Brevet FR2885267A1 — publié le 20061103

La présente invention concerne un élément actif pour source laser, ainsi qu'une source laser comportant un tel élément actif. Plus précisément, ladite source laser est du type comportant: un élément actif comprenant un barreau allongé, de section transversale généralement circulaire, mais non exclusivement, comportant une matrice dopée susceptible d'absorber un faisceau de pompage pour ampli-fier un rayonnement laser se propageant longitudinalement avec ou sans rebond; un système de pompage, comportant des diodes (laser) de pompage susceptibles d'émettre un faisceau de pompage; un système optique de transport pour diriger le faisceau de pompage émis par ledit système de pompage dans ledit élément actif de manière à obtenir un pompage longitudinal; et une cavité optique permettant d'extraire ledit rayonnement laser. On sait que pour être efficace, le faisceau de pompage doit être spectralement accordé au spectre d'absorption de l'élément actif de telle sorte que ledit faisceau de pompage soit absorbé et transfère son énergie vers l'ion de terre rare dopant ledit élément actif. On sait également que les diodes (laser) de pompage présentent un spectre d'émission, généralement de quelques nanomètres de large, qui se décale de 0,25 à 0,3 nanomètre par degré, lorsque l'on fait varier la température desdites diodes de pompage. Pour assurer une conformité satisfaisante de la longueur d'onde du faisceau de pompage (issu desdites diodes de pompage) avec le spectre d'absorption du milieu actif, il est connu de monter lesdites diodes sur des modules Peltier, dont la fonction est de stabiliser leur température à mieux que 0,5 C de sorte qu'un centrage de longueur d'onde est assuré à au moins 0,2 nm. Toutefois, notamment dans le cadre d'applications militaires, les paramètres de compacité, de consommation et de rapidité de mise en ceuvre revêtent une importance particulière. Aussi, l'utilisation de modules Peltier, qui induit une consommation importante et qui nécessite un temps de stabilisation de l'ordre de la minute, est un frein à l'emploi de sources laser pompées par diode(s) dans des systèmes compacts. II en va de même pour d'autres systèmes de stabilisation actifs de la température des diodes. Aussi, la technologie toujours employée actuellement, par exemple pour des désignateurs laser terrestres, est une technologie de pompage par flash, qui est peu rentable et encombrante. Pour essayer de remédier à ce problème, il convient: soit d'augmenter la tolérance du milieu actif à la dérive de longueur d'onde, ce qui est proposé par exemple par le brevet FR-2 803 697, pour lequel le faisceau de pompage est guidé pour passer plusieurs fois au travers du milieu actif; soit de mettre en oeuvre une stabilisation passive de l'émission de la longueur d'onde des diodes de pompage, comme proposé par exemple dans la demande de brevet US-2005/0018743 qui décrit l'utilisation d'un système incluant un ou plusieurs Réseaux de Bragg en Volume (RBV ou VBG, pour "Volume Bragg Grating" en anglais) afin de condi-tionner une ou plusieurs caractéristiques d'émission du laser. Toutefois, les solutions précédentes permettent uniquement d'ob-tenir une insensibilité sur 3 à 10 nanomètres correspondant à une dérive de température des diodes de 15 à 40 C. Une telle plage d'insensibilité thermique est largement insuffisante pour utiliser le système de pompage, par exemple dans un désignateur laser terrestre, entre -40 C et +70 C. La présente invention a pour objet de fournir un élément actif et une source laser permettant d'obtenir une insensibilité thermique de l'émission laser sur plus de 15 nanomètres. On sait que la proportion d'énergie de pompage absorbée par l'élément actif dépend, d'une part, du coefficient d'absorption a(2) dudit élément actif et, d'autre part, de la longueur de matériau L, traversée par le faisceau de pompage. Cette proportion d'énergie absorbée Abs vérifie la relation Abs =1-Exp[-a(? )L]. Aussi, pour