Brevet FR2874746A1 — publié le 20060303

TRANSISTOR ORGANIQUE EN COUCHES MINCES,DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES UTILISANT CE TRANSISTOR, ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un transistor organique en couches minces, et plus particulièrement, un procédé pour fabriquer un transistor organique en couches minces et un procédé pour fabriquer un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant ledit transistor qui emploient un processus d'exposition arrière pour former une couche active. Suite au développement du polyacétylène, qui est un polymère organique conjugué présentant des caractéristiques semi-conductrices, un semi-conducteur organique a été étudié de façon active en raison de ses caractéristiques avantageuses de facilité de formation d'un type de film, de souplesse, conductivité et d'un faible coût de production. Un semi-conducteur organique peut être employé dans un dispositif électronique ou un dispositif optique. Parmi les dispositifs utilisant le polymère semi-conducteur, un transistor organique en couches minces (OTFT) employant un matériau organique est le centre de nombreuses recherches en cours. En général, un OTFT a une structure similaire à celle d'un TFT en Si, et un OTFT emploie un matériau organique au niveau d'une zone semi-conductrice, à la place du Si. Un OTFT a de nombreux avantages en ce qu'un film fin peut être formé par un processus d'impression à la pression atmosphérique à la place d'un dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) nécessitant une pression sous-atmosphérique pour former le film fin de Si existant, un processus bobine à bobine utilisant un substrat de plastique peut être exécuté, et un transistor à faible coût peut être appliqué. Les figures 1A à lE sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces (OTFT) selon l'art connexe. Sur la figure lA, un procédé de fabrication d'un OTFT selon l'art connexe comprend la préparation d'un substrat transparent 10. En particulier, un premier matériau métallique est disposé et modelé pour former une électrode de grille 11 en utilisant un processus photolithographique.Le processus photolithographique comprend un processus d'enduction d'un film de résine photosensible pour enduire un film de résine photosensible sur une couche d'objet à graver sur laquelle un motif doit être formé, un processus d'exposition pour aligner un masque sur le film de résine photosensible et irradier de la lumière à travers le masque, un processus de développement pour former un motif de résine photosensible sur la couche d'objet à graver en supprimant les parties irradiées du film de résine photosensible en utilisant un révé- lateur, un processus de gravure pour former un motif souhaité en gravant la couche d'objet à graver en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque, et un processus de dénudation pour supprimer le motif de résine photosensible restant sur le motif. Ensuite, du SiNx ou du SiOx est déposé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 10 comprenant l'électrode de grille 11 en utilisant un procédé CVD activé par plasma pour former une couche isolante de grille 13. Sur la figure 1B, un matériau organique de faible masse moléculaire, tel qu'un pentacène, est déposé au niveau d'une surface supérieure de la couche isolante de grille 13 pour former un motif actif 15 sur une partie de la couche isolante de grille 13 correspondant à l'électrode de grille 11. Etant donné qu'un film de résine photosensible modifie les caractéristiques du pentacène, un processus photolithographique classique ne peut pas être utilisé. De ce fait, le motif actif 15 est formé en utilisant un masque perforé. Le masque perforé a une certaine zone ouverte pour permettre la formation d'un motif et a un concept différent d'un masque utilisé pour un processus d'exposition classique.Par exemple, le masque utilisé pour le processus d'exposition classique est divisé en régions pour bloquer la lumière ou transmettre la lumière, tandis que le masque perforé est divisé en la zone ouverte et une zone fermée, de telle sorte qu'un matériau pour former un motif est déposé uniquement à travers la zone ouverte pour former le même motif que la zone ouverte. Cependant, un motif formé en utilisant le masque perforé a une précision bien inférieure par rapport à un motif formé en utilisant le masque général. Comme représenté sur la figure 1 C, un second matériau métallique est déposé sur la couche active 15 et est modelé pour former des électrodes de source et de drain 16 et 17 sur la couche active 15. En particulier, le second matériau métallique est modelé en utilisant le processus photolithographique pour former les électrodes de source et de drain 16 et 17 comme l'électrode de grille 11. Sur la figure 1D, un film inorganique ou un film organique est déposé sur l'ensemble de la surface du substrat 10 comprenant les électrodes de source et de drain 16 et 17 pour former un film de passivation 18. Le film de passivation 18 est modelé pour former une fenêtre de contact 19 exposant une partie de l'électrode de drain 17 en utilisant le processus photolithographique. En outre, comme représenté sur la figure 1 E, un matériau conducteur transparent tel que l'ITO, est déposé sur l'ensemble de la surface du substrat 10 comprenant la fenêtre de contact 19, et est modelé pour former une électrode de pixel 20 connectée électriquement à l'électrode de drain 17 à travers la fenêtre de contact 19. Le matériau conducteur transparent est modelé en utilisant le processus photolithographique pour former la fenêtre de contact 19. Cependant, étant donné que le procédé de fabrication d'un OTFT selon l'art connexe demande un masque perforé pour former le motif actif, la précision du motif actif se réduit et le nombre d'utilisations de masques augmente. Ainsi, une efficacité de fabrication diminue, et les caractéristiques électriques de l'OTFT sont altérées. En conséquence, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant ledit transistor qui permet d'éviter sensiblement un ou plusieurs des problèmes dus aux limitations et inconvénients de l'art connexe. Un objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces (OTFT) qui forme un motif précis. Un autre objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un OTFT qui a un processus de fabrication simplifié en omettant le masque perforé et en réduisant le nombre de masques. Encore un autre objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un OTFT qui améliore les caractéristiques électriques de l'OTFT en augmentant une surface de contact entre une couche active et les électrodes de source/drain de l'OTFT. Pour réaliser ces avantages et autres avantages et selon l'objet de la présente invention, tel que mis en u̇vre et largement décrit, un procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces comprend la