Brevet FR2877144A1 — publié le 20060428

Structure multicouche monolithique pour la connexion de cellules à semi- conducteur. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure multicouche monolithique destinée à interconnecter des cellules à semiconducteur, notamment au silicium, munies de contacts coplanaires sur leurs faces arrières, ainsi que la structure obtenue par la mise en oeuvre du procédé. L'invention concerne également un procédé d'interconnexion de cellules à semi-conducteur munies de contacts coplanaires en face arrière à l'aide de ladite structure multicouche monolithique. Les procédés s'appliquent tout particulièrement à la fabrication de modules photovoltaïques composés de cellules photovoltaïques interconnectées. Les modules photovoltaïques sont des composants optoélectroniques constitués d'un assemblage de cellules photovoltaïques, qui convertissent directement la lumière solaire incidente en énergie électrique. Les cellules sont généralement réalisées à partir de plaques de silicium cristallin relativement épaisses, de 200 à 350pm, et de forme généralement carrée de 10 à 15cm de côté. Ces cellules sont encapsulées entre deux feuilles en matériau plastique un polymère- sous une plaque de verre qui constitue la face avant du module. Pour des raisons de coûts et de rendement, on développe actuellement des cellules photovoltaïques de faible épaisseur, inférieure à 200 microns. Cependant, ces cellules sont fragiles et les techniques classiques de connexion des cellules entre elles ne sont plus adaptées à ces cellules. Selon une technologie intéressante, compatible avec les cellules photovoltaïques minces, l'interconnexion des cellules entre elles est réalisée à l'aide de contacts métalliques coplanaires reportés en face arrière des cellules, ce qui permet une interconnexion simplifiée sur cette face. Cependant, les cellules minces de grandes dimensions sont fragiles et requièrent une technique d'interconnexion fiable, adaptable à toute structure de cellules à contacts coplanaires, qui minimise les contraintes induites dans les plaques de silicium. Une technique d'interconnexion a été proposée dans un article publié par James M. Gee et al. 26th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC); (1997); Anaheim, CA (USA); 1085-1088. Selon cette technique, l'interconnexion entre cellules est directement obtenue par des ponts conducteurs entre les contacts coplanaires et bus collecteurs, lesquels sont séparés de la cellule et reportés sur une feuille support en plastique. Ces bus, constitués par des pistes de cuivre prédécoupées dans des feuilles dont l'épaisseur est imposée par les produits disponibles sur le marché, sont pré-positionnés sur la feuille support. Les ponts conducteurs sont réalisés au moyen de résines époxy conductrices chargées à l'argent. Cette technique présente des inconvénients importants. D'une part, les rubans de cuivre disponibles commercialement sont de dimensions bien définies et ne correspondent généralement pas aux dimensions appropriées (notamment en épaisseur) que l'on souhaite donner aux bus collecteurs. II faut donc découper les rubans suivant la géométrie que l'on veut donner aux bus et se contenter des épaisseurs commercialement disponibles, lesquelles sont souvent trop grandes, non compatibles avec les cellules photovoltaïques minces. D'autre part, la durée de vie des adhésifs n'est pas assez longue pour des modules photovoltaïques qui doivent fonctionner au moins vingt ans. De plus, le positionnement des rubans de cuivre, pour une fabrication industrielle à grande échelle, n'est pas aisé. L'invention résout les difficultés de l'art antérieur en proposant une encapsulation de la face arrière de la cellule photovoltaïque par une structure multicouche et monolithique qui intègre les bus collecteurs avec des plots de connexion, destinés à être reliés aux contacts coplanaires de la cellule photovoltaïque, et réalise simultanément les fonctions d'encapsulation et de protection contre l'environnement. Les bus collecteurs sont ainsi dissociés des cellules et physiquement (et non mécaniquement) intégrés dans une structure multicouche en matériau polymère. Les