Brevet FR2877770A1 — publié le 20060512

La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur possédant un élément MEMS (d'après "Micro-Electro-Mechanical Systems", à savoir microsystèmes électromécaniques) doté d'un actionneur. Ces dernières années, le développement des éléments MEMS (microsystèmes électromécaniques) possédant une structure mobile formée par micro-usinage a connu une progression exponentielle. Des exemples typiques d'éléments MEMS sont donnés par les dispositifs condensateurs variables, commutateurs, capteurs, gyroscopes, et miroirs. Les éléments MEMS comportent un élément MEMS piézo-électrique utilisant un matériau piézo-électrique qui se déforme lorsqu'il reçoit une tension. Les brevets des EUA n 6 359 374 et 6 355 498 décrivent des exemples d'éléments MEMS piézo-électriques fonctionnant comme un condensateur variable. Chacun des actionneurs des brevets des EUA n 6 359 374 et 6 355 498 comporte une électrode supérieure, une électrode inférieure et une pellicule piézo-électrique prise en sandwich entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. On déplace l'actionneur en ajustant la tension appliquée aux électrodes supérieure et inférieure de l'actionneur. La capacité varie en fonction de la distance entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure du condensateur variable. Toutefois, dans les structures décrites par les brevets n 6 359 374 et 6 355 498, la couche piézo-électrique n'est pas plane en raison de la présence d'un échelon. Pour cette raison, lorsqu'une tension est appliquée aux électrodes sur les côtés supérieur et inférieur de la pellicule piézo-électrique, la pellicule piézo-électrique s'étire de manière non uniforme, ou bien l'étirement horizontal de la pellicule piézo-électrique diminue. En outre, lorsque l'actionneur se déplace, une craquelure peut se former au niveau de la partie échelon de la pellicule piézo-électrique, ce qui amène une réduction du rendement. Comme décrit ci-dessus, dans l'élément MEMS piézo-électrique classique, puisque la pellicule piézo-électrique n'est pas plane, la fiabilité de l'élément MEMS est réduite. Un dispositif à semiconducteur selon un premier aspect de 35 l'invention est un dispositif à semiconducteur qui possède un élément MEMS de surface, comprenant un substrat semiconducteur, et un 2877770 2 actionneur qui est disposé au-dessus du substrat semiconducteur via un espace et possède une électrode inférieure, une électrode supérieure et une couche piézoélectrique prise en sandwich entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure, au moins la totalité de la surface de la couche piézoélectrique étant sensiblement plate. Un dispositif à semiconducteur selon un deuxième aspect de l'invention comprend un substrat semiconducteur qui possède une première région et une deuxième région, un actionneur qui est disposé au-dessus du substrat semiconducteur dans la première région via un espace et possède une électrode inférieure, une électrode supérieure et une couche piézoélectrique prise en sandwich entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure, une première couche d'électrode qui est formée sur le substrat semiconducteur dans la première région, une deuxième couche d'électrode qui est placée au-dessus du substrat piézo-électrique dans la première région via l'espace, est en regard de la première couche d'électrode et se déplace en fonction du déplacement de l'actionneur, et une électrode de grille qui est formée sur le substrat semiconducteur dans la deuxième région et est fait du même matériau que la première couche d'électrode. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne II-II de la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne III-III de la figure 1; la figure 4 est un schéma de circuit équivalent montrant l'élément MEMS selon le premier mode de réalisation de l'invention; la figure 5 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS lorsque les actionneurs représentés sur la figure 2 se déplacent; la figure 6 est un graphe montrant la variation de la capacité variable lorsque les actionneurs selon le premier mode de réalisation de l'invention se déplacent; 2877770 3 les figures 7 à 13 sont des vues en coupe montrant les étapes de fabrication de l'élément MEMS du premier mode de réalisation de l'invention; la figure 14 est une vue en coupe montrant un dispositif à semiconducteur selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; les figures 15 à 17 sont des vues en coupe montrant les étapes de fabrication du dispositif à semiconducteur du deuxième mode de réalisation de l'invention; la figure 18 est une vue en coupe montrant un dispositif à semiconducteur selon un troisième mode de réalisation de l'invention; la figure 19 est une vue en coupe montrant un dispositif à semiconducteur selon un quatrième mode de réalisation de l'invention; la figure 20 est une vue en coupe montrant un dispositif à semiconducteur selon un cinquième mode de réalisation de l'invention; la figure 21 est un schéma de circuit montrant un circuit oscillateur commandé par tension (noté circuit VCO) selon le cinquième mode de réalisation de l'invention; la figure 22 est un schéma fonctionnel montrant un appareil d'émission/récepteur selon un sixième mode de réalisation de l'invention; la figure 23 est un schéma de circuit montrant un appareil d'émission/récepteur selon le sixième mode de réalisation de l'invention; la figure 24 est une vue explicative montrant la résistance parasite d'un condensateur variable selon le sixième mode de réalisation de l'invention; la figure 25 est un schéma de circuit montrant un circuit de filtrage selon un septième mode de réalisation cle l'invention; la figure 26 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un huitième mode de réalisation de l'invention; la figure 27 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne XXVII- XXVII de la figure 26; la figure 28 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne XXVIII-XXVIII de la figure 26; la figure 29 est une en plan montrant un élément MEMS selon un neuvième mode de réalisation de l'invention; les figures 30A et 30B sont des vues en coupe, montrant l'élément MEMS, prises suivant la ligne XXX-XXX de la figure 29; 2877770 4 la figure 31 est une vue en coupe partielle, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne XXXI-XXXI de la figure 29; la figure 32 est un schéma de circuit équivalent simplifié montrant l'élément MEMS selon le neuvième mode de réalisation de l'invention; la figure 33 est un schéma fonctionnel montrant une puce semiconductrice selon un dixième mode de réalisation de l'invention; la figure 34 est un organigramme montrant l'opération d'essai d'un système d'ajustement selon le dixième mode de réalisation; la figure 35 est un schéma fonctionnel montrant une puce semiconductrice selon un onzième mode de réalisation de l'invention; la figure 36 est un organigramme montrant l'opération d'essai d'un système d'ajustement selon le onzième mode de réalisation; la figure 37 est une vue en coupe montrant un dispositif à semiconducteur selon le onzième mode de réalisation de l'invention; la figure 38 est une vue en coupe montrant une variante du dispositif à semiconducteur selon le onzième mode de réalisation de l'invention; la figure 39 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un douzième mode de réalisation de l'invention; la figure 40 est une vue en coupe, montrant un élément MEMS, prise suivant la ligne XL-XL de la figure 39; la figure 41 est une vue en coupe, montrant un élément MEMS, prise suivant la ligne XLI-XLI de la figure 39; la figure 42 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS lorsque les actionneurs représentés sur la figure 40 se déplacent; les figures 43 à 47 sont des vues en coupe montrant les étapes de fabrication de l'élément MEMS selon le douzième mode de réalisation de l'invention; la figure 48 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le douzième mode de réalisation de l'invention; la figure 49 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'une mémoire ferroélectrique et de l'élément MEMS selon le douzième mode de réalisation de l'invention; 2877770 5 la figure 50 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un treizième mode de réalisation de l'invention; la figure 51 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LI-LI de la figure 50; la figure 52 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LII-LII de la figure 50; la figure 53 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le treizième mode de réalisation de l'invention; la figure 54 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'une mémoire ferroélectrique et de l'élément MEMS selon le treizième mode de réalisation de l'invention; la figure 55 est une vue en coupe contrant un élément MEMS selon un quatorzième mode de réalisation de l'invention; la figure 56 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS selon le quatorzième mode de l'invention dans un état mobile; la figure 57 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le quatorzième mode de réalisation de l'invention; la figure 58 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'une mémoire ferroélectrique et de l'élément MEMS selon le quatorzième mode de réalisation de l'invention; la figure 59 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un quinzième mode de réalisation de l'invention; la figure 60 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LX-LX de la figure 59; la figure 61 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS prise suivant la ligne LXI-LXI de la figure 59; les figures 62A et 62B sont des vues en coupe montrant un état 30 mobile de l'élément MEMS selon le quinzième mode de réalisation de l'invention; la figure 63 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le quinzième mode de réalisation de l'invention; 2877770 6 la figure 64 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'une mémoire ferroélectrique et cie l'élément MEMS selon le quinzième mode de réalisation de l'invention; la figure 65 est une vue en coupe montrant une variante de l'élément MEMS selon le quinzième mode de réalisation de l'invention; la figure 66 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un seizième mode de réalisation de l'invention; la figure 67 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LXVII-LXVII de la figure 66; la figure 68 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LXVIII-LXVIII de la figure 66; la figure 69 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le seizième mode de réalisation de l'invention; la figure 70 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'une mémoire ferroélectrique et de l'élément MEMS selon le seizième mode de réalisation de l'invention; la figure 71 est une vue en plan montrant un élément MEMS qui comporte un groupement de transducteurs selon un dix-septième mode 20 de réalisation de l'invention; la figure 72 est une vue en plan montrant l'élément MEMS selon le dix-septième mode de réalisation de l'invention; la figure 73 est une vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LXXIII-LXIII de la figure 72; la figure 74 est une vue en coupe montrant une variante de l'élément MEMS selon le dix-septième mode de réalisation de l'invention; la figure 75 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le dix-septième mode de réalisation de l'invention; la figure 76 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'une mémoire ferroélectrique et de l'élément MEMS selon le dix-septième mode de réalisation de l'invention,; la figure 77 est une vue en plan montrant un élément MEMS selon un dix- huitième mode de réalisation de l'invention; la figure 78 est un vue en coupe, montrant l'élément MEMS, prise suivant la ligne LXXVIII-LXXVIII de la figure 77; 2877770 7 la figure 79 est une vue en coupe montrant la structure incorporée d'un transistor MOS et de l'élément MEMS selon le dix-huitième mode de réalisation de l'invention; la figure 80 est une vue en coupe montrant la structure 5 incorporée d'une mémoire ferroélectrique et de l'élément MEMS selon le dix-huitième mode de réalisation de l'invention; les figures 81 à 85 sont des vues en coupe montrant des variantes de l'élément MEMS selon chacun des modes de réalisation de l'invention; la figure 86 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS selon chacun des modes de réalisation de l'invention, où un actionneur possédant une structure à poutre doublement soutenue est déformé vers le bas dans un état non mobile; la figure 87 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS selon chacun des modes de réalisation de l'invention, où un actionneur possédant une structure en porte-à-faux est déformé vers le bas dans un état non mobile; la figure 88 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS selon chacun des modes de réalisation de l'invention, où un actionneur possédant une structure à poutre doublement soutenue est déformé vers le haut dans un état non mobile; et la figure 89 est une vue en coupe montrant l'élément MEMS selon chacun des modes de réalisation de l'invention, où un actionneur possédant une structure en porte-à-faux est déformé vers le haut dans un état non mobile. On notera que, dans la description suivante, faite en liaison avec les dessins annexés, des numéros de référence identiques désignent des parties identiques sur tous les dessins. Les modes de réalisation de l'invention concernent un élément MEMS (microsystèmes électromécaniques) de surface, possédant un actionneur. Un actionneur convertit par exemple un signal électrique en un déplacement mécanique dans le but de déplacer une partie mobile d'un élément MEMS. On peut classer les actionneurs en actionneurs de type électrostatique, de type thermique, de type électromagnétique et de type piézo-électrique en fonction du procédé d'entraînement. Parmi ces actionneurs, l'actionneur piézo-électrique met en oeuvre une structure 2877770 8 mobile en utilisant l'effet piézo-électrique d'un matériau piézo-électrique. Un élément MEMS (un élément MEMS piézo-électrique) possédant un actionneur piézo-électrique peut à la fois mettre en oeuvre un fonctionnement à basse tension et à faible consommation électrique et être commodément utilisé comme composant destiné à des dispositifs portatifs par exemple. Dans les modes de réalisation de l'invention, l'élément MEMS piézoélectrique est appliqué à un condensateur variable [1], à un commutateur [2], à un miroir [3], à un capteur [4], à un transducteur ultrasonique [5] , et à un filtre utilisant des résonateurs acoustiques du type FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator) [6]. [1] Condensateur variable Les sept premiers modes de réalisation de l'invention visent des 15 structures dans lesquelles un élément MEMS piézo-électrique fait fonction de condensateur variable. r1-11 Premier mode de réalisation Dans le premier mode de réalisation, un élément MEMS fait 20 fonction de condensateur variable. (1) Structure La figure 1 est une vue en plan d'un élément MEMS selon un premier mode de réalisation de l'invention. La figure 2 est une vue en coupe de l'élément MEMS, prise suivant la ligne II-II de la figure 1. La figure 3 est une vue en coupe de l'élément MEMS, prise suivant la ligne III-III de la figure 1. La figure 4 est un schéma de circuit équivalent simplifié de l'élément MEMS du premier mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-dessous la structure de l'élément MEMS du premier mode de réalisation de l'invention. Comme représenté sur les figures 1 et 2, on forme une pellicule d'oxyde thermique 12 sur un substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11. On forme une première couche d'électrode 13 d'un condensateur variable 30 sur la pellicule d'oxyde thermique 12. On forme une première pellicule isolante 14 sur la première couche d'électrode 13 et la pellicule d'oxyde thermique 12. La première pellicule 2877770 9 isolante 14 recouvre la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30. On forme des deuxièmes pellicules isolantes 15 partiellement sur la première pellicule isolante 14. Une cavité 34 est présente au-dessus de la première couche d'électrode 13 de façon que les actionneurs 22a et 22b puissent se déplacer. On forme une troisième pellicule isolante 18 sur les deuxièmes pellicules isolantes 15 s'étendant sur la cavité 34. On forme une deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 sur la troisième pellicule isolante 18 de façon qu'elle soit en regard de la première couche d'électrode 13. On forme les actionneurs 22a et 22b des deux côtés de la deuxième couche d'électrode 27. Les actionneurs 22a et 22b sont séparés de la deuxième couche d'électrode 27. Chacun des actionneurs 22a et 22b comporte une électrode inférieure 19, une électrode supérieure 21, et une couche piézoélectrique 20 prise en sandwich entre l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21. Des contacts 28a et 28b et des couches d'interconnexion 31a et 31b sont connectés aux électrodes inférieures 19. Les contacts 29a et 29b et les couches d'interconnexion 32a et 32b sont connectés aux électrodes supérieures 21. Des tensions électriques V1 et V2 sont respectivement appliquées à l'électrode inférieure 19 et à l'électrode supérieure 21. La taille d'une puce qui comporte ce condensateur variable 30 est par exemple de 2 cm x 2 cm. Comme représenté sur la figure 3, l'élément MEMS possède une partie ouvrante 33 destinée à l'enlèvement d'une couche sacrificielle (non représentée) dans une tranchée 16. Lorsque l'on retire la couche sacrificielle via la partie ouvrante 33, la cavité 34 se forme entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30. La deuxième couche d'électrode 27 est interrompue en une certaine partie par la partie ouvrante 33. La partie interrompue sert de couche d'interconnexion d'extraction 27'. La couche d'interconnexion d'extraction 27' est connectée à la première couche d'électrode 13 par l'intermédiaire d'un contact 35. Par exemple, le potentiel de terre ou un potentiel variable est fourni à la première couche d'électrode 13. 