit les longueurs d'interconnexion. Il existe une autre technique dans laquelle on reconstitue une plaquette à partir de puces discrètes en les enrobant dans un polymère. Cette technique, dans laquelle on colle temporairement la face active de composants nus sur un adhésif, puis on les enrobe et on réalise un reroutage par-dessus, a été publiée en 1992 par Chang-Lee Chen et al. dans un article intitulé Bond Wireless Multipchip packaging Technology for High Speed Circuits , paru dans "IEEE Transactions On component Hybrids and Manufacturing Technology, Vol. 15 N 4, pages 451-456." On connaît également, dans ce type de technique, les procédés décrits dans les documents US 5 353 498 et US 5 497 033, ainsi que la technique décrite dans le document FR 2 857 157. La technique décrite dans le document FR 2 864 342 s'applique à des composants déjà dans un boîtier ; elle est très complexe car il faut alors meuler une partie du boîtier pour reprendre les contacts des composants. Un problème posé par la mise en oeuvre de ces techniques est celui de la courbure des plaques reconstituées et de leur fragilité. Une telle courbure est induite, lors de variations de température, par les différences de coefficient de dilatation thermique entre la résine d'enrobage et les composants en silicium. Un effet de rétrécissement ou de retrait de la résine d'enrobage peut en outre apparaître pendant son durcissement. Il peut en résulter des courbures avec des flèches de plus de 100 }gym pour des plaquettes de 100 mm de diamètre, ce qui est trop important pour une manipulation dans beaucoup d'équipements et peut être rédhibitoire pour certains procédés, par exemple nécessitant que la plaquette soit plaquée sur un support en vue d'une application homogène du procédé, comme c'est le cas pour un recuit de type hot plate (sur un support chaud). Ce procédé reste donc difficilement industrialisable et peu fiable. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne d'abord un dispositif électronique intégré de composants discrets, comportant : - une plaquette, dite plaquette d'accueil, présentant des cavités contenant lesdits composants, la face active de ces composants étant dans un même plan qu'une face de la plaquette d'accueil, le matériau de la plaquette ayant un coefficient d'expansion thermique compris entre 2 ppm/ C et 7 ppm/ C, un matériau d'enrobage latéral des composants dans les cavités, ce matériau ayant un volume inférieur à 30% du volume de l'ensemble de la plaquette. Elle concerne également un procédé d'intégration de composants discrets dans une plaquette, dite plaquette d'accueil, cette plaquette présentant des cavités aptes à recevoir lesdits composants, procédé dans lequel : - on positionne ces derniers de manière à ce que leur face active soit dans le même plan qu'une face de la plaquette d'accueil, le matériau de la plaquette ayant un coefficient d'expansion thermique compris entre 2 ppm/ C et 7 ppm/ C, - on injecte un matériau d'enrobage latéral des composants dans les cavités, de sorte que ce matériau ait un volume final inférieur à 30% du volume de l'ensemble de la plaquette. L'invention propose donc un dispositif 30 électronique de composants intégrés, et une technique d'intégration de composants discrets, nus, dans une 4 20 25 plaquette d'accueil, qui permet d'avoir la face active des composants dans un plan d'une face de cette plaquette d'accueil, le matériau de la plaquette et le matériau d'enrobage ayant des propriétés permettant de limiter ou d'éliminer les problèmes rencontrés avec les techniques connues, en particulier les problèmes de courbure des plaques et de leur fragilité. Dans un procédé ou un dispositif selon l'invention, la plaquette peut être en matériau semi- conducteur, par exemple en silicium ou en AsGa ou en InP, ou être de type SOI, ou être en un verre, par exemple de type borosilicate ou aluminosilicate, ou être en nitrure d'aluminium ou en mullite. Si les composants comportent un, ou sont réalisés à partir d'un, substrat essentiellement en silicium, ou de type SOI, la plaquette d'accueil est de préférence en un matériau de coefficient d'expansion thermique compris entre 2 ppm/ C et 5 ppm/ C. Elle est par exemple en silicium. Pour des composants comportant un, ou réalisés à partir d'un, substrat essentiellement en InP ou en AsGa, la plaquette d'accueil est de préférence en