Brevet FR2899697A1 — publié le 20071012

MASQUE DE PHOTOLITHOGRAPHIE EN EXTREME ULTRA-VIOLET, AVEC COUCHE D'ARRÊT RESONANTE L'invention concerne la photolithographie, et notamment la photolithographie aux très courtes longueurs d'onde. Elle concerne plus précisément une structure de masque de lithographie en extrême ultra-violet destiné à être utilisé en réflexion. La photolithographie est utilisée pour la réalisation de microstructures électroniques, optiques, mécaniques ou des microstructures combinant des fonctions électroniques et/ou optiques et/ou mécaniques. Elle consiste à insoler par un rayonnement photonique, à travers un masque qui définit le motif souhaité, une couche de résine photosensible déposée sur un substrat plan (par exemple une tranche de silicium). Le développement chimique qui suit l'insolation révèle les motifs souhaités dans la résine. Le motif de résine ainsi gravé peut servir à plusieurs usages, le plus commun étant la gravure d'une couche sous-jacente (isolante ou conductrice ou semi-conductrice) pour définir dans cette couche un motif identique à celui de la résine. On cherche à obtenir des motifs extrêmement petits et précis et à aligner très précisément des motifs gravés dans de multiples couches superposées. Typiquement, la dimension critique des motifs souhaités est aujourd'hui d'une fraction de micromètre, voire même un dixième de micromètre et au-dessous. La longueur d'onde de la lumière utilisée dans l'opération de photolithographie limite la résolution ; plus elle est courte plus les motifs peuvent être fins. La photolithographie en ultraviolet (longueurs d'onde descendant jusqu'à 193 nanomètres) permet de faire des motifs plus fins qu'avec de la lumière visible. On cherche aujourd'hui à descendre très largement au-dessous de ces longueurs d'onde et à travailler en extrême ultraviolet (EUV), à des longueurs d'onde comprises entre 10 et 14 nanomètres. Le but est d'obtenir une très haute résolution, tout en gardant une ouverture numérique faible et une profondeur de champ suffisante (supérieure à quelques centaines de nanomètres). Mais à ces longueurs d'onde les matériaux formant le substrat du masque ne sont pas transparents et l'opération de photolithographie doit utiliser des masques fonctionnant en réflexion et non en transmission : la lumière en extrême ultraviolet est projetée sur le masque sous une faible incidence (5 à 6 degrés environ) ; le masque comporte des zones absorbantes et des zones réfléchissantes ; dans les zones réfléchissantes, le masque réfléchit la lumière sur la résine à exposer, en y imprimant son image. Le trajet de la lumière entre le masque et la résine à exposer passe par d'autres réflecteurs dont les géométries sont conçues pour projeter une image réduite du masque et non une image en grandeur réelle. La réduction d'image permet de graver sur la résine exposée des motifs plus petits que ceux qui sont gravés sur le masque. Le masque lui-même est fabriqué à partir d'un procédé de photolithographie puis d'une gravure avec un masque de résine ou d'un masque dur (par exemple en silice, nitrure de silicium, chrome), cette fois en transmission et avec une longueur d'onde plus grande, autorisée par le fait que les motifs sont plus grands ; ou bien le masque peut être fabriqué par lithographie à faisceau d'électrons. Typiquement, un masque en réflexion de type masque binaire est composé d'un substrat plan recouvert d'une structure réfléchissante continue, en pratique un miroir de Bragg c'est-à-dire une structure à multiples couches diélectriques d'indices de réfraction différents dont les épaisseurs sont calculées en fonction des indices, de la longueur d'onde, et de l'angle d'incidence, pour que les différentes interfaces, partiellement réfléchissantes, renvoient des ondes lumineuses en phase les unes avec les autres ; ce miroir est recouvert d'une couche absorbante gravée selon le motif de masquage désiré, de sorte que le masque comprend des zones réfléchissantes (le miroir non recouvert d'absorbant) et des zones absorbantes (le miroir recouvert d'absorbant). A titre d'exemple, pour une longueur d'onde de 13,5 nm et un angle d'incidence de 6 degrés, on atteint théoriquement une réflectivité de 74% avec 40 couches de silicium d'épaisseur 41,5 angstrôms (1 angstrôm = 0,1nm) alternées avec 40 couches de molybdène d'épaisseur 28 angstrôms. Expérimentalement, on observe un écart de 5% à 10% par rapport à la réflectivité théorique. Les zones absorbantes peuvent être constituées de chrome (entre autres) déposé sur le miroir ; par exemple une couche de 600 angstrôms de chrome placée sur le miroir ci-dessus ne