formation d'une électrode de grille sur un substrat, la formation d'une couche isolante de grille sur le substrat comprenant l'électrode de grille, la formation d'un motif actif organique sur la couche isolante de grille en utilisant un processus d'exposition arrière, et la formation d'électrodes de source et de drain sur le motif actif organique. L'étape de formation du motif actif organique peut comprendre : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; - l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film organique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du substrat - le développement du film de résine photosensible pour former un motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; et - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque. L'étape d'empilement du film organique peut comprendre le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. Selon un mode de réalisation, l'étape d'empilement du film inorganique comprend le dépôt de l'un du nitrure de silicium (SiNx), de l'oxyde de silicium (SiOx) et de l'oxyde d'indium (InOx) sur le film organique. Selon un autre mode de réalisation, l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; - l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film inorganique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du substrat ; - le développement du film de résine photosensible pour former un premier motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le premier motif de résine photosensible en tant que masque ;- la suppression d'une partie du premier motif de résine photosensible pour former un second motif de résine photosensible, le second motif de résine photosensible exposant des parties du film inorganique gravé ; et la gravure des parties exposées du film inorganique gravé en utilisant le second motif de résine photosensible en tant que masque. Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'empilement du film inorganique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'empilement du film inorganique comprend le dépôt de l'un du nitrure de silicium (SiNx), de l'oxyde de silicium (SiOx) et de l'oxyde d'indium (InOx) sur le film organique. Selon un autre mode de réalisation, l'étape de formation de l'électrode de grille comprend : le dépôt d'un matériau métallique ; et le modelage du matériau métallique en utilisant un processus photolithographique. Selon un autre mode de réalisation, l'étape de formation de l'électrode de grille comprend l'impression d'une pâte d'Ag sur le substrat. Selon un autre mode de réalisation, l'étape de formation de la couche isolante de grille comprend l'enduction d'un matériau organique sur le substrat. Selon un autre mode de réalisation, le matériau organique de la couche isolante de grille comprend l'un du polyvinylpyrrolidone (PVP) et du polyméthacrylate de méthyle (PMMA). Selon un autre mode de réalisation, l'étape de formation des électrodes de source et de drain comprend l'impression ou l'enduction d'un polymère conducteur sur le motif actif organique. Le procédé peut comprendre en outre : - la formation d'un film de passivation sur l'ensemble de la surface du substrat comprenant les électrodes de source et de drain ; - la formation d'une fenêtre de contact dans le film de passivation, la fenêtre de contact exposant une partie de l'électrode de drain ; et - la formation d'une électrode de pixel sur le film de passivation, l'électrode de pixel étant connectée électriquement à l'électrode de drain à travers la fenêtre de contact. Selon un mode de réalisation, le film de passivation comprend un matériau organique. Selon un autre mode de réalisation, le matériau organique du film de passivation comprend l'un de l'acryle et du benzocyclobutène (BCB). Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de pixel comprend un matériau organique. Selon un autre mode de réalisation, le matériau organique de l'électrode de pixel comprend du polyéthylène- dioxythiophène (PEDOT). L'invention propose également un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant : - la formation d'une électrode de grille sur un premier substrat ; - la formation d'une couche isolante de grille sur le premier substrat comprenant l'électrode de grille ; la formation d'un motif actif organique sur la couche isolante de grille en utilisant un processus d'exposition arrière ; - la formation d'électrodes de source et de drain sur le motif actif organique ; - la fixation du premier substrat sur un second substrat avec un espace entre eux ; et - la formation d'une couche de cristaux liquides dans l'espace entre le premier et le second substrat. Selon un mode de réalisation de ce procédé, l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; - l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film inorganique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du premier substrat ; le développement du film de résine photosensible exposé pour former un motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; et - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque. Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'empilement du film organique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. Selon un autre mode de réalisation, l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; - l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film inorganique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du premier substrat ; - le développement du film de résine photosensible exposé pour former un premier motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le premier motif de résine photosensible en tant que masque ;la suppression d'une partie du premier motif de résine photosensible pour former un second motif de résine photosensible, le second motif de résine photosensible exposant des parties du film inorganique gravé ; et - la gravure des parties exposées du film inorganique gravé en utilisant le second motif de résine photosensible en tant que masque. Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'empilement du film organique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. Le procédé peut comprendre en outre : - la formation d'un film de passivation sur l'ensemble de la surface du substrat comprenant les électrodes de source et de drain ; - la formation d'une fenêtre de contact dans le film de passivation, la fenêtre de contact exposant une partie de l'électrode de drain ; et - la formation d'une électrode de pixel sur le film de passivation, l'électrode de passivation étant connectée électriquement à l'électrode de drain à travers la fenêtre de contact, et/ou : - la formation d'une matrice noire sur le second substrat ; - la formation d'un filtre chromatique sur la matrice noire ; et - la formation d'une électrode commune sur le filtre chromatique. L'invention propose également le transistor organique en couches minces obtenu par le procédé, comprenant : - une électrode de grille sur un premier substrat ; - une couche isolante de grille sur le premier substrat couvrant l'électrode de grille ; - une couche active organique sur la couche isolante de grille correspondant à l'électrode de grille ; - un motif inorganique sur la couche active organique ; et - des électrodes de source et de drain sur le motif inorganique, les électrodes de source et de drain étant connectées électriquement à la couche active organique. Selon un mode de réalisation, le motif inorganique a une surface inférieure à celle de la couche active organique. