Brevet FR2882820A1 — publié le 20060908

ELEMENT DE DETECTION INFRAROUGE DE TYPE THERMIQUE CONTEXTE DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention concerne un élément de détection infrarouge de type thermique ayant un film absorbant les infrarouges amélioré qui constitue un photorécepteur. Etat de la technique antérieure Un élément de détection infrarouge de type thermique mesure la température d'un objet à partir de la variation de résistance qui se produit dans un élément résistif sensible à la chaleur. Ceci se produit en général lorsque des rayons infrarouges émis par un corps sont absorbés et convertis en chaleur dans un film absorbant les infrarouges, la température d'un film mince bolométrique ou d'un autre élément résistif sensible à la chaleur qui forme un diaphragme ayant une structure à microponts augmente et la résistance de l'élément résistif varie. Plus spécifiquement, ce type d'élément de détection infrarouge de type thermique se compose d'un photorécepteur et d'une poutre servant à maintenir le photorécepteur dans un état suspendu au-dessus d'un circuit imprimé. Le photorécepteur est muni d'une couche bolométrique et d'un film absorbant les infrarouges pour absorber les rayons infrarouges incidents et protéger la couche bolométrique. La poutre est munie de connexions pour connecter la couche bolométrique à un circuit de lecture préalablement formé sur le circuit imprimé. Lorsque les rayons infrarouges incidents sont absorbés par le film absorbant les infrarouges et que la température du photorécepteur augmente, la résistance de la couche bolométrique varie et cette variation de résistance est détectée par le circuit de lecture et délivrée en sortie sous la forme d'une température. Un élément de détection infrarouge de type thermique ayant ce type de structure est présenté par exemple dans le document JP-A 2002- 71452 (pages 5 à 8, figure 6). L'augmentation de la variation de résistance de la couche bolométrique par rapport à la variation de température du photorécepteur est très importante pour augmenter la sensibilité (rapport S/B) de l'élément de détection infrarouge de type thermique décrit ci-dessus. Par conséquent, un matériau ayant un grand coefficient de température de la résistance (CTR: coefficient de température de la résistance) est utilisé pour la couche bolométrique. L'augmentation du rendement d'absorption des rayons infrarouges incidents est le deuxième facteur le plus important. Dans ce but, un film réfléchissant les infrarouges est prévu dans une position face au photorécepteur sur le circuit imprimé et la distance entre le photorécepteur et le film réfléchissant les infrarouges est fixée de manière à former une structure de résonance optique. Afin d'augmenter aussi le rendement d'absorption pour les rayons infrarouges incidents, le film absorbant les infrarouges qui constitue un photorécepteur est doté d'une structure stratifiée faite de films composés de matériaux différents. Etant donné que l'élément de détection infrarouge de type thermique ainsi configuré détecte des rayons infrarouges ayant des longueurs d'onde de 8 à 14 pm dans la fenêtre dite atmosphérique, le film absorbant les infrarouges doit se composer d'un matériau qui absorbe des rayons infrarouges ayant les longueurs d'onde précitées. Du point de vue de la fabrication, le film absorbant les infrarouges doit également se composer d'un matériau qui est facile à transformer en film, à graver ou à traiter d'une autre manière. Par conséquent, l'oxyde de silicium (SiO), le nitrure de silicium (SiN), le carbure de silicium (SiC), l'oxynitrure de silicium (SION), le carbonitrure de silicium (SiCN) et similaires ont été classiquement utilisés en tant que matériaux répondant à ces conditions. Toutefois, bien que ces matériaux absorbent les rayons infrarouges dans la gamme d'ondes précitée, étant donné que le taux d'absorption est élevé à l'extrémité de grande longueur d'onde (approximativement 10 à 13 pm) de la gamme d'ondes précitée et faible à son extrémité de courte longueur d'onde (approximativement 8 à 10}gym), les rayons infrarouges à l'extrémité de courte longueur d'onde de la gamme d'ondes précitée ne sont pas utilisés efficacement. Plus spécifiquement, comme le montre la figure 1, le SiC présente une absorption maximale des longueurs d'onde voisines de 13 pm; le SiN, le SiCN et le SiON ont une absorption maximale des longueurs d'onde voisines de 12}gym; et l'absorption est élevée pour les rayons infrarouges à l'extrémité de grande longueur d'onde de la gamme d'ondes précitée. Toutefois, l'absorption chute brutalement à l'extrémité de courte longueur d'onde et l'absorption dans la gamme d'ondes de 8 à 12 pm pour le SiON et le SiN n'est que de 20% environ. Etant donné que le taux d'absorption du SiO est maximal au voisinage de 10 pm mais qu'il est généralement faible comparé à celui du SiN, du SiON et du SiC, les rayons infrarouges ayant des longueurs d'onde dans la gamme précitée ne peuvent pas être absorbés avec un bon rendement. Par conséquent, les rayons infrarouges à l'extrémité de courte longueur d'onde de la gamme d'ondes précitée ne peuvent pas être utilisés efficacement même lorsque des films absorbant les infrarouges composés de ces matériaux sont combinés dans un stratifié. Ceci se traduit par des inconvénients qui font que la sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique ne peut pas être augmentée adéquatement. Une méthode consistant à augmenter l'épaisseur du film absorbant les infrarouges est également envisagée comme une manière d'augmenter le rendement d'absorption des rayons infrarouges mais la capacité calorique du photorécepteur augmente lorsque l'épaisseur du film absorbant les infrarouges augmente et la variation de température en fonction des rayons infrarouges incidents diminue. Etant donné