Brevet FR2881835A1 — publié le 20060811

PROCEDE ET SYSTEME DE TEST OU DE MESURE D'ELEMENTS ELECTRIQUES L'invention concerne un procédé de test ou de mesure d'éléments électriques, ainsi qu'un systène correspondant. Les composants électriques, tels que les puces à semi-conducteur ou circuits intégrés, et les circuits imprimés, font l'objet de tests avant leur commercialisation. Parmi les tests effectués, certains tests permettent de déterminer la continuité de pistes conductrices ainsi que leur isolation. D'autres permettent d'évaluer la résistance de pistes conductrices. Le document US-6,369,591 Bi (Cugini et al.) décrit une méthode de test sans contact de pistes conductrices d'un substrat isolant, au moyen d'un faisceau laser. Cette méthode permet uniquement de déterminer la continuité des pistes conductrices et ne donne pas de mesure de la résistance et/ou de la capacité de ces pistes. Il en va de même pour la méthode de test décrite dans le document EP-1 233 275 A2 (Nihon Densan Read K.K.). Ce document propose différentes méthodes de détermination de la continuité des pistes selon que celtes-ci sont traversantes ou non traversantes (traversent le substrat ou non). Toutefois, ces différentes méthodes ne permettent pas de conduire une mesure de la résistance ou de la capacité de pistes conductrices, c'est-à-dire à une valeur de la résistance ou de la capacité de ces pistes. La continuité des pistes conductrices traversantes est mesurée de la manière suivante: on prélève des électrons d'une première extrémité d'une piste par effet photoélectrique, les électrons étant collectés par un collecteur porté à un potentiel unique, puis on mesure l'intensité du courant parcourant un circuit reliant ce collecteur et la seconde extrémité de la piste. On compare cette intensité de courant avec l'intensité de courant connue que l'on aurait obtenue avec une piste correspondante d'un substrat exempt de défauts ("golden board") et on déduit de cette comparaison, la continuité ou la discontinuité de la piste traversante. La continuité des pistes conductrices non traversantes est mesurée selon deux méthodes. Dans ces deux méthodes, on réalise un couplage capacitif de la piste objet du test avec une plaque positionnée du côté opposé du substrat. Selon une première méthode, on prélève des électrons à une extrémité de la piste par effet photoélectrique, on génère alors un courant entre la piste et la plaque via le collecteur, puis on mesure:L'intensité de ce courant que l'on intègre pour obtenir une valeur que l'on compare avec la valeur précédemment obtenue au moyen d'un golden board. Selon une seconde méthode, on procède de la même manière, en mesurant une intensité de courant de charge de la capacité formée entre la piste et la plaque, mais en pratiquant deux tirs laser prélevant des charges à chacune des extrémités d'une piste conductrice, par effet photoélectrique. Ici aussi, on compare les résultats obtenus avec ceux connus obtenus au moyen d'un golden board. Le document EP-1 236 052 Bl (Vaucher Christophe) décrit un procédé de test permettant de mesurer la résistance d'une piste conductrice d'un substrat isolant. Selon ce procédé, on dispose, en regard et à proximité du conducteur à tester, une plaque munie d'une pluralité de zones conductrices susceptibles d'être portées individuellement à des potentiels électriques quelconques ajustables. On applique alors un faisceau de particules, notamment un faisceau laser, sur un premier point du conducteur en vue de lui arracher des électrons, par effet photoélectrique. En parallèle, on injecte des électrons en un second point du conducteur, en produisant ainsi une circulation de courant électrique dans ce conducteur. L'intensité du courant entre les deux pointas est alors mesurée et on en déduit la résistance du conducteur, par application de la loi d'Ohm: U = R x I. Toutefois, la mise en oeuvre de ce procédé s'avère complexe. En effet, les durées d'impulsion des lasers utilisés sont communément de l'ordre de quelques ns. Dès lors, mesurer un courant I = U/R sur une telle durée nécessite une électronique fonctionnant à quelques GHz, qui est très coûteuse. En outre, le travail à ces fréquences élevées fait apparaître des difficultés liées à la self- inductance des circuits sous test, qui sont nuisibles à la mesure. Compte tenu de l'état de la technique, l'invention vise un procédé de test ou de mesure d'éléments électriques, ainsi qu'un système mettant en oeuvre ce procédé, qui ne nécessitent pas la mesure directe d'une intensité de courant entre deux points de test et qu., par suite, ne nécessitent pas une électronique fonctionnant à quelques GHz, faisant apparaître des difficultés liées à la self-inductance des circuits sous test, qui sont nuisibles à la mesure, tout en étant très onéreuse. Cet objectif est atteint par la prévision d'un procédé de test ou de mesure d'éléments électriques, dans lequel un faisceau de particules est appliqué à un premier emplacement d'un élément électrique, des charges électriques sont libérées sous l'effet de l'application du faisceau de particules, les charges électriques libérées sont collectées par un collecteur, la quantité de charges électriques collectées est mesurée, et une caractéristique électrique de l'élément électrique est déduite de la mesure de la quantité de charges électriques