Brevet FR2894071A1 — publié le 20070601

TRANSISTOR A COUCHES MINCES ET MATRICE DE DIODES POUR UN ECRAN OU ANALOGUE D'UN SYSTEME IMAGEUR Des éléments photosensibles servant à convertir en signal électrique une énergie rayonnée incidente sont couramment employés dans des applications d'imagerie, par exemple des imageurs de radiographie et/ou des dispositifs du type télécopieurs. Du silicium amorphe hydrogéné (a ù Si) et des alliages de a ù Si sont couramment utilisés pour fabriquer des éléments photosensibles en raison des caractéristiques photoélectriques du a ù Si et/ou de la relative facilité de fabrication. En particulier, des éléments photosensibles tels que des photodiodes peuvent être formés conjointement avec des éléments de commande ou de commutation correspondants, comme des transistors à couches minces (TCM), sous la forme de matrices a superficie relativement grande, par exemple dans le but de former un écran de détection pour un système d'imagerie radiographique ou analogue. Les photodiodes peuvent ordinairement comporter un îlot ou un corps de matière photosensible telle que aùSi disposé entre deux électrodes couplées électriquement à des surfaces opposées du corps des photodiodes. De telles photodiodes sont ordinairement constituées d'une matière de type P, des matières de type intrinsèque et d'une matière de type N, on les appelle diodes PIN ou autres. A mesure qu'un rayonnement incident est absorbé dans le aùSi, des trous et des électrons peuvent être produits et se diriger vers la surface supérieure ou inférieure de la photodiode est fonction du champ électrique établi par les électrodes. La quantité de charge recueillie sur les électrodes est fonction du flux d'énergie de la lumière incidente. Des mesures périodiques de la charge recueillie sur une photodiode, et un rétablissement d'un état de charge connu de la diode peuvent être employés pour traiter des signaux électriques générés par la photodiode en réponse au rayonnement incident, par exemple des photons émis par une source de rayons X, qui frappent l'écran de détection dans un système d'imagerie radiographique. Il peut arriver qu'une matrice de TCM pour un système d'imagerie puisse être réalisée suivant un processus différent, à un moment différent et/ou à un emplacement différent, par exemple dans une usine de fabrication différente, en comparaison du processus par lequel la matrice de diodes est réalisée et intégrée avec la matrice de TCM afin de produire un écran de détection opérationnel pour un système d'imagerie radiographique ou analogue. Une telle matrice de TCM peut être fabriquée à l'aide du même procédé et/ou d'un procédé similaire à celui pour une matrice de TCM pour systèmes d'affichage. Cependant, un tel processus de fabrication, lorsqu'une matrice de photodiodes est intégrée avec la matrice TCM, risque de poser des problèmes défavorables à la fiabilité mécanique et/ou à l'intégrité de l'écran de détection. Parmi ces problèmes, on peut citer par exemple le fait que le film d'une diode risque de ne pas adhérer solidement à la matrice de TCM, que l'agent d'attaque par voie humide, constitué d'acide fluorhydrique (HF) utilisé pour éliminer par attaque chimique l'oxyde et le nitrure afin de former une structure à trous d'interconnexion afin de créer un contact avec le métal de source-drain (S/D) du TCM risque d'attaquer le métal de S/D, qu'on peut appeler la deuxième couche métallique, ou métal M2, et/ou d'amoindrir la fiabilité potentielle à long terme pour la diode en ce qui concerne les contacts avec le métal M2, car ce métal M2 de la matrice de TCM peut contenir et/ou être autrement constitué d'un alliage d'aluminium, ordinairement Mo/Al/Mo et/ou Mo/Al(Nd)/Mo. Généralement, les procédés habituels pour fabriquer une matrice de TCM risquent de ne pas être totalement compatibles avec des procédés de fabrication d'une matrice de photodiodes à intégrer avec la matrice de TCM afin de former un écran de détection pour un système d'imagerie ou analogue. Il est proposé un dispositif, comprenant : un substrat; et une première zone comportant au moins une ou plusieurs couches de métal, une couche de diélectrique disposée sur lesdites une ou plusieurs couches de métal et un ou plusieurs trous d'interconnexion formés dans le diélectrique pour coupler une couche de diodes à au moins une ou plusieurs couches du métal ; et une deuxième zone comportant zéro ou plusieurs trous d'interconnexion formés dans le diélectrique pour faire adhérer la couche de diodes au moins au substrat. Ladite couche de diodes peut comporter au moins une ou plusieurs photodiodes, une ou plusieurs diodes PIN, ou du silicium amorphe, ou une combinaison de ceux-ci. Lesdites une ou plusieurs couches métalliques peuvent comporter une première couche de métallisation et une deuxième couche de métallisation, au moins un ou plusieurs desdites trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la première couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation. Lesdites une ou plusieurs couches métalliques peuvent comporter une première couche de métallisation, une deuxième couche de métallisation et une troisième couche de métallisation, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation. Lesdites uns ou plusieurs couches métalliques peuvent comporter une première couche de métallisation, une deuxième couche de métallisation et une troisième couche de métallisation, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, une diode de ladite couche de diodes touchant le trou d'interconnexion de la deuxième couche de métallisation via la troisième couche de métallisation. Lesdites une ou plusieurs couches métalliques peuvent comporter une première couche de métallisation, une deuxième couche de métallisation et une troisième couche de métallisation, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, ladite troisième couche de métallisation étant constituée d'au moins un métal parmi le molybdène, l'alliage molybdène-tungstène, un alliage de molybdène, du titane ou un alliage de titane, ou des combinaison de ceux-ci. Lesdites au moins une ou plusieurs couches métalliques peuvent comporter une première couche de métallisation, une deuxième couche de métallisation et une troisième couche de métallisation, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, ladite troisième couche de métallisation étant constituée d'au moins un métal parmi le molybdène, l'alliage molybdène-tungstène, un alliage de molybdène, du titane ou un alliage de titane, ou des combinaisons de ceux-ci. Lesdites