Brevet FR2867486A1 — publié le 20050916

La présente invention concerne un procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation et, plus particulièrement, elle concerne un procédé de commande d'obturateur à double couche conçu pour empêcher l'intercontamination dans un système de multipulvérisation alimentant une pluralité de cibles constituées de matériaux différents dans une chambre unique et formant une pellicule multicouche au moyen d'un mécanisme obturateur tournant à double couche. Le déposant a antérieurement proposé un système de formation de pellicule multicouche magnétique (demande de brevet des E.U.A publiée sous le numéro 2002/0064595). Lors de la production d'une tête à magnétorésistance géante (notée GMR) ou d'une tête à magnétorésistance à effet tunnel (notée TMR), d'une MRAM, etc., ce système de formation de pellicule multicouche magnétique peut former une pellicule multicouche voulue dans une unique chambre en effectuant la pulvérisation, de manière continue, sans interruption, de la couche inférieure à la couche supérieure, sur un substrat et peut déposer un grand nombre de pellicules magnétiques en même temps. Pour permettre la formation d'une pellicule multicouche par pulvérisation comme décrit ci-dessus, ce système de formation de pellicule alimente par exemple cinq cibles faites de matériaux différents se trouvant au niveau du plafond de la chambre, c'est-à-dire dans l'espace situé au-dessus du substrat devant être doté de la pellicule, dans une unique chambre, en utilisant ensuite un mécanisme obturateur permettant de sélectionner la cible destinée à la pulvérisation. Ce mécanisme obturateur possède une structure à double couche d'obturateurs tournant indépendamment. Chacune des deux plaques obturatrices est dotée, aux endroits voulus, d'un nombre voulu de trous à travers lesquels des cibles sélectionnées peuvent être vues depuis le côté du substrat. Le mécanisme obturateur tournant à double couche protège les cibles des matériaux non utilisés pour la pulvérisation. La cible destinée à la pulvérisation est présentée au substrat à travers les trous correspondants. Ce mécanisme obturateur tournant à double couche fait tourner indépendamment deux plaques obturatrices sensiblement circulaires, comme on peut le voir depuis un substrat disposé parallèlement. De ce fait, des positions concordantes pour les trous des plaques obturatrices sont sélectionnées. Le mécanisme obturateur tournant à double couche est utilisé pour faire en sorte que la cible faite du matériau en cours d'utilisation pour la pulvérisation soit en regard du substrat au travers des trous, de manière à sélectionner la cible destinée à la pulvérisation. Le système de formation de pellicule multicouche ci-dessus présenté est un système de multipulvérisation prévoyant plusieurs cibles faites de matériaux différents dans une unique chambre de pulvérisation, qui dépose séquentiellement des pellicules faites de matériaux différents sur un substrat, et qui forme ainsi une pellicule multicouche. Comme expliqué cidessus, ce système de multipulvérisation protège de manière appropriée les cinq cibles faites des matériaux différents au moyen du mécanisme obturateur tournant à double couche se trouvant dans la chambre unique de pulvérisation, de façon à sélectionner la cible utilisée pour la pulvérisation et à ainsi effectuer la pulvérisation en fonction d'une séquence de formation de pellicule fixée préalablement. Lors de la sélection d'une pluralité de cibles faites de matériaux différents par le mécanisme obturateur tournant à double couche et de l'utilisation de ceux-ci en vue de la pulvérisation suivant une séquence spécifique, il peut se produire une intercontamination entre les cibles. Par exemple, la pulvérisation comporte un état de "prépulvérisation" amenant une décharge afin de faire commencer l'état de pulvérisation dans l'état où la cible destinée à la pulvérisation est recouverte par le mécanisme obturateur et un état dit de "pulvérisation principale" ouvrant complètement le mécanisme obturateur afin d'effectuer la pulvérisation sur le substrat. A ce moment, une intercontamination peut se produire du fait: (1) du dépôt de différents types de substances, s'étant déposés à la surface de la plaque obturatrice qui regarde la cible, sur la surface de la cible du fait de l'action de pulvérisation ayant lieu au moment de la prépulvérisation; (2) de la pulvérisation de différents types de substances, s'étant déposés sur la surface de la cible, sur le substrat au moment de la pulvérisation principale; (3) du dépôt d'atomes du pulvérisateur ayant rebondi, depuis le substrat, au beau milieu de la pulvérisation principale sur une autre surface de cible; etc. Lors du passage de la prépulvérisation à la pulvérisation principale suite à la rotation des obturateurs associés à la prépulvérisation de façon à faire passer à la pulvérisation principale, la contamination expliquée au point (1) se produit après que les emplacements où des types différents de substance se sont déposés sont traversés pendant la rotation des plaques obturatrices. Ceci constitue un problème préoccupant. Pour déposer une pellicule multicouche présentant de bonnes propriétés pelliculaires sur un substrat, il devient indispensable d'empêcher les diverses intercontaminations décrites ci-dessus. La demande de brevet des E.U.A publiée sous le numéro 2002/0064595 présente un procédé d'actionnement du mécanisme obturateur tournant à double couche sur ses figures 5A et 5B. Celui-ci comprend une opération consistant à positionner une première plaque obturatrice se trouvant du côté cible et une deuxième plaque obturatrice se trouvant du côté substrat dans l'état initial de façon à positionner un trou de la deuxième plaque obturatrice vis-à-vis de la cible destinée à la pulvérisation et à positionner les trous de la première plaque obturatrice de manière qu'ils soient écartés de la cible destinée à la pulvérisation, puis l'opération consistant à faire commencer la prépulvérisation. Cette prépulvérisation est une pulvérisation destinée à éliminer les oxydes et autres agents contaminants de la surface de la cible. Ensuite, on fait tourner la première plaque obturatrice afin d'aligner un trou de cette dernière avec le trou, situé au-dessus, de la deuxième plaque obturatrice pour ainsi exposer la cible destinée à la pulvérisation relativement au substrat et effectuer la pulvérisation principale sur le substrat. La pulvérisation principale est l'opération de pulvérisation de base destinée à la formation de la pellicule. De cette manière, on montre le fonctionnement du mécanisme obturateur tournant à double couche lors de la pulvérisation principale visant à n'exposer que la cible destinée à la pulvérisation par rapport au substrat au moment de la pulvérisation principale afin d'empêcher un mélange des matériaux à d'autres cibles et, par conséquent, d'empêcher l'intercontamination. Toutefois, comme expliqué ci-dessus, l'intercontamination est un phénomène complexe qui varie en fonction du nombre des