Brevet FR2901409A1 — publié le 20071123

Une couche d'isolation de grille 115 est disposée sur le premier substrat comprenant les lignes de signal. La couche d'isolation de grille 115 comprend un premier trou traversant et un second trou traversant, 135a et 135d, qui exposent les parties de la première ligne électrique 110a et de la seconde ligne électrique 110c. Une couche de semi-conducteur 120 est disposée sur la couche d'isolation de grille 115 dans la région du pixel B. Au moins une partie du semi-conducteur correspond à l'électrode de grille 110b. Une électrode de drain 125b et une électrode source 125c sont disposées sur des parties de la couche de semi-conducteur 120. Une couche de contact 125a est disposée sur la couche d'isolation de grille 115 de la région de contact A. La couche de contact 125a est connectée à la première ligne électrique 110a au travers du premier trou traversant 135a. La couche de contact 125a comprend le même matériau que l'électrode de drain 125b et l'électrode source 125c. Une couche de passivation 130 est disposée sur le substrat comprenant la couche de contact 125a, l'électrode de drain et l'électrode source 125b et 125c. La couche de passivation 130 est formée pour exposer la couche de contact 125a et le second trou traversant 135d. Un troisième et un quatrième trous traversants 135b et 135c sont disposés dans la couche de passivation 130 exposant des parties de l'électrode de drain 125b et de l'électrode source 125c. La première ligne métallique 140 est disposée sur l'électrode source 125c et connecte électriquement l'électrode source 125c à la seconde ligne électrique 110c au travers du quatrième trou traversant 135c et du second trou traversant 135d. Une première électrode 155 est disposée sur le second substrat 150 opposé au premier substrat 100. La première électrode 155 peut être une anode. Une couche de définition de pixel 160 est disposée sur la première électrode 155. La couche de définition de pixel 160 comprend un premier trou de contact 165a sur la région de contact A et une ouverture 165b sur la région de pixel B exposant la première électrode 155. Une première entretoise et une seconde entretoise 175a et 175b sont disposées sur la région de contact A et la région de pixel B de la couche de définition de pixel 160, respectivement. Une seconde ligne métallique 180a est disposée sur la première entretoise 175a raccordée à la première électrode 155 au travers du premier trou de contact 165a et une seconde électrode 180b est disposée sur la seconde entretoise 175b et la couche d'émission 170. La seconde électrode 180b peut être une cathode. Le premier substrat 100 est collé avec le second substrat 150 en utilisant un matériau d'étanchéité 190. La seconde ligne métallique 180a est raccordée électriquement à la couche de contact 125a et la seconde électrode 180b est raccordée électriquement à l'électrode de drain 125b disposée sur le premier substrat 100. R:\Brevets\25R00\25890--101(X)6-Demande.dnc - 10 ,clobre 2006- 2/21 Ainsi que cela est décrit ci-dessus, le dispositif électroluminescent est préparé alors que le premier substrat 100 est collé avec le second substrat 150 après leur fabrication respective. Ainsi, la première ligne électrique et l'électrode de drain disposées sur le premier substrat 100 sont respectivement raccordées à la première électrode et à la seconde électrode en utilisant les entretoises 175a et 175b. Il existe une différence de hauteur entre la région de contact A et la région de pixel B du premier substrat 100. Ainsi que cela est illustré en C, sur la figure 1, elle ne permet pas de raccorder la couche de contact 125a du premier substrat 100 à la seconde ligne métallique 180a du second substrat 150. Par conséquent, une tension d'excitation de la première ligne électrique ne peut pas être transmise à la première électrode. Cela affecte désavantageusement la qualité des images et peut détériorer la fiabilité et réduire le rendement du dispositif électroluminescent. Selon l'invention, un dispositif électroluminescent comprend un premier substrat comprenant une région de contact (A) et une région de pixel (B), - des lignes de signal qui sont agencées sur le premier substrat pour définir la région de contact (A) et la région de pixel (B), les lignes de signal comprenant une pluralité de lignes de balayage, au moins une première ligne électrique et une pluralité de secondes lignes électriques, - une couche d'isolation de grille qui est disposée sur les lignes de signal, la couche d'isolation de grille comprenant un premier trou traversant exposant une partie de la pluralité des premières lignes électriques et un second trou traversant exposant des parties de la pluralité de secondes lignes électriques, - une première couche de contact disposée sur la région de contact (A) de la couche d'isolation de grille, - une couche de semi-conducteur disposée sur la région de pixel (B) de la couche d'isolation de grille, - une seconde couche de contact disposée sur la première couche de contact, - une électrode source et une électrode de drain disposées sur des parties de la couche de semi-conducteur, - une première ligne métallique couplée entre la seconde couche de contact et la première ligne électrique au travers du premier trou traversant , et - une seconde ligne métallique couplée entre l'électrode de drain et la seconde ligne électrique au travers du second trou traversant . Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend également : - un second substrat opposé au premier substrat, - une première électrode disposée sur le second substrat, R:\Brevets\25800\25890--101006- Demande.doc - 10 oc0obre 2006 - 3/21 - une couche de définition de pixel qui est disposée sur la première électrode, la couche de définition de pixel comprenant un trou de contact et une ouverture exposant des parties de la première électrode, -une première entretoise disposée sur la région de contact (A) de la couche de définition de pixel, - une seconde entretoise disposée sur la région de pixel (B) de la couche de définition de pixel , - une couche d'émission disposée dans l'ouverture , - une troisième ligne métallique disposée sur la première entretoise , et - une seconde électrode disposée sur la seconde entretoise et la couche d'émission Selon un autre mode de réalisation, la troisième ligne métallique est couplée entre la première électrode disposée sur le second substrat et la seconde couche de contact du premier substrat , et dans lequel la seconde électrode est raccordée électriquement à l'électrode de drain du premier substrat quand le premier substrat est collé au second substrat. Selon un autre mode de réalisation, la hauteur de la première couche de contact est sensiblement la même que la hauteur de la couche de semi-conducteur Selon un autre mode de réalisation, la hauteur de la seconde couche de contact est sensiblement la même que la hauteur de l'électrode source et de l'électrode de drain . Selon un autre mode de réalisation, la première électrode est une anode, et la seconde électrode est une cathode. Selon un autre mode de réalisation, la couche d'émission comprend un maté- riau organique. Selon un autre mode de réalisation, la première ligne électrique est une ligne électrique positive, et la seconde ligne électrique est une ligne électrique négative. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend également une couche de passivation qui est disposée sur la seconde couche de contact , l'électrode source et l'électrode de drain , dans lequel la couche de passivation comprend un troisième trou traversant et un quatrième trou traversant qui exposent les parties de la seconde couche de contact , et un cinquième trou traversant et un cinquième trou traversant qui exposent les parties de l'électrode source et de l'électrode de drain . L'invention propose également un dispositif électroluminescent comprenant : - une première ligne électrique positionnée dans une région de contact (A) d'un premier substrat, - une couche d'isolation disposée sur la première ligne électrique , - une première couche de contact disposée sur la couche d'isolation, R:\Brevets\25800\25890--101006-Demande.doc - 10 octobre 21X)6 - 4/21 - une seconde couche de contact disposée sur la première couche de contact . Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend également : - une électrode de grille positionnée dans une région de pixel (B) du premier substrat, la couche d'isolation de grille étant disposée sur l'électrode de grille , - une seconde ligne électrique positionnée dans la région de pixel (B), la seconde ligne électrique étant positionnée sur le premier substrat et espacée de l'électrode de grille , - une couche de semi-conducteur positionnée sur la couche d'isolation, la couche de semi-conducteur étant positionnée dans la région de pixel (B), - une électrode de drain positionnée sur la couche de semi-conducteur et - une électrode source positionnée sur la couche de semi-conducteur l'électrode source étant espacée de l'électrode de drain . Selon un autre mode de réalisation, la première couche de contact est sensiblement de la même hauteur que la couche de semi-conducteur Selon un autre mode de réalisation, l'électrode source et l'électrode de drain sont sensiblement de la même hauteur que la seconde couche de contact De préférence, la hauteur combinée de la première couche de contact et de la seconde couche de contact est sensiblement de la même hauteur que la hauteur combinée de la couche de semi-conducteur et de l'électrode de drain . L'invention propose également un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent, ledit procédé comprenant : - la préparation d'un premier substrat qui comprend une région de contact (A) et une région de pixel (B), - la formation de lignes de signaux qui comprennent une électrode de grille , une ligne de balayage, une première ligne électrique et une seconde ligne électrique sur le premier substrat de façon à définir la région de contact (A) et la région de pixel (B), - la formation d'une couche d'isolation de grille sur le premier substrat sur laquelle l'électrode de grille et les lignes de signaux sont formées, - la formation d'une première couche de contact et d'une couche de semi-conducteur correspondant à l'électrode de grille sur la région de contact (A) et la région de pixel (B) sur la couche d'isolation de grille, respectivement, - la formation d'une seconde couche de contact sur la première couche de contact , et en même temps, la formation d'une électrode source et d'une électrode de drain sur la couche de semi-conducteur - la formation d'un premier trou traversant et d'un second trou traversant pour exposer des parties de la première ligne électrique et de la seconde ligne électrique dans la couche d'isolation de grille, et R:\Brevets\25800\25890- - 101006- Demande_doc - 10 octobre 2006 - 5/21 la formation d'une première ligne métallique pour raccorder électriquement la première ligne électrique à la seconde couche de contact au travers du premier trou traversant, et la formation d'une seconde ligne métallique pour raccorder électrique-ment la seconde ligne électrique à l'électrode source ou à l'électrode de drain au travers du second trou traversant . Selon un mode de réalisation, le procédé comprend également : - la préparation d'un second substrat qui comprend la région de contact (A) et la région de pixel (B), - la formation d'une première électrode sur le second substrat, - la formation d'une couche de définition de pixel qui comprend un premier trou de contact et une ouverture qui exposent des parties de la première couche d'électrode sur la région de contact (A) et la région de pixel (B) de la première électrode, - la formation d'une couche d'émission dans l'ouverture , - la formation d'une première entretoise et d'une seconde entretoise sur la région de contact (A) et la région de pixel (B) de la couche de définition de pixel, respectivement, -la formation d'une troisième ligne métallique sur la première entretoise pour être raccordée électriquement à la première électrode au travers du premier trou de contact , et la formation d'une seconde électrode sur la couche d'émission et la seconde entretoise , et - la fixation du premier substrat au second substrat de façon à raccorder électriquement la troisième ligne métallique à la seconde couche de contact , et la seconde électrode à l'électrode source ou l'électrode de drain . Selon un autre mode de réalisation, la première couche de contact est formée d'un matériau identique à la couche de semi-conducteur Selon un autre mode de réalisation, la seconde couche de contact est formée d'un matériau identique à l'électrode source et l'électrode de drain . Selon un mode de réalisation, le procédé comprend également : - la formation d'une couche d'isolation intermédiaire sur la seconde couche de contact , l'électrode source et l'électrode de drain , et - la formation d'un troisième et d'un quatrième trous traversants pour exposer le premier trou traversant , le second trou traversant et des parties de la seconde couche de contact, et la formation d'un cinquième trou traversant et d'un cinquième trou traversant pour exposer des parties de l'électrode source et de l'électrode de drain . Selon un mode de réalisation, le procédé comprend également : R:\Brevets\25800\25890--101006-Demande.doc octobre 2(M)6 - 6121 - la formation d'une couche de passivation sur la seconde couche de contact , l'électrode source et l'électrode de drain , -la formation d'un troisième et d'un quatrième trous traversants pour exposer les parties de la seconde couche de contact, la formation du cinquième et du sixième trous traversants pour exposer les parties de l'électrode source et de l'électrode de drain . Selon un autre mode de réalisation, le premier trou traversant au cinquième trou traversant sont formés en même temps par gravure sèche. Selon un autre mode de réalisation, la première électrode comprend au moins l'un de la sélection dans le groupe composé de l'oxyde d'étain d'indium, de l'oxyde de zinc d'indium, d'oxyde de cérium d'indium, d'oxyde de zinc. Selon un autre mode de réalisation, la seconde électrode comprend au moins l'un de la sélection dans le groupe composé de Mg, Ag, Al, Ca et leurs alliages. Selon un autre mode de réalisation, la couche d'émission comprend un maté-riau organique. L'invention sera mieux comprise en référence aux dessins et à la description qui suivent. Les composants sur les figures ne sont pas nécessairement à l'échelle, l'accent étant au contraire mis sur l'illustration des principes de l'invention. De plus, sur les figures, les chiffres de référence identiques désignent des pièces corres- pondantes dans l'ensemble des différentes vues. La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un dispositif électroluminescent selon un art connexe, la figure 2 est une vue en plan d'un dispositif électroluminescent selon un mode de réalisation de la présente invention, la figure 3 est une vue en coupe transversale d'un dispositif électroluminescent selon un mode de réalisation de la présente invention, le long de la ligne I-I' de la figure 2, la figure 4A présente une couche d'isolation de grille formée sur une couche bufférisée et un premier substrat, la figure 4B présente l'ajout d'une première couche de contact et une couche de semi-conducteur sur le premier substrat, la figure 4C présente l'ajout d'une seconde couche de contact et d'une couche de passivation, la figure 4D présente l'ajout d'une première et d'une seconde couches métalli- quel, la figure 4E illustre un second substrat avec une première électrode et une couche de définition de pixel, la figure 4F présente la formation d'entretoises, R:\Brevets\25800\25 8 90--101006-Demande.doc - 10 octobre 2006 - 7121 la figure 4G présente la formation d'une cinquième couche conductrice, la figure 4H illustre le collage du premier substrat avec le second substrat. Sur les dessins, s'il est mentionné qu'une couche est positionnée sur une couche différente ou sur un substrat, la couche peut être formée directement sur la couche différente ou sur le substrat, ou une autre couche peut être interposée entre ceux-ci. La figure 2 est une vue en plan d'un dispositif électroluminescent. Sur la figure 2, le dispositif électroluminescent comprend un pilote de balayage 200, un pilote de données 210, un contrôleur (non présenté), une source électrique (non présentée), et un écran d'affichage 220. Le contrôleur génère les signaux de contrôle. Les signaux de contrôle sont fournis au pilote de balayage 200, au pilote de données 210, et à la source électrique. Le pilote de balayage 200 fournit les signaux de balayage aux lignes de balayage 250 de l'écran d'affichage 220 selon les signaux de contrôle. Le pilote de données 210 transmet les signaux de données aux lignes de données 260 de l'écran d'affichage 220. Les signaux de balayage et les signaux de données peuvent être synchronisés par le contrôleur. La source électrique fournit les tensions à la première et à la seconde lignes électriques 230 et 240 de l'écran d'affichage 220 selon les signaux de contrôle en provenance du contrôleur. L'écran d'affichage 220 comprend une pluralité de pixels P. Chaque pixel peut être dans une région de pixel qui est définie par l'intersection des lignes de données 260 et des lignes de balayage 250. Un pixel P peut comprendre au moins un transistor à couches minces (non présenté) et une diode électroluminescente. La diode électroluminescente comprend une première électrode 270, une couche d'émission (non présentée), et une seconde électrode (non présentée). La première électrode 270 peut être formée comme une électrode commune disposée sur l'ensemble de l'écran d'affichage. La première électrode 270 peut être raccordée électriquement à la première ligne électrique 