Brevet FR2893194A1 — publié le 20070511

DISPOSITIF A DIODES LASER, RESEAU DE DIODES LASER COMPORTANT AU :MOINS UN DISPOSITIF A DIODES LASER, ET LASER A POMPAGE OPTIQUE La présente invention concerne un dispositif à diodes laser comportant une multiplicité de domaines actifs, convenant à la production d'un rayonnement, ainsi qu'un réseau de diodes laser comportant un dispositif à diodes laser de ce type. L'invention concerne en outre un laser à pompage optique. Le pic de longueur d'onde du rayonnement produit dans une région active individuelle d'une puce de diode laser présente souvent une caractéristique particulière de température, c'est-à-dire qu'il varie avec la température de fonctionnement de la région active. Dans le cas des diodes laser à base de GaAs, le pic de longueur d'onde varie d'une manière typique d'environ 0,3 nm/K. La température de fonctionnement est en règle générale définie d'une manière décisive par la perte de chaleur qui apparaît lors de la production du rayonnement, la perte de chaleur dépendant, dans les lasers à pompage électrique, du rendement de conversion de la puissance électrique en puissance de rayonnement dans la région active de la diode laser. Dans le cas des réseaux de diodes laser comportant une multiplicité de régions actives, des régions actives différentes peuvent présenter des températures de fonctionnement différentes. Cela peut conduire à une augmentation des différences au niveau des pics de longueur d'onde du rayonnement émis dans chacune des régions actives, ou encore peut être à l'origine de l'apparition de différences de ce type. L'un des buts de la présente invention est de mettre à disposition un dispositif à diodes laser comportant une multiplicité de régions actives, ou un réseau de diodes laser comportant un dispositif à diodes laser de ce type, le dispositif à diodes laser ou le réseau de diodes laser pouvant être activé d'une manière simplifiée, avec des fluctuations plus petites entre les températures de fonctionnement des différentes régions actives. En outre, on cherche à mettre à disposition un laser à pompage optique, qui puisse être pompé d'une manière efficace et simplifiée. Ce but est atteint selon l'invention par un dispositif à diodes laser, comportant une multiplicité de régions actives (4a ... 4n), disposées latéralement les unes à côté des autres et convenant à la production d'un rayonnement, caractérisé en ce qu'une dimension transversale (b& ... bn) des régions actives varie dans la direction latérale, et/ou la distance (Da ... D1) entre des régions actives voisines varie dans la direction latérale, par un réseau de diodes laser comportant au moins un dispositif à diode laser, qui comprend un flanc latéral, qui délimite latéralement le dispositif à diode laser, et une multiplicité de régions actives (4a ... 4n), disposées latéralement les unes à côté des autres et convenant à la production d'un rayonnement, caractérisé en ce que - le dispositif à diode laser est disposé sur un support, et - la distance entre le flanc latéral et un bord qui délimite latéralement le support du côté du flanc latéral est plus petite que la distance entre la région active située le plus près du flanc latéral et le flanc latéral, et/ou -la distance entre le flanc latéral et le bord est plus petite que l'une des distances entre deux régions actives voisines du dispositif à diode laser, et par un laser à pompage optique, qui est pompé par un dispositif à diodes optiques ou un réseau de diodes optiques, tels que définis ci-dessus. D'autres formes de réalisation de l'invention ressortent des autres revendications. Un dispositif à diodes laser selon l'invention comprend une multiplicité de régions actives disposées latéralement les unes à côté des autres, convenant à la production d'un rayonnement, une dimension transversale des régions actives variant dans la direction latérale, et/ou la distance entre des régions actives voisines variant dans la direction latérale. Avantageusement, les régions actives sont 5 configurées pour la production d'un rayonnement lors de l'exploitation du dispositif à diodes laser. De préférence, le dispositif à diodes laser présente une orientation principale latérale. Les régions actives sont d'une manière particulièrement préférée disposées en 10 rangées les unes à côté des autres selon l'orientation principale. En cas de doute, deux régions actives entre lesquelles une autre région active est disposée ne doivent pas être considérées comme des régions actives 15 voisines dans le sens défini ci-dessus. Par une variation des dimensions transversales des régions actives, il est possible de faire varier l'aire active, produisant un rayonnement, de chaque région active. C'est par cet intermédiaire qu'il est possible 20 d'influer à dessein sur la perte de chaleur apparaissant dans chaque région active. En règle générale, la perte de chaleur, produite dans chaque région active, est d'autant plus grande, et de même la température de fonctionnement de chaque région active est d'autant plus élevée, qu'est 25 plus grande l'aire produisant le rayonnement. En agissant sur les variations locales de la dimension transversale des régions actives, et en particulier sur les variations de l'aire active des régions actives, il est donc possible d'influer à dessein sur la distribution des 30 températures de fonctionnement sur les régions actives du dispositif à diodes laser. Il en est de même pour les variations de la distance entre des régions actives voisines. Les températures de fonctionnement de deux régions actives voisines s'élèvent 35 en règle générale quand diminue la distance entre ces régions actives, en raison de la production d'une perte de chaleur, qui subit alors une concentration locale. Grâce à des variations appropriées de la distance entre des régions actives voisines, et/ou de la dimension transversale des régions actives du dispositif à diodes laser, il est possible de réaliser d'une manière simplifiée une distribution prédéfinie de la température de fonctionnement des différentes régions actives du dispositif à diodes laser dans la direction latérale. De préférence, la distribution des températures de fonctionnement est, grâce à une disposition et/ou une configuration appropriées des régions actives, formée de façon qu'il en résulte une distribution prédéfinie des températures de fonctionnement. De préférence, les régions actives sont disposées et/ou configurées de telle sorte que, lors de l'exploitation du dispositif à diodes laser, il se crée une distribution des températures de fonctionnement sur différentes régions actives le long d'une orientation principale latérale du dispositif à diodes laser, distribution qui est plus homogène que celle d'un autre dispositif à diodes laser qui par exemple présente des régions actives équidistantes, chacune ayant des dimensions transversales identiques. On peut ainsi réaliser un dispositif à diodes laser présentant une stabilisation de sa température de fonctionnement. En particulier, il est possible de disposer et/ou de configurer les régions actives de telle sorte que la température de fonctionnement des régions actives soit identique, en des points correspondants, sélectionnés d'une manière identique, des différentes régions actives. A cette fin, on pourra par exemple fabriquer d'abord un dispositif à diodes laser de référence, qui présente des régions actives équidistantes ayant des dimensions transversales identiques. Ensuite, on peut mesurer la distribution des températures de fonctionnement du dispositif à diodes laser de référence. Dans certaines zones du dispositif à diodes laser de référence, dans lesquelles les régions actives présentent une température de fonctionnement relativement basse, on va configurer le dispositif à diodes laser ayant subi une stabilisation de la température de fonctionnement, destiné à être fabriqué ultérieurement, et comportant des régions actives qui présentent une dimension transversale agrandie, et/ou une distance réciproque réduite, par rapport au dispositif à diodes laser de référence. Par rapport aux régions actives ayant une basse température de fonctionnement du dispositif à diodes laser de référence, on réalise d'une manière ciblée, dans le dispositif à diodes laser ayant subi une stabilisation des températures de fonctionnement, dans cette zone du dispositif à diodes laser, une augmentation de la perte de chaleur. Il en résulte alors, dans les différentes régions actives du dispositif à diodes laser à stabilisation des températures de fonctionnement, une température de fonctionnement qui en conséquence est plus élevée. En conséquence, il est possible de stabiliser les pics de longueur d'onde du rayonnement laser produit par les régions actives du dispositif à diodes laser. Ce résultat est particulièrement avantageux dans le cas des régions actives qui ont des configurations équivalentes, en particulier pour produire un rayonnement ayant des pics de longueur d'onde identiques quand la température de fonctionnement est la même. Le spectre d'émission du dispositif à diodes laser peut ainsi, en raison de la stabilisation des pics de longueur d'onde, être rétréci par rapport à un spectre d'émission d'un dispositif à diodes laser qui présente une distribution non homogène des températures de fonctionnement sur différentes régions actives. Ce résultat est particulièrement avantageux dans les applications dans lesquelles il est intéressant d'avoir un spectre d'émission à bande étroite. Un spectre