bus collecteurs sont réalisables suivant une épaisseur et un motif géométrique adaptables à la demande. La structure multicouche monolithique est constituée d'une feuille support des bus, qui assure aussi une fonction de protection contre l'environnement, et d'une feuille supérieure qui assure la fonction d'encapsulation de la face arrière de la cellule photovoltaïque. Cette feuille d'encapsulation recouvre partiellement les bus collecteurs. Un réseau de trous débouchant sur les bus collecteurs est réalisé dans cette feuille. Ces trous sont destinés à recevoir les plots de connexion qui assurent la liaison électrique entre les bus collecteurs et les contacts coplanaires déposés sur la face arrière de la cellule photovoltaïque. L'interconnexion entre les cellules est directement réalisée au cours de l'opération de soudure entre les bus collecteurs et les contacts coplanaires, par une technique dite "collective", c'est-à-dire qui permet d'interconnecter plusieurs cellules simultanément. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une structure multicouche monolithique destinée à interconnecter des cellules à semi-conducteur munies de contacts coplanaires en face arrière, comprenant les étapes suivantes: - irradiation de la surface d'une ou plusieurs zones prédéterminées d'une feuille substrat électriquement isolante contenant à sa surface des particules photo ou thermo réductibles, - dépôt d'une couche mince continue d'un métal sur lesdites zones irradiées de façon à former des bus collecteurs, - dépôt d'une feuille mince et électriquement isolante d'encapsulation sur la surface de ladite feuille substrat munie des bus collecteurs, - percement de trous à travers ladite feuille d'encapsulation débouchant sur lesdits bus collecteurs et à des endroits prédéterminés, - remplissage desdits trous par un métal pour former des plots de 30 connexion, et - dépôt d'un matériau de soudure thermique sur lesdits plots de connexion, lesquels sont destinés à être soudés auxdits contacts coplanaires desdites cellules à semi-conducteur. Lesdites zones sont avantageusement irradiées par un faisceau laser et ladite feuille substrat est de préférence en un matériau du type polyéthyltéréphtalate. Selon un mode de réalisation, ledit métal est déposé sur les zones irradiées tout d'abord par dépôt autocatalytique spontané, puis par dépôt électrolytique et éventuellement complétés par un étamage à la vague. La feuille d'encapsulation est en un matériau choisi de préférence parmi le polyméthyle méthacrylate (PMMA), le polyvinyle butyle (PVB), l'éthylène vinyle acétate (EVA) et l'éthylène (n-butyle acrylate) (EBA). Les trous sont réalisés dans la feuille d'encapsulation de préférence par ablation laser et leur remplissage est réalisé par dépôt électrolytique d'un métal. Le métal déposé sur les zones irradiées et dans les trous est de préférence du cuivre. Selon un mode de réalisation, la face de ladite feuille substrat opposée à la face supportant lesdits bus collecteurs est protégée de l'environnement par une feuille de protection, qui peut être en un matériau du type fluorure de polyvinyle. Des repères de positionnement sont avantageusement déposés sur 20 la surface de la feuille substrat contenant les particules réductibles, ainsi que des bornes de connexion électrique des bus collecteurs. L'invention a également pour objet une structure multicouche monolithique destinée à interconnecter des cellules à semi-conducteur munies de contacts coplanaires en face arrière, la structure étant obtenue par la mise en oeuvre du procédé défini précédemment. L'invention a aussi pour objet un procédé d'interconnexion de cellules à semi-conducteur munies de contacts coplanaires en face arrière, à l'aide d'une structure multicouche monolithique définie précédemment. Selon ce procédé d'interconnexion, les plots de connexion de la structure multicouche sont soudés aux contacts coplanaires des cellules à l'aide dudit matériau de soudure thermique en chauffant simultanément plusieurs plots de connexion contenus dans une même zone, par défilement desdites cellules devant une source thermique localisée, ou inversement par défilement de ladite