Brevet FR2888422A1 — publié le 20070112

CIRCUIT DE COMMANDE DE GRILLE POUR UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP À JONCTION L'invention concerne un circuit de commande de grille pour un transistor à effet de champ à jonction. Les commutateurs à semi-conducteur de puissance comme, par exemple, des transistors bipolaires à jonction, des MOSFETs (Metai Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) ou des IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), sont utilisés, par exemple, dans des alimentations à découpage ou dans d'autres circuits électriques, dans lesquels il passe des courants intenses et/ou des hautes tensions. Une borne de commande du commutateur à semi-conducteur de puissance est reliée à un circuit de commande qui commande la borne de commande du commutateur à semiconducteur de puissance pour qu'il soit à l'état passant et à l'état bloqué. Alors que l'on utilise comme commutateur à semi- conducteur de puissance de ce type principalement des transistors bipolaires à jonction, des MOSFETs ou des IGBTs, on utilise maintenant, dans des applications en haute tension et en haute fréquence, de plus en plus des transistors à effet de champ à jonction comme commutateurs à semi-conducteur de puissance. La commande d'un transistor à effet de champ à jonction (Junction Field Effect Transistor JFET) exige jusqu'à maintenant de prévoir des circuits de commande spéciaux, qui sont constitués le plus souvent sous forme discrète. Cela fait donc que, pour mettre à l'état bloqué un transistor à effet de champ à jonction, il faut, contrairement aux commutateurs à semi-conducteur de puissance mentionnés ci-dessus, un niveau de tension négatif de l'ordre de -25 à -42 V. Pour mettre le transistor à effet de champ à jonction à l'état passant, on n'a pas besoin en revanche de niveau de tension sur la borne de commande, de sorte aue la commande peut s'effectuer sans perte de puissance. L'inconvénient de ces circuits de commande constitués de manière discrète réside toutefois dans le fait que l'on ne peut atteindre de hautes fréquences, de l'ordre de 200 kHz à 500 kHz, pour faire fonctionner le transistor à effet de champ à jonction que par des circuits d'attaque très coûteux. Un circuit de commande de grille pour un transistor à effet de champ à jonction en mode de construction discret peut se déduire, par exemple, de l'article "A Gate drive circuit for silicon carbide JFET", K. Mino, S. Herold et J.W. Kolar, Proc. Industriel Electronics Society Annual Meeting, Nov. 2003, pages 1162-1166. Le circuit de commande qui y est décrit produit une surtension négative par le procédé d'avalanche. On obtient ainsi une indépendance vis-à-vis de ce que l'on appelle la tension de pinchoff à laquelle le transistor à effet de champ à jonction commence à bloquer. La structure compliquée du circuit ainsi qu'une immunité dV/dT relativement petite en raison du circuit de commande de grille à grande valeur ohmique pendant son état "ouvert" représente des inconvénients. Un circuit de commande de grille constitué de manière intégrée pour un transistor à effet de champ à jonction se déduit du US 6 741 099 B1. Ce circuit de commande de grille est constitué pour procurer du côté sortie un niveau de tension négative par lequel on peut monter à l'état bloqué un transistor à effet de champ à jonction. Des solutions privées, comme celle décrite ci-dessus, empêchent toutefois une vaste utilisation de transistors à effet de champ à jonction. La présente invention vise donc un circuit de commande de grille pour un transistor à effet de champ à jonction qui permet la commande d'éléments de commutation à semi-conducteur de puissance par des moyens assez simples. L'invention a donc pour objet un circuit de commande de grille pour un transistor à effet de champ à jonction, comprenant une sortie à laquelle peut être prélevé, en réaction à un premier état d'un signal de commande, un niveau de tension pour commander le transistor à effet de champ à jonction, caractérisé par un circuit de commande de production d'un premier niveau de tension, comprenant une entrée de réception du signal de commande du circuit de commande de grille qui peut avoir un premier et un deuxième état et une sortie d'émission d'un premier niveau de tension en réaction à un premier état dû signal de commande, le premier niveau de tension ayant une valeur absolue plus