Brevet FR2875610A1 — publié le 20060324

La présente invention concerne des circuits intégrés, et plus particulièrement des générateurs de tension d'alimentation interne de circuits intégrés. Au fur et à mesure que le niveau d'intégration augmente et les dimensions de puces diminuent, de nombreux dispositifs à semiconducteur miniaturisés utilisent un niveau de tension d'alimentation réduit par rapport aux puces qu'ils remplacent. La tension d'alimentation externe appliquée à une structure de système existante change lentement en comparaison avec la puce, du fait qu'il est plus difficile et/ou coûteux de modifier simultanément la tension d'alimentation de l'ensemble des diverses puces à l'intérieur du système. Des systèmes avec diverses tensions d'alimentation externes, telles que 1,8 V à 5,0 V, coexistent sur le marché. Par conséquent, il est souhaitable d'avoir des puces de semiconducteur dans lesquelles chaque puce comprend un générateur de tension d'alimentation interne pour générer une tension d'alimentation constante indépendamment des diverses tensions d'alimentation externes. On peut utiliser de telles puces dans divers systèmes avec différentes tensions d'alimentation externes, sans que ceci n'exige de reprendre la conception du système. De plus, une faible consommation de courant et/ou une faible génération de chaleur correspondante sont souhaitables dans de nombreuses applications. Un exemple de mode de réalisation de générateur de tension interne comprend un premier générateur de tension de référence pour recevoir une tension externe et fournir une première tension de référence, un second générateur de tension de référence pour recevoir une tension interne et fournir une seconde tension de référence, et un régulateur de tension en communication de signal avec le premier générateur de tension de référence et/ou le second générateur de tension de référence, pour recevoir l'une des première et seconde tensions de référence et fournir la tension interne. Un exemple de mode de réalisation de procédé pour générer une tension interne comprend la réception d'une tension externe, la génération d'une première tension de référence en réponse à la tension externe reçue, la régulation d'une tension interne en correspondance avec la première tension de référence, la génération d'une seconde tension de référence en réponse à la tension interne, et la régulation de la tension interne en correspondance avec la seconde tension de référence. Ces caractéristiques de la présente invention, ainsi que d'autres, ressortiront de la description suivante d'exemples de modes de réalisation, qui est à lire en se référant conjointement aux dessins annexés. Le présent exposé décrit un procédé et un appareil pour la génération d'une tension d'alimentation interne en conformité avec les figures suivantes, constituant des exemples, dans lesquelles: la figure 1 est un schéma montrant un générateur de tension d'alimentation interne classique; la figure 2 est un schéma montrant de façon plus détaillée un circuit comparateur classique du générateur de tension d'alimentation interne de la figure 1; la figure 3 est un schéma montrant un générateur de tension d'alimentation interne conforme à un exemple de 25 mode de réalisation de la présente invention; la figure 4 est un schéma montrant de façon plus détaillée le générateur de tension d'alimentation interne de la figure 3; la figure 5 est un schéma montrant de façon plus détaillée un circuit comparateur du générateur de tension interne de la figure 4; la figure 6 est un schéma montrant un générateur de tension d'alimentation interne conforme à un autre exemple de mode de réalisation de la présente invention; la figure 7 est un schéma montrant de façon plus 35 détaillée le générateur de tension d'alimentation interne de la figure 6; et la figure 8 est un schéma montrant de façon plus détaillée un circuit de commutateur du générateur de tension d'alimentation interne de la figure 7. Comme représenté sur la figure 1, un générateur de tension d'alimentation interne (GTI) est désigné de façon générale par le numéro de référence 100. Le GTI 100 comprend un générateur de tension de référence 120 connecté à un régulateur de tension 140. Le générateur de tension de référence (Gen_Ref) 120 est un générateur de référence à bande interdite. Le générateur de tension de référence 120 comprend un premier transistor PMOS 121 ayant une borne de source connectée à une tension d'alimentation externe (VDD EXT), une borne de grille connectée à la borne de sortie d'un comparateur 127, qui est alimenté par la tension d'alimentation externe, et une borne de drain connectée à une résistance 124. L'autre extrémité de la résistance 124 est connectée à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 127, et à la première borne d'un transistor bipolaire à jonctions (BJT) 126 dont la seconde borne est connectée à la masse. Le générateur de tension de référence 120 comprend en outre un second transistor PMOS 122 ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation externe VDD EXT, une borne de grille connectée à la borne de sortie du comparateur 127, et une borne de drain connectée