Brevet FR2892561A1 — publié le 20070427

-1 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE PHOTOLITHOGRAPHIE POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention traite de la fabrication de dispositifs semi-conducteurs en 10 général et, plus particulièrement, de procédés de photolithographie pour la fabrication de semi-conducteurs. Depuis les débuts de l'industrie du semi-conducteur, la photolithographie est utilisée pour former les composants des circuits intégrés. La hausse continue de la densité des composants intégrés sur une puce est due en grande partie aux progrès de la 15 photolithographie, et plus particulièrement, aux longueurs d'onde de rayonnement sans cesse décroissantes. Tant que la taille critique des composants est plus grande que la longueur d'onde du rayonnement utilisé pour exposer la résine photosensible, les développements dans ce domaine ne nécessitent aucun changement significatif des masques. 20 Cependant, lorsque la longueur d'onde du rayonnement de formation d'image est plus grande que la taille critique, les effets de diffraction, bien que toujours existants, prennent suffisamment d'importance pour générer des déformations notables sur les images projetées. Ces déformations sont particulièrement sensibles aux distances entre les différents motifs du modèle d'image et sont fréquemment désignées sous le 25 nom d' "effets de proximité". Un autre problème associé à la photolithographie dont la longueur d'onde s'approche de la taille critique est la profondeur de champ (PDC). En particulier, lorsque la PDC est inférieure à l'épaisseur de la résine exposée, la définition d'image sera perdue. Dans la pratique, en raison des effets de diffraction, l'image résultante se 30 transforme souvent en cercle flou. Lorsque la définition n'est pas importante, la PDC peut être augmentée en concentrant la lumière entrante au centre de l'objectif, réduisant ainsi l'angle du cône lumineux de sorte que les rayons focalisés aillent plus loin avant de quitter le cercle flou. Cependant, lorsque la définition est importante, cette solution n'est plus 35 acceptable.5 Généralement, des approches pour augmenter la PDC se sont orientées vers le rassemblement de trous de contacts à haute densité et isolés en un seul champ. Cependant, du fait que la hausse de la PDC de trous de contact à haute densité implique souvent la diminution de la PDC pour les trous de contact isolés, de telles tentatives fournissent souvent des images hors champ. Par exemple, pour équilibrer les PDC de trous de contact, respectivement à haute densité et isolés, l'art antérieur classique utilise des expositions multiples ou continues avec éclairage conventionnel pour améliorer la PDC. Cependant, une telle approche a pour conséquence une faible PDC pour des trous à haute densité. Par conséquent, il est souhaitable d'améliorer le dispositif et le procédé de lithographie existants. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES 15 Les différents aspects de la présente invention seront mieux compris dans la description détaillée suivante à l'aide des figures d'accompagnement. II est à souligner que, selon la pratique courante de l'industrie, certaines caractéristiques des figures ne sont pas nécessairement dessinées à l'échelle. Les dimensions de 20 certaines caractéristiques peuvent être arbitrairement agrandies ou réduites pour plus de clarté de la présentation. La figure 1 montre un procédé de photolithographie mettant en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. La figure 2 montre un dispositif de photolithographie mettant en oeuvre un ou 25 plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Les figures 3 à 6 montrent des zones d'éclairage du dispositif de photolithographie de la figure 2 mettant en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. La figure 7 montre des composants sélectionnés du dispositif de photolithographie de 30 la figure 2 mettant en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. La figure 8 montre des composants sélectionnés du dispositif de photolithographie de la figure 2 mettant en 'oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. 2892561 -3.- La figure 9 montre une plaque mettant en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. 