Brevet FR2900290A1 — publié le 20071026

PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FOURNIR UNE POMPE DE CHARGE POUR LES APPLICATIONS BASSE TENSION La présente invention concerne la technologie des semi-conducteurs et plus particulièrement la génération de haute tension. Les dispositifs à semi-conducteur, tels que les EEPROM ou les dispositifs Flash, peuvent devoir être utilisés avec une alimentation électrique qui offre une basse tension d'alimentation. La basse tension d'alimentation permet au dispositif de moins consommer et d'être de dimension réduite. Par exemple, les basses tensions sont désirées pour des applications telles que les EEPROM utilisées dans les cartes à puce. Bien que des tensions inférieures soient désirées pour les dispositifs à semi-conducteur, des hautes tensions peuvent être désirées pour certaines opérations. Par exemple, une tension supérieure à la tension d'alimentation peut être nécessaire pour les opérations telles que la programmation des cellules de mémoire. Afin d'obtenir des hautes tensions, une pompe de charge traditionnelle peut être utilisée. La figure 1 présente une pompe de charge 10 traditionnelle, qui peut être utilisée pour augmenter les tensions au-delà de la tension d'alimentation ou offrir une tension de polarité inversée. La pompe de charge 10 traditionnelle comprend une échelle de diodes de condensateur 12 traditionnelle et un oscillateur 20 traditionnel couplé à une alimentation de tension 22. L'échelle de diodes de condensateur 12 traditionnelle comprend des paires de diodes de condensateur 13 (y compris le condensateur 14 et la diode 24), 15 (y compris le condensateur 16 et la diode 24), et 17 (qui comprend le condensateur 18 et la diode 28). L'oscillateur 20 traditionnel émet des signaux d'horloge CLK et CLKB. Le signal CLKB est l'inverse du signal CLK. Sur la base des signaux CLK et CLKB, les paires de diodes de condensateur 13, 15 et 17 chargent alternativement à approximativement la tension d'alimentation et se déchargent. Par exemple, la paire de diodes de condensateur 13 charge le condensateur 14, puis décharge le condensateur 14, selon une durée qui correspond à la fréquence du signal d'horloge CLK. De plus, la charge et la décharge entre les stades sont alternées. Ainsi, par exemple, quand le condensateur 14 se décharge, le condensateur 16 suivant charge. La charge et la décharge des condensateurs 14, 16 et 18 dans l'échelle de diodes de condensateur 12 permet à l'énergie d'être transférée entre les paires de diodes de condensateur 13, 15 et 17, et de sortir. Cette énergie est également transférée à la sortie 30 de la pompe de charge 10 traditionnelle par un courant de sortie fourni à la sortie 30. Ainsi, une tension supérieure à la tension d'alimentation 22 traditionnelle peut être fournie. Bien que la pompe de charge 10 traditionnelle fonctionne, un homme du métier reconnaîtra facilement que pour les tensions d'alimentation inférieures, la capacité de la pompe de charge 10 traditionnelle de fournir une tension dépassant la tension d'alimentation tout en maintenant un courant de sortie suffisant peut être compromise. La pompe de charge 10 traditionnelle peut fournir une tension élevée, par exemple de l'ordre de quinze ou seize volts, même à des tensions d'alimentation réduites. Lors de la fourniture de ces tensions en utilisant une tension d'alimentation réduite, la pompe de charge 10 fournit un courant de sortie inférieur par la sortie 30 étant donné que la charge est produite à un taux inférieur par l'échelle de diodes de condensateur 12. En outre, la tension élevée de la pompe de charge 10 traditionnelle peut être fournie à des dispositifs (non présentés) tels que d'autres dispositifs NMOS ou PMOS dans le dispositif de semi-conducteur. Cette tension élevée peut être de l'ordre de la tension disruptive de ces dispositifs. La fuite induite par la fuite disruptive et le poinçon au travers de la fuite doivent être surmontés en utilisant le courant de sortie afin de réaliser les opérations désirées. Quand le courant de sortie de la pompe de charge 10 traditionnelle diminue, l'effet de la fuite devient plus marqué. Par conséquent, quand la tension d'alimentation diminue, une perte de courant de sortie de la sortie 30 peut être occasionnée. Il en résulte que la capacité de la pompe de charge 10 traditionnelle de fournir un courant de sortie suffisant en combinaison avec une tension élevée peut être affectée négativement. La pompe de charge 10 traditionnelle peut donc être incapable de fournir une puissance suffisante pour les opérations telles que la programmation des EEPROM dans des applications qui utilisant des tensions d'alimentation inférieures, telles que les cartes à puce. Par conséquent, un procédé et un système sont nécessaires pour fournir une tension supérieure à la tension d'alimentation dans les dispositifs de tension d'alimentation réduite tout en maintenant un courant de sortie suffisant. La présente invention traite un tel besoin. La présente invention offre un procédé et un système pour offrir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur. Le procédé et le système comprennent la fourniture d'au moins un oscillateur et d'au moins un étage de stockage/décharge de tension couplé au dit au moins un oscillateur. L'oscillateur a une fréquence qui augmente quand la tension diminue. La fréquence de l'oscillateur détermine une fréquence de décharge pour l'étage de stockage/décharge de tension. Selon le procédé et le système de la présente description, la présente invention offre une tension supérieure dans les dispositifs de tension d'alimentation réduite, tels que les EEPROM et les dispositifs Flash de tension d'alimentation réduite. La présente invention concerne au sens large un système pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur, le