Brevet FR2884044A1 — publié le 20061006

Réacteur de dépôt et procédé de détermination de son diffuseur La présente invention concerne le domaine des réacteurs de dépôt et plus particulièrement des réacteurs de dépôt d'oxyde à forte constante diélectrique ou permitivité tel qu'un oxyde céramique, en particulier du tantalum pentoxide (Ta2O5), utilisés dans le domaine de la fabrication de circuits intégrés sur des plaquettes. Il existe à l'heure actuelle un besoin de pouvoir fabriquer des condensateurs dont la couche diélectrique présenterait une constante diélectrique élevée et dont l'épaisseur de cette couche diélectrique serait la plus uniforme que possible d'un condensateur à un autre, et ce sur l'ensemble des condensateurs des circuits intégrés réalisés sur une même plaquette. De tels condensateurs sont en effet souhaités en particulier dans les circuits intégrés de découpage Radio Fréquence (RF), dans les circuits intégrés dénommés généralement DRAM dans lesquels la densité des condensateurs est souhaitée de plus en plus élevée et dans les circuits intégrés analogiques tels que les convertisseurs dans lesquels il est souhaité que les valeurs de capacités soit aussi précises que possible. Malheureusement, les réacteurs de dépôt actuellement connus et utilisés sont incapables d'atteindre les objectifs ci-dessus. Les couches diélectriques déposées présentent en effet des zones circonférentielles qui, en coupe radiale, présentent des parties bombées et des parties en creux et qui de plus présentent des épaisseurs inégales d'un rayon au rayon opposé. La présente invention a pour but de proposer un perfectionnement aux réacteurs de dépôt dans le but de réduire la non- uniformité de la couche déposée sur une plaquette. La présente invention se rapporte plus particulièrement à un réacteur de dépôt qui comprend une enceinte déterminant une chambre de traitement, un support sur lequel peut être disposée, dans ladite chambre de traitement, une plaquette présentant une face supérieure à traiter, un diffuseur en forme de plaque, qui présente des trous traversants entre une face frontale placée au-dessus et à distance de la face supérieure à traiter de la plaquette et une face arrière opposée à cette face frontale et qui divise ladite chambre de traitement en une chambre de répartition située du côté de la face arrière du diffuseur et une chambre de réaction située du côté de la face frontale du diffuseur, et un passage annulaire formé dans la chambre de réaction autour dudit support. Ladite enceinte est munie de moyens d'entrée de gaz de réaction débouchant dans ladite chambre de répartition, de moyens périphériques de sortie de gaz débouchant dans ladite chambre de réaction du côté de la plaquette par rapport audit passage annulaire et des moyens d'entrée de gaz de dilution débouchant dans ladite chambre de réaction et placés pour que ce gaz passe au travers dudit passage annulaire pour être évacué par lesdits moyens de sortie de gaz. Selon un objet de l'invention, la partie périphérique de ladite face frontale du diffuseur est de préférence formée de façon que l'écart entre cette partie périphérique et la face supérieure à traiter de ladite plaquette décroisse depuis sa périphérie vers son centre. Selon une variante de l'invention, ladite partie périphérique de la face frontale du diffuseur peut être conique. Selon l'invention, l'angle de conicité de ladite partie périphérique conique de la face frontale du diffuseur est de préférence compris entre 160 et 175 . Selon une autre variante de l'invention, ladite partie périphérique de la face frontale du diffuseur peut être arrondie. Selon l'invention, la partie centrale de la face frontale du diffuseur peut être en retrait ou creusée. Selon l'invention, ladite partie centrale de la face frontale du diffuseur peut présenter une partie annulaire conique ouverte du côté de ladite plaquette. Selon l'invention, l'angle de conicité de ladite partie centrale conique de la face frontale du diffuseur peut être compris entre 175 et 179,5 environ. La présente invention a également pour objet un procédé de détermination de la forme de la face frontale d'un diffuseur, en forme de plaque, de gaz d'un réacteur de dépôt, placée en face de la surface d'une plaquette circulaire à traiter, dans