Brevet FR2878650A1 — publié le 20060602

DISPOSITIF D'AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION to La présente invention concerne un dispositif d'affichage et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage et, plus particulièrement, un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) et un procédé de fabrication de dispositif OELD. Dans le passé, beaucoup de dispositifs d'affichage ont utilisé des tubes à rayon cathodique (CRTs) pour afficher des images. Cependant, divers types d'affichages à panneau plat, tels que des dispositifs d'affichage à cristal liquide (LCD), des dispositifs à panneau d'affichage à plasma (PDP), des dispositifs d'affichage à émission de champ (FED), et des dispositifs d'affichage électroluminescent (ELD), sont actuellement en cours de développement en tant que substituts aux CRTs. Parmi ces divers types d'affichages à panneau plat, les dispositifs PDP présentent des avantages d'une grande taille d'affichage, mais souffrent de certains inconvénients, tel que la lourdeur et la forte de consommation de puissance. De façon similaire, les dispositifs LCD présentent les avantages de minceur des profils et de faibles valeurs de consommation de puissance, mais souffrent de certains inconvénients de la petitesse de la taille d'affichage. Cependant, les dispositifs OELD sont des affichages luminescents présentant certains avantages, tel que la rapidité du temps de réponse, la haute brillance, et l'importance des angles d'observation. La Figure 1 est un diagramme de circuit schématique d'un dispositif OELD, selon l'art concerné. Tel qu'illustré sur la Figure 1, une ligne de grille "GL" est étendue dans une première direction, et une ligne de données "DL" et une ligne d'alimentation de puissance "PSL" séparées l'une de l'autre sont étendues dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction. La ligne de grille "GL", la ligne de données "DL" et la ligne d'alimentation de puissance "PSL" définissent une région de sous- pixel "SP". Un transistor en couches minces de commutation "SwT" est disposé en un point de croisement des lignes de grille et de données "GL" et "DL", à titre d'élément d'adressage. Un condensateur de stockage "CST" est connecté au transistor en R \ revets\24500A2458 5-05 1 1 10-IradFR.doc 15 novembre 2005 - I R2 couches minces de commutation "SwT" et à la ligne d'alimentation de puissance "PSL". Un transistor en couches minces de commande "DrT" est connecté au condensateur de stockage "CsT" et à la ligne d'alimentation de puissance "PSL" en tant qu'élément de source de courant. Une diode électroluminescente (EL) organique, "E" est connectée au transistor en couches minces de commande "DrT". Lorsqu'un courant direct est fourni à la diode EL organique "E", un électron et un trou sont recombinés pour générer une paire électron-trou par la jonction P(positive)-N(négative) entre une anode, qui fournit le trou et une cathode, qui fournit l'électron. Du fait que la paire électron-trou présente une énergie inférieure à celle de l'électron et du trou séparément, une différence d'énergie existe entre la recombinaison et la paire électron-trou considérée séparément, faisant que de la lumière est émise sous l'effet de la différence d'énergie. En général, à la fois un élément de matrice comprenant des transistors en couches minces de commutation et de commande, et la diode EL organique sont formés sur un substrat de matrice, et le substrat de matrice est attaché à un substrat d'encapsulation. Ainsi l'efficacité de production du dispositif OELD est réduite. Par exemple, lorsque l'un de l'élément de matrice et de la diode émettrice organique est déterminé comme ayant un défaut après fabrication, alors le substrat de matrice est inacceptable et ainsi l'efficacité de production du dispositif OELD est réduite. Pour résoudre ce problème, un dispositif OELD de type à panneau dual est suggéré, dans lequel l'élément de matrice et la diode EL organique sont formés sur des substrats différents. La Figure 2 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau dual selon l'art concerné, et la Figure 3 est une vue en coupe d'une zone de plage de 25 connexion de données du panneau OELD de type dual de la Figure 2. Tel qu'illustré sur les Figures 2 et 3, des premiers et deuxièmes substrats 1 et 71 sont placés en regard de et espacés l'un de l'autre. Dans les deux substrats 1 et 71, une zone d'affichage "DA" pour l'affichage d'images et une zone de non affichage "NA" entourant la zone d'affichage "DA" sont définies. Un motif d'étanchéité 93 attache les premiers et deuxièmes substrats 1 et 71 dans la zone de non affichage "NA". Un élément de matrice comprenant un transistor en couches minces de commande "Tr" et un transistor en couches minces de commutation (non représenté) est disposé sur une région de sous-pixel "SP" sur le premier substrat 1. Une diode EL "E" est disposée sur le deuxième substrat 71 dans la région de sous-pixel "SP". La diode EL organique "E" comprend une première électrode 75, une couche émettrice organique 87 et une deuxième électrode 90 disposée séquentiellement sur une surface intérieure du deuxième substrat 71. La couche émettrice organique 87 comprend des couches émettrices organiques 87a, 87b et 87c des couleurs rouge (R), vert (V) et R:\Brevets\24500A24585-051 I I0-tradFR.doc - 15 novembre 2005 2/32 bleu (B), dans les régions de sous-pixel "SP" respectives. La deuxième électrode 90 est disposée dans chaque région de sous-pixel "SP". Une couche de passivation 45 couvre le substrat 1 ayant le transistor en couches minces de commande "Tr" et présente un trou de contact de drain 47 exposant une électrode de drain 35. Une électrode de connexion 55 est disposée sur la couche de passivation 45 dans chaque région de sous-pixel "SP" et est connectée à l'électrode de drain 35 par le trou de contact de drain 47. Un motif de connexion 91 connecte l'électrode de connexion 55 et la deuxième électrode 90 dans chaque région de sous-pixel "SP". Dans une zone de plage de connexion de grille "GPA" de la zone de non affi- chage "NA", une électrode de plage de connexion de grille 11 est disposée à la même couche que l'électrode de grille 9 et la ligne de grille (non représentée). L'électrode de plage de connexion de grille 11 est réalisée du même matériau que l'électrode de grille 9. Dans une zone de plage de connexion de données "DPA" de la zone de non affichage "NA", une électrode de plage de connexion de données 38 est disposée sur la même couche que les électrodes de source et de drain 33 et 35 et la ligne de données (non représentée) sur un isolateur de grille 14. Des bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 57 et 60 sont disposées sur la couche de passivation 45 et établissent le contact des électrodes de plage de connexion de grille et de données 11 et 38 par les trous de contact de plage de connexion de grille et de données 49 et 51, respectivement. Les bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 57 et 60 sont réalisées dans le même matériau que l'électrode de connexion 55. Pour améliorer les propriétés d'interface et les résistivités de contact entre l'électrode de connexion 55 et le motif de connexion 91 et entre le motif de connexion 91 et la deuxième électrode 90, l'électrode de connexion 55, le motif de connexion 91 et la deuxième électrode 90 sont formés du même matériau. Lorsque la deuxième électrode 90 agit comme cathode, la deuxième électrode 90 est réalisée en aluminium (Al) ayant une faible fonction de travail. De manière correspondante, l'électrode de connexion 55 et le motif de connexion 91 sont également formés en aluminium (Al). Lorsque de l'aluminium (Al) est exposé à l'air, il est corrodé. L'électrode de connexion 55, le motif de connexion 91 et la deuxième électrode 90 formés d'aluminium (Al) ne sont pas aisément corrodés du fait qu'ils sont disposés sur la zone d'affichage "DA" encapsulée par le motif d'étanchéité 93. En d'autres termes, un espace entre les premiers et deuxièmes substrats, entouré par le motif d'étanchéité 93, est placé dans un état de vide ou bien rempli d'un gaz inerte. Cependant, les bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 57 et 60, qui sont formées du même matériau, c'est-à-dire en aluminium (Al), que l'électrode de connexion 55, RBrevets\24500A24585-051110-tradFR doc novembre 2005 - 3/32 sont exposées à l'air. De manière correspondante, les bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 57 et 60 sont aisément corrodées. En outre, les électrodes de plage de connexion de grille et de données 11 et 38 sont généralement formées d'un matériau ayant une faible résistivité pour empêcher un délai du signal, tel que de l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AlNd), de l'aluminium (Al)/molybdène (Mo) et alliage d'aluminium (A1Nd)/molybdène (Mo), ils sont également aisément corrodés lorsqu'ils sont exposés à l'air, même lorsque les bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 57 et 60 ne sont pas formées dans les zones de plage de connexion de grille et de données "GPA" et "DPA". En particulier, même lorsque les électrodes de plage de connexion de grille et de données 11 et 38 ont une structure à couche double dans laquelle une couche supérieure est réalisée en molybdène (Mo) et une couche inférieure est réalisée soit en aluminium (Al), soit en alliage d'aluminium (Al/Nd), la couche inférieure risque d'être exposée à l'air et être corrodée, du fait que la couche supérieure peut être gravée avec la couche de passivation 45 dans un processus de formation des trous de contact 47, 49 et 51. De manière correspondante, la présente invention est orientée sur un dispositif OELD et un