5 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Il convient de comprendre que la présentation suivante fournit différents modes de réalisation ou exemples pour mettre en oeuvre les caractéristiques de l'invention. Des exemples spécifiques de composants et les dispositions sont décrits 10 ci-dessous pour simplifier la présentation de l'invention. En tant qu'exemples, ils n'ont pas pour but d'être limitatifs. En outre, la présentation de l'invention pourra être amenée à répéter des numéros et/ou lettres de références dans différents exemples. Cette répétition a été réalisée dans un but de simplicité et de clarté mais n'établit en rien de relations entre les modes de réalisation et/ou configurations décrites. Par ailleurs, la formation d'une première caractéristique sur une deuxième caractéristique d'une description suivante peut comprendre des modes de réalisation dans lesquels les première et deuxième caractéristiques sont formées en lien direct, ei: peut également comprendre des modes de réalisation dans lesquels des caractéristiques supplémentaires peuvent être formées en interposant les première et deuxième caractéristiques de sorte que les première et deuxième caractéristiques peuvent ne pas être directement liées. La description de la présente invention révèle une nouvelle approche de lithographie qui utilise une combinaison de procédés d'éclairage à grand angle et d'exposition à dérive de champ. Le procédé d'éclairage à grand angle comprenant un éclairage hors axe sera décrit ci-dessous en relation avec les figures 3 à 6. L'exposition à dérive de champ, qui peut comprendre aussi bien des expositions multiples et/ou l'inclinaison de plaque ou masque, que de la lithographie sèche ou humide, sera décrite plus loin. La figure 1 montre un procédé simplifié de photolithographie (10) mettant en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Le procédé commence par l'étape 12, qui fournit une résine photosensible enduite de substrat. En passant à l'étape 14, un masque pour exposer la plaque est fourni. Enfin, en passant à l'étape 16 du procédé (10), la plaque est exposée en 2892561 -4- utilisant une combinaison de procédés d'éclairage à grand angle et d'exposition à dérive de champ. Le procédé (10) peut être utilisé pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs variés tels que des dispositifs à mémoire (y compris, de manière non limitative, la 5 mémoire statique à accès aléatoire (SRAM)), des dispositifs logique (y compris, de manière non limitative, le transistor à effet de champ à oxydes métalliques (MOSFET)), ou d'autres dispositifs. Le procédé (10) commence à l'étape 12 où une plaque est fournie. Dans la figure 2, une plaque (28) utilisée dans l'étape 12 du procédé (10) peut être 10 illustrée en tant qu'exemple de dispositif simplifié de lithographie (20). Selon ce mode de réalisation, une source lumineuse (21) émet des faisceaux lumineux (23) qui sont condensés par un condenseur (22). La longueur d'onde de la source lumineuse est inférieure à 250nm, et dans les présents modes de réalisation, prend les valeurs de 248nm, 193nm, ou 157nm environ. Ainsi, un masque (24) qui 15 comporte des modèles est éclairé uniformément par des faisceaux lumineux (27). Après avoir traversé le masque (24), des faisceaux lumineux (25) sont focalisés par un objectif de projection (26) avant d'être projetés sur la plaque (28). Il est à noter que, du fait que le dispositif de lithographie (20) soit connu de l'homme de l'art, la plupart de ses composants n'en seront pas décrits. 20 En passant à l'étape 16 du procédé (10), la plaque (28) est exposée en utilisant une combinaison des procédés d'éclairage à grand angle et d'exposition à dérive de champ, qui sont décrites chacune ci-dessous. Le procédé d'éclairage à grand angle est maintenant décrit. Par exemple, la source lumineuse (21) peut être réglée par des procédés connus de l'homme de l'art pour 25 fournir l'éclairage à grand angle comme montré dans les figures 3 à 6. Dans l'exemple de la figure 3, une zone sensiblement circulaire Cl est formée dans une zone d'éclairage (30), avec un rayon (29) d'un sigma environ. La zone Cl, qui peut comporter un rayon (31) d'au moins 0,65 sigma environ, peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif, et peut comporter un coefficient de transmission 30 lumineuse compris entre 0% et 100 % environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. Dans l'exemple de la figure 4, une première zone sensiblement circulaire