Brevet FR2881574A1 — publié le 20060804

PROCEDE DE FORMATION D'UN RESEAU D'INTERCONNEXIONS COMPRENANT DES POCHES D'AIR Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de formation dans un circuit intégré d'un réseau d'interconnexions comprenant des poches d'air connues sous le nom anglais de "Air Gap". Exposé de l'art antérieur Les figures lA à 1D sont des vues en coupe de structures obtenues après des étapes successives d'un procédé de formation connu d'un réseau d'interconnexions comprenant des poches d'air. Dans une étape initiale, représentée en figure lA, on forme des tranchées dans une couche isolante 1. On effectue ensuite un dépôt conforme d'une fine couche de protection 2, par exemple en nitrure de tantale, puis on remplit les tranchées d'un matériau conducteur 3 tel que du cuivre afin de former des pistes conductrices 4, 5, 6. On effectue ensuite un polissage mécanochimique du cuivre et du nitrure de tantale de façon à découvrir la couche isolante 1 entre les pistes 4, 5, 6. On forme ensuite, par dépôt sélectif, des portions métalliques 7, 8, 9 en surface des pistes 4, 5, 6. La fine couche de protection 2 et les portions métalliques 7, 8, 9 sont destinées à éviter que du cuivre ne diffuse dans la couche isolante 1 vers le reste du circuit et que des phénomènes d'électromigration de la piste se produisent en surface de celles-ci. Dans une étape suivante, illustrée en figure 1B, on grave la couche isolante 1 de façon à former des tranchées T 5 entre les pistes conductrices 4, 5, 6. Dans une étape suivante, illustrée en figure 1C, on effectue un dépôt nonconforme d'une couche isolante 10 sur la structure précédemment obtenue. Le dépôt n'étant pas conforme, il se forme des poches d'air P entre les pistes 4, 5, 6. Les poches d'air P et les pistes 4, 5, 6 sont néanmoins séparées par une fine couche isolante recouvrant les parois verticales des pistes 4, 5, 6. Les couches isolantes 1 et 10 sont constituées dans cet exemple d'un même matériau tel que de l'oxyde de silicium. Dans une étape suivante, illustrée en figure 1D, on grave la couche isolante 10 de façon à former des ouvertures V destinées à héberger des vias conducteurs. Chaque niveau de pistes et de vias est obtenu selon un procédé de photolithogravure utilisant un masque pour la définition des pistes ou des vias. Le masque définissant un niveau de pistes et le masque définissant un niveau de vias placé immédiatement au-dessus peuvent être légèrement désalignés. Comme cela est visible en figure 1D, l'ouverture de via V peut être décalée par rapport à la piste 5 placée dessous de sorte que lors de la gravure de l'ouverture de via v, la poche d'air placée à côté de la piste 5 a été "percée". Par conséquent, lors du remplissage de l'ouverture de via V avec un matériau conducteur, la poche d'air va elle aussi être remplie d'un matériau conducteur. Ceci peut entraîner des problèmes de fiabilité du circuit intégré. Un procédé connu de fabrication d'un réseau d'interconnexions comprenant des poches d'air et permettant d'éviter le problème de "perçage" décrit précédemment est le suivant. 2881574 3 Dans une étape initiale, illustrée en figure 2A, on forme dans une couche isolante 20 des tranchées dans lesquelles on forme des pistes conductrices 21, 22, 23. On forme ensuite des portions métalliques 24, 25, 26 au-dessus des pistes 21, 22, 23 selon un procédé de dépôt sélectif. Dans une étape suivante, illustrée en figure 2B, on grave la couche isolante 20 de façon à former des tranchées T entre les pistes 21, 22, 23. Comme précédemment, le temps de gravure est prévu de façon à obtenir une profondeur de tranchée sensiblement égale à la hauteur des pistes 21, 22, 23. Le procédé de gravure est prévu le plus anisotrope possible de façon à conserver de fines portions 30, 31 de la couche isolante 1 sur les parois verticales des pistes 21, 22, 23 sous les extensions latérales des portions métalliques 24, 25, 26. Dans une étape suivante, illustrée en figure 2C, on effectue un polissage mécanochimique des portions métalliques 24, 25, 26 de façon à diminuer leur épaisseur. Dans une étape suivante, illustrée en figure 2D, on effectue un dépôt non conforme d'une couche isolante 35 sur la structure précédemment obtenue. On obtient, couine précédemment, des poches d'air P entre les pistes 21, 22, 23. Lors de ce dépôt d'un matériau isolant, une fine couche isolante se forme sur