Brevet FR2886940A1 — publié le 20061215

DISPOSITIFS D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE POUR LES FABRIQUER Arrière plan de l'invention Domaine de l'invention La présente invention a trait à un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD), et plus précisément à des dispositifs d'affichage à cristaux liquides et à un procédé pour les fabriquer. Bien que la présente invention soit appropriée à un large éventail d'applications, elle est particulièrement appropriée à une couche d'alignement pour l'alignement initial de molécules de cristaux liquides dans une couche de cristaux liquides d'un dispositif LCD. Présentation de l'état de la technique (technique apparentée) Parmi les dispositifs à écran plat ultra-mince ayant un écran d'une épaisseur de quelques centimètres seulement, les dispositifs LCD sont très utilisés en tant que moniteurs pour ordinateurs portables, télévisions, vaisseaux spatiaux et avions en raison des caractéristiques de l'écran à cristaux liquides, à savoir une basse tension d'entrée, une faible consommation d'énergie et un poids léger. Généralement, un dispositif LCD comprend un substrat de filtre coloré sur lequel sont formées des couches de filtre coloré, un substrat de transistor à couches minces en vis-à-vis avec le substrat de filtre coloré et sur lequel sont formés des transistors à couches minces, ainsi qu'une couche de cristaux liquides formée entre ces substrats. Dans un tel dispositif LCD, l'alignement des molécules de cristaux liquides dans la couche de cristaux liquides est modifié en appliquant une tension afin d'ajuster la transmittance, permettant ainsi de produire une image. Par exemple, des électrodes sont formées sur le substrat de transistor à couches minces et/ou sur le substrat de filtre coloré pour l'application de la tension de telle manière qu'une électrode de pixel se trouve sur le substrat de transistor à couches minces et qu'une électrode commune se trouve sur le substrat de filtre coloré de façon à produire un champ électrique vertical entre les deux substrats, tel qu'un mode nématique en hélice (TN) . Dans un autre exemple, l'électrode de pixel et l'électrode commune sont parallèles l'une à l'autre sur le substrat de transistor à couches minces de façon à produire un champ électrique horizontal, tel qu'un mode de commutation dans le plan (IPS). La figure 1 est une vue en perspective éclatée illustrant un dispositif LCD à mode TN de l'état de la technique (technique apparentée). Comme le montre la figure 1, un substrat de transistor à couches minces 10 comprend une ligne de grille 12, une ligne de données 14 croisant la ligne de grille 12, un transistor à couches minces T formé à côté de l'intersection entre la ligne de grille 12 et la ligne de 1\1] RSCH6\BREVETS\Brevets\25300125380-060602-tradrXT doc - 5 juin 2006 - 1/33 données 14, et une électrode de pixel 16 connectée au transistor à couches minces T. Un substrat de filtre coloré 20 comprend une couche faisant écran à la lumière (ou matrice noire) 22, des couches de filtre coloré rouge, vert et bleu 24 formées dans la couche faisant écran à la lumière 22 et une électrode commune 25 formée sur les couches de filtre coloré 24. Le substrat de transistor à couches minces 10 et le substrat de filtre coloré 20 sont liés l'un à l'autre afin de former un écran à cristaux liquides. Une couche de cristaux liquides (non représentée) composée de molécules de cristaux liquides est formée entre les substrats 10 et 20. Lorsqu'un champ électrique vertical est produit entre l'électrode de pixel 16 sur le substrat de transistor à couches minces 10 et l'électrode commune 25 sur le substrat de filtre coloré 20, un réalignement ou une réorientation des molécules de cristaux liquides (non représenté) a lieu entre le substrat de transistor à couches minces 10 et le substrat de filtre coloré 20. Si les molécules de cristaux liquides sont disposées de manière aléatoire entre les substrats 10 et 20, il est difficile de parvenir à un arrangement homogène des molécules dans la couche de cristaux liquides. Ainsi, bien qu'elle ne soit pas représentée sur les dessins, une couche d'alignement pour l'alignement initial des molécules de cristaux liquides est formée sur le substrat de transistor à couches minces 10 et/ou sur le substrat de filtre coloré 20. Des exemples de procédé de formation d'une couche d'alignement pour l'alignement initial des cristaux liquides comprennent un procédé d'alignement par frottement et un procédé de photoalignement. Dans le procédé d'alignement par frottement, après qu'un polymère organique, tel qu'un polyimide, a été déposé en couche mince sur un substrat, un rouleau de frottement revêtu d'une toile de frottement est mis en rotation pour frotter le poly- mère organique. Un tel frottement arrange le polymère organique dans une direction constante. Toutefois, le procédé d'alignement par frottement présente les inconvénients suivants. Premièrement, si la disposition de la toile de frottement est désorganisée, un problème de fuite de lumière peut se poser. La figure 2 est une vue schématique en perspective illustrant une toile de frottement désorganisée. Une partie 32a de la toile de frottement 32 entourant le rouleau de frottement 30 peut être désorganisée lorsque le rouleau de frottement 30 tourne sur la structure formée sur le substrat IO ou 20, comme le montre la figure 2. De ce fait, lorsque la disposition de la toile de frotte-ment est désorganisée, les chaînes du polymère organique dans une région frottée par la toile de frottement désorganisée ne peuvent pas être alignées, ce qui entraîne une fuite de lumière dans cette région en raison de l'alignement irrégulier des molécules de cristaux liquides. \\HIRSCH6\13REVETS\Brevets125300\25380-060602-iradTYT. doc - 5juin 2006 2.'33 Deuxièmement, si la toile de frottement ne parvient pas à venir au contact du substrat, le problème de fuite de lumière peut se poser. La figure 3 est une vue en coupe droite illustrant la toile de frottement ne parvenant pas à venir au contact du substrat. Comme décrit ci-dessus, les couches d'électrode, telle que l'électrode de pixel et l'électrode commune, sont formées sur les substrats. Ainsi, comme le montre la figure 3, la toile de frottement 32 ne parvient pas à venir au contact du substrat dans une région A en raison d'un palier sur le substrat 10. Dans ce cas, l'alignement des molécules de cristaux liquides est irrégulier dans la région A, induisant ainsi le problème de fuite de lumière. Dans le dispositif LCD à mode TN, étant donné que Io l'électrode de pixel et l'électrode commune sont respectivement formées dans des régions