cibles, du nombre des trous, ainsi que d'autres conditions. Il se produit différents types d'intercontaminations. De plus, le procédé consistant à faire tourner les plaques obturatrices de la demande de brevet des E.U.A portant le numéro de publication 2002/0064595 ne discute pas du tout des moyens permettant de traiter du problème des matériaux de la cible s'étant déposés sur les plaques obturatrices au moment de la prépulvérisation. Comme décrit cidessus, le procédé associé au fonctionnement du mécanisme obturateur tournant à double couche décrit dans la demande de brevet des E.U.A portant le numéro de publication 2002/0064595 n'est pas suffisant pour traiter le problème que posent toutes les intercontaminations susceptibles de se produire. Par conséquent, on souhaite produire un système de multipulvérisation, doté d'une pluralité de cibles faites de matériaux différents se trouvant en une unique chambre de pulvérisation afin de pulvériser une pellicule multicouche sur un substrat, et doté d'un mécanisme obturateur tournant à double couche permettant de sélectionner une cible destinée à la pulvérisation du côté de l'espace de formation de pellicule de la pluralité de cibles, lequel empêche la contamination des autres cibles par les substances des cibles qui se sont déposées sur les obturateurs à double couche en même temps qu'avait lieu la séquence de pulvérisation de la pellicule multicouche grâce à une commande optimale de la séquence des opérations de protection des plaques obturatrices à double couche. Un but de l'invention est de fournir un procédé de commande d'obturateur à double couche pour un système de multipulvérisation, doté de plusieurs cibles placées en une chambre unique en vue de pulvériser une pellicule multicouche et servant à sélectionner une cible au moyen d'un mécanisme obturateur tournant à double couche, qui empêche l'intercontamination entre cibles due aux substances des cibles, et autres, qui se sont déposées sur les plaques obturatrices. Pour réaliser le but ci-dessus indiqué, le procédé de commande d'obturateur à double couche du système de multipulvérisation selon l'invention est constitué de la manière suivante. Le procédé de commande d'obturateur à double couche est un procédé de commande d'obturateur utilisé dans un système de multipulvérisation doté d'au moins trois cibles placées dans une unique chambre et d'un mécanisme obturateur tournant à double couche possédant des première et deuxième plaques obturatrices disposées en regard de ces cibles, tournant indépendamment, et présentant des trous qui sont formés en des positions prédéterminées, lequel sélectionne une cible destinée à la pulvérisation parmi les trois ou plus de trois cibles au moyen d'une combinaison de trous de la première plaque obturatrice et de la deuxième plaque obturatrice et utilise des cibles sélectionnées pour une opération de prépulvérisation et une opération de pulvérisation principale en une décharge continue de manière à déposer une pellicule sur le substrat, le procédé comprenant les opérations suivantes: faire tourner la première plaque obturatrice de manière à couvrir la cible sélectionnée par la première plaque obturatrice et à exposer celle-ci au substrat au travers de la deuxième plaque obturatrice lors d'une opération de prépulvérisation et de manière à ainsi exposer la cible sélectionnée par rapport au substrat au travers de la première plaque obturatrice lors de l'opération de pulvérisation principale, et commander l'opération de rotation de la première plaque obturatrice de façon que, lors de l'opération de prépulvérisation, le dépôt ayant lieu en un emplacement, situé en regard, de la première plaque obturatrice couvrant la cible sélectionnée devienne un dépôt de la même substance que la substance de la cible sélectionnée, et de façon que la position de la première plaque obturatrice destinée à la prépulvérisation devienne la position adjacente à un trou de la plaque obturatrice. Ainsi, le procédé de commande d'obturateur à double couche ci-dessus présenté couvre la cible spécifique sélectionnée pour la pulvérisation et les autres cibles au moyen de la première plaque obturatrice au moment de la prépulvérisation et fait tourner la première plaque obturatrice afin d'exposer la cible sélectionnée par rapport au côté substrat au travers d'un trou au moment de la pulvérisation principale. Lors de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice au voisinage de la cible au moment de la prépulvérisation et au moment de la pulvérisation principale, puisque des substances d'une pluralité de cibles se sont déposées sur la surface de la première plaque obturatrice se trouvant du côté cible au moment de la décharge ayant lieu lors de la prépulvérisation, l'opération de rotation de la première plaque obturatrice est commandée de façon que l'emplacement où les substances des autres cibles se sont déposées ne soit pas en regard de l'avant de la cible sélectionnée pendant la prépulvérisation et lors du passage de la prépulvérisation à la pulvérisation principale. De ce fait, on peut empêcher le dépôt d'autres substances de cibles sur la surface de la cible destinée à la pulvérisation au moment de la prépulvérisation et on peut empêcher l'intercontamination au moment de la pulvérisation principale. Ce procédé de commande de pulvérisateur à double couche est de préférence un procédé permettant de commander les opérations de rotation de la première plaque obturatrice et de la deuxième plaque obturatrice de façon que l'emplacement de la première plaque obturatrice, où une substance qui est différente de celle de la cible sélectionnée a été déposée au moment d'une charge précédente, ne se trouve pas en regard pendant la décharge de la cible sélectionnée. Lorsque la première plaque obturatrice tourne au moment de la décharge de l'opération de prépulvérisation, et autres, on peut éviter l'intercontamination aussi longtemps que les substances des autres cibles déposées sur la première plaque obturatrice ne passent pas par un emplacement se trouvant en regard de la cible sélectionnée pour la pulvérisation. Lors de la rotation des obturateurs destinés à la prépulvérisation qui fait passer à la pulvérisation principale, afin de faire passer de la prépulvérisation à la pulvérisation principale, la contamination expliquée au point (1) ci-dessus se produit lorsqu'on passe par un emplacement où des types différents de substances sont déposés pendant la rotation de la plaque obturatrice. Ceci devient un problème préoccupant. Ce procédé de commande d'obturateur à double couche n'expose de préférence qu'une cible sélectionnée à travers les trous des première et deuxième plaques obturatrices lorsqu'on regarde depuis le substrat au moment de la pulvérisation principale. Lors de l'exécution de la pulvérisation principale, la cible sélectionnée est utilisée pour la pulvérisation, si bien que des particules de la substance de cible pulvérisée se déplacent en direction du substrat à travers les trous de la première plaque obturatrice et de la