Brevet FR2911430A1 — publié le 20080718

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hybride, apte à être utilisé dans les domaines de l'optique,, l'électronique ou l'optoélectronique. Les termes "optique, électronique et optoélectronique" englobent de manière générale la mic:roélectronique, la nanoélectronique, l'optomicroélectronique, l'optonanoélectronique et la technologie des composants. Un substrat hybride est un substrat comprenant au moins deux couches de matériau, de nature identique ou différente, le terme "nature" couvrant aussi bien la nature chimique du matériau, que ses propriétés physico-chimiques et/ou son orientation cristalline. Parmi ces substrats hybrides, on trouve notamment ceux connus sous l'acronyme "SeOI", d'après la terminologie anglaise de "Semiconductor On Insulator", qui signifie "semi-conducteur sur isolant". Un tel substrat comprend une couche d'isolant, par exemple d'oxyde, enterrée entre une couche de matériau semi-conducteur généralement mince, dite "active" et un substrat massif ou substrat "receveur" en matériau semi-conducteur. Dans la suite de la description et des revendications, le terme "isolant" désigne un matériau électriquement isolant, présentant éventuellement une permittivité électrique élevée. Les substrats SeOI sont fabriqués, par exemple, par un procédé connu selon la dénomination commerciale "Smart Cu.tTM", comprenant, les étapes suivantes : - formation ou dépôt d'une couche d'isolant sur un premier substrat, dit "donneur", de sorte qu'il existe entre eux une interface dite de liaison , - implantation d'espèces atomiques à l'intérieur dudit substrat donneur, de façon à y former une zone de fragilisation, -collage par adhésion moléculaire d'un second substrat, dit "receveur", sur la surface libre de l'isolant, et - détachement de la partie arrière dudit substrat donneur, le long de la 30 zone de fragilisation. Dans le domaine de la m.icroélectronique, la qualité de surface de la couche active de matériau semi-conducteur est d'une très grande importance. Plus précisément, la rugosité, ainsi que l'absence de défauts à la surface de cette couche active sont des paramètres qui doivent être optimisés, pour que les futurs composants qui seront réalisés à partir de ces substrats SeOI soient d'une qualité optimale. Or, différents types de défauts de surface peuvent apparaître après le transfert de la couche active, sur le substrat receveur. Ces défauts sont notamment : - les zones non transférées (connues sous l'abréviation ZNT), - les cloques, - les vides, connus sous la terminologie anglaise de "voids", - les "cloques à bords orientés suivant un plan cristallin", connues de 10 l'homme du métier sous l'acronyme "COV", d'après la terminologie anglaise de "Crystal Orientated Voids". Tous ces défauts sont dus à un mauvais transfert, à la présence de défauts sous-jacents dans les diverses couches du substrat hybride, à la qualité du collage au niveau de l'interface de collage ou tout simplement, aux procédés mis en 15 oeuvre pour fabriquer de tels substrats, tels que l'implantation d'espèces atomiques ou le traitement thermique, par exemple. Les défauts présents au niveau des interfaces de collage ou de liaison vont devenir des lieux de piégeage de gaz, lors des différentes étapes du procédé et vont ainsi se gonfler et former des cloques de type COV ou des vides. 20 Ainsi, à titre d'exemple, dans le cas d'un substrat hybride comprenant successivement un substrat support en silicium, recouvert d'une couche d'oxyde thermique, puis d'une couche d'oxyde TEOS obtenue par dépôt LPCVD, et enfin d'une couche active de germanium, les éléments gazeux peuvent avoir plusieurs origines. Pour mémoire, l'expression LPCVD TEOS désigne un oxyde de silicium (SiO2), obtenu à partir d'un précurseur de type tétraéthylorthosilicate (TEOS), par une technique de dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite (d'après l'expression anglaise de "low pressure chemical vapor deposition", résumée par l'acronyme "LPCVD"). Les éléments gazeux précités peuvent provenir notamment : - de l'hydrogène et/ou de l'hélium amenés lors de l'étape d'implantation d'espèces atomiques visant à former la zone de fragilisation, la quantité de ces éléments gazeux dépendant du type d'implanteur utilisé et des conditions d'implantation (dose et énergie), -de la désorption des molécules d'eau (H20), présentes à l'interface de collage entre l'oxyde thermique et l'oxyde TEOS, 25 30 35 - de l'oxyde TEOS, si la densification de ce dernier n'a pas été suffisante, à cause de la diffusion de composés carbonés. De plus, on notera que plus l'épaisseur de la couche active est faible, plus le nombre de défauts est important. En effet, lorsque la couche active est suffisamment épaisse, les défauts du type cloques ou vides sont généralement retenus dans son épaisseur, et de ce fait, apparaissent moins à sa surface. A titre d'exemple illustratif de ces problèmes de défauts, on peut se reporter à la figure 4 jointe. Celle-ci est un graphique représentant la concentration C en ions H+/cm2, en fonction de la profondeur P exprimé en nanomètres, dans un substrat hybride particulier ; les résultats ayant été obtenus par spectroscopie de masse d'ions secondaires (SIMS). Plus précisément, ce substrat hybride est: le résultat d'un collage entre un substrat support en silicium (Si) ayant subit une oxydation thermique, et un substrat donneur en germanium (Ge) sur lequel a été déposé une couche d'oxyde de silicium (SiO2). L'interface de collage se fait donc entre deux oxydes, l'un appartenant au substrat support et l'autre appartenant au substrat donneur. Sur le graphique 4, l'interface de collage entre les deux couches de SiO2 est située à -200 nm. Le substrat support n'est pas représenté sur la figure 4, seule son interface de liaison avec la couche de SiO2 l'est et cette interface se situe à -400 nm. La courbe a en trait plein représente les résultats obtenus dans le substrat donneur en germanium recouvert de SiO2, avant le collage des deux substrats et avant l'implantation d'espèces atomiques selon le procédé Smart CutTM en vue de la formation de la zone de fragilisation à l'intérieur de la couche de germanium. Les ions H+ se trouvent principalement à l'interface de liaison entre la première couche de SiO2 et la couche de germanium. La courbe c en trait gras représente les résultats obtenus dans le même substrat après l'implantation permettant la