Brevet FR2878649A1 — publié le 20060602

L'invention a trait à la fabrication de semi-conducteurs et de dispositifs similaires à l'échelle microscopique. L'invention concerne plus particulièrement la diffusométrie, qui est une technique pour la mesure de détails à l'échelle microscopique, basée sur la détection et l'analyse d'une lumière diffusée depuis la surface. En général, la diffusométrie consiste à collecter l'intensité de la lumière diffusée ou diffractée par un détail périodique, tel qu'une structure de réseau en fonction d'une longueur d'onde ou d'un angle de la lumière incidente. Le signal collecté est appelé une signature, car son comportement détaillé est lié de façon unique aux paramètres physiques et optiques du réseau de la structure. La diffusométrie est communément utilisée dans la fabrication par photolithographie de dispositifs semi-conducteurs, en particulier dans une mesure de superposition, qui est une mesure de l'alignement des couches qui sont utilisées pour former les dispositifs. Une mesure et une commande d'alignement précises de ces couches sont importantes pour maintenir un haut niveau de rendement de fabrication. Les dispositifs microélectroniques et les détails ont des dimensions qui ne cessent de diminuer. L'exigence de précision d'une mesure de superposition d'un noeud de 130 nm est de 3,5 nm, et celle d'un noeud de 90 nm est de 3,2 nm. Pour le procédé de fabrication de semi-conducteurs de la génération suivante portant sur un noeud de 65 nm, la précision demandée à la mesure de superposition est de 2,3 nm. Etant donné que la diffusométrie présente de bonnes répétitivité et reproductibilité, il serait avantageux de pouvoir l'utiliser dans le processus de génération suivant. Cependant, les systèmes de métrologie classiques à fond clair sont limités quant à la résolution de l'image. Par conséquent, ces facteurs créent des défis technologiques importants pour l'utilisation de la diffusométrie avec des détails toujours plus petits. Des mesures par diffusométrie sont généralement réalisées en trouvant l'ajustement le plus étroit entre une signature obtenue expérimentalement et une seconde signature connue obtenue par d'autres moyens et pour laquelle la valeur de la propriété ou des propriétés devant être mesurées est connue. Habituellement, la seconde signature connue (également appelée signature de référence) est calculée à partir d'un modèle rigoureux du processus de diffusion. Elle peut être parfois déterminée expérimentalement. Dans le cas où une signature modélisée est utilisée en tant que signature de référence, les calculs peuvent être effectués une fois et toutes les signatures possibles pour les paramètres du réseau qui peuvent varier sont stockées dans une bibliothèque. En variante, la signature est calculée en cas de besoin pour des valeurs d'essai des paramètres mesurés. Quelle que soit la signature de référence obtenue, une comparaison entre la signature expérimentale et la signature de référence est réalisée. La comparaison est quantifiée par une valeur qui indique le degré de concordance des deux signatures. Habituellement, la qualité d'ajustement est calculée sous la forme de la différence (ou erreur) quadratique moyenne entre les deux signatures, bien que d'autres méthodes de comparaison puissent être utilisées. La mesure est réalisée en trouvant le signal de référence ayant la meilleure valeur de qualité d'ajustement à la signature expérimentale. Le résultat de la mesure est alors l'ensemble de paramètres utilisés pour calculer le signal de référence. En variante, dans le cas de signatures de référence obtenues expérimentalement, la valeur des paramètres connus est utilisée pour générer la signature expérimentale. De même qu'avec tout système réel, la signature expérimentale obtenue à partir du système ou de l'outil de métrologie contient du bruit. Le bruit crée une limite inférieure à la qualité de l'ajustement pouvant être prévu. Le système ne peut pas différencier des variations de mesure qui provoquent des variations de la qualité d'ajustement en dessous de cette limite inférieure dépendante du bruit. La