un matériau de coefficient d'expansion thermique compris entre 3,5 ppm/ C et 7 ppm/ C. Elle est par exemple en InP pour des composants comportant un, ou réalisés à partir d'un, substrat en InP ou essentiellement en InP. Elle est en AsGa pour des composants comportant un, ou réalisés à partir d'un, substrat en AsGa ou essentiellement en AsGa. La plaquette, ou matrice, d'accueil peut être vierge ou bien avoir subit au préalable des traitements sur l'une et/ou l'autre de ses deux faces, par exemple : une passivation des surfaces (dépôt d'un isolant) et/ou une gravure et/ou un dépôt de mires de positionnement et/ou fabrication de composants passif en couche mince et/ou fabrication de nias conducteurs etc.... Le matériau d'enrobage peut être de type époxy ou polyuréthane ou élastomère ou silicone ou acrylique ou méthacrylate ou polypropylène ou verre fusible. C'est par exemple un verre fusible mélangé avec des particules de silice. Une étape de formation d'une couche isolante peut être préalablement réalisée, sur au moins une partie des surfaces de la plaquette. Avantageusement, soit la plaquette, soit les composants, est ou sont, positionnée ou positionnés sur un substrat support, ce dernier étant éliminé après, soit le positionnement des composants dans la plaquette, soit après avoir rapporté la plaquette après positionnement des composants. Une couche de matériau adhésif peut être formée sur ce substrat support, le plan de la plaquette d'accueil et la face active des composants étant fixés sur cette couche de matériau adhésif. Le substrat support peut être percé de canaux traversant d'aspiration, le maintien de la plaquette et/ou des composants étant obtenu par aspiration à travers lesdits canaux. Après insertion des composants une étape 30 d'amincissement de la face arrière de la plaquette d'accueil peut être réalisée. Les cavités de la plaquette dans lesquelles les composants peuvent être insérés peuvent être traversantes. Le substrat support peut être percé de canaux traversant d'aspiration, la plaquette étant maintenue par aspiration à travers lesdits canaux. La plaquette d'accueil peut comporter en outre un ou plusieurs composants et/ou une ou plusieurs mires d'alignement. Une plaquette intégrée selon l'invention peut ensuite être introduite en pré- ou post-process dans une ligne de fabrication de microélectronique ou microsystème. Parmi les exemples d'opérations technologiques qui peuvent être réalisées sur la plaquette d'accueil, on peut citer l'intégration de composants passifs en couche mince, ou tout autre procédé de type Above-IC , la fabrication de "nias" métallisés, le re-routage de plots de contact, les techniques de "micro bumping", le report de composants. L'invention permet en particulier d'intégrer et de connecter des composants discrets issus de différentes filières (Si, SiGe, AsGa, SOI, InP) et de finaliser un système, avec un haut niveau d'intégration, par des opérations qui sont réalisées collectivement à l'échelle d'une plaquette. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - Les figures 1 et 2 représentent un dispositif selon l'invention, - la figure 3 représente un dispositif selon l'invention, avec une couche isolante supplémentaire, - les figures 4A - 4G sont des étapes d'un 5 exemple de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, - la figure 5 représente un procédé selon l'invention avec un substrat percé au niveau de l'emplacement des composants. 10 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION Un dispositif selon l'invention est représenté en coupe sur la figure 1. Ce dispositif comporte une matrice 2, par exemple en matériau semi-conducteur, d'épaisseur h. Un 15 ou plusieurs composants électroniques 4, 4' qui peuvent être tous identiques ou être différents entre eux (ils peuvent notamment avoir des épaisseurs différentes les unes des autres), sont contenus dans des cavités 5, 5' de cette matrice. Les faces actives de ces composants 20 sont désignées par les références 10, 10': il s'agit des faces sur lesquelles sont réalisés les composants élémentaires définissant les fonctionnalités de chaque composant. Ces faces actives 10, 10' des composants affleurent le plan de la face 8, dite face avant, de la 25 matrice 2 d'accueil. Un ou plusieurs des composants 4 peuvent être des composants microélectroniques tels que des circuits