Brevet FR2874457A1 — publié le 20060224

DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne des caloducs et des procédés pour lier des composants en silicium et, dans des applications plus particulières, un caloduc ayant un ensemble à boîtier en silicium et un procédé de fabrication de tels ensembles. CONTEXTE DE L'INVENTION Des caloducs sont bien connus et sont souvent utilisés pour le refroidissement de composants électroniques, y compris des puces de circuits intégrés, des unités centrales de traitement CPU et analogues. Classiquement, les caloducs utilisent un boîtier conducteur de la chaleur, formé d'un métal, qui est attaché directement au composant électronique ou à une enveloppe ou un couvercle du composant électronique pour améliorer le rejet de chaleur du composant électronique vers ce caloduc. Un problème associé à une telle application d'un caloduc est le maintien d'une attache convenable entre le boîtier du caloduc et le composant électronique (telle qu'une puce de silicium) ou le composant électronique, enveloppe ou boîtier, qui est habituellement formé de silicium, du fait des différences de dilatation thermique entre la puce ou l'enveloppe/couvercle en silicium du composant électronique et le métal du caloduc. SOMMAIRE DE L'INVENTION Conformément à un aspect de l'invention, il est proposé un procédé pour la fabrication d'un boîtier de caloduc réalisé en silicium. Le procédé comprend les étapes qui consistent à utiliser une matière qui forme un eutectique avec le silicium à une température inférieure au point de fusion du silicium, à placer en sandwich une couche de la matière entre deux surfaces de silicium de deux pièces d'un boîtier de caloduc, et à chauffer la couche de la matière prise en sandwich et les deux surfaces de silicium à une température comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium, et à maintenir la couche de matière prise en sandwich et les deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium, jusqu'à ce que la matière et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un joint de liaison entre les deux pièces. Selon un aspect, le joint de liaison comprend un eutectique de la matière et du silicium. Conformément à un aspect, l'étape de chauffage comprend le chauffage de la couche de matière prise en sandwich et des surfaces de silicium dans de l'azote sec à une atmosphère à une température comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium, et le maintien de la couche de matière prise en sandwich et des deux surfaces entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium dans l'azote sec à une atmosphère jusqu'à ce que la matière et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un alliage contenant un eutectique de la matière et du silicium après solidification. Dans une forme, la matière comprend de l'aluminium. Dans une forme, la matière comprend de l'or. Conformément à un aspect, l'étape de mise en sandwich comprend la mise en sandwich d'une mince feuille de la matière entre les deux surfaces de silicium. Selon un aspect, le procédé comprend en outre l'étape d'application d'un flux entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. Dans une forme, le flux comprend un flux de fluoraluminate de potassium. Conformément à un aspect de l'invention, une construction de boîtier de caloduc est proposée et comprend une première pièce de boîtier formée de silicium, une seconde pièce de boîtier formée de silicium et une couche d'eutectique de silicium à un joint de liaison entre les premier et second boîtiers. Dans une forme, le joint de liaison entoure une chambre à fluide de travail définie entre les deux boîtiers. Dans une forme, le joint de liaison comprend un 5 eutectique aluminiumsilicium. Selon un aspect, le joint de liaison comprend un eutectique or-silicium. Conformément à un aspect de l'invention, il est proposé un procédé pour joindre deux pièces de silicium. Le procédé comprend les étapes de mise en sandwich d'une couche unique d'aluminium entre deux surfaces de silicium de deux pièces de silicium, et de chauffage de la couche d'aluminium mise en sandwich et des deux surfaces de silicium à une température comprise entre une température d'eutexie aluminium-silicium et le point de fusion du silicium, et le maintien de la ouche de matière en sandwich et des deux surfaces entre la température d'eutexie de l'alliage aluminium-silicium et le point de fusion du silicium jusqu'à ce que l'aluminium et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un joint de liaison entre les deux pièces. Selon un aspect, le joint de liaison comprend un eutectique aluminiumsilicium. D'autres objets et avantages de l'invention décrite ressortiront davantage en revoyant la description, y compris les revendications et les dessins annexés. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en élévation quelque peu schématique avec coupe partielle montrant une construction de boîtier de caloduc matérialisant la présente invention; la figure 2 est une vue en perspective éclatée montrant la construction de caloduc de la figure 1 avant la fabrication; la figure 3 est une vue en coupe partielle à échelle 35 agrandie suivant la ligne 3-3 de la figure 1; et la figure 4 est une représentation schématique d'un procédé matérialisant la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE DES FORMES PREFEREES DE REALISATION L'invention est illustrée ici en association avec un caloduc plat 10 qui est utilisé pour refroidir un composant électronique 12 sous la forme d'une puce 14 ayant une enveloppe ou un chapeau 16 de boîtier en silicium présentant une surface 18 de silicium à une interface avec le caloduc 10. Ce type de caloduc est souvent appelé "disperseur de chaleur". Cependant, on doit comprendre que l'invention peut trouver une utilisation dans d'autres types de caloducs, y compris des caloducs qui ne sont pas plats, des caloducs qui sont utilisés pour le refroidissement d'autres types de composants électroniques et des caloducs qui sont utilisés pour le refroidissement de pièces autres que des composants électroniques. L'invention n'est donc pas limitée au caloduc spécifique 10 représenté sur les dessins, ni à une utilisation avec des composants électroniques, sauf si indiqué expressément dans les revendications. En outre, bien que l'invention soit décrite en association avec la liaison de composants d'un boîtier de silicium pour un caloduc, l'invention peut trouver une utilisation en association avec la jonction d'autres types de composants de silicium qui ne sont pas utilisés en association avec le boîtier d'un caloduc. Comme on le voit sur les figures 1 et 2, le caloduc 10 comprend un ensemble 22 à boîtier qui est fabriqué à partir de deux pièces 24 et 26 de boîtier en silicium. Les deux pièces 24 et 26 de boîtier définissent une chambre 28 à fluide de travail qui contient un fluide de travail approprié pour le caloduc. Comme cela est bien connu pour des caloducs de ce type, la chaleur provenant du composant électronique 12 est transmise au caloduc 10 dans la zone s'étendant au-dessus du composant électronique 12, puis elle est transmise au fluide de travail à l'intérieur de la chambre 28. Le fluide de travail se trouvant dans la zone de la chambre 28, s'étendant au-dessus du composant électronique 12, se vaporise en absorbant la chaleur provenant du composant électronique 12, puis s'écoule vers les régions plus froides de la chambre 28 qui sont éloignées du composant électronique 12. La chaleur est ensuite rejetée du fluide de travail vaporisé vers les parties plus froides du boîtier 22 du caloduc qui rejette ensuite la chaleur dans l'environnement entourant le caloduc 10. Après le rejet de sa chaleur, le fluide de travail se condense et revient vers la zone de la chambre de travail 28 qui s'étend au-dessus des composants électroniques 12, et le cycle est répété. A cet égard, bien que cela ne soit pas indispensable, il peut être souhaitable dans certaines applications de prévoir un certain type de moyens formant mèche pour ramener par effet de mèche le fluide de travail liquéfié à la zone de la chambre de travail 28 s'étendant au-dessus du composant électronique 12. On peut utiliser l'un quelconque des nombreux dispositifs à effet de mèche bien connus tel que, par exemple, des motifs de surface prévus sur les surfaces de la chambre intérieure 28, ou une matière séparée à effet de mèche qui est contenue dans la chambre de travail 28. Dans la forme de réalisation illustrée, la pièce 24 de boîtier est une feuille rectangulaire de silicium ayant deux surfaces 30 et 32 tournées dans des directions opposées, la surface 32 formant une partie de la chambre intérieure 28. La pièce 26 de boîtier est une autre feuille rectangulaire de silicium ayant une surface extérieure plane 34 et une surface 36 tournée du côté opposé, dans laquelle est formé un évidement rectangulaire 38 qui définit le volume de la chambre de travail 28. La partie non évidée de la surface 36 forme un rebord périphérique 40 qui entoure la chambre 28, et est en interface avec la surface 32 de la pièce 24 de boîtier au niveau d'un joint 42 de liaison qui entoure et scelle de façon étanche la chambre 28. Le joint de liaison 42 représente une difficulté associée à la fabrication d'un caloduc avec des composants en silicium, car pour une performance optimale du caloduc, le joint de liaison devrait avantageusement être solide, non poreux, de façon à retenir l'atmosphère initiale à l'intérieur du caloduc, et non réactif avec le fluide de travail à l'intérieur du caloduc. Pour obtenir au moins certaines de ces propriétés souhaitées, le joint de liaison 42 est formé par un procédé