réfléchit plus que 1% de la lumière incidente. En pratique, la couche absorbante est réalisée à l'aide de deux couches superposées sur la structure de miroir, la première étant une couche tampon et la deuxième une couche absorbante proprement dite. La couche tampon a des propriétés de sélectivité de gravure vis-à-vis de la couche absorbante, de sorte que la gravure de la deuxième couche s'arrête sur la couche tampon sans altérer le miroir ; de plus elle a des propriétés de sélectivité de gravure vis-à-vis de la structure de miroir, de sorte qu'elle peut être éliminée de la surface du miroir après gravure de la couche absorbante. On a proposé également de réaliser les zones absorbantes en creusant localement la surface du miroir et en remplissant l'ouverture par une couche absorbante. L'effet d'ombrage est diminué, mais le procédé est très complexe. L'article "Design and Method of Fabricating Phase Shift Masks for Extreme Ultraviolet Lithography by Partial Etching into the EUV Multilayer Mirror", Sang-In Han et autres, dans Proceedings of SPIE vol 5037 (2003), décrit une telle structure. On a proposé encore des structures de masques dits "masques EUV-PSM" (PSM pour "Phase Shift Mask", signifiant masque à déphasage en anglais). On creuse des ouvertures dans le miroir pour réduire localement son épaisseur d'une valeur telle que la lumière réfléchie dans les zones d'épaisseur réduite soit en opposition de phase avec la lumière réfléchie dans les zones d'épaisseur non réduite. Cela crée à la frontière des interférences destructrices qui constituent l'équivalent de zones absorbantes. Si le coefficient de réflexion R2 dans les zones d'épaisseur réduite reste proche du coefficient de réflexion R1 dans les zones d'épaisseur non réduite (par exemple R2 égal à 85% ou plus de R1) on parle de masque H-PSM pour "liard PSM masks"). Si l'un des coefficients de réflexion est nettement plus faible que l'autre, on parle de masque ATT-PSM pour "Attenuated Phase Shift Mask"'. Il existe aussi des masques dits Alt-PSM ou masques PSM alternés, dans lesquels deux zones réfléchissantes proches sont séparées par une zone absorbante, les deux zones réfléchissantes successives produisant des réflexions en opposition de phase, ce qui garantit le passage systématique par zéro, dans une zone absorbante, de l'intensité lumineuse réfléchie. De même que pour les masques binaires, on peut réaliser des masques PSM en utilisant une couche tampon qui a des propriétés de sélectivité de gravure par rapport aux couches réfléchissantes qu'on doit graver. Dans toutes ces réalisations antérieures, la couche tampon peut être gênante si elle subsiste dans les zones réfléchissantes du masque car elle ne fait que dirninuer la réflectivité. La présente invention propose de réaliser un masque à décalage de phase en donnant un rôle optique actif à la couche tampon tant en termes 1 o de choix de réflectivité qu'en termes de précision de déphasage de 180 entre zones du rnasque et non pas seulement un rôle de facilitateur de gravure. Pour cela, l'invention propose de choisir l'épaisseur de cette couche tampon de telle sorte que cette couche, là où elle est située entre 15 deux structures réfléchissantes multicouches, ait une épaisseur qui lui donne les propriétés d'une cavité résonante réfléchissante, tout en assurant un déphasage de 180 entre zones et un rapport de réflectivités désirés entre zones. Selon l'invention, on propose un masque de photolithographie en 20 extrême ultraviolet, fonctionnant en réflexion et du type à décalage de phase, comprenant un motif gravé constitué par des premières zones réfléchissantes et des deuxièmes zones réfléchissantes, les premières zones réfléchissant la lumière avec une phase opposée à la phase de la lumière réfléchie par les deuxièmes zones, le masque comportant un substrat revêtu 25 uniformément d'une structure réfléchissante multicouche inférieure, et, au- dessus de la structure réfléchissante inférieure, dans les premières zones, un empilement d'une couche d'arrêt de gravure et d'une structure multicouche supérieure partiellement réfléchissante, la couche d'arrêt de gravure ayant des propriétés de sélectivité de gravure par rapport aux 30 couches de la structure réfléchissante supérieure, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'arrêt de gravure est choisie telle que la superposition de la structure multicouche inférieure, la couche d'arrêt de gravure, et la structure partiellement réfléchissante supérieure dans les premières zones constitue une cavité résonante de Fabry-Pérot à réflectivité variable en fonction de la longueur d'onde et présentant une forte