Brevet FR2894861A1 — publié le 20070622

ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION [0001] La presente invention concerne des feutres de polissage pour la planarisation mecano-chimique (CMP), et en particulier die concerne des feutres de polissage multicouches et des procedes de fabrication de feutres de polissage multicouches qui permettent un polissage a faible defectivite. [0002] Dans la fabrication des circuits integres et d'autres dispositifs eIectroniques, de multiples couches de materiaux conducteurs, semiconducteurs et dielectriques sont deposees sur ou retirees d'une surface d'une plaquette semiconductrice. De minces couches de materiaux conducteurs, semi-conducteurs et dielectriques peuvent &re deposees par un certain nombre de techniques de de*. Les techniques de de* courantes dans le traitement moderne incluent le de* physique en phase vapeur (PVD), appele aussi pulverisation cathodique, le de* chimique en phase vapeur (CVD), le clepOt chimique en phase vapeur stimule par plasma (PECVD) et le plaquage eIectrochimique (ECP). [0003] Quand des couches de materiaux sont successivement deposees et retirees, la surface superieure de la plaquette devient non plane. Du fait que le traitement subsequent des semi-conducteurs (par exemple metallisation) exige que la plaquette ait une surface plane, la plaquette doit &re rendue plane. La planarisation est utile pour eIiminer une topographie de surface indesirable et des defauts de surface indesirables, comme les surfaces rugueuses, les materiaux agglomeres, les deteriorations du reseau cristallin, les eraflures et les couches ou materiaux contamines. [0004] La planarisation mecano-chimique, ou polissage mecanochimique (CMP), est une technique commune utilisee pour rendre plane des substrats, comme les plaquettes semi-conductrices. Dans la CMP conventionnelle, un support de plaquette est monte sur un ensemble de support et positionne en contact avec un tampon de polissage clans un apparell de CMP. L'ensemble de support applique une pression contrOlable a la plaquette, en la pressant contre le tampon de polissage. Le tampon est cleplace (par exemple entralne en rotation) par rapport a la plaquette par une force d'entrainement externe. En meme temps, une composition chimique ("suspension") ou un autre milieu fluide est amene a s'ecouler sur le tampon de polissage et dans ('interstice entre la plaquette et le tampon de polissage. Ainsi, la surface de la plaquette est polie et rendue plane par ('action chimique et mecanique de la suspension et de la surface du tampon. [0005] Le moulage de polymeres (par exemple polyurethane) en gateaux et la decoupe ("trongonnage") des gateaux en plusieurs minces feutres de polissage se sont reveles &Ire un procede efficace pour fabriquer des feutres de polissage "durs" ayant des proprietes de polissage reproductibles de maniere uniforme. Malheureusement, les feutres de polyurethane produits par le procede de moulage et de trongonnage peuvent presenter des variations de polissage dues a la position de moulage du tampon de polissage. Par exemple, les feutres clecoupes dans une position de moulage inferieure et dans une position de moulage superieure peuvent avoir des densites et des porosites differentes. De plus, les feutres de polissage decoupes a partir de moules de taille excessive peuvent avoir des variations de densite et de porosite du centre au bord du tampon. Ces variations peuvent affecter negativement le polissage pour les applications les plus exigeantes, comme les plaquettes configurees incorporant des dielectriques a faible k poreux et fragiles. [0006] En outre, la coagulation de polymeres au moyen d'un procede a solvant/non solvant pour former des feutres de polissage dans un format de bande s'est revelee &re un procede efficace de fabrication de feutres de polissage "mous". Ce procede (c'est-a-dire le format de bande) evite certains des inconvenients discutes ci-dessus qui sont rencontres clans le procede de moulage et de tronconnage. Malheureusement, le solvant (organique) qui est utilise typiquement (par exemple NM-dimethylformamide) peut &re incommode et coOteux a manipuler. De plus, ces feutres mous peuvent presenter des variations d'un tampon a I'autre du fait de la mise en place aleatoire et de la structure aleatoire des porosites qui sont formees pendant le processus de coagulation. [0007] De plus, it est possible de former des feutres de polissage en combinant deux ou plusieurs feutres ensemble. Par exemple, Pierce et al., clans le brevet US n0 5 287 663, decrivent des feutres de polissage pour realiser la CMP qui sont formes en stratifiant trois couches de materiaux differents. La couche de polissage relativement incompressible superieure est fix& a une couche rigide formee en un materiau approprie pour conferer de la rigidite a la couche de polissage incompressible. La couche rigide est disposee au-dessus dune couche eIastique constituee par un materiau compressible pour conferer a la couche rigide une pression eIastique. Le tampon de polissage a trois couches de Pierce est concu pour fonctionner en "mode de flexion elastique". En cl'autres termes, la couche rigide et la couche eIastique operent en tandem pour induire une flexion contra& clans la surface de polissage de maniere qu'elle se conforme a la