petite que la tension de pinchoff du transistor à effet de champ à jonction, un moyen de production de niveau constitué de façon à procurer un deuxième niveau de tension, de façon à ce que, par une combinaison du premier et du deuxième niveaux de tension, le niveau de tension appliqué à la sortie de circuit de commande de grille ait une valeur absolue qui atteint au moins le niveau de la tension de pinchoff lorsque le signal de commande a le premier état. Le circuit de commande de grille suivant l'invention tire parti des propriétés de transmission particulières d'un transistor à effet de champ à jonction. On a trouvé que la tension de drain-source aux bornes de la section de charge du transistor à effet de champ à jonction est presque constante sur un grand domaine d'un niveau de tension négatif s'appliquant à la borne de commande. Jusqu'à ce que l'on atteigne la tension de pinchoff à laquelle le transistor à effet de champ à jonction passe d'un état conducteur à un état non conducteur, celui-ci a une résistance petite presque constante. Ce n'est cue lorsque l'on atteint la tension de pinchoff que la résistance augmente brusquement, de sorte que l'état non passant est atteint. Le circuit de commande de grille suivant l'invention utilise cette circonstance en alimentant par le moyen de production de niveau la borne de commande du transistor à effet de champ à jonction par un niveau de tension négatif, le deuxième niveau de tension (désigné aussi dans ce qui suit comme étant la tension de décalage) de manière permanente. Par la combinaison du deuxième niveau de tension au premier niveau de tension, qui est produit par le circuit de commande, on assure que la tension de pinchoff peut être atteinte. Le premier niveau de tension produit par le circuit de commande a besoin ainsi d'avoir seulement une valeur absolue qui est plus petite que la tension de pinchoff du transistor à effet de champ à jonction. Cela permet l'utilisation d'un circuit de commande qui est constitué en module intégré. On peut utiliser des circuits de commande qui tirent parti, sans autre modification ou circuit, pour la commande d'un MOSFET ou d'un IGBT habituel. L'invention permet ainsi d'avoir un circuit de commande de grille qui rend superflues des solutions privées complexes. On peut, au lieu de cela, compléter un circuit de commande habituel, comme ceux-ci sont disponibles sur le marché, de diverses façons d'un moyen de production de niveau par lequel on peut produire le niveau de tension plus haut en valeur absolue nécessaire pour les transistors à effet de champ à jonction. Le problème des circuits de commande habituels réside dans le fait que ceux-ci sont conçus simplement pour la production d'un niveau de tension de 2C V au maximum. On ne pourrait toutefois pas monter un transistor à effet de champ à jonction avec un niveau de tension de ce genre. L'excursion de tension qui fait défaut est procuree par le moyen de production de niveau qui combine le deuxième niveau de tension qu'il produit au niveau de tension produit par le circuit de commande pour dépasser la tension de pinchoff. Dans un mode de réalisation, le moyen de production de niveau est constitué pour produire un deuxième niveau de tension constant (tension de décalage). On facilite ainsi particulièrement le choix d'un circuit de commande approprié. On peut régler ainsi progressivement une tension de pinchoff plus précise. Le circuit de commande peut être constitué sous la forme d'un module intégré. Le deuxième niveau de tension prend une valeur minimum déterminée par la formule suivante: VOffset = VJFET - VST dans laquelle Voffset est le deuxième niveau de tension produit par le moyen de production de niveau, VFEET est la tension de pinchoff du transistor (JFET) à effet de champ à jonction et VST est le premier niveau de tension qui peut être produit par le circuit de commande. Il est particulièrement avantageux que le deuxième niveau de tension prenne la valeur minimum. Cela est obtenu par le fait que la résistance appliquée sur la section de charge est d'autant plus petite que la tension négative de polarisation ou tension de décalage est plus basse. Le deuxième niveau de tension est ainsi adapté, de préférence, à l'excursion de tension qui peut être produite par le circuit de commande, à savoir le premier niveau de tension. On peut réaliser d'une manière particulièrement simple e circuit