Brevet FR2895420A1 — publié le 20070629

Procédé de fabrication d'une structure démontable en forme de plaque, en particulier en silicium, et application de ce procédé La présente invention concerne le domaine de la fabrication de plaques multicouches et en particulier plaques multicouches séparables ou démontables, en particulier pour la fabrication de plaquettes fines ou de composants fins. Dans le domaine des microtechnologies, notamment de la microélectronique, de l'électronique de puissance, de l'opto-électronique et des composants du type MEMS, il est connu d'utiliser des plaquettes de silicium accolées à une couche isolante de type S.O.I. et plus particulièrement des structures démontables comprenant une couche isolante interposée entre un substrat en silicium et un superstrat en silicium. De telles structures démontables sont proposées dans le document FR-A- 2 860 249. La présente invention a pour objectif de proposer des techniques de fabrication et des structures nettement différentes de celles actuellement connues. La présente invention a tout d'abord pour objet un procédé de fabrication d'une structure en forme de plaque comprenant au moins un substrat, un superstrat et au moins une couche intermédiaire interposée entre le substrat et le superstrat. Selon l'invention, ce procédé consiste à former sur un substrat, au moins une couche intermédiaire comprenant au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, de façon à constituer une sous-structure ; à appliquer à cette sous-structure un traitement thermique de base tel que, dans la plage de température de ce traitement thermique, la présence des atomes ou molécules extrinsèques choisis dans le matériau de base choisi engendre une transformation structurelle de ladite couche intermédiaire ; et à assembler un superstrat sur ladite couche intermédiaire traitée thermiquement, de façon à obtenir ladite structure en forme de plaque. Le procédé selon l'invention peut avantageusement consister à appliquer un traitement thermique complémentaire à ladite structure, engendrant une consolidation de la liaison entre le superstrat et ladite couche intermédiaire et/ou une transformation structurelle complémentaire de ladite couche intermédiaire. Selon l'invention, ledit traitement thermique et/ou ledit traitement thermique complémentaire engendrent de préférence une fragilisation mécanique, c'est-à-dire une fragilisation à une action mécanique particulière, et/ou une fragilisation chimique, c'est-à-dire une fragilisation à une action chimique particulière, et/ou une fragilisation thermique, c'est-à-dire une fragilisation à un traitement thermique particulière, de ladite couche intermédiaire. Selon l'invention, le traitement thermique de ladite couche intermédiaire engendre de préférence la formation de micro-bulles ou micro-cavités dans cette couche. Selon une variante de réalisation de l'invention, le substrat et/ou le superstrat sont en silicium monocristallin et la couche intermédiaire est en silice dopée. Selon une variante préférée de réalisation de l'invention, le substrat et/ou le superstrat sont en silicium, en un matériau semi-conducteur de la classe III-5, en carbure de silicium (SiC) ou en nitrure de gallium (GaN). Selon une variante préférée de réalisation de l'invention, le matériau de base de ladite couche intermédiaire est de la silice et les atomes extrinsèques de cette couche sont des atomes de phosphore ou de bore formant ainsi une couche intermédiaire de phospho-silicate-glass (P.S.G.) ou de boro-phospho-silicate-glass (B.P.S.G.). Selon l'invention, la concentration du phosphore peut avantageusement être comprise entre 6% et 14%, sans cependant être limitée à ce choix particulier. Selon l'invention, la concentration de bore est de préférence comprise entre 0 et 4%, sans cependant être limitée à ce choix particulier. Selon l'invention, le traitement thermique est de préférence réalisé à une température comprise entre 400 et 1200 C, de préférence entre 900 C et 1200 C. Le procédé selon l'invention peut avantageusement consister à attacher le superstrat à ladite couche intermédiaire par collage par adhésion moléculaire. Selon l'invention, le substrat et/ou le superstrat comportent de préférence, respectivement, du côté de ladite couche intermédiaire, un oxyde thermique de silicium, ou tout autre de couche de protection pour de préférence éviter ou réduire la diffusion d'atome entre la couche intermédiaire et le substrat et/ou le superstrat. Selon l'invention, au moins certaines desdites micro-bulles ou micro-cavités sont à alvéoles ouvertes et constituent, au moins pour certaines d'entre elles, des canaux. Le procédé selon l'invention peut