deuxième plaque obturatrice et se déposent sur la surface du substrat. Ce procédé de commande d'obturateur à double couche expose de préférence une seule cible sélectionnée dans le cas d'une seule pulvérisation. Dans le cas d'une seule pulvérisation, seule la substance donnée par une cible unique se dépose sur le substrat, de sorte qu'une unique cible sélectionnée peut être vue au travers des trous des première et deuxième plaques obturatrices, lorsqu'on observe depuis le côté du substrat. Ce procédé de commande d'obturateur à double couche expose de préférence en alternance au moins deux cibles sélectionnées dans le cas d'une copulvérisation. Dans le cas d'une co-pulvérisation, une pellicule se dépose sur le substrat par pulvérisation simultanée de deux types de cibles faites de substances différentes, de sorte qu'au moins deux cibles sélectionnées peuvent être vues à travers les trous des première et deuxième plaques obturatrices lorsqu'on regarde depuis le côté du substrat. Le procédé de commande d'obturateur à double couche fixe de préférence le nombre de trous de la première plaque obturatrice à n/2 lorsque le nombre des cibles est un nombre pair (n étant tel que n>3). Le procédé de commande d'obturateur à double couche fixe alors de préférence le nombre de trous de la première plaque obturatrice à (n/2) + 1 lorsque le nombre des trous est un nombre impair (n étant tel que n 3). Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation doté de cinq types différents de cibles placées dans une chambre et d'un mécanisme obturateur tournant à double couche possédant des première et deuxième plaques obturatrices disposées en regard des cinq cibles, tournant indépendamment, et ayant chacune deux trous formés, lequel sélectionne de manière voulue une ou deux cibles, destinées à la pulvérisation, parmi les cinq cibles via une combinaison de trous de la première plaque obturatrice et de la deuxième plaque obturatrice et utilise les cibles sélectionnées en vue d'une opération de prépulvérisation et d'une opération de pulvérisation principale selon une décharge continue de façon à déposer une pellicule sur le substrat en vue d'une co-pulvérisation ou d'une pulvérisation unique, le procédé comprenant les opérations qui consistent à actionner les première et deuxième plaques obturatrices de façon que, dans la co-pulvérisation et la pulvérisation unique, des mêmes substances de cibles sont déposées aux mêmes emplacements que le dépôt de pellicules sur les première et deuxième plaques obturatrices du fait de l'opération de prépulvérisation et, ainsi, à effectuer la co-pulvérisation et la pulvérisation unique dans un système à une seule chambre. Le procédé de commande d'obturateur à double couche ci-dessus présenté forme des dépôts qui sont obtenus au moyen des mêmes substances aux mêmes emplacements de la première plaque obturatrice et de la deuxième plaque obturatrice à chacun des moments de l'opération de prépulvérisation de la co-pulvérisation et du moment de l'opération de prépulvérisation de la pulvérisation unique s'effectuant dans une chambre de pulvérisation unique, si bien qu'il devient possible d'effectuer la co-pulvérisation et la pulvérisation unique sans intercontamination. Ce procédé de commande d'obturateur à double couche commande de préférence les fonctionnements des première et deuxième plaques obturatrices de façon à donner la priorité à la co-pulvérisation entre la co-pulvérisation et la pulvérisation unique. Ce procédé de commande d'obturateur à double couche exécute alors en premier la co-pulvérisation, puis exécute la pulvérisation unique. Ce procédé de commande de pulvérisateur à double couche n'expose de préférence que la cible sélectionnée à travers les trous des première et deuxième plaques obturatrices lorsqu'on observe depuis le substrat au moment de la pulvérisation principale. Comme décrit ci-dessus, selon l'invention, il est proposé un procédé de commande d'un mécanisme obturateur à double couche autorisant une rotation indépendante de plaques obturatrices par rapport à une pluralité de cibles disposées dans une unique chambre d'un système de multipulvérisation, qui commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice au voisinage de la cible au moment de la prépulvérisation et au moment de la pulvérisation principale de façon que les substances d'une pluralité de cibles se déposent sur la surface de la première plaque obturatrice du côté cible pendant la décharge de prépulvérisation, mais qu'il n'y ait aucun emplacement où des substances d'autres cibles se déposent en avant de la cible sélectionnée pour la pulvérisation pendant la décharge de prépulvérisation et lorsqu'on maintient l'état de décharge et qu'on fait passer de la prépulvérisation à la pulvérisation principale, et lorsqu'on maintient l'état de décharge et qu'on fait passer de la prépulvérisation à la pulvérisation principale, et commandant l'opération de rotation des plaques obturatrices de façon que les emplacements des différents types de substances déposées ne soient pas traversés au moment du passage de la prépulvérisation à la pulvérisation principale via la commutation du mouvement des première et deuxième plaques obturatrices. De ce fait, le dépôt de la substance d'une autre cible sur la surface d'une cible au moment de la prépulvérisation peut être empêché et on peut ainsi empêcher l'intercontamination au moment de la pulvérisation principale. De plus, selon l'invention, la co-pulvérisation et la pulvérisation unique peuvent être effectuées par des procédures appropriées au moyen d'une configuration commune unique dans un système de pulvérisation doté de cinq cibles se trouvant dans une unique chambre de pulvérisation et doté d'un mécanisme obturateur tournant à double couche qui possède une première plaque obturatrice et une deuxième plaque obturatrice ayant chacune deux trous à des angles prédéterminés et commandant de manière appropriée la rotation de celles-ci de façon indépendante. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est une vue en plan d'un système de formation de pellicule multicouche magnétique auquel l'invention est appliquée. la figure 2A est une vue en plan montrant l'état qui correspond à la disposition de plusieurs cibles dans une chambre de pulvérisation unique du système de formation de pellicule multicouche magnétique; la figure 2B est une vue en coupe verticale de la chambre de pulvérisation; la figure 3 est une vue de la configuration dans l'état désassemblé, qui montre une configuration représentative du mécanisme obturateur tournant à double couche; la figure 4 est une vue montrant la configuration d'un dispositif de commande servant à commander l'opération de rotation du mécanisme obturateur tournant à double couche; la figure 5 est une vue qui explique l'intercontamination considérée comme le problème de l'invention; la figure 6 est une vue servant à expliquer les opérations de base du procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention; la figure 7 est une vue servant à expliquer les