Brevet FR2879020A1 — publié le 20060609

Procédé d'isolation de motifs formés dans un film mince en matériau semi-conducteur oxydable. Domaine technique de l'invention L'invention concerne un procédé d'isolation de motifs formés dans un film mince en un premier matériau semi-conducteur oxydable, d'une épaisseur prédéterminée inférieure ou égale à 10nm et disposé sur un support, 10 comportant successivement la formation, sur le film mince, d'un masque définissant, dans le film mince, des zones libres et des zones recouvertes par le masque destinées à former sensiblement les motifs, l'oxydation des zones libres du film mince, le retrait du masque de manière à libérer le film mince structuré sous forme de motifs isolés par des zones oxydées. État de la technique Dans de nombreux domaines de la microélectronique, les dispositifs issus des technologies conventionnelles sur silicium massif sont, de plus en plus, remplacés par des dispositifs sur substrat Silicium sur Isolant (SOI) ou sur substrat SOI sous contrainte, plus connu sous le nom anglo-saxon "strained SOI". Un substrat SOI est constitué d'un substrat en silicium sur lequel est disposé une couche isolante, par exemple en oxyde, recouverte d'un film mince en silicium et un substrat "strained SOI" est un substrat SOI sur lequel est disposé un film mince en silicium contraint ou déformé. De tels substrats SOI permettent une isolation électrique par rapport au substrat des micro- composants destinés à être intégrés, tels que les transistors MOS, grâce à la présence de la couche enterrée d'isolant disposée sur le substrat en silicium. Ils assurent également une réduction des capacités parasites et des effets de canaux courts. L'isolation électrique des micro-composants ou des motifs en silicium est, généralement complétée par une oxydation thermique locale de silicium. L'isolation par oxydation locale de silicium, également connue sous le nom d'isolation LOGOS, est réalisée au moyen d'un masque structuré constitué d'au io moins deux couches superposées en oxyde et en nitrure disposé sur le film mince en silicium. L'isolation LOGOS permet alors de former, dans le film mince, des zones en silicium formant des motifs séparés, et donc isolés électriquement, les uns des autres par des zones oxydées. Cependant, lorsque les motifs, formés dans un film mince et éventuellement isolés par LOGOS, ont une épaisseur inférieure ou égale à 10nm, un phénomène de démouillage en phase solide des motifs a tendance à se produire à haute température, lors de la fabrication des microcomposants. Ce phénomène est, généralement, observé lors des étapes de recuit, qui sont réalisées à partir de 850 C et par exemple à 950 C. En effet, les motifs formés dans le film mince en silicium sont intrinsèquement instables et ils évoluent spontanément vers une forme d'équilibre atteinte par transport de matière, majoritairement par diffusion de surface et qui, dans des cas extrêmes, correspond à une population de cristaux disjoints les uns des autres. L'énergie du système formé par cette population de cristaux est, alors, plus faible que celle du motif initial. Cette forme d'équilibre est donc néfaste pour la suite des étapes de fabrication d'un micro-composant, notamment d'un transistor MOS où les différentes zones du transistor à définir dans le motif mince, par exemple la source, le drain, le canal..., peuvent ne plus être connexes. Un tel phénomène de démouillage se retrouve également pour tout type de film mince structuré, en matériau semi-conducteur capable de former un oxyde stable lors d'une oxydation thermique, tel que, par exemple, un composé de silicium et de germanium (SiGe). Ce phénomène étant induit par la température élevée des étapes de fabrication des micro-composants et notamment les étapes de recuit, certains ont tenté de réaliser le recuit à une température moins élevée. En effet, pour des épaisseurs o de films minces de l'ordre de 5 nm et pour des durées et des atmosphères de recuits usuelles, le fait de réaliser le recuit à une température inférieure à 800 C rend les films minces peu sensibles au démouillage. Cependant, les étapes suivantes, par exemple l'étape de nettoyage qui nécessite une désorption d'espèces ou bien l'étape d'épitaxie, ne permettent pas d'utiliser une telle température de recuit puisque, pour obtenir une interface capable d'assurer une bonne qualité cristalline