avantageusement comporter une étape supplémentaire de réduction de l'épaisseur dudit superstrat et/ou du substrat. Le procédé selon l'invention peut avantageusement comporter une étape supplémentaire, éventuellement en plusieurs phases, de réalisation de tout ou partie de composants ou circuits intégrés sur ledit superstrat et/ou ledit substrat. Le procédé selon l'invention peut avantageusement comporter une étape supplémentaire de réalisation de rainures et/ou de gravures au travers du superstrat et/ou du substrat. La présente invention a également pour objet un procédé de séparation du substrat et du superstrat de ladite structure. Selon l'invention, ce procédé de séparation peut avantageusement consister à appliquer des forces entre le substrat et le superstrat de façon à produire la rupture de la couche intermédiaire entre le substrat et le superstrat. Selon l'invention, ledit procédé de séparation peut avantageusement consister à attaquer chimiquement ladite couche intermédiaire de façon à obtenir l'enlèvement au moins partiel de cette couche intermédiaire entre le substrat et le superstrat. Selon l'invention, ledit procédé de séparation peut avantageusement consister à appliquer un traitement thermique induisant une fragilisation de ladite couche intermédiaire de façon à produire la rupture de la couche intermédiaire entre le substrat et le superstrat. Selon l'invention, ledit procédé de séparation peut avantageusement consister à combiner au moins deux des effets ci-dessus, c'est-à-dire en particulier à appliquer des forces entre le substrat et le superstrat, et/ou à attaquer chimiquement ladite couche intermédiaire et/ou à appliquer un traitement thermique à ladite couche intermédiaire. La présente invention a également pour objet une application dudit procédé à la fabrication de structures démontables en vue de la réalisation de circuits intégrés électroniques et/ou opto-électroniques et/ou du type MEMS, sans cependant être limitée à ces matériaux ci-dessus. La présente invention sera mieux comprise à l'étude de structures et de modes de fabrication de telles structures, décrits à titre d'exemples non limitatifs et représentés sur les dessins sur lesquels : La figure 1 représente une coupe transversale d'une sous-structure selon l'invention, dans un état initial ; - La figure 2 représente une coupe de la sous-structure de la figure 1, dans une étape ultérieure de fabrication ; La figure 3 représente une coupe d'une structure selon l'invention ; - La figure 4 représente une coupe de la structure de la figure 3, dans une étape ultérieure de fabrication ; La figure 5 représente une coupe de la structure de la figure 4, dans une étape ultérieure de fabrication ; 30 -La figure 6 représente une vue de dessus de la structure de la figure 5 ; La figure 7 représente une coupe de la structure de la figure 5, dans une étape ultérieure de fabrication ; La figure 8 représente une coupe de la structure de la figure 3, dans une autre étape ultérieure de fabrication ; Et la figure 9 représente une vue de dessus de la structure de la figure 8. En référence aux figures 1 à 3, on va tout d'abord décrire les différentes étapes principales de fabrication d'une structure complexe 1 en forme de plaque, présentant par exemple un diamètre d'environ deux cents millimètres. Comme le montre la figure 1, selon une première étape, on fabrique une sous-structure 2 comprenant un substrat 3 en forme de plaquette et, sur une face 3a de ce substrat, une couche intermédiaire 4. Comme le montre la figure 2, selon une deuxième étape, on réalise un traitement thermique de la sous-structure 2 par exemple dans un four. Cette étape a pour but d'engendrer une transformation structurelle de la couche intermédiaire 4. Cette transformation produit de préférence une fragilisation mécanique et/ou chimique et/ou thermique de la couche intermédiaire 4. Comme le montre la figure 3, selon une troisième étape, on fixe sur la couche intermédiaire 4, la face 5a d'un superstrat 5 en forme de plaquette. On obtient alors la structure 1 montée. Selon une quatrième étape, on réalise de préférence un traitement thermique complémentaire de la structure 1 par exemple dans un four. Cette étape peut avantageusement avoir pour but d'engendrer une consolidation de la liaison entre la face 5a du superstrat 5 et la couche intermédiaire 4 et/ou, éventuellement, une transformation structurelle complémentaire de cette couche intermédiaire 4. D'une manière générale, la couche intermédiaire 4 est en au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, et présente une composition telle que, lorsque l'on applique un traitement thermique adéquat à la sous-structure 2, il