Brevet FR2880341A1 — publié le 20060707

ISOLEMENT DE CELLULES DE CAPTEUR COURT-CIRCUITEES POUR UN FONCTIONNEMENT A HAUTE FIABILITE D'UN GROUPEMENT DE CAPTEURS Cette invention porte globalement sur des groupements (barrettes ou matrices) de capteurs qui fonctionnent électroniquement. En particulier, l'invention porte sur des groupements de transducteurs à ultrasons micro-usinés (MUT). Une application spécifique des MUT est dans des systèmes d'imagerie ultrasonore pour diagnostic médical. Un autre exemple spécifique est pour l'examen non destructif de matériaux tels que des pièces coulées, des pièces forgées ou des pipelines, au moyen d'ultrasons. La qualité ou définition d'une image ultrasonore est partiellement une fonction du nombre de transducteurs qui constituent respectivement les ouvertures d'émission et de réception du groupement de transducteurs. En conséquence, pour obtenir une haute qualité d'image, un grand nombre de transducteurs est souhaitable pour des applications en imagerie aussi bien bidimensionnelle que tridimensionnelle. Les transducteurs à ultrasons sont typiquement placés dans une sonde à transducteurs manuelle qui est connectée par un câble souple à une unité électronique qui traite les signaux des transducteurs et génère des images ultrasonores. La sonde à transducteurs peut porter à la fois un circuit d'émission d'ultrasons et un circuit de réception d'ultrasons. Des procédés de fabrication de composants à semi-conducteurs ont été récemment utilisés pour fabriquer des transducteurs à ultrasons d'un type appelé transducteurs à ultrasons micro-usinés (MUT), qui peuvent être capacitifs (cMUT) ou piézoélectriques (pMUT). Les MUT sont de minuscules dispositifs ressemblant à une membrane munis d'électrodes, qui convertissent les vibrations acoustiques d'un signal ultrasonore reçu en une capacité modulée. En émission, la charge capacitive est modulée pour faire vibrer la membrane du dispositif et émettre de ce fait une onde acoustique. Un avantage des MUT est qu'ils peuvent être fabriqués en utilisant des procédés de fabrication des semi-conducteurs, tels que des procédés de microfabrication regroupés sous l'intitulé "micro-usinage". Les systèmes obtenus par ces procédés de micro-usinage sont typiquement appelés "microsystèmes électromécaniques". Comme expliqué dans le brevet des Etats-Unis n 6.359.367: Le micro-usinage est la formation de structures microscopiques en utilisant une combinaison ou sous-ensemble (A) d'outils de formation des motifs (généralement par lithographie, tels que des graveurs à projection ou des graveurs à répétition), (B) d'outils de dépôt tels que PVD (dépôt physique en phase vapeur), CVD (dépôt chimique en phase vapeur), LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite) et PECVD (dépôt par plasma), et (C) d'outils de gravure tels que attaque à l'acide, gravure par plasma, gravure ionique, pulvérisation cathodique ou gravure laser. Le micro-usinage est typiquement réalisé sur des substrats ou plaquettes faites de silicium, verre, saphir ou céramique. Ces substrats ou plaquettes sont généralement très plats et lisses et ont des dimensions latérales de quelques centimètres (pouces). Ils sont généralement traités par groupes en caissettes pendant qu'ils sont transportés d'outil de traitement à outil de traitement. Chaque substrat peut avantageusement (mais par nécessairement) incorporer de nombreuses copies du produit. Il existe deux types génériques de micro-usinage: 1) le micro-usinage en profondeur dans lequel de grandes parties de l'épaisseur de la plaquette ou substrat sont sculptées, et 2) le micro-usinage en surface dans lequel la sculpture est globalement limitée à la surface, et en particulier à des couches minces déposées sur la surface. La définition du micro-usinage utilisée dans la présente englobe l'utilisation de matériaux micro- usinables conventionnels ou connus incluant le silicium, le saphir, des verres de tous types, des polymères (tels que le polyimide), le polysilicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium, des métaux en couches minces tels que des alliages de l'aluminium, des alliages du cuivre et le tungstène, des verres enduits par centrifugation (SOG), des dopants implantables ou diffusés et des films tirés tels que des oxydes et nitrures de silicium. La même définition du micro-usinage est adoptée dans la présente. Chaque cMUT comprend une membrane qui couvre une cavité typiquement sous vide. Cette membrane est maintenue près de la surface du substrat par application d'une tension de polarisation. En appliquant un signal oscillant au cMUT déjà polarisé, on peut faire vibrer la membrane, ce qui lui permet de rayonner de l'énergie acoustique. De manière similaire, lorsque des ondes acoustiques viennent frapper la membrane, les vibrations produites peuvent être détectées sous la forme de variations de tension sur le cMUT. Cellule cMUT est le terme utilisé pour désigner une seule de ces structures "tambour". Les cellules cMUT peuvent être de très petites structures. Les dimensions typiques d'une cellule sont de 25-50 microns de bord à bord dans le cas d'une structure hexagonale. Les dimensions de la cellule sont à de nombreux égards imposées par la réponse acoustique prévue. Pour atteindre les meilleures performances possibles, les cMUT doivent être exposés à des champs électriques extrêmement intenses. D'autres chercheurs ont montré que des cMUT ne surpasseront des transducteurs PZT conventionnels que s'ils sont exploités dans des champs électriques intenses proches de la tension d'écrasement du cMUT. L'aptitude de la structure cMUT à endurer les champs électriques intenses pour des groupements de nombreux éléments, contenant chacun des milliers de cellules reliées en parallèle, avec une distribution de tensions d'écrasement est essentielle au succès de ces dispositifs. Un inconvénient des modèles actuels de cMUT réside dans la formation de motifs d'électrode sur le cMUT, et l'enchaînement d'événements qui se produisent lorsqu'une seule cellule est court-circuitée à la masse. Actuellement, l'électrode sur chaque cellule est connectée à ses plus proches voisines en utilisant simplement des interconnexions "radiales" imprimées. Dans le cas où une cellule individuelle forme un court-circuit à la masse, l'élément entier est effectivement court-circuité à la masse en raison de cette interconnexion. Le problème se combine avec une réduction de la tension de polarisation dont disposent les autres éléments cMUT fonctionnant correctement en raison des éléments court- circuités. La plus faible tension de polarisation d'un cMUT dégrade les performances du cMUT. De plus, les futurs groupements de cMUT pourront contenir des milliers d'éléments au lieu de seulement plusieurs centaines. Il existe donc un effet de cascade par lequel quelques cellules individuelles seulement parmi des milliers peuvent rendre inutilisable un groupement entier. Il existe un besoin d'améliorer la fiabilité et les performances d'un groupement de MUT dans le cas où une seule ou plusieurs cellules MUT forment un court-circuit à la masse. L'invention propose un moyen très simple et rentable pour garantir les performances d'un groupement de MUT contre des défaillances dues à des cellules court-circuitées pour n'importe quelle raison anomalies de traitement, variations statistiques