Brevet FR2890193A1 — publié le 20070302

RESEAU DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE DES]RECHARGES ELECTROSTATIQUES DE CE DERNIER, ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne de manière générale un réseau de transistors en couches minces (TFT) et un procédé de fabrication de ce dernier. Plus particulièrement, la présente invention concerne un réseau de TFT à grille supérieure, un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques et leurs procédés de fabrication. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Une décharge électrostatique est un phénomène dans lequel une charge électrostatique se déplace le long de la surface d'un matériau non conducteur, ce qui peut endommager des dispositifs de circuit dans un circuit intégré et d'autres ensembles de circuits. Par exemple, lorsqu'un être humain marche sur un tapis, des centaines voire des milliers de volts de potentiel électrostatique peuvent être détectés sous une humidité relativement élevée, tandis que des dizaines de milliers de volts peuvent être détectés sous une humidité relativement basse. Au cours d'un processus de fabrication d'un écran à cristaux liquides (LCD), des plateformes de machines et des techniciens impliqués dans l'opération peuvent porter des charges électrostatiques, ainsi, lorsque ces porteurs de charges entrent en contact avec les panneaux d'affichage à cristaux liquides, un événement de décharge électrostatique peut se produire, et la décharge momentanée peut endommager les dispositifs d'affichage à cristaux liquides et mettre hors service de manière permanente l'ensemble de circuits. Afin d'éviter que les TFT et l'ensemble de circuits ne subissent des dégâts provoqués par une décharge électrostatique, un panneau d'affichage à cristaux liquides est généralement équipé d'un circuit contre des décharges électrostatiques. Dans ce dernier, des lignes de balayage sont raccordées à une ligne de signaux de commande commune, et les lignes de données sont raccordées à une ligne de signaux de données commune. La ligne de signaux de commande commune et la ligne de signaux de données commune sont raccordées à des bornes de terre. Donc, lorsque la quantité d'électricité statique accumulée se trouve au-delà d'une plage prédéterminée, l'électricité statique accumulée peut être dissipée au travers des bornes de terre afin d'éviter que les décharges électrostatiques n'endommagent les TFT et l'ensemble de circuits. De plus, lorsqu'un essai électrique est effectué sur les pixels du panneau d'affichage à cristaux liquides, une première tension est appliquée à une des lignes de balayage afin de rendre passant les TFT sur la ligne de balayage sélectionnée. Ensuite, une seconde tension est appliquée sur l'une parmi les lignes de données afin, ainsi, d'écrire des données sur un pixel d'essai. Cependant, étant donné que les lignes de balayage et les lignes de données sont raccordées électriquement à une ligne de signaux de commande commune et à la ligne de signaux de données commune, respectivement, la première tension est appliquée par le biais de la ligne de signaux de commande commune aux autres lignes de balayage, et la seconde tension est appliquée par le biais de la ligne de signaux de données commune aux autres lignes de données. Inversement, lorsqu'une tension est appliquée à la ligne de balayage afin, ainsi, de lire les données du pixel d'essai à partir de la ligne de balayage, la tension est appliquée par le biais de la ligne de signaux de commande commune aux autres lignes de balayage, et il est impossible d'établir une tension spécifique sur le pixel. Ainsi, il est impossible de détecter un pixel défectueux. EXPOSE DE L'INVENTION Par conséquent, la présente invention est destinée à un réseau de TFT et un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques de ce dernier, qui peuvent empêcher des dispositifs sur un réseau de TFT d'être endommagés par une décharge électrostatique, et sur lesquels il est impossible de détecter un pixel défectueux. La présente invention est en outre destinée à des procédés de fabrication d'un réseau de TFT et d'un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques de ce dernier, dans lequel un chemin conducteur est fourni afin de dissiper de l'électricité statique accumulée, et dans lequel il est impossible de détecter un pixel défectueux. 2890193 4 La présente invention fournit un réseau de TFT, qui comprend un substrat, une pluralité de lignes de données et de lignes de balayage, une pluralité de structures de pixels, une première barre court-circuit, une seconde barre court-circuit, une pluralité de premières structures en îlot, une pluralité de secondes structures en îlot, une couche d'isolation de grille, une couche intermédiaire diélectrique, une pluralité de premières lignes de raccord, une pluralité de secondes lignes de raccord, une couche de passivation, une pluralité de premières lignes de résistance et une pluralité de secondes lignes de résistance. Le substrat a une région d'affichage et une région de circuit périphérique, et les lignes de données et les lignes de balayage sont disposées dans la région d'affichage pour définir une pluralité de régions de pixels. Les structures de pixels sont disposées dans les régions de pixels et commandées par les lignes de données et les lignes de balayage. Chaque structure de pixel comprend: un TFT à grille supérieure, raccordé électriquement à l'une des lignes de données et l'une des lignes de balayage; et une électrode de pixel disposée au- dessus et raccordée électriquement au TFT à grille supérieure. La première barre court-circuit est disposée dans la région de circuit périphérique et la seconde barre court-circuit est disposée dans la région de circuit périphérique. Les premières structures en îlot sont disposées sur le substrat et entre les lignes de balayage et la première barre court-circuit. Les secondes structures en îlot sont disposées sur le substrat et entre les lignes de données et la seconde barre courtcircuit. La couche d'isolation de grille est disposée sur le substrat et couvre les premières structures en îlot, les secondes structures en îlot et des couches semi-conductrices des TFT à grille supérieure. La couche intermédiaire diélectrique est disposée sur la couche d'isolation de grille et couvre les lignes de balayage, la première barre court-circuit et des grilles des TFT à grille supérieure. La couche d'isolation de grille et la couche intermédiaire diélectrique ont une pluralité de premières fenêtres de contact au-dessus des lignes de balayage, des premières structures en îlot et la première barre court-circuit, et ont une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact au-dessus des secondes structures en îlot. Les lignes de données et la seconde barre court-circuit sont disposées sur la couche intermédiaire diélectrique et s'étendent au-dessus des secondes structures en îlot afin d'être raccordées électriquement aux secondes structures en îlot par le biais des deuxièmes fenêtres de contact. Les premières lignes de raccord sont disposées sur la couche intermédiaire diélectrique et raccordées électriquement entre les premières structures en îlot et les lignes de balayage par le biais des premières fenêtres de contact. Les secondes lignes de raccord sont disposées sur la couche intermédiaire diélectrique et raccordées électriquement entre les premières structures en îlot et la barre court-circuit par le biais des premières fenêtres de contact. 