Brevet FR2887872A1 — publié le 20070105

PROCEDE ET INSTALLATION POUR LE TRAITEMENT D' UN SUBSTRAT VERRIER CHAUD PAR UN PLASMA A PRESSION ATMOSPHERIQUE. La présente invention est relative à un procédé et une installation dans le domaine du traitement de surface d'un substrat verrier de grande taille, typiquement dont la plus grande dimension est supérieure à 1 m. D'une manière générale, ledit traitement vise à modifier la surface du verre et peut consister par exemple dans le dépôt d'une ou plusieurs couches minces successives de composés du type oxydes, métaux, nitrures ou carbures, voire des couches organiques ou hybrides, une gravure du verre ou de couche(s) déposée(s) à la surface du verre etc.. Elle s'adresse plus particulièrement à une installation industrielle et un procédé comprenant un dépôt de couches à une échelle industrielle sur des substrats verriers plats dont typiquement la plus grande dimension, le plus souvent perpendiculaire au sens de déplacement le long de l'installation, est supérieure à 1 m, de préférence à 1,5 m, voire à 2 m. De façon connue, le revêtement d'un substrat par une ou plusieurs 20 couches minces en phase vapeur d'un matériau déterminé peut être effectué selon plusieurs techniques différentes: Selon une première méthode de pyrolyse, les précurseurs des produits à déposer, apportés sous forme gaz, liquide ou solide sont décomposés sur le substrat chaud (T > 500 C). Dans le cas de précurseurs gazeux, on désigne la méthode sous le terme APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) ou plus généralement CVD thermique. Selon une seconde méthode, on utilise les procédés dits pulvérisation magnétron qui consistent à effectuer, dans un vide secondaire et sous champ magnétique, le dépôt par pulvérisation du matériau ou d'un précurseur du matériau à déposer. Un exemple de réalisation d'un tel dispositif est par exemple décrit dans le brevet US 6,214,183. Un troisième procédé, développé dans le domaine de la micro-électronique et souvent appelé PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) a été décrit. Selon ce procédé, à la place de l'utilisation d'une cible faite du matériau à déposer, des précurseurs du matériau à déposer sont injectés sous forme d'un gaz et décomposés dans la décharge électrique d'un plasma. Ce procédé est généralement effectué à des pressions de l'ordre de 10 mTorr à 500 mbar (1Torr = 133 Pa, 1 bar = 0,1 MPa). Le substrat est en général utilisé à température ambiante ou chauffé à des températures relativement basses (par exemple inférieures à 350 C) pour assurer les propriétés mécaniques et d'adhérence de la couche déposée. Cette technique peut être utilisée, du fait de la température modérée imposée au substrat, pour le revêtement de substrats sensibles à la température, par exemple constitués de polymères plastiques. Un procédé de cette nature est par exemple décrit dans la demande EP 0 149 408. Les procédés de pulvérisation magnétron et dans une moindre mesure 20 PECVD nécessitent une mise en oeuvre dans une installation sous vide et présente de ce fait une flexibilité très restreinte. Pour des installations de taille industrielle, permettant typiquement de traiter des substrats verriers dont la dimension perpendiculaire au sens de déplacement de la feuille de verre dans l'enceinte sous vide est typiquement supérieure à 1m, 1,5 m, voire 2 m, les inconvénients sont majeurs: - investissement lourd (bâti, nombreuses cathodes, un système d'alimentation par cathode), - restriction à une configuration donnée dans la succession des opérations réalisables sur le substrat, - rupture du vide lors de chaque opération de maintenance entraînant de longues et coûteuses opérations de pompage pour sa restauration. Il résulte des contraintes qui précèdent un manque de flexibilité prononcé de ces procédés. En particulier, ceux-ci ne peuvent être mis en oeuvre qu'en reprise du substrat et non directement sur une ligne de production du substrat verrier avec pour corollaire des problèmes spécifiques de manutention, de stockage, de vieillissement, de pollution du substrat etc. Très récemment, de nouveaux procédés et installations ont été décrits selon les principes de la PE-CVD mais à la pression atmosphérique, c'est à dire que le plasma est généré dans un gaz sensiblement à la pression atmosphérique. Ces procédés sont souvent désignés par l'appellation AP-PECVD (Atmospheric Pressure - Plasma Enhanced - Chemical Vapor Deposition). Pour des raisons de simplicité, on désignera, dans la suite de la description, par le terme AP ou plasma à pression atmosphérique de tels procédés ou technologies. Dans le cas d'un substrat verrier de grande taille tel que précédemment définie, l'application de la technologie AP n'est cependant pas connue. Les technologies AP peuvent être mis en oeuvre selon deux techniques différentes: Selon une première technique, par exemple décrite dans la demande EP 0 575 260, les espèces actives du plasma sont d'abord générées dans une enceinte via la décharge électrique puis sont soufflées à l'extérieur de l'enceinte et projetées avec le précurseur sur la surface du substrat à traiter. On parle généralement dans ce cas de plasma déporté. Selon une seconde technique, par exemple décrite dans le brevet FR 2 782 837, la surface du substrat est directement mise au contact avec le plasma créé par ionisation du gaz sous l effet de la décharge. On parle dans ce cas de plasma in situ . Selon cette technique, les décharges électriques mises en oeuvre à la pression atmosphérique peuvent être de deux natures: - décharges filamentaires, c'est à dire engendrées sous la forme de micro-canaux de courant typiquement d'une centaine de microns de diamètre, se développant de façon aléatoire dans l'espace et le temps entre les deux électrodes, - décharges homogènes, c'est à dire pour lesquelles il n'existe qu'un seul canal de décharge sur toute la surface des électrodes et dans lesquelles les espèces chimiques excitées sont régulièrement réparties sur la surface à traiter. Le brevet FR 2 782 837 décrit un procédé et dispositif dans lequel une décharge homogène est produite dans un plasma créé dans un gaz plasmagène, par exemple comprenant de l'azote. Les documents US 5 456 972 et EP 0 346 055 décrivent une décharge homogène à la pression atmosphérique dans lequel une décharge homogène est produite dans un plasma créé dans un gaz neutre tel que l'hélium. Toutes les technologies AP telles que citées dans la présente description ou connues de la technique peuvent être utilisées selon la présente invention. Le choix de l'une ou l'autre de