Brevet FR2873493A1 — publié le 20060127

DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR A NANOTUBE OU NANOFIL, CONFIGURABLE OPTIQUEMENT. La présente invention a pour objet un dispositif semiconducteur à nanotube ou nanofil, tel qu'un transistor ou une diode, qui soit configurable optiquement et son utilisation dans des circuits électroniques reconfigurables optiquement. L'article de R. J. CHEN et Collaborateurs intitulé Molecular Desorption from single-walled carbon nanotubes et qui est paru dans Applied Physics Letters volume 79 n 14, 2258 (2001) indique qu'un puissant io éclairement dans l'ultra-violet ou le visible peut modifier les caractéristiques électriques d'un transistor à nanotube en désorbant les molécules d'oxygène présentes sur les électrodes. Ce phénomène est rapide mais en ce qui concerne sa réversibilité il faut en général plusieurs dizaines de minutes pour rétablir le courant initial. Ce phénomène qui nécessite beaucoup de puissance, n'est pas spécifique en longueur d'onde et est difficilement réversible. L'article de K. BALASUBRAMANIAN et Collaborateurs intitulé Photoelectronic transport imaging of individual semiconducting carbon nanotubes paru dans Applied Physics Letters volume 84 n 13 (2004) indique que des photons dont la longueur d'onde se situe à 514,5 nm et/ou à 647,1 nm peuvent générer un photo-courant dans un transistor à nanotube de carbone non fonctionnalisé : les courants générés sont très faibles ( Les deux articles de FREITAG et Collaborateurs Photoconductivity of Single Carbon Nanotubes parus dans Nano Letters volume 3 n 8, pages 1067 1071 (2003) et Hot Carrier Electroluminescence from a Single Carbon Nanotube paru dans Nano Letters volume 4 n 6, pages 1063 1066 (2004) indiquent qu'un transistor à base de nanotubes peut être utilisé comme détecteur de photons infrarouges. Le courant dans un transistor à nanotube peut être modifié par des photons, à condition que la longueur d'onde de cette lumière corresponde à l'énergie d'une des transitions permises entre singularités de Van Hove, (par exemple, la bande interdite) du nanotube semiconducteur servant de canal au transistor. Cette longueur d'onde se trouve dans l'infra-rouge. Elle est définie de façon définitive par la structure atomique du nanotube (diamètre et chiralité). Les modifications des caractéristiques électriques d'un transistor à base de nanotubes en présence de lumière mises en évidence sont très faibles. Elles peuvent être utilisées pour détecter un rayonnement infra-rouge, mais le transistor n'est pas réellement commandé optiquement . Seul le courant dans l'état bloqué varie et dans des proportions très faibles. Enfin, le processus utilisé (la création directe de paires électron-trou à travers la bande interdite du nanotube non fonctionnalisé) possède un rendement quantique très faible (de l'ordre de 10-7). io L'article de A. STAR et Collaborateurs intitulé Nanotube Optoelectronic Memory Devices , qui est paru dans Nano Letters de Juin 2004 indique qu'en fonctionnalisant un dispositif à base de nanotubes de carbone avec un polymère photo-sensible, on pouvait réaliser une fonction mémoire. A cet effet, un ensemble de nanotubes est couvert d'un film épais de polymère (goutte déposée sur la puce). II s'agit donc de polymères (très grosses molécules) déposés de manière non contrôlée sous forme de couches très épaisses. Lorsque le dispositif est éclairé, la caractéristique électrique Id(Vgs) est décalée, ce qui indique que des électrons ont été transférés vers le polymère. Lorsque l'éclairement est stoppé, le dispositif conserve sa caractéristique pendant un temps très long (plusieurs minutes), d'où un effet mémoire . Cette technique est limitée à des caractéristiques de type mémoire et n'est pas compatible avec une intégration dense. L'article de ROTKIN et ZMAROV Nanotube light-controlled electronic switch paru dans International Journal of Nanoscience vol. 1 n 3 et 4 (2002), pages 347 355 propose de déplacer une charge électrique à proximité d'un nanotube de carbone en utilisant une molécule à changement de conformation. Lors de l'adsorption d'un photon, cette molécule se déforme. Selon cette étude théorique, si cette molécule porte une charge à son extrémité la plus éloignée du tube, cette charge pourrait être mécaniquement approchée ou éloignée