intégrés, et/ou des capteurs MEMS, et/ou des composants optiques (MOEMS) et/ou des biocomposant et/ou des commutateurs. Deux cavités 5, 5' voisines peuvent être séparées par une distance désignée par L2, L1 désignant quant à elle la largeur d'un composant. Les dimensions correspondantes (largeur, distance de séparation de deux cavités voisines) dans la deuxième direction du plan 8 (cette deuxième direction est perpendiculaire au plan de la figure) sont sensiblement identiques à L1r L2. On retrouve ces dimensions sur la figure 2. Des ordres de grandeur pour les dimensions h, L1 et L2 sont donnés plus loin. La figure 2 représente un substrat constitué de la matrice d'accueil 2. Dans cette matrice sont insérés une pluralité de composants 4, 4' dont les surfaces actives 10, 10' sont visibles, dans le plan d'une face 8 de la matrice. Les différents composants peuvent avoir des épaisseurs différentes, et en particulier différentes de celle de la plaquette 2. La face 8 peut avoir été processée, avant accueil des composants 4. Elle peut être ensuite traitée par des procédés de type above IC , comme expliqué ci-dessous. Le matériau de la matrice 2 est choisi de sorte que son coefficient d'expansion thermique (CTE) soit identique ou très proche de celui du ou des composants électroniques 4, lui-même défini par le ou les matériaux semi-conducteurs de ce ou de ces composants. Le CTE de la matrice 2 est compris entre 2 ppm/ C et 7 ppm/ C. Le choix d'un matériau de plaquette 2 ayant un CTE dans cette gamme permet de fortement réduire les problèmes de courbure, dus, dans les dispositifs connus, à des différences importantes de CTE entre les matériaux des composants et celui de la matrice. Le choix de la matrice 2 d'accueil dépendra de la nature des composants 4 à y insérer. Généralement ceux-ci sont en silicium mais d'autres matériaux semi conducteurs, comme de l'AsGa ou de l'InP, peuvent être présents. Si les composants 4 sont en silicium, ou réalisés à partir d'un substrat essentiellement en silicium, ou de type SOI, on choisira pour la matrice d'accueil 2 un matériau dont le CTE est compris entre 2 ppm/ C et 7 ppm/ C ou même entre 2 ppm/ C et 5 ppm/ C. Par exemple on choisira une matrice d'accueil elle-même en silicium. Si les composants 4 sont en InP ou en AsGa, ou réalisés à partir d'un substrat essentiellement en InP ou en AsGa, on choisira pour la matrice d'accueil 2 un matériau dont le CTE est compris entre 3,5 ppm/ C et 7 ppm/ C. Par exemple on choisira une matrice d'accueil elle-même, respectivement, en InP ou en AsGa. Plus généralement, et encore à titre d'exemple de matériau de matrice 2 d'accueil, on peut citer le Silicium (CTE compris entre 2,5 et 4,2 ppm/ C en fonction de la température, 2,5 ppm à 20 C), ou l'AsGa (CTE d'environ 5,4 ppm/ C), ou l'InP (CTE d'environ 4,6 ppm/ C), ou le Verre borosilicate (CTE d'environ 4,5 ppm/ C), ou le Verre d'aluminosilicate (CTE d'environ 4,7 ppm/ C), ou le Nitrure d'aluminium (CTE compris sensiblement entre 2,1 et 4,4 ppm/ C), ou la Mullite (CTE compris sensiblement entre 3,5 et 4,4 ppm/ C), ou les céramiques (CTE voisin de 4 ppm/ C). Il s'agit dans tous les cas de choisir un matériau dont le CTE est adapté. Avantageusement on choisira le même matériau que celui utilisé comme substrat pour la réalisation des composants 4. Un matériau d'enrobage 6, d'épaisseur e, entoure les composants 4. Il assure une liaison ou une bonne adhérence entre les flancs ou les bords du ou des composants, et le flanc de la ou des cavités 5 correspondantes. Ce matériau d'enrobage a, de préférence, un coefficient d'expansion thermique bas, c'est - à - dire par exemple compris entre 1 ppm/ C et 10 ppm/ C. De préférence encore, il présente pas ou peu de rétreint ou de contraction pendant son durcissement. A titre d'exemple de matériau d'enrobage 6, on peut citer la résine époxy, le polyuréthane, l'élastomère, les matériaux silicones, l'acrylique, les méthacrylates, le polypropylène, ou un verre fusible. Chacun de ces matériaux a un CTE élevé; pour le diminuer le matériau choisi peut être mélangé avec des particules de silice. En ajustant la taille des cavités 5 avec celle des composants 4, on minimise le volume de matériau d'enrobage 6 et on maximise la proportion de matériau solide de même CTE que les composants 4, ou de CTE voisins ou proches de ces composants, dans la plaquette 