Brevet FR2902236A1 — publié le 20071214

REALISATION D'UN FILTRE DE COULEURS AMELIORE SUR UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE IMAGEUR COMPORTANT UNE CAVITE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine de la microélectronique et en particulier celui des dispositifs microélectroniques, tels que les imageurs ou capteurs d'images, dotés de composants détecteurs photoélectriques prévus pour produire un courant photoélectrique par absorption d'un rayonnement lumineux visible incident. L'invention prévoit un procédé amélioré de réalisation en couches minces d'au moins un filtre de couleurs sur un tel type de dispositif microélectronique imageur, doté par exemple d'un motif de Bayer, le procédé comprenant la formation d'un premier groupe d'éléments de filtrage de couleurs d'une taille donnée en regard des détecteurs et d'un deuxième groupe d'éléments de filtrage de couleur factices en périphérie du premier groupe d'éléments de filtrage, les éléments de filtrage du deuxième groupe ayant une taille différente de ladite taille donnée. ART ANTÉRIEUR Un dispositif microélectronique imageur ou capteur d'image est généralement formé d'une matrice de pixels et d'au moins un circuit électronique de contrôle formé autour de la matrice. Chaque pixel comprend au moins un détecteur photoélectrique, par exemple une photodiode ou un phototransistor, prévu(e) pour convertir l'énergie de photons incidents sur le pixel en paires électrons-trous. La matrice de pixels également appelée matrice active peut être recouverte notamment d'une couche isolante et d'un filtre trichromatique ou à trois couleurs réalisé sur cette couche isolante. Le filtre de couleur est formé d'éléments de filtrage colorés, aptes respectivement à filtrer une gamme de longueur d'onde du spectre lumineux visible, et peut être par exemple de type RGB (RGB pour Red Green Blue ou rouge vert bleu) ou par exemple de type CMY (CMY pour Cyan Magenta Yellow ou cyan magenta jaune). Les éléments de filtrage peuvent être agencés selon un motif dit de Bayer . Les éléments de filtrage peuvent être également formés de blocs à base d'un polymère ou d'une résine photosensible, et réalisés à l'aide d'au moins un procédé de photolithographie, au cours duquel on insole ladite résine ou le dit polymère par exemple à l'aide d'un rayonnement UV à travers un masque. Après insolation, la résine est développée. Lors de ce développement, une quantité importante de résine est retirée dans des zones du dispositif microélectronique qui ne sont pas situées en regard de la matrice active, par rapport à une quantité de résine retirée dans les zones non actives du dispositif microélectronique qui ne sont pas situées en regard de la matrice active. Cela peut entraîner une mauvaise définition des éléments de filtrage situés en périphérie de la matrice. Pour remédier à ce problème, une méthode connue consiste à former un filtre de couleurs doté d'éléments de filtrage factices ou dummies (selon la terminologie anglo-saxonne) en périphérie, qui ne sont pas situés au dessus et en regard de la matrice active. Une mise en oeuvre particulière d'un dispositif microélectronique imageur ou capteur d'image, prévoit la réalisation d'une matrice active dotée d'un nombre donné de niveaux métalliques d'interconnexions, par exemple de 2 niveaux d'interconnexions, et d'un circuit électronique de contrôle doté d'un nombre de niveaux métalliques d'interconnexions supérieur audit nombre donné, par exemple de 4 niveaux d'interconnexions. Selon cette mise en oeuvre particulière, la couche isolante recouvrant la matrice active et le circuit électronique de contrôle est susceptible de former une cavité dont le fond est situé au-dessus et en regard de la matrice active. Dans ce cas notamment, la formation du filtre de couleurs et en particulier le procédé de photolithographie permettant de définir les blocs de résine pose problème dans la mesure où il est délicat d'obtenir des motifs de résine ayant une bonne définition à la fois à l'intérieur de la cavité et à l'extérieur de la cavité. Par ailleurs, dans un cas où l'on privilégie l'obtention de motifs de résine ayant une bonne définition à l'intérieur de la cavité, un phénomène de décollement de la résine à l'extérieur de la cavité peut survenir. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation en couches minces d'un filtre de couleurs sur un dispositif microélectronique, par exemple tel qu'un imageur ou capteur d'images, ne comportant pas les inconvénients évoqués ci-dessus. L'invention concerne tout d'abord un procédé de réalisation en couches minces d'un filtre de couleurs comprenant : - la formation sur un dispositif microélectronique d'une pluralité d'éléments de filtrage dont plusieurs éléments de filtrage d'un premier type, à base d'au moins un premier matériau et aptes respectivement à filtrer une première gamme de 4 longueurs d'ondes plusieurs éléments base d'au moins respectivement à longueurs d'ondes plusieurs éléments base d'au moins respectivement à du spectre lumineux visible, de filtrage d'un deuxième type à un deuxième matériau et aptes filtrer une deuxième gamme de du spectre lumineux visible, de filtrage d'un troisième type, à un troisième matériau et aptes filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, ladite pluralité d'éléments de filtrage comprenant au moins un premier groupement d'éléments de filtrage ayant une première dimension critique ou une dimension critique appartenant à une première gamme de dimensions critiques formés dans une première région dudit dispositif microélectronique, et au moins un deuxième groupement d'éléments de filtrage ayant une deuxième dimension critique différente de la première dimension critique ou une dimension critique appartenant à une deuxième gamme de dimensions critiques différentes des dimensions critiques de la première gamme, et formés dans une deuxième région dudit dispositif microélectronique, à l'extérieur de ladite première région. On entendra tout au long de la présente description par dimension critique , la dimension minimale d'un motif géométrique réalisé dans une couche mince, hormis la dimension définie par l'épaisseur de cette couche mince. La première région peut être le fond d'une cavité, par exemple formée par une couche du dispositif microélectronique. La deuxième région peut par exemple former un contour fermé autour de ladite cavité. La deuxième dimension critique peut être supérieure à la première dimension critique, ou les dimensions critiques de ladite première gamme de dimension critiques peuvent être supérieures aux dimensions critiques de ladite deuxième gamme de dimensions critiques. Selon une mise en oeuvre possible du procédé, une zone à base du premier matériau ou du deuxième matériau ou du troisième matériau, peut être réalisée entre ledit premier groupement et le dit deuxième groupement. Cela peut permettre de limiter les phénomènes de décollement des éléments de filtrage à proximité des parois verticales de la cavité. Selon une variante, une zone à base d'un matériau transparent différent desdits premier matériau, deuxième matériau et troisième matériau, peut être réalisée entre ledit premier groupement et ledit deuxième groupement. Cela peut également permettre de limiter les phénomènes de décollement des éléments de filtrage à proximité des parois verticales de la cavité. Lesdits éléments de filtrage peuvent être agencés selon un motif de Bayer ou/et d'un motif comprenant deux fois plus d'éléments de filtrage du deuxième type, que d'éléments de filtrage du premier type d'une part, et que d'éléments de filtrage du troisième type d'autre part. Le premier groupement d'éléments de filtrage situé dans la cavité peut être formé en regard d'un ou plusieurs détecteurs photoélectriques dudit dispositif microélectronique. Selon une mise en oeuvre possible, le procédé peut comprendre en outre : la formation d'une pluralité de microlentilles en regard des éléments de filtrage du premier groupement. Selon une possibilité, des microlentilles éventuellement factices ( dummies selon la terminologie anglo-saxonne) peuvent être réalisées en regard des éléments de filtrage du deuxième groupement. L'invention concerne également un dispositif microélectronique comprenant : un filtre de couleurs réalisé en couches minces et doté d'une pluralité d'éléments de filtrage dont plusieurs éléments de filtrage d'un premier type, à base d'au moins un premier matériau et aptes respectivement à filtrer une première gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage d'un deuxième type, à base d'au moins un deuxième matériau, et