Brevet FR2888943A1 — publié le 20070126

DETECTEUR D'OBSTACLE A CAPTEUR A ULTRASONS La présente invention est relative à un détecteur d'obstacle comportant un capteur à ultrasons. Par exemple, JP-A-2001-16 694 décrit un dispositif de détection à ultrasons monté sur un véhicule tel qu'une automobile et servant à détecter un obstacle ou analogue. Le dispositif de détection à ultrasons comprend un élément émetteur et un élément récepteur (un seul élément peut être utilisé en ayant les deux fonctions d'émission et de réception), et émet une onde ultrasonore à partir de l'élément émetteur, et reçoit une onde ultrasonore qui a été amenée à frapper un obstacle et à être réfléchie par celui-ci. Le dispositif sert à effectuer un traitement arithmétique et, ainsi, à détecter une direction ou une distance de l'obstacle, ou à déterminer une irrégularité de l'obstacle à l'aide d'une pression sonore, d'une différence de temps et d'un déphasage de l'onde ultrasonore reçue par l'élément récepteur. Comme élément récepteur servant dans un tel dispositif de détection à ultrasons, on a noté un élément dans lequel un oscillateur constitué par un mince film piézoélectrique est formé sur une membrane constituant une petite partie de l'épaisseur d'un substrat. L'élément récepteur à structure sous la forme d'une membrane est réalisé par une technique de micro-usinage de semiconducteurs et est appelé ci-après élément de détection à ultrasons de type SMEM (Système Micro-Electro-Mécanique). Un tel élément de détection à ultrasons du type SMEM et un dispositif de détection matricielle à ultrasons utilisant l'élément sont décrits, par exemple, dans JP-A-2003-284 182. L'élément de détection à ultrasons (élément de réception) est réalisé en intercalant une couche de film mince en céramique PZT, qui est une substance ferro-électrique, entre deux électrodes, et comprend un détecteur piézoélectrique qui a une fréquence de résonance prédéterminée pour détecter une onde ultrasonore, une tension de polarisation prédéterminée étant appliquée entre les deux électrodes pendant l'opération de mesure faite par l'élément de détection à ultrasons, la fréquence de résonance de l'élément pouvant de la sorte être modifiée. Cependant, dans la configuration ci-dessus, une source d'ultrasons et un dispositif de détection matricielle à ultrasons sont séparés et cela implique un coût de fabrication pour chacun d'eux. En outre, lorsqu'on en équipe un pare-choc d'automobile ou analogue, la précision de montage de la source d'ultrasons et du dispositif de détection matricielle à ultrasons a une incidence sur la précision de la détection de la direction et de la distance de l'obstacle, et l'intervalle de montage entre eux devient grand. Dans un dispositif de détection à ultrasons directement monté sur le parechoc d'automobile, lorsqu'une goutte d'eau ou de la poussière vient à adhérer sur une surface de l'élément de détection à ultrasons, il n'est pas possible de mesurer avec précision la distance par rapport à l'obstacle. En outre, l'atténuation d'une onde ultrasonore se propageant dans l'air dépend de la température ou de l'humidité de l'air, or la température ou l'humidité est différente selon le milieu ambiant de l'automobile, par conséquent on se heurte à une difficulté en ce sens que la précision de détection de l'obstacle est amoindrie sous l'effet de la variation de la température et de la variation de l'humidité. En particulier, pour la température du milieu ambiant de l'automobile, la température ambiante peut être mesurée par un capteur de température ambiante ou analogue, cependant, pour l'humidité, il n'existe pas de capteur d'humidité approprié pouvant être monté à l'extérieur d'un véhicule, ce qui ne supprime donc pas la difficulté. Compte tenu du problème décrit ci-dessus, la présente description vise à proposer un détecteur d'obstacle à capteur à ultrasons. Selon un aspect de la présente description, un détecteur d'obstacle servant à détecter un obstacle comprend: un capteur à ultrasons servant à détecter l'obstacle sur une première portée, le capteur à ultrasons comprenant un substrat, un dispositif émetteur servant à émettre une onde ultrasonore en convertissant un signal électrique, et un dispositif récepteur servant à recevoir l'onde ultrasonore et à convertir l'onde ultrasonore en signal électrique, le dispositif émetteur et le dispositif récepteur étant disposés sur le substrat; un élément de détection servant à détecter l'obstacle sur une seconde portée; et un boîtier. Le dispositif récepteur comporte de multiples éléments récepteurs. Au moins une partie de la première portée du capteur à ultrasons est différente de la seconde portée de l'élément de détection. Le capteur à ultrasons et l'élément de détection sont disposés dans le boîtier. Dans le détecteur ci-dessus, comme le dispositif émetteur et le dispositif récepteur sont formés sur le même substrat, les dimensions du détecteur sont réduites le plus possible et, par ailleurs, le coût de fabrication du détecteur est réduit. Par ailleurs, comme les positions relatives entre le dispositif émetteur et le dispositif récepteur sont définies avec précision sur le substrat, la précision de détection du détecteur n'est pas notablement influencée par le facteur de fixation tel qu'une erreur de fixation au moment du montage du détecteur sur un véhicule automobile. Par ailleurs, comme le détecteur comporte deux types de capteurs différents, le détecteur d'obstacle détecte d'une manière sûre l'obstacle et détecte l'obstacle sur une plus grande portée. Ainsi, le détecteur est peu encombrant, il a une grande portée de détection et un faible coût de fabrication. Selon une autre possibilité, l'élément détecteur peut être disposé sur le substrat du capteur à ultrasons. Dans ce cas, le capteur à ultrasons et l'élément détecteur se présentent sous la forme d'une seule puce. Selon une autre possibilité, le dispositif récepteur peut comporter au moins trois éléments récepteurs. Dans ce cas, même si l'un des éléments récepteurs se casse ou connaît un problème, d'autres éléments récepteurs peuvent détecter l'obstacle, si bien que l'erreur de fonctionnement est détectée par le capteur. En outre, le dispositif récepteur peut comporter quatre éléments récepteurs. Dans ce cas, le capteur bénéficie non seulement de la détection d'erreur de fonctionnement, mais encore il a un fonctionnement intrinsèquement sûr. Selon une autre possibilité, le dispositif émetteur peut émettre de multiples ondes ultrasonores dont chacune a une fréquence différente. Dans ce cas, le capteur a une fonction de compensation d'humidité, de façon que la précision de détection du capteur sous l'effet d'une variation d'humidité soit compensée. Par ailleurs, le dispositif émetteur peut comporter de multiples éléments émetteurs dont chacun correspond respectivement aux fréquences différentes. En outre, le dispositif émetteur peut comporter deux éléments émetteurs. Dans ces cas, la fonction de compensation d'humidité du capteur s'obtient facilement. Selon une autre possibilité, le substrat peut comporter de multiples membranes dont chacune correspond au dispositif émetteur ou au dispositif récepteur, et le dispositif émetteur et le dispositif récepteur peuvent être disposés chacun respectivement sur la membrane. Dans ce cas, la membrane sert de surface de vibration. En outre, chacun des dispositif émetteur et dispositif récepteur peut être un vibreur piézoélectrique à fréquence de résonance prédéterminée dans une gamme de fréquences ultrasonores, et le vibreur piézoélectrique, conjointement avec la membrane, peut résonner à la fréquence de résonance prédéterminée. Par ailleurs, au moins une partie de l'élément détecteur peut être disposée sur la membrane. Dans ce cas, les dimensions du détecteur sont très réduites. Le capteur à ultrasons et l'élément détecteur peuvent être formés sur la même face de la membrane ou peuvent être formés respectivement sur des faces différentes. Selon une autre possibilité, l'élément détecteur peut être un capteur d'image comportant de multiples éléments optiques de détection et une lentille. Les éléments optiques de détection sont agencés de façon à constituer un motif prédéterminé en deux dimensions afin que chaque élément optique de détection constitue un pixel. Chaque élément optique de détection est capable de produire un signal électrique correspondant à l'intensité d'une lumière amenée à entrer dans l'élément optique de détection. La lentille introduit la lumière dans l'élément optique de détection, la lumière entrant dans la lentille avec une plage angulaire prédéterminée. Dans ce cas, une courte portée de détection avec un grand