Brevet FR2878073A1 — publié le 20060519

L'objet de l'invention est un substrat semiconducteur, comprenant une couche mono-cristalline, relaxée, reposant sur la surface, qui renferme du silicium et du germanium, ainsi qu'un procédé pour la préparation de ce substrat semiconducteur. Des substrats sSOI et SGOI ("strained silicon on insulator", pour "Silicium tendu sur isolant" ou silicon-germanium on insulator", pour "Silicium- Germanium sur Isolant") sont connus dans l'état de la technique. Les substrats sSOI et les substrats SGOI sont caractérisés par une couche isolante électrique ou une matière substrat isolante électrique. Dans le cas d'un substrat sSOI, une couche de silicium mince, monocristalline, tendue ( strained silicon"), est en contact direct avec l'isolant. En revanche, un substrat SGOI présente sur l'isolant une couche ou plusieurs couches, renfermant du silicium et du germanium sous forme d'une composition préalablement fixée (SiYGe1_X avec 0 Dans tous les procédés connus pour la préparation de substrats sSOI ou SGOI, une couche mince constituée par du silicium-germanium est séparée d'une tranche donatrice (en anglais "donor wafer") à l'aide de forces mécaniques, la surface libre de la couche à transférer étant fixée, usuellement avant le processus de séparation, à une tranche substrat (en anglais "handle wafer"). Dans le cas du substrat sSOI, on transfère également, en dehors de la couche de silicium-germanium, une couche de silicium tendue, depuis la tranche donatrice sur la tranche substrat. La première étape pour la préparation d'un substrat sSOI ou SGOI consiste à préparer une tranche donatrice. Dans les deux cas, il est d'abord nécessaire de préparer, sur une tranche de silicium une couche de silicium-germanium relaxée, qui est transférée dans une étape ultérieure sur la tranche substrat. Pour ce faire, on connaît deux procédés de principes différents: Dans le premier procédé, on dépose par épitaxie, sur la tranche de silicium, d'abord plusieurs couches de silicium- germanium ayant une teneur croissante en germanium (en anglais "graded buffer layer") et on obtient par ce moyen une adaptation du réseau entre le silicium et le silicium-germanium. Une couche de silicium-germanium présentant une teneur constante en germanium, déposée sur celle-ci, sert à la détente mécanique, de sorte qu'il se présente sur la surface le silicium-germanium avec sa constante de réseau naturelle (c'est-à-dire du silicium-germanium relaxé ayant une composition de Si,,Gel_X avec 0 Dans le second procédé connu, on renonce à la succession de couches ayant une teneur en germanium progressivement croissante et on dépose immédiatement une mince couche de silicium-germanium présentant la composition voulue. Ce faisant, l'épaisseur de la couche est maintenue en dessous de la limite à partir de laquelle se désadaptation. Cette silicium-germanium, forment couche, sera des dislocations de d'abord tendue encore de détendue ensuite, en affaiblissant le composite se trouve directement en silicium-germanium. Cela implantation d'ions gaz hydrogène ou hélium) et consécutif. Au cours du ions implantés forment des cristallin de silicium qui dessous de la couche de est effectué par une (par exemple les ions un traitement thermique traitement thermique, les bulles de gaz, qui cassent le composite cristallin de silicium et pareillement la couche de silicium-germanium et ne détachent mécaniquement qu'une couche de silicium très mince sous-jacente du reste de la tranche de silicium, ce qui conduit en fin de compte à la relaxation de la couche de silicium-germanium. Les inconvénients résident dans l'étape d'implantation coûteuse et la formation de microfissures lors de la formation de bulles de gaz, conduisant à la destruction de la couche. Dans ce procédé également, il se forme une densité de dislocations élevée. Ce n'est que si l'on doit préparer un substrat sSOI, que l'on dépose par épitaxie de plus une couche de silicium mince, tendue, sur la couche relaxée de silicium-germanium. Dans une seconde étape du procédé, on transfère une couche superficielle de la tranche donatrice (une couche de silicium-germanium dans le cas de SGOI et de plus une couche de silicium tendue dans le cas de sSOI) sur une tranche substrat. La tranche substrat est soit constituée entièrement d'une matière isolante électrique, soit porte au moins sur sa surface une couche isolante électrique. Plusieurs procédés pour cette seconde étape sont également connus. Le procédé le plus courant est connu sous le nom Smart