Brevet FR2887650A1 — publié le 20061229

CIRCUIT FOURNISSANT UNE TENSION DE RÉFÉRENCE Le domaine technique de l'invention concerne d'une manière générale un circuit fournissant une tension de référence servant à délivrer une tension stable vis-à-vis d'une variation de la température ambiante ou d'une variation de la tension d'une source d'alimentation en courant continu (par exemple une batterie), et plus particulière-ment un circuit pour délivrer une tension de référence stable en utilisant une tension de bande interdite d'un semiconducteur (de façon typique en silicium ou analogue) incluant une jonction pn. La figure 6, annexée à la présente demande, représente un circuit classique 100 fournissant une tension de référence. Le circuit 100 fournissant une tension de référence est un circuit servant à convertir une tension continue d'alimentation en énergie VDD en une tension de référence stable VREF et en particulier est conçu pour délivrer une tension de référence VREF qui est ajustée sur une valeur fixe par rapport à une variation de la température ambiante. Le circuit classique 100 fournissant une tension de référence est équipé d'un amplificateur opérationnel OP, d'une première résistance R1r d'une seconde résistance R2, d'une troisième résistance R3, d'une première diode Dl et d'une seconde diode D2. La seconde diode D2 est formée par un groupe de diodes comprenant une pluralité de diodes connectées entre elles en parallèle, et chaque diode possède la même spécification que la première diode Dl. Des lignes d'alimentation en énergie positive et négative 36 et 37 sont connectées aux bornes positive et négative d'une source d'énergie à courant continu, et les lignes d'alimentation en énergie positive et négative 36 et 37 sont connectées aux bornes d'alimentation en énergie positive et négative de l'amplificateur opérationnel OP. Une extrémité de la première résistance R1 est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel OP, et l'autre extrémité est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnelle OP. Une extrémité de la seconde résistance R2 est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel OP et son autre extrémité est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP. Une extrémité de la troisième résistance R3 est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP, et son autre extrémité est connectée à la borne formant anode de la seconde diode D2. La borne formant cathode de la seconde diode D2 est connectée à la ligne d'alimentation en énergie négative 37. La seconde diode D2 est insérée dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative 37. La borne formant anode de la première diode Dl est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP, et la borne formant cathode de cette diode est connectée à la ligne d'alimentation en énergie négative 37. La première diode Dl est insérée dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative 37. JP-A-2003-7837 décrit un exemple de ce type de circuit de tension de référence. Lorsque la chute de tension dans le sens direction VD1 [T] de la première diode Dl est représentée par une équation, on obtient l'équation (1) suivante. VDI[T]=VBG (VBG--VDj[To])T _(77_1)kT1nT To q To (1) où T représente la température atteinte lorsqu'on représente la température ambiante du circuit 100 fournis- sant une tension de référence, en tant que valeur absolue. To représente une température absolue de référence et peut être réglée à 20 C (représentée par Celsius) par exemple). VBG représente la tension de bande interdite d'une jonction pn contenue dans la première diode Dl et est une valeur propre du matériau. rI représente une constante qui dépend du procédé de fabrication du circuit 100 fournissant une tension de référence, et est normalement égale à environ 4. k représente la constante de Boltzmann, et q représente la quantité de charge électrique d'un électron. L'équation (1) est utilisée dans les autres formes de réalisation, et les symboles contenus dans l'équation (1) possèdent les mêmes significations que celles indiquées précédemment. Comme cela est bien connu, la tension de référence VREF[T, VDD] délivrée par le circuit 100 fournissant une tension de référence varie en suivant la température ambiante T et la tension continue d'alimentation en énergie VDD. La variation de la tension de référence par rapport à la température ambiante peut être représentée par l'équation suivante (2). Les symboles obtenus par addition de chiffres aux symboles R représentant les résistances représentent les valeurs résistives des résistances auxquelles sont ajoutés les nombres. VVEF [T'] = VDI [T] + Rz k ln nR2 R3 q R, (2) xT où n représente le nombre de diodes constituant la seconde diode D2, ou n représente également le rapport entre la surface constituant la jonction pn de la première dicde Dl et la surface constituant la jonction pn de la seconde diode D2. Dans le circuit classique 100 fournissant une ten- sion de référence, lorsque l'équation (1) est introduite dans l'équation (2), les valeurs résistives des résistances fixes respectives Ru R2, R3 sont ajustées de telle sorte que le terme principal de la température absolue T de l'équation (1) et le terme primaire de la température absolue T dans l'équation (2) sont décalés l'un par rapport à l'autre, ce qui a pour effet que l'effet de la variation de la température ambiante T sur la tension de référence (VREF) est supprimé. Cependant, comme cela est représenté dans l'équation (1), des termes d'ordre plus élevé concernant la température ambiante existent effectivement. Par consé- quent, lorsqu'une tension de référence VREF plus stable est nécessaire, il faut prendre en compte l'effet des termes d'ordre plus élevé. Les termes d'ordre plus élevés concernés ne peuvent pas être décalés au moyen d'un simple ajustement des valeurs résistives des résistances fixes respec- tives R1, R2, R3. En outre on sait que la tension de référence VREF[T, VDD] du circuit classique 100 fournissant une tension de référence est à même de varier en suivant la variation de la tension continue de la source d'alimentation en énergie VDD. Ce phénomène est dû au fait que la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel OP varie en suivant la variation de la tension continue de la source d'alimentation VDD. Par exemple, lorsqu'une batterie ou analogue est utilisée en tant que source d'alimentation en courant continu, le phénomène indiqué ci-dessus apparaît étant donné que la tension de la source d'alimentation à courant continu varie fortement dans le temps. Un but est de fournir un circuit pour compenser l'effet de la variation de la température ambiante avec une grande précision et délivrer une tension de référence très stable. Un autre but est de fournir un circuit pour compenser l'effet de la variation d'une tension de la source d'alimentation