Brevet FR2893725A1 — publié le 20070525

DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION DE LITHOGRAPHIE PAR IMMERSION MÉGASONIQUE. DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne des procédés de photolithographie utilisés dans 10 la formation de modèles de circuit intégré (IC : acronyme de l'expression anglaise "Integrated Circuit") sur résine photosensible dans la fabrication de circuits intégrés semi-conducteurs. En particulier, la présente invention concerne un dispositif et un procédé d'exposition de lithographie par immersion mégasonique dans lequel le liquide d'immersion est 15 soumis à des ondes mégasoniques pour éliminer des bulles du liquide lors d'une étape d'exposition de lithographie. ÉTAT DE L'ART 20 II existe diverses étapes de procédé pour fabriquer des circuits intégrés sur plaques semi-conductrices. Ces étapes comprennent le dépôt d'une couche conductrice sur un substrat de plaque en silicium ; la formation d'une résine photosensible ou de tout autre masque tel que l'oxyde de titane ou l'oxyde de 25 silicium, sous forme de modèle d'interconnexion métallique souhaité, en utilisant des techniques lithographiques ou photo-lithographique standard ; la soumission d'un substrat de plaque à un procédé de gravure par voie sèche pour enlever la couche conductrice des zones non couvertes par le masque, gravant ainsi la couche conductrice sur le substrat, sous forme de modèle masqué ; le dégagement ou le 30 décollage de la couche de masque du substrat en utilisant typiquement un plasma réactif et du chlore gazeux, exposant ainsi la surface supérieure de la couche conductrice d'interconnexion ; et le refroidissement et le séchage du substrat de la plaque par application d'eau et d'azote gazeux sur le substrat de la plaque. Selon une technique courante de fabrication d'IC connue sous le nom de technique 35 de damasquinage dual, les couches diélectriques inférieure et supérieure sont5 -2- séquentiellement déposées sur un substrat. Une ouverture de liaison est formée et gravée dans la couche diélectrique inférieure, et une ouverture à évidemment est formée et gravée dans la couche diélectrique supérieure. À chaque étape, une couche de résine photosensible formée est employée pour graver les ouvertures à évidemment et de liaison dans la couche diélectrique correspondante. Une ligne de cuivre conductrice est alors formée dans les ouvertures à évidemment et de liaison, en utilisant typiquement des techniques de placage électrochimique (ECP : acronyme de l'expression anglaise "Electro-Chemical Plating"), pour former les interconnexions horizontales et verticales d'IC sur le substrat. Des matériaux de résine photosensible sont appliqués sur la surface d'une plaque, ou sur une couche diélectrique ou conductrice d'une plaque, en répartissant un fluide de résine photosensible typiquement au centre de la plaque, pendant que la plaque tourne à des vitesses élevées dans une cuvette stationnaire ou coupelle d'enduction. La cuvette d'enduction collecte les fluides et les particules en excès, éjectés de la plaque tournante lors de l'application de la résine photosensible. Le fluide de la résine photosensible réparti sur le centre de la plaque est étendu vers l'extérieur, vers les rebords de la plaque par la tension de surface générée par la force centrifuge de la plaque tournante. Cela facilite l'application uniforme de la résine photosensible liquide sur toute la surface de la plaque. Lors de l'étape de photolithographie dans la production de semi-conducteurs, une énergie lumineuse est appliquée via un réticule ou masque sur le matériau de résine photosensible précédemment déposé sur la plaque pour définir les modèles de circuit qui seront gravés lors d'une étape de traitement suivante, pour définir les circuits sur la plaque. Un réticule est une plaque transparente constituée d'une image de circuit à former dans la résine photosensible revêtant la plaque. Un réticule contient l'image du modèle de circuit pour seulement quelques unes des matrices d'une plaque, telle que quatre matrices par exemple, et ainsi, doit être séquencé et répété sur toute la surface de la plaque. Par opposition, un photo-masque, ou masque, comprend l'image du modèle de circuit pour toutes les matrices d'une plaque et requiert seulement une exposition pour transférer l'image du modèle de circuit pour toutes les matrices de la plaque. L'enduction par déroulement de résine photosensible sur plaques, aussi bien que les autres étapes du procédé de photolithographie, est réalisé par un système à enduction / développement à convoyage automatisé utilisant des dispositifs de -3- manutention de plaque qui transportent les plaques entre les différents postes de traitement de photolithographie, tels que les postes de première enduction de résine photosensible par vaporisation, de déroulement, de cuisson, et