Brevet FR2905211A1 — publié le 20080229

La présente invention se rapporte à un procédé et dispositif d'adaptation d'impédance de sortie d'un 5 émetteur. Plus précisément, l'invention concerne, un procédé et un dispositif d'adaptation d'une impédance de sortie d'un émetteur comprenant au moins une première borne de sortie 10 reliée à une première impédance externe audit émetteur, et au moins un premier élément résistif programmable en série avec la première impédance, ladite première impédance formant un élément d'une charge équivalente. 15 Cette invention s'applique notamment, mais non exclusivement, à une transmission différentielle unidirectionnelle de type liaison série à grande vitesse, également noté HSL pour High. Speed Serial Link en anglais, d'un processeur vers un dispositif d'affichage, 20 ou d'une caméra vers un processeur. Cette invention s'applique également dans le cas d'une transmission non différentielle, dite liaison simple, dans laquelle le signal est transmis sur un seul fil de transmission. 25 Dans une communication entre un émetteur et un récepteur à travers une ligne de transmission à haute fréquence supportant des échanges de données à plusieurs gigabits par seconde (Gb/s), il est généralement 30 nécessaire de prévoir une adaptation d'impédance entre l'émetteur et le récepteur. Une adaptation d'impédance, consistant à ajuster l'impédance de sortie de l'émetteur à l'impédance en bout de ligne vue par l'émetteur, c'est-à-dire à l'impédance 35 d'entrée du récepteur, permet de réduire les interférences d'émissions et de limiter les pertes sur la ligne de transmission, garantissant ainsi un transfert 2905211 2 maximum d'énergie, et donc une bande passante optimale sur la ligne de transmission. En effet, plus la valeur de l'impédance de sortie de l'émetteur est proche de la valeur de l'impédance d'entrée du récepteur, moins i:L y aura de réflexion sur la ligne de transmission, ce qui a pour conséquence de fournir un meilleur rapport signal sur bruit et donc une meilleure performance. Une mauvaise adaptation d'impédance détériore les 10 performances de l'émetteur qui ne peut débiter toute sa puissance dans la charge, et l'intégrité de l'aspect du signal transmis sur la ligne devient donc critique. De façon générale, la ligne de transmission est 15 connectée, à chacune de ses extrémités, à un circuit d'adaptation d'impédance, également appelé buffer par l'homme du métier. Or, dans les réalisations connues jusqu'à présent, l'impédance de sortie de l'émetteur est ajustée, pendant 20 une étape de calibration, à l'impédance d'un composant de référence, en général une résistance de référence, externe au circuit intégré de l'émetteur, sans tenir compte de l'impédance d'entrée du récepteur. De même, l'impédance d'entrée du récepteur est 25 ajustée à l'impédance d'un autre composant de référence, en général une autre résistance de référence, externe au circuit intégré du récepteur. Cependant, bien que l'utilisation d'un composant de 30 référence externe au circuit intégré a l'avantage de permettre d'ajuster précisément la valeur de son impédance, elle a l'inconvénient d'utiliser une borne supplémentaire du circuit intégré, et entraîne un coût important. 35 En outre, le récepteur et l'émetteur ayant chacun leur propre résistance de référence, l'adaptation des 2905211 3 impédances n'est pas optimisée en terme de nombre de composants externes. Par conséquent, il est souhaitable de pouvoir 5 réaliser une adaptation d'impédance ne nécessitant pas l'utilisation de résistance de référence externe au circuit intégré de l'émetteur. Dans ce contexte, la présente invention a pour but de proposer un dispositif et un procédé d'adaptation d'impédance exempt de l'une au moins des limitations précédemment évoquées. A cette fin, le procédé d'adaptation d'une impédance de l'invention, par ailleurs conforme à la définition générique qu'en donne le préambule ci-dessus, est essentiellement caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes consistant à : - établir une tension de référence interne audit 20 émetteur; - comparer la tension de référence à une tension de mesure représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur ; - générer un signal de comparaison représentatif du 25 résultat de comparaison ; et - envoyer un signal de commande en fonction du signal de comparaison, à l'élément résistif programmable pour réduire l'écart entre la tension de référence et la tension mesurée. 30 Ainsi, l'écart entre la valeur de l'élément résistif programmable et celle de la première impédance est également réduit. 35 De préférence, la première impédance est une impédance statique. 