Brevet FR2892857A1 — publié le 20070504

AGENCEMENT POUR GROUPEMENTS DE DISPOSITIFS A L'ESSAI (DUT) UTILISES DANS LA MISE A L'ESSAI DE TRANCHE SEMI- CONDUCTRICE ARRIERE-PLAN Domaine La présente invention concerne de manière générale des groupements de dispositifs à l'essai (DUT), et plus particulièrement, un agencement pour groupements de dispositifs DUT dans la mise à l'essai de niveau de tranche semi-conductrice. Description de la technique apparentée Pour aider à évaluer et/ou commander un processus de fabrication de semi-conducteur, des dispositifs à circuit intégré sont fabriqués sur une tranche comme dispositifs d'essai. Ces dispositifs d'essai sont appelés dispositifs à l'essai (DUT). Habituellement, une tranche avec des dispositifs DUT formés sur celle-ci est positionnée à l'intérieur d'un équipement d'essai de tranche. L'équipement d'essai de tranche comporte un groupement de sondes qui établissent un contact électrique avec les plages de contact pour les dispositifs DUT sur la tranche. L'équipement d'essai de tranche accomplit ensuite un essai électrique des dispositifs DUT. Habituellement, chaque dispositif DUT sur une 25 tranche se voit attribuer une ou plusieurs plages de contact. Ainsi, afin d'essayer l'ensemble des dispositifs DUT sur la tranche, l'équipement d'essai de tranche doit soit avoir suffisamment de sondes pour établir un contact avec l'ensemble de plages de contact de l'ensemble des dispositifs DUT sur la tranche soit essayer des groupes de dispositifs DUT un par un. Ainsi, le nombre de dispositifs DUT sur une tranche peut être limité par le nombre de dispositifs DUT qui peuvent être mis à l'essai pendant une quantité de temps raisonnable au moyen de l'équipement d'essai de tranche. De nombreux groupements de dispositifs DUT sont aujourd'hui utilisés. Par exemple, un groupement de dispositifs à semi-conducteur oxyde-métal complémentaire (CMOS) destiné à déterminer la variabilité du courant d'attaque est décrit dans le document de Ohkawa, S., Aoki, M. Masuda, H., intitulé "Analysis and Characterization of Device Variations in an LSI Chip Using an Integrated Device Matrix Array", Proc. International Conference on Microelectronic test Structures (ICMTS), pages 70 à 75, 2003, qui est incorporé dans la présente description à titre de référence. Cependant, dans ce groupement, les dispositifs DUT sont mesurés l'un après l'autre, ce qui s'avère être lent. De même, des paramètres de dispositif comme la tension de seuil ne peuvent pas être mesurés en raison de la taille importante du groupement. Par ailleurs, cette approche ne peut pas être reportée dans un chemin de découpe. Un autre groupement de divers dispositifs DUT est décrit dans le document Leffers, R., Jakubiec, A., intitulé "An integrated Test Chip for the Complete Characterization and Monitoring of a 0.25 um CMOS Technology that fits into five scribe line structures 150um by 5000um", Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), pages 59 à 63, 2003, qui est incorporé dans la présente description à titre de référence. Cependant, ce groupement nécessite une carte de sonde personnalisée avec un amplificateur opérationnel connecté à certaines broches. De plus, toutes les mesures sont effectuées l'une après l'autre et des plages de contact de compression et de détection sont nécessaires à la fois pour la source et le drain. Un autre groupement de dispositifs CMOS est décrit dans le document de Quarantelli, M., Saxena, S., Dragone, N., Babcock, J. A., Hess, C., Minehane, S., Ninters, S., Chen, J., Karbasi, H., Guardiani, C., intitulé "Characterization and Modeling of MOSFET Mismatch of a Deep Submicron Technology", Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Monterey (Etats-Unis), 2003, qui est incorporé dans la présente description à titre de référence. Dans ce groupement, il existe des dispositifs de sélection sur le trajet du drain, ce qui accroît de manière significative la résistance de routage, et il y aura une chute de tension visible si de multiples dispositifs sont mesurés en parallèle pour faire l'économie d'un temps d'essai. Des limitations similaires existent pour le groupement de dispositifs CMOS décrit dans le document de Saxena, S., Minehane, S . , Cheng, J., Sengupta, M., Hess, C . , Quarantelli, M., Kramer, G. M., Redford, M., intitulé "Test Structures and Analysis Techniques for Estimation of the Impact of Layout on MOSFET Performance and Variability", Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Hyogo (Japon), 2004, qui est incorporé dans la présente desscription à titre de référence. De plus, ces groupements n'entrent pas dans un chemin de découpe, comme on pourrait le souhaiter. Un groupement de dispositifs bipolaires est décrit dans le document de Einfeld, J., Schaper, U., Kollmer, U., Nelle, P., Englisch, J., Stecher, M., intitulé "A New Test Circuit for the Matching Characterization of npn Bipolar Transistors", Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Hyogo (Japon), 2004, qui est incorporé dans la présente description à titre de référence. Dans ce groupement, . il existe des dispositifs de sélection pour l'ensemble des broches de dispositifs DUT (dans ce cas des broches de base, émettrices et collectrices) et des mesures sont exécutées l'une après l'autre, ce qui est un processus lent. Un autre groupement de dispositifs CMOS utilisé pour déterminer une variation de paramètre de dispositif est décrit dans le document Schaper, U., Einfeld, J., Sauerbrey, A., intitulé "Parameter Variation on Chip Level", Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), pages 155 à 158, 2005, qui est incorporé dans la présente description à titre de référence. Dans ce groupement, chaque transistor est désigné par son adresse par un décodeur et mesuré individuellement l'un après l'autre. De surcroît, il existe également des groupements à base de mémoire vive statique (SRAM), ou de mémoire morte (ROM) décrits dans le document de DeBord, J. R. D., Grice, T., Garcia, R., Yeric, G., Cohen, E., Sutandi, A., Garcia, J., Green, G., intitulé "Infrastructure for Successful BEOL Characterization and Yield Ramp at the 65 nm Node and Below, Proc. IITC 2005, qui est incorporé dans la présente description à titre de référence. Cependant, ces groupements ne sont pas utilisés pour extraire une variation des paramètres associés au dispositif comme un courant d'attaque ou une tension de seuil. RESUME Dans un mode de réalisation exemplaire, un agencement pour des dispositifs à l'essai formés sur une tranche semi-conductrice pour une mise à l'essai de tranche comprend un premier groupement de dispositifs à l'essai et un premier ensemble de plages de contact formé de manière adjacente par rapport au premier groupement. Le premier ensemble de plages de contact comprend une plage de contact de compression de grille, une plage de contact source, et une plage de contact drain. Chacun des dispositifs à l'essai dans le premier groupement est connecté à la plage de contact de grille du premier ensemble de plages de contact. Chacun des dispositifs à l'essai dans le premier groupement est connecté