formation de la zone de fragilisation et avant le collage avec la seconde couche de SiO2. On notera que le trait vertical à -200 nm correspond à un artéfact. Les valeurs ne commencent que vers -200 nm car ceci correspond à l'implantation réalisée avant de coller la seconde couche de SiO2. Dans le cas particulier du germanium, le détachement ne se fait pas au niveau de l'implantation maximale, mais juste un peu après (env. 550 nm), ce qui explique l'allure de la courbe b ci-après. La courbe b en traits pointillés représente les résultats obtenus après le collage des deux couches de SiO2 et après le détachement et le transfert de la couche active de germanium. La répartition des espèces hydrogène montre une accumulation au niveau de l'interface de liaison SiO,/Ge et SiO2/substrat support. Un tout petit pic au niveau de la couche de SiO2 apparaît à -200 nm : il correspond à l'interface de collage des deux couches de SiO2. On constate une nette augmentation de la quantité de gaz dans la couche d'isolant (SiO2) après l'étape de détachement et de report de la couche active de germanium. Cette augmentation est à l'origine des défauts visibles après transfert sur la face supérieure de la couche de germanium reportée. De plus, dans le domaine des semi-conducteurs, la tendance est à la miniaturisation de plus en plus poussée des composants et à la réduction de leur consommation d'énergie. Ceci suppose de réduire simultanément l'épaisseur de la couche active et de la couche d'oxyde enterrée. Or, la diminution de l'épaisseur de ces deux couches conduit également à l'apparition de défauts, notamment lorsque la couche d'oxyde est d'une épaisseur inférieure à 25 nm (25 nanomètres) et celle de la couche active inférieure à 400 nm (400 nanomètres). Enfin, parmi les substrats hybrides, on trouve également les substrats connus de l'homme du métier sous l'appellation "DSB", d'après l'acronyme de l'expression anglaise "Direct Silicon Bonding" qui signifie "collage direct sur silicium". De tels substrats comprennent une couche active de matériau semi- conducteur collée directement sur un substrat receveur ou substrat massif également en matériau semi-conducteur, sans formation d'une couche intermédiaire, notamment sans formation d'une couche d'oxyde enterrée. Les procédés de fabrication connus actuellement pour ce type de substrat DSB conduisent également à l'apparition de défauts lorsque la couche 25 active est de faible épaisseur. Afin de résoudre les problèmes précités d'apparition de défauts de surface, on connaît déjà un procédé décrit dans le document US-2002/0190269. Ce procédé a pour but de fabriquer un substrat hybride qui comprend une couche de germanium sur du silicium, tout en réduisant la formation de bulles au niveau de 30 l'interface de collage. Plus précisément, ce substrat est obtenu par implantation d'hydrogène dans un substrat donneur en germanium, pour y former une zone de fragilisation, puis collage sur un substrat receveur en silicium, et enfin traitement thermique pour détacher la partie arrière du substrat en germanium. Dans un mode particulier de réalisation, l'auteur suggère de disposer 35 une couche dénommée "anti-bulles" de silicium amorphe, sur le substrat en germanium, avant le collage, afin de rendre l'interface de collage hydrophile et de réduire ainsi la formation de bulles d'hydrogène, lorsque le substrat en germanium est collé au substrat en silicium. Selon une autre variante de réalisation, il est suggéré d'améliorer la rugosité de la couche de germanium transférée, en déposant sur celle-ci, une couche 5 tampon de germanium, formée par épit:axie. Ces deux solutions ont pour but d'améliorer la qualité de l'interface de collage entre les deux substrats, toutefois, elles nécessitent l'ajout d'une couche supplémentaire, ce qui complique le procédé. L'invention a pour but de fournir un procédé de fabrication d'un 10 substrat hybride, qui permette d'éviter la formation de défauts à la surface de la couche active de semi-conducteur transférée, et plus précisément de défauts dus à l'agglomération d'éléments gazeux au niveau des différentes interfaces de collage et/ou de liaison dudit substrat. Dans un mode particulier de réalisation, un tel procédé doit aussi 15 pouvoir s'appliquer à la fabrication d'un substrat hybride dont la couche active est d'une faible épaisseur, c'est à dire inférieure à 400 nm, et dont la couche d'isolant est inférieure à 5 nm, voire même inexistante. L'invention a également pour but d'éviter le recours au dépôt de couches intermédiaires (couches amorphes ou couches tampons), déposées ou 20 intercalées entre la couche d'isolant et la couche active, comme cela est le cas d'après les procédés connus de l'état de la technique. En effet, de telles couches sont susceptibles de modifier les propriétés électriques de la structure finale. A cet effet, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hybride, apte à être utilisé dans les domaines de l'optique, l'électronique ou 25 l'optoélectronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à: a) former ou déposer une première couche d'isolant sur un premier substrat choisi parmi deux substrats dits respectivement "donneur" et "receveur", réalisés en matériau semi-conducteur, 30 b) effectuer un traitement permettant d'augmenter la rugosité de la surface libre de ladite première couche d'isolant, c) déposer une seconde couche d'isolant sur la première couche d'isolant rugosifié, de façon à former entre elles une zone, dite "de piégeage", d) coller par adhésion moléculaire, sur ladite seconde couche 35 d'isolant, le substrat qui n'a pas été utilisé à l'étape a), e) procéder au transfert d'une couche dite "active", par son détachement depuis ledit substrat donneur, le long d'une zone de fragilisation formée au sein de ce substrat par implantation d'espèces atomiques, ladite zone de piégeage étant apte à retenir les espèces gazeuses 5 éventuellement présentes au niveau des différentes interfaces du substrat hybride et à limiter la formation de défauts à la surface de la couche active. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : - l'étape b) est réalisée de façon à ce que la rugosité minimale de la 10 surface libre de ladite première couche d'isolant soit d'au moins 10 nm RMS pour une surface de balayage de 40 m x 40 m, et en ce que la première couche d'isolant est formée ou déposée de façon à présenter une épaisseur au moins égale à dix fois la valeur de cette rugosité minimale ; - la rugosification de la première couche d'isolant est réalisée par 15 gravure chimique, par exemple à l'aide d'une solution de nettoyage standard 1 qui comprend un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau déionisée ou à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique (HF) ; - la rugosification de la première couche d'isolant est obtenue en la 20 soumettant à un traitement dans un plasma gazeux contenant au moins l'un des gaz suivants choisis parmi CxFy, SxFy, CxHy, le monoxyde de carbone (CO), l'hydrogène, l'argon, des espèces chlorées de type BC13 ou leurs mélanges, en présence éventuelle d'oxygène et/ou d'azote, de façon à créer à sa surface des réactions de polymérisation partielle ; 25 - la densité de ce plasma est comprise entre 10' at/cm3 et 1013 at/cm3 environ ; - on effectue une densification de la seconde couche d'isolant par un traitement thermique à au moins 800 C pendant au moins 1 heure ; - la première couche d'isolant est formée ou déposée sur le substrat 30 donneur et l'étape d'implantation d'espèces atomiques, destinée à former la zone de fragilisation, est effectuée après le dépôt ou la formation de la première couche d'isolant, la rugosification de la première couche d'isolant pouvant se faire avant ou après cette implantation ; de préférence l'étape d'implantation d'espèces atomiques est effectuée après le dépôt de la seconde couche d'isolant ; 35 - l'isolant constituant la première et/ou la seconde couche d'isolant est un oxyde ; - l'isolant de la première couche d'isolant est un oxyde obtenu par oxydation thermique dudit premier substrat ou un oxyde natif ; - l'isolant de la première et/ou de la seconde couche d'isolant est un oxyde de silicium (SiO2), obtenu par dépôt chimique en phase vapeur sous faible 5 pression du type LPCVD, à partir du précurseur tétraéthylorthosilicate (TEOS) ; - les techniques de dépôt de la couche d'isolant sont choisies parmi les dépôts chimiques en phase vapeur du type CVD ou les dépôts chimiques en phase vapeur sous faible pression du type LPCVD ; - l'isolant constituant la première et/ou la seconde couche d'isolant est 10 un nitrure. Selon une variante de réalisation, l'isolant constituant les première et seconde couches d'isolant est un oxyde du matériau semi-conducteur constituant la couche active, ladite couche active présente une épaisseur prédéterminée et après l'étape e) on chauffe le substrat hybride dans une atmosphère inerte et/ou réductrice, 15 à une température prédéterminée et pendant une durée prédéterminée, lesdites épaisseur, température et durée prédéterminées étant choisies pour inciter une quantité d'oxygène de la couche d'oxyde à diffuser à travers la couche active plutôt qu'à travers ledit substrat receveur, de sorte que l'épaisseur de ladite couche d'oxyde est réduite d'une valeur prédéterminée. 20 Dans ce cas, selon d'autres caractéristiques de l'invention, prises seules ou en combinaison : l'épaisseur de la couche active est comprise entre environ 25 nanomètres et environ 500 nanomètres, la température prédéterminée est d'environ 1200 C et la durée prédéterminée est comprise entre 5 minutes et 5 heures ; 25 - l'épaisseur totale des première et seconde couches d'isolant est comprise entre 1 nm et 50 nm ; - l'épaisseur prédéterminée de la couche active et la température prédéterminée sont choisies pour avoir une vitesse de diminution moyenne des couches d'oxyde d'environ 0,05 nm par minute 30 - le chauffage est poursuivi jusqu'à éliminer complètement la première et la seconde couche d'oxyde ; - l'isolant est de l'oxyde de silicium (SiO2) et les substrats donneur et receveur sont en silicium (Si). D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la 35 description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, plusieurs modes de réalisation possible. Sur ces dessins : les figures 1A à 1G sont des schémas représentant les différentes 5 étapes successives d'un premier mode de réalisation du procédé de fabrication conforme à l'invention, - les figures 2A à 2F sont des schémas représentant les différentes étapes successives d'un second mode de réalisation du procédé de fabrication conforme à l'invention, 10 - les figures 3A à 3C sont des schémas représentant une variante de réalisation des deux procédés précités, - la figure 4 est un graphique représentant la concentration C en ion H+/cm2 en fonction de la profondeur P à l'intérieur d'un substrat composite résultant du collage entre un substrat support en silicium ayant subi une oxydation thermique 15 et un substrat donneur en germanium sur lequel a été déposé une couche d'oxyde de silicium ; - la figure 5 représente la concentration en ion O+/crn3 en fonction de leur profondeur d'implantation à l'intérieur d'un couche de dioxyde de silicium (SiO2), pour différentes énergies d'implantation. 20 Un premier mode de réalisation du procédé conforme à l'invention va maintenant être décrit en se reportant aux figures 1A à 1 G. On peut voir sur la figure 1A, un substrat 1, dit "donneur", car c'est de celui-ci qu'est issue la couche active dans le substrat hybride à obtenir. Le substrat donneur 1 présente deux faces opposées 11 et 12, dites 25 respectivement "arrière" et "avant". Il peut être monocouche ou multicouche. A titre d'exemple de substrat donneur multicouche, on peut utiliser un substrat massif recouvert d'une couche épitaxiée, tel qu'un substrat massif en silicium recouvert d'une couche de germanium épitaxiée. Le substrat donneur 1 est constitué au moins en partie par un 30 matériau semi-conducteur, plus précisément l'un de ceux utilisés couramment dans le domaine de l'électronique, et notamment le silicium. Le substrat donneur 1 peut également être en germanium (Ge), en nitrure de gallium (GaN), en arséniure de gallium (AsGa) ou en silicium germanium (SiGe), par exemple. Comme représenté sur la figure 11B, on procède ensuite à la formation ou au dépôt d'une première couche d'isolant 2 sur la face avant 12 du substrat 1. La couche d'isolant 2 présente une surface libre 20. L'isolant constituant la couche 2 est de préférence un oxyde d'un matériau semi-conducteur, par exemple un dioxyde de silicium (SiO2). Ce peut également être un nitrure ou un oxynitrure d'un matériau semi-conducteur, par exemple du nitrure de silicium (Si3N4) ou de l'oxynitrure de germanium (Ge,OyNZ). Il est également possible d'utiliser pour la couche 2 des matériaux diélectriques à forte