Brevet FR2903494A1 — publié le 20080111

DISPOSITIF ET PROCEDE DE CARACTERISATION DE SURFACES L'invention porte sur un dispositif et un procédé de caractérisation de surfaces. Elle permet en particulier de déterminer la structure cristallographique de surfaces cristallines et de surveiller en temps réel la croissance de cristaux par épitaxie par faisceaux moléculaires. Les techniques les plus couramment utilisées pour la détermination de la structure cristallographique des surfaces sont la diffraction d'électrons lents (LEED, Low Energy Electron Diffraction ) et la diffraction par réflexion d'électrons rapides (RHEED, Reflection High Energy Electron Diffraction). En particulier, la technique RHEED présente l'avantage très important d'être compatible avec la croissance de cristaux par épitaxie par faisceaux moléculaires ; en fait, les appareils d'épitaxie par faisceaux moléculaires comprennent généralement un dispositif RHEED intégré. Ce dernier est essentiellement constitué d'un canon à électrons, agencé de manière à produire un faisceau sensiblement monocinétique d'électrons ayant une énergie de l'ordre de 5 - 50 keV dirigé vers la surface à étudier avec un angle d'incidence de l'ordre de 1 - 4 par rapport au plan de la surface, un écran phosphore permettant la visualisation des électrons diffractés vers l'avant par la surface et une caméra pour acquérir des images dudit écran phosphore. La technique RHEED permet une caractérisation complète de la structure cristallographique d'une surface, à condition que soient effectuées des acquisitions correspondantes à aux moins deux orientations distinctes de ladite surface. Cependant, très souvent, on se limite à une caractérisation qualitative de l'état d'une surface par comparaison avec une figure de diffraction de référence. Une autre application importante de la technique RHEED est la surveillance en temps réel de la croissance couche par couche d'un cristal par épitaxie par faisceaux moléculaires. En effet, lorsqu'une couche vient d'être achevée, les pics de diffraction sont bien visibles et présentent un contraste élevé ; au fur et à mesure que des atomes supplémentaires se déposent sur cette couche le contraste se dégrade, pour 2903494 2 augmenter à nouveau lorsque ces atomes sont suffisamment nombreux pour former une nouvelle couche. On observe ainsi des oscillations du signal de diffraction, qui permettent de suivre dans le temps la formation des différentes couches atomiques du cristal. 5 Bien que ses propriétés avantageuses en aient fait un standard industriel, la technique RHEED présente certains inconvénients. Premièrement, les électrons, même en incidence rasante, ont un pouvoir de pénétration de plusieurs Angstroms, ce qui signifie qu'ils ne sont pas sensibles uniquement à la première couche atomique, constituant la 1 o surface au sens strict, mais également aux premières couches sous-jacentes. Par ailleurs, la pénétration des électrons sous la surface résulte souvent en une figure de diffraction complexe et difficile à interpréter. En outre, les techniques de diffraction d'électrons (RHEED, mais aussi LEED) sont mal adaptées à la caractérisation des matériaux 15 isolants, car elles induisent un chargement de surface qui peut influencer le faisceau primaire lui-même et ainsi brouiller la figure de diffraction. Encore plus grave, généralement les interactions inélastiques entre les électrons et la surface endommagent cette dernière et peuvent perturber radicalement la croissance des films isolants. Pour ces raisons, ces techniques ne permettent 20 pas le contrôle en ligne de la croissance de couches isolantes, mais sont plutôt utilisées comme des techniques d'essai destructif lors de l'élaboration de protocoles de fabrication. Compte tenu de l'importance des couches isolantes, et notamment des oxydes, en microélectronique, il s'agit là d'une limitation 25 majeure de cette technique. Pour la caractérisation cristallographique des surfaces, il est également connu d'utiliser des atomes légers, généralement de He, ayant une énergie de l'ordre de quelques dizaines ou centaines de meV et dirigés perpendiculairement ou obliquement à la surface à étudier, généralement 30 avec un angle d'incidence compris entre 40 et 60 par rapport au plan de la surface. Cette technique, connue comme diffusion d'atomes d'hélium (HAS, 2903494 3 Helium Atom Scattering ) ou diffusion d'atomes thermiques (TEAS, Thermal Energy Atom Scattering ) présente l'avantage d'être uniquement sensible à la première couche atomique de