à la plage de contact source du premier ensemble de plages de contact. Chacun des dispositifs à l'essai dans le premier groupement est connecté à la plage de contact drain du premier ensemble de plages de contact. DESCRIPTION DES FIGURES On peut mieux comprendre la présente demande en se référant à la description suivante prise conjointement avec les dessins annexés sur lesquels des numéros de référence analogues se réfèrent à des parties analogues : la figure 1 représente un agencement exemplaire de dispositifs à l'essai conformément à un mode de réalisation exemplaire. la figure 2-A représente un autre agencement exemplaire de dispositifs à l'essai conformément à un 15 autre mode de réalisation exemplaire ; la figure 2-B représente une vue de profil en coupe transversale de la figure 2-A ; la figure 3 représente un schéma d'adressage et de groupage exemplaire pour un groupement de dispositifs à 20 l'essai ; la figure 4 représente une structure centrale exemplaire pour un dispositif à l'essai ; les figures 5-A et 5B représentent les connexions de routage exemplaires pour un dispositif à l'essai ; 25 la figure 6 représente des structures de routage en arborescence exemplaires pour des dispositifs à l'essai ; la figure 7 représente des rangées de dispositifs à l'essai connectés à des structures de routage en 30 arborescence ; la figure 8 représente un cadre de plage de contact exemplaire conformément à un mode de réalisation exemplaire ; la figure 9 représente une portion du cadre de 5 plage de contact représenté sur la figure 8 ; la figure 10 représente une coupe transversale de la figure 9 ; et la figure 11 représente une mise en correspondance de plage de contact exemplaire d'un cadre de plage de 10 contact. DESCRIPTION DETAILLEE Des dispositifs et/ou structures peuvent être ici décrits au moyen de directions et d'orientations 15 absolues et/ou relatives. On comprendra que ces directions et orientations sont seulement exemplaires et destinées à soutenir une description concise, mais en aucune façon ne limitent la façon dont les dispositifs et/ou structures peuvent être disposés ou 20 formés. En se référant à la figure 1, dans un mode exemplaire, un agencement exemplaire 100 de dispositifs à l'essai (DUT) est fabriqué dans une zone sur une tranche semi-conductrice. Dans le présent mode de 25 réalisation exemplaire, l'agencement 100 comporte un groupement 102 de dispositifs DUT agencés en rangées et en colonnes. Bien que la figure 1 représente 32 dispositifs DUT agencés en quatre rangées et huit colonnes, on admettra que le groupement 102 de 30 dispositifs DUT peut comprendre tout nombre quelconque de dispositifs DUT agencés en tout nombre quelconque de • 2892857 8 rangées et de colonnes, y compris une seule rangée ou colonne. L'agencement 100 comprend également un ensemble 104 de plages de contact formé de façon adjacente par rapport au groupement 102, de dispositifs DUT. En particulier, dans le présent mode de réalisation exemplaire, l'ensemble 104 de plages de contact comprend une plage 106 de contact de détection de grille, une plage 108 de contact de compression de grille, une plage 110 de contact source, et une plage 112 de contact drain. Chaque dispositif DUT dans le groupement 102 de DUT est connecté à une plage 106 de contact de détection de grille, une plage 108 de contact de compression de grille, une plage 110 de contact source, et une plage 112 de contact drain de l'ensemble 104 de plages de contact. Tel que cela est décrit plus en détail ci-dessous, l'agencement 100 peut être formé sans plage 106 de contact de détection de grille. Ainsi, l'ensemble 104 de plages de contact peut ne comprendre qu'une plage de contact de compression 108 de grille, une plage 110 de contact source, et une plage 112 de contact drain. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, l'ensemble 104 de plages de contact est formé de manière latéralement adjacente par rapport au groupement 102 de dispositifs DUT. L'agencement 100 peut être formé dans une zone sur une tranche au moyen d'un processus à écoulement bref de fin de ligne frontale (FEOL) de deux couches métalliques. Cependant, on admettra que l'agencement 100 peut être formé au moyen de divers processus. Après que l'agencement 100 a été formé, chaque dispositif DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT est mis à l'essai électrique sur la tranche au moyen d'un équipement d'essai de tranche. En particulier, dans le présent mode de réalisation exemplaire, des sondes sur l'équipement d'essai de tranche viennent en contact avec la plage 106 de contact de détection de grille, la plage 108 de contact de compression de grille, la plage 110 de contact source, et la plage 112 de contact drain, puis mettent à l'essai individuellement en série chaque dispositif DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Tel que cela est noté ci-dessus, l'agencement 100 peut être formé sans plage 106 de contact de détection de grille, auquel cas des sondes sur l'équipement d'essai de tranche viennent en contact avec la plage 108 de contact de compression de grille, la plage 110 de contact source, et la plage 112 de contact drain, puis mettent à l'essai individuellement en série chaque dispositif DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT sont mis à l'essai l'un après l'autre. Cependant, on admettra que les dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT peuvent être mis à l'essai individuellement en série dans n'importe quel ordre souhaité quelconque. En se référant aux figures 2-A et 2-B, dans un autre mode de réalisation exemplaire, un agencement exemplaire 200 de dispositifs DUT est formé avec un ensemble 104 de plages de contact formé de manière adjacente par rapport à un groupement 102 de dispositifs DUT. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, l'agencement 200 comprend un groupement 104 de plages de contact verticalement formé de manière adjacente, au-dessus, du groupement 102 de dispositifs DUT. En particulier, tel que cela est représenté sur la figure 2-B, le groupement 102 de dispositifs DUT est formé en une couche sur une tranche. Le groupement 104 de plages de contact est formé en une autre couche sur la tranche empilée au-dessus de la couche sur laquelle le groupement 102 de dispositifs DUT a été formé. Tel que cela est également représenté sur la figure 2-B, un nombre quelconque de couches métalliques 202 peut être formé entre les couches sur lesquelles le groupement 102 de dispositifs DUT et le groupement 104 de plages de contact sont formés pour interconnecter les dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT et la plage 106 de contact de détection de grille, la plage 108 de contact de compression de grille, la plage 110 de contact source, et la plage 112 de contact drain dans le groupement 104 de plages de contact. Tel que cela est également représenté sur la figure 2-B, dans le présent mode de réalisation exemplaire, la plage 106 de contact de détection de grille, la plage 108 de contact de compression de grille, la plage 110 de contact source, et la plage 112 de contact drain comprennent des trous 204 qui s'alignent sur les dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Les trous 204 sont dimensionnés de façon à être plus grands que les dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT afin d'empêcher un recouvrement aléatoire des dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT, qui peut entraîner des erreurs de mise en correspondance et de mesure. On admettra qu'une couche métallique 202 peut également être routée pour empêcher un recouvrement aléatoire de dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT. La figure 3 représente un schéma d'adressage et de routage exemplaire pour le groupement 102 de dispositifs DUT. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, le groupement 102 de dispositifs DUT comprend 32 dispositifs DUT désignés l'un après l'autre par leur adresse depuis le coin inférieur gauche du groupement 102 de dispositifs DUT jusqu'au coin supérieur droit du groupement 102 de dispositifs DUT. Cependant, on admettra que divers schémas d'adressage peuvent être utilisés. Un décodeur 302 de rangées et un décodeur 304 de colonnes peuvent être utilisés pour désigner individuellement par leur adresse chaque dispositif DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, chaque dispositif DUT de groupement 102 de dispositifs DUT est mis à l'essai au moyen d'un décodeur 302 de rangées, un décodeur 304 de colonnes pour désigner individuellement par leur adresse chaque dispositif DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Par exemple, un décodeur 302 de rangées et un décodeur 304 de colonnes peuvent être utilisés pour désigner tout d'abord par son adresse le dispositif DUT (0) dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Le groupement 104 de plages de contact peut ensuite être utilisé pour mettre à l'essai le dispositif DUT (0). Le décodeur 302 de rangées et le décodeur 304 de colonnes peuvent ensuite être utilisés pour désigner par son adresse le dispositif DUT (1) dans le groupement 102 de dispositifs DUT. Le groupement 104 de plages de contact peut ensuite être utilisé pour mettre à l'essai le dispositif DUT (1). De cette manière, les dispositifs DUT (2) à (31) peuvent être individuellement désignés par leur adresse au moyen du décodeur 302 de rangées et du décodeur 304 de colonnes, puis mis à l'essai au moyen du groupement 104 de plages de contact. Bien que les dispositifs DUT dans le groupement 102 de dispositifs DUT soient désignés l'un après l'autre dans leur adresse et mis à l'essai dans cet exemple, on admettra que les dispositifs DUT peuvent être désignés par leur adresse et mis à l'essai dans n'importe quel ordre souhaité quelconque. La figure 4 représente un dispositif DUT individuel 402 connecté à la plage 110 de contact source, la plage 112 de contact drain, la plage 108 de contact de compression de grille, et la plage 106 de contact de détection de grille. Pour les besoins de l'exemple, le dispositif DUT 402 est représenté comme un transistor à semi-conducteur à oxyde de métal à canal N (NMOS). On admettra cependant que le dispositif DUT 402 peut être divers types de dispositifs. La figure 4 représente la source et le drain de dispositif DUT 402 connectés respectivement à la plage 110 de contact source et la plage 112 de contact drain par l'intermédiaire de structures à routage en arborescence, qui seront décrites plus en détail ci- dessous. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les sources de l'ensemble de dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT particulier sont connectées en parallèle à la plage 110 de contact source par l'intermédiaire d'une structure de routage en arborescence source, qui sera décrite plus en détail ci-dessous. De plus, les drains de l'ensemble des dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT particulier sont connectés en parallèle à la plage 112 de contact drain par l'intermédiaire d'une structure de routage en arborescence drain, qui sera décrite plus en détail ci-dessous. Ainsi, au cours d'une mise à l'essai électrique, les sondes en contact avec la plage 110 de contact source et la plage 112 de contact drain peuvent envoyer et recevoir des signaux à et de l'ensemble des dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT en même temps en parallèle. La figure 4 représente également la grille du dispositif DUT 402 connectée à la plage 108 de contact de compression de grille et la plage 106 de contact de détection de grille par l'intermédiaire d'un circuit de sélection 400. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les portes de l'ensemble des dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT particulier sont connectées à la plage 108 de contact de compression de grille et la plage 106 de contact de détection de grille par l'intermédiaire du circuit de sélection 400. Ainsi, au cours d'une mise à l'essai électrique, des sondes en contact avec la plage 108 de contact de compression de grille et la plage 106 de contact de détection de grille sont connectées à un dispositif DUT dans un groupement de dispositifs DUT en même temps par l'intermédiaire d'un circuit de sélection 400. Chaque dispositif DUT dans le groupement de dispositifs DUT est ensuite sélectionné pour être mis à l'essai. Tel que cela est noté ci-dessus, la plage 106 de contact de détection de grille peut être éliminée dans certaines applications, comme lorsque la fuite à la grille est négligeable. Pour mettre à l'essai chaque dispositif DUT dans un groupement de dispositifs DUT, un circuit de sélection 400 est utilisé pour sélectionner chaque dispositif DUT désigné par son adresse au moyen de signaux de sélection de rangées et de colonnes. Tel que cela est représenté sur la figure 4, le circuit de sélection 400 comprend une logique de sélection 406 qui reçoit un signal de sélection de rangées et un signal de sélection de colonnes. Ainsi, le circuit de sélection 400 connecte la grille d'un dispositif DUT particulier dans le groupement de dispositifs DUT à la plage 108 de contact de compression de grille et la plage 106 de contact de détection de grille pour mettre à l'essai le dispositif DUT particulier. Tel que cela est représenté sur la figure 4, la grille du dispositif DUT 402 est également connectée à un transistor de polarisation à la masse 404 qui maintient le dispositif DUT 402 hors tension lorsqu'il n'est pas sélectionné. On notera qu'en fonction de la polarité du dispositif DUT 402, un transistor de polarisation à l'alimentation peut être utilisé à la place. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, le circuit de sélection 400 comprend également un mode permettant de mettre hors tension tous les dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT afin de mesurer une condition hors tension des dispositifs DUT dans le groupement de dispositifs DUT. Pour appeler ce mode, un signal d'activation globale peut être connecté pour commander un décodeur de colonnes 304 (figure 3). Par exemple, lorsqu'une broche d'activation globale est reliée à la masse, on met hors tension tous les dispositifs DUT en forçant la sortie du décodeur de colonnes 304 (figure 3) à être égale à zéro. Une mesure du courant hors tension (Ioff) peut ensuite être obtenue pour les dispositifs DUT dans le groupement de dispositifs DUT. La figure 5-A représente une connexion de routage exemplaire pour un dispositif DUT 402. Tel que cela est représenté sur la figure 5-A, le dispositif DUT 402 est disposé à l'intérieur d'une cellule 502. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, une première structure de routage en forme de L 504 est disposée au niveau d'un premier coin de la cellule 502. Tel que cela est représenté sur la figure 5-A, la première structure de routage en forme de L 504 est connectée au drain du dispositif DUT 402. Une deuxième structure de routage en forme de L 506 est disposée au niveau d'un deuxième coin de la cellule 502. Tel que cela est représenté sur la figure 5-A, la deuxième structure de routage en forme de L 506 est connectée à la source du dispositif DUT 402. Une troisième structure de routage en forme de L 508 est disposée au niveau d'un troisième coin de la cellule 502. Tel que cela est représenté sur la figure 5-A, une troisième structure de routage en forme de L 508 est connectée à la grille du dispositif DUT 402. Une quatrième structure de routage en forme de L 510 est disposée au niveau d'un quatrième coin de la cellule 502. Tel que cela est représenté sur la figure 5, la quatrième structure de routage en forme de L 510 est connectée au puits du dispositif DUT 402. Tel que cela est représenté sur la figure 5B, le dispositif DUT 402 peut être mis en rotation de 90 tandis que les mêmes connexions de routage sont utilisées. La figure 6 représente une structure de routage en arborescence exemplaire destinée à connecter ensemble en parallèle les drains et les sources de multiples dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les drains de multiples dispositifs DUT sont connectés ensemble en parallèle au moyen d'une structure de routage en arborescence drain 602, et les sources de multiples dispositifs DUT sont connectées ensemble en parallèle au moyen d'une structure de routage en arborescence source 604. Tel que cela est représenté sur la figure 6, les drains de deux dispositifs DUT adjacents sont connectés ensemble en parallèle au moyen d'une branche de la structure de routage en arborescence drain 602. Par exemple, supposons que le drain du dispositif DUT 402(0) soit connecté à la structure de routage en forme de L 504(0) disposée à un coin de la cellule 502(0), et que le drain du dispositif DUT 402(1) soit connecté à la structure de routage en forme de L 504(1) disposée à un coin de la cellule 502(1). Tel que cela est représenté sur la figure 6, une branche 604(0) dans une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence drain 602 connecte ensemble en parallèle les drains du dispositif DUT 402(0) et du dispositif DUT 402(1). En particulier, la branche 604 (0) comprend un segment 606(0) connecté à la structure de routage en forme de L 504(0) et un segment 606(1) connecté à la structure de routage en forme de L 504(1). Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les segments 606(0) et 606(1) de la branche 604(0) sont électriquement équilibrés. Par exemple, les dimensions et les caractéristiques électriques des segments 606{0) et 606(1) peuvent être rendues identiques. D'une manière similaire, une autre branche 604(1) dans la première hiérarchie de la structure de routage en arborescence drain 602 connecte ensemble en parallèle les drains d'un dispositif DUT 402(2) et d'un dispositif DUT 402(3). Tel que cela est représenté sur la figure 6, une branche 608(0) dans la seconde hiérarchie de la structure de routage en arborescence drain 602 connecte ensemble en parallèle les branches 604(0) et 604(1) pour connecter ensemble en parallèle les drains des dispositifs DUT 402(0), 402(1), 402(2) et 402(3). En particulier, la branche 608(0) comprend un segment 610(0) connecté à la branche 604(0) et un segment 610(1) connecté à la branche 604(1). Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les segments 610(0) et 610(1) sont électriquement équilibrés. Par exemple, les dimensions et les caractéristiques électriques des éléments 610(0) et 610(1) peuvent être rendues identiques. De cette manière, les drains de tout nombre quelconque de dispositifs DUT peuvent être connectés ensemble en parallèle au moyen d'un nombre approprié de branches et de hiérarchies de la structure de routage en arborescence drain 602. Tel que cela est représenté sur la figure 6, les sources de deux dispositifs DUT adjacents sont connectées ensemble en parallèle au moyen d'une branche de la structure de routage en arborescence source 604. Par exemple, supposons que la source de dispositif DUT 402(0) soit connectée à la structure de routage en forme de L 506(0) disposée à un coin de la cellule 502(0), et la source du dispositif DUT 402(1) soit connectée à la structure de routage en forme de L 506(1) disposée à un coin de la cellule 502(1). Tel que cela est représenté sur la figure 6, une branche 612(0) dans une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence source 604 connecte ensemble en parallèle les sources du dispositif DUT 402(0) et du dispositif DUT 402(1). En particulier, la branche 612(0) comprend un segment 614(0) connecté à la structure de routage en forme de L 506(0) et un segment 614(1) connecté à la structure de routage en forme de L 506(1). Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les segments 614(0) et 614(1) de la branche 612(0) sont électriquement équilibrés. Par exemple, les dimensions et les caractéristiques électriques des segments 614(0) et 614(1) peuvent être rendues identiques. D'une manière similaire, une autre branche 612(1) dans la première hiérarchie de la structure de routage en arborescence source 604 connecte ensemble en parallèle les sources du dispositif DUT 402(2) et du dispositif DUT 402(3). Tel que cela est représenté sur la figure 6, une branche 616(0) dans la seconde hiérarchie de la structure de routage en arborescence source 604 connecte ensemble en parallèle les branches 612(0) et 612(1) pour connecter ensemble en parallèle les sources des dispositifs DUT 402(0), 402(1), 402(2) et 402(3). En particulier, la branche 616(0) comprend un segment 618(0) connecté à la branche 612(0) et un segment 618(1) connecté à labranche 612(1). Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les segments 618(0) et 618(1) sont électriquement équilibrés. Par exemple, les dimensions et les caractéristiques électriques des segments 618(0) et 618(1) peuvent être rendus identiques. De cette manière, les sources de tout nombre quelconque de dispositifs DUT peuvent être connectées ensemble en parallèle au moyen d'un nombre approprié de branches et de hiérarchies de la structure de routage en arborescence source 604. Ainsi, dans le présent mode de réalisation exemplaire, les drains de chaque dispositif DUT dans une rangée de dispositifs DUT d'un groupement de dispositifs DUT sont connectés ensemble en parallèle dans une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence drain 602. De manière similaire, les sources de chaque dispositif DUT dans une rangée de dispositifs DUT d'un groupement de dispositifs DUT sont connectées ensemble en parallèle dans une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence source 604. La figure 7 représente des rangées de dispositifs DUT empilés en un groupement de dispositifs DUT. Tel que cela est représenté sur la figure 7, les structures de routage en arborescence drain 602 de multiples rangées de dispositifs DUT sont connectées ensemble en parallèle dans une arborescence drain verticale 702 sur un côté. Les structures de routage en arborescence source 604 de multiples rangées du dispositif DUT sont connectées ensemble en parallèle dans une arborescence source verticale 704 sur un autre côté. Sur la figure 7, l'arborescence drain verticale 702 est représentée comme se trouvant sur le côté gauche, et l'arborescence source verticale 704 est représentée comme se trouvant sur le côté droit. Tel que cela est noté ci-dessus, on admettra que ces orientations sont relatives, et que l'emplacement de l'arborescence drain verticale 702 et de l'arborescence source verticale 704 peut être permutés. La figure 7 représente également des lignes de routage 706 qui passent verticalement entre les colonnes des dispositifs DUT dans un groupement de dispositifs DUT. Dans le présent mode de réalisation, les lignes de routage 706 peuvent transporter des signaux d'alimentation, de compression de grille, de détection de grille et de sélection. En se référant à la figure 8, dans un autre mode de réalisation exemplaire, un cadre 800 de plage de contact exemplaire ayant un ensemble 802 de plages de contact constitué de plages de contact pour une logique de commande disposées entre de multiples groupements de dispositifs DUT est fabriqué. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, le cadre 800 de plage de contact comprend un sur-ensemble 804 de cinq ensembles 104 de plages de contact pour cinq groupements 102 de dispositifs DUT disposés sur un côté de l'ensemble 802 de plages de contact, et un sur-ensemble 806 de cinq ensembles 104 de plages de contact pour cinq groupements de dispositifs DUT disposés sur un autre côté de l'ensemble 802 de plages de contact. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, les dispositifs DUT des groupements de dispositifs DUT qui correspondent aux sur-ensembles 804 et 806 sont différents types de dispositifs DUT représentant deux types d'expériences à accomplir. Par exemple, les dispositifs DUT des groupements de dispositifs DUT correspondant au sur-ensemble 804 sont des dispositifs DUT de type NMOS, tandis que les dispositifs DUT des groupements de dispositifs DUT correspondant au sur-ensemble 806 sont des dispositifs DUT de type à semi-conducteur à oxyde de métal à canal P (PMOS). On admettra que les sur-ensembles 804 et 806 peuvent correspondre à tout nombre quelconque de groupements 102 de dispositifs DUT avec tout nombre quelconque de différents types de dispositifs DUT. Tel que cela est représenté sur la figure 8, l'ensemble 802 de plages de contact et les sur-ensembles 804 et 806 peuvent être agencés de manière linéaire. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, le cadre 800 de plage de contact a une hauteur 808 d'approximativement 4 millimètres et une largeur 810 d'environ 60 microns. Cependant, on admettra que le cadre 800 de plage de contact peut avoir diverses dimensions. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, le cadre 800 de plage de contact est formé dans un chemin de découpe entre des dés de circuits intégrés sur une tranche. Le cadre 800 de plage de contact et les dés de circuits intégrés sont formés sur la tranche au moyen d'une ligne de fabrication de circuits intégrés. Après que le cadre 800 de plage de contact et les dés de circuits intégrés ont été formés sur la tranche, les dispositifs DUT dans les groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact dans le chemin de découpe sont mis à l'essai. Après que les dispositifs DUT ont été mis à l'essai, les dés de circuits intégrés sont coupés le long de chemins de découpe en puces de circuits intégrés. Les puces de circuits intégrés sont ensuite emballées. Cependant, on admettra que le cadre 800 de plage de contact peut être formé dans toute zone quelconque sur une tranche. La figure 9 représente une portion du cadre 800 de plage de contact plus en détail. En particulier, la figure 9 représente un ensemble 802 de plages de contact ayant huit plages de contact disposées entre un ensemble 104 de plages de contact sur un côté et un autre ensemble 104 de plages de contact sur un autre côté. Tel que cela est également représenté sur la figure 9, l'ensemble 104 de plages de contact comprend quatre plages de contact, chaque plage de contact ayant huit dispositifs DUT disposés sous la plage de contact. Ainsi, chaque ensemble 104 de plages de contact est disposé au-dessus de 32 dispositifs DUT. La figure 10 représente une portion du cadre 800 de plage de contact en coupe transversale. Tel que cela est représenté sur la figure 10, des plages de contact 1002 du cadre 800 de plage de contact sont formées au-dessus des groupements 102 de dispositifs DUT et de la logique de commande 1004. En particulier, tel que cela est représenté sur la figure 10, les groupements 102 de dispositifs DUT et la commande logique 1004 sont formés en une couche sur une tranche. Les plages de contact 1002 sont formées en une autre couche sur la tranche au-dessus de la couche sur laquelle les groupements 102 de dispositifs DUT et la commande logique 1004 ont été formés. Tel que cela est également représenté sur la figure 10, on peut former tout nombre quelconque de couches métalliques 202 entre. la couche sur laquelle le groupement 102 de dispositifs DUT et la commande logique 1004 sont formés et la couche sur laquelle les plages de contact 1002 sont formées pour interconnecter les dispositifs DUT dans des groupements 102 de dispositifs DUT, la commande logique 1004, et les plages de contact 1002. La figure 11 représente une mise en correspondance de plage de contact exemplaire pour le cadre 800 de plage de contact. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, le cadre 800 de plage de contact comprend 50 plages de contact. Tel que cela est représenté sur la figure 11, les plages de contact 22 à 29 sont mises en correspondance pour fournir des signaux d'alimentation et de commande aux groupements de dispositifs DUT dans le cadre 800 de plage de contact. Les plages de contact 18 à 21 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un premier groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 14 à 17 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un deuxième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 10 à 13 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un troisième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 6 à 9 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un quatrième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 2 à 5 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un cinquième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 30 à 33 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un sixième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 34 à 37 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un septième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 38 à 41 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un huitième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 42 à 45 correspondent à un ensemble de plages de contact pour un neuvième groupement de dispositifs DUT. Les plages de contact 46 à 49 correspondent à un dixième groupement de dispositifs DUT. Tel que cela est noté ci-dessus, dans le présent mode de réalisation exemplaire, les premier à cinquième groupements de dispositifs DUT (plages de contact 2 à 21 du cadre 800 de plage de contact) sont utilisés pour des dispositifs DUT NMOS, tandis que les sixième à dixième groupements de dispositifs DUT (plages de contact 30 à 49 du cadre 800 de plage de contact) sont utilisés pour des dispositifs DUT PMOS. En se référant à la figure 10, la logique de commande 1004 est configurée pour mettre individuellement en série à l'essai chaque dispositif DUT dans le groupement DUT. Dans le présent mode de réalisation exemplaire, la logique de commande 1004 est configurée pour mettre à l'essai en parallèle tous les groupements 102 de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact. Ainsi, dix dispositifs DUT (un dispositif DUT provenant de chacun des premier à dixième groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact) sont mis à l'essai au même moment en parallèle. De plus, dans le présent mode de réalisation exemplaire, les dispositifs DUT dans le même emplacement de groupement de chacun des premier à dixième groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact sont mis à l'essai au même moment. Par exemple, supposons que les dispositifs DUT dans chacun des premier à dixième groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact soient agencés et désignés dans leur adresse de la manière représentée sur la figure 3. Ainsi, dans le présent mode de réalisation exemplaire, en se référant à la figure 3, les dispositifs DUT (0) dans chacun des premier à dixième groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact (figure 10) sont mis à l'essai au même moment en parallèle. Après que les dispositifs DUT (0) ont été mis à l'essai, les dispositifs DUT (1) dans chacun des premier à dixième groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact (figure 10) sont ensuite mis à l'essai au même moment en parallèle. Tel que cela est noté ci-dessus, on admettra que les dispositifs DUT dans les groupements de dispositifs DUT du cadre 800 de plage de contact (figure 10) peuvent être mis à l'essai individuellement en série dans n'importe quel ordre souhaité quelconque. En se référent à nouveau à la figure 10, dans le présent mode de réalisation exemplaire, la plage de contact 1 et la plage de contact 50 du cadre 800 de plage de contact sont utilisées comme plages de contact d'étalonnage utilisées pour mesurer la résistance de la source et du drain. En particulier, en se référant à la figure 4, la résistance de la source peut être mesurée au niveau du point de mesure 408, et la résistance du drain peut être mesurée au niveau du point de mesure 410. En se référant à la figure 11, on admettra que les plages de contact 1 et la plage de contact 50 peuvent être laissées comme plages de contact non fonctionnelles. En se référant à la figure 10, dans le présent mode de réalisation exemplaire, la logique de commande 1004 peut comprendre une portion de circuit de sélection 400 (figure 4) pour sélectionner des dispositifs DUT individuels dans le groupement 102 de dispositifs DUT à mettre à l'essai. En particulier, la logique 1004 comprend la portion globale du circuit de sélection 400 (figure 4). En se référant à la figure 7, la portion locale du circuit de sélection 400 (figure 4) est disposée dans la logique globale 708 disposée de façon adjacente par rapport à chaque dispositif DUT. Bien que des modes de réalisation exemplaires aient été décrits, diverses modifications peuvent être apportées sans s'éloigner de l'esprit et/ou de la portée de la présente invention. Donc, la présente invention ne devra pas être considérée comme étant limitée aux formes spécifiques représentées sur les dessins et décrites ci-dessus. REVENDICATIONS 1. Agencement pour dispositifs à l'essai (DUT) formés sur une tranche semi-conductrice destinés à être utilisé dans un essai de tranche, l'agencement comprenant : un premier groupement de dispositifs DUT ; et un premier ensemble de plages de contact formé de manière adjacente par rapport au premier groupement, le premier ensemble de plages de contact comprenant une plage de contact de compression de grille, une plage de contact source, et une plage de contact drain dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact source du premier ensemble de plages de contact ; et dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact drain du premier ensemble de plages de contact ; et un circuit de sélection connecté à chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement et à la plage de contact de compression de grille, dans lequel le circuit de sélection est configuré pour connecter sélectivement chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement à la plage de contact de compression de grille. 2. Agencement selon la revendication 1, dans 30 lequel le premier groupement et le premier ensemble de plages de contact sont formés horizontalement demanière adjacente l'un par rapport à l'autre sur la tranche. 3. Agencement selon la revendication 1, dans lequel le premier groupement et le premier ensemble de plages de contact sont formés verticalement de manière adjacente l'un par rapport à l'autre sur la tranche. 4. Agencement selon la revendication 3, dans lequel le premier groupement est formé en une première couche sur la tranche, dans lequel le. premier ensemble de plages de contact est formé en une seconde couche, dans lequel la seconde couche est formée au-dessus de la première couche, et dans lequel le premier ensemble de plages de contact est formé au-dessus .du premier groupement. 5. Agencement selon la revendication 4, dans lequel chacune parmi la plage de contact de compression de grille, la plage de contact source et la plage de contact drain du premier ensemble de plages de contact comprend une pluralité de trous, dans lequel la pluralité de trous sont disposés au-dessus de chacun des dispositifs DUT dans chacun des premiers groupements, et dans lequel les trous sont plus grands que les dispositifs DUT. 6. Agencement selon la revendication 4, comprenant en outre : une ou plusieurs couches métalliques formées entre les première et seconde couches, dans lequel la ou lesplusieurs couches métalliques interconnectent les dispositifs dans le premier groupement et la plage de contact de compression de grille, la plage de contact source, et la plage de contact drain dans le premier ensemble de plages de contact. 