Brevet FR2905028A1 — publié le 20080222

DISPOSITIF DE MÉMOIRE ÉLECTROCHIMIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention est relative au domaine des mémoires et concerne une nouvelle technologie de mémoires que l'on nommera NEMO's dans la suite de ce document pour Nana Electrochemical MemOries . La présente invention prévoit la réalisation d'une cellule mémoire électronique électrochimique formée d'un empilement de couches minces comprenant au moins une première couche active, apte à libérer et/ou accepter de manière réversible au moins une espèce ionique, au moins une deuxième couche active, apte à libérer et/ou accepter de manière réversible ladite espèce ionique, un électrolyte solide entre la première couche active et la deuxième couche active. Des moyens générateurs d'impulsions de courant pour modifier l'état de la cellule ainsi qu'une mesure de la différence de potentiel électrochimique entre la première couche active et la deuxième couche active afin de déterminer l'état de la cellule sont prévus. L'invention peut être intégrée en particulier dans de nombreux dispositifs électroniques, informatiques, terminaux de communications, appareils, équipements. ART ANTÉRIEUR Une structure de cellule mémoire appelée PMC (PMC pour Programmable Metallization Cell 30 selon la terminologie anglo-saxonne) formée d'un 2905028 2 électrolyte solide situé entre deux électrodes est présentée dans le document US 5 761 115. Le fonctionnement des cellules mémoires PMC est basé sur la formation au sein de l'électrolyte 5 solide, d'éléments métalliques appelés dendrites entre deux électrodes, lorsque ces électrodes sont portées à des potentiels respectifs appropriés. La formation des dendrites permet d'obtenir une conduction électrique donnée entre les deux électrodes dès qu'un 10 pont conducteur dendritique est établi entre les deux électrodes. En modifiant les potentiels respectifs appliqués aux électrodes, il est possible de modifier la répartition et le nombre de ponts conducteurs dendritiques établis, et de modifier ainsi la 15 conduction électrique entre les deux électrodes. En inversant par exemple le potentiel entre les électrodes, il est possible, par dissolution partielle des ponts conducteurs dendritiques, de rompre le contact établi par ces ponts entre les électrodes et 20 donc de supprimer, ou au moins de réduire considérablement, la conduction électrique. Les cellules PMC peuvent ainsi avoir un fonctionnement à deux états : un état dit ON et un état dit OFF et jouer le rôle de cellules mémoires. 25 Dans les cellules mémoires PMC, l'électrolyte solide peut être à base d'un chalcogénure tel que du GeSe, conducteur des ions argent. Cet électrolyte est conducteur ionique et isolant électronique, et placé généralement entre une électrode à base d'argent, et une électrode inerte, par exemple à base de Nickel. A l'état initial, aucun contact n'est établi entre les 2905028 3 deux électrodes qui sont séparées par un isolant. Lorsqu'une tension de polarisation est appliquée entre les deux électrodes, l'électrode d'argent fournit des ions Ag+ qui traversent l'électrolyte et se déposent 5 sur l'électrode opposée en constituant une ou plusieurs dendrites d'argent métallique. Lorsqu'une ou plusieurs dendrites parviennent à franchir l'électrolyte dans toute son épaisseur, et à venir en contact avec l'électrode d'argent qui leur fait face, un pont 10 conducteur est établi, et la mémoire passe à l'état conducteur . Une cellule mémoire PMC est susceptible de passer très rapidement de l'état conducteur à l'état isolant . Ces deux états correspondent aux actions écriture et effacement de la mémoire. 15 Les mémoires PMC présentent cependant plusieurs inconvénients. Au bout d'un certain nombre de cycles d'écriture/effacement, les dendrites à base d'argent sont simultanément présentes sur les deux électrodes en regard l'une de l'autre. Un système 20 Electrode d'argent/électrolyte/Electrode d'argent symétrique est susceptible de se former. Quel que soit le signe, positif ou négatif, de la tension imposée, le risque de créer un chemin de dendrites conductrices entre les deux électrodes est alors important, ce qui 25 va à l'encontre de l'objectif recherché. Le maintien de la tension d'effacement, qui devrait conduire à la rupture de la dendrite formée sur l'une des deux électrodes, va en fait conduire au contraire à la formation d'une dendrite (sur l'électrode opposée à la 30 première) qui mettra les deux électrodes à nouveau en court-circuit. 