Brevet FR2883416A1 — publié le 20060922

DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur de puissance comportant une puce de semiconducteur de puissance telle qu'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) ou un transistor à effet de champ MOS, et une diode. Dans un tel dispositif à semiconducteur de puissance, la connexion électrique de l'électrode d'émetteur de l'IGBT, par exemple, est réalisée de façon classique par soudage de fil avec un fil en aluminium, ce qui occasionne plusieurs inconvénients, comme indiqué ci-dessous. Premièrement, il y a une limite supérieure à la valeur de courant qu'on peut faire circuler à travers le fil fin. Pour obtenir de manière sûre la valeur de courant désirée, le dispositif à semiconducteur de puissance classique est conçu de façon à avoir un fil plus épais et/ou un plus grand nombre de fils. Cependant, cette approche augmente l'espace nécessaire pour le soudage de fil, et va à l'encontre de l'exigence s'appliquant au dispositif, qui est de minimiser sa taille. Secondement, le fil plus fin occasionne une impédance plus élevée. Bien que les fils plus épais et le plus grand nombre de fils conviennent pour réduire l'impédance des fils, il demeure une restriction dans la réduction de l'impédance, comme indiqué ci-dessus. Le troisième inconvénient est le suivant: du fait qu'on fait circuler du courant à travers l'interface entre la puce de semiconducteur de puissance et le fil, une chaleur notable est générée et concentrée dans la zone locale (interface) sur la puce de semiconducteur de puissance. Pour réduire la concentration de la chaleur dans l'art antérieur, on augmente l'étendue de l'interface, et/ou on forme une multiplicité d'interfaces à plu-sieurs positions. Cependant, il est difficile d'éviter complètement la con- concentration de la chaleur, comme on le désire. Un problème supplémentaire consiste en ce qu'une oscillation de grille peut être occasionnée dans une condition passante du dispositif à semiconducteur de puissance classique. De façon caractéristique, la puce de semiconducteur de puissance comprend une multiplicité de cellules, chacune d'elles ayant une électrode d'émetteur connectée par le fil à l'un respectif de motifs de circuit sur un substrat isolant. Cette structure peut conduire à un courant de grille inégal entre les cellules dans la condition passante, occasionnant ainsi une rupture ou un fonctionnement défectueux du dispositif à semiconducteur de puissance. Bien que ce problème puisse être résolu par une connexion directe de chacune des cellules au moyen de fils, il est nécessaire d'augmenter le nombre et les étendues de fils de connexion. Il demeure donc une restriction pour éliminer l'oscillation de 15 grille, qui est le premier inconvénient. De plus, il est nécessaire de ré-server de l'espace pour la connexion de fils. Bien que les principaux inconvénients soient décrits ci-dessus, il y a un autre problème concernant le rayonnement de chaleur. Conformément au dispositif à semiconducteur de puissance classique, par exemple, une plaque de base est montée au moyen de vis sur une ailette rayonnante, avec une graisse interposée entre elles, et la chaleur pro-duite par la puce de semiconducteur est dissipée seulement à travers l'ai-lette rayonnante, dont une caractéristique de rayonnement peut être in- suffisante dans de nombreux cas. Divers dispositifs à semiconducteurs de puissance ont été pro-posés jusqu'à présent, et sont exposés dans les Documents de Brevets listés cidessous. Le Document de brevet 1 décrit un dispositif à semiconducteur de puissance incluant une plaquette de système de signaux et une pla- quette de système de puissance qui sont produites indépendamment, et il illustre une structure stéréoscopique dans laquelle la puce de circuit intégré de commande est montée sur la puce de circuit intégré de puissance. Le Document de Brevet 2 décrit un dispositif à semiconducteur incluant une puce de semiconducteur montée sur une plaquette auxiliaire remplissant une fonction d'un dissipateur thermique. Dans un module de puissance du Document de Brevet 3, une puce de semiconducteur comprend une électrode d'émetteur sur laquelle est montée une plaquette de métal ayant une grande surface, pour dissiper effectivement la chaleur produite par la puce de semiconducteur. Le Document de Brevet 4 décrit un dispositif à semiconducteur qui rayonne effectivement la chaleur pro-venant de la puce de semiconducteur, à travers ses surfaces supérieure et inférieure. Le Document de Brevet 5, qui a une famille de brevets comprenant le Brevet des E.U.A. n 6 885 096, décrit un module d'IGBT incluant des bornes externes supérieure et inférieure qui sont directe- ment connectées respectivement sur les électrodes supérieure et inférieure de la puce d'IGBT. De plus, une couche isolante est établie à l'intérieur du module d'IGBT pour améliorer l'isolation. Le Document de Brevet 6 fournit un module à semiconducteur de puissance ayant un élément à ressort pour pousser une résine conductrice de manière à améliorer une connexion électrique de particules conductrices à l'intérieur de la résine. Document de Brevet 1: JP 06-181286, A Document de Brevet 2: JP 2000323630, A Document de Brevet 3: JP 2000-068447, A Document de Brevet 4: JP 10-056131, A Document de Brevet 5: JP 2002-026251, A Document de Brevet 6: JP 2000-124398, A Par conséquent, la présente invention a plusieurs buts incluant par exemple celui qui consiste à fournir un dispositif à semiconducteur de puissance dans lequel la valeur du courant principal est augmentée tan-dis que son impédance est réduite, la chaleur est dissipée efficacement à partir de la puce de semiconducteur, et l'oscillation de grille due à la séparation de cellules d'émetteur de la puce de semiconducteur est évitée. Pour s'attaquer aux inconvénients mentionnés ci-dessus, l'un des aspects de la présente invention consiste à procurer un dispositif à semiconducteur de puissance incluant un premier substrat sur lequel est formé un premier motif de circuit, et un second substrat sur lequel est formé un second motif de circuit faisant face au premier motif de circuit. Le premier substrat a un premier axe s'étendant dans une direction transversale prédéterminée. Au moins une puce de semiconducteur de puissance est montée sur le premier motif de circuit du premier substrat et elle a au moins une électrode de puce faisant face au second motif de circuit du second substrat. De plus, une multiplicité de premiers connecteurs conducteurs sur le premier motif de circuit est établie pour la connexion électrique avec le second motif de circuit du second substrat. Les premiers connecteurs conducteurs sont disposés symétriquement par rapport au premier axe du premier substrat. Dans certains modes de