du tube, ce qui pourrait modifier les caractéristiques du dispositif. En tout état de cause, cette technique nécessite la mise en oeuvre de molécules à changement de conformation. La présente invention a pour objet un dispositif semi-conducteur à nanotube ou nanofil, notamment de carbone, qui soit configurable optiquement avec un rendement quantique favorable et qui soit réversible, sans effet mémoire notable, c'est-à-dire que les dispositifs retrouvent leur état initial lorsque l'éclairement cesse. Avantageusement, le dispositif est configurable optiquement avec une lumière dont la longueur d'onde est sélectionnée en fonction du matériau photo-sensible choisi. L'invention concerne aussi un dispositif semiconducteur à nanotube ou nanofil, notamment de carbone, ainsi que des éléctrodes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une région en partie recouverte d'au moins une couche de préférence ordonnée de molécules ou de nanocristaux d'un matériau photo-sensible. Il est avantageux que les molécules soient amphiphiles. io Le matériau peut être notamment une phtalocyanine, présentant un atome central métallique, notamment du cuivre, une porphyrine, une azoporphyrine ou ses dérivés, ou bien encore un colorant ou un chromophore notamment amphiphile. En variante, ce peut être un nanocristal de matériau semi-conducteur. Le matériau peut être sous forme d'un film mince, qui comporte par exemple entre 1 et 20, et plus particulièrement entre 1 et 10, couches moléculaires du matériau. La région dans laquelle le matériau est déposé peut être une surface externe et/ou interne du nanotube ou du nanofil, ou bien une électrode du dispositif semi-conducteur ou bien encore la surface d'un diélectrique de grille d'un transistor, ou bien encore la surface d'un substrat sur lequel est disposé le nanotube ou nanofil. Le dispositif peut présenter une ou plusieurs régions recouvertes d'au moins une dite couche de matériaux photo-sensibles différents. L'invention concerne également un procédé de commande d'un dispositif semiconducteur tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'il met en oeuvre un éclairement d'au moins une dite région par une lumière de longueur d'onde située dans une région d'absorption de la lumière par ledit matériau. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description ci-après en liaison avec les dessins dans lesquels: - la figure 1 est un exemple d'un transistor à effet de champ à nanotube de carbone dénommé "CNTFET", - les figures de 2a à 2c illustrent différentes localisations de la couche photosensible et les effets qui en résultent, - la figure 3 illustre une série d'essais avec et sans excitation par une lumière laser, - les figures 4a et 4b représentent la caractéristique de courant de drain Id en fonction de la tension grille-source Vgs d'un transistor respectivement dans le noir et en présence d'un éclairage par un laser rouge = 647,1 nm), ces mêmes courbes étant représentées en coordonnées semi- logarithmiques à la figure 4b, io - les figures 5a à 5f illustrent à l'aide d'une courbe exprimant la tension de drain Id (en nA) en fonction de la tension grille-source Vgs (en Volts), différents effets pouvant être obtenus pour un transistor à nanotube de carbone de type p, avec une gamme de fonctionnement comprise entre -1 V et +1 V pour la tension Vgs, - les figures 6a à 6c illustrent différents circuits optiquement reconfigurables mettant en oeuvre un ou plusieurs dispositifs selon l'invention. Les nanotubes de carbone mono-paroi peuvent être, suivant leur structure (chiralité), métalliques ou semi-conducteurs. Ils peuvent être connectés à des électrodes pour former des composants électroniques. Ainsi, de 1996 à 2004, ces nanotubes ont servi d'éléments de base à la fabrication de diodes, de transistors à un électron ( SETs ) et de transistors à effet de champ ( CNTFETs ). Ces CNTFETs (ou Carbon Nanotube Field Effect Transistors) peuvent eux-mêmes servir à fabriquer des éléments de mémoire, des portes logiques élémentaires, des détecteurs de gaz ou de molécules biologiques,ou bien encore des émetteurs et détecteurs de photons infrarouges. Un transistor à effet de champ de type CNTFET est par exemple constitué d'un nanotube 1 de carbone mono-paroi semi-conducteur connecté par deux électrodes (source S et drain