2905028 4 En outre, la croissance des dendrites d'argent ne s'effectue pas de manière contrôlée. En effet, au bout d'un certain nombre de cycles effacement/écriture, le milieu électrolytique entre les 5 deux électrodes est gorgé d'agrégats métalliques isolés, et il devient impossible de maîtriser le fonctionnement du système : les ponts conducteurs s'établissent ou se dissolvent de manière aléatoire lors des étapes d'écriture et d'effacement, et la 10 fiabilité du dispositif est diminuée. Il se pose le problème de trouver un nouveau dispositif de cellule mémoire électrochimique ne comportant pas les inconvénients mentionnés ci-dessus. 15 EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant un empilement de couches comportant : - au moins une première couche active à 20 base d'un matériau cristallin conducteur ionique et électronique, apte à libérer et/ou accepter au moins une espèce ionique, -au moins une deuxième couche active à base d'un matériau cristallin conducteur ionique et 25 électronique, apte à libérer et/ou accepter ladite espèce ionique, - au moins une couche formant un électrolyte entre la première couche active et la deuxième couche active, et à base d'au moins un 30 matériau conducteur ionique et isolant électronique, 2905028 5 - des moyens de mesure de la différence de potentiel électrochimique entre ladite première couche et de ladite deuxième couche. L'invention met en oeuvre une mesure de 5 variation(s) de potentiel électrochimique des matériaux des couches actives sous l'effet d'une faible variation de leurs compositions respectives. Le dispositif de mémoire selon l'invention peut comprendre en outre des moyens générateurs de 10 courant aptes à injecter du courant dans ledit empilement sous forme d'impulsions de courant. Ce dispositif peut également être soumis à des variations de potentiel importantes à ses bornes, sans que la variation de conductivité des électrodes 15 soit importante. L'invention met en oeuvre un dispositif doté de couches actives dans lesquelles la variation d'impédance est faible ou nulle. En particulier, la première couche active et/ou la deuxième couche active peuvent avoir une faible variation de conductivité 20 électrique suite à une émission d'une impulsion de courant en provenance des moyens générateurs. Selon une possibilité, le dispositif peut comprendre en outre : au moins une couche métallique de collecteur en contact avec la première couche active et 25 au moins une autre couche métallique de collecteur en contact avec la deuxième couche active. Le matériau des couches actives est un matériau choisi de sorte qu'une faible variation de concentration en espèces chargées des couches actives 30 provoque autour d'une composition donnée particulière du matériau, une variation importante de son potentiel 2905028 6 électrochimique. Ainsi, selon l'invention et contrairement à l'art antérieur, la variation de potentiel est générée bien que la conductivité électrique entre les couches varie très peu. 5 La première couche active et la deuxième couche active peuvent être à base d'un matériau susceptible de présenter une variation de potentiel supérieure ou égale à 0,3 volts ou à 0,5 volts pour une variation en concentration de ladite espèce ionique 10 inférieure à 5 % ou à 10 % autour d'une composition donnée particulière du matériau. La première couche active et/ou la deuxième couche active peuvent être à base d'un composé d'intercalation comportant au moins un oxyde de métal 15 de transition. Selon une possibilité, la première couche active et la deuxième couche active peuvent être identiques. La première couche active et la deuxième 20 couche active peuvent être à base de LiMn2O4r qui présente avantageusement une variation de potentiel électrochimique importante pour une faible variation en espèce chargée Li+ au sein du matériau autour de la composition LiMn2O4. 