Brevet FR2891269A1 — publié le 20070330

SUBSTRAT TRANSPARENT MUNI D'UNE ELECTRODE L'invention se rapporte à un substrat transparent, notamment en verre, qui est muni d'une électrode. Ce substrat conducteur est tout particulièrement destiné à faire partie de cellules solaires. En effet, de façon connue, les cellules solaires à base de couches minces de silicium (Si) ou de cadmium telluride (CdTe) intègrent ce type de 10 substrat conducteur Pour les cellules incorporant du Si ou de CdTe en couche mince, on utilise des couches minces transparentes conductrices électriquement appelées communément TCO pour Transparent Conductive Oxide à base de SnO2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al ZnO:Ga. Elles sont typiquement utilisées comme électrode frontale pour les cellules solaires à base de couches minces de silicium. Le SnO2:F est déposé par CVD et le ZnO:Al est déposé par pulvérisation magnétron. Ce dernier nécessite un posttraitement d'attaque acide afin de le rendre rugueux, alors que le SnO2:F est naturellement rugueux après dépôt. Cette rugosité permet de générer un effet de light-trapping ou de capture de lumière afin d'augmenter l'absorption de la lumière par le silicium qui constitue la partie active de la cellule solaire. Ce paramètre est l'un des critères de performance d'une couche TCO vis-à-vis de cet effet de light-trapping, ce critère étant caractérisé par l'intensité du flou (ou voile) obtenu. Dans cette recherche de l'amélioration du flou pour des couches TCO destinées à des applications du domaine du photovoltaïque, on connaît diverses voies illustrées notamment par le document FR283706 qui décrit des structures de couches conductrices transparentes rugueuses, de rugosité RMS > 3 nm et de taille de motifs > 50 nm permettant d'induire du flou. Le document EP 142276 1 divulgue l'utilisation dans l'empilement d'une sous-couche irrégulière SnO2/SiOC ou SiOC ou SiSnO. On connaît par ailleurs par le document EP1056136 le recours à une souscouche SnO2/SiO2 sur un substrat verrier à base de Na pour générer des trous de cristaux NaCl. Quelle que soit la voie connue de l'art antérieur, la réalisation d'une structure d'empilement avec du flou nécessite soit une sous-couche SiSnAOyCy, soit la texturation du substrat avant le dépôt de la couche TCO, ce qui induit des étapes de fabrication supplémentaires. Un autre critère couramment rencontré permettant d'appréhender la performance d'une couche TCO pour une application aux photovoltaïques réside dans le rapport transmission lumineuse / résistance électrique. A ce propos, le document EP290345 décrit un empilement de couches minces de type TCO à base d'un bi-couche SnO2/SnO2:F pour lequel le rapport transmission lumineuse / résistance électrique est optimisé. L'invention a pour but l'obtention d'un substrat muni d'une électrode, destinée à des cellules solaires, qui soit d'une fabrication plus simple et/ou moins onéreuse que les électrodes connues, et dont les performances à la fois en terme du produit flou par la transmission lumineuse, et du rapport transmission lumineuse/résistance électrique, du rapport flou/ résistance électrique, et flou soient améliorées de façon concomitantes. L'invention a tout d'abord pour objet un substrat transparent, notamment en verre, associé à une électrode, notamment adaptée pour des cellules solaires, caractérisé en ce que l'électrode comprend une première couche électroconductrice transparente composée d'un oxyde minéral non dopé, ladite première couche étant revêtue par une seconde couche électroconductrice transparente composée du même oxyde minéral, ledit oxyde minéral étant cependant dopé. Au sens de l'invention, on entend par couche soit une couche continue, soit une couche discontinue, présentant notamment des motifs (soit par gravure d'une couche continue, soit par dépôt directement de la couche discontinue au motif voulu, par un système de masque par exemple). Cela s'applique à toutes les couches dont il est question dans la 2891269 3 présente demande. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, on peut éventuellement avoir recours en outre à l'une et/ou à l'autre des dispositions suivantes: -l'électrode possède un flou compris entre 5 % et 25 % et de préférence compris entre 10 et 20 %, - l'électrode possède un facteur produit flou (H) par la transmission lumineuse (TL) exprimé dans un graphe H(TL) qui soit au dessus d'une ligne définie par les bi-points suivants (15;82) ; (10;84) ; (6;85) -l'électrode possède un produit absorption lumineuse par la résistance surfacique électrique inférieur à 0,6 S2 / carré - l'épaisseur de la première couche à base d'oxyde minéral non dopé est comprise entre 150 et 900 nm - la première couche est à base d'oxyde d'étain (SnO2) et la seconde 15 couche est à base d'oxyde d'étain dopé au fluor (SnO2:F), - l'électrode est déposée sur une sous-couche possédant des propriétés de barrière aux alcalins de type SiOC ou SiO2 ou SiOX - la première couche est à base d'oxyde de zinc (ZnO) et la seconde couche est à base d'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (ZnO:Al), - l'oxyde d'étain dopé et/ou non dopé est(sont) déposé(s) à haute température notamment à une température supérieure à 600 C, - Utilisation du substrat tel que précédemment décrit en tant qu'électrode de cellule photovoltaïque à base de Si ou de CdTe, - le substrat est un verre extra- clair du type Albarino et/ou Diamant - l'une des faces du substrat est revêtu par un empilement apportant une fonctionnalité du type anti- reflet ou hydrophobe ou photocatalytique La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée ci-après d'exemples de réalisation non limitatifs et des figures 1 et 2 qui illustrent des points de comparaison entre une structure d'empilement mono-couche et de bi-couches de SnO2:F d'une part et de SnO2/ SnO2: F d'autre part. Pour réaliser l'électrode bi-couche à base de SnO2/ SnO2: F, après avoir procédé à une élévation de température du substrat à une température supérieure à 600 C, on décompose un mélange de vapeur de (C,,H2n+1)4Sn avec n = 1 à 4, (CH3)2SnH2, (C4H9)3SnH, (C4H9)2Sn(COOCH3)2, SnC14, (CH3) 2SnC12 ou encore de monobutyle trichlorure d'étain (MBTC1), et de vapeur d'eau, d'oxygène et d'azote. Puis on chauffe à nouveau le substrat partiellement revêtu et on le met en contact avec un composé d'étain fluoré ou avec un composé d'étain et un composé fluoré pour obtenir la seconde couche SnO2:F. Pour déposer la couche SnO2:F, on peut utiliser tous les composés d'étain précités à condition de faire un appoint de donneur de fluor: CF3COOH, HF, CH3CH2F2, CHClF2, CH3CClF2, CHF3, CF2C12, CF3C1, CF3Br. Pour mettre ces composés d'étain en contact avec des substrats transparents chauffés et pour provoquer l'oxydation et la décomposition thermique, on utilise la méthode de dépôt chimique en phase gazeuse (méthode CVD) par laquelle on met une vapeur de composés d'étain et un gaz oxydant en contact avec un substrat transparent à haute température, ou bien la méthode de pulvérisation par laquelle on pulvérise une solution du composé d'étain, sur le substrat transparent à haute température à l'aide d'un pulvérisateur. On utilise de préférence la méthode CVD par laquelle on met un mélange de vapeur de composés d'étain, de gaz oxydant, etc... en contact avec le substrat transparent chauffé à une température de 400 à 700 C, préférentiellement au voisinage de la fourchette de température comprise entre 600 à 680 C. On dépose ainsi un film électroconducteur transparent à deux couches, c'est-à-dire, une couche SnO2 puis une autre couche SnO2:F, déposée en recouvrement. Selon la présente invention, l'épaisseur du film à deux couches 30 SnO2/SnO2:F est de 0.6 à 1.5 micron. Exemples On réalise sur un substrat verrier de type Albarino et/ou Diamant , Diamant et Albarino étant des marques déposées par la société demanderesse de la présente demande de brevet pour des substrats verriers respectivement de type extra-clair et de type possédant des reliefs en surface une série de dépôts selon les modalités suivantes. La première série de dépôts comprend une seule couche de SnO2: F, déposée à haute température (au moins supérieure à 600 C) par CVD, par décomposition de précurseurs à base de tels que ceux précédemment cités + air + H2O + un composé fluoré. Les mesures de TL et de flou (H) ont été réalisées avec un hazemeter. On obtient la série d'échantillons suivants: échantillon Rcarré, TL, (%) Flou ou H, (%) e(SnO2: F) (SI/carré) (nm) 1 6.1 79.4 14.7 1340 2 9.5 82.7 1.9 580 3 7.8 81.1 3.2 685 4 6.3 79.1 9.6 1050 8.0 80.9 2.6 660 On réalise ensuite sur un substrat verrier de type albarino et/ou diamant , dans les mêmes conditions opératoires que précédemment, une série de dépôts de couches du type à double couche SnO2/SnO2:F (épaisseurs respectives allant de 25%/75% à 75%/25% pour des épaisseurs totales de 750 à 1000 nm), on obtient les échantillons suivants: échantillon Rcarré, (S2/carré) TL, (%) Flou ou H, (%) 6 9.7 83.1 14.8 7 10.0 81.0 17.0 8 7.7 82.0 14.3 9 10.5 82.0 19.2 11.2 81.6 18.2 11 7.8 81. 7 12.0 12 9.2 82.7 12.0 2891269 6 échantillon Epaisseur (SnO2) Epaisseur (nm) (SnO2:F) (nm) 6 180 530 7 610 240 8 170 530 9 600 340 640 360 11 180 600 12 250 510 Les mesures montrent que pour l'ensemble des échantillons, on a de bien meilleures performances (flou et TL plus élevés de façon concomitante) avec les bicouches qu'avec les monocouches. Cette situation est illustrée par le graphe de la figure 1. Pour les seconds échantillons, on obtient des valeurs de mobilité et densité de porteurs, de flou et de TL mesurées par spectrophotomètre suivantes, montrant que les performances sont très satisfaisantes de manière concomitante (mobilité élevée, densité modérée, haute TL, haut flou) : échantillon Mobilité de Densité de porteurs, TL, (%) Flou, (%) porteur, cm2/V/s 10E20 cm-3 6 37.6 2.25 85.4 15.6 7 40.6 1.75 84.0 18.7 8 39.9 2.8 84.1 16.1 9 38.9 1.7 84.4 20.0 36.8 1.8 84.3 18.4 11 36.6 2.7 83. 6 15.1 12 33.9 2.2 85.0 13.1 Pour les échantillons de la deuxième série de dépôt (échantillons 6 à 12), on se propose de définir un deuxième critère exprimant la relation entre H ou flou et la transmission lumineuse. Comme cela apparaît au niveau de la figure 2, tous les échantillons sont au dessus de la courbe définie par les bi-points (15;82) ; (10;84) ; (6;85) (zone non hachurée). On donne ci-après d'autres exemples comparatifs montrant l'influence du dopage sur la valeur du flou obtenu et l'influence de la température de réalisation sur le flou (les mesures optiques étant réalisées à l'aide d'un hazemeter). Ainsi, le premier exemple ci-dessous montre la différence entre une 10 couche classique de SnO2:F déposée à haute température Ti (supérieure à 600 C) et la même couche réalisée sans dopage. Débit de Haze dopant (kg/h) SnO2:F 8 0.94 SnO2, (sans dopage) 0 4.93 Le second exemple ci-dessous montre l'effet de la température sur la génération de flou. La couche classique a été réalisée à une température T2 supérieure d'au moins 30 C à Ti. Débit de Haze dopant (kg/h) SnO2:F 8 1,8 SnO2, pas de dopage 0 8,45 La valeur de flou est presque multipliée par 2 en passant de Ti à T2. Le troisième exemple montre la relation entre le débit de dopant et le flou pour une couche épaisse déposée à haute température (supérieure à 600 C) Débit de dopant (kg/ h) Haze (%) TL (%) 0 20.8 78.5 1.6 13.3 77.1 2 12.7 76.8 3 8.45 75.8 4 7.63 75.6 6 6.05 74.6 on peut observer que le dopage diminue la TL. Plus on dope la couche, plus l'absorption par les porteurs de charge est importante. En conclusion, le fait de ne pas doper la couche augmente le flou. D'autre part, la température a également pour effet d'augmenter le flou. Dans la stratégie double-couche, on utilise donc la sous-couche SnO2 pour créer les conditions favorables au flou. Dans le même temps, la souscouche SnO2 favorise une transmission lumineuse élevée. La surcouche SnO2:F est présente pour ajuster la résistance par carré du TCO. Pour réaliser un bicouche de ZnO/ZnO:Al, on dépose au moins une couche diélectrique sur le substrat par pulvérisation cathodique, notamment assistée par champ magnétique et de préférence réactive en présence d'oxygène et/ou d'azote, dans une enceinte de pulvérisation La couche de ZnO est obtenue à partir d'une cathode d'un métal dopé, c'est à dire contenant un élément minoritaire: à titre d'illustration, il est courant d'utiliser des cathodes de zinc contenant une proportion mineure d'un autre métal tel que l'aluminium ou le gallium. Les paramètres de réglage sont les suivants: P [kW]= 4.0; I [A]= 40; U [V]= 360; Gaz [sccm] = 350 (Ar). Néanmoins, afin de créer