naturelles, contaminants, etc. Dans les groupements de MUT conventionnels, il peut exister des milliers de cellules. Même si seulement quelques cellules forment des courts-circuits à la masse, la qualité d'image sera sensiblement dégradée. Avec la présente invention, ces cellules court-circuitées seront isolées et auront un effet négligeable sur la qualité d'image. Un premier aspect de l'invention est un dispositif comprenant un groupement de capteurs et une multiplicité de lignes de bus de tension de polarisation, chaque capteur étant électriquement connecté à une ligne de bus de tension de polarisation respective et comprenant une multiplicité respective de groupes de cellules de capteur micro-usiné, les groupes de cellules de capteur d'un capteur particulier étant électriquement reliés l'un à l'autre par la ligne de bus de tension de polarisation à laquelle est connecté ce capteur, chaque groupe de cellules de capteur comprenant une multiplicité respective de cellules de capteur micro-usiné qui sont électriquement connectées l'une à l'autre et ne peuvent pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation, le dispositif comprenant en outre un groupe de cellules de capteur qui est isolé des autres groupes de cellules de capteur, est court-circuité à la masse et n'est électriquement relié à aucune ligne de bus de tension de polarisation. Chacune des cellules de capteur micro-usiné peut être une cellule MUT respective. Le dispositif peut comprendre en outre des moyens pour isoler n'importe lequel des groupes de cellules de capteur d'avec la ligne de bus et en réponse au fait que l'une quelconque des cellules de capteur micro-usiné de ce groupe de cellules de capteur est court-circuitée à la masse, les moyens d'isolement comprenant une multiplicité de fusibles, chaque fusible reliant un groupe de cellules de capteur respectif à la ligne de bus associée quand aucune des cellules de capteur micro-usiné de ce groupe de cellules de capteur n'est court-circuitée à la masse. Le dispositif peut comprendre en outre une multiplicité de régions inactives mais sous vide, chacun des fusibles traversant une région inactive sous vide respective. Chacun des fusibles peut être autoporteur. Le dispositif peut comprendre en outre une pluralité de modules de protection contre les courts-circuits, chaque module de protection contre les courts-circuits comprenant un circuit de mesure d'intensité pour détecter l'intensité d'un courant circulant dans un groupe de cellules de capteur respectif et un interrupteur d'isolement électrique pour relier le groupe de cellules de capteur respectif à sa ligne de bus associée, le circuit de mesure d'intensité provoquant l'ouverture de l'interrupteur d'isolement électrique en réponse à la détection d'un niveau d'intensité indiquant un lo court-circuit dans le groupe de cellules de capteur respectif. Un autre aspect de l'invention est un dispositif comprenant un groupement de capteurs et une multiplicité de lignes de bus de tension de polarisation, chaque capteur étant électriquement connecté à une ligne de bus de tension de polarisation respective et comprenant une multiplicité respective de groupes de cellules de capteur micro-usiné, les groupes de cellules de capteur d'un capteur particulier étant électriquement reliés l'un à l'autre par la ligne de bus de tension de polarisation à laquelle est connecté ce capteur, chaque groupe de cellules de capteur comprenant une multiplicité respective de cellules de capteur micro-usiné qui sont électriquement connectées l'une à l'autre et ne peuvent pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation, le dispositif comprenant en outre des moyens pour isoler n'importe lequel des groupes de cellules de capteur d'avec sa ligne de bus de tension de polarisation associée et en réponse au fait que l'une quelconque des cellules de capteur micro- usiné de ce groupe de cellules de capteur est court-circuitée à la masse. Chacune des cellules de capteur micro-usiné peut être une cellule MUT 25 respective. Un autre aspect de l'invention est un dispositif comprenant: une ligne de bus de tension de polarisation; une première multiplicité de cellules de capteur micro-usiné comprenant chacune une électrode respective, les électrodes de la première multiplicité de cellules de capteur étant interconnectées et ne pouvant pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation; et un premier fusible qui relie une première jonction électriquement connectée à la ligne de bus de tension de polarisation et une deuxième jonction électriquement connectée à l'électrode d'une cellule de la première multiplicité de cellules de capteur, le premier fusible étant conçu pour fondre en réponse à un courtcircuitage des électrodes de la première multiplicité de cellules de capteur. Le dispositif peut comprendre en outre une deuxième multiplicité de cellules de capteur micro-usiné comprenant chacune une électrode respective, les électrodes de la deuxième multiplicité de cellules de capteur étant interconnectées et ne pouvant pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation; et un deuxième fusible qui relie une troisième jonction électriquement connectée à la ligne de bus et une quatrième jonction 1 o électriquement connectée à l'électrode d'une cellule de la deuxième multiplicité de cellules de capteur, le deuxième fusible étant conçu pour fondre en réponse à un courtcircuitage des électrodes de la deuxième multiplicité de cellules de capteur. La présente invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée suivante de quelques exemples de réalisation, illustrée par les dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est une vue en coupe d'une cellule cMUT typique; la figure 2 est un schéma d'un sous- élément "en marguerite" formé par sept cellules MUT hexagonales ayant leurs électrodes supérieures et inférieures respectives connectées l'une à l'autre sans interrupteurs intermédiaires; la figure 3 est un schéma d'une architecture qui permet de connecter un sous-élément particulier d'une rangée particulière d'un groupement de cMUT à n'importe laquelle d'une multiplicité de lignes de bus de voies du système; la figure 4 est un schéma représentant des connexions à un point de connexion commun dans le circuit électronique associé à un sous-élément acoustique particulier 25 selon la forme de réalisation représentée sur la figure 3; la figure 5 est une vue de dessus schématique d'une multiplicité de cellules cMUT hexagonales interconnectées d'une manière conventionnelle pour former un seul sous-élément acoustique rectangulaire; la figure 6 est une vue de dessus schématique du sous-élément acoustique de la 30 figure 5, mais comprenant une unique cellule cMUT court-circuitée qui rend inutilisable le sous-élément entier en raison du manque de tension de polarisation entre les électrodes. Une électrode supérieure de la cellule défectueuse est indiquée par un hexagone hachuré; la figure 7 est une vue de dessus schématique d'une multiplicité de rangées de cellules cMUT, chaque rangée étant connectée à une ligne de bus de tension de polarisation via un fusible d'isolement respectif selon une première forme de réalisation de la présente invention; la figure 8 représente la même multiplicité de rangées de cellules cMUT que la figure 7, à l'exception du fait qu'une électrode supérieure d'une cellule cMUT