2890193 6 La couche de passivation couvre les lignes de données, la seconde barre court-circuit et la source/ le drain des TFT à grille supérieure. La couche de passivation a une pluralité de troisièmes fenêtres de contact au-dessus des premières lignes de raccord et des secondes lignes de raccord, et a une pluralité de quatrièmes fenêtres de contact au-dessus des lignes de données et de la seconde barre courtcircuit. Les premières lignes de résistance sont disposées sur la couche de passivation et raccordées électriquement entre l'une des premières lignes de raccord et l'une des secondes lignes de raccord par le biais des troisièmes fenêtres de contact, respectivement. Les secondes lignes de résistance sont disposées sur la couche de passivation et raccordées électriquement entre l'une des lignes de données et la seconde barre court-circuit par le biais des quatrièmes fenêtres de contact, respectivement. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les grilles des TFT à grille supérieure, les lignes de balayage et la première barre court-circuit sont faites d'un même matériau. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les couches semiconductrices, les premières structures en îlot et les secondes structures en îlot sont faites d'un même matériau. Par exemple, les couches semiconductrices, les premières structures en îlot et les secondes structures en îlot sont faites de polysilicium à basse température (LTPS). Selon un mode de réalisation de la présente invention, la source/le drain des TET à grille supérieure, les lignes de données, la seconde barre court-circuit, les premières lignes de raccord, et les secondes lignes de raccord sont faites d'un même matériau. La présente invention consiste à fournir un procédé de fabrication d'un réseau de TFT. Tout d'abord, un substrat est fourni, dans lequel le substrat a une pluralité de régions de pixels définies sur ce dernier. Ensuite, une couche d'un matériau semi- conducteur est formée sur le substrat et ensuite modelée afin de former une couche semi-conductrice dans chaque région de pixel, respectivement, et de former une pluralité de premières structures en îlot et une pluralité de secondes structures en îlot au niveau de deux côtés adjacents des régions de pixels, respectivement. Ensuite, une couche d'isolation de grille est formée sur le substrat afin de couvrir les couches semi--conductrices, les premières structures en îlot, et les secondes structures en îlot. Ensuite, une première couche métallique est formée sur la couche d'isolation de grille et ensuite modelée afin de former une pluralité de grilles, une pluralité de lignes de balayage, une pluralité de premières parties de raccord, et une première barre court--circuit. Les grilles sont disposées sur les couches semi-conductrices, les lignes de balayage sont raccordées aux grilles, et deux extrémités de chaque première partie de raccord sont raccordées à la première barre court-circuit et à l'une des lignes de balayage. Par la suite, une implantation ionique est effectuée afin de former une région dopée de source/de drain dans chaque couche semi-conductrice. Ensuite, une couche intermédiaire diélectrique est formée sur la première couche métallique et sur la couche d'isolation de grille et ensuite modelée afin de former une pluralité de premières fenêtres de contact dans la couche intermédiaire diélectrique correspondant aux régions dopées de source/de drain, aux lignes de balayage, aux premières structures en îlot, aux secondes structures en îlot et à la première barre court-circuit et de former une pluralité de premières ouvertures dans la couche intermédiaire diélectrique correspondant aux premières parties de raccord. Ensuite, une seconde couche métallique est formée sur la couche intermédiaire diélectrique et ensuite modelée afin de former une pluralité de sources/de drains, une pluralité de premières lignes de raccord, une pluralité de secondes lignes de raccord, une pluralité de lignes de données, une pluralité de secondes parties de raccord et une seconde barre court- circuit. Ici, chaque source/drain est raccordée électriquement à l'une des régions dopées de source/de drain par le biais des premières fenêtres de contact, deux extrémités de chaque première ligne de raccord sont raccordées électriquement à l'une des lignes de balayage et à l'une des premières structures en îlot respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact, deux extrémités de chaque seconde ligne de raccord sont raccordées électriquement à l'une des premières structures en îlot et à la première barre court-circuit, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact, chaque ligne de données 2890193 9 est raccordée électriquement à l'une des sources, et deux extrémités de chaque seconde partie de raccord sont raccordées électriquement à l'une des lignes de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement. Ensuite, une couche de passivation est formée sur la seconde couche métallique et sur la couche intermédiaire diélectrique et ensuite modelée afin de former une pluralité de deuxièmes ouvertures dans la couche de passivation correspondant aux premières ouvertures, une pluralité de troisièmes ouvertures dans la couche de passivation correspondant aux secondes parties de raccord, et une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact dans la couche de passivation correspondant aux drains, aux premières lignes de raccord, aux secondes lignes de raccord, aux lignes de données et à la seconde barre court-circuit. Ensuite, une couche conductrice est formée sur la couche de passivation et ensuite modelée afin de former une pluralité d'électrodes de pixels, une pluralité de premières lignes de résistance, et une pluralité de secondes lignes de résistance. Chaque électrode de pixel est raccordée électriquement à l'un des drains par le biais de l'une des deuxièmes fenêtres de contact, deux extrémités de chaque première ligne de résistance sont raccordées électriquement à l'une des premières lignes de raccord et à l'une des secondes lignes de raccord, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact, et deux extrémités de chaque seconde ligne de résistance sont raccordées électriquement à l'une des lignes de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact. Après quoi, les premières parties de raccord et les secondes parties de raccord sont éliminées. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape consistant à éliminer les premières parties de raccord et les secondes parties de raccord comprend la réalisation d'une attaque chimique sèche ou d'une attaque chimique humide afin d'éliminer les premières parties de raccord et les secondes parties de raccord exposees par les deuxièmes ouvertures et les troisièmes ouvertures. La présente invention fournit un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques d'un réseau de TFT qui est raccordé électriquement entre une ligne de balayage et une première barre courtcircuit sur un substrat. Le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques comprend une première structure en îlot, une couche d'isolation de grille, une couche =_ntermédia.ire diélectrique, une couche métallique, une couche de passivation et une couche conductrice. La première structure en îlot est disposée sur le substrat entre la ligne de balayage et la première barre court-circuit. La couche d'isolation de grille est disposée sur le substrat et couvre la première structure en îlot. La couche intermédiaire diélectrique est disposée sur la couche d'isolation de grille. La couche intermédiaire diélectrique et la couche d'isolation de grille ont une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant à la ligne de balayage, à =a première structure en îlot et à la première barre court-circuit. La couche métallique est disposée sur la couche intermédiaire diélectrique et comprend une première:Ligne de raccord et une seconde ligne de raccord. Deux extrémités de la première ligne de raccord sont raccordées électriquement à la ligne de balayage et à la première structure en îlot, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact, et cieux extrémités de la seconde ligne de raccord sont raccordées électriquement à. la première structure en îlot et à la première barre court-circuit, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact. De plus, la couche de passivation est disposée sur la couche métallique et a une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact correspondant à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord. La couche conductrice est disposée sur la couche de passivation et comprend une ligne de résistance. Deux extrémités de la ligne de résistance sont raccordées électriquement à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact. Selon un mode de réalisation de la présente 25 invention, la première structure en îlot est faite de LTPS. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques comprend en outre une première borne de terre, qui est raccordée électriquement à la première barre court-circuit. Selon ur. mode de réalisation de la présente invention, la ligne de résistance est en zigzag. Selon ur mode de réalisation de la présente invention, la couche conductrice est faite de métal, d'un alliage métallique, d'oxyde d'étainindium (ITO), ou d'oxyde de zinc-indium (IZO). La présente invention fournit un procédé de fabrication d'un dispositif de protection contre des décharges élentrostatiques d'un réseau de TFT. Tout d'abord, un substrat est fourni. Ensuite, une couche d'un matériau semi-conducteur est formée sur le substrat et ensuite modelée afin de former une première structure en îlot. Ensuite, une couche d'isolation de grille est formée sur le substrat afin de couvrir la première structure en îlot. Ensuite, une première couche métallique est formée sur la couche d'isolation de grille et _ensuite modelée afin de former une ligne de balayage, une première partie de raccord et une première barre courtcircuit. Deux extrémités de la première partie de raccord sont raccordées électriquement à la ligne de balayage et à la première barre courtcircuit, respectivement. Par la suite, une couche intermédiaire diélectrique est formée sur la première couche métallique et ensuite modelée afin de former une pluralité de premières fenêtres de contact dans la couche intermédiaire diélectrique correspondant à la ligne de balayage, à la première structure en îlot, et à la première barre court- circuit, et de former une première ouverture dans la couche intermédiaire diélectrique correspondant à la première partie de raccord. Ensuite, une seconde couche métallique est formée sur la couche intermédiaire diélectrique et ensuite modelée afin de former une première ligne de raccord et une seconde ligne de raccord. Deux extrémités de la première ligne de raccord sont raccordées à la ligne de balayage et à la première structure en îlot, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact et deux extrémités de la seconde ligne de raccord sont raccordées électriquement à la première structure en îlot et à la première barre court-circuit, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact. Ensuite, une couche de passivation est formée sur la seconce couche métallique et ensuite modelée afin de former une deuxième ouverture dans la couche de passivation correspondant à la première ouverture, et de former une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact dans la couche de passivation correspondant à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord. Ensuite, une couche conductrice est formée sur la couche de passivation et ensuite modelée afin de former une ligne de résistance. Deux extrémités de la ligne de résistance sont raccordées électriquement à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact. Après quoi, la première partie de raccord est éliminée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape consistant à éliminer la première partie de racc:)rd comprend la réalisation d'une attaque chimique sèche ou d'une attaque chimique humide afin d'éliminer la première partie de raccord exposée par la deuxième ouverture. La présente invention fournit un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques d'un réseau de TF: qui est raccordé électriquement entre une ligne de données et une seconde barre courtcircuit sur un substrat. Le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques comprend une seconde structure en îlot, une couche d'isolation, une couche de passivation et une couche conductrice. La seconde structure en îlot est disposée sur le substrat entre la ligne de données et la seconde barre court-circuit. La couche d'isolation est disposée sur le substrat et couvre la seconde structure en îlot. La couche d'isolation a une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant à la seconde structure en îlot, et la ligne de données et la seconde barre court-circuit s'étendent au-dessus de la seconde structure en îlot afin d'être raccordées électriquement à la seconde structure en îlot par le biais des premières fenêtres de contact. La couche de passivation est disposée au-dessus de la ligne de données, de la seconde structure en îlot et de la seconde barre court- circuit. La fenêtres de et à la conductrice et comprend la ligne de passivation a une pluralité de deuxièmes contact correspondant à la ligne de données seconde barre court-circuit. La couche est disposée sur la couche de passivation une ligne de résistance. Deux extrémités de résistance sont raccordées électriquement à la ligne de données et à la seconde barre court- circuit, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de ccntact. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la seconde structure en îlot est faite de LTPS. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche d'isolation comprend une couche d'isolation de grille et une couche intermédiaire diélectrique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques comprend en outre une seconde borne de terre, qui est raccordée électriquement à la seconde barre court-circuit. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la ligne de résistance est en forme de zigzag. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche conductrice est faite de métal, d'un alliage métallique, d'oxyde d'étainindium (ITO), d'oxyde de zinc-indium (IZO). La présente invention fournit un procédé de fabrication d'un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques d'un réseau de TFT. Tout d'abord, un substrat est fourni. Ensuite, une couche de matériau semi-conducteur est formée sur le substrat et ensuite modelée afin de former une seconde structure en îlot. Ensuite, une couche d'isolation est formée sur le substrat et ensuite modelée afin de former une pluralité de premières fenêtres de contact dans la couche d'isolation correspondant à la seconde structure en îlot. Ensuite, une couche métallique est formée sur la couche d'isolation et ensuite modelée afin de former une ligne de données, une seconde partie de raccord, et une seconde barre courtcircuit. La ligne de données et la seconde barre court-circuit s'étendent au--dessus de la seconde structure en îlot afin d'être raccordées électriquement à la seconde structure en __lot par le biais des premières fenêtres de contact, et deux extrémités de la seconde partie de raccord sont raccordées électriquement à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement. Ensuite, une couche de passivation est formée sur la couche métallique et ensuite modelée afin de former une ouverture dans la couche de passivation correspondant à la seconde partie de raccord, et de former une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact dans la couche de passivation, correspondant à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit. Ensuite, une couche conductrice est formée sur la couche de passivation et ensuite modelée afin de former une ligne de résistance. Deux extrémités de la ligne de résistance son= raccordées électriquement à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact. Après quoi, la seconde partie de raccord est éliminée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les étapes consistant à former la couche d'isolation comprennent la formation d'une couche d'isolation de grille sur le substrat; et à former une couche intermédiaire diélectrique sur la couche d'isolation de grille. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape consistant à éliminer la seconde partie de raccord comprend la réalisation d'une attaque chimique sèche ou d'une attaque chimique humide afin d'éliminer la seconde partie de raccord exposée par l'ouverture. Etant donné que l'invention peut être appliquée au présent processus de fabrication d'un TFT en LTPS afin de fabriquer des dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques entre chaque ligne de balayage et la première barre court-circuit et entre chaque ligne de données et la seconde barre court- circuit, une aptitude de protection contre des décharges électrostatiques sur le réseau de TFT à grille supérieure peut donc être atteinte sans un quelconque processus de masquage supplémentaire. De plus, le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques peut faire effet lorsque chaque couche conductrice/métallique est fabriquée mais non tel que le processus total de panneau devrait être accompli. Par ailleurs, étant donné qu'un signal appliqué sur une ligne de balayage ou sur une ligne de données spécifique peut être séparé d'autres signaux par le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques, il est impossible de détecter un pixel défectueux. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les dessins annexés sont inclus afin de fournir une meilleure compréhension de l'invention, et sont incorporés dans et constituent une partie de ce mémoire descriptif. Les dessins illustrent des modes de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. La figure 1 est une vue de dessus illustrant un réseau de TFT et un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques de ce dernier selon la présente invention. Les figures 2A et 2B sont des vues de dessus illustrant un premier dispositif de protection contre des décharges électrostatiques et un second dispositif de protection contre des décharges électrostatiques selon la présente invention. Les figures 3A à 3H sont des vues en coupe transversale illustrant un processus de fabrication d'un des TFT à grille supérieure représenté sur la figure 1. Les figures 4A A 4F sont des vues de dessus illustrant un processus de fabrication d'un des premiers dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques et de la première barre court-circuit représentée sur la figure 2A. Les figures 5A à. 5E sont des vues de dessus illustrant un processus de fabrication d'un des seconds dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques et de la seconde barre court-circuit représentée sur la figure 2B. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Il va maintenant être fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de l'invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexés. Lorsque cela est possible, les mêmes références numériques sont utilisées sur les dessins et la description afin de faire référence aux mêmes parties ou des parties identiques. La figure 1 est une vue de dessus illustrant un réseau de TFT et un dispositif de protection contre des décharges électriques de ce dernier selon la présente invention. En se référant à la figure 1, le réseau 100 de TFT comprend un substrat (non représenté), une pluralité de lignes de balayage 112, une pluralité de lignes de données, une pluralité de structures de pixels, un circuit de commande 120, une pluralité de premiers dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 130, une première barre court-circuit 140, un circuit de commande de données 150, une pluralité de seconds dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 160 et une seconde barre court-circuit 170. Le substrat a une région d'affichage 110a et une région 110b de circuit périphérique. Ici, la région d'affichage 110a est utilisée pour afficher une image, et des circuits concernés sont disposés dans la région 110b de circuit périphérique pour entraîner la région d'affichage 110a afin d'afficher une image. Les lignes de balayage 112 et les lignes de données 114 sont disposées dans la région d'affichage 110a afin de définir une pluralité de régions 116 de pixels en réseau. Les structures de pixels sont disposées dans les régions 116 de pixels respectivement et raccordées électriquement aux lignes de balayage 112 et aux lignes de données 114 afin d'être entraînées par les lignes de balayage 112 et les lignes de données 114. Ici, chaque structure de pixel comprend un TFT 1162 à grille supérieure et une électrode 1164 de pixel. Chaque TFT 1162 à grille supérieure est disposé dans la région 116 de pixel correspondante, et raccordé électriquement aux lignes de balayage 112 et aux lignes de données 114. Chaque électrode 1164 de pixel est disposée au-dessus du TFT 1162 à grille supérieure correspondant et y est électriquement raccordée. Le circuit de commande de balayage 120 est disposé dans la région 110b de circuit périphérique pour appliquer des signaux sur ce dernier afin de rendre passant ou bloqué le TFT 1162 à grille supérieure correspondant. Les premiers dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 130 et la première barre court-circuit 140 sont disposés au niveau d'un côté des lignes de balayage 112. Ici, chaque premier dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 130 est raccordé électriquement à l'une des lignes de balayage 112. Lorsque la quantité d'électricité statique accumulée est au-dessus d'une plage prédéterminée, les premiers dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 130 et la première barre court-circuit 140 peuvent former un chemin conducteur pour dissiper l'électricité statique accumulée. Donc, les TFT 1162 à grille supérieure peuvent être protégés contre des dégâts provoqués par des décharges électrostatiques. De manière similaire, le circuit de commande de données 150 est disposé dans la région 1l0b de circuit périphérique pour injecter des données dans l'électrode 1164 de pixel correspondante. Les seconds dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 160 et la seconde barre court-circuit 170 sont disposés au niveau d'un côté des lignes de données 114. Ici, chaque second dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 160 est raccordé électriquement à l'une des lignes de données 114. Lorsque la quantité d'électricité statique accumulée est audessus d'une plage prédéterminée, les seconds dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 160 et la seconde barre courtcircuit 170 peuvent former un chemin conducteur pour dissiper l'électricité statique accumulée. Donc, le circuit ou le dispositif électrique sur le réseau 100 de TFT à grille supérieure peut être protégé contre des dégâts provoqués par des décharges électrostatiques. Dans un mode de réalisation, la première barre court-circuit 140 et la seconde barre court-circuit sont mises à la terre en étant raccordées électriquement à une première borne de terre 180a et à une seconde borne de terre 180b respectivement. Les figures 2A et 2B sont des vues de dessus illustrant un premier dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 130 et un second dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 160 selon la présente invention. En se référant aux figures 2A et 2B, le premier dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 130 a un premier dispositif de commutation 132 et une première ligne de résistance 134, en parallèle. De manière similaire, le second dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 160 a un second dispositif de commutation 162 et une seconde ligne de résistance 