Brevet FR2884047A1 — publié le 20061006

PROCEDE ET DISPOSITIF D'ENCAPSULATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES La présente invention concerne un procédé et un dispositif d'encapsulation de composants électroniques et optoélectroniques. Les technologies d'encapsulation et ou de mise en boîtier deviennent de plus en plus critiques tant en termes de performances, d'herméticité, de tenue aux chocs et vibrations et de tenue aux variations et cycles thermiques, qu'en termes de coût. De surcroît, la présentation ou packaging finale d'un composant ou d'un sous-système tend à être le plus souvent spécifique et doit satisfaire à la fois aux contraintes d'intégrité du composant ou du sous-système en même temps qu'aux contraintes d'une interface conviviale au niveau de son intégration dans un système quelconque. La nécessité de remplir les spécifications de tenue à des agressions du type environnementale, telles l'humidité ou les cycles de température de forte amplitude, entraîne la nécessité de disposer d'une mise en boîtier hermétique. La contrepartie réside dans la difficulté technologique à réaliser des traversées électriques ou optiques étanches permettant de maintenir une atmosphère neutre à l'intérieur du boîtier ou un vide poussé. Les traversées électriques sont le plus souvent des traversées verremétal bien connues dans l'industrie du vide et de l'ultra-vide. Ces traversées représentent de surcroît un coût significatif impactant le produit final au-delà des objectifs de prix lorsque les marchés concernés représentent un volume important. Ceci est d'autant plus vrai lorsqu'il est nécessaire de rajouter une traversée optique impliquant une fibre optique. Les technologies utilisées dans le cas d'une fibre optique sont également des techniques du type soudure verre métal. La difficulté qui se rajoute alors est dans le maintien de l'efficacité du couplage optique après soudure et sur la fragilisation de la fibre optique après soudure due à des contraintes induites par les paramètres du procédé de soudure notamment la température. Le coût final, par exemple d'un laser en boîtier hermétique, est souvent prohibitif à cause des techniques employées et des faibles rendements de fabrication. De nombreuses recherches aujourd'hui sont consacrées à la réalisation de boîtiers sur tranche silicium visant à intégrer directement le boîtier avec son circuit ou avec son ensemble multi-circuit. La terminologie anglo-saxonne employée pour ces concepts est le "wafer level packaging" ou le boîtier au niveau du substrat. Ces techniques sont à même de résoudre les problèmes de coût associés aux technologies conventionnelles en réalisant des boîtiers de manière collective et à l'échelle du wafer. Ces techniques sont particulièrement adaptées à la microélectronique et à la photonique, domaines nécessitant une miniaturisation de plus en plus poussée. Aujourd'hui, l'herméticité est réalisée à partir de brasures métal (Aluminium, par exemple) obtenues à haute température. L'alignement du wafer boîtier avec le wafer circuits est obtenu, en général, par simple alignement mécanique. En règle générale, ces techniques présentent le défaut suivant: la température de brasure est élevée et peut détériorer les composants à encapsuler. De plus, l'alignement du boîtier encapsulant est imparfait et ne permet pas d'y inclure des composants optiques tel une lentille boule permettant le couplage du laser avec une fibre. Enfin, il est difficile de réaliser la brasure tout en maintenant le vide dans le boîtier. L'invention vise à remédier à ces inconvénients. D'une manière générale, l'objet de la présente invention est d'utiliser les techniques de boîtier au niveau du wafer en résolvant les points mentionnés plus haut à savoir: - la réalisation de l'herméticité tant d'un point de vue électrique qu'au point de vue optique par des techniques autres que les soudures verre métal et - l'obtention de gains substantiels en termes de coût. L'invention vise aussi à réaliser, de manière collective et par les technologies conventionnelles de la microélectronique, une série de boîtiers sur tranche avec des caractéristiques qui permettent de réaliser l'assemblage de manière collective. L'invention propose une solution pour la réalisation du joint d'herméticité du boîtier à basse température. L'invention porte également sur la réalisation de traversées électriques et/ou optiques étanches permettant d'interfacer les éléments actifs électriques et/ou optiques incorporés à l'intérieur du boîtier étanche avec le milieu extérieur. Selon un premier aspect, la présente invention vise à éviter l'effet de plan de masse , qui perturbe les signaux transmis, généré par le boîtier métallique lorsque celui-ci se trouve trop proche d'une ligne hyperfréquence. A cet effet, selon