Brevet FR2878983A1 — publié le 20060609

DISPOSITIF ET PROCEDE DE PHOTOLITHOGRAPHIE AMELIORES PERMETTANT LA REALISATION DE MOTIFS À FLANCS INCLINES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR La présente invention concerne un procédé ainsi qu'un dispositif améliorés de photolithographie sous incidence contrôlée pour la réalisation de motifs à flancs inclinés dans des couches minces, dans le cadre en particulier de la fabrication de microcomposants ou de microsystèmes. La photolithographie est utilisée pour la fabrication des circuits intégrés, elle est aussi une technique de base pour la fabrication ou le prototypage de microsystèmes tels que les MEMS (abréviation anglo-saxonne de "Micro Electro Mechanical Systems" soit microsystèmes electromécaniques), les microsystèmes optiques, les systèmes micro-fluidiques, les biopuces. La photolithographie consiste, à insoler ou exposer une couche photosensible, par exemple à base de résine photosensible, à l'aide d'un faisceau lumineux, par exemple ultraviolet, au travers d'un masque, afin de former des motifs dans cette couche. Classiquement, un procédé de photolithographie se fait sous incidence normale, c'est à dire que la couche dans laquelle on souhaite réaliser les motifs, est habituellement perpendiculaire à la direction principale d'un faisceau de rayons incident par lequel on insole cette couche. Aujourd'hui avec l'avènement des microtechniques, on cherche à obtenir des microstructures de formes de plus en plus complexes. Pour cela, on doit réaliser parfois, lors des procédés de photolithographie, des motifs à flancs inclinés. Selon un exemple de procédé de photolithographie permettant de réaliser des motifs à flancs inclinés, on dépose tout d'abord, sur un substrat 10, une couche de résine photosensible 11 d'indice de réfraction N1 que l'on on accole ensuite à un masque 13 de photolithographie. Le masque 13, possède des parties opaques 14, par exemple en chrome et des parties transparentes 15 d'indice de réfraction N3 par exemple en silice. Ensuite, le substrat 10 recouvert de la couche de résine photosensible 11 et du masque 13 forment un ensemble que l'on incline sous un faisceau de rayons lumineux 12, par exemple ultraviolet de direction principale dl, de sorte que le faisceau de rayons lumineux 12 traverse une couche d'air d'indice de réfraction No environ égal à 1 et réalise un angle d'incidence I1 sur le masque 13, non nul par rapport à une normale n au plan principal du substrat 10 avant de pénétrer à travers les parties transparentes 15 du masque 13. Le faisceau de rayons lumineux 12 est ensuite réfracté lorsqu'il passe à travers les parties transparentes 15 du masque 13. La direction principale dl du faisceau 12 est alors déviée et réalise un angle incident R1 avec une normale fi au plan principal du substrat 10 au moment où le faisceau s'apprête à traverser la couche de résine photosensible 11. L'angle incident R1 sur la couche de résine 11 est inférieur à 30 l'angle d'incidence I1 sur le masque 13 puisque le faisceau passe de l'air vers un milieu plus réfringent (N3>No). Le faisceau de rayons lumineux 12 pénètre ensuite à travers la couche de résine photosensible 11, et est alors à nouveau réfracté. Dans la couche de résine photosensible 11, la direction principale dl du faisceau 12 réalise avec la normale n, un angle résultant d'insolation R2 fonction de l'angle incident R1r des indices de réfraction N3 et N1 (figure 1A). La 10 couche de résine photosensible 11 est donc insolée par un faisceau de rayons lumineux 12 incliné et réalisant un angle résultant d'insolation R2 avec la normale fi au plan principal du substrat 10. Ensuite, le masque 13 est ôté de la couche de résine photosensible 11. Puis, la couche de résine photosensible 11 est développée par exemple à l'aide d'une base forte. Après développement, on obtient des motifs 18 de résine à flancs inclinés 20 (Figure 1B). Les flancs 20 inclinés des motifs 18 forment un angle 0 avec une normale fi au plan principal du substrat 10, environ égal à l'angle résultant d'insolation R2. Avec ce procédé de réalisation de motifs 18 de résine à flancs 20 inclinés, l'angle 0 des flancs 20 des motifs 18 est fortement limité. En effet, lors de l'étape d'insolation, le faisceau de rayons lumineux 12 traverse tout d'abord inévitablement une couche d'air d'indice No, puis un masque d'indice de réfraction N3 par exemple de l'ordre de 1,45 pour un masque en silice, puis une couche de résine photosensible 11 d'indice de réfraction N2 environ égal à 1,6 (1,67 pour une couche de résine 11 de type SU-8). L'importante différence d'indice de réfraction entre la couche d'air et le masque 13 et la différence d'indice de réfraction entre le masque 13 et la couche de résine photosensible 11, entraîne un écart important entre l'angle d'incidence I1 sur le masque 13 et l'angle résultant d'insolation R2. Même lorsqu'on insole la couche de résine photosensible 11 avec un angle d'incidence I1 sur le masque 13 élevé, l'angle résultant d'insolation R2 reste faible. Par ailleurs, à partir d'une certaine valeur de I1r on se heurte en plus à des problèmes de réflexion du faisceau 12 sur le masque 13. Après développement de la couche de résine photosensible 11, l'angle 0 (environ égal à R2) que réalisent les flancs inclinés 20 des motifs 18 de résine avec la normale n est donc lui aussi limité. La limitation de l'angle 0 des motifs 18 de résine, est très pénalisante et empêche en particulier de pouvoir fabriquer de nombreuses microstructures. La réalisation par exemple de motifs à angles de 45 ou au delà est impossible avec un tel procédé. En plus de la limitation de l'angle 0 des motifs de résine, d'autres problèmes apparaissent avec le procédé illustré sur la figure 1A. Tout d'abord celui des réflexions de Fresnel entre le masque 13 et la couche de résine photosensible 11. Les réflexions de Fresnel sont dues à une fine couche d'air se trouvant inévitablement entre le masque 13 et la couche de résine photosensible 11. Elles peuvent entraîner notamment une mauvaise définition des motifs 18 de résine après l'étape de développement de la couche de résine photosensible. Une solution permettant de diminuer les réflexions de Fresnel est décrite dans le document [1] référencé à la fin de la présente description. Lors de l'étape d'insolation illustrée par la figure 2, on incline tout d'abord d'un angle a, un substrat 10 recouvert d'une couche de résine photosensible 11, sous un faisceau de rayons lumineux 12 ultraviolet de direction principale d1 à l'aide d'un plateau 30 inclinable sur lequel repose le substrat 10. La couche de résine photosensible 11 est insolée au travers d'un premier masque 31 et d'un deuxième masque 32 tous deux intégrés directement à la couche de résine photosensible 11. La couche de résine photosensible est composée d'une sous-couche de base 33a d'indice de réfraction N1 reposant sur le substrat 10 et d'une sous couche intermédiaire 33b située au dessus de la sous-couche de base 33a et d'indice de réfraction Ni. Les masques 31, 32 sont quant à eux respectivement formés d'une première couche métallique et d'une deuxième couche métallique, par