7. Agencement selon la revendication 1, comprenant en outre ; un décodeur de rangées disposé de manière 10 adjacente par rapport aux rangees du premier groupement ; et un décodeur de colonnes disposé de manière adjacente par rapport aux colonnes du premier groupement, dans lequel des dispositifs DUT individuels 15 dans le premier groupement peuvent être désignés par leur adresse de manière indépendante au moyen du décodeur de rangées et du décodeur de colonnes. 8. Agencement selon la revendication 1, dans 20 lequel un dispositif DUT dans le premier groupement est formé à l'intérieur d'une cellule, dans lequel le dispositif DUT comprend un drain, une source, une grille, et un puits, et comprenant en outre : une première structure de routage en forme de L 25 disposée au niveau d'un premier coin de la cellule, dans lequel la première structure de routage en forme de L est connectée au drain ; une deuxième structure de routage en forme de L disposée au niveau d'un deuxième coin de la cellule, 30 dans lequel la deuxième structure de routage en forme de L est connectée à la source ; une troisième structure de routage en forme de L disposée au niveau d'un troisième coin de la cellule, dans lequel la troisième source de routage en forme de L est connectée à la grille ; et une quatrième structure de routage en forme L disposée au niveau d'un quatrième coin de la cellule, dans lequel la quatrième structure de routage en forme de L est connectée au puits. 9. Agencement selon la revendication 1, dans lequel chaque dispositif DUT dans le premier groupement comprend un drain et une source, et comprenant en outre : une structure de routage en arborescence drain connectée aux drains de chaque dispositif DUT dans le premier groupement, dans lequel la structure de routage en arborescence drain connecte les dispositifs DUT dans le premier groupement en parallèle à la plage de contact drain ; et une structure de routage en arborescence source connectée aux sources de chaque dispositif DUT dans le premier groupement, dans lequel la structure de routage en arborescence source connecte les dispositifs DUT dans le premier groupement en parallèle à la plage de contact source. 10. Agencement selon la revendication 9, dans lequel la structure de routage en arborescence drain comprend : une première branche au niveau d'une première hiérarchie de la structure de routage en arborescencedrain, dans lequel la première branche comprend un premier segment connecté aux drains d'un premier dispositif DUT et un second segment connecté aux drains d'un deuxième dispositif DUT, dans lequel le premier dispositif DUT est adjacent par rapport au deuxième dispositif DUT, et dans lequel les premier et second segments de la première branche sont électriquement équilibrés. 11. Agencement selon la revendication 10, dans lequel la structure de routage en arborescence drain comprend : une deuxième branche au niveau d'une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence drain dans lequel la deuxième branche comprend un premier segment connecté aux drains d'un troisième dispositif DUT et un second segment connecté au drain d'un quatrième dispositif DUT, dans lequel le troisième dispositif DUT est adjacent par rapport au quatrième dispositif DUT, et dans lequel les premier et second segments de la deuxième branche sont électriquement équilibrés. 12. Agencement selon la revendication 11, dans 25 lequel la structure de routage en arborescence drain comprend : une troisième branche au niveau d'une seconde hiérarchie de la structure de routage en arborescence drain, dans lequel la troisième branche comprend un 30 premier segment connecté à la première branche et un second segment connecté à la deuxième branche (604(1)),dans lequel la première branche est adjacente par rapport à la deuxième branche, et dans lequel les premier et second segments de la troisième branche sont électriquement équilibrés. 13. Agencement selon la revendication 12, dans lequel la structure de routage en arborescence source comprend : une première branche au niveau d'une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence source, dans lequel la première branche comprend un premier segment connecté à la source du premier dispositif DUT et un second segment connecté à la source du deuxième dispositif DUT, et dans lequel les premier et second segments de la première branche sont électriquement équilibrés ; une deuxième branche au niveau d'une première hiérarchie de la structure de routage en arborescence source, dans lequel la deuxième branche comprend un premier segment connecté à la source du troisième dispositif DUT et le second segment connecté à la source d'un quatrième dispositif DUT et dans lequel les premier et second segments de la deuxième branche sont électriquement équilibrés ; et une troisième branche au niveau d'une seconde hiérarchie de la structure de routage en arborescence source, dans lequel la troisième branche comprend un premier segment connecté à la première branche et un second segment connecté à la deuxième branche, dans lequel la première branche est adjacente par rapport à la deuxième branche, et dans lequel les premier etsecond segments de la troisième branche sont électriquement équilibrés. 14. Agencement selon la revendication 13, dans lequel les premier, deuxième, troisième, quatrième dispositifs DUT sont disposés dans une rangée du premier groupement. 15. Agencement selon la revendication 1, 10 comprenant en outre : un second groupement de dispositifs DUT ; un deuxième ensemble de plages de contact formé de manière adjacente par rapport au second groupement ; un ensemble de logiques de commande pour les 15 premier et second groupements formé entre les premier et second groupements ; et un troisième ensemble de plages de contact formé au-dessus de l'ensemble de logiques de commande et entre les premier et deuxième ensembles de plages de 20 contact. 16. Agencement selon la revendication 15, dans lequel les premier et second groupements sont mis à l'essai en parallèle. 25 17. Agencement selon la revendication 15, dans lequel les premier et second groupements, les premier et deuxième ensembles de plages de contact, l'ensemble de logiques de commande, et le troisième ensemble de 30 plages de contact sont formés le long d'un chemin de découpe sur la tranche. 