réflectivité à la longueur d'onde d'utilisation. Par propriétés de sélectivité de gravure, on entend ici d'abord le fait que la couche d'arrêt de gravure n'est pas ou presque pas attaquée par les produits de gravure qui permettent de graver la structure partiellement réfléchissante supérieure. On verra en effet que lors de la fabrication, après dépôt uniforme d'une structure réfléchissante supérieure, on attaque localement cette structure supérieure pour l'éliminer dans les deuxièmes zones où elle ne doit pas être présente. Une cavité résonante de type Fabry-Pérot est constituée de deux miroirs, l'un au moins étant partiellement transparent, séparés par une certaine distance optique dans la direction de traversée de la lumière, et un espace transparent (c'est-à-dire parfaitement transparent ou peu absorbant) entre les miroirs. Par distance optique, on entend ici la somme des différentes distances optiques élémentaires dans chacun des milieux optiques successivement traversés par la lumière, chacune de ces distances optiques élémentaires étant le produit de la distance physique dans la direction de parcours de la lumière par l'indice de réfraction du milieu traversé. La cavité est résonante si la lumière directement réfléchie sur le miroir supérieur est en déphasage d'un multiple de 180 avec la lumière qui sort du miroir supérieur après un aller-retour dans la cavité incluant une réflexion sur le miroir inférieur. Si c'est un multiple impair de 180 , la cavité est absorbante en ce sens que les multiples réflexions engendrent des interférences destructives du fait qu'elles produisent des rayons en déphasage mutuel de 180 après des trajets aller-retour dans la cavité. Si c'est un multiple pair, la cavité résonante est réfléchissante, la lumière issue de multiples réflexions dans la cavité engendrant des ondes en phase avec la réflexion principale donc des interférences constructives. Cette situation de résonance peut être obtenue avec une faible distance entre miroirs (de l'ordre de 40 angstrôms, pour des longueurs d'onde autour de 135 angstrôms). Dans ce qui suit, le mot "cavité" est pris au sens d'une cavité "optique". Les miroirs de la cavité peuvent être des structures multicouches de type miroir de Bragg. Ainsi, le masque à déphasage comporte des premières zones qui sont réfléchissantes du fait de l'empilement d'une structure réfléchissante inférieure, d'une couche d'arrêt de gravure transparente, et d'une structure partiellement réfléchissante supérieure, avec des propriétés de résonance de la couche d'arrêt de gravure encadrée par ces deux structures ; et le masque comporte des deuxièmes zones qui sont aussi réfléchissantes du fait de la présence de la structure réfléchissante inférieure. Pour que le masque soit bien un masque à déphasage de 1800, ce qui est en général le but à atteindre, on fait en sorte que la différence de trajet optique entre les rayons io réfléchis par les premières zones et les rayons réfléchis par les deuxièmes zones corresponde à un multiple impair d'une demi-longueur d'onde. Les quantités de lumière réfléchies à la longueur d'onde d'utilisation sur chacune des zones dépendent des épaisseurs des différentes couches, de l'angle d'incidence 0 de la lumière, de l'indice de 15 propagation des rnatériaux traversés par la lumière (indice complexe, n, k où n est l'indice de réfraction et k le coefficient d'atténuation), et bien sûr des coefficients de réflexion et de transmission des miroirs de la cavité. Selon le cas, le masque sera de type Hard-PSM ou Attenuated-PSM (et éventuellement PSM alterné). 20 L'invention est particulièrement adaptée à réaliser des masques de type Attenuated-PSM dans lesquels la différence de coefficients de réflexion entre zones adjacentes est importante car la couche tampon peut servir à ajuster cette différence de coefficients de réflexion. Dans une première réalisation, plus adaptée à un masque de type 25 attenuated-PSM, la couche d'arrêt de gravure est présente dans les deuxièmes zones, au-dessus de la structure réfléchissante inférieure. Dans une deuxième réalisation, plus adaptée à un masque de type Hard-PSM, la couche d'arrêt de gravure n'est pas présente dans les deuxièmes zones. Cela suppose qu'elle ait aussi des propriétés de sélectivité 30 de gravure supplémentaires : le produit de gravure qui permet l'élimination de cette couche rie doit pas attaquer la structure réfléchissante inférieure. Le calcul du déphasage tient compte de cette absence, la hauteur de marche optique étant alors essentiellement liée à la somme de la hauteur de la structure réfléchissante supérieure et de la hauteur de la couche d'arrêt 