de commande suivant l'invention lorsque le deuxième niveau de tension est déduit d'une tension d'alimentation du circuit de commande. Dans un mode de réalisation de l'invention, une entrée du moyen de production de niveau est couplée à la sortie du circuit de commande et une sortie de l'agent de production de niveau forme la sortie du circuit de commande de grille. Cela signifie, en d'autres termes, que la combinaison du premier et du deuxième niveau de tension est effectuée, dans ce mode de réalisation, dans le moyen de production de niveau. On peut songer, en outre, à des modes de réalisation de l'invention dans lesquels la combinaison du premier et du deuxième niveau de tension est réalisée par le circuit de commande. Dans le cas le plus simple, le moyen de production de niveau peut avoir une source de tension qui est montée entre l'entrée et la sortie du moyen de production de niveau. La source de tension met ainsi à disposition constamment un deuxième niveau de tension (tension de décalage) qui se superpose au premier niveau de tension produit par le circuit de commande et qui est appliqué à la borne de commande du transistor à effet de champ à jonction. Dans un autre mode de réalisation, le moyen de production de niveau a une inductance, un dispositif redresseur et un accumulateur de charges, l'accumulateur de charges étant monté entre l'entrée et la sortie et en parallèle au dispositif redresseur, qui redresse une tension alternative appliquée à l'inductance. Par l'accumulateur de charges monté entre l'entrée et la sortie et chargé par l'inductance et le dispositif redresseur, on peut procurer un deuxième niveau de tension constant. La tension déduite de l'enroulement secondaire du transformateur représente une tension de décalage qui est utilisée pour commander le transistor à effet de champ à jonction. L'inductance peut être constituée, par exemple, par l'enroulement secondaire d'un transformateur. Un avantage de ce mode de réalisation réside dans le fait que l'on obtient une séparation de potentiel par rapport au côté primaire du transformateur. Dans un autre mode de réalisation, une sortie du moyen de production de niveau est couplée à une borne de potentiel de référence du circuit de commande. On provoque ainsi un "Level-Shifting" du premier niveau de tension produit par le circuit de commande. La combinaison du premier et du deuxième niveau de tension est réalisée, dans cet exemple de réalisation, par le circuit de commande. Dans un mode de réalisation concret, le moyen de production de niveau a un diviseur de tension ayant une première et une deuxième résistances et un élément redresseur, l'élément redresseur étant relié par sa première borne à un point nodal de la première et de la deuxième résistances et par sa deuxième borne à la sortie du moyen de production de niveau. De préférence, l'une des deux résistances du diviseur de tension est constitué en résistance réglable puisque ainsi on peut régler de manière simple la valeur du deuxième niveau de tension produit par le circuit de production de niveau. Ce mode de réalisation permet d'avoir un réglage progressif du niveau de tension appliqué à la sortie du circuit de commande de grille. On peut ainsi utiliser, notamment, le circuit de commande de grille suivant l'invention pour des transistors à effet de champ à jonction ayant des tensions de pinchcff qui sont différentes. Il est, en outre, préféré que le moyen ^e production de niveau ait un accumulateur de charges qu_ est monté entre la deuxième borne de l'élément redresseur et un potentiel de référence du moyen de production de niveau. L'accumulateur de charges sert de tampon qui absorbe, notamment, des courants par impulsions lors de processus de commutation du circuit de commande en réaction à des processus de commutation entre le premier et le deuxième état du signal de commande. Le transistor à effet de champ à jonction repose, de préférence, sur une technologie au carbure de silicium puisque des composants en technologie au carbure de silicium peuvent absorber des tensions de blocage plus hautes. En outre, des composants de ce genre ont l'avantage de pouvoir fonctionner à des températures allant jusqu'à 350 C. Un autre avantage des composants au carbure de silicium réside dans le fait que ceux-ci, en raison du fait qu'ils n'ont pas d'oxyde de grille, ont une capacité seulement petite entre la borne