avec une grande précision et délivrer une tension de référence très stable. Un autre but est de fournir un circuit pour compenser simultanément les effets de la variation de la température ambiante et d'une variation d'une tension de la source d'alimentation et délivrer une tension de référence stable. Pour atteindre les objectifs indiqués précédemment, une quatrième résistance est ajoutée au circuit classique fournissant la tension de référence. La tension de référence est stabilisée par l'addition de la quatrième résis- tance. L'effet de la variation de la température ambiante ou l'effet de la variation de la tension de la source d'alimentation peut être compensé avec une grande précision par la caractéristique de la quatrième résistance. Les deux modes présentent la caractéristique technique commune qui consiste à ajouter la quatrième résistance, ce qui diffère de la technique classique, et sont associés entre eux pour former un seul concept inventif général. C'est-à-dire qu'il est prévu un circuit fournissant une tension de référence servant à délivrer une tension de référence stable. Le circuit fournissant une tension de référence est équipé d'un amplificateur opérationnel, d'une première résistance, d'une seconde résistance, d'une troisième résistance, d'une quatrième résistance, d'un premier semiconducteur incluant une jonction pn et d'un second semiconducteur incluant une jonction pn, et ces éléments sont connectés entre eux de la manière indiquée ci-après. Les lignes d'alimentation en énergie positive et négative connectées aux bornes positive et négative de la source d'alimentation à courant continu sont connectées aux bornes d'alimentation en énergie positive et négative de l'amplificateur opérationnel. Une extrémité de la première résistance est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel et son autre extrémité est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opéra- tionnel. Une extrémité de la seconde résistance est connec- tée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel et son autre extrémité est connectée à la borne d'entrée inverseuse. Une extrémité de la troisième résistance est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel, et son autre extrémité est connectée au second semiconducteur. Une extrémité de la quatrième résistance est connectée à la borne d'entrée non inverseuse et son autre extrémité est connectée au premier semiconducteur. Le premier semiconducteur est inséré dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative, et le second semiconducteur est inséré dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative. En outre, la valeur résistive de la quatrième résistance est ajustée de manière à être inférieure à la valeur résistive de la première résistance. Une diode est un élément typique du semiconducteur incluant la jonction pn, mais le semiconducteur n'est pas limité à la diode. Par exemple, on peut utiliser un semi-conducteur possédant une jonction pn formée entre la base et l'émetteur d'un transistor bipolaire par court-circuitage de la base et du collecteur du transistor bipolaire. La première résistance, la seconde résistance et la troisième résistance sont de façon typique des résistances fixes, et leurs valeurs résistives sont fréquemment inva- riables. Ici, l'expression résistance fixe désigne n'importe quelle résistance dont la valeur résistive est sensiblement invariable lorsque le circuit fournissant une tension de référence fonctionne. L'expression résistance fixe s'étend également à n'importe quelle résistance, dont la valeur résistive est ajustée lorsque le circuit fournissant une tension variable ne fonctionne pas. La valeur résistive de la quatrième résistance est ajustée de manière à être inférieure à la valeur résistive de la première résistance. C'est pourquoi, même lorsque la quatrième résistance est ajoutée au circuit classique fournissant une tension de référence, l'effet de la caractéristique de la quatrième résistance sur le coefficient du terme primaire de l'équation (2) peut être réduit. Par conséquent, comme dans le cas du circuit classique fournis- sant une tension de référence, le coefficient du terme primaire de l'équation (2) peut être décalé par ajustement des valeurs résistives des première, seconde et troisième résistances, et également l'effet de la variation de la température ambiante peut être compensé avec une grande précision ou l'effet de la variation de la tension de la source d'alimentation peut être compensé avec une grande précision au moyen de la caractéristique de la quatrième résistance. C'est pourquoi, il est prévu un circuit fournissant une tension de référence servant à délivrer une tension de référence stable vis-à-vis d'une variation de la température ambiante. Dans ce cas, il est préférable d'utiliser en tant que quatrième résistance une résistance possédant un coefficient de température de résistance ajusté de manière à être supérieur aux coefficients de température de résistance des première, seconde et troisième résistances. Par conséquent, on peut obtenir un circuit fournissant une tension de référence, qui sert à délivrer une tension de référence stable vis-à-vis de la température ambiante. Un circuit fournissant une tension de référence est équipé d'une quatrième résistance en plus des première, seconde et troisième résistances. Grâce au fait d'ajouter la quatrième résistance, les coefficients des termes de rang plus élevé de l'équation (2) sont réglés de manière à reproduire la caractéristique de la quatrième résistance. En ajustant le coefficient de température de résistance de la quatrième résistance de manière que le coefficient de température de la résistance de la quatrième résistance soit supérieur aux coefficients de température de résis- tance des première, seconde et troisième résistances, il est possible de réduire les coefficients des termes de rang plus élevé de l'équation (2) plus fortement que dans le cas où la quatrième résistance n'existe pas. L'effet produit par la variation de la température ambiante peut être compensé avec une grande précision, et on peut obtenir la tension de référence stable. En cutre, lorsque le coefficient de température de résistance de la quatrième résistance est ajusté de manière à être supérieur aux coefficients de température de la résistance des première, seconde et troisième résistances, on peut choisir une valeur plus faible pour la valeur résistive de la quatrième résistance. Lorsqu'on réduit la valeur résistive de la quatrième résistance, l'effet de la caractéristique de la quatrième résistance sur le terme primaire de l'équation (2) peut être plus fortement réduit que cela a été décrit précédemment. Conformément à un autre aspect, il est prévu un circuit fournissant une tension de référence servant à délivrer une tension de référence stable vis-à-vis d'une