court- circuitée a été indiquée par un hexagone hachuré; la figure 9 représente la même multiplicité de rangées de cellules cMUT que la figure 7, à l'exception du fait qu'une série d'électrodes supérieures dans une région de plus forte intensité de courant (due à la cellule cMUT court-circuitée représentée sur la figure 8) a été indiquée en partie par une série d'hexagones hachurés; la figure 10 représente la même multiplicité de rangées de cellules cMUT que la figure 7, à l'exception du fait que les électrodes supérieures d'une rangée ayant été désactivée par un fusible fondu (en raison de la plus forte intensité de courant représentée sur la figure 9) ont été indiquées par des hexagones hachurés; la figure 11 est une vue de dessus schématique d'une multiplicité de cellules cMUT interconnectées via des fusibles selon une deuxième forme de réalisation de la présente invention. Une électrode supérieure d'une cellule défectueuse isolée par des fusibles fondus est indiquée par un hexagone hachuré; les figures 12 et 13 sont des vues de dessus schématiques respectives de deux autres conceptions de fusibles destinés à isoler des groupes de cellules de capteur court- circuitées d'avec une ligne de bus de tension de polarisation tout en minimisant l'espace d'aménagement; la figure 14 est une vue de dessus schématique d'un groupement vertical de cellules cMUT permettant de réduire l'espace d'aménagement des fusibles d'isolement; la figure 15 est une vue de dessus schématique d'une pluralité de cellules cMUT connectées à une ligne de bus de tension de polarisation via des fusibles d'isolement respectifs selon une troisième forme de réalisation de l'invention, dans laquelle chaque fusible traverse une région sous vide pour améliorer l'isolation thermique du fusible par rapport au substrat; la figure 16 est une vue de dessus schématique d'une multiplicité de groupes de cellules cMUT construits sur une première plaquette comportant des traversées de connexion à des circuits électroniques d'isolement sur une deuxième plaquette (représentés sur la figure 17) selon une quatrième forme de réalisation de l'invention; et la figure 17 est un schéma synoptique des circuits électroniques d'isolement sur la deuxième plaquette selon la quatrième forme de réalisation de l'invention. l0 On se rapportera maintenant aux dessins sur lesquels des éléments similaires sur différentes vues sont repérés par les mêmes numéros. Dans un but d'illustration, diverses formes de réalisation de l'invention seront décrites dans le contexte d'un groupement comprenant des transducteurs à ultrasons micro-usinés capacitifs (cMUT). On comprendra toutefois que les aspects de l'invention décrite dans la présente ne sont pas limités à leur application à des groupements de cMUT, mais peuvent au contraire être aussi appliqués à des groupements employant des pMUT. Les mêmes aspects de l'invention ont aussi une application dans des groupements micro-usinés de capteurs optiques, thermiques ou de pression. La figure 1 représente en coupe une cellule de transducteur cMUT 2 typique. Un groupement de telles cellules de transducteurs cMUT est typiquement fabriqué sur un substrat 4, tel qu'une plaquette de silicium fortement dopé (et donc semi-conducteur). Pour chaque cellule de transducteur cMUT, une mince membrane 8, qui peut être faite de silicium ou de nitrure de silicium, est suspendue au-dessus du substrat 4. La membrane 8 est supportée sur sa périphérie par un support isolant 6, qui peut être fait d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium. La cavité 14 formée entre la membrane 8 et le substrat 4 peut être remplie d'air ou de gaz ou être sous vide complet ou partiel. Les cMUT sont typiquement sous un vide aussi complet que le permettent les traitements. Une pellicule ou couche de matériau conducteur, tel qu'un alliage d'aluminium ou autre matériau conducteur approprié, forme une électrode 12 sur la membrane 8, et une autre pellicule ou couche faite d'un matériau conducteur forme une électrode 10 sur le substrat 4. Selon une autre possibilité, l'électrode inférieure peut être formée en dopant de manière appropriée le substrat semi-conducteur 4. Les deux électrodes 10 et 12 séparées par la cavité 14 forment un condensateur. Lorsqu'un signal acoustique incident fait vibrer la membrane 8, les variations de capacité peuvent être détectées en utilisant des circuits électroniques associés (non représentés sur la figure 1), pour convertir le signal acoustique en un signal électrique. Inversement, un signal de courant alternatif appliqué à l'une des électrodes modulera la charge de l'électrode, ce qui provoquera une modulation de la force capacitive entre les électrodes, en conséquence de quoi la membrane vibrera pour émettre un signal acoustique. Les cellules individuelles peuvent avoir des formes périphériques rondes, rectangulaires, hexagonales ou autres. Les cellules cMUT peuvent avoir des dimensions différentes pour que le sous-élément transducteur possède des caractéristiques composites des cellules de différentes tailles, donnant au transducteur une caractéristique de large bande. Il est difficile de fabriquer des circuits électroniques qui permettraient de commander individuellement des cellules aussi petites. Bien qu'en termes des performances acoustiques du groupement dans l'ensemble, la petite taille de cellule soit excellente et se traduise par une grande flexibilité, la commande est limitée à des structures plus grandes. Le fait de regrouper de multiples cellules et de les connecter électriquement permet de créer un plus grand sous-élément, qui peut avoir une commande individuelle tout en conservant la réponse acoustique voulue. On peut former des anneaux ou autres éléments en connectant l'un à l'autre des sous-éléments à l'aide d'un réseau de commutation. Les éléments peuvent être reconfigurés en changeant l'état du réseau de commutation afin d'interconnecter différents sous-éléments l'un à l'autre. Toutefois, des sous-éléments individuels ne peuvent pas être reconfigurés pour former des sous-éléments différents. Des cellules MUT peuvent être connectées l'une à l'autre (c'est-à- dire sans interrupteur intermédiaire) dans le processus de micro-usinage pour former des sous-30 éléments. Le terme "sous-élément acoustique" sera utilisé dans ce qui suit pour décrire un tel groupe. Ces sous-éléments acoustiques seront interconnectés par des interrupteurs microélectroniques pour former de plus grands éléments en plaçant ces interrupteurs dans la couche de silicium ou sur un autre substrat placé directement adjacent au groupement de transducteurs. Cette construction est basée sur des procédés de fabrication des semi-conducteurs qui peuvent être mis en oeuvre à bas coût en grands volumes. Tel qu'il est utilisé dans la présente, le terme "sous-élément acoustique" désigne une seule cellule ou un groupe de cellules électriquement connectées qui ne peut pas être reconfiguré, c'est-à-dire que le sous-élément acoustique est la plus petite unité 1 o acoustique commandée indépendamment. Le terme "sous-élément" désigne un sous-élément acoustique et ses circuits électroniques intégrés associés. Un "élément" est formé en connectant des sous-éléments acoustiques l'un à l'autre au moyen d'un réseau de commutation. Les éléments peuvent être reconfigurés en changeant l'état du réseau de commutation. Au