système comprenant : au moins un oscillateur ayant une fréquence qui augmente quand la tension diminue ; et au moins un étage de stockage/décharge de tension couplé audit au moins un oscillateur, la fréquence déterminant une fréquence de décharge pour le au moins un étage de stockage/décharge de tension. Selon les divers modes de réalisation : - la fréquence est inversement proportionnelle à la 25 tension ; - ledit au moins un oscillateur utilise une tension de référence, la tension de référence étant stable sur l'ensemble de la tension ; 30 - le système comprend également une alimentation de tension de référence pour fournir la tension de référence, l'alimentation de tension de référence comprenant également : un inverseur ; un transistor nmos dont une électrode est couplée à l'inverseur, une source, et un débit ; un transistor pmos couplé à la source du transistor 5 nmos ; - ledit au moins un oscillateur comprend une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur, la seconde phase comprenant au moins un second condensateur, la 10 charge et la décharge du premier condensateur et du second condensateur déterminant la fréquence ; - la première phase comprend également un premier commutateur, un second commutateur, un inverseur, un amplificateur opérationnel comprenant une sortie et deux 15 entrées, et un transistor, dans lequel le premier condensateur a un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur et au transistor par le second commutateur, le premier côté étant également couplé à l'une des deux 20 entrées de l'amplificateur opérationnel, une autre des deux entrées de l'amplificateur opérationnel étant couplée à une tension de référence, le second côté du premier condensateur étant couplé à la masse, la sortie de l'amplificateur opérationnel étant couplée à une 25 bascule bistable ; - la première phase comprend également un inverseur, le premier commutateur étant couplé à l'inverseur, l'inverseur et le second commutateur étant couplés à la bascule bistable ; 30 - la seconde phase comprend un troisième commutateur, un quatrième commutateur, un inverseur supplémentaire, un amplificateur opérationnel supplémentaire comprenant une sortie supplémentaire et deux entrées supplémentaires, et un transistor supplémentaire, dans laquelle le second condensateur comprend un premier côté et un second côté, le premier côté du second condensateur état couplé à la tension par le troisième commutateur et au transistor supplémentaire par le quatrième commutateur, le premier côté du second condensateur étant également couplé à l'une des entrées supplémentaires de l'amplificateur opérationnel supplémentaire, une autre des deux entrées de l'amplificateur opérationnel supplémentaire étant couplée à la tension de référence, le second côté du second condensateur étant couplé à la masse, la sortie supplémentaire de l'amplificateur opérationnel supplémentaire étant couplée à la bascule bistable ; - la seconde phase comprend également un inverseur supplémentaire, le troisième commutateur étant couplé à l'inverseur supplémentaire, l'inverseur supplémentaire et le quatrième commutateur étant couplés à la bascule bistable. L'invention concerne également un système pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur, le système comprenant : au moins un étage de stockage/décharge de tension ; au moins un oscillateur ayant une fréquence qui augmente quand la tension diminue et étant couplé au dit au moins un étage de stockage/décharge de tension, la fréquence déterminant une fréquence de décharge pour le au moins un étage de stockage/décharge de tension, ledit au moins un oscillateur comprenant une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur, un premier commutateur, un second commutateur, un premier inverseur, un premier amplificateur opérationnel supplémentaire, et un premier transistor, dans lequel le premier condensateur a un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur et au transistor par le second commutateur, le premier côté étant également couplé au premier amplificateur opérationnel, le second côté étant couplé à la masse, la seconde phase comprenant au moins un second condensateur, un troisième commutateur, un quatrième commutateur, un second inverseur, un second amplificateur opérationnel, et un second transistor, dans lequel le second condensateur a un premier côté et un second côté, le premier côté du second condensateur étant couplé à la tension par le premier commutateur et au transistor par le second commutateur, le premier côté du second condensateur étant également couplé au second amplificateur opérationnel, le second côté du second condensateur étant couplé à la masse ; et au moins une alimentation de tension de référence couplée au premier amplificateur opérationnel et au second amplificateur opérationnel, ladite au moins une alimentation de tension de référence comprenant un inverseur, un transistor nmos, et un transistor pmos, le transistor nmos comprenant une source, un débit, et une électrode couplés à l'inverseur, le transistor pmos étant couplé à la source du transistor nmos. L'invention concerne également un procédé pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur, le procédé comprenant : la fourniture d'au moins un oscillateur ayant une fréquence qui augmente quand la tension diminue ; et la fourniture d'au moins un étage de stockage/décharge de tension couplé au dit au moins un oscillateur, la fréquence déterminant une fréquence de décharge pour ledit au moins un étage de stockage/décharge de tension. Selon les divers modes de réalisation : - la fréquence est inversement proportionnelle à la tension ; - ledit au moins un oscillateur utilise une tension de référence, la tension de référence étant stable sur l'ensemble de la tension ; - le procédé comprend également : la