Brevet FR2910963A1 — publié le 20080704

Microsystème pour la mesure de pression d'un gaz La présente invention se rapporte à un système d'encombrement réduit destiné à mesurer une pression dans une atmosphère gazeuse avec une grande sensibilité et comprenant un capteur de pression du type à ondes acoustiques de surface (SAW 5 pour Surface Acoustic Waves en anglais). Elle s'étend en outre au procédé d'utilisation de ce système. L'invention se rapporte plus particulièrement aux micro-capteurs pour la mesure de pression permettant d'obtenir des capteurs de très petite taille (de quelques mm2 à quelques cm2) et de grande précision, notamment à très basse pression (inférieure 10 à 1 mbar). Dans tous les cas les capteurs de pression fonctionne selon le principe suivant : une pression est exercée sur un corps d'épreuve qui est l'élément mécanique ayant pour fonction de transformer les variations de la grandeur à mesurer auquel il est soumis en une grandeur physique mesurable (déplacement, déformation, force,...). Parmi ceux-ci 15 on distingue notamment les capteurs basés sur le principe de la déformation d'un solide dans lesquels une membrane, se déforme de manière élastique sous l'action de la pression. Il existe aussi des capteurs comportant un élément sensible à la pression dont on mesure la variation de propriété physique autre que la déformation, telle que la température ou la conductance électronique. 20 Les dispositifs du type à ondes acoustiques de surface (SAW pour Surface Acoustic Waves en anglais) exploitent les propriétés électro-acoustiques de substrats piézoélectriques tels que le quartz, le niobate de lithium (LiNbO3) ou l'oxyde de zinc pour générer des ondes de surfaces. La vibration mécanique générée se propage à des fréquences dépendant de la direction cristallographique, des dimensions de la lame 25 cristalline et du facteur de conversion électromécanique du matériau. La génération de l'onde de surface se fait à l'aide de deux électrodes, appelées transducteurs, portés à des tensions opposées alternatives. Lorsqu'une tension alternative est appliquée au transducteur d'entrée, il s'ensuit une alternance de compression et d'expansion horizontale et verticale du matériau sous-jacent, qui peut générer une onde progressive 30 de surface de type Raleigh dont l'effet n'est sensible qu'au voisinage immédiat de la surface. Les capteurs basés sur un dispositif SAW peuvent notamment être utilisés pour mesurer des pressions avec une grande sensibilité et une bonne résolution. Ces dispositifs sont construits autour de un ou deux transducteurs interdigités déposés à la surface d'un substrat piézoélectrique. Dans la configuration à deux transducteurs, une onde acoustique est générée entre les deux transducteurs (émetteur/récepteur), et se propage à la surface du substrat piézoélectrique qui peut être associé à une membrane ou jouer le rôle d'une membrane. Cette onde est captée par le transducteur servant de récepteur. Lorsque le dispositif ne subit aucune perturbation, sa fréquence centrale de fonctionnement fo est fixée par la formule fo = v / X, où v est la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface, et 7^, sa longueur d'onde imposée par l'espacement entre les doigts des transducteurs. Cependant, comme pour l'ensemble des capteurs de pression de l'art antérieur, les capteurs de pression à ondes acoustiques de surface décrits ci-dessus manquent de sensibilité dans le domaine des basses et très basses pressions. Par exemple dans le cas d'une membrane circulaire, leur sensibilité est notamment proportionnelle au rapport (R / h)2 où R est le rayon de la membrane et h son épaisseur. Compte-tenu des limitations dues aux propriétés mécaniques des matériaux, il n'est pas possible de diminuer l'épaisseur de la membrane h au-delà d'une certaine limite. La décroissance du rayon R seule entraîne donc une diminution rapide de la sensibilité, ce qui explique la très faible sensibilité des micro-membranes. Compte tenu de cette très faible sensibilité, il est impossible de discerner des faibles variations de pression à l'aide de ces microsystèmes. Ils sont donc inutilisables dans le domaine des basses et très basses pressions. La présente invention a pour but d'éliminer les inconvénients de l'art antérieur, 25 et en particulier de proposer un système permettant de mesurer, avec une précision nettement supérieure à 10-3 mbar, des basses pressions dans la gamme de 10-3 mbar à 1 mbar. Ces performances sont très supérieures dans cette gamme de pressions à celles permises par les systèmes actuels. L'objet de la présente invention est un système de mesure de la pression d'un 30 gaz comportant : - un dispositif à ondes acoustiques de surface, - un générateur de signal radiofréquence, - un moyen de modification de la température du dispositif, - un moyen de comparaison de la fréquence de fonctionnement du dispositif avec une fréquence de référence. Le système selon l'invention atteint sa précision maximum dans