2 reconstituée. Par rapport à la plaquette finale (comportant le substrat 2, les composants 4 et le matériau d'enrobage), l'ensemble constitué par la plaquette initiale (munie de ses cavités 5, 5') et les composants 4 est majoritaire, par exemple à plus de 70% ou de 80 % en volume. Le matériau d'enrobage 6 est donc présent à moins de 30% ou de 20 % en volume de la plaquette finale intégrée. Cette faible proportion de matériau d'enrobage, et le choix d'un matériau de la plaquette 2 ayant un CTE dans les gammes indiquées ci-dessus, permettent d'éliminer ou de fortement limiter les problèmes de courbure, dus, dans les dispositifs connus, à des différences importantes de CTE entre les matériaux des composants et celui de la matrice. Des ordres de grandeur pour les dimensions h, e, L1 et L2 peuvent être les suivants : - h peut être compris entre 10 }gym et quelques mm, par exemple 5 mm, - e peut être compris entre 20 }gym et 15 quelques mm, par exemple 1 mm, - L1 peut être compris entre 100 }gym et quelques mm, par exemple 5 cm, - L2 peut être compris entre 100 }gym et quelques mm, par exemple 5 cm, 20 Ces valeurs sont des exemples et d'autres valeurs sont possibles en dehors des plages indiquées. Comme illustré sur la figure 3, qui représente également une vue en coupe d'un dispositif intégré selon l'invention, une couche 20 isolante 25 électriquement peut être formée ou déposée sur tout ou partie des surfaces de la matrice 2, si celle - ci a des propriétés semi-conductrices, pour que les composants 4 ne soient pas gênés par ces mêmes propriétés. Cette couche isolante 20 est réalisée par 30 exemple par oxydation thermique ou par dépôt en couche mince (d'épaisseur comprise entre quelques nm et quelques pin). La matrice 2, avec ses composants 4 et le matériau d'enrobage 8, peut, après avoir été réalisée, être l'objet de divers traitements ou procédés. On peut ainsi citer divers exemples de procédés de type Above IC , susceptibles d'être réalisés sur la face 8, de la plaquette 2 et les faces actives 10,10' des composants: - l'intégration de composants passifs en couche mince (résistances et/ou capacités et/ou inductances), - reroutage de contacts électriques et/ou interconnexion des composants 4, 4' entre eux (par exemple, sur la figure 3, une simple connexion 11 est représentée entre les composants 4; un ensemble complexe de pistes et de contacts peut être réalisé en surface de la plaquette), - intégration, sur la surface 10 des composants 4, de composants optiques (par exemple de micro lentilles) ou de plots d'interconnexion, par exemple par croissance de billes fusibles, ou transfert de billes, ou fabrication de "Stud Bump", ou croissance de micro-inserts, ou hybridation de composants sur la plaquette (Chip on Wafer). Un exemple de procédé de réalisation d'un dispositif selon l'invention va être donné, en liaison avec les figures 4A-4G. On sélectionne (figure 4A) une plaquette 1, en un matériau ayant un CTE tel qu'indiqué ci-dessus. Par exemple elle est en silicium vierge ou elle est déjà traitée. Cette plaquette peut comporter, entre autres, des mires de positionnement et/ou des composants (par exemple en couche mince) et/ou des nias conducteurs qui traversent la plaquette. On réalise dans cette plaquette (figure 4B) des cavités 5, par une technique telle que la gravure laser, la gravure KOH ou l'usinage ultrason. On a ainsi formé la plaquette d'accueil 2. Comme déjà indiqué, il peut être ensuite avantageux d'en passiver les surfaces à nu, par oxydation thermique ou par dépôt d'un matériau isolant de type SiO2, SiN etc... On procède ensuite au placement des composants 4 dans les cavités 5 (figure 4C). La plaquette d'accueil 2 pourra, à cet effet, être positionnée sur un support 21 rigide et plan, qui est par exemple une autre plaquette, en silicium ou en verre. Avantageusement, cette autre plaquette a également un CTE proche ou même identique à celui de la matrice d'accueil 2 et des composants 4 afin d'assurer un bon positionnement des composants (en limitant les déplacements et/ou les contraintes au moment du durcissement de la résine (réalisé par exemple par chauffage autour de 200 C)). Les équipements de placement de composants 4 permettent d'atteindre une précision latérale micronique, avec un parallélisme meilleur que 5.10-4 rad. Ces valeurs sont suffisantes pour reprendre des contacts