Brevet FR2902900A1 — publié le 20071228

PROCEDE DE RÉGLAGE DE LA QUANTITE DE CRISTAL LIQUIDE DANS UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE, PANNEAU D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE ET APPAREIL D'AFFICHAGE LE COMPORTANT La présente invention concerne un procédé de réglage de la quantité de cristal liquide dans un dispositif d'affichage à cristal liquide (LCD), et plus particulièrement, un procédé de réglage d'une quantité de cristal liquide dans un dispositif LCD pour commander précisément le cristal liquide injecté de manière excessive. Un appareil de traitement d'information qui peut traiter rapidement une grande quantité de données, et un dispositif d'affichage qui affiche des données traitées par l'appareil de traitement d'information sous la forme d'une image font l'objet d'un développement rapide. Les dispositifs LCD sont les dispositifs d'affichage les plus représentatifs. Les dispositifs LCD affichent une image au moyen de cristal liquide. Les cristaux liquides modifient leur agencement moléculaire lorsqu'un champ électrique est appliqué (un comportement électrique) et transmettent une lumière à différents indices de transmission de lumière (facteurs de transmission) en fonction de leur agencement moléculaire (un comportement optique). Pour afficher une image au moyen de cristaux liquides, un dispositif LCD comprend une partie de commande de cristal liquide qui commande l'agencement ou l'alignement des molécules de cristal liquide et une partie de fourniture de lumière qui fournit une lumière à la partie de commande de cristal liquide. La partie de commande de cristal liquide comprend une paire de substrats opposés et une couche de cristal liquide formée entre les substrats. Les substrats génèrent un champ électrique pour exciter la couche de cristal liquide. En général, la couche de cristal liquide a une épaisseur très mince d'environ quelques micromètres. La couche de cristal Iiquide mince est formée entre les substrats au moyen d'un procédé d'injection sous vide, d'un procédé de remplissage goutte à goutte, et ainsi de suite. Dans le procédé d'injection sous vide, un vide est formé entre les substrats puis du cristal liquide est injecté entre les substrats. Dans le procédé de remplissage goutte à goutte, on laisse tomber goutte à goutte le cristal liquide sur un des substrats puis l'autre substrat est couplé au substrat sur lequel on a laissé tomber goutte à goutte le cristal liquide. Cependant, lorsque le cristal liquide n'est pas suffisamment injecté entre les substrats, un manque peut être formé entre les substrats. Dans ce cas, une image n'est pas affichée au niveau du manque. R 'Brevets 26100'2612 7-061212-trodTXT dot - 13 décembre 2006 - 1117 D'autre part, lorsque le cristal liquide est injecté de manière excessive entre les substrats, le cristal liquide descend par gravitation lorsque le dispositif LCD est placé dans une position droite. Dans ce cas, une image n'est pas correctement affichée au niveau d'une partie inférieure du dispositif LCD. Selon un aspect de la présente invention, un procédé de réglage d'une quantité de cristal liquide dans un dispositif d'affichage à cristal liquide (LCD) comprend l'étape consistant à injecter du cristal liquide dans un panneau à cristal liquide ayant un élément de scellement destiné à former un espace de réception de cristal liquide ; réduire une épaisseur de l'élément de scellement au niveau d'une partie prédétermi- née de l'élément de scellement pour former une zone de réparation ; mettre sous pression le cristal liquide pour briser l'élément de scellement au niveau de la zone de réparation pour évacuer une certaine quantité de cristal liquide de l'espace de réception de cristal liquide, afin de régler la quantité de cristal liquide dans l'espace de réception de cristal liquide ; et sceller à nouveau la zone de réparation brisée de l'élément de scellement. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à réduire l'épaisseur comprend les étapes consistant à.: chauffer une structure métallique qui recouvre l'élément de scellement sous l'élément de scellement ; et brûler une partie de l'élément de scelle-ment qui recouvre la structure métallique grâce à la structure métallique chauffée. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à chauffer la structure métallique est accomplie au moyen d'un faisceau laser. Selon un autre mode de réalisation, le faisceau laser a une longueur d'onde comprise dans une plage d'environ 800 nm à 1 200 mn. Selon un autre mode de réalisation, la structure métallique est formée à partir d'au moins un matériau choisi dans le groupe constitué d'aluminium, d'un alliage d'aluminium, d'oxyde d'indiumùétain (ITO), et d'oxyde d'indiumùzinc (IZO). De préférence, le procédé comprend en outre l'étape consistant à former une ou plusieurs zones de réparation additionnelles au niveau de l'élément de scellement. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la partie prédéterminée de l'élément de scellement est d'environ 5 % à 15 % de celle de l'élément de scellement. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à sceller à nouveau la zone de réparation brisée comprend les étapes consistant à : appliquer un matériau photodurcissable à la zone de réparation brisée de l'élément de scellement ; et irradier une lumière vers le matériau photodurcissable. Selon un autre aspect, la présente invention propose un procédé de réglage d'une quantité de cristal liquide dans un dispositif d'affichage à cristal liquide, le procédé comprenant les étapes consistant à : injecter du cristal liquide dans un panneau à cristal liquide ayant un élément de scellement destiné à former un espace R 'Brevets \26100A26127-061212-tradTXT duc - 13 décembre 2006 - 2%17 de réception de cristal liquide ; disposer un masque sur le premier substrat, le masque comprenant une ouverture correspondant à un élément métallique qui recouvre l'élément de scellement ; irradier une lumière sur l'élément métallique à travers l'ouverture du masque pour rétrécir une partie de l'élément de scellement afin de former une zone de réparation ; mettre sous pression le cristal liquide pour évacuer une certaine quantité de cristal liquide de l'espace de réception de cristal liquide à travers la zone de réparation de l'élément de scellement ; et sceller à nouveau la zone de réparation de l'élément de scellement. Selon un mode de réalisation, le masque comprend : une première surface qui vient en contact avec une surface supérieure du premier substrat et comprend l'ouverture ; et une seconde surface qui s'étend vers le bas depuis la première surface le long d'une surface latérale du premier substrat. Selon un autre mode de réalisation, l'ouverture expose environ 85 % à 95 % de l'épaisseur de l'élément de scellement à la lumière irradiée. Selon un autre mode de réalisation, l'ouverture expose un côté externe de l'élément de scellement à la lumière irradiée, le côté externe de l'élément de scelle-ment étant opposé à un côté interne de l'élément de scellement qui vient en contact avec le cristal liquide. Selon un autre aspect, la présente invention propose un panneau d'affichage à cristal liquide (LCD) comprenant : un premier substrat ; un second substrat qui est opposé au premier substrat, avec du cristal liquide disposé entre les premier et second substrats ; un élément de scellement intercalé entre les premier et second substrats ; un espace cle réception de cristal liquide disposé dans le premier substrat, le second substrat opposé au premier substrat, et l'élément de scellement intercalé entre les premier et second substrats ; un masque sur le premier substrat, le masque comprenant une ouverture correspondant à un élément métallique qui recouvre l'élément de scellement ; et une zone de réparation, la zone de réparation étant une partie de l'élément de scellement qui est rétrécie par une lumière irradiée sur l'élément métallique à travers l'ouverture du masque, dans lequel une certaine quantité de cristal liquide de l'espace de réception de cristal liquide est évacuée à travers la zone de réparation de l'élément de scellement. Selon un mode de réalisation, le masque comprend : une première surface qui vient en contact avec une surface supérieure du premier substrat et comprend l'ouverture ; et une seconde surface qui s'étend vers le bas depuis la première surface le long d'une surface latérale du premier substrat. Selon un autre mode de réalisation, l'ouverture expose environ 85 % à 95 % de l'épaisseur de l'élément de scellement à la lumière irradiée. R_ABrevets\26100A26127-061212-tradTXT doc - 13 décembre 2006 - 3/ 17 Selon un autre mode de réalisation, l'ouverture expose un côté externe de l'élément de scellement à la lumière irradiée, le côté externe de l'élément de scelle-ment étant opposé à un côté interne de l'élément de scellement qui vient en contact avec le cristal liquide. Selon un autre aspect, la présente invention propose un appareil d'affichage à cristal liquide (LCD) comprenant : un panneau d'affichage à cristal liquide selon l'invention et un boîtier qui supporte le panneau d'affichage à cristal liquide. On comprendra qu'à la fois la description générale précédente et la description détaillée qui suit d'un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention sont exemplaires et explicatives de l'invention. La description qui suit d'un ou plusieurs modes de réalisation donnés à titre d'exemples non limitatifs, est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : la figure 1 est un organigramme destiné à expliquer un procédé de réglage de la quantité de cristal liquide dans un dispositif LCD selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 2 est une vue en coupe transversale illustrant un dispositif LCD auquel le procédé de la figure 1 est appliqué ; la figure 3 est une vue en coupe partielle