Brevet FR2905524A1 — publié le 20080307

Dispositif de type MOSFET partiellement déserté comportant un isolant de grille en deux parties et utilisation comme cellule de mémoire Domaine technique de l'invention L'invention est relative à des dispositifs de type MOSFET partiellement déserté comportant successivement un substrat de base, un isolant enterré, un substrat flottant en matériau semi-conducteur incluant un canal, au moins un isolant de grille et une grille, la grille comportant une première zone dopée par un premier type de dopant et au moins une seconde zone dopée par un second type de dopant, le canal en matériau semi-conducteur étant dopé par le second type de dopant. Elle concerne également un procédé d'utilisation d'un tel dispositif pour constituer une cellule mémoire de type DRAM. État de la technique Les technologies de type SOI ( silicon on insulator ) présentent de nombreux avantages, par exemple : une bonne tenue aux irradiations, une bonne isolation diélectrique des transistors et des circuits et, ainsi, une absence des effets de type latch-up, c'est-à-dire de flux de courants entre les transistors PMOS et NMOS d'un circuit CMOS, une réduction des effets de canal court, une réduction des capacités parasites des jonctions, conduisant à un fonctionnement des circuit plus rapide et à une réduction des puissances consommées. 2905524 2 Les dispositifs de type SOI peuvent être divisés en deux grandes familles : les dispositifs complètement désertés, et les dispositifs partiellement désertés. Dans les dispositifs partiellement désertés contrôlés par une grille, la zone de charge d'espace n'atteint pas l'isolant enterré. Cependant, de manière générale, les dispositifs partiellement désertés sont limités par les effets de substrat flottant, notamment pour des applications analogiques. 10 Par ailleurs on cherche à améliorer les performances des dispositifs en termes de courants délivrés, de gain de mobilité et de réduction de la consommation des circuits. Les effets de substrat flottant entraînent une augmentation du courant de saturation (effet de type kink ) qui est très pénalisante pour les applications analogiques. 15 Le document US2005/0072975 décrit un dispositif de type MOSFET, partiellement déserté, formé à partir d'un substrat de type SOI ( silicon on insulator ), comportant successivement un substrat de base, un isolant enterré, un canal en matériau semi-conducteur, un isolant de grille et une 20 grille. La grille comporte une première zone dopée par un premier type de dopant et au moins une seconde zone dopée par un second type de dopant. Le canal en matériau semi-conducteur est dopé par le second type de dopant. Les source et drain sont dopés par le premier type de dopant. 25 Une connexion par effet tunnel est, ainsi, formée entre la seconde zone dopée et le canal du transistor, si l'épaisseur de l'isolant de grille est faible, par exemple comprise entre 1 nm et 2,2nm. Ceci permet de modifier la charge et le potentiel de la couche semi- conductrice dans laquelle est formé le canal et, ainsi, de réduire la valeur absolue de la tension de seuil du 30 dispositif MOSFET. Cette réduction de la tension de seuil entraîne une augmentation du courant délivré. De plus, la pente en faible inversion, qui 5 2905524 3 traduit le pouvoir de coupure d'un transistor de l'état bloqué à l'état passant, est améliorée en raison d'une variation plus faible de la capacité de déplétion avec la polarisation appliquée sur la grille. La réduction de la valeur absolue de la tension de seuil entraîne une réduction du champ électrique en régime 5 de saturation au voisinage du drain et une diminution de l'ionisation par impact. Par ailleurs, la mise en oeuvre d'un courant tunnel entre la grille et le canal permet d'obtenir une augmentation de la conductivité à l'état passant, une 1 o réduction de l'ionisation par impact et de l'effet de type kink, un gain de mobilité et une réduction des effets de canal court. Par contre, ces avantages sont réduits dans le cas d'utilisation de tensions élevées, notamment pour des applications analogiques. Objet de l'invention Le but de l'invention consiste à réaliser un dispositif de type MOSFET 20 partiellement déserté présentant les avantages d'une grille ayant des première et seconde zones dopées par des dopants opposés, tout en étant approprié aux applications analogiques. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que l'isolant de grille comporte 25 une première partie correspondant à la première zone dopée et une seconde partie correspondant à la seconde zone dopée de la grille, la première partie de l'isolant de grille ayant une résistance tunnel plus élevée que la seconde partie de l'isolant de grille. 30 Selon un premier mode de réalisation particulier de l'invention, la première partie de l'isolant de grille et la seconde partie de l'isolant de grille ont des 15 2905524 4 épaisseurs égales, les matériaux des première et seconde parties de l'isolant de grille étant différents. La première partie de l'isolant de grille a, de préférence, une constante s diélectrique moins importante que la seconde partie de l'isolant de grille. Par exemple, la première partie de l'isolant de grille est en oxyde de silicium et la seconde partie en oxyde de Hafnium. Selon un second mode de réalisation particulier de l'invention, la première 10 partie de l'isolant de grille a une épaisseur plus élevée que la seconde partie de l'isolant de grille. Par exemple, la première partie de l'isolant de grille a une épaisseur comprise entre 1,2nm et 7nm, et de préférence entre 2nm et 5nm, et la 15 seconde partie de l'isolant de grille a une épaisseur comprise entre 1 et 2,2nm. Les première et seconde parties de l'isolant de grille peuvent être formées par le même matériau, par exemple, par l'oxyde de silicium, les oxydes 20 carbonés de silicium, les oxydes hydrocarbonés de silicium et les oxydes nitrurés de silicium et de Hafnium. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, la première partie de l'isolant de grille a une constante diélectrique plus élevée que la seconde 25 partie de l'isolant de grille. La première partie de l'isolant de grille peut être en un matériau à forte constante diélectrique comme, par exemple, l'oxyde de hafnium, les silicates de hafnium et l'oxyde nitruré de silicium. 30 2905524 5 La seconde partie de l'isolant de grille peut être en un matériau compris dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium, les oxydes carbonés de silicium et les oxydes hydrocarbonés de silicium. 5 L'invention concerne également l'utilisation d'un tel dispositif pour constituer une cellule mémoire de type DRAM. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : 15 les figures 1 à 4 représentent, respectivement en vue de dessus et en coupe selon les axes A-A, B-B et C-C, un mode de réalisation particulier d'un dispositif selon l'invention., la figure 5 représente, en coupe selon l'axe A-A, un autre mode de 20 réalisation particulier d'un dispositif selon l'invention. Description d'un mode préférentiel de l'invention 25 Le dispositif 1 de type MOSFET partiellement déserté, représenté aux figures 1 à 4, comporte un substrat à potentiel flottant, appelé substrat flottant, en matériau semi-conducteur et comprenant dans sa partie supérieure un canal 2 (voir figure 2) disposé sous une grille 3. Des électrodes de source et de drain 4 et 5 sont formées de part et d'autre du canal 2. 10 30 2905524 6 Comme représenté à la figure 2, le dispositif comporte successivement un substrat de base 6, un isolant enterré 7, le substrat flottant en matériau semi-conducteur comprenant le canal 2, au moins un isolant de grille 8 et la grille 3. La grille 3 est, par exemple, en poly-silicium. La grille 3 comporte une 5 première zone dopée 3a par un premier type de dopant (par exemple P+) et une seconde zone dopée 3b par un second type de dopant, opposé (par exemple N+). Le canal 2 en matériau semi-conducteur est dopé par le second type de dopant. Ainsi, la seconde zone dopée 3b est dopée par le même type de dopant que le canal 2. Une connexion par effet tunnel est, ~o ainsi, formée entre la seconde zone dopée 3b et le canal 2. Dans l'exemple, le premier type de dopant est P+ et le second type de dopant est N+. Dans un autre exemple, le premier type de dopant peut être N et le second type de dopant est ainsi P. 15 Les électrodes de source et de drain 4 et 5 sont dopées par le premier type de dopant. Les électrodes de source et de drain 4 et 5 et le canal 2 sont, par exemple, formées dans une couche active délimitée latéralement par des éléments isolants 9. 