topographie globale de la surface de la plaquette tout en maintenant une rigidite contra& sur la topographie locale de la surface de la plaquette. [0008] Malheureusement, le tampon de polissage composite de Pierce est inadequat pour repondre aux exigences futures de defectivite qui sont plus strictes. Par exemple, la couche de polissage dure et relativement incompressible de Pierce a-6e des niveaux inacceptables de defectivite clans la surface de polissage, en particulier pour des materiaux a faible K de type Cu. Cependant, un tampon dur est souhaitable pour obtenir les vitesses de polissage requises, en particulier compte tenu des tres faibles forces descendantes (par exemple inferieures a 6,9 x 103 Pa (1 psi) qui sont utilisees dans le polissage a faible K. [0009] Ainsi, existe une demande pour un tampon de polissage qui presente des performances de polissage constantes, une plus faible defectivite et une fabrication peu coOteuse. De plus, ce qui est necessaire c'est un tampon de polissage ayant une uniformite de densite et de porosite amelioree. EXPOSE DE UINVENTION [0010] [Owls un aspect de la presente invention, est fourni un tampon de polissage mecano-chimique composite pour polir un substrat semiconducteur comprenant une couche de polissage ayant une premiere compressibilite ; une couche intermediaire ayant une seconde compressibilite inferieure a Ia premiere compressibilite ; une couche de fond ayant une troisierne compressibilite superieure a Ia seconde compressibilite et inferieure a la premiere compressibilite ; et la couche de polissage a au moins un niveau de porosite de 50 % en volume. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS [0011] La figure 1 represente un appareil pour la fabrication continue du tampon de polissage multicouche de la presente invention [0012] Ia figure 1A represente un autre appareil de fabrication de la presente invention ; [0013] Ia figure 2 represente un appareil pour le conditionnement continu du tampon de polissage multicouche de la presente invention [0014] la figure 3 represente une coupe transversale du tampon de polissage multicouche fabrique selon I'appareil decrit par la figure 1 ; [0015] la figure 3A represente un autre tampon de polissage multicouche fabrique selon I'appareil represents sur la figure 1 ; et [0016] la figure 3B represente un autre tampon de polissage multicouche fabrique selon I'appareil represen sur la figure 1. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION [0017] La presente invention fournit un tampon de polissage multicouche ayant une defectivite reduite et des performances de polissage ameliorees. De preference, le tampon de polissage est fabrique dans un format de bande et reduit les variations d'un tampon a un autre tampon qui sont souvent associees avec les feutres de polissage "durs" moules et trongonnes. De plus, le tampon de polissage est de preference a base d'eau plutOt qu'a base de solvant organique, et it est plus facile a fabriquer que les feutres "mous" de I'etat de la technique qui sont formes par un procede de coagulation. En outre, le tampon de polissage est tres poreux et multicouche, ce qui confere une defectivite reduite sans sacrifier d'autres parametres du polissage comme la vitesse de retrait, le contrOle topographique et la duree de vie du tampon. Le tampon de polissage de la pre'sente invention est utile pour le polissage des substrats semiconducteurs, des disques memoires rigides, des produits optiques et pour une utilisation clans differents aspects de polissage de la fabrication des semi-conducteurs, par exemple ILD, STI, tungstene, cuivre et dielectriques a faible k. [0018] En se refe'rant maintenant aux figures, la figure 1 represente un appareil 100 pour fabriquer un tampon de polissage multicouche 300 de la presente invention. De preference, le tampon de polissage 300 a un haut niveau de porosite pour maintenir le plus possible de suspension de polissage ou de liquide reactif en contact avec la plaquette. Ainsi que I'a reconnu la demanderesse, pour les exigences de polissage futures, la contribution chimique du polissage va devenir plus importante que la contribution mecanique. Ainsi, le tampon de polissage 300 de la presente invention est un tampon de polissage poreux ("poromere") multicouche ayant une couche de polissage 304 qui a un niveau de porosite d'au moins 50 % en volume ou plus. De preference encore, le tampon de polissage 300 de la presente invention est un tampon de polissage poromere ayant un niveau de porosite du tampon superieur d'au moins 65 % en volume ou plus. De maniere particulierement preferable, le tampon de polissage 300 de la presente invention est un tampon de polissage poromere ayant un niveau de porosite du tampon superieur d'au moins 75 % en volume ou plus. La couche de polissage superieure poromere 304, en combinaison avec le sous-tampon "dual" (discute plus precisement ci-dessous) fournit le tampon de polissage multicouche de la presente invention qui confere une defectivite reduite sans sacrifier d'autres parametres du polissage comme la vitesse de retrait, le contrOle topographique et la dui-6e de vie du tampon. [0019] En outre, le tampon de polissage 300 de la presente invention a une porosite qui est interconnect& au travers de I'epaisseur de la couche de polissage 304. De