qui produit une liaison par diffusion de silicium et d'une matière qui forme un eutectique avec le silicium, et avantageusement une liaison qui comprend une zone ou couche eutectique 43 de silicium et d'une matière qui forme un eutectique avec le silicium au joint 42 de liaison qui lie les boîtiers 24 et 26 l'un à l'autre. La matière 44 est avantageusement de l'aluminium, un alliage aluminiumsilicium tel que l'alliage de brasage 4047 avec 12 % de silicium ou l'alliage de brasage 4343 avec 7,5 % de silicium, ou de l'or. A cet égard, la température d'eutexie de l'alliage binaire aluminium-silicium est de 577 Celsius et la température d'eutexie de l'alliage or-silicium est de 363 Celsius, toutes deux étant bien en dessous du point de fusion du silicium qui est de 1410 Celsius. Lorsqu'ils sont chauffés à une température supérieure à la température d'eutexie pour la matière 44 et le silicium, mais inférieure aux points de fusion de la matière 44 et du silicium, la matière 44 et le silicium diffusent l'un dans l'autre, formant une masse liquide fondue qui, après solidification, crée un joint de liaison 42 qui lie les surfaces 32 et 36 des pièces 22 et 26 l'une à l'autre et qui comprend un eutectique du silicium et de la matière, tel qu'un eutectique aluminium-silicium si la matière est constituée d'aluminium, ou un eutectique or-silicium si la matière est constituée d'or. Il est évidemment possible, avec un bon contact entre les matières, qu'une diffusion suffisante à l'état solide de la matière 44 et du silicium puisse avoir lieu pour former un joint de liaison convenable 42, même à des températures inférieures à la température d'eutexie pour la matière 44 et le silicium. Il est hautement préféré qu'un flux, et avantageusement un flux de fluoraluminate de potassium tel que, par exemple, celui vendu sous le nom commercial NOCOLOK , soit utilisé entre la matière 44 et le silicium, indépendamment du fait que le chauffage ait lieu au-dessus ou au-dessous de la température d'eutexie pour former le joint de liaison 42. Le flux élimine les couches d'oxydation entre la matière 44 et le silicium, et permet la diffusion souhaitée. Le procédé comprend les étapes d'utilisation d'une matière 44, comme on le voit sur la figure 2, qui forme un eutectique avec le silicium à une température inférieure au point de fusion du silicium, comme indiqué en 50 sur la figure 4; de mise en sandwich d'une couche de la matière 44 entre les deux surfaces de silicium 32 et 36 des deux pièces 24 et 26 de l'ensemble 22 à boîtier de caloduc, comme montré en 52 sur la figure 4; et de chauffage de la couche de matière 44 en sandwich et des deux surfaces de silicium 32 et 36 à une température suffisante pour créer une grandeur appropriée de diffusion entre la matière 44 et les surfaces 32 et 36 de silicium pour former un joint de liaison convenable 42, et avantageusement à une température comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium; et le maintien de la couche de matière 44 mise en sandwich et des deux surfaces 32 et 36 à la température (de nouveau, avantageusement comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium), jusqu'à ce que la matière 44 et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un alliage qui, en refroidissant et/ou se solidifiant, forme le joint de liaison 42 qui lie les deux pièces 24 et 26 l'une à l'autre, comme indiqué en 54 sur la figure 4, et qui comprend avantageusement l'eutectique 43 de la matière 44 et du silicium. L'étape de maintien montrée sur la figure 54 est réalisée dans de l'azote sec à une Dans certaines applications, on préfère aussi de chauffage et de maintien indiquée en 54 soit une température qui est inférieure au point du la matière 44 mais, comme indiqué précédemment, supérieure à la température d'eutexie de la matière et du silicium. On préfère aussi que les composants 24, 26 et 44 formant un sandwich soient maintenus en place pendant l'étape de chauffage et de maintien indiquée en 54, pour empêcher tout mouvement relatif entre eux, pour empêcher la formation d'espaces dans le joint de liaison 42 et pour assurer une distribution égale de la matière 44 sur la totalité du joint de liaison 42, comme cela est typique pour pratiquement tous les types d'opérations de liaison. Comme on le voit en 56, le procédé comprend avantageusement l'application d'un flux 58 entre la matière 44 et chacune des deux surface de silicium 32 et 36 avant l'étape 52 de mise en sandwich. Dans une forme préférée de réalisation, le flux 58 est un flux de fluoraluminate de potassium tel qu'utilisé dans un brasage aluminium sur aluminium, dont un type préféré est vendu sous le nom commercial NOCOLOK . Dans une forme préférée de réalisation, la matière 44 est fournie sous la forme d'une mince feuille 59 qui est mise en sandwich entre les deux surfaces 32 