opérations de base au moment de la prépulvérisation et au moment de la pulvérisation principale du procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention; la figure 8 est une vue montrant la disposition des cibles selon un premier mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche de l'invention; la figure 9 est une vue montrant la disposition des trous d'une première plaque obturatrice et d'une deuxième plaque obturatrice du premier mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 10 est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices du premier mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 11 est un schéma des transitions d'états montrant les relations géométriques des cibles servant à la pulvérisation et des première et deuxième plaques obturatrices au moment de la pulvérisation principale; la figure 12 est une vue de la disposition des cibles d'un deuxième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention; la figure 13 est une vue de la disposition des trous des première et deuxième plaques obturatrices du deuxième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 14A est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une copulvérisation utilisant les cibles T1 et T3 selon le deuxième mode de réalisation; la figure 14B est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une co-pulvérisation utilisant les cibles T2 et T4 selon le deuxième mode de réalisation; la figure 14C est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une co-pulvérisation utilisant les cibles Ti et T4 selon le deuxième mode de réalisation; la figure 14D est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une co-pulvérisation utilisant les cibles T2 et T5 selon le deuxième mode de réalisation; la figure 15A est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une pulvérisation unique utilisant la cible Ti selon un troisième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche de l'invention; la figure 15B est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une pulvérisation unique utilisant la cible T2 selon le troisième mode réalisation la figure 15C est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une pulvérisation unique utilisant la cible T3 selon le troisième mode réalisation la figure 15D est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une pulvérisation unique utilisant la cible T4 selon le troisième mode réalisation la figure 15E est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices lors d'une pulvérisation unique utilisant la cible T5 selon le troisième mode réalisation la figure 16 est une vue de la disposition des cibles selon un quatrième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche de l'invention; la figure 17 est une vue de la disposition des trous des première et deuxième plaques obturatrices du quatrième mode de 35 réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 18 est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices au moment de la pulvérisation principale selon le quatrième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 19 est une vue de la disposition des cibles selon un cinquième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche de l'invention; la figure 20 est une vue de la disposition des trous des première et deuxième plaques obturatrices selon le cinquième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 21 est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices au moment de la pulvérisation principale selon le cinquième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 22 est une vue de la disposition des cibles selon un sixième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention; la figure 23 est une vue de la disposition des trous des première et deuxième plaques obturatrices selon le sixième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; la figure 24 est un schéma des transitions d'états montrant le changement des positions des première et deuxième plaques obturatrices au moment de la pulvérisation principale selon le sixième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche; et la figure 25 est une table montrant la relation qui existe entre le nombre de cibles et le nombre de trous des première et deuxième plaques obturatrices. Ci-après, on va décrire des modes de réalisation préférés de l'invention en se reportant aux dessins annexés. Tout d'abord, un mode de réalisation du système de multipulvérisation auquel le procédé de commande d'obturateur à double couche de l'invention est appliqué va être présenté en liaison avec la figure 1. Ce système de multipulvérisation est un système servant à préparer, par pulvérisation, une pellicule multicouche.Dans cet exemple, est présenté, au titre de la pellicule multicouche, l'exemple d'une pellicule multicouche magnétique. La figure 1 est une vue en plan présentée pour montrer la configuration simplifiée du mécanisme interne du système de formation de pellicule multicouche magnétique. Ce système 10 de formation de pellicule multicouche magnétique est du type multiposte, comportant une pluralité de chambres de formation de pellicule. Une chambre de support 12, dotée d'un robot transporteur 11, se trouve à la position centrale. Le robot transporteur 11 est doté d'un bras 13 qui s'allonge ou se rétracte librement et d'une main 14 servant à porter le substrat. L'extrémité de base du bras 13 est montée rotative en une position centrale 12a de la chambre de support 12. La chambre de support 12 du système 10 de formation de pellicule multicouche magnétique est dotée de chambres de charge/décharge 15 et 16. La chambre de charge/décharge 15 permet que le substrat à traiter soit chargé, depuis l'extérieur, dans le système 10 de formation de pellicule multicouche magnétique et permet que le substrat terminé, une fois doté de la pellicule multicouche magnétique, soit déchargé du système 10 de formation de pellicule multicouche magnétique. La chambre 16 de charge/décharge exerce les mêmes fonctions. Le substrat chargé via la chambre de charge/décharge 16 est déchargé depuis cette même chambre. La raison pour laquelle il y a deux chambres de charge/décharge est qu'il s'agit d'accroître la productivité en utilisant les deux chambres en alternance. Ce système 10 de formation de pellicule multicouche magnétique est doté de trois chambres 17A, 17B et 17C de formation de pellicule, d'une chambre 18 de formation de pellicule d'oxyde et d'une chambre 19 de nettoyage, se trouvant autour de la chambre de support 12. Une vanne d'arrêt 20, séparant deux chambres et pouvant être librement ouverte ou fermée en fonction des besoins, est placée entre ces deux chambres. On note que chaque chambre est équipée d'un mécanisme d'aspiration, d'un mécanisme d'introduction de matériau gazeux, d'un mécanisme d'alimentation en électricité, etc., mais on a omis de les représenter. Chacune des chambres de formation de pellicule 17A, 17B et 17C est une chambre servant à former de manière continue des pellicules se rapportant à une pluralité de pellicules magnétiques