Cuyp' (EP 533 551 Al). Pour ce faire, on implante d'abord des ions hydrogène dans la surface de la tranche donatrice. Après fixation à une tranche substrat, on produit, par un traitement thermique à environ 500 C, une couche renfermant des vides remplis d'hydrogène. La séparation sur cette couche est effectuée à l'aide d'une pression de gaz croissante. Dans tous les procédés connus de préparation de substrats sSOI ou SGOI, il se forme, au cours de la séparation de la tranche donatrice le long de la couche de séparation préparée auparavant, des rugosités superficielles tellement élevées que le substrat ne peut pas être utilisé pour la préparation de composants électroniques sans d'autres post-traitements, par exemple un polissage ou un traitement thermique lissant. Le problème technique de l'invention peut s'énoncer en termes de trouver une possibilité efficace pour la préparation de substrats sSOI ou SGOI qui, d'une part, ne nécessite pas de dépôt coûteux de couches de siliciumgermanium très épaisses sur la tranche donatrice et, d'autre part, conduise à une faible rugosité de la surface après le transfert de la couche mince sur la tranche substrat. Le problème est résolu par un substrat semiconducteur comprenant une tranche de silicium monocristallin, une couche monocristalline relaxée, reposant sur la surface, renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium à la surface de la couche se situant dans le domaine de 10 % en masse à 100 % en masse (pourcentages en masse), et une couche de vides disposés périodiquement sous ladite surface. De préférence, l'épaisseur de la couche monocristalline se situe dans le domaine de 5 nm à 3 m. De préférence, la teneur en germanium sur la surface de la couche se situe dans le domaine de 10 % en masse à 60 % en masse. Le problème est également résolu à l'aide d'un premier procédé pour la préparation d'un substrat 5 semiconducteur comprenant les étapes suivantes dans l'ordre indiqué : préparation, sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin, d'une couche présentant des creux disposés périodiquement, et - traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin, jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche fermée de silicium monocristallin avec une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement, caractérisé en ce que, après le traitement thermique, on dépose, sur la couche fermée située sur la surface, une couche relaxée, monocristalline, présentant une épaisseur de 5 nm à 3 m, qui renferme du silicium et du germanium, la teneur en germanium sur la surface de la couche se situant dans le domaine de 10 % en masse à 100 % en masse. De même, le problème est résolu par un second procédé pour la préparation d'un substrat semiconducteur, comprenant les étapes suivantes dans 25 l'ordre indiqué : dépôt d'une couche renfermant du silicium et du germanium sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin, la couche présentant une épaisseur de 5 nm à 3 m et une teneur en germanium sur la surface de la couche dans le domaine de 10 % en masse à 100 % en masse, préparation d'une couche présentant des creux périodiquement disposés sur la surface de la tranche de silicium monocristallin, portant la couche renfermant du silicium et du germanium, et traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin, jusqu'à ce qu'il se forme sur la surface une couche fermée, monocristalline, relaxée, renfermant du silicium et du germanium avec une couche sous- jacente renfermant de creux disposés périodiquement. Dans ce second procédé, le dépôt de la couche renfermant du silicium et du germanium est réalisé, contrairement au premier procédé, avant la préparation des creux et avant le traitement thermique, au cours duquel les creux se ferment sur la surface. Les deux procédés conduisent au substrat semiconducteur décrit. On peut utiliser ce substrat semiconducteur conforme à l'invention comme tranche donatrice pour la préparation de substrats SGOI. Pour ce faire, le substrat semiconducteur est fixé, sur toute la surface qui porte la couche de silicium-germanium, à une tranche substrat appropriée, qui est constituée par une matière isolante électrique ou porte au moins sur sa surface une couche électriquement isolante. Après fixation, la tranche donatrice est clivée le long de la couche renfermant les vides, de sorte que la couche de silicium-germanium reste sur la tranche substrat. On peut aussi utiliser le substrat semiconducteur conforme à l'invention comme tranche donatrice pour la préparation de substrats