Brevet FR2898217A1 — publié le 20070907

DOMAINE TECHNIQUE GENERAL L'invention concerne un boîtier comportant une photocathode reliée à une borne électrique. L'invention concerne également un procédé d'utilisation du boîtier. ETAT DE L'ART On connaît des dispositifs de captation d'image à faible niveau de lumière. Un exemple d'un tel dispositif est représenté schématiquement à la 10 figure 1. Le dispositif comporte un objectif 2 qui focalise des photons 10 en provenance d'une scène 1 sur une photocathode 11 située dans un boîtier hermétique 25. La photocathode 11 convertit les photons 10 en électrons 13. Ces derniers sont accélérés dans une chambre 12 du boîtier 25 où 15 règne le vide, et où une différence de potentiel d'une valeur absolue V de plusieurs centaines à quelques milliers de volts est appliquée. Les électrons accélérés 13 viennent bombarder en flux parallèle la face arrière d'une matrice 14. Le champ électrique régnant dans la chambre 12 est uniforme dans sa partie utile et donne à chacun des électrons 13 émis et transportés 20 une énergie proportionnelle à la différence de potentiel V utilisée entre la photocathode 11 et la face arrière de la matrice 14. La matrice 14 comporte couche amincie de silicium comportant une zone 141 de multiplication d'électrons. L'énergie emmagasinée par chaque électron 13 permet à ce dernier, après entrée par la face arrière de la 25 matrice 14, d'effectuer sa multiplication, dé proche en proche par chocs successifs, au sein du silicium de la zone 141. La couche de la matrice 14 comporte également une zone 148 de conduction située en dessous de la zone 141 et conduisant les électrons multipliés vers une zone 142 de diffusion CMOS selon la terminologie anglo-saxonne de l'homme du métier. 30 La matrice 14 forme ainsi une matrice EBCMOS ( Electron Bombarded CMOS ). Chaque électron 13 multiplié est converti en signal vidéo 15 après sa capture par la zone CMOS 142 de la matrice 14. Les trois zones 141, 148 et 142 de la couche de la matrice sont dopées, la distribution de dopage étant différente dans chaque zone pour permettre des comportements différents (multiplication d'électrons, conduction et diffusion). La matrice 14 est en général fixée au boîtier 25 par l'intermédiaire d'un support 4. Le sens de report de la matrice 14 sur le support 4 est identique au sens de bombardement des électrons 13 sur la matrice 14. Le dispositif selon l'art antérieur présente des inconvénients. La photocathode 11 est réalisée par une succession de couches dont l'assemblage présente des propriétés d'absorption des particules présentes dans la chambre 12. Or, la photocathode 11 est détériorée par l'impact de particules. Ces particules peuvent se présenter par exemple sous forme d'ions dégagés par la matrice 14 lors du bombardement électronique ou de particules libérées par des éléments du boîtier 25. Ce phénomène est accentué par la présence du champ électrique dans le dispositif en fonctionnement qui entraîne la précipitation des ions présents entre la photocathode 11 et la matrice 14 en regard, ce qui est responsable de la majeure partie de la dégradation de la photocathode 11. PRESENTATION DE L'INVENTION L'invention propose de pallier au moins un de ces inconvénients. A cet effet, on propose selon l'invention un boîtier comportant une photocathode reliée à une borne électrique, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une surface revêtue d'un getter reliée à une autre unique borne électrique. L'invention est avantageusement complétée par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible : - le boîtier comporte en outre une matrice comportant une zone de diffusion CMOS en regard de la photocathode, un support de la matrice, une surface 30 revêtue d'un getter étant une surface du support ; - la surface est coudée pour faire face à un espace entre la matrice et la photocathode ; - le boîtier comporte en outre un couvercle fermant une ouverture du boîtier, une surface revêtue d'un getter étant une surface du couvercle ; - le boîtier comporte