Brevet FR2900288A1 — publié le 20071026

La présente invention concerne les techniques de commande des régulateurs de tension, et plus particulièrement de commande des régulateurs de tension afin de prolonger la durée de vie des batteries. Les alimentations par batterie sont utilisées dans une grande variété d'applications. Souvent une alimentation par batterie doit être régulée avant d'être utilisée dans un système. Par exemple, un système en exemple qui utilise des régulateurs de tension dans un système d'alimen- tation par batterie 100 est représenté sur la figure 1. Comme représenté sur la figure 1, une source d'alimentation en courant alternatif (AC) peut être obtenue depuis un adaptateur AC 110 qui peut être couplé, par exemple, au réseau électrique AC public. Une batterie 120 est éga- lement fournie pour délivrer une source d'alimentation par batterie. Comme ceci est connu dans la technique, des commutateurs 112, 114 et 116 et un régulateur de charge 130 peuvent être fournis pour sélectionner une alimentation AC depuis l'adaptateur AC 110 ou une alimentation par batterie depuis la batterie 120 pour délivrer le courant au rail d'alimentation Vin 125. Comme ceci est également connu, les commutateurs peuvent être également commandés pour délivrer une charge de la batterie. Par exemple, des systèmes d'alimentation AC et alimentés par batterie sont décrits dans la Demande de Brevet en cours des États-Unis N 11/058 781 déposée le 16 février 2005, intitulée "Systems and Methods for Integration of Charger Regulation Within a Battery System" au nom de Luo et autres. Comme représenté sur la figure 1, le rail d'alimentation électrique Vin 125 peut être agencé dans un certain nombre de régulateurs de tension 140. Dans des applications typiques, le rail Vin 125 peut aller de 9 à 20 volts. Par exemple, lorsque l'adaptateur AC 110 utilise la tension d'entrée nominale, le niveau de Vin 125 peut être de 19,5 V. Cependant, lorsque le système d'alimentation électrique est supporté par la batterie, le niveau de tension d'entrée minimum peut être aussi faible que 9 V. Les régulateurs de tension 140 convertissent le niveau de tension du rail Vin 125 en tensions nécessaires requises par des charges du système d'alimentation par batterie 100 telles qu'un processeur, des jeux de puce, une mémoire à double débit de données (DDR) et des cartes graphiques. Par exemple, comme représenté sur la figure 1, les régulateurs de tension 140 sont utilisés pour fournir un certain nombre de rails d'alimentation électrique régulée allant de 0,9 V à 5 V. Le nombre, les types, et les niveaux de tension de sortie des régulateurs représentés sur la figure 1 sont simplement en exemple et peuvent va- rier en fonction de l'application et des besoins de l'utilisateur. Un type de régulateur en exemple dans le-quel le procédé introduit dans la présente description peut être utilisé est un régulateur de tension de commutation générale dans lequel un Transistor MOSFET (Tran- sistor à Effet de Champ Semi-Conducteur à Oxyde Métallique) est utilisé en tant que commutateur de commande électrique. Dans un mode de réalisation en exemple, les régulateurs de tension peuvent être des régulateurs de tension de "Compensation". Les régulateurs de tension de compensation ou "abaisseur" sont des régulateurs qui sont généralement connus pour avoir une tension de sortie qui est inférieure à une tension d'entrée. Des régulateurs de tension en exemple utilisent des contrôleurs tels que le Intersil ISL88550A, le Maxim MAX8743 et le Texas Instru- ments TPS51116. Les régulateurs de tension en exemple ont une caractéristique commune qui est que deux tensions d'alimentation de + 5 V auxiliaires sont nécessaires pour supporter des opérations de circuit d'attaque et de circuit de commande dans le contrôleur. Parmi ces deux ten- sions d'alimentation, une tension d'alimentation de + 5 V appelée VCC ou AVDD est celle après un filtre RC. Cependant, on va reconnaître que les concepts décrits ici sont appropriés à une large gamme d'autres types de régulateurs et que les régulateurs décrits ici le sont simple- ment à titre d'exemple. Comme représenté sur la figure 1, les régulateurs de tension peuvent recevoir des entrées d'alimentation en plus de l'entrée de circuit d'alimentation de rail Vin qui est régulée. Ainsi, par exemple, comme représenté, une entrée d'alimentation Vdd 142 peut être utilisée et une entrée d'alimentation Vcc 144 filtrée par un filtre RC après Vdd peut également être utilisée. Comme représenté de manière plus détaillée eu égard à la figure 2, l'entrée d'alimentation Vdd 142 peut agir en tant qu'alimentation pour le circuit d'attaque de grille MOSFET et l'entrée d'alimentation Vcc 144 peut agir en tant qu'alimentation pour le circuit de commande analogique et/ou numérique dans le régulateur. La figure 2 représente une application en exemple pour un régulateur 140. Comme représenté sur la figure 2, le régulateur 140 peut