Brevet FR2885701A1 — publié le 20061117

DISPOSITIF EMETTEUR ET RECEPTEUR OPTOELECTRONIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne le domaine des télécommunications, et plus particulièrement le domaine des composants situés aux interfaces optique/électrique des réseaux de télécommunication, tel qu'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, couramment appelé transceiver , et un procédé pour sa fabrication. Ce dispositif convient particulièrement à la transmission et à la réception de données dans un réseau optique de télécommunication. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La progression rapide des performances des modems et des systèmes de ligne d'abonné numérique (xDSL, pour x Digital Subscriber Line) montre bien qu'avant 2010, les technologies sur cuivre parviendront au maximum de leurs limites. Seule la technologie de réseau optique passif (PON pour Passive Optical Network) est en mesure de répondre à une vaste demande au prix le plus faible du marché. Dans ce type de réseau, des composants se situant aux interfaces optique/électrique jouent le rôle d'émetteur et de récepteur, et effectuent la conversion des signaux optiques en signaux électriques, et inversement. Ces dispositifs émetteur et récepteur sont appelés couramment transceivers . Dans les réseaux PON, deux types de transceivers sont actuellement déployés: les duplexeurs, qui sont typiquement composés d'un circuit optoélectronique connecté à une fibre optique par laquelle transitent des signaux optiques descendants, c'est-à-dire des signaux provenant d'un réseau vers le transceiver, et des signaux optiques ascendants, c'est-àdire des signaux émis par le transceiver vers le réseau. Les signaux optiques descendants ont généralement une longueur d'onde différente de celle des signaux optiques ascendants. Pour un duplexeur, ces signaux optiques descendants et ascendants transportent des données d'information et/ou de communication vocale. La figure 1A représente un exemple de duplexeur 1. Une fibre optique 2 a une première extrémité connectée au duplexeur 1 et une seconde extrémité connectée à un réseau PON 3. Sur la figure 1A, un signal optique descendant 2dl et un signal optique ascendant 2a, tous deux transportant des données d'information et/ou de communication vocale, sont acheminés par la fibre optique 2. - les triplexeurs, qui sont des dispositifs très analogues aux duplexeurs. Par rapport aux duplexeurs, ils gèrent en général une voie descendante supplémentaire affectée au transport d'information vidéo. La figure 1B représente un exemple de triplexeur 4. Une fibre optique 2 a une première extrémité connectée au triplexeur 4 et une seconde extrémité connectée à un réseau PON 3. Sur la figure 1B, la fibre optique 2 transmet un signal optique descendant 2dl de données d'information et/ou de communication vocale, un signal optique descendant 2d2 d'information vidéo et un signal optique ascendant 2a de données d'information et/ou de communication vocale. En transmission optique, le composant émetteur utilisé dans un transceiver est généralement de l'un des deux types suivants: Laser à émission par la tranche (ou EEL pour Edge Emitting Laser) ou Laser à émission par la surface à cavité verticale (ou VCSEL pour Vertical Cavity Surface Emitting Laser). La figure 2A représente un EEL 5 émettant un faisceau laser 6 par un côté 7. La figure 2B représente un VCSEL 8 qui émet un faisceau laser 6 par une surface 9. La figure 2C est une représentation détaillée du VCSEL 8. Le VCSEL 8 comporte une cavité laser 23 verticale. Un milieu actif 20, à base de matériaux semi-conducteurs à puits quantiques multiples se trouve dans cette cavité laser 23. Le milieu actif 20 est un arrangement périodique de couches de matériau semi-conducteur à grande largeur de bande interdite (par exemple de l'arséniure d'aluminium et de gallium GaAIAs ou de l'arséniure d'aluminium AIAs) et de couches de matériau semi- conducteur à petite largeur de bande interdite (par exemple de l'arséniure de gallium GaAs) . Sur la figure 2C, l'épaisseur du milieu actif 20 est très faible car il ne contient que quelques puits quantiques. Lorsqu'une couche mince de matériau semi-conducteur à petite largeur de bande interdite (typiquement de l'ordre de 10 nanomètres) est disposée entre deux couches de matériau à largeur de bande interdite plus grande, les électrons et les trous du matériau à faible largeur de bande interdite sont confinés dans des puits de potentiel à une direction. Le mouvement d'un électron dans un puits quantique, créé dans la bande de conduction (de hauteur AEc), est quantifié dans des états permis discrets d'énergie E1, E2, E3," De même, le mouvement d'un trou dans un puits quantique, créé dans la bande de valence (de hauteur AEv) est quantifiée en états permis discrets, d'énergie E1, EZ, E3,... Lorsque l'épaisseur du matériau à petite largeur de bande interdite varie, les états d'énergie pris par les porteurs varient également. La longueur d'onde d'émission des structures à puits quantiques multiples peut donc être ajustée par le choix de la nature et de l'épaisseur des couches de matériau semi- conducteur. La cavité laser 23 peut être pompée électriquement à l'aide d'électrodes rapportées de part et d'autre de la structure. Le VCSEL 8 comporte également un premier miroir de Bragg 21 et un second miroir de Bragg 22, entre lesquels est disposé le milieu actif 20. Ces deux miroirs de Bragg 21, 22 se composent de couches minces successives de matériaux semi-conducteurs. Les miroirs de Bragg 21, 22 peuvent être par exemple réalisés a base d'arséniure d'aluminium (AIAs) et d'arséniure de gallium (GaAs) . Chaque miroir 21, 22, monolithique, peut être réalisé, à une longueur d'onde 2, en employant un empilement de couches i et j, respectivement de matériau à haut et bas indices optiques nl, d'épaisseur correspondant à un déphasage environ égal à 2/4. Mais les miroirs peuvent également être réalisés à base de matériaux diélectriques tels que du dioxyde de silicium (SiO2), du dioxyde de titane (TiO2) ou encore du dioxyde d'hafnium (HfO2) . L'axe de propagation d'un faisceau laser 6, qui est également l'axe de la cavité laser 23, est sensiblement perpendiculaire au plan défini par les couches de semi-conducteur des miroirs de Bragg 21, 22 et du milieu actif 20. Le faisceau laser 6 est émis depuis une face avant 24 du VSCEL 8. Typiquement, un faisceau laser émis par un VCSEL classique est circulaire, de diamètre égal à environ 20 micromètres, présente une divergence d'environ 7 , et une largeur spectrale de quelques dixièmes de nanomètres (par exemple 0,3 nanomètres). Pour des gammes de longueurs d'onde autour de 1310 nanomètres ou de 1550 nanomètres, le VCSEL 8 émet de la lumière vers la face avant 24 mais également vers une face arrière 25, opposée à la face avant 24, car le substrat utilisé est généralement transparent à ces longueurs d'onde, et les miroirs de Bragg 21, 22 qui forment la cavité laser verticale 23 n'ont pas un taux de réflectivité de 100%. Typiquement, dans un VCSEL classique, le miroir de Bragg se trouvant du côté d'une face avant du VCSEL a un taux de réflectivité plus faible que le miroir se trouvant du côté d'une face arrière du VCSEL, afin de déterminer la direction d'émission. Pour le VCSEL 8 de la figure 2C, le taux de réflectivité pour le premier miroir de Bragg 21 se trouvant du côté de la face arrière 25 est d'environ 99,8% et d'environ 99% pour le second miroir de Bragg 22 se trouvant du côté de la face avant 24. Un VCSEL à base de AIGaAs peut émettre quelques milliwatts à une longueur d'onde comprise sensiblement entre 800 et 850 nanomètres, dans