au moins une ou plusieurs couches métalliques peuvent comprendre une première couche de métallisation, une deuxième couche de métallisation et une troisième couche de métallisation, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, ladite troisième couche de métallisation étant essentiellement composée d'au moins un métal parmi le molybdène, un alliage de molybdène-tungstène, un alliage de molybdène, le titane ou un alliage de titane ou des combinaisons de ceux-ci. Au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion peuvent être constitués par des structures à parois latérales étagées. u moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion peuvent avoir une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher le substrat lorsque la couche de diodes est reçue dans lesdits trous d'interconnexion, lesdites trous d'interconnexion étant disposés sur au moins une zone parmi une zone vierge de bord à l'extérieur de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone très proche d'une ou plusieurs couches de métallisation situées sous une couche de nitrure de passivation de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone à l'intérieur d'une ouverture de grille de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone électriquement inactive de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone adjacente à un ou plusieurs contacts d'extrémités de ladite matrice de transistors à couches minces, ou sur un ou plusieurs contacts d'extrémités de ladite matrice de transistors à couches minces, ou des combinaisons de celles-ci. Les aspects revendiqués sont soulignés en particulier et sont revendiqués distinctement dans la partie qui conclut la description. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les dessins annexés, sur lesquels : la Fig. 1 est un schéma de principe d'un système d'imagerie selon une ou plusieurs formes de réalisation ; la Fig. 2 est un schéma de types de structures à trous d'interconnexion dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation ; la Fig. 3 est un schéma de vues en coupe transversale d'un niveau extérieur de contacts de balayage et d'adresses de données dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation ; la Fig. 4 est un schéma de vues en coupe transversale d'un niveau intérieur de contacts dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation ; la Fig. 5 est un schéma d'une vue en coupe transversale à trous d'interconnexion dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation ; la Fig. 6 est un schéma d'une vue en coupe transversale d'une diode contenant une couche supplémentaire de nitrure et une couche métallique supplémentaire selon une ou plusieurs formes de réalisation ; la Fig. 7 est un schéma d'une vue en coupe transversale de types à trous d'interconnexion de diodes selon une ou plusieurs formes de réalisation ; et la Fig. 8 est un organigramme d'un procédé de fabrication d'un écran de détection comportant une matrice de TCM et une matrice de diodes selon une ou plusieurs formes de réalisation. On notera que, pour simplifier et/ou rendre plus claire l'illustration, les éléments représentés sur les figures n'ont pas forcément été dessinés à l'échelle. Par exemple, pour plus de clarté, les dimensions de certains des éléments peuvent être exagérées par rapport à d'autres éléments. En outre, si on l'estime approprié, des repères ont été répétés d'une figure à une autre pour désigner des éléments correspondants ou analogues. Dans la description détaillée ci-après, de nombreux détails spécifiques sont présentés pour permettre une connaissance parfaite des points revendiqués. Cependant, il est entendu pour les spécialistes de la technique que les points revendiqués peuvent être mis en oeuvre sans ces détails spécifiques. Dans d'autres cas, des procédés, procédures, organes et/ou circuits bien connus n'ont pas été décrits en détail. Dans la description et/ou les revendications ci-après, les termes "couplés" et/ou "connectés", ainsi que leurs formes dérivées, peuvent être employés. Dans des formes de réalisation particulières, le mot "connectés" peut servir à indiquer que deux éléments ou davantage sont physiquement et/ou électriquement directement au contact les uns des autres. Le terme "couplés" peut signifier que deux éléments ou davantage sont physiquement et/ou électriquement directement au contact les uns des autres. Cependant, le terme "couplés" peut également signifier que deux ou plus de deux éléments peuvent ne pas être directement au contact les uns des autres mais néanmoins peuvent encore coopérer et/ou interagir les uns avec les autres. Par ailleurs, l'expression "et/ou" peut signifier "et", elle peut signifier "ou", elle peut signifier "ou exclusif', elle peut signifier "un seul", elle peut signifier "certains mais pas tous", elle peut signifier "ni l'un ni l'autre" et/ou elle peut signifier "les deux", bien que l'étendue des points revendiqués ne soit pas limitée à ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 1, on examinera un schéma de principe d'un système d'imagerie selon une ou plusieurs formes de réalisation. Comme représenté sur la Fig. 1, le système d'imagerie 100 peut comprendre une source 110 de rayons X capable de générer et d'émettre des photons 112 adéquats pour produire une image. Dans une ou plusieurs autres formes de réalisation possibles, la source de rayons X peut être tout type de source apte à émettre des particules ou des ondes permettant de produire une image, et l'étendue des points revendiqués n'est pas limitée à ce sujet. Des photons 112 peuvent frapper une cible 114 qui, par exemple, peut être une cible animale et/ou humaine lorsque le système d'imagerie 100 est utilisé dans des applications médicales. Selon une autre possibilité, la cible 114 peut être toute cible appropriée lorsqu'une image de la cible 114 peut être souhaitable, par exemple pour l'examen d'objets manufacturés, bien que l'étendue des points revendiqués ne soit pas limitée à ce sujet. Au moins une partie des photons 112 peut passer à travers la cible 114 à des niveaux de flux variables correspondant au moins en partie à une densité de portions de la cible 114 où ces photons 112 traversant la cible 114 peuvent être détectés par un détecteur 116. Au moins en partie d'après les niveaux variables de flux de photons 112 détectés par le détecteur 116, le détecteur 116 peut fournir un signal de sortie à un circuit d'acquisition 118 apte à produire une image, et/ou des données représentatives d'une image, de la cible 