procédé de fabrication d'un dispositif OELD permettant d'éliminer sensiblement un ou plusieurs des problèmes imputables aux limitations et aux inconvénients de l'art concerné. Un avantage de la présente invention est celui de fournir un dispositif OELD et un procédé de fabrication de celui-ci, permettant d'empêcher la corrosion de la zone de plage de connexion et d'améliorer l'efficacité de production. L'invention propose un dispositif d'affichage électroluminescent qui comprend des premiers et deuxièmes substrats placés l'un face à l'autre et ayant une pluralité de régions de sous-pixel; une ligne de grille sur le premier substrat; une ligne de données croisant la ligne de grille pour définir la région de sous-pixel sur le premier substrat; un élément de matrice connecté aux lignes de grille et de données; une électrode de connexion connectée à l'élément de matrice et disposée dans la région de sous-pixel; une électrode de plage de connexion de grille reliée électriquement à la ligne de grille et ayant des couches inférieures et supérieures; une électrode de plage de connexion de données reliée électriquement à la ligne de données et ayant des couches inférieures et supérieures, l'électrode de plage de connexion de données étant disposée sur la même couche que l'électrode de plage de connexion de grille; et une diode électroluminescente sur le deuxième substrat, dans lequel les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données ont des trous de contact de plage de connexion de grille et de données exposant les couches RVBrevets\24500A24585-051110-tradFR doc 15 novembre 2005 - 4/32 inférieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données, respective-ment. Selon un mode de réalisation, la couche inférieure est réalisée en un matériau conducteur présentant une tolérance à la corrosion. Selon un autre mode de réalisation, la couche inférieure comprend un matériau conducteur transparent. Selon un autre mode de réalisation, la couche supérieure comprend l'un parmi l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AlNd), du cuivre (Cu) , du molybdène (Mo) et du titane (Ti). Selon un autre mode de réalisation, la couche supérieure présente une structure multicouche. Le dispositif peut comprendre en outre une ligne de liaison de données connectée à la ligne de données et/ou un motif de liaison connectant la ligne de données et la ligne de liaison de données, le motif de liaison étant disposé sur la même couche que l'électrode de connexion et/ou un motif d'étanchéité pour l'attachement des premiers et deuxièmes substrats, le motif de liaison étant entouré par un contour du motif d'étanchéité. Selon un mode de réalisation, une partie du motif de liaison est sousjacent au motif d'étanchéité. Selon un autre mode de réalisation, un espace entre les premiers et deuxièmes substrats entouré par le motif d'étanchéité est placé dans des conditions de vide ou des conditions de gaz inerte. Le dispositif peut comprendre en outre un isolateur de grille sur la ligne de grille et une couche de passivation sur la ligne de données. Selon un mode de réalisation, l'isolateur de grille et la couche de passivation ont les trous de contact de plage de connexion de grille et de données sur les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données. Selon un autre mode de réalisation, la couche de passivation présente un premier trou de contact de liaison exposant la ligne de données et l'isolateur de grille et la couche de passivation ont un deuxième trou de contact de liaison exposant la ligne de liaison de données, le motif de liaison établissant le contact entre la ligne de données et la ligne de liaison de données par l'intermédiaire des premiers et deuxièmes trous de contact de liaison, respectivement. Selon un autre mode de réalisation, la couche de passivation présente un trou 35 de contact de drain exposant l'élément de matrice, l'électrode de liaison étant en contact avec l'élément de matrice par l'intermédiaire du trou de contact de drain. R-13revets\24500A2458 5-051 1 10-tradFR.doc - 15 novembre 2005 -5/32 Selon un autre mode de réalisation, l'élément de matrice comprend un transistor en couches minces de commande connecté à l'électrode de connexion et un transistor en couches minces de commutation. Selon un autre mode de réalisation, la diode électroluminescente comprend une première électrode, une couche émettrice et une deuxième électrode disposée séquentiellement sur le deuxième substrat. Le dispositif peut comprendre en outre un organe d'espacement sur la première électrode dans la région de sous-pixel, l'organe d'espacement ayant une première hauteur pour établir un contact avec une partie de la deuxième électrode couvrant l'organe d'espacement et l'électrode de connexion et/ou un séparateur sur la première électrode entre les régions de sous-pixel adjacentes, le séparateur ayant une deuxième hauteur inférieure à la première hauteur. Selon un mode de réalisation, la deuxième électrode comprend l'un d'un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. Selon un autre mode de réalisation, la deuxième électrode et l'électrode de connexion sont réalisées en matériau conducteur ayant une fonction de travail inférieure à la première électrode. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de connexion comprend 'un de aluminium (Al), alliage d'aluminium (AINd), cuivre (Cu), molybdène (Mo) et titane (Ti). Selon un autre mode de réalisation, la première électrode est réalisée en un matériau conducteur transparent incluant de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). L'invention propose également un procédé de fabrication d'un dispositif d'affi- chage électroluminescent, qui comprend: la formation d'une ligne de grille, d'une électrode de plage de connexion de grille à une extrémité de la ligne de grille et d'une électrode de plage de connexion de données sur un premier substrat, la ligne de grille et les électrodes de plage de connexion de grille et de données ayant chacune des couches inférieures et supérieures; la formation d'un isolant de grille couvrant la ligne de grille et les électrodes de plage de connexion de grille et de données; la formation d'une ligne de grille sur l'isolateur de grille, croisant la ligne de grille pour définir une région de sous-pixel; la formation d'un élément de matrice connecté aux lignes de grille et de données; la formation d'un couche de passivation sur l'élément de matrice; la formation d'une électrode de connexion sur la couche de passivation dans la région de sous-pixel; l'exposition des couches inférieures sur les électrodes de plage de connexion de grille et de données; la formation d'une diode électroluminescente sur un deuxième substrat; et l'attachement des premiers et deuxièmes substrats. R.\Brevets\24500\2455 5-051 1 10-1radFR doc - 15 novembre 2005 -6132 Selon un mode de réalisation, la formation de l'électrode de connexion comprend: le dépôt d'un matériau conducteur et une photoréserve sur le matériau conducteur; la mise en motif de la photoréserve pour former un motif de photo-réserve; et la mise en motif du matériau conducteur avec le motif de photoréserve. Selon un autre mode de réalisation, l'exposition des couches inférieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données comprend: la mise en motif de la couche de passivation et de l'isolateur de grille pour former des trous de contact de plage de connexion de grille et de données en exposant les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données avant de former l'élec-trode de connexion respectivement; et l'étape consistant à graver chimiquement les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données avec le motif de photoréserve, après avoir formé l'électrode de connexion. Le procédé peut comprendre en outre l'enlèvement du motif de photoréserve après exposition des couches inférieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données. Selon un mode de réalisation, la couche inférieure est formée d'un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion. Selon un autre mode de réalisation, la couche inférieure comprend un matériau conducteur transparent. Selon un autre mode de réalisation, la couche supérieure comprend l'un parmi l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AINd), du cuivre (Cu) , du molybdène (Mo) et du titane (Ti). Selon un autre mode de réalisation, la couche supérieure présente une structure multicouche. Le procédé comprend de préférence la formation d'une ligne de liaison de données reliée à la ligne de données dans le même processus de formation de la ligne de grille et/ou la formation d'un motif de liaison connectant la ligne de données et la ligne de liaison de données dans le même processus de formation de l'électrode de connexion. Selon un autre mode de réalisation, les premiers et deuxièmes substrats sont attachés à un motif d'étanchéité et le motif de liaison est entouré par un contour du motif d'étanchéité. Selon un autre mode de réalisation, une partie du motif de liaison est sous-jacent au motif d'étanchéité. Selon un autre mode de réalisation, les premiers et deuxièmes substrats sont fixés dans un état de vide ou un état de gaz inerte. Le procédé peut comprendre en outre la mise en motif de la couche de passivation pour former un premier trou de contact de liaison exposant la ligne de données et R \Brevets\2450624585-0511 10-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 7132 la mise en motif de la couche de passivation et de l'isolateur de grille pour former un deuxième trou de contact de liaison, exposant la ligne de liaison de données, le motif de liaison établissant le contact entre la ligne de données et la