du matériau épitaxié, la température de recuit ne peut pas être inférieure à 800 C. Objet de l'invention L'invention a pour but un procédé d'isolation de motifs formés dans un film mince en matériau semi-conducteur oxydable et d'une épaisseur inférieure ou égale à 10nm permettant de remédier aux inconvénients de l'art antérieur. Plus particulièrement, le procédé d'isolation des motifs permet non seulement d'isoler électriquement les motifs les uns des autres mais également de les rendre stables aux températures élevées utilisées lors de certaines étapes de fabrication de micro-composants. Ce but est atteint par le fait que le procédé comporte, entre l'étape de formation du masque et l'étape d'oxydation, une étape de formation sélective, au niveau des zones libres du film mince, d'une couche supplémentaire constituée par un oxyde d'un second matériau semiconducteur. Plus particulièrement, le second matériau semi-conducteur peut être identique ou différent du premier matériau semi-conducteur oxydable. Selon un mode particulier de réalisation, la formation sélective de la couche o supplémentaire est réalisée par un dépôt sélectif direct de l'oxyde du second matériau semi-conducteur. Selon un autre mode particulier de réalisation, la formation sélective de la couche supplémentaire est réalisée par uni dépôt sélectif du second matériau 15 semi-conducteur suivi par son oxydation. Plus particulièrement, le dépôt sélectif du second matériau semiconducteur est réalisé par épitaxie sélective des zones libres du film mince. Selon un autre développement de l'invention, l'épaisseur de la couche supplémentaire est déterminée de manière à ce que les motifs restent isolés par des zones oxydées pendant toute la durée d'un procédé de fabrication de micro-composants. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: Les figures 1 à 8 représentent schématiquement, en coupe, différentes étapes 5 d'un mode particulier d'isolation de motifs formés dans un film mince, selon l'invention. Description de modes particuliers de réalisation Selon un mode particulier de réalisation représenté aux figures 1 à 8, des motifs la sont formés dans un film mince 1 disposé sur un support 3 et sont séparés les uns des autres par des zones 1 b oxydées. Les zones oxydées 1 b permettent non seulement d'isoler électriquement les motifs 1a les uns des autres mais également de les ancrer de manière à empêcher le phénomène de démouillage susceptible de se produire lors de certaines étapes de fabrication de micro-composants, réalisées à des températures élevées. Le film mince 1 est en matériau semi-conducteur oxydable, de préférence, 20 choisi parmi le silicium et un composé de silicium et de germanium et il a une épaisseur prédéterminée el inférieure ou égale à 10nm. Ainsi, comme représenté à la figure 1, le film mince 1 est préalablement disposé sur la face supérieure d'une couche intermédiaire 2 recouvrant un support 3. Dans l'exemple décrit, le support 3 est un substrat en silicium et la couche intermédiaire 2 est une couche isolante électriquement, l'ensemble formant alors un substrat SOI. La couche isolante électriquement peut être constituée par un composé choisi parmi la silice amorphe, l'alumine, le nitrure de silicium, le quartz et l'oxyde d'hafnium (HfO2). La couche intermédiaire 2 peut également être une couche semi-conductrice, constituée, par exemple, par un composé de silicium et de germanium. A la figure 2, deux couches, respectivement en oxyde 4 et en nitrure 5, sont successivement, formées sur la totalité de la surface libre du film mince 1. La couche en oxyde 4, par exemple en oxyde de silicium, a, de préférence, une épaisseur e2 comprise entre 2 et 5 nm. Elle peut être formée par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression, également appelé procédé LPCVD, par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, également appelé procédé PECVD ou bien par oxydation thermique d'une fine épaisseur du film mince 1. La couche en oxyde 4 peut, également, être constituée par un empilement SiO2/HfO2, la couche en SiO2 pouvant être soit déposée, soit formée naturellement sur le film mince, lors du dépôt de la couche en HfO2. Puis, une couche en nitrure 5, par exemple en nitrure de silicium, est déposée sur la totalité de la surface libre de la couche en oxyde 4. La couche en nitrure 5 a, de préférence, une épaisseur comprise