sensibilité du système à une variation d'un paramètre de mesure quelconque est la plus petite valeur qui provoque un changement du signal de référence d'une quantité qui, exprimée sous la forme d'une qualité d'ajustement à la signature de référence d'origine, dépasse juste cette limite la plus basse pouvant être détectée. Il en résulte que des signaux de référence générés de façon théorique peuvent être utilisés pour déterminer la sensibilité du système. Si la qualité d'ajustement calculée en adaptant un signal de référence à un autre ne dépasse pas le niveau le plus bas pouvant être détecté, le système est alors incapable de détecter les deux signatures comme étant différentes et il n'est pas sensible à la variation des paramètres de mesure qu'elles représentent. La sensibilité est donc un facteur important dans l'utilisation de la diffusométrie dans le traitement de la génération suivante. Des diffusomètres, ou systèmes de diffusométrie, sont habituellement divisés en réflectomètres spectroscopiques, ellipsomètres spectroscopiques spéculaires ou diffusomètres angulaires. Les systèmes spectroscopiques et spéculaires enregistrent la variation de lumière diffusée en fonction d'une longueur d'onde incidente pour un angle fixe d'incidence. Les diffusomètres angulaires enregistrent la variation de l'intensité de la lumière diffusée en fonction d'un angle pour une longueur d'onde fixe d'éclairement. Tous les types de diffusomètres fonctionnent communément en détectant de la lumière diffusée de l'ordre (spectral) zéro, mais ils peuvent également fonctionner par une détection à d'autres ordres de diffusion. Tous ces procédés utilisent une structure de réseau périodique en tant qu'élément de diffraction. Par conséquent, les procédés et les systèmes décrits conviennent à une utilisation avec ces trois types de systèmes de métrologie pour une mesure de superposition, et tous autres utilisant un réseau périodique en tant qu'élément de diffraction. L'invention a pour objet de proposer des procédés et des systèmes de diffusométrie ayant une plus grande sensibilité et qui peuvent donc procurer une plus grande précision de mesure de superposition ou de recouvrement. Il est proposé un procédé pour concevoir des réseaux de cible qui procurent une sensibilité accrue en diffusométrie. Des caractéristiques de la matière de l'échantillon ou du substrat, et la longueur d'onde d'une lumière incidente sont utilisées dans un processus qui détermine des conceptions de réseaux de cible aboutissant à un plus grand décalage entre des signatures avec un déport de superposition ou de recouvrement donné. Dans une forme de l'invention, on fait varier de façon incrémentielle une ou plusieurs caractéristiques d'une cible, par exemple le pas et le rapport trait/espace, dans un processus itératif, jusqu'à ce qu'un écart type moyen maximal de signatures de réflexion soit obtenu. Un réseau ayant des caractéristiques aboutissant à l'écart type moyen maximal est ensuite utilisé dans le processus de diffusométrie, par exemple en appliquant par photolithographie ce réseau sur l'échantillon ou le substrat. L'invention réside également dans des combinaisons multiples des étapes du procédé et des éléments du système de l'invention tels que présentés et décrits. Bien que les procédés puissent être décrits en termes de maxima ou d'optima, ils peuvent évidemment s'appliquer aussi à des perfectionnements moindres. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: la figure la est un organigramme d'un procédé pour améliorer la sensibilité en optimisant la géométrie du 35 réseau; la figure lb est un sous-organigramme montrant le calcul de l'écart type moyen sur la figure la; la figure 2 est un diagramme représentatif d'un substrat ayant des premier et second réseaux de cible; la figure 3 montre une diffusométrie angulaire du substrat représenté sur la figure 2; la figure 4 montre un exemple des signatures de réflexion d'une diffusométrie angulaire; la figure 5 montre des résultats de simulation pour une longueur d'onde incidente d'une lumière laser; et la figure 6 montre le tracé de contour de la figure 