aptes respectivement à filtrer une deuxième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage d'un troisième type, à base d'au moins un troisième matériau, aptes respectivement à filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, le dispositif microélectronique comprenant au moins une première région comportant un premier groupement d'éléments de filtrage ayant une première dimension critique ou une dimension critique appartenant à une première gamme de dimensions critiques, et au moins une deuxième région, en périphérie de ladite première région, comportant un deuxième groupement d'éléments de filtrage ayant une deuxième dimension critique différente de la première dimension critique ou appartenant à une deuxième gamme de dimensions critiques différentes des dimensions critiques de ladite première gamme de dimensions critiques. La première région peut être le fond d'une cavité par exemple formée par une couche du dispositif microélectronique. La deuxième région peut par exemple former un contour fermé autour de ladite cavité. La deuxième dimension critique peut être supérieure à la première dimension critique ou les dimensions critiques de ladite première gamme de dimensions critiques étant supérieures aux dimensions de ladite deuxième gamme de dimensions critiques. Selon une possibilité, ledit premier groupement et ledit deuxième groupement peuvent être séparés par une zone à base du premier matériau ou du deuxième matériau ou du troisième matériau. Selon une variante, ledit premier groupement et le deuxième groupement peuvent être séparés par une zone à base d'un matériau différent desdits premier matériau, deuxième matériau, et troisième matériau. Selon une mise en oeuvre possible, lesdits éléments de filtrage peuvent être agencés selon un motif de Bayer. Lesdits éléments de filtrage situés dans la cavité peuvent être en regard respectivement d'au moins un détecteur photoélectrique tel qu'une photodiode ou un phototransistor. Le dispositif microélectronique selon invention peut comprendre en outre : une pluralité de microlentilles en regard des éléments de filtrage dudit premier groupement. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 à 4 illustrent des exemples de dispositifs microélectroniques imageurs dotés d'un filtre de couleurs suivant l'invention, en vue de dessus, - les figures 5A à 5H, illustrent un procédé suivant l'invention de réalisation d'un dispositif microélectronique doté d'un filtre de couleurs, - les figures 6A à 6B, illustrent une variante du procédé de réalisation suivant l'invention d'un dispositif microélectronique doté d'un filtre de couleurs, - les figures 7 à 8, illustrent des variantes de dispositifs microélectroniques suivant l'invention dotés d'un filtre de couleurs, Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un dispositif microélectronique doté d'un filtre de couleurs réalisé en couches minces, est illustré en vue de dessus sur la figure 1 et selon une vue en coupe sur la figure 5H. Ce dispositif microélectronique peut être par exemple un imageur ou capteur d'images. Le filtre de couleurs 101 comprend une pluralité d'éléments de filtrage formés sur une couche isolante 102, transparente, par exemple à base de SiO2 ou/et de Si3N4. Le filtre 101 comprend, des éléments de filtrage d'un premier type 110, et aptes à filtrer une première gamme de longueurs d'onde du spectre lumineux visible, par exemple des longueurs d'ondes supérieures à 550 nm. Les éléments de filtrage du premier type 110 peuvent être par exemple sous forme de blocs à base d'un premier matériau 112 tel qu'un polymère ou une résine, coloré(e) ou doté(e) de pigments de coloration, par exemple métalliques. Le premier matériau 112 peut être par exemple une résine de couleur bleue ou comportant des pigments bleus. Le filtre 101 comprend également, des éléments de filtrage d'un deuxième type 120, aptes à filtrer une deuxième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, différente de la première gamme et par exemple des longueurs d'ondes inférieures à 450 nanomètres et supérieures à 650 nanomètres. Les éléments de filtrage du deuxième type 120 peuvent être par exemple sous forme de blocs à base d'un deuxième matériau 122 tel qu'une résine colorée ou pigmentée. Le deuxième matériau 122 peut être par exemple une résine