Brevet FR2883100A1 — publié le 20060915

La présente invention se rapporte à un dispositif d'affichage par fluorescence dans lequel une puce de circuit intégré est montée sur un boîtier et, plus particulièrement, à un dispositif d'affichage par fluorescence dans lequel une puce de circuit intégré et au moins une partie de sa proximité sont revêtues d'un matériau de revêtement de puce de circuit intégré pour un dispositif d'affichage par fluorescence. Comme dispositif d'affichage par fluorescence comportant une puce dans une structure de verre (désignée ci-après par structure CIG) dans laquelle une puce de circuit intégré, c'est-à-dire un dispositif de circuit intégré sur un substrat semi-conducteur, est fixée sur une plaque d'anode en verre constituant une partie d'une enveloppe, on connaît un dispositif qui protège une puce de circuit intégré de la lumière externe ou analogue avec un couvercle de circuit intégré réalisé, par exemple, en alliage 426. Cependant, dans le cas d'une utilisation du couvercle de circuit intégré, il y a une limite pour rétrécir un espace entre un filament et une anode. En particulier, dans le cas d'une opération à basse tension, il est difficile de réduire une FH (distance entre le filament et l'anode) et ainsi il devient difficile d'atteindre un niveau de luminosité ou de brillance élevé. En outre, dans le cas où le couvercle de circuit intégré est installé, des matériaux conducteurs produits pendant un processus de projection de soudage ou analogue adhèrent entre un fil de connexion et son fil avoisinant en provoquant ainsi un court-circuit entre eux. Il peut en résulter un mauvais fonctionnement du circuit intégré ou bien un défaut d'affichage. Pour résoudre les problèmes évoqués ci-dessus, le brevet japonais N 3553868 réalise une technique pour revêtir une puce de circuit intégré couverte par un couvercle de circuit intégré ou une portion de fil de connexion avec un matériau de revêtement. Comme représenté sur la figure 9, dans un dispositif d'affichage par fluorescence 50 décrit dans le brevet japonais N 3553868, une puce de circuit intégré 71 est fixée sur un substrat 51 par une pâte de connexion de puce par un film isolant noir 52, et une première électrode sur le substrat 51 et une seconde électrode sur la puce de circuit intégré 71 sont reliées l'une à l'autre par un fil. En outre, une couche d'isolation 72 est formée pour couvrir la première et la seconde électrode et le fil. Après qu'un cadre de montage, comme élément métallique pour unifier un support de filament 53 ou analogue, a été disposé sur la puce de circuit intégré 71, le substrat 51 et les boîtiers en verre 60 et 61 sont scellés par des verres frittés 62A et 62B en formant ainsi une enveloppe. En outre, la seconde électrode de la puce de circuit intégré 71 et le fil sont revêtus par un matériau de revêtement 74 contenant des particules isolantes 73, où une taille de particule moyenne de celles-ci est plus petite ou égale à un tiers d'un pas entre des fils avoisinants. Dans le brevet japonais N 3553868, le matériau de revêtement 74 pour revêtir la puce de circuit intégré et sa partie avoisinante est obtenu en dispersant du Al2O3 servant de particules isolantes 73 dans une solution dans laquelle l'alcoxyde Al en tant que soluté est dissout dans de l'alcool. Ici, une taille de particule moyenne de Al2O3 est connue comme étant de 1}gym, et un rapport pondéral de Al2O3 à l'alcoxyde Al est réglé à 0,5. De plus, en chauffant le matériau de revêtement 74 sous une atmosphère de 480 C, la teneur en alcool dans celui-ci s'évapore et ensuite, une couche d'isolation 72 de Al2O3 est formée à partir d'un alcoxyde Al par un processus de cuisson. Etant donné que les particules isolantes 73 en Al2O3 ne rétrécissent pas lors de l'échauffement, le matériau de revêtement 74 incluant la couche isolante 72 et les particules isolantes 73 rétrécit moins que dans le cas où il est exclusivement composé d'une couche isolante de revêtement pendant le processus de cuisson, en réduisant ainsi les contraintes appliquées au fil. Par conséquent, une technique est décrite pour empêcher que le fil lui-même soit coupé ou pour empêcher que la connexion entre le fil et l'électrode soit coupée. Alternativement, le matériau de revêtement 74 peut être obtenu en dispersant du SiO2 servant de particules isolantes dans une solution dans laquelle une résine de polyimide, en tant que soluté, est dissoute dans du diméthylacétamide. Ici, une taille de particule moyenne de SiO2 est connue comme étant de 5}gym, et un rapport pondéral de SiO2 à la résine de polyimide est réglé pour qu'il soit de 1 (c'est-à-dire un rapport pondéral de SiO2 à la résine de polyimide est réglé pour qu'il soit de 1:1). Si une température de chauffage est inférieure à 400 C, le matériau de revêtement 74 n'a pas d'effet de dégazage. De ce fait, une technique est décrite pour produire la couche d'isolation 72 constituée d'un film de polyimide en exécutant le processus de cuisson à une température entre 400 C et 500 C de telle sorte que les particules isolantes 73 en SiO2 sont amenées à adhérer entre les fils et entre le fil et le film isolant noir 52 en utilisant la couche d'isolation 72. Quant à un dispositif d'affichage par fluorescence ayant la structure CIG dans laquelle seulement des parties, où les fils de connexion sont reliés, sont revêtues, on connaît un dispositif décrit dans la demande de brevet japonais publiée N 2003-132824, par exemple. Comme représenté sur la figure 10, dans le dispositif d'affichage par fluorescence décrit dans la demande de brevet japonais publiée N 2003132824, une puce de circuit intégré 82 est montée sur un substrat en verre 81 par une pâte de connexion de puce, et un fil 83 en aluminium ou analogue est formé sur celui-ci. En outre, chaque électrode de la puce de circuit intégré 82 et le fil de câblage 83 correspondant à celle-ci sont reliés par un fil de connexion 84. De même, les électrodes, auxquelles les fils de connexion 84 sont reliés, de la puce de circuit intégré 82 sur le substrat et les fils de connexion 84 reliés à de tels électrodes sont revêtus par un matériau de revêtement 85. Dans les dispositifs d'affichage par fluorescence ayant une telle structure CIG, en revêtant l'ensemble ou une partie d'une surface frontale de la puce de circuit intégré 82 par un matériau de revêtement, il est possible de surmonter un mauvais fonctionnement de la puce de circuit intégré, qui est provoqué par un court-circuit dû à une substance étrangère conductrice reliant le fil de connexion 84 à son fil avoisinant. Cependant, dans le dispositif d'affichage par