collectées. Selon un mode de réalisation, le faisceau de 105 particules est un faisceau laser. Selon un mode de réalisation, l'élément électrique est une piste conductrice intégrée à ou déposée sur un substrat isolant et comprend, en chacune de ses deux extrémités, une plage métallique. Selon un mode de réalisation, le premier emplacement est une plage métallique. Selon un mode de réalisation, la plage métallique est de type C4. Avantageusement, la mesure de la quantité de charges collectées est assurée par un dispositif de mesure de charges collectées comprenant une capacité, et la mesure de la quantité de charges collectées est réalisée par la mesure de la charge de cette capacité Selon un mode de réalisation, un ensemble de remise à zéro synchronise la mesure de la quantité de charges collectées à l'impulsion du faisceau de particules. Selon un mode de réalisation, on injecte des charges à un second emplacement de l'élément électrique de manière à compenser la perte de charges prélevées sous l'action du faisceau de particules, et on mesure la quantité de charges injectées au moyen d'un dispositif de mesure des charges injectées. Selon un mode de réalisation, la capacité de l'élément électrique est déduite de la quantité de 130 charges injectées. Selon un mode de réalisation, la caractéristique électrique est la résistance électrique ou la capacité de l'élément électrique. Selon un mode de réalisation, la caractéristique électrique est la continuité électrique de l'élément électrique ou l'isolement électrique de l'élément électrique par rapport à un autre élément électrique. L'invention concerne également un système de test ou de mesure d'éléments électriques, comprenant des moyens pour générer un faisceau de particules appliqué à un premier emplacement d'un élément électrique, l'application du faisceau au premier emplacement ayant pour effet une libération de charges électriques, un collecteur des charges électriques libérées, un dispositif de mesure de la quantité de charges électriques collectées, et des moyens pour déduire, de la mesure de la quantité de charges électriques collectées, une caractéristique électrique de l'élément électrique. Selon un mode de réalisation, le système comprend des moyens pour générer une impulsion précédant le début du tir du faisceau de particules, l'impulsion formant une entrée d'un ensemble de remise à zéro du dispositif de mesure de la quantité de charges collectées par le collecteur. Selon un mode de réalisation, le système comprend une source destinée à une injection de charges à un second emplacement de l'élément électrique de manière à compenser la perte de charges prélevées sous l'action du faisceau de particules. Selon un mode de réalisation, le système comprend un dispositif de mesure de la quantité de charges injectées. Selon un mode de réalisation, le système comprend une capacité et la mesure de la quantité de charge collectée est réalisée par la mesure de la charge de la capacité. Selon un mode de réalisation, le système est agencé pour déduire une caractéristique électrique qui est la résistance électrique ou la capacité électrique de l'élément électrique. Selon un mode de réalisation, le système est agencé pour déduire une caractéristique électrique qui est la continuité électrique de l'élément électrique ou l'isolement électrique de l'élément par rapport à un autre élément électrique. Selon l'invention, la quantité de charges collectées varie principalement en fonction de deux paramètres, qui sont la résistance de l'élément électrique et sa capacité. Si l'on connaît la valeur de la capacité, ou alors, de la résistance de l'élément, ou si l'on peut s'affranchir de la connaissance de l'un de ces deux paramètres par exemple en pratiquant des doubles mesures ou en disposant d'une bonne approximation de l'un deux à partir de données de conception de l'élément électrique objet du test, la quantité de charges collectées lors de l'application du faisceau de particules est fonction uniquement de cette résistance et/ou de cette capacité, c'est-à-dire de la caractéristique électrique que l'on cherche à mesurer. Il n'est par suite pas nécessaire de mesurer la résistance de l'élément électrique à partir d'une intensité de courant parcourant l'élément, comme cela est le cas dans le document: EP-1 236 052 B1 précité. L'électronique de mesure en est considérablement simplifiée. Elle est susceptible de fonctionner selon dés bandes passantes de l'ordre de quelques kHz, soit selon des bandes passantes dont l'ordre de grandeur est six fois moindre que la bande passante de fonctionnement d'une électronique de mesure procédant par mesure de l'intensité de courant parcourant des pistes conductrices, comme dans l'état de la technique. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description suivante d'un exemple de mise en oeuvre du 2881835 7 procédé de l'invention et de réalisation d'un système selon l'invention, faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: 205 - la figure lA représente,, de manière schématique, un mode de réalisation d'un système selon l'invention, pour la mesure de la résistance et/ou de la capacité d'une piste conductrice du type C4-BGA traversant un substrat, 210 - la figure 1B représente, de manière schématique, un mode de réalisation d'un système selon l'invention, pour la mesure de la résistance et/ou de la capacité d'une piste conductrice non traversante du type C4-C4, - la figure 2 est un schéma électrique de l'ensemble 215 formé par la piste conductrice et le collecteur, dans un système selon l'invention, - les figures 3A et 3B illustrent l'évolution de la tension d'une plage métallique pendant et après un t=_r laser ainsi que l'évolution de la charge collectée, en 220 fonction du temps, pour différentes valeurs de résistances de la piste et une première valeur de:_a capacité de la piste, - les figures 4A et 4B illustrent l'évolution de:_a tension d'une plage métallique pendant et après un t__r 225 laser ainsi que l'évolution de la charge collectée, en fonction du temps, pour différentes valeurs de résistances de la piste et une deuxième valeur de la capacité de la piste, - les figures 5A et 5B illustrent l'évolution de:La 230 tension d'une plage métallique pendant et après un t_Lr laser ainsi que l'évolution de la charge collectée, en fonction du temps, pour différentes valeurs de résistances de la piste et une troisième valeur de:_a capacité de la piste, 235 - la figure 6 illustre la variation de la charge collectée par un collecteur d'un système selon l'invention, en fonction de la résistance de la piste, pour différentes valeurs de capacité de celle-ci, - la figure 7 est un diagramme fonctionnel du 240 système de mesure selon l'invention, - la figure 8A est un diagramme fonctionnel d'une réalisation particulière de l'ensemble de remise à zéro du système selon l'invention, - la figure 8B illustre les différents signaux 245 générés par une réalisation particulière de l'ensemble de remise à zéro du système selon _L'invention, - la figure 9 est un diagramme fonctionnel d'une réalisation particulière du dispositif de mesure du système selon l'invention, placé du côté de la masse, et 250 -la figure 10 est un diagramme fonctionnel d'une réalisation particulière du dispositif de mesure du système selon l'invention, placé du côté collecteur. Le procédé et le système selon l'invention permettent de tester des éléments électriques tels que 255 des composants actifs ou passifs, discrets ou intégrés à un substrat de type circuit imprimé, puce à semiconducteur ou circuit électronique sur substrat vitreux utilisé pour réaliser les écrans plats. Ils permettent également de déterminer une 260 caractéristique électrique de l'élément électrique testé. Il s'agit notamment de la continuité électrique, de la résistance électrique ou de la capacité électrique de l'élément électrique objet du test, ou de l'isolement électrique de l'élément par rapport à un autre élément ou 265 à un groupe d'autres éléments reliés entre eux. L'élément électrique est par exemple une piste conductrice intégrée à ou déposée sur un substrat isolant et munie, en chacune de ses extrémités, d'une plage métallique plane ou de toute autre forme géométrique. Le substrat isolant est 270 par exemple un substrat de circuit imprimé à très haute densité, ou circuit imprimé HDI (High Densit.y Interconnect) que l'on trouve dans la plupart des objets électroniques nomades tels que les téléphones cellulaires, les baladeurs MP3, les lecteurs de CD ou de 275 DVD ou les appareils photographiques numériques, et aussi dans la composition des boîtiers pour les puces à semi-conducteurs tels que les microprocesseurs ou lets mémoires, les circuits imprimés correspondants étant appelés "IC package substrates" (substrats de boîtier à 280 circuit intégré) ou "chip carriers" (supports de puce). Ces substrats comportent une forte densité de pistes conductrices métalliques imprimées, ces pistes ayant parfois une largeur inférieure à quelques dizaines c.e microns et des pas, entres deux pistes, de moitié moins, 285 les plages métalliques accessibles au test ayant des dimensions inférieures à 100 m. Toutefois, l'invention s'applique également à tous types de substrats présentant des pistes conductrices disposées sur un ou plusieurs niveaux tels que les substrats formant les écrans plats à 290 cristaux liquides ou à plasma, ainsi que les puces à semi-conducteurs avant encapsulation. En outre, l'invention s'applique également au test de cartes équipées de composants, appelé test in situ, au test de continuité et d'isolement et au test de valeurs de 295 composants passifs comme les résistances ou les capacités. En pratique, la mesure de:La résistance et/ou de la capacité des pistes conductrices d'un substrat isolant vise à vérifier, notamment, la continuité des pistes 300 ainsi que leur isolement, en vue de tester le réseau d'interconnexions que compose l'ensemble des pistes conductrices éventuellement réparties sur plusieurs couches d'isolant du substrat, et reliées par des trous métallisés ou vias. 305 Dans l'exemple des figures lA et lB, le substrat 1 objet du test est un chip carrier du type éclateur, qui est destiné à ramener à un pas de circuit imprimé traditionnel, de l'ordre du millimètre entre points, un composant électronique du type puce à semi-conducteur 310 présentant une densité de connexion beaucoup plus élevée. Les pistes conductrices 2, 3 du substrat 1 sont positionnées à sa surface (piste 3), à sa face supérieure ou à sa face inférieure, ou sont traversantes (piste 2') et rejoignent les deux faces du substrat. Chaque 315 extrémité d'une piste conductrice comporte une place