Brevet FR2876184A1 — publié le 20060407

La présente invention concerne un procédé de détermination des conditions de formation de film capable de réguler l'état de génération d'un film diélectrique d'accompagnement qui est généré lors de la formation d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferro-électrique, et de déterminer efficacement les conditions de formation de film optimales pour réaliser la structure de film la plus proche d'une structure de film envisagée. L'invention se rapporte aussi à un procédé de formation de film capable de passer sans àcoup d'une étape de prototypage d'une structure de film à une étape production en série. L'invention se rapporte en outre à un procédé de fabrication d'une structure de film capable de procurer une amélioration du rendement lors de la production en série de la structure de film. Classiquement, il existe des produits fabriqués en utilisant une structure de film obtenue en formant un film mince à constante diélectrique élevée ou un film mince ferro-électrique sur un substrat, comme divers types de dispositifs à semi-conducteurs et de mémoires à semi-conducteurs. Des exemples spécifiques de ces produits sont les mémoires vives dynamiques désignées DRAM, les mémoires vives ferro- électriques désignées FRAM, les condensateurs, les éléments piézoélectriques comme un actionneur, et des éléments électro-optiques comme un obturateur optique et un isolateur optique. Pour la structure de film destinée à être utilisée comme matériau pour les divers types de produits semi-conducteurs précités, on réalise tout d'abord l'opération de trouver plusieurs variables (paramètres) concernant des conditions de formation de film pour la fabrication de le structure de film envisagée, et on fabrique ensuite un prototype de la structure de film avec des valeurs de paramètre considérées comme optimales. Afin d'examiner si oui ou non le prototype présente les caractéristiques envisagées, l'évaluation du prototype est en général basée sur une mesure électrique. Afin d'évaluer électriquement le prototype, tout d'abord soit 35 une partie électrode est formée sur le prototype, puis une tension requise est appliquée en approchant une sonde conductrice en contact avec la partie électrode formée (contrôle électrique sans pointe), soit du soude des fils, et finalement la capacitance (capacitance électrique) du film diélectrique est mesurée pour évaluer si oui ou non le prototype présente les caractéristiques souhaitées. Cependant, afin d'évaluer la relation entre l'épaisseur du film et la constante diélectrique à partir de la capacitance mesurée, il est nécessaire de former, de mesurer et de comparer une pluralité de prototypes ayant des épaisseurs différentes. On notera que la bande de fréquences pour la mesure électrique de la constante diélectrique se situe d'environ 100kHz à environ 5GHz. Après avoir confirmé qu'un prototype présente les caractéristiques envisagées, par l'intermédiaire des évaluations et des mesures mentionnées plus haut, des produits équivalents aux prototypes devraient être fabriqués dans une usine par un appareil de formation de film, lors du passage du prototypage à un stade de série. Cependant, étant donné qu'un appareil de formation de film pour la fabrication du prototype et un appareil de formation de film pour la production en série en usine diffèrent l'un de l'autre quant à l'échelle, même si les conditions de formation de film optimisées pour l'appareil de formation de film pour le prototypage sont appliquées, comme cela doit être le cas à l'appareil de formation de film en usine, on obtient rarement des produits ayant les mêmes caractéristiques que celles du prototype. Par conséquent, un prototype de production en série est fabriqué en ajustant les conditions de formation de film de l'appareil de formation de film en usine, et ensuite la mesure électrique et l'évaluation du prototype de production en série fabriqué sont réalisées de la même façon que dans l'étape de prototypage, et on réalise le procédé de détermination des conditions optimales de formation de film pour fabriquer un prototype de production en série ayant les mêmes caractéristiques que le prototype. Après la détermination des conditions optimales de formation de film, ces conditions sont établies pour l'appareil de formation de film en usine et on réalise la fabrication (production en série) de la structure de film. La fabrication de la structure de film comprend une pluralité d'étapes de formation de film et la structure de film est terminée en réalisant la mise en oeuvre des étapes respectives les unes après les autres. En outre, la mesure électrique est réalisée sur la structure de film terminée en tant qu'étape d'une inspection du produit fini. II est connu d'utiliser un microscope électronique à transmission (TEM) ou un ellipsomètre spectroscopique pour la mesure de la structure du film ainsi que la mesure électrique mentionnée plus haut. L'analyse réalisée en utilisant un ellipsomètre spectroscopique est décrite dans les demandes de brevet japonais mises à l'inspection publique N 2002-289614 et N 2001-126324. La demande de brevet japonais mise à l'inspection publique N 2002-289614 décrit la mesure de l'indice de réfaction d'un film multicouche formé sur le substrat réalisée entièrement avec un ellipsomètre spectroscopique, et l'utilisation des mesures à l'évaluation du film diélectrique, l'étalonnage de la température et au procédé de fabrication. La demande de brevet japonais mise à l'inspection publique N 2001-126324 décrit un procédé dans lequel les variations dans l'épaisseur du film et les caractéristiques optiques sont évaluées par des mesures d'ellipsométrie au cours de la fabrication d'un milieu de stockage optique, et les conditions de fabrication sont modifiées par rétrocontrôle en réinjectant les résultats d'évaluation dans le procédé de fabrication. Il convient de remarquer que la bande de fréquences pour la mesure de la constante diélectrique par ellipsométrie spectroscopique se situe de plusieurs centaines de THz à environ 2000 THz et diffère donc largement de la bande de fréquence utilisée pour la mesure électrique. La mesure électrique classique décrite ci-dessus présente l'inconvénient de prendre beaucoup de temps et de nécessiter beaucoup de travail. En d'autres termes, afin de réaliser la mesure, on prépare tout d'abord une pluralité de structures de film à mesurer et ensuite on réalise la soudure des fils ou l'approche de la sonde après avoir créé une partie électrode et ceci pour chaque structure de film. Ceci nécessite beaucoup de temps et de travail. II convient de noter que si la partie électrode est formée sur la structure de film, la partie électrode ne peut plus être retirée, il est par conséquent difficile d'utiliser efficacement la structure de film employée pour la mesure. En outre, la détermination d'une condition optimale de formation de film en évaluant une pluralité de résultats de mesure, impose une grande charge de travail et notamment, si le nombre de types de paramètre concernant les conditions de formation de film d'une structure de film devant être fabriquée est grand, le même nombre de mesures électriques et d'évaluations est requis et par conséquent, la charge de travail augmente. En outre, lors de la détermination des conditions optimales de formation de film, afin de passer à l'étape de production en série en usine, il est également nécessaire de réaliser ces mesures et évaluations. Cependant, étant donné que le nombre d'objets à mesurer et à évaluer dans l'étape de production en série est bien plus grand, comparativement à l'étape de prototypage, il existe le problème que beaucoup de temps et de travail sont également nécessaires pour passer à l'étape de production en série. En outre, après le passage à l'étape de production en série, il est physiquement impossible de former une partie électrode après le dépôt de chaque structure de film intermédiaire et de réaliser une mesure électrique par sonde ou par liaison filaire. C'est la raison pour laquelle, actuellement, on réalise une inspection du produit sur une structure de film finie obtenue après une pluralité d'étapes de formation de film. Ainsi, une structure de film intermédiaire, pouvant inclure un défaut à n'importe quelle étape du procédé de formation de film est amenée jusqu'à l'étape finale de formation de film résulte. Il en résulte que plusieurs étapes sont réalisées à perte et qu'on n'obtient pas d'amélioration du rendement. Etant donné que les procédés des demandes de brevet japonais mises à l'inspection publique N 2002-289614 et N 2001-126324 ne prennent pas en considération le passage à l'étape de production en série, ainsi qu'une amélioration du rendement dans l'étape de production en série, même lorsque les procédés décrits dans les demandes de brevet japonais mises à l'inspection publique N 2002-289614 et N 2001-126324 sont appliqués, on ne peut pas résoudre les problèmes précités. En outre, la mesure et l'analyse par microscope électronique à transmission (TEM) nécessitent plus de travail, comparativement à la mesure électrique, et le degré de difficulté de la mesure est important. Par conséquent, même si on utilise un microscope électronique à transmission (TEM), on ne peut pas résoudre les problèmes précités. D'un autre côté, récemment, on a indiqué que lorsqu'un film à constante diélectrique élevée ou un film ferroélectrique, dont la constante diélectrique mesurée électriquement n'est pas inférieure à 50, est formé sur un substrat, un film d'accompagnement inconnu ayant des caractéristiques diélectriques est naturellement formé après la formation du film à constante diélectrique élevée ou du film ferroélectrique. Ce film d'accompagnement peut être formé à l'interface entre le film à constante diélectrique élevée ou le film ferroélectrique et le substrat, sur la surface du film à constante diélectrique élevée ou du film ferroélectrique, ou à la fois à l'interface et à la surface du film. En outre, on a trouvé que, lorsque le film à constante diélectrique élevée ou le film ferroélectrique est une structure multicouche, ce film d'accompagnement est formé à l'interface entre les films respectifs. Bien que la présence d'un tel film d'accompagnement soit détectée par la mesure électrique, une unique mesure électrique ne peut pas déterminer séparément la caractéristique du film d'accompagnement et la caractéristique du film à constante diélectrique élevée ou du film ferroélectrique. En outre, on suppose que la constante diélectrique du film d'accompagnement peut devenir supérieure ou inférieure à la constante diélectrique du film à constante diélectrique élevée ou du film ferroélectrique sous certaines conditions de formation de film. Cependant, il n'a pas été établi la manière dont la constante diélectrique du film d'accompagnement varie avec une modification des conditions de formation de film, et il existe une possibilité que le film d'accompagnement puisse diluer la caractéristique de la substance à constante diélectrique élevée ou ferroélectrique quand la constante diélectrique du film d'accompagnement est basse. Il convient de remarquer, qu'étant donné que l'indice de réfraction établit une relation similaire à la constante diélectrique, la même chose s'applique également à l'indice de réfraction du film d'accompagnement. Etant donné que la présence du film d'accompagnement empêche la structure de film de présenter une caractéristique voulue, il est important de réduire le film d'accompagnement, et même plus, de trouver des conditions de formation de film pour éliminer le film d'accompagnement. D'un autre côté, d'un point de vue différent, il est important d'être capable de trouver des conditions de formation de film permettant de former une structure de film envisagée comprenant un film d'accompagnement en générant, de façon intentionnelle, le film d'accompagnement. Cependant, même lorsqu'on utilise les procédés des demandes de brevet japonais mises à l'inspection publique N 2002-289614 et Na 2001-126324, il est impossible de déterminer des conditions de formation de film permettant de réguler la génération du film d'accompagnement. La présente invention a été mise en oeuvre dans le but de résoudre les problèmes ci-dessus. Un but de la présente invention est de fournir un procédé de détermination des conditions de formation de film permettant de déterminer des conditions de formation de film qui peuvent contrôler un film d'accompagnement qui est formé lors de la formation sur un substrat d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé de formation de film capable de réduire de façon significative la durée et le travail requis pour passer d'une structure de film d'une étape de prototypage à une étape de production en série. Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication de structure de film permettant de réaliser une amélioration du rendement au niveau de la production en série. Afin de résoudre les problèmes précités, le procédé de détermination des conditions de formation de film selon un premier aspect de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation sur un substrat d'un film diélectrique, dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50, en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film; analyse d'une caractéristique du film formé par un ellipsomètre spectroscopique; comparaison d'un résultat d'analyse avec une valeur caractéristique de référence; détermination à partir d'un résultat de comparaison, si oui ou non, la variable de condition de formation de film doit être modifiée; et, de détermination d'une condition de formation de film en spécifiant une variable de condition de formation de film sur la base un résultat de la détermination. Dans le premier aspect, étant donné que les caractéristiques d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique et d'un film diélectrique d'accompagnement inconnu sont analysées séparément, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique, il est possible de comparer les caractéristiques analysées des films respectifs avec des valeurs caractéristiques de référence, et si les caractéristiques des films respectifs deviennent des valeurs caractéristiques de référence par comparaison, il est possible de déterminer avec certitude qu'il est nécessaire de modifier la valeur établie pour la variable de condition de formation de film. Par conséquent, on peut améliorer de façon significative la précision de l'analyse par comparaison avec l'évaluation fondée sur la mesure électrique permettant d'analyser un film multicouche seulement comme un tout, et ce procédé peut être utilisé pour spécifier une condition de formation de film appropriée. Il convient de remarquer que la valeur caractéristique de référence comparée aux résultats de l'analyse est une valeur d'une caractéristique de film déterminée sur la base de valeurs spécifiées souhaitées, de valeurs de mesures antérieures, de valeurs obtenues par calcul, ou l'équivalent. Le procédé de détermination de la condition de formation de film selon un deuxième aspect est caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de formation sur un substrat d'un film diélectrique, dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50, en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film, une deuxième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la première étape par un ellipsomètre spectroscopique; une troisième étape de formation sur un substrat d'un film diélectrique, dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50, en établissant une valeur différente par rapport à la valeur prédéterminée établie dans la première étape pour la variable de condition de formation de film; une quatrième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la troisième étape par l'ellipsomètre spectroscopique et, une cinquième étape de spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film fondée sur une comparaison entre un résultat de l'analyse dans la deuxième étape et un résultat de l'analyse dans la quatrième étape. Dans le deuxième aspect, les caractéristiques d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique et celles d'un film diélectrique d'accompagnement inconnu sont analysées de façon séparée, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique, et les caractéristiques des films formés sous différentes conditions de formation de film sont respectivement comparées. II est par conséquent possible de déterminer facilement un film dans lequel la présence du film diélectrique d'accompagnement est réduite. Comme résultat, lors de la détermination d'une condition de formation de film qui rend la présence du film diélectrique d'accompagnement réduite, il est possible de déterminer avec certitude, si oui ou non, la valeur de la variable de condition de formation de film doit être augmentée ou réduite, et il est également possible de déterminer aisément comment la valeur optimale de la variable de condition de formation de film doit être modifiée, améliorant ainsi l'efficacité du travail relatif à la spécification de la valeur de la variable de condition de formation de film. S'agissant des contenus de la spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film fondée sur la comparaison entre les résultats d'analyse respectifs, il y a un procédé dans lequel une valeur de la variable de condition de formation de film est spécifiée en comparant individuellement soit, la caractéristique du film diélectrique d'accompagnement, soit la caractéristique du film diélectrique (film à constante diélectrique élevée ou film ferroélectrique) et un procédé dans lequel une valeur de la variable de condition de formation de film est spécifiée en prenant en compte les caractéristiques des deux films. Le contenu du procédé précédent peut comprendre, par exemple: déterminer lequel des films diélectriques d'accompagnement des structures de film, formés sous différentes conditions de formation de film, présente la caractéristique la plus proche de la valeur caractéristique de référence, et spécifier une valeur correspondant à la formation de la structure de film ayant la caractéristique la plus proche en tant que valeur de la variable de condition de formation de film; comparer les caractéristiques des films diélectriques d'accompagnement les unes aux autres, sans utiliser la valeur caractéristique de référence, et spécifier une valeur correspondant à la formation de la structure de film ayant la meilleure caractéristique de film en tant que valeur de la variable de condition de formation de film; déterminer lequel des films diélectriques présente la caractéristique la plus proche de la valeur caractéristique de référence et spécifier une valeur correspondant à la formation du film diélectrique ayant la caractéristique la plus proche en tant que valeur de la variable de condition de formation de film; comparer les caractéristiques (par exemple l'épaisseur de film) des films diélectriques les uns aux autres, et spécifier une valeur correspondant à la formation de la structure de film ayant la meilleure caractéristique de film (par exemple une épaisseur de film plus épaisse) pour la valeur de la variable de condition de formation de film, etc. En outre, lorsque l'on tient compte des caractéristiques des deux films, les comparaisons entre les films diélectriques d'accompagnement et les films diélectriques sont combinées et une valeur correspondant à de meilleurs résultats dans les deux comparaisons est établie pour la valeur de la variable de condition de formation de film. Un procédé de détermination de la condition de formation de film selon un troisième aspect est caractérisé en ce que dans la deuxième étape et la quatrième étape, une épaisseur de film d'un film diélectrique d'accompagnement formée sur un côté ou sur les deux côtés du film diélectrique à la suite de la formation du film diélectrique est analysée et obtenue par l'ellipsomètre spectroscopique, et, dans la cinquième étape, les épaisseurs de film obtenues des films diélectriques d'accompagnement respectifs sont comparées et une valeur correspondant à la formation du film diélectrique d'accompagnement ayant une épaisseur de film plus mince est spécifiée comme la valeur de la variable de condition de formation de film. Dans le troisième aspect, étant donné qu'une structure de film, comprenant un film diélectrique d'accompagnement avec une épaisseur de film plus mince, est déterminée comme étant correcte, d'après l'épaisseur de film, c'est-à-dire l'une des caractéristiques des films diélectriques d'accompagnement, analysés individuellement par l'ellipsomètre spectroscopique, le critère de détermination pour spécifier une variable de condition de formation de film est claire, et on peut spécifier aisément une variable de condition de formation de film pour réduire le rapport du film diélectrique d'accompagnement inclus dans la structure de film. A propos de l'emplacement où le film diélectrique d'accompagnement est généré, le film diélectrique d'accompagnement peut être généré à l'interface par rapport au substrat, à la surface de film correspondant à un côté du film diélectrique, ou à la fois à l'interface et à la surface du film correspondant aux deux côtés du film diélectrique. Un procédé de détermination de la condition de formation de film selon un quatrième aspect est caractérisé en ce que dans une première étape, plusieurs films diélectriques sont formés comme des couches sur le substrat, dans chacune des deuxième et quatrième étapes une épaisseur de film d'un film diélectrique d'accompagnement formé entre les films diélectriques respectifs à la suite de la formation des films diélectriques, est analysée et obtenue par l'ellipsomètre spectroscopique; et, dans la cinquième étape, les épaisseurs de film obtenues des films diélectriques d'accompagnement respectifs sont comparées et une valeur correspondant à la formation du film diélectrique d'accompagnement ayant l'épaisseur de film la plus mince est spécifiée comme la valeur de la variable de condition de formation de film. Dans le quatrième aspect, on tenant compte qu'un film diélectrique d'accompagnement est généré entre des films, lors de la formation des films diélectriques multicouches et de la comparaison des épaisseurs des films diélectriques d'accompagnement entre les films, il est possible de spécifier une valeur appropriée pour la variable de condition de formation de film pour réduire le rapport du film diélectrique d'accompagnement entre les films. Un procédé de détermination de condition de formation de film selon un cinquième aspect est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de formation sur le substrat d'un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50, en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film; d'analyse et d'obtention d'un indice de réfraction d'un film diélectrique d'accompagnement formé sur un côté ou sur les deux côtés du film diélectrique, à la suite de la formation du film diélectrique, par un ellipsomètre spectroscopique; de comparaison de l'indice de réfraction obtenu du film diélectrique d'accompagnement et d'un indice de réfraction du film diélectrique; de détermination à partir d'un résultat de la comparaison si oui ou non, la variable de condition de formation de film doit être modifiée; et de détermination d'une condition de formation de film en spécifiant une variable de condition de formation de film fondée sur un résultat de détermination. Dans le cinquième aspect, étant donné qu'une détermination est faite si oui ou non la variable de condition de formation de film doit être modifiée en comparant l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement obtenu par l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique et l'indice de réfraction du film diélectrique, il est possible de fabriquer une structure de film souhaitée comprenant la présence du film diélectrique d'accompagnement, sur la base de valeur numérique de l'indice de réfraction. A titre l'exemple, lorsqu'un film diélectrique d'accompagnement ayant un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction du film diélectrique est formé, de façon intentionnelle, sur un côté ou sur les deux côtés du film diélectrique, il est possible d'enfermer et de propager la lumière incidente sur le film diélectrique de la structure de film dans le film diélectrique, en réfléchissant la lumière par les films diélectriques d'accompagnement, contribuant ainsi à la spécification d'une variable de condition de formation de film appropriée pour former une structure de film capable d'utiliser le film diélectrique