l'échantillon étudié, le pouvoir de pénétration des atomes de faible énergie étant négligeable, et de ne pas 5 induire de chargement des surfaces isolantes. Cependant, elle n'est que très rarement utilisée dans l'industrie car elle présente des inconvénients majeurs. Premièrement, elle n'est pas compatible avec la croissance par épitaxie par faisceaux moléculaires, qui nécessite qu'une partie importante de l'espace au-dessus de la surface reste dégagé pour permettre 10 le passage des faisceaux moléculaires. Or, pour mettre en oeuvre la technique HAS/TEAS, il est justement nécessaire de prévoir une source d'atomes thermiques non loin de la normale à la surface ; cette technique ne permet donc généralement que des analyses ex-situ. Elle partage d'ailleurs cet inconvénient avec la technique LEED, ce qui explique pourquoi cette 15 dernière est moins populaire que la RHEED, bien qu'elle lui soit supérieure du point de vue de la qualité des figures de diffraction obtenues. Deuxièmement, la génération de faisceaux atomiques de faible énergie nécessite des équipements lourds et encombrants (jets supersoniques, étages de pompage différentiels, etc). 20 Troisièmement, les atomes neutres de faible énergie sont extrêmement difficiles à détecter. La détection se fait généralement point par point à l'aide d'un spectromètre de masse qui est déplacé en deux dimensions. La formation d'une figure de diffraction requiert donc un temps considérable, incompatible avec un contrôle en ligne. 25 En pratique, cette technique est presque exclusivement utilisée en laboratoire. Il est également connu d'étudier la structure des surfaces à l'aide d'atomes ou d'ions faiblement chargés d'énergie relativement élevée (plusieurs keV) en incidence rasante. Dans ces conditions, les projectiles se 30 comportent essentiellement comme des particules classiques et sont réfléchis par le potentiel de la surface à grande distance de la première couche 2903494 4 atomique. Le profil de diffusion donne indirectement accès à la forme du potentiel d'interaction entre le projectile et la première couche de la surface. Pour plus de détails sur cette méthode de caractérisation de surface, voir l'article de A. Schüller et al. Dynamic dependence of interaction potentials 5 for keV atoms at metal surfaces , Phys. Rev. A, 69, 050901(R), 2004. L'inconvénient de cette technique est que les profils de diffusion sont difficiles à interpréter et, en tout cas, ils sont moins riches en information que les techniques de diffraction exploitant le caractère ondulatoire des projectiles. 10 Un but de la présente invention est de remédier à au moins certains des inconvénients de l'art antérieur. De manière plus spécifique, un but de l'invention est de fournir une technique de caractérisation de surface présentant une sensibilité accrue à la première couche atomique par rapport aux techniques RHEED et 15 LEED. Un autre but de l'invention est de fournir une technique de caractérisation mieux adaptée aux surfaces isolantes que les techniques connues de l'art antérieur. Encore un autre but de l'invention est de fournir une 20 technique de caractérisation de surfaces compatible avec la croissance par épitaxie par faisceaux moléculaires et permettant un contrôle en temps réel de ladite croissance. Encore un autre but de l'invention est de fournir une technique de caractérisation de surfaces simple à mettre en oeuvre, non 25 seulement en laboratoire, mais également dans un environnement industriel. Au moins un des buts précités est atteint grâce à un dispositif pour la caractérisation de surfaces comportant : - des moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres, agencés pour diriger ledit faisceau vers une surface à 30 caractériser ; et 2903494 5 - des moyens de détection sensibles en position pour détecter les atomes ou molécules neutres dudit faisceau, diffusés vers l'avant par ladite surface à caractériser ; caractérisé en ce que 5 - lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour produire un faisceau ayant une énergie comprise entre 50 eV et 5 keV et une divergence non supérieure à 0,05 ; et - en ce que lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour diriger ledit faisceau vers 10 ladite surface à caractériser avec un angle d'incidence non supérieur à 10 par rapport au plan de ladite surface ; de telle manière qu'une figure de diffraction desdits atomes ou molécules neutres diffusés vers l'avant par ladite surface à caractériser soit détectable par lesdits moyens de détection sensibles en position. 