optimiser ladite proportion Abs, il convient de maximiser, d'une part, ledit coefficient d'absorption a pour toutes les longueurs d'onde intéressantes et, d'autre part, ladite longueur L traversée par le faisceau de pompage. On sait, par ailleurs, qu'il est difficile d'extraire convenablement l'énergie d'un grand volume de milieu actif (élément actif) , dans lequel l'énergie de pompage serait dispersée. Aussi, la configuration proposée est une configuration de pompage longitudinal, pour laquelle la longueur d'absorption du faisceau de pompage peut être longue, pourvu que celui-ci soit colinéaire (ou quasiment) à l'axe de la source laser. La principale difficulté d'un pompage longitudinal à des niveaux élevés de puissance (supérieurs à 500 W) réside dans la production d'ef-fets parasites tels qu'une amplification d'émission spontanée (amplification ASE ci-après) ou des modes d'émission parasites (modes MEP ci-après). L'amplification ASE provient d'une radiation spontanée, naturelle-ment émise par les ions excités par le faisceau de pompage et amplifiée par le gain résultant de la présence de ces ions excités. Les modes MEP, quant à eux, proviennent de la combinaison: de réflexions présentes aux bords de l'élément actif et/ou sur tout autre réflecteur; et du gain laser provenant des ions excités. La combinaison de ces deux facteurs engendre une émission laser parasite suivant un ou plusieurs axes qui sont habituellement distincts de l'axe laser principal. L'amplification ASE est un paramètre gouverné essentiellement par le gain et la longueur maximale de gain possible dans l'élément actif. La seule possibilité de diminuer son effet est de limiter la longueur de gain ou la valeur du gain. En outre, les modes MEP sont gouvernés par le gain et la présence de réflexions parasites qui renvoient des photons vers le laser et permettent ainsi un cyclage à gain de ces photons. La présente invention a pour objet de remédier à ces inconvénients. Elle concerne un élément actif pour source laser, permettant d'obtenir une insensibilité thermique importante, tout en limitant la génération d'effets parasites du type précité (amplification ASE et modes MEP). A cet effet, selon l'invention, ledit élément actif du type comportant un barreau allongé qui comprend une matrice dopée susceptible d'absorber au moins un faisceau de pompage entrant à une face amont, pour amplifier au moins un rayonnement laser se propageant longitudinalement, est remarquable en ce que ledit élément actif est formé d'au moins un matériau présentant une variation longitudinale de dopage avec le dopage le plus faible, qui est limité à une valeur prédéterminée, par exemple 0,15%, au niveau de ladite face amont, et en ce que ledit élément actif comporte, de plus, un moyen d'absorption qui est agencé à la périphérie dudit barreau et qui est formé de manière à absorber tout rayonnement présentant la longueur d'onde dudit rayonnement laser. De préférence, la partie périphérique de ladite face amont non utile, car extérieure audit faisceau de pompage, est également pourvue d'un tel moyen d'absorption. Ainsi, grâce à l'invention, on agit: d'une part, sur le gain, en limitant le dopage en début de barreau (au niveau de ladite face amont) pour limiter l'absorption dans cette zone et donc limiter le gain transverse, ce qui permet de réduire à la fois l'appa- rition d'une amplification ASE et l'apparition de modes MEP; et d'autre part, sur la réflectivité de l'environnement, en entourant la périphérie de l'élément actif d'un moyen d'absorption pour la (ou les) longueur d'onde du rayonnement laser. La baisse de dopage en début de barreau diminue l'efficacité d'absorption. II importe donc de prévoir, au-delà des premiers millimètres d'ab- sorption, un niveau de dopage plus élevé. Pour maximiser l'absorption du faisceau de pompage, ledit élément actif comporte avantageusement, au moins partiellement, comme matériau, un cristal YVO4/Nd. Dans un premier mode de réalisation, ledit matériau de l'élément