de couleur verte ou comportant des pigments verts. Le filtre 101 comprend également, des éléments de filtrage d'un troisième type 130, aptes respectivement à filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, différente de la première gamme et de la deuxième gamme et par exemple des longueurs d'ondes inférieures à 575 nanomètres. Les éléments de filtrage du troisième type 130 peuvent être par exemple sous forme de blocs à base d'un troisième matériau 132 tel qu'une résine colorée ou pigmentée. Le troisième matériau 132 peut être par exemple une résine de couleur rouge ou comportant des pigments rouges. Les éléments de filtrage 110, 120, 130 peuvent être sous forme de blocs d'épaisseur (mesurée suivant un axe orthogonal au plan de la figure 4) par exemple de l'ordre de 1 micromètre, ou par exemple comprise entre 0,5 et 2 micromètres. Les éléments de filtrage peuvent également avoir un agencement matriciel selon un motif par exemple de type Bayer. Selon une possibilité, le filtre 101 peut être mis en oeuvre avec deux fois plus d'éléments de filtrage du deuxième type 120 que d'éléments de filtrage du troisième type 130 ou d'éléments de filtrage du premier type 110. L'imageur comprend dans une première zone, un circuit optoélectronique 160 également appelé matrice active recouvert par la couche isolante 102 et formé d'une pluralité de pixels ou cellules optoélectroniques 1621r 1622, 1623,..,162, agencées en matrice et comportant respectivement au moins un détecteur photoélectrique 164 tel qu'un phototransistor ou une photodiode ainsi que des interconnexions. Le circuit optoélectronique est formé sur un substrat 100, par exemple semi-conducteur, et comprend un nombre donné k (avec k un nombre entier) de niveaux métalliques d'interconnexions, par exemple deux niveaux métalliques d'interconnexions 166, 168. La matrice active peut être recouverte d'une épaisseur isolante e1 par exemple de l'ordre de 1 micromètre de la couche isolante 102. Dans la première zone se trouve un premier groupement G1 d'éléments de filtrage ayant une première dimension critique dol, par exemple comprise entre 0,5 et 3 pm, ou ayant respectivement une dimension critique appartenant à une première gamme de dimension critique, formés sur la couche isolante 102 au-dessus et en regard de la matrice active (figures 1 et 5H). Dans une deuxième zone de l'imageur, à l'extérieur et autour de la première zone, figure un deuxième groupement G2 d'éléments de filtrage ayant une deuxième dimension critique dc2 ou ayant respectivement une dimension critique appartenant à une deuxième gamme de dimensions critiques différentes des dimensions critiques de ladite première gamme. La deuxième dimension critique dc2 peut être prévue pour être supérieure à la première dimension critique dol. La deuxième dimension critique dc2 peut être par exemple comprise entre 0,5 et 10 pm. Les dimensions critiques de ladite deuxième gamme peuvent être prévues pour être supérieures aux dimensions critiques de ladite première gamme. Les éléments de filtrage du deuxième groupement G2 sont dits factices ou dummies (selon la terminologie anglo-saxonne) et ne sont pas situés au dessus du circuit optoélectronique ou en regard de cellules optoélectroniques. Les éléments de filtrage factices peuvent être formés au-dessus et en regard d'une partie d'un autre circuit électronique (situé dans un bloc référencé 170 sur la figure 8H) de l'imageur, par exemple une partie d'un circuit logique de contrôle de la matrice. Selon une mise en oeuvre particulière, un tel circuit logique 170 peut être réalisé avec p niveaux métalliques d'interconnexions (avec p un nombre entier tel que p>k), par exemple 4 niveaux métalliques d'interconnexions (non représentés) et recouvert d'une épaisseur e2 par exemple de l'ordre de 1 micromètre de la couche isolante 102. La topographie des circuits 160, 170 de l'imageur peut être telle que la couche isolante 102 recouvrant ces circuits forme une cavité 150, par exemple de forme rectangulaire ou de contour réalisant un rectangle, et au fond de laquelle, reposent les éléments du filtrage dudit premier groupement G1. La cavité 150 peut avoir une profondeur par exemple de l'ordre de 1 micromètre. Les éléments de filtrage factices dudit deuxième groupement G2 sont quant à eux disposés à l'extérieur