15 Selon des modes de réalisation particuliers du dispositif de l'invention : - Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres peuvent être adaptés pour produire un faisceau ayant une énergie comprise entre 100 eV et l keV, et de préférence entre 100 eV et 700 20 eV. - Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres peuvent être adaptés pour produire un faisceau ayant une dispersion d'énergie non supérieure à 5%. -Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou 25 molécules neutres peuvent être adaptés pour diriger ledit faisceau vers ladite surface à caractériser avec un angle d'incidence compris entre 0,5 et 3 par rapport au plan de la surface. - L'angle d'incidence et l'énergie dudit faisceau d'atomes ou molécules peuvent être choisis de telle manière que l'énergie associée au 30 mouvement dans une direction perpendiculaire à la surface soit inférieure ou égale à 1 eV. 2903494 6 - Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres peuvent être adaptés pour générer un faisceau constitué de particules ayant une masse atomique comprise entre 1 et 20 au, et plus particulièrement constitué d'une espèce chimique choisie parmi H, H2 et 3He 5 ou leurs isotopes. -Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres peuvent comprendre : un moyen de génération d'un faisceau d'ions atomiques ou moléculaires ; un moyen de neutralisation dudit faisceau d'ions atomiques ou moléculaires ; et un moyen de collimation du 10 faisceau d'atomes ou molécules neutres obtenu par neutralisation dudit faisceau d'ions atomiques ou moléculaires. - Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres peuvent comprendre également un moyen de filtrage en masse desdits ions atomiques ou moléculaires. 15 -Lesdits moyens de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres peuvent comprendre également un moyen d'hachage pour générer un faisceau pulsé. - Lesdits moyens de détection sensibles en position peuvent présenter également une sensibilité temporelle, avec une résolution 20 non supérieure à 50 ns, et de préférence non supérieure à 10 ns, de manière à permettre une détermination de la perte d'énergie des atomes ou molécules neutres dudit faisceau suite à la diffusion par ladite surface par mesure du temps de vol. - Le dispositif peut comprendre également un moyen de 25 détection secondaire d'atomes ou molécules neutres ou ionisés, ledit moyen de détection secondaire ayant une résolution temporelle non supérieure à 1 ps, de préférence non supérieure à 100 ns et d'une manière encore préférée non supérieure à 10 ns, et étant agencé de manière à détecter des atomes ou molécules neutres ou ionisés qui quittent la surface à caractériser suivant une 30 trajectoire qui forme avec ladite surface un angle supérieur à l'angle de réflexion spéculaire dudit faisceau d'atomes ou molécules neutres. 2903494 7 Un autre objet de l'invention est une machine pour épitaxie par jets moléculaires comportant un dispositif de caractérisation de surface selon l'une des revendications précédentes, agencé pour caractériser la surface d'un cristal en cours de croissance. 5 Encore un autre objet de l'invention est un procédé de caractérisation de surfaces comportant les étapes de : - diriger un faisceau d'atomes ou molécules neutres sur la surface à caractériser ; et - détecter de manière sensible à la position les atomes ou 10 molécules neutres dudit faisceau, diffusés vers l'avant par ladite surface à caractériser ; caractérisé en ce que ledit faisceau d'atomes ou molécules neutres a une énergie comprise entre 50 eV et 5 keV ; et 15 en ce que l'angle d'incidence dudit faisceau sur ladite surface à caractériser n'est pas supérieur à 10 par rapport au plan de ladite surface, de telle manière qu'au moins une partie desdits atomes ou molécules neutres diffusés vers l'avant soit diffractée par ladite surface à caractériser. 20 Selon des modes de réalisation particuliers du procédé de l'invention : - Ledit faisceau d'atomes ou molécules neutres peut avoir une énergie comprise entre 100 eV et 1 keV et de préférence entre 100 et 700 eV. 25 - Ledit faisceau d'atomes ou molécules neutres peut avoir une dispersion d'énergie non supérieure à 5%. - L'angle d'incidence dudit faisceau sur ladite surface à caractériser peut être compris entre 0,5 et 3 par rapport au plan de la surface. 