ces technologies sera effectué notamment en fonction du but recherché et des avantages connus ou déduits par des essais de routine de chacune d'entre elles. Ainsi, certaines technologies AP seront préférées et/ou choisies par l'homme du métier dans un but particulier tandis que d'autres seront préférentiellement utilisées lorsque qu'une autre application sera recherchée. Des exemples de telles applications sont donnés dans les modes de réalisation non limitatifs de l'invention qui suivent. Des exemples de technologies AP entrant dans le cadre de l'invention, déportées ou in situ, à décharge filamentaire ou à décharge homogène, sont par exemple décrits dans les demandes de brevet ou brevet US 5,961, 772, WO 2002/073666, WO 2003/046970, US 2002/129902, US 2000/012281, US 6, 262,523, WO 99/20809, , US 6,118,218, US 6,441553, US 2002/0195950, , EP 1 340 838, EP 1 265 268, EP 0 809 275, , EP 0 575 260, WO 2004/028220, EP 1 403 902, EP 1 381 257, EP 1 383 359, EP 0 699 954, EP 0 821 273, EP 1 029 702, US 2003/232136, FR 2 782 837, FR 2 806 324, US 5, 529, 631, US 5 543 017, WO 0112350, US 5,414,324. Selon l'invention, on a maintenant découvert que l'incorporation ou de manière plus générale la combinaison, dans une ligne pour la synthèse ou la transformation d'un substrat verrier de grande taille (grande dimension supérieure à 1 m) dans laquelle le substrat verrier défile à chaud, d'un dispositif fonctionnant selon les principes d'un plasma à pression atmosphérique pouvait avoir des avantages substantiels. En particulier, une telle association permet de façon aisée et économique de traiter directement le substrat verrier à chaud sans avoir à travailler en reprise, est d'une mise en oeuvre aisée et entraîne au final un gain substantiel de productivité. Ces avantages ainsi que d'autres effets plus spécifiques des différents modes de réalisation de l'invention, seront décrits avec plus de précision dans la suite de la description. Plus précisément, la présente invention se rapporte à un procédé pour la fabrication d'un produit verrier dont la plus grande dimension est supérieure à 1 m, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins: - une étape de production ou de transformation, dans une première installation connue à cet effet, d'un substrat verrier dont la dimension perpendiculaire au sens de déplacement le long de l'installation est en générale supérieure à 1 m, de préférence à 1,5 m, voire à 2 m, le ledit substrat défilant le long de l'installation à une température comprise entre 50 et 750 C, de préférence entre 100 et 750 C, une étape de modification de la surface du substrat verrier par un dispositif à plasma atmosphérique, ladite étape de modification de surface étant mise en oeuvre sur le substrat 30 chaud avant, pendant ou après l'étape de synthèse ou de transformation. Ladite étape de production ou de transformation est par exemple comprise dans le groupe constitué par la fabrication de verre plat par exemple par le procédé float ou par laminage, les lignes de formage, les lignes de formage puis de trempe et les lignes de trempe seule, par exemple pour la réalisation de vitrages bombés tels que les vitrines, de pare-brise, de verres trempés architecturaux ou de sécurité. L'étape de modification de surface comprend par exemple la gravure du substrat verrier, le dépôt d'au moins une couche ou le traitement d'une 10 couche préalablement déposé, par exemple sous la forme - d'un posttraitement pour modifier la cristallinité, la conductivité, la densité, l'indice optique ou les propriétés de conductivité, d'adhésion, de durabilité chimique et/ou mécanique, photocatalytiques, voir pour doper la couche préalablement déposée ou - d'une gravure pour texturer, faire des motifs ou modifier l'épaisseur de la couche préalablement déposée. Selon un mode de réalisation possible de l'invention, l'étape de production consiste en la fabrication du verre plat selon le procédé float. Dans une première configuration, le substrat verrier est soumis au traitement plasma lors de l'étape de modification de sa surface au niveau du bain float. L'étape de modification de surface peut consister avantageusement en un dépôt sous atmosphère réductrice de matériaux non oxydes par exemples de nitrures, de métaux ou de carbures ou une nitruration de la surface du substrat verrier. L'étape de modification de surface peut également consister en un dépôt d'une couche non déposable par CVD thermique à une température inférieure à 750 C, par exemple de SiC, DLC, BN ou CNT. Le traitement peut comprendre en outre une étape de dépôt d'au moins une couche d'un matériau par CVD thermique avant ou après l'étape de modification de la surface du substrat verrier par le dispositif à plasma atmosphérique. Dans une seconde configuration, le substrat verrier est soumis au traitement plasma lors de l'étape de modification de sa surface en aval du bain float, dans le sens de déplacement du substrat verrier par exemple au niveau de l'étenderie, la température du substrat verrier étant comprise entre 50 C et 650 C environ. Selon cette configuration, typiquement si la température du substrat verrier est supérieure à 500 C, l'étape de modification de surface par plasma peut consister en un dépôt de matériaux minéraux compris par exemple dans le groupe constitué par les métaux, les oxydes, les nitrures, les carbures, les couches à base de carbone (DLC, CNT), les nanocomposites, une gravure ou un post-traitement d'une couche préalablement déposée par exemple par CVD. Si la température du substrat verrier est inférieure à 500 C, l'étape de modification de surface par plasma peut consister en un dépôt de couches minérales comprises par exemple dans le groupe constitué par les métaux, les oxydes, les nitrures les carbures, les couches à base de carbone (DLC, CNT), une gravure, un post-traitement, le dépôt de couches particulières telles que les couches hybrides ou organominérales, les couches nanocomposites comprenant des inclusions de nanoparticules dans des matrices dures, les couches poreuses, texturées, rugueuses et les couches organiques. Le traitement plasma peut également consister en un post-traitement d'une couche ou d'un empilement de couches minces obtenu préalablement par CVD thermique ou en un dépôt de protection de la surface du substrat verrier, par exemple par l'application d'une couche de protection sacrificielle ou non sacrificielle d'un matériau par exemple compris dans le groupe constitué par polymères solubles dans l'eau et/ou thermodégradables du type polyesters, alcools polyvinyliques, polyacrylamides, dérivés