Brevet FR2899392A1 — publié le 20071005

BOITIER POUR DISPOSITIF OPTIQUE ET DISPOSITIF OPTIQUE A SEMI- CONDUCTEUR UTILISANT CELUI-CI La présente invention est relative à un boîtier pour dispositif optique et à un dispositif optique à semi-conducteur utilisant celui-ci et, plus particulièrement, à un boîtier pour dispositif optique servant à monter un dispositif optique utilisé en particulier dans des dispositifs électroniques d'information et des dispositifs de communication d'informations afin d'émettre et de recevoir des signaux à haute fréquence, ainsi qu'à un dispositif optique à semi-conducteur utilisant celui-ci. Depuis quelques années, du fait de l'utilisation désormais commune de communications optiques à large bande et de réseaux de télécommunications publics utilisant des fibres optiques, il est apparu une nécessité croissante de transmission d'une grande quantité d'informations à un faible coût. Cela signifie que les dispositifs électroniques d'information pour ces communications et réseaux doivent gérer une énorme quantité d'informations. De ce fait, ces dispositifs électroniques d'information doivent être fiables et bon marché tout en étant aptes à traiter une grande quantité de données à une grande vitesse. Les dispositifs de lasers à semi-conducteur, qui constituent un élément essentiel dans les dispositifs électroniques d'information, doivent aussi avoir un faible coût et pouvoir produire efficacement une oscillation à forte puissance. En outre, les dernières années ont vu un besoin croissant en lecteurs de DVD-R/RW, qui constituent l'un des dispositifs de stockage de grande capacité à grande vitesse. Les lecteurs de DVD-R/RW emploient un laser à semi-conducteur de forte puissance, et on a activement cherché à élaborer un laser à semi-conducteur de forte puissance, d'une grande efficacité, constitué par une matière à composition AlGaInP/GaAs afin de traiter à grande vitesse des informations. Un dispositif optique à semi-conducteur employant un tel laser à semi-conducteur doit être apte à satisfaire des exigences telles que des performances stables en fonctionnement à forte puissance, un faible coût, et une grande efficacité. Le laser à semi-conducteur utilisé dans un dispositif optique à semi-conducteur est monté dans un boîtier métallique à configuration coaxiale (une configuration peu coûteuse) pour permettre de réduire le coût. Même un tel boîtier métallique doit avoir une configuration permettant un montage aisé et présentant de bonnes caractéristiques de dissipation de chaleur, des caractéristiques optiques 2 stables et des pertes réduites de transmission de signaux à hautes fréquences pendant le fonctionnement. Le corps principal du boîtier métallique est appelé "tige" et comporte : un disque métallique appelé "oeillet", une pluralité d'électrodes conductrices en forme de baguettes pour acheminer des signaux électriques, disposées de manière à passer par une pluralité de trous traversants formés dans l'oeillet, ou disque métallique (les trous traversants étant obturés hermétiquement par du verre de scellement), et un support appelé "bloc" disposé sur une surface de disque de l'oeillet, ou disque métallique, et conçu de façon qu'un dispositif optique soit fixé à celui-ci. Des dispositifs en matière plastique ou en résine moulée pour laser à semi-conducteur, employant un tel boîtier métallique, ont été proposés, ils permettent de réduire les coûts de fabrication et donnent plus de liberté dans la conception de leur forme. Un premier dispositif connu en matière plastique moulée, pour laser à semi- conducteur (un exemple de boîtier en matière plastique moulée) comprend des parties en forme d'arcs qui tangentent intérieurement un cercle virtuel centré sur le point d'émission de lumière de la puce de diode laser (ou DL). Ce dispositif de laser à semi-conducteur peut être installé et fixé dans le trou de réception étagé d'un dispositif, de la même manière que des dispositifs de type à boîtier métallique pour laser à semi-conducteur. (On se reportera par exemple aux paragraphes [0021] et [0022] et à la Fig. 2 de la publication de brevet japonais n 7-335 980, ouverte à l'inspection publique). Un deuxième dispositif connu en matière plastique moulée, pour laser à semi-conducteur est construit de telle manière que : l'élément laser est monté sur une grille de connexion faisant saillie perpendiculairement depuis la partite centrale d'une surface plane de l'embase cylindrique en matière plastique ; et les parties latérales de la grille de connexion sont renforcées par leurs éléments moulés respectifs en résine présents sur celles-ci, chaque élément en résine ayant une forme à symétrie verticale. Cette configuration donne plus de liberté dans la conception, réduit les coûts, réduit les déformations thermiques, et réduit donc l'ampleur du déplacement du point d'émission de lumière pendant le fonctionnement du laser. (On se reportera par exemple aux paragraphes [0010], [0021] et [0035] et à la Fig. 1 de la publication de brevet japonais n 3 607 220). Un troisième dispositif connu en matière plastique moulée pour laser à 35 semi-conducteur comprend : un élément formant oeillet métallique comportant une 3 partie de base d'oeillet de forme semi-circulaire vue en plan et une partie de support d'élément faisant corps avec la partie de base d'oeillet, la partie de support d'élément dépassant de la partie de base d'oeillet ; et un ensemble de broches conductrices comprenant deux broches conductrices (de signaux) et une broche conductrice de masse et des éléments en matière plastique moulée tels que des saillies, une partie formant une plaque plane, et une partie de support de conducteurs., les saillies étant engagées dans l'élément formant oeillet, la partie formant plaque plane étant réunie à une surface de bord intérieur de la partie de base d'oeillet, et la partie de support de conducteurs supportant et maintenant en place les broches conductrices. L'élément formant oeillet et l'ensemble de broches conductrices sont fabriqués séparément puis assemblés l'un avec l'autre. Cette configuration accentue la dissipation de chaleur depuis l'élément formant oeillet en permettant de recevoir une DL de forte puissance et un alignement précis de l'axe optique. En outre, comme l'ensemble de broches conductrices est en résine moulée et que les broches conductrices (de signaux) et la broche conductrice de masse de l'ensemble de broches conductrices sont supportées par la partie de support de conducteurs, il est possible d'empêcher que ces broches conductrices ne soient cintrées pendant le transport de l'ensemble de broches conductrices. (Se reporter par exemple aux paragraphes [0010], [0014] et [0027] et à la Fig. 1 de la publication de brevet japonais n 2004-311 707, ouverte à l'inspection publique). Cependant, chacune des configurations ci-dessus présente des inconvénients. Dans le cas du premier dispositif connu en matière plastique moulée pour dispositif de laser à semi-conducteur, les parties en forme d'arcs décrites plus haut (qui constituent des saillies dépassant de la partie formant plage de support de puce) peuvent être difficiles à réaliser d'une manière fiable avec une forme voulue, bien qu'elles soient compatibles avec des boîtiers métalliques classiques. Ainsi, cette configuration ne permet qu'une grille de connexion améliorée. Dans le cas du deuxième dispositif connu en matière plastique moulée pour laser à semi-conducteur, l'embase en résine (correspondant à l'oeillet d'un boîtier métallique classique) est fabriquée à l'aide d'un processus simple de moulage de résine, ce qui est avantageux. Cependant, un moule en résine (ou un ceillet en résine) a une conductivité thermique inférieure à celle d'un oeillet métallique. Par conséquent, ce dispositif de laser à semi-conducteur peut présenter des caractéristiques de dissipation de chaleur dégradées et, en outre, des caractéristiques optiques dégradées en raison du déplacement du point d'émission de lumière, 4 provoqué par une déformation thermique à hautes températures s'il emploie une DL de forte puissance, qui a été couramment employée ces dernières années. Dans le cas du troisième dispositif connu en matière plastique moulée pour laser à semi-conducteur, les broches conductrices (de signaux) et la broche conductrice de masse sont supportées par la partie de support de conducteurs, qui est en résine moulée. Par conséquent, la majeure partie de la longueur de ces broches conductrices (de signaux) et de cette broche conductrice de masse est couverte et scellée à l'aide de la partie de support de conducteurs en résine ; seules leurs extrémités sont découvertes. Cette configuration a pour effet un allongement de la distance entre la puce de DL et la couche de la mise à la terre à la surface du substrat en résine (sur lequel est montée la puce de DL), ce qui contribue à accroître l'inductance et donc à augmenter les pertes de transmission aux fréquences élevées. Cela a un effet défavorable sur les caractéristiques de puissance du laser, ce qui risque de rendre difficile, pour le dispositif de laser à semi-conducteur, l'obtention de bonnes caractéristiques à haute fréquence. La présente invention a été mise au point pour résoudre les problèmes ci-dessus. Par conséquent, un premier objectif de la présente invention consiste à réaliser un boîtier d'une faible coût pour dispositif optique, possédant de bonnes caractéristiques à haute fréquence et présentant une dégradation réduite de ses caractéristiques optiques pendant le fonctionnement du dispositif. Un second objectif de la présente invention consiste à réaliser un dispositif optique à semi-conducteur d'un faible coût qui ait de bonnes caractéristiques à haute fréquence et présente une dégradation réduite de ses caractéristiques optiques pendant son fonctionnement. Selon un premier aspect de la présente invention, il est proposé un boîtier pour dispositif optique comprenant : une embase métallique ayant un substrat à forme extérieure prédéterminée et une partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat, le substrat et la partie formant plage de support de puce étant constitués d'une tôle métallique, le substrat ayant deux surfaces