Brevet FR2881834A1 — publié le 20060811

PROCEDE ET SYSTEME DE TEST OU DE MESURE D'ELEMENTS ELECTRIQUES, AU MOYEN DE DEUX IMPULSIONS DECALEES L'invention concerne un procédé et un système de test ou de mesure d'éléments électriques, notamment de conducteurs électriques ou de groupes de conducteurs électriques, de composants électriques ou électroniques. L'invention concerne notamment mais non exclusivement le test de pistes conductrices présentes dans les supports d'interconnexion. Les supports d'interconnexion se trouvent dans la majorité des appareils électroniques et leur test revêt une importance d'autant plus grande que leurs dimensions se réduisent sans cesse avec l'évolution des techniques de fabrication et d'intégration. Il s'agit notamment des circuits imprimés de très haute densité (High Density Interconnect) que l'on trouve dans la plupart des objets électroniques nomades (téléphones cellulaires, baladeurs MP3, lecteurs/graveurs de disques, appareils photographiques numériques, etc.) et dans les boîtier pour circuits intégrés (microprocesseurs ou mémoires). Sont concernés également les supports d'interconnexion pour circuits intégrés appelés "IC package substrates' (boîtiers substrats pour circuits intégrés) ou "chip carriers" (boîtiers porteurs de puce). De tels supports d'interconnexion sont très "denses" et peuvent présenter des largeurs de conducteurs, ainsi qu'un pas entre conducteurs, de très faible valeur, par exemple quelques dizaines de micromètres, ainsi que des plages de contact: de dimension inférieure à la centaine de micromètres. Outre les conducteurs présents sur les supports d'interconnexion précités, divers autres types de conducteurs sont susceptibles de test, par exemple les conducteurs présents dans les écrans plats à cristaux 2881834 2 liquides ou à plasma, ceux présents dans les circuits intégrés avant encapsulation, et plus généralement encore tous types de composants électriques ou électroniques. Parmi les tests effectués classiquement sur les supports d'interconnexion, certains visent à mesurer la continuité, l'isolement, la résistance, la capacité ou:La self-inductance de conducteurs, voire de composants montés sur les supports. Les conducteurs sont généralement des pistes conductrices réparties sur une ou plusieurs couches électriquement isolantes d'un substrat:, et peuvent être reliés par des trous métallisés traversant le substrat ("vias"). Pour tester de telles pistes conductrices, il est. connu d'utiliser des systèmes de mesure qui accèdent mécaniquement à leurs plages de contact, lorsque celles-ci sont physiquement accessibles et lorsque le contact mécanique réalisé lors de l'opération de test n'est pas préjudiciable à l'intégrité du substrat après test. Il devient toutefois impossible d'effectuer une telle mesure de manière complète lorsqu'une seule plage de contact des pistes conductrices est physiquement accessible et que l'autre plage ne peut ou ne doit pas être touchée pour éviter de l'endommager. C'est par exemple le cas des pistes de circuits imprimés de type "IC package substrates" réalisant la fonction d'éclateur. Ces circuits permettent de rapporter à un pas de circuit imprimé traditionnel, c'est-à-dire à un millimètre environ entre points, un composant électronique tel qu'une puce à semi-conducteur, présentant une densité de connexions beaucoup plus élevée, de l'ordre de quelques dizaines de micromètres entre points. Aussi, d'autres solutions ont été envisagées selcn l'état de la technique en vue d'effectuer les tests précités, y compris lorsque l'une des plages de contact d'une piste n'est pas physiquement accessible. Parmi ces solutions, certaines proposent de réaliser un couplage capacitif entre une électrode et une piste conductrice à tester. Toutefois, ces solutions nécessitent la fabrication d'un outillage complexe et coûteux. De plus, elles ne permettent pas de déterminer la résistance des pistes conductrices testées. Enfin, elles ne sont pas compatibles avec les nouvelles générations de substrats pour puces montées en flip-chip (puce retournée) pour lesquels les points de soudure avec la puce ne sont plus disposés à la périphérie du substrat, mais de manière matricielle à la surface du support d'interconnexion. D'autres solutions sont notamment décrites par les documents US-6, 369, 591 (Cugini et al.) et EP-1 236 052 (Vaucher Christophe). Ces solutions proposent d'éjecter des électrons du circuit imprimé à tester par effet photoélectrique au moyen d'un faisceau de lumière laser. Les électrons éjectés sont collectés au moyen d'une anode conductrice formée par une plaque transparente au faisceau de lumière laser incident. La solution décrite dans le document US-6,369,591 procède purement sans contact. Elle présente toutefois l'inconvénient de ne pas permettre une mesure quantitative de la résistance des conducteurs, mais seulement une mesure qualitative, c'est-à-dire le fait de déterminer si deux points d'une piste sont reliés par une résistance de moins de quelques giga-Ohms sans mesurer la valeur effective de la résistance. En outre, cette méthode nécessite de charger/décharger les pistes conductrices en électrons pour permettre, en particulier, la réinitialisation de la mesure. Cette réinitialisation peut prendre un temps considérable pour les pistes présentant de grandes dimensions, ce qui ralentit les tests de manière incompatible avec les exigences industrielles de productivité. La solution décrite dans le document EP-1 236 052 propose un accès photoélectrique sans contact à des plages de contact de conducteurs ayant de faibles dimensions. Les électrons libérés par effet photoélectrique sont collectés par un collecteur composé de zones adressables individuellement à des potentie=ls multiples. Le circuit est bouclé au travers d'un systèrle de mesure et d'une source qui restitue les électrons à l'autre extrémité de la piste. Cette solution constitue une avancée significative par rapport aux méthodes précitées. Toutefois, de manière générale, il est de plus en plus difficile d'effectuer des tests compatibles avec les impératifs de productivité imposés par l'industrie, tout en accédant aux valeurs de résistance des pistes conductrices mesurées en continuité et en isolement:. C'est le cas, en particulier, lorsque aucune des plages de contact des pistes n'est accessible mécaniquement ou lorsqu'il y a un risque d'endommagement des plages de contact utilisées comme points de test. Ainsi, l'invention vise un procédé et un système de test ou de mesure d'éléments électriques avec lesquels les risques d'endommagement des éléments sont minimums, les mesures pouvant être effectuées selon des cadences compatibles avec les impératifs de productions actuels. L'invention vise plus particulièrement à perfectionner les procédés de test ou de mesure basés sur l'éjection d'électrons d'un élément à tester au moyen d'un faisceau de particules appliqué à l'élément à tester, notamment l'éjection d'électrons par effet photoélectrique. Cet objectif est atteint par la prévision d'un procédé de test ou de mesure d'éléments électriques, comprenant les étapes suivantes: appliquer un premier faisceau de particules à un premier emplacement d'un élément électrique, pour libérer des électrons du premier emplacement, appliquer un second faisceau de particules à un second emplacement