2905211 4 De préférence, la tension de référence et la tension de mesure sont des tensions statiques. Avantageusement, la tension de référence est établie 5 en prenant pour hypothèse que la valeur de l'élément résistif programmable est égale à celle de la première impédance. De préférence, la tension de mesure est 10 représentative de la tension aux bornes de la première impédance. De préférence, la tension de mesure est représentative de la tension aux bornes de l'élément 15 résistif programmable. Par exemple, il est possible d'appliquer une même tension de décalage (ou offset) à la tension de référence et à la tension de mesure, sans dégrader le signal de comparaison. La tension de mesure et la tension de référence peuvent avoir un potentiel commun, ledit potentiel commun étant constant par rapport à un premier ou à un deuxième potentiel. De préférence, le potentiel commun est un potentiel statique constant par rapport au deuxième potentiel. Avantageusement, le procédé comprend également une étape de décision, mise en oeuvre si, pendant plusieurs comparaisons successives, le signal de commande oscille entre deux valeurs, et consistant à donner au signal de commande l'une de ces deux valeurs. 2905211 5 L'élément résistif programmable est, par exemple, placé entre ladite première borne de sortie et au moins un premier ou un deuxième potentiel. 5 La première impédance est, par exemple, placée entre la première borne de sortie et le premier ou le deuxième potentiel. Selon un mode de réalisation particulier de 10 l'invention, l'émetteur comprend en outre une deuxième bornes de sorties reliée à une deuxième impédance identique à ladite première impédance, ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances, la deuxième impédance étant placée entre la 15 deuxième borne de sortie et le premier ou le deuxième potentiel, la tension de mesure étant représentative de la tension aux bornes de la première ou de la deuxième impédance vue par l'émetteur entre sa première ou sa deuxième borne de sortie et le premier ou le deuxième 20 potentiel. Selon un autre mode de réalisation particulier, l'émetteur comprend en outre une deuxième bornes de sorties reliée à une deuxième impédance identique à 25 ladite première impédance, ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances montées en série entre les première et deuxième bornes de sortie, la tension de mesure étant représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur entre ses première 30 et deuxième bornes de sortie. Selon un autre mode de réalisation particulier, l'émetteur comprend en outre une deuxième bornes de sorties reliée à une deuxième impédance identique à 35 ladite première impédance, ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances montées en série entre les première et deuxième bornes de sortie, et 2905211 6 dans lequel, la tension de mesure étant représentative de la tension entre la première ou la deuxième borne de sortie et le premier ou le deuxième potentiel. 5 L'invention concerne également un dispositif d'adaptation d'une impédance de sortie d'un émetteur comprenant au moins . - une première borne de sortie reliée à une première impédance externe audit émetteur et formant un élément 10 d'une charge équivalente ; et - un premier élément résistif programmable en série avec la première impédance. Le dispositif selon l'invention comprend en outre : - un générateur de tension de référence interne audit 15 émetteur ; - un comparateur recevant la tension de référence et une tension de mesure représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur, et générant un signal de comparaison représentatif du résultat de comparaison ; et 20 - une unité de commande générant: un signal de commande en fonction du signal de comparaison, pour commander au moins l'élément résistif programmable. La tension de référence est, par exemple, générée 25 par un pont résistif formé de plusieurs résistances montées en série entre le premier et le deuxième potentiels. De préférence, la tension de référence est établie 30 en prenant pour hypothèse que la valeur de l'élément résistif programmable est égale à celle de la première impédance. De préférence, la tension de mesure est 35 représentative de la tension aux bornes de l'élément résistif programmable. 2905211 7 De préférence, la tension de mesure et la tension de référence ont un potentiel commun, ledit potentiel commun étant constant par rapport au premier ou au deuxième potentiel. L'élément résistif programmable est, par exemple, placé entre ladite première borne de sortie et au moins le premier ou le deuxième potentiel. 10 Avantageusement, la première impédance est placée entre la première borne de sortie et le premier ou le deuxième potentiel. L'élément résistif programmable peut être formé de 15 plusieurs ensembles élémentaires mis en parallèle, chaque ensemble élémentaire étant composé d'une résistance et d'un transistor de commutation, et étant sélectionné par activation de la grille dudit transistor de commutation. 20 L "élément résistif programmable peut être formé de plusieurs transistors utilisés comme résistance. L'élément résistif programmable peut être formé d'au moins un ensemble élémentaire composé d'au moins une 25 résistance et d'un transistor utilisé comme résistance. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, l'émetteur comprend en outre une deuxième bornes de sorties reliée à une deuxième impédance externe 30 audit émetteur et identique à ladite première impédance, ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances, la deuxième impédance étant placée entre la deuxième borne de sortie et le premier ou le deuxième potentiel, la tension de mesure est 35 représentative de la tension aux bornes de la première ou de la deuxième impédance vue par l'émetteur entre sa 5 2905211 8 première ou sa deuxième borne de sortie et le premier ou le deuxième potentiel. Selon un autre mode de réalisation particulier de 5 l'invention, l'émetteur comprend en outre une deuxième bornes de sorties reliée à une deuxième impédance externe audit émetteur et identique à ladite première impédance, ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances montées en série entre les première 10 et deuxième bornes de sortie, la tension de mesure étant représentative de la tension au borne de la charge vue par l'émetteur entre ses première et deuxième bornes de sortie. 15 Selon un autre mode de réalisation particulier, l'émetteur comprend en outre une deuxième bornes de sorties reliée à une deuxième impédance identique à ladite première impédance, ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances montées en 20 série entre les première et deuxième bornes de sortie, la tension de mesure étant représentative de la tension entre la première ou la deuxième bornes de sortie et le premier ou le deuxième potentiels. 25 Avantageusement, l'élément résistif programmable est intégré dans la structure d'un circuit intégré de type logique à commutation de courant monté entre le premier et le deuxième potentiels, et comprenant une première et une deuxième sorties respectivement reliées à la première 30 et deuxième bornes de sortie. Selon un autre mode de réalisation particulier de l'invention, la charge équivalente est l'impédance d'entrée d'un récepteur relié à l'émetteur par 35 l'intermédiaire d'une ligne de transmission. 2905211 9 Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation préféré de l'invention, faite à titre non 5 limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - la figure 1 présente un schéma bloc d'un dispositif de communication mettant en oeuvre l'invention ; - la figure 2 illustre l'implantation de l'invention 10 pour une adaptation d'impédance selon l'invention, à une charge différentielle, dans le cas d'une transmission sur une ligne différentielle ; - les figures 3a et 3b illustrent l'implantation de l'invention pour une adaptation selon l'invention, à une 15 charge non différentielle, dans le cas d'une transmission sur une ligne différentielle ; - la figure 4 présente une première réalisation particulière de l'invention dans le cas de la figure 2 ; - les figures 5a et 5b présentent respectivement une 20 deuxième et une troisième réalisations particulières de l'invention dans les cas respectifs des figures 3a et 3b ; - les figures 6a et 6b illustrent l'implantation de l'invention pour une adaptation selon l'invention, à une 25 charge non différentielle, dans le cas d'une transmission non différentielle ; et - les figures 7a, 7b et 7c présentent des exemples de réalisation de l'élément résistif programmable. 30 Seuls les éléments nécessaires à la compréhension de l'invention sont représentés sur les figures et décrits ci-après. La figure 1 présente le schéma général d'un 35 dispositif de communication mettant en oeuvre l'invention appliquée au cas particulier d'une transmission 2905211 10 différentielle de données entre un émetteur et un récepteur. Ce dispositif de communication comprend un récepteur Rx relié à un émetteur Tx par l'intermédiaire d'une ligne 5 de transmission L différentielle. La transmission de données à travers cette ligne de transmission L entre l'émetteur Tx et le récepteur Rx s'effectue après une étape de calibration du récepteur Rx et de l'émetteur Tx, consistant à adapter respectivement l'impédance d'entrée 10 du récepteur Rx et l'impédance de sortie de l'émetteur Tx. Le récepteur Rx comprend un circuit d'adaptation de son impédance d'entrée connu de l'art antérieur, 15 comprenant : - une résistance de référence externe Rrefext placée en dehors du circuit intégré du récepteur Rx, et dont la valeur est fixée avant toute étape de calibration ; - une cellule de compensation comp cell ; et 20 - une impédance d'entrée réglable. Lors de l'étape de calibration du récepteur, la cellule de compensation comp_cell égalise la valeur de l'impédance d'entrée réglable du récepteur Rx à celle de la résistance de référence externe R ref ext. 25 L'impédance d'entrée du récepteur, qui est donc contrôlée avec précision, peut ainsi être utilisée comme impédance de référence pour l'impédance de sortie de l'émetteur. 