de l'amidon, de la cellulose, les polymères insolubles thermodégradables du type polyoléfines aliphatiques, polyvinyles, acrylates, les polymères fluorés hydrophobes et/ou oléophobes, non solubles dans l'eau et présentant une bonne stabilité thermique du type téflon, les couches à base de carbone (DLC: diamond like carbon), antirayures, hydrophobes et/ou oléophobes, les couches hybrides organo-minérales, c'est à dire associant un métal et une fonction organique incorporée dans la couche, par exemple une fonction hydrophobe, les couches minérales du type oxydes, nitrures en particulier nitrure de bore BN, carbures, métaux ou un mélange de ceux-ci tel que les oxynitrures, les oxycarbures, les oxydes mixtes. Alternativement, le traitement de la surface du substrat verrier par le dispositif à plasma atmosphérique peut consister en une gravure du verre ou des couches déposées à la surface du substrat verrier. L'invention se rapport également à une installation pour la mise en oeuvre du procédé précédemment décrit, ladite installation comprenant en combinaison: - des moyens de production ou de transformation du substrat verrier, - des moyens de défilement du substrat à une température comprise entre 50 et 750 C, - des moyens de traitement de la surface du substrat verrier par un plasma atmosphérique. Les moyens de traitement peuvent être placés en regard de la face supérieure du substrat verrier, en particulier en regard de la face dite atmosphère d'un substrat verrier obtenu par le procédé flaot. Selon une autre configuration, les moyens de traitement sont placés en regard de la face inférieure du substrat verrier, en particulier en regard de la face dite étain d'un substrat verrier obtenu par le procédé flaot. Selon les applications, le dispositif à plasma atmosphérique peut être du type plasma déporté ou du type plasma in situ. Dans le cas d'un plasma in situ, le dispositif à plasma atmosphérique est du type générant des décharges filamentaires ou du type générant des décharges homogènes dans ledit plasma. L'invention trouve particulièrement son application dans la fabrication de substrats verriers traités en surface par dépôt de couches minces leurs conférant au moins une fonction comprise dans le groupe constitué par le contrôle solaire, bas-émissifs, blindage électromagnétique, chauffant, hydrophile, hydrophobe, photocatalytique, la modification du niveau de réflexion dans le visible (anti-reflet ou miroir), l'incorporation d'un système actif (électrochrome, électroluminescente, photovoltaïque). Sans que l'invention y soit limitée, un exemple typique d'une ligne de production selon l'invention comprenant une ligne de fabrication de verre plat selon le procédé float, souvent appelée ligne float dans les métiers du verre va maintenant être décrite plus en détail. La figure 1 illustre de manière schématique et non limitative un exemple de combinaison entre une ligne float et un dispositif AP. La figure 2 illustre une installation in-situ , développée en laboratoire pour la mise en oeuvre des exemples 4 et 5 qui suivent et pour illustrer les avantages de la présente invention. La figure 3 illustre les résultats obtenus selon l'exemple 3. Le substrat verrier est produit en continu par l'installation float, constituée d'un four de fusion (non représenté ici) et du bain d'étain fondu 9. Le verre sort du bain float sous la forme d'un ruban continu 2. La source de plasma atmosphérique 6 peut être éventuellement positionnée dans un caisson 3 assurant une atmosphère contrôlée autour de la source. Ce caisson 3 peut être n'importe quel système connu de confinement d'atmosphère, par exemple il peut comprendre un système d'injection 4 et de sortie 5 d'un gaz inerte, par exemple N2, qui remplit l'intérieur dudit caisson et isole ainsi une source de plasma à pression atmosphérique 6 de l'air extérieur. La source, de technologie connue, comprend deux électrodes reliées à une alimentation électrique (non représentées sur la figure 1) une entrée 7 pour le gaz dans lequel est généré le plasma à la pression atmosphérique et une sortie 8 pour les effluents du traitement plasma. Sans que cela puisse être considéré comme limitatif, la source 6 représentée schématiquement sur la figure 1 ici est une source déportée. Une fente 11 pratiquée sur toute la longueur de la source et couvrant toute la largeur du substrat verrier 2 permet le passage d'un rideau de plasma 10 et le dépôt sur le substrat d'une couche, par exemple de silice ou de TiO2. Le substrat 2 ainsi traité est ensuite convoyé sur des rouleaux de façon classique jusqu'au poste de découpe (non représenté). Bien évidemment, la description de l'installation qui vient d'être effectuée en relation avec la figure 1 a uniquement pour but d'illustrer de manière schématique un possible mode de réalisation de l'invention. D'autres moyens, bien connus de l'homme du métier pour mettre en oeuvre la technologie plasma et/ou la technologie float n'ont pas été représentés dans cette description pour des raisons de clarté et de concision mais doivent cependant être considérés comme compris dans celle- ci. Selon d'autres exemples possibles de combinaison selon l'invention, l'installation pour la production ou la transformation du substrat verrier peut être comprise dans le groupe constitué par les lignes de formage, les lignes de formage puis de trempe, les lignes de trempe seule, par exemple pour la réalisation de vitrages bombés (vitrine), de pare- brise, de verres trempés architecturaux ou de sécurité. De manière plus générale la présente invention s'applique à tout procédé connu mettant en oeuvre des moyens de production ou de transformation du substrat verrier dans lequel celui est maintenu et défile à une température comprise entre 50 et 750 le long de l'installation permettant la mise en oeuvre du procédé. Dans le cas de l'association d'un dispositif à pression atmosphérique et d'une ligne float, deux modes de réalisation sont possibles selon l'invention, notamment en fonction des propriétés recherchées pour le produit verrier produit en sortie du procédé et/ou de l'installation. Selon une première configuration de l'installation ou du procédé selon l'invention, le substrat verrier est soumis au plasma dans l'enceinte du bain float. De manière générale, cette première configuration est selon l'invention mise 10 en oeuvre pour: - le dépôt de couches minérales du type oxydes, métaux, nitrures, semi-conducteurs ou d'un mélange de ceux-ci, de couches DLC (Diamond Like Carbon), CNT (carbone nanotubes), -la gravure du verre ou de couches déjà déposées, - la