sSOI. Dans ce cas, on dépose sur la surface de la couche renfermant du silicium et du germanium, au-dessous de laquelle se trouve la couche renfermant les vides, une couche de silicium tendue. Ensuite, le substrat semiconducteur est fixé, sur toute la surface porteuse portant la couche de silicium tendue, à une tranche substrat appropriée, qui est constituée par une matière électriquement isolante ou porte au moins sur sa surface une couche électriquement isolante. Après fixation, la tranche donatrice est clivée le long de la couche renfermant les vides, de sorte que la couche de silicium tendue et la couche de silicium-germanium qui se trouve dessus restent sur la tranche substrat. Ensuite, on peut éliminer la couche de silicium-germanium, de sorte qu'il se présente un substrat sSOI dans lequel une couche de silicium tendue se trouvant sur la surface est en contact direct avec l'isolant électrique. Par conséquent, l'invention concerne une tranche sSOI, comprenant une tranche substrat et une couche de silicium tendue, reposant sur la surface, la raie des phonons de silicium de la couche de silicium tendu à la température ambiante dans le spectre Raman différant d'au moins 2 cm-1, de préférence d'au moins 4 cm-1, de la raie des phonons de silicium non tendu, et la couche de silicium tendue présentant une épaisseur de 50 nm ou moins, une uniformité d'épaisseur de couche (66) de 5 % ou moins et une densité de défauts HF de l/cm2 ou moins. La position de la raie des phonons de silicium dans le spectre Raman à la température ambiante est une mesure directe du degré de déformation de la couche de silicium. La raie des phonons de silicium d'une couche de silicium non tendue est située à 520 cm-1 à la température ambiante. Pour une couche de silicium tendue avec une désadaptation du réseau de 1 % (déformation), la position de la raie des phonons de silicium se déplace d'environ 8 cm-1. Le substrat semiconducteur conforme à l'invention porte sur sa surface une couche très mince, monocristalline, relaxée, renfermant du silicium et du germanium. Suite à la désadaptation du réseau entre le silicium essentiellement pur et le silicium-germanium, il se forme des tensions dans le réseau cristallin, qui sont compensées par la déformation plastique, c'est-à-dire par la formation de dislocations. La couche renfermant les vides, qui se trouve directement au-dessous de la couche de silicium-germanium, est mécaniquement moins stable que la couche de silicium-germanium elle-même. Par conséquent, les tensions dans le réseau cristallin sont maîtrisées principalement par la formation de dislocations dans les traverses qui se trouvent entre les vides et qui relient la couche au reste du substrat. A son tour, cela a pour conséquence que, d'une part, la couche de silicium-germanium se relaxe déjà pour de faibles épaisseurs par formation de dislocations. Mais, d'autre part, ces dislocations se forment principalement dans les traverses entre les vides et dans une couche mince de silicium éventuellement présente entre la couche renfermant les vides et la couche de silicium-germanium. De ce fait, la densité de dislocations dans la couche de silicium-germanium même est nettement plus faible que dans les couches de silicium-germanium de l'état de la technique présentant une épaisseur identique. Par conséquent, la couche de silicium-germanium de la tranche donatrice conforme à l'invention peut être nettement plus mince que selon l'état de la technique, de sorte qu'on peut préparer la couche beaucoup plus rapidement et, de ce fait, pour un coût moindre, sans qu'on soit obligé de s'accommoder d'une augmentation de la densité de dislocations. Le substrat semiconducteur conforme à l'invention est préparé sans implantation d'ions. Pour cette raison, on peut éviter les microfissures lors de la formation de bulles de gaz et une destruction associée de la couche renfermant du silicium et du germanium. Ci-après sont décrits les modes de réalisation préférés des différentes étapes de l'invention: La couche de silicium-germanium est préparée de préférence par dépôt épitaxial. On donne une préférence particulière à un dépôt par CVD (en anglais "chemical vapour deposition") par la décomposition de composés de départ gazeux renfermant du silicium ou du germanium sur la surface chaude du substrat dans un réacteur CVD. Les creux dans la couche superficielle de silicium ou de siliciumgermanium sont disposés périodiquement conformément à l'invention. On peut les préparer par exemple par lithographie et par "trench-etching" (voir par exemple WO03/003430 A2). Le traitement thermique pour la fermeture superficielle des creux est mis en uvre en règle générale à une température dans le domaine de 700 à 1370 C, de préférence de 900 à 1250 C et de manière particulièrement préférée de 950 à 1150 C et à une pression dans le domaine de 1 à 100 torr, de préférence de 1 à 50 torr et de manière particulièrement préférée de 5 à 20 torr. On peut mettre en uvre le traitement thermique sous toute atmosphère qui empêche la formation d'une couche d'oxyde ("native oxide") sur la surface de silicium ou de silicium-germanium, de préférence sous une atmosphère de gaz et de mélanges de gaz réducteurs ou de gaz ou de mélanges de gaz inertes. On préfère une atmosphère qui renferme de l'hydrogène ou de l'argon ou des mélanges d'hydrogène et d'argon. Les conditions de processus sont choisies de façon telle qu'on puisse obtenir une mobilité aussi grande que possible des atomes de silicium ou de germanium. La durée du traitement thermique est en règle générale de 3 secondes à 6 heures, de préférence de 1 minute à 30 minutes. La durée du traitement est pilotée de façon telle que les creux soient fermés sur la surface après la fin du traitement, mais que les vides constitués par les creux individuels ne soient néanmoins pas réunis par croissance. De même, la couche de silicium tendue nécessaire pour certains modes de réalisation de l'invention est préparée de préférence par dépôt épitaxial. On préfère en particulier un dépôt par CVD par la décomposition de composés de départ gazeux appropriés du silicium sur la surface chaude de silicium-germanium du substrat dans un réacteur de CVD. On peut utiliser le substrat semiconducteur conforme à l'invention de préférence en tant que tranche donatrice pour un transfert de couche. Pour ce faire, le substrat semiconducteur sur la surface préparée qui porte la couche à transférer est fixé de façon et de manière connue avec une tranche substrat. Dans la préparation de substrats SGOI ou sSOI soit on utilise une tranche substrat électriquement isolante (par exemple en quartz, en verre ou saphir), soit la surface de la tranche donatrice et/ou de la tranche substrat est par exemple munie, avant fixation, d'une couche isolante, d'une couche d'oxyde. De préférence, on utilise, en tant que tranche substrat, une tranche de silicium, en particulier une tranche de silicium monocristallin, dont la surface est oxydée, de sorte qu'une couche de silicium forme la couche électriquement isolante. Des procédés pour la préparation de cette couche isolante et pour la fixation des tranches sont connus de l'homme du métier. Afin de compléter le transfert de la couche, le substrat semiconducteur fixé à la tranche substrat est clivé le long de la couche renfermant les vides. On peut par exemple réaliser le clivage par voie chimique, mécanique ou thermique. On peut aussi combiner ces possibilités. Les procédés sont décrits plus en détail par le fascicule de brevet WO 03/003430 A2. De préférence, le clivage est réalisé par voie thermique, car c'est un procédé particulièrement doux, qui conduit à une faible rugosité de la surface formée au cours du clivage. Par ailleurs, si nécessaire, on obtient, par le traitement thermique, simultanément une augmentation de la résistance de liaison entre la tranche substrat et le substrat semiconducteur. Les conditions du clivage thermique sont également décrites plus en détail par le fascicule de brevet WO 03/003430 A2. Tous les procédés de transfert de couches de silicium-germanium ou de couches de silicium tendues connus jusqu'à présent utilisent en partie ou uniquement des forces mécaniques pour la séparation de la tranche donatrice de la couche mince à transférer. Dans le cas de la technologie connue sous le nom de Smart Cut , ces forces sont produites par la pression de gaz, qui conduit finalement à la rupture des parois ou des traverses entre les vides. Contrairement à ces procédés de préparation des tranches SGOI ou sSOI connus, en utilisant la tranche donatrice conforme à l'invention et dans le cas de la forme de réalisation préférée décrite ci-dessus (clivage le long de la couche présentant les creux par un traitement thermique), on n'emploie pas de forces mécaniques pour la séparation des couches à transférer. On obtient, par le clivage par traitement thermique, d'une part, une très bonne uniformité de l'épaisseur de couche (6a; c'est-à-dire la valeur sextuple de l'écart- type de l'épaisseur de couche moyenne) de 5 % ou moins (par rapport à l'épaisseur de couche moyenne) pour une épaisseur de couche de 50 nm ou moins, d'autre part, par rapport aux procédés classiques, la densité des défauts HF peut être réduite à 1/cm2 ou moins. Ci-après sont décrits des modes de réalisation préférés de la succession des différentes étapes dans 35 le procédé conforme à l'invention: 2878073 12 Mode de réalisation préféré du procédé 1 (préparation d'un substrat SGOI) . 