exemple en titane ou en aluminium, séparées entre elles par la sous-couche de résine photosensible intermédiaire 33b. Le premier masque 31 comprend des ouvertures 34, tandis que le deuxième masque 32 est doté d'ouvertures 35 identiques mais décalées latéralement légèrement par rapport aux ouvertures 34. La direction principale dl du faisceau 12 réalise un angle d'incidence I1 sur le masque 31 avec une normale n au plan principal du substrat 10 égal à l'angle d'inclinaison a, avant de pénétrer à travers la couche de résine photosensible 11. Lorsque le faisceau 12 traverse la couche de résine photosensible 11, il est réfracté et sa direction principale d, réalise un angle résultant d'insolation R2 avec la normale n' au plan principal du substrat 10. La couche de résine photosensible 11 est ainsi exposée selon un angle résultant d'insolation R2. Dans cet exemple, les masques 31 et 32 étant intégrés à la couche de résine photosensible 11, les réflexions parasites, par exemple de type réflexions de Fresnel, sont supprimées puisqu'il n'y a plus de couche d'air entre masque et résine. Le fait d'intégrer les masques 32,33 directement à la couche de résine photosensible 101 permet donc d'obtenir des motifs de meilleure résolution qu'avec l'exemple de procédé décrit en liaison avec la figure 1A. Le procédé de réalisation de motifs à flancs inclinés illustré sur la figure 2 présente encore plusieurs inconvénients. Tout d'abord, le mode de réalisation des masques 32 et 33 implique que ce procédé n'est valable que pour réaliser des motifs simples et de taille relativement élevés (de l'ordre de la dizaine de micromètres), d'autre part la réalisation de masques 32 et 33 intégrés à la couche de résine 11, nécessite des étapes supplémentaires de photolithographie par rapport à celui illustré à la figure 1A. 15 20 De plus, la technique de réalisation de motifs à flancs inclinés par photolithographie illustrée par la figure 2, présente toujours l'inconvénient que l'angle d'inclinaison 0 des flancs des motifs de résine obtenus reste limité. Il est connu de pouvoir réaliser des microstructures tridimensionnelles avec des flancs inclinés en utilisant une technique de photolithographie à base de rayons X. Par exemple, la technique LIGA (LIGA pour "Lithographie Galvaniesirung und Abformung" soit lithographie finie par galvanisation) consiste à exposer une couche de résine photosensible, par exemple un polymère de type PMMA (PMMA pour polylméthyl méthacrylate) à l'aide de rayons X provenant d'un synchrotron. La couche de résine photosensible est ensuite développée. Des motifs de résine de bonne définition sont ainsi formés. Pour obtenir des motifs de résine à flancs inclinés, à l'aide d'un procédé de photolithographie par rayons X, on peut utiliser une méthode dérivée de la méthode LIGA telle que décrite dans les documents [2] et [3] référencés à la fin de la présente description. Cette méthode illustrée sur la figure 3 consiste à réaliser plusieurs expositions d'un substrat 10 recouvert d'une couche de résine photosensible 11 et en gardant l'ensemble masque 51-subtrat 10 incliné par rapport à un faisceau de rayons X incident noté 50 provenant d'un synchrotron (non représenté). Contrairement aux rayons ultraviolets, les rayons X sont très peu réfractés lorsqu'ils pénètrent à travers la couche de résine photosensible 11. Les rayons X permettent donc d'obtenir des motifs de résine ayant un angle d'inclinaison par rapport à une normale à un plan principal du substrat supérieur à celui obtenu par les techniques classiques utilisant les rayons ultraviolets. Mais la photolithographie par rayons X comporte néanmoins d'importants inconvénients. Un premier inconvénient associé à l'utilisation de cette technique vient du fait que les sources de rayons X (synchrotrons) utilisées pour mettre en oeuvre un tel type de photolithographie sont très coûteuses et très encombrantes. Les masques utilisés en photolithographie par rayons X sont également très coûteux. Enfin, la photolithographie par rayons X à cause de son coût et de sa difficulté de mise en oeuvre n'est pour l'instant pas utilisée au niveau industriel dans des procédés de fabrication de circuits intégrés ou de microsystèmes. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de proposer un procédé de réalisation de motifs, en particulier à flancs inclinés, par photolithographie, ainsi qu'un dispositif de réalisation de ce procédé. Le procédé ainsi que le dispositif sont simples à mettre en oeuvre et de coûts réduits, contrairement aux techniques de photolithographie par rayons X. La présente invention permet de réaliser des motifs par photolithographie ayant des flancs inclinés réalisant un angle bien supérieur à ceux que l'on peut obtenir avec l'art antérieur. La présente invention concerne également un dispositif ainsi qu'un procédé qui permettent de s'affranchir des problèmes de réflexions parasites qui surviennent, avec certains procédés classiques de photolithographie à faisceau de rayons lumineux incliné. Pour atteindre ces buts, la présente invention concerne un procédé de réalisation d'un ou plusieurs motifs par photolithographie comprenant les étapes suivantes. a) dépôt sur un substrat d'une couche photosensible, par exemple à base de résine ou d'un polymère, b) insolation de la couche de photosensible à travers un masque par un faisceau de rayons lumineux ayant une direction principale, le faisceau de rayons lumineux ayant traversé auparavant un système optique comprenant au moins un premier réseau de diffraction et au moins une deuxième réseau de diffraction superposés, apte à diffracter le faisceau de rayons lumineux selon au moins une direction de diffraction dite d'efficacité maximum , le faisceau ayant été au moins en partie dévié par le système optique d'au moins un angle de déviation de sorte que la direction principale du faisceau de rayons lumineux, correspondant à la direction de diffraction d'efficacité maximum, présente un angle d'incidence sur le masque non nul avec une normale au plan principal du substrat lorsque le faisceau de rayons lumineux pénètre à travers le masque, c) retrait du masque, d) développement de la couche photosensible de façon à obtenir les motifs à flancs inclinés par rapport à une normale au plan principal du substrat en fonction dudit angle de déviation. A différentes directions de diffraction accessibles en sortie du système optique, correspondent différents ordres de diffraction, chaque ordre étant associé à une efficacité qui peut être ajustée, par exemple en fonction du choix de la forme des motifs des réseaux de diffraction du système optique. En général, la direction de diffraction d'ordre 1 du système optique correspondra à la direction d'efficacité maximum. Mais selon une autre possibilité de mise en oeuvre, d'autres ordres de diffraction pourront être privilégiés. Durant l'étape b), le premier réseau de diffraction du système optique peut être accolé au masque ou à une couche d'adaptation d'indice reposant sur le masque. Durant l'étape d'insolation, le masque peut également être accolé à la couche photosensible ou à une couche d'adaptation d'indice reposant sur la couche photosensible. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le procédé peut comprendre en outre après l'étape a) et préalablement à l'étape b) . le dépôt d'une couche d'adaptation d'indice sur la couche photosensible. Ainsi, on peut déposer entre la couche photosensible et le masque par exemple en silice, une couche d'adaptation d'indice sous forme généralement de liquide ou de gel choisie en fonction du saut d'indice entre le masque et la couche de résine photosensible. La couche d'adaptation d'indice a un indice de réfraction, de préférence supérieur à celui de l'air, compris entre l'indice de réfraction du masque et l'indice de réfraction de la couche de résine photosensible et permet ainsi de supprimer les réflexions de Fresnel entre le masque et la couche de résine. Selon une variante de réalisation du procédé, ce dernier peut comprendre en outre après l'étape a) et préalablement à l'étape b) : le dépôt d'une couche d'adaptation d'indice entre le système optique et le masque. Ainsi, de même qu'on peut déposer une couche d'adaptation d'indice entre la couche photosensible et le masque, on peut, avant l'étape d'insolation, placer une couche d'adaptation d'indice entre le masque et un réseau de diffraction du système optique. Cette deuxième couche d'adaptation d'indice se présente par exemple sous forme d'un gel ou d'un liquide déposé sur le masque et qui se diffuse par capillarité entre le réseau de diffraction et le masque accolé. Selon une mise en uvre particulière du procédé, pendant l'étape b) d'insolation, l'angle d'incidence du faisceau lumineux sur le masque peut varier. Ainsi, par exemple en faisant varier l'orientation de l'un ou de chacun des réseaux de diffraction du système optique par rapport à la direction principale du faisceau de rayons lumineux, on peut faire varier l'angle d'incidence sur le masque que réalise la direction principale du faisceau de rayons lumineux avec une normale au plan principal du substrat. On peut de cette manière faire varier l'angle résultant d'insolation de la couche de résine photosensible et obtenir de cette façon, après développement, des motifs de résine avec des flancs ayant un angle d'inclinaison variable. Selon une autre mise en oeuvre particulière du procédé, pendant l'étape b) d'insolation, la couche photosensible ou le système optique peut effectuer un mouvement de rotation sur elle-même ou sur lui-même, de sorte que le système optique d'une part et la couche photosensible d'autre part, peuvent être animés d'un mouvement relatif l'un par rapport à l'autre. Ainsi, selon une première possibilité, le système optique peut rester fixe alors qu'un ensemble formé par le substrat, la couche de résine photosensible et éventuellement le masque, tourne sur lui-même. Cela peut permettre d'obtenir des motifs de résine avec des flancs inclinés dans différentes directions. Selon une deuxième possibilité le système optique, et par exemple chacun des réseaux de diffraction, peut tourner sur lui-même alors qu'un ensemble formé par le masque, le substrat, la couche photosensible reste fixe. En faisant tourner le système optique et/ou le masque par rapport au substrat, on peut obtenir des motifs de résine avec des flancs non nécessairement plans et inclinés dans différentes directions. Le premier réseau et le deuxième réseau comportent respectivement, une pluralité de premiers motifs et une pluralité de deuxièmes motifs, aptes à dévier le faisceau lumineux, selon un angle de diffraction dépendant ou fonction de l'orientation de chacun de ces motifs. Ainsi, selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, lesdits premiers motifs d'une part et lesdits seconds motifs d'autre part, peuvent avoir des orientations différentes par rapport au faisceau lumineux d'insolation. Lesdits premiers motifs ou/et lesdites seconds motifs peuvent éventuellement avoir au cours de l'étape b), une orientation variable par rapport au faisceau lumineux d'insolation. Selon une mise en oeuvre particulière du procédé, pendant l'insolation, le faisceau lumineux peut présenter, avant de traverser le système optique, un angle d'incidence non nul avec une normale à un plan principal de la couche photosensible. Ainsi, on peut modifier l'inclinaison d'insolation accessible via le système optique. Cet angle d'incidence peut être éventuellement variable au cours de l'étape b). Le système optique utilisé lors du procédé suivant l'invention peut éventuellement comporter plus de deux réseaux de diffraction superposés. Selon une possibilité de mise en oeuvre, le système optique peut comporter au moins un réseau de diffraction doté d'un profil en créneau. Un réseau doté d'un tel profil peut permettre d'obtenir une même efficacité entre des ordres de diffraction symétriques. Par exemple, avec un tel réseau, on peut obtenir un ordre de diffraction 1, d'efficacité sensiblement égale à celle de l'ordre de diffraction -1. Selon une autre possibilité de mise en oeuvre, le système optique peut comporter au moins un réseau de diffraction doté d'un profil en dent de scie. Un réseau doté d'un tel profil peut permettre d'avoir une efficacité accrue dans la direction de diffraction d'ordre 1. Selon encore une autre possibilité de mise en oeuvre, le système optique peut comporter au moins un réseau de diffraction comprenant des motifs comportant un profil en escalier. Un réseau doté d'un tel profil peut également permettre d'avoir une efficacité importante dans la direction de diffraction d'ordre 1. L'invention concerne également un dispositif de réalisation d'un ou plusieurs motifs inclinés par photolithographie, comprenant un substrat sur lequel repose une couche photosensible, un masque, des moyens pour insoler la couche photosensible à l'aide d'un faisceau de rayons lumineux de direction principale, un système optique comprenant au moins un premier réseau de diffraction et au moins un deuxième réseau de diffraction superposés, apte à dévier la direction principale d'un faisceau de rayons lumineux, le traversant. Ce système optique et destiné à insoler la couche photosensible, d'au moins un angle de déviation, de sorte que la direction principale du faisceau présente un angle d'incidence sur le masque non nul avec une normale au plan principal du substrat au moment où le faisceau de rayons lumineux pénètre à travers le masque. Le masque peut être accolé à la couche photosensible ou à une couche d'adaptation d'indice reposant sur la couche photosensible. Le premier réseau de diffraction du système optique peut être quant à lui accolé au masque ou à une couche d'adaptation d'indice reposant sur le masque. Selon un mode de réalisation du dispositif, au moins un réseau du système optique peut comporter un profil en créneau. Selon un autre mode de réalisation du dispositif, au moins un réseau du système optique peut comporter un profil en dent de scie. Selon encore un autre mode de réalisation du dispositif, au moins un réseau du système optique peut comporter un profil en escalier. Selon une possibilité de mise en oeuvre du dispositif, ce dernier peut comprendre en outre une couche d'adaptation d'indice entre la couche de résine photosensible et le masque ou/et une couche d'adaptation d'indice entre le système optique et le masque. Selon une mise en oeuvre particulière du dispositif, au moins un réseau de diffraction du système optique peut être apte à se déplacer ou être mobile par rapport à la couche photosensible. Selon une autre mise en oeuvre particulière du dispositif, au moins un réseau de diffraction du système optique peut être apte à effectuer un mouvement de rotation ou peut être rotatif. Selon un mode.de réalisation particulier du dispositif, un réseau de diffraction du système optique peut être fixe, tandis qu'un autre réseau peut être apte à effectuer un mouvement de rotation ou être rotatif. Le dispositif suivant l'invention peut comprendre en outre des moyens pour incliner le substrat, par rapport au faisceau de rayons lumineux. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: les figures 1A-1B, 2, 3, déjà décrites représentent des exemples de procédé de photolithographie selon l'art connu qui permettent la réalisation de motifs de résine à flancs inclinés; la figure 4, illustre un exemple de dispositif de photolithographie permettant la réalisation de motifs de résine à flancs inclinés selon l'invention; les figures 5A, 5B représentent deux agencements différents d'un système optique compris dans un dispositif de photolithographie suivant l'invention et doté de deux réseaux de diffraction superposés; la figure 6 représente un exemple de dispositif permettant la mise en uvre d'un procédé de 25 photolithographie selon l'invention; les figures 7A-7B représentent des exemples de motifs obtenus à l'aide d'un procédé selon l'invention; la figure 8 représente une variante de 30 dispositif de photolithographie pour la réalisation d'un ou plusieurs motifs de résine à flancs inclinés selon l'invention; la figure 9 représente un autre exemple de motif à flancs inclinés obtenu à l'aide d'un procédé selon l'invention; la figure 10 représente une autre variante de dispositif de photolithographie pour la réalisation d'un ou plusieurs motifs de résine à flancs inclinés selon l'invention; la figure 11 représente une variante de dispositif de photolithographie pour la réalisation d'un ou plusieurs motifs de résine à. flancs inclinés selon l'invention; la figure 12 représente une autre variante de dispositif de photolithographie pour la réalisation d'un ou plusieurs motifs de résine à flancs inclinés selon l'invention; les figures 13A-13C, représentent des exemples de réseaux de diffractions pouvant être utilisés pour former un système optique à deux réseaux de diffraction compris dans un dispositif de photolithographie selon l'invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un exemple de procédé de réalisation d'un ou plusieurs motifs par photolithographie, à flancs inclinés, selon l'invention, ainsi qu'un dispositif permettant de mettre en oeuvre un tel procédé vont à présent être décrits. La première étape de ce procédé consiste à déposer une couche photosensible 101, par exemple à base de résine ou d'un polymère d'indice de réfraction NI, sur un substrat 100. La couche photosensible 101, par exemple une couche de résine photosensible négative à base époxy telle que celle commercialisée par la société Micro-Chemical Corporation sous la référence "SU-8" est déposée par un procédé classique et possède une épaisseur par exemple d'environ 100}lm. Le substrat 100 peut être par exemple à base de verre, d'un matériau plastique ou d'un matériau semiconducteur tel que du silicium. Selon une variante de mise en oeuvre du procédé, une couche absorbante (non représentée) de rayons lumineux, sous-jacente à la couche de résine 101 peut avoir été déposée sur le substrat 100 préalablement au dépôt de la couche de résine 101. Une telle couche absorbante de rayons lumineux peut permettre d'empêcher la réflexion sur le substrat 100 de rayons lumineux. Dans le cas d'une photolithographie par rayons ultraviolets, la couche absorbante de rayons lumineux peut être par exemple une couche mince organique de type BARC (BARC étant la terminologie anglo-saxonne pour "Bottom Anti Reflective Coating" qui signifie couche de fond anti-réfléchissant). Son épaisseur peut être par exemple de plusieurs dizaines de nanomètres, par exemple de l'ordre de 80nm. En variante cette couche absorbante de rayons lumineux peut être une résine ou un polymère mélangé à une poudre de carbone ou peut être encore une couche inorganique tel qu'une couche comprenant au moins un empilement SiO2/TiO2. Ensuite, on accole un masque 103 à la couche de résine photosensible 101. Le masque 103 comprend des zones opaques 103a et des zones transparentes 103b à la lumière ou au rayonnement lumineux avec lequel on souhaite insoler la couche de résine 101. Les zones opaques 103a peuvent être par exemple en métal tel que le chrome, tandis que les zones transparentes 103b peuvent être par exemple en silice. Selon une variante du procédé, on peut déposer une couche d'adaptation d'indice 102 sur la couche de résine photosensible 101 avant d'accoler le masque 103 à la couche de résine 101. Cette couche d'adaptation d'indice 102 a un indice de réfraction N2 proche de l'indice N3 du masque 103 et de l'indice N1 de la couche de résine photosensible 101 et est placée entre la couche de résine photosensible 101 et le masque 103 posé par dessus. Lacouche d'adaptation d'indice 100 permet de minimiser les réflexions de Fresnel à l'interface masque 103-couche de résine photosensible 101. Les réflexions de Fresnel sont en effet dues à une fine couche d'air se trouvant inévitablement entre le masque 103 et la couche de résine photosensible 101. La couche d'adaptation d'indice 102 est prévue pour remplacer cette fine couche d'air par un matériau plus réfringent. On limite donc le saut d'indice provoqué par la fine couche d'air en la remplaçant par la couche d'adaptation d'indice 102 d'indice de réfraction N2 supérieur à 1 et compris entre N1 et N3. La couche d'adaptation d'indice 102 peut prendre la forme d'un gel ou d'un liquide comme de l'eau. On peut la déposer sur la couche de résine photosensible à l'aide par exemple d'une micropipette. L'eau a un indice de réfraction environ égal à 1,33 compris entre N1 et N3 et se diffuse par capillarité entre la couche de résine photosensible 101 et le masque 103 que l'on pose par dessus pour former la couche d'adaptation d'indice 102. La couche d'adaptation d'indice 102 peut être également formée à base de glycérine d'indice de réfraction environ égal à 1,47 compris entre N1 et N3 ou d'un liquide gras. La glycérine a en outre pour avantage de permettre au masque 103 de se déplacer par rapport à la couche de résine photosensible 101 tout en assurant l'adaptation d'indice entre cette dernière et le masque 103. On accole ensuite, au dessus du masque 103, un système optique 106 formé d'un premier réseau de diffraction noté 110, d'indice de réfraction N10, accolé au masque 103, et d'un deuxième réseau de diffraction 120, d'indice de réfraction N20, placé au dessus du premier réseau 110, parallèlement et à une distance par exemple de l'ordre de 1 mm du premier réseau 110. Les deux réseaux sont séparés par un milieu