le fond des tranchées et contre les fines portions isolantes 30, 31 recouvrant déjà les parois des tranchées T. Au niveau de la surface supérieure des pistes métalliques 21, 22, 23, l'épaisseur latérale de la couche isolante recouvrant la paroi de chaque piste est plus importante que dans le cas du procédé précédenunent décrit. En conséquence, lors de la gravure d'ouvertures de vias V au-dessus des pistes métalliques 21, 22, 23, même si il y a un fort décalage entre les masques de définition de niveaux de pistes et de vias, les poches d'air P ne sont pas percées. Un inconvénient de ce procédé est que les extensions latérales des portions métalliques 24, 25, 26 augmentent les capacités de couplage parasite entre les pistes conductrices, 2881574 4 même si le polissage des portions métalliques permet de limiter cette augmentation de capacité. De plus, dans les deux procédés précédemment décrits, les portions métalliques recouvrant les pistes conductrices sont utilisées comme masque de protection des pistes lors de la gravure des tranchées T. Ceci nuit à l'intégrité des portions métalliques qui remplissent moins bien leur rôle de portions "barrière" permettant d'éviter des phénomènes d'électromigration et de diffusion des pistes 21, 22, 23. Résumé de l'invention Un objet de la présente invention est de prévoir un procédé de formation d'un réseau d'interconnexions comprenant des poches d'air entre les pistes qui permette d'éviter des problèmes de "perçage" des poches d'air lors de la gravure d'ouvertures de via. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé de formation d'un tel réseau d'interconnexions qui permette de préserver l'intégrité des portions "barrière" placées au-dessus des pistes conductrices du réseau d'interconnexions. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé de formation d'un tel réseau d'interconnexions présentant des capacités de couplage parasite entre les pistes conductrices les plus faibles possibles. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un procédé de formation d'un réseau d'interconnexions constitué d'un empilement de couches isolantes dans lesquelles sont placés alternativement des pistes conductrices et des vias conducteurs, comprenant les étapes suivantes: former des pistes conductrices dans une première couche isolante; former des portions sacrificielles recouvrant les pistes conductrices et débordant latéralement au-delà de celles-ci sur une distance prédéfinie; graver la première couche isolante pour former des tranchées entre les pistes métalliques, en utilisant comme masque de gravure lesdites couches sacrificielles, d'où il résulte que les parois des pistes conductrices restent recouvertes de fines portions de ladite première couche isolante; éliminer les portions sacrificielles; et effectuer un dépôt non conforme d'une seconde couche isolante au-dessus de la structure précédemment formée, d'où il résulte que des poches d'air sont formées entre les pistes. Selon une variante du procédé précédemment décrit, le procédé comprend en outre préalablement au dépôt des portions sacrificielles, une étape de formation de portions barrière au- dessus des pistes conductrices. Selon une variante du procédé précédemment décrit, le procédé comprend en outre à la suite de l'élimination des portions sacrificielles, une étape de formation de portions barrière au-dessus des pistes conductrices. Selon une variante du procédé précédemment décrit, le procédé comprend en outre après la formation de portions barrière, la formation de portions d'arrêt recouvrant les portions barrière. De plus, les portions sacrificielles sont gravées lors de la gravure de la première couche isolante pour former des tranchées, l'étape de gravure se poursuivant jusqu'à ce que les portions d'arrêt soient découvertes. Selon une variante du procédé précédemment décrit, lors du dépôt nonconforme de ladite seconde couche isolante, de fines couches isolantes se forment dans les tranchées contre lesdites fines portions de ladite première couche isolante recouvrant lesdites pistes conductrices, et ladite distance prédéfinie est supérieure ou égale à la différence entre le décalage maximal possible entre le masque de définition desdites pistes conductrices et le masque de définition de vias conducteurs placés au-dessus des pistes, et l'épaisseur desdites fines couches isolantes. Selon une variante du procédé