qui appartiennent au même groupe dans une même chambre. Ce mode de réalisation est configuré pour diviser les pellicules constitutives de la pellicule multicouche magnétique devant être déposée sur le substrat en les trois groupes A, B et C, par exemple, en partant du côté inférieur, et déposer les diverses pellicules magnétiques relatives à chaque groupe dans une chambre commune de formation de pellicule. Ceci conduit à un système de formation de pellicule multicouche magnétique du type multiposte. Chacune des chambres 17A, 17B et 17C de formation de pellicule déposant la pluralité de pellicules magnétiques se répartissant en les groupes A, B et C et appartenant au même groupe dépose les pellicules magnétiques par un procédé de dépôt physique en phase vapeur (noté PVD) au moyen d'une pulvérisation. La chambre 17A de formation de pellicule servant à former des pellicules magnétiques qui appartiennent au groupe A dépose de manière continue chacun de quatre types, par exemple, de pellicules magnétiques sur une séquence prédéterminée. Pour cette raison, la chambre 17A de formation de pellicule est dotée de quatre cibles 23 à 26 correspondant aux quatre types de matériaux magnétiques fixés au plafond qui sont destinés à un substrat 22 disposé sur un porte-substrat 21 au centre de la partie inférieure. On note que, sur la figure 1 la représentation du mécanisme d'aspiration servant à faire le vide à l'intérieur de la chambre de formation de pellicule 17A, le mécanisme d'alimentation en courant nécessaire à la pulvérisation des cibles 23 à 26, le mécanisme servant à la production de plasma, ainsi que d'autres mécanismes, a été omise. Il en est de même pour les autres chambres de formation de pellicule. La chambre 17B de formation de pellicule servant à former les pellicules magnétiques qui appartiennent au groupe B dépose de manière continue les différents types de pellicules magnétiques suivant une séquence prédéterminée. De la même manière que cela a été décrit ci-dessus, elle est dotée de cibles 29 à 32 correspondant aux divers types de matériaux magnétiques fixés au plafond et visant le substrat 28 disposé sur un porte-substrat 27 au centre la partie inférieure. La chambre 17C de formation de pellicule servant à former des pellicules magnétiques appartenant au groupe C, de la même manière que cela a été décrit ci-dessus, est dotée de cibles 35 à 38 correspondant aux divers types de matériaux magnétiques fixés au plafond et visant le substrat 34 disposé sur un porte-substrat 33 au centre la partie inférieure. La chambre 18 de formation de pellicule d'oxyde effectue une réaction chimique de surface visant à oxyder une couche métallique. Dans la chambre 18 de formation de pellicule d'oxyde, la référence 39 désigne un porte-substrat et la référence 40 désigne un substrat. La chambre de nettoyage 19 est dotée d'un mécanisme de gravure par faisceau ionique et d'un mécanisme de pulvérisation de radiofréquence RF et elle aplanit la surface du substrat. Dans la chambre de nettoyage 19, la référence 41 désigne un porte-substrat et la référence 42 désigne un substrat. Dans le système 10 de formation de pellicule multicouche magnétique possédant la configuration ci-dessus présentée, un substrat 43 chargé dans le système via la chambre de charge/décharge 15 est successivement introduit dans chacune des chambres de formation de pellicule 17A, 17B et 17C, dans la chambre 18 de formation de pellicule d'oxyde, et dans la chambre de nettoyage 19 par le robot transporteur 11 selon une séquence préalablement déterminée en fonction du dispositif à pellicule multicouche magnétique devant être préparé. Des traitements prédéterminés, comme par exemple la formation de pellicule et la gravure, sont effectués dans les chambres. On va maintenant expliquer, en se reportant aux figures 2A et 2B, les structures caractéristiques prévues dans chacune des chambres de formation de pellicule 17A à 17C. La figure 2A est une vue en plan de la chambre 17C de formation de pellicule, par exemple, tandis que la figure 2B est une vue en coupe verticale montrant la structure caractéristique. Sur les figures 2A et 2B, les mêmes notations sont affectées à des composants qui présentent des particularités sensiblement identiques à celles des composants expliqués en liaison avec la figure 1. Le plafond 52 de l'enceinte 51 de la chambre 17C de formation de pellicule est doté de quatre cibles 35 à 38, comme expliqué ci-dessus. Ces cibles 35 à 38 sont fixées avec une certaine inclinaison au niveau du plafond 52. Dans l'exemple représenté, pour la commodité des explications, les cibles elles-mêmes sont indiquées par les numéros 35 à 38, mais les cibles réelles sont en fait logées dans des logements de cibles présentant des ouvertures dans leurs surfaces regardant du côté du substrat. Le porte-substrat 33 monté rotatif au centre de la surface inférieure de la chambre 17C de formation de pellicule porte un substrat 34 de manière qu'il soit horizontal. Au moment de la pulvérisation effectuée sur le substrat 34, ce dernier tourne. On note qu'un aimant en forme d'anneau 53 est disposé autour du substrat 34 sur le porte-substrat 33. Les cibles 35 à 38 placées de manière inclinée sont disposées de façon à regarder la surface supérieure du substrat 34 disposée horizontalement au-dessous d'elles. Un mécanisme obturateur tournant à double couche 54 est disposé entre les cibles et le substrat 34. Le mécanisme obturateur tournant à double couche 54 possède une structure à double couche faite de plaques obturatrices tournant indépendamment. Le mécanisme obturateur 54 a pour fonction de sélectionner la cible destinée à assurer la pulvérisation entre les quatre cibles 35 à 38. Avec une semblable configuration, on réalise une incidence oblique pour la substance de la cible pulvérisée, on obtient une répartition d'épaisseur de pellicule hautement uniforme lors de la formation de la pellicule multicouche, et on empêche toute contamination entre les cibles et toute contamination entre les pellicules magnétiques. La structure et le fonctionnement du mécanisme obturateur tournant à double couche 54 vont maintenant être conceptuellement expliqués de manière plus détaillée en liaison avec la figure 3. Cette figure montre un état comportant quatre cibles 35 à 38 disposées parallèlement pour simplifier les explications. Le mécanisme obturateur tournant à double couche 54 est prévu de façon que deux plaques obturatrices 61 et 62 soient disposées de manière sensiblement parallèle et qu'elles puissent tourner librement de manière séparée sur un axe 63. Sur la figure 2B, les cibles 35 à 38 et la plaque obturatrice du mécanisme obturateur tournant à double couche 54 sont présentées comme étant en position inclinée, mais elles sont placées parallèlement entre elles, si bien que la figure 3 est présentée de manière à tenir compte de ce point. Avec le mécanisme obturateur tournant à double couche 54, la plaque obturatrice 61 est la plaque obturatrice située du côté des cibles (première plaque obturatrice) et la