ligne de liaison de données par les premiers et deuxièmes trous de contact de liaison, respectivement et/ou la mise en motif de la couche de passivation pour former un trou de contact de drain exposant l'élément de matrice, l'électrode de connexion établissant le contact avec l'élément de matrice par l'intermédiaire du trou de contact de drain. Selon un autre mode de réalisation, la formation de l'élément de matrice comprend la formation d'un transistor en couches minces de commande connecté à l'électrode de connexion et un transistor en couches minces de commutation. Selon un autre mode de réalisation, la formation de la diode électroluminescente (EL) inclut la formation d'une première électrode, d'une couche d'émission et d'une deuxième électrode séquentiellement sur le deuxième substrat. Le procédé peut comprendre en outre la formation d'un organe d'espacement dans la région de sous-pixel sur la première électrode, l'organe d'espacement ayant une première hauteur pour établir le contact entre une partie de la deuxième électrode couvrant l'organe d'espacement et l'électrode de connexion et/ou la formation d'un séparateur sur la première électrode entre les régions de sous-pixel (SP) adjacentes, dans le même processus que celui de la formation de l'organe d'espacement, le sépa- rateur ayant une deuxième hauteur, inférieure à la première hauteur. Selon un autre mode de réalisation, la formation de l'organe d'espacement et du séparateur comprend: la déposition d'un matériau isolant organique et d'une photo-réserve sur le matériau isolant organique; la formation de premiers et deuxièmes motifs de photoréserve, le deuxième motif de photoréserve étant plus élevé que le premier motif de photoréserve; la gravure chimique du matériau isolant organique avec les premiers et deuxièmes motifs de photoréserve pour former un premier motif isolant, organique au-dessous du premier motif de photoréserve et l'organe d'espace-ment (184), au-dessous du deuxième motif de photoréserve; l'enlèvement complet du premier motif de photoréserve et l'enlèvement partiel du deuxième motif de photoréserve; et l'enlèvement partiel du premier motif isolant organique pour former le séparateur. Selon un autre mode de réalisation, la deuxième électrode comprend l'un d'un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. Selon un autre mode de réalisation, la deuxième électrode et l'électrode de connexion sont réalisées en un matériau conducteur ayant une fonction de travail inférieure à celle de la première électrode. R ',Brevets\24500A24585-05 1 1 1 0-IradFR doc - 15 novembre 2005 -8/32 Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de connexion comprend l'un de l'aluminium (AI), d'un alliage d'aluminium (AlNd), du cuivre (Cu), du molybdène (Mo) et du titane (Ti). Selon un autre mode de réalisation, la première électrode est formée d'un maté- riau conducteur transparent incluant de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). Selon un autre aspect, la présente invention, propose un dispositif d'affichage électroluminescent, qui comprend: un premier substrat ayant un élément de matrice incluant une ligne de grille, une ligne de données croisant la ligne de grille pour défi- nir une région de sous-pixel, au moins un transistor en couches minces (TFT) dans la région de sous-pixel, une plage de connexion de grille et une plage de connexion de données; et un deuxième substrat ayant une diode électroluminescente, connectée électriquement au TFT, dans lequel les plages de connexion de grille et de données ont une structure multicouche et des parties exposées des plages de connexion de grille et de données comprennent un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion. Selon un autre mode de réalisation, le matériau conducteur est transparent. Le dispositif peut comprendre en outre une ligne de liaison de données connectée à la ligne de données et un motif de liaison connectant la ligne de données et la ligne de liaison de données et/ou un motif d'étanchéité pour attacher les premiers et deuxièmes substrats dans lequel le motif de liaison est entouré par le motif d'étanchéité. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente (EL) comprend une première électrode, une couche émettrice et une deuxième électrode, disposées séquentiellement sur le deuxième substrat. Le dispositif peut comprendre en outre un organe d'espacement sur la première électrode, l'organe d'espacement établissant le contact avec une partie de la deuxième électrode couvrant l'organe d'espacement. Selon un mode de réalisation, la deuxième électrode comprend l'un d'un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. Selon un autre mode de réalisation, la diode électroluminescente (EL) est connectée électriquement au TFT via une électrode de connexion. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de connexion comprend l'un de l'aluminium (Al), de l'alliage d'aluminium (AlNd), du cuivre (Cu), du molybdène 35 (Mo) et du titane (Ti). Selon un autre mode de réalisation, la première électrode est réalisée en un matériau conducteur transparent incluant de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium R ABrevetsV24500A24 5 85-05 1 1 1 0-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 9/32 Il est évident que, à la fois la description générale ci-dessus et la description détaillée ci-après de la présente invention, sont données à titre d'exemple et explicatif et sont considérées comme fournissant une explication supplémentaire de l'invention, telle que revendiquée. Les dessins annexés qui sont inclus pour fournir une compréhension supplémentaire de l'invention et sont incorporés dans et font partie de cette demande, illustrent un ou plusieurs modes de réalisation de l'invention et conjointement avec les descriptions, servent à expliciter le principe de l'invention. Dans les dessins: la Figure 1 est un diagramme de circuit schématique d'un dispositif OELD, selon l'art concerné. la Figure 2 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau dual, selon l'art concerné ; la Figure 3 est une vue en coupe d'une zone de plage de connexion de données du dispositif OELD de type à panneau dual, de la Figure 2; la Figure 4A est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau dual, selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la Figure 4B est une vue en coupe d'une zone de plage de connexion de données du dispositif OELD de la Figure 4A; la Figure 5A est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau dual, selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 5B est une vue en coupe d'une zone de plage de connexion de données du dispositif OELD de la Figure 5A; la Figure 6 est une vue en plan schématique du dispositif OELD de type à panneau dual, selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; les Figures 7 et 8 sont des vues en coupe suivant les lignes VII-VII et VIII-VIII de la Figure 6; et les Figures 9A à 9H et 10A à 10H sont des vues en coupe, qui sont prises suivant les lignes VII-VII et VIII-VIII de la Figure 6, illustrant un procédé de fabri- cation d'un premier substrat pour un dispositif OELD de type à panneau dua, selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. On va à présent faire référence en détail à des modes de réalisation de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins annexés. La Figure 4A est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage électrolumines- cent organique (OELD) de type à panneau dual, selon un premier mode de réalisation de la présente invention, et la Figure 4B est une vue en coupe d'une zone de plage de connexion de données du dispositif OELD de la Figure 4A. R \Brevets\24500A24585-051110-tradFR.doc - 15 novembre 2005 -10/32 Tel qu'illustré sur les Figures 4A et 4B, un dispositif OELD de type à panneau dual comprend des premiers et deuxièmes substrats 101 et 171 placés en regard l'un de l'autre et espacés l'un de l'autre. Dans les deux substrats 101 et 171, une zone d'affichage "DA" et une zone de non affichage "NA" entourant la zone d'affichage "DA" sont définies. Un motif d'étanchéité 193 est disposé dans la zone de non affi- chage "NA" et entoure la zone d'affichage "DA". Une diode électroluminescente (EL) organique "E" est disposée sur une surface intérieure du deuxième substrat 171. La diode EL organique "E" comprend une première électrode 175, une couche émettrice 187 organique et une deuxième électrode 190 disposées séquentiellement sur la surface intérieure du deuxième substrat 171. La première électrode 175 est disposée sur la totalité de la surface intérieure du deuxième substrat 171. Des premiers et deuxième motifs isolants 177 et 178 sont formés sur la première électrode 175. Un séparateur 181 est formé sur le premier motif isolant 177 et est disposé entre des régions de sous-pixel "SP" adjacentes, et un organe d'espacement 184 est formé sur le deuxième motif isolant 178. L'organe d'espacement 184 présente une hauteur supérieure à celle du séparateur 181, de telle façon que la deuxième électrode 190 soit en contact avec l'électrode de connexion 155. La couche émettrice 187 organique comprend des couches émettrices 187a, 187b et 187c correspondant aux couleurs rouge (R), vert (V) et bleu (B). La couche émettrice 187 organique est disposée dans chaque région de sous-pixel "SP" et est entourée par le séparateur 181. Egalement, la deuxième électrode 190 sur la couche émettrice 187 organique est disposée dans chaque région de sous-pixel "SP" et est entourée par le séparateur 181. Dans l'art des dispositifs OELD, les termes d'anode et de cathode sont utilisés de façon interchangeable et l'anode est généralement réalisée en un matériau ayant une fonction