son premier aspect, la présente invention vise un procédé d'encapsulation d'au moins un composant électronique, qui comporte: - une étape de préparation d'un substrat comportant de réaliser une première couche de matériau diélectrique sur une première face dudit substrat, - une étape de réalisation d'une ligne conductrice sur ladite première couche de 35 matériau diélectrique, - une étape de perçage d'un trou depuis une deuxième face du substrat opposée à ladite première face jusqu'à la ligne conductrice et - une étape de remplissage dudit trou avec un matériau conducteur. Grâce à ces dispositions, les signaux et les lignes conductrices, notamment les lignes véhiculant des signaux hyperfréquences, sont éloignées du bord du boîtier métallique qui risquerait de les perturber à cause de l'effet plan de masse . Selon des caractéristiques particulières, le procédé tel que succinctement exposé ci-5 dessus comporte une étape de réalisation d'une deuxième couche de matériau diélectrique sur la première couche de matériau diélectrique et sur la ligne conductrice. Grâce à ces dispositions, les risques que le trou endommage la ligne conductrice sont réduits. Selon un deuxième aspect, pour éviter les problèmes de positionnements, on prévoit, sur les bords du boîtier en appui sur le substrat, une réduction de la section du boîtier, par rapport à l'épaisseur moyenne du boîtier. On constitue ainsi un couteau qui s'enfonce dans le substrat, ou dans une couche intermédiaire solidaire du substrat et servant de joint entre le substrat et le boîtier. Ainsi, selon son deuxième aspect, la présente invention vise un procédé 15 d'encapsulation d'au moins un composant électronique qui comporte: - une étape de préparation d'un boîtier présentant, sur ses bords destinés à être en appui sur le substrat portant chaque dit composant électronique, une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et - une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, ledit couteau étant 20 alors en appui sur ledit substrat. Corrélativement, le deuxième aspect de la présente invention vise un procédé d'encapsulation qui comporte: - une étape de préparation d'un substrat portant chaque dit composant électronique pour qu'il présente, en regard des bords d'un boîtier destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau présentant une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et - une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, lesdits bords étant alors en appui sur ledit couteau. Selon des caractéristiques particulières, lesdits bords présentent une section 30 essentiellement triangulaire. Grâce à ces dispositions, l'appui du boîtier sur le substrat est très concentré et interdit les mouvements de glissement ultérieurs du boîtier sur le substrat. Selon des caractéristiques particulières, le procédé tel que succinctement exposé ci-dessus comporte une étape de réalisation d'un joint en matériau ductile sur lequel ledit 35 couteau vient en appui lors de l'étape de positionnement. Grâce à ces dispositions, le couteau peut s'enfoncer dans ledit joint et assurer une meilleure étanchéité, en particulier lorsque le volume intérieur du boîtier est mis en dépression. Selon des caractéristiques particulières, ledit matériau ductile comporte de l'Indium. Selon des caractéristiques particulières, le procédé d'encapsulation tel que succinctement exposé ci-dessus, comporte une étape de mise sous vide, au moins partiel, du volume constitué par ledit boîtier et ledit substrat. Grâce à ces dispositions le maintien en position du boîtier sur le substrat est assuré par la dépression créée à l'intérieur du boîtier. Le vide considéré est préférentiellement tel que la pression résiduelle est inférieure à 10-4 torr. Selon des caractéristiques particulières, au cours de l'étape de mise sous vide, on fait fondre, dans une canalisation de pompage, du métal initialement disposé à la sortie de 10 ladite canalisation. Grâce à ces dispositions, l'obturation de la canalisation de pompage est aisée et définitive. Selon des caractéristiques particulières, le métal à faire fondre présente, initialement, la forme d'une bille. Selon des caractéristiques particulières, le métal à faire fondre comporte de l'Indium. Grâce à chacune des ces dispositions, on réalise un micro-vanne à la sortie de la canalisation de pompage et, avec un chauffage de la bille à une température d'environ 170 C, on obture ladite canalisation. Selon des caractéristiques particulières, au cours de la fusion dudit métal, on 20 applique une légère surpression à l'extérieur du boîtier, par rapport au vide, au moins partiel, à l'intérieur du boîtier. Grâce à ces dispositions, le métal en fusion est aspiré à l'intérieur de la canalisation à obturer. Selon des caractéristiques particulières, le procédé