des moyens aptes à polariser la surface revêtue d'un getter, pour former des lignes de champ électrique dans le boîtier ; - le boîtier comporte des moyens aptes à polariser la photocathode, pour former des lignes de champ électrique dans le boîtier ; - la matrice comporte un substrat de support de la zone de diffusion, le substrat de support comportant une face de soutien sur laquelle sont agencés la zone de diffusion CMOS et au moins un plot de brasage ; 10 - le support comportant d'une part une face d'appui comprenant au moins une zone de brasage et d'autre part un orifice débouchant, la zone de brasage étant agencée en périphérie de l'orifice sur la face d'appui, au moins un plot de brasage étant brasé sur une zone de brasage. L'invention concerne également un procédé d'utilisation d'un tel 15 boîtier. L'invention présente de nombreux avantages. Elle permet notamment de réduire le nombre de particules entrant en collision avec la photocathode, ce qui augmente la durée de vie de cette dernière. 20 PRESENTATION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention ressortiront de la description qui suit, qui est purement illustrative et non limitative, et qui doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1, déjà commentée, représente schématiquement un dispositif 25 connu de captation d'image ; - les figures 2A et 2B représentent schématiquement un exemple d'un mode de réalisation possible d'un dispositif selon l'invention ; - les figures 3a à 3j représentent schématiquement un premier exemple d'un procédé de fabrication d'une matrice selon l'invention ; 30 - les figures 4a à 4j représentent schématiquement un deuxième exemple d'un procédé de fabrication d'une matrice selon l'invention. Sur l'ensemble des figures, les éléments similaires portent des références numériques identiques. DESCRIPTION DETAILLEE Les figures 2A et 2B représentent schématiquement un boîtier 25 hermétique d'un dispositif de captation d'image à faible niveau de lumière, comportant principalement classiquement une photocathode 11 qui convertit des photons issus d'une scène en électrons. Ces derniers sont accélérés dans une chambre 12 du boîtier 25 où règne le vide, et où une différence de potentiel d'une valeur absolue V de plusieurs centaines à quelques milliers de volts est appliquée. Les électrons accélérés viennent bombarder en flux parallèle la face arrière d'une matrice 14 solidaire d'un 10 support 4 en vue de leur transformation en flux vidéo. La matrice 14 comporte une zone 141 de multiplication d'électrons comportant préférentiellement du silicium. Elle comporte également une zone 142 de diffusion CMOS. Elle comporte en outre un substrat 143 de support de la zone 142 de diffusion CMOS. La matrice 14 est également 15 appelée matrice EBCMOS ( Electron Bombarded CMOS ). Le substrat 143 de support comporte une face 1431 de soutien sur laquelle sont agencés la zone 142 de diffusion CMOS et au moins un plot 3 de brasage. Au moins une dimension de la face 1431 de soutien est supérieure à 20 la plus grande dimension de la zone 142 de diffusion CMOS. Préférentiellement, l'aire de la face de soutien 1431 est supérieure à l'aire de la zone 142, au moins deux dimensions de la face de soutien 1431 étant supérieures aux dimensions de la zone 142. La zone 142 de diffusion CMOS est alors préférentiellement agencée en position sensiblement 25 centrale de la face 1431 de soutien, au moins un plot 3 étant agencé en partie périphérique de ladite face 1431 par rapport à la zone 142 de diffusion CMOS. Le support 4 comporte d'une part une face 46 d'appui comprenant au moins une zone 47 de brasage et d'autre part un orifice 45 débouchant. 