se produit, de préférence de façon irréversible, une transformation structurelle de cette couche intermédiaire. Cette transformation structurelle engendre de préférence une fragilisation mécanique et/ou chimique et/ou thermique de la couche intermédiaire 4. Selon la première étape précitée, la sous-structure 2 peut avantageusement être obtenue de la manière suivante, en exécutant les traitements suivants. Le substrat 3 peut être constitué par une plaquette de silicium monocristallin dont l'épaisseur peut être de quelques centaines de microns, par exemple comprise entre cinq cents et mille microns. Partant d'un tel substrat 3, on procède de préférence à une oxydation de ce substrat de façon à obtenir une pellicule 6 d'oxyde thermique de silicium sur la face 3a, cette pellicule 6 pouvant être obtenue dans un four d'oxydation, à une température comprise entre 900 C et 1100 C et pouvant présenter une épaisseur comprise entre 0,5 et 3 microns. Néanmoins, la couche 6 pourrait être du nitrure de silicium de l'oxinitrure de silicium. Optionnellement, des traitements intermédiaires peuvent être appliqués, en particulier un traitement de nettoyage chimique RCA et une opération de polissage mécano-chimique (CRP) de la surface obtenue peuvent avantageusement être réalisés. Ensuite, on procède au dépôt, sur la face oxydée 3a du substrat 3, d'une couche d'oxyde de silicium contenant ou dopé par un fort pourcentage de phosphore et/ou de bore, de façon à obtenir la couche intermédiaire 4 composée d'un matériau du type phospho-silicate-glass (PSG) ou de boro-phospho-silicate-glass (BPSG). A titre d'exemple, le pourcentage de phosphore dans le matériau constituant la couche intermédiaire 4 peut être compris entre six et quatorze et/ou le pourcentage de bore dans cette couche peut être compris entre zéro et quatre. Un tel dépôt peut être réalisé selon des techniques connues, dans des machines de dépôt de type CVD, LPCVD ou PECVD. La couche intermédiaire 4 ainsi constituée peut présenter une épaisseur entre un et dix microns. En particulier, on peut réaliser un dépôt de phospho-silicate-glass (PSG) à 6,5 pour cent de phosphore dans une machine de dépôt de type PECVD à 400 C, de façon à obtenir une couche intermédiaire 4 présentant une épaisseur avoisinant 1,5 microns. Selon la deuxième étape précitée, on fait subir à la sous-structure 2 ci-dessus un traitement thermique dans un four, par exemple à un température comprise entre 400 et 1200 C, de préférence comprise entre 900 et 1200 C. En particulier, le traitement thermique peut être réalisé à une température avoisinant 950 C, pendant deux heures et sous une atmosphère d'argon et d'oxygène ou d'azote. Compte tenu des matériaux choisis précédemment mentionnés, un tel traitement thermique, dans la plage de température choisie, fragilise la couche intermédiaire 4 par le fait qu'il engendre, en général de façon irréversible, la formation d'une phase gazeuse constituée de micro-bulles ou micro-cavités 7 dans cette couche intermédiaire 4 et corrélativement une augmentation de son épaisseur. De préférence, la couche intermédiaire 4 subit donc une transformation structurelle et/ou devient spongieuse ou poreuse. La quantité et le volume des micro-bulles ou micro-cavités 7 dépendent de la composition de la couche intermédiaire 4 et des conditions du traitement thermique appliqué à la sous-structure 2. Les micro-bulles ou micro-cavités 7 engendrées peuvent être d'un volume tel qu'elles sont ouvertes du côté de la face 3a du substrat 3 et/ou du côté de la face extérieure de la couche intermédiaire 4. Les micro-bulles ou microcavités 7 peuvent en outre, éventuellement, être ouvertes les unes vers les autres de façon à constituer des canaux en particulier ouverts sur les bords d'extrémité de la couche intermédiaire 4. La pellicule 6 d'oxyde thermique peut avantageusement constituer une barrière permettant d'éviter la diffusion d'espèces, dans l'exemple de phosphore et/ou de bore, entre le substrat 3 et la couche intermédiaire 4. A la fin de la deuxième étape précitée, on peut avantageusement faire subir à la surface de la couche intermédiaire 4 un traitement de nettoyage chimique, par exemple un nettoyage chimique de type RCA connu en soi. En complément, on peut avantageusement réaliser, avant ou après ce traitement de nettoyage, une opération de polissage mécano-chimique (CMP) de la surface de la couche intermédiaire 4. On pourrait aussi adjoindre une couche complémentaire. Ces opérations ont notamment pour but de favoriser le collage par adhésion moléculaire prévu plus loin. Selon la troisième étape précitée, la structure 1 peut être obtenue de la manière suivante, en exécutant les