actif présente une variation longitudinale de dopage continue, tandis que, dans un second mode de réalisation, il présente une variation longitudinale de dopage par pas. Dans le premier mode de réalisation, ledit matériau comporte, de préférence, une céramique à gradient de dopage et, dans le second mode, il comporte plusieurs cristaux présentant des dopages différents. Ces deux modes peuvent être par ailleurs combinés. En outre, dans une variante de réalisation particulière, ledit matériau comporte à la fois un cristal YAG/Nd et un cristal YVO4/Nd. Comme les bandes d'absorption de ces deux cristaux sont différentes, la gamme d'insensibilité est ainsi étendue. De plus, ledit cristal YAG/Nd est, de préférence, disposé en amont dudit cristal YVO4/Nd. De façon avantageuse, le dopage de l'élément actif est réalisé de manière à obtenir un compromis prédéterminé entre des phénomènes pa-rasites (amplification ASE; modes MEP) et une bande (d'insensibilité) thermique maximale. Afin que l'émission spontanée ASE ne se réfléchisse, intérieurement audit barreau, sur ladite face amont, il est avantageux que ledit élément actif comporte une partie non dopée, réalisée dans le même matériau que ladite face amont, qu'elle recouvre et dont elle est solidaire. La présente invention concerne également une source laser du type comportant: un élément actif pour source laser; 1 o un système de pompage muni de diodes laser (de pompage) qui sont susceptibles d'émettre au moins un faisceau de pompage; un système optique de transport pour diriger le faisceau de pompage émis par lesdites diodes laser dans ledit élément actif de manière à obtenir un pompage longitudinal; et une cavité optique permettant d'extraire au moins un rayonnement la- ser. Selon l'invention, ladite source laser est remarquable en ce que le-dit élément actif est du type précité. Avantageusement, ladite source laser comporte, de plus, des moyens d'évacuation d'un flux thermique issu dudit système de pompage. Dans un mode de réalisation particulier, ledit système de pompage comporte des modules (ou empilements) de diodes, formés de semi- conducteurs issus de différents disques (waffers). La somme des émissions spectrales des différents semi-conducteurs engendre ainsi un spectre plus large que celui d'une diode unique. De plus, de façon avantageuse, chaque module de diodes comporte un moyen de refroidissement individuel, ce qui permet d'obtenir un fonctionnement également étalé du spectre. Avantageusement, ladite source laser est formée de manière à utiliser l'élément actif en oscillateur et en amplificateur. Par ailleurs, de façon avantageuse, ladite source laser comporte de plus: des moyens pour engendrer au moins un double passage du faisceau de pompage dans l'élément actif; et/ou un miroir transparent au rayonnement laser et réfléchissant le faisceau de pompage, qui est agencé en aval dudit élément actif. Ce miroir per-met ainsi de renvoyer dans l'élément actif la partie du faisceau de pom- 1 o page non absorbée, tout en laissant passer le rayonnement laser, ce qui permet d'augmenter l'efficacité du pompage. Les figures du dessin annexé feront bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. Sur ces figures, des références identiques désignent des éléments semblables. La figure 1 est le schéma synoptique d'une source laser conforme à l'invention. La figure 2 montre schématiquement un exemple de barreau al-longé d'un élément actif conforme à l'invention. L'élément actif 1 conforme à l'invention comporte un barreau al-longé 2 qui comprend une matrice dopée susceptible d'absorber un faisceau de pompage 3, pour amplifier au moins un rayonnement laser 4 se propageant longitudinalement selon un axe X-X. Cet élément actif 1 peut être intégré dans une source laser 5 telle que représentée à titre d'exemple sur la figure 1. Ladite source laser 5 comporte, de façon usuelle, en plus dudit élément actif 1: un système de pompage usuel 6 qui comprend des diodes de pompage 6A de type laser et