Brevet FR2888039A1 — publié le 20070105

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE COMPOSE A BASE DE NITRURE, D'UN SUBSTRAT DE GaN ET D'UN DISPOSITIF D' ÉMISSION DE LUMIERE A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE A STRUCTURE VERTICALE Revendication de priorité La présente demande revendique l'avantage sur la Demande de Brevet Coréen No. 2005-53331 déposée le 21 juin 2005 à l'Office coréen de la Propriété Industrielle, dont la divulgation est intégrée ici pour référence. Arrière-plan de l'invention Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de composé à base de nitrure, d'un substrat de GaN et d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de composé à base de nitrure, d'un substrat de GaN et d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure, capable de recycler le substrat de GaN onéreux, en formant une couche de masquage ayant une forme prédéterminée et une couche tampon sur le substrat de GaN, en faisant croître latéralement la couche de composé à base de nitrure, et en enlevant la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide, afin de séparer le substrat de GaN sans altération. Description de la technique En général, un composé à base de nitrure est un composé cristallin du groupe III-V comme le GaN, InN, et l'AIN, qui est largement utilisé pour un dispositif d'émission de lumière générant de la lumière sur une courte longueur d'onde (rayons ultraviolets et lumière verte), en particulier la lumière bleue. Le composé à base de nitrure a été généralement fabriqué par le biais d'un substrat de saphir ou d'un substrat de SiC, du fait de l'absence d'un substrat disponible dans le commerce qui satisfasse les conditions de correspondance au réseau pour la croissance cristalline. Mais le substrat de saphir ou le substrat de SiC a une absence de correspondance du réseau avec le composé à base de nitrure. Cela rend très difficile la croissance d'un composé à base de nitrure de grande qualité sur le substrat de saphir ou de SiC. Entre temps, un substrat ayant une correspondance de réseau avec le composé à base de nitrure, comme le substrat GaN, a été fabriqué. Toutefois, le substrat GaN est très onéreux, et impossible à recycler du fait de la rectification et de l'abrasion qui surviennent pendant le rodage et le polissage, dans un processus de fabrication du dispositif d'émission de lumière. La figure 1 est une vue en coupe transversale illustrant partiellement un procédé de fabrication d'un dispositif d'émission de lumière à base de nitrure utilisant un substrat GaN selon la technique antérieure. Comme indiqué sur la figure. 1(a), dans un procédé conventionnel, une structure d'émission de lumière 12 constituée d'un semi-conducteur de composé à base de nitrure est formée sur un substrat de GaN 11 ayant une épaisseur d prédéterminée. Ensuite, afin de séparer facilement une structure finale obtenue en dispositifs individuels, un côté inférieur du substrat GaN est rectifié et abrasé par rodage et polissage, afin de réduire l'épaisseur d' du substrat GaN 11 comme indiqué sur la figure. 1(b). Ce procédé conventionnel de fabrication du dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure utilisant le substrat de GaN est désavantageux, dans la mesure où le substrat de GaN très coûteux est impossible à recycler, du fait de la rectification et de l'abrasion causés par le rodage et le polissage. Donc, dans la technique, il existe une demande pour une technologie de recyclage du substrat de GaN très coûteux, afin de réduire les coûts de production. Résumé de l'invention La présente invention a été réalisée pour résoudre les problèmes de la technique antérieure et donc un objet de l'invention, selon un aspect de la présente invention, consiste à proposer un procédé de fabrication d'une couche de composé à base de nitrure, d'un substrat de GaN et d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi- conducteur, à base de nitrure, capable de recycler le substrat de GaN onéreux, en formant une couche de masquage ayant une forme prédéterminée et une couche tampon sur le substrat de GaN, en faisant croître latéralement la couche de composé à base de nitrure, et en enlevant la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide, afin de séparer le substrat de GaN sans dommage. Selon un aspect de l'invention pour réaliser l'objet, nous proposons un procédé de fabrication d'une couche de composé à base de nitrure, comprenant les étapes consistant à: préparer un substrat de GaN; former une couche de masquage ayant une forme prédéterminée dans le substrat GaN, afin d' exposer une zone 20 partielle du substrat de GaN; former une couche tampon sur le substrat GaN partiellement exposé, la couche tampon étant faite d'un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN; faire croître