qu'un film absorbant les infrarouges est également formé dans la poutre, le diamètre de la pcutre augmente et la quantité de chaleur dégagée en direction du circuit imprimé augmente. Par conséquent, la sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique ne peut pas être augmentée par cette méthode. RESUME DE L'INVENTION Un objet de la présente invention est d'améliorer la structure d'un film absorbant les infrarouges constituant un photorécepteur et de proposer un élément de détection infrarouge de type thermique grâce auquel les rayons infrarouges incidents sont absorbés efficacement et la sensibilité est accrue. L'élément de détection infrarouge de type thermique selon le premier aspect de la présente invention a une structure qui permet d'absorber les rayons infrarouges dans une gamme d'ondes de 8 à 14 pm environ, ladite structure étant composée d'une pluralité de types de films et un film composé de SiCO est inclus dans la pluralité de types de films. L'élément de détection infrarouge de type thermique selon le deuxième aspect de la présente invention est un élément de détection infrarouge de type thermique dans lequel un photorécepteur muni d'un élément résistif sensible à la chaleur et d'un film absorbant les infrarouges est maintenu en l'air par une poutre dont une extrémité est fixée à un substrat, le film absorbant les infrarouges étant composé d'une pluralité de types de films et un film composé de SiCO est inclus dans la pluralité de types de films. L'élément de détection infrarouge de type thermique selon le troisième aspect de la présente invention est un élément de détection infrarouge de type thermique dans lequel un photorécepteur muni d'un élément résistif sensible à la chaleur et d'un film absorbant les infrarouges est maintenu en l'air par une poutre dont une extrémité est fixée à un substrat, le film absorbant les infrarouges étant composé d'une pluralité de types de films et la pluralité de types de films comprend un film composé de matériau SiCO et un film composé d'un matériau quelconque choisi dans le groupe constitué par le SiO, le SiN, le SiC, le SiON et le SiCN. L'élément de détection infrarouge de type thermique selon le quatrième aspect de la présente invention est un élément de détection infrarouge de type thermique qui comprend un photorécepteur muni d'un élément résistif sensible à la chaleur et d'un film absorbant les infrarouges et une poutre qui comprend une connexion dont une extrémité est connectée à l'élément résistif sensible à la chaleur et dont l'autre extrémité est connectée à un circuit formé dans un substrat, le photorécepteur étant maintenu en l'air par la poutre; dans lequel le film absorbant les infrarouges comprend une pluralité de types de films qui comprend un premier film absorbant les infrarouges formé dans la couche inférieure de l'élément résistif sensible à la chaleur, un deuxième film absorbant les infrarouges formé dans la couche supérieure de l'élément résistif sensible à la chaleur et un troisième film absorbant les infrarouges formé dans la couche supérieure de la connexion, connectée à l'élément résistif sensible à la chaleur par le biais d'un trou traversant prévu dans le deuxième film absorbant les infrarouges; et la pluralité de types de films comprend un film composé de matériau SiCO et un film composé d'un matériau quelconque choisi dans le groupe constitué par le S-_O, le SiN, le SiC, le SiON et le SiCN. La présente invention peut être configurée de telle façon que le film composé de matériau SiCO est formé dans une couche autre que la couche la plus à l'extérieur. La présente invention peut également être configurée de telle façon que certains films dans la pluralité de types de films sont formés uniquement dans le photorécepteur et d'autres films sont formés en continu avec à la fois le photorécepteur et la poutre. Il est préféré dans la présente invention que le film composé de SiCO ait une absorption maximale pour les rayons infrarouges dans la gamme d'ondes de 9 à 10 pm environ. Ainsi, dans la présente invention, le film absorbant les infrarouges et d'autres structures absorbant les infrarouges qui constituent un photorécepteur de l'élément de détection infrarouge de type thermique ont une structure stratifiée dans laquelle un film composé de matériau SiCO ayant une absorption élevée à l'extrémité de courte longueur d'onde de la gamme d'ondes de 8 à 14 pm est combiné avec un film composé de SiO, de SiN, de SiC, de SiON, de SiCN ou d'un autre matériau ayant une absorption élevée à l'extrémité de grande longueur d'onde de la gamme d'ondes précitée. Par conséquent, les rayons infrarouges à l'extrémité de courte longueur d'onde, qui ne peuvent pas être utilisés efficacement par l'élément de détection infrarouge de type thermique classique, peuvent être efficacement absorbés, ce qui accroît la sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique. Grâce à l'élément de détection infrarouge de type thermique de la présente invention ainsi configuré, les rayons infrarouges qui sont incidents dans la fenêtre atmosphérique dans la gamme d'ondes de 8 à 14 pm peuvent être efficacement absorbés. La sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique peut ainsi être accrue. La raison en est que le film absorbant les infra-rouges qui constitue un photorécepteur de l'élément de détection infrarouge de type thermique est un film stratifié dans lequel un film composé du matériau SiCO nouvellement découvert par le présent déposant, ayant une absorption élevée à l'extrémité de courte longueur d'onde (approximativement 8 à 10 pm) de la gamme d'ondes précitée, est combiné avec un film composé de SiO, de SiN, de SiC, de SiON, de SiCN ou d'un autre matériau ayant un taux d'absorption élevé à l'extrémité de grande longueur d'onde (approximativement 10 à 14 pm) de la gamme d'ondes précitée. Par conséquent, les rayons infrarouges à l'extrémité de courte longueur d'onde, qui ne peuvent pas être efficacement utilisés par l'élément de détection infrarouge de type thermique classique, peuvent être absorbés par le film de SiCO. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est un graphique montrant les caractéristiques d'absorption des infrarouges de divers types de matériaux classiques; La figure 2 est une vue en coupe dans laquelle la structure d'un pixel de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon un mode de réalisation de la présente invention est représenté schématiquement dans l'alignement du trajet du courant; La figure 3 est un graphique montrant les caractéristiques d'absorption des infrarouges de divers 10 types de matériaux comprenant du SiCO; La figure 4 est un graphique montrant les caractéristiques d'absorption des infrarouges d'un film stratifié SiCO/SiON; La figure 5 est un graphique montrant les carac- téristiques d'absorption des infrarouges du SiCO, du SiCN, du SiON et d'un film stratifié SiCO/SiCN/SiON; Les figures 6 à 12 sont des vues en coupe montrant la séquence des étapes du procédé de fabrication de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon un mode de réalisation de la présente invention; La figure 13 est une vue en coupe dans laquelle la structure de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon un autre mode de réalisation de la présente invention est représentée dans l'alignement du trajet du courant; et La figure 14 est une vue en coupe dans laquelle la structure de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon encore un autre mode de réalisation de la présente invention est représentée dans l'alignement du trajet du courant. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES Ainsi que décrit à propos de la technique antérieure, il est important qu'un film absorbant les infrarouges qui constitue un photorécepteur soit formé à partir d'un matériau ayant de bonnes caractéristiques d'absorption des infrarouges afin d'accroître la sensibilité avec laquelle un élément de détection infrarouge de type thermique détecte des rayons infrarouges qui sont incidents dans la fenêtre atmosphérique de la gamme d'ondes de 8 à 14 pm. Toutefois, le SiO, le SiN, le SiC, le SiON, le SiCN et d'autres matériaux classiquement utilisés présentent tous les inconvénients d'une faible absorption des rayons infrarouges au voisinage de 8 à 10 pm et d'une incapacité à utiliser efficacement les rayons infrarouges incidents. Suite à la formation d'un film absorbant les infrarouges en utilisant divers matériaux de départ et en mesurant les caractéristiques d'absorption des infrarouges du film absorbant les infrarouges ainsi formé afin de pallier les inconvénients précités, les inventeurs ont découvert que le SiCO obtenu en liant du silicium, du carbone et de l'oxygène les uns aux autres selon un ratio de 1:1:1 est facile à transformer en film ou à graver, possède une bonne aptitude au façonnage, une capacité adéquate en tant que film protecteur, une absorption maximale à l'extrémité de courte longueur d'onde (voisine de 9 à 10}gym) de la gamme d'ondes précitée et un taux d'absorption crête qui est extrêmement élevé (de 50% ou supérieur) comparé à d'autres matériaux. En dotant ainsi le film absorbant les infrarouges qui constitue un photorécepteur d'un élément de détection infrarouge de type thermique présentant une structure stratifiée dans laquelle un film composé du matériau SiCO nouvellement découvert est combiné avec un film composé de SiO, de SiN, de SiC, de SiON, de SiCN ou d'autres matériaux connus du public, les inventeurs ont réussi à augmenter l'absorption des rayons infrarouges dans une gamme de longueurs d'onde étendue, allant de l'extrémité de courte longueur d'onde de la gamme d'ondes précitée à son extrémité de grande longueur d'onde. La variation de température du photorécepteur a ainsi été augmentée et la sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique a été accrue. Etant donné que le taux d'absorption à des longueurs d'onde plus grandes diminue lorsque le film composé de ce matériau SiCO est utilisé seul, le film composé du nouveau matériau SiCO dans la présente invention est utilisé en combinaison avec un film classique ayant un taux d'absorption élevé à des longueurs d'onde plus grandes. Toutefois, le film de SiCO peut être utilisé pour n'importe quel film dans le film absorbant les infrarouges à structure stratifiée et n'importe quel type de film peut être choisi comme autre film combiné avec le film de SiCO. Un élément de détection infrarouge de type thermique utilisant ce film de SiCO comme film absorbant les infrarouges va être décrit ci-après en se référant aux dessins. Un élément de détection infrarouge de type thermique selon un mode de réalisation de la présente invention va être décrit en se référant aux figures 2 à 14 afin de décrire plus en détail le mode de réalisation de la présente invention décrit ci-dessus. La figure 2 est une vue en coupe dans laquelle un pixel de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon le présent mode de réalisation est représenté dans l'alignement du trajet du courant et la figure 3 est un graphique montrant les caractéristiques d'absorption des infrarouges de divers types de matériaux comprenant du SiCO. La figure 4 est un graphique montrant les caractéristiques d'absorption des infrarouges d'un film stratifié SiCO/SION et la figure 5 est un graphique montrant les caractéristiques d'absorption des infrarouges lorsque du SiCO, du SiCN et du SiON sont utilisés dans des films à une seule couche et lorsque ces matériaux sont utilisés dans un film stratifié. Les figures 6 à 12 sont des vues en coupe montrant la séquence des étapes du procédé de fabrication