Brevet FR2895208A1 — publié le 20070622

La presente invention concerne le domaine technique de la production de plasma par decharge de type capacitive. L'invention concerne plus specifiquement un procede et un systeme associe de production de plasma par decharge capacitive a moyenne et basse pression. On entend, dans le cadre de la presente invention par des pressions comprises entre quelques 10- 3 Pascal et quelques dizaines de Pascal. L'invention trouve notamment - mais non limitativement - avantageusement application dans la realisation de traitements de surface tels qu'un depot par introduction de precurseurs gazeux, un depot par pulverisation (reactive ou non reactive, d'isolant electrique ou de conducteur electrique), une gravure ou un nettoyage - dans les domaines de la microelectronique, de I'optique, etc. PRESENTATION GENERALE DE L'ART ANTERIEUR Comme illustre a la figure 1, un appareil conventionnel de production de plasma par decharge capacitive comprend une premiere electrode 1 placee a distance d'une deuxieme electrode 2. 25 Les electrodes 1, 2 sont montees a I'interieur d'une enceinte 3 comprenant des moyens (non representes) aptes a maintenir une pression sensiblement constante dans ('enceinte. Un substrat 11 que Von souhaite traiter est place au niveau de la 30 premiere electrode 1.20 Dans le cas d'un traitement consistant en un depot par pulverisation, une cible 21 - constituee d'un materiau que I'on souhaite deposer sur le substrat 11 - peut etre disposee sur la deuxieme electrode 2, en regard de la premiere electrode 1. Dans le cas d'un traitement de surface consistant en un depot par introduction de precurseurs gazeux, aucune cible n'est disposee sur la deuxieme electrode 2. A la place, on introduit dans I'enceinte 3 un gaz comprenant des precurseurs gazeux a deposer sur le substrat 11. Dans tous les cas, la deuxieme electrode 2 est alimentee avec une tension electrique pour maintenir la decharge tandis que la premiere electrode 1 est placee a un potentiel electrique de reference, tel que la masse, par exemple. La tension electrique appliquee a la deuxieme electrode 2 est soit une tension continue qui est inferieure au potentiel electrique de reference, soit une tension alternative basse frequence ou radiofrequence dont la composante continue est inferieure au potentiel electrique de reference. Au dessus d'une valeur seuil de tension electrique appliquee entre les deux electrodes 1, 2, appelee >, une decharge est initiee entre les deux electrodes 1, 2, ce qui produit un plasma. 25 La tension electrique appliquee a la deuxieme electrode 2 etant negative par rapport au potentiel de reference de la premiere electrode 1, la deuxieme electrode 2 subit un bombardement par les ions positifs du plasma. 30 Ce bombardement de la deuxieme electrode 2 par les ions positifs du plasma provoque 10 15 20 dans le cas d'un depot par pulverisation, la pulverisation de la cible 21 placee sur la deuxieme electrode 2 de sorte que les atomes ou molecules sont ejectes de la cible 21 et modifient la composition du plasma (constitue d'ions, d'electrons, d'especes neutres excitees ou pas), dans le cas d'un depot par introduction de precurseurs gazeux, ('emission d'electrons dits secondaires qui sont acceleres vers la premiere electrode 1 et subissent des collisions avec les molecules du gaz de sorte qu'ils produisent des ions et des electrons qui participent a la creation du plasma. Ces differentes especes (ions, atomes, molecules) s'adsorbent alors sur le substrat 11 dispose sur la premiere electrode 1. 15 Toutefois, certains ions et electrons du plasma se perdent > - ou plus precisement s'adsorbent - sur I'interieur des parois later-ales 31, 32 de ('enceinte. Un inconvenient de ce type d'appareil conventionnel de production de 20 plasma par decharge de type capacitif est que, notamment du fait des pertes sur les parois later-ales 31, 32 en ions et electrons du plasma, le procede de pulverisation est tres lent. Un but general de la presente invention est de fournir un procede et un 25 systeme associe permettant de limiter les pertes en electrons et ions du plasma sur les parois later-ales de ('enceinte. Certains systemes de ('art anterieur visent a proposer des solutions a ce probleme de pertes sur les parois laterales. Cependant, ces dispositifs, 30 comme it sera explique plus en detail ci-apres presentent d'autres limitations que ('invention se propose egalement de resoudre. 10 Domaine du depot par- pulverisation ; probleme des pertes en ions et electrons sur les parois later-ales de I'enceinte Dans le domaine du depot par pulverisation, une solution couramment utilisee pour augmenter la vitesse du procede consiste a placer une structure magnetique 22 de type magnetron au niveau de la deuxieme electrode 2 comprenant la cible 21. Ceci permet d'augmenter le rendement de pulverisation et de limiter le terme de perte en ions et electrons sur les parois laterales 31, 32 en piegeant les ions et electrons dans les lignes de champs generees par la structure magnetique 22. Un tel dispositif comprenant une structure magnetique 22 au niveau de la deuxieme electrode 2 permet de travailler a une pression inferieure a celle presente dans une enceinte 3 dont la deuxieme electrode 2 ne comprend pas une telle structure magnetique 22. Cependant, meme en plagant une structure magnetique 22 au niveau de Ia deuxieme electrode 2, les pertes sur les parois later-ales 31, 32 de ['enceinte 3 sont importantes. Un autre but de la presente invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant, dans