Brevet FR2888994A1 — publié le 20070126

Dispositif radiofréquence avec élément magnétique et procédé de fabrication d'un tel élément magnétique L'invention concerne les dispositifs radiofréquences comportant un élément conducteur associé à un élément magnétique, en particulier les éléments inductifs radiofréquences mais aussi par exemple les filtres ou les résonateurs radiofréquences. Actuellement, pour une utilisation en régime radiofréquence, de tels dispositifs utilisent uniquement des circuits magnétiques discontinus, c'est-à-dire composés d'une pluralité de parties élémentaires de dimension finie, à cause d'une limitation intrinsèque aux matériaux magnétiques doux. En effet, ces derniers doivent posséder un caractère anisotrope caractérisé par un champ dit d'anisotropie (Hk) dont l'origine principale est associée à une mise en ordre chimique préférentielle à l'échelle de la maille cristallographique. Cet effet est généralement obtenu par dépôt classique du matériau, par voie plasma ou électrochimique, en présence d'un champ magnétique. Il s'agit d'une contribution intrinsèque qui dépend préférentiellement de la composition chimique de l'alliage magnétique. L'amplitude de cet effet reste généralement modéré avec typiquement Hk inférieur ou égal à 20 Oe. Dans ces conditions, la fréquence de résonance ferromagnétique qui constitue la limite supérieure à l'utilisation dynamique de ces matériaux, reste trop faible ( 2GHz) au regard des applications visées pour la téléphonie, notamment. Dans le cas des inductances, pour satisfaire à un fonctionnement inductif faiblement dissipatif, il est nécessaire de repousser cette fréquence dans un rapport de l'ordre de 3 environ en fonction des fréquences d'utilisation qui sont typiquement de l'ordre de 0.9 à 2.4 GHz aujourd'hui. Dans le cas des filtres, pour satisfaire à un fonctionnement inductif fortement dissipatif, on cherche à utiliser le phénomène d'absorption à la résonance ferromagnétique. Cette dernière doit coïncider par exemple avec un ou plusieurs des harmoniques (ou fréquences images) du signal de base dont les fréquences d'utilisation actuelles sont typiquement de l'ordre de 0.9 à 2.4 GHz. Il est donc indispensable d'atteindre des valeurs de fréquence de résonance ferromagnétique de l'ordre de 6 GHz et plus. Actuellement ceci n'est rendu possible que par le biais d'un effet extrinsèque dit effet de forme qui consiste à renforcer artificiellement l'anisotropie magnétique intrinsèque du matériau (Hk) par la contribution du champ démagnétisant (Hd) qui dépend de la géométrie et des dimensions mises en jeu. Plus précisément, la contribution du champ démagnétisant sera d'autant plus grande que la largeur de l'élément magnétique dans la direction perpendiculaire à celle de l'axe de facile aimantation sera réduite (axe de difficile aimantation).Par exemple, pour satisfaire à une fréquence de résonance ferromagnétique supérieure à 6 GHz avec un matériau d'aimantation à saturation de l'ordre de 1 T, il est nécessaire d'ajouter au champ d'anisotropie naturel (Hk), qui est de l'ordre de 20Oe, un champ démagnétisant (Hd) supérieur à 400 Oe. Ceci implique une dimension maximale de l'élément magnétique selon l'axe difficile d'environ 25 m, ce qui est du même ordre de grandeur que celui du pas (largeur spire + interspire) des inductances radiofréquences (RF), par exemple. On comprend alors aisément qu'afin de couvrir la surface d'une self spirale ou de remplir le coeur d'une self solénoïdale l'on soit amené à utiliser une pluralité d'éléments magnétiques séparés. On parle donc de circuits magnétiques discontinus dont la principale difficulté tient à l'optimisation du rapport entre la largeur de l'élément magnétique et la distance de séparation entre éléments magnétiques. Ceci est rendu d'autant plus difficile si l'on cherche à refermer le flux magnétique pour obtenir un meilleur confinement électromagnétique vautour de l'élément inductif (spirale en sandwich ou solénoïde à cadre fermé). Par conséquent, de par la nécessité d'un caractère discontinu de l'élément magnétique lui même et de par l'impossibilité de réaliser un circuit à fermeture de flux, il n'est actuellement pas possible de concilier augmentation de la fréquence ferromagnétique de l'élément magnétique avec l'optimisation du confinement électromagnétique autour de l'élément inductif. Il en résulte par conséquent des réalisations aux performances dégradées (gain sur L faible -10% et Q dégradé L'invention vise à apporter une solution à ce problème. Un but de