de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon le présent mode de réalisation et les figures 13 et 14 sont des vues en coupe montrant une autre structure de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon le présent mode de réalisation. Dans l'élément de détection infrarouge de type thermique du présent mode de réalisation, comme le montre la figure 2, un film réfléchissant les infrarouges 3 composé d'Al, Ti, W ou d'un siliciure de l'un quelconque de ces éléments sous la forme d'un film ou similaire est formé sur un circuit imprimé 1 dans lequel un circuit de lecture 2 est incorporé dans une tranche de silicium ou une tranche d'un autre semi-conducteur par un procédé CMOS; et un film protecteur 4 composé d'un film d'oxyde de silicium, d'un film de nitrure de silicium, d'un film d'oxynitrure de silicium ou similaire est formé sur sa couche supérieure. Une partie en creux 12 est remplie d'un polyimide photosensible à motifs à un stade intermédiaire de la fabrication du dispositif et elle est enlevée par polissage au plasma d'oxygène ou similaire dans l'étape finale de fabrication du dispositif. La couche formée par le remplissage de cette partie en creux 12 est en général appelée couche sacrificielle. Un photorécepteur 11 est formé sur cette couche sacrificielle et une poutre 10 connectée à la partie d'extrémité du photorécepteur 11 est formée sur la surface latérale de la couche sacrificielle. Le photorécepteur 11 se compose par exemple d'une couche bolométrique 6 composée de oxyde de vanadium ou similaire et d'un film absorbant les infrarouges (dans le cas présent un premier film absorbant les infrarouges 5, un deuxième film absorbant les infrarouges 7 et un troisième film absorbant les infrarouges 9) ayant une structure stratifiée pour absorber les rayons infrarouges dans la gamme d'ondes de 8 à 14 pm et protéger la couche bolométrique 6. La poutre 10 se compose d'une connexion 8 composé de Ti ou similaire et d'un film protecteur (dans le cas présent un premier film absorbant les infrarouges 5, un deuxième film absorbant les infrarouges 7 et un troisième film absorbant les infrarouges 9, de la même manière que dans le cas du photorécepteur 11) pour protéger cette connexion 8 et elle sépare le photorécepteur 11 du substrat par le biais de la partie creuse 12 et elle maintient [le photorécepteur] en l'air au-dessus du circuit imprimé 1, créant ainsi une structure de séparation thermique. Les rayons infrarouges qui sont incidents dans la gamme d'ondes de 8 à 14 pm de la fenêtre atmosphérique sont absorbés par le premier film absorbant les infra-rouges 5, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 et le troisième film absorbant les infrarouges 9 et ils provoquent une augmentation de la température du photo-récepteur 11. La résistance de la couche bolométrique 6 varie conjointement avec l'augmentation de la température du photorécepteur 11 et cette variation de résistance de la couche bolométrique 6 est détectée par le circuit de lecture 2 connecté par l'intermédiaire d'un ensemble d'électrodes 13, de la connexion 8 et d'un ensemble de contacts 14. Il suffit que le matériau bolométrique soit un matériau ayant un coefficient de température de la résistance (CTR) élevé et l'un quelconque des matériaux suivants peut être utilisé en dehors de l'oxyde de vanadium: un oxyde de NiMoCo, un film mince en Ti métal, un film mince en silicium polycristallin, un film mince en silicium non cristallin, un film mince en germanium non cristallin, un film mince en silicium et germanium non cristallins, un film mince en (La, Sr)MnO3r un film mince en YBaCuO ou similaire peut être utilisé. Il suffit également que le matériau utilisé pour la connexion 8 ait une faible conductivité thermique et, en dehors du Ti, un alliage de Ti ou le NiCr peut être utilisé. Un composant dans lequel du bore ou de l'arsenic est implanté/diffusé à une concentration élevée dans du silicium peut aussi être utilisé à la place de la connexion 8 lorsque du silicium polycristallin ou du silicium non cristallin est utilisé dans le matériau bolométrique. Dans le passé, le SiO, le SiN, le SiC, le SiON, le SiCN et similaires ont été utilisés comme matériau pour le premier film absorbant les infrarouges 5, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 et le troisième film absorbant les infrarouges 9. Toutefois, comme le montre la figure 3, étant donné que ces matériaux présentent une absorption élevée à l'extrémité de grande longueur d'onde et une faible absorption à l'extrémité de courte longueur d'onde de la gamme d'ondes de 8 à 14 pm de la fenêtre atmosphérique, ils présentent des inconvénients tels qu'il est impossible d'absorber efficacement les rayons infrarouges qui pénètrent par la fenêtre atmosphérique, même lorsque ces matériaux sont combinés. Par conséquent, le présent mode de réalisation adopte une configuration qui tire parti de l'absorption maximale à 9 à 10 pm du SiCO nouvellement découvert par le présent déposant, grâce à quoi les rayons infrarouges incidents peuvent être efficacement absorbés en utilisant le film de SiCO dans l'un quelconque des films absorbant les infrarouges précités. Ce film de SiCO peut être formé en utilisant un procédé de pulvérisation cathodique à haute fréquence ou un procédé de dépôt CVD (Chemical Vapor Deposition) par plasma. Par exemple, lorsqu'on utilise un procédé de pulvérisation cathodique à haute fréquence, le film peut facilement être formé dans des conditions comprenant une pression de gaz d'environ 0,01 torr (1,33 Pa) et une puissance HF d'environ 100 W en utilisant des gaz Ar et 02 et en prenant du SiC comme cible. Lorsqu'on utilise un procédé de dépôt CVD par plasma, le film peut facilement être formé dans des conditions comprenant une température de formation de film d'environ 250 C et une pression de gaz d'environ 1 torr (133,3 Pa) en utilisant du SiH4, du C3H6 et du N2O comme gaz matériaux de départ. On a confirmé que, dans ces conditions de formation de film, il se forme un film dans lequel du silicium, du carbone et de l'oxygène sont liés les uns aux autres selon un ratio de 1:1:1. Lorsqu'on utilise un procédé de dépôt CVD par plasma, il est possible de former séquentiellement différents types de films en changeant le gaz matériau de départ. Par exemple, après avoir formé un film en utilisant du SiH4, du NH3, du N2O ou du N2 comme gaz matériau de départ, un film de SiCO ayant un rendement d'absorption maximal à 9 à 10}. zm peut être stratifié sur un film de SiON ayant une absorption maximale au voisinage de 12 pm en faisant passer le gaz matériau de départ à du SiH4, du C3H6 ou du N2O pendant la formation du film. L'observation des caractéristiques d'absorption des infrarouges de ce film stratifié a confirmé que son taux d'absorption est élevé sur toute la gamme allant de l'extrémité de courte longueur d'onde à l'extrémité de grande longueur d'onde de la fenêtre atmosphérique, comme l'indique la ligne en trait plein sur la figure 4. Du fait que les caractéristiques d'absorption des infrarouges de ce film stratifié correspondent à peu près aux caractéristiques (ligne en pointillés sur le graphique) obtenues en superposant les caractéristiques d'absorption des infrarouges de chaque film, on peut estimer le type de caractéristiques d'absorption des infrarouges que ce film stratifié présente en observant les caractéristiques d'absorption des infrarouges de différents types de films. Il suffit que le film absorbant les infrarouges qui constitue un photorécepteur 11 dans la présente invention comprenne un film de SiCO et la combinaison de même que la séquence de stratification des films stratifiés peut être fixée arbitrairement. Par exemple, lorsqu'il y a cinq types de matériaux, comprenant du SiO, du SiN, du SiC, du SiON et du SiCN en plus du SiCO, les cinq combinaisons suivantes de films stratifiés sont possibles dans le cas d'une structure à deux couches: (SiCO, SiO), (SiCO, SiN), (SiCO, SiC), (SiCO, SiON), (SiCO, SiCN). Les dix combinaisons suivantes sont possibles dans le cas d'une structure à trois couches: (SiCO, SiO, SiN), (SiCO, SiO, SiC), (SiCO, SiO, SiON), (SiCO, SiO, SiCN), (SiCO, SiN, SiC), (SiCO, SiN, SiON), (SiCO, SiN, SiCN), (SiCO, SiC, SiON), (SiCO, SiC, SiCN) et (SiCO, SiON, SiCN) (il en va de même dans le cas d'une structure à quatre couches). Il est également possible d'utiliser le même type de film dans deux ou plusieurs couches (par exemple SiN/SiCO/SiN ou une autre combinaison) dans le cas d'une structure stratifiée ayant trois couches ou plus et des matériaux autres que les cinq types de matériaux décrits ci-dessus peuvent également être utilisés. Bien que l'on puisse utiliser n'importe laquelle des combinaisons décrites ci-dessus comme film absorbant les infrarouges, une combinaison davantage préférée peut aussi être choisie en tenant compte des caractéristiques d'absorption des infrarouges, de la capacité calorique, de l'indice de réfraction, des caractéristiques du film protecteur (par exemple ses caractéristiques d'absorption d'humidité, sa solidité mécanique, son coefficient de dilatation et d'autres caractéristiques), de l'interaction avec le matériau bolométrique et d'autres éléments, de l'aptitude au façonnage (par exemple la sélectivité de gravure par rapport à d'autres éléments) et de la fabricabilité (par exemple la température de formation de film ou le type de gaz matériau de départ), et d'autres caractéristiques. Par exemple, un film stratifié à deux couches peut être créé lorsque les priorités sont la simplification du processus de fabrication et la réduction de la capacité calorique du film stratifié dans son ensemble. Lorsque la priorité est donnée à l'augmentation du rendement d'absorption des rayons infrarouges incidents, il est possible de créer un film stratifié ayant trois couches ou plus dans lequel la longueur d'onde depic du photorécepteur 11 diffère et l'absorption entre les pics est aussi grande que possible. Par exemple, dans une combinaison de SiCO, SiCN et SiON, les caractéristiques d'absorption des infrarouges deviennent ce que montre la figure 5 et l'absorption sur la totalité de la gamme d'ondes de 8 à 14 pm peut être encore augmentée au-delà de celle de la combinaison illustrée sur la figure 4. La séquence de stratification est arbitraire lorsqu'on ne tient compte que des caractéristiques d'absorption des rayons infrarouges. Toutefois, étant donné qu'un film de SiCO et un film de SiO, par exemple, ont une absorption d'humidité élevée, comparés à autre matériaux, il est plus avantageux, en termes d'augmentation de la fiabilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique, d'utiliser ces films dans une couche (le premier film absorbant les infrarouges 5 ou le deuxième film absorbant les infrarouges 7 dans la structure illustrée sur la figure 2) autre que la couche supérieure (couche la plus à l'extérieur). L'absorption peut être encore augmentée lorsque l'épaisseur de chaque film constituant un film stratifié augmente mais, d'autre part, la capacité calorique du photorécepteur 11 augmente également, la variation de température de la couche bolométrique 6 diminue, la poutre:10 est plus épaisse et une grande quantité de chaleur se dégage. L'épaisseur de chaque film doit donc être définie en tenant compte de l'effet global du taux d'absorption, des performances voulues pour l'élément de détection infrarouge de type thermique et d'autres facteurs. Par conséquent, bien qu'il n'y ait pas de limitation particulière imposée quant à l'épaisseur spécifique, le film de SiCO, par exemple, peut être réalisé plus mince que les films composés d'autres matériaux du fait de la grande valeur crête du taux