30 -L'angle d'incidence et l'énergie dudit faisceau d'atomes ou molécules peuvent être choisis de telle manière que l'énergie associée au 2903494 8 mouvement dans une direction perpendiculaire à la surface soit inférieure ou égale à 1 eV. - Ledit faisceau peut être constitué de particules ayant une masse atomique comprise entre 1 et 20 au, et en particulier d'une espèce 5 chimique choisie parmi H, H2 et 3He. - Le procédé peut comporter également une étape de détermination d'au moins un paramètre cristallographique de ladite surface à caractériser à partir d'une figure de diffraction détectée desdits atomes ou molécules neutres diffusés vers l'avant par ladite surface à caractériser. 10 - Le procédé peut être mis en oeuvre lors de la fabrication d'un cristal par épitaxie par jets moléculaires et comporter également : une étape d'observation d'un comportement oscillatoire dans le temps de ladite figure de diffraction ; et une étape d'extraction d'une information relative à la croissance par épitaxie de couches atomiques successives formant ledit 15 cristal à partir de ladite observation d'un comportement oscillatoire dans le temps de ladite figure de diffraction D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : 20 - la figure 1A, un schéma général d'un dispositif et d'un procédé selon l'invention ; - la figure 1B, une illustration de la condition de Bragg pour la diffraction d'une onde par un cristal ; la figure 2, un exemple de figure de diffraction d'atomes 25 en incidence rasante, obtenue par le procédé de l'invention ; - les figures 3A et 3B, des schémas d'un moyen de génération d'un faisceau atomique selon un premier et un deuxième mode de réalisation de l'invention respectivement ; la figure 4, une machine pour épitaxie par faisceaux 30 moléculaires équipée d'un dispositif selon l'invention; et 2903494 9 - la figure 5, un spectre de perte d'énergie de particules neutres diffuées par une surface. Comme représenté sur la figure 1A, un dispositif selon l'invention se compose essentiellement d'un moyen 1 de génération d'un 5 faisceau 2 d'atomes ou molécules neutres et d'un moyen de détection 3 sensible en position dudit faisceau d'atomes ou molécules neutres. Le faisceau 2 est dirigé vers une surface 3 à caractériser selon un angle d'incidence e;n,, éventuellement variable, non supérieur 10 environ (incidence rasante) ; ici et dans la suite, les angles sont mesurés par 10 rapport au plan de la surface cible 3. Comme dans la technique RHEED, l'espace directement au-dessus de la surface 3 reste libre, ce qui permet notamment une croissance par épitaxie par faisceaux moléculaires simultanément à la mesure. Les atomes ou molécules neutres du faisceau 2 sont réfléchis 15 par ladite surface 3, avec un angle de réflexion erer-- inc; en même temps ils subissent une diffraction dans une direction azimutale, c'est à dire parallèle à la surface 3. Sur la figure 1, le faisceau atomique ou moléculaire incident est indiqué par la référence 2-i, le faisceau spéculaire par 2-0 (car il s'agit de I ( ordre zéro de diffraction) et le premier faisceau non spéculaire par 2-1 20 (premier ordre de diffraction). Comme en RHEED l'angle 4, formé par les projections sur un plan parallèle à celui de la surface 3 du faisceau diffracté au premier ordre 2-1 et du faisceau diffracté à l'ordre zéro 2-0, est lié au paramètre de maille a de la surface cristalline 3 dans la direction transversale par rapport au mouvement des atomes ou molécules incidents par la relation 25 de Bragg, représentée graphiquement sur la figure 1B : asin~ = n~. avec n entier, dont on déduit ~ = arcsin pour le premier ordre de diffraction, où X, est la longueur d'onde de de Broglie 30 des particules incidentes. 2903494 lo En fait, en conditions d'incidence rasante, on peut considérer que le mouvement des particules dans une direction normale à la surface 3 est découplé du mouvement longitudinal, parallèle à ladite surface 3, et que ce qu'on observe est la diffraction de la composante normale de l'onde de 5 matière par le potentiel de la surface transverse au mouvement. Ainsi, même lorsque l'énergie totale Eo de la particule est de l'ordre du keV, son énergie normale En = E0 sin' O,,, peut être inférieure à 1 eV, ce qui correspond à une longueur d'onde normale 2n = h (h étant la constante de Planck et m la j2mEn masse desdites particules) du même ordre de grandeur que le paramètres de 10 maille a à mesurer. Par exemple, dans le cas d'atomes d'hydrogène H d'une énergie de 500 eV avec un angle d'incidence de 1,4 , on trouve Er,=0,3 eV ce qui correspond à une longueur d'onde normale X=0,53 A, à comparer au paramètre de maille d'une surface telle que celle de NaCl, a=5,64 A. Les faisceaux diffractés 2-0 et 