5. Les caractéristiques de la signature de diffusion en diffusométrie dépendent des dimensions du réseau, et de la composition, de l'épaisseur et des angles des parois des matières utilisées. La matière et les épaisseurs de film sont déterminées par le dispositif semi-conducteur ou un dispositif similaire à l'échelle microscopique. L'angle de paroi d'éléments de motif est déterminé par les processus de lithographie et de gravure. Les seuls paramètres qui peuvent être sélectionnés uniquement à des fins de diffusométrie sont la géométrie de la cible. La géométrie de la cible comprend son pas et son rapport trait/espace dans le réseau. Pour une mesure de superposition ou de recouvrement où deux films différents sont façonnés suivant un motif, chaque couche peut être façonnée suivant un motif avec un pas et un rapport trait/espace différents et, de plus, un déport délibéré peut être introduit entre les deux motifs de réseau. La longueur d'onde de la lumière incidente affecte aussi la sensibilité de diffusomètres angulaires, procurant un autre paramètre offrant une possibilité d'optimisation de la mesure. De façon équivalente, l'angle d'incidence peut être optimisé pour des réflectomètres spectraux et des spectromètres. L'optimisation peut être réalisée par un procédé simplex ou par un procédé à cheminement aléatoire. 2878649 6 Il est proposé un procédé pour améliorer la sensibilité d'une mesure de superposition ou de recouvrement en optimisant la géométrie des réseaux. On utilise une analyse à simulation par informatique pour choisir une longueur d'onde appropriée pour une diffusométrie angulaire, et donc pour augmenter davantage le changement affectant des signatures avec un déport de superposition ou de recouvrement. La sensibilité de la mesure de la superposition est améliorée. La figure la montre un diagramme de procédure dans lequel l'algorithme n'est pas limité à une optimisation de paramètres spécifiques. p et r sont le pas et le rapport trait/espace du réseau, respectivement. X est le vecteur position dans le plan p-r. X représente un ensemble de pas et de rapports du trait à l'espace d'une plage choisie. m et u sont la taille du pas et le vecteur direction, respectivement. U représente le sens du mouvement vers la structure de réseau optimale. N est le nombre maximal d'itérations; e est la taille minimale du pas. La figure lb montre le calcul de l'écart type moyen. Les étapes montrées sur les figures la et lb (à l'exception de la dernière étape de la figure la) peuvent être exécutées sous la forme d'étapes mathématiques réalisées après l'entrée des paramètres de la structure, du substrat d'onde. L'intensité forme. couche et du paramètre de longueur de réflexion peut être décrite sous la la ou de R = jU(z2) x U(z2)1 U(z,) = exp[ (z2 z,)M]U(z2) 0 41-k(' 2 k k 0 2 0 M = i 2878649 7 zl et z2 sont la position du plan d'incidence et du plan de sortie, respectivement; M est une matrice de transformation; ko est le nombre d'ondes de la lumière incidente à une région z Dans le cas d'un diffusomère angulaire, k-02 est une fonction du pas du réseau, du rapport du trait à l'espace du réseau, de l'erreur de superposition et de l'angle d'incidence de la lumière. Par conséquent, l'intensité de réflexion peut être exprimée sous la forme R = IU(z2) x U(z2)'I = R( pas, rapport LS, e,, L\oL) Si le pas du réseau et le rapport du trait à l'espace sont fixes, l'écart type moyen, ETM, peut alors être défini par l'équation suivante: ETM = 1 9i), fu,ai estas 4-8,, 6(0,) = E (R(t9,, DoL, ) R(0,, DoL, ))2 N eoL, estart est l'angle de balayage de départ du faisceau laser incident, efinal est l'angle de balayage final du faisceau laser incident, R(Oi,doLi) est la signature de la lumière de réflexion d'une erreur de superposition doLi, 8(Oi) est l'écart type calculé à partir de l'intensité de réflexion R (BO,doLi) 1 3=1,2..., J d'une erreur de superposition différente à l'angle d'incidence Bi. Par conséquent, l'écart type moyen représente l'écart entre les signatures réfléchies avec une erreur de superposition différente. Plus l'écart type moyen est grand, plus l'écart entre les