230. La seconde électrode est raccordée de façon similaire aux transistors à couches minces et à la seconde ligne électrique 240. La figure 3 est une vue en coupe transversale d'un dispositif électroluminescent le long de la ligne I-I' sur la figure 2. Sur la figure 3, une couche bufférisée 305 est disposée sur un premier substrat 300. Les lignes de signal qui peuvent comprendre une ligne de balayage (non présentée), une première ligne électrique 310a, une électrode de grille 310b, et une seconde ligne électrique 310c sont disposées sur la couche bufférisée 305. La première ligne électrique 310a peut être une ligne électri- que positive VDD, et la seconde ligne électrique 310c peut être une ligne électrique négative VSS. Une région de pixel B peut être définie par l'intersection de certaines des lignes de signal, et une région de contact A peut être définie par la position de la première ligne électrique 310a. R:\Brevet.s\25800\25890-- I0) 006-Demande.doc - I ) ) octobre 2006 - 021 Une couche d'isolation de grille 315 est disposée sur le premier substrat 300 comprenant les lignes de signal. Une première couche de contact 320a peut être disposée sur la couche d'isolation de grille 315 dans la région de contact A, et une seconde couche de contact 325a est disposée sur la première couche de contact 320a. Une couche de semi-conducteur 320b peut être disposée sur la couche d'isolation de grille 315 dans la région de pixel B. Une couche de semi-conducteur 320b est placée en relation avec l'électrode de grille 310b. Une électrode de drain 325b et une électrode source 325c peuvent être disposées sur des parties de la couche de semi-conducteur 320b. Dans certains cas, la première couche de contact 320a et la couche de semi-conducteur 320b sont formées du même matériau et sont sensiblement de la même hauteur. De façon similaire, dans certains cas, la seconde couche de contact 325a est formée du même matériau que l'électrode de drain 325b et l'électrode source 325c. De plus, les hauteurs de la seconde couche de contact 325a, de l'électrode de drain 325b, et de l'électrode source 325c peuvent être sensiblement égales. Une couche de passivation 330 est disposée sur le premier substrat 300 comprenant la seconde couche de contact 325a, l'électrode de drain 325b, l'électrode source 325c, et la couche d'isolation de grille 315. Un premier trou traversant 335a expose une partie de la première ligne électrique 310a au travers de la couche d'isolation de grille 315 et de la couche de passivation 330. Un second trou traversant 335f exposé une partie de la seconde ligne électrique 310c au travers de la couche d'isolation de grille 315 et la couche de passivation 330. Un troisième trou traversant 335b et un quatrième trou traversant 335c exposent des parties de la seconde couche de contact 325a au travers de la couche de passivation 330. Un cinquième et un sixième trous traversants 335d et 335e exposent une partie de l'électrode de drain 325b et de l'électrode source 325c au travers de la couche de passivation, respecti- vement. La première ligne métallique 340a raccorde électriquement la première ligne électrique 310a à la seconde couche de contact 325a au travers du premier trou traversant 335a et du troisième trou traversant 335b. La seconde ligne métallique 340b raccorde électriquement l'électrode source 325c et la seconde ligne électrique 310c au travers du sixième trou traversant 335c et du second trou traversant 335f. Ensuite, un second substrat 350 opposé au premier substrat 300 est préparé. Une première électrode 355 est disposée sur un second substrat 350. La première électrode 355 peut être une anode. Une couche de définition de pixel 360 est dispo- sée sur la première électrode 355. Un premier trou de contact 365a et une ouverture 365b sont disposés dans la couche de définition de pixel 360 exposant les parties de la première électrode 355. Le premier trou de contact 365a est disposé sur la région R:\Brevets\258I0)\25R90--101(06-Demande.doc octobre 2006 - 9/21 de contact A, et l'ouverture 365b est disposée sur la région de pixel B. Une couche d'émission 370 est disposée dans l'ouverture 365b. Une première entretoise 375a est disposée sur la région de contact A de la couche de définition de pixel 360, et une seconde entretoise 375b est disposée sur la région de pixel B de la couche de définition de pixel 360. Une troisième ligne métallique 380a est disposée sur la première entretoise 375a, et elle est raccordée électriquement à la première électrode 355 au travers du premier trou de contact 365a. Une seconde électrode 380b est disposée sur la seconde entretoise 375b et la couche d'émission 370. IO Le premier substrat 300 peut être collé au second substrat 350 en utilisant un matériau d'étanchéité 390. Quand le premier substrat 300 et le second substrat 350 sont placés ensemble, la troisième ligne métallique 380a et la seconde électrode 380b sont raccordées électriquement à la seconde couche de contact 325a et à l'électrode de drain 325b. Les raccordements électriques peuvent être réalisés au travers du 15 quatrième trou traversant 335c et du cinquième trou traversant 335d, respectivement. Les figures 4A à 4H sont des vues en coupe transversale qui illustrent la fabrication d'un dispositif électroluminescent. Sur la figure 4A, une couche bufférisée 405 est formée sélectivement sur un premier substrat 400. Le premier substrat 400 peut être formé d'un matériau tel que le verre. La couche bufférisée 405 fournit une 20 protection pour un TFT contre les impuretés telles que les ions alcalis diffusés depuis le premier substrat 400. La couche bufférisée 405 peut être composée d'oxyde de silicium, SiO2, ou de nitrure de silicium, SiNx. Une première couche conductrice est déposée sur la combinaison du premier substrat 400 et de la couche bufférisée 405. La première couche conductrice peut être 25 en Al, alliage d'Al, Mo, alliage de Mo, W, WSi2, et/ou analogues. Les