25 L'invention concerne un dispositif de mémoire tel que défini plus haut. Le dispositif de mémoire suivant l'invention présente une consommation améliorée, et fonctionne sous des tensions faibles. Les processus 30 d'écriture et d'effacement du dispositif de mémoire 2905028 7 suivant l'invention sont rapides, réversibles, reproductibles, et fiables dans le temps. L'invention concerne au moins un procédé de commande d'un dispositif de mémoire comprenant un 5 empilement de couches comportant : - au moins une première couche active à base d'un matériau cristallin conducteur ionique et électronique, apte à libérer et/ou accepter au moins une espèce ionique, 10 - au moins une deuxième couche active à base d'un matériau, cristallin conducteur ionique et électronique, apte à libérer et/ou accepter ladite espèce ionique, - au moins une couche formant un 15 électrolyte entre la première couche active et la deuxième couche active, et à base d'au moins un matériau conducteur ionique et isolant électronique, le procédé comprenant au moins une étape de mesure de la différence de potentiel électrochimique entre ladite 20 première couche active et de ladite deuxième couche active. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le procédé peut comprendre au moins une étape d'injection d'au moins une impulsion de courant dans ledit 25 empilement. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et 30 nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 2905028 8 - la figure 1 illustre un dispositif de mémoire suivant l'invention, - la figure 2 illustre une courbe de potentiel d'électrode d'un système lithium 5 métallique/électrolyte/électrode contenant LiMn2O4 , permettant de comprendre le fonctionnement d'un dispositif de mémoire suivant l'invention, en fonction de la concentration en espèce chargée des électrodes. Les différentes parties représentées sur 10 les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un exemple de dispositif de cellule mémoire 15 électrochimique selon l'invention est illustré sur la figure 1. Ce dispositif 100 comprend un empilement de couches minces comportant une première couche 102 dite active à base d'un matériau cristallin conducteur ionique et électronique, apte à contenir au moins une 20 espèce ionique et d'autre part à libérer et/ou accepter cette espèce ionique. La première couche 102 active peut être à base d'au moins un composé d'intercalation comportant un oxyde de métal de transition. Le composé d'intercalation peut être un oxyde de métal de 25 transition lithié par exemple un oxyde de manganèse lithié LiXMnyOZ (avec x, y, z des nombres entiers) tel que du LiMn204r ayant une structure spinelle stoechiométrique. La première couche 102 peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 10 nanomètres et 30 200 nanomètres ou au moins inférieure à 1000 nm. 2905028 9 L'empilement de couches minces comporte également une deuxième couche 104 dite active , à base d'un matériau cristallin conducteur ionique et électronique, apte à contenir au moins une espèce 5 ionique et d'autre part à libérer et/ou accepter cette espèce ionique. La deuxième couche 104 active peut être à base d'au moins un composé d'intercalation comportant un oxyde de métal de transition tel qu'un oxyde de métal de transition lithié par exemple un oxyde de 10 manganèse lithié LiXMnyOZ tel que du LiMn2O4r ayant une structure spinelle stoechiométrique. La deuxième couche 104 active peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 10 nanomètres et 200 nanomètres ou au moins inférieure à 1000 nm. Selon une possibilité de 15 mise en oeuvre, les couches actives 102 et 104 peuvent être identiques. Une couche ou un empilement de couches formant un électrolyte 106 sépare la première couche 102 active de la deuxième couche 104 active. 20 L'électrolyte 106 peut être formé par exemple d'un matériau conducteur ionique et isolant électronique, par exemple un verre de type Lipon ou de composition : 1B2O3-0, 8Li2O-0, 8Li2SO4. L'épaisseur de l'électrolyte 106 est choisie de manière à être étanche 25 au passage des électrons, mais suffisamment faible pour ne pas opposer de résistance trop importante au passage des ions. L'épaisseur de la couche 106 d'électrolyte peut être par exemple comprise entre 10 nanomètres et 200 nanomètres ou peut être par exemple de l'ordre de 30 100 nanomètres. Deux couches de collecteur de courant 2905028 10 108, 110 peuvent être associées à chacune des couches actives 102, 104. Le dispositif comprend également des moyens 112 générateurs de courant, aptes à émettre des 5 impulsions de courant vers la première couche active 102 et/ou vers la deuxième couche active 104, pour permettre un échange d'espèce ionique entre les couches actives 102 et 104 et un basculement de la cellule mémoire d'un état donné vers un autre donné. Des moyens 10 peuvent être prévus pour mesurer la quantité totale de courant (par exemple en pAh) fournie par ou au dispositif 100. La cellule mémoire