principales, et la partie formant plage de support de puce étant cintrée suivant un angle prédéterminé par rapport aux surfaces principales du substrat ; une première électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat de l'embase métallique suivant un angle prédéterminé, étant séparée de l'embase métallique, et chaque extrémité de la première électrode conductrice dépassant d'une, respective, des surfaces principales du substrat ; et un élément d'obturation en résine ayant une partie de base analogue à une plaque s'étendant en travers et au contact d'une des surfaces principales du substrat de l'embase métallique, la première électrode conductrice dans la direction opposée à la partie formant plage de support de puce par rapport au substrat dépassant de la partie de base, l'élément d'obturation en résine 5 couvrant la première électrode conductrice dans la même direction que la partie formant plage de support de puce par rapport au substrat en laissant une partie de surface découverte, et fixant l'embase métallique et ladite première électrode conductrice. Ainsi, dans le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention, l'embase métallique comportant la partie formant plage de support de puce a de bonnes caractéristiques de dissipation de chaleur, ce qui aboutit à une diminution de la dégradation des caractéristiques optiques du dispositif optique pendant le fonctionnement. En outre, comme la partie de base de l'élément d'obturation en résine a une forme de plaque et que les premières électrodes conductrices dépassent d'une surface de cette partie de base de l'élément d'obturation en résine, le boîtier pour dispositif optique peut être monté sur un substrat de montage de telle sorte que le substrat de montage soit tout contre la surface de la partie de base de l'élément d'obturation en résine. Cela réduit la distance entre le substrat de montage et le dispositif optique monté sur la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique, ce qui aboutit à une amélioration des caractéristiques à haute fréquence. Par ailleurs, ce boîtier pour dispositif optique peut être fabriqué à un faible coût, puisqu'il emploie un moule de résine, ou un élément d'obturation en résine. Selon un autre aspect de la présente invention, il est proposé un dispositif optique à semi-conducteur comprenant : un boîtier pour dispositif optique comprenant : une embase métallique ayant un substrat d'une forme extérieure prédéterminée et une partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat, le substrat et la partie formant plage de support de puce étant réalisés en tôle métallique, le substrat ayant deux surfaces principales, et la partie formant plage de support de puce étant cintrée suivant un angle prédéterminé par rapport aux surfaces principales du substrat, une première électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat de l'embase métallique suivant un angle prédéterminé, étant séparées de l'embase métallique, et chaque extrémité de la première électrode conductrice dépassant d'une, respective, des surfaces principales du substrat, et un élément d'obturation en résine ayant une partie de base en forme de plaque s'étendant en travers et au contact d'une des surfaces principales du substrat de ladite embase métallique, ladite première électrode conductrice étant orientée dans la direction opposée à celle de la partie formant plage de support de puce par rapport au substrat dépassant de la partie de base, l'élément d'obturation en résine couvrant la première électrode conductrice dans la même direction que la partie formant plage de support de puce par rapport au substrat en laissant une partie de surface découverte, et fixant l'embase métallique et la première électrode conductrice ; et un dispositif de laser à semi-conducteur monté sur un support disposé à la surface de la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique, et ayant des électrodes prédéterminées connectées électriquement aux premières électrodes conductrices ou à la fois aux premières et aux secondes électrodes conductrices. Ainsi, le dispositif optique à semi-conducteur a un faible coût tout en présentant de bonnes caractéristiques et de moindres pertes de transmission à hautes fréquences puisque le boîtier pour dispositif optique contribue à améliorer les caractéristiques de ce dispositif optique à semi-conducteur. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés sur lesquels : la Fig. 1 est une vue en plan d'un dispositif de DL selon une forme de 20 réalisation de la présente invention ; la Fig. 2 est une vue en coupe transversale du dispositif de DL représenté sur la Fig. 1, prise suivant la ligne II-II vue dans le sens des flèches ; la Fig. 3 est une élévation du dispositif de DL représenté sur la Fig. 1, vue dans le sens de la flèche III ; 25 la Fig. 4 est une vue de dessous du dispositif de DL représenté sur la Fig. 1, prise dans le sens de la flèche IV ; la Fig. 5 est une vue en perspective illustrant les relations de position entre l'embase métallique et les électrodes conductrices du dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention ; 30 la Fig. 6 est une vue en perspective du dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention ; la Fig. 7 est une vue en perspective illustrant les relations de position entre une embase métallique et les électrodes conductrices dans une variante selon une forme de réalisation de la présente invention ; la Fig. 8 est une vue en perspective illustrant une relation de position entre une embase métallique et les électrodes conductrices dans une variante selon une forme de réalisation de la présente invention ; la Fig. 9 est une vue en perspective d'un dispositif de DL employant un cadre métallique 70 selon une forme de réalisation de la présente invention ; la Fig. 10 est une vue schématique partielle en coupe transversale représentant un dispositif de DL monté sur un substrat de support selon une forme de réalisation de la présente invention ; la Fig. 11 est une vue en perspective illustrant les relations de position entre 10 l'embase métallique et les électrodes conductrices dans une autre variante selon une forme de réalisation de la présente invention ; et la Fig. 12 est une vue en perspective d'un dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention. Sur toutes les figures, les éléments sensiblement identiques sont désignés 15 par les mêmes repères. Bien que la présente invention soit décrite en référence à des boîtiers pour DL (un exemple de boîtier pour dispositif optique) et à des dispositifs de DL, l'invention peut être appliquée à des photodétecteurs et autres dispositifs 20 luminescents. La description ci-après d'une forme préférée de réalisation de la présente invention portera en particulier sur des dispositifs de DL qui emploient un boîtier pour dispositif optique contenant une puce de DL. Première forme de réalisation 25 La Fig. 1 est une vue en plan d'un dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention ; la Fig. 2 est une vue en coupe transversale du dispositif de DL représenté sur la Fig. 1, prise suivant la ligne II-II, vue dans le sens des flèches ; la Fig 3 est une élévation du dispositif de DL représenté sur la Fig. 1, prise dans le sens de la flèche 3 ; la Fig. 4 est une vue de dessous du dispositif de DL 30 représenté sur la Fig. 1, vue dans le sens de la flèche IV ; la Fig. 5 est une vue en perspective illustrant les relations de position entre l'embase métallique et les électrodes conductrices du dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention ; et la Fig. 6 est une vue en perspective d'un dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention. Il faut souligner que, sur ces figures, les mêmes repères servent à désigner des éléments identiques ou correspondants. En référence à la Fig. 1, un dispositif de DL 10 comprend : un boîtier 12 pour DL ; une puce 16 de DL montée sur un support secondaire 14 disposé sur le boîtier 12 pour DL ; et des fils 22, par exemple en Au, connectés entre les électrodes (non représentées) de la puce 16 de DL et des broches conductrices 18 de signaux et une broche conductrice 20 de masse du boîtier 12 pour DL. Le boîtier 12 pour DL comprend : un cadre métallique 24 servant d'embase métallique ; un élément en résine moulée 25 servant d'élément d'obturation en résine; les broches conductrices 18 de signaux servant de première électrode conductrice ; et la broche conductrice de masse 20 servant de seconde électrode conductrice. Le cadre métallique 24 est constitué par une tôle de Cu de 0,4 mm d'épaisseur, plaquée, par exemple, de Ag. Il faut souligner que le cadre métallique 24 peut être plaqué de Ni/Au ou de Ni/Pd/Au au lieu de Ag. Considérant maintenant les figures 2 et 3, le cadre métallique 24 comprend : un substrat 26 dont le pourtour extérieur a une forme prédéterminée, par exemple une forme ronde ; et une partie rectangulaire formant plage de support 28 de puce recourbée à partir du substrat 26 de manière à former un angle prédéterminé, par exemple de 90 , avec une première surface principale 26a du substrat 26. Selon la présente forme de réalisation, lors du processus de fabrication de ce cadre métallique 24, la partie formant plage de support 28 de puce est recourbée en une seule fois suivant l'angle prédéterminé, par exemple 90 . Cependant, il est possible de cintrer plusieurs fois la partie formant plage de support 28 de puce afin d'obtenir finalement cet angle. Avec le cadre métallique 24 selon la présente forme de réalisation, la broche conductrice de masse (ou l'élément en forme de broche) 20 est disposée de manière à s'étendre parallèlement à une extension de l'axe central de la partie formant plage de support 28 de puce, mais en sens inverse par rapport à la partie formant plage de support 28 de puce, comme représenté sur les figures 1 et 2. (L'axe géométrique central de la partie formant plage de support 28 de puce est orthogonal à la ligne de cintrage entre le substrat 26 et la partie formant plage de support 28 de puce et rencontre la verticale qui passe à travers la première surface principale 26a du substrat 26 et qui rencontre l'axe géométrique central de la broche conductrice