permittivité ("high k" selon la terminologie anglaise), tels que par exemple du dioxyde de hafnium (HfO2), de l'alumine (Al2O3), de l'oxyde de zirconium (ZrO2), du pentoxyde de tantale (Ta205), du dioxyde de titane (TiO2), leurs nitrures et leurs siliciures. Lorsque la couche d'isolant 2 est formée, elle l'est par oxydation thermique du substrat source 1. Dans ce cas, la couche d'isolant 2 est un oxyde du matériau semi-conducteur constitutif de la face avant 12 du substrat 1. Cette technique est simple à mettre en œuvre mais rend la nature de l'isolant 2 dépendante de celle du substrat 1 ou d'une partie du substrat 1 si celui-ci est multicouche. A titre d'exemple, on peut obtenir une couche d'oxyde de silicium (SiO2) par traitement thermique sous oxygène d'un substrat en silicium à une température de 900 C, pendant une durée de 30 minutes jusqu'à obtenir l'épaisseur désirée comme cela sera décrit ultérieurement. La couche d'isolant 2 peut également être déposée, ce qui permet de ne pas lier sa nature chimique à celle du substrat 1. On pourra ainsi déposer une couche de SiO2 sur un substrat en germanium ou en carbure de silicium (SiC), par exemple. Parmi les techniques de dépôt, on peut citer le dépôt chimique en phase vapeur, connu sous l'acronyme "CVD", d'après la terminologie anglaise de "Chemical Vapor Deposition". On peut également utiliser le dépôt chimique en phase vapeur à basse 30 pression, connu sous l'acronyme "LPCVD", d'après la terminologie anglaise de "Low Pressure Chemical Vapor Deposition", ou un procédé de dépôt en couches atomiques, connu sous l'acronyme "ALD" (d'après la terminologie anglaise de "Atomic Layer Deposition'). Dans le cas où la couche d'isolant 2 est une couche de SiO2, il est 35 également possible de procéder à son dépôt par la technique LPCVD précitée, mais à partir d'un précurseur de type tétraéthylorthosilicate (TEOS), cette technique étant connue sous l'acronyme "LPCVD TEOS". Pour ce faire, on introduit le tétraéthylorthosilicate (Si(OC2H5)4) sous forme gazeuse, à l'intérieur de l'enceinte du réacteur de dépôt chimique. Sous 5 l'action de la température et de la pression, celui-ci se décompose comme suit : Si(OC2H5)4 (gaz) SiO2(solide) + 2C2H4 (gaz) + 2CH3CH2OH (gaz) A titre d'exemple, en maintenant la pression à l'intérieur de l'enceinte 10 entre 200 m Torr (milliTorr) et 1 Torr (soit entre 26,6 Pa et 133,3 Pa) et la température entre 600 C et 750 C, pendant une durée de 5 à 30 minutes environ, on peut obtenir une épaisseur de SiO2 comprise entre 50 nm et 200 nm. Comme représenté sur les figures 1C et 1 D, on réalise ensuite une étape de rugosification de la surface libre 20 de la couche 2, puis l'on dépose sur 15 celle-ci une seconde couche d'isolant 3, de façon à former entre ces deux couches d'isolant 2 et 3, une zone 4 dite "de piégeage". La surface libre de la seconde couche d'isolant 3 porte la référence numérique 30. La liste des matériaux constituant la seconde couche d'isolant 3 est la 20 même que celle citée précédemment pour l'isolant 2. Les matériaux isolants constituant les couches 2 et 3 peuvent être de nature identique ou différente, par "nature" on entend aussi bien la composition chimique du matériau que ses propriétés physico-chimiques, par exemple la densité. A titre d'exemple, les couches 2 et 3 peuvent être de même 25 composition chimique, mais la couche 3 a été obtenue par dépôt alors que la couche 2 l'a été par oxydation thermique. De ce fait, la couche 3 est moins dense et le piégeage des espèces gazeuses s'y effectue également, en plus de celui qui se produit dans la zone de piégeage 4. Un autre exemple consiste à utiliser une couche 2 et une couche 3 de 30 compositions chimiques différentes, la couche 3 ayant été déposée et donc de densité moindre que celle de la couche 2. Dans ce cas, on peut observer un phénomène de ségrégation aux interfaces entre les différentes couches, car les atomes qui traversent les deux couches d'isolant ont un comportement différent, en fonction de leurs solubilités limites différentes dans ces deux couches. Si certaines 35 espèces gazeuses sont bloquées par l'une des couches 2 ou 3, elles seront par exemple davantage retenues au niveau de la zone de piégeage 4. >> La seconde couche d'isolant 3 ne peut être obtenue que par dépôt, car si on la formait par un traitement thermique cela risquerait de modifier la rugosité obtenue précédemment sur la surface libre 20 de la couche 2. Enfin, on notera que le dépôt permet d'obtenir une seconde couche d'isolant 3 de plus faible densité que la couche 2, donc impliquant un meilleur piégeage des espèces, car une plus faible densité entraîne la formation d'un plus grand nombre de liaisons pendantes au sein de l'isolant. Ainsi par exemple, pour une couche d'isolant en SiO2, les atomes d'hydrogène vont former des liaisons covalentes avec l'oxygène et/ou le silicium. Les techniques de dépôt utilisées pour déposer la seconde couche d'isolant 3 peuvent être choisies parmi les mêmes que celles citées précédemment pour la couche d'isolant 2. Le traitement de rugosification a pour but de créer une modification de l'état de la surface de la face 20 suffisante pour former une zone de piégeage 4, apte à retenir les espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau des différents interfaces du substrat hybride 6 à obtenir (voir figure 1G) et à limiter la formation de défauts à la surface de sa couche active 14 reportée. La rugosité peut s'exprimer par une valeur quadratique moyenne "RMS" (selon l'acronyme de l'expression anglaise "Root Mean Square"). Les mesures de rugosité peuvent en particulier être effectuées grâce à un microscope à force atomique "AFM", (selon l'acronyme de l'appellation anglaise "Atomic Force Microscope"). Afin d'obtenir l'effet recherché de formation d'une couche de piégeage 4, il est préférable que la couche isolant 2 présente une rugosité de surface minimale d'au moins 10 nm (10 nanornètres) RMS, pour une surface de balayage par le faisceau du microscope AFM de 40 m x 40 m. Cette rugosité est suffisamment importante pour que les cavités formées à la surface 20 de la couche 2 ne soient pas comblées lors du dépôt de la seconde couche d'isolant 3. On notera que dans la mesure où le traitement de rugosification peut dans certains cas avoir pour effet de diminuer l'épaisseur de l'isolant 2, celui-ci aura de préférence une épaisseur minimum, telle qu'il reste une épaisseur d'isolant suffisante