Brevet FR2894990A1 — publié le 20070622

Procede de fabrication de substrats, notamment pour I'optique, I'electronique ou I'optoelectronique et substrat obtenu selon !edit procede La presente invention concerne le domaine des procedes de fabrication de substrats, notamment pour I'optique, I'electronique ou I'optoelectronique, ainsi que celui des substrats obtenus par de tels procedes. L'invention concerne plus particulierement des substrats pouvant titre utilises pour la fabrication de cellules solaires, de diodes electroluminescentes et de lasers. Dans le domaine des substrats pour I'optique, I'electronique ou I'optoelectronique, on connait bien deux principaux types de procede pour 10 constituer une couche mince sur un substrat support. Selon un premier type de procede, on transfere une couche mince prelevee sur un substrat donneur, pour la transferer sur un substrat support receveur en vue d'obtenir des substrats comportant une couche utile mince. On entend par couche utile, la couche du substrat sur laquelle peuvent titre fabriques des 15 composants electroniques tels que des diodes electroluminescentes ou autres ... Selon un second type de procede, on depose la couche mince sur un substrat support receveur par une technique de depot. Cette technique de depot peut consister notamment en une epitaxie ou en un depot chimique en phase vapeur. 20 Quel que soit le type de procede pour constituer une couche utile sur un substrat support receveur, it est parfois necessaire d'eliminer au moins une partie du support receveur pour obtenir un substrat final comportant au moins la couche utile. Une telle elimination du support receveur procure des pertes de matieres 25 grevant les coats de production de tels substrats. Afin de remedier a cet inconvenient, on a deja imagine un procede de fabrication de substrats comportant une couche mince utile dans Iequel le substrat support receveur est retire pour titre recycle. Un tel procede est decrit dans une variante d'execution du brevet americain 30 US 6 794 276 depose par la demanderesse qui decrit un procede de fabrication de substrats. Ce procede comporte une etape de report d'une couche germe sur un support receveur par adhesion moleculaire au niveau d'une interface de collage, une etape d'epitaxie d'une couche utile sur la couche germe et une etape d'application de contraintes pour conduire au detachement de ('ensemble constitue de la couche germe et de la couche utile par rapport au support receveur au niveau de !'interface de collage. On entend par couche germe la couche de materiau qui permet le developpement de la couche utile epitaxiee. Dans ce document, certaines specifications sont necessaires pour permettre a la couche germe de s'adapter aux dilatations thermiques du support receveur et de la couche utile lors des traitements thermiques subis par le substrat. A cet effet, ce document preconise que la couche germe presente une epaisseur suffisamment faible, de I'ordre de 0,5 micron, et de preference inferieure a 1000 A. Ce document mentionne egalement le fait que le support receveur est constitue d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est 0,7 a 3 fois superieur a celui de la couche utile. On precise que I'on entend par coefficient de dilatation thermique le coefficient de proportionnalite de la variation de la longueur d'un solide en fonction de la longueur initiale du solide et de son changement de temperature suivant la formule suivante : iL=aLoAT avec a= coefficient de dilatation thermique Dans une variante d'execution, le procede enseigne par ce document permet de reutiliser le substrat support receveur a I'issue de son detachement. Le but de ('invention est de perfectionner encore le procede enseigne par ce document. En particulier, I'invention vise a diminuer les risques, fors des differents traitements thermiques appliques au substrat, de casse de substrat, de deterioration, de fissuration de la couche germe ou d'apparition d'une fleche residuelle du substrat final le rendant inutilisable. A cet effet, it est propose un procede de fabrication de substrats, notamment pour I'optique, I'electronique ou