fluorescence du brevet japonais N 3553868 mentionné avant, un passage de gaz produit par la pâte de fixation de puce pour fixer la puce de circuit intégré 71 est bloqué par le matériau de revêtement 74. Par conséquent, une force d'adhésion du matériau de revêtement 74 se détériore, et la puce de circuit intégré 71 est séparée du substrat en verre 51 dans le pire des cas, en détériorant ainsi la performance et la fiabilité du dispositif d'affichage par fluorescence. En outre, dans le dispositif d'affichage par fluorescence de la demande de brevet japonais publiée N 2003-132824, pour résoudre les inconvénients évoqués avant, le matériau de revêtement 85 pour revêtir les électrodes, auxquelles les fils de connexion 84 sont connectés, de la puce de circuit intégré 82 sur le substrat et le fil de connexion 84 relié à l'électrode correspondante est prévu. Par conséquent, la quantité de gaz produite est réduite de moitié et, de même, le passage du gaz produit est assuré. Cependant, le gaz est toujours évacué du matériau de revêtement 85 à des parties où les fils de connexion sont connectés, et le dispositif posera les mêmes problèmes que ceux du brevet japonais N 3553868. Le matériau de revêtement utilisé dans les brevets mentionnés ci-dessus doit être cuit à une température plus élevée que 400 C à 500 C, ce qui entraîne une rupture de la puce de circuit intégré. Bien qu'un matériau de revêtement dans lequel la résine de polyimide est dissoute dans un solvant soit utilisé, un tel matériau de revêtement rétrécira d'une manière importante pendant qu'il est durci durant le processus de séchage ou le processus de cuisson et peut produire une craquelure ou un décollement ou écaillage. En outre, étant donné que le matériau de revêtement décrit ci-dessus est réalisé en oxyde d'une seule particule, les particules en masse sont durcies pour former une structure très dense. Par conséquent, il y a le problème que les contraintes ne sont pas libérées et qu'une craquelure ou un décollement peut se développer. Dans le cas où la puce de circuit intégré ou analogue est revêtue d'un matériau de revêtement réalisé à partir d'un oxyde hautement isolant à la place du matériau de revêtement décrit ci-dessus, étant donné que la plupart des couleurs du matériau de revêtement s'étendent du blanc au marron pâle, le matériau de revêtement se remarque dans le dispositif d'affichage par fluorescence dans lequel une couche d'isolation réalisée à partir d'un matériau d'isolation comme d'un verre de plomb ou analogue est appliquée, où le verre au plomb est coloré par une peinture à laquelle on a ajouté des particules d'oxyde de Fe/Cr. La présente invention a donc pour objectif la création d'un dispositif d'affichage par fluorescence de grande qualité ayant une structure CIG hautement fiable en revêtant une puce de circuit intégré fixée par une pâte de connexion de puce ne produisant guère de gaz et au moins une partie de sa zone avoisinante. Cet objectif est atteint conformément à la présente invention par un matériau de revêtement de puce de circuit intégré comprenant de premières particules d'oxyde métallique; un alcoxyde métallique; un solvant organique; et de secondes particules d'oxyde métallique et/ou de particules plates d'un oxyde composite, les secondes particules d'oxyde métallique ayant une composition identique à ou différente de celle des premières particules d'oxyde métallique et ayant également une taille de particule moyenne et/ou une forme qui diffère de celles des premières particules d'oxyde métallique. Selon une réalisation avantageuse de l'invention, les premières et secondes particules d'oxyde métallique incluent des particules d'oxyde d'au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué de Fe, Cr, Mn, Al et Si. Selon encore une réalisation avantageuse de l'invention, l'alcoxyde métallique est un alcoxyde Al. Enfin, selon encore une réalisation avantageuse de l'invention, le solvant organique a un point d'ébullition s'étendant d'environ 100 C à 250 C et est non volatile à température ambiante. L'objectif de la présente invention est également atteint par un dispositif d'affichage par fluorescence incluant une puce de circuit intégré, où la puce de circuit intégré est au moins partiellement revêtue d'une couche de matériau de revêtement incluant de premières particules d'oxyde métallique; un métal formant l'alcoxyde métallique; et de secondes particules d'oxyde métallique et/ou particules plates d'un oxyde composite, les secondes particules d'oxyde métallique ayant une composition identique à ou différente de celle des premières particules d'oxyde métallique et ayant également une taille de particule moyenne et/ou une forme différente de celle des premières particules d'oxyde métallique. Selon encore une réalisation avantageuse de l'invention, les premières et secondes particules d'oxyde métallique incluent des particules d'oxyde d'au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué Fe, Cr, Mn, Al et Si. Selon encore une autre réalisation avantageuse de l'invention, la puce de circuit intégré et tous les fils de connexion reliés à une électrode de la puce de circuit intégré sont entièrement revêtus de la couche de matériau de revêtement. Enfin, selon encore une réalisation avantageuse de l'invention, la couche de matériau de revêtement pour revêtir la puce de circuit intégré est noire. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels: la figure 1 est une vue en perspective partiellement en coupe d'un dispositif d'affichage par fluorescence ayant une structure CIG en accord avec la présente invention; - la figure 2 est une vue fragmentaire en section d'une portion de puce de circuit intégré de la figure 1; - la figure 3 est une vue fragmentaire en section représentant un état où un matériau de revêtement de puce de circuit intégré pour un dispositif d'affichage par fluorescence est appliqué sur la puce de circuit intégré et sa zone avoisinante après la connexion de la puce de circuit intégré ; la figure 4 est un graphique indiquant des données de test exemplaires pour un matériau de revêtement de puce de circuit intégré destinée à être utilisée dans le dispositif d'affichage par fluorescence en accord avec la présente invention; - la figure 5A est une vue schématique d'un exemple dans lequel le matériau de revêtement de puce de circuit intégré en accord avec la présente invention est appliqué à la puce de circuit intégré et sa zone avoisinante; la figure 5B est une vue schématique d'un exemple dans lequel le matériau de revêtement de puce de circuit intégré en accord avec la présente invention est appliqué