et 36. Cependant, les hommes du métier apprécieront qu'il existe de nombreuses manières de former une couche de la matière 44 entre les deux surfaces 32 et 36, n'importe laquelle d'entre elles pouvant être utilisée dans l'invention. Dans un essai du procédé proposé, deux disques de tranches de silicium disponibles dans le commerce, ayant une finition analogue à celle d'un miroir, ont été liés l'un à l'autre avec une couche d'une mince feuille d'aluminium disponible dans le commerce, prise en sandwich entre eux, avec application du flux de fluoraluminate de chauffage et de avantageusement atmosphère. que l'étape effectuée à liquidus de potassium 58 décrit précédemment, appliqué sur les surfaces, mais sans l'exécution d'une autre préparation ou d'un autre nettoyage de surface. L'ensemble formant sandwich a été chauffé dans de l'azote sec à environ 645 Celsius pendant 13 minutes, et a produit un joint de liaison satisfaisant 42 avec un eutectique aluminium-silicium au joint 42. Dans un autre exemple de mise en uvre, une couche d'alliage de brasage 4047 à l'aluminium contenant 12 % de silicium a été placée en sandwich entre le disque de tranche disponible dans le commerce, après que le flux au fluoraluminate de potassium 58 décrit précédemment a été appliqué sur les surfaces, et chauffé dans de l'atmosphère sec à une atmosphère à 645 Celsius pendant 25 minutes pour lier de façon satisfaisante les deux disques de silicium l'un à l'autre avec un eutectique aluminium-silicium au joint de liaison 42. A cet égard, il convient de noter que les composants ont été maintenus à la température pendant 25 minutes afin de tenter de consommer complètement la couche d'alliage de brasage 4047 à l'aluminium, et on considère qu'un joint de liaison convenable 42 aurait été formé à une température encore plus basse et/ou en moins de temps à la température. Selon encore un autre exemple de mise en uvre, une couche de pâte de brasage vendue par OMNITechnologies Corporation, et qui comprend de la poudre 4047 et du flux NOCOLOK maintenus ensemble sous la forme d'une pâte par un liant, a été placée en sandwich entre le disque de tranche disponible dans le commerce, et maintenue à une température d'environ 607 Celsius pendant environ 1,7 minute dans un échantillon, et 3,3 minutes dans un autre échantillon avec, pour résultat dans les deux cas, un joint de liaison satisfaisant 42. Il convient de noter que la période de temps pour l'étape 54 dépend d'un certain nombre de facteurs propres à chaque application comprenant la matière particulière 44 choisie, la quantité de la matière 44 utilisée pour la couche, la (ou les) température(s) à laquelle (ou auxquelles) l'étape de chauffage et de maintien est exécutée, et le degré de diffusion de la matière 44 et du silicium souhaité pour former la liaison. Il convient de noter que l'ensemble à boîtier 22 et les pièces 24 et 26 de boîtier en silicium peuvent prendre de nombreuses formes, et que l'ensemble à boîtier 22 peut être formé de plus de deux pièces 24 et 26 de boîtier de silicium ayant des joints de liaison périphériques entre chaque pièce. De plus, dans une forme de réalisation, l'une des pièces 24 et 26 du boîtier est utilisée en tant que coiffe ou couvercle pour le composant électronique 12, remplaçant le couvercle ou la coiffe classique pour le composant 12. Dans une forme préférée de réalisation, la quantité de matière 44 prévue pour la couche est réglée afin que, pendant l'étape de chauffage et de maintien indiquée en 54, pratiquement la totalité de la matière 44 diffuse avec le silicium pour former un eutectique de la matière et du silicium au joint de liaison 42, peu ou pas de matière 44 restant sous sa forme d'origine au niveau du joint de liaison 42 et au moins une partie de la matière, mais probablement pas la totalité de la matière, formant un eutectique avec le silicium. Dans d'autres formes préférées de réalisation, la totalité de la matière 44 ne diffuse pas avec le silicium et, par conséquent, aboutit à un joint de liaison 42 qui présente deux zones ou couches d'eutectique 43, une sur chaque côté de la matière 44 prise en sandwich entre les deux surfaces 32 et 36 de silicium. On appréciera qu'en réalisant les pièces 24 et 26 de boîtier en silicium, on peut former un joint de liaison 60 entre le caloduc 10 et le boîtier/enveloppe 16 de silicium de la puce qui ne subit que peu ou pas de contraintes d'origine thermique engendrées par des différences de dilatation thermique de matières dissemblables, comme cela est commun dans des caloducs classiques. Ceci est avantageux car on peut accroître potentiellement à la fois la performance et la durée de vie en service du caloduc 10 et du composant électronique 12, et permettre à une plus large plage de techniques et de matières de liaison d'être utilisées entre le caloduc. 