Brevet FR2893446A1 — publié le 20070518

Domaine technique et art antérieur La présente invention concerne la fabrication de plaques, également dénommées "wafer", et notamment celles de type sSOI (silicium contraint sur isolant). Il existe plusieurs techniques d'élaboration pour de telles plaques. L'une des plus performantes actuellement pour la fabrication de plaques de type sSOI est celle de la réalisation d'une couche active de silicium contraint (sSI en abrégé, pour "strained silicon") faisant intervenir la technologie Smart CutTM pour réaliser l'hétérostructure désirée. Un exemple de mise en oeuvre de la technologie Smart CutTM appliquée à la réalisation de plaques de SOI est notamment décrit dans le document US 5 374 564 ou dans l'article de A.J. Auberton-Hervé et al. intitulé "Why can Smart-Cut Change the future of microelectronics ?", Int. Journal of High Speed Electronics and Systems, Vol.10, Nol, 2000, p.131-146. Des exemples de mise en oeuvre de la technologie Smart CutTM appliquée à la réalisation spécifique de plaques de type sSOI sont décrits dans les documents US 2004/053477 et WO 2004/006311. La réalisation de plaques de type sSOI faisant intervenir la technologie Smart CutTM comprend tout d'abord la fabrication d'un substrat "donneur" formé d'un substrat support en silicium sur lequel on réalise une couche en silicium-germanium (SiGe) relaxée par l'intermédiaire d'une couche tampon en SiGe. On forme ensuite, par exemple par épitaxie, une couche de silicium contraint sur la couche de SiGe relaxée. La concentration en Ge dans la couche relaxée est typiquement de l'ordre de 20%, mais elle peut varier suivant le degré de contrainte désiré dans le film de silicium. Une fois la couche de silicium contraint formée et conformément à la technologie Smart CutTM, on implante des espèces atomiques dans la couche de SiGe relaxée au niveau d'une zone d'implantation et on met en contact intime la face de la couche de silicium contraint avec un substrat "receveur". On réalise ensuite un clivage de la couche de SiGe au niveau 1 de la zone d'implantation pour transférer la partie située entre la surface soumise à l'implantation et la zone d'implantation (i.e. la couche de sSi et une partie de la couche de SiGe relaxée) sur le substrat receveur. On obtient ainsi une structure sSOI avec une couche de silicium contraint sur une face du substrat support. Après clivage et transfert, on procède au retrait du reliquat de SiGe subsistant au-dessus de la couche de silicium contraint. Typiquement, ce retrait est réalisé par gravure sélective. Par gravure sélective on entend ici le procédé d'attaque chimique qui permet d'éliminer de manière sélective, en jouant sur la composition de la solution chimique et, par conséquent, sur les vitesses de gravure entre le SiGe et le silicium, la couche supérieure de SiGe sans attaquer la couche suivante de silicium contraint, appelée couche d'arrêt pour cette raison. Il est clair que plus les couches sont de nature différentes, plus la sélectivité de la gravure est importante. Or les traitements thermiques qui interviennent lors de la formation sur le substrat donneur et/ou lors du transfert des couches de silicium contraint et SiGe, contribuent à la diffusion d'éléments de germanium dans la couche de silicium contraint. En effet, la technologie Smart CutTM impose des traitements thermiques comme par exemple la densification de l'oxyde déposé, le traitement thermique de "splitting", les éventuels traitements thermiques post "splitting" qui précèdent la gravure (pré-stabilisation de renforcement de l'interface de collage à environ 800 C durant plusieurs heures). Ces traitements thermiques sont importants et ne peuvent pas être limités pour éviter la diffusion des éléments de germanium. En conséquence, le passage d'une zone de SiGe à une zone de silicium (ex. changement de concentration en Ge allant de 20% à 0%) ne se fait pas de manière abrupte mais s'étend sur une certaine épaisseur (de 50 à 100 angstrôms (Â) environ, pour 20% de Ge) par diffusion du germanium dans la couche de silicium contraint sous-jacente. Comme illustré sur la figure 4, qui montre la variation de concentration en germanium dans l'épaisseur de la portion transférée (i.e. couche de silicium contraint+partie de la couche de SiGe au-dessus de l'implantation), ce passage progressif sur une certaine épaisseur entre la couche de SiGe et la couche de silicium contraint peut être défini par une couche ou zone de transition qui s'étend entre les couches de SiGe et de sSi. Cette couche de transition (i.e. pas d'interface abrupte entre les couches de