entre 10 et 70nm et elle est, par exemple, déposée par dépôt LPCVD. Les couches en nitrure 5 et en oxyde 4 sont, ensuite, structurées, de manière sélective. Ainsi, la structuration s'arrête à la surface du film mince 1. La structuration est, par exemple, réalisée par photolithographie ou par une méthode appelée "lithographie e-beam" qui consiste à réaliser une lithographie par l'intermédiaire d'un masqueur électronique puis par gravures successives des couches en nitrure 5 et en oxyde 4. A la figure 3, la couche en nitrure 5 est structurée par photolithographie, au moyen d'une résine photosensible 6 structurée. Une couche en résine photosensible est, par exemple, disposée à la surface libre de la couche en nitrure et elle est structurée sous forme de motifs. La résine photosensible structurée 6 comporte alors des motifs délimiités par des zones ouvertes laissant apparaître la surface libre de la couche en nitrure. La couche en nitrure 5 est ensuite gravée, dans les zones ouvertes de la résine photosensible 6 structurée, de sorte que les zones de la couche en nitrure 5 non recouvertes par les motifs de la résine 6 soient éliminées. La gravure de la couche en nitrure 5 est sélective dans la mesure où seule la couche en nitrure 5 est gravée, la gravure s'arrêtant à la surface de la couche en oxyde 4. o Comme représenté à la figure 4, la résine photosensible structurée 6 est, ensuite, retirée avant que la couche en oxyde 4 ne soit gravée de manière sélective, à travers la couche en nitrure 5, préalablement structurée. La gravure de la couche en oxyde 4 est sélective dans la mesure où seule la couche en oxyde 4 est gravée, la gravure s'arrêtant à la surface du film mince 1. Les zones de la couche en oxyde 4 non recouvertes par les motifs de la couche en nitrure 5 sont alors éliminées. Ainsi, à la suite de cette étape de structuration, seules les zones préalablement recouvertes 5a et 4a, respectivement de la couche en nitrure 5 et de la couche en oxyde 4, restent sur la surface du film mince 1 et forment un masque 7. Le masque 7 permet ainsi de définir, dans le film mince 1, deux types de zones: des zones recouvertes par ledit masque 7 et destinées à former sensiblement les motifs la du film mince 1 et des zones libres 1c formées par le reste du film mince 1. Puis, comme illustré à la figure 5, une étape de croissance par épitaxie sélective est réalisée de manière à accroître l'épaisseur des zones libres 1c tandis que les zones recouvertes par le masque 7 conservent une épaisseur constante correspondant à l'épaisseur el du film mince 1. A la fin de l'étape de croissance, les zones libres 1c ont une épaisseur totale e3 supérieure à l'épaisseur initiale el du film mince 1. L'épitaxie est sélective clans la mesure où seules les zones libres 1c du film mince subissent la croissance par épitaxie, le reste du film mince 1 étant, en effet, protégé par le masque 7 le recouvrant. Ainsi, à la figure 5, la ligne 8 en traits pointillés illustre la position du film mince, avant l'étape de croissance, la différence de niveau entre la surface libre des zones libres 1c après l'étape de croissance et la ligne 8 correspondant, alors, aux zones libres épitaxiées durant l'étape de croissance. Une étape d'oxydation des zones libres 1c du film mince est, ensuite, réalisée, de préférence, à haute température telle que, par exemple, 1050 C. L'étape d'oxydation permet non seulement d'oxyder totalement les zones libres 1c mais également de définir les motifs 1 a. En effet, elle est réalisée à travers le masque 7, qui protége les zones qu'il recouvre de l'oxydation. Par oxydation totale des zones libres 1c, on entend que les zones libres 1c sont oxydées sur toute leur épaisseur e3. De plus, l'oxydation engendre une augmentation de l'épaisseur des zones oxydées 1 b par rapport aux zones libres non oxydées. Ainsi, pour des zones oxydées en oxyde de silicium et des zones libres non oxydées en silicium, cette augmentation correspond à une augmentation d'un facteur de 1/0,45, c'est-à-dire de l'ordre de 2,22. Ainsi, l'épaisseur des zones libres 1c étant e3, à la fin de l'étape d'oxydation, les zones oxydées 1 b ont une épaisseur e4 correspondant sensiblement à 2,22 fois!l'épaisseur e3. Comme représentées à la figure 6, les zones oxydées 1 b se prolongent sous le masque 7 et l'interface entre les zones oxydées 1 b et les motifs 1 a est incurvée. Ainsi, bien