D) et contrôlé par une troisième électrode (grille G) séparée du tube par un isolant 2 (l'oxyde de grille). Le courant entre la source S et drain D, dans le canal que constitue le nanotube 1, est modulé par la tension de grille. Cette géométrie n'est pas la seule possible. En particulier, l'électrode de grille peut se trouver en dessous ou au-dessus du nanotube. Depuis 1998, les performances de ces composants n'ont cessé de s'améliorer, notamment ces deux dernières années, pour atteindre un niveau comparable aux transistors en silicium. L'une des particularités importantes de ces composants s électroniques à base de nanotubes de carbone est une grande sensibilité à leur environnement. La présence de molécules adsorbées sur les différentes parties de ces composants (tube, électrodes, surface) modifie de façon très sensible leurs propriétés de transport électronique. L'environnement du transistor CNTFET peut modifier la io caractéristique électrique de plusieurs façons: (a) des molécules adsorbées ou chimiquement liées sur le nanotube peuvent transférer des charges au nanotube (donner ou accepter des électrons). Cet échange se traduit par une modification du niveau de dopage du nanotube. (b) des molécules adsorbées ou chimiquement liées sur les électrodes, à proximité du nanotube, peuvent modifier l'injection des porteurs dans le canal. En effet, pour entrer dans le nanotube, une charge présente dans l'électrode doit généralement franchir une barrière de potentiel (cas d'un contact Schottky). La hauteur de cette barrière est sensible à la présence de certaines molécules, en particulier, les molécules polaires. (c) l'adsorption de molécules sur le tube, ou sur la surface à proximité du nanotube peut également modifier les caractéristiques électriques du composant sans qu'il y ait de transfert de charge entre la molécule et le nanotube. En particulier, des molécules chargées ou fortement polaires à proximité du tube modifient le potentiel électrostatique au niveau du tube et agissent donc comme une tension appliquée sur la grille (on parle de chemical gating ou potentiel de grille induit chimiquement). Nous appellerons par la suite dopage induit, modification de l'injection et grille à potentiel induit chimiquement ou chemical gating les 30 trois exemples de modes d'action décrits ci-dessus. L'invention vise en particulier à utiliser la lumière pour déclencher, stopper, augmenter, diminuer et/ou inverser ce type d'effets. De nombreuses classes de molécules présentent des propriétés photochimiques ou photo-physiques. De façon très générale, lorsqu'une molécule absorbe un photon, elle passe dans un état excité. Cet excès d'énergie peut avoir plusieurs conséquences. La molécule peut: se dissocier en plusieurs fragments, luminescer, subir une transition non-radiative, être ionisée, changer de conformation, réagir avec d'autres molécules en formant un nouveau composé ou en transférant une charge, transférer son excitation à une autre molécule. Certains de ces mécanismes, en particulier les quatre derniers, peuvent être utilisés pour contrôler les propriétés de transport d'un transistor à nanotube. a) dopage photo-induit. Certaines molécules en solution peuvent donner ou accepter des électrons lors de l'adsorption d'un photon. Dans l'exemple ci-après, des to molécules sont adsorbées sur le tube qui lui transfèrent des charges lorsqu'elles sont dans l'état excité (Fig. 2a). Il en résulte un changement du niveau de dopage du canal du transistor. On peut également utiliser les propriétés optiques remarquables des nanocristaux de semiconducteurs (typiquement CdSe). L'absorption d'un photon par un nanocristal semiconducteur conduit à la formation d'une paire électron-trou (exciton). On peut alors observer un transfert de charge vers les molécules présentes à la surface du nanocristal. Un transfert de trous est ainsi observé lorsque la surface du nanocristal est fonctionnalisée avec des molécules à caractère réducteur telles que les thiols ou des composés poly-aromatiques. Des nanocristaux semiconducteurs greffés sur le nanotube (éventuellement via une fonctionnalisation préalable de sa surface) ou déposés à proximité immédiate devraient donc permettre un dopage photo-induit. Une autre propriété intéressante des nano-cristaux est la dépendance de leur spectre