comme un guide d'onde de lumière. En outre, si l'effet électro-optique, etc. est également utilisé, il est possible de contrôler la direction de propagation de la lumière se propageant dans le film diélectrique de la structure de film formée. Un procédé de détermination de la condition de formation de film selon un sixième aspect est caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de formation sur un substrat d'un film diélectrique dont la constante diélectrique basée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50, en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film, et en empilant un film dont l'indice de réfraction est plus petit que celui du film diélectrique; une deuxième étape d'analyse et d'obtention d'un indice de réfraction d'un film diélectrique d'accompagnement formé à une interface, côté substrat, à la suite de la formation du film diélectrique dans la première étape par un ellipsomètre spectroscopique; une troisième étape de formation sur un substrat d'un film diélectrique, dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50 et l'empilage sur le film diélectrique d'un film dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du film diélectrique, en établissant une valeur différente de la valeur prédéterminée établie dans la première étape en tant que variable de condition de formation de film; une quatrième étape d'analyse et d'obtention d'un indice de réfraction d'un film diélectrique d'accompagnement formé à une interface, côté substrat, à la suite de la formation du film diélectrique dans la troisième étape par l'ellipsomètre spectroscopique; et une cinquième étape de spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film en comparant l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement obtenu dans la deuxième étape et l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement obtenu dans la quatrième étape. Dans le sixième aspect, étant donné qu'une valeur de la variable de condition de formation de film est spécifiée en comparant les indices de réfraction des films diélectriques d'accompagnement générés à l'interface, le côté substrat, du film diélectrique de la structure de film multicoucheformée sous différentes conditions de formation de film, il est possible de réguler aisément le film diélectrique d'accompagnement devant être généré. En d'autres termes, étant donné que le film diélectrique d'accompagnement est quelquefois généré, à l'interface sur le côté substrat, en fonction de certaines distorsions entre le film diélectrique et le substrat, si le film diélectrique d'accompagnement souhaité doit être généré seulement à l'interface côté substrat, il est possible de réduire les points devant être pris en considération pour spécifier une variable de condition de formation de film, et ainsi, il est possible de spécifier efficacement et aisément une variable de condition de formation de film. Il convient de remarquer qu'étant donné qu'un film empilé avec un indice de réfraction plus petit que celui du film diélectrique est formé sur le côté de dessus du film diélectrique, le film diélectrique de la structure de film fini est pris en sandwich entre le film diélectrique d'accompagnement et le film empilé de faible indice de réfraction, et, par conséquent, il est possible d'obtenir une structure de film capable d'utiliser le film diélectrique comme un guide d'onde de lumière. Un procédé de formation de film selon un septième aspect de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de formation d'un film par un premier appareil de formation de film en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film dans le premier appareil de formation de film; une deuxième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la première étape; une troisième étape de formation d'un film par un deuxième appareil de formation de film, en établissant une valeur correspondant à la valeur prédéterminée établie dans le premier appareil de formation de film pour une variable de condition de formation de film dans le deuxième appareil de formation de film; une quatrième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la troisième étape par un ellipsomètre spectroscopique; une cinquième étape de comparaison d'un résultat de l'analyse dans la deuxième étape et un résultat de l'analyse dans la quatrième étape; si l'on trouve par la comparaison dans la cinquième étape que les résultats des analyses diffèrent, une sixième étape de spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film devant être établie dans le deuxième appareil de formation de film, de sorte que le résultat de l'analyse dans la quatrième étape devient plus proche du résultat d'analyse dans la deuxième étape; et une septième étape de formation de film par le deuxième appareil de formation de film en établissant la valeur spécifiée dans la sixième étape pour la variable de condition de formation de film dans le deuxième appareil de formation de film. Dans le septième aspect, on passe de l'étape de prototypage à l'étape de production en série en ajustant la variable de condition de formation de film correspondant au deuxième appareil de formation de film devant être utilisé dans l'étape de production en série, de sorte que le résultat de l'analyse fait par l'ellipsomètre spectroscopique devienne plus proche de l'analyse faite dans l'étape de prototypage. De cette façon il devient possible de réduire la charge de travail concernant l'analyse, comparativement à l'analyse fondée sur la mesure électrique, et il est également possible de réduire le nombre de prototypes de la production en série produits, et l'on passe ainsi aisément à l'étape de production en série. Un procédé de formation de film selon un huitième aspect est caractérisé en ce que le premier appareil de formation de film et le deuxième appareil de formation de film réalisent la formation de film en formant un film électrique dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50 sur le substrat. Dans le huitième aspect, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique lors de la production en série d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un fil ferroélectrique, il est possible d'analyser individuellement la caractéristique du film diélectrique d'accompagnement qui ne peut pas être analysé par la mesure électrique, et, par conséquent, ce procédé peut être utilisé de façon appropriée pour la formation d'une structure de film PZT utilisée comme matériau pour la FRAM, etc. Un procédé de formation de film selon un neuvième aspect est caractérisé en ce que, dans la sixième étape, une valeur de la variable de condition de formation de film est spécifiée en utilisant le procédé de détermination de la condition de formation de film. Dans le neuvième aspect, en utilisant le procédé de détermination de la condition de formation de film mentionné plus haut pour spécifier une variable de condition de formation de film, il est possible de spécifier efficacement une variable de condition de formation de film qui peut rendre la caractéristique de film d'une structure de film, formée par le deuxième appareil de formation de film, plus proche de la caractéristique de film de la structure de film formée par le premier appareil de formation de film, contribuant au passage uniforme à l'étape de production en série. Un procédé de fabrication de structure de film selon un dixième aspect est un procédé de fabrication de structure de film pour la fabrication d'une structure de film en réalisant des procédés au cours d'une pluralité d'étapes de formation de film les unes après les autres, et caractérisé en ce qu'il comprend les étapes d'analyse d'une caractéristique d'une structure de film intermédiaire réalisée au cours de chaque étape de formation de film, par un ellipsomètre spectroscopique, dans chaque étape de formation de film, de détermination si oui ou non de caractère analysé appartient à une gamme caractéristique de référence correspondant à chaque structure de film intermédiaire, et de traitement de la structure de film intermédiaire, déterminée comme ayant une caractéristique appartenant à la gamme de caractéristiques de référence dans l'étape de formation de film suivante. Dans le dixième aspect, afin de continuer la fabrication de la structure de film tout en maintenant une bonne qualité après le début de la production en série de la structure de film, la caractéristique de film d'une structure de film intermédiaire est analysée par un ellipsomètre spectroscopique, dans chaque étape de formation de film, et le procédé de formation de film suivant est réalisé sur le film dont le résultat d'analyse se situe dans la gamme de caractéristiques de référence. Il est par conséquent possible d'exclure une structure de film intermédiaire déterminée comme étant défectueuse au cours du procédé et de continuer à réaliser le procédé de formation de film seulement sur de bons produits, ce qui permet d'obtenir une amélioration du rendement du produit fini. Un procédé de fabrication d'une structure de film selon un onzième aspect est caractérisé en ce que la structure de film est réalisée en formant sur un substrat un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50. Dans le onzième aspect, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique, lors de la gestion de la qualité de la production en série d'un film dit à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique, il est possible d'analyser la caractéristique du film diélectrique d'accompagnement qui ne peut pas être analysée individuellement par une mesure électrique. Par conséquent ce procédé peut être utilisé avantageusement pour la formation d'un film PZT utilisé comme matériau pour une FRAM, etc. Dans le premier aspect, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique, il est possible d'analyser séparément les caractéristiques des films, d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique et d'un film diélectrique d'accompagnement et il est possible d'améliorer de façon significative la précision d'analyse comparativement à l'évaluation fondée sur une mesure électrique classique, ce qui contribue ainsi à la spécification d'une variable de condition de formation de film appropriée. Dans le deuxième aspect, les caractéristiques de film d'un 35 film à constante diélectrique élevée ou film ferroélectrique et celle d'un film diélectrique d'accompagnement sont analysées séparément en réalisant une analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique et les caractéristiques des films formés sous différentes conditions de formation de film sont respectivement comparées. Par conséquent, il est possible de déterminer aisément un film dans lequel la présence du film diélectrique d'accompagnement est réduite et il est possible de trouver aisément comment la valeur de la variable de condition de formation de film peut être modifiée, améliorant l'efficacité du travail en ce qui concerne la spécification d'une valeur de variable de condition de formation de film. Dans le troisième aspect fondé sur l'épaisseur de film, c'est-à-dire une des caractéristiques des films diélectriques d'accompagnement analysées et obtenues séparément par l'ellipsomètre spectroscopique, une structure de film comprenant un film diélectrique d'accompagnement avec une épaisseur de film plus mince est déterminée comme étant bonne. Par conséquent, le critère de détermination pour la spécification d'une variable de condition de formation d'un film est clair, et on peut spécifier aisément une variable de condition de formation de film pour réduire ou éliminer le film diélectrique d'accompagnement. Dans le quatrième aspect, lorsque le film multicouche de diélectrique est formé, une valeur appropriée de la variable de condition de formation de film pour réduire le rapport du film diélectrique d'accompagnement entre les films, peut être spécifiée en comparant l'épaisseur de film du film diélectrique d'accompagnement entre les films. Dans le cinquième aspect, étant donné qu'on réalise une détermination pour savoir si oui ou non la variable de condition de formation de film doit être modifiée en comparant l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement obtenu par analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique et l'indice de réfraction du film diélectrique, il est possible de