même après le traitement de rugosification. De préférence il est nécessaire d'avoir une épaisseur minimale de la première couche d'isolant 2 avant gravure, égale à au moins dix fois la valeur exprimée en nanomètres de la rugosité RMS que l'on souhaite obtenir sur cette couche. Ainsi, pour obtenir une rugosité de 10 nanomètres RMS pour une largeur de balayage 40 m x 40 m, il est préférable d'avoir une épaisseur minimale de la couche d'isolant 2 de 100 nanomètres. La rugosification peut être réalisée par exemple par gravure 5 chimique, ou par un traitement dans un plasma particulier. Selon une première variante de réalisation, la gravure chimique est effectuée en plongeant le substrat 1, recouvert de la couche d'isolant 2, dans un bain d'une solution connue de l'homme du métier sous l'acronyme "SC1" (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 1" qui signifie "solution de 10 nettoyage standard 1"), et qui comprend un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau déionisée. Il est également possible d'utiliser une solution de gravure chimique à base d'acide fluorhydrique (HF) dilué dans de l'eau entre 0,1 et 50% en volume. Quelques soient les traitements de gravure, ils seront appliqués 15 pendant 1 à 100 secondes, dans une gamme de températures allant de 20 C à 70 C, pour obtenir des épaisseurs gravées de 2 à 80 nm. Dans les deux techniques précitées, plus le temps de contact avec la solution de gravure est long et plus la profondeur d'attaque de l'isolant 2 est importante et plus sa rugosité augmente. 20 Le traitement par plasma consiste à placer le substrat recouvert de la couche d'isolant 2 dans un four à plasma àl'intérieur duquel on forme un plasma à partir d'un gaz ou d'un mélange de gaz, dans des conditions de température et de pression particulières. Ces conditions sont adaptées en fonction du type de plasma que l'on souhaite obtenir et en fonction de la couche traitée. 25 Ce traitement par plasma a pour but de créer des réactions de polymérisation partielles à la surface de la première couche d'isolant 2. Plus précisément, lorsqu'une première espèce du plasma vient former une liaison faible à la surface 20 de l'isolant, d'autres espèces viennent se polymériser ultérieurement avec la première, de sorte qu'il se créé localement des zones polymérisées de micro- 30 masquage de la surface libre 20. A l'échelle du micron, ceci revient à augmenter localement la rugosité de l'isolant. Cette réaction de polymérisation s'effectue en quelques minutes. Les gaz que l'on peut utiliser pour former le plasma sont de préférence choisis parmi : les gaz fluorocarbonés C,tFy, tels que par exemple CF4, 35 C4F8, CF6, les gaz fluorosoufrés du type S,Fy, tels que SF6, ou SH3F, les gaz hydrogénocarbonés du type C,Hy, et également le monoxyde de carbone (CO), NF3, l'hydrogène, l'argon, des espèces chlorées du type BC13 ou leurs mélanges, et ce en présence éventuelle d'oxygène et/ou d'azote. Les gaz seront choisis en fonction de la nature chimique de la couche d'isolant 2, de façon à pouvoir polymériser à la surface de cet isolant. La quantité d'espèces atomiques introduites et donc la dose d'implantation dépendra du temps d'exposition de l'isolant 2 au plasma. Plus ce temps est long, plus la quantité d'atomes introduite à l'intérieur de l'isolant 2 sera importante. L'énergie d'implantation a également une incidence sur la profondeur 10 à laquelle ces espèces atomiques seront introduites. Le type de réacteur à l'intérieur duquel est formé le plasma, le choix des espèces implantées et la pression régnant à l'intérieur de ce réacteur ont également une influence sur la densité du plasma formé. Dans le cas particulier de l'invention, et en vue d'obtenir la rugosité désirée, on utilise de préférence une 15 densité moyenne voire haute d'atomes, c'est-à-dire à une densité comprise entre l07at/cm3 et 1013at/cm3. Dans le cas particulier où la couche d'isolant 2 est une couche d'oxyde, l'utilisation du plasma présente l'intérêt d'introduire en surface des espèces chimiques fortement réactives avec l'hydrogène, par exemple des gaz permettant 20 d'apporter de l'oxygène. Dans le cas particulier d'une implantation d'oxygène, de préférence, l'énergie d'implantation sera comprise entre 100 eV et 2000 eV, pour des doses d'implantation allant de 1.1012 O+.cm 2 à 1.1016 O+.cm-2. Des essais effectués dans une couche d'isolant de type dioxyde de 25 silicium (SiO2) ont aboutit aux résultats représentés sur la figure 5. Ce graphique illustre la concentration en ions O+/cm3, en fonction de la profondeur d'implantation à l'intérieur du SiO2, cette profondeur étant exprimée en nanomètres. Les courbes d, e et f correspondent respectivement aux résultats obtenus pour des implantions d'ions 0+ effectuées avec des énergies de 500 eV, 30 300 eV et 200 eV. Dans tous les cas, la dose d'implantation était de 1.1014 O+.cm-2. On constate que plus l'énergie d'implantation est élevée, et plus les ions pénètrent profondément dans l'isolant. Par ailleurs, il est possible de façon optionnelle, de procéder à une étape de densification de la seconde couche d'isolant 3, en soumettant l'empilement 35 de couches de la figure 1D à un traitement thermique à 800 C environ, pendant 1 heure. L'étape de densification de la couche d'isolant 3 a pour objet de limiter la localisation du piégeage à la couche de piégeage 4. Inversement, si la couche 3 n'est pas densifiée, elle a également un rôle de piégeage des espèces gazeuses. En se reportant à la figure 1E, on peut voir que l'on réalise ensuite une étape d'implantation d'espèces atomiques à l'intérieur du substrat source 1, au travers des couches d'isolant 2 et 3. Par implantation d'espèces atomiques, ou entend tout bombardement d'espèces atomiques ou ioniques, susceptibles d'introduire ces espèces dans le substrat implanté, avec une concentration maximale des espèces implantées à une profondeur prédéterminée du substrat, par rapport à la surface bombardée. Cette implantation a pour but de former une zone de fragilisation 13, qui délimite une couche active 14 du reste 15 du substrat. L'implantation précitée peut être réalisée conformément à l'une des étapes du procédé connu sous la dénomination commerciale Smart CutTM. On trouvera de plus amples détails concernant le procédé Smart CutTM dans le document "Silicon-on-insulator technology : materials to VLSI", deuxième édition, de Jean-Pierre Colinge, aux éditions "Kluwer académie publishers", pages 