réalisation, on peut en outre prévoir l'une ou l'autre des dispositions suivantes: - le premier substrat a un second axe perpendiculaire au premier axe; et les premiers connecteurs conducteurs sont disposés symétriquement par rapport au second axe du premier substrat; - le dispositif comprend en outre une multiplicité de seconds connecteurs conducteurs sur l'électrode de puce de la puce de semiconducteur de puissance pour la connexion électrique au second motif de circuit du second substrat; et les seconds connecteurs conducteurs sont disposés symétriquement par rapport à l'axe du premier substrat; - au moins un des premiers et seconds connecteurs conducteurs a une configuration semblable à une barre; - les premiers connecteurs conducteurs entourent la puce de semiconducteur de puissance; - le premier motif de circuit comprend au moins un premier bossage faisant saillie à partir du premier substrat, pour supporter au moins un élément choisi parmi un premier connecteur conducteur et la puce de semiconducteur de puissance; - le second motif de circuit comprend au moins un second bossage faisant saillie à partir du second substrat, pour supporter au moins un des premiers et seconds connecteurs conducteurs; - le premier substrat est constitué d'un matériau différent de celui du second substrat; - au moins un substrat choisi parmi le premier substrat et le second substrat est divisé en une multiplicité de parties; - une multiplicité de bornes de détection d'émetteur s'éten- dant à partir de positions différentes les unes des autres; - le dispositif comprend en outre une multiplicité de bornes de connexion externes s'étendant à partir d'un côté périphérique du premier substrat; - au moins un des premier et second motifs de circuit a des parties étendues qui s'étendent extérieurement à partir des premier et second substrats; - le dispositif comprend en outre un ressort placé sur au moins un des premier et second substrats pour solliciter les premier et second substrats l'un vers l'autre; - le dispositif comprend en outre une multiplicité d'éléments métallisés pour la connexion électrique entre l'électrode de puce de la puce de semiconducteur de puissance et le second motif de circuit du second substrat; et chacun des éléments métallisés comprend une multiplicité de couches minces de métal, une au moins des couches minces ayant une taille différente de celle des autres couches; - le dispositif comprend en outre une multiplicité d'éléments métallisés pour la connexion électrique entre l'électrode de puce de la puce de semiconducteur de puissance et le second motif de circuit du second substrat, chacun des éléments métallisés ayant une multiplicité de couches minces de métal; et une multiplicité de parties périphériques constituées d'un matériau résistant à la chaleur, entourant les éléments métallisés. Selon un autre aspect, l'invention se rapporte à un dispositif à semiconducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend: des premier et second substrats sur lesquels sont respectivement formés des premier et second motifs de circuit, le premier motif de circuit du premier substrat faisant face au second motif de circuit du second substrat; au moins une puce de semiconducteur de puissance montée sur le premier motif de circuit du premier substrat, la puce de semiconducteur de puissance ayant au moins une électrode de puce faisant face au second motif de circuit du second substrat; et un élément de connexion connectant avec de la brasure des éléments métallisés sur l'électrode de puce et le second motif de circuit du second substrat, chacun des éléments métallisés ayant une multiplicité de couches minces de métal; et un élément résistant à la chaleur recouvrant la puce de semiconducteur de puissance dans une zone autre que l'endroit auquel l'élément métallisé est formé. Dans certains modes de réalisation, on peut en outre prévoir: - la puce de semiconducteur de puissance comprend une puce de semiconducteur de commutation de puissance et une diode libre; - le dispositif comprend en outre une multiplicité de parties de brasage formées entre le premier motif de circuit du premier substrat et la puce de semiconducteur de puissance, définissant une pluralité de régions vides parmi les parties de brasage, la puce de semiconducteur de puissance et le premier motif de circuit du premier substrat; - chacune des parties de brasage est alignée avec un élé- ment de connexion respectif. D'autres domaines d'application de la présente invention ressortiront de la description détaillée donnée ici. Il faut cependant noter que bien qu'ils indiquent des modes de réalisation préférés de l'invention, la description détaillée et des exemples spécifiques sont donnés seule- ment à titre d'illustration, du fait que divers changements et modifications entrant dans l'esprit et le cadre de l'invention apparaîtront à l'homme de l'art d'après cette description détaillée. On pourra comprendre plus complètement la présente invention d'après la description détaillée donnée ici et les dessins annexés qui sont donnés seulement à titre d'illustration, et ne limitent donc pas la présente invention. Les figures 1A-1B sont des vues en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au premier mode de réalisation, illustrant respectivement ses premier et second substrats. Les figures 2A-2B sont des vues en plan de dessus similaires aux figures 1A-1B, et la figure 2C est une vue en perspective du connecteur conducteur semblable à une barre. Les figures 3A-3B sont des vues en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au second mode de réalisation, illustrant respectivement ses premier et second substrats. Les figures 4A-4B sont des vues en plan de dessus similaires aux figures 3A-3B. Les figures 5A-5B sont des vues en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au troisième mode de réalisa- tion, illustrant respectivement ses premier et second substrats. Les figures 6A-6B sont des vues en plan de dessus similaires aux figures 5A et 5B. Les figures 7A-7B sont des vues en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au quatrième mode de réalisa- tion, illustrant respectivement ses premier et second substrats. Les figures 8A-8B sont des vues en plan de dessus similaires aux figures 7A-7B. Les figures 9A-9B sont des vues en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au cinquième mode de réalisa- tion, illustrant respectivement ses premier et second substrats, et la figure 9C est une coupe selon une ligne A-A des figures 9A-9B. La figure 10 est une coupe agrandie d'un élément métallisé du sixième mode de réalisation. Les figures 11A-11C sont des vues en perspective de l'élément métallisé, montrant ses diverses tailles. Les figures 12A-12B sont des vues