de refroidissement. La manipulation robotique des plaques réduit au minimum la génération de particules et l'endommagement des plaques. Des convoyeurs automatiques de plaques permettent à divers traitements d'être effectués simultanément. Deux types de systèmes de convoyage automatisés largement utilisés dans l'industrie sont le convoyeur TEL (Tokyo Electron de Limited) et le convoyeur SVG (Silicon Valley Group). Un procédé typique pour la formation d'un modèle de circuit sur une plaque comprend : la présentation de la plaque dans le système de convoyage automatisé, puis l'enduction par déroulement d'une couche de résine photosensible sur la plaque. La résine photosensible est ensuite traitée par un procédé de cuisson douce. Après refroidissement, la plaque est placée dans un dispositif d'exposition, tel qu'un séquenceur, qui aligne la plaque avec une série de modèles de matrices gravés sur un réticule à quartz typiquement recouvert de chrome. Lorsqu'il est correctement aligné et mis au point, le séquenceur expose une petite zone de la plaque, puis bascule ou "passe" à la prochaine zone et répète le procédé jusqu'à ce que toute la surface de la plaque ait été exposée aux formes de la matrice sur le réticule. La résine photosensible est exposée à la lumière à travers le réticule selon le modèle d'image de circuit. L'exposition de la résine photosensible à ce modèle d'image réticule et durcit la résine d'après le modèle de circuit. Après l'étape d'alignement et d'exposition, la plaque est soumise à une cuisson de post-exposition, puis est développée et durcie par cuisson pour produire le modèle de résine photosensible. Le modèle de circuit défini par la résine photosensible développée et durcie est ensuite transféré à une sous- couche métallique utilisant un procédé de gravure, dans laquelle le métal, dans cette couche métallique non couverte par la résine photosensible réticulée, est gravé depuis la plaque à partir du métal situé sous la résine photosensible réticulée qui définit les caractéristiques du dispositif protégé du matériau de gravure. Alternativement, le matériau gravé peut être une couche diélectrique dans laquelle des ouvertures de liaison et à évidemment sont gravées selon le modèle de circuit, comme dans la technique de damasquinage dual. Les ouvertures de liaison et à évidemment sont remplies de métal conducteur tel que du -4 cuivre pour définir les tracés du circuit métallique. Ainsi, un modèle bien défini de circuits microélectroniques métalliques, approchant sensiblement le modèle réticulé de circuit à résine photosensible, est formé sur la plaque. Un type de lithographie utilisée dans l'industrie de fabrication de semi-conducteurs est la lithographie par immersion, dans laquelle un dispositif d'exposition comprend un masque et une lentille située au-dessus d'une chambre de transfert optique. Un liquide d'exposition contenant de l'eau est distribué par la chambre de transfert optique. En mode opératoire, la chambre de transfert optique est placée au-dessus d'une zone d'exposition sur une plaque enduite de résine photosensible. Pendant que le liquide d'exposition est distribué par la chambre de transfert optique, de la lumière est respectivement transmise à travers le masque, la lentille et le liquide d'exposition situé dans la chambre de transfert optique, puis sur la résine photosensible de la zone d'exposition. L'image du modèle de circuit dans le masque est alors transférée par la lumière transmise à travers le liquide d'exposition sur la résine photosensible. Le liquide d'exposition situé dans la chambre de transfert optique améliore la résolution de l'image du modèle de circuit transmise sur la résine photosensible. Avant la distribution du liquide d'exposition par la chambre de transfert optique, le liquide aqueux est typiquement dégazé pour supprimer la plupart des microbulles du liquide. Cependant, quelques microbulles restent dans le liquide lors de sa distribution par la chambre de transfert optique. Ces microbulles résiduelles ont tendance à adhérer à la surface typiquement hydrophobe de la résine photosensible, déformant ainsi l'image du modèle de circuit projetée sur la résine photosensible. En conséquence, un dispositif et un procédé sont nécessaires pour sensiblement éliminer des microbulles d'un liquide d'exposition lors de la lithographie par immersion afin d'éviter la déformation de l'image du modèle de circuit projetée sur la résine photosensible dans une zone d'exposition. Un objectif de la présente invention est de fournir un nouveau dispositif pour sensiblement éliminer des microbulles d'un liquide d'exposition avant ou pendant la lithographie par immersion. Un autre objectif de la présente invention est de fournir un nouveau dispositif d'exposition mégasonique pouvant sensiblement éliminer des microbulles d'un liquide d'exposition