SiGe et de sSi) contient globalement peu de germanium. En outre, la concentration en germanium dans cette couche décroît progressivement au fur et à mesure que l'on s'approche de la couche de silicium contraint. Aussi, la gravure sélective du germanium au niveau de cette couche doit être prolongée sur une longue durée afin de retirer tout le germanium présent. Ce prolongement excessif de la gravure conduit à la formation d'une surface rugueuse post gravure, voire même à la formation de défauts HF, car le retrait de toute la zone transitoire contenant du germanium conduit à surgraver la couche de silicium contraint, en particulier au niveau des défauts ou zone de faiblesses (dislocations, défauts cristallins, impuretés ou contaminants, non uniformités d'épaisseur) dans la couche transférée (on appelle défauts "HF" les défauts dans la couche active semi-conductrice de la structure sSOI, ici la couche de sSi, qui s'étendent à partir de la surface de cette couche jusque dans l'oxyde enterré et dont la présence peut être révélée par une auréole de décoration après traitement dans un bain d'acide fluorhydrique (HF)). En raison de la finesse de la couche active de silicium contraint (de l'ordre de 200 Â), il est important de pouvoir contrôler avec une grande précision la qualité de cette couche et de son état de surface final après retrait de la portion subsistante de la couche de SiGe. Résumé de l'invention L'invention a pour but de remédier aux inconvénients précités et de proposer une solution qui permet de faciliter le retrait par gravure sélective d'une couche de silicium-germanium (SiGe) subsistant au dessus d'une couche de silicium contraint, et ce de façon fiable tout en préservant la couche de silicium contraint d'une gravure excessive (surgravure). Ce but est atteint avec un procédé de retrait d'une couche de SiGe destinée à être retirée par gravure chimique sélective pour mettre à nu la couche de silicium contraint sur laquelle elle est disposée, caractérisé en ce que le procédé comprend, avant la gravure sélective, une étape d'oxydation de la couche de SiGe pour former une couche superficielle d'oxyde de silicium et une couche inférieure de concentration élevée et homogène de germanium. Cette couche inférieure présentent un taux ou concentration de germanium supérieur à celui de la couche de SiGe avant oxydation. Ainsi, l'étape d'oxydation de la couche de SiGe permet de former une couche d'oxyde de silicium contenant très peu de germanium et une couche sous-jacente qui est enrichie en germanium. On obtient de cette manière, une couche enrichie en germanium au plus près de la couche de silicium contraint, ce qui permet d'obtenir une sélectivité importante entre la couche enrichie en germanium et la couche de silicium contraint. L'efficacité de la gravure sélective est alors augmentée si bien qu'il n'y a plus de risque de surgravure pour la couche de silicium contraint et la durée de la gravure peut en outre être réduite. Selon le procédé de l'invention, la couche de SiGe peut être ainsi facilement retirée tout en préservant l'état de surface et la qualité de la couche de silicium contraint mise à nu. L'étape d'oxydation est réalisée de préférence sous flux 25 d'oxygène et à une température d'environ 800 C pour éviter une diffusion excessive du germanium dans la couche de silicium contraint. Selon un aspect de l'invention, le procédé comprend en outre, avant la gravure sélective et après l'étape d'oxydation, une étape de désoxydation de la plaque pour retirer la couche d'oxyde de silicium. 30 L'étape de désoxydation peut être réalisée dans un bain d'acide fluorhydrique. Selon un autre aspect de l'invention, le procédé comprend en outre, avant l'étape d'oxydation, une étape d'amincissement de la couche de SiGe. L'étape d'amincissement de la couche de SiGe peut être réalisée par gravure ou par polissage mécano-chimique. L'épaisseur de la couche de SiGe est réduite jusqu'à une épaisseur suffisante pour limiter la contrainte engendrée par l'étape d'enrichissement en germanium. En effet, si l'on conserve une épaisseur trop importante de la couche de SiGe pour l'étape d'oxydation, la contrainte engendrée par l'accumulation de germanium entre cette zone et la couche de silicium contraint risque de ne plus être tolérée et d'engendrer l'apparition de défauts. Pour une couche de SiGe présentant un taux de germanium de 20% (Si8Ge2), l'épaisseur de la couche de SiGe est réduite pour atteindre une épaisseur d'environ 100 Â. Pour des couches de SiGe présentant des concentrations de germanium plus élevées (ex. 30 ou 40 h de Ge), l'épaisseur de la couche de SiGe est amincie à des valeurs inférieures à 100 Â. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'une plaque de type sSOI comprenant: - la formation d'une couche de silicium contraint sur une couche en SiGe relaxée d'un substrat donneur, -l'implantation d'espèces gazeuses dans la couche de SiGe relaxée pour former une zone de fragilisation dans celle-ci, - le collage de la couche de silicium contraint sur un substrat receveur, - le détachement par clivage de la couche de SiGe au niveau de la zone fragilisée par l'implantation, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le retrait de la portion de la couche de SiGe détachée avec la couche de silicium contraint selon le procédé de retrait décrit précédemment. Brève description des figures - les figures 1A à 1E sont des vues schématiques en coupe montrant la réalisation d'une structure de type sSOI conformément à un mode de mise en oeuvre de l'invention, - la figure 2 est un organigramme des étapes mises en oeuvre dans les figures 1A à 1E, - la figure 3 montre la variation de concentration en germanium dans un ensemble couches SiGe/sSi après amincissement et oxydation. - la figure 4 montre la variation de concentration en germanium dans un ensemble couches SiGe/sSi après transfert suivant la technologie Smart CutTM Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La méthode de la présente invention s'applique d'une manière générale à toute couche ou reliquat de couche de silicium-germanium 15 (Sil_XGex) subsistant au-dessus d'une couche de silicium contraint et devant être éliminé par gravure sélective. La présente invention trouve, par conséquent, une application privilégiée dans la fabrication des plaques de type sSOI par la technologie Smart CutTM On décrit, en référence aux figures 1A à 1E et 2, un procédé de 20 réalisation d'une structure 100 d'une plaque de type sSOI dans lequel la méthode d'élimination ou de retrait d'une couche de SiGe conforme à l'invention est mise en oeuvre. La figure 1A illustre la structure 100 obtenue après transfert d'une couche de silicium contraint 104 d'un substrat donneur (non représenté) à un substrat receveur 103, c'est-à-dire 25 après : - implantation d'espèces gazeuses, (H, He,... seule ou en combinaison) dans la couche de SiGe relaxée pour former une zone de fragilisation dans celle-ci, - collage de la couche de silicium contraint 104 sur un substrat 30 receveur 103, -détachement par clivage ("splitting") (thermiquement et/ou mécaniquement) de la couche de SiGe au niveau de la zone fragilisée par l'implantation, et éventuellement10 - finition par gravure chimique, polissage/planarisation, et/ou traitement thermique. Le substrat receveur 103 comprend un substrat support 101 par exemple en silicium avec une couche d'oxyde enterré 102 formant la couche isolante. Alternativement, ou en complément, la couche d'oxyde peut être formée par dépôt sur la couche contrainte Pour rappel, la formation de la couche de silicium contraint 104 est réalisée préalablement sur un substrat donneur formé d'un substrat support en silicium sur lequel on réalise une couche en siliciumgermanium (SiGe) relaxée par l'intermédiaire d'une couche tampon en SiGe. Cette partie de la réalisation d'une structure de type sSOI est bien connue en soi et ne sera pas décrite plus en détail. Comme illustré sur la figure 1A, après transfert de la couche de silicium contraint 104 sur le substrat receveur 103, il subsiste une couche de SiGe 106 correspondant à la partie de la couche de SiGe relaxée du substrat donneur qui a été détachée avec la couche de silicium contraint (i.e. partie de la couche de SiGe située entre la surface soumise à l'implantation et la zone d'implantation). Cette couche de SiGe doit être éliminée afin d'obtenir la structure finale de plaque sSOI. Comme expliqué précédemment, lors de la formation du substrat donneur et/ou du transfert des couches de silicium contraint et SiGe, il y a diffusion d'éléments de germanium dans la couche de silicium contraint (phénomènes de queue de diffusion) de sorte que la transition entre la couche de silicium contraint 104 et la couche de SiGe 106 (i.e. passage entre le SiGe et le sSi) n'est pas abrupte (cf. figure 4). Cette interface entre ces deux couches peut être matérialisée par une couche de transition 105 au moins partiellement enterrée dans la couche de silicium contraint du fait de la diffusion des éléments de germanium dans celle-ci. La concentration en germanium dans la couche de transition 105 est inférieure à celle présente dans la couche de SiGe 106. A titre d'exemple, avec une couche de SiGe 