signatures est grand. Plus l'écart est grand, plus le système de mesure peut aisément discerner une erreur de superposition différente. Inversement, plus l'écart est petit, moins la sensibilité de la mesure à l'erreur de superposition est bonne. Dans le cas d'un réflectomère, kZi- )z est fonction du pas du réseau, du rapport du trait à l'espace du réseau, de l'erreur de superposition et de la longueur d'onde de la lumière incidente. Ainsi, l'intensité lumineuse réfléchie peut être exprimée sous la forme: R = IU(z2) x U(z2)sI = R(pas, rapport LS, 2,, AoL) Si le pas et le rapport du trait à l'espace du réseau 10 sont fixes, l'écart type moyen, ETM, peut alors être exprimé par l'équation suivante: 1 À ETM = 8(.4), Âfuar 2start.1,.. 5(Â,) = E (R(i,, AOL, )_ R(,l;, AoL, ))Z N AOL, 2start est la longueur d'onde de balayage de départ du faisceau laser incident, /final est la longueur d'onde de 15 balayage final du faisceau laser incident. Dans le cas d'un ellipsomètre, k"02 est fonction du pas du réseau, du rapport du trait à l'espace du réseau, de l'erreur de superposition et de la longueur d'onde de la lumière incidente. L'intensité lumineuse réfléchie peut donc être exprimée par: R=IU(z2) x U(z2}'=IRp x R;;I+IR, x KI RP et Rs sont les amplitudes respectives de lumières de réflexion à polarisation p et à polarisation s. Elles sont fonction du pas du réseau, du rapport du trait à l'espace du réseau, de l'erreur de superposition et de la longueur d'onde de la lumière incidente. Rp = tg(yJ)eio s yr et d sont les paramètres de l'ellipsomètre. Ils sont également fonction du pas du réseau, du rapport du trait à l'espace du réseau, de l'erreur de superposition et de la longueur d'onde de la lumière incidente. yi = y' (pas, rapport LS, 2i, doL) A = A (pas, rapport LS, 2i, doL) Si le pas du réseau et le rapport du trait à l'espace du réseau sont fixes, l'écart type moyen, ETM, peut alors être exprimé par les équations suivantes: ETM = ,j,r 1 Â _ 8g), s(Â,}) = E (y'(2, oc, )- w(Â;, AOL, x. a ETMA 1 (,l; ), 8(2,)= DoL,)-A(2i,AoL,))2 J AoL, La figure 2 montre un exemple. Sur la figure 2, la cible comporte deux réseaux 20 et 22 ayant le même pas, dans la couche supérieure et la couche inférieure, respectivement. Une couche intermédiaire 24 est située entre les couches supérieure et inférieure et le substrat 26. La matière du réseau supérieur, de la couche intermédiaire, du réseau inférieur et du substrat est un photorésist, du silicium polycristallin, du SiO2 et du silicium, respectivement. La figure 3 montre une diffusométrie angulaire sur le substrat de la figure 2. D'autres types de systèmes de diffusométrie peuvent être utilisés similairement. La diffusométrie angulaire est un système 2-0. On fait varier simultanément l'angle d'un faisceau laser incident et l'angle de mesure d'un détecteur et on obtient en conséquence une signature de diffraction. Avant d'optimiser la cible du réseau, on définit la valeur ETM en tant qu'écart type moyen, afin de décrire l'écart entre les signatures, qui ont des déports de superposition différents, comme cidessous. Bahr ETM= 1 Es(ei), 8 final ernpial ei =BiHudi où S(9) = E l(R(OÎAoLJ) _R(OÉAoL,))2/J AOL, où einitial est l'angle de balayage initial; enflai est l'angle de balayage final; R (ei, AoLj) est la signature de réflexion tandis que l'erreur de superposition est AOLi; 3(ei) est l'écart type de R(ei,AoL,) 1,=1,2..., J, tandis que l'angle d'incidence est O. Ainsi, la signification d'ETM est l'écart entre les signatures, qui ont des déports de superposition différents. Une plus grande valeur ETM signifie un écart plus grand entre les signatures et, par conséquent, le système de métrologie peut identifier plus aisément des déports de superposition différents. Une plus grande valeur ETM signifie donc que le système de mesure est plus sensible à une erreur de superposition, et la qualité de la mesure est améliorée. La figure 4 montre un exemple des signatures de réflexion en diffusométrie angulaire. Dans cette simulation, l'épaisseur de chaque couche et l'indice de réfraction et le coefficient d'extinction de la matière sont énumérés comme dans