Brevet FR2881890A1 — publié le 20060811

MODULE OPTIQUE La présente invention concerne un module optique employant un dispositif à diode laser, et elle concerne plus particulièrement un module optique utilisé pour des communications optiques rapides, qui exi-gent une adaptation d'impédance. Au cours des dernières années, il a été nécessaire de réduire la consommation de puissance et la taille de modules optiques pour des communications employant un dispositif à diode laser (ou dispositif à DL), ainsi que d'augmenter la vitesse du signal modulant (plus de 10 GHz). Du fait que plus la vitesse du signal modulant avec lequel travaille le module optique est élevée, plus il y a de composantes de fréquence élevée dans le signal modulant, les lignes de transmission, etc. , à l'intérieur du module optique doivent avoir une bonne adaptation d'im-pédance pour des signaux de fréquence élevée. Par conséquent, des modules optiques classiques sont configurés de la façon suivante: une résistance d'adaptation est incorporée entre le dispositif à DL et le circuit d'attaque destiné à attaquer le dispositif à DL; et l'impédance combinée de la résistance d'adaptation et du dispositif à DL est fixée égale à l'impédance du circuit d'attaque. Par exemple, si l'impédance du circuit d'attaque est de 50 ohms et la valeur de résistance du dispositif à DL est approximativement de 6 ohms, alors la résistance d'adaptation doit être fixée à 44 ohms. Avec la vitesse croissante du signal modulant, il est avantageux et de pratique courante que les li- gnes de transmission entre le circuit d'attaque et le dispositif à DL soient conçues pour transmettre des signaux différentiels vers le dispositif à DL, afin de réaliser une connexion électrique stable. Pour réduire la consommation de puissance du module optique, il est préférable de réduire la résistance d'adaptation. Cependant, le fait de réduire la résistance d'adaptation conduit à une désadaptation d'impédance. Pour compenser ceci, il est proposé une technique d'adaptation d'impédance dans laquelle une ligne à faible impédance ayant une Ion- gueur approximativement égale à un quart de longueur d'onde est incorporée dans le module optique (voir par exemple la Demande de Brevet du Japon Ouverte à l'Examen du Public n 2004-259880 (figure 5)). Une autre technique proposée pour l'adaptation d'impédance est appliquée à des modules optiques classiques employant un modula- teur à électroabsorption (EA). Conformément à cette technique, un tronçon de ligne ou "stub" en circuit ouvert est connecté à une ligne à micro-ruban constituant une ligne de transmission, pour former un circuit d'adaptation (voir par exemple la Demande de Brevet du Japon Ouverte à l'Examen du Public n 11-38372 (figure 1)). Des modules optiques classiques incluant une résistance d'adaptation ont un problème consistant en ce que la valeur de la résistance d'adaptation doit être augmentée lorsque l'impédance de référence à adapter augmente. Par conséquent, une augmentation de la résistance d'adaptation entraîne une augmentation de la consommation de puis- sance du dispositif, du fait que le dispositif à DL est un dispositif attaqué en courant. D'autre part, dans le cas du module optique classique ci-dessus dans lequel la valeur de la résistance d'adaptation est réduite, il est nécessaire d'ajouter une ligne à faible impédance ayant une longueur approximativement égale à un quart de longueur d'onde. Ceci augmente le nombre de composants et donc le coût, et rend difficile la réduction de la taille du module optique. En outre, le module optique classique ci-dessus dans lequel un tronçon de ligne en circuit ouvert est connecté à une ligne à microruban pour former un circuit d'adaptation, est prévu pour l'utilisation à des fréquences de 40 GHz et au-delà, et il est désavantageux par le fait que pour que le tronçon de ligne en circuit ouvert réalise une adaptation d'impédance à des fréquences de 10 GHz et moins, il est nécessaire d'augmenter la taille du substrat pour le circuit d'adaptation. Ceci aug-mente la taille du circuit et le coût de composants, ce qui conduit à une augmentation