un faisceau à section circulaire de diamètre environ égal à 8 micromètres. Un VCSEL à base de InGaAs émet une puissance d'environ 50 milliwatts à environ 980 nanomètres, pour un faisceau circulaire de diamètre environ égal à 30 micromètres. Les puissances de ces deux exemples correspondent à des puissances d'émission en continu. Les diamètres des faisceaux émis par des VCSEL varient de quelques micromètres jusqu'à environ 150 micromètres. Enfin, la structure d'un VCSEL se prête aisément à la fabrication de réseaux de VCSEL à une ou deux dimensions. Le composant récepteur utilisé dans un transceiver est généralement un photodétecteur de type photodiode à base d'un matériau tel que l'arséniure de gallium (GaAs), l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) ou le phosphure d' Indium (InP). Les duplexeurs et les triplexeurs sont des multiplexeurs utilisant actuellement l'une des deux techniques de multiplexage suivantes: le multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice, ou le multiplexage en optique guidée planaire. Le multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice est la technique la plus basique. Un transceiver 10 utilisant cette technique de multiplexage est représenté sur la figure 3A. Il comporte un émetteur 11 laser de type EEL ou VCSEL, un photodétecteur 12 tel une photodiode et une lame séparatrice 13. La lame séparatrice 13 est utilisée pour transmettre un signal optique ascendant 2a de l'émetteur 11 vers la fibre optique 2 et pour transmettre un signal optique descendant 2dl provenant de la fibre optique 2 vers le photodétecteur 12. Des composants optiques passifs, non représentés sur la figure 3A, tels que des lentilles, sont généralement insérés à différents niveaux afin d'améliorer la mise en forme des signaux optiques 2a et 2dl. Un des avantages de ce type de multiplexage est le faible coût nécessaire à la réalisation d'un tel transceiver 10 car chaque élément unitaire de ce transceiver 10 est très simple. Un autre avantage du multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice 13 est le taux de couplage élevé entre l'émetteur 11 et la fibre optique 2, et entre le récepteur 12 et la fibre optique 2. Ces taux de couplage élevés sont obtenus grâce aux composants optiques passifs insérés dans le transceiver 10. Toutefois, cette solution a ses inconvénients. L'insertion des composants optiques passifs dans un transceiver à multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice est complexe. Il nécessite une étape délicate d'alignement de ces composants optiques passifs entre eux et avec les autres éléments du transceiver. Cet alignement est généralement effectué activement, c'est-à-dire en connectant électriquement le transceiver et en lui faisant émettre un faisceau laser, ce qui implique un traitement unitaire et séquentiel de chacun des transceivers lors de leur assemblage. De plus, l'augmentation du nombre de composants optiques dans le transceiver augmente la sensibilité aux désalignements subis lors du vieillissement du transceiver. Un autre inconvénient majeur de ce système est le fort encombrement. De part son principe, cette architecture de transceiver est particulièrement volumineuse étant données les grandes dimensions des composants unitaires utilisés, ces dimensions étant nécessaires pour leur manipulation. Un transceiver 14 utilisant le multiplexage en optique guidée planaire est représenté sur la figure 3B. Ce transceiver 14 comporte une plate- forme 15 issue d'une technologie optique guidée planaire. Cette plate- forme comporte des guides optiques 16 utilisés pour le multiplexage et le démultiplexage en longueur d'onde de signaux optiques. Elle comporte également une source laser 17 pour l'émission de signaux optiques ascendants, un photodétecteur 18 pour la réception des signaux optiques descendants, ainsi qu'un séparateur optique intégré 19. Cette plate-forme 15 pourrait également accueillir d'autres composants tels qu'une thermistance, un photodétecteur de surveillance ou encore un amplificateur de courant. Cette plate-forme 15 en technologie optique guidée peut être fabriquée suivant une des trois principales technologies actuelles de réalisation de guides optiques: - guide optique sur verre par la technique d'échange d'ions. Cette technique permet la génération de guides optiques enterrés par échange d'ions. Un substrat de verre comprenant des ions sodium, par exemple du silicate ou du borosilicate, est plongé dans un premier temps dans un bain de sels d'argent en fusion afin de faire pénétrer les ions argent dans le substrat, générant ainsi un coeur de guide en surface. Dans un second temps, le substrat subit un recuit assisté d'un champ électrique afin de faire migrer le coeur du guide en profondeur par rapport à la surface du substrat et former la géométrie de la section du coeur du guide, généralement circulaire. - guide optique en silice dopée sur silicium réalisé en surface. Cette technique permet la génération de guides optiques par une suite de dépôts et de micro-structurations. Dans un premier temps, le coeur du guide de section carrée est réalisé à la surface d'un substrat en silicium recouvert d'une couche de silice jouant le rôle de gaine optique. Dans un second temps, le coeur du guide ainsi réalisé est recouvert d'une couche de silice afin d'obtenir une gaine d'indice de réfraction adapté autour du guide. Le coeur du guide est réalisé par les techniques de photolithographie et de gravure issues de la microélectronique dans un matériau de type silice dopée phosphore, bore ou germanium. - guide optique sur silice sur silicium généré par implantation ionique locale. Cette technique permet la génération de guides optiques enterrés dans une couche de silice en surface d'un substrat en silicium. Les coeurs des guides sont obtenus par implantation d'ions de titane. Le contrôle de l'énergie d'implantation permet de contrôler la profondeur d'implantation et ainsi la géométrie du guide. Par rapport au multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice, le multiplexage en optique guidée planaire permet d'intégrer d'avantage de fonctions électroniques dans le transceiver 14, comme par exemple un amplificateur de courant ou une thermistance, et de minimiser les étapes d'alignement, étant donné que la fonction de séparation est intégrée à la plate-forme 15 en optique guidée planaire. En revanche, cette solution présente plusieurs inconvénients techniques. - les émetteurs laser utilisés sur ce type de plate-forme sont généralement des EEL qui présentent une géométrie bien adaptée à cette technologie planaire grâce à leur émission laser par la tranche. En revanche, la forme elliptique du faisceau émis par ce type de source est en général particulièrement inadaptée à un couplage élevé dans les guides optiques. Les solutions envisagées, telle que l'adaptation de mode au niveau du guide ou par l'intermédiaire de l'utilisation d'un système optique de couplage, complexifient l'architecture et rendent délicate l'étape d'alignement en augmentant la sensibilité du système aux erreurs de positionnement. - la petite taille du mode dans les guides optiques (diamètre de quelques microns environ) par rapport à celui de la fibre optique (diamètre compris entre environ 10 microns et quelques dizaines de microns) nécessite l'utilisation d'un système optique de couplage fibre/guide qui complexifie là encore l'architecture et rend délicate l'étape d'alignement en augmentant la sensibilité du système aux erreurs de positionnement. Afin de résoudre ces problèmes de couplage, la demande de brevet US 2003/0098511 propose un circuit optique hybridé sur une