d'un élément électrique avec un décalage temporel non nul relativement à l'application du premier faisceau de particules au premier emplacement:, pour libérer des électrons du second emplacement:, collecter des électrons libérés sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules au premier emplacement, collecter des électrons libérés sous l'effet de l'application du second faisceau de particules au second emplacement, et mesurer au moins une quantité de charges électriques correspondant à la collecte des électrons libérés sous l'effet de l'application du second faisceau de particules au second emplacement, et en déduire quantitativement ou qualitativement ur..e caractéristique électrique de l'élément électrique. Selon un mode de réalisation, le décalage temporel est de l'ordre de grandeur d'un temps de propagaticn d'électrons entre le premier et le second emplacement. Selon un mode de réalisation, le décalage temporel est de l'ordre de la pico-seconde à quelques nanosecondes. Selon un mode de réalisation, l'isolement, la continuité, la capacité et/ou la résistance de l'élément électrique est déduit de la comparaison de la quantité de charges électriques collectée sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules et de la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du second faisceau de particules. Selon un mode de réalisation, l'élément électrique est un conducteur électrique ou un groupe de conducteurs électriques, un composant électrique, ou un composant électronique. Selon un mode de réalisation, le premier emplacement 35 est une première plage d'un conducteur électrique et le second emplacement est une seconde plage du conducteur électrique ou une plage d'un autre conducteur électrique. Selon un mode de réalisation, le premier et le second faisceaux de particules sont des faisceaux de lumière ultraviolette. Selon un mode de réalisation, le premier et].e second faisceaux de particules résultent de la division d'un même faisceau de particules. Selon un mode de réalisation, le décalage temporel est obtenu en faisant parcourir au second faisceau de particules un trajet plus important que le trajet du premier faisceau de particules, avant que le second faisceau de particules n'atteigne le second emplacement. Selon un mode de réalisation, les électrons libérés sous l'effet de l'application du premier et du second faisceaux de particules sont recueillis par un collecteur porté à un potentiel électrique, et au moins le premier emplacement est porté à un potentiel inférieur au potentiel du collecteur préalablement à l'application du premier faisceau de particules au premier emplacement. Selon un mode de réalisation, les électrons libérés sous l'effet de l'application du premier et du second faisceaux de particules sont recueillis par un collecteur porté à un potentiel électrique, l'application du premier faisceau de particules porte l'élément électrique au potentiel du collecteur et la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du second faisceau de particules est mesurée. Selon un mode de réalisation, les électrons libérés sous l'effet de l'application du premier et du second faisceaux de particules sont recueillis par un collecteur, et le collecteur comprend au moins une première électrode de collecte en regard du premier emplacement et au moins une seconde électrode de collecte en regard du second emplacement, les deux électrodes de collecte étant distinctes et accessibles individuellement pour conduire une mesure locale de charge électrique collectée. La présente invention concerne également un système de test ou de mesure d'éléments électriques comprenant des moyens pour appliquer un premier faisceau de particules à un premier emplacement d'un élément électrique de manière à induire une libération d'électrons de ce premier emplacement, et appliquer un second faisceau de particules à un second emplacement d'un élément électrique de manière à induire une libération d'électrons du second emplacement, des moyens pour décaler l'application du second faisceau de particules au second emplacement relativement à l'application du premier faisceau de particules au premier emplacement, avec un décalage temporel non nul, au moins un collecteur pour collecter des électrons libérés sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules et des électrons libérés sous l'effet du second faisceau de particules, et des moyens pour mesurer au moins une quantité de charges électriques correspondant à la collecte des électrons libérés sous l'effet de l'application du second faisceau de particules au second emplacement, et en déduire quantitativement cu qualitativement une caractéristique électrique de l'élément électrique. Selon un mode de réalisation, le décalage temporel est de l'ordre de grandeur d'un temps de propagation d'électrons entre le premier et le second emplacement. Selon un mode de réalisation, le décalage temporel est de l'ordre de la pico-seconde à quelques nanosecondes. Selon un mode de réalisation, le collecteur comprend au moins une première électrode de collecte en regard du premier emplacement et au moins une seconde électrode de collecte en regard du second emplacement, les deux électrodes de collecte étant distinctes et accessibles individuellement, et permettant: aux moyens de mesure de conduire, au moins au second emplacement, une mesure locale de charge électrique collectée. Selon un mode de réalisation, le système comprend des moyens pour déduire la continuité, l'isolement, la capacité et/ou la résistance de l'élément électrique à partir d'une mesure de la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules et de la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du second faisceau de particules. Selon un mode de réalisation, le système est agencé pour tester un mesurer un conducteur électrique ou un groupe de conducteurs électriques, un composant électrique ou un composant électronique. Selon un mode de réalisation, le système comprend des moyens pour diviser un faisceau de particules afin de former le premier et le second faisceaux de particules. Selon un mode de réalisation, le système comprend des moyens pour faire effectuer au second faisceau de particules un trajet plus important que le trajet du premier faisceau de particules, avant que le second faisceau de particules atteigne le second emplacement de l'élément électrique. Selon un mode de réalisation, les premier et second faisceaux de particules sont des faisceaux de lumière ultraviolette. Selon un mode de réalisation, le système comprend une plaque séparatrice pourvue d'orifices agencée entre le substrat et le collecteur, les orifices formant des couloirs de circulation d'électrons. Selon un mode de réalisation, le système comprend un 35 collecteur comportant une pluralité d'électrodes et des moyens pour porter des électrodes à un potentiel répulsif afin de former des couloirs de circulation d'électrons. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détails dans la description suivante d'un exemple de réalisation du procédé et du système selon l'invention, faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: - la figure 1 illustre schématiquement le procédé et 10 le système selon l'invention appliqué à la mesure de la continuité électrique d'un conducteur; - la figure 2A est le schéma équivalent du système selon l'invention, au cours de l'application d'un premier faisceau de particules au conducteur; - la figure 2B est le schéma équivalent du systèn.e selon l'invention, au cours de l'application d'un second faisceau de particules au conducteur; - la figure 3 représente les variations de charges électriques collectées en fonction de la résistance du conducteur; - les figures 4A et 4B illustrent l'évolution dans le temps de charges électriques collectées et de potentiels électriques présents sur des points de test, pour une première valeur de résistance du conducteur, et - les figures 5A et 5B illustrent l'évolution dans le temps de charges électriques collectées et de potentiels électriques présents sur des points de test,, pour une seconde valeur de résistance du conducteur. Le procédé et le système selon l'invention permettent de tester ou de mesurer une caractéristique électrique d'un élément électrique, telle que la continuité, l'isolement, la capacité et/ou la résistance d'un conducteur ou piste conductrice, agencé sur un 2881834 10 substrat isolant. Un tel substrat peut présenter des pistes conductrices disposées sur une ou plusieurs couches diélectriques et forme par exemple un circu:_t imprimé à très haute densité du type "HDI". Sur la figure 1, un circuit à tester représenté à titre d'exemple non limitatif est un support d'interconnexion "chip carrier" de type éclateur, permettant de ramener à un pas de circuit imprimé traditionnel, de l'ordre du millimètre entre points, un composant électronique du type puce à semi-conducteur présentant une densité de connexion beaucoup plus élevée. Ce circuit comporte des pistes conductrices agencées sur un substrat isolant 1, faisant l'objet des mesures selon l'invention. Il s'agit ici de pistes conductrices de faible capacité, typiquement quelques dizaines de femto-Farad (f F) à quelques pico-Farad (pF). Il est à noter que ces valeurs sont relatives et dépendent de la distance entre le support d'interconnexion à tester et un collecteur 5 décrit plus en détail dans ce qui suit. Il est ainsi possible d'augmenter la distance entre le collecteur 5 et les pistes conductrices de manière à effectuer des mesures pour des pistes de capacité plus élevée, et inversement. Plus particulièrement, le support d'interconnexion comporte des pistes conductrices 2-1 agencées sur la face supérieure du substrat 1, des pistes agencées sur la face inférieure du substrat, ainsi que des pistes 2-2 qui traversent le substrat (pistes comportant des "vias"). Chaque piste comporte généralement une plage de contact, localisée sur la face supérieure ou sur la face inférieure du substrat. Ici, des plages 31, 3-2 sort localisées sur la face supérieure du substrat et permettent par exemple le montage d'une puce selon la technique "flip-chip" (en puce retournée). Les plages 3-1, 3-2 sont ici du type C4 ("Controlled Collapsed Chip 2881834 11 Connection") et sont revêtues d'un alliage métallique à l'étain, avec ou sans plomb. D'autres plages 3-3 (une seule étant représentée) sont localisées sur la face inférieure du substrat, et sont ici du type BGA ("Bail Grid Array"). Les plages du type C4, de même que les plages du type BGA, forment des plots d'interconnexion arrangés sous forme matricielle à la surface du substrat 1. Ainsi, une piste conductrice peut être ici du type C4-C4 ("C4 to C4") et relier deux ou plusieurs plages du type C4 sur la face supérieure du substrat, ou être du type BGA-BGA ("BGA to BGA") et relier deux plages du type BGA sur la face inférieure du substrat, ou encore être c.0 type C4-BGA (C4 to BGA) et relier au moins une plage du type C4 à au moins une plage du type BGA (pistes traversantes). Dans l'exemple de la figure 1, la piste conductrice 2-1 en face supérieure du substrat fait l'objet d'un test ou d'une mesure selon le procédé de l'invention. La piste est du type C4-C4 et relie les plages 3- 1 et 3-2 qui sont situées ici à ses deux extrémités. Elle présente, entre les plages 3--1 et 3-2, une résistance série Ro. Les plages 3-1, 3-2 sont utilisées comme points de test de la piste 2-1. Le système selon l'invention comporte des moyens pour générer un premier 4-1 et un second 4-2 faisceaux de particules. Le faisceau de particules 41 est appliqué à un premier emplacement de la piste conductrice, ici la plage 3-1, tandis que le faisceau de particules 4-2 est appliqué à un second emplacement de la piste, ici la plage 3-2, afin de conduire ici un test de continuité. Toutefois, le faisceau 4-2 peut également être appliqué à un emplacement choisi sur une autre piste du même substrat, par exemple pour conduire un test de l'isolement entre les deux pistes. Le faisceau 4-1 est apte à libérer des électrons du premier emplacement de la piste 2-1 et le faisceau 4-2 est apte à libérer des électrons du second emplacement de la piste 2-l. A cet effet, les faisceaux 4-1, 4-2 peuvent être des faisceaux de photons ou des faisceaux particules telles des électrons ou des ions. Dans l'exemple décrit ici, les faisceaux sont des faisceaux de lumière laser dont la longueur d'onde, choisie dans le domaine des ultraviolets, est suffisamment courte pour permettre l'éjection d'électrons du matériau constituant la piste ou la plage par effet photoélectrique. Typiquement, la longueur d'onde requise est située entre 200 et 300 nm suivant les métaux ou alliages. La source laser utilisée est avantageusement du type impulsionnel, et est par exemple une source laser YAG multipliée en fréquence selon un facteur cinq. La durée d'une impulsion de lumière laser (durée d'un tir photoélectrique) est préférentiellement de l'ordre de quelques nano-secondes (ns). A noter que si des faisceaux d'électrons sont utilisés plutôt que des faisceaux de photons, leur énergie incidente doit être telle que le nombre d'électrons secondaires émis par le matériau cible sur lequel on tire est plus important que le nombre d'électrons absorbés, de manière à créer un courant entre les zones cibles et le collecteur 5, ceci étant en soi bien connu de l'homme de l'art. Selon l'invention, l'application du faisceau 4-1 à la plage 3-1 et l'application du faisceau 4-2 à la plage 3-2 sont séparées par un décalage temporel At pouvant être ajustable, notamment en relation avec le type de mesure devant être effectuée. Le décalage At est de courte durée. Plus précisément, le décalage est de l'ordre de grandeur du temps de propagation des électron: entre les deux: points de mesure (zones cibles, ici lets plages 3-1, :3-2) et est de préférence inférieur à ce temps de propagation. Ce temps de propagation est défini par la constante de temps RC de la piste conductrice entre les points de mesure (pour une mesure de continuité) ou par la constante de temps RC entre deux points de mesure situés sur deux pistes conductrices distinctes (pour une mesure d'isolement). Compte-tenu de contraintes matérielles de mise en oeuvre pour l'obtention d'un décalage temporel inférieur à la pico-seconde, ce décalage temporel sera en pratique choisi dans une fourchette de valeurs allant de la pico-seconde à quelques nanosecondes. Les faisceaux de lumière 4-1, 4-2 peuvent être issus d'un seul et même faisceau de lumière laser pulsée, en divisant celui-ci en deux parties grâce à une lame séparatrice. Le réglage du décalage temporel At peut être obtenu en faisant