de masse 20.) En particulier, selon la présente forme de réalisation, la broche conductrice de masse 20 est formée en cintrant le même morceau de tôle servant à 9 former le substrat 26 et la partie formant plage de support 28 de puce, et s'étend depuis une encoche 26b ménagée dans le bord périphérique extérieur du substrat 26, comme représenté sur la Fig. 3. Plus particulièrement, la broche conductrice de masse 20 est cintrée de manière à s'étendre parallèlement à l'axe géométrique central de la partie formant plage de support 28 de puce décrite plus haut. Ainsi, la broche conductrice de masse 20 est formée du même morceau de matière de cadre conducteur que celui servant à former le substrat 26. Ainsi, le substrat 26, la partie formant plage de support 28 de puce et la broche conductrice de masse 20 du cadre métallique 24 sont formées d'une seule pièce, par emboutissage unique, du même morceau de tôle. Ils sont entièrement profilés et cintrés en même temps, ce qui permet de réduire le coût (cf. Fig. 5). Par ailleurs, la couche de résine qui couvre partiellement la broche conductrice de masse 20 a une épaisseur tout au plus d'environ 1,2 mm. Dans le cas de boîtiers classiques pour dispositif optique, si la couche de résine ne peut pas être dotée d'une épaisseur suffisamment grande pour couvrir d'une façon fiable la broche conductrice de masse 20, la broche conductrice de masse 20 doit être fixée à la partie à encoche 26b du substrat 26, par soudage ou collage. Dans le cas du boîtier pour dispositif optique selon la présente forme de réalisation, en revanche, puisque la broche conductrice de masse 20 et le substrat 26 sont formés du même morceau de tôle par cintrage, non seulement le cadre métallique 24 peut être fabriqué à un faible coût, mais encore la broche conductrice de masse 20 peut avoir la résistance à l'arrachement requise sans accroissement de l'épaisseur de la couche de résine. Evidemment, la broche conductrice de masse 20 peut être formée à l'aide d'un morceau de tôle différent de celui du substrat 26 et peut être connectée électriquement et réunie mécaniquement à la partie à encoche 26b du substrat 26, par soudage ou autre. En référence aux figures 2 et 5, dans le cadre métallique 24, deux gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices sont formées dans la partie cintrée (ou partie de raccordement) 30 entre la partie formant plage de support 28 de puce et le substrat 26. En particulier, les gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices sont disposées le long des côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce qui s'étend depuis le substrat 26. Chaque gorge d'insertion 32 d'électrode conductrice comporte une gorge 32a de plage de support de puce qui sert de première ouverture et un trou 32b de substrat qui sert de seconde ouverture, formée dans le substrat 26 et reliée à la gorge 32a de plage de support de puce. Une extrémité de chaque broche conductrice 18 de signal est insérée dans une gorge respective 32 d'insertion d'électrode conductrice, comme représenté sur les figures 1., 2 et 5. Plus particulièrement, selon la présente forme de réalisation, l'extrémité de chaque broche conductrice 18 de signal orientée vers la partie formant plage de support 28 de puce est insérée dans une gorge respective d'insertion 32 d'électrode conductrice et dépasse donc légèrement de la première surface principale 26a du substrat 26 du cadre métallique 24. La partie de chaque broche conductrice 18 de signal qui dépasse de la première surface principale 26a du substrat 26 constitue un plot de connexion 18a pour un fil de Au 22. En outre, l'autre partie de chaque broche conductrice 18 de signal s'étend sur une distance considérable dans la direction opposée à celle de la partie formant plage de support 28 de puce et constitue une partie d'insertion 18b destinée à être insérée dans une électrode d'un substrat de film ou substrat de montage. En outre, la partie de la broche conductrice de masse :20 adjacente ou parallèle aux parties 18b d'insertion de substrat des broches conductrices 18 de signaux constitue une partie 20b d'insertion de substrat. Ainsi, selon la présente forme de réalisation, deux gorges d'insertion 32 d'électrodes conductrices sont formées sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce, et une seule broche conductrice rectiligne 18 de signal est insérée dans chaque gorge d'insertion 32 d'électrode conductrice. Cependant, plusieurs broches conductrices de signaux peuvent être insérées dans une seule gorge d'insertion 32 d'électrodes conductrices. Par ailleurs, au lieu des broches conductrices rectilignes 18 de signaux, il est possible d'utiliser des broches conductrices étagées ou "en vilebrequin" ou celles ayant une ou plusieurs saillies afin d'accroître la résistance à l'arrachement. Par ailleurs, les gorges d'insertion 32 d'électrodes conductrices peuvent ne pas comporter les gorges 32a de plages de support de puce (c'est-à-dire qu'elles peuvent uniquement comporter les trous 32b du substrat). Avec cet agencement, les broches conductrices 18 de signaux peuvent être insérées dans leurs trous respectifs 32b du substrat, et la partie de chaque broche conductrice 18 de signal qui dépasse du trou 32b de substrat peut constituer un plot de connexion 18a. En outre, le cadre métallique 24 ne peut comporter ni les gorges 32a de plages de support de puce (c'est-à-dire des ouvertures formées sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce) ni les trous 32b du substrat. Avec cet agencement, les broches conductrices 18 de signaux peuvent être disposées de 11 manière à s'étendre sous le substrat 26 et sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce, en dépassant du substrat 26. La partie de chaque broche conductrice 18 de signaux qui dépasse du substrat 26 peut constituer un plot de connexion 18a. Par ailleurs, la surface de la partie formant plage de support 28 de puce sous une surface de montage 28a de puce représentée sur la Fig. 2 peut servir de surface de montage de puce à la place de la surface de montage 28a de puce, et une partie de chaque broche conductrice 18 de signal peut dépasser sur cette surface de support de puce et constituer un plot de connexion 18a. t 0 Comme décrit ci-dessus, le boîtier pour dispositif optique selon la présente forme de réalisation comprend deux broches conductrices 18 de signaux et une seule broche conductrice de masse 20. Les broches conductrices 18 de signaux sont espacées et de ce fait électriquement isolées du cadre métallique de connexion 24. La broche conductrice 20 de masse et le cadre métallique de connexion 24 sont réalisés 15 d'une seule pièce à l'aide du même morceau de tôle (ou encore ils peuvent être formés séparément à l'aide de différents morceaux de tôle et réunies et de ce fait connectées électriquement l'une à l'autre par soudage, etc.). Cependant, la présente invention ne se limite pas à cetagencement particulier. Comme les broches conductrices 18 de signaux, la broche conductrice de masse 20 peut être espacée du 20 cadre métallique 24. En outre, bien que le boîtier pour dispositif optique selon la présente forme de réalisation ait été décrit comme comprenant trois broches conductrices (à savoir deux broches conductrices 18 de signaux et une broche conductrice de masse 20), il peut ne comprendre que deux broches conductrices 18 de signaux et ne pas 25 comprendre la broche conductrice de masse 20, laquelle est formée à l'aide du même morceau de métal que celui servant à former le cadre métallique 24 ou qui est formée d'un morceau de tôle différent de celui du cadre métallique 24 et réuni au cadre métallique 24 par soudage, etc. Dans ce cas, l'une des broches conductrices 18 de signaux peut servir de broche conductrice de masse. 30 En référence aux figures 3 et 4, des encoches latérales 34 sont formées dans les parties du bord périphérique extérieur du substrat 26 au voisinage immédiat des côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce. Ces encoches latérales 34 servent à retenir le boîtier au cours du processus d'assemblage. L'axe géométrique central horizontal des encoches latérales 34 se trouve dans la même 35 position verticale que l'axe géométrique central de l'épaisseur des broches 12 conductrices 18 de signaux, lequel se trouve lui-même dans la même position verticale que le point d'émission de lumière dans la puce 16 de DL montée sur la partie formant plage de support 28 de puce. Ainsi, ces axes centraux horizontaux et le point d'émission de lumière se trouvent dans le même plan. En outre, le point d'émission de lumière de la puce 16 de DL se trouve au centre du pourtour extérieur, en forme d'arc, du substrat 26. Le pourtour extérieur du substrat 26 a une forme d'arc pour conserver une compatibilité avec des tiges métalliques classiques. L'élément en résine moulée 25 comporte une base 40 en résine servant de partie de base et des parois protectrices 42 servant de parois latérales, qui immobilisent d'une manière fiable le cadre métallique 24, les broches conductrices 18 de signaux et la broche conductrice de masse 20, comme représenté sur les figures 1, 2 et 6. Par ailleurs, comme les gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices sont remplies et obturées par une résine à l'aide d'un processus de moulage après l'insertion des broches conductrices 18 de signaux dans ces gorges, le cadre métallique 24 et les broches conductrices 18 de signaux sont en outre solidement immobilisés par la résine moulée présente dans les gorges d'insertion 32 d'électrodes conductrices. Une première surface de la base 40 en résine est disposée tout contre une seconde surface principale 26c, qui est en regard de la première surface principale 26a du substrat 26 du cadre métallique 24, et une autre surface 40a de la base 40 en résine, qui est en regard de cette première surface, est plane et a un pourtour extérieur d'une forme prédéterminée, dont par exemple une forme d'arc(s), comme représenté sur la Fig. 1. La base 40 en résine a elle-même une forme de disque. L'épaisseur combinée W1 du substrat 26 et de la base 40 en résine est d'environ 1,2 mm. Il faut souligner que les parties 18b d'insertion dans le substrat des broches conductrices 18 de signaux et la partie 20b d'insertion dans le substrat de la broche conductrice de masse 20 dépassent de la surface 40a de la base 40 en résine. Selon la présente forme de réalisation, la base 40 en résine a une forme extérieure qui inclut un arc ayant le même rayon que la forme périphérique extérieure du substrat 26 du cadre métallique 24. Cela permet une compatibilité avec les tiges métalliques de boîtiers à structure selon la technique antérieure. Selon la présente forme de réalisation, les pourtours extérieurs du substrat 26 et de la base 40 en résine ont le même rayon, comme décrit ci-dessus. Cependant, le pourtour extérieur du substrat 26 peut avoir un plus grand rayon que le pourtour extérieur de la base 40 en résine. 