Brevet FR2889896A1 — publié le 20070223

AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE HAUTE FREQUENCE La présente invention concerne un amplificateur de puissance de haute fréquence pour l'utilisation dans des dispositifs de communication fonctionnant dans la bande des micro-ondes ou des ondes millimétriques pour des communications mobiles, des communications par satellite, etc. Dans des systèmes de communication micro-ondes utilisant un signal multiporteur ou un signal modulé utilisant une technique à accès multiple par répartition en code (AMRC) récente, etc., il est nécessaire de minimiser l'influence de distorsions dues à la non-linéarité des amplificateurs de puissance de haute fréquence. D'autre part, un procédé connu pour faire fonctionner un amplificateur de puissance de haute fréquence avec un rendement élevé consiste à fixer les conditions de charge du côté d'entrée d'une manière telle que le second harmonique soit pratiquement court-circuité (voir par exemple le brevet japonais n 2 695 395). On notera incidemment que, pour fournir une puissance élevée, des amplificateurs de puissance de forte puissance pour des communications mobiles ou par satellite emploient des transistors multi-doigts dans lesquels une pluralité de cellules de transistor sont connectées électriquement en parallèle pour augmenter la largeur de grille. La figure 13 montre un amplificateur de puissance de haute fréquence classique. En se référant à la figure, on note qu'une pluralité de cellules de transistor 1 sont connectées électriquement en parallèle les unes par rapport aux autres. Un circuit d'adaptation du côté d'entrée, 2, est connecté à leurs électrodes de grille, et un circuit d'adaptation du côté de sortie, 3, est connecté à leurs électrodes de drain. En outre, un circuit résonnant 4 est connecté aux électrodes de grille afin de commander des charges relatives à des harmoniques. Le circuit résonnant 4 résonne à la fréquence du second harmonique de la fréquence de fonctionnement du transistor. Du fait que le transistor multi-doigts a de façon inhérente une faible impédance d'entrée / sortie, les impédances de charge sur les cir-cuits d'adaptation, qui sont connectés au transistor pour réaliser une adaptation d'impédance à la fréquence de fonctionnement, sont très faibles. Pour court-circuiter le second harmonique, l'impédance de charge au second harmonique doit être encore plus faible que la très faible impédance de charge au fondamental. Cependant, des amplificateurs de puissance de haute fréquence classiques ne peuvent pas parvenir à une aussi faible impédance de charge, et par conséquent ne parviennent pas à procurer des caractéristiques de distorsion améliorées, du fait que le circuit résonnant est connecté au circuit de combinaison d'électrodes de grille sur le côté d'en- trée, au lieu d'être connecté à chaque électrode de grille. La présente invention a été conçue pour résoudre les problèmes ci-dessus. Un but de la présente invention est donc de procurer un amplificateur de puissance de haute fréquence employant un transistor multi-doigt, et adapté pour avoir de meilleures caractéristiques de distor- sion. Selon un aspect de la présente invention, un amplificateur de puissance de haute fréquence comprend: un transistor multi-doigt incluant une pluralité de cellules de transistor connectées électriquement en parallèle; un circuit d'adaptation du côté d'entrée connecté à des élec- trodes de grille de la pluralité de cellules de transistor; et des circuits résonnants, chacun d'eux étant connecté entre une électrode de grille de l'une respective de la pluralité de cellules de transistor et le circuit d'adaptation du côté d'entrée; et les circuits résonnants résonnent à une fréquence de second harmonique de la fréquence de fonctionnement du transistor ou à une fréquence à l'intérieur d'une plage prédéterminée centrée sur la fréquence de second harmonique, de façon à agir comme un court-circuit ou à présenter une impédance suffisamment faible, vue du côté de l'électrode de grille. La présente invention permet à un amplificateur de puissance de haute fréquence employant un transistor multi-doigt d'avoir de meilleu-res caractéristiques de distorsion. D'autres buts, caractéristiques et avantages supplémentaires de l'invention ressortiront plus complètement de la description suivante. Dans les dessins: - la figure 1 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention - la figure 2 est un schéma de circuit de l'amplificateur de puissance de haute fréquence de la figure 1; - la figure 3 montre les caractéristiques de distorsion à la fois d'un amplificateur de puissance de haute fréquence classique et de l'amplificateur de puissance de haute fréquence du mode de réalisation pré-sent; - la figure 4 est une vue de dessus d'un amplificateur de puis15 sance de haute fréquence conforme à un second mode de réalisation de la présente invention - la figure 5 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention - la figure 6 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention - la figure 7 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un cinquième mode de réalisation 25 de la présente invention - la figure 8 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention - la figure 9 est une vue de dessus d'un amplificateur de puis- 30 sance de haute fréquence conforme à un septième mode de réalisation de la présente invention - la figure 10 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un huitième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 11 est un schéma de circuit de l'amplificateur de 10 haute fréquence de la figure 10; - la figure 12 est une représentation graphique montrant la dépendance, vis-à- vis de la fréquence de résonance, de la caractéristique de rapport de fuite de canal adjacent (ACLR) de ces amplificateurs de puissance de haute fréquence à un point de recul de puissance de sortie de 10 dB par rapport au point de puissance de saturation, lorsque des signaux en modulation W-CDMA (conformes au système 3GPP) leur sont appliqués; - la figure 13 montre un tel amplificateur de puissance de haute fréquence classique. Premier Mode de Réalisation La figure 1 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, et la figure 2 est un schéma de circuit de I'amplifi- cateur de puissance de haute fréquence de la figure 1. En se référant aux figures 1 et 2, on note qu'une pluralité de cellules de transistor 1 sont connectées électriquement en parallèle pour former un transistor multi-doigt 5. Les électrodes de grille des cellules de transistor 1 sont connectées à un circuit d'adaptation du côté d'entrée 2 par des fils de connexion 6. D'autre part, les électrodes de drain des cellules de transistor 1 sont connectées à un circuit d'adaptation du côté de sortie, 3, par des fils de connexion 7. En outre, les électrodes de source des cellules de transistor 1 sont mises à la masse. Les fils de connexion 6 et 7 se comportent comme des inductances. Conformément à la présente invention, des circuits résonnants 4 sont établis entre le circuit d'adaptation du côté d'entrée, 2, et les électrodes de grille des cellules de transistor 1. De façon plus spécifique, l'électrode de grille de chaque cellule de transistor 1 est connectée à une extrémité d'un circuit résonnant 4 respectif par une ligne de transmission 17 respective, et est connectée à une extrémité d'un fil de connexion 6 respectif, dont l'autre extrémité est connectée au circuit d'adaptation du côté d'entrée, 2. Chaque circuit résonnant 4 comprend un condensateur MIM (métal -isolant métal) 9 formé sur une puce 8 différente de celle du transistor 5. Une extrémité du condensateur MIM 9 est connectée à l'électrode de grille d'une cellule de transistor 1 correspondante, par l'intermédiaire d'un fil de connexion 10, tandis que l'autre extrémité est connectée à un plan de masse par l'intermédiaire d'un fil de connexion Il, et est ainsi mise à la masse. Chaque fil de connexion 10 se comporte comme une inductance. Par conséquent, les condensateurs MIM 9, qui sont des dispositifs passifs et ont donc un rendement de fabrication élevé, sont formés sur une puce 8 différente de celle du transistor 5, qui est un dispositif actif. Ceci permet d'augmenter la productivité. Avec cet agencement, les circuits résonnants 4 sont réglés pour résonner à la fréquence de second harmonique de la fréquence de fonctionnement du transistor 5, ou à une fréquence à l'intérieur d'une plage prédéterminée centrée sur la fréquence de second harmonique, de façon à agir comme un court-circuit ou à présenter une impédance suffisamment basse (à la fréquence de second harmonique), vue du côté de l'électrode de grille. Par conséquent, l'impédance de charge au second harmonique, vue du côté de grille des cellules de transistor 1, peut être réduite en comparaison avec des agencements classiques. La figure 3 montre les caractéristiques de distorsion à la fois d'un amplificateur de puissance de haute fréquence classique et de l'amplificateur de puissance de haute fréquence du mode de réalisation présent. L'axe horizontal représente la valeur de "recul de puissance" par rapport à la puissance de saturation des amplificateurs, tandis que l'axe vertical représente la distorsion d'intermodulation du troisième ordre (deux signaux d'entrée). Comme on peut le voir d'après la figure, l'amplificateur de puissance de haute fréquence du mode de réalisation présent a des caractéristiques de distorsion considérablement améliorées. Second Mode de réalisation La figure 4 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un second mode de réalisation de la présente invention. Conformément au mode de réalisation présent, l'autre extrémité de chaque condensateur MIM 9 est connectée par un fil de connexion 11 à un trou traversant 12 formé sur la même puce que le transistor 5 et est mise à la masse à travers le trou traversant 12. Tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec le premier mode de réalisation. Cet agencement évite le changement dans les caractéristiques dû à la variation des fils de connexion, etc. Troisième Mode de réalisation La figure 5 est une vue de dessus d'un amplificateur de puis- sance de haute fréquence conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention. Conformément au mode de réalisation présent, l'autre extrémité de chaque condensateur MIM 9 est mise à la masse à travers un trou traversant 12 formé sur une puce (8) différente de celle du transistor 5. Tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec les premier et second modes de réalisation. Cet agencement permet d'éliminer les fils de connexion 11, empêchant ainsi des variations de l'inductance. Quatrième Mode de réalisation La figure 6 est une vue de dessus d'un amplificateur de puis- sance de haute fréquence conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Conformément au mode de réalisation présent, chaque circuit résonnant comprend un condensateur MIM 9 formé sur la même puce que le transistor 5. Une extrémité du condensateur MIM 9 est connectée par un fil de connexion 10 au circuit d'adaptation du côté d'en- trée, 2, qui est connecté à son tour aux électrodes de grille des cellules de transistor 1 par des fils de connexion 6. Ainsi, une extrémité de chaque condensateur MIM 9 est connectée à l'électrode de grille d'une cellule de transistor 1 respective, et l'autre extrémité est mise à la masse à travers un trou traversant 12 formé sur la même puce que le transistor 5. Tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec les premier à troisième modes de réalisation. Cet agencement (c'està-dire le fait que les condensateurs MIM 9 sont formés sur la même puce que le transistor 5) permet de simplifier le processus d'assemblage. Cinquième Mode de réalisation La figure 7 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Conformément au mode de réalisation présent, chaque circuit résonnant comprend un condensateur MIM 9, un trou traversant 12 et une inductance en spirale 13, qui sont formés sur la même puce que le transistor 5. Une extrémité du condensateur MIM 9 est connectée à l'électrode de grille d'une cellule de transistor 1 correspondante par l'inductance en spirale 13, et l'autre extrémité est mise à la masse à travers le trou traversant 12. Tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec les premier à quatrième modes de réalisation. Du fait que les condensateurs MIM 9 et les inductances en spirale 13 sont intégrés sur la même puce (que le transistor 5) le processus d'assemblage peut être simplifié, comme dans le quatrième mode de ré-alisation. En outre, du fait que chaque circuit résonnant comprend une inductance en spirale 13 au lieu d'un fil de connexion, la précision de conception de la fréquence de résonance peut être renforcée, ce qui conduit à des variations de processus d'assemblage réduites. Sixième Mode de réalisation La figure 8 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention. Conformément au mode de réalisation présent, chaque circuit résonnant comprend un condensateur MIM 9 formé sur une puce différente de celle du transistor 5. Une extrémité du condensateur MIM 9 est connectée par un fil de connexion 10 à une plage de connexion 14 s'étendant à partir des électrodes de grille dans une direction perpendiculaire à la direction grille - drain. Tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec les premier à cinquième modes de réalisation. Cet agencement élimine la nécessité de disposer les circuits résonnants sur une région adjacente à un côté du transistor 5 perpendiculaire à la direction grille - drain, et augmente donc, en termes de longueur, le degré de liberté relatif aux fils de connexion 6 pour la connexion entre les électrodes de grille et le circuit d'adaptation du côté d'entrée 2, ce qui conduit à une conception aisée. Septième Mode de réalisation La figure 9 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un septième mode de réalisation de la présente invention. Conformément au mode de réalisation présent, chaque circuit résonnant comprend un condensateur MIM 9, un trou traversant 12 et une inductance en spirale 13 qui sont formés sur la même puce que le transistor 5, de façon à être disposés sur des régions adjacentes à des côtés du transistor 5 parallèles à la direction grille - drain (c'est-à-dire les côtés supérieur et inférieur du transistor 5 lorsqu'on observe la figure). Une extrémité du condensateur MIM 9 est connectée à travers l'inductance en spirale à l'électrode de grille d'une cellule de transistor correspondante, et l'autre extrémité est mise à la masse à travers le trou traversant 12. Tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec les premier à sixième modes de réalisation. Huitième Mode de réalisation La figure 10 est une vue de dessus d'un amplificateur de puissance de haute fréquence conforme à un huitième mode de réalisation de la présente invention; et la figure 11 est un schéma de circuit de l'ampli- ficateur de puissance de haute fréquence de la figure 10. L'amplificateur de puissance de haute fréquence du mode de réalisation présent est une variante de l'amplificateur de puissance de haute fréquence du premier mode de réalisation et il comprend en plus un second circuit résonnant 16. Le second circuit résonnant 16 est espacé des circuits résonnants (primaires) d'une distance correspondant à une longueur électrique d'un quart de longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement du transistor 5. Avec cet agencement, lorsqu'un signal de second harmonique est introduit par le côté d'entrée, le second circuit résonnant 16 réfléchit le signal, ce qui réduit des variations dans l'impédance de charge au se-Gond harmonique, vue par le bord de la grille du transistor (ou par le côté de l'électrode