de pixel sur des substrats différents, il ne risque pas d'y avoir beaucoup de régions sur lesquelles sont formés des paliers. Toutefois, dans le dispositif LCD à mode IPS, étant donné que l'électrode de pixel et l'électrode commune sont formées de manière répétitive en parallèle dans des régions de pixels sur le substrat, il y a beaucoup de régions sur lesquelles sont formés des paliers, si bien que le problème de fuite de lumière devient grave. Les problèmes susmentionnés dans le procédé d'alignement par frottement sont dus au mécanisme pour établir un contact physique entre le rouleau de frottement et le substrat. Récemment, pour résoudre ces problèmes Iiés au procédé d'alignement par frottement, différentes études ont été menées pour proposer un procédé de fabrication d'une couche d'alignement qui ne nécessite pas de contact physique. En particulier, au lieu d'utiliser le procédé d'alignement par frottement, l'utilisation d'un procédé de photoalignement, dans lequel une couche d'alignement est produite en irradiant un film polymère aux rayons ultraviolets (UV) polarisés a été proposée. Afin d'aligner les molécules de cristaux liquides, la couche d'alignement doit posséder une structure anisotrope, laquelle peut être formée en faisant réagir le film polymère de manière anisotrope avec les rayons UV polarisés. Bien que le procédé de photo-alignement puisse résoudre les problèmes décrits ci-dessus liés au procédé d'alignement par frottement décrit précédemment, le procédé de photo-alignement comporte un grave problème en ce que son énergie d'ancrage est faible. Plus précisément, avec le procédé d'alignement par frottement, étant donné que les chaînes du polymère organique sont arrangées dans une direction constante comme décrit ci-dessus et que des rainures sont formées de manière régulière sur la surface du substrat par frottement, l'alignement des molécules de cristaux liquides est commandé par une interaction mécanique entre les rainures et les cristaux liquides ainsi que par une interaction chimique entre les chaînes et les molécules de cristaux liquides. Dans le procédé de photo-alignement, l'alignement des cristaux liquides n'est régi que par l'interaction chimique entre les chaînes et les l\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc - 5juin 2006 3/33 molécules de cristaux liquides sans former de rainures sur la surface du film d'alignement. En conséquence, comparé au procédé d'alignement par frottement, le procédé de photo-alignement a une énergie d'ancrage plus faible envers les molécules de cristaux liquides et induit ainsi un problème d'image rémanente. En fonction du type de réaction entre la matière d'alignement et les rayons UV, le procédé de photo-alignement peut consister en une réaction de photodécomposition ou en une réaction de photodimérisation. La figure 4 illustre un procédé de photo-alignement selon une technique apparentée utilisant une réaction de photo-décomposition. Dans la réaction de photodécomposition, comme le montre la figure 4, lorsque les rayons UV polarisés irradient la couche d'alignement polymère, la liaison entre les chaînes Iatérales situées dans une direction polarisée est décomposée et il ne reste alors que les chaînes latérales verticales par rapport à la direction polarisée, permettant ainsi un alignement des molécules de cristaux liquides dans cette direction. Le problème de l'image rémanente due au procédé de photo-alignement est grave dans la mesure où ce procédé ne peut pas être mis en oeuvre sur des lignes de production à grande échelle. En revanche, le procédé d'alignement par frottement est utilisé pour une production à grande échelle malgré les problèmes de fuite de lumière. On cherche donc à mettre au point un procédé d'alignement initial des molé- cules de cristaux liquides qui puisse résoudre ou minimiser les problèmes liés au procédé d'alignement par frottement et au procédé de photo-alignement selon l'état de la technique (technique apparentée). Résumé de l'invention Ainsi, la présente invention a trait à un dispositif LCD et à un procédé pour le fabriquer, qui évitent de manière significative un ou plusieurs problèmes dus aux limites et aux inconvénients de l'état de la technique (technique apparentée). Un but de la présente invention est de fournir un dispositif LCD et un procédé pour le fabriquer avec une couche d'alignement qui ne provoque pas de fuite de lumière. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif LCD et un procédé pour le fabriquer avec une couche d'alignement qui présente une forte énergie d'ancrage. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits dans la description ci-dessous et, pour une partie, apparaîtront clairement à la lecture de la description ou seront enseignés par la mise en oeuvre de l'invention. Ces buts et d'autres avantages de la présente invention seront atteints et obtenus grâce à la structure décrite en particulier dans la description et dans les revendications écrites de la présente invention ainsi que sur les dessins annexés. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXTdoc - 5 juin 2006 4/33 Pour atteindre ces buts et d'autres avantages, et conformément au but de la présente invention, un dispositif d'affichage à cristaux liquide comprend un premier et un deuxième substrat, une couche d'alignement formée sur au moins un des substrats et une couche de cristaux liquides formée entre les substrats, dans lequel la couche d'alignement est formée d'une matière polymère contenant une chaîne principale polymère et un groupe photoréactif combiné à la chaîne principale polymère qui engendre une réaction de photodimérisation sous l'action de rayons UV. Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif LCD ayant un premier et un deuxième substrat comprend les étapes consis- tant à déposer une couche d'alignement sur au moins un des substrats, à frotter la couche d'alignement et à irradier la couche d'alignement avec des rayons UV polarisés, dans lequel la couche d'alignement est formée d'une matière polymère contenant une chaîne principale polymère et un groupe photoréactif combiné à la chaîne principale polymère qui engendre une réaction de photodimérisation sous l'action des rayons UV. Il faut comprendre que la description générale ci-dessus et la description détaillée ci-dessous de la présente invention sont toutes deux indiquées à des fins illustratives et explicatives et qu'elles sont destinées à fournir un complément d'explication de la présente invention telle que revendiquée. Brève description des dessins Les figures jointes, fournies en vue d'offrir une compréhension plus approfondie de la présente invention sont incorporées dans la présente demande et en font partie; elles illustrent la ou les formes de réalisation de la présente invention et, conjointement avec la description, servent à expliquer le principe de l'invention. Sur ces figures: - la figure 1 est une vue en perspective éclatée illustrant un dispositif LCD à mode TN selon l'état de la technique (technique apparentée); - la figure 2 est une vue schématique en perspective illustrant une toile de frottement désorganisée; - la figure 3 est une vue en coupe droite illustrant la toile de frottement ne parvenant pas à venir au contact du substrat; - la figure 4 illustre un procédé de photoalignement selon l'état de la technique (technique apparentée) utilisant une réaction de photodécomposition; - la figure 5 illustre un procédé de photo-alignement utilisant une réaction de photodimérisation selon une forme de réalisation de la présente invention; - la figure 6 est une vue en coupe illustrant un dispositif LCD selon la forme de réalisation de la présente invention; et - les figures 7A à 7E sont des vues des processus illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon la forme de réalisation de la présente invention. dIRSC16\ BREVETSarevets\25300\25380-060602-tradTXT doc - 5juin 2006 - 5133 Description détaillée de l'invention On va maintenant faire référence de manière détaillée aux formes de réalisation préférées de la présente invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexés. Chaque fois que possible, les mêmes numéros de référence seront utilisés sur tous les dessins pour désigner des éléments identiques ou analogues. Les formes de réalisation de la présente invention résolvent les problèmes des procédés de l'état de la technique (technique apparentée). Par exemple, lorsqu'une disposition de la toile de frottement est désorganisée ou que la toile de frottement ne parvient pas à venir au contact du substrat, la matière d'alignement déposée sur une telle région n'est pas alignée dans la direction d'alignement. Les inventeurs de la présente demande ont identifié ce problème et ont inventé un procédé consistant à aligner la ou les parties de la matière d'alignement non alignées par le procédé d'alignement par frottement au moyen d'un procédé de photo-alignement conçu spécialement pour répondre à ce besoin. De même, le problème lié à la faible énergie d'ancrage dans le procédé de photoalignement est résolu en utilisant le procédé d'alignement par frottement de l'état de la technique (technique apparentée). Les formes de réalisation de la présente invention comprennent une réaction de photodimérisation dans le procédé de photo-alignement. Ainsi, une matière organique polymère, contenant un groupe photoréactif qui engendre une réaction de photodiméri- sation sous l'action des rayons UV est utilisé en tant que couche d'alignement dans les formes de réalisation de la présente invention. On va maintenant décrire le procédé de photo-alignement et la raison pour laquelle la réaction de photodimérisation a été choisie dans les formes de réalisation de la présente invention. La figure 5 illustre une forme de réalisation d'un procédé de photoalignement selon la présente invention qui utilise une réaction de photodimérisation. Dans la réaction de photodimérisation, comme le montre la figure 5, lors de l'irradiation avec les rayons UV polarisés, les doubles liaisons (indiquées par une flèche), parallèles à la direction de polarisation sont rompues et les molécules adjacentes se lient. Ainsi, les molécules de cristaux Iiquides sont alignées dans une direction dans laquelle l'anisotropie est induite (à savoir, verticale ou horizontale par rapport à la direction de polarisation). Le procédé de photo-alignement de l'état de la technique (technique apparentée) qui utilise une réaction de photodécomposition comporte plusieurs problèmes. Premièrement, l'énergie d'ancrage de la couche d'alignement qui a été frottée est diminuée par la décomposition. Deuxièmement, une image rémanente apparaît sous l'effet de corps étrangers produits par la réaction de photodécomposition. Troisièmement, une étape supplémentaire d'élimination des corps étrangers est nécessaire pour résoudre le problème Iié à l'image rémanente. \\HIRSCH6\BREVETS\BreÉ'eis\25300\25380-060602-IradTXT. doc - 5juin 2006 6/33 En conséquence, les formes de réalisation de la présente invention utilisent le procédé de photo-alignement par réaction de photodimérisation, si bien que l'on obtient une couche d'alignement alignée au moyen à la fois du procédé d'alignement par frottement et du procédé de photo-alignement qui repose sur la réaction de photodimérisation. La couche d'alignement est formée d'une matière polymère contenant une chaîne principale polymère et un groupe photoréactif combiné à la chaîne principale polymère qui engendre une réaction de photodimérisation sous l'action des rayons UV. Le groupe photoréactif est de préférence choisi dans le groupe constitué par une matière à base de cinnamoyle, une matière à base de chalcone, une matière à base de coumarine et une matière à base de maléimide. La chaîne principale polymère est de préférence une matière polymère choisie dans le groupe constitué par le polyimide, le poly(acide amique), le polyamide, le polynorbornène, le polyamide-imide, le polyvinyle, la polyoléfine, le polystyrène, le polyacrylate, le poly(chlorure de vinyle), le polyéther, le polyester, le polythioéther, la polysulfone, la polyéthersulfone, la polyétheréthercétone, la polyurée, le polyuréthanne, le polybenzimidazole, le polyacétal et le poly(acétate de vinyle). Dans le procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon les formes de réalisation de la présente invention, on peut réaliser le procédé de frottement et le procédé d'irradiation aux UV simultanément ou séparément (à des moments différents). Si l'on réalise le procédé de frottement et le procédé d'irradiation aux UV séparément (à des moments différents), on peut réaliser le procédé de frottement avant le procédé d'irradiation aux UV et vice versa. En outre, on peut réaliser le procédé d'irradiation aux UV sur toute la surface du substrat sur laquelle est déposée la matière d'alignement, ou bien on peut le réaliser sur une région du film d'alignement où un palier est formé sur le substrat. À savoir, lorsque la toile de frottement ne parvient pas à venir au contact du film d'alignement à cause d'un palier sur le substrat, les rayons UV polarisés peuvent irradier la région du film d'alignement où est formé le palier. On peut irradier précisément la région en masquant d'autres zones avec un masque. Lorsque l'alignement de la toile de frottement est désordonné et/ou que des paliers se forment sur le substrat, les rayons UV polarisés peuvent irradier toute la surface du film d'alignement sur le substrat. Lorsque les rayons UV polarisés n'irradient que les régions comportant des paliers, différentes régions de paliers se forment selon que le substrat est le substrat de transistor à couches minces ou le substrat de filtre coloré. Même si le substrat est le substrat de transistor à couches minces, différentes régions de paliers se forment selon que le dispositif LCD est à mode TN ou à mode IPS. On va maintenant décrire de manière plus détaillée des formes de réalisation de la présente invention. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT.doc - 5 juin 2006 7133 La figure 6 est une vue en coupe droite illustrant un dispositif LCD selon une forme de réalisation de la présente invention. Comme le montre la figure 6, le dispositif LCD selon une forme de réalisation de la présente invention comprend un substrat inférieur 100, un substrat supérieur 200, des couches d'alignement 300a et 300b formées sur les substrats 100 et 200 et une couche de cristaux liquides 400 formée entre les substrats 100 et 200. Bien qu'elles ne soient pas représentées de manière détaillée, on peut apporter diverses modifications aux structures du substrat inférieur 100 et du substrat supérieur 200 en fonction des modes du dispositif LCD dans la portée évidente pour l'homme du métier. Ainsi, le substrat inférieur 100 du dispositif LCD à mode TN comprend une ligne de grille et une ligne de données qui se croisent pour définir à cet endroit une région de pixels; un transistor à couches minces est formé à côté de l'intersection entre la ligne de grille et la ligne de données dans la région de pixels, le transistor à couches minces comprend une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain; ainsi qu'une électrode de pixel connectée à l'électrode de drain du transistor à couches minces. Le substrat supérieur 200 du dispositif LCD à mode TN comprend une couche faisant écran à la lumière; des couches de filtre coloré rouge, vert et bleu formées dans la couche faisant écran à la lumière; et une électrode commune disposée sur les couches de filtre coloré. Le substrat inférieur 100 du dispositif LCD à mode IPS comprend une ligne de grille et une ligne de données qui se croisent pour définir à cet endroit une région de pixels; un transistor à couches minces disposé à côté de l'intersection entre la ligne de grille et la ligne de données dans la région de pixels, le transistor à couches minces comprend une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain; une électrode de pixel connectée à l'électrode de drain du transistor à couches minces; ainsi qu'une électrode commune formée parallèlement à l'électrode de pixel. Le substrat supérieur 200 du dispositif LCD à mode IPS comprend une couche faisant écran à la lumière; des couches de filtre coloré rouge, vert et bleu formées dans la couche faisant écran à la lumière; ainsi qu'une couche de finition formée sur les couches de filtre coloré. En outre, un élément d'espacement (non représenté) est prévu entre les substrats 100 et 200 afin de maintenir un intervalle de cellule entre les substrats 100 et 200. En tant qu'élément d'espacement, on peut utiliser des billes d'espacement ou une colonne d'espacement. Les couches d'alignement 300a et 300b sont formées d'une matière polymère contenant une chaîne principale polymère et un groupe photoréactif combiné à la chaîne principale polymère qui engendre une réaction de photodimérisation sous l'action de rayons UV comme décrit ci-dessous de manière plus détaillée. On va maintenant décrire le groupe photoréactif engendrant une réaction de photodimérisa\\H[RSCH6\BREVETS\Brevets\25300'\25380-060602-tradTXT doc - 5 juin 2006 8/33 tion sous l'action des rayons UV. Le groupe photoréactif est de préférence choisi dans le groupe constitué par une matière à base de cinnamoyle, une matière à base de chalcone, une matière à base de coumarine et une matière à base de maléimide. La matière à base de cinnamoyle est de préférence un composé représenté par la formule chimique suivante O H(CH3) X Y (H3C)H dans laquelle X est choisi dans le groupe comprenant -[(CH2) O]m, -0[(CH2)nO]m, m(H2C) (CH2) nO- Om(H2C) (CH2)nO- -Om(H2C)O (CH2)nO -0,,,(H,c)O O(CH2) OO Il Cam\ / O o H H I 1 (CH2)n N 0(CH2)n N m(H2C) H (CH2).-N- -O,n(H2C) H H (CH2) N- Om(H2C)O (CH2)n p1 O, (H2C)O N H oI H t0(CH2) H et (m et n représentant des nombres positifs compris entre 0 et 10), et Y étant choisi dans le groupe constitué par H N- \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT doc - 5 juin 2006 9133 2886940 10 et Dans le substituant Y ci-dessus, chacune des substituants en 1 à 9 est de préférence choisi dans le groupe constitué par -A, -(CA3) CA3, -O(CA2) CA3, 5 -[O(CA2)m) CA3, -O(CA2) OCA3, -(O(CA2) m]nOCA3, OCH2 0(CA2)n0 et respectivement, m et n représentant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A 10 et B représentant respectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). La matière à base de chalcone est de préférence un composé représenté par la formule chimique suivante / \ >_O(CH2)flO_ dans laquelle n étant un nombre positif compris entre 0 et 10 et chacun des substituants en positions 1 à 5 est de préférence choisi dans le groupe constitué par -A, -(CA2)nCA3, -O(CA2) nCA3, -[O(CA2)m]nCA3, -O(CA2)nOCA3, -[O(CA2),n] OCA3, \\HIRSCH6\BREVETS\Brcvets\25300\25380-060602-tradTXTdoc - 5juin 2006 10/33 O (CA2) O(CA2) O o Il O S - o et respectivement (m et n représentant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentant respectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). La matière à base de coumarine est de préférence un composé représenté par la formule chimique suivante dans laquelle chacun des substituants en positions 1 à 6 est de préférence choisi dans le groupe constitué par -A, -(CA2)0CA3, - O(CA2)0CA3, -[O(CA2)m]nCA3, 10 -O(CA2) nOCA3, - [O(CA2)m] OCA3, -0 (CA,) - o c rt o 1 Il -N-C o Il -O(CA2)n0 o et (m et n représentant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentant respectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). La matière à base de maléimide est de préférence un composé représenté par la formule chimique suivante \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380060602-tradTXT. doc - 5 juin 2006 -I I/33 dans laquelle Y est choisi dans le groupe constitué par (CH2)n (CH2)n- CH3 et (n représentant un nombre positif compris entre 0 et 10, et chacun des substituants en 5 position 1 à 2 étant de préférence choisi dans le groupe constitué par -H, -F, -CH3, -CF3, -CN, La chaîne principale polymère est de préférence une matière polymère choisie dans le groupe constitué par les composés polymères suivants: le polyimide, le poly(acide amique), le polyamide, le polynorbornène, le polyamide-imide, le polyvinyle, la polyoléfine, le polystyrène, le polyacrylate, le poly(chlorure de vinyle), le polyéther, le polyester, le polythioéther, la polysulfone, la polyéthersulfone, la polyétheréthercétone, la polyurée, le poly-uréthanne, le polybenzimidazole, le polyacétal et le poly(acétate de vinyle). II est plus particulièrement préférée, que la chaîne principale polymère soit un composé polyimide ou poly(acide amique) représenté par la formule chimiquesuivante: o o il II C /c / \ \ R, N R2 N \c/ \c/ Il oII o mO O Il Il cc \ /\ R N R4 N \c/ / Il Il O O n dans laquelle on obtient m+n=l, 0 H2N (a) NH2 où XI est O, CO, ou t (CH2)nH C N1 f (n étant un nombre > 0 compris entre 0 et 20, et H pouvant être remplacé par F), ou Cni-Izn-'- i --C 1 C nI'12n+ 1 (n étant un nombre > 0 compris entre 0 et 20, et H pouvant être remplacé par F), \\H IRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\2 5 3 60060602-tradTXT.doc - 5 juin 2006 -13133 CH3 CF3 c tut a-- o It 0 _ 02 s 5F3 C C'_'F- 3 et De plus, XI est une structure ortho, méta, para ou leur structure composite. l R2 NH2 R. { Si t IO) Si R1 NH2 L où R1 et R2 représentent (CH2),, (n étant un nombre > 0 compris entre 0 et 10) ou NH2 NH-H2 (c) où X représente (CH2)nH, CN, OCF3, O(CH2) nH ou O(CF2)nCF3. En outre, X représente une structure ortho, méta, para ou leur structure composite. (d) NH2-(CH2)n NH2, où n étant un nombre positif compris entre 1 et 20. 15 (e) I 2 (b) X Om(H2C)O (CH2)n NH2 Om(H2C)O O(CH2)nNH2 NH2 où m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300125380-060602-tradTXT doc - 5 juin 2006 1433 La couche d'alignement est formée d'une matière polymère obtenue par photo-réaction entre la chaîne principale polymère susmentionnée et le groupe photoréactif susmentionné sous la forme d'une chaîne Iatérale. Si la chaîne principale polymère est un composé polyimide ou un composé poly(acide amique) produit par une réac- tion entre un dianhydride et une amine, pour combiner le groupe photoréactif, un atome d'hydrogène du dianhydride peut être remplacé par le groupe photoréactif ou un atome d'hydrogène de l'amine peut être remplacé par le groupe photoréactif. La matière polymère constituant la couche d'alignement peut être mise en oeuvre pour le procédé d'alignement par frottement et elle peut engendrer la réaction de photodimé- risation du procédé de photo-alignement. La matière polymère à une valeur Xmax dans la gamme d'environ 270 nm à 350 nm de façon à ne pas engendrer la réaction de photodécomposition du procédé de photo-alignement. Dans la matière polymère constituant la couche d'alignement, une structure para est présentée en tant que matière polymère comprenant un noyau benzénique. Toutefois, la matière polymère comprenant un noyau benzénique ne se limite pas à la structure para. En effet, la matière polymère peut être produite par une structure ortho, méta, para ou leur structure composite. Les figures 7A à 7E sont des vues des processus illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon la forme de réalisation de la présente invention. Comme le montre la figure 7A, on prépare un substrat inférieur 100 et un substrat supérieur 200. On peut faire varier la construction détaillée du substrat inférieur 100 et du substrat supérieur 200, ainsi que le procédé pour les fabriquer, grâce à divers procédés connus de l'homme du métier. Ensuite, comme le montre la figure 7B, on dépose des couches d'alignement 300a et 300b respectivement sur le substrat inférieur 100 et sur le substrat supérieur 200. Bien que les couches d'alignement 300a et 300b soient formées sur les deux substrats 100 et 200 sur le dessin, elles ne se limitent pas à un tel cas. Etant donné que les couches d'alignement 300a et 300b sont formées de la même matière que celle décrite ci-dessus, on omettra donc la description détaillée de cette matière. On réalise le dépôt des couches d'alignement 300 et 300b en imprimant les couches d'alignement sur les substrats 100 et 200 et en faisant durcir Ies couches d'alignement imprimées. On réalise de préférence l'étape d'impression des couches d'alignement au moyen d'une application par centrifugation ou d'une application au rouleau après avoir dissous le composant d'alignement dans un solvant organique à une concentration de 1% à 20% en poids et à une viscosité de 1 à 1 000 cps. On réalise de préférence l'étape de durcissement des couches d'alignement imprimées au moyen d'un double durcissement dans une gamme de températures comprise entre 60 C et 80 C et une gamme de températures comprise entre 80 C et 230 C. On \H]RSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25350-060602-tradTXT.doc - 5 juin 2006 - 15133 dépose de préférence les couches d'alignement 300a et 300b en une épaisseur de 50nmà200nm. Ensuite, comme le montre la figure 7C, on réalise un procédé de frottement sur les substrats 100 et 200 revêtus des couches d'alignement 300a et 300b. On réalise le procédé de frottement en frottant un rouleau de frottement 500 revêtu d'une toile de frottement 520 dans une direction d'alignement souhaitée. Ensuite, comme le montre la figure 7D, les rayons UV polarisés irradient les substrats 100 et 200 à l'endroit où l'on a entièrement réalisé le procédé de frottement, en utilisant un dispositif d'irradiation aux UV 600. On peut réaliser le procédé d'irra- diation aux UV à la suite du procédé de frottement. Toutefois, il convient de noter que les formes de réalisation de la présente invention ne se limitent pas à cette séquence. Ainsi, on peut réaliser le procédé de frottement à la suite du procédé d'irradiation aux UV, ou bien on peut réaliser le procédé de frottement et le procédé d'irradiation aux UV simultanément. On réalise le procédé de frottement et le procédé d'irradiation aux UV de telle sorte que la direction d'alignement des parties de la couche d'alignement obtenues lors du procédé de frottement devient identique à la direction d'alignement des parties de la couche d'alignement obtenues lors du procédé d'irradiation aux UV. Les rayons UV peuvent irradier toute la surface des substrats 100 et 200 ou uniquement les régions à paliers à l'endroit où des paliers sont formés sur les substrats 100 et 200. Dans le cas du dispositif LCD à mode TN, le palier peut être formé au niveau d'une région correspondant à la ligne de grille, à la ligne de données et au transistor à couches minces sur le substrat inférieur 100. Dans le cas