du coût du module optique entier. La présente invention a été conçue pour résoudre les problèmes ci-dessus. Un but de la présente invention est donc de procurer un module optique petit et peu coûteux, et une monture auxiliaire de module optique ayant de bonnes caractéristiques en haute fréquence et une con- sommation de puissance réduite. Conformément à un aspect de la présente invention, un module optique comprend une embase; une première broche de connexion et une seconde broche de connexion pour fournir un signal différentiel, les pre-mière et seconde broches de connexion traversant l'embase; un bloc de monture fixé sur l'embase; une diode laser ayant une paire d'électrodes; une monture auxiliaire montée sur le bloc de monture et ayant une résistance d'adaptation, un condensateur interdigité, et une multiplicité de motifs d'électrodes formés sur une surface de celle-ci; et un premier fil de connexion et un deuxième fil de connexion pour connecter électriquement la monture auxiliaire respectivement aux première et seconde broches de connexion. La diode laser est montée sur l'un de la multiplicité de motifs d'électrodes sur la monture auxiliaire et est connectée à un autre de la multiplicité de motifs d'électrodes sur la monture auxiliaire par un troisième fil de connexion, de façon que la diode laser forme un circuit électrique, conjointement à la résistance d'adaptation et au condensateur interdigité. La valeur de la résistance d'adaptation est inférieure à la valeur d'impédance du signal différentiel moins la valeur de résistance de la diode laser. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention res-sortiront plus complètement de la description suivante. Conformément à la présente invention, une résistance d'adaptation et un condensateur interdigité sont formés sur la monture auxiliaire sur laquelle le dispositif à DL est monté. La valeur de cette résistance d'adaptation est fixée de façon à être inférieure à la valeur d'impédance de la source de signal moins la valeur de résistance du dispositif à DL, pour réduire la perte de puissance. En outre, la capacité du condensateur est réglée de façon à éviter une dégradation de la caractéristique de réflexion de signal à cause de la réduction de la résistance d'adaptation. Ces agencements permettent de réduire la taille de la monture auxiliaire du module optique, et celle du module optique. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une vue en perspective d'un module optique conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention; - la figure 2 est une vue en plan du module optique représenté sur la figure 1; - la figure 3 est une vue agrandie de la partie de monture auxiliaire représentée sur la figure 2; - la figure 4 montre un circuit équivalent du module optique; - la figure 5 montre la relation entre la valeur de la résistance d'adaptation et la caractéristique de réflexion; - la figure 6 montre comment le niveau de réflexion change avec la capacité du condensateur; et - la figure 7 est une vue en perspective d'un module optique conforme à un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Premier Mode de Réalisation La figure 1 est une vue en perspective d'un module optique conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention; et la figure 2 est une vue en plan du module optique représenté sur la figure 1. En se référant aux figures 1 et 2, on note qu'un bloc de monture 2 est fixé sur une embase 1, et il existe également deux broches de connexion 3a et 3b traversant l'embase, qui permettent une connexion électrique avec un dispositif externe et qui transmettent un signal diffé-rentiel au module optique. Du verre 4 assurant l'herméticité remplit l'espace entre les broches de connexion 3a et 3b et les trous traversants de l'embase 1, pour fixer les broches de connexion 3a et 3b à l'embase 1, tout en les isolant électriquement l'une de l'autre, et pour assurer l'herméticité entre l'intérieur et l'extérieur du module optique. Il faut noter que le capot (non représenté) enfermant hermétiquement le bloc de monture 2, etc. , définit la surface extérieure du module