d'émission à bande étroite est avantageux par exemple dans les applications de pompage dans lesquelles un dispositif à diodes laser est utilisé pour le pompage optique d'une autre source de rayonnement, par exemple d'un laser. Un laser devant être pompé de ce type peut être configuré comme un laser à solide, par exemple un laser à disque solide ou un laser à barreau solide, comme un laser à fibres ou un laser à semi-conducteur, par exemple un laser à semi-conducteur comportant un résonateur externe, et/ou sous forme d'un laser à disque semi-conducteur. Les lasers devant subir un pompage optique présentent en règle générale un spectre d'absorption à bande relativement étroite dans le milieu du laser devant être pompé. Un élargissement de la caractéristique d'émission du dispositif à diodes laser diminue ainsi le rendement de pompage du dispositif à diodes laser utilisé en tant que laser à pompe. Il est possible de contrecarrer un élargissement de ce type du spectre d'émission grâce à la réalisation, selon l'invention, du dispositif à diodes laser. En théorie, il serait tout aussi bien possible d'homogénéiser la distribution des températures de fonctionnement par une augmentation du rendement des régions actives lors de la production d'un rayonnement avec production en conséquence réduite d'une perte de chaleur. Ce résultat est cependant relativement cher et onéreux, par comparaison avec une variation de la dimension transversale des régions actives, ou de la distance entre des régions actives voisines. Dans une forme de réalisation préférée, le dispositif à diodes laser comprend au moins un flanc latéral, qui délimite latéralement le dispositif à diodes laser. Dans la région du flanc latéral, la température de fonctionnement des régions actives disposées dans cette région du dispositif à diodes laser va souvent, par exemple en raison d'une meilleure évacuation de chaleur ou d'une diminution de la production de pertes thermiques, être inférieure à la température de fonctionnement dans des régions plus éloignées du flanc latéral. Dans une forme de réalisation préférée du dispositif à diodes laser, la dimension transversale d'une région active va donc être plus grande que la dimension transversale d'une autre région active, cette région active étant voisine de la première région active, et étant plus éloignée du flanc latéral que la première région active. Ou bien encore, ou en plus, la distance entre les régions actives d'une paire comportant deux régions actives voisines est de préférence inférieure à la distance entre les régions actives d'une autre paire comportant des régions actives voisines, et qui présente une distance au flanc latéral plus grande que la première paire. Dans ce cas, au moins une région active de l'autre paire présente une distance au flanc latéral plus grande que chaque région active de la première paire. Eventuellement, les deux paires peuvent présenter une région active commune. Dans la région du flanc latéral, il est de cette manière possible de produire d'une manière simplifiée une perte de chaleur accrue, ce en conséquence de quoi il est possible d'élever d'une manière ciblée la température de fonctionnement dans les régions actives, disposées proches du flanc latéral, du dispositif à diodes laser. Dans une autre forme de réalisation préférée, la dimension transversale des régions actives, en particulier la dimension transversale de chaque région active, augmente avec la distance des régions actives au flanc latéral, notamment pas à pas. Ou bien encore, ou en plus, la distance entre des régions actives voisines, en particulier chaque distance entre des régions actives voisines, augmente avec la distance des régions actives au flanc latéral, et ce, de préférence, et en particulier pas à pas. La perte de chaleur qui se produit dans les régions actives relativement très éloignées du flanc latéral peut être diminuée d'une manière simplifiée, grâce à cet arrangement, et il en est de même de la température de fonctionnement de ces régions actives. De ce fait, il est possible de réaliser d'une manière simplifiée une distribution homogène des températures de fonctionnement sur les régions actives du dispositif à diodes laser dans la direction latérale. De préférence, le dispositif à diodes laser comprend quatre régions actives ou plus, de préférence dix ou plus. Des fluctuations de la distribution des températures de fonctionnement, entre des régions actives individuelles, apparaissent en plus grand nombre dans le cas d'un dispositif à diodes laser de ce type, en raison du grand nombre des régions actives. Une homogénéisation de la distribution des températures de fonctionnement se manifeste alors dans ce cas d'une manière nettement marquée. Dans une forme de réalisation préférée, les régions actives du dispositif à diodes laser sont disposées sur un substrat commun. Le dispositif à diodes laser peut ainsi être configuré d'une manière particulièrement compacte, le substrat stabilisant les régions actives, de préférence par voie mécanique. Comme les défauts d'homogénéité de la distribution des températures de fonctionnement des régions actives se manifestent d'une manière particulièrement nette dans le cas d'une configuration compacte de ce type du dispositif à diodes laser, une homogénéisation de la température de fonctionnement est dans ce cas particulièrement avantageuse. Le flanc latéral qui délimite le dispositif à diodes laser dans la direction latérale est de préférence, au moins par régions, formé par le substrat. Pour empêcher un élargissement latéral du flux de chaleur en présence de cette diminution de la température de fonctionnement dans les régions actives qui sont disposées relativement près de la région, formée par le substrat, du flanc latéral, la région active située le plus près du flanc latéral, en particulier la région active située le plus près de la région du flanc latéral formée par le substrat, présente de préférence une distance au flanc latéral qui est inférieure ou égale à l'une des distances entre deux régions actives voisines. Dans une autre forme de réalisation préférée, la distance entre la région active située le plus près du flanc latéral et le flanc latéral est inférieure à la distance entre cette région active et une région active voisine de cette région active, et qui de préférence est disposée sur le côté, opposé au flanc latéral, de la région active située le plus près du flanc latéral. De plus, la distance entre la région du flanc latéral formée par le substrat et la région active située le plus près est de préférence inférieure à la plus petite des distances entre les régions actives. Si la distance entre les régions actives du dispositif à diodes laser varie, il sera possible de cette manière d'adapter d'une manière simplifiée les unes aux autres les températures de fonctionnement des régions actives. Eventuellement, une région active peut être délimitée par le flanc latéral, et/ou se terminer en affleurement avec le flanc latéral. Dans une autre forme de réalisation préférée, les régions actives sont disposées symétriquement par rapport à un axe de symétrie du dispositif à diodes laser. De préférence, l'axe de symétrie est perpendiculaire à l'orientation principale latérale du dispositif à diodes laser, ou court pour l'essentiel parallèlement à une surface du substrat sur laquelle sont disposées les régions actives. Une disposition symétrique de ce type facilite l'obtention d'une distribution symétrique et homogène des températures de fonctionnement sur les régions actives du dispositif à diodes laser. Dans une première forme de réalisation avantageuse, deux régions actives du dispositif à diodes laser, en particulier toutes les régions du dispositif à diodes laser, appartiennent chacune à des puces de diodes laser discrètes. Ces puces sont avantageusement fixées sur le substrat. De préférence, le substrat, dans ce cas, est formé par un dissipateur thermique ou une embase. L'embase est de préférence configurée comme un répartiteur de chaleur. Le répartiteur de chaleur est d'une manière particulièrement préférée disposé entre les puces de diodes laser et un dissipateur thermique prévu en plus. L'embase est de préférence adaptée à un coefficient de dilatation thermique des puces de diodes laser qui de préférence ont des configurations identiques. Dans le cas des puces de diodes laser discrètes, il est possible de réaliser la stabilisation de la température de fonctionnement d'une manière particulièrement simple grâce à un choix approprié des distances entre les puces individuelles lors du montage des puces sur le substrat. Dans le cas des puces de diodes laser discrètes, les régions actives, et en particulier les puces de diodes laser individuelles, sont séparées les unes des autres par un espace libre. Les puces de diodes laser sont de préférence configurées comme des lasers à émission latérale. Dans une autre forme de réalisation avantageuse, deux régions actives appartiennent à une puce de diode laser commune, en particulier à un barreau de diodes laser. Dans ce cas, le substrat est de préférence formé par le substrat de croissance pour les régions actives de la puce de diode laser, ou est réalisé à partir du substrat de croissance. De préférence, le dispositif à diodes laser est configuré comme une puce de diode laser. Deux régions actives de la puce de diode laser, de préférence toutes les régions actives de la puce, peuvent de ce fait être formées par des régions, activées séparément les unes