Brevet FR2873709A1 — publié le 20060203

ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION L'invention concerne l'aplanissement mécanochimique (CMP) de matériaux de type plaquettes semi-conductrices et, plus particulièrement, des compositions et procédés CMP pour retirer par polissage la silice et le nitrure de silicium de plaquettes semiconductrices dans des procédés d'isolation de tranchées peu profondes (STI). Les dimensions décroissantes des dispositifs et la densité croissante d'intégration dans les circuits de micro-électronique ont nécessité une réduction correspondante de la taille des structures d'isolation. Cette réduction a pour objectif la formation reproductible de structures qui assurent une isolation efficace, tout en occupant une quantité minimum de la surface d'un substrat. La technique STI est un procédé de fabrication de semi-conducteurs largement utilisé pour former des structures d'isolation pour isoler électriquement les différents composants actifs formés dans les circuits intégrés. Un avantage majeur de l'utilisation de la technique STI par rapport à la technique LOCOS (Local Oxidation of Silicon) conventionnelle réside dans les grandes possibilités de changement d'échelle en dispositifs CI CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) pour la fabrication au niveau d'intégration submicrométrique. Un autre avantage est que la technique STI contribue à empêcher la survenue de ce que l'on appelle l'empiétement en bec d'oiseau qui est caractéristique de la technique LOCOS pour former des structures d'isolation. Dans la technique STI, la première étape est la formation d'une pluralité de tranchées à des endroits prédéfinis dans le substrat, habituellement par gravure anisotrope. Puis, de la silice est déposée dans chacune de ces tranchées. La silice est ensuite polie par CMP jusqu'au nitrure de silicium (couche d'arrêt) pour former la structure STI. Pour obtenir un polissage efficace, la suspension de polissage doit permettre une grande sélectivité faisant intervenir le taux de retrait de la silice par rapport au nitrure de silicium ("sélectivité"). Kido et al., dans la demande de brevet US publiée n 2002/0 045 350, décrivent une composition abrasive connue pour polir un dispositif semiconducteur comprenant un oxyde de cérium et un composé organique soluble dans l'eau. Eventuellement, la composition 2873709 2 peut contenir un agent d'ajustement de la viscosité, un tampon, un agent tensioactif et un agent chélatant, bien qu'aucun ne soit spécifié. Bien que la composition de Kido produise des performances d'incurvation adéquates, la densité d'intégration toujours croissante dans les circuits de micro-électronique exige des compositions et des procédés améliorés. Ainsi, ce qui est nécessaire c'est une composition et un procédé pour le polissage mécanochimique du dioxyde de silicium ("silice") et du nitrure de silicium pour les procédés d'isolation de tranchées peu profondes ayant une incurvation améliorée. EXPOSE DE L'INVENTION Dans un premier aspect, la présente invention fournit une composition aqueuse utile pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice comprenant en pour-cent en masse de 0,01 à 5 % de polymère d'acide carboxylique, de 0,02 à 6 % d'abrasif, de 0,01 à 10 % de polyvinylpyrrolidone, de 0 à 5 % de composé cationique, de 0 à 5 % de composé zwittérionique et le complément constitué par de l'eau, où la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne entre 100 g/mol et 1 000 000 g/mol. Dans un second aspect, la présente invention fournit un procédé pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi- conductrice comprenant: la mise en contact de la silice et du nitrure de silicium sur la plaquette avec une composition de polissage, la composition de polissage comprenant en pour-cent en masse de 0,01 à 5 de polymère d'acide carboxylique, de 0,02 à 6 % d'abrasif, de 0,01 à 10 % de polyvinylpyrrolidone, de 0 à 5 % de composé cationique, de 0 à 5 % de composé zwittérionique et le complément constitué par de l'eau, où la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne entre 100 g/mol et 1 000 000 g/mol; et le polissage de la silice et du nitrure de silicium avec un patin de polissage. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La composition et le procédé permettent la suppression inattendue du retrait du dioxyde de silicium sur une plaquette semi- conductrice pour les procédés d'isolation de tranchées peu profondes. La composition comprend avantageusement de la polyvinylpyrrolidone 2873709 3 procédé de polissage. En particulier, la présente invention fournit une composition aqueuse utile pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice comprenant de la polyvinylpyrrolidone, un polymère d'acide carboxylique, un abrasif et le complément constitué par de l'eau. Eventuellement, la composition de la présente invention peut contenir un composé cationique pour favoriser l'aplanissement, réguler la durée de traitement des plaquettes et le retrait de la silice. En outre, la composition contient éventuellement un composé zwittérionique pour favoriser l'aplanissement et jouer le rôle de suppresseur de retrait de nitrure. Avantageusement, la nouvelle composition de polissage contient environ 0, 01 à 10 % en masse de polyvinylpyrrolidone pour assurer la réponse de seuil de pression pendant le retrait d'oxyde. De préférence, la polyvinylpyrrolidone est présente en une quantité de 0,015 à 5 % en masse, de préférence encore de 0,02 à 1 % en masse et de préférence encore, la polyvinylpyrrolidone est présente en une quantité de 0,02 à 0,5 % en masse. En outre, il est possible d'utiliser des mélanges de polyvinylpyrrolidones de masse moléculaire moyenne en nombre supérieure et de masse moléculaire moyenne en nombre inférieure. De plus, la masse moléculaire moyenne en poids de la polyvinylpyrrolidone est 100 à 1 000 000 g/mol, telle qu'elle est déterminée par chromatographie par perméation de gel (CPG). De préférence, la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne en poids de 500 à 500 000 g/mol. De préférence encore, la masse moléculaire moyenne en poids de la polyvinylpyrrolidone est d'environ 1 500 à environ 10 000 g/mol. En plus de la polyvinylpyrrolidone, la composition contient avantageusement 0,01 à 5 % en masse d'un polymère d'acide carboxylique destiné à jouer le rôle de dispersant pour les particules abrasives (discuté ci-dessous). De préférence, la composition contient 0,05 à 1,5 % en masse d'un polymère d'acide carboxylique. En outre, le polymère a de préférence une masse moléculaire moyenne en nombre de 4 000 à 1 500 000. De plus, il est possible d'utiliser des mélanges de polymères d'acide carboxylique de masse moléculaire moyenne en nombre supérieure et de masse moléculaire moyenne en nombre inférieure. Ces polymères d'acide carboxylique sont généralement en solution mais 2873709 4 peuvent être en dispersion aqueuse. Le polymère d'acide carboxylique peut avantageusement jouer le rôle de dispersant pour les particules abrasives (discuté cidessous). La masse moléculaire moyenne en nombre des polymères mentionnés précédemment est déterminée par CPG. Les polymères d'acide carboxylique sont de préférence formés à partir d'acides monocarboxyliques insaturés et d'acides dicarboxyliques insaturés. Les monomères d'acides monocarboxyliques insaturés typiques contiennent 3 à 6 atomes de carbone et incluent l'acide acrylique, l'acide acrylique oligomère, l'acide méthacrylique, l'acide crotonique et l'acide vinylacétique. Les acides dicarboxyliques insaturés typiques contiennent 4 à 8 atomes de carbone et incluent leurs anhydrides et sont, par exemple, l'acide maléique, l'anhydride maléique, l'acide fumarique, l'acide glutarique, l'acide itaconique, l'anhydride itaconique et l'acide cyclohexène dicarboxylique. De plus, il est possible aussi d'utiliser des sels hydrosolubles des acides mentionnés précédemment. Les "poly(acides (méth)acryliques)" ayant une masse moléculaire moyenne en nombre d'environ 1 000 à 1 500 000, de préférence de 3 000 à 250 000 et de préférence encore de 20 000 à 200 000 sont particulièrement utiles. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "poly(acide (méth)acrylique)" est défini comme désignant des polymères de l'acide acrylique, des polymères de l'acide méthacrylique ou des copolymères d'acide acrylique et d'acide méthacrylique. Les mélanges de poly(acides (méth)acryliques) de différentes masses moléculaires moyennes en nombre sont particulièrement préférés. Dans ces mélanges de poly(acides (méth)acryliques), un poly(acide (méth)acrylique) de masse moléculaire moyenne en nombre plus basse ayant une masse moléculaire moyenne en nombre de 1 000 à 100 000 et de préférence de 4 000 à 40 000 est utilisé en combinaison avec un poly(acide (méth)acrylique) de masse moléculaire moyenne en nombre plus élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre de 150 000 à 1 500 000, de préférence de 200 000 à 300 000. Typiquement, le rapport des pourcentages en masse du poly(acide (méth)acrylique) de masse moléculaire moyenne en nombre plus basse au poly(acide (méth)-acrylique) de masse moléculaire moyenne en nombre plus élevée est d'environ 10:1 à 1:10, de préférence de 5:1 à 1:5, et de préférence encore de 3:1 à 2:3. Un mélange préféré comprend un poly(acide 2873709 5 (méth)acrylique) ayant une masse moléculaire moyenne en nombre d'environ 20 000 et un poly(acide (méth)acrylique) ayant une masse moléculaire moyenne en nombre d'environ 200 000 dans un rapport massique de 2:1. De plus, il est possible d'utiliser des copolymères et terpolymères contenant un acide carboxylique dans lesquels le composant acide carboxylique constitue 5-75 % en masse du polymère. Sont typiques de tels polymères les polymères d'acide (méth)acrylique et d'acrylamide ou de méthacrylamide; les polymères d'acides (méth)acrylique et de styrène et d'autres monomères vinyliques aromatiques; les polymères de (méth) acrylates d'alkyle (esters d'acide acrylique ou d'acide méthacrylique) et d'un acide mono- ou dicarboxylique, comme l'acide acrylique ou méthacrylique ou itaconique; les polymères de monomères vinyliques aromatiques substitués ayant des substituants, comme halogène (c'est-àdire le chlore, le fluor, le brome), nitro, cyano, alcoxy, halogénoalkyle, carboxy, amino, aminoalkyle et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé et d'un (méth)acrylate d'alkyle; les polymères de monomères monoéthyléniquement insaturés contenant un cycle azoté, comme la vinylpyridine, une alkylvinylpyridine, le vinylbutyrolactame, le vinylcaprolactame et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé ; les polymères d'oléfines, comme le propylène, l'isobutylène, ou d'alkyloléfines à longue chaîne ayant 10 à 20 atomes de carbone et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé ; les polymères d'esters de l'alcool vinylique, comme l'acétate de vinyle et le stéarate de vinyle ou d'halogénures de vinyle comme le fluorure de vinyle, le chlorure de vinyle, le fluorure de vinylidène ou de vinylnitriles comme l'acrylonitrile et le méthacrylonitrile et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé ; les polymères de (méth)acrylates d'alkyle ayant 1-24 atomes de carbone dans le groupe alkyle et d'un acide monocarboxylique insaturé, comme l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique. Ce ne sont que quelques exemples de la variété des polymères qui peuvent être utilisés dans la nouvelle composition de polissage de cette invention. En outre, il est possible d'utiliser des polymères qui sont biodégradables, photodégradables ou dégradables par d'autres moyens. Un exemple d'une telle composition qui est biodégradable est un polymère de type poly(acide acrylique) contenant des segments de poly(acrylate-2-cyanoacrylate de méthyle). 