Brevet FR2874263A1 — publié le 20060217

La présente invention concerne un procédé destiné à la mesure, à l'orientation et à la fixation d'au moins un monocristal ainsi qu'un dispositif portant là-dessus. Comme on le sait, pour l'utilisation dans l'industrie des semiconducteurs et dans l'industrie optique, les monocristaux doivent être séparés le long de plans de coupe qui présentent une orientation prédéterminée par rapport aux axes de coordonnées du réseau cristallin. On a déjà constaté que la détermination de l'orientation des cristaux nécessaire pour cela, c'est-à-dire le rapport entre les axes cristallographiques et les axes géométriques et le positionnement prédéterminé des monocristaux par rapport au plan de coupe d'un dispositif de coupe, comme par exemple une scie à fil, présente des avantages considérables à l'extérieur de ce dispositif. Ainsi, on sait par le document EP 0 802 029 B1 comment monter fixement plusieurs monocristaux cylindriques circulaires les uns derrière les autres sur un support de coupe à l'extérieur du dispositif de coupe, orientés les uns par rapport aux autres à l'aide d'un dispositif de logement déplaçable en rotation et en translation, de telle manière qu'ils puissent être coupés en même temps dans des directions définies par rapport au réseau cristallin à l'aide du dispositif de coupe. Toutefois, si de tels monocristaux très durs, comme par exemple le saphir ou le carbure de silicium, doivent être préparés avec le dispositif pour être coupés en même temps dans une scie à fil multiple, un dispositif de ce type est peu approprié car, lorsque des fils de coupe passent à travers les espaces libres entre les monocristaux fixés sur le support de coupe, des coupures défectueuses peuvent se produire du fait de déformations des fils de coupe individuels. En outre, il est désavantageux que le procédé et le dispositif 30 proposés soient fondés sur le fait que les monocristaux mesurés sont posés sur le support de coupe effectivement avec la précision nécessaire. Au moins une vérification ultérieure est exclue car la mesure de la face frontale prévue pour les monocristaux ne permet plus aucun accès aux monocristaux situés à l'intérieur après leur fixation sur le support. Un autre problème est le fait que les diffractomètres à rayons X habituellement utilisés pour la détermination de l'orientation des cristaux, avec lesquels l'orientation de deux plans réticulaires est déterminée à l'aide d'un balayage azimutal, par exemple selon le io document JP 09-033456 4, ne peuvent pas fonctionner avec la précision nécessaire pour certaines applications. Cela est dû, entre autre, au fait que le rapport absolu indispensable des deux mesures l'une par rapport à l'autre ne peut pas être établi suffisamment précisément. Les applications pour lesquelles une précision de coupe nettement plus élevée que, par exemple, pour la fabrication de puces en silicium est nécessaire, comprennent, entre autre, la fabrication des diodes électroluminescentes blanches, qui sont déjà utilisées dans les feux des véhicules automobiles et qui pourront, à l'avenir, remplacer également les lampes à incandescence et les tubes fluorescents, ainsi que la fabrication des diodes électroluminescentes émettant dans la région spectrale bleue et ultraviolette pour la mémorisation de données. Si du saphir ou du carbure de silicium doit servir de substrat pour une production de composants de ce type, une meilleure précision de l'orientation superficielle est déterminante pour la qualité de la croissance des couches fonctionnelles généralement à base de nitrure de gallium du fait de l'hétéroépitaxie nécessaire. L'objectif de la présente invention est donc de garantir une meilleure précision lors de la détermination de l'orientation cristallographique et de la fixation orientée indépendamment de la géométrie extérieure des monocristaux, la fixation devant garantir une coupe très précise méme avec des matériaux très durs, comme par exemple le saphir ou le carbure de silicium. Selon la présente invention, l'objectif est atteint grâce à un procédé destiné à la mesure, à l'orientation et à la fixation d'au moins 5 un monocristal, - dans lequel le monocristal est positionné de manière ajustable