30 L'émetteur Tx, mettant en oeuvre l'invention dans le cas d'une transmission différentielle, comprend par exemple au moins . - une première borne de sortie A et une deuxième borne de 35 sortie B, dont chacune est respectivement reliée à une première et une deuxième impédances Zol et Zo2 formant une charge équivalente, la charge équivalente étant dans 2905211 11 ce cas l'impédance d'entrée du récepteur Rx, par exemple, les première et deuxième impédances étant chacun égale à 50 ohms ; et - un dispositif d'adaptation d'impédance de sortie. 5 Comme illustré sur les figures 4, 5a et 5b, le dispositif d'adaptation d'impédance comprend par exemple au moins un élément résistif programmable Rout en série avec la charge, un générateur de tension de 10 référence Vref interne à l'émetteur, et une cellule de contrôle ctrl cell. La cellule de contrôle ctrl_cell comprend par exemple au moins . 15 - un comparateur CMP recevant la tension de référence Vref et une tension de mesure Vmeas représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur Tx entre ses première et deuxième bornes de sortie A, B, et générant un signal de comparaison Vcomp ; et 20 - une unité de commande FSM générant un signal de commande n fonction du signal de comparaison Vcomp, pour commander au moins l'élément résistif programmable. Le générateur de tension peut être un pont résistif 25 formé de plusieurs résistances R montées en série entre un premier potentiel Vdd, par exemple une tension d'alimentation, et un deuxième potentiel Gnd, par exemple la masse. 30 L'élément résistif programmable Rout peut être formé de plusieurs ensembles élémentaires mis en parallèle, chaque ensemble élémentaire étant composé d'une résistance et d'un transistor, et étant sélectionné par activation de la grille dudit transistor. 35 Le signal de commande n peut être, dans ce cas, un signal numérique dont la valeur est représentative du 2905211 12 nombre de transistors à sélectionner, permettant ainsi de régler la valeur de l'élément résistif programmable Rout. L'unité de commande FSM peut alors être un codeur 5 numérique de type machine à états finis, ou finite state machine en anglais, telle que connu par l'homme du métier. Une telle machine est un circuit de logique séquentielle générant des signaux de commande, et dont les états représentent toutes les valeurs que peuvent 10 prendre les variables internes du circuit. D'une manière générale, lors de l'étape de calibration de l'émetteur Tx, la tension de référence Vref interne de l'émetteur Tx est établie, par exemple, 15 en prenant pour hypothèse que la valeur de l'élément résistif Rout est égale à celle de la première impédance Zol. Ainsi, de manière formelle et dans le cas d'une 20 adaptation d'impédance de sortie d'un émetteur non-différentielle, la tension de mesure Vmeas est donnée par l'équation (la) . (la) Vmeas = Vdd Zos + Rout dans laquelle Zos est l'impédance dite single- 25 endeed réelle chargeant l'émetteur Tx, c'est-à-dire la résistance d'adaptation parallèle de bout de ligne intégrée au récepteur Rx ou placée sur la carte, et donc la première impédance Zol. 30 De même, de manière formelle et dans le cas d'une adaptation d'impédance de sortie d'un émetteur différentiel, la tension de mesure Vmeas est donnée par l'équation (lb) . (lb) Vmeas = Vdd Zod '1=.. Vdd Zos Zod Zod + Routp + Routä Zod +2. Rout 2905211 13 dans laquelle Zod est l'impédance différentielle réelle chargeant l'émetteur Tx. Elle est généralement intégrée au récepteur Rx. Zod est donc égale à la somme de la valeur de la première et de la deuxième impédance 5 Zol, Zo2. Zod peut être décomposée en deux impédances Zos placées en série, dans ce cas l'équation (la) s'applique. La tension de référence est donnée par l'équation (2) : 10 (2) Vref = Vdd 1 2 Cette tension de référence Vref est ensuite comparée à la tension de mesure Vmeas, et un signal de comparaison Vcomp représentatif du résultat de comparaison est 15 généré, et envoyé à l'unité de commande FSM. La tension de mesure Vmeas est donnée par : (3) Vcomp =Vmeas -Vref , L'unité de commande FSM, en fonction du signal de 20 comparaison Vcomp, envoie à l'élément résistif programmable Rout un signal de commande n pour réduire l'écart entre la tension de référence Vref et la tension mesurée Vmeas . (4) Vcomp Zos=Bout >0 25 Par exemple, l'unité de commande FSM contient une valeur initiale. A la première comparaison, si la tension de référence Vref est supérieure à la tension de mesure Vmeas, signifiant que la valeur de l'élément résistif 30 programmable Rout est trop faible, alors l'unité de commande FSM envoie un premier signal numérique dont la valeur est inférieure à cette valeur initiale, et garde en mémoire la valeur de ce premier signal numérique. A la deuxième comparaison, si la tension de référence 35 Vréf est encore supérieure à la tension de mesure Vmeas, alors l'unité de commande FSM envoie un deuxième signal 2905211 14 numérique dont la valeur est inférieure à la première valeur numérique, et garde en mémoire la valeur de ce deuxième signal numérique. Ainsi, l'unité de commande n, en fonction du