le domaine du depot par pulverisation, de limiter les pertes en ions et electrons du plasma sur I'interieur des parois later-ales de ('enceinte. Par ailleurs, un tel appareil comprenant une structure magnetique 22 au niveau de la deuxieme electrode 2 implique la presence d'une grande non uniformite de la densite de plasma du fait des lignes de champs 221 de la structure magnetique 22. Un premier inconvenient induit par la non uniformite de la densite de plasma est que les ions, les electrons, les especes neutres du plasma arrivent de maniere non uniforme sur le substrat 11. Un autre but de la presente invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant, dans le domaine du depot par pulverisation, de limiter la non uniformite de ('adsorption sur le substrat 11 des ions et des especes presentes dans le plasma. Un deuxieme inconvenient induit par la non uniformite de la densite de plasma est que la cible 21 s'use de maniere non uniforme, de sorte qu'il est generalement necessaire de remplacer le materiau constituent la cible 21 lorsque celui-ci est use a 30% en moyenne. Un autre but de la presente invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant, dans le domaine du depot par pulverisation, d'user la cible 21 de maniere plus homogene. Comme expliqu& precedemment, la tension de claquage est la tension electrique minimale a appliquer pour amorcer et maintenir une decharge entre les deux electrodes 1, 2, ce qui produit le plasma. La tension de claquage depend de la configuration de I'enceinte 3 (dimensions de ('enceinte, etc.), de la nature et de la pression des gaz dans I'enceinte 3, et de la distance entre les electrodes 1, 2. De plus, la densite de plasma depend de la tension appliquee entre les deux electrodes 1, 2. Ainsi, un autre inconvenient des systemes de ('art anterieur est que la necessite de devoir maintenir, entre les deux electrodes, une tension electrique superieure ou &gale a la tension de claquage pour amorcer ou maintenir la decharge rend impossible la production de plasma a une densite inferieure a celle obtenue pour une tension &Iectrique appliquee &gale a la tension de claquage. Un autre but de la presente invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant d'amorcer et/ou de maintenir une decharge quelle que soit la tension appliquee entre les deux electrodes 1, 2. Par ailleurs, lorsque I'on souhaite deposer un alliage (par exemple SiO2) de deux composants sur le substrat 11, it est connu d'utiliser une cible 21 constitu&e du premier composant (par exemple Si) et d'introduire dans ('enceinte 3 un gaz constitue du deuxieme composant (par exemple 02). Pendant le procede de depot, les composants du gaz et de la cible 21 reagissent ensemble sur le substrat. Cela permet d'obtenir ('alliage a deposer sur le substrat 11. Lorsque la tension appliquee a la deuxieme electrode 2 est une tension continue, la cible 21 doit 'are en un materiau conducteur - par exemple Si- pour avoir une tension sur la surface de la cible 21 faisant face a la premiere electrode 1. Cependant, lorsque le depot est effectue dans un environnement oxydant -ce qui est le cas lorsque lion introduit par exemple un gaz de 02 - la cible 21 reagit avec le gaz et une couche d'isolant - dans I'exemple precedent : SiO2 - se forme sur la surface de la cible 21 faisant face a la premiere electrode 1. Pour resoudre ce probleme, it est connu d'alimenter la deuxieme electrode 2 avec une tension alternative afin d'avoir une tension sur la surface de la cible 21 faisant face a la premiere electrode 1. Un autre but de ('invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant d'effectuer un depot d'alliage en environnement oxydant (ou nitrurant) en alimentant la deuxieme electrode 2 avec une tension continue. Domaine du depot par introduction de precurseurs gazeux : probleme des pertes en ions et electrons sur les parois laterales de I'enceinte Dans le domaine du depot par introduction de precurseurs gazeux, on 10 connait du document EP 1 094 494 une solution au probleme des pertes en ions et electrons sur les parois later-ales de ('enceinte. Comme illustre a la figure 2, EP 1 094 494 propose un dispositif de production d'un plasma par decharges de type capacitif comprenant une 15 electrode passive 2 a un potentiel de reference, une electrode active 1 alimentee par une tension de maintien de decharge, et une serie d'aimants permanents 4 intercalee entre les electrodes active et passive 1, 2 (voir figure 1A de EP 1 094 494). 20 La serie d'aimants permanents 4 constitue une barriere magnetique qui permet de creer des zones de production et de diffusion de plasma (cf. colonne 4 lignes 54-57 de EP 1 094 494), par piegeage des electrons rapides dans les lignes de champs 41 des aimants 4 de la serie d'aimants. Ceci permet de limiter les pertes en electrons sur les parois 25 later-ales 31, 32 de ('enceinte 3. La presence de la serie d'aimants 4 entre Ies deux electrodes 1, 2 constitue une perturbation magnetique, cette serie d'aimants permanents 4 generant des lignes de champs 41 dans I'espace compris entre les deux 30 electrodes 1, 2. Ceci peut perturber I'homogeneite du depot sur le substrat 11.5 Par ailleurs, la presence de la serie d'aimants 4 entre les deux electrodes 1, 2 constitue une perturbation spatiale, les aimants 4 de la serie d'aimants constituant des obstacles entre les electrodes 1, 2. Ainsi, les aimants 4 de la serie d'aimants produisent des zones > sur le substrat 11. Un but de la presente invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant de limiter les pertes en ions et electrons du plasma tout en permettant d'obtenir un depot plus homogene sur le substrat 11. On remarquera par ailleurs que ('operation consistant a intercaler la serie d'aimants permanents 4 entre les deux electrodes 1, 2 du dispositif decrit dans EP 1 094 494 peut titre delicate a mettre en oeuvre. 