tel que succinctement exposé ci- dessus, comporte la réalisation de l'encapsulation de plusieurs composants sur un même substrat avec plusieurs boîtiers puis le découpage du substrat pour séparer les composants encapsulés avec leurs boîtiers. Grâce à ces dispositions, le coût d'encapsulation des composants électroniques est réduit. Selon un troisième aspect, la présente invention vise à réduire la complexité de réalisation d'une liaison optique entre un composant optoélectronique, par exemple un laser ou une photodiode, et une fibre optique se prolongeant à l'extérieur d'un boîtier comportant ledit composant opto-électronique. Ainsi, selon son troisième aspect, la présente invention vise un procédé 35 d'encapsulation d'un composant opto-électronique mettant en oeuvre de la lumière dans une bande spectrale prédéterminée, qui comporte: - une étape de préparation d'un boîtier pour y constituer une fenêtre de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, une étape de positionnement dudit boîtier en regard dudit composant optoélectronique de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et - une étape de positionnement d'une fibre optique sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre. Selon des caractéristiques particulières, ledit boîtier est constitué en matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale. Corrélativement, le troisième aspect de la présente invention vise un procédé d'encapsulation d'un composant optoélectronique mettant en oeuvre une bande spectrale de lumière, qui comporte: - une étape de préparation du substrat pour y constituer une fenêtre de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, - une étape de positionnement dudit composant optoélectronique sur ledit substrat, de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et une étape de positionnement d'une fibre optique sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre. Selon des caractéristiques particulières, ladite fenêtre présente une épaisseur inférieure à 100 m. Selon des caractéristiques particulières, ledit matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale est du quartz. En effet, le quartz est transparent pour la longueur d'onde de 850nm et le silicium entre 1310nm et 1550nm, ces longueurs d'ondes étant couramment utilisées en optoélectronique. Selon des caractéristiques particulières, au cours de l'étape de positionnement du boîtier en regard du composant opto-électronique, on reporte ledit composant optoélectronique sur ledit boîtier par une technologie mettant en oeuvre des billes de matériau fusible. Cette technologie est connue sous le nom de flip-chip . Le positionnement du composant opto-électronique par rapport à la fenêtre est ainsi très précis, dans chaque dimension. Un quatrième aspect de la présente invention vise à augmenter la précision de positionnement d'un boîtier par rapport à un composant électronique porté sur un substrat. A cet effet, selon un quatrième aspect, la présente invention vise un procédé d'encapsulation, caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de constitution, sur le substrat et sur au moins une partie des bords du boîtier, de supports de bille ou de cylindre d'un matériau fusible, - une étape de dépôt de matériau fusible sur au moins une partie desdits supports 35 de bille ou de cylindre, - une étape de fusion dudit matériau fusible, pour constituer lesdites billes ou cylindre avec des dimensions précisément déterminées et - une étape de positionnement de supports de billes ou de cylindre ne portant pas encore lesdites billes ou cylindre sur lesdites billes ou cylindres. Grâce à ces dispositions, le positionnement du boîtier sur le substrat est très précis et est contrôlé par la présence des billes. Toutes les caractéristiques particulières et générales des différents aspects de la présente invention constituent des caractéristiques particulières des aspects précédents de la présente invention et vise à constituer un procédé d'encapsulation présentant les avantages et caractéristiques particulières de chacun des aspects de la présente invention. Selon un cinquième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'au moins un composant électronique, caractérisé en ce qu'il comporte: - un substrat, - une première couche de matériau diélectrique sur une première face dudit substrat, - une ligne conductrice sur ladite première couche de matériau diélectrique, - un trou s'élongeant depuis une deuxième face du substrat opposée à ladite première face jusqu'à la ligne conductrice. Selon un sixième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'au moins un composant électronique qui comporte: - un substrat portant chaque dit composant électronique et - un boîtier présentant, sur ses bords destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau d'une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier. Corrélativement, selon son sixième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'au moins un composant électronique, qui comporte: - un boîtier et - un substrat portant chaque dit composant électronique qui présente, en regard des bords d'un boîtier destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau présentant une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier. Selon un septième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'un composant optoélectronique mettant en oeuvre une bande spectrale de lumière, qui comporte: - un boîtier présentant une fenêtre de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale en regard dudit composant et - une fibre optique positionnée sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême 35 de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre. Selon un huitième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'un composant électronique qui comporte: - sur au moins une partie des bords d'un boîtier, des supports de bille ou de cylindre d'un matériau fusible, - un substrat portant ledit composant et, en regard des bords du boîtier, des supports de bille ou de cylindre d'un matériau fusible, - des billes ou un cylindre reliant lesdits supports de billes ou cylindres. Les avantages, buts et caractéristiques des différents aspects du dispositif objet de la présente invention étant similaires à ceux des différents aspects du procédé objet de la présente invention, ils ne sont pas rappelés ici. D'autres avantages, buts et caractéristiques de la présente invention ressortiront de 10 la description qui va suivre faite, dans un but explicatif et nullement limitatif en regard des dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 représente, schématiquement, en vue en coupe, un mode de réalisation particulier de traversée d'une ligne conductrice d'entrée ou de sortie de signaux électriques; - les figures 2 à 5 représentent, schématiquement, un mode particulier de réalisation d'une succession d'étapes d'encapsulation dans un deuxième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique; - les figures 6 et 7 représentent, schématiquement, un troisième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique; - la figure 8 représente, schématiquement, un quatrième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique; - la figure 9 représente, schématiquement, un quatrième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique, adaptée à l'encapsulation d'un composant opto-électronique; - la figure 10 représente, schématiquement, un cinquième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique, adaptée à l'encapsulation d'un composant optoélectronique et - la figure 11 représente, schématiquement, un mode de réalisation d'une étanchéification d'un boîtier par micro-vanne. On observe, en figure 1, un substrat 103 portant, sur une première face (la face supérieure en figure 1) une première couche de matériau diélectrique 101, une ligne conductrice 104 et une deuxième couche de matériau diélectrique 102 sur laquelle une soudure 105 attache un boîtier 100. Un perçage 106 est formé depuis la deuxième face du substrat (la face inférieure en figure 1) opposée à la première face, jusqu'à la ligne conductrice 105, en regard de l'intérieur du boîtier 100. Le boîtier 100 est par exemple en silicium. Le perçage 106 permet de relier des composants électroniques extérieurs au boîtier 100 aux composants électroniques 110 situés à l'intérieur du boîtier 100, selon des techniques connues. Le perçage 106 est réalisé, préférentiellement avant la mise en boîtier par les techniques classiques de masquage (résinage, photolithographie et ouverture par gravure humide ou sèche). II est ensuite rempli de métal pour permettre la connexion électrique entre la ligne conductrice 104 et l'extérieur du boîtier 100. On observe que la méthode de réalisation du perçage se fait en deux étapes (la ligne conductrice métallique 105 assurant l'étanchéité vis-à- vis de l'extérieur, on réalise un trou puis on le remplit de métal, le trou n'ayant pas besoin d'être parfaitement étanche après remplissage par du métal). La réalisation de la traversée électrique montrée sur la figure 1 permet d'éviter que les signaux véhiculés par la ligne conductrice 104 ne passe à proximité du boîtier 100 et, dans le cas où celui-ci est en matériau conducteur, que ces signaux soient perturbés par cette proximité (effet de plan de masse ). Le rôle de la première couche de matériau diélectrique 101 est d'isoler du substrat toutes les lignes conductrices d'entrée sortie des composants électroniques 110. Le substrat 103 peut être, lui-même, complexe et consister en un empilement de niveaux de conductions et/ou d'interconnexions de