moins certains des interrupteurs inclus dans le réseau de commutation font partie des circuits électroniques intégrés associés. Dans un but d'illustration, la figure 2 représente un sous-élément acoustique "en marguerite" 16 constitué de sept cellules cMUT hexagonales 2: une cellule centrale entourée par un anneau de six cellules, chaque cellule dans l'anneau étant contiguë avec un côté respectif de la cellule centrale et des cellules attenantes dans l'anneau. Les électrodes supérieures 12 de chaque cellule cMUT 2 sont électriquement reliées l'une à l'autre par des connexions qui ne peuvent pas être déconnectées par commutation ou interrupteur. Dans le cas d'une cellule hexagonale, six conducteurs 15 partent de l'électrode supérieure 12 vers l'extérieur comme des "rayons" et sont respectivement connectés aux électrodes supérieures des cellules cMUT voisines (sauf dans le cas de cellules à la périphérie, qui sont connectées à trois et non six autres cellules). De manière similaire, les électrodes inférieures 10 de chaque cellule 2 sont électriquement reliées l'une à l'autre par des connexions qui ne peuvent pas être déconnectées par commutation, formant un sous-élément acoustique 16 sept fois plus gros. Des sous-éléments acoustiques du type représenté sur la figure 2 peuvent être 30 agencés pour former une matrice ou groupement bidimensionnel sur un substrat semi- conducteur (par exemple, de silicium) . Ces sous-éléments acoustiques peuvent être reconfigurés pour former des éléments, tels que des anneaux, en utilisant un réseau de commutation. Une reconfigurabilité utilisant des sous-éléments transducteurs à ultrasons au silicium a été décrite dans la demande de brevet des EtatsUnis numéro de série 10/383.990. Une forme de reconfigurabilité est le groupement annulaire mosaïque, aussi décrit dans cette demande de brevet. Le concept de groupement annulaire mosaïque implique de construire des éléments annulaires en regroupant des sous-éléments acoustiques en utilisant un réseau de commutation électronique reconfigurable. La reconfigurabilité peut être utilisée pour faire progresser le faisceau le long du plus grand groupement de transducteurs bidimensionnel sous-jacent afin de former un balayage ou image. La plupart des ouvertures seront constituées de sous-éléments contigus groupés interconnectés pour former un seul plus grand élément. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire de connecter chaque sous-élément directement à sa ligne de bus respective. Il suffit de connecter un nombre limité de sous-éléments d'un groupe donné puis de connecter l'un à l'autre les sous-éléments restants. De cette manière, le signal d'émission se propage depuis le système le long des lignes de bus et jusque dans l'élément par un nombre limité de points d'accès. A partir de là, le signal se diffuse à l'intérieur de l'élément via des connexions locales. Pour une géométrie particulière donnée, le groupement reconfigurable associe des sous-éléments acoustiques à des voies de système. Cette association est conçue pour améliorer les performances. L'association est réalisée par un réseau de commutation, qui est idéalement placé directement dans le substrat sur lequel sont construites les cellules cMUT, mais peut aussi se trouver dans un substrat différent intégré adjacent au substrat des transducteurs. Comme des groupements de cMUT sont construits directement sur le dessus d'un substrat de silicium, les circuits électroniques de commutation peuvent être incorporés dans ce substrat. La figure 3 représente une mise en oeuvre d'un groupement de cMUT reconfigurable. Dans ce cas, un interrupteur d'accès 30 est utilisé pour connecter un 30 sous-élément acoustique 32 donné à une ligne d'un bus de rangée 34. Cette architecture est directement applicable à un groupement annulaire mosaïque. Dans un tel dispositif, de multiples anneaux peuvent être formés en utilisant la présente architecture, chaque anneau étant connecté à une seule voie de système par un seul ou plusieurs interrupteurs d'accès, qui sont connectés chacun à une ligne de bus ellemême connectée à une voie du système. Les interrupteurs d'accès sont étagés comme représenté sur la figure 3 pour réduire le nombre d'interrupteurs requis pour un nombre donné de lignes de bus. Les lignes du bus de rangée sont connectées aux voies du système en utilisant une matrice de commutation aux points d'intersection comme représenté sur la figure 3. Le nombre d'interrupteurs d'accès et de lignes du bus de rangée est déterminé par les contraintes de taille et l'application. Dans le but de décrire un exemple de mise en oeuvre non restrictif (représenté sur la figure 3), on supposera qu'il existe un seul interrupteur d'accès 30 pour chaque sous-élément acoustique 32 et quatre lignes de bus de rangée 34a34d pour chaque rangée du groupement. Le deuxième type d'interrupteur est un interrupteur matriciel 36, qui est utilisé pour connecter un point de connexion 42 d'un sous-élément (voir la figure 4) au point de connexion d'un sous-élément voisin. Cela permet de connecter un sous-élément acoustique 32 à une voie de système par l'intermédiaire du circuit électronique intégré associé à un sous-élément acoustique voisin. Cela signifie aussi qu'un sous-élément acoustique peut être connecté à une voie de système même s'il n'est pas directement connecté par un interrupteur d'accès. Bien que la figure 3 représente trois interrupteurs matriciels 36par sous-élément, il est aussi possible d'en avoir moins de trois afin d'économiser la superficie ou d'autoriser des interrupteurs ayant une plus faible résistance à l'état passant et donc une plus grande superficie. De plus, des interrupteurs matriciels peuvent être utilisés pour réaliser un acheminement autour d'un sous-élément réputé défectueux pour un groupement donné. Enfin, bien que les sous-éléments représentés soient hexagonaux, des sous-éléments colonnaires ou rectangulaires sont aussi possibles et devraient requérir moins d'interrupteurs. A propos de la figure 4, chacun des sous-éléments comprend un point de connexion commun 42 dans le circuit électronique associé au sous- élément acoustique 30 32. Ce point de connexion commun 42 connecte électriquement huit composants dans chaque sous-élément. Le point de connexion commun 42 connecte le sous-élément ou transducteur acoustique 32 à l'interrupteur d'accès 30 de ce sous-élément, aux trois interrupteurs matriciels 36 associés à ce sous-élément, et aux trois interrupteurs matriciels associés à trois sous-éléments voisins via des connexions 46. Un signal passant par un interrupteur matriciel devient connecté au point de connexion commun du sous-élément voisin. La ligne connectant les électrodes supérieures des cellules cMUT d'un sous-élément particulier à son point de connexion transporte une tension de polarisation et ne peut pas être déconnectée par commutation. Les lignes qui transportent une tension de polarisation destinée au fonctionnement des capteurs électroniques seront appelées "lignes de bus de tension de polarisation" dans la présente. La figure 3 représente comment le réseau de commutation pourrait fonctionner pour un sous-élément particulier. Il s'agit seulement d'un exemple d'agencement. Un bus 34, qui contient quatre lignes de bus de rangée 34a à 34d, parcourt la rangée de sous-éléments 32. La figure 3 représente seulement