Brevet FR2880481A1 — publié le 20060707

SR 26227 JP/CS CIRCUIT ONDULEUR DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne des circuits onduleurs, et en particulier, la configuration d'un circuit qui élimine le bruit généré par des opérations de commutation d'un commutateur de puissance à semi-conducteurs, et qui empêche des opérations erronées de survenir du fait du bruit. DESCRIPTION DE L'ART CONNEXE Dans un circuit onduleur classique, afin d'éliminer le bruit généré par des opérations de commutation, dans un bras côté potentiel haut et un bras côté potentiel bas, dont chacun inclut un commutateur à semi-conducteurs et un circuit d'attaque pour attaquer le commutateur à semi-conducteurs, un circuit d'élimination de bruit est monté entre le commutateur à semi-conducteurs et le circuit d'attaque dans chacun d'entre eux. On se reporte, par exemple, à la figure 1 du Document de Brevet 1. Le circuit d'élimination de bruit est, par exemple, relié en série entre la grille et l'émetteur d'un commutateur à semi-conducteurs (IGBT: transistor bipolaire à grille isolée), et configuré muni de: diodes D101 et D102 qui appliquent la tension à courant continu d'attaque à partir du circuit d'attaque; un premier ensemble de résistances R103 et R104 qui divise la tension à courant continu d'attaque; un premier commutateur SW101 dont la conduction est commandée par la tension à courant continu d'attaque divisée; un second ensemble de résistances R101 et R102 qui sont reliées en série entre une source d'alimentation et l'émetteur du commutateur à semi-conducteurs (IGBT), et qui divisent la tension de source d'alimentation conformément à l'état de commutation du premier commutateur SW101; et un second commutateur SW102 dont la conduction est commandée par la tension de source d'alimentation divisée. Le Document de Brevet 1 est la Publication de Brevet Japonais Mis à l'Inspection Publique 23 768/2003 (pages 4 et 5, et figure 1). Du fait que le circuit onduleur classique est configuré comme décrit ci-dessus, on a rencontré un problème en ce sens que, pendant que le premier commutateur SW101 dans le circuit d'élimination de bruit est passant, les tensions positive et négative de la source d'alimentation Vcc pour attaquer la grille sont connectées via la résistance R101 du second ensemble de ré- sistances de sorte que le courant circule, et ensuite une perte d'énergie survient dans la résistance R101 et la résistance génère de la chaleur. De plus, si la valeur de la résistance R101 du second ensemble de résistances était établie à une grande valeur afin de réduire la chaleur générée dans la résistance R101 du second ensemble de résistances, le temps de commutation du second commutateur SW102 se-rait prolongé. On a rencontré un autre problème en ce que, lorsque le circuit onduleur fonctionne en tant que circuit de transformation orthogonale de type à commande de modulation de largeur d'impulsions (PWM), par exemple, la période de blocage entière (temps mort) des commutateurs à semiconducteurs dans le commutateur à semi-conducteurs des côtés à potentiel haut et à poten- tiel bas doit être prolongée de la durée de commutation du second commutateur SW102, ce qui réduit le facteur d'utilisation de tension (la valeur de la tension à courant alternatif (ac)) pour cette durée. RÉSUMÉ DE L'INVENTION La présente invention est destinée à résoudre les problèmes décrits ci-dessus, et a pour but de four- nir un circuit onduleur dans lequel la génération de chaleur des composants dans le circuit d'élimination de bruit peut être réduite, et un temps supplémentaire pour commander le circuit d'élimination de bruit n'est pas requis. Un circuit onduleur selon la présente invention comporte: un ou plusieurs commutateurs de circuit principaux ayant une borne de commande, et des première et seconde bornes principales à travers lesquelles un courant principal circule; un circuit d'attaque pour chaque commutateur de circuit principal, pour appliquer une tension d'attaque à la borne de commande de celui-ci, et commander le courant principal conformément à la tension entre la borne de commande et la première borne principale, pour commuter chaque commutateur de circuit principal, et un circuit d'élimination de bruit pour chaque commutateur de circuit principal, entre chaque commutateur de circuit principal et chaque circuit d'attaque, qui est configuré de manière à détecter des fluctuations dans la tension entre les première et seconde bornes principales de chaque commutateur de circuit principal, et, conformément à l'amplitude et à la fréquence des fluctuations de tension détectées, pour amener à approximativement zéro l'impédance à travers la borne de commande de chaque commutateur de circuit principal et la première borne principale de chaque commutateur de circuit principal. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - la figure 1 est un schéma de circuit illustrant un circuit onduleur selon un Mode de Réalisation 1 de la présente invention, -la figure 2 est un schéma illustrant le fonctionnement lorsqu'un commutateur de circuit principal est bloqué, concernant le Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 3 est un graphe de forme d'onde illustrant le fonctionnement lorsque le commutateur de circuit principal est bloqué, se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 4 est un schéma illustrant le fonctionnement lorsque le commutateur de circuit principal est bloqué, se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 5 est un graphe de forme d'onde illustrant le fonctionnement lorsque le commutateur de circuit principal est bloqué, se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 6 est un graphe de forme d'onde illustrant le fonctionnement lorsque le commutateur de circuit principal est bloqué, se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 7 est un schéma de circuit illustrant un circuit d'élimination de bruit se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 8 est un schéma de circuit illus- trant un autre circuit d'élimination de bruit se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, la figure 9 est un schéma illustrant un exemple d'une marge de fonctionnement en combinaison d'une valeur de capacité C d'un premier condensateur Cs1H et de la valeur de résistance R d'une première résistance Rs1H se rapportant au Mode de Réalisation 1 de la présente invention, - la figure 10 est un schéma de circuit il-lustrant un circuit d'élimination de bruit se rapportant au Mode de Réalisation 2 de la présente invention, - la figure 11 est un schéma de circuit il-lustrant une marge de fonctionnement pour le circuit d'élimination de bruit se rapportant au Mode de Réalisation 2 de la présente invention, et - la figure 12 est un schéma de circuit il- lustrant un circuit d'élimination de bruit se rapportant au Mode de Réalisation 3 de la présente invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS Mode de réalisation 1 Par la suite, on va décrire le Mode de Réalisation 1 de la présente invention en se reportant aux dessins. La figure 1 est un schéma de circuit illustrant un circuit onduleur selon le Mode de Réalisation 1 de la présente invention. Sur la figure 1, le circuit onduleur est configuré muni d'un bras côté potentiel haut et d'un bras côté potentiel bas. Le bras côté potentiel haut inclut un commutateur de circuit principal SwH consistant en un transistor métal- oxydesemiconducteur à effet de champ (MOSFET) de puissance, un circuit d'attaque 11, et un circuit d'élimination de bruit 13. Le bras côté potentiel bas inclut un autre commutateur de circuit principal SwL consistant en un transistor MOSFET de puissance, un autre circuit d'attaque 12, et un autre circuit d'élimination de bruit 14. Chacun des commutateurs de circuit principaux SwH et SwL incluent une borne de commande (grille), et une première borne principale (source) et une seconde borne principale (drain) à travers lesquelles un courant principal circule. Les circuits d'attaque 11 et 12 appliquent une tension d'attaque aux bornes de commande des commutateurs de circuit principaux SwH et SwL, res- pectivement, et commandent les courants principaux qui circulent à travers les commutateurs de circuit principaux SwH et SwL, respectivement, conformément aux tensions entre les bornes de commande respectives et les premières bornes principales respectives, pour commuter les commutateurs de circuit principaux. Le circuit d'élimination de bruit 13 est disposé entre le commutateur de circuit principal SwH et le circuit d'attaque 11, et le circuit d'élimination de bruit 14 est disposé entre le commutateur de circuit principal SwL et le circuit d'attaque 12. De plus, une résistance de grille RgH et une diode DgH pour attaquer la grille sont connectées entre le circuit d'attaque 11 et la borne de commande (grille) du commutateur de circuit principal SwH, et une autre résistance de grille RgL et une autre diode DgL pour attaquer la grille sont connectées entre le circuit d'attaque 12 et la borne de commande (grille) du commutateur de circuit principal SwL. De plus, le circuit onduleur selon le présent mode de réalisation est destiné à être connecté à une charge inductive; une diode de reflux DH est connectée au commutateur de circuit principal SwH, et une autre diode de reflux DL est connectée au commutateur princi- pal SwL. Ici, le terme "reflux" signifie que le courant circule à partir de la première borne principale vers la seconde borne principale. Les commutateurs de circuit principaux SwH et SwL sont reliés en série. Le point de connexion de la source du commutateur de circuit principal SwH et du drain du commutateur de circuit principal SwL est le point de sortie, qui est connecté à la charge inductive. Le commutateur de circuit principal SwH et le commutateur de circuit principal SwL effectuent des opérations de commutation de manière à appliquer la tension VDC ou la tension GND au point de sortie. Le circuit d'élimination de bruit côté potentiel haut 13 inclut un premier condensateur Cs1H ayant une faible impédance pour des hautes fréquences, une première résistance Rs1H, un et un premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H consistant en un transistor MOSFET. Le premier condensateur Cs1H et la première résistance Rs1H sont connectés en série. Le corps connec- té en série consistant en le premier condensateur Cs1H et la première résistance Rs1H est connecté entre les deux bornes principales (la source et le drain) du commutateur de circuit principal SwH. La borne de commande (grille) du premier commutateur à semi- conducteurs Sw1H est connectée au point de connexion du premier condensateur CslH et de la