est susceptible d'adopter au moins deux états distincts dont un état 15 dit état ON pour lequel la première couche active 102 et la deuxième couche active 104 ont des compositions en espère ionique respectives données, et un autre état OFF pour lequel la première couche active 102 et la deuxième couche active 104 ont des 20 compositions respectives en espèce ionique différentes desdites compositions données. Dans le cas par exemple où les couches actives 102, 104 sont à base d'un oxyde de métal de transition lithié, une variation de concentration en ions lithium de l'ordre de 10 % dans 25 les couches actives 102 et 104 peut permettre de traduire le basculement d'un premier état ON ou OFF à un deuxième état, OFF ou ON , de la cellule mémoire. Les impulsions de courant émises par les 30 moyens 112 générateurs de courant peuvent être des impulsions d'intensité faible comprise par exemple 2905028 11 entre 10-9 A et 10-6 A pendant une durée par exemple comprise entre 1 ns et 1 s. Une impulsion d'intensité de l'ordre de 10-7 A pendant une durée de l'ordre d'une seconde peut être émise par exemple pour faire basculer 5 la cellule mémoire d'un état ON à un état OFF ou inversement. Les moyens 112 générateurs de courant, peuvent être prévus pour émettre une impulsion de courant d'intensité donnée vers la première couche 10 active 102 pour faire basculer la cellule d'un premier état ON ou OFF à un deuxième état OFF ou ON et également une impulsion de courant opposée, vers la deuxième couche active 104, d'intensité égale à l'intensité donnée pour faire basculer la cellule du 15 deuxième état OFF ou ON au premier état ON ou OFF . Alternativement, pour faire basculer le système de l'état ON à l'état OFF , on peut mettre le système en court-circuit : les deux électrodes étant de compositions différentes avec un 20 fort potentiel entre elles, les compositions vont s'équilibrer automatiquement en délivrant un courant dans le circuit extérieur pour revenir à l'état initial LiMn2O4/électrolyte/LiMn2O4 dans le cas illustré, système dont le potentiel aux bornes est nul. 25 Le dispositif comprend également des moyens 114 de mesure connectés à la première couche active 102 et à la deuxième couche active 104, aptes à mesurer une différence de potentiel électrochimique entre ladite première couche active 102 et ladite deuxième couche 30 active 104. Cette différence de potentiel électro- chimique peut être déterminée par une mesure de 2905028 12 différence potentiel entre les couches actives 102 et 104. Les moyens 114 de mesure peuvent permettre de déterminer l'état dans lequel se trouve la cellule mémoire. 5 Plus généralement, les impulsions de courant émises par les moyens générateurs 112 sont prévues pour avoir une intensité suffisante pour faire basculer la cellule mémoire d'un premier état OFF à un deuxième état ON ou éventuellement d'un état 10 ON à un état OFF . L'état ON de la mémoire est un état associé à une première valeur de différence de potentiels électrochimiques entre la première couche active 102 et la deuxième couche active 104 ou une première gamme de valeurs de différences de potentiels 15 électrochimiques entre la première couche active 102 et la deuxième couche active 104. L'état OFF de la mémoire est un état associé à une deuxième valeur de différence de potentiels électrochimiques entre la première couche active 102 et la deuxième couche active 20 104 ou à une deuxième gamme de valeurs de différences de potentiels électrochimiques entre la première couche active 102 et la deuxième couche active 104. Ladite deuxième valeur est différente de la première valeur ou lesdites valeurs de ladite deuxième gamme sont 25 différentes des valeurs de ladite première gamme. Selon une possibilité, l'état OFF peut être associé à une valeur nulle de différence de potentiel électrochimique entre les deux couches actives 102 et 104. La représentation d'un état OFF 30 par une valeur nulle de différence de potentiel 2905028 13 électrochimique peut être permise par des couches actives 102 et 104 identiques. La première couche active 102 et la deuxième couche active 104 sont à base respectivement 5 d'un matériau d'intercalation choisi de sorte que sous l'effet d'une faible variation de composition ou de concentration en espèce chargée au voisinage d'une composition donnée du matériau, ce matériau présente une importante variation de potentiel électrochimique. 