Brevet FR2878374A1 — publié le 20060526

CELLULE SOLAIRE À HÉTÉROJONCTION ET À MÉTALLISATION ENTERRÉE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention se rapporte à une cellule solaire à hétérojonction et à métallisation enterrée, et au procédé pour sa fabrication. Le procédé convient particulièrement à la réalisation de ce type de cellule solaire en silicium. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Le principe de l'hétérojonction amorphe / cristallin est déjà connu. Des cellules solaires reprenant ce principe ont déjà été brevetées. Le principe de ce type de cellule est d'utiliser un substrat de semiconducteur cristallin dopé d'un premier type de conductivité. Sur une de ses faces, une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, vient alors en contact. On obtient alors une jonction PN appelée hétérojonction, car les deux semi-conducteurs utilisés, bien que de même composition atomique, n'ont pas la même largeur de bande interdite puisqu'ils n'ont pas le même arrangement cristallographique. Il suffit alors de réaliser une électrode transparente sur une face de la jonction et, sur une autre face, opposée à la précédente face, de réaliser une électrode de contact ohmique pour obtenir une cellule solaire à hétérojonction. Le brevet US-A-5 066 340 décrit une cellule solaire à hétérojonction. Celle-ci comporte une hétérojonction formée par un substrat de silicium cristallin d'un premier type de conductivité et une couche de silicium amorphe d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, réalisée sur une des faces du substrat cristallin. Cette cellule intègre également, entre le substrat cristallin et la couche de silicium amorphe, une couche de silicium microcristallin intrinsèque. Le brevet US-A-5 213 628 décrit également une cellule solaire à hétérojonction. Comme dans le brevet US-A-5 066 340, cette cellule comporte une hétérojonction formée par un substrat de silicium cristallin d'un premier type de conductivité et une couche de silicium amorphe d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, réalisée sur une des faces du substrat cristallin. Cette cellule intègre, entre le substrat cristallin et la couche de silicium amorphe, une couche de silicium amorphe intrinsèque. Le brevet US-A-6 091 019 décrit une cellule solaire à hétérojonction. Sur une face d'un substrat de silicium cristallin d'un premier type de conductivité, plusieurs dépôts successifs sont réalisés de manière à former un empilement de plusieurs couches: tout d'abord une couche de silicium amorphe intrinsèque, puis une couche de silicium amorphe dopé d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, puis une couche d'oxyde transparent conducteur, par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium (connu sous la dénomination anglo-saxonne ITO pour Indium Tin Oxide), et enfin la métallisation de doigts de collecte en argent. Sur une autre face, opposée à la précédente face, du substrat de silicium cristallin, les dépôts sont identiques sauf pour la seconde couche qui est du silicium amorphe dopé du premier type de conductivité. Des bus de collecte sont ensuite déposés sur les métallisations réalisées sur les deux faces de la cellule solaire. Dans ce type de cellule, les métallisations peuvent être réalisées par sérigraphie. Elles doivent ensuite être recuites. Afin de ne pas détériorer les couches de silicium amorphe, les métallisations doivent être recuites à basse température , c'est-à-dire à une température inférieure à environ 400 C. Cette condition implique l'utilisation de pâtes de sérigraphie spécifiques dites basse température , par exemple à base de polymère / argent. L'inconvénient majeur de ces pâtes de sérigraphie dites basse température est qu'elles ont une résistivité dix fois plus importante que les pâtes de sérigraphie dites haute température utilisées notamment dans la fabrication des cellules solaires à homojonction. Cette grande résistivité augmente la résistance série des cellules à hétérojonction, entraînant une diminution du facteur de forme. Le facteur de forme est le rapport entre le produit de la tension de sortie maximale avec l'intensité de