de grille et la borne de source, ce qui rend possible d'avoir des opérations de commutation en dépensant peu d'énergie et à grande vitesse. L'invention sera explicitée de manière plus précise dans ce qui suit au moyen des figures, dans lesquelles: la figure 1 est une représentation schématique d'un circuit de commande de grille suivant l'invention, la figure 2 représente un premier exemple de réalisation d'un moyen de production de niveau du circuit de commande de grille suivant l'invention, la figure 3 représente un deuxième exemple de réalisation d'un moyen de production de niveau du circuit de commande de grille suivant l'invention, la f gure 4 représente un troisième exemple de S réalisation d'un moyen de production de niveau du circuit de commande de grille suivant l'invention, la figure 5 représente les variations dans le temps des premier et deuxième niveaux de tension produits dans le circuit de commande de grille ainsi que la tension appliquée entre la borne de drain et la borne de source du transistor à effet de champ à jonction commandée et la figure 6 est une représentation de la tension de drain-source appliquée aux bornes de la section de charge du transistor à effet de champ à jonction en fonction du niveau de tension appliqué à la borne de grille. La figure 1 représente schématiquement un circuit 1 de commande de grille suivant l'invention pour un transistor 2 à effet de champ à jonction. Le circuit 1 de commande de grille est relié par sa sortie 4 à une borne S de source du transistor 2 à effet de champ à jonction. Le transistor 2 à effet de champ à jonction est relié par sa borne S de source ainsi que par sa borne G de commande ou de grille à un potentiel de référence, par exemple à la masse. La borne D de drain est couplée par une charge 5 à une borne de potentiel d'alimentation à laquelle s'applique une tension Vdd d'alimentation. On a représenté à la figure 1 ce que l'on appelle une configuration Low-Side. La liaison de la sortie 4 à la borne S de source permet l'utilisation de potentiel positif dans le circuit de commande de grille. Le transistor 2 à effet de champ à jonction repose, de préférence, sur la technologie au carbure de silicium. Outre une plus grande résistance à la tension aux bornes de sa zone de charge drain-source, le transistor 2 peut fonctionner jusqu'à des températures de jonction de 600 C. Comme des transistors à effet de champ à jonction n'ont pas d'oxyde de grille, il y a une capacité seulement petite entre la borne G de grille et la borne S de source, de sorte que l'on peut toujours effectuer une mise à l'état passant et à l'état bloqué du transistor 2 à grande vitesse et avec peut de dépense d'énergie. Comme on le sait, les transistors à effet de champ à jonction passent à l'état passant sans puissance. Cela signifie que le transistor 2 à effet de champ à jonction est passant lorsque la borne S de source n'est pas alimentée en quelque tension que ce soit. Pour le blocage, le transistor 2 à effet de champ à jonction a besoin, en revanche, d'une haute tension négative entre le circuit G de commande de grille et la borne S de source, de l'ordre de -25 à -42 V. La tension nécessaire pour mettre à l'état bloqué le transistor 2 à effet de champ à jonction est désignée aussi comme étant la tension de pinchoff. Par l'application d'un premier état d'un signal sl de commande à une entrée 3 du circuit 1 de commande de grille, le transistor 2 à effet de champ à jonction est mis à l'état bloqué, c'est-à-dire qu'il s'applique entre la borne G de grille et la borne S de source au moins la tension de pinchoff. Lors de l'application d'un deuxième état du signal sl de commande à l'entrée 3, le transistor 2 à effet de champ à jonction est, en revanche, mis à l'état passant par le circuit 1 de commande de grille. Le circuit 1 de commande de grille suivant l'invention comprend essentiellement un circuit 10 de commande ainsi qu'un moyen 20 de production de niveau. Le circuit 10 de commande a une entrée 11 et une sortie 12. Le circuit de commande est alimenté en une tension Vcc d'alimentation sur une borne de potentiel d'alimentation. Un potentiel de référence, par exemple _a masse, s'applique à une borne 13 de potentiel de référence. L'entrée Il est couplée à l'entrée 3 du circuit 1 de commande de grille. La sortie 12 est couplée à une entrée 21 du moyen 20 de production de niveau. Une sortie 22 