10 Une couche à base de LiMn2O4 présente par exemple une importante variation de potentiel électrochimique sous l'effet d'une faible variation de composition ou de concentration en ions Li+. Le matériau d'intercalation respectif de la couche active 102 et de la couche 15 active 104 est choisi de sorte que ce matériau présente une variation de potentiel au moins égale ou supérieure à 0,3 volts ou au moins égale ou supérieure à 0,5 volts sous l'effet d'une variation de concentration en espèce chargée inférieure à 10 % ou inférieure à 5 % ; en 20 particulier, pour des électrodes en LiMn2O4 initialement, on peut ainsi obtenir 0,4 V par exemple. Le fait que le processus d'intercalation et de désintercalation du lithium dans des matériaux tels que LiMn2O4 au voisinage immédiat de cette composition 25 soient connus pour être réversibles confère à la cellule mémoire une fiabilité améliorée en ce qui concerne la rétention d'information et une cyclabilité accrue. L'empilement de couches 100 peut également 30 comprendre une couche 108 dite de collecteur en contact avec la première couche active 102. La couche 2905028 14 108 dite de collecteur est à base d'un matériau conducteur de l'électricité, qui peut être un matériau métallique tel que par exemple du Ni. Une autre couche 110 de collecteur en contact avec la deuxième 5 couche active 104 peut être prévue ; l'autre couche 110 de collecteur peut être à base d'un matériau conducteur de l'électricité, qui peut être un matériau métallique tel que par exemple du Ni. Les couches 108 et 110 de collecteur peuvent être connectées au moyens 10 générateurs 112 de courant et/ou aux moyens de mesure 114 qui peuvent mesurer alors une différence de potentiel électrochimique entre ces couches de collecteur 108, 110 ; ces couches 108, 110 peuvent avoir une épaisseur comprise par exemple entre 10 nm et 15 100 nm. La couche 108 de collecteur et la première couche active 102 forment une première électrode, tandis que a couche 110 de collecteur et la deuxième couche active 104 forment une deuxième électrode. Un exemple de fonctionnement d'une cellule 20 mémoire dotée de couches actives 102 et 104 à base de LiMn2O4 va à présent être donné en liaison avec la courbe de la figure 2, sur laquelle, en abscisse figure un rapport atomique Li/Mn2O4 tandis qu'en ordonnée est donné le potentiel mesuré entre une couche active et 25 une électrode de référence de lithium métallique. A l'état initial (point référencé 200 sur la courbe), les deux couches actives 102 et 104 ont une composition semblable et la différence de potentiel entre les deux couches actives 102 et 104 est nulle. Ce premier état 30 peut être considéré comme un état dit OFF de la mémoire. 2905028 15 L'imposition d'une première impulsion de courant par les moyens générateurs 112 vers la couche 108 de collecteur en contact avec la première couche active 102, permet un échange d'une faible quantité 5 d'espèce chargée Li+ entre les deux couches actives 102, 104. Suite à l'émission de ladite première impulsion de courant, la réaction électrochimique au niveau de la deuxième couche active 104 peut être la 10 suivante : (1) LiMn2O4 + E Li+ => Li1+ Mn2O4 Au niveau de la première couche active 102, la réaction électrochimique suivante peut avoir lieu : (2) LiMn2O4 - E Li+ => Li1_Mn2O4 15 Suite à l'émission de la première impulsion, le potentiel de la première couche active 102 (portion de courbe 204) formée d'un composé Lit+Mn2O4 est voisin de 2,85 Volts, tandis que celui de la deuxième couche 104 formée d'un composé Li1_Mn2O4 20 s'élève (portion de courbe 202) correspondant à la désintercalation du lithium. Il apparaît qu'une faible variation de concentration en espèce ionique dans les couches 102, 104, induit par un échange d'espèces chargées entre ces dernières, se traduit par une 25 variation importante de potentiel entre les deux couches actives 102, 104. La vitesse à laquelle le potentiel croît est rapide et conditionnée par la vitesse de diffusion des espèces chargées à l'intérieur du système formé par l'électrolyte et les couches 30 actives. La mémoire atteint un état ON . Lorsque l'impulsion de courant cesse d'être imposée, le flux 2905028 16 d'espèces chargées cesse aussitôt à l'intérieur de l'électrolyte 106 et les couches actives 102, 104 restent en l'état dans lequel elles se trouvent. Les moyens 114 de mesure du potentiel aux bornes du système 5 fournissent l'indication de l'état ON de la mémoire. Cet état de la mémoire est maintenu