sur une table tournante pour la détermination de l'orientation du réseau cristallin et les angles des verticales des plans réticulaires par rapport à l'axe de la table tournante sont déterminés pendant au moins to une rotation de la table tournante à l'aide des réflexions de rayons X, et dans lequel - l'orientation du monocristal à l'aide des angles déterminés se fait par rapport à l'axe de la table tournante servant de direction de référence avant de procéder à la fixation du monocristal et à une fixation sur un support orienté par rapport à la direction de référence. Le monocristal est, de préférence, positionné sur la table tournante de manière mobile autour de deux axes d'inclinaison de telle sorte que le point d'intersection des axes d'inclinaison sert de point de réflexion pour un rayon X, avec lequel, pendant la rotation du monocristal positionné sur la table tournante, des réflexions sont générées dans plusieurs plans réticulaires du monocristal pour la détermination des angles. Au cas où deux ou plusieurs monocristaux ayant une orientation identique ou différente doivent être usinés dans une machine ou dans une installation de transformation ultérieure, une configuration particulière prévoit que plusieurs monocristaux individuellement les uns derrière les autres soient positionnés les sur les autres pour former un empilement, qu'ils soient mesurés, orientés et fixés de manière définie et ensuite, que les monocristaux empilés soient liés en même temps fixement avec le support orienté par rapport à la direction de référence. L'orientation fixée des différents monocristaux peut être vérifiée et, en cas d'écarts par rapport à une orientation théorique, on peut 5 procéder de nouveau à une orientation et à une fixation. En cas de besoin, avant la fixation finale, un adhésif approprié est appliqué entre les monocristaux adjacents pour remplir la fente entre les monocristaux et pour permettre un empilement stable en vue des étapes d'usinage suivantes. Io Pour cela, une couche d'adhésif peut être appliquée sur un monocristal déjà fixé de manière orientée et un autre monocristal prévu pour la formation d'un empilement peut être posé sur la couche d'adhésif avant la mesure, l'orientation et la fixation. La durée de durcissement de l'adhésif ne devrait pas durer plus longtemps que la mesure, l'orientation et la fixation de l'autre monocristal. La présente invention peut, en outre, être conçue de manière à ce que, avant le positionnement, un support auxiliaire, qui sert à la liaison avec le support commun, soit placé de manière orientée cristallographiquement sur chaque monocristal. Par comparaison avec les solutions connues, on obtient avec la présente invention une précision d'orientation meilleure à environ un ordre de grandeur lors du collage des monocristaux sur un support. La présente invention permet, de manière avantageuse, un contrôle du résultat du collage en ce que, pour les monocristaux liés au support commun, on vérifie l'orientation du réseau cristallin réellement obtenue sur une face d'un cristal à peu près perpendiculaire à la face d'origine d'un cristal servant de surface de mesure, à l'aide de réflexions de rayons X appropriées. Pour cela, l'empilement des monocristaux fixé sur le support est positionné de manière mobile avec son alignement d'empilement perpendiculaire à l'axe de la table tournante, de sorte que le point de réflexion peut être posé sur un monocristal à mesurer. Avec le procédé selon la présente invention, des mesures dans différents plans réticulaires appropriés sont possibles à partir de n'importe quelles positions géométriques, et on peut orienter et fixer des monocristaux de n'importe quelle forme et de n'importe quel type car les monocristaux restent dans le dispositif et la mesure et l'orientation reposent uniquement sur des paramètres purement cristallographiques. Ainsi, il est peu important que le monocristal ait la forme d'un to disque (wafer), d'un cylindre circulaire ou carré (ingot) ou qu'un axe géométrique puisse être défini ou non. Même un monocristal (extérieurement) complètement irrégulier peut être mesuré, orienté et fixé. Les données de mesures sont enregistrées pendant une période de mesure totale (par exemple