première résistance Rs1H. De plus, une borne principale (drain) parmi les deux bornes principales (la source et le drain) du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H est connectée à la borne de commande (grille) du commutateur de circuit principal SwH, et est connectée au circuit d'attaque côté potentiel haut 11 via la résistance de grille RgH et la diode DgH. L'autre borne principale (source) du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H est connectée à l'une des bornes principales (la première borne principale: source) du commutateur de circuit principal SwH. Le circuit d'élimination de bruit côté poten- tiel bas 14 a une configuration similaire à celle du circuit d'élimination de bruit côté potentiel haut 13, et inclut un condensateur, une résistance, et un commutateur à semi-conducteurs. Une caractéristique du circuit onduleur selon la présente invention se base sur la détection des fluctuations de tension à haute fréquence, source de bruit dans la commutation, de la tension entre les deux bornes principales (le drain et la source) du commutateur de circuit principal, et sur le fait d'amener à approximativement zéro l'impédance à travers la borne de commande du commutateur de circuit principal et la première borne principale (source) du commutateur de circuit principal conformément à l'amplitude et à la fréquence des fluctuations de tension détectées, pour éliminer le bruit. Dans le présent mode de réalisation, le premier condensateur et la première résistance, qui sont connectés en série, détectent des fluctuations dans la tension entre les deux bornes principales du commutateur de circuit principal. La première résis- tance divise les fluctuations de tension, et amène le premier commutateur à semi-conducteurs à fonctionner en fonction de la tension divisée. D'une manière plus spécifique, lorsque l'amplitude des fluctuations de tension est importante, le circuit onduleur fonctionne de manière à amener à approximativement zéro l'impédance à travers la grille et la source du commutateur de circuit principal. De plus, les valeurs du premier condensateur et de la première résistance sont établies à des valeurs prédéterminées de sorte que le premier commutateur à semi-conducteurs ne peut pas être amené à fonctionner par des fluctuations de tension à basse fréquence. Avant de décrire d'une manière spécifique le fonctionnement, un phénomène qui apparaît lorsque le commutateur de circuit principal est bloqué sera décrit tout en prenant à titre d'exemple le commutateur de circuit côté potentiel haut. Pour un circuit onduleur connecté à une charge inductive, l'opération de blocage a deux types de modes, dans lesquels la diode de reflux DH connectée en parallèle avec le commutateur de circuit principal est dans un état de reflux, et dans le-quel le courant circule à partir du drain vers la source du commutateur de circuit principal lui-même. L'opération de blocage lorsque la diode de reflux DH connectée en parallèle est dans un état de reflux sera décrite. La figure 2 illustre la configuration pour une phase d'un circuit onduleur n'ayant pas de circuits d'élimination de bruit 13 ou 14, et la figure 3 illustre des formes d'onde de tensions et de courants dans le circuit. Les références VgsH et VdsH indiquent la tension grille-source et la tension drain- source, respectivement, du commutateur de circuit principal côté potentiel haut SwH. Les références VgsL et VdsL indiquent la tension grille-source et la tension drain-source, respectivement, du commutateur de circuit principal côté potentiel bas SwL. La référence IH indique la somme des couvrants qui circulent à tra- vers le commutateur SwH et la diode DH. La référence IL indique le courant qui circule à travers le commutateur SwL. Sur la figure 3, une durée T1 indique la du-rée pendant laquelle le courant circule à travers la diode DH et le commutateur de circuit principal SwH dans la direction illustrée sur la figure 2. Le courant est appliqué par la charge inductive via un commutateur inclus dans une autre phase de l'onduleur. Pendant une durée T2, VgsH atteint une tension BASSE, et le commutateur de circuit principal SwH est bloqué, tandis que le courant continue à circuler à travers la diode de reflux et une diode parasite dans le commutateur de circuit principal SwH. Pendant une durée T3, VgsL atteint une tension HAUTE, et le commutateur de circuit principal côté potentiel bas SwL effectue une commutation de l'état BLOQUÉ vers l'état PASSANT. Le courant qui circule à travers la charge inductive effectue une commutation à partir du commutateur de circuit principal SwH vers le commutateur de circuit principal SwL. Comme illustré sur la figure 3, le courant IH atteint zéro, et le courant IL croît. Lorsque le courant IH est interrompu, un condensateur parasite, qui a été dans un état de tension nulle, entre le drain et la source du commutateur de circuit principal SwH, est chargé via une inductance parasite du bobinage (plusieurs dizaines de nano Henry) par la source d'alimentation à courant continu, dont la tension est VDC. A cet instant, la composante résistive du bobinage est tellement petite qu'une vibration de plusieurs dizaines de mégahertz (A sur la figure 3) est générée dans la tension chargée entre le drain et la source (durée T4). La vibration de tension à haute fréquence