d'indice de réfraction adapté. Ce milieu peut être par exemple de l'air, ou un milieu choisi pour permettre au système optique de transmettre un maximum de puissance lumineuse dans une direction donnée. Selon une autre variante du procédé on peut, avant d'accoler le premier réseau de diffraction 110, déposer une autre couche d'adaptation d'indice 104 sur le masque 103. L'autre couche d'adaptation d'indice 104 vient alors s'intercaler entre le masque 103 et le premier réseau de diffraction 110. Cette autre couche d'adaptation d'indice 104 a un indice de réfraction N4 idéalement compris entre l'indice N10 du premier réseau de diffraction 110 et de l'indice N3 du masque 103. L'autre couche d'adaptation d'indice 104 permet de d'empêcher les réflexions de Fresnel entre le masque 103 et le système optique 106 en diminuant le saut d'indice entre le premier réseau de diffraction 110 et le masque 103. L'autre couche d'adaptation d'indice 104 peut être constituée par exemple par un liquide tel que l'eau, ou par un gel à base de glycérine ou d'un fluide gras que l'on dépose sur le masque 103. Le fluide ou le liquide déposé sur le masque 103 est alors comprimé par le système optique 106 que l'on pose par dessus, et se diffuse par capillarité entre le masque 103 et le système optique 106 (Figure 4). Les réseaux 110 et 120 peuvent se présenter respectivement sous forme d'une première plaque et d'une deuxième plaque dotées respectivement, d'une pluralité de premiers motifs 130 parallèles, ordonnés de façon régulière selon un pas A1, et d'une pluralité de deuxièmes motifs 132 parallèles ordonnés de façon régulière selon un autre pas A2. Ces plaques peuvent être à base, par exemple, d'un matériau tel que le quartz ou la silice. Les deux réseaux ont des indices de réfractions respectifs Nlo et N20 qui peuvent être identiques, par exemple de l'ordre de 1,46 ainsi que des pas respectifs Al et A2, qui peuvent être également identiques, et par exemple de l'ordre de 2 fois la longueur d'onde 2 du rayonnement avec lequel la couche photosensible est destinée à être insolée, par exemple de l'ordre de 618 nanomètres. Le pas des réseaux, ainsi que l'orientation des motifs d'un réseau par rapport aux motifs de l'autre réseau peut être réglée de manière à ajuster l'angle de déviation ou de diffraction d'un faisceau lumineux susceptible de traverser le système optique 106. Le réglage de l'orientation d'un réseau par rapport à l'autre peut être facilité au moyen de repères angulaires 134 et 136 situés, par exemple au bord ou au coin de chacun des réseaux 110 et 120. Ce réglage peut être effectué à l'aide d'un dispositif permettant d'effectuer une rotation relative d'un réseau par rapport à l'autre, par exemple un anneau à base de téflon inséré entre les réseaux 110 et 120. Cet anneau peut être conservé lors d'une étape d'insolation. Ainsi, on peut ajuster ou régler ou faire varier l'angle de diffraction du système optique 106, par exemple en effectuant une rotation d'un des réseaux sur lui-même, par exemple le deuxième réseau 120, par rapport à un axe orthogonal à un plan principal de ce réseau 120, tout en maintenant l'autre réseau, par exemple le premier réseau 110, immobile. La figure 5A illustre un exemple de positionnement du système optique 106 à deux réseaux 110 et 120 dans lequel, les premiers motifs 130 du premier réseau 110 et les deuxièmes motifs 132 du deuxième réseau 120 ont une orientation identique, c'est-à-dire que la direction principale de chacun des premiers motifs (définie sur la figure 5A par la direction d'un vecteur â,) et la direction principale de chacun des deuxièmes motifs (définie sur la figure 5B par la direction d'un vecteur â,) sont parallèles. Un faisceau lumineux, qui traverserait le système optique 106 ainsi positionné, c'est-à-dire le second réseau 120, puis le premier réseau 110 parallèle au second, aurait un angle de déviation maximal qui peut être d'au moins 45 . La figure 5B illustre un autre exemple de positionnement du système optique 106 à deux réseaux 110, dans lequel les premiers motifs 130 du premier réseau 110 et les deuxièmes motifs 132 du deuxième réseau 120 sont orientées à 90 , c'est-à-dire que chacun des premiers motifs 130 a une direction principale (définie par exemple sur la figure 5B par la un vecteur â,) a une direction orthogonale à la direction principale (définie par exemple sur la figure 5B par la direction d'un vecteur â2) de chacun des deuxièmes motifs 132. Un faisceau lumineux incident qui traverserait le système optique 106 ainsi positionné, subirait la même amplitude de déviation dans deux directions perpendiculaires et permettrait d'obtenir une amplitude totale de déviation qui serait de l'ordre de fois l'amplitude de déviation pour un seul réseau de diffraction. L'angle de déviation, pour des motifs orientés à 90 , peut être d'au moins 25 . Dans le cas où les deux réseaux 110 et 120 ont des pas égaux ou sensiblement égaux, de l'ordre par exemple de 618 nanomètres, il est possible d'obtenir, suivant l'orientation des réseaux l'un par rapport à l'autre, un angle d'insolation de la résine (c'est-à- dire un angle R2 que réalise un faisceau lumineux traversant la couche photosensible 101 après avoir traversé le système optique 106 puis le masque 103) entre 29, 7 et 45 . Lorsque les réglages du système optique 106 à deux réseaux de diffraction 110 et 120 ont été effectués, on insole ensuite la couche de résine photosensible 101 à l'aide d'un faisceau de rayons lumineux 122 provenant par exemple d'une source 130 à rayons ultraviolets émettant par exemple autour de la longueur d'onde de 365 nm. Le faisceau de rayons lumineux incident a une direction principale dl et peut pénétrer, en incidence normale, à travers le système optique 106 formé des deux réseaux de diffractions 110 et 120 superposés. Avant de pénétrer à travers le système 25 optique, le faisceau de rayons lumineux 122 incident a une direction principale dl orthogonale au plan principal de la couche de résine 101 et du substrat 100 (le plan principal de la couche 101 étant un plan appartenant à la couche 101 et parallèle au plan [0; i; k] d'un repère orthogonal [0; i; j; k] illustré sur la figure 6). Le système optique 106 dévie la direction principale dl du faisceau optique d'au moins un premier angle de déviation (non représenté sur la figure 6), fonction notamment des caractéristiques géométriques et physiques du deuxième réseau 120 et du premier réseau 110 telles que leurs pas A2 et A1r leurs indices de réfraction respectifs N20 et N10, ainsi que les orientations respectives de leurs motifs. A la sortie du système optique 106, la direction principale du faisceau réalise au moins un angle d'incidence (non représenté sur la figure 6) sur le masque 103 non nul avec une normale n au plan principal du substrat 100. Ensuite, le faisceau de rayons lumineux 102 traverse le masque 103 et sa direction principale dl est à nouveau déviée et réalise sur la couche de résine 101 au moins un angle incident (non représenté sur la figure 6) avec la normale n au plan principal du substrat 100. Ensuite, le faisceau 102 pénètre à travers la couche de résine photosensible 101 