trois sous-éléments dans cette rangée, mais on comprendra que d'autres sous-éléments dans cette rangée ne sont pas représentés. Les lignes du bus de rangée 34 sont multiplexées vers des lignes d'un bus de voies de système 38 à l'extrémité d'une rangée au moyen d'interrupteurs de multiplexage 40, qui forment une matrice de commutation aux points d'intersection. Comme représenté sur la figure 3, chaque ligne de bus de rangée 34a-34d peut être connectée à n'importe laquelle des lignes de bus de voies de système du bus 38 en fermant l'interrupteur de multiplexage 40 approprié et en ouvrant les interrupteurs de multiplexage qui connectent cette ligne de bus de rangée particulière aux autres lignes de bus de voies de système. Ces circuits électroniques de multiplexage peuvent être décalés sur le côté et leur taille n'est donc pas limitée. La figure 3 représente une matrice de commutation aux points d'intersection entièrement peuplée. Toutefois, dans des cas où il n'est pas nécessaire d'avoir des interrupteurs qui permettent de connecter chaque ligne de bus à chaque voie de système, il est possible d'utiliser une matrice de commutation aux points d'intersection creuse ou incomplète dans laquelle seules les voies d'un petit sous-ensemble des voies de système peuvent être connectées à une ligne de bus donnée, auquel cas seuls certains des interrupteurs 40 représentés sur la figure 3 seraient présents. Un interrupteur d'accès est appelé ainsi car il permet à un sous- élément d'accéder directement à une ligne de bus. Dans l'exemple de mise en oeuvre représenté sur la figure 3, il existe six autres connexions à interrupteur pour chaque sous-élément. Ces connexions prennent la forme d'interrupteurs matriciels 36. Un interrupteur matriciel permet de connecter un sous-élément à un sous-élement voisin. Bien qu'il existe six connexions à des sous-éléments voisins pour chaque sous-élément dans cette configuration hexagonale, trois interrupteurs seulement résident dans chaque sous- 1 o élément et les trois autres connexions sont commandées par des interrupteurs dans les sous-éléments voisins. Il existe donc un total de quatre interrupteurs et circuits logiques numériques d'adressage et de commande associés (non représentés) dans chaque sous-élément. Il s'agit seulement d'un exemple de mise en oeuvre. Le nombre de lignes de bus, le nombre d'interrupteurs d'accès et le nombre et la topologie des interrupteurs matriciels pourraient tous être différents en gardant la même idée générale. Bien que les interrupteurs d'accès et matriciels puissent être des composants conditionnés séparément, il est possible de fabriquer les interrupteurs à l'intérieur du substrat semi-conducteur sur lequel sera fabriquée la matrice de MUT. Les interrupteurs d'accès et matriciels peuvent comprendre des circuits de commutation haute tension du type décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis numéro de série 10/248.968 intitulée "Integrated High-Voltage Switching Circuit for Ultrasound Transducer Array". La présente invention améliore la fiabilité et les performances d'un groupement de cMUT en isolant électriquement de petites régions (par exemple, des groupes ou ensembles de cellules cMUT) de chaque sousélément (dans des groupements dans lesquels des sous-éléments sont combinés pour former de plus grands éléments) ou de chaque élément (dans des groupements dans lesquels les sous-éléments ne sont pas combinés pour former de plus grands éléments) dans le cas où une électrode de n'importe quelle cellule forme un court-circuit à la masse. Les modèles de cMUT connus n'incorporent pas d'isolement électrique de cellules cMUT courtcircuitées dans un groupement de cMUT. En conséquence, lorsqu'une seule cellule forme un court- circuit à la masse, le sous-élément entier (ou l'élément dans des groupements sans sous-éléments) devient inutilisable, ce qui réduit la qualité d'image. De plus, les effets combinés (décrits plus en détail dans le prochain paragraphe) de sous-éléments courtcircuités à la masse peuvent être désastreux sur les performances du groupement entier. Même avec un processus très minutieusement contrôlé, il est peu probable que toutes les cellules d'un groupement de cMUT soit exemptes de défauts. Il est crucial d'isoler les quelques cellules défectueuses de celles fonctionnant correctement pour maintenir la fiabilité et les performances du transducteur. Un inconvénient des modèles de cMUT conventionnels réside dans la formation 1 o de motifs d'électrode sur le cMUT, et l'enchaînement d'événements qui se produisent lorsqu'une seule cellule est courtcircuitée à la masse. Dans une mise en oeuvre connue représentée sur la figure 5, l'électrode supérieure 12 de chaque cellule 2 d'un sous-élément acoustique 32 rectangulaire est connectée à ses plus proches voisines en utilisant simplement des interconnexions "radiales" 15 imprimées. Les électrodes supérieures 12 interconnectées sont reliées à un bus de tension de polarisation 50, qui est lui-même relié à une première borne 52 d'une source de tension de polarisation. Inversement, les électrodes inférieures interconnectées (non représentées sur la figure 5) des cellules cMUT 2 sont reliées à une autre borne 54 de la source de tension de polarisation. Dans le cas où l'électrode supérieure d'une seule cellule forme un courtcircuit à la masse, le sous-élément entier est effectivement court-circuité à la masse en raison de cette interconnexion. Ce cas est représenté sur la figure 6 par un hexagone hachuré représentant une électrode supérieure 12' qui est court-circuitée à la masse. Le problème s'étend quand le sous-élément court-circuité est connecté de manière commutable à d'autres sous-éléments fonctionnels pour configurer un élément, par exemple un élément annulaire. Dans ce cas, tous les sous-éléments interconnectés constituant l'élément sont court- circuités. Ce problème se combine avec une réduction de la tension de polarisation dont disposent les autres sous-éléments acoustiques fonctionnant correctement, en raison des éléments court-circuités. La plus faible tension de polarisation des cMUT dégrade les performances du groupement de cMUT. Les futurs groupements de cMUT pourront contenir des milliers de sous-éléments au lieu de seulement plusieurs centaines. Il existe donc un effet de cascade par lequel quelques cellules individuelles seulement parmi des milliers peuvent rendre inutilisable un groupement entier. Selon certaines formes de réalisation de la présente invention, chaque sous- élément acoustique (ou élément dans des groupements qui ne forment pas d'éléments en combinant des sous-éléments) est divisé en plus petits groupes de cellules, un groupe de cellules court-circuité du sous- élément acoustique étant isolé électriquement des groupes de cellules non court-circuités. Selon une première forme de réalisation de l'invention représentée sur la figure 7, chaque sous-élément acoustique 32 comprend une multiplicité de groupes 58 de cellules cMUT. Dans cet exemple, chaque groupe de cellules 58 comprend une rangée (orientée horizontalement) de cellules cMUT 2 (huit cellules par rangée) dont les électrodes supérieures 2 sont reliées en série. Chaque électrode supérieure 12 d'un groupe de cellules cMUT 58 est hexagonale sur la figure 7. Toutefois, les électrodes supérieures peuvent avoir des formes géométriques autres