précédemment décrit, lesdites portions barrière, sacrificielles et/ou d'arrêt sont formées par des procédés de dépôt sélectif. Selon une variante du procédé précédemment décrit, les pistes conductrices comprennent du cuivre. Selon une variante du procédé précédemment décrit, lesdites portions barrière sont constituées d'un matériau 5 métallique tel que du cobalttungstène-phosphore. Selon une variante du procédé précédemment décrit, les pistes conductrices ont une largeur sensiblement égale à 100 nm et un écartement minimal égal à 100 nm, et ladite distance prédéfinie est sensiblement égale à 25 nm. La présente invention prévoit aussi un équipement destiné à la mise en oeuvre du procédé précédemment décrit. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures lA à lD sont des vues en coupe, précédemment décrites, de structures obtenues à l'issue d'étapes successives d'un procédé connu de formation d'un réseau d'interconnexions comprenant des poches d'air; les figures 2A à 2D sont des vues en coupe, précédemment décrites, de structures obtenues à l'issue d'étapes successives d'un autre procédé connu de formation d'un réseau d'interconnexions comprenant des poches d'air; les figures 3A à 3E sont des vues en coupe de structures obtenues à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un réseau d'interconnexions selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention; les figures 4A à 4E sont des vues en coupe de structures obtenues à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un réseau d'interconnexions selon un autre mode de mise en oeuvre de la présente invention; et les figures 5A à 5E sont des vues en coupe de 35 structure obtenues à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un réseau d'interconnexions selon un autre mode de mise en oeuvre du procédé de la présente invention. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Le procédé de la présente invention vise à former un réseau d'interconnexions d'un circuit intégré. Ce réseau d'interconnexions comprend un empilement de couches isolantes dans lesquelles sont placées alternativement des pistes conductrices et des vias conducteurs. La présente invention s'intéresse plus particulièrement au procédé de formation d'un réseau d'interconnexions connu sous le nom de procédé "damascène" consistant à former des ouvertures dans une couche isolante et à les remplir d'un matériau conducteur de façon à former des vias conducteurs et des pistes conductrices. Plus précisément, on forme généralement une première série d'ouvertures "profondes" destinées à recevoir des vias conducteurs puis une seconde série d'ouvertures "minces" destinées à recevoir des pistes conductrices. On s'intéressera dans la suite de la description à La finalisation d'un niveau de pistes conductrices et à la formation de la couche isolante placée au-dessus de ce niveau de pistes conductrices, cette couche isolante étant destinée à héberger un niveau de vias et un niveau de pistes supérieurs. Un mode de mise en oeuvre de la présente invention est décrit ci-après en relation aux figures 3A à 3E. Dans une étape préalable, illustrée en figure 3A, on forme dans la partie supérieure d'une couche isolante 50 des pistes conductrices 51, 52, 53 pouvant être obtenues selon le procédé suivant. On grave des tranchées en surface de la couche isolante 50. On effectue un dépôt conforme d'une fine couche conductrice, par exemple en nitrure de tantale, contre les parois et le fond des tranchées ainsi formées. On remplit les tranchées avec un matériau conducteur tel que du cuivre, et on effectue un polissage mécanochimique du matériau conducteur et de la fine couche conductrice de façon à découvrir la couche isolante 50. Dans cet exemple, chaque piste conductrice est constituée d'une portion conductrice, par exemple en cuivre, recouverte d'une fine couche conductrice, par exemple en nitrure de tantale. La fine couche conductrice est destinée à éviter des phénomènes de diffusion et d'électromigration de la portion conductrice. On notera que cette fine couche conductrice de protection peut être remplacée par une fine couche d'un autre matériau, par exemple isolant, qui soit capable d'éviter des phénomènes de diffusion et d'électromigration. Dans le cas où la fine couche de protection est conductrice, on considère dans la présente description qu'elle fait partie de la piste conductrice. On