métallique. Les plages métalliques sont localisées aux faces supérieure (plages 4, 4-1, 4-2) et inférieure (plages 5) du substrat 1. Les plages localisées à la face supérieure du substrat permettent notamment un montage en 320 flip-chip (en puce retournée) de la puce. Elles sont par exemple du type C4 pour "Controlled Collapsed Chip Connection" (connexion à la puce avec contrôle d'écrasement). Dans ce cas, elles sont formées d'un alliage métallique de type plomb - étain ou d'un alliage 325 équivalent sans plomb. Les plages 5 localisées à la face inférieure du substrat sont du type BGA pour "Bali Grid Array" (matrice à grille de billes). Les plages métalliques du type C4, de même que les plages métalliques du type BGA, forment des plots 330 d'interconnexion arrangés sous forme matricielle à la surface du substrat 1. Les pistes conductrices faisant l'objet d'une mesure de résistance selon l'invention sont soit des pistes ncn traversantes du type C4-C4, reliant deux plages 335 métalliques de type C4 à la face supérieure du substrat, soit des pistes non traversantes du type BGA-BGA, reliant deux plages de type BGA à la face inférieure du substrat:, soit des pistes traversantes de type C4-BGA, reliant une plage métallique C4 à la face supérieure du substrat à 340 une plage BGA à la face inférieure de ce substrat ou, plus généralement, tous autres types de pistes traversantes. Selon un mode de mise en oeuvre particulier de l'invention représenté sur la _Figure 1A, un faisceau de 345 particules 6 est appliqué à uii emplacement d'une piste conductrice traversante 2, l'emplacement étant formé par une plage 4 du type C4 constituant l'extrémité de la piste dont on souhaite mesurer la continuité, 1a résistance et/ou la capacité. Ce faisceau de particules 350 est par exemple un faisceau laser 6 fourni par un laser à impulsions de type YAG, multiplié en fréquence selon un facteur cinq, dont la durée d'impulsion est préférentiellement de l'ordre de quelques ns. L'énerg_e du laser est mesurée au moyen d'un calorimètre 14 relié à 355 un dispositif de mesure 15 de l'énergie du laser. Une plaque horizontale est positionnée sur le chem__n du faisceau laser 6, à proximité du substrat sensiblement parallèlement à ce substrat 1 Cette plaque est portée à une tension positive Vc, au moyen d'un 360 générateur 7 mis à la masse 8. Ainsi, elle constitue un collecteur 9 apte à collecter les électrons libérés par les pistes conductrices, lorsque ces dernières sont soumises au faisceau laser 6. Ce collecteur 9 est relié, selon l'invention, à un premier dispositif 10 de mesure 365 de la charge collectée, qui est décrit dans la suite du présent exposé selon l'invention. Pour la mesure de la résistance et/ou de la capacité de la piste traversante 2, la plage métallique 5, située à l'autre extrémité de la piste 2, est reliée à une 370 source infinie d'électrons 11. Cette source est placée sous la plage métallique inférieure 5 de la piste 2, à ._a face inférieure du substrat 1. Elle peut être constituée d'un lit de clous muni d'une électronique d'adressage, d'un élastomère à conduction anisotrope, d'une cathode à 375 micro-pointes, d'une cathode à nano-tubes de carbone ou d'un deuxième faisceau laser produisant un effet photoélectrique inverse. Elle est reliée, selon l'invention, à un deuxième dispositif de mesure 12 et à la masse 13. De même que le premier dispositif de mesure 380 10, ce deuxième dispositif de mesure 12 fait l'objet d'une description détaillée dans la suite du présent exposé selon l'invention. Lorsque le faisceau 6, de faible longueur d'onde, en pratique dans le domaine des ultraviolets, atteint].a 385 plage 4, des électrons sont libérés par la plage, par effet photoélectrique. Ces électrons sont collectés par le collecteur 9. Sous l'action du faisceau 6 de particules, le dipôle formé par la plage métallique 4 et le collecteur 9 est 390 traversé par un courant électrique. Ce courant dépend de l'énergie du faisceau de particules et de la tension du collecteur 9 selon une loi I (V) dont la forme dépend de la géométrie de la plage et de l'éventuelle présence d'une charge d'espace. 395 A la figure 2, on a schématisé le circuit électrique équivalent constitué par l'ensemble formé de la piste conductrice 2 munie de la plage 4 et du collecteur 9 porté à une tension positive Vc. La piste conductrice 2 peut être modélisée par un circuit de capacité C et de 400 résistance R, soumis à une tension V. Elle est supposée mise à la masse par la source d'électrons 11. Dans le cas d'une plage métallique plane et en présence d'une charge d'espace, le courant circulant entre la plage métallique 4 et le collecteur 9, obéit à la loi de Langmuir et est 405 conforme à l'équation suivante I (V) = kV3/2 qui n'est donnée qu'à titre indicatif, compte tenu du 410 fait qu'elle n'est caractéristique que du dipôle considéré puisqu'elle est spécifique de la géométrie de ce dipôle ainsi que de la géométrie du faisceau 6. Une simulation numérique est réalisée sur la base de ce circuit électrique particulier. Ce circuit répond aux 415 équations suivantes: I = K(V -V)312 K 4EO* *7 9 [21"2 m4dz bV = (V-V)3/2 K _ V 8t C c RC K 3iz V Vt+or = +At*( (V V) V)r Les paramètres utilisés dans la simulation sont décrits par le tableau 1 ci-après. Tableau 1 m (masse de l'électron) 9 x 10-31 kg q (charge de l'électron) 