l'intervalle de pression allant de 10-3 mbar à 10' mbar, mais bien entendu il est capable de fonctionner dans un domaine de pression beaucoup plus étendu, allant de 10"5 mbar à plusieurs bars. Avantageusement le générateur de signal radiofréquence génère une onde de fréquence au moins égale à 200 MHz, et de préférence pouvant atteindre 2, 5 GHz afin d'augmenter la sensibilité du dispositif. Lorsque le dispositif SAW ne subit aucune perturbation, sa fréquence centrale de fonctionnement fo est utilisée comme référence, Une variation de la valeur d'un paramètre relatif au gaz, tel que la pression du gaz sur le substrat piézoélectrique, modifie la propagation de l'onde acoustique de surface. Cette modification engendre une variation de la fréquence centrale de fonctionnement fc du dispositif à ondes acoustiques de surface. Une analyse comparative est réalisée entre cette fréquence centrale de fonctionnement fc et la fréquence de référence fo. La différence Af = fc - fo permet alors de déterminer la valeur du paramètre relatif au gaz à mesurer. Selon l'invention, le système comporte des moyens de modification de la température du dispositif placé dans le gaz dont on veut mesurer la pression. Ce sont notamment des moyens de chauffage du substrat piézoélectrique supportant le dispositif, comme une résistance chauffante. Ces moyens de chauffage peuvent être placés aussi bien au-dessus qu'en dessous du dispositif. En raison des échanges de chaleur se produisant au niveau du substrat, la température du substrat piézoélectrique s'équilibre en fonction de la pression du gaz environnant. L'évacuation de la chaleur reçue par le substrat s'effectue principalement par les phénomènes conjugués de : - rayonnement thermique, celui-ci dépendant uniquement de la température du substrat et étant indépendant de la pression du gaz, - conduction thermique (diffusion de la chaleur du substrat dans le gaz) qui est liée directement à la différence de température entre le gaz et le substrat, et à la conductivité thermique du gaz (c'est-à-dire à sa pression car la quantité de chaleur perdue par diffusion est directement liée au nombre de molécules pouvant transporter de l'énergie du substrat chaud vers des zones plus froides), et -convection thermique, celle-ci étant reliée à la différence de température entre le gaz et le substrat, et à la pression du gaz, Toute modification de la pression du gaz induit un changement de la chaleur évacuée et modifie en conséquence la température d'équilibre du dispositif. Or, la vitesse de propagation des ondes de surface est très sensible à la température. La fréquence centrale fc des dispositifs SAW l'est donc tout autant. Une mesure fine de la variation de la fréquence de fonctionnement fc du dispositif SAW donne ainsi une mesure très précise de la température et permet donc de mesurer tout aussi précisément la pression du gaz. Le dispositif à ondes acoustiques de surface de l'invention comprend un émetteur d'onde acoustique, un récepteur de l'onde acoustique émise, et un substrat en matériau piézoélectrique à la surface duquel se propage l'onde. On utilise de préférence un dispositif à ondes acoustiques de surface comportant un matériau piézoélectrique présentant un coefficient de température (TCF pour Temperature Coefficient of Frequency en anglais) le plus élevé possible. On choisit avantageusement un TCF d'au moins 70ppm/ C. Certaines coupes de matériau piézoélectrique tels que LiNbO3 ou LiTaO3 présentent des TCF de cet ordre voire plus élevés encore et pouvant dépasser 90ppm/ C. Avantageusement, le dispositif fonctionne à une température optimale définie, permettant un échange maximal de chaleur par diffusion thermique entre le substrat et le gaz, ainsi qu'une variation maximale de température pour une variation donnée de conductivité du gaz (c'est-à-dire de pression). II existe une température optimale de fonctionnement du capteur pour chaque température du gaz. Cette température optimale se situe typiquement autour de 200 C pour un gaz à température ambiante, mais dépend étroitement des paramètres du dispositif et du gaz. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le dispositif à ondes acoustiques de surface est suspendu de manière à minimiser les déperditions de chaleur et améliorer la précision de la mesure. Avantageusement on utilise plusieurs dispositifs disposés parallèlement, chacun 30 couvrant une gamme de pression différente et complémentaire. Ainsi on augmente le domaine d'utilisation du système. L'invention a comme avantage supplémentaire que plus on réduit la taille du système plus on augmente sa sensibilité, tout en diminuant son temps de réponse et sa consommation d'énergie. De plus, le dispositif selon l'invention présente l'avantage de pouvoir être couplé avec une autre méthode de mesure de pression, utilisable dans la gamme de pression supérieure à 0,1 mbar, comme par exemple des jauges résistives, des thermocouples ou d'autres dispositifs SAW. Cette combinaison