106 présentant une concentration en germanium de l'ordre de 20% (couche Si8Ge2), la concentration de germanium dans la couche de transition 105 peut varier de 20 % à substantiellement 0 % sur une épaisseur comprise entre 50 et 100 Â. Aussi, la gravure sélective du germanium vis-à-vis du silicium perd de son efficacité au niveau de la couche de transition 105. En outre, la gravure sélective de la couche de transition 105 devient de plus en plus difficile au fur et à mesure qu'on se rapproche de la couche de silicium contraint 104 puisque la concentration en germanium diminue (gradient en concentration de Ge dans le sens de l'épaisseur de la couche de transition). On procède tout d'abord à un amincissement de la couche de SiGe 106 jusqu'à une épaisseur e d'environ 100 Â (étape S2, figure 1B). Cet amincissement permet d'obtenir une couche de SiGe fine qui sera plus facile à traiter (réduction température et durée d'oxydation) pour la suite du procédé de l'invention. La couche de SiGe 106 est de préférence amincie jusqu'à une valeur d'environ 100 Â car, au delà de cette épaisseur, des défauts importants peuvent apparaître dans la couche de SiGe lors des étapes ultérieures du procédé de l'invention. En effet, comme expliqué plus loin, on va regrouper les éléments de germanium dans une zone située entre la couche de SiGe et la couche de silicium contraint. On augmente, par conséquent, la contrainte entre cette zone et le silicium contraint, ce qui, pour une épaisseur de couche de SiGe supérieure à 100 Â, ne lui permet plus de tolérer la contrainte et entraîne l'apparition de défauts importants dans la couche de SiGe qui peuvent s'étendre jusque dans la couche de silicium contraint. On notera que cette épaisseur de 100 Â est particulièrement adaptée pour des couches de SiGe présentant une concentration de Ge de l'ordre de 20%. Pour des concentration supérieure (30% ou plus), cette épaisseur doit être adaptée (i.e. doit être plus fine). L'amincissement de la couche de SiGe 106 peut être réalisé, par exemple, par polissage/planarisation mécano-chimique. Des méthodes de polissage/planarisation mécano-chimique de couches de SiGe relaxées sont notamment décrites dans les documents PCT/EP2004/006186 et PCT/EP2004/011439. Pour rappel, le polissage/planarisation mécanochimique peut être réalisé avec un tissu relativement dur (ex. tissu présentant une compressibilité entre 2 et 15 %) associé à une solution de polissage contenant un agent (ex. NH4OH) apte à attaquer chimiquement la surface de la couche et des particules abrasives (ex. particules de silice de diamètre 70-1000 nm à taux de silice supérieur à 20%) aptes à attaquer mécaniquement ladite surface. L'amincissement de la couche de SiGe 106 peut également être réalisé par gravure. En outre, puisque le temps de gravure est volontairement limité pour interrompre la gravure avant qu'elle n'atteigne la couche de silicium contraint et n'entraîne la formation de défauts HF dans celle-ci, il est possible d'utiliser une solution de gravure présentant une vitesse de gravure plus rapide et/ou plus uniforme (i.e. sans défauts HF). On utilisera, par exemple, une solution acide acétique (CH30OOH)/H2O2/HF avec le ratio 1/1/1 qui est plus agressive que la solution utilisée habituellement et qui présente un ratio 10/10/1. En outre, cette solution (CH30OOH/H2O2/HF, 1/1/1) peut comprendre des additifs, comme de l'acide sulfurique, pour augmenter encore son agressivité. L'amincissement peut encore être réalisé par oxydation "humide" (oxydation réalisée sous H2O) suivie d'une désoxydation (oxydation sacrificielle). L'amincissement de la couche de SiGe 106 est réalisé de préférence par gravure. En effet, la gravure permet de mieux préserver l'uniformité de la couche par rapport au polissage et il est important de préserver l'uniformité de la couche de SiGe avant oxydation car une couche de SiGe non uniforme conduit à une couche enrichie en Ge également non uniforme et donc à un risque de surgravure de la couche de SiGe aux endroits où elle est moins épaisse. Ensuite, on procède à une oxydation sacrificielle (i.e. oxydation suivie d'une désoxydation) de la couche de SiGe 106. Les conditions de cette oxydation sacrificielle sont choisies de manière à ne former que du SiO2 afin d'enrichir la couche de transition 105 sous-jacente en germanium. Cette oxydation sacrificielle comprend tout d'abord une étape d'oxydation de la couche de SiGe 106 (étape S3). L'oxydation est de préférence du type "sèche", c'est-à-dire réalisée sous un flux d'oxygène permettant la formation d'une accumulation du germanium qui est rejeté de