sur les plots de connexion des composants situés sur la face active et qui ont généralement une largeur de l'ordre de quelques dizaines de }gym. On positionne alors les composants avec leur face active 10 tournée vers le support 21 ou vers une éventuelle couche d'adhérence 22 formée sur le support 21. L'alignement dans les cavités peut être réalisé grâce à des mires - désignées sur la figure 4C par les références 25, 27, 29 - qui auront été réalisées au préalable, soit sur la plaquette d'accueil 2, soit sur le support 21 de report ou sur la couche adhérente 22. En variante il est possible de disposer d'abord les composants sur le support 21 (ou la couche adhérente 22) et, ensuite, de rapporter la matrice d'accueil 2. La tenue temporaire des composants sur le support 21 pourra se faire grâce à la couche adhérente 22 déposée sur le support (figure 4C). Cette couche 22 est de préférence apte à supporter le traitement thermique ultérieur de durcissement de la résine 6. Elle pourra être retirée par la suite. Ce peut être par exemple une résine déposée à la tournette, ou un film adhésif laminé, ou un polymère photosensible, ou un spray ... On procède ensuite au remplissage de l'espace libre, dans chaque cavité 5, par le matériau 6 d'enrobage (figure 4D), dans les proportions indiquées ci-dessus (moins de 30% ou de 20% en volume de l'ensemble de la plaquette finale). Ce matériau est par exemple dispensé localement à la seringue ou bien, de façon plus grossière, en déposant une ou des grosses gouttes sur la plaquette. La pénétration de la résine d'enrobage dans les cavités 5 pourra être facilité par une mise sous vide. Ce matériau de remplissage 6 est ensuite durci (par exemple par chauffage). En variante (figure 5), la tenue temporaire des composants peut être réalisée par aspiration. On pourra utiliser pour cela un substrat 21 percé au niveau de l'emplacement des composants 4 et créer l'aspiration (voir les flèches de la figure 5) via ces perçages 37. L'aspiration pourra s'arrêter après le durcissement de la résine 6. La plaquette peut être ensuite décollée du support 21 (figure 4E). Celui-ci est retiré, selon sa nature, par pelage, par gravure chimique ou par insolation de la couche 22 à travers le support 21 si ce dernier est transparent. Dans certains cas, le support sera maintenu, notamment si le substrat 21 (et l'éventuelle couche adhérente 22) est transparent à certaines longueurs d'onde et si un ou plusieurs des composants 4 est un composant optique. Un amincissement et un polissage de la face arrière 8' peuvent être ensuite réalisés (figure 4F). La face avant 8 n'a pas à être processée ou traitée car elle contient les faces actives 10 des composants 4. Ensuite la plaquette peut être réintroduite dans une ligne de type microélectronique pour les étapes Above IC , par exemple du type déjà décrit ci-dessus. Il peut être envisagé de coller la plaquette sur une deuxième plaquette 30 afin de 30 rigidifier l'ensemble (figure 4G). Par rapport aux technologies d'assemblage conventionnelles, l'invention intègre des composants non plus sur une plaquette (technique dite Chip On Wafer ) mais dans une plaquette 2 (technique dite Chip In Wafer ). Leur face active 10 nue est dans le plan 8 de la face polie de la plaquette, ce qui permet de les réintroduire dans une ligne microélectronique et de continuer un traitement par des procédés Above-IC à haute densité. De plus, un procédé selon l'invention permet de mixer des composants 4 déjà testés ( Known Good Die ), de sources et d'épaisseurs différentes dans une même plaquette 2. Il est par exemple possible d'intégrer des composants servant uniquement de passage conducteur entre les deux faces de la plaquette. REVENDICATIONS 1. Dispositif électronique de composants discrets (4) intégrés, comportant : une plaquette (2), dite plaquette d'accueil, cette plaquette présentant des cavités (5, 5') contenant lesdits composants, dont la face active (10) est dans un même plan qu'une face (8) de la plaquette d'accueil, le matériau de la plaquette ayant un coefficient d'expansion thermique compris entre 2 ppm/ C et 7 ppm/ C, - un matériau d'enrobage (6) latéral des composants dans les cavités, ce matériau ayant un volume inférieur à 30% du volume de l'ensemble de la plaquette. 