du flou dans le bi- couche ZnO/ZnO:AI, il est nécessaire de texturer la première couche de ZnO par une attaque acide. En variante, on peut déposer en reprise par une voie de pulvérisation magnétron sur le bicouche SnO2/ SnO2: F, une surcouche de ZnO, cette surcouche étant une couche de protection contre les attaques de plasma hydrogéné et possédant une épaisseur comprise entre 10 et 50 nm et préférentiellement voisine de 20 nm. Il en résulte que selon la présente invention, on peut obtenir des films électroconducteurs transparents de faible résistance électrique et autorisant une importante transmission lumineuse ainsi qu'une valeur de flou ou de haze importante. Selon une variante de l'invention, il peut être judicieux de fonctionnaliser l'autre face du substrat (celle qui n'est pas revêtue par le bi-couche selon l'invention). On dépose ainsi à la surface des couches minces destinées à leur conférer une propriété particulière, comme par exemple celle qui consiste à permettre au substrat de rester le plus propre possible, quelles que soient les agressions environnementales, c'est-à-dire visant la permanence dans le temps des propriétés d'aspect et de surface, et permettant notamment d'espacer les nettoyages, en parvenant à éliminer au fur et à mesure les salissures se déposant progressivement à la surface du substrat, notamment les salissures d'origine organique comme les traces de doigts ou des produits organiques volatils présents dans l'atmosphère, ou même des salissures du type suie, poussières de pollution. Or, on sait qu'il existe certains matériaux semi-conducteurs, à base d'oxyde métallique, qui sont aptes, sous l'effet d'un rayonnement de longueur d'onde adéquate, à initier des réactions radicalaires provoquant l'oxydation de produits organiques: on parle en général de matériaux photo-catalytiques ou encore photo-réactifs . On connaît, dans le domaine des substrats à fonction de vitrage, l'utilisation de revêtements photo-catalytiques sur substrat, qui présentent un effet anti-salissures marqué et que l'on puisse fabriquer de manière industrielle. Ces revêtements photo-catalytiques comportent généralement de l'oxyde de titane au moins partiellement cristallisé, incorporé audit revêtement sous forme de particules, notamment de taille comprise entre quelques nanomètres (3 ou 4) et 100 nm, préférentiellement voisin de 50 nm pour l'essentiel cristallisées sous forme anatase ou anatase/rutile. L'oxyde de titane fait en effet partie des semi-conducteurs qui, sous l'action de la lumière dans le domaine visible ou des ultraviolets, dégradent des produits organiques qui se déposent à leur surface. Ainsi selon un premier exemple de réalisation, le revêtement à propriété photo-catalytique résulte d'une solution à base de nanoparticules de TiO2 et d'un liant de silice (SiO2) mésoporeuse. Selon un deuxième exemple de réalisation, le revêtement à propriété photocatalytique résulte d'une solution à base de nanoparticules de TiO2 et d'un liant de silice (SiO2) non structuré. Quelle que soit la forme de réalisation du revêtement photo-catalytique, au niveau des particules d'oxyde de titane, le choix s'est porté, en outre, sur de l'oxyde de titane qui est au moins partiellement cristallisé parce qu'il a été montré qu'il était beaucoup plus performant en termes de propriété photo-catalytique que l'oxyde de titane amorphe. De préférence, il est cristallisé sous forme anatase, sous forme rutile ou sous forme d'un mélange d'anatase et de rutile. La fabrication du revêtement est opérée de manière à ce que l'oxyde de titane cristallisé qu'il contient se trouve sous forme de cristallites , c'est-à-dire de monocristaux, ayant une taille moyenne comprise entre 0,5 et 100 nm, de préférence 3 à 60 nm. C'est en effet dans cette gamme de dimension que l'oxyde de titane paraît avoir un effet photo- catalytique optimal, vraisemblablement parce que les cristallites de cette taille développent une surface active importante. Le revêtement à propriété photo-catalytique peut comporter également, outre l'oxyde de titane, au moins un autre type de matériau minéral, notamment sous forme d'un oxyde amorphe ou partiellement cristallisé, par exemple en oxyde de silicium (ou