Brevet FR2879763A1 — publié le 20060623

DISPOSITIF D'ECRAN A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE DE FABRICATION DE SON SUBSTRAT A MATRICE La présente invention concerne un dispositif d'écran à cristaux liquides et, plus précisément, un dispositif d'écran à cristaux liquides capable d'empêcher les fuites de lumière dans une structure COT (Color Filter On TFT) et son procédé de fabrication. En règle générale, un dispositif d'écran à cristaux liquides (LCD) affiche des images au moyen de l'anisotropie optique et de la réfraction double des molécules de cristaux liquides. Lorsqu'un champ électrique est appliqué aux molécules de cristaux liquides, la disposition de celles-ci est modifiée et la transmittance de la lumière est également modifiée selon le sens d'alignement modifié des molécules de cristaux liquides. De plus, dans le dispositif LCD, deux substrats comprenant respectivement des électrodes générant un champ électrique sont agencés de telle sorte que les surfaces comportant les électrodes sont en regard l'une de l'autre, un matériau de cristaux liquides est injecté entre les deux substrats, et les molécules de cristaux liquides sont déplacées par un champ électrique généré par une tension appliquée aux deux élec-trodes. Ainsi, le dispositif LCD affiche une image au moyen de la transmittance de la lumière modifiée selon le mouvement des molécules de cristaux liquides. A présent, un dispositif d'écran à cristaux liquides général va être décrit en s'appuyant sur la figure 1. La figure 1 est une vue en plan schématique d'un dispositif LCD général. Comme illustré, le dispositif LCD général 11 comprend: un substrat supérieur (non représenté) comprenant un filtre chromatique (non représenté) et une électrode commune (non représentée) déposée sur le filtre chromatique (non représenté), dans lequel le filtre chromatique (non représenté) comprend des filtres de sous-couleurs (non représentés) et une matrice noire (non représentée) formée entre les filtres de souscouleurs (non représentés) ; un substrat inférieur (non représenté) dans lequel les zones de pixels (P) sont définies, une électrode de pixel (non représentée) et un dispositif de commutation (T) sont formés au niveau de chaque zone de pixels, et des lignes de matrice sont formées autour de chaque zone de pixels (P) ; et des cristaux liquides (non représentés) injectés entre le substrat supérieur (non représenté) et le substrat inférieur (non représenté). Le substrat inférieur est également appelé substrat à matrice. Les transistors en couche mince (T), les dispositifs de commutation, sont agencés dans une configuration à matrice sur le substrat inférieur, et les lignes de grille 13 et les lignes de RABrevets.24000A24078 doc - 28jtnn 2005 - 1!17 données 15 passent dans une pluralité de transistors en couche mince, intersectant les unes avec les autres. Par ailleurs, les zones de pixels (P) sont définies par les lignes de grille 13 et les lignes de données 15 intersectant les unes avec les autres. Une électrode de pixel transparente 17 est formée au niveau de chacune des zones de pixels (P). Ici, l'électrode de pixel 17 est formée d'un métal conducteur transparent présentant une transmittance de la lumière relativement élevée, comme l'oxyde d'étain et d'indium (ITO). Des condensateurs de stockage (C) connectés en parallèle aux électrodes de pixels 17 sont formés sur la ligne de grille 13. Une partie de la ligne de grille 13 est utilisée comme première électrode du condensateur de stockage (C) et, comme seconde électrode, une couche de métal source/drain 30 en forme d'île et formée du même matériau que les électrodes source/drain est utilisée. La couche de métal source/drain 30 est en contact avec les électrodes de pixels 17 pour recevoir de ce fait les signaux de l'électrode de pixel 17. Comme décrit ci-dessus, lorsque le panneau à cristaux liquides est formé par assemblage du substrat supérieur à filtre chromatique (non représenté) et du substrat à matrice inférieur (non représenté), il est probable que des fuites de lumière ou d'autres problèmes surviennent dus à un mauvais alignement entre le substrat à filtre chromatique (non représenté) et le substrat à matrice (non représenté). A présent, un procédé de fabrication du dispositif LCD général avec une telle structure va être décrit en s'appuyant sur la figure 2. La figure 2 est une vue en coupe le long de la ligne II-II de la figure 1. Comme représenté, le procédé de fabrication du dispositif LCD général comprend la disposition d'un substrat inférieur 22, un substrat à matrice, et d'un substrat supérieur 5, un substrat à filtre chromatique, avec un certain espacement entre les deux substrats; et l'injection de cristaux liquides 14 entre les substrats inférieur et supérieur 22 et 5. Egalement, les transistors en couche mince (ci-après dénommés TFT) (T), chacun d'eux comprenant une électrode de grille 32, une couche active 34, une électrode source 36 et une électrode drain 38, sont formés sur le substrat inférieur 22, et une couche de passivation 40 pour la protection du transistor en couche mince (TFT) est formée sur celui-ci. Une électrode de pixel transparente 17 en contact avec l'électrode drain 38 du TFT (T) est formée au niveau de chaque zone de pixels (P), et des condensateurs de stockage (C) connectés en parallèle aux électrodes de pixels 17 sont formés sur une ligne de grille 13. R BrevetsV24000A24078. 