avant ou pendant la lithographie par immersion. Un autre objectif de la présente invention est encore de fournir un nouveau dispositif d'exposition mégasonique qui améliore la qualité de l'image du modèle de circuit projetée sur une résine photosensible pendant la lithographie par immersion. Un autre objectif de la présente invention est de fournir en plus un nouveau dispositif d'exposition mégasonique dans lequel les ondes soniques sont utilisées pour sensiblement éliminer des microbulles d'un liquide d'exposition avant ou pendant la lithographie par immersion. Un autre objectif de la présente invention est encore de fournir un nouveau procédé d'exposition de lithographie par immersion mégasonique dans lequel des ondes soniques sont utilisées pour sensiblement éliminer des microbulles d'un liquide d'exposition avant ou pendant la lithographie par immersion. Un autre objet de la présente invention est de fournir en plus un nouveau procédé d'exposition de lithographie par immersion mégasonique dans lequel des ondes soniques sont utilisées pour sensiblement éliminer des microbulles et des particules d'une lentille d'exposition avant ou pendant la lithographie par immersion. RÉSUMÉ DE LA PRÉSENTE INVENTION D'après notamment les objectifs précédents et avantages associés, la présente invention a pour but général un nouveau dispositif d'exposition de lithographie par immersion mégasonique éliminant sensiblement des microbulles d'un liquide d'exposition avant, pendant, ou bien avant et pendant la lithographie par immersion. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une chambre de transfert optique positionnée sur une plaque enduite de résine, un logement optique adapté à un photo-masque et à une lentille située au-dessus de la chambre de transfert optique, et un conduit d'admission pour distribuer un liquide d'immersion dans la chambre de transfert optique. Au moins un support mégasonique s'engage dans le conduit d'admission pour générer des ondes soniques par le liquide d'immersion pendant que le liquide est distribué par le conduit d'admission, dans la chambre de transfert optique. Les ondes soniques éliminent sensiblement des microbulles du liquide d'exposition de sorte que le liquide entre dans la chambre de transfert optique dans un état essentiellement dépourvu de bulles pour l'étape -6- d'exposition. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif comprend un support mégasonique annulaire qui encercle la chambre de transfert optique. De plus, la présente invention propose un procédé pour éliminer sensiblement des microbulles d'un liquide d'exposition utilisé dans un procédé de lithographie par immersion, pour transférer une image de modèle de circuit à partir d'un masque ou d'un réticule vers une plaque enduite de résine. Le procédé comprend la propagation d'ondes sonores à travers un liquide d'exposition avant, pendant, ou avant et pendant la distribution du liquide d'exposition à travers une chambre de transfert optique d'un dispositif d'exposition de lithographie par immersion. Les ondes sonores éliminent sensiblement des microbulles du liquide d'exposition et suppriment des microbulles de la surface de la résine, empêchant ainsi aux microbulles d'adhérer à la résine de la surface d'une plaque et de déformer l'image de modèle de circuit transférée depuis le dispositif par le liquide d'exposition sur la résine. De plus, la présente invention propose un procédé pour éliminer sensiblement des microbulles et des particules de la lentille d'exposition utilisée dans un procédé de lithographie par immersion, pour transférer une image de modèle de circuit à partir d'un masque ou d'un réticule vers une plaque enduite de résine. Le procédé comprend la propagation d'ondes sonores à travers un liquide d'exposition avant, pendant, ou avant et pendant la distribution du liquide d'exposition par une chambre de transfert optique d'un dispositif d'exposition de lithographie par immersion. Le procédé comprend également le changement de liquide d'exposition avant, pendant, ou avant et pendant le procédé d'exposition. Les ondes sonores éliminent sensiblement des microbulles et des particules de la surface de la lentille, empêchant ainsi les microbulles et les particules d'adhérer à la surface d'une lentille d'immersion et de déformer l'image de modèle de circuit transférée à partir du dispositif par le liquide d'exposition sur la résine. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention est dorénavant décrite, à titre d'exemple, en se référant aux figures d'accompagnement dans lesquels : -7 La figure 1 est la vue schématique d'un dispositif de lithographie par immersion mégasonique selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 est la vue schématique d'un dispositif de lithographie par immersion mégasonique selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. La figure 3A est un organigramme illustrant les étapes d'un processus séquentiel réalisées selon un premier mode de réalisation du procédé de la présente invention. La figure 3B est un organigramme illustrant les étapes d'un processus séquentiel réalisées selon un deuxième mode de réalisation du procédé de la présente invention. La figure 3C est un organigramme illustrant les étapes d'un processus séquentiel réalisées selon un troisième mode de réalisation du procédé de la présente invention. La figure 3D est un organigramme illustrant les étapes d'un processus séquentiel réalisées selon un quatrième mode de réalisation du procédé de la présente invention. La figure 3E est un organigramme illustrant les étapes d'un processus séquentiel réalisées selon un cinquième mode de réalisation du procédé de la présente invention. La figure 3F est un organigramme illustrant les étapes d'un processus séquentiel réalisées selon un sixième mode de réalisation du procédé de la présente invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION La présente invention présente un nouveau dispositif d'exposition de lithographie par immersion mégasonique pour éliminer sensiblement des microbulles d'un liquide d'exposition avant, pendant, ou à la fois avant et pendant la lithographie par immersion. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un logement optique adapté à un photo-masque et à une lentille. Une chambre de transfert optique est située sous la lentille du logement optique. Un conduit d'admission est en communication de fluide avec la chambre de transfert optique pour distribuer un liquide d'immersion dans la chambre. Au moins un support mégasonique s'engage en mode de fonctionnement dans le conduit d'admission pour émettre des ondes soniques dans le liquide d'immersion pendant que le liquide est distribué par le conduit d'admission dans la chambre de transfert optique. Selon un autre mode de réalisation, un support mégasonique annulaire encercle la chambre de transfert optique du dispositif. Lors du fonctionnement du dispositif, la chambre de transfert optique est positionnée au-dessus d'une zone d'exposition sur une plaque enduite de résine photosensible. Les ondes soniques générées par le ou les support(s) mégasonique(s) éliminent sensiblement des microbulles du liquide d'exposition de sorte que le liquide entre dans la chambre de transfert optique dans un état dépourvu de bulles. Lors de l'étape d'exposition, de la lumière est transmise à travers le photo- masque et la lentille respectivement, du logement optique ; à travers le liquide d'exposition dans la chambre de transfert optique ; et sur la résine photosensible enduite sur la plaque. Le liquide d'exposition, essentiellement exempt de microbulles, transmet l'image essentiellement non-déformée du modèle de circuit sur la résine photosensible avec une haute résolution. De plus, la présente invention propose un procédé pour éliminer sensiblement des microbulles d'un liquide d'exposition utilisé dans une étape d'exposition de procédé de lithographie par immersion, pour transférer une image de modèle de circuit à partir d'un masque ou d'un réticule, vers une zone d'exposition sur une plaque enduite de résine. Selon un premier mode de réalisation, le procédé comprend la propagation d'ondes sonores à travers un liquide d'exposition pour éliminer des microbulles du liquide avant l'étape d'exposition. Selon un deuxième mode de réalisation, le procédé comprend la propagation d'ondes sonores à travers le liquide d'exposition avant et pendant l'étape d'exposition. Selon un troisième mode de réalisation, le procédé comprend la propagation par intermittence d'ondes sonores à travers le liquide d'exposition lors de l'étape d'exposition. La puissance mégasonique appliquée par le ou les support(s) mégasonique(s) au liquide d'exposition est située de préférence à un niveau d'environ 10ù1000 kilohertz (kHz). Toute variété de liquide d'exposition peut convenir au procédé de lithographie par immersion mégasonique de la présente invention. Selon un mode de réalisation, le liquide d'exposition comprend du NH4, H202 et H2O dans des concentrations typiques au rapport volumétrique d'environ 1:1:10-1:1:1000. Selon un autre mode de réalisation, le liquide d'exposition comprend du NH4 et H2O dans une concentration typique au rapport volumétrique d'environ de 1:10ù1:1000. Selon un mode de réalisation supplémentaire, le liquide d'exposition est de l'eau dé-ionisée. Selon -9- encore un autre mode de réalisation, le liquide d'exposition est de l'eau ozonée (03), à la concentration typique en ozone d'environ 1-1000 ppm. Le liquide d'exposition peut comprendre un agent surfactif non-ionique, un agent surfactif anionique ou un agent surfactif cationique à la concentration typique située dans la gamme d'environ 1-1000 ppm. En se reportant tout