1. Préparation d'une couche présentant des creux périodiquement disposés sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin. 2. Traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin, jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche fermée constituée par du silicium monocristallin avec une couche sous- jacente renfermant des vides disposés périodiquement. 3. Dépôt d'une couche relaxée, monocristalline, d'une épaisseur de 5 nm à 3 m, renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium se situant dans le domaine de 10 à 60 % en masse. Les tensions qui se forment alors dans le réseau cristallin sont maîtrisées par les minces traverses entre les vides. La tranche ainsi préparée est utilisée en tant que tranche donatrice. 4. Oxydation de la surface de la couche de silicium-germanium de la tranche donatrice ou oxydation de la surface de la tranche substrat. 5. Fixation de la tranche donatrice à la tranche substrat. 6. Traitement thermique pour augmenter la résistance de liaison et pour séparer la couche mince de silicium-germanium de la tranche donatrice. Mode de réalisation préféré du procédé 2 (préparation d'un substrat sSOI) . 1. Préparation d'une couche présentant des creux disposés périodiquement sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin. 2. Traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin, jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche fermée constituée par du silicium monocristallin avec une couche sous-jacente renfermant des vides disposés périodiquement. 3. Dépôt d'une couche monocristalline, relaxée, présentant une épaisseur de 5 nm à 3 m, renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium se situant dans le domaine de 10 à 60 % en masse. Les tensions qui se forment alors dans le réseau cristallin sont maîtrisées par les minces traverses entre les vides. 4. Dépôt d'une couche de silicium tendue sur la couche de siliciumgermanium relaxée. La tranche ainsi préparée est utilisée comme tranche donatrice. 5. Oxydation de la surface de la tranche de silicium tendue de la tranche donatrice ou oxydation de la surface de la tranche substrat. 6. Soudure de la tranche donatrice avec la tranche substrat. 7. Traitement thermique pour augmenter la résistance de liaison et pour séparer la couche mince de silicium-germanium et la couche de silicium tendue de la tranche donatrice. Mode de réalisation préféré du procédé 3 (préparation d'un substrat SGOI) . 1. Dépôt d'une couche monocristalline, relaxée, présentant une épaisseur de 5 nm à 3 m, renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium se situe dans le domaine de 10 à 60 % en masse, sur une tranche de silicium monocristallin. Cette couche de siliciumgermanium n'est pas complètement relaxée en raison de sa faible épaisseur. 2. Préparation de vides disposés périodiquement sur la surface de la couche de silicium-germanium. 3. Traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin avec la couche de silicium- germanium, jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche fermée constituée par du silicium-germanium monocristallin avec la couche sous- jacente de vides disposés périodiquement. Au cours de ce traitement thermique, la couche de silicium-germanium se relaxe par formation de dislocations dans les traverses entre les vides. La tranche ainsi préparée est utilisée comme tranche donatrice. 4. Oxydation de la surface de la couche de silicium-germanium de la tranche donatrice ou oxydation de la surface de la tranche substrat. 5. Fixation de la tranche donatrice à la tranche substrat. 6. Traitement thermique pour augmenter la résistance de liaison et pour séparer la couche mince de silicium-germanium de la tranche donatrice. Mode de réalisation préféré du procédé 4 (préparation d'un substrat sSOI) . 1. Dépôt d'une couche monocristalline, relaxée, présentant une épaisseur de 5 nm à 3 m renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium se situant dans le domaine de 10 à 60 % en masse, sur une tranche de silicium monocristallin. Cette couche de silicium- germanium n'est pas complètement relaxée en raison de sa faible épaisseur. 