I'opto-electronique, comportant au moins les 3 etapes suivantes de transfert d'une couche germe sur un support receveur, et d'epitaxie d'une couche utile sur la couche germe, remarquable en ce que le coefficient de dilatation thermique du support receveur est identique ou legerement superieur au coefficient de dilatation thermique de la couche utile et le coefficient de dilatation thermique de la couche germe est sensiblement egal au coefficient de dilatation thermique du support receveur. Ainsi, tors des traitements thermiques ulterieurs que subira la structure, la couche germe et le support receveur se dilateront sensiblement de la memo maniere. Le support receveur se dilatera legerement moins que la couche germe de sorte que cette derniere sera placee en Iegere compression evitant toute deterioration de ladite couche germe. De preference, la couche germe est constituee d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est egal a (1+6) fois celui du support receveur, avec s de I'ordre de 0.2, et preferentiellement s egal a 0.1. De plus, la couche utile est constituee d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est superieur ou egal a (1 6) fois celui du support receveur, avec une valeur typique de 0.2 pours'. La couche germe et/ou le support receveur comprend un materiau compris dans la liste comportant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, le GaN et 20 le saphir. Par ailleurs, la composition chimique de la couche germe est avantageusement identique a celle du support receveur. Un autre objet de !'invention concerne un substrat composite notamment pour I'optique, I'electronique ou I'optoelectronique, comportant au moins une 25 couche germe sur un support receveur, et une couche utile epitaxiee sur la couche germe, remarquable en ce que le coefficient de dilatation thermique du support receveur est identique ou legerement superieur au coefficient de dilatation thermique de la couche utile et le coefficient de dilatation thermique de la couche germe est sensiblement egal au coefficient de dilatation thermique du support 30 receveur. D'autres avantages et caracteristiques ressortiront mieux de la description qui va suivre de plusieurs variantes d'execution, donnees a titre d'exemples non limitatifs, du procede de fabrication de substrats conforme a !'invention ainsi que du substrat obtenu par ledit procede, en reference aux dessins annexes sur lesquels : - la figure 1 represente schematiquement des &tapes d'un exemple de mise 5 en oeuvre du procede conforme a ('invention, - la figure 2 represente schematiquement des etapes d'un autre exemple de mise en ceuvre du procede conforme a !'invention, En reference a la figure 1, le procede conforme a ['invention comporte une &tape d'implantation d'especes atomiques a une profondeur determinee d'un 10 substrat donneur 1 pour former une zone de fragilisation 2. On colle, dans une &tape 100, le substrat donneur 1 sur un substrat receveur 3 par tout moyen approprie. Dans la suite du texte, on entend par c collage la mise en contact intime du substrat donneur 1 avec le substrat receveur 3 pour les assembler par adhesion 15 moleculaire. Ce collage peut etre obtenu suivant differentes methodes : - mise en contact direct d'une surface du substrat donneur 1 avec une surface du substrat receveur 3, - formation d'une couche de collage pour realiser une couche de liaison sur la surface du substrat donneur 1, formation d'une couche de collage pour realiser 20 une seconde couche de liaison sur la surface du substrat support receveur 3 et mise en contact des surfaces des couches de liaison respectives du substrat donneur 1 et du substrat donneur 3, -formation d'une couche de collage sur un seul des deux substrats, On notera que la couche de collage peut consister, par exemple, en une 25 couche isolante ou une couche dielectrique. Dans cet exemple de realisation particulier du procede conforme a ('invention, le substrat donneur 1 est colle sur le substrat receveur 3 au moyen d'une couche de collage 4 deposee sur !a surface du substrat donneur I et/ou du substrat receveur 3. 