angle est détectée par le capteur à ultrasons et une longue portée de détection est détectée par le capteur d'image. Ainsi, le détecteur a un champ de détection large et long. En outre, le boîtier peut comporter une ouverture et la lentille peut être montée sur le boîtier de façon que la lentille couvre l'ouverture du boîtier. Selon une autre possibilité, l'élément détecteur peut comporter un capteur de lumière infrarouge servant à détecter une lumière infrarouge émise par l'obstacle. Dans ce cas, une courte portée de détection avec un grand angle est détectée par le capteur à ultrasons, et une longue portée de détection est détectée par le capteur de lumière infrarouge. Ainsi, le détecteur a un champ de détection large et long. En outre, le capteur de lumière infrarouge et le capteur à ultrasons peuvent être utilisés de nuit. En outre, le capteur d'infrarouges peut comporter un élément détecteur de lumière infrarouge et un film d'absorption de lumière infrarouge. L'élément détecteur de lumière infrarouge produit un signal électrique d'après une variation de température au moment où l'élément détecteur de lumière infrarouge reçoit la lumière infrarouge, et le film d'absorption de lumière infrarouge couvre au moins une partie de l'élément détecteur de lumière infrarouge. Dans ce cas, lorsque l'élément détecteur de lumière infrarouge et le film d'absoption de lumière infrarouge sont formés sur le même substrat, les dimensions du détecteur sont réduites. En outre, lorsque l'élément détecteur de lumière infrarouge et le film d'absorption de lumière infrarouge sont formés sur la membrane, les dimensions du détecteur sont très réduites. Par ailleurs, l'élément détecteur peut comporter en outre une source de lumière infrarouge servant à émettre la lumière infrarouge en chauffant une résistance présente dans la source de lumière infrarouge. Dans ce cas, la lumière infrarouge émise par la source de lumière infrarouge est réfléchie par l'obstacle, puis la lumière infrarouge réfléchie est détectée par l'élément de détection de lumière infrarouge. Ainsi, l'obstacle est détecté par le détecteur. Selon une autre possibilité, l'élément détecteur peut comporter un générateur d'ondes millimétriques et un détecteur d'ondes millimétriques. Le générateur d'ondes millimétriques génère une onde d'émission. L'onde d'émission est réfléchie par l'obstacle, si bien qu'une onde de réflexion est générée. Le détecteur d'ondes millimétriques détecte l'onde réfléchie et génère un signal électrique correspondant à l'intensité de l'onde réfléchie. Dans ce cas, une courte portée de détection est détectée par le capteur à ultrasons avec un grand angle, et une longue portée de détection est détectée par l'élément détecteur. Ainsi, le détecteur a un champ de détection large et long. Selon une autre possibilité, l'élément de détection peut comporter un générateur de laser et un détecteur à laser. Le générateur de laser génère une onde d'émission. L'onde d'émission est réfléchie par l'obstacle, si bien qu'une onde réfléchie est produite. Le détecteur à laser détecte l'onde réfléchie et génère un signal électrique correspondant à une intensité de l'onde réfléchie. Dans ce cas, un champ de détection court à grand angle et détecté par le capteur à ultrasons et un long champ de détection est détecté par l'élément de détection. Ainsi, le détecteur a un champ de détection large et long. Selon une autre possibilité, la première portée du capteur à ultrasons se situe près du capteur à ultrasons, et la seconde portée de l'élément de détection se situe loin de l'élément de détection. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée de modes de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés, sur lesquels: la Fig. 1A est une vue en coupe transversale représentant un détecteur d'obstacle selon une première forme de réalisation de la présente invention et la Fig. lB est une vue en perspective représentant le détecteur d'obstacle; la Fig. 2 est une vue agrandie en plan représentant partiellement un capteur à ultrasons dans le détecteur d'obstacle; la Fig. 3A est une vue en plan représentant le capteur à ultrasons et la Fig. 3B est une vue en coupe transversale représentant le capteur à ultrasons, prise suivant la ligne IIIB-IIIB de la Fig. 3A; les figures 4A et 4B sont des vues schématiques expliquant le principe de détection du capteur à ultrasons et la Fig. 4C est un chronogramme d'un signal expliquant le principe de détection du capteur à ultrasons; la Fig. 5 est un chronogramme d'un signal expliquant la compensation d'humidité par le capteur à ultrasons; la Fig. 6A est une vue en plan représentant un capteur à ultrasons dans un détecteur d'obstacle selon une variante de la première forme de réalisation et la Fig. 6B est un chronogramme représentant divers signaux impulsionnels possibles délivrés par deux éléments émetteurs et divers signaux impulsionnels possibles reçus par quatre éléments récepteurs; la Fig. 7 est une vue en plan représentant un capteur à ultrasons dans un détecteur d'obstacle selon une deuxième variante de la première forme de réalisation; la Fig. 8A est une vue en coupe transversale représentant un capteur à ultrasons dans un détecteur d'obstacle selon une troisième variante de la première forme de réalisation, et la Fig. 8B est une vue en plan représentant le capteur à ultrasons dans le détecteur d'obstacle selon la troisième variante; la Fig. 9 est une vue en plan représentant un détecteur d'obstacle selon une deuxième forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 10A est une vue en coupe transversale représentant un capteur à ultrasons dans un détecteur d'obstacle selon une variante de la deuxième forme de réalisation et la Fig. 10B est une vue en plan représentant le capteur à ultrasons dans le détecteur d'obstacle selon la variante; la Fig. 11 est une vue en perspective représentant un détecteur d'obstacle selon une troisième forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 12 est une vue en plan représentant un détecteur d'obstacle selon une variante de la troisième forme de réalisation de la présente invention; et la Fig. 13 est une vue en perspective représentant un détecteur d'obstacle selon une deuxième variante de la troisième forme de réalisation de la présente invention. (Première forme de réalisation) Un détecteur d'obstacle est installé, par exemple, dans un véhicule et est conçu de façon à détecter un obstacle au voisinage du véhicule. Le détecteur d'obstacle selon une forme de réalisation comporte, en gros, deux aspects caractéristiques. Un premier aspect est la disposition d'un capteur à ultrasons et d'un système de détection dans le même logement, et l'autre est une configuration du capteur à ultrasons. On commencera par décrire le premier. Les figures 1A à 1B sont des vues représentant une configuration schématique du détecteur d'obstacle, la Fig. lA étant une vue en coupe transversale et la Fig. 1B étant une vue en perspective sur laquelle un logement est partiellement omis. Comme représenté sur les figures 1A à 1B, un détecteur 100 d'obstacle comprend un capteur 110 à ultrasons servant à détecter un obstacle peu éloigné d'un véhicule, et un capteur 120 d'image constituant un système de détection ayant une portée de détection au moins partiellement différente d'une portée de détection du capteur 110 à ultrasons, les deux capteurs étant disposés dans le même logement 130. De la sorte, avec le détecteur 100 d'obstacle, le capteur 120 d'image ayant la portée de détection au moins partiellement différente de la portée de détection du capteur 110 à ultrasons, est disposé, avec le capteur 110 à ultrasons, dans un même logement 130. Ainsi, plusieurs capteurs 110 et 120, capables de détecter l'obstacle et ayant des portées de détection différentes, sont réunis l'un avec l'autre et prennent ainsi la forme d'un seul dispositif 100. Par conséquent, on obtient un détecteur 100 d'obstacle petit et peu coûteux, le dispositif étant conçu pour pouvoir détecter un obstacle sur une plus grande portée et la précision de la détection pouvant être améliorée du fait de la détection du même obstacle par deux capteurs 110 et 120. L'expression "portées de détection différentes" signifie un état différent d'un cas dans lequel des portées de détection correspondent totalement l'une à l'autre. Par exemple, l'état peut comporter un cas dans lequel une première portée de détection inclut l'autre portée de détection. De plus, dans la forme de réalisation, le capteur 110 à ultrasons et le capteur 120 d'image sont disposés dans le même logement 130, en outre, un élément émetteur 111 et un élément récepteur 112 servant à constituer le capteur 110 