des autres, d'une couche active continue, qui de préférence fait partie d'une séquence de couches semi-conductrices de la puce de diode laser. Ou bien encore, ou en complément, deux régions actives de la puce de diode laser peuvent être séparées l'une de l'autre par un espace libre. En particulier, les régions actives peuvent être configurées dans des corps semi- conducteurs, écartés l'un de l'autre par un espace libre. De préférence, les régions actives de la puce de diode laser sont configurées comme des régions activées séparément les unes des autres d'une couche active continue, ou sont écartées les unes des autres par un espace libre. Dans le premier cas, il est possible de réaliser une homogénéisation de la distribution des températures de fonctionnement grâce à la configuration appropriée de contacts électriques, par exemple des métallisations pour contact, dans le but d'activer chaque région active. Les contacts peuvent être de type bande, et en particulier être disposés les uns à côté des autres sur la couche active. En outre, le contact affecté à chaque région active recouvre cette région active, de préférence au moins partiellement, et, d'une manière particulièrement préférée, complètement. Les caractéristiques décrites plus en détail ci-dessus et ci-après pour les distances entre les régions actives et/ou pour les dimensions transversales des régions actives peuvent, dans le cas d'une puce de diode laser dans laquelle les régions actives correspondantes sont formées par des régions activées séparément d'une couche active continue, être utilisées pour la réalisation appropriée des contacts, dans le but de réaliser une activation discrète de la couche active. De ce fait, grâce à la configuration de la géométrie des contacts - variation de la largeur et/ou de la distance entre les contacts dans la direction latérale - pour l'activation de régions actives discrètes, il est possible de réaliser une homogénéisation correspondante de la distribution des températures de fonctionnement sur les régions actives. Lors de la réalisation de la puce de diode laser comportant des régions actives écartées les unes des autres par un espace libre, par exemple dans des corps semi-conducteurs discrets, il est possible de structurer une séquence de couches semi-conductrices comportant une couche active, à l'aide d'un masque approprié, de telle sorte qu'il y ait, sur la puce, variation de la dimension transversale des régions actives voisines, et/ou des distances entre les régions actives voisines - par exemple les régions partielles discrètes de la couche active continue avant la structuration. Dans un barreau de diodes laser, les régions actives, en particulier une structure de couches semi-conductrices, qui comprend chacune des régions actives, sont de préférence configurées pour une structure laser à émission latérale. Les structures laser à émission latérale émettent un rayonnement pour l'essentiel parallèlement à la région active. En outre, les régions actives sont de préférence configurées d'une manière identique, c'est-à-dire pour la production d'un rayonnement ayant les mêmes pics de longueur d'onde pour des températures de fonctionnement identiques. Les régions actives, en particulier la couche active, peuvent subir par exemple une croissance épitactique sur le substrat, qui va ensuite servir de substrat de croissance. Un barreau de diodes laser est souvent utilisé pour produire une grande puissance de rayonnement et donc être exploité avec une grande puissance électrique. En raison de la forte puissance électrique absorbée, les pics de longueur d'onde des rayonnements produits dans différentes régions actives, peuvent, en présence d'une stabilisation insuffisante de la distribution des températures de fonctionnement sur les régions actives, s'écarter fortement les uns des autres dans le cas d'un barreau de diodes laser. Ce phénomène peut être évité dans le cadre de l'invention. Un réseau de diodes laser selon l'invention comprend au moins un dispositif à diodes laser, qui comprend un flanc latéral délimitant latéralement le dispositif à diodes laser et une multiplicité de régions actives disposées latéralement les unes à côté des autres, convenant à la production d'un rayonnement, le dispositif à diodes laser étant disposé sur un support, la distance entre le flanc latéral et un bord délimitant latéralement le support du côté du flanc latéral étant plus petite que la distance entre la région active située le plus près du flanc latéral et le flanc latéral, et/ou la distance entre le flanc latéral et le bord étant plus petite que l'une des distances entre deux régions actives voisines du dispositif à diodes laser. Les régions actives sont avantageusement configurées pour produire un rayonnement lors de l'exploitation du dispositif à diodes laser. Le support du dispositif à diodes laser est ainsi adapté aux dimensions du dispositif à diodes laser. De préférence, le support est adapté au dispositif à diodes laser de telle sorte que l'on ait une diminution de l'élargissement latéral du flux thermique, en particulier dans le support. De même, grâce à cette configuration, et tout comme en faisant appel aux mesures décrites plus en détail ci-dessus, il est possible d'influer sur la distribution des températures de fonctionnement sur les régions actives du dispositif à diodes laser. La perte de chaleur évacuée dans le support, par le dispositif à diodes laser dans la région du flanc latéral du dispositif, n'est soumise dans le support, du fait que le flanc latéral et le bord du support sont situés relativement près l'un de l'autre, qu'à un élargissement latéral relativement faible, sur les bords, du flux thermique. La température de fonctionnement des régions actives, situées relativement près du flanc latéral, ne va ainsi pas subir une diminution importante, du fait de l'élargissement, qui n'est que modéré, du flux thermique dans le support, par comparaison avec la température de fonctionnement de régions actives qui sont plus éloignées du flanc latéral. Les températures de fonctionnement des régions actives peuvent d'une manière simplifiée être adaptées les unes aux autres grâce à une disposition de ce type du dispositif à diodes laser par rapport au support. De ce fait, et comme on l'a déjà décrit plus en détail ci-dessus, il est possible de stabiliser les pics de longueur d'onde des rayonnements produits dans les différentes régions actives. Le support délimite le réseau de diodes laser, de préférence au moins partiellement dans la direction latérale. Une disposition du flanc latéral aussi près que possible du bord du support s'est révélée particulièrement avantageuse, pour diminuer, ou supprimer complètement, l'élargissement latéral du flux thermique. De préférence, la distance du flanc latéral au bord est inférieure à la plus petite des distances entre les régions actives du dispositif à diodes laser. D'une manière particulièrement préférée, le flanc latéral , en particulier sur son côté dirigé vers le support, se termine en affleurement avec le support. On peut ainsi éliminer pour ainsi dire complètement un élargissement du flux thermique dans la direction latérale à l'intérieur du support. En outre, le support est avantageusement configuré comme un dissipateur thermique, ou en particulier une embase. La perte de chaleur apparaissant dans les régions actives peut ainsi être éliminée d'une manière fiable des régions actives. L'embase peut éventuellement être disposée entre le dispositif à diodes laser et un autre support de réseau de diodes laser, par exemple un dissipateur thermique. De préférence, l'embase est mieux adaptée que le dissipateur thermique aux coefficients de dilatation thermique d'un élément du dispositif à diodes laser se trouvant sur le côté dirigé vers l'embase du dispositif à diodes laser. Le support peut ainsi être adapté, en particulier pour ce qui concerne le coefficient de dilatation thermique, par exemple avec un écart de 5 % ou moins, aux coefficients de dilatation thermique du dispositif à diodes laser. On peut ainsi réduire le risque de dommages d'origine thermique du dispositif à diodes laser. Pour adapter le coefficient de dilatation thermique, l'objectif étant une bonne conductivité thermique, on pourra utiliser d'une manière avantageuse une embase contenant du cuivre et du tungstène (Cu/Wo). En agissant sur le rapport Cu/Wo, il est possible de modifier le coefficient de dilatation thermique d'un répartiteur de chaleur de ce type, et l'adapter auxcoefficients de dilatation thermique du dispositif à diodes laser, en particulier à celui du substrat du dispositif à diodes laser ou celui d'un matériau semi-conducteur disposé du côté du répartiteur de chaleur. Une adaptation thermique particulièrement bonne peut être réalisée, dans le cas d'une puce de diode laser à base de GaAs, par exemple avec un substrat (de croissance) contenant du GaAs et/ou d'une région active à base de GaAs. En tant que dissipateur thermique, on a obtenu des résultats particulièrement bons avec un dissipateur de chaleur en Cu. Dans une autre forme de réalisation préférée, le substrat est disposé sur le côté des régions actives qui est opposé au support. Il est ainsi possible d'améliorer l'évacuation de chaleur, des régions actives au support, car la chaleur ne doit pas être envoyée à travers le substrat. A cette occasion, le substrat est avantageusement formé par le substrat de croissance. On peut ainsi diminuer le risque d'une dégradation du dispositif