spécifier aisément une variable de condition de formation de film pour générer le film diélectrique d'accompagnement souhaité sur la base de la valeur numérique de l'indice de réfraction. Dans le sixième aspect, par comparaison respective des indices de réfraction des films diélectriques d'accompagnement générés à l'interface sur le côté substrat des films diélectriques, dans une structure de film multicouche, formés sous différentes conditions de formation de film, il est possible de réguler plus aisément la génération du film diélectrique d'accompagnement. Dans le septième aspect, par l'ajustement de la variable de condition de formation de film correspondant au deuxième appareil de formation de film devant être utilisé dans l'étape de production en série, de sorte que le résultat de l'analyse réalisée par l'ellipsomètre spectroscopique devienne plus proche de l'étape de prototypage, il devient possible de réduire la charge de travail relative à l'analyse comparativement à l'analyse fondée sur la mesure électrique, et il également possible de réduire le nombre produit de prototypes de production en série et de passer ainsi facilement à l'étape de production en série. Dans le huitième aspect, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique lors de la production en série d'un film à constante diélectrique élevée ou film ferroélectrique, il est possible d'analyser individuellement les caractéristiques du film diélectrique d'accompagnement lui-même, qui ne pouvaient pas être analysées par la mesure électrique, et il devient possible de passer à l'étape de production en série en déterminant une condition de formation de film optimale pour la production en série Dans le neuvième aspect, en utilisant le procédé de détermination des conditions de formation de film mentionné plus haut pour spécifier une variable de condition de formation de film, il est possible de spécifier efficacement une variable de condition de formation de film qui peut permettre d'obtenir une caractéristique de film d'une structure de film au moyen du deuxième appareil de formation de film qui soit plus proche de la caractéristique de film de la structure de film formée au moyen du premier appareil de formation de film, et il est par conséquent possible de passer uniformément à l'étape de production en série. Dans le dixième aspect, les caractéristiques de film d'une structure de film intermédiaire sont analysées par l'ellipsomètre spectroscopique à chaque étape de formation de film et le procédé de formation de film suivant est réalisé sur le précédent film, le résultat de l'analyse étant dans la gamme de caractéristiques de référence. Il est par conséquent possible d'exclure une structure de film intermédiaire déterminée comme étant défectueuse au cours du procédé, et de continuer à réaliser le procédé de formation de film seulement sur de bons produits, ce qui permet d'obtenir une amélioration dans du rendement du produit fini. Dans le onzième aspect, en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique lors de la gestion de la qualité dans la production en série d'un film dit à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique, il est possible d'analyser les caractéristiques du film diélectrique d'accompagnement lui-même, qui ne pouvaient pas être analysés par une mesure électrique. Divers avantages et caractéristiques de la présente invention ressortiront de la description détaillée ci-après faite en liaison avec les dessins annexés. La figure 1 est un schéma bloc illustrant les étapes d'un procédé de détermination des conditions de formation de film selon le premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2A est une vue schématique illustrant la structure d'une structure de film PZT idéale. La figure 2B est une vue schématique illustrant la structure d'une structure de film PZT réelle. La figure 3 est une vue schématique illustrant la structure d'un appareil MOCVD. La figure 4 est une vue illustrant la relation entre les paramètres concernant les conditions de formation de film. La figure 5 est une vue schématique illustrant la structure d'un ellipsomètre spectroscopique. La figure 6 est un graphique illustrant un exemple des résultats d'analyse d'un film multicouche dans une structure de film PZT au moyen de l'ellipsomètre spectroscopique. La figure 7A est une vue schématique d'une structure de film 5 PZT avec un film diélectrique d'accompagnement formé sur une surface de film. La figure 7B est une vue schématique d'une structure de film PZT avec des films diélectriques d'accompagnement formés pour prendre en sandwich un film PZT. La figure 7C est une vue schématique d'une structure de film PZT avec un film diélectrique d'accompagnement formé entre deux couches de film PZT. La figure 8A est une vue schématique illustrant la structure d'une structure de film PZT pour que la lumière sont totalement réfléchie par un film PZT pris en sandwich entre des films diélectriques d'accompagnement. La figure 8B est une vue schématique illustrant la structure d'une structure de film PZT pour que la lumière soit totalement réfléchie par un film PZT pris en sandwich entre des films diélectriques d'accompagnement et empilement. La figure 9 est un schéma bloc illustrant les étapes d'un procédé de formation de film selon un deuxième mode de réalisation. La figure 10 est un schéma bloc illustrant les étapes d'un 25 procédé de fabrication de structure de film selon un troisième mode de réalisation, et La figure 11 est une vue schématique illustrant la structure d'un appareil d'analyse de formation de film. La figure 1 est un schéma bloc illustrant les étapes d'un procédé de détermination des conditions de formation de film selon le premier mode de réalisation de la présente invention. La présente invention est un procédé pour déterminer une condition de formation de film dans la formation d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique, en tant que film diélectrique ayant une constante diélectrique qui n'est pas inférieure à 50 sur la base d'une mesure électrique, sur un substrat (par exemple avec un matériau déposé pour jouer le rôle d'électrode) et plus particulièrement pour déterminer une condition de formation de film permettant de former une structure de film comprenant un film à constante diélectrique élevée ou un film ferroélectrique souhaité, en réduisant un film diélectrique d'accompagnement qui est généré à l'interface entre le substrat et le film à constante diélectrique élevée ou le film ferroélectrique lors de la formation du film à constante diélectrique élevée ou du film ferroélectrique. Le premier mode de réalisation illustre, comme cela est représenté sur la figure 2A le cas dans lequel un seul film PZT (Plomb, Zirconate, Titanate) en tant que film ferroélectrique, est formé dans un film empilé, avec une épaisseur d, sur un substrat de silicium (Si), un film de platine (Pt) étant déposé sur sa surface. Lorsque le film PZT est formé sur le substrat, une structure de film multicouche est en fait produite, comme cela est représenté sur la figure 2B, car une couche d'un film diélectrique d'accompagnement est produite, à l'interface entre le film PZT et le substrat. Dans ce cas, une dimension calculée par l'addition de l'épaisseur de film d2 du film PZT et une épaisseur de film dl du film diélectrique d'accompagnement est égale à l'épaisseur de film d du film PZT dans la structure de film PZT habituellement considérée, ayant la structure de film (désignée ci-après comme étant la structure de film PZT idéale) représentée sur la figure 2A, et la somme des nombres inverses des capacitances électrostatiques des films respectifs dans la structure de film PZT réelle représentée sur la figure 2B est égale au nombre inverse de la capacitance électrostatique du film PZT dans la structure de film PZT idéale représentée sur la figure 2A. Il convient de remarquer que lorsque le matériau du film diélectrique d'accompagnement est pris en considération, le film diélectrique d'accompagnement appartient à un type de film PZT et le PZT est désigné par (PbZrxTii_xO3). La figure 3 représente un schéma d'un appareil 1 MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur organométallique) (du type à paroi froide) en tant qu'appareil de formation de film pour une structure de film PZT. L'appareil 1 MOCVD comprend une chambre de réaction 3 à l'intérieur d'un corps principal 2 et une première cuve de matériau brut 10, une deuxième cuve de matériau brut 11 et une troisième cuve de matériau brut 12 qui emmagasinent du plomb (Pb), du zirconium (Zr) et du titane (Ti) sous forme de matériau brut de complexe métallique à l'état liquide par chauffage avec un dispositif de chauffage. Les cuves de matériau brut respectives 10 à 12 sont reliées à une unité de fourniture de gaz 4 cylindrique permettant une injection par au-dessus de la chambre de réaction 3 d'un conduit de matériau brut 15 muni d'un clapet 18. En outre, l'appareil 1 MOCVD possède une cuve d'azote 13 et une cuve d'oxygène 14 stockant de l'azote gazeux (N2) et de l'oxygène gazeux (03). La cuve d'azote 13 est reliée au conduit de matériau brut 15 et la cuve d'oxygène 14 est reliée à l'unité de fourniture de gaz 4 par l'intermédiaire d'un conduit de fourniture d'oxygène 16. Bien que chacune des cuves de matériau brut 10 à 12 soit munie d'un clapet pour ajuster le débit, leur représentation est omise. En outre, dans l'appareil 1 MOCVD, une ouverture 3a est ménagée dans la partie supérieure de la chambre de réaction 3 pour relier l'unité de fourniture de gaz 4 à l'intérieur de la chambre de réaction 3, et une plaque perforée 5, ayant de nombreux trous identiques pour faire passer le gaz, est fixée à la partie supérieure dans la chambre. La chambre de réaction 3 est une structure 0 à ajuster la pression interne, présente une embase de montage 6 comprenant un dispositif de chauffage et maintenant un substrat S à l'intérieur de la chambre, et permet à un axe de support supportant l'embase de montage 6 de tourner à plusieurs centaines de tours par minute. Un conduit de décharge 17 pour décharger le gaz depuis l'intérieur de la chambre est relié à la chambre de réaction 3 et le conduit de décharge 17 est également relié au conduit de matériau brut 15 par l'intermédiaire d'une vanne 19. Les grandes lignes de fabrication d'une structure de film PZT utilisant l'appareil 1 MOCVD ayant la structure décrite plus haut sont maintenant décrites. Les gaz de matériaux bruts respectifs vaporisés dans les cuves de matériaux bruts 10 à 12 sont guidés vers l'unité de fourniture de gaz 4 via le conduit de matériaux bruts 15 traversent la plaque perforée 5, sont guidés dans la chambre de réaction 3 où la pression est accrue, et sont déposées en phase vapeur sur le substrat tournant S chauffé sur l'embase de montage 6 pour former le film PZT. Lors de la formation d'un film par l'appareil 1 MOCVD de cette façon, il est nécessaire d'établir une pluralité de paramètres (variables) concernant les conditions de formation de film, tels que le débit des gaz respectifs, la pression interne de la chambre de réaction 3 et la température de chauffage du substrat S, à des valeurs prédéterminées (valeur de paramètre), et il est important d'établir une valeur de paramètre appropriée pour chaque paramètre afin de former une structure de film PZT idéale. Pour établir les valeurs de paramètre des paramètres respectifs, l'opération de spécification d'une valeur de paramètre appropriée pour une matrice multidimensionnelle représentée sur la figure 4 a besoin d'être réalisée. A titre d'exemple, s'il y a une pluralité de paramètres A, B, C, etc., en tant que paramètres concernant les conditions de formation de film, le débit de gaz Pb correspond au paramètre A de la figure 4, le débit de gaz Zr, le débit de gaz Ti, la pression dans la chambre de réaction 3 et la température de chauffage du substrat S correspondent respectivement au paramètre B, au paramètre C, au paramètre D et au paramètre E. Il est nécessaire de spécifier les valeurs de paramètre appropriées pour ces paramètres. Cependant, en général, il est difficile de spécifier les valeurs appropriées pour une pluralité de paramètres simultanément et par conséquent, dans ce mode de réalisation, on génère deux pièces de structure de film PZT en établissant deux valeurs de