15 En effet, la distance entre les electrodes 1, 2 est faible, ce qui implique que le montage est delicat. Un autre but de la presente invention est de proposer un systeme plus facile a mettre en oeuvre que le dispositif decrit dans EP 1 094 494. Une autre caracteristique du dispositif decrit dans EP 1 094 494 est que la presence de la serie d'aimants permanents 4 en regard du substrat 11 a traiter entraIne un risque de pollution du substrat 11 a traiter. 25 Un autre but de la presente invention est de proposer un procede et un systeme associe permettant de limiter les risques de pollution du substrat 11 a traiter. Et, une limitation du dispositif decrit dans EP 1 094 494 est quill ne 30 permet pas d'amorcer un plasma sans ('application d'une tension sup&rieure ou &gale a la tension de claquage. 20 En effet, la serie d'aimants permanents 4 permet de pieger les electrons rapides du plasma et donc de recycler ces electrons de sorte quills participent a la production du plasma, mais pas de creer des electrons rapides : les caracteristiques du bombardement en ions de ('electrode active 1 dependent de la tension appliquee entre les electrodes 1, 2. Ainsi, avec le dispositif decrit dans EP 1 094 494, lorsque I'on cesse d'appliquer une tension entre les deux electrodes 1, 2, on a extinction du plasma. Un but de la presente invention est de fournir un procede et un systeme associe permettant d'amorcer un plasma meme lorsque aucune tension n'est appliquee entre les electrodes. Par ailleurs, le dispositif connu de la figure 2 ne permet pas de faire un depot par pulverisation (reactive ou non reactive, d'isolant electrique ou de conducteur electrique). Un but de la presente invention est de proposer un procede et un systeme associe convenant au depot par pulverisation. A cet effet, on prevoit: selon I'invention un systeme pour la production d'un plasma par decharge de type capacitif comprenant une premiere electrode placee a un potentiel de reference et apte a recevoir un substrata traiter et une deuxieme electrode alimentee avec une tension electrique par rapport au potentiel de reference, les electrodes etant situees dans une enceinte, le systeme comprenant par ailleurs des moyens annexes pour la generation d'un champ magnetique, systeme dans lequel les moyens annexes sont places dans une region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes. Des aspects preferes mais non Iimitatifs du systeme selon I'invention sont les suivants : 5 10 15 20 25 30 la deuxieme electrode est apte a recevoir une cible a pulveriser pour un depot par pulverisation, - les moyens annexes sont des aimants permanents, - Tune des extremites de chaque moyen annexe coopere avec une extremite d'un applicateur filaire d'une energie micro-onde, une autre extremite de I'applicateur cooperant avec une source de production d'une energie micro-onde, - au moins une platine de I'enceinte comprend au moins deux ouvertures traversantes, chaque ouverture etant apte a recevoir un applicateur filaire d'une energie micro-onde, au moins deux platines de I'enceinte comprennent au moins une ouverture traversante, chaque ouverture traversante etant apte a recevoir un applicateur filaire d'une energie micro-onde, - Ies moyens annexes sont places de maniere a produire un plasma par decharge distribuee qui diffuse entre lesdits moyens, - les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation des moyens annexes sont orientes dans le meme sens, les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation des moyens annexes sont alternativement orientes d'un moyen annexe voisin a un autre, - les moyens annexes sont repartis dans ('enceinte de sorte qu'il existe au moins un plan passant par I'espace situe entre les deux electrodes dans lequel les projections des moyens annexes forment un cercle, les moyens annexes sont repartis dans I'enceinte de sorte qu'il existe au moins un plan passant par I'espace situe entre les deux electrodes dans Iequel les projections des moyens annexes forment un carre ou un rectangle, - les electrodes sont sensiblement planes, le plan etant parallele aux electrodes, 11 - le systeme comprend en outre une structure magnetique sur la face de la deuxieme electrode opposee a la face de la deuxieme electrode en regard de la premiere electrode, - la structure magnetique est de type magnetron, - le systeme comprend en outre des moyens pour alimenter la deuxieme electrode, - les moyens pour alimenter la deuxieme electrode comprennent un generateur de tension continue, les moyens pour alimenter la deuxieme electrode comprennent un generateur de tension alternative. L'invention concerne egalement un procede pour la production d'un plasma par decharge de type capacitif produite entre une deuxieme electrode alimentee avec une tension et une premiere electrode placee a un potentiel de reference et apte a recevoir un substrata traiter, les electrodes etant sit:uees dans une enceinte, le procede comprenant I'etape consistant a placer des moyens pour la generation d'un champ magnetique dans une region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes. Des aspects preferes mais non Iimitatifs du procede selon ('invention sont les suivants : - le procede comprend I'etape consistant a realiser