qu'un hexagone, par exemple des cercles. Les électrodes inférieures peuvent aussi être reliées en série, ou une électrode inférieure commune peut être prévue pour les cellules de chaque rangée. Sur la figure 7, les électrodes supérieures de cellules non situées aux extrémités de la rangée ont chacune deux rayons électriquement conducteurs s'étendant depuis des sommets respectifs de l'hexagone pour connecter chaque électrode d'une rangée à ses deux voisines. Chaque groupe de cellules 58 est connecté à une ligne de bus de tension de polarisation 50 commune via un fusible 64 respectif, qui est représenté comme étant un conducteur électrique fusible reliant une paire de plages de connexion électriquement conductrices, une première plage étant connectée à des connecteurs électriques provenant des cellules cMUT et l'autre plage étant connectée à la ligne de bus de tension de polarisation 50. Chaque fusible 64 est conçu pour former un circuit ouvert (par exemple, par fusion du conducteur fusible) chaque fois qu'une cellule cMUT 2 dans le groupe de cellules 58 respectif est court-circuitée à la masse et élève l'intensité du courant circulant dans le fusible. En conséquence, lorsque le fusible 64 fond et forme un circuit ouvert, le groupe de cellules court-circuité 58 est isolé du reste du sous-élément acoustique (c'est-à- dire, les groupes de cellules non courtcircuités) et la pleine tension de polarisation est toujours appliquée à la partie fonctionnant correctement du sous-élément, ainsi qu'au reste des sous-éléments du groupement. Les fusibles peuvent être formés de n'importe quelle manière conventionnelle. Par exemple, le matériau du fusible peut être le même que le matériau utilisé pour former la ligne de bus de tension de polarisation ou le connecteur radial partant de l'électrode supérieure proximale, auquel cas la résistance du fusible est nettement supérieure à la résistance de la ligne de bus de tension de polarisation 50 et du connecteur radial 15. Selon une autre possibilité, le matériau du fusible peut être différent du matériau de la ligne de bus de tension de polarisation ou du connecteur radial (c'est-à-dire, semi-conducteur conducteur, métal, alliage métallique, silicium dopé, silicium polycristallin dopé). La géométrie du fusible, c'est-à-dire longueur, largeur et épaisseur, et les propriétés du matériau, c'est-à-dire résistivité et point de fusion, déterminent ensemble les caractéristiques fonctionnelles du fusible. Le processus d'isolement est représenté sur les figures 8 à 10. Sur la figure 8, l'hexagone hachuré solitaire représente une électrode supérieure court-circuitée 12' d'une cellule cMUT située dans le quatrième groupe (c'est-à-dire rangée) de cellules en partant du haut. Comme sur la figure 7, chaque groupe de cellules comprend une série de huit cellules cMUT dont les électrodes supérieures sont reliées en série. Dans cette mise en oeuvre particulière, les cellules cMUT de chaque groupe de cellules suivent un motif en zigzag imposé par la grille hexagonale. Toutefois, dans une autre mise en oeuvre, les cellules de chaque groupe pourraient être placées en colonnes droites, le bus de tension de polarisation étant placé en bas (comme représenté plus loin sur la figure 14). La cellule cMUT court-circuitée sur la figure 8 provoque une élévation d'intensité du courant dans le trajet allant du bus de tension de polarisation 50 à l'électrode supérieure 12' de la cellule cMUT courtcircuitée du groupe de cellules 58'. Cette plus forte intensité est indiquée en partie par quatre hexagones hachurés sur la figure 9. Chaque fusible 64 est conçu pour fondre lorsque l'intensité du courant atteint un seuil prédéterminé. La figure 10 représente le fusible fondu (à l'intérieur du cercle 66) associé au groupe de cellules 58', en raison du court-circuitage de l'électrode supérieure 12'. La fonte du fusible déconnecte le groupe de cellules 58' d'avec la ligne de bus de tension de polarisation 50. Cela désactive le groupe de cellules 58', mais les groupes de cellules restants du sous-élément 32 ne sont pas affectés par le court-circuit et fonctionnent correctement. Bien que les groupes de cellules isolables représentés sur les figures 7-10 comprennent chacun huit cellules cMUT, en pratique un groupe de cellules isolable peut comprendre un nombre quelconque de cellules, de plus petits groupes de cellules se traduisant par de meilleures performances en cas de court-circuit. Selon une deuxième forme de réalisation de l'invention représentée sur la figure 11, l'électrode supérieure 12 de chaque cellule cMUT individuelle est connectée aux électrodes supérieures de ses voisines par connecteurs électriques qui sont spécifiquement conçus pour être des fusibles. Plus spécifiquement, chacun des rayons 15 reliant les sommets de l'électrode 12 d'une cellule à ses voisines est conçu pour fondre lorsque l'intensité du courant circulant dedans est suffisamment élevée. Dans l'exemple représenté sur la figure 11, une électrode supérieure 12' a été court-circuitée, provoquant la fonte de ses six fusibles. En conséquence, si une seule cellule est court-circuitée à la masse, cette seule cellule sera électriquement isolée de toutes les autres cellules, comme représenté par l'hexagone hachuré 12' sans rayons sur la figure 11. Les figures 12 et 13 sont des vues de dessus schématiques respectives de deux autres conceptions de fusibles servant à isoler des groupes de cellules de capteur court-circuités 58 d'avec une ligne de bus de tension de polarisation 50 tout en minimisant l'espace d'aménagement. La figure 12 représente des conducteurs en serpentin 68 conçus pour se comporter comme des fusibles, une première extrémité de chaque fusible en serpentin étant connectée à un connecteur radial 15 relié à l'électrode supérieure 12 de la cellule cMUT proximale dans chaque rangée respective de cellules cMUT et l'autre extrémité de chaque fusible en serpentin étant connectée à la ligne de bus de tension de polarisation 50. La figure 13 représente des conducteurs rectilignes courts 70 qui se comportent comme des fusibles, une première extrémité de chaque fusible 70 étant de nouveau connectée à un connecteur radial 15 relié à l'électrode supérieure 12 de la cellule cMUT proximale dans chaque rangée respective de cellules cMUT et l'autre extrémité de chaque fusible 70 étant connectée à la ligne de bus de tension de polarisation 50. Grâce à la faible longueur des fusibles 70, l'espace interstitiel entre sous- éléments acoustiques adjacents dans un groupe horizontal (non représenté) peut être réduit par rapport à la forme de réalisation représentée sur la figure 12. Dans le cas d'un groupement linéaire de transducteurs, l'orientation des groupes de cellules cMUT isolables dans chaque sous- élément acoustique peut être horizontale ou verticale. La figure 14 représente deux sous-éléments acoustiques adjacents d'un groupement linéaire connectés par une ligne de bus 50 où les cellules cMUT sont disposées en groupes verticaux 72. [Ces groupes pourraient être des éléments s'ils n'étaient pas connectés par la ligne de bus 50.] Cette orientation verticale ne requiert pas d'utiliser pour les fusibles la superficie qui est disponible pour l'ouverture acoustique. Toutefois, les groupes de cellules cMUT isolables seront plus grands pour une orientation verticale que pour une orientation