2. Préparation de creux disposés périodiquement sur la surface de la couche de silicium-germanium. 3. Traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin avec la couche de silicium- 2878073 15 germanium, jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche fermée constituée par du silicium-germanium monocristallin avec une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement. La couche de silicium-germanium se relaxe au cours de ce traitement thermique par la formation de dislocations dans les traverses entre les vides. 4. Dépôt d'une couche de silicium tendue sur la couche de siliciumgermanium relaxée. On utilise la tranche ainsi préparée en tant que tranche donatrice. 5. Oxydation de la surface de la couche de silicium tendue de la tranche donatrice ou oxydation de la surface de la tranche substrat. 6. Fixation de la tranche donatrice avec la tranche substrat. 7. Traitement thermique pour augmenter la résistance de liaison et pour séparer la couche mince de silicium-germanium et la couche de silicium tendue de la tranche donatrice. Dans tous les procédés précités, la séparation de la couche mince et de la tranche donatrice peut être réalisée à l'aide de forces mécaniques. EXEMPLES Exemple 1 On a produit dans la surface d'une tranche de silicium monocristallin, au moyen de procédés lithographiques et de gravure par faisceau ionique selon l'état de la technique, des creux à section transversale circulaire, disposés périodiquement. Les creux présentaient une profondeur de 3,5 m, un diamètre de 0,4 m et l'écart d'un centre à l'autre des creux est de 0,8 m. Ensuite, les creux ont été fermés par un traitement thermique à 1100 C et 10 torr sous une atmosphère d'hydrogène, de sorte qu'il s'est formé une couche de silicium mince, mono-cristalline, et une couche sousjacente de vides disposés périodiquement. La durée du traitement thermique a été de 10 minutes. Une couche de silicium-germanium a été déposée par épitaxie sur la surface de la couche de silicium nouvellement formée. Dans une étape ultérieure, la couche de silicium-germanium de la tranche donatrice ainsi préparée a été collée à une tranche de silicium à surface oxydée (bonding). Pour ce faire, on a utilisé un adhésif disponible dans le commerce. La paire de tranches mutuellement fixées a été ensuite soumise à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et à une température maximale de 1100 C. La pression s'est élevée à 760 Torr et l'argon a été choisi comme gaz d'atmosphère. Ce traitement thermique a permis d'augmenter la résistance de la liaison entre les deux tranches. De plus, dans la suite du traitement thermique, les vides individuels formés à partir des creux se sont réunis par fusion, de sorte qu'il s'est formé, de part et d'autre, un espace vide, séparant la couche de siliciumgermanium du reste de la tranche donatrice. La couche de silicium alors disposée sur la couche de silicium-germanium a été oxydée et ensuite la couche d'oxyde a été éliminée. La couche de silicium-germanium mince, monocristalline, n'a été fixée qu'à la couche d'oxyde, de sorte qu'on s'est trouvé en présence d'un substrat SGOI. EXEMPLE 2 On a produit, dans la surface d'une tranche de silicium monocristallin, au moyen de procédés lithographique et de gravure par faisceau ionique selon l'état de la technique, des creux à section transversale circulaire, disposés périodiquement. Ensuite on a fermé les creux à l'aide d'un traitement thermique à 1100 C et 10 Torr sous une atmosphère d'hydrogène, de sorte qu'il s'est formé une couche de silicium mince, monocristalline, et une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement. La durée du traitement thermique a été de 10 minutes. Une couche de silicium-germanium a été déposée par épitaxie sur la surface de la couche de silicium monocristallin nouvellement forméeet, à son tour, sur la couche de silicium-germanium, une couche de silicium tendue. Dans une étape ultérieure, la couche de silicium tendue de la tranche donatrice ainsi préparée a été collée à une tranche de silicium à la surface oxydée (bonding). Pour ce faire, on a utilisé un adhésif disponible dans le commerce. La paire de tranches mutuellement fixées a été ensuite soumise à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et à une température maximale de 1100 C. La pression s'est élevée à 760 Torr et Ar a été choisi comme gaz d'atmosphère. Ce traitement thermique a permis d'augmenter la résistance de liaison entre les deux tranches. De plus, dans la suite du traitement thermique, les