13 le pourtour extérieur du substrat 26 peut avoir un plus grand rayon que le pourtour extérieur de la base 40 en résine. En outre, il est également acceptable que le pourtour extérieur du substrat 26 ait un plus petit rayon que le pourtour extérieur de la base 40 en résine si cela n'a pas 5 d'incidence sur l'ampleur du déplacement du point d'émission de lumière de la DL par suite d'une déformation thermique. Par ailleurs, bien que le substrat 26 du cadre métallique 24 et la base 40 en résine selon la présente forme de réalisation aient été décrits comme ayant un pourtour extérieur d'une forme incluant un arc, ils peuvent avoir d'autres formes de 10 pourtour extérieur. Dans ce cas, il est acceptable que certaines parties du pourtour extérieur de la base 40 en résine ne soient pas couvertes par le substrat 26 si cela n'a pas d'incidence sur l'ampleur du déplacement du point d'émission de lumière de la DL du fait de la déformation thermique. Par ailleurs, le substrat 26 et la base 40 en résine peuvent avoir n'importe 15 quelle forme comportant une ou plusieurs parties (par exemple, des parties à encoches) qui permettent la compatibilité avec la tige d'un boîtier métallique à remplacer. En outre, bien que, dans la présente forme de réalisation, la base 40 en résine soit disposée tout contre la seconde surface principale 26c du substrat 26, la 20 base 40 en résine peut à la place être disposée tout contre la première surface principale 26a du substrat 26. Comme représenté sur la Fig. 4, la forme des deux bords latéraux de la base 40 en résine est une ligne droite, non un arc, de manière à ne pas couvrir les encoches latérales 34 formées dans le bord périphérique extérieur du substrat 26 du cadre 25 métallique 24, permettant que le boîtier soit retenu à l'aide de ces encoches au cours du processus d'assemblage. Il faut souligner que cette forme des bords latéraux de la base 40 en résine concorde avec la forme de la filière de moulage de résine utilisée. Comme décrit ci-dessus, la partie 26b à encoches est ménagée dans le bord périphérique extérieur du substrat 26, comme représenté sur les figures 1 et 3. L'axe 30 géométrique central de la partie 26b à encoches coïncide avec la verticale passant par la première surface principale 26a du substrat 26 et rencontre à angle droit l'axe géométrique central de la partie formant plage de support 28 de puce. (L'axe géométrique central de la partie formant plage de support 28 de puce est orthogonal à la ligne de flexion entre le substrat 26 et la partie formant plage de support 28 de 35 puce.) Selon la présente forme de réalisation, une encoche 44 de détection d'angle est 14 formée dans le bord périphérique extérieur de l'élément moulé en résine destiné à remplir la partie 26b à encoches. Comme représenté sur les figures 1 et 6, les parois protectrices 42 de l'élément en résine moulée 25 sont formées de manière à couvrir les surfaces supérieures et inférieures des côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce. La partie médiane de la partie formant plage de support 28 de puce intercalée entre les deux parois protectrices 42 n'est pas couverte de résine et ses surfaces métalliques supérieure et inférieure sont donc découvertes. La surface de montage 28a de puce est formée sur cette partie médiane de la partie formant plage de support 28 de puce (se reporter également aux figures 2 et 3), et la puce 16 de DL est montée sur le support secondaire 14 disposé sur la surface de montage 28a de puce. Le support secondaire 14 a des dimensions de l'ordre de 0,6 mm x 1,47 mm x 0,24 mm et, par exemple, est en nitrure d'aluminium (AIN). Par exemple, de la brasure à AuSn, à point de fusion de 280 C, est utilisée pour fixer le support secondaire 14 à la partie formant plage de support 28 de puce et pour fixer la puce 16 de DL au support secondaire 14. A la place de brasure à AuSn, il est possible d'utiliser de la brasure à SnAgCu ou SnPb ou un adhésif conducteur telle qu'une colle à l'argent. La hauteur des parties latérales des parois protectrices 42 orientées vers la surface de montage 28a de puce (ou la puce 16 de DL) est déterminée d'après la position en hauteur des fils de Au 22 connectés entre les électrodes (non représentées) de la puce 16 de DL et la broche conductrice de ruasse 20 et les broches conductrices 18 de signaux. En particulier, la hauteur de ces parties latérales est établie de façon que leurs surfaces supérieures soient situées plus haut que les fils de Au 22; Par conséquent, comme représenté sur la Fig. 6, une partie en creux 46 est formée dans la surface de la partie latérale de chaque paroi protectrice 42 orientée vers la surface de montage 28a de puce (ou la puce 16 de DL) afin de permettre que la partie de chaque broche conductrice 18 de signal qui dépasse de la première surface principale 26a serve de plage de connexion (18a), c'est-à-dire pour découvrir cette partie de chaque broche conductrice 18 de signal. Il faut souligner que, bien que, dans la présente invention, on utilise des fils de Au pour la connexion entre les électrodes de la puce 16 de DL et la broche conductrice de masse 20 et les broches conductrices 18 de signaux, des fils de Al ou des fils émaillés, etc., peuvent être utilisés à la place de fils en Au. 15 En outre, bien que, dans la présente forme de réalisation, l'élément en résine moulée 25 comporte les parois protectrices 42, il peut ne comporter aucune paroi protectrice. Dans ce cas, les deux côtés de la partie formant plage de support 28 de puce peuvent être recourbés vers le haut pour être orientés vers la face de montage 28a de puce (ou la puce 16 de DL) et servir de paroi protectrice. En outre, bien que, dans la présente forme de réalisation, les parois protectrices 42 soient formées pour couvrir les surfaces supérieure et inférieure des côtés respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce, la totalité de la surface inférieure de la partie formant plage de support 28 de puce (c'est-à-dire la surface de la partie formant plage de support 28 de puce sur laquelle n'est pas formée la surface de montage 28a de puce) peut être découverte pour réaliser de meilleures caractéristiques de dissipation de chaleur. L'élément en résine moulée 25 est formé suivant le procédé comprenant les étapes consistant à : insérer et mettre en place les proches conductrices 18 de signaux dans les gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices du cadre métallique 24 ; placer le cadre métallique 24 dans une filière de moulage ; et introduire, par exemple, un polymère en cristaux liquides dans la filière. Par ce processus de coulée sous pression, la base 40 en résine et les parois protectrices 42 sont formées d'une seule pièce et le cadre métallique 24 et les broches conductrices 18 de signaux sont immobilisés mécaniquement d'une manière fiable les unes par rapport aux autres à l'aide de la résine qui adhère solidement à des parties du cadre métallique 24 et des broches conductrices 18 de signaux, telles que : la seconde surface principale 26c du substrat 26, la partie 26b à encoches ménagée dans le bord périphérique extérieur du substrat 26 ; les gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices ; les bords latéraux de la partie formant plage de support 28 de puce ; et les surfaces périphériques extérieures des broches conductrices 18 de signaux. Il faut souligner que, bien que la présente forme de réalisation utilise un polymère en cristaux liquides comme élément en résine moulée 25, il est possible d'utiliser une résine thermoplastique pour moulage par injection, notamment du PPS, une résine pour moulage par transfert ou du verre à bas point de fusion pour obturation/fixation, etc., à la place du polymère en cristaux liquides. La Fig. 7 est une vue en perspective illustrant les relations de position entre une embase métallique et les électrodes conductrices dans une variante selon une forme de réalisation de la présente invention. Chaque gorge d'insertion 32 d'électrode conductrice d'un cadre métallique 50 représenté sur la Fig. 7 est formée sur un côté respectif de la partie formant plage de support 28 de puce et comporte : une gorge 32a de plage de support de puce formée sur un côté respectif de la partie formant plage de support 28 de puce ; et une fente 32c, servant de seconde ouverture, formée dans le substrat 26 et reliée d'un seul tenant à la gorge 32a de plage de support de puce. Dans le cas du cadre métallique 24 décrit plus haut, des trous 32b du substrat, qui sont des trous traversants, sont formés dans le substrat 26 de manière à être reliés d'un seul tenant à des gorges respectives 32a de plage de support de puce. Dans le cas du cadre métallique 50, en revanche, des fentes 32c en forme d'encoches rectangulaires ayant la même largeur que les gorges 32a de plage de support de puce s'étendent depuis le bord périphérique extérieur du substrat 26 jusqu'aux gorges respectives 32a de plage de support de puce. Comme le cadre métallique 50 a une telle forme, les broches conductrices 18 de signaux insérées dans les gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices peuvent être réalisées à l'aide du même morceau de tôle que le cadre métallique 50, ce qui permet donc de réduire encore le coût. La Fig. 8 est une vue en perspective illustrant une relation de position entre une embase métallique et les électrodes conductrices dans une variante selon une forme de réalisation de la présente