d'absorption en fonction de leur taille et du type de chalcogénure utilisé (CdTe, CdSe, CdS). II serait ainsi possible de sélectionner la longueur d'onde de la radiation induisant l'effet de photo-dopage en utilisant des nano-cristaux de diamètres ou de compositions différents. b) Modification photo-induite de l'injection de charges. Il est connu que certaines molécules voient leur structure chimique modifiée par l'absorption d'un photon. Il peut en résulter, en particulier, un changement de moment dipolaire électrique si la répartition des centres de charges positives et négatives différent d'un état à l'autre. Si de telles molécules sont greffées sur les électrodes d'un transistor CNTFET (Fig. 2b), l'injection des porteurs dans le nanotube sera sensible à l'état de la molécule, donc à la lumière. c) Potentiel de grille photo-induit. On peut également utiliser de telles molécules greffées sur le nanotube ou sur la surface de l'oxyde de grille (Fig. 2c). L'adsorption d'un photon modifie alors l'environnement électrostatique du nanotube et ainsi un effet comparable à celui de l'électrode de grille ( chemical gating ) . Exemple de réalisation: transistor à nanotube de carbone dont les caractéristiques électriques peuvent être modulées par la lumière Dans cet exemple, le transistor à nanotube est recouvert d'un film de LangmuirBlodgett de phtalocyanine dénommé CuS18. Les molécules io chromophores utilisées sont des phtalocyanines amphiphiles, contenant un coeur chromophore chargé positivement muni de 4 chaînes aliphatiques en C18 (18 atomes de carbone). Le CuS18 est un composé décrit en 1986 par Serge PALACIN dans la référence: S. PALACIN, A. RUAUDEL-TEIXIER, A. BARRAUD, J. Phys. Chem., 90, 6237-6242 (1986). Le nom CuS18 vient d'un système de dénomination d'une série de composés de structures similaires. Le nom complet est bromure de tétraoctadécyltétrapyridino[3,4-b: 3',4'-g: 3",4"1: 3"',4"'-q]porphyrazinium. La taille typique des molécules est 1,7 nm de diamètre pour le coeur chromophore avec des chaînes de 2,0 nm liées aux bords et mobiles. La technique de dépôt par film de Langmuir-Blodgett permet de contrôler précisément la quantité de molécules déposée (monocouche par monocouche) par superposition de monocouches. L'effet montré ci-dessous a été reproduit avec une seule couche, deux couches et dix couches de molécules sur le transistor. On peut en pratique superposer par exemple jusqu'à environ vingt monocouches, voire plus. L'invention ne se limite nullement à l'utilisation de couches déposées par la technique de Langmuir-Blodgett. Il existe d'autres méthodes de dépôt de couches connues de l'homme du métier telles que le dépôt chimique en phase vapeur CVD, etc.... II est également possible de fonctionnaliser les nanotubes avant leur assemblage au sein des dispositifs. Sous éclairement laser à une longueur d'onde donnée (ici 647,1 nm) correspondant à un maximum d'absorption dans le spectre de la molécule, ce qui confère une sélectivité en longueur d'onde dépendant de la molécule utilisée, les molécules en contact avec le tube transfèrent des électrons au tube. Il en résulte une diminution de la densité de charges positives (trous) dans le tube. Ces charges positives étant responsables du courant dans le transistor pour des tensions de grille négatives, une diminution de leur nombre se traduit par une nette diminution du courant dans le transistor lorsqu'il est éclairé. Pour montrer la dynamique du phénomène, on présente Fig. 3 un ensemble de courbes en fonction du temps et suivant des cycles de balayage de la tension Vgs. H s'agit d'une série de caractéristiques Id(Vgs) enchaînées. On observe une chute brutale du courant lorsque le laser est allumé. Ce qui est particulièrement remarquable est la réversibilité rapide du phénomène. io D'autres travaux notamment ceux cités ci-dessus ont montré des phénomènes photo-induits difficilement réversibles: la photo-désorption de molécules depuis les électrodes du transistor et le stockage de charges dans un polymère photo-sensible. Le fait que les courbes de la Fig. 3 retrouvent leur caractère initial dès l'extinction du laser montre clairement qu'il s'agit d'un autre mécanisme. La puissance du laser a été augmentée expérimentalement jusqu'à atteindre le phénomène de photodésorption. Il existe une large