fourniture d'une tension de référence pour générer la tension de référence, l'alimentation de tension de référence comprenant également un inverseur, un transistor nmos, et un transistor pmos, le transistor nmos ayant une électrode couplée à l'inverseur (142, 162), une source et un débit, le dispositif pmos étant couplé à la source du transistor nmos ; - ledit au moins un oscillateur comprend une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur, la seconde phase comprenant au moins un second condensateur, la charge et la décharge du premier condensateur et du second condensateur déterminant la fréquence ; - la première phase comprend également un premier commutateur, un second commutateur, un inverseur, un amplificateur opérationnel comprenant une sortie et deux entrées, et un transistor, dans lequel le premier condensateur a un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur et au transistor par le second commutateur, le premier côté étant également couplé à l'une des deux entrées de l'amplificateur opérationnel, une autre des deux entrées de l'amplificateur opérationnel étant couplée à une tension de référence, le second côté du premier condensateur étant couplé à la masse, la sortie de l'amplificateur opérationnel étant couplée à une bascule bistable ; la première phase comprend également un inverseur, le premier commutateur étant couplé à l'inverseur, l'inverseur et le second commutateur étant couplés à la bascule bistable. L'invention concerne également un procédé pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur, le procédé comprenant : la génération d'un signal d'horloge ayant une fréquence qui augmente quand la tension diminue en utilisant au moins un oscillateur, ledit au moins un oscillateur comprenant une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur, un premier commutateur, un second commutateur, un premier inverseur, un premier amplificateur opérationnel, et un premier transistor, dans lequel le premier condensateur a un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur et au transistor par le second commutateur, le premier côté étant également couplé à au premier amplificateur opérationnel, le second côté du premier condensateur étant couplé à la masse, la seconde phase comprenant au moins un second condensateur, un troisième commutateur, un quatrième commutateur, un second inverseur, un second amplificateur opérationnel, et un second transistor, dans laquelle le second condensateur comprend un premier côté et un second côté, le premier côté du second condensateur état couplé à la tension par le premier commutateur et au transistor par le second commutateur, le premier côté du second condensateur étant également couplé au second amplificateur opérationnel, le second côté du second condensateur étant couplé à la masse ; et l'utilisation du signal d'horloge pour commander au moins un étage de stockage/décharge de tension, la fréquence déterminant une fréquence de décharge dudit au moins un stage de stockage/décharge de tension. La figure 1 est un schéma qui présente une pompe de 10 charge traditionnelle ; la figure 2 est un schéma qui présente un mode de réalisation d'un système selon la présente invention pour fournir une tension supérieure à une tension d'alimentation ; 15 la figure 3 est un schéma qui illustre un mode de réalisation d'un système selon la présente invention pour fournir une tension supérieure à une tension d'alimentation ; la figure 4 est un schéma qui illustre les signaux 20 pour un mode de réalisation d'un système selon la présente invention ; la figure 5 est un schéma qui présente un mode de réalisation d'un système selon la présente invention pour fournir une tension de référence ; 25 la figure 6 est un organigramme qui présente un autre mode de réalisation d'un procédé selon la présente invention pour fournir un système de fourniture d'une tension supérieure à une tension d'alimentation. La présente invention concerne les dispositifs à 30 semi-conducteurs. La description qui suit est présentée pour permettre à un homme du métier de réaliser l'invention et de l'utiliser et elle est fournie dans le contexte d'une demande de brevet et de ses exigences. Diverses modifications des modes de réalisation préférés et des principes et caractéristiques généraux décrits ici apparaîtront facilement aux hommes du métier. Par conséquent, la présente invention n'est pas conçue pour être limitée aux modes de réalisation présentés, mais elle doit revêtir la portée la plus étendue cohérente avec les principes et les caractéristiques décrits ici. La présente invention offre un procédé et un système pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur. Le procédé et le système comprennent la fourniture d'au moins un oscillateur et d'au moins un étage de stockage/décharge de tension couplé au dit au moins un oscillateur. L'oscillateur a une fréquence qui augmente quand la tension diminue. La fréquence de l'oscillateur détermine une fréquence de décharge pour ledit au moins un étage de stockage/décharge de tension. Selon le procédé et le système décrits ici, la présente invention offre une tension supérieure dans les dispositifs de tension d'alimentation réduite, tels que les EEPROM de basse tension, tout en maintenant un courant de sortie suffisant. La présente invention est décrite en termes d'un dispositif comprenant des composants particuliers. Cependant, un homme du métier reconnaîtra facilement que le procédé et le système selon la présente invention peuvent utiliser d'autres composants cohérents avec la présente invention. La présente invention est également décrite dans le contexte de la fourniture d'une tension supérieure à la tension d'alimentation. Cependant, un homme du métier reconnaîtra facilement que le procédé et le système peuvent être utilisés pour fournir des