35 enlevée. Dans une troisième réalisation, la couche d'arrêt de gravure (telle qu'elle existe dans les premières zones) n'est pas présente dans les deuxièmes zones, mais une autre couche transparente est présente audessus de la structure réfléchissante inférieure, cette couche ayant une épaisseur choisie pour ajuster à une valeur aussi proche que possible de 180 le déphasage entre premières et deuxièmes zones. Le déphasage est en effet fonction, dans ce cas, non seulement de la somme des hauteurs de couche d'arrêt et de structure supérieure, mais aussi de l'épaisseur et de l'indice de réfraction de la couche ainsi rajoutée. L'épaisseur de la couche d'arrêt de gravure est déterminée en fonction du nombre de couches du miroir supérieur de manière que le déphasage soit bien de 180 . Cette détermination peut se faire par calcul ou par des abaques expérimentales : le déphasage dépend en effet du nombre de couches du miroir supérieur. Le nombre de couches du miroir supérieur est de préférence compris entre 9 et 15 ; trop faible il peut empêcher d'obtenir un déphasage de 180 ; trop élevé, il rendrait la couche supérieure trop peu transparente pour permettre la constitution d'une cavité résonante de Fabry-Pérot et surtout il introduirait une hauteur de marche physique trop importante entre les zones adjacentes, entraînant des effets d'ombrage indésirables. Le calcul tient compte bien entendu aussi des indices de réfraction et du cosinus de l'angle d'incidence 0 de la lumière EUV en utilisation. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront 25 à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 représente schématiquement le principe d'une cavité résonante de type Fabry-Pérot fonctionnant en mode réflectif ; - la figure 2 représente des courbes de réflectance, transparence, 30 et absorption typiques d'une structure de miroir multicouche ; - la figure 3 représente des courbes de réflectivité d'une cavité de Fabry-Pérot en fonction de la distance d séparant les deux miroirs de la cavité ; - la figure 4 représente une structure de masque selon l'invention 35 dans un premier mode de réalisation ; - la figure 5 représente une structure de masque selon un deuxième mode de réalisation ; - la figure 6 représente une structure de masque selon un troisième mode de réalisation. Sur la figure 1, on rappelle le principe d'une cavité résonante de Fabry-Pérot, fonctionnant en mode réflectif, le rayonnement de sortie de la cavité étant du même côté de la cavité que le rayonnement d'entrée. On voit un substrat 10 sur lequel on a déposé un miroir inférieur io supposé parfaitement réfléchissant 12, puis un miroir supérieur 14, partiellement réfléchissant et partiellement transparent, séparé du premier par une distance d, l'espace 16 entre les deux miroirs étant vide ou rempli d'un matériau transparent ou peu absorbant d'indice de réfraction n. Les rayons lumineux incidents traversent le miroir supérieur 14 et 15 la cavité, puis retraversent la cavité et le miroir après réflexion sur le miroir inférieur 12. La longueur du chemin optique suivi par les rayons est alors fonction de la distance d, de l'indice n, et de l'angle d'incidence O. Le coefficient de réflexion global dépend des coefficients de transmission et de réflexion à chaque interface, à savoir t1, r1 à l'interface 20 entre le miroir supérieur 14 et le milieu extérieur, t'1, r'1 à l'interface entre le miroir 14 et la cavité, et t2, r2 à l'interface entre la cavité et le miroir inférieur. La cavité est résonante et absorbante si les réflexions multiples engendrent des interférences destructives, c'est-à-dire si les rayons réfléchis après un aller-retour dans la cavité sont en déphasage de 180 (un multiple 25 impair d'une demi-longueur d'onde) avec les rayons qui sont directement réfléchis sans passer par la cavité. La condition de résonance en absorption impose alors une épaisseur d de cavité qui est : d = (2m+1)X/4ncos0 30 m est un entier, i est la longueur d'onde, 0 est l'angle d'incidence de la lumière. Au contraire, la cavité est résonante et réfléchissante si les réflexions multiples engendrent des interférences constructives, c'est-à-dire 35 si les rayons réfléchis après un aller-retour dans la cavité sont en déphasage de 360 (un multiple pair d'une demi-longueur d'onde) avec les rayons qui sont directement réfléchis sans passer par la cavité. La condition de résonance en réflexion impose alors une épaisseur d de cavité qui est : d = 2m;X/4ncos0 Des courbes de réflectivité en fonction de l'épaisseur à longueur d'onde fixée ou de longueur d'onde d'utilisation à épaisseur fixée présentent alors des pics de