optique. En outre, une monture auxiliaire 7 et des substrats d'interconnexion 5a et 5b sont montés sur le bloc de monture 2. Les substrats d'interconnexion 5a et 5b sont disposés à des positions correspondant aux broches de connexion 3a et 3b de façon que la monture auxiliaire 7 soit intercalée entre eux. La monture auxiliaire 7 est connectée électrique- ment aux substrats d'interconnexion 5a et 5b par l'intermédiaire d'une multiplicité de fils de connexion 9a et 9b, et les substrats d'interconnexion 5a et 5b sont à leur tour connectés électriquement aux broches de connexion 3a et 3b par l'intermédiaire d'adhésifs conducteurs 6a et 6b, respectivement. Il faut noter que les substrats d'interconnexion 5a et 5b forment une ligne à microruban, et son impédance est réglée de façon à compenser, dans la plus grande mesure possible, la désadaptation d'impédance avec les parties constituant les broches de connexion 3a et 3b. En outre, les adhésifs conducteurs 6a et 6b peuvent être remplacés par de la brasure. Des motifs conducteurs, des condensateurs et des résistances à couches minces sont formés sur la surface de la monture auxiliaire 7. Une diode laser (ou dispositif à DL) 8 est montée sur la monture auxi- liaire 7 et est connectée électriquement à cette dernière. La monture auxiliaire 7 et la diode laser 8 forment un circuit électrique. On va main-tenant décrire en détail, en référence à la figure 3, la configuration et le circuit électrique de la partie de la monture auxiliaire 7 sur laquelle le dispositif à DL. 8 est monté. La figure 3 est une vue agrandie de la partie de monture auxiliaire 7 représentée sur la figure 2. En se référant à la figure 3, on note que le substrat de la monture auxiliaire 7 est constitué d'un matériau diélectrique tel que le nitrure d'aluminium (AIN), et des première à troisième parties de motif d'électrodes d'interconnexion 10a, 10b et 10c, une résistance d'adaptation 11 et un condensateur 12 sont formés sur la surface du substrat. Les première à troisième parties de motif d'électrodes d'interconnexion 10a, 10b et 10c sont constituées d'une couche conductrice; la résistance d'adaptation 11 est constituée d'une résistance à couche mince; et le condensateur 12 est constitué de motifs de couches conductrices disposés en une configuration semblable à un peigne, comme représenté sur la figure 3 (ce type de condensateur est appelé "condensateur interdigité"). De façon plus spécifique, la résistance d'adaptation 11 est formée entre la deuxième partie de motif d'électrode d'interconnexion 10b et la troisième partie de motif d'électrode d'interconnexion 10c, tandis que le condensateur 12 est formé entre la première partie de motif d'électrode d'interconnexion 10a et la deuxième partie de motif d'électrode et la deuxième partie de motif d'électrode d'interconnexion 10b. Le dispositif à diode laser (DL) 8 sur la figure a des électrodes sur sa surface principale et sa surface arrière. Une électrode supérieure 13 du dispositif à DL 8 correspond à l'électrode sur le côté de la surface principale. Le dispositif à DL 8 est monté sur la troisième partie de motif d'électrode d'interconnexion 10c de la monture auxiliaire 7, de telle sorte que l'électrode arrière (non représentée) du dispositif à DL 8 est connectée électriquement à la troisième partie de motif d'électrode d'interconnexion 10c. En outre, l'électrode supérieure 13 sur le dispositif à DL 8 est connectée électriquement à la première partie de motif d'électrode d'interconnexion 10a de la monture auxiliaire 7 par l'intermédiaire d'un fil de connexion 9c. Dans cet exemple, l'électrode supérieure 13 est une cathode et l'électrode arrière est une anode. En outre, le dispositif à DL 8 émet de la lumière dans les directions indiquées par les flèches sur la figure. En outre, les première et deuxième parties de motif d'électrodes d'interconnexion 10a et 10b de la monture auxiliaire 7 sont connectées électriquement aux substrats d'interconnexion 5a et 5b par l'intermédiaire de la multiplicité de fils de connexion 9a et 9b, respectivement, comme décrit en relation avec les figures 1 et 2. On va