à une partie de la puce de circuit intégré et une partie d'un fil de connexion; et la figure 5C est une vue schématique d'un exemple où le matériau de revêtement de puce de circuit intégré en accord avec la présente invention est appliqué à une partie de la puce de circuit intégré qui est conductrice par des bosses de connexion; - la figure 6 est une vue schématique d'un exemple test pour tester une couche d'isolation du matériau de revêtement de puce de circuit intégré pour utilisation dans le dispositif d'affichage par fluorescence en accord avec la présente invention; - la figure 7 est un graphique représentant un résultat de test de caractéristiques VI d'un matériau de revêtement de puce de circuit intégré incluant du Fe, Cr et Mn comme composant principal et d'un autre matériau de revêtement de puce de circuit intégré incluant du Fe et du Cr comme composant principal; -la figure 8 est un graphique illustrant un ordre de stabilité lors d'une oxydation/désoxydation des particules d'oxyde métallique pour utilisation dans la présente invention; - la figure 9 est une vue fragmentaire en section 30 des parties principales du dispositif d'affichage par fluorescence classique d'une structure CIG; et - la figure 10 est une vue en section d'une portion de puce du circuit intégré du dispositif d'affichage par fluorescence classique ayant la structure CIG. On décrira maintenant les modes de réalisation préférés de la présente invention en détail en se reportant aux dessins annexés. Tout d'abord, un dispositif d'affichage par fluorescence de la présente invention sera décrit en se reportant aux figures 1 à 5. Un dispositif d'affichage par fluorescence 1 d'une structure CIG en accord avec la présente invention est un substrat d'anode 11 dans lequel un fil conducteur 13 du dispositif d'affichage par fluorescence 1 et une anode 12 contenant un conducteur d'anode 14 et une couche de phosphore 15 sont disposés. Le substrat d'anode 11 est réalisé généralement à partir d'un substrat en verre, et une couche d'isolation 26 est formée approximativement sur toute sa surface. Par ailleurs, une puce de circuit intégré 16 est fixée à une partie d'extrémité du substrat d'anode 11 par une couche de connexion de puce 23. Une puce de circuit intégré 16 est reliée à une borne 17 connectée à une partie d'extrémité du fil conducteur 13 par un fil de connexion 18. En outre, une cathode en forme de filament 21 séparée d'une grille 20 d'une distance régulière prédéterminée est tendue étroitement sur le substrat d'anode 11 alors que la grille 20 séparée de l'anode 12 d'une distance régulière prédéterminée est agencée pour faire face à l'anode 12. L'anode 12 et la grille 20 sont connectées à la puce de circuit intégré 16 par le fil conducteur 13 et également à un conducteur externe 19 servant de borne d'entrée de la puce de circuit intégré 16. En outre, la puce de circuit intégré connectée 16 et sa zone avoisinante sont revêtues d'un matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A pour un dispositif d'affichage par fluorescence. En outre, un boîtier sous vide en forme de boîte 22 est réalisé de telle sorte qu'il couvre une électrode sur le substrat d'anode 11, où le boîtier sous vide 22 est scellé par un élément d'étanchéité dont le composant principal est un verre fritté à point de fusion bas. On décrira maintenant d'une manière détaillée la zone avoisinante de la puce de circuit intégré 16. Comme représenté sur la figure 2, pour relier la puce de circuit intégré 16 au substrat d'anode 11, la pâte de connexion de puce 23A doit être amenée à adhérer au substrat d'anode 11 ou sur un côté arrière de la puce de circuit intégré 16 et ensuite, la puce de circuit intégré est montée sur le substrat à une position à fixer. Ensuite, une pâte de connexion de puce 23A est dissoute par la chaleur, en fixant ainsi la puce de circuit intégré au substrat. En d'autres termes, la puce de circuit intégré 16 est connectée au substrat d'anode 11 par la couche de liaison de puce 23. On décrira maintenant la pâte de liaison de puce 23A utilisée dans ce mode de réalisation. La pâte de liaison de puce 23A est formée à partir d'un véhicule contenant de fines particules conductrices et un métal organique. Quant aux fines particules conductrices, des particules Ag en forme de paillettes, dont la taille de particule s'étend de 0,1}gym à 50} gym, sont utilisées. Un composé métallique organique contenant des atomes métalliques tels que Ti, Al, Si, In, Zr ou analogue est généralement liquide ou soluble dans un solvant. De même, il peut être trempé pour devenir ainsi une pâte. En outre, quant au composé métallique organique, il est connu de former un oxyde métallique en utilisant une réaction de pyrolyse. Ainsi, les particules Ag servant de matériau fonctionnel dans la pâte, peuvent être fixées au substrat pendant le processus de cuisson. On décrira maintenant un composé spécifique de la pâte de connexion de puce. Titane organique (TOG) : 30 g Particules conductrices (particules Ag) : 70 g Solvant organique d'un point d'ébullition bas (alcool tridécyle, terpinéol) : quantité appropriée Etant donné que l'alcool tridécyle et le terpinéol servant de solvant organique ont des points d'ébullition comparativement bas, respectivement, une très petite quantité des gaz non nécessaires est évacuée pendant la formation du matériau de revêtement. Par ailleurs, une très petite quantité des gaz non nécessaires est évacuée après que la formation du dispositif d'affichage par fluorescence a été achevée. Comme représenté sur la figure 3, après que la puce de circuit intégré 16 a été connectée, afin de revêtir la puce de circuit intégré 16 et le fil de connexion 18 installé sur le substrat, la couche de matériau de revêtement 25 réalisée en matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A pour un dispositif d'affichage par fluorescence est formée exactement de la même manière que celle selon laquelle la puce de circuit intégré fixée 16 et sa zone avoisinante sont revêtues en utilisant un distributeur. On décrira maintenant en détail les composants du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré pour un dispositif d'affichage par fluorescence utilisé dans ce mode de réalisation. Le matériau de revêtement de la puce de circuit intégré de ce mode de réalisation est une pâte réalisée en mélangeant des particules fines d'un oxyde métallique d'un ton noir incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal et pour revêtir le substrat d'anode 11 (ou d'un ton blanc, l'oxyde mécanique peut inclure du Al203 comme composant principal dans le cas où la couche d'isolation 