lequel les conditions de fonctionnement du réacteur sont prédéterminées. Selon l'invention, ce procédé consiste à installer dans le réacteur un premier diffuseur d'essai dont la face frontale présente un profil déterminé, de préférence une face frontale plate; à effectuer une opération de dépôt sur une surface d'une plaquette d'essai; à effectuer un relevé de la topographie de la surface traitée de la plaquette d'essai; à réaliser un second diffuseur présentant une face frontale dont la topographie présente au moins une partie annulaire substantiellement inverse de celle de la surface traitée de la plaquette d'essai; et à installer ce second diffuseur dans le réacteur en vue du traitement de plaquettes courantes. Selon l'invention, le procédé peut avantageusement consister à réaliser un second diffuseur dont la face frontale présente au moins une partie annulaire conique ou arrondie dont l'angle de conicité est substantiellement inverse et dans un rapport déterminé par rapport à l'angle moyen de conicité de la partie annulaire correspondante de la plaquette d'essai. Selon le procédé de l'invention, ladite partie annulaire conique ou arrondie est située à la périphérie de la face frontale dudit second diffuseur. Selon un autre objet de l'invention, le réacteur peut avantageusement comprendre des moyens de réglage de débit desdits moyens d'entrée de gaz de dilution. Selon un autre objet de l'invention, le réacteur peut avantageusement comprendre au moins deux moyens indépendants de chauffage/refroidissement local, portés par la paroi de l'enceinte adjacente à ladite chambre de répartition et disposés dans la zone de la périphérie de cette chambre, ainsi que des moyens indépendants de réglage et/ou de régulation de l'énergie thermique apportée par ces moyens de chauffage/refroidissement. Selon l'invention, lesdits moyens de chauffage/refroidissement local sont de préférence rapportés sur la face extérieure de ladite paroi de l'enceinte. Selon l'invention, lesdits moyens de chauffage/refroidissement local comprennent de préférence des résistances électriques. Selon l'invention, lesdites résistances sont de préférence disposées dans une rainure ménagée dans la face extérieure de ladite paroi de l'enceinte. Selon l'invention, lesdits moyens indépendants de réglage et/ou de régulation comprennent de préférence des capteurs thermiques portés par ladite paroi de l'enceinte et situés dans le voisinage desdits moyens de chauffage/refroidissement local indépendants, des moyens de réglage de valeurs de consigne de température et des moyens de régulation régulant lesdits moyens de chauffage pour que lesdits capteurs thermique délivrent des mesures correspondant auxdites valeurs de consigne. La présente invention sera mieux comprise à l'étude de réacteurs de dépôt, décrits à titre d'exemple non limitatifs et illustrés par le dessin sur lequel: La figure 1 représente, selon un plan de coupe contenant son axe, un réacteur de dépôt selon la présente invention; La figure 2 représente une coupe agrandie de la partie supérieure dudit réacteur; La figure 3 représente une coupe agrandie de la partie supérieure dudit réacteur, équipé d'un diffuseur selon l'invention; La figure 4 représente une coupe agrandie de la partie supérieure dudit réacteur, correspondant à la figure 3; La figure 5 représente une coupe d'un autre diffuseur selon l'invention; La figure 6 représente une coupe d'un autre diffuseur selon l'invention; La figure 7 représente, selon un plan de coupe contenant son axe, un réacteur de dépôt selon la présente invention, équipé de moyens de chauffage; La figure 8 représente une vue de dessus du réacteur de la figure 7; Et la figure 9 représente un schéma électrique associé au réacteur de la figure 7. Le réacteur 1 de dépôt que l'on va maintenant décrire est plus spécialement adapté au dépôt d'oxyde à forte constante diélectrique ou permitivité tel qu'un oxyde céramique, en particulier du tantalum pentoxide (Ta2O5). Ce réacteur 1 comprend une enceinte creuse 2 qui généralement est en forme de parallèlépipède. Cette enceinte 2 comprend un corps inférieur 3 généralement en forme de cuvette cylindrique et un couvercle 4 généralement plat, qui délimitent entre eux une chambre de traitement 5. Le réacteur de dépôt 1 comprend un