le tableau 1. La plage du pas du réseau va de 0,1 gm à 1 gm et celle du rapport trait/espace du réseau va de 1:9 à 9:1. Le déport de superposition est conçu intentionnellement à environ 1/4 du pas, et l'incrément du déport de superposition est de 5 nm. Enfin, plusieurs lasers communs ont été choisis, comprenant un laser du type argon-ion (488 nm et 514 nm), un laser du type HeCd (442 nm) , un laser du type HeNe (612 nm et 633 nm), et un laser de type Nd:YAG (532nm). La figure 5 montre les résultats d'une simulation pour une longueur d'onde incidente de 633 nm. La figure 6 montre le tracé du contour de la figure 5. L'ETM maximal est de 0,010765 à un pas de 0,46 nm et un rapport trait/espace de 48:52. Le tableau 2 énumère les résultats d'une simulation pour différentes longueurs d'ondes d'incidence. Pour cette cible, la valeur ETM maximale est de 0,015581 à une longueur d'onde d'incidence de 612 nm, un pas de 0, 4 gm et un rapport trait/espace de 48:52. En comparant la valeur ETM maximale à la valeur ETM moyenne dans cette plage (pas de 0,1 à 2 m, rapport trait/espace de 1:9 à 9:1), on obtient un grossissement d'environ 21,5. Conformément aux procédures ci-dessus, on peut obtenir le pas, le rapport trait/espace et la longueur d'onde d'incidence optimaux et, sous ces conditions, l'écart entre les signatures est le plus grand. Ceci signifie que cette cible ayant ces paramètres optimaux est la plus sensible à une mesure de superposition. TABLEAU 1 matière épaisseur n k couche supérieure PR 7671,8 A 1,62399 0 couche intermédiaire Poly 1970,6 A 3,925959 0,0594 couche inférieure SiO2 494 A 1,462589 0 substrat silicium - 3,866894 0,019521 TABLEAU 2 Longueur ETM (min) EIM (moyen) ETM (max) ETM max à pas ( m) Rapport d'onde (nm) trait/espace 442 1,02E-05 0,000144 0,002481 0,24 54:46 488 1, 36E-05 0,000786 0,007731 0,28 44:56 514 1,77E-06 0,000866 0, 010951 0,26 48:52 532 7,43E-07 0,000933 0,010542 0,28 58:42 612 2,55E-08 0,001998 0, 015581 0,4 48:52 633 1,42E-08 0,001853 0,010765 0,46 48:52 ETM (moyen) entre toutes 0,000726 les longueurs d'onde Grossissement 21, 4690569 Avec un système à diffusomètre angulaire, la valeur ETM est exprimée par: ETM = 9 1 9 Es(8,), 5(9,) _ I(R(O,,OL)-))2 N star, s,mm Avec un système à réflectomètre, la valeur ETM exprimée par: Zp.r J ETM l Eô(2), E(R(2,,oL, )- RO,,AoL,))2 N final 2star, A,=.1,,,,, doL, Avec un système à ellipsomètre, la valeur ETM est 5 exprimée par ETM w = 1 E8(Â,), 6(,,) = JE(w(Â,,Aix)-w(',,oL,))2 N Anal - A.swn 6oL, 8(2,), (M,) = E(àk, doL, )4g,doL, ))Z N àoL, Les procédés décrits peuvent être utilisés avec des systèmes de diffusométrie existants. Les propriétés des matières des substrats devant être mesurées (par exemple le type et l'épaisseur des couches et les angles des parois) et la longueur d'onde de la lumière devant être utilisée peuvent être introduites dans l'ordinateur du système de diffusométrie, ou dans un autre ordinateur. Chaque paramètre de couche peut correspondre à une constante déterminée à partir d'une table à consultation. L'ordinateur détermine ensuite, par exemple, quel pas de réseau et quel rapport trait/espace du réseau donneront la sensibilité maximale pour ce type spécifique de substrat. Le réticule est ensuite réalisé pour imprimer ce réseau sur les substrats. Lorsque des mesures de déport de superposition sont ensuite réalisées sur ces substrats, la sensibilité du système est améliorée et de meilleurs résultats peuvent être obtenus. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent 25 être apportées au procédé décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. est REVENDICATIONS 1. Procédé pour la conception d'un réseau de cible de superposition à utiliser dans des mesures de diffusométrie d'un échantillon, caractérisé en ce qu'il 5 comprend: A. la sélection d'au moins un paramètre d'une couche de l'échantillon, comprenant un ou plusieurs de la matière de la couche, de l'épaisseur du film et de l'angle de paroi des éléments façonnés suivant un motif sur la couche; B. la sélection d'un premier réseau (20) de cible, ayant une première caractéristique de cible qu'on fera varier