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de source est en contact avec une partie d'une surface supérieure de la couche active organique, et l'électrode de drain est en contact avec une autre partie de la surface supérieure de la couche active organique. Selon un autre mode de réalisation, la couche active organique comprend l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA). L'invention propose également un dispositif d'affichage à cristaux liquides présentant un premier substrat ayant ce transistor organique en couches minces, comprenant : un second substrat fixé au premier substrat ; et une couche de cristaux liquides formée entre le premier et le second substrats. Il doit être entendu que la description générale précédente tout comme la description détaillée suivante sont fournies à titre d'exemple et d'explication et sont sensées fournir une meilleure explication de l'invention telle que revendiquée dans les revendications. Le dessins joints, qui sont inclus pour fournir une meilleure compréhension de l'invention illustrent des modes de réalisation de l'invention et conjointement avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. Sur les dessins : - les figures 1A à lE sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces (OTFT) selon l'art connexe ; - les figures 2A à 2E sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention ; - les figures 3A à 3C sont des vues en coupe représentant un procédé de formation de la couche active de l'OTFT représentée sur la figure 2B ;- la figure 4 est une vue en coupe représentant un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) formé en utilisant le processus des figures 2A à 2E. - les figures 5A à 5E sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d'un OTFT selon un autre mode de réalisation de la présente invention ; - les figures 6A à 6E sont des vues en coupe représentant un procédé de formation de la couche active de l'OTFT représentée sur la figure 5B ; et la figure 7 est une vue en coupe représentant un dispositif LCD formé en utilisant le processus des figures 5A à 5E. Nous allons maintenant nous référer en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins joints. Les figures 2A à 2E sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention, et les figures 3A à 3C sont des vues en coupe représentant un procédé de formation de la couche active de l'OTFT représenté sur la figure 2B. Comme représenté sur la figure 2A, un procédé de fabrication d'un OTFT comprend la préparation d'un premier substrat transparent 110. En particulier, un premier matériau conducteur est déposé et est modelé pour former une électrode de grille 111. Le premier matériau conducteur peut comprendre un d'un alliage de Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta et Al, et le premier matériau conducteur peut être modelé en utilisant un processus photolithographique. Le processus photolithographique peut comprendre un processus d'enduction de film de résine photosensible pour enduire un film de résine photosensible sur une couche d'objet à graver en supprimant les parties irradiées du film de résine photosensible en utilisant un révélateur, un processus de gravure pour former un motif souhaité en gravant la couche d'objet à graver en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque, et un processus de dénudation pour supprimer le motif de résine photosensible restant sur le motif.Par exemple, le premier matériau conducteur peut être la couche d'objet à graver, et l'électrode de grille 111 peut être modelée lorsque le premier matériau conducteur est gravé. En variante, le premier matériau conducteur peut comprendre de la pâte d'Ag, et le premier matériau conducteur peut être imprimé sur le premier substrat 110 pour former l'électrode de grille 111. Etant donné que le processus d'impression peut être effectué à une pression atmosphérique, ce qui est plus simple que le processus photolithographique, l'efficacité de production est ainsi améliorée. Après formation de l'électrode de grille 111 sur le premier substrat 110, un matériau organique est formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 110 comprenant l'électrode de grille 111 pour former une couche isolante de grille 113. Le matériau isolant peut comprendre un d'un film de nitrure de silicium (SiNx) et un d'un film d'oxyde de silicium (SiOx). En variante, à la place du matériau inorganique, un matériau organique peut être formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 110. Le matériau organique peut comprendre un du polyvinylpyrrolidone (PVP) et du polyméthacrylate de méthyle (PMMA), et le matériau organique peut être enduit sur le premier substrat 110 pour former la couche isolante de grille 113.Etant donné qu'un processus d'enduction peut être réalisé à la pression atmosphérique sans utiliser d'équipement sous vide, l'efficacité de production est ainsi améliorée. Sur la figure 2B, un film organique et un film inorganique sont formés en séquence sur la couche isolante de grille 113 et ensuite modelés pour former une couche active 115 et un motif inorganique 115'. Par exemple, le film organique et le film inorganique peuvent être modelés en utilisant un processus d'exposition arrière pour former respectivement la couche active 115 et le motif inorganique 115'. En particulier, une fois le film organique et le film inorganique formés, un film de résine photosensible peut être enduit sur le film inorganique. Ensuite, de la lumière est irradiée à travers la surface arrière du premier substrat 110 pour former un motif de résine photosensible.Cela signifie que l'électrode de grille 111, la couche isolante de grille 113, le film organique, le film inorganique et le film de résine photosensible sont formés sur une première surface du premier substrat 110, et de la lumière est irradiée sur une seconde surface du premier substrat 110 qui est opposée à la première surface pour former un motif de résine photosensible. Ensuite, le film inorganique et le film organique sont gravés en utilisant un motif de résine photosensible en tant que masque pour former la couche active 115 et le motif inorganique 115'. Comme représenté sur la figure 3A, le film organique 11 Sa et le film inorganique 115'a sont