l'oxyde par ségrégation permettant ainsi d'enrichir la partie inférieure de la couche de SiGe en germanium, à savoir essentiellement la couche de transition 105. Par ailleurs, l'oxydation est réalisée à basse température, c'est-à-dire à 800 C environ, pour empêcher le germanium de se diffuser dans la couche de silicium contraint et annihiler la transition abrupte entre le germanium et le silicium que l'on cherche à rétablir. De façon connue, l'oxydation de la couche de SiGe 106 peut être réalisée en plaçant les plaques dans un tube de quartz à l'intérieur duquel on fait circuler un flux d'oxygène tout en contrôlant la température à l'intérieur du tube à l'aide de corps de chauffe disposés autour du tube et de sondes de mesure thermique dans le tube. La durée d'oxydation est réglée de manière à consommer le plus d'atomes de silicium présent dans la couche de SiGe. A titre d'exemple, pour une couche de SiGe de 100 Â d'épaisseur, la durée de l'oxydation est de l'ordre de 30 minutes. Bien entendu la durée de l'oxydation est fonction de l'épaisseur de la couche de SiGe. La durée de l'oxydation peut donc être réduite en diminuant encore l'épaisseur de la couche de SiGe avant l'oxydation, par exemple à une valeur de l'ordre de 50 Â. Toutefois, la réduction de l'épaisseur de la couche de SiGe ne peut se faire que dans la limite où l'uniformité de la couche de SiGe n'est pas détériorée. En effet, comme expliqué précédemment, si l'on ne préserve pas l'uniformité de la couche de SiGe avant l'oxydation, on obtient une couche enrichie en germanium non uniforme impliquant des risques de surgravure et d'apparition de défauts. Lors de l'oxydation de la couche de SiGe 106 (i.e. sous flux d'02 à environ 800 C), les atomes d'oxygène présents dans le SiGe rencontrent les atomes de silicium pour former de l'oxyde de silicium: Si + 02 - SiO2 La croissance de la couche d'oxyde commence à partir de la surface de la couche SiGe et s'étend progressivement dans l'épaisseur de la couche de SiGe, par diffusion de l'oxygène au travers de l'oxyde en cours de formation.30 De cette manière et comme illustré sur la figure 1C, la couche de SiGe 106 s'oxyde sous forme d'une couche de SiO2 108, ce qui engendre la ségrégation du germanium dans une zone inférieure de la couche au niveau de la couche de transition 105, cette ségrégation conduisant à la formation d'une couche de germanium ou de SiGe à forte concentration de germanium (qui peut atteindre environ 80 %) 107. A cette étape du procédé, la couche de silicium contraint 104 est séparée de la couche de SiO2 108 par la couche 107 enrichie en germanium. La figure 3 montre la répartition en germanium après oxydation de la couche de SiGe 106. On observe que le passage entre la zone contenant du germanium, c'est-à-dire la couche enrichie en germanium, et la couche de silicium contraint est maintenant devenue abrupte en comparaison avec ce même passage avant l'oxydation tel qu'illustré en figure 4. La couche enrichie en germanium présente en outre une concentration en germanium bien plus élevée que celle de la couche de SiGe avant oxydation (à savoir 20% dans l'exemple considéré). La couche de SiO2 108 est ensuite éliminée par désoxydation (étape S4, figure 1D) dans un bain d'acide fluorhydrique (HF) par exemple. Les méthodes d'oxydation sacrificielle sont bien connues de l'homme du métier qui saura ajuster les conditions de température (pour éviter la diffusion trop importante du Ge dans la couche de silicium contraint), de durée de traitement, de concentration en oxygène pour réaliser une oxydation sacrificielle permettant d'enrichir au mieux la couche de transition 105 en germanium. Après désoxydation, la structure 100 ne comporte plus en surface que la couche 107 qui est enrichie en germanium. Cette couche peut donc être enlevée par gravure sélective (étape S5) avec une plus grande facilité. En effet, l'augmentation de la concentration en germanium dans la zone d'interface entre la couche de SiGe et la couche de silicium contraint permet une plus grande sélectivité de gravure du SiGe vis-à-vis du silicium contraint. En particulier, la surgravure de la couche silicium contraint peut être ainsi évitée puisque la gravure sélective n'a plus besoin d'être prolongée pour palier la faible concentration en germanium habituellement rencontrée dans cette zone. Après le retrait de la couche enrichie en germanium, on peut tolérer une très faible concentration en surface de la couche restante qui soit de l'ordre de 0,01 % environ. Cette quantité résiduelle de germanium n'affecte pas la qualité finale de la couche pour deux raisons : - les traitements thermiques qui suivront (renforcement de l'interface de collage, guérison de défaut, 1000 C 2h) vont permettre de faire diffuser dans toute l'épaisseur de la couche le Ge restant et ainsi limiter sa concentration moyenne. en dessous d'un seuil (5. 