diffuseur 6 qui comprend un disque horizontal 7 et un anneau périphérique 8 en saillie axialement vers le haut, qui est engagé dans la périphérie d'un évidemment circulaire central 9 ménagé dans la face inférieure du couvercle 4, de telle sorte que ce diffuseur divise la chambre de traitement 5 en une chambre de répartition assez plate 10 s'étendant entre la face arrière du diffuseur et le couvercle, dans l'évidemment 9, et en une chambre de réaction 11 du côté de la face frontale inférieure 12 du diffuseur. Le diffuseur 6 présente une multiplicité de trous traversants verticaux 13. Le réacteur de dépôt 1 comprend un support 14 qui comprend un plateau 15 qui est disposé dans la chambre de réaction 11 et qui présente une face supérieure 16 sur laquelle peut être installée une plaquette circulaire 17 à traiter, à distance au-dessous de la face frontale 12 du diffuseur 6. Le support 14 comprend en outre un pied central vertical 18 qui porte le plateau 15 et qui traverse la paroi inférieure du corps 3 et l'enceinte 2, ce pied étant relié à des moyens de réglage, non représentés, de l'écart entre la face frontale 12 du diffuseur 6 et la face supérieure à traiter de la plaquette 17. Le plateau 15 est muni de moyens, non représentés, de chauffage, aussi uniformément que possible, de la plaquette 17 A distance de la périphérie du plateau 15, le corps 3 présente une marche annulaire 19 dans laquelle est creusée une gouttière annulaire 20. Sur cette marche est fixée une couronne horizontale 21 qui présente une multiplicité de passage 22 de communication entre la chambre de réaction 11 et la gouttière 20, de façon à constituer un collecteur annulaire de gaz 23. Le corps 3 présente des canaux 24 reliés à des moyens non représentés en vue d'y faire circuler un fluide de refroidissement. Le réacteur de dépôt 1 comprend en outre un conduit 25 d'amenée de gaz de réaction, qui comprend une portion verticale 26 ménagée dans un coin du corps 3, une portion amont extérieure 27 branchée sur l'extrémité inférieure de la portion 26 et munie d'une vanne 27a de réglage de débit et une portion aval extérieure 28 en forme de U inversé dont une extrémité est branchée sur l'extrémité supérieure de la portion 26 et son autre extrémité est branchée sur un passage traversant 29 ménagé au centre du couvercle 4. Le conduit 25 est relié, en amont de la vanne 27a, à des moyens, non représentés, de fourniture d'un gaz de réaction. Le conduit 25 est équipé de moyens, non représentés, de chauffage du gaz de réaction. Le réacteur de dépôt 1 comprend en outre un conduit 30 d'amenée d'un gaz de dilution qui communique avec la chambre de réaction par un passage ménagé dans la paroi inférieure du corps 3, autour du pied 18. Le réacteur de dépôt 1 comprend en outre un conduit extérieur 32 d'évacuation de gaz, qui est relié au collecteur de gaz 23 au travers d'un passage 33 ménagé dans la paroi latérale du corps 3 et qui est équipé d'une pompe 34. Le réacteur de dépôt 1 fonctionne, généralement, de la manière suivante. Selon un exemple, la plaquette peut présenter un diamètre d'environ 200 mm et l'écart entre la face frontale 12 du diffuseur 6 et la face à traiter de la plaquette 17 peut être compris entre 10 et 17 mm, notamment environ 15 mm. La plaquette est chauffée par le plateau 15. Un gaz de réaction chaud provenant du conduit d'amenée 25 est introduit dans la chambre de répartition 10, passe au travers des trous 8 du diffuseur 6, passe dans l'espace 1 la s'étendant entre la face frontale 12 du diffuseur 6 et la face supérieure à traiter de la plaquette 17 et en sort sensiblement radialement à la périphérie de cet espace. Lors de son passage dans l'espace lla, un dépôt se forme sur la face supérieure de la plaquette 17. Un gaz de dilution chaud provenant du conduit d'amenée 30 est introduit dans la chambre de réaction 11 en dessous du plateau 15, passe au travers du passage annulaire 1lb formé entre la périphérie du plateau 15 et le bord intérieur de la couronne 21. Le gaz de réaction et le gaz de dilution se dirigent alors sensiblement radialement vers le collecteur 23 et sont aspirés dans le conduit d'évacuation 32. En appliquant des conditions de fonctionnement devant conduire au dépôt sur la plaquette 17 d'une couche d'épaisseur déterminée, c'est-à-dire