cette maniere, les debris de polissage peuvent titre absorbes clans la couche de polissage 304 et distribues a distance de la couche de polissage (interface) en direction de la surface inferieure de la couche de polissage superieure 304. En outre, la couche superieure, qui sera compressible du fait de sa grande pomsite et de la saturation dans le fluide de polissage, peut jouer le role d'une pompe forgant le fluide contre la surface de la plaquette pendant les transitions cycliques repetitives sous la plaquette. En outre, la structure des pores interconnectes du tampon de polissage 300 est uniforme sur toute 1'epaisseur de la couche de polissage 304 de sorte que, quand le tampon s'use, la geometrie en coupe transversale des pores et la surface en contact avec la plaquette restent constantes. La structure des pores peut titre constituee par des micropores interconnectes ou colonnaires. [0020] La couche de polissage 304 du tampon de polissage 300 peut titre form& par differents procedes incluant le frittage, I'etirage, la gravure de pistes ("track etching"), le lessivage de matrice ("template leaching") et ('inversion de phase. En particulier, les procedes d'inversion de phase incluent par exemple la precipitation par evaporation d'un solvant, la precipitation a partir dune phase vapeur, la precipitation par evaporation controlee, la precipitation thermique et la precipitation par immersion. D'autres procedes de production de pores interconnectes incluent I'utilisation de fluides supercritiques ou la technologie de mousse a basse densite. [0021] Dans un mode de realisation de la presente invention, le tampon de polissage multicouche 300 est forme daps un format "enroule" qui permet une "fabrication continue" pour reduire les variations parmi differents feutres de polissage 300 qui peuvent &re causees par un traitement discontinu. L'appareil 100 inclut une bobine debitrice ou poste de deroulement 102 qui stocke un substrat enroule en hence 302 sous forme continue longitudinalement. Comme cela sera discute plus precisement ci-dessous au sujet des figures 3 a 3B, le substrat 302 comprend un agencement de sous-tampon "dual", incluent une couche rigide intermediaire 312 et une couche compressible de fond 314. De cette maniere, la couche intermediaire rigide 312 equilibre la rigidite pour les longueurs a I'echelle des outils mais opere en combinaison avec la couche 314 plus compressible pour etre flexible pour les longueurs a I'echelle des plaquettes. [0022] La bobine debitrice 102 est entrain& mecaniquement pour tourner a une vitesse regulee par un mecanisme d'entrainement 104. Le mecanisme d'entrainement 104 inclut par exemple une courroie 106 et une poulie 108 entrain& par un moteur. Eventuellement, le mecanisme d'entrainement 104 inclut un arbre flexible entraine par un moteur ou un train d'engrenages entraine par un moteur (non represents). [0023] En se referant toujours a la figure 1, le substrat continu 302 est fourni par la bobine debitrice 102 a un convoyeur continu 110, par exemple un convoyeur en acier inoxydable, qui passe sur des rouleaux d'entrainement 112 espaces en formant une boucle. Les rouleaux d'entrainement 112 peuvent etre entraines par un moteur a une vitesse qui synchronise le deplacement lineaire du convoyeur 110 avec celui du substrat continu 302. Le substrat 302 est transports par le convoyeur 110 clans un espace entre chaque rouleau d'entrainement 112 et un rouleau libre correspondant 112a. Le rouleau libre 112a coopere avec le convoyeur 110 pour une regulation positive de I'alignement du substrat 302. Le convoyeur 110 a une section plane 110a supportee sur une surface plane et uniforme d'un support de type table 110b, qui supporte le substrat 302 et transporte le substrat 302 dans des postes de fabrication successifs 114, 122 et 126. Des membres de support 110c sous forme de rouleaux sont repartis le long des bards lateraux du convoyeur 110 et du substrat 302 pour la regulation positive de I'alignement du convoyeur 110 et du substrat 302. [0024] Le premier poste de fabrication 114 inclut en outre un reservoir de stockage 116 et une filiere 118 a une sortie du reservoir 116. Une composition de polymere a I'etat fluide, visqueuse, est fournie au reservoir 116 et est distribuee par la filiere 118 sur le substrat continu 302. Le debit de la filiere 118 est regule par une pompe 120 a la sortie du reservoir 116. La filiere 118 peut titre aussi large que la largeur du substrat continu 302 pour couvrir la totalite du substrat 302. Quand le convoyeur 110 transporte le substrat 302 devant le poste de fabrication 114, une couche de polissage en phase fluide continue 304 est formee sur le substrat 302. La composition de polymere a I'etat fluide peut are amenee a adherer au substrat 302 par des techniques d'adhesion conventionnelles. [0025] Du fait que les matieres premieres peuvent titre melangees en un apport homogene important qui remplit de maniere repetee le reservoir 116, les variations de composition et des proprietes des produits finis sont reduites. En d'autres termes, la presente invention fournit un procede de fabrication en format de bande d'un tampon de polissage a base d'eau qui surmonte les problemes associes aux techniques de moulage et de tronconnage de I'etat de la technique. La nature continue