source thermique devant lesdites cellules. La source thermique est avantageusement une source micro-onde ou une source d'induction thermique. Selon un mode de réalisation, les contacts coplanaires de polarités négative et positive (désignés par abréviation "négatifs" et "positifs" par la suite) sont parallèles entre eux et alternativement reliés aux zones du semi-conducteur respectivement de type n et de type p en face arrière de la cellule et les bus collecteurs sont parallèles entre eux, sensiblement perpendiculaires aux contacts coplanaires et alternativement de polarités négative et positive (désignés par abréviation "négatifs" et "positifs" par la suite) , les contacts coplanaires négatifs et positifs étant reliés aux bus collecteurs respectivement négatifs et positifs, et les bus collecteurs d'un même type (positifs ou négatifs) étant reliés entre eux à une même borne de sortie. Le positionnement des contacts coplanaires par rapport auxdits bus collecteurs détermine le type de connexion série ou parallèle des contacts coplanaires, le passage d'un type de connexion à l'autre s'effectuant avantageusement par décalage du percement des trous ou par translation des cellules au moment du positionnement des contacts coplanaires. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre d'un mode de réalisation, donné à titre 20 d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés et sur lesquels: - la figure 1 représente de façon schématique une cellule photovoltaïque positionnée au-dessus d'une structure multicouche monolithique conforme à l'invention; - les figures 2 à 7 illustrent les étapes du procédé de fabrication de la 25 structure multicouche monolithique de la figure 1; - la figure 8 représente l'ensemble cellule photovoltaïque - structure multicouche interconnectées, les contacts coplanaires de la cellule étant connectés aux bus de la structure multicouche; et - la figure 9 illustre le procédé d'interconnexion de cellules 30 photovoltaïques avec une structure multicouche. Les figures ne sont pas à l'échelle, les épaisseurs ayant été beaucoup agrandies pour des raisons de clarté. Les mêmes éléments sont désignés par les mêmes numéros de références sur les différentes figures. La cellule photovoltaïque 10 de la figure 1 comprend une plaque mince de silicium 12 munie sur sa face arrière 14 de contacts coplanaires positifs 16 et d'un contact coplanaire négatif 18. La structure monolithique 20 permet d'interconnecter entre elles plusieurs cellules photovoltaïques (comme illustré sur la figure 9), de protéger les cellules contre l'environnement extérieur et d'encapsuler les cellules en face arrière. La structure monolithique est une structure multicouche constituée d'un empilement de deux ou de trois feuilles en matériau polymère de nature 10 éventuellement différente: - Une feuille plane de protection 22 assure la fonction de protection contre l'environnement extérieur. Elle est réalisée avec des matériaux plastiques résistant à l'environnement, par exemple des polymères de type Tedlar (fluorure de polyvinyl) ou un polymère fluoré ou Tefzel de la société DuPont. - Une feuille substrat 24 est chargée en surface sur une profondeur de quelques micromètres avec des particules d'un ou de plusieurs matériaux thermo et/ou photo réductibles. Ces particules sub-micrométriques, typiquement de dimension inférieure à 0,5pm, sont déposées par une technique d'imprégnation laser ou de dépôt par aérosol ou par extrusion ou encore par toute autre technologie connue. Cette feuille substrat 24, à base de polyéthyltéréphtalate (PET) par exemple, peut être éliminée si les bus collecteurs sont réalisés directement sur la feuille de protection 22. De façon alternative et réciproque, la feuille de protection 22 peut être supprimée pour autant que l'épaisseur et le matériau de la feuille substrat 24 permettent à cette feuille substrat d'assurer la fonction de protection contre l'environnement extérieur. - Une feuille d'encapsulation 26 englobe les bus collecteurs 28 et 30 et réalise l'encapsulation de la cellule photovoltaïque en face arrière. Elle est perforée d'un réseau de trous 32 remplis d'un matériau de soudure 34 