C2 et une deuxième zone adjacente A2 à la forme de tore, adjacente à la première zone sensiblement circulaire C2, sont formées dans une zone d'éclairage (35) avec un 2892561 -5-• rayon (33) d'un sigma environ. La zone C2, qui a un rayon (32) d'au moins 0,2 sigma environ, peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif, et peut comporter un coefficient de transmission lumineuse compris entre 0% et 100% environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission 5 lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. La zone A2, qui a un rayon intérieur (32) d'au moins 0,2 sigma environ et un rayon extérieur (34) d'au moins 0,7 sigma environ, peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif, et peut comporter un coefficient de transmission lumineuse compris entre 0% et 100% environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission 10 lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. Dans l'exemple de la figure 5, une première zone sensiblement circulaire C3 et deux zones à la forme de tore -A3 et B3- sont formées dans une zone d'éclairage (40) avec un rayon (37) d'un sigma environ. La zone C3, qui a un rayon (36) d'au moins 0,2 sigma environ, peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif, et peut 15 posséder un coefficient de transmission lumineuse compris entre 0% et 100% environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. La zone B3 est adjacente à la première zone sensiblement circulaire C3. La zone A3 n'est pas adjacente à la première zone sensiblement circulaire C3. La zone A3 a un 20 rayon intérieur (38) qui est supérieur à 0,2 sigma environ, et un rayon extérieur (41) d'au moins 0,7 sigma environ. La zone A3 peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif et peut comporter un coefficient de transmission lumineuse compris entre 0% et 100% environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. Il est à noter que la 25 zone B3 située entre les zones A3 et C3 peut comporter un coefficient de transmission lumineuse proche de 0%. Dans l'exemple de la figure 6, une première zone sensiblement circulaire C4 et plusieurs deuxièmes zones A4, situées autour de la circonférence de la zone C4, sont formées dans une zone d'éclairage (48). La zone C4, qui peut avoir un rayon 30 (42) d'au moins 0,2 sigma environ, peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif et peut comporter un coefficient de transmission lumineuse compris entre 0% et 100% environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. Il est prévu que chacune des zones A4 puissent être identiques ou différentes, et que seulement une unique zone A4 puisse être présente. Dans le présent exemple, au moins une des zones A4 peut avoir un rayon intérieur (42) d'au moins 0,2 sigma environ, et un rayon extérieur (44) d'au moins 0,7 sigma environ. Il est à noter qu'au moins une des zones A4 peut être représentée par un filtre ou tout autre dispositif et peut comporter un coefficient de transmission lumineuse compris entre 0% et 100% environ. Selon le présent mode de réalisation, le coefficient de transmission lumineuse est compris entre 20% et 100% environ. Selon un mode de réalisation, un angle (46) est d'au moins 30 degrés environ. Le procédé d'exposition à dérive de champ est maintenant décrit. Dans l'exemple de la figure 7, la plaque (28) peut être inclinée d'un angle (52) compris entre 30 et 250 microradians (urad) environ afin d'exposer la plaque (28). A fin d'illustration, un modèle (50a) du masque peut être formé sur la plaque (28) comme modèle correspondant (50b). Dans l'exemple de la figure 8, le masque (24) peut être une plaque à haute précision contenant des images microscopiques de circuits électroniques. Le masque (24) peut comprendre une variété de matériaux, tels que du quartz, de la chaux sodée, de la de couronne blanche, ou d'autres matériaux. Généralement, une couche de chrome peut être déposée sur une face du masque (24) et des circuits électroniques (fréquemment désignés sous le nom de géométrie) peuvent être gravés dans la couche de chrome. L'épaisseur du masque (24) peut comporter toute valeur qui convienne à l'homme de l'art. Par exemple, le masque (24) peut être incliné d'un angle (54) compris entre 120 et 1000 milli-radians (mrad) environ afin d'exposer la plaque (28). II est prévu que le masque (24) et la plaque (28) puissent être inclinés