de travail supérieure à celle d'une cathode. Ainsi, la première électrode 175 peut servir soit de cathode, soit d'anode dans le dispositif OELD, et lorsque la première électrode 175 sert de cathode, la deuxième électrode 190 sert d'anode. Lorsque les premières et deuxièmes électrodes 175 et 190 servent d'anode et de cathode, respectivement, la première électrode 175 peut avoir une fonction de travail supérieure à celle de la deuxième électrode 190. Dans un tel cas, la première électrode 175 peut être réalisée en un matériau conducteur transparent, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO) et la deuxième électrode 190 peut être réalisée en un matériau conducteur opaque, tel qu'un métal alcalin, un métal alcalino-terreux, de l'aluminium (Al), de l'alliage d'aluminium (AINd), du cuivre (Cu), du molybdène (Mo), du titane (Ti) et un alliage de ceux-ci. En variante, les premières et deuxièmes électrodes 175 et 190 peuvent R\Brevets\24500\24585-051110-tradFR doc - 15 nos ernbre 2005 - 11/12 être réalisées en un matériau conducteur opaque et un matériau conducteur transparent, respectivement. Un organe d'espacement 184 est disposé sur la surface intérieure du deuxième substrat 171 dans chaque région de sous-pixel "SP". L'organe d'espacement 184 présente une hauteur supérieure à celle du séparateur 181, de manière que la deuxième électrode 190 soit en contact avec une électrode de connexion 155 située sur le premier substrat 101. La couche émettrice 187 organique dans chaque région de sous-pixel "SP" est séparée par l'organe d'espacement 184. Egalement, la deuxième électrode 190 est continue dans la région de sous-pixel "SP" et comprend une première partie sur la couche émettrice 187 organique et une deuxième partie couvrant l'organe d'espacement 184. La deuxième partie en saillie par l'organe d'espacement 184 est en contact avec l'électrode de connexion 155. Bien que ceci ne soit pas représenté dans les dessins, une ligne de grille et une ligne de données et une ligne d'alimentation de puissance croisant la ligne de grille définissent la région de sous-pixel "SP" sur une surface intérieure du premier substrat 101. Egalement, un élément de matrice incluant un transistor en couches minces de commande "Tr" et un transistor en couches minces de commutation (non représenté) est disposé sur la surface intérieure du premier substrat 101. Le transistor en couches minces de commande "Tr" comprend une électrode de grille 109 sur le premier substrat 101, un isolateur de grille 114 couvrant l'électrode de grille 109, une couche de semi-conducteur 120 sur l'isolant de grille 114 et des électrodes de source et de drain 133 et 135 sur la couche en semi-conducteur 120. La couche en semi-conducteur 120 comprend une couche active 120a et une couche de contact ohmique 120b. Une couche de passivation 145 est disposée pour couvrir l'élément de matrice et la ligne de données. L'électrode de connexion 155 est disposée sur la couche de passivation 145 dans la région de sous-pixel "SP" et établit le contact avec l'électrode de drain 135 par un trou de contact de drain 147. Dans la zone de non affichage "NA" du premier substrat 101, des électrodes de plage de connexion de grille et de données 111 et 138 sont disposées aux extrémités des lignes de grille et de données, respectivement. Sur l'électrode de plage de connexion de grille 111, sont disposés l'isolant de grille 114 et la couche de passivation 145 ayant un trou de contact de plage de connexion de grille 149. Sur l'électrode de plage de connexion de données 138, la couche de passivation 145 ayant un trou de contact de plage de connexion de données 151 est disposée. Des bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 157 et 160 sont disposées sur la couche de passivation 145 et établissent le contact des électrodes de plage de connexion de grille et de données 111 et 138 par les trous de contact de plage de connexion de grille et de données 149 et 151, respectivement. RABrevets\24500'2 4 585-05 1 1 1 0-IradFR doc - 15 novembre 2005 -12/32 L'électrode de connexion 155 établissant le contact avec la deuxième électrode 190 peut être réalisée du même matériau que la deuxième électrode 190, pour des questions de propriétés d'interface et de résistivités de contact entre l'électrode de connexion 155 et la deuxième électrode 190. L'électrode de connexion 155 et la deuxième électrode 190 peuvent être réalisées en un matériau conducteur, tel que l'aluminium (Al) , l'alliage d'aluminium (AINd), le cuivre (Cu), le molybdène (Mo), le titane (Ti) et un alliage de ceux-ci. Les bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 157 et 160, qui sont exposées à l'air, peuvent être réalisées en un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). La Figure 5A est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau dual, selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention, et la Figure 5B est une vue en coupe d'une zone de plage de connexion de données du dispositif OELD de la Figure 5A. Le dispositif OELD du deuxième mode de réalisation est similaire au dispositif OELD du premier mode de réalisation, sauf pour des structures de plage de connexion de grille et de données. De manière correspondante, une explication détaillée des parties similaires du premier mode de réalisation va être omise. Tel qu'illustré sur les Figures 5A et 5B, des bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 257 et 260 ont une structure à double couche. Des couches inférieures 257a et 260a des bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 257 et 260 peuvent être réalisées du même matériau que l'électrode de connexion 255 et la deuxième électrode 290. En d'autres termes, les couches inférieures 257a et 260a peuvent être réalisées en un matériau conducteur ayant une faible fonction de travail, tel que de l'aluminium (Al) et de l'alliage d'aluminium (AINd). Des couches supérieures 257b et 260b des bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 257 et 260 peuvent être réalisées en un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). Une corrosion des bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de données 257 et 260 peut être minimisée ou empêchée en formant les couches supérieures 257b et 260b résistant à la corrosion, sur les couches inférieures 257a et 260a qui sont susceptibles à la corrosion. Dans les premiers et deuxièmes modes de réalisation décrits ci-dessus, le matériau conducteur transparent présentant une tolérance à la corrosion, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO), est utilisé pour empêcher que les bornes d'électrode de plage de connexion de grille et de R \Brevets\24500\24 58505 1 1 10-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 13/32 données soient corrodées sous la présence de l'air. Pour former une telle couche résistant à la corrosion, on doit avoir un processus de masquage additionnel. On va décrire à présent ci-après un dispositif OELD qui permet de minimiser ou d'empêcher une corrosion des plages de connexion de grille et de données sans processus de masquage additionnel. La Figure 6 est une vue en plan schématique d'un dispositif OELD de type à panneau dual, selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Tel qu'illustré sur la Figure 6, le dispositif OELD présente une zone d'affichage "DA", dans lequel une pluralité de régions de sous-pixel "SP" sont agencées, et une zone de non affichage "NA", dans laquelle des plages de connexion de grille et de données alimentées par des signaux de commande sont agencées. Les régions de sous-pixel "SP" sont définies par des lignes de grille et de données 305 et 330 se croisant les unes les autres. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la Figure 6, dans chaque région de sous-pixel "SP", un élément de matrice incluant un transistor à fil mince de commutation et un transistor en couches minces de commande est disposé sur un premier substrat, et une diode EL organique incluant une première électrode, une couche émettrice organique et une deuxième électrode, est disposée sur un deuxième substrat placé face au premier substrat. La ligne de grille 305 est étendue dans une première direction dans une zone de plage de connexion de grille "GPA" de la zone de non affichage "NA", et une électrode de plage de connexion de grille 309 est disposée à une extrémité de la ligne de grille 305 dans la zone de plage de connexion de grille "GPA". La ligne de données 330 est étendue sur une deuxième direction croisant la première direction dans une zone de frontière entre la zone d'affichage "DA" et la zone de non affichage "NA". Une ligne de liaison de données 307 est espacée de la ligne de données 303 et étendue dans la deuxième direction dans la zone de non affichage "NA", et une électrode de plage de connexion de données 338 est disposée à une extrémité de la ligne de liaison de données 307 dans une zone de plage de connexion de données "DPA". La ligne de liaison de données 307 et l'électrode de plage de connexion de données 338 sont formées du même matériau que la ligne de grille 305. La ligne de liaison de données 307 est reliée à la ligne de données 330 par un motif de liaison 356, qui s'étend sur la zone de frontière entre la zone d'affichage "DA" et la zone de non affichage "NA". Pour relier la ligne de données 330 et la ligne de liaison de données 307, le dispositif de liaison 356 établit le contact entre une extrémité de la ligne de données 330 par un premier trou de contact de liaison 352 et établit le contact de l'autre extrémité de la ligne de liaison de données 307 par RABrevetsv24500A24585-051 1 10-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 14/32 un deuxième