plate-forme percée, réalisant un système de couplage passif circuit optique/fibre optique, et remplaçant ainsi l'utilisation d'un système optique de couplage tel qu'un dispositif de multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice ou en optique guidée planaire. On entend par hybridé , ici et dans tout le reste de ce document, une connexion à la fois mécanique et électrique. Typiquement, si ce circuit optique est un émetteur, cet émetteur pourra être un VCSEL car la géométrie du faisceau émis par un VCSEL est naturellement plus facile à coupler dans une fibre optique. En effet, la géométrie du faisceau émis par un VCSEL est circulaire et symétrique, et non pas rectangulaire, et ne présente pas d'astigmatisme et d'ellipticité comme les diodes lasers. La figure 3C représente une architecture d'un système 26 de couplage passif circuit optique/fibre optique tel que décrit dans la demande de brevet citée auparavant. Ce système 26 comporte un circuit optique, ici un VCSEL 8, émettant un faisceau laser 6, une fibre optique 2, ainsi qu'une plate-forme percée 27. Cette architecture utilise notamment la précision des méthodes d'usinage de la microélectronique pour la plate-forme 27, qui peut être en silicium et réalisée par exemple par photolithographie ou par gravure sèche profonde, et la précision de positionnement du VCSEL 8 hybridé par la technologie de connexion sur puce retournée, dite de flip-chip , avec des microbilles 28 d'un matériau fusible. Typiquement, un tel système permet une précision latérale de centrage du VCSEL 8 par rapport au coeur de la fibre optique 2 inférieure à environ un ou deux micromètres. Il est donc intéressant d'utiliser un VCSEL dans cette configuration pour un transceiver afin de bénéficier des fonctionnalités électroniques supplémentaires permises par la plate-forme, ainsi que de réaliser un couplage passif du VCSEL avec la fibre optique. Toutefois, ce type d'architecture qui est efficace pour le couplage VCSEL/fibre, peut compliquer la réalisation de la fonction couplage fibre/photodétecteur qui doit être réalisée sur un dispositif séparé. En effet, des solutions traditionnelles mettant en oeuvre un système optique de prélèvement du faisceau laser émis par le VCSEL 8, entre le VCSEL 8 et la fibre optique 2 avec par exemple une lame de prélèvement, n'est pas envisageable compte tenu du faible volume disponible. Cette solution oblige donc à avoir un dispositif émetteur et un dispositif récepteur indépendants l'un de l'autre, utilisant chacun une fibre optique différente. La demande de brevet FR 2 807 168 décrit également un dispositif et un procédé d'alignement passif de fibres optiques et de composants optoélectroniques utilisant la technique de positionnement par microbilles. Mais cette solution présente les mêmes inconvénients que le dispositif proposé dans la demande de brevet US 2003/0098511. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de proposer un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique qui ne présente pas les inconvénients mentionnés ci-dessus, c'est-à-dire un dispositif émetteur et récepteur bénéficiant à la fois d'une plate-forme permettant d'accueillir des fonctions électroniques supplémentaires, dont les systèmes de couplage émetteur/fibre et fibre/photodétecteur sont performants et adaptés à un assemblage passif, et qui soit compact. Pour atteindre ces buts, la présente invention propose un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, destiné à coopérer avec un fibre optique, comportant: - une plate-forme percée, munie d'au moins un trou traversant dans lequel la fibre optique doit être introduite, et un premier élément optoélectronique solidaire de la plate-forme, disposé sensiblement en face du trou et destiné à émettre ou recevoir un premier faisceau laser à une première longueur d'onde devant être véhiculé par la fibre optique, et comportant au moins un second élément optoélectronique solidaire de la plate-forme et disposé sensiblement en face du trou, le premier élément optoélectronique étant disposé entre la plate-forme et le second élément optoélectronique, qui est destiné à recevoir ou émettre un second faisceau laser à une seconde longueur d'onde, différente de la première longueur d'onde, traversant le premier élément optoélectronique et devant être véhiculé par la fibre optique. Ainsi, au lieu de réaliser un dispositif de multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice encombrant et nécessitant un alignement complexe, ou un dispositif de multiplexage en optique guidée planaire dont le mise en oeuvre du couplage est complexe, ou enfin un circuit optique hybridé sur une plate-forme percée, réalisant un système de couplage passif d'un circuit optique avec une fibre optique mais nécessitant deux fibres optiques pour réaliser l'émission et la réception, on réalise un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique comportant deux éléments optoélectroniques superposés, réalisant ainsi le couplage émetteur/fibre et fibre/photodétecteur passivement sur une plate- forme qui permet d'intégrer des fonctions électroniques supplémentaires, le tout nécessitant un minimum d'espace. Il est préférable que le premier élément optoélectronique soit transparent ou quasi-transparent à la seconde longueur d'onde du second faisceau laser reçu ou émis par le second élément optoélectronique, afin que ce second faisceau laser arrive avec le moins de pertes de puissance dans le second élément optoélectronique ou la fibre optique. Le premier élément optoélectronique peut être un émetteur laser, tel un VCSEL. Le second élément optoélectronique peut être un photodétecteur, tel une photodiode. Dans une autre variante, le premier élément optoélectronique peut être un photodétecteur, tel une photodiode. Dans ce cas, le second élément optoélectronique peut être un émetteur laser, tel un VCSEL. Le VCSEL peut comporter une surface d'émission de faisceau laser orientée face au trou et une microlentille intégrée sur cette surface d'émission. 25 Le premier élément optoélectronique peut être hybridé sur la plate-forme. Dans ce cas, il est préférable que l'hybridation du premier élément optoélectronique sur la plate-forme soit réalisée avec une connexion par microbilles. Ces microbilles assurent le couplage passif du premier élément optoélectronique avec la fibre optique et aussi la fixation mécanique et un contact électrique et thermique entre ce premier élément et la plate-forme. Il est alors préférable que les microbilles associées au premier élément optoélectronique soient à base d'un matériau fusible. On peut alors envisager que le matériau fusible soit un alliage à base d'or et d'étain, d'étain et de plomb, ou un métal pur ou quasiment pur à base d'étain ou d'indium. Le second élément optoélectronique peut être hybridé sur la plate-forme. On peut envisager que le second élément optoélectronique soit solidaire de la plate-forme par l'intermédiaire du premier élément optoélectronique. Dans ce cas, le second élément optoélectronique peut être hybridé sur le premier élément optoélectronique. Il est préférable que l'hybridation du second élément optoélectronique soit réalisée avec une connexion par microbilles. Dans ce cas, il est préférable que les microbilles associées au second élément optoélectronique soient à base d'un matériau fusible. On peut alors envisager que le matériau fusible soit un alliage à base d'or et d'étain, d'étain et de plomb, ou un métal pur ou quasiment pur à base d'étain ou d'indium. Toutes les microbilles associées au second élément optoélectronique peuvent avoir sensiblement un même diamètre. Dans un autre cas, les microbilles associées au second élément optoélectronique, peuvent ne pas toutes avoir sensiblement un même diamètre. Un filtre peut être inséré entre le premier et le second élément optoélectronique. Ce filtre peut être disposé sur une face du second élément optoélectronique qui se trouve du côté du premier élément optoélectronique. La plate-forme peut être à base de silicium. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif émetteur et récepteur, destiné à coopérer avec une fibre optique, comportant les étapes suivantes: a) solidarisation d'un premier élément optoélectronique avec une plate-forme percée, munie d'au moins un trou traversant dans lequel la fibre optique doit être introduite, le premier élément optoélectronique étant disposé sensiblement en face du trou; b) solidarisation d'un second élément optoélectronique avec la plate-forme, le second élément optoélectronique comportant une face disposée sensiblement en face du trou; le premier élément optoélectronique étant disposé entre la plate-forme et le second élément optoélectronique. Le procédé, objet de la présente invention, 5 peut comporter avant l'étape a) une étape de perçage de la plate-forme, réalisant ainsi le trou. La solidarisation du premier élément optoélectronique avec la plate-forme peut être réalisée selon les étapes suivantes: - réalisation de microbilles à base d'un matériau fusible sur une face du premier élément optoélectronique, ladite face étant destinée à être en face de la fibre optique; hybridation du premier élément optoélectronique sur la plateforme par les microbilles. La solidarisation du second élément optoélectronique avec la plate-forme peut être réalisée selon les étapes suivantes: - réalisation de microbilles à base d'un matériau fusible sur la face du second élément optoélectronique, ladite face étant destinée à être du côté de la fibre optique; hybridation du second élément optoélectronique sur la plateforme ou sur le premier élément optoélectronique par les microbilles. On peut envisager que le procédé, objet de la présente invention, comprenne une étape supplémentaire consistant à insérer, entre le premier élément optoélectronique et le second élément optoélectronique, un filtre. On peut également envisager que le procédé, objet de la présente invention, comprenne une étape supplémentaire consistant à disposer un filtre sur ladite face du second élément optoélectronique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: - la figure 1A, déjà décrite, est un exemple de duplexeur de la technique antérieure; - la figure 1B, déjà décrite, est un exemple de triplexeur de la technique antérieure; - la figure 2A, déjà décrite, est un exemple d'EEL de la technique antérieure; - la figure 2B, déjà décrite, est un exemple de VCSEL de la technique antérieure; - la figure 2C, déjà décrite, est un 20 exemple de VCSEL de la technique antérieure; - la figure 3A, déjà décrite, est un exemple de transceiver à multiplexage en faisceau libre avec lame séparatrice de la technique antérieure; - la figure 3B, déjà décrite, est un exemple de transceiver à multiplexage en optique guidée planaire de la technique antérieure; - la figure 3C, déjà décrite, est un exemple de dispositif de couplage passif circuit optique/fibre optique de la technique antérieure; - la figure 4 est un schéma d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation; la figure 5 est une coupe d'un VCSEL utilisé dans un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention; - la figure 6A représente une courbe de réflectivité d'un miroir de Bragg standard; - la figure 6B représente une courbe de réflectivité d'un miroir de Bragg modifié ; - la figure 7A est un schéma d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention, selon une variante du premier mode de réalisation; - la figure 7B est un schéma d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention, selon une autre variante du premier mode de réalisation; - la figure 8 est un schéma d'un dispositif émetteur et récepteuroptoélectronique, objet de la présente invention, selon un second mode de réalisation; - la figure 9 est un schéma d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention, selon un troisième mode de réalisation; - la figure 10 est un schéma d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention, selon un quatrième mode de réalisation; - les figures 11a à 11k représentent les étapes de réalisation de microbilles sur un élément optoélectronique, réalisées durant un procédé de réalisation d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention; - la figure 12 représente les étapes d'une hybridation d'un élément optoélectronique sur une plate-forme, réalisées durant un procédé de réalisation d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique, objet de la présente invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère à la figure 4 qui montre une coupe d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique 100, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation. Ce dispositif 100 comporte une plate-forme 101. Dans cet exemple de réalisation, la plate-forme 101 est réalisée à base de silicium. La plate-forme 101 est percée et est munie d'au moins un trou 102 traversant. Sur la figure 4, ce trou 102 a une section sensiblement constante le long d'une épaisseur de la plate-forme. En effet, dans ce premier exemple de réalisation, le trou 102 a une forme sensiblement cylindrique, mais il pourrait avoir une forme différente. Le dispositif 100 comporte également un premier élément optoélectronique 103, solidaire de la plate-forme 101 et disposé sensiblement en face du trou 102. Sur la figure 4, ce premier élément optoélectronique 103 est centré au-dessus du trou 102. Dans ce premier mode de réalisation, le premier élément optoélectronique 103 est hybridé sur la plate-forme 101, c'est-à-dire qu'il est fixé à la fois mécaniquement et électriquement sur la plate-forme 101. Dans cet exemple de réalisation, l'hybridation du premier élément optoélectronique 103 est réalisée avec une connexion par microbilles 104. Ces microbilles 104 sont en un matériau fusible. Outre leur rôle de connexion mécanique et électrique, elles ont également un rôle thermique car elles permettent de dissiper la chaleur due au fonctionnement du premier élément optoélectronique 103. Plusieurs dizaines de microbilles 104 sont utilisées pour réaliser l'hybridation. Ces microbilles 104 sont disposées sensiblement à la périphérie sur une face 114 du premier élément optoélectronique 103. Sur la figure 4, seules deux microbilles 104 sont visibles. Le matériau fusible peut par exemple être un alliage à base d'or et d'étain, un alliage à base d'étain et de plomb, ou un métal pur ou quasiment pur à base d'étain ou d'indium. Dans ce premier exemple de réalisation, elles ont toutes sensiblement un même diamètre. Ces microbilles 104 sont en contact avec le premier élément optoélectronique 103 et avec la plate-forme 101 à travers des contacts métalliques 130, 134, non représentés sur la figure 4 mais visibles sur la figure 12. Ce premier élément optoélectronique 103 émet ou reçoit un premier faisceau laser 105 à une première longueur d'onde suivant sa nature (émetteur ou récepteur). Sur l'exemple de réalisation de la figure 4, le premier élément optoélectronique 103 est un émetteur laser, par exemple un VCSEL 131, qui émet le premier faisceau laser 105, comme cela est illustré sur la figure 5. Ce VCSEL 131 peut comporter les mêmes types d'éléments que ceux composant le VCSEL 8 illustré sur la figure 2C, c'est- à-dire comportant une cavité laser 23, un milieu actif 20 disposé entre deux miroirs 21, 22, une face avant 24 et