de la cavité 150, et peuvent former une bande rectangulaire autour de la cavité 150. Un espace 154 peut être prévu entre les flancs ou parois verticales 152 de la cavité, et le premier groupement d'éléments de filtrage situés au fond de la cavité 150. Les flancs ou parois verticales 152 de la cavité 150 d'une part, et le premier groupement d'éléments de filtrage d'autre part, peuvent être séparés d'une distance Al comprise par exemple entre 0 et 150 pm. Selon une mise en oeuvre possible, cet espace 154 peut être rempli par un matériau donné différent desdits premier, deuxième et troisième matériaux 112, 122, 132. Un autre espace 158 peut également être prévu entre les bords de la cavité 150, et le deuxième groupement d'éléments de filtrage situés à l'extérieur de la cavité 150. Les bords de la cavité 150 d'une part, et le deuxième groupement G2 d'éléments de filtrage d'autre part, peuvent être séparés d'une distance A2 comprise par exemple entre 0 et 150 pm. Selon une mise en oeuvre possible, cet autre espace 158 peut être rempli par un matériau différent desdits premier, deuxième et troisième matériaux 112, 122, 132. Ledit premier groupement G1 et ledit deuxième groupement G2 peuvent être ainsi séparés d'une zone à base d'un matériau différent desdits premier, deuxième et troisième matériaux 112, 122, 132. Des microlentilles 190 à base d'une résine transparente peuvent être formées au-dessus et en regard des éléments de filtrage du premier groupement G1, par exemple de sorte que chaque élément de filtrage est en regard d'une microlentille. Selon une possibilité (non représentée), des microlentilles 190 factices ou dummies peuvent être également formées au-dessus et en regard des éléments de filtrage du premier groupement G2. Une couche intermédiaire à base d'un matériau transparent 180, par exemple un polymère ou une résine photosensible transparente peut éventuellement être prévue entre les éléments de filtrage 110, 120, 130, et les microlentilles 190. La couche intermédiaire à base de matériau transparent 180 donné peut permettre de compenser d'éventuelles différences de hauteur entre les éléments de filtrage à base du premier matériau 112, les éléments de filtrage à base du deuxième matériau 122, et les éléments de filtrage à base du troisième matériau 132, et à rendre la surface sur laquelle les microlentilles reposent la plus plane possible. Les espaces 154 et 158 peuvent être remplis au moins en partie par le matériau transparent 180 (figure 5H). Les figures 2 et 6B, 3 et 7, 4 et 8, illustrent des variantes du dispositif microélectronique suivant l'invention. Pour une variante illustrée sur les figures 2 et 6B, l'espace 154 entre les flancs ou parois verticales 152 de la cavité, et le premier groupement G1 d'éléments de filtrage situés au fond de la cavité 150, est rempli à base dudit premier matériau 112. L'autre espace 158 entre les bords de la cavité 150, et le deuxième groupement d'éléments de filtrage situés à l'extérieur de la cavité 150 peut également être rempli à base dudit premier matériau 112. Dans une variante illustrée sur les figures 3 et 7, l'espace 154 entre les flancs ou parois verticales 152 de la cavité, et le premier groupement G1 d'éléments de filtrage situés au fond de la cavité 150, est rempli à base dudit deuxième matériau 122. L'autre espace 158 entre les bords de la cavité 150, et le deuxième groupement d'éléments de filtrage situés à l'extérieur de la cavité 150 peut également être rempli à base dudit deuxième matériau 122. Pour une variante illustrée sur les figures 4 et 8, l'espace 154 entre les flancs ou parois verticales 152 de la cavité, et le premier groupement G1 d'éléments de filtrage situés au fond de la cavité 150, est rempli à base dudit troisième matériau 132. L'autre espace 158 entre les bords de la cavité 150, et le deuxième groupement d'éléments de filtrage situés à l'extérieur de la cavité 150 peut également être rempli à base dudit troisième matériau 132. Un exemple de procédé de réalisation en couche minces d'un dispositif microélectronique suivant l'invention doté d'un filtre de couleurs, tel que celui précédemment décrit en liaison avec les figures 1 et 5H, va à présent être donné en liaison avec les figures 5A-5H. Le filtre peut être réalisé par exemple sur un dispositif microélectronique