240028 juin 2005 - 2/17 Des filtres colorés rouge, vert et bleu 8a, 8b et 8c correspondant aux zones de pixels (P) du substrat inférieur 22 sont formés sur le substrat supérieur 5, conjointement avec une matrice noire 6 correspondant aux lignes de grille 13, aux lignes de données 15 et aux TFT (T). Dans le substrat à matrice général, pour empêcher les diaphonies verticales, la ligne de données 15 et l'électrode de pixel 17 sont séparées l'une de l'autre d'un certain intervalle (A), et la ligne de grille 13 et l'électrode de pixel 17 sont également séparées l'une de l'autre d'un certain intervalle (B). Les fuites de lumière se produisant au niveau des espaces (A et B) entre la ligne de données 15 et l'électrode de pixel 17 et entre l'électrode de pixel 17 et la l0 ligne de grille 13, la matrice noire 6 formée au niveau du substrat supérieur 5 recou- vre les espaces. Par ailleurs, la matrice noire 6 superposée sur le transistor en couche mince (T) bloque la lumière pour l'empêcher d'irradier depuis l'extérieur en passant à travers la couche de passivation 40 et d'affecter une couche active 34. Dans certains cas, le substrat supérieur 5 et le substrat inférieur 22 ne sont pas bien alignés lors du processus d'assemblage. En considération de ce mauvais alignement, une certaine marge est prévue lors de la conception de la matrice noire 6, ce qui a pour effet de réduire d'autant le coefficient d'ouverture. Si l'erreur d'alignement est supérieure à la marge, les zones de fuite de lumière 20 (A et B) risquent de ne pas être complètement recouvertes par la matrice noire 6, et une fuite de lumière se produira dans ces zones. En conséquence, puisque la lumière fuit vers l'extérieur, la qualité d'image est détériorée. Comme décrit ci-dessus, le dispositif LCD général utilise un procédé de fabri- cation d'un substrat à filtre chromatique et d'un substrat à matrice à transistor en couche mince au moyen de différents processus et un procédé d'assemblage de ces éléments, qui est le procédé le plus général. Récemment, un nouveau concept de conception d'une matrice à transistor en couche mince, appelé procédé Color Filter on TFT (COT) dans lequel un filtre chro- mutique est formé sur un substrat à matrice à transistor en couche mince, a été présenté. Le dispositif LCD utilisant le procédé COT est fabriqué de telle sorte que les TFT, les dispositifs de commutation, sont formés, puis les résines de couleur rouge, verte et bleue sont formées sur le TFT. A présent, le dispositif LCD avec une structure COT conformément à l'art connexe va être décrit en s'appuyant sur la figure 3. La figure 3 est une vue en plan schématique d'un dispositif LCD conformé-ment à l'art connexe. R \Brevets\ 24000v 24078. doc - 28 juin 2005 - 317 Sur la figure 3, les lignes de grille 102 et les lignes de données 116 intersectent les unes avec les autres. Un TFT (T) comprenant une électrode de grille 104, une couche active 18 et des électrodes source/drain 112 et 114 est formé à chaque inter-section de ces lignes de grille et de données 102 et 116. Par ailleurs, des électrodes transparentes (non représentées) en contact avec les électrodes drain 114 et les filtres colorés 124a, 124b et 124c sont formées au niveau de zones définies par les lignes de grille et les lignes de données 102 et 116 intersectant les unes avec les autres. Les électrodes transparentes (non représentées) sont formées sur les filtres colorés 124a, 124b et 124c. Les filtres colorés sont indirectement en contact avec les électrodes drain 114 au moyen des électrodes transparentes (non représentées). Par ailleurs, chacune des électrodes transparentes (non représentées) est connectée au condensateur de stockage (C) formé sur la ligne de grille 102. Le condensateur de stockage (C) utilise une partie de la ligne de grille 102 comme première électrode, et utilise comme seconde électrode une électrode supérieure de condensateur 118, connectée à l'électrode transparente (non représentée) et formée simultanément comme la même couche comme les électrodes source/drain. Egalement, la structure COT consiste en ce qu'une matrice noire et les filtres colorés rouge, vert et bleu 124a, 124b et 124c sont formés sur le TFT (T) de la partie de la matrice. Ici, la matrice noire 120 recouvre les zones où se produisent les fuites de lumière. La matrice noire 120 est formée par application d'un matériau opaque et sert à bloquer la lumière et à protéger le TFT. A présent, un procédé de fabrication du dispositif LCD avec une structure COT 25 conformément à l'art connexe va être décrit en