pour un procédé d'exposition identique. Pour approfondir l'exemple, le procédé d'exposition à dérive de champ peut comprendre au moins deux expositions, qui peuvent être utilisées indépendamment ou en combinaison avec les structures de la figure 7 et/ou figure 8. Des expositions multiples peuvent être réalisées par des procédés à balayage ou statiques ou d'autres procédés connus de l'homme de l'art. Par exemple, les plages de focale pour les première et deuxième expositions peuvent être comprises entre 0,1 et 0,6 mm environ. Dans un deuxième exemple, la différence de focale entre les expositions multiples peut être comprise entre 0,1 et 0,4mm environ. Il est à noter cependant que d'autres plages ou différences de focales sont prévues dans la présente invention. Le fait que les expositions multiples soient connues de l'homme de l'art rend leur description inutile ici. Dans l'exemple de la figure 9, la plaque (28) de la figure 2 est agrandie pour inclure un substrat (110), une couche diélectrique (114), une couche de revêtement anti- réfléchissant (120), et une couche de résine photosensible (122). Le substrat (110) peut comprendre une ou plusieurs couches isolantes, conductrices, et/ou semi-conductrices. Par exemple, le substrat (110) peut comprendre un semi-conducteur élémentaire tel que du cristal de silicium, du silicium poly-cristallin, du silicium amorphe, ou du germanium ; un semi-conducteur composite tel que du carbure de silicium et/ou l'arsenic de gallium ; un alliage semi-conducteur tel que du SiGe, du GaAsP, du AIInAs, du AIGaAs, ou du GaInP. De plus, le substrat (110) peut comprendre un bloc semi-conducteur, tel qu'un bloc de silicium, et un bloc semi-conducteur peut comprendre une couche d'epi-silicium. Il peut en outre ou alternativement comprendre un substrat de semi-conducteur sur isolant tel qu'un substrat de silicium sur isolant (SOI), ou un substrat de transistor en couche mince (TFT). Le substrat (110) peut également ou alternativement comprendre une structure multiple en silicium ou une structure multicouche de semi-conducteur composite. La couche diélectrique (114) peut être déposée sur la surface du substrat (110). La couche diélectrique (114) peut être constituée par dépôt chimique en phase vapeur (DCV), par DCV au plasma, par dépôt de couche atomique, par dépôt physique en phase vapeur (DPV), par revêtement rotatif ou par d'autres procédés. La couche diélectrique (114) peut être un diélectrique à inter-couches métalliques, et peut comprendre les matériaux à bas-k, du dioxyde de silicium, du polyamide, de l'enroulement de verre, du verre de silicate dopé au fluor, du Black Diamond (un produit de la société Applied Materials à Santa Clara, Californie), du Xerogel, de l'Aerogel, du carbone fluoré amorphe, ou d'autres matériaux. La couche de revêtement anti-réfléchissant (120) peut être déposée sur la couche diélectrique (114) par différentes techniques, comprenant de manière non limitative le revêtement rotatif, le DPV, le DCV, ou d'autres procédés. Selon un autre mode de réalisation, la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) (CAR) est constituée par une double type de CAR, par exemple, un film de CAR est enduit par rotation sur un autre film de CAR à base de DCV. Selon le présent mode de réalisation, la couche (120) est un revêtement anti-réfléchissant inférieur à l'épaisseur comprise entre 10nm et 150nm. Selon le présent mode de réalisation, la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) absorbe la lumière qui pénètre la base d'une couche de résine photosensible (non représentée). Pour réaliser l'absorption de lumière, la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) peut comprendre un matériau au coefficient d'absorption élevé, ou à l'épaisseur importante. D'une part, un coefficient élevé de la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) peut mener à la réflectivité élevée de la couche de revêtement anti-réfléchissant, ce qui pare l'efficacité de la couche de revêtement anti-réfléchissant (120). Ainsi, il est prévu que la couche de revêtement antiréfléchissant (120) puisse comporter une valeur de coefficient comprise entre 0,2 et 0,5 environ, et une épaisseur de 200 nanomètres environ. Cependant, il est à noter que d'autres plages de valeurs de coefficient et d'épaisseur soient adaptées à la présente invention. Supplémentairement ou