20 L'isolant de grille 8 comporte une première partie 8a correspondant à la première zone dopée 3a et une seconde partie 8b correspondant à la seconde zone dopée 3b de la grille 3. Dans le mode de réalisation particulier représenté aux figures 2 à 4, la 25 première partie 8a de l'isolant de grille 8 a une épaisseur Ea plus élevée que l'épaisseur Eb de la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. Ainsi, même lorsque les matériaux des première (8a) et seconde (8b) parties sont les mêmes, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 a une résistance tunnel plus élevée que la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. 30 2905524 7 Par exemple, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 a une épaisseur Ea comprise entre 1,2nm et 7nm, et de préférence entre 2nm et 5nm, et la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 a une épaisseur Eb comprise entre 1 nm et 2,2nm. 5 Les première et seconde parties 8a et 8b de l'isolant de grille 8 peuvent, par exemple, être formées par le même matériau, par exemple en un matériau compris dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium SiO2, les oxydes carbonés de silicium SiOC, les oxydes hydrocarbonés de silicium SiOCH et 10 les oxydes nitrurés de silicium SiON ou de Hafnium HfON. La première partie 8a de l'isolant de grille 8 a, ainsi, une résistance tunnel plus élevée que la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. Grâce à l'épaisseur Ea plus élevée de la première zone 8a de l'isolant de grille 8, on 15 peut utiliser des tensions plus élevées, notamment pour les applications analogiques, sans provoquer de courants tunnel à travers la première partie 8a de l'isolant de grille, tandis que la jonction tunnel correspondant à la seconde zone dopée 3b de la grille 3 est ajustée par l'épaisseur Eb de la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 pour favoriser le courant tunnel, 20 indépendamment de la première partie 8a. L'effet tunnel direct entre la seconde zone dopée 3b de la grille 3 et le canal 2 est favorisé par la réduction de l'épaisseur Eb de la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 ou par le choix d'un diélectrique de plus faible constante 25 diélectrique ou de hauteur de barrière plus faible, pour la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8, que le diélectrique de la première partie 8a de l'isolant de grille 8. Dans les dispositifs de l'art antérieur, si la tension d'alimentation est élevée, il 30 faut augmenter l'épaisseur du diélectrique pour que celui-ci ne soit pas 2905524 8 dégradé mais, alors, il n'y a plus de conduction par effet tunnel puisque le diélectrique est trop épais. La première partie 8a de l'isolant de grille 8 peut avoir une constante 5 diélectrique plus élevée que la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. La première partie 8a de l'isolant de grille 8 peut, par exemple, être en un matériau à forte constante diélectrique (type high K), par exemple en un matériau compris dans le groupe comprenant l'oxyde de hafnium HfO2, les silicates de hafnium HfSiOX (X étant compris entre 1 et 3) et l'oxyde nitruré 10 de silicium SION. La seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 peut, par exemple être en un matériau compris dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium SiO2, les oxydes carbonés de silicium SiOC et les oxydes hydrocarbonés de silicium SiOCH. 15 Dans un mode de réalisation préférentiel, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 est en SiO2 et a une épaisseur comprise entre 2nm et 3nm, et la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 est également en SiO2 et a une épaisseur comprise entre l nm et 1,5nm. 20 Dans un autre mode de réalisation, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 est en un matériau à forte constante diélectrique et a une épaisseur comprise entre 2nm et 6nm et de préférence de 2,5nm, et la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 est en SiO2 et a une épaisseur comprise entre 1 nm et 2,2nm et de préférence de 1,5nm. 25 En fonction des tensions d'alimentation utilisées, on peut envisager différents choix pour les matériaux et leurs épaisseurs. Pour une tension d'alimentation des circuits de 1 V, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 peut, par exemple, être en HfO2 avec une épaisseur de 3nm, et la seconde partie 8b 30 de l'isolant de grille 8 peut être en SiO2 avec une épaisseur de 1,9nm. 2905524 9 Pour une tension d'alimentation des circuits de 1,2V, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 peut, par exemple, être en SiON avec une épaisseur de 2,7nm, et la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 peut être en SiO2 avec une épaisseur