signal 5 de comparaison Vcomp, envoie un signal de commande n dont la valeur est supérieure ou inférieure à la valeur du signal de commande envoyé suite à une comparaison antérieure, pour sélectionner ou désélectionner par exemple un ensemble élémentaire, afin de réduire l'écart 10 entre la tension de mesure Vmeas et la tension de référence Vref. En outre, si le signal de commande n oscille par exemple entre deux valeurs pendant plusieurs comparaisons successives, l'unité de commande FSM prend la décision de 15 fixer le signal de commande à l'une de ces deux valeurs. Par ailleurs, il est préférable, mais non obligatoire, que la tension de mesure Vmeas et la tension de référence Vref ont un potentiel commun, c'est-à-dire 20 un même référentiel. Ce potentiel commun est par exemple le deuxième potentiel Gnd. La mise en oeuvre de l'invention est ainsi plus aisée, et la précision de l'adaptation améliorée. 25 Ces préférences seront choisies pour les différentes réalisations particulières de l'invention présentées ci-après. Les figures 2 et 4 présentent l'invention dans une 30 première réalisation dans le cas d'une adaptation d'impédance à une charge de type différentielle Zod, par exemple égale à 100 ohms, et dans le cas d'une transmission sur une ligne différentielle. La charge différentielle se compose, dans ce cas particulier, de la 35 première impédance Zol et de la deuxième impédance Zo2 montées en série entre la première et la deuxième bornes 2905211 15 de sortie A, B, chacune des impédances Zol, Zo2 valant 50 ohms. Dans cette première réalisation, le dispositif d'adaptation d'impédance comprend : 5 - le générateur de tension de référence Vref interne à l'émetteur ; - la cellule de contrôle ctrl cell ; - un élément résistif programmable Rout de type P, noté Routp, monté entre le premier potentiel Vdd et la 10 deuxième borne de sortie B, et dans lequel les transistors sont par exemple des transistors de type PMOS (semiconducteur à oxyde de métal à canal P) ; et - un deuxième élément résistif programmable Rout de type N, noté Routn, monté entre le deuxième potentiel Gnd et 15 la première borne de sortie A, et dans lequel les transistors sont par exemple des transistors de type NMOS (semi-conducteur à oxyde de métal à canal N). Les éléments résistifs programmables de type P Routp et de type N Routn ont le même nombre d'ensemble 20 élémentaires. L'élément résistif programmable de type N Routn est commandé directement par le signal de commande n, et l'élément résistif programmable de type P Routp est commandé par un signal inverse au signal de commande n. 25 Dans cette configuration, il suffit alors d'une part, de prendre la tension aux bornes de l'élément résistif programmable de type N Routn comme tension de mesure Vmeas, et d'autre part, d'ajuster la tension de référence 30 Vref en prenant pour hypothèse que les valeurs des éléments résistifs programmables de type P Routp et de type N Routn sont égales à la moitié de l'impédance d'entrée du récepteur, c'est-à-dire à 50 ohms. Dans ce cas, la tension de référence Vref est fixée au quart de 35 la valeur du premier potentiel Vdd. Ainsi, les éléments résistifs programmables de type P Routp et de type N Routn ayant le même nombre d'ensembles 2905211 16 élémentaires, lorsque l'écart entre la tension de référence Vref et la tension de mesure Vmeas est réduit, l'écart entre l'impédance d'entrée du récepteur et la somme des valeurs de l'élément résistif programmable de 5 type N et de type P est également réduit. L'émetteur comprend également : - un autre élément résistif programmable de type N utilisé pour la transmission différentielle de données, 10 identique à l'élément résistif programmable de type N Routn utilisé pour l'adaptation d'impédance, et monté entre le deuxième potentiel Gnd et la deuxième borne de sortie B ; et - un autre élément résistif programmable de type P 15 utilisé également pour la transmission différentielle de données, identique à l'élément résistif programmable de type P Routp utilisé pour l'adaptation d'impédance, et monté entre le premier potentiel Vdd et la première borne de sortie A. 20 Les figures 3a et 5a présentent l'invention dans une deuxième réalisation dans le cas d'une adaptation d'impédance à une charge de type non-différentielle, et dans le cas d'une transmission sur une ligne 25 différentielle. Chaque borne de sortie A, B est connectée respectivement à une première et deuxième impédances Zol et Zo2 (Zos=zol=zo2), par exemple de 50 ohms chacune, formant la charge équivalente. Chacune de ces impédances 30 Zol, Zo2 est reliée au premier potentiel Vdd sur l'extrémité qui n'est pas connectée à une borne de sortie. Dans cette deuxième réalisation, l'émetteur Tx 35 comprend le générateur de tension de référence Vref interne à l'émetteur Tx, la cellule de contrôle ctrl cell, et l'élément résistif programmable Rout 2905211 17 intégré dans la structure d'un circuit intégré de type logique à commutation de courant connu de