tensions de polarité inverse. Pour décrire plus particulièrement la présente invention, il faut se référer à la figure 2, qui présente un mode de réalisation d'un système 100 selon la présente invention pour fournir une tension supérieure à une tension d'alimentation. Le système 100 est de préférence une pompe de charge. Le système 100 comprend un ou plusieurs étages de stockage/décharge de tension 120 et un oscillateur 110, qui sont couplés à une alimentation de tension 102. Le système 100 utilise également de préférence une alimentation de tension de référence 160. L'alimentation de tension 102 fournit une tension d'alimentation pour le système 100. De plus, la tension d'alimentation est de préférence une basse tension. Dans un mode de réalisation préféré, la tension d'alimentation est suffisamment réduite pour des applications telles que les cartes à puce. Par conséquent, dans un mode de réalisation, la tension d'alimentation est nominalement de 1,6 volt, mais elle peut être comprise entre 1,2 et 2 volts. Cependant, la tension nominale et/ou la plage de tension de l'alimentation de tension 102 peuvent différer dans d'autres modes de réalisation. Le ou les étages de stockage/décharge de tension 120 sont capables de stocker une tension et de fournir une tension, de préférence par la décharge d'un dispositif de stockage de tension tel qu'un condensateur. Ainsi, le ou les étages de stockage/décharge de tension 120 comprennent de préférence un ou des condensateurs (non présentés explicitement sur la figure 2) qui se chargent et se déchargent alternativement pour stocker et transférer la charge. Dans un mode de réalisation préféré, l'étage de stockage/décharge de tension 120 est le même que l'échelle de diodes de condensateur 12 traditionnelle, présentée sur la figure 1. Étant donné que la charge est stockée et transférée, le ou les étages de stockage/décharge de tension 120 fournissent une sortie, de préférence une puissance, qui peut être utilisée pour augmenter la tension au-delà de celle qui est fournie par l'alimentation de tension 102. L'oscillateur 110 est utilisé pour commander le ou les étages de stockage/décharge de tension 120. L'oscillateur 110 a une fréquence qui a une relation inverse par rapport à la tension d'alimentation. En d'autres termes, la fréquence de l'oscillateur 110 augmente quand la tension d'alimentation diminue. Dans un mode de réalisation préféré, la fréquence de l'oscillateur 110 est inversement proportionnelle à la tension d'alimentation. Étant donné que l'oscillateur 110 est utilisé pour commander le ou les étages de stockage/décharge de tension 120, le taux auquel le ou les étages de stockage/décharge de tension 120 se chargent et se déchargent est lié à la fréquence de l'oscillateur 110. la sortie de courant du système 100 augmente donc avec les augmentations de la fréquence de l'oscillateur 110. Étant donné que la fréquence augmente quand la tension d'alimentation fournie par l'alimentation de tension 102 diminue, la sortie de courant par le système 100 augmente quand la tension d'alimentation diminue. Cette augmentation peut être suffisante pour expliquer les pertes, notamment celles qui sont dues à la fuite dans les dispositifs PMOS et/ou NMOS et les tensions inférieures stockées dans la capacitance de la pompe de charge. Il en résulte que le système 100 peut être utilisé avec des tensions d'alimentation inférieures pour fournir une tension supérieure à la tension d'alimentation tout en maintenant un courant de sortie suffisant. Dans un mode de réalisation préféré, le système 100 fournit une puissance qui est suffisamment élevée pour la programmation EEPROM ou Flash dans les applications d'alimentation de basse tension, telles que les applications de cartes à puce. La figure 3 présente un schéma d'un mode de réalisation d'un système 100' selon la présente invention pour fournir une tension supérieure à une tension d'alimentation. Le système 100' est une pompe de charge. Le système 100' est analogue au système 100 et comprend des composants analogues. Le système 100' utilise donc une source de tension de référence 160' et comprend un oscillateur 110' et un étage de stockage/décharge de tension 120', qui est couplé à l'alimentation de tension 102'. L'alimentation de tension 102' fournit une tension d'alimentation pour le système 100' et, dans un mode de réalisation préféré, pour le reste du dispositif à semi-conducteur dans lequel le système 100' est utilisé. De plus, la tension d'alimentation est de préférence une tension inférieure. Dans un mode de réalisation préféré, la tension d'alimentation est suffisamment réduite pour les applications telles que les cartes à puce. Ainsi, dans un mode de réalisation, la tension d'alimentation est nominalement de 1,6 volt, mais elle peut être comprise entre 1,2 volt et 2 volts. Cependant, dans d'autres modes de réalisation, d'autres tensions nominales et/ou plages de tension peuvent être possibles. La source de tension de référence 160' fournit une tension de référence à l'oscillateur 110' ainsi que cela est décrit ci-dessous. Dans un mode de réalisation préféré, la source de tension de référence 160' est stable sur l'ensemble de la fourniture. L'étage de stockage/décharge de tension 120' est utilisé pour stocker et transférer la charge. Ainsi, une tension supérieure à l'alimentation peut être obtenue en utilisant l'étage de stockage/décharge de tension 120'. l'étage de stockage/décharge de tension 120 est de préférence une échelle de diodes de condensateur, telle que l'échelle de diodes de condensateur 12 présentée sur la figure 1. Cependant, dans un autre mode de réalisation, une autre architecture peut être utilisée. L'oscillateur 110' comprend une première phase 130, une seconde phase 150, et une bascule bistable 170. La première phase 130 comprend un