forme ensuite par dépôt sélectif des portions "barrière" 54, 55, 56 audessus des pistes conductrices 51, 52, 53. Les portions barrière peuvent être constituées de divers matériaux déposés selon divers procédés de dépôt sélectif. On peut par exemple former des portions barrière en tungstène W par un procédé de dépôt en phase vapeur, des portions de CuSiN par un procédé de siliciuration du cuivre assisté par plasma, des portions en Cobalt-tungstène-phosphore CoWP par un procédé de trempage auto-catalytique, ou encore des portions de polymères selon un procédé de greffage décrit ci-après. Le procédé de siliciuration du cuivre assisté par plasma consiste par exemple à placer la structure obtenue avant formation des couches barrière dans une enceinte contenant du silane SiH4 afin de faire diffuser du silicium dans les pistes 51, 52, 53 constituées dans ce cas de cuivre. Il se forme alors du siliciure de cuivre SiC'r en surface des pistes. On place ensuite cette structure dans un plasma d'ammoniac NH3 de façon à transformer la couche de siliciure de cuivre en une couche de CUSiN qui est plus stable dans le temps. On notera que dans le cas de la formation d'une couche de CuSiN, cette couche n'est pas formée au-dessus des pistes comme cela est représenté en figure 3A mais dans la partie supérieure des pistes. Le procédé de formation par trempage auto-catalytique de CoWP, ou encore de NiMoP ou de CoWB, consiste à placer la surface supérieure de la structure obtenue avant formation des couches barrière dans un bain contenant des précurseurs de Cobalt, de tungstène et de phosphore. Afin de faciliter la formation du CoWP sur les pistes 51, 52, 53, on pourra préalablement former une couche d'accrochage sur les pistes, par exemple une couche atomique de palladium, en plaçant la structure en contact avec des précurseurs du palladium, par exemple dans un bain chimique. Le procédé de greffage de polymères consiste à former une fine couche de polymères "d'accrochage" sur les pistes 51, 52, 53 selon un procédé de dépôt sélectif tel qu'un trempage dans un bain contenant des molécules susceptibles de réagir uniquement avec les pistes et non avec la couche isolante 50, puis à faire croître une couche de polymères ou de molécules organiques sur la couche d'accrochage. On notera qu'il est possible de modifier la nature de la couche de polymères, par exemple pour la rendre plus conductrice, en faisant diffuser des éléments dans cette couche et en les faisant éventuellement réagir avec cette dernière. A l'étape suivante, illustrée en figure 3B, on effectue un dépôt sélectif de portions sacrificielles 57, 58, 59 au-dessus de chacune des portions barrière 54, 55, 56. Les portions sacrificielles 57, 58, 59 recouvrent les portions barrière et s'étendent légèrement latéralement La distance d'extension latérale des portions sacrificielles est déterminée en fonction de plusieurs paramètres décrits ci-après. Corme pour les portions barrière, les portions sacrificielles peuvent être constituées de divers matériaux. Les portions sacrificielles doivent pouvoir être éliminées sélectivement par rapport aux portions barrière, sans dégrader ces dernières. Le CoWP peut être facilement éliminé par trempage. De même, un polymère contenant du germanium peut être facilement éliminé en plaçant ce polymère dans une enceinte chauffée contenant de l'oxygène. Des exemples de couples portion barrière/portion sacrificielle pouvant être utilisés sont W/polymère, CuSiN/CoWP et CoWP/polymère. Dans une étape suivante, illustrée en figure 3C, on grave la couche isolante 50 de façon à former des tranchées T entre les pistes conductrices 51, 52, 53. Les portions sacrificielles 57, 58, 59 sont utilisées comme masque de gravure, c'est-à-dire que les zones de la couche isolante non recouvertes par une portion sacrificielle sont gravées. Le procédé de gravure est prévu le plus anisotrope possible de façon à conserver de fines portions 60, 61 de la couche isolante 50 contre les parois des pistes 51, 52, 53. Le temps de gravure est dans cet exemple prévu de façon à ce que la profondeur des tranchées soit sensiblement identique à la hauteur des pistes 51, 52, 53. On notera cependant que la profondeur des tranchées peut être prévue plus faible ou plus grande en fonction du type de procédé damascène mis en oeuvre pour la fabrication du réseau d'interconnexions. De plus, on nctera que selon