2-1 sont détectés, à distance 15 de la surface 3, par le moyen de détection sensible à la position 4, qui forme une image de la figure de diffraction, ce qui permet de mesurer l'angle f et de déterminer par conséquent le paramètre de maille a. Contrairement au cas des atomes thermiques de la technique HAS/TEAS, les particules à haute énergie utilisées dans le procédé de l'invention peuvent être détectées 20 simplement, par exemple par des galettes à micro-canaux (MCP, microchannel plates ) couplées à un écran phosphore qui est à son tour imagé par une caméra CCD. Bien entendu, la figure 1A constitue une simplification, car en général plusieurs ordres de diffraction sont simultanément observés, ainsi 25 qu'un fond incohérent dû aux défauts de structure de la surface (marches, atomes adsorbés, etc.), ainsi qu'aux vibrations thermiques. La figure 2 montre un exemple réel de figure de diffraction obtenue en dirigeant des molécules de H2 d'une énergie de 400 eV sur une surface de ZnSe (001) suivant la direction cristallographique [1 -1 0] avec un 30 angle d'incidence de 1,1 . Plusieurs ordres de diffraction sont visibles ; les 2903494 Il références DO, D-1 et Dl mettent en évidence la tache centrale correspondant à l'ordre zéro, et les deux premiers ordres disposés symétriquement autour d'elle. L'espacement entre les taches de diffraction renseigne sur la périodicité du réseau cristallin de la surface (paramètre de 5 maille a), cela est vrai pour toutes les techniques de diffraction, voir par exemple l'ouvrage de D. P. Woodruff et T. A. Delchar Modern techniques of surface science , Cambridge University Press, 1986, tandis que leur intensité relative renseigne sur la forme du potentiel d'interaction entre le projectile et la surface. On observe que les taches de diffraction sont disposées le long 10 d'une courbe CD, dont la forme dépend de la forme dudit potentiel d'interaction, de l'énergie normale En du projectile et de la température. Pour un projectile non réactif, la courbe CD est un arc de cercle dont le centre passe par le plan projeté de la surface. II est possible d'étudier finement la structure du potentiel de 15 surface en observant la variation de l'intensité relative des pics de diffraction et de la forme de la courbe CD avec l'angle d'incidence 6;,,c ( rocking curves ). Les techniques d'inversion qui permettent de reconstruire le potentiel de surface à partir de ces observations sont essentiellement les mêmes que celles utilisées dans les études de diffraction d'atomes neutres 20 thermiques, voir par exemple l'article de R. I. Masel et al Quantum scattering from a sinusoidal hard wall: atomic diffraction from solid surfaces , Phys. Rev. B, 12, 5545, 1975. On observe, dans la partie inférieure de la figure 2, une tache S, produite par les particules du faisceau 2 qui ont survolé la surface 3 sans 25 interagir. L'observation de la tache S n'apporte aucune information directement liée aux propriétés de ladite surface, mais peut être exploitée pour déterminer les angles d'incidence et diffusion et pour calibrer la perte d'énergie dans les mesures de temps de vol dans le cas d'un faisceau pulsé. L'observation d'une figure de diffraction exploitable à des fins 30 cristallographiques n'est généralement possible que si les conditions de travail, en particulier la nature et l'énergie des particules constituant le 2903494 12 faisceau 2, l'angle d'incidence O;nc dudit faisceau sur la surface 3, sa divergence et sa largeur, sont choisies de manière adaptée. De préférence, ces conditions de travail sont choisies de telle sorte que les pics de Bragg soient bien résolus. Cependant, même si l'énergie normale des projectiles est 5 augmentée légèrement au-delà du point à partir duquel les pics de Bragg ne sont plus résolus, un motif d'interférence subsiste sous la forme d'une modulation de basse fréquence spatiale du profil de diffusion ; cette figure de diffraction imparfaitement résolue porte encore une information caractéristique de la forme du potentiel de surface. 10 En ce qui concerne la nature du projectile, peuvent être utilisés des atomes ou des petites particules ayant une masse comprise entre 1 unité atomique (H) et 20 unités atomiques (20Ne). Les projectiles légers sont généralement préférés, car ils ont une longueur d'onde plus grande à énergie égale. En particulier H, H2 et 3He et leurs isotopes s'avèrent des choix 15 particulièrement avantageux. En effet, H est le projectile de plus faible masse, et son utilisation permet d'étudier le potentiel d'interaction de la surface avec l'hydrogène, ce qui est très intéressant dans des nombreuses applications. 