du moyen 20 de production de niveau forme la sortie 4 du circuit 1 de commande de grille. Le circuit 10 de commande, qui est constitué en module intégré, est tel qu'en réaction au premier état du signal sl de commande il est émis sur sa sortie 12 un premier niveau de tension qui a une valeur absolue qui est plus petite que la tension de pinchoff du transistor 2 à effet de champ à jonction. Si le signal sl de commande a le deuxième état, il ne s'applique. pas de niveau de tension à la sortie 12. La tâche du moyen 20 de production de niveau est de produire l'excursion qui fait défaut jusqu'à obtention de la tension de pinchoff, de sorte que le niveau de tension appliqué à la sortie 4 est en mesure de mettre le transistor 2 à effet de champ à jonction à l'état bloqué. Le moyen 20 de production de niveau est donc constitué de façon à procurer un deuxième niveau de tension et à effectuer une combinaison du premier et du deuxième niveau de tension. Le résultat de cette combinaison, qui s'applique en tant que niveau de tension à la sortie 4 du circuit 1 de commande de grille, a au moins la valeur de la tension de pinchoff. La combinaison du moyen 20 de production de niveau et du circuit de commande pour la production de la tension de pinchoff permet l'utilisation de circuits de commande habituels que l'on peut se procurer sur le marché. On peut utiliser des circuits de commande dans le circuit de commande de grille suivant l'invention, qui sont utilisés aussi pour commander un MOS ET ou un 1GB, et qui peuvent produire un niveau de tension de 20 V au maximum. Il est avantageux d'utiliser des circuits de commande de ce genre qui comprennent un moyen de production d'un niveau de tension négative à leur sortie 12. Le moyen 20 de production de niveau est constitué de manière à procurer de façon permanente, donc indépendamment de la valeur du signal sl de commande, le deuxième niveau de tension. Cela a pour conséquence qu'il s'applique à la sortie 4 du circuit 1 de commande de grille toujours au moins le deuxième niveau de tension. Cette façon de procéder repose sur la considération que la tension Vds chutant aux bornes de la section drain-source du transistor 2 à effet de champ à jonction n'est soumise, jusqu'à ce que la tension de pinchoff soit atteinte entre la borne G de grille et la borne S de source, qu'à une augmentation petite (voir la figure 6). En raison d'une augmentation petite de la tension Vds drain-source, il est toutefois avantageux de choisir le deuxième niveau de tension, qui est désigné aussi comme étant la tension de décalage, aussi bas que possible. Le deuxième niveau de tension est donc obtenu par la différence de la tension de pinchoff du transistor à effet de champ à jonction et du premier niveau de tension qui peut être produit par le circuit 10 de commande. Prévoir le moyen 20 de production de niveau permet ainsi d'utiliser des circuits de commande qui sont simplement en mesure de produire un niveau de tension qui est plus bas que la tension de pinchoff du transistor à effet de champ à jonction. La réalisation technique du moyen 20 de production de niveau est en principe sans importance dès l'instant où l'on peut procurer l'excursion de tension nécessaire, le deuxième niveau de tension. Divers exemples de réalisation de moyens de production de niveau sont représentés aux figures 2 à 4. La forme la plus simple est représentée dans le premier exemple de réalisation suivant la figure 2, dans lequel le moyen de production de niveau est formé par une source de tension constante dont la borne positive forme l'entrée 21 et dont la borne négative forme la sortie 22. Dans le deuxième exemple de réalisation suivant la figure 3, le moyen 20 de production de niveau de tension comprend un diviseur de tension ayant des résistances 25, 26 qui sont montées entre une borne de potentiel d'alimentation et une borne de potentiel de référence. Le potentiel Vcc d'alimentation du moyen 20 de production de niveau peut être déduit de la tension Vcc d'alimentation du circuit 10 de commande, mais cela n'est pas obligatoire. Le point 28 nodal formé entre les résistances 25, 26 est relié à une première borne d'un élément 27 redresseur sous la forme d'une diode. L'autre borne de la diode est couplée à la sortie 27 du moyen 20 de production de niveau. Celui-ci est couplé au potentiel 23 de référence du circuit 10 de commande. Pour régler la