maintenant décrire le fonctionnement du module optique. Deux signaux modulants de haute fréquence sont fournis comme des signaux différentiels et sont respectivement appliqués aux broches de connexion 3a et 3b. Le signal appliqué à la broche de connexion.3a est transmis au motif d'électrode d'interconnexion 10a sur la monture auxiliaire 7 à travers l'adhésif conducteur 6a, le substrat d'interconnexion 5a et le fil de connexion 9a, dans cet ordre. Ensuite, le signal est transmis plus loin à partir du motif d'électrode d'interconnexion 10a vers l'électrode supérieure (ou cathode) 13 sur le dispositif à DL 8, à travers le fil de connexion 9c. D'autre part, le signal appliqué à la broche de connexion 3b est transmis au motif d'électrode d'interconnexion 10b sur la monture auxiliaire 7 à travers l'adhésif conducteur 6b, le substrat d'interconnexion 5b et le fil de connexion 9b, dans cet ordre. Ensuite, le signal est transmis plus loin à partir du motif d'électrode d'interconnexion 10b vers l'électrode arrière (ou anode) du dispositif à DL 8, à travers la résistance d'adaptation 11 et le motif d'électrode d'interconnexion 10c. Il faut noter que l'application des signaux cidessus aux premier et deuxième motifs d'électrodes d'interconnexion 10a et 10b conduit à l'application d'un signal modulant au condensateur 12. Le dispositif à DL 8 génère une puissance optique conformément au signal modulant de haute fréquence différentiel qui est ainsi appliqué. La figure 4 montre un circuit équivalent du module optique. Il faut noter que sur les figures 3 et 4, des numéros semblables sont utilisés pour désigner des composants semblables ou correspondants. Sur la figure 4, les fils de connexion 9a, 9b et 9c sont représentés comme des composants inductifs. Il faut en outre noter que des bornes d'entrée 101a et 101b sont supposées être placées respectivement sur les substrats d'interconnexion 5a et 5b. On va maintenant décrire des résultats de simulation des caractéristiques de circuit du module optique, dans diverses conditions, sur la base du circuit équivalent représenté sur la figure 4. On va maintenant donner une description des caractéristiques du module optique lorsqu'il ne comporte pas le condensateur 12 représenté sur la figure 4. Dans ce cas, pour obtenir une adaptation d'impédance appropriée à la source de signal connectée aux bornes d'entrée 101a et 101b, la somme de la valeur de la résistance d'adaptation 11 et de la valeur de résistance du dispositif à DL 8 doit de façon générale être égale à la valeur d'impédance de la source de signal. Cependant, si la valeur de la résistance d'adaptation 11 est grande, il en est de même pour la puissance consommée dans la résistance d'adaptation. Il en ré-suite que le module optique a une consommation de puissance accrue. De façon spécifique, lorsque l'impédance du circuit d'attaque (ou de la source de signal) est de 50 ohms et la valeur de résistance du dispositif à DL 8 est approximativement de 6 ohms, la résistance d'adaptation est fixée de façon caractéristique à 44 ohms. Dans ce cas, la puis- sance consommée dans la résistance d'adaptation 11 est calculée de la façon suivante. Par exemple, lorsque la valeur moyenne du courant nécessaire pour attaquer le dispositif à DL à une température élevée (de l'ordre de 80 C) est de 80 mA, la consommation de puissance est calculée comme s'élevant jusqu'à approximativement 280 mW, en utilisant l'équation P = I2 x R, dans laquelle P est la consommation de puissance (W), I est le courant (A), et R est la résistance (ohm). Habituellement, le courant qui circule dans le dispositif à DL dépend de l'intensité de l'émission optique. Par conséquent, pour réduire la consommation de puissance du module optique, il est nécessaire de réduire le plus possible la valeur de la résistance d'adaptation 11. La figure 5 montre la relation entre la valeur de la résistance d'adaptation 11 et la caractéristique de réflexion (à des fréquences allant du continu jusqu'à 20 GHz). Sur la figure, l'axe horizontal représente la fréquence de signal (GHz) et l'axe vertical représente le niveau de ré- flexion (dB). (La figure 5 montre comment la caractéristique donnant le niveau de réflexion en fonction de la fréquence de signal change lorsque la valeur de la résistance d'adaptation 11 change.) Le niveau de réflexion (porté sur l'axe vertical) est exprimé comme le rapport entre le niveau du signal réfléchi par le circuit et le niveau du signal d'entrée appliqué au circuit. Ainsi, les conditions d'adaptation du circuit sont d'autant meilleures que le niveau de réflexion est plus faible. La figure 5 montre des résultats de simulation de la caractéristique de réflexion du module optique obtenus en supposant que la source de signal est connectée à la partie du circuit située du côté droit de la ligne A A' de la figure 4 (incluant le dispositif à DL 8, la résistance d'adaptation 11 et le fil de connexion 9c, mais n'incluant pas les fils de connexion 9a et 9b et le condensateur 12). D'autres conditions sont les suivantes: l'impédance de la source de signal est de 50 ohms; la valeur de résistance du dispositif à DL 8 est de 6 ohms; et l'inductance du fil de connexion 9c est de 0,5 nH. La figure 5 indique que la valeur de résistance optimale pour l'adaptation d'impédance, à laquelle le niveau de réflexion est minimisé, est approximativement de 44 ohms. (Le niveau de réflexion est calculé comme étant de -10 dB ou moins à des fréquences s'élevant jusqu'à approximativement 10 GHz.) Si le niveau de réflexion est de -10 dB ou moins, le signal réfléchi est relativement faible et n'affecte donc pas beaucoup les caractéristiques de transmission. D'autre part, pour réduire la consommation de puissance, il est nécessaire de réduire la valeur de résistance, comme décrit ci-dessus. Cependant, si la valeur de la résistance d'adaptation 11 est réduite à partir de 44 ohms, le niveau de réflexion augmente sur la gamme de fréquence entière. En outre, si la valeur de la résistance d'adaptation 11 est réduite jusqu'à moins de 20 ohms, le niveau de réflexion dépasse -10 dB sur la gamme de fréquence entière. Ainsi, le fait de réduire simplement la valeur de la résistance d'adaptation conduit à une dégradation de la caractéristique de réflexion, ce qui empêche d'atteindre un niveau d'adaptation d'impédance approprié. Il faut noter que le niveau de réflexion augmente lorsque la fréquence augmente, du fait que la composante inductive du fil de connexion 9c (dont l'impédance augmente avec une fréquence crois- sante) occasionne une désadaptation d'impédance. Pour compenser ceci, le condensateur 12 est connecté en parallèle sur le circuit série (formé sur la monture auxiliaire 7) constitué du fil de connexion 9c, du dispositif à DL 8 et de la résistance d'adaptation 11 connectés en série. Cet agencement permet d'éviter une augmentation du niveau de réflexion à des fréquences à l'intérieur d'une gamme particulière, en utilisant la résonance entre la composante inductive du fil de connexion 9c et la composante capacitive du condensateur 12. La figure 6 montre comment le niveau de réflexion change avec la capacité du condensateur 12. Les conditions de simulation sont les suivantes: l'impédance de la source de signal, la valeur de résistance du dispositif à DL 8 et la valeur d'inductance du fil de connexion 9c sont les mêmes que celles décrites en relation avec la figure 5; et la résistance d'adaptation 11 est de 20 ohms. La figure 6 indique que le niveau de réflexion est minimisé (à environ 8, 5 GHz) lorsque le condensateur 12 a une capacité de 0,4 pF. Cependant, aux environs de 10 GHz, par exemple, le niveau de réflexion est plus faible lorsque la capacité du condensateur 12 est de 0,3 pF que lorsqu'elle est de 0,4 pF. Ainsi, la caractéristique de réflexion peut être améliorée à des fréquences sélectionnées en changeant la capacité du condensateur 12. Par conséquent, le fait de connecter le condensateur 12 au circuit permet de réduire le niveau de réflexion même lorsque la valeur de la résistance d'adaptation 11 est inférieure à la valeur classique (c'est-à-dire la valeur d'impédance de la source de signal moins la valeur de ré-sistance du dispositif à DL). Par conséquent, la caractéristique de