traitements suivants. Le superstrat 5 peut être constitué par une plaquette de silicium monocristallin dont l'épaisseur peut être de quelques centaines de microns, par exemple comprise entre cinq cents et mille microns. Partant d'un tel superstrat 5, on procède de préférence à une oxydation de façon à obtenir une pellicule 8 d'oxyde thermique de silicium sur la face 5a, cette pellicule 8 pouvant être obtenue dans un four d'oxydation, à une température comprise entre 950 et 1100 C et pouvant présenter une épaisseur comprise entre 0,5 et 3 microns. Néanmoins, la couche 6 pourrait être du nitrure de silicium ou de l'oxynitrure de silicium. Optionnellement, un traitement de nettoyage chimique RCA et une opération de polissage mécano-chimique (CMP) de la surface 5a obtenue peuvent avantageusement être réalisés. Après quoi, on procède à l'assemblage de la sous-structure 2 et du superstrat 5 en mettant la face oxydée 5a du superstrat 5 en contact sur la couche intermédiaire 4, de façon à obtenir un collage par adhésion moléculaire. D'autres techniques de collage pourraient être employées, par exemple par collage anodique ou par une couche de colle intermédiaire Selon la quatrième étape optionnelle précitée, on peut avantageusement réaliser un traitement thermique complémentaire de la structure 1 montée, dans un four. Ce traitement thermique complémentaire peut par exemple être réalisé à un température comprise entre 200 et 1200 C. En particulier, le traitement thermique peut être réalisé à une température choisie, pendant deux heures et sous une atmosphère d'argon et d'oxygène ou d'azote. Ce traitement thermique complémentaire peut notamment avoir pour but d'augmenter l'énergie des liaisons de l'interface de collage de la structure 1 ainsi assemblée et constitue un traitement thermique de consolidation. Ce traitement thermique complémentaire peut éventuellement engendrer une transformation complémentaire de la couche intermédiaie 4. La pellicule 8 d'oxyde thermique peut avantageusement constituer une barrière permettant d'éviter la diffusion d'espèces, dans l'exemple de phosphore et/ou de bore, entre la couche intermédiaire 4 et le substrat 5 et/ou entre la couche intermédiaire 4 et le superstrat 5. Ceci étant, on obtient enfin une structure 1 composée d'un substrat 2 en silicium et d'un superstrat 3 en silicium séparés par une couche intermédiaire 4, en un matériau électriquement isolant. La structure 1 présente les avantages suivants. La couche intermédiaire 4 est fragilisée, mais est suffisamment résistante, et les liaisons interfaciales entre la couche intermédiaire 4 et d'une part le substrat 3 et d'autre part le superstrat 5 sont suffisamment résistantes pour appliquer à la structure 1 des traitements ultérieurs mécaniques et/ou chimiques et/ou électro-mécaniques et/ou électrochimiques et/ou mécano-chimiques ou et/ou thermiques conformément aux procédés utilisés habituellement en microélectroniques, sans toutefois dégrader de façon trop significative la couche intermédiaire 4 et lesdites liaisons interfaciales. Les pellicules d'oxyde 6 et 8 constituent des barrières permettant d'éviter la diffusion d'espèces, dans l'exemple de phosphore et/ou de bore, entre la couche intermédiaire 4 et d'une part le substrat 3 et d'autre part le superstrat 5 lors des traitements ultérieurs appliqués. Selon une variante, on peut considérer le substrat 3 comme un support et exécuter des traitements ultérieurs sur le superstrat 5. Selon une autre variante, on peut considérer le superstrat 5 comme un support et exécuter des traitements ultérieurs sur le substrat 3. on pourrait aussi combiner ces deux variantes. Pour l'obtention en fin de traitement ultérieur d'un superstrat fin traité, par exemple dont l'épaisseur serait comprise entre une fraction de microns et quelques dizaines de microns, on peut, soit fixer un superstrat 5 fin sur la couche intermédiaire 4, soit fixer un superstrat 5 épais et procéder, comme le montre la figure 4, à une réduction de son épaisseur. Une telle réduction d'épaisseur peut être réalisée au moyen des techniques connues de rectification, d'attaque chimique, ou de polissage mécano-chimique et peut aussi être obtenue par une technique de clivage, par exemple par le procédé connu aujourd'hui commercialement sous le nom de SMART-CUT. Une opération de détourage du superstrat 5 pourrait également être réalisée pour obtenir des bords de bonne qualité. La structure 1 peut être utilisée pour la réalisation de composants ou circuits intégrés électroniques ou opto-électroniques ou du type MEMS sur le superstrat 5 en silicium, pris tel quel ou désépaissi. Ayant réalisé par exemple de tels circuits, on peut alors procéder