2877770 10 La figure 4 est un schéma de circuit équivalent simplifié montrant l'élément MEMS ci-dessus décrit. Comme on peut le voir sur la figure 4, des résistances parasites Rv1 et Rv2 et des inductances parasites Lv1 et Lv2 associées aux fils conducteurs par exemple sont présentes au niveau des deux bornes du condensateur variable 30. Les capacités parasites Cgl et Cg2 sont présentes entre le condensateur variable 30 et le substrat. Par conséquent, le substrat semiconducteur 11 est de préférence connecté à la terre. Toutefois, le substrat semiconducteur 11 ne doit pas toujours nécessairement être connecté à la terre. La pellicule d'oxyde thermique 12 ne doit pas toujours être formée sur le substrat semiconducteur 11. Si la pellicule d'oxyde thermique 12 doit être formée, elle peut être formée de manière très mince. Par exemple, si la pellicule d'oxyde thermique 12 doit faire fonction d'un élément d'arrêt de gravure lors de la fabrication de la première couche d'électrode 13, une épaisseur de 400 nm, ou plus, par exemple, suffit. Si la pellicule d'oxyde thermique 12 doit faire fonction de couche isolante, une épaisseur de 3 nm, ou plus, par exemple, suffit. Actionneur Les actionneurs 22a et 22b ont la structure suivante. Entre l'électrode inférieure 19, l'électrode supérieure 21 et la couche piézo-électrique 20, au moins la couche piézo-électrique 20 est presque plate. De préférence, les trois couches sont toutes plates. La totalité de la surface de la couche piézo-électrique 20 est de préférence presque plate. En d'autres termes, toute la surface de la couche piézo-électrique 20 forme de préférence une surface plate presque parallèle à la surface du substrat semiconducteur 11. L'aire de l'électrode inférieure 19 peut être presque égale ou bien supérieure ou inférieure à l'aire de l'électrode supérieure 21. Comme représenté sur les figures 1 et 2, lorsque l'aire de l'électrode inférieure 19 est plus grande que celle de l'électrode supérieure 21, les contacts 28a et 28b connectés aux électrodes inférieures 19 peuvent facilement être extraits vers le haut. L'aire de la couche piézo-électrique 20 peut être ou bien presque égale ou bien supérieure ou inférieure à l'aire de l'électrode 2877770 11 inférieure 19. De plus, l'aire de la couche piézo-électrique 20 peut être ou bien presque égale ou bien supérieure ou inférieure à l'aire de l'électrode supérieure 21. En d'autres termes, la couche piézo-électrique 20, l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21 peuvent toutes avoir la même forme plane. Selon une autre possibilité, au moins l'une d'elles peut avoir une forme différente. Plus spécialement, par exemple, l'aire de la couche piézo-électrique 20 peut être plus petite que celle de l'électrode inférieure 19 de façon que la couche piézo-électrique 20 ne soit formée que sur l'électrode inférieure 19. Selon une autre possibilité, la structure en couches comportant l'électrode inférieure 19, la couche piézo-électrique 20 et l'électrode supérieure 21 peut être formée de façon qu'une couche supérieure présente une plus petite aire. Les surfaces latérales de la couche piézo-électrique 20, de l'électrode inférieure 19 et de l'électrode supérieure 21 peuvent être en alignement entre elles (presque au même niveau l'une vis-à-vis de l'autre) ou bien être partiellement désalignées. Plus spécialement, par exemple, la surface latérale de la couche piézo-électrique 20 peut être presque en alignement avec la surface latérale de l'électrode supérieure 21. Les surfaces latérales de la couche piézo-électrique 20, de l'électrode inférieure 19 et de l'électrode supérieure 21 peuvent être presque en alignement les unes avec les autres à l'extrémité de chacun des actionneurs 22a et 22b sur le côté du condensateur variable 30. La surface latérale de l'électrode inférieure 19 peut faire saillie par rapport aux surfaces latérales de la couche piézo-électrique 20 et de l'électrode supérieure 21 à l'extrémité de chacun des actionneurs 22a et 22b du côté opposé du condensateur variable 30. Selon une autre possibilité, l'électrode inférieure 19, la couche piézo-électrique 20 et l'électrode supérieure 21 peuvent être formées de façon que la surface latérale de la couche inférieure (par exemple l'électrode inférieure 19) puisse être recouverte d'une couche supérieure (par exemple la couche piézo-électrique 20). Les surfaces latérales de toutes les couches peuvent être contact avec une pellicule isolante 23. La couche piézo-électrique 20, l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21 peuvent avoir diverses formes planes. Elles peuvent avoir par exemple un forme polygonale (par exemple la forme d'un carré, d'un rectangle, d'un quadrilatère ou d'un hexagone) ou 2877770 12 bien une forme circulaire. L'électrode supérieure 21 peut avoir une forme plane possédant cinq ou plus de cinq côtés et des angles obtus. Dans ce cas, on peut supprimer la déformation de l'électrode supérieure 21 ou son décollement de la couche piézo-électrique 20. La couche piézo-électrique 20, l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21 peuvent avoir ou bien presque la même épaisseur ou bien des épaisseurs différentes. Par exemple, l'électrode inférieure 19 peut être plus mince ou plus épaisse que l'électrode supérieure 21. L'épaisseur de la couche piézo-électrique 20 peut être par exemple de 0,2 nm ou moins. Les pellicules isolantes 15 sont de préférence présentes sous les extrémités des actionneurs 22a et 22b de part et d'autre du condensateur variable 30. Ainsi, les actionneurs 22a et 22b sont de préférence partiellement disposés sur les pellicules isolantes 15 au lieu que ces actionneurs 22a et 22b soient entièrement placés sur la cavité 34. C'est parce que, lorsque les pellicules isolantes 15 font fonction de points d'appui dans le déplacement des actionneurs 22a et 22b, on peut accroître les possibilités de commander le déplacement. Condensateur variable Le condensateur variable 30 possède la structure suivante. L'aire de la deuxième couche d'électrode 27 peut être ou bien plus grande ou plus petite ou bien presque égale à l'aire de la première couche d'électrode 13. La première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 peuvent avoir ou bien des formes planes différentes ou bien presque la même forme plane. La résistance par carré, ou résistivité en couche, d'au moins l'une des première et deuxième couches d'électrode 13 et 27 est par 30 exemple de 10 S2/carré, ou moins. La première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 peuvent avoir presque la même épaisseur ou bien des épaisseurs différentes. Par exemple, la première couche d'électrode 13 peut être plus mince ou plus épaisse que la deuxième couche d'électrode 27. 2877770 13 (2) Matériau Les couches de l'élément MEMS sont par exemple faites des matériaux suivants. Des exemples du matériau de la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 sont l'aluminium (Al), le cuivre (Cu) et le tungstène (W). Des exemples du matériau de la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 sont le tungstène (W), l'aluminium (Al), le cuivre (Cu), l'or (Au), le titane (Ti), le platine (Pt) ou le silicium polycristallin. Pour réduire la résistance de la première couche d'électrode 13, on utilise de préférence W. Lorsque l'on utilise du silicium polycristallin pour le matériau de la première couche d'électrode 13, on forme de préférence une couche de siliciure sur la première couche d'électrode 13. Le matériau de la première couche d'électrode 13 peut contenir l'une quelconque des substances suivantes, à savoir le cobalt (Co), le nickel (Ni), le silicium (Si), et N. Des exemples du matériau des couches piézo-électriques 20 des actionneurs 22a et 22b sont donnés par un matériau piézo-électrique céramique tel que le PZT (Pb(Zr,Ti)03), AIN, ZnO, PbTiO ou le BTO (BaTiO) et un matériau piézo-électrique polymère tel que le polyfluorure de vinylidène (PVDF). Des exemples des matériaux des électrodes supérieures 21 et des électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b sont (a) un matériau choisi dans le groupe de matériaux comprenant Pt, Sr, Ru, Cr, Mo, W, Ti, Ta, Al, Cu et Ni, (b) un nitrure contenant au moins l'un des matériaux ci- dessus indiqués, (c) un oxyde conducteur (par exemple SrRuO) contenant au moins l'un des matériaux ci-dessus indiqués, (d) un composé fait de matériaux choisis dans le groupe de matériaux, et (e) une couche multiple formée parempilement de matériaux choisis dans les groupes (a) à (d). Des exemples de la première pellicule isolante 14 sont donnés par une couche simple faite de SiN, d'une couche simple faite de SiO2, une couche simple faite de AI203r une couche multiple faite de SiN/Si02 et une couche multiple faite de SiN/AI203. Des exemples de la troisième pellicule isolante 18 sont donnés par une couche simple faite de SiN, une couche simple faite de SiO2, 2877770 14 une couche simple faite de AI2O3r une couche multiple faite de SiN/SiO2 et une couche multiple faite de SiN/AI2O3. Un exemple de la quatrième pellicule isolante 23 est donné par une couche simple faite de SiO2. La première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 peuvent être faites ou bien du même matériau ou bien de matériaux différents. Les électrodes supérieures 21 et les électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b peuvent être faites ou bien du même matériau ou bien de matériaux différents. La première pellicule isolante 14 et la troisième pellicule isolante 18 peuvent être faites ou bien du même matériau ou bien de matériaux différents. f3) Fonctionnement La figure 5 est une vue en coupe de l'élément MEMS lorsque les actionneurs représentés sur la figure 2 se déplacent. La figure 6 est un graphe montrant la variation de la capacité variable lorsque les actionneurs du premier mode de réalisation se déplacent. L'élément MEMS du premier mode de réalisation de l'invention fait fonction d'un condensateur variable de la manière suivante. Etat non mobile L'état non mobile des actionneurs 22a et 22b va maintenant être décrit en liaison avec la figure 2. Lorsque les tensions électriques V1 et V2 des électrodes inférieures 19 et des électrodes supérieures 21 des actionneurs 22a et 22b sont par exemple de 0 V, les actionneurs 22a et 22b ne se déplacent pas et restent dans l'état présenté sur la figure 2. Dans l'état présenté sur la figure 2, la capacité Cv du condensateur variable 30 est au minimum. Lorsque l'on obtient une capacité Cvmin minimale, la distance dmax entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 est donnée par la formule suivante (épaisseur de dépôt Ti de /a première pellicule isolante 14) + (distance X1 entre /a première pellicule isolante 14 et /a troisième pellicule isolante 18 dans /a région où /a première couche d'électrode 13 existe) + (épaisseur de dépôt T3 de /a troisième pellicule isolante 18). 2877770 15 Dans l'état représenté sur la figure 2, la distance X1 entre la première pellicule isolante 14 et la troisième pellicule isolante 18 dans la région où la première couche d'électrode 13 existe est presque égale à, par exemple, la formule suivante: (distanc.eX2) (épaisseur de /a première couche d'électrode 13). La distance X2 est la distance entre la première pellicule isolante 14 et la troisième pellicule isolante 18 dans la région où la première couche d'électrode 13 n'existe pas. En d'autres termes, la distance X2 est égale à la profondeur de la tranchée 16 dans la région où la première couche d'électrode 13 n'existe pas ou bien l'épaisseur de dépôt T2 de la deuxième pellicule isolante 15. Plus spécialement, la distance X2 est par exemple d'environ 0,5 à 3,0 pm. L'épaisseur de la première couche d'électrode 13 est par exemple d'environ 250 nm. L'épaisseur de dépôt Ti de la première pellicule isolante 14 est par exemple d'environ 10 nm à 1 pm et, par exemple, de 200 nm. L'épaisseur de dépôt T3 de la troisième pellicule isolante 18 est par exemple d'environ 10 nm à 1 pm et, par exemple, de 200 nm. Les épaisseurs de dépôt Ti et T3 de la première pellicule isolante 14 et de la troisième pellicule isolante 18 peuvent être presque identiques. Selon une autre possibilité, l'épaisseur de dépôt T1 peut être supérieure ou inférieure à l'épaisseur de dépôt T3. Etat mobile On va décrire maintenant l'état mobile des actionneurs 22a 25 et 22b en liaison avec la figure 5. La tension V1 des électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b est fixée par exemple au potentiel de la terre (0 V). La tension V2 des électrodes supérieures 21 augmente de 0 V à, par exemple, 3 V. A ce moment, les actionneurs 22a et 22b se déplacent et se positionnent dans l'état représenté sur la figure 5. Plus spécialement, les couches piézoélectriques 20 se déforment suivant la direction horizontale. Les extrémités des actionneurs 22a et 22b se trouvant sur les côtés du condensateur variable 30 se déplacent vers le bas. Par conséquent, la distance entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 se raccourcit. Lorsque les actionneurs 22a et 22b se déplacent et se fixent dans l'état représenté sur 2877770 16 la figure 5 où la première pellicule isolante 14 et la troisième pellicule isolante 18 sont en contact, la capacité Cv du condensateur variable 30 est au maximum. Lorsque l'on obtient une capacité Cvmax maximale, la distance dmin entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 est donnée par la formule suivante: (épaisseur de dépôt TI de /a première pellicule isolante.14) + ( épaisseur de dépôt T3 de la troisième pellicule isolante 18). Comme décrit ci-dessus, les actionneurs 22a et 22b sont déplacés par ajustement des tensions V1 et V2 appliquées aux électrodes inférieures 19 et aux électrodes supérieures 21 des actionneurs 22a et 22b. De ce fait, la distance entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 varie. Par conséquent, la capacité Cv du condensateur variable 30 peut être modifiée. En d'autres termes, la capacité Cv du condensateur variable 30 peut être modifiée sous l'effet des valeurs des tensions appliquées V1 et V2 des actionneurs 22a et 22b. Dans l'exemple, comme représenté sur la figure 6, la tension V1 des électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b est fixée au potentiel de terre (0 V). La tension V2 des électrodes supérieures 21 varie de 0 V à 3 V. A ce moment, la capacité Cv du condensateur variable 30 passe de 0,08 pF à 13,00 pF. Dans ce cas, la taille des électrodes du condensateur variable 30 est de 100 pm, et la distance Xl entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 dans l'état non mobile est de 1 pm. Le rapport de la capacité maximale Cvmax à la capacité minimale Cvmin est de préférence élevé. Le rapport des capacités est de préférence de 20 ou plus dans l'état de recuit à une température d'environ -45 C à 125 C environ. Lorsque le condensateur variable 30 varie de la manière cidessus décrite, on peut assurer un rapport des capacités de 150, ou plus, par exemple. Le rapport des capacités du condensateur variable 30 peut être librement modifié en fonction de la forme d'utilisation. 