gravés en séquence sur la couche isolante de grille 113 sur la première surface du premier substrat 110. Le film organique 115a peut comprendre un matériau organique à faible masse moléculaire, tel que le pentacène, qui peut être formé sur le premier substrat 110 par un procédé de dépôt, ou un matériau organique tel qu'un polyacrylamine (PAA), qui peut être formé sur le premier substrat 110 par un procédé d'enduction. Afin de modeler le film organique 115a, le film de résine photosensible 125a doit être enduit sur celui-ci. Cependant, si le film de résine photosensible 125a est directement enduit sur le film organique 115a, l'humidité contenue dans le film de résine photosensible 125a peut s'infiltrer dans le film organique 115a. En particulier, si le film organique 11 Sa est exposé à l'humidité, ses caractéristiques électriques sont altérées. De ce fait, le film inorganique 115'a est formé sur le film organique 115a pour protéger le film organique 115a de l'humidité, améliorant ainsi la fiabilité du produit. Le film inorganique 115'a peut comprendre un des matériaux inorganiques, tels que le SiNx, le SiOx ou l'oxyde d'indium. Ainsi, un film de résine photosensible 125a est empilé sur le film inorganique 115'a. Ensuite, de la lumière, représentée sous la forme de flèches verticales, est irradiée à travers la seconde surface du premier substrat 110 pour exposer le film de résine photosensible 125a. En particulier, étant donné que l'électrode de grille 111 bloque la lumière, fonctionnant ainsi comme un masque, la lumière n'est pas irradiée sur la partie du film de résine photosensible 125a correspondant à l'électrode de grille 111. Comme représenté sur la figure 3B, un motif de résine photosensible 125 est formé au niveau d'un côté supérieur de l'électrode de grille 111. En particulier, une fois le film de résine photosensible 125a partiellement irradié par la lumière (comme représenté sur la figure 3A), un révélateur est utilisé pour supprimer les parties irradiées du film de résine photosensible 125a, formant ainsi le motif de résine photosensible 125. Comme représenté sur la figure 3C, la couche active 115 et le motif inorganique 115' sont ensuite formés. En particulier, le film organique 115a et le film inorganique 115'a (représentés sur la figure 3B) sont gravés en utilisant le motif de résine photosensible 125 en tant que masque. Bien que non représenté, le motif de résine photosensible 125 est ensuite supprimé en utilisant un processus de dénudation. En outre, le motif inorganique 115' peut également être supprimé en utilisant un processus de gravure à sec ou peut rester sur la couche active 115. Si l'on se réfère à nouveau à la figure 2C, une fois que la couche active 115 est formée, un deuxième matériau conducteur est déposé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 110 comprenant la couche active 115, et est modelé pour former une électrode de source 116 et une électrode de drain 117 qui sont en contact avec la couche active 115. Le deuxième matériau conducteur peut comprendre un de l'alliage de Cu, Mo, Ta, AI, Cr, Ti et Al, et peut être modelé en utilisant un processus photolithographique pour former les électrodes de source et de drain 116 et 117. En parti- culier, le second matériau conducteur peut être le même matériau en tant que premier matériau conducteur.En variante, le second matériau conducteur peut comprendre un matériau de polymère conducteur et peut être enduit ou imprimé sur le premier substrat 110 pour former les électrodes de source et de drain 116 et 117. Etant donné que le processus d'enduction ou d'impression peut être réalisé à une pression atmosphérique, qui est beaucoup plus simple que le processus photolithographique, le rendement est ainsi amélioré. Sur la figure 2D, un film de passivation 118 est formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 110 comprenant les électrodes de source et de drain 116 et 117. Le film de passivation 118 peut comprendre un matériau inorganique, tel que le SiNx ou SiOx, ou un matériau organique, tel qu'un BCB ou acryle. En outre, une partie du film de passivation 118 est supprimée pour former la fenêtre de contact 119 exposant une partie de l'électrode de drain 117. La fenêtre de contact 119 peut être formée en utilisant le processus photolithographique. En particulier, lorsque le matériau organique est employé pour former le film de passivation 118, le processus peut être effectué à la pression atmosphérique, ce qui est plus simple que lorsque le matériau inorganique est employé, le rendement est ainsi amélioré. Sur la figure 2E, une électrode de pixel 120 est formée sur le premier substrat 110 comprenant le film de passivation 118 et la fenêtre de contact 119. En particulier, l'électrode de pixel 120 est formée pour se connecter électriquement à l'électrode de drain 117 à travers la fenêtre de contact 119. L'électrode de pixel 120 peut comprendre un matériau conducteur transparent. Le matériau conducteur transparent peut être formé sur le premier substrat 110 et modelé en utilisant le processus photolithographique. En outre, le matériau conducteur transparent peut comprendre de l'oxyde d'étain indium (ITO) ou de l'oxyde de zinc indium (IZO).En variante, un matériau organique polymère tel qu'un polyéthylène-dioxythiophène (PEDOT) peut être employé pour former l'électrode de pixel 120, ce qui peut être plus avantageux étant donné que son processus correspondant peut être effectué à la pression atmosphérique. Bien que non représenté, le premier substrat 110 peut alors être fixé à un deuxième substrat ayant un filtre chromatique et une électrode commune, et une couche de cristaux liquides est formée entre le premier substrat 110 et le second substrat pour former ainsi un dispositif LCD. La figure 4 est une vue en coupe représentant un dispositif LCD formé en utilisant le processus des figures 2A à 2E. Sur la figure 4, un dispositif LCD 200 comprend un premier substrat 210 et un second substrat 230. En particulier, le premier substrat 210 comprend un OTFT et une électrode de pixel 220. L'OTFT comprenant une électrode de grille 211, une couche isolante de grille 213, une couche active 215, un motif inorganique 215', une électrode de source 216, une électrode de drain 217, et une couche de passivation 218 peuvent être formés par le procédé représenté sur les figures 2A et 2E. En outre, le second substrat 230 comprend une matrice noire 231, un filtre chromatique 233 et une électrode commune 235 formés en séquence sur celui-ci.Ensuite, les premier et second substrats 210 et 230 sont fixés l'un à l'autre avec un espace entre eux, et une couche de cristaux liquides est formée entre les premier et second substrats 210 et 230. Bien qu'un procédé de formation de la matrice noire 231, le filtre chromatique 233 et l'électrode commune 235 formée sur le second substrat 230 ne soit pas mentionné en