réflectivité et des pics d'absorption alternés représentant la 1 o résonance en réflexion et la résonance en absorption respectivement. Ces valeurs de condition de résonance sont des valeurs théoriques, les valeurs expérimentales pouvant être légèrement différentes, sans que le principe reste changé, en fonction notamment de la constitution des miroirs. En particulier, les miroirs peuvent être constitués par des 15 structures multicouches de Bragg et les conditions pour obtenir la résonance doivent en tenir compte car on ne peut pas considérer que la réflexion dans un miroir multicouche se produit exactement à la surface de la couche supérieure. Pour simplifier les explications on supposera quand même que la distance entre les miroirs est régie par les formules ci-dessus pour obtenir la 20 résonance. La réflectivité et la transparence des structures multicouches dépendent du nornbre de couches. La figure 2 représente à titre d'exemple les courbes de réflectivité et de transparence de structures à couches de silicium (41,5 angstrôms) et de molybdène (28 angstrôms) alternées pour 25 une longueur d'onde de 13,5 nanomètres (préférée selon l'invention) et un angle d'incidence de 6 , en fonction du nombre N de paires de couches. La réflectivité R, la transparence T et l'absorption A sont représentées. On constate que la réflectivité et la transparence sont à peu près égales pour N=12 paires de couches ; on peut réaliser le miroir supérieur 14 avec 12 30 paires de couches si on veut qu'il soit réfléchissant à 50%. Dans la suite, les données numériques seront fondées sur un choix de 13,5 nanomètres pour la longueur d'onde et 6 pour l'angle d'incidence. La figure 3 représente la réflectivité R de l'ensemble de la cavité 35 de Fabry-Pérot, en fonction de la distance d, lorsque la cavité est réalisée avec un miroir supérieur semi-transparent à 12 paires de couches Si(41,5 angstrôms)Mo(28 angstrôms), et avec un miroir inférieur à 30 paires de couches (mêmes épaisseurs). Ces miroirs sont des miroirs de Bragg et les épaisseurs 41,5 et 28 angstrôms sont des épaisseurs qui correspondent à des déphasages optiques multiples d'une demi-longueur d'onde en tenant compte des indices optiques différents des deux matériaux, et en tenant compte de l'angle d'incidence prévu (60), afin que les couches multiples jouent le rôle de miroir en établissant des réflexions multiples toutes en phase à la sortie du miroir. Sur la figure 3 on a représenté deux courbes : - l'une en traits pleins avec une cavité vide ou remplie d'air (indice 1, atténuation 0) ; -l'autre en traits tiretés avec une cavité supposée remplie d'un matériau peu absorbant supposé avoir un indice de propagation 15 n=0,876, k=0,025. On constate que la structure de la figure 1 présente des pics d'absorption (réflexion très faible) pour certaines valeurs de la distance d et qu'au contraire la réflectivité est maximale autour du milieu de l'intervalle entre ces pics. On constaterait des pics de réflectivité si on traçait les 20 courbes en fonction de la longueur d'onde pour une épaisseur d donnée. La position du point de réflectivité maximale dépend de l'indice du matériau transparent situé entre les miroirs. Partant de ces observations, on constitue un masque EUV en réflexion, à déphasage (PSM) dont une première réalisation est schématisée 25 à la figure 4. Le masque est formé sur un substrat 20 à surface plane, et il comprend des zones Z1 d'un premier type et des zones Z2 d'un second type. Les zones Z1 réfléchissent la lumière ultraviolette incidente avec un coefficient de réflexion R1, et les zones Z2 réfléchissent la lumière avec un 30 coefficient de réflexion R2 et un déphasage multiple impair de 180 par rapport à la phase de la lumière réfléchie par les zones Z1. Les zones Z1 sont constituées par l'empilement d'une structure réfléchissante multicouches inférieure 22, d'une couche d'arrêt de gravure 23, et d'une structure multicouches partiellement réfléchissante supérieure 35 24. Les zones Z2 sont constituées par l'empilement de la même structure réfléchissante inférieure 22 et la même couche d'arrêt de gravure 23, mais elles ne comportent pas de structure supérieure 24. La structure multicouche inférieure 22 est constituée par exemple par au moins 30 paires de couches alternées de silicium (41,5 angstrôms d'épaisseur) et de molybdène (28 angstrôms d'épaisseur). Ces valeurs numériques sont liées au choix d'une longueur d'onde d'utilisation préférée de 13,5 nanomètres et d'un angle d'incidence préféré en utilisation d'environ 6 qu'on adopte pour tous les exemples donnés dans cette description. Avec une autre longueur d'onde et un