50 et 51. On notera qu'il serait éventuellement possible de procéder à la formation de la zone de fragilisation 13, avant la formation ou de dépôt de la première couche d'isolant 2. De préférence, la formation de la zone 13 par implantation est effectuée après la formation ou le dépôt de la couche 2, mais avant le dépôt de la couche d'isolant 3, la rugosification de la couche d'isolant 2 pouvant se faire avant ou après l'implantation. De préférence encore, l'implantation visant à former la zone 13 est réalisée, comme représenté sur les figures, c'est-à-dire après le dépôt de la seconde couche d'isolant 3. Ceci permet de ne pas limiter le budget thermique appliqué lors du dépôt de cette couche 3, puisque comme la zone de fragilisation n'est pas encore formée, on ne risque pas d'aboutir à un détachement prématuré de la couche active, le long de cette zone. Comme représenté sur les figures IF et 1G, on procède ensuite au détachement et au report de la couche active 14, sur un substrat receveur 5, de façon 35 obtenir un substrat hybride 6. Le substrat receveur 5 peut être monocouche ou multicouche. A titre d'exemple de substrat multicouche, on peut citer un substrat de type SOI, de façon à obtenir un double SOI. Pour ce faire, on colle par adhésion moléculaire le substrat receveur 5 5 sur la surface libre 30 de la seconde couche d'isolant 3, puis on détache la couche 14 le long de la zone de fragilisation 13, par application de contraintes mécaniques, thermiques et/ou chimiques, selon des techniques connues de l'homme du métier. L'interface de collage porte la référence 7. Un second mode de réalisation va maintenant être décrit en faisant 10 référence aux figures 2A à 2F. Selon celui-ci, les couches successives d'isolant 2 et 3 sont déposées sur la face avant du substrat receveur 5 au lieu de celle du substrat donneur 1. Les faces arrière et avant du substrat 5 portent respectivement les références 51 et 52. Les choix des matériaux isolants qui constituent les couches 2 et 3 15 ainsi que les techniques de formation ou de dépôt des couches 2 et 3 sont identiques à ce qui a été décrit précédemment. Il est en de même pour les techniques de rugosification. Les mêmes éléments portent les mêmes références numériques. Sur la figure 2E, on peut voir que le substrat source 1 a subi l'étape d'implantation d'espèces atomiques permettant la formation de la zone de 20 fragilisation 13, avant d'être collé par adhésion moléculaire sur la couche d'isolant 3. Pour ce faire, le substrat source 1 peut éventuellement être recouvert temporairement d'une couche d'oxyde facilitant la mise en oeuvre du procédé Smart CutTM précité, cette couche d'oxyde pouvant être éliminée avant le collage sur la couche d'isolant 3. 25 On obtient sur la figure 2F, un substrat hybride 6' qui diffère du substrat 6 en ce que la couche active 14 est au contact de la seconde couche d'isolant 3 et non de la première couche d'isolant 2, comme cela était le cas dans le premier procédé précédemment décrit. L'interface de collage porte la référence 7'. La couche de piégeage 4 formée au sein des substrats hybrides 6 ou 30 6' permet de façon avantageuse de piéger les espèces gazeuses qui sont issues de l'implantation d'espèces atomiques visant à la formation de la zone de fragilisation 13, ou qui sont apparues au niveau de l'interface de collage 7 ou 7', ou lors du détachement de la couche active 14. Le substrat hybride 6 présente en outre les avantages suivants par 35 rapport au substrat 6'. L'implantation destinée à former la zone de fragilisation 13 étant effectuée au travers de la zone de piégeage 4, les espèces gazeuses qui ne participent pas à la formation de la zone de fragilisation 13 peuvent être piégées directement dans la zone de piégeage 4, ce qui n'est pas le cas avec le substrat 6'. De plus, lors des recuits de consolidation effectués après le détachement, le piégeage des espèces gazeuses est un peu plus efficace avec le substrat hybride 6, car celles-ci n'ont pas l'interface de collage 7' à traverser comme cela est le cas avec le substrat 6'. Une variante particulière du procédé conforme à l'invention va 10 maintenant être décrite en faisant référence aux figures 3A à 3C. Cette variante correspond à des étapes additionnelles appliquées à l'issue de l'un ou l'autre des deux procédés précités qui permettent d'obtenir les substrats hybrides 6 ou 6'. A des fins de simplification, sur les figures 3A à 3C, ce procédé a 15 uniquement été représenté comme étant appliqué à un substrat 6. Cette variante s'applique au cas particulier où le matériau constituant l'isolant de la première et de la seconde couche 2 et 3 est un oxyde du matériau semi-conducteur constituant la couche active 14 et où ladite couche active 14 présente une épaisseur prédéterminée comme cela sera décrit ci-dessous. 20 Ces étapes supplémentaires ont pour but d'amincir les couches d'oxydes isolants 2 et 3, jusqu'à former un substrat hybride 60 de type "UTBox", comme représenté sur la figure 3B ou un substrat 600 de type "DSB", comme représenté sur la figure 3C. "UTBox" est l'acronyme de l'expression anglaise "Ultra Thin Buried 25 oxide" qui signifie "oxyde enterré ultra fin" et qui désigne des substrats de type SOI dans lesquels la couche d'oxyde enterrée est d'une épaisseur inférieure ou égale à 50 nm (50 nanomètres), voire même inférieure à 25 nm. "DSB" est l'acronyme de l'expression anglaise "Direct Semiconductor Bonding" qui signifie "collage direct de semi-conducteurs" et qui 30 désigne un substrat comprenant une couche active de matériau semi-conducteur directement au contact du substrat receveur semi-conducteur. Pour aboutir à ce type de substrats, la couche active 14 du substrat hybride 6 (voir figure 3A) doit être d'une épaisseur comprise entre 25 et 500 nanomètres, de préférence entre 25 et 250 nanomètres., de préférence encore entre 35 25 et 120 nanomètres et la somme des épaisseurs des couches d'oxyde 2 et 3 doit être comprise entre 1 et 100 nanomètres, de préférence entre 1 et 50 manomètres. Un traitement thermique est mis en oeuvre, de façon que l'épaisseur de la couche d'oxyde 2, 3 diminue, par diffusion de l'oxygène à travers la couche active 14. Ce traitement thermique est réalisé dans une atmosphère inerte et/ou 5 réductrice, telle qu'une atmosphère contenant de l'argon ou de l'hydrogène ou un mélange des deux. Pour illustrer la diminution de l'épaisseur de l'oxyde due à la diffusion de l'oxygène, on a représenté sur la figure 3A, un axe x qui s'étend perpendiculairement au plan des couches du substrat hybride 6, dont l'origine 0 est 10 au centre de la couche d'oxyde et dont les valeurs positives sont dirigées vers la couche active 14 et les valeurs négatives vers le substrat receveur 5. Le substrat 6 présente deux domaines de diffusion, à savoir au travers de la couche active 14 et au travers du substrat receveur massif 5, ces deux domaines étant séparés par les couches d'oxyde 2, 3 dont l'épaisseur globale est do,. 