que les zones libres 1 b soient totalement oxydées, les bordures des zones couvertes par le masque 7 ont été partiellement oxydées, de manière à former un bec d'oiseau dans les motifs 1 a en silicium. Les motifs la sont alors séparés les uns des autres, et donc isolés électriquement, par les zones oxydées 1 b. Puis, comme illustré aux figures 7 et 8, les couches en nitrure 5 et en oxyde 4 5 sont successivement retirées de manière à libérer les motifs 1 a. La couche en nitrure 5 est, par exemple, retirée par traitement chimique avec, par exemple, H3PO4. Une couche 4 en oxyde de silicium est, par exemple, retirée au moyen d'une solution d'acide fluorhydrique. Lorsque la méthode de retrait de la couche en oxyde 4 n'est pas sélective, un tel retrait peut induire une consommation partielle des zones oxydées 1 b, selon une épaisseur dépendant de la vitesse de consommation de l'oxyde de la couche 4 et de l'oxyde des zones oxydées 1 b. Ainsi, si les oxydes, respectivement des zones libres 1 b et de la couche 4 sont identiques, l'épaisseur consommée des zones libres, lors du retrait de la couche en oxyde 4 correspond à l'épaisseur e2 de la couche en oxyde 4. Dans ce cas, l'épaisseur e5 des zones oxydées 1 b, à l'issue du procédé d'isolation, correspond à l'épaisseur e4 des zones oxydées avant le retrait de la couche en oxyde 4 moins l'épaisseur e2 de la couche en oxyde 4. Un tel procédé d'isolation permet donc de former et d'isoler électriquement des motifs dans un film mince en matériau semi-conducteur oxydable et d'une épaisseur inférieure ou égale à 10nm. Mais, contrairement à une isolation LOGOS selon l'art antérieur, il permet également de les rendre stables aux températures élevées, notamment lors des différentes étapes de fabrication d'un micro-composant. En effet, un tel procédé d'isolation permet à chaque motif d'être entouré, à sa périphérie, d'une zone oxydée, notamment lors des différentes étapes de fabrication d'un micro-composant. Ceci permet d'obtenir une stabilité thermique car les zones oxydées entourant les motifs retardent le phénomène de démouillage des motifs. De plus, lorsque la couche intermédiaire 2 est une couche isolante, l'interface entre un motif 1 a, les zones oxydées 1 b l'entourant et la couche isolante 2 constitue un point d'ancrage, car elle correspond à une rugosité macroscopique, qui doit être contournée pour que le motif puisse subir le phénomène de démouillage. l'épaisseur des zones oxydées dépend de l'épaisseur el du film mince et éventuellement de l'épaisseur e2 de la couche en oxyde du masque. Ainsi, pour un film mince ayant une épaisseur el inférieure ou égale à 10nm, l'épaisseur des zones oxydées à la fin d'un procédé d'isolation LOGOS selon l'art antérieur est insuffisante pour être conservée lors des différentes étapes de fabrication d'un micro-composant. A titre d'exemple, pour un film mince d'une épaisseur el de 8nm, les zones oxydées dans un procédé d'isolation LOGOS selon l'art antérieur ont une épaisseur e4 de 17 nm, avant l'étape de retrait de la couche en oxyde 4. Or, lors des différentes étapes de nettoyage associées au procédé de fabrication d'un transistor MOS, cette épaisseur e4 est entièrement consommée par gravure, libérant ainsi les flancs des motifs en silicium. Le phénomène de démouillage s'observant, généralement, lors de toute étape à haute température durant laquelle la surface supérieure du motif ainsi que ses parois latérales sont libres, l'isolation LOGOS selon l'art antérieur ne permet pas de remédier à ce phénomène pendant les différentes étapes de fabrication d'un micro-composant et notamment pendant des étapes de recuit. Or, un procédé d'isolation LOCOS selon l'art antérieur ne permet pas d'obtenir 10 des motifs stables à haute température, pendant les différentes étapes de fabrication d'un micro-composant. En effet, dans un procédé d'isolation LOGOS, Le fait de réaliser une étape de croissance par épitaxie sélective, entre l'étape de formation du masque et l'étape d'oxydation des zones libres du film mince, permet, au contraire, d'obtenir, à la fin du procédé d'isolation, des zones oxydées ayant une épaisseur suffisante pour être conservées lors des différentes étapes de fabrication d'un micro-composant. L'épaisseur supplémentaire obtenue par l'étape de croissance par épitaxie sélective, c'est-à-dire la formation de zones libres épitaxiées, permet, en