le procédé de gravure utilisé, les portions sacrificielles 57, 58, 59 peuvent être partiellement gravées comme cela est visible en figure 3C. Dans une étape suivante, illustrée en figure 3D, on élimine les portions sacrificielles 57, 58, 59 de façon à découvrir les portions barrière 54, 55, 56. Dans une étape suivante, illustrée en figure 3E, on effectue un dépôt nonconforme d'une couche isolante 65 au- dessus de la structure précédemment obtenue. Une fine couche isolante 66, 67 se dépose alors dans chacune des tranchées T et notamment contre les fines portions isolantes 60, 61 recouvrant les parois des pistes 51, 52, 53. Des poches d'air P sont fermées entre les pistes conductrices 51, 52, 53. La présence contre les parois des pistes 51, 52, 53 de fines portions isolantes 60, 61 et de fines couches isolantes 66, 67 doit permettre d'obtenir au final une épaisseur de matériau isolant contre les parois des pistes conductrices 51, 52, 53 qui est suffisante pour éviter le perçage des poches d'air P lors de la gravure d'ouvertures de vias V au- dessus des pistes 51, 52, 53. La distance d'extension latérale L des portions sacrificielles 57, 58, 59 est donc prévue supérieure ou égale à la différence entre d'une part le décalage maximal d possible entre le masque de définition des pistes 51, 52, 53 et le masque de définition des vias placés au-dessus de ces pistes, et d'autre part l'épaisseur e des fines couches isolantes 66, 67 ( L (d-e) ) . A titre indicatif, et non limitatif, les dimensions 15 des éléments de la structure telle que représentée en figure 3E sont les suivantes: épaisseur des pistes 51, 52, 53: 220 nm; décalage entre les masques: => 25 nm; épaisseur e des fines couches isolantes 66, 67: 0-5 20 nm; distance d'extension latérale des portions sacrificielles 57, 58, 50: entre 20 et 25 nm. largeur minimale des pistes 51, 52, 53: 100 nm; écartement minimal des pistes 51, 52, 53: 100 nm. Un avantage du procédé selon la présente invention est qu'il permet d'éviter le perçage des poches d'air P du réseau d'interconnexions. Un autre avantage du procédé selon la présente invention est qu'il permet d'obtenir un réseau d'interconnexions présentant de faibles capacités de couplage entre deux pistes voisines. Dans le procédé précédemment décrit, les portions sacrificielles 57, 58, 59 protègent les portions barrière 54, 55, 56 lors de la gravure des tranchées T qui peut être relativement longue et "agressive". Sans la présence de telles 2881574 12 portions sacrificielles, cette étape de gravure des tranchées T conduirait à des détériorations de la structure des portions barrière 54, 55, 56 et éventuellement à leur gravure partielle. Un avantage du procédé précédetcuuent décrit est donc qu'il permet de préserver l'intégrité des portions barrière. Cependant, lorsque les portions sacrificielles 57, 58, 59 et les portions barrière 54, 55, 56 sont constituées de matériaux qui ne peuvent être facilement gravés sélectivement l'un par rapport à l'autre, l'élimination des portions sacrificielles peut partiellement détériorer les portions barrière. Afin de pallier cet inconvénient, une variante du procédé précédeuunent décrit peut être mise en oeuvre. Cette variante est décrite ci-après en relation avec les figures 4A à 4E. Dans une étape préalable, illustrée en figure 4A, on forme, dans la partie supérieure d'une couche isolante 70 des pistes conductrices 71, 72, 73 ainsi que des portions barrière 74, 75, 76 au-dessus de chacune des pistes 71, 72, 73. Dans une étape suivante, illustrée en figure 4B, on effectue un dépôt sélectif de portions dites "d'arrêt" 80, 81, 82 au-dessus de chacune des portions barrière 74, 75, 76. Les portions d'arrêt 74, 75, 76 recouvrent les portions barrière 74, 75, 76 de sorte qu'une partie des portions d'arrêt est en contact avec la couche isolante 70 sur le bord des portions barrière 74, 75, 76. On effectue ensuite un dépôt sélectif de portions sacrificielles 83, 84, 85 au-dessus des portions d'arrêt 80, 81, 82. Les portions sacrificielles 83, 84, 85 recouvrent les portions d'arrêt 80, 81, 82, de sorte qu'une partie des portions sacrificielles est en contact avec la couche isolante sur le bord des portions d'arrêt 80, 81, 82. Les portions d'arrêt 80, 81, 82 sont constituées d'un matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport aux portions barrière 74, 75, 76 sans endouucager ces dernières. Les