gamme de puissance permettant d'observer uniquement le phénomène intéressant à dynamique rapide avant d'arriver au seuil de photo-désorption. La figure 4a montre la caractéristique Id(Vgs) du transistor dans le noir et lorsqu'il est éclairé par un laser rouge (X=647,1 nm), en moyennant les enregistrements Id(Vgs) correspondant aux courbes de la figure 3. On voit très clairement que cette caractéristique est drastiquement modifiée par les photons en particulier dans l'état passant ON (ce qui est une différence importante avec l'art antérieur). Pour visualiser également l'état bloqué OFF , les mêmes courbes sont présentées à la Fig. 4b en échelle semi-logarithmique. On voit clairement que pour des tensions de grilles supérieures à la tension de seuil, l'état bloqué OFF est également nettement modifié. Enfin, il est important de noter la robustesse du phénomène. Il est possible de cycler le laser un très grand nombre de fois sans dégrader la couche moléculaire. L'invention permet de maximiser les interactions entre des molécules relativement petites (en comparaison des molécules de polymères) et des nanotubes en travaillant sur des quantités très faibles allant jusqu'à une seule couche moléculaire, ce qui donne accès à des effets électriques rapides et potentiellement localisés, ce qui permet d'utiliser des transistors dans des circuits reconfigurables et intégrés. Un tel transistor peut être utilisé pour fabriquer un circuit optiquement reconfigurable. En effet, il se comporte comme un interrupteur commandé par la lumière. Si l'on fixe la tension Vgs à une valeur négative (par exemple -10V pour le cas particulier de la figure 4), en présence d'éclairement, le transistor bloque le courant (bien visible en échelle logarithmique: Id 10-11A). Si ce composant est placé à l'entrée d'un sous-circuit, ce sous-circuit sera activé en absence de lumière et désactivé en io présence de lumière. D'autres molécules peuvent être mises en oeuvre: - les autres phtalocyanines, dans lesquelles l'atome central peut être un métal autre que le cuivre, et/ou dans lequel les chaînes aliphatiques peuvent être remplacées par une autre chaîne, - les porphyrines, les azoporphyrines et leurs dérivés, - tout type de fluorophore ou de chromophore, y compris les nanocristaux semi-conducteurs, par exemple de CdTe, CdSe ou de CdS. Les nanocristaux peuvent être utilisés tels quels ou modifiés en les entourant soit d'une coquille en un autre matériau (par exemple ZnSe), soit d'une enveloppe de molécules. Le ZnSe par exemple permet d'éviter qu'un photon absorbé ne soit réémis. Plusieurs techniques de dépôt peuvent être mises en oeuvre pour déposer les molécules ci-dessus. La première consiste à déposer un nombre contrôlé de couches moléculaires (une ou plusieurs) sur un transistor existant, comme dans l'exemple cidessus. On peut en particulier utiliser les molécules amphiphiles suivantes: - les phtalocyanines à atome central métallique pour lesquelles des chaînes grasses en C18 ou de longueur différente assurent le 30 caractère amphiphile, - des porphyrines, azoporphyrines et leurs dérivés amphiphiles. - tout colorant ou chromophore amphiphile. La deuxième technique consiste en un dépôt d'un nombre 35 contrôlé de couches moléculaires (typiquement une seule) par chimisorption ou physisorption sur un transistor existant. lo La troisième technique consiste en un assemblage nanotubes-molécules en solution, des nanotubes étant alors couverts d'un petit nombre de molécules, typiquement une seule couche. Ces nanotubes pourront être utilisés pour fabriquer des transistors (ou des diodes) a posteriori. Ces trois techniques sont compatibles avec la réalisation de circuits denses répondant à plusieurs longueurs d'onde. Dans les deux premiers cas, les circuits sont réalisés avant les associations nanotubesmolécules. En réalisant des masquages successifs de certaines parties d'un to circuit, il est possible de déposer des molécules différentes sur des transistors (ou des parties de circuits) différents. Alternativement, on peut utiliser les techniques de type dip pen pour fonctionnaliser différents transistors avec différentes molécules. Cette technique (largement documentée dans la littérature par exemple PINER et Collaborateurs C.A. Science 1999, 283, 661 ou bien HONG et Collaborateurs C.A. Science 