à ultrasons et un élément photodétecteur 121 destiné à constituer le capteur 120 d'image sont formés sur le même substrat 10 en semiconducteur, par exemple un substrat en silicium. De la sorte, puisque le capteur 110 à ultrasons et le capteur 120 d'image se présentent sous la forme d'une seule puce, on obtient un détecteur 100 d'obstacle encore plus petit et moins coûteux. Dans le capteur 120 d'image, le capteur 110 à ultrasons peut détecter un obstacle peu éloigné dans un champ large, dans lequel une déformation a tendance à survenir du fait d'une lentille ou analogue, et le capteur 120 d'image peut détecter un obstacle lointain. Par conséquent, le détecteur 100 d'obstacle peut détecter un obstacle dans un large champ. Pour l'élément photodétecteur 121, un capteur d'image classique à CCD, un capteur d'image à CMOS ou analogue, qui produit un signal électrique en fonction de l'intensité de la lumière injectée, peut être employé. Un moyen de commande traite un signal d'image qui est un ensemble de valeurs de pixels délivrées par le capteur 120 d'image, ce qui permet donc, par exemple, de produire une image d'après un signal d'image ou une détection (reconnaissance) de l'obstacle. De la sorte, puisque le capteur d'image à CCD ou le capteur d'image à CMOS est employé pour l'élément photodétecteur 121, l'élément 121 s'intègre facilement avec l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112, en particulier sur du silicium comme substrat 10 à semiconducteur. De plus, un moyen formant circuit de traitement du capteur 110 à ultrasons et du capteur 120 d'image peut être formé sur le substrat 10 en semiconducteur. Dans la forme de réalisation, le moyen formant circuit de traitement (non représenté) du capteur 110 à ultrasons et du capteur 120 d'image est formé sur une carte 11 de circuit. Le logement 130 de la forme de réalisation est constitué par la carte 11 de circuit sur laquelle est monté le substrat 10 en semiconducteur, et par un boîtier 12 fixé sur la carte 11 de circuit, et l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 sont connectés électriquement à la carte 11 de circuit. Une zone du boîtier 12 correspondant à l'avant (le dessus du boîtier 12) de l'élément émetteur 111 et des éléments récepteurs 112 est une zone de protection 12a servant à protéger l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 et, lorsque le dispositif est employé pour le véhicule, une matière résistant aux intempéries, par exemple en divers métaux (alliages d'aluminium), en résine synthétique, en verre et en caoutchouc peut être employée pour la zone. Le boîtier 12 peut être entièrement réalisé en cette matière, ou encore seule la zone protectrice 12a peut être réalisée à l'aide d'une matière différente de la matière du boîtier. Dans la forme de réalisation, le boîtier 12 et la zone de protection 12a sont réalisés avec la même résine synthétique. Des éléments de séparation 12b font partie du boîtier 12, ils servent à séparer un espace S entre la zone de protection 12a du boîtier 12 et une surface du substrat 10 en semiconducteur pour chacun des élément émetteur 111 et éléments récepteurs 112. Un matériau de remplissage 14 est disposé dans l'espace S constitué par la zone de protection 12a, les éléments de séparation 12b et le substrat 10 en semiconducteur. L'élément de séparation 12b peut se présenter sous la forme d'un élément séparé du boîtier 12, fixé au boîtier 12. L'impédance acoustique d'une substance est exprimée ici par le produit de la densité de la substance et de la vitesse de propagation acoustique. Une caractéristique de propagation d'une onde acoustique entre les substances se dégrade avec l'augmentation de la différence d'impédance acoustique entre les substances. Ainsi, lorsque augmente la différence d'impédance acoustique entre le matériau de remplissage 14 dans l'espace S et la zone de protection 12a, par exemple, une onde ultrasonore réfléchie par un obstacle est plus facilement réfléchie par la zone de protection 12a et se transmet donc difficilement au matériau de remplissage 14. Ainsi, un liquide ou un sol ou un gel est utilisé comme matériau de remplissage 14. Dans ce cas, l'impédance acoustique du matériau de remplissage 14 peut être rendue très proche de l'impédance acoustique de la zone de protection 12a, si bien que, par exemple, l'oscillation de la zone de protection 12a peut être transmise d'une façon sûre à l'élément récepteur 112 via la matériau de remplissage 14. Ainsi, la sensibilité de chacun des éléments récepteurs 112 peut être améliorée. Dans la forme de réalisation, l'élément émetteur 111 est doté de la même structure (décrite plus loin) que l'élément récepteur 112. Ainsi, l'impédance acoustique du matériau de remplissage 14 est rendue très proche de l'impédance acoustique de la zone de protection 12a, aussi l'oscillation de l'élément émetteur 111 peut-elle être transmise de façon sûre à la zone de protection 12a via le matériau de remplissage 14, ce qui permet donc d'améliorer le signal de sortie de l'élément émetteur 111. Dans le cas de l'utilisation d'une résine synthétique pour la zone de protection 12a, le sol dans lequel sont dispersées des particules de résine dans un liquide, ou un gel de polymère contenant la résine synthétique concernée peut être employé pour le matériau de remplissage 14. Le matériau de remplissage 14 doit nécessairement comporter une matière qui n'attaque pas l'élément récepteur 112. Par conséquent, par exemple, il est possible d'employer un gel de silicium ou un gel de fluor. Lorsqu'un gaz (tel que de l'air ou un gaz inerte) est présent dans l'espace S, l'oscillation de la zone de protection 12a se transmet difficilement à l'élément récepteur 112 (l'oscillation de l'élément émetteur 111 se transmet difficilement à la zone de protection 12a). Par conséquent, il est préférable que le gaz soit entièrement évacué de l'espace S puis que le matériau de remplissage 14 soit chargé. La configuration ci-dessus (la zone de protection 12a, l'élément de séparation 12b et le matériau de remplissage 14) est décrite en détail dans JP-A-2006-94 459, demande antérieurement déposée par le demandeur. Dans une zone du boîtier 12 correspondant à l'avant (le haut du boîtier 12) de l'élément photodétecteur 121, une lentille 122 servant à injecter de la lumière sur une plage angulaire prédéterminée vers l'élément photodétecteur 121 est prévue. En particulier, une ouverture 12e est ménagée dans le haut du boîtier 12, et la lentille 122 est fixée au boîtier 12 de manière à fermer cette ouverture 12e. Ainsi, le boîtier 12 est conçu pour arrêter la lumière et transmettre la lumière via la lentille 122 disposée dans l'ouverture 12c. Bien qu'un exemple dans lequel la lentille 122 est fixée à une face interne du boîtier 12 soit illustré sur la Fig. 1A, on peut employer une configuration dans laquelle elle est fixée à une surface extérieure, ou une configuration dans laquelle elle est logée dans l'ouverture 12c,. De plus, la lentille 122 peut faire corps avec le boîtier 12 au lieu d'être un élément séparé. La configuration du logement 130 ne se limite pas à l'exemple. Elle n'est pas particulièrement limitée si elle permet de loger le capteur 110 à ultrasons et le capteur 120 d'image. En référence à la Fig. 1B, la Fig. 2 et les figures 3A à 3B, on va maintenant décrite une configuration du capteur à ultrasons constituant un autre point caractéristique du détecteur 100 d'obstacle selon la forme de réalisation. La Fig. 2 est une vue éclatée en plan du pourtour du capteur 110 à ultrasons dans le détecteur 100 d'obstacle. Les figures 3A à 3B sont des vues représentant schématiquement la configuration d'éléments formant le capteur 110 à ultrasons, la Fig. 3A étant une vue en plan prise du dessus et la Fig. 3B étant une vue en coupe transversale prise suivant une ligne IIIB-IIIB de la Fig. 3A. Comme représenté sur la Fig. 1B et la Fig. 2, dans le capteur 110 à ultrasons un élément émetteur 111 et quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d) sont intégrés sur le même substrat 10 en semiconducteur. Les éléments 111 et 112 ont une configuration identique dans les deux cas. D'une façon spécifique, comme représenté sur les figures 3A à 3B, l'élément émetteur 111 est formé à l'aide du substrat 10 en semiconducteur dans une structure SSI (Silicium Sur Isolant). Dans le substrat 10 en semiconducteur, un repère la désigne une première couche de semiconducteur (substrat de support), un repère lb désigne un film d'oxyde noyé, un repère 1c désigne une seconde couche de semiconducteur et un repère 1d désigne un film d'oxyde protecteur. Sur une membrane M, laquelle est constituée sous la forme d'une partie peu