164, en parallèle. Lorsque la quantité d'électricité statique accumulée sur les dispositifs ou circuit du panneau est au-dessus d'une plage prédéterminée, le premier dispositif de commutation 132 ou le second dispositif de commutation 162 sont rendus passants afin de former un chemin conducteur et de conduire l'électricité statique accumulée dans la première barre court-circuit 140 ou la seconde barre court-circuit 170. De plus, lors d'une transmission d'un signal de balayage ou d'un signal de données au TFT 1162 à grille supérieure correspondant ou à l'électrode 1164 de pixel correspondante, la tension du signal de balayage ou du signal de données sera réduite par la première ligne de résistance 134 ou par la seconde ligne de résistance 164. Le signal ne sera pas transmis vers d'autres lignes de balayage 112 ou lignes de balayage 114, et ainsi il est impossible de détecter un pixel défectueux. Dans un mode de réalisation de la présente invention, le premier dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 130, la première barre court-circuit 140, le second dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 160 et la seconde barre courtcircuit 170 peuvent être fabriqués simultanément avec les TFT 1162 à grille supérieure sur le réseau 100 de TFT à grille supérieure. Un processus détaillé sera décrit en trois parties dans les paragraphes suivants. Les figures 3A A 3H sont des vues en coupe transversale illustrant un processus de fabrication d'un des TFT 1162 à grille supérieure représenté sur la figure 1. Les figures 4A à 4F sont des vues de dessus illustrant un processus de fabrication d'un des premiers dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 130 et de la première barre courtcircuit 140 représentées sur la figure 2A. Les figures 5A A 5E sont des vues de dessus illustrant un processus de fabrication d'un des seconds dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques 160 et de la seconde barre court-circuit 170 représentée sur la figure 2B. Tout d'abord, en se référant à la figure 3A, un substrat 200 ayant une pluralité de régions de pixels est fourni. Ici, une couche tampon 210 est formée sur le substrat 200. Ensuite, en se référant aux figures 3B, 4A et 5A, une couche en matériau semi-conducteur est formée sur la couche tampon 210. Et ensuite, la couche en matériau semi-conducteur est modelée afin de former une couche semi-conductrice 222, une première structure en îlot 224, et une seconde structure en îlot 226. Ici, la couche semi-conductrice 222, la première structure en îlot 224 et la seconde structure en îlot 226 peuvent être faites de LTPS. Ensuite, en se référant aux figures 3C, 4B et 5B, une couche 230 d'isolation de grille est formée sur le substrat 200. La couche 230 d'isolation de grille couvre la couche semi-conductrice 222, la première structure en îlot 224 et la seconde structure en îlot 226. Ensuite, en se référant à la figure 3D, une première couche métallique 240 est formée dans la couche 230 d'isolation de grille et est modelée afin de former une grille 242. Ensuite, une implantation ionique est effectuée afin de former une région dopée de source/de drain 222a/222b dans la couche semi-conductrice 222 en utilisant la grille 242 en tant que masque. De plus, en se référant à la figure 4B, une ligne de balayage 244, une première partie de raccord 246 et une première barre court- circuit 248 sont formées à côté de la première structure en îlot 224. Une extrémité de la première partie de raccord 246 est raccordée à la ligne de balayage 244, et l'autre extrémité de la première partie de raccord 246 est raccordée à la première barre court-circuit 248. Par la suite, en se référant à la figure 3E, une couche intermédiaire diélectrique 250 est formée sur la première couche métallique 240 et la couche 230 d'isolation de grille. La couche intermédiaire diélectrique 250 et la couche 230 d'isolation de grille peuvent être faite du même matériau d'isolation ou de matériaux isolants similaires. Ensuite, la couche intermédiaire diélectrique 250 est modelée afin de former une fenêtre de contact de source/de drain 252a/252b correspondant à la région dopée de source/drain 222a/222b. De plus, en se référant à la figure 4C, une ouverture 254 est formée dans la couche intermédiaire diélectrique 250 correspondant à la première partie de raccord 246. Et une pluralité de fenêtres de contact 256 sont formées dans la couche intermédiaire diélectrique 250 correspondant à la ligne de balayage 244, à la première structure en îlot 224 et à la première barre court-circuit 248. Par ailleurs, en se référant à la figure 5B, une pluralité de fenêtres de contact 258 sont formées dans la couche intermédiaire 250 correspondant à la seconde structure en îlot 226. Ensuite, en se référant à la figure 3F, une seconde couche métallique 260 est formée sur la couche intermédiaire diélectrique 250. Et ensuite, la seconde couche métallique 260 est modelée afin de former une source/un drain 262a/262b, qui est raccordé électriquement aux régions dopées de source/de drain 222a/222b par le biais de la fenêtre de contact de source/de drain 252a/252b. Et en se référant à la figure 4D, une première ligne de raccord 264a en forme de L est formée entre la première structure en îlot 224 et la ligne de balayage 244. Une seconde ligne de raccord 264b en forme de L est formée entre la première structure en îlot 224 et la première barre court-circuit 248. Ici, la première ligne de raccord 264a est raccordée électriquement entre la première structure en îlot 224 et la ligne de balayage 244 par le biais des fenêtres de contact 256, et la seconde ligne de raccord 264b est raccordée électriquement entre la première structure en îlot 224 et la première barre court- circuit 248. De plus, en se référant à la figure 5C, une ligne de données 266, une seconde partie de raccord 268 et une seconde barre court--circuit 270 sont formées à côté de la seconde structure en îlot 226. Ici, une extrémité de la seconde partie de raccord 268 est raccordée à la ligne de données 266 et l'autre extrémité de la seconde partie de raccord 268 est raccordée à la seconde barre court-circuit 270. Les lignes de données 266 et la seconde barre court-circuit 270 s'étendent partiellement au-dessus de la seconde structure en îlot 226, et sont raccordées électriquement à la seconde structure en îlot 226 par le biais de fenêtres de contact 258. Ensuite, en se référant à la figure 3G, une couche de passivation 280 est formée sur la seconde couche métallique 260 et sur la couche intermédiaire diélectrique 250. Et ensuite, la couche de passivation 280 est modelée afin de former une fenêtre de contact 282 correspondant au drain 262b. De plus, en se référant à la figure 4E, une autre ouverture 284 est formée dans la couche de passivation 280 correspondant à l'ouverture 254, et des fenêtres de contact 268a et 286b sont formées dans la couche de passivation 280 correspondant à la première ligne de raccord 264a et à la seconde ligne de raccord 264b. Par ailleurs, en se référant à la figure 5D, une ouverture 288 et des fenêtres de contact 289a et 289b sont formées dans la couche de passivation 280 correspondant à la seconde partie de raccord 268, à la ligne de données 266 et à la seconde barre court-circuit 270, respectivement. Par la suite, en se référant à la figure 3H, une couche conductrice est formée sur la couche de passivation 280 et est modelée afin de former une électrode 290 de pixel raccordée électriquement au drain 262b par le biais de la fenêtre de contact 282. Ici, la couche conductrice peut être faite d'un matériau conducteur transparent, tel que de l'ITO. De plus, en se référant à la figure 4F, une première ligne de résistance 292 est formée en définissant la couche conductrice et deux extrémités de la première ligne de résistance 292 sont raccordées électriquement