s'appuyant sur les figures 4A à 4E. Les figures 4A à 4E sont des vues en coupe le long de la ligne IV- IV de la figure 3 permettant d'illustrer le dispositif LCD avec la structure COT. Pour ce qui est de la figure 4A, un matériau conducteur est déposé sur un substrat et un tramage est réalisé sur celui-ci, formant de ce fait une ligne de 30 grille 102 et une électrode de grille 104. Ensuite, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium (SiNx) et l'oxyde de silicium (SiO2) est déposé sur une surface entière du substrat 100 sur lequel la ligne de grille 102 et l'électrode de grille 104 ont été formées, formant de ce fait un film isolant de grille 106 qui constitue un premier film isolant. Ensuite, du silicium amorphe pur (a-Si:H) et du silicium amorphe dopé par des impuretés (n+ a-Si:H) sont déposés sur le film isolant de grille 106, et un tramage est RBrevets\24000A24078 doe - 28 juin 2005 - 4'17 réalisé sur celui-ci, formant de ce fait une couche active 108 et une couche de contact ohmique 110 sur le film isolant de grille 106 formé sur l'électrode de grille 104. Ensuite, un métal sélectionné parmi un groupe de métaux conducteurs comprenant le chrome (Cr), le molybdène (Mo), le cuivre (Cu), le tungstène (W), le tantale (Ta) et similaires est déposé sur la surface entière du substrat 100 sur lequel la couche active 108 et la couche de contact ohmique 110 ont été formées, et un tramage est réalisé sur celui- ci, formant de ce fait une électrode source 112 et une électrode drain 114 respectivement en contact avec la couche de contact ohmique 110, une ligne de données 116 en contact avec l'électrode source 112, et une électrode supérieure de condensateur 118 qui est un noeud de stockage formé sur la ligne de grille 102 en forme d'île. Ensuite, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium est déposé sur la surface entière du substrat 100 sur lequel les électrodes source et drain 112 et 114 ont été formées, formant de ce fait un second film isolant 119. Le second film isolant 119 empêche les éventuels contacts défectifs entre un film organique (non représenté) à former par la suite et la couche active 108. Egalement, si aucun contact défectif ne se produit, il est possible de ne pas former la seconde couche isolante 119. Ensuite, un matériau organique opaque est appliqué sur le second film isotant 119 pour former une couche organique, et un tramage est réalisé sur celle-ci, formant de ce fait une matrice noire 120 sur le TFT (T), la ligne de données 116 et la ligne de grille 102. Comme film de passivation pour protéger le TFT (T), un matériau isolant organique transparent ou un matériau isolant inorganique présentant une permittivité faible peut être utilisé à la place de la matrice noire. Le cas échéant, une matrice noire spéciale est utilisée au niveau d'un substrat supérieur. Ensuite, pour ce qui est de la figure 4B, la matrice noire 120 est tramée de façon sélective, en superposition sur la zone du transistor en couche mince (T) et la zone du condensateur de stockage (C). Ici, le tramage de la matrice noire 120 est réalisé de telle sorte que la matrice noire 120 est inexistante au niveau d'une partie du second film isolant 119, ce qui correspond d'une part à une zone pour un trou de contact à former selon le processus suivant pour établir un contact avec une électrode drain et d'autre part à une partie où une électrode supérieure d'un condensateur et une électrode commune sont interconnectées. Ensuite, une résine de couleur est appliquée sur une surface supérieure d'une structure entière comprenant la matrice noire tramée de façon sélective 120, formant respectivement de ce fait des filtres colorés rouge, vert et bleu 124a, 124b et 124c dans une pluralité de zones de pixels (P). R VBrevets\2 4 00012 4 0 7 8 don - 28 juin 2005 - 5117 Puis, pour ce qui est de la figure 4C, une résine acrylique est appliquée sur une surface supérieure de la structure entière comprenant les filtres colorés 124a, 124b et 124c, formant de ce fait une couche d'enrobage 126. Ensuite, pour ce qui est de la figure 4D, la couche d'enrobage 126 et la matrice noire 120 sont tramées de façon sélective, formant de ce fait un trou de contact drain 128 et un trou de contact de condensateur 130 exposant des parties de l'électrode drain 114 et de l'électrode supérieure de condensateur 118. Puis, pour ce qui est de la figure 4E, un matériau d'électrode transparente est déposé sur la couche d'enrobage 126 comprenant le trou de contact drain 128 et le trou de contact de condensateur 130, et un tramage est formé sur celui-ci, formant de ce fait une électrode commune 132. Dans le substrat à matrice du dispositif LCD fabriqué de la manière ci-dessus décrite et un procédé de fabrication de celui-ci, la structure COT, visant à empêcher une réduction du coefficient d'ouverture due à une augmentation de la marge d'assemblage lors d'un processus utilisant un substrat de verre large, utilise la couche d'enrobage (c'est- à-dire la résine