épaisse du substrat 10 en semiconducteur par la technique de micro-usinage à semiconducteur, un oscillateur piézoélectrique 20 est formé de manière à couvrir la membrane M. l'oscillateur piézoélectrique 20 a une structure dans laquelle une mince pellicule piézoélectrique est insérée entre des films métalliques d'électrodes 3a et 3b. Dans l'élément émetteur 111 ainsi conçu, une tension alternative est appliquée aux films métalliques formant électrodes 3a et 3b de l'oscillateur piézoélectrique 20 afin de mettre en résonance la membrane M avec l'oscillateur piézoélectrique 20 à une fréquence prédéterminée de la bande des ultrasons, grâce à quoi une onde ultrasonore peut être émise. Dans le cas de l'utilisation des éléments comme les éléments récepteurs 112 (112a à 112d), la membrane M est mise en résonance avec l'oscillateur piézoélectrique 20 par une onde ultrasonore qui est réfléchie par un obstacle (objet) et renvoyée, puis l'oscillation est convertie en signal électrique par l'oscillateur piézoélectrique 20, si bien que l'onde ultrasonore est reçue. Lorsque la structure représentée sur les figures 3A et 3B est employée pour l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 (112a à 112d) du capteur 110 à ultrasons, comme l'élément émetteur 111 nécessite ordinairement la délivrance d'une plus grande pression sonore, la superficie d'un motif plan de la membrane M dans l'élément émetteur 111 est de préférence plus grande que la superficie d'un motif plan de la membrane M dans les éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Ainsi, la pression sonore délivrée par l'élément émetteur 111 peut être accrue. En revanche, dans les éléments récepteurs 112 (112a à 112d), on peut même utiliser une petite surface, si on obtient une sensibilité suffisante. Ensuite, à l'aide des figures 4A à 4C, on va décrire un principe de détection de l'obstacle par le capteur 110 à ultrasons. Sur les figures 4A à 4C, il est supposé que le détecteur 100 d'obstacle représenté sur la Fig. lb est employé en étant tenu perpendiculairement au sol, l'élément émetteur 111 étant orienté vers le haut. La Fig. 4A est une vue représentant schématiquement les éléments récepteurs 112a et 112b du capteur 110 à ultrasons, et un état d'une onde ultrasonore réfléchie par un obstacle 220 et injectée dans les éléments récepteurs 112a et 112b dans un plan X-Y parallèle au sol. La Fig. 4B est une vue représentant schématiquement les éléments récepteurs 112a et 112c du capteur 110 à ultrasons, et un état d'une onde ultrasonore réfléchie par un obstacle 200 et injectée dans les éléments récepteurs 112a et 112e dans un plan perpendiculaire au sol. La Fig. 4C est une vue représentant schématiquement un chronogramme d'un autre signal impulsionnel à ultrasons possible, émis par l'élément émetteur 111 du capteur 110 à ultrasons et par les signaux impulsionnels alternés à ultrasons reçus par les quatre éléments récepteurs 112a à 112d. A l'aide des deux éléments récepteurs 112a, 112b sur le côté haut représenté sur la Fig. 2, une distance Dx par rapport à l'obstacle 200 présent dans le plan X-Y parallèle au sol, représenté sur la Fig. 3A, peut être calculée d'après la différence de temps AT12 entre un signal d'émission (émission) de l'élément émetteur 111 et une valeur moyenne de temps T12 de signaux de réception (réception n 1 et réception n 2) des éléments récepteurs 112a et 112b, comme représenté sur la Fig. 4C. A l'aide des deux éléments récepteurs 112a et 112b dans le haut de la Fig. 1, un azimuth Ox de l'obstacle 200 par rapport à un axe X dans le plan XY parallèle au sol, comme représenté sur la Fig. 4A, peut être calculé d'après le déphasage A'12 entre le signal (réception n 1) de l'élément récepteur 112a et le signal (réception n 2) de l'élément récepteur 112b, comme illustré sur la Fig. 4C. Ici, l'élément récepteur 112a reçoit une onde de réception n 1 et l'élément récepteur 112b reçoit une onde de réception n 2. AL sur la Fig. 4A représente une différence de trajet qui est égale à dxcos(Ox). De même, à l'aide des deux éléments récepteurs 112a, 112c à gauche sur la Fig. 1, une distance Dz à l'obstacle 200 se trouve dans le plan perpendiculaire au sol, comme représenté sur la Fig. 4B, peut être calculée d'après la différence de temps AT13 entre le signal d'émission (émission) de l'élément émetteur 111 et une valeur moyenne de temps T13 de signaux de réception (réception n 1 et réception n 3) des éléments récepteurs 112a et 112e, comme illustré sur la Fig. 4C. Ici, l'élément récepteur 112e reçoit une onde de réception n 3 et l'élément récepteur 112d reçoit une onde de réception n 4. AL sur la Fig. 4B représente une différence de trajet, qui est égale à d x cos (Oz). A l'aide des deux éléments récepteurs 112a, 112e, à gauche sur la Fig. 2, un azimuth Oz de l'obstacle 200 par rapport au plan horizontal par rapport au sol dans le plan perpendiculaire au sol comme représenté sur la Fig. 4B, peut être calculé d'après la différence de phase A013 entre le signal (réception n 1) de l'élément récepteur 112a et le signal (réception n 3) de l'élément récepteur 112e, comme illustré sur la Fig. 4C. De la sorte, avec le capteur 110 à ultrasons de la forme de réalisation, une distance et un azimuth de l'obstacle 200 par rapport au capteur 110 à ultrasons peuvent être déterminés à l'aide des distances Dx, Dz et des azimuths Ox, Oz. Le capteur 110 à ultrasons représenté sur les figures 1B et 2 peut être miniaturisé et son coût peut être rendu faible en comparaison du dispositif doté de l'élément émetteur (source de son ultrasonore) et l'élément récepteur formés séparément, car il est fabriqué avec l'élément émetteur d'ultrasons 111 et les éléments récepteurs 112 (112a à 112d) intégrés sur le même substrat 10 en semi-conducteur. De plus, le capteur 110 à ultrasons représenté sur la Fig. 1B et la Fig. 2 est à peine affecté par la précision du montage lorsqu'il est installé sur le pare- choc de l'automobile ou analogue, car la relation de position entre l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 (112a à 112d) est établie avec précision sur le substrat 10 en semi-conducteur. En outre, même si le nombre d'élément émetteur 111 et éléments récepteurs 112 formés sur le même substrat 10 en semiconducteur est accru, ou même si les dimensions de l'élément émetteur 111 et des éléments récepteurs 112 sont modifiées, le capteur 110 à ultrasons peut être modifié simplement en remplaçant un masque, aussi le coût de fabrication est-il sensiblement inchangé dans un capteur 110 à ultrasons ainsi obtenu. Bien que le capteur 110 à ultrasons représenté sur la Fig. 1B et la Fig. 2 ait quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d), il n'utilise qu'une combinaison de trois éléments récepteurs 112 (112a à 112c) pour la détection de l'obstacle (objet) 200, comme illustré sur les figures 4A à 4C. Ainsi, il utilise les deux éléments récepteurs 112a et 112b du haut de la Fig. 2 pour mesurer la distance Dx à l'obstacle 200 dans le plan X- Y parallèle au sol et l'azimuth Ox de l'obstacle 200 par rapport à l'axe X de la Fig. 4A; et il utilise les deux éléments récepteurs 112a et 112c, à gauche sur la Fig. 2, pour la distance Dz à l'obstacle 200 dans le plan perpendiculaire au sol et l'azimuth Oz de l'obstacle 200 par rapport au plan parallèle au sol, comme illustré sur la Fig. 4B. D'autre part, comme plus haut, la distance Dx à l'obstacle 200 dans le plan X-Y parallèle au sol et l'azimuth Ox de l'obstacle 200 par rapport à l'axe X de la Fig. 4A peuvent être mesurés à l'aide des deux éléments récepteurs 112e et 112d, en bas sur la Fig. 2; et la distance Dz à l'obstacle 200 dans le plan perpendiculaire au sol et l'azimuth Oz de l'obstacle 200 par rapport au plan parallèle au sol, comme illustré sur la Fig. 4B, peuvent être mesurés à l'aide des deux éléments récepteurs 112b et 112d, à droite sur la Fig. 2. Autrement dit, l'obstacle (objet) 200 peut être détecté à l'aide d'une combinaison des trois éléments récepteurs 112b à 112d. De la sorte, dans le capteur 110 à ultrasons comportant les quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d), les données concernant l'obstacle (objet) 200 mesurées par les deux types de combinaisons sont comparées, et si elles ne correspondent pas l'une à l'autre, on peut déterminer que l'un des quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d) fonctionne mal. De ce fait, le capteur 110 à ultrasons a la possibilité d'avoir un défaut de capacité de détection. Si un seul élément récepteur 112 fonctionne mal, l'obstacle (objet) 200 peut être détecté de la même manière que décrit plus haut à l'aide d'une combinaison de trois éléments récepteurs 112 autres que