latéralement un composé à base de nitrure depuis une surface supérieure de la couche tampon vers une surface supérieure de la couche de masquage et faire croître verticalement la couche de composé à base de nitrure jusqu'à une épaisseur prédéterminée; et enlever la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide, afin de séparer la couche de composé à base de nitrure du substrat de GaN. De préférence, la couche tampon a une absence de correspondance de réseau de 5% ou moins avec le GaN. Selon un mode de réalisation de l'invention, de préférence, la couche tampon comprend un élément choisi dans un groupe consistant en ZnO, Ga2O3 et ZrB2. De préférence, la couche de masquage comprend un film d' oxyde de silicium ou un film de nitrure de silicium. De même, de préférence, une solution de décapage humide utilisée dans le décapage humide comprend du HC1. Selon un autre aspect de l'invention pour réaliser l'objet, nous proposons un procédé de fabrication d'un substrat de GaN comprenant les étapes consistant à : préparer un substrat de GaN ensemencé ; former une couche de masquage ayant une forme prédéterminée sur le substrat de GaN ensemencé, afin d'exposer une zone partielle du substrat de GaN; former une couche tampon sur le substrat de GaN ensemencé partiellement exposé, la couche tampon étant constitué d'un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN; faire croître latéralement le GaN à partir d'une surface supérieure de la couche tampon vers une surface supérieure de la couche de masquage et faire croître verticalement le GaN afin de former le substrat de GaN avec une épaisseur prédéterminée; et enlever la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide, afin de séparer le substrat de GaN du substrat GaN ensemencé. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, de 10 préférence, l'étape de formation du substrat GaN comprend la croissance du GaN par HVPE. Selon un autre aspect de l'invention pour réaliser l'objet, nous proposons un procédé de fabrication d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi-conducteur au nitrure, comprenant les étapes consistant à : préparer un substrat de GaN; former une couche de masquage ayant une forme prédéterminée afin d'exposer une zone partielle du 20 substrat de GaN; former une couche tampon sur le substrat de GaN partiellement exposé, la couche tampon étant constituée d' un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN; faire croître latéralement un premier semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité, dopé avec de premières impuretés conductrices, à partir d'une surface supérieure de la couche tampon vers une surface supérieure de la couche de masquage et faire croître verticalement le premier semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité, afin de former une première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité, et faire croître une couche active faite d'un composé à base de nitrure sur la première couche à semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité et une seconde couche de composé à base de nitrure de type à conductivité, dopée avec de secondes impuretés conductrices sur la couche active, en formant ainsi une structure d'émission de lumière. former un substrat porteur conducteur sur la structure d'émission de lumière et enlever la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide, afin de séparer la structure émettant de la lumière du substrat de GaN. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, de préférence, la phase de formation de la structure émettant de la lumière comprend la croissance du composé semi-conducteur à base de nitrure par MOCVDE. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le procédé de fabrication du dispositif vertical d'émission de lumière à semiconducteur de nitrure comprend en outre la formation d' une première électrode sur un côté inférieur de la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure, de type à conductivité d'où le substrat GaN est séparé, et une seconde électrode sur une surface supérieure du substrat de support conducteur. Brève description des dessins Les objets, caractéristiques et autres avantages de la présente invention indiqués ci-dessus, ainsi que les autres, seront plus clairement compris en lisant la description détaillée suivante prise en se référant aux dessins joints, dans lesquels: La figure 1 est une vue en coupe transversale illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure par un substrat de GaN selon la technique antérieure; La figure. 2 est une vue en coupe transversale illustrant un procédé pour fabriquer un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure et un substrat de GaN selon un mode de réalisation de l'invention; La figure. 