acrylique) pour le substrat inférieur du TFT. Le film acrylique aplatit une surface irrégulière générée par le film organique du substrat inférieur et empêche les ions d'impureté des filtres colorés de s'écouler vers une couche de cristaux liquides. Toutefois, l'utilisation du matériau acrylique implique une augmentation du coût. Par ailleurs, bien que temporairement améliorée au moyen d'un processus de post exposition, la transmittance de l'acrylique continue de diminuer lors des processus suivants, réduisant de ce fait la transmittance d'un panneau. Par conséquent, pour supprimer de tels défauts de la structure COT, des recherches sont activement menées sur le développement d'une structure COT sans acrylique. Par conséquent, un objet de la présente invention est de fournir un dispositif LCD et son procédé de fabrication capable d'empêcher les fuites de lumière dues à des irrégularités se surface dans une structure COT. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif LCD et son 30 procédé de fabrication permettant de réduire le coût de fabrication et de stabiliser la transmittance en empêchant une diminution de la transmittance. Pour réaliser ces avantages et d'autres encore, et conformément à l'objectif de la présente invention, comme réalisé et largement décrit dans le présent document, un substrat à matrice d'un dispositif d'écran à cristaux liquides est proposé, compre- nant: une ligne de grille et une ligne de données intersectant l'une avec l'autre et définissant des zones de pixels sur un substrat; des électrodes communes protégeant la ligne de données agencées des deux côtés de la ligne de données; un transistor en couche mince formé à une intersection de la ligne de grille et la ligne de données; R:ABrevets\24000A24078. doc - 28 juin 2005 - 6/ 17 une matrice noire agencée sur la ligne de données et une partie des électrodes communes protégeant la ligne de données; un filtre chromatique agencé au niveau d'une zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre; et une électrode commune et une électrode de pixel agencées au niveau de la zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données inter- sectant l'une avec l'autre. Selon un mode de réalisation, la matrice noire est superposée sur les parties entre la ligne de données et les électrodes communes protégeant la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation, une ligne d'électrode de condensateur est formée horizontalement, espacée de la ligne de grille. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode commune protégeant la ligne de données s'étend depuis une ligne d'électrode commune agencée de façon espacée par rapport à la ligne de grille. Selon un autre mode de réalisation, un film isolant est formé entre le filtre 15 chromatique et l'électrode de pixel, et entre le filtre chromatique et l'électrode commune. Selon un autre mode de réalisation, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium est utilisé comme film isolant. Selon un autre mode de réalisation, la ligne de données et les électrodes communes protégeant la ligne de données sont agencées en forme de zigzags. Selon un autre mode de réalisation, la matrice noire et le filtre chromatique ont la même hauteur, ou une différence de hauteur entre la matrice noire et le filtre chromatique est inférieure à une épaisseur du filtre chromatique x 0,2 . L'invention propose également un procédé de fabrication d'un substrat à matrice d'un dispositif d'écran à cristaux liquides, comprenant: l'intersection d'une ligne de grille et d'une ligne de données sur un substrat; la formation d'électrodes communes protégeant la ligne de données des deux côtés de la ligne de données, les électrodes communes protégeant la ligne de données étant séparées de la ligne de données; la formation d'un transistor en couche mince au niveau d'une zone définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre, dans laquelle le transistor en couche mince comprend une électrode de grille, une couche active et des électrodes source et drain; l'agencement d'une matrice noire sur la ligne de données et une partie des électrodes protégeant la ligne de données; la formation d'un filtre chromatique sur une zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre; et la formation d'une électrode commune et d'une électrode de pixel au niveau de la zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre. R. ABrevets\2400024078 doc - 28 juin 2005 - 7/ 17 Selon un mode de réalisation, la matrice noire est superposée sur des parties entre la ligne de données et les électrodes communes protégeant la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode commune protégeant la ligne de données est formée au moyen d'une étape de formation horizontale d'une ligne d'électrode commune à espacer de la ligne de grille. Le procédé peut comprendre en outre: la formation d'un film isolant entre le filtre chromatique, l'électrode de pixel et l'électrode commune. Selon un mode de