lignes de signal qui comprennent une ligne de balayage, une première ligne électrique 410a, une électrode de grille 410b, et une seconde ligne électrique 410c sont formées en dessinant la première couche conductrice. La première ligne électrique 410a peut être une ligne électrique positive VDD qui conduit une tension positive. La seconde ligne 30 électrique 410c peut être une ligne électrique négative VSS qui conduit une tension négative. Le dispositif électroluminescent des figures 4A à 4H peut être divisé en différentes régions. Une région de pixel B peut être définie par l'intersection des lignes de signal. Une région de contact A peut être définie selon la position de la première ligne électrique 410a. Une couche d'isolation de grille 415 peut être formée 35 sur le premier substrat 400 comprenant les lignes de signal. La couche d'isolation de grille 415 peut être formée d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium, et/ou d'autres matériaux isolants. La couche d'isolation de grille 415 peut comprendre une seule R:\Brevets\25800\25890--101 - Demande.doc 10 octobre 2(0M - I0/21 couche isolante ou elle peut être composée d'une combinaison de matériaux isolants différents. Sur la figure 4B, une couche de silicium amorphe ou une couche de polysilicone est formée sur la couche d'isolation de grille 415. Une première couche de contact 420a est formée dans la région de contact A en dessinant la couche amorphe. Une couche de semi-conducteur 420b est formée sur la couche d'isolation de grille 415 dans la région de pixel B en dessinant la couche amorphe. La couche de semi-conducteur 420b est placée en relation avec l'électrode de grille 410b. La première couche de contact 420a est sensiblement de la même hauteur que celle de la couche de semi-conducteur 420b. Une seconde couche conductrice est déposée sur le premier substrat 400 comprenant la première couche de contact 420a et la couche de semi-conducteur 420b. La seconde couche conductrice peut être un matériau offrant une résistance faible. Dans certains cas, la seconde couche conductrice peut être formée de MoW, Ti, Al, alliage AI et/ou analogues. En dessinant la seconde couche conductrice, une seconde couche de contact 425a est formée sur la première couche de contact 420a, ainsi que cela est illustré sur la figure 4C. Un processus de dessin similaire peut être utilisé pour former une électrode de drain 425b et une électrode source 425c sur des parties de la couche de semi-conducteur 420b. La seconde couche de contact 425a peut être sensiblement de la même hauteur que celle de l'électrode de drain 425b et/ou l'électrode source 425c. De plus, la hauteur combinée de la première et de la seconde couches de contact 420a et 425a peut être sensiblement de la même hauteur que celle de la hauteur combinée de la couche de semi-conducteur 420b et de l'électrode de drain 425b. Une couche de passivation 430 est formée sur le premier substrat 400 comprenant la seconde couche de contact 425a, l'électrode de drain 425b, l'électrode source 425c, et la couche d'isolation de grille 415. Dans certains modes de réalisation, des ouvertures ou des trous traversants sont formés ou créés dans la couche de passivation 430 et/ou la couche d'isolation de grille 415. Ainsi que cela est illustré sur la figure 4C, la couche de passivation 430 a été gravée pour former des trous traversants 435b et 435c, et des trous de contact 435d et 435e. Un premier trou traversant 435a et un second trou traversant 435f peuvent être formés dans la couche d'isolation de grille 415 en gravant des parties de la couche d'isolation de grille 415. En même temps, un troisième et un quatrième trous traversants 435b et 435c exposant des parties de la seconde couche de contact 425a peuvent être formés dans la couche de passivation 430. De façon similaire, un cinquième et un sixième trous de contact 435d et 435e exposant respectivement l'électrode de drain 425b et l'électrode source 425c peuvent être formés dans la couche de passivation430 en gravant des parties de R:'Brevets'25ROO\2589O--IOIOO6-Demande.doc -I f octobre 2O06 - I I/21 la couche de passivation 430. Les trous traversants sont formés sensiblement au même moment par gravure sèche ou les trous traversants peuvent être formés à des moments différents. Sur la figure 4D, une troisième couche conductrice est ajoutée à l'unité secondaire du dispositif électroluminescent. La troisième couche conductrice comprend une première ligne métallique 440a et une seconde ligne métallique 440b. La première ligne métallique 440a raccorde électriquement la première ligne électrique 410a et la seconde couche de contact 425a au travers du premier trou traversant 435a et du troisième trou traversant 435b. La seconde ligne métallique 440b raccorde électriquement l'électrode source 425c et la seconde ligne électrique 410c au travers du sixième trou traversant 435e et du second trou traversant 435f. Sur la figure 4E, un second substrat 450 comprenant une région de contact A et une région de pixel B est préparé. Une quatrième couche conductrice forme une première électrode 455 sur le second substrat 450. La première électrode 455 peut être une anode qui comprend de l'oxyde d'étain d'indium, de l'oxyde de zinc d'indium, d'oxyde de cérium d'indium, d'oxyde de zinc, et/ou analogues. La première électrode 455 peut être transparente et peut avoir un travail d'extraction élevé. La première électrode 455 est formée comme une électrode commune qui n'est pas dessinée selon les pixels respectifs, ainsi que cela est illustré en 270 sur la figure 2. Une couche de définition de pixel 460 est formée sur la première électrode 455 du second substrat 450. Un premier trou de contact 465a et une ouverture 465b sont formés dans la couche de définition de pixel 460 et exposent une ou plusieurs parties de la première électrode 455. Le premier trou de contact 465a et l'ouverture 465b peuvent être formés en dessinant la couche