de dispositifs permet d'obtenir un capteur capable de mesurer des pressions avec une grande précision dans une large gamme de pression allant de 10-6 mbar à plusieurs bars. L'invention repose sur le fait que la vitesse de propagation d'une onde de surface est modifiée par toute perturbation de son environnement. Elle propose donc aussi un procédé de mesure de la pression d'un gaz au moyen de ce système, comprenant les étapes suivantes: - on place un dispositif à ondes acoustiques de surface dans un gaz dont on veut 15 connaître la pression, - on porte le dispositif à une température différente de la température du gaz, - on détermine la température d'équilibre thermique du dispositif à partir de la mesure de sa fréquence de fonctionnement fc, -on mesure la température du gaz, 20 - on calcule la pression du gaz à partir de la température d'équilibre du dispositif et de la température du gaz. Selon une forme d'exécution, la température du gaz est mesurée avec un dispositif à ondes acoustiques de surface. La température de ce dispositif n'est, bien entendu, pas modifiée. 25 L'invention a comme avantage de permettre d'atteindre des précisions extrêmes. En utilisant des coupes de matériau présentant un TCF de l'ordre de 90 ppm / C (comme par exemple certaines coupes du LiNbO3) et en utilisant à une fréquence de fonctionnement de 1GHz, il est possible d'atteindre des précisions (et donc des pressions limites) de l'ordre de 10-6 mbar. 30 Ces résultats peuvent être encore améliorés en : - augmentant la fréquence de fonctionnement du dispositif, - diminuant la taille du dispositif, -choisissant un dispositif comprenant un substrat avec un TCF encore plus élevé. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description suivante d'un mode de réalisation, donnée bien entendu à titre illustratif et non limitatif, et dans le dessin annexé sur lequel - la figure 1 représente une vue en perspective schématique d'un système de mesure de 5 pression selon l'invention, - les figures 2A et 2B montrent des vues de dessus et de dessous respectivement de la fixation du dispositif, - la figure 3 est une vue en coupe schématique des échanges de chaleur dans le dispositif à ondes acoustiques de surface, 10 - la figure 4 montre en coupe un mode de réalisation d'un système selon l'invention, - la figure 5 montre un système selon l'invention pouvant être interrogé à distance. Dans le mode de réalisation du système de mesure de pression 1 de l'invention, illustré sur la figure 1, le dispositif à ondes acoustiques de surface 2 comporte un émetteur 3 d'une onde acoustique 4 qui se propage en direction d'un récepteur 5 à la 15 surface 6 d'un substrat 7 piézoélectrique. Le substrat 7 est choisi en un matériau possédant un TCF élevé, comme par exemple du LiNbO3. L'émetteur 3 est relié à un générateur radiofréquence 8 et le récepteur 5 est relié à un comparateur 9. L'émetteur 3 et le récepteur 5 communiquent par une ligne de liaison 10. Une résistance 11, par exemple sérigraphiée en aluminium ou en platine, permet de chauffer par effet Joule le 20 substrat 7 du dispositif 2. La résistance 11, placée sur le substrat 7 dans ce cas particulier, est reliée par une ligne d'alimentation 12 à un port 13 d'entrée/sortie du système permettant la communication vers l'extérieur par une antenne ou un câble 14. La température du gaz peut être mesurée par différents moyens, comme par exemple un thermocouple, un capteur SAW, une thermistance, etc...La ligne de liaison 10 est 25 également reliée au port 13 d'entrée/sortie. De préférence le substrat 7 du dispositif 2 est suspendu à un support 20, par exemple par des fils 21 d'or, de cuivre ou de platine assurant l'alimentation, de manière à minimiser les déperdition de chaleur via le support mécanique 20. La figure 2A montre une vue de dessus et la figure 2B montre une vue de dessous d'un exemple de 30 réalisation. Il faut toutefois préciser que le système chauffant et les transducteurs interdigités peuvent être disposés soit sur la même face du substrat, soit sur deux faces opposées. La première disposition présente l'avantage de faciliter la fabrication du dispositif SAW. La seconde disposition a l'avantage de permettre une réduction plus importante de l'encombrement du dispositif SAW. La figure 3 montre la direction 30 du flux de chaleur Qh provenant de la résistance 10 en direction du substrat 7. Une partie de la chaleur reçue par le substrat 7 est dissipée par radiation 31 ou diffusion 32 (conduction + convection) de manière à permettre au substrat 7 d'atteindre sa température d'équilibre. La chaleur Qr perdue par radiation 31 ne dépend pas de la pression du gaz. Au contraire la chaleur Qd perdue par diffusion 32 est proportionnelle au nombre de molécules de gaz présentes au voisinage du substrat 7. L'équilibre thermique est atteint quand Qh = Qr + Qd. On comprend que cet équilibre est directement relié à la pression du gaz, et qu'une variation de la pression du gaz entraînera une variation