2873709 6 Avantageusement, la composition de polissage contient 0,2 à 6 % en masse d'abrasif pour faciliter le retrait de la silice. Dans cette plage, il est souhaitable que l'abrasif soit présent en une quantité supérieure ou égale à 0,5 % en masse. En outre, une quantité inférieure ou égale à 2,5 % en masse est souhaitable dans cette plage. L'abrasif a une taille de particules moyenne de 50 à 200 nanomètres (nm). Pour les besoins de cette description, la taille de particules désigne la taille de particules moyenne de l'abrasif. De préférence encore, il est souhaitable d'utiliser un abrasif ayant une taille de particules moyenne de 80 à 150 nm. La diminution de la taille de l'abrasif à une valeur inférieure ou égale à 80 nm a tendance à améliorer l'aplanissement de la composition de polissage mais a tendance également à faire décroître la vitesse de retrait. Les exemples d'abrasifs incluent les oxydes inorganiques, les hydroxydes inorganiques, les borures métalliques, les carbures métalliques, les nitrures métalliques, les particules de polymères et les mélanges comprenant au moins l'un des précédents. Les oxydes inorganiques appropriés incluent par exemple la silice (SiO2), l'alumine (AI2O3), la zircone (ZrO2), l'oxyde de cérium (CeO2), l'oxyde de manganèse (MnO2) ou des combinaisons comprenant au moins l'un des oxydes précédents. Il est possible aussi d'utiliser si on le souhaite des formes modifiées de ces oxydes inorganiques, comme des particules d'oxyde inorganique recouvertes de polymère et des particules recouvertes de substances inorganiques. Les carbures, borures et nitrures métalliques appropriés incluent par exemple le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le carbonitrure de silicium (SiCN), le carbure de bore, le carbure de tungstène, le carbure de zirconium, le borure d'aluminium, le carbure de tantale, le carbure de titane ou des combinaisons comprenant au moins l'un des carbures, borures et nitrures métalliques précédents. Le diamant peut aussi être utilisé comme abrasif si on le souhaite. D'autres abrasifs incluent aussi des particules polymères et des particules polymères revêtues. L'abrasif préféré est l'oxyde de cérium. Les composés présentent une efficacité sur une large plage de pH dans des solutions contenant un complément d'eau. Cette plage de pH utile en solution s'étend d'au moins 4 à 9. De plus, la solution est basée avantageusement sur un complément d'eau désionisée pour limiter les 2873709 7 impuretés accidentelles. Le pH du liquide de polissage de cette invention est de préférence de 4,5 à 8, de préférence encore de 5,5 à 7,5. Les acides utilisés pour ajuster le pH de la composition de cette invention sont par exemple l'acide nitrique, l'acide sulfurique, l'acide chlorhydrique, l'acide phosphorique et analogue. Des exemples de bases utilisées pour ajuster le pH de la composition de cette invention sont par exemple l'hydroxyde d'ammonium et l'hydroxyde de potassium. Eventuellement, la composition contient avantageusement 0 à 5 % en masse de composé zwittérionique pour favoriser l'aplanissement et jouer le rôle de suppresseur du retrait de nitrure. Avantageusement, la composition contient 0,01 à 1,5 % en masse de composé zwittérionique. Le composé zwittérionique de la présente invention peut favoriser avantageusement l'aplanissement et peut supprimer le retrait de nitrure. Le terme "composé zwittérionique" désigne un composé contenant des substituants cationique et anionique en des proportions approximativement égales liés par un pont physique, par exemple un groupe CH2, de sorte que le composé est globalement neutre. Les composés zwittérioniques de la présente invention incluent la structure suivante: Xi Y e / e X2 M CH z n X3 où n est un entier, Y comprend l'hydrogène ou un groupe alkyle, Z comprend carboxyle, sulfate ou l'oxygène, M comprend l'azote, le phosphore ou un atome de soufre et X1, X2 et X3 comprennent indépendamment des substituants choisis dans le groupe comprenant l'hydrogène, un groupe alkyle et un groupe aryle. Tel qu'il est défini ici, le terme "alkyle" (ou alkyl- ou alk-) désigne une chaîne hydrocarbonée linéaire, ramifiée ou cyclique, substituée ou non substituée qui contient de préférence de 1 à 20 atomes de carbone. Les groupes alkyle incluent par exemple méthyle, éthyle, propyle, isopropyle, cyclopropyle, butyle, isobutyle, tert-butyle, sec-butyle, cyclobutyle, pentyle, cyclopentyle, hexyle et cyclohexyle. Le terme "aryle" désigne tout groupe carbocyclique aromatique substitué ou non substitué qui contient de préférence