vides individuels formés à partir des creux se sont réunis par fusion de sorte qu'il s'est formé, de part et d'autre, un espace vide, séparant la couche de silicium-germanium et la couche de silicium tendue du reste de la tranche donatrice. La couche de silicium alors disposée sur la couche de silicium-germanium et la couche de silicium-germanium elle-même ont été oxydées et ensuite la couche d'oxyde a été éliminée. La couche de silicium mince, monocristalline, tendue, n'a été fixée qu'à la couche d'oxyde, de sorte qu'on s'est trouvé en présence d'un substrat sSOI. EXEMPLE 3 On a déposé une couche de silicium-germanium d'une épaisseur d'environ 2 gm sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin. On a produit sur la surface de cette couche de silicium-germanium au moyen de procédés lithographique et de gravure par faisceau ionique selon l'état de la technique des creux à section transversale circulaire, disposés périodiquement. Les creux présentaient une profondeur de 1,7 m, un diamètre de 0,2 pm et la distance d'un centre à l'autre des creux s'élevait à 0,4 m. Ensuite les creux ont été fermés par un traitement thermique à 1100 C et 10 torr sous une atmosphère d'hydrogène, de sorte qu'il s'est formé une couche de silicium-germanium mince, monocristalline, et une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement. La durée du traitement thermique a été de 10 minutes. Dans une étape suivante, la couche de silicium-germanium de la tranche donatrice ainsi préparée a été collée à une tranche de silicium à surface oxydée (bonding). Pour ce faire, on a utilisé un adhésif disponible dans le commerce. La paire de tranches mutuellement fixées a été ensuite soumise à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et à une température maximale de 1100 C. La pression s'est élevée à 10 Torr et l'argon a été choisi comme gaz d'atmosphère. Ce traitement thermique a permis d'augmenter la résistance de liaison entre les deux tranches. De plus, dans la suite du traitement thermique, les vides individuels formés à partir des creux se sont réunis par fusion, de sorte qu'il s'est formé, de part et d'autre, un espace vide, qui a séparé la couche de siliciumgermanium du reste de la tranche donatrice. La couche de silicium alors disposée sur la couche de silicium-germanium a été oxydée et ensuite la couche d'oxyde a été éliminée. La couche de silicium-germanium mince, monocristalline, n'a été fixée qu'à la couche d'oxyde, de sorte qu'on s'est trouvé en présence d'un substrat SGOI. La couche de siliciumgermanium transférée présentait une épaisseur d'environ 1 m. EXEMPLE 4 On a déposé, par épitaxie sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin, une couche de silicium-germanium présentant une épaisseur d'environ 2 m. On a produit sur la surface de cette couche de siliciumgermanium au moyen de procédés lithographique et de gravure par faisceau ionique selon l'état de la technique, des creux à section transversale circulaire, disposés périodiquement. Les creux présentaient une profondeur de 1,7 m, un diamètre de 0,2 m et la distance d'un centre à l'autre des creux s'élevait à 0,4 m. Ensuite les creux ont été fermés par un traitement thermique à 1100 C et 10 torr sous une atmosphère d'hydrogène, de sorte qu'il s'est formé une mince couche de silicium-germanium monocristallin et une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement. La durée du traitement thermique a été de 10 minutes. Sur la couche de silicium-germanium relaxée a été déposée une couche de silicium présentant une épaisseur de 50 nm qui, en raison des paramètres de réseau différents, a été tendue par rapport à la couche de silicium-germanium sous-jacente. Dans une étape ultérieure, la couche de silicium tendue de la tranche donatrice ainsi préparée a été collée à une tranche de silicium avec la surface oxydée (bonding). Pour ce faire, on a utilisé un adhésif disponible dans le commerce. La paire de tranches mutuellement fixées a été ensuite soumise à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et à une température maximale de 1100 C. La pression s'est élevée à 10 Torr et Ar a été choisi comme gaz d'atmosphère. Ce traitement thermique a permis d'augmenter la résistance de liaison entre les deux tranches. De plus, dans la suite du traitement thermique, les vides individuels formés à partir des creux se sont réunis par fusion de sorte qu'il s'est formé, de part et d'autre, un espace vide, qui a séparé la couche de silicium- germanium et la couche de silicium tendue du reste de la tranche