courant de sortie maximale et le produit de la tension de circuit ouvert avec l'intensité du courant de court-circuit. Cette diminution du facteur de forme entraîne une diminution du rendement des cellules solaires. Les métallisations peuvent également être réalisées par d'autres procédés tels que l'évaporation ou la pulvérisation. Toutefois, même si ces procédés permettent d'éviter l'utilisation des pâtes de sérigraphie dites basse température , les métallisations ainsi réalisées ont une résistance de contact importante. Cette grande résistance de contact augmente également la résistance série des cellules à hétérojonction, et donc entraîne une diminution du rendement des cellules solaires. De plus, quel que soit le procédé utilisé, l'adhérence des métallisations aux matériaux semi- conducteurs n'est pas toujours satisfaisante. Cette mauvaise adhérence pose alors des problèmes lors de l'interconnexion de cellules solaires par soudure sur les bus de collecte. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de proposer une cellule solaire à hétérojonction qui ne présente pas les inconvénients mentionnés ci-dessus, c'est-à-dire ayant une résistance série inférieure à celle des cellules à hétérojonction connues, et comportant des métallisations ayant une bonne adhérence avec les matériaux semiconducteurs. Pour atteindre ces buts, la présente invention propose une cellule solaire, comportant, sur au moins une des faces d'un substrat semiconducteur cristallin d'un premier type de conductivité, au moins une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et comportant des doigts de collecte et au moins un bus de collecte, reliant électriquement les doigts de collecte entre eux, métallisés sur la couche de semi-conducteur amorphe, et au moins une couche d'oxyde transparent conducteur qui recouvre la couche de semi-conducteur amorphe et l'ensemble des doigts de collecte, mais pas la totalité du bus de collecte. Ainsi, au lieu de réaliser une cellule solaire à hétérojonction dont les doigts de collecte sont métallisés sur la couche d'oxyde transparent conducteur, on réalise une cellule solaire à hétérojonction dont les doigts de collecte et le bus de collecte sont directement métallisés sur la couche de semi-conducteur amorphe, et dont la couche d'oxyde transparent conducteur recouvre l'ensemble des doigts de collecte et la couche de semi-conducteur amorphe, mais pas la totalité du bus de collecte. Cette nouvelle cellule permet d'améliorer significativement la résistance de contact entre les métallisations et le matériau semiconducteur amorphe. Ceci entraîne donc une diminution de la résistance série de la cellule, et donc une augmentation du facteur de forme, qui entraîne au final une augmentation du rendement. Cette cellule permet également d'améliorer l'adhérence des métallisations sur le matériau semiconducteur. Les doigts de collecte et/ou le bus de collecte peuvent être réalisés avec de la pâte de sérigraphie dite basse température , par évaporation ou encore par pulvérisation. Les doigts de collecte et/ou le bus de collecte sont de préférence réalisés à base d'aluminium ou d'un métal noble. Les doigts de collecte peuvent être 5 disposés sensiblement parallèlement les uns par rapport aux autres. Les doigts de collecte peuvent également être régulièrement espacés les uns par rapport aux autres. Cette disposition permet d'obtenir une collecte homogène du courant. Le bus de collecte s'étend de préférence sur les doigts de collecte, sensiblement perpendiculairement à eux. On peut envisager que la cellule solaire comporte, entre le substrat semiconducteur et la couche de semi-conducteur amorphe, une couche intermédiaire de semi-conducteur. Cette couche de semi-conducteur peut être réalisée en semi-conducteur amorphe ou polymorphe intrinsèque ou dopé graduellement du second type de conductivité. Cette couche intermédiaire a une largeur de bande interdite intermédiaire entre celle du substrat semi-conducteur et celle de la couche de semi-conducteur amorphe. Elle permet d'assurer un bon état d'interface entre le substrat semi-conducteur et la couche de semi-conducteur amorphe. Dans ce cas, la