l'invention est de réaliser un élément magnétique continu et à haute fréquence de résonance ferromagnétique tout en étant compatible avec les dimensions habituelles des inductances planaires, solénoïdales et des lignes coplanaires ou micro-rubans. Un autre but est de rendre possible la réalisation de circuits magnétiques fermés ou quasi fermés permettant une meilleure fermeture de flux magnétique. Selon un aspect de l'invention, le renforcement de l'anisotropie magnétique intrinsèque du matériau est obtenu en utilisant une autre contribution d'origine intrinsèque liée à la croissance du film magnétique à partir d'un flux de matière dont la direction principale fait un angle d'incidence non nul par rapport au plan du substrat sur lequel est déposé ledit film. Et l'invention vise à en maximiser l'effet de manière à augmenter la fréquence ferromagnétique dans la plage recherchée. Cette dernière s'accompagnant naturellement d'une diminution de la perméabilité, on cherchera à utiliser préférentiellement des matériaux à forte aimantation (>1 T) afin de conserver des valeurs de perméabilité élevées. En d'autres termes, un avantage de l'invention consiste en l'ajout d'une contribution à l'anisotropie intrinsèque du matériau de par la réalisation d'une micro structure ayant une direction privilégiée de croissance dont l'axe n'est pas orthogonal (normal) au plan du substrat. Dans le cas le plus représentatif des films polycristallins ou manocristallins, on utilisera avantageusement la tendance naturelle à ces films à développer une structure granulaire de type colonnaire, c'est-àdire dont les grains présentent naturellement un facteur de forme supérieur à un dans la direction du flux de matière incident. Dans le cas des films amorphes, il existe également une sensibilité à la direction du flux incident malgré l'absence de caractère cristallin. On parle alors de texture fibreuse, c'est-à-dire constituée d'agrégats préférentiellement allongés dans la direction du flux incident. Ainsi, selon un mode de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif radiofréquence comprenant un élément électriquement conducteur associé à au moins un premier élément magnétique continu comportant un substrat recouvert d'un film magnétique possédant une structure granulaire avec des grains inclinés par rapport à la normale au substrat ou une texture fibreuse inclinée par rapport à la normale au substrat. Ainsi, l'élément magnétique continu permet de minirniser les fuites de flux électromagnétiques et l'inclinaison des grains ou de la texture fibreuse du film magnétique permet de renforcer l'anisotropie intrinsèque du matériau et donc sa fréquence de résonance ferromagnétique. De la façon la plus avantageuse, la direction de l'axe d'inclinaison des grains ou de fibres projetée dans le plan du substrat coïncide avec celle du champ magnétique appliqué au cours du dépôt. En particulier dans le cas des inductances planaires et des lignes coplanaires ou micro-rubans, pour contribuer davantage à l'obtention d'un circuit magnétique fermé ou quasi fermé, il est avantageux que la distance entre les éléments magnétiques (supérieur et inférieur) et le conducteur soit faible, typiquement inférieure ou égale à 5.im. Le film magnétique est par exemple un alliage comportant au moins un élément pris dans le groupe formé par le fer (Fe), le cobalt (Co), le nickel (Ni). Le film magnétique peut être par exemple un alliage de FeCoXN ou de FeCoXO ou de FeCoXNO ou de FeXN ou de FeXO ou de FeXNO, X étant choisi parmi les éléments suivants: Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta, W, Ir, Pt, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Cu et les Lanthanides (terres rares). Un alliage particulièrement intéressant est l'alliage FeXNO. Cela étant, les alliages à forte aimantation du type granulaire FeHfN(0), qui présentent naturellement une micro structure en grains colonnaire dispersés dans une structure amorphe, sont particulièrement bien adaptés pour les dispositifs selon l'invention. En effet, l'augmentation de l'anisotropie intrinsèque du matériau est marquée pour FeHfN et elle l'est d'autant plus pour un alliage de FeHfNO. En effet, le facteur de forme des grains (non equiaxes) les prédispose d'autant plus à l'effet recherché que le couplage d'échange intergranulaire est partiellement relâché du fait de la dispersion des grains ferromagnétiques dans une matrice rendue faiblement magnétique (faible aimantation) par oxydation sélective avec le matériau FeHfNO. L'angle d'inclinaison des grains