à la première ligne de raccord 264a et à la seconde ligne de raccord 264b par le biais des fenêtres de contact 286a et 286b, respectivement. Dans le mode de réalisation, la première ligne de résistance 292 être en forme de zigzag, et l'homme du métier peut modifier la forme de la première ligne de résistance 292 afin d'atteindre une valeur de résistance différente. De manière similaire, en se référant à la figure 5E, une seconde ligne de résistance 294 est formée en définissant la couche conductrice et deux extrémités de la seconde ligne de résistance 294 sont raccordées électriquement à la ligne de données 266 et à la seconde barre courtcircuit 270 par le biais des fenêtres de contact 289a et 289b, respectivement. Dans le mode de réalisation, la seconde ligne de résistance 294 peut être en forme de zigzag, et l'homme du métier peut modifier la forme de la première ligne de résistance 294 afin d'atteindre une valeur de résistance différente. Après avoir formé la première ligne de résistance 292 et la seconde ligne de résistance 294, et avant l'élimination de résine photosensible, la première ligne de résistance 292 et la seconde ligne de résistance 294 dans l'ouverture 284 et l'ouverture 288 sont éliminées par attaque chimique sèche ou attaque chimique humide. Ensuite, la résine photosensible est éliminée et le processus de fabrication des structures de pixels, des dispositifs de protection contre des décharges électrostatiques, et des deux barres court-circuit est achevé. La première ligne de résistance 292 et la seconde ligne de résistance 294 n'affecteront pas l'essai électrique ou le fonctionnement suivant. On notera que le processus de fabrication du circuit de commande de balayage 120 et du circuit de commande de données 150 représenté sur la figure 1 peut en outre être intégré au processus mentionné ci-dessus, mais ceci ne sera pas décrit ici. En résumé, l'invention peut être appliquée au présent processus de fabrication de TFT en LTPS afin de fabriquer des dispositifs de protection. contre des décharges électrostatiques, ce qui fournit un effet de protection contre des décharges électrostatiques au réseau de TFT à grille supérieure, sans aucun processus supplémentaire de masquage. De plus, le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques peut faire effet lorsque chaque couche métallique/conductrice est fabriquée mais non tel que le processus de panneau total devrait être accompli. Par ailleurs, étant donné qu'un signal appliqué sur une ligne de balayage ou sur une ligne de données spécifique peut être séparé d'autres signaux par le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques, il est impossible de détecter un pixel défectueux. L'homme du métier s'apercevra que diverses modifications et variations peuvent être apportées à la structure de la présente invention sans s'écarter de la portée ou de l'esprit de l'invention. En vue de ce qui précède, il est prévu que la présente invention couvre des modifications et des variations de cette invention à condition qu'elles entrent dans la portée des revendications suivantes et de leurs équivalents. REVENDICATIONS 1. Réseau (100) de transistors en couches minces caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat (200) ayant une région d'affichage (110a) et une région (110b) de circuit périphérique; - une pluralité de lignes de données (114, 266) et de lignes de balayage (112, 244), disposées dans la région d'affichage pour définir une pluralité de régions (116) de pixels; - une pluralité de structures de pixels disposées dans les régions de pixels et commandées par les lignes de données et les lignes de balayage, dans laquelle chaque structure de pixel comprend: É un transistor en couches minces (1162) à grille supérieure, raccordé électriquement à l'une des lignes de données et à l'une des lignes de balayage; É une électrode (1164, 290) de pixel disposée au-dessus et raccordée électriquement au transistor en couches minces à grille supérieure; - une première barre court-circuit (140, 248) disposée dans la région de circuit périphérique; une seconde barre court-circuit (170, 270), disposée dans la région de circuit périphérique; - une pluralité de premières structures en îlot (224) disposées sur le substrat et entre les lignes de balayage et la première:barre court-circuit; - une pluralité de secondes structures en îlot (226) disposées sur le substrat et entre les lignes de 30 données et la seconde barre court-circuit; - une couche (230) d'isolation de grille disposée sur le substrat et couvrant les premières structures en îlot, les secondes structures en îlot et des couches semi- conductrices (222) des transistors en couches minces à grille supérieure; - une couche intermédiaire diélectrique (250) disposée sur la couche d'isolation de grille et couvrant les lignes de balayage, la première barre court-circuit et des grilles des transistors en couches minces à grille supérieure, dans lequel la couche d'isolation de grille et la couche intermédiaire diélectrique ont une pluralité de premières fenêtres de contact au-dessus des lignes de balayage, des premières structures en îlot et de la première barre court-circuit, et ont une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact au-dessus des secondes structures en îlot, dans lequel les lignes de données et la seconde barre court-circuit sont disposées sur la couche intermédiaire diélectrique et s'étendent au- dessus des secondes structures en îlot afin d'être raccordées électriquement aux secondes structures en îlot par le biais des secondes fenêtres de contact; - une pluralité de premières lignes de raccord (264a) , disposées sur la couche intermédiaire diélectrique et raccordées électriquement entre les premières structures en îlot et les lignes de balayage par le biais des premières fenêtres de contact; - une pluralité de secondes lignes de raccord (264b) disposées sur la couche intermédiaire diélectrique et raccordées électriquement entre les premières structures en îlot et la barre court-circuit par le biais des premières fenêtres de contact; - une couche de passivation (280) couvrant les lignes de données, la seconde barre court--circuit et la source/le drain (262a/262b) des transistcrs en couches minces à grille supérieure, dans lequel la couche de passivation a une pluralité de troisièmes fenêtres de contact au-dessus des premières lignes de raccord et des secondes lignes de raccord et a une pluralité de quatrièmes fenêtres de contact au-dessus des lignes de données et de la seconde barre court- circuit; - une pluralité de premières lignes de résistance (134, 292) disposées sur la couche de passivation et raccordées électriquement entre une des premières lignes de raccord et une des secondes lignes de raccord par le biais de la troisième fenêtre de contact, respectivement; et - une pluralité de secondes lignes de résistance (164, 294) disposées sur la couche de passivation et raccordées électriquement entre une des lignes de données et la seconde barre court-circuit par le biais des quatrièmes fenêtres de contact, respectivement. 2. Réseau (100) de transistors en couches minces selon la revendication 1, dans lequel les grilles (242) de transistors en couches minces (1162) à grille supérieure, les lignes de balayage (112, 244) la première barre court-circuit (140, 248) sont faits d'un même matériau. 3. Réseau (100) de transistors en couches minces selon la revendication 1, dans lequel les couches semi- conductrices (222), les premières structures en îlot (224) et les secondes structures en îlot (226) sont 5 faites d'un même matériau. 4. Réseau (100) de transistors en couches minces selon la revendication 3, dans lequel les couches semi-conductrices (222), les premières structures en îlot (224) et les secondes structures en îlot (226) sont faites de polysilicium à température basse. 