plaque obturatrice 62 est la plaque obturatrice située du côté du substrat (deuxième plaque obturatrice). La plaque obturatrice 61 est dotée de deux trous 61a et 61b qui sont disposés par exemple suivant la direction diamétrale, tandis que la plaque obturatrice 62 est dotée par exemple d'un unique trou 62a. Le nombre et les positions des trous ne sont donnés qu'à simple titre d'exemple. L'invention n'est pas limitée à cette configuration, comme cela sera expliqué ultérieurement. Dans l'état présenté sur la figure 3, les positions du trou 61a de la plaque obturatrice 61 et du trou 62a de la plaque obturatrice 62 sont alignées avec la cible 38 destinée à effectuer la pulvérisation utilisant la cible 38 de façon à déposer une pellicule magnétique prédéterminée à la surface du substrat tournant 34. A ce moment, les cibles 36 et 37 sont recouvertes des deux plaques obturatrices 61 et 62 de manière à empêcher le dépôt de la substance de cible pulvérisée. De plus, la cible 35 est en regard du trou 61b de la plaque obturatrice 61, mais est couverte par la plaque obturatrice 62, de sorte qu'elle est protégée de la même manière que ci-dessus indiqué. Comme décrit plus haut, avec les plaques obturatrices 61 et 62 du mécanisme obturateur tournant à double couche 54, lorsqu'on regarde dans la direction de la cible depuis le substrat 34, une seule cible est exposée au moment de la pulvérisation. Les cibles non utilisées pour la pulvérisation sont recouvertes par les plaques obturatrices, si bien que, dans ce sens, on empêche fondamentalement l'intercontamination entre les cibles. Dans le système de multipulvérisation expliqué sur les figures 1, 2A, 2B et 3, on a présenté un exemple offrant quatre cibles dans chaque chambre 17A à 17C de formation de pellicule, mais le nombre des cibles placées dans une chambre de formation de pellicule n'est pas limité à quatre et peut être par exemple de cinq, ou bien de trois. Lorsque le nombre des cibles est cinq, le nombre de trous formés dans les plaques obturatrices 61 et 62 du mécanisme obturateur tournant à double couche 54 est sélectionné de façon appropriée en fonction des conditions de formation des pellicules. Par exemple, les deux plaques obturatrices 61 et 62 sont dotées de deux trous. De plus, dans le système de multipulvérisation, chaque couche de la pellicule multicouche déposée sur le substrat 34 est formée par la substance d'une unique cible, c'est-à-dire ce qu'on appellera une pulvérisation unique. Toutefois, une pellicule peut également être déposée via l'utilisation, par exemple, de plaques obturatrices 61 et 62 dotées chacune de deux trous et par utilisation de deux types de cibles pour le dépôt d'un mélange des substances différentes des cibles (ce que l'on appellera la "co-pulvérisation"). On va maintenant expliquer en détail un mode de réalisation d'un procédé de commande d'obturateur à double couche mis en oeuvre dans un système de multipulvérisation. Au cours des explications suivantes, le nombre et les notations relatives aux cibles ci-dessus présentées seront expliqués de manière appropriée séparément de la configuration du système de multipulvérisation expliqué ci-dessus. Le procédé de commande de pulvérisateur à double couche est conçu pour empêcher l'intercontamination se produisant en liaison avec la relation complexe de la prépulvérisation et de la pulvérisation principale, et autres, en plus de l'action de base servant à empêcher l'intercontamination telle qu'expliquée ci-dessus. Le procédé de commande d'obturateur à double couche déplace les deux plaques obturatrices 61 et 62 du mécanisme obturateur tournant à double couche 54 qu'on a expliqué ci-dessus de façon à sélectionner la cible devant être utilisée en fonction de la séquence de formation de pellicules de la pellicule multicouche devant être formée sur le substrat 34 et, dans le même temps, de façon à empêcher que la pulvérisation utilisant une certaine cible ne contamine les autres cibles du fait de l'état de décharge de la prépulvérisation et de l'état de décharge de la pulvérisation principale pendant le déplacement, ce que l'on appelle l'intercontamination. On exécute le procédé de commande d'obturateur à double couche décrit cidessus en commandant indépendamment les opérations de rotation des plaques obturatrices 61 et 62 du mécanisme obturateur tournant à double couche 54 au moyen d'un dispositif de commande 71 tel que représenté sur la figure 4. Le mécanisme obturateur tournant à double couche 54 est doté d'unités d'entraînement 72 et 73 servant à entraîner les deux plaques obturatrices 61 et 62. Le dispositif de commande 71 commande séparément les fonctionnements des unités d'entraînement 72 et 73. Les axes 74 et 75 des plaques obturatrices 61 et 62 sont par exemple formés suivant une structure coaxiale. Ici, en liaison avec la figure 5, on va expliquer de manière plus détaillée le phénomène de l'intercontamination qui peut être empêché par le procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention, du point de vue du phénomène du dépôt des substances des cibles sur les plaques obturatrices 61 et 62. Sur la figure 5, (A) montre le moment de la prépulvérisation, tandis que (B) montre le moment de la pulvérisation principale. Sur la figure 5, la référence 81 désigne la cible utilisée pour la pulvérisation, tandis que la référence 82 désigne une autre cible qui n'est pas utilisée pour la pulvérisation et qui est placée en une position adjacente. Au moment de la prépulvérisation, on aligne le trou 62a de la plaque obturatrice 62 avec la cible 81, puis on couvre la cible 81 au moyen de la plaque obturatrice 61. Dans cet état, la décharge est provoquée en vue de la prépulvérisation. On note que l'alimentation électrique n'est pas activée et que la décharge n'est pas provoquée en ce qui concerne la cible non utilisée pour la pulvérisation. Dans cet exemple, la plaque obturatrice 61 est dotée des deux trous 61a et 61b, tandis que la plaque obturatrice 62 est dotée des deux trous 62a et 62b. En ce qui concerne le fonctionnement du mécanisme obturateur tournant à double couche 54, lors d'une multipulvérisation classique, au moment de la prépulvérisation (A), puisqu'est survenu un état dans lequel la substance 91 de l'autre cible s'est déposée sur la surface de la plaque obturatrice 61 qui regarde la cible 81 (dépôt de l'obturateur) en raison, par exemple, d'une opération de pulvérisation antérieure, la substance de la cible 91 est utilisée pour la pulvérisation par décharge au moment de la pulvérisation et se dépose sur la surface de la cible 81. Par conséquent, au moment de la pulvérisation principale (B), l'autre substance de la cible 91 qui s'est déposée sur la surface de la cible 81 finit par se déposer sur la surface du substrat 34, de sorte qu'il se produit une intercontamination. Pendant le moment (A), l'obturateur 61 est fixé, puisque c'est le moment de la prépulvérisation, mais, lors du passage de (A) à (B), le même phénomène survient également lors de la rotation et du déplacement de l'obturateur 61. Ainsi, la