2877770 17 (4) Procédé de fabrication Les figures 7 à 13 sont des vues en coupe montrant les étapes de la fabrication de l'élément MEMS du premier mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-dessous le procédé de fabrication de l'élément MEMS du premier mode de réalisation. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 7, on forme la pellicule d'oxyde thermique 12, possédant une épaisseur d'environ 1,3 pm par exemple, sur le substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11, qui présente une épaisseur d'environ 750 pm, par exemple. On dépose une couche conductrice faisant fonction de la première couche d'électrode 13 sur la pellicule d'oxyde thermique 12 et on lui applique un tracé de motif. Avec ce procédé, on forme la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30. Comme on peut le voir sur la figure 8, on dépose la première pellicule isolante 14 sur la première couche d'électrode 13 et la pellicule d'oxyde thermique 12. On dépose la deuxième pellicule isolante 15 sur la première pellicule isolante 14 et on la fabrique par exemple par une gravure ionique réactive (notée RIE) en profondeur. Avec ce procédé, on forme la tranchée profonde 16 qui expose une partie de la première pellicule isolante 14. Comme on peut le voir sur la figure 9, on dépose la couche sacrificielle 17 sur la première pellicule isolante 14 et la deuxième pellicule isolante 15. Des exemples du matériau de la couche sacrificielle 17 sont le silicium polycristallin, le silicium amorphe, un agent de réserve habituellement appelé "résist", et une matière organique. On utilise de préférence un matériau possédant une sélectivité de gravure élevée par rapport à la première pellicule isolante 14, la deuxième pellicule isolante 15 et la troisième pellicule isolante 18. Après cela, on effectue la planarisation de la couche sacrificielle 17 en appliquant par exemple un polissage chimicomécanique (habituellement noté CMP, d'après "Chemical Mechanical Polishing") ou une rétrogravure allant jusqu'à exposer la deuxième pellicule isolante 15. Avec ce procédé, on remplit la tranchée 16 au moyen de la couche sacrificielle 17. Ensuite, on forme la troisième pellicule isolante 18 sur la couche sacrificielle 17 et la deuxième pellicule isolante 15 par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (noté CVD) par exemple. 2877770 18 Comme représenté sur la figure 10, on dépose successivement l'électrode inférieure 19, la couche piézo-électrique 20 et l'électrode supérieure 21 sur la troisième pellicule isolante 18, par exemple par pulvérisation. On applique un tracé de motif à l'électrode supérieure 21 et à la couche piézo-électrique 20 de façon que l'électrode inférieure 19 soit partiellement exposée. En outre, on applique un tracé de motif à l'électrode supérieure 21, la couche piézo-électrique 20 et l'électrode inférieure 19. De cette manière, on forme les actionneurs piézoélectriques 22a et 22b qui comportent chacun l'électrode inférieure 19, la couche piézo-électrique 20 et l'électrode supérieure 21. Comme représenté sur la figure 11, on dépose la quatrième pellicule isolante 23 sur les actionneurs 22a et 22b et la troisième pellicule isolante 18. On forme une tranchée d'interconnexion 24 et quatre trous de contact 25a, 25b, 26a et 26b dans la quatrième pellicule isolante 23. La tranchée d'interconnexion 24 expose une partie de la troisième pellicule isolante 18. Les premier et deuxième trous de contact 25a et 25b exposent une partie des électrodes inférieures 19. Les troisième et quatrième trous de contact 26a et 26b exposent une partie des électrodes supérieures 21. Comme représenté sur la figure 12, la tranchée d'interconnexion 24 et les quatre trous de contact 25a, 25b, 26a et 26b sont remplis au moyen d'un matériau conducteur de façon à former la deuxième couche d'électrode 27 et les premier, deuxième, troisième et quatrième contacts 28a, 28b, 29a et 29b. Comme représenté sur la figure 13, on forme des couches d'interconnexion 31a, 31b, 32a et 32b connectées aux contacts 28a, 28b, 29a et 29b. On forme ensuite une partie ouvrante (la partie ouvrante 33 de la figure 3) qui expose une partie de la couche sacrificielle 17. On retire la couche sacrificielle 17 à travers cette partie ouvrante de manière à former la cavité 34. L'enlèvement de la couche sacrificielle 17 peut se faire par gravure à sec ou par gravure par voie humide pour autant qu'il s'agisse d'une gravure isotrope et, par exemple, par gravure chimique à sec (notée CDE). De la manière ci-dessus décrite, on forme l'élément MEMS piézoélectrique. Le procédé ci-dessus décrit est simplement un exemple de procédé de fabrication de l'élément MEMS selon le premier mode de 2877770 19 réalisation. L'invention n'est pas limitée à cela et diverses variantes et modifications peuvent être apportées. Lors des opérations représentées sur les figures 8 et 9, après que la tranchée 16 a été formée dans la pellicule isolante 15, on enterre la couche sacrificielle 17 dans la tranchée 16. Toutefois, l'invention n'est pas limitée à cela. Par exemple, on peut déposer la couche sacrificielle 17 sur la pellicule isolante 14 et lui appliquer un tracé de motif pour commencer. Après cela, on peut enterrer la pellicule isolante 15 autour de la couche sacrificielle 17. Les actionneurs 22a et 22b ne doivent pas nécessairement toujours être directement formés sur la troisième pellicule isolante 18. On peut former une couche isolante sur la troisième pellicule isolante 18, comme représenté sur la figure 2. Au cours des opérations représentées sur les figures 11 et 12, après que la tranchée d'interconnexion 24 a été formée dans la pellicule isolante 23, on remplit la tranchée d'interconnexion 24 au moyen d'un matériau conducteur afin de former la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30. Toutefois, l'invention n'est pas limitée à cela. Par exemple, on peut déposer un matériau conducteur sur la troisième pellicule isolante 18 et lui appliquer un tracé de motif pour commencer. Ensuite, on peut enterrer la pellicule isolante 23 autour du matériau conducteur afin de former la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30. Lorsque l'on emploie ce procédé, la deuxième couche d'électrode 27 possède par exemple la structure présentée sur la figure 2. Lors des opérations représentées sur les figures 11 et 12, on forme simultanément, au moyen du même matériau, la deuxième couche d'électrode 27 et les contacts 28a, 28b, 29a et 29b du condensateur variable 30. Toutefois, on peut également les former lors d'opérations différentes en utilisant des matériaux différents, bien évidemment. Comme décrit ci-dessus, avec le premier mode de réalisation, dans les actionneurs 22a et 22b utilisant les couches piézo-électriques 20, les couches piézo-électriques 20 sont presque plates. Pour cette raison, même lorsque l'on applique les tensions V1 et V2 aux électrodes inférieures 19 et aux électrodes supérieures 21, on peut empêcher que les 2877770 20 couches piézo-électriques 20 ne s'étirent de manière non uniforme ou ne provoquent une diminution du degré d'étirement à l'horizontal. En outre, lorsque les actionneurs 22a et 22b se déplacent, on peut supprimer toute apparition de craquelures au niveau des parties échelon des couches piézoélectriques 20. Par conséquent, on peut accroître le rendement. De ce fait, on peut augmenter la fiabilité de l'élément MEMS. f l-21 Deuxième mode de réalisation Ce deuxième mode de réalisation est une variante du premier mode de réalisation. On forme un transistor MOS (par exemple un transistor CMOS) sur le même substrat qu'un condensateur variable. Une telle structure incorporée de l'élément MEMS et du transistor MOS s'utilise par exemple dans un amplificateur à faible niveau de bruit. (1) Structure La figure 14 est une vue en coupe d'un dispositif à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de l'invention. Ce dispositif à semiconducteur du deuxième mode de réalisation va être décrit ci-dessous. Comme on peut le voir sur la figure 14, le deuxième mode de réalisation se distingue principalement du premier mode de réalisation en ce qu'un transistor MOS 40 est formé sur un substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11 sur lequel une première couche d'électrode 13 d'un condensateur variable 30 a été formée. On décrit ci-après cette structure de manière détaillée. On forme dans le substrat semiconducteur 11 une région 43 d'isolation d'élément possédant une structure dite STI (d'après "Shallow Trench Isolation", ce qui signifie l'isolation par tranchée peu profonde) possédant une épaisseur de 500 nm par exemple. Il existe une première région où l'on forme l'élément MEMS faisant fonction du condensateur variable 30 et une deuxième région où l'on forme le transistor MOS 40. Dans la deuxième région, on forme un puits de type P 42 à la surface du substrat semiconducteur 11. On forme sur le puits de type P 42 une pellicule 44 d'isolation de grille et on forme sur la pellicule 44 d'isolation de grille une électrode de grille 45. La longueur de grille de l'électrode de grille 45 est par exemple d'environ 0,6 pm ou moins. On forme des couches 46 de diffusion de source et de drain dans le puits 2877770 21 de type P 42 de part et d'autre de l'électrode de grille 45. On forme sur la surface latérale de l'électrode de grille 45 une couche 47 formant une paroi latérale. D'autre part, dans la première région, on forme sur la région d'isolation d'élément 43 la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30. Sur les surfaces latérales de la première couche d'électrode 13, on forme une couche 48 formant une paroi latérale. Puisque la région 43 d'isolation d'élément qui est faite par exemple d'une pellicule d'oxyde est présente sous la première couche d'électrode 13, aucune pellicule correspondant à la pellicule d'isolation de grille 44 n'est formée sous la première couche d'électrode 13. Toutefois, une pellicule d'isolation peut également être formée entre la première couche d'électrode 13 et la région d'isolation d'élément 43. Dans la structure incorporée de l'élément MEMS et du transistor MOS, la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 peuvent être faites du même matériau. (2) Procédé de fabrication Les figures 15 à 17 sont des vues en coupe montrant les étapes de fabrication du dispositif à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-après le procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur du deuxième mode de réalisation. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 15, on forme le puits de type P 42 dans la surface du substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11 de la deuxième région. La région 43 d'isolation d'élément possédant une structure STI faite par exemple d'une pellicule d'oxyde est formée dans le substrat semiconducteur 11. Pour assurer la région destinée à former le transistor MOS 40, la région d'isolation d'élément 43 n'est pas présente au niveau d'une partie de la deuxième région. On forme la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 sur le substrat semiconducteur 11 dans la première région. On forme la pellicule d'isolation de grille 44 sur le substrat semiconducteur 11 dans la deuxième région, puis on forme l'électrode de grille 45 sur la pellicule d'isolation de grille 44. On peut former la première 2877770 22 couche d'électrode 13 et l'électrode de grille 45 soit simultanément en utilisant le même matériau, soit séparément en utilisant des matériaux différents. Dans la deuxième région, les couches 46 de diffusion de source et de drain sont formées dans le substrat semiconducteur 11 des deux côtés de l'électrode de grille 45. Sur la surface latérale de l'électrode de grille 45, on forme la couche de paroi latérale 47. Sur la surface latérale de la première couche d'électrode 13, on forme la couche 48 de paroi latérale. La couche de paroi latérale 48 faite du même matériau que la couche de paroi latérale 47 peut être formée sur la surface latérale de la première couche d'électrode 13. On peut omettre la formation de la couche de paroi latérale 48. De la manière décrite ci-dessus, on forme le transistor MOS 40 sur le substrat semiconducteur 11 dans la deuxième région. Comme on peut le voir sur la figure 16, on dépose une première pellicule isolante 14 et une deuxième pellicule isolante 15. On forme une tranchée 16 dans la deuxième pellicule isolante 15 se trouvant dans la première région. On forme une couche sacrificielle 17 dans la tranchée 16. On forme une troisième pellicule d'isolation 18 sur la couche sacrificielle 17 et la deuxième pellicule d'isolation 15. On forme, sur la troisième pellicule d'isolation 18 se trouvant dans la première région, des actionneurs 22a et 22b comportant chacun une électrode inférieure 19, une couche piézo-électrique 20 et une électrode supérieure 21. Comme on peut le voir sur la figure 17, on dépose une quatrième pellicule d'isolation 23 sur les actionneurs 22a et 22b et la troisième pellicule 18. On forme une tranchée d'interconnexion 24 et sept trous de contact 25a, 25b, 26a, 26b, 49, 50a et 50b. La tranchée d'interconnexion 24 expose une partie de la troisième pellicule d'isolation 18. Les premier et deuxième trous de contact 25a et 25b exposent une partie des électrodes inférieures 19. Les troisième et quatrième trous de contact 26a et 26b exposent une partie des électrodes supérieures 21. Le cinquième trou de contact 49 expose l'électrode de grille 45. Les sixième et septième trous de contact 50a et 50b exposent les couches 46 de diffusion de source et de drain. Comme représenté sur la figure 14, on remplit au moyen d'un matériau conducteur la tranchée d'interconnexion 24 et les sept trous de 2877770 23 contact 25a, 25b, 26a, 26b, 49, 50a et 50b. Avec ce procédé, on forme la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 et sept contacts 28a, 28b, 29a, 29b, 51, 52a et 52b. De plus, on forme des couches d'interconnexion 31a, 31b, 32a, 32b, 53, 54a et 54b qui sont connectées aux contacts 28a, 28b, 29a, 29b, 51, 52a et 52b. Après cela, on forme une partie ouvrante (correspondant à la partie ouvrante 33 de la figure 3) qui expose une partie de la couche sacrificielle 17. On retire la couche sacrificielle 17 par cette partie ouvrante afin de former une cavité 34 dans la première région. De la manière ci-dessus indiquée, on forme un dispositif à semiconducteur dans lequel un élément MEMS piézo- électrique et un transistor MOS sont incorporés. Comme décrit ci-dessus, avec le deuxième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le premier mode de réalisation. De plus, le transistor MOS 40 et le condensateur variable 30 peuvent être formés sur le même substrat. Puisque la première couche d'électrode du condensateur variable 30 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 peuvent être formés en même temps au moyen du même matériau, on peut simplifier le processus de fabrication. F1-31 Troisième mode de réalisation Ce troisième mode de réalisation est une variante du deuxième mode de réalisation. Un puits de type N qui entoure un puits de type P est formé dans la région de formation du transistor MOS. La figure 18 est une vue en coupe d'un dispositif à semiconducteur selon le troisième mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-après le dispositif à semiconducteur du troisième mode de réalisation. Ainsi qu'on peut le voir sur la figure 18, le troisième mode de réalisation diffère du deuxième mode de réalisation en ce qu'un puits de type N 41 possédant un type de conductivité clifférent de celui d'un puits de type P 42 est formé en une position plus profonde que le puits de type P 42 dans la deuxième région, le puits de type P 41 entourant le puits de type P42. Comme décrit ci-dessus, avec ce troisième mode de réalisation, on peut obtenir un même effet qu'avec le deuxième mode de réalisation. En outre, puisque le puits P 42 est entouré par le puits N 41, on peut 2877770 24 empêcher le bruit du substrat produit par le fonctionnement d'un transistor MOS 40 d'entrer dans le condensateur variable 30. ri-41 Quatrième mode de réalisation Ce quatrième mode de réalisation est une variante du deuxième mode de réalisation. L'électrode inférieure du condensateur variable fait également fonction de l'électrode de grille du transistor MOS. La figure 19 est une vue en coupe d'un dispositif à semiconducteur selon ce quatrième mode de réalisation de l'invention. 