inclure un circuit intégré de régulateur 210, des transistors MOSFET de puissance 220 et 222 et une sortie de système régulateur 230. Les rails d'alimentation en courant Vin 125, Vdd 142 et Vcc 144 sont fournis au circuit intégré de régulateur 210, comme représenté. Les transistors MOSFET 220 et 222 sont commandés par les sorties de circuit d'attaque de grille 221 et 223, respectivement. La source du transistor MOSFET 220 et le drain du transistor MOSFET 222 sont également cou- plés au circuit intégré de régulateur 210 au niveau de la broche LX 225 comme représenté. La broche de sortie OUT 226 détecte la tension de sortie pour déterminer si le régulateur fonctionne normalement, sinon une action de protection peut être entreprise par le circuit de corn- mande à l'intérieur du contrôleur. La broche FB 228 déli- ' 4 vre une rétroaction à l'unité de commande via un diviseur de tension (non représenté). L'unité de commande va comparer le signal de rétroaction à une tension de référence préétablie pour déterminer la durée ponctuelle pour le MOSFET de commutation du côté haut 220 et le MOSFET du côté bas. Le régulateur de tension en exemple 140 peut utiliser, par exemple, un circuit intégré de régulateur de tension Maxim MAX8550. Comme représenté sur la figure 2, un circuit d'attaque 240 peut être fourni pour déli- vrer les tensions de sortie au circuit d'attaque de grille. L'unité de commande 250 peut délivrer les signaux de commande pour commander l'unité d'attaque 240 de manière appropriée en réponse aux signaux sur les broches OUT 226 et FB 228. L'alimentation Vdd 142 peut être déli- urée en tant qu'alimentation pour l'unité d'attaque 240 et l'alimentation Vcc 144 après un filtre RC sur Vdd peut être délivrée en tant qu'alimentation pour l'unité de commande 250. Le rendement électrique du régulateur 140 est dépendant {entre autres choses) de la perte de conduction du transistor MOSFET. En particulier, la résistance drain-source Rds(on) du transistor MOSFET 222 peut fortement affecter le rendement global du système d'alimentation électrique globale et affecter en conséquence la durée de vie de la batterie utilisée dans ces systèmes. Il serait souhaitable de fournir des techniques qui améliorent le rendement des systèmes d'alimentation électrique, en particulier le rendement de régulation de tension. Comme représenté sur la figure 1, le système d'alimenta- tion électrique supporté par batterie peut être utilisé pour générer une variété de tensions de sortie de système telles que des rails de tension CPU, des rails de tension système, des rails de tension de jeu de puces, des rails de tension de mémoire, des rails de tension de carte gra- phique, etc. Ces tensions -de sortie sont souvent utili- sées pour des systèmes de traitement d'informations. Du fait de la valeur et de l'utilisation croissantes des in-formations, les individus et les entreprises cherchent des moyens supplémentaires pour traiter et mémoriser des informations. L'un des choix mis à la disposition des utilisateurs concerne les systèmes de traitement d'informations. Un système de traitement d'informations d'une manière générale traite, compile, mémorise et/ou communique des informations ou des données à des fins commercia- les, personnelles ou autres, de manière à permettre aux utilisateurs d'exploiter la valeur des informations. Du fait que les besoins et impératifs en termes de technologie et de traitement d'informations varient entre utilisateurs ou applications, les systèmes de traitement d'in- formations peuvent également varier en fonction du type d'informations qui sont traitées, de la manière selon la-quelle les informations sont traitées, de la quantité d'informations qui sont traitées, mémorisées, ou communiquées et du degré de rapidité et d'efficacité avec lequel les informations peuvent être traitées, mémorisées ou communiquées. Les variations des systèmes de traitement d'informations permettent que les systèmes de traitement d'informations soient généraux ou configurés pour un utilisateur spécifique ou une utilisation spécifique telle que le traitement de transactions financières, les réservations de vols, le stockage de données d'entreprises ou les communications globales. De plus les systèmes de traitement d'informations peuvent inclure une variété de composants matériels et logiciels qui peuvent être confi- gurés pour traiter, mémoriser et communiquer des informations et peuvent inclure un ou plusieurs systèmes informatiques, systèmes de mémorisation de données, et systèmes de gestion de réseau. Un procédé et un système sont décrits pour améliorer le rendement d'un système d'alimentation électrique par bat- É terie. Plus particulièrement, un procédé et un système sont proposés pour améliorer le rendement de régulation de tension pour un système dans lequel la tension d'entrée qui doit être régulée peut largement varier. Dans les techniques décrites, la tension d'alimentation qui est utilisée