horizontale. Selon une troisième forme de réalisation de l'invention représentée sur la figure 15, chaque fusible 74 traverse une cellule cMUT 76 inactive mais sous vide. [Toutefois, la région inactive et sous vide que traverse le fusible n'est pas nécessairement en forme de cellule. Elle pourrait avoir n'importe quelle autre forme.] Au cours du processus de fabrication, une couche d'oxyde de silicium (ou de nitrure de silicium) est déposée sur un substrat de silicium. Cette couche d'oxyde de silicium est attaquée chimiquement pour former des cavités à la fois pour les cellules cMUT actives 2 et les cellules cMUT inactives 76. La région 78 sur la figure 15 représente une portion de la couche d'oxyde de silicium dans laquelle aucune cavité n'est formée. Une couche de nitrure de silicium (ou de silicium) est ensuite suspendue au-dessus des cavités pour former les membranes des cellules cMUT. Les cavités sont ensuite vidées d'air. Le vide sous les cellules cMUT inactives 76 améliore l'isolation thermique des fusibles 74 par rapport au substrat de silicium, ce qui augmente la probabilité que chaque fusible 74 forme un circuit ouvert en atteignant l'intensité nominale spécifiée. L'isolation thermique du fusible réduit le transfert de chaleur du fusible au substrat, d'où la possibilité de prédire plus précisément l'intensité maximale admissible du fusible. Selon une quatrième forme de réalisation de l'invention, des circuits électriques peuvent être utilisé comme alternative à des fusibles pour une protection contre les courts-circuits. La technologie des circuits intégrés métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS), bipolaire et CMOS (BiCMOS), ou bipolaire, CMOS et MOS double diffusion (BCD) peut être utilisée pour créer des modules de protection contre les courts-circuits qui isolent les groupes de cellules cMUT court-circuités. Dans cette forme de réalisation, des traversées de plaquette sont utilisées pour connecter électriquement des groupes de cellules cMUT construits sur une plaquette (représentée sur la figure 16) à des circuits électroniques intégrés associés sur une autre plaquette (représentée sur la figure 17). La figure 16 représente un seul sous-élément acoustique comprenant une multiplicité de groupes de cellules cMUT isolables 58 sous la forme de rangées de cellules cMUT 2, les électrodes supérieures 12 de chaque rangée étant reliées en série comme décrit plus haut à propos de la figure 7. Toutefois, au lieu de connecter les électrodes supérieures à une ligne de bus de tension de polarisation formée dans le même substrat ou plaquette, selon cette quatrième forme de réalisation de l'invention, les électrodes supérieures de chaque groupe de cellules sont connectées à des traversées de plaquette 80 et la ligne de bus de tension de polarisation 50 (voir la figure 17) est formée dans un substrat ou plaquette différent, stratifié sur la plaquette des cellules cMUT. La figure 17 représente un ensemble de modules de protection contre les courts-circuits correspondant à un nombre égal de groupes de cellules cMUT constituant un sous-élément acoustique (voir par exemple la figure 16). Les traversées de plaquette 80 sont électriquement reliées à la ligne de bus de tension de polarisation 50 du sous- élément via des modules de protection contre les courts-circuits respectifs. La ligne de bus de tension de polarisation 50 est elle-même connectée au point de connexion 42 du sous-élément, comme décrit plus haut à propos de la figure 4. Le bloc 82 sur la figure 17 représente les autres circuits électroniques (par exemple, des multiplexeurs) intégrés dans la deuxième plaquette (c'est-à-dire celle des circuits électroniques). Comme représenté sur la figure 17, chaque module de protection contre les courts-circuits comprend un circuit de mesure d'intensité 86 et un interrupteur d'isolement 88 placé entre le circuit de mesure d'intensité et une traversée de plaquette 80 respective. Le circuit de mesure d'intensité 86 mesure l'intensité du courant circulant dans la traversée 80 respective, qui est aussi l'intensité du courant dans le groupe de cellules cMUT respectif connecté à cette traversée. En fonctionnement normal, les interrupteurs d'isolement 88 restent fermés. Lorsqu'un court-circuit se produit dans un groupe de cellules cMUT donné, un courant plus intense circule dans les électrodes du groupe de cellules court-circuité et dans la traversée 80 associée. Le circuit de mesure d'intensité est conçu pour envoyer, par une ligne 90, un signal de commande d'interrupteur à l'interrupteur d'isolement 88 associé lorsque la plus forte intensité atteint un seul prédéterminé correspondant à un court-circuit. Ce signal de commande d'interrupteur active l'ouverture de l'interrupteur d'isolement 88, pour isoler le groupe de cellules cMUT défectueux des groupes de cellules restants, fonctionnant correctement, du sous-élément. Les modules de protection contre les courts-circuits peuvent être mis en oeuvre avec des circuits intégrés en technologies CMOS, BiCMOS ou BCD haute tension. Selon une cinquième forme de réalisation de l'invention, les traversées de plaquette peuvent elles-mêmes être spécifiquement conçues pour jouer le rôle de fusibles, en maîtrisant le dépôt de métal dans la traversée, en maîtrisant la géométrie de la traversée ou en remplissant les traversées avec un matériau sensible au courant. Dans ce cas, les traversées seraient directement connectées à la ligne de bus de tension de polarisation sur la deuxième plaquette sans modules de protection contre les courts-circuits intermédiaires. Selon les formes de réalisation qui utilisent des fusibles, le fusible forme un circuit ouvert suite à un échauffement par effet Joule provoqué par une élévation d'intensité du courant circulant due à une cellule court-circuitée. Le fusible peut être fait du même métal conducteur que le reste de l'électrode, auquel cas il doit être conçu géométriquement pour former de préférence un circuit ouvert dans les conditions appropriées. Le fusible peut aussi être constitué d'un matériau conducteur différent du reste de l'électrode. Dans ce cas, il est naturel de choisir un matériau ayant une plus basse température de fusion et/ou éventuellement une plus forte résistance que le métal de l'électrode pour que le fusible forme préférentiellement un circuit ouvert. Selon une autre forme de réalisation, les fusibles peuvent être autoporteurs (c'est-à-dire suspendus dans l'air ou le vide) afin d'améliorer l'isolation thermique. L'invention propose un moyen simple et rentable pour garantir les performances d'un groupement de cMUT contre des défaillances de grande ampleur dues à des cellules court-circuitées pour n'importe quelle raison, par exemple des anomalies de traitement, des variations statistiques naturelles, des contaminants, etc. Dans des groupements de cMUT conventionnels, il peut exister des milliers de cellules. Même si quelques-unes seulement des cellules forment des courts-circuits à la masse, la qualité d'image est sensiblement dégradée. En utilisant la présente invention, ces cellules court-circuitées seront isolées et auront un effet négligeable sur la qualité d'image. Pour des applications utilisant des circuits électroniques connectés aux cMUT par une traversée de plaquette, de très simples additions peuvent être apportées à la plaquette de circuits