114 à partir du signal de sortie. D'une façon générale, l'écran de détection 116 peut comporter des plots de connexion permettant un contact électrique avec des circuits extérieurs. Les contacts d'extrémités connectent les plots de connexion au bord de la zone active de la matrice de TCM, où ils peuvent se connecter électriquement à des lignes de balayage et/ou d'adresses de données, et/ou à l'électrode ou aux électrodes communes de la matrice de TCM. Un écran de détection d'un système d'imagerie radiographique ou analogue peut être formé sur un substrat sensiblement plat, ordinairement mais pas obligatoirement en verre. L'imageur peut comporter une matrice de pixels avec des éléments photosensibles, tels que des photodiodes, qui peuvent avoir des éléments de commutation correspondants, par exemple des transistors à couches minces (TCM). Pendant le fonctionnement, la tension des lignes de balayage, et donc celle des grilles des TCM des pixels correspondant aux lignes de balayage, peut être activée dans un ordre prédéterminé en permettant que la charge sur la photodiode d'une ligne balayée soit extraite via les lignes d'adresses de données. Les lignes de balayage et d'adresses de données peuvent normalement être disposées suivant un agencement perpendiculaire. Les lignes d'adresses constituent une région dans la matrice et la ou les régions à l'extérieur de la matrice comportent le ou les contacts d'extrémités et un plot de garde et un anneau de garde qui peuvent être électriquement isolés du plot de connexion. Le contact électrique avec l'anneau de garde peut se faire par l'intermédiaire de plots de connexion séparés qui peuvent n'être pas électriquement connectés à la matrice. L'anneau de garde est ordinairement maintenu au potentiel de terre pendant le fonctionnement. L'anneau de garde peut servir, par exemple, à protéger la matrice contre une décharge électrostatique pendant la formation du panneau de détection 116 et/ou pendant la connexion du panneau de détection à des circuits extérieurs. Le plot de connexion peut être constitué par une zone de matière conductrice disposée sur une surface du substrat sur une surface de plot. La région du plot de connexion peut comporter la région de contact de surface et/ou d'éventuelles régions supplémentaires avec des structures qui connectent électriquement le plot de connexion de surface au corps principal du contact d'extrémité. En général, le plot de connexion se trouve à l'extrémité du contact d'extrémité et l'anneau de garde peut être disposé à l'extérieur du plot de connexion. Dans une ou plusieurs formes de réalisation du panneau de détection 116, des lignes d'adresses peuvent avoir deux ou plus de deux contacts d'extrémités et plots de connexion, par exemple à des extrémités opposées de la matrice, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Le dispositif de commande 120 du système peut recevoir l'image produite par le circuit d'acquisition 118 et peut exécuter diverses fonctions de commande et de traitement pour le système d'imagerie 100. Par exemple, le dispositif de commande 120 du système peut être couplé à une unité d'alimentation électrique et de commande 122 pour commander le fonctionnement de la source 110 de rayons X. De même, le dispositif de commande 120 du système peut commander le fonctionnement du circuit d'acquisition 118 et/ou du détecteur 116 et peut en outre être couplé à un système d'entrée/sortie (E/S) 124. Le système d'E/S 124 peut comporter une ou plusieurs commandes pour permettre à un opérateur de faire fonctionner le système d'imagerie 100 et/ou peut se coupler à un ou plusieurs dispositifs pour afficher et/ou stocker des images de la cible 114 capturées par le détecteur 116. Par exemple, le système d'E/S 124 peut se coupler à un écran d'affichage à cristaux liquides (non représenté) ou analogue pour afficher des images capturées par le détecteur 116. Par ailleurs, le système d'E/S 124 peut se coupler à un lecteur de disque dur ou à d'autres types de supports de stockage pour stocker des images capturées par le détecteur 116. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le système d'E/S 124 peut se coupler à une carte réseau, à un modem et/ou à un routeur (non représenté), par exemple pour envoyer des images capturées par le détecteur à d'autres dispositifs et/ou noeuds sur un réseau. En outre, cette carte réseau, ce modem et/ou ce routeur peuvent permettre à un opérateur distant de télécharger et/ou d'examiner des images capturées par le détecteur 116, par exemple calculées et stockées sous la forme de fichiers de données, et/ou de recevoir et/ou d'examiner ces images en temps réel ou quasiment en temps réel et/ou de commander autrement le fonctionnement du système d'imagerie 100 depuis un emplacement distant, par exemple depuis une machine couplée au système d'imagerie 100 via l'Internet. Cependant, il ne s'agit là que d'exemples de formes de réalisation pour commander le système d'imagerie 100 et/ou pour communiquer avec ce dernier, et l'étendue du point revendiqué n'est pas limitée à ce sujet. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le dispositif de commande 120 du système peut comprendre au moins un ou plusieurs processeurs afin d'exécuter des fonctions de commande du système d'imagerie 100, de commander le processus de capture d'images par le système d'imagerie 100 et/ou pour le traitement électronique de capture d'images par le détecteur 116. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le dispositif de commande 120 du système peut comprendre un ou plusieurs processeurs polyvalents ayant un ou plusieurs coeurs de processeurs et, dans une ou plusieurs formes de réalisation, le dispositif de commande 120 du système peut comprendre un ou plusieurs processeurs spécialisés tels qu'un processeur de signaux numériques, servant par exemple à effectuer un traitement d'images sur des images capturées par le détecteur 116. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le dispositif de commande 120 du système peut comprendre une plate-forme informatique, un poste de travail et/ou un serveur polyvalents et, dans une ou plusieurs autres formes de réalisation possibles, le dispositif de commande 120 du système peut comporter une plate-forme spécialisée conçue pour des travaux d'imagerie. Cependant, il ne s'agit là que d'exemples de formes de réalisation du dispositif de commande 120 du système, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le détecteur 116 peut comprendre une matrice de photodiodes PIN en aûSi se couplant, par exemple, à une couche d'un scintillateur de radiographie telle qu'une couche d'iodure de césium (CsI) de bromure de césium (CsBr) ou autre, apte à convertir des photons 112 de rayons X émis par la source 110 de rayons X en photons visibles qui sont ensuite détectés par les photodiodes. Un tel détecteur en CsI à photodiodes en a-Si peut être appelé détecteur à conversion indirecte, dans lequel la couche de CsI peut servir de scintillateur de radiographie pour convertir les photons de rayons X en photons visibles, et la photodiode peut servir à détecter et à convertir les photons visibles en signal électrique représentatif d'une image de la cible 114. Les détecteurs à photodiodes/scintillateur de radiographie d'une telle matrice peuvent comporter une matrice correspondante de transistors, par exemple des transistors à couches minces (TCM) et d'autres circuits pour commander la matrice de détecteur à photodiodes/scintillateur de radiographie, et pour extraire des signaux des détecteurs à diodes d'après au moins en partie le flux et/ou l'intensité des photons 112 frappant les détecteurs à diodes. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le détecteur 116 peut comporter une matrice de pixels constitués d'un ou de plusieurs pixels secondaires qui peuvent être desservis individuellement par des amplificateurs à intégration de charge, des profileurs, des discriminateurs et/ou des circuits de comptage, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le détecteur 116 peut être un détecteur 116 à base de scintillateurs à semiconducteurs pour radiographie, par exemple une couche de détecteurs à scintillateurs de radiographie à semiconducteurs tels que de l'oxyde de plomb (PbO), du sélénium amorphe (Se), etc., capable de détecter des photons 112 de rayons X directement émis par la source 110 de rayons X. Un tel détecteur à base de scintillateur à semiconducteurs pour radiographie peut être appelé détecteur à conversion directe, dans lequel le scintillateur de radiographie à semiconducteurs sert à la fois de scintillateur de radiographie et de photodiodes et est donc apte à convertir directement les photons 112 issus de la source 110 de rayons X en un signal électrique représentatif d'une image de la cible 114. Les détecteurs à scintillateurs à semiconducteurs pour radiographie présents dans une telle matrice peuvent comporter une matrice correspondante de transistors, par exemple des transistors à couches minces (TCM) et d'autres circuits pour commander la matrice de détecteur à scintillateur à semiconducteurs pour radiographie, et pour extraire des signaux des détecteurs de diodes au moins en partie d'après le flux et/ou l'intensité des photons 112 frappant les détecteurs à diodes. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le détecteur 116 peut comporter une matrice de pixels constituée d'un ou de plusieurs pixels secondaires qui peuvent être desservis individuellement par des amplificateurs à intégration de charge, des profileurs, des discriminateurs et/ou des circuits de comptage, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 2, on va examiner un schéma de types de structures à trous d'interconnexion dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation. Comme représenté sur la Fig. 2, dans une ou plusieurs formes de réalisation, quatre types de structures à trous d'interconnexion 200, 202, 204 et/ou 210 peuvent être ajoutés sur l'écran de détection 116. Le fait d'ajouter au moins une ou plusieurs des structures 200-206 à trous d'interconnexion sur l'écran de détection 116 peut permettre aux diodes photodétectrices de mieux adhérer à l'écran de détection 116. L'ampleur de cette adhérence accrue des diodes peut être au moins partiellement fonction de l'emplacement et/ou des emplacements de ces structures 200-206 à trous d'interconnexion, et/ou de ce qu'il y a ou n'y a pas une ou plusieurs couches métalliques sous une couche de passivation en nitrure. Par exemple, la structure 20 à trous d'interconnexion peut être utilisée dans ou à proximité de cellules de pixels, de contacts d'extrémités et/ou d'une grille métallique de l'écran de détection 116 et peut comporter une ou plusieurs couches disposées sur un substrat en verre 210. Ces contacts d'extrémités peuvent avoir une certaine fonction électrique qui peut être également limitée, mais ils peuvent également avoir certaines zones ou une région non fonctionnelles entre eux. Un ou plusieurs trous d'interconnexion peuvent être ajoutés sur et/ou à proximité de ces contacts d'extrémités. Une première couche 212 de nitrure de silicium (SiNx) peut être disposée sur le substrat en verre 210 et, dans une forme de réalisation, peut avoir une épaisseur d'environ 2300 angstrôms. Une première couche de métallisation 214 peut être disposée sur la couche 212 et, dans une forme de réalisation, peut avoir une épaisseur d'environ 3500 angstrôms. Une couche de grille 216 peut être disposée sur la couche de métallisation 214 et peut être constituée de nitrure de silicium et avoir une épaisseur d'environ 3500 angstrôms. Une deuxième couche de métallisation 218 peut être disposée sur la couche de grille 216 et peut avoir une épaisseur d'environ 2650 angstrdms. Une autre couche 220 de nitrure de silicium peut être disposée sur la couche de métallisation 218 et peut être constituée de nitrure de silicium sur une épaisseur d'environ 2500 angstrôms. Une troisième couche de métallisation 222 d'une épaisseur d'environ 700 angstrôms peut être disposée sur la couche 220 et encore une autre couche 224 de nitrure de silicium pouvant avoir une épaisseur d'environ 3000 angstrôms peut être disposée sur la couche de métallisation 222. Une diode 226 peut être disposée sur la couche 224 et, dans une ou plusieurs forme de réalisation, peut avoir une épaisseur d'environ 16000 angstrôms, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à une épaisseur particulière de la diode 226 ni à celle d'autres couches des structures 200-206 à trous d'interconnexion. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, on peut obtenir l'adhérence de la diode 226 aux couches de passivation en nitrure des transistors de l'écran de détection 116, ces structures 200-206 à trous d'interconnexion peuvent être formées dans l'écran de détection 116, par exemple lors de sa fabrication. Ces structures 200-206 à trous d'interconnexion peuvent par exemple être disposées, sur l'écran de détection 116, à des endroits où il n'y a pas de reliefs dans les structures à matrices de TCM, ni à l'extérieur de la matrice de TCM dans une ou plusieurs zones vierges de bords. On peut définir une zone vierge de bord sensiblement comme une zone fictive sans fonction électrique. Un ou plusieurs trous d'interconnexion, par exemple plusieurs milliers et/ou centaines de milliers dans certaines formes de réalisation, peuvent être ajoutés dans une telle zone vierge debord. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, des structures 200-206 à trous d'interconnexion peuvent être disposées à des endroits où un métal ordinaire se trouve sous le nitrure de passivation d'un transistor à effet de champ (TEC). Pendant une ou plusieurs opérations d'attaque, pour empêcher de l'acide fluorhydrique (HF) dilué d'attaquer l'aluminium contenu dans la couche de métallisation 18 au cours des processus de formation des diodes, du molybdène pur (Mo) ou presque pur, et/ou un alliage de molybdène-tungstène (MoW) dans la couche de métallisation 222 servant de couche d'arrêt d'attaque, et/ou pendant l'utilisation d'une gravure par voie sèche par plasma en remplacement, au moins en partie, de l'attaque par voie humide à l'acide fluorhydrique dans une ou plusieurs formes de réalisation. Une telle couche de métallisation 222 constituée de molybdène peut être utilisée dans une ou plusieurs des structures 200-206 à trous d'interconnexion afin de réduire et/ou d'éliminer d'éventuels problèmes de fiabilité à long terme du fait qu'un film de diodes en silicium amorphe (a-Si) pour la couche 226 de diodes se trouve directement au contact de la couche de métallisation 218 constituée d'aluminium ou analogue. Dans un tel agencement, le silicium amorphe de la diode 226 peut toucher la couche de métallisation 222 constituée au moins partiellement de molybdène, laquelle est disposée sur la couche de nitrure de silicium 220 au lieu d'être au contact de la couche de métallisation 218 constituée au moins en partie d'aluminium et/ou analogue. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, la couche de métallisation 214 peut être appelée métal Ml, lequel peut être le métal de grille d'un transistor TMC de l'écran de détection 116, la couche de métallisation 218 peut être appelée métal M2, et/ou la couche de métallisation 222 peut être appelée métal M3, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, la couche de métallisation 222 peut être constituée d'un métal et/ou d'un alliage métallique globalement meilleur pour l'adhérence à la matière dont est faite la diode 226, ordinairement du silicium amorphe (a-Si). Un tel métal pour la couche de métallisation 222 peut être un métal réfractaire ou analogue, par exemple du molybdène (Mo), un alliage de molybdène tel que le molybdène-tungstène (MoW), et/ou du titane (Ti) et/ou un alliage de titane ou autre. Ce métal pour la couche de métallisation 222 peut également convenir pour un traitement à une température plus élevée durant lequel est formée la diode 226. En outre, ce métal pour la couche de métallisation 222 peut également être chimiquement moins réactif, par exemple, avec l'acide fluorhydrique (HF) que le métal de la couche de métallisation 218 qui peut par exemple être constituée d'aluminium. Ce métal peut être plus approprié pour un contact direct avec la diode 226 que la couche de métallisation 218, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Ainsi, comme représenté sur la Fig. 2, la structure 200 à trous d'interconnexion peut être formée en ajoutant la couche de métallisation 222 et/ou la couche de nitrure de silicium 224 sur l'écran de détection 116 qui, autrement, peut contenir des couches classiques de transistors TMC, par exemple pour les pixels de l'écran de détection 116. Un tel agencement peut être utilisé dans des cellules de pixels, des contacts d'extrémités et/ou des grilles métalliques de l'écran de détection 116, dans lesquels la diode 226 peut être au contact de la couche de métallisation 222 plutôt que de la couche de métallisation 218. La structure 202 à trous d'interconnexion peut être similaire à la structure 200 à trous d'interconnexion, sauf que la couche de métallisation 218 peut toucher la couche de métallisation 214, par exemple dans les structures du type à anneaux de terre et/ou à réparation de balayage de l'écran de détection 116. La structure 204 à trous d'interconnexion peut ne pas contenir de couches de métallisation, par exemple entre des grilles métalliques, des interconnexions et/ou des connecteurs d'angles ou analogues. La structure 206 à trous d'interconnexion peut contenir une seule couche de métallisation 214, par exemple dans des plots d'identification pour haut débit ou analogues. Les structures 202, 204 et/ou 206 à trous d'interconnexion ne constituent que des exemples d'agencement de structures à trous d'interconnexion qui peuvent être formées sur l'écran de détection 116, par exemple dans le but d'accroître l'adhérence du silicium amorphe de la diode 226 à des couches de passivation en nitrure telles que la couche 220, et l'étendue du point revendiqué n'est pas limitée sur ces sujets. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, les structures 200-206 à trous d'interconnexion peuvent être disposées dans des zones vierges de bords à l'extérieur de zones actives de la matrice de l'écran de détection 116. Dans une forme de réalisation, une structure de grille métallique S/D à pas d'environ 1000 micromètres peut suffire. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, le fait d'ajouter une matrice de 100 à 200 micromètres d'une ou plusieurs ouvertures de grilles de structures à trous d'interconnexion peut convenir pour atténuer et/ou supprimer le décollement du film de diode d'avec le substrat en verre 210 dans une ou plusieurs zones vierges de bords lorsque l'épaisseur de la diode 226 est plus grande. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, une ou plusieurs des structures à trous d'interconnexion peuvent être ajoutées sur l'écran de détection 116 lorsqu'il existe une ou plusieurs couches de métallisation telles que la couche de métallisation 214 et/ou la couche de métallisation 218 sous des couches de passivation en nitrure de l'écran de détection 116, et/ou sur la structure de grille de la couche de métallisation 218 et/ou à l'intérieur de chaque ouverture de la grille. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, une ou plusieurs des structures 200-206 à trous d'interconnexion peuvent être utilisées pour remplir presque toutes les zones électriquement actives et/ou électriquement inactives lorsque cela convient pour atténuer et/ou réduire au moins partiellement la séparation des couches de films des diodes 226 d'avec l'écran de détection 116, que ce soit de façon temporaire et/ou permanente, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée sur ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 3 et la Fig. 4, des schémas de vues en coupe transversale d'un niveau extérieur de contacts d'extrémités pour balayage et adresses de données et des contacts d'extrémités de niveau intérieur dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation vont être présentés. Comme représenté sur la Fig. 3 et la Fig. 4, un autre aspect selon une ou plusieurs formes de réalisation peut consister à laisser un îlot de diodes par-dessus un ou plusieurs contacts d'extrémités. La Fig. 3 représente un agencement pour un contact d'extrémités extérieur, et la Fig. 4 représente un agencement pour un contact d'extrémité adjacent à la matrice de pixels de l'écran de détection 116. Afin d'assurer que le contact d'extrémité soit le point le plus haut, ou au moins suffisamment le plus haut pour permettre un contact électrique fiable avec le système d'essai de l'écran, une structure de contact d'extrémité peut être conçue comme représenté sur la Fig. 3 et la Fig. 4. Avant le traitement des diodes indiquées en 300 après la formation de structures à trous d'interconnexion pour les diodes, la couche de métallisation 222 peut être la couche la plus haute 301. Après une attaque de HRC illustrée en 302, la diode 226 peut être la couche la plus haute 303. Après l'attaque du nitrure d'arrêt illustrée en 304, la diode 226 peut rester la couche la plus haute 305 même après l'apport de la couche passante 310 et de la couche d'arrêt 312 de diode. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, des îlots de diodes constitués de diodes 226 peuvent être disposés dans la position la plus haute, ou au moins la position suffisamment la plus haute, mesurée à partir du substrat en verre 210. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, pour assurer que les diodes 226 dans les contacts d'extrémités sont les points les plus hauts, le diélectrique entourant un contact d'extrémité peut être éliminé, puis l'ouverture du contact d'extrémité peut être placée au-delà d'un bord de la couche de métallisation 218 (métal M2) et éventuellement à l'intérieur d'une couche de métallisation 222 (métal M3) de bord bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 5, on va examiner un schéma d'une vue en coupe transversale à trous d'interconnexion dans un écran de détection selon une ou plusieurs formes de réalisation. La Fig. 5 représente une vue en coupe transversale de structures 512 et 514 à trous d'interconnexion dans lesquelles une autre couche de métallisation 510, appelée métal M4, peut être électriquement connectée entre le dessus d'un îlot de diodes constitué par la diode 226 et d'autres couches de métallisation comme, par exemple, la couche de métallisation 222 (métal M3) et/ou la couche de métallisation 214 (métal Ml) sous l'îlot de diodes dans le type de contact d'extrémité. La couche de métallisation 218 constituée d'aluminium contenant du métal M2 qui, dans une forme de réalisation, peut être constituée par une couche de mince film d'aluminium, peut être délibérément éliminée par attaque dans le trou d'interconnexion 514 pour former un empilement robuste de métaux M3/Ml sans aluminium de la couche de métallisation 215 au contact de la couche de métallisation 222, comme illustré en 516, pour arrêter l'attaque par voie humide par HF du trou d'interconnexion 514. La couche de métallisation 510 (métal M4) peut être conçue pour créer un contact avec un tel empilement de métaux Ml/M3 en 516, lequel peut être conçu pour être électriquement connecté à la couche de métallisation 218 (métal M2) via un autre trou d'interconnexion (non représenté) préalablement ménagé entre la couche de métallisation 218 (métal M2) et la couche de métallisation 214 (métal Ml), par exemple. Dans un tel agencement, pendant l'attaque par voie humide par HF, toute attaque de HF sur l'aluminium de la couche de métallisation 218 (métal M2) peut être évitée. Des agencements similaires de structures à trous d'interconnexion peuvent de même être employés à un ou plusieurs autres endroits, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 6, on va examiner un schéma d'une vue en coupe transversale d'une diode comprenant une couche supplémentaire de nitrure et une couche métallique supplémentaire selon une ou plusieurs formes de réalisation. Comme représenté sur la Fig. 6, la couche de métallisation 222, par exemple d'une épaisseur de 700 angstrôms, constituée de molybdène (Mo) ou analogue pur ou presque pur et/ou d'un alliage de molybdène tel que l'alliage de molybdène-tungstène (MoW) ou analogue peut être ajoutée entre la diode 226 et la couche de métallisation 218 (métal M2) et disposée sur la couche 220. La couche de métallisation 222 peut être appelée métal M3. De même, une couche supplémentaire 224 de nitrure de silicium, par exemple d'une épaisseur de 2500 angstrôms, peut être disposée entre la couche de métallisation 222 et la diode 226. La couche de métallisation 222 (métal M3) peut être électriquement connectée à une couche de métal de source et/ou e drain, par exemple la couche de métallisation 214, via un autre trou d'interconnexion tel que le trou d'interconnexion 514 de la Fig. 5 disposé à l'extérieur d'un îlot de diodes constitué par la diode 226, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, la diode 226 peut ne pas toucher directement la couche de métallisation 218 mais au contraire créer un contact électrique avec la couche de métallisation 218 via la couche de métallisation 222 afin d'éviter tout problème éventuel de fiabilité de diode lié à l'interdiffusion d'aluminium dans des jonctions électriques de la diode 226 à partir de la couche de métallisation 218, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 7, on va examiner un schéma d'une vue en coupe transversale de types à trous d'interconnexion de diodes selon une ou plusieurs formes de réalisation. Comme représenté sur la Fig. 7, un premier trou d'interconnexion 700 de diodes peut avoir une structure qui s'étend vers le bas à travers la couche passante 310 de diodes et la couche 224 pour découvrir la couche de métallisation 222. Les couches situées sous la couche de métallisation 222 peuvent rester intactes et globalement planes par rapport au trou d'interconnexion 700 de diode. Dans un tel agencement, la couche de métallisation 