électriquement conducteur. Les trous ainsi remplis forment des plots d'interconnexion 36, qui assurent la liaison électrique entre les contacts coplanaires 16 et 18 de la cellule photovoltaïque et les bus collecteurs 28 et 30. Les étapes de fabrication de la structure multicouche sont illustrées sur les figures 2 à 7. Sur la figure 2, la feuille substrat 24 est fixée à la feuille de protection 22 par chauffage ou par laminage. Sa surface est dopée sur une profondeur de quelques pm d'épaisseur avec des particules submicrométriques d'un matériau thermo et/ou photo réductible sous irradiation ultraviolette, par faisceau laser par exemple. Ces particules sont des particules de ZnO, TiO2 ou autres composés à comportement similaire. Elles sont de préférence partiellement "réduites" avant insertion dans le polymère par un traitement thermique à haute température. La feuille substrat est caractérisée par des températures élevées de transition vitreuse Tg voisines de 70 C et de fusion Tf voisines de 270 C (du type polyester, par exemple polyéthyltéréphtalate PET). Afin de former des pistes métalliques, de préférence en cuivre, qui formeront les bus collecteurs, des zones 42 et 44 de la surface 40 sont tout d'abord irradiées par un faisceau laser ultraviolet 46 (figure 2). Les formes et les dimensions de ces zones correspondent à celles souhaitées pour les bus collecteurs, pour des repères de positionnement (positionnement des bus par rapport aux contacts coplanaires des cellules) ainsi que pour des bornes de raccordement électriques des modules. Cette irradiation met à nu les particules réduites ou réductibles des zones 42 et 44 et a pour effet de créer des électrons libres, lesquels s'associent aux molécules de cuivre déposé sur les zones irradiées. Il en résulte une très forte adhésion du cuivre sur les zones 42 et 44, de type physique et non mécanique comme dans les dispositifs de l'art antérieur, supérieure à 0,5 kg/mm2. Deux façons de procéder sont possibles pour mettre à nu les particules thermo ou photo réductibles: Selon un premier mode de réalisation, les particules n'ont pas subi de traitement de réduction préalable. L'ablation des zones 42 et 44 de la surface 40 est conduite avec un laser ultraviolet pour réaliser simultanément la mise à nu des particules réductibles et leur photo réduction. Dans ce cas, cette opération est réalisée avantageusement avec un laser pulsé à excimères (de préférence au fluorure de krypton à 248nm). L'éclairement nécessaire pour obtenir la mise à nu et l'effet de photo réduction sur des particules de ZnO par exemple est de l'ordre de 350 à 450mJ/cm2 par tir laser avec un nombre de tirs de 2 à 5 suivant le type de polymère de la feuille substrat 24. Selon un deuxième mode de réalisation, mode préféré, les particules réductibles ont subi une réduction partielle par un traitement thermique préalable (vers 1.500 C pendant environ une heure sous atmosphère neutre) . Leurs surfaces présentent des caractéristiques proches de celles des particules photo réduites selon le premier mode de réalisation. L'irradiation par un faisceau laser ultraviolet peut alors se limiter à la photo ablation du polymère des zones 42 et 44, avec des densités d'éclairement très inférieures à 400mJ/cm2 par tir laser. L'irradiation peut aussi être destinée à compléter l'activation de la surface des particules. Dans ce cas, les densités d'éclairement restent inférieures à celle pratiquées dans le premier mode de réalisation pour un nombre de tirs équivalent. De façon générale, cette étape du procédé de fabrication est environ cinq fois plus rapide selon le deuxième mode de réalisation que selon le premier mode. Une fine couche (environ 1 à 2pm) de cuivre continue est ensuite déposée (figure 3), par dépôt auto catalytique spontané, sur les zones 42 et 44 irradiées. Ce dépôt s'effectue dans une solution aqueuse contenant des ions cuivre. Au cours de cette opération, des plots métalliques servant de repères de positionnement peuvent être déposés hors des bus pour servir de repères identifiables par voie optique lors de la mise en place des cellules. Le dépôt auto catalytique étant relativement lent (environ 