1, 6 x 10-19 C ao (permittivité du vide) 8,84643 x 10-12 F/m Vc (tension du collecteur) 60 V d (distance entre plage/collecteur) 100 gm D (diamètre du faisceau laser) 100 gm Jdiocie (densité de courant entre la 1 5 2 plage et le collecteur) ,6 x 10 A/m diode (charges collectables pendant 1,28 mA l'impulsion, la plage métallique étant mise à la masse) Vitesse de la lumière 300.000 km/s E(laser) 10 J DI (durée d'impulsion) 4 ns b (rendement photoélectrique) 1,00 x 10-5 h (constante de Planck) 6,63 x 1034 J/s À (longueur d'onde des photons) 213 nm E (énergie par photon) 9,3 x 10-18 J Np (Nombre total photons générés 1,1 x 1013 par impulsion) Ne (nombre total d'électron générés 1,1 x 108 par impulsion) I photoélectrique pendant 4,28 mA l'impulsion Charges émises pendant l'impulsion 17,1 pC Charge d'espace en transit 0,15 pC Les courbes V1, V2, V3 et V4 des figures 3A et 13B 425 illustrent l'évolution de la tension Vp en Volt de la plage 4 après un tir laser en fonction du temps t en na, pour différentes valeurs de résistances R1 = 10 Ohms, R2 = 1000 Ohms, R3 = 1 MOhms et R4 = 1000 GOhms de la pis:e dont la capacité est C = 10 fF, dans le cas d'une 430 simulation tenant compte des paramètres du tableau 1. Les courbes V',, V', , V', et V', de la figure 4A ainsi que celles V''1, V''2, V''3 et V''4 de la figure 5A illustrent ces mêmes évolutions, pour des mêmes valeurs de résistances R1, R2, R3 et R4 de la piste, mais pour des 435 capacités C de la piste égales à, respectivement, 100 EF et 1 pF, et ce, en fonction des mêmes paramètres du tableau 1. Les courbes Q1, Q2, Q3 et Q4 de la figure 3B illustrent l'évolution de la charge collectée Q en pC en fonction du temps t en ns, pour les différentes valeurs 440 précitées R1, R2, R3 et R4 de la piste, dont la capaci:é est C = 10 fF, dans le cas d'une simulation tenant comp:e des paramètres du tableau 1. Les courbes Q',, Q',, Q', et Q', de la figure 4B ainsi que celles Q" I, , Q' ' 2, Q", et Q", de la figure 5B illustrent ces mêmes évolution:;, 445 pour des mêmes valeurs de résistances R1, R2, R3 et R4 de la piste, mais pour des capacités C de la piste égales L, respectivement, 100 fF et lpF. On constate que, pour des résistances très élevées (R = 1000 GOhms) , la tension Vp augmente puis diminue 450 très lentement dans le temps. Par contre, pour des résistances très faibles (R = 10 Ohms), la tension Vp rie change pratiquement pas et reste proche de 0 V. Pour des résistances intermédiaires (R = 1000 Ohms ou 1 MOhms), la tension du plage 4 augmente pour atteindre une valeur 455 maximale vers 4 ns, puis diminue progressivement et ce, pour les valeurs de capacité testées. Dans tous les cas, la charge collectée augmente dans le temps. Cette charge est fonction de la résistance. Pratiquement, plus la résistance est faible, plus la charge collectée est 460 importante. C'est l'élévation du potentiel pendant le tir qui explique la variation de la charge collectée. A la figure 6, les courbes QA, QB, Qc, QD et QE illustrent l'évolution de la charge Q collectée par le collecteur en pC en fonction de la résistance de la piste 465 en Ohms, pour, respectivement, les valeurs de capacités C de la piste suivantes: 1 fF, 10 fF, 100 fF, 1 pF et 1.0 pF. Ainsi que cela est montré dans cette figure, la charge collectée est fonction de la résistance de la piste. Plus la résistance est forte, plus la charge 470 collectée est faible. Les courbes ont toutes un mên.e profil en S inversé et présentent par suite chacune un point d'inflexion. Plus la capacité est faible, plus ce point d'inflexion est bas. Ainsi, si l'on connaît la quantité de charges 475 collectées par un collecteur, et: la capacité d'une piste, il est possible de déduire la résistance de cette piste. Cette quantité de charges est la quantité de charges circulant effectivement dans les pistes objet du test. Elle est mesurée directement et non pas simplement 480 évaluée à partir d'une intensité de courant que l'on aurait intégrée. La même procédure peut être appliquée pour le test des pistes non traversantes. Dans ce cas, ainsi que cela est représenté sur la 485 figure 1B, le faisceau laser 6 est appliqué à un emplacement de la piste conductrice non traversante 3 dont on souhaite mesurer la résistance et/ou la capacité, et, plus spécifiquement, à l'extrémité de la piste formée par la plage métallique 4-1. 490 Afin de mesurer la résistance et/ou la capacité de la piste 3, la plage métallique 4-2 est reliée à une source infinie d'électrons 11. Cette source d'électrons 11 est, par exemple, disposée sur la plage métallique 4-2 de la piste considérée, à la face supérieure du substrat 495 1. Elle est constituée par une cathode à micro pointes, une cathode à nano tubes de carbone ou un deuxième faisceau laser produisant un effet photoélectrique inverse. Elle est reliée, selon l'invention, au second dispositif de mesure 12 et à la masse 13. 