30 La zone 47 de brasage est agencée en périphérie de l'orifice 45 sur la face d'appui 46. Les plots 3 de brasage sont brasés sur les zones 47 de brasage correspondantes. Le sens de report de la matrice 14 sur le support 4 est inverse au sens de bombardement des électrons sur la matrice 14. Les positions du support 4 dans le boîtier 25, de l'orifice 45 par rapport à la face 46 d'appui et des brasages entre les plots 3 et les zones de brasage 47 sont telles que la matrice 14 est située au droit de la photocathode 11. Au moins une dimension de la section droite de l'orifice 45 est supérieure à la plus grande dimension de la zone 142 dé diffusion CMOS et de la zone 141, l'image électronique issue de la photocathode 11 bombardant ainsi la zone de multiplication 141 à travers l'orifice 45. Le mode de report de la matrice 14 sur le support 4 permet un positionnement précis obtenu automatiquement, lors de la refusion des plots 3 Ide brasage, par le jeu des forces de cohésion moléculaire du brasage à l'état liquide. Le support 4 est avantageusement en matériau céramique. Le matériau céramique est utilisé pour ses propriétés d'isolation électrique, d'herméticité, de compatibilité avec une connectivité de la zone 142 avec des bornes électriques d'interface, de bonne stabilité dimensionnelle compatible avec le silicium de la matrice 14, de bonne conductivité thermique pour le refroidissement de la matrice 14. Le boîtier 25 comporte en outre un corps 250 dans lequel est fixé le support 4. Le corps 250 est avantageusement en matériau céramique, pour les mêmes raisons que pour le support 4. Dans une variante du mode de réalisation décrit, le support et le corps 250 ne forment qu'une seule et même pièce. Le corps 250 et/ou le support 4 comportent des bornes 44 et 42 de liaison électrique respectivement de la photocathode 11 et de la matrice 14 à des broches d'interconnexion du boîtier 25. Ainsi, au moins un plot 3 est apte à établir une liaison électrique entre la zone 142 de diffusion CMOS et une borne 42 du support 4, via une zone de brasage 47. Du fait de l'absence de connexions filaires, le brasage des plots 3 sur les zones de brasage 47 forme un assemblage mécanique et une liaison électrique où le dégazage de particules est minimisé. De plus, le boîtier 25, ne comporte aucun produit organique susceptible de dégager des particules dans le volume sous vide. Le boîtier 25 comporte en outre une fenêtre 20 et un couvercle 6. La fenêtre 20 et le couvercle 6 sont brasés sur le corps 250 pour assurer une fermeture hermétique ne produisant pas de dégazage. Préférentiellement, le boîtier 25 comporte au moins une surface 48, 49, ou 60 revêtue d'un getter. Chaque surface 48, 49 ou 60 accueillant un getter est disposée de telle manière qu'elle empêche statistiquement la propagation de particules ou des ions issus du bombardement électronique de la matrice 14 vers le volume 12 en regard de la photocathode 11. La surface 48 correspond à la surface du support 4 opposée à la surface d'appui 46. La fenêtre 20 supporte la photocathode 11. Une plage d'accueil pour la fenêtre 20 est aménagée dans le boîtier 25. Elle comporte une métallisation reliée individuellement à la borne 44 d'interface électrique du boîtier 25, la borne 44 étant ainsi reliée à la photocathode 11. Elle est couverte de brasage très basse température pour permettre le scellement hermétique de la fenêtre 20 sur le boîtier 25 sans détérioration de la photocathode 11. La surface 49 revêtue d'un getter est située sur la surface de la fenêtre 20, à l'exception de la partie au droit des zones 141 et 142. Le couvercle 6 est préférentiellement en céramique et ferme une ouverture du boîtier 25. Le couvercle 6 est situé à une extrémité opposée à la fenêtre 20 sur le boîtier. Il comporte de plus la surface 60 composée d'un dépôt de getter 60 sur sa face intérieure au boîtier 25. Le getter se trouve relié électriquement à une plage métallisée du boîtier qui assure la continuité jusqu'à la borne 41 électrique d'interface. La borne 41 est unique et différente de la borne 44, pour pouvoir polariser la surface 60 sans circulation de courant ni chauffage du getter 60. Le fait que la surface 60 couvre une grande surface sur le couvercle 6, permet d'améliorer la qualité du vide, ce qui n'est pas possible avec le report de la matrice dans le boîtier de l'art antérieur. Avantageusement, une surface 48, 49 ou 60 