une face arrière 25. Le dispositif 100 est destiné à coopérer avec une fibre optique 2. Lors du fonctionnement du dispositif 100, la fibre optique 2 est introduite dans le trou 102 de la plate-forme 101, comme on peut le voir sur la figure 4. Le fibre optique 2 permet de véhiculer le premier faisceau laser 105 émis par le VCSEL 131. Selon la présente invention, le dispositif comporte également au moins un second élément optoélectronique 106. Ce second élément optoélectronique 106 est également solidaire de la plate-forme 101 et est également centré sensiblement au dessus du trou 102. Le second élément optoélectronique 106 est disposé au dessus du premier élément optoélectronique 103 de manière à ce que ce premier élément optoélectronique 103 soit placé entre la plate-forme 101 et le second élément optoélectronique 106. Etant donné que le premier élément optoélectronique 103 est l'élément émetteur du dispositif émetteur et récepteur 100, le second élément optoélectronique 106 est donc un élément récepteur du dispositif 100, élément nécessaire pour que le dispositif 100 soit à la fois émetteur et récepteur. Par exemple, sur la figure 4, le second élément optoélectronique 106 est un photodétecteur, tel qu'une photodiode 132. Sur la figure 4, la photodiode 132 reçoit un second faisceau laser 107 à une seconde longueur d'onde, différente de la première longueur d'onde du premier faisceau laser 105, véhiculé par la fibre optique 2, qui traverse le VCSEL 131 avant d'atteindre la photodiode 132. Dans cet exemple de réalisation, comme pour le premier élément optoélectronique 103, le second élément optoélectronique 106 est hybridé sur la plate-forme 101 avec une connexion par microbilles 108. Comme les microbilles 104 associées au premier élément optoélectronique 103, les microbilles 108 associées au second élément optoélectronique 106 sont réalisées à base d'un matériau fusible. Le matériau fusible de ces microbilles 108 peut être l'un de ceux énumérés plus haut dans la description pour le matériau fusible des microbilles 104. Dans cet exemple de réalisation, les microbilles 108 associées au second élément optoélectronique 106 ont également toutes sensiblement un même diamètre, ce qui permet aux deux éléments optoélectroniques 103, 106 d'être sensiblement parallèles l'un par rapport à l'autre, et sont en contact avec le second élément optoélectronique et avec la plate-forme 101 à travers des contacts électriques, non représentés sur la figure 4. Ces microbilles 108 associées au second élément optoélectronique 106 sont disposées sensiblement à la périphérie sur une face 113 du second élément optoélectronique 106. Ainsi hybridés, le premier élément optoélectronique 103 et le second élément optoélectronique 106 sont couplés passivement avec la fibre optique 2, l'alignement étant réalisé par la précision de positionnement des éléments optoélectroniques 103, 106 qu'offre les microbilles 104, 108. Le second faisceau laser 107 provenant de la fibre optique 2 doit tout d'abord traverser le VCSEL 131 avant d'arriver sur la photodiode 132. On a donc ici le VCSEL 131 qui est transparent ou quasi-transparent à la seconde longueur d'onde afin que le second faisceau laser 107 arrive avec assez de puissance dans la photodiode 132. Afin d'avoir un VCSEL 131 le plus transparent possible à la seconde longueur d'onde, donc de maximiser la transmission de ce second faisceau laser 107 à travers le VCSEL 131, deux paramètres du VCSEL 131 sont à prendre en considération: - la minimisation des surfaces des zones du VCSEL 131 qui sont absorbantes ou réflectives au second faisceau laser 107 reçu, telles que par exemple les contacts métalliques 130, 134 ou les miroirs 21, 22 de la cavité laser 23; - la maximisation de la transmission du VCSEL 131 à la seconde longueur d'onde. Ces deux paramètres doivent être envisagés 30 de manière individuelle ou combinée. En effet, la minimisation des surfaces des zones du VCSEL 131 qui sont absorbantes ou réflectives au second faisceau laser 107 reçu est relativement délicate à mettre en oeuvre car la géométrie de la cavité laser 23 du VCSEL 131 a une influence directe sur le premier faisceau laser 105 émis par le VCSEL 131. Par exemple, latéralement, une trop petite cavité laser 23 rendrait le premier faisceau laser 105 émis inadapté à un couplage passif efficace avec la fibre optique 2. La maximisation de la transmission du VCSEL 131 à la seconde longueur d'onde est plus aisée à mettre en oeuvre. Mais on cherche également à protéger la photodiode 132 des faisceaux laser parasites pouvant être émis par le VCSEL 131 par sa face arrière 25. Pour cela, on s'arrange pour que les miroirs 21, 22 de la cavité laser 23 soient hautement réflectifs à la première longueur d'onde et hautement transmissifs à la seconde longueur d'onde. Comme on l'a vu précédemment, les deux miroirs 21, 22 sont généralement des miroirs de Bragg. Chacun des miroirs 21, 22 est typiquement formé d'un empilement 29, 30, visible sur la figure 5, alterné de deux matériaux d'indices de réfraction différents, par exemple d'arséniure d'aluminium (AIAs) et d'arséniure de gallium (GaAs), et d'épaisseur correspondant à un déphasage d'environ 2/4 avec 2 une longueur d'onde d'émission du VCSEL 131, ici la première longueur d'onde. Donc, pour augmenter la réflectivité à la première longueur d'onde, on cherche à modifier légèrement la structure d'un ou des miroirs 21, 22 de Bragg du VCSEL 131 en augmentant le nombre de couches de matériaux différents d'un ou des empilements 29, 30. Cette modification permet d'obtenir un VCSEL 131 présentant une fenêtre de transmission à une longueur d'onde donnée, c'est-à-dire un VCSEL 131 transparent ou quasi- transparent à la seconde longueur d'onde mais hautement réflectif à la première longueur d'onde. Cette technique est déjà utilisée pour des VCSEL pompés optiquement. Par exemple, il existe des VCSEL possédant un miroir de Bragg hautement réflectif à une longueur d'onde d'environ 1300 nanomètres, longueur d'onde d'émission du VCSEL, et ayant une plage de transmission autour de 980 nanomètres, longueur d'onde d'un faisceau de pompe qui passe à travers le miroir et vient exciter les puits quantiques de la cavité laser du VCSEL. La figure 6A représente une courbe de réflectivité d'un miroir de Bragg généralement utilisé dans un VCSEL standard. On voit sur cette figure 6A que la courbe de réflectivité spectrale du miroir de Bragg est de type passe-bande centrée autour de la longueur d'onde de 1300 nanomètres, longueur d'onde d'émission de ce VCSEL standard. La figure 6B représente une courbe de réflectivité d'un miroir de Bragg modifié comme cela est expliqué ci-dessus. On voit sur cette courbe que la réflexion à environ 1300 nanomètres est respectée et qu'en plus, elle permet d'obtenir un gain appréciable de transmission à environ 1500 nanomètres, ce gain étant supérieur à environ 80 %. Ce miroir a été réalisé avec un empilement de 25 couches d'AlAs et de GaAs, les couches d'AlAs ayant une épaisseur de 55,84 nanomètres et les couches de GaAs ayant une épaisseur de 95,22 nanomètres sauf pour la couche de GaAs qui se trouve à une extrémité du miroir qui a une épaisseur de 47,61 nanomètres. Une deuxième solution pour obtenir la maximisation de la transmission du VCSEL 131 à la seconde longueur d'onde est de remplacer un ou les deux miroirs 21, 22 de Bragg par des miroirs dit dichroïques . Ces miroirs sont réalisés avec les mêmes techniques que les miroirs de Bragg mais l'épaisseur de chaque couche est optimisée de façon à obtenir globalement une réflectivité de type passe-haut ou passe-bas. Il est ainsi possible de maximiser la réflectivité