tel qu'un imageur en cours de réalisation et du type de celui précédemment décrit, une fois que la matrice active 160, et le circuit électronique 170 ont été réalisés sur le substrat 100 et que la couche isolante 102 a été déposée sur cette matrice active 160, et sur le circuit électronique 170. Comme cela a été indiqué plus haut, de par l'agencement des circuits 160, 170, la couche isolante 102 recouvrant ces circuits, est susceptible de former une cavité 150 dont le fond est situé en regard de la matrice active 160. La cavité 150 comporte des flancs ou parois verticales 152 de hauteur par exemple de l'ordre de 1 micromètre (figure 5A). Sur la couche isolante 102, on forme, par exemple par dépôt, une couche à base du premier matériau 112, et d'épaisseur comprise par exemple entre 0,5 micromètres et 2 micromètres ou par exemple de l'ordre de 1 micromètre (figure 5B). Ensuite, on insole la couche de premier matériau 112 à l'aide par exemple d'un rayonnement UV et à travers un premier masque. Le premier masque comporte une pluralité de premiers motifs d'une dimension critique donnée et une pluralité de deuxièmes motifs, semblables aux premiers motifs, mais de dimension critique différente de ladite dimension critique donnée. Puis, on développe la couche de premier matériau 112, par exemple de manière à retirer les parties non exposées de cette couche. Après développement, des blocs à base du premier matériau 112 et d'une première dimension critique dc1 ou d'une dimension appartenant à une première gamme de dimensions critiques sont réalisés au fond de la cavité 150, tandis qu'autour de la cavité 150, d'autre blocs à base du premier matériau 112 et d'une deuxième dimension critique dc2 ou d'une dimension critique appartenant à une deuxième gamme de dimensions critiques sont formés (figure 5C). Sur la couche isolante 102 et les blocs à base du premier matériau 112, on forme, par exemple par dépôt, une couche à base du deuxième matériau 122 et d'épaisseur comprise par exemple entre 0,5 micromètres et 2 micromètres ou par exemple de l'ordre de 1 micromètre (figure 5D). Puis, on insole la couche de deuxième matériau 122 à l'aide par exemple d'un rayonnement UV et à travers un deuxième masque comportant des motifs d'une dimension critique donnée et d'autres motifs semblables, mais de dimension critique différente. On développe ensuite la couche de deuxième matériau 122. Après développement, des blocs à base du deuxième matériau 122 et d'une première dimension critique dc1 ou d'une dimension appartenant à une première gamme de dimensions critiques sont réalisés au fond de la cavité 150 à côté de blocs à base du premier matériau 112, tandis que d'autre blocs à base du deuxième matériau 122 à base du deuxième matériau 122 et d'une deuxième dimension critique dc2 ou d'une dimension appartenant à une deuxième gamme de dimensions critiques sont réalisés autour de la cavité 150 à côté de blocs à base du premier matériau 112. Sur la couche isolante 102 et les blocs à base du premier matériau 112, les blocs à base du deuxième matériau 122, on forme ensuite une couche à base du troisième matériau 132 d'épaisseur comprise par exemple entre 0,5 micromètres et 2 micromètres ou par exemple de l'ordre de 1 micromètre (figure 5E). Ensuite, on insole la couche de troisième matériau 132 à l'aide par exemple d'un rayonnement UV et à travers un troisième masque comportant des motifs d'une dimension critique donnée et d'autres motifs semblables, mais de dimension critique différente. Puis, on développe la couche troisième matériau 132. Après développement (figure 5F), des blocs à base du troisième matériau sont réalisés au fond de la cavité 150, et autour de la cavité 150. Les blocs de troisième matériau 132 situés au fond de la cavité ont une dimension critique dc1 tandis que les blocs de troisième matériau 132 situés autour de la cavité ont une dimension critique dc2 (les blocs à base du troisième matériau 132 n'étant pas représentés sur la vue en coupe de la figure 5F). Dans cet exemple de procédé, le premier masque, le deuxième masque, et le troisième masque, comportent des motifs agencés de sorte qu'après les étapes de photolithographie et développement précédemment décrites, le premier matériau 112, le deuxième matériau 122, ainsi que le troisième matériau 