couche intermédiaire de semi-conducteur est de préférence en silicium, par exemple en couche mince. Il est préférable que le substrat semi- conducteur soit en silicium monocristallin ou en silicium polycristallin, suivant le type de dispositif désiré. La couche de semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité est de préférence en silicium. De plus, la couche de semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité peut être en couche mince. On peut envisager que la couche d'oxyde 10 transparent conducteur soit de l'oxyde d'étain et d'indium. Plusieurs cellules solaires peuvent être regroupées pour former un module, ces cellules étant connectées en série et/ou parallèle. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'une cellule solaire comportant les étapes suivantes: a) dépôt, sur au moins une face d'un substrat semi-conducteur cristallin d'un premier type de conductivité, d'au moins une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, b) métallisation d'un ensemble de doigts de collecte sur la couche de semiconducteur amorphe, c) métallisation d'au moins un bus de collecte sur la couche de semi-conducteur amorphe, reliant électriquement les doigts de collecte entre eux, d) réalisation d'au moins une couche d'oxyde transparent conducteur sur la couche de semi- conducteur amorphe, recouvrant également l'ensemble des doigts de collecte et le bus de collecte, e) gravure dans la couche d'oxyde transparent conducteur d'au moins une fenêtre mettant à 5 nu au moins une partie du bus de collecte. Le procédé peut comporter, entre l'étape b) et l'étape c), une étape de réalisation d'un frittage à froid de l'ensemble des doigts de collecte, par un pressage de ces doigts de collecte. Pour ce procédé de réalisation, le pressage des doigts de collecte peut être réalisé avec une presse hydraulique ou pneumatique. Le pressage est de préférence réalisé à une température comprise entre environ une température ambiante et 400 C. La température de 400 C est approximativement la température maximale car à une température supérieure, il y aurait une détérioration du dispositif semi-conducteur. Il est également préférable que le pressage soit réalisé à un niveau de pression compris entre environ 106 Pa et 5x108 Pa, permettant de réaliser le frittage à froid des doigts de collecte. La gravure peut être réalisée par laser ou par dépôt de pâte de sérigraphie décapante. On peut envisager que la métallisation des doigts de collecte et/ou la métallisation du bus de collecte soient réalisées avec de la pâte de sérigraphie dite basse température , par évaporation ou encore par pulvérisation. Il est préférable que les doigts de collecte et/ou le bus de collecte soient réalisés à base d'aluminium ou d'un métal noble. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 représente une vue en perspective d'un exemple de cellule solaire à hétérojonction à métallisation enterrée, objet de la présente invention, - la figure 2 représente une vue en coupe d'une cellule solaire à hétérojonction à métallisation enterrée, objet de la présente invention, réalisé selon un autre mode de réalisation que celui de la figure 1, - les figures 3A à 3D représentent des vues en coupe, suivant un plan de coupe perpendiculaire à celui de la figure 2, des étapes de réalisation d'une cellule solaire à hétérojonction à métallisation enterrée, objet de la présente invention, selon le mode de réalisation de la figure 1, - la figure 4 représente une vue de dessus 25 d'un module formé de plusieurs cellules solaires reliées entre elles, également objet de la présente invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après 30 portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère à la figure 1 qui montre en perspective une cellule solaire 100, objet de la présente invention. Il est représenté une cellule solaire 100 comportant sur au moins une des faces 2 d'un substrat semi-conducteur 1 cristallin d'un premier type de conductivité, au moins une couche de semi-conducteur amorphe 4 dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité. Sur cette couche de semi-conducteur amorphe 4 se trouve un ensemble de