parcourir au second faisceau un chemin optique plus long que celui du premier faisceau, par exemple entre plusieurs miroirs. La modification du chemin optique qui en résulte introduit un retard correspondant au décalage At recherché. Dans l'air, ce retard est d'environ 3 ns par mètre de différence entre les chemins optiques. Etant donné qu'il est possible de régler une longueur de chemin optique à quelques micromètres près, la précision quant au décalage temporel entre les faisceaux est de l'ordre de quelques femtcsecondes (fs) . Dans le vide, 1 ns correspond à une différence de chemin optique de 30 cm et 1 fs correspond donc à une différence de chemin optique de 0,3 m. Une différence de l'ordre de la fs est ainsi difficilement envisageable. Par contre, une différence de l'ordre de la pico-seconde (ps), correspondant à environ 300 gm de différence de chemin optique, peut être pratiquement mise en uvre. Le décalage temporel At entre les deux faisceaux de lumière peut également être obtenu en insérant dans le chemin optique du second faisceau un matériau présentant un indice optique supérieur au matériau formant le chemin optique du premier faisceau. Le collecteur 5 est agencé au-dessus du substrat 1 et de préférence parallèlement à celui-ci, et s'interpose ainsi entre les faisceaux de lumière 4-1, 4-2 et le substrat. Il comprend une région d'électrode de collecte 5-1 comportant des ouvertures laissant passer les faisceaux de lumière 4-1, 4-2, et peut comprendre ur..e plaque support 5-2 transparente ou partiellemer..t transparent aux faisceaux de lumière, sur laquelle la région d'électrode de collecte 5-1 est agencée. Le collecteur 5 permet de collecter les électrons libérés par le faisceau de lumière 4- 1 et les électrons libérés par le faisceau de lumière 4-2, et est à cet effet porté à un potentiel électrique positif Vc par un générateur de tension (non représenté). Pour des raisons de commodité de langage, en considérera dans ce qui suit les termes "quantité de charges" ou "quantité d'électricité" comme étant synonymes, pour désigner une quantité de charges électriques recueillie au moyen du collecteur 5 après application à la piste conductrice 2-1 d'un tir de lumière laser. Ainsi, on désignera par la même référence Q1 la quantité de charges collectée suite à l'application du faisceau de lumière 4-1 et:La quantité d'électricité mesurée correspondante, et par la même référence Q2 la quantité de charges collectée par le collecteur suite à l'application du faisceau de lumière 4-2 et la quantité d'électricité mesurée correspondante. De même, et conformément au langue technique usuel, on désignera dans ce qui suit, par "charge d'une piste" ou "charge d'une capacité", le fait de faire augmenter le potentiel électrique de la piste ou de la capacité, une telle charge correspondant à une perte d'électrons. On décrira maintenant deux variantes du procédé de l'invention qui ne constituent que des exemples de mise en oeuvre de l'invention. Selon la première variante, la région d'électrode de collecte 5-1 du collecteur 5 est formée par une électrode de collecte unique permettant de collecter des électrons issus de n'importe quel point de la piste et notamment les électrons éjectés de l'une ou l'autre des plages de contact utilisées ici comme points de test et formant des zones d'impact photoélectrique. Les électrons circulant entre les zones d'impact photoélectrique et le collecteur 5 sont canalisés par une plaque séparatrice 6 électriquement isolante, interpose entre le collecteur 5 et le substrat 1, munie de trous 7 la traversant de part en part et formant des canaux de circulation des électrons. Au cours d'une étape préliminaire, la piste est portée à un potentiel électrique déterminé, inférieur au potentiel Vc du collecteur 5. En pratique, l'écart de potentiel entre le collecteur et la piste conductrice peut être ajusté à des valeurs allant de quelques centaines de mV à quelques dizaines de Volt. Le premier faisceau 4-1 est ensuite appliqué à la plage 3-1 et provoque l'éjection d'électrons par effet photoélectrique. La durée de l'application du faisceau 4-1 est réglée de manière que la plage 3-1 soit immédiatement chargée au potentiel Vc du collecteur. Le second faisceau 4-2 est ensuite appliqué à la plage 3-2, avec le décalage temporel et la quantité de charges Q2 recueillie par le collecteur est mesurée et est comparée à un seuil Qt correspondant à un seuil de résistance Rt prédéterminé au-delà duquel la piste est considérée comme défectueuse. La relation entre le seuil 2881834 16 Qt et le seuil Rt est déterminée par étalonnage, pour un décalage temporel Ot donné. Ainsi: - si la quantité d'électricité Q2 est nulle, cela signifie qu'aucun électron n'a été collecté et que:La plage 3-2 est déjà au potentiel Vc du collecteur 5 ou très proche de celui-ci. En d'autres termes, les électrons ont eu le temps de se propager de la plage 3-2 à la plage 3-1 au travers de la résistance Ro, dans l'intervalle de temps Ot séparant le commencement de chaque tir. On en déduit que la piste présente une valeur de résistance Ro faible et inférieure au seuil Rt. - si la quantité d'électricité Q2 est inférieure au seuil Qt, cela signifie que peu d'électrons ont été collectés, que la plage 3-2 est proche du potentiel Vc et que la piste présente une valeur de résistance Ro inférieure au seuil Rt. - si la quantité d'électricité Q2 est supérieure au seuil Qt, cela signifie que le potentiel de la plage 3--2 est assez éloigné du potentiel électrique Vc et que:a résistance Ro est supérieure au seuil Rt, la piste étant alors considérée comme défectueuse. Cette première variante de l'invention permet ainsi de conduire un test qualitatif de type "tout ou rien" (piste "bonne" ou piste "mauvaise") , sans mesure de la résistance Ro. Si l'on souhaite réaliser un test qualitatif, c'est-à-dire une mesure de la résistance Ro, une mesure de Q1 est nécessaire pour des raisons qui seront exposées plus loin. Or, la première variante de l'invention qui vient d'être décrite ne se prête pas facilement à une mesure de Q1, car la mesure au moyen d'une même électrode de collecte des deux quantités d'électricité Q1, Q2 transférées dans l'intervalle de temps très court C,t 2881834 17 nécessite la prévision d'un circuit électronique de mesure rapide et par conséquent coûteux à réaliser. De plus, la durée de l'impulsion laser (durée du tir), de l'ordre de la nano-seconde, peut constituer une limite à la mesure lorsque At est inférieur la durée du tir (ce qui implique un chevauchement: des tirs) sauf si:La première plage se trouve portée au potentiel Vc du collecteur 5 dans la toute première fraction de l'impulsion. La seconde variante de l'invention facilite __a mesure de la quantité d'électricité Ql et permet ainsi de conduire indifféremment un test qualitatif (sans mesure de Q1) ou un test quantitatif (avec mesure de Q1) . Elle repose sur l'utilisation d'un collecteur 5 dont la région d'électrode de collecte 5-1 comprend une pluralité d'électrodes distinctes et adressables individuellement (les faisceaux de lumière laser passant ici à travers les espacements existant entre les électrodes) . Les électrodes se trouvant en regard des zones d'impact photoélectrique sont portées au potentiel positif Vc. Les électrons circulant entre les zones cibles et le collecteur