des ouvertures traversantes dans la platine superieur et/ou inferieure de ('enceinte, chaque ouverture traversante etant destinee recevoir un applicateur d'une energie micro-onde, le procede comprend I'etape consistant a placer dans les ouvertures traversantes des applicateurs, par exemple de type filaire, le procede comprend I'etape consistant, pour chaque applicateur, a relier une de ses extremites a un moyen pour la generation d'un 30 champ magnetique, et I'autre de ses extremites a une source de production d'une energie micro-onde, le procede comprend I'etape consistant a repartir les moyens annexes de sorte que les vecteurs d'aimantation des moyens annexes sont orientes dans le meme sens, - le procede comprend I'etape consistant a repartir les moyens annexes de sorte que les vecteurs d'aimantation des moyens annexes sont alternativement orientes d'un moyen annexe voisin un autre, - le procede comprend I'etape consistant a disposer les moyens annexes en cercles, - le procede comprend I'etape consistant a disposer les moyens annexes en car-re ou en rectangle, - le procede comprend I'etape consistant a placer une structure magnetique de type magnetron au niveau de la deuxieme electrode. L'invention concerne egalement une platine pour une enceinte d'un systeme de production d'un plasma par decharge de type capacitif entre une premiere et une deuxieme electrode situees dans I'enceinte, la platine comportant des ouvertures traversantes destinees a recevoir des dispositif elementaires, les ouvertures traversantes etant disposees sur la platine de sorte que les dispositifs elementaires entourent une region centrale de la surface de la platine, ladite region centrale etant destinee se trouver en regard des electrodes. Des aspects preferes mais non limitatifs de la platine selon ('invention sont les suivants - les dispositifs elementaires sont montes sur la platine, - chaque dispositif elementaire comprend un applicateur filaire d'une energie micro-onde dont une extremite coopere avec un moyen annexe pour la production d'un champ magnetique et I'autre extremite coopere avec une source de production d'une energie micro-onde, les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation des moyens annexes sont orientes dans le meme sens, - les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation des moyens annexes sont alternativement orientes d'un moyen annexe voisin a un autre, - les ouvertures traversantes sont disposees en cercle, - les ouvertures traversantes sont disposees en rectangle. PRESENTATION DES FIGURES D'autres caracteristiques et avantages de I'invention ressortiront encore 15 de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative et doit etre lue en regard des dessins annexes, sur lesquels : les figures 1 et 2 sont des vues schematiques illustrant deux dispositifs de fart anterieur, - les figures 3 a 7 sont des vues schematiques de differents 20 modes de realisation du systeme selon ('invention, - les figures 8 a 10 sont des vues schematiques de dessus de differents modes de realisation selon ('invention. DESCRIPTION Le systeme selon ('invention pour la production d'un plasma par decharge de type capacitif, va maintenant etre detaille en reference aux figures 3 a 10. Les elements equivalents representes dans les differentes figures porteront les memes references numeriques. 10 25 30 14 En reference a la figure 3, on a illustre un mode de realisation du systeme pour la production d'un plasma par decharge de type capacitif conforme a ('invention. Ce systeme comprend une premiere electrode 1, une deuxieme electrode 2 et une enceinte 3. Les premiere et deuxieme electrodes 1, 2 sont montees a I'interieur de ('enceinte 3. Ces electrodes 1, 2 sont montees a distance ('une de I'autre. La premiere electrode 1 est apte a recevoir un substrat 11 que lion souhaite traiter. La premiere electrode 1 est placee a un potentiel electrique 12 de 15 reference tel que la masse par exemple, ou tout autre potentiel electrique donne : on peut par exemple polariser la premiere electrode 1 avec une tension negative. La deuxieme electrode 2 est apte a recevoir une cible 21 a pulveriser sur 20 sa face en regard de la premiere electrode 1, pour un depot par pulverisation. La deuxieme electrode 2 est alimentee par un generateur de tension electrique 6. 25 Dans les modes de realisation illustres aux figures 3 a 10, le generateur de tension 6 est un generateur de tension alternative basse frequence ou radiofrequence. Ce generateur 6 alimente la deuxieme electrode 2 a travers un condensateur 7. La tension electrique appliquee a la deuxieme 30 electrode 2 est une tension alternative basse ou radio frequence dont la composante continue est inferieure au potentiel electrique 12 de reference.10 15 Dans d'autres modes de realisation de ('invention, le generateur de tension electrique 6 est un generateur de tension continue. Dans ce cas, Ia tension electrique appliquee a la deuxieme electrode 2 est une tension continue inferieure au potentiel electrique 12 de reference. L'utilisation d'un generateur 6 de tension continu pour alimenter la deuxieme electrode 2 permet de simplifier le montage. Par ailleurs, cela permet egalement d'eviter ('emission de rayonnements radiofrequences vers I'exterieur, ce qui est nocif pour les utilisateurs de tels systemes pour la production d'un plasma. Enfin, cela permet d'augmenter la puissance appliquee aux electrodes 1, 2, et ainsi d'augmenter la vitesse du traitement du substrat 11. L'enceinte 3 comprend des moyens (non representes) pour ('introduction