à diodes laser, en conséquence de températures trop élevées, consécutives à une accumulation de chaleur. A vrai dire, du fait de l'amélioration de l'évacuation de chaleur, on a une augmentation particulièrement forte des différences des températures de fonctionnement de régions actives, dans le cas d'une disposition de ce type du substrat. Une stabilisation des températures de fonctionnement, grâce à une variation des dimensions transversales des régions actives et/ou des distances entre les régions actives, et/ou une adaptation correspondante des dimensions du dispositif à diodes laser au support, seront dans ce cas particulièrement avantageuses. Dans une autre forme de réalisation préférée, les contacts destinés aux régions actives sont disposés entre le support et la couche active. Le dispositif à diodes laser du réseau de diodes laser est de préférence configuré sous la forme d'un dispositif à diodes laser selon l'invention. La distribution des températures de fonctionnement peut ainsi être influencée d'une manière simplifiée. Les caractéristiques décrites plus en détail ci-dessus et ci-après en liaison avec le dispositif à diodes laser selon l'invention peuvent donc être utilisées aussi pour le réseau de diodes laser selon l'invention, et inversement. Le réseau de diodes laser et le dispositif à diodes laser peuvent, du fait qu'il est possible d'influer sur la distribution des températures de fonctionnement, être configurés d'une manière simplifiée, avec une distribution des températures de fonctionnement qui est identique dans la direction latérale dans les régions actives. Ce phénomène se manifeste d'une manière particulièrement marquée dans le cas des régions actives de configuration identique, que le dispositif à diodes laser possède de préférence. Ces régions devraient nominalement émettre un rayonnement ayant le même pic de longueur d'onde, mais qui cependant peut varier en conséquence des différences de températures de fonctionnement. Cette fluctuation peut être diminuée avec l'invention, ou entièrement supprimée. Un dispositif à diodes laser ayant ainsi subi une stabilisation de sa température de fonctionnement, ou un réseau de diodes laser correspondant, conviennent donc tout particulièrement à une utilisation par pompage, dans laquelle une source de rayonnement devant être pompée est soumise à un pompage optique, par absorption du rayonnement produit par le dispositif à diodes laser. Un laser à pompage optique selon l'invention est pompé à l'aide d'un dispositif à diodes laser selon l'invention, ou d'un réseau de diodes laser selon l'invention. Du fait de la stabilité du pic de longueur d'onde, ces lasers conviennent particulièrement en tant que lasers à pompe, pour permettre un pompage efficace. Le laser devant être pompé est de préférence configuré comme un laser à solide, en particulier un laser à disque solide ou un laser à barreau solide, comme un laser à fibres ou un laser à semi-conducteur, en particulier un laser à disque semi-conducteur. La source de rayonnement de pompage est particulièrement adaptée au pompage d'un laser à semi-conducteur, en particulier d'un laser à semi-conducteur à émission par la surface, qui est prévu pour une utilisation avec un résonateur externe. Par exemple, le laser à semi-conducteur est configuré comme un VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser, laser à microcavité verticale à émission par la surface), et/ou un laser à disque. L'invention sera mieux comprise en regard de la description ci-après et des dessins annexés, qui représentent des exemples de réalisation de l'invention, dessins dans lesquels : La Figure 1 présente des exemples de réalisation d'un réseau de diodes laser, à l'aide d'une vue schématique en coupe sur la Figure lA et d'une vue schématique de dessus sur la Figure 1B, d'un autre réseau de diodes laser à l'aide de vues correspondantes sur les Figures 1C et 1D, et d'un autre réseau de diodes laser sur la Figure 1E, ainsi que le profil quantitatif de températures de fonctionnement d'un réseau de diodes laser sur la Figure 1F, La Figure 2 présente un exemple de réalisation d'un réseau de diodes laser à l'aide d'une vue schématique de dessus sur la Figure 2A et d'une vue schématique en coupe sur la Figure 2B, La Figure 3 présente deux formes de réalisation d'une puce de diode laser à l'aide de vues schématiques de dessus sur les Figures 3A et 3B, La Figure 4 présente deux exemples de réalisation 35 d'un réseau de diodes laser à l'aide de vues schématiques en coupe sur les Figures 4A et 4B, La Figure 5 présente deux autres exemples de réalisation d'une puce de diode laser à l'aide de vues schématiques de dessus sur les Figures 5A et 5B, La Figure 6 présente une vue schématique d'un exemple de réalisation d'un laser à semi-conducteur à pompage optique, et La Figure 7 présente une vue schématique d'un exemple de réalisation d'un laser à pompage optique. Les éléments identiques, équivalents ou ayant des effets identiques, sont pourvus sur les figures des mêmes numéros de référence. La Figure 1 présente un réseau de diodes laser à l'aide d'une vue schématique en coupe sur la Figure 1A et d'une vue schématique de dessus sur le réseau de diodes laser sur la Figure 1B. Le réseau de diodes laser 1 comprend une puce de diode laser 2, qui comprend une multiplicité de régions actives 4a, 4b, 4c, 4d, ... 4n, disposées les unes à côté des autres sur un substrat commun 3 le long d'une orientation principale latérale R de la puce de diode laser, et convenant à la production d'un rayonnement. De préférence, la puce de diode laser 2 comprend deux régions actives ou plus, par exemple douze régions actives. Selon la représentation donnée sur les Figures 1A et 1B, chaque région active est configurée dans un corps semi-conducteur 5a, 5b, 5c, 5d, ... 5n. Les corps semi-conducteurs 5a ... 5n sont réalisés sous forme de structures semi-conductrices discrètes, disposées sur le substrat 3 en étant spatialement séparées les unes des autres. Les corps semi-conducteurs 5a . 5n sont en particulier disposés d'une manière équidistante sur le substrat 3, et présentent des dimensions transversales égales, c'est-à-dire des largeurs égales, le long de l'orientation principale latérale. Une dimension longitudinale des corps semi-conducteurs, c'est-à-dire leur longueur, perpendiculairement à l'orientation principale latérale, est de préférence supérieure à la dimension transversale et est d'une manière particulièrement constante. En outre, les régions actives présentent de préférence la même aire, c'est-à-dire la même aire active. La puce de diode laser 2 du réseau de diodes laser 1 est disposée sur un support 6, le substrat 3 étant de préférence disposé entre les régions actives 4a ... 4n et le support. Le support 6 est, dans la direction latérale, latéralement délimité par une première face latérale 7 et une deuxième face latérale 8, la deuxième face latérale 8 étant située en un point opposé à la première face latérale 7. Les faces latérales 7, 8 délimitent ensemble aussi le réseau de diodes laser 1 dans la direction latérale. La puce de diode laser 2 est, dans la direction latérale, délimitée par un premier flanc latéral 9 et un deuxième flanc latéral 10. Ces derniers sont formés par le substrat 3. Le deuxième flanc latéral 10 est opposé au premier flanc latéral 9. En outre, les faces latérales se trouvent à distance des flancs latéraux. De même, les régions actives se trouvent à une certaine distance des flancs latéraux 9 et 10, de sorte que le réseau de diodes laser présente, à partir des régions actives, une structure qui va s'élargir latéralement par étagements. Les corps semi-conducteurs 5a ... 5n sont configurés comme des structures laser à émission latérale. Un résonateur pour une telle structure laser peut être réalisé à l'aide d'une première face réfléchissante 11 et d'une deuxième face réfléchissante 12, qui comportent le corps semi-conducteur 5a ... 5n correspondant, ou qui peuvent être configurés sur le corps semiconducteur correspondant. De préférence, une surface du corps semiconducteur représente la face réfléchissante correspondante. La première face réfléchissante a de préférence une réflectivité inférieure à celle de la deuxième face réfléchissante 12, de sorte que, lors du fonctionnement de la puce de diode laser 2, un champ de rayonnement va pouvoir se constituer dans le résonateur du corps semi-conducteur considéré, y subir une amplification, et sortir du résonateur sous forme d'un rayonnement laser 13, en passant par la face réfléchissante 11, qui sert de surface de sortie. De préférence, les corps semi-conducteurs 5a ... 5n ont une structure à intégration monolithique. Les corps semi-conducteurs peuvent avoir subi une croissance épitactique sur le substrat 3. De préférence, les corps semi-conducteurs sont à base de GaAs. Un substrat en GaAs va alors particulièrement bien convenir en tant que substrat, et en particulier aussi en tant que substrat de croissance pour une croissance épitactique des corps semi-conducteurs. En outre, les régions actives sont de préférence réalisées d'une manière équivalente, en particulier pour permettre l'émission d'un rayonnement laser ayant le même pic de longueur d'onde, pour la même température de fonctionnement. Sont particulièrement adaptées à une production efficace de rayonnement les régions actives qui présentent une structure monoquantique ou multiquantique. La désignation "structure de puits quantique" ne donne aucune indication de dimensionnalité...DTD: Elle englobe ainsi par exemple les puits quantiques proprement dits, les fils quantiques et les points quantiques, et toute combinaison de ces structures. Les puces de diodes laser à base de (In,Al)GaAs conviennent notamment à la production d'un rayonnement dans la partie infrarouge du spectre. En cours d'utilisation de la puce de diode laser 2, par exemple en mode onde quasi entretenue (qcw : quasicontinuous wave) ou en mode onde entretenue (cw . continuous wave), il y a production d'un rayonnement dans les régions actives. Il pourra alors se créer une quantité non négligeable de perte de chaleur. Dans le cas des puces de diodes laser haute puissance - par exemple avec une puissance de sortie, pour une puce à une région active ? 