trou de contact de liaison 353. Une partie du motif de liaison 356 est sous-jacent à un motif d'étanchéité 393, et l'autre partie du motif de liaison 356 est entourée par le motif d'étanchéité 393, et ainsi le motif de liaison 356 n'est pas exposé à l'air. En d'autres termes, le motif de liaison 356 est entouré par un contour du motif d'étanchéité 393. De manière correspondante, le motif de liaison 356 n'est pas corrodé du fait qu'un espace entre les premiers et deuxièmes substrats entouré par le motif d'étanchéité 393 se trouve dans un état sous vide ou est rempli d'un gaz inerte. Les Figures 7 et 8 sont des vues en coupe tracées suivant les lignes VIIVII et VIII-VIII de la Figure 6. Le dispositif OELD du troisième mode de réalisation est similaire aux dispositifs OELD des premiers et deuxièmes modes de réalisation, sauf pour des structures d'empilement de plages de connexion de grille et de données et des structures de connexion d'une ligne de données et d'une ligne de liaison de données. De manière correspondante, une explication détaillée des parties similaires aux premiers et deuxièmes modes de réalisation va être omise. Tel qu'illustré sur les Figures 7 et 8, dans une zone d'affichage "DA" d'un premier substrat 301, un élément de matrice incluant un transistor en couches minces de commande "Tr" et un transistor en couches minces de commutation (non représenté) est disposé dans chaque sous-pixel "SP". Le transistor en couches minces de commande "Tr" comprend une électrode de grille 309 sur une surface intérieure du premier substrat 301, un isolateur de grille 314 sur l'électrode de grille 309, une couche à semiconducteur 320 sur l'isolateur de grille 314, et des électrodes de source et de drain 333 et 335 sur la couche à semi-conducteur 320. Une couche de passivation 345 est disposée sur la totalité du premier substrat 301 ayant le transistor en couches minces de commande "Tr". Dans une zone de plage de connexion de grille "GPA" d'une zone de non affichage "NA" du premier substrat 301, une électrode de plage de connexion de grille 311 est étendue depuis une ligne de grille (305 de la Figure 6) et est disposée à une extrémité de la ligne de grille. Egalement, une ligne de liaison de données 307 connectée à la ligne de données 330 est disposée dans la zone de non affichage "NA", et une électrode de plage de connexion de données 338 est étendue de la ligne de liaison de données 307 et disposée à une extrémité de la ligne de liaison de données 307, dans une zone de plage de connexion de données "DPA". La ligne de liaison de données 307 et l'électrode de plage de connexion de données 338 sont réalisées dans le même matériau que la ligne de grille et l'électrode de plage de connexion de grille 311 et disposées sur la même couche que la ligne de grille et l'électrode de plage de connexion de grille 311. RVBrevets\24500A24585-05 1 1 1 0-tradFR doc - 15 novembre 2005 -15/32 La ligne de grille, l'électrode de plage de connexion de grille 311, la ligne de liaison de données 307 et l'électrode de plage de connexion de données 338 ont au moins deux couches. Des couches inférieures 307a, 311a et 338a de la ligne de grille, la ligne de liaison de données 307, l'électrode de plage de connexion de grille 311 et l'électrode de plage de connexion de données 338 peuvent être réalisées en un matériau conducteur transparent ayant une tolérance à la corrosion, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). Des couches supérieures 307b, 311b et 338b peuvent être réalisées en un matériau conducteur ayant une faible résistivité, tel que de l'aluminium (Al) ou un alliage d'aluminium (A1Nd). Bien que la couche supérieure 307b, 311b ou 338b ayant une structure à couche unique soit illustrée sur les Figures 7 et 8, la couche supérieure peut avoir une structure à double couche, tel que de l'aluminium (Al)/molybdène (Mo) ou alliage d'aluminium (AlNd)/molybdène (Mo). L'isolateur de grille 314 et la couche de passivation 345 sont disposés séquen- tiellement sur la ligne de grille, la ligne de liaison de données 307, l'électrode de plage de connexion de grille 311 et l'électrode de plage de connexion de données 338. Dans les zones de plage de connexion de grille et de données "GPA" et "DPA", l'isolateur de grille 314 et la couche de passivation 345 ont des trous de contact de plage de connexion de grille et de données 349 et 351 exposant les électrodes de plage de connexion de grille et de données 311 et 338, respectivement. En particulier, les couches supérieures 311b et 338b des électrodes de plage de connexion de grille et de données 311 et 338 sont enlevées pour avoir les trous de contact de plage de connexion de grille et de données 349 et 351, de manière que les couches inférieures 311a et 338a soient exposées par les trous de contact de plage de connexion de grille et de données 349 et 351. Du fait que les couches supérieures 311b et 338b sont susceptibles à la corrosion et que les couches inférieures 311a et 338a ont une tolérance à la corrosion, Ies couches supérieures 31 lb et 338b sont gravées pour exposer les couches inférieures 331a et 338a. De manière correspondante, une corrosion des électrodes de plage de connexion de grille et de données 311 et 338 peut être minimisée ou empêchée. En outre, la couche de passivation 345 à un premier trou de contact de liaison 352 exposant une extrémité de la ligne de données 330, et la couche de passivation 345 et l'isolateur de grille 314 a un deuxième trou de contact de liaison 353 exposant l'autre extrémité de la ligne de liaison de données 307, et ainsi un motif de liaison 356 connecte la ligne de données 330 et la ligne de liaison de données 307 par les premiers et deuxièmes trous de contact de liaison 352 et 353, respectivement. De manière correspondante, la ligne de données 330 est connectée à la ligne de liaison de données 307 par le motif de liaison 356. RBrevets\24500\24585-05 1 1 10-tradFR doc - 15 novembre 2005 -16/32 Une partie du motif de liaison 356 sous-jacent à un motif d'étanchéité 393 et l'autre partie de la ligne de liaison 356 est entourée par le motif d'étanchéité 393. L'autre partie du motif de liaison 356, qui est exposée sur un espace situé entre les premiers et deuxièmes substrats entouré par le motif d'étanchéité 393, n'est pas corrodée du fait que l'espace est placé dans un état de vide ou bien rempli d'un gaz inerte. Egalement, la partie du motif de liaison 356 au-dessous du motif d'étanchéité 393 n'est pas corrodée du fait que la partie du motif de liaison 356 n'est pas en contact avec l'air extérieur grâce au motif d'étanchéité 393. De manière correspondante, le motif de liaison 356 qui n'est pas exposé à un état d'atmosphère d'air, peut être réalisé en un matériau conducteur ayant une faible résistivité, bien que le matériau soit susceptible à la corrosion. Tel que discuté ci-dessus, dans le troisième mode de réalisation, les électrodes de plage de connexion de grille et de données ont les couches inférieures ayant une tolérance à la corrosion, et les couches inférieures sont exposées à une condition d'air. En outre, le motif de liaison est écranté vis-à-vis d'une condition d'air du fait du motif d'étanchéité. De manière correspondante, une corrosion des électrodes de plage de connexion de grille et de données et du motif de liaison peut être minimisée ou empêchée. Les Figures 9A à 9H et 10A à 10H sont des vues en coupe tracées suivant les lignes VII-VII et VIII-VIII de la Figure 6, illustrant un procédé de fabrication d'un premier substrat pour un dispositif OELD de type à panneau dual, selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Tel qu'illustré sur les Figures 9A et 10A, un premier matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO) est déposé sur un premier substrat 301 pour former une première couche (une couche inférieure). Ensuite, un deuxième matériau conducteur ayant une faible résistivité est déposé sur la première couche pour former une deuxième couche (une couche supérieure). La deuxième couche peut avoir une structure à couche unique formée d'un parmi l'aluminium (AI), alliage d'aluminium (AlNd), cuivre (Cu), molybdène (Mo) et titane (Ti) ou bien une structure multicouche réalisée en au moins deux des matériaux ci- dessus. Un processus de masquage (c'est-à-dire un processus photolithographique) est accompli pour mettre en motif les premières et deuxièmes couches, comprenant la déposition d'une photoréserve sur les premières et deuxièmes couches, l'exposition à la lumière avec un masque, le développement de la photoréserve, la gravure des premières et deuxièmes couches, et le pelage ou le brûlage de la photoréserve résiduelle. Par le processus de masquage, une ligne de grille (305 sur la Figure 6), une ligne d'électrode 309 s'étendant depuis la ligne de grille, une électrode de plage de R vBrevets\24500A24585-051 110-lradFR doc - 15 novembre 2005 - 17/32 connexion de grille 311 dans une zone de plage de connexion de grille (GPA), une ligne de liaison de données 307 dans une zone de non affichage "NA", et une électrode de plage de connexion de données 338 dans une zone de plage de connexion de données "DPA", sont formées. Chacune de la ligne de grille, de la ligne de liaison de données 307, de l'électrode de grille 309, de l'électrode de plage de connexion de grille 311, et de l'électrode de plage de connexion de données 338 présente la première couche mise en motif (la couche inférieure) 307a, 309a, 311a ou 338a, et la deuxième couche mise en motif (la couche supérieure) 307b, 309b, 31lb ou 338b. Tel qu'illustré sur les Figures 9B et 10B, un matériau isolant non organique est déposé sur la totalité du substrat 101 ayant l'électrode de grille 