ou de la texture fibreuse par rapport à la normale au substrat est supérieur à 0 et inférieur à 90 et avantageusement compris entre 20 et 80 . Le premier élément magnétique peut être disposé au-dessus ou en-dessous de l'élément conducteur. Cela étant, il est particulièrement avantageux, pour améliorer encore la performance du dispositif, que celui-ci comprenne en outre un deuxième élément magnétique continu comportant un substrat recouvert d'un film magnétique possédant une structure granulaire avec des grains inclinés par rapport à la normale au substrat ou une texture fibreuse inclinée par rapport à la normale au substrat. Le deuxième élément magnétique est de préférence identique au premier élément magnétique. Toutefois les directions d'anisotropie dans le plan des deux éléments magnétiques peuvent différer et présenter par exemple un angle de 90 pour un solénoïde utilisant un cadre fermé dans le plan. L'élément conducteur peut être un élément en spirale, en ligne coplanaire ou micro-ruban, ledit élément conducteur étant alors pris en sandwich entre les deux éléments magnétique continus. L'élément conducteur peut être un élément toroïdal de façon à réaliser des inductances solénoïdales, ledit élément conducteur étant alors réalisé autour d'un élément magnétique continu. En utilisant au moins quatre éléments magnétiques continus, il est possible de réaliser une inductance toroïdale à cadre fermé. En variante, l'élément conducteur peut être un élément d'une ligne coplanaire ou micro-ruban pris en sandwich entre deux éléments magnétiques continus de manière à réaliser des fonctions de filtrage (passe-bas ou atténueur de bruit, passe-bande...) Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un élément magnétique d'un dispositif radiofréquence tel que défini ci-avant, ce procédé comprenant un dépôt physique en phase vapeur sur un substrat incliné, par exemple une pulvérisation ionique oblique sur le substrat avantageusement sous un champ magnétique. Selon un mode de mise en oeuvre, une cible contient la matière à déposer et un substrat receveur est soumis à un champ magnétique et une source abrasive auxiliaire est éventuellement utilisée. L'angle d'incidence entre la direction principale du flux de matière à déposer depuis la cible et la normale au substrat qui reçoit le dépôt peut être fixé à une valeur différente de zéro en ajustant les angles d'inclinaison de la source abrasive et/ou de la cible et/ou du substrat. Dans le cas d'un procédé par évaporation ou par pulvérisation cathodique, le dépôt est avantageusement réalisé sur un substrat non parallèle à la cible (le flux de matière étant normal à la cible), c'est-à-dire sur un substrat dont la normale fait un angle non nul avec la normale à la cible. Dans le cas d'un procédé utilisant une source abrasive extérieure telle qu'un canon à ions pour la pulvérisation ionique ou un laser pour l'ablation laser, la directivité de l'émission de matière permet de jouer également sur l'angle entre la direction du flux de matière et la normale à la cible. La direction du champ magnétique est préférentiellement orthogonale à la direction des axes autour desquels sont capables de pivoter la source d'abrasion, la cible et le substrat. Ceci permet d'avoir des directions d'anisotropie du matériau d'une part induite par le champ pendant le dépôt et d'autre part due à l'inclinaison des grains, colinéaires, ce qui permet d'avoir un effet cumulatif direct et un contrôle simple (linéaire) de l'effet de renforcement de l'anisotropie. La technique de dépôt par pulvérisation ionique est la plus adaptée à l'invention du point de vue industriel car elle permet la synthèse du type de matériau magnétique utilisé dans l'invention sur des substrats de grande surface compatibles avec les dimensions habituelles utilisées en microélectronique (c'est-à-dire des plaquettes ayant des diamètres jusqu'à 300 mm). La pulvérisation ionique oblique est par exemple effectuée à partir d'une cible d'alliage de CoFeX ou de FeX, en présence d'azote et/ou d'oxygène. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en oeuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels: la figure 1 illustre très schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif radiofréquence selon l'invention, la figure 2 est une vue de dessus partielle du dispositif de la figure 1, - la figure 3 est une coupe schématique partielle selon la ligne III-III de la figure 2, les figures 4 et 5 illustrent très schématiquement un mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention et, les figures 6 à 8 illustrent très schématiquement d'autres modes de réalisation d'un dispositif radiofréquence selon l'invention. Sur la figure 1, la référence DRF désigne un dispositif radiofréquence selon l'invention comportant dans cet exemple de réalisation un élément conducteur IS formé d'une bobine spirale prise en sandwich entre un premier élément magnétique EM1 situé au-dessus 25 30 de la bobine IS et un deuxième élément magnétique EM2 situé en-dessous de la bobine. Les deux éléments magnétiques sont des éléments continus et sont avantageusement espacés d'une distance d faible par rapport à l'élément conducteur IS. Cette distance d est par exemple inférieure ou égale à 5 m. La configuration du dispositif DRF permet l'obtention d'un circuit magnétique quasi fermé utilisant des éléments magnétiques continus. Comme illustré plus particulièrement sur les figures 2 et 3, chaque élément magnétique, en l'espèce l'élément magnétique EM1, comprend un substrat SB1 recouvert d'un film magnétique granulaire SM1 continu et dont les grains présentent une orientation oblique par rapport à la normale NM au substrat SB1. L'angle d'orientation y est par exemple de l'ordre de 60 et peut être d'une façon plus générale compris entre 20 et 80 . Comme illustré plus particulièrement sur la figure 2, la direction de facile aimantation d'origine Hk, propre au matériau magnétique, et induite pendant le dépôt de celui-ci (comme il sera expliqué plus en détails ci-après sur un mode de mise en oeuvre particulier) est colinéaire à la direction de facile aimantation d'origine Hk' due à l'inclinaison des grains GR du film magnétique. Ainsi, l'anisotropie intrinsèque Hk du matériau magnétique est renforcée par la contribution intrinsèque Hk'due à l'inclinaison des grains ou de la texture fibreuse du film. A titre indicatif, avec une aimantation Ms de 1,9T, on pourra opter pour une contribution Hk' de l'ordre de 200 Oe pour une fréquence de résonance ferromagnétique égale à 6 GHz ce qui est du même ordre de grandeur que celle issue de l'effet démagnétisant utilisée dans les dispositifs radiofréquence à circuit magnétique ouvert de l'art antérieur. Il est particulièrement avantageux d'utiliser des matériaux magnétiques à croissance fortement colonnaire et présentant la caractéristique qui consiste en la dispersion de la phase cristalline (grains colonnaires) dans une matrice désordonnée par exemple amorphe. Le facteur de forme du grain (non equi-axe) conduit à une direction d'anisotropie propre dans la direction du plus grand allongement. Alors que l'agglomérat des grains dans le cas d'une micro structure classique dense et homogène (au niveau des grains et joints de grains) annule cette contribution locale en assurant un très fort couplage d'échange intergranulaire, les effets locaux dus aux grains sont ressentis collectivement à l'échelle du film avec une amplitude proportionnelle au couplage d'échange intergranulaire résiduel dans le cas d'une dispersion des grains dans une seconde phase présentant des caractéristiques différentes de celles des grains (notamment une aimantation beaucoup plus faible s'il s'agit d'une phase amorphe). Ce couplage d'échange intergranulaire résiduel dépend principalement du diamètre des grains et de la distance entre les grains. L'effet sera d'autant plus fort que la direction du plus grand allongement des grains (direction de croissance) présente un angle d'inclinaison y non nul, conformément à l'invention. Les matériaux possédant avantageusement ces deux caractéristiques sont les alliages de FeXN, de FeXO et de FeXNO et tout particulièrement les alliages de FeHfN ou FeHfNO. En effet, ces matériaux ont la particularité d'avoir une croissance naturelle très fortement colonnaire (facteur de forme > 10) associée à une microstructure combinant avantageusement des grains de faibles diamètres (de 100 à 5nm) dispersé de façon régulière et maîtrisée (distance intergranulaire) dans une phase plus ou moins amorphe de Fe riche en XN, XO ou XNO. Cette dernière présente une aimantation nettement plus faible que celle de la phase purement cristalline (typiquement de 50% jusqu'à 100%). Ce dernier cas correspond à une phase intergranulaire non magnétique (aimantation nulle). La formation du film magnétique de l'élément magnétique est avantageusement effectuée en utilisant un dépôt par pulvérisation par faisceaux d'ions (IBS: Ion Beam Sputtering) qui offre une grande latitude en termes d'exploitation de l'angle entre le flux de matière à déposer et le