modification de couches préalablement déposées (recristallisation, texturation etc.) Le verre est dans le bain à l'état natif et se présente avec une planéité quasi parfaite. De plus, lors de cette étape, le substrat est, de façon connue, maintenu dans le procédé float sous une atmosphère réductrice favorable à des dépôts non oxydes, par exemple de nitrures, de métaux, de DLC (diamond like carbon) ou d'autres espèces. Le dépôt est avantageusement effectué à la température du verre dans le bain et on choisira astucieusement une position sur la ligne de float correspondant à une température du verre suffisamment rigide pour éviter la déformation du verre sous l'action des gaz de dépôt. Cette température est en général comprise entre 650 et 730 C. Un tel choix permet selon la présente invention d'envisager le dépôt de nouvelles couches non déposables par un procédé CVD thermique classique telles que des couches de SiC (carbure de silicium), DLC, CNT. Les températures exigées pour de tels dépôts se sont pas envisageables directement sur la ligne float par CVD classique car beaucoup trop élevées (de l'ordre ou supérieures à 1000 C). L'utilisation selon l'invention du plasma atmosphérique dans le bain permet ainsi de rendre compatible les températures de dépôt requises avec celles du substrat verrier dans le bain float, telles que précédemment décrites. Pour des raisons de mise en oeuvre évidentes, le plasma est selon ce mode du type déporté (soufflé). Avantageusement, l'atmosphère du bain, souvent majoritairement composé de N2 ou d'un mélange N2/H2, permet d'utiliser un système de confinement des gaz de dépôt du procédé plasma beaucoup moins contraignant que lorsque le traitement plasma est effectué en reprise, c'est à dire hors du float, en particulier pour les dépôts de couches non oxydes. En particulier, en cas d'infiltrations accidentelles de l'atmosphère extérieure à la buse d'injection desdits gaz, l'atmosphère neutre ou réductrice du bain permet d'éviter l'oxydation des couches déposées. Sans sortir de l'invention on peut également associer en sus un dépôt par CVD thermique classique, par exemple pour déposer une ou plusieurs couches de nature différente, avant ou après le traitement plasma. Dans ce dernier cas, le plasma atmosphérique est avantageusement utilisé selon l'invention pour effectuer des dépôts de couche(s) non accessible(s) par CVD thermique. Selon une autre réalisation possible, on peut également utiliser le dispositif PA pour de la gravure. Ladite gravure peut selon l'invention être effectuée directement sur le substrat verrier, dont la température permet d'améliorer la vitesse et la qualité de la gravure, ou sur une couche déposée en amont, par exemple par CVD thermique. Selon une autre réalisation possible, on peut effectuer une modification de surface du substrat verrier par le biais de la mise en oeuvre du dispositif PA et de l'atmosphère du bain, en particulier une nitruration de surface sous l'action de N2 ou de NH3. Pour toutes les réalisations qui précédent, le défilement du substrat 30 est avantageusement indépendant de l'incorporation du dispositif plasma atmosphérique et demeure sensiblement inchangé par rapport à celui habituellement pratiqué sur une ligne float, typiquement de l'ordre de 5 à 12 mètres/minute, en fonction de l'épaisseur de verre produite. Selon une deuxième configuration, le substrat verrier est soumis au traitement plasma en aval du bain, dans le sens de déplacement du substrat verrier par exemple au niveau de l'étenderie. La gamme de température du substrat verrier est dans ce cas comprise entre 50 C et 650 C environ le plus souvent entre 100 et 650 C. Plus particulièrement à haute température, c'est à dire pour des températures typiquement supérieures à 500 C, cette configuration permet avantageusement le dépôt de couches minérales (oxydes, métaux, nitrures et mélanges) les couches nanocomposites (inclusions de nanoparticules dans des matrices dures), la gravure, les post-traitement. Pour des températures plus faibles ( Selon ce mode de réalisation, le traitement plasma du substrat verrier chaud se fait en continu, in situ sur la ligne de float, c'est à dire sans reprise du substrat. La technologie plasma utilisée peut être dans ce cas déportée (plasma soufflé) ou in situ (les électrodes étant placées de part et d'autre du substrat, celui-ci étant soumis à toutes les espèces du plasma). Selon une réalisation possible, le dispositif PA est utilisé à une température du substrat sur la ligne float permettant le dépôt d'une couche de protection du verre ou d'une ou plusieurs couches préalablement déposées sur le substrat au niveau du bain ou à sa sortie, par exemple par CVD thermique, le dépôt de toutes les couches étant ainsi réalisé directement sur la ligne. Les couches de protections peuvent être temporaires, c'est à dire enlevées avant ou au moment de l'installation du produit verrier. Les couches sont par exemple solubles dans l'eau ou dans un solvant ou dégradées thermiquement dans des opérations de formage ou trempe. Les couches de protection peuvent selon une autre réalisation être durables, c'est à dire qu'elles perdurent après installation sur site. A titre d'exemple, les couches de protection peuvent être du type: Polymères solubles dans l'eau (ou thermodégradables), polyesters, alcools polyvinyliques, polyacrylamides, dérivés de l'amidon, de la cellulose... Les monomères correspondants introduits initialement dans le dispositif AP sont dans ce cas par exemple du type acide acrylique, acides, alcools, amines...Polymères insolubles (thermodégradables) : polyoléfines aliphatiques, polyvinyles, acrylates... Les monomères correspondants introduits initialement dans le dispositif AP sont dans ce cas par exemple du type alcènes (éthylène, propylène...) ou à base de composés vinyles, acrylates, méthacrylates... - Polymères fluorés du type téflon (hydrophobes et/ou oléophobes, non solubles dans l'eau et présentant une bonne stabilité thermique). Les monomères correspondants introduits initialement dans le dispositif AP sont dans ce cas par exemple du type monomères fluorés (CF4, C2F6, CF3CFCF2, etc.) ou hydrocarbures fluorés (CHF3, etc.), en général en présence de H2. - Couches à base de carbone (DLC: diamond like carbon) : antirayure (bas coefficient de friction), hydrophobe, oléophobe. Les monomères correspondants introduits initialement dans le dispositif AP sont dans ce cas par exemple du type hydrocarbures (alcanes: CH4, alcènes: C2H4, acétone...) en addition avec de l'hydrogène. - des couches de nitrure de bore (BN) en utilisant