l'élément unique. Par conséquent, le capteur 110 à ultrasons peut également avoir un fonctionnement intrinsèquement sûr. Si le capteur 110 à ultrasons ne peut avoir que la fonction de détection d'anomalie de fonctionnement, cela est possible même avec trois éléments récepteurs 112 (112a à 112c). Ainsi, les données de l'obstacle (objet) 200 sont calculées d'après des données de combinaison des éléments récepteurs 112a et 112b, et des données de combinaison des éléments récepteurs 112a et 112c et des données de combinaison des éléments récepteurs 112b et 112e peuvent servir à contrôler des données de l'obstacle (objet) 200. Ainsi, un capteur 110 à ultrasons comportant les trois éléments récepteurs 112 (112a à 112e) peut avoir la fonction de détection d'anomalie de fonctionnement. Comme précédemment, dans le capteur 110 à ultrasons ayant au moins trois éléments récepteurs 112, même si un élément récepteur 112 est endommagé ou fonctionne mal, le capteur peut être conçu pour avoir la fonction de détection d'anomalie de fonctionnement en comparant les uns avec les autres des signaux d'autres éléments récepteurs 112. De plus, le capteur 110 à ultrasons, qui a au moins quatre éléments récepteurs 112, peut même avoir une capacité de fonctionnement intrinsèquement sûr. Ainsi, un capteur 110 à ultrasons ou un détecteur 100 d'obstacle, qui est peu coûteux et peut réagir à un défaut de fonctionnement résultant de la chute d'une goutte d'eau ou de l'adhérence de poussière, peut être obtenu. De plus, le capteur 110 à ultrasons représenté sur le Fig. 1B et sur la Fig. 2 peur être conçu de façon que l'élément émetteur 111 émette au moins deux ondes ultrasonores à des fréquences différentes en modifiant temporairement la fréquence d'un signal impulsionnel alterné appliqué à l'élément émetteur 111. Ainsi, le capteur 110 à ultrasons représenté sur la Fig. 1B et la Fig. 2 peut être conçu pour avoir une fonction de correction d'humidité par un traitement arithmétique simple. Pour émettre des ondes ultrasonores à fréquences différentes par un seul élément émetteur 111, les ondes ultrasonores à des fréquences différentes peuvent être émises en commandant la tension d'entrée avec des fréquences qui ne provoquent pas de résonance de la membrane M représentée sur la Fig. 3. La Fig. 5 est une vue servant à illustrer la fonction de correction d'humidité. La Fig. 5 est une vue représentant schématiquement un chronogramme d'un signal impulsionnel ultrasonore alterné émis par l'élément émetteur 111, et des signaux impulsionnels ultrasonores alternés reçus par les quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d) dans le cas où l'élément émetteur 111 du capteur 110 à ultrasons représenté sur la Fig. 1B et la Fig. 2 est conçu pour émettre deux types d'ondes ultrasonores à fréquences différentes fl et f2. Sur ce point, les équations ci-dessous expriment la perte d'atténuation P d'une onde ultrasonore et un coefficient d'absorption m de l'onde ultrasonore. P a e-mr (Formule n 1) m = (33 + 0,2 x T) x f2. x 10-12 + k Mf (Formule n 2) /27tf + x 105 (Formule n 3) P de la formule F1 représente une perte d'atténuation (c'est-à-dire une absorption d'onde acoustique), r représente une distance de propagation et m dans la formule F2 représente un coefficient d'absorption. M représente un coefficient, f représente une fréquence, T représente une température, GO représente une pression de vapeur saturante, G représente une pression atmosphérique totale et h représente une humidité. Lorsque l'élément émetteur 111 du capteur 110 à ultrasons émet l'onde ultrasonore à la fréquence fl et l'onde ultrasonore à la fréquence f2 tout en passant périodiquement de l'une à l'autre, comme illustré sur la Fig. 5A, les signaux de réception (réception 1 à réception 4) correspondant aux ondes ultrasonores à la fréquence fl et la fréquence f2 apparaissent respectivement dans les quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Une relation entre le signal impulsionnel alterné de l'élément émetteur 111 et les signaux impulsionnels alternés des éléments récepteurs 112 (112a à 112d) à la fréquence fl, et une relation entre le signal impulsionnel alterné de l'élément émetteur 111 et les signaux impulsionnels alternés des éléments récepteurs 112 (112a à 112d) à la fréquence f2 sont respectivement les mêmes sur la Fig. 4C. D'autre part, sur la Fig. 5, même si un niveau du signal impulsionnel alterné à la fréquence fl émis par l'élément émetteur 111 est le même que celui à la 35 fréquence f2, les niveaux des signaux impulsionnels alternés à la fréquence f2 reçus \ 1,3 k=1,92x /GOxh G, par les éléments récepteurs 112 (112a à 112d) sont fortement atténués en comparaison des niveaux des signaux impulsionnels ultrasonores alternés à la fréquence fl. Comme décrit dans les formules F1-F3 précitées, la perte d'atténuation P (coefficient d'absorption m) d'une onde ultrasonore dépend de la fréquence f de l'onde ultrasonore, et l'atténuation augmente avec l'augmentation de fréquence f d'une onde ultrasonore. De plus, la perte d'atténuation P (coefficient d'absorption m) de l'onde ultrasonore a une valeur qui dépend non seulement de la fréquence, mais encore de la température T et de l'humidité h du milieu de propagation. Sur ce point, une valeur de la fréquence f de l'onde ultrasonore est préalablement établie pour chacun des élément émetteur 111 et éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Lorsque le capteur à ultrasons 110 est destiné à servir dans un véhicule, la température T du milieu de propagation peut être mesurée par un capteur de température ambiante ou analogue. En revanche, pour l'humidité h du milieu de propagation, il n'existe aucun capteur d'humidité approprié qui puisse être monté à l'extérieur du véhicule. Cependant, sur la Fig. 5, puisque l'onde ultrasonore est mesurée à l'aide des deux types de fréquences fl et f2, l'humidité h peut être calculée à posteriori d'après la différence de coefficient d'atténuation entre elles. L'humidité calculée h sert à corriger l'humidité en fonctionnement qui est préalablement établie pour le capteur 110 à ultrasons, grâce à quoi le capteur 110 à ultrasons peut être doté d'une fonction de correction d'humidité. Ainsi, on peut obtenir un capteur 110 à ultrasons peu coûteux et pouvant s'adapter à une difficulté liée à une dégradation de la précision de détection par suite d'un changement d'humidité, ainsi qu'un détecteur 100 d'obstacle comportant un capteur 110 à ultrasons. Lorsque le capteur 110 à ultrasons peut, comme ci-dessus, avoir la fonction de correction d'humidité, au moins deux éléments émetteurs 111 sont de préférence prévus. Dans ce cas, à la différence d'un cas où un seul élément émetteur 111 est utilisé, chacun des éléments émetteurs 111 peut émettre une onde ultrasonore à valeur Q élevée à une fréquence différente au moyen de la fréquence de résonance de la membrane M représentée sur la Fig. 3B. Les figures 6A à 6B représentent un tel capteur 110 à ultrasons. La Fig. 6A est une vue en plan du capteur 110 à ultrasons, prise de dessus, et la Fig. 6B est une vue représentant schématiquement un chronogramme de signaux impulsionnels ultrasonores alternés émis par deux éléments émetteurs 111 (111a, 1 llb) et de signaux impulsionnels ultrasonores alternés reçus par les quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Le capteur 110 à ultrasons représenté sur la Fig. 6A peut émettre en même temps, comme représenté sur la Fig. 6B, des ondes ultrasonores ayant deux types de fréquences fl et f2, à l'aide des deux éléments émetteurs 111 (11la, 11 lb) qui émettent des ondes ultrasonores à des fréquences différentes fl et f2. Ainsi, la correction tenant compte du mouvement d'une automobile ou autres est inutile. Puisque les ondes ultrasonores aux fréquences différentes fl et f2 ont la même vitesse de propagation, les ondes réfléchies atteignent en même temps les éléments récepteurs respectifs 112 (112a à 112d). Par conséquent, une analyse de fréquence permettant de décomposer des signaux de réception des éléments récepteurs respectifs 112 (112a à 112d) à composantes de fréquences fl et f2 est nécessaire. La Fig. 7 est une vue en plan, prise de dessus, représentant une variante du capteur 110 à ultrasons. Dans le capteur 110 à ultrasons représenté sur la Fig. 7, un seul élément émetteur 111 est situé au centre et huit éléments récepteurs 112 (112a à 112h) englobent le pourtour de l'élément émetteur. Lorsqu'on a de la sorte un élément émetteur 111 et des nombres pairs d'éléments récepteurs 112, il est préférable que les éléments récepteurs 112 englobent l'élément émetteur 111 et soient disposés par deux dans des positions symétriques