10 On décrit ci-après le dispositif à semiconducteur du quatrième mode de réalisation. Ainsi qu'on peut le voir sur la figure 19, le quatrième mode de réalisation diffère du deuxième mode de réalisation en ce que la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 présente la même structure que le transistor MOS 40 et fait également fonction de l'électrode de grille d'un transistor MOS 60. On va décrire en détail cidessous cette structure. Un puits de type N 62 est formé dans le substrat semiconducteur 11 dans une première région. Un puits de type P 42 est formé dans le substrat semiconducteur 11 dans une deuxième région. Un puits de type N 61 est formé dans le substrat semiconducteur 11 en une position plus profonde que le puits de type N 62 et le puits de type P 42. Une pellicule 63 d'isolation de grille est formée sur le puits de type N 62 tandis que la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30, qui fait fonction d'une électrode de grille, est formée sur la pellicule d'isolation de grille 63. Des couches 64 de diffusion de source et de drain sont formées dans le puits de type N 62 de part et d'autre de la première couche d'électrode 13. Une couche de paroi latérale 48 est formée sur la surface latérale de la première couche d'électrode 13. Dans ce quatrième mode de réalisation, lorsque les actionneurs 22a et 22b se déplacent et que la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 approche de la première couche d'électrode 13, le type de conductivité de puits de type N 62 se trouvant sous la première couche d'électrode 13 s'inverse, de sorte qu'un courant circule entre les couches 64 de diffusion de source et de drain. 2877770 25 Ainsi, la première couche d'électrode 13 fait fonction d'une électrode de grille. Comme décrit ci-dessus, avec ce quatrième mode de réalisation, on peut obtenir un même effet qu'avec le deuxième mode de réalisation. De plus, on peut également obtenir l'effet suivant. Dans le quatrième mode de réalisation, la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 fait fonction de l'électrode de grille du transistor MOS 60. Pour cette raison, même lorsque la pellicule d'isolation de grille 63 du transistor MOS 60 est mince, et que la tension de claquage de la pellicule d'isolation de grille 63 est faible, la capacité effective diminue du fait qu'une capacité Cv correspondant au condensateur variable 30 est connectée en série avec l'électrode de grille (première couche d'électrode 13). Cet état équivaut à une structure comportant une pellicule d'isolation de grille 63 épaisse. Par conséquent, la tension de claquage de la pellicule d'isolation de grille 63 augmente. Le transistor MOS 60 fait fonction d'un élément haute tension et peut donc traiter un signal de haute tension qui ne peut pas être traité par le transistor MOS 40 formé sur le même substrat. f 1-51 Cinquième mode de réalisation Dans ce cinquième mode de réalisation, on applique le deuxième mode de réalisation à un circuit oscillateur commandé par tension (noté VCO). La figure 20 est une vue en coupe d'un dispositif à semiconducteur selon un cinquième mode de réalisation de l'invention. La figure 21 est un schéma de circuit montrant un circuit VCO selon le cinquième mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-après le dispositif à semiconducteur de ce cinquième mode de réalisation. Ainsi qu'on peut le voir sur la figure 20, dans le cinquième mode de réalisation, on forme sur le même substrat un condensateur variable 30, un transistor MOS 40 et une résistance 70, qui sont présents dans le circuit VCO de la figure 21. Plus spécialement, on forme le condensateur variable 30 dans une première région, le transistor MOS 40 dans une deuxième région, et la résistance 70 dans une troisième région sur un unique substrat semiconducteur 11. 2877770 26 Les première et troisième régions ont presque la mêmestructure. Dans la première région, une cavité est formée de façon que les actionneurs 22a et 22b puissent se déplacer. Dans la troisième région, il subsiste une couche sacrificielle 17. La résistance 70 se trouvant dans la troisième région fait fonction d'un élément résistif du fait que la couche sacrificielle 17 faite en un matériau isolant est présente entre une première couche d'électrode 13 et une deuxième couche d'électrode 27. Comme décrit ci-dessus, avec le cinquième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le deuxième mode de réalisation. En outre, on peut former sur le même substrat le condensateur variable 30, le transistor MOS 40 et la résistance 70 inclus dans un circuit VCO. F1-61 Sixième mode de réalisation Dans une application telle qu'une antenne ou un circuit haute fréquence (noté RF), il faut que le composant parasite (par exemple une résistance parasite, une capacité parasite et une inductance parasite, mais on exceptera une capacité parasite nécessaire d'un point de vue conceptuel) soit petit, c'est-à-dire qu'un composant possédant une valeur Q élevée (facteur de qualité) est nécessaire. Un dispositif électronique nécessitant une semblable application est principalement utilisé pour les dispositifs mobiles (par exemple un téléphone cellulaire ou un agenda électronique, noté PDA) et doit avoir une faible consommation d'électricité. Dans le sixième mode de réalisation, on utilise un condensateur variable d'un MEMS dans un appareil qui émet et, ou bien, reçoit un signal d'une telle application. La figure 22 est un schéma fonctionnel montrant un appareil d'émissionréception selon le sixième mode de réalisation de l'invention. La figure 23 est un schéma de circuit montrant le circuit d'alignement de l'appareil d'émission-réception du sixième mode de réalisation de l'invention. La figure 24 est une vue explicative de la résistance parasite du condensateur variable du sixième mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-dessous l'appareil d'émission-réception du sixième mode de réalisation. 2877770 27 Comme représenté sur la figure 22, l'appareil d'émissionréception du sixième mode de réalisation comporte un circuit d'alignement 80, une antenne 81 destinée par exemple à un poste de télévision mobile, un syntoniseur 82, un circuit intégré à grande échelle (noté LSI) 83 de démodulation OFDM (d'après "Orthogonal Frequency Division Multiplex", c'est-à-dire multiplex fréquentiel orthogonal), un dispositif de commande 84 et un circuit intégré pilote 85. Comme on peut le voir sur la figure 23, le circuit d'alignement 80 comporte plusieurs condensateurs variables 30 d'éléments MEMS. Les différents condensateurs variables 30 sont connectés en parallèle. Une borne de chaque condensateur variable 30 est connectée à l'antenne 81. L'autre borne de chaque condensateur variable 30 est connectée à la terre électrique. Le circuit d'alignement 80 est de préférence disposé en une position plus rapprochée du syntoniseur 82 que l'extrémité de l'antenne 81. Le circuit intégré pilote 85 comporte par exemple un transistor MOS. Le circuit intégré pilote 85 peut être formé sur le même substrat que les condensateurs variables 30 inclus dans le circuit d'alignement 80. Par exemple, les condensateurs variables 30 inclus dans le circuit d'alignement 80 peuvent être formés dans la première région du deuxième mode de réalisation, ou analogue, et un transistor MOS 40 inclus dans le circuit intégré pilote 85 peut être formé dans la deuxième région. Un transistor MOS inclus dans le syntoniseur 82, un transistor MOS inclus dans le circuit LSI de démodulation OFDM 83 et un transistor MOS inclus dans le dispositif de commande 84 peuvent également être formés sur le même substrat que les condensateurs variables 30 inclus dans le circuit d'alignement 80. Dans cet appareil d'émission-réception, les condensateurs variables 30 du circuit d'alignement 80 sont modifiés par le circuit intégré pilote 85 de façon à recevoir un signal de la part de l'antenne 81. Le signal reçu par le circuit 80 d'alignement est syntonisé par le syntoniseur 82 et est démodulé par le circuit LSI de démodulation OFDM 83. Le circuit intégré pilote 85, le syntoniseur 82 et le circuit LSI de démodulation OFDM 83 sont commandés par le dispositif de commande 84. 2877770 28 Comme décrit ci-dessus, avec le sixième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le premier mode de réalisation. De plus, on peut également obtenir l'effet suivant. Lorsque le circuit d'alignement 80 utilise, par exemple, un commutateur en GaAs ou une diode PIN, la résistance Rrad de l'antenne 81 est d'environ 5 Q. Pour cette raison, les pertes du signal sont importantes et le rendement est faible. Dans le sixième mode de réalisation, puisque le circuit d'alignement 80 utilise les condensateurs variables 30 formés à partir d'éléments MEMS, la résistance parasite Rrad des condensateurs variables 30 peut être ramenée à environ 1 O. Puisque le signal du circuit haute fréquence ou de l'antenne peut être érnis ou reçu tandis que l'on réduit les pertes, on peut augmenter le rendement à 40 % ou plus. En outre, puisque la résistance parasite Rrad des condensateurs variables 30 peut être réduite, on peut raccourcir la longueur de l'antenne 81 elle-même (figure 24). (1-71 Septième mode de réalisation Dans le septième mode de réalisation, on applique le premier 20 mode de réalisation à un circuit de filtrage. La figure 25 est un schéma de circuit montrant un circuit de filtrage selon le septième mode de réalisation de l'invention. On va décrire ciaprès le circuit de filtrage du septième mode de réalisation. Comme on peut le voir sur la figure 25, dans le septième mode de réalisation, on forme un circuit de filtrage 86 en utilisant les condensateurs variables 30 du premier mode de réalisation. Dans le circuit de filtrage 86, chaque condensateur variable 30 est connecté en série avec une bobine d'induction 87 de façon à former une unité, ces unités étant connectées en parallèle. Le circuit de filtrage 86 fait fonction d'un filtre en ce qu'il modifie les condensateurs variables 30 de façon qu'ils ne laissent passer qu'un signal voulu. Ainsi, un signal possédant une fréquence élevée (signal de haute fréquence) ne passe pas dans le circuit de filtrage 86 du fait de la 35 composante d'inductance. Pour cette raison, le circuit de filtrage 86 fait fondamentalement fonction de filtre passe-bas qui laisse passer un signal 2877770 29 possédant une basse fréquence (signal de basse fréquence). Toutefois, on peut également empêcher le passage d'un signal de basse fréquence en modifiant la capacité des condensateurs variables 30. Plus spécialement, lorsque la capacité des condensateurs variables 30 diminue, on peut empêcher le passage d'un signal de basse fréquence. Ce n'est que lorsque la capacité des condensateurs variables 30 augmente que le filtre peut ne laisser passer qu'un signal d'une certaine fréquence. Comme décrit ci-dessus, le fait de ne laisser passer qu'un signal ayant une fréquence voulue est autorisé par la modification de la capacité des condensateurs variables 30. Dans le circuit de filtration 86, les bobines d'induction connectées en parallèle 87 peuvent avoir la même inductance ou des inductances différentes. Comme décrit ci-dessus, avec le septième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le premier mode de réalisation. De plus, puisqu'un élément MEMS possède une résistance faible, on peut réduire l'atténuation des signaux en formant le circuit de filtrage 86 au moyen des condensateurs variables 30 formés à partir d'éléments MEMS. j1-81 Huitième mode de réalisation Ce huitième mode de réalisation est une variante du premier mode de réalisation. Deux premières couches d'électrode (couches d'électrode supérieures) sont formées dans un condensateur variable et la deuxième couche d'électrode (couche d'électrode inférieure) du condensateur variable est mise dans un état flottant. La figure 26 est une vue en plan d'un élément MEMS selon le huitième mode de réalisation de l'invention. La figure 27 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne XXVII-XXVII de la figure 26. La figure 28 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne XXVIII-XXVIII de la figure 26. On décrit ci-après l'élément MEMS du huitième mode de réalisation. Comme on peut le voir sur les figures 26 à 28, le huitième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation en ce qu'une première couche d'électrode faisant fonction d'électrode inférieure d'un condensateur variable 30 est séparée en deux premières couches d'électrode 13a et 13b, tandis qu'une deuxième couche d'électrode 27 2877770 30 faisant fonction de l'électrode supérieure du condensateur variable 30 est dans un état flottant. Dans ce cas, un condensateur variable 30a (de capacité Cva) comporte la première couche d'électrode 13a et la deuxième couche d'électrode 27. Un condensateur variable 30b (de capacité Cvb) comporte la première couche d'électrode 13b et la deuxième couche d'électrode 27. Les condensateurs variables 30a et 30b sont connectés en série. Pour cette raison, la capacité variable Cv de l'élément MEMS considéré dans son entier est donnée par: 1/Cv = 1/CVa + 1/Cvb... (1) Le substrat semiconducteur 11 est de préférence connecté à la terre électrique. L'une des premières couches d'électrode 13a et 13b est de préférence connectée à la terre. La résistivité du substrat semiconducteur 11 est de préférence de 500 n.cm ou plus. Comme décrit ci-dessus, avec le huitième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le premier mode de réalisation. De plus, on peut également obtenir l'effet suivant. Dans le huitième mode de réalisation, les premières couches d'électrode 13a et 13b faisant fonction de l'électrode inférieure du condensateur variable 30 sont formées séparément. La deuxième couche d'électrode 27 faisant fonction d'électrode supérieure du condensateur variable 30 est dans l'état flottant. Pour cette raison, puisqu'un signal peut être fourni entre les premières couches d'électrode 13a et 13b, on peut réduire la résistance parasite. Les premières couches d'électrode 13a et 13b peuvent être formées indépendamment des actionneurs 22a et 22b. Par conséquent, lorsque seules les premières couches d'électrode 13a et 13b sont formées de manière à être épaisses afin de réduire la résistance parasite, on peut empêcher toute influence sur le condensateur variable 30. f l-91 Neuvième mode de réalisation Ce neuvième mode de réalisation est une variante du premier mode de réalisation. L'électrode supérieure du condensateur variable et l'électrode inférieure d'un actionneur sont formées à partir d'une structure commune. 2877770 31 La figure 29 est une vue en plan d'un élément MEMS selon le neuvième mode de réalisation de l'invention. Les figures 30A et 30B sont des vues en coupe de l'élément MEMS prises suivant la ligne)00(-)00( de la figure 29. La figure 31 est une vue en coupe partielle de l'élément MEMS prise suivant la ligne)00(1-)00(I de la figure 29. La figure 32 est un schéma de circuit équivalent simplifié de l'élément MEMS du neuvième mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-après l'élément MEMS du neuvième mode de réalisation. Ainsi qu'on peut le voir sur les figures 29 à 31, le neuvième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation en ce que (a) l'électrode supérieure d'un condensateur variable 30n (n = 1, 2, 3, ...) et une électrode inférieure 19 des actionneurs 22an et 22bn sont formées à partir d'une structure commune, et (b) plusieurs condensateurs variables 30n sont connectés en parallèle. Ce mode de réalisation nécessite d'avoir toujours la structure (b). Seule la structure (a) suffit. Au point (a), lorsque la distance entre l'électrode inférieure 19 des actionneurs 22an et 22bn et une première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30n varie, la capacité Cvn du condensateur variable 30n varie. Le potentiel de terre est appliqué à l'électrode inférieure 19 des actionneurs 22an et 22bn. Comme représenté sur la figure 30A, les actionneurs 22an et 22bn peuvent avoir des électrodes supérieures 21 et des couches piézo-électriques 20 séparées, et seule l'électrode inférieure 19 peut être commune. Selon une autre possibilité, ainsi qu'on peut le voir sur la figure 30B, les nèmes actionneurs 22an et 22bn peuvent avoir une structure en trois couches commune comportant l'électrode inférieure 19, la couche piézo-électrique 20 et l'électrode supérieure 21. En ce qui concerne le point (b), les actionneurs 22an et 22bn s'étendent parallèlement. Les bornes des actionneurs 22an et 22bn sont connectées par l'intermédiaire d'une couche d'interconnexion 91, de façon que les condensateurs variables 30n soient connectés en parallèle. Par conséquent, la capacité variable Cv de l'élément MEMS dans son entièreté est donnée par: Cv=Cvi+Cv2+Cv3+...