5 pm/h), on l'arrête lorsque l'épaisseur de cuivre déposée est d'environ un pm et on le complète par un dépôt de cuivre par voie électrolytique plus rapide (environ 25 pm/h) à l'épaisseur désirée pour les bus collecteurs. Si nécessaire, ces dépôts peuvent être complétés par un étamage de la piste de cuivre à la vague. La largeur, l'épaisseur et le motif (éventuellement complexe) des bus collecteurs sont facilement adaptables puisque la largeur et le motif sont déterminés par l'irradiation laser et l'épaisseur par la durée des processus de dépôt du cuivre. L'épaisseur du conducteur en cuivre est de préférence limitée à quelques dizaines de micromètres pour minimiser la rigidité de la structure monolithique. A titre d'exemple, pour une cellule photovoltaïque de 100x100cm2, on utilise classiquement dans l'art antérieur des rubans d'interconnexion de largeur 2 mm et d'épaisseur 100pm. Dans la présente invention, l'interconnexion des cellules photovoltaïques est réalisée, à titre d'exemple, avec des paires de bus 28 et 30 d'épaisseur réduite dans une gamme de 10 - 30pm, au pas de 1 à 5cm et de largeur 2 à 25mm. La feuille d'encapsulation 26 en matériau polymère est ensuite déposée (figure 4) sur toute la surface de la feuille substrat 24 contenant les bus collecteurs 28 et 30. Le polymère choisi est compatible avec le polymère sous-jacent. Ce polymère est choisi par exemple dans les familles suivantes: polyméthyle méthacrylate (PMMA), polyvinyle butyle (PVB), éthylène vinyle acétate (EVA), éthylène (n-butyle acrylate)(EBA). La structure ainsi formée à la figure 4 subit une étape de laminage à une température supérieure à la température de transition vitreuse Tg de la feuille dencapsulation 26. Il assure une surface supérieure plane et une épaisseur de matériau polymère au dessus de la surface des bus de quelques micromètres seulement. Un réseau de trous 32 (figure 5) débouchant sur les bus collecteurs 28 et 30 est réalisé par ablation laser à travers la feuille d'encapsulation 26. La profondeur et le diamètre de ces trous destinés à recevoir les plots de connexion sont optimisés pour faciliter l'ablation laser et minimiser le volume de l'alliage de soudure des plots d'intercomexion. Des plots de connexion 36 sont ensuite réalisés (figure 6) dans le réseau de trous ouverts dans l'étape précédente, par exemple par dépôt électrolytique de cuivre. Les plots de connexion sont ensuite recouverts (figure 7) par un alliage de soudure 34, par exemple par étamage rapide "à la vague" ou une technique équivalente ou toute autre technique de dépôt localisé. Le dépôt à la vague se fait à une température de 0 à 40 C au-dessus du point de fusion de l'alliage. La structure multicouche monolithique 20 représentée sur la figure 7 permet de connecter des cellules photovoltaïques entre elles de façon particulièrement avantageuse lorsque l'épaisseur des cellules est faible. L'interconnexion des cellules est directement réalisée via les plots de soudure 34, qui assurent la liaison électrique entre les bus collecteurs et les contacts coplanaires de la cellule, par un procédé de soudure thermique. Sur la figure 8, les contacts coplanaires positifs 16 de la plaque de silicium 12 sont soudés par la soudure 34 aux plots de connexion 36 des bus collecteurs positifs 28. Il en de même du contact coplanaire négatif 18 soudé au bus collecteur négatif 30. Le procédé d'interconnexion est un procédé collectif et dynamique illustré sur la figure 9. Cette figure illustre l'interconnexion des contacts coplanaires d'un réseau de cellules photovoltaïques (ces dernières n'étant pas représentées) avec des bus collecteurs d'une structure multicouche monolithique semblable à la structure multicouche monolithique 20, mais comportant une pluralité de bus collecteurs. Des bus collecteurs 60 d'un même type 4iégatifs par exemple), parallèles entre eux, sont connectés en parallèle à un conducteur négatif 62, lequel est relié à une borne de sortie électrique. Des bus collecteurs 64 de l'autre type positifs), parallèle entre eux et placés en alternance avec les bus 60, sont reliés en parallèle à un conducteur positif 66, relié à l'autre borne de sortie. On a