132, sont retirés dans une zone située contre les flancs ou parois verticales 152 de la cavité 150, de manière à former un espace 154 entre les éléments de filtrage situés dans la cavité 150 d'une part et les parois 152, et dans une autre zone située au niveau des bords extérieurs de la cavité 150 d'autre part, de manière à former un autre espace 158 entre les éléments de filtrage situés hors de la cavité 150 d'une part et les bords de la cavité 150 d'autre part. Ensuite, on dépose la couche à base de matériau transparent 180 d'épaisseur comprise par exemple entre 0,1 micromètres et 2 micromètres, sur les éléments de filtrage 110, 120, 130 et de manière à combler au moins partiellement les espaces 158 et 154 (figure 5G). Puis, on forme des microlentilles 190 sur les éléments de filtrage situés dans la cavité 150, par dépôt par exemple d'une couche derésine, puis insolation de cette couche de résine à travers un masque (non représenté) et développement, de manière à former un bloc de résine en regard de chacun des éléments de filtrage situés dans la cavité 150. Un traitement thermique de la résine est ensuite effectué de manière à donner aux blocs de résine une forme de demi-sphère (figure 5H). Selon une possibilité (non représentée) des microlentilles factices peuvent être formées en regard des éléments de filtrage situés à l'extérieur de la cavité 150. L'ordre avec lequel les éléments 110, 120, 130, sont réalisés ou avec lequel les couches à base de matériau 112, 122, 132 sont respectivement déposées, peut être différent de celui qui vient d'être décrit. Selon une variante on peut par exemple former tout d'abord les éléments 122 à base du deuxième matériau puis les éléments 112 à base du premier matériau 110 puis les éléments 132 à base du troisième matériau 130. Selon une variante de l'exemple de procédé précédemment décrit, les motifs du premier masque peuvent être prévus de sorte qu'à la suite de l'étape de photolithographie de la couche de premier matériau 112 réalisée à l'aide de ce premier masque, le premier matériau 110 est conservée dans une zone située contre les flancs ou parois verticales 152 de la cavité 150, et dans une autre zone située au niveau des bords extérieurs de la cavité 150 (figure 6A). Ensuite, on effectue les mêmes étapes que lors de l'exemple de procédé précédemment décrit en liaison avec les figures 5D et 5H. A la fin de cette variante procédé, le premier groupement d'éléments de filtrage reposant au fond de la cavité 150 est séparé du deuxième groupement d'éléments de filtrage formés autour de la cavité 150 par une zone à base du premier matériau 112 (figure 6B). Selon une autre variante de procédé, la zone séparant le premier groupement d'éléments de filtrage du deuxième groupe d'éléments de filtrage, peut être réalisée à base du deuxième matériau 122 (figure 7). Selon une autre variante de procédé, la 30 zone séparant le premier groupement d'éléments de filtrage du deuxième groupe d'éléments de filtrage, peut être formée à base du troisième matériau 132 (figure 8). REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation en couches minces d'un filtre de couleurs comprenant : - la formation sur un dispositif microélectronique doté d'au moins une cavité (150) d'une pluralité d'éléments de filtrage dont plusieurs éléments de filtrage d'un premier type (110), à base d'au moins un premier matériau (112) et aptes respectivement à filtrer une première gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage d'un deuxième type (120) à base d'au moins un deuxième matériau (122) et aptes respectivement à filtrer une deuxième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage d'un troisième type (130), à base d'au moins un troisième matériau (132) et aptes respectivement à filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, ladite pluralité d'éléments de filtrage comprenant au moins un premier groupement (G1) d'éléments de filtrage ayant une première dimension critique (dcl) ou une dimension critique (dcl) appartenant à une première gamme de dimensions critiques et formés dans la cavité (150), et au moins un deuxième groupement d'éléments de filtrage ayant une deuxième dimension critique (dc2) différente de la première dimension critique ou une dimension critique (dc2) appartenant à une deuxième gamme de dimensions critiques différentes des dimensions critiques de la première gamme, et formés à l'extérieur de ladite cavité (150). 