pendant une rotation continue ou intermittente de 360 du monocristal). La précision de mesure indispensable peut être obtenue soit par le choix de la vitesse de rotation pendant la mesure ou la durée de la mesure par étape de mesure ou par l'accumulation des données de mesure sur plusieurs périodes de mesure. L'objectif mentionné ci-dessus est atteint, en outre, grâce à un dispositif destiné à la mesure, à l'orientation et à la fixation d'au moins un monocristal, qui comprend - une table tournante avec un logement pour au moins un support de cristaux qui comprend un dispositif d'ajustage et de fixation pour l'orientation du réseau cristallin d'un monocristal par rapport à l'axe de la table tournante comme direction de référence et pour la fixation orientée du monocristal, - un dispositif réglable en hauteur par rapport à la table tournant 30 constitué d'une source de rayons X et d'un détecteur, avec lequel, pendant au moins une rotation de la table tournante, les angles des verticales des plans réticulaires du monocristal par rapport à l'axe de la table tournante sont déterminés, les angles déterminés servant à calculer les valeurs de réglage pour le dispositif d'ajustage et de fixation pour l'orientation du réseau cristallin du monocristal, et - des premiers moyens de réglage pour un support fonctionnant orientés perpendiculairement à l'axe de la table tournante, lequel support sert à recevoir au moins un monocristal fixé de manière orientée. Le support de cristaux est constitué d'un châssis extérieur avec un châssis de retenue intérieur suspendu à la Cardan pour le monocristal et de moyens de réglage pour l'ajustage et la fixation du monocristal serré dans le châssis de retenue intérieur. Il est prévu, en outre, une glissière de guidage horizontale dans le châssis extérieur pour le moyen de réglage. De manière particulièrement avantageuse, le dispositif est approprié pour vérifier la précision obtenue lors de la fixation orientée en ce qu'il est prévu une glissière de guidage linéaire avec une direction de guidage s'étendant perpendiculairement à l'axe de la table tournante pour le logement du support avec le au moins un monocristal fixé de manière orientée sur la table tournante. La présente invention est expliquée en détail ci-après à l'aide du dessin schématique. Les figures montrent: Figure 1 un dispositif selon la présente invention pour 25 l'orientation et la fixation orientée d'au moins un monocristal Figure 2 le dispositif selon la figure 1, dans lequel plusieurs monocristaux sont empilés les uns sur les autres et liés à un support commun Figure 3 un dispositif pour approcher un support du composite 30 constitué des monocristaux empilés les uns sur les autres Figure 4 une esquisse pour expliquer le procédé de mesure utilisé avec la présente invention pour la détermination d'un angle de plan réticulaire Figure 5 l'agencement d'un composite constitué de monocristaux 5 empilés sur la table tournant pour la vérification de l'orientation des différents monocristaux. Le dispositif représenté sur les figures 1 et 2 comporte une table tournante 2 servant à la mesure individuelle d'un monocristal 1 ou, en particulier, à la mesure successive de plusieurs monocristaux 1 à empiler les uns sur les autres (ici, par exemple, des ingots cylindriques circulaires) qui se distingue par des valeurs de synchronisme élevées et une faible nutation axiale. Il est prévu, pour chaque monocristal 1 déjà coupé approximativement parallèlement au plan de coupe prévu, un support de cristaux 3 qui, suivant la figure 3, est constitué d'un châssis extérieur 4 avec un châssis de retenue intérieur 5 suspendu à la Cardan pour le monocristal 1 et des vis de réglage 6 avec des ressorts antagonistes 7 comme moyens de réglage à bloquer pour l'ajustage et la fixation du monocristal 1 serré dans le châssis de retenue intérieur 5. Le châssis de retenue intérieur 5 du support de cristaux 3, qui est relié fixement tout au fond avec le châssis extérieur 4 avec un logement 8 sur la table tournant 2, comporte un fond 9 comme appui pour un premier monocristal 1. Les fonds intermédiaires insérables 10 permettent une adaptation en hauteur du monocristal 1, de sorte que le monocristal 1 est positionné