différents composants intégrés. L'exemple pratique décrivant ce type de substrat complexe est donné par un substrat silicium intégrant des fonctions électroniques diverses. On observe que le substrat silicium est généralement choisi avec une forte résistivité. Dans certaines applications (non représentées) pour lesquelles l'isolation électrique doit être plus importante, on isole les contacts par des tranchées ou on réalise des dépôts de matériau diélectriques sur les parois du trou. Les lignes conductrices de d'entrée-sortie 104 sont alors réalisées sur cette première couche de matériau diélectrique 101 par les techniques conventionnelles de dépôt 25 par évaporation. Une deuxième couche de matériau diélectrique 102, optionnelle, est ensuite déposée sur ces lignes de conductions 104, ce qui permet de renforcer mécaniquement ces lignes. L'étanchéité est assurée par la soudure (brasure) 105, en Indium. Les différences de niveaux induits par le dépôt du métal constituant les lignes conductrices dans la deuxième couche de matériau diélectrique, peuvent, au besoin, être rattrapées par une simple planarisation du deuxième diélectrique par les techniques de polissage de wafer conventionnelles. Dans le mode de réalisation illustré, on effectue alors la soudure du boîtier 100 sur la deuxième couche de matériau diélectrique 102, de manière connue en soi. Grâce à ce premier aspect de la présente invention, même lorsque le boîtier d'encapsulation des composants électroniques 110 portés par le substrat 103 est métallique, on évite l'effet plan de masse qui pourrait perturber les signaux véhiculés par la ligne conductrice 104, en particulier si ce sont des signaux hyperfréquences puisque le chemin de ces signaux reste éloigné du bord du boîtier 100. Dans le mode de réalisation illustré en figures 2 à 5, on effectue le dépôt d'un support 301 de bille ou cylindre de matériau fusible (figure 2) . Ce dépôt est connu dans la technologie de type flip-chip mais, au lieu d'être appliqué à des composants électroniques, on l'applique à la connexion d'un boîtier sur le substrat et, au lieu de l'appliquer à la transmission de signaux électroniques, on l'applique au maintien mécanique du boîtier sur le substrat. Puis, on effectue le dépôt de matériau fusible 401, comme illustré en figure 3. Ce 10 dépôt est effectué à basse température par évaporation du métal indium. Puis, on fait fondre le matériau fusible et celui-ci prend spontanément la forme d'une bille 501 ou d'un cylindre, selon la forme du support 301, sous l'effet des forces de tension superficielle, comme illustré en figure 4. Le principe du dépôt d'un métal par évaporation ou tout autre forme de dépôt (électrolytique par exemple) et est bien connu de l'homme de l'art. Ainsi on définit par des étapes conventionnelles en microélectronique de dépôt de résine, lithographie, insolation une zone ouverte dont les dimensions sont contrôlées à mieux que le micron et où le dépôt du métal indium ou de tout autre métal peut être réalisé. Une fois le métal déposé, on élimine la résine et ce métal peut être refondu pour former un joint cylindrique (figure 5). Le métal indium pris pour exemple peut être remplacé par des alliages à base d'indium tels que l'indium-étain (InSn). Dans le cas de l'indium la formation du joint continu par augmentation de la température pour rendre l'indium liquide est comprise entre 160 et 175 C. L'herméticité est ensuite obtenue par refusion du joint continu sur l'embase du boîtier elle-même montrant une métallisation adaptée. Enfin, on place sur ces billes, en appui, le boîtier 602 muni d'un support 601 de bille ou de cylindre identique à celui du substrat 103, comme illustré en figure 5. Dans le mode de réalisation illustré en figures 6 et 7, à partir de l'état du substrat obtenu à la fin de l'étape 203, on effectue le dépôt d'un joint en matériau ductile 701, en regard de la position prévue du boîtier 702 d'encapsulation des composants électroniques portés par le substrat et on prévoit une forme de couteau 703 au bord du boîtier, forme destinée à s'enfoncer dans le joint ainsi constitué. La forme des bords du boîtier 702 est telle que son épaisseur est inférieure, en son extrémité, à la moitié de l'épaisseur moyenne du boîtier 702. Dans un mode de réalisation préférentiel, cette forme 703 est une forme prismatique à section essentiellement triangulaire dont l'angle d'extrémité est aigu, par exemple de l'ordre de 60 degrés ou de 1 radian. Sur la partie boîtier a ainsi été réalisée une portée de joint du type conique avec une portée aiguë ou légèrement arrondie permettant dans certains cas d'éviter le sectionnement de la partie joint. L'épaisseur totale du joint dans ce cas pourra être supérieure à 10 pm. D'une manière générale, la portée du boîtier ne devra pas dépasser