en particulier des valeurs déterminées de la température du plateau 17, de température et de débit des gaz et un écart déterminé entre la face frontale 12 du diffuseur 6 la plaquette 17, et en utilisant un diffuseur 6 dont la face frontale 12 est plate, on obtient généralement, en exemple, une couche 35 dont le profil 36 est représenté en coupe sur la figure 2. Comme le montre cette figure, le profil 36 n'est pas uniforme et comprend une zone annulaire médiane en saillie et bombée formée entre une zone centrale creuse et une zone périphérique descendante, cette nonuniformité pouvant être comprise entre 7% et 10 %. Ce profil n'étant pas satisfaisant, on procède à la réalisation d'un diffuseur 37 dont la face frontale 38 n'est pas plate, tel que celui représenté en exemple sur la figure 3 et installé dans le réacteur de dépôt 1 à la place du diffuseur 6. La face frontale 38 de ce diffuseur 37 présente une partie centrale 38a plate et une partie périphérique 38b arrondie telle que la distance entre cette partie arrondie 38b et la face à traiter d'une plaquette 17a décroît depuis sa périphérie vers son centre, c'est-à-dire jusqu'à rejoindre tangentiellement la partie centrale 38a. De préférence, la partie arrondie 38b est, en coupe, en forme de parabole. On procède alors à une opération de dépôt en appliquant lesdites conditions de fonctionnement sur une plaquette 39. Comme le montre la figure 3, on obtient alors une couche déposée 40 dont le profil 41 présente une non-uniformité atténuée. Selon cet exemple, le profil 41 de la couche 40 déposée sur la plaquette 39 présente une partie périphérique légèrement remontante. Comme le montre la figure 1, le réacteur de dépôt 1 est en outre équipé d'une vanne 42 montée sur le conduit 30 d'amenée de gaz de dilution. Comme le montre la figure 4, en réglant cette vanne 42 de façon à augmenter le débit du gaz de dilution, on peut obtenir une couche 43 déposée sur une plaquette 44, selon lesdites conditions de fonctionnement, dont le profil légèrement remontant précité de sa partie périphérique est atténué. En fait, le gaz de dilution passe avantageusement à la périphérie de bord supérieur du plateau 15 et donc rejoint le gaz de réaction à proximité de la périphérie de la plaquette à traiter. Ces gaz sont dirigés radialement vers l'extérieur vers le collecteur 23. En réglant le débit du gaz de dilution, en agissant sur le réglage de la vanne 42, on peur avantageusement obtenir une épaisseur de la partie périphérique de la couche déposée sur une plaquette, adaptée à l'épaisseur de cette couche par ailleurs déposée sur cette plaquette. Par ailleurs, la face frontale du diffuseur utilisé peut avantageusement présenter d'autres formes que celle proposée ci-dessus. Comme le montre la figure 5, la face frontale 45 possible d'un autre diffuseur 46 utilisable peut avantageusement présenter une partie centrale 45a plate et une partie périphérique conique 45b, dont la valeur de conicité pourrait être comprise entre 160 et 175 . Comme le montre la figure 6, la face frontale 47 possible d'un autre diffuseur utilisable 48 peut avantageusement présenter une partie centrale 47a conique et concave, dont la valeur de conicité pourrait être comprise entre 175 et 179,5 , et une partie périphérique conique 47b, dont la valeur de conicité pourrait être comprise entre 160 et 175 . Pour la détermination du profil de la face frontale d'un diffuseur adapté, on pourrait procéder de la manière suivante. Tout d'abord, on installe dans le réacteur de dépôt 1 un diffuseur d'essai 6 dont la face frontale 12 est plate. On effectue une opération de dépôt sur une surface d'une plaquette d'essai 17, en appliquant des conditions de fonctionnement déterminées en fonction de l'épaisseur du dépôt souhaité. Puis, on extrait la plaquette d'essai et on effectue un relevé de la topographie de la surface traitée de cette plaquette d'essai 17. On réalise alors un second diffuseur présentant une face frontale dont la topographie présente au moins une partie annulaire substantiellement inverse de celle de la surface traitée de la plaquette d'essai, par exemple un diffuseur correspondant aux diffuseurs 37 ou 45. On pourrait aussi réaliser un diffuseur correspondant au diffuseur 48 en tenant compte du profil de la partie