électroniques, utilisant la technologie CMOS courante des circuits intégrés, pour isoler les sous-éléments acoustiques en cas de court-circuit. L'invention peut aussi être utilisée avec des pMUT, en particulier des pMUT fabriqués en utilisant des céramiques électrostrictives qui requièrent une tension de polarisation. Toutefois, les fusibles décrits dans la présente pourraient aussi être utiles en l'absence d'une tension de polarisation. Cela serait le cas si on concevait des cMUT ne requérant pas de tension de polarisation, ou dans le cas de pMUT fabriqués avec des céramiques piézoélectriques standard de type PZT qui n'ont pas besoin d'une tension de polarisation. LISTE DES COMPOSANTS 2 Cellule cMUT 4 Substrat 6 Support isolant 8 Membrane Electrode inférieure 12 Electrode supérieure 12' Electrode supérieure courtcircuitée 14 Cavité Connexion radiale 16 Sous-élément acoustique "en marguerite" Interrupteur d'accès 32 Sous-élément acoustique 34 Bus de rangée 34a-d Lignes du bus de rangée 36 Interrupteur matriciel 38 Bus de voies de système Interrupteur de multiplexage 42 Point de connexion commun 46 Connexion Bus de tension de polarisation 52 Première borne de la source de tension de polarisation 54 Autre borne de la source de tension de polarisation 58 Groupe de cellules 64 Fusible 66 Cercle 68 Conducteur en serpentin Conducteur rectiligne 72 Groupe vertical 74 Fusible 76 Cellule cMUT inactive sous vide 78 Région sans cavité Traversée de plaquette 82 Circuits électroniques 86 Circuit de mesure d'intensité 88 Interrupteur d'isolement Ligne REVENDICATIONS 1. Dispositif comprenant un groupement de capteurs et une multiplicité de lignes de bus, caractérisé en ce que chaque capteur étant électriquement connecté à une ligne de bus respective (34a-34d) et comprend une multiplicité respective de groupes (58) de cellules de capteur micro-usiné, les groupes de cellules de capteur d'un capteur particulier étant électriquement reliés l'un à l'autre par la ligne de bus à laquelle est connecté ce capteur, chaque groupe de cellules de capteur comprenant une multiplicité respective de cellules de capteur micro-usiné qui sont électriquement connectées l'une à l'autre et ne peuvent pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation, ledit dispositif comprenant en outre un groupe de cellules de capteur qui est isolé d'autres groupes de cellules de capteur, est court-circuité à la masse et est électriquement découplé de toute ligne de bus. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacune desdites cellules de capteur micro-usiné est une cellule MUT respective. 3. Dispositif selon la revendication 1, comprennent en outre des moyens pour isoler n'importe lequel desdits groupes de cellules de capteur d'avec ladite ligne de bus et en réponse au fait que l'une quelconque des cellules de capteur micro-usiné de ce groupe de cellules de capteur est court-circuitée à la masse et dans lequel lesdits moyens d'isolement comprennent une multiplicité de fusibles (64), chaque fusible reliant un groupe de cellules de capteur respectif à la ligne de bus associée quand aucune cellule de capteur micro-usiné de ce groupe de cellules de capteur n'est court-circuitée à la masse. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel chacune desdites cellules de capteur micro-usiné est une cellule MUT respective, et lesdits moyens d'isolement comprennent une multiplicité de fusibles (64), chaque fusible reliant un groupe de cellules de capteur respectif à la ligne de bus associée, ledit dispositif comprenant en outre une multiplicité de régions inactives mais sous vide, chacun desdits fusibles traversant une région respective desdites régions sous vide inactives. 5. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel chacune desdites cellules de capteur micro-usiné est une cellule MUT respective, et lesdits moyens d'isolement comprennent une multiplicité de fusibles, chaque fusible reliant un groupe de cellules de capteur respectif à la ligne de bus associée, chacun desdits fusibles étant autoporteur. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprenant en outre une multiplicité de modules de protection contre les courts-circuits, chaque module de protection contre les courts-circuits comprenant un circuit de mesure d'intensité pour détecter l'intensité d'un courant circulant dans un groupe de cellules de capteur respectif et un interrupteur d'isolement électrique pour relier ledit groupe de cellules de capteur respectif à sa ligne de bus associée, ledit circuit de mesure d'intensité provoquant l'ouverture dudit interrupteur d'isolement électrique en réponse à la détection d'un niveau d'intensité indiquant un court-circuit dans ledit groupe de cellules de capteur respectif. 7. Dispositif comprenant un groupement de capteurs et une multiplicité de lignes de bus, chaque capteur électriquement connecté à une ligne de bus respective (34a-34d) et comprenant une multiplicité respective de cellules ou groupes (58) de cellules de capteur micro-usiné, les groupes de cellules de capteur d'un capteur particulier étant électriquement reliés l'un à l'autre par la ligne de bus à laquelle est connecté ce capteur, chaque groupe de cellules de capteur comprenant une multiplicité respective de cellules de capteur micro-usiné qui sont électriquement connectées l'une à l'autre et ne peuvent pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation, ledit dispositif comprenant en outre des moyens pour isoler n'importe lequel desdits groupes de cellules de capteur d'avec sa ligne de bus associée et en réponse au fait que la cellule ou n'importe laquelle des cellules de capteur micro-usiné de ce groupe de cellules de capteur est court- circuitée à la masse. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel chacune desdites cellules de capteur micro-usiné est une cellule MUT respective. 9. Dispositif caractérisé en ce qu'il comprenant: une ligne de bus (34a-34d); une première multiplicité de cellules de capteur micro- usiné (58) comprenant chacune une électrode respective, lesdites électrodes de ladite première multiplicité de cellules de capteur étant interconnectées et ne pouvant pas être déconnectées l'une de 10 l'autre par commutation; et un premier fusible (64) qui relie une première jonction électriquement connectée à ladite ligne de bus et une deuxième jonction électriquement connectée à ladite électrode de l'une des cellules de ladite première multiplicité de cellules de capteur, ledit premier fusible étant conçu pour fondre en réponse à un court-circuitage desdites 15 électrodes de ladite première multiplicité de cellules de capteur. 10. Dispositif selon la revendication 9, comprenant en outre: une deuxième multiplicité de cellules de capteur micro-usiné comprenant chacune une électrode respective, lesdites électrodes de ladite deuxième multiplicité de cellules de capteur étant interconnectées et ne pouvant pas être déconnectées l'une de l'autre par commutation; et un deuxième fusible qui relie une troisième jonction électriquement connectée à ladite ligne de bus et une quatrième jonction électriquement connectée à ladite électrode de l'une des cellules de ladite deuxième multiplicité de cellules de capteur, ledit deuxième fusible étant conçu pour fondre en réponse à un court-circuitage desdites électrodes de ladite deuxième multiplicité de cellules de capteur.