pour le circuit de commande d'attaque des régulateurs de tension varie en relation avec des variations de la tension d'entrée. Ainsi, dans un mode de réalisation, la tension d'alimentation qui est utilisée pour le circuit qui attaque une grille-borne de commande d'un transistor MOSFET du circuit de régulation peut varier en relation avec les variations de la tension d'entrée. Par exemple, une relation inverse peut être établie entre le niveau de tension d'entrée et le niveau de ten- sion qui est utilisé pour le circuit d'attaque de grille qui commande les grilles des transistors MOSFET de régulateur. Dans un mode de réalisation, un procédé pour prolonger la durée de vie de batterie d'une source de batterie dans un système d'alimentation électrique par batterie ayant une régulation de tension est proposé. Le procédé peut comporter la délivrance d'une première tension d'alimentation à réguler, la première tension d'alimentation étant générée au moins à certains instants depuis une source de batterie. En outre, un régulateur de tension qui reçoit la première tension d'alimentation est agencé et une tension de commande d'attaque de sortie variable qui varie au moins en partie en relation avec le niveau de tension de la première tension d'alimentation est générée. La va- riation de la tension de commande d'attaque de sortie en relation avec le niveau de tension de la première tension d'alimentation prolonge la durée de vie de la batterie. Dans un autre mode de réalisation, un procédé pour commander la tension de commande d'attaque de sortie d'un régulateur de tension est proposé. Le procédé comporte la délivrance d'une première tension d'alimentation à réguler par le régulateur de tension et l'utilisation d'une tension d'unité de commande en tant qu'alimentation d'unité de commande pour au moins une partie du circuit de commande du régulateur de tension. Le procédé comporte en outre l'utilisation d'une tension d'unité d'attaque en tant qu'alimentation électrique d'unité d'attaque pour au moins une partie du circuit d'attaque du régulateur de tension, le circuit d'attaque commandant un signal d'at- taque qui commande un transistor de sortie du régulateur de tension. Le procédé inclut en outre de faire varier la tension d'unité d'attaque de sorte que le niveau de tension d'unité d'attaque est dépendant au moins en partie du niveau de tension de la première tension d'alimenta- tion ; et de délivrer une tension de sortie régulée de- puis le régulateur de tension. Le rendement du régulateur de tension dépend de la tension d'unité d'attaque. Dans encore un autre mode de réalisation, un système de traitement d'informations est proposé. Le système peut comporter une première tension d'alimentation, la première tension d'alimentation étant générée au moins à certains instants depuis une source de batterie, la première tension d'alimentation a un niveau de tension variable. Le système inclut en outre un régulateur de ten- sion, le régulateur de tension étant couplé à la première tension, le régulateur de tension régulant la première tension pour délivrer une tension de sortie de régulateur de tension. Le système peut en outre inclure une deuxième tension d'alimentation, la deuxième tension d'alimenta- tion étant utilisée par au moins une partie du circuit de commande du régulateur de tension. Le système comporte en outre une troisième tension d'alimentation variable, la troisième tension d'alimentation étant utilisée par au moins une partie du circuit d'attaque du régulateur de tension, le circuit d'attaque délivrant un signal de com-mande couplé à la borne de commande d'un transistor de sortie du régulateur de tension. Un niveau de tension de la troisième tension d'alimentation variable dépend d'un niveau de tension de la première tension d'alimentation. On doit noter que les dessins annexés illustrent unique-ment des modes de réalisation en exemple de la présente invention et, par conséquent, ne doivent pas être considérés comme limitant sa portée, la présente invention pouvant admettre aussi bien d'autres modes de réalisation efficaces. La présente invention va être mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 représente un système de traitement d'in-15 formations de la technique antérieure ayant une ali- mentation par batterie et une régulation de tension, ù la figure 2 représente un régulateur de tension de la technique antérieure, - la figure 3 représente un circuit en exemple pour un 20 système de traitement d'informations ayant une alimen- tation par batterie et une commande de tension d'atta-que adaptative des régulateurs de tension, ù la figure 4 représente un régulateur de tension ayant des tensions d'alimentation délivrées conformément aux 25 techniques décrites ici, ù la figure 5 représente un circuit en exemple à utiliser pour définir de manière adaptative la commande de tension d'attaque. La figure 3 représente un exemple d'un système d'alimen- 30 tation par