1999, 286, 523 ou bien encore HONG et Collaborateurs C.A. Science 2000, 288, 1808) consiste à utiliser les molécules comme de l'encre et la pointe d'un microscope à force atomique, AFM comme une plume . Une pointe d'un microscope AFM est approchée d'une réserve de molécules, puis du dispositif à modifier. Dans certaines conditions, les molécules peuvent migrer depuis la pointe du microscope AFM vers la surface à proximité. Alternativement, la fonctionnalisation chimique sélective des transistors pourrait être réalisée par électro-greffage. En mettant un circuit en contact avec un réactif ( par exemple en l'immergeant) et en polarisant électriquement un ( ou plusieurs) transistor(s), on peut fonctionnaliser spécifiquement ce(s) transistor(s) sans affecter ceux qui ne sont pas polarisés. En changeant de réactifs et de transistors polarisés, on peut réaliser plusieurs fonctionnalisations sélectives sur un même circuit. Pour ce qui concerne le dépôt sur des électrodes on notera que toutes les molécules chromophores terminées par un groupement thiol (SH) peuvent être greffées sur des électrodes d'or par la formation d'une liaison orsoufre. En ce qui concerne la grille, on peut utiliser des procédés de fonctionnalisation de l'oxyde de silicium par des molécules de type chlorosilane ou ethoxy-silane, ce qui est compatible avec la réalisation de transistors à nanotube de carbone. On se référera en particulier aux publications suivantes: 2873493 Il - K. H. CHOI, J.P. BOURGOIN, S. AUVRAY, D. ESTEVE, G.S. DUESBERG, S. ROTH, BURGHARA, Surface Science 462, 195 (2000). - E. VALENTIN, S. AUVRAY, A. FILORAMO, A. RIBAYROL, M. GOFFMAN, L. CAPES, J.P. BOURGOIN, J.N. PATILLON, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 772, M4.7.1 (2003). - Les figures 5a à 5f illustrent les différents effets susceptibles d'être obtenus sur un transistor de type p, la gamme d'utilisation étant fixée entre des tensions grille/source Vgs comprises entre -1 V et +1 V, à titre d'exemple. Des effets analogues seraient obtenus avec un transistor de io type n. - Fig. 5a: transistor au repos (non éclairé) - Fiq. 5b: l'effet de la lumière fait que le transistor reste à l'état bloqué Off dans toute la gamme d'utilisation. Ceci correspond au cas des molécules donneuses d'électron comme dans l'Exemple ci-dessus. - Fig. 5c: l'effet de la lumière est tel que le transistor est toujours passant ON dans la gamme d'utilisation. Ceci correspond à des molécules acceptrices d'électrons. - Fig 5d: l'effet de la lumière est tel que le transistor de type p est transformé en transistor de type n. Ceci correspond à des molécules donneuses d'électron, pour lesquels le courant de trous est supprimé pour Vgs 0. - Fig 5e: l'effet de la lumière est tel que la transconductance est améliorée. Ceci correspond à une diminution de la hauteur de la barrière de Schottky augmentant l'injection des trous. - Fig. 5f: l'effet de la lumière est tel que la transconductance est diminuée. Ceci correspond à une augmentation de la hauteur de la barrière de Schottky limitant l'injection des trous. En résumé, les effets représentés aux Fig. 5b à 5d correspondent à un dopage alors que ceux des Fig. 5e et 5f correspondent à une modification de l'injection par modification des électrodes. La longueur d'onde de la lumière qui commande les transistors est sélectionnée en fonction de leur absorption par les molécules utilisées. Elle peut donc être choisie, et ce, dans une large gamme (en fonction des matériaux) incluant le visible et le proche ultra-violet. Cette possibilité d'ajuster la longueur d'onde de commande par un paramètre extérieur au nanotube est la clé de l'utilisation de cette commande pour la réalisation de circuits. En effet, elle permet d'envisager des circuits contenant plusieurs transistors fonctionnalisés par des molécules différentes et s réagissant à des longueurs d'onde différentes. L'invention concerne également un circuit électronique reconfigurable comprenant au moins un dispositif semiconducteur tel que défini ci-dessus couplé à au moins un dispositif d'éclairement apte à modifier au moins un paramètre électronique et/ou la fonction dudit dispositif lo semiconducteur. On peut considérer de façon fonctionnelle (figure 6) un circuit électronique comme une "boîte noire" transformant un ensemble de signaux