dans les étapes ci-dessous; C. le calcul d'un écart type moyen (ETM) d'une lumière revenant par réflexion d'une cible modélisée mathématiquement ayant la caractéristique du premier réseau de cible en établissant la moyenne des écarts types de déport de superposition en décalage des premières caractéristiques de cible sur une plage d'angles de lumière incidente; D. la modification selon un premier incrément de la caractéristique du premier réseau de cible; E. la répétition de l'étape C; F. la comparaison de la valeur ETM provenant de l'étape C à la valeur ETM provenant de l'étape E et la détermination de celle qui est la plus grande, puis le fait de prendre les caractéristiques du réseau de cible ayant la plus grande valeur ETM en tant que nouvelles caractéristiques de réseau de départ; G. la répétition des étapes C à F par un processus 30 itératif, jusqu'à ce qu'on obtienne une valeur ETM maximale souhaitée; puis H. la conception d'une cible réelle devant être utilisée sur le substrat, la cible réelle ayant une caractéristique de réseau de cible substantiellement égale à la caractéristique correspondant à la valeur ETM maximale souhaitée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en que chaque paramètre de couche correspond à une constante déterminée à partir d'une table à consultation. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en que la caractéristique du premier réseau de cible est sélectionnée soit en utilisant une cible normalisée connue pour commencer, soit en réalisant la meilleure estimation informée de ce que la cible devrait être sur la base des paramètres de la matière. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la caractéristique de la première cible est un pas et/ou un rapport trait/espace. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le déport de superposition est décalé par incréments 15 d'environ 2-8, 3-7, 4-6 ou 5 nm. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la valeur ETM est calculée en utilisant des équations mathématiques connues pour la modélisation de la réflectance à partir du premier réseau de cible. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on modifie la caractéristique du premier réseau de cible par un premier incrément en décalant le pas et le rapport trait/espace de la cible. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que toutes les étapes A à G sont exécutées mathématiquement en utilisant un logiciel et sans l'exécution de mesures réelles quelconques sur une cible réelle. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible est adaptée à une utilisation dans l'exécution d'une diffusométrie utilisant un diffusomètre angulaire, un réflectomètre ou un ellipsomètre. 10. Procédé pour la conception d'un réseau de cible de superposition à utiliser dans des mesures d'un échantillon par diffusométrie, caractérisé en ce qu'il comprend: A. la sélection de paramètres d'une couche de l'échantillon, comprenant un ou plusieurs de la matière de la couche, de l'épaisseur du film, et de l'angle de paroi des éléments façonnés suivant un motif sur la couche, chaque paramètre de couche correspondant à une constante déterminée à partir d'une table à consultation et les constantes étant utilisées dans un algorithme d'optimisation de cible; B. la sélection d'un premier réseau de cible, soit en utilisant une cible normalisée connue pour commencer, soit en sélectionnant sur la base des paramètres de la matière, le premier réseau de cible ayant un premier pas et un premier rapport trait/espace qu'on fera varier dans les étapes cidessous; C. le calcul d'un écart type moyen (ETM) d'une lumière revenant par réflexion d'une cible modélisée mathématiquement ayant le premier pas et le premier rapport trait/espace, en établissant la moyenne d'écarts types résultant d'un déport de superposition en décalage par incrément de 5nm de pas et de rapport trait/espace, sur une plage d'angles de lumière incidente, en utilisant des équations mathématiques connues pour modéliser la réflectance à partir du premier réseau de cible; D. la modification selon un premier incrément du 25 premier pas et du premier