revêtue de getter est reliée individuellement respectivement à une borne électrique 43, 44 ou 41. Il n'y a pas de circulation de courant ni chauffage dans les surfaces 48, 49 ou 60. On explique ici le rôle de la liaison des surfaces 48, 49 et 60 aux bornes respectives 43, 44 et 41. Dans le boîtier 25, la photocathode 11 et la surface 49 sont reliées à une borne 44 électrique. La surface 48 revêtue d'un getter est quant à elle reliée à une autre 10 borne 43 électrique unique, et la surface 60 revêtue d'un getter est reliée à une autre borne 41 unique. La surface 48 revêtue d'un getter est une surface du support 4. Comme le montre la figure 2, la surface 48 est préférentiellement coudée pour faire face à la chambre 12 entre la photocathode et la matrice 14. 15 La surface 60 revêtue d'un getter est une surface du couvercle 6 fermant l'ouverture du boîtier 25. Lors d'une phase d'observation d'une scène par le dispositif, la photocathode 11 est polarisée négativement par rapport à la matrice 14, grâce à des moyens polarisation 440. La polarisation est, on le sait, de 20 l'ordre de plusieurs centaines à quelques kilovolts et permet le bombardement des électrons sur la matrice 14. Comme le montre la figure 2B, le boîtier 25 comporte des moyens 410 et 430 aptes à polariser les surfaces 48 et/ou 60 revêtue d'un getter, pour former des lignes de champ électrique dans le boîtier 25. 25 Ainsi, lors d'une phase de non-observation de la scène, la surface 48 et/ou 60 revêtue d'un getter.est polarisée négativement par rapport à la matrice 14 et à la photocathode 11, grâce aux moyens polarisation 430 et 410. La matrice 14 et la photocathode sont par exemple au potentiel 0. La polarisation appliquée aux surfaces 48 et 60 permet une 30 précipitation des ions présents dans le boîtier 25 sur lesdites surfaces, évitant ainsi statistiquement que les ions viennent atteindre la photocathode 11, provoquant sa dégradation. La disposition des surfaces 48 et 60 est faite de telle manière que ces dernières empêchent statistiquement la propagation des ions vers la chambre 12. Pour cette raison, la surface 60 recouvre tout le couvercle 6. La zone en regard de la surface 60 est destinée à assurer un pompage du volume principal déterminé par le fond de boîtier. Il faut noter qu'un grand volume principal intérieur facilite le maintien d'un vide poussé dans le boîtier, dans la limite des contraintes dimensionnelles et de compacité du dispositif par ailleurs. De plus, la surface 48 est sur le support 4 et elle est coudée. Les lignes de champ partent de la surface 48 pour se diriger vers la surface 49 d'une part et la matrice 14 d'autre part. La zone en regard de la surface 48 est destinée à assurer un pompage complémentaire qui se comporte statistiquement comme un barrage de capture aux ions résiduels qui pourraient provenir de la zone du volume principal, ainsi que comme un pôle d'attraction pour tout le volume supérieur emprisonné entre le support 4 et la fenêtre 20 supportant la photocathode 11. La polarisation des surfaces 48 et/ou 60 lors d'une phase de non-observation d'une scène n'a pas besoin d'être générée de façon précise. De plus, un bruit superposé à cette polarisation n'est pas gênant. Enfin, le débit fonctionnel est quasiment nul, car il est dû aux seules captures des ions lorsqu'ils se dissocient des parois, et n'affecte pas l'autonomie du dispositif portable fonctionnant sur élément de stockage embarqué, telle une batterie. Avantageusement, lors d'une phase d'observation, la surface 48 et/ou la surface 60 revêtue d'un getter est polarisée négativement par rapport à la matrice 14 et/ou à la photocathode 11, grâce aux moyens polarisation 430 ou 410. Les surfaces 48 et 60 continuent ainsi de jouer leur effet protecteur pendant la phase d'observation. On peut ainsi polariser la surface 60 à une valeur de -100 V par 30 exemple par rapport à la matrice 14. Préférentiellement, la valeur absolue du potentiel de la polarisation de la surface 48 est supérieure ou égale à la valeur absolue du potentiel de