26 est d'un ton blanc) ; un alcoxyde métallique à base de Al2O3 (désigné ci-après par solution de sol d'alumine) servant d'alcoxyde métallique ajouté comme fixateur; un solvant organique (d'un point d'ébullition s'étendant d'environ 100 C à 250 C et non volatile à température ambiante) pour réaliser le matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A sous la forme d'une pâte. Dans la pâte, en plus de celles décrites ci-dessus, sont également mélangées des particules fines d'un autre oxyde métallique d'une composition identique à ou différente de celle de l'oxyde métallique décrit ci-dessus et ayant également des tailles de particule moyennes et/ou une forme différente de celles de l'oxyde métallique décrit ci- dessus; et/ou des particules fines plates d'un oxyde composite hautement isolant, comme le mica ou analogue. Dans le cas où un pigment d'oxyde noir de Fe, Cr et/ou Mn est utilisé comme particules d'oxyde métallique fines et que des particules d'oxyde fines de Fe, Cr et/ou Mn d'une taille de particule moyenne différente de celle des particules d'oxyde métallique fines sont utilisées, la pâte prend un aspect noir. D'autre part, dans le cas où un pigment d'oxyde blanc de Al est utilisé comme particules d'oxyde métallique fines et que des particules d'oxyde fines Al d'une taille de particule moyenne différente de celle des particules d'oxyde métallique fines sont utilisées, la pâte aura un aspect blanc. Par ailleurs, un oxyde Si peut être utilisé comme pigment d'oxyde métallique blanc, tandis que l'oxyde Si est utilisé comme autres particules d'oxyde métallique fines d'une taille de particule moyenne différente. En outre, en fonction du but d'utilisation du dispositif d'affichage par fluorescence 1, un contraste peut être souligné expressément intentionnellement en utilisant les particules d'oxyde métallique fines d'un ton blanc incluant Al2O3 comme composant principal dans le cas où la couche d'isolation 26 est noire, et les particules d'oxyde métallique fines d'un ton noir incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal dans le cas où la couche d'isolation 26 est blanche. Afin de libérer les contraintes provoquées par un processus de séchage pendant la formation de la couche de matériau de revêtement 25 produites lors de l'application d'un matériau correspondant, le matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A comprend, en plus des premières particules d'oxyde métallique fines, de secondes particules d'oxyde métallique fines et/ou des particules fines plates d'un oxyde composite hautement isolant, les secondes particules d'oxyde métallique ayant une composition identique à ou différente de celle des premières particules d'oxyde métallique et ayant également une taille de particule moyenne et/ou une forme différentes de celles des premières particules d'oxyde métallique. En outre, un rapport de la taille de particule moyenne des premières particules d'oxyde métallique fines aux secondes particules d'oxyde métallique fines et/ou aux particules fines plates de l'oxyde composite hautement isolant est de préférence réglé pour qu'il soit de 1:5 ou plus (par exemple dans le cas où une taille de particule moyenne des premières particules d'oxyde métallique fines est d'environ 3, 5}gym, celle des secondes particules d'oxyde métallique fines et/ou des particules fines plates de l'oxyde composite hautement isolant est d'environ 25}gym). Par ailleurs, étant donné que le distributeur peut être bloqué par les particules fines utilisées dans la présente pendant le processus de revêtement, il est préférable de limiter une taille de particule moyenne des particules fines ajoutées à 1/10 d'un diamètre interne du distributeur utilisé pour le processus de revêtement (par exemple si le diamètre interne du distributeur s'étend de 0,3 mm à 0,5 mm, la taille des particules fines est de préférence de 30}gym à 50}gym). Par ailleurs, dans le cas où les particules fines plates de l'oxyde composite hautement isolant sont ajoutées, la quantité ajoutée représente de préférence environ 20% de la quantité totale des particules d'oxyde métallique fines et des particules fines de l'oxyde composite hautement isolant dans le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré. En outre, les particules fines plates de l'oxyde composite hautement isolant ne sont pas limitées au mica mentionné avant aussi longtemps qu'il s'agit de particules isolantes d'une taille de particule moyenne et/ou d'une forme différentes de celles des particules d'oxyde métallique fines ajoutées et n'agissent pas sur la performance du matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré. Quant à l'alcoxyde métallique (ayant au moins une combinaison M-O-C, M étant un métal) ajouté comme fixateur, il y a l'alcoxyde métallique à base de TiO2, l'alcoxyde métallique à base de SiO2 et analogue en plus de la solution de sol d'alumine. Cependant, étant donné que sa caractéristique isolante augmente dans l'ordre de TiO2, SiO2 et Al2O3, dans le cas de l'alcoxyde métallique à base de TiO2, s'il y a un oxyde plus stable (alumine ou analogue) que l'alcoxyde métallique à base de TiO2, il est désoxydé pendant un processus d'échauffement du dispositif d'affichage par fluorescence 1, en diminuant ainsi sa résistance initiale. De ce point de vue, il est préférable d'utiliser l'alcoxyde métallique à base de Al Quant au solvant organique pour amener le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré en une forme de pâte, il est préférable d'utiliser un solvant organique dont le point d'ébullition s'étend d'environ 100 C à 250 C. Cela est parce que si le point d'ébullition est bas pendant l'utilisation du distributeur, le solvant organique sèche à l'intérieur d'un cylindre et près d'une buse et bouche ainsi le distributeur. En outre, il est difficile d'atteindre un état de revêtement approprié. Au contraire, si le point d'ébullition est élevé, un niveau de vide se détériore, ou bien il y aura des effets désavantageux sur une émission pendant le processus de fabrication du dispositif d'affichage par fluorescence. Par conséquent, le point d'ébullition du solvant organique utilisé dans la présente s'étend de préférence d'environ 100 C à 250 C. Bien qu'une épaisseur de film obtenue en revêtant la puce de circuit intégré 16 et sa zone avoisinante du matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A configuré comme décrit ci-dessus varie en fonction des zones de revêtement, elle est plus grande qu'une épaisseur de la puce de circuit intégré 16 de 50 à 150}gym sur la puce de circuit intégré 16 (l'épaisseur de la puce de circuit intégré 