fait fluctuer la tension entre la grille et la source, ainsi que via le condensateur parasite, entre le drain et la grille du commutateur de circuit principal SwH (B sur la figure 3). A cet instant, la grille du commutateur de circuit principal SwH est connectée dans le circuit d'attaque 11 à la source du commutateur de circuit principal SwH via la résistance de grille RgH, et si l'impédance pour des hautes fréquences de cette boucle fermée est extrêmement faible, les fluctuations de la tension entre la grille et la source du commutateur de circuit principal SwH peuvent être éliminées. Cependant, du fait que la résistance de grille de plusieurs dizaines d'ohms est requise pour empêcher une pointe de tension de blocage décrite ultérieurement, et que l'inductance du bobinage constituant la boucle fermée décrite ci-dessus est égale à plusieurs centaines de nano Henry, des fluctuations de la tension entre la grille et la source croissent inévitablement. Si la tension entre la grille et la source fluctue et dépasse la tension de seuil de la grille du commutateur de circuit principal SwH, le commutateur de circuit principal SwH devient passant d'une manière erronée. Par conséquent, du fait que le commutateur de circuit principal côté potentiel bas SwL est dans un état PASSANT, un courant de court-circuit circule, et le commutateur génère de la chaleur. Si la température du commutateur dépasse la température de fonctionnement nominale, le commutateur peut claquer. Ensuite, on va décrire l'opération de blocage dans un cas dans lequel le commutateur lui-même est dans un état PASSANT et le courant circule à partir du drain vers la source. La figure 4 illustre la configu- ration pour une phase du circuit onduleur n'ayant pas de circuit d'élimination de bruit 13 ou 14, et la figure 5 illustre des formes d'onde de tensions et de courants dans le circuit. Sur la figure 5, une durée Tl indique une du-rée pendant laquelle le courant circule à travers le commutateur de circuit principal SwH dans la direction illustrée sur la figure 4. Pendant cette durée, le cou- rapt circule à partir de la source d'alimentation vers la charge inductive. Pendant une durée T2, la tension de sortie du circuit d'attaque côté potentiel haut 11 atteint une tension BASSE, et la charge électrique accumulée dans le condensateur de grille du commutateur de circuit principal SwH est lentement évacuée à travers la résistance de grille RgH (C sur la figure 5). La tension entre le drain et la source du commutateur de circuit principal SwH croit lentement (D sur la figure 5). Le courant IH décroît, et le courant IL corn- mence à croître en même temps. Le courant IL à cet instant circule dans la diode de reflux DL et dans la diode parasite du commutateur de circuit principal SwL. Lorsque le courant IL commence à circuler, la tension entre le drain et la source du commutateur de circuit principal SwL atteint approximativement zéro volt. Pendant la durée T2, du fait que le commutateur de circuit principal SwH reçoit l'énergie chargée dans l'inductance parasite du bobinage, une pointe de tension (Dl sur la figure 5) est générée entre le drain et la source. La tension de grille du commutateur de circuit principal SwH décroît lentement afin de consommer l'énergie de la pointe de tension dans la résistance conductrice du commutateur de circuit principal SwH et d'éliminer la tension de pointe jusqu'à un niveau bas pour empêcher un claquage à haute tension du composant. Pendant une durée T3, la tension entre le drain et la source du commutateur de circuit principal SwH atteint la tension de la source d'alimentation, et la commuta- tion du courant à partir de IH vers IL est achevée. Pendant une durée T4, la tension entre la grille et la source du commutateur de circuit principal côté potentiel bas SwL arrive à une tension HAUTE, et le courant IL circule non seulement dans la diode de reflux DL et dans la diode parasite dans le commutateur de circuit principal SwL, mais également dans le commutateur de circuit principal SwL lui-même. Ensuite, le fonctionnement du présent Mode de Réalisation 1 illustré sur la figure 1, dans lequel les circuits d'élimination de bruit 13 et 14 sont présents, sera décrit. Dans le mode de réalisation, le but consiste à réduire le bruit (B sur la figure 3) généré dans la tension entre la grille et la source dans l'opération de blocage pendant que la diode de reflux DH décrite ci-dessus est dans un état de reflux. La figure 6 illustre des formes d'onde des tensions et des courants dans le circuit onduleur conformément au Mode de Réalisation 1 de la présente invention. Sur la fi- gure, VRsH indique la tension générée à travers la première résistance Rs1H du circuit d'élimination de bruit 13. Les autres symboles sont les mêmes que sur la figure 3 et la figure 5. Le fonctionnement durant les durées T1 à T3 est le même que sur la figure 3. Pendant une durée T4, lorsque la commutation du courant a été achevée, des fluctuations de tension à haute fréquence (A sur la figure 6) sont générées dans la tension entre le drain et la source du commutateur de circuit principal côté po- tentiel haut SwH, comme décrit ci-dessus. Les fluctuations de tension à haute fréquence sont générées égale-ment dans la tension de grille du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H via le premier