sur la table tournante 2 de manière rotative autour de deux axes d'inclinaison 11, 12, orientés ici de préférence perpendiculairement l'un à l'autre (12 perpendiculaire au plan de figure), de telle sorte que le point d'intersection des axe d'inclinaison 11, 12 sert de point de réflexion pour un rayon X 13 prévu de préférence pour la mesure. La construction du support de cristaux 3 garantit ainsi n'importe quel ajustage du monocristal 1 sans modifier le point d'impact du rayon X 13 sur sa surface et, donc, le point de réflexion. Une source de rayons X 14 pour la génération du rayon X 13 et un détecteur 15 pour la réception des réflexions des rayons X de plusieurs plans réticulaires du monocristal 1 l'un après l'autre pendant au moins une rotation de la table tournante 2 sont orientés fixement l'un par rapport à l'autre en tenant compte de l'angle de réflexion de Bragg des plans réticulaires à mesurer et de leur inclinaison par rapport à la surface du cristal et sont portés par une glissière de guidage linéaire orientée verticalement 16. Une fenêtre de détecteur 17 (figure 4) est munie d'un masque de plomb qui est configuré de telle manière que seuls les réflexions souhaitées R parviennent jusqu'à la mesure. Un système optique sert à la régulation automatique de la hauteur nécessaire par rapport à la table tournante 2. La détermination de l'angle de plan réticulaire, c'est-à-dire l'écart de position de la verticale sur le plan réticulaire NE par rapport à l'axe XX de la table tournante 2 se fait, avec le procédé selon la présente invention, comme indiqué sur la figure 4, avec la table tournante 2 en rotation à une vitesse constante ou intermittente, par la mesure dans un plan réticulaire NE dont la verticale est inclinée selon un angle s par rapport à l'axe de la table tournante 2, en irradiant le rayon X 13 selon un angle variant par rapport à l'angle OB + s, c'est-à-dire selon l'angle Os + s - 8 (OB... angle de réflexion de Bragg). Cela a pour résultat le fait que, pendant la rotation de la table tournante 2, l'inclinaison du plan réticulaire NE servant à la mesure varie du fait d'une nutation par rapport au rayon X incident 13 et, avec des angles de rotation déterminés + S2 et - Q, il se produit des réflexions à partir de l'espacement angulaire 2S2 desquels on peut déterminer précisément l'écart angulaire c de la verticale du plan réticulaire par rapport à l'axe X-X de la table tournante 2 en quelques secondes de temps de mesure pour quelques secondes d'angle. Si la verticale des plans de coupe prévus est approximativement un axe de symétrie du cristal, par exemple un axe ternaire avec (0001) coupes de saphir, des propriétés pratiquement identiques après 120 sont obtenues dans cet exemple pour que la condition de réflexion soit satisfaite, de sorte que trois paires de réflexion apparaissent avec une rotation complète. Etant donné que les positions de réflexion en cas de rotation multiple de la table tournante 2 peuvent être mesurées périodiquement de manière récurrente, des valeurs moyennes peuvent être établies, de sorte qu'il en résulte une augmentation de la précision par rapport aux méthodes de mesure statiques, comme par exemple le balayage azimutal. A partir des angles de plan réticulaire déterminés, les angles d'inclinaison autour des axes d'inclinaison 11, 12 de la suspension à la Cardan sont calculés avec un logiciel spécial de manière à pouvoir réaliser une orientation par rapport au système de coordonnées du dispositif, en particulier par rapport à l'axe X-X de la table tournant 2 comme direction de référence, à l'aide des moyens de réglage. Le système de coordonnées du dispositif présente une orientation définie par rapport à celle du dispositif de coupe, toutes les deux étant, de préférence, orientées dans la même direction. Les valeurs de réglage peuvent être transmises soit manuellement soit automatiquement par l'intermédiaire d'entraînements non représentés, comme par exemple des servomoteurs ou des actionneurs 25 piézo- électriques. Une fois réalisée l'orientation du monocristal 1 par rapport à l'axe X-X de la table tournante 2, cette orientation est fixée à l'aide des moyens de réglage. En cas de besoin, l'orientation fixée peut être vérifiée