16 étant d'environ 0,2 mm à 0, 3 mm). En outre, comme représenté sur la figure 3, l'épaisseur du film du matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A près d'un dessus du fil est réglée dans la plage de 150}gym 100}gym. Dans le cas où la pâte de matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A est appliquée et ensuite séchée à environ 100 C à 250 C, un coefficient de dilatation sera le suivant: substrat en verre (crown glass ou verre à base de 15 soude et de chaux) : environ 90 x 10-7/ C; puce de circuit intégré (plaquette Si) : environ 40 x 10-7/ C; et fil: environ 200x 10-7/ C, où un coefficient de dilatation thermique du matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré a de préférence une valeur intermédiaire entre celle de la puce de circuit intégré 16 et celle du substrat en verre. En outre, comme représenté sur la figure 4, étant donné que le sol d'alumine sert de fixateur, lorsque la quantité de matériau de fixation diminue, les contraintes produites deviennent petites, et une inclinaison des contraintes relativement à une épaisseur de film de revêtement devient également petite. Conjointement avec la réduction du sol d'alumine, la force d'adhésion pour supporter le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré sur le substrat d'anode 11 est réduite. En outre, dans le cas où la quantité de sol d'alumine est extrêmement grande, il ne se transforme pas en pâte. Dans le cas où une poudre d'alumine ajoutée à la solution de sol d'alumine possède une seule taille de particule et que le film de revêtement devient épais, les contraintes ne peuvent pas être relâchées, et ainsi des craquelures se produisent. Cependant, en ajoutant des particules d'une taille de particule différente, les contraintes peuvent être relâchées par de fines craquelures produites entre deux particules. En d'autres termes, il est préférable de réduire la quantité de la solution de sol d'alumine ajoutée jusqu'à un niveau apte à réduire les contraintes avec une force d'adhésion appropriée et d'ajouter ensuite des particules d'une taille de particule différente. Quant au procédé de revêtement du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré, comme représenté sur les figures 3 et 5A, de préférence la puce de circuit intégré et sa zone avoisinante sont entièrement revêtues, mais le procédé de revêtement n'est pas limité à celles-ci. En d'autres termes, même si le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré est appliqué partiellement seulement sur les parties où le processus de revêtement est requis sur la puce de circuit intégré 16 et sa zone avoisinante, les mêmes effets du procédé de revêtement décrit ci-dessus peuvent être obtenus. Par exemple, comme représenté sur la figure 5B, il est possible de revêtir partiellement un côté de la puce de circuit intégré 16. De plus, comme représenté sur la figure 5C, dans le cas où le dispositif d'affichage par fluorescence présente des bosses de connexion 17a et 17b formées pour être orientées vers le substrat 11 et la puce de circuit intégré 16, respectivement, sa portion de connexion peut être revêtue exclusivement par le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré, comme représenté. De même, dans le cas où la puce de circuit intégré est entièrement revêtue, afin d'assurer une stabilité à l'encontre d'une isolation inférieure, il est préférable d'utiliser le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré en utilisant des particules d'oxyde métallique fines noires incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal, qui ont un niveau plus bas de contraintes thermiques que le matériau de revêtement 25A de puce de circuit intégré utilisant des particules d'oxyde métallique fines blanches incluant Al2O3 comme composant principal. Premier mode de réalisation préféré Ci-après, le dispositif d'affichage par fluorescence 1 ayant la structure CIG en accord avec la présente invention sera décrit en détail sur la base du processus de fabrication. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui suivent, et divers changements et modifications peuvent être apportés sans s'éloigner de l'étendue de l'invention. Tout d'abord, le substrat d'anode 11 sur la surface interne duquel se trouve le motif du fil conducteur 13 et du conducteur d'anode 14, est réalisé. En outre, en faisant adhérer la couche de phosphore 15 à une surface supérieure du conducteur d'anode 14, l'anode 12 est formée. En outre, la grille 20 est disposée au-dessus de l'anode 12 à une position vers le haut séparée d'une distance régulière prédéterminée de celle-ci, et la cathode en forme de filament 21 est installée étroitement au-dessus de la grille 20 à une position séparée vers le haut d'une distance régulière prédéterminée de celle-ci. Par ailleurs, la pâte 23A pour la connexion de la puce est appliquée à l'électrode mise à la masse 24 prévue à une portion d'extrémité de la plaque d'anode 11 présentant la couche de phosphore 15 ou directement à une surface supérieure de la plaque 11. Ensuite, comme représenté sur la figure 2, la puce de circuit intégré 16 est montée sur la plaque d'anode 11 et est séchée ensuite à environ 200 C. En outre, le fil de connexion 18 relie la puce de circuit intégré 16 à la borne 17 connectée à l'anode 12 et la grille 20 par le fil conducteur 13 pendant qu'un autre fil de connexion relie la puce de circuit intégré 16 à la borne 17 connectée à la sortie externe 19 par le fil conducteur 13. La pâte de connexion de la puce utilisée ici est obtenue en mélangeant du titane organique (T0G) de 25 g, de fines particules conductrices (particules Ag) de 75 g et une quantité appropriée prédéterminée d'un solvant (terpinéol). En outre, après que la puce de circuit intégré 16 a été connectée, comme représenté sur la figure 3, la puce de circuit intégré 16 sur la plaque d'anode 11 et sa zone avoisinante sont revêtues du matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré. Le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré utilisé ici est une pâte obtenue en mélangeant 15 les matériaux suivants: (1) des particules d'oxyde métallique fines noires incluant Fe, Cr et Mn comme composant principal (Fe2O3. environ 40%, Cr2O3: environ 45% et MnO2: environ 15%), dont la taille de particule est d'environ 3,5}gym: 55 g; (2) des particules fines plates d'un oxyde composite, c'est-à-dire, de mica dont la taille de particule est d'environ 25}gym: 10 g; (3) le sol d'alumine comme fixateur: 10 g; et (4) l'éthylène glycol comme solvant: 25 g. Après que le processus de revêtement a été achevé, un processus de séchage est exécuté sous une pression