doigts de collectes 5.1 à 5.n. Au moins un bus de collecte 6, se trouvant par exemple sur les doigts de collecte 5.1 à 5. n, relie électriquement entre eux ces doigts de collecte 5.1 à 5.n. L'ensemble des doigts de collecte 5.1 à 5.n et le bus de collecte 6 sont métallisés sur la couche de semi-conducteur amorphe 4. Une couche d'oxyde transparent conducteur 7 recouvre la couche de semi-conducteur amorphe 4 et l'ensemble des doigts de collecte 5.1 à 5.n, mais pas le bus de collecte 6. Cette cellule solaire 100 comporte le substrat semi-conducteur 1. Ce substrat semi-conducteur 1 peut être par exemple en silicium monocristallin ou polycristallin, d'un premier type de conductivité, par exemple N. Il n'est pas nécessaire d'utiliser un silicium d'excellente qualité car, du fait de l'absence de fortes contraintes thermiques pendant le procédé de réalisation de la cellule, le silicium ne verra pas la durée de vie de ses porteurs de charge altérée. L'épaisseur du substrat semi-conducteur 1 peut être comprise par exemple entre environ 10 micromètres et quelques centaines de micromètres. Le substrat semi-conducteur 1 comporte sur la face 2 la couche de semiconducteur amorphe 4 dopé du second type de conductivité, c'est-à-dire P. Cette couche de semi-conducteur amorphe 4 s'étend sur toute la surface de la face 2 du substrat semi-conducteur 1. La couche de semi-conducteur amorphe 4 peut être en silicium, par exemple en couche mince. L'épaisseur de cette couche 4 est alors de quelques nanomètres, par exemple environ 7, 5 nanomètres. Les doigts de collecte 5.1 à 5.n sont métallisés sur la couche de semiconducteur amorphe 4. Dans l'exemple de la figure 1, ces doigts de collecte 5.1 à 5.n sont réalisés avec de la pâte de sérigraphie dite basse température . On peut également envisager qu'ils soient réalisés par pulvérisation ou par évaporation. Ils ont par exemple une largeur d'environ 100 micromètres et une hauteur de métallisation d'environ 10 micromètres. Ils ont chacun une hauteur de métallisation sensiblement identique et sont régulièrement espacés entre eux par une distance d'environ 2 millimètres. Cette disposition permet d'obtenir une collecte homogène du courant. Le nombre de doigts de collecte 5.1 à 5.n dépend donc des dimensions de la cellule solaire 100. Ce nombre doit être suffisant pour que la résistance série présentée par la cellule solaire 100 ne soit pas trop élevée. Les doigts de collecte 5.1 à 5.n sont disposés parallèlement les uns par rapport aux autres, et sont à base d'aluminium ou d'un métal noble, comme par exemple l'argent. Au moins un bus de collecte 6 est métallisé sur la couche de semiconducteur amorphe 4. Là encore, le nombre de bus de collecte 6 dépend des dimensions de la cellule solaire 100. Le nombre de bus de collecte 6 doit être adapté en fonction de la largeur de la cellule solaire 100. Sur la figure 1, un seul bus de collecte 6 est métallisé sur la couche de semi-conducteur amorphe 4. Dans l'exemple de la figure 1, ce bus de collecte 6 est réalisé avec de la pâte de sérigraphie dite basse température . On peut également envisager qu'il soit réalisé par pulvérisation ou par évaporation. Il s'étend sur les doigts de collecte 5. 1 à 5.n, sensiblement perpendiculairement à eux, et les reliant électriquement entre eux. Le bus de collecte 6 a une largeur supérieure à celle des doigts de collecte 5.1 à 5.n. Elle est d'environ 2 millimètres. Sa hauteur de métallisation est d'environ 100 micromètres. Le bus de collecte 6 est à base d'aluminium ou d'un métal noble, comme par exemple l'argent. La couche d'oxyde transparent conducteur 7, par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium, est empilée sur la couche de silicium amorphe 4. Cette couche d'oxyde transparent conducteur 7 recouvre également les doigts de collecte 5.1 à 5.n. Cette couche d'oxyde transparent conducteur 7 a une épaisseur d'environ 85 nanomètres. Le bus de collecte 6 n'est pas recouvert en totalité par la couche d'oxyde transparent conducteur 7 car une fenêtre 8 est gravée au niveau du bus de collecte 6, au travers de la couche d'oxyde transparent conducteur 7, permettant de mettre à nu au moins une