de grille). Il faut noter que bien que dans les premier à huitième modes de réalisation, chaque circuit résonnant soit connecté entre l'électrode de grille d'une cellule de transistor respective et le circuit d'adaptation du côté d'entrée, la présente invention n'est pas limitée à cet agencement particulier. Chaque circuit résonnant peut être connecté entre l'électrode de drain d'une cellule de transistor respective et le circuit d'adaptation du côté de sortie. Neuvième Mode de réalisation Conformément à un neuvième mode de réalisation de la pré-sente invention, les circuits résonnants sont réglés pour résonner à une fréquence dans la plage de 92% à 116% de la fréquence de second harmonique de la fréquence de fonctionnement, de façon à se comporter comme un court-circuit ou à présenter une impédance notablement faible (à la fréquence de second harmonique), vue par le côté de l'électrode de grille. Tous les autres composants sont configurés d'une manière identique à celle décrite en relation avec les premier à huitième modes de réalisation. Nous avons fabriqué expérimentalement des amplificateurs de puissance de haute fréquence conformes au premier mode de réalisation, de façon que leurs circuits résonnants présentent différentes fréquences de résonance. La figure 12 est un schéma montrant la dépendance, vis-à-vis de la fréquence de résonance, de la caractéristique de rapport de fuite de canal adjacent (ACLR) de ces amplificateurs de puissance de haute fréquence, à un point de recul de puissance de sortie de 10 dB par rapport au point de puissance de saturation, lorsque des signaux en modulation AMRC à large bande (W/CDMA) (conformes au système 3GPP) leur sont appliqués. Cette figure indique que l'utilisation d'un circuit ré- sonnant ayant une fréquence de résonance dans la plage de 92% à 116% de la fréquence de second harmonique de la fréquence de fonctionne-ment conduit à de très bonnes caractéristiques de distorsion (un rapport de fuite de canal adjacent de -45 dBc ou moins). De nombreux changements et modifications de la présente in- vention sont évidemment possibles à la lumière de l'exposé ci-dessus. Il faut donc noter que, dans le cadre des revendications annexées, l'invention peut être mise en pratique autrement que de la manière décrite de façon spécifique. REVENDICATIONS 1. Amplificateur de puissance de haute fréquence, caractérisé en ce qu'il comprend: un transistor multi-doigt (5) incluant une pluralité de cellules de transistor (1) connectées électriquement en parallèle; un circuit d'adaptation du côté d'entrée (2) connecté à des électrodes de grille de la pluralité de cellules de transistor (1); et des circuits résonnants (4), chacun d'eux étant connecté entre une électrode de grille de l'une respective de la pluralité de cellules de transistor (1) et le circuit d'adaptation du côté d'entrée (2); et en ce que les circuits résonnants (4) résonnent à une fréquence de second harmonique de la fréquence de fonctionnement du transistor (5) ou à une fréquence à l'intérieur d'une plage prédéterminée centrée sur la fréquence de second harmonique, de façon à agir comme un court-circuit ou à présenter une impédance suffisamment basse, vue du côté de l'électrode de grille. 2. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plage prédéterminée centrée à la fréquence de second harmonique va de 92% à 116% de la fréquence de second harmonique. 3. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la re-vendication 1, caractérisé en ce que chaque circuit résonnant (4) comprend une capacité (9) formée sur une puce (8) différente de celle du transistor (5) ; et une extrémité de la capacité (9) est connectée par un fil de connexion (10) à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor (1). 4. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque circuit résonnant (4) comprend une capacité (9) formée sur une puce (8) différente de celle du transistor (5); et une extrémité de la capacité (9) est connectée par un fil de connexion (10) à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor (1). 5. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'autre extrémité de la capacité (9) est connectée par un fil de connexion (11) à un trou traversant (12), et est mise à la masse à travers le trou traversant, le trou traversant (12) étant formé sur la même puce que le transistor (5). 6. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'autre extrémité de la capacité (9) est connectée par un fil de connexion (11) à un trou traversant (12), et est mise à la masse à travers le trou traversant, le trou traversant (12) étant formé sur la même puce que le transistor (5). 7. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'autre extrémité de la capacité (9) est mise à la masse à travers un trou traversant (12) formé sur la même puce (8) que la capacité (9). 8. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'autre extrémité de la capacité (9) est mise à la masse à travers un trou traversant (12) formé sur la même puce (8) que la capacité (9). 9. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la re-vendication 1, caractérisé en ce que: chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9) formé sur la même puce que le transistor (5); une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée par un fil de connexion (6, 10) à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor (1); et l'autre extrémité du condensateur MIM (9) est mise à la masse à travers un trou traversant (12) formé sur la même puce que le transistor (5). 10. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que: chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9) formé sur la même puce que le transistor (5); une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée par un fil de connexion (6, 10) à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor (1); et l'autre extrémité du condensateur MIM (9) est mise à la masse à travers un trou traversant (12) formé sur la même puce que le transistor (5). 11. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que: chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9), un trou traversant (12) et une inductance en spirale (13) qui sont formés sur la même puce que le transistor (5); une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor (1) à travers l'inductance en spirale (13); et l'autre extrémité du condensateur MIM (9) est mise à la masse à travers le trou traversant. 12. Amplificateur de puissanceÉde haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que: chaque circuit résonnant (4) corn-prend un condensateur MIM (9), un trou traversant (12) et une inductance en spirale (13) qui sont formés sur la même puce que le transistor (5); une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor (1) à travers l'inductance en spirale (13); et l'autre extrémité du condensa- teur MIM (9) est mise à la masse à travers le trou traversant. 13. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9) formé sur une puce différente de celle du transistor (5); et une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée à une plage de connexion (14) par un fil de connexion (10), la plage de connexion s'étendant à partir des électrodes de grille de la pluralité de cellules de transistor dans une direction perpendiculaire à une direction grille drain. 14. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la re-vendication 2, caractérisé en ce que chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9) formé sur une puce différente de celle du transistor (5); et une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée à une plage de connexion (14) par un fil de connexion (10), la plage de connexion s'étendant à partir des électrodes de grille de la pluralité de cellules de transistor dans une direction perpendiculaire à une direction grille drain. 15. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que: chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9), un trou traversant (12), et une induc-tance en spirale (13) qui sont formés sur la même puce que le transistor (5), de façon à être disposés sur des régions adjacentes à des côtés du transistor parallèles à la direction grille - drain; une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor à travers l'inductance en spirale (13); et l'autre extrémité du condensateur MIM (9) est mise à la masse à travers le trou traversant (12). 16. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que: chaque circuit résonnant (4) comprend un condensateur MIM (9), un trou traversant (12), et une induc-tance en spirale (13) qui sont formés sur la même puce que le transistor (5), de façon à être disposés sur des régions adjacentes à des côtés du transistor parallèles à la direction grille - drain; une extrémité du condensateur MIM (9) est connectée à une électrode de grille de l'une correspondante de la pluralité de cellules de transistor à travers l'inductance en spirale (13); et l'autre extrémité du condensateur MIM (9) est mise à la masse à travers le trou traversant (12). 17. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend: un second circuit résonnant (16) espacé par rapport aux circuits résonnants d'une distance cor- respondant à une longueur électrique d'un quart de longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement du transistor (5). 18. Amplificateur de puissance de haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend: un second circuit résonnant (16) espacé par rapport aux circuits résonnants d'une distance cor- respondant à une longueur électrique d'un quart de longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement du transistor (5). 19. Amplificateur de puissance de haute fréquence, caractérisé en ce qu'il comprend: un transistor multi-doigt (5) incluant une pluralité de cellules de transistor (1) connectées électriquement en parallèle; un circuit d'adaptation du côté de sortie (3) connecté à des électrodes de drain de la pluralité de cellules de transistor (1); et des circuits résonnants, chacun d'eux étant connecté entre une électrode de drain de l'une respective de la pluralité de cellules de transistor (1) et le circuit d'adaptation du côté de sortie (3); et en ce que les circuits résonnants réson- nent à une fréquence de second harmonique de la fréquence de fonctionnement du transistor ou à une fréquence à l'intérieur d'une plage prédéterminée centrée sur la fréquence de second harmonique, de façon à agir comme un court-circuit ou à présenter une impédance notablement basse, vue par le côté d'électrode de grille.