3He sera préféré lorsqu'on souhaite disposer d'un projectile chimiquement inerte tandis que H2, dont la masse et la réactivité sont intermédiaires entre 20 celles de H et de 3He, peut constituer une solution de compromis. En général, He (3He ou 4He) constitue le projectile préféré. L'énergie E0 du faisceau peut être comprise entre 50 eV et 5 keV environ, de préférence entre 100 eV et 1 keV et d'une manière encore préférée entre 100 et 700 eV. Il est préférable que la dispersion de l'énergie 25 du faisceau soit inférieure ou égale à 5%, de préférence inférieure ou égale à 2%. L'angle d'incidence par rapport au plan de la surface, O;nc, doit être inférieur ou égale à 100, de préférence compris entre 0,5 et 3 . L'énergie et l'angle ne sont pas des paramètres strictement 30 indépendants : en effet, il est préférable que l'énergie normale En = E0 sin2 e;nc soit inférieure ou égale à 1 eV. 2903494 13 La divergence du faisceau doit être minimisée car elle a tendance à brouiller les pics de diffraction : typiquement pour obtenir des images de bonne qualité il est nécessaire d'obtenir une divergence non supérieure à 0,05 . 5 Il est également avantageux que la taille du faisceau soit inférieure ou égale à 1 mm, de préférence comprise entre 10 et 300 pm environ. En effet, la taille du faisceau dans une direction parallèle à la surface a une influence directe sur la taille des taches de diffraction au niveau du détecteur 3 ; si le faisceau est trop large, ces taches ont tendance à se 10 superposer et il en résulte un brouillage de la figure de diffraction. La largeur du faisceau dans une direction normale à la surface est moins critique, mais il faut considérer que, du fait de l'incidence rasante, la projection sur la surface de cette dimension du faisceau est étirée d'un facteur 1/sin0;nc, et peut donc facilement dépasser la taille de l'échantillon. Il est donc préférable de la limiter 15 également à une valeur inférieure ou égale à 1 mm. En règle générale, on préfère utiliser des faisceaux à section au moins approximativement circulaire. Le flux ne doit pas nécessairement être très important : avec un flux de quelques centaines d'atomes par seconde seulement, quelques 20 minutes d'exposition suffisent pour obtenir des images directement exploitables. La température de l'échantillon est un autre paramètre qui doit être pris en considération, car l'agitation thermique des atomes de la surface affecte négativement l'efficacité de la diffraction. II est donc 25 avantageux que l'échantillon soit maintenu à température ambiante (autour de 300 K) au cours de la mesure. Il n'est généralement pas nécessaire de refroidir l'échantillon à des températures cryogéniques, bien que cela puisse améliorer la qualité de la figure de diffraction obtenue. Si la température est imposée, par exemple par le procédé de croissance par épitaxie, il est 30 possible de limiter l'effet de l'agitation thermique en choisissant un angle d'incidence plus petit : en effet, plus l'incidence est rasante, plus la diffusion a 2903494 14 lieu loin de la surface, et donc moins le projectile est sensible aux défauts de périodicité induits par l'agitation thermique. Un moyen de génération d'un faisceau d'ions ou molécules adapté à la mise en oeuvre de l'invention est représenté sur la figure 3A. Ce 5 dispositif est essentiellement constitué d'un générateur d'un faisceau 2' d'ions atomiques ou moléculaires 11, un neutraliseur 14 et un collimateur 15. Il existe dans le commerce plusieurs types de sources d'ions 11 adaptés à la mise en ouvre de l'invention, fournissant des faisceaux d'ions ayant une énergie comprise entre quelques eV et quelques keV. A titre 10 d'exemple on peut citer les sources ECR (résonance cyclotronique d'électrons) et les sources à décharge. La source d'ions 11 comprend un ensemble d'électrodes permettant d'accélérer les ions à l'énergie souhaitée par application d'un champ électrostatique, ainsi que des optiques électrostatiques de focalisation. 15 Si le faisceau d'ions généré par la source 11 n'est pas suffisamment pur du point de vue chimique et isotopique, ou s'il contient des ions d'états de charge différents, il peut être dirigé vers un filtre de masse 12 qui utilise un champ magnétique généré par un aimant 121 et une fente 122 pour sélectionner des particules ayant un rapport masse sur charge 20 déterminé. Bien que cela ne soit pas visible sur la figure 3A, un filtre de masse magnétique de ce type n'est pas en ligne droite et introduit nécessairement une déviation du faisceau 2' d'ions. En variante, il est possible d'utiliser un filtre de Wien ou tout autre filtre de masse adapté. 