donc deux familles de bus collecteurs (positifs et négatifs). Des contacts coplanaires négatifs 70 et positifs 72 de cellules photovoltaïques sont reliés aux bus collecteurs de même type, respectivement négatifs 60 et positifs 64, par des plots de connexion de même type, respectivement négatifs 74 (représentés par des ronds noirs) et positifs 76 (représentés par des ronds blancs). On a donc deux familles de contacts coplanaires (négatifs et positifs) et les familles de bus et de contacts coplanaires d'un même type sont connectées électriquement entre elles. Les contacts coplanaires sont disposés parallèles entre eux, espacés de quelques millimètres l'un de l'autre, et en alternance négatifs et positifs. Les plots de connexion sont surmontés d'un alliage de soudure (identique à l'alliage de soudure 34 de la figure 7). La soudure des plots de connexion 74 et 76 des bus collecteurs avec les contacts coplanaires s'effectue par un procédé de soudure thermique, collectif et dynamique. L'ensemble formé par les cellules et la structure multicouche monolithique est déplacé dans le sens de la flèche 80 devant une source de chaleur 82 qui, à un même instant, irradie une zone prédéterminée s'étendant sur toute la largeur de l'ensemble (la largeur est selon la flèche 84). Sous l'effet de la chaleur, l'alliage de soudure des plots de connexion situés dans la zone irradiée fond, ce qui a pour effet de souder simultanément tous les plots de connexion de cette zone. La soudure de tous les plots de connexion est réalisée lorsque la source de chaleur a irradié toute la surface de l'ensemble cellules-structure multicouche. Le profil de température de la source thermique 82 présente de préférence un extremum accentué et localisé suivant une direction perpendiculaire au sens de déplacement de l'ensemble (déplacement selon la flèche 80). L'extremum est obtenu au moyen de sources thermiques fixes et localisées. Ces sources sont de préférence des sources de dépôt d'énergie par couplage direct sur les plots de soudure: micro-onde ou induction, capables de traiter simultanément une ou plusieurs rangées de plots de connexion sur de grandes largeurs. La durée de la fusion de l'alliage de soudure des plots de connexion est optimisée en fonction de sa capacité calorifique et de la nature du polymère (sa température de décomposition) afin de limiter à l'ordre du micromètre la profondeur du polymère environnant dégradée par le champ thermique. Une durée type de fusion est de quelques ms. Dans le mode de réalisation qui vient d'être décrit, les contacts coplanaires sont connectés en parallèle. Selon un autre mode de réalisation possible (non représenté), les contacts sont reliés en série. Pour passer d'un mode de réalisation à l'autre, il suffit simplement de décaler d'une rangée (décalage noté A sur la figure 9) le percement des plots de connexion (figure 5, percement des trous 32). Alternativement, les cellules photovoltaïques peuvent être déplacées d'une rangée, avant la soudure des plots de connexion (déplacement noté B sur la figure 9). De façon classique, les cellules photovoltaïques comportent une feuille supérieure de protection (non représentée sur les figures) située audessus de la plaque de silicium 12 et transparente à la lumière solaire, au moins dans une partie du spectre. Cette feuille est un polymère résistant à l'environnement extérieur, de même nature que la feuille de protection 22 de la structure multicouche monolithique 20. La bonne adhésion de cette feuille supérieure de protection, ainsi que de la feuille de protection 22 de la structure multicouche, est obtenue par traitement thermique, lequel peut être soit réalisé en même temps que l'étape de soudure des plots de connexion de la structure multicouche aux contacts coplanaires de la cellule, soit indépendamment de cette étape. A ce stade, les cellules sont interconnectées et pré-encapsulées. Cette opération permet d'obtenir des chapelets de cellules photovoltaïques, qui peuvent être transportées sans risque, les cellules ainsi protégées étant peu ou pas fragiles. Généralement les modules photovoltaïques comportent aussi une plaque de verre transparente située