batterie 300 qui peut être utilisé dans un système de traitement d'informations pour tirer avantage des techniques décrites ici. Dans le but de la présente description, un système de traitement d'informations peut inclure tout dispositif ou ensemble de dispositifs fonc- 35 tionnels pour calculer, classer, traiter, émettre, rece- voir, récupérer, envoyer, commuter, mémoriser, afficher, manifester, détecter, enregistrer, reproduire, gérer ou utiliser toute forme d'information, de renseignement ou de données à des fins commerciales, scientifiques, de commande ou autres. Par exemple, un système de traitement d'informations peut être un ordinateur individuel, un dispositif de mémorisation de réseau ou tout autre dispositif adapté et peut varier en taille, forme, performance, fonctionnalité et prix. Le système de traitement d'informations peut inclure une mémoire à accès direct (RAM), une ou plusieurs ressources de traitement telles qu'une unité centrale de traitement (CPU) ou une logique de commande matérielle ou logicielle, une mémoire à lecture seule (ROM) et/ou d'autres types de mémoire non vo- latile. Des composants supplémentaires du système de traitement d'informations peuvent inclure une ou plu-sieurs unités de disque, un ou plusieurs ports réseau pour communiquer avec des dispositifs externes ainsi que divers dispositifs d'entrée et de sortie (E/S), tels qu'un clavier, une souris et un afficheur vidéo. Le système de traitement d'informations peut également inclure un ou plusieurs bus opérationnels pour transmettre des communications entre les divers composants matériels. Le système d'alimentation par batterie 300 de la figure 3 assure une durée de vie des batteries améliorée en améliorant le rendement de régulation de tension comparativement aux systèmes de la technique antérieure, même lorsque la tension d'entrée dans les régulateurs de tension varie largement. Dans les techniques décrites, la tension d'alimentation Vdd qui est utilisée pour le circuit de commande d'attaque des régulateurs de tension va-rie en relation avec les variations de la tension d'entrée Vin. Dans un exemple, une relation inverse peut être établie entre le niveau de tension d'entrée et le niveau de tension d'alimentation Vdd qui est utilisé pour le circuit d'attaque de grille qui commande les grilles des transistors de sortie de régulateur. Les techniques décrites ici fournissent une durée de vie de batterie améliorée en améliorant la perte de conduc- tion de transistor MOSFET de sortie de régulateur. Plus particulièrement, la perte de conduction de transistor MOSFET qui résulte de Rds(on) du transistor MOSFET est proportionnelle à la tension d'attaque Vgs du transistor MOSFET. En outre, typiquement, le circuit d'alimentation MOSFET et le circuit d'attaque MOSFET sont conçus pour recevoir une contrainte de tension drain-source maximale (Vds) qui résulte de la tension Vin maximum (dans un exemple décrit ci-dessous approximativement de 20 V), du niveau de tension d'attaque de grille, de la vitesse d'attaque et de certains des parasites. Généralement, Vds est réalisé de manière significative par la tension d'entrée de circuit d'alimentation Vin. Cependant, la tension Vin maximum n'est pas toujours utilisée. En particulier, lors de l'utilisation d'une source de batterie, la ten- Sion Vin peut varier sur le cycle de durée de vie de dé-charge de batterie et peut chuter de manière importante au-dessous du maximum Vin, tel que par exemple comme décrit ci-dessous à approximativement 9 V. Dans ces circonstances, une tension Vin inférieure, permet d'augmen- ter la tension de grille d'un transistor MOSFET de sortie du régulateur de tension tout en conservant le transistor MOSFET dans le niveau de contrainte de tension Vds maximum. De manière avantageuse, l'augmentation du niveau d'attaque de tension de grille diminue Rds(on) du MOSFET qui aboutit en résultat à moins de perte de conduction MOSFET et, en conséquence, à une durée de vie accrue de la batterie. Les concepts décrits ci-dessus peuvent être mieux compris eu égard aux descriptions en exemple des figures 3 à 5. 35 Comme représenté sur la figure 3, le système d'alimenta- tion supporté par batterie 300 a de nombreux éléments identiques au système de la figure 1 qui a des éléments référencés de manière identique ayant les mêmes numéros de référence. Le système d'alimentation 300 diffère du système de la figure 1 en ce sens qu'une tension d'alimentation Vdd variable est délivrée. En particulier, la tension d'alimentation Vcc 144 peut être délivrée en tant que niveau de tension établi similaire à celui représenté dans la technique antérieure. Cependant, la tension d'alimentation Vdd 342 est délivrée en tant que tension adaptative qui peut varier en fonction du niveau de la tension Vin 125. Dans un exemple, lorsque la tension Vin 125 varie de 20 à 9 V, la tension d'alimentation Vdd 342 va varier de manière inverse en correspondance de 5 à 10 V. Pour