par rapport à l'élément émetteur 111. Ainsi, dans les éléments récepteurs 112 disposés par deux dans les positions symétriques par rapport à l'élément récepteur 111, la pression sonore d'onde ultrasonore, qui ont été émises par l'élément émetteur 111, puis réfléchies par un obstacle et renvoyées, peuvent être approximativement égalisées. Par conséquent, une détection et une mesure précises de l'obstacle peuvent être effectuées. Les capteurs 110 à ultrasons présentés plus haut sont conçus de façon à être petits, peu coûteux et peu influencés par la précision de montage lorsqu'ils sont installés sur le pare-choc de l'automobile ou analogue, et pour pouvoir supprimer la difficulté posée par la dégradation de la précision de détection par suite de l'adhérence de la goutte d'eau ou de poussière et de variations d'humidité. Par conséquent, les capteurs sont utilisés de préférence pour le détecteur 100 d'obstacle destiné à servir dans un véhicule. Dans le capteur 110 à ultrasons du détecteur 100 d'obstacle selon la forme de réalisation, le nombre d'éléments émetteurs 111 et d'éléments récepteurs 112 intégrés sur le même substrat 10 en semi-conducteur n'est pas limité à ceux des exemples ci-dessus. Le capteur peut comporter au moins un élément émetteur 111 et au moins deux éléments récepteurs 112. Une augmentation du nombre d'éléments récepteurs 112 permet d'obtenir des informations avec une plus grande résolution. Le nombre d'éléments émetteurs 111 peut également être accru pour être d'au moins deux. Ainsi, la pression sonore d'une onde ultrasonore à émettre peut être accrue, ou la directivité de l'onde peut être maîtrisée. Lorsque l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 sont formés sur le même substrat 10 en semi-conducteur, un signal d'émission peut être appliqué à un élément récepteur, en provoquant un bruit, cependant la forme de réalisation utilise une configuration dans laquelle les éléments récepteurs 112 sont en réseau, si bien qu'un signal émis est reçu par plusieurs éléments récepteurs 112 et est ainsi annulé. Ainsi, un obstacle proche 200 peut être détecté à l'aide d'un signal à rapport S/B plus grand. Dans la forme de réalisation, un capteur 110 à ultrasons, de type piézoélectrique, utilisant un matériau piézoélectrique, a été décrit. Cependant, un capteur 110 à ultrasons du type capacitif, qui détecte un changement de capacité entre des électrodes, ou un capteur 110 à ultrasons de type piézoélectrique détectant le signal de sortie d'un instrument de mesure par pression peut être utilisé en plus du type piézoélectrique. En outre, on peut employer un capteur 110 à ultrasons résultant d'une combinaison de ces types. Dans la forme de réalisation a été présenté un exemple dans lequel l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 servant à constituer le capteur 110 à ultrasons, et l'élément photodétecteur 121 servant à constituer le capteur 120 d'image sont formés dans différentes régions du même substrat 10 en semi-conducteur. Cependant, comme représenté sur les Fig. 8A à 8B, au moins une partie de l'élément photodétecteur 121 peut être formée sur la membrane M. On peut ainsi utiliser une configuration dans laquelle une zone pour la formation de l'élément émetteur 111 et des éléments récepteurs 112 est chevauchée par au moins une partie d'une zone pour la formation de l'élément photodétecteur 121 dans la direction du plan du substrat 10 en semiconducteur. Les figures 8A à 8B sont des vues illustrant une variante du détecteur 100 d'obstacle, la Fig. 8A étant une vue en coupe transversale et la Fig. 8B une vue dans le plan prise de dessus. Sur la Fig. 8, le logement 130 n'est pas représenté. Dans une telle configuration, puisqu'une zone de formation de capteurs peut 35 être réduite, le détecteur 100 d'obstacle peut être encore plus miniaturisé. A ce stade, il faut prendre des précautions particulières pour empêcher une réduction de la puissance d'émission ou de la sensibilité de réception par suite de la formation de l'élément photodétecteur 121 sur la membrane M. Bien qu'ait été représenté un exemple dans lequel les oscillateurs piézoélectriques 20 servant à constituer l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 ont été formés au dos d'une surface sur laquelle les éléments photodétecteurs 121 ont été formés comme représenté sur la Fig. 8A, on peut les former sur la même surface (par exemple, une surface servant à la constitution des éléments photodétecteurs 121, comme représenté sur la Fig. 8A). Dans ce cas, la connexion électrique à un moyen formant circuit de traitement et autres se trouve facilitée. Sur la Fig. 8B a été représenté un exemple dans lequel les éléments photodétecteurs 121 ont été formés à des emplacements correspondant à des zones respectives de formation des quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Dans une telle configuration, il est possible d'empêcher une oscillation d'être transmise à un autre élément récepteur 112 par l'intermédiaire de l'élément photodétecteur 121. De ce fait, la précision de la détection peut être améliorée. Cependant, un seul élément photodétecteur 121 peut être formé dans une même zone d'une manière couvrant toutes les zones de formation des éléments récepteurs 112. En outre, en plus des éléments récepteurs 112, l'élément photodétecteur 121 peut être formé sur la membrane M servant à la formation de l'élément émetteur 111. (Seconde forme de réalisation) On va maintenant décrire, en référence à la Fig. 9, une seconde forme de réalisation de l'invention. La Fig. 9 est une vue en plan prise de dessus, représentant une configuration schématique du détecteur 100 d'obstacle selon la forme de réalisation. Sur la Fig. 9, par commodité, le logement n'est pas représenté. Puisque le détecteur 100 d'obstacle selon la seconde forme de réalisation présente de nombreux points en communs avec ceux de la première forme de réalisation, les parties communes ne seront pas décrites en détail ciaprès et seules les parties différentes seront décrites. Comme représenté sur la Fig. 9, le détecteur 100 d'obstacle selon la forme de réalisation utilise une configuration ayant, comme système de détection, au moins un capteur 140 d'infrarouges servant à détecter des rayons infrarouges émanant d'un obstacle, à la place du capteur 120 d'image représenté pour la première forme de réalisation. De la sorte, avec le détecteur 100 d'obstacle, le capteur 140 d'infrarouges, qui a une portée de détection au moins partiellement différente de la portée de détection du capteur 110 à ultrasons, est disposé avec le capteur 110 à ultrasons dans un même logement (non représenté). Ainsi, plusieurs capteurs 110 et 140, capables de détecter l'obstacle et ayant des portées de détection différentes, sont réunis l'un avec l'autre et se présentent donc sous la forme d'un seul dispositif 100. De la sorte, on obtient un détecteur 100 d'obstacle petit et peu coûteux qui est conçu pour pouvoir détecter un obstacle sur une plus grande portée. Dans la forme de réalisation, le capteur 110 à ultrasons et le capteur 140 d'infrarouges sont formés sur le même substrat 10 en semi-conducteur tel que le substrat en silicium. Ainsi, puisque le capteur 110 à ultrasons et le capteur 140 d'infrarouges se présentent sous la forme d'une seule puce, on obtient un détecteur 100 d'obstacle encore plus petit et moins coûteux. En outre, le capteur 110 à ultrasons peut détecter un obstacle faiblement éloigné et le capteur 140 d'infrarouges peut détecter un obstacle lointain. Par conséquent, le détecteur d'obstacle peut détecter un obstacle sur une grande portée. Puisque le capteur 110 à ultrasons et le capteur 140 d'infrarouges peuvent détecter un obstacle de nuit, un détecteur 100 d'obstacle à usage nocturne peut être réalisé. Les infrarouges émanant d'un obstacle peuvent être des infrarouges émis par l'obstacle ou des infrarouges réfléchis par l'obstacle. Le capteur utilise un capteur 140 d'infrarouges à thermopile comprenant comme élément de détection d'infrarouges un thermocouple 141 qui produit un signal électrique d'après la variation de température survenant au moment où l'élément reçoit un rayon infrarouge, et un film 142 d'absorption d'infrarouges qui couvre au moins partiellement le thermocouple 141. Une configuration du capteur 140 d'infrarouges est décrite dans la technique antérieure par le demandeur dans JPA-2002-365 140. Cependant, la configuration du capteur 140 d'infrarouges ne se limite pas à celle de l'exemple. Dans la forme de réalisation, le dispositif comporte une source 150 de lumière infrarouge qui irradie des infrarouges en provoquant un dégagement de chaleur par une résistance 151 qui sert de