1 W, et pour une puce à plusieurs régions actives >- 10 W -. on observe en conséquence une quantité particulièrement élevée de chaleur perdue. Pour ne pas augmenter exagérément le risque d'une dégradation, provoquée par la chaleur, des régions actives, le support 6 est, pour évacuer la chaleur de la puce de diode laser, configuré de préférence sous forme d'un dissipateur de chaleur. A cette fin, le support 6 contient par exemple un métal, par exemple Cu, ou un alliage, par exemple CuWo, ayant avantageusement une conductivité thermique élevée. La chaleur peut être évacuée dans le support 6, à partir des régions actives, en passant par le substrat 3. Le réseau de diodes laser 1 peut, avec le support 6, être disposé sur un support de connexions (non représenté), par exemple une carte imprimée, et y entrer en contact électrique. Pour des raisons de clarté, on a renoncé à une représentation explicite des contacts électriques du réseau de diodes laser. Le support peut servir d'embase pour la puce de diode laser, qui est disposée entre la puce de diode laser et le support de connexions et/ou un dissipateur thermique supplémentaire. La chaleur perdue dans les régions actives qui sont voisines des flancs latéraux 9 et 10 ou sont disposées au voisinage des flancs latéraux correspondants, par exemple dans les régions actives 4a et 4n, peut, dans le substrat 3, être envoyée dans la direction latérale vers le flanc latéral correspondant du substrat. La chaleur partant du substrat 3, se déplaçant dans la direction verticale pour arriver dans le support 6, peut, dans le support, être guidée latéralement dans la direction des faces latérales 9 et 10. Le flux thermique peut aussi, dans le substrat ou dans le support, être élargi dans la direction latérale. C'est ce qui est représenté schématiquement sur la Figure 1A, par les lignes de flux thermique 14 et 15, qui s'élargissent dans la direction latérale. Dans les régions latérales de la puce de diode laser, c'est-à-dire dans les régions au voisinage des flancs latéraux, il y a production d'une quantité de perte de chaleur plus petite que dans une région centrale moyenne de la puce de diode laser 2. Du fait de l'élargissement du flux thermique et de l'aire disponible pour l'évacuation de chaleur, qui est relativement grande du côté du flanc latéral, cette chaleur va de plus en plus être évacuée des régions actives. Il se forme en conséquence, dans la direction latérale, un gradient de la température de fonctionnement des régions actives. Les températures de fonctionnement Ta, Tb, Tc, Td ... et Tn des régions actives 4a, 4b, 4c, 4d, ... et 4n augmentent donc quand augmente la distance aux flancs latéraux 9 et 10 dans la direction latérale. L'élargissement latéral, vers les bords, du flux thermique va inf__uer d'autant moins sur la température de fonctionnement des différentes régions actives, que les régions actives vont être plus éloignées des flancs latéraux 9 et 10 ou des faces latérales 7 et 8. La chaleur, dans les zones de la puce de diode laser relativement éloignées des flancs latéraux, pourra bien plus être évacuée pour l'essentiel sans élargissement du flux thermique, et directement dans la direction verticale, à partir des régions actives. Les températures de fonctionnement des régions actives sont de préférence déterminées en des points correspondants de la région active considérée, le long de l'orientation principale latérale. Par exemple, la température de fonctionnement d'une région active est déterminée au milieu de cette région active, du côté de la première surface réfléchissante 11. Même quand des puces individuelles sont disposées les unes à côté des autres, c'est-à-dire dans le cas d'une multiplicité de puces de diodes laser fabriquées séparément les unes des autres et montées sur un support de puce, il pourra se produire, si les puces sont disposées d'une manière équidistante, un gradient de la distribution des températures de fonctionnement, en raison de l'élargissement latéral du flux thermique dans le support de puce (ce qui n'est pas représenté d'une manière explicite). Dans ce cas, dans la représentation de la Figure 1, les corps semi-conducteurs correspondent à des puces de diodes laser individuelles, le substrat 3 correspond au support de puce, qui est réalisé par exemple sous forme d'un répartiteur de chaleur ou d'une embase, et le support 6 correspond à un dissipateur thermique ou à un support de connexions pour les puces montées sur le support de puce. Pour avoir des coefficients de dilatation thermique adaptés aux puces de diodes laser individuelles, une embase en CuWo et un dissipateur thermique en Cu sont particulièrement appropriés. Les puces de diodes laser individuelles sont de préférence configurées pour produire un rayonnement ayant le même pic de longueur d'onde. Le réseau de diodes laser représenté schématiquement sur les Figures 1C et 1D correspond pour l'essentiel au réseau de diodes laser représenté sur les Figures lA et 1B. La différence réside dans le fait que la puce de diode laser 2 comprend une structure de couches semi- conductrices 500, avec une couche active continue 400, qui est disposée sur le substrat 3. La structure de couches semi-conductrices 500 se termine de préférence en affleurement avec les flancs latéraux 9, 10 du substrat 3. Au contraire des Figures 1A et 1B, les régions actives 4a ... 4n de la puce de diode laser 2 sont formées par des régions de la couche active 400 qui, en cours d'utilisation des puces de diodes laser, sont activées séparément les unes des autres. Les faces réfléchissantes 11, 12 sont en outre constituées d'une surface continue. Les régions actives 4a ... 4n sont chacune recouvertes d'un contact électrique, en particulier d'une métallisation. De préférence, à chaque région active est exactement affecté un contact. Les contacts discrets 50a . 50n correspondent, pour ce qui de leur forme et de leur disposition, aux corps semi-conducteurs 5a ... 5n selon les Figures 1A et 1B. En particulier, les contacts 50a ... 50n sont disposés d'une manière équidistante dans la direction latérale sur la structure de couches semi-conductrices 500. En conséquence, les régions actives 4a ... 4n, qui en cours d'exploitation de la puce de diode laser 2 émettent un rayonnement, sont elles aussi disposées d'une manière équidistante...DTD: De préférence, les contacts sont réalisés sous forme de bandes de contact, qui en particulier sont parallèles les unes aux autres. Les contacts ont par ailleurs des largeurs identiques. En conséquence, la distribution des températures de fonctionnement peut, dans la direction latérale, dans la puce de diode laser 2 présentée sur les Figures 1C et 1D, être tout aussi peu homogène que celle de la puce selon les Figures lA et 1B. En raison de la structure continue de couches semi-conductrices, qui outre la couche active 400 contient de préférence une multiplicité d'autres couches semi-conductrices, il est même encore possible d'éliminer encore plus l'évacuation de chaleur à partir des régions actives. Les fluctuations de la température de fonctionnement peuvent même être encore augmentées, par rapport aux régions actives écartées les unes des autres par un espace libre. La puce de diode laser 2 peut être fixée sur le support 6 par une couche de liaison, de préférence conductrice de l'électricité et/ou de la chaleur (non représentée), et peut être assemblée au support 6 en particulier avec conduction électrique et/ou thermique. La couche de liaison est de préférence disposée entre la puce de diode laser et le support 6. La couche de liaison peut être configurée comme une couche de brasage, en particulier sous forme d'une couche de brasage à l'In. Pour disposer les régions actives 4a ... 4n encore plus près du support, pour améliorer l'évacuation de la chaleur, on pourra disposer les régions actives entre le support 6 et le substrat 3. En particulier, les contacts 50a ... 