condensateur Cs1H. La tension générée dans la grille du premier commutateur à semiconducteurs Sw1H est identique à la tension VRsH générée à travers la première résistance Rs1H, et est déterminée à partir du rapport d'impédance d'un corps connecté en parallèle consistant en le condensateur de grille du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H et en la première résistance Rs1H, et du premier condensateur Cs1H. Le premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H répète des opérations de conduction et de blocage conformément à la tension (= VRsH) générée dans la grille du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H. D'une manière plus spécifique, comme illustré sur la figure 6, si VRsH dépasse le seuil de la tension de grille du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H, le premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H est mis à l'état passant en même temps que la tension de grille du commutateur de circuit principal SwH est en pointe, ainsi une pointe de la tension de grille du commutateur de circuit principal SwH peut être éliminée (B' sur la figure 6). En conséquence, dans l'opération de blocage lorsque la diode de reflux DH est dans un état de reflux, le commutateur de circuit principal SwH n'est jamais mis en conduction d'une manière erronée et aucun courant de court-circuit n'est généré, ainsi, les composants de commutation sont à l'abri d'une génération de chaleur et d'un claquage. Dans la description du mode de réalisation de la présente invention, on a décrit le phénomène qui survient durant l'opération de blocage du commutateur de circuit principal côté potentiel haut SwH. Cepen- dant, il est évident que le phénomène durant l'opération de blocage du commutateur de circuit principal cô- té potentiel bas SwL est le même que dans le côté potentiel haut. En conséquence, le fait de fournir le circuit d'élimination de bruit 14 ayant une configuration similaire peut réduire la génération de chaleur des composants, et peut réaliser un circuit onduleur très fiable. Dans le présent mode de réalisation, le commutateur dans le circuit d'élimination de bruit fonctionne conformément aux fluctuations générées dans la tension entre le drain et la source. En fonction de l'amplitude des fluctuations de tension, la tension peut dépasser la tension de tenue de la grille du commutateur dans le circuit d'élimination de bruit (commutateur interne), et le commutateur interne peut cla- quer. Dans un tel cas, une diode Zener TDsH peut être connectée entre la grille et la source du commutateur interne comme illustré sur la figure 7. En variante, comme illustré sur la figure 8, une seconde résistance Rs2H peut être reliée en série entre le premier conden- sateur CslH et la première résistance Rs1H de sorte que la tension générée entre le drain et la source du commutateur de circuit principal SwH est divisée par le premier condensateur Cs1H, la seconde résistance Rs2H, et la première résistance Rs1H, et la tension à travers la première résistance Rs1H peut être appliquée à la grille du premier commutateur Sw1H. On va maintenant décrire les points impor- tants dans le présent mode de réalisation. Dans le pré- sent mode de réalisation, le circuit d'élimination de bruit doit fonctionner durant l'opération de blocage lorsque la diode de reflux est dans un état de reflux, et le circuit d'élimination de bruit ne doit pas fonc- tionner durant l'opération de blocage lorsque le cou- rant circule à partir du drain vers la source du commutateur de circuit principal lui-même. La raison est que, si le circuit d'élimination de bruit 13 fonctionne pendant que la tension de grille décroît lentement à travers la résistance de grille RgH durant l'opération de blocage, et le premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H est mis en conduction, la tension de grille chute rapidement, et l'énergie de pointe de tension qui serait consommée dans le commutateur de circuit principal SwH perd le chemin à suivre, charge rapidement le condensateur parasite dans le commutateur de circuit principal SwH, et fait élever la tension entre le drain et la source au-dessus de sa tension de tenue. Par conséquent, dans le présent mode de réalisation, la différence de gradients des flancs avant de la tension drain-source (composante fréquentielle) entre les deux types d'opérations de blocage est utilisée pour commander le fonctionnement/non-fonctionnement du circuit d'élimination de bruit. D'une manière plus spécifique, le fait que le gradient de la tension durant l'opération de blocage à partir de l'état de reflux est raide (haute fréquence) comme indiqué par A sur la figure 3 et la figure 6, et que le gradient de la tension durant l'opération de blocage lorsque le commutateur de circuit principal lui-même est conducteur est progressif (basse fréquence) comme indiqué par D sur la figure 5 est utilisé pour commander le fonctionnement/non-fonctionnement du circuit d'élimination de bruit. D'une manière plus précise, en ajustant la valeur de capacité du premier condensateur Cs1H et la valeur de résistance de la première résistance Rs1H, des marges de fonctionnement peuvent être acquises, dans lesquelles le circuit d'élimination de bruit fonctionne lorsque le gradient de la tension est raide (dans le cas des hautes fréquences), et le circuit