3 est une vue schématique illustrant des défauts dans une couche à semi-conducteur à base de nitrure qui croît latéralement; et La figure. 4 est une vue en coupe transversale illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure selon l'invention. Description détaillée du mode de réalisation préféré La présente invention sera maintenant décrite plus en détails ci-après, en se référant aux dessins joints, dans lesquels les modes de réalisation préférés de l'invention sont indiqués. La présente invention, toutefois, peut être réalisée dans de nombreuses formes différentes et ne doit pas être considérée comme limitée aux modes de réalisation indiqués ici. Au contraire, ces modes de réalisation sont fournis de telle sorte que cette divulgation soit précise et complète, et donnent une idée complète du cadre de l'invention pour l'homme de métier. Sur les dessins, les formes et dimensions peuvent être exagérées pour plus de clarté, et les mêmes signaux de référence sont utilisés pour désigner des composants identiques ou similaires. La figure. 2 est une vue en coupe transversale illustrant un procédé de fabrication d'une couche de composé à base de nitrure et un substrat de GaN, selon un mode de réalisation de l'invention. Sur la figure. 2, le numéro de référence 24 représente à la fois une couche de composé à base de nitrure et un substrat de GaN fabriqué. Sans autre explication, le terme "couche de composé de nitrure est considéré comme comprenant le substrat de GaN. En outre, quand il est nécessaire de distinguer le substrat de GaN pour faire croître la couche de composé à base de nitrure du substrat de GaN fabriqué, le substrat de GaN pour faire croître la couche de composé à base de nitrure est appelé substrat GaN ensemencé . En se référant à la figure. 2, tout d'abord, comme indiqué sur la figure. 2 (a), un substrat de GaN 21 est préparé et une couche de masquage 22 ayant une forme prédéterminée est formée sur le substrat de GaN 21. La couche de masquage 22 est faite d'un matériau pouvant être enlevé par un processus de décapage humide ultérieur. Le matériau pour la couche de masquage 22 est représenté par un élément diélectrique comme un film d'oxyde de silicium ou un film de nitrure de silicium, et le film d'oxyde de silicium est préféré entre tous. La couche de masquage 22 peut être formée en déposant les éléments diélectriques par dépôt plasma-chimique à partir d'une phase vapeur PCVD). De préférence, la couche de masquage 22 est formée d'une pluralité de bandes qui sont uniformément espacées et disposées parallèlement les unes aux autres et une surface supérieure du substrat GaN 21 est exposée entre elles. Ensuite, comme indiqué sur la figure. 2 (b), une couche tampon 23 faite d'un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN est formée sur le substrat de GaN exposé 21. L'absence de correspondance de réseau avec le GaN peut être calculée par le biais de l'Equation 1 ci-dessous: Aa= ax aGaN xlOO.... Equation 1, aGan où Aa est une différence entre l'absence de correspondance de réseau avec le GaN (%), ax est une constante de réseau d'un matériau comparatif, et aGaN est une constante de réseau du GaN. La couche tampon 23 est faite d'un matériau ayant de préférence une absence de correspondance de réseau de 10% avec le GaN, et de manière préférée entre toutes, une absence de correspondance de réseau de 5% ou moins. Dans le cas où la couche de composé à base de nitrure croît depuis une surface supérieure de la couche tampon dans un processus ultérieur, l'information sur le cristal du substrat de GaN sous-jacent 21 est transférée à travers la couche tampon 23. Donc, une différence inférieure de la constante de réseau entre la couche tampon 23 et le GaN donne une couche de composé à base de nitrure de meilleure qualité. Par exemple, quand l'Equation 1 est utilisée, le ZnO avec une constante de réseau de 3, 325Â a une différence de constante de réseau d'environ 4% par rapport au GaN avec une constante de réseau de 3, 184Â. La couche tampon 23 doit présenter les caractéristiques cristallines ci-dessus et être réalisée en un matériau pouvant être enlevé avec la couche de masquage 22 dans un processus de décapage humide ultérieur. Le matériau qui satisfait ces propriétés est représenté par les ZnO, Ga2O3 ou ZrB2 ci-dessus. La couche tampon 23 peut être formée avec le matériau ci-dessus par pulvérisation ou dépôt chimique à partir d'une phase vapeur CVD) . Ensuite, comme indiqué sur la figure. 