à une résistance 123. L'autre extrémité de la résistance 123 est connectée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur 127, et à une résistance 128. L'autre extrémité de la résistance 128 est connectée à la première borne d'un transistor bipolaire à jonctions 125 dont la seconde borne est connectée à la masse. La tension de sortie du générateur de tension d'alimentation interne 120 est une tension de référence (VREF) provenant de la borne de drain du transistor PMOS 122. Par conséquent, le générateur de tension de référence 120 génère la tension de référence VREF en utilisant la tension d'alimentation externe VDD EXT. Le régulateur de tension 140 comprend un comparateur 141, alimenté par la tension externe VDD EXT, et dont la borne d'entrée inverseuse est connectée au signal de référence tension VREF. La borne de sortie du comparateur 141 est connectée à la borne de grille d'un transistor PMOS 144, dont la borne de source est connectée à la tension d'alimentation externe VDD EXT. La borne de drain du transistor PMOS 144 est connectée à une résistance 142 et un condensateur 145, l'autre extrémité du condensateur étant connectée à la masse. L'autre extrémité de la résistance 142 applique une tension divisée Vdvd à l'entrée non inverseuse du comparateur 141, et est également connectée à une résistance 143. L'autre extrémité de la résistance 143 est connectée à la masse. La tension de sortie du régulateur de tension 140 est une tension d'alimentation interne VDDINT provenant de la borne de drain du transistor PMOS 144. Par conséquent, le régulateur de tension 140 convertit la tension d'alimentation externe VDDEXT pour donner la tension d'alimentation interne VDD INT, sur la base de la tension de référence VREF. Dans un exemple de procédé pour faire fonctionner le générateur de tension d'alimentation interne 100, si VDDEXT est égale à 5 V, VDDINT est égale à 1,5 V et VREF est égale à 1,2 V, la séquence de fonctionnement du GTI 100 est la suivante: Dans une étape de génération, le GenRef 120 génère la tension de référence VREF en utilisant VDD EXT. Dans une étape de comparaison, la tension divisée Vdvd, divisée par les résistances 142 et 143, est appliquée à la borne positive ou non inverseuse, et la tension VREF est appliquée à la borne négative ou inverseuse du comparateur 141, à l'intérieur du régulateur de tension 140. Dans une étape de régulation, le comparateur commande la tension de grille du transistor PMOS 144 en réponse à VREF et Vdvd, de façon que lorsque Vdvd est inférieure à VREF, la tension de grille du transistor PMOS soit diminuée, et un courant soit fourni à VDD INT à partir de VDDEXT, et la tension VDD_INT augmente jusqu'à un niveau de tension prédéterminé, qui est 1,5 V dans cet exemple; et de façon que lorsque Vdvd est supérieure à VREF, la tension de grille du PMOS soit augmentée et un courant provenant de VDDEXT et dirigé vers VDD INT soit interrompu, et la tension VDD INT soit maintenue au niveau de tension prédéterminé. Lorsque la consommation de courant de circuits internes à l'intérieur du système provoque une diminution de VDD INT, la tension de grille du PMOS est diminuée et un courant est fourni. Les étapes de comparaison et de régulation sont répétées. Par conséquent, le niveau de tension d'alimentation interne VDD INT est constamment maintenu au niveau de tension prédéterminé. Le GenRef 120 génère VREF en utilisant VDD EXT, et le régulateur de tension 140 reçoit VDDEXT et génère VDD INT sur la base de la tension VREF. Le Gen Ref 120 et le régulateur de tension 140 utilisent la tension externe VDD_EXT comme une tension d'alimentation. Divers systèmes dans lesquels il est prévu d'utiliser le générateur de tension interne 100 utilisent diverses tensions externes, telles que par exemple 5 V, 3,3 V, 1,8 V, etc. Le GTI 100 doit générer une tension d'alimentation interne constante indépendamment de la tension d'alimentation externe. Pour maintenir une tension d'alimentation interne constante, le générateur de tension de référence 120 a besoin de générer la tension de référence VREF avec un niveau de tension constant, indépendamment de la tension externe appliquée à des systèmes. Ainsi, le Gen_Ref 120 doit supporter des systèmes avec une large gamme de tensions d'alimentation externes. En passant à la figure 2, on voit une représentation plus détaillée du comparateur 127 de la figure 1. Le circuit comparateur 127 est utilisé dans le générateur de tension d'alimentation interne 100 classique de la figure 1. Le comparateur 127 comprend dix transistors NMOS et quatorze transistors PMOS, qui consomment ensemble une quantité de courant proportionnelle et relativement élevée. Un tel comparateur 127 complexe est exigé pour le GTI 100 afin d'obtenir et de maintenir une tension d'alimentation interne VDD INT relativement constante. Par conséquent, le générateur de tension de référence 120 est à son tour très complexe, du fait qu'il contient le comparateur 127 complexe, et de façon similaire, il consomme une quantité de courant relativement grande. En passant maintenant à la figure 3, on note qu'un générateur de tension d'alimentation interne conforme à un exemple