du procede permet une regulation precise de la fabrication d'un tampon de polissage poromere multicouche 300 Bans lequel sont decoupes de grands nombres de feutres de polissage individuels 300 en une configuration de surface et une taille souhaitees. Les grands nombres de feutres de polissage individuels 300 ont des variations de composition et de proprietes reduites. [0026] De preference, la composition de polymere a I'etat fluide est a 35 base d'eau. Par exemple, la composition ou matrice polymere peut comprendre une dispersion d'urethane a base d'eau (par exemple, W-290H, W-293, W-320, W-612 et A-100 de Crompton Corp. de Middlebury, CT. et HP-1035 et HP-5035 de Cytec Industries Inc. de West Paterson, NJ) et une dispersion acrylique a base d'eau (par exemple, Rhoplex E-358 de Rohm and Haas Co. de Philadelphie, PA). De plus, it est possible d'utiliser des melanges comme des dispersions acryliques/styrene (par exemple, Rhoplex B-959 et E-693 de Rohm and Haas Co. de Philadelphie, PA). En outre, est possible d'utiliser des melanges des dispersions d'urethane et acryliques a base d'eau. [0027] Dans un mode de realisation de !Invention que lion prefere, un melange de dispersion d'urethane et de dispersion acrylique a base d'eau est fourni a un rapport en pourcentage en masse de 100:1 a 1:100. De preference encore, un melange de dispersion d'urethane et de dispersion acrylique a base d'eau est fourni a un rapport en pourcentage en masse de 10:1 a 1:10. De maniere particulierement preferable, un melange de dispersion d'urethane et de dispersion acrylique a base d'eau est fourni a un rapport en pourcentage en masse de 3:1 a 1:3. [0028] Le polymere a base d'eau est efficace pour former des feutres de polissage poreux et charges. Pour les besoins de cette description, a charge pour les feutres de polissage inclut des particules solides qui sont delogees ou qui se dissolvent pendant le polissage, et des particules ou spheres remplies de liquide. Pour les besoins de cette description, la porosite inclut des particules remplies de gaz, des spheres remplies de gaz et des vides formes par d'autres moyens, comme le moussage mecanique d'un gaz en un systeme visqueux, !Injection d'un gaz clans la masse fondue de polyurethane, !'introduction d'un gaz in situ au moyen d'une reaction chimique avec un produit gazeux ou la baisse de la pression pour amener un gaz dissous a former des bulles. De plus, des pores peuvent &re formes en destabilisant la dispersion aqueuse de polymere, par exemple en modifiant le pH, en modifiant la force ionique ou en modifiant la temperature. [0029] Eventuellement, la composition de polymere a I'etat fluide peut contenir d'autres additifs, incluant un antimousse (par exemple, Foamaster 111 de Cognis) et des modificateurs de rheologie (par exemple, Acrysol ASE-60, Acrysol 1-62, Acrysol RM-12W, Acrysol RM-825 et Acrysol RM-8W tous de Rohm and Haas Company. D'autres additifs, par exemple un agent anti-peau (par exemple Borchi-Nox C3 et Borchi-Nox M2 de Lanxess Corp.) et un agent de coalescence (par exemple, Texanolg Ester alcohol de Eastman Chemicals) peuvent titre utilises. De plus, la couche de polissage devrait titre en un polymere mou ou melange de polymeres moos, avec au moins rune des phases ayant une temperature de transition vitreuse inferieure a la temperature ambiante. En outre, ('addition d'additifs comme le noir de carbone pour ameliorer la resistance a ('abrasion, le PTFE pour reduire le frottement, ou des tensioactifs pour ameliorer la mouillabilite peut titre incluse. [0030] Un second poste de fabrication 122 inclut par exemple une raclette 124 situ& a une distance precleterminee du substrat continu 302 en definissant entre eux un interstice. Quand le convoyeur 110 transporte le substrat continu 302 et la couche de polissage en phase fluide 304 devant la raclette 124 du poste de fabrication 122, la raclette 124 confere en continu a la couche de polissage en phase fluide 304 une epaisseur predeterminee. [0031] Un troisierne poste de fabrication 126 inclut un four de durcissement 128, par exemple un four tunnel chauffe qui transporte le substrat continu 302 et la couche de polissage 304. Le four 128 durcit la couche de polissage en phase fluide 304 en une couche de polissage en phase solide continue 304 qui adhere au substrat continu 302. L'eau devrait titre retiree lentement pour eviter par exemple des cloques sur la surface. La duree de durcissement est did& par la temperature et la vitesse de transport dans le four 128. Le four 128 peut titre chauffe au flout ou eIectriquement, au moyen d'un dispositif chauffant par rayonnement ou d'un dispositif chauffant par convection forcee, ou les deux. [0032] De preference, la temperature du four 128 peut titre de 50 a 150 C. De preference encore, la temperature du four 128 peut titre de 55 a 130 C. De maniere particulierement preferable, la temperature du four 128 peut titre de 60 a 120 C. En outre, la couche de polissage 304 peut titre deplacee dans le four 128 a une vitesse de 1,52 a 6,10 m/s (5 a 20 pieds/min). De preference, la couche de polissage 304 peut titre deplacee clans le four 128 a une vitesse de 1,68 a 4,57 m/s (5,5 a 15 pieds/min). De preference encore, la couche de polissage 304 peut are deplacee clans le four 128 a une vitesse de 1,83 a 3,66 