de 6 à 20 atomes de carbone. Un groupe aryle peut être monocyclique ou polycyclique. Les groupes aryle incluent par exemple phényle, naphtyle, biphényle, benzyle, tolyle, xylyle, phényléthyle, benzoate, alkylbenzoate, aniline et N-alkylanilino. Les composés zwittérioniques préférés incluent par exemple les 10 bétaïnes. Une bétaïne préférée selon la présente invention est le N,N, N-triméthylammonioacétate, représenté par la structure suivante: / G I / CH3 N CH2 C CH3 Eventuellement, la composition de la présente invention peut comprendre 0 à 5 % en masse de composé cationique. De préférence, la composition comprend éventuellement 0,01 à 1,5 % en masse de composé cationique. Le composé cationique de la présente invention peut favoriser avantageusement l'aplanissement, réguler la durée de traitement des plaquettes et servir à supprimer le retrait d'oxyde. Les composés cationiques préférés incluent les alkylamines, les arylamines, les composés d'ammonium quaternaire et les alcoolamines. Les exemples de composés cationiques incluent la méthylamine, l'éthylamine, la diméthylamine, la diéthylamine, la triméthylamine, la triéthylamine, l'aniline, l'hydroxyde de tétraméthyl-ammonium, l'hydroxyde de tétraéthylammonium, l'éthanolamine et la propanolamine. Ainsi, la présente invention fournit une composition utile pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice pour les procédés d'isolation des tranchées peu profondes. La composition comprend avantageusement de la polyvinylpyrrolidone pour des performances d'incurvation améliorées. En particulier, la présente invention fournit une composition aqueuse utile pour polir la silice et le CH3 oe 2873709 9 nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice comprenant en pourcent en masse 0,01 à 5 de polymère d'acide carboxylique, 0,02 à 6 d'abrasif, 0,01 à 10 de polyvinylpyrrolidone, 0 à 5 de composé cationique, 0 à 5 de composé zwittérionique et le complément constitué par de l'eau, où la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne entre 100 g/mol et 1 000 000 g/mol. La composition présente une réponse de pression de seuil particulièrement améliorée dans une plage de pH de 4 à 9. De plus, la présente invention est particulièrement utile quand elle est utilisée avec un patin de polissage, ayant une vitesse d'usure réduite au centre ou à proximité du centre de la piste de plaquette. Les suspensions d'isolation de tranchées peu profondes présentent souvent des phénomènes "rapides au centre" (c'est-à-dire qu'elles polissent à une plus grande vitesse au centre ou à proximité du centre de la piste de plaquette) que dans les autres zones de la plaquette. Les inventeurs ont découvert que le polissage avec la composition de la présente invention permet une réduction améliorée des phénomènes rapides au centre quand elle est utilisée avec un patin de polissage ayant une vitesse d'usure moins agressive pour la plaquette, au centre ou à proximité du centre de la piste de plaquette. En d'autres termes, le patin de polissage comporte des rainures qui sont configurées pour produire un polissage réduit, à proximité du centre de la piste de plaquette. Le patin de polissage peut être poreux, non poreux ou une combinaison de poreux et non poreux. En outre, le patin de polissage peut avoir toute géométrie ou configuration de rainures que l'on souhaite, par exemple en spirale, circulaires, radiales, hachurées, croisées ou une combinaison de celles-ci. Une configuration de rainures particulièrement utile est une configuration spirale-radiale-spirale. Exemples Dans les exemples, les chiffres représentent des exemples de l'invention et les lettres représentent des exemples comparatifs. Toutes les solutions des exemples contenaient, en pour-cent en masse, 1,8 d'oxyde de cérium, 0,27 de polyacide acrylique), 0,5 de bétaïne et 0,15 d'éthanolamine. Les exemples de l'invention contenaient 0,1 % en masse de polyvinylpyrrolidone. La suspension a été préparée en 2873709 10 combinant un ensemble abrasif avec un ensemble chimique. L'ensemble abrasif a été produit en dissolvant le concentré de