paramètre différentes pour un type de paramètre et en assignant les mêmes valeurs de paramètres pour les autres paramètres. Le film multicouche de chacune des deux pièces de la structure de film PZT est analysé. Une structure de film PZT dans laquelle la présence du film diélectrique d'accompagnement est plus petite, comme représenté sur la figure 2B, est déterminée comme étant une bonne structure de film PZT et les valeurs de paramètre concernant la formation de cette bonne structure de film PZT sont choisies. A titre d'exemple, on produit deux pièces de structure de film PZT, en réalisant les procédés de formation de film deux fois séparément, en établissant les mêmes valeurs pour un paramètre autre que le paramètre A et en établissant une valeur de paramètre "alO" et une valeur de paramètre "a1 1(al 1 > alO)" pour le paramètre A. Le film multicouche de chacune des structures de film PZT formées est analysé et, si la structure de film PZT formée avec "alO" est plus petite, en terme de la présence du film diélectrique d'accompagnement, le "a10" est tout d'abord choisi comme la valeur de paramètre du paramètre A. Ensuite, afin de spécifier une autre valeur optimale, une structure de film PZT est formée et analysée en établissant une valeur de paramètre "a9(a9 On remarquera que lors de la formation d'un film à constante diélectrique élevé ou un film ferroélectrique, autre qu'un film PZT, sur le substrat ou lorsque des appareils de formation de film autres qu'un appareil MOCVD sont utilisés, le nombre et le type des paramètres peut différer et il peut s'agir de paramètres dont la valeur ne peut pas être établie indépendamment, car elle peut varier suivant d'autres paramètres. Cependant, même lorsque ces divers types d'appareils de formation de film sont utilisés, une valeur de paramètre optimale peut être spécifiée à l'intérieur d'une gamme possible, de la même manière que lors de la détermination d'une condition de formation de film pour une structure de film PZT comme mentionnée plus haut. II convient de noter que comme exemple d'appareils de formation de film autres que MOCVD, il existe un appareil de projection, un appareil de traitement sol-gel, etc. En outre, dans ce mode de réalisation, afin de spécifier des valeurs de paramètre optimales, les mesures électriques ne sont pas réalisées pour l'analyse (évaluation) du film multicouche de la structure de film PZT formé, et la mesure et l'analyse sont réalisées par un ellipsomètre spectroscopique. Etant donné que l'ellipsomètre spectroscopique réalise la mesure sans contact, il n'est pas nécessaire de former une partie d'électrode et d'approcher une sonde ou de souder des fils comme dans le cas d'une mesure électrique, et il est possible d'analyser les caractéristiques du film multicouche pour chaque couche, en analysant un échantillon. Par conséquent, si l'analyse des mêmes objets est réalisée, l'ellipsomètre spectroscopique peut réaliser la mesure et l'analyse dans environ un dixième du temps nécessaire pour la mesure électrique. Ainsi, en spécifiant les valeurs de paramètre basées sur les résultats d'analyse de l'ellipsomètre spectroscopique, il est possible de spécifier les valeurs de paramètre optimales de façon efficace. La figure 5 est une vue schématique illustrant la structure d'un ellipsomètre spectroscopique 20. L'ellipsomètre spectroscopique 20 analysela caractéristique optimale de chaque couche d'une structure de film (structure de film PZT) M ayant une structure de film multicouche, en appliquant une lumière polarisée à la structure de film M. Une lampe xénon 21 et un polariseur de lumière 22 sont reliés avec un premier câble en fibre optique 28a pour appliquer la lumière polarisée à la structure de film M montée sur un support 23. La lumière réfléchie (état de polarisation de la lumière) à partir de la structure de film M est reçue par un récepteur de lumière 24. Le récepteur de lumière 24 est relié à un spectromètre 25 par l'intermédiaire d'un deuxième câble en fibre optique 28b. Le spectromètre 25 mesure la lumière pour chaque longueur d'onde et transmet les résultats de mesure en tant que signaux analogiques à un dispositif d'acquisition de données 26. Le dispositif d'acquisition de données 26 convertit les signaux analogiques selon des valeurs prédéterminées et les transmet à un ordinateur 27 et ensuite, l'ordinateur 27 les analyse. On remarquera que la lampe xénon 21 génère de la lumière blanche comprenant une pluralité de composantes de longueur d'onde en tant que source de lumière et le polariseur de lumière 22 comprend un polariseur 22a pour polariser la lumière blanche pour appliquer la lumière polarisée à la structure de film M selon un angle incident O. Le récepteur de lumière 24 comprend un modulateur photo-élastique (PEM) 24a et un analyseur 24b, guide la lumière réfléchie de la structure de film M vers l'analyseur 24b par l'intermédiaire du PEM 24a, et fait passer seulement la lumière polarisée spécifiquement parmi les divers types de lumière polarisée modulée en phase par le PEM 24a. En outre, le spectromètre 25 divise la lumière à partir du récepteur de lumière 24, mesure l'état de polarisation pour chaque longueur d'onde et envoie les résultats sous forme de signaux analogiques au dispositif d'acquisition de données 26. Le dispositif d'acquisition de données 26 calcule une différence de phase A et un rapport d'amplitude yr d'un état de polarisation (polarisation p, polarisation s) de la lumière réfléchie mesurée à chaque longueur d'onde sur la base du signal transmis à partir du spectromètre 25 et envoie le résultat de calcul à l'ordinateur 27. II convient de remarquer que la différence de phase A et le rapport d'amplitude yr sont une relation selon l'expression suivante (1), par rapport à un coefficient de réflexion de Fresnel complexe Rp de la lumière polarisée p et un coefficient de réflexion de Fresnel complexe Rs de lumière polarisée s: RpIRs = tgyrÉexp(i.A) ... (1) Ici et dans ce qui suit i est une unité imaginaire. RplRs se réfère au rapport des coefficients de réflexion de Fresnel 20 complexe p. L'ordinateur 27 analyse la structure de film M d'après la différence de phase A et le rapport d'amplitude yr de l'état de polarisation obtenu par le dispositif d'acquisition de données 26, et analyse les caractéristiques optiques de la structure de film PZT illustrée sur la figure 2B, en déterminant l'indice de réfraction, le coefficient d'extinction et l'épaisseur de film du film PZT et du film diélectrique d'accompagnement, pour chaque couche. Plus particulièrement, lorsque les indices de réfraction complexes de l'ambiant et du substrat sont connus, à partir de la différence de phase A et du rapport d'amplitude yr mesurée, l'ordinateur 27 forme un modèle correspondant à la structure de matériau de la structure de film PZT et obtient l'épaisseur et l'indice de réfraction complexe pour chaque film. Avec n représentant l'indice de réfraction du film devant être analyse et k représentant le coefficient d'extinction, l'indice de réfraction complexe N peut être calculé à partir de l'expression optique suivant (2): N = n ik... (2) En outre, en supposant que la longueur d'onde de la lumière devant être irradiée par le polariseur de lumière 22 est 2, la différence de phase A et le rapport d'amplitude a calculés par le dispositif d'acquisition de données 26, sont reliés par l'expression suivante (3) à l'épaisseur du film d, d'un film devant être analysé, l'indice de réfaction n est le coefficient d'extinction k. (d, n, k) = F(p) = F(W(2, cl)), A(?, Il))) ... (3) Il convient de remarquer que l'ordinateur 27 réalise un procédé (ajustement) de changement de l'épaisseur de film, des paramètres de la formule de dispersion et analogues, de sorte qu'une différence entre un spectre modèle (f1M(? j), AM(2;)), obtenu théoriquement à partir du modèle formé et un spectre mesuré (WE(X), DE(?;)), relatif aux résultats de mesure obtenus par le dispositif d'acquisition de données 26, devient minimale en utilisant l'épaisseur de film d'un film à analyser et une formule de dispersion qui représente la dépendance en longueur d'onde de la constante diélectrique complexe, et comprend une pluralité de paramètres. Il convient de remarquer qu'un exemple de la formule de dispersion à appliquer est représenté par l'expression suivante (4). z (s E. )m, mp2 z / ioi a=e + + + ... (4) iÜ; êSz +iF0 2 +iFD J m2 + iyi!Zi' Dans l'expression (4) c désigne une constante diélectrique complexe, c. et s désignent des constantes diélectriques, Fo, r D et y; désignent des facteurs d'amortissement et wo;, wt et wP désignent des fréquences angulaires (fréquence d'oscillateur, fréquence transverse, fréquence de plasma). II convient de remarquer c est une constante diélectrique à une fréquence élevée (constante diélectrique à fréquence élevée) et es est une constante diélectrique à basse fréquence (constante diélectrique statique) . En outre, la constante diélectrique complexe e correspondant à e(?)) et l'indice de réfraction complexe N (correspondant à N(2)) sont reliés par l'expression suivante (5): E(X) = N2(2) ... (5) Pour donner une explication simplifiée de l'ajustement, on 10 suppose que T paires de données de mesure, dans le cas d'une mesure du matériau de film M sont Exp (I = 1,2 T) et T paires de données calculées à partir du modèle sont Mod (i = 1, 2, T). L'erreur quadratique moyenne x2 de la méthode des moindres carrés utilisant 6; comme déviation standard, est obtenue par l'expression suivante (6), puisque l'erreur de mesure doit être normalement répartie. II convient de remarquer que P est le nombre des paramètres. Lorsque la valeur de l'erreur quadratique moyenne x2 est petite, l'ajustement entre le résultat des mesures et le modèle formé est bonne et la valeur minimale de l'erreur quadratique moyenne x2 obtenue en comparant plusieurs modèles correspond au meilleur modèle. T = [1/(2T P)] = I (Exp, Mod;) 2 / 6 2... (6) r=t Une séquence des étapes des procédés relative à l'analyse d'échantillons devant être réalisée par l'ordinateur 27 décrites ci-dessus sont définies dans un programme informatique pour l'analyse d'échantillons emmagasinés dans l'unité de mémoire de l'ordinateur, et l'ordinateur 27 peut analyser les caractéristiques de chaque film du PZT et le film diélectrique d'accompagnement dans la structure de film PZT en réalisant les procédés d'analyse mentionnés plus haut. Le graphique sur la figure 6 représente un exemple des résultats de l'analyse de la structure de film PZT par l'ellipsomètre spectroscopique 20. La structure de film PZT de cet exemple comprend un film PZT et un film diélectrique d'accompagnement formé à la suite de la formation du film PZT. Le matériau du film diélectrique d'accompagnement est un matériau PZT, mais les caractéristiques optimales du film diélectrique d'accompagnement diffèrent de celles du film PZT formé de façon intentionnelle. En d'autres termes, le coefficient d'extinction (k) du film PZT s'élève brusquement lorsque la valeur numérique de l'énergie de photons dépasse 3,6 ou plus, tandis que le coefficient d'extinction (k) du film diélectrique d'accompagnement s'élève graduellement et est décalé vers la droite (du côté où la valeur numérique de l'énergie des photons est plus grande) comparativement au coefficient d'extinction (k) du film PZT. Ceci signifie que le caractère ferroélectrique du film diélectrique d'accompagnement se détériore comparativement à celui du film PZT. En outre, on a trouvé, au moyen de l'analyse par l'ellipsomètre spectroscopique 20 que l'épaisseur de film d2 de la structure de film PZT est environ de 2612,37 Angstrôm et que l'épaisseur de film dl du film diélectrique d'accompagnement est d'environ 71,98 Angstrôm. Par conséquent, pour la structure de film PZT représentée sur la figure 2B, il est possible d'analyser séparément l'épaisseur de film dl du film diélectrique d'accompagnement et l'épaisseur de film d2 du film PZT en utilisant l'ellipsomètre spectroscopique 20 et il est également possible d'analyser les caractéristiques telles que l'indice de réfraction et le coefficient d'extinction pour chaque film. Il est ainsi possible d'évaluer, si oui ou non, le film PZT présente les caractéristiques voulues. On remarquera que les caractéristiques du film diélectrique d'accompagnement incorporé dans la structure de