500 De même que dans le cas de la figure 1A, lorsque le faisceau 6 atteint la plage métallique 4-1, des électrons sont libérés par la plage, par effet photoélectrique. Cers électrons sont collectés par le collecteur 9. Le principe de la mesure est alors identique au 505 principe de mesure des pistes traversantes décrit plus haut. La figure 7 est un schéma montrant les différents blocs fonctionnels du système de mesure selon l'invention. Ainsi que cela est montré dans cette figure, 510 ce système comprend des moyens pour générer une impulsion 16 positive fournie par l'alimentation du laser et dont le front ascendant correspond au début de l'allumage du tir laser. Il comprend en outre un ensemble 17 de remise à zéro des dispositifs de mesure, le dispositif 12 de 515 mesure situé du côté masse, le dispositif 10 de mesure situé du côté collecteur, le dispositif 15 de mesure de l'énergie du laser ainsi qu'une carte d'acquisition 18. L'impulsion 16 constitue l'entrée de l'ensemble 17 de remise à zéro des dispositifs de mesure. Le signal de 520sortie T5 de l'ensemble 17 constitue un signal de remise à zéro appliqué à l'entrée des dispositifs 10, 12 et 15. Le signal de sortie T3 de l'ensemble 17 constitue un signal de recharge de capacités du dispositif 10. D'autres signaux d'entrée des dispositifs 12, 10 et 7.5 525 proviennent de la source d'électrons il, du collecteur 9, du générateur 7 et du calorimètre 14. En outre, une commande 34, qui sera détaillée au regard de la figure 10, est appliquée à l'entrée du dispositif 10. Les signaux de sortie des dispositifs 12, 10 et].5 530 constituent des signaux d'entrée de la carte d'acquisition 18. En addition de l'impulsion 16 synchrone du début de tir laser, le système de mesure selon l'invention suppose la génération de signaux carrés Tl, T2, T3, T4 et T5 535 montrés à la figure 8A. Cette figure est un diagramme fonctionnel de l'ensemble 17 de remise à zéro. Tl est un signal de traitement. T2 correspond à un signal de remise à zéro. T3 correspond à un signal de recharge de capacités Cl, C2 et C3 du collecteur montrées à la figure 540 10, qui seront définies dans la suite de la présente description. T4 est un signal de calibration du système de mesure. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, l'ensemble de remise à zéro comprend quatre retardateurs 19, 20, 21 et 22 ainsi que des moyens 23 de 545 mise en forme du signal T2. Le premier retardateur:L9 génère le signal Tl à partir de l'impulsion 16 synchrone du début de tir laser. Le second retardateur 20 génère:Le signal T2 à partir de cette même impulsion 16. Le troisième retardateur 21 génère le signal T3 à partir du 550 signal Tl. Le quatrième retardateur 22 génère le signal T4 à partir du signal T2. Les moyens 23 de mise en forme du signal T2 permettent de générer, à partir du signal T2, le signal T5. L'impulsion 16 synchrone du début de tir laser est 555 utilisée pour déclencher les signaux Tl et T2. L'impulsion laser 24 elle-même apparaît 210 gs après:_e front montant de l'impulsion 16. le front descendant de Tl déclenche l'impulsion T3 qui sera utilisée pour recharger les capacités Cl, C2 et C3 (figure 10). Le front 560 descendant du signal T2 déclenche le signal T4, qui est utilisé pour le calibrage du système de mesure. Le signal T2 détermine la durée de la remise à zéro des circuits du dispositif câblés en amplificateur de charge. Selon un mode de réalisation particulier du système 565 de mesure illustré sur la figure 8B, visant notamment l'utilisation d'un laser pompé par flash, les fronts montants des signaux Tl et T2 sont synchrones avec 7.e front montant de l'impulsion 16 synchrone du début de flash laser. Le front montant du signal T3 est synchrone 570 avec le front descendant du signal Tl. La durée du signal Tl est égale à 1 ms. La durée du signal T2 est de 190 s. La durée du signal T3 est de 20C) s. La figure 9 est un diagramme fonctionnel du dispositif 12 de mesure du système selon l'invention, 575 placé du côté de la masse. Ce dispositif 12 comprend un circuit 25 de mesure de charges, un premier filtre 26, un amplificateur 27 de gain 10, un second filtre 28 et un suiveur 29. En entrée du circuit 25, on a le signal T5 de remise à zéro, le signal d'entrée de la mesure de 580 charges, qui provient de la source d'électrons 11, et un signal de correction de dérive 30. Le signal de sortie du circuit 25 de mesure de charge est filtré par le premier filtre 26. Le signal filtré 31 ainsi obtenu correspond à un signal de sortie du dispositif 12. Il peut être 585 amplifié par l'amplificateur 27 et de nouveau filtré par le filtre 28 pour délivrer un signal amplifié 32. Le suiveur 29 reprend le signal de sortie filtré par le second filtre, le signal obtenu en sortie constituant une entrée de la carte d'acquisition 18. 590 En pratique, le dispositif 12 comprend des circuits dont un premier circuit est un amplificateur opérationnel, l'amplificateur étant câblé en intégrateur. Cet amplificateur se caractérise par une impédance d'entrée Ze très élevée et par un courant d'entrée ie 595 très faible. Un autre circuit: permet d'injecter le signal de correction de dérive 30 sur l'entrée "moins" de l'amplificateur via une résistance de manière à optimiser la dérive de l'amplificateur. Si la capacité d'intégration est Ci, la sensibilité, exprimée en coulorr.b 600 par volt, est égale à Ci. Cette sensibilité a été choisie égale à Ci = 10 pF. Si Vs est la tension de sortie de l'intégrateur après un tir, la quantité d'électricité çm mesurée est alors Qm = Vs x 1011 C. La mesure de la quantité d'électricité transitant par la source infinie 605 d'électrons est réalisée par la mesure de la quantité d'électricité transportée par le courant de charge (ou de décharge) d'une capacité injecté à une entrée de