qui est susceptible d'émettre au moins un faisceau de pompage 3; un système optique de transport 7 usuel, pour diriger le faisceau de pompage 3 émis par ledit système de pompage 6 dans ledit élément actif 1 de manière à obtenir un pompage longitudinal; et une cavité optique 8 usuel, d'axe X-X, comprenant notamment un mi- roir réfléchissant 9 et un miroir 10 partiellement transparent, qui sont placés en regard l'un de l'autre. Cette cavité optique 8 confère au rayonnement laser 4 obtenu par l'amplification laser et émis à travers ledit miroir 10 selon l'axe X-X, ses caractéristiques de directivité et de géométrie. Selon l'invention, le barreau 2 dudit élément actif 1 est formé d'au moins un matériau présentant une variation longitudinale de dopage, selon l'axe X-X, avec le dopage le plus faible qui est limité à une valeur prédéterminée, par exemple 0,15%, au niveau de la face amont 11 (ou d'entrée du faisceau de pompage 3) dudit élément actif 1. De plus, ledit élément actif 1 comporte un moyen d'absorption 12 qui est formé de manière à absorber tout rayonnement présentant une longueur d'onde sensiblement égale à celle dudit rayonnement laser 4, ce moyen d'absorption 12 comportant une partie 12A qui est agencée à la périphérie du barreau 2 et une partie 12B recouvrant la partie périphérique de ladite face amont 11 non utile pour le faisceau de pompage 3, car entourant celui-ci extérieurement. Ainsi, grâce aux caractéristiques précédentes de l'invention, on agit. d'une part, sur le gain, en limitant le dopage en début du barreau 2 (au niveau de ladite face amont 11) pour limiter l'absorption dans cette zone et donc limiter le gain transverse, ce qui permet de réduire l'apparition à la fois d'une amplification ASE et de modes MEP; et d'autre part, sur la réflectivité de l'environnement, en entourant la périphérie du barreau 2 d'un moyen d'absorption 12 associé à la (ou aux) longueur d'onde du rayonnement laser 4. La baisse de dopage en début du barreau 2 diminue l'efficacité d'absorption. Il importe donc de prévoir, au-delà d'une distance prédéterminée, par exemple quelques millimètres en aval de la face amont Il, un niveau de dopage plus élevé. En outre, afin de maximiser l'absorption du faisceau de pompage 3, l'élément actif 1 comporte de préférence comme matériau, au moins en 1 o partie, un cristal YVO4/Nd. Le néodyme Nd présente dans ce matériau une section efficace d'absorption élevée, ce qui permet au barreau 2 d'absorber efficacement le faisceau de pompage 3 sur de courtes distances, et ce sur une plage spectrale de l'ordre de 20 nm. Ce matériau est orthotrope et est donc sensible à l'absorption et à l'émission. Le coefficient d'absorption est plus élevé lorsque la polarisation 7E est employée. Dans un premier mode de réalisation, ledit matériau de l'élément actif 1 présente une variation longitudinale de dopage qui est continue, tandis que, dans un second mode de réalisation, il présente une variation longitudinale de dopage par pas. Dans le premier mode de réalisation, ledit matériau est de préfé-rence un matériau à gradient de dopage. De tels matériaux peuvent être réalisés par procédé céramique. II est également possible d'employer plusieurs cristaux de dopage progressif pour atteindre à l'entrée de chacun de ces derniers le gain maximal de démarrage de l'amplification ASE. Dans ce cas, le dopage des cristaux est adapté pour qu'à la température correspondant au pic d'absorption du faisceau de pompage 3, le premier cristal, puis les suivants, présente un dopage maximal sans que les effets parasites (modes MEP et amplification ASE) soient trop importants. Toutefois, comme c'est en ce point (pour l'absorption maximale) que le rendement est le plus élevé, il est envisageable d'accepter que les effets parasites aient quand même une influence pour cette température. Un perfectionnement possible consiste à combiner un cristal de YAG/Nd et un cristal de YVO4/Nd. Comme les bandes d'absorption de ces deux cristaux sont différentes, la