30 Accessoirement, une &tape de recuit peut etre mise en ceuvre a ce stade pour renforcer !'interface de collage entre le couche de collage 4 et la surface du substrat donneur 1 et/ou du substrat receveur 3. Neanmoins, le collage peut titre obtenu suivant rune quelconque des methodes connues de I'Homme du Metier. On detache, dans une etape 200, une couche germe 5 a partir du substrat donneur 1 au niveau de la zone de fragilisation 2, puis on depose, dans une etape 5 300, une couche utile 6 sur la surface de la couche germe 5. La couche utile 6 est, de preference, obtenue par epitaxie bien connue par I'Homme du Metier, selon I'etape 300. L'etape d'implantation d'especes atomiques et de detachement 200 de la couche germe 5 correspond a un procede du type Smart cut' dont on trouvera une description generale dans la publication On observera toutefois que le coefficient de dilatation thermique varie en fonction de la temperature, de la technique de depot, des defauts presents au sein des couches mais aussi des techniques de mesures. Ainsi, lors des traitements thermiques que subira la structure, notamment lors du detachement de la couche germe 5 et de la couche utile 6 du substrat receveur 3 qui sera detaillee plus loin, la couche germe 5 et le support receveur 3 se dilateront sensiblement de la meme maniere. Le support receveur 3 se dilatera legerement moins que la couche germe 5 de sorte que cette derniere sera placee en legere compression evitant toute deterioration de ladite couche germe 5. La couche utile 6 est quanta elle constituee d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est superieur ou egal (1 8') fois celui du support receveur 3, avec la valeur de 8' comprise entre 0 et 0.8 et, de preference, comprise entre 0.2 et 0.3. Cette proximite des coefficients de dilatation thermique de la couche 6 utile 6, de la couche germe 5 et du support receveur 3 permet d'obtenir des dilatations du meme ordre de grandeur desdites differentes couches 5 et 6 et du support receveur 3 lors des traitement thermiques evitant ainsi tout risque de deterioration du substrat ou d'apparition d'une fleche residuelle du substrat final. La couche germe 5 et/ou le support receveur 3 comprend un materiau compris dans la Iiste comportant le silicium, par exemple du silicium {1111, le germanium, le carbure de silicium polycristallin ou monocristallin, le GaN, PAIN poly-cristallin ou monocristallin et le saphir. De plus, la composition chimique de la couche germe 5 peut titre identique a celle du support receveur 3. Accessoirement, entre Ies etapes de detachement 200 et de depot 300 de la couche utile, le procede suivant ('invention comporte des etapes de preparation de la surface de la couche germe 5. Ces etapes de preparation comportent par exemple des operations de polissage, de recuit, de recuit de lissage, sous hydrogene par exemple, de recuit destine a renforce ('interface de collage, d'oxydation sacrificielle, c'est-a-dire d'oxydation puis d'elimination du materiau oxyde, de gravure, etc... L'etape 400, conduit au detachement de ('ensemble constitue de la couche germe 5 et de la couche utile 6 par rapport au support receveur 3 au niveau de la 20 couche de collage 4. On observera que ('ensemble forme par la couche germe 5 et la couche utile 6 ne pourra titre detache du support receveur 3 que si son epaisseur est superieure ou egale 50 m dans le cas ou I'on souhaite obtenir un substrat autoporte. 25 Pour effectuer le detachement, differentes techniques sont possibles en particulier applications de contraintes mecaniques, thermiques, electrostatiques, et/ou applications de tout type de gravures (gravure chimique humide, seche, gazeuse, gravure par plasma...) et/ou applications de tout type d'attaques par irradiation telle que le laser, par exemple, par attaques chimiques au niveau de la 30 couche de collage 4, ou similaire. On obtient alors d'une part le substrat receveur 3 qui peut titre soit detruit soit recycle pour titre reutilise lors de la fabrication d'un nouveau substrat 7 conformement a !'invention et d'autre part une structure constituee de la couche germe 5 et de la couche utile 6. On notera que, pour effectuer le detachement de ('ensemble constitue de la couche germe 5 et de la couche utile 6 par rapport au support receveur 3 au niveau de la couche de collage 4, la gravure chimique pourra avantageusement titre utilisee si ledit substrat receveur 3 doit titre detruit. Par contre, si le substrat receveur 3 doit titre recycle pour titre reutilise, on utilisera de preference une contrainte mecanique ou une attaque chimique de la couche de collage 4 qui permet un detachement complet. La couche germe 5 est alors eliminee par tout moyen approprie. Puis, la couche utile 6 est reportee sur un substrat support final 7. Ce support final 7 comprend un materiau compris dans la Iiste comportant les materiaux semiconducteurs, tels que le silicium, le germanium, etc..., les metaux, tels que le cuivre par exemple, les materiaux plastiques et les verres. On notera que, la structure ainsi obtenue ne subissant plus de traitement thermique, le substrat support final 7 peut titre obtenu dans un materiau quelconque presentant un coefficient de dilatation thermique et/ou un parametre de maille differents de ceux de la couche utile 6. De preference, la couche utile 6 est reportee sur le substrat support final 7 par collage, le collage &taut obtenu par I'application d'une couche de collage 8 sur !'une des surfaces de la couche utile 6 et/ou du substrat support final 7. De la meme maniere que pour le choix du substrat final 7, les techniques de collage mises en oeuvre a cette &tape ne sont pas plus limitees par la tenue en temperatures, les contaminations que par le coefficient de dilatation thermique et/ou le parametre de maille de la couche utile 6. La couche 8 utilisee est comprise dans la liste comportant les couches organiques comme des couches isolantes de type SiO2, Si3N4, les polyimides, les interfaces metalliques conductrices et les scellements tels que le siliciure de Palladium Pd2Si et le siliciure de Tungstene WSi2, SiAu, Pdln, etc... Les interfaces conductrices assurent alors la prise de contact en face arriere de la couche. 8 Par ailleurs, des structures peuvent etre enterrees dans cette couche de collage 8 permettant ainsi de realiser une prise de jonction arriere d'une triple jonction pour la realisation de cellules solaires. Cette structure enterree peut par exemple consister en une triple jonction a base de silicium amorphe du type n-i-p. Cette structure enterree comporte alors une couche inferieure dite couche de contact arriere constituee d'une metallisation, tel que de I'argent (Ag) ou de ('aluminium (Al) sur laquelle a ete depose un oxyde transparent conducteur. Cette couche de contact arriere procure d'une part un contact electrique permettant de connecter la cellule solaire a triple jonction et d'autre part un miroir arriere permettant de reflechir la lumiere n'ayant pas ete absorbee par la cellule solaire. Cette derniere est constituee de trois couches de silicium amorphe, respectivement de type n, i et p, deposees successivement sur la couche de contact arriere. On observera que pour la fabrication de LEDs, des miroirs peuvent aussi etre enterres dans la couche de collage 8. Selon une variante d'execution du procede conforme a ('invention, non representee sur la figure 1, la couche utile 6 et la couche germe 5 sont reportees sur le substrat support final 7 prealablement a ('elimination de la couche germe 5. Selon une autre variante preferee d'execution du procede conforme a I'invention, representee sur la figure 2, on implante de la meme maniere que precedemment des especes atomiques a une profondeur determinee d'un substrat donneur 1 pour former une zone de fragilisation 2, puis on colle, dans une etape 100, le substrat donneur 1 sur un substrat receveur 3 par tout moyen approprie. On detache, dans une etape 200, une couche germe 5 a partir du substrat donneur 1 au niveau de la zone de fragilisation 2, puis on depose, dans une etape 300, une couche utile 6 sur la surface de la couche germe 5. La dissociation de la couche germe 5 et du substrat donneur 1 est realisee par une operation comprise dans la liste comportant un traitement thermique, une application de contraintes mecaniques et une attaque chimique, ou une combinaison d'au moins deux de ces operations. 