la polarisation de la photocathode 11. Ainsi, pour une différence de potentiels de l'ordre de -2 kV entre la cathode 11 et la matrice 14, la surface 48 peut avoir un potentiel de -2.1 kV par exemple. De préférence également, les moyens 440 sont aptes à polariser la photocathode 11 positivement par rapport à la matrice 14 lors d'une phase de non-observation d'une scène par le dispositif. La polarisation positive provoque une légère répulsion des ions qui pourraient provenir de la surface de la matrice 14 en regard de la photocathode 11. La valeur de la polarisation supplémentaire nécessaire peut être faible devant celle appliquée aux surfaces 48 et 60 et ne pas changer leur mode de fonctionnement. L'ouverture du boîtier 25 sert à l'introduction de la matrice 14 pour son report sur son support 4, par une opération de brasage, qui peut être la même que celle de scellement du couvercle 6. Les volumes 7 créés par le jeu d'assemblage entre d'une part le boîtier 25 et le couvercle 6 et d'autre part le boîtier 25 et la fenêtre 20 sont remplis d'un composé isolant haute tension pour protéger les parties conductrices qui sont soumises à haute tension. Le composé isolant fige ainsi les lignes de fuite au minimum en fonction du temps, des dépôts parasites et de l'humidité. Le nombre et la surface des plots 3 de brasage entre la matrice 14 et le boîtier 25 ne sont pas seulement définis par le critère fonctionnel électrique, mais aussi de manière importante par la fonction de refroidissement du circuit. A cet égard, on prévoit un arrangement des plots en périphérie de la matrice 14 pour assurer une résistance thermique suffisamment faible à l'écoulement du flux thermique et maintenir la matrice 14 dans la gamme de températures normales de fonctionnement. En d'autres termes, il peut y avoir plus de plots qu'électriquement ou mécaniquement nécessaires. Il y a avantage sur le plan thermique à définir l'implantation des circuits électroniques sur le silicium de la matrice 14, de telle manière que les circuits consommant le plus d'énergie û et qui chauffent le plus - soient les plus proches des plots 3. Les développements qui suivent s'appliquent à la description d'un procédé de fabrication d'une matrice 14 comportant une zone 142 de diffusion CMOS à oxyde de métal complémentaire. Deux exemples de procédés peuvent être employés pour obtenir la 5 matrice EBCMOS 14 sous la forme compatible avec le boîtier 25 décrit précédemment. Il s'agit premièrement d'un procédé utilisant du silicium volumineux sur isolant ou BSOI ( Bulk Silicon On Insulator ) selon la terminologie anglo-saxonne, avec, comme on le verra un assemblage moléculaire, une 10 implantation face arrière, une gravure de trous d'interconnexion profonds et une croissance de plots (voir figures 3a û 3j). Il s'agit deuxièmement d'un procédé utilisant du BSOI avec, comme on le verra, une épitaxie préalable, un assemblage moléculaire, une gravure de trous d'interconnexion profonds et une croissance de plots (voir figures 4a û 15 4j). PREMIER EXEMPLE DE PROCEDE La figure 3a montre une étape selon laquelle deux substrats W1 et W2 de silicium sont mis au droit l'un de l'autre. La figure 3b montre que les deux substrats W1 et W2 subissent un 20 assemblage moléculaire et une stabilisation. Lors de l'étape de la figure 3c, un des substrats (W1) subit un amincissement. Lors de l'étape de la figure 3d, le substrat aminci W1 subit un caissonnage classique BSOI grâce à des oxydes. 