centrale de la plaquette d'essai. Enfin, on installe ce second diffuseur dans le réacteur de dépôt 1 en vue du traitement de plaquettes courantes. En se reportant aux figures 7 et 8, on peut voir que la face supérieure du couvercle 4 du réacteur de dépôt 1 peut présenter une rainure annulaire 49 ménagée dans sa zone correspondant à la partie périphérique de la chambre de répartition 10. Dans cette rainure 49 sont rapportées, dans l'exemple, trois résistances électriques arquées indépendantes 50, 51 et 52 sensiblement réparties. Sur la face supérieure du couvercle 4 sont installés par exemple trois capteurs thermiques indépendants 50a, 51a et 52a, placés à proximité des résistances 50, 51 et 52, intérieurement, et sensiblement répartis. Sur la face supérieure du couvercle 4 est également installé un conduit annulaire 53 de circulation d'un fluide de refroidissement, disposé autour et à distance de la rainure 49. Ce conduit annulaire 53 est relié à une source extérieure de fluide. En se reportant à la figure 9, on peut voir qu'on a représenté un schéma électronique 53 d'alimentation de façon indépendante des résistances 50, 51 et 52. Les capteurs 50a, 51a et 52a sont respectivement reliés à des circuits de régulation 54, 55 et 56 de l'alimentation électrique des résistances 50, 51 et 52, qui sont soumis à des boutons de réglage de valeurs de consigne 54a, 55a et 56a. Classiquement, chaque circuit de régulation alimente chaque résistance de façon que le capteur correspondant délivre une valeur mesurée correspondant à la valeur de consigne correspondante souhaitée. L'adjonction des résistances 50, 51 et 52 a pour but de chauffer plus ou moins, de façon indépendante, le gaz de réaction traversant les zones correspondantes de la chambre de répartition 10, via la chaleur qu'elles apportent notamment au couvercle 4, afin de compenser plus ou moins des déséquilibres thermiques circonférentiels de la masse constituée par les parois de l'enceinte 3, qui ont tendance à engendrer une non-uniformité circonférentielle de la couche déposée sur une plaquette traitée. Pour cela, on place successivement des plaquettes 57 sur le plateau 15, sur lesquelles on effectue, en appliquant lesdites conditions de fonctionnement, des opérations de dépôt en modifiant à chaque fois le réglage des boutons de réglage des valeurs de consigne 54a, 55a et 56a, jusqu'à obtenir une épaisseur de la couche déposée présentant une nonuniformité circonférentielle acceptable. En appliquant les dispositions décrites relatives à la face frontale du diffuseur et/ou au réglage du débit du gaz de dilution et/ou à la régulation thermique locale de la température du couvercle, il est possible de réduire la non-uniformité de la couche déposée sur des plaquettes, jusqu'à une valeur pouvant être comprise entre 1,5% et 3%. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. Bien des variantes sont possibles sans sortir du cadre défini par les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Réacteur de dépôt en vue en particulier du dépôt d'une couche d'oxyde à forte permitivité ou constante diélectrique sur une plaquette, comprenant une enceinte déterminant une chambre de traitement, un support sur lequel peut être disposée, dans ladite chambre de traitement, une plaquette présentant une face supérieure à traiter, un diffuseur en forme de plaque, qui présente des trous traversants entre une face frontale placée au-dessus et à distance de la face supérieure à traiter de la plaquette et une face arrière opposée à cette face frontale et qui divise ladite chambre de traitement en une chambre de répartition située du côté de la face arrière du diffuseur et une chambre de réaction située du côté de la face frontale du diffuseur, et un passage annulaire formé dans la chambre de réaction autour dudit support, ladite enceinte étant munie de moyens d'entrée de gaz de réaction débouchant dans ladite chambre de répartition, de moyens périphériques de sortie de gaz débouchant dans ladite chambre de réaction du côté de la plaquette par rapport audit passage annulaire et des moyens d'entrée de gaz de dilution débouchant dans ladite chambre de réaction et placés pour que ce gaz passe au travers dudit passage annulaire pour être évacué par lesdits moyens de sortie de gaz, caractérisé par le fait que la partie périphérique (38b; 45b;17b) de ladite face frontale du diffuseur (37; 16; 48) est formée de façon que l'écart entre cette partie périphérique et la face supérieure à traiter de ladite plaquette décroisse depuis sa périphérie vers son centre. 2. Réacteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite partie périphérique de la face frontale du diffuseur est conique. 3. Réacteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que l'angle de conicité de ladite partie périphérique conique de la face frontale du diffuseur est compris entre 160 et 175 . 4. Réacteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite partie périphérique de la face frontale du diffuseur est arrondie. 5. Réacteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la partie centrale (47a) de la face frontale du diffuseur est en retrait ou creusée. 6. Réacteur selon la revendication 5, caractérisé par le fait que ladite partie centrale de la face frontale du diffuseur présente une partie annulaire conique ouverte du côté de ladite plaquette. 7. Réacteur selon la revendication 6, caractérisé par le fait que l'angle de conicité de ladite partie centrale conique de la face frontale du diffuseur est compris entre 175 et 179,5 . 8. Procédé de détermination de la forme de la face frontale d'un diffuseur, en forme de plaque, de gaz d'un réacteur de dépôt, placée en face de la surface d'une plaquette circulaire à traiter, dans lequel les conditions de fonctionnement du réacteur sont prédéterminées caractérisé par le fait qu'il consiste à installer dans le réacteur un premier diffuseur d'essai (17) dont la face frontale présente un profil déterminé, de préférence une face frontale plate; à effectuer une opération de dépôt sur une surface d'une plaquette d'essai; à effectuer un relevé de la topographie de la surface traitée de la plaquette d'essai; à réaliser un second diffuseur (37; 16; 48) présentant une face frontale dont la topographie présente au moins une partie annulaire substantiellement inverse de celle de la surface traitée de la plaquette d'essai; et à installer ce second diffuseur dans le réacteur en vue du traitement de plaquettes courantes. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait qu'il consiste à réaliser un second diffuseur (37; 16; 48) dont la face frontale présente au moins une partie annulaire conique ou arrondie (38b; 45b;17b) dont l'angle de conicité est substantiellement inverse et dans un rapport déterminé par rapport à l'angle moyen de conicité de la partie annulaire correspondante de la plaquette d'essai. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé par le fait que ladite partie annulaire conique ou arrondie est située à la périphérie de la face frontale dudit second diffuseur. 11. Diffuseur en forme de plaque pour réacteur de dépôt, qui présente une face frontale destinée à être placée au-dessus et à distance d'une face supérieure à traiter d'une plaquette et une face arrière opposée à cette face frontale et qui présente des trous traversant ménagés entre ces faces, caractérisé par le fait que la partie périphérique (38b; 45b;17b) de ladite face frontale est formée de façon que l'écart entre cette partie périphérique et la face supérieure à traiter de ladite plaquette décroisse depuis sa périphérie vers son centre. 12. Diffuseur selon la revendication 11, caractérisé par le fait que ladite partie périphérique de la face frontale du diffuseur est conique. 13. Diffuseur selon la revendication 12, caractérisé par le fait que l'angle de conicité de ladite partie périphérique conique.de la face frontale du diffuseur est compris entre 160 et 175 . 14. Diffuseur selon la revendication 11, caractérisé par le fait que ladite partie périphérique de la face frontale du diffuseur est arrondie. 15. Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé par le fait que la partie centrale de la face frontale du diffuseur est en retrait ou creusée. 16. Diffuseur selon la revendication 15, caractérisé par le fait que ladite partie centrale de la face frontale du diffuseur présente une partie annulaire conique ouverte du côté de ladite plaquette. 17. Diffuseur selon la revendication 16, caractérisé par le fait que l'angle de conicité de ladite partie centrale conique de la face frontale du diffuseur est compris entre 175 et 179,5 . 