atmosphérique dont la température de crête est réglée pour s'étendre d'environ 100 C à 250 C. A ce moment, parmi les matériaux mélangés dans le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré, un solvant pour disperser la poudre d'alumine contenue dans la solution de sol d'alumine utilisée comme fixateur dans une solution et un éthylène glycol servant de solvant organique pour amener le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré en une forme de pâte, sont évaporés. Par conséquent, de fines particules d'oxyde métallique de coloration, le mica servant de particules fines plates de l'oxyde composite et les particules d'oxyde métallique (alumine) servant de matériau de fixation, subsistent comme matériaux de revêtement de la puce de circuit intégré. A cause du mélange de particules d'une taille de particule différente dans la couche 25 de matériau de revêtement, il est possible de relâcher les contraintes de la dilatation thermique provoquée pendant le processus de séchage et d'empêcher en outre une rupture du fil ou une craquelure dans le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré. En outre, étant donné que des composants gazeux produits par la pâte de connexion de la puce 23A s'évaporent ensemble avec un élément d'évaporation dans le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré pendant le processus de séchage, peu de gaz sont produits par la couche de connexion de puce 23 après que la formation de la couche de matériau de revêtement 25 a été achevée. Par ailleurs, peu de gaz sont produits pendant le processus de fabrication du dispositif d'affichage par fluorescence, qui est exécuté à une température supérieure ou égale à 400 C. Après que le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré a été séché, un boîtier en forme de boîte 22 est scellé à environ 480 C pour être fixé sur la plaque d'anode 11. Ensuite, en évacuant les gaz dans le dispositif d'affichage par fluorescence à travers un conduit d'échappement des gaz (non représenté), un état de vide élevé est atteint. Ensuite, le conduit d'échappement de gaz est scellé en complétant ainsi le dispositif d'affichage par fluorescence 1. Lorsque, dans le premier mode de réalisation préféré, le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré constitué des matériaux indiqués ci-dessus (1) à (4) est appliqué, sa composition (dans le cas où une quantité totale représente 100% en poids) est comme suit: (1)+(2) : 60 à 70% en poids (ajouté à un rapport de (1) : (2) = 4:1) ; (3) : 5 à 20% en poids; et (4) : 10 à 35% en poids. Maintenant, une composition de la couche de matériau de revêtement 25 formée par le processus de séchage est comme suit: (1)+(2) : 97 à 99% en poids; (3) : 1 à 3% en poids; et (4) : 0% en poids. Par conséquent, on peut comprendre qu'un solvant pour disperser la poudre d'alumine se trouvant dans la solution de sol d'alumine utilisée comme fixateur dans une solution et un solvant organique pour amener le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré en forme de pâte s'évaporent pendant le processus de séchage. Comme représenté sur la figure 6, après l'application d'un autre matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25B de la présente invention et du matériau de revêtement de puce de circuit intégré classique incluant de l'alumine sur des fils Al ayant un espace de 30}gym (sur une zone dans une distance de 10 mm qui est revêtue du matériau de revêtement de puce de circuit intégré (désignée ci-après par "distance de face")), les processus de séchage du présent matériau de revêtement de la puce de circuit intégré et du matériau de revêtement classique de la puce de circuit intégré ont été exécutés sous l'atmosphère dont les températures de crête ont été réglées pour s'étendre d'environ 100 C à 250 C et pour être d'environ 480 C, respectivement. Le matériau de revêtement 25B de la puce de circuit intégré est identique au matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré excepté que les particules d'oxyde métallique fines noires incluant du Fe, Cr et Mn ont été remplacées par des particules d'oxyde métallique fines noires incluant du Fe et Cr comme composant principal (Fe2O3: environ 53%, Cr2O3: environ 47%). En outre, un test de fuite entre les fils a été exécuté en appliquant une tension de 100 V entre les fils ayant un espace de 30}gym (la distance de face étant d'environ 10 mm) dans un récipient sous vide. Par conséquent, il s'est avéré que le matériau de revêtement 25B de la puce de circuit intégré de la présente invention possède une résistance dans une plage de l'ordre de 104Mo à 105 MS, qui est sensiblement la même que la plage de l'ordre de 105 Mn du matériau de revêtement classique incluant de l'alumine comme composant principal. Cela indique qu'un courant indiquant un niveau d'isolation entre des fils parallèles de la puce de circuit intégré s'étend de 0,5 pA à 1,0 pA, qui se situe dans une plage standard de référence requise par le standard (le niveau de courant standard passant entre les fils est d'environ 1 pA lorsqu'une tension de 100 V est appliquée). Les matériaux de revêtement de puce de circuit intégré 25A et 25B ont été appliqués aux fils Al comme dans le montage d'essai de la figure 6 (c'està-dire avec l'espace de fil de 30}gym et la distance de face de 10 mm). En outre, comme représenté sur la figure 7, les caractéristiques IV entre les fils Al ont été exécutées en appliquant une tension s'étendant d'environ 0 V à 130 V. A partir du résultat, on peut voir que dans le cas de l'utilisation du matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25B sans Mn, le courant commence à augmenter à la tension critique de 20 V et continue à augmenter d'environ 0,3 pA à 1,2 pA au fur et à mesure que la tension augmente à la plage de tension moyenne d'environ 60 V à 130 V. D'autre part, dans le cas du matériau de revêtement de puce de circuit intégré 25A incluant Mn qui est plus stable contre l'oxydation et la désoxydation en comparaison avec du Fe et du Cr, comme représenté sur la figure 8, le courant est plus petit ou égal à 0,2 pA même dans la plage de tension moyenne, comme représenté sur la figure 7, qui se situe à l'intérieur de la valeur standard de référence. Etant donné que dans le dispositif d'affichage par fluorescence 1 décrit ci-dessus, un solvant d'un point d'ébullition bas s'évapore pendant le processus de séchage, peu de gaz sont produits par la couche de connexion de puce 23 après que la formation de la couche de matériau de revêtement 25 a été achevée. Par conséquent, la puce de circuit intégré 16 et sa zone avoisinante peuvent être revêtues