encore une 30 fois à l'aide de la méthode de mesure décrite et éventuellement modifiée. Le dispositif selon la présente invention est particulièrement approprié pour la préparation de plusieurs monocristaux 1 pour le même usinage dans un dispositif de coupe, comme par exemple une scie à fil multiple. Etant donné que, pour des raisons de technique de fabrication, les monocristaux 1 n'atteignent pas, la plupart du temps, la dimension nécessaire pour un remplissage optimal de la scie à fil, on fixe habituellement plusieurs des monocristaux 1 orientés les uns par rapport aux autres pour pouvoir les transporter ensemble dans la scie à fil et les orienter par rapport au système de coordonnées de la scie à fil. C'est pourquoi, selon la présente invention, plusieurs monocristaux 1 individuellement les uns derrière les autres sont positionnés les sur les autres pour former un empilement, sont mesurés, orientés et fixés de manière définie par rapport à l'axe X-X de la table tournante 2 et ensuite, une fois la hauteur d'empilement nécessaire atteinte, ils sont liés en même temps fixement avec un support commun 18 qui réalise l'orientation dans le dispositif de coupe. Comme le monocristal 1 positionné tout au fond sur la able tournante 2, chacun des autres monocristaux 1 est fixé dans un support de cristaux 3 qui, à la différence du support de cristaux 3 de premier monocristal 1, comporte un châssis de retenue intérieur 51 sans fond, de sorte que chaque monocristal supplémentaire 1 est directement adjacent à un monocristal 1 fixé au préalable de manière orientée. L'empilement des monocristaux 1 se fait de telle manière que les supports de cristaux 3 avec le châssis extérieur 4 sont posés les uns sur les autres et liés fixement les uns aux autres, de sorte que le rapport à l'axe X-X de la table tournante 2 est établi. Une fois qu'un autre support de cristaux 3 a été posé sur un support de cristaux 3 avec un monocristal 1 fixé au préalable de manière orientée, après une élévation de la source de rayons X 14 et du détecteur 15 dans une position plus élevée de sorte que le rayon X 13 est orienté vers le monocristal supplémentaire 1, les angles des plans réticulaires sont déterminés, et le monocristal supplémentaire 1 est orienté et fixé de la manière déjà décrite. Si les monocristaux 1 sont faits dans un matériau cristallin particulièrement dur, comme par exemple le saphir ou le carbure de silicium, une couche d'adhésif 19 peut être appliquée entre des monocristaux adjacents 1 pour remplir la fente entre les monocristaux 1 et pour former un empilement stable. On peut ainsi éviter les variations des tensions des fils de coupe qui s'étendent à proximité d'un Io fil de coupe s'enfonçant dans un interstice et les coupures défectueuses qui en résultent lors du sciage. L'adhésif nécessaire est appliqué sur le monocristal 1 déjà fixé de manière orientée, adhésif dans lequel le monocristal supplémentaire 1 encore non mesuré et non fixé de manière orientée est posé avec une certaine orientation préalable. La durée de durcissement de l'adhésif est choisie de manière à durer plus longtemps que la mesure, l'orientation et la fixation du monocristal supplémentaire 1. Une fois que le monocristal supplémentaire 1 a été mesuré, orienté et fixé, l'adhésif peut durcir. Mais le durcissement peut également se produire pendant la pose, la mesure, l'orientation et la fixation de monocristaux supplémentaires 1 car chacun des monocristaux 1 est fixé dans son support de cristaux 3. Pour la liaison simultanée des monocristaux 1 avec le support commun 18, il est avantageux qu'un support auxiliaire 20 conçu, par exemple, comme pièce moulée en matière synthétique, soit placé de manière orientée cristallographiquement, par exemple par collage, sur chaque monocristal avant la fixation dans le support de cristaux 3. Le support auxiliaire 20, dont l'extension longitudinale ne dépasse pas celle du monocristal 1, est déformé en fonction de l'enveloppe du monocristal 1 et forme avec son côté opposé à la déformation une surface de collage suffisamment grande par rapport au support 18. Une orientation souvent souhaitable d'un axe de cristal déterminé dans la direction d'avancement lors du sciage peut être fixée