premier condensateur 132, un premier amplificateur opérationnel 134, un premier transistor 136, un premier commutateur 138, un second commutateur 140, et un premier inverseur 142. Le premier condensateur 132 est couplé à une entrée du premier amplificateur opérationnel 134 sur un premier côté et à la masse de l'autre côté. L'autre, de préférence l'entrée non inversée de l'amplificateur opérationnel 134, est couplée à l'alimentation de tension de référence 160'. Le premier condensateur 134 est également couplé aux commutateurs 138 et 140. Les commutateurs 138 et 140 sont couplés en parallèle à la bascule bistable 170 et reçoivent le signal d'horloge CLKB. Cependant, le premier commutateur 138 est couplé à la bascule bistable 170 par l'inverseur 142. La seconde phase 150 est analogue à la première phase 130. La seconde phase 150 comprend un second condensateur 152, un second amplificateur opérationnel 154, un second transistor 156, un troisième commutateur 158, un quatrième commutateur 160, et un second inverseur 162. Les composants 152, 154, 156, 158, 160 et 162 de la seconde phase 150 sont couplés d'une façon analogue aux composants 132, 134, 136, 138, 140 et 142, respectivement de la première phase 130. Cependant, au lieu de recevoir le signal d'horloge CLKB de la bascule bistable 170, le signal d'horloge CLK est reçu de la bascule bistable 170. De plus, les signaux d'horloge CLK et CLKB sont fournis par la bascule bistable 170 au ou aux étages de stockage/décharge de tension 120'. L'oscillateur 110' est utilisé pour commander le ou les étages de stockage/décharge de tension 120'. L'oscillateur 110' a une fréquence qui augmente quand la tension d'alimentation diminue. En particulier, la fréquence de l'oscillateur 110' est inversement proportionnelle à la tension d'alimentation fournie par l'alimentation de tension 102'. Cette propriété de l'oscillateur 110' peut être observée comme suit. La source de tension de référence 160' qui fournit la tension de référence, VRef, est couplée à une extrémité des amplificateurs opérationnels 134 et 154. Par conséquent, la tension de décharge, VDischarge/ pour chacun des condensateurs 132 et 152, est sensiblement VDD ù VRef. De plus, les périodes de la première et de la seconde phases 130 et 150, T1 et T2, peuvent être déterminées à partir de la tension de décharge, les capacitances des condensateurs 132 et 152, et le courant de décharge IDischarge• Ainsi, la période de la première phase 130 est donnée par T1 Ccap132 * VDischarge/IDischargePhase2 • De façon similaire, la période de la seconde phase 150 est donnée par T2 = Ccap152 * VDischarge/ IDischargePhase2 • Dans un mode de réalisation préféré, la première phase 130 et la seconde phase 150 sont identiques. Par conséquent, les condensateurs 132 et 152 ont tous les deux la même capacitance, C. De plus, les courants de décharge, IDischarge/ sont de préférence les mêmes. Ainsi, T1 = T2 = C * VDischarge/IDischarge• Étant donné que les condensateurs 132 et 152 se chargent et se déchargent alternativement, la période de l'oscillateur 110, T, est la somme de Ti et de T2. Ainsi, T = 2 * C * VDischarge/IDischarge• La fréquence de l'oscillateur 110 est donc fixée pour être proportionnelle a IDischarge/ [ 2 * C * VDischarge] • Ainsi que cela est décrit ci-dessus, la tension de décharge est VDD û VRef• Par conséquent, la fréquence de l'oscillateur 110' est inversement proportionnelle à la tension d'alimentation. La figure 4 est un schéma qui présente les signaux 171,172, 173, 174 et 175 pour un mode de réalisation d'un système 100' selon la présente invention. Par conséquent, le fonctionnement du système 100' est décrit dans le contexte des signaux 171, 172, 173, 174 et 175 sur la figure 4. En référence à la figure 3 et à la figure 4, les signaux 171 correspondent au signal d'horloge de l'oscillateur 110'. Ainsi, le signal d'horloge 171 a une fréquence caractéristique qui est inversement proportionnelle à la tension d'alimentation VDD. La période T du signal d'horloge 171 est donc proportionnelle à la tension d'alimentation. Les signaux 172 et 174 sont les signaux de la tension de référence, VRef pour la seconde phase 150 et la première phase 130, respectivement. Ainsi que cela est illustré sur la figure 4, les signaux 172 et 174 indiquent que la tension de référence est stable. Les tensions sur les condensateurs 132 et 152 sont illustrées par les signaux 175 et 173, respectivement. Pendant le fonctionnement, les condensateurs 132 et 152 sont préchargés à la tension d'alimentation VDD. Ainsi, les signaux 173 et 175 commencent à V. Ainsi que cela est indiqué par le signal 175, le condensateur 132 se décharge et se recharge rapidement au cours de la première partie de la période T1. Quand la tension du condensateur 132 baisse en dessous de la tension de référence, la sortie de l'amplificateur opérationnel 134 change d'état, entraînant le basculement de la bascule bistable 170. Le condensateur 152 se décharge et se recharge rapidement au cours de la seconde partie de la période, T2, ainsi que cela est indiqué par le signal 173. Quand la tension du condensateur 152 baisse en dessous de la tension de référence, la sortie de l'amplificateur opérationnel 154 change d'état, entraînant le basculement de la bascule bistable (170). Il faut noter que les signaux 173 et 175 indiquent que la charge sur les condensateurs diminue de telle sorte que la tension la plus basse des condensateurs 132 et 152 soit légèrement inférieure à VRef. Ainsi, la première phase 130 et la seconde phase 150 se chargent et se déchargent alternativement. Il en résulte que le signal d'horloge CLK est maintenu par l'oscillateur 110'. Ce signal est utilisé pour commander le ou les étages de stockage/décharge de tension 120', qui peuvent comprendre des condensateurs (non présentés sur la figure 