d'absorption du film de SiCO, et on a confirmé qu'il a une capacité adéquate en tant que film absorbant les infrarouges lorsque son épaisseur est d'environ 0,05 pm ou supérieure. Le procédé de fabrication de l'élément de détection infrarouge de type thermique ayant la structure précitée va à présent être décrit en se référant aux figures 6 à 12, qui montrent la structure d'un pixel dans l'alignement du trajet du courant. Les figures 6 à 12 sont des vues en coupe montrant la séquence des étapes du procédé de fabrication de l'élément de détection infrarouge de type thermique selon un mode de réalisation de la présente invention. La structure et le procédé de fabrication décrits ci-après ne sont que de simples exemples et les conditions de fabrication, l'épaisseur des films et d'autres aspects peuvent être modifiés s'il y a lieu. En premier lieu, comme le montre la figure 6, un circuit CMOS (circuit de lecture 2) ou similaire pour lire un signal est formé à l'intérieur d'une tranche de silicium ou un autre circuit imprimé 1 en utilisant un procédé connu du public. Un métal tel qu'un film composé d'Al, Ti, w ou d'un siliciure de l'un quelconque de ces éléments sous la forme d'un film ou similaire est ensuite déposé à une épaisseur d'environ 500 nm sur le circuit imprimé 1 par pulvérisation cathodique à haute fréquence et partiellement gravé en utilisant en tant que masque un motif d'épargne formé en utilisant une technique de photogravure et un film réfléchissant les infrarouges 3, destiné à réfléchir les rayons infrarouges incidents au photorécepteur 11 de chaque pixel, est formé. Un ensemble de contacts 14 est également formé pour connecter le circuit de lecture 2 dans le circuit imprimé 1 à une extrémité de la connexion, dont l'autre extrémité est connectée à la couche bolométrique. Un film d'oxyde de silicium, un film de nitrure de silicium, un film d'oxynitrure de silicium ou similaire est ensuite déposé par dépôt CVD par plasma et un film protecteur 4 destiné à protéger le film réfléchissant les infrarouges 3 et l'ensemble de contacts 14 est formé. Un film en polyimide photosensible ou un autre film organique est ensuite appliqué sur toute la surface du circuit imprimé 1 et le film en polyimide photosensible est enlevé par insolation/développement de la zone autre que la zone dans laquelle le photorécepteur 11 est formé, comme le montre la figure 7. Une densification est ensuite effectuée à une température d'environ 400 C et une couche sacrificielle 12a destinée à former une structure à microponts est formée. L'épaisseur de cette couche sacrificielle 12a est fixée à environ 1,2 pm de telle façon qu'une structure de résonance optique est formée par le film réfléchissant les infrarouges 3 et le photorécepteur 11 décrit ci-après. Un film ayant une épaisseur d'environ 300 nm est ensuite formé sur toute la surface du circuit imprimé 1 à partir d'un matériau (SiON, par exemple) choisi dans le groupe constitué par le SiCO, le SiO, le SiN, le SiC, le SiON, le SiCN et similaire en utilisant la pulvérisation cathodique à haute fréquence ou le dépôt CVD par plasma et un premier film absorbant les infrarouges 5 est formé sur le dessus et sur la surface latérale de la couche sacrificielle 12a, comme le montre la figure 8. N'importe quel matériau parmi les matériaux décrits ci-dessus peut être utilisé pour former le premier film absorbant les infrarouges 5 mais on choisit de préférence un matériau qui résiste à la gravure de la couche sacrificielle 12a décrite ci-après, qui possède une solidité adéquate pour supporter la couche bolométrique 6 formée dessus et qui présente une bonne adhérence et une absence d'interaction avec la couche bolométrique 6. Un film contenant du SiCO, du SiC, du SiCN ou un autre matériau carboné peut être formé soit par pulvérisation cathodique à haute fréquence, soit par dépôt CVD par plasma, et un film de SiO, de SiN, de SiON ou d'un autre matériau exempt de carbone peut être formé par un procédé de dépôt CVD par plasma. De l'oxyde de vanadium est ensuite déposé sur le premier film absorbant les infrarouges 5 par pulvérisation cathodique réactive sous une atmosphère d'oxygène, le film mince en oxyde de vanadium est partiellement gravé par gravure au plasma en utilisant du fluor gaz avec un motif d'épargne servant de masque et une couche bolométrique 6 est formée sur le premier film absorbant les infrarouges 5, comme le montre la figure 9. Ici, un film mince d'oxyde de vanadium est utilisé comme couche bolométrique 6 mais un autre matériau ayant un grand coefficient de température de la résistance (CTR) ainsi que décrit ci-dessus peut également être utilisé. Un film ayant une épaisseur d'environ 50 nm est ensuite formé sur toute la surface du circuit imprimé 1 à partir d'un matériau (SiCO, par exemple) choisi dans le groupe constitué par le SiCO, le SiO, le SiN, le SiC, le SiON, le SiCN et similaire par pulvérisation cathodique à haute fréquence ou par dépôt CVD par plasma et un deuxième film absorbant les infrarouges 7 destiné à protéger la couche bolométrique 6 est formé, comme le montre la figure 10. N'importe quel matériau choisi parmi les matériaux décrits ci-dessus peut être utilisé pour former le deuxième film absorbant les infrarouges 7 mais on choisit de préférence un matériau qui est différent de celui du premier film absorbant les infrarouges 5 afin d'améliorer les caractéristiques d'absorption des infrarouges et qui présente une bonne adhérence et une absence d'interaction avec la couche bolométrique 6. Une gravure au plasma est ensuite effectuée en utilisant du tétrafluorure de carbone comme gaz de gravure et un motif d'épargne comme masque, le premier film absorbant les infrarouges 5 et le deuxième film absorbant les infrarouges 7 sur l'ensemble de contacts 14 sont enlevés, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 