peuvent, comme précédemment, être canalisés par la plaque séparatrice 6 interposée entre le collecteur 5 et le substrat 1. Toutefois, ici, les électrons peuvent également être canalisés en utilisant des "anneaux de garde" tels que décrits par le document EP-1 236 052, formés par un champ électrique répulsif qui est obtenu en portant à un potentiel électrique répulsif des électrodes du collecteur se trouvant au voisinage des zones d'impact photoélectrique. Le collecteur 5 comporte ainsi au moins deux réseaux d'adressage de ses électrodes, chaque réseau étant connecté à un système de mesure qui lui est propre pour la mesure des quantités d'électricité Q1, Q2, tout en 2881834 18 étant connecté à une source de tension fournissant le potentiel Vc aux électrodes de collecte. Un troisième réseau peut être prévu pour l'application du potentiel répulsif aux électrodes avoisinantes, si l'on choisit de ne pas utiliser la plaque séparatrice 6. Par ailleurs, on utilise ici, de préférence, in faisceau de lumière laser divisé en deux parties sensiblement égales 4-1, 4-2, comme proposé plus hau.:. Les deux faisceaux 4-1, 4-2 sont de préférence rigoureusement synchrones et présentent un profil d'impulsion identique. Grâce à la plaque séparatrice 6 ou aux anneaux de garde, on astreint les électrons émis par effet photoélectrique à se déplacer dans un espace limité, de sorte que ceux-ci sont tous collectés par la zone du collecteur située à la verticale de la plage à mesure:_, pouvant comprendre une ou plusieurs électrodes de collecte selon les dimensions conférées à celles-ci. Contrairement à la première variante, il n'est alors plus nécessaire de charger la piste 2-1 en un seul t:Lr laser. Il n'est pas non plus nécessaire - bien que cela soit possible - de charger entièrement cette piste à l'issue des deux tirs (c'est-à-dire l'amener jusqu'au potentiel Vc du collecteur). De plus, les quantités de charges correspondant au nombre d'électrons éjectés des plages de contact 3-1, 3-2 sont mesurées par les systèmes de mesure précités qui bénéficient chacun d'un accès indépendant aux électrodes du collecteur 5. L'écart AQ entre les quantités de charges collectées Q1, Q2 dépend essentiellement de quatre paramètres. Il dépend tout d'abord de la différence de transmission des faisceaux au travers du collecteur, cette différence étant due notamment au fait qu'il existe une différence entre l'énergie respective de chaque sous-faisceau 2881834 19 traversant effectivement le collecteur à deux endroits différents. En pratique, l'effet de cette différence de transmission sur les quantités de charges collectées devrait être au maximum de l'ordre de quelques pourcents. Il dépend également du retard du second faisceau par rapport au premier. En effet, le pompage des électrons suite à l'application du premier faisceau à la première extrémité de la piste a pour effet de faire monter le potentiel de:La seconde extrémité de celle-ci, de sorte que les électrons collectés à la verticale du secor..d faisceau sont moins nombreux, à énergie égale du laser. L'écart 3,Q dépend également de la résistance de la piste conductrice entre ses plages de contact, la résistance constituant un frein à la propagation des électrons entre les deux points de test. Plus cette résistance est élevée, plus la vitesse de transfert des électrons est faible et, par suite, plus le potentiel électrique de la seconde extrémité augmente lentement pendant le premier tir. Ainsi, les électrons collectés suite à l'application du second faisceau de lumière sont d'autant plus nombreux que la résistance est élevée. Enfin, l'écart dépend également de la capacité de la piste conductrice. On décrira maintenant un exemple pratique de mise en oeuvre de la seconde variante du procédé de l'invention. Le potentiel de la piste conductrice 2-1 est tout d'abord ajusté à une valeur de potentiel inférieure à celle du collecteur, qui dépend de la valeur de la capacité de la piste. Par exemple, la piste peut être mise à la masse. Cet ajustement, qui correspond à une étape d'initialisation selon l'invention, peut être obtenu en utilisant des moyens classiques (par exemple un balai en carbone) ou en utilisant un "effet photoélectrique par réflexion" : il s'agit d'appliquer au collecteur un faisceau de lumière réfléchi issu du faisceau de lumière incident appliqué à la zone cible 2881834 20 (c'est-à-dire le point de test, soit ici les plages de contact). L'opération est conduite en présence d'une tension de collecteur sensiblement nulle. Ainsi, des électrons sont arrachés du collecteur par le faisceau de lumière réfléchi et rejoignent la zone cible en faisant diminuer son potentiel électrique jusqu'à ce que celui-ci soit égal à celui du collecteur. Le faisceau de lumière 4-1 est ensuite appliqué à :.a plage 3-l. Les électrons libérés par effet photoélectrique sont recueillis par le collecteur et la quantité d'électricité Qi est mesurée. On applique ensuite le second faisceau de lumière 4:-2 à la plage 3-2, avec le décalage temporel At, et la quantité d'électricité Q2 est mesurée. 1.5 En désignant par C1 la capacité de la piste au niveau de la plage 3-1 de la piste et par C2 la capacité de la piste au niveau de la plage 3-2, il apparaît que le la différence de potentiel électrique aux bornes de la capacité C1 augmente et que des électrons provenant de la capacité C2 transitent via la résistance Ro de la piste lorsque le premier faisceau de lumière est appliqué. Si la piste présente une faible résistance, les capacités sont pratiquement en parallèle et la charge de la capacité C1 entraîne immédiatement la charge de C2. Si, par contre, la piste présente une résistance plus élevée, les électrons s'écoulent lentement d'une capacité à l'autre. Pour la même énergie que celle du premier faisceau de lumière laser et le même potentiel électrique de collecteur, la quantité de charges collectée Q2 devrait être moindre puisqu'une partie de la charge de la seconde plage a, en principe, atteint la première plage. Si la piste conductrice est entièrement chargée (portée à la tension Vc du collecteur) à l'issue des deux tirs laser, la quantité de charges Q collectée au total est égale à 2881834 21 Q1 + Q2 = CVc, c'est-à-dire la quantité de charges qui aurait été récupérée sur l'une des deux plages si un unique faisceau avait été appliqué sur la piste, en vue de la charger complètement. La quantité de charges totale collectée provenant indifféremment de la capacité C1 ou de la capacité C2 est donnée par la formule: Q = (C1 + C2) x E, où E est la différence de potentiel initiale entre le collecteur et la piste. Par contre, la répartition des électrons collectés via les plages de contact de la piste est fonction des valeurs respectives des capacités (en général identiques pour les pistes présentant une symétrie par rapport au plan du collecteur), au retard entre les deux impulsions lumineuses, mais surtout à la valeur de la résistance Ro. Si la résistance Ro est faible, les capacités se chargent simultanément lors de l'application du premier faisceau de lumière laser à la plage 3-1, si bien qu'aucun électron ne transite lors du second tir. On a donc dans ce cas Q1 = Q et Q2 = C. Par contre, si la résistance Ro est infinie, ce qui correspond notamment à une piste défectueuse, la charge collectée lors de l'application du premier tir