du dispositif LCD à mode IPS, le palier peut être formé au niveau d'une région correspondant à la ligne de grille, à la ligne de données et au transistor à couches minces et au niveau d'une région correspondant à l'électrode de pixel et à l'électrode commune sur le substrat inférieur 100. Ainsi, les rayons UV ne peuvent irradier que la région du palier pendant que d'autres régions de la couche d'alignement sont protégées par un masque. L'énergie d'irradiation des rayons UV polarisés est dans la gamme de 10 mJ à 3 000 mJ. En ce qui concerne les rayons UV polarisés, on peut utiliser soit des rayons UV partiellement polarisés, soit des rayons UV polarisés de manière linéaire. En outre, les rayons UV polarisés peuvent irradier le substrat obliquement ou verticalement. Dans le cas de l'irradiation oblique, un angle d'irradiation est de 60 ou moins. On peut réaliser l'irradiation avec des rayons UV polarisés au moyen d'un procédé d'exposition à la lumière de type à balayage ou au moyen d'un procédé d'exposition à la Iumière totale. É.1-1IRSCH6\11REVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc - 5 juin 2006 - 16/33 Ensuite, comme le montre la figure 7E, les substrats 100 et 200 sont liés l'un à l'autre. On peut réaliser l'étape de liaison des substrats 100 et 200 au moyen d'un procédé par injection sous vide ou au moyen d'un procédé de dépôt goutte à goutte de cristaux liquides. Dans le procédé par injection sous vide, on injecte les cristaux liquides en utilisant le différentiel de pression à l'état de vide après avoir lié les substrats 100 et 200 l'un à l'autre. Dans le procédé de dépôt goutte à goutte des cristaux liquides, les substrats sont liés l'un à l'autre après avoir déposé goutte à goutte les cristaux liquides sur l'un quelconque des substrats. Plus la taille du substrat augmente, plus on préfère utiliser le procédé de dépôt goutte à goutte de cristaux liquides car le procédé par injection sous vide demande une plus grande durée d'injection de liquide, d'où une réduction de la productivité. Premièrement, étant donné que l'on réalise le procédé de frottement, on obtient une forte énergie d'ancrage, ce qui empêche la formation d'une image rémanente. En outre, étant donné que l'on réalise le procédé d'irradiation avec des rayons UV polari- sés, le dispositif LCD ne pose pas de problème de fuite de lumière qui survient lorsque la disposition de la toile de frottement est désorganisée ou lorsque la toile de frottement ne parvient pas à venir au contact du substrat dans le procédé d'alignement par frottement. Par ailleurs, étant donné que l'on utilise la matière polymère combinée au groupe photoréactif qui engendre la réaction de photodimérisation en tant que couche d'alignement, aucun produit de photodécomposition n'est formé par le procédé d'irradiation aux UV. En conséquence, les problèmes liés à l'image rémanente dus à des corps étrangers et à l'étape de nettoyage supplémentaire ne se posent pas. Il apparaîtra clairement à l'homme du métier que diverses modifications et variantes peuvent être apportées dans la présente demande sans s'écarter de l'esprit ou de la portée des inventions. Ainsi, la présente invention est destinée à englober les modifications et variantes de la présente invention à condition qu'elles entrent dans la portée des revendications jointes et de leurs équivalents. \ HI RSCH6\BREVETS\Brevets \25300\25380-060602-tradTXT doc - 5 juin 2006 !7/33 REVENDICATIONS 1. Dispositif LCD comprenant: - un premier et un deuxième substrat; - une couche d'alignement formée sur au moins un des substrats; et - une couche de cristaux liquides située entre les substrats, dans lequel la couche d'alignement est formée d'une matière polymère contenant une chaîne principale polymère et un groupe photoréactif combiné à la chaîne principale polymère qui engendre une réaction de photodimérisation sous l'action de rayons UV. 2. Dispositif LCD selon la revendication 1, dans lequel le groupe photoréactif est choisi dans le groupe constitué par les matières à base de cinnamoyle, matières à base de chalcone, matières à base de coumarine et matières à base de maléimide. 3. Dispositif LCD selon la revendication 2, dans lequel le groupe photoréactif est un composé cinnamoyle représenté par la formule suivante: O 11(CH3) Y (H3C) H dans laquelle X est choisi dans le groupe comprenant [(CH2)nO)m-, -O[(CH2)nO)m-, --m(H2C) (CH2) O O.(H2C) (CH2) nO- -0,4, (H2C)0 (CH2)no-- O- O -0,,,(H2C)O- O(CH2) 0- -(CH2)n N O(CH2),, (CH2)n--N-- O- H N -0,,,(H2C) -(CH2)n N- --Om(H2C)O (CH2)n N ---O,,(H2C)O H 0(CH2) ---N \\HIRSCH6\BREVETS\Bresets\25300\25380-060602-tradTXT doc - 5juin 2006 18/33 N H H N I, et (m et n représentant des nombres positifs compris entre 0 et 10), et Y est choisi dans le groupe constitué par et OCH,-- chacun des substituants en positions 1 à 9 de Y, étant choisi dans le groupe constitué par -A, (CA2)nCA3, -O(CA2)nCA3, -(O(CA2)m)nCA3, -O(CA2)nOCA3, -(O(CA2)m)nOCA3, o et B B > (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentant res- pectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). 4. Dispositif LCD selon la revendication 2, dans lequel le groupe photoréactif est un composé chalcone représenté par la formule suivante: 4\ { o O(CH2)n0 dans laquelle n étant un nombre positif compris entre 0 et 10, chacun des substituants en positions 1 à 5 étant choisi dans le groupe constitué par -A, -(CA2)nCA3, -O(CA2)nCA3, -(O(CA2) m)nCA3, -O(CA2)nOCA3, -(O(CA2)m)nOCA3, \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25360-060602-tradTXT. doc - 5 juin 2006 -19/33 o (CA,)n O(CA2),O H O ii -O-c \ / A -N-C B O(CA2) O et (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentent respectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). 5. Dispositif LCD selon la revendication 2, dans lequel le groupe photoréactif est un composé coumarine représenté par la formule suivante: dans laquelle les substituants en positions 1 à 6 sont choisis dans le groupe comprenant -A, -(CA2)nCA3, -O(CA2)nCA3, -(O(CA2)m)nCA3, -(O(CA2)nOCA3, (O(CA2)m)nCA3, O (CA2) O {I O S O et (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentent res-15 pectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). 