2 (c) , un composé à base de nitrure 24 croît latéralement depuis la surface supérieure de la couche tampon 23 vers une surface supérieure de la couche de masquage 22. De préférence, le composé à base de nitrure a une composition exprimée par AlxlnyGa(l_x_y)N, où 0 La croissance latérale ci-dessus est adaptée pour faire croître une couche à semi conducteur à base de nitrure de grande qualité. La figure 3 est une vue schématique illustrant des défauts dans la couche à semi- conducteur à base de nitrure formée par une croissance latérale. Un substrat GaN ensemencé présente moins de densité de défaut (dislocation), mais les défauts sont transférés à la couche de composé à base de nitrure sous-jacente qui a poussé de manière épitaxiale. Donc, par un procédé de croissance général, il est difficile de fabriquer la couche à semiconducteur à base de nitrure ayant une qualité supérieure au substrat GaN ensemencé. Mais, comme indiqué sur la figure. 3, du fait de la croissance latérale, certains défauts dl du substrat GaN ensemencés 21 ne peuvent pas être transférés à la couche de composé à base de nitrure 24 par la couche de masquage 23. Cela permet à la couche de composé à base de nitrure 24 d'avoir une qualité supérieure et une densité de défaut inférieure au substrat de GaN ensemencé 21. Ensuite, en se référant à la figure 2 (d), après la croissance de la couche de composé à base de nitrure 24, la couche de masquage 22 et la couche tampon 23 sont enlevées par décapage humide. Une solution de décapage humide utilisée dans le décapage humide de la couche de masquage 22 et la couche tampon 23 est représentée par le HCI ou HCI. Ce processus de décapage humide enlève la couche de masquage 22 et la couche tampon 23, en séparant ainsi la couche de composé à base de nitrure nouvellement formée 24 du substrat de GaN ensemencé, comme indiqué sur la figure. 2 (e) . L'enlèvement par décapage humide n'affecte pas le substrat GaN ensemencé très onéreux 21, qui devient donc recyclable. De même, la croissance latérale produit une couche de composé à base de nitrure ou un substrat de GaN ayant une qualité élevée par rapport au substrat de GaN ensemencé 21. Selon l'invention, un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure est fabriqué en utilisant le procédé ci-dessus, pour former la couche de composé à base de nitrure. La figure. 4 est une vue en coupe transversale illustrant le procédé de fabrication d'un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure selon l'invention. Tout d'abord, en se référant à la figure. 4 (a), une structure d'émission de lumière 31 est formée par le procédé ci-dessus, afin de faire croître la couche de composé à base de nitrure. La structure d'émission de lumière 31 comprend une première couche de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a, une couche active 31b formée sur la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a et une seconde couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c formée sur la couche active 31b. Pour former la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 13a, un premier semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité, dopé avec de premières impuretés conductrices croît latéralement depuis une surface supérieure de la couche tampon 23, formée sur le substrat de GaN 21, vers une surface supérieure de la couche de masquage 22. Ensuite, le premier semi- conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité croît verticalement. De même, la couche active 31b est faite d'un semi- conducteur de composé à base de nitrure et la seconde couche de semi- conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c est dopée avec les secondes impuretés conductrices. Dans le procédé de fabrication du dispositif d'émission de lumière à semiconducteur à base de nitrure, selon l'invention, la couche de masquage 22 et la couche tampon 23 sont formées de la même manière que dans le procédé ci-dessus, afin de former la couche de composé à base de nitrure. La seule différence est que, lors de la croissance latérale du premier semi-conducteur de composé à base de nitrure, les premières impuretés conductrices sont dopées pour fabriquer un semi-conducteur conducteur. Par exemple, si le premier type de conductivité est un type n, du Si, Ge, Se, Te ou C peuvent être ajoutés pour les premières impuretés de type conductivité. La couche active 31b, qui sert à émettre de la lumière, a une structure de puits à quantum multiple et est constituée d'un composé à base de nitrure comme le GaN ou l'InGaN. De même, si le second type de conductivité est un type p, la seconde couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c est dopée avec des impuretés de type p comme le Mg, Zn ou le Be. La structure émettant de la lumière peut être formée par un processus de déposition bien connu comme le MOCVD, MBE ou HVPE, et le MOCVD est préféré entre tous. Ensuite, comme indiqué sur la figure. 