illustrant un agencement d'une structure métallique et d'un élément de scellement dans le dispositif LCD de la figure 2 ; la figure 4 est une vue illustrant l'étape consistant à retirer une zone recouverte entre l'élément de scellement et la structure métallique représentés sur la figure 3 au moyen d'un faisceau laser ; la figure 5 est une vue en plan illustrant une zone de réparation de l'élé- ment de scellement ; la figure 6 est une vue en coupe illustrant une étape consistant à sceller à nouveau une zone de réparation brisée de l'élément de scellement représenté sur la figure 5 ; la figure 7 est une vue en plan illustrant un masque et un élément de scellement selon un second mode de réalisation de la présente invention ; la figure 8 est une vue en perspective illustrant le masque et l'élément de scellement représentés sur la figure 7 ; la figure 9 est une vue en coupe illustrant un processus de formation d'une zone de réparation au moyen du masque ; la figure 10 est une vue en plan illustrant la zone de réparation formée au niveau de l'élément de scellement ; et la figure 11 est vue en coupe illustrant l'étape consistant à sceller à nouveau la zone de réparation. R',Brevets ~_'6100':261:7-061212-tradTXT doe - 13 décembre 2006 - 4/17 Il va maintenant être décrit en détail un ou plusieurs modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins joints. Sur les dessins, les dimensions d'un premier substrat, d'un second substrat, d'un élément de scellement, du cristal liquide, d'une zone de réparation, d'un masque, et d'autres éléments et structures sont exagérées dans un but de clarté. On comprendra que lorsque l'on se réfère à un élément ou une structure, tel qu'un premier substrat, un second substrat, un élément de scellement, du cristal liquide, une zone de réparation, ou un masque, en précisant qu'il ou elle se trouve "sur", "auùdessus" ou "auùdessous" d'un autre élément ou d'une autre structure, il ou elle peut être directement sur, au dessus, ou auùdessous d'un autre élément ou d'une autre structure, ou des éléments ou structures intermédiaires peuvent également être présents (présentes). En outre, on comprendra que bien que les termes premier et second soient ici utilisés pour décrire divers éléments ou diverses structures (par exemple, un premier substrat ou un second substrat), ces éléments ou structures ne devraient pas être limités à ces termes. Ces termes sont uniquement utilisés pour distinguer un élément ou une structure d'un autre élément ou d'une autre structure. Donc, les termes premier et second peuvent être utilisés de manière sélective ou interchangeable pour des éléments ou structures tels que des substrats. Par exemple, un premier substrat pourrait être appelé second substrat, et de manière similaire, un second substrat pourrait être appelé premier substrat. La figure 1 est un organigramme destiné à expliquer un procédé de réglage de la quantité de cristal liquide dans un dispositif LCD selon un premier mode de réalisation de la présente invention, et la figure 2 une vue en coupe transversale illustrant un dispositif LCD auquel on applique le procédé de la figure 1. On se réfère aux figures 1 et 2, dans l'opération S10, sur lesquelles du cristal Iiquide est injecté dans un dispositif LCD 100 pour former une couche de cristal liquide 10. Le cristal liquide peut être injecté au moyen d'un procédé d'injection sous vide ou d'un procédé de remplissage goutte à goutte. Le dispositif LCD 100 sera maintenant décrit en détail avec référence à la figure 2. Le dispositif LCD 100 comprend un premier substrat 20, un second substrat 30, la couche de cristal liquide 10, un élément de scellement 40, et une structure métallique 50. Le premier substrat 20 comprend un premier substrat transparent 21 tel qu'un substrat de verre, des transistors à couches minces 22, et des électrodes de pixel PE. Les transistors à couches minces 22 sont formés sur le premier substrat transparent 21. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une pluralité de transistors à couches minces sont formés sur le premier substrat transparent 21 en R ABrevets\ 26100,26127-061 212-tradFXT doc - 13 décembre 2006 - 5/17 fonction de la résolution du dispositif LCD 100. Par exemple, lorsque la résolution du dispositif LCD 100 est 1024 x 768, 1024 x 768 x 3 transistors à couches minces 22 peuvent être formés sur le premier substrat transparent 21 dans un format matriciel. Chacun des transistors à couches minces 22 comprend une électrode de grille G connectée à une ligne de grille (non représentée), une couche d'isolation de grille GI qui isole l'électrode de grille G, une structure de canal C formée sur la couche d'isolation de grille Gl auùdessus de l'électrode de grille G, une électrode source S et une électrode drain D qui sont formées sur la structure de canal C. La structure de canal C peut comprendre une structure en silicium amorphe de type n+ (non représentée) formée par dopage ionique d'une structure en silicium amorphe avec une impureté conductrice jusqu'à une concentration élevée. L'électrode source S est connectée à une ligne de données (non représentée) formée de manière perpendiculaire par rapport à la ligne de grille. L'électrode source S et l'électrode drain D sont formées sur la structure de canal C à une distance pré- déterminée l'une de l'autre. L'électrode de pixel PE est connectée électriquement à l'électrode drain D du transistor à couches minces 22. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'électrode de pixel PE comprend un matériau conducteur transparent. L'élec- trode de pixel PE peut être formée à partir d'un matériau tel qu'un oxyde d'indiumùétain (ITO), un oxyde d'indiumùzinc (IZO), ou un oxyde d'indiumùétain amorphe (aùITO). Le second substrat 30 comprend un second substrat transparent 31 tel qu'un substrat de verre, une matrice à fond noir 32, et un filtre coloré 34. La matrice à fond noir 32 est formée auùdessous du second substrat transparent 31. La matrice à fond noir 32 peut être formée à partir d'un matériau présentant un haut coefficient d'absorption de lumière tel que le chrome et un oxyde de chrome. Lorsqu'on l'observe depuis le dessus de la figure 2, la matrice à fond noir 32 est formée entre les électrodes de pixel PE formées sur le premier substrat 20. Etant donné que les électrodes de pixel PE du premier substrat 20 sont agencées dans un format matriciel, la matrice à fond noir 32 peut avoir une forme de grille. La matrice à fond noir 32 protège les transistors à couches minces 22 agencés sur le premier substrat 20. En outre, la matrice à fond noir 32 absorbe une lumière incidente provenant de l'extérieur, ce qui améliore de ce fait le contraste d'une image affichée. Le filtre coloré 34 est formé dans chaque ouverture définie dans la matrice à fond noir 32. Le filtre coloré 34 formé dans chaque ouverture de la matrice à fond noir 32 comprend un filtre coloré rouge (R) qui transmet une composante de lumière RBrevets\26100A26127-061212-tradTXT doc - 13 décembre 2006 - 6/17 rouge d'une lumière blanche, un filtre coloré vert (V) qui transmet une composante de lumière verte d'une lumière blanche, et un filtre coloré bleu (B) qui transmet une composante de lumière bleue d'une lumière blanche. L'élément de scellement 40 est disposé entre les premier et second substrats 20 et 30 opposés. Par exemple, l'élément de scellement 40 peut être formé entre des bords des premier et second substrats 20 et 30 pour mettre à disposition un espace de réception de cristal liquide entre les premier et second substrats 20 et 30. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'élément de scellement 40 peut comprendre un matériau photodurcissable qui est durci par une lumière telle que des rayons ultraviolets. La couche de cristal liquide 10 est remplie dans l'espace de réception de cristal liquide formé par l'élément de scellement 40. La couche de cristal liquide 10 peut comprendre des cristaux liquides nématiques tordus, des cristaux liquides à aligne-ment vertical, ou analogues. La figure 3 est une vue en coupe partielle illustrant un agencement de la structure métallique 50 et de l'élément de scellement 40. On se réfère à la figure 3, sur laquelle la structure métallique 50 peut être formée sur le premier substrat 20. De manière détaillée, la structure métallique 50 est formée entre l'élément de scellement 40 et le premier substrat 20. La structure métal- ligue 50 a une forme de pièce. La structure métallique 50 et l'élément de scellement 40 sont formés de façon à se recouvrir l'un l'autre. La structure métallique 50 est formée au niveau d'un côté externe 42 de l'élément de scellement 40 opposé à un côté interne 44 de l'élément de scellement 40 en contact avec la couche de cristal liquide 10. Lorsque l'épaisseur de l'élément de scellement 40 est T, la zone de recouvrement entre la structure métallique 50 et l'élément de scellement 40 occupe environ 85 % à 95 % de l'épaisseur (T). Donc, la zone de non recouvrement de l'élément de scellement 40 avec la structure métallique 50 a une épaisseur (t) dans la gamme allant de 5 % à 15 % de l'épaisseur totale T de l'élément de scellement 40. Ciûaprès, la zone de recouvrement de la structure métallique 50 avec l'élément de scellement 40 sera indiquée par le numéro de référence 56, et la zone de non recouvrement restante (zone exposée) sera indiquée par le numéro de référence 55.. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la structure métallique 50 peut être formée à partir du même matériau que l'électrode de grille G, les électrodes source/drain S et D, ou l'électrode de pixel PE du transistor à couches minces 22. C'estûàûdire que la structure métallique 50 peut être formée à partir d'aluminium, d'un alliage d'aluminium, d'un oxyde ITO, d'un oxyde IZO, ou d'un oxyde aûITO. R.