d'élimination de bruit ne fonctionne pas (le premier commutateur à semi-conducteurs est toujours BLOQUÉ) lorsque le gradient de la tension est progressif (dans le cas des basses fréquences). Un exemple de la marge de fonctionnement en combinaison de la valeur de capa-cité C du premier condensateur CslH et de la valeur de résistance R de la première résistance RslH sous une certaine condition de circuit est illustré sur la figure 9. Dans le présent mode de réalisation, la valeur de résistance de la première résistance RslH est éta- blie à 50 S2, et la valeur de capacité du premier 15 condensateur CslH est établie à 470 pF. Du fait que le circuit d'attaque de grille du circuit onduleur selon le mode de réalisation est con-figuré comme décrit ci-dessus, un temps supplémentaire pour activer le circuit d'élimination de bruit n'est pas requis, et la perte d'énergie peut être minimisée. De plus, bien qu'un circuit onduleur connecté à une charge inductive aitété décrit dans le mode de réalisation décrit onduleur connecté charge capacitive ci-dessus, en fournissant un circuit à une charge résistive ou à une muni d'un circuit d'élimination de bruit comme décrit ci-dessus, les fluctuations de la tension de la grille du commutateur de circuit principal dans des opérations de commutation peuvent être éliminées; ainsi, un court-circuit dans le commutateur de circuit principal peut être évité, et la perte d'énergie dans le composant peut être minimisée. De plus, bien que dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, les circuits d'élimination de bruit 13 et 14 soient prévus dans le circuit onduleur qui inclut un bras côté potentiel haut et un bras côté potentiel bas, en fournissant un circuit onduleur ayant uniquement un seul commutateur de circuit principal muni d'un circuit d'élimination de bruit ayant la configuration similaire au circuit onduleur de la figure 1, un court-circuit dans le commutateur de circuit principal peut être empêché, et la perte d'énergie dans le composant peut être minimisée. De plus, bien qu'un transistor MOSFET de puissance soit utilisé en tant que commutateur de circuit principal dans le présent mode de réalisation, il est évident que d'autres dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels qu'un transistor IGBT ont les mêmes effets. De plus, bien qu'un transistor MOSFET soit utilisé en tant que premier commutateur à semi-conducteurs dans le circuit d'élimination de bruit dans le présent mode de réalisation, il est évident que d'autres dispositifs à semi-conducteurs tels qu'un transistor bipolaire ont le même effet. De plus, bien que la configuration dans la-quelle une diode de reflux est connectée au commutateur de circuit principal ait été décrite dans le présent mode de réalisation, il est évident qu'une configuration utilisant uniquement la diode parasite dans le commutateur de circuit principal sans diode de reflux a les mêmes effets. Mode de réalisation 2 Dans le Mode de Réalisation 1 décrit ci- dessus, la valeur de résistance de la première résistance Rs1H et la valeur de capacité du premier condensateur CslH ont été ajustées afin de maintenir la marge de fonctionnement. Dans le présent Mode de Réalisation 2, on va décrire la configuration qui peut étendre la marge de fonctionnement. La configuration d'un circuit d'élimination de bruit selon le Mode de Réalisation 2 est illustrée sur la figure 10. Bien qu'un seul circuit d'élimination de bruit côté potentiel haut 13 soit illustré sur la figure 10, un circuit d'élimination de bruit côté potentiel bas 14 a la même configuration. Une inductance LsH est connectée en parallèle à la première résistance Rs1H du circuit d'élimination de bruit 13 dans le présent mode de réalisation. L'ajout d'une inductance peut étendre la marge de fonctionnement. La figure 11 en illustre l'effet. Sur la figure 11, dans la condition où la va- leur de résistance R de la première résistance Rs1H est établie à 100 SZ, et la valeur de capacité C de la première capacité Cs1H est établie à 1 nF, des tensions relatives générées aux bornes de la première résistance Rs1H dans des cas où la valeur L de l'inductance LsH est 10 pH et où l'inductance est ôtée, sont illustrées en fonction de la fréquence des fluctuations de la tension entre le drain et la source du commutateur de circuit principal. La figure 11 montre que l'ajout d'une inductance étend la marge de fonctionnement. Par exemple, dans la condition où la composante fréquentielle des fluctuations de la tension entre le drain et la source générées dans une opération de blocage à partir de l'état dans lequel un courant de reflux circule à travers la diode de reflux du commuta- teur de circuit principal est établie à 10 MHz, et la composante fréquentielle des fluctuations de la tension entre le drain et la source générées dans une opération de blocage à partir de l'état dans lequel le commuta- teur de circuit principal est dans un état conducteur est établie à 1 MHz, la marge de fonctionnement dans un cas où une inductance n'est pas utilisée est égale à 0,45. Au contraire, la marge de fonctionnement est égale à 0, 65 dans un cas où une inductance est utilisée, ce qui montre que la marge de fonctionnement est étendue de juste 40 Une grande marge de fonctionnement offre une plus large plage de valeurs qui peut absorber des va- riances de