gamme d'insensibilité est ainsi étendue. En particulier, l'absorption du cristal YVO4/Nd est plus forte vers 808-815 nm, alors que le cristal YAG/Nd présente une bande d'absorption à 792-797 nm que ne possède pas le cristal YVO4/Nd. Une telle combinaison est possible puisque les deux cristaux émettent chacun à 1064 nm. Dans ce cas, si on place de plus le cristal YAG/Nd en amont dudit cristal YVO4/Nd, on obtient un avantage supplémentaire. En effet, le cristal YAG/Nd va être soumis à la puissance de pompage la plus forte et il présente une séquence efficace d'émission stimulée moins importante que le cristal YVO4/Nd. Il convertira donc l'absorption en un gain plus faible que si le cristal YVO4/Nd était placé en amont, ce qui permet de repousser le seuil d'apparition d'effets parasites. Dans ce cas, on a également intérêt à conserver partiellement le cristal YVO4/Nd afin d'assurer un gain longitudinal suffisant pour que l'effet laser soit efficace. Par conséquent, selon l'invention, le dopage de l'élément actif 1 est réalisé de manière à obtenir un compromis prédéterminé entre des phénomènes parasites (amplification ASE; modes MEP) et une bande d'insensibilité thermique maximale. On notera que la présente invention n'utilise pas de régulation de la température des diodes laser 6A du système de pompage 6, laissant celleci dériver sur plusieurs dizaines de degrés. Toutefois, la source laser 5 peut comporter, dans un mode de réalisation préféré, un moyen 15 d'évacuation du flux thermique issu dudit système de pompage 6. Cette évacuation du flux thermique peut être réalisée en particulier: par conduction solide; par échange convectif avec un fluide; par changement de phase liquide/gaz d'un fluide; ou par changement de phase solide/liquide d'un corps relié thermiquement auxdites diodes laser 6A du système de pompage 6. En outre, ladite source laser 5 peut être formée: de manière à utiliser l'élément actif 1 à la fois en oscillateur et en amplificateur; et de sorte que le diamètre du faisceau de pompage 3 reste approximativement constant tout au long de l'élément actif 1 de manière à obtenir une forme d'intégrale de dépôt à peu près constante, quelle que soit la longueur d'onde des diodes laser 6A du système de pompage 6 et donc le coefficient d'absorption de l'élément actif 1. Par ailleurs, ladite source laser 5 comporte de plus un miroir 16 qui est transparent au rayonnement laser 4 et réfléchissant pour le faisceau de pompage 3, et qui est agencé en aval dudit élément actif 1. Ce miroir 16 permet ainsi de renvoyer dans l'élément actif 1 la partie du faisceau de pompage 3 non absorbée, tout en laissant passer le rayonnement laser 4, ce qui permet d'augmenter l'efficacité du pompage. De préférence, ce miroir de recyclage 16 est un ménisque, dont la face concave est dirigée vers l'élément actif 1, afin de recollimater le faisceau de pompage 3 dans cet élément actif 1. Dans un mode de réalisation préféré, le barreau 2 comporte donc un cristal composite composé de deux cristaux 13 et 14 différents: un cristal 13 de YAG/Nd (dopé à x1 % de longueur 21) suivi d'un cristal 14 de YVO4/Nd (dopé à x2% de longueur 22), qui sont pompés longitudinale- ment, comme représenté sur la figure 2. La longueur totale L=f1 +2 dudit cristal composite (barreau 2) est déterminée par la longueur de la trompe de focalisation du système de pompage 6. Dans le cas du pompage longitudinal, l'amplification ASE est gou-vernée essentiellement par la valeur maximale du gain transverse en entrée des deux cristaux 13 et 14, là où l'absorption est la plus forte. Le gain transverse est représenté par le produit go.X (X étant le diamètre du faisceau de pompage 3 en entrée des deux cristaux 13 et 14). De manière générale, on peut exprimer le gain (longitudinal ou transverse) par la formule suivante: go.e(lo) = ae.tifluo.rio.riq 1o.Pp. (1 T(1o)) 1 expHP 1 (1) h.c 7Ldp uo dans laquelle: Io est la longueur d'onde centrale des diodes laser 6A de pompage (va-leur qui fluctue avec la