alternativement, une approche consistant à optimiser les indices de la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) peut être adoptée. Dans ce cas, la couche de revêtement anti- réfléchissant (120) comprend un matériau avec un coefficient de réfraction et une épaisseur en adéquation avec les caractéristiques de la lumière. En pratique, lorsque la lumière impacte la couche de revêtement anti- réfléchissant (120), une partie de la lumière en est réfléchie. En même temps, une autre partie de la lumière pénètre dans la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) et est transformée en lumière déphasée qui interfère avec la première partie de la lumière réfléchie de la couche de revêtement anti-réfléchissant (120), ce qui mène à la réduction de la réflectivité de la lumière. II est prévu que la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) utilise les deux approches d'absorption de lumière et d'optimisation d'indice pour atteindre les résultats souhaités. Parfois, la couche de revêtement anti-réfléchissant (120) peut simplement rester sur la couche diélectrique (114) et servir de barrière de diffusion à la plaque (28) si le dépôt de couche de revêtement anti-réfléchissant (120) est difficile à réaliser. La couche de résine photosensible (122) peut être déposée sur la couche de revêtement anti-réfléchissant (120), et être formée par des procédés de revêtement rotatif ou autres. En pratique, une solution de résine photosensible est déposée sur la surface d'une plaque partielle et la plaque (28) est mise en rotation rapide jusqu'à 2892561 -9-. ce que la solution de" résine photosensible soit presque sèche. Par exemple, la couche de résine photosensible (112) peut être une résine à amplificateur chimique utilisant une catalyse acide. Dans ce cas, la couche de résine photosensible peut être formulée en dissolvant un polymère sensible à l'acide dans une solution de 5 coulée. Après le dépôt de la couche de résine photosensible (122), la plaque (28) suit une cuisson douce (maîtrisée par l'homme de l'art) et un procédé d'exposition (décrit ci-dessus, en liaison avec le procédé (10)). Ensuite, des étapes supplémentaires sont adoptées pour former un dispositif semi-10 conducteur complet. Puisque ces phases supplémentaires sont connues de l'homme de l'art, elles ne font pas l'objet d'une description ici. A noter qu'il est envisagé plusieurs variantes de l'exemple ci-dessus. Par exemple, le procédé (10) peut être appliqué aux modèles qui comprennent au moins une ligne. Dans un deuxième exemple, le procédé (10) peut être appliqué à des modèles 15 qui comprennent au moins un trou. Dans un troisième exemple, le procédé (10) peut être appliqué à des modèles qui comprennent des caractéristiques denses et isolées. Dans un quatrième exemple, le procédé (10) peut être appliqué à des modèles qui comprennent des caractéristiques denses. Dans un cinquième exemple, le procédé (10) peut être utilisé en tant que procédé sans damasquinage, 20 avec damasquinage simple ou damasquinage double. Ainsi, plusieurs variantes sont prévues dans la présente invention. Ben que quelques exemples de modes de réalisation de la présente invention aient été décrits dans la description détaillée précédente, l'homme de l'art comprendra qu'il pourra leur apporter nombre de modifications possibles sans se départir en rien de la 25 nouveauté ni des avantages procurés par la présente invention. En outre, les caractéristiques de certains modes de réalisation illustrées et décrites précédemment peuvent être combinées avec des caractéristiques illustrées et décrites précédemment selon d'autres modes de réalisation. De la sorte, toutes ces variantes sont destinées à faire partie de la présente invention. 30 REVENDICATIONS 1) Procédé de fabrication de semi-conducteurs, comportant les étapes suivantes : fourniture d'un substrat ; revêtement d'une couche de résine photosensible sur ledit substrat ; et exposition dudit substrat par utilisation d'une combinaison de procédés d'éclairage à grand angle et d'exposition à dérive de champ. 2) Le procédé selon la revendication 1, où ledit procédé d'exposition à dérive de champ comporte l'inclinaison dudit substrat ou l'inclinaison d'un masque (24) utilisé pour exposer ledit substrat. 3) Le procédé selon la revendication 2, où ledit procédé d'exposition à dérive de champ comporte l'inclinaison dudit substrat d'un angle compris entre 30 et 250 urad environ. 