2. Dispositif selon la revendication 1, la plaquette étant en matériau semi-conducteur, par exemple en silicium ou en AsGa ou en InP, ou étant de type SOI, ou étant en un verre, par exemple de type borosilicate ou aluminosilicate, ou étant en nitrure d'aluminium ou en mullite. 3. Dispositif selon la revendication 1, les composants comportant un, ou étant réalisés à partir d'un, substrat essentiellement en silicium, ou de type SOI, la plaquette d'accueil étant en un matériau de coefficient d'expansion thermique compris entre 2 ppm/ C et 5 ppm/ C.30 4. Dispositif selon la revendication 3, la plaquette d'accueil étant en silicium. 5. Dispositif selon la revendication 1, les composants comportant un, ou étant réalisés à partir d'un, substrat essentiellement en InP ou en AsGa, la plaquette d'accueil étant en un matériau de coefficient d'expansion thermique compris entre 3,5 ppm/ C et 7 ppm/ C. 6. Dispositif selon la revendication 5, la plaquette d'accueil étant en InP pour des composants comportant un, ou réalisés à partir d'un, substrat essentiellement en InP. 7. Dispositif selon la revendication 5, la plaquette d'accueil étant en AsGa pour des composants comportant un, ou réalisés à partir d'un, substrat essentiellement en AsGa. 20 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, le matériau d'enrobage étant de type époxy ou polyuréthane ou élastomère ou silicone ou acrylique ou méthacrylate ou polypropylène ou verre 25 fusible. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, le matériau d'enrobage étant de type verre fusible mélangé avec des particules de 30 silice.15 10. Procédé d'intégration de composants discrets (4) dans une plaquette (2), dite plaquette d'accueil, cette plaquette présentant des cavités (5) aptes à recevoir lesdits composants, procédé dans lequel : - on positionne les composants de manière à ce que leur face active (10) soit dans un même plan qu'une face (8) de la plaquette d'accueil, le matériau de la plaquette ayant un coefficient d'expansion thermique compris entre 2 ppm/ C et 7 ppm/ C, - on injecte un matériau d'enrobage (6) latéral des composants dans les cavités, de sorte que ce matériau ait un volume final inférieur à 30% du volume de l'ensemble de la plaquette. 11. Procédé selon la revendication 10, la plaquette étant en matériau semi-conducteur, par exemple en silicium ou en AsGa ou en InP, ou étant de type SOI, ou étant en un verre, par exemple de type borosilicate ou aluminosilicate, ou étant en nitrure d'aluminium ou en mullite. 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, le matériau d'enrobage étant de type époxy ou polyuréthane ou élastomère ou silicone ou acrylique ou méthacrylate ou polypropylène ou verre fusible. 13. Procédé selon l'une des revendications 10 à 12, le matériau d'enrobage étant de type verre fusible mélangé avec des particules de silice. 14. Procédé selon l'une des revendications 10 à 13, comportant une étape préalable de formation d'une couche (20) isolante électriquement, sur au moins une partie des surfaces de la plaquette. 15. Procédé selon l'une des revendications 10 à 14, comportant un positionnement préalable soit de la plaquette, soit des composants, sur un substrat support (21), ce dernier étant éliminé après positionnement des composants dans la plaquette, ou après avoir rapporté la plaquette après positionnement des composants. 16. Procédé selon la revendication 15, une couche de matériau adhésif (22) étant formée sur le substrat support (21), le plan de la plaquette d'accueil (8) et la face active (10) des composants étant fixés sur cette couche de matériau adhésif. 17. Procédé selon la revendication 15 ou 16, le substrat support (21) étant percé de canaux traversant (37) d'aspiration, et la plaquette étant maintenue par aspiration à travers lesdits canaux. 18. Procédé selon l'une des revendications 10 à 17, comportant en outre une étape d'amincissement de la face arrière de la plaquette d'accueil. 19. Procédé selon l'une des revendications 30 10 à 18, comportant en outre une étape d'assemblage de la plaquette avec un substrat (30) de rigidification. 25 5 20. Procédé selon l'une des revendications 10 à 19, les cavités (5) traversant la plaquette d'accueil sur toute son épaisseur et débouchant sur chacune de ses faces (8, 8') . 21. Procédé selon l'une des revendications 10 à 20, la plaquette d'accueil comportant en outre un ou plusieurs composants et/ou une ou plusieurs mires (25, 27, 29). 10