détail, la matrice noire 231 peut être formée d'un matériau organique ou d'un matériau métallique, et l'électrode commune 235 peut être formée d'un matériau conducteur, tel que l'ITO ou l'IZO, ou un matériau conducteur polymère, tel que le PEDOT comme l'électrode de pixel 220. En variante, bien que non représentées, l'électrode commune 235 et l'électrode de pixel 220 peuvent toutes deux être formées sur le premier substrat 210. La formation de l'électrode commune 235 et de l'électrode de pixel 220 sur le même substrat, par exemple, le premier substrat 210, améliore les caractéristiques de l'angle de visée selon l'entraînement horizontal de molécules de cristaux liquides de la couche de cristaux liquides 240. En conséquence, l'OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une couche active formée en utilisant le processus d'exposition arrière, omettant ainsi le processus de masque perforé. En outre, la couche active est plus précisément formée en comparaison avec l'art connexe. Par exemple, dans l'art connexe, le motif actif organique est formé en utilisant un masque perforé. Cependant, le masque perforé ne fournit pas un motif fin en termes de ses caractéristiques et peut être facilement mal aligné sur le substrat, de telle sorte que le motif actif n'est pas précisément formé.Au contraire, dans un mode de réalisation de la présente invention, un film inorganique est formé sur le film organique, un processus d'exposition arrière, qui fournit un motif fin, est employé, et l'électrode de grille bloque sélectivement la lumière pour définir un motif de résine photosensible. Par conséquent, la couche active est plus précisément formée. Les figures 5A à 5E sont une vue en coupe représentant un procédé de fabrication d'un OTFT selon un autre mode de réalisation de la présente invention, et les figures 6A à 6E sont des vues en coupe représentant un procédé de formation de la couche active de l'OTFT représentée sur la figure 5B. Comme représenté sur la figure 5A, un procédé de fabrication d'un OTFT comprend la préparation d'un premier substrat transparent 310. En particulier, un premier matériau conducteur est déposé et modelé pour former une électrode de grille 311. Le premier matériau conducteur peut comprendre un d'un alliage de Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta et Al, et le premier matériau conducteur peut être modelé en utilisant un processus photolithographique. Le processus photolithographique peut comprendre un processus d'enduction de film de résine photosensible pour enduire un film de résine photosensible sur une couche d'objet à graver sur lequel un motif doit être formé, un processus d'exposition pour aligner un masque sur le film de résine photosensible et irradier de la lumière à travers le masque, un processus de développement pour former un motif de résine photosensible et irradier de la lumière à travers le masque, un processus de développement pour former un motif de résine photosensible sur la couche d'objet à graver en supprimant les parties irradiées du film de résine photosensible en utilisant un révélateur,un processus de gravure pour former un motif souhaité en gravant la couche d'objet à graver en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque, et un processus de dénudation pour supprimer le motif de résine photosensible restant sur le motif. Par exemple, le premier matériau conducteur peut être la couche d'objet à graver, et l'électrode de grille 311 peut être modelée lorsque le premier matériau conducteur est gravé. En variante, le premier matériau conducteur peut comprendre une pâte d'Ag, et le premier matériau conducteur peut être imprimé sur le premier substrat 310 pour former l'électrode de grille 311. Etant donné que le processus d'impression peut être effectué à une pression atmosphérique, ce qui est plus simple que le processus photolithographique, le rendement est ainsi amélioré. Une fois l'électrode de grille 311 formée sur le premier substrat 310, un matériau inorganique est formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 310 comprenant l'électrode de grille 311 pour former une couche isolante de grille 313. Le matériau inorganique peut comprendre un d'un film de nitrure de silicium (SiNx) et d'un film d'oxyde de silicium (SiOx). En variante, à la place du matériau inorganique, un matériau organique peut être formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 110. Le matériau organique peut comprendre un du polyvinylpyrrolidone (PVP) et du polyméthacrylate de méthyle (PMMA), et le matériau organique peut être enduit sur le premier substrat 310 pour former la couche isolante de grille 313.Etant donné qu'un processus d'enduction peut être effectué à la pression atmosphérique sans utiliser d'équipement sous vide, le rendement est ainsi amélioré. Sur la figure 5B, un film organique et un film inorganique sont formés en séquence sur la couche isolante de grille 313 et modelés ensuite pour former une couche active 315 et un motif inorganique 315'. Par exemple, le film organique et le film inorganique peuvent être modelés en utilisant un processus d'exposition arrière pour former respectivement la couche active 315 et le motif inorganique 315'. En particulier, une fois le film organique et le film inorganique formés, un film de résine photosensible peut être enduit sur le film inorganique. Ensuite, de la lumière est irradiée à travers la surface arrière du premier substrat 310 pour former un motif de résine photosensible.Cela signifie que l'électrode de grille 311, la couche isolante de grille 313, le film organique, le film inorganique et le film de résine photosensible sont formés sur une première surface du premier substrat 310, et de la lumière est irradiée sur une seconde surface du premier substrat 310 qui est opposée à la première surface pour former un motif de résine photosensible. Ensuite, le film inorganique et le film organique sont gravés en utilisant un motif de résine photosensible en tant que masque pour former la couche active 315 et le motif inorganique 315'. Comme représenté sur la figure 6A, le film organique 315a et le film inorganique 315'a sont gravés en séquence sur la couche isolante de grille 313 sur la première surface du premier substrat 310. Le film organique 315a peut comprendre un matériau organique à faible masse moléculaire, tel que le pentacène, qui peut être formé sur le premier substrat 310 par un procédé de dépôt, ou un matériau organique tel qu'un polyacrylamine (PAA), qui peut être formé sur le premier substrat 310 par un procédé d'enduction. Afin de modeler le film organique 315a, le film de résine photosensible 325a doit être enduit sur celui-ci. Cependant, si le film de résine photosensible 325a est directement enduit sur le film organique 315a, l'humidité contenue dans le film de résine photosensible 325a peut s'infiltrer dans le film organique 