grâce à l'électrolyte 106, qui, de par le matériau qui le compose ainsi que de par son épaisseur, empêche la diffusion spontanée des ions Li+ en l'absence 10 d'impulsions de courants. L'effacement de cette mémoire peut être réalisée en imposant une deuxième impulsion de courant égale et opposée à la première impulsion de courant précédemment imposée, ou plus facilement encore en 15 mettant le système en court-circuit. (Par opposée on entend que la deuxième impulsion de courant d'intensité égale à l'intensité de la première impulsion, émise vers avec la deuxième couche active 104.) Le système se retrouve alors à l'état 20 OFF initial, avec deux couches actives 102 et 104 identiques de part et d'autre de l'électrolyte 106. Sur la figure 2, on peut observer qu'il existe deux courbes donnant chacune l'évolution de la tension aux bornes du système lithium métallique 25 (électrode négative)/électrolyte/électrode active (positive) en fonction de la quantité de lithium contenu dans le matériau actif d'électrode positive. De fait, ce système est un accumulateur au lithium qui peut être déchargé lorsqu'on place une résistance à 30 ces bornes (le système fournit alors spontanément un courant, et la tension à ses bornes décroît 2905028 17 progressivement), ou rechargé lorsqu'on lui fournit un courant électrique grâce à un générateur externe (la tension aux bornes du système croît alors progressivement). La première courbe correspond entre 5 3,5 V et 2,5 V à l'intercalation du lithium dans la structure À-Mn2O4 pour former Li2Mn2O4 ( décharge de l'accumulateur) ; la deuxième courbe correspond à l'inverse à la désintercalation entre 2,5 V et 3,5 V du lithium de la structure Li2Mn2O4 pour former à nouveau 10 le composé initial 2\--Mn2O4 ( charge de l'accumulateur). L'hystérésis observé entre les deux courbes, qui dépend de l'intensité du courant traversant le système ( régime de charge ou de décharge), traduit les surtensions aux électrodes ainsi 15 que la résistance interne du système. Pour un courant de charge ou de décharge donné, une faible différence de potentiel, typiquement voisine de 100 à 200 mV, entre les deux courbes traduit une faible résistance interne du système tout au long du processus 20 d'intercalation et de désintercalation du lithium dans la structure cristalline des composés d'intercalation contenus dans l'électrode active. Cette faible résistance interne du système traduit la facilité qu'ont les ions lithium à être intercalés ou 25 désintercalés dans la structure cristalline du matériau actif. Un exemple d'un procédé de fabrication du dispositif de mémoire précédemment décrit, va à présent être donné. On réalise tout d'abord la première couche 30 102 de la première électrode active. Le matériau actif de cette première couche 102 peut être du LiMn2O4 formé 2905028 18 à partir d'une poudre de granulométrie contrôlée dont les dimensions sont de l'ordre du micron ou de la dizaine de microns. Cette poudre peut être ensuite frittée et utilisée comme cible dans un dispositif de 5 dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour Physical Vapour Deposition ). La première couche 102 peut être déposée sur une couche 108 conductrice électronique qui peut être à base d'un matériau métallique par exemple tel que du nickel. La couche 108 conductrice 10 électronique est destinée à former le collecteur de courant de la première électrode. Selon une variante, on peut former la première couche 102 selon des procédés usuellement utilisés pour la réalisation d'électrodes d'accumulateurs au lithium (Journal of 15 Power Sources, 1993, 44(1-3) : 689-700). Ensuite, on forme une couche 106 d'électrolyte sur la première couche 102 active. La couche d'électrolyte peut être réalisée par dépôt physique en phase vapeur d'un matériau conducteur ionique et isolant électronique, 20 par exemple un verre de type Lipon ou de composition : 1B2O3-0, 8Li2O-0, 8Li2SO4. La deuxième couche active 104 de la deuxième électrode est ensuite déposée sur la couche d'électrolyte 106, en utilisant par exemple le même 25 procédé de dépôt que pour la première couche 102 active de la première électrode. On réalise ensuite le dépôt d'une couche 110 conductrice électronique, par exemple par un dépôt de type dépôt physique en phase vapeur par exemple à base de nickel, destinée à former un deuxième 30 collecteur de courant pour la deuxième électrode. 