sur la partie d'extrémité de la couche bolométrique 6 est enlevé et un ensemble d'électrodes 13 est formé. Un film est ensuite formé en Ti, en alliage de Ti, en NiCr ou un autre métal de connexion par pulvérisation cathodique à haute fréquence, après quoi le métal de connexion est partiellement gravé par gravure au plasma en utilisant un mélange gazeux de chlore et de trichlorure de bore avec un motif d'épargne comme masque et la connexion 8 est formée, comme le montre la figure 11. Cette connexion 8 réalise la liaison électrique entre l'ensemble d'électrodes 13 de la couche bolométrique 6 et l'ensemble de contacts 14 du circuit imprimé 1 et elle sert de poutre 10 pour maintenir le photorécepteur 11 en l'air. Un film ayant une épaisseur d'environ 300 nm est ensuite formé sur toute la surface du circuit imprimé 1 à partir d'un matériau (SiCN, par exemple) choisi dans le groupe constitué par le SiCO, le SiO, le SiN, le SiC, le SiON, le SiCN et similaire par pulvérisation cathodique à haute fréquence ou par dépôt CVD par plasma et un troisième film absorbant les infrarouges 9, destiné à protéger la couche bolométrique 6 et la connexion 8, est formé, comme le montre la figure 12. N'importe quel matériau choisi parmi les matériaux décrits ci-dessus peut être utilisé pour former le troisième film absorbant les infrarouges 9 mais on choisit de préférence un matériau qui est différent de celui du premier film absorbant les infrarouges 5 et du deuxième film absorbant les infrarouges 7 afin d'améliorer les caractéristiques d'absorption des infrarouges et qui possède une bonne résistance environnementale afin de résister à l'exposition sur la surface la plus à l'extérieur. Une gravure au plasma est ensuite effectuée en utilisant du tétrafluorure de carbone comme gaz de gravure et un motif d'épargne comme masque; un trou traversant (non représenté sur le dessin) est formé dans le premier film absorbant les infrarouges 5, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 et le troisième film absorbant les infrarouges 9; et la couche sacrificielle 12e est enlevée en utilisant un dispositif de polissage au plasma. Comme le montre la figure 2, il est formé un élément de détection infrarouge de type thermique ayant une structure à microponts dans laquelle le photorécepteur 11 est mis en contact avec le circuit imprimé 1 uniquement par l'intermédiaire de la poutre 10. Grâce à l'élément de détection infrarouge de type thermique du présent mode de réalisation ainsi configuré, le film absorbant les infrarouges (premier film absorbant les infrarouges 5, deuxième film absorbant les infrarouges 7 et troisième film absorbant les infrarouges 9) qui constitue le photorécepteur 11 se compose d'un film stratifié dans lequel le film de SiCO découvert par le présent déposant est combiné avec des films formés à partir de matériaux choisis parmi des matériaux connus du public tels que le SiO, le SiN, le SiC, le SiON, le SiCN et similaires. Par conséquent, les rayons infrarouges sur la totalité de la gamme d'ondes de 8 à 14 lm peuvent être efficacement absorbés, provoquant une augmentation de la variation de température de la couche bolométrique 6, et la sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique peut être accrue. Une structure à trois couches, comprenant le premier film absorbant les infrarouges 5, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 et le troisième film absorbant les infrarouges 9, a été adoptée pour la membrane absorbant les infrarouges dans le mode de réalisation décrit ci- dessus mais il suffit que le film absorbant les infrarouges de la présente invention soit un film stratifié comprenant le film de SiCO et un film fait d'un autre matériau. Par exemple, une structure à deux couches qui comprend le premier film absorbant les infrarouges 5 et le deuxième film absorbant les infrarouges 7 peut être adoptée. Dans cette structure, une des couches est le film de SiCO, comme le montre la figure 13. On peut aussi adopter une configuration dans laquelle un autre film, en plus du premier film absorbant les infrarouges 5, du deuxième film absorbant les infrarouges 7 et du troisième film absorbant les infrarouges 9, est ajouté. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, le premier film absorbant les infrarouges 5, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 et le troisième film absorbant les infrarouges 9 ont été formés de façon à être contigus à la fois au photorécepteur 11 et à la poutre 10 mais il n'est pas nécessaire que tous ces films absorbant les infrarouges soient formés dans la poutre 10. Par exemple, le deuxième film absorbant les infrarouges 7 peut être formé uniquement sur le photorécepteur 11, comme le montre la figure 14, et d'autres modifications sont possibles. En fixant ainsi de manière appropriée la structure ou la zone de formation du film absorbant les infrarouges, le taux d'absorption des infrarouges du photorécepteur 11 peut être augmenté tout en empêchant une augmentation de la capacité calorique du photorécepteur 11, un dégagement de chaleur supplémentaire par la poutre 10 et similaires. Un élément de détection infrarouge de type thermique ayant une structure dans laquelle le photorécepteur 11 est maintenu en l'air par la poutre a été décrit dans le mode de réalisation ci-dessus mais la présente invention ne se limite en aucune manière à ce mode de réalisation et elle peut s'appliquer de la même manière à un élément de détection infrarouge de type thermique dans lequel une structure de séparation thermique est formée en creusant le substrat sur lequel le photorécepteur est stratifié, ou à une autre configuration de cet élément. En plus des structures illustrées sur les figures 2, 13 et 14, la présente invention peut également s'appliquer de la même manière à. un élément de