film PZT représentée dans le graphique de la figure 6 sont seulement un exemple et que les caractéristiques réelles du film diélectrique d'accompagnement peuvent varier. Par exemple, le film diélectrique d'accompagnement peut avoir une constante diélectrique supérieure comparativement au film PZT ou peut avoir perdu son caractère ferroélectrique en raison d'une diminution dans la constante diélectrique. Le procédé de détermination des conditions de formation de film selon la présente invention, qui réalise les procédés décrits ci-dessus, sera clarifié sur la base du schéma bloc de la figure 1. Tout d'abord un premier prototype de structure de film (structure de film PZT) est produit en établissant des valeurs de paramètre prédéterminées pour les paramètres de condition de formation de film (par exemple en établissant "a10" pour le paramètre A représenté sur la figure 4 et des valeurs prédéterminées pour d'autres paramètres) (Si). Ensuite, les caractéristiques de film (épaisseur de film, constante diélectrique, etc.) de la première structure de film sont analysées par l'ellipsomètre spectroscopique 20 (S2). D'un autre côté, on produit un deuxième prototype d'une structure de film (structure de film PZT) en établissant des valeurs de paramètre différentes des valeurs de paramètre concernant la formation de la première structure de film (par exemple en établissant "a11" pour le paramètre A représenté sur la figure 4 et les mêmes valeurs prédéterminées pour d'autres paramètres) (S3) et les caractéristiques de film (épaisseur de film, constante diélectrique, etc) de la deuxième structure de film sont analysées par l'ellipsomètre spectroscopique 20 (E4). Ensuite, les caractéristiques de film analysées de la première structure de film et les caractéristiques de film analysées de la deuxième structure de film sont comparées (S5). Dans cette comparaison, la valeur de l'épaisseur de film dl du film diélectrique d'accompagnement et la caractéristique de film du film PZT (si oui ou non la constante diélectrique à une valeur numérique voulue), etc. sont évaluées. Finalement une structure de film qui a une épaisseur de film plus mince dl pour le film diélectrique d'accompagnement et qui a des caractéristiques de film du film PZT plus proche des valeurs numériques souhaitées est déterminée comme ayant de bonnes caractéristiques de film, et les valeurs de paramètre pour la structure de film ayant les bonnes caractéristiques de film sont spécifiées (choisies) (S6). Dans la comparaison des caractéristiques de film, il peut également être possible de comparer d'autres caractéristiques analysées (comme l'indice de réfraction et le coefficient d'extinction) en plus de l'épaisseur de film. Ensuite, une valeur de paramètre optimale pour un paramètre est finalement spécifiée en réalisant le procédé de détermination de la condition de formation de film décrit ci-dessus sur chaque paramètre, l'un après l'autre, et les valeurs de paramètre optimales sont, de plus, spécifiées pour tous les autres paramètres en réalisant un traitement analogue sur les autres paramètres, et, par conséquent, on détermine finalement les conditions de formation de film pour former une structure de film proche de la structure de film PZT idéale représentée sur la figure 2A. Pour la détermination de savoir si oui ou non, la structure de film présente de bonnes caractéristiques de film, on peut réaliser une détermination selon laquelle le film diélectrique d'accompagnement avec une épaisseur de film plus mince dl présente de bonnes caractéristiques de film, sur la base uniquement de l'épaisseur de film dl comme caractéristique du film diélectrique d'accompagnement, ou on peut réaliser une détermination selon laquelle film PZT avec une épaisseur de film plus épaisse d2 et une caractéristique de film (comme la constante diélectrique) plus proche de la valeur voulue présente de bonnes caractéristiques de film sur la base de l'épaisseur de film d2 et de la caractéristique de film en tant que caractéristiques du film PZT. En outre, le procédé de détermination des conditions de formation de film selon le mode de réalisation 1 peut également être appliqué pour déterminer une condition de formation d'un film ayant un caractère diélectrique ou ferroélectrique élevé, autre que PZT, et peut également être appliqué, par exemple pour former un film PLZT. Bien que la détermination des conditions de formation de film a été expliquée en regard du film diélectrique d'accompagnement générée à l'interface entre le film PZT et le substrat, comme représenté sur la figure 2B, les conditions de formation de film peuvent être déterminées de la même façon par rapport à un film diélectrique d'accompagnement généré sur la surface du film PZT comme cela est représenté sur la figure 7A, et des films diélectriques d'accompagnement générés sur les deux côtés du film, sur le côté substrat du film PZT et à la surface du film PZT comme illustré sur la figure 7B. En outre, la détermination des conditions de formation de film peuvent également être appliquées à un film diélectrique d'accompagnement générée entre les films PZT d'une structure de film PZT formée par empilage entre le premier film PZT et le deuxième film PZT, sur le substrat, comme représenté sur la figure 7C. En outre, lorsqu'on détermine si oui ou non la valeur de paramètre doit être modifiée, établie temporairement à cet instant, il peut être possible de réaliser le traitement concernant la condition de formation de film par comparaison avec des valeurs de référence trouvées à l'avance, au lieu de former deux pièces de structure de film sous différentes conditions de formation de film. Plus spécifiquement, il est également possible d'appliquer un procédé (procédé de détermination de la condition de formation de film) dans lequel les caractéristiques de film d'une structure de film obtenue en formant un film, à constante diélectrique élevée ou un film ferroélectrique, sur un substrat, en établissant des valeurs de paramètre prédéterminées sont analysées par un ellipsomètre spectroscopique. Les résultats de l'analyse sont comparés avec des valeurs caractéristiques de référence, dérivées de valeur de prototype, des valeurs de conception, etc. et s'il est trouvé, à partir du résultat de la comparaison que la valeur analysée dépasse une gamme permise, fondée sur la valeur caractéristique de référence, une détermination est faite qu'il est nécessaire de modifier la valeur de paramètre établie, tandis que si la valeur analysée se trouve dans la gamme permise, une détermination est faite qu'il n'est pas nécessaire de modifier la valeur de paramètre. Avec l'utilisation d'un tel procédé, il est également possible de déterminer si oui ou non une valeur de paramètre est appropriée. D'un autre côté, contrairement au procédé pour trouver une condition de formation de film permettant de réduire ou d'éliminer le film diélectrique d'accompagnement, le procédé de détermination des conditions de formation de film décrit plus haut est applicable pour générer de façon intentionnelle un film diélectrique d'accompagnement ayant les caractéristiques voulues. On remarquera qu'une structure de film comprenant un film à constante diélectrique élevée ou un film ferroélectrique sur lequel un film diélectrique d'accompagnement est formé de façon intentionnelle est approprié en tant que matériau pour un guide d'onde optique, avec des propriétés de réflexion spécifiques. La figure 8A représente une structure de film PZT comprenant des films diélectriques d'accompagnement générée sur les deux côtés d'un film PZT, formé sur le substrat et sur la surface du film, et cette structure de film PZT a été formée sur la base d'une condition de formation de film déterminée, de sorte que les indices de réfraction des films diélectriques d'accompagnement supérieur et inférieur sont plus petits que l'indice de réfraction du film PZT. Par conséquent, si de la lumière est appliquée à partir d'une face latérale du film PZT de la structure de film PZT, il est possible d'obtenir une réflexion totale de la lumière par les films diélectriques d'accompagnement supérieur et inférieur et de provoquer le déplacement de la lumière dans le film PZT. La figure 8B représente le cas dans lequel un film PZT est formé sur un substrat, un film ayant un indice de réfraction plus petit (n3) que l'indice de réfraction (n2) du film PZT est empilé sur le film PZT et une structure de film PZT comprenant un film diélectrique d'accompagnement ayant un indice de réfraction plus petit (n1) que l'indice de réfraction (n2) est généré de façon intentionnelle à l'interface, côté substrat, du film PZT. Par conséquent, même dans cette structure de film PZT, de façon analogue à la figure 8A, si de la lumière est appliquée à partir d'une face latérale du film PZT, la lumière incidente est totalement réfléchie à la fois sur le film empilé sur la surface du film et le film diélectrique d'accompagnement sur le côté interface, et le film PZT peut être utilisé comme un guide d'onde optique. Le schéma bloc pour déterminer une condition pour former un film PZT représenté sur les figures 8A et 8B est fondamentalement le même que le procédé décrit plus haut mais diffère seulement dans la détermination de savoir si oui ou non la condition de formation de film doit être modifiée afin de maintenir un film diélectrique d'accompagnement ayant un indice de réfraction voulu. En d'autres termes, l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement, formé à la suite de la formation du film PZT, est obtenu en réalisant l'analyse avec l'ellipsomètre spectroscopique. L'indice de réfraction obtenu du film diélectrique d'accompagnement et l'indice de réfraction du film PZT sont comparés et une détermination est faite à partir du résultat de comparaison si oui ou non la variable de condition de formation de film doit être modifiée. Un exemple spécifique du contenu du procédé de détermination de la condition de formation de film dans le cas mentionné plus haut sera expliqué eu égard à la formation d'une structure de film PZT représentée sur la figure 8B. Tout d'abord, on produit un premier prototype d'une structure de film PZT en formant un film PZT avec un indice de réfraction n2 sur un substrat, en établissant des valeurs de paramètre prédéterminées, et en empilant un film de recouvrement ayant un indice de réfraction n3 (n3 Finalement en comparant l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement de la première structure de film PZT et l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement de la deuxième structure de film PZT, un film PZT avec le film diélectrique d'accompagnement ayant l'indice de réfraction n1 plus petit que l'indice de réfraction n2 du film PZT est choisi, et les valeurs de paramètre de la structure de film PZT choisie sont déterminées comme variables de condition de formation de film. Dans la comparaison finale, si l'indice de réfraction de l'un ou l'autre des films diélectriques d'accompagnement n'est pas plus petit que l'indice de réfraction du film PZT, une structure de film PZT avec le film diélectrique d'accompagnement ayant un indice de réfraction plus petit est choisie et ensuite le procédé pour trouver les valeurs de paramètre d'une condition de formation de film pour obtenir un indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement plus petit que l'indice de réfraction du film PZT est réalisé en répétant le procédé mentionné plus haut. D'un autre côté, dans la comparaison finale, si l'indice de réfraction de l'un ou l'autre des films diélectriques d'accompagnement est plus petit que l'indice de réfraction du film PZT, une structure de film PZT ayant de bonnes caractéristiques dans son ensemble est choisie en prenant en considération d'autres caractéristiques pour les films diélectriques d'accompagnement. On notera que lorsqu'une structure de film PZT comprenant un film diélectrique d'accompagnement est utilisé dans d'autres applications, comme une application dans laquelle la lumière n'est pas totalement réfléchie, il est possible d'appliquer une condition autre que la condition mentionnée ci-dessus lors de la détermination concernant l'indice de réfraction, et il est également possible de déterminer une condition concernant la formation d'une structure de film PZT dans laquelle un film