invention. En référence à la Fig. 8, un cadre métallique 70 est dépourvu de gorges d'insertion d'électrodes. En revanche, un prolongement 72 de plage de support de puce est formé de manière à s'étendre depuis la partie formant plage de support 28 de puce jusqu'au substrat 26, comme représenté sur la Fig. 8. La largeur du prolongement 72 de plage de support de puce est approximativement égale à l'épaisseur de la base 40 en résine. Le prolongement 72 de la plage de support de puce et la partie formant plage de support 28 de puce partagent le même plan. En outre, des ailes 72a sont présentes sur les bords latéraux respectifs du prolongement 72 de plage de support de puce. D'une manière spécifique, les ailes 72a sont formées en cintrant les deux côtés du prolongement 72 de plage de support de puce afin qu'ils se dressent de manière à être orientés vers la surface de montage 28a de puce (ou la puce 16 de DL). Le substrat 26 s'étend sur un côté de la surface de montage 28a de puce et est orienté vers chaque aile 72a, comme représenté sur la Fig. 8. Une partie 26d à encoches est formée dans une partie médiane du substrat 26 de façon à s'étendre depuis le bord périphérique extérieur du substrat 26 jusqu'à la surface du prolongement 72 de plage de support de puce. Une broche conductrice de masse 20 17 est disposée au centre de la partie formant bord du prolongement 72 de plage de support de puce définie par la partie 26d à encoches. La broche conductrice de masse 20, la partie formant plage de support 28 de puce et le prolongement 72 de plage de support de puce sont formés d'un seul tenant à l'aide du même morceau de tôle. Ils partagent le même plan. La broche conductrice de masse 20 s'étend en ligne droite depuis le prolongement 72 de plage de support de puce. Plus particulièrement, la broche conductrice 20 de masse et la partie formant plage de support 28 de puce s'étendent dans des directions opposées. Les bords, dont les sections transversales, du prolongement 72 de plage de support de puce sur les deux côtés de la broche conductrice 20 de masse sont exposés à l'atmosphère même si la base 40 en résine est moulée de façon à couvrir les surfaces supérieure et inférieure du prolongement 72 de plage de support de puce. La largeur, désignée par W2 sur la Fig. 8, est environ de 150% ou plus de la largeur de la broche conductrice de masse 20. Cela améliore les caractéristiques de dissipation de chaleur du boîtier, ce qui aboutit à une augmentation de la résistance à l'arrachement des broches conductrices. Deux broches conductrices 18 de signaux sont disposées de façon à s'étendre le long des côtés respectifs de la broche conductrice de masse 20. Une extrémité de chaque broche conductrice 18 de signal chevauche partiellement les surfaces supérieures du prolongement 72 de plage de support de puce et la partie formant plage de support 28 de puce. Il faut souligner que les broches conductrices 18 de signaux sont espacées du prolongement 72 de plage de support de puce et de la partie formant plage de support 28 de puce. En outre, les parties des broches conductrices 18 de signaux chevauchant le prolongement 72 de plage de support de puce et la partie formant plage de support 28 de puce ne sont pas rectilignes et ont une forme étagée ou "une forme de vilebrequin" pour accroître la résistance à l'extraction de ces broches conductrices. La Fig. 9 est une vue en perspective d'un dispositif de DL employant le cadre métallique 70 selon une forme de réalisation de la présente invention. En référence à la Fig. 9, un boîtier 77 de DL dans un dispositif de DL 76 comprend le cadre métallique 70 et les broches conductrices 16 de signaux représentés sur la Fig. 8. Un élément en résine moulée 25 comprend une base 40 en résine et des parois protectrices 42 qui immobilisent mécaniquement d'une manière fiable le cadre métallique 70 et les broches conductrices 18 de signaux, comme dans le boîtier 12 de DL. La base 40 en résine est formée du côté de la première surface principale 26a du substrat 26 de façon que la base 40 en résine soit tout contre la première surface principale 26a et couvre des parties des broches conductrices 18 de signaux et des surfaces supérieure et inférieure du prolongement 72 de plage de support de puce. Cependant, les parties formant bords du prolongement 72 de plage de support de puce sur les deux côtés de la broche conductrice de masse 20 ne sont pas couvertes par la résine et sont donc découvertes. En référence aux figures 8 et 9, la largeur maximale W3 du prolongement 72 de plage de support de puce est approximativement égale à la somme de la largeur W4 des ailes 72a et de l'épaisseur W5 du substrat 26, et aussi approximativement égale à la largeur maximale W6 de la base 40 en résine. Cet agencement permet au substrat 26 et aux côtés des ailes 72a de couvrir partiellement les surfaces principales de la base en résine 40 en forme de disque, en empêchant la base 40 en résine de se déformer. Par ailleurs, les ailes 72a, qui sont en métal, couvrent la surface périphérique extérieure de la base 40 en résine en empêchant de ce fait sa déformation. Cela permet également de réduire les irrégularités du profil, en aboutissant à une plus grande précision de positionnement. La seconde surface principale 26c du substrat 26 et une surface 40b de la base 40 en résine au voisinage immédiat de la seconde surface principale 26c partagent sensiblement le même plan. Les broches conductrices 18 de signaux et la broche conductrice 20 de masse dépassent de la surface plane 40b de la base 40 en résine, et les parties saillantes des broches conductrices 18 de signaux et de la broche conductrice de masse 20 constituent respectivement des parties 18b d'insertion dans le substrat et une partie 20b d'insertion dans le substrat. Une extrémité de chaque broche conductrice 18 de signal dépasse de l'autre surface 40c de la base 40 en résine qui est orientée vers la partie formant plage de support 28 de puce. Cette partie saillante constitue un plot de connexion 18a. Une surface de montage 28a de puce est formée sur une partie médiane de la partie formant plage de support 28 de puce, et une puce 16 de DL est montée sur un support secondaire 14 disposé sur la surface de montage 28a de puce. Les électrodes de la puce 16 de DL sont connectées à la surface de montage 28a de puce, qui est connectée à la broche conductrice 20 de masse et aux plots de connexion 18a par des fils en Au 22, comme dans le dispositif de DL 10. La Fig. 11 est une vue en perspective illustrant les relations de position entre l'embase métallique et les électrodes conductrices dans une autre variante selon une forme de réalisation de la présente invention. En référence à la Fig. 11, dans un cadre métallique 90 sont disposées des ailes 92, constituant des saillies, qui s'étendent sensiblement sur toute la longueur des parties des bords latéraux respectifs de la partie formant plage de support 28 de puce. D'une manière spécifique, les ailes 92 sont formées en cintrant les deux côtés de la partie formant plage de support 28 de puce de façon qu'elles soient dressées pour être orientées vers la surface de support 28a de puce (ou la puce 16 de DL), comme représenté sur la Fig. 11. Par exemple, les ailes 92 et la surface de montage 28a de puce forment un angle de 90 . La broche conductrice de masse 20 et la partie formant plage de support 28 de puce sont formées d'un seul tenant à l'aide du même morceau de tôle et partagent le même plan. La broche conductrice de masse 20 s'étend sensiblement sur l'axe central de la partie formant plage de support 28 de puce. Comme représenté sur la Fig. 11, les deux parties latérales de la partie formant plage de support 28 de puce sont partiellement encochées. Par conséquent, la longueur des parties des ailes 92 reliées à la partie formant plage de support 28 de puce est plus courte que la longueur de la partie médiane de la partie formant plage de support 28 de puce s'étendant depuis le bord de la partie formant plage de support 28 de puce jusqu'à la broche conductrice de masse 20. Cependant, comme la longueur complète des ailes 92 est approximativement égale à la longueur de la partie médiane de la partie formant plage de support 28 de puce, des parties des ailes 92 dépassent et s'étendent parallèlement à la broche conductrice de masse 20. Un substrat 26, constitué de deux parties séparées, est relié aux parties formant bords saillants des ailes 92. Le substrat 26 s'étend vers l'extérieur depuis ces parties formant bords saillants. Les faces extérieures 92a des ailes 92 et la première surface principale 26a du substrat 26 forment un angle, par exemple de 90 . Dans le cadre métallique 70 représenté sur la Fig. 8, les ailes 72a sont formées en cintrant les deux côtés du prolongement 72 de plage de support de puce de façon qu'ils soient dressés pour être orientés vers la surface de montage 28a de puce (ou la puce 16 de DL). Le substrat 26 s'étend sur un côté de la surface de montage 28a de puce et est orienté vers chaque aile 72a du prolongement 72 de plage de support de puce. Ainsi, les ailes 72a sont reliées au substrat 26 par l'intermédiaire du prolongement 72 de plage de support de puce. En revanche, dans le cas du cadre métallique 90 représenté sur la Fig. 11, le substrat 26 fait corps avec les parties formant bords saillants des ailes 92 qui font elles-mêmes corps avec la partie formant plage de support 28 de puce. En outre, la broche conductrice de masse 20 et la partie formant plage de support 28 de puce s'étendent en ligne droite dans des directions opposées. Deux broches conductrices 18 de signaux sont disposées de manière à s'étendre sur les côtés respectifs de la broche conductrice de masse 20. Une extrémité de chaque broche conductrice 18 de signal chevauche partiellement la surface supérieure de la partie formant plage de support 28 de puce 10 et s'étend le long des faces internes 92b des ailes 92. Ainsi, ces broches conductrices 18 de signaux dépassent des deux surfaces principales du substrat 26. Il faut souligner que les broches conductrices 18 de signaux sont espacées par rapport à la partie formant plage de support 28 de puce. En outre, bien que, sur la Fig. 11, les