l'homme du métier et noté CML. Le circuit logique CML est monté entre le premier et deuxième potentiels Vdd, Gnd, et 5 comprend une première et une deuxième sorties reliées respectivement aux première et deuxième bornes de sortie A, B. Plus précisément, le circuit logique CML comprend une 10 paire différentielle constituée d'un premier et d'un deuxième transistors Tpl, Tp2 appairés, et polarisés par une source de courant I. Le premier et le deuxième transistors Tpl, Tp2 sont respectivement reliés à un premier et un deuxième 15 éléments résistifs programmables de type N Routnl, Routn2 commandés par le signal de commande n. Durant la calibration, les grilles des deux transistors Tpl, Tp2 sont connectées au premier potentiel Vdd. La tension de référence Vref est égale à la moitié 20 du premier potentiel Vdd, et la tension de mesure Vmeas est prise aux bornes du premier élément résistif programmable de type N Routnl. Durant la transmission différentielle de données, les grilles des premier et deuxième transistors Trlp, Tr2p 25 sont connectées à un potentiel de transmission de données data. Les figures 3b et 5b présentent l'invention dans une troisième réalisation dans le cas d'une adaptation 30 d'impédance à une charge de type non-différentielle, et dans le cas d'une transmission sur une ligne différentielle. Chaque borne de sortie A, B est reliée respectivement à une première et une deuxième impédances Zol, Zo2 35 (Zos=Zol=zo2), par exemple de 50 ohms chacune, formant la charge équivalente. Chacune de ces impédances Zol, Zo2 2905211 18 est reliée au deuxième potentiel Vdd sur qui n'est pas connectée à une borne de sortie. Dans cette troisième réalisation, l'émetteur Tx 5 comprend le générateur de tension de référence Vref interne à l'émetteur, et l'élément résistif circuit logique CML. entre le premier et deuxième 10 comprend une première et une respectivement aux première et A, B. Plus précisément, le circuit logique CML, dans ce 15 cas, comprend une paire différentielle constituée d'un troisième et d'un quatrième transistors Tnl, Tn2 appairés, et polarisés par une source de courant I. Les troisième et quatrième transistors Tnl, Tn2 sont respectivement reliés à un premier et un deuxième 20 élémentsrésistifs programmables de type P Routpl, Routp2. Durant la calibration, les grilles des deux transistors Tnl, Tn2 sont connectées au deuxième potentiel Gnd. La tension de référence Vref est égale à 25 la moitié du premier potentiel Vdd, et la tension de mesure Vmeas est prise aux bornes du premier élément résistif programmable de type P Routpl. Durant la transmission différentielle de données, les grilles des deux transistors Tin, Tn2 sont connectées à 30 un potentiel de transmission de données data. La figure 6a présente l'invention dans une quatrième réalisation dans le cas d'une adaptation d'impédance à une charge de type non-différentielle, par exemple égale 35 à 50 Ohms, et dans le cas d'une transmission non-différentielle, c'est-à-dire utilisant un seul fil. la cellule de contrôle ctrl cell, programmable Rout intégré dans le Le circuit logique CML est monté potentiels Vdd, Gnd, et deuxième sorties reliées deuxième bornes de sortie 2905211 19 Dans cette quatrième réalisation, le dispositif d'adaptation d'impédance comprend le générateur de tension de référence Vref interne à l'émetteur, la cellule de contrôle ctrl cell, l'élément résistif 5 programmable de type N Routn monté entre le deuxième potentiel Gnd et la première borne de sortie A. Dans cette configuration, la tension de mesure Vmeas est prise aux bornes de l'élément résistif programmable de type N Routn. L'élément résistif programmable de type 10 N Routn est commandé par le signal de commande n. La figure 6b présente l'invention dans une cinquième réalisation dans le cas d'une adaptation d'impédance à une charge de type non-différentielle, par exemple égale 15 à 50 Ohms, et dans le cas d'une transmission non-différentielle, c'est-à-dire utilisant un seul fil. Dans cette cinquième réalisation, le dispositif d'adaptation d'impédance comprend le générateur de tension de référence Vref interne à l'émetteur, la 20 cellule de contrôle ctrl cell, l'élément résistif programmable de type P Routp monté entre le premier potentiel Vdd et la première borne de sortie A. Dans cette configuration, la tension de mesure Vmeas est prise entre la première borne de sortie A et le 25 deuxième potentiel Vdd. L'élément résistif programmable de type N Routn est commandé par le signal de commande n. Les figures 7a, 7b et 7c présentent des exemples de réalisation de l'élément résistif programmable Rout, 30 permettant d'adapter l'émetteur à l'une ou l'autre des configurations présentées sur les figures 6a et 6b. Par exemple, en figure 7a, l'élément résistif programmable Rout est composé d'un transistor de type P 35 Ronp et d'un transistor de type N Ronn montés en série entre les premier et deuxième potentiels Vdd, Gnd, et d'une résistance intégrée Ri montée entre la