variation de la tension de la source d'alimentation. Dans ce cas il est préférable d'utiliser comme quatrième résistance une résistance variable, dont la valeur résistive est variable tout en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation. C'est pourquoi, on obtient un cir- cuit fournissant une tension de référence, servant à délivrer une tension de référence stable vis-à-vis de la variation de la tension de la source d'alimentation. Conformément au circuit fournissant une tension de référence, le phénomène selon lequel la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel varie en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation, peut être compensé moyennant l'utilisation de la résistance variable, dont la valeur résistive varie tout en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation. Ici la résistance variable inclut à la fois les résistances, dont les valeurs résistives sont accrues et réduites en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation. Une résistance variable, dont la valeur résistive augmente, et une résistance variable, dont la valeur résistive diminue, peuvent être choisies de façon appropriée sur la base de la caractéristique de l'amplificateur opérationnel devant être utilisé. En utilisant la résistance variable, dont la valeur résistive varie en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation, on peut obtenir un circuit fournissant une tension de référence, qui délivre une tension de référence stable vis-à-vis de la variation de la tension de la source d'alimentation. Lorsque la quatrième résistance est une résistance variable, il est préférable que la valeur résistive de la quatrième résistance varie en suivant l'accroissement de la tension de la source d'alimentation en énergie. D'une manière générale, la tension de référence délivrée par le circuit fournissant une tension de référence présente fréquemment une variation positive, en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation. C'est-à-dire que lorsque la tension de la source d'alimentation augmente, la tension de référence augmente fréquemment. Pour supprimer ce phénomène, il est préférable que la valeur résistive de la quatrième résistance soit réduite par rapport à l'accroissement de la tension de la source d'alimentation, ce qui permet d'obtenir un circuit fournissant une tension de référence, qui délivre une tension de référence stable vis-à-vis de la variation de la tension de la source d'alimentation en énergie. Il est préférable d'utiliser comme quatrième résis- tance un transistor MOSFET de type n. Dans le cas du tran- sistor MOSFET de type n, il est préférable que la borne de drain soit connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel, que la borne de source soit connectée au premier semiconducteur et que la borne de grille soit connectée à la ligne d'alimentation en énergie positive. Dans le cas du transistor MOSFET du type n, lorsque la tension de la source d'alimentation appliquée à la borne de grille augmente, la valeur résistive du canal diminue. C'est-à-dire que lorsque la tension de la source d'alimentation augmente, la valeur résistive entre la borne de drain et la borne de source du transistor MOSFET de type n est réduite. En utilisant le transistor MOSFET de type n en tant que quatrième résistance, on peut obtenir le phénomène, selon lequel la valeur résistive de la quatrième résistance diminue en suivant l'accroissement de la tension de la source d'alimentation. Par conséquent on peut obtenir un circuit fournissant une tension de référence, qui sert à délivrer une tension de référence stable vis-à-vis de la variation de la tension de la source d'alimentation. Un circuit série comprenant une résistance fixe et une résistance variable peut être utilisé en tant que quatrième résistance. Dans ce cas, le circuit série est conçu de manière à présenter une caractéristique telle que le coefficient de température de résistance de la résistance fixe est supérieur aux coefficients de température de résistance des première,. seconde et troisième résistances, et la valeur résistive de la résistance variable varie en suivant la variation de la tension de la source d'alimentation. L'ordre de connexion pour connecter la résistance fixe et la résistance variable en série n'est pas limité à un ordre spécifique, et la résistance fixe peut être disposée plus près de la ligne d'alimentation en énergie négative, ou bien la résistance variable peut être disposée plus près de la source d'alimentation en énergie négative. Selon le circuit fournissant une tension de référence tel que décrit précédemment, la tension de référence peut être délivrée avec une compensation des effets à la fois de la variation de la température et de la tension de la source d'alimentation. Le circuit fournissant une tension de référence utilise au moins quatre résistances. En ajustant les caractéristiques des résistances respectives, on peut compenser l'effet de la variation de la température avec une grande précision, et/ou on peut compenser l'effet de la tension de la source d'alimentation de façon très précise, de telle sorte qu'une tension de référence stable peut être délivrée. De façon plus précise l'invention concerne un circuit fournissant une tension de référence servant à délivrer une tension de référence stable, caractérisé en ce qu'il comporte: un premier semiconducteur inséré dans le sens direct par rapport à une ligne d'alimentation en énergie négative d'une tension de source d'alimentation et un second semiconducteur inséré dans le sens direct par rap- port à la ligne d'alimentation en énergie négative, chacun des premier et second semiconducteurs comprenant une jonction PN, un amplificateur opérationnel connecté à une ligne d'alimentation en énergie positive et à la ligne d'alimen- tation en énergie négative de la tension de la source d'alimentation, et dans lequel une extrémité d'une première résistance est connectée à une borne de sortie de l'ampli- ficateur opérationnel et une autre extrémité de la première résistance est connectée à une borne d'entrée non inver- seuse de l'amplificateur opérationnel, une extrémité d'une seconde résistance est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur et l'autre extrémité de la seconde résis- tance est connectée à une borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel, une extrémité d'une troisième résistance est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel et l'autre extrémité de la troisième résistance est connectée au second semiconducteur, et une quatrième résistance possédant une extrémité connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel et une autre extrémité connectée au premier semiconducteur, une valeur résistive de la quatrième résistance étant réglée à une valeur inférieure à une valeur résistive de la première résistance. Selon