d'un gaz, et des moyens (non representes) pour le maintien d'une pression constante clans ('enceinte 3. Les moyens pour ('introduction d'un gaz permettent I'introduction d'un gaz, par exemple dans le cas du depot d'un alliage, ou lors des phases de nettoyage d'une cible 21 et/ou d'un substrat 11 comme it sera explique plus en detail dans la suite. Les moyens pour le maintien d'une pression constante dans ('enceinte 3 comprennent par exemple un dispositif de pompage de gaz, des capteurs pour la mesure de la pression dans I'enceinte, et des moyens de commande. Ces moyens permettent de maintenir ('enceinte 3 a une pression comprise entre quelques 10-3 Pascal et quelques dizaines de Pascal, la valeur de la pression dans I'enceinte 3 dependant de I'application visee (nature des precurseurs a deposer sur le substrat, dimensions de I'enceinte, distances entre les electrodes, etc.). 16 Le systeme illustre a la figure 3 comprend en outre une pluralite de dispositifs elementaires d'excitation de plasma 5 tels que ceux decrits dans le document EP 1 075 168. Chaque dispositif elementaire 5 comprend un applicateur d'une energie micro-onde 51, une source de production d'energie 52 dans le domaine des micro-ondes, et un moyen annexe 53 pour la generation d'un champ magnetique. Contrairement a la barriere magnetique du systeme decrit dans le document EP 1 094 494 qui permet uniquement de recycler des electrons du plasma , chaque dispositif elementaire 5 du systeme selon ('invention est apte a creer un plasma annexe par resonance cyclotronique electronique (ou RCE). Ainsi, la pluralite de dispositifs elementaires 5 permet de creer un plasma annexe independamment de la tension appliquee entre les deux electrodes 1, 2. Par consequent, pour creer du plasma avec le systeme de la presente invention, la tension de claquage entre les deux electrodes 1, 2 peut varier d'une valeur nulle a des valeurs plus elevees, alors qu'avec le systeme decrit clans le document EP 1 094 494, la tension de claquage doit avoir une valeur superieure a un certain seuil pour qu'un plasma soit cree dans I'enceinte 3. L'applicateur 51 est realise sous forme filaire, c'est-e-dire allongee. Une extremite de I'applicateur 51 est reliee a la source de production d'energie 52. L'autre extremite de ('applicateur 51 est reliee au moyen annexe 53. 17 Les moyens annexes 53 permettent de generer des lignes de champ magnetique 55 et sont repartis dans une region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes 1,2. La Les lignes de champ magnetique 55 associees a un moyen annexe 53 donne s'enroulent autour de celui-ci, de sorte que ('ensemble des lignes de champ 55 generees par les moyens annexes 53 de la pluralite de dispositifs elementaires 5 forme une gaine magnetique entre les deux electrodes 1, 2. Cette gaine magnetique permet de pieger les electrons energetiques, les ions et autres especes du plasma emis par la deuxieme electrode 2 lors de la pulverisation de la cible 21, et leur reflexion dans la zone ou est situe le substrat 11 a traiter. La gaine magnetique permet donc de limiter les pertes par adsorption de ces differentes especes sur les parois later-ales interieures 31, 32 de ('enceinte 3. Les especes piegees peuvent a leur tour ioniser et dissocier le gaz present dans ('enceinte 3 ou pulveriser la cible 21, de sorte a augmenter la densite du plasma. Ainsi, la presence des moyens annexes 53 dans une zone peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes 1, 2 permet de limiter les pertes30 aux parois et permet d'obtenir un plasma plus dense, ce qui se traduit par une densification du depot et une augmentation de la vitesse de depot sur le substrat 11. Par ailleurs, contrairement a la disposition de la barriere magnetique du systeme decrit clans le document EP 1 094 494, la disposition peripherique des moyens annexes 53 permet : - de ne pas generer de perturbation magnetique entre les deux electrodes 1, 2, ce qui augmente I'uniformite du depot (par pulverisation ou par introduction de precurseurs gazeux), de ne pas intercaler dans I'espace situe entre les deux electrode 1, 2 d'element susceptible de creer une inhomogeneite spatiale, ce qui augmente egalement I'uniformite du depot (par pulverisation ou par introduction de precurseurs gazeux). Les moyens annexes 53 sont par exemple des aimants permanents de forme quelconque (par exemple cylindrique, spherique, parallelepipedique ou encore en anneau) ou tout autre element connu de I'homme de fart apte a generer des lignes de champ magnetique. Ces aimants 53 permettent d'assurer ('oscillation entre leurs poles des electrons acceleres en vue de creer une zone de diffusion de plasma situee entre lesdits aimants 53 parallelement et perpendiculairement aux electrodes 1, 2. 