m/s (6 a 12 pieds/min). [0033] En se refer-ant maintenant a la figure 1A, lorsqu'il quitte le four 128, le substrat continu 302 adhere a une couche de polissage en phase solide continue 304 pour constituer un tampon de polissage poromere multicouche continu 300. Le tampon de polissage multicouche 300 est enroule en hence sur une bobine receptrice 130 qui suit le poste de fabrication 126. La bobine receptrice 130 est entrain& par un second mecanisme d'entrainement 104. La bobine receptrice 130 et le second mecanisme d'entrainement 104 constituent un poste de fabrication *are qui est positionne selectivement dans I'appareil de fabrication 100. [0034] En se referant maintenant a la figure 2, est prevu eventuellement un appareil 200 pour le conditionnement de surface ou la finition de surface du tampon de polissage multicouche continu 300. L'appareil 200 inclut un convoyeur 110 similaire a celui decrit sur la figure 1 ou une section ration,* du meme convoyeur. Le convoyeur 110 de I'appareil 200 a un rouleau d'entrainement 112, une section plane 110a supportant le tampon de polissage multicouche 300 qui a quitte le four 128. Le convoyeur 110 de I'appareil 200 transporte le tampon de polissage continu 300 dans un ou plusieurs postes de fabrication 201, 208 et 212 le tampon de polissage 300 est traits encore apres le durcissement dans le four 128. L'appareil 200 est represents avec des supports de type table plats supplementaires 110b et des membres de support supplementaires 110c qui fonctionnent de la maniere decrite au sujet de la figure 1. [0035] La couche de polissage solidifiee 304 peut titre polie au diamant, au lieu d'etre polie avec du papier de verre, pour exposer une finition de surface souhaitee et un niveau de surface plane de la couche de polissage 304. De preference, la couche de polissage 304 peut titre fissuree pour exposer une finition de surface souhaitee. De cette maniere, la hauteur des asperites de la surface du tampon est controlee sur une plage etroite et cette distribution est maintenue pendant la duree de vie du tampon. Ainsi, les defauts, en particulier les micro-eraflures et les traits, les pressions de contact ponctuel Iocalisees entre les particules abrasives/les asperites du tampon et la surface de la plaquette sont minimises. En d'autres termes, les forces de polissage sont distribuees uniformement sur un grand nombre de points de contact au lieu d'etre concentrees sur un plus petit nombre. Pour ce faire, concernant le melange de polymeres et ('addition de polymeres "caoutchouteux", la demanderesse a decouvert que certains polymeres peuvent ouvrir la surface de la couche de polissage, ce qui faciliterait I'echange des liquides et confererait une structure poreuse plus uniforme sur toute I'epaisseur de Ia couche de polissage (par exemple Paraloid EXLTM 2691). [0036] Bien que le contrOle topographique au niveau des caracteristiques de parametres comme le retrait excessif de conducteurs et ('erosion des oxydes soit fortement dependant de la suspension, la distribution des asperites sur la surface du tampon est consider& egalement comme jouant un role en particulier concernant le retrait excessif des caracteristiques. Ainsi que cela est discute, le contrOle de la distribution des hauteurs des asperites est important pour reduire les sites de pression ponctuelle eIevee. D'une maniere relativement analogue, si les asperites sont de taille comparable ou plus faible que les largeurs de ligne des conducteurs, les asperites peuvent former des stries dans les caracteristiques et augmenter le retrait excessif. Ceci peut &re minimise en garantissant une distribution uniforme des hauteurs des asperites, les asperites ayant des diametres d'extremite efficaces plus grands que la taille des caracteristiques. Les extremites devraient &re arrondies plutOt qu'etre acerees et les asperites devraient avoir un rapport d'aspect bas plutOt qu'un rapport d'aspect eIeve. Sous les pressions et les conditions de polissage, les asperites devraient avoir une bonne eIasticite pour que la deformation pendant le contact avec la plaquette soit reversible. Ceci peut reduire ('utilisation du conditionnement au diamant. [0037] Pendant le polissage, les particules abrasives retirent de la matiere de la plaquette en se combinant avec Ies asperites du tampon pour realiser un effet de retrait mecanique. Si les forces entre les particules abrasives dures et la surface de la plaquette sont trop importantes, peut se produire une microeraflure de la surface de la plaquette. Pour minimiser ceci, les asperite"s devraient avoir des proprietes physiques telles que les particules abrasives peuvent penetrer partiellement ou completement clans I'asperite. Ceci est analogue au polissage du verre dans lequel des particules abrasives descendent clans la surface primitive de fonctionnement. Pour la penetration, les proprietes des des asperites sont une faible limite eIastique et un faible module. [0038] Une autre caracteristique facultative de la presente invention est la presence de rainures macroscopiques clans la couche superieure. Celles-ci reduisent ('aspiration entre le tampon et la plaquette de sorte que la plaquette se separe apres le polissage et contrOlent le transport de fluide sur la surface du tampon pendant le polissage. Ce dernier garantit