309 pour former un isolateur de grille 314. Le matériau isolant organique peut être l'un parmi l'oxyde de silicium (SiO2) et le nitrure de silicium (SiNx). Tel qu'illustré sur les Figures 9C et IOC, du silicium amorphe (a-Si) et du sili- cium amorphe dopé par des impuretés (n+ a-Si) sont déposés séquentiellement sur l'isolateur de grille 314 et mis en motif avec un processus de masquage pour former une couche de semi-conducteur 320. La couche de semi-conducteur 320 comprend une couche active 320a de silicium amorphe et une couche de contact ohmique 320b de silicium amorphe dopé par des impuretés. Tel qu'illustré sur les Figures 9D et 10D, un troisième matériau conducteur est déposé sur le substrat 301 ayant la couche de semiconducteur 320 et mis en motif avec un processus de masquage pour former une ligne de données 330, et des électrodes de source et de drain 333 et 335. Le troisième matériau conducteur peut être l'un parmi l'aluminium (Al), l'alliage d'aluminium (AlNd), le chrome (Cr), le molybdène (Mo), le titane (Ti), le cuivre (Cu) et un alliage de cuivre. Egalement, la ligne de données 330, et les électrodes de source et de drain 333 et 335 peuvent avoir une structure multicouche formée d'au moins deux des matériaux ci-dessus. La ligne de données 330 croise la ligne de grille pour définir une région de sous-pixel "SP" dans une zone d'affichage "DA". Les électrodes de source et de drain 333 et 335 espacées l'une de l'autre sont en contact avec la couche de contact ohmique 320b disposée au-dessous. L'électrode de grille 309, l'isolateur de grille 314, la couche de semi-conducteur 320 et les électrodes de source et de drain 333 et 335 forment un transistor en couches minces de commande "Tr". Bien que ceci ne soit pas représenté dans les dessins, un transistor en couches minces de commutation est formé simulta- nément au transistor en couches minces de commande "Tr" et présente une structure similaire à celle du transistor en couches minces de commande "Tr". Tel qu'illustré sur les Figures 9E et 10E, un matériau isolant organique ou un matériau isolant non organique est déposé sur la totalité du substrat 301 ayant la RABrevets \24500A24585-05I 1 I O-tradFR doc novembre 2005 - 18/32 ligne de données 330 pour former une couche de passivation 345. Le matériau isolant organique peut être l'un parmi le benzocyclobutène (BCB) et un matériau photo acrylique, et le matériau isolant non organique peut être l'un parmi l'oxyde de silicium (SiO2) et du nitrure de silicium (SiN,t). La couche de passivation 345 est mise en motif avec un processus de masquage pour former un trou de contact de drain 347 exposant l'électrode de drain 335 et un premier trou de contact de liaison 352 exposant une extrémité de la ligne de données 330. Egalement, l'isolateur de grille 314 est mis en motif avec la couche de passivation 345 pour former un trou de contact de plage de connexion de grille 349 exposant l'électrode de plage de connexion de grille 311, un trou de contact de plage de connexion de données 351 exposant l'électrode de plage de connexion de données 338 et un deuxième trou de contact de liaison 353 exposant l'autre extrémité de la ligne de liaison de données 307. Tel qu'illustré sur les Figures 9F et 10F, un quatrième matériau conducteur est déposé sur la couche de passivation 345, et une photoréserve est déposée sur le quatrième matériau conducteur. Le quatrième matériau conducteur peut comprendre un matériau utilisé pour la deuxième électrode (390 de la Figure 7), tel que de l'aluminium (Al) et un alliage d'aluminium (AlNd) ayant une faible fonction de travail. Des processus d'exposition et de développement pour la photoréserve sont accomplis pour former un motif de photoréserve 359. Ensuite, la quatrième couche de matériau conducteur est mise en motif avec le motif de photoréserve 359 pour former une électrode de connexion 355 établissant le contact avec l'électrode de drain 335 à travers le trou de contact de drain 347, et un motif de liaison 356 établissant le contact de la ligne de données 330 et de la ligne de liaison de données 307 par les premiers et deuxièmes trous de contact de liaison 352 et 353, respectivement. Le motif de photoréserve 359 reste encore sur l'électrode de connexion 355 et le motif de liaison 356. Tel qu'illustré sur les Figures 9G et 10G, le motif de photoréserve 359 restant sur l'électrode de connexion 355 et le motif de liaison 356, une gravure à sec ou une gravure humide est accomplie. Par le processus de gravure, les deuxièmes couches (les couches supérieures) 311b et 338b des électrodes de plage de connexion de grille et de données 311 et 338 exposées par les trous de contact de plage de connexion de grille et de données 349 et 351 sont enlevées, et ainsi les premières couches (les couches inférieures) 311a et 338a des électrodes de plage de connexion de grille et de données 311 et 338 sont exposées. En d'autres termes, les deuxièmes couches 311b et 338b qui ont une faible résistivité et sont susceptibles de corrosion sont éliminées par le processus de gravure, et les premières couches 311a et 338b ayant une tolérance à la corrosion sont exposées. R\Brevets\24500A24585-051110-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 19/32 Tel qu'illustré sur les Figures 9H et 10H, le motif de photoréserve (359 sur les Figures 9G et 10G) est enlevé par un processus de pelage ou de brûlage Par les processus décrits ci-dessus, le premier substrat pour le dispositif OELD de type à panneau dual, selon le troisième mode de réalisation est fabriqué. Un procédé de fabrication du deuxième substrat pour le dispositif OELD de type à panneau dual est décrit en référence aux Figures 7 et 8. Tel qu'illustré sur les Figures 7 et 8, la première électrode 375 est formée sur la totalité du deuxième substrat 371. La première électrode 375 peut être formée d'un matériau conducteur transparent, tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO) ayant une haute fonction de travail. Lorsque la première électrode 375 présente une fonction de travail supérieure à la deuxième électrode 390, les premières et deuxièmes électrodes 375 et 390 agissent comme anode et comme cathode, respectivement. Un matériau isolant non organique est déposé sur la première électrode 375 et mis en motif pour former des premiers et deuxièmes motifs isolants 377 et 378. Le premier motif isolant 377 est formé entre les régions à sous-pixel "SP" adjacentes, et le deuxième motif isolant 378 est formé dans la région à sous-pixel "SP". Un matériau isolant organique est déposé sur le substrat 371 ayant les motifs isolants 377 et 378 et mis en motif pour former un séparateur 381 et un organe d'espacement 384. Le séparateur 381 est formé sur le premier motif isolant 377, et l'organe d'espacement 384 est formé sur le deuxième motif isolant 378. L'organe d'espacement 384 présente une hauteur supérieure à celle du séparateur 381, de telle façon que la deuxième électrode 390 entre en contact avec l'électrode de connexion 355. Pour former le séparateur 381 et l'organe d'espacement 384 ayant des hauteurs différentes, un procédé d'exposition par diffraction ou un procédé d'exposition à demi-ton peut être utilisé. Par exemple, une photoréserve est déposée sur le matériau isolant organique utilisé pour le séparateur 381 et l'organe d'espacement 384. Ensuite, une exposition par diffraction ou une exposition par demi-ton de la photo- réserve est conduite pour former des premiers et deuxièmes motifs de photoréserve correspondant aux premiers et deuxièmes motifs isolants 377 et 378, respectivement, et des parties de la photoréserve, sauf pour les premiers et deuxièmes motifs de photoréserve sont enlevées. Le deuxième motif de photoréserve présente une hauteur supérieure au premier motif de photoréserve. Ensuite, le matériau isolant organique exposé par les premiers et deuxièmes motifs de photoréserve est enlevé pour former des premiers et deuxièmes motifs isolants organiques au-dessous des premiers et deuxièmes motifs de photoréserve, respectivement. Ensuite, le premier motif de photoréserve est enlevé par un processus de pelage ou de brûlage. Bien que le R \Brevets\24500 24585-0511 10-tradFR doc - 15 novembre 2005 20/32 premier motif de photoréserve soit enlevé, le deuxième motif de photoréserve est partiellement enlevé et subsiste sur le deuxième motif isolant organique. Ensuite, le premier motif de photoréserve isolant est partiellement enlevé sur une épaisseur pré-déterminée. Cependant, le deuxième motif isolant organique n'est pas enlevé du fait du deuxième motif de photoréserve. De manière correspondante, le deuxième motif isolant organique présente une hauteur supérieure au premier motif isolant. Ensuite, le deuxième motif de photoréserve est enlevé. Par les processus décrits ci-dessus, le séparateur 381 et l'organe d'espacement 384 correspondant aux premiers et deuxièmes motifs isolants organiques, respectivement, sont formés. lo Après avoir formé le séparateur 381 et l'organe d'espacement 384, des matériaux émetteurs organiques correspondant aux couleurs rouge (R), vert (V) et bleu (B) sont séquentiellement appliqués en revêtement pour former des couches émettrices organiques 387a, 387b et 387c correspondant aux couleurs rouge (R), vert (V) et bleu (B) dans des régions de sous-pixel "SP" respectives. Si la couche émettrice organique 387 est formée par un procédé d'évaporation en utilisant un masque d'ombre, mais pas par un procédé de revêtement, le séparateur 381 et le premier motif isolant 377 peuvent ne pas être formés. Ensuite, la deuxième électrode 390 est formée sur la deuxième couche émettrice organique 387 dans chaque région de sous-pixel "SP". La deuxième électrode 