de définition de pixel 460. Le premier trou de contact 465a est disposé dans la région de contact A, alors que l'ouverture 465b est disposée dans la région de pixel B. La figure 4F présente la formation d'espaces et d'une couche d'émission. Sur la figure 4F, un photorésistant est enduit sur la couche de définition de pixel 460 et le photorésistant est dessiné par un procédé de photolithographie pour former une première entretoise 475a et une seconde entretoise 475b. La première entretoise 475a et la seconde entretoise 475b peuvent être formées sur la position qui correspond à la seconde couche de contact 425a et l'électrode de drain 425b du premier substrat 400. Dans certains procédés de fabrication, la première entretoise 475a et la seconde entretoise 475b sont formées en utilisant des matériaux différents des matériaux photorésistants. Une couche d'émission 470 est formée dans l'ouverture 465b. Bien qu'elle ne soit pas présentée, une couche d'injection de trou et/ou une couche de transfert de trou peut être formée entre la première électrode 455 et la couche d'émission 470. De R-Srevets\25800\25890-- I O1(NM-Demande.doc - I O octobre 2006 - 12121 plus, une couche de transfert d'électron et/ou une couche d'injection d'électron peuvent être formées sur la couche d'émission 470. La figure 4G présente la formation d'une cinquième couche conductrice. Sur la figure 4G, une cinquième couche conductrice est formée sur le second substrat comprenant la première entretoise et la seconde entretoise 475a et 475b, le premier trou de contact 465a et la couche d'émission 470. La cinquième couche conductrice peut comprendre des matériaux conducteurs tels que le Mg, Ag, AI, Ca, et/ou leurs alliages. Les matériaux conducteurs de la cinquième couche conductrice peuvent avoir une résistance faible et un travail d'extraction faible. Sur la figure 4G, une troisième ligne métallique 480a et une seconde électrode 480b peuvent être formées en dessinant la cinquième couche conductrice. La troisième ligne métallique 480a est formée sur la première entretoise 475a et elle est raccordée électriquement à la première électrode 455 au travers du premier trou de contact 465a. La seconde électrode 480b est formée sur la seconde entretoise 475b et la couche d'émission 470. La figure 4H présente la fixation d'un premier substrat 400 à un second substrat 450. Un matériau d'étanchéité 490 peut être utilisé pour fixer le premier substrat 400 et ses couches/lignes au second substrat 450 et ses couches/lignes associées. Avec les substrats de fixation assemblés, la troisième ligne métallique 480a et la seconde électrode 480b sont raccordées respectivement à la seconde couche de contact 425a et à l'électrode de drain 425b. Ainsi que cela est décrit ci-dessus, un dispositif électroluminescent est formé dans lequel il n'y a sensiblement pas de différence de hauteur entre la première et la seconde couches de contact dans la région de contact A montée sur le premier substrat et la couche de semi-conducteur et l'électrode de drain dans la région de pixel B montée sur le premier substrat. Par conséquent, la première ligne électrique est raccordée à la première électrode quand le premier substrat est collé au second substrat. Par conséquent, la première électrode peut recevoir une tension d'excitation de la première ligne électrique. Cela peut améliorer la qualité des images et le rendement et la fiabilité du dispositif électroluminescent. Bien que la présente invention ait été décrite en référence à des modes de réalisation, ceux-ci n'ont été donnés qu'à titre d'exemples non limitatifs et par conséquent, l'invention ne saurait être limitée à ceux-ci, mais porte également sur nombre de modifications et de variantes entrant dans la portée des revendications jointes. 12:ABrevet.sA25800A25890--101000-Demande.doc- IO octobre 20(16 - 13/21 REVENDICATIONS 1. Dispositif électroluminescent comprenant : - un premier substrat (300, 400) comprenant une région de contact (A) et une région de pixel (B), -des lignes de signal qui sont agencées sur le premier substrat (300, 400) pour définir la région de contact (A) et la région de pixel (B), les lignes de signal comprenant une pluralité de lignes de balayage (250), au moins une première ligne électrique (230, 310a, 410a), et une pluralité de secondes lignes électriques (230, 310a, 410a), - une couche d'isolation de grille (315, 415) qui est disposée sur les lignes de signal, la couche d'isolation de grille (315, 415) comprenant un premier trou traversant (335a, 435a) exposant une partie de la pluralité des premières lignes électriques (230, 310a, 410a), et un second trou traversant (335f, 435f) exposant des parties de la pluralité de secondes lignes électriques (230, 310a, 410a), - une première couche de contact (320a, 420a) disposée sur la région de contact (A) de la couche d'isolation de grille (315, 415), - une couche de semi-conducteur (320b, 420b) disposée sur la région de pixel (B) de la couche d'isolation de grille (315, 415), - une seconde couche de contact (325a, 425a) disposée sur la première couche de contact (320a, 420a) (320a, 420a), - une électrode source (325c, 425c) et une électrode de drain (325b, 425b) disposées sur des parties de la couche de semi-conducteur (320b, 420b), - une première ligne métallique (340a, 440a) couplée entre la seconde couche de contact (325a, 425a) et la première ligne électrique (230, 310a, 410a) au travers du premier trou traversant (335a, 435a), et - une seconde ligne métallique (340b, 440b) couplée entre l'électrode de drain (325b, 425b) et la seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) au travers du second trou traversant (335f, 435f). 