poly(acide acrylique) dans de l'eau désionisée au moyen d'un mélangeur à pale et en ajoutant le concentré d'oxyde de cérium dans la solution de poly(acide acrylique). Puis, le mélange oxyde de cérium-poly(acide acrylique)-eau a été titré avec de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde d'ammonium. Le mélange a ensuite été introduit dans un broyeur Kady à haut cisaillement. L'ensemble chimique a été préparé en dissolvant tous les produits chimiques restants dans de l'eau désionisée, en des quantités appropriées, en mélangeant avec un mélangeur à pale et en titrant au pH final selon ce que l'on souhaite avec de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde d'ammonium. La suspension finale est préparée en mélangeant l'ensemble abrasif avec l'ensemble chimique et en titrant au pH souhaité. Exemple 1 Cette expérience mesurait l'effet de la présente suspension sur la réponse de pression de seuil du retrait du dioxyde de silicium. En particulier, l'effet de la polyvinylpyrrolidone sur la réponse de pression de seuil du retrait de dioxyde de silicium a été testé. Une machine de polissage de 200 mm IPEC 472 DE utilisant un patin de polissage en polyuréthane IC1000 (Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.) dans des conditions d'une force dirigée vers le bas entre 21 x 103 Pa et 62 x 103 Pa (3 et 9 psi) et d'un débit de solution de polissage de 150 cm3/min, d'une vitesse du plateau de 52 tr/min et d'une vitesse du support de 50 tr/min, a aplani les échantillons. Les solutions de polissage avaient un pH de 6,5 ajusté avec de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde d'ammonium. Toutes les solutions contenaient un complément d'eau désionisée. Tableau 1 Test Force dirigée vers le bas TEOS 103 Pa (psi) (10-10 m (Â)/min) A 21 (3) 1296 B 27 (4) 1994 C 34 (5) 2451 D 41 (6) 2971 E 48 (7) 3343 F 55 (8) 3807 G 62 (9) 4191 1 21 (3) 100 2 27 (4) 100 3 34 (5) 350 4 41 (6) 2093 48 (7) 3099 6 55 (8) 3700 7 62 (9) 4299 Comme le montre le tableau 1 ci-dessus, l'addition de la polyvinylpyrrolidone a procuré une réponse de pression de seuil de la composition pour le dioxyde de silicium. En particulier, l'addition de la polyvinylpyrrolidone améliorait la réponse de pression de seuil de la suspension dans le retrait du dioxyde de silicium. Par exemple, la suspension test A retirait le TEOS à raison de 1296 x 10-10 m (Â)/min par rapport au test 1, qui retirait le TEOS à raison de 100 x 10-10 m (Â)/min. De plus, quand la pression a été portée de 27 x 103 Pa à 41 x 103 Pa (4 à 6 psi), la vitesse de retrait de TEOS augmentait de 1994 x 1010 m (Â) /min à 2971 x 10-10 m (Â) de TEOS/min pour le test B par rapport au test D, tandis que la vitesse de retrait de TEOS augmentait seulement de 100 x 1010 m (Â)/min à 2093 x 10-10 m (Â) de TEOS/min pour le test 2 par rapport au test 4. Exemple 2 Cette expérience mesurait l'effet de la présente suspension sur la réponse de pression de seuil du retrait d'oxyde. En particulier, l'effet de 2873709 12 la polyvinylpyrrolidone sur l'incurvation dans un oxyde de tranchées à 10 % a été testé. L'oxyde de tranchées à 10 % est défini ici comme étant les tranchées dans une succession de structures répétées où la largeur active/(largeur de tranchées + largeur active) x 100 % = 10 %. Par exemple, si la largeur de tranchées + la largeur active = 100 pm, la tranchée à 10 % a une largeur de 90 pm. Toutes les conditions étaient similaires à celles de l'exemple 1 ci-dessus sauf que la force dirigée vers le bas était maintenue à 34 x 103 Pa (5 psi). Tableau 2 Test Temps (s) Epaisseur (10-10 m(R)) H 0 6100 5379 4854 4539 210 3959 8 0 6100 5746 5585 5568 Comme le montre le tableau 2 ci-dessus, l'addition de la polyvinylpyrrolidone procurait une réponse de la composition indépendante de la pression pour l'oxyde de tranchées. En particulier, l'addition de la polyvinylpyrrolidone améliorait les performances d'incurvation de la suspension en maintenant l'épaisseur du TEOS. En d'autres termes, la composition procure une large fenêtre de surpolissage. On notera qu'un exemple de tranchée aurait une épaisseur