partie du bus de collecte 6. Sur la figure 1, le bus est mis à nu en totalité. Le bus de collecte 6 forme ainsi une électrode de la cellule solaire 100. La cellule solaire 100 comporte, par exemple, sur une autre face 10 du substrat semi- conducteur 1, opposée à la face 2, une couche métallique 9. Cette couche métallique 9, par exemple à base d'aluminium ou de métal noble tel que l'argent, est la seconde électrode de la cellule solaire 100. La cellule solaire 100 peut comporter sur l'autre face 10 une structure différente de la couche métallique 9. Par exemple, la cellule solaire 100 peut comporter sur l'autre face 10 les mêmes éléments que ceux se trouvant sur la face 2, sauf la couche de semi-conducteur amorphe dopé qui serait dopé N. Dans un autre mode de réalisation, la cellule solaire 100 peut comporter, entre la face 2 du substrat semi-conducteur 1 et la couche de semi-conducteur amorphe 4, une couche intermédiaire de semi-conducteur 3, comme on peut le voir sur la figure 2. La figure 2 est une vue selon un plan de coupe perpendiculaire aux doigts de collecte 5.1 à 5.n. La couche intermédiaire de semi-conducteur 3 a une largeur de bande interdite intermédiaire entre celle du substrat semi-conducteur 1 et celle de la couche de semi-conducteur amorphe 4. Elle permet d'assurer un bon état d'interface entre le substrat semi-conducteur 1 et la couche de semi-conducteur amorphe 4. Ceci entraîne au final une amélioration du rendement de la cellule solaire. Cette couche de semi-conducteur 3 peut être réalisée en semi-conducteur amorphe ou polymorphe intrinsèque, comme décrit dans le brevet US-A-5 213 628, ou dopé graduellement du second type de conductivité, ou encore en semi-conducteur microcristallin intrinsèque, comme décrit dans le brevet US-A-5 066 340. L'épaisseur de cette couche de semi-conducteur 3 est sensiblement identique à celle de la couche de semi-conducteur amorphe 4, c'est-à-dire de quelques nanomètres, par exemple environ 7,5 nanomètres. On va maintenant s'intéresser à un procédé 15 de réalisation d'une cellule solaire 100 également objet de la présente invention. Comme on peut le voir sur la figure 3A, on part d'un substrat semiconducteur 1 d'un premier type de conductivité, par exemple N. On réalise sur une face 2 du substrat semi-conducteur 1 le dépôt d'une couche de semi-conducteur amorphe 4 dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, c'est-à-dire P. Cette couche de semiconducteur amorphe 4 s'étend sur toute la superficie de la face 2 du substrat semi-conducteur 1. Le dépôt de cette couche de semi-conducteur amorphe 4 peut par exemple être réalisé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (connu sous la dénomination anglo-saxonne PECVD pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Un ensemble de doigts de collecte 5.1 à 5.n est ensuite métallisé sur la couche de semi-conducteur amorphe 4. Sur la figure 3B, seul un doigt de collecte 5.i est représenté. La métallisation de l'ensemble des doigts de collecte 5.1 à 5.n est par exemple réalisée avec de la pâte de sérigraphie dite basse température . On peut également envisager qu'ils soient réalisés par pulvérisation ou par évaporation. Les doigts de collecte 5.1 à 5.n sont à base d'aluminium ou d'un métal noble comme par exemple l'argent. On peut réaliser ensuite un frittage à froid des doigts de collecte 5.1 à 5.n en effectuant un pressage de ces doigts de collecte 5. 1 à 5.n. Le pressage est réalisé à une température comprise entre environ une température ambiante et 400 C, à une pression comprise entre environ 106 Pa et 5x10$ Pa, permettant de réaliser le frittage à froid des doigts de collecte 5.1 à 5.n. La température de 400 C est approximativement la température maximale car au-delà, il y aurait une détérioration du dispositif semi-conducteur. Le pressage peut être réalisé par une presse hydraulique ou pneumatique. Le bus de collecte 6 est ensuite métallisé avec de la pâte de sérigraphie dite basse température , par pulvérisation ou encore par évaporation, sur la couche de semi-conducteur amorphe 4, recouvrant en partie également les doigts de collecte 5.1 à 5.n. Il est à base d'aluminium