5. Réseau (100) de transistors en couches minces selon la revendication 1, dans lequel la source/le drain (262a/262b) des transistors en couches minces (1162) à grille supérieure, les lignes de données (114, 266), la seconde barre court-circuit (170, 270), les premières lignes de raccord (264a), et les secondes lignes de raccord (264b) sont faites d'un même matériau. 6. Procédé de fabrication d'un réseau de transistors en couches minces, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : -fournir un substrat (200) avec une pluralité de régions (116) de pixel définies sur ce dernier; - former une couche d'un matériau semi-conducteur modelée sur le substrat, la couche de matériau semi-conducteur modelée comprenant une couche semi- conductrice (222) dans chaque région de pixel, respectivement, et comprenant une pluralité de premières structures en îlot (224) et une pluralité de secondes structures en îlot (226) au niveau de deux côtés adjacents des régions de pixels, respectivement; - former une couche (230) d'isolation de grille sur le substrat afin de couvrir les couches semi-conductrices, les premières structures en îlot et les secondes structures en îlot; - former une première couche métallique (240) modelée comprenant une pluralité de grilles (242), une pluralité de lignes de balayage (112, 244), une pluralité de premières parties de raccord, et une première barre court-circuit (140, 248) sur la couche d'isolation de grille, les grilles étant disposées sur les couches semi-conductrices, les lignes de balayage étant raccordées aux grilles, et deux extrémités de chaque première partie de raccord étant raccordées à la première barre court-circuit et à une des lignes de balayage; - effectuer une implantation ionique afin de 20 former une région dopée de source/de drain (222a/222b) dans chaque couche semi-conductrice; - former une couche intermédiaire diélectrique modelée sur la première couche métallique (240) et la couche d'isolation de grille, la couche intermédiaire diélectrique modelée avant une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant aux régions dopées de source/de drain, aux lignes de balayage, aux premières structures en îlot, aux secondes structures en îlot et à la première barre court-circuit, et la couche intermédiaire diélectrique modelée ayant une pluralité de premières ouvertures (254, 284, 288) correspondant aux premières parties de raccord; - former une seconde couche métallique (260) modelée comprenant une pluralité de sources/de drains (262a/262b), une pluralité de premières lignes de raccord (264a), une pluralité de secondes lignes de raccord (264b), une pluralité de lignes de données (114, 266), une pluralité de secondes parties de raccord (268) et une seconde barre court--circuit (170, 270) sur la couche intermédiaire diélectrique, chaque source/drain étant raccordée électriquement à une des régions dopées de source/de drain par le biais des premières fenêtres de contact, deux extrémités de chaque ligne de raccord étant raccordées électriquement à une des lignes de balayage et à une des premières structures en îlot, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact, deux extrémités de chaque seconde ligne de raccord étant raccordées électriquement à une des premières structures en îlot et à la première barre court-circuit, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact, chaque ligne de données étant raccordée électriquement à une des sources, et deux extrémités de chaque seconde partie de raccord étant raccordées électriquement à une des lignes de données et à la seconde barre court- circuit, respectivement - former une couche de passivation (280) modelée sur la seconde couche métallique et la couche intermédiaire diélectrique, la couche de passivation modelée ayant une pluralité de deuxièmes ouvertures correspondant aux premières ouvertures et une pluralité de troisièmes ouvertures correspondant aux secondes parties de raccord, et la couche de passivation modelée ayant une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact correspondant aux drains, aux premières lignes de raccord, aux secondes lignes de raccord, aux lignes de données et à la seconde barre court-circuit; - former une couche conductrice modelée comprenant une pluralité d'électrodes (1164, 290) de pixels, une pluralité de premières lignes de résistance (134, 292) et une pluralité de secondes lignes de résistance (164, 294) sur la couche de passivation, chaque électrode de pixel étant raccordée électriquement à un des drains par le biais d'une des deuxièmes fenêtres de contact, deux extrémités de chaque première ligne de résistance étant raccordées électriquement à une des premières lignes de raccord et à une des secondes lignes de raccord, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact, et deux extrémités de chaque seconde ligne de résistance étant raccordées électriquement à une des lignes de données et à la seconde barre court- circuit, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact; et - éliminer les premières parties de raccord et les secondes parties de raccord. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape consistant à éliminer les premières parties de raccord et les secondes parties de raccord (268) comprend la réalisation d'une attaque chimique sèche ou d'une attaque chimique humide afin d'éliminer les premières parties de raccord et les secondes parties de raccord exposées par les deuxièmes ouvertures et les troisièmes ouvertures. 8. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) d'un réseau (100) de transistors en couches minces, caractérisé en ce que le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) est raccordé électriquement entre une ligne de balayage (112, 244) et une première barre court-circuit (140, 248) sur un substrat (200), et le dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) comprend: - une première structure en îlot (224), disposée sur le substrat et entre la ligne de balayage et la 15 première barre courtcircuit; - une couche (230) d'isolation de grille disposée sur le substrat et couvrant la première structure en îlot; - une couche intermédiaire diélectrique (250) disposée sur la couche d'isolation de grille, la couche intermédiaire diélectrique et la couche d'isolation de grille ayant une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant à la ligne de balayage, à la première structure en îlot et à la première barre court-circuit; - une couche métallique, disposée sur la couche intermédiaire diélectrique et comprenant une première ligne de raccord (264a) et une seconde ligne de raccord (264b), deux extrémités de la première ligne de raccord étant raccordées électriquement à la ligne de balayage et à la première structure en îlot, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact et deux extrémités de la seconde ligne de raccord étant raccordées électriquement à la première structure en îlot et à la première barre court-circuit, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact; - une couche de passivation (280) disposée sur la couche métallique et ayant une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact correspondant à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord; et - une couche conductrice, disposée sur la couche de passivation et comprenant une ligne de résistance, deux extrémités de la ligne de résistance étant raccordées électriquement à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord respectivement, par le:biais des deuxièmes fenêtres de contact. 9. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 8, dans lequel la première structure en îlot (224) est faite d'un polysilicium à basse température. 10. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 8, comprenant en outre une première borne de terre (180a) qui est raccordée électriquement à la première barre courtcircuit (140, 248). 11. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 8 dans lequel la ligne de résistance est en forme de zigzag. 12. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 8, dans lequel la couche conductrice est faite d'un métal, d'un alliage métallique, d'oxyde d'étain-indium (ITO) ou d'oxyde de zinc-indium (IZO). 13. Procédé de fabrication d'un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) d'un réseau (100) de transistors en couches minces caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à . - fournir un substrat (200) ; - former une couche d'un matériau semiconducteur sur le substrat et modeler ensuite la couche de matériau semiconducteur afin de former une première structure en îlot (224), ; -former une couche (230) d'isolation de grille sur le substrat afin de couvrir la première structure en îlot; - former une première couche métallique (240) modelée comprenant une ligne de balayage (112, 244), une première partie de raccord, et une première barre court-circuit (140, 248) sur la couche d'isolation de grille, deux extrémités de la première partie de raccord sont raccordées électriquement à la ligne de balayage et à la première barre court-circuit, respectivement; - former une couche intermédiaire diélectrique (250) modelée sur la première couche métallique, la couche intermédiaire diélectrique modelée ayant une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant à la ligne de balayage, à la première structure en îlot et à la première barre court-circuit, et la couche intermédiaire diélectrique modelée ayant une première ouverture dans la couche intermédiaire diélectrique correspondant à la première partie de raccord; - former une seconde couche métallique (260) modelée comprenant une première ligne de raccord (264a) et une seconde ligne de raccord (264b) sur la couche intermédiaire diélectrique, deux extrémités de la première ligne de raccord étant raccordées électriquement à la ligne de balayage et à la première structure en îlot, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact, et deux extrémités de la seconde ligne de raccord étant raccordées électriquement à la première structure en îlot et à la première barre court-circuit, respectivement, par le biais des premières fenêtres de contact; - former une couche de passivation (280) modelée sur la seconde couche métallique, la couche de passivation modelée ayant une deuxième ouverture correspondant à la première ouverture, et ayant une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact correspondant à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord; - former une couche conductrice modelée comprenant une ligne de résistance sur la couche de passivation, deux extrémités de la ligne de résistance étant raccordées électriquement à la première ligne de raccord et à la seconde ligne de raccord, respectivement par le biais des deuxièmes fenêtres de contact; et - éliminer la première partie de raccord. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape consistant à éliminer la première partie de raccord comprend la réalisation d'une attaque chimique sèche ou d'une attaque chimique humide afin d'éliminer la première partie de raccord exposée par la deuxième ouverture. 15. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) d'un réseau (100) de transistors en couches minces, caractérisé en ce qu'il est raccordé électriquement entre une ligne de données (114, 266) et une seconde barre court-circuit (170, 270) sur un substrat (200), et qu'il comprend: - une seconde structure en îlot (226), disposée sur le substrat et entre la ligne de données et la seconde barre court-circuit; - une couche (230) d'isolation disposée sur le substrat et couvrant la seconde structure en îlot, la couche d'isolation ayant une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant à la seconde structure en îlot, et la ligne de données et la seconde barre court-circuit s'étendant au-dessus de la seconde structure en îlot afin d'être raccordées électriquement à la seconde structure en îlot par le biais des premières fenêtres de contact; - une couche de passivation (280), disposée au- dessus de la ligne de données, de la seconde structure en îlot et de la seconde barre court-circuit, la couche de passivation ayant une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact correspondant à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit; et - une couche conductrice disposée sur la couche de passivation et comprenant une ligne de résistance, les deux extrémités de la ligne de résistance étant raccordées électriquement à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact. 16. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 15, dans lequel la seconde structure en îlot (226) est faite de polysilicium à température basse. 17. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 15, dans lequel la couche d'isolation comprend une couche (230) d'isolation de grille et une couche intermédiaire diélectrique (250). 18. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 15, comprenant en outre une seconde borne de terre (180b) qui est raccordée électriquement à la seconde barre courtcircuit (170, 270). 19. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 15, dans lequel la ligne de résistance est en forme de zigzag. 20. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) selon la revendication 15, dans lequel la couche conductrice est faite d'un métal, d'un alliage métallique, d'oxyde d'étain-indium (ITO) d'oxyde de zinc-indium (IZO). 21. Procédé de fabrication d'un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) d'un réseau (100) de transistors en couches minces caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant fournir un substrat (200) ; - former une couche d'un matériau seraiconducteur 20 modelée comprenant une seconde structure en îlot (226) sur le substrat; - former une couche d'isolation modelée sur le substrat, la couche d'isolation modelée ayant une pluralité de premières fenêtres de contact correspondant à la seconde structure en îlot; - former une couche métallique modelée comprenant une ligne de données (114, 266), une seconde partie de raccord (268) et une seconde barre court-circuit (170, 270) sur la couche d'isolation, la ligne de données et la seconde barre court-circuit s'étendant au-dessus de la seconde structure en îlot afin d'être raccordées électriquement à la seconde structure en îlot par le biais des premières fenêtres de contact, et deux extrémités de la seconde partie de raccord étant raccordées électriquement à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement; - former une couche de passivation (280) sur la couche métallique, la couche de passivation modelée ayant une ouverture (254, 284, 288) correspondant à la seconde partie de raccord et ayant une pluralité de deuxièmes fenêtres de contact correspondant à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit; former une couche conductrice modelée comprenant une ligne de résistance sur la couche de passivation, deux extrémités de la ligne de résistance étant raccordées électriquement à la ligne de données et à la seconde barre court-circuit, respectivement, par le biais des deuxièmes fenêtres de contact; et - éliminer la seconde partie de raccord. 22. Procédé selon la revendication 21, dans lequel les étapes consistant à former la couche d'isolation comprennent les étapes consistant à : former une couche (230) d'isolation de grille sur le substrat (200) ; et former une couche intermédiaire diélectrique (250) sur la couche d'isolation de grille. 23. Procédé selon la revendication 21, dans lequel l'étape consistant à éliminer la seconde partie de raccord (268) comprend la réalisation d'une attaque chimique sèche ou d'une attaque chimique humide afin d'éliminer la seconde partie de raccord exposée par l'ouverture (254, 284, 288).