est Q1 = C1 x E, tandis que celle collectée lors de l'application du second faisceau est Q2 = C2 x E. Dans ce dernier cas, il est possible de localiser le défaut de la piste, puisque le rapport des charges collectées donne le rapport de la distance entre les plages de contact de la piste et le point où se trouve le défaut. On notera que la quantité de charges totale Q recueillie est toujours la même mais sa répartition varie suivant la valeur de la résistance Ro = (nQ, nt, E). Toutefois, il est encore rappelé qu'il n'est pas nécessaire de charger complètement la piste à l'issue des tirs de lumière laser. Ainsi, si l'on connaît la charge Q1 collectée à la première extrémité de la piste conductrice et la capacité totale de cette piste, on peut calculer la loi d'évolution en fonction du temps de la charge collectée au niveau de la plage 3-2. Après un temps At, on mesure une quantité de charge Q2 qui doit être égale, si la seconde impulsion laser est la même que la première, à Q1 moins la quantité de charges qui a transité et qui dépend de Ro, C1 et C2. Des calculs numériques décrits ci-après permettent de prévoir la répartition des quantités de charges en fonction des différents paramètres du système selon l'invention, notamment en fonction des capacités C1, C,, du potentiel électrique du collecteur, de la durée de l'impulsion et son intensité lumineuse, et de la résistance Ro. Ces calculs se réfèrent aux figures 2A, 2B qui représentent respectivement. le schéma équivalent du système lors de l'application du faisceau de lumière laser à la première plage 3-1, et le schéma équivalent du système lors de l'application du faisceau de lumière laser à la première plage 3- 2. On trouve sur ces figures les paramètres/variables suivants: - Ro: résistance à mesurer de la piste 2-1 entre les plages 3-1, 3-2; E: tension du générateur équivalent appliquée au collecteur 5; C1 capacité de la première extrémité de:_a piste (plage 3-1) ; C2: capacité de la seconde extrémité de la piste (plage 3-2) ; - io: courant circulant dans la piste 2-1 de 30 résistance Ro; V1(t) : potentiel aux bornes de C1; et - V2(t) : potentiel aux bornes de C2. - R1(t) résistance modélisant l'effet photoélectrique s'exerçant sur la plage 3-1; R2 (t) photoélectrique Concernant photoélectrique 5 selon laquelle résistance modélisant l'effet s'exerçant sur la plage 3-2. les résistance R1(t) et R2(t), l'effet est en effet modélisé par une loi simple on considère que le courant circulant entre la plage recevant l'impact photoélectrique et le collecteur est proportionnel à la différence de potentiel entre le collecteur et la plage. Le coefficient de proportionnalité courant/tension dépend du niveau d'éclairement instantané de la plage. S'agissant de la plage 3-1, ce coefficient est assimilé, dans les calculs suivants, à une résistance R1(t) représentée sur la figure 2A, recevant la tension E sur son anode, ayant sa cathode connectée à la plage 3-1 et traversée par un courant i1. S'agissant de la plage 3-2, ce coefficient est assimilé à une résistance R2(t) recevant la tension E sur son anode, ayant sa cathode connectée à et traversée par un courant i2.En référence 2A, on peut écrire: I/=11iodt i o 2 C2 soit O _ 2 at (1) , 8V1 = Ro aio ±i' = Ro aio + io = Roio + V2 soit at at 3t at C2 E = R1i1 +V aE ail aV _ 1 at 0 _ R' + Comme: at at (3) On a également: la plage 3-2 à la figure (2) et C, VI = il io (4) Soit, en relation (4) :reportant la relation (3) dans la R Cl ai=il io at En reportant la relation (3) dans la relation (2) et 1 2881834 en faisant apparaître le terme 11 1 dans le membre c.e gauche, on obtient: R a(io - il) + io - il = -R at, - R ail il at C2 at ' at C2 En utilisant la relation (5), on a: R a(io - il) + io - + (Ro + R1) _ - a, at C2 R, CI (io - ' ) C2 ce qui donne, après dérivation: (5) R a2(io )+ (Ro+R,) , 1 at2 R C C2a(i il) = ail at C2at En utilisant de nouveau la relation (5) on obtient: R a2(lo il) +r(Ro +R1) + 1 a(io ll) + (i l') =0 at2 qui est de la forme: 2f A at2 +Bt +C = 0 et dont la solution est: RI CI C2 at C2 CI R f=(Jeet avec: a= -Bi-4AC 2A Si on reporte cette solution dans la relation (5), on obtient: V1 = 1 J i -- i0 + cte C1 Soit: V1 = U e e+ cte aC1 A un instant t = 0, la tension V1 est nulle et lorsque t tend vers l'infini, cette tension V1 est égale 15 à la tension de collecteur. Aussi: V1 = (-et + 1)E En utilisant la relation (31, on a de même: i1 =e a E Afin de pouvoir prendre en compte une forma arbitraire de R1(t), il faut reprendre la procédure da 25 calcul comme décrit ci-dessous. Si l'on considère la partie du circuit de la figure 2A formée de la résistance Ro, de la seconde plage 3-1 e: de la capacité C2, l'ensemble étant soumis aux tensions Vl et V2, on a: R1 V, = A8(t) 2881834 26 où 8(t) est la distribution de Dirac. La réponse à l'impulsion courte mais intense du faisceau est une charge 8q injectée instantanément, est 5 telle que: 8q = f--dt J Ro ro Ro Considérons une tension VZ causée par une densité de charges instantanée Sq/St correspondant à la charge injectée Sq. On a: La charge Sq s'évanouit ensuite par la décharge du circuit. On a donc: t Li Vz (t) C Ro e ' C2 La réponse à une tension quelconque variable dans =_e temps est alors donnée par la convolution de VI(t) par:a réponse impulsionnelle avec A = 1. f f-t0 V2(t)= Vlo)e c2ROdto On peut alors utiliser cette valeur de V2 dans le (avec tous l'équation schéma de la figure les éléments qui y est: 2A considéré au complet sont représentés), dont aV E V V V C' ati =i, io= R i i z (t) Ro soit: t-t V jV;(to)_c2Rod t CaV, E V, 0C2R0 at RI (t) Ro Sous cette forme, l'équation est intégrable à l'aide d'un programme numérique simple. En effet, il suffit de prendre comme valeurs initiales V = 0 et V2 - O, et on obtient: E V, (t) V, (t) V2 (t) CIR1(t) CI Ro V1(t+At)zVI+ At +4t to t+3.4 +4t to 4t V2 (t + At) = .V1(to) e CpR0 dto + Vi (to) e c2 R, dto V2 (t)e c,R, + V, (t) At o C2R0 r C2R0 C2R0 ou encore: E V,(t) V,(t) V2(t) I * At CI RI (t) C1R0 V2 (t + At) : V2 (t) * e C2R, + V1 (t) At C2 R0 Les membres de droite ne dépendent que de termes connus. Il s'agit d'une présentation récurrente illustrant ce qui se passe à l'instant t + d t quand on connaît les valeurs à l'instant t. Par ailleurs, en référence à la figure 2B, on peut également écrire: C i = i, io = at R1(t) Ro âV C 2 i i E V2 +V V2 2 at z R2 (t) Ro V,(t+ At)zV,+ a 1 E VV V I 2 et Ces équations se discrétisent sous la forme: (t+At)=(t)+( ERV((t) (t) Riz(t))*At V2 (t+ot)=V2(t)+( czR22(t + VI(R02(t)) *ot Les valeurs initiales de V'l et V2 sont fixées à 0 puisque le potentiel de la piste est initialisé à zéro comme proposé plus haut (par exemple en utilisant un effet photoélectrique par réflexion). Considérons à titre d'exemple les paramètres suivants: - E = 60 V, - C1 = C2 = 1 pF, - distance substrat/collecteur = 10 m, - diamètre du faisceau de lumière = 80 m, - énergie du laser = 10 J, - durée d'impulsion = 4 ns, - décalage temporel Ot = 4 ns, Avec de tels paramètres, on obtient les courbes Q,, Q2 et Q1/Q2 représentées sur le graphe de la figure 3. Ces courbes illustrent la variation des charges collectées, exprimée en pico-Coulomb (pC), ainsi que le ratio de variation Q1/Q2 en fonction de la résistance Ro de la piste exprimée en Ohm (axe des abscisses). On observe notamment les valeurs suivantes: R0=1000 Mû : Q,/Q2=1 