de mode de réalisation de la présente invention est désigné de façon générale par le numéro de référence 1000. Le générateur de tension d'alimentation interne 1000 comprend une unité de commande 1100 pour recevoir des tensions d'alimentation externe et interne, un bloc de génération de tension de référence 1200 connecté à l'unité de commande, et un régulateur de tension 1400 connecté au bloc de génération de tension de référence. L'unité de commande 1600 fournit des signaux de commande SC et SCB au bloc de génération de tension de référence 1200. Le régulateur de tension 1400 est semblable au régulateur de tension 140 de la figure 1, ce qui fait qu'on évitera une description redondante. Le bloc de génération de tension de référence 1200 comprend un premier générateur de tension de référence 1210 pour recevoir la tension d'alimentation interne VDD_INT et pour fournir une première tension de référence VREF1 à un commutateur 1220 pour la transmission sélective au régulateur de tension 1400, et un second générateur de tension de référence 1230 pour recevoir la tension d'alimentation externe VDD EXT et pour fournir une seconde tension de référence VREF2 pour la transmission sélective au régulateur de tension 1400. Le commutateur 1220 et le second générateur de tension de chacun les signaux de commande l'unité de commande 1600, et soit première tension de référence tension 1400, en tant le second générateur seconde tension de référence VREF2 au régulateur de tension 1400, en tant que tension de référence VREF. La figure 4 montre de façon plus détaillée le générateur de tension d'alimentation interne 1000 de la figure 3. A ce niveau de détail, le premier générateur de tension de référence 1210 paraît superficiellement semblable au générateur de tension de référence 120 de la figure 1, bien que les détails du comparateur 1218, qu'on décrira en relation avec la figure 5, soient notablement différents des détails du comparateur 127 de la figure 1, qu'on a décrit en détail en relation avec la figure 2. Une autre différence importante entre le générateur de tension de référence 120 de la figure 1 et le premier générateur de tension de référence 1210 de la figure 5 est qu'alors que le générateur 120 recevait la tension d'alimentation externe VDDEXT, le générateur 1210 reçoit à la place la tension d'alimentation interne VDD INT, comme décrit ci-dessous. Le premier générateur de tension de référence 1210 comprend un premier transistor PMOS 1212 ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation interne VDDINT, une borne de grille connectée à la borne de sortie du comparateur 1218, qui est alimenté par la tension d'alimentation interne, et une borne de drain connectée à une résistance 1214. L'autre extrémité de la résistance 1214 est connectée à la borne d'entrée inverseuse du comparateur 1218, et à la première borne d'un transistor bipolaire à jonctions 1217 dont la seconde borne est connectée à la masse. Le premier générateur de tension de référence 1210 comprend en outre un second transistor PMOS référence 1230 reçoivent SC et SCB provenant de le commutateur fournit la VREF1 au régulateur de que tension de référence VREF, soit de tension de référence fournit la 1211 ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation interne VDD INT, une borne de grille connectée à la borne de sortie du comparateur 1218, et une borne de drain connectée à une résistance 1213. L'autre extrémité de la résistance 1213 est connectée à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur 1218, et à une résistance 1215. L'autre extrémité de la résistance 1215 est connectée à la première borne d'un transistor bipolaire à jonctions 1216 dont la seconde borne est connectée à la masse. La tension de sortie du générateur de tension d'alimentation interne 1210 est une première tension de référence (VREF1) provenant de la borne de drain du transistor PMOS 1211. Par conséquent, le générateur de tension de référence 1210 génère la première tension de référence VREF1 en utilisant la tension d'alimentation interne VDD INT. L'unité de commande 1600 comprend un détecteur de tension 1610 connecté à la tension d'alimentation interne VDD INT, et un élément de décalage de niveau 1620 connecté au détecteur 1610 et à la tension d'alimentation externe VDD EXT. Le détecteur de tension 1610 comprend une première résistance 1611 connectée à la tension interne VDD INT. L'autre extrémité de la première résistance est connectée à une seconde résistance 1612 dont l'autre extrémité est connectée à son tour à la fois au drain et à la grille d'un transistor NMOS 1613 dont la source est connectée à la masse. L'autre extrémité du premier transistor 1611 est également connectée à un condensateur 1618, dont l'autre extrémité est connectée à la masse. L'autre extrémité du premier transistor 1611 est en outre connectée aux grilles d'un transistor PMOS 1614 et d'un transistor NMOS 1616. La source du transistor PMOS 1614 est connectée à la tension d'alimentation interne VDD INT, et son drain est connecté au drain du transistor NMOS 1616, tandis que la source du transistor NMOS 1616 est connectée à la masse. Le drain du transistor PMOS 1614 