électriques d'entrée (El à En) en un ensemble de signaux de sortie (SI à Sn). La fonction du circuit est la fonction f qui relie les signaux de sortie aux signaux d'entrée. Le circuit global peut contenir des souscircuits qui travaillent sur un nombre restreint de signaux d'entrée et fournissent un ensemble restreint de signaux de sortie intermédiaires. Le circuit est optiquement reconfigurable si la fonction globale f varie en fonction de l'éclairement (présence ou absence d'éclairement, intensité I, longueur d'onde 1). Pour cela, on peut considérer plusieurs configurations: - le circuit (Fig. 6a) est un circuit simple. Il n'est pas nécessaire de le concevoir comme un ensemble de sous-circuits. f est fonction de l'éclairement: f(l, X). - le circuit (Fig. 6b) est composé de sous-circuits répondant chacun différemment à la lumière: fscn(In, Xn). Eventuellement, certains souscircuits peuvent ne pas être sensibles à la lumière. Dans cette option, chaque sous-circuit est fonctionnalisé avec un type de molécules différent. - le circuit (Fig. 6c) est composé de sous circuits ne répondant pas à la lumière mais leur activation est contrôlée par des transistors de contrôle(TI à Tn) qui sont eux, photo-sensibles. Dans cette option, seuls les transistors de contrôle sont fonctionnalisés chimiquement pour être rendus photo-sensibles à une ou plusieurs longueurs d'onde choisies. 15 REVENDICATIONS 1) Dispositif semiconducteur comprenant un nanotube ou un nanofil, notamment de carbone, ainsi que des électrodes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une région en partie recouverte d'au moins une couche de molécules ou de nanocristaux d'au moins un matériau photo-sensible. 2) Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites molécules sont amphiphiles. 3) Dispositif selon une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit matériau est une phtalocyanine présentant un atome central métallique. 4) Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit atome central est du cuivre. 5) Dispositif selon une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que le phtalocyanine présente des chaînes aliphatiques. 6) Dispositif selon une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit matériau est une porphyrine, une azaporphyrine ou ses dérivés. 7) Dispositif selon une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit matériau est un colorant ou un chromophore. 8) Dispositif selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit matériau est sous forme d'un film mince. 9) Dispositif selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins une dite couche est ordonnée. 10) Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit matériau est un nano-cristal semi-conducteur. 11) Dispositif selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une dite région est une surface externe et/ou interne du 30 nanotube ou du nanofil. 12) Dispositif selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une dite région est une électrode du dispositif semi-conducteur. 13) Dispositif selon une des revendications précédentes, 35 caractérisé en ce qu'il constitue un transistor. 14) Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'une dite région est une surface d'un diélectrique de grille du transistor. 15) Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'une dite région est une surface d'un substrat sur lequel est disposé le nanotube ou nanofil. 16) Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le dispositif semi-conducteur est une diode. 17) Dispositif selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins deux dites régions recouvertes d'au 10 moins une dite couche de matériaux photo-sensibles différents. 18) Circuit électronique caractérisé en ce qu'il comporte au moins un dispositif semiconducteur selon une des revendications précédentes couplé à au moins un dispositif d'éclairement apte à modifier au moins un paramètre électronique et/ou la fonction dudit dispositif semiconducteur. 19) Procédé de commande d'un dispositif semiconducteur selon une des revendications 1 à 17 ou du circuit électronique selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il met en oeuvre un éclairement d'au moins une dite région par une lumière de longueur d'onde située dans une région d'absorption de la lumière par ledit matériau.