en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au septième mode de réalisation, illustrant respectivement ses premier et second substrats, et la figure 12C est une coupe selon une ligne A-A des figures 9A-9B. Les figures 13A-13B sont des vues en plan de dessus et la figure 13C est une coupe similaire respectivement aux figures 12A-12B et à la figure 12C. La figure 14 est une coupe du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au huitième mode de réalisation. Les figures 15A-15D sont respectivement une vue en plan de dessus sans un second substrat, une vue en plan de dessus avec le second substrat, une coupe selon une ligne A-A et une vue de dessous du dispositif à semiconducteur de puissance. En se référant aux figures 15A-15D, on décrira tout d'abord ici un prototype d'un dispositif à semiconducteur de puissance de la pré-sente invention, qui utilise un connecteur conducteur au lieu d'un fil conducteur pour la connexion électrique à l'intérieur du dispositif. Dans ces descriptions, bien qu'on utilise commodément, simplement pour la clarté, la terminologie indiquant les directions (par exemple "supérieure" (dessus)" et "inférieure (dessous)"), on ne doit pas interpréter cette ter- minologie dans un sens limitant le cadre de la présente invention. La figure 15A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance qui utilise le connecteur conducteur au lieu du fil conducteur, illustrant un premier substrat 24 de celui-ci. De plus, la figure 15B est une vue en plan de dessus illustrant un second substrat 26 avec certains autres composants au-dessous du second substrat 26 représentés avec des lignes en pointillés. La figure 15C est une coupe selon une ligne A-A des figures 15A-15B. De plus, la figure 15D est une vue de dessous du dispositif à semiconducteur de puissance illustrant le se- cond substrat 26. Comme représenté sur la figure 15C, le premier substrat 24 consistant en un matériau isolant tel qu'une céramique, qui est fixé sur une plaque de base 2 en métal, comprend un premier motif de circuit 44, sur lequel sont montées une puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 telle qu'un IGBT et un transistor à effet de champ MOS, et une diode libre 8. Par conséquent, les électrodes inférieures du dispositif à semiconducteur de puissance 6 et de la diode libre 8 sont connectées électriquement au premier motif de circuit 44. Dans le contexte de la description présente, l'IGBT comprend des électrodes d'émetteur et de collecteur et la diode libre comprend des électrodes d'anode et de cathode respectivement sur les surfaces supérieures (dessus) et inférieures (dessous). Il faut cependant noter que la présente invention peut être appliquée au dispositif à semiconducteur de puissance ayant la polarité opposée pour les électrodes. De plus, comme illustré sur la figure 15C, un second substrat 26 consistant en un matériau isolant, incluant un second motif de circuit 45 en métal, est placé sur la surface inférieure, de façon que l'électrode d'émetteur de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et l'électrode d'anode de la diode libre 8 soient connectées au second motif de circuit 45 par l'intermédiaire de connecteurs conducteurs 22. Sur les figures 15A-15D, les connecteurs conducteurs 22 sont réalisés sous la forme d'éléments métalliques sphériques. De plus, une connexion électrique entre le premier motif de circuit supérieur 44 du premier substrat 24 et le second motif de circuit inférieur 45 du second substrat 26 est établie par l'intermédiaire d'une multiplicité des connecteurs conducteurs 22. Dans la description présente, le connecteur conducteur formé entre le premier motif de circuit supérieur 44 et le second motif de circuit inférieur 45 est appelé un "premier connecteur conducteur", et le connecteur conducteur formé entre la puce de semiconducteur de puissance 6, 8 et le second motif de circuit inférieur 45 est appelé un "second connecteur conducteur". Un dissipateur thermique 32 remplissant la fonction d'un moyen de rayonnement de chaleur est monté de façon adhésive sur la surface inférieure de la plaque de base 2. Le dissipateur thermique 32 peut également être monté sur la surface supérieure du second substrat 26. Des connexions électriques entre les connecteurs conducteurs 22 et les premier et second motifs de circuit 44, 45, et entre les connecteurs conducteurs 22 et les électrodes supérieures des puces de semi-conducteur (la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et la diode libre 8) sont réalisées avec de la brasure. De telles connexions peuvent être réalisées par soudage ultrasonore ou soudage par pression. De plus, comme illustré sur la figure 15A, une borne principale positive (collecteur) 10 est connectée au premier motif de circuit 44 sur lequel les puces de semiconducteur sont montées, et une borne principale négative (émetteur) 12 est connectée au premier motif de circuit 44 qui est connecté à son tour à l'électrode d'émetteur de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et à l'électrode d'anode de la diode libre 8 par l'intermédiaire des connecteurs conducteurs 22 et du second motif de circuit 45. Par conséquent, le courant principal circule à partir de la borne principale positive (collecteur) 10 vers la borne principale négative (émetteur) 12 à travers la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6, les premier et second motifs de circuit 44, 45 et les connecteurs conducteurs 22. De plus, il existe une borne de détection d'émetteur 16, connectée au premier motif de circuit 44, qui est également connectée à l'électrode d'émetteur de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6, pour détecter le courant principal. En outre, une borne de grille 14 est formée sur le premier motif de circuit 44 et elle est connectée à l'électrode de grille de la puce de semiconducteur de puissance 6 par l'intermédiaire du connecteur conducteur 22 et du second motif de circuit 45, pour appliquer un signal de grille à l'électrode de grille. Des éléments de cloisonnement 34 recouvrent et entourent la surface latérale du dispositif à semiconducteur de puissance pour enfer-mer hermétiquement l'espace contenu à l'intérieur. L'espace défini par les premier et second substrats 24, 26 et les éléments de cloisonnement 34 est rempli avec une matière gélatineuse 36, isolante et résistant à la chaleur. Pour la clarté, la matière gélatineuse 36 n'est pas représentée avec des hachures sur la figure 15C. Le second substrat 26 a une autre plaque de base 3 en métal sur la surface supérieure. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance représenté sur les figures 15A-15D, l'étendue de connexion plus grande des connecteurs conducteurs peut avantageusement être utilisée pour réaliser une connexion plus effective, en comparaison avec le dispositif à semi- conducteur de puissance classique utilisant des fils conducteurs. De plus, les connecteurs conducteurs minimisent la distance entre le second substrat 26 et le premier substrat 24 et entre le second substrat 26 et la puce de semiconducteur 6, 8, ce qui réduit notablement l'impédance et la chaleur du dispositif à semiconducteur de puissance. En outre, il est exi- gé que les fils en aluminium soient adaptés pour la connexion à l'intérieur du dispositif, à cause de sa facilité et de sa commodité pour la production en masse, dans l'art antérieur. Cependant, du fait que les connecteurs conducteurs 22 peuvent aisément être utilisés sans prendre en considération une telle exigence de production, ils peuvent être constitués de n'importe quel matériau, tel que le cuivre, ayant une conductivité électrique et thermique plus élevée que celle de l'aluminium. De plus, dans un cas dans lequel la puce de semiconducteur de puissance est la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6, du fait que l'aire de connexion des cellules d'émetteur avec le connecteur conduc- teur 22 est notablement étendue, et la distance entre eux est sensible- ment réduite, le rayonnement de chaleur de la puce de semiconducteur de puissance est amélioré, et l'oscillation de grille due à la séparation des cellules d'émetteur est évitée. Mode de Réalisation 1. Ensuite, en se référant aux figures 1A-1B et 2A-2C, on décrira ici un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au premier mode de réalisation de la présente invention. De façon générale, le dis-positif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation est similaire au prototype un, avec certaines exceptions, comme décrit ici. Les composants représentés sur les figures 1A-1B qui sont similaires à ceux des figures 15A-15B ont des numéros de référence similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire du premier mode de réalisation sera omise. La figure 1A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au premier mode de réalisation, illustrant son premier substrat 24. De plus, la figure 1B est une vue en plan de dessus illustrant le second substrat 26, avec certains autres composants sous le second substrat 26 représentés par des lignes en pointillés. Comme illustré sur les figures 1A-1B, le dispositif à semi-conducteur conforme au premier mode de réalisation comprend une mul-tiplicité de connecteurs conducteurs (premiers connecteurs conducteurs) 22 qui sont disposés sur le premier motif de circuit 44 à des positions symétriques par rapport à un axe du premier substrat 24 dans la direction 20 longitudinale. Les premiers connecteurs conducteurs 22 sur le premier motif de circuit 44 sont également disposés symétriquement par rapport à un autre axe dans la direction perpendiculaire à la direction longitudinale. De plus, les connecteurs conducteurs 22 sur les puces de se-miconducteur de puissance 6, 8 (seconds connecteurs conducteurs) sont disposés symétriquement par rapport à l'axe du premier substrat 24 dans la direction longitudinale, et par rapport à d'autres axes des puces dans la direction perpendiculaire à la direction longitudinale. Cet agencement des connecteurs conducteurs 22 permet une dispersion de la contrainte occasionnée par la dilatation thermique pendant le fonctionnement du dispositif, de façon à éliminer des points physiquement faibles du dispositif, ce qui a pour effet d'améliorer la fiabilité à long terme du dispositif. Bien que les figures 1A-1B illustrent une plage de connexion de grille disposée au bord périphérique de la puce de semiconducteur de commu- tation de puissance 6, la plage de connexion de grille peut être disposée au centre de la puce 6 pour améliorer davantage la symétrie des connecteurs conducteurs 22 sur la puce. La forme des connecteurs conducteurs 22 n'est pas limitée à une sphère et peut être semblable à une barre (connecteur conducteur semblable à une barre 22') ou être semblable à une plaquette, comme illustré sur les figures 2A-2C. Bien que le connecteur conducteur semblable à une barre 22' qui est relativement plus grand que celui des figures 1A-1D et est formé en une seule pièce puisse recevoir une plus grande contrainte, il peut améliorer sa force de connexion et son efficacité de rayonnement à cause de l'aire de connexion étendue. Le second substrat 26 peut être constitué d'un matériau différent de celui du premier substrat 24. Du fait que les puces de semi-conducteur de puissance (la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et la diode libre 8) sont montées sur le premier substrat 24, qui sera probablement échauffé davantage que le second substrat 26, le premier substrat 24 peut être formé en un matériau ayant une propriété de rayonnement plus efficace, pour réduire ainsi la différence thermique entre les premier et second substrats 24, 26. Par exemples, les premier et second substrats 24, 26 peuvent consister respectivement en cérami- ques frittées en AIN et AI2O3. Ceci réduit la différence de dilatation thermique entre les premier et second substrats 24, 26, ce qui minimise le déplacement entre eux pour améliorer la fiabilité du dispositif. Mode de Réalisation 2 En se référant aux figures 3A-3B et 4A-4B, on décrira ici un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au second mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation a une structure similaire au dispositif du premier mode de réalisation, avec certaines exceptions comme décrit ici. Les composants représentés sur les figures 3A-3B simi- laires à ceux des figures 1A-1B ont des numéros de référence qui leur sont similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire du second mode de réalisation sera omise. La figure 3A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au second mode de réalisation, il-lustrant son premier substrat 24. De plus, la figure 3B est une vue en plan de dessus illustrant le second substrat 26 avec certains autres composants sous le second substrat 26 représentés par des lignes en pointillés. Le dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation comprend deux paires de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et de la diode libre 8, montées sur ce dispositif, et les connecteurs conducteurs 22 sont disposés sur le premier motif de circuit 44, en entourant la paire des puces de semiconducteur de puissance (la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et la diode de roue libre 8). Le substrat isolant du dispositif à semiconducteur de puissance peut se gauchir, en particulier au bord périphérique, sous l'effet de sa dilatation thermique, en communiquant des contraintes aux puces de semiconducteur de puissance 6, 8. Cependant, du fait que le dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation comprend une multiplicité de connecteurs conducteurs 22 au niveau du bord périphérique sur le premier substrat 24, la contrainte appliquée aux puces desemiconducteur de puissance 6, 8 peut être réduite, en améliorant ainsi la fiabilité à long terme. Les connecteurs conducteurs 22 sont également placés à une position située entre les puces de semiconducteur de puissance, de façon qu'une quantité notable de chaleur provenant des puces puisse être dissipée effectivement par l'intermédiaire du second substrat 26. Le dispositif à semiconducteur de puissance des figures 4A-4B comprend deux paires de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et de la diode libre 8, de façon similaire à celui des figures 3A-3B, mais le premier substrat 24 est divisé en deux parties. La division du premier substrat 24 facilite l'assemblage du dispositif, même lorsque la structure de circuit est complexe, et ajuste le rendement de rayonne- ment du dispositif. De plus, bien que le premier substrat 24 soit davantage susceptible d'être endommagé (fissuré) à cause du gauchissement du substrat comme il a une plus grande taille, il est possible d'éviter la formation d'une fissure en divisant le premier substrat 24 en plusieurs parties, de façon appropriée. Il faut noter que le second substrat 26 peut être divisé, et que les premier et second substrats 24, 26 peuvent être divisés en trois parties ou plus. Mode de Réalisation 3 En se référant aux figures 5A-5B et 6A-6B, on décrira ici un dis- positif à semiconducteur de puissance conforme au troisième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif à semiconducteur de puissance du troisième mode de réalisation a une structure similaire à celui du premier mode de réalisation, avec certaines exceptions comme décrit ici. Les composants représentés sur les figures 5A-5B qui sont si- milaires à ceux des figures 1A-1B ont des numéros de référence qui leur sont similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire des modes de réalisation envisagés ci-dessus sera omise. La figure 5A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au troisième mode de réalisation, illustrant son premier substrat 24. De plus, la figure 5B est une vue en plan de dessus illustrant le second substrat 26 avec certains autres composants sous le second substrat 26 représentés par des lignes en pointillés. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance du troisième mode de réalisation, une multiplicité de bornes de détection d'émetteur sont incorporées, et sont connectées au premier motif de circuit 44 et à l'électrode d'émetteur de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 par l'intermédiaire des connecteurs conducteurs 22, pour détecter le courant principal à travers la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6. De façon classique, une borne de détection d'émetteur unique par l'intermédiaire d'un fil conducteur peut détecter des tensions variables en fonction des positions de connexion de l'électrode d'émetteur de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6. Cependant, le dispositif du mode de réalisation présent a plu- sieurs bornes de détection d'émetteur à différentes positions, de façon que la borne appropriée parmi les bornes de détection d'émetteur puisse être sélectionnée conformément à l'application et à la condition d'utilisation. De plus, du fait que le premier motif de circuit 44 du premier 35 substrat 24 est conçu pour avoir une plus grande étendue, il est possible d'obtenir une plus grande souplesse de la conception pour choisir la position de la borne de détection d'émetteur. En plus de la borne de porte 14 et de la borne de détection d'émetteur 16, le dispositif à semiconducteur de puissance peut inclure d'autres bornes de connexion externes, comme une borne de détection de température 38. Dans ce cas, ces bornes de connexion externes (la borne de porte 14, la borne de détection d'émetteur 16 et la borne de détection de température 38) peuvent être disposées sur un côté périphérique des premier et second substrats 24, 26, ce qui facilite le processus de fabrication du dispositif à semiconducteur, pour améliorer la capacité de production du dispositif et le travail d'assemblage du dispositif dans d'autres dispositifs périphériques. Mode de Réalisation 4 En se référant aux figures 7A-7C et 8A-8B, on décrira ici un dis- positif à semiconducteur de puissance conforme au quatrième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif à semiconducteur de puissance du quatrième mode de réalisation a une structure similaire à celui du premier mode de réalisation, avec certaines exceptions comme décrit ici. Les composants représentés sur les figures 7A-7C qui sont si- milaires à ceux des figures 1A-1B ont des numéros de référence qui leur sont similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire des modes de réalisation envisagés ci-dessus sera omise. La figure 7A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au quatrième mode de réalisation, illustrant son premier substrat 24. De plus, la figure 7B est une vue en plan de dessus illustrant le second substrat 26 avec certains autres composants sous le second substrat 26 représentés par des lignes en pointillés. La figure 7C est une coupe selon une ligne A-A des figures 7A-7B. Les premier et second motifs de circuit 44, 45 sur les premier et second substrats 24, 26 sont réalisés avec une forme pratiquement plane dans les modes de réalisation envisagés ci-dessus. D'autre part, les premier et second motifs de circuit 44, 45 du mode de réalisation présent comprennent un ou plusieurs premiers et seconds bossages faisant respectivement saillie à partir de la surface supérieure du premier substrat 24 et à partir de la surface inférieure du second substrat. Les premiers bossages supportent les puces de semiconducteur de puissance (la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et la diode libre 8) et les connecteurs conducteurs 22, et les seconds bossages maintiennent les connecteurs conducteurs 22. par conséquent, comme représenté sur la figure 7C, une multiplicité de parties de connexion 46 venant en contact avec les premier et second substrats 24, 26 sont définies entre respectivement les premiers bossages adjacents et les seconds bossages. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance ayant les mo-tifs de circuit avec une telle structure, la contrainte appliquée aux parties de connexion 46 peut être absorbée par les autres parties des substrats, pour améliorer ainsi la fiabilité à long terme du dispositif. De façon générale, bien que les motifs de circuit soient formés sur l'étendue rectangulaire du substrat, une partie du motif de circuit peut s'étendre au-delà du substrat, et la partie étendue du motif de circuit peut être utilisée comme une borne externe. Les figures 8A-8B illustrant un exemple des motifs de circuit (les premier et second motifs de circuit 44, 45) ayant les parties étendues, qui sont utilisées comme les bornes externes. Cette structure des motifs de circuit peut réduire le nombre total des composants pour fabriquer le dispositif. Mode de Réalisation 5 En se référant aux figures 9A-9C, on décrira ici un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au cinquième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif à semiconducteur de puissance du cinquième mode de réalisation a une structure similaire à celui du premier mode de réalisation, avec certaines exceptions comme décrit ici. Les composants représentés sur les figures 9A-9C qui sont similaires à ceux des figures 1A-1B ont des numéros de référence qui leur sont similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire des modes de réalisation envisagés précédemment sera omise. La figure 9A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au cinquième mode de réalisation, illustrant son premier substrat 24. De plus, la figure 9B est une vue en plan de dessus illustrant le second substrat 26 avec certains autres corn-posants sous le second substrat 26 représentés par des lignes en pointil-lés. La figure 9C est une coupe selon une ligne A-A des figures 9A-9B. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation, le dissipateur thermique 32 fonctionnant comme un moyen de rayonnement de chaleur est disposé au-dessous de la plaque de base 2. D'autre part, une multiplicité d'éléments de sollicitation tels que des ressorts 46 sont placés sur la surface inférieure de la plaque de base inférieure 2 au-dessous du premier substrat 24 et sur la surface supérieure de la plaque de base supérieure 3 sur le second substrat 26. Le dispositif à semiconducteur de puissance du cinquième mode de réalisation avec une multiplicité des ressorts 46 est logé à l'intérieur d'un boîtier creux de forme parallélépipédique (non représenté), et les ressorts 46 sont compressés par les parois intérieures du boîtier pour supporter le dispositif à semiconducteur de puissance à l'intérieur du boîtier. Ainsi, le dispositif à semiconducteur de puissance du cinquième mode de réalisation est sollicité par plusieurs ressorts mutuellement op-posés, et est intercalé entre ceux-ci. Lorsque la brasure fond du fait de la chaleur qui est produite pendant le fonctionnement du dispositif, des parties de connexion quelconques réalisées à l'aide de brasure maintiennent la connexion électrique dans une phase de brasure liquide. Egalement de façon avantageuse, la brasure qui fond répare et élimine les fissures existant dans la brasure. En outre, lorsque le dispositif à semiconducteur de puissance est endommagé ou rompu, les ressorts sollicitent et pincent les électrodes de collecteur et d'émetteur de la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 pour occasionner un court-circuit plutôt qu'un circuit ouvert. De façon générale, le circuit ouvert du dispositif con-duit probablement à une situation plus nuisible que le court-circuit. Le dispositif à semiconducteur de puissance conforme au mode de réalisation présent permet au courant de continuer à circuler à travers le dispositif pendant le fonctionnement en courant continu, même si le dispositif devient défectueux. De plus, les ressorts 46 peuvent être connectés directement ou indirectement aux premier et second substrats 24, 26 et constitués d'un métal approprié, de façon à accomplir également une fonction d'un radiateur pour dissiper de la chaleur produite par les puces de semiconducteur de puissance. Mode de Réalisation 6 En se référant aux figures 10 et 11A-11C, on décrira ici un dis-positif à semiconducteur de puissance conforme au sixième mode de réalisation de la présente invention. L'une des caractéristiques principales du dispositif à semiconducteur de puissance du sixième mode de réalisation réside en un élément métallisé qui, dans ce contexte de la description, est un empilement de métal à couches minces formé sur la surface supérieure des puces de semiconducteur de puissance et/ou des motifs de circuit pour la connexion électrique avec de la brasure, comme illustré sur la figure 10. Bien que ceci ne soit pas limitatif, l'élément métallisé 48 a une configuration de colonne, et est formé par n'importe quel processus de dépôt approprié. Dans les modes de réalisation précédents, les connecteurs conducteurs 22 sont connectés aux puces de semiconducteur de puissance (la puce de semiconducteur de commutation de puis- sance 6 et la diode libre 8) par l'intermédiaire de l'élément métallisé 48. L'élément métallisé 48 comprend, de façon générale, trois à cinq couches minces de métal. Sur la figure 10, l'élément métallisé 48 comprend des couches d'aluminium (Al), de molybdène (Mo), de nickel (Ni) et d'or (Au) formées successivement sur la surface de la puce. Bien que ces couches de métal aient de façon caractéristique pratiquement la même taille (c'est-àdire l'aire) horizontale, comme illustré sur la figure 11A, chacune des couches de métal est conçue pour être différente d'autres dans le dispositif à semiconducteur de puissance du mode de réalisation présent. Dans l'élément métallisé 48 composé de couches d'alumi- nium (Al), de molybdène (Mo), de nickel (Ni) et d'or (Au), représenté sur la figure 11B, les deux couches supérieures (c'est-à-dire les deux couches plus proches de la puce de semiconducteur de puissance) en nickel (Ni) et en or (Au) sont plus petites que les deux couches inférieures en aluminium (Al) et en molybdène (Mo). Selon une variante, la couche qui est plus proche de la couche de semiconducteur de puissance peut être plus grande que la couche qui est plus éloignée de la puce de semi-conducteur de puissance, comme représenté sur la figure 11C. Ceci empêche la couche supérieure d'être formée au-delà de la région se trouvant à l'extérieur de la couche inférieure, ce qu'on appelle un dépôt dé- calé, et facilite le dépôt précis de la couche supérieure sur la couche in- férieure. Lorsque le connecteur conducteur 22 est connecté à l'élément métallisé 48 à l'aide de brasure, il se produit une fusion partielle de la couche d'aluminium et de la couche de nickel, et le connecteur conduc-teur 22 pénètre dans la couche de nickel pour la connexion. Dans ce cas, la partie partiellement en fusion de la couche d'aluminium et de la couche de nickel débordera probablement au-delà de la couche de molybdène et de la couche d'aluminium, en provoquant ainsi le court-circuit entre les électrodes adjacentes telles que l'électrode d'émetteur et l'électrode de porte sur la puce, ce qu'on appelle une connexion étalée. Cependant, conformément au mode de réalisation présent, il est possible