d'environ 5 000 x 10-10 m (A). Par exemple, la suspension test H après 60 s de polissage retirait l'épaisseur de l'oxyde de tranchée jusqu'à 5 379 x 10-10 m (Â) à partir de 6 100 x 10-10 m (Â), tandis que la suspension test 8, après 60 s de polissage, retirait l'épaisseur de l'oxyde de tranchée jusqu'à 5746 x 10-10 m (Â) à partir de 6100 x 10-10 m (Â). De plus, la suspension test H à 150 s de polissage retirait l'épaisseur de l'oxyde de tranchée jusqu'à 4 539 x 10-10 m (Â) à partir de 6 100 x 10-10 m 2873709 13 (Â), tandis que la suspension test 9, à 180 s de polissage, retirait seulement légèrement l'épaisseur de l'oxyde de tranchée jusqu'à 5 568 x 10"10 m (Â) à partir de 6 100 x 10-10 m (Â). Ainsi, la présente invention fournit une composition utile pour le polissage de la silice et du nitrure de silicium sur une plaquette semiconductrice pour les procédés d'isolation de tranchées peu profondes. La composition comprend avantageusement de la polyvinylpyrrolidone pour améliorer la sélectivité et les possibilités de régulation pendant le procédé de polissage. En particulier, la présente invention fournit une composition aqueuse utile pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice comprenant de la polyvinylpyrrolidone, un polymère d'acide carboxylique, un abrasif et le complément constitué par de l'eau. Eventuellement, la composition de la présente invention peut contenir un composé cationique pour favoriser l'aplanissement, réguler la durée de traitement des plaquettes et le retrait de la silice. En outre, la composition contient éventuellement un composé zwittérionique pour favoriser l'aplanissement et jouer le rôle de suppresseur du retrait de nitrure. 2873709 14 REVENDICATIONS 1. Composition aqueuse utile pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice, caractérisée en ce qu'elle comprend en pour-cent en masse de 0,01 à 5 % de polymère d'acide carboxylique, de 0,02 à 6 % d'abrasif, de 0,01 à 10 % de polyvinylpyrrolidone, de 0 à 5 % de composé cationique, de 0 à 5 % de composé zwittérionique et le complément constitué par de l'eau, où la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne entre 100 g/mol et 1 000 000 g/mol. 2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend de 0,02 à 1 % en masse de polyvinylpyrrolidone. 3. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne entre 1 500 g/mol et 10 000 g/mol. 4. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le composé zwittérionique a la structure suivante: CH e z X3 n où n est un entier, Y comprend l'hydrogène ou un groupe alkyle, Z comprend un carboxyle, un sulfate ou l'oxygène, M comprend l'azote, le phosphore ou un atome de soufre et X1, X2 et X3 comprennent indépendamment des substituants choisis dans le groupe comprenant l'hydrogène, un groupe alkyle et un groupe aryle. 5. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le polymère d'acide carboxylique est un poly(acide acrylique). 6. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le composé cationique est choisi dans 2873709 15 le groupe comprenant les alkylamines, les arylamines, les composés d'ammonium quaternaire et les alcoolamines. 7. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'abrasif est l'oxyde de cérium. 8. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle a un pH de 4 à 9. 9. Procédé pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semi-conductrice, caractérisé en ce qu'il comprend: la mise en contact de la silice et du nitrure de silicium sur la plaquette avec une composition de polissage comprenant en pour-cent en masse de 0,01 à 5 % de polymère d'acide carboxylique, de 0,02 à 6 0/0 d'abrasif, de 0,01 à 10 % de polyvinylpyrrolidone, de 0 à 5 % de composé cationique, de 0 à 5 % de composé zwittérionique et le complément constitué par de l'eau, où la polyvinylpyrrolidone a une masse moléculaire moyenne entre 100 g/mol et 1 000 000 g/mol; et le polissage de la silice et du nitrure de silicium avec un tampon de polissage. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la composition comprend de 0,02 à 1 % en masse de polyvinylpyrrolidone.