caractéristiques des résistances, condensateurs, et commutateurs, ce qui est bénéfique en ce sens qu'une large marge est attribuée à la conception des circuits. De plus, dans le présent Mode de Réalisation 2, d'autres dispositifs à semi-conducteurs peuvent être utilisés en tant que commutateur de circuit principal et en tant que commutateur dans le circuit d'élimination de bruit comme dans le Mode de Réalisation 1. De plus, la connexion d'une diode Zener en parallèle à la première résistance Rs1H, ou la division de la tension appliquée à la grille du commutateur Sw1H en utilisant des résistances sont possibles comme dans le Mode de Réalisation 1. Mode de réalisation 3 Dans le présent Mode de Réalisation 3, on va décrire un circuit d'élimination de bruit qui est mis en oeuvre pour commander le fonctionnement/non-fonctionnement du circuit d'élimination de bruit dans les deux types d'opérations de blocage sans prendre en compte la marge de fonctionnement comme dans le Mode de Réalisation 1 ou le Mode de Réalisation 2. La configuration du circuit d'élimination de bruit selon le Mode de Réalisation 3 est illustrée sur la figure 12. Bien qu'un seul circuit d'élimination de bruit côté potentiel haut 13 soit illustré sur la figure 12, un circuit d'élimination de bruit côté potentiel bas 14 a la même configuration. Les composants ajoutés sont les trois composants suivants: un second commutateur à semi-conducteurs Sw2H constitué d'un transistor MOSFET, une seconde résistance Rs2H, et un second condensateur Cs2H. Le drain du second commutateur à semi-conducteurs Sw2H est connecté à la grille du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H, et la source du second commutateur à semi-conducteurs Sw2H est connectée à la source du premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H. L'une des électrodes (bornes) de la seconde résistance Rs2H est connectée à la grille du commutateur de circuit principal SwH, et l'autre électrode (borne) est connectée à l'une des électrodes du second condensateur Cs2H et à la grille du second commutateur à semi-conducteurs Sw2H. L'autre électrode du second condensateur Cs2H est connectée à la source du second commutateur à semiconducteurs Sw2H. Dans le présent Mode de Réalisation 3, la différence des états de la tension de grille du commutateur de circuit principal dans les opérations de blocage est utilisée. La figure 3 et la figure 5 montrent que la tension de grille VgsH durant l'opération de blocage à partir de l'état de reflux de la diode de reflux est une tension BASSE (F sur la figure 3), tandis que la tension de grille VgsH durant l'opération de blocage à partir de l'état conducteur du commutateur de circuit principal lui-même est dans un état transitionnel, dans lequel la tension décroît (C sur la figure 5). En conséquence, dans le présent Mode de Réalisation 3, en ajustant une constante de temps déterminée à par- tir de la valeur de résistance de la seconde résistance Rs2H et de la valeur de capacité du second condensateur Cs2H, le second commutateur à semi-conducteurs Sw2H est mis à l'état bloqué dans l'opération de blocage à par- tir de l'état conducteur du commutateur de circuit principal lui-même de sorte que le premier commutateur à semi-conducteurs Sw1H garde l'état BLOQUÉ. Sur ces entrefaites, le second commutateur à semi-conducteurs Sw2H est mis à l'état bloqué dans l'opération de blo- cage à partir de l'état de reflux de la diode de reflux de sorte que le premier commutateur à semiconducteurs SwlH peut fonctionner conformément aux fluctuations générées dans la tension entre le drain et la source. De plus, dans le présent Mode de Réalisation 3, d'autres dispositifs à semi-conducteurs peuvent être utilisés en tant que commutateur de circuit principal et en tant que commutateur dans le circuit d'élimination de bruit comme dans le Mode de Réalisation 1 et le Mode de Réalisation 2. De plus, la connexion d'une diode Zener en parallèle à la résistance Rs1H, ou la division de la tension appliquée à la grille du commutateur Sw1H en utilisant des résistances sont possibles comme dans le Mode de Réalisation 1 et le Mode de Réalisation 2. Comme décrit ci-dessus, selon la présente invention, dans un circuit onduleur configuré avec des commutateurs de circuit principaux chacun ayant une borne de commande et des première et seconde bornes principales via lesquelles le courant principal cir- cule, et des circuits d'attaque dont chacun applique la tension d'attaque à la borne de commande du commutateur de circuit principal, et commande le courant principal conformément à la tension entre la borne de commande et la première borne principale, pour commuter le commutateur de circuit principal, entre chaque commutateur de circuit principal et chaque circuit d'attaque, un circuit d'élimination de bruit est fourni de manière à dé- tecter les fluctuations dans la tension entre les première et seconde bornes principales du commutateur de circuit principal, et amener à approximativement zéro l'impédance à travers la borne de commande du commutateur de circuit principal et la première borne princi- pale du commutateur de circuit principal conformément à l'amplitude et à la fréquence des fluctuations de tension détectées, ainsi on obtient un avantage en ce sens que la génération de chaleur des composants du circuit d'élimination de