par exemple des précurseurs du type halogénures de bore (BF3, BC13), boranes (B2H6, B3N3H6...) en combinaison avec le NH3 ou des amines ou des monoprécurseurs de borane aminés, typiquement le diméthylamineborane ou le triéthylamineborane en présence d'hydrogène. - Couches hybrides organo-minérales, c'est à dire associant un métal et une fonction organique incorporée dans la couche (par exemple une fonction hydrophobe). Les monomères correspondants introduits initialement dans le dispositif AP sont dans ce cas par exemple du type organométalliques ouorganosiliciés (par exemple HMDSO: hexaméthyldisiloxane ou tout autre précurseur organosilicé), en association éventuelle avec des précurseurs organiques ou fluorés (par exemple association TEOS (tetraethoxysilane) et CF4) ou utilisation de monoprécurseurs de silane fluorés, par exemple de formule CF3(CF2)6(CH2) 2SiC13. - Couches minérales du type oxydes, nitrures, carbures, métaux ou un mélange de ceux-ci tel que les oxynitrures, les oxycarbures, les oxydes mixtes. Les précurseurs correspondants introduits initialement dans le dispositif AP sont dans ce cas du type organométalliques ou halogénures de métaux ou de silicium, en présence éventuellement d'oxydants (02, CO2, NOx...), de réducteurs (H2, CH4...), de composés organiques (alcools...) ou d'eau. Ce mode permet par exemple de déposer une couche de protection ou de transformation qui peut être sacrificielle. Une telle couche sacrificielle peut avantageusement soit être soluble dans un solvant inerte vis à vis des différentes couches constituant l'empilement soit facilement dégradable par un traitement thermique. Cette couche superficielle peut par exemple avoir des fonctions de protection vis à vis d'adsorption d'eau à la surface des couches ou du verre, de la corrosion des couches dues à la présence d'eau, etc. Le dépôt d'une telle couche permet ainsi avantageusement le transport, la manutention du produit verrier voire différents traitements thermiques tels qu'une trempe sans risque de dégradations de la structure en couches minces, par exemple dues aux contacts avec les rouleaux, à la présence de spliures etc. Selon un aspect de l'invention, il a été trouvé que l'utilisation d'un PA sur le substrat chaud pouvait permettre, de façon surprenante à relativement basse température, le dépôt de couches sous une forme cristalline autrement inaccessible comme par exemple la phase anatase du TiO2. Il est ainsi possible, lorsque la température du substrat sur la ligne est d'environ 100 à 300 C, de déposer directement très simplement une couche de TiO2 anatase, connue pour présenter des propriétés photo-catalytiques et telle que par exemple décrite dans la demande EP 850 204. Selon une autre réalisation de l'invention, les expériences menées par la demanderesse ont montré également que la mise en oeuvre de la technologie PA sur une ligne float pouvait permettre une amélioration de la qualité des couches par exemple préalablement déposées par CVD thermique. En particulier, le dépôt d'une couche par un plasma atmosphérique sur un substrat chaud permet d'améliorer sensiblement la qualité des couches obtenues. A titre d'exemple, la cristallinité, c'est à dire le rapport entre la phase cristallisée et la phase amorphe des couches déposées, leur densité, leur indice optique peuvent être améliorées par l'utilisation d'un dispositif PA directement sur la ligne float, de même que leurs propriétés de conductivité, d'adhésion, de durabilité chimique et/ou mécanique, photocatalytiques. Il est évident et il résulte pour l'homme du métier notamment à la lecture de ce qui précède que la présente invention peut en réalité se décliner suivant de nombreuses réalisations qui ne sont bien sur pas toutes décrites dans la présente description, chaque configuration possible présentant des avantages spécifiques. Ainsi, les modes de réalisation qui précèdent n'illustrent que quelques exemples possibles de réalisation de la présente invention, étant entendu que toute installation ou procédé conformes aux présentes revendications doivent bien évidemment être considérés comme faisant partie intégrante de l'objet de la présente invention. En particulier, la présente invention comprend toute réalisation comprenant l'association entre un dispositif à plasma atmosphérique et une installation dans laquelle le substrat défile à chaud, et ce dans des buts très divers, par exemple: - le dépôt d'une couche (à finalité optique, thermique, conductrice, mécanique....). Ce dépôt pouvant être combiné avec le dépôt d'autres couches (par PA ou CVD thermique). La ou les couches déposées à PA pouvant être réalisées avant, après, entre les dépôts de couches CVD thermiques, ou encore sur la face opposée à la couche sur laquelle est déposée la ou les couches CVD thermiques, - le traitement d'une couche préalablement déposée, le traitement consistant par exemple a) en un post-traitement pour modifier la cristallinité, la conductivité, la densité, l'indice optique ainsi que les propriétés de conductivité, d'adhésion, de durabilité chimique et/ou mécanique, photocatalytiques, voir pour doper la couche préalablement déposée ou b) en une gravure pour texturer, faire des motifs ou modifier l'épaisseur de la couche. Dans le cas particulier du dépôt de couches, celles ci peuvent être selon l'invention avoir des fonctionnalités diverses et bien connues telles que les contrôle solaire, bas-émissifs, blindage électromagnétique, chauffant, hydrophile, hydrophobe, photocatalytique. Sans sortir du cadre de l'invention, les couches peuvent également être du type modifiant le niveau de réflexion dans le visible (couches anti-reflet ou miroir) ou incorporant un système actif (électrochromes, électroluminescentes, photovoltaïques). L'invention, ses différents aspects et ses avantages seront mieux compris à la lecture des exemples 1 à 5 non limitatifs qui suivent, fournis à titre purement illustratifs. Les exemples 1 à 3 ont été réalisés à l'aide d'une source de plasma déporté, actuellement commercialisée par la société SurfX Technologies sous la référence Atomflow et décrite dans les brevets US2002/0129902 ou son équivalent EP 1 198 610. Les exemples 4 et 5 ont été réalisés à partir d'une technologie de plasma atmosphérique in-situ , c'est à dire que le substrat de verre est placé entre les électrodes. Le système in-situ utilisé est illustré par la figure 2. Ce système, développé en laboratoire et pour les besoins de la présente invention, est conforme et représentatif des systèmes connus à l'heure actuelle pour la mise en oeuvre de la technologie PA. Plus