15 On prend l'hypothèse que la diffusion de l'oxygène s'effectue selon une dimension ; l'équation de diffusion est alors : 8C(x,t) a2C(x,t) at = D(T) ax 2 20 dans laquelle C(x,t) est la concentration en oxygène à un instant t et en point x, D(T) est le coefficient de diffusion de l'oxygène dans le matériau semi-conducteur (unité : cm2/s). La vitesse de dissolution de l'oxyde correspond à la différence entre 25 le flux d'oxygène passant à travers la couche active 14 et le flux d'oxygène passant à travers le substrat receveur 5, au niveau des interfaces avec les oxydes 2 et 3. Si la couche active 14 est suffisamment mince, une partie de l'oxygène des couches d'oxyde 2 et 3 diffuse au travers et s'évapore dans l'atmosphère au niveau de sa surface. 30 Cette diffusion est accélérée par le fait que l'atmosphère dans laquelle a lieu la réaction est inerte, ou plus exactement non oxydante. En particulier, la réaction suivante survient à la surface de la couche active 14, si l'atmosphère inerte contient de l'hydrogène et si la couche active 14 est du silicium. 35 SiO2 +H2û*H2O+SiOT Comme l'épaisseur du substrat receveur 5 est très importante, l'oxygène présent dans les couches d'oxyde 2 et 3 ne peut pas atteindre la surface libre, à savoir la surface arrière 51 du substrat 5. Cependant une certaine quantité d'oxygène peut être présente à l'intérieur du substrat receveur 5 et cet oxygène va diffuser en direction des couches d'oxyde 2 et 3. Il existe donc une compétition entre la diffusion au travers de la couche active 14 et celle résultant du déplacement de l'oxygène du substrat receveur 5 en direction des couches d'oxyde 2 et 3. Toutefois, la demanderesse a constaté que si la couche active 14 est suffisamment mince et si l'atmosphère dans laquelle a lieu le traitement thermique est inerte et/ou réductrice, même si temporairement l'épaisseur des couches d'oxyde 2 et 3 augmente légèrement du fait de l'apport d'oxygène provenant du substrat 5, typiquement après quelques secondes de traitement, la dissolution de l'oxygène présent dans les couches d'oxyde 2 et 3 commence, de sorte que l'épaisseur de ces couches diminue. Après un certain temps, et si l'épaisseur de la couche active 14 est faible, on peut considérer que la diffusion de l'oxygène provenant du substrat receveur 5 est négligeable. Dans ces conditions le flux d'oxygène stabilisé F est tel que : F = D(T)*Co(T)/dse dse étant l'épaisseur de ;la couche active 14 et Co(T) la solubilité de l'oxygène à l'équilibre, dans le semi-conducteur, à la température de recuit. La durée de dissolution de l'oxyde qui permet de faire décroître les couches d'oxyde 2, 3 d'une épaisseur do, d'une valeur prédéterminée Od0X est de : durée = d * Od .r * N D(T)*C(T) formule dans laquelle N est la concentration en atome d'oxygène dans l'oxyde et C(T) est le coefficient de solubilité de l'oxygène dans le silicium en 30 fonction de la température. A titre d'exemple, si la couche active 14 de matériau semi-conducteur est du silicium monocristallin alors N = 4,22.1022 et si l'oxyde des couches 2 et 3 est du dioxyde de silicium (SiO2) et si dse = 100 nanomètres et Odox = 2 nanomètres,25 alors la durée est de 1,86.10"12 * exp(4,04eV/kT) ; k représentant la constante de Boltzmann et T la température en Kelvin. La demanderesse a démontrée que le paramètre principal affectant la durée de dissolution est la température de recuit et l'épaisseur de la couche active 14 et que par ailleurs le résultat ne dépend pas de la concentration en oxygène dans le substrat receveur 5. D'une manière générale la température et la durée du traitement thermique, ainsi que l'épaisseur des couches d'oxyde 2 et 3 et l'épaisseur de la couche active 14 seront choisies pour inciter l'oxygène présent dans les couches d'oxyde 2 et 3 à diffuser à travers la couche active 14 plutôt qu'à travers le substrat receveur 5. A titre d'exemple illustratif, et sur la base d'une simulation, les conditions minimales de recuit, sous une atmosphère contenant de l'argon et/ou de l'hydrogène, qui permette de dissoudre une couche de SiO2 de 2 nanomètres d'épaisseur avec une couche active 14 en silicium de 100 nanomètres, sont les suivantes : -1100 C pendant 2 heures, ou - 1200 C pendant 10 minutes, ou - 1250 C pendant 4 minutes. De plus, l'épaisseur de la couche active 14 et la température du traitement thermique déterminent la vitesse de diminution moyenne des couches d'oxyde 2 et 3. Plus l'épaisseur de la couche 14 est importante et plus la vitesse de diminution de l'épaisseur des couches 2 et 3 est faible. Plus la température est élevée, plus la dissolution des couches 2 et 3 est rapide. De façon avantageuse, l'épaisseur de la couche active 14 et la température seront prédéterminées pour avoir une vitesse de réduction moyenne des couches d'oxyde 2 et 3 d'au moins environ 0,05 nanomètres/mn. Dans ce but, on choisira alors une température de 1200 C et une épaisseur de la couche active 14 en silicium monocristallin inférieur à 250 nanomètres. La figure 3B illustre le substrat hybride 60 de type "UTBox" obtenu après diffusion de l'oxygène au travers de la couche active 14. Cette dernière est plus épaisse et porte la référence 14'. Les couches d'oxyde 2 et 3 sont représentées par une couche unique plus mince référencée 8. Enfin, comme illustré sur la figure 3C, le traitement peut également être poursuivi à des températures et pendant des durées telles que les couches d'oxyde 2 et 3 disparaissent complètement de sorte que l'on obtient le substrat DSB 600, avec une couche active encore plus épaisse que la couche 14' et qui porte la référence numérique 14". REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un substrat hybride (6, 6', 60, 600), apte à être utilisé dans les domaines de l'optique, l'électronique ou l'optoélectronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à : a) former ou déposer une première couche d'isolant (2) sur un premier