réalisation, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de 1 o silicium est utilisé comme film isolant. Selon un autre mode de réalisation, la ligne de données et les électrodes communes protégeant la ligne de données sont agencées en forme de zigzags. Selon un autre mode de réalisation, la matrice noire et le filtre chromatique ont la même hauteur, ou une différence de hauteur entre la matrice noire et le filtre chromatique est inférieure à une épaisseur du filtre chromatique x 0,2 . Les objectifs, fonctions, aspects et avantages précédents et d'autres encore de la présente invention seront plus évidents dans la description détaillée ci-dessous de la présente invention lorsqu'ils seront associés aux dessins ci-joints. Les dessins ci joints, qui sont inclus pour fournir une compréhension supplé- mentaire de l'invention et qui sont incorporés dans cette spécification et en constituent une unité, illustrent les modes de réalisation de l'invention et, conjointe-ment avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. On peut y voir que: la figure 1 est une vue en plan schématique d'un dispositif LCD général; la figure 2 est une vue en coupe le long de la ligne II-II de la figure 1 pour illustrer le dispositif LCD; la figure 3 est une vue en plan schématique d'un dispositif LCD avec une structure COT conformément à l'art connexe; les figures 4A à 4E sont des vues en coupe le long de la ligne IV-IV de la 30 figure 3 pour illustrer le dispositif LCD avec la structure COT; les figures 5A à 5D sont des vues en plan schématiques d'un dispositif LCD avec une structure COT conformément à la présente invention; et les figures 6A à 6F sont des vues en coupe le long des lignes VIa-Vla et VIb-VIb pour illustrer le dispositif LCD avec la structure COT. A présent, référence va être faite en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins ci-joints. R..Brevets24000A24078.doc - 28 juin 2005 - 8/17 Les figures 5A à 5D sont des vues se succédant représentant la disposition d'un écran à cristaux liquides avec une structure COT conformément à la présente invention. Pour ce qui est de la figure 5A, dans le dispositif LCD avec une structure COT conformément à la présente invention, une ligne de grille 202 est agencée horizontalement sur un substrat à matrice, et une ligne d'électrode commune 206 est agencée horizontalement à un certain intervalle de la ligne de grille 202. Ici, la ligne d'électrode commune 206 comprend une électrode commune 206a protégeant la ligne de données agencée verticalement pour réduire le niveau de diaphotie et une partie de condensateur de stockage 206b agencée horizontalement pour constituer un condensateur de stockage. Ici, au moins deux électrodes communes 206a protégeant la ligne de données sont agencées en regard l'une de l'autre espacées d'un certain intervalle. Egalement, la ligne de grille 202 et la ligne d'électrode commune 206 sont tramées simultanément dans un tramage de grille. Ensuite, pour ce qui est de la figure 5B, une ligne de données 214 intersectant perpendiculairement la ligne de grille 202, et les électrodes source/drain 216 et 218 sont agencées sur le substrat à matrice (non représenté ; 200). Ici, la ligne de données 214 est agencée de façon espacée entre les électrodes communes 206a protégeant la ligne de données de la ligne d'électrode commune 206. Egalement, l'électrode drain 218 est superposée sur la partie de condensateur de stockage 206b de la ligne d'électrode commune 206. Ici, l'électrode drain 218 et la partie de condensateur de stockage 206b de la ligne d'électrode commune 206 constitue un condensateur. Ensuite, bien que non représenté sur le dessin, un film isolant (non représenté ; 220) est déposé sur un substrat entier, et une matrice noire (non représentée; 222) est formée par-dessus, superposée sur la ligne de données 214 et l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données comprenant une partie entre la ligne de données 214 et l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données. Ici, la matrice noire (non représentée; 222) est superposée sur la ligne de données entière 214 et une certaine partie de l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données. Egalement, la matrice noire (non représentée; 222) est agencée, mais n'est pas superposée sur un film organique compensateur (non représenté ; 228) dans lequel un trou de contact drain 229 pour exposer l'électrode drain 218 doit être formé lors du processus suivant. Puis, bien que non représenté sur le dessin, une couche de filtre chromatique (non représentée; 224) est formée sur un second film isolant 220 comprenant une partie d'une surface supérieure de la matrice noire (non représentée; 222). Ici, la couche de filtre chromatique (non représentée; 224) est formée sur une zone formée R \Brevets\24000124078. doc - 28 juin 2005 - 9/17 par l'intersection de la ligne de grille 202 et la ligne de données 214, et est agencée de façon à être superposée sur une partie de la surface supérieure de la