autre angle d'incidence, il faudrait choisir d'autres valeurs pour respecter la condition de Bragg et obtenir des miroirs réfléchissants. D'une façon générale, l'homme du métier déterminera les épaisseurs des couches de l'empilement en utilisant la loi de Bragg. La structure supérieure peut être constituée par exemple par des paires de couches identiques Si (41,5 angstrôms)/Mo(28 angstrôms) mais en nombre plus réduit, par exemple entre 9 et 15 paires de couches ; ce nombre réduit est dû au fait qu'on souhaite limiter la différence de hauteur entre la surface supérieure des zones Z1 et la surface supérieure des zones Z2 pour ne pas engendrer d'effet d'ombrage trop important en présence d'une illumination sous incidence oblique ; un nombre réduit de couches engendre une réflectivité inférieure et c'est pourquoi la structure multicouche 24 est qualifiée de partiellement réfléchissante. La structure multicouche supérieure n'est pas obligatoirement constituée de couches identiques à celles de la structure inférieure. La raison de la présence de la couche d'arrêt de gravure 23 tient au procédé de fabrication : le dépôt de la structure multicouche supérieure 24 est fait uniformément sur tout le substrat 20, au-dessus de la structure inférieure et les zones Z2 sont définies par photolithographie et enlèvement local de la structure supérieure 24 qui ne subsiste que dans les zones Z1. Pour définir précisément le nombre de couches ou de paires de couches enlevées dans les zones Z2 et pour éviter d'endommager la surface supérieure de la structure 22 dans ces zones, on interpose la couche 23 entre les deux structures 22 et 24. La couche d'arrêt de gravure 23 n'est pas attaquée par les produits de gravure de la structure multicouches 24. On peut donc enlever toute l'épaisseur de structure supérieure 24 sans difficulté dans les zones Z2 et la structure inférieure reste complètement protégée lors de cette gravure. On cornprend que si la couche d'arrêt 23 n'était pas présente, le coefficient de réflexion dans les zones Z1 serait très élevé car il résulte de la superposition d'un nombre élevé de paires de couches dont les épaisseurs satisfont la condition de résonance de Bragg. Mais la présence de la couche d'arrêt perturbe cette réflectivité, et de plus elle introduit un déphasage entre zones qui varie non linéairement avec l'épaisseur de la couche. On peut s'arranger notamment pour que la couche d'arrêt 23, choisie transparente, satisfasse aussi la condition de Bragg et établisse un déphasage optique multiple de 180 pour les rayons qui la traversent, afin que l'aller-retour de rayons à travers cette couche établisse un déphasage multiple de 360". Cette couche transparente, placée entre un miroir partiellement réfléchissant (structure 24) et un miroir réfléchissant (structure 22) constitue alors, à la longueur d'onde d'utilisation et pour l'incidence choisie, une cavité résonante réfléchissante de Fabry-Pérot présentant un maximum de réflectivité ou tout au moins une forte réflectivité. Ainsi, la réflectivité R1 dans les zones Z1 reste aussi élevée que 20 possible malgré la présence de la couche d'arrêt, contrairement à ce qui se passe dans les structures de l'art antérieur. Dans les zones Z2, la réflectivité est également élevée pour un masque Hard-PSM ; mais on peut faire en sorte qu'elle soit plus faible, voire même beaucoup plus faible pour un masque Attenuated-PSM ; l'épaisseur 25 de la couche 23 reste en principe la même que dans les zones Z1; elle introduit seulement un déphasage légèrement différent de celui qui existerait en l'absence de cette couche, tout au moins dans le cas où l'indice de réfraction de la couche est différent de l'indice de l'air. La couche d'arrêt de gravure 23 peut typiquement être en oxyde 30 de silicium, avec une épaisseur d'environ 80 angstrôms ; on sait graver sélectivement le siilicium ou le molybdène par rapport à l'oxyde de silicium. Le déphasage optique introduit entre les zones Z1 et Z2 est lié à la hauteur D de la structure multicouche supérieure 24, à la nature des couches de cette structure, au nombre de ces couches, et à la hauteur dA et 35 à l'indice nA de la couche d'arrêt 23. Le calcul du déphasage entre les zones Z1 et Z2 est un calcul complexe, en général fait par des programmes informatiques spécifiques tels que le logiciel gratuit IMD disponible sur le site internet http://www.esrf.fr/computing/scientific/xop/extensions.html. On rappelle les bases de calculs : l'existence d'une cavité résonante dans la zone Z1 introduit une variation de phase entre les zones Z1 et Z2 et cette variation est non linéaire avec la hauteur D+d a de