50n peuvent, pour permettre une activation discrète de la couche active, être disposés entre la structure de couches semi-conductrices 500 et le support 6 (Figure 1E). Grâce à une disposition du substrat 3 sur la face des régions actives opposée au support, il est possible d'améliorer l'évacuation de chaleur à partir des régions actives. On a ainsi diminué le risque d'une dégradation, provoquée par des températures excessives, de la puce de diode laser lors de l'utilisation du réseau de diodes laser 1. Comme la liaison thermique au support 6 est améliorée dans une forme de réalisation de ce type, on remarque plus nettement aussi un élargissement latéral du flux thermique dans le support. De ce fait, on a un renforcement encore plus fort des fluctuations des pics de longueur d'onde. Les puces de diodes laser représentées sur les Figures 1A à lE sont de préférence configurées comme des 10 barreaux de diodes laser. La Figure 1F présente d'une manière quantitative le profil de température de consigne, c'est-à-dire les variations de la température de consigne AT, en C, le long de l'axe x, en pm, le long de l'orientation 15 principale latérale, à partir du milieu de la puce de diode laser, en partant dans la direction du flanc latéral 9 du substrat 3, pour un réseau de diodes laser analogue aux réseaux présentés sur les Figures 1A, 1B, ou 1C, lD et 1E, pour différents facteurs de remplissage F 20 du substrat par des régions actives. La diminution des températures de fonctionnement dans la direction du flanc latéral est nettement mise en évidence. Comme le pic de longueur d'onde du rayonnement produit dans les différentes régions actives dépend de 25 leur température de fonctionnement, ce gradient de la température de fonctionnement conduit à différents pics de longueur d'onde du rayonnement produit dans les différentes régions actives. Le spectre d'émission de la puce de diode laser 2 est ainsi élargi, du fait que le 30 pic de longueur d'onde dépend de la température. Cela peut être indésirable dans certaines applications du réseau de diodes laser, par exemple dans le cas du pompage d'un laser à solide, qui en règle générale présente un spectre d'absorption étroit. Le pic de 35 longueur d'onde peut varier de 0,3 nm/K, de sorte que des différences de température de fonctionnement, entre différentes régions actives, allant jusqu'à environ 40 K, et qui peuvent apparaître dans la direction latérale, risquent d'avoir des effets décisif sur la largeur du spectre d'émission de la puce de diode laser. Il est possible de contrecarrer, dans le cadre de l'invention, ce déplacement du pic de longueur d'onde, provoqué par le gradient de température de fonctionnement, grâce à un arrangement et/ou une configuration appropriés des régions actives des puces de diodes laser 2, et/ou grâce à une adaptation appropriée de la puce de diode laser et du support. La Figure 2 présente un exemple de réalisation d'un réseau de diodes laser 1, à l'aide d'une vue schématique de dessus sur la Figure 2A et d'une vue schématique en coupe sur la Figure 2B. Pour l'essentiel, le réseau de diodes laser 1 correspond au réseau de diodes laser présenté sur les Figures lA et 1B. Au contraire de ce dernier, les éléments du réseau de diodes laser sont adaptés les uns aux autres de telle sorte qu'il y ait homogénéisation de la distribution des températures de fonctionnement dans les régions actives dans la direction latérale. De préférence, les régions actives présentent dans la direction latérale, en des points correspondants, et dans la région active correspondante, des températures de fonctionnement identiques Ta, Tbä Tc, Td ... Tn. Au contraire du réseau de diodes laser selon les Figures 1A et 1B, le substrat 3, dans l'exemple de réalisation selon la Figure 2, se termine dans la direction latérale en affleurement avec le support 6. La face latérale 7 du support et le flanc latéral 9 du substrat, ou encore la face latérale 8 et le flanc latéral 10, sont alors en affleurement l'un avec l'autre, et forment de préférence chacun une face continue, d'une manière particulièrement préférée une face plane. Tant le substrat 3 que le support 6 délimitent le réseau de diodes laser 1 dans la direction latérale. En outre, les régions actives 4a et 4n, ou les corps semi-conducteurs 5a et 5n, délimitent le flanc latéral, respectivement 10 et 9. Les corps semi-conducteurs 5n ou 5a, disposés du côté des flancs latéraux 9, peuvent en particulier se terminer en affleurement avec le substrat 3. On peut ainsi éviter un élargissement latéral du flux thermique dans la région des flancs latéraux 9, 10 et des faces latérales 7, 8. La stabilisation des températures de fonctionnement dans la direction latérale va en être simplifiée, car la température de fonctionnement des régions actives disposées latéralement est, en raison de la suppression de l'élargissement du flux thermique, adaptée aux régions actives qui sont plus éloignées des flancs latéraux. Ce résultat est mis en évidence par les lignes de flux thermique 14 et 15 qui, au contraire des lignes de la Figure 1, sont essentiellement des droites, et dans la direction verticale courent de la région active à l'intérieur du support. Eventuellement, les régions actives 4a et 4n qui sont situées le plus près des flancs latéraux 10 ou 9 sont de même situées à distance, dans la direction latérale, de ces bords latéraux. Pour prévenir un élargissement décisif du flux thermique dans le substrat 3, cette distance est de préférence inférieure à la distance entre deux régions actives voisines de la puce de diode laser. En outre, la distance au flanc latéral dans la direction latérale est de préférence inférieure à la distance de la région active située le plus près de ce flanc latéral à la région active qui en est voisine (un peu inférieure à la distance des régions 4a et 4b). D'une manière particulièrement préférée, la distance entre la région active située le plus près du flanc latéral et ce flanc latéral est inférieure à la plus petite des distances entre les régions actives de la puce de diode laser. Pour stabiliser la température de fonctionnement, on peut aussi, ou en complément, faire varier les distances entre les régions actives, ou les dimensions transversales des régions actives (cf. la description des exemples de réalisation ci-après). En outre, les flancs latéraux 9 et 10 peuvent être situés à une certaine distance des faces latérales respectivement 7 et 8 dans la direction latérale. Pour prévenir un élargissement décisif du flux thermique dans le support 6, cette distance est de préférence inférieure à l'une des distances entre deux régions actives voisines de la puce de diode laser et/ou plus petite que la distance entre la région active située le plus près d'un flanc latéral, et ce flanc latéral. Dans le cas de régions actives ayant la même dimension transversale, et disposées d'une manière équidistante les unes des autres à une distance de 110 pm, il serait possible, grâce à une adaptation appropriée de la puce de diode laser et du support, de maintenir pour l'essentiel constante la température de fonctionnement en les points correspondants dans différentes régions actives, alors que la température de fonctionnement présente une fluctuation d'environ 38 K dans le cas d'un réseau de diodes laser comportant une puce de diode laser de référence analogue à celle qui est présentée sur la Figure 1. Pour une distance entre les corps semi-conducteurs de 200 pm, la fluctuation de la température de fonctionnement dans la puce de diode laser de référence est d'environ 33 K. Cette fluctuation peut, elle aussi, être compensée. On peut aussi réaliser une compensation correspondante de la fluctuation de la température de fonctionnement, consécutive à l'adaptation de la puce de diode laser 2 aux dimensions du support, avec un réseau de diodes laser selon les Figures 1C et 1D, ou 1E. Les contacts latéraux 50a et 50n sont alors de préférence disposés, d'une manière correspondant aux corps semi-conducteurs 5a et 5n, dans la direction latérale aussi près que possible des flancs latéraux 9, 10 du substrat, et en particulier sur le bord de la structure de couches semi-conductrices 500. En conséquence, les régions actives latérales sont avantageusement configurées aussi près que possible du bord du support, ou de l'arête du substrat. Un élargissementdu flux thermique peut ainsi être évité d'une manière particulièrement efficace. La Figure 3A présente un exemple de réalisation d'une puce de diode laser 2, à l'aide d'une vue schématique de dessus. La puce de diode laser 2 correspond pour l'essentiel à la puce de diode laser décrite en liaison avec les Figures 1A et 1B. Au contraire de cette dernière, les corps semi-conducteurs 5a ... 51 comportant les régions actives ne sont pas disposés d'une manière équidistante le long de l'orientation principale latérale R. Les distances Dab, Dbc, Dcd, Dde, Def ou Dfg entre deux corps semi-conducteurs voisins vont bien plus augmenter quand augmente la distance entre les corps semi-conducteurs et le flanc latéral correspondant 10 ou 9 du substrat 3 (Dab Une disposition des régions actives ou des corps semi-conducteurs sur le substrat 3, d'une manière symétrique par rapport à l'axe de symétrie 16 de la puce de diode laser 2, lequel axe court perpendiculairement à l'orientation principale latérale R et/ou parallèlement à la surface correspondante du substrat 3 sur laquelle sont disposés les corps semi-conducteurs, présente un avantage particulier pour une distribution homogène des températures de fonctionnement dans la direction latérale. De préférence, les corps semi-conducteurs ou les régions actives sont donc disposés symétriquement à cet axe de symétrie 16. D'une manière particulièrement préférée, la totalité de la puce de diode laser 2 est disposée symétriquement par rapport à cet axe. Globalement, il est ainsi possible, grâce au choix approprié des distances entre les régions actives voisines ou les corps semi- conducteurs voisins, en particulier aussi dans le cas des corps semi-conducteurs de largeur égale, de réaliser un profil de température de fonctionnement qui latéralement reste identique dans les régions actives. Il s'est avéré particulièrement avantageux de faire varier la distance entre des régions actives voisines, en particulier par pas prédéfinis, entre une distance la plus petite entre les régions actives voisines, de D/3, de préférence de D/5 et d'une manière particulièrement préférée de D/1C), et une distance la plus grande entre les régions actives voisines D. Dans la région centrale, autour du milieu de la puce de diode laser 2, les fluctuations de la distribution des températures de fonctionnement entre différentes régions actives, en particulier dans la direction latérale, sont plutôt petites, de sorte que l'on peut, dans certaines conditions, renoncer à une variation de la distance dans le but d'homogénéiser la distribution des températures de fonctionnement dans cette région (Dde = Def = Dfg, ou de préférence Dde Grâce à une variation appropriée de la distance entre les régions actives voisines, il est possible non seulement de compenser, mais même d'inverser, le gradient de température de fonctionnement sur différentes régions actives d'une puce de diode laser de référence. C'est ce qui est mis en évidence sur les Figures 4A et 4B, dont chacune présente une vue schématique en coupe à travers un réseau de diodes laser 1, analogue aux réseaux de diodes laser présentés sur les Figures 1A, 1B et 2. Les corps semi-conducteurs 5a ... 