matrice noire (non représentée; 222). Ensuite, pour ce qui est de la figure 5C, un film organique compensateur (non représenté ; 228) est formé sur un substrat entier comprenant la matrice noire (non représentée 222) et la couche de filtre chromatique (non représentée; 224), et ensuite le film organique compensateur (non représenté ; 228) et le second film isolant (non représenté ; 220) sont tramés de façon séquentielle, pour former de ce fait un trou de contact drain 229 exposant l'électrode drain 218. Ici, le trou de contact drain 229 peut être formé parce qu'une matrice noire épaisse (non représentée; 222) ou une couche de filtre chromatique (non représentée; 224) n'est pas placée sur le film organique compensateur (non représenté ; 228). Puis, pour ce qui est de la figure 5D, une électrode de pixel 230 et une électrode commune 232 connectées à l'électrode drain 218 à travers le trou de contact drain 229 sont agencées. Ici, l'électrode de pixel 230 est superposée sur l'électrode drain 218 et une partie verticale 230a s'étend verticalement à partir de ce point. Egalement, l'électrode commune 232 est superposée sur la ligne de grille 202, la ligne de données 212 et l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données, et une partie verticale 232a s'étendant depuis l'électrode commune 232 est agencée entre les parties verticales 230a de l'électrode de pixel. Ici, l'électrode commune 232 est en contact au niveau de la zone de bord extérieur de l'écran avec la ligne d'électrode commune formée lors du processus de tramage de grille mentionné précédemment, pour être de ce fait dans un état d'équipotentialité. A présent, un procédé de fabrication du dispositif LCD avec la structure COT 25 conformément à la présente invention va être décrit en s'appuyantsur les figures 6A à 6F. Les figures 6A à 6F sont des vues en coupe le long des lignes VIa- VIa et VIb-VIb de la figure 5. Pour ce qui est de la figure 6A, du métal conducteur est déposé sur un substrat 200, et un tramage est effectué sur celui-ci, formant de ce fait une ligne de grille (non représentée; 202) et une électrode de grille 204. Simultanément, des électrodes communes 206a protégeant la ligne de données sont formées des deux côtés d'une ligne de données (non représentée; 214) à former selon le processus suivant. Les électrodes communes 206a protégeant la ligne de données protègent un signal de données de telle sorte que celui-ci n'affecte pas un champ électrique d'un coefficient d'ouverture sur un film organique (c'est-à-dire entre l'électrode commune et l'électrode de pixel), à savoir diminue un niveau de diaphonie verticale. R \Brevets\24000,24078-doc - 28 juin 2005 - 10/ 17 Ensuite, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium (SiNx) et l'oxyde de silicium (SiO2) est déposé sur une surface entière du substrat 200 sur lequel les électrodes communes 206a protégeant la ligne de données, la ligne de grille (non représentée; 202) et l'électrode de grille 204 ont été formées, formant de ce fait un film isolant de grille 208 comme un premier film isolant. Ensuite, comme illustré sur la figure 6B, du silicium amorphe pur (a-Si:H) et du silicium amorphe dopé par des impuretés (n+ a-Si:H) sont déposés sur le film isolant de grille 208, et un tramage est réalisé sur celui-ci, formant de ce fait une couche active 210 et une couche de contact ohmique 212 sur le film isolant de grille 208 formé sur l'électrode de grille 204. Ensuite, un métal sélectionné parmi un groupe de métaux conducteurs comprenant le chrome (Cr), le molybdène (Mo), le cuivre (Cu), le tungstène (W), le tantale (Ta) et similaires est déposé sur une surface entière du substrat sur lequel la couche active 210 et la couche de contact ohmique 212 ont été formées, et un tramage est réalisé sur celui-ci, formant de ce fait une ligne de données 214 ainsi qu'une électrode source 216 et une électrode drain 218 s'étendant depuis la ligne de données 214 et qui sont respectivement en contact avec la couche de contact ohmique 212. Lorsque la ligne de données 214 est tramée, une électrode supérieure de condensateur (non représentée) est également formée sur la ligne de grille 202 qui est en contact avec l'électrode source 216. Egalement, la ligne de données 214 est séparée des électrodes communes 206a protégeant la ligne de données à des intervalles de W l et W2, respectivement. Ensuite, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inor- ganiques comprenant le nitrure le silicium et l'oxyde de silicium est déposé sur une surface entière du substrat 200 sur lequel les électrodes source et drain 216 et 218 ont été formées, formant de ce fait un second film isolant 220. Le second film isolant 220 sert à empêcher les éventuels contacts défectifs entre la couche active 210 et un film organique (non représenté) à former par la suite. Si aucun contact défectif ne se produit entre le film organique et la couche active 210, il est possible de ne pas former le second film isolant 220. Ensuite, comme