d'éviter le dépôt décalé et la connexion étalée, du fait que la couche supérieure est plus petite que la couche inférieure. De plus, du fait que les connecteurs conducteurs 22 sont connectés de façon sûre à l'élément métallisé, la fiabilité à long terme du dispositif est également améliorée. En outre, comme illustré sur la figure 10, la partie périphérique 50 de l'élément métallisé 48 est constituée d'un matériau résistant à la chaleur, tel que du polyimide. Ceci réduit davantage le dépôt décalé et la connexion étalée des couches supérieures (couches d'or (Au) et de nickel (Ni)) de l'élément métallisé 48, lorsque les connecteurs conducteurs 22 sont brasés. Mode de Réalisation 7 En se référant aux figures 12A-12C et 13A-13C, on décrira ici un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au septième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif à semiconducteur de puissance du septième mode de réalisation a une structure similaire à celui du premier mode de réalisation, avec certaines exceptions comme décrit ici. Les composants représentés sur les figures 12A-12C qui sont similaires à ceux des figures 1A-1B ont des numéros de référence qui leur sont similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire des modes de réalisation envisagés précédemment sera omise. La figure 12A est une vue en plan de dessus du dispositif à semiconducteur de puissance conforme au septième mode de réalisation, illustrant son premier substrat 24. De plus, la figure 12B est une vue en plan de dessus illustrant le second substrat 26 avec certains autres com- posants sous le substrat 26 représentés par des lignes en pointillés. La figure 12C est une coupe selon une ligne A-A des figures 12A-12B. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance du septième mode de réalisation, à la place des connecteurs conducteurs 22, les été- ments métallisés 48 à la fois sur le second motif de circuit 45 et sur l'électrode de puce, sont utilisés pour procurer un élément de connexion 54 pour la connexion directe entre l'électrode de puce et le second motif de circuit 45 du second substrat 26. La surface supérieure de la puce de semiconducteur de puissance est recouverte par un matériau résistant à la chaleur, tel que le polyimide, dans les zones autres que celles dans lesquelles les éléments métallisés 48 sont formés. D'autre part, les éléments métallisés 48 formés sur le premier motif de circuit 44 sont connectés électriquement au second motif de circuit 45 par l'intermédiaire des connecteurs conducteurs 22, comme dans le premier mode de réalisation. Dans le septième mode de réalisation, aucun connecteur conducteur 22 n'est établi et l'élément métallisé 48 est suffisamment mince pour dissiper rapidement vers le second motif de circuit 45 la chaleur produite par la puce de semiconducteur de puissance, et pour réduire la contrainte thermique entre l'élément métallisé 48 et la puce de semi- conducteur de puissance (et/ou le second motif de circuit 45) à cause de la différence des coefficients de dilatation thermique, qui est inférieure à celle entre les connecteurs conducteurs 22 et la puce de semiconducteur de puissance (et/ou le second motif de circuit 45). De plus, en éliminant les effets du connecteur conducteur 22, incluant sa résistance électrique et sa résistance thermique, la discontinuité thermique entre les substrats supérieur et inférieur 24, 26 est réduite, pour minimiser la contrainte thermique du dispositif, dans son ensemble. Ceci améliore notablement la fiabilité à long terme du dispositif. De plus, du fait que le connecteur conducteur 22 n'est pas exigé, le nombre total de composants peut être réduit. En outre, lorsque la puce de semiconducteur de commutation de puissance est l'IGBT ou le transistor à effet de champ MOS qui a un anneau de garde à un bord périphérique de la puce, la résine résistant à la chaleur peut couvrir le bord périphérique pour améliorer la robustesse d'isolation et réduire le courant de fuite. Bien que le dispositif à semiconducteur de puissance de la figure 12 comprenne la puce de semiconducteur de commutation de puissance 6 et la diode libre 8, il est possible d'utiliser un IGBT à conduction en inverse (non représenté), ce qui élimine la nécessité de la diode et a les caractéristiques électriques d'un équilibrage par inductance idéal (amélioré). De façon similaire aux ressorts 46 du cinquième mode de réalisation, le dispositif à semiconducteur de puissance du septième mode de réalisation comporte les ressorts 46 sur les plaques de base 2, 3, comme illustré sur la figure 13C. Mode de Réalisation 8 En se référant à la figure 14, on décrira ici un dispositif à semi-conducteur conforme au huitième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif à semiconducteur du huitième mode de réalisation a une structure similaire à celui du septième mode de réalisation, avec certaines exceptions comme décrit ici. Les composants représentés sur la figure 14 qui sont similaires à ceux de la figure 12C ont des numéros de référence qui leur sont similaires, et la description dupliquée pour la structure similaire des modes de réalisation envisagés précédemment sera omise. De façon similaire au septième mode de réalisation, le dispositif à semiconducteur de puissance du huitième mode de réalisation utilise l'élément métallisé 48, au lieu des connecteurs conducteurs 22, pour constituer un élément de connexion 54 pour la connexion directe entre l'électrode de puce et le second motif de circuit 45 du second substrat 26. La surface supérieure de la puce de semiconducteur de puissance est couverte par un matériau résistant à la chaleur tel que le polyimide, dans les zones autres que celles dans lesquelles les éléments métallisés 48 sont formés. D'autre part, les éléments métallisés 48 formés sur le premier motif de circuit 44 sont connectés électriquement au second motif de circuit 45 par l'intermédiaire des connecteurs conducteurs 22, comme dans le premier mode de réalisation. De plus, le dispositif à semiconducteur de puissance du huitième mode de réalisation comprend une multiplicité de parties de bra- sage 58 sur la surface inférieure de la puce de semiconducteur de puis- sance 6, 8, pour la connexion au premier motif de circuit 44. En d'autres termes, le dispositif à semiconducteur de puissance comprend une multiplicité de régions vides 56 définies par les parties de brasage 58, la sur-face inférieure de la puce de semiconducteur de puissance et le premier motif de circuit 44. Chacune des régions vides 56 peut être formée, par exemple, en appliquant une matière de réserve pour la brasure dans des positions dans lesquelles les parties de brasage 58 ne sont pas formées. La formation des régions vides 56 entre la puce de semiconducteur de puissance et le premier motif de circuit 44 commande la quantité de chaleur générée par la puce qui sera dissipée à partir des premier et second substrats 24, 26. Par conséquent, la quantité de chaleur peut être commandée de façon que les premier et second substrats 24, 26 ne soient pas déplacés par le gauchissement dû à la différence de dilatation thermique. La fiabilité du dispositif à semiconducteur peut donc être améliorée davantage. De plus, chacune des parties de brasage 58 peut être formée en face et audessous de l'élément de connexion respectif parmi les éléments de connexion 54. L'alignement des positions de la partie de brasure 58 et de l'élément de connexion 54 améliore le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur de puissance. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend: un premier substrat (24) sur lequel est formé un premier motif de circuit (44) avec un premier axe s'étendant dans une direction transversale prédéterminée; un second substrat (26) sur lequel est formé un second motif de circuit (45), le second motif de circuit faisant face au premier motif de circuit (44) du premier substrat (24); au moins une puce de semiconducteur de puissance (6, 8) montée sur le premier motif de circuit (44) du premier substrat (24), la puce de semiconducteur de puissance (6, 8) ayant au moins une électrode de puce faisant face au second motif de circuit (45) du second substrat (26); et une multiplicité de premiers connecteurs conducteurs (22) sur le premier motif de circuit (44) pour la connexion électrique avec le second motif de circuit (45) du second substrat (26); et en ce que les premiers connecteurs conducteurs (22) sont disposés symétriquement par rapport au premier axe du premier substrat (24). 2. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier substrat (24) a un second axe perpendiculaire au premier axe; et les premiers connecteurs conducteurs (22) sont disposés symétriquement par rapport au second axe du premier substrat (24). 3. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une multiplicité de seconds connecteurs conducteurs (22) sur l'électrode de puce de la puce de semiconducteur de puissance (6, 8) pour la connexion électrique au second motif de circuit (45) du second substrat (26); et en ce que les seconds connecteurs conducteurs (22) sont disposés symétriquement par rapport à l'axe du premier substrat (24). 4. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendica-tion 3, caractérisé en ce qu'au moins un des premiers et seconds connecteurs conducteurs a une configuration semblable à une barre (22'). 5. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premiers connecteurs conducteurs (22) entourent la puce de semiconducteur de puissance (6, 8). 6. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendica-tion 1, caractérisé en ce que le premier motif de circuit (44) comprend au moins un premier bossage faisant saillie à partir du premier substrat (24), pour supporter au moins un élément choisi parmi un premier connecteur conducteur (22) et la puce de semiconducteur de puissance (6, 8). 7. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendica-tion 3, caractérisé en ce que le second motif de circuit (45) comprend au moins un second bossage faisant saillie à partir du second substrat (26), pour supporter au moins un des premiers et seconds connecteurs conducteurs (22) . 8. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendica-tion 1, caractérisé en ce que le premier substrat (24) est constitué d'un matériau différent de celui du second substrat (26). 9. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins un substrat choisi parmi le premier substrat (24) et le second substrat (26) est divisé en une multiplicité de parties. 10. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une multiplicité de bornes de détection d'émetteur (16) s'étendant à partir de positions différentes les unes des autres. 11. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une multiplicité de bornes de connexion externes (14; 16; 38) s'étendant à partir d'un côté périphérique du premier substrat (24). 12. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendi-cation 1, caractérisé en ce qu'au moins un des premier et second motifs de circuit (44, 45) a des parties étendues qui s'étendent extérieurement à partir des premier et second substrats (24, 26). 13. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un ressort (46) placé sur au moins un des premier et second substrats (24, 26) pour solliciter les premier et second substrats l'un vers l'autre. 14. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une multiplicité d'éléments métallisés (48) pour la connexion électrique entre l'électrode de puce de la puce de semiconducteur de puissance (6, 8) et le second motif de circuit (45) du second substrat (26); et en ce que chacun des éléments métallisés (48) comprend une multiplicité de couches minces de métal, une au moins des couches minces ayant une taille différente de celle des autres couches. 15. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une multiplicité d'éléments métallisés (48) pour la connexion électrique entre l'électrode de puce de la puce de semiconducteur de puissance (6, 8) et le second motif de circuit (45) du second substrat (26), chacun des éléments métal- lisés (48) ayant une multiplicité de couches minces de métal; et une multiplicité de parties périphériques (50) constituées d'un matériau résistant à la chaleur, entourant les éléments métallisés (48). 16. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un élément de connexion (54) connectant avec de la brasure des éléments métallisés (48) sur l'électrode de puce et le second motif de circuit (45) du second substrat (46), chacun des éléments métallisés (48) ayant une multiplicité de couches minces de métal; et un élément résistant à la chaleur recouvrant la puce de semiconducteur de puissance (6, 8) dans une zone autre que l'endroit auquel l'élément métallisé (48) est formé. 17. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 13, caractérisé en ce que la puce de semiconducteur de puissance comprend une puce de semiconducteur de commutation de puissance (6) et une diode libre (8). 18. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une multiplicité de parties de brasage (58) formées entre le premier motif de circuit (44) du premier substrat (24) et la puce de semiconducteur de puissance (6, 8), définissant une pluralité de régions vides (56) parmi les parties de brasage (58), la puce de semiconducteur de puissance (6, 8) et le premier motif de circuit (44) du premier substrat (24). 19. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 17, dans lequel chacune des parties de brasage (58) est alignée avec un élément de connexion (54) respectif.