broches conductrices 18 de signaux aient une configuration rectiligne, 15 elles peuvent avoir une forme étagée ou une "forme en vilebrequin" pour donner plus de résistance à l'arrachement, comme sur la Fig. 8. Le cadre métallique 90, agencé de la manière décrite ci-dessus, peut être fabriqué en formant la partie formant plage de support 28 de puce, les deux ailes 92 et le substrat 26 à l'aide du même morceau de tôle métallique, par découpage à 20 l'emporte-pièce et cintrage, ce qui a pour effet une réduction du coût de fabrication en comparaison de la coulée et du forgeage. En outre, comme les deux bords latéraux de la partie formant plage de support 28 de puce sont partiellement encochés, un agencement efficace de l'ébauche peut être conçu pour les broches conductrices 18 de signaux et la broche conductrice 25 de masse 20 en utilisant ces parties à encoches, ce qui permet donc d'économiser de la matière. En outre, comme la partie formant plage de support 28 de puce comporte les ailes 92 sur ses deux côtés, elle a une plus grande rigidité en flexion, ce qui empêche une déformation thermique de la partie formant plage de support 28 de puce lors du 30 chauffage. La Fig. 12 est une vue en perspective d'un dispositif de DL selon une forme de réalisation de la présente invention. En référence à la Fig. 12, un boîtier 98 de DL dans un dispositif de DL 96 comprend le cadre métallique 90 et les broches conductrices 18 de signaux 35 représentés sur la Fig. 11. Un élément en résine moulée 25 comprend une base 40 en résine et des parois protectrices 42 formées pour couvrir les ailes 92. La surface inférieure de la partie formant plage de support 28 de puce (c'est-à-dire la surface de la partie formant plage de support 28 de puce sur laquelle n'est pas formée la surface de montage 28a de puce) est également couverte par l'élément en résine moulée 25. L'élément en résine moulée 25 immobilise mécaniquement d'une manière fiable le cadre métallique 90 et les broches conductrices 18 de signaux, comme dans le boîtier 12 de DL. Ainsi, dans le dispositif de DL 96 selon la présente forme de réalisation, la surface inférieure de la partie formant plage de support 28 de puce (c'est-à-dire la surface de la partie formant plage de support 28 de puce sur laquelle n'est pas formée la surface de montage 28a de puce) est couverte d'une résine. Cependant, la surface inférieure de la partie formant plage de support 28 de puce peut être exposée à l'atmosphère, puisque la partie formant plage de support 28 de puce comporte les ailes 92 de part et d'autre, ce qui renforce la rigidité en flexion de la partie formant plage de support 28 de puce et donc peut supprimer les nécessité de fixer des saillies en résine à la surface inférieure de la partie formant plage de support 28 de puce. Le fait d'exposer la surface inférieure de la partie formant plage de support 28 de puce à l'atmosphère permet une amélioration des caractéristiques de dissipation de chaleur du boîtier. En outre, bien que, dans le dispositif de DL 96 selon la présente forme de réalisation, les ailes 92 soient entièrement couvertes d'une résine, certaines parties des ailes 92 peuvent être découvertes afin de dissiper efficacement la chaleur depuis la puce 16 de DL. Par ailleurs, bien que, dans le dispositif de DL 96 selon la présente forme de réalisation, la partie formant plage de support 28 de puce ait une forme rectangulaire, elle peut avoir une forme trapézoïdale s'élargissant vers le côté du substrat 26 afin d'améliorer les caractéristiques de dissipation de chaleur du boîtier. La base 40 en résine est formée du côté de la première surface principale 26a du substrat 26 de façon que la base 40 en résine soit tout contre la première surface principale 26a et couvre des parties des ailes 92 et les deux broches conductrices 18 de signaux. Cependant, les parties formant bords de part et d'autre de la broche conductrice de masse 20 ne sont pas couvertes de résine et sont donc découvertes, commedécrit plus haut. La seconde surface principale 26c du substrat 26 et une surface 40b de la 35 base 40 en résine adjacente à la seconde surface principale 26c partagent sensiblement le même plan. Les broches conductrices 18 de signaux et la broche conductrice de masse 20 dépassent de la surface plane 40b de la base 40 en résine, et les parties saillantes des broches conductrices 18 de signaux et de la broche conductrice de masse 20 constituent respectivement des parties 18b d'insertion dans le substrat et une partie 20b d'insertion dans le substrat. Une extrémité de chaque broche conductrice 18 de signaux dépasse de l'autre surface (40c) de la base 40 en résine qui est orientée vers la partie formant plage de support 28 de puce. Cette partie qui dépasse constitue un plot de connexion 18a. Une surface de montage 28a de puce est formée sur une partie médiane de la partie formant plage de support 28 de puce, et une puce 16 de DL est montée sur un support secondaire 14 disposé sur la surface de montage 28a de puce. Les électrodes de la puce 16 de DL sont connectées à la surface de montage 28a de puce, qui est connectée à la broche conductrice 20 de masse, et les plots de connexion 18a sont connectés par des fils de Au 22, comme dans le dispositif de DL 10. Dans le dispositif de DL 96 selon la présente forme de réalisation, le substrat 26 fait corps avec les parties formant bords saillants des ailes 92 qui font elles- mêmes corps avec la partie formant plage de support 28 de puce, en créant un cheminement conducteur de chaleur. Puisque la seconde surface principale 26c du substrat 26 est exposée à l'atmosphère, la chaleur produite par la puce 16 de DL est conduite de la partie formant plage de support 28 de puce au substrat 26 via le cheminement conducteur de chaleur ci-dessus et est efficacement dissipée depuis le substrat 26. La Fig. 10 est une vue schématique partielle en coupe transversale 25 représentant un dispositif de DL monté sur un substrat de montage selon une forme de réalisation de la présente invention. En référence à la Fig. 10, les broches conductrices 18 de signaux et la broche conductrice de masse 20 du dispositif de DL 10 sont insérées dans un substrat de montage, par exemple un substrat flexible 54. Le substrat flexible 54 est 30 principalement constitué par un film de substrat 56 en polyimide ayant une couche de câblage (non représentée) formée sur une surface de celui-ci. La Fig. 10 représente une coupe transversale d'une partie du substrat flexible 54. Des trous traversants 58 sont formés dans le film de substrat 56 et sont connectés à la couche de câblage. Les broches conductrices 18 de signaux et la 23 broche conductrice de masse 20 sont insérées dans ces trous traversants 58 et sont fixées à ceux-ci par de la brasure 60. Après cette fixation par brasure des broches conductrices 18 de signaux et de la broche conductrice de masse 20 aux trous traversants 58, les parties de ces broches conductrices qui dépassent de la surface inférieure du substrat flexible 54 sont sectionnées. Le dispositif de DL monté 10 a une surface plane 40a, puisque la base 40 en résine constituant son boîtier 12 de DL a la forme d'un disque. Puisque les broches conductrices 18 de signaux et la broche conductrice de masse 20 dépassent directement de cette surface plane 40a de la base 40 en résine, le substrat flexible 54 peut être mis tout contre la surface 40a. Par conséquent, la distance entre la puce 16 de DL dans le dispositif de DL 10 et la couche de câblage du substrat flexible 54 peut être réduite afin de réduire l'inductance, en comparaison de boîtiers selon la technique antérieure, ce qui facilite l'optimisation de l'impédance de cette partie du circuit. De la sorte, il est possible d'améliorer les caractéristiques à haute fréquence du dispositif de DL 10 employant le boîtier 12 de DL. Il faut souligner que, bien que l'agencement représenté sur la Fig. 10 ait été décrit en référence au dispositif de DL 10, les dispositifs de DL 76 et 96 peuvent également être employés pour parvenir à l'effet décrit ci-dessus. Ainsi, le boîtier 12 de DL, agencé de la manière décrite ci-dessus, peut être disposé sur le substrat flexible 54 de telle sorte que la surface 40a de la base 40 en résine soit tout contre le substrat flexible 54, en permettant une diminution de la distance entre la puce 16 de DL et le substrat flexible 54 et donc une diminution de l'inductance. Cela facilite l'optimisation de l'impédance de cette partie du circuit. De la sorte, il est possible d'améliorer les caractéristiques à haute fréquence du dispositif de DL 10. En outre, le cadre métallique 24 ou 54 (qui comporte le substrat 26 et la partie formant plage de support 28 de puce qui est connectée au substrat 26 et s'étend perpendiculairement à celui-ci) peut être formé d'une seule pièce par découpage à l'emporte-pièce et cintrage d'un seul morceau de tôle à l'aide d'une presse, ce qui aboutit à une diminution du coût de fabrication en comparaison du moulage et du forgeage. Par ailleurs, les cadres métalliques 24 et 50 peuvent constituer une plus grande surface de refroidissement pour dissiper efficacement la chaleur depuis la 24 puce 16 de DL fixée à la partie formant plage de support 28 de puce, en limitant de ce fait la hausse de la température du dispositif de DL 10. Par ailleurs, l'élément en résine moulée 25 comportant la base 40 en résine et les parois protectrices 42 immobilise mécaniquement d'une manière fiable le cadre métallique 24, la broche conductrice de masse 20 et les broches conductrices 18 de signaux. De plus, les broches conductrices 18 de signaux sont insérées dans les gorges 32 d'insertion d'électrodes conductrices du cadre métallique 24, lesquelles sont ensuite remplies et obturées par une résine, permettant de retenir solidement en place le cadre métallique 24 et les broches conductrices 18 de signaux. Par conséquent, ces broches conductrices peuvent, même à des températures élevées, avoir une grande résistance à l'arrachement. Par ailleurs, puisque le boîtier 12 de DL est en résine moulée, il peut être doté d'une forme qui permet un coût réduit et une plus grande liberté de conception. Par ailleurs, le substrat 26 du cadre métallique 24 et la