diélectrique d'accompagnement prédéterminé voulu est présent sur la base des caractéristiques autres que l'indice de réfraction (comme la constante diélectrique et la valeur de l'épaisseur du film). La figure 9 est un schéma bloc illustrant les étapes d'un procédé de formation de film conformément au deuxième mode de réalisation de la présente invention. Le procédé de formation de film du deuxième mode de réalisation est appliqué pour passer à l'étape de production en série d'une formation de structure de film pour laquelle une condition de formation de film a été déterminée en utilisant le procédé de détermination de la condition de formation de film du premier mode de réalisation. Si un appareil de formation de film destiné à être utilisé dans l'étape de production en série est un appareil MOCVD, à titre d'exemple, sa structure de base est la même que celle représentée sur la figure 3 mais elle est capable d'accepter une pluralité de substrats S sur l'embase 6 de sorte que plusieurs structures de film peuvent être formées par un procédé de formation de film. Par conséquent étant donné que l'appareil de formation de film pour la production en série diffère quant à l'échelle de l'appareil de formation de film utilisé dans l'étape de production de prototypes, un ajustement est réalisé en utilisant le procédé de formation de film de la présente invention pour adapter la condition de formation de film déterminée à l'étape de production de prototypes à l'étape de production en série. On remarquera que le procédé de formation de film du deuxième mode de réalisation est applicable à la fois à la formation de film d'un film à constante diélectrique élevée ou d'un film ferroélectrique, selon un PZT dont la constante diélectrique est obtenue par une mesure électrique n'est pas inférieure à 50, et à la formation de film d'un film diélectrique avec une constante diélectrique inférieure à celle du film à constante diélectrique élevée. On donnera une explication sur la base du schéma bloc de 35 la figure 9. Tout d'abord la formation de film est réalisée par un premier appareil de formation de film correspondant à l'étape de production de prototypes en laboratoire etc. (S10) et les valeurs de paramètre pour une condition de formation de film optimale sont spécifiées en analysant le film (S11). Pour la formation de film utilisant le premier appareil de formation de film (S10) et la spécification des valeurs de paramètre respectives (S11), si la structure de film a un film à constante diélectrique élevée ou un film ferroélectrique formé sur un substrat, il est préférable d'appliquer le procédé de détermination des conditions de formation de film du premier mode de réalisation mais si la structure de film est utilisée comme matériau pour DRAM ou analogue, il peut être possible de déterminer une condition de formation de film par mesure électrique. Ensuite on réalise la formation de film pour former une structure de film analogue au moyen d'un deuxième appareil de formation de film plus grand destiné à être utilisé dans l'étape de production en série en usine etc. (S12). Pour les paramètres concernant une condition de formation de film dans le deuxième appareil de formation de film, bien qu'il soit préférable d'utiliser temporairement les valeurs correspondant aux valeurs de paramètre respectives établies dans le premier appareil de formation de film, il peut être possible d'ajuster les valeurs de paramètre respectives correspondant au premier appareil de formation de film d'après les valeurs de prototypes passées etc. et d'utiliser les valeurs ajustées. Ensuite l'analyse du film dans la structure de film formée par le deuxième appareil de formation de film est réalisée par l'ellipsomètre spectroscopique 20 ayant la structure représentée sur la figure 5 (S13). En utilisant l'ellipsomètre spectroscopique de cette façon, il est possible de réaliser une analyse plus efficace comparativement à la mesure électrique. Notamment l'utilisation de l'ellipsomètre spectroscopique est essentielle pour l'analyse du film à constante diélectrique élevé ou du film ferroélectrique car il est nécessaire d'analyser le film diélectrique d'accompagnement. Lorsque l'analyse est terminée, les résultats d'analyse du film obtenu par le deuxième appareil de formation de film et le résultat d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film sont comparés (S14), et une détermination est faite pour savoir si oui ou non les résultats d'analyse sont équivalents (S15). La détermination si oui ou non les résultats d'analyse sont équivalents est faite en déterminant si oui ou non le résultat d'analyse du film obtenu par le deuxième appareil de formation de film est inclus dans une gamme prédéterminée, permise dans les spécifications du produit par rapport aux résultats d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film. Si ces résultats d'analyse ne sont pas équivalents (S15:NO), les valeurs de paramètre concernant la condition de formation de film dans le deuxième appareil de formation de film sont modifiées de sorte que le résultat d'analyse du film obtenu par le deuxième appareil de formation de film se rapproche du résultat d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film (S16). Lorsqu'on modifie les valeurs de paramètres, il est possible d'utiliser le procédé de détermination de la condition de formation de film décrit dans le premier mode de réalisation. Lorsqu'on modifie les valeurs de paramètre en utilisant le procédé de détermination de la condition de formation de film du premier mode de réalisation, la formation de film est réalisée en établissant deux types de valeurs de paramètre différentes pour un paramètre, et les deux structures de film résultantes sont respectivement analysées par l'ellipsomètre spectroscopique. Ensuite, on détermine laquelle des structures de film formées avec les deux types de valeurs de paramètre est plus proche du résultat d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film. Celui avec le résultat plus proche du résultat d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film est déterminé comme ayant de bonnes caractéristiques de film, et les valeurs de paramètre correspondantes aux bonnes caractéristiques de film sont choisies. Ensuite, en réalisant des traitements identiques les après les autres, on détermine une bonne valeur de paramètre pour un paramètre, et les autres valeurs de paramètre sont choisies de la même façon en raison de la modification des valeurs de paramètre respectives. En outre, lorsqu'on modifie les valeurs de paramètres en utilisant un procédé de détermination de la condition de formation de film correspondant à un exemple modifié du premier mode de réalisation, on réalise une formation de film en établissant une valeur de paramètre différente d'une valeur de paramètre initialement établie pour un paramètre, et la pièce résultante de la structure de film est analysée en utilisant un ellipsomètre spectroscopique. Ensuite, on détermine si oui ou non le résultat d'analyse est proche du résultat d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film, et s'il en est ainsi, la nouvelle valeur de paramètre établie est choisie. D'un autre côté, si le résultat d'analyse n'est pas plus proche, une valeur de paramètre variant dans le sens opposé à la nouvelle valeur de paramètre établie à partir de la valeur de paramètre établie initialement est établie et le même procédé que ci-dessus est réalisé pour spécifier une valeur de paramètre plus proche du résultat d'analyse du film obtenu par le premier appareil de formation de film. En outre, le même traitement est réalisé sur d'autres paramètres pour déterminer les valeurs de paramètre optimales et les modifications des valeurs de paramètre respectivement. Après la modification des valeurs de paramètre respectives, les valeurs de paramètre modifiées sont établies et on réalise la formation de film par le deuxième appareil de formation de film (S12). Ensuite les étapes de traitement à partir de la formation de film (S12) pour modifier les valeurs de paramètre (S16) sont répétées jusqu'à ce que les deux résultats d'analyse deviennent égaux. D'un autre côté lorsque les deux résultats d'analyse deviennent égaux (S15:OUI) une détermination est faite pour utiliser les valeurs de paramètre établies dans le deuxième appareil de formation de film à ce moment (S17) et la production de la structure de film est réalisée en formant un film conformément aux valeurs de paramètre déterminées par le deuxième appareil de formation de film (S18). Ainsi, en utilisant le procédé de formation de film du deuxième mode de réalisation, il est possible de passer uniformément à l'étape de production en série. De plus, lorsque la structure de film devant être formée par la formation de film comprend un film à faible constante diélectrique, une possibilité est offerte de réduire le nombre de prototypes produit en série comparativement à une mesure électrique, en utilisant l'ellipsomètre spectroscopique pour analyser le film (S13) et modifier les valeurs de paramètre (S16). La figure 10 est un schéma bloc illustrant les étapes de traitement d'un procédé de fabrication de structure de film selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Le procédé de fabrication de structure de film du troisième mode de réalisation vise à améliorer le rendement en gérant de façon appropriée, la qualité de la production en série lorsqu'on démarre la production en série d'une structure de film par le procédé de formation de film du deuxième mode de réalisation etc. Bien que la formation de la structure de film soit réalisée par l'intermédiaire d'une pluralité d'étapes de formation de film, le schéma bloc de la figure 10 explique que la structure de film est terminée par la mise en oeuvre de la première étape de formation de film à la nième étape de formation de film (n est le numéro de l'étape finale de formation de film). Il convient de noter que le nombre n varie en fonction du type de structure de film à former. On suppose que, dans chaque étape de formation de film, une gamme (gamme de référence) pour la caractéristique de référence qui est une gamme permise pour la caractéristique de film d'une structure de film intermédiaire dans cette étape, est prédéterminée. Comme représenté dans le schéma bloc de la figure 10, tout d'abord on réalise le premier procédé de formation de film (S20) et les caractéristiques de film de la structure de film intermédiaire formée sont analysées par un ellipsomètre spectroscopique 20 ayant la structure représenté sur la figure 5 (S21). Une détermination est faite si oui ou non le résultat d'analyse se trouve dans la gamme de référence (S22). Si le résultat d'analyse ne se trouve pas dans la gamme de référence (S22:NON) la structure de film intermédiaire est retirée du procédé de formation de film (S23) et le procédé de formation de film sur la structure de film intermédiaire est fini. D'un autre côté, si le résultat d'analyse se trouve dans la gamme de référence (S22:OUl), le deuxième procédé de formation de film est réalisé sur la structure de film intermédiaire (S24), les caractéristiques de film sont analysées par l'ellipsomètre spectroscopique (20) (S25) et une détermination est faite si oui ou non le résultat d'analyse se trouve dans la gamme de référence (S26). Si le résultat d'analyse ne se trouve pas dans la gamme de référence (S26:NON), la structure de film intermédiaire est retirée du procédé de formation de film (S27). Tandis que si le résultat d'analyse se trouve dans la gamme de référence (S26:OUI) le procédé de formation de film suivant est réalisé. Le nième (final) procédé de formation de film est réalisé par l'intermédiaire du même procédé que ci-dessus (Sn1), la caractéristique de film du produit fini est analysée par l'ellipsomètre spectroscopique (Sn2) et une détermination est faite si oui ou non le résultat d'analyse se trouve dans la gamme de référence (Sn3). Si le résultat d'analyse ne se trouve pas dans la gamme de référence (Sn3:NON), le produit fini est retiré comme un produit défectueux (Sn4). Si le résultat d'analyse se trouve dans la gamme de référence(Sn3:OUl) un produit acceptable (structure de film) est terminé (Sn5). Ainsi étant donné que le procédé de formation de film suivant n'est pas réalisé sur une structure de