commander le niveau de tension de la tension d'alimentation Vdd 342, un circuit de niveau de tension adaptatif 350 est fourni. Le circuit de niveau de tension adaptatif 350 peut recevoir une entrée 355 qui est couplée à la ligne Vin 125. Le circuit de niveau de tension adaptatif 350 est conçu de sorte qu'il délivre en tant que sortie la sortie d'alimentation Vdd variable 342 de telle manière à ce que le niveau de la tension d'alimentation Vdd 342 varie en fonction du niveau de tension de Vin 125. Plus de détails de ce concept peuvent être observés eu égard à la figure 4 qui représente le régulateur de tension 140 recevant des tensions d'alimentation Vdd et Vcc découplées. Le circuit de la figure 4 peut être similaire à celui de la figure 2 à nouveau avec des références numériques identiques à l'exception de ce qui peut être observé sur la figure 4, la tension d'alimentation Vdd variable 342 est délivrée pour supporter l'unité d'attaque du circuit intégré de régulateur 210. En utilisant les tensions en exemple décrites ci-dessus, lorsque le niveau de tension Vin 125 varie de 20 à 9 V, le niveau de ten- sion de la tension d'alimentation Vdd 342 délivré au circuit d'attaque 240 en tant que tension d'alimentation peut varier de 5 à 10 V respectivement. Le circuit d'attaque peut inclure une variété de circuits qui délivre les tensions d'attaque de grille pour les transistors MOSFET 220 et 222. Dans un mode de réalisation, le circuit d'attaque peut comporter une logique de commande et un étage d'attaque qui opère au niveau du rail Vdd. En délivrant une alimentation Vdd accrue, une tension d'at- taque accrue peut être délivrée aux transistors d'attaque de grille MOSFET et la perte de conduction MOSFET va diminuer en correspondance du fait que Rds(on) du MOSFET diminue pour des tensions d'attaque de commande de grille accrues. Comme mentionné ci-dessus, des régulateurs de tension en exemple à utiliser en tant que circuit intégré de régulateur 210 incluent le Intersil ISL88550A, le Maxim MAX8743 et le Texas Instruments TPS51116. Cependant, on va reconnaître que les concepts décrits ici sont appropriés à une large gamme d'autres régulateurs et que les régulateurs décrits ici le sont simplement à titre d'exemple. En outre, bien qu'elle soit décrite en relation avec un régulateur dans lequel l'entrée d'alimentation Vdd alimente le rail d'alimentation électrique pour l'unité d'attaque, on va constater que l'unité d'attaque peut recevoir en plus le rail d'alimentation électrique Vdd non variable de sorte que les deux rails de tension sont délivrés au contrôleur de régulateur. Les concepts décrits ici sont toujours avantageux dans une telle configuration si le niveau de tension de commande d'attaque de grille est va- riable en relation au niveau de Vin. La tension d'alimentation Vdd variable 342 peut être générée de plusieurs manières par l'un quelconque parmi une variété de circuits qui créent une tension de sortie qui est associée à la tension d'entrée. La relation spécifi- que entre Vdd et Vin peut être implémentée selon de nombreuses approches, telles qu'un circuit numérique, un circuit analogique ou un circuit numérique-analogique mélangé. Ainsi, le circuit de niveau de tension adaptatif 350 est simplement un exemple. Comme décrit ci-dessus, il est souhaitable pour la relation des tensions Vin et Vdd d'avoir une relation de type inverse. Par exemple, la tension de sortie du circuit de niveau de tension adapta-tif 350 peut varier de manière linéaire ou non-linéaire avec sa tension d'entrée. En variante, la tension de sortie du circuit de niveau de tension adaptatif 350 peut avoir plusieurs niveaux de tension de sortie incrémentiels prédéfinis à partir desquels le niveau de tension de sortie voulu est sélectionné sur la base au moins en partie du niveau de tension Vin 125. En outre, le circuit de niveau de tension adaptatif 350 est représenté comme recevant la tension Vin 125 en tant qu'entrée 355. Cependant, on va constater que le circuit de niveau de tension adaptatif 350 peut simplement recevoir un signal d'entrée particulier (tel qu'un signal de commande) qui est représentatif, au moins en partie, de l'état de courant de Vin 125. Par exemple, un signal de commande peut refléter si un adaptateur AC est utilisé ou si une alimentation par batterie est utilisée et la condition courante de la bat-terie. Ainsi, les concepts décrits ici ne sont pas dépendants de la manière selon laquelle la tension d'alimentation Vdd 342 est générée mais plutôt dans un sens plus large, il est simplement souhaitable que le niveau de tension délivré à la borne de commande du transistor de sortie (par exemple la grille d'un transistor MOSFET) puisse être changé sur la base, au moins en partie, de l'état ou de la condition de l'alimentation électrique Vin 125. Par exemple, un circuit à utiliser en tant que circuit de niveau de tension adaptatif 350 est représenté sur la figure 5. Comme représenté sur la