\Brevetsl26I00',.26127-061212-tradTXT doc - 13 décembre 2006- 7/17 On se réfère à nouveau aux figures 1 et 2, sur lesquelles, après que la couche de cristal liquide 10 a été formée dans le dispositif LCD 100, on détermine si le cristal liquide a été ou non injecté de manière excessive dans le dispositif LCD 100. Si cela est le cas, la quantité excessive du cristal liquide injecté est retirée du dispositif LCD 100. La figure 4 est une vue illustrant l'étape consistant à retirer la zone recouverte entre l'élément de scellement 40 et la structure métallique 50 au moyen d'un faisceau laser, et la figure 5 est une vue en plan illustrant une zone restante de l'élément de scellement 40. l0 On se réfère aux figures 1, 4, et 5, sur lesquelles, afin de régler la quantité de cristal liquide de la couche de cristal liquide 10 par évacuation de la quantité excessive du cristal liquide de la couche de cristal liquide 10, on forme une zone de réparation 45 au niveau de l'élément de scellement 40 dans l'opération S20. On se réfère à la figure 4, sur laquelle un dispositif de génération 60 de 15 faisceau laser émet un faisceau laser 65 sur la zone de recouvrement 56 (à laquelle on se réfère sur la figure 3) de la structure métallique 50 pour former la zone de réparation 45. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le faisceau laser 65 est irradié sur la zone de recouvrement 56 de la structure métallique à travers le second 20 substrat 30 et l'élément de scellement 40. Le faisceau laser 65 n'est pas absorbé par le second substrat 30 et l'élément de scellement 40 mais absorbé principalement par la structure métallique. Dans ce but, le faisceau laser 65 a une longueur d'onde dans la plage de 800 nm à 1 200 nm. Lorsque la longueur d'onde du faisceau laser 65 est supérieure à 25 1 200 nm, le second substrat 30 et l'élément de scellement 40 peuvent être endommagés par la lumière 65. D'autre part, lorsque la longueur d'onde du faisceau laser 65 est inférieure à 800 nm, il est difficile de fournir une énergie suffisante à la structure métallique 50 en raison d'un faible niveau d'énergie du faisceau laser 65. Donc, il est préférable que la longueur d'onde du faisceau laser 65 soit dans la 30 plage de 800 nm à 1 200 nm. Lors de la réception du faisceau laser 65, la structure métallique 50 est rapide-ment brûlée. Par conséquent, une partie de l'élément de scellement 40 correspondant à la zone de recouvrement 56 de la structure métallique 50 est retirée en même temps que la structure métallique 50, ce qui permet de former de ce fait la zone de répara- 35 Lion 45 et une zone restante 45a telles que représentées sur les figure 4 et 5. La zone de réparation 45 et la zone restante 45a peuvent être formées au niveau de l'élément de scellement 40 à deux ou plusieurs endroits. R \Brevets\26100A26127-061212-tradTXT duc - Il décembre 2006 - 8117 Selon un mode de réalisation de la présente invention, la zone de réparation 45 de l'élément de scellement 40 correspond à la zone de recouvrement 56 de la structure métallique 50. Etant donné que la zone de recouvrement 56 occupe environ 85 % à 95 % de l'épaisseur (T) de l'élément de scellement 40, l'élément de scellement 40 a une épaisseur mince au niveau de la zone de réparation 45. C'estûàûdire que l'épaisseur de la zone restante 45a va de 5 % à 15 % de l'épaisseur (T) de l'élément de scellement. On se réfère à nouveau à la figure 1, sur laquelle, après que la zone de réparation 45 a été formée au niveau de l'élément de scellement 40, la quantité excessive de cristal liquide injecté dans la couche de cristal liquide 10 du dispositif LCD 100 est ajustée par l'intermédiaire de la zone de réparation 45 dans l'opération S30. Pour cet ajustement, une pression est appliquée au dispositif d'affichage LCD 100, et la pression appliquée est transmise à la couche de cristal liquide 10. Puis, la pression est transmise à la zone restante 45a de l'élément de scellement 40. Si la pression qui agit sur la zone restante 45a est plus importante que la résistance de la zone restante 45a, la zone restante 45a se brise. Puis, du cristal liquide injecté de manière excessive est évacué du dispositif LCD 100 par l'intermédiaire de la zone restante brisée 45a, de sorte que la quantité de cristal liquide de la couche de cristal liquide 10 puisse être correctement ajustée. La figure 6 est une vue en coupe illustrant l'étape consistant à sceller à nouveau la zone restante brisée 45a. On se réfère à la figure 6 sur laquelle, pour empêcher l'air ambiant de s'écouler dans la couche de cristal liquide 10 par l'intermédiaire de la zone restante brisée 45a, un matériau photodurcissable 70 est appliqué à la zone restante brisée 45a puis une lumière est irradiée vers le matériau photodurcissable 70 pour sceller à nouveau l'élément de scellement brisé 40 dans l'opération S40. De préférence, le matériau photodurcissable 70 peut être un matériau à durcissement sous UV qui durcit grâce à des rayons ultraviolets. La figure 7 est une vue en plan