mélange d'oxydes), de titane, d'étain, de zirconium ou d'aluminium. Ce matériau minéral peut aussi participer à l'effet photo-catalytique de l'oxyde de titane cristallisé, en présentant lui-même un certain effet photo-catalytique, même faible par rapport à celui du TiO2 cristallisé, ce qui est le cas de l'oxyde de titane amorphe ou partiellement cristallisé. On peut aussi augmenter le nombre de porteurs de charge par dopage du réseau cristallin de l'oxyde de titane, en y insérant au moins un des éléments métalliques suivants: niobium, tantale, fer, bismuth, cobalt, nickel, cuivre, ruthénium, cérium, molybdène. Ce dopage peut aussi se faire par un dopage de surface seulement de l'oxyde de titane ou de l'ensemble du revêtement, dopage de surface réalisé en recouvrant au moins une partie du revêtement d'une couche d'oxydes ou de sels métalliques, le métal étant choisi parmi le fer, le cuivre, le ruthénium, le cérium, le molybdène, le vanadium et le bismuth. Enfin, on peut amplifier le phénomène photo-catalytique en augmentant rendement et/ou cinétique des réactions photo-catalytiques, en recouvrant l'oxyde de titane ou au moins une partie du revêtement qui l'incorpore par un métal noble sous forme de couche mince du type platine, rhodium, argent. Le revêtement à propriété photo-catalytique présente également une surface extérieure à caractère hydrophile et/ ou oléophile prononcé, notamment dans le cas où le liant est minéral, ce qui amène deux avantages non négligeables: un caractère hydrophile permet un mouillage parfait de l'eau qui peut se déposer sur le revêtement, facilitant ainsi le nettoyage. Conjointement à un caractère hydrophile, il peut aussi présenter un caractère oléophile, permettant le mouillage des salissures organiques qui, comme pour l'eau, tendent alors à se déposer sur le revêtement sous forme d'un film continu moins visible que des taches bien localisées. On obtient ainsi un effet anti-salissures organiques qui s'opère en deux temps: dès qu'elle se dépose sur le revêtement, la salissure est déjà peu visible. Ensuite, progressivement, elle disparaît par dégradation radicalaire amorcée par photo-catalyse. L'épaisseur du revêtement est variable, elle est comprise entre quelques nanomètres et quelques micromètres, typiquement comprise 50 nm et 10 m. En fait, le choix de l'épaisseur peut dépendre de différents paramètres, notamment de l'application envisagée du substrat, ou encore de la taille des cristallites de TiO2 dans le revêtement. Le revêtement peut également être choisi de surface plus ou moins lisse: une faible rugosité de surface peut en effet être avantageuse, si elle permet de développer une surface photo-catalytique active plus grande. Cependant, trop prononcée, elle peut être pénalisante en favorisant l'incrustation, l'accumulation des salissures. Selon une autre variante, la fonctionnalité qui est rapportée sur l'autre face du substrat peut être constituée par un revêtement anti-reflet permettant ainsi de maximiser le rendement de conversion énergétique. Sont données ci-après les gammes préférées des épaisseurs géométriques et des indices des quatre couches de l'empilement antireflet selon l'invention, cet empilement étant dénommé A: - ni et/ou n3 sont compris entre 2,00 et 2,30, notamment entre 2,15 et 2,25, et préférentiellement voisin de 2,20. - n2 et/ou n4 sont compris entre 1,35 et 1,65. - el est compris entre 5 et 50 nm, notamment entre 10 et 30 nm, ou entre 15 et 25 nm. - e2 est compris entre 5 et 50 nm, notamment inférieur ou égal à 35 nm ou à 30 nm, en étant notamment compris entre 10 et 35 nm. - e3 est compris entre 40 et 180 nm et préférentiellement entre 45 et 150 nm. - e4 est compris entre 45 et 110 nm et préférentiellement entre 70 et 105 nm. Les matériaux les plus appropriés pour constituer la première et/ou la troisième couche de l'empilement A qui est de type antireflet, celles à haut indice, sont à base de nitrure mixte de silicium et de zirconium ou d'un mélange de ces nitrures mixtes. En variante, ces couches à haut indice sont à base de nitrures mixtes de silicium et de tantale ou d' un mélange de ces derniers. Tous ces matériaux peuvent être éventuellement dopés pour améliorer leur propriétés de