+Cvn...(2) Comme représenté sur la figure 31, on peut commander le déplacement des actionneurs 22an et 22bn à chaque Hème ligne. Pour cette 2877770 32 raison, seules les capacités Cvi et Cv2 de certains actionneurs 22a1, 22b1, 22a2 et 22b2 peuvent être modifiées. La figure 32 est un schéma de circuit équivalent simplifié montrant l'élément MEMS ci-dessus décrit. Comme représenté sur la figure 32, par exemple, la résistance parasite Rvn et l'inductance parasite Lvn des fils conducteurs sont présentes au niveau des deux bornes du condensateur variable 30n. Des capacités parasites Cgl et Cg2 sont présentes entre le condensateur variable 30n et le substrat. Comme décrit ci-dessus, avec le neuvième mode de réalisation on peut obtenir le même effet qu'avec le premier mode de réalisation. En outre, on peut aussi obtenir l'effet suivant. Puisque l'électrode supérieure du condensateur variable 30 et l'électrode inférieure 19 des actionneurs 22a et 22b sont formées à partir d'une structure commune, on peut réduire l'aire de l'élément MEMS, la taille des composants et le coût. Lorsque les condensateurs variables 30 sont connectés en parallèle et que les aires des couches d'électrode 13 et 19 ainsi que la distance les séparant sont fixées de manière appropriée et combinée, on peut obtenir les capacités Cvi, Cv2, ... Cvn voulues. Même lorsque les capacités Cvi, Cv2, ... Cvn varient, les variations respectives des capacités peuvent être absorbées dans l'élément MEMS considéré dans son ensemble. Par conséquent, on peut réduire la variation de la capacité Cv considérée dans son ensemble. F1-101 Dixième mode de réalisation Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, la capacité Cv du condensateur variable 30 est déterminée par la différence de potentiel 1V2 - V11 appliquée aux actionneurs 22a et 22b. Dans le même temps, la capacité Cv est affectée par les variations liées à la fabrication en ce qui concerne le matériau piézo-électrique et la structure des actionneurs. Plus spécialement, la capacité Cv est affectée par les variations liées à la fabrication en ce qui concerne la constante piézo-électrique (d31), le module d'Young et l'épaisseur de la pellicule. Par conséquent, pour mettre en oeuvre la capacité Cv voulue, on ajuste de préférence les tensions V1 et V2 appliquées en se basant sur la mesure de l'effet des variations liées à la fabrication. 2877770 33 Avec le dixième mode de réalisation, on va décrire l'exemple d'un système d'ajustement permettant de mettre en oeuvre cet ajustement. Avec le système d'ajustement selon le dixième mode de réalisation, on stocke dans une mémoire morte (ROM) fusible une valeur d'ajustement qui varie pour chaque puce. f1) Structure de la puce La figure 33 est un schéma fonctionnel montrant une puce semiconductrice selon le dixième mode de réalisation de l'invention. On va décrire ci-après la structure de la puce semiconductrice du dixième mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 33, une puce 100 comporte un élément MEMS piézo-électrique 101, une ROM fusible 102, un circuit de commande 103 et une interface d'entrée/sortie 104. L'élément MEMS piézo-électrique 101 est un élément MEMS qui possède la structure du premier mode de réalisation par exemple. On utilise la ROM fusible 102 comme mémoire servant à stocker des données d'ajustement relatives à l'élément MEMS piézo-électrique 101. (2) Opération d'essai La figure 34 est un organigramme contrant l'opération d'essai du système d'ajustement du dixième mode de réalisation. L'opération d'essai du système d'ajustement va être décrite ci-après. Tout d'abord, on mesure les variations de fabrication de l'élément MEMS piézo-électrique 101, et on détermine les données d'ajustement (ST1). A ce moment, on fixe à des valeurs prédéterminées les tensions V1 et V2 appliquées aux actionneurs 22a et 22b, et on contrôle la capacité Cv du condensateur variable 30 à ce moment. Ensuite, on coupe l'interconnexion de la ROM fusible 102 en utilisant par exemple un appareil à laser, de manière à écrire les données d'ajustement dans la ROM fusible 102 (ST2). On contrôle la capacité Cv du condensateur variable 30 en utilisant les données d'ajustement, puis on vérifie si l'ajustement s'est effectué normalement (ST3). 2877770 34 Comme décrit ci-dessus, avec le dixième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le premier mode de réalisation. En outre, on peut également obtenir l'effet suivant. Lorsque les valeurs des tensions appliquées V1 et V2 sont ajustées en fonction des variations de fabrication des actionneurs 22a et 22b et que les données d'ajustement sont programmées dans la ROM fusible 102, on peut mettre en oeuvre la capacité Cv voulue. Puisque les données d'ajustement sont écrites dans la ROM fusible 102 se trouvant dans la même puce 100, on peut exécuter en un 10 temps bref les opérations d'essai ST1 à ST3 du système d'ajustement. [1-11] Onzième mode de réalisation Le onzième mode de réalisation est une variante du dixième mode de réalisation. A la place d'une ROM fusible, on utilise une mémoire ferroélectrique au titre de la mémoire servant à stocker les données d'ajustement. (1) Structure de la puce La figure 35 est un schéma fonctionnel montrant une puce semiconductrice selon le onzième mode de réalisation de l'invention. On décrit ci-dessous la structure de la puce semiconductrice du onzième mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 35, le onzième mode de réalisation diffère du dixième mode de réalisation en ce qu'on utilise une mémoire ferroélectrique 110 à la place de la ROM fusible pour stocker les données d'ajustement d'un élément MEMS piézo-électrique 101. La mémoire ferroélectrique 110 peut également être utilisée pour stocker des données, autres que les données d'ajustement, et, par exemple, un programme. (2) Opération d'essai La figure 36 est un organigramme montrant l'opération d'essai du système d'ajustement du onzième mode de réalisation. On va décrire ci-dessous le déroulement de l'opération d'essai du système d'ajustement. Tout d'abord, on mesure les variations de fabrication de l'élément MEMS piézo-électrique 101, et on détermine les données 2877770 35 d'ajustement (ST1). A ce moment, les tensions V1 et V2 devant être appliquées aux actionneurs 22a et 22b sont fixées à des valeurs prédéterminées, et on contrôle à ce moment la capacité Cv du condensateur variable 30. Ensuite, on écrit les données d'ajustement dans la mémoire ferroélectrique 110 (ST2). On contrôle la capacité Cv du condensateur variable 30 en utilisant les données d'ajustement et on vérifie si l'ajustement s'est effectué normalement (ST3). (3) Structure La figure 37 est une vue en coupe d'un dispositif à semiconducteur selon le onzième mode de réalisation de l'invention. La figure 38 est une vue en coupe d'une variante du dispositif à semiconducteur du onzième mode de réalisation de l'invention. Ci-après, on va décrire la structure du dispositif à semiconducteur du onzième mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 17, dans une puce semiconductrice 105 du onzième mode de réalisation, l'élément MEMS piézo-électrique 101 et la mémoire ferroélectrique 110 sont incorporés dans un substrat semiconducteur unique (par exemple un substrat de silicium) 11. On applique la structure du quatrième mode de réalisation représenté sur la figure 19 à l'élément MEMS piézo-électrique 101 en une première région. La mémoire ferroélectrique 110 se trouvant en une deuxième région comporte un transistor MOS 40 et un condensateur ferroélectrique 115. Le transistor MOS 40 possède une électrode de grille 45 qui est formée sur une pellicule d'isolation de grille 44 formée sur le substrat semiconducteur 11, et des couches 46 de diffusion de source et de drain qui sont formées sur le substrat semiconducteur 11 des deux côtés de l'électrode de grille 45. Le condensateur ferroélectrique 115 possède une électrode supérieure 114, une électrode inférieure 112 et une pellicule ferroélectrique 113 prise en sandwich entre l'électrode supérieure 114 et l'électrode inférieure 112. L'électrode supérieure 114 du condensateur ferroélectrique 115 est connectée à la couche de diffusion 2877770 36 de source ou de drain 46 par l'intermédiaire de contacts 117, 116, 111 et 119. L'électrode inférieure 112 est connectée à une interconnexion 120 par l'intermédiaire d'un contact 118. Dans le dispositif à semiconducteur du onzième mode de réalisation, on forme les couches piézo-électriques 20 des actionneurs 22a et 22b et la pellicule ferroélectrique 113 du condensateur ferroélectrique 115 en même temps et en utilisant le même matériau. On peut utiliser la pellicule ferroélectrique 113 dans deux buts, puisque le matériau ferroélectrique possède des propriétés piézo-électriques. Au titre de la pellicule ferroélectrique 113, par exemple, on utilise le PZT. Le PZT possède une grande constante piézo-électrique (d31, d32 et d33) et peut commodément être utilisé au titre du matériau des couches piézo-électriques 20 des actionneurs 22a et 22b. Le rapport de composition de Zr et Ti dans le PZT est de préférence de 20:80 à 50:50. Toutefois, le matériau possédant des propriétés piézo-électriques n'est pas toujours un matériau ferroélectrique. Par exemple AIN n'est pas un matériau ferroélectrique, même s'il possède des propriétés piézo-électriques. On peut former les électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b et l'électrode inférieure 112 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. On peut former les électrodes supérieures 21 des actionneurs 22a et 22b et l'électrode supérieure 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. On peut former la première couche d'électrode 13 du condensateur variable et l'électrode de grille 45 du transistor MOS simultanément en utilisant le même matériau. On peut former les contacts 28a, 28b et 118 simultanément en utilisant le même matériau. On peut former les contacts 29a, 29b et 117 simultanément en utilisant le même matériau. On peut former les interconnexions 31a, 31b, 32a, 32b, 119 et 120 simultanément en utilisant le même matériau. Comme indiqué ci-dessus, lorsqu'on forme les éléments constitutifs simultanément en utilisant le même matériau, on peut réduire le nombre des opérations et on peut réduire le coût. 2877770 37 Comme décrit ci-dessus, avec le onzième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le dixième mode de réalisation. De plus, on peut aussi obtenir l'effet suivant. Dans le dixième mode de réalisation, un appareil laser spécialement conçu est nécessaire pour programmer la ROM fusible 102. De plus, le traitement d'essai et la durée de l'essai peuvent être prolongés par une découpe au laser. De ce fait, le coût de la puce peut augmenter. Dans le onzième mode de réalisation, la mémoire ferroélectrique 110 est utilisée à la place de la ROM fusible 102. Par conséquent, la mémoire rémanente servant à stocker les données d'ajustement de l'élément MEMS piézo-électrique 101 peut être rendue peu coûteuse. De plus, puisque aucune coupe au laser n'est effectuée, on peut réduire le coût de l'essai. Dans le onzième mode de réalisation, on forme les couches piézoélectriques 20 des actionneurs 22a et 22b et la pellicule ferroélectrique 113 du condensateur ferroélectrique 115 au moyen du même processus de formation de pellicule. Pour cette raison, on peut réduire le nombre des traitements et on peut réduire le coût. Lorsqu'on utilise une mémoire rémanente telle qu'une EEPROM (mémoire morte programmable électriquement effaçable) à la place de la ROM fusible 102, on peut omettre l'opération de coupe. Toutefois, pour incorporer une EEPROM sur un élément MEMS, il faut augmenter le nombre des masques et le processus devient complexe. Par conséquent, une mémoire rémanente telle qu'une mémoire ferroélectrique 110 sera utilisée de préférence à une mémoire rémanente telle qu'une EEPROM. Divers changements et modifications peuvent être apportés au onzième mode de réalisation, comme cela va être décrit ci-après. (a) La structure de l'élément MEMS se trouvant dans la première région n'est pas limitée à la structure du quatrième mode de réalisation représenté sur la figure 19 et divers changements et modifications peuvent être apportés. Par exemple, comme représenté sur la figure 38, l'électrode supérieure du condensateur variable 30 et les électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b peuvent être formées à partir d'une structure commune. On peut omettre la pellicule isolante 14 se trouvant sur la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30. De plus, la première couche d'électrode 13 ne doit pas 2877770 38 toujours nécessairement faire fonction de l'électrode de grille du transistor 60. (b) Lorsqu'un circuit d'essai automatique est prévu sur la puce 105, on peut exécuter automatiquement l'opération d'essai complète. (c) Puisque le nombre des bits des données d'ajustement devant être stockées dans la mémoire ferroélectrique 110 n'est pas très important, on peut donner une grande taille, dans une certaine mesure, à la cellule de mémoire. Par conséquent, une mémoire ferroélectrique 2T2C possédant une grande marque de lecture peut être employée. Selon une autre possibilité, pour augmenter le nombre des lectures possibles, on peut employer une mémoire ferroélectrique non destructive. Inversement, on peut augmenter la capacité de la mémoire ferroélectrique à incorporer afin de stocker des données autres que les données d'ajustement. Si des progrès apparaissent en ce qui concerne l'incorporation d'un élément MEMS et d'un circuit LSI à l'avenir, il sera possible d'exécuter un traitement d'informations plus avancé. On peut utiliser la mémoire ferroélectrique pour stocker les données de programme d'un tel circuit LSI. [2] Commutateur Les douzième et treizième modes de réalisation de l'invention concernent des structures dans lesquelles un élément MEMS piézo-électrique fait fonction d'un commutateur de contact. f 2-11 Douzième mode de réalisation Ce douzième mode de réalisationconcerne l'exemple d'un élément MEMS de commutation ayant une structure à poutre doublement soutenue. (1) Structure La figure 39 est une vue en plan d'un élément MEMS selon le douzième mode de réalisation de l'invention. La figure 40 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne XL-XL de la figure 39. La figure 41 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne XLI-XLI de la figure 39. On va décrire ci-après la structure de l'élément MEMS du douzième mode de réalisation. 2877770 39 Comme on peut le voir sur les figures 39 à 41, dans l'élément MEMS de ce douzième mode de réalisation, les premières couches d'électrode 13a, 13b et la deuxième couche d'électrode 27 font fonction de commutateurs 130a et 130b. Le douzième mode de réalisation diffère de l'élément MEMS faisant fonction du condensateur variable 30 dans le premier mode de réalisation en ce que les surfaces supérieures des premières couches d'électrode 13a et 13b sont exposées par rapport à une première pellicule isolante 14, et la surface inférieure de la deuxième couche d'électrode 27 est exposée par rapport à une troisième pellicule d'isolation 18. Avec cette structure, lorsque les commutateurs 130a et 130b se déplacent, les premières couches d'électrode 13a et 13b et la deuxième couche d'électrode 27 viennent en contact direct entre eux et sont électriquement connectées. (2) Fonctionnement La figure 42 est une vue en coupe de l'élément MEMS lorsque les actionneurs représentés sur la figure 40 se déplacent. L'élément MEMS du douzième mode de réalisation fonctionne comme un commutateur, ainsi que cela sera décrit ci-après. Etat non mobile On va décrire l'état non mobile des actionneurs 22a et 22b en liaison avec la figure 40. Lorsque les deux tensions V1 et V2 des électrodes inférieures 19 et des électrodes supérieures 21 des actionneurs 22a et 22b sont à 0V, les actionneurs 22a et 22b ne se déplacent pas. Puisque les commutateurs 130a et 130b sont dans un état d'absence de contact, ils sont dans l'état ouvert. Etat mobile L'état mobile des actionneurs 22a et 22b va maintenant être décrit en liaison avec la figure 42. La tension V1 des électrodes inférieures 19 des actionneurs 22a et 22b est fixée par exemple au potentiel de la terre (soit 0 V). La tension V2 des électrodes supérieures 21 est fixée par exemple à 3 V. A ce moment, les actionneurs 22a et 22b se déplacent. Plus 2877770 40 particulièrement, les couches piézo-électriques 20 se déforment suivant la direction horizontale. Les extrémités des actionneurs 22a et 22b se trouvant sur les côtés des commutateurs 130a et 130b se déplacent vers le bas. Par conséquent, les premières couches d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 des commutateurs 130a et 130b viennent mutuellement en contact. De ce fait, les commutateurs 130a et 130b sont dans l'état fermé. (3) Procédé de fabrication Les figures 43 et 47 sont des vues en coupe montrant les opérations qui interviennent dans la fabrication de l'élément MEMS selon le deuxième mode de réalisation de l'invention. On va décrire ci-après le procédé de fabrication de l'élément MEMS du douzième mode de réalisation. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 43, on forme une pellicule d'oxyde thermique 12 sur un substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11. On forme sur la pellicule d'oxyde thermique 12 la première couche d'électrode 13 du commutateur 130. On dépose la première pellicule isolante 14 sur la première couche d'électrode 13 et la pellicule d'oxyde thermique 12. On dépose une deuxième pellicule isolante 15 sur la première pellicule isolante 14, et on forme une tranchée 16. Comme représenté sur la figure 44, on dépose dans la tranchée 16 une couche sacrificielle 17. On forme une troisième pellicule isolante 18 sur la couche sacrificielle 17 et la deuxième pellicule isolante 15. On forme sur la troisième pellicule isolante 18 les actionneurs piézo-électriques 22a et 22b comportant chacun une électrode inférieure 19, une couche piézo-électrique 20 et une électrode supérieure 21. Comme représenté sur la figure 45, on dépose une quatrième couche isolante 23 sur les actionneurs 22a et 22b et la troisième pellicule isolante 18. La deuxième couche d'électrode 27 du commutateur 130 et les quatre contacts 28a, 28b, 29a et 29b. [)e préférence, la surface inférieure de la deuxième couche d'électrode 27 est de niveau avec la surface inférieure de la troisième pellicule isolante 18 ou bien s'étend au travers de la troisième pellicule isolante 18. La surface inférieure de la 2877770 41 deuxième couche d'électrode 27 atteint de manière davantage préférée l'intérieur de la couche sacrificielle 17. Après cela, on forme des couches d'interconnexion 31a, 31b, 32a et 32b qui sont connectées aux contacts 28a, 28b, 29a et 29b. Comme représenté sur la figure 46, on forme une partie ouvrante (partie ouvrante 33 de la figure 41) qui expose une partie de la couche sacrificielle 17. On retire la couche sacrificielle 17 par cette partie ouvrante afin de former une cavité 34. Comme représenté sur la figure 47, on retire partiellement la première pellicule isolante 14 afin d'exposer la surface supérieure de la première couche d'électrode 13 du commutateur 130. De cette manière, on forme l'élément MEMS piézo-électrique faisant fonction du commutateur 130. En ce qui concerne la première pellicule isolante 14, on utilise de préférence un matériau qui possède une sélectivité de gravure élevée (vitesse de gravure élevée) par rapport aux matériaux de la première couche d'électrode 13 du commutateur 30 et de la deuxième pellicule isolante 15. Par exemple, on suppose que la première couche d'électrode 13 est faite de AI et que la deuxième pellicule isolante 15 est faite de SiN ou SiO2. Dans ce cas, on peut utiliser, comme matériau pour la première pellicule isolante 14, AI2O3r SiGe non dopé, du silicium amorphe, ou bien SiO2 fortement dopé par au moins l'un des éléments que constituent le phosphore et le bore. Comme décrit ci-dessus, avec le douzième mode de réalisation, dont les actionneurs 22a et 22b utilisant les couches piézo-électriques 20, les couches piézo-électriques 20 sont presque plates, comme dans le premier mode de réalisation. Pour cette raison, même lorsque les tensions V1 et V2 sont appliquées aux électrodes inférieures 19 et aux électrodes supérieures 21 des actionneurs 22a et 22b, on peut empêcher les couches piézo-électriques 20 de se tendre de manière non uniforme ou de provoquer une diminution du degré d'extension horizontal. De plus, lorsque les actionneurs 22a et 22b se déplacent, on peut supprimer la production de craquelures au niveau des parties en échelon des couches piézoélectriques 20. Par conséquent, on peut accroître le rendement. De plus, puisque la possibilité de commander les actionneurs 22a et 22b augmente, 2877770 42 on peut également augmenter la possibilité de commander le commutateur 130. De ce fait, on peut améliorer la fiabilité de l'élément MEMS. Comme représenté sur la figure 48, on peut former un transistor MOS 40 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS faisant fonction de commutateur. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du commutateur 130 et de l'électrode de grille 45 du transistor MOS simultanément en utilisant le même matériau. Comme représenté sur la figure 49, on peut former une mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS faisant fonction de commutateur. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du commutateur 130 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. De plus, on peut former les couches 19, 20 et 21 des actionneurs 22 et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. Dans le commutateur 130, les deux premières couches d'électrode 13a et 13b ne doivent pas toujours nécessairement être formées en correspondance avec une unique deuxième couche d'électrode 27. Par exemple, les couches d'électrode du commutateur peuvent être formées suivant une correspondance biunivoque. Trois ou plus de trois premières couches d'électrode peuvent être formées en correspondance avec une unique couche d'électrode. Selon une autre possibilité, deux ou plus de deux deuxièmes couches d'électrodes peuvent être formées en correspondance avec une unique première couche d'électrode. 1'2-21 Treizième mode de réalisation Selon ce treizième mode de réalisation, le douzième mode de réalisation est modifié par la présence d'une structure en porte-à-faux. La figure 50 est une vue en plan d'un élément MEMS selon le treizième mode de réalisation de l'invention. La figure 51 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LI-LI de la figure 50. La figure 52 est une vue en coupe montrant un élément MEMS prise suivant la ligne LIILII de la figure 50. On décrit ci-après l'élément MEMS du treizième mode de réalisation. 2877770 43 Comme représenté sur les figures 50 à 52, le treizième mode de réalisation diffère du douzième mode de réalisation en ce qu'un actionneur 22 est disposé d'un seul côté des commutateurs 130a et 130b. Comme décrit ci-dessus, avec le treizième mode de réalisation on peut obtenir le même effet qu'avec le douzième mode de réalisation. En outre, puisque l'élément MEMS faisant fonction de commutateur possède une structure en porte-à-faux, l'élément MEMS peut être rendu compact. On va décrire ci-dessous divers changements et modifications apportés à l'élément MEMS faisant fonction de commutateur qui possède une structure en porte-à-faux selon le treizième mode de réalisation. Ainsi qu'on peut le voir sur la figure 53, on peut former un transistor MOS 40 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS faisant fonction de commutateur. Dans ce cas, on peut former une première couche d'électrode 13 du commutateur 130 et une électrode de grille 45 du transistor MOS simultanément en utilisant le même matériau. Comme représenté sur la figure 54, on peut former la mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS faisant fonction de commutateur. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du commutateur 130 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS simultanément en utilisant le même matériau. De plus, on peut former les couches 19, 20 et 21 de l'actionneur 22 et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. Dans le commutateur 130, deux premières couches d'électrode 13a et 13b ne doivent pas nécessairement toujours être formées en correspondance avec une unique deuxième couche d'électrode 22. Par exemple, les couches d'électrode du commutateur peuvent être formées suivant une correspondance biunivoque. On peut former trois ou plus de trois premières couches d'électrodes en correspondance avec une unique deuxième couche d'électrode. Selon une autre possibilité, on peut former deux ou plus de deux deuxièmes couches d'électrode en correspondance avec une unique première couche d'électrode. 2877770 44 13] Miroir Un quatorzième mode de réalisation de l'invention concerne une structure dans laquelle un élément MEMS piézo-électrique fait fonction de miroir. (1) Structure La figure 55 est une vue en coupe d'un élément MEMS selon le quatorzième mode de réalisation de l'invention. On va décrire ci- dessous la structure de l'élément MEMS du quatorzième mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 55, avec l'élément MEMS du quatorzième mode de réalisation, une couche d'électrode 27 formée au-dessus d'une cavité 34 fait fonction d'un miroir 140. Le quatorzième mode de réalisation diffère d'un élément MEMS faisant fonction de condensateur variable ou de commutateur en ce qu'il n'est formé aucune première couche d'électrode 13 sur la pellicule d'oxyde thermique 12. Toutefois, même dans le quatorzième mode de réalisation, on peut former la première couche d'électrode 13 sur la pellicule d'oxyde thermique 12 de façon qu'une interconnexion 141 soit formée par exemple sur une région d'isolation d'élément 43 (figures 57 et 58). Des exemples pour le matériau de la couche d'électrode 27 sont donnés par Al, Cu et W. Si la couche d'électrode 27 doit faire fonction du miroir 140, on peut aussi utiliser comme matériau Pt ou Ag. On peut aussi utiliser Pt ou Ag pour le matériau de la couche d'électrode 27 même lorsqu'elle n'est pas utilisée au titre du miroir 140. f2) Fonctionnement La figure 56 est une vue en coupe de l'élément MEMS du quatorzième mode de réalisation de l'invention dans un état mobile. L'élément MEMS du quatrième mode de réalisation fait fonction d'un miroir de la manière suivante. Etat non mobile L'état non mobile de l'actionneur 22 va être décrit d'abord en liaison avec la figure 55. Lorsque les tensions V1 et V2 de l'électrode inférieure 19 et de l'électrode supérieure 21 de l'actionneur 22 sont toutes deux par exemple 2877770 45 de 0 V, l'actionneur 22 ne se déplace pas, comme représenté sur la figure 55. Dans cette situation, lorsque la lumière incidente Lin frappe le miroir 140 sous un angle 8 par rapport à la perpendiculaire P à la surface du miroir 140, une lumière réfléchie Lref est réfléchie sous l'angle 8 par rapport à la perpendiculaire P. Etat mobile On décrit ensuite l'état mobile de l'actionneur 22 en liaison avec la figure 56. La tension V1 de l'électrode inférieure 19 de l'actionneur 22 est fixée par exemple au potentiel de la terre (0V). La tension V2 de l'électrode supérieure 21 est fixée par exemple à 3 V. Alors, la couche piézoélectrique 20 se déforme dans la direction latérale. L'extrémité de l'actionneur 22 se trouvant du côté du miroir 140 se déplace vers le bas. Par conséquent, l'actionneur 22 s'incline vers le bas d'un angle a. Dans cette situation, lorsque la lumière frappe le miroir 140 suivant la même direction que sur la figure 55, la perpendiculaire P' à la surface du miroir 140 s'est inclinée d'un angle a par rapport à la perpendiculaire P. Pour cette raison, l'angle de la lumière réfléchie Lref s'incline également d'un angle a par rapport à l'angle de réflexion de la lumière réfléchie Lref indiqué sur la figure 55. Comme décrit ci-dessus, lorsque l'actionneur 22 se déplace, l'angle de réflexion de la lumière arrivant sur le miroir 140 peut être modifié. Comme décrit ci-dessus, avec le quatorzième mode de réalisation, dans l'actionneur 22 utilisant la couche piézo-électrique 20, cette couche piézo-électrique 20 est presque plate, comme dans le premier mode de réalisation. Pour cette raison, même lorsque les tensions V1 et V2 sont appliquées à l'électrode inférieure 19 et à l'électrode supérieure 21 de l'actionneur 22, on peut empêcher la couche piézo-électrique 20 de s'étirer de façon non uniforme ou d'amener une diminution du degré d'extension horizontal. De plus, lorsque l'actionneur 22 se déplace, on peut réduire la création de craquelures au niveau de la partie échelon de la couche piézo-électrique 20. Par conséquent, on peut augmenter le rendement. De plus, puisqu'on augmente les possibilités de commande de l'actionneur 22, on peut également augmenter les possibilités de commande de l'angle de réflexion 2877770 46 de la lumière par le miroir 140. De ce fait, on peut augmenter la fiabilité de l'élément MEMS. Divers changements et modifications peuvent être apportés à l'élément MEMS faisant fonction de miroir selon le quatorzième mode de réalisation, ainsi que cela va être décrit ci-dessous. Comme représenté sur la figure 57, un transistor MOS 40 peut être formé sur le même substrat 11 que l'élément MEMS faisant fonction de miroir. Comme représenté sur la figure 58, on peut former une mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat que l'élément MEMS formant un miroir. Dans ce cas, on peut former les couches 19, 20 et 21 de l'actionneur 22 et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. Comme on peut le voir sur les figures 57 et 58, on peut former une interconnexion 141 sur la région 43 d'isolation d'élément dans la cavité 34 simultanément avec l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 en utilisant le même matériau. On peut utiliser l'interconnexion 141 par exemple au titre de la couche d'interconnexion d'extraction de l'électrode supérieure 21 ou de l'électrode inférieure 19 de l'actionneur 22. Par exemple, on utilise le miroir 140 comme électrode supérieure du condensateur variable et on utilise l'interconnexion 141 au titre de l'électrode inférieure du condensateur variable. De cette manière, on peut utiliser l'élément MEMS comme capteur de position pour détecter, sur la base de la capacité du condensateur variable, si le miroir 140 est dirigé sur une position voulue. L'élément MEMS représenté sur la figure 55 possède une structure en porteà-faux selon laquelle l'actionneur 22 n'est présent que d'un côté du miroir 140. Toutefois, on peut également former une structure à poutre doublement soutenue selon laquelle les actionneurs 22 sont présents des deux côtés du miroir 140. Toutefois, pour simplifier le réglage angulaire du miroir 140, on utilise de façon davantage préférée la structure en porte-à-faux plutôt que la structure à poutre doublement soutenue. 