390 est séparée par le séparateur 371. La deuxième électrode 390 est continue dans la région de sous-pixel "SP" et comprend une première partie sur la couche émettrice organique 387 et une deuxième partie couvrant l'organe d'espacement 384. La deuxième partie mise en saillie par l'organe d'espacement 384 entre en contact avec l'électrode de connexion 355. Lorsque la deuxième électrode 390 sert de cathode, elle peut être formée d'aluminium (Al) et d'alliage d'aluminium (AINd) ayant une plus faible fonction de travail que la première électrode 375. Bien que ceci ne soit pas représenté dans les dessins, lorsque les premières et deuxièmes électrodes 375 et 390 agissent comme anode et comme cathode, respectivement, une couche d'injection de trou et une couche de transmission de trou sont séquentiellement formées entre la première électrode 375 et la couche émettrice organique 387, et une couche d'injection d'électron et une couche de transmission d'électron peuvent être formées entre la deuxième électrode 390 et la couche émettrice organique 387. Un motif d'étanchéité 393 est formé sur une partie périphérique d'un des premiers et deuxièmes substrats 301 et 371. Dans des conditions de vide ou des conditions de gaz inerte, les premiers et deuxièmes substrats 301 et 371 sont attachés au motif d'étanchéité 393,, de manière que la partie en saillie de la deuxième électrode 390 sur l'organe d'espacement 384 entre en contact avec le motif de R \Rrevets\24500\24585-051110-tradFR doc novembre 2005 - 21/32 connexion 355. Par conséquent, le dispositif OELD de type à panneau dual est fabriqué. Dans les dispositifs OELD décrits ci-dessus, un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion est utilisée pour les couches des plages de connexion de grille et de données exposées à l'air. De manière correspondante, on peut minimiser ou empêcher une corrosion des plages de connexion de grille et de données. Il va être évident à l'homme de l'art que diverses modifications et variations peuvent être apportées à la présente invention. Ainsi, il est entendu que la présente invention couvre les modifications et variations de cette invention, sachant qu'elles sont situées dans le champ des revendications annexées et de leurs équivalents. R\Brevets\24500A24585-051110-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 22/32 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage électroluminescent, comprenant: des premiers et deuxièmes substrats (101, 171) placés l'un face à l'autre et ayant une pluralité de régions de sous-pixel (SP) ; une ligne de grille (305) sur le premier substrat; une ligne de données (330) croisant la ligne de grille (305) pour définir la région de sous-pixel sur le premier substrat (101) ; un élément de matrice connecté aux lignes de grille et de données (305, 330) ; une électrode de connexion (155) connectée à l'élément de matrice et disposée dans la région de sous-pixel; une électrode de plage de connexion de grille (257) reliée électriquement à la ligne de grille (305) et ayant des couches inférieures et supérieures; une électrode de plage de connexion de données (260) reliée électriquement à la ligne de données (330) et ayant des couches inférieures et supérieures, l'électrode de plage de connexion de données (260) étant disposée sur la même couche que l'électrode de plage de connexion de grille (257) ; et une diode électroluminescente (EL) sur le deuxième substrat (171), dans lequel les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données ont des trous de contact de plage de connexion de grille et de données exposant les couches inférieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données, respectivement. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche inférieure est réalisée en un matériau conducteur présentant une tolérance à la corrosion. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche inférieure comprend un matériau conducteur transparent. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche supérieure comprend l'un parmi l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AINd), du cuivre (Cu), du molybdène (Mo) et du titane (Ti). - 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche supérieure présente une structure multicouche. R \BrevetsV24500124585-0511 I0-tradFR doc - 15 novembre 2005 -23/32 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre une ligne de liaison de données connectée à la ligne de données (330). 7. Dispositif selon la revendication 6, comprenant en outre un motif de liaison connectant la ligne de données (330) et la ligne de liaison de données, le motif de liaison étant disposé sur la même couche que l'électrode de connexion (155). 8. Dispositif selon la revendication 7, comprenant en outre un motif d'étanchéité (193, 393) pour l'attachement des premiers et deuxièmes substrats (101, 171), dans lequel le motif de liaison est entouré par un contour du motif d'étanchéité (193, 393). 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que une partie du motif de liaison est sous-jacent au motif d'étanchéité (193, 393). 10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que un espace entre les premiers et deuxièmes substrats (101, 171) entouré par le motif d'étanchéité (193, 393) est placé dans des conditions de vide ou des conditions de gaz inerte. 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 10 comprenant en outre un isolateur de grille sur la ligne de grille (305), et une couche de passivation sur la ligne de données (330). 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'isolateur de grille et la couche de passivation ont les trous de contact de plage de connexion de grille et de données sur les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données. 13. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche de passivation présente un premier trou de contact de liaison exposant la ligne de données (330), et l'isolateur de grille et la couche de passivation ont un deuxième trou de contact de liaison exposant la ligne de liaison de données, le motif de liaison établissant le contact entre la ligne de données (330) et la ligne de liaison de données par l'intermédiaire des premiers et deuxièmes trous de contact de liaison, respective- ment. R VBrevets'/24500A24585.0511 l0-tradFRdoc - 15 novembre 2005 -24/32 14. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche de passivation présente un trou de contact de drain exposant l'élément de matrice, l'électrode de liaison étant en contact avec l'élément de matrice par l'intermédiaire du trou de contact de drain. 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que l'élément de matrice comprend un transistor en couches minces de commande connecté à l'électrode de connexion (155) et un transistor en couches minces de commutation. 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la diode électroluminescente (EL) comprend une première électrode (175), une couche émettrice (187) et une deuxième électrode disposée séquentielle-ment sur le deuxième substrat (171). 17. Dispositif selon la revendication 16, comprenant en outre un organe d'espacement (184) sur la première électrode (175) dans la région de souspixel, l'organe d'espacement (184) ayant une première hauteur pour établir un contact avec une partie de la deuxième électrode couvrant l'organe d'espacement (184) et l'élec- trode de connexion (155). 18. Dispositif selon la revendication 17, comprenant en outre un séparateur sur la première électrode (175) entre les régions de souspixel (SP) adjacentes, le séparateur ayant une deuxième hauteur inférieure à la première hauteur. 19. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que la deuxième électrode comprend l'un d'un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. 20. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que la deuxième électrode et l'électrode de connexion (155) sont réalisées en matériau conducteur ayant une fonction de travail inférieure à la première électrode (175). 21. Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'électrode de connexion (155) comprend l'un de aluminium (Al), alliage d'aluminium (AINd), 35 cuivre (Cu), molybdène (Mo) et titane (Ti). R Brevets\24500\24585-051110-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 25, 32 22. Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que la première électrode (175) est réalisée en un matériau conducteur transparent incluant de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). 23. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent, comprenant: la formation d'une ligne de grille (305), d'une électrode de plage de connexion de grille (257) à une extrémité de la ligne de grille (305) et d'une électrode de plage de connexion de données (260) sur un premier substrat (101), la ligne de grille (305) et les électrodes de plage de connexion de grille et de données ayant chacune des couches inférieures et supérieures; la formation d'un isolant de grille couvrant la ligne de grille (305) et les électrodes de plage de connexion de grille et de données; la formation d'une ligne de grille (305) sur l'isolateur de grille, croisant la ligne de grille (305) pour définir une région de sous-pixel; la formation d'un élément de matrice connecté aux lignes de grille et de données (305, 330) ; la formation d'un couche de passivation sur l'élément de matrice; la formation d'une électrode de connexion (155) sur la couche de passivation dans la région de sous-pixel; l'exposition des couches inférieures sur les électrodes de plage de connexion de grille et de données; la formation d'une diode électroluminescente (EL) sur un deuxième substrat (171) ; et l'attachement des premiers et deuxièmes substrats (101, 171). 