illustrant un masque et un élément de scelle- ment selon un second mode de réalisation de la présente invention, et la figure 8 est une vue en perspective illustrant le masque et l'élément de scellement représentés sur la figure 7. La figure 9 est une vue en coupe destinée à illustrer un processus de formation d'une zone de réparation au moyen du masque. La figure 10 est une vue en plan illustrant la zone de réparation formée au niveau de l'élément de scellement. La figure 11 est une vue en coupe illustrant l'étape consistant à sceller à nouveau la zone de réparation. Dans le second mode de réalisation de la présente invention, le panneau d'affichage à cristal liquide., l'élément de scellement, et la structure (élément) métallique R.`.Brevets\26100:26127-061212-IradrXT doc - 13 décembre 2006 - 9/17 ont sensiblement les structures identiques à celles du premier mode de réalisation illustré sur les figures 1 à 3. Ainsi, leurs descriptions seront omises. En outre, les numéros de référence analogues indiquent des éléments analogues. On se réfere aux figures 7 et 8, sur lesquelles un masque 80 comprend une première surface 82 et une seconde surface 84. De préférence, le masque 80 est formé à partir d'un matériau qui n'est pas endommagé par un faisceau laser. La première surface 82 peut être formée de manière plate le long d'une surface supérieure du second substrat 30 du dispositif LCD 100, et la seconde surface 84 peut s'étendre vers le bas depuis un bord de la première surface 82 le long d'une l0 surface latérale du second substrat 30. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la première surface 82 et la seconde surface 84 constituent une forme en L. La seconde surface 84 facilite un alignement entre une ouverture 81 (décrite ultérieurement) et la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50 formé sous l'élément de scellement 40. 15 L'ouverture 81 est formée dans la première surface 82. L'ouverture 81 peut être rectangulaire. En particulier, l'ouverture 81 est correctement dimensionnée pour un alignement avec la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50. Le côté externe 42 de l'élément de scellement 40, qui est opposé au côté interne 44 de l'élément de scellement 40 en contact avec la couche de cristal liquide 10, est exposé 20 par l'ouverture 81. Le numéro de référence 45 indique une zone de réparation formée au niveau de l'élément de scellement 40. On se réfère à la figure 9 sur laquelle, pour former la zone de réparation 45, un faisceau laser 65 généré par l'unité de génération 60 de faisceau laser est irradié à travers l'ouverture 81 formée dans la première surface 82 du masque 80. 25 Ensuite, le faisceau laser 65 atteint la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50 après être séquentiellement passé à traversl'ouverture 81, le second substrat 30, et l'élément de scellement 40. Même lorsque le faisceau laser 65 dévie de son trajet optique en raison de vibrations ou de chocs appliqués à l'unité de génération 60 de faisceau laser et/ou au 30 dispositif LCD 100, le masque 80 comportant l'ouverture 81 empêche le faisceau laser 65 d'atteindre une partie non souhaitée de l'élément de scellement 40. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le faisceau laser 65 n'est pas sensiblement absorbé par le second substrat 30 et l'élément de scellement 40. Cependant, l'élément métallique 50 absorbe la majeure partie du faisceau laser 65, et 35 ainsi l'élément métallique 50 est rapidement chauffé. Pour former efficacement la zone de réparation 45 au niveau de l'élément de scellement 40, il est préférable que le faisceau laser 65 ait une longueur d'onde dans la plage de 800 nm à 1. 200 nm. Lorsque la longueur d'onde du faisceau laser 65 est R VBrevets\ 26100A26127-061212-tradiXT. doc - 13 décembre 2006 - 10/17 supérieure à 1 200 mn, le second substrat 30, l'élément de scellement 40, et le premier substrat 20 peuvent être endommagés par le faisceau laser 65. D'autre part, lorsque la longueur d'onde du faisceau laser 65 est inférieure à 800 nm, il est difficile de brûler complètement l'élément métallique 50 en raison d'un faible niveau d'énergie 5 du faisceau laser 65. Donc, lorsque le faisceau laser 65 a une longueur d'onde dans la plage d'environ 800 nm à 1 200 nm et est irradié sur la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50 à travers l'ouverture 81, l'élément métallique 50 peut être facilement brûlé par absorption de l'énergie du faisceau laser 65. 