cible 81 subit une décharge continue entre la prépulvérisation et la pulvérisation principale, si bien que, lorsqu'une substance différente de celle de la cible 81 passe pendant la rotation de l'obturateur 62, un même phénomène que l'intercontamination ci-dessus présentée se produit. De plus, l'autre substance de cible 91 et la substance 81 déposée sur le substrat 34 se dépose parfois sur la cible adjacente 82 via, par exemple, une partie d'ouverture 92. On note que la référence 93 désigne le dépôt de l'obturateur associé à l'autre cible. Le procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention est conçu pour empêcher l'intercontamination ci-dessus présentée et va être expliqué de manière détaillée dans les modes de réalisation suivants. L'idée de base du procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention est, tout d'abord, de couvrir la cible au moyen d'un emplacement de la plaque obturatrice où une substance de cible qui est la même que celle de la cible ci-dessus indiquée se dépose lors de la prépulvérisation immédiatement avant la pulvérisation principale (ou bien d'empêcher un emplacement où une autre substance de cible différente s'est déposée d'arriver à un endroit situé en regard pendant l'opération de rotation de l'obturateur) lorsqu'on utilise une certaine cible (par exemple la cible 81) en vue de la pulvérisation et, en deuxième lieu, d'utiliser une plaque servant à empêcher le dépôt afin d'éliminer le dépôt des substances des cibles au niveau des périphéries des trous de la plaque obturatrice. En raison de cela, même si un dépôt se forme sur la surface de la plaque obturatrice du côté cible au moment de la prépulvérisation ou même si la cible servant à la pulvérisation forme un dépôt au moment de la pulvérisation principale, puisqu'il s'agit d'un matériau du même type, la pellicule déposée sur le substrat conserve une qualité élevée. La configuration de base du procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention va ensuite être expliquée en liaison avec les figures 6 et 7. Tout d'abord, on va expliquer le phénomène de dépôt des substances des cibles sur les plaques obturatrices 61 et 62 avec le procédé de commande d'obturateur à double couche selon l'invention en se reportant à la figure 6. Sur la figure 6, (A) montre le moment de la prépulvérisation et (B) montre le moment de la pulvérisation principale. Sur la figure 6, la référence 81 désigne la cible destinée à la pulvérisation. Avec ce système de multipulvérisation, une plaque 94 destinée à empêcher le dépôt est disposée au voisinage de la surface de cible de la cible 81. La plaque 94 destinée à empêcher le dépôt est un élément doté d'un trou 94a, fait écran dans l'espace entourant la cible 81 et expose la surface de pulvérisation de la cible vers le côté substrat à travers le trou 94a. Au moment de la prépulvérisation, le trou 62a de la plaque obturatrice 62 est aligné avec la cible 81, et la cible 81 est couverte par la plaque obturatrice 61. La prépulvérisation s'effectue dans cette situation. Sur la base du procédé de commande qui va être expliqué ultérieurement, la substance 81A de la cible 81 se dépose sur la face de la plaque obturatrice 61 située en regard. Même si on utilise la cible 81 pour la prépulvérisation, une même substance de cible se dépose sur la surface en regard, si bien qu'aucune contamination n'a lieu. En outre, au moment de la pulvérisation principale, le trou 61a de la plaque obturatrice 61 est aligné avec la cible 81, comme indiqué en B sur la figure 6, si bien que la substance 81A de la cible 81 se dépose sur la surface du substrat 34. Dans ce cas également, puisque la surface de la cible 81 n'est pas contaminée au moment de la prépulvérisation, il ne se produit aucune intercontamination. Sur la figure 6, puisque la plaque 94 destinée à empêcher le dépôt est prévue, on peut empêcher le dépôt du matériau de la cible sur le bord périphérique 61a-1 du trou 61a. On va ensuite, en liaison avec la figure 7, expliquer une situation qui est la même que la situation expliquée en liaison avec la figure 5 dans le cas de la pulvérisation selon l'invention. Sur la figure 7, des notations identiques sont affectées à des composants sensiblement identiques à ceux expliqués en liaison avec la figure 5. La différence entre le cas de la figure 7 et celui de la figure 5 est que les mêmes substances 81a et 82a se sont déposées en des emplacements situés en regard des cibles 81 et 82 lors du stade de la prépulvérisation, quand on utilisait la cible 81 pour la pulvérisation afin de former une pellicule faite de la substance de la cible 81 sur le substrat 34. De plus, seuls des emplacements où une même substance est déposée sont traversés. De plus, le dépôt de la cible ne s'est pas fait sur le bord périphérique 61a- 1 du trou 61a. De plus, la position stationnaire de la plaque obturatrice 62 est différente. Dans le cas de la figure 5, au moment de la prépulvérisation, le trou 62a est aligné avec la cible 81 et le trou 62b est aligné avec la cible 82, mais, dans le cas de la figure 7, au moment de la prépulvérisation, le trou 62a est aligné avec la cible 81 tandis que la cible 82 est recouverte. Par conséquent, dans le cas d'une pulvérisation selon l'invention telle que présentée sur la figure 7, on peut empêcher de manière fiable toute intercontamination expliquée en liaison avec la figure 5. Lorsqu'on empêche l'intercontamination qui a été expliquée en liaison avec les figures 6 et 7 en utilisant, pour la pulvérisation, le mécanisme obturateur tournant à double couche 54, un point particulièrement important est qu'une substance de cible identique à celle de la cible 81 se dépose sur l'emplacement de la surface de la plaque obturatrice 61 ou de la plaque obturatrice 62 qui est en regard de la cible au moment de la prépulvérisation précédant immédiatement la pulvérisation principale lors de la pulvérisation au moyen de la cible 81. Lorsqu'on sélectionne une certaine cible parmi les cibles en vue de la pulvérisation, une même substance se dépose à l'emplacement de la plaque obturatrice 61 couvrant la cible sélectionnée au moment de la prépulvérisation avant la pulvérisation principale. Ainsi, pour créer une relation n'amenant pas le dépôt de la substance d'une autre cible et pour créer une relation ne permettant pas qu'une substance déposée par une autre cible passe devant une certaine cible dans l'état de décharge lors du passage de la prépulvérisation à la pulvérisation principale. Le procédé de commande de pulvérisateur à double couche qui est expliqué plus haut sert à commander les opérations de rotation des deux plaques obturatrices 61 et 62 du mécanisme obturateur tournant à double couche 54. Ci-après, on va donner des explications concernant plusieurs modes de réalisation typiques du procédé de commande du mécanisme obturateur à double couche en fonction du nombre de cibles et du type de pulvérisation (pulvérisation unique ou co-pulvérisation) selon l'invention. Premier mode de réalisation On va maintenant présenter, en