un polissage plus efficace et peut 'are utilise pour contre)ler le profit de polissage sur la surface de la plaquette et comme procede supplementaire pour abaisser la defectivite. Les rainures peuvent titre de conception circulaire, hachuree, en spirale ou radiate, ou des combinaisons de celles- ci, incluant certaines conceptions de rainures radiates ou en spirale modifiees optimisees pour I'application specifique. [0039] Des asperites sous forme de rainures ou d'autres indentations sont formees clans la surface de la couche de polissage 304, selon ce que l'on souhaite. Par exemple, un poste de travail 201 inclut une paire d'outils d'estampage fonctionnant par compression ayant un outil d'estampage 202 decrivant un mouvement de va-et-vient et un outil fixe 204 qui se ferment run vers I'autre pendant une operation d'estampage. Loud decrivant un mouvement de va-et-vient 202 est dirige vers la surface de la couche de polissage continue 304. De multiples dents 205 sur I'outil 202 penetrent clans la surface de la couche de polissage continue 304. L'operation d'estampage realise une operation de finition de la surface. Par exemple, les dents 205 impriment une configuration de rainures dans la surface de la couche de polissage 304. Le convoyeur 110 peut titre arrete par intermittence et devient fixe quand les outils 202 et 204 se ferment run vers I'autre. A titre d'alternative, les outils 202 et 204 se deplacent en synchronisation avec le convoyeur 110 Bans la direction de transport pendant la *lode au cours de laquelle Ies outils 202 et 204 se ferment run vers I'autre. [0040] Le poste de fabrication 208 inclut par exemple une scie rotative 210 pour decouper des rainures dans la surface de la couche de polissage continue 304. La scie 210 est entrain& par exemple par un traceur a mouvement orthogonal le long d'un trajet predetermine pour decouper les rainures en une configuration de rainures souhaitee. Un autre poste de fabrication 212 inclut une tete de polissage rotative 214 pour polir ou meuler la surface de la couche de polissage continue 304 en unesurface plane ayant une finition de surface souhaitee qui est rendue rugueuse ou lisse de mani&e selective. [0041] La succession des postes de fabrication 202, 210 et 212 peut s'ecarter de la succession represent& sur la figure 2. Un ou plusieurs des postes de fabrication 202, 210 et 212 peuvent &re elimines si on le souhaite. La bobine receptrice 130 et le second mecanisme d'entrainement 104 constituent un poste de fabrication separe qui est positionne selectivement clans I'appareil de fabrication 200 a 1'extremite du convoyeur 110 pour recueillir le tampon de polissage continu en phase solide 300. [0042] En se referant maintenant a la figure 3, y est presente une vue en coupe du tampon de polissage poromere multicouche 300 fabrique par I'appareil 100 de la presente invention. Comme discute ci-dessus, tors du durcissement dans le four 128, le polymere en phase liquide forme un tampon de polissage poromere solidifie 300. Dans un mode de realisation, le tampon de polissage 300 peut comprendre des colonnes 306. Les colonnes 306 conf&ent une porosite qui peut &re interconnect& au travers de I'epaisseur du tampon de polissage 304. De cette maniere, les debris de polissage peuvent &re absorbes dans la couche de polissage 304 et distribues a distance de la couche de polissage (interface) en direction de la surface inf&ieure de la couche de polissage superieure 304. En outre, la couche sup&ieure, qui sera compressible du fait de sa grande porosite et de la saturation dans le fluide de polissage, peut jouer le role de pompe forcant le fluide contre la surface de la plaquette pendant des transitions cycliques repetitives sous la plaquette. De plus, la structure des pores interconnectes du tampon de polissage 300 peut &re uniforme sur toute I'epaisseur de la couche de polissage 304 de sorte que, quand le tampon s'use, la geometrie en section transversale des pores et la surface en contact avec la plaquette restent constantes. [0043] De preference, la couche de polissage 304 sera sensiblement "caoutchouteuse" dans les conditions de polissage avec une durete Shore D du polymere en masse inf&ieure a 40 D. De preference encore, la couche de polissage aura une durete Shore D du polym&e en masse inferieure a 30 D. De mani&e particulierement preferable, la couche de polissage aura une durete Shore D du polymere en masse inf&ieure a 25 D. En outre, la couche de polissage 304 a une epaisseur inf&ieure a 0,5 mm. De preference encore, la couche de polissage a une epaisseur inferieure a 0, 4 mm. De maniere particulierement preferable, la couche de polissage a une epaisseur inferieure a 0,25 mm. [0044] Comme discute ci-dessus, le substrat 302 comprend un agencement de sous-tampon "dual" incluant une couche rigide intermediaire 312 et une couche compressible 314. De cette maniere, la couche intermediaire rigide 312 equilibre la rigidite pour les longueurs a I'echelle des outils mais opere en combinaison avec la couche 314 plus compressible pour titre flexible pour les longueurs a I'echelle de la plaquette. Ceci permet au tampon de se conformer a des plaquettes non planes. Les materiaux appropries pour la couche intermediaire sont les films polymeres comme le polyethyleneterephtalate et le polycarbonate