25 Lors de l'étape de la figure 3e, on forme dans le substrat caissonné W1 des connexions, des transistors et des plages d'accueil 30 de plots. Les figures 3a à 3e représentent ainsi schématiquement ce que l'homme du métier appelle un procédé CMOS BSOI, dans lequel la dernière étape de la figure 3e comprend une planarisation finale supplémentaire 30 jusqu'au niveau dernier métal. On forme ainsi dans W1 la zone 142 de diffusion CMOS à oxyde de métal complémentaire. L'étape de la figure 3f consiste à faire un assemblage moléculaire avec un substrat relais qui forme le substrat 143 de support, notamment de la zone 142 de diffusion CMOS. L'étape de la figure 3g consiste à effectuer un amincissement du substrat W2 pour ne laisser que la zone 142 du BSOI et supprimer la couche d'oxyde qui constituait le fond naturel du caissonnage BSOI. L'étape de la figure 3h consiste à effectuer une implantation de la couche d'entrée de la matrice EBCMOS pour former la zone 141, et à effectuer un recuit laser pour activer cette implantation et pour lui donner un bon rendement d'insertion des électrons bombardés. Le recuit laser ne provoque pas de dégradation notable de la zone 142 CMOS de la matrice, car la haute température nécessaire à l'activation reste très superficielle. L'étape de la figure 3i consiste à faire apparaître le premier niveau métallique des plages 30 d'accueil implantées dans la matrice EBCMOS au moyen d'une gravure profonde. L'étape de la figure 3j consiste à effectuer la croissance des plots 3 de brasage qui servirons à l'opération de report de la matrice 14 sur le support 4. DEUXIEME EXEMPLE DE PROCEDE La figure 4a montre une étape selon laquelle un substrat W1 support d'un procédé CMOS BSOI est préalablement épitaxié avec le même dopant qui sert de couche d'entrée des électrons. La figure 4b montre une étape selon laquelle un deuxième substrat W2 de silicium est mis au droit du substrat W1. Lors de l'étape de la figure 4c, les deux substrats W1 et W2 subissent un assemblage moléculaire et une stabilisation. Lors de l'étape de la figure 4d, le substrat W1 subit un amincissement. Lors de l'étape de la figure 4e, le substrat aminci W1 subit un caissonnage classique BSOI grâce à des oxydes. L'étape de la figure 4f consiste à former dans le substrat caissonné W1 des connexions, des transistors et des plages 30 d'accueil de plots. On forme ainsi la zone 142 de la matrice EBCMOS. Les figures 4a à 4f représentent ainsi schématiquement ce que l'homme du métier appelle un procédé CMOS BSOI. L'étape de la figure 4f comprend une planarisation finale supplémentaire jusqu'au niveau du dernier métal. Cette étape confère à la zone 142 un meilleur guidage des électrons multipliés vers la zone de collection en vue de la production d'un signal vidéo. L'étape de la figure 4g consiste en un assemblage moléculaire avec un nouveau substrat 143 qui sert de substrat de support, notamment de la zone 142 de diffusion CMOS. 10 L'étape de la figure 4h consiste à effectuer un amincissement de W2 pour ne laisser que la zone 142 active de la matrice 14 (avec son épitaxie supplémentaire). L'amincissement permet également de supprimer la couche d'oxyde qui constituait le fond naturel du caissonnage BSOI et d'implanter la couche d'entrée de la matrice EBCMOS pour former la zone 15 de multiplication 141. On effectue en outre un recuit laser pour activer cette implantation pour lui donner un bon rendement d'insertion des électrons bombardés. Le recuit laser ne provoque pas de dégradation notable de la zone 142 CMOS de la matrice, car la haute température nécessaire à l'activation reste très superficielle. 20 L'étape de la figure 4i consiste à faire apparaître le premier niveau métallique des plages d'accueil 30 d'interface implantées dans la matrice EBCMOS au moyen d'une gravure profonde. L'étape de la figure 4j consiste à effectuer la croissance des plots 3 de brasage qui servirons à l'opération de report de la matrice 14 sur son 25 support 4. Bien entendu, d'autres procédés sont également possibles. On donne ici à titre indicatif deux autres procédés qui peuvent aussi être utilisés. Dans une première variante, il s'agit de l'utilisation de la technologie CMOS SOI. Elle se différencie de la technologie BSOI par le fait que 30 l'épaisseur du substrat W1 silicium dopé servant de base au procédé CMOS est obtenu par épitaxie régulière sur un substrat à surface oxydée, et non pas par amincissement d'un substrat W2 assemblé moléculairement à un premier substrat W1. II en résulte que la zone disponible pour la zone de multiplication 141 de l'effet EBCMOS est beaucoup plus fine et que