substrat choisi. parmi deux substrats dits respectivement "donneur" (1) et "receveur" (5), réalisés en matériau semi- conducteur, b) effectuer un traitement permettant d'augmenter la rugosité de la surface libre (20) de ladite première couche d'isolant (2), c) déposer une seconde couche d'isolant (3) sur la première couche (2) d'isolant rugosifié, de façon à former entre elles une zone (4), dite "de piégeage", d) coller par adhésion moléculaire, sur ladite seconde couche d'isolant (3), le substrat (1, 5) qui n'a pas été utilisé à l'étape a), e) procéder au transfert d'une couche (14) dite '"active", par son détachement depuis ledit substrat donneur (1), le long d'une zone de fragilisation (13) formée au sein de ce substrat (1) par implantation d'espèces atomiques, ladite zone de piégeage (4) étant apte à retenir les espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau des différentes interfaces du substrat hybride (6, 6', 60, 600) et à limiter la formation de défauts à la surface de la couche active (14). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape b) est réalisée de façon à ce que la rugosité minimale de la surface libre (20) de ladite première couche d'isolant (2) soit d'au moins 10 nm RMS pour une surface de balayage de 40 m x 40 m, et en ce que la première couche d'isolant (2) est formée ou déposée de façon à présenter une épaisseur au moins égale à dix fois la valeur de cette rugosité minimale. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la rugosification de la première couche d'isolant (2) est réalisée par gravure chimique. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la gravure chimique est effectuée à l'aide d'une solution de nettoyage standard 1 qui comprend unmélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H202) et d'eau déionisée. 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la gravure est effectuée à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique (HF). 6. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la rugosification de la première couche d'isolant (2) est obtenue en la soumettant à un traitement dans un plasma gazeux contenant au moins l'un des gaz suivants choisis parmi C,tFy, S,Fy, CXHy, le monoxyde de carbone (CO), l'hydrogène, l'argon, des espèces chlorées de type BC13 ou leurs mélanges, en présence éventuelle d'oxygène et/ou d'azote, de façon à créer à sa surface (20) des réactions de polymérisation partielle. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la densité du plasma est comprise entre 107 at/cm3 et 1013 at/cm3 environ. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on 15 effectue une densification de la seconde couche d'isolant (3) par un traitement thermique à au moins 800 C pendant au moins 1 heure. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche d'isolant (2) est formée ou déposée sur le substrat donneur (1) et en ce que l'étape d'implantation d'espèces atomiques, destinée à former la 20 zone de fragilisation (13), est effectuée après le dépôt ou la formation de la première couche d'isolant (2), la rugosification de la première couche d'isolant (2) pouvant se faire avant ou après cette implantation. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la première couche d'isolant (2) est formée ou déposée sur le substrat donneur (1) et en ce 25 que l'étape d'implantation d'espèces atomiques, destinée à former la zone de fragilisation (13), est effectuée après le dépôt de la seconde couche d'isolant (3). 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'isolant constituant la première (2) et/ou la seconde (3) couche d'isolant est un oxyde. 30 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'isolant de la première couche d'isolant (2) est un oxyde, obtenu par oxydation thermique dudit premier substrat (1,5). 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l'isolant de la première couche d'isolant (2) est un oxyde natif. 35 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'isolant de la première (2) et/ou de la seconde (3) couche d'isolant est un oxydede silicium (SiO2), obtenu par dépôt chimique en phase vapeur sous faible pression du type LPCVD, à partir du précurseur tétraéthylorthosilicate (TEOS). 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que les techniques de dépôt de la couche d'isolant (2, 3) sont choisies parmi les dépôts chimiques en phase vapeur du type CVD ou les dépôts chimiques en phase vapeur sous faible pression du type LPCVD. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'isolant constituant la première (2) et/ou la seconde (3) couche d'isolant est un nitrure. 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que l'isolant constituant la première (2) et la seconde (3) couches d'isolant est un oxyde du matériau semi-conducteur constituant la couche active (14), en ce que ladite couche active (14) présente une épaisseur prédéterminée et en ce qu'après l'étape e) on chauffe le substrat hybride dans une atmosphère inerte et/ou réductrice, à une température prédéterminée et pendant une durée prédéterminée, lesdites épaisseur, température et durée prédéterminées étant choisies pour inciter une quantité d'oxygène de la couche d'oxyde (2, 3) à diffuser à travers la couche active (14) plutôt qu'à travers ledit substrat receveur (5), de sorte que l'épaisseur de ladite couche d'oxyde (2, 3) est réduite d'une valeur prédéterminée. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche active (14) est comprise entre environ 25 nanomètres et environ 500 nanomètres, la température prédéterminée est d'environ 1200 C et la durée prédéterminée est comprise entre 5 minutes et 5 heures. 19. Procédé selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que l'épaisseur totale 25 des première (2) et seconde (3) couches d'isolant est comprise entre 1 nm et 50 nm. 20. Procédé selon l'une des revendications 17 à 19, caractérisé en ce que l'épaisseur prédéterminée de la couche active (14) et la température prédéterminée sont choisies pour avoir une vitesse de diminution moyenne des couches d'oxyde (2, 30 3) d'environ 0,05 nm par minute. 21. Procédé selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que le chauffage est poursuivi jusqu'à éliminer complètement la première et la seconde couche d'oxyde (2, 3). 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en 35 ce que l'isolant est de l'oxyde de silicium (SiO2) et en ce que les substrats donneur (1) et receveur (5) sont en silicium (Si).