tension chutant au point 28 nodal, la résistance 26 est réglable. La tension qui chute au point 28 nodal aux bornes de la résistance 26 définit le deuxième niveau de tension procuré par le moyen de production de niveau. Une superposition du deuxième niveau de tension au niveau de tension produit à la sortie 12 par le circuit 10 de commande est effectuée par la diode. Par un accumulateur de charge, qui est monté entre la borne de l'élément 27 redresseur et une borne de potentiel de référence du moyen 20 de production de niveau, on peut compenser une impulsion provoquée par des processus de commutation effectués par le circuit 10 de commande. L'accumulateur 35 de charge absorbe des courants d'impulsions qui sont provoques par des opérations de commutation du circuit 10 de commande. Dans l'ensemble, le moyen 20 de production de niveau provoque un décalage de la tension appliquée à la sortie 12 du circuit 10 de commande, indépendamment du point de savoir s'il s'applique à l'entrée ll de commande un premier ou un deuxième état du signal s1 de commande. Le montage permet, en raison de la résistance 26 constituée en résistance réglable, un réglage progressif du deuxième niveau de tension à la sortie 22 et ainsi d'avoir un niveau de tension se réglant progressivement à la sortie 4 du circuit de commande de grille. On peut ainsi, d'une façon avantageuse, utiliser le circuit de commande de grille pour des transistor à effet de champ à jonction ayant une tension de pinchoff différente. Dans le troisième exemple de réalisation suivant la figure 4, le moyen 20 de production de niveau a une inductance 29, un dispositif 30 redresseur, par exemple sous la forme de deux diodes, ainsi qu'avec un accumulateur 31 de charges. Une première borne de l'accumulateur 31 de charges (ayant une charge négative) est reliée à l'entrée 21 du moyen 20 de production de niveau. L'autre borne de l'accumulateur 31 de charges (ayant une charge positive) est reliée à la sortie 22. Les anodes des deux diodes du dispositif 30 redresseur sont reliées, respectivement, à l'inductance 29. Les cathodes des diodes sont reliées entre elles et à la deuxième borne de l'accumulateur 31 de charges. La première borne de l'accumulateur 31 de charges est couplée, en outre, à une prise intermédiaire de l'inductance 29. La tension appliquée à l'inductance 29 constituée en enroulement secondaire, est redressée par le dispositif 3C de redresseur et est superposée sous la forme d'une tension "de décalage" au premier niveau de tension du circuit 10 de commande, de sorte que le niveau de tension s'appliquant à la sortie 4 du circuit de commande de grille a une valeur absolue qui atteint au moins la valeur de la tension de pinchoff du transistor à effet de champ à jonction lorsque le signal sl de commande a le premier état. La structure décrite du dispositif redresseur n'a été donnée qu'à titre d'exemple seulement. Pour le fonctionnement en bon ordre, il est important seulement qu'il y ait un dispositif redresseur. Celui-ci pourrait être donc constitué aussi de quatre diodes et sans prise médiane. L'inductance 29 peut constituer, par exemple, un enroulement secondaire d'un transformateur. La tension Vcc d'alimentation du circuit 10 de commande peut être procurée par un autre enroulement secondaire non représenté de ce transformateur. La répartition permet, d'une part, un isolement vis-à-vis du côté primaire du transformateur et vis-à-vis de l'autre enroulement pour la mise à disposition de la tension Vcc d'alimentation du circuit de commande. On peut ainsi diminuer des perturbations dans les signaux pendant les processus de commutation du transistor à effet de champ à jonction. La figure 5 représente à titre d'exemple les niveaux de tension produits pour une opération de commutation (courbe supérieure Vds) dans le circuit de commande de grille (premier niveau de tension Vgate, deuxième niveau de tension Voffset). Par la mise à disposition du deuxième niveau de tension sous l 2 forme d'une tension de décalage, le niveau de tension à produire par le circuit de commande proprement dit peur.. être réaui t, de sorte que l'on peut utiliser de circuits de commande habituels c.ue l'on peut se procurer sur _e marché. Cela permet la réalisation de circuits de commande de grille peut coûteux pour des transistors à effet de champ à jonction, notamment à base de carbure de silicium. REVENDICATIONS