première 2905211 20 borne de sortie A et le point d'intersection des transistors de type P et de type N. Ainsi, la résistance équivalente du buffer de sortie vaut : Ronp+Ri = Ronn+Ri, avec Ri la résistance intégrée, 5 et Ronn=Ronp la résistance équivalente des transistors. La figure 7b présente une autre variante de l'élément résistif programmable Rout présenté en figure 7a. Dans cette réalisation, l'élément résistif 10 programmable comprend un transistor de type N et un transistor de type P, ainsi que deux résistances intégrées Ri, l'ensemble de ces éléments étant monté en série entre les premier et deuxième potentiels Vdd, Gnd. La résistance équivalente du buffer de sortie 15 vaut également : Ronp+Ri = Ronn+Ri, avec Ri la résistance intégrée, et Ronn=Ronp la résistance équivalente des transistors. La figure 7c présente une autre variante de l'élément 20 résistif programmable. Dans cette réalisation, l'élément résistif programmable est composé d'un transistor de type P Ronp et d'un transistor de type N Ronn utilisés comme résistances et montés en série entre les premier et 25 deuxième potentiels Vdd, Gnd. Dans ce cas, la résistance équivalente du buffer de sortie vaut : Ronp=Ronn. L'élément résistif programmable peut également être 30 composé de plusieurs transistors de type P mis en parallèles et de plusieurs transistors de type N mis en parallèles. L'élément résistif programmable réalisé suivant les 35 figures 7a à 7c peuvent peut être commandé par l'unité de commande FSM, et ces différentes réalisations, non limitatives, de l'élément résistif programmable sont bien 2905211 21 entendu applicables au cas d'une transmission différentielle. REVENDICATIONS 1. Procédé d'adaptation d'une impédance de sortie d'un émetteur (Tx) comprenant au moins une première borne de sortie (A) reliée à une première impédance (Zol) statique de terminaison, externe audit émetteur (Tx), et au moins un premier élément résistif programmable (Rout) en série avec la première impédance (Zol), ladite première impédance (Zol) formant un élément d'une charge statique équivalente, caractérisé en ce que qu'il comprend au moins des étapes consistant à : - établir une tension de référence (Vref) statique interne audit émetteur (Tx) ; - comparer la tension de référence (Vref) à une tension de mesure (Vmeas) statique représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur (Tx) ; - générer un signal de comparaison (Vcomp) représentatif du résultat de comparaison ; et - envoyer un signal de commande (n) en fonction du signal de comparaison (Vcomp), à l'élément résistif programmable (Rout) pour réduire l'écart entre la tension de référence (Vref) et la tension mesurée (Vmeas). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la tension de référence (Vref) est établie en prenant pour hypothèse que la valeur de l'élément résistif programmable (Rout) est égale à celle de la première impédance (Zol). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension aux bornes de la première impédance (Zol). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la tension de mesure (Vmeas) est 2905211 23 représentative de la tension aux bornes de l'élément résistif programmable (Rout). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, 5 comprenant en outre une étape de décision, mise en œuvre si, pendant plusieurs comparaisons successives, le signal de commande oscille entre deux valeurs, et consistant à donner au signal de commande (n) l'une de ces deux valeurs. 10 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'émetteur (Tx) comprend en outre une deuxième borne de sortie (B) reliée à une deuxième impédance (Zo2) identique à ladite première impédance 15 (Zol), ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances (Zol, Zo2), la deuxième impédance (Zo2) étant placée entre la deuxième borne de sortie (B) et un premier ou un deuxième potentiel (Vdd, Gnd), 20 et dans lequel, la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension aux bornes de la première ou de la deuxième impédance (Zol, Zo2) vue par l'émetteur (Tx) entre sa première ou sa deuxième borne de sortie (A, B) et le premier ou le deuxième potentiel (Vdd, Gnd). 25 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'émetteur (Tx) comprend en outre une deuxième bornes de sorties (B) reliée à une deuxième impédance (Zo2) identique à ladite première impédance 30 (Zol), ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances (Zol, zo2) montées en série entre les première et deuxième bornes de sortie (A, B) , et dans lequel, la tension de mesure (Vmeas) est 35 représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur (Tx) entre ses première et deuxième bornes de sortie (A, B). 2905211 24 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'émetteur (Tx) comprend en outre une deuxième bornes de sorties (B) reliée à une deuxième 5 impédance (Zo2) identique à ladite première impédance (Zol), ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances (Zol, zo2) montées en série entre les première et deuxième bornes de sortie (A, B), 10 et dans lequel, la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension entre la première ou la deuxième borne de sortie (A, B) et le premier ou le deuxième potentiel (Vdd, Gnd). 