10 Lorsque l'élément métallique 50 est complètement brûlé, une partie de l'élément de scellement 40 correspondant à l'élément métallique 50 est également retirée, ce qui permet de former de ce fait la zone de réparation 45 et la zone restante 45a au niveau de l'élément de scellement 40 tel que représenté sur la figure 10. La zone de réparation 45 peut être formée sur l'élément de scellement 40 à deux ou 15 plusieurs endroits. La zone de réparation 45 est définie comme étant une zone correspondant à la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50. Etant donné que la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50 occupe environ 85 % à 95 % de l'épaisseur (T) de l'élément de scellement 40, l'élément de scellement 40 a une épaisseur 20 mince au niveau de la zone de réparation 45. C'estùàùdire que l'épaisseur de la zone restante 45a va de 5 % à 15 % de l'épaisseur (T) de l'élément de scellement. Tel qu'expliqué ciùdessus, la zone de recouvrement 56 de l'élément métallique 50 est retirée au moyen du faisceau laser 65. En conséquence, la zone restante 45a est formée au niveau de l'élément de scellement 40. Même lorsque le faisceau laser 65 25 est dévié de son trajet optique d'origine, la zone restante 45a peut être clairement formée le long d'une ligne de contour prévue à cause de l'ouverture 81 formée dans le masque 80. Après que la zone de réparation 45 a été formée au niveau de l'élément de scellement 40, du cristal liquide injecté de manière excessive est libéré du dispositif 30 LCD 100 au moyen de la zone de réparation 45. Dans ce but, une pression est appliquée au dispositif LCD 100, et cette pression est transmise à la couche de cristal liquide 10. Puis, la pression est transmise à l'élément de scellement 40. Lorsque la pression appliquée à l'élément de scellement 40 est suffisamment 35 élevée, la zone restante 45a de l'élément de scellement 40 est brisée au niveau de la zone de réparation 45. Puis, une certaine quantité de cristal liquide injecté dans le dispositif LCD 100 est évacuée par l'intermédiaire de la zone restante brisée 45a de l'élément de scelle- R \BrevetsV26100A26127-061212-tradlXT doc - 13 décembre 2006 - I I/17 ment 40. Donc, la quantité de cristal liquide ayant rempli le dispositif LCD 100 peut être correctement ajustée. On se réfère à la figure 1 l sur laquelle de l'air extérieur peut être introduit dans le dispositif LCD 100 par l'intermédiaire de la zone restante brisée 45a. Pour empêcher l'afflux de l'air extérieur dans le dispositif LCD 100, un matériau photodurcissable 70 est appliqué à la zone restante brisée 45a de l'élément de scellement 40, et une lumière est irradiée vers le matériau photodurcissable appliqué 70. De cette façon, la zone restante brisée 45a de l'élément de scellement peut être scellée à nouveau. Il est préférable que le matériau photodurcissable 70 soit un matériau à durcissement sous UV qui durcit grâce à des rayons UV. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ciùdessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Ainsi, diverses modifications et variations peuvent apparaître à l'homme du métier qui 15 restent comprises dans la portée des revendications. R \Brevets`26100\26127-061212-tradFXT doc - 13 décembre 2006 - 12.'17 REVENDICATIONS 1. Procédé de réglage d'une quantité de cristal liquide dans un dispositif d'affichage à cristal liquide (LCD) (100), le procédé comprenant les étapes consistant à: - injecter du cristal liquide dans un panneau à cristal liquide (100) ayant un élément de scellement (40) destiné à former un espace de réception de cristal liquide ; - réduire une épaisseur de l'élément de scellement (40) au niveau d'une partie 10 prédéterminée de l'élément de scellement (40) pour former une zone de réparation (45) ; -mettre sous pression le cristal liquide pour briser l'élément de scellement (40) au niveau de la zone de réparation (45) pour évacuer une certaine quantité de cristal liquide de l'espace de réception de cristal liquide, afin de régler la quantité de cristal 15 liquide dans l'espace de réception de cristal liquide ; et - sceller à nouveau la zone de réparation (45) brisée de l'élément de scellement 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à 20 réduire l'épaisseur comprend les étapes consistant à : - chauffer une structure métallique (50) qui recouvre l'élément de scellement (40) sous l'élément de scellement (40) ; et - brûler une partie de l'élément de scellement (40) qui recouvre la structure métallique (50) grâce à la structure métallique chauffée (50). 25 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape consistant à chauffer la structure métallique (50) est accomplie au moyen d'un faisceau laser (65). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le faisceau laser (65) a 30 une longueur d'onde comprise dans une plage d'environ 800 nm à 1 200 nm. 5. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la structure métallique est formée à partir d'au moins un matériau choisi dans le groupe constitué d'alumi- nium, d'un alliage d'aluminium, d'oxyde d'indiumûétain (ITO), et d'oxyde d'indiumû35 zinc (IZO). R VvBrevetsy26100A26127-061212-tradTXT doc - 13 décembre 2006 - 13/17 14 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre l'étape consistant à former une ou plusieurs zones de réparation additionnelles (45) au niveau de l'élément de scellement (40). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur de la partie prédéterminée de l'élément de scellement (40) est d'environ 5 % à 15 % de celle de l'élément de scellement (40). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape consistant à sceller à nouveau la zone de réparation (45) brisée comprend les étapes consistant à : - appliquer un matériau photodurcissable à la zone de réparation (45) brisée de l'élément de scellement (40) ; et - irradier une lumière vers le matériau photodurcissable. 9. Procédé de réglage d'une quantité de cristal liquide dans un dispositif d'affichage à cristal liquide (100), le procédé comprenant les étapes consistant à : - injecter du cristal liquide dans un panneau à cristal liquide (100) ayant un élément de scellement (40) destiné à former un espace de réception de cristal liquide ; - disposer un masque (80) sur le premier substrat (20), le masque (80) comprenant une ouverture (81) correspondant à un élément métallique (50) qui recouvre l'élément de scellement (40) ; - irradier une lumière sur l'élément métallique (50) à travers l'ouverture (81) du 25 masque pour rétrécir une partie de l'élément de scellement (40) afin de former une zone de réparation (45) ; - mettre sous pression le cristal liquide pour évacuer une certaine quantité de cristal liquide de l'espace de réception de cristal liquide à travers la zone de réparation (45) de l'élément de scellement (40) ; et 30 - sceller à nouveau la zone de réparation (45) de l'élément de scellement (40). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel le masque (80) comprend : - une première surface (82) qui vient en contact avec une surface supérieure du 35 premier substrat (20) et comprend l'ouverture (81) ; et -une seconde surface (84) qui s'étend vers le bas depuis la première surface (82) le long d'une surface latérale du premier substrat (20). R \Breeets\26100A26127-061212-tradTXT doc - 13 décembre 2006 - 19/17 I1. Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel l'ouverture (81) expose environ 85 % à 95 % de l'épaisseur de l'élément de scellement (40) à la lumière irradiée. 12. Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel l'ouverture (81) expose un côté externe (42) de l'élément de scellement (40) à la lumière irradiée, le côté externe (42) de l'élément de scellement (40) étant opposé à un côté interne (44) de l'élément de scellement qui vient en contact avec le cristal liquide. 13. Panneau d'affichage à cristal liquide (LCD) (100) comprenant : - un premier substrat (20) ; - un second substrat (30) qui est opposé au premier substrat (20), avec du cristal liquide disposé entre les premier et second substrats (20, 30) ; - un élément de scellement (40) intercalé entre les premier et second substrats 15 (20, 30) ; - un espace de réception de cristal liquide disposé dans le premier substrat (20), le second substrat (30) opposé au premier substrat (20), et l'élément de scellement (40) intercalé entre les premier et second substrats (20, 30) ; un masque (80) sur le premier substrat (20), le masque (80) comprenant une ouverture (81) correspondant à 20 un élément métallique (50) qui recouvre l'élément de scellement (40) ; et - une zone de réparation (45), la zone de réparation (45) étant une partie de l'élément de scellement (40) qui est rétrécie par une lumière irradiée sur l'élément métallique (50) à travers l'ouverture (81) du masque (80), dans lequel une certaine quantité de cristal liquide de l'espace de réception de cristal 25 liquide est évacuée à travers la zone de réparation (45) de l'élément de scellement (40). 14. Panneau d'affichage à cristal liquide (100) selon la revendication 13, dans lequel le masque (80) comprend : 30 - une première surface (82) qui vient en contact avec une surface supérieure du premier substrat (20) et comprend l'ouverture (81) ; et - une seconde surface (84) qui s'étend vers le bas depuis la première surface (82) le long d'une surface latérale du premier substrat (20). 35 15. Panneau d'affichage à cristal liquide (100) selon la revendication 13 ou I4, dans lequel l'ouverture (81) expose environ 85 % à 95 % de l'épaisseur de l'élément de scellement (40) à la lumière irradiée. RABrevets\26100A26 1 27-061 2 1 2-tradT/i doc - 13 décembre 2006 - 15/17 16 16. Panneau d'affichage à cristal liquide (100) selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, dans lequel l'ouverture (81) expose un côté externe (42) de l'élément de scellement (40) à la lumière irradiée, le côté externe (42) de l'élément de scellement (40) étant opposé à un côté interne (44) de l'élément de scellement (40) qui vient en contact avec le cristal liquide. 17. Appareil d'affichage à cristal liquide (LCD) comprenant : - un panneau d'affichage à cristal liquide (100) selon l'une quelconque des revendications 13 à 16 et 1C- - un boîtier qui supporte le panneau d'affichage à cristal liquide (100). R V13re,ets'26100A26127-061212-tradTXT-doc - 13 décembre 2006 - 16/17