une autre caractéristique de l'invention, le coefficient de température de résistance de la quatrième résistance est réglé de manière à être supérieur à un coefficient de température de résistance de chacune des première, seconde et troisième résistances, ce qui permet de délivrer une tension de référence stable vis-à-vis d'une variation de la température ambiante. Selon une autre caractéristique de l'invention, la quatrième résistance est une résistance variable, dont la valeur résistive varie en suivant la variation d'une tension de la source d'alimentation, ce qui permet la délivrance d'une tension de référence stable vis-à-vis d'une variation de la tension de la source d'alimentation. Selon une autre caractéristique de l'invention, la valeur résistive de la quatrième résistance diminue en suivant l'augmentation de la tension de la source d'alimentation. Selon une autre caractéristique de l'invention, la quatrième résistance est un transistor MOSFET de type n possédant une borne de drain connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel, une borne de source connectée au premier semiconducteur et une borne de grille connectée à la ligne d'alimentation en énergie positive. Selon une autre caractéristique de l'invention, le 35 circuit fournissant une tension de référence pour la déli- vrance d'une tension de référence stable est caractérisé en ce qu'il comporte: un premier semiconducteur inséré dans le sens direct par rapport à une ligne d'alimentation en énergie négative d'une tension de source d'alimentation et un second semiconducteur inséré dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative, chacun des premier et second semiconducteurs (Dl,D2) comprenant une jonction PN, un amplificateur opérationnel connecté à une ligne d'alimentation en énergie positive et à la ligne d'alimentation en énergie négative de la tension de la source d'alimentation, et dans lequel une extrémité d'une première résistance est connectée à une borne de sortie de l'ampli- ficateur opérationnel et une autre extrémité de la première résistance est connectée à une borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel, une extrémité d'une seconde résistance est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel et l'autre extrémité de la seconde résistance est connectée à une borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel, une extrémité d'une troisième résistance est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel et l'autre extrémité de la troisième résistance est connectée au second semiconducteur, et une quatrième résistance comprenant une résistance fixe et une résistance variable connectées entre elles en série, un coefficient de température de la résistance fixe étant réglé supérieur à un coefficient de température de résistance de chacune des première, seconde et troisième résistances, et une valeur résistive de la résistance variable varie en fonction de la variation de la tension de la source d'alimentation. D'autres caractéristiques et avantages de la pré-35 sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 représente un circuit fournissant une tension de référence, conformément à une première forme de réalisation; - la figure 2 est un schéma représentant le taux de variation d'une tension de référence rapporté à la variation de température; - la figure 3 représente un circuit de tension de référence selon une deuxième forme de réalisation; - la figure 4 représente le taux de variation d'une tension de référence rapporté à la variation de la tension de la source d'alimentation; - la figure 5 représente un circuit fournissant une tension de référence correspondant à une variante; et -la figure 6, dont il a déjà été fait mention, représente un circuit classique délivrant une tension de référence. On va décrire ci-après des formes de réalisation en se référant aux dessins annexés. Les formes de réalisation indiquées ci-après possèdent les caractéristiques principales suivantes. (Première forme de réalisation) La valeur résistive d'une quatrième résistance est inférieure à la valeur résistive d'une première résistance. (Deuxième forme de réalisation) Les première, seconde et troisième résistances sont des résistances fixes. (Troisième forme de réalisation) Les première, seconde et troisième résistances sont formées par Le même type de matériau, et leurs coefficients de température de résistance sont égaux entre eux. On va décrire ci-après ces formes de réalisation en référence aux dessins annexés. (Première forme de réalisation) La figure 1 représente un circuit 10 fournissant une tension de référence, qui sert à convertir une tension VDD d'une source d'alimentation à courant continu, qui est délivrée par une source d'alimentation à courant continu, à une tension de référence compensée en température VREF et délivrer la tension de référence compensée en température VREF. Le circuit 10 fournissant une tension de référence est un circuit servant à convertir la tension VDD de la source d'alimentation à courant continu en tension de référence stable VREF, et est conçu notamment de telle sorte que la tension de référence VREF, qui est ajustée sur une valeur fixe, est délivrée par rapport à une variation de la température ambiante. Le circuit 10 fournissant une tension de référence est équipé d'un amplificateur opérationnel OP, d'une pre- mière résistance fixe R1r d'une seconde résistance fixe R2, d'une troisième résistance fixe R3, d'une quatrième résistance fixe R4, d'une première diode Dl et d'une seconde diode D2. La seconde diode D2 est formée par un groupe de diodes contenant plusieurs diodes connectées entre elles en parallèle, et chaque diode possédant la même spécification que la première diode Dl. Des lignes 36 et 37 d'alimentation en énergie posi- tive et négative sont connectées aux bornes positive et négative de la source d'alimentation à courant continu, et les lignes 36 et 37 d'alimentation en énergie positive et négative sont connectées aux bornes d'alimentation en énergie positiveet négative de l'amplificateur opération- nel OP. Une extrémité de la première résistance fixe R1 est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opéra- tionnel OP, et l'autre extrémité de cette résistance est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP. Une extrémité de la seconde résis-tance fixe R2 est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel OP et son autre extrémité est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP. Une extrémité de la troisième résistance fixe R3 est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel, et son autre extrémité est connectée à la borne formant anode de la seconde diode D2. Une extrémité de la quatrième résistance est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP, et son autre extrémité est connectée à la borne d'anode de la première