15 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la tension de mesure (Vmeas) et la tension de référence (Vref) ont un potentiel commun, ledit potentiel commun étant constant par rapport au deuxième potentiel (Gnd). 20 10. Dispositif d'adaptation d'une impédance de sortie d'un émetteur (Tx) comprenant au moins : - une première borne de sortie (A) reliée à une première impédance (Zol) statique de terminaison externe audit 25 émetteur (Tx) et formant un élément d'une charge statique équivalente ; et - un premier élément résistif programmable (Rout) en série avec la première impédance (Zol) ; caractérisé en ce qu'il comprend en outre : 30 - un générateur de tension de référence (Vref) interne audit émetteur (Tx) - un comparateur (CMP) recevant la tension de référence (Vref) et une tension de mesure (Vmeas) représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur 35 (Tx), et générant un signal de comparaison (Vcomp) représentatif du résultat de comparaison ; et 2905211 25 - une unité de commande (FSM) générant un signal de commande (n) en fonction du signal de comparaison (Vcomp), pour commander au moins l'élément résistif programmable (Rout). 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension aux bornes de l'élément résistif programmable (Rout). 12. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 11, dans lequel la première impédance (Zol) est placée entre la première borne de sortie (A) et un premier ou un deuxième potentiel (Vdd, Gnd). 15 13. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 11, dans lequel l'émetteur (Tx) comprend en outre une deuxième bornes de sorties (B) reliée à une deuxième impédance (Zo2) externe audit émetteur (Tx) et identique 20 à ladite première impédance (Zol), ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances (Zol, Zo2), la deuxième impédance (Zo2) étant placée entre la deuxième borne de sortie (B) et le premier ou le deuxième potentiel (Vdd, Gnd), 25 et dans lequel, la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension aux bornes de la première ou de la deuxième impédance (Zol, Zo2) vue par l'émetteur (Tx) entre sa première ou sa deuxième borne de sortie (A, B) et le premier ou le deuxième potentiel (Vdd, Gnd). 30 14. Dispositif selon l'une des revendications 10 à il, dans lequel l'émetteur (Tx) comprend en outre une deuxième bornes de sorties (B) reliée à une deuxième impédance (Zo2) externe audit émetteur (Tx) et identique 35 à ladite première impédance (Zol), ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième 5 10 2905211 26 impédances (Zol, zo2) montées en série entre les première et deuxième bornes de sortie (A, B), et dans lequel, la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension au borne de la charge vue 5 par l'émetteur (Tx) entre ses première et deuxième bornes de sortie (A, B). 15. dispositif selon l'une des revendications 10 à 11, dans lequel l'émetteur (Tx) comprend en outre une 10 deuxième bornes de sorties (B) reliée à une deuxième impédance (Zo2) identique à ladite première impédance (Zol), ladite charge comprenant au moins lesdites première et deuxième impédances (Zol, zo2) montées en série entre les première et deuxième bornes de sortie (A, 15 B), et dans lequel, la tension de mesure (Vmeas) est représentative de la tension entre la première ou la deuxième bornes de sortie (A, B) et le premier ou le deuxième potentiels (Vdd, Gnd). 20 16. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 15, dans lequel la tension de mesure (Vmeas) et la tension de référence (Vref) ont un potentiel commun, ledit potentiel commun étant constant par rapport au 25 deuxième potentiel (Gnd). 17. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 16, dans lequel l'élément résistif programmable (Rout) est intégré dans la structure d'un circuit intégré de 30 type logique à commutation de courant (CML) monté entre le premier et le deuxième potentiels (Vdd, Gnd), et comprenant une première et une deuxième sorties respectivement reliées à la première et deuxième bornes de sortie (A, B). 35 18. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 17, dans lequel la charge équivalente est l'impédance 2905211 27 statique d'entrée d'un récepteur (Rx) relié à l'émetteur (Tx) par l'intermédiaire d'une ligne de transmission (L). 19. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 5 18, dans lequel l'élément programmable est constitué d'au moins . - un ensemble élémentaire comprenant une résistance et un transistor, l'ensemble élémentaire étant sélectionné par activation de la grille dudit transistor, et formant 10 l'impédance de sortie de l'émetteur (Tx) ; ou -un transistor utilisé en résistance, et formant l'impédance de sortie de l'émetteur (Tx).