à la séparation du superstrat 5 traité. Pour cela, on peut appliquer des forces entre le substrat 3 et le superstrat 5, par tout moyen connu et par exemple par insertion d'une fine lame entre le substrat 3 et le superstrat 5 ou par un jet d'eau sous très forte pression, et ainsi engendrer la rupture mécanique de la couche intermédiaire 4, cette rupture étant facilitée par la présence des micro-bulles ou des micro-cavités 7 dans la couche intermédiaire 4. On peut aussi procéder à une attaque chimique, dans un bain, de la couche intermédiaire 4 à partir de ses bords, par exemple au moyen d'une solution à base d'acide fluorhydrique, qui peut aisément progresser entre le substrat 3 et le superstrat 5 grâce à la présence des micro-bulles ou micro-cavités 7. Pour faciliter cette attaque chimique, on pourrait réaliser antérieurement des trous en différents endroits dans le substrat et/ou dans le superstrat, atteignant la couche intermédiaire 4 On peut aussi obtenir la séparation du superstrat 5 par une combinaison d'une action mécanique de rupture et d'une attaque chimique de la couche intermédiaire 4, et éventuellement d'une action thermique. En se référant aux figures 5, 6 et 7, on va maintenant décrire une manière particulière de séparation du substrat 3 et du superstrat 5. Comme le montrent les figures 5 et 6, on peut réaliser, par tous procédés connus, sur le superstrat 5, fin ou aminci, des composants ou circuits 9 disposés selon une matrice par exemple carrée et de façon espacée. Après quoi, on peut réaliser, par exemple par une attaque chimique adaptée, des rainures ou gravures traversantes 10, selon deux directions perpendiculaires, atteignant la couche d'oxyde 8, et permettant de singulariser des pastilles 11 présentant les composants ou circuits 9. Ensuite, comme le montre la figure 7, on peut plonger la structure 1, ainsi traitée, dans un bain adapté d'attaque chimique de la couche intermédiaire 4 et de la couche d'oxyde 8, de telle sorte que les différents pastilles 11 portant les différents composants ou circuits 9 se séparent ou s'individualisent. Cette attaque chimique est facilitée par la présence des rainures 10. En se référant aux figures 8 et 9, on va maintenant décrire une autre manière particulière de séparation du substrat 3 et du superstrat 5. On peut réaliser, au travers du superstrat 5, fin ou aminci, des trous traversants 12 atteignant la couche d'oxyde 8, ces trous étant disposés à volonté les uns par rapport aux autres. Dans une variante, les trous 12 peuvent être rectangulaires et disposés selon des lignes perpendiculaires de façon à délimiter partiellement des volumes répartis selon une matrice carrée. Ensuite, comme dans le cas de la figure 7, on peut plonger la structure 1, ainsi traitée, dans un bain d'attaque chimique de la couche intermédiaire 4, de telle sorte que le superstrat 5 se sépare et constitue une plaque ajourée. Cette attaque chimique est facilitée par la présence des trous 12. Bien entendu, le substrat 3, peut être réutiliser pour servir de support à un nouveau superstrat 5. Dans une autre variante, la réalisation des rainures, trous ou gravures pourraient aussi traverser la couche d'oxyde 8 et atteindre la couche intermédiaire 4. L'invention est applicable notamment à la réalisation de structures démontables dont le substrat et/ou le superstrat peuvent être choisis, non seulement parmi ceux indiqués précédemment, mais également parmi notamment le silicium, les matériaux semi-conducteurs de la classe III-5, le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN). Evidemment, dans tout le texte qui précède et dans les revendications annexées, le terme substrat et le terme superstrat sont équivalents et peuvent être remplacés l'un par l'autre. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. Bien des variantes de réalisation sont possibles sans sortir du cadre défini par les revendications annexées. -------------------- REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une structure en forme de plaque comprenant au moins un substrat (3), un superstrat (5) et au moins une couche intermédiaire (4) interposée entre le substrat et le superstrat, caractérisé par le fait qu'il consiste : à former sur un substrat, au moins une couche intermédiaire comprenant au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, de façon à constituer une sous-structure (2) ; à appliquer à cette sous-structure (2) un traitement thermique de base tel que, dans la plage de température de ce traitement thermique, la présence des atomes ou molécules extrinsèques choisis dans le matériau de base choisi engendre une transformation structurelle de ladite couche intermédiaire ; et à assembler un superstrat (5) sur ladite couche intermédiaire (4) traitée thermiquement, de façon à obtenir ladite structure (1) en forme de plaque. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il consiste à appliquer un traitement thermique complémentaire à ladite structure (1), engendrant une consolidation de la liaison entre le superstrat (5) et ladite couche intermédiaire (4) et/ou une transformation structurelle complémentaire de ladite couche intermédiaire (4). 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé par le fait que ledit traitement thermique engendre une fragilisation mécanique et/ou chimique et/ou thermique de ladite couche intermédiaire (4). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le traitement thermique de ladite couche intermédiaire engendre la formation de micro-bulles ou micro-cavités (7) dans cette couche. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le substrat (3) et/ou le superstrat (5) sont en silicium monocristallin et la couche intermédiaire (4) est en silice dopée. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le substrat (3) et/ou le superstrat (5) sônt en silicium, en un matériau semi-conducteur de la classe III-5, en carbure de silicium (SiC) ou en nitrure de gallium (GaN). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le matériau de base de ladite couche intermédiaire (4) est de la silice et les atomes extrinsèques de cette couche sont des atomes de phosphore ou de bore formant ainsi une couche intermédiaire de phospho-silicate-glass (P.S.G.) ou de boro-phospho-silicate-glass (B.P.S.G.). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que la concentration du phosphore est comprise entre 6% et 14%. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que la concentration de bore est comprise entre 0 et 4%. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le traitement thermique est réalisé à une température comprise entre 400 et 1200 C, de préférence entre 900 C et 1200 C. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il consiste à attacher le superstrat (5) à ladite couche intermédiaire (4) par collage par adhésion moléculaire. 12. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé par le fait que le substrat (3) et/ou le superstrat (5) comportent respectivement, du côté de ladite couche intermédiaire (4), un oxyde thermique de silicium (6, 8). 13. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait qu'au moins certaines desdites micro-bulles ou micro-cavités (7) sont à alvéoles ouvertes et constituent, au moins pour certaines d'entre elles, des canaux. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comporte une étape supplémentaire de réduction de l'épaisseur dudit superstrat (5) et/ou du substrat (3). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comporte une étape supplémentaire de réalisation de composants ou circuits intégrés sur ledit superstrat (5) et/ou ledit substrat (3). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comporte une étape supplémentaire de réalisation de rainures et/ou de gravures (8) au travers du superstrat (5) et/ou du substrat (3). 17. Procédé de séparation du substrat et du superstrat de la structure obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il consiste à appliquer des forces entre le substrat (3) et le superstrat (5) de façon à produire la rupture de la couche intermédiaire (4) entre le substrat et le superstrat. 18. Procédé de séparation du substrat et du superstrat de la structure obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé par le fait qu'il consiste à attaquer chimiquement ladite couche intermédiaire (4) de façon à obtenir l'enlèvement au moins partiel de cette couche intermédiaire entre le substrat (3) et le superstrat (5). 19. Procédé de séparation du substrat et du superstrat de la structure obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé par le fait qu'il consiste à appliquer un traitement thermique induisant une fragilisation de ladite couche intermédiaire (4) de façon à produire la rupture de la couche intermédiaire (4) entre le substrat et le superstrat. 20. Procédé de séparation du substrat et du superstrat de la structure obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé par le fait qu'il consiste à appliquer des forces entre le substrat et le superstrat, et/ou à attaquer chimiquement ladite couche intermédiaire, et/ou à appliquer un traitement thermique à ladite couche intermédiaire. 21. Application du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, à la fabrication de structures démontables en vue de la réalisation de circuits intégrés électroniques et/ou optoélectroniques et/ou du type MEMS. -----------------