6. Dispositif LCD selon la revendication 2, dans lequel le groupe photoréactif est un composé maléimide représenté par la formule suivante: o \HIRSCI36\BREV ETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc -5 juive 2006 20/33 2/-Y-Y-O--3 \\0 2886940 21 dans laquelle Y est choisi dans le groupe constitué par (CH2)n (n étant un nombre positif compris entre 0 et 10), et chacun des substituants en posi- tions 1 et 2 est choisi dans le groupe constitué par -H, -F, -CH3, -CF3, -CN, 7. Dispositif LCD selon la revendication 1, dans lequel la chaîne principale polymère est une matière polymère choisie dans le groupe constitué par le polyimide, le poly(acide amique), le polyamide, le polynorbornène, le polyamide- imide, le polyvinyle, la polyoléfine, le polystyrène, le polyacrylate, le poly(chlorure de vinyle), le polyéther, le polyester, le polythioéther, la polysulfone, la polyéthersulfone, la polyétheréthercétone, la polyurée, le polyuréthanne, le polybenzimidazole, le polyacétal et le poly(acétate de vinyle). 8. Dispositif LCD selon la revendication 7, dans lequel la chaîne principale polymère est un composé polyimide ou un composé poly(acide amique) représenté par la formule chimique suivante: 0 0 Il Il /c c \ /\ R, N R2 N \C/ \C/ Il Ii o o m n dans laquelle m+n=l, 0 m 1, et 0 n 1. 9. Dispositif LCD selon la revendication 8, dans lequel le composé polyimide ou le composé poly(acide amique) est produit par une réaction entre une amine et un dianhydride. \\11IRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc - 5 juin 2006 21/33 CH3 ef (CH2)n- o 0 IE Il c C \ / / \ N Rç N - \C/ \C/ Il Il o o 11. Dispositif LCD selon la revendication 10, dans lequel un atome 10 d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un composé consistant en cinnamoyle. 12. Dispositif LCD selon la revendication 10, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un composé consistant en chalcone. I3. Dispositif LCD selon la revendication 10, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un composé consistant en coumarine. 14. Dispositif LCD selon la revendication 10, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un composé consistant en maléimide. \\11)RSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc -5juin 2006 22/33 10. Dispositif LCD selon la revendication 9, dans lequel le dianhydride est choisi dans le groupe constitué par o o 0 0 I! Il COCH2CH2OC t 2886940 23 15. Dispositif LCD selon la revendication 9, dans lequel l'amine est choisie dans le groupe constitué par les formules (a) à (e): NH2 H2N (a) O (CH2)nH où X1 représente un atome d'oxygène, CO, C NH (n étant un nombre CnH2n+I 1 positif compris entre 0 et 20, et H pouvant être remplacé par F), C 1 CriH2n+1 (n étant un nombre positif compris entre 0 et 20, et H pouvant être remplacé par F) H3 CF3 C C s et XI est une structure ortho, méta, para ou leur structure composite, Î2 J 1 NI-I2 R1 { Si i 10) Si R1 NH2 L où RI et R2 représentent (CH2) (n étant un nombre positif compris entre 0 et 10) ou (c) NH2 N}12 X où X représente (CH2),,H, CN, OCF3, O(CH2)i,H ou O(CF2) CF3, et X représente une structure ortho, méta, para ou leur structure composite, (d) NH2-(CH2)n-NB2, où n est un nombre positif compris entre 1 et 20, et (e) -'-(CH2)n-NH2 C(CH2)nlNH2 "m(H2C) (CH2)n NH2 P,}I]RSCH6IBREV ETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT doc - 5 juin 2006 - 23/33 (b) Om(H2C)\ /)-(CH2)n NH2 Om(H2C)O 24(CH2)n NH2 Om(H2C)O -O(CH2) --NH2 NH2 où m et n sont des nombres positifs compris entre 0 et 10. 16. Dispositif LCD selon la revendication 15, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant cinnamoyle. 17. Dispositif LCD selon la revendication 15, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant chalcone. 18. Dispositif LCD selon la revendication 15, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant coumarine. 19. Dispositif LCD selon la revendication 15, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant maléimide. 20. Dispositif LCD selon la revendication 1, dans lequel la matière polymère de la couche d'alignement a une valeur dans la gamme d'environ 270 nm à 350 nm. 21. Dispositif LCD selon la revendication 1, dans lequel la matière polymère qui comprend un noyau benzénique est une structure ortho, méta, para ou leur structure composite. 22. Procédé de fabrication d'un dispositif LCD comportant un premier et un deuxième substrat, comprenant les étapes consistant à: -déposer une couche d'alignement sur au moins un des substrats; - frotter la couche d'alignement; et - irradier la couche d'alignement avec des rayons UV polarisés; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevcts\25300\25380-060602-tradTXT. doc 5juin 2006 - 24/33 dans lequel la couche d'alignement est formée d'une matière polymère contenant une chaîne principale polymère et un groupe photoréactif combiné à la chaîne principale polymère qui engendre une réaction de photodimérisation sous l'action des rayons UV. 23. Procédé selon la revendication 22, dans lequel une direction d'alignement de la couche d'alignement frottée est identique à une direction d'alignement de la couche d'alignement irradiée aux rayons UV. 24. Procédé selon la revendication 22, dans lequel l'étape d'irradiation aux 10 rayons UV est réalisée sur toute la surface du substrat. 25. Procédé selon la revendication 22, dans lequel l'étape d'irradiation aux rayons UV n'est réalisée que dans une région de la couche d'alignement où un palier est formé sur le substrat. 26. Procédé selon la revendication 22, dans lequel le procédé de frottement est réalisé avant l'étape d'irradiation aux rayons UV. 27. Procédé selon la revendication 22, dans lequel l'étape d'irradiation aux 20 rayons UV est réalisée avant le procédé de frottement. 28. Procédé selon la revendication 22, dans lequel le procédé de frottement et l'étape d'irradiation aux rayons UV sont réalisés simultanément. 29. Procédé selon la revendication 22, dans lequel l'étape d'irradiation aux rayons UV est réalisée par irradiation avec des rayons UV partiellement polarisés ou des rayons UV polarisés de manière linéaire. 30. Procédé selon la revendication 22, dans lequel les rayons UV polarisés 30 ont une énergie d'irradiation dans la gamme de 10 mJ à 3 000 mJ. 31. Procédé selon la revendication 22, dans lequel les rayons UV irradient le substrat verticalement ou obliquement. 32. Procédé selon la revendication 22, dans lequel l'étape de dépôt de la couche d'alignement est réalisée au moyen d'une application par centrifugation ou d'un application au rouleau après avoir dissous un composant d'alignement dans un RHIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380060602-tradTXT.dot - 5 juin 2006 - 25/33 solvant organique à une concentration de 1 à 20% en poids et à une viscosité de 1 à 1 000 cps. 33. Procédé selon la revendication 22, dans lequel l'étape de dépôt de la couche d'alignement est réalisée de manière à obtenir une épaisseur de 50 nm à nm. 34. Procédé selon la revendication 22, comprenant en outre la liaison des deux substrats l'un à l'autre. 