9 Selon une derniere variante d'execution, la couche germe 5 est issue de I'amincissement du substrat donneur selon par exemple un procede de type BESOI avant le depot de la couche utile 6. Le substrat support final 7 est alors reporte sur la couche utile 6 au moyen 5 dune couche de collage 8. On applique alors des contraintes pour conduire au detachement de la structure constituee de la couche germe 5, de la couche utile 6, de la couche de collage 8 et du substrat support final 7 par rapport au support receveur 3 au niveau de la couche de collage 4. 10 On obtient d'une part un substrat receveur 3 pret a titre recycle et d'autre part une structure constituee de la couche germe 5, de la couche utile 6, de la couche de collage 8 et du substrat support final 7. La couche germe 5 est alors eliminee par tout moyen approprie pour obtenir le substrat final. 15 On decrira ci-apres deux exemples particuliers mais non limitatifs de realisation d'un substrat, obtenu suivant ('invention, en reference a la figure 2, destines a la fabrication de cellules solaires et respectivement de diodes electroluminescentes. 20 Exemple 1 : Selon cet exemple, on realise une zone de fragilisation 2 par implantation d'especes atomiques a une profondeur determinee du substrat donneur 1 obtenu dans du Germanium (Ge) puis on colle le substrat receveur 3 egalement obtenu 25 dans du Ge au moyen d'une couche de collage 4. Cette couche de collage 4, de preference obtenue dans un nitrure ou un oxyde, est formee sur la face d'au moins l'un des substrats donneur 1 ou receveur 3. On detache, dans une etape 200, une couche germe 5 de Ge, dont le 30 coefficient de dilation thermique (que I'on note egalement CTE) varie de 4.6 a 6.67 e-6 pour des temperatures allant de 25 C a 600 C, a partir du substrat donneur 1 au niveau de la zone de fragilisation 2 suivant le procede SmartCutTM tel que 10 decrit dans la publication Finalement, la couche germe est eliminee pour obtenir le substrat final constitue du substrat support final 7, de la couche de collage 8 et de la couche utile 6 ou de I'empilement epitaxial. Exemple 2 : Selon cet exemple, on realise une zone de fragilisation 2 par implantation d'especes atomiques a une profondeur determinee du substrat donneur 1 obtenu dans du saphir massif dont le CTE varie de 4.a 9.03 e-6 pour des temperatures allant de 25 C a 1000 C. L'implantation consiste en une implantation d'Hydrogene a une dose comprise entre 0.5 x10 et 3x10 17 at/cm2, preferentiellement entre 1 et 2x10" at/cm2 eta une energie de I'ordre de 20 a 210 keV, preferentiellement 100 keV . On colle le substrat receveur 3 egalement en Saphir massif au moyen d'une couche de collage 4, ladite couche de collage 4 pouvant atteindre jusqu'a un micron d'epaisseur ce qui facilite ainsi le detachement ulterieur du substrat support receveur 3 par une attaque chimique later-ale de cette couche de collage 4. On detache, dans une etape 200, une couche germe 5 de Saphir a partir du substrat donneur 1 au niveau de la zone de fragilisation 2 suivant le procede Smart CutTM, puis on depose, dans une etape 300, des couches utiles 6 sur la surface de la couche germe 5. Ces couches utiles 6 sont deposees par epitaxie a base de GaN, AIN, InGaN, InN et leurs composes ternaires (AIGaN, InGaN ..) par exemple. La dissociation de la couche germe 5 et du substrat donneur 1 est realisee par une operation comprise dans la Iiste comportant un traitement thermique, une application de contraintes mecaniques et une attaque chimique, ou une combinaison d'au moins deux de ces operations. De la meme maniere que dans I'exemple precedent, la couche utile 6 et la couche germe 5 sont alors reportees sur un substrat support final 7 en saphir ou comprenant un materiau compris dans la liste comportant le silicium, le cuivre, les materiaux plastiques et le verre. Ce report de la couche utile 6 et la couche germe 5 sur le substrat support final 7 est effectue par collage, le collage etant obtenu par !'utilisation d'une couche de collage comprise dans la Iiste comportant les couches isolantes (SiO2, Si3N4, etc...), les