de 1,9nm. 5 Pour une tension d'alimentation des circuits de 2,5V, la première partie 8a de l'isolant de grille 8 peut, par exemple, être en SiO2 avec une épaisseur de 5nm, et la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 peut être en SiO2 avec une épaisseur de 2,2nm. Le SiO2 peut contenir une faible quantité d'azote 10 (quelques %) afin d'augmenter la qualité du diélectrique. Les épaisseurs Ea et Eb et/ou les matériaux de la première (8a) et seconde (8b) partie de l'isolant de grille 8 peuvent, par exemple, être déterminés par l'intermédiaire de simulations ou de calculs théoriques, connus de l'homme 15 de l'art. Des calculs théoriques peuvent, par exemple, être effectués à partir de modèles de conduction par effet tunnel direct ou par effet tunnel de type Fowler-Nordheim. II est également possible de déterminer les épaisseurs Ea et Eb et/ou les matériaux de la première (8a) et seconde (8b) partie de l'isolant de grille 8 par l'intermédiaire d'essais expérimentaux à base 20 d'assemblages de type condensateur ou transistor, en mesurant des caractéristiques courant-tension ou capacité-tension. A titre d'exemple, une densité de courant de fuite de 800pA/ m2 est suffisante sous IV de tension, pour réguler le potentiel du canal, à partir d'un courant tunnel à travers un oxyde de silicium nitruré d'une épaisseur de 1,9 nm disposé entre une 25 couche de silicium monocristallin de type N et du polysilicium de type N+. Ce courant tunnel est généré par le passage des électrons accumulés dans le polysilicium de type N+ vers la couche de silicium monocristallin de type N. Dans le mode de réalisation particulier représenté à la figure 5, les 30 épaisseurs Ea et Eb sont égales. Dans ce cas, les matériaux des première (8a) et seconde (8b) parties sont différents. Le matériau de la première partie 2905524 10 8a de l'isolant de grille 8 peut, par exemple, présenter une hauteur de barrière plus importante que le matériau de la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. Lorsque les épaisseurs des première et seconde parties sont égales, le matériau de la première partie 8a de l'isolant de grille 8 a, de 5 préférence, une constante diélectrique moins importante que le matériau de la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. Par exemple, la première partie 8a peut être en oxyde de silicium SiO2 et la seconde partie 8b peut être en un oxyde à forte constante diélectrique, par 10 exemple en HfO2, les deux parties 8a et 8b ayant la même épaisseur, par exemple de 2nm. La conduction par effet tunnel direct de la seconde partie 8b est, dans ce cas, supérieure de plusieurs décades à celle de la première partie 8a. La première partie 8a de l'isolant de grille 8 a donc une résistance tunnel plus élevée que la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8. 15 L'élément commun des différents modes de réalisation est le fait que la première partie 8a et la seconde partie 8b de l'isolant de grille 8 sont distinctes. En effet, elles se distinguent notamment par leur épaisseur et/ou par leur matériau. Le dispositif selon l'invention peut être fabriqué par 20 l'intermédiaire des techniques habituellement utilisées en micro-électronique, comme les dépôts de résines, lithographies et implantations ioniques. Dans un mode d'utilisation particulier, le dispositif MOSFET selon l'invention constitue une cellule mémoire de type DRAM sans capacité ( DRAM 25 capacitorless ou 1T DRAM en anglais). Dans cette cellule mémoire le stockage de l'information au sein du dispositif est réalisé au moyen de l'effet de substrat flottant des transistors MOS réalisés avec une technologie SOI de type partiellement désertée. 30 Classiquement, ce type de cellule mémoire sans capacité est, de préférence, réalisé au moyen de transistors NMOS. Dans ce type de cellule mémoire, 2905524 Il des porteurs de charge (des trous pour un transistor NMOS) sont injectés dans la zone neutre du substrat flottant. Ces porteurs, confinés dans une région bornée par l'oxyde enterré, l'oxyde de grille et les jonctions source et drain, s'accumulent dans le substrat flottant et modifient son potentiel. Ce 5 potentiel augmente dans le cas d'un transistor NMOS, mettant en direct la jonction source/substrat flottant. La tension de seuil du transistor est ainsi réduite et le courant drain augmente. Dans ce cas, le substrat flottant est utilisé comme zone de stockage d'une charge mémoire. Cette charge stockée (état 1 