222 ne touche pas la couche de métallisation 218 ni la couche de métallisation 214 dans la région située sous le trou d'interconnexion 700 de diode. Le trou d'interconnexion 700 de diode peut avoir une section transversale globalement en V afin de recevoir une couche de diodes pour former la diode 226 dans la région en V, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Un deuxième trou d'interconnexion 702 de diode peut comporter une structure qui s'étend vers le bas à travers la couche de métallisation 218 jusqu'à la couche de métallisation 214. La couche de métallisation 222 peut être disposée pour toucher la couche de métallisation 214 mais peut être isolée de la couche de métallisation 218 par une couche de diélectrique 220. D'une façon générale, la couche de métallisation 214 peut rester globalement plane tandis que l'attaque et/ou le dépôt de couches au-dessus de la couche de métallisation peut avoir pour conséquence une section transversale globalement en V et des parois latérales étagées du trou d'interconnexion 702 de diode. Ces structures à parois latérales étagées peuvent permettre une plus grande adhérence de la couche de diodes aux couches de TCM lorsque la diode 210 est formée à l'intérieur du trou d'interconnexion 702 de diode, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Un troisième trou d'interconnexion 704 de diode peut comporter une structure qui s'étend vers le bas à travers la couche de métallisation 218 pour atteindre la couche 212 qui, dans une forme de réalisation, peut être une région de contact de source et/ou de drain d'un TCM correspondant. La couche de métallisation 222 peut être disposée de manière à toucher la couche 212 mais à être isolée de la couche de métallisation 218 par la couche de diélectrique 220. D'une façon générale, les couches 214-212 peuvent rester globalement planes tandis que l'attaque et/ou le dépôt de couches au-dessus de la couche 212 peut avoir pour conséquence une section transversale globalement en V et des parois latérales étagées du trou d'interconnexion 704 de diode. De même que pour les parois latérales étagées du trou d'interconnexion 702 de diode, ces parois latérales étagées du trou d'interconnexion 704 de diode peuvent permettre une plus grande adhérence de la couche de diodes aux couches de TCM lorsque la diode 226 est formée à l'intérieur du trou d'interconnexion 704 de diode, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, des trous d'interconnexion de diodes tels que les trous d'interconnexion 200-206 de la Fig. 2 et/ou les trous d'interconnexion 700-704 de la Fig. 7 peuvent être formés dans une matrice de TCM à un ou plusieurs emplacements appropriés, et/ou en modifiant la densité, les dimensions et/ou la forme des trous d'interconnexion. De tels trous d'interconnexion peuvent améliorer l'adhérence des diodes au nitrure de passivation de TEC de la matrice de TCM. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, de telles structures à trous d'interconnexion peuvent être disposées à des emplacements, sur l'écran de détection 1116, ou il n'y a pas ou moins de reliefs dans la matrice et/ou à l'extérieur de la matrice dans une zone vierge de bord. Par ailleurs, dans une ou plusieurs formes de réalisation, de telles structures à trous d'interconnexion peuvent être disposées à des endroits où un métal ordinaire se trouve sous le nitrure de passivation de TEC. Afin d'empêcher que de l'acide fluorhydrique dilué n'attaque de l'aluminium dans la couche de métallisation 218 (métal M2) pendant les opérations de formation de diodes, la couche de métallisation 222 constituée par un empilement métallique 516 de Mo ou de MoW peut être ajoutée comme moyen d'arrêt d'attaque dans la région des trous d'interconnexion, et/ou éventuellement en utilisant une attaque par voie sèche par plasma pour remplacer et/ou réduire, lorsque cela est approprié, le processus d'attaque par voie humide par HF dilué. Afin d'améliorer la fiabilité à plus long terme du film de diode en a-Si, la couche de métallisation 222 peut être constituée de molybdène pur, ou presque pur, disposé par-dessus le nitrure de passivation de TEC de façon que l'a-Si de la couche de diodes puisse être directement au contact de la couche de métallisation 222 plutôt qu'au contact de la couche de métallisation 218 qui peut être constituée d'aluminium, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée à ce sujet. Considérant maintenant la Fig. 8, on va examiner un organigramme d'un procédé pour fabriquer un écran de détection comprenant une matrice de TCM et une matrice de diodes selon une ou plusieurs formes de réalisation. Le procédé 800 de la Fig. 8 peut comporter plus et/ou moins de blocs que représenté, et/ou les blocs du procédé 800 peuvent être disposés dans un ou plusieurs autres ordres, sachant que l'ordre représenté sur la Fig. 8 n'est pas forcément limitatif. Selon une ou plusieurs formes de réalisation, une matrice de TCM peut être réalisée au bloc 810, laquelle comporte une première et/ou une deuxième couche métalliques. Par exemple, une telle matrice de TCM peut comporter une couche de métallisation 214 et/ou une couche de métallisation 218. Des contacts d'extrémités peuvent être ajoutés à la matrice de TCM au bloc 812 dans lequel les contacts d'extrémités peuvent être le point ou les points les plus élevés sur la matrice de TCM. Des trous d'interconnexion peuvent être ajoutés dans la matrice de TCM au bloc 814, en divers endroits, pour améliorer l'adhérence de la couche de diodes à la matrice de TCM. Eventuellement, les trous d'interconnexion peuvent être formés par attaque par voie humide à l'acide fluorhydrique, ou encore par attaque par plasma, bien que l'étendue du point revendiqué ne soit pas limitée sur ce sujet. Une troisième couche de métallisation 222 peut être ajoutée sur la matrice de TCM au bloc 816, éventuellement ainsi qu'une couche supplémentaire de nitrure. Dans une ou plusieurs formes de réalisation, la troisième couche de métallisation 222 peut éventuellement être connectée à la première couche de métallisation 214, au bloc 818, en un seul ou plusieurs emplacements stratégiques. De même, dans une ou plusieurs formes de réalisation, la troisième couche de métallisation peut éventuellement être connectée à la deuxième couche de métallisation 218, au bloc 820, en un seul ou plusieurs emplacements stratégiques. Une couche de diodes peut être déposée sur le TCM pour former des diodes dans un ou plusieurs des trous d'interconnexion, au bloc 822. Les diodes peuvent être connectées, au bloc 824, à la troisième couche de métallisation 222. Une couche passante de diodes et/ou une quatrième couche de métallisation 510 peut être ajoutée, au bloc 826, sur la matrice de TCM. La quatrième couche de métallisation 510 peut être connectée aux diodes 226, au bloc 828. Eventuellement, la quatrième couche de métallisation 510 peut être connectée à la troisième couche de métallisation 222, au bloc 830. Le procédé 800 décrit un procédé par lequel l'écran de détection 116 comportant une matrice de photodiodes peut être formé sur une matrice de TCM, cependant divers autres procédés peuvent également être utilisés et l'étendue du point revendiqué n'est pas limitée sur ce sujet. 