et la direction principale dl du faisceau de rayons lumineux 102 est alors à nouveau déviée et réalise au moins un angle résultant d'insolation non nul avec la normale n au plan principal du substrat 100. La couche de résine photosensible 101 comprend donc des zones insolées 140 inclinées par rapport à la normale au plan principal du substrat 100. Introduire le système optique 106 apte à dévier la direction principale dl du faisceau de rayons lumineux 102 permet de réduire la différence entre 30 l'angle d'incidence sur le masque 103 et l'angle 2878983 26 résultant d'insolation R2. A partir d'un faisceau incident issu de la source 130, orthogonal au plan principal de la couche de résine 101, le système optique 106 permet d'insoler la couche de résine photosensible 101 selon au moins un angle résultant d'insolation R2, qui peut être d'au moins 35 ou d'au moins 45 . Les réseaux de diffraction 110 et 120 peuvent être avantageusement réalisés dans un matériau dont l'indice de réfraction est proche de celui des zones transparentes 103a du masque 103, ou éventuellement dans le même matériau que celui des zones transparentes 103a du masque 103. Dans ce cas l'angle d'incident R2 du faisceau lumineux sur la couche de résine 101 est quasiment égal à l'angle d'incidence sur le masque 103. En utilisant un système optique 106 et un masque 103 composés du même matériau, on peut donc encore diminuer la différence entre l'angle d'incidence et l'angle résultant d'insolation R2 et permettre une insolation de la couche de résine photosensible avec au moins un angle résultant d'insolation R2 encore plus important. (Figure 6). Avec deux réseaux 110 et 120 de pas A2 et Al identiques, on a la relation: N1*sin(R2)= m*2* = m*2* , (avec m un A, A2 entier positif ou négatif désignant l'ordre de diffraction). Pour un système optique 106 formé de réseaux 110 et 120 à base de quartz, présentant un 2878983 27 profil en créneau comme illustré sur la figure 13A, et dotés de motifs de hauteur comprise par exemple entre 440 et 460 nanomètres, et de pas Al et A2 égaux et de 'ordre de 618 nanomètres, on peut obtenir les rendements donnés dans le tableau suivant: Angle résultant dans la couche de résine -45 -21 0 21 45 efficacité (en %) 19 3,7 38,2 3,7 19 efficacité relative (en %) 22,7 4,4 45,6 4,4 22,7 Dans le tableau ci-dessus, l'efficacité représente un rapport entre une puissance lumineuse transmise par le système optique dans une direction de diffraction donnée, et une puissance lumineuse incidente à l'entrée du système optique. L'efficacité représente, quant à elle, un rapport entre une puissance lumineuse transmise par le système optique dans une direction de diffraction donnée, et à une puissance lumineuse totale transmise par le système optique. Après l'étape d'insolation, on ôte le masque 103 et le système optique 106 de la couche de résine photosensible 101. Ensuite, on développe la couche de résine photosensible 101 à l'aide par exemple d'une base forte, de façon à obtenir des motifs de résine dotés de flancs inclinés. Les flancs inclinés ou une partie des flancs inclinés des motifs réalisent au moins un angle 9 qui peut être d'au moins 35 ou d'au moins 45 avec une normale n au plan principal du substrat 100. L'angle B des flancs est quasiment égal à l'angle résultant d'insolation R2. Le procédé suivant l'invention permet donc d'obtenir des motifs de résine inclinés selon au moins un angle B non nul et fonction de l'angle de déviation du système de réseaux de diffraction superposés. De plus, l'angle O des flancs de motifs peut être bien supérieur à celui obtenu avec des procédés selon l'art antérieur. La figure 7A représente un exemple de motif 150, par exemple à base d'un polymère ou d'une résine photosensible, formé sur un substrat (non représenté) et obtenu à l'aide d'un procédé et d'un dispositif de photolithographie du type de celui décrit précédemment en liaison avec la figure 6. Le dispositif de photolithographie employé pour obtenir un tel motif peut comprendre un système optique (non représenté) formé d'un premier réseau de diffraction et d'un deuxième réseau de diffraction dont les motifs sont orientés respectivement selon une première direction (définie par le vecteur â, sur la figure 7A) et selon une deuxième direction (définie par le vecteur â, sur cette même figure) identique à la première direction. Le masque (non représenté sur la figure 7A) de photolithographie utilisé peut être quant à lui doté d'ouvertures carrées. Les motifs 150 ont la forme d'un polyèdre à 6 faces, comportant 2 faces notées 152 et 154, présentant un angle d'inclinaison B par rapport à une normale n au plan principal du substrat. La figure 7B représente un autre exemple de motif 160, par exemple à base d'un polymère ou d'une résine photosensible, formé sur un substrat (non représenté) et obtenu à l'aide d'un procédé et d'un dispositif de photolithographie du type de celui décrit précédemment en liaison avec la figure 6. Le dispositif de photolithographie employé peut comprendre un système optique (non représenté) formé d'un premier réseau de diffraction et d'un deuxième réseau de diffraction dont les motifs sont orientés respectivement selon une première direction (définie par le vecteur â, sur la figure 7B) et selon une deuxième direction (définie par le vecteur à2 sur cette même figure) orthogonale à la première. Le masque (non représenté) de photolithographie utilisé peut être quant à lui doté d'ouvertures carrées. Les motifs 160 ont la forme d'une pyramide à sommet tronqué, comportant 4 faces 162, 164, 166, 168, présentant un angle d'inclinaison B par rapport à une normale fi au plan principal du substrat. Selon une variante, une insolation dite rotative de la couche de résine 101, pendant laquelle les motifs des réseaux 110 et 120 effectuent un mouvement de rotation par rapport au faisceau et à un axe orthogonal au plan principal de la couche de résine 101, peut être effectuée. Cette insolation rotative peut, selon une possibilité illustrée sur la figure 8, être assurée par des moyens permettant d'appliquer aux deux réseaux 110 et 120 un mouvement de rotation sur eux-mêmes et par rapport au faisceau 122 et à un axe Al orthogonal au plan principal de la couche de résine 101, tout en maintenant le substrat 100 recouvert de la couche photosensible 101 immobile. Cette insolation rotative peut, selon une autre possibilité (non représentée) être assurée par des moyens permettant d'appliquer un mouvement rotatif au substrat 100 recouvert de la couche de résine photosensible 101, par exemple à l'aide d'un plateau tournant, tandis que le système optique 106 reste immobile. Le masque 103 peut également effectuer une rotation. Le mouvement rotatif peut éventuellement être continu et sur 360 pour permettre d'obtenir des motifs de résine dont les flancs réalisent un angle d'inclinaison uniforme par rapport au plan principal du substrat 100. La figure 9 représente un exemple de motif 170, par exemple de résine ou de polymère photosensible, formé sur un substrat (non représenté) et obtenu en utilisant un procédé et un dispositif de photolithographie du type de celui décrit précédemment en liaison