ré-flexion peut être améliorée, ce qui permet au module optique d'avoir de bonnes caractéristiques en haute fréquence et une consommation de puissance réduite. En outre, la capacité exigée pour le condensateur 12 lui-même est très petite (par exemple 0,4 pF), comme indiqué ci-dessus. Une telle petite capacité ne nécessite pas d'être réalisée par un composant discret. Par exemple, elle peut être entièrement réalisée par ce qu'on appelle un condensateur interdigité (12) constitué de motifs conducteurs disposés en une configuration semblable à un peigne sur la monture auxiliaire 7. On suppose qu'un condensateur interdigité (12) avec une capa-cité de 0,4 pF doit être formé sur la monture auxiliaire 7 employant un substrat de 0, 25 mm d'épaisseur constitué de nitrure d'aluminium (ayant une permittivité relative er de 8,8). Les dimensions des motifs du condensateur interdigité (12) sont supposées être les suivantes: la longueur des doigts des parties semblables à un peigne est de 0,6 mm; la distance entre deux doigts adjacents est de 0,02 mm; et la largeur de chaque doigt est de 0,02 mm. Dans ce cas, le condensateur exige seule- ment une aire d'environ 0,6 mm x 0,5 mm. Il faut noter que des motifs à couches minces de type général peuvent être formés aux dimensions de motif ci-dessus. En outre, du fait que les motifs du condensateur ci-dessus sont formés de manière intégrée avec la résistance d'adaptation sur la monture auxiliaire, leur exactitude dimensionnelle est très élevée, et par conséquent la capacité varie très peu, en comparaison avec des composants discrets. Pour le type de monture auxiliaire qui a des motifs conducteurs et une résistance d'adaptation à couche mince formée sur sa surface, l'ajout d'un tel condensateur ne conduit pas à une augmentation du nom- bre d'étapes de fabrication. En outre, du fait que le condensateur n'a pratiquement pas de hauteur, ou d'épaisseur, en comparaison avec un composant discret, il n'arrête pas la lumière émise par le dispositif à DL 8, et par conséquent il peut être disposé à une position sur l'axe optique du dispositif à DL 8, comme représenté sur la figure 1, etc. Il est donc pos- sible de réduire la taille et le coût de la monture auxiliaire. Il va sans dire que l'utilisation d'une telle petite monture auxiliaire permet de miniaturiser le module optique, tout en lui permettant d'avoir de bonnes caractéristiques en haute fréquence et une consommation de puissance réduite. Il faut noter que bien que le condensateur interdigité 12 puisse être disposé à une position située sur l'axe optique du dispositif à DL 8 (comme décrit ci-dessus), le condensateur 12 est de préférence installé du côté d'émission de lumière arrière si le module optique comprend des composants optiques tels que des lentilles, afin que le dispositif à DL 8 soit disposé près de ces composants optiques. Egalement en conformité avec le mode de réalisation présent, la monture auxiliaire 7 à faible réflexion est connectée aux broches de connexion 3a et 3b en utilisant respectivement les substrats d'interconnexion 5a et 5b, chacun d'eux étant constitué d'une ligne à microruban dont l'impédance est réglée de façon appropriée. Avec cet agencement, l'impédance des lignes de transmission allant des broches de connexion 3a et 3b jusqu'à la monture auxiliaire 7 (c'est-à-dire jusqu'aux motifs d'électrodes d'interconnexion 10a et 10b) peut être fixée de façon à être adaptée à l'impédance de la source de signal, ce qui permet au module optique d'avoir de bonnes caractéristiques en haute fréquence. Il en ré- suite que le module optique présente une faible réflectivité lorsqu'il est connecté à la source de signal. Deuxième Mode de Réalisation La figure 7 est une vue en perspective d'un module optique conforme à un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Conformément au premier mode de réalisation, la monture auxiliaire 7 est connectée électriquement aux broches de connexion 3a et 3b par l'intermédiaire des substrats d'interconnexion respectifs 5a et 5b, dont l'impédance est réglée de façon appropriée, comme décrit ci-dessus. (Les substrats d'interconnexion 