ou leurs melanges. L'epaisseur de la couche intermediaire 312 est inferieure a 0,4 mm, de preference inferieure a 0,38 mm, de preference encore entre 0,13 mm et 0,26 mm. [0045] La couche compressible de fond 314 sera plus compressible que la couche intermediaire 312 mais moins compressible que la couche de polissage superieure 304. Les materiaux appropries pour la couche de fond 314 incluent par exemple les feuilles elastomeres non poreuses et les mousses polymeres a alveoles fermees a haute densite. En outre, pour empecher !Intrusion de liquide dans la mousse, le polymere devrait titre hydrophobe. Les polymeres preferes incluent par exemple les elastomeres de silicone qui ont une excellente stabilite a !'hydrolyse, une excellente resistance chimique et thermique et d'excellentes caracteristiques de rebond. La couche de fond 314 devrait titre suffisamment compressible pour ameliorer I'uniformite du polissage sur le diametre de la plaquette mais pas assez compressible pour que !'aptitude a planariser et les effets de bord deviennent problematiques. Les epaisseurs preferees pour la couche inferieure sont inferieures a 1 mm, de preference inferieures a 0,64 mm et de maniere particulierement preferable inferieures a 0,25 mm. Les valeurs de compressibilite devraient titre inferieures a 10 %, de preference inferieures a 5 % et de maniere particulierement preferable voisines de 3 %. La compressibilite peat titre testee selon la procedure ASTM F36-99 ("Standard Test Method for Compressibility and Recovery of Gasket Materials"). Les valeurs de rebond devraient titre superieures a 90 %, de preference superieures a 95 % et de maniere particulierement preferable superieures a 98 to. [0046] En se referant maintenant a la figure 3A, dans un autre mode de realisation du tampon de polissage 300 de la presente invention, un constituant entrains sous forme d'un agent moussant ou d'un agent gonflant ou d'un gaz est inclus dans le melange de polymeres, qui serf de matrice qui est entrain& avec le constituant. Lors du durcissement, I'agent moussant ou I'agent gonflant ou le gaz s'echappe sous forme de matieres volatiles pour former les pores ouverts 308 repartis dans toute la couche de polissage continue 304. Le tampon de polissage 300 de la figure 3A comprend en outre le substrat 302. De nouveau, comme cidessus, les pores 308 conferent une porosite qui peut titre interconnect& sur toute I'epaisseur de la couche de polissage 304. De cette maniere, en combinaison avec le substrat 302, les debris de polissage peuvent titre absorbes dans la couche de polissage 304 et distribues a distance de la couche de polissage (interface) en direction de la surface inferieure de la couche de polissage sup&ieure 304. En outre, la couche superieure, qui sera compressible du fait de sa grande porosite et de la saturation dans le fluide de polissage, peut jouer le role de pompe forgant le fluide contre la surface de la plaquette pendant des transitions cycliques repetitives sous la plaquette. En outre, la structure des pores interconnectes du tampon de polissage 300 peut titre uniforme sur toute I'epaisseur de la couche de polissage 304 de sorte que, quand le tampon s'use, la geometrie en section transversale des pores et la surface en contact avec la plaquette restent constantes. [0047] En se referant maintenant a la figure 3B, un autre mode de realisation du tampon de polissage 300 est represent& qui comprend des microballons ou des microelements polymeres 310 inclus dans le melange de polymeres, et *arils clans toute la couche de polissage continue 304. Les microelements 310 peuvent titre remplis de gaz. A titre d'alternative, les microelements 310 sont remplis d'un fluide de polissage qui est distribue quand les microelements 310 sont ouverts du fait de I'abrasion lorsque le tampon de polissage 300 est utilise pendant une operation de polissage. A titre d'alternative, Ies microelements 310 sont des microelements polymeres solubles clans I'eau qui sont dissous clans I'eau pendant une operation de polissage. Le tampon de polissage 300 de la figure 3B comprend en outre le substrat 302. De cette maniere, en combinaison avec le substrat 302, les debris de polissage peuvent titre absorbes dans la couche de polissage 304 et distribues a distance de la couche de polissage (interface) en direction de la surface inferieure de la couche de polissage superieures 304. En outre, la couche superieure, qui sera compressible du fait de sa grande porosite et de la saturation dans le fluide de polissage, peut jouer le role de pompe forgant le fluide contre la surface de la plaquette pendant des transitions cycliques repetitives sous la plaquette. En outre, la structure des pores interconnectes du tampon de polissage 300 peut titre uniforme sur toute I'epaisseur de la couche de polissage 304 de sorte que, quand le tampon s'use, la geometrie en section transversale des pores et la surface en contact avec la plaquette demeurent constantes. [0048] De preference, au moins une partie des microelements 310 sont generalement flexibles. Des microelements 310 appropries incluent des sels inorganiques, des sucres et des particules solubles dans I'eau. Des exemples de tels microelements polymeres 310 incluent les poly(alcools vinyliques), la pectine, la polyvinylpyrrolidone, I'hydroxyethylcellulose, la