fournit un signal PWRUP qui est également appliqué aux grilles d'un transistor PMOS 1615 et d'un transistor NMOS 1617, ainsi qu'à l'élément de décalage de niveau 1620. La source du transistor PMOS 1615 est connectée à la tension d'alimentation interne VDD INT, et son drain est connecté au drain du transistor NMOS 1617, tandis que la source du transistor NMOS 1617 est connectée à la masse. Le drain du transistor PMOS 1615 fournit un signal PWRUPB qui est également connecté à l'élément de décalage de niveau 1620. L'élément de décalage de niveau 1620 comprend des premier et second transistors PMOS 1621 et 1622, ayant chacun leurs sources connectées à la tension d'alimentation externe VDDEXT. Le drain du transistor PMOS 1621 est connecté à la grille du transistor PMOS 1622, tandis que le drain du transistor PMOS 1622 est connecté à la grille du transistor PMOS 1621. Le drain du transistor PMOS 1621 est également connecté au drain d'un transistor NMOS 1625. La grille du transistor NMOS 1625 reçoit le signal PWRUP provenant du détecteur de tension 1610, et sa source est connectée à la masse. Le drain du transistor PMOS 1622 est également connecté au drain d'un transistor NMOS 1626. La grille du transistor NMOS 1626 reçoit le signal PWRUPB provenant du détecteur de tension 1610, et sa source est connectée à la masse. Le drain du transistor PMOS 1622 est en outre connecté aux grilles d'un transistor PMOS 1623 et d'un transistor NMOS 1627. La source du transistor PMOS 1623 est connectée à la tension d'alimentation externe VDDEXT, tandis que son drain est connecté au drain du transistor NMOS 1627. La source du transistor NMOS 1627 est connectée à la masse. Le drain du transistor PMOS 1623 fournit le signal de commande SC, qui est appliqué aux grilles d'un transistor PMOS 1624 et d'un transistor NMOS 1628. La source du transistor PMOS 1624 est connectée à la tension d'alimentation externe VDDEXT, tandis que son drain est connecté au drain du transistor NMOS 1628. La source du transistor NMOS 1628 est connectée à la masse. Le drain du transistor PMOS 1624 fournit le signal de commande SCB. Le second générateur de tension de référence 1230 comprend un transistor PMOS 1231 dont la grille reçoit le signal de commande SCB provenant de l'unité de commande 1600. La source du transistor PMOS 1231 est connectée à la tension d'alimentation externe VDDEXT, tandis que son drain fournit la tension de référence VREF2 qui est utilisée comme VREF. Le drain du transistor PMOS 1231 est également connecté au drain et à la grille d'un transistor NMOS 1232 dont la source est connectée, à son tour, au drain et à la grille d'un transistor NMOS 1233. La source du transistor NMOS 1233 est connectée au drain d'un transistor NMOS 1234. La grille du transistor NMOS 1234 reçoit le signal de commande SC provenant de l'unité de commande 1600, tandis que sa source est connectée à la masse. Le commutateur 1220 comprend un transistor PMOS 1211 dont la grille reçoit le signal de commande SC provenant de l'unité de commande 1600, et un transistor NMOS 1222 dont la grille reçoit le signal de commande SCB provenant de l'unité de commande 1600, tandis que le transistor PMOS 1221 et le transistor NMOS 1222 sont respectivement connectés source à drain et drain à source. La source du transistor 1221 est en outre connectée à la première tension de référence VREF1 provenant du premier générateur de tension de référence 1210, tandis que le drain du transistor 1221 est en outre connecté à la borne de seconde tension de référence VREF2, provenant du second générateur de tension de référence 1230, ainsi qu'à la borne de tension de référence finale VREF. En passant à la figure 5, on voit une représentation plus détaillée du comparateur 1218 de la figure 4. Le circuit comparateur 1218 est de préférence utilisé dans le générateur de tension d'alimentation interne 1000 de la figure 5. Contrairement au comparateur 127 de la figure 2, qui comprend dix transistors NMOS et quatorze transistors PMOS, le comparateur 1218 de la figure 5 comprend seulement deux transistors PMOS et cinq transistors NMOS. Ainsi, le comparateur 1218 est moins complexe et exige moins de courant que le comparateur 127 de la figure 2. Cette réduction de complexité et de consommation de courant est rendue possible par le fait que le comparateur 1218 reçoit la tension interne régulée VDD INT au lieu de la tension externe VDD EXT. En passant maintenant à la figure 6, on note qu'un autre mode de réalisation du générateur de tension d'alimentation interne conforme à un exemple de mode de réalisation de la présente invention est indiqué de façon générale par le numéro de référence 1000a. Le générateur de tension d'alimentation interne 1000a est similaire au générateur de tension d'alimentation interne 1000 de la figure 3, à l'exception du nouveau bloc de génération de tension de référence 1200a, ce qui fait qu'on évitera une description redondante. Le bloc de génération de tension de référence 1200a comprend un premier générateur de tension de référence 1210 pour recevoir la tension d'alimentation interne VDD_INT et fournir une première tension de référence VREF1 à un commutateur 