précisément, le réacteur est constitué de deux électrodes métalliques 101 recouvertes de diélectriques 102. Ce diélectrique est une alumine d'épaisseur égale à 500 pm déposée par projection par torche plasma (plasma spray) mais pourraient également être du verre ou tout autre diélectrique. La distance entre les électrodes est réglable entre 1 et 10 mm (translation de l'électrode supérieure). L'électrode supérieure est reliée à une alimentation haute tension alternative 103. Le substrat 104 est posé sur l'électrode inférieure qui est chauffée par une résistance chauffante insérée dans la masse de l'électrode (non représentée). Le gaz plasmagène et ses additifs sont apportés par la buse 105 via une fente d'injection 106 permettant d'assurer un flux laminaire de gaz. La buse 105 peut être chauffée par le biais de résistances chauffantes insérées dans sa masse. Les effluents sont aspirés par la fente 107 du système d'aspiration 108. L'ensemble est placé dans une enceinte étanche 109 assurant une atmosphère neutre autour du réacteur. Le dispositif tel qu'il vient d'être décrit a été mis en oeuvre exclusivement pour les besoins des présents exemples et devra bien entendu, selon les techniques de l'art, être adapté à un usage à échelle industrielle lorsqu'il est associé avec une ligne float ou une ligne de transformation verrière et modifié en particulier de telle façon que le substrat de verre puisse se déplacer en continu le long d'une telle installation, conformément à la figure 1. Dans ce cas, on privilégiera pour la mise en oeuvre de l'invention une disposition dans laquelle l'entrée et l'évacuation des gaz et additifs se fait perpendiculairement au plan horizontal de l'installation (dispositif plasma atmosphérique plus ligne float), tel que cela est illustré par la figure 1. Une telle disposition permet notamment un meilleur contrôle de l'homogénéité en épaisseur de la couche éventuellement déposée. Exemple 1: Dans cet exemple, la face atmosphère d'un échantillon de verre sodocalcique SGG-Planilux , commercialisée par la société Saint-Gobain Glass France et préalablement lavé, a été gravée. Le traitement plasma a été réalisé avec la source de plasma atmosphérique Atomflow commercialisée par SurfX Technologies, de 5 cm de diamètre précédemment décrite. Le gaz plasmagène utilisé est l'hélium. Le débit total utilisé est de 90 slpm (litre standard par minute) avec une concentration volumique en oxygène de 1,1% et en CF4 de 1,1% environ. La puissance RF (13,56 Mhz) appliquée est de 500 W et la distance source substrat a été fixée à 2 mm. La température du substrat a été fixée successivement à 20, 100 puis 200 C. Le traitement de la surface a été réalisé en mode dynamique, c'est-à-dire en déplaçant la source au dessus de la surface du verre avec une vitesse suivant un axe y de 50 mm/s et un pas de 10 mm suivant un axe x: les durées d'application du plasma sont alors de 4 secondes par balayage soit 28 secondes après 7 balayages et 56 secondes après 14 balayages. Les échantillons de verre sodocalcique ont été, au préalable, lavés suivant la procédure classique (surfactant: RBS 2%, rinçage eau déionisée, séchage sous courant de N2) puis un morceau de kapton servant de masque a été placé sur la surface de telle manière a générer une marche après la gravure permettant de mesurer les épaisseurs gravées par profilométrie (instrument Talystep ). Le tableau 1 ci-dessous rassemble les vitesses de gravure observées en fonction de la température du verre. Température Durée Epaisseur Vitesse de Substrat du substrat traitement gravée (nm) gravure ( C) plasma (s) (nm/s) 28 10 0,4 28 71 2,5 SGGPlanilux 200 28 100 3,6 56 28 0,5 56 120 2,1 56 300 5,3 Tableau 1 La comparaison des données reportées dans le tableau 1 montre que le traitement plasma selon l'invention permet de graver la surface d'un verre sodocalcique et que la vitesse de gravure est d'autant plus importante que la température du substrat est élevée. Exemple 2: Dans cet exemple, une couche de silice SiO2: Al déposée par pulvérisation magnétron sur un verre SGG-Planilux a été gravée. La couche de silice est déposée sur le substrat verrier par pulvérisation cathodique magnétron sur une ligne industrielle permettant de réaliser des dépôts sur des substrats de 3200 mm de large. Pour réaliser celui-ci en un seul passage, la chambre de dépôt contient plusieurs cathodes de silicium Si dopé aluminium à 8% en masse. Les condition de dépôts ont été ajustées de telle manière à conduire à une silice de faible densité (épaisseur 106 nm, n=1,484). Le traitement plasma a été réalisé avec la source de plasma atmosphérique Atomflow commercialisée par SurfX Technologies selon le même mode opératoire que l'exemple 1. Le tableau 2 ci-dessous rassemble les valeurs des épaisseurs de silice restante après les différents traitements ainsi que les vitesses de gravure correspondantes, suivant la température du verre. Couche/ Température Durée Epaisseur Vitesse de Substrat du substrat traitement gravée (nm) gravure ( C) plasma (s) (nm/s) SiO2: Al/ 20 28 23 0,8 SGG-Planilux 28 38 1,4 28 74 2, 6 Tableau 2 Les épaisseurs de silice restante après traitement ont été obtenues de manière similaire à l'exemple 1. Comme le précédent exemple, la comparaison des données reportées dans le tableau 2 indique qu'une augmentation de la température du substrat a pour effet d'augmenter la vitesse de gravure de la couche de silice SiO2:Al. Exemple 3: Dans cet exemple, une couche de silice est déposée sur un verre SGGPlanilux porté à différentes températures. Cette couche de silice est déposée à l'aide de la source Atomflow de 5 cm de diamètre basée sur la technologie décrite dans les deux exemples précédents mais comportant en plus un dispositifs permettant d'injecter en post-décharge, un précurseur de la silice comme le TEOS (tétraéthoxysilane). Ce précurseur est mise en oeuvre par bullage d'un gaz vecteur (He) dans le précurseur liquide maintenu à la température ambiante. Le gaz plasmagène utilisé est l'hélium avec 3% environ d'oxygène. Les pressions partielles respectives des trois composés sont environ He: 738 Torr (1 Torr = 133322 Pa), 02: 22 Torr, TEOS: 60 mTorr. La puissance de la source est de 300W. La distance source - substrat est de 3mm. La température du substrat est comprise entre 25 et 250 C. Le traitement de la surface a été réalisé en mode dynamique, c'est-à-dire en déplaçant la source au dessus de la surface du verre avec une vitesse suivant y de 40mm/s et un pas de 1 mm suivant x: les durées de dépôts correspondantes sont d'environ 60 s. La couche est caractérisée par