couches organiques (les polyimides..), les couches metalliques telles que le siliciure de Palladium Pd2Si et le siliciure de Tungstene WSi2, les scellements (SiAu , Pdln ...). On detache alors le substrat support final 7, la couche germe 5 et la couche utile 6 par tout moyen approprie, au niveau de la couche de collage 4, du support receveur 3 qui peut avantageusement titre recycle. Enfin, it est bien evident que les exemples que I'on vient de decrire ne sont en aucun cas limitatifs quant aux domaines d'application de !'invention. REVENDICATIONS 1. Procede de fabrication de substrats, notamment pour I'optique, I'electronique ou I'opto-electronique, comportant au moins les etapes suivantes de: - transfert d'une couche germe (5) sur un support receveur (3), et - epitaxie d'une couche utile (6) sur la couche germe (5), caracterise en ce que le coefficient de dilatation thermique du support receveur (3) est identique ou legerement superieur au coefficient de dilatation thermique de la couche utile (6) et le coefficient de dilatation thermique de la couche germe (5) est sensiblement egal au coefficient de dilatation thermique du support receveur (3). 2. Procede selon la revendication precedente, caracterise en ce que la couche germe (5) est constituee d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est egal a (1+c) fois celui du support receveur (3), avec de I'ordre de 0.2, et preferentiellement E egal a 0.1. 3. Procede selon rune quelconque des revendications 1 ou 2, caracterise en ce que la couche utile (6) est constituee d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est superieur ou egal a (1 6') fois celui du support receveur (3), avec une valeur typique de 0.2 pour s'. 4. Procede selon rune quelconque des revendications 1 a 3, caracterise en ce que la couche germe (5) et/ou le support receveur (3) comprend un materiau compris dans la Iiste comportant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, le GaN et le saphir. 5. Procede selon rune quelconque des revendications 1 a 4, caracterise 25 en ce que la composition chimique de la couche germe (5) est identique a celle du support receveur (3). 6. Procede selon rune quelconque des revendications 1 a 5, caracterise en ce qu'iI comporte une etape d'application de contraintes et/ou gravure et/ou irradiation pour conduire au detachement de I'ensemble constitue de la couche 30 germe (5) et de la couche utile (6) par rapport au support receveur (3). 7. Procede selon la revendication 6, caracterise en ce que les contraintes appliquees pour effectuer le detachement sont choisies dans le groupe 14 comprenant les contraintes mecaniques, les contraintes thermiques, les contraintes electrostatiques. 8. Procede selon la revendication 6, caracterise en ce que la gravure appliquee pour effectuer le detachement est choisie dans le groupe comprenant la gravure chimique seche, humide, gazeuse et la gravure par plasma. 9. Procede selon la revendication 6, caracterise en ce que ('irradiation appliquee pour effectuer le detachement est choisie dans le groupe comprenant ('utilisation de laser. 10. Procede selon rune quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche germe (5) est prelevee d'un substrat donneur (1) par amincissement dudit substrat (1) apres mise en contact avec le support receveur (3). 11. Procede selon rune quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche germe (5) est prelevee d'un substrat donneur (1), en dissociant la couche germe (5) dudit substrat donneur (1) au niveau dune zone pre-fragilisee (2). 12. Procede selon la revendication 11, caracterise en ce que la zone prefragilisee (2) est realisee en implantant des especes atomiques dans le substrat donneur (1) a une profondeur correspondant a I'epaisseur du substrat donneur (1). 13. Procede selon ('une des revendications 11 ou 12, caracterise en ce que Ia dissociation de la couche germe (5) et du substrat donneur (1) est realisee par une operation comprise dans la Iiste comportant un traitement thermique, une application de contraintes mecaniques et une attaque chimique, ou une combinaison d'au moins deux de ces operations. 