1220a, et un second générateur de tension de référence 1230a pour recevoir la tension d'alimentation externe VDD EXT et fournir une seconde tension de référence VREF2 au commutateur 1220a. Le commutateur 1220a et le second générateur de tension de référence 1230a reçoivent chacun les signaux de commande SC et SCB provenant de l'unité de commande 1600, et le commutateur fournit au régulateur de tension 1400 l'une des première et seconde tensions de référence, en tant que référence de tension VREF. La figure 7 montre de façon plus détaillée le générateur de tension d'alimentation interne 1000a de la figure 6. Le bloc de génération de tension de référence 1200a comprend un premier générateur de tension de référence 1210, un second générateur de tension de référence 1230a et un commutateur 1220a connecté à chacun des premier et second générateurs de tension de référence. Le premier générateur de tension de référence 1210 de la figure 7 est semblable au premier générateur de tension de référence 1210 de la figure 4, ce qui fait qu'on évitera une description redondante. Le second générateur de tension de référence 1230a comprend une première résistance 1235 connectée à la tension d'alimentation externe VDD EXT. L'autre extrémité de la première résistance 1235 est connectée à une seconde résistance 1236, à la grille d'un premier transistor NMOS 1238, et au drain d'un second transistor NMOS 1239. L'autre extrémité de la seconde résistance 1236 fournit la seconde tension de référence VREF2 au commutateur 1220a, et elle est également connectée au drain du premier transistor NMOS 1238. La source du premier transistor NMOS 1238 est connectée à la grille du second transistor NMOS 1239, ainsi qu'à une troisième résistance 1237. L'autre extrémité de la troisième résistance 1237 est connectée à la source du second transistor NMOS 1239, ainsi qu'au drain d'un troisième transistor NMOS 1240. La grille du troisième transistor NMOS 1240 reçoit le signal de commande SC provenant de l'unité de commande 1600, et sa source est connectée à la masse. En passant à la figure 8, on voit une représentation plus détaillée du commutateur 1220a de la figure 7. Le commutateur 1220a comprend un premier transistor PMOS 1221 et un premier transistor NMOS 1222, respectivement connectés source à drain et drain à source. La source du premier transistor PMOS 1221 est connectée au premier générateur de tension de référence 1210 pour recevoir le premier signal de tension de référence VREF1, tandis que le drain du premier transistor PMOS 1221 est connecté à la borne de sortie du commutateur, pour fournir la tension de référence VREF. La grille du premier transistor PMOS 1221 reçoit le signal de commande SC provenant de l'unité de commande 1600, tandis que la grille du premier transistor NMOS 1222 reçoit le signal de commande SCB provenant de l'unité de commande 1600. La grille du premier transistor NMOS 1222 est également connectée à la grille d'un second transistor PMOS 1223 qui, à son tour, est connecté source à drain et drain à source avec un second transistor NMOS 1224. La grille du second transistor NMOS 1224 reçoit le signal de commande SC provenant de l'unité de commande 1600. La source du second transistor PMOS 1223 est connectée au second générateur de tension de référence 1230a pour recevoir le second signal de tension de référence VREF2, tandis que le drain du second transistor PMOS 1223 est connecté à la borne de sortie du commutateur pour fournir la tension de référence VREF. En fonctionnement, les générateurs de tension de référence 1200 et 1200a de la présente invention doivent seulement fonctionner à l'intérieur de la plage de tension étroite de la tension d'alimentation interne, contrairement au générateur de tension de référence 120 classique qui doit fonctionner à l'intérieur de la plage de tension plus large des tensions d'alimentation externes possibles. Par conséquent, des générateurs de référence du mode de réalisation préféré de la présente invention sont moins complexes et consomment moins de courant. Des régulateurs de tension d'un mode de réalisation préféré, comme le régulateur 1400, peuvent être les mêmes que le régulateur classique 140. Des blocs de génération de tension de référence d'un mode de réalisation préféré, tels que les blocs 1200 et 1200a, comprennent un premier générateur de tension de référence ou Gen Refl 1210, un second générateur de tension de référence Gen_Ref2, tel que 1230 ou 1230a, et un commutateur tel que 1220 ou 1220a. Le générateur GenRefl 1210 génère la tension VREF1 appliquée au commutateur, en utilisant la tension d'alimentation interne VDD INT générée à partir du régulateur de tension 1400. Le commutateur 1220 émet VREF1 vers le régulateur de tension en réponse à des signaux de commande tels que SC et/ou SCB provenant d'une unité de commande 1600. Le générateur Gen Ref2 génère VREF2 en utilisant la tension d'alimentation externe VDD EXT, en réponse à des signaux de commande SC et/ou SCB provenant de l'unité de commande 1600. Le bloc 1200 fournit en sortie VREF1 ou VREF2 au régulateur de tension, pour la tension de référence VREF. L'unité de commande 1600 détecte si la tension