de la mémoire) peut être évacuée en polarisant en direct la io jonction drain/substrat. L'état 0 de la mémoire correspond à l'absence de charge dans le substrat flottant. Contrairement aux cellules mémoires sans capacité de type connu, où la création de charges dans le substrat flottant est réalisée par ionisation par 15 impact ( A SOI capacitorless 1T-DRAM Concept , S. Okhonin et al. Proc. Of the IEEE International SOI Conf, p. 153, 2001), favorisant ainsi l'utilisation de transistors NMOS, l'utilisation d'un transistor comportant une zone ayant une résistance tunnel plus faible autorise aisément l'introduction de charges dans le substrat flottant par cette zone. Par contre, avec le dispositif selon 20 l'invention, il est préférable d'utiliser un dispositif de type PMOS. La phase de lecture est typiquement réalisée en passant le transistor à l'état conducteur ou On , c'est-à-dire, par exemple, pour un dispositif de type PMOS, en appliquant un potentiel de l'ordre de -0,1V sur le drain et un 25 potentiel de l'ordre de -0,6V sur la grille, la source étant arbitrairement fixée à 0. La différence de potentiel existant entre la grille et la source est inférieure à la différence de potentiel seuil à partir de laquelle il y a création d'un courant tunnel direct suffisant pour introduire des charges dans le substrat flottant. Cette différence de potentiel seuil est reliée à la résistance tunnel de 30 l'isolant de grille 8 et traduit la différence de potentiel pour laquelle le courant tunnel direct présente un effet important sur les caractéristiques du dispositif. 2905524 12 D'une façon générale, le signe des différences de potentiel entre les électrodes du transistor ainsi que leurs amplitudes précises dépendent du type de dispositif (NMOS ou PMOS) et du noeud technologique utilisés. 5 L'écriture d'un 1 s'effectue en réalisant l'introduction, dans le substrat flottant, de charges, ici des électrons, provenant de la seconde zone 3b dopée de la grille 3 à travers la seconde partie de l'isolant de grille 8b. La seconde zone dopée 3b est préférentiellement utilisée car elle présente une résistance tunnel plus faible que la première zone dopée. Cette phase 10 d'écriture d'un 1 est réalisée, par exemple, en appliquant un potentiel de l'ordre de -IV sur la grille, de -0,1V sur le drain, la source étant fixée arbitrairement à 0, c'est-à-dire en appliquant une tension entre la grille et la source Vgs de -1 V et une tension entre le drain et la source Vds de -0,1V. De façon schématique, les conditions des potentiels de la lecture sont reprises 15 mais l'amplitude de la différence de potentiel entre la source et la grille est augmentée, par exemple d'environ 50% ou alors en appliquant une différence de potentiel environ 10 fois plus grande entre la grille et le drain qu'entre la source et le drain. Cette augmentation de la différence de potentiel permet d'obtenir une différence de potentiel entre la grille et la 20 source supérieure à la différence de potentiel seuil et donc la création d'un courant tunnel direct suffisant, depuis la grille 3, pour induire des charges dans le substrat flottant. Par ailleurs, pour un dispositif PMOS, l'écriture d'un 0 est réalisée, par 25 exemple, en fixant au même potentiel la source et la grille, par exemple à 0, et en fixant le drain à 0,1V. D'une manière générale, l'écriture d'un 0 est effectuée en appliquant entre la source et le drain une différence de potentiel de même amplitude mais de signe opposé à celle de la lecture ou l'écriture d'un 1 . Ainsi, la jonction drain/substrat flottant est polarisée en direct. Les 30 charges stockées dans le substrat flottant sont ainsi évacuées. 2905524 13 La phase de rétention est effectuée, de façon classique sans appliquer de différence de potentiel entre les différentes électrodes. Revendications 1. Dispositif (1) de type MOSFET partiellement déserté comportant successivement un substrat de base (6), un isolant enterré (7), un substrat flottant en matériau semi-conducteur incluant un canal (2), au moins un isolant de grille (8) et une grille (3), la grille (3) comportant une première zone (3a) dopée par un premier type de dopant et au moins une seconde zone (3b) dopée par un second type de dopant, le canal (2) en matériau semi-conducteur étant dopé par le second type de dopant, dispositif caractérisé en ce que l'isolant de grille (8) comporte une première partie (8a) correspondant à la première zone dopée (3a) et une seconde partie (8b) correspondant à la seconde zone dopée (3b) de la grille (3), la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) ayant une résistance tunnel plus élevée que la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) et la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8) ont des épaisseurs (Ea et Eb) égales, les matériaux des première (8a) et seconde (8b) parties de l'isolant de grille (8) étant différents. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) a une constante diélectrique moins importante que la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8). 25 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) est en oxyde de silicium et la seconde partie (8b) en oxyde de Hafnium. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première 30 partie (8a) de l'isolant de grille (8) a une épaisseur (Ea) plus élevée que la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8). 14 2905524 15 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) a une épaisseur (Ea) comprise entre 1,2nm et 7nm et la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8) a une 5 épaisseur (Eb) comprise entre 1 nm et 2,2nm. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) a une épaisseur (Ea) comprise entre 2nm et 5nm. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que les première et seconde parties (8a, 8b) de l'isolant de grille (8) sont formées par le même matériau. 15 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que les première et seconde parties (8a, 8b) de l'isolant de grille (8) sont en un matériau compris dans le groupe comprenant le l'oxyde de silicium, les oxydes carbonés de silicium et les oxydes hydrocarbonés de silicium. 20 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) a une constante diélectrique plus élevée que la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8). 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première 25 partie (8a) de l'isolant de grille (8) est en un matériau à forte constante diélectrique. 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que la première partie (8a) de l'isolant de grille (8) est en un matériau compris dans le groupe 30 comprenant l'oxyde de hafnium, les silicates de hafnium et l'oxyde nitruré de silicium. 10 2905524 16 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que la seconde partie (8b) de l'isolant de grille (8) est en un matériau compris dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium, les oxydes carbonés 5 de silicium, les oxydes hydrocarbonés de silicium et les oxydes nitrurés de silicium et de Hafnium. 14. Procédé d'utilisation du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il constitue une cellule mémoire 10 de type DRAM par stockage de l'information par la présence ou par l'absence de charges injectées dans le substrat flottant depuis la seconde zone dopée de la grille (3) à travers la seconde partie de l'isolant de grille (8b). 15 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'injection de porteurs de charge pour écrire un état 1 est réalisée par l'application simultanée d'une différence de potentiel entre la grille (3) et la source (4), supérieure à la différence de potentiel seuil caractéristique du courant tunnel à travers la seconde partie de l'isolant de grille (8b), et d'une différence de 20 potentiel entre la source (4) et le drain (5), typique d'un état conducteur du dispositif. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que lors de l'écriture d'un état 1, la différence de potentiel (Vgs) entre la grille (3) et la source (4) est de l'ordre de dix fois la différence de potentiel (Vds) entre le drain (5) et la source (4). 17. Procédé selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que l'écriture d'un état 1 est réalisée par l'application simultanée d'une tension drain-source (Vds) de l'ordre de -0,1V et d'une tension grille-source (Vgs) de l'ordre de -IV. 2905524 17 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisé en ce que l'écriture d'un état 0 est réalisée par l'application simultanée d'une différence de potentiel entre la grille (3) et la source (4) sensiblement nulle et 5 d'une différence de potentiel entre le drain (5) et la source opposée à celle de l'écriture d'un état 1. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que lors de la lecture, la différence de potentiel entre la source (4) et le drain (5) est de 10 l'ordre de quelques dizaines de millivolts.