substrat, ce que ne permettent pas les techniques classiques de pulvérisation par plasma. En outre, la technique de dépôt par IBS est très bien adaptée à la synthèse de ce type de matériau et elle permet efficacement l'utilisation de l'effet physique de croissance de grains inclinés sur une grande surface compatible avec celle classiquement utilisée en microélectronique, par exemple des plaquettes de diamètre jusqu'à 300mm. Un exemple de mise en oeuvre d'une telle technique de dépôt est illustré sur la figure 4. Plus précisément, une source d'ions SIN capable de pivoter autour d'un axe Ox génère un flux principal d'ions, par exemple de l'argon, en direction d'une cible CB formée par exemple de FeX. La cible CB est par conséquent bombardée par le flux principal d'argon en présence d'azote et d'oxygène (lorsque l'on souhaite obtenir des alliages FeXNO), à température ambiante. Les particules de FeX extraites de la cible sont alors pulvérisées sur le substrat SB avec un angle d'incidence. Cet angle d'incidence peut être ajusté en fonction de l'axe d'inclinaison a de la source SIN autour de l'axe Ox, d'un angle d'inclinaison p du substrat par rapport à la normale à la cible, et de l'angle d'inclinaison a' de la cible CB autour de l'axe Ox. La croissance du film magnétique s'effectue sous un champ magnétique H appliqué dans le plan du substrat et avantageusement orthogonal à l'axe de pivotement Ox de la source SIN et à l'axe Ox du porte-substrat. L'intensité de ce champ magnétique uni-axial est par exemple d'environ 100 à 200 Oe. Les procédés de nitruration et d'oxydation sont contrôlés respectivement par le biais des taux d'enrichissement en gaz secondaires (réactifs) injectés. Le taux relatif à l'enrichissement en azote est défini par le rapport: N2/(Ar+N2+02) et le taux d'enrichissement en oxygène par 02/(Ar+ N2+02). Ces taux peuvent varier typiquement dans une plage de 0% à 25%. Les épaisseurs des films formés sont comprises typiquement entre 500 Â et 5000 À. Le pourcentage atomique d'azote est de préférence compris entre 5% et 20%. En effet, pour un tel pourcentage, les films minces sont alors composés d'une manostructure fine comprenant des grains nanométriques de FeXN cubique centré (bcc) ou tétragonal à base centrée (bct), répartis aléatoirement dans une matrice amorphe riche en X. L'azote est incorporé en position interstitielle dans la maille cristallographique des nanograins de FeX jusqu'à la saturation de la solution solide dans les grains (environ 15 20 % atomique). Cette incorporation s'accompagne d'une dilatation importante de la maille cristalline de FeX (jusqu'à 5 %) dont la conséquence est une réduction de la taille moyenne des grains. L'oxygène est incorporé préférentiellement dans la phase amorphe riche en X enrobant lesdits grains de FeXN. L'avantage de ce procédé est la très faible oxydation de la phase ferromagnétique FeXN ce qui permet de conserver une aimantation élevée. Dans ces conditions, les grains de FeXN ont un diamètre moyen de l'orde de 10 à 2nm avec une distance intergranulaire moyenne de l'ordre de 5 à 1nm. Ceci permet l'obtention de propriétés magnétiques douces (Hc Après croissance du film magnétique, on obtient une structure telle que celle illustrée sur la figure 5 avec des grains présentant une inclinaison y par rapport à la normale au substrat et des directions d'anisotropie colinéaires Hk et Hk'. L'invention n'est pas limitée au mode de réalisation et de mise en oeuvre qui viennent d'être décrits. Plus précisément, un dispositif DRF selon l'invention peut ne comporter qu'un seul élément magnétique EM qui peut être disposé au-dessus (figure 6) ou bien en-dessous (figure 7) de l'élément conducteur IS. Cet élément conducteur IS peut être par exemple une spirale, une ligne coplanaire, une ligne micro-ruban. Par ailleurs, l'élément conducteur IS peut être formé, comme illustré sur la figure 8, d'un bobinage solénoïde réalisé autour d'un élément magnétique continu EM. L'invention permet ainsi notamment de rendre possible la réalisation de dispositifs inductifs radiofréquences ayant la particularité d'utiliser un circuit magnétique continu et quasiment fermé autour d'un élément inductif. L'avantage consiste en un confinement optimal du champ magnétique dans ledit circuit. Dans le cas des inductances spirales, ceci permet des gains sur la valeur de l'inductance à vide supérieurs à 100% et des facteurs de qualité Q élevés, par exemple supérieurs ou égaux à 30 pour une fréquence comprise typiquement entre 1 et 2 GHz. Dans le cas de