10 et le composant électronique 12. Bien que la description ait été focalisée sur la fabrication d'un boîtier de caloduc réalisé en silicium, il convient de noter que le procédé décrit de liaison de deux pièces de silicium l'une à l'autre en utilisant une couche unique d'une matière 44 (par exemple en aluminium ou en alliage aluminium-silicium) qui forme un eutectique avec le silicium, avec l'utilisation facultative mais préférée d'une matière de flux qui est avantageusement un flux de potassium et d'aluminium fluorés, peut trouver une utilisation dans la jonction de composants en silicium autres que ceux utilisés pour former un boîtier de caloduc. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un boîtier de caloduc formé de silicium, le procédé comprenant les étapes qui consistent: à utiliser une matière qui forme un eutectique avec le silicium à une température inférieure au point de fusion du silicium; à mettre en sandwich une couche de la matière entre deux surfaces de silicium de deux pièces d'un boîtier de 10 caloduc; et à chauffer la couche de la matière mise en sandwich et les deux surfaces de silicium à une température comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium, et à maintenir la couche de matière mise en sandwich et les deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium jusqu'à ce que la matière et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un joint de liaison entre les deux pièces. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de chauffage comprend le chauffage de la couche de matière mise en sandwich et des deux surfaces de silicium dans de l'azote sec à une atmosphère à une température comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium, et le maintien de la couche de matière mise en sandwich et des deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium dans l'azote sec à une atmosphère jusqu'à ce que la matière et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un alliage comprenant un eutectique de la matière et du silicium lors de la solidification. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la matière comprend de l'aluminium. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la 35 matière comprend de l'or. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de mise en sandwich comprend la mise en sandwich d'une mince feuille de la matière entre les deux surfaces de silicium. 6. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape d'application d'un flux entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape d'application d'un flux comprend l'application d'un flux de fluoraluminate de potassium entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de chauffage et de maintien est exécutée à des températures qui sont inférieures au point de liquidus de la matière. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de chauffage produit le joint de liaison afin qu'il comprenne un eutectique de la matière et du silicium. 10. Procédé de fabrication d'un boîtier de caloduc formé de silicium, le procédé comprenant les étapes qui consistent. à mettre en sandwich une couche d'aluminium ou d'un 25 alliage aluminiumsilicium entre deux surfaces de silicium de deux pièces d'un boîtier de caloduc; à chauffer la couche d'aluminium mise en sandwich et les deux surfaces de silicium à une température comprise entre une température d'eutexie de l'alliage aluminium- silicium et le point de fusion du silicium, et à maintenir la couche de matière mise en sandwich et les deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie de l'alliage aluminium-silicium et le point de fusion du silicium jusqu'à ce que l'aluminium et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un joint de liaison entre les deux pièces. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape de chauffage comprend le chauffage de la couche d'aluminium mise en sandwich et des deux surfaces de silicium dans de l'azote sec à une atmosphère à une température comprise entre la température d'eutexie de l'alliage aluminium-silicium et le point de fusion du silicium, et le maintien de la couche de matière mise en sandwich et des deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie de l'alliage aluminium-silicium et le point de fusion du silicium dans de l'azote sec à une atmosphère jusqu'à ce que l'aluminium et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un alliage comprenant un eutectique aluminium-silicium après solidification. 12. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape de mise en sandwich comprend la mise en sandwich d'une mince feuille d'aluminium entre les deux surfaces de silicium. 13. Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre l'application d'un flux entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. 14. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape d'application d'un flux de fluoraluminate de potassium entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. 15. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape de chauffage et de maintien est exécutée à des températures inférieures au point de liquidus de l'aluminium. 16. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de chauffage produit le joint de liaison afin qu'il comprenne un eutectique aluminiumsilicium. 17. Procédé de fabrication d'un boîtier de caloduc 35 formé de silicium, le procédé comprenant les étapes qui consistent à mettre en sandwich une couche d'or entre deux surfaces de silicium de deux pièces d'un boîtier de caloduc; à chauffer la couche d'or mise en sandwich et les deux surfaces de silicium à une température comprise entre une température d'eutexie de l'alliage or-silicium et le point de fusion du silicium, et à maintenir la couche de matière mise en sandwich et les deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie de l'alliage or-silicium et le point de fusion du silicium jusqu'à ce que l'or et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un joint de liaison entre les deux pièces. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel l'étape de mise en sandwich comprend la mise en sandwich 15 d'une mince feuille d'or entre les deux surfaces de silicium. 19. Procédé selon la revendication 17, comprenant en outre l'application d'un flux entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. 20. Procédé selon la. revendication 17, dans lequel l'étape d'application d'un flux comprend l'application d'un flux de fluoraluminate de potassium entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium avant l'étape de mise en sandwich. 21. Procédé selon la revendication 17, dans lequel l'étape de chauffage et de maintien est exécutée à des températures inférieures au point de liquidus de l'or. 22. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ladite étape de chauffage produit le joint de liaison afin qu'il comprenne un eutectique or-silicium. 23. Construction de boîtier de caloduc comportant une première pièce de:boîtier formée de silicium; une seconde pièce de boîtier formée de silicium; et un joint de liaison entre les premier et second boîtiers, ledit joint de liaison comprenant un eutectique de silicium. 24. Construction de boîtier de caloduc selon la 5 revendication 23, dans laquelle le joint de liaison entoure une chambre à fluide de travail définie entre les deux boîtiers. 25. Construction de boîtier de caloduc selon la revendication 23, dans laquelle l'eutectique de silicium 10 comprend un eutectique aluminiumsilicium. 26. Construction de boîtier de caloduc selon la revendication 23, dans laquelle l'eutectique de silicium comprend un eutectique or-silicium. 27. Procédé de liaison de deux composants en silicium, le procédé comprenant les étapes qui consistent: à utiliser une matière qui forme un eutectique avec le silicium à une température inférieure au point de fusion du silicium; à mettre en sandwich une couche de la matière entre deux surfaces de silicium de deux composants en silicium, avec un flux de fluoraluminate de potassium entre la couche et chacune des deux surfaces de silicium; et à chauffer la couche de matière mise en sandwich et les deux surfaces de silicium à une température élevée appropriée, pendant une durée suffisante pour permettre à la matière et au silicium de diffuser l'un dans l'autre afin de produire un joint de liaison entre les deux composants en silicium. 28. Procédé selon la revendication 27, dans lequel l'étape de chauffage comprend le chauffage de la couche de matière mise en sandwich et des deux surfaces de silicium dans de l'azote sec à une atmosphère à une température comprise entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium, et le maintien de la couche de matière mise en sandwich et des deux surfaces de silicium entre la température d'eutexie et le point de fusion du silicium dans de l'azote sec à une atmosphère jusqu'à ce que la matière et le silicium diffusent l'un dans l'autre pour produire un alliage comprenant un eutectique de la matière et du silicium après solidification. 29. Procédé selon la revendication 27, dans lequel la matière comprend de l'aluminium. 30. Procédé selon la revendication 27, dans lequel la matière comprend de l'or. 31. Procédé selon la. revendication 27, dans lequel l'étape de mise en sandwich comprend la mise en sandwich d'une mince feuille de la matière entre les deux surfaces de silicium. 32. Procédé selon la revendication 27, dans lequel l'étape de chauffage et de maintien est exécutée à des températures qui sont inférieures au point de liquidus de la matière. 33. Procédé selon la revendication 27, dans lequel l'étape de chauffage produit un joint de liaison qui comprend un eutectique de la matière et du silicium.