d'abord à la figure 1, un dispositif d'exposition de lithographie par immersion mégasonique nommé ci-après "dispositif d'exposition" de la présente invention est généralement indiqué par la référence (10). Le dispositif d'exposition (10) comprend une platine de plaque (28) pour supporter une plaque (34) ayant une couche de résine photosensible (non montrée) déposée dessus. Un logement optique (12) comprend un système optique muni d'un laser (non montré) et le dernier objectif de lentille (16) qui est positionné au-dessus de la platine de plaque (28). Un masque ou un réticule (non montré) démontable est inséré dans le logement optique (12) au-dessus de la lentille (16). Le masque ou le réticule comprend un modèle de circuit (non montré) qui doit être transmis sur la couche de résine photosensible de la plaque (34) lors du procédé de lithographie qui sera décrit ci-après. Une chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est fournie sous le dernier objectif de lentille (16) et est disposée au-dessus de la platine de plaque (28). Pendant la lithographie, le rayon laser passe à travers le masque ou le réticule, ce qui produit une image de modèle de circuit qui est transmise respectivement par le dernier objectif de lentille (16) et la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18), sur la plaque (34). Un réservoir d'admission de liquide (20), duquel émerge un conduit d'admission (22), contient une source de liquide d'exposition (32). Un conduit d'évacuation (22a) émerge du conduit d'admission (22) et est en communication de fluide avec la chambre de transfert optique (18). Un réservoir d'évacuation de liquide (26) est en communication de fluide avec la chambre de transfert optique (18) respectivement par un conduit collecteur (24a) et un conduit d'évacuation (24). Selon la présente invention, un support mégasonique (30) est situé sur le conduit d'admission (22), selon les connaissances de l'homme de l'art, pour générer des ondes soniques (non montrées) dans le liquide d'exposition (32) lorsque le liquide (32) est distribué par le conduit d'admission (22). Lorsque le dispositif d'exposition (10) est en mode de fonctionnement, comme décrit ci-après, le liquide d'exposition (32) est distribué du réservoir d'admission de liquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et le conduit d'évacuation (22a), -10- vers la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18). Le support mégasonique (30) génère des ondes soniques (non montrées) dans le liquide d'exposition (32), éliminant tout ou presque des microbulles du liquide d'exposition (32). Le rayon laser passe par le logement optique (12), ce qui produit une image de modèle de circuit qui est transmise respectivement par le dernier objectif de lentille (16) et le liquide d'exposition (32) contenu dans la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18), et est projetée sur la résine photosensible enduite de la plaque (34). Le liquide d'exposition (32) est continuellement pompé de la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18), respectivement par le conduit collecteur (24a) et le conduit d'évacuation (24), vers le réservoir d'évacuation de liquide (26). En se reportant ensuite aux figures 3A-3C conjointement avec la figure 1, le dispositif d'exposition (10) peut être utilisé selon trois modes possibles. D'après l'organigramme de la figure 3A, la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est initialement positionnée au-dessus d'une zone d'exposition de la plaque (34) comme indiqué en étape 1. Le support mégasonique (30) est alors mis en marche (étape 2), suivi de la distribution du liquide d'exposition (32) du réservoir d'admission de liquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) (étape 3). Tandis que le liquide d'exposition (32) passe par le conduit d'admission (22), le support mégasonique (30) induit la formation d'ondes soniques dans le liquide d'exposition (32). Les ondes soniques éliminent des microbulles du liquide (32) de sorte que le liquide d'exposition (32) soit essentiellement exempt de microbulles à l'entrée de la chambre de transfert optique (18) ; en outre, les ondes soniques éliminent également des microbulles de la surface de résine par le transfert d'onde sonique du conduit d'évacuation (22a) vers la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18). Comme indiqué en étape 4, le support mégasonique (30) est mis à l'arrêt avant de présenter la zone d'exposition de la plaque (34) à l'image du modèle de circuit transmise par le liquide d'exposition (32) (étape 5) ; le liquide d'exposition (32) transmet une image à haute résolution du modèle de circuit qui est non-déformée par des microbulles sur la surface de la résine photosensible de la plaque (34). À la fin de l'étape 5 d'exposition, la chambre de transfert optique (18) est déplacée vers la prochaine