base 40 en résine peuvent avoir un pourtour extérieur d'une forme comportant un arc pour conserver la compatibilité avec les tiges métalliques de boîtiers à structure selon la technique antérieure. Par ailleurs, dans le boîtier 12 de DL, le substrat 26 du cadre métallique 24 et la base 40 en résine constituent une partie formant oeillet. Dans le cas d'un oeillet classique, constitué seulement d'un élément en résine moulé, l'oeillet a tendance à subir une déformation à des températures élevées lorsqu'il est tenu ou manipulé au cours du processus d'assemblage, ce qui complique une mise en place précise du boîtier dans un produit. Dans le cas du boîtier 12 de DL, en revanche, puisque sa partie formant oeillet comprend le substrat 26 en métal, le boîtier peut être mis en place avec précision. Par ailleurs, lorsque la partie formant oeillet est uniquement constituée d'un élément en résine moulé, si le dispositif de fixation de puce utilisé est du type qui fixe par brasure la partie formant plage de support de puce en appliquant de la chaleur à travers la base en résine, il peut falloir du temps pour atteindre un bon niveau de fixation par brasage puisque la faible conductivité thermique de la base en résine réduit la transmission de chaleur et risque donc de limiter l'augmentation de la température de la partie formant plage de support de puce. Dans le cas du boîtier 12 de DL, en revanche, puisque sa partie formant oeillet comporte le substrat métallique 26, la partie formant plage de support de puce peut être efficacement chauffée, ce qui permet de réduire le temps nécessaire à la fixation de la puce par brasage. En outre, lorsque la partie formant oeillet est constituée uniquement d'un élément en résine moulé, si la soudure des fils est effectuée en appliquant une énergie ultrasonore à travers la base en résine, il peut être difficile de parvenir à un bon niveau de fixation par brasage puisque la base en résine atténue notablement l'énergie ultrasonore. Dans le cas du boîtier 12 de DL, en revanche, puisque sa partie formant oeillet comporte le substrat métallique 26, l'énergie ultrasonore appliquée peut se propager avec une moindre atténuation lors du soudage des fils, ce qui donne un processus de soudage de fils plus efficace. Par ailleurs, lorsque la partie formant oeillet est uniquement constituée par un élément en résine moulé, la forme des parties à encoches formées dans la base en résine (ou la partie formant oeillet) pour retenir le boîtier peut être limitée en fonction de la configuration du côté dépouille de filières lorsque la base en résine est moulée dans des filières. En revanche, dans le cas du boîtier 12 de DL, puisque sa partie formant oeillet comporte le substrat métallique 26, les encoches latérales (34) peuvent être formées dans ce substrat, ce qui donne plus de liberté pour configurer le côté dépouille des filières. Ainsi, puisque la partie formant oeillet du boîtier 12 de DL est constituée du substrat 26 du cadre métallique 24 et de la base 40 en résine, le coût de fabrication du boîtier 12 de DL peut être réduit en comparaison du cas où la partie formant oeillet est seulement constituée d'un élément en résine moulé. Bien que les avantages de la présente forme de réalisation aient été décrits en référence au boîtier 12 de DL, de tels avantages peuvent également être obtenus à l'aide des boîtiers 77 ou 98 de DL. Comme décrit plus haut, un boîtier pour dispositif optique selon la présente invention comprend : une base métallique ayant un substrat à forme extérieure prédéterminée et une partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat, le substrat et la partie formant plage de support de puce étant en tôle métallique, le substrat ayant deux surfaces principales, et la partie formant plage de support de puce étant cintrée suivant un angle prédéterminé par rapport aux surfaces principales du substrat ; une première électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat de l'embase métallique suivant un angle prédéterminé, étant séparée de l'embase métallique, et chaque extrémité de la première électrode de masse dépassant d'une, respective, des surfaces principales du substrat ; et un élément d'obturation en résine ayant une partie de base analogue à une plaque s'étendant en travers et au contact immédiat d'une des surfaces principales du substrat Ainsi, ce boîtier pour dispositif optique présente les avantages ci-après. L'embase métallique comportant la partie formant plage de support de puce a de bonnes caractéristiques de dissipation de chaleur, ce qui a pour effet une réduction de la dégradation des caractéristiques optiques du dispositif optique pendant le fonctionnement. En outre, comme la partie de base de l'élément d'obturation en résine a une forme analogue à une plaque et que les premières électrodes conductrices dépassent d'une surface de cette partie de base de l'élément d'obturation en résine, le boîtier pour dispositif optique peut être monté sur un substrat de montage de telle sorte que le substrat de montage soit tout contre la surface de la partie de base de l'élément d'obturation en résine. Cela réduit la distance entre le substrat de montage et le dispositif optique monté sur la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique, ce qui a pour effet une amélioration des caractéristiques à haute fréquence. En outre, ce boîtier pour dispositif optique peut être fabriqué à un faible coût, puisqu'il emploie un moule en résine ou un élément d'obturation en résine. Comme le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention comprend en outre : une gorge d'insertion d'électrodes conductrices située à la jonction entre la partie formant plage de support de puce et le substrat de l'embase métallique, la gorge d'insertion d'électrodes conductrices comprenant : une première ouverture s'étendant sur un côté de la partie formant plage de support de puce, et une seconde ouverture se poursuivant jusqu'à la première ouverture et s'étendant à travers les surfaces principales du substrat ; une extrémité de la première électrode conductrice étant disposée dans la gorge d'insertion d'électrodes conductrices, les premières électrodes conductrices et l'embase métallique sont en outre solidement immobilisées par les parties de l'élément d'obturation en résine moulé pour combler les gorges d'insertion d'électrodes conductrices, il en résulte, à des températures élevées, une plus grande résistance des premières électrodes conductrices à l'arrachement depuis l'élément d'obturation en résine. Comme le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention comprend en outre : des saillies s'étendant sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique, la partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat de l'embase métallique par l'intermédiaire des saillies, cet agencement accroît la rigidité en flexion de la partie formant plage de support de puce et empêche donc sa déformation sous l'effet de la chaleur. De ce fait, 27 cet agencement crée également un bon cheminement conducteur de chaleur entre la partie formant plage de support de puce et le substrat. Dans le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention, puisque le substrat de l'embase métallique ou la partie de base de l'élément d'obturation en 5 résine a un pourtour extérieur d'une forme comportant un arc, cela permet une compatibilité avec les tiges métalliques à structure classique. Dans le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention, comme la partie de base de l'élément de scellement en résine a un pourtour extérieur de même forme que le substrat de l'embase métallique, et que le pourtour extérieur de la partie 10 de base de l'élément d'obturation en résine coïncide avec ou est circonscrit dans le pourtour extérieur du substrat de l'embase métallique, cela réduit un déplacement du dispositif optique par rapport au système optique externe sous l'effet d'une augmentation de la température pendant le fonctionnement. Puisque le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention 15 comprend en outre : des parties formant parois latérales d'une épaisseur prédéterminée faisant corps avec la partie de base dudit élément d'obturation en résine, les parties formant la paroi latérale s'étendant sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique sans couvrir une surface d'une partie médiane de la partie formant plage de support de puce ni la partie 20 de surface découverte de la première électrode conductrice, l'élément: d'obturation en résine est plus solidement fixé à l'embase métallique, ce qui immobilise donc mécaniquement d'une manière fiable ces organes et les premières électrodes conductrices. Comme le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention 25 comprend en outre : une seconde électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat de l'embase métallique suivant un angle prédéterminé, dépassant d'une des surfaces principales du substrat de l'embase métallique, s'étendant dans la direction opposée à la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique par rapport au substrat et étant électriquement connectée à 30 l'embase métallique, l'embase métallique et la seconde électrode conductrice peuvent être maintenues au même potentiel. Dans le boîtier pour dispositif optique selon la présente invention, comme la seconde électrode conductrice et le substrat de l'embase métallique sont formés d'un seul tenant à l'aide d'une tôle métallique, cet agencement permet d'immobiliser plus 28 solidement l'embase métallique et la seconde électrode conductrice, tout en permettant de réduire encore le coût de fabrication. Un dispositif optique à semi-conducteur selon la présente invention comprend : un boîtier pour dispositif optique comprenant : une embase métallique ayant un substrat à forme extérieure prédéterminée et une partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat, le substrat et la partie formant plage de support de puce étant constitués par une tôle métallique, le substrat ayant deux surfaces principales, et la partie formant plage de support de puce étant cintrée suivant un angle prédéterminé par rapport aux surfaces principales du substrat, une première électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat de l'embase métallique suivant un angle prédéterminé, étant séparée de l'embase métallique, et chaque extrémité de la première électrode conductrice dépassant d'une, respective, des surfaces principales du substrat, et un élément d'obturation en résine ayant une partie de base analogue à une plaque s'étendant en travers et au contact immédiat d'une des principales surfaces du substrat de ladite embase métallique, ladite première électrode conductrice dans la direction opposée à la partie formant plage de support de puce par rapport au substrat dépassant de la partie de base, l'élément d'obturation en résine couvrant la première électrode conductrice dans la même direction que la partie formant plage de support de puce par rapport au substrat en laissant une partie de surface découverte, et fixant l'embase métallique et la première électrode conductrice ; et un dispositif de laser à semi-conducteur monté sur un support disposé à la surface de la partie formant plage de support de puce de l'embase métallique, et ayant des électrodes prédéterminées connectées électriquement aux premières électrodes conductrices ou bien à la fois aux premières et aux secondes électrodes conductrices. Ainsi, les caractéristiques avantageuses ci-dessus du boîtier pour dispositif optique contribuent à améliorer des caractéristiques de ce dispositif optique à semi-conducteur. De la sorte, le dispositif optique à semi-conducteur a un faible coût tout en présentant de bonnes caractéristiques et de moindres pertes de transmission à des fréquences élevées. Le dispositif optique à semi-conducteur selon la présente invention comprend : le boîtier pour dispositif optique comportant en outre des saillies qui s'étendent sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support de puce de ladite embase métallique, la partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat de ladite embase métallique par l'intermédiaire des saillies. 29 Le dispositif optique à semi-conducteur selon la présente invention comprend : le boîtier pour dispositif optique comportant en outre des saillies qui s'étendent sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support de puce de ladite embase métallique, la partie formant plage de support de puce faisant corps avec le substrat de ladite embase métallique par l'intermédiaire des saillies. Ainsi, le dispositif optique à semi-conducteur améliore la fiabilité en ce qui concerne la déformation sous l'effet de la chaleur. Ces boîtiers optiques à semi-conducteurs et dispositifs optiques à semi-conducteurs selon la présente invention conviennent donc pour une utilisation dans des dispositifs électroniques d'informations et des dispositifs de communication d'informations. REVENDICATIONS 1. Boîtier (12) pour dispositif optique, caractérisé en ce qu'il comprend : une embase métallique (24) ayant un substrat (26) à forme extérieure prédéterminée et une partie formant plage de support (28) de puce faisant corps avec le substrat (26), le substrat (26) et la partie formant plage de support (28) de puce étant constitués d'une tôle métallique, le substrat (26) ayant deux surfaces principales (26a, 26c), et la partie formant plage de support (28) de puce étant cintrée suivant un angle prédéterminé par rapport aux surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26) ; une première électrode conductrice croisant les surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26) de ladite embase métallique suivant un angle prédéterminé, étant séparée de ladite embase métallique (24), et chaque extrémité de la première électrode conductrice dépassant d'une, respective, des surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26) ; et un élément d'obturation (25) en résine ayant une partie de base analogue à une plaque s'étendant en travers et au contact immédiat d'une des surfaces principales du substrat (26) de ladite embase métallique (24), ladite première électrode conductrice dans la direction opposée à la partie formant plage de support (28) de puce par rapport au substrat dépassant de la partie de base, l'élément d'obturation (25) en résine couvrant la première électrode conductrice dans la même direction que la partie formant plage de support (28) de puce par rapport au substrat (26) en laissant une partie de surface découverte, et immobilisant ladite embase métallique (24) et ladite première électrode conductrice. 2. Boîtier (12) pour dispositif optique selon la revendication 1, caractérisé 25 en ce qu'il comprend en outre : une gorge (32) d'insertion d'électrodes conductrices située à la jonction entre la partie formant plage de support (28) de puce et le substrat (26) de ladite embase métallique (24), la gorge (32) d'insertion d'électrodes conductrices comprenant : une première ouverture (32a) s'étendant sur un côté de la partie formant 30 plage de support (28) de puce, et une seconde ouverture (32b) se poursuivant jusqu'à la première ouverture (32a) et s'étendant à travers les surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26) ; une extrémité de la première électrode conductrice étant disposée dans ladite gorge (32) d'insertion d'électrodes conductrices. 31 3. Boîtier (12) pour dispositif optique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : des saillies (92) s'étendant sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support (26) de puce de ladite embase métallique (24), la partie formant plage de support (28) de puce faisant corps avec le substrat (26) de ladite embase métallique (24) par l'intermédiaire desdites saillies (92). 4. Boîtier (12) pour dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le substrat (26) de ladite embase métallique (24) ou la 10 partie de base dudit élément d'obturation (25) en résine a un pourtour extérieur d'une forme comportant un arc. 5. Boîtier (12) pour dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la partie de base de l'élément d'obturation (25) en résine a un pourtour 15 extérieur de même forme que le substrat (26) de ladite embase métallique (24), et en ce que le pourtour extérieur de la partie de base dudit élément d'obturation (25) en résine coïncide avec ou est circonscrit dans le pourtour extérieur du substrat (26) de ladite embase métallique (24). 6. Boîtier (12) pour dispositif optique selon l'une quelconque des 20 revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : des parties formant parois latérales (42) d'une épaisseur prédéterminée faisant corps avec la partie de base dudit élément d'obturation (25) en résine, lesdites parties formant parois latérales (42) s'étendant sur les côtés respectifs de la partie formant plage de support (28) de puce de ladite embase 25 métallique (24) sans couvrir une surface d'une partie médiane de la partie formant plage de support (28) de puce ni la partie de surface découverte de ladite première électrode conductrice. 7. Boîtier (12) pour dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : 30 une seconde électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat (26) de ladite embase métallique (24) suivant un angle prédéterminé, dépassant d'une des surfaces principales du substrat (26) de ladite embase métallique (24), s'étendant dans la direction opposée à la partie formant plage de support (28) de puce de ladite embase métallique (24) par rapport au substrat (26) et étant 35 électriquement connectée à ladite embase métallique (24).32 8. Boîtier (12) pour dispositif optique selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite seconde électrode conductrice et le substrat (26) de ladite embase métallique (24) sont formés d'un seul tenant à l'aide d'une tôle métallique. 9. Dispositif optique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : 5 un boîtier (12) pour dispositif optique comprenant : une embase métallique (24) ayant un substrat (26) à forme extérieure prédéterminée et une partie formant plage de support (28) de puce faisant corps avec le substrat (26), le substrat (26) et la partie formant plage de support (28) de puce étant en tôle métallique, le substrat (26) ayant deux surfaces principales (26a, 26c), et 10 la partie formant plage de support (28) de puce étant cintrée suivant un angle prédéterminé par rapport aux surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26), une première électrode conductrice croisant les surfaces principales du substrat (26) de ladite embase métallique (24) suivant un angle prédéterminé, étant séparée de ladite embase métallique (24), et chaque extrémité de la première 15 électrode conductrice dépassant d'une, respective, des surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26), et un élément d'obturation (25) en résine ayant une partie de base analogue à une plaque s'étendant en travers et au contact immédiat d'une des surfaces principales (26a, 26c) du substrat (26) de ladite embase métallique (24), ladite 20 première électrode conductrice dans la direction opposée à la partie fôrmant plage de support (28) de puce par rapport au substrat (26) dépassant de la partie de base, l'élément d'obturation (25) en résine couvrant la première électrode conductrice dans la même direction que la partie formant plage de support (28) de puce par rapport au substrat (26) en laissant une partie de surface découverte, et immobilisant ladite 25 embase métallique (24) et ladite première électrode conductrice ; et un dispositif de laser à semi-conducteur monté sur un support disposé à la surface de la partie formant plage de support (28) de puce de ladite embase métallique (24), et ayant des électrodes prédéterminées électriquement connectées auxdites premières électrodes conductrices ou à la fois auxdites premières et 30 secondes électrodes conductrices. 10. Dispositif optique à semi-conducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend : le boîtier (12) pour dispositif optique qui comporte en outre : des saillies (92) s'étendant sur les côtés respectifs de la partie formant plage 35 de support (28) de puce de ladite embase métallique (24), la partie formant plage desupport (28) de puce faisant corps avec le substrat (26) de ladite embase métallique (24) par l'intermédiaire des saillies (92).