film intermédiaire déterminée comme étant défectueuse, il est possible d'améliorer l'efficacité des étapes de formation de film subséquente et d'améliorer le rendement du produit fini final. Figure 11 est une vue schématique illustrant la structure d'un appareil d'analyse de formation de film 50 qui peut être appliquée au procédé de fabrication de structure de film du troisième mode de réalisation. L'appareil d'analyse de formation de film 50 présente une structure obtenue en combinant l'appareil de formation de film (appareil MOCVD 1) représenté sur la figure 3 et l'ellipsomètre spectroscopique 20 représenté sur la figure 5. Plus particulièrement, des verres résistant à la chaleur 51b et 51c sont adaptés dans les parois latérales inclinées 51a d'une chambre de réaction 51, dans laquelle est située une embase de montage 52 pour monter un substrat S, et un polariseur de lumière 62 auquel une lampe xénon 61 est reliée, est positionné à l'extérieur du premier verre 51b résistant à la chaleur, de sorte que de la lumière peut être irradiée sur le substrat S (structure de film) par l'intermédiaire du verre résistant à la chaleur 51b. On notera que le premier verre résistant à la chaleur 51b est agencé de façon orthogonale à l'axe optique de la lumière irradiée par le polariseur de lumière 62 et que l'autre verre résistant à la chaleur 51c est agencé perpendiculairement à l'axe optique de la lumière réfléchie à partir de la structure de film. En outre, un récepteur de lumière 63 auquel est relié un spectromètre 64, est positionné à l'extérieur de l'autre verre résistant à la chaleur 51c afin de recevoir la lumière réfléchie. Un dispositif d'acquisition de données 65 reliée à un ordinateur 66 est reliée au spectromètre 64. Avec l'utilisation d'un tel appareil d'analyse de formation de film 50, étant donné que les caractéristiques de film d'une structure de film intermédiaire avant le procédé de formation de film, pendant le procédé de formation de film et après le procédé de formation de film, peuvent être analysées en continu lors du procédé de formation de film, il est possible de réaliser le procédé de fabrication de la structure de film du troisième mode de réalisation de façon plus efficace. Il convient de remarquer que le procédé de fabrication de la structure de film du troisième mode de réalisation est bien entendu applicable à la fabrication de la structure de film en formant un film à constante diélectrique élevée ou un film ferroélectrique, dont la constante diélectrique n'est pas inférieure à 50 sur la base d'une mesure électrique, sur un substrat et également applicable à la fabrication d'une structure de film en formant un film diélectrique ayant une constante diélectrique inférieure au film à constante diélectrique élevé ou au film ferroélectrique sur un substrat. Dans ce cas, il est également possible d'améliorer le rendement en analysant la structure de film intermédiaire dans chaque étape de formation de film avec un ellipsomètre spectroscopique. L'invention n'est pas limitée aux modes de représentation représentés et décrits en détail et diverses modifications peuvent 15 y être apportées dans sortir de son cadre. REVENDICATIONS 1. Procédé de détermination des conditions de formation de film, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: - former un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50, sur un substrat (S), en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film; - analyser une caractéristique du film formé par un ellipsomètre spectroscopique (20); - comparer un résultat de l'analyse avec une valeur caractéristique de référence; - déterminer, à partir du résultat de la comparaison, si oui ou non la variable de condition de formation de film doit être modifiée; et, - déterminer une condition de formation de film en spécifiant une variable de condition de formation de film fondée sur le résultat de la détermination. 2. Procédé de détermination des conditions de formation de film, caractérisé en ce qu'il comprend: - une première étape de formation d'un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50, sur un substrat (S), en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film; - une deuxième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la première étape par un ellipsomètre spectroscopique (20); - une troisième étape de formation d'un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur la mesure électrique n'est pas inférieure à 50, sur un substrat (S), en établissant une valeur différente de la valeur prédéterminée établie dans la première étape pour la variable de condition de formation de film; - une quatrième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la troisième étape par l'ellipsomètre spectroscopique (20) ; et, - une cinquième étape de spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film fondée sur une comparaison entre un résultat de l'analyse de la deuxième étape et un résultat de l'analyse de la quatrième étape. 3. Procédé de détermination des conditions de formation d'un film selon la revendication 2, dans lequel, dans la deuxième étape et la quatrième étape, on analyse et on détermine au moyen d'un ellipsomètre spectroscopique (20) une épaisseur de film d'un film diélectrique d'accompagnement formé sur un côté ou les deux côtés du film diélectrique à la suite de la formation du film diélectrique; et dans la cinquième étape, les épaisseurs de film déterminées des films diélectriques d'accompagnement respectifs sont comparées et une valeur correspondant à la formation d'un film diélectrique d'accompagnement ayant une épaisseur de film plus mince est spécifiée comme une valeur de la variable de condition de formation de film. 4. Procédé de détermination des conditions de formation de film selon la revendication 2, dans lequel, dans la première étape, une pluralité de films diélectriques sont formés en tant que couches sur le substrat (S), dans chacune des deuxième et quatrième étapes, on analyse et on détermine, au moyen de l'ellipsomètre spectroscopique (20), une épaisseur de film d'un film diélectrique d'accompagnement formé entre les films diélectriques respectifs à la suite de la formation des films diélectriques, et - dans la cinquième étape, les épaisseurs de film déterminées des films diélectriques d'accompagnement respectifs sont comparées, et une valeur correspondant à la formation du film diélectrique d'accompagnement ayant une épaisseur de film plus mince est spécifiée comme valeur de la variable de condition de formation de film. 5. Procédé de détermination des conditions de formation de film, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: - former un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50, sur un substrat (S), en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film; - analyser et obtenir un indice de réfraction d'un film diélectrique d'accompagnement formé sur un côté ou les deux côtés du film diélectrique à la suite de la formation du film diélectrique au moyen un ellipsomètre spectroscopique (20); - comparer l'indice de réfraction obtenu du film diélectrique d'accompagnement et un indice de réfraction du film diélectrique; - déterminer à partir d'un résultat de la comparaison si oui ou non la variable de condition de formation de film doit être modifiée; et, - déterminer une condition de formation de film en spécifiant 15 une variable de condition de formation de film fondée sur un résultat de la détermination. 6. Procédé de détermination des conditions de formation de film, caractérisé en ce qu'il comprend: une première étape de formation d'un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50, sur un substrat (S), en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film, et d'empilement d'un film dont l'indice de réfraction est plus petit que celui du film diélectrique; une deuxième étape d'analyse et d'obtention d'un indice de réfraction d'un film diélectrique d'accompagnement formé à une interface sur le côté substrat (S) à la suite de la formation du film diélectrique dans la première étape, au moyen d'un ellipsomètre spectroscopique (20); une troisième étape de formation d'un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50 sur un substrat (S), et d'empilement sur le film diélectrique d'un film, dont l'indice de réfraction est plus petit que celui du film diélectrique, en établissant une valeur différente de la valeur prédéterminée établie dans la première étape pour la variable de condition de formation de film; une quatrième étape d'analyse et d'obtention d'un indice de réfraction d'un film diélectrique d'accompagnement formé à une interface côté substrat (S) à la suite de la formation du film diélectrique dans la troisième étape, au moyen de l'ellipsomètre spectroscopique (20), et une cinquième étape de spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film en comparant l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement obtenu dans la deuxième étape et l'indice de réfraction du film diélectrique d'accompagnement obtenu dans la quatrième étape. 7. Procédé de formation de film, caractérisé en ce qu'il comprend: une première étape de formation d'un film par un premier appareil de formation de film en établissant une valeur prédéterminée pour une variable de condition de formation de film dans le premier appareil de formation de film; une deuxième étape d'analyse d'une caractéristique du film 20 formé dans la première étape; une troisième étape de formation d'un film par un deuxième appareil de formation de film en établissant une valeur correspondant à la valeur prédéterminée établie dans le premier appareil de formation de film pour une variable de condition de formation de film dans le deuxième appareil de formation de film; une quatrième étape d'analyse d'une caractéristique du film formé dans la troisième étape par un ellipsomètre spectroscopique (20); une cinquième étape de comparaison d'un résultat de 30 l'analyse dans la deuxième étape et d'un résultat de l'analyse dans la quatrième étape; si l'on trouve par la comparaison de la cinquième étape que les résultats des analyses diffèrent, une sixième étape de spécification d'une valeur de la variable de condition de formation de film établie dans le deuxième appareil de formation de film, de sorte que le résultat de l'analyse de la quatrième étape devient plus proche du résultat de l'analyse de la deuxième étape, et une septième étape de formation d'un film par le deuxième appareil de formation de film en établissant la valeur spécifiée dans la sixième étape en tant que variable de condition de formation de film dans le deuxième appareil de formation de film. 8. Procédé de formation de film selon la revendication 7, dans lequel le premier appareil de formation de film et le deuxième appareil de formation de film réalisent la formation sur le substrat (S) de film en formant un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50. 9. Procédé de formation de film selon la revendication 8, dans lequel, dans la sixième étape, une valeur de la variable de condition de formation de film est spécifiée en utilisant le procédé de détermination de la condition de formation de film selon l'une quelconque des revendications 1 à 6. 10. Procédé de fabrication d'une structure de film pour la fabrication d'une structure de film (M) en réalisant des procédés dans une pluralité d'étapes de formation de film réalisées l'une après l'autre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes: - d'analyse d'une caractéristique d'une structure de film intermédiaire produite dans chaque étape de formation de film au moyen d'un ellipsomètre spectroscopique (20), dans chaque étape de formation de film; - de détermination si oui ou non la caractéristique analysée appartient à une gamme de caractéristiques de référence correspondant à chaque structure de film intermédiaire, et - de traitement de la structure de film intermédiaire déterminée comme ayant une caractéristique appartenant à la gamme de caractéristiques de référence dans l'étape de formation de film suivante. 11. Procédé de fabrication d'une structure de film selon la revendication 10, dans lequel la structure de film (M) est construite en formant sur le substrat (S) un film diélectrique dont la constante diélectrique fondée sur une mesure électrique n'est pas inférieure à 50.