zone d'exposition de la plaque (34) et les étapes 1-5 sont répétées, comme indiqué dans l'étape 6. D'après l'organigramme de la figure 3B, la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est initialement positionnée au-dessus d'une zone d'exposition de la plaque (34), comme indiqué dans l'étape la. Le support mégasonique (30) est alors mis en marche (étape 2a), suivi de la distribution du liquide d'exposition (32) du réservoir d'admission de liquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) (étape 3a). Les ondes soniques produites par le support mégasonique (30) éliminent des microbulles du liquide d'exposition (32) passant par le conduit d'admission (22), de sorte que le liquide d'exposition (32) soit essentiellement exempt de microbulles à l'entrée de la chambre de transfert optique (18) et que des microbulles ayant adhéré à la plaque (34) soient ainsi éliminées. Comme indiqué en étape 4a, tant que le support mégasonique (30) reste en marche, la résine photosensible de la plaque (34) est exposée. En conséquence, lors de l'étape d'exposition (étape 4a), le support mégasonique (20) continue à éliminer des microbulles du liquide d'exposition (32) et de la surface de résine de la plaque (34). L'image du modèle de circuit transmise du logement optique (12) à travers la chambre de transfert optique (18) est donc non-déformée par des microbulles et est projetée sur la surface de la résine photosensible de la plaque (34) avec une haute résolution. À la fin de l'étape d'exposition 4a, le support mégasonique (30) peut être mis à l'arrêt (étape 5a). La chambre de transfert optique (18) est alors déplacée vers la prochaine zone d'exposition de la plaque (34) et les étapes 1-5 sont répétées, comme indiqué dans l'étape 6a. D'après l'organigramme de la figure 3C, la chambre de transfert optique (18) est initialement positionnée au-dessus d'une zone d'exposition de la plaque (34), comme indiqué dans l'étape lb. Le support mégasonique (30) est alors mis en marche (étape 2b) et le liquide d'exposition (32) est distribué depuis le réservoir d'admission de liquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et la chambre de transfert optique (18) (étape 3b). Les ondes soniques générées par le support mégasonique (30) éliminent des microbulles du liquide d'exposition (32) et de la surface de résine de la plaque (34) de sorte que le liquide d'exposition (32) soit essentiellement exempt de microbulles à l'entrée de la chambre de transfert optique (18) et d'adhérence sur la surface de résine (34). Comme indiqué en étape 4b, l'étape d'exposition est réalisée avec le support mégasonique (30) mis en marche-arrêt par intermittence. Ainsi, lors de l'exposition -12- de la plaque (34), le support mégasonique (20) continue à éliminer des microbulles du liquide d'exposition (32). À la fin de l'étape d'exposition 4b, la chambre de transfert optique (18) est déplacée vers la prochaine zone d'exposition de la plaque (34) et les étapes 1-5 sont répétées, comme indiqué dans l'étape 5b. D'après l'organigramme de la figure 3D, la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est initialement positionnée au-dessus d'une zone d'exposition de la plaque (34), comme indiqué dans l'étape l c. Le support mégasonique (30) est alors mis en marche (étape 2c), suivi de la distribution du liquide d'exposition (32) du réservoir d'admission deliquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) (étape 3c). Les ondes soniques générées par le support mégasonique (30) éliminent des microbulles du liquide d'exposition (32) passant par le conduit d'admission (22), de sorte que le liquide d'exposition (32) soit essentiellement exempt de microbulles à l'entrée de la chambre de transfert optique (18) et que les microbulles ayant adhéré à la plaque (34) soient ainsi éliminées. Comme indiqué en étape 4c, tant que le support mégasonique (30) reste en marche, la résine photosensible de la plaque (34) est exposée. Ainsi, lors de l'étape d'exposition (étape 4c), le support mégasonique (20) continue à éliminer des microbulles du liquide d'exposition (32) et de la surface de résine de la plaque (34). L'image du modèle de circuit transmise depuis le logement optique (12) par la chambre de transfert optique (18) est donc non-déformée par des microbulles et est projetée sur la surface de résine photosensible de la plaque (34) avec une haute résolution. À la fin de l'étape d'exposition 4c, le support mégasonique (30) peut rester en marche. La chambre de transfert optique (18) est alors déplacée vers la prochaine zone d'exposition de la plaque (34) et les étapes 4c-5c sont répétées, comme indiqué dans l'étape 6c. D'après l'organigramme de la figure 3E, la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est initialement positionnée au-dessus d'une zone d'exposition de la plaque (34), comme indique dans l'étape 