l'épaisseur de métal. Sous l'effet d'efforts mécaniques exercés soit par une dépression à l'intérieur du boîtier 702 (par exemple une pression résiduelle inférieure à 10-4 torr), soit par des moyens de maintien en position (non représentés), les bords du boîtier 702 restent enfoncés dans le joint 701 et ne risque pas de se déplacer parallèlement au plan du substrat 700. On observe, en première ligne de la figure 7, qu'avant l'assemblage du boîtier 702 sur le substrat 700, le substrat 700 porte chaque composant électronique 705 à encapsuler et le joint 701, tout autour du composant 705. Par ailleurs, le boîtier 702 est constitué pour que ses bords présentent la forme en couteau mentionnée ci-dessus. Puis, comme représenté en deuxième ligne de la figure 7, à gauche, on positionne le boîtier 702 sur le substrat 700 en enfonçant les bords du boîtier 702 à formes en couteau, dans le joint 701 pour enfermer, entre le boîtier 702 et le substrat 700, les composants électroniques à encapsuler. Dans l'exemple représenté en vue de dessus, en deuxième ligne, à droite de la figure 7, deux composants électroniques 801 et 802 sont encapsulés et ils disposent de six lignes conductrice, au total, pour communiquer avec l'extérieur du boîtier 702. On observe, en figure 8, une encapsulation de composant électronique identique à celle illustrée en figure 7, à l'exception du couteau 801 qui est porté par le substrat 800 et 20 du joint 803, qui est porté par le bord du boîtier 802. Les modes de réalisation illustrés en figures 7 et 8 concernent les domaines des composants électroniques englobant tout composant type mémoires, circuits logiques ou analogique, circuits de puissance par exemple. Ces composants sont, par exemple, reportés par des techniques de flip chip , les interconnections étant alors assurées par des lignes réalisées sur une plate-forme silicium par exemple et ou simplement collés en surface et interconnectés par fils aux lignes de transmission précédemment mentionnées. L'ensemble des lignes de sortie peut aussi être réalisé comme décrit ci-dessus en regard de la figure 1. Comme illustré en figure 9, lorsqu'un des composants électroniques encapsulés est un composant opto-électronique 902, on peut prévoir, sur le substrat 900, une fenêtre 903 de matériau au moins partiellement transparent dans la bande spectrale de lumière mise en oeuvre par le composant en question. Dans le mode de réalisation illustré en figure 9, une fibre optique 906 est portée par une ferrule 907 présentant, sur sa surface en regard dusubstrat 900, une forme en couteau 904 similaire à la forme en couteau des bords du boîtier 901, qui s'enfonce dans un joint 905 formé sur le substrat 900. Dans ce cas, le substrat est transparent aux longueurs d'ondes considérées, en regard de l'extrémité de la fibre optique. Le substrat est, par exemple en silicium, en quartz ou en Arseniure de Gallium. Dans le mode de réalisation illustré en figure 10, le boîtier 1000 est réalisé en matériau transparent dans la bande spectrale de lumière mise en oeuvre par le composant opto-électronique 1001. Par exemple, le boîtier 1000 est réalisé en quartz, en silicium ou en Arseniure de Gallium). Il comporte préférentiellement une fenêtre 1002 d'une épaisseur inférieure à 100 m. On observe, en figure 11, qu'une bille 1100 de matériau fusible, par exemple de l'Indium, est positionnée en sortie d'une canalisation 1101 de pompage du gaz présent dans le boîtier 1102. La bille 1100 réalise ainsi une micro-vanne. Lorsque le vide a été, au moins partiellement, réalisé dans le boîtier 1102, on chauffe la bille 1100 jusqu'à sa température de fusion. Par capillarité, elle descend alors dans la canalisation 1101 et s'y solidifie, ce qui a pour conséquence d'obturer cette canalisation 1101. En variante, au cours du chauffage de la bille 1100, on remonte la pression à l'extérieur du boîtier 1102 pour que la bille 1100, en fusion, soit aspirée à l'intérieur de la canalisation 1101. Le boîtier est alors hermétiquement clos et maintenu en position par la dépression. Les exemples d'applications de la présente invention sont nombreux et concernent de nombreux domaines d'applications comme la microélectronique, les technologies MEMS (acronyme de MEchanical Mobile Semiconductors pour semiconducteurs mobiles mécaniques), l'optique, l'optoélectronique les systèmes de détection, de capteurs etc. Préférentiellement, l'encapsulation des composants électroniques ou optoélectroniques est effectuée de manière collective sur un substrat unique qui est ensuite découpé pour séparer les ensembles boîtier-substrat. REVENDICATIONS 1 - Procédé d'encapsulation d'au moins un composant électronique (110, 705, 902, 1001), caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de préparation d'un substrat (103) comportant de réaliser une première couche de matériau diélectrique (101) sur une première face dudit substrat, - une étape de réalisation d'une ligne conductrice (104) sur ladite première couche de matériau diélectrique, - une étape de perçage d'un trou (106) depuis une deuxième face du substrat 10 opposée à ladite première face jusqu'à la ligne conductrice et - une étape de remplissage dudit trou avec un matériau conducteur. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'une deuxième couche de matériau diélectrique (102) sur la première couche de matériau diélectrique (101) et sur la ligne conductrice (104). 3 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de préparation d'un boîtier (100) présentant, sur ses bords destinés à être en appui sur le substrat (103) portant chaque dit composant électronique (705, 902, 1001), un couteau (703) d'une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et - une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, ledit couteau étant alors en appui sur ledit substrat. 4 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de préparation du substrat (800) portant chaque dit composant électronique (705, 902, 1001) pour qu'il présente, en regard des bords d'un boîtier (802) destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau (801) présentant une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et -une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, lesdits bords étant 30 alors en appui sur ledit couteau. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que ledit couteau (703, 801) présente une section essentiellement triangulaire. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'un joint en matériau ductile (701, 803) sur lequel ledit 35 couteau (703, 801) vient en appui lors de l'étape de positionnement. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de mise sous vide, au moins partiel, du volume constitué par ledit boîtier (100, 702, 802) et ledit substrat (103, 800). 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de mise sous vide, on réalise, sous vide, le montage dudit boîtier (100, 702, 802) sur ledit substrat (103, 800). 9 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de mise 5 sous vide, on fait fondre, dans une canalisation de pompage (1101), du métal (1100) initialement disposé à la sortie de ladite canalisation. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation de l'encapsulation de plusieurs composants sur un même substrat avec plusieurs boîtiers puis le découpage du substrat pour séparer les composants 10 encapsulés avec leurs boîtiers. 11 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 1o, caractérisé en ce que le composant électronique est un composant optoélectronique (1001) mettant en oeuvre une bande spectrale de lumière et en ce qu'il comporte: - une étape de préparation d'un boîtier (1000) pour y constituer une fenêtre (1002) 15 de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, - une étape de positionnement dudit boîtier en regard dudit composant optoélectronique de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et - une étape de positionnement d'une fibre optique (1006) sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre. 12 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit boîtier (1000) est constitué en matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale. 13 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 1 S?, caractérisé en ce que le composant électronique.est un composant optoélectronique (1001) mettant en oeuvre unè bande spectrale de lumière et en ce qu'il comporte: - une étape de préparation du substrat (900) pour y constituer une fenêtre (903) de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, - une étape de positionnement dudit composant optoélectronique sur ledit substrat, de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et - une étape de positionnement d'une fibre optique (906) sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre. 14 Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que ledit matériau constituant la fenêtre et, au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, est du quartz. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'il 35 comporte: - une étape de constitution, sur le substrat (103) et sur au moins une partie des bords du boîtier (100), de supports de bille ou de cylindre (301, 601) d'un matériau fusible, - une étape de dépôt de matériau fusible (401) sur au moins une partie desdits supports de bille ou de cylindre, - une étape de fusion dudit matériau fusible, pour constituer lesdites billes (501) ou cylindre avec des dimensions précisément déterminées et - une étape de positionnement de supports de billes ou de cylindre ne portant pas encore lesdites billes ou cylindre sur lesdites billes ou cylindres.