ou d'un métal noble tel que l'argent. Comme on peut le voir sur la figure 3C, une couche d'oxyde transparent conducteur 7, par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium, est empilée sur la couche de semi-conducteur amorphe 4. Cette couche d'oxyde transparent conducteur 7 recouvre toute la surface de la couche de semi-conducteur amorphe 4, l'ensemble des doigts de collecte 5.1 à 5.n et le bus de collecte 6. La couche d'oxyde transparent conducteur 7 est réalisée, par exemple, par pulvérisation cathodique. La fenêtre 8 est ensuite gravée au niveau du bus de collecte 6 à travers la couche d'oxyde transparent conducteur 7, comme on peut le voir sur la figure 3D. Cette fenêtre 8 permet de mettre à nu au moins une partie du bus de collecte 6 afin de pouvoir interconnecter la cellule solaire 100 avec d'autres éléments. Cette gravure est réalisée, par exemple, par laser, ou bien par dépôt d'une pâte de sérigraphie décapante. Enfin, une électrode de contact ohmique est réalisée sur une autre face 10 du substrat semi-conducteur 1, opposée à la face 2. Cette électrode peut par exemple être une couche métallique 9, par exemple à base d'aluminium ou de métal noble comme par exemple de l'argent, telle que représentée sur la figure 2. Comme l'illustre la figure 4, plusieurs cellules solaires 101 à 109, conformes à l'invention peuvent être réalisées en même temps sur le substrat semi-conducteur 1. Les cellules unitaires peuvent ensuite être connectées entre elles par leurs zones de métallisation 6 et 9 pour obtenir un module 200 de cellules solaires. Dans notre exemple illustré sur la figure 4, les cellules 101 à 103 sont connectées en série, de même que les cellules 104 à 106 et les cellules 107 à 109. Les trois groupes de cellules reliées en série ainsi formés sont connectés alors en parallèle à une électrode 13 du module 200. L'électrode 13 est une des deux électrodes de connexion du module 200. Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. Dans les exemples décrits, le premier type de conductivité est le type N et le second le type P. Il est bien sûr possible que ce soit l'inverse, l'homme du métier n'ayant aucun problème pour choisir des matériaux appropriés conduisant à ces conductivités. REVENDICATIONS 1. Cellule solaire (100), comportant, sur au moins une des faces (2) d'un substrat semi-conducteur (1) cristallin d'un premier type de conductivité, au moins une couche de semi-conducteur amorphe (4) dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, caractérisée en ce qu'elle comporte des doigts de collecte (5.1 à 5.n) et au moins un bus de collecte (6), reliant électriquement lesdits doigts de collecte (5.1 à 5.n) entre eux, métallisés sur la couche de semi-conducteur amorphe (4), et au moins une couche d'oxyde transparent conducteur (7) qui recouvre la couche de semi-conducteur amorphe (4) et l'ensemble des doigts de collecte (5.1 à 5.n), mais pas la totalité du bus de collecte (6). 2. Cellule solaire (100) selon la revendication 1, caractérisée en ce que les doigts de collecte (5.1 à 5.n) et/ou le bus de collecte (6) sont réalisés avec de la pâte de sérigraphie dite basse température . 3. Cellule solaire (100) selon la revendication 1, caractérisée en ce que les doigts de collecte (5.1 à 5.n) et/ou le bus de collecte (6) sont réalisés par évaporation ou pulvérisation. 4. Cellule solaire (100) selon l'une 30 quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que les doigts de collecte (5.1 à 5.n) et/ou le bus de collecte (6) sont réalisés à base d'aluminium ou d'un métal noble. 5. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que les doigts de collecte (5.1 à 5.n) sont disposés sensiblement parallèlement les uns par rapport aux autres. 6. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que les doigts de collecte (5.1 à 5.n) sont régulièrement espacés les uns par rapport aux autres. 7. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le bus de collecte (6) s'étend sur les doigts de collecte (5.1 à 5.n), sensiblement perpendiculairement auxdits doigts de collecte (5.1 à 20 5.n). 8. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte entre le substrat semiconducteur (1) et la couche de semi-conducteur amorphe (4), une couche intermédiaire de semi-conducteur (3). 9. Cellule solaire (100) selon la revendication 8, caractérisée en ce que la couche 30 intermédiaire de semi-conducteur (3) est en semi-conducteur amorphe ou polymorphe intrinsèque. 15 10. Cellule solaire (100) selon la revendication 8, caractérisée en ce que la couche intermédiaire de semi-conducteur (3) est en semi-conducteur amorphe dopé graduellement du second type de conductivité. 11. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisée en ce que la couche intermédiaire de semi-conducteur (3) est en silicium. 12. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, caractérisée en ce que la couche intermédiaire de semi-conducteur (3) est en couche mince. 13. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le substrat semi-conducteur (1) est en silicium monocristallin ou en silicium polycristallin. 14. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche de semi-conducteur amorphe (4) dopé du second type de conductivité est en silicium. 15. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche de semi-conducteur amorphe (4) dopé du second type de conductivité est en couche mince. 16. Cellule solaire (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche d'oxyde transparent conducteur (7) est de l'oxyde d'étain et d'indium. 17. Module (200) de cellules solaires, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs cellules solaires (101 à 109) selon l'une des revendications précédentes, connectées en série et/ou parallèle. 18. Procédé de réalisation d'une cellule solaire (100) comportant les étapes suivantes: a) dépôt, sur au moins une face (2) d'un substrat semiconducteur (1) cristallin d'un premier type de conductivité, d'au moins une couche de semi-conducteur amorphe (4) dopé d'un second type de conductivité, opposé audit premier type de conductivité, b) métallisation d'un ensemble de doigts de collecte (5.1 à 5.n) sur la couche de semiconducteur amorphe (4), c) métallisation d'au moins un bus de collecte (6) sur la couche de semi-conducteur amorphe 25 (4), reliant électriquement lesdits doigts de collecte (5.1 à 5.n) entre eux, d) réalisation d'au moins une couche d'oxyde transparent conducteur (7) sur la couche de semiconducteur amorphe (4), recouvrant également l'ensemble des doigts de collecte (5.1 à 5.n) et le bus de collecte (6), e) gravure dans la couche d'oxyde transparent conducteur (7) d'au moins une fenêtre (8) mettant à nu au moins une partie du bus de collecte (6). 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il comporte, entre l'étape b) et l'étape c), une étape de réalisation d'un frittage à froid de l'ensemble des doigts de collecte (5.1 à 5.n), par un pressage desdits doigts de collecte (5.1 à 5.n). 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que le pressage des doigts de collecte (5.1 à 5.n) est réalisé avec une presse hydraulique ou pneumatique. 21. Procédé selon l'une des revendications 19 ou 20, caractérisé en ce que le pressage est réalisé à une température comprise entre environ une température ambiante et 400 C. 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 21, caractérisé en ce que le pressage est réalisé à un niveau de pression compris entre environ 106 Pa et 5x108 Pa. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 à 22, caractérisé en ce que la gravure est une gravure réalisée par laser ou par dépôt de pâte de sérigraphie décapante. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 à 23, caractérisé en ce que la métallisation des doigts de collecte (5.1 à 5.n) et/ou la métallisation du bus de collecte (6) sont réalisées avec de la pâte de sérigraphie dite basse température . 25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 à 23, caractérisé en ce que la métallisation des doigts de collecte (5.1 à 5.n) et/ou la métallisation du bus de collecte (6) sont réalisées par évaporation ou pulvérisation. 26. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 à 25, caractérisé en ce que les doigts de collecte (5.1 à 5.n) et/ou le bus de collecte (6) sont réalisés à base d'aluminium ou d'un métal noble.