effet, d'augmenter l'épaisseur totale des zones oxydées, à la fin du procédé d'isolation. Ainsi, l'épaisseur des zones épitaxiées est, de préférence, déterminée de manière à conserver des zones oxydées sur les flancs des motifs durant tout le procédé de fabrication de micro-composants. Les paramètres de l'étape de croissance par épitaxie sélective, et plus particulièrement l'épaisseur des zones épitaxiées est choisie de manière à ce que l'épaisseur finale e5 des zones oxydées soit supérieure ou égale à 17nm. A titre d'exemple, pour un film mince en silicium d'une épaisseur el de 8nm, avec une couche en oxyde de 2nm d'épaisseur, il est nécessaire d'épitaxier 1 nm de silicium pour obtenir, à la fin du procédé d'isolation, des zones oxydées présentant une épaisseur e5 de 18nm. De plus, l'étape de croissance par épitaxie sélective est réalisée sur un film mince pas encore structuré, les motifs n'étant pas encore formés. L'étape de croissance est, ainsi, réalisée "en pleine plaque", ce qui présente l'avantage de ne pas favoriser un phénomène de démouillage prématuré, lors du procédé d'isolation. De plus, si la structure présente des contraintes internes (film contraint ou structure composite), des phénomènes de déstabilisation peuvent être observés lorsque la vitesse d'épitaxie est trop faible ou lorsque l'épaisseur des zones épitaxiées est trop élevée. Les conditions de croissance par épitaxie sélective, comme l'épaisseur des zones épitaxiées et la vitesse d'épitaxie, peuvent alors être adaptées de manière connue, pour éviter ces phénomènes de déstabilisation. Dans une variante de réalisation, l'étape de croissance par épitaxie sélective peut être remplacée par une étape de formation sélective, au niveau des zones libres du film mince, d'une couche supplémentaire constituée par un oxyde d'un second matériau semi- conducteur. Le second matériau semi-conducteur peut être identique ou différent du matériau semi-conducteur oxydable constituant le film mince. La formation sélective de la couche supplérnentaire, au niveau des zones libres du film mince, peut être réalisée par dépôt direct sélectif de l'oxyde du second matériau semi-conducteur. Dans ce cas, l'oxydation des zones libres du film mince est réalisée à travers la couche supplémentaire d'oxyde. La formation sélective de la couche supplémentaire, au niveau des zones libres du film mince, peut également être réalisée en déposant préalablement le second matériau semi-conducteur, puis en l'oxydant. L'oxydation du second matériau semi-conducteur peut, alors, être réalisée avant l'oxydation des zones libres du film mince qui est, alors, réalisée à travers la couche supplémentaire d'oxyde. L'oxydation du second matériau semi-conducteur peut, également, être réalisée en même temps que l'oxydation des zones libres du film mince. A titre d'exemple, il est possible de déposer sélectivement, c'est-à-dire uniquement sur les zones libres du film mince, un composé de silicium et de germanium (SiGe) sur des zones libres en silicium, du silicium sur des zones libres en SiGe, ou encore du polysilicium sur des zones libres en silicium ou en SiGe. Dans la mesure où le second matériau semi-conducteur a un paramètre de maille adapté, le dépôt sélectif du second matériau semi-conducteur sur les zones libres du film mince peut être, par exemple, réalisé par croissance par épitaxie sélective des zones libres du film mince. Le fait de réaliser une étape de formation sélective d'une couche supplémentaire constituée par un oxyde en matériau semi-conducteur, permet, comme précédemment, d'obtenir, à la fin du procédé d'isolation, des zones oxydées ayant une épaisseur suffisante pour être conservées lors des différentes étapes de fabrication d'un micro-composant. L'épaisseur supplémentaire obtenue par la formation de la couche supplémentaire, permet, en effet, d'augmenter l'épaisseur totale des zones oxydées, à la fin du procédé d'isolation et donc d'obtenir des motifs non seulement isolés électriquement mais également stables à haute température pendant les différentes étapes de fabrication d'un micro- composant. Dans une autre variante de réalisation, la couche en oxyde 4 du masque peut ne pas être structurée. Dans ce cas, la couche en nitrure 5 du masque 7 délimite, comme précédemment, dans le film mince 1, des zones dites recouvertes par le masque 7, c'est-à-dire à la fois par la couche en oxyde 4 et par la couche en nitrure 5 et des zones dites libres 1c, c'est-à-dire des zones uniquement recouvertes par la couche en oxyde 4. La formation sélective de la couche supplémentaire est alors effectuée sur cette couche mince en oxyde 4, uniquement au niveau des zones dites libres. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci- dessus. Ainsi, le film mince 1 n'est pas nécessairement disposé sur un substrat SOI, c'est-à-dire sur une couche intermédiaire 2 recouvrant un support 3. Le film mince peut être disposé directement sur le support. Le support peut alors être un substrat massif, par exemple en silicium ou bien il peut être composé d'un empilement de plusieurs couches d'un ou plusieurs matériaux. Le substrat peut également être, en surface, de même nature que le film mince qu'il supporte. Revendications 1. Procédé d'isolation de motifs (la) formés dans un film mince (1) en un 5 premier matériau semi-conducteur oxydable, d'une épaisseur prédéterminée (el) inférieure ou égale à 10nm et disposé sur un support (3), comportant successivement: la formation, sur le film mince, d'un masque (7) définissant, dans le film mince (1), des zones libres (1c) et des zones recouvertes par le masque (7) 10 destinées à former sensiblement les motifs (la), l'oxydation des zones libres (1c) du film mince (1), le retrait du masque (7) de manière à libérer le film mince (1) structuré sous forme de motifs (1 a) isolés par des zones oxydées (1 b), procédé caractérisé en ce qu'il comporte, entre l'étape de formation du masque et l'étape d'oxydation, une étape de formation sélective, au niveau des zones libres (1c) du film mince (1), d'une couche supplémentaire constituée par un oxyde d'un second matériau semi- conducteur. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second matériau 20 semi-conducteur est identique au premier matériau semiconducteur oxydable. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second matériau semi-conducteur est différent du premier matériau semiconducteur. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la formation sélective de la couche supplémentaire est réalisée par un dépôt sélectif direct de l'oxyde du second matériau semi-conducteur. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la formation sélective de la couche supplémentaire est réalisée par un dépôt sélectif du second matériau semi-conducteur suivi par son oxydation. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le dépôt sélectif du second matériau semi-conducteur est réalisé par croissance par épitaxie sélective des zones libres (1c) du film mince (1). 7. Procédé selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que 10 l'oxydation du second matériau semi-conducteur est réalisée en même temps que l'étape d'oxydation des zones libres (1c) du film mince (1) . 8. Procédé selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que l'oxydation du second matériau semi-conducteur est réalisée, avant l'étape 15 d'oxydation des zones libres (1c) du film mince (1). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche supplémentaire est déterminée de manière à ce que les motifs (1 a) restent isolés par des zones oxydées (1 b) pendant toute la durée d'un procédé de fabrication de micro-composants. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la formation du masque (7) sur le film mince (1) comporte le dépôt successif, sur la totalité du film mince (1), de deux couches, respectivement en oxyde (4) et en nitrure (5) et au moins la structuration sélective de la couche en nitrure (5) pour former ledit masque (7). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les couches, respectivement en nitrure (5) et en oxyde (4), sont structurées successivement. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'une couche intermédiaire (2) est disposée entre le film mince (1) et le support (3). 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est une couche isolante électriquement constituée par un composé choisi parmi la silice amorphe, l'alumine, le nitrure de silicium, le quartz et l'oxyde d'hafnium. 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est constituée par un composé de silicium et de germanium. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que les premier et second matériaux semi-conducteurs sont choisis parmi le 15 silicium et un composé de silicium et de germanium.