18. Réacteur de dépôt en vue en particulier du dépôt d'une couche d'oxyde à forte permitivité ou constante diélectrique sur une plaquette, comprenant une enceinte déterminant une chambre de traitement, un support sur lequel peut être disposée, dans ladite chambre de traitement, une plaquette présentant une face supérieure à traiter, un diffuseur en forme de plaque, qui présente des trous traversants entre une face frontale placée au-dessus et à distance de la face supérieure à traiter de la plaquette et une face arrière opposée à cette face frontale et qui divise ladite chambre de traitement en une chambre de répartition située du côté de la face arrière du diffuseur et une chambre de réaction située du côté de la face frontale du diffuseur, et un passage annulaire formé dans la chambre de réaction autour dudit support, ladite enceinte étant munie de moyens d'entrée de gaz de réaction débouchant dans ladite chambre de répartition, de moyens périphériques de sortie de gaz débouchant dans ladite chambre de réaction du côté de la plaquette par rapport audit passage annulaire et des moyens d'entrée de gaz de dilution débouchant dans ladite chambre de réaction et placés pour que ce gaz passe au travers dudit passage annulaire pour être évacué par lesdits moyens de sortie de gaz, Caractérisé par le fait que lesdits moyens (30) d'entrée de gaz de dilution comprennent des moyens de réglage de débit (42). 19. Réacteur de dépôt en vue en particulier du dépôt d'une couche d'oxyde à forte permitivité ou constante diélectrique sur une plaquette, comprenant une enceinte déterminant une chambre de traitement, un support sur lequel peut être disposée, dans ladite chambre de traitement, une plaquette présentant une face supérieure à traiter, un diffuseur en forme de plaque, qui présente des trous traversants entre une face frontale placée au-dessus et à distance de la face supérieure à traiter de la plaquette et une face arrière opposée à cette face frontale et qui divise ladite chambre de traitement en une chambre de répartition située du côté de la face arrière du diffuseur et une chambre de réaction située du côté de la face frontale du diffuseur, et un passage annulaire formé dans la chambre de réaction autour dudit support, ladite enceinte étant munie de moyens d'entrée de gaz de réaction débouchant dans ladite chambre de répartition, de moyens périphériques de sortie de gaz débouchant dans ladite chambre de réaction du côté de la plaquette par rapport audit passage annulaire et des moyens d'entrée de gaz de dilution débouchant dans ladite chambre de réaction et placés pour que ce gaz passe au travers dudit passage annulaire pour être évacué par lesdits moyens de sortie de gaz, caractérisé par le fait qu'il comprend au moins deux moyens indépendants (50-52) de chauffage/refroidissement local, portés par la paroi de l'enceinte adjacente à ladite chambre de répartition (10) et disposés dans la zone de la périphérie de cette chambre, ainsi que des moyens indépendants (54-56) de réglage et/ou de régulation de l'énergie thermique apportée par ces moyens de chauffage/ refroidissement. 20. Réacteur selon la revendication 19, caractérisé par le fait que lesdits moyens de chauffage/refroidissement local sont rapportés sur la face extérieure de ladite paroi (4) de l'enceinte. 21. Réacteur selon l'une des revendications 19 et 20, caractérisé par le fait que lesdits moyens de chauffage/refroidissement local comprennent des résistances électriques (50-52). 22. Réacteur selon la revendication 21, caractérisé par le fait que lesdits résistances sont disposées dans une rainure (49) ménagée dans la face extérieure de ladite paroi de l'enceinte. 23. Réacteur selon l'une quelconque des revendications 19 à 22, caractérisé par le fait que lesdits moyens indépendants de réglage et/ou de régulation comprennent des capteurs thermiques (50a-52a) portés par ladite paroi de l'enceinte et situés dans le voisinage desdits moyens de chauffage/refroidissement local indépendants, des moyens de réglage (54a56a) de valeurs de consigne de température et des moyens de régulation régulant lesdits moyens de chauffage pour que lesdits capteurs thermique délivrent des mesures correspondant aux dites valeurs de consigne.