315a. En particulier, si le film organique 315a est exposé à l'humidité, ses caractéristiques électriques sont altérées. De ce fait, le film inorganique 315'a est formé sur le film organique 315a pour protéger le film organique 315a de l'humidité, améliorant ainsi la fiabilité du produit. Le film inorganique 315'a peut comprendre un des matériaux inorganiques, tels que le SiNx, le SiOx ou l'oxyde d'indium. Ainsi, un film de résine photosensible 325a est empilé sur le film inorganique 315'a. Ensuite, de la lumière, représentée sous la forme de flèches verticales, est irradiée à travers la seconde surface du premier substrat 310 pour exposer le film de résine photosensible 325a. En particulier, étant donné que l'électrode de grille 311 bloque la lumière, fonctionnant ainsi comme un masque, la lumière n'est pas irradiée sur la partie du film de résine photosensible 325a correspondant à l'électrode de grille 311. Comme représenté sur la figure 6B, un motif de résine photosensible 325 est formé au niveau d'un côté supérieur de l'électrode de grille 311. En particulier, une fois le film de résine photosensible 325a partiellement irradié par la lumière (comme représenté sur la figure 6A), un révélateur est utilisé pour supprimer les parties irradiées du film de résine photosensible 325a, formant ainsi le motif de résine photosensible 325. Comme représenté sur la figure 6C, la couche active 315 et le motif inorganique 315' sont ensuite formés. En particulier, le film organique 315a et le film inorganique 315'a (représentés sur la figure 6B) sont gravés en utilisant le premier motif de résine photosensible 325 en tant que masque. Comme représenté sur la figure 6D, un second motif de résine photosensible 335 est formé sur le premier substrat 310 comprenant la couche active 315 et le premier motif inorganique 315". En particulier, le premier motif de résine photosensible 325 (représenté sur la figure 6C) est en partie supprimé en utilisant un processus de calcination une fois la couche active 315 et le premier motif inorganique 315" formés. Par exemple, le processus de calcination peut brûler le matériau de résine photosensible pour exposer les côtés du premier motif inorganique 315". Lorsque la surface du premier motif de résine photosensible 325 est brûlée, le côté et la surface du premier motif de résine photosensible 325 sont supprimés, et comme le côté est supprimé, une certaine partie du premier motif inorganique 315" est exposée et l'épaisseur est réduite. Comme représenté sur la figure 6E, le motif inorganique 315' est ensuite formé. En particulier, les parties exposées du premier motif inorganique 315" (représenté sur la figure 6D) sont gravées en utilisant le second motif de résine photosensible 335 comme masque. En conséquence, les parties de la surface supérieure et les côtés de la couche active 315 sont exposés. En outre, bien que non représenté, le second motif de résine photosensible 335 est ensuite supprimé en utilisant un processus de dénudation. Si l'on se réfère à nouveau à la figure 5C, une fois la couche active 315 formée, un second matériau conducteur est déposé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 310 comprenant la couche active 315, et est modelé pour former une électrode de source 316 et une électrode de drain 317 qui sont en contact avec la couche active 315. En particulier, étant donné que des parties de la surface supérieure de la couche active 315 sont exposées, la surface de contact entre la couche active 315 et l'électrode de source/drain 316 ou 317 augmente, améliorant ainsi les caractéristiques électriques de l'OTFT résultant. Le second matériau conducteur peut comprendre un d'un alliage Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti et AI, et peut être modelé en utilisant un processus photolithographique pour former les électrodes de source et de drain 316 et 317. En particulier, le second matériau conducteur peut être le même matériau en tant que premier matériau conducteur. En variante, le second matériau conducteur peut comprendre un matériau polymère conducteur et peut être enduit ou imprimé sur le premier substrat 310 pour former les électrodes de source et de drain 316 et 317. Etant donné que le processus d'enduction ou d'impression peut être effectuée à une pression atmosphérique, qui est beaucoup plus simple que le processus photolithographique, le rendement est ainsi amélioré. Sur la figure 5D, un film de passivation 318 est formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 310 comprenant les électrodes de source et de drain 316 et 317. Le film de passivation 318 peut comprendre un matériau inorganique, tels que le SiNx ou SiOx, ou un matériau organique, tel que le BCB ou l'acryle. En outre, une partie du film de passivation 318 est supprimée pour former une fenêtre de contact 319 mettant à nu une partie de l'électrode de drain 317. La fenêtre de contact 319 peut être formée en utilisant le processus photolithographique. En particulier, lorsque le matériau organique est employé pour former le film de passivation 318, le processus peut être effectué à la pression atmosphérique, qui est plus simple que lorsque le matériau inorganique est employé, le rendement est ainsi amélioré. Sur la figure 5E, une électrode de pixel 320 est formée sur le premier substrat 310 comprenant le film de passivation 318 et la fenêtre de contact 319. En particulier, l'électrode de pixel 320 est formée pour se connecter électriquement à l'électrode de drain 317 par le biais de la fenêtre de contact 319. L'électrode de pixel 320 peut comprendre un matériau conducteur transparent. Le matériau conducteur transparent peut être formé sur le premier substrat 310 et modelé en utilisant le processus photolithographique. En outre, le matériau conducteur transparent peut comprendre de l'oxyde d'étain indium (ITO) ou de l'oxyde de zinc indium (IZO).En variante, un matériau organique polymère tel qu'un polyéthylène-dioxythiophène (PEDOT) peut être employé pour former l'électrode de pixel 320, ce qui peut être plus avantageux étant donné que son processus correspondant peut être effectué à la pression atmosphérique. Bien que non représenté, le premier substrat 310 peut alors être fixé à un deuxième substrat ayant un filtre chromatique et une électrode commune, et une couche de cristaux liquides est formée entre le premier substrat 310 et le second substrat pour former ainsi un dispositif LCD. En conséquence, selon un mode de réalisation de la présente invention, les électrodes de source et de drain sont en contact avec les parties exposées de la surface supérieure de la couche active ainsi que les côtés de la couche active. Par conséquent, la surface de contact entre la couche active 315 et les électrodes de source et de drain 316 et 317 augmente, étant donné que les côtés du motif inorganique 315' sont supprimés pour exposer des