donatrice. L'épaisseur totale de la couche transférée a été d'environ 1, 05 m. La couche de silicium alors disposée sur la couche de silicium- germanium et même la couche de silicium-germanium ont été oxydées et ensuite la couche d'oxyde a été éliminée. La couche de silicium mince, monocristalline, tendue, n'a été fixée qu'à la couche d'oxyde, de sorte qu'on s'est trouvé en présence d'un substrat sSOI. REVENDICATIONS 1. Substrat semiconducteur, comprenant une tranche de silicium monocristallin sur la surface dans laquelle se repose une couche monocristalline, relaxée, renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium en surface de couche se situant dans le domaine de 10 % en masse à 100 % en masse, et une couche de vides disposés périodiquement au- dessous de la dite surface. 2. Substrat semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel la couche monocristalline présente une épaisseur de 5 nm à 3 m. 3. Tranche sSOI comprenant une tranche substrat à surface portant une couche de silicium tendue, la raie des phonons de silicium de la couche de silicium tendue différant, à température ambiante, dans le spectre Raman, d'au moins 2 cm-1 de la raie des phonons du silicium non tendu, et la couche de silicium tendue présente une épaisseur de 50 nm ou moins, une uniformité d'épaisseur de couche (66) de 5 % ou moins et une densité de défauts HF de 1/cm2 ou moins. 4. Tranche sSOI selon la revendication 3, dans laquelle, à température ambiante, la raie des phonons du silicium diffère, dans le spectre Raman, de la couche de silicium tendue d'au moins 4 cm-1 de la raie de phonons du silicium non tendu. 5. Procédé pour la préparation d'un substrat 30 semiconducteur, comprenant les étapes suivantes dans l'ordre indiqué : - préparation d'une couche, présentant des creux disposés périodiquement, sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin, et - traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin, jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche fermée de silicium monocristallin avec une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement, caractérisé par le fait que, après le traitement thermique, on dépose, sur la couche fermée, une couche relaxée, monocristalline, renfermant du silicium et du germanium, la teneur en germanium sur la surface de la couche se situant dans le domaine de 10 % en masse à 100 % en masse. 6. Procédé de préparation d'un substrat semiconducteur, comprenant les étapes suivantes dans l'ordre indiqué : dépôt d'une couche renfermant du silicium et du germanium sur la surface d'une tranche de silicium monocristallin, la couche présentant une teneur en germanium, en surface de couche, dans le domaine de 10 % en masse à 100 % en masse, préparation d'une couche présentant des creux disposés périodiquement sur la surface de la tranche de silicium monocristallin qui porte la couche renfermant du silicium et du germanium, et traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin jusqu'à ce qu'il se forme, sur la surface, une couche monocristalline, relaxée, fermée, renfermant du silicium et du germanium, avec une couche sous-jacente de vides disposés périodiquement. 7. Procédé selon l'une des revendications 5 et 6, dans lequel la couche renfermant du silicium et du germanium présente une épaisseur de 5 nm à 3 m. 8. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel une couche de silicium tendue est déposée 35 en surface de la couche renfermant du silicium et du germanium. 2878073 23 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la couche de silicium tendue est fixée à une tranche substrat. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel les tranches fixées sont clivées le long de la couche de vides, de sorte que la couche de silicium tendue et la couche disposée sur celle-ci renfermant du silicium et du germanium restent sur la tranche substrat. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche renfermant du silicium et du germanium est éliminée. 12. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel la couche renfermant du silicium et du 15 germanium est fixée à une tranche substrat. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel les tranches fixées sont clivées le long de la couche de vides, de sorte que la couche renfermant du silicium et du germanium reste sur la tranche substrat. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel une couche de silicium tendue est déposée en surface de la couche renfermant du silicium et du germanium restant sur la tranche substrat.