Circuit (1) de commande de grille pour un transistor (JFET) à effet de champ à jonction, comprenant 5 une sortie (4) à laquelle peut être prélevé, en réaction à un premier état d'un signal (si) de commande, un niveau de tension pour commander le transistor (JFET) à effet de champ à jonction, caractérisé par un circuit (10) de commande de production d'un premier niveau de tension, comprenant: une entrée (11) de réception du signal (si) de commande du circuit (1) de commande de grille, qui peut avoir un premier et un deuxième état et une sortie (12) d'émission d'un premier niveau de tension en réaction à un premier état du signal (si) de commande, le premier niveau de tension ayant une valeur absolue plus petite que la tension de pinchoff du transistor (JFET) à effet de champ à jonction, et un moyen (20) de production de niveau constitué de façon à procurer un deuxième niveau de tension, de façon à ce que, par une combinaison du premier et du deuxième niveaux de tension, le niveau de tension appliqué à la sortie (4) de circuit (1) de commande de grille ait une valeur absolue qui atteint au moins le niveau de la tension de pinchoff lorsque le signal (si) de commande a le premier état. 2. Circuit de commande suivant la revendication 1, caractérisé en ce que 15 20 le circuit (10) de commande est constitué sous la forme d'un module _ntéré . 3. Circuit ae commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce nue le moyen (20) de production de niveau est constitué pour produire un deuxième niveau de tension constant (tension de décalage). 4. Circuit de commande suivant la revendication 10 3, caractérisé en ce que le deuxième niveau de tension prend une valeur minimum déterminée par la formule suivante: VOffset = VJFET - VST dans laquelle VOffset est le deuxième niveau de tension produit par le moyen (20) de production de niveau, VJFET est la tension de pinchoff du transistor (JFET) à effet de champ à jonction et VST est le premier niveau de tension qui peut être produit par le circuit (10) de commande. 5. Circuit de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième niveau de tension est déduit d'une tension (Vcc) d'alimentation du circuit (10) de commande. 6. Circuit de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une entrée (21) du moyen (20) de production de niveau est couplée à la sortie (12) du circuit (10) de commande et une sortie (22) de l'agent (20) de production de niveau forme la sortie (4) du circuit (1) de commande de grille. Circuit de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le moyen ae production de niveau a une source (23) de tension qui est montée entre l'entrée (21) et la sortie (22) du moyen (20) de production de niveau. 8. Circuit de commande suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le moyen (20) de production de niveau a une inductance (29), un dispositif (30) redresseur et un accumulateur (31) de charges, l'accumulateur (31) de charges étant monté entre l'entrée (21) et la sortie (22) et en parallèle au dispositif (30) redresseur, qui redresse une tension alternative appliquée à l'inductance (29). 9. Circuit de commande suivant la revendication 8, caractérisé en ce que l'inductance (29) est un enroulement secondaire d'un transformateur. 10. Circuit de commande suivant l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'une sortie (22) du moyen (20) de production de niveau est couplée à une borne (13) de potentiel de référence du circuit (10) de commande. 11. Circuit de commande suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le moyen (20) de production de niveau a un diviseur (24) de tension ayant une première et une deuxième résistances (25, 26) et un élément (27) redresseur, l'élément (27) redresseur étant relié par sa première borne à un point (28) nodal de la première et de la deuxième résistances (25, 26) et par sa deuxième borne à la sortie (22) du moyen (20) de production de niveau. i2. Circuit de commande suivant la revendication 9, caractérisé en ce que le moyen (20) de production de niveau a un accumulateur (35) de charges qui est monté entre la deuxième borne de l'élément (27) redresseur et un potentiel de référence du moyen (20) de production de niveau. 13. Circuit de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est prévu pour un transistor (JFET) à effet de champ à jonction reposant sur une technologie au carbure de silicium (SiC) .