température) ; - ae est la section efficace d'émission stimulée. On peut prendre pour valeur typique: ae = 2,5.1019 cm2 pour YAG/Nd et ce= 1, 2.10- 18 cm2 pour YVO4/Nd; Tfluo est le temps de fluorescence (typiquement: Tfluo =230 ps pour YAG/Nd et Tfluo = 100 ps pour YVO4/Nd) ; no est le rendement optique du système de pompage 6; riq est le rendement quantique de fluorescence; tip est le temps de pompage; rp est le rayon du faisceau de pompage 3; et Pp est la puissance de pompage. T(a,o) est la transmission du cristal composite (barreau 2) traversé, dans le cas où tout le cristal composite est traversé et vérifie l'expression: f Ixo (1). exp [ aYAG(X).e1- aYVO4(1).e2] . T(Xo) = f IXo (X) .dX dans laquelle: aYAG(X) et aYVO4(X) sont respectivement les spectres d'absorption de YAG et de YVO4; et IXo(X) est le spectre d'émission d'une diode laser 6A. Une méthode possible de détermination des paramètres 1, 2, xl et x2 du barreau 2 est la suivante: A/ xl est déterminé directement de manière à ce que la valeur maximale du gain transverse goYAG(Xo).X ne dépasse pas la valeur de gain transverse maximal de démarrage de l'amplification ASE. Si par exemple cette valeur est goYAG.Xmax = 3,5, en considérant que le spectre d'émission des diodes laser 6A est une gaussienne (centrée sur Io) , en prenant les valeurs suivantes Pp =4000 W (puissance de pompage QCW pendant un temps tp de 200,us) et rp = 3 mm, et en prenant les autres paramètres relatifs aux cristaux YAGINd et YVO4/Nd standards, on obtient un dopage élevé xl de l'ordre de 1,3 (exprimé en pourcentage) ; B/ la longueur 1 du cristal YAGINd est déterminée par itération: On fixe une longueur 1 qui donne directement 2 (L étant fixé) et on détermine x2 pour que la valeur maximale du gain transverse goYVO4(X).X ne dépasse pas la valeur de gain transverse maximal de démarrage de l'amplification ASE (même méthode qu'à l'étape A/ précédente) . On relève les valeurs des gains longitudinaux go(Xo).L et d'absorption 1-T(Xo) sur tout le barreau 2; et C/ on fixe une nouvelle valeur de 1 et on réitère l'étape B/ précédente. On choisit la valeur de 1 (qui détermine ensuite directement 2 et x2) (2) qui donne les valeurs de gain longitudinal go(Xo).L et d'absorption les plus élevées sur la plage spectrale voulue. La méthode précédente donne souvent un cristal YAG/Nd (en entrée) de longueur 1 bien plus faible que le cristal YVO4/Nd. Par exemple, pour un cristal composite (barreau 2) de 15 mm de long, le cristal YAG/Nd présente typiquement une longueur 1 comprise entre 3 et 6 mm. De même, cette configuration permet d'accéder à des taux de do-page du cristal YVO4/Nd beaucoup plus importants que si l'on supprimait le cristal YAG/Nd qui joue un rôle protecteur. Si l'on choisit par exemple une valeur de gain transverse maximal de démarrage de l'amplification ASE goYVO4.Xmax =3,5, un cristal de YVO4/Nd seul soumis à la puissance de pompage précédente de 4000 W devrait présenter un taux de dopage approximatif de 0,13% pour éviter une amplification ASE. Dans le cas du cristal composite, le taux de dopage xl est beau-coup plus élevé, ce qui permet d'avoir des gains et des absorptions bien meilleurs. Comme le montre la figure 2, la partie la plus amont de l'élément actif 1 peut comporter une partie non dopée 17, réalisée dans le même matériau que ledit cristal 13 et solidarisée de ladite face amont 11. Une telle partie non dopée 17 non seulement peut servir de dissipateur thermique, mais de plus évite que le rayonnement ASE se réfléchisse sur ladite face amont 1 1. REVENDICATIONS 1. Elément actif pour source laser, ledit élément actif (1) comportant un barreau allongé (2) qui comprend une matrice dopée susceptible d'absorber au moins un faisceau de pompage (3) entrant à une face amont (Il), pour amplifier au moins un rayonnement laser (4) se propageant longitudinalement, caractérisé en ce que ledit élément actif (1) est formé d'au moins un matériau (13, 14) présentant une variation longitudinale de dopage avec le dopage le plus faible, qui est limité à une valeur prédéterminée, au niveau de ladite face amont (Il), et en ce que ledit élément actif (1) comporte, de plus, un moyen d'absorption (12A) qui est agencé à la périphérie dudit barreau (2) et qui est formé de manière à absorber tout rayonnement pré-sentant la longueur d'onde dudit rayonnement laser (4). 