14. Procede selon ('une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche utile (6) et eventuellement la couche germe (5) est reportee sur un substrat support final (7). 15. Procede selon la revendication 14, caracterise en ce que le support final (7) comprend un materiau compris dans la Iiste comportant les materiaux 30 semiconducteurs, les materiaux plastiques les verres et Ies metaux.15 16. Procede selon la revendication 14, caracterise en ce que le support final (7) comprend un materiau compris dans la liste comportant le silicium, le germanium, le cuivre et le saphir. 17. Procede selon rune quelconque des revendications 14 a 16, caracterise 5 en ce que la couche utile (6) et eventuellement la couche germe (5) est reportee sur le substrat support final (7) par collage. 18. Procede selon la revendication 15, caracterise en ce que le collage est obtenu par I'utilisation d'une couche de collage (8) comprise dans la liste comportant : 10 - les couches isolantes telles que le SiO2, le Si3N4 les couches organiques, comme les polyimides, les interfaces metalliques, Ia formation de scellements tels que Pd2Si, WSi2, SiAu, Pdln. 19. Procede selon rune quelconque des revendications 14 a 16, caracterise 15 en ce que des structures sont enterrees dans la couche de collage (8). 20. Substrat notamment pour I'optique, I'electronique ou I'optoelectronique, comportant au moins : une couche germe (5) sur un support receveur (3), et une couche utile (6) epitaxiee sur la couche germe (5), 20 caracterise en ce que le coefficient de dilatation thermique du support receveur (3) est identique ou Iegerement superieur au coefficient de dilatation thermique de la couche utile (6) et le coefficient de dilatation thermique de la couche germe (5) est sensiblement egal au coefficient de dilatation thermique du support receveur (3). 21. Substrat selon la revendication 20, caracterise en ce que la couche 25 germe (5) est constituee d'un materiau dont le coefficient de dilatation thermique est egal a (1+E) fois celui du support receveur (3), avec E de I'ordre de 0.2, et preferentiellement E egal a 0.1. 22. Substrat selon rune quelconque des revendications 20 ou 21, caracterise en ce que la couche utile (6) est constituee d'un materiau dont le 30 coefficient de dilatation thermique est superieur ou egal a (1 E') fois celui du support receveur (3), avec une valeur typique de 0.2 pour E'. 23. Substrat selon rune quelconque des revendications 20 a 22, caracterise en ce que la couche germe (5) et/ou le support receveur (3) comprend un materiau compris dans la liste comportant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, le GaN et le saphir. 24. Substrat selon rune quelconque des revendications 20 a 23, caracterise en ce que la composition chimique de la couche germe (5) est identique a celle du support receveur (3). 25. Substrat selon rune quelconque des revendications 20 a 24, caracterise en ce qu'il comporte un substrat support final (7) sur Iequel est reportee la couche utile (6) et eventuellement la couche germe (5). 26. Substrat selon la revendication 25, caracterise en ce que le support final (7) comprend un materiau compris dans la Iiste comportant les materiaux semiconducteurs, les materiaux plastiques les verres et les metaux. 27. Substrat selon la revendication 25, caracterise en ce que le support final (7) comprend un materiau compris dans la liste comportant le silicium, le germanium, le cuivre et le saphir. 28. Substrat selon les revendications 23 et 27, caracterise en ce que le support receveur (3) et le support final (7) sont obtenus dans du saphir. 29. Substrat selon rune quelconque des revendications 20 a 28, caracterise en ce qu'il comporte une couche de collage (8) pour solidariser la couche utile (6) et eventuellement la couche germe (5) sur le substrat support final (7). 30. Substrat selon la revendication 29, caracterise en ce que la couche de collage (8) est comprise dans la liste comportant : les couches isolantes telles que le SiO2, le Si3N4 - les couches organiques, comme les polyimides - les interfaces metalliques - les couches de scellements tels que Pd2Si, WSi2, SiAu, Pdln.