25 Dans un mode de realisation, les vecteurs d'aimantation 54 des moyens annexes 53 sont orientes de maniere quelconque. Dans ce cas, pour chaque dispositif elementaire 5, certaines lignes de champ 55 generees par le moyen annexe 53 rencontrent I'applicateur 51 de sorte qu'une 30 partie des especes piegees se deplagant le long de ces lignes de champ est adsorbee par I'applicateur 51.20 19 Afin de limiter les pertes en ions et en electrons du plasma au niveau des applicateurs 51 des dispositifs elementaires 5, chaque moyen annexe 53 est preferentiellement place de sorte que le vecteur d'aimantation 54 qui lui est associe est sensiblement dans le prolongement de I'axe longitudinal de I'applicateur filaire 51. Pour limiter encore les pertes en electrons et ions du plasma au niveau des applicateurs 51 de la pluralite de dispositifs elementaires 5, chaque moyen annexe 53 est un aimant permanent de forme cylindrique, de vecteur d'aimantation 54 axial, et comprenant un alesage traversant suivant I'axe de I'aimant. Dans un mode de realisation, les moyens annexes 53 sont repartis de sorte que leurs vecteurs d'aimantation 54 respectifs sont orientes dans le meme sens. Dans un autre mode de realisation, les moyens annexes 53 sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation 54 sont alternativement orientes d'un moyen annexe 53 voisin a un autre. Ceci permet de diminuer I'intensite d'un champ magnetique resultant correspondant a la moyenne des champs magnetiques crees par les moyens annexes 53, et de limiter ainsi les perturbations engendrees par le champ magnetique resultant sur Ies phenomenes electroniques qui surviennent au niveau des premiere et deuxieme electrodes 1, 2. Dans le mode de realisation illustre a la figure 3, le systeme ne comprend pas de structure magnetique 22 au niveau de la deuxieme electrode 2. La presence d'une structure magnetique 22 au niveau de la deuxieme electrode 2 genere des lignes de champ le long desquels des ions se deplacent. Lorsque ces ions rencontrent la cible 21, ils pulverisent celleci. Dans le cas d'un systeme comprenant une structure magnetique 22, la 20 cible 21 s'use plus vite au niveau des points de rencontre entre la cible 21 et les lignes de champ 221 generees par la structure magnetique 22. Ainsi, dans le mode de realisation illustre a la figure 3, I'absence de structure magnetique 22 au niveau de la deuxieme electrode 2 permet d'user la cible 21 de maniere plus homogene. La technique de pulverisation dite reactive consiste a introduire dans ('enceinte un ou plusieurs gaz permettant d'obtenir un depot d'alliage souhaite a partir d'une cible metallique (par exemple une cible en Si et un gaz de 02 pour deposer un alliage de SiO2). Contrairement aux systemes de ('art anterieur, le systeme selon I'invention permet d'effectuer des depots d'alliage isolant par pulverisation reactive en alimentant la deuxieme electrode 2 avec une tension continue. En effet, le plasma annexe obtenu grace aux dispositifs elementaires 5 permet de desoxyder la surface de la cible 21 durant le traitement et donc d'alimenter la deuxieme electrode 2 avec une tension continue. Ainsi, le systeme selon I'invention permet de realiser des depot d'alliage isolant a partir d'une cible 21 conductrice electriquement en appliquant a Ia deuxieme electrode 2 une tension continue, ce qui augmente la vitesse de depot. Toutefois, suivant la nature de ('isolant, I'utilisation d'un generateur de tension alternative peut devenir necessaire pour permettre aux eventuels oxydes qui se forment sur la surface de la cible d'etre desorbes par le plasma annexe cree par les dispositifs elementaires 5. 21 Dans le mode de realisation illustre a la figure 4, le systeme comprend en plus des elements du systeme illustres a la figure 3, une structure magnetique 22 de type magnetron. Cette structure magnetique 22 de type magnetron est placee sur la face de la deuxieme electrode 2 opposee a la premiere electrode 1. La structure magnetique 22 permet d'ameliorer le piegeage des ions et electrons au niveau de la deuxieme electrode 2, et ainsi d'ameliorer le rendement de pulverisation de la cible 21 placee sur la deuxieme electrode 2. Dans les modes de realisation illustres aux figures 3 et 4, la platine superieure 33 de ('enceinte 3 comprend au moins une ouverture traversante 35. Ladite et au moins une ouverture 35 est destinee a recevoir un applicateur 51 d'un dispositif elementaire 5. Dans le mode de realisation illustre a la figure 5, Ies platines superieure et inferieure 33, 34 comprennent chacune au moins une ouverture traversante 35 apte a recevoir un applicateur 51 d'un dispositif elementaire 5. En effet, I'existence de divers moyens de controle dans I'enceinte peut limiter la place disponible autour des electrodes 1, 2 pour la fourniture des dispositifs elementaires 5. Ainsi, iI peut etre necessaire dans certains cas, de prevoir des ouvertures traversantes dans les platines superieure et inferieure 33, 34 de ('enceinte 3, comme illustre a la figure 5. Dans certains cas, et toujours pour des questions de place disponible, ('ensemble des ouvertures traversantes pour la reception des applicateurs30 22 51 des dispositifs elementaires 5 peut etre situe dans la platine inferieure 34 de I'enceinte 3, comrne illustre a la figure 6. La repartition ainsi que le nombre de moyens annexes 53 dans I'enceinte 5 3 peut varier par exemple : - en fonction de la forme des electrodes 1, 2, - en fonction de la forme du substrata traiter, ou encore - en fonct:ion du volume disponible dans ('enceinte pour integrer lesdits moyens annexes 53. 10 Avantageusement, le systeme selon ('invention permet le nettoyage simultane de la cible a pulveriser (par pulverisation des oxydes et/ou des nitrures de surface et/ou tout autre couche polluante de surface) et du substrat a traiter. Comme illustre a la figure 7, pour nettoyer le substrat 11 et la cible 21 avec le systeme selon ['invention, on intercale un cache 8 dans I'espace situe entre les deux electrodes 1, 2. 20 Preferentiellement, le cache 8 a une surface au moins egale a la surface de la deuxieme electrode 2, et permet d'isoler les deux electrodes 1, 2. Le nettoyage simultane du substrat 11 et de la cible 21 est possible grace a la presence des dispositifs elementaires 5 qui permettent de produire le 25 plasma annexe independamment du plasma cree par la deuxieme electrode 2. Au niveau de la cible 21, le plasma cree par la deuxieme electrode 2 permet de pulveriser la surface de la cible 21. Les especes pulverisees 30 diffusent dans I'espace situe entre la deuxieme electrode 2 et le cache 8 et sont adsorbes sur le cache 8. 