avec la figure 7. Les motifs 170 ont la forme d'un cône à base circulaire 172 et à sommet tronqué. Selon une autre variante illustrée sur la figure 10, une insolation pendant laquelle un seul des réseaux réalise un mouvement de rotation par rapport au faisceau 122 et à un axe Al orthogonal au plan principal de la couche de résine 101 peut être effectuée. Cette insolation peut, selon une possibilité, être assurée par un mouvement rotatif du deuxième réseau 120, tandis que le premier réseau 110 et la couche de photosensible 101 reposant sur le substrat 100 restent immobiles. Selon une autre possibilité, cette rotation peut être assurée par un mouvement rotatif du premier réseau 110 associé à la couche de photosensible 101 reposant sur le substrat 100, tandis que le deuxième réseau reste immobile. Avec ce mode de réalisation, l'angle d'incidence du faisceau sur le masque (103) varie sans que l'inclinaison du substrat par rapport au faisceau incident soit modifiée. Cette insolation peut permettre d'obtenir des motifs de résine dont les flancs réalisent un angle d'inclinaison variable par rapport au plan principal du substrat 100. La figure 11 représente un exemple de motif 180, par exemple de résine ou de polymère photosensible, formé sur un substrat (non représenté) et obtenu en utilisant un procédé et un dispositif de photolithographie du type de celui décrit précédemment en liaison avec la figure 8. Le masque de photolithographie (non représenté) utilisé pour réaliser ce motif 180, peut être doté d'ouvertures circulaires. Le motif 180 a la forme d'un cône à sommet tronqué et à base 182 de la forme d'une ellipse. Selon une variante illustrée sur la figure 12, une insolation à faisceau incliné, lors de laquelle le faisceau incident 122 d'insolation réalise un angle a avec la couche de résine photosensible 101 avant de pénétrer à travers le système optique 106, peut être réalisée. Cet angle a peut être éventuellement variable au cours de l'insolation. Pour cela, le dispositif de photolithographie peut par exemple comprendre un 30 plateau 190 apte à adopter un angle d'inclinaison a variable, par rapport au faisceau 122 et sur lequel repose l'ensemble substrat 100-couche de résine 101. Cette variante peut éventuellement être combinée avec l'une des deux variantes d'insolation rotatives précédemment décrites en liaison avec les figures 8 et 10. Le premier réseau de diffraction 110 ou/et le deuxième réseau de diffraction 120 du système optique 106 appartenant au dispositif de photolithographie à flancs inclinés suivant l'invention, peut ou peuvent être semblables au réseau de diffraction illustré sur la figure 10A et qui va à présent être décrit. Ce réseau peut être sous forme d'une plaque 200 par exemple à base d'un matériau tel que le quartz ou la silice, de préférence d'indice de réfraction proche ou identique à celui du masque de photolithographie 103. La plaque 200 est dotée de deux faces principales vues en coupe sur la figure 10A, selon un plan de coupe orthogonal au plan principal de la plaque (le plan principal étant un plan de la plaque 200 parallèle au plan [O;i;k] d'un repère orthogonal - [0;1;j;k] illustré sur la figure 13A). Une première face 202 de la plaque 200 est plane, tandis que la deuxième face 204 comporte une pluralités de motifs 210 que l'on appellera motifs binaires et qui sont ordonnés de façon régulière selon un pas A par exemple de l'ordre de 618 nanomètres. Chacun des motifs binaires 210, est formé d'un bloc 206 (et délimité en partie par des pointillés sur la figure 13A), et d'une tranchée 208, juxtaposés de formes parallélépipédiques. Le bloc 206, et la tranchée 208 ont respectivement une hauteur h et une profondeur égale à la hauteur h par exemple de l'ordre de 500 nanomètres. Les motifs 210 de la plaque sont vus en coupe sur la figure 3A, selon un plan de coupe orthogonal à la direction d'allongement principal (cette direction étant parallèle à l'axe k du repère orthogonal [O;1;j;k]) de la tranchée 208 et du barreau 206. Les motifs 210 du réseau de diffraction sont de préférence parallèles entre eux et réalisent un profil 214 en créneau dans au moins une direction parallèle au plan principal de la plaque 200. Lors d'une étape de photolithographie, dans le cas où la plaque 200 constitue le premier réseau de diffraction 110 du système à deux réseaux, c'est-à-dire le réseau placé entre le masque de photolithographie 103 et le deuxième réseau de diffraction 120, la première face 202 sans motifs de la plaque 200 est placée de manière à être en regard du deuxième réseau de diffraction 120, tandis que la deuxième face 204 comportant les motifs 210 est placée de manière à être en regard du masque de photolithographie 103. Lors d'une étape de photolithographie, dans le cas où la plaque 200 constitue le deuxième réseau de diffraction du système optique 106, c'est-à-dire le réseau placé entre le premier réseau de diffraction 110 et la couche photosensible 101 que l'on souhaite insoler, la première face 202 de la plaque 200 est placée de manière à être en regard de la couche photosensible 101, tandis que la deuxième face 204 comportant les motifs 210, est placée de manière à être en regard du premier réseau de diffraction 110. Un tel type de réseau peut avoir été réalisé par exemple par une lithographie UV, ou par une lithographie par faisceau d'électrons ou par faisceau laser de la plaque 200. La figure 13B représente un autre exemple de réseau de diffraction, qui varie de l'exemple de réseau de diffraction qui vient d'être décrit, de part la forme de ses motifs notés 220, que l'on appellera motifs multi-niveaux . Les motifs 220, ont une hauteur h par exemple de l'ordre de 0,5 micromètres (définie dans une direction parallèle à l'axe à l'axe j du repère orthogonal [O;1;j;k]) et sont agencés de manière régulière selon un pas A par exemple de l'ordre de 618 nanomètres. Ces motifs multi- niveaux ont chacun la forme de blocs parallélépipédiques superposés (délimités en partie par des pointillés sur la figure 10B) de largeurs différentes, par exemple de trois blocs 216, 217, 218 superposés, de sorte que chaque motif 220 de la plaque 200 réalise un profil 224 en escalier, s'étendant dans au moins une direction parallèle au plan principal de la plaque 200. Un tel réseau peut permettre d'obtenir une efficacité accrue, par exemple de l'ordre de 80 %, dans la direction de diffraction d'ordre 1. La figure 13C représente un troisième exemple de réseau de diffraction, qui varie des exemples de réseaux de diffractions qui viennent d'être décrits en liaison avec les figures 10A et 10B, notamment de part la forme de ses motifs. Les motifs 230 de ce troisième exemple de réseau, sont appelés motifs analogiques et sont chacun formés d'un bloc de l'allure d'un, prisme dont les bases (délimités par des pointillés sur la figure 13C) sont parallèles à un plan orthogonal au plan principal de la plaque 200) et ont la forme d'un triangle qui peut être un triangle rectangle. Les motifs 230 de ce troisième exemple de réseau réalisent ainsi un profil 234 en dent de scie, qui s'étend dans au moins une direction parallèle au plan principal de la plaque 200. Un tel réseau peut permettre d'avoir une efficacité encore accrue, par exemple proche de 100 dans la direction de diffraction d'ordre 1. Documents cités [1] . C. Beuret, G.