de la température d'équilibre du dispositif 2, et donc de la fréquence de l'onde acoustique. Le temps de réponse du système est très inférieur à la minute. Pour mesurer la température du gaz, on peut utiliser un dispositif à ondes acoustiques de surface analogue mais non chauffé. La fréquence de l'onde acoustique est dans la gamme 200 - 250 MHz, mais on pourra utiliser avantageusement une fréquence pouvant atteindre une valeur de l'ordre de 2,5 GHz. Pour chaque température du gaz, il existe une température optimale de fonctionnement du dispositif 2 qui maximise la sensibilité de la mesure. On peut estimer à environ 173 C la température optimale de fonctionnement du dispositif représenté sur la figure 1 pour un gaz à 25 C. La précision atteinte est supérieure à 10-3 mbar dans la gamme de 103 mbar à 30.10-3 mbar. Bien entendu, dans le cas d'un gaz chaud, on pourrait de la même manière utiliser un dispositif refroidi dans lequel le gaz refroidirait d'autant le dispositif que la pression serait élevée. On considérera maintenant la figure 4 qui illustre en coupe un mode de réalisation d'un système 40 selon la présente invention, qui est placé dans un boîtier 41 protecteur. Le boîtier 41 comporte un orifice d'accès 42 pour les gaz et sert de support au substrat 43 dans lequel des perforations 44 permette une bonne répartition du gaz. Un dispositif 45 est disposé sur le substrat 43 et une résistance chauffante 46 est placée sous le substrat 43 pour générer un flux de chaleur 47. Un autre dispositif 48, dont la température n'est pas modifiée, est également disposé sur le substrat 43, pour la mesure de la température du gaz présent à l'intérieur du boîtier 41, et le calibrage de la mesure du dispositif 45. Une distance D suffisante sépare le dispositif 46 du dispositif 48 non chauffé afin d'éviter tout échange de chaleur entre eux. Un moyen 49 de calibrage et de contrôle des conditions de mesure est relié par un fil de liaison 51 à un connecteur extérieur 50 pour la communication de la mesure et l'alimentation du système. Le système de mesure de pression selon l'invention peut être équipé pour être interrogé à distance. La figure 5 en montre schématiquement un mode de réalisation. Le système comporte un premier oscillateur 60 relié à un premier dispositif 61 à ondes acoustiques de surface qui est chauffé et dont la température d'équilibre, et donc la fréquence, varie avec la pression. Le système comporte aussi un deuxième oscillateur 62 relié à un deuxième dispositif 63 sans chauffage qui mesure la température du gaz. Le dispositif 61 est placé dans un circuit électronique oscillant dont il peut gouverner la fréquence d'oscillation, celle-ci pouvant être lue à distance. Les deux dispositifs 61 et 63 sont suspendus à un support 64 par des fils 65 comme décrit précédemment. Les deux oscillateurs 60 et 62 sont connectés à un moyen de calcul et de traitement du signal 66, lui-même relié à une antenne 67.15 REVENDICATIONS 1. Système de mesure de la pression d'un gaz comportant - un dispositif à ondes acoustiques de surface, - un générateur d'une onde radiofréquence, -un moyen de modification de la température du dispositif, - un moyen de comparaison de la fréquence de fonctionnement du dispositif avec une fréquence de référence. 2. Système selon la revendication 1, dans lequel le générateur de signal 10 radiofréquence génère une onde de fréquence au moins égale à 200MHz. 3. Système selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel les moyens de modification de la température du dispositif peuvent être placés au-dessus ou en-dessous du dispositif. 4. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif à 15 ondes acoustiques de surface comprend : - un émetteur d'onde acoustique, - un récepteur d'onde acoustique, et - un substrat en matériau piézoélectrique. 5. Système selon la revendication 4, dans lequel le matériau piézoélectrique ayant 20 un coefficient de température le plus élevé possible. 6. Système selon l'une des revendications 4 et 5, dans lequel le matériau piézoélectrique a un coefficient de température au moins égal à 70ppm/ C. 7. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif à ondes acoustiques de surface est suspendu. 25 8. Système selon l'une des revendications précédentes, comportant plusieurs dispositifs en parallèle. 9 9. Procédé de mesure de la pression d'un gaz au moyen du système selon l'une des revendications précédentes, comprenant les étapes suivantes: -on place un dispositif dans le gaz, - on porte le dispositif à une température différente de la température du gaz, 5 - on détermine la température d'équilibre thermique du dispositif à partir de la mesure de sa fréquence de fonctionnement, - on mesure la température du gaz, - on calcule la pression du gaz à partir de la température d'équilibre du dispositif et de la température du gaz. l0 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la température du gaz est mesurée avec un dispositif à ondes acoustiques de surface.