parties de la surface supérieure de la couche active. La figure 7 est une vue en coupe représentant un dispositif LCD formé en utilisant le processus des figures 5A à 5E. Sur la figure 7, un dispositif LCD 400 comprend un premier substrat 410 et un second substrat 430. En particulier, le premier substrat 410 comprend un OTFT et une électrode de pixel 420. L'OTFT comprenant une électrode de grille 411, une couche isolante de grille 413, une couche active 415, un motif inorganique 415', une électrode de source 416, une électrode de drain 417, et une couche de passivation 418 peut être formé par le procédé représenté sur les figures 5A et 5E. En outre, le second substrat 430 comprend une matrice noire 431, un filtre chromatique 433 et une électrode commune 435 formés en séquence sur celui-ci. Ensuite, les premier et second substrats 410 et 430 sont fixés l'un à l'autre avec un espace entre eux, et une couche de cristaux liquides est formée entre les premier et second substrats 410 et 430. Bien qu'un procédé de formation de la matrice noire 431, le filtre chromatique 433 et l'électrode commune 435 formée sur le second substrat 430 ne soit pas mentionné en détail, la matrice noire 431 peut être formée d'un matériau organique ou d'un matériau métallique, et l'électrode commune 435 peut être formée d'un matériau conducteur, tel que l'ITO ou l'IZO, ou un matériau conducteur polymère, tel que le PEDOT comme l'électrode de pixel 420. En variante, bien que non représentées, l'électrode commune 435 et l'électrode de pixel 420 peuvent toutes deux être formées sur le premier substrat 410 La formation de l'électrode commune 435 et de l'électrode de pixel 420 sur le même substrat, par exemple, le premier substrat 410, améliore les caractéristiques de l'angle de visée selon l'entraînement horizontal de molécules de cristaux liquides de la couche de cristaux liquides 440. En conséquence, le procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention ne requiert pas de masque perforé pour former la couche active de l'OTFT, simplifiant de ce fait le processus de fabrication. En particulier, dans le procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention, à la place d'un masque perforé, un film inorganique est formé sur un film organique, un film de résine photosensible est enduit sur le film inorganique, et un motif de résine photosensible est formé au niveau de la partie supérieure d'une électrode de grille en utilisant un processus d'exposition arrière. Ensuite, les films organique et inorganique sont gravés en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque pour former précisément une couche active. En outre, dans le procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention, des parties latérales du film inorganique sont gravés pour exposer des parties de la surface supérieure de la couche active avant la forma- tion des électrodes de source et de drain. Par conséquent, la surface de contact entre la couche active et les électrodes de source et de drain augmente, améliorant ainsi les caractéristiques de l'OTFT. En outre, étant donné que le motif actif est formé en utilisant le processus d'exposition arrière, le nombre de masques utilisés dans le processus de fabrication est réduit. En outre, étant donné qu'un masque perforé est généralement coûteux, le procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention réduit également les coûts de fabrication et augmente la productivité. Par ailleurs, dans le procédé de fabrication d'un OTFT selon un mode de réalisation de la présente invention, l'électrode de grille, l'électrode de source, l'électrode de drain ou le film de passivation peuvent être formés en utilisant un procédé d'enduction ou d'impression à la pression atmosphérique en utilisant un matériau organique ou une pâte sans utiliser d'équipement de dépôt, améliorant ainsi en outre le rendement. Bien que non représenté, le procédé de fabrication d'un transistor en couches minces selon un mode de réalisation de la présente invention peut être employé pour fabriquer n'importe quel dispositif utilisant un TFT, en plus d'un dispositif LCD. L'homme du métier comprendra aisément que diverses modifications et variations peuvent être apportées dans le procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces et le procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention utilisant ledit transistor sans s'écarter de l'esprit ou de la portée de l'invention. De ce fait, il est entendu que la présente invention couvre les modifications et variations de la présente invention à condition qu'elles se trouvent dans la portée des revendications annexées et de leurs équivalents. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un transistor organique en couches minces comprenant : la formation d'une électrode de grille sur un substrat ; - la formation d'une couche isolante de grille sur le substrat comprenant l'électrode de grille ; - la formation d'un motif actif organique sur la couche isolante de grille en utilisant un processus d'exposition arrière ; - et la formation d'électrodes de source et de drain sur le motif actif organique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; - l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film organique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du substrat le développement du film de résine photosensible pour former un motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; et - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape d'empilement du film organique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que l'étape d'empilement du film inorganique comprend le dépôt de l'un du nitrure de silicium (SiNx), de l'oxyde de silicium (SiOx) et de l'oxyde d'indium (InOx) sur le film organique. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film inorganique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du substrat ; le développement du film de résine photosensible pour former un premier motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le premier motif de résine photosensible en tant que masque ; - la suppression d'une partie du premier motif de résine photosensible pour former un second motif de résine photosensible, le second motif de résine photosensible exposant des parties du film inorganique gravé ; et - la gravure des parties exposées du film inorganique gravé en utilisant le second motif de résine photosensible en tant que masque. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape d'empilement du film inorganique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape d'empilement du film inorganique comprend le dépôt de l'un du nitrure de silicium (SiNx), de l'oxyde de silicium (SiOx) et de l'oxyde d'indium (InOx) sur le film organique. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'étape de formation de l'électrode de grille comprend : - le dépôt d'un matériau métallique ; et - le modelage du matériau métallique en utilisant un processus photolithographique. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'étape de formation de l'électrode de grille comprend l'impression d'une pâte d'Ag sur le substrat. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche isolante de grille comprend l'enduction d'un matériau organique sur le substrat. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le matériau organique de la couche isolante de grille comprend l'un du polyvinylpyrrolidone (PVP) et du polyméthacrylate de méthyle (PMMA). 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l'étape de formation des électrodes de source et de drain comprend l'impression ou l'enduction d'un polymère conducteur sur le motif actif organique. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant en outre : - la formation d'un film de passivation sur l'ensemble de la surface du substrat comprenant les électrodes de source et de drain ; - la formation d'une fenêtre de contact dans le film de passivation, la fenêtre de contact exposant une partie de l'électrode de drain ; et - la formation d'une électrode de pixel sur le film de passivation, l'électrode de pixel étant connectée électriquement à l'électrode de drain à travers la fenêtre de contact. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le film de passivation comprend un matériau organique. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau organique du film de passivation comprend l'un de l'acryle et du benzocyclobutène (BCB). 16. Procédé selon la revendication 13, 14 ou 15, caractérisé en ce que l'électrode de pixel comprend un matériau organique. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le matériau organique de l'électrode de pixel comprend du polyéthylène-dioxythiophène (PEDOT). 18. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant : - la formation d'une électrode de grille sur un premier substrat (210 ; 410); la formation d'une couche isolante de grille sur le premier substrat comprenant l'électrode de grille ; - la formation d'un motif actif organique sur la couche isolante de grille en utilisant un processus d'exposition arrière ; la formation d'électrodes de source et de drain sur le motif actif organique ; - la fixation du premier substrat (210 ; 410) sur un second substrat (230 ; 430) avec un espace entre eux ; et la formation d'une couche de cristaux liquides dans l'espace entre le premier et le second substrat. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; - l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film inorganique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du premier substrat ; - le développement du film de résine photosensible exposé pour former un motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; et - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'étape d'empilement du film organique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. 21. Procédé selon la revendication 18 ou 19, caractérisé en ce que l'étape de formation du motif actif organique comprend : - l'empilement d'un film organique et d'un film inorganique sur la couche isolante de grille ; l'enduction d'un film de résine photosensible sur le film inorganique ; - l'exposition du film de résine photosensible en irradiant de la lumière à travers une surface arrière du premier substrat ; le développement du film de résine photosensible exposé pour former un premier motif de résine photosensible au niveau d'une zone correspondant à l'électrode de grille ; - la gravure du film organique et du film inorganique en utilisant le premier motif de résine photosensible en tant que masque ; la suppression d'une partie du premier motif de résine photosensible pour former un second motif de résine photosensible, le second motif de résine photosensible exposant des parties du film inorganique gravé ; et - la gravure des parties exposées du film inorganique gravé en utilisant le second motif de résine photosensible en tant que masque. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'étape d'empilement du film organique comprend le dépôt de l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA) sur la couche isolante de grille. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 à 22, comprenant en outre : - la formation d'un film de passivation sur l'ensemble de la surface du substrat comprenant les électrodes de source et de drain ; - la formation d'une fenêtre de contact dans le film de passivation, la fenêtre de contact exposant une partie de l'électrode de drain ; et - la formation d'une électrode de pixel sur le film de passivation, l'électrode de passivation étant connectée électriquement à l'électrode de drain à travers la fenêtre de contact. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 à 23, comprenant en outre : - la formation d'une matrice noire sur le second substrat ; - la formation d'un filtre chromatique sur la matrice noire ; et - la formation d'une électrode commune sur le filtre chromatique. 25. Transistor organique en couches minces comprenant : - une électrode de grille (111 ; 211 ; 311 ; 411) sur un premier substrat ; - une couche isolante de grille (113 ; 213 ; 313 ; 413) sur le premier substrat couvrant l'électrode de grille ; - une couche active organique (115 ; 215 ; 315 ; 415) sur la couche isolante de grille correspondant à l'électrode de grille ; - un motif inorganique (115' ; 215' ; 315' ; 415') sur la couche active organique ; et - des électrodes de source et de drain sur le motif inorganique, les électrodes de source (116 ; 216 ; 316; 416) et de drain (117 ; 217 ; 317 ; 417) étant connectées électriquement à la couche active organique (115 ; 215 ; 315 ; 415). 26. Transistor organique en couches minces selon la revendication 25, caractérisé en ce que le motif inorganique (115' ; 215' ; 315' ; 415') a une surface inférieure à celle de la couche active organique (115 ; 215 ; 315 ; 415). 27. Transistor organique en couches minces selon la revendication 25 ou 26, caractérisé en ce que l'électrode de source (116 ; 216 ; 316; 416) est en contact avec une partie d'une surface supérieure de la couche active organique (115 ; 215 ; 315 ; 415), et l'électrode de drain est en contact avec une autre partie de la surface supérieure de la couche active organique. 28. Transistor organique en couches minces selon la revendication 25, 26 ou 27, caractérisé en ce que la couche active organique comprend l'un du pentacène et du polyacrylamine (PAA 29. Dispositif d'affichage à cristaux liquides présentant un premier substrat (210 ; 410) ayant le transistor organique en couches minces selon l'une quelconque des revendications 25 à 28, comprenant : - un second substrat (230 ; 430) fixé au premier substrat ; et - une couche de cristaux liquides formée entre le premier (210 ; 410) et le second (230 ; 430) substrats.