l'amplificateur opérationnel, via une résistance. La figure 10 a trait au dispositif 10 de mesure du 610 système selon l'invention, placé du côté collecteur 9. Ce dispositif comprend un circuit de commutation 33 0/Vc de haute impédance actionné par une commande 34, une enceinte à vide dont une paroi est référencée 35 et, de même que le dispositif de mesure 12 côté masse, un 615 circuit 36 de mesure de charge auquel sont appliqués =_e signal T5 et un signal 43 de correction de dérive, un premier filtre 37, qui délivre le signal 38 représentant la charge mesurée sur le collecteur 9, un amplificateur 39 de gain 10, un second filtre 40 délivrant un signal 620 amplifié 41 d'un facteur 10 et un suiveur 42. Le fonctionnement de ce dispositif est similaire à celui du dispositif de mesure 12. Toutefois, ce circuit permet de calculer la quantité de charges collectées par le collecteur 9. En effet, la tension Vs de sortie est 625 donnée par Vs = 1 / Ci x Si x dt où Si x dt est 1a quantité d'électricité Q collectée à l'entrée du système. Donc S = Q/V = Ci avec Ci = 10 pF. Pendant la remise à zéro des circuits de mesure, si la commande 34 est inactive, le collecteur 9 est porté à la tension Vc par 630 le circuit 33 au travers des résistances R1 et R,. Pendant l'impulsion laser, la commande 34 étant toujours inactive, ce circuit 33 isole le collecteur 9 du générateur 7. Les capacités Cl, C2, et C3 délivrent alors un courant nécessaire à la mesure. Après l'impulsion 635 laser, si la commande 34 est inactive, le signal T3 recharge ces capacités C1, C2 et. C3 au travers du circuit 33. Pendant la remise à zéro des circuits de mesure, si la commande 34 est active, le collecteur 9 est mis à ].a masse par le circuit 33 au travers des résistances R1 et 640 R2. Pendant l'impulsion laser, la commande 34 étant toujours active, ce circuit 33 isole le collecteur 9 du générateur 7. Les capacités C1, C2, et C3 se chargent et délivrent alors un courant nécessaire à la mesure. Après l'impulsion laser, si la commande 34 est active, 1e 645 signal T3 re-décharge ces capacités C1, C2 et C3 au travers du circuit 33. Cette configuration est utilisée pour remettre à zéro le potentiel des pistes comme décrit plus loin. De même que pour le dispositif 12, le dispositif 10 650 comprend, en pratique, des circuits dont un premier circuit est un amplificateur opérationne=_, l'amplificateur étant câblé en intégrateur. Cet amplificateur se caractérise par une impédance d'entrée Ze très élevée et par un courant d'entrée ie très faible. 655 Un autre circuit permet d'injecter le signal 43 de correction de dérive sur l'entrée "moins" de l'amplificateur via une résistance de manière à optimiser la dérive de l'amplificateur. Si la capacité d'intégration est Ci, la sensibilité, exprimée en coulomb 660 par volt, est égale à ci. Dans le cas de la mesure côté collecteur, cette sensibilité a été choisie égale à Ci = 10-1L F. Si Vs est la tension de sortie de l'intégrateur après un tir, la quantité d'électricité Qm mesurée est alors Qm = Vs x 10-11 C. La mesure de la quantité 665 d'électricité transitant par le collecteur est réalisée par la mesure de la quantité d'électricité transportée par le courant de charge (ou de décharge) d'une capacité injecté à une entrée de l'amplificateur opérationnel, via une résistance. 670 En définitive, selon l'invention, pour chaque piste, trois mesures sont effectuées. Une première mesure vise à vérifier la continuité de la piste. Cette première mesure s'accompagne normalement d'une mesure de la résistance de la piste. Pour la mise 675 en oeuvre de cette première mesure, on utilise l'effet photoélectrique sur une des plages métalliques de la piste et une source d'électrons sur l'autre plane métallique. Cette mesure est. basée sur la charge collectée à chaque tir, cette charge dépendant de la 680 résistance de la piste. La mesure est effectuée au moyen des dispositifs de mesure décrits ci-dessus. La mesure de la résistance est réalisée grâce à la connaissance de:La caractéristique du dipôle photoélectrique et/ou d'abaques ou des calculs donnant la charge collectée en fonction de 685 la résistance du circuit. Elle est calibrée à chaque t:Lr par la mesure de l'énergie incidente. Pour des fortes valeurs de résistances et/ou de capacités des pistes, :La mesure est effectuée en suivant l'évolution temporelle de la charge collectée sur le circuit de mesure. Un moyen 690 simple d'accéder à la valeur de la capacité de la piste est également la mesure de charge collectée lorsque:La piste est complètement chargée après un tir. En effet, si Q est cette charge, V la tension de collecteur, et C:La capacité de la piste, alors C = Q/V. Pour pouvoir 695 utiliser cette relation, il faut connaître le potentiel initial de la piste, ce qui est réalisé par la "mise à zéro" du potentiel de la piste. A cet effet, :Le collecteur est mis à la masse dans cette phase préliminaire qui se déroule juste avant le ou les tirs de 700 décharge, comme expliqué plus haut en relation avec:La commande 34. Une seconde mesure vise à vérifier l'isolement primaire de la piste par rapport à toutes les autres pistes du réseau d'interconnexions, reliées entre elles 705 ou à un même potentiel. Enfin, une troisième mesure vise à vérifier l'isolement secondaire de la piste par rapport à toutes autres prises