détection infrarouge de type thermique dans lequel des éléments en surplomb ou similaires sont prévus sur le dessus du photorécepteur 11 afin d'empêcher la pénétration d'un excès de rayons infrarouges. La structure de la présente invention ne se limite pas aux films absorbant les infrarouges qui constituent un photorécepteur d'un élément de détection infrarouge de type thermique et elle peut également s'appliquer à une structure générale pour absorber des rayons infrarouges dans la gamme d'ondes de 8 à 14}gym. Par exemple, une structure qui comprend un film de SiCO peut être utilisée comme matériau de blindage infrarouge (par exemple un film fixé sur une vitre d'automobile ou sur des verres de lunettes de soleil) et elle peut également être utilisée comme filtre passe-bande ou un autre matériau filtrant. Les rayons infrarouges de longueur d'onde plus courte, qui ne pouvaient pas être efficacement utilisés par les éléments de détection infrarouge de type thermique classiques, peuvent ainsi être absorbés par le film de SiCO, les rayons infrarouges sur la totalité de la gamme d'ondes précitée peuvent être efficacement utilisés et la sensibilité de l'élément de détection infrarouge de type thermique peut être accrue. REVENDICATIONS 1. Film absorbant les infrarouges, comprenant une pluralité de types de films pour absorber des rayons infrarouges dans une gamme d'ondes de 8 à 14 pm environ, dans lequel ladite pluralité de types de films comprend un film composé de SiCO. 2. Elément de détection infrarouge de type thermique, comprenant: un substrat; un photorécepteur muni d'un élément résistif sensible à la chaleur et d'un film absorbant les infrarouges; et une poutre ayant une extrémité fixée audit substrat afin de maintenir ledit photorécepteur en l'air dans un état de séparation d'avec ledit substrat; dans lequel ledit film absorbant les infrarouges comprend une pluralité de types de films et ladite pluralité de types de films comprend un film composé de SiCO. 3. Elément de détection infrarouge de type thermique, comprenant: un substrat; un photorécepteur muni d'un élément résistif 25 sensible à la chaleur et d'un film absorbant les infrarouges; et une poutre ayant une extrémité fixée audit substrat afin de maintenir ledit photorécepteur en l'air dans un état de séparation d'avec ledit substrat; dans lequel ledit film absorbant les infrarouges comprend une pluralité de types de films et ladite pluralité de types de films comprend un film composé de SiCO et un film composé d'au moins un type de matériau choisi dans le groupe constitué par le SiO, le SiN, le SiC, le SiON et le SiCN. 4. Elément de détection infrarouge de type 10 thermique, comprenant: un substrat; un photorécepteur muni d'un élément résistif sensible à la chaleur et d'un film absorbant les infrarouges; et une poutre qui comprend une connexion dont une extrémité est connectée audit élément résistif sensible à la chaleur et dont l'autre extrémité est connectée à un circuit formé dans un substrat, afin de maintenir ledit photorécepteur en l'air dans un état de séparation d'avec ledit substrat; dans lequel ledit film absorbant les infrarouges comprend une pluralité de types de films qui comprend: un premier film absorbant les infrarouges formé dans la couche inférieure dudit élément résistif 25 sensible à la chaleur; un deuxième film absorbant les infrarouges formé dans la couche supérieure dudit élément résistif sensible à la chaleur; et un troisième film absorbant les infrarouges formé dans la couche supérieure de ladite connexion connectée audit élément résistif sensible à la chaleur par le biais d'un trou traversant prévu dans ledit deuxième film absorbant les infrarouges; ladite pluralité de types de films comprenant: un film composé de matériau SiCO; et un film composé d'un matériau quelconque choisi dans le groupe constitué par le SiO, le SiN, le SiC, le SiON et le SiCN. 5. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 2, dans lequel ledit film composé de SiCO est formé dans une couche autre que la couche la plus à l'extérieur. 6. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 3, dans lequel ledit film composé de SiCO est formé dans une couche autre que la couche la plus à l'extérieur. 7. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 4, dans lequel ledit film composé de SiCO est formé dans une couche autre que la couche la plus à l'extérieur. 8. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 2, dans lequel certains films dans ladite pluralité de types de films sont formés seulement dans ledit photorécepteur et les autres films sont formés en continu avec à la fois ledit photorécepteur et ladite poutre. 9. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 3, dans lequel certains films dans ladite pluralité de types de films sont formés seulement dans ledit photorécepteur et les autres films sont formés en continu avec à la fois ledit photorécepteur et ladite poutre. 10. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 4, dans lequel certains films dans ladite pluralité de types de films sont formés seulement dans ledit photorécepteur et les autres films sont formés en continu avec à la fois ledit photorécepteur et ladite poutre. 11. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 2, dans lequel ledit film composé de SiCO a un taux d'absorption maximal pour les rayons infrarouges dans la gamme d'ondes de 9 à 10 pm environ. 12. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 3, dans lequel ledit film composé de SiCO a un taux d'absorption maximal pour les rayons infrarouges dans la gamme d'ondes de 9 à 10 pm environ. 13. Elément de détection infrarouge de type thermique selon la revendication 4, dans lequel ledit film composé de SiCO a un taux d'absorption maximal pour les rayons infrarouges dans la gamme d'ondes de 9 à 10 pm environ.