grâce à l'agencement approprié du support auxiliaire 20. Pour la détermination et le marquage du point de collage, on réalise une mesure à rayon X similaire sur le monocristal 1 posé simplement sur la table tournante 2. Le collage se fait à l'extérieur du dispositif. En outre, pour la liaison simultanée des monocristaux 1 avec le support commun 18 dans le châssis extérieur 4, il est prévu des glissières de guidage appropriées 21 ainsi qu'une traverse de collage 22, des moyens de réglage 23 montés sur les glissières de guidage 21, agissant perpendiculairement à l'axe X-X de la table tournante 2, pressant légèrement le support 18 maintenu par un listel magnétique 24 sur les supports auxiliaires 20 disposés en série. Afin que le support 18 puisse atteindre également les supports auxiliaires 20, les châssis de retenue intérieurs 5 comportent des évidements alignés les uns sur les autres (non montrés) dans lesquels le support 18 est enfoncé. Etant donné que les faces de collage des supports auxiliaires 20 ne s'étendent généralement pas parallèlement les unes aux autres, le support commun 18 présente, sur sa face servant à la liaison avec les monocristaux 1, un matériau de type alvéolaire d'égalisation qui est imprégné d'un adhésif. Après le durcissement de l'adhésif, on peut enlever l'empilement de monocristaux et, du fait de la configuration précise du support 18, le transférer dans un logement de la scie à fil, de sorte que l'on obtient l'orientation souhaitée du réseau cristallin par rapport au sens de coupe. Mais, auparavant, on peut également tirer parti de l'avantage considérable de la présente invention selon lequel on peut vérifier encore une fois l'orientation effectivement obtenue du sens de coupe souhaité par rapport au réseau cristallin pour les monocristaux 1 liés les uns aux autres. Pour cela, selon la figure 5, le support commun 18 avec les monocristaux 1 est posé sur une glissière de guidage linéaire 25 placée sur la table tournante 2 sont la direction de guidage s'étend perpendiculairement à l'axe X-X de la table tournante 2. Pour la mesure, on sélectionne des réflexions de rayon X vers les plans réticulaires qui sont placées selon des angles appropriés par rapport à l'axe de rotation. Grâce à un déplacement horizontal du support 18 to (sens de la flèche = sens d'empilement) avec une modification éventuellement nécessaire de l'orientation de la source de rayons X 14 et du détecteur 15 l'un par rapport à l'autre, on parvient à diriger le rayon X 13 vers le monocristal 1 à mesurer. Si la mesure indique que les plans de coupe réglés de chaque monocristal 1, se rapportant au réseau cristallin, s'étendent parallèlement à l'axe XX de la table tournante 2 et perpendiculairement à la direction de déplacement, le collage a été réalisé avec le précision élevée nécessaire sans renversement des cristaux. REVENDICATIONS 1. Procédé destiné à la mesure, à l'orientation et à la fixation d'au 5 moins un monocristal, - dans lequel le monocristal est positionné de manière ajustable sur une table tournante pour la détermination de l'orientation du réseau cristallin et les angles des verticales des plans réticulaires par rapport à l'axe de la table tournante sont déterminés pendant au moins fo une rotation de la table tournante à l'aide des réflexions de rayons X, et dans lequel - l'orientation du monocristal à l'aide des angles déterminés se fait par rapport à l'axe de la table tournante servant de direction de référence avant de procéder à la fixation du monocristal et à une fixation sur un support orienté par apport à la direction de référence. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le monocristal est positionné sur la table tournante de manière mobile autour de deux axes d'inclinaison de telle sorte que le point d'intersection des axes d'inclinaison sert de point de réflexion pour un rayon X, avec lequel, pendant la rotation du monocristal positionné sur la table tournante, des réflexions sont générées dans plusieurs plans réticulaires du monocristal pour la détermination des angles. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel, lors d'une mesure, des réflexions de rayons X sont générées dans plusieurs plans 25 réticulaires du monocristal. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel l'orientation fixée est vérifiée et, en cas d'écarts par rapport à une orientation théorique, on procède de nouveau à une orientation et à une fixation. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel plusieurs monocristaux individuellement les uns derrière les autres sont positionnés les sur les autres pour former un empilement, sont mesurés, orientés et fixés de manière définie et ensuite, les monocristaux empilés sont liés en même temps fixement avec le support orienté par rapport à la direction de référence. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel les monocristaux disposés les sur les autres pour former un empilement, sont liés les uns aux autres à l'aide d'un adhésif. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel, pour lier les monocristaux, une couche d'adhésif est appliquée sur un monocristal déjà fixé de manière orientée et un autre monocristal prévu pour la formation d'un empilement est posé sur la couche d'adhésif avant la mesure, l'orientation et la fixation. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la durée de durcissement de l'adhésif dure plus longtemps que la mesure, l'orientation et la fixation de l'autre monocristal. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, avant le positionnement, un support auxiliaire (20), qui sert à la liaison avec le support commun 18, est placé de manière orientée cristallographiquement sur chaque monocristal. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel, pour les monocristaux liés au support commun, on vérifie l'orientation du réseau cristallin réellement obtenue sur une face d'un cristal à peu près perpendiculaire à la face d'origine d'un cristal servant de surface de mesure, à l'aide de réflexions de rayons X appropriées. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'empilement des monocristaux est positionné de manière mobile avec son alignement d'empilement perpendiculaire à l'axe de la table tournante pour la vérification de l'orientation de la direction de coupe souhaitée par rapport au réseau cristallin, de sorte que le point de réflexion peut être posé sur l'un des monocristaux à mesurer. 12. Dispositif destiné à la mesure, à l'orientation et à la fixation d'au moins un monocristal, comprenant - une table tournante (2) avec un logement pour au moins un support de cristaux (3) qui comprend un dispositif d'ajustage et de fixation pour l'orientation du réseau cristallin d'un monocristal (1) par rapport à l'axe (X-X) de la table tournante (2) comme direction de référence et pour la fixation orientée du monocristal (1), to - un dispositif réglable en hauteur par rapport à la table tournant (2) constitué d'une source de rayons X (14) et d'un détecteur (15), avec lequel, pendant au moins une rotation de la table tournante (2), les angles des verticales des plans réticulaires du monocristal (1) par rapport à l'axe (X-X) de la table tournante (2) sont déterminés, les angles déterminés servant à calculer les valeurs de réglage pour le dispositif d'ajustage et de fixation pour l'orientation du réseau cristallin du monocristal (1), et - des premiers moyens de réglage (23) pour un support (18) fonctionnant orientés perpendiculairement à l'axe de la table tournante (2), lequel support sert à recevoir au moins un monocristal (1) fixé de manière orientée. 13. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel le support de cristaux (3) est constitué d'un châssis extérieur (4) avec un châssis de retenue intérieur (5, 51) suspendu à la Cardan pour le monocristal (1) et de deuxièmes moyens de réglage pour l'ajustage et la fixation du monocristal (1) serré dans le châssis de retenue intérieur (5, 51). 14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel il est prévu une glissière de guidage horizontale (21) dans le châssis extérieur (4) pour le premier moyen de réglage (23). 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel il est prévu une glissière de guidage linéaire (25) avec une direction de guidage s'étendant perpendiculairement à l'axe (X-X) de la table tournante (2) pour le logement du support (18) avec le au moins un monocristal (1) fixé de manière orientée sur la table tournante (2).