son indice de réfraction n, son épaisseur moyenne e (en nm) et sa composition (FTIR). Les épaisseurs des couches évoquées ci-après sont comprises entre 90 et 100nm. La figure 3 présente les spectres FTIR des couches obtenues à différentes températures de substrat (25, 100, 200 et 250 C). L'indice optique des couches est sensiblement constant, quelle que soit la température (n =1, 44). Les spectres FTIR montrent que l'augmentation de la température du substrat lors du dépôt à pour effet de diminuer l'importance de la bande d'absorption caractéristique des groupements silanols (SiOH: bandes 30003700 cm-') ce qui traduit une augmentation de la densité des couches déposée à pression atmosphérique sur un substrat verrier chaud. Dans les exemples 4 et 5 qui suivent, des couches minces de TiO2 ont été déposées par le dispositif décrit précédemment en relation avec la figure 2 dans le but d'obtenir des revêtements photocatalytiques. Exemple 4: Dans cet exemple, un verre sodocalcique de type SGG-Planilux de 4 mm d'épaisseur, lavé selon la procédure décrite dans l'exemple 1, est placé dans le réacteur de laboratoire décrit ci-dessus. L'échantillon est soumis à un plasma atmosphérique constitué d'un gaz plasmagène hélium et d'un mélange de gaz réactifs oxydant (02) et précurseur de TiO2 (TIPT: tétraisopropoxyde de titane) mis en oeuvre par bullage d'hélium. Le débit de gaz plasmagène (ou gaz de dilution) Hélium est fixé à 14 slpm (litre standard par minute), le débit de bullage dans le barboteur de TiPT est de 141 sccm (standard centimètre cube par minute) avec une température de barboteur fixée à 61 C. Le débit d'oxygène est fixé à 12,5 sccm (soit un rapport molaire théorique 02/TiPT = 72). La pression est régulée, proche de la pression atmosphérique. Les données de fréquence, tension (Vcc) et AP du plasma (pression du plasma - pression atmosphérique) sont rapportées dans le tableau 3 cidessous. Le diélectrique utilisé sur l'électrode haute tension est un verre Planilux de 2 mm, le substrat servant de diélectrique sur la contre- électrode. La durée du dépôt est comprise entre 10 et 15 minutes et la température du substrat varie entre 60 C (pas de chauffe intensionnelle du subtrat, la température étant due uniquement à la température des gaz dans le plasma à l'équilibre) et 280 C. Les gaz sont réchauffés avant d'être injectés dans le réacteur et un mélangeur chauffé est placé en amont de l'injection. Les dépôts sont caractérisés par leur épaisseur, leur adhérence sur le substrat (test de frottement au chiffon doux) et leur activité photocatalytique caractérisée par le test dit à l'acide stéarique (ou TAS) , tel que décrit dans la publication de Heeler et Paz, J. Mat. Res, Vol 12, n 10, oct. 1997. Le tableau 3 ci-dessous rassemble les caractéristiques des dépôts et les performances obtenues. Plasma Conditions Résultats fréq. Vcc durée OP (mbar) Temp (nm) épaisseur TAS Adhérence (kHz) (V) (min) subst. cm-'.min-1 ( C) 2,2 15 -10 60 120 0 n'adhère pas 2,09 10 -7 250 150 0 bonne adhérence 24 2,16 15 -7 280 130 9 bonne adhérence Tableau 3 Cet exemple montre qu'il est possible d'obtenir par l'application de la technologie AP un dépôt de TiO2 sur un substrat verrier à chaud (de l'ordre de 280 C pour le Planilux). La température pour laquelle on obtient une bonne adhérence substrat/couche TiO2 et une activité photocatalytique (TAS 5.10-3 cm-'.min-') est cependant relativement modérée. Exemple 5: L'exemple 5 est similaire à l'exemple 4 mais dans ce cas, le gaz plasmagène (ou gaz de dilution) est l'azote. Le TiPT est entraîné par bullage d'azote ou gaz vecteur (barboteur maintenu à 61 C). L'oxydant utilisé est N2O et les rapports Oxydant / TiPT sont variables. Les paramètres du réacteur sont identiques à l'exemple précédant. Le substrat peut être chauffé intentionnellement ou non chauffé. Dans ce dernier cas, la température atteinte à la surface du substrat est uniquement due à la température des gaz dans le plasma, de l'ordre de 70 C. Les autres conditions opératoires et les résultats sont rassemblés dans le tableau 4 ci-dessous. L'activité photocatalytique est cette fois évaluée par le test dit "à l'encre colorée", décrit dans le brevet WO2004/080595. Un résultat noté 0 signifie que l'encre n'a pas viré de couleur après une exposition aux UV de 60 secondes (la couche n'est pas active), le résultat est noté + lorsque l'encre a virée au rose après 60 secondes d'exposition aux UV, c'est-à-dire que la couche est active photocatalytiquement. Azote Oxydant Plasma Conditions Résultats 9- i N i 2 -- v u 1 'E r Test E u > ... encre Observations - . = c v E u N E N â f0 + , Q i colorée ô ô z:a > â E,v 28 N20 2 28 5 18 15 39 70 - 0 mauvaise adhérence 25 N20 0,5 8 5 16 10 -12 150 130 + bonne adhérence Tableau 4 Cet exemple montre à nouveau l'intérêt de combiner une étape de production ou de transformation dans laquelle le substrat défile à chaud et le dépôt par plasma à pression atmosphérique. Une telle combinaison permet de déposer une couche active pour des températures plus faibles qu'en CVD thermique (> 400 C) tout en restant à la pression atmosphérique, contrairement à la pulvérisation magnétron. REVENDICATIONS 1- Procédé pour la fabrication d'un produit verrier dont la plus grande dimension est supérieure à 1 m, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins: - une étape de production ou de transformation, dans une première installation connue à cet effet, d'un substrat verrier dont la dimension perpendiculaire au sens de déplacement le long de l'installation est en générale supérieure à 1 m, de préférence à 1,5 m, voire à 2 m, le ledit substrat défilant le long de l'installation à une température comprise entre 50 et 750 C, une étape de modification de la surface du substrat verrier par un dispositif à plasma atmosphérique, ladite étape de modification de surface étant mise en oeuvre sur le substrat chaud avant, pendant ou après l'étape de synthèse ou de transformation. 2- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite étape de production ou de transformation est comprise dans le groupe constitué par la fabrication de verre plat par exemple par le procédé float ou par laminage, les lignes de formage, les lignes de formage puis de trempe et les lignes de trempe seule, par exemple pour la réalisation de vitrages bombés tels que les vitrines, de pare-brise, de verres trempés architecturaux ou de sécurité. 3- Procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel l'étape de modification de surface comprend la gravure du substrat verrier, le dépôt d'au moins une couche ou le traitement d'une couche préalablement déposé, par exemple sous la forme - d'un post-traitement pour modifier la cristallinité, la conductivité, la densité, l'indice optique ou les propriétés de conductivité, d'adhésion, de durabilité chimique et/ou mécanique, photocatalytiques, voir pour doper la couche préalablement déposée ou - d'une gravure pour texturer, faire des motifs ou modifier l'épaisseur de la couche préalablement déposée. 4- Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape de production consiste en la fabrication du verre plat selon le procédé float. 5- Précédé selon la revendication 4, dans lequel le substrat verrier est soumis au traitement plasma lors de l'étape de modification de sa surface au niveau du bain float. 6- Procédé selon la revendication 5 dans lequel l'étape de modification de surface consiste en un dépôt sous atmosphère réductrice de matériaux non oxydes par exemples de nitrures, de métaux ou de carbures ou une nitruration de la surface du substrat verrier. 7- Procédé selon la revendication 5 dans lequel l'étape de modification de surface consiste en un dépôt d'une couche non déposable par CVD thermique à une température inférieure à 750 C, par exemple de SiC, DLC, BN ou CNT. 8- Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6 comprenant en outre une étape de dépôt d'au moins une couche d'un matériau par CVD thermique avant ou après l'étape de modification de la surface du substrat verrier par le dispositif à plasma atmosphérique. 9- Précédé selon la revendication 4, dans lequel le substrat verrier est soumis au traitement plasma lors de l'étape de modification de sa surface en aval du bain float, dans le sens de déplacement du substrat verrier par exemple au niveau de l'étenderie, la température du substrat verrier étant comprise entre 50 C et 650 C environ. 10- Procédé selon la revendication 9 dans lequel la température du substrat verrier est supérieure à 500 C et dans lequel l'étape de modification de surface par plasma consiste en un dépôt de matériaux minéraux compris par exemple dans le groupe constitué par les métaux, les oxydes, les nitrures, les carbures, les couches à base de carbone (DLC, CNT), les nanocomposites, une gravure ou un post-traitement d'une couche préalablement déposée par exemple par CVD. 11- Procédé selon la revendication 9 dans lequel la température du substrat verrier est inférieure à 500 C et dans lequel l'étape de modification de surface par plasma consiste en un dépôt de couches minérales comprises par exemple dans le groupe constitué par les métaux, les oxydes, les nitrures les carbures, les couches à base de carbone (DLC, CNT), une gravure, un post-traitement, le dépôt de couches particulières telles que les couches hybrides ou organominérales, les couches nanocomposites comprenant des inclusions de nanoparticules dans des matrices dures, les couches poreuses, texturées, rugueuses et les couches organiques. 12- Procédé selon la revendication 10 ou 11 dans lequel le 20 traitement plasma consiste en un post-traitement d'une couche ou d'un empilement de couches minces obtenu préalablement par CVD thermique. 13- Procédé selon la revendication 10 ou 11 dans lequel le traitement plasma consiste en un dépôt de protection de la surface du substrat verrier. 14- Procédé selon la revendication 12 ou 13 dans lequel ledit traitement consiste en l'application d'une couche de protection sacrificielle ou non sacrificielle d'un matériau par exemple compris dans le groupe constitué par polymères solubles dans l'eau et/ou thermodégradables du type polyesters, alcools polyvinyliques, polyacrylamides, dérivés de l'amidon, de la cellulose, les polymères insolubles thermodégradables du type polyoléfines aliphatiques, polyvinyles, acrylates, les polymères fluorés hydrophobes et/ou oléophobes, non solubles dans l'eau et présentant une bonne stabilité thermique du type téflon, les couches à base de carbone (DLC: diamond like carbon), antirayures, hydrophobes et/ou oléophobes, les couches hybrides organo-minérales, c'est à dire associant un métal et une fonction organique incorporée dans la couche, par exemple une fonction hydrophobe, les couches minérales du type oxydes, nitrures en particulier nitrure de bore BN, carbures, métaux ou un mélange de ceux-ci tel que les oxynitrures, les oxycarbures, les oxydes mixtes. 15- Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le traitement de la surface du substrat verrier par le dispositif à plasma atmosphérique consiste en une gravure du verre ou des couches déposées à la surface du substrat verrier. 16- Installation pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications précédentes, ladite installation comprenant en combinaison: - des moyens de production ou de transformation du substrat verrier, - des moyens de défilement du substrat à une température comprise entre 50 et 750 C, - des moyens de traitement de la surface du substrat verrier par un plasma atmosphérique. 17- Installation selon la revendication 16, dans laquelle les moyens de traitement sont placés en regard de la face supérieure du substrat verrier, en particulier en regard de la face dite atmosphère d'un substrat verrier obtenu par le procédé flaot. 18- Installation selon la revendication 16, dans laquelle les moyens de traitement sont placés en regard de la face inférieure du substrat verrier, en particulier en regard de la face dite étain d'un substrat verrier obtenu par le procédé flaot. 19- Installation selon la revendication 16 à 18, dans laquelle le dispositif à plasma atmosphérique est du type plasma déporté. 20- Installation selon l'une des revendications 16 à 18, dans laquelle le dispositif à plasma atmosphérique est du type plasma in situ. 21- Installation selon la revendication 20, dans laquelle le dispositif à plasma atmosphérique est du type générant des décharges filamentaires dans ledit plasma. 22- Installation selon la revendication 20, dans laquelle le dispositif à plasma atmosphérique est du type générant des décharges homogènes dans ledit plasma. 23- Application de l'installation selon l'une des revendications 16 à 22 ou du procédé selon l'une des revendications 1 à 15 à la fabrication de substrats verriers traités en surface par dépôt de couches minces leurs conférant au moins une fonction comprise dans le groupe constitué par le contrôle solaire, bas-émissifs, blindage électromagnétique, chauffant, hydrophile, hydrophobe, photocatalytique, la modification du niveau de réflexion dans le visible (anti-reflet ou miroir), l'incorporation d'un système actif (électrochrome, électroluminescente, photovoltaïque).