3) qui alternent la charge et la décharge. Par conséquent, la charge et la tension sont produites par l'étage de stockage/décharge de tension 120'. Ainsi, une tension supérieure à l'alimentation et un courant de sortie suffisant peuvent être obtenus. La figure 5 présente un mode de réalisation d'une source de tension de référence 160" selon la présente invention qui peut être stable sur l'ensemble de l'alimentation. La source de tension de référence 160" est stable sur la tension d'alimentation, offre une consommation électrique faible, un démarrage rapide, et une architecture simple. Bien que la source de tension de référence 160" varie avec la température, la source de tension de référence 160" peut être utilisée dans de nombreuses applications. Cependant, une autre source de tension de référence (non présentée) peut être utilisée. Par exemple, une source de tension de référence de bande d'intervalle (non présentée) peut être utilisée. Une source de tension de référence de bande interdite peut être stable sur la tension d'alimentation, présenter une variation de température réduite, mais un démarrage lent. Dans les applications qui nécessitent un démarrage rapide, une telle source de tension de référence de bande interdite peut être utilisée si elle est déjà active, évitant ainsi les problèmes dus à un démarrage lent. La source de tension de référence 160" comprend les transistors 162, 164, 166 et 168. Les transistors 162 et 166 sont des dispositifs de type p, alors que les dispositifs 164 et 168 sont des dispositifs de type n. La sortie 169 de la source de tension de référence 160" est couplée entre les dispositifs 162 et 164. Dans un mode de réalisation préféré, la tension de référence VRef est donnée par : VRef = VDD ù 1162 * 8162. 1162 est le courant au travers du dispositif 162. R162 est la résistance du dispositif 162. La tension de référence peut également être exprimée comme VRef = VDD ù [Kn * W,/Ln (VGSp ù VTh) 2 ] / [Kp * Wp/Lp (VGSp ù VTh) ], où K est la transconductance du dispositif, n et p font référence au type de conductivité des dispositifs 162 et 164, VT est la tension de seuil des dispositifs 162 et 164 et VGS est la tension de grille des dispositifs 162 et 164. En outre, l'expression pour la tension de référence peut être encore simplifiée en VRef VDD * [(VGSn VTh)2 / (VGSp ù VTh) ] . De plus, ainsi que cela est indiqué ci-dessus, il est préférable pour la tension de référence d'être stable sur l'alimentation. Ainsi, il est désirable que VRef à une tension d'alimentation de 1,6 volt soit identique à VRef à la tension d'alimentation s de 1,2 volt. Il en résulte que le dispositif 164 est utilisé dans un mode de saturation et un inverseur formé des dispositifs 166 et 168 est utilisé. Si ce qui précède est vrai et que les relations VGSd VDD/2 et VGSp VDD sont vraies, la tension de référence est stable sur l'alimentation pour la source de tension de référence 160". Ainsi, une source de tension de référence 160" qui est stable sur l'alimentation peut être fournie. Étant donné que l'oscillateur 110' est utilisé pour commander l'étage de stockage/décharge de tension 120', le taux auquel les condensateurs 132 et 152 dans l'étage de stockage/décharge de tension 120' se chargent et se déchargent est lié à la fréquence de l'oscillateur 110'. Le courant produit par le système 100' augmente donc avec les hausses de la fréquence de l'oscillateur 110'. Étant donné que la fréquence augmente quand la tension d'alimentation fournie par l'alimentation de tension 102' diminue, le courant produit par le système 100' augmente quand la tension d'alimentation diminue. Cette augmentation peut être suffisante pour expliquer les autres pertes telles que les pertes dues à la fuite dans les dispositifs 136 et 156. Il en résulte que le système 100' peut être utilisé avec des tensions d'alimentation inférieures et/ou des dispositifs de densité supérieure pour fournir une tension qui est supérieure à la tension d'alimentation tout en maintenant un courant de sortie suffisant. Dans un mode de réalisation préféré, le système 100' fournit une tension qui est suffisamment élevée pour la programmation EEPROM dans les applications d'alimentation basse tension, telles que les applications de cartes à puce. De plus, le système 100' peut également avoir une durée de démarrage relativement rapide. Par conséquent, les performances de démarrage d'un dispositif qui incorpore le système 100' peuvent être améliorées. En outre, le système 100' utilise un nombre relativement réduit de dispositifs, permettant ainsi au système 100' d'être ajusté relativement facilement. Le système 100' peut également utiliser uniquement des composants CMOS standard. Le système 100' est donc fabriqué plus facilement et rétréci, alors que la technologie des semi-conducteurs va dans le sens de tailles plus petites. La figure 6 est un organigramme qui présente un autre mode de réalisation d'un procédé 200 selon la présente invention pour offrir un système pour fournir une tension supérieure à une tension d'alimentation. Au moins un oscillateur 110/110' est offert, ayant une fréquence qui augmente quand la tension d'alimentation diminue, par l'étape 202. Dans un mode de réalisation préféré, la fréquence est inversement proportionnelle à la tension d'alimentation. Au moins un étage de stockage/décharge de tension 120/120' est également fourni, par l'étape 204. L'étage de stockage/décharge de tension 120/120' est couplé à l'oscillateur ou aux oscillateurs 110/110'. Ainsi, en utilisant le procédé 200, le système 100/100' peut être offert. Par conséquent, un système 100/100' pour générer une puissance suffisamment élevée pour la programmation EEPROM dans des applications d'alimentation basse tension, telles que les applications de cartes à puce, peut être offert. Un procédé et un système pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension d'alimentation fournie par une alimentation de tension tout en maintenant un courant de sortie suffisant dans des dispositifs à semi-conducteur, tels que les EEPROM et les dispositifs Flash. La présente invention a été décrite selon les modes de réalisation présentés, et un homme du métier reconnaîtra facilement que des variantes des modes de réalisation peuvent exister, et toute variante entre dans l'esprit et dans la portée de la présente invention. Par conséquent, de nombreuses modifications peuvent être effectuées par un homme du métier sans se départir de l'esprit et de la portée des revendications jointes. REVENDICATIONS 1. Système (100, 100') pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension (102, 102') dans un dispositif à semi-conducteur, ledit système comprenant : au moins un oscillateur (20, 110, 110') ayant une fréquence qui augmente alors que la tension diminue ; et au moins un étage de stockage/décharge de tension (120, 120') couplé au dit au moins un oscillateur (20, 110, 110'), la fréquence déterminant une fréquence de décharge pour ledit au moins un étage de stockage/décharge de tension (120, 120'). 2. Système selon la revendication 1 dans lequel la fréquence est inversement proportionnelle à la tension. 3. Système selon la revendication 1 dans lequel ledit au moins un oscillateur (20, 110, 110') utilise une tension de référence, la tension de référence étant stable sur la tension. 20 4. Système selon la revendication 3 dans lequel le système comprend également une alimentation de tension de référence (160, 160') pour fournir la tension de référence, l'alimentation de la tension de référence 25 comprenant également : un inverseur (142, 162) ; un transistor nmos ayant une électrode couplée à l'inverseur (142, 162), une source, et un débit ; un transistor pmos couplé à la source du transistor nmos. 30 5. Système selon la revendication 1 dans lequel ledit au moins un oscillateur (20, 110, 110') comprend une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur (132, 134), la seconde phase comprenant au moins un second condensateur (152), la charge et la décharge du premier condensateur (132, 134) et du second condensateur (152) déterminant la fréquence. 6. Système selon la revendication 5 dans lequel la première phase comprend également un premier commutateur (138), un second commutateur (140), un inverseur (142, 162), un amplificateur opérationnel (134, 154) comprenant une sortie et deux entrées, et un transistor, dans lequel le premier condensateur (132, 134) a un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur (138) et au transistor par le second commutateur (140), le premier côté étant également couplé à l'une des deux entrées de l'amplificateur opérationnel (134, 154), une autre des deux entrées de l'amplificateur opérationnel (134, 154) étant couplée à une tension de référence, le second côté du premier condensateur (132, 134) étant couplé à la masse, la sortie de l'amplificateur opérationnel (134, 154) étant couplée à une bascule bistable. 7. Système selon la revendication 6 dans lequel la première phase comprend également un inverseur (142, 162), le premier commutateur (138) étant couplé à l'inverseur (142, 162), l'inverseur (142, 162) et le second commutateur (140) étant couplés à la bascule bistable. 8. Système selon la revendication 7 dans lequel la seconde phase comprend un troisième commutateur (158), un quatrième commutateur (160), un inverseur (142, 162) supplémentaire, un amplificateur opérationnel (134, 154) supplémentaire comprenant une sortie supplémentaire et deux entrées supplémentaires, et un transistor supplémentaire, dans laquelle le second condensateur (152) comprend un premier côté et un second côté, le premier côté du second condensateur (152) état couplé à la tension par le troisième commutateur (158) et au transistor supplémentaire par le quatrième commutateur (160), le premier côté du second condensateur (152) étant également couplé à l'une des deux entrées supplémentaires de l'amplificateur opérationnel (134, 154) supplémentaire, une autre des deux entrées de l'amplificateur opérationnel (134, 154) supplémentaire étant couplée à la tension de référence, le second côté du second condensateur (152) étant couplé à la masse, la sortie supplémentaire de l'amplificateur opérationnel (134, 154) supplémentaire étant couplée à la bascule bistable. 9. Système selon la revendication 8 dans lequel la seconde phase comprend également un inverseur (142, 162) supplémentaire, le troisième commutateur (158) étant couplé à l'inverseur (142, 162) supplémentaire, l'inverseur (142, 162) supplémentaire et le quatrième commutateur (160) étant couplés à la bascule bistable. 10. Système (100, 100') pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension (102, 102') dans un dispositif à semi-conducteur, ledit système comprenant :au moins un étage de stockage/décharge de tension (120, 120') ; au moins un oscillateur (20, 110, 110') ayant une fréquence qui augmente alors que la tension diminue et qui est couplé au dit au moins un étage de stockage/décharge de tension, la fréquence déterminant une fréquence de décharge pour ledit au moins un étage de stockage/décharge de tension, ledit au moins un oscillateur (20, 110, 110') comprenant une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur (132, 134), un premier commutateur (138), un second commutateur (140), un premier inverseur (142, 162), un premier amplificateur opérationnel (134, 154), et un premier transistor, dans lequel le premier condensateur (132, 134) comprend un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur (138) et au transistor par le second commutateur (140), le premier côté étant également couplé au premier amplificateur opérationnel (134, 