bruit peut être réduite, et le temps supplémentaire pour activer le circuit d'élimination de bruit n'est pas requis. REVENDICATIONS 1. Circuit onduleur, caractérisé en ce qu'il comporte. un ou plusieurs commutateurs de circuit prin- cipaux (SwH, SwL) ayant une borne de commande, et des première et seconde bornes principales à travers les-quelles circule un courant principal, un circuit d'attaque (11, 12) pour chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL), pour ap- pliquer une tension d'attaque à la borne de commande de celui-ci, et commander le courant principal conformé-ment à la tension entre la borne de commande et la première borne principale, pour commuter chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL), et un circuit d'élimination de bruit (13, 14) pour chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL), entre chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL) et chaque circuit d'attaque (11, 12), qui est configuré de manière à détecter des fluctuations dans la tension entre les première et seconde bornes principales de chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL), et, conformément à l'amplitude et à la fréquence des fluctuations de tension détectées, amener à sensiblement zéro l'impédance à travers la borne de commande de chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL) et la première borne principale de chaque commutateur de circuit principal (SwH, SwL). 2. Circuit onduleur selon la revendication 1, 30 caractérisé en ce que: le circuit d'élimination de bruit (13, 14) comporte un premier condensateur (Cs1H), une première résistance (Rs1H), et un premier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H) qui a une borne de commande et deux bornes principales via lesquelles circule le courant principal, le premier condensateur (Cs1H) et la première résistance (Rs1H) sont connectés en série, le premier condensateur (Cs1H) et la première résistance (Rs1H) en série en tant que composant sont connectés entre la première borne principale et la seconde borne principale du commutateur de circuit principal (SwH, SwL), la borne de commande du premier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H) est connectée à un point où le premier condensateur (Cs1H) et la première résistance (Rs1H) se connectent, l'une des bornes principales du premier commutateur à semi- conducteurs (Sw1H) est connectée à la borne de commande du commutateur de circuit principal (SwH, SwL), et l'autre borne des bornes principales du pre- mier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H) est connectée à la première borne principale du commutateur de circuit principal (SwH, SwL). 3. Circuit onduleur selon la revendication 2, caractérisé en ce que: le circuit onduleur comporte deux des commutateurs de circuit principaux (SwH, SwL), connectés en série, une charge inductive est connectée à un point 30 où les deux commutateurs de circuit principaux (SwH, SwL) sont connectés, et la capacité du premier condensateur (Cs1H) et la résistance de la première résistance (Rs1H) dans chacun des circuits d'élimination de bruit (13, 14) sont établies à des valeurs de sorte que chaque circuit d'élimination de bruit (13, 14) fonctionne uniquement lorsque le courant principal circule à partir de la première borne principale vers la seconde borne principale de chacun des commutateurs de circuit principaux (SwH, SwL). 4. Circuit onduleur selon la revendication 3, 10 caractérisé en ce que chacun des circuits d'élimination de bruit (13, 14) comporte en outre une inductance (LsH) connectée en parallèle à sa première résistance (Rs1H). 5. Circuit onduleur selon la revendication 2, caractérisé en ce que. le circuit onduleur comporte deux des commutateurs de circuit principaux (SwH, SwL), connectés en série, une charge inductive est connectée à un point où les deux commutateurs de circuit principaux (SwH, SwL) se connectent, et la tension de la borne de commande du premier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H) dans chacun des circuits d'élimination de bruit (13, 14) est commandée par la tension de borne de commande dans chacun des commutateurs de circuit principaux (SwH, SwL). 6. Circuit onduleur selon la revendication 5, 30 caractérisé en ce que: chacun des circuits d'élimination de bruit (13, 14) comporte en outre une seconde résistance (Rs2H), un second condensateur (Cs2H), et un second commutateur à semi-conducteurs (Sw2H), dans lequel la seconde résistance (Rs2H) et le second condensateur (Cs2H) en série en tant que composant sont connectés en parallèle entre les deux bornes principales du premier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H), la borne de commande du second commutateur à semi-conducteurs (Sw2H) est connectée à un point où la seconde résistance (Rs2H) et le second condensateur (Cs2H) se connectent, l'une des deux bornes principales du second commutateur à semi-conducteurs (Sw2H) est connectée à la borne de commande du premier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H), et l'autre borne des deux bornes principales du second commutateur à semi-conducteurs (Sw2H) est connectée à la borne principale, parmi les deux bornes principales du premier commutateur à semi-conducteurs (Sw1H), qui est connectée à la première borne principale du commutateur de circuit principal (SwH, SwL).