figure 5, l'en- trée 355 peut recevoir une entrée qui varie approximativement de 9 à 20 V et la sortie correspondante délivrée en tant que tension d'alimentation Vdd variable 342 peut respectivement varier de 10 à 5 V. Le circuit de niveau de tension adaptatif peut comporter des résistances Ra, Rb, Rc, Rd et Re, un condensateur Ca et des transistors 510 et 520 configurés comme représenté sur la figure 5. Comme mentionné ci-dessus, il va être reconnu, cependant, que de nombreux autres circuits et procédés peuvent être utilisés pour créer la tension d'alimentation Vdd variable 342. En outre, bien que le circuit de niveau de tension adaptatif 350 soit représenté sur la figure 3 comme étant ex-terne aux régulateurs, dans un mode de réalisation, le circuit de niveau de tension adaptatif 350 peut être incorporé dans le régulateur 140. Un mode de réalisation incluant le circuit de niveau de tension adaptatif 350 dans le régulateur 140 implique d'intégrer le circuit de niveau de tension adaptatif 350 dans le circuit intégré de régulateur 210. Dans un tel mode de réalisation, l'alimentation Vin 125 délivrée au circuit intégré de régulateur 210 peut être utilisée dans le circuit intégré de régulateur 210 pour générer en interne la tension d'alimentation Vdd variable 342. A cet égard, la tension Vdd peut simplement être une tension interne qui est utilisée pour délivrer un signal de commande d'attaque de borne de commande de transistor variable pour lequel son niveau de tension est réglage en fonction du niveau de tension Vin. Ainsi, comme décrit ci-dessus, un système plus efficace peut être obtenu en délivrant une tension de commande variable pour les signaux de commande d'attaque de commutateur de puissance de régulateur. Dans un exemple, pour un adaptateur AC recevant une tension Vin de 19,5 V et une tension d'alimentation constante Vdd de 5 V, la tension drain-source Vds(max) des transistors MOSFET de régulateur peut atteindre 26,5 V alors que sous une puissance de batterie de 10 V, Vds(max) peut être seulement d'environ 17 V. L'augmentation de la tension d'alimentation Vdd à 10 V lorsque le système est supporté par une alimentation électrique par batterie de 10 V réduit la perte de conduction MOSFET de sorte que pour un régulateur avec une sortie de 1,2 V/10 A, le rendement peut augmenter d'approximativement 2 Une telle augmentation de rende- ment va prolonger la durée de vie de la batterie, réduire la dissipation de puissance et faciliter les impératifs de refroidissement. Ainsi, il est avantageux de fournir un système qui découple les niveaux de tension d'alimentation du régulateur de sorte qu'au moins un circuit par- ticulier dans le système de régulateur qui commande les signaux d'attaque de grille MOSFET peut fonctionner à des niveaux différents en fonction du niveau de la tension Vin qui doit être régulée par le régulateur. Comme décrit ci-dessus, une relation estétablie entre le niveau de tension d'alimentation Vin 125 et le niveau de tension d'alimentation Vdd 342 de sorte que la tension d'attaque délivrée aux transistors MOSFET 220 et 222 va-rie de manière similaire en relation avec la tension d'entrée Vin 125. La relation particulière entre la ten-sion Vin 125 et les tensions d'attaque MOSFET sur les lignes de commande de grille 221 et 223 peut être sélectionnée en fonction des caractéristiques des transistors MOSFET 220 et 222, de la plage spécifiée de Vin 125 et du type/des caractéristiques de la batterie utilisée dans le système. Dans un mode de réalisation, le circuit peut être configuré de sorte que la relation entre la tension d'attaque et le niveau de tension Vin est programmable par l'utilisateur. Une telle caractéristique peut être particulièrement utile si le circuit de niveau de tension adaptatif est intégré dans le contrôleur de régulateur comme décrit ci-dessus. Dans les exemples décrits ci-dessus, la tension d'alimentation Vdd variable peut être utilisée pour générer les tensions de commande d'attaque pour les deux transistors MOSFET 220 et 222. Il va être reconnu que plusieurs circuits de régulateur peuvent inclure plus ou moins de transistors MOSFET. Ainsi, les concepts décrits ici peu-vent être utilisés en réglant la tension de commande d'attaque d'un transistor MOSFET unique en relation avec le niveau de tension Vin ou en ajustant la tension de commande d'attaque de plus de deux transistors MOSFET. En outre, au moins certains des bénéfices décrits ici peu-vent être obtenus même si la tension d'attaque uniquement de certains des transistors MOSFET est réglée. Dans une telle approche un ou plusieurs transistors MOSFET peuvent utiliser les concepts décrits ici alors qu'un ou plu-sieurs autres transistors MOSFET peuvent ne pas les utiliser. Par exemple, dans le système décrit eu égard à la figure 4, la perte de conduction MOSFET est dominée par Rds(on) du transistor MOSFET 222. Ainsi, une conception de circuit peut être implémentée dans laquelle la