individuellement, séquentiellement. Cette troisième mesure n'est effectuée que si les résultats de 710 la seconde mesure montrent que la piste n'est pas correctement isolée dans le réseau d'interconnexions. Selon l'invention, on dispose ainsi d'un système de mesure de quantité d'électricité dont la précision est de l'ordre du 10 % dont la dynamique peut s'étendre de 10' 715 à 10-8 Coulomb.. Bien entendu, l'invention ne se limite pas au mode de réalisation décrit ci-dessus.. En particulier, pour la mise en oeuvre de l'invention, il est possible d'utiliser des lasers 720 continus au lieu d'un laser à impulsions. Il est même possible d'utiliser d'autres moyens que le laser pour induire une libération d'électrons au niveau des pistes conductrices. Il peut s'agir par exemple de canons à électrons ou ions. Les électrons ne sont alors pas 725 libérés par effet photoélectrique. Néanmoins, le principe de la mesure reste le même. REVENDICATIONS 1. Procédé de test ou de mesure d'éléments électriques (2, 3), caractérisé en ce que: un faisceau (6) de particules est appliqué à un premier emplacement (4, 4-1) d'un élément électrique (2, 3), des charges électriques sent libérées sous l'effet de l'application du faisceau (6) de particules, les charges électriques libérées sont collectées par un collecteur (9), la quantité de charges électriques collectées est mesurée, et une caractéristique électrique de l'élément électrique est déduite de la mesure de la quantité de charges électriques collectées. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le faisceau (6) de particules est un faisceau laser. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel l'élément électrique (2, 3) est une piste conductrice intégrée à ou déposée sur un substrat isolant (1) et comprend, en chacune de ses deux extrémités, une plage métallique. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le premier emplacement est une plage métallique (4, 4-1). 5. Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel la plage métallique (4, 4-1) est de type C4. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la mesure de la quantité de charges collectées est assurée par un dispositif (10) de mesure de charges collectées comprenant une capacité, et la mesure de la quantité de charges collectées est réalisée par la mesure de la charge de cette capacité. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel un ensemble (17) de remise à zéro synchronise la mesure de la quantité de charges collectées à l'impulsion (16) du faisceau (6) de particules. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on injecte des charges à un second emplacement (4-2, 5) de l'élément électrique (2, 3) de manière à compenser la perte de charges prélevées sous l'action du faisceau de particules et en ce que l'on mesure la quantité de charges injectées au moyen d'un dispositif de mesure des charges injectées (12). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la capacité de l'élément électrique est déduite de la quantité de charges injectées. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la caractéristique électrique est la résistance électrique ou la capacité de l'élément électrique. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à c, dans lequel la caractéristique électrique est la continuité électrique de l'élément électrique cu l'isolement électrique de l'élément électrique par rapport à un autre élément électrique. 12. Système de test ou de mesure d'éléments électriques (2, 3), caractérisé en ce qu'il comprend: des moyens pour générer un faisceau (6) de particules appliqué à un premier emplacement (4, 4-1) d'un élément électrique (2, 3), l'application du faisceau (6) au premier emplacement ayant pour effet une libération de charges électriques, un collecteur (9) des charges électriques libérées, un dispositif (10) de mesure de la quantité de 10 charges électriques collectées, et des moyens pour déduire, de la mesure de la quantité de charges électriques collectées, une caractéristique électrique de l'élément électrique. 13. Système selon la revendication 12, comprenant des moyens pour générer une impulsion (16) précédant le début du tir du faisceau de particules, l'impulsion (16) formant une entrée d'un ensemble (17) de remise à zéro du dispositif (10) de mesure de la quantité de charges collectées par le collecteur (9). 14. Système selon l'une des revendications 12 ou comprenant une source (11) destinée à une injection de charges à un second emplacement (4-2, 5) de l'élément électrique (2, 3) de manière à compenser la perte de charges prélevées sous l'action du faisceau de particules. 15. Système selon la revendication 14, comprenant un 30 dispositif (12) de mesure de la quantité de charges injectées. 16. Système selon l'une des revendications 12 à 15, comprenant une capacité et dans lequel la mesure de].a quantité de charge collectée est réalisée par la mesure de la charge de la capacité. 17. Système selon l'une des revendications 12 à 16, agencé pour déduire une caractéristique électrique qui est la résistance électrique ou la capacité électrique de l'élément électrique. 18. Système selon l'une des revendications 12 à 16, agencé pour déduire une caractéristique électrique qui est la continuité électrique de l'élément électrique ou l'isolement électrique de l'élément par rapport à un autre élément électrique.