5g, ou les régions actives de la puce de diode laser, présentent tous la même largeur. Du fait de l'élargissement du flux thermique des corps semi-conducteurs 5a . 5g, disposés d'une manière équidistante dans la puce de diode laser de référence selon la Figure 4A du côté du flanc latéral 9, on a une augmentation, dans la direction latérale, de la température de fonctionnement des régions actives, à partir de ce flanc latéral. Dans le cas de la puce de diode laser selon la Figure 4B, la distance entre des régions actives voisines, du côté du flanc latéral 9, diminue par rapport à la puce de diode laser de référence, et augmente du côté du flanc latéral 10. Du fait d'une augmentation correspondante de la densité linéaire d'occupation de la puce de diode laser 2 par des régions actives, par rapport à celle de la puce de diode laser de référence de la Figure 4, du côté du flanc latéral 9 du substrat 3, il est possible, malgré l'élargissement latéral du flux thermique du côté du flanc latéral 9, d'inverser le gradient de température de fonctionnement par rapport à la puce de diode laser de référence. La densité linéaire d'occupation diminue, sur la Figure 4B, dans la direction latérale R, à partir de la région active située le plus près du flanc latéral 9, quand augmente la distance au flanc latéral 9. Il en est de même pour ce qui est d'influer sur les températures de fonctionnement, pour un réseau de diodes laser 1 selon les Figures 1C, 1D, 1E, ou la puce selon la Figure 3B pour la variation des distances entre les contacts. Dans les puces de diodes laser 2 présentées en liaison avec les Figures 1, 2 et 3, les régions actives présentent chacune de préférence la même aire active...DTD: La Figure 5 présente un exemple de réalisation d'une puce de diode laser 2 selon l'invention à l'aide d'une vue schématique de dessus. Pour l'essentiel, la puce de diode laser 2 correspond à la puce de diode laser décrite en liaison avec la Figure 3, mais, en remplacement ou en complément de la variation des distances entre les corps semi-conducteurs 5a ... 5k ou entre les régions actives, on fait varier leurs dimensions transversales, c'est-à-dire les largeurs ba ... bk respectivement des corps semi-conducteurs et des régions actives. Les régions actives ont en conséquence des largeurs différentes, mais peuvent éventuellement être équidistantes. Il est de même possible, par une variation des largeurs, d'augmenter la densité linéaire d'occupation de la puce de diode laser par des régions actives dans des zones de la puce de diode laser présentant une augmentation de l'élargissement latéral du flux thermique, en faisant en sorte que les températures de fonctionnement des régions actives soient pour l'essentiel constantes (Ta = ... = Tk). La largeur des régions actives diminue de préférence quand augmente la distance au flanc latéral 10 du substrat 3 (ba > bb > bc > bd). Ici aussi, et d'une manière correspondant à l'exemple de réalisation de la Figure 3, des régions actives disposées relativement au milieu sur le substrat 3 peuvent, du fait de l'influence relativement faible de l'élargissement du flux thermique sur la température de fonctionnement dans cette zone, être configurées avec des largeurs égales (bd = be). Une disposition symétrique par rapport à l'axe de symétrie 16 est une fois de plus particulièrement appropriée pour un profil de température de fonctionnement homogène et en particulier symétrique. Il s'est avéré particulièrement avantageux que la plus grande des largeurs des régions actives de la puce de diode laser soit égale à 1,2 fois ou plus, de préférence 1,5 fois ou plus et d'une manière particulièrement préférée 2,5 fois ou plus égale à la plus petite des largeurs des régions actives de la puce de diode laser dans l'orientation principale latérale. La puce de diode laser 2 présentée en vue schématique de dessus sur la Figure 5B correspond, jusqu'à la configuration des contacts, à la puce de diode laser décrite en liaison avec les Figures 1C et 1D ou 1E. Même avec cette puce, on a une stabilisation de la distribution des températures de fonctionnement, mais, au contraire des corps semi-conducteurs, comme sur la Figure 5A, on a fait varier en conséquence la largeur des contacts 50a ... 50k. Ce qui a été dit à propos des corps semi-conducteurs peut aussi s'appliquer aux bandes de contacts, notamment à leur largeur. Les régions actives présentent, selon la Figure 5, des aires actives différentes. Les exemples de réalisation selon les Figures 3A, 3B, 4B, 5A et 5B, dans lesquels on influe sur la distribution des températures de fonctionnement grâce à la configuration ou la disposition des régions actives, peuvent être réalisés d'une manière simplifiée par comparaison avec l'exemple de réalisation selon la Figure 2, en raison d'une diminution des opérations d'ajustement (c'est-à-dire des frais d'adaptation de la puce de diode laser au support). Dans les exemples de réalisation mentionnés en premier, il peut cependant s'avérer nécessaire d'adapter le procédé de fabrication de la puce de diode laser, et de s'écarter d'un procédé standardisé. A titre d'exemple, il peut être nécessaire d'adapter des masques, qui sont utilisés lors de la réalisation des corps semi-conducteurs ou des contacts, aux dimensions modifiées des corps semi-conducteurs ou des contacts, et/ou aux distances modifiées entre ces corps semi-conducteurs ou ces contacts. On pourra y renoncer, dans le cas d'une adaptation de la puce de diode laser au support, comme par exemple dans l'exemple de réalisation selon la Figure 2. Eventuellement, dans le cadre de l'invention, et grâce à une disposition et/ou une configuration ciblées appropriées des régions actives, on pourra aussi réaliser un profil prédéfini des températures de fonctionnement sur les régions actives, qui soient non homogènes, c'est-à-dire que les températures de fonctionnement peuvent être configurées d'une manière ciblée différentes les unes des autres dans différentes régions actives, en particulier dans la direction latérale. La Figure 6 présente une vue schématique d'un exemple de réalisation d'un laser à semi-conducteur à pompage optique selon l'invention. Le laser à semi-conducteur 17 à pompage optique comprend une structure semi-conductrice 18 à émission par la surface, qui est soumise à un pompage optique à l'aide d'une puce de diode laser 2 ou d'un réseau de diodes laser 1 servant de source de rayonnement de pompage, qui peuvent être réalisés selon l'un des exemples de réalisation ci-dessus. A cette fin, la source de rayonnement de pompage est disposée de telle sorte que le rayonnement de pompage 19 soit absorbé dans une zone active 20 du laser à semi-conducteur, comprenant par exemple une structure à puits quantiques. La zone active est alors soumise à une excitation optique, ce qui va provoquer l'émission d'un rayonnement dont la longueur d'onde est supérieure à celle du rayonnement de pompage, et qui sort d'une surface de la structure semi-conductrice. Dans un résonateur externe du laser à semi-conducteur 17, qui est délimité à l'aide d'au moins un miroir externe 21, il est ainsi possible de réaliser un champ de rayonnement 22, qui peut être amplifié dans la structure semi-conductrice 18. Le résonateur est délimité par un autre miroir 23, qui de préférence est intégré d'une manière monolithique, par exemple sous forme d'un miroir de Bragg, dans la structure semi-conductrice 18, en particulier en même temps que la zone active 20. Le miroir externe 21 est de préférence configuré comme un miroir de sortie du rayonnement laser 24 sortant du résonateur. Le laser à semi-conducteur est en particulier configuré comme un VECSEL à pompage optique. Comme le spectre d'émission de la source de rayonnement de pompage peut, d'une manière correspondant à ce qui a été dit ci-dessus, et par l'intermédiaire d'une stabilisation de la température de fonctionnement, de la configuration et/ou de la disposition des régions actives, être réalisé d'une manière simplifiée avec une bande relativement étroite, il est possible de pomper avec un grand rendement le laser à semi-conducteur 17, à l'aide d'une source de rayonnement de pompage dont on a stabilisé la température de fonctionnement. La Figure 7 présente une vue schématique d'un exemple de réalisation d'un laser à