du miroir à la première longueur d'onde et de minimiser sa réflectivité à une autre longueur d'onde. Cependant, ce type d'empilement est délicat à réaliser car chaque couche a une épaisseur différente et il est important de maîtriser parfaitement les vitesses de dépôt. Ce genre d'empilement est beaucoup moins tolérant aux petites erreurs d'épaisseur qu'un miroir de Bragg classique. Dans notre exemple de réalisation, le VCSEL 131 représenté en détail sur la figure 5 comporte le miroir 21, fabriqué avec 30 bicouches de GaAs et d' AIAs. Les couches de GaAs d'indice nGaAs = 3,413 ont une épaisseur de EGaAs = 95,22 nanomètres et les couches d' AlAs d'indice nAus= 2,9102 ont une épaisseur de EAIAs = 111,68 nanomètres. Le VCSEL 131 comporte la cavité laser 23 de longueur optique 2 et dont le milieu actif a une épaisseur Emlheuuetlf = 380,9 nanomètres pour une 30 cavité laser 23 à base de GaAs. Enfin, le VCSEL 131 comporte le miroir 22, fabriqué avec 25 bicouches de GaAs et d'AlAs identiques à celles du miroir 21. D'autres exemples de structures de laser semi-conducteur à cavité verticale sont donnés dans le document Surface emitting semiconductor laser et Arrays , de K. Iga et al., pages 87 à 117, Academic Press, San Diego, 1993. Un exemple d'une telle structure comporte un substrat d'InP dopé p, sur laquelle est formée une couche d' InAlAs dopé p d'épaisseur 0, 4 micromètres. Sur cette couche est réalisée la structure à puits quantiques multiples, faisant intervenir 10 alternances de couches d' InGaAs de 9 nanomètres d'épaisseur et d'InAIAs de 20 nanomètres d'épaisseur. Enfin l'ensemble est recouvert d'une couche d'InAIAs dopée n d'épaisseur 0,3 micromètres. Dans une variante, pour protéger la photodiode 132 des faisceaux laser parasites pouvant être émis par le VCSEL 131 par sa face arrière 25, un filtre 109 est inséré entre le premier 103 et le second élément 106 optoélectronique, c'est-à-dire dans cette variante du premier mode de réalisation, entre le VCSEL 131 et la photodiode 132, comme on peut le voir sur la figure 7A. Ce filtre 109 peut par exemple être réalisé de la même manière qu'un miroir de Bragg, comme expliqué précédemment. Le filtre 109 peut également être disposé sur la face 113 du second élément optoélectronique 106, cette face 113 se trouvant du côté du premier élément optoélectronique 103, comme on peut le voir sur la figure 7B. On cherche également à ce que la puissance réfléchie du second faisceau laser 107 vers le premier élément optoélectronique 103 soit la plus faible possible, afin de ne pas perturber celui-ci. Pour cela, un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique 100, objet de la présente invention, selon un second mode de réalisation, est représenté sur la figure 8. Ce dispositif 100 comporte, comme le dispositif 100 selon le premier mode de réalisation, une plate-forme 101 percée similaire à celle de la figure 4, un premier et un second éléments optoélectroniques 103, 106 qui sont, comme dans le premier mode de réalisation, respectivement un VCSEL 131 et une photodiode 132. Comme dans le premier mode de réalisation, le VCSEL 131 est hybridé sur la plate-forme 101 par des microbilles 104 à base d'un matériau fusible. La différence par rapport à la figure 4 est que la photodiode 132 est hybridée sur la plate-forme 101 par des microbilles 108 qui n'ont pas toutes sensiblement un même diamètre. Dans ce mode de réalisation, le diamètre de chacune des microbilles 108 est réalisé de manière à ce que les deux éléments optoélectroniques 103, 106 ne soient donc plus sensiblement parallèles l'un par rapport à l'autre. Ainsi, le second faisceau laser 107 issu de la fibre optique 2 n'arrive plus perpendiculairement sur la photodiode 132. Cette inclinaison réduit la réflexion spéculaire vers le VCSEL 131 car s'il y a réflexion, le second faisceau laser 107 se réfléchi à côté de la cavité laser 23 du VCSEL 131. Dans ce mode de réalisation, il est également possible d'insérer le filtre 109 entre le premier élément 103 et le second élément 106 ou sur la photodiode 132, comme sur les figures 7A et 7B. La technique de fixation d'un élément à un autre avec des microbilles de diamètre différent est présentée dans le brevet US 5 119 240. Un troisième mode de réalisation d'un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique 100 selon la présente invention est représenté sur la figure 9. Comme dans le premier mode de réalisation, le dispositif 100 comporte une plate-forme 101 percée, un premier élément 103, qui est un VCSEL 131 dans ce mode de réalisation, hybridé sur la plate-forme 101 par des microbilles 104, et un second élément 106, qui est donc ici une photodiode 132, hybridée sur la plate-forme 101 par des microbilles 108. La différence par rapport au premier mode de réalisation est que le VCSEL 131 est équipé d'une microlentille 110 intégrée sur sa surface d'émission 24. Cette microlentille 110 permet d'augmenter la distance entre le VCSEL 131 et une fibre optique 2. Cette plus grande distance entre le VCSEL 131 et la fibre optique 2 assure un meilleur couplage entre ces deux éléments. Par conséquent, le diamètre des microbilles 104 sur cette figure 9 doit être supérieur à celui des microbilles 104 de la figure 4 par exemple. La figure 10 représente un dispositif émetteur et récepteur optoélectronique 100, objet de la présente invention, selon un quatrième mode de réalisation. Ce dispositif 100 comporte une plate-forme percée 101 similaire à celle du premier mode de réalisation, un premier élément optoélectronique 103 qui est sur cette figure 10 une photodiode 132, ainsi qu'un second élément optoélectronique 106 qui est sur cette figure 10 un VCSEL 131. La photodiode 132 est hybridée sur la plate-forme 101 par des microbilles 104. Dans ce quatrième mode de réalisation, le second élément optoélectronique 106, c'est-à-dire le VCSEL 131, est solidaire de la plate-forme 101 par l'intermédiaire du premier élément optoélectronique 103. Pour cela, le VCSEL 131 est hybridé par des microbilles 108 sur la photodiode 132. Etant donné que c'est la photodiode 132 qui est disposée entre le VCSEL 131 et la fibre optique 2, la photodiode 132 doit être transparente à la première longueur d'onde du premier faisceau laser 105 émis par le VCSEL 131. On choisira pour cela des matériaux adaptés et on adaptera au besoin les courbes de transmission spectrale de miroirs, non représentés sur cette figure, réalisés sur la photodiode. Le fait d'avoir un émetteur, ici un VCSEL 131, en tant que second élément optoélectronique 106, et un photodétecteur, ici une photodiode 132, en tant que premier élément optoélectronique 103, n'est pas propre à ce quatrième mode de réalisation et peut s'appliquer pour tous les autres mode de réalisation de la présente invention. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif émetteur et récepteur 100, également objet de la présente invention, qui est destiné à coopérer avec une fibre optique 2. On cherche tout d'abord solidariser un premier élément optoélectronique 103, ici un VCSEL 131, avec une plate-forme 101 percée, munie d'au moins un trou 102 traversant. Ce trou 102 peut par exemple être réalisé durant une étape antérieure dans laquelle on perce la plate-forme 101 pour former le trou 102. La fibre optique 2 est introduite dans ce trou 102. Le VCSEL 131 utilisé est similaire à celui décrit sur la précédente figure 5. Les empilements 29,30 de couches de matériaux différents formant les miroirs de Bragg 21, 22, ainsi que le milieu actif 20, sont généralement réalisés par épitaxie en phase vapeur, par exemple à partir de composés organométalliques (dépôt chimique organométallique en phase vapeur MOCVD) ou épitaxie par jet moléculaire d'alliages semi-conducteurs, comme par exemple de l'arséniure d'aluminium (AIAs) ou de l'arséniure de gallium (GaAs) . Ces techniques permettent d'ajuster le dépôt et l'épaisseur de couches de matériau semi- conducteur avec une précision de l'ordre de la distance inter atomique. Les miroirs de Bragg 20 et 21 peuvent également être réalisés par des techniques moins coûteuses de dépôt en couches minces, comme par exemple par évaporation ou par pulvérisation, de matériaux diélectriques, par exemple de dioxyde de silicium (Si02), de dioxyde de titane (Ti02) ou encore de dioxyde d'hafnium (HfO2). D'une manière générale, l'espacement entre les miroirs d'un VCSEL est de l'ordre de 1 à 2 micromètres: il en résulte que les modes d'un tel laser sont bien séparés (intervalle spectral libre très grand). La solidarisation du VCSEL 131 avec la plate-forme 101 peut par exemple être réalisée par une hybridation du premier élément optoélectronique 103 sur la plate-forme 101. Pour cela, une connexion par microbilles 104 va être utilisée. Les microbilles 104 sont donc réalisées à base d'un matériau fusible sur une face 114 du premier élément optoélectronique 103, ladite face 114 étant destinée à être en face de la fibre optique 2 lorsque le premier élément optoélectronique 103 sera hybridé sur la plateforme 101. Les différentes étapes de fabrication des microbilles 104 sur le premier élément optoélectronique 103 sont illustrées sur les figures 11a à 11k. Sur ces figures 11a à 11k, seul un substrat 115 du premier élément 103 est représenté, et seule la fabrication de deux microbilles 104 est représentée. L'étape de la figure 11a consiste à déposer sur la face 114 une métallisation d'accrochage en un matériau mouillable 119 pour un matériau fusible qui composera les microbilles. Le matériau mouillable 119 peut être composé par exemple de trois couches minces 116, 117 et 118 respectivement de titane, de nickel et d'or. Sur la figure 11b, une couche de résine 120 est déposée et étalée sur le matériau mouillable 119. L'étape de la figure 11c est une insolation de la couche de résine 120 afin de ne laisser que des emplacements 121, 122 de résine correspondant à des futures plages d'accueil des microbilles. A l'étape de la figure 11d, le matériau mouillable 119 qui ne se trouve pas sous les emplacements 121, 122 est éliminé par gravure, formant des contacts métalliques 134. A l'étape de la figure 11e, les emplacements de résine 121, 122 sont éliminés par dissolution avec un solvant. A l'étape de la figure 11f, un fond métallique 123 est déposé sur les contacts métalliques 134 et sur les parties du substrat 115 qui sont découvertes à côté des contacts métalliques 134. Ce fond métallique 123 peut par exemple être réalisé par pulvérisation cathodique. La nature du matériau constituant le fond métallique 123 dépend du matériau fusible que l'on va utiliser pour les microbilles. Par exemple, si le matériau fusible utilisé pour les microbilles est un alliage composé à 60% d'étain et à 40% de plomb, le fond métallique 123 est également un alliage composé à 60% d'étain et à 40% de plomb. A l'étape de la figure 11g, de la résine 124 est déposée entre les contacts métalliques 134 afin de délimiter des zones 125, 126 dans lesquelles sera introduit le matériau fusible des microbilles. Un alliage fusible 127 est déposé dans les zones 125, 126 à l'étape de la figure 11h. Cet alliage fusible 127 peut par exemple être réalisé par croissance électrolytique ou par électrodéposition. A l'étape de la figure 11i, la résine 124 est éliminée par exemple par dissolution avec un solvant, créant ainsi des zones 128 dans lesquelles le fond métallique 123 est à nu. Le fond métallique 123 ainsi à nu dans les zones 128 est éliminé à l'étape de la figure 11j par exemple par gravure. Enfin, à l'étape de la figure 11k, le substrat 115 est chauffé pour atteindre une température supérieure ou égale à la température de fusion du matériau fusible 127. Lors de la phase liquide du matériau fusible 127, des tensions de surface vont provoquer la formation des microbilles 104. La forme et la taille des microbilles 104 dépendent de la quantité de matériau fusible 127 par rapport à la taille des contacts métalliques 134. Pour la réalisation de microbilles 104 de tailles différentes, non représentée sur les figures 11a à 11k, chaque contact métallique 134 est réalisé de manière à avoir des dimensions proportionnelles au diamètre de la microbille 104 qui sera en contact avec lui. De même, la quantité de matériau fusible 127 introduit dans chacune des zones 125, 126 est proportionnelle à la taille de microbilles 104 désirée. Le processus de fabrication des microbilles 108 sur le second élément optoélectronique 106 est similaire à ce qui a été présenté précédemment pour les microbilles 104. Une fois les microbilles 104 fabriquées, la solidarisation du premier élément optoélectronique 103 avec la plate-forme 101 peut être réalisée par hybridation du premier élément optoélectronique 103 sur la plateforme 101. L'hybridation d'un élément avec auto-alignement sur des microbilles de matériau fusible a été développée et est généralement utilisée pour le brasage de composants avec auto-alignement. Ce type d'hybridation utilise les forces de tension superficielle exercées par une goutte de matériau fusible en fusion sur la pièce à fixer. La figure 12 représente différentes étapes pour l'hybridation du premier élément 103 sur la plate-forme 101. L'hybridation du second élément 106 sur la plate-forme 101 ou sur le premier élément 103 serait similaire. L'étape a) consiste à pré-aligner le premier élément optoélectronique 103 sur des contacts métalliques 130 de la plate-forme 101. Ces contacts métalliques 130 définissent l'emplacement désiré du premier élément 103 sur la plate-forme 101. A l'étape b), les microbilles 104 sont chauffées, de manière à ce qu'elles mouillent les contacts métalliques 130. Enfin, à l'étape c), des forces de tension superficielle sont exercées par les microbilles 104 sur le premier élément 103. Etant donné que le matériau fusible en fusion des microbilles 104 tend à minimiser sa surface de contact avec l'environnement extérieur, cela entraîne un auto-alignement du premier élément 103 sur la plate-forme 101. Les précisions ainsi obtenues peuvent être submicroniques selon le nombre et la taille des microbilles 104. Ainsi, le premier élément optoélectronique 103 se retrouve hybridé avec précision en face du trou 102. On réalise alors ensuite l'hybridation du second élément optoélectronique 106 sur la plate-forme 101 ou directement sur le premier élément optoélectronique 103 de la même manière que l'on vient de l'expliquer pour le premier élément optoélectronique 103. Sur la figure 12, le second élément optoélectronique 106 est destiné à être hybridé directement sur la plate-forme 101 Le procédé, objet de la présente invention, peut comprendre une étape supplémentaire consistant à insérer entre le premier élément optoélectronique 103 et le second élément optoélectronique 106 un filtre 109, comme représenté sur la figure 7A, ou encore disposer le filtre 109 sur une face 113 du second élément optoélectronique 106, comme représenté sur la figure 7B, lorsque le premier élément optoélectronique 103 est un émetteur laser et que le second élément optoélectronique 106 est un photodétecteur, pour protéger le photodétecteur des faisceaux laser parasites pouvant être émis par le l'émetteur laser en direction du photodétecteur. Des généralités connues sur le flip chip, les techniques de rainure en V (plus connue sous le nom de V-Groove), trou en V (plus connu sous le nom de VHole) et l'alignement passif sont décrites dans le document Optoelectronic packaging de Micelson A.R., Willey series 1997, ainsi que dans le document Microsystèmes optoélectroniques de Viktorovitch P.,Lavoisier-Hermes 2003. Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100), destiné à coopérer avec une fibre optique (2), comportant: - une plate-forme percée (101), munie d'au moins un trou (102) traversant dans lequel la fibre optique (2) doit être introduite, et - un premier élément optoélectronique (103) solidaire de la plate-forme (101), disposé sensiblement en face du trou (102) et destiné à émettre ou recevoir un premier faisceau laser (105) à une première longueur d'onde devant être véhiculé par la fibre optique (2), caractérisé en ce qu'il comporte au moins un second élément optoélectronique (106) solidaire de la plate- forme (101) et disposé sensiblement en face du trou (102), le premier élément optoélectronique (103) étant disposé entre la plate-forme (101) et le second élément optoélectronique (106), qui est destiné à recevoir ou émettre un second faisceau laser (107) à une seconde longueur d'onde, différente de la première longueur d'onde, traversant le premier élément optoélectronique (103) et devant être véhiculé par la fibre optique (2). 2. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier élément optoélectronique (103) est transparent ou quasi- transparent à la seconde longueur d'onde du second faisceau laser (107) reçu ou émis par le second élément optoélectronique (106). 3. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier élément optoélectronique (103) est un émetteur laser, tel un VCSEL (131). 4. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le second élément optoélectronique (106) est un photodétecteur, tel une photodiode (132). 5. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le premier élément optoélectronique (103) est un photodétecteur, tel une photodiode (132). 6. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 5, caractérisé en ce que le second élément optoélectronique (106) est un émetteur laser, tel un VCSEL (131). 7. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 3 ou 6, caractérisé en ce que le VCSEL (131) comporte une surface d'émission (24) de faisceau laser orientée face au trou (102) et une microlentille (110) intégrée sur cette surface d'émission. 8. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier élément optoélectronique (103) est hybridé sur la plate-forme (101). 9. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'hybridation du premier élément optoélectronique (103) sur la plate-forme (101) est réalisée avec une connexion par microbilles (104). 10. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 9, caractérisé en ce que les microbilles (104) associées au premier élément optoélectronique (103) sont à base d'un matériau fusible. 11. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 10, caractérisé en ce que le matériau fusible est un alliage à base d'or et d'étain, d'étain et de plomb, ou un métal pur ou quasiment pur à base d'étain ou d'indium. 12. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le second élément optoélectronique (106) est hybridé sur la plate-forme (101) . 13. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le second élément optoélectronique (106) est solidaire de la plate-forme (101) par l'intermédiaire du premier élément optoélectronique (103). 14. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 13, caractérisé en ce que le second élément optoélectronique (106) est hybridé sur le premier élément optoélectronique (103). 15. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 12 ou 14, caractérisé en ce que l'hybridation du second élément optoélectronique (106) est réalisée avec une connexion par microbilles (108). 16. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 15, caractérisé en ce que les microbilles (108) associées au second élément optoélectronique (106) sont à base d'un matériau fusible. 17. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 16, caractérisé en ce que le matériau fusible est un alliage à base d'or et d'étain, d'étain et de plomb, ou un métal pur ou quasiment pur à base d'étain ou d'indium. 18. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, caractérisé en ce que toutes les microbilles (108) associées au second élément optoélectronique (106) ont sensiblement un même diamètre. 19. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, caractérisé en ce que les microbilles (108) associées au second élément optoélectronique (106) n'ont pas toutes sensiblement un même diamètre. 20. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un filtre (109) est inséré entre le premier (103) et le second élément optoélectronique (106). 21. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon la revendication 20, caractérisé en ce que le filtre (109) est disposé sur une face (113) du second élément optoélectronique (106) qui se trouve du côté du premier élément optoélectronique (103). 22. Dispositif émetteur et récepteur optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la plateforme (101) est à base de silicium. 23. Procédé de réalisation d'un dispositif émetteur et récepteur (100) destiné à coopérer avec une fibre optique (2), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes. a) solidarisation d'un premier élément optoélectronique (103) avec une plate-forme (101) percée, munie d'au moins un trou (102) traversant dans lequel la fibre optique (2) doit être introduite, le premier élément optoélectronique (103) étant disposé sensiblement en face du trou (102); b) solidarisation d'un second élément optoélectronique (106) avec la plate-forme (101), le second élément optoélectronique (106) comportant une face (113) disposée sensiblement en face du trou (102) ; le premier élément optoélectronique (103) étant disposé entre la plate-forme (101) et le second élément optoélectronique (106). 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il comporte avant l'étape a) une étape de perçage de la plate-forme (101), réalisant ainsi le trou (102). 25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 ou 24, caractérisé en ce que la solidarisation du premier élément optoélectronique (103) avec la plateforme (101) est réalisée selon les étapes suivantes. - réalisation de microbilles (104) à base d'un matériau fusible sur une face (114) du premier élément optoélectronique (103), ladite face (114) étant destinée à être en face de la fibre optique (2) ; hybridation du premier élément optoélectronique (103) sur la plate-forme (101) par les microbilles (104). 26. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 25, caractérisé en ce que la solidarisation du second élément optoélectronique (106) avec la plate-forme (101) est réalisée selon les étapes suivantes. - réalisation de microbilles (108) à base d'un matériau fusible sur la face (113) du second élément optoélectronique (106), ladite face (113) étant destinée à être du côté de la fibre optique (2); hybridation du second élément optoélectronique (106) sur la plate-forme (101) ou sur le premier élément optoélectronique (103) par les microbilles (108). 27. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 26, caractérisé en ce qu'il comprend une étape supplémentaire consistant à insérer entre le premier élément optoélectronique (103) et le second élément optoélectronique (106) un filtre (109). 28. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 26, caractérisé en ce qu'il comprend une étape supplémentaire consistant à disposer un filtre (109) sur la face (113) du second élément optoélectronique (106).