diode Dl. Les bornes formant cathodes des première et seconde diodes Dl et D2 sont connectées à la ligne 37 d'alimentation en énergie négative. La ligne 37 d'alimentation en énergie négative est à la masse. La première diode Dl et la seconde diode D2 sont insérées dans le sens direct par rapport à la ligne 37 d'alimentation en énergie négative. Ci-après, on va décrire, en utilisant les équations indiquées ci--après, le phénomène selon lequel la tension de référence VRE;F, qui est compensée en température avec une grande précision, est délivrée moyennant l'utilisation du circuit 10 fournissant une tension de référence. Tout d'abord, lorsque T = To + OT est substitué dans la chute de tension dans le sens direct VD1[T] de la diode Dl contenant la caractéristique de température, on obtient l'équation suivante (3). L'équation (1) décrite précédemment peut être utilisée en tant qu'équation de la chute de tension dans le sens direct VD1[T]. VDl [T] = VD1 To] - (VBG - VDI [To]) OT (i -1) kTo C1 + OT ln(1 + OT To q To l To 30... (3) Dans cette équation (3), (1+OT/To) est développé selon un développement de Taylor et est approximé moyennant l'utilisation des termes primaire et secondaire pour l'obtention de l'équation suivante (4). VDI[T] =VDI[To] -- VBG VD1[ToJ+kTo OT(77-1)kTo AT... (4) 4 To 2q To Ici, si on désigne par I1 le courant circulant dans la première diode Dl et par I2 le courant circulant dans la seconde diode D2, on peut obtenir les quatre équations suivantes. Vol (kT/q) ln (I1/Is) (5) VD2 (kT/q)ln(I2/nIs) .. (6) I1R1 = I2R2.. . (7) VREF = VD1 + 11 (R1+R4) = VD2 + 12 (R2+R3) (8) Is représente le courant saturé de la diode Dl. En outre, si les valeurs résistives des résistances fixes respectives R1r R2, R3, R4 sont représentées par des fonctions R1[T], R2[T], R3[T] et R4[T] contenant les carac- téristiques de température, on peut obtenir les équations données ci-après. Les valeurs résistives des résistances fixes respectives R1r R2, R3, R4 à la température de référence To sont désignées par Rio, R20, R30, R90. La première résistance fixe R1r la seconde résistance fixe R2 et la troisième résistance fixe R3 sont formées par le même type de matériau, et les coefficients de résistance de température de ces résistances sont égaux entre eux. D'autre part, la quatrième résistance fixe R4 est formée par un type différent de matériau, et son coefficient de température de résistance b diffère de ceux des autres résistances fixes R1r R2, R3. R1[T] = Rlo (1+aA) R2[T] = R20 (1+a0) R3[T] = Rio (1+a0) R4 [T] = R40 (1+ a0) Lorsque la tension de référence VREF délivrée par le circuit 10 fournissant une tension de référence est représentée par les fonctions contenant les caractéristiques de température avec les équations (5) à (8) ci-dessus et qu'on utilise des valeurs résistives R1[T], R2[T], R3[T], R4[T] des résistances respectives R1r R2, R3, R4 contenant les caractéristiques de température, on peut obtenir l'équation suivante (9). R2 [T] 1 + R4 [T] \ / \ R,[T], kT ln nR2[T] R /1 - Rz [T] R [T] q R1[T] , 3[T] RI[T]R3[T] 4 i = VD1 [T] + R20 R30 (9) Ici (1+a0T)-1 dans l'équation (9) est soumis au développement de Taylor. En outre, en supposant que aAT et MT sont suffisamment inférieurs à 1, on peut approximer l'équation (9) au moyen de l'équation (10) suivante. kT0 1+ AT 1+ R40 0+(b-a)AT \ T R10 ln nR2.. (10) i I 40 q 1- R R (l + (b a)OT R1 En outre (1-R20xR40/R10xR30 (1+ (b-a) OT)) -1 dans l'équation (10) est soumis au développement de Taylor. En outre en supposant que R40/R10 et R20xR90/R10xR30 sont suffisamment inférieurs à 1, on peut approximer l'équation (10) par l'équation suivante (11). VVEF[T]=VDI[T]+ kT0 1+LT\ /1+R40 x1+bAT T0 / R10 1 + aT ln nR2 q /1 _ RzoRao x 1 +bOT R, R10 R30 1 + a0T VREF[T]VDI[T]+R20 R30 RI0 R \ 30 AT\ VREF[TiVDl[T] -l-R2o kTo 1-1- To / 1+ Rao 1+ R20 \ 1 + (b - a)AT) ln nR2 R30 qO R10 R30 Ri R2,, kT R,,, (R,,, Rao R,,, AT Rao Rzo AT nR2 VDIET]±Cl+ 1+++(1+(b a)T ) (1+11+(b a)T 1 + f)Z In( ) Rao q Rio l Rso) ll Rio R3,, JJ Ti Rio R30 To J l R, (11) En introduisant l'équation précédemment calculée (4) dans l'équation (11), on peut obtenir l'équation 10 suivante (12). VREF [T] = VDI [To] + R20 kT o R30 q Rao /1+ R20 1n nR2 Rio \ R30 R, 1 + i + R20 kTo 1 + (1 + (b - a)T0) Rao 1+R20 ln \ R30 q Rio Rao / / nRR2 VBGVDI [To] + (1l -1) kT T \ 1 / 9 / 0 AT + / R20 kTo (b - a)To (b - a)7 Rao 1 + R20 ln/ nR2 (7 -1) kTo AT J2 R q RR R io so, 9 / To Comme cela est représenté dans l'équation (12) , on trouve qu'en additionnant la quatrième valeur résistive fixe R40 à la température de référence To de la quatrième résistance fixe R4 et la différence (b-a) entre le coefficient de température de résistance b de la quatrième résistance fixe R4 et le coefficient de température de résistance commun a pour les autres résistances fixes R1, R2, R3 on obtient le terme secondaire de AT. Comme cela est représenté dans l'équation (12), lorsque la différence (b-a) entre le coefficient de température de résistance est ajustée de manière à être une valeur positive, le coefficient du terme secondaire AT est réduit, et l'effet des termes de rang plus élevé est réduit. C'est pourquoi, il est préférable que le coefficients de température de résistance b de la quatrième résistance fixe R4 soit suffisamment supérieur au coefficient de température de résistance a de la première résistance fixe R1. En outre on suppose que R40/R10 est suffisamment inférieur à 1 lorsque l'équation (10) est approximée. Par conséquent, lorsque chaque condition est réglée sur la base de l'équation (12), il est préférable que la quatrième résistance fixe R4 soit suffisamment plus petite que la première résistance fixe R1. Dans ce cas, la condition de l'équation (12) peut être utilisée. Les coefficients des termes primaire et secondaire de AT de l'équation (12) peuvent être tous deux réduits ou réglés à zéro par ajustement des valeurs résistives R10, R20, R30, R40 pour la température de référence T0 des résis- tances fixes respectives R1r R2, R3, R4, le nombre n de diodes constituant la seconde diode D2 et la différence (b-a) entre le coefficient de température de résistance b de la quatrième résistance R4 et le coefficient de température de résistance commun a des autres résistances fixes R1r R2, R3. C'est-à-dire que le circuit 10 fournissant une tension de référence peut délivrer une tension de référence VREF[T] remarquablement stable, qui n'est pas affectée par une variation de la température. La figure 2 représente la caractéristique de tempé- rature de la tension de référence VREF[T]. Le chiffre de référence 1C0 représente la caractéristique de température du circuit de tension de référence classique de la figure 6, et le chiffre de référence 10 représente la caractéris- tique de température du circuit 10 fournissant une tension de référence de cette forme de réalisation représentée sur