la couche d'arrêt. L'amplitude complexe AR1 de l'onde réfléchie au sommet des couches dans la zone Z1 est AR1 = [R1+(R12+T1).R2expee)]/[1+R1R2.exp(jGD)] avec 1 = (27c/X)2nA.cosO R1 est le coefficient de réflexion global du miroir supérieur, R2 celui du miroir inférieur, T1 la transparence du miroir supérieur, nA l'indice de la couche tampon. Les coefficients des miroirs se calculent par itération selon les lois connues de Fresnel : typiquement le coefficient de réflexion de l'empilement de j couches se calcule à partir du coefficient de réflexion théorique rH-1 de l'interface entre la couche j et la couche j-1 immédiatement inférieure et du coefficient de réflexion global ri_1 de l'empilement des j-1 couches sous- jacentes ; il fait intervenir aussi le déphasage introduit par la jéme couche, à savoir (Pi = (27rdnicosO)/À où ni est l'indice de la couche de rang j. ri = [ri,i-1 + ri_1 exp2ic;]/[1 + ri i_1 r i_1exp2iti] Le calcul est très semblable pour le coefficient de transmission ti de l'empilement de j couches, qui se fait également par itération des coefficients de transmission ti,i_1 de l'interface entre la couche j et la couche j-1 et du coefficient de transmission global ti_1 de l'empilement de j-1 couches sous-jacentes : ti = i_1 exp2i(l);]/[1 + ri_1exp2i~i] Les coefficients ri j_1 et ti,i_1 sont calculés par les équations de Fresnel définissant la réflexion et la transmission entre deux couches 35 d'indices différents. On comprend que ces différents paramètres définissent plusieurs degrés de liberté pour le choix d'épaisseurs de couches conduisant à un certain coefficient de réflexion dans chacune des zones Z1 et Z2 et un certain déphasage entre les ondes réfléchies dans ces deux zones. Entrent en ligne de compte pour ces choix : - la constitution du miroir inférieur, nombre de paires de couches, épaisseur de la paire, choix des couches et de leurs rapports d'épaisseurs, - même chose pour le miroir supérieur, - nombre de paires de couches à graver pour obtenir un 1 o déphasage de 180 - le matériau de la couche d'arrêt (son indice nA notamment) - l'épaisseur dA de cette couche d'arrêt. On sait notamment tracer expérimentalement des courbes de 15 déphasage et de réflectivité en fonction de l'épaisseur de la couche d'arrêt pour différents nombres de paires de couches du miroir supérieur. Dans un exemple de telles mesures expérimentales, faites avec de la silice comme couche d'arrêt de gravure, et avec des paires de couches molybdène, silicium ayant les épaisseurs définies précédemment qu'on 20 pouvait obtenir un déphasage de 180 à condition d'avoir au moins 9 paires de couches Mo/Si mais de préférence de 11 à 17 (au delà, l'épaisseur du miroir supérieur entraînerait des effets d'ombrage préjudiciables pour l'incidence de 6 envisagée dans cet exemple. Typiquement, avec les valeurs numériques envisagées 25 précédemment, on trouve qu'on peut réaliser un masque Hard PSM avec 9 paires de couches du miroir supérieur et une épaisseur de silice de 32 angstrôms ou 100 angstrôms comme couche d'arrêt de gravure. Le déphasage est de 180 et le rapport de réflectivité entre les zones Z2 et les zones Z1 sur lesquelles subsiste la couche de silice. Si le nombre de paires 30 de couches du rniroir supérieur est 11, l'épaisseur de silice est de 20 angstrôms pour obtenir un déphasage de 180 . Le rapport de réflectivités est supérieur à 90%. Si maintenant on enlève la couche d'arrêt de gravure dans la zone Z2, on peut avoir 11 paires de couches sur le miroir supérieur et une épaisseur de 90 angstrôms de couche d'arrêt de silice ; le rapport de réflectivités reste proche de 1 : de l'ordre de 85%). Mais on peut également obtenir grâce à la présence de la cavité résonante de Fabry-Pérot constituée par la couche de silice entre les deux miroirs, un rapport de réflectivités beaucoup plus faible, de l'ordre de 10% par exemple ou 6%, en conservant la couche d'arrêt dans les zones Z2 et en l'utilisant comme couche absorbante, avec toujours un calcul d'épaisseur donnant un déphasage de 180 entre les zones Z1 et Z2. Dans ce cas, la couche d'arrêt peut avoir une épaisseur de 10 plusieurs centaines d'angstrôms. L'invention est particulièrement intéressante pour réaliser des masques à décalage de phase atténués. Pour ajuster finement le déphasage de 180 , on peut prévoir également une autre réalisation encore, visible à la figure 6. Dans cette 15 réalisation, on commence par éliminer la couche 23 dans les zones Z2 comme dans la figure 5, puis on dépose une couche supplémentaire de matériau transparent 25 sur les zones Z2. La couche 25 peut être identique en matériau (oxyde de silicium par