25 Si l'on souhaite obtenir un faisceau pulsé on peut prévoir,indifféremment en amont ou en aval du filtre de masse éventuel, un hacheur 13. Dans un mode de réalisation de l'invention, le dispositif comporte une fente d'entrée 131 pour la mise en forme du faisceau, deux électrodes en forme de plaque 132, 132' se faisant face et un orifice de sortie 133. En 30 appliquant un champ électrique variable aux électrodes 132, 132' le faisceau 2903494 15 d'ions balaye l'orifice de sortie ; si le champ appliqué aux électrodes est périodique, on obtient un faisceau de sortie pulsé. La charge électrique des ions permet de les accélérer, sélectionner et pulser beaucoup plus facilement que des particules neutres. 5 Le faisceau d'ions 2' peut ensuite être neutralisé par échange de charge dans une cellule 14 remplie de gaz. Idéalement, le gaz utilisé dans la cellule 14 est constitué des mêmes espèces chimiques du faisceau 2 afin d'optimiser l'échange de charge par capture résonante ; la pression P14 à l'intérieur de la cellule dépend de sa longueur L14 et en général on pose P14x 10 L14 diffués à des grands angles suite à une collision avec une particule adsorbée lourde, permet de connaître le niveau de contamination de cette même surface. Comme le hachage du faisceau 2 ou 2' réduit considérablement son flux, et rend donc peu visibles 20 les figures de diffraction, les deux types de mesure seront généralement alternés dans le temps. REVENDICATIONS 1. Dispositif pour la caractérisation de surfaces comportant : - des moyens (1) de génération d'un faisceau (2) d'atomes 5 ou molécules neutres, agencés pour diriger ledit faisceau (2) vers une surface (3) à caractériser ; et - des moyens (4) de détection sensibles en position pour détecter les atomes ou molécules neutres dudit faisceau (2), diffusés vers l'avant par ladite surface (3) à caractériser ; 10 caractérisé en ce que -lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour produire un faisceau (2) ayant une énergie comprise entre 50 eV et 5 keV et une divergence non supérieure à 0,05 ; et 15 - en ce que lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour diriger ledit faisceau (2) vers ladite surface (3) à caractériser avec un angle d'incidence non supérieur à 10 par rapport au plan de ladite surface (3) ; de telle manière qu'une figure de diffraction desdits atomes 20 ou molécules neutres diffusés vers l'avant par ladite surface (3) à caractériser soit détectable par lesdits moyens (4) de détection sensibles en position. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour produire un faisceau (2) ayant une énergie comprise entre 100 25 eV et l keV, et de préférence entre 100 eV et 700 eV. 3. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour produire un faisceau (2) ayant une dispersion d'énergie non supérieure à 5%. 30 4. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau (2) d'atomes ou 2903494 22 molécules neutres sont adaptés pour diriger ledit faisceau vers ladite surface (3) à caractériser avec un angle d'incidence (Oint) compris entre 0,5 et 3 . 5. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'angle d'incidence (9;nc) et l'énergie dudit faisceau (2) d'atomes ou molécules sont choisis de telle manière que l'énergie associée au mouvement dans une direction perpendiculaire à la surface (3) soit inférieure ou égale à 1 eV. 6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour générer un faisceau (2) constitué de particules ayant une masse atomique comprise entre 1 et 20 au. 7. Dispositif selon la revendication 6 dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres sont adaptés pour générer un faisceau (2) constitué d'une espèce chimique choisie parmi H, H2 et 3He et leurs isotopes. 8. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres comprennent : un moyen (11) de génération d'un faisceau (2') d'ions atomiques ou moléculaires ; un moyen (14) de neutralisation dudit faisceau d'ions atomiques ou moléculaires ; et - un moyen (15) de collimation du faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres obtenu par neutralisation dudit faisceau (2') d'ions atomiques ou moléculaires 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres comprennent également un moyen (12) de filtrage en masse desdits ions atomiques ou moléculaires. 2903494 23 10. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel lesdits moyens (1) de génération d'un faisceau d'atomes ou molécules neutres comprennent un moyen (13) de hachage pour générer un faisceau (2) pulsé. 11. Dispositif selon la revendication 10 dans lequel lesdits 5 moyens (4) de détection sensibles en position présentent également une sensibilité temporelle, avec une résolution non supérieure à 50 ns, et de préférence non supérieure à 10 ns, de manière à permettre une détermination de la perte d'énergie des atomes ou molécules neutres dudit faisceau (2) suite à la diffusion par ladite surface (3) par mesure du temps de vol. 10 12. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, comprenant également un moyen de détection secondaire (1600) d'atomes ou molécules neutres ou ionisés, ledit moyen de détection secondaire (1600) ayant une résolution temporelle non supérieure à 1 bas, de préférence non supérieure à 100 ns et d'une manière encore préférée non supérieure à 10 15 ns, et étant agencé de manière à détecter des atomes ou molécules neutres ou ionisés qui quittent la surface (3) à caractériser suivant une trajectoire qui forme avec ladite surface (3) un angle supérieur à l'angle de réflexion spéculaire dudit faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres. 13. Machine (1000) pour épitaxie par jets moléculaires 20 comportant un dispositif de caractérisation de surface selon l'une des revendications précédentes, agencé pour caractériser la surface (3) d'un cristal en cours de croissance. 14. Procédé de caractérisation de surfaces comportant les étapes de : -diriger un faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres sur la surface (3) à caractériser ; et - détecter de manière sensible à la position les atomes ou molécules neutres dudit faisceau (2), diffusés vers l'avant par ladite surface (3) à caractériser ; caractérisé en ce que 25 30 2903494 24 -ledit faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres a une énergie comprise entre 50 eV et 5 keV et une divergence non supérieure à 0,05 ; et - en ce que l'angle d'incidence (9;nc) dudit faisceau (2) sur 5 ladite surface (3) à caractériser n'est pas supérieur à 10 par rapport au plan de ladite surface, de telle manière qu'au moins une partie desdits atomes ou molécules neutres diffusés vers l'avant soit diffractée par ladite surface (3) à caractériser. 10 15. Procédé de caractérisation de surfaces selon la revendication 14, dans lequel ledit faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres a une énergie comprise entre 100 eV et l keV, et de préférence entre 100 eV et 700 eV. 16. Procédé de caractérisation de surfaces selon la 15 revendication 14 ou 15, dans lequel ledit faisceau (2) d'atomes ou molécules neutres a une dispersion d'énergie non supérieure à 5%. 17. Procédé de caractérisation de surfaces selon l'une des revendications 14 à 16, dans lequel l'angle d'incidence (Oint) dudit faisceau (2) sur ladite surface (3) à caractériser est compris entre 0,5 et 3 . 20 18. Procédé de caractérisation de surfaces selon l'une des revendications 14 à 17 dans lequel l'angle d'incidence ((hic) et l'énergie dudit faisceau (2) d'atomes ou molécules sont choisis de telle manière que l'énergie associée au mouvement dans une direction perpendiculaire à la surface (3) soit inférieure ou égale à 1 eV. 25 19. Procédé de caractérisation de surfaces selon l'une des revendications 14 à 18 dans lequel ledit faisceau (2) est constitué de particules ayant une masse atomique comprise entre 1 et 20 au. 20. Procédé de caractérisation de surfaces selon la revendication 19 dans lequel ledit faisceau (2) est constitué d'une espèce 30 chimique choisie parmi H, H2 et 3He et leurs isotopes. 2903494 25 21. Procédé selon l'une des revendications 14 à 20, comportant également une étape de détermination d'au moins un paramètre cristallographique de ladite surface (3) à caractériser à partir d'une figure de diffraction détectée desdits atomes ou molécules neutres diffusés vers l'avant 5 par ladite surface (3) à caractériser. 22. Procédé selon la revendication 21, mis en oeuvre lors de la fabrication d'un cristal par épitaxie par jets moléculaires, comportant également : - une étape d'observation d'un comportement oscillatoire 10 dans le temps de ladite figure de diffraction ; et - une étape d'extraction d'une information relative à la croissance par épitaxie de couches atomiques successives formant ledit cristal à partir de ladite observation d'un comportement oscillatoire dans le temps de ladite figure de diffraction 15