la figure 1. La figure 2 représente le taux de variation de la tension de référence VREF[T] lorsque la température ambiante varie de -40 à environ 120 C. L'axe des ordonnées de la figure 2 représente le taux de variation de la valeur de tension de référence VREF[T] pour chaque température, qui est calculé avec la tension de référence VREF[-40] à -40 C, réglée en tarit que référence. Comme cela est représenté sur la figure 2, le circuit classique 100 fournissant une tension de référence présente une variation de forme convexe en suivant la variation de température. C'est un effet de termes de rang élevé présents dans l'équation (1). D'autre part, dans le cas du circuit 10 fournissant une tension de référence dans cette forme de réalisation, il s'avère qu'une tension de référence VREF[T] remarquablement stable vis-à-vis de la variation de la température est délivrée. La variation de forme convexe peut être supprimée par réduction des termes de rang plus élevé. Le circuit 10 fournissant une tension de référence selon cette forme de réalisation peut délivrer la tension de référence VREF, dans laquelle une compensation de température est réalisée de façon précise. Dans la première forme de réalisation décrite ci- dessus, il est préférable que les caractéristiques des valeurs résistives des résistances fixes R1r R2, R3, R4 soient sélectionnées dans l'ordre suivant. Tout d'abord on détermine la caractéristique résistive de la quatrième résistance fixe. A ce stade, on sélectionne la quatrième résistance fixe R4 dans la condition dans laquelle la valeur résistive de la quatrième résistance fixe R4 est inférieure à celle de la première résistance fixe R1r et le coefficient de température de résistance de cette résis- tance est supérieur au coefficient de température de résis- tance de chacune des autres résistances fixes R1r R2, R3. Ensuite, on sélectionne les valeurs résistives des autres résistances fixes R2, R3 en fonction de la caractéristique de résistance sélectionnée de la quatrième résistance fixe R4, de sorte que le coefficient du terme primaire de iT de l'équation (:2) est égal à zéro. Par conséquent, il est possible de réaliser le circuit fournissant une tension de référence, dans lequel l'effet des termes de rang plus élevé de AT de l'équation (12) peut être réduit, et en outre l'effet du terme primaire peut être décalé. (Deuxième forme de réalisation) La figure 3 représente un circuit 20 fournissant une tension de référence, pour la conversion d'une tension continue d'alimentation en énergie VDD délivrée par une source d'alimentation à courant continu en une tension de référence VREF, puis pour délivrer la tension de référence VREF. Le circuit 20 fournissant une tension de référence délivre la tension de référence VREF stable vis-àvis d'une variation de la tension continue VDD de la source d'alimentation. Dans le circuit 20 fournissant une tension de référence, la quatrième résistance fixe R4 du circuit 10 fournissant une tension de référence selon la première forme de réalisation représentée sur la figure 1 est rem-placée par un transistor R5. Les autres éléments constitutifs sont les mêmes que dans la première forme de réalisation. Cependant les caractéristiques résistives des résistances fixes R1, R2, R3 sont ajustées comme le cas le requiert. Le transistor R5 est un transistor MOSFET de type n et sa borne de drain est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP. La borne de source du transistor MOSFET de type n est connectée à la borne formant cathode de la première diode Dl et sa borne de grille est connectée à la ligne 36 d'alimentation en énergie positive. Un transistor, qui est maintenu conducteur pendant la période pendant laquelle la tension continue VDD de la source d'alimentation est appliquée à la borne de grille, de façon plus spécifique dans la gamme de variation de la tension continue VDD de la source d'alimentation, est sélectionné en tant que résistance R5. C'est-à-dire que la valeur de seuil de la grille du transistor R5 est réglée sur une tension inférieure à la gamme de variation de la tension continue VDD de la source d'alimenta- tion. Dans le circuit classique 100 produisant une tension de référence, représenté sur la figure 6, la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel OP varie d'une manière générale en suivant la variation de la tension continue VDD de la source d'alimentation. Par exemple, lorsque la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel augmente en rapport avec un accroissement de la tension continue VDD de la source d'alimentation, on sait que la tension de référence VREF augmente si la tension continue VDD de la source d'alimentation augmente. Ce phénomène peut être représenté par l'équation suivante (13). VIF [VDD I - VIZEF [ti DDO] + R2 (VOS.[VDD]- 3 VOS [VDDO]l R (13) VDDO représente la tension continue VDD de la source d'alimentation en tant que référence et est réglée normale-ment sur 5 V. Vos [VDD] représente la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel lorsque la tension continue VDD de la source d'alimentation varie. R2, R3 dans l'équa- tion représentent les valeurs résistives des résistances fixes R2, R3.. Ici les valeurs résistives des résistances fixes R2 et R3 sont supposées être invariables par rapport à la température. En d'autres termes, la valeur résistive pour la température de référence est utilisée pour l'équa- tion suivante. La valeur résistive de la première résistance fixe R_, et la valeur résistive du transistor R5 sont également supposées être invariables par rapport à la température. Ci-après, on va décrire le circuit 20 de production 30 d'une tension de référence selon cette forme de réalisation. La tension continue VDD de la source d'alimentation est appliquée à la borne de grille du transistor R5. Lors-que la tension continue VDD de la source d'alimentation augmente, la tension appliquée à la borne de grille augmente également. Lorsque la tension appliquée à la borne de grille augmente, la valeur résistive du canal diminue. Par conséquent, lorsque la tension continue VDD de la source d'alimentation augmente, la valeur résistive entre la borne de drain et la borne de source du transistor R5 est réduite. Un phénomène selon lequel la valeur résistive du transistor R5 est réduite en suivant l'augmentation de la tension continue VDD de la source d'alimentation, peut être obtenu moyennant l'utilisation du transistor R5. Ici, la valeur résistive du transistor R5 est représentée en tant que fonction de la tension continue d'alimentation VDD. La valeur résistive du transistor R5 lorsque la tension continue VDD de la source d'alimentation est égale à la valeur de référence (normalement 5 V) est désignée par R50. R5 [VDD] = R5o (l+cOVDD) Ici, c désigne le coefficient de tension de la source d'alimentation du transistor R5. En outre, la tension