30 LISTE DES REPERES 100 Système d'imagerie 110 Source de rayons X 112 Photons 114 Cible 116 Détecteur 118 Circuit d'acquisition 120 Dispositif de commande du système 124 Système d'E/S 200 Structure à trous d'interconnexion 202 Structure à trous d'interconnexion 204 Structure à trous d'interconnexion 206 Structure à trous d'interconnexion 210 Substrat 212 Couche 214 Couche de métallisation (Ml) 216 Couche 218 Couche de métallisation (M2) 220 Couche 222 Couche de métallisation (M3) 224 Couche 226 Diode 300 Etape de traitement 301 Couche la plus haute 302 Etape de traitement 303 Couche la plus haute 304 Etape de traitement 305 Couche la plus haute 310 Couche passante de diodes 312 Couche d'arrêt 510 Couche de métallisation (M4) 512 Structure à trous d'interconnexion 514 Structure à trous d'interconnexion 516 Empilement métallique 700 Trou d'interconnexion de diode 702 Trou d'interconnexion de diode 704 Trou d'interconnexion de diode 800 Procédé 810 Bloc 812 Bloc 814 Bloc 816 Bloc 818 Bloc 820 Bloc 822 Bloc 824 Bloc 826 Bloc 828 Bloc 830 Bloc.25 REVENDICATIONS 1. Dispositif, comprenant : un substrat (210) ; et une première zone comportant au moins une ou plusieurs couches de métal, une couche de diélectrique disposée sur lesdites une ou plusieurs couches de métal (214, 218, 222) et un ou plusieurs trous d'interconnexion (200, 202, 204, 206) formés dans le diélectrique pour coupler une couche de diodes à au moins une ou plusieurs couches du métal ; et une deuxième zone comportant zéro ou plusieurs trous d'interconnexion (200, 202, 204, 206) formés dans le diélectrique pour faire adhérer la couche de diodes au moins au substrat. 2. Dispositif selon la revendication 1, ladite couche de diodes comportant au moins une ou plusieurs photodiodes (226), une ou plusieurs diodes PIN, ou du silicium amorphe, ou une combinaison de ceux-ci. 3. Dispositif selon la revendication 1, lesdites une ou plusieurs couches métalliques comportant une première couche de métallisation (214) et une deuxième couche de métallisation (218), au moins un ou plusieurs desdites trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la première couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation. 4. Dispositif selon la revendication 1, lesdites une ou plusieurs couches métalliques comportant une première couche de métallisation (214), une deuxième couche de métallisation (218) et une troisième couche de métallisation (222), au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation. 5. Dispositif selon la revendication 1, lesdites uns ou plusieurs couches métalliques comportant une première couche de métallisation (214), une deuxième couche de métallisation (218) et une troisième couche de métallisation (222), au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sanstoucher la deuxième couche de métallisation, une diode (226) de ladite couche de diodes touchant le trou d'interconnexion de la deuxième couche de métallisation via la troisième couche de métallisation. 6. Dispositif selon la revendication 1, lesdites une ou plusieurs couches métalliques comportant une première couche de métallisation (214), une deuxième couche de métallisation (218) et une troisième couche de métallisation (222), au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, ladite troisième couche de métallisation étant constituée d'au moins un métal parmi le molybdène, l'alliage molybdène-tungstène, un alliage de molybdène, du titane ou un alliage de titane, ou des combinaison de ceux-ci. 7. Dispositif selon la revendication 1, lesdites au moins une ou plusieurs couches métalliques comportant une première couche de métallisation (214), une deuxième couche de métallisation (218) et une troisième couche de métallisation (222), au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, ladite troisième couche de métallisation étant constituée d'au moins un métal parmi le molybdène, l'alliage molybdène-tungstène, un alliage de molybdène, du titane ou un alliage de titane, ou des combinaisons de ceux-ci. 8. Dispositif selon la revendication 1, lesdites au moins une ou plusieurs couches métalliques comprenant une première couche de métallisation (214), une deuxième couche de métallisation (218) et une troisième couche de métallisation (222), au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher la troisième couche de métallisation sans toucher la deuxième couche de métallisation, ladite troisième couche de métallisation étant essentiellement composée d'au moins un métal parmi le molybdène, un alliage de molybdène-tungstène, un alliage de molybdène, le titane ou un alliage de titane ou des combinaisons de ceux-ci. 9. Dispositif selon la revendication 1, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion (200, 202, 204, 206) étant constitués par des structures à parois latérales étagées. 10. Dispositif selon la revendication 1, au moins un ou plusieurs desdits trous d'interconnexion (200, 202, 204, 206) ayant une structure apte à permettre à la couche de diodes de toucher le substrat lorsque la couche de diodes est reçue dans lesdits trous d'interconnexion, lesdites trous d'interconnexion étant disposés sur au moins une zone parmi une zone vierge de bord à l'extérieur de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone très proche d'une ou plusieurs couches de métallisation situées sous une couche de nitrure de passivation de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone à l'intérieur d'une ouverture de grille de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone électriquement inactive de ladite matrice de transistors à couches minces, une zone adjacente à un ou plusieurs contacts d'extrémités de ladite matrice de transistors à couches minces, ou sur un ou plusieurs contacts d'extrémités de ladite matrice de transistors à couches minces, ou des combinaisons de celles-ci.