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que la formation de l'électrode de connexion (155) comprend: le dépôt d'un matériau conducteur et une photoréserve sur le matériau conduc- teur; la mise en motif de la photoréserve pour former un motif de photoréserve; et la mise en motif du matériau conducteur avec le motif de photoréserve. 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'exposition des couches inférieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données comprend: la mise en motif de la couche de passivation et de l'isolateur de grille pour former des trous de contact de plage de connexion de grille et de données en expo- R VBrevets\24500A24 585-051 1 10-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 26/32 sant les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données avant de former l'électrode de connexion (155), respectivement; et l'étape consistant à graver chimiquement les couches supérieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données avec le motif de photoréserve, après avoir formé l'électrode de connexion (155). 26. Procédé selon la revendication 25, comprenant en outre l'enlèvement du motif de photoréserve après exposition des couches inférieures des électrodes de plage de connexion de grille et de données. 27. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 26, caractérisé en ce que la couche inférieure est formée d'un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que la couche inférieure comprend un matériau conducteur transparent. 29. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 28, caractérisé en ce que la couche supérieure comprend l'un parmi l'aluminium (Al), un alliage 20 d'aluminium (AlNd), du cuivre (Cu), du molybdène (Mo) et du titane (Ti). 30. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 29, caractérisé en ce que la couche supérieure présente une structure multicouche. 31. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 30, comprenant en outre la formation d'une ligne de liaison de données reliée à la ligne de données (330) dans le même processus de formation de la ligne de grille (305). 32. Procédé selon la revendication 31, comprenant en outre la formation d'un motif de liaison connectant la ligne de données (330) et la ligne de liaison de données dans le même processus de formation de l'électrode de connexion (155). 33. Procédé selon la revendication 32, caractérisé en ce que les premiers et deuxièmes substrats (101, 171) sont attachés à un motif d'étanchéité (193, 393), et 35 le motif de liaison est entouré par un contour du motif d'étanchéité (193, 393). 34. Procédé selon la revendication 33, dans lequel une partie du motif de liaison est sous-jacent au motif d'étanchéité (193, 393). R ABrevets24500A245S5-05 1 1 1 0-[radFR. doc - 15 novembre 2005-27/32 35. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 34, caractérisé en ce que les premiers et deuxièmes substrats (101, 171) sont fixés dans un état de vide ou un état de gaz inerte. 36. Procédé selon la revendication 32, comprenant en outre la mise en motif de la couche de passivation pour former un premier trou de contact de liaison exposant la ligne de données (330), et la mise en motif de la couche de passivation et de l'isolateur de grille pour former un deuxième trou de contact de liaison, exposant la ligne de liaison de données, le motif de liaison établissant le contact entre la ligne Io de données (330) et la ligne de liaison de données par les premiers et deuxièmes trous de contact de liaison, respectivement. 37. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 36, comprenant en outre la mise en motif de la couche de passivation pour former un trou de contact de drain exposant l'élément de matrice, l'électrode de connexion (155) établissant le contact avec l'élément de matrice par l'intermédiaire du trou de contact de drain. 38. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 37, caractérisé en ce que la formation de l'élément de matrice comprend la formation d'un transistor en couches minces de commande connecté à l'électrode de connexion (155) et un transistor en couches minces de commutation. 39. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 38, caractérisé en ce que la formation de la diode électroluminescente (EL) inclut la formation d'une première électrode (175), d'une couche d'émission et d'une deuxième électrode séquentiellement sur le deuxième substrat (171). 40. Procédé selon la revendication 39, comprenant en outre la formation d'un organe d'espacement (184) dans la région de sous-pixel sur la première électrode (175), l'organe d'espacement (184) ayant une première hauteur pour établir le contact entre une partie de la deuxième électrode couvrant l'organe d'espacement (184) et l'électrode de connexion (155). 41. Procédé selon la revendication 40, comprenant en outre la formation d'un séparateur sur la première électrode (175) entre les régions de souspixel (SP) adjacentes, dans le même processus que celui de la formation de l'organe d'espace- R \Brevets\24500A24585-05I I I0-tradFR doc novembre 2005 - 28!32 ment (184), le séparateur ayant une deuxième hauteur, inférieure à la première hauteur. 42. Procédé selon la revendication 41, caractérisé en ce que la formation de l'organe d'espacement (184) et du séparateur comprend: la déposition d'un matériau isolant organique et d'une photoréserve sur le matériau isolant organique; la formation de premiers et deuxièmes motifs de photoréserve, le deuxième motif de photoréserve étant plus élevé que le premier motif de photoréserve; la gravure chimique du matériau isolant organique avec les premiers et deuxièmes motifs de photoréserve pour former un premier motif isolant, organique au-dessous du premier motif de photoréserve et l'organe d'espacement (184), au-dessous du deuxième motif de photoréserve; l'enlèvement complet du premier motif de photoréserve et l'enlèvement partiel du deuxième motif de photoréserve; et l'enlèvement partiel du premier motif isolant organique pour former le séparateur. 43. Procédé selon la revendication 39, caractérisé en ce que la deuxième électrode comprend l'un d'un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. 44. Procédé selon la revendication 39, caractérisé en ce que la deuxième électrode et l'électrode de connexion (155) sont réalisées en un matériau conducteur ayant une fonction de travail inférieure à celle de la première électrode (175). 45. Procédé selon la revendication 44, caractérisé en ce que l'électrode de connexion (155) comprend l'un de l'aluminium (Al), d'un alliage d'aluminium (AINd), du cuivre (Cu), du molybdène (Mo) et du titane (Ti). 46. Procédé selon la revendication 44, caractérisé en ce que la première électrode (175) est formée d'un matériau conducteur transparent incluant de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). 47. Un dispositif d'affichage électroluminescent, comprenant: un premier substrat (101) ayant un élément de matrice incluant une ligne de grille (305), une ligne de données (330) croisant la ligne de grille (305) pour définir une région de sous-pixel, au moins un transistor en couches minces (TFT) dans la R.ABrevets\24500\24585-0511 1 0-tradFR.doc - 15 novembre 2005 - 29/32 région de sous-pixel, une plage de connexion de grille et une plage de connexion de données; et un deuxième substrat (171) ayant une diode électroluminescente (EL), connectée électriquement au TFT, dans lequel les plages de connexion de grille et de données ont une structure multicouche et des parties exposées des plages de connexion de grille et de données comprennent un matériau conducteur ayant une tolérance à la corrosion. 48. Dispositif selon la revendication 47, caractérisé en ce que le matériau conducteur est transparent. 49. Dispositif selon la revendication 47 ou 48, comprenant en outre une ligne de liaison de données connectée à la ligne de données (330), et un motif de liaison connectant la ligne de données (330) et la ligne de liaison de données. 50. Dispositif selon la revendication 49, comprenant en outre un motif d'étanchéité (193, 393) pour attacher les premiers et deuxièmes substrats (101, 171), dans lequel le motif de liaison est entouré par le motif d'étanchéité (193, 393). 51. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 47 à 50, caractérisé en ce que la diode électroluminescente (EL) comprend une première électrode (175), une couche émettrice (187) et une deuxième électrode, disposées séquentiellement sur le deuxième substrat (171). 52. Dispositif selon la revendication 51, comprenant en outre un organe d'espacement (184) sur la première électrode (175), l'organe d'espacement (184) établissant le contact avec une partie de la deuxième électrode couvrant l'organe d'espacement (184). 53. Dispositif selon la revendication 51, caractérisé en ce que la deuxième électrode comprend l'un d'un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. 54. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 47 à 53, caractérisé en ce que la diode électroluminescente (EL) est connectée électriquement au TFT via une électrode de connexion (155). R Brevets\24500A24585-0511 I0-tradFR doc - 15 novembre 2005 - 30. 32 55. Dispositif selon la revendication 54, caractérisé en ce que l'électrode de connexion (155) comprend l'un de l'aluminium (Al), de l'alliage d'aluminium (AINd), du cuivre (Cu), du molybdène (Mo) et du titane (Ti). 56. Dispositif selon la revendication 51, caractérisé en ce que la première électrode (175) est réalisée en un matériau conducteur transparent incluant de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). R-\Brevets\24500\24585-051 I l0-tradFR. doc - 15 novembre 2005 -31/32