1d. Le support mégasonique (30) est alors mis en marche (étape 2d), suivi de la distribution du premier liquide (32) du réservoir d'admission de liquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) (étape 3d). Les ondes soniques produites par le support mégasonique (30) éliminent des microbulles du liquide d'exposition (32) passant par le conduit d'admission (22) et suppriment les -13- particules sur la surface inférieure du dernier objectif de lentille (108), de sorte que le liquide d'exposition (32) soit essentiellement exempt de microbulles à l'entrée de la chambre de transfert optique (18) et que des microbulles ayant adhéré à la surface inférieure du dernier objectif de lentille (108) soient ainsi éliminées. Comme indiqué en étape 4d, tant que le support mégasonique (30) reste en marche, suivi de la distribution du deuxième réservoir d'admission de liquide (20) par le conduit d'admission (22) et dans la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) pour remplacer le premier liquide (étape 4d), la résine photosensible de la plaque (34) est exposée. Ainsi, lors de l'étape d'exposition (étape 6d), le support mégasonique ne se met pas en marche (étape 5d). L'image du modèle de circuit transmise du logement optique (12) par la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est donc non-déformée par des particules et est projetée sur la surface de la résine photosensible de la plaque (34) avec une haute résolution. En fin d'étape d'exposition 6d, la chambre de transfert optique (18) est alors déplacée vers la prochaine zone d'exposition de la plaque (34) et les étapes 6d-7d sont répétées, comme indiqué dans l'étape 6d. D'après l'organigramme de la figure 3F, la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est initialement positionnée au-dessus d'une zone d'exposition de la plaque (34), comme indiqué dans l'étape le. Le support mégasonique (30) est alors mis en marche (étape 2e), suivi de la distribution du premier liquide (32) du réservoir d'admission de liquide (20), respectivement par le conduit d'admission (22) et la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) (étape 3e). Les ondes soniques produites par le support mégasonique (30) éliminent des microbulles du liquide d'exposition (32) passant par le conduit d'admission (22), supprimant les particules de la surface inférieure du dernier objectif de lentille (108), de sorte que le liquide d'exposition (32) soit essentiellement exempt de microbulles à l'entrée de la chambre de transfert optique (18) et que les particules ayant adhéré à la surface inférieure du dernier objectif de lentille (108) soient ainsi éliminées. Comme indiqué en étape 4e, tant que le support mégasonique (30) reste en marche, suivi de la distribution du deuxième liquide du réservoir d'admission de liquide (20) par le conduit d'admission (22) et dans la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) pour remplacer le premier liquide (étape 4e), la résine photosensible de la plaque (34) est exposée. Ainsi, lors de l'étape d'exposition (étape 5e), le support mégasonique reste en marche (étape 2e). L'image du modèle de circuit transmise - 14 - du logement optique (12) par la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) est donc non-déformée par des particules et est projetée sur la surface de la résine photosensible de la plaque (34) avec une haute résolution. En fin d'étape d'exposition 5e, la chambre de transfert optique (18) est alors déplacée vers la prochaine zone d'exposition de la plaque (34), et les étapes 5e-6e sont répétées, comme indiqué dans l'étape 5e. En se référant ensuite à la figure 2, selon une alternative de réalisation du dispositif d'exposition, indiqué en général par le numéro de référence 10a, un support mégasonique annulaire (30a) est disposé autour de la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18). Le dispositif d'exposition (10a) peut être mis en oeuvre selon l'organigramme de la figure 3A, où le support mégasonique annulaire (30a) est mis en marche après distribution du liquide d'exposition (32) dans la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18), puis est mis à l'arrêt avant l'étape d'exposition ; où, selon l'organigramme de la figure 3B, le support mégasonique annulaire (30a) reste en marche pendant la distribution du liquide d'exposition (32) dans la chambre de transfert optique à immersion d'eau (18) et pendant tout le procédé d'exposition ; ou bien, selon l'organigramme de la figure 3C, où le support mégasonique annulaire (30a) est mis en marche par intermittence pendant l'étape d'exposition. Dans tous les cas, le liquide d'exposition (32) contenu dans la chambre de transfert optique (18) est essentiellement exempt de microbulles qui autrement, pourraient déformer l'image du modèle de circuit transmise à la plaque (34) lors de l'étape d'exposition. Sur