15 23 Au niveau du substrat 11, le plasma annexe cree par Ies dispositifs elementaires 5 diffuse dans I'espace situe entre le cache 8 et la premiere electrode 1. La presence d'ions et d'electrons permet ainsi une preparation de surface et un nettoyage sous vide du substrat avec pour consequence, une adherence accrue de la couche deposee. Comme illustre a la figure 8, dans un mode de realisation, les electrodes 1, 2 sont des plaques de forme carree, et les moyens annexes 53 sont repartis dans ('enceinte 3 de sorte qu'il existe un plan P (perpendiculaire a ('axe V) passant par I'espace situe entre les deux electrodes 1, 2, dans lequel les projections des moyens annexes 53 forment un cart-6. Comme illustre a la figure 9, dans un mode de realisation, les electrodes 1, 2 sont des plaques de forme circulaire, et les moyens annexe 53 sont repartis dans ('enceinte de sorte qu'il existe un plan P (perpendiculaire a I'axe V) passant par I'espace situe entre les deux electrodes, dans lequel les projections des moyens annexes forment un rectangle. Comme illustre a la figure 10, dans un mode de realisation, les moyens annexes sont repartis dans ('enceinte de sorte qu'il existe un plan P (perpendiculaire a ('axe V) passant par I'espace situe entre les deux electrodes, dans Iequel les projections des moyens annexes forment un cercle. Dans certains modes de realisation, les electrodes 1, 2 sont des plaques sensiblement paralleles ('une par rapport a I'autre, et paralleles au plan P (perpendiculaire a ('axe V). Le systeme selon ('invention peut etre mis en oeuvre sur des systemes de ('art anterieur pour la production d'un plasma par decharge capacitive comprenant une enceinte 3 et une paire d'electrodes 1, 2. 24 Pour realiser un systeme selon ('invention a partir d'un systeme de ('art anterieur, on place des moyens annexes 53 pour la generation d'un champ magnetique clans la region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes 1, 2. Pour cela, on realise des ouvertures traversantes 35 dans rune et/ou I'autre des platines superieure et inferieure 33, 34 de ('enceinte 3, les ouvertures traversantes 35 etant disposees sur la (les) platine(s) de sorte que les dispositifs elementaires 5 entourent une region centrale de la surface de la platine, ladite region centrale etant destinee a se trouver en regard des electrodes 1, 2. On place ensuite des applicateurs filaires 51 dans les ouvertures traversantes, I'extremite situee a I'interieur de ('enceinte 3 de chaque applicateur 51 cooper-ant avec ('une des extremites d'un moyen annexe 53 associe, et I'autre extremite de chaque applicateur 51 cooperant avec une source de production d'une energie micro-onde 52 associee. Une autre solution est de fournir une platine superieure et/ou inferieure comportant des ouvertures traversantes 35 destinees a recevoir des dispositifs elementaires 5, les ouvertures traversantes 35 etant disposees sur la platine de sorte que les dispositifs elementaires entourent une region centrale de la surface de la platine, ladite region centrale etant destinee a se trouver en regard des electrodes. Le systeme selon I'invention est compatible avec une rotation et/ou une translation des substrats 11 a traiter. Le lecteur aura compris que de nombreuses adaptations au systeme et 30 procede selon ('invention peuvent etre apportees sans sortir materiellement de I'enseignement technique de ce document. Par exemple, bien que sur les differentes figures, la deuxieme electrode 2 soit toujours disposee dans la partie superieure de I'enceinte 3, celle-ci peut dans certains modes de realisation etre situee dans la partie inferieure ou au niveau de la paroi later-ale (dans ce cas, les pertes aux parois se produisent au niveau des parois superieure et inferieure de I'enceinte 3), la premiere electrode 1 etant situee en regard de la deuxieme electrode 2. Par ailleurs, tous les processus physiques decrits precedemment restent valables quelque soit la forme des electrodes 1, 2 (planes, bombees, circulaires, cart-6, etc.). REFERENCES 1 premiere electrode, 2 deuxieme electrode, 3 enceinte, 4 aimants permanents, 5 dispositif elementaire, 6 moyens pour alimenter la deuxieme electrode, 7 condensateur, 8 cache, 11 substrat, 12 potentiel electrique, 21 cible, 22 structure magnetique, 31, 32 parois laterales, 33, 34 platines superieure et inferieure, 35 ouverture traversante, 51 applicateur filaire d'une energie micro-onde, 52 source de production d'une energie micro-onde, 53 moyens annexes, 4 vecteur d'aimantation, 55 lignes de champ, 221 lignes de champ, P plan de projection. REVENDICATIONS 1. Systeme pour la production d'un plasma par decharge de type capacitif comprenant une premiere electrode (1) placee a un potentiel de reference et apte a recevoir un substrat (11) a traiter et une deuxieme electrode (2) alimentee avec une tension electrique par rapport au potentiel de reference, les electrodes (1, 2) etant situees dans une enceinte (3), le systeme comprenant par ailleurs des moyens annexes pour la generation d'un champ magnetique, caracterise en ce que les moyens annexes sont places dans une region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes (1, 2). 2. Systeme selon la revendication 1, caracterise en ce que la deuxieme electrode (2) est apte a recevoir une cible (21) a pulveriser pour un depot par pulverisation. 3. Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que les moyens annexes sont des aimants permanents (53). 4. Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que rune des extremites de chaque moyen annexe coopere avec une extremite d'un applicateur filaire d'une energie micro-onde (51), une autre extremite de ('applicateur (51) cooper-ant avec une source de production d'une energie micro-onde (52). 5. Systeme selon la revendication precedente, caracterise en ce que au moins une platine (33) de ('enceinte (3) comprend au moins deux ouvertures traversantes, chaque ouverture etant apte a recevoir un applicateur filaire d'une energie micro-onde (51). 6. Systeme selon la revendication 4, caracterise en ce que au moins deux platines (33, 34) de I'enceinte comprennent au moins une ouverture traversante, chaque ouverture traversante etant apte a recevoir un applicateur filaire d'une energie micro-onde (51).30 7. Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que les moyens annexes sont places de maniere a produire un plasma par decharge distribuee qui diffuse entre lesdits moyens. 8. Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation (54) des moyens annexes sont orientes dans le meme sens. 10 9. Systeme selon rune des revendications 1 a 7, caracterise en ce que les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation (54) des moyens annexes sont alternativement orientes d'un moyen annexe voisin a un autre. 15 10.Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que les moyens annexes sont repartis dans ('enceinte (3) de sorte qu'il existe au moins un plan (P) passant par I'espace situe entre les deux electrodes dans tequel les projections des moyens annexes 20 forment un cercle. 11.Systeme selon rune des revendications 1 a 9, caracterise en ce que les moyens annexes sont repartis dans ('enceinte (3) de sorte qu'il existe au moins un plan (P) passant par I'espace situe entre les deux 25 electrodes dans tequel Ies projections des moyens annexes forment un carre ou un rectangle. 12. Systeme selon rune des revendications 10 ou 11, caracterise en ce que les electrodes (1, 2) sont sensiblement planes, le plan (P) etant 30 parallele aux electrodes (1, 2). 13.Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que le systeme comprend en outre une structure magnetique (22) sur5Ia face de la deuxieme electrode (2) opposee a la face de la deuxieme electrode (2) en regard de la premiere electrode (1). 14.Systeme selon la revendication precedente, caracterise en ce que la 5 structure magnetique (22) est de type magnetron. 15. Systeme selon rune des revendications precedentes, caracterise en ce que le systeme comprend en outre des moyens (6) pour alimenter la deuxieme electrode (2). 16. Systeme selon la revendication precedente, caracterise en ce que les moyens (6) pour alimenter la deuxieme electrode (2) comprennent un generateur de tension continue. 15 17.Systeme selon la revendication 15, caracterise en ce que les moyens (6) pour alimenter la deuxieme electrode (2) comprennent un generateur de tension alternative. 18. Procede pour la production d'un plasma par decharge de type capacitif 20 produite entre une deuxieme electrode (2) alimentee avec une tension et une premiere electrode (1) placee a un potentiel de reference et apte a recevoir un substrat (11) a traiter, Ies electrodes (1, 2) etant situees dans une enceinte (3), caracterise en ce que le procede comprend I'etape consistant a placer des moyens pour la 25 generation d'un champ magnetique dans une region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes (1, 2). 19.Platine pour une enceinte (3) d'un systeme de production d'un plasma par decharge de type capacitif entre une premiere et une deuxieme 30 electrode (1, 2) situees dans ('enceinte (3), caracterisee en ce que la platine comporte des ouvertures traversantes destinees a recevoir des dispositif elementaires (5) comprenant des moyens annexes pour la generation d'un champ magnetique, les ouvertures traversantes etant disposees sur la platine de sorte que les dispositifs elementaires (5) 10entourent une region centrale de la surface de la platine, ladite region centrale etant destinee a se trouver en regard des electrodes (1, 2), les dispositifs elementaires etant agences de sorte que les moyens annexes se trouvent dans une region peripherique de I'espace situe entre les deux electrodes. 20. Platine selon la revendication 19, caracterise en ce que les dispositifs elementaires (5) sont montes sur la platine. 21. Platine selon la revendication 20, caracterise en ce que chaque dispositif elementaire (5) comprend un applicateur filaire (51) d'une energie micro-onde dont une extremite coopere avec un moyen annexe (53) pour la production d'un champ magnetique et I'autre extremite coopere avec une source de production d'une energie micro-onde (52). 22. Platine selon la revendication 21, caracterise en ce que les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation (54) des moyens annexes sont orientes dans le meme sens. 23. Platine selon la revendication 21, caracterise en ce que les moyens annexes sont repartis de sorte que les vecteurs d'aimantation (54) des moYens annexes sont alternativement orientes d'un moyen annexe voisin a un autre. 25 24. Platine selon rune des revendications 19 a 24, caracterise en ce Ies ouvertures traversantes sont disposees en cercle. 25. Platine selon rune des revendications 19 a 24, caracterise en ce les 30 ouvertures traversantes sont disposees en rectangle.20