2. Procédé selon la revendication 1, la deuxième dimension critique (dc2) étant supérieure à la première dimension critique (dol) ou les dimensions critiques de ladite première gamme de dimensions critiques étant supérieures aux dimensions de ladite deuxième gamme de dimensions critiques. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel une zone (154-158) à base du premier matériau (112) ou du deuxième matériau (122) ou du troisième matériau (132), est réalisée entre ledit premier groupement (G1) et le dit deuxième groupement (G2). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel une zone (154-158) à base d'un matériau transparent (180) différent desdits premier matériau (112), deuxième matériau (122) et troisième matériau (132), est réalisée entre ledit premier groupement (G1) et le dit deuxième groupement (G2). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel lesdits éléments de filtrage (110, 120, 130) sont agencés selon un motif de Bayer. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, le premier groupement d'éléments de filtrage (110,120,130) situé dans la cavité (150) étant formé en regard d'un ou plusieurs détecteurs photoélectriques (164) dudit dispositif microélectronique. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant en outre : la formation d'une pluralité de microlentilles (190) en regard des éléments de filtrage (110,120,130) du premier groupement (G1) . 8. Dispositif microélectronique comprenant : un filtre de couleurs réalisé en couches minces et doté d'une pluralité d'éléments de filtrage dont plusieurs éléments de filtrage d'un premier type (110), à base d'au moins un premier matériau (112) et aptes respectivement à filtrer une première gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage d'un deuxième type (120), à base d'au moins un deuxième matériau (122), et aptes respectivement à filtrer une deuxième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage d'un troisième type (130), à base d'au moins un troisième matériau (132), aptes respectivement à filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, le dispositif comprenant au moins une cavité (150) dans laquelle figure un premier groupement (G1) d'éléments de filtrage (110, 120, 130) ayant une première dimension critique (dol) ou une dimension critique appartenant à une première gamme de dimensions critiques, et un deuxième groupement (G2) d'éléments de filtrage (110,120,130) situés à l'extérieur de ladite cavité (150) et ayant une deuxième dimension critique (dc2), différente de la première dimension critique ou appartenant à une deuxième gamme de dimensionscritiques différentes des dimensions critiques de ladite première gamme. 9. Dispositif microélectronique selon la revendication 8, la deuxième dimension critique (dc2) étant supérieure à la première dimension critique (dol) ou les dimensions critiques de ladite première gamme de dimensions critiques étant supérieures aux dimensions de ladite deuxième gamme de dimensions critiques. 10. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel dans ledit premier groupement (G1) et le deuxième groupement (G2) sont séparés par une zone (154-158) à base du premier matériau (112) ou du deuxième matériau (122) ou du troisième matériau (132). 11. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel dans ledit premier groupement (G1) et le deuxième groupement (G2) sont séparés par une zone (154-158) à base d'un matériau transparent (180) différent desdits premier matériau (112), deuxième matériau (122), et troisième matériau (132). 12. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 8 à 11, lesdits éléments de filtrage (110, 120, 130) étant agencés selon un motif de Bayer.30 26 13. Dispositif microélectronique selon l'une des revendication 8 à 12, lesdits éléments de filtrage (110, 120, 130) situés dans la cavité (150) étant en regard respectivement d'au moins un détecteur photoélectrique (158) telle qu'une photodiode ou un phototransistor. 14. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 8 à 13, comprenant en outre : une pluralité de microlentilles (160) en regard d'au moins les éléments de filtrage (110, 120, 130) dudit premier groupement (G1).