35. Procédé selon la revendication 34, dans lequel l'étape de liaison des deux substrats l'un à l'autre consiste à déposer goutte à goutte des cristaux liquides sur l'un quelconque des substrats. 36. Procédé selon la revendication 22, dans lequel le groupe photoréactif est choisi dans le groupe constitué par une matière à base de cinnamoyle, une matière à base de chalcone, une matière à base de coumarine et une matière à base de maléimide. 37. Procédé selon la revendication 36, dans lequel le groupe photoréactif 20 est un cinnamoyle représenté par la formule chimique suivante: 0 H(CH3) X--Y (H3C)H dans laquelle X est choisi dans le groupe constitué par -[(CH2),,O) ,-, -O[(CH2)nO)m, m(H,C) (CHz)00 Om(H2C) (CH2)n0 -Om(H2C)0---(\ }-(CHz),,O- -Om(H2C)O O(CH2) O- o o O- o- \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets125300\25380-060602-tradfXT doc - 5 juin 2006 26133 H (CH2)n I27 H { O(CH2)n l m(H2c) H (GH2) N H -0m(H2C) {CH2)n {J_ Om(H2C)O H (CH2)n N-- O,,(H2C)0 H 0(CH2) --N et H N (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10), et Y est choisi dans le groupe constitué par > et chacun des substituants en positions 1 à 9 de Y étant choisi dans le groupe comprenant -A, -(CA2) CA3, -O(CA2)r,CA3, -(O(CA2)m) CA3, -O(CA2) OCA3, -(O(CA2)m)nOCA3, et (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentant respectivement H, F, CI, CN, CF3 ou CH3). 38. Procédé selon la revendication 36, dans lequel le groupe photoréactif est un composé chalcone représenté par la formule chimique suivante: \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-iradTXT. doc - 5 juin 2006 27/33 --O (CA2) O(CA2)nO o o s Il o -O(CH2) 0- dans laquelle n étant un nombre positif compris entre 0 et 10, chacun des substituants en positions 1 à 5 étant choisi dans le groupe constitué par -A, -(CA2)nCA3, -O(CA2)nCA3, -(O(CA2)m)nCA3, -O(CA2)nOCA3, -(O(CA2)m) nOCA3, f Il -0 S-Il H O 1 Il N C O(CA2) O et (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentant res-10 pectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3) . 39. Procédé selon la revendication 36, dans lequel le groupe photoréactif est un composé coumarine représenté par la formule chimique suivante: dans laquelle chacun des substituants en positions 1 à 6 est choisi dans le groupe constitué par -A, -(CA2)nCA3, -O(CA2)nCA3, -(O(CA2) m)nCA3, O(CA2)nOCA3, -(O(CA2)m)nOCA3, O (CA2)n -O-0 o 11 -O(CA2) O et H 0 1 II -N-C O Il \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc - 5juin 2006 28/33 2886940 29 (m et n étant des nombres positifs compris entre 0 et 10, et A et B représentant respectivement H, F, Cl, CN, CF3 ou CH3). 40. Procédé selon la revendication 36, dans lequel le groupe photoréactif est un composé maléimide représenté par la formule chimique suivante: o N-Y-0--O dans laquelle Y est choisi dans le groupe constitué par (CH2)n-(CH2)n cl-13 et (n étant un nombre positif compris entre 0 et 10), et chacun des substituants en positions 1 à 2 étant choisi dans le groupe constitué par -H, -F, -CH3, -CF3, -CN, 41. Procédé selon la revendication 22, dans lequel la chaîne principale polymère est une matière polymère choisie dans groupe comprenant polyimide, poly(acide amique), polyamide, polynorbornène, polyamide-imide, polyvinyle, polyoléfine, polystyrène, polyacrylate, poly(chlorure de vinyle), polyéther, polyester, polythioéther, polysulfone, polyéthersulfone, polyétheréthercétone, polyurée, polyuréthanne, polybenzimidazole, polyacétal et poly(acétate de vinyle). 42. Procédé selon la revendication 41, dans lequel la chaîne principale polymère est un composé polyimide ou un composé poly(acide amique) représenté par la formule chimique suivante: 0 O II II /c\ /c\ R, N R2 N \c/ \c/ II ii o o m dans laquelle m+n=l, 0m 1, et 0 n 1. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc - 5 juin 2006 29/33 n 43. Procédé selon la revendication 42, dans lequel le composé polyimide ou le composé poly(acide amique) est produit par une réaction entre une amine et un dianhydride. 44. Dispositif LCD selon la revendication 43, dans lequel le dianhydride est choisi dans le groupe constitué par 0 0 Il Il COCH2CH2OC Or 45. Procédé selon la revendication 44, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un substituant cinnamoyle. 46. Procédé selon la revendication 44, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un substituant chalcone. 47. Procédé selon la revendication 44, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un substituant coumarine. \\HlRSCH6\BREVETSBrevets\25300\25380-060602-tradTXT. doc - 5 juin 2006 30/33 48. Procédé selon la revendication 44, dans lequel un atome d'hydrogène du dianhydride est remplacé par un substituant maléimide. 49. Procédé selon la revendication 43, dans lequel l'amine est choisie dans le groupe constitué par les formules (a) à (e): NH2 H2N (a) (CH2)nH où XI représente un atome d'oxygène, CO, C N3 4 (n étant un nombre positif compris entre 0 et 20, et H pouvant être remplacé par F) CnH2n+I _c (n étant un nombre positif compris entre 0 et 20, et H pouvant 1 CnH2n+ 1 s et J être remplacé par F), CI-13 CF3 f o I C et XI est une structure ortho, méta, para ou leur structure composite, R1 I2 NH2 Ri -{ Si f Q --Si R, NFH, L2 (b) où RI et R2 représentent (CH2), (n étant un nombre positif compris entre 0 et 10) ou \\1-1IRSCH6\BREVETS\Brevers\25300\25380-060602tradTXTdoc 5juin 2006 - 31/33 où X représente (CH2),H, CN, OCF3, O(CH2) H ou O(CF2),,CF3, et X représente une structure ortho, méta, para ou leur structure composite, (d) NI12-(CH2) -NH2, où n est un nombre positif compris entre 1 et 20, et (c) (CH21n NH2 ---0(CH2) NH2 m(H2c) CCH2)n NH2 (e) Om(H2C) (CH2)n NH2 Om(H2C)O (CH2) NH2 Om(H2C)0 O(CH2)"---NH2 où m et n sont des nombres positifs compris entre 0 et 10. 50. Procédé selon la revendication 49, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant cinnamoyle. 51. Procédé selon la revendication 49, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant chalcone. 52. Procédé selon la revendication 49, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant coumarine. 53. Procédé selon la revendication 49, dans lequel un atome d'hydrogène de l'amine est remplacé par un substituant maléimide. 54. Procédé selon la revendication 22, dans lequel la matière polymère de la couche d'alignement a une valeur 4-,ax dans la gamme d'environ 270 nm à 350 nm de façon à ne pas engendrer une photodécomposition sous l'action des rayons UV. 55. Procédé selon la revendication 22, dans lequel la matière polymère comprenant un noyau benzénique est une structure ortho, méta, para ou leur structure composite. \ HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25300\253 80-060602-tradTXTdoc - 5 juin 2006 32/33