portions d'arrêt 80, 81, 82 sont par exemple composées de CoWP ou d'un matériau à base de germanium tel que de l'oxyde de germanium ou un polymère comprenant du germanium, et les portions sacrificielles 83, 84, 85 constituées d'un matériau polymère. Des exemples de trois portion barrière/ portion d'arrêt/ portion sacrificielle pouvant être utilisés sont: CuSiN/CoWP/polymère, CoWP/polymèrel/polymère2 ou W/polymèrel/polymère2. A l'étape suivante, illustrée en figure 4C, on grave la couche isolante 70 de façon à former des tranchées T entre les pistes conductrices 71, 72, 73 en utilisant les portions sacrificielles comme masque de gravure. La gravure est prévue le plus anisotrope possible de façon à conserver de fines portions 90, 91 de la couche isolante 70 contre les parois verticales des pistes 71, 72, 73. Dans cet exemple de mise en oeuvre de la présente invention, lors de la gravure des tranchées, les portions sacrificielles 83, 84, 85 se gravent progressivement. L'épaisseur des portions sacrificielles 83, 84, 85 est prévue de sorte que le temps de gravure des portions sacrificielles corresponde sensiblement au temps de gravure nécessaire pour obtenir des tranchées T ayant une profondeur sensiblement égale à la hauteur des pistes 71, 72, 73. Ainsi, on peut avantageusement prévoir d'arrêter la gravure des tranchées lorsque l'on détecte que les portions d'arrêt 80, 81, 82 sont découvertes. A l'étape suivante, illustrée en figure 4D, on élimine les portions d'arrêt 80, 81, 82. Les surfaces supérieures des pistes 71, 72, 73 sont alors uniquement recouvertes des portions barrière 74, 75, 76. Les parois verticales des pistes 71, 72, 73 sont recouvertes des fines portions isolantes 90, 91. A l'étape suivante, illustrée en figure 4E, on effectue un dépôt nonconforme d'une couche isolante 95 au- dessus de la structure précédemment obtenue. Une fine couche isolante 96, 97 se dépose dans chacune des tranchées T et notamment contre les fines portion; isolantes 90, 91. Des poches d'air P sont formées entre les pistes 71, 72, 73. Dans ce mode de réalisation, la distance d'extension 35 cumulée L des portions d'arrêt et des portions sacrificielles par rapport à la surface supérieure des pistes conductrices 70 est définie comme précédemment en fonction du décalage maximal d entre le masque de définition des pistes 71, 72, 73 et le masque de définition des vias placés au-dessus et en fonction de l'épaisseur e des fines couches isolantes 96, 97: L>_(d-e). L'épaisseur des fines couches isolantes 96, 97 est elle-même fonction du type de dépôt non-conforme effectué et du matériau isolant déposé pour former la couche isolante 95. Un avantage du procédé précédemment décrit est qu'il permet de préserver l'intégrité des portions barrière et notamment leur capacité à éviter des phénomènes de diffusion et d'électromigration des pistes. Les figures 5A à 5E illustrent un autre mode de mise en oeuvre de la présente invention. Dans une étape préalable, illustrée en figure 5A, on forme comme précédemment, dans la partie supérieure d'une couche isolante 100, des pistes conductrices 101, 102, 103. Dans ce mode de réalisation, des portions sacrificielles 105, 106, 107 sont formées pair dépôt sélectif directement sur les pistes 101, 102, 103. Les portions sacrificielles 105, 106, 107 recouvrent les pisses 101, 102, 103 et s'étendent légèrement latéralement au-delà de ces pistes. Les portions sacrificielles doivent pouvoir être éliminées sans détériorer les pistes 101, 102, 103. Les portions sacrificielles sont par exemple constituées de tungstène W, de CoWP ou de polymères. Dans une étape suivante, illustrée en figure 5B, on grave la couche isolante 100 de façon à former des tranchées T entre les pistes 101, 102, 103. La gravure est là aussi prévue la plus anisotrope possible de façon à conserver de fines portions 110, 111 de la couche isolante 100 contre les parois des pistes 101, 102, 103. A l'étape suivante, illustrée en figure 5C, on élimine les portions sacrificielles 105, 106, 107. Dans une étape suivante, illustrée en figure 5D, on forme par dépôt sélectif des portions barrière 120, 121, 122 au-dessus des pistes conductrices 101, 102, 103. Les portions barrière peuvent être constituées de divers matériaux obtenus se:Lon divers procédés décrits précédemment en relation avec la figure 3A. Dans une étape suivante, illustrée en figure 5E, on effectue un dépôt nonconforme d'une couche isolante 130 au-dessus de la structure précédemment obtenue. On obtient alors comme précédemment des poches d'air P entre les pistes 101, 102, 103 ainsi que de fines couches isolantes 131, 132 dans chacune des tranchées et notamment contre les portions isolantes 110, 111. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses varianteset modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, l'homme de l'art pourra prévoir d'autres façons de recouvrir les pistes conductrices afin de conserver de fines portions isolantes contre les parois de ces pistes lors de la gravure des tranchées T. De plus, on notera que les portions barrière placées au-dessus des pistes conductrices peuvent être constituées de divers types de matériaux. L'épaisseur et la nature des portions barrière sont choisies pour leur capacité à éviter tous phénomènes de diffusion et d'électromigration des pistes conductrices sous-jacentes. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'un réseau d'interconnexions constitué d'un empilement de couches isolantes dans lesquelles sont placés alternativement des pistes conductrices et des vias conducteurs, comprenant les étapes suivantes: former des pistes conductrices (51-53; 71-73; 101-103) dans une première couche isolante (50; 70; 100) ; former des portions sacrificielles (57-59; 83-85; 105-107) recouvrant les pistes conductrices et débordant latéralement au-delà de celles-ci sur une distance prédéfinie (L) ; graver la première couche isolante pour former des tranchées (T) entre les pistes métalliques, en utilisant comme masque de gravure lesdites couches sacrificielles, d'où il résulte que les parois des pistes conductrices restent recouvertes de fines portions (60, 61; 90, 91; 110, 111) de ladite première couche isolante; éliminer les portions sacrificielles; et effectuer un dépôt non conforme d'une seconde couche isolante (65; 95; 130) au-dessus de la structure précédemment formée, d'où il résulte que des poches d'air (P) sont formées entre les pistes. 2. Procédé selon la revendication:L, comprenant en outre préalablement au dépôt des portions sacrificielles (57-59; 83-85), une étape de formation de portions barrière (54- 56; 74-76) au-dessus des pistes conductrices (51-53; 71-73). 3. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre à la suite de l'élimination des portions sacrificielles (105-107), une étape de formation de portions barrière (120-122) au-dessus des pistes conductrices (101-103). 4. Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre après la formation de portions barrière (74-76), la formation de portions d'arrêt (80-82) recouvrant les portions barrière, et dans lequel les portions sacrificielles (83-85) sont gravées lors de la gravure de la première couche isolante (70) pour former des tranchées (T), l'étape de gravure se poursuivant jusqu'à ce que les portions d'arrêt soient découvertes. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel lors du dépôt nonconforme de ladite seconde couche isolante, de fines couches isolantes (66, 67; 96, 97; 131, 132) se forment dans les tranchées (T) contre lesdites fines portions (60, 61; 90, 91; 110, 111) de ladite première couche isolante recouvrant lesdites pistes conductrices (51-53; 71-73;101103), et dans lequel ladite distance prédéfinie (L) est supérieure ou égale à la différence entre le décalage maximal possible (d) entre le masque de définition desdites pistes conductrices (51-53; 71-73; 101-103) et le masque de définition de vias conducteurs placés au-dessus des pistes, et l'épaisseur (e) desdites fines couches isolantes. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdites portions barrière, sacrificielles et/ou d'arrêt sont formées par des procédés de dépôt sélectif. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les pistes conductrices (51-53; 71-73; 101-103) comprennent du cuivre. 8. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel lesdites portions barrière (54-56; 74-76; 120-122) sont constituées d'un matériau métallique tel que du cobalttungstène-phosphore. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les pistes conductrices ont une largeur sensiblement égale à 100 nm et un écartement minimal égal à 100 nm, et ladite distance prédéfinie (L) est sensiblement égale à 25 nm. 10. Equipement destiné à la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1.