et Q1=Q2=0, 569 pC Ro=100 Mû : Q1/Q2=1 et Q1=Q2=0, 569 pC R0=10 Mû : Q1/Q2=1, 001, Q1=0,570 pC et Q2=0,569 pC Ro=l Mû : Q1/Q2=1,005, Q1=0, 570 pC et Q2=0, 567 pC Ro=100 Kû : Q1/Q2=1,053, Q1=0, 578 pC et Q2=0,549 pC Ro=10 KI) : Q1/Q2=1, 531, Q1=0,649 pC et Q2=0,424 pC R0=1 Kn: Q1/Q2=3,705, Q1=0,837 pC et Q2=0,234 pC Ro=100 SZ: Q1/Q2=4, 763, Q1=0,938 pC et Q2=0,197 pC et 2881834 29 Ro=10 SZ: Q1/Q2=4, 894, Q1=0,946 pC et Q2=0,193 pC Ro=2 S2: Q1/Q2==4, 906, Q1=0, 946 pC et Q2=0, 193 pC Ainsi, les valeurs de Q1 et de Q2 et le ratio Q1/Q2 sont représentatifs de la résistance Ro. Dans l'exemple choisi, le ratio Q1/Q2 ne permet pas de distinguer ent:_e plusieurs valeurs de Ro lorsque Ro est de très forte valeur, car le décalage temporel se trouve, dans tous les cas, inférieur au temps de propagation des électrons (:_a constante RC étant très importante). Le procédé de l'invention, pour un décalage temporel donné, offre donc une grande précision pour les faibles valeurs de Ro, ce qui constitue en soi un avantage important vis-à-vis des méthodes de test classiques. Plus le décalage temporel entre les deux éjections d'électrons est faible, plus la précision de mesure d'une faible résistance est élevée. Les figures 4A, 4B représentent respectivement l'évolution dans le temps des charges collectées Q1, Q2 sur les plages 3-1, 3-2 à chaque extrémité de la piste conductrice pendant toute la durée du tir de lumière laser et l'évolution correspondante dans le temps des tensions Vl(t) et V2(t) aux bornes des capacités C1 et C2, pour Ro =2 Q, Q1 = 0, 946 pC et Q2 = 0,193 pC (Q1/Q2 = 4,906). Les charges collectées sont exprimées en Coulombs sur l'axe des ordonnées de la figure 4A, les tensions Vl(t), V2(t) sont en Volt sur l'axe des ordonnées de la figure 4B, le temps est exprimé en secondes sur l'axe des abscisses des deux figures. On note en figure 4B que les courbes des tensions V1(t) et V2(t) sont confondues. Elles tendent vers une tangente qui est égale à la tension Vc du collecteur. Toutefois lorsque les pistes présentent de fortes capacités vis-à-vis de l'énergie de l'impulsion du faisceau de lumière laser, celle-ci ne charge pas entièrement les capacités et les tensions finales Vl, V2 après application de la double impulsion n'atteignent pas la tension Vc de collecteur. Elles atteignent une tension inférieure à Vc qui est néanmoins identique en chaque point de test si la piste ne présente pas un défaut de continuité. D'autres courbes d'évolution des charges collectées Q1, Q2 pendant la durée du tir et d'évolution des tensions V1, V2 aux bornes des capacités C1 et C2 sont représentées respectivement sur les figures 5A et 5B pour Ra = 100 1'2, Q1 = 0,946 pC et Q2 = 0,193 pC (Q1/Q2 = 4,906). Les charges collectées sont exprimées en Coulombs sur l'axe des ordonnées de la figure 5A, les tensions Vl (t) , V2 (t) sont en Volt sur l'axe des ordonnées de =_a figure 5B, le temps est exprimé en secondes sur l'axe des abscisses des deux figures. Il apparaît que le potentiel V2 aux bornes de C2 n'a pratiquement pas changé entre le moment 0 et le moment t2 de l'application de la seconde impulsion, en raison du faible transfert d'électrons entre C1 et C2 dû à =_a valeur importante de la résistance Ro. La piste:se comporte ainsi comme si elle était coupée en deux. Par suite, les charges collectées Q1 et Q2 sont en rapport avec les capacités C1 et C2, identiques si C1 = C2. La méthode décrite ci-dessus peut être adaptée, par des opérations de routine de l'homme du métier, à :a mesure de toute caractéristique de l'élément à tester, en fonction de la configuration électrique de ce dernier. Par ailleurs, cette méthode peut être mise en oeuvre sur l'ensemble des pistes conductrices constituant un réseau d'équipotentielles dans un substrat. Elle permet donc de tester un tel substrat. Pour la détermination de l'isolement d'une piste par rapport à une autre ou par rapport à un ensemble d'autres pistes éventuellement reliées entre elles, le premier emplacement, auquel est appliqué le premier faisceau de particules, est localisé sur une première piste conductrice et le second emplacement, auquel est appliqué le second faisceau de particules, est appliqué à ur..e seconde piste conductrice. Les deux pistes, bien qu'étar. .t distinctes, forment, vues depuis les deux points de mesure, un élément électrique présentant une résistance série qui correspond à la résistance d'isolement entre les pistes. Il est préférable, mais toutefois pas obligatoire, de connaître le potentiel de la piste sur laquelle est appliqué le faisceau de particules (ou des deux pistes lorsqu'on procède à un test d'isolement), ce potentiel devant être inférieur au potentiel du collecteur, de manière à permettre une collecte d'électrons. Ainsi, une mise à la masse préalable de la piste pourra être prévue pour former le potentiel initial de référence. On a décrit dans ce qui précède une mesure de résistance Ro selon le procédé de l'invention, applicable à la mesure d'une résistance série d'un conducteur dont la continuité doit être testée ou à la mesure de la résistance d'isolement entre deux conducteurs. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que le raisonnement conduit ci-dessus pour l'élaboration d'un modèle de calcul appliqué à la résistance Ro et permettant de quantifier par des formules mathématiques l'effet technique sur lequel se fonde l'invention, s'applique également aux autres types de composants électriques élémentaires tels les capacités et des self-inductances, en utilisant les relations existant en régime transitoire entre les caractéristiques de ces composants, le courant les traversant et la tension à leur bornes. De façon générale, on a démontré dans ce qui précède que la répartition des charges collectées entre deux points de test après application de deux faisceaux de particules décalés dans le temps, est mesurable et est représentative de la caractéristique électrique présente entre les deux points de test. Ainsi, bien que la description de la présente invention se rapporte à titre d'exemple au test qualitatif ou quantitatif de conducteurs et/ou de résistances, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que l'invention permet de tester ou mesurer une résistance, une capacité ou une selfinductance ou une combinaison complexe de ces éléments et qu'elle peut de ce fait être appliquée à tous types d'éléments électriques tels des composants électriques ou électroniques, puisque tout composant électrique ou électronique peut se modéliser par une combinaison de résistances, capacités et/ou self-inductances. REVENDICATIONS 1. Procédé de test ou de mesure d'éléments électriques (2-1), caractérisé en ce qu'il comprend las étapes suivantes: - appliquer un premier faisceau de particules (4-1) à un premier emplacement (3-1) d'un élément électrique, pour libérer des électrons du premier emplacement, -appliquer un second faisceau de particules (4-2) à un second emplacement (3-2) d'un élément électrique avec un décalage temporel (At) non nul relativement à l'application du premier faisceau de particules (4-1) au premier emplacement, pour libérer des électrons du second emplacement, -collecter des électrons libérés sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules au 15 premier emplacement, - collecter des électrons libérés sous l'effet de l'application du second faisceau de particules au second emplacement, et - mesurer au moins une quantité de charges électriques correspondant à la collecte des électrons libérés sous l'effet de l'application du second faisceau de particules au second emplacement, et en déduire quantitativement ou qualitativement une caractéristique électrique de l'élément électrique. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel décalage temporel (At) est de l'ordre de grandeur d'un temps de propagation d'électrons entre le premier et:_e second emplacement. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel le décalage temporel (At) est de l'ordre de la pico-seconde à quelques nano--secondes. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'isolement, la continuité, la capacité et/cu la résistance de l'élément électrique est déduit de la comparaison de la quantité de charges électriques collectée sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules et de la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du second faisceau de particules. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'élément électrique est un conducteur électrique ou un groupe de conducteurs électriques, un composant électrique ou un composant électronique. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le premier emplacement (3-1) est une première plage d'un conducteur électrique et le second emplacement (3-2) est une seconde plage du conducteur électrique ou une plage d'un autre conducteur électrique. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le premier (4-1) et le second (4-2) faisceaux de particules sont des faisceaux de lumière ultraviolette. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le premier (4-1) et le second (4-2) faisceaux de particules résultent de la division d'un même faisceau de particules. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le décalage temporel (Lt) est obtenu en faisant parcourir au second faisceau de particules un trajet plus important que le trajet du premier faisceau 2881834 35 de particules (4-1), avant que le second faisceau de particules n'atteigne le second emplacement. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les électrons libérés sous l'effet de l'application du premier et du second faisceaux de particules sont recueillis par un collecteur (5, 5-1) porté à un potentiel électrique (Vc), et dans lequel au moins le premier emplacement est porté à un potentiel inférieur au potentiel du collecteur préalablement à l'application du premier faisceau de particules au premier emplacement. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel les électrons libérés sous l'effet de l'application du premier et du second faisceaux de particules sont recueillis par un collecteur (5, 5-:L) porté à un potentiel électrique (Vc), l'application du premier faisceau de particules (4-1) porte l'élément électrique (2-1) au potentiel (Vc) du collecteur (5) et la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du second faisceau de particules (4-2) est mesurée. (NEW) 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel les électrons libérés sous l'effet de l'application du premier et du second faisceaux de particules sont recueillis par un collecteur (5, 5-1), et dans lequel le collecteur comprend au moins une première électrode de collecte en regard du premier emplacement et au moins une seconde électrode de collecte en regard du second emplacement, les deux électrodes de collecte étant distinctes et accessibles individuellement pour conduire une mesure locale de charge électrique collectée. 13. Système de test ou de mesure d'éléments électriques (2-1), caractérisé en ce qu'il comprend: - des moyens pour appliquer un premier faisceau de particules (4-1) à un premier emplacement (3-1) d'un élément électrique de manière à induire une libération d'électrons de ce premier emplacement, et appliquer un second faisceau de particules (4-2) à un second emplacement (3-2) d'un élément électrique de manière à induire une libération d'électrons du second emplacement:, - des moyens pour décaler l'application du second faisceau de particules au second emplacement relativement à l'application du premier faisceau de particules au premier emplacement, avec un décalage temporel (At) non nul, - au moins un collecteur (5, 5-1) pour collecter des électrons libérés sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules et des électrons libérés sous l'effet du second faisceau de particules, et - des moyens pour mesurer au moins une quantité de charges électriques correspondant à la collecte des électrons libérés sous l'effet de l'application du second faisceau de particules au second emplacement, et en déduire quantitativement ou qualitativement ur..e caractéristique électrique de l'élément électrique. 14. Système selon la revendication 13, dans lequel le décalage temporel (At) est de l'ordre de grandeur d'un temps de propagation d'électrons entre le premier et le second emplacement. 15. Système selon l'une des revendications 13 et 14, dans lequel le décalage temporel (At) est de l'ordre de la pico-seconde à quelques nanosecondes. 16. Système selon l'une des revendications 13 à 15, dans lequel le collecteur comprend au moins une première électrode de collecte en regard du premier emplacement et au moins une seconde électrode de collecte en regard du second emplacement, les deux électrodes de collecte étant distinctes et accessibles individuellement, et permettant aux moyens de mesure de conduire, au moins au second emplacement, une mesure locale de charge électrique collectée. 17. Système selon l'une des revendications 13 à 16, comprenant des moyens pour déduire la continuité, l'isolement, la capacité et/ou la résistance de l'élément électrique à partir d'une mesure de la quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du premier faisceau de particules et de:_a quantité de charges électriques collectées sous l'effet de l'application du second faisceau de particules. 18. Système selon l'une des revendications 13 à lu, agencé pour tester un mesurer un conducteur électrique ou un groupe de conducteurs électriques, un composant électrique ou un composant électronique. 19. Système selon l'une des revendications 13 à 18, comprenant des moyens pour diviser un faisceau de particules afin de former le premier (4-1) et le second (4-2) faisceaux de particules. 20. Système selon l'une des revendications 13 à 15, comprenant des moyens pour faire effectuer au second faisceau de particules (4-2) un trajet plus important que le trajet du premier faisceau de particules (4-1), avar..t que le second faisceau de particules atteigne le second emplacement de l'élément électri.que(2-1). 2881834 38 21. Système selon l'une des revendications 13 à 2C, dans lequel les premier (4-1) et second (4-2) faisceaux de particules sont des faisceaux de lumière ultraviolette. 22. Système selon l'une des revendications 13 à 21., comprenant une plaque séparatrice (6) pourvue d'orifices (7) agencée entre le substrat et le collecteur, les 10 orifices formant des couloirs de circulation d'électrons. 23. Système selon l'une des revendications 13 à 21, comprenant un collecteur comportant une pluralité d'électrodes et des moyens pour porter des électrodes à un potentiel répulsif afin de former des couloirs ce circulation d'électrons.