VDD INT, telle que 1,5 V, est supérieure à une tension de détection et fournit en sortie des signaux de commande SC et/ou SCB en tant que résultat de détection. Ici, la tension de détection est la tension d'alimentation minimale, telle que 1,3 V, qui peut générer la tension de référence stable VREF1 ou VREF2. Lorsque la tension d'alimentation interne VDD INT est inférieure à la tension de détection, comme pendant une période de mise sous tension, l'unité de commande 1600 émet SC au niveau logique haut et/ou SCB au niveau logique bas. Le commutateur est désactivé et le générateur Gen Ref2 fournit en sortie VREF2 en utilisant VDD_EXT. Le régulateur de tension reçoit la tension de référence VREF2 provenant de GenRef2, et génère la tension d'alimentation interne VDD INT. Lorsque la tension d'alimentation interne VDD INT atteint la tension de détection, l'unité de commande émet SC au niveau logique bas et/ou SCB au niveau logique haut. Le commutateur est activé et le Gen Refl émet VREF1 en utilisant VDD INT. Le régulateur de tension reçoit la tension de référence VREF1 provenant de GenRefl, et génère la tension d'alimentation interne (VDD INT). Le bloc 1200 génère la tension de référence en 35 utilisant VDD EXT pendant la séquence de mise sous tension, et ensuite en utilisant VDD INT à la place de VDD EXT. De préférence, le niveau de tension de VDDINT est régulé à une plage limitée, comme entre environ 1,3 V et environ 1,8 V,par exemple, bien que le niveau de tension de VDD EXT puisse varier sur une plage étendue, comme entre environ 1,5 V et 5,0 V, par exemple. Le générateur de tension de référence peut fonctionner sur une plage de tension étroite, comme entre environ 1,3 V et 1,8 V, à cause de l'utilisation de VDD INT pour sa tension d'alimentation. Par conséquent, le générateur de tension de référence peut avoir une faible complexité et/ou une faible consommation de courant. L'unité de commande 1600 comprend le détecteur de tension 1610 et l'élément de décalage de niveau 1620, et le détecteur de tension détecte si la tension interne VDD INT est supérieure à la tension de détection, et fournit en sortie des signaux de détection PWRUP et/ou PWRUPB. L'élément de décalage de niveau convertit les signaux de détection PWRUP et/ou PWRUPB en signaux de commande SC et/ou SCB pour commander les circuits du commutateur et/ou le second générateur de tension de référence Gen_Ref2, qui utilise la tension externe VDD EXT. La séquence de fonctionnement du générateur de tension d'alimentation interne (GTI) est la suivante: 1. La tension d'alimentation externe VDD EXT est fournie au VTI. 2. Lorsque la tension d'alimentation interne VDD INT est inférieure à la tension de détection prédéterminée, comme pendant une séquence de mise sous tension, les signaux de détection PWRUP et/ou PWRUPB prennent le niveau logique haut ou niveau de VDD INT, et le niveau logique bas ou niveau de la masse, respectivement. 3. L'élément de décalage de niveau convertit le niveau de tension des signaux de détection en signaux de commande SC et/ou SCB. SC prend le niveau logique haut ou niveau de VDD EXT, et SCB prend le niveau logique bas ou niveau de la masse. 4. Un transistor PMOS 1231 et un transistor NMOS 1234 dans le Gen Ref2 1230 sont débloqués par les signaux de commande. 5. Le Gen Ref2 génère VREF2 en utilisant la tension externe VDD EXT et l'émet vers une borne de sortie, telle que la borne 1001 de la figure 4. Le commutateur 1220 est désactivé par les signaux de commande et le GenRefl n'est pas connecté électriquement à la borne de sortie 1001. 6. Le régulateur de tension 1400 génère la tension d'alimentation interne VDD INT sur la base de la tension de référence générée par le Gen Ref2 1230. _ 7. Lorsque le niveau de tension de VDD INT devient supérieur à la tension de détection, conformément à une augmentation du niveau de tension interne, comme à la suite d'une séquence de mise sous tension, les signaux de détection PWRUP et/ou PWRUPB prennent respectivement le niveau logique bas et le niveau logique haut. 8. L'unité de commande 1600 émet les signaux de commande SC de niveau logique bas et SCB de niveau logique 20 haut. 9. Le transistor PMOS 1231 et le transistor NMOS 1234 sont bloqués, et le commutateur est activé. 10. La tension VREF1 générée par Gen Refl 1210 est appliquée en entrée du régulateur de tension 1400. 11. Le régulateur de tension génère VDD INT en utilisant la tension de référence générée par le Gen Refl. Le fonctionnement du générateur de tension interne 1000a de l'autre mode de réalisation, des figures 6 à 8, est similaire au fonctionnement décrit ci-dessus du mode de réalisation de générateur de tension interne 1000 des figures 3 à 5, à l'exception du fonctionnement du bloc de génération de tension de référence 1200a. Le bloc de génération de tension de référence 1200a comprend le Gen_Refi 1210, le commutateur 1220a et le Gen Ref2 1230a. Le Gen Ref2 génère VREF2 en utilisant la tension externe VDD EXT pendant la séquence de mise sous tension, par exemple. Le Gen Refl génère VREF1 en utilisant la tension interne VDD INT. Le commutateur 1220a fournit sélectivement en sortie l'une des tensions VREF1 