rapport trait/espace; E. la répétition de l'étape C; F. la comparaison de la valeur ETM provenant de l'étape C à la valeur ETM provenant de l'étape E et le fait de déterminer laquelle est la plus grande; puis le fait de prendre la caractéristique du réseau de cible ayant la plus grande valeur ETM en tant que nouveau premier pas et nouveau premier rapport trait/espace; G. la répétition des étapes C à F par un processus itératif, jusqu'à ce qu'on obtienne une valeur ETM 35 substantiellement maximale souhaitée; et H. la conception d'une cible réelle ayant un pas et un rapport trait/espace sensiblement égaux au premier pas et au premier rapport trait/espace correspondant à la valeur ETM maximale obtenue à l'étape G. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel les étapes C à F sont répétées jusqu'à ce que la valeur ETM n'augmente plus. 12. Procédé pour effectuer une diffusométrie sur une couche ou un substrat comprenant l'application de la cible conçue dans l'étape H de la revendication 10 sur la couche ou sur le substrat, l'éclairage de la cible avec un faisceau lumineux, la mesure de la lumière revenant par réflexion de la cible, puis le traitement de la lumière réfléchie pour déterminer une erreur de superposition. 13. Substrat pour la fabrication d'un dispositif microélectronique, micromécanique ou microélectromécanique, caractérisé en ce que le substrat comporte une cible de diffusométrie conçue en utilisant les étapes décrites dans la revendication 10. 14. Procédé pour calculer des paramètres optimisés d'un repère de superposition, caractérisé en ce qu'il comprend: le calcul de l'écart type moyen (ETM) de signatures de diffraction à un pas p et un rapport trait/espace r d'une 25 cible de réseau de superposition; l'utilisation d'un procédé d'optimisation pour déterminer la valeur ETM maximale, pour laquelle la mesure de la superposition est la plus sensible. 15. Procédé suivant la revendication 14, caractérisé 30 en ce que l'un des procédés d'optimisation est un procédé simplex ou un procédé à cheminement aléatoire. 16. Procédé pour concevoir un repère de superposition, caractérisé en ce qu'il comprend: l'éclairement d'un repère de superposition avec un 35 faisceau de sonde; la mesure de la diffraction résultant de l'interaction du faisceau de sonde et du repère de superposition; la sélection des paramètres du repère de superposition devant être optimisés pour augmenter la sensibilité d'une mesure de superposition; l'utilisation d'un algorithme d'optimisation pour optimiser les paramètres du repère de superposition, établissant la plus grande sensibilité de la mesure de superposition. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le repère de superposition comprend au moins une couche supérieure de cible de réseau et une couche inférieure de cible de réseau. 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en 15 ce que la cible de réseau est une structure périodique à une seule dimension. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la cible de réseau est une structure périodique à deux dimensions. 20. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le faisceau de sonde est généré à partir d'une source laser et une diffraction est mesurée en fonction d'un angle de balayage du faisceau de sonde. 21. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le faisceau de sonde est généré à partir d'une source à large bande et une diffraction est mesurée en fonction de la longueur d'onde. 22. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'un des paramètres choisis du repère de 30 superposition est le pas de la cible de réseau. 23. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'un des paramètres choisis du repère de superposition est le rapport trait/espace de la cible de réseau. 24. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: le calcul de l'écart type moyen (ETM) de signatures de diffraction à un pas p et un rapport trait/espace r d'une cible de réseau de superposition; et avec le procédé d'optimisation, la détermination de la 5 valeur ETM maximale, pour laquelle une mesure de superposition est la plus sensible.