la base des modes de réalisation préférés de l'invention décrits ci-dessus, il doit être admis et compris que diverses modifications peuvent être apportées à la présente invention et que les revendications en annexe sont destinées à couvrir l'ensemble desdites modifications qui font partie de l'esprit et de la portée même de l'invention. REVENDICATIONS 1) Dispositif d'exposition (10) de lithographie par immersion mégasonique, comprenant : une chambre de transfert optique (18) contenant un liquide d'exposition (32) ; au moins un support mégasonique (30) s'engageant en mode de fonctionnement dans ladite chambre de transfert optique (18) pour propager des ondes soniques à travers le liquide d'exposition (32) ; et un système optique adjacent à ladite chambre de transfert optique (18), projetant de la lumière à travers un masque et ledit liquide d'exposition (32), sur une plaque (34). 2) Le dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre un conduit d'admission (22) en communication de fluide avec ladite chambre de transfert optique (18), pour distribuer le liquide d'exposition (32) dans ladite chambre de transfert optique (18), et où ledit au moins un support mégasonique (30) est supporté par ledit conduit d'admission (22). 3) Le dispositif selon la revendication 2, comprenant en outre un conduit d'admission (22) en communication de fluide avec ladite chambre de transfert optique (18) pour distribuer du liquide d'exposition (32) depuis ladite chambre de transfert optique (18). 4) Le dispositif selon la revendication 3, où ledit système optique comprend un laser émettant un rayon laser à travers le masque et une lentille (16) pour recevoir une image de modèle de circuit du masque et transmettre l'image de modèle de circuit par ledit liquide d'exposition (32) sur la plaque (34). 5) Le dispositif selon la revendication 1, où ledit au moins un support mégasonique (30) comprend un support mégasonique (30a) généralement annulaire disposé autour de ladite chambre de transfert optique (18). 6) Procédé de suppression de microbulles d'un liquide d'exposition (32) dans un procédé de lithographie par immersion, comprenant les étapes suivantes : fourniture d'un masque ayant un modèle de circuit ;-16-fourniture d'un liquide d'exposition (32) ; propagation d'ondes soniques à travers ledit liquide d'exposition (32) ; et exposition d'une plaque (34) enduite de résine photosensible par la transmission d'un rayon laser, respectivement par ledit masque et ledit liquide d'exposition (32), sur la plaque (34). 7) Le procédé selon la revendication 6, où ladite propagation d'ondes sonores à travers ledit liquide d'exposition (32) comprend la propagation d'ondes sonores à travers ledit liquide d'exposition (32), avant ou pendant ladite exposition d'une plaque (34) enduite de résine photosensible. 8) Le procédé selon la revendication 6, où ledit liquide d'exposition (32) comprend un mélange d'ammoniaque, de peroxyde d'hydrogène et d'eau. 9) Le procédé selon la revendication 6, où ledit liquide d'exposition (32) comprend de l'eau dé-ionisée ou de l'eau ozonée. 10)Le procédé selon la revendication 6, comprenant en outre un agent surfactif dans ledit liquide d'exposition (32). 11)Le procédé selon la revendication 6, où ladite propagation d'ondes sonores à travers ledit liquide d'exposition (32) comprend la propagation d'ondes sonores à travers ledit liquide d'exposition (32) à un niveau de puissance mégasonique d'environ 10 kilohertz à environ 1000 kilohertz. 25 12)Procédé de lithographie par immersion comprenant les étapes suivantes : fourniture d'un dispositif d'exposition (10a) de lithographie par immersion mégasonique comprenant un système optique, une chambre de transfert optique (18) située entre ledit dernier objectif de lentille (108) du système optique et le 30 substrat, au moins un support mégasonique (30) s'engageant dans ladite chambre de transfert optique (18) ; fourniture d'un masque ayant un modèle de circuit ; fourniture d'un premier liquide (32) dans la chambre de transfert optique (18) ; propagation d'ondes soniques par ledit premier liquide (32) ; 35 fourniture d'un deuxième liquide dans la chambre de transfert optique (18) ; et20-17- exposition d'une plaque (34) enduite de résine photosensible par la transmission d'un rayon optique, respectivement par ledit système optique et ledit deuxième liquide, sur la plaque (34). 13)Le procédé de lithographie par immersion selon la revendication 12, où ledit premier liquide (32) comporte un mélange d'ammoniaque, de peroxyde d'hydrogène et d'eau. 14)Le procédé de lithographie par immersion selon la revendication 12, où ledit premier liquide (32) comprend de l'eau dé-ionisée ou de l'eau ozonée. 15)Le procédé de lithographie par immersion selon la revendication 12, où ledit deuxième liquide comporte de l'eau dé-ionisée ou un agent surfactif.15