système de détection en plus du capteur 140 d'infrarouges. De la sorte, un obstacle réfléchit un rayonnement infrarouge émis par la source 50 de lumière infrarouge, et le capteur 140 d'infrarouges détecte la lumière réfléchie, l'obstacle pouvant de ce fait être détecté. La source 150 de lumière infrarouge est également formée sur le même substrat 10 en semi- conducteur. Ainsi, puisqu'une relation de position entre la source 150 de lumière infrarouge et le capteur 140 d'infrarouges peut être établie avec précision sur le substrat, le dispositif est à peine influencé par la précision du montage. De plus, le détecteur 100 d'obstacle peut être encore plus miniaturisé. Un repère M sur la Fig. 9 désigne des membranes servant à constituer respectivement le capteur 140 d'infrarouges et la source 150 de lumière infrarouge. Ci-dessus a été présenté un exemple dans lequel le capteur 140 d'infrarouges et la source 150 de lumière infrarouge sont formés dans des zones différentes d'une zone servant à la formation du capteur 110 à ultrasons. Cependant, il est possible d'utiliser une configuration dans laquelle une zone pour la formation du capteur 110 à ultrasons est au moins partiellement chevauchée par une zone pour la formation du capteur 140 d'infrarouges et de la source 150 de lumière infrarouge dans la direction du plan du substrat 10 en semi-conducteur. Par exemple, comme représenté sur les figures 10A et 10B, il est admissible que la source 150 de lumière infrarouge soit formée sur l'élément émetteur 111 et que les capteurs 140 d'infrarouges soient respectivement formés à des emplacements correspondant aux zones de formation des quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Dans une telle configuration, puisque la zone de formation des capteurs peut être réduite, le détecteur 100 d'obstacle peut être encore miniaturisé. De plus, comme plusieurs capteurs 140 d'infrarouges sont présents, la précision de la détection peut être améliorée. Les figures 10A à 10B sont des vues illustrant une variante du détecteur 100 d'obstacle présenté dans la forme de réalisation, la Fig. 10A étant une vue en coupe transversaleet la Fig. 10B étant une vue en plan prise de dessus. Sur la Fig. 10, par commodité, le logement 130 n'est pas représenté. I1 convient de prendre les précautions particulières pour éviter une diminution de la puissance d'émission ou de la sensibilité de réception par suite de la formation du capteur 140 d'infrarouges ou de la source 150 de lumière infrarouge sur la membrane M servant à la formation de l'élément émetteur 111 et des éléments récepteurs 112. Il a été présenté un exemple dans lequel les oscillateurs piézoélectriques 20 servant à constituer l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 étaient formés au dos d'une surface employée pour la constitution des capteurs 140 d'infrarouges ou de la source 150 de lumière infrarouge, comme représenté sur les figures 10A et IOB. Cependant, les uns et les autres peuvent être formés sur la même surface (par exemple, une surface servant à constituer les capteurs 140 d'infrarouges, comme représenté sur la Fig. 10A). Dans ce cas, la connexion électrique à un moyen formant circuit de traitement et autres se trouve facilitée. (Troisième forme de réalisation) En référence à la Fig. 11, on va maintenant décrire une troisième forme de réalisation de l'invention. La Fig. 11 est une vue en perspective représentant une configuration schématique d'un détecteur 100 d'obstacle selon la forme de réalisation. Sur la Fig. 11, par commodité, un logement n'est représenté que partiellement. Comme le détecteur 100 d'obstacle selon la troisième forme de réalisation présente de nombreux points en commun avec ceux de la première ou de la deuxième forme de réalisation, les parties communes ne seront pas décrites en détail ci-après et seules seront décrites les parties différentes. Comme représenté sur la Fig. 11, le détecteur 100 d'obstacle utilise un système de radar 160 comportant un élément générateur de laser 161 qui génère une onde d'émission, et un élément de détection à laser 162, dans lequel, lorsque l'élément reçoit une onde réfléchie par un obstacle, il produit un signal électrique correspondant à l'intensité de l'onde réfléchie, ce système de détection remplaçant le capteur 120 d'image présenté à propos de la première forme de réalisation. De la sorte, avec le détecteur 100 d'obstacle, le système de radar 160 ayant une portée de détection qui est au moins partiellement différente de la portée de détection du capteur 110 à ultrasons, est disposé conjointement avec le capteur 110 à ultrasons dans un même logement (non représenté). Ainsi, plusieurs capteurs 110 et 160, capables de détecter l'obstacle et ayant des portées de détection différentes, sont réunis les uns avec les autres et se présentent donc sous la forme d'un seul dispositif 100. On obtient donc un détecteur 100 d'obstacle petit et peu coûteux qui est conçu de façon à pouvoir détecter un obstacle sur une grande portée. Dans la forme de réalisation, l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 (112a à 112d) servant à constituer le capteur 110 à ultrasons et l'élément générateur de laser 161 et l'élément détecteur à laser 162 servant à constituer le système de radar 160 sont formés sur le même substrat 10 en semi-conducteur tel qu'un substrat en silicium. De la sorte, puisque le capteur 110 à ultrasons et le système de radar 160 se présentent sous la forme d'une seule puce, on obtient un détecteur 100 d'obstacle encore plus miniaturisé et moins coûteux. En outre, le capteur 110 à ultrasons peut détecter un obstacle peu éloigné et le système de radar 160 peut détecter un obstacle lointain. Par conséquent, le détecteur d'obstacle peut détecter un obstacle sur une grande portée. Pour l'élément générateur de laser 161, on peut utiliser un élément classique à laser à semi-conducteur tel qu'un élément à laser à base de GaAs et, pour l'élément de détection à laser 162, on peut utiliser une photodiode. Lorsque l'élément générateur de laser 161 est formé sur le même substrat 10 en semi-conducteur que celui sur lequel ont été formés l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112, des matières hétérogènes combinables, par exemple, par hétéroépitaxie sont choisies et utilisées pour le substrat 10 en semi-conducteur et l'élément générateur de laser 161, grâce à quoi ils peuvent être intégrés. En outre, un élément générateur de laser 161 formé séparément peut être monté sur le substrat 10 en semi-conducteur. Comme représenté sur les figures 8A à 8B, au moins une partie de l'élément détecteur à laser 62 peut être formée sur la membrane M servant à constituer l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112. Ainsi, comme représenté sur la Fig. 12, on peut utiliser une configuration dans laquelle une zone servant à la constitution de l'élément émetteur 111 et des éléments récepteurs 112 est chevauchée par au moins une partie d'une zone servant à la constitution des éléments détecteurs à laser 162 dans la direction du plan du substrat 10 en semi-conducteur. La Fig. 12 est une vue en plan prise de dessus, illustrant une variante du détecteur 100 d'obstacle selon la forme de réalisation, sur laquelle, par commodité, le logement 130 n'est pas représenté. Dans une telle configuration, puisque qu'une zone de formation de capteurs peut être réduite, le détecteur 100 d'obstacle peut être encore plus miniaturisé. A ce stade, il convient de prendre les précautions particulières pour empêcher une diminution de la puissance d'émission ou de la sensibilité de réception du fait de la formation de l'élément détecteur à laser 162 sur la membrane M. Les oscillateurs piézoélectriques 20 servant à constituer l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 peuvent être formés sur la même surface que celle utilisée pour constituer les éléments détecteurs à laser 162 ou peuvent être formés au dos. Sur la Fig. 12 a été représenté un exemple dans lequel les éléments détecteurs à laser 162 ont été formés à des emplacements correspondant à des zones respectives de formation des quatre éléments récepteurs 112 (112a à 112d). Dans une telle configuration, il est possible d'empêcher la transmission d'une oscillation à un autre élément récepteur 112 par l'intermédiaire de l'élément détecteur à laser 162. De ce fait, la précision de détection peut être améliorée. Cependant, un seul élément détecteur à laser 162 peut être formé sur une même zone de manière à couvrir toutes les zones de formation des éléments récepteurs 112. De plus, l'élément détecteur à laser 162 peut être formé sur une membrane M servant à constituer l'élément émetteur 111 en