commande d'attaque du transistor MOSFET 222 est variable en relation au niveau de tension Vin 125 alors que la corn-mande d'attaque du transistor MOSFET 220 n'est pas réglée, et vice versa. Les techniques décrites ici ont été illustrées eu égard aux dispositifs de sortie MOSFET et aux réglages d'alimentation Vdd qui impactent les niveaux de tension des signaux de commande d'attaque de grille. Cependant, il va être reconnu que les concepts de commande d'attaque réglables peuvent être utilisés avec d'autres dispositifs de sortie. Par exemple, des dispositifs de sortie bipolaires peuvent être utilisés dans les-quels les niveaux de tension de la borne de commande d'un transistor bipolaire de puissance sont réglés en fonction du niveau de Vin. Dans les exemples décrits ci-dessus, tous les régulateurs du système sont représentés pour utiliser de manière avantageuse des concepts décrits ici concernant la tension d'alimentation Vdd variable. Cependant, il va être reconnu ici qu'un rendement plus élevé sera toujours obtenu si un seul sous-ensemble de régulateurs utilise la tension d'alimentation Vdd variable. Ainsi, certains des régulateurs de système peuvent utiliser une alimentation Vdd variable et d'autres non. En outre, d'autres modifications et des modes de réalisation en variante de la présente invention vont apparaître clairement à l'homme du métier eu égard à cette descrip- tion. Par conséquent, il va être constaté que la présente invention n'est pas limitée par ces agencements en exemple. En conséquence, la présente description peut être envisagée comme étant illustrative uniquement et dans le but d'enseigner à l'homme du métier la manière de mettre en oeuvre la présente invention. Il doit être compris que les formes de la présente invention représentées ici et décrites doivent être considérées comme étant actuelle-ment les modes préférés de réalisation. Plusieurs changements peuvent être apportés dans les implémentations et les architectures. Par exemple, certains éléments équivalents peuvent remplacer ceux illustrés et décrits ici, et certaines caractéristiques de la présente invention peu-vent être utilisées indépendamment de l'utilisation d'autres caractéristiques, tout ceci va apparaître clairement à l'homme du métier après avoir tiré profit de la description de la présente invention. En outre, les techniques et circuits décrits ici le sont à titre d'exemple uniquement et d'autres techniques et circuits peuvent être utilisés tout en octroyant toujours les bénéfices des concepts décrits ici. REVENDICATIONS 1. Procédé pour prolonger la durée de vie d'un système d'alimentation par batterie (100) ayant une régulation de 5 tension, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : délivrer une première tension d'alimentation à réguler, la première tension d'alimentation étant générée au moins à certains instants depuis une source de bat- 10 terie, opérer une régulation de tension (140) qui reçoit la première tension d'alimentation, et û générer une tension de commande d'attaque de sortie variable qui varie au moins en partie en relation avec 15 le niveau de tension de la première tension d'alimen- tation, la variation de la tension de commande d'attaque de sortie en relation avec le niveau de tension de la première tension d'alimentation prolongeant la durée 20 de vie de la batterie. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension de commande d'attaque de sortie variable commande une borne de commande d'un transistor. 25 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une perte de conduction du transistor est modifiée en faisant varier la tension de commande d'attaque de sortie de sorte que le rendement du régulateur de tension (140) 30 change en faisant varier la tension de commande d'attaque de sortie. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première tension d'alimentation est générée, à 35 certains moments, depuis une source d'alimentation AC. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le système d'alimentation par batterie (100) comporte une pluralité de régulateurs de tension (140) ayant une pluralité de tensions de commande d'attaque de sortie variables qui varient au moins en partie en relation avec le niveau de tension de la première tension d'alimentation. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension de commande d'attaque de sortie variable varie dans une relation inverse à la première tension d'alimentation. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première tension d'alimentation est générée, à certains moments, depuis une source d'alimentation AC, la tension de commande d'attaque de sortie variable ayant une valeur plus importante au moins à certains moments lorsque la première tension d'alimentation est générée depuis la source de batterie puis lorsque la première tension d'alimentation est générée depuis la source d'alimentation AC. 8. Procédé de commande de la tension de commande d'attaque de sortie d'un régulateur de tension (140), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : délivrer une première tension d'alimentation à réguler par le régulateur de tension (140), ù utiliser une tension d'unité de commande en tant qu'alimentation d'unité de commande pour au moins une partie du circuit de commande du régulateur de tension,- utiliser une tension d'unité d'attaque (240) en tant qu'alimentation d'unité d'attaque pour au moins une partie du circuit d'attaque du régulateur de tension (140), le circuit d'attaque commandant un signal d'at- taque qui commande un transistor de sortie du régulateur de tension (140), û faire varier la tension d'unité d'attaque de sorte que le niveau de tension d'unité d'attaque est dépendant au moins en partie du niveau de tension de la première tension d'alimentation, et û délivrer une tension de sortie régulée depuis le régulateur de tension (140), le rendement du régulateur de tension (140) étant dé-pendant de la tension d'unité d'attaque (240). 15 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la tension d'unité d'attaque (240) est générée à l'extérieur d'un circuit intégré régulateur de tension (210) du régulateur de tension (140). 20 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la tension d'unité d'attaque est générée dans un circuit intégré régulateur de tension du régulateur de tension (240). 25 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une perte de conduction du transistor de sortie est modifiée en faisant varier la tension d'unité d'attaque (240). 30 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la tension d'unité d'attaque (240) varie dans une relation inverse au niveau de tension de la première tension d'alimentation. 35. Système de traitement d'informations, caractérisé en ce qu'il comporte : û une première tension d'alimentation, la première tension d'alimentation étant générée au moins à certains instants depuis une source de batterie, la première tension d'alimentation ayant un niveau de tension variable, û un régulateur de tension (140), le régulateur de tension étant couplé à la première tension, le régulateur de tension régulant la première tension pour délivrer une tension de sortie de régulateur de tension, û une deuxième tension d'alimentation, la deuxième tension d'alimentation étant utilisée par au moins une partie du circuit de commande du régulateur de tension (140), et û une troisième tension d'alimentation variable, la troisième tension d'alimentation étant utilisée par au moins une partie du circuit d'attaque du régulateur de tension (140), le circuit d'attaque délivrant un si- gnal de commande couplé à la borne de commande d'un transistor de sortie du régulateur de tension, un niveau de tension de la troisième tension d'alimentation variable étant dépendant d'un niveau de tension de la première tension d'alimentation. 14. Système de traitement d'informations selon la revendication 13, caractérisé en ce que la première tension d'alimentation peut également être générée depuis une source d'alimentation AC. 15. Système de traitement d'informations selon la revendication 13, caractérisé en outre en ce qu'il comporte une pluralité de régulateurs de tension (140), chaque régulateur parmi la pluralité de régulateurs de tension étant couplé à la première tension d'alimentation, aumoins deux ou plus de deux régulateurs parmi la pluralité de régulateurs de tension ayant chacun une tension d'alimentation variable utilisée par chaque circuit d'attaque de régulateur de tension, le niveau de tension de la ten- sion d'alimentation variable variant en relation avec la première tension d'alimentation. 16. Système de traitement d'informations selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un circuit de réglage de niveau de tension agencé à l'extérieur d'un circuit intégré régulateur de tension (210), le circuit de réglage de niveau de tension ayant la troisième tension d'alimentation variable en tant que sortie. 17. Système de traitement d'informations selon la revendication 13, caractérisé en ce que la troisième tension d'alimentation variable est générée à l'intérieur d'un circuit intégré régulateur de tension (210). 18. Système de traitement d'informations selon la revendication 13, caractérisé en ce que le transistor de sortie est un premier composant MOSFET, la perte de conduction MOSFET du composant MOSFET variant en relation avec le niveau de tension de la troisième tension d'alimenta- tion variable. 19. Système de traitement d'informations selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un second composant MOSFET, chacun des premier et second composants MOSFET recevant un signal de commande de grille variable qui varie en relation avec le niveau de tension de la première tension d'alimentation.20. Système de traitement d'informations selon la revendication 13, caractérisé en ce que la deuxième tension d'alimentation présente un niveau de tension constant.