154), le second côté étant couplé à la masse, la seconde phase comprenant au moins un second condensateur (152), un troisième commutateur (158), un quatrième commutateur (160), un second inverseur (142, 162), un second amplificateur opérationnel (134, 154), et un second transistor, dans lequel le second condensateur (152) a un premier côté et un second côté, le premier côté du second condensateur (152) étant couplé à la tension par le premier commutateur (138) et au transistor par le second commutateur (140), le premier côté du second condensateur (152) étant également couplé au second amplificateur opérationnel (134, 154), le second côté du second condensateur (152) étant couplé à la masse ; etau moins une alimentation de tension de référence couplée au premier amplificateur opérationnel (134, 154) et au second amplificateur opérationnel (134, 154), ladite au moins une alimentation de tension de référence comprenant un inverseur (142, 162), un transistor nmos, et un transistor pmos, le transistor nmos comprenant une source, un débit, et une électrode couplés à l'inverseur (142, 162), le transistor pmos étant couplé à la source du transistor nmos. 11. Procédé pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension (102, 102') dans un dispositif à semi-conducteur, ledit procédé comprenant : la fourniture d'au moins un oscillateur (110, 100') ayant une fréquence qui augmente quand la tension diminue ; et la fourniture d'au moins un étage de stockage/décharge de tension (120, 120') couplé au dit au moins un oscillateur (20, 110, 110'), la fréquence déterminant une fréquence 20 de décharge pour ledit au moins un étage de stockage/décharge de tension (120, 120'). 12. Procédé selon la revendication 11 dans lequel la fréquence est inversement proportionnelle à la tension. 13. Procédé selon la revendication 11 dans lequel ledit au moins un oscillateur (20, 110, 110') utilise une tension de référence, la tension de référence étant stable sur la tension. 30 14. Procédé selon la revendication 13 dans lequel le procédé comprend également : 25la fourniture d'une alimentation de tension de référence pour générer la tension de référence, l'alimentation de tension de référence comprenant également un inverseur (142, 162), un transistor nmos, et un transistor pmos, le transistor nmos ayant une électrode couplée à l'inverseur (142, 162), une source, et un débit, le dispositif pmos étant couplé à la source du transistor nmos. 15. Procédé selon la revendication 11 dans lequel ledit au moins un oscillateur (20, 110, 110') comprend une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur (132, 134), la seconde phase comprenant au moins un second condensateur (152), la charge et la décharge du premier condensateur (132, 134) et du second condensateur (152) déterminant la fréquence. 16. Procédé selon la revendication 15 dans lequel la première phase comprend également un premier commutateur (138), un second commutateur (140), un inverseur (142, 162), un amplificateur opérationnel (134, 154) comprenant une sortie et deux entrées, et un transistor, dans lequel le premier condensateur (132, 134) a un premier côté et un second côté, le premier côté, étant couplé à la tension par le premier commutateur (138) et au transistor par le second commutateur (140), le premier côté étant également couplé à l'une des deux entrées de l'amplificateur opérationnel (134, 154), une autre des deux entrées de l'amplificateur opérationnel (134, 154) étant couplée à une tension de référence, le second côté du premier condensateur (132, 134) étant couplé à la masse, la sortie de l'amplificateur opérationnel (134, 154) étant couplée à une bascule bistable. 17. Procédé selon la revendication 16 dans lequel la première phase comprend également un inverseur (142, 162), le premier commutateur (138) étant couplé à l'inverseur (142, 162) et le second commutateur (140) étant couplé à la bascule bistable. 18. Procédé pour fournir une tension de sortie supérieure à une tension fournie par une alimentation de tension dans un dispositif à semi-conducteur, ledit procédé comprenant : la génération d'un signal d'horloge ayant une fréquence qui augmente quand la tension diminue en utilisant au moins un oscillateur (20, 110, 110'), ledit au moins un oscillateur (20, 110, 110') comprenant une première phase et une seconde phase, la première phase comprenant au moins un premier condensateur (132, 134), un premier commutateur (138), un second commutateur (140), un premier inverseur (142, 162), un premier amplificateur opérationnel (134, 154), et un premier transistor, dans lequel le premier condensateur (132, 134) a un premier côté et un second côté, le premier côté étant couplé à la tension par le premier commutateur {138) et au transistor par le second commutateur (140), le premier côté étant également couplé à au premier amplificateur opérationnel (134, 154), le second côté du premier condensateur (132, 134) étant couplé à la masse, la seconde phase comprenant au moins un second condensateur (152), un troisième commutateur (158), un quatrième commutateur (160), un second inverseur (142, 162), un second amplificateur opérationnel (134, 154), et un second transistor, dans laquelle le second condensateur (152) comprend un premier côté et un second côté, le premier côté du secondcondensateur (152) état couplé à la tension par le premier commutateur (138) et au transistor par le second commutateur (140), le premier côté du second condensateur (152) étant également couplé au second amplificateur opérationnel (134, 154), le second côté du second condensateur (152) étant couplé à la masse ; et l'utilisation du signal d'horloge pour commander au moins un étage de stockage/décharge de tension, la fréquence déterminant une fréquence de décharge dudit au moins un étage de stockage/décharge de tension.