2877770 47 [4] Capteur Des quinzième et seizième modes de réalisation de l'invention concernent des structures dans lesquelles un élément MEMS piézo- électrique fait fonction de capteur. [4-11 Quinzième mode de réalisation Ce quinzième mode de réalisation concerne l'exemple d'un capteur inertiel (capteur d'accélération). (1) Structure La figure 59 est une vue en plan d"un élément MEMS selon le quinzième mode de réalisation de l'invention. La figure 60 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LX-LX de la figure 59. La figure 61 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LXI-LXI de la figure 59. On va décrire ci-après la structure de l'élément MEMS du quinzième mode de réalisation. Comme représenté sur les figures 59 à 61, on forme une pellicule d'oxyde thermique 12 sur un substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11. On forme une première couche d'électrode 13 d'un condensateur variable 30 sur la pellicule d'oxyde thermique 12. On forme une première pellicule d'isolation 14 sur la première couche d'électrode 13 et la pellicule d'oxyde thermique 12. On forme une deuxième pellicule d'isolation 15 sur la première pellicule d'isolation 14. On forme une tranchée 16, qui expose une partie de la première pellicule d'isolation 14, dans la deuxième pellicule d'isolation 15. Une cavité 34 est présente sur la première couche d'électrode 13 de sorte que des actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e peuvent se déplacer. On forme une troisième pellicule isolante 18 sur la cavité 34 et la deuxième pellicule isolante 15. L'actionneur 22a est formé sur la troisième pellicule isolante 18 de façon à se trouver en regard de la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30. Les actionneurs longs 22b, 22c, 22d et 22e sont formés au coin de l'actionneur 22a. Chacun des actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e comporte une électrode supérieure 21, une électrode inférieure 19 et une couche piézo-électrique 20 prise en sandwich entre le l'électrode supérieure 21 et l'électrode inférieure 19. Parmi l'électrode 2877770 48 supérieure 21, l'électrode inférieure 19 et la couche piézoélectrique 21, au moins la couche piézo-électrique 20 est presque plate. L'électrode supérieure 21 de l'actionneur 22a se trouvant au centre est connectée à une couche d'interconnexion 32a par l'intermédiaire d'un contact 29a. Les électrodes supérieures 21 des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e se trouvant aux coins sont connectées aux interconnexions 32b, 32c, 32d et 32e par l'intermédiaire respectif de contacts 29b, 29c, 29d et 29e. Les électrodes inférieures 19 des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e se trouvant aux coins sont connectées aux interconnexions 31b, 31c, 31d et 31e par l'intermédiaire respectif des contacts 28b, 28c, 28d et 28e. (2) Fonctionnement Les figures 62A et 62B montrent II'état mobile de l'élément MEMS selon le quinzième mode de réalisation de l'invention. L'élément MEMS du quinzième mode de réalisation fait fonction de capteur inertiel de la manière suivante. Lorsqu'une force d'inertie agit sur un capteur inertiel 150, les actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e se déplacent en fonction de cette force d'inertie. A ce moment, l'actionneur 22a qui se trouve au centre agit également comme un poids pour la force d'inertie. Comme représenté sur la figure 62A, lorsque des forces d'inertie Fx et Fy agissant respectivement suivant des directions X et Y agissent sur les actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e, les actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e situés aux coins obéissent à une ondulation et à une déformation suivant un motif tridimensionnel. De ce fait, les tensions de l'électrode inférieure 19 et de l'électrode supérieure 21 de la couche piézoélectrique 20 varient en fonction de la déformation suivant les formes des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e. Les forces d'inertie Fx et Fy sont mesurées par détection des variations des tensions. Comme représenté sur la figure 62B, lorsqu'une force d'inertie Fz suivant la direction Z agit sur les actionneurs 22a, 22c, 22c, 22d et 22e, tous les actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e se trouvant aux coins se déforment suivant une forme convexe (ou concave). De ce fait, tous les actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e se déforment dans la même direction (forme convexe ou concave), les tensions de l'électrode 2877770 49 inférieure 19 et de la couche piézo-éled:rique 20 présentent des changements prédéterminés. La force d'inertie Fz est mesurée par détection des changements des tensions. La force d'inertie Fz suivant la direction Z peut également être mesurée en fonction de la variation de la capacité C du condensateur variable 30. Plus particulièrement, comme on peut le voir sur les figures 60 et 61, lorsque la distance entre l'actionneur 22a et la première couche d'électrode 13 varie, la capacité C du condensateur variable 30 varie. La force d'inertie Fz peut également être mesurée par détection de la variation de la capacité C. Comme décrit ci-dessus, selon le quinzième mode de réalisation, dans les actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e utilisant les couches piézo- électriques 20, les couches piézo-électriques 20 sont presque plates. Pour cette raison, on peut empêcher les couches piézo- électriques 20 de s'étirer de manière non uniforme ou de provoquer une diminution du degré d'extension horizontal par rapport à la force d'inertie. De plus, lorsque les actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e se déplacent, on peut réduire la création de craquelures au niveau des parties échelon des couches piézo-électriques 20. Par conséquent, on peut augmenter le rendement. De plus, puisque la fiabilité des variations de tension qui sont dues à la déformation de la couche piézo-électrique 20 augmente, on peut également augmenter la sensibilité vis-à-vis de la force d'inertie. De ce fait, on peut augmenter la fiabilité de l'élément MEMS. On va décrire ci-après divers changements et modifications apportés à l'élément MEMS faisant fonction de capteur inertiel selon le quinzième mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 63, on peut former un transistor MOS 40 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS formant un capteur inertiel. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. Comme représenté sur la figure 64, on peut former une mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat que l'élément MEMS formant le capteur inertiel. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même 2877770 50 matériau. De plus, on peut former les couches 19, 20 et 21 des actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. Comme représenté sur la figure 65, l'actionneur 22a se trouvant au centre peut être changé en la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30. Les positions des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e ne sont pas limitées aux coins de l'actionneur 22a. Elles peuvent être disposées par 10 exemple aux centres des côtés respectifs de l'actionneur 22a. La forme de l'actionneur 22a n'est pas limitée à un carré. Elle peut par exemple être un rectangle ou un cercle. De même, la forme de chacun des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e n'est pas limitée à la forme allongée. Il peut s'agir par exemple d'un carré ou d'un cercle. Toutefois, on utilise de préférence la forme longue pour accroître la sensibilité vis-à-vis de la force d'inertie. f4-21 Seizième mode de réalisation Ce seizième mode de réalisation concerne l'exemple d'un 20 capteur de pression. La figure 66 est une vue en plan d'un élément MEMS selon le seizième mode de réalisation de l'invention. La figure 67 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LXVII-LXVII de la figure 66. La figure 68 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LXVIII-LXVIII de la figure 66. On décrit ci-après l'élément MEMS du seizième mode de réalisation. Comme représenté sur les figures 66 à 68, l'élément MEMS du seizième mode de réalisation fait fonction d'un capteur de pression 160. La structure du capteur de pression est presque identique à celle du capteur inertiel 150 décrit ci-dessus. Les actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e se trouvant aux coins peuvent être plus épais que ceux du capteur inertiel 150. Plus les actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e sont minces, et plus la précision de mesure du capteur augmente. Toutefois, une précision de mesure aussi exacte que pour le capteur inertiel 150 n'est pas nécessaire pour le capteur de pression 160. 2877770 51 L'élément MEMS du seizième mode de réalisation fait fonction du capteur de pression 160 en obéissant au même mécanisme que celui du capteur inertiel 150. Plus spécialement, lorsque la pression agit sur le capteur de pression 160, les actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e se déplacent en fonction de la pression. De ce fait, les tensions de l'électrode inférieure 19 et de l'électrode supérieure 21 de la couche piézo-électrique 20 varient en fonction de la déformation des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e. La pression est mesurée par mesure des variations des tensions. De plus, lorsque la distance entre l'actionneur 22a et la première couche d'électrode 13 varie, la capacité C du condensateur variable 30 varie. La pression peut également être mesurée par mesure de la variation de la capacité C. Comme décrit ci-dessus, avec le seizième mode de réalisation, on peut obtenir le même effet qu'avec le quinzième mode de réalisation. Divers changements et modifications peuvent être apportés à l'élément MEMS capteur de pression selon le seizième mode de réalisation, comme cela va être décrit ci-après. Comme on peut le voir sur la figure 69, le transistor MOS 40 peut êtreformé sur la même structure 11 que celle de l'élément MEMS capteur de pression. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. Comme on peut le voir sur la figure 70, on peut former une mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS capteur de pression. Dans ce cas, on peut former la première couche d'électrode 13 du condensateur variable 30 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. De plus, on peut former les couches 19, 20 et 21 des actionneurs 22a, 22b, 22c, 22d et 22e et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. L'actionneur 22a se trouvant au centre peut être changé en la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 (figure 65). Les positions des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e ne sont pas limitées aux positions des coins de l'actionneur 22a. Ils peuvent être disposés par exemple aux centres des côtés respectifs de l'actionneur 22a. 2877770 52 La forme de l'actionneur 22a n'est pas limitée à la forme d'un carré. Il peut s'agir par exemple d'un rectangle ou d'un cercle. De même, la forme de chacun des actionneurs 22b, 22c, 22d et 22e n'est pas limitée à la forme allongée. Il peut s'agir par exemple d'un carré ou d'un cercle. 15] Transducteur ultrasonique Un dix-septième mode de réalisation de l'invention concerne une structure dans laquelle un élément MEMS piézoélectrique fait fonction d'un transducteur d'ultrasons. (1) Structure La figure 71 est une vue en plan d'un élément MEMS comportant un groupement de transducteurs selon le seizième mode de réalisation de l'invention. La figure 72 est une vue en plan de l'élément MEMS du dix-septième mode de réalisation de l'invention. La figure 73 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LXXIII-LXXIII de la figure 72. On va décrire ci-après la structure de l'élément MEMS du dix-septième mode de réalisation. Comme on peut le voir sur les figures 71 à 73, l'élément MEMS 20 du dixseptième mode de réalisation fait fonction d'un transducteur d'ultrasons 171. Comme représenté sur la figure 71, on forme le groupement de transducteurs 171 en groupant de manière serrée plusieurs transducteurs d'ultrasons 170. Chaque transducteur d'ultrasons 170 possède par exemple une forme polygonale et, notamment, dans ce cas, la forme d'un hexagone. Comme représenté sur les figures 72 et 73, dans chaque transducteur d'ultrasons 170, un actionneur 22 est disposé qui s'étend sur une cavité 34 formée dans une pellicule isolante 15. L'actionneur 22 comporte une électrode inférieure 19, une électrode supérieure 21 et une couche piézoélectrique 20 prise en sandwich entre l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21. Parmi ces trois couches, au moins la couche piézo-électrique 20 est presque plate. On forme une pellicule d'oxyde thermique 12 sur un substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11. On forme une couche d'interconnexion 173 sur la pellicule d'oxyde thermique 12. 2877770 53 On forme une première pellicule isolante 14 sur la couche d'interconnexion 173. On forme la deuxième pellicule isolante 15 sur la première pellicule isolante 14. On forme dans la deuxième pellicule isolante 15 une tranchée qui expose une partie de la première pellicule isolante 14. La cavité 34 est présente, de sorte que l'actionneur 22 peut se déplacer. On forme une troisième pellicule isolante 18 sur la cavité 34 et la deuxième pellicule isolante 15. On connecte l'électrode inférieure 19 de l'actionneur 22 à la couche d'interconnexion 173 par l'intermédiaire d'un contact 28, d'une couche d'interconnexion:31 et d'un contact 172. On connecte l'électrode supérieure 21 de l'actionneur 22 à une couche d'interconnexion 32 par l'intermédiaire d'un contact 29. (2) Fonctionnement L'élément MEMS du dix-septième mode de réalisation fait fonction du transducteur d'ultrasons 170, de la manière suivante. Lorsqu'une tension pulsée est appliquée à l'électrode supérieure 21 et à l'électrode inférieure 19 de l'actionneur 22, l'actionneur 22 oscille et produit une onde ultrasonore U. Par conséquent, le signal électrique est converti en un son. Par ailleurs, l'oscillation (le son) réfléchie par un échantillon (non représenté) est détectée par l'actionneur 22 et est convertie en un signal électrique par la couche piézo-électrique 20. Par conséquent, le son est converti en un signal électrique. De cette manière, l'actionneur 22 convertit le signal électrique et le son si bien que l'élément MEMS fait fonction du transducteur d'ultrasons 170. Comme décrit ci-dessus, avec le dix-septième mode de réalisation, dans l'actionneur 22 qui utilise la couche piézo-électrique 20, au moins la couche piézo-électrique 20 est presque plate. Pour cette raison, on peut empêcher la couche piézo-électrique 20 de vibrer de manière non uniforme relativement à l'oscillation. En outre, lorsque l'actionneur 22 se déplace, on peut empêcher la création de craquelures au niveau de la partie échelon de la couche piézo-électrique 20. Par conséquent, le rendement peut être augmenté. De ce fait, on peut améliorer la fiabilité de l'élément MEMS. 2877770 54 Divers changements et modifications peuvent être apportés à l'élément MEMS du transducteur d'ultrasons 170 du dix-septième mode de réalisation, comme cela va être décrit ci-après. Ainsi qu'on peut le voir sur la figure:74, l'électrode inférieure 19 et la couche d'interconnexion 173 de l'actionneur 22 peuvent être connectées directement par l'intermédiaire du contact 172 sans devoir être extraites comme ci-dessus indiqué et connectées. Comme on peut le voir sur la figure 75, on peut former un transistor MOS 40 sur le même substrat que l'élément MEMS du transducteur d'ultrasons 170. Dans ce cas, on peut former la couche d'interconnexion 173 et l'électrode de grille 4.5 du transducteur MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. Comme représenté sur la figure 76, on peut former une mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS du transducteur d'ultrasons 170. Dans ce cas, on peut former la couche d'interconnexion 173 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. [)e plus, on peut former les couches 19, 20 et 21 de l'actionneur 22 et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. [6] Filtre utilisant des résonateurs acoustiques FBAR Un dix-huitième mode de réalisation de l'invention concerne une structure dans laquelle un élément MEMS piézo-électrique fait fonction d'un filtre utilisant des résonateurs acoustiques FBAR (d'après "Film Bulk Acoustic Resonator"). Le filtre FBAR est un résonateur utilisant une pellicule mince piézoélectrique et il fait appel à une oscillation comprise dans la bande des hyperfréquences de 2 GHz, par exemple. (1) Structure La figure 77 est une vue en plan d'un élément MEMS selon le dix-huitième mode de réalisation de l'invention. La figure 78 est une vue en coupe de l'élément MEMS prise suivant la ligne LXXVIII-LXXVIII de la figure 77. La structure de l'élément MEMS selon le dix-huitième mode de réalisation va maintenant être décrite. 