4 (b), un substrat de support 32 est formé sur la seconde couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c. Le substrat de support conducteur 32 est constitué de Si, GaAs ou d'un métal conducteur. Le substrat de support conducteur 32 est lié à la seconde couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c par une couche intermédiaire additionnelle. En variante, pour former le substrat de support conducteur 32, une couche de plaquage métallique peut être formée sur la seconde couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c à une épaisseur prédéterminée. Dans le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure vertical selon l'invention, la lumière sort à travers une surface de la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a, d'où le substrat de GaN 21 est séparé. Donc, une couche réfléchissante peut être formée entre la seconde couche de semiconducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31c et le substrat de support conducteur 32. Ensuite, comme indiqué sur la figure. 4 (c), après formation du substrat de support conducteur 32, la couche de masquage 22 et la couche tampon 23 sont enlevées par décapage humide afin de séparer la structure d'émission de la lumière 31 du substrat de GaN 21. Comme décrit ci-dessus, selon l'invention, le substrat GaN onéreux 21 est séparé sans dégâts par décapage humide, et est donc recyclable. Ensuite, comme indiqué sur la figure. 4 (d), une première électrode 33 est formée sur un côté inférieur de la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a d'où le substrat GaN est séparé, et une seconde électrode 34 est formée sur une surface supérieure du substrat de support conducteur 32. Ensuite, comme indiqué sur la figure. 4 (e) , une structure finale obtenue est divisée en dispositifs individuels, en complétant ainsi le dispositif à semiconducteur à base de nitrure. Dans le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure vertical, la lumière sort principalement à travers la surface inférieure de la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a d'où le substrat de GaN est séparé. Pour améliorer la répartition du courant, une couche d'électrode transparente faite d'ITO peut être intercalée entre la première électrode 33, formée sur le côté inférieur de la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a, et la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité 31a. En outre, si le substrat de support conducteur 32 est constitué d'un matériau métallique ayant une excellente conductivité électrique, le substrat de support 32 lui-même est utilisable comme électrode, ce qui pallie donc la nécessité de former la seconde électrode 34. Ainsi, dans un procédé de fabrication d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure selon l'invention, un substrat de GaN est séparé sans dégâts par décapage humide, au lieu d'être rectifié et abrasé par rodage ou polissage. Cela permet le recyclage du substrat de GaN coûteux, en réduisant donc les coûts de production. En outre, un semi-conducteur de composé à base de nitrure croît sur un substrat de GaN de grande qualité par croissance latérale. Cela produit une couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de meilleure qualité que le substrat de GaN, en augmentant ainsi la luminosité du dispositif d'émission de la lumière. Comme indiqué ci-dessus, selon l'invention, le substrat GaN onéreux est séparé sans altération par décapage humide, et est ensuite recyclable. Cela réduit avantageusement les coûts de fabrication pour la couche de composé à base de nitrure, le substrat de GaN et le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure. De même, le composé à base de nitrure ou le semi-conducteur de composé à base de nitrure croît latéralement, en produisant avantageusement le semi-conducteur de composé à base de nitrure, le substrat de GaN et le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure, qui présentent une qualité supérieure au substrat GaN pour faire croître ces matériaux. En particulier, l'invention améliore avantageusement la luminosité du dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur à base de nitrure. Tandis que la présente invention a été montrée et décrite en relation avec les modes de réalisation préférés, il apparaîtra à l'homme de métier que des modifications et variations peuvent être apportées sans sortir du cadre et de l'esprit de l'invention, comme défini par les revendications jointes. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une couche de composé à base de nitrure, comprenant les étapes consistant à : préparer un substrat de GaN; former une couche de masquage ayant une forme 5 prédéterminée sur le substrat de GaN, afin d'exposer une zone partielle du substrat de GaN; former une couche tampon sur le substrat de GaN partiellement exposé, la couche tampon étant constituée d' un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN; faire croître latéralement un composé à base de nitrure à partir d'une surface supérieure de la couche tampon vers une surface supérieure de la couche de masquage et faire croître verticalement la couche de composé à base de nitrure jusqu'à une épaisseur prédéterminée; et enlever la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide afin de séparer la couche de composé à base de nitrure du substrat de GaN. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la 20 couche tampon a une absence de correspondance de réseau de 5% ou moins avec le GaN. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche tampon comprend un élément choisi dans un groupe constitué de ZnO, Ga2O3 et ZrB2. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de masquage comprend un film d'oxyde de silicium ou un film de nitrure de silicium. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel une 5 solution de décapage humide utilisée dans le décapage humide comprend du HCl ou de l'HF. 6. Procédé de fabrication d'un substrat de GaN comprenant les étapes consistant à : préparer un substrat de GaN ensemencé ; former une couche masquage avec une forme prédéterminée sur le substrat GaN ensemencé, afin d'exposer une zone partielle du substrat GaN; former une couche tampon sur le substrat Gan ensemencé, la couche tampon étant faite d'un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN; faire croître latéralement le GaN depuis une surface supérieure de la couche tampon vers une surface supérieure de la couche de masquage etfaire croître verticalement le GaN pour former le substrat de GaN avec une épaisseur prédéterminée; et enlever la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide afin de séparer le substrat de GaN du substrat de GaN ensemencé. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la couche tampon a une absence de correspondance de réseau de 5% ou moins avec le GaN. 8. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la couche tampon comprend du ZnO, Ga2O3 et du ZrB2. 9. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la couche masquage comprend un film d' oxyde de silicium ou un film de nitrure de silicium. 10. Procédé selon la revendication 6, dans lequel une solution de décapage humide utilisée dans le décapage humide comprend du HCl ou de l'HF. 11. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la phase de formation du substrat de GaN comprend la croissance du GaN par HVPE. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif vertical d'émission de lumière à semi-conducteur de nitrure, 15 comprenant les étapes consistant à : préparer un substrat de GaN; former une couche de masquage ayant une forme prédéterminée afin d'exposer une zone partielle du substrat de GaN; former une couche tampon sur le substrat de GaN partiellement exposé, la couche tampon étant constituée d' un matériau ayant une absence de correspondance de réseau de 10% ou moins avec le GaN; faire croître un premier semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité dopé avec de premières impuretés conductrices à partir d'une surface supérieure de la couche tampon vers une surface supérieure de la couche de masquage et en faisant croître verticalement le premier semi- conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité pour former une première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité, et faire croître une couche active faite d'un composé à base de nitrure sur la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité et une seconde couche de composé à base de nitrure de type à conductivité dopé avec de secondes impuretés conductrices sur la couche active, en formant ainsi une structure d'émission de lumière, former un substrat de support conducteur sur la structure d'émission de lumière; et enlever la couche de masquage et la couche tampon par décapage humide afin de séparer la structure d'émission de lumière du substrat de GaN. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche tampon a une absence de correspondance de 5% ou moins 20 avec le GaN. 14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche tampon comprend un élément choisi dans un groupe consistant en ZnO, Ga2O3 et ZrB2. 15. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la 25 couche de masquage comprend un film d'oxyde de silicium ou un film de nitrure de silicium. 16. Procédé selon la revendication 12, dans lequel une solution de décapage humide utilisée dans le décapage humide comprend du HC1 ou de l'HF. 17. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la phase de formation de la structure émettant de la lumière comprend la croissance du composé de semi-conducteur à base de nitrure par MOCVDE. 18. Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre la formation d'une première électrode sur un côté inférieur de la première couche de semi-conducteur de composé à base de nitrure de type à conductivité d'où le substrat GaN est séparé, et une seconde électrode sur une surface supérieure du substrat de support conducteur.