-A Racine, J. Gobet, R. Luthier, N.F. de Rooij; "Microfabrication of 3D Multidirectional Inclined Structures by UV Lithography and Electroplating"; asulab S.A. Neuchatel Switzerland; 1994 IEEE. [2] . Gregor Feiertag, Wolfgang Ehrfeld, Heinz Lehr, Martin Schmidt: "Sloped irradiation Techniques in Deep X-Ray Lithography for 3-D shaping of Micro-structures"; Institute of Microtechnology Mainz Gmbh, Carl-Zeiss-StraSe 55219 Mainz, Germany; 1997 SPIE. [3] Linke Jian, Yohanes M. Desta, Jost Goettert: "Multi-level Micro-structures and Mold Inserts Fabricated with Planar and Oblique Xray Lithography of SU-8 Negative Photoresist" ; Louisiana State University Center for Advanced Micro-structures and Devices; 2001 SPIE. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un ou plusieurs motifs par photolithographie comprenant les étapes de: a) dépôt sur un substrat (100) d'une couche photosensible (101), b) insolation de la couche photosensible (101) à travers un masque (103) par un faisceau de rayons lumineux (102) ayant une direction principale (d1), le faisceau de rayons lumineux (102) ayant traversé auparavant un système optique (106) comprenant au moins un premier réseau de diffraction et au moins une deuxième réseau de diffraction superposés, apte à diffracter le faisceau de rayons lumineux selon au moins une direction de diffraction dite d'efficacité maximum , le faisceau de rayons lumineux (122) ayant été au moins en partie dévié par le système optique d'au moins un angle de déviation de sorte que la direction principale (dl) correspondant à la direction de diffraction d'efficacité maximum, présente un angle d'incidence sur le masque 103 non nul avec une normale (n) au plan principal du substrat (100) lorsque le faisceau de rayons lumineux (122) pénètre à travers le masque (103), c) retrait du masque (103), d) développement de la couche photosensible (101) de façon à obtenir les motifs à flancs inclinés par rapport à une normale (n) au plan principal du substrat (100) en fonction de l'angle de déviation. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre après l'étape a) et préalablement à l'étape b), le dépôt d'une couche d'adaptation d'indice (102) sur la couche photosensible (101). 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, comprenant en outre après l'étape a) et préalablement à l'étape b) : le dépôt d'une couche d'adaptation d'indice (104) entre le système optique (106) et le masque (103). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que pendant l'étape b) d'insolation, l'angle d'incidence du faisceau sur le masque (103) varie. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel pendant l'étape b) d'insolation, la couche photosensible (101) effectue un mouvement de rotation sur elle-même ou le système optique 106 effectue un mouvement de rotation sur lui-même, le système optique (106) d'une part et la couche photosensible (101) d'autre part, étant animés d'un mouvement relatif l'un par rapport à l'autre. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le premier réseau et le deuxième réseau comportent respectivement une pluralité de premiers motifs et une pluralité de deuxièmes motifs aptes à dévier et à diffracter le faisceau lumineux, le procédé comprenant avant l'étape b), une étape de réglage de l'orientation relative des premiers motifs par rapport aux deuxièmes motifs. 7. Procédé selon la revendication 6, lesdits premiers motifs ou/et lesdites seconds motifs ayant, au cours de l'étape b), une orientation variable par rapport au faisceau. 8. Procédé selon l'un des revendications 1 à 7, à l'étape b), le faisceau présentant, avant de traverser le système optique, un angle d'incidence non nul avec une normale à un plan principal de la couche photosensible (101). 9. Procédé selon la revendication 8, l'angle d'incidence étant variable au cours de l'étape b). 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, le premier réseau (110) de diffraction du système optique (106) étant accolé au masque (103) ou à une couche d'adaptation d'indice (104) reposant sur le masque (103). 11. Procédé selon la revendications 1 à 10, le masque (103) étant accolé à la couche photosensible (101) ou à une couche d'adaptation d'indice (102) reposant sur la couche photosensible. 12. Dispositif de réalisation d'un ou plusieurs motifs inclinés par photolithographie, comprenant un substrat (100) sur lequel repose une couche photosensible (101), un masque (103), des moyens pour insoler la couche photosensible (101) à l'aide d'un faisceau de rayons lumineux (122) de direction principale (d1), un système optique (106) comprenant au moins un premier réseau de diffraction et au moins un deuxième réseau de diffraction superposés, apte à dévier la direction principale d'un faisceau de rayons lumineux (102) le traversant et destiné à insoler la couche photosensible, d'au moins un angle de déviation, de sorte que la direction principale du faisceau présente un angle d'incidence sur le masque 103 non nul avec une normale (n) au plan principal du substrat (100) au moment où le faisceau de rayons lumineux (122) pénètre à travers le masque (103). 13. Dispositif selon la revendication 12, comprenant en outre une couche d'adaptation d'indice (102) entre la couche de résine photosensible (101) et le masque (103). 14. Dispositif selon l'une des revendications 12 ou 13 comprenant en outre une couche d'adaptation d'indice (104) entre le système optique (106) et le masque (103). 15. Dispositif selon l'un des revendications 1.2 à 14, au moins un réseau de diffraction du système optique (106) étant apte à se déplacer par rapport à la couche photosensible (101). 16. Dispositif selon l'un des revendications 12 à 15, au moins un réseau de diffraction du système optique étant apte à effectuer un mouvement de rotation. 17. Dispositif selon l'un des revendications 12 à 16 un réseau de diffraction du système optique étant fixe, un autre réseau étant apte à effectuer un mouvement de rotation. 18. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 17, comprenant en outre: des moyens pour incliner le substrat (100), par rapport au faisceau de rayons lumineux (102). 19. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 18, le premier réseau ou/et le deuxième réseau comportant un profil en créneau. 20. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 19, le premier réseau ou/et le deuxième réseau comportant un profil en dent de scie. 21. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 20, le premier réseau ou/et le deuxième réseau comportant un profil en escalier. 22. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 21, le masque (103) étant accolé à 30 la couche photosensible (101) ou à une couche d'adaptation d'indice (102) reposant sur la couche photosensible. 23. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 22, le premier réseau (110) de diffraction du système optique (106) étant accolé au masque (103) ou à une couche d'adaptation d'indice (104) reposant sur le masque (103).