18. Agencement pour dispositifs DUT formés sur une tranche semi-conductrice destiné à être utilisé dans un essai de tranche, l'agencement comprenant : un premier groupement de dispositifs DUT ; un premier ensemble de plages de contact formé de manière adjacente par rapport au premier groupement, le premier ensemble de plages de contact comprenant une plage de contact de compression de grille, une plage de contact source et une plage de contact drain, dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact source du premier ensemble de plages de contact, et dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact drain du premier ensemble de plages de contact ; un second groupement de dispositifs DUT ; un deuxième ensemble de plages de contact formé de manière adjacente par rapport au second groupement, le deuxième ensemble de plages de contact comprenant une plage de contact de compression de grille, une plage de contact source, et une plage de contact drain, dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le second groupement est connecté en parallèle à la plage de contact source du deuxième ensemble de plages de contact ; et dans lequel chacun des dispositifs DUT dans 30 le second groupement est connecté en parallèle à laplage de contact drain du deuxième ensemble de plages de contact ; un ensemble de logiques de commande connecté aux premier et second groupements, dans lequel l'ensemble de logiques de commande est configuré de façon à mettre à l'essai un dispositif DUT dans le premier groupement en parallèle avec un dispositif DUT dans le second groupement, mettre à l'essai individuellement en série tous les dispositifs DUT dans le premier groupement, et mettre à l'essai individuellement en série tous les dispositifs DUT dans le second groupement. 19. Agencement selon la revendication 18, dans lequel le premier ensemble de plages de contact est formé verticalement au-dessus du premier groupement, et dans lequel le deuxième ensemble de plages de contact est formé verticalement au-dessus du second groupement. 20. Agencement selon la revendication 19, dans lequel l'ensemble de logiques de commande est formé entre les premier et second groupements, et comprend en outre : un troisième ensemble de plages de contact formé verticalement au-dessus de l'ensemble de logiques de commande et entre les premier et deuxième ensembles de plages de contact. 21. Agencement selon la revendication 20, dans lequel les premier et second groupements, les premier 30 et deuxième ensembles de plages de contact, l'ensemble de logiques de commande et le troisième ensemble deplages de contact sont formés le long d'un chemin de découpe sur la tranche. 22. Procédé destiné à former un agencement pour des dispositifs DUT formés sur une tranche semi-conductrice destinés à être utilisé dans un essai de tranche, le premier comprenant les étapes consistant à: former un premier groupement de dispositifs DUT ; 10 et former un premier ensemble de plages de contact de manière adjacente par rapport au premier groupement, le premier ensemble de plages de contact comprenant une plage de contact de compression de grille, une plage de 15 contact source, et une plage de contact drain, dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact source du premier ensemble de plages de contact, et 20 dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact drain du premier ensemble de plages de contact ; et former un circuit de sélection connecté à chacun 25 des dispositifs DUT dans le premier groupement, et la plage de contact de compression de grille, dans lequel le circuit de sélection est configuré pour connecter sélectivement chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement à la plage de contact de compression 30 de grille. 23. Procédé selon la revendication 22, comprenant en outre les états consistant à : former un second groupement de dispositifs DUT ; former un deuxième ensemble de plages de contact de manière adjacente par rapport au second groupement ; former un ensemble de logiques de commande ; et former un troisième ensemble de plages de contact au-dessus de l'ensemble de logiques de commande. 24. Procédé selon la revendication 23, dans lequel le premier ensemble de plages de contact est formé verticalement au-dessus du premier groupement, dans lequel le deuxième ensemble de plages de contact est formé verticalement au-dessus du second groupement, dans lequel le troisième ensemble de plages de contact est formé verticalement au-dessus de l'ensemble de logiques de commande. 25. Procédé selon la revendication 24, dans lequel l'ensemble de logiques de commande entre les premier et second groupements et le troisième ensemble de plages de contact est formé entre les premier et deuxième ensembles de plages de contact, et dans lequel les premier et second groupements, les premier et deuxième ensembles de plages de contact, l'ensemble de logiques de commande, et le troisième ensemble de plages de contact sont formés le long d'un chemin de découpe sur la tranche. 26. Procédé selon la revendication 23, dans lequel l'ensemble de logiques de commande est configuréde façon à mettre à l'essai un dispositif DUT dans le premier groupement en parallèle avec un dispositif DUT dans le second groupement, mettre à l'essai individuellement en série tous les dispositifs DUT dans le premier groupement, et mettre à l'essai individuellement en série tous les dispositifs DUT dans le second groupement. 27. Procédé destiné à former un agencement pour des dispositifs DUT formés sur une tranche semi-conductrice destiné à être utilisé dans un essai de tranche, le procédé comprenant les étapes consistant à . former des dés de circuits intégrés sur une 15 tranche au moyen d'une ligne de fabrication de circuits intégrés ; former un premier groupement de dispositifs DUT dans un chemin de découpe sur la tranche au moyen de la ligne de fabrication de circuits intégrés ; et 20 former un premier ensemble de plages de contact de manière adjacente au premier groupement dans le chemin de découpe sur la tranche au moyen de la ligne de fabrication de circuits intégrés, le premier ensemble de plages de contact comprenant une plage de contact de 25 compression de grille, une plage de contact source et une plage de contact drain, dans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact source du premier ensemble de plages 30 de contact, etdans lequel chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement est connecté en parallèle à la plage de contact drain du premier ensemble de plages de contact ; former un circuit de sélection dans le chemin de découpe sur la tranche au moyen de la ligne de fabrication de circuits intégrés, dans lequel le circuit de sélection est connecté à chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement et la plage de contact de compression de grille, dans lequel le circuit de sélection est configuré de façon à connecter sélectivement chacun des dispositifs DUT dans le premier groupement à la plage de contact de compression de grille ; après avoir formé les dés de circuits intégrés, le premier groupement, le premier ensemble de plages de contact, et le circuit de sélection sur la tranche, mettre à l'essai individuellement en série tous les dispositifs DUT dans le groupement au moyen du circuit de sélection ; après avoir mis à l'essai tous les dispositifs DUT, découper les dés de circuits intégrés sur la tranche le long de chemins de découpe en puces de circuits intégrés ; et emballer les puces de circuits intégrés. 28. Procédé selon la revendication 27, comprenant en outre l'étape consistant à : traiter des données d'essai générées à partir de la mise à l'essai de tous les dispositifs DUT, dans lequel le traitement des données comprend l'étapeconsistant à évaluer ou commander un processus de fabrication de semi-conducteur.