et VREF2, conformément aux signaux de commande SC et SCB provenant de l'unité de commande 1600. Pendant la séquence de mise sous tension, l'unité de commande fournit en sortie le signal de commande SC de niveau logique haut et le signal de commande SCB de niveau logique bas, et la tension de sortie VREF2 de Gen Ref2 1230a est sélectionnée. Après la séquence de mise sous tension, l'unité de commande fournit en sortie SC de niveau logique bas et SCB de niveau logique haut, et la tension de sortie VREF1 de Gen Refl 1210 est sélectionnée. La tension de sortie sélectionnée provenant du commutateur, qu'il s'agisse de VREF1 ou VREF2, devient la tension de référence VREF et est envoyée au régulateur de tension 1400. Le régulateur de tension génère la tension d'alimentation interne sur la base de la tension de référence. D'autres modes de réalisation différents sont envisagés, comme l'homme de l'art le comprendra. Par exemple, l'unité de commande peut être réalisée en utilisant un compteur. L'information de mise sous tension externe peut être utilisée pour commander les générateurs de référence. Bien que des modes de réalisation illustratifs aient été décrits ici en référence aux dessins annexés, il faut noter que la présente invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation précis, et que divers changements et modifications peuvent y être apportés par l'homme de l'art, sans sortir du cadre ou de l'esprit de la présente invention. Tous ces changements et modifications doivent être inclus dans le cadre de la présente invention, telle qu'elle est présentée dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Générateur de tension interne (1000, 1000a), caractérisé en ce qu'il comprend: un premier générateur de tension de référence (1230, 1230a) pour recevoir une tension externe (VDDEXT) et fournir une première tension de référence (VREF2) ; un second générateur de tension de référence (1210) pour recevoir (VDD INT) et fournir une seconde (VREF1) ; et un régulateur de communication de signal avec l'un générateur de tension de référence une tension interne tension de référence tension (1400) en au moins du premier (1230, 1230a) et du second générateur de tension de référence (1210), pour recevoir l'une des première et seconde tensions de référence (VREF2, VREF1), et fournir la tension interne (VDD INT). 2. Générateur de tension interne (1000) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une unité de commande (1600) en communication de signal avec le second générateur de tension de référence (1210). 3. Générateur de tension interne selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un commutateur (1220, 1220a) en communication de signal avec l'un au moins des premier et second générateurs de tension de référence (1230, 1230a; 1210). 4. Générateur de tension interne selon la revendication 3, caractérisé en ce que le régulateur de tension (1400) est en communication de signal avec le commutateur (1220, 1220a). 5. Générateur de tension interne selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une unité de commande (1600) en communication de signal avec le commutateur (1220, 1220a). 6. Générateur de tension interne selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second générateur 35 de tension de référence (1210) a un circuit d'attaque de sortie avec un niveau de courant de sortie plus élevé que 25 celui du premier générateur de tension de référence (1230, 1230a). 7. Générateur de tension interne selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second générateur de tension de référence (1210) comprend un circuit conçu pour l'un au moins d'un petit nombre de portes, d'une faible consommation de courant et d'une faible complexité de composants. 8. Générateur de tension interne selon la revendication 3, caractérisé en ce que le commutateur (1220, 1220a) est en communication de signal avec les premier et second générateurs de tension de référence (1230, 1230a; 1210), et le régulateur de tension (1400) est en communication de signal avec le commutateur (1220, 1220a). 9. Générateur de tension interne selon la revendication 8, caractérisé en ce que le premier générateur de tension de référence (1230, 1230a) a un petit nombre de portes. 10. Générateur de tension interne selon la revendication 3, caractérisé en ce que le commutateur (1220) est en communication de signal avec le second générateur de tension de référence (1210), et le régulateur de tension (1400) est en communication de signal avec le commutateur (1220) et le premier générateur de tension de référence (1230). 11. Générateur de tension interne selon la revendication 10, caractérisé en ce que le commutateur (1220) a un petit nombre de portes. 12. Générateur de tension interne selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension externe (VDDEXT) est fournie à partir de l'extérieur à au moins un du générateur de tension interne (1000, 1000a) et d'une puce comprenant le régulateur de tension interne (1400). 13. Générateur de tension interne selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'unité de commande 35 (1600) comprend une partie de détection de tension interne (1610) ; et une partie de décalage de niveau (1620) en communication de signal avec la partie de détection de tension interne (1610). 