au-dessus de la feuille de polymère supérieure de protection (un module selon l'invention étant alors composé de bas en haut de la structure multicouche 20, de la plaque de silicium 12 avec ses contacts coplanaires 16 et 18, de la feuille de polymère de protection supérieure et de la plaque de verre). Les étapes du procédé de fabrication de la structure multicouche 20 et d'interconnexion des cellules 10 peuvent alors inclure la mise en module, c'est-à-dire l'ajout dans le procédé de fabrication de la feuille de polymère supérieure et de la plaque de verre. L'encapsulation proprement dite est complétée, immédiatement après la phase d'interconnexion, par un procédé de laminage classique des modules photovoltaïques. L'invention est particulièrement bien adaptée aux cellules minces et flexibles de silicium, utilisant par exemple des plaques minces polycristallines d'épaisseur comprise entre 30 et 150pm. Elle s'applique cependant à toute structure de cellules à semi-conducteur à contacts coplanaires reportés en face arrière. Les avantages procurés par l'invention sont nombreux. Les cellules photovoltaïques sont interconnectées par un procédé simple à mettre en oeuvre et collectif (plusieurs cellules sont interconnectées simultanément). La fabrication de la structure multicouche monolithique est réalisable à grande échelle (grande largeur et grande longueur) avec des techniques de production en série éprouvées et à faible coût. On note une grande flexibilité sur l'ajustement de la section et de la géométrie des bus collecteurs ainsi que sur la position, la taille et la forme des plots de soudure de liaison avec les contacts coplanaires des cellules photovoltaïques. L'adhésion des pistes de cuivre sur la feuille polymère (>0,5kg/mm2) est excellente et indépendante de la nature du polymère. Les cellules sont facilement positionnées grâce aux repères de positionnement. La face arrière de la plaque de silicium est bien protégée par la structure multicouche et l'encapsulation est efficace. Cette encapsulation et la faible rigidité des bus collecteurs procurent une bonne résistance des cellules à la manipulation. Les cellules encapsulées et interconnectées peuvent être assemblées en feuilles ou en rouleaux. Cettepossibilité résout le problème délicat du transport des cellules minces. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une structure multicouche monolithique (20) destinée à interconnecter des cellules à semi-conducteur (10) munies de contacts coplanaires (16, 18) en face arrière, caractérisé par les étapes suivantes: - irradiation de la surface d'une ou plusieurs zones prédéterminées (42, 44) d'une feuille substrat (24) électriquement isolante contenant à sa surface (40) des particules photo ou thermo réductibles, - dépôt d'une couche mince continue d'un métal sur bsdites zones irradiées de façon à former des bus collecteurs (28, 30), - dépôt d'une feuille (26) mince et électriquement isolante d'encapsulation sur la surface (40) de ladite feuille substrat (24) munie des bus collecteurs (28, 30), - percement de trous (32) à travers ladite feuille d'encapsulation débouchant sur lesdits bus collecteurs et à des endroits prédéterminés, - remplissage desdits trous par un métal pour former des plots de connexion (36), et - dépôt d'un matériau de soudure thermique (34) sur lesdits plots de connexion, lesquels sont destinés à être soudés auxdits contacts coplanaires (16, 18) desdites cellules à semi-conducteur. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que, préalablement à ladite irradiation desdites zones (42, 44), ladite feuille substrat (24) subit un traitement thermique afin de réduire au moins partiellement lesdites particules. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdites zones (42, 44) sont irradiées par un faisceau laser (46). 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdites particules sont des particules de ZnO ou TiO2. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite feuille substrat (24) est en un matériau du type polyéthyltéréphtalate. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite couche mince métallique est comprise entre 10 et 30 microns. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit métal est déposé sur les zones irradiées tout d'abord par dépôt autocatalytique spontané, puis par dépôt électrolytique. 8. Procédé selon la revendication 7 caractérisé en ce que lesdits dépôts autocatalytique et électrolytique sont complétés par un étamage à la vague. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite feuille d'encapsulation (26) est en un matériau choisi parmi le PMMA, PVB, EVA et EBA. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdits trous (32) sont réalisés par ablation laser. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le remplissage desdits trous (32) est réalisé par dépôt électrolytique dudit métal. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le dépôt dudit matériau de soudure thermique (34) est réalisé par étamage selon le procédé appelé "à la vague". 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit métal déposé sur lesdites zones irradiées (42, 44) et dans lesdits trous (32) est du cuivre. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la face de ladite feuille substrat opposée à la face supportant lesdits bus collecteurs est protégée de l'environnement par une feuille de protection (22). 15. Procédé selon la revendication 14 caractérisé en ce que ladite feuille de protection (22) est en un matériau du type fluorure de polyvinyle. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdites cellules à semi-conducteur (10) sont des cellules minces de silicium. 17. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que, lors du dépôt de ladite couche mince métallique, on forme des repères de positionnement sur la surface de ladite feuille substrat (24) contenant les particules réductibles. 18. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'on forme des conducteurs (62, 66) de sortie électrique reliés aux bus collecteurs (60, 64). 19. Structure multicouche monolithique (20) destinée à interconnecter des cellules à semi-conducteur (10) munies de contacts coplanaires (16, 18) en face arrière, ladite structure étant obtenue par la mise en oeuvre du procédé défini à l'une des revendications précédentes. 20. Procédé d'interconnexion de cellules à semi-conducteur (10) munies de contacts coplanaires (70, 72) en face arrière, à l'aide d'une structure multicouche monolithique (20) définie à la revendication 19, caractérisé en ce que lesdits plots de connexion (74, 76) de la structure sont soudés auxdits contacts coplanaires desdites cellules à l'aide du matériau de soudure thermique en chauffant simultanément ledit matériau de plusieurs plots de connexion contenus dans une même zone, par défilement desdites cellules devant une source thermique localisée (82), ou inversement par défilement de ladite source thermique localisée devant lesdites cellules. 21. Procédé selon la revendication 20 caractérisé en ce que ladite source thermique (82) est une source micro-onde ou une source d'induction thermique. 22. Procédé selon l'une des revendications 2.0 et 21 caractérisé en ce que lesdits contacts coplanaires sont parallèles entre eux et alternativement de polarité négative (70) et de polarité positive (72) et lesdits bus collecteurs sont parallèles entre eux, sensiblement perpendiculaires auxdits contacts coplanaires et alternativement de polarité négative (60) et de polarité positive (64), les contacts coplanaires de polarité négative et de polarité positive étant reliés aux bus collecteurs respectivement de polarité négative et de polarité positive, les bus collecteurs d'un même type (60 ou 64) étant reliés entre eux à une même borne de sortie (62 ou 64). 23. Procédé selon la revendication 22 caractérisé en ce que le positionnement desdits contacts coplanaires (70, 72) par rapport auxdits bus collecteurs (60, 64) détermine le type de connexion série ou parallèle des contacts coplanaires, le passage d'un type de connexion à l'autre s'effectuant par décalage (A) du percement desdits trous ou par translation (B) desdites cellules au moment du positionnement desdits contacts coplanaires. 24. Utilisation du procédé défini à l'une des revendications 20 à 23 à la réalisation de panneaux de cellules photovoltaïques.