2. Dispositif électroluminescent selon la revendication 1, comprenant également : - un second substrat (350, 450) opposé au premier substrat (300, 400), - une première électrode (270, 355, 455) disposée sur le second substrat (350, 35 450), - une couche de définition de pixel (360, 460) qui est disposée sur la première électrode (270, 355, 455), la couche de définition de pixel (360, 460) comprenant un R,'Brevets125800\25890--101006-Demande.doc - I O nclobre 2006 - 14/21trou de contact (365a, 465a) et une ouverture (365b, 465b) exposant des parties de la première électrode (270, 355, 455), - une première entretoise (375a, 475a) disposée sur la région de contact (A) de la couche de définition de pixel (360, 460), - une seconde entretoise (375b, 475b) disposée sur la région de pixel (B) de la couche de définition de pixel (360, 460), - une couche d'émission (370, 470) disposée dans l'ouverture (365b, 465b), - une troisième ligne métallique (380a, 480a) disposée sur la première entre-toise (375a, 475a), et - une seconde électrode (380b, 480b) disposée sur la seconde entretoise (375b, 475b) et la couche d'émission (370, 470). 3. Dispositif électroluminescent selon la revendication 2, dans lequel la troisième ligne métallique (380a, 480a) est couplée entre la première électrode (270, 355, 455) disposée sur le second substrat (350, 450) et la seconde couche de contact (325a, 425a) du premier substrat (300, 400), et dans lequel la seconde électrode (380b, 480b) est raccordée électriquement à l'électrode de drain (325b, 425b) du premier substrat (300, 400) quand le premier substrat (300, 400) est collé au second substrat (350, 450). 4. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la hauteur de la première couche de contact (320a, 420a) est sensiblement la même que la hauteur de la couche de semi-conducteur (320b, 420b). 5. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la hauteur de la seconde couche de contact (325a, 425a) est sensiblement la même que la hauteur de l'électrode source (325c, 425c) et de l'électrode de drain (325b, 425b). 6. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel la première électrode (270, 355, 455) est une anode, et la seconde électrode (380b, 480b) est une cathode. 7. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendica-tions 2 à 6, dans lequel la couche d'émission (370, 470) comprend un matériau orga- nique. R:\Brevets\258OO\2589O-I01006-Demande.doc - 1O octobre 2006 - 15/21 8. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première ligne électrique (230, 310a, 410a) est une ligne électrique positive, et la seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) est une ligne électrique négative. 9. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant également une couche de passivation (330, 430) qui est disposée sur la seconde couche de contact (325a, 425a), l'électrode source (325c, 425c) et l'électrode de drain (325b, 425b), dans lequel la couche de passivation (330, 430) comprend un troisième trou traversant (335b, 435b) et un quatrième trou traversant ( 335c) qui exposent les parties de la seconde couche de contact (325a, 425a), et un cinquième trou traversant (335d) et un cinquième trou traversant (335c, 435c) qui exposent les parties de l'électrode source (325c, 425c) et de l'électrode de drain (325b, 425b). 10. Dispositif électroluminescent comprenant : - une première ligne électrique (230, 310a, 410a) positionnée dans une région de contact (A) d'un premier substrat (300, 400), - une couche d'isolation (315, 415) disposée sur la première ligne électrique 20 (230, 310a, 410a), - une première couche de contact disposée sur la couche d'isolation (315, 415), - une seconde couche de contact (325a, 425a) disposée sur la première couche de contact (320a, 420a) (320a, 420a). 25 11. Dispositif électroluminescent selon la revendication 10, comprenant également : - une électrode de grille (310b, 410b) positionnée dans une région de pixel (B) du premier substrat (300, 400), la couche d'isolation de grille (315, 415) étant disposée sur l'électrode de grille (310b, 410b), 30 - une seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) positionnée dans la région de pixel (B), la seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) étant positionnée sur le premier substrat (300, 400) et espacée de l'électrode de grille (310b, 410b), - une couche de semi-conducteur (320b, 420b) positionnée sur la couche d'isolation (315, 415), la couche de semi-conducteur (320b, 420b) étant positionnée 35 dans la région de pixel (B), - une électrode de drain (325b, 425b) positionnée sur la couche de semi-conducteur (320b, 420b), et R:\Brevets\25R00\25 8 90--1 01006-Demande.doc - 10 octobre 2006 - 16/21- une électrode source (325c, 425c) positionnée sur la couche de semi-conducteur (320b, 420b), l'électrode source (325c, 425c) étant espacée de l'électrode de drain (325b, 425b). 12. Dispositif électroluminescent selon la revendication 11, dans lequel la première couche de contact est sensiblement de la même hauteur que la couche de semi-conducteur (20b, 420b). 13. Dispositif électroluminescent selon la revendication 11 ou 12, dans lequel l'électrode source (325c, 425c) et l'électrode de drain (325b, 425b) sont sensi- blement de la même hauteur que la seconde couche de contact (325a, 425a). 14. Dispositif électroluminescent selon la revendication 11, dans lequel la hauteur combinée de la première couche de contact (320a, 420a) de la seconde couche de contact (325a, 425a) est sensiblement de la même hauteur que la hauteur combinée de la couche de semi-conducteur (320b, 420b) et de l'électrode de drain (325b, 425b). 15. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent, ledit 20 procédé comprenant : - la préparation d'un premier substrat (300, 400) qui comprend une région de contact (A) et une région de pixel (B), - la formation de lignes de signaux qui comprennent une électrode de grille (310b, 410b), une ligne de balayage, une première ligne électrique (230, 310a, 410a) 25 et une seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) sur le premier substrat de façon à définir la région de contact (A) et la région de pixel (B), - la formation d'une couche d'isolation de grille (315, 415) sur le premier substrat (300, 400) sur laquelle l'électrode de grille et les lignes de signaux sont formées, 30 - la formation d'une première couche de contact (320a, 420a) et d'une couche de semi-conducteur (320b, 420b) correspondant à l'électrode de grille (310b, 410b) sur la région de contact (A) et la région de pixel (B) sur la couche d'isolation de grille (315, 415), respectivement, - la formation d'une seconde couche de contact (325a, 425a) sur la première 35 couche de contact (320a, 420a), et en même temps, la formation d'une électrode source (325c, 425c) et d'une électrode de drain (325b, 425b) sur la couche de semi-conducteur , R:Brevets\25110O\2589O--If Il O06- Demande.doc - IO octobre 2006 17/21-la formation d'un premier trou traversant (335a, 435a) et d'un second trou traversant (335f, 435f) pour exposer des parties de la première ligne électrique (230, 310a, 410a) et de la seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) dans la couche d'isolation de grille (315, 415), et - la formation d'une première ligne métallique (340a, 440a) pour raccorder électriquement la première ligne électrique ( 230, 310a, 410a) à la seconde couche de contact (325a, 425a) au travers du premier trou traversant et la formation d'une seconde ligne métallique (40b, 440b) pour raccorder électriquement la seconde ligne électrique (230, 310a, 410a) à l'électrode source ) ou à l'électrode de drain (325b, l0 425b) au travers du second trou traversant (335f, 435f). 16. Procédé de fabrication du dispositif électroluminescent selon la revendication 15, comprenant également : - la préparation d'un second substrat (350, 450) qui comprend la région de 15 contact (A) et la région de pixel (B), - la formation d'une première électrode (270, 355, 455) sur le second substrat (350, 450), - la formation d'une couche de définition de pixel (360, 460) qui comprend un premier trou de contact (365a, 465a) et une ouverture (365b, 465b) qui exposent des 20 parties de la première couche d'électrode sur la région de contact (A) et la région de pixel (B) de la première électrode , - la formation d'une couche d'émission (370, 470) dans l'ouverture (365b, 465b), - la formation d'une première entretoise (375a, 475a) et d'une seconde entre- 25 toise (375b, 475b) sur la région de contact (A) et la région de pixel (B) de la couche de définition de pixel (360, 460), respectivement, - la formation d'une troisième ligne métallique (380a, 480a) sur la première entretoise (375a, 475a) pour être raccordée électriquement à la première électrode (270, 355, 455) au travers du premier trou de contact (365a, 465a), et la formation 30 d'une seconde électrode (380b, 480b) sur la couche d'émission (370, 470) et la seconde entretoise (375b, 475b), et - la fixation du premier substrat (300, 400) au second substrat (350, 450) de façon à raccorder électriquement la troisième ligne métallique (380a, 480a) à la seconde couche de contact (325a, 425a), et la seconde électrode (380b, 480b) à 35 l'électrode source (325c, 425c) ou l'électrode de drain (325b, 425b). R:1Brevets\251100\25 890--101006-Demande.doc - 10 octobre 2006 -18121 17. Procédé de fabrication du dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 15 ou 16 dans lequel la première couche de contact est formée d'un matériau identique à la couche de semi-conducteur (320b, 420b). 18. Procédé de fabrication du dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, dans lequel la seconde couche de contact (325a, 425a) est formée d'un matériau identique à l'électrode source (325c, 425c) et l'électrode de drain (325b, 425b). 19. Procédé de fabrication du dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 15 à 18, comprenant également : - la formation d'une couche d'isolation intermédiaire sur la seconde couche de contact (325a, 425a), l'électrode source (325c, 425c) et l'électrode de drain (325b, 425b), et - la formation d'un troisième et d'un quatrième trous traversants (335c) pour exposer le premier trou traversant (335a, 435a), le second trou traversant et des parties de la seconde couche de contact (325a, 425a), et la formation d'un cinquième trou traversant (335d) et d'un cinquième trou traversant (335c, 435c) pour exposer des parties de l'électrode source (325c, 425c) et de l'électrode de drain. 20. Procédé de fabrication du dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 15 à 19, comprenant également : - la formation d'une couche de passivation (330, 430) sur la seconde couche de contact (325a, 425a), l'électrode source (325c, 425c) et l'électrode de drain , - la formation d'un troisième et d'un quatrième trous traversants pour exposer les parties de la seconde couche de contact (325a, 425a), et - la formation du cinquième et du sixième trous traversants pour exposer les parties de l'électrode source et de l'électrode de drain (325b, 425b). 21. Procédé de fabrication de dispositif électroluminescent selon la revendication 20, dans lequel le premier trou traversant (335a, 435a) au cinquième trou traversant (335c, 435c) sont formés en même temps par gravure sèche. 22. Procédé de fabrication de dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 16 à 21, dans lequel la première électrode (270, 355, 455) comprend au moins l'un de la sélection dans le groupe composé de l'oxyde d'étain d'indium, de l'oxyde de zinc d'indium, d'oxyde de cérium d'indium, d'oxyde de zinc. R:\Brevets\258OO\2589O--1O1OO6-Demande.doc - IO octobre 2006 - 19/31 5 23. Procédé de fabrication de dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 16 à 22, dans lequel la seconde électrode (380b, 480b) comprend au moins l'un de la sélection dans le groupe composé de Mg, Ag, Al, Ca et leurs alliages. 24. Procédé de fabrication de dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 16 à 23, dans lequel la couche d'émission (370, 470) comprend un matériau organique. 12:\Brevets\25800\25 890--101 006-Demande.doc - IO octobre 2006 - 20/21