du matériau de revêtement 25A de puce de circuit intégré. Par conséquent, il est possible d'empêcher un court-circuit provoqué par les substances étrangères conductrices ou analogue, et des défauts (une opération erronée provoquée par la lumière externe et une diffusion de Ba agencée directement en dessous d'une cathode en forme de filament) développés à une portion exposée de la puce de circuit intégré 16. Par ailleurs, lors du processus d'adhésion du matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré appliqué à la puce de circuit intégré 16, il est préférable de régler une température de séchage dans une plage d'environ 100 C à 250 C. Par conséquent, un coût de fonctionnement peut être réduit, et la couche de matériau de revêtement 25 peut être réalisée sans appliquer de charge non nécessaire à la puce de circuit intégré. En outre, en ajoutant un oxyde métallique noir incluant le Fe, Cr et/ou Mn colorant comme composant principal au matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré, un ton de couleur similaire à celui de la couche d'isolation noire 26 peut être obtenu en permettant ainsi la réalisation d'un dispositif d'affichage par fluorescence dans lequel il n'y a pas de différence de ton de couleur qui fait contraste. En mélangeant, en plus des fines particules d'oxyde métallique de coloration, de fines particules d'oxyde métallique d'une composition identique à ou différente de celle des particules d'oxyde métallique fines et également d'une taille de particule moyenne et/ou d'une forme différente de celles des fines particules d'oxyde métallique mentionnées ci-dessus; et/ou des particules fines plates d'un oxyde composite hautement isolant, comme le mica ou analogue, le matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré peut avoir une élasticité réduite, et des contraintes dues à la dilatation thermique pendant le processus de séchage peuvent être réduites, et ainsi il devient possible d'empêcher la formation de craquelures dans la couche de matériau de revêtement 25. Par ailleurs, en ajoutant de l'oxyde à base de Mn comme des particules d'oxyde métallique fines noires au matériau de revêtement 25A de la puce de circuit intégré, il est possible de réduire à un minimum le courant de fuite même dans une plage de tension d'entraînement moyenne en comparaison avec le matériau de revêtement de la puce de circuit intégré pour le dispositif d'affichage par fluorescence classique. Deuxième mode de réalisation préféré En accord avec un deuxième mode de réalisation préféré, à la place du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré utilisé dans le premier mode de réalisation préféré, on a utilisé un matériau de revêtement de la puce de circuit intégré pour un dispositif d'affichage par fluorescence fabriqué sur la base des compositions suivantes. De même, un dispositif d'affichage par fluorescence est fabriqué en utilisant un procédé identique à celui du premier mode de réalisation préféré à l'exception du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré. Même dans le cas où on utilise le matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes, les mêmes effets que ceux du premier mode de réalisation préféré peuvent être obtenus: (1) des particules d'oxyde Al fines incluant Al comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 0,3}gym: 55 g (2) des particules fines plates d'un oxyde 5 composite, c'est-à-dire du mica dont la taille de particule est d'environ 25}gym: 15 g; (3) du sol d'alumine: 10 g, et (4) de l'éthylène glycol: 20 g. Troisième mode de réalisation préféré En accord avec un troisième mode de réalisation préféré, à la place du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré utilisé dans le premier mode de réalisation préféré, on a utilisé un matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes. De même, un dispositif d'affichage par fluorescence est fabriqué en utilisant un procédé identique à celui du premier mode de réalisation préféré, à l'exception du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré. Même dans le cas d'une utilisation du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes, les mêmes effets que ceux du premier mode de réalisation préféré peuvent être obtenus: (1) de fines particules d'oxyde Al incluant Al comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 0,3}gym: 50 g, (2) de fines particules d'oxyde Al incluant Al comme composant principal, dont la taille de particule 30 est d'environ 5}gym: 20 g, (3) T0G: 15 g, et (4) éthylène glycol: 15 g. Quatrième mode de réalisation préféré En accord avec un quatrième mode de réalisation préféré, à la place du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré utilisé dans le premier mode de réalisation préféré, on a utilisé un matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes. De même, un dispositif d'affichage par fluorescence est fabriqué en utilisant un procédé identique à celui du premier mode de réalisation préféré, à l'exception du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré. Même dans le cas d'une utilisation du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes, les mêmes effets que ceux du premier mode de réalisation préféré peuvent être obtenus: (1) de fines particules d'oxyde métallique noires incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 3,5}gym: 50 g, (2) de fines particules d'oxyde métallique noires incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 25}gym: 10 g, (3) sol d'alumine: 10 g, et (4) éthylène glycol: 30g. Cinquième mode de réalisation préféré En accord avec un cinquième mode de réalisation préféré, à la place du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré utilisé dans le premier mode de réalisation préféré, on a utilisé un matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes. De même, un dispositif d'affichage par fluorescence est fabriqué en utilisant un procédé identique à celui du premier mode de réalisation préféré, à l'exception du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré. Même dans le cas d'une utilisation du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes, les mêmes effets que ceux du premier mode de réalisation préféré peuvent être obtenus: (1) de fines particules d'oxyde métallique noires incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 3,5}gym, 40 g, (2) de fines particules d'oxyde métallique noires incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 20}gym: 20 g + de fines particules d'oxyde composite dont la taille de particule est d'environ 25}gym: 10 g, (3) du sol d'alumine: 10 g, et (4) de l'éthylène glycol: 20 g. Sixième