2877770 55 Comme représenté sur les figures 77 et 78, dans le filtre FBAR 180, un actionneur 22 est disposé sur une cavité 34 formée dans la pellicule isolante 15. L'actionneur 22 comporte une électrode inférieure 19, une électrode supérieure 21 et une couche piézo-électrique 20 prise en sandwich entre l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21. Parmi ces trois couches, au moins la couche piézo-électrique 20 est presque plate. On forme une pellicule d'oxyde thermique 12 sur un substrat semiconducteur (par exemple un substrat de silicium) 11. On forme une première pellicule isolante 14 sur la pellicule d'oxyde thermique 12. On forme la deuxième pellicule isolante 15 sur la première pellicule isolante 14. On forme dans la deuxième pellicule isolante 15 une tranchée 16 qui expose une partie de la première pellicule isolante 14. La cavité 34 est présente, de sorte que l'actionneur 22 peut se déplacer. On forme une troisième pellicule isolante 18 sur la cavité 34 et la deuxième pellicule isolante 15. On connecte l'électrode inférieure 19 de l'actionneur à une couche d'interconnexion 31 par l'intermédiaire d'un contact 28. On connecte l'électrode supérieure 21 de l'actionneur 22 à une couche d'interconnexion 32 par l'intermédiaire d'un contact 29. (2) Fonctionnement L'élément MEMS du dix-huitième mode de réalisation fait fonction du filtre FBAR 180 de la manière suivante. Tout d'abord, un signal électrique est appliqué en entrée en provenance de l'électrode supérieure 21 de l'actionneur 22. Le signal électrique ne traverse l'élément MEMS que lorsque la fréquence résonne avec la couche piézoélectrique 20. De cette manière, on utilise l'élément MEMS au titre d'un filtre FBAR 180. Comme décrit ci-dessus, avec le dix-huitième mode de réalisation, dans l'actionneur 22 utilisant la couche piézo-électrique 20, au moins la couche piézo-électrique 20 est presque plate. Pour cette raison, on peut empêcher la couche piézo-électrique 20 de vibrer de manière non uniforme relativement à l'oscillation. En outre, lorsque l'actionneur 22 se déplace, on peut supprimer la création de craquelures au niveau de la partie échelon de la couche piézo-électrique 20. Par conséquent, on peut 2877770 56 augmenter le rendement. De ce fait, on peut accroître la fiabilité de l'élément MEMS. Divers changements et modifications peuvent être apportés à l'élément MEMS du filtre FBAR 180 du dix-huitième mode de réalisation, 5 comme décrit ci-après. Ainsi qu'on peut le voir sur la figure 79, on peut former un transistor MOS 40 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS du filtre FBAR 180. Dans ce cas, on forme une couche d'interconnexion d'extraction 173 pour l'électrode supérieure 21 ou l'électrode inférieure 19 de l'actionneur 22 sur une région 43 d'isolation d'élément se trouvant dans la cavité 34. On peut former la couche d'interconnexion d'extraction 173 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. Comme on peut le voir sur la figure 80, on peut former une mémoire ferroélectrique 110 sur le même substrat 11 que l'élément MEMS du filtre FBAR 180. Dans ce cas, on peut former les couches 19, 20 et 21 de l'actionneur 22 et les couches 112, 113 et 114 du condensateur ferroélectrique 115 simultanément en utilisant le même matériau. Lorsqu'on forme la couche d'interconnexion d'extraction 173 de l'électrode supérieure 21 ou de l'électrode inférieure 19 de l'actionneur 22 sur la région d'isolation de l'élément 43 se trouvant dans la cavité 34, on peut former la couche d'interconnexion d'extraction 173 et l'électrode de grille 45 du transistor MOS 40 simultanément en utilisant le même matériau. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation ci-dessus décrits, et divers changements et modifications peuvent être apportés à la mise en oeuvre de l'invention sans pour autant sortir du domaine de l'invention. (1) Dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, ainsi qu'on peut le voir sur la figure 81, on peut mettre un substrat du type "silicium sur isolant" (noté SOI) 200 comportant un substrat 201, une pellicule d'isolation enterrée 202 et une couche semiconductrice 203 à la place du substrat semiconducteur 11. Dans ce cas, on peut augmenter la caractéristique d'isolation en entourant l'élément MEMS au moyen de la pellicule d'isolation enterrée 202 et d'une région STI (non représentée). 2877770 57 Par conséquent, on peut réduire les effets négatifs tels que le bruit venant d'un autre élément. (2) Dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, le substrat semiconducteur 11 peut avoir une résistivité normale (par exemple de 20 S2Écm, ou moins). Toutefois, un substrat possédant une résistivité élevée de 500 S2Écm, ou plus, sera de préférence utilisé. (3) Dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, se rapportant par exemple à la figure 5, les actionneurs 22a et 22b se déplacent vers le bas du fait de l'augmentation, de 0 V à 3 V, de la tension V2 des électrodes supérieures 21. Toutefois, le déplacement des actionneurs n'est pas limité à cela. Par exemple, les actionneurs peuvent être gauchis vers le haut par commande des tensions V1 et V2 des électrodes 19 et 21 et utilisation de la contrainte interne existant dans la pellicule qui forme la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30. (4) Dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, comme on peut le voir sur la figure 82, la pellicule isolante 18 qui soutient les actionneurs 22a et 22b peut être omise. Dans ce cas, pour améliorer la mobilité des actionneurs 22a et 22b, on donne à l'électrode inférieure 19 une plus grande épaisseur qu'à l'électrode supérieure 21 (figure 83), ou bien on réalise l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21 en utilisant des matériaux différents au lieu de former la troisième pellicule isolante 18. Même lorsque la pellicule isolante 18 n'a pas été omise, on peut donner à l'électrode inférieure 19 une plus grande épaisseur qu'à l'électrode supérieure 21 ou bien on peut réaliser l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21 en utilisant des matériaux différents. (5) Dans les modes de réalisation présentés ci-dessus, on forme la première pellicule isolante 14 pour protéger de l'oxydation la première couche d'électrode 13, et autres. Toutefois, on peut omettre la première pellicule d'isolation 14, comme représenté sur la figure 84. Lorsque la pellicule isolante 18 (la pellicule isolante 14 peut également être présente) est formée entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27, on peut élargir les étendues des valeurs des tensions appliquées de la première couche d'électrode 13 et de la deuxième couche d'électrode 27. Pour cette raison, on augmente les possibilités de commande de l'actionneur. 2877770 58 (6) L'actionneur possède une structure dite unimorphe, dans laquelle la couche piézo-électrique 20 est prise en sandwich entre l'électrode inférieure 19 et l'électrode supérieure 21. Toutefois, l'actionneur peut avoir une structure dite bimorphe. Plus spécialement, comme représenté sur la figure 85, chacun des actionneurs 22a et 22b comporte une électrode inférieure 211, une couche piézo-électrique 212, une électrode intermédiaire 213, une couche piézo-électrique 214 et une électrode supérieure 215. Les tensions V1 et V2 sont appliquées à l'électrode inférieure 211 et à l'électrode supérieure 215. Dans ce cas, les actionneurs 22a et 22b peuvent être grandement excités par une basse tension via l'utilisation d'un effet dit bimorphe. (7) Dans le mode de réalisation ci-dessus présenté, l'actionneur possédant une structure à poutre doublement soutenue et l'actionneur possédant une structure en porte-à-faux sont tous deux de préférence plats dans l'état non mobile. Toutefois, il n'est pas nécessaire qu'ils soient toujours plats. Par exemple, comme représenté sur les figures 86 et 87, dans l'état non mobile, c'est-à-dire lorsque les tensions V1 et V2 des électrodes inférieures 19 et des électrodes supérieures 21 des actionneurs 22, 22a et 22b sont toutes deux par exemple à 0 V, l'extrémité de chacun des actionneurs 22, 22a et 22b du côté du condensateur variable 30 peut pencher vers le bas. Comme décrit ci-dessus, dans l'état non mobile, les actionneurs 22, 22a et 22b peuvent être incurvés vers le bas par rapport aux points d'appui de l'état mobile, et la distance d entre la premier couche d'électrode 13 et la deuxième couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 peut être plus courte que la profondeur de la tranchée 16. Selon une autre possibilité, comme représenté sur les figures 88 et 89, dans l'état non mobile, c'est-à-dire lorsque les tensions V1 et V2 des électrodes inférieures 19 et des électrodes supérieures 21 des actionneurs 22, 22a et 22b sont toutes deux de 0 V, l'extrémité de chacun des actionneurs 22, 22a et 22b se trouvant du côté du condensateur variable 30 peut se gauchir vers le haut. Comme décrit ci-dessus, dans l'état non mobile, les actionneurs 22, 22a et 22b peuvent être incurvés vers le haut par rapport aux points d'appui de l'état mobile, et la distance d entre la première couche d'électrode 13 et la deuxième 2877770 59 couche d'électrode 27 du condensateur variable 30 peut être plus grande que la profondeur de la tranchée 16. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des dispositifs dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur possédant un élément MEMS de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur (11) ; et un actionneur (22a, 22b) qui est disposé au-dessus du substrat semiconducteur via un espace (34) et possède une électrode inférieure (19) , une électrode supérieure (2:L) et une couche piézo-électrique (20) prise en sandwich entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure, au moins la totalité de la surface de la couche piézo-électrique étant sensiblement plate. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche d'électrode (13, 13a) qui est formée sur le 15 substrat semiconducteur, et une deuxième couche d'électrode (27) qui est disposée au-dessus du substrat semiconducteur via l'espace, est en regard de la première couche d'électrode, et se déplace en fonction du déplacement de l'actionneur, et en ce que la première couche d'électrode et la deuxième couche d'électrode font fonction d'un condensateur variable (30, 30a) lorsque la distance entre la première couche d'électrode et la deuxième couche d'électrode varie en fonction du déplacement de l'actionneur. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une pellicule isolante (14, 18) qui est formée entre la première couche d'électrode et la deuxième d'électrode. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que: le substrat semiconducteur possède une première région et une deuxième région, le condensateur variable est formé dans la première région, un transistor (40) possédant une électrode de grille (45) et des couches (46) de diffusion de source et de drain est formé dans la deuxième région, et la première couche d'électrode est faite du même matériau que 35 l'électrode de grille. 2877770 61 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche de puits (42) d'un premier type de conductivité, qui entoure les couches de diffusion de source et de drain, et une deuxième couche de puits (41) du deuxième type de conductivité, qui entoure la première couche de puits. 6. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que: le substrat semiconducteur possède une première région et une deuxième région, le condensateur variable est formé dans la première région, un premier transistor (40) possédant une première électrode de grille (45) et des premières couches (46) de diffusion de source et de drain est formé dans la deuxième région, et la première couche d'électrode est faite du même matériau que la première électrode de grille, fait fonction du condensateur variable, et fait fonction d'une deuxième électrode de grille d'un deuxième transistor (60). 7. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que: le substrat semiconducteur possède une première région, une 20 deuxième région et une troisième région, le condensateur variable est formé dans la première région, un transistor (40) possédant une électrode de grille (45) et des couches (46) de diffusion de source et de drain est formé dans la deuxième région, un élément résistif (70) est formé dans la troisième région, l'élément résistif ayant une troisième couche d'électrode (13) formée sur le substrat semiconducteur, une quatrième couche d'électrode (27) disposée au-dessus du substrat semiconducteur, et une couche d'isolation (17) formée entre la troisième couche d'électrode et la quatrième couche d'électrode, la quatrième couche d'électrode étant en regard de la troisième couche d'électrode, la première couche d'électrode et la troisième couche d'électrode sont faites du même matériau que l'électrode de grille, et la quatrième couche d'électrode est faite du même matériau que la deuxième couche d'électrode. 2877770 62 8. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le condensateur variable est utilisé dans un circuit d'alignement (80) d'une partie antenne. 9. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le condensateur variable fait fonction d'un circuit de filtrage (86). 10. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une troisième couche d'électrode (13b) qui est formée sur le substrat semiconducteur, est séparée de la première couche d'électrode (13a), et est en regard de la deuxième couche d'électrode, et en ce que la deuxième couche d'électrode et la troisième d'électrode font fonction du condensateur variable (30b) lorsque la distance entre la deuxième couche d'électrode et la troisième couche d'électrode varie en fonction du déplacement de l'actionneur. 11. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche d'électrode (13) qui est formée sur le substrat semiconducteur et est en regard de l'électrode inférieure, et en ce que l'électrode inférieure et la couche d'électrode font fonction d'un condensateur variable (30) lorsque la distance entre l'électrode inférieure et la couche d'électrode varie en fonction du déplacement de l'actionneur. 12. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que: le substrat semiconducteur possède une première région et une deuxième région, le condensateur variable est formé dans la première région, une mémoire morte, notée ROM, fusible (102) est formée dans la deuxième région, et la ROM fusible stocke des données servant à l'ajustement des valeurs de tension devant être appliquées à l'électrode supérieure et à l'électrode inférieure. 13. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que: le substrat semiconducteur possède une première région et une deuxième région, le condensateur variable est formé dans la première région, une mémoire ferroélectrique (110) est formée dans la deuxième région, et 2877770 63 la mémoire ferroélectrique stocke les données servant à ajuster les valeurs de tension devant être appliquées à l'électrode supérieure et à l'électrode inférieure. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que la 5 mémoire ferroélectrique comprend: un transistor (40) qui possède une électrode de grille (45) et des couches (46) de diffusion de source et de drain, et un condensateur ferroélectrique (115) qui possède une première électrode de condensateur (112), une deuxième électrode de condensateur (114), et une pellicule ferroélectrique (113) prise en sandwich entre la première électrode de condensateur et la deuxième électrode de condensateur, et la pellicule ferroélectrique est faite du même matériau que la couche piézo-électrique. 15. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche d'électrode (13a, 13b) qui est formée sur le substrat semiconducteur, et une deuxième couche d'électrode (27) qui est disposée au-dessus du substrat semiconducteur via l'espace, est en regard de la première couche d'électrode et se déplace en fonction du déplacement de l'actionneur, et en ce que la première couche d'électrode et la deuxième couche d'électrode font fonction d'un commutateur (130a, 130b) lorsque la première couche d'électrode et la deuxième couche d'électrode sont placées dans l'un des deux états suivants, à savoir un état de contact et un état de non-contact, en fonction du déplacement de l'actionneur. 16. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de miroir (140) qui est disposée au-dessus du substrat semiconducteur via l'espace et fait varier l'angle de réflexion de la lumière en se déplaçant en fonction du déplacement de l'actionneur. 17. Dispositif selon la revendication' 1, caractérisé en ce que l'actionneur est utilisé au titre de l'un des capteurs suivants, à savoir un capteur inertiel (150) et un capteur de pression (160) par détection du déplacement de l'actionneur qui est provoqué par l'une des causes 2877770 64 suivantes, à savoir une force d'inertie et une pression s'exerçant sur l'actionneur. 18. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'actionneur est utilisé au titre d'un transducteur d'ultrasons (170) par conversion d'un signal électrique et d'un son via l'oscillation de l'actionneur. 19. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'actionneur est utilisé comme un filtre (180) par le fait qu'on amène un signal électrique résonant avec la couche piézo-électrique à traverser l'actionneur. 20. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche piézo-électrique n'est formée que sur l'électrode inférieure. 21. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la forme plane de la couche piézo-électrique est presque la même que la forme plane de l'électrode supérieure. 22. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'aire de la couche piézo-électrique est plus petite que l'aire de l'électrode inférieure. 23. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface latérale de l'électrode inférieure est en contact avec une pellicule d'isolation (23).