methylcellulose, rhydroxypropy1methy1cellulose, Ia carboxymethylcellulose, I'hydroxypropylcellulose, les poly(acides acryliques), Ies polyacrylamides, les polyethyleneglycols, les polyhydroxyethers acryliques, les amidons, les copolymeres d'acide maleique, le poly(oxyde d'ethylene), les polyurethanes, la cyclodextrine et leers combinaisons. Les microelements 310 peuvent titre modifies chimiquement pour modifier la solubilite, le gonflement et d'autres proprietes par ramification, blocage et reticulation, par exemple. Un materiau prefere pour les microspheres est un copolymere de polyacrylonitrile et de poly(chlorure de vinylidene) (par exemple, ExpancelTM de Akzo Nobel de Sundswall, Suede). [0049] De preference, comme discute ci-dessus, les feutres de polissage poromeres multicouches 300 peuvent contenir une porosite ou une concentration de charge d'au moms 50 % en volume. Cette porosite ou charge contribue a I'aptitude du tampon de polissage a transferer les fluides de polissage pendant le polissage. En d'autres termes, les niveaux accrus de porosite permettent les interconnexions du tampon de polissage. De preference encore, le tampon de polissage a une porosite ou une concentration de charge d'au moins 65 % en volume. De maniere particulierement preferable, le tampon de polissage a une parasite ou une concentration de charge d'au moins 75 % en volume. De preference, les pores ou les particules de charge ont un diametre moyen en masse de 10 a 100 pm. De preference encore, les pores ou les particules de charge ont un diametre moyen en masse de 15 a 90 pm. La plage nominale des diametres moyens en masse des microelements polymeres creux expanses est 15 a50 pm. [0050] Ainsi, la presente invention fournit un tampon de polissage multicouche ayant une clefectivite reduite et des performances de polissage ameliorees. Le tampon de polissage de la presente invention est un tampon de polissage poromere multicouche ayant une couche de polissage qui a un niveau de porosite d'au moins 50 % en volume ou plus. De preference, le tampon de polissage est fabrique dans un format de bande et reduit les variations de tampon a tampon qui sont souvent associees avec les feutres de polissage "durs" moules et tronconnes. De plus, le tampon de polissage est de preference a base d'eau plutOt qu'a base de solvant organique, et a un plus grand rendement et moins de &huts que les feutres "moos" de I'etat de la technique formes par un procede de coagulation a base de solvant. Ainsi, le present tampon de polissage multicouche presente une clefectivite reduite, en produisant une topographie plate pour les longueurs a I'echelle des plaquettes des outils et des caracteristiques. REVENDICATIONS 1. Tampon de polissage mecano-chimique composite pour polir un substrat semiconducteur, caracterise en ce qu'il comprend une couche de polissage (304) ayant une premiere compressibilite, une couche intermediaire (312) ayant une seconde compressibilite inferieure a la premiere compressibilite, une couche de fond (314) ayant une troisieme compressibilite superieure a la seconde compressibilite et inferieure a la premiere compressibilite, et la couche de polissage a au moins un niveau de porosite de 50 % en volume. 2. Tampon de polissage selon la revendication 1, caracterise en ce que la couche de polissage a une durete Shore D inferieure a 40 D. 3. Tampon de polissage selon rune quelconque des revendications 1 et 2, caracterise en ce que la couche de polissage a une epaisseur inferieure a 0,5 mm. 4. Tampon de polissage selon Tune quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche de polissage comprend une matrice polymere constituee par un polymere a base d'eau ou des melanges de ceux-ci. 5. Tampon de polissage selon la revendication 4, caracterise en ce que la matrice polymere est une dispersion d'urethane, une dispersion acrylique, une dispersion de styrene ou des melanges de celles-ci. 6. Tampon de polissage selon la revendication 4, caracterise en ce que la matrice polymere comprend un melange de 100:1 a 1:100 en % en masse de dispersion dui-ethane et de dispersion acrylique. 7. Tampon de polissage selon la revendication 4, caracterise en ce que la matrice polymere comprend en outre un antimousse, un modificateur de rheologie, un agent anti-peau ou un agent de coalescence. 8. Tampon de polissage selon la revendication 4, caracterise en ce que la matrice polymere comporte des microelements (310) disperses clans celle-ci, les microelements etant choisis clans le groupe comprenant les poly(alcools vinyliques), la pectine, la polyvinylpyrrolidone, rhydroxyethy1cellulose, la methylcellulose, rhydroxypropy1methy1cellulose, Ia carboxymethylcellulose, I'hydroxypropylcellulose, les poly(acides acryliques), les polyacrylamides, les polyethyleneglycols, Iespolyhydroxyether acrylites, les amidons, les copolymeres de I'acide maleique, le poly(oxyde d'ethylene), les polyurethanes, la cyclodextrine, le poly(chlorure de vinylidene), le polyacrylonitrile et leurs combinaisons. 9. Tampon de polissage selon rune quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche intermediaire a une epaisseur inferieure a 0,4 mm. 10. Tampon de polissage selon rune quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche de fond a une epaisseur inferieure a 1 mm.