représenté sur la figure 6C, une matrice noire 222 est formée par application d'un matériau en verre opaque sur le second film isolant 220. Ensuite, comme représenté sur la figure 6D, la matrice noire 222 est tramée de façon sélective, superposée sur la ligne de données 214 et une partie des électrodes communes 206a protégeant la ligne de données comprenant une partie entre la ligne de données 214 et l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données. Un matériau isolant organique transparent ou un matériau isolant inorganique présentant R. \Brevets\24000''.24078. doc - 28 juin 2005 - 11,'17 une permittivité faible, mais qui n'est pas la matrice noire, peut servir de film de passivation pour protéger le TFT (T). Le cas échéant, une matrice noire spéciale est utilisée au niveau d'un substrat supérieur. Egalement, la matrice noire 222 est tramée, ses bords étant superposés sur les électrodes communes 206a protégeant la ligne de données. Egalement, le tramage de la matrice noire est effectué de telle sorte que la matrice noire est inexistante au niveau d'une partie du second film isolant 220 correspondant à une zone de trou de contact à former lors du processus suivant pour établir le contact avec l'électrode drain. Ensuite, comme représenté sur la figure 6E, une résine de couleur est appliquée sur une surface supérieure d'une structure entière comprenant la matrice noire tramée de façon sélective 222, formant de ce fait des filtres colorés rouge, vert et bleu 224 dans une pluralité de zones de pixels. Puisque aucun film acrylique compensateur n'est prévu, une partie irrégulière est formée au niveau d'une zone où la matrice noire 222 est superposée sur le filtre chromatique 224, et l'orientation du frottage est tournée au niveau de la partie inclinée irrégulière, ce qui provoque une disclination. Pour éviter de tels problèmes, comme représenté sur la figure 6D, la matrice noire 222 est superposée sur un intervalle (W1) entre la ligne de données 214 et l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données et un intervalle (W2) entre la ligne de données 214 et l'électrode commune 206a protégeant la ligne de données, bloquant de ce fait la lumière d'un rétro-éclairage dans les zones de disclination (A). Egalement, afin de réduire le niveau d'irrégularité dû à l'absence d'une couche acrylique de compensation, la hauteur de la matrice noire 222 peut être identique à celle du filtre chromatique 224, ou une différence de hauteur (H2) entre la matrice noire 222 et le filtre chromatique 224 peut être inférieure à l' épaisseur (H1) du filtre chromatique 224 x 0,2 . Ensuite, un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium (SiNx) et l'oxyde de silicium (SiO2) est déposé sur une surface supérieure d'une structure entière comprenant le filtre chromatique 224, formant de ce fait un troisième film isolant 228 à la place d'une couche d'enrobage existante formée de résine acrylique. Ensuite, comme représenté sur la figure 6F, le troisième film isolant 228 est supprimé de façon sélective, formant de ce fait un trou de contact drain (non représenté) exposant l'électrode drain 218. Ensuite, un matériau d'électrode transparente (par exemple ITO) est déposé sur 35 le troisième film isolant 228 comprenant le trou de contact drain. Ensuite, la couche d'électrode transparente est tramée de façon sélective, formant de ce fait une électrode de pixel 230 et une électrode commune 232 connectées à l'électrode drain. R. ABrevets\24000A24078. dot - 28 juin 2005 - 12/17 Ensuite, bien que non représenté sur le dessin, un film compensateur (non représenté) est formé sur une surface entière d'un substrat et un film d'alignement (non représenté) est formé sur celui-ci. Comme décrit jusqu'ici, grâce au substrat à matrice du dispositif LCD et à son procédé de fabrication conformément à la présente invention, une différence de hauteur entre le filtre chromatique et la matrice noire est minimisée, minimisant de ce fait l'irrégularité due à l'absence d'une couche acrylique de compensation. Egalement, le coût peut être réduit et une diminution de la transmittance peut être empêchée en ce qu'une résine acrylique coûteuse et dont la transmittance dimi- nue au fur et à mesure des processus supplémentaires n'est pas utilisée. Egalement, grâce à la présente invention, parce que la matrice noire est tramée avec ses bords recouvrant les électrodes protégeant la ligne de données, les zones sujettes à des fuites de lumière dues à la disclination sont complètement bloquées. La présente invention pouvant être réalisée dans plusieurs formes sans sortir du cadre de celle-ci, l'homme du métier comprendra également que les modes de réalisation ci-dessus décrits ne sont pas limités aux détails de la description précédemment décrite, sauf indication contraire, mais devraient plutôt être interprétés largement dans les limites de son esprit et de sa portée comme défini dans les revendications jointes, et par conséquent tout changement et