liaison avec les figures 8 à 11, les explications associées à un premier mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche. Ce premier mode de réalisation montre un exemple comportant quatre cibles et une unique pulvérisation au moyen d'une première plaque obturatrice possédant deux trous et d'une deuxième plaque obturatrice possédant un seul trou. Le procédé de commande d'obturateur à double couche du premier mode de réalisation est associé à la configuration du système que montrent les figures 1 à 3. Sur les figures 8 et 9, par commodité pour une explication conceptuelle du mode de réalisation, les quatre cibles seront indiquées par les notations Ti à T4, les deux trous de la première plaque obturatrice 61 regardant vers la cible seront indiqués par les notations H1 et H2, et le trou unique de la deuxième plaque obturatrice 62 se trouvant du côté du substrat sera indiqué par la notation H3. Les cibles Ti à T4 correspondent aux cibles 35 à 38 de la figure 3, les trous H1 et H2 correspondent aux trous 61a et 61b, et le trou H3 correspond au trou 62a. Dans la première plaque obturatrice 61, les deux trous Hi et H2 sont formés en des positions séparées de 180 . De plus, sur les figures 8 et 9, les cercles 101 désignent les trajets de déplacement des trous H1 à H3 lorsque les deux plaques obturatrices 61 et 62 tournent. Sur la figure 10, les références (A) à (D) indiquent les positions du mouvement de rotation de la première plaque obturatrice 61 et de la deuxième plaque obturatrice 62 lorsqu'on utilise séquentiellement les quatre cibles Ti à T4 relatives à la pulvérisation principale selon la séquence Ti, T2, T3 et T4. Dans la suite des explications, on supposera que l'opération de prépulvérisation associée à une certaine cible s'effectue avant l'opération de pulvérisation principale. De plus, l'énergie électrique relative à la prépulvérisation et à la pulvérisation principale est fournie par la source d'alimentation électrique pour chaque cible de pulvérisation. Les cibles (Ti à T4) indiquées par les blocs hachurés de la figure 10 reçoivent le courant et sont dans l'état de décharge, tandis que les autres cibles, indiquées par de simples blocs blancs ne reçoivent pas d'électricité et sont dans un état de non-décharge. La signification des blocs représentant les cibles (Ti à T5) est la même dans tous les modes de réalisation expliqués ci-dessous. On note que, dans le premier mode de réalisation, il y a en réalité aussi des cas qui effectuent la pulvérisation principale via d'autres séquences différant de la séquence Ti, T2, T3 et T4. Sur la figure 10, la référence (A) représente l'état d'utilisation de la cible Ti pour la pulvérisation principale. Le dépôt Tia formé sur la surface de la première plaque obturatrice 61 est constitué des substances des cibles Ti à T4 qui se sont déposées à des stades de prépulvérisation précédents. Sur la figure 11, à titre d'exemple, on a représenté la relation 35 qui existe entre la prépulvérisation (A) et la pulvérisation principale (B) relativement à la cible Ti. La commande s'exerce de façon que le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 soit aligné avec la cible Tl et que la première plaque obturatrice 61 soit recouverte au moment de la prépulvérisation. Lors du passage de la prépulvérisation à la pulvérisation principale, la première plaque obturatrice 61 tourne comme indiqué par la flèche 63, si bien que le trou H1 s'aligne avec la cible Ti de façon à exposer la cible Ti par rapport au substrat 34. Dans cet état, à l'emplacement de la première plaque obturatrice 61 qui regarde la cible Tl, il n'y a que le dépôt Tia formé par dépôt de la même substance. Par conséquent, comme indiqué en (A) sur la figure 10, l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 est commandée de façon quel'emplacement du dépôt Tla soit en regard de la cible Ti au moment de la prépulvérisation. Lors de la pulvérisation principale relative à la cible Ti, le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 est aligné avec la cible Ti au moment de la prépulvérisation, après quoi on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle se trouve le dépôt Tia de façon que son trou H1 soit aligné avec la cible Ti. De ce fait, le trou H1 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible Ti par rapport au substrat 34 et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt Tla passe en un emplacement qui regarde frontalement la cible Ti du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient l'état de décharge. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination. On note qu'aucune autre substance d'une cible ne passe par un emplacement regardant frontalement la cible Ti du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Sur la figure 10, la référence (B) indique l'état de l'utilisation suivante de la cible T2 pour la pulvérisation principale. Les dépôts Tia et T2a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont respectivement constitués des substances des cibles Ti et T2 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, antérieures à celle- ci. Lorsqu'on utilise la cible T2 pour effectuer la pulvérisation principale, on aligne le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec la cible T2 au moment de la prépulvérisation, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia et T2a se sont formés de façon que le trou H1 soit aligné avec la cible T2. Pour cette raison, le trou H1 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible T2 par rapport au substrat et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description précédente, seul le dépôt T2a passe par un emplacement regardant frontalement la cible T2 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 allant de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient l'état de décharge. Aucune autre substance venant d'une autre cible ne passe par celle-ci. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination de la cible T2 et des autres cibles Tl, T3 et T4. Sur la figure 10, la référence (C) indique l'état dans lequel on utilise ensuite la cible T3 pour la pulvérisation principale. Les dépôts Tia, T2a et T3a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T3 qui se sont déposées au stade de prépulvérisation, et autres, avant cela. Lorsqu'on utilise la cible T3 pour effectuer la pulvérisation principale, on aligne le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec la cible T3 au moment de la prépulvérisation, après quoi on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T3a se sont formés de façon que le trou H2 de cette dernière soit aligné avec la cible T3. De ce fait, le trou H2 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible T3 par rapport au substrat et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt T3a passe par un emplacement regardant frontalement la cible T3 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 allant de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient l'état de décharge. Aucune autre substance d'une autre cible ne passe