plus des éléments récepteurs 112. Dans la forme de réalisation a été présenté un exemple dans lequel l'élément générateur de laser 161 et l'élément détecteur à laser 162 ont constitué le système de radar 160. Cependant, à la place de la configuration ci-dessus, on peut employer une configuration consistant à avoir un élément générateur d'ondes millimétriques et un élément détecteur d'ondes millimétriques. Bien que des formes de réalisation préférées de l'invention aient été décrites ci-dessus, l'invention n'est nullement limité aux formes de réalisation décrites et peut être mise en oeuvre dans diverses variantes. Pour les systèmes de détection, en plus des configurations présentées dans les formes de réalisation, n'importe quelles autres configurations peuvent être employées si elles ont une portée de détection au moins partiellement différente de la portée de détection du capteur 110 à ultrasons et si elles peuvent détecter un obstacle dans les limites de la portée de détection. En outre, le capteur 110 à ultrasons, le capteur 120 d'image, le capteur 140 d'infrarouges, la source 150 de lumière infrarouge et le système de radar 160 présentés dans les formes de réalisation ne constituent chacun qu'un aspect de celles-ci. Si chacun d'eux peut être disposé dans le logement 130 et peut en outre de préférence être agencé sur le même substrat que celui de l'élément émetteur 111 et de éléments récepteurs 112 servant à constituer le capteur 110 à ultrasons, il est plus acceptable. En outre, comme représenté sur la Fig. 13, il est possible d'employer une configuration dans laquelle l'élément émetteur 111 et les éléments récepteurs 112 servant à constituer le détecteur 110 à ultrasons, et d'autres systèmes de détection (par exemple, l'élément photodétecteur 121 du capteur 120 d'image) sont formés respectivement sur des substrats séparés, puis les substrats respectifs sont disposés sur un substrat commun (par exemple, la carte 11 de circuit), puis le substrat commun est disposé dans le même logement 130. La Fig. 13 est une vue en plan prise de dessus, illustrant une variante du détecteur d'obstacle. Revendications 1. Détecteur d'obstacle servant à détecter un obstacle (200), comprenant: un capteur (110) à ultrasons servant à détecter l'obstacle (200) sur une première portée, le capteur (110) à ultrasons comprenant un substrat (10), un dispositif émetteur (111, 111a, lllb) servant à émettre une onde ultrasonore en convertissant un signal électrique, et un dispositif récepteur (112, 112a-112h) servant à recevoir l'onde ultrasonore et à convertir l'onde ultrasonore en signal électrique, et le dispositif émetteur (111, 11la, lllb) et le dispositif récepteur (112, 112a-112h) étant disposés sur le substrat (10) ; un élément de détection (120, 140, 160) servant à détecter l'obstacle (200) sur une seconde portée; et un boîtier (12), dans lequel: le dispositif récepteur (112, 112a-112h) comporte de multiples éléments récepteurs (112, 112a-112h), au moins une partie de la première portée du capteur (110) à ultrasons est différente de la seconde portée de l'élément de détection (120, 140, 160), et le capteur (110) à ultrasons et l'élément de détection (120, 140, 160) sont disposés dans le boîtier (12). 2. Détecteur d'obstacle selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément de détection (120, 140, 160) est disposé sur le substrat (10) du capteur (110) à ultrasons. 3. Détecteur d'obstacle selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dispositif récepteur (112, 112a-112h) comporte au moins trois éléments récepteurs (112, 112a-112h). 4. Détecteur d'obstacle selon la revendication 3, caractérisé en ce que le dispositif de réception (112, 112a-112d) comporte quatre éléments récepteurs (112, 112a-112d). 5. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le dispositif émetteur (111, 11la, 11 lb) émet de multiples ondes ultrasonores dont chacune a une fréquence différente. 6. Détecteur d'obstacle selon la revendication 5, caractérisé en ce que le dispositif émetteur (111, 11la, 11 lb) comporte de multiples éléments émetteurs (111, 111a, ll lb) dont chacun correspond respectivement aux différentes fréquences. 7. Détecteur d'obstacle selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dispositif émetteur (111, 11 la, ll lb) comporte deux éléments émetteurs (111a, lllb). 8. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat (10) comporte de multiples membranes (M) dont chacune correspond au dispositif émetteur (111) ou au dispositif récepteur (112, 112a-112d), et le dispositif émetteur (111) et le dispositif récepteur (112, 112a-112d) sont disposés chacun respectivement sur la membrane (M). 9. Détecteur d'obstacle selon la revendication 8, caractérisé en ce que chacun des dispositif émetteur (111) et dispositif récepteur (112, 112a112d) est un vibreur piézoélectrique à fréquence de résonance prédéterminée dans une plage de fréquences ultrasonores, et le vibreur piézoélectrique, ainsi que la membrane (M), résonnent à la fréquence de résonance prédéterminée. 10. Détecteur d'obstacle selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que l'élément de détection (120, 140, 160) comporte au moins une partie qui est disposée sur la membrane (M). 11. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'élément de détection (120, 140, 160) est un capteur (120) d'image comportant de multiples éléments optiques de détection (121) et une lentille (122), les éléments optiques de détection (121) sont disposés de façon à constituer un motif prédéterminé en deux dimensions afin que chaque élément optique de détection (121) constitue un pixel, chaque élément optique de détection (121) est apte à produire un signal électrique correspondant à une intensité d'une lumière qui est introduite dans l'élément optique de détection (121), et la lentille (122) introduit la lumière dans l'élément optique de détection (121), la lumière entrant dans la lentille (122) avec une plage angulaire prédéterminée. 12. Détecteur d'obstacle selon la revendication 11, caractérisé en ce que le boîtier (12) comporte une ouverture, et la lentille (122) est montée sur le boîtier (12) d'une manière telle que la lentille (122) couvre l'ouverture du boîtier (12). 13. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'élément de détection (140) comporte un capteur (140) de lumière infrarouge servant à détecter une lumière infrarouge émise depuis l'obstacle (200). 14. Détecteur d'obstacle selon la revendication 13, caractérisé en ce que le capteur (140) de lumière infrarouge comporte un élément de détection (141) de lumière infrarouge et un film d'absorption (142) de lumière infrarouge, l'élément de détection (141) de lumière infrarouge produit un signal électrique d'après un changement de température lorsque l'élément de détection (141) de lumière infrarouge reçoit la lumière infrarouge, et le film d'absorption (142) de lumière infrarouge couvre au moins une partie de l'élément de détection (141) de lumière infrarouge. 15. Détecteur d'obstacle selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que l'élément de détection (140) comporte en outre une source (150) de lumière 20 infrarouge servant à émettre la lumière infrarouge par chauffage d'une résistance dans la source (150) de lumière infrarouge. 16. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'élément de détection (160) comprend un générateur (161) d'ondes 25 millimétriques et un détecteur (162) d'ondes millimétriques, le générateur (161) d'ondes millimétriques génère une onde d'émission, l'onde d'émission est réfléchie par l'obstacle (200) afin qu'une onde de réflexion soit produite, et le détecteur (162) d'ondes millimétriques détecte l'onde de réflexion et 30 produit un signal électrique correspondant à une intensité de l'onde de réflexion. 17. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'élément de détection (160) comporte un générateur (161) de laser et un détecteur (162) à laser, le générateur (161) de laser génère une onde d'émission, l'onde d'émission est réfléchie par l'obstacle (200) de façon qu'une onde de réflexion soit produite, et le détecteur (162) à laser détecte l'onde de réflexion et produit un signal électrique correspondant à une intensité de l'onde de réflexion. 18. Détecteur d'obstacle selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la première portée du capteur (110) à ultrasons est une courte portée de détection, pour détecter un obstacle faiblement éloigné du capteur (110) à ultrasons, et la seconde portée de l'élément de détection (120, 140, 160) est une longue portée de détection, pour détecter un obstacle lointain, éloigné de l'élément de détection (120, 140, 160).