exemple) à la couche 23, mais elle n'a pas la même épaisseur dA. Cette couche 25 a une épaisseur contrôlée e qui 20 sert à ajuster finement le déphasage de 180 introduit par la différence de marche entre la surface supérieure des zones Z1 et la surface supérieure des zones Z2. On pourrait théoriquement ajuster le déphasage en enlevant une partie seulement de l'épaisseur de la couche d'arrêt 23, dans une réalisation qui serait intermédiaire entre celles des figures 5 et 6 ; cependant, 25 le contrôle des épaisseurs enlevées par attaque chimique n'est pas très précis et on préfère enlever la totalité de la couche d'arrêt 23 dans les zones Z2 et déposer à nouveau une épaisseur contrôlée d'un matériau transparent, car le contrôle de l'épaisseur dans une phase de dépôt est beaucoup plus précis que le contrôle de l'épaisseur dans une phase d'enlèvement de 30 matière. L'épaisseur e rajoutée pour que le déphasage entre les zones Z1 et Z2 soit aussi proche que possible de 180 (ou un multiple impair de 180 ) peut se calculer en fonction des paramètres suivants : l'angle d'incidence 0, l'indice optique (en ultraviolet) de la couche 25, la hauteur D de la structure 35 22 enlevée, la hauteur dA de la couche d'arrêt enlevée. Le choix de l'épaisseur rajoutée dépend de l'indice de réfraction ng de la couche 25. On peut donc choisir finement l'épaisseur e qui produit un déphasage de 18C) ou multiple impair de 180 . On pourrait envisager aussi une couche d'ajustement de déphasage en un matériau transparent tel que le silicium (dans le cas d'un masque Hard-PSM). Pour déposer la couche d'ajustement 25, on peut utiliser un procédé dit de lift-off : dépôt d'une résine, photogravure pour l'enlever dans les zones Z2, dépôt de la couche d'ajustement 25, et enlèvement de la résine avec la couche qui la recouvre, seules les zones dépourvues de résine conservant la couche d'ajustement. On pourrait également déposer une couche d'ajustement de phase sur la couche d'arrêt de gravure sans la retirer. L'invention est applicable aux masques hard-PSM comme aux masques PSM atténués et aux masques PSM alternés. REVENDICATIONS 1. Masque de photolithographie en extrême ultraviolet, fonctionnant en réflexion et du type à décalage de phase, comprenant un motif gravé constitué par des premières zones réfléchissantes (Z1) et des deuxièmes zones réfléchissantes (Z2), les premières zones réfléchissant la lumière avec une phase opposée à la phase de la lumière réfléchie par les deuxièmes zones, le masque comportant un substrat (20) revêtu uniformément d'une structure réfléchissante multicouche inférieure (22), et, au-dessus de la structure réfléchissante inférieure, dans les premières zones, un empilement d'une couche d'arrêt de gravure (23) et d'une structure io multicouche supérieure partiellement réfléchissante (24), la couche d'arrêt de gravure ayant des propriétés de sélectivité de gravure par rapport aux couches de la structure réfléchissante supérieure, caractérisé en ce que l'épaisseur (d) de la couche d'arrêt de gravure est choisie telle que la superposition de la structure multicouche inférieure (22), la couche d'arrêt de 15 gravure (23), et la structure partiellement réfléchissante supérieure (24) dans les premières zones (Z1) constitue une cavité résonante de Fabry-Pérot, à réflectivité variable en fonction de la longueur d'onde et présentant une forte réflectivité à la longueur d'onde d'utilisation du masque. 20 2. Masque selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'arrêt de gravure est présente dans les deuxièmes zones (Z2), au-dessus de la structure réfléchissante inférieure. 3. Masque selon la revendication 1, caractérisé en ce que la 25 couche d'arrêt de gravure n'est pas présente dans les deuxièmes zones. 4. Masque selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche transparente est présente dans les deuxièmes zones réfléchissantes (Z2), au-dessus de la structure réfléchissante inférieure, cette couche ayant 30 une épaisseur choisie pour ajuster à une valeur aussi proche que possible de 180 le déphasage entre les premières et deuxièmes zones. 5. Masque selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'arrêt est sélectivement gravable par un produit qui n'attaque pas la structure réfléchissante inférieure. 6. Masque selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'arrêt de gravure est un multiple de la demi longueur d'onde, divisé par l'indice de réfraction n de cette couche et par le cosinus de l'angle d'incidence 6 de la lumière EUV prévue en utilisation. io 7. Masque selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'arrêt est en oxyde de silicium.