pompage optique. Comme décrit en liaison avec la Figure 6, on utilise en tant que source de rayonnement de pompage une puce de diode laser 2 ou un réseau de diodes laser 1, en particulier selon une configuration dont on a stabilisé la température de fonctionnement. Dans un milieu d'amplification 25 convenant à l'obtention d'une activité laser, le rayonnement de pompage 19 est absorbé et réémis. Le rayonnement réémis est amplifié dans un résonateur formé du miroir 26 et du miroir 27, et à l'aide du milieu d'amplification 25. Le rayonnement amplifié peut sortir du résonateur sous forme d'un rayonnement laser 24. Le laser 28 présenté sur la Figure 7 est configuré par exemple comme un laser à disque solide, un laser à barreau solide ou un laser à fibres. Du fait que le spectre d'absorption est en règle générale étroit dans le milieu d'amplification 25, il est particulièrement avantageux d'avoir un pompage faisant appel à une source de rayonnement de pompage qui, tout comme le réseau de diodes laser ayant subi une stabilisation des températures de fonctionnement, ou qu'une puce de diode laser stabilisée d'une manière correspondante, présente un spectre d'émission étroit. En outre, dans un dispositif à diodes laser comportant des puces de diodes laser discrètes, disposées sur un support de puce commun, il est possible, par une adaptation de la dimension du dispositif à diodes laser comportant les puces discrètes à un support (de puces) conducteur de la chaleur, de réaliser, grâce à une variation des dimensions transversales des puces de diodes laser et/ou une variation des distances entre ces puces, une stabilisation correspondante des températures de fonctionnement. Dans le cas des puces de diodes laser comportant une multiplicité de régions actives, il est cependant particulièrement avantageux de stabiliser les températures de fonctionnement, en raison de la nature particulièrement compacte de la structure obtenue. En outre, un réseau de diodes laser peut aussi, dans le cadre de l'invention, comprendre une multiplicité de puces de diodes laser qui de préférence ont subi une stabilisation des températures de fonctionnement. Il convient de remarquer que l'invention peut éventuellement aussi trouver des applications dans d'autres puces à semi-conducteurs émettant un rayonnement, par exemple des puces LED comportant une multiplicité de régions actives, en particulier disposées sur un substrat commun. Cependant, l'invention est particulièrement adaptée à des lasers, en raison de la perte de puissance, souvent particulièrement élevée, dans le cas des lasers à semi-conducteurs. La présente demande de brevet revendique priorité de la demande de brevet allemand 10 2005 046 785.5 du 29 septembre 2005, à la totalité de la teneur il est fait ici explicitement référence. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Revendications 1. Dispositif à diodes laser (2), comportant une multiplicité de régions actives (4a ... 4n), disposées latéralement les unes à côté des autres et convenant à la production d'un rayonnement, caractérisé en ce qu'une dimension transversale (b& ... bn) des régions actives varie dans la direction latérale, et/ou la distance (Da ... D1) entre des régions actives voisines varie dans la direction latérale. 2. Dispositif à diodes laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif à diodes laser (2) comprend au moins un flanc latéral (9, 10), qui délimite latéralement le dispositif à diodes laser. 3. Dispositif à diodes laser selon la revendication 2, caractérisé en ce que la dimension transversale (ba bn) d'une région active (4a ... 4n) est supérieure à la dimension transversale d'une autre région active, qui est voisine de la première région active, et se trouve à une distance du flanc latéral (9, 10) plus grande que la première région active. 4. Dispositif à diodes laser selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que la distance (Da ... D~) entre les régions actives d'une paire comportant deux régions actives voisines est plus petite que la distance entre les régions actives d'une autre paire de deuxrégions actives voisines, qui présente une distance, au flanc latéral, plus grande que la première paire. 5. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la dimension transversale (ba . bn) des régions actives (4a ... 4n) diminue quand augmente la distance des régions actives au flanc latéral (9, 10)...CLMF: 6. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que la distance (Da ... D,) entre des régions actives voisines augmente quand augmente la distance des régions actives au flanc latéral (9, 10). 7. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les régions actives sont disposées sur un substrat commun (3). 8. Dispositif à diodes laser selon la revendication 7, caractérisé en ce que deux régions actives appartiennent à des puces de diodes laser distinctes. 9. Dispositif à diodes laser selon la revendication 25 7 ou 8, caractérisé en ce que le substrat est un dissipateur thermique ou une embase. 10. Dispositif à diodes laser selon la revendication 7, caractérisé en ce que deux régions actives 30 appartiennent à une puce de diode laser commune, en particulier à un barreau de diodes laser. 11. Dispositif à diodes laser selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat est un substrat de 35 croissance pour les régions actives, ou est constitué du substrat de croissance. 12. Dispositif à diodes laser selon la revendication10 ou 11, caractérisé en ce que deux régions actives sont formées par des régions, activées séparément l'une de l'autre, d'une couche active continue. 13. Dispositif à diodes laser selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que deux régions actives sont séparées l'une de l'autre par un espace libre. 14. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 7 à 13, caractérisé en ce que la face latérale (9, 10) est, au moins par régions, formée par le substrat (13). 15. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 2 à 14, caractérisé en ce que la région active située le plus près du flanc latéral (9, 10) présente par rapport au flanc latéral une distance qui est inférieure ou égale à l'une des distances entre deux régions actives voisines. 16. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 2 à 15, caractérisé en ce que la distance de la région active située le plus près du flanc latéral (9, 10) au flanc latéral est inférieure à la distance entre cette région active et la région active voisine de cette région active. 17. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 2 à 16, caractérisé en ce qu'une 30 région active est contiguë à un flanc latéral. 18. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que les régions actives (4a ... 4n) sont disposées d'une manière 35 symétrique à un axe de symétrie (16) du dispositif à diodes laser (12), qui court perpendiculairement à une orientation principale latérale (R) du dispositif à diodes laser. 19. Dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif à diodes laser (2) est prévu sous forme d'un laser à pompe destiné à un laser, en particulier un laser à solide, tel qu'un laser à disque solide ou un laser à barreau solide, un laser à fibre ou un laser à semi-conducteur. 20. Réseau de diodes laser comportant au moins un dispositif à diodes laser (2), qui comprend un flanc latéral (9, 10), qui délimite latéralement le dispositif à diodes laser, et une multiplicité de régions actives (4a ... 4n), disposées latéralement les unes à côté des autres et convenant à la production d'un rayonnement, caractérisé en ce que - le dispositif à diodes laser est disposé sur un support (6), et - la distance entre le flanc latéral et un bord (7, 8) qui délimite latéralement le support du côté de la face latérale, est plus petite que la distance entre la région active située le plus près du flanc latéral et le flanc latéral, et/ou - la distance entre le flanc latéral et le bord est 25 plus petite que l'une des distances entre deux régions actives voisines du dispositif à diodes laser. 21. Réseau de diodes laser selon la revendication 20, caractérisé en ce que la distance du flanc latéral 30 (9, 10) au bord (7, 8) est plus petite que la plus petite des distances entre les régions actives du dispositif à diodes laser (2). 22. Réseau de diodes laser selon la revendication 20 35 ou 21, caractérisé en ce que le flanc latéral (9, 10) se termine en affleurement avec le bord (7, 8). 23. Réseau de diodes laser selon au moins l'une desrevendications 20 à 22, caractérisé en ce que le support (6) est réalisé sous forme d'un dissipateur thermique ou d'une embase. 24. Réseau de diodes laser selon au moins l'une des revendication 20 à 23, caractérisé en ce que le dispositif à diodes laser (2) est un dispositif à diodes laser selon au moins l'une des revendications 1 à 19. 25. Laser à pompage optique (17), caractérisé en ce qu'il est pompé à l'aide d'un dispositif à diodes laser (2) selon l'une des revendications 1 à 19 ou un réseau de diodes laser (1) selon l'une des revendications 20 à 24. 26. Laser selon la revendication 25, caractérisé en ce que le laser est configuré comme un laser à solide, en particulier en tant que laser à disque solide ou laser à barreau solide, en tant que laser à fibre ou laser à semi-conducteur, en particulier en tant que laser à disque semi-conducteur. 27. Laser selon la revendication 25, caractérisé en ce que le laser est un laser à semi-conducteur (17), qui pour son exploitation est pourvu d'un résonateur externe.