modification restant ne sortant pas du cadre des revendications, ou d'équivalences de ce cadre, sont par conséquent destinés à être englobés par les revendications jointes. R \Brevets.24000'24078. doc - 28 juin 2005 - 13/17 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'écran à cristaux liquides, comprenant: une ligne de grille (202) et une ligne de données intersectant l'une avec l'autre et définissant une zone de pixels sur un substrat; des électrodes communes (206a) protégeant la ligne de données (214) agencées des deux côtés de la ligne de données; un transistor en couche mince formé au niveau d'une intersection de la ligne de grille (202) et de la ligne de données (214) ; une matrice noire (222)agencée sur une zone comprenant la ligne de données et une partie des électrodes communes (206a) protégeant la ligne de données; un filtre chromatique (224) agencé au niveau d'une zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre; et une électrode commune (206) et une électrode de pixel agencées au niveau de la zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données (214) intersectant l'une avec l'autre. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matrice noire (222) est superposée sur les parties entre la ligne de données (214) et les électrodes communes (206a) protégeant la ligne de données. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que une ligne d'électrode de condensateur est formée horizontalement, espacée de la ligne de grille (202). 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'électrode commune (206) protégeant la ligne de données (214) s'étend depuis une ligne d'électrode commune agencée de façon espacée par rapport à la ligne de grille (202). 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que un film isolant est formé entre le filtre chromatique (224) et l'électrode de pixel, et entre le filtre chromatique et l'électrode commune (206). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium est utilisé comme film isolant. R \Brevets\24000\24078 doc - 28 juin 2005 - )4,17 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la ligne de données (214) et les électrodes communes (206a) protégeant la ligne de données (214) sont agencées en forme de zigzags. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la matrice noire (222) et le filtre chromatique (224) ont la même hauteur, ou une différence de hauteur entre la matrice noire (222) et le filtre chromatique (224) est inférieure à une épaisseur du filtre chromatique x 0,2 . 9. Procédé de fabrication d'un substrat à matrice d'un dispositif d'écran à cristaux liquides, comprenant: l'intersection d'une ligne de grille et d'une ligne de données sur un substrat; la formation d'électrodes communes protégeant la ligne de données des deux côtés de la ligne de données, les électrodes communes protégeant la ligne de données étant séparées de la ligne de données; la formation d'un transistor en couche mince au niveau d'une zone définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre, dans laquelle le transistor en couche mince comprend une électrode de grille, une couche active et des électrodes source et drain; l'agencement d'une matrice noire sur la ligne de données et une partie des électrodes protégeant la ligne de données; la formation d'un filtre chromatique sur une zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre; et la formation d'une électrode commune et d'une électrode de pixel au niveau de la zone de pixels définie par la ligne de grille et la ligne de données intersectant l'une avec l'autre. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la matrice noire est superposée sur des parties entre la ligne de données et les électrodes communes protégeant la ligne de données. 11. Procédé selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que l'électrode commune (206a) protégeant la ligne de données est formée au moyen d'une étape de formation horizontale d'une ligne d'électrode commune à espacer de la ligne de grille. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, comprenant en outre: R \Brevets\24000\24078 doc - 28 juin 2005 - 15/ 17 la formation d'un film isolant entre le filtre chromatique, l'électrode de pixel et l'électrode commune. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, caractérisé en ce que un matériau sélectionné parmi un groupe de matériaux isolants inorganiques comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium est utilisé comme film isolant. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, caractérisé 10 en ce que la ligne de données et les électrodes communes protégeant la ligne de données sont agencées en forme de zigzags. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, caractérisé en ce que la matrice noire et le filtre chromatique ont la même hauteur, ou une différence de hauteur entre la matrice noire et le filtre chromatique est inférieure à une épaisseur du filtre chromatique x 0,2 . R. \Brevets\2400024078. doc - 28 juin 2005 - 16!I7