de décalage VOS[VDD] de l'amplificateur opérationnel OP est représentée par une fonction de la tension continue VDD de la source d'alimentation. La tension de décalage VOS[VDD], lorsque la tension continue VDD de la source d'alimentation est égale à la valeur de référence (normalement 5 V), est désignée par VOS,. Ici d représente le coefficient de tension de source d'alimentation pour la tension de décalage VOS de l'amplificateur opérationnel OP. L'équation (13) est établie en utilisant l'équation de la valeur résistive R5[VDD] du transistor R5 et l'équation de la tension de décalage VOS[VDD] de l'amplificateur opérationnel OP pour l'obtention de l'équation suivante (14). R2 1+ R5 [VDD R1 / VREF [VDD] _ VD1 + - / kT ln =VDI+ '\ln q R3 1 _!?2R" (1 + cAVDD) R1R3 i Ici, (1-R2xR5/R1xR3 (1+cAVDD)) -1 est soumis de Taylor et en outre, en supposant que / nR2 R3 1- R2 R trV q R1 / R R S DD 1 3 kT R2 1 RR 50 (1 + c4VDD 1 / nR2 R1, R3 + RZ d4VDD à un développement R2xR50/R1xR3 et CAVDD + RZ dOVDD sont suffisamment inférieurs à 1, l'équation (14) au moyen de l'équation on peut approximer suivante (15). kT VREF [VDD] = VD, + --q R " R 1+ 50- 1+ 2 R1 R3 / (1 + cAVDD / ln nR2 +R2 dAVDD R, R3 / R2 / R3 R R2 1 + 5 + RZ = V kT R1 R / 3 // lnnR2 + DI+ q R3 \R11R2R50 1+ RZ kT R3 c ln/nR2 + RZ d q R1R3 \ R1 R3 / VDD (15) Comme cela est représenté dans l'équation (15), le coefficient du terme de AVDD de l'équation (15) peut être réglé à zéro par ajustement de la valeur résistive R50 du transistor R5 dans le cas de la tension continue VDD de la source d'alimentation en tant que référence et avec le coefficient de tension c de la source d'alimentation. C'est-à-dire que le circuit 20 fournissant une tension de référence peut délivrer une tension de référence VREF[VDD] remarquablement stable, qui ne souffre d'aucun effet de la variation de la tension continue VDD de la source d'alimentation. La figure 4 représente la caractéristique de tension de la source d'alimentation de la tension de référence VREF[VDD]. Le chiffre de référence 100 représente la caractéristique de tension de la source d'alimentation du cir- cuit classique 100 fournissant une tension de référence, comme représenté sur la figure 6, et le chiffre de référence 20 désigne une caractéristique de tension de la source d'alimentation du circuit 20 fournissant une tension de référence de la présente forme de réalisation, représen- tée sur la figure 3. La tension de référence de la source est réglée à 5 V et le taux de variation de la tension de référence VREF[VDD], lorsque la tension de la source d'alimentation varie de 4 à 6 V, est représenté sur la figure 4. L'axe des ordonnées représente la variation calculée de la valeur VREF[VDD] de la tension de référence pour différentes tensions, la tension de référence VREF[S] à 5V étant réglée en tant que référence. Comme cela est représenté sur la figure 4, le cir- cuit classique 100 fournissant une tension de référence fournit une variation positive, en suivant la variation de la tension continue de la source d'alimentation. Ceci est provoqué par un effet d'accroissement de la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel, en suivant l'accroissement de la tension continue de la source d'ail- mentation. D'autre part, dans le cas du circuit 20 fournissant la tension de référence selon cette forme de réalisation, une tension de référence VREF[VDD], qui est remarquablement stable par rapport à la variation de la tension continue de la source d'alimentation, est délivrée. Cela résulte de ce que la valeur résistive du transistor R5 est réduite en association avec l'accroissement de la tension continue VDD de la source d'alimentation, ce qui a pour effet que l'accroissement de la tension de décalage de l'amplificateur opérationnel OP est compensé. Le circuit 20 fournissant une tension de référence selon cette forme de réalisation peut délivrer la tension de référence VREF[VDD] compensant la variation de la tension continue de la source d'alimentation. Il est préférable que la seconde forme de réalisa-5 tion présente les caractéristiques suivantes. Il est préférable que la valeur résistive R50 du transistor R5 soit suffisamment inférieure à la valeur résistive R:, de la première résistance fixe R1. Dans la seconde forme de réalisation, la variation de la température d'arrière-plan est compensée par l'ajustement des résistances fixes respectives R1, R2, R3. Cependant, lorsqu'on ajoute le transistor R5, la caractéristique de température du transistor R5 affecte le terme primaire de l'équation (2) pour l'ajustement de la compensation de température. Cependant en réalisant la valeur résistive R50 du transistor R5 de manière qu'elle soit suffisamment inférieure à la valeur résistive R1 de la première résistance fixe R1r il est possible d'éviter pour l'essentiel que la caractéristique de température du transistor R5 n'affecte le terme primaire de l'équation (2). Par conséquent, en rendant la valeur résistance R50 du transistor R5 suffisamment inférieure à la valeur résistive R1 de la première résistance fixe R1r on peut obtenir une tension de référence stable vis-à-vis de la variation de la tension de la source d'alimentation, tout en maintenant la compensation de température. On a décrit précédemment les formes de réalisation de la présente invention, mais ces formes de réalisation ne limitent pas la présente invention. Différentes variantes ou différents changements peuvent être apportés aux formes de réalisation indiquées précédemment sans sortir du cadre de la présente invention. Par exemple, on peut réaliser, comme représenté sur la figure 5, un circuit 30 fournissant une tension de référence, réalisé en combinant la technique de la première forme de réalisation et la technique de la seconde forme de réalisation. Le circuit 30 fournissant une tension de référence, qui est représenté sur la figure 3, est équipé d'un circuit en série formé d'une quatrième résistance fixe R4 et d'un transistor R5. Une extrémité de la quatrième résistance fixe R4 est connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP, et son autre extrémité est connectée à la borne de drain du transistor R5. La borne de source du transistor R5 est connectée à la borne formant anode de la première diode Dl. Ce circuit 30 fournissant une tension de référence peut comporter à la fois la caractéristique de compensation de la variation de température avec une grande précision et la caractéristique de compensation de la variation de la tension de la source d'alimentation. Le circuit 30 fournissant une tension de référence peut délivrer une tension de référence remarquablement stable. Dans cette variante, il est préférable de régler la caractéristique de température de chaque résistance dans l'ordre indiqué ci-après. Tout d'abord, on sélectionne la valeur résistive R50 du transistor R5 et le coefficient