4) Le procédé selon la revendication 2, où ledit procédé d'exposition à dérive de champ comporte l'inclinaison dudit masque (24) d'un angle compris entre 120 et 1000 mrad environ. 5) Le procédé selon la revendication 1, où ledit procédé d'éclairage à grand angle comporte la formation d'une zone sensiblement circulaire dans une zone d'éclairage au rayon d'un sigma environ, où le rayon de la zone sensiblement circulaire est d'au moins 0,65 sigma environ. 6) Le procédé selon la revendication 1, où ledit procédé d'éclairage à grand angle comporte les étapes suivantes : formation d'une première zone sensiblement circulaire dans une zone d'éclairage (30) au rayon (29) d'un sigma environ, où le rayon (31) de ladite première zone sensiblement circulaire est d'au moins 0,2 sigma environ, et formation d'une seconde zone sensiblement à forme de tore, immédiatement adjacente à ladite première zone sensiblement circulaire et située dans ladite zone d'éclairage (30). 2892561 - 11 - 7) Le procédé selon la revendication 6, où un rayon intérieur (32) de ladite deuxième zone est d'au moins 0,2 sigma environ, et où un rayon extérieur (34) de la deuxième zone est d'au moins 0,7 sigma environ. 5 8) Le procédé selon la revendication 1, où ledit procédé d'éclairage à grand angle comporte les étapes suivantes : formation d'une première zone sensiblement circulaire dans une zone d'éclairage (40) au rayon (37) d'un sigma environ, où le rayon (36) de ladite première zone sensiblement circulaire est d'au moins 0,2 sigma environ, et 10 formation d'une seconde zone sensiblement à forme de tore, immédiatement adjacente à ladite première zone sensiblement circulaire et située dans ladite zone d'éclairage (40), où ladite seconde zone sensiblement à forme de tore a un coefficient de transmission lumineuse proche de 0% ; et formation d'une troisième zone sensiblement à forme de tore qui n'est pas 15 adjacente à ladite première zone sensiblement circulaire et est située dans ladite zone d'éclairage (40). 9) Le procédé selon la revendication 8 où un rayon intérieur (38) de ladite troisième zone est plus grand que 0,2 sigma environ et où un rayon extérieur (41) de ladite 20 troisième zone est au moins 0,7 sigma environ. 10)Le procédé selon la revendication 1, où le procédé d'éclairage à grand angle comporte les étapes suivantes : formation d'une première zone sensiblement circulaire dans une zone d'éclairage 25 (48), où un rayon (42) de la première zone sensiblement circulaire est d'au moins 0,2 sigma environ, et formation de plusieurs deuxièmes zones autour d'une circonférence de ladite première zone et située dans ladite zone d'éclairage (48). 30 11)Le procédé selon la revendication 10 où un rayon intérieur (42) de ladite deuxième zone est d'au moins 0,2 sigma environ et où un rayon extérieur (44) de ladite deuxième zone est d'au moins 0,7 sigma environ. 12)Le procédé selon la revendication 1 où ladite exposition utilise la lithographie 35 humide ou la lithographie sèche. 2892561 -12- 13)Dispositif de photolithographie pour traiter une plaque de semi-conducteur (28), ledit dispositif comprenant : une zone d'éclairage fournie par une source lumineuse (21) où ladite source 5 lumineuse (21) illumine une plaque (28) ; une zone sensiblement circulaire au rayon compris entre 0,2 et 0,7 sigma environ, où un coefficient de transmission lumineuse dans ladite zone sensiblement circulaire est compris entre 0% et 100% environ ; et un dispositif de contrôle capable d'incliner ladite plaque (28) et/ou un masque (24) 10 au cours du procédé de photolithographie. 14)Le dispositif de photolithographie selon la revendication 13, où ledit coefficient de transmission lumineuse est compris entre 20% et 100% environ dans ladite zone sensiblement circulaire, et où une longueur d'onde de ladite source lumineuse 15 (21) est inférieure à 250 nm. 15)Procédé pour modeler un substrat de semi-conducteur, comportant les étapes suivantes : revêtement d'une couche de résine photosensible sur le substrat de semi- 20 conducteur ; inclinaison du substrat à un angle (54) relatif à un masque (24) utilisé dans un dispositif d'exposition ; filtrage d'un cercle dans une zone d'éclairage du dispositif d'exposition ; et exposition d'un modèle sur ladite couche de résine photosensible en utilisant ledit 25 dispositif d'exposition.