résistance chimique et/ou mécanique et/ou électrique. Les matériaux les plus appropriés pour constituer la seconde et/ou la quatrième couche de l'empilement A, celles à bas indice, sont à base d'oxyde de silicium, d'oxynitrure et/ou d'oxycarbure de silicium ou encore à base d'un oxyde mixte de silicium et d'aluminium. Un tel oxyde mixte tend à avoir une meilleure durabilité, notamment chimique, que du SiO2 pur (Un exemple en est donné dans le brevet EP- 791 562). On peut ajuster la proportion respective des deux oxydes pour obtenir l'amélioration de durabilité escomptée sans trop augmenter l'indice de réfraction de la couche. Une forme préférée de réalisation de cet empilement antireflet est de la forme substrat/ Si3N4/ SiO2/Si3N4/ SiO2 étant entendu que le choix des différentes épaisseurs et notamment au niveau des épaisseurs des troisième et quatrième couche est optimisé de sorte que la transmission lumineuse soit située dans la plus grande partie du spectre (à savoir dans le visible et dans l'infrarouge). REVENDICATIONS 1. Substrat transparent, notamment en verre, associé à une électrode, notamment adaptée pour des cellules solaires, caractérisé en ce que l'électrode comprend une première couche électroconductrice transparente composée d'un oxyde minéral non dopé, ladite première couche étant revêtue par une seconde couche électroconductrice transparente composée du même oxyde minéral, ledit oxyde minéral étant cependant dopé. 2. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode possède un flou compris entre 5 % et 25 % et de préférence compris entre 10 et 20 %. 3. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode possède un facteur produit flou (H) par la transmission lumineuse (TL) exprimé dans un graphe H(TL) soit au dessus d'une ligne définie par les bi-points suivants (15;82) ; (10;84) ; (6;85) 4. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que 20 l'électrode possède un produit absorption lumineuse par la résistance surfacique électrique inférieur à 0,6 Q / carré. 5. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la première couche à base d'oxyde minéral non dopé est comprise entre 150 et 900 nm. 6. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche est à base d'oxyde d'étain (SnO2) et la seconde couche est à base d'oxyde d'étain dopé au fluor (SnO2:F). 7. Substrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, 30 caractérisé en ce que la première couche est à base d'oxyde de zinc (ZnO) et la seconde couche est à base d'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (ZnO:Al). 8. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que il est muni d'au moins une couche-barrière, notamment vis-à-vis des alcalins, insérée entre ledit substrat et ladite électrode. 9. Substrat selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couchebarrière est à base de matériau diélectrique, choisi parmi au moins l'un des composés suivants: nitrure ou oxynitrure de silicium, oxyde ou oxycarbure de silicium. 10. Substrat selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couchebarrière fait partie d'un revêtement multicouches à but optique, constitué d'au moins deux couches de matériaux diélectriques d'indices de réfraction différents. 11. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'oxyde d'étain dopé et/ou non dopé est(sont) déposé(s) à haute température notamment à une température supérieure à 600 C, par voie CVD. 12. Substrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 et 8 à 11, caractérisé en ce que il est muni d'au moins une sur-couche à base d'oxyde de zinc, cette sur-couche étant déposée sur la seconde couche à base d'oxyde d'étain dopé au fluor (SnO2:F) 13. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat est un verre extra-clair du type albarino ou diamant . 14. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'une des faces du substrat est revêtue par un empilement apportant une fonctionnalité du type anti-reflet ou hydrophobe ou photocatalytique. 15. Utilisation du substrat selon l'une des revendications 1 à 14 en tant qu'électrode de cellule solaire. 16. Cellule solaire, caractérisée en ce qu'elle comprend le 30 substrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.