le contrôle de l'interaction des deux zones 141 et 142 entre elles est plus délicat. Si l'on prolonge la phase de croissance par épitaxie beaucoup plus longtemps pour obtenir une profondeur comparable à celle qu'il est normal d'atteindre par le procédé BSOI, le coût devient important et il n'y a pas d'intérêt par rapport au procédé BSOI. Dans une deuxième variante, on effectue, comme dans le cas du BSOI, un dopage supplémentaire pendant le début de la croissance de la couche de substrat silicium du procédé CMOS. Le dopage supplémentaire oblige à mettre au point avec le fondeur un procédé dédié industriellement, difficile à mettre en oeuvre. REVENDICATIONS 1. Boîtier (25) comportant une photocathode (11) reliée à une borne (44) électrique, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une surface (48, 60) 5 revêtue d'un getter reliée à une autre unique borne (43, 41) électrique. 2. Boîtier (25) selon la revendication précédente, comportant en outre : -une matrice (14) comportant une zone (142) de diffusion CMOS en regard de la photocathode (11) ; 10 - un support (4) de la matrice (14) ; une surface (48) revêtue d'un getter étant une surface du support (4). 3 Boîtier (25) selon la revendication précédente, dans lequel la surface (48) est coudée pour faire face à un espace entre la matrice (14) et la 15 photocathode (11). 4. Boîtier (25) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre un couvercle (6) fermant une ouverture du boîtier, une surface (60) revêtue d'un getter étant une surface du couvercle (6). 5. Boîtier (25) selon l'une des revendications précédentes, comportant des moyens (410, 430) aptes à polariser la surface (48, 60) revêtue d'un getter, pour former des lignes de champ électrique dans le boîtier (25). 25 6. Boîtier (25) selon l'une des revendications précédentes, comportant des moyens (440) aptes à polariser la photocathode (11), pour former des lignes de champ électrique dans le boîtier (25). 7. Boîtier (25) selon l'une des revendications 2-6, dans lequel 30 - la matrice (14) comporte un substrat (143) de support de la zone (142) de diffusion CMOS, le substrat (143) de support comportant une face (1431) de soutien sur laquelle sont agencés la zone (142) de diffusion CMOS et au moins un plot (3) de brasage ; 20 - le support (4) comportant d'une part une face (46) d'appui comprenant au moins une zone (47) de brasage et d'autre part un orifice (45) débouchant, la zone de brasage étant agencée en périphérie de l'orifice sur la face d'appui (46), au moins un plot (3) de brasage étant brasé sur une zone (47) de brasage. 8. Procédé d'utilisation d'un boîtier (25) comportant une photocathode (Il) et une matrice (14) comportant une zone (142) de diffusion CMOS, la photocathode (11) et la matrice (14) étant reliées chacune à une borne (44, 42) électrique, au moins une surface (48, 60) revêtue d'un getter étant reliée à une autre unique borne (43, 41) électrique, caractérisé en ce qu'il comporte une étape selon laquelle, lors d'une phase de non-observation d'une scène par le dispositif, la surface (48, 60) revêtue d'un getter est polarisée négativement par rapport à la matrice (14) et à la photocathode (11), grâce à des moyens de polarisation (430, 410). 9. Procédé selon la revendication précédente, comportant en outre une étape selon laquelle, lors d'une phase de non-observation d'une scène par le dispositif, la photocathode (11) est polarisée positivement par rapport à la matrice (14), grâce à des moyens de polarisation (440). 10. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, comportant en outre une étape selon laquelle, lors d'une phase d'observation, une surface (48, 60) revêtue d'un getter est polarisée négativement par rapport à la matrice (14) et/ou à la photocathode (11), grâce à des moyens de polarisation (430, 410). 11. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la valeur absolue du potentiel de la polarisatiôn d'une surface (48) est supérieure ou égale à la valeur absolue du potentiel de la polarisation de la photocathode (11).