2. Elément actif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément actif (1) comporte de plus un moyen d'absorption (12B) qui est agencé à la partie périphérique de ladite face amont (Il) extérieure audit faisceau de pompage (3). 3. Elément actif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit élément actif (1) comporte au moins partielle-ment comme matériau un cristal YVO4/Nd. 4. Elément actif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit matériau présente une variation longitudinale de dopage qui est continue. 5. Elément actif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit matériau présente une variation longitudinale de dopage par pas. 6. Elément actif selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit matériau comporte un céramique à gradient de dopage. 7. Elément actif selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit matériau comporte plusieurs cristaux (13, 14) présentant des dopages différents. 8. Elément actif selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit matériau comporte un cristal YAG/Nd et un cristal YVO4/Nd. 9. Elément actif selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit cristal YAG/Nd est disposé en amont dudit cristal YVO4/Nd. 10. Elément actif selon l'une quelconque des revendications précé-dentes, caractérisé en ce que le dopage de l'élément actif (1) est réalisé de manière à obtenir un compromis prédéterminé entre des phénomènes parasites et une bande thermique maximale. 11. Elément actif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une partie non dopée (17), réalisée dans le même matériau que ladite face amont (Il) qu'elle recouvre et dont elle est solidaire. 12. Source laser comportant: un élément actif (1) pour source laser; un système de pompage (6) muni de diodes laser (6A) qui sont susceptibles d'émettre au moins un faisceau de pompage (3) ; un système optique de transport (7) pour diriger le faisceau de pompage (3) émis par lesdites diodes laser (6A) dans ledit élément actif (1) de manière à obtenir un pompage longitudinal; et une cavité optique (8) permettant d'extraire au moins un rayonnement laser (4), caractérisée en ce que ledit élément actif (1) est du type de celui spécifié sous l'une quelconque des revendications 1 à 1 1. 13. Source laser selon la revendication 12, caractérisée en ce qu'elle comporte, de plus, des moyens (15) d'évacua- tion d'un flux thermique issu dudit système de pompage (6). 14. Source laser selon l'une des revendications 12 ou 13, caractérisée en ce que ledit système de pompage (6) est formé de manière à engendrer un faisceau de pompage (3) qui est approximativement cons-tant sur toute la longueur du barreau (2). 15. Source laser selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisée en ce que ledit système de pompage (6) comporte des modules de diodes formés de semi-conducteurs issus de différents disques. 16. Source laser selon la revendication 15, caractérisée en ce que chaque module de diodes comporte un moyen de refroidissement. 17. Source laser selon l'une des revendications 12 à 16, caractérisée en ce qu'elle est formée de manière à utiliser l'élément actif (1) en oscillateur et en amplificateur. 18. Source laser selon l'une des revendications 12 à 17 caractérisée en ce qu'elle comporte, de plus, des moyens pour engendrer au moins un double passage du faisceau de pompage (3) dans l'élément actif (1). 19. Source laser selon l'une des revendications 12 à 18, caractérisée en ce qu'elle comporte, de plus, un miroir (16) transparent au rayonnement laser (4) et réfléchissant le faisceau de pompage (3), qui est agencé en aval dudit élément actif (1).