lignes coplanaires ou micro rubans, les gains sur l'inductance à vide de plus de 400% peuvent être obtenus ainsi que des facteurs de qualité encore plus élevés, par exemple supérieurs ou égaux à 50 pour une fréquence comprise typiquement entre 1 et 5 GHz. Dans le cas de lignes coplanaires ou micro rubans, des fonctions de filtrage de type coupe bande, passe bas et passe bande sont également possibles avec des atténuations typiquement supérieures à -10 dB par mm de ligne et par m d'épaisseur de matériau déposé. REVENDICATIONS 1. Dispositif radiofréquence, caractérisé par le fait qu'il comprend un élément électriquement conducteur (IS) associé à au moins un premier élément magnétique continu (EM1, EM2) comportant un substrat (SB) recouvert d'un film magnétique (FMI) possédant une structure granulaire avec des grains inclinés par rapport à la normale au substrat ou une texture fibreuse inclinée par rapport à la normale au substrat. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le film magnétique est un alliage comportant au moins un élément pris dans le groupe formé par Fe, Co, Ni. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le film magnétique est un alliage de FeCoXN ou de FeCoXO ou de FeCoXNO, FeXN ou de FeXO ou de FeXNO, X étant choisi parmi les éléments suivants: Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta, W, Ir, Pt, Al, Si, T'i, V, Cr, Mn, Cu et les Lanthanides. 4. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le film magnétique (FM1) est un alliage de FeHfNO. 5. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'angle d'inclinaison (y) des grains ou de la texture fibreuse par rapport à la normale au substrat est compris entre 20 et 80 . 6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier élément magnétique (EM1)est disposé au dessus ou en dessous de l'élément conducteur. 7. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, comprenant en outre un deuxième élément magnétique continu (EM2) comportant un substrat recouvert d'un film magnétique possédant une structure granulaire avec des grains inclinés par rapport à la normale au substrat ou une texture fibreuse inclinée par rapport à la normale au substrat, ledit élément conducteur étant pris en sandwich entre les deux éléments magnétiques. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le deuxième élément magnétique (EM2) est identique au premier élément magnétique (EM1). 9. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'élément conducteur (IS) est un élément en spirale. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'élément conducteur (IS) est une ligne coplanaire ou micro ruban. 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'élément conducteur (IS) est un bobinage solénoïde entourant l'élément magnétique (EM). 12. Procédé de fabrication d'un élément magnétique d'un dispositif radiofréquence selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé par le fait qu'il comprend un dépôt physique en phase vapeur sur un substrat incliné. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le dépôt en phase vapeur est effectué par pulvérisation cathodique ou par évaporation. 14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le dépôt en phase vapeur est effectué par une pulvérisation ionique oblique sur le substrat. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la pulvérisation ionique est effectuée à partir d'une source d'ions (SIN) éventuellement capable de pivoter autour d'un axe (Ox), et d'une cible de pulvérisation (CB) éventuellement capable de pivoter également autour dudit axe (Ox). 16. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le dépôt en phase vapeur est effectué à partir d'une source laser éventuellement capable de pivoter autour d'un axe (Ox) et d'une cible de pulvérisation éventuellement capable de pivoter également autour dudit axe (Ox). 17. Procédé selon l'une des revendications 12 à 16, dans lequel le dépôt en phase vapeur de l'élément magnétique est fait sur un substrat soumis à un champ magnétique (H) dans le plan du substrat et dont la direction est orthogonale audit axe Ox. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le substrat est capable de pivoter autour d'un axe (Ox) et dans lequel le champ magnétique (H) est appliqué dans le plan du substrat avec une direction orthogonale audit axe (Ox). 19. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 18, dans lequel le dépôt de l'élément magnétique est effectué à partir d'une cible (CB) d'alliage de CoFeX ou de FeX, en présence d'azote et/ou d'oxygène.