mode de réalisation préféré En accord avec un sixième mode de réalisation préféré, à la place du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré utilisé dans le premier mode de réalisation préféré, on a utilisé un matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes. De même, un dispositif d'affichage par fluorescence est fabriqué en utilisant un procédé identique à celui du premier mode de réalisation préféré, à l'exception du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré. Même dans le cas d'une utilisation du matériau de revêtement de la puce de circuit intégré fabriqué sur la base des compositions suivantes, les mêmes effets que ceux du premier mode de réalisation préféré peuvent être obtenus: (1) de fines particules d'oxyde métallique noires incluant Fe, Cr et/ou Mn comme composant principal, dont la taille de particule est d'environ 3,5}gym: 53 g, (2) de fines particules plates d'un oxyde composite, c'est-à-dire du mica, dont la taille de particule est d'environ 25}gym: 10 g, (3) du sol d'alumine: 10 g, et (4) de l'octane diol: 22g + diméthylformamide: 5 g. En accord avec un matériau de revêtement de la puce de circuit intégré de la présente invention, étant donné que les oxydes métalliques d'une taille de particule moyenne et/ou d'une forme différentes de celles des fines particules d'oxyde métallique ajoutées sont mélangées, le matériau de revêtement est d'une élasticité réduite, et des contraintes dues à la dilatation thermique provoquées pendant le processus de séchage sont également réduites. En outre, si les particules d'oxyde métallique sont de la même composition, les effets sont encore renforcés. En outre, si de fines particules plates de l'oxyde composite sont mélangées avec les particules d'oxyde métallique, les effets sont encore renforcés beaucoup plus. Un processus pour appliquer et faire adhérer le matériau de revêtement de la puce de circuit intégré, pour réaliser une couche de matériau de revêtement, est complété seulement par le processus de séchage exécuté à environ 100 C jusqu'à 250 C. Par conséquent, les coûts de fonctionnement peuvent être réduits et, en outre, la couche de matériau de revêtement peut être formée sans appliquer de charge non nécessaire à la puce de circuit intégré. De plus, dans le cas de la couche de matériau de revêtement, après que le processus de fabrication du dispositif d'affichage par fluorescence a été exécuté à une température supérieure à 400 C, l'alcoxyde métallique est décomposé, et un contenu solide est exclusivement appliqué comme couche de matériau de revêtement. Par conséquent, il est possible de protéger la portion revêtue d'un courtcircuit dans la puce de circuit intégré à cause des substances étrangères conductrices ou analogues ou de défauts produits à la portion exposée de la puce de circuit intégré (une opération erronée provoquée par la lumière externe et des électrons émis d'un filament et des effets de Ba dispersés du filament). Par ailleurs, en ajoutant des particules d'oxyde métallique noires incluant le Fe, Cr et/ou Mn colorants comme composant principal à la couche de matériau de revêtement, un ton de couleur similaire à celui d'une couche d'isolation noire peut être obtenu en permettant ainsi de réaliser un dispositif d'affichage par fluorescence avec très peu de différences de ton de couleur. En outre, en ajoutant des particules d'oxyde métallique blanches incluant du Al colorant à la couche de matériau de revêtement, un ton de couleur similaire à celui d'une couche d'isolation blanche peut être obtenu, en permettant ainsi la réalisation d'un dispositif d'affichage par fluorescence ayant très peu de différences de ton de couleur. Alors que l'invention a été représentée et décrite en se reportant aux modes de réalisation préférés, l'homme de l'art comprendra que divers changements et modifications peuvent être apportés sans s'éloigner de l'étendue de l'invention telle que définie dans les revendications suivantes. 29 REVENDICATIONS 1. Matériau de revêtement d'une puce de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend: des premières particules d'oxyde métallique; un alcoxyde métallique; un solvant organique; et des secondes particules d'oxyde métallique et/ou des particules plates d'un oxyde composite, les secondes particules d'oxyde métallique ayant une composition identique à ou différente de celle des premières particules d'oxyde métallique et ayant également une taille de particule moyenne et/ou une forme différentes de celles des premières particules d'oxyde métallique. 2. Matériau de revêtement d'une puce de circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premières et secondes particules d'oxyde métallique comprennent des particules d'oxyde d'au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué de Fe, Cr, Mn, Al et Si. 3. Matériau de revêtement d'une puce de circuit intégré selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'alcoxyde métallique est un alcoxyde Al. 4. Matériau de revêtement d'une puce de circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le solvant organique présente un point d'ébullition s'étendant d'environ 100 C à 250 C et est non volatile à température ambiante. 5. Dispositif d'affichage par fluorescence comprenant: une puce de circuit intégré, caractérisé en ce que la puce de circuit intégré est au moins partiellement revêtue d'une couche de matériau de revêtement incluant de premières particules d'oxyde métallique; un métal formant un alcoxyde de métal; et des secondes particules d'oxyde métallique et/ou des particules plates d'un oxyde composite, les secondes particules d'oxyde métallique ayant une composition identique à ou différente de celles des premières particules d'oxyde métallique et ayant également une taille de particule moyenne et/ou une forme différentes de celles des premières particules d'oxyde métallique. 6. Dispositif d'affichage par fluorescence selon la revendication 5, caractérisé en ce que les premières et secondes particules d'oxyde métallique comprennent des particules d'oxyde d'au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué de Fe, Cr, Mn, Al et Si. 7. Dispositif d'affichage par fluorescence selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que la puce de circuit intégré et tous les fils de connexion connectés à une électrode de la puce de circuit intégré sont entièrement revêtus de la couche de matériau de revêtement. 8. Dispositif d'affichage par fluorescence selon l'une des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que la couche de matériau de revêtement pour revêtir la puce de circuit intégré est noire.