2905028 19 Ensuite, une encapsulation de l'ensemble peut être réalisée afin d'assurer la protection du dispositif. Le type d'encapsulation peut être choisi parmi les nombreux dispositifs utilisés en 5 microélectronique, par exemple un enrobage dans une résine, ou tout autre dispositif évitant au système de risquer une contamination par l'environnement (poussières,...) . Il est à noter que le dispositif selon l'invention n'a pas besoin d'être étanche à l'air dans 10 la mesure où les matériaux actifs d'électrode sont stables à l'oxygène. Les matériauxutilisés pour mettre en oeuvre un dispositif de mémoire suivant l'invention et tel que décrit précédemment, ne sont pas toxiques, ne 15 nécessitent pas de précaution de manipulation particulière, sont peu coûteux et peuvent être manipulés en atmosphère ambiante ; ils s'adaptent aux techniques de réalisation en couches minces utilisées en microélectronique. 20 Le dispositif de mémoire électrochimique suivant l'invention présente une faible consommation, une sensibilité et une rapidité importantes, une bonne stabilité des électrodes dans le temps. Une cellule mémoire suivant l'invention présente une bonne 25 réversibilité, le passage d'un état ON à un état OFF et d'un état OFF à un état ON pouvant être provoqué respectivement à l'aide d'une première impulsion de courant et d'une deuxième impulsion de courant opposée à la première impulsion ou d'une mise 30 en court-circuit du système. REVENDICATIONS 1. Dispositif de mémoire (100) comprenant un empilement de couches comportant : - au moins une première couche active (102) à base d'un matériau cristallin conducteur ionique et électronique, apte à libérer et/ou accepter au moins une espèce ionique, - au moins une deuxième couche active (104) à base d'un matériau, cristallin conducteur ionique et électronique, apte à libérer et/ou accepter ladite espèce ionique, - au moins une couche formant un électrolyte (106) entre la première couche active et la deuxième couche active, et à base d'au moins un matériau conducteur ionique et isolant électronique, - des moyens de mesure (114) de la différence de potentiel électro-chimique entre ladite première couche active et de ladite deuxième couche active. 2. Dispositif de mémoire selon la revendication 1, comprenant des moyens générateurs (112) de courant aptes à injecter du courant dans ledit empilement sous forme d'impulsions de courant. 3. Dispositif de mémoire selon la revendication 1 à 2, comprenant en outre, au moins une couche (108) métallique en contact avec la première couche active (102) et/ou au moins une autre couche 2905028 21 (110) métallique en contact avec la deuxième couche active (104). 4. Dispositif de mémoire selon l'une des 5 revendications 1 à 3, la première couche et la deuxième couche actives (102, 104) étant à base d'un matériau susceptible de présenter une variation de potentiel supérieure ou égale à 0,3 volts ou à 0,5 volts pour une variation en concentration de ladite espèce ionique 10 inférieure à 5 % ou à 10 %. 5. Dispositif de mémoire selon l'une des revendications 1 à 4, la première couche active (102) et/ou la deuxième couche active (104) étant à base d'un 15 composé d'intercalation comportant au moins un oxyde de métal de transition. 6. Dispositif de mémoire selon l'une des revendications 1 à 5, la première couche active (102) 20 et la deuxième couche active (104) étant identiques. 7. Dispositif de mémoire selon l'une des revendications 1 à 6, la première couche active (102) et la deuxième couche active (104) étant à base de 25 LiMn2O4. 8. Procédé de commande d'un dispositif de mémoire comprenant un empilement de couches comportant : 30 - au moins une première couche active (102) à base d'un matériau cristallin conducteur ionique et 2905028 22 électronique, apte à libérer et/ou accepter au moins une espèce ionique, -au moins une deuxième couche active (104) à base d'un matériau, cristallin conducteur ionique et 5 électronique, apte à libérer et/ou accepter ladite espèce ionique, - au moins une couche formant un électrolyte (106) entre la première couche active et la deuxième couche active, et à base d'au moins un 10 matériau conducteur ionique et isolant électronique, le procédé comprenant au moins une étape de mesure (114) de la différence de potentiel électrochimique entre ladite première couche active et de ladite deuxième couche active. 15 9. Procédé selon la revendication 8, comprenant au moins une étape d'injection d'au moins une impulsion de courant dans ledit empilement.