14. Générateur de tension interne selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'unité de commande {1600) active au moins un du premier générateur de tension de référence (1230) lorsque la tension interne détectée est inférieure à un seuil, et du second générateur de tension de référence (1210) lorsque la tension interne détectée est supérieure à un seuil. 15. Générateur de tension interne selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'unité de commande (1600) commande le commutateur (1220a) pour sélectionner l'une de la première tension de référence (VREF2) lorsque la tension interne détectée est inférieure à un seuil, et de la seconde tension de référence (VREF1) lorsque la tension interne détectée est supérieure à un seuil. 16. Générateur de tension interne selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'unité de commande {1600) comprend une partie de temporisateur. 17. Générateur de tension interne selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'unité de commande (1600) comprend en outre une partie de décalage de niveau (1620) en communication de signal avec la partie de temporisateur. 18. Générateur de tension interne selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'unité de commande (1600) active au moins un du premier générateur de tension de référence (1230) lorsque le temporisateur est audessous d'un seuil, et du second générateur de tension de référence (1210) lorsque le temporisateur est au-dessus d'un seuil. 19. Générateur de tension interne selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'unité de commande (1600) commande le commutateur (1220a) pour sélectionner l'une de la première tension de référence (VREF2) lorsque le temporisateur est au- dessous d'un seuil, et de la seconde tension de référence (VREF1) lorsque le temporisateur est au-dessus d'un seuil. 20. Procédé pour générer une tension interne (VDDINT), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on reçoit une tension externe (VDD EXT) ; on génère une première tension de référence (VREF2) en réponse à la tension externe (VDD_EXT) reçue; on régule une tension interne (VDDINT) en correspondance avec la première tension de référence (VREF2) ; on génère une seconde tension de référence (VREF1) en réponse à la tension interne (VDDINT) ; et on régule la tension interne (VDDINT) en correspondance avec la seconde tension de référence (VREF1). 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes. on détecte si la tension interne (VDDINT) dépasse un seuil; et on commute de la régulation de la tension interne en correspondance avec la première tension de référence (VREF2) vers la régulation de la tension interne en correspondance avec la seconde tension de référence (VREF1) si la tension interne (VDDINT) dépasse effectivement le seuil. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes: on détecte si la tension interne (VDDINT) dépasse un seuil; et on commute de la régulation de la tension interne en correspondance avec la seconde tension de référence (VREF1) vers la régulation de la tension interne en correspondance avec la première tension de référence (VREF2) si la tension interne (VDDINT) ne dépasse pas le seuil. 23. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes. on détecte si un temporisateur dépasse un seuil; et on commute de la régulation de la tension interne en correspondance avec la première tension de référence 2875610 22 (VREF2) vers la régulation de la tension interne en correspondance avec la seconde tension de référence (VREF1) si le temporisateur dépasse effectivement le seuil. 24. Générateur de tension interne, caractérisé en ce qu'il comprend. un premier moyen de génération de référence (1230, 1230a) pour générer une première tension de référence (VREF2) en réponse à une tension externe (VDDEXT) ; un second moyen de génération de référence (1210) pour générer une seconde tension de référence (VREF1) en réponse à une tension interne (VDD INT) ; et un moyen de régulation de tension (1400) pour réguler la tension interne (VDDINT) en correspondance avec au moins une des première et seconde tensions de référence (VREF2, VREF1). 25. Générateur de tension interne selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: un moyen de détection (1610) pour détecter si la tension interne (VDDINT) dépasse un seuil; et un moyen de commutation {1220, 1220a) pour commuter de la régulation de la tension interne en correspondance avec la première tension de référence (VREF2) à la régulation de la tension interne en correspondance avec la seconde tension de référence (VREF1), si la tension interne (VDDINT) dépasse effectivement le seuil. 26. Générateur de tension interne selon la revendication 25, caractérisé en ce que le moyen de commutation (1220, 1220a) est conçu pour commuter de la régulation de la tension interne en correspondance avec la seconde tension de référence (VREF1) à la régulation de la tension interne en correspondance avec la première tension de référence (VREF2), si la tension interne (VDD INT) ne dépasse pas le seuil.