de tension c de la source de tension sur la base de l'équation (15) de telle sorte que le coefficient du terme de OVDD est réduit. En particulier, ces paramètres sont sélectionnés de telle sorte que la valeur résistive R50 du transistor R5 soit suffisamment inférieure à la valeur résistive R1 de la première résistance fixe R1r et également le coefficient de tension c de la source d'alimentation est négatif. Ensuite, on détermine la caractéristique résistive de la quatrième résistance fixe R4. A cet instant, on sélectionne la quatrième résistance fixe R4 de manière qu'elle satisfasse à une condition telle que sa valeur résistive est inférieure à celle de la première résistance fixe R1r et que son coefficient de température de résistance soit inférieur à ceux des autres résistances fixes R1r R2, R3. Ensuite, conformément à la caractéristique résistive de la quatrième résistance fixe R4 ainsi sélectionnée, on sélectionne les valeurs résistives des autres résistances fixes R2, R3 sur la base de l'équation (12) de sorte que le coefficient du terme primaire de AT est égal à zéro. Par conséquent, l'effet des termes de rang plus élevés de AT de l'équation (12) est réduit et en outre l'effet du terme primaire est également décalé. En sélectionnant la caractéristique de chaque résistance comme décrit précédemment, on peut obtenir la tension de référence avec compensation de la variation de la tension de la source d'alimentation et également compensation de la variation de la température ambiante avec une température élevée. Les éléments techniques indiqués dans cette des- cription et dans les dessins présentent une utilité technique individuellement ou en combinaison entre eux et la présente invention n'est pas limitée à ces combinaisons. REVENDICATIONS 1. Circuit fournissant une tension de référence (10, 20,30) servant à délivrer une tension de référence 5 stable, caractérisé en ce qu'il comporte: un premier semiconducteur (Dl) inséré dans le sens direct par rapport à une ligne d'alimentation en énergie négative (37) d'une tension de source d'alimentation et un second semiconducteur (D2) inséré dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative (37) , chacun des premier et second semiconducteurs (D1,D2) comprenant une jonction PN, un amplificateur opérationnel (OP) connecté à une ligne d'alimentation en énergie positive (36) et à la ligne d'alimentation en énergie négative (37) de la tension de la source d'alimentation, et dans lequel une extrémité d'une première résistance (R1) est connectée à une borne de sortie de l'amplificateur opérationnel (OP) et une autre extrémité de la première résistance (R1) est connectée à une borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel, une extrémité d'une seconde résistance (R2) est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur et l'autre extrémité de la seconde résistance (R2) est connectée à une borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel (OP), une extrémité d'une troisième résistance (R3) est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel et l'autre extrémité de la troisième résistance (R3) est connectée au second semiconducteur (D2), et une quatrième résistance (R4,R5) possédant une extrémité connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel (OP) et une autre extrémité connectée au premier semiconducteur, une valeur résistive de la quatrième résistance (R4) étant réglée à une valeur inférieure à une valeur résistive de la première résistance (R1) . 2. Circuit fournissant une tension de référence (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le coefficient de température de résistance de la quatrième résistance (R4) est réglé de manière à être supérieur à un coefficient de température de résistance de chacune des première, seconde et troisième résistances, ce qui permet de délivrer une tension de référence stable vis-à-vis d'une variation de la température ambiante. 3. Circuit fournissant une tension de référence (20,30) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la quatrième résistance (R5) est une résistance variable, dont la valeur résistive varie en suivant la variation d'une tension de la source d'alimentation, ce qui permet la délivrance d'une tension de référence stable vis-à-vis d'une variation de la tension de la source d'alimentation. 4. Circuit fournissant une tension de référence (10,20,30) selon la revendication 3, caractérisé en ce que la valeur résistive de la quatrième résistance (R1) diminue en suivant l'augmentation de la tension de la source d'alimentation. 5. Circuit fournissant une tension de référence (20) selon la revendication 4, dans lequel la quatrième résistance (R5) est un transistor MOSFET de type n passé- dant une borne de drain connectée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel (0P), une borne de source connectée au premier semiconducteur (Dl) et une borne de grille connectée à la ligne d'alimentation en énergie positive (36). 6. Circuit fournissant une tension de référence (30) pour la délivrance d'une tension de référence stable, caractérisé en ce qu'il comporte: un premier semiconducteur (Dl) inséré dans le sens direct par rapport à une ligne d'alimentation en énergie négative (37) d'une tension de source d'alimentation et un second semiconducteur (D2) inséré dans le sens direct par rapport à la ligne d'alimentation en énergie négative (37) , chacun des premier et second semiconducteurs (D1,D2) comprenant une jonction PN, un amplificateur opérationnel (OP) connecté à une ligne d'alimentation en énergie positive (36) et à la ligne d'alimentation en énergie négative (37) de la tension de la source d'alimentation, et dans lequel une extrémité d'une première résistance (R1) est connectée à une borne de sortie de l'amplificateur opérationnel (OP) et une autre extrémité de la première résistance (R1) est connectée à une borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel, une extrémité d'une seconde résistance (R2) est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel et l'autre extrémité de la seconde résistance (R2) est connectée à une borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel (OP), une extrémité d'une troisième résistance (R3) est connectée à la borne d'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel et l'autre extrémité de la troisième résistance (R3) est connectée au second semiconducteur (D2), et une quatrième résistance (R4,R5) comprenant une résistance fixe (R4) et une résistance variable (R5) connectées entre elles en série, un coefficient de tempéra- ture de la résistance fixe (R4) étant réglé supérieur à un coefficient de température de résistance de chacune des première, seconde et troisième résistances (R1rR2,R3), et une valeur résistive de la résistance variable (R5) varie en fonction de la variation de la tension de la source d'alimentation.