1010 atomes/cm3), on considère que les atomes de Ge restants sont des impuretés à un niveau acceptable. La gravure sélective de la couche 107 (étape S5) peut être réalisée avec une solution de gravure constituée par exemple d'un mélange bien connu d'acide acétique (CH30OOH) (HAc), d'eau oxygénée (H202) et d'acide fluorhydrique (HF). Cette gravure sélective peut être mise en oeuvre par trempage des plaques dans un bain de solution de gravure ou bien en utilisant un équipement de traitement chimique par voie humide de type "single wafer" par lequel la gravure sélective est réalisée par dispense directe de la solution de gravure sur la plaque en rotation. Typiquement, la profondeur de gravure est contrôlée en fonction de la durée de contact entre la solution de gravure et la couche à graver. Pour une solution de gravure donnée, on connaît sa vitesse de gravure d'une couche de SiGe. Par conséquent, le contrôle de la profondeur de gravure, qui doit correspondre à la profondeur de la couche 107 à éliminer, pourra être contrôlée en fonction de la durée de contact entre la couche 107 et la solution de gravure. Par ailleurs, certains équipements de gravure présentent des systèmes optiques qui permettent de mesurer "in situ" l'épaisseur gravée et, par conséquent, d'interrompre la gravure quand l'épaisseur voulue est atteinte. Après l'étape de gravure sélective, on obtient la structure finale de la plaque sSOI, à savoir la couche de silicium contraint 104 sur le substrat 103 (figure 1E). REVENDICATIONS 1. Procédé de retrait d'une couche de silicium-germanium (Sil_ xGex) (106) disposée sur une couche de silicium contraint (104), ladite couche de silicium-germanium (Sil_xGex) (106) étant destinée à être retirée par gravure chimique sélective pour mettre à nu la couche de silicium contraint (104), caractérisé en ce qu'il comprend, avant la gravure sélective, une étape d'oxydation de la couche de silicium-germanium (Sil_xGex) (106) pour former une couche superficielle d'oxyde de silicium (SiO2) (108) et une couche inférieure (107) enrichie présentant une concentration (x) en germanium supérieur à celle de la couche de silicium-germanium (Sil_xGex) (106). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'oxydation est réalisée sous flux oxydant et à une température d'environ 800 C. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant la gravure sélective et après l'étape d'oxydation, une étape de désoxydation de la plaque pour retirer la couche d'oxyde de silicium (108). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape de désoxydation est réalisée dans un bain d'acide fluorhydrique. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendication 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant l'étape d'oxydation, une étape d'amincissement de la couche de silicium-germanium (Sil_xGex) (106). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape d'amincissement de la couche de silicium-germanium (Sil_xGex) (106) estréalisée par gravure sélective, oxydation sacrificielle ou par polissage mécano-chimique. 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce qu'on réduit l'épaisseur de la couche de silicium-germanium (Sil_XGex) (106) au moins à une valeur d'environ 100 Â, ladite couche ayant une concentration (x) en germanium de 20%. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la durée de l'étape d'oxydation est inférieure ou égale à 30 minutes. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la gravure sélective est réalisée avec une solution de gravure comprenant un mélange d'acide acétique (CH30OOH), d'eau oxygénée (H2O2) et d'acide fluorhydrique (HF). 10. Procédé de fabrication d'une plaque de type sSOI comprenant: - la formation d'une couche de silicium contraint (104) sur une 20 couche en SiGe relaxée d'un substrat donneur, - l'implantation d'espèces gazeuses dans la couche de SiGe relaxée pour former une zone de fragilisation dans celle-ci, - le collage de la couche de silicium contraint (104) sur un substrat receveur (103), 25 - le détachement par clivage de la couche de SiGe au niveau de la zone fragilisée par l'implantation, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le retrait de la portion (106) de la couche de SiGe détachée avec la couche de silicium contraint (104) selon un procédé conforme à l'une quelconque des revendications 1 30 à 9.