5a et 5b sont disposés de telle sorte que la monture auxiliaire 7 est intercalée entre eux.) Par conséquent, les motifs d'électrodes d'interconnexion 10a et 10b de la monture auxiliaire 7 sont connectés aux substrats d'interconnexion 5a et 5b par les fils de connexion 9a et 9b, respectivement. D'autre part, le module optique du deuxième mode de réalisation est configuré de la façon suivante: les broches de connexion 3a et 3b (renommées broches de connexion 3A et 3B) sont étendues de façon que la monture auxiliaire 7 soit intercalée entre elles; et ces broches de connexion 3A et 3B sont directement connectées aux motifs d'électrodes d'interconnexion 10a et 10b de la monture auxiliaire 7 par les fils de connexion 9a et 9b, respectivement. Il faut noter que tous les autres composants sont similaires à ceux décrits en relation avec le premier mode de réalisation. De façon générale, l'inductance des broches de connexion 3A et 3B est grande, du fait que ces broches de connexion 3A et 3B font saillie considérablement dans l'air (en comparaison avec les broches de connexion 3a et 3b originales). Ceci peut affecter l'adaptation d'impédance. Cependant, la capacité du condensateur 12 disposé sur la monture auxiliaire 7 peut être réglée de façon à compenser l'inductance des fils de connexion 9a et 9b et des broches de connexion 3A et 3B, ainsi que l'inductance du fil de connexion 9c. Ceci permet de fabriquer aisé- ment un module optique moins coûteux, comprenant moins de composants. De nombreux changements et modifications de la présente invention sont évidemment possibles à la lumière des enseignements ci-dessus. Il faut donc noter que, dans le cadre des revendications an- nexées, l'invention peut être mise en pratique autrement que de la manière décrite de façon spécifique. REVENDICATIONS 1. Module optique, caractérisé en ce qu'il comprend: une embase (1); une première broche de connexion (3a) et une seconde broche de connexion (3b) pour appliquer un signal différentiel, les première et seconde broches de connexion (3a, 3b) traversant l'embase (1); un bloc de monture (2) fixé sur l'embase (1); une diode laser (8) ayant une paire d'électrodes (13); une monture auxiliaire (7) montée sur le bloc de monture (2) et ayant une résistance d'adaptation (Il), un condensateur inter-digité (12) et une multiplicité de motifs d'électrodes (10a, 10b, 10c) formés sur une de ses surfaces; et un premier fil de connexion (9a) et un deuxième fil de connexion (9b) pour connecter électriquement la monture auxiliaire (7) respectivement aux première et seconde broches de connexion (3a, 3b); et en ce que la diode laser (8) est montée sur l'un de la multiplicité de motifs d'électrodes (10c) sur la monture auxiliaire (7) et est connectée à un autre (10a) de la multiplicité de motifs d'électrodes sur la monture auxiliaire (7) par un troisième fil de connexion (9c), de façon que la diode laser (8) forme un circuit électrique, conjointement à la résistance d'adaptation (11) et au condensateur interdigité (12); et la valeur de la résistance d'adaptation (1 1) est inférieure à la valeur d'impédance obtenue en soustrayant la résistance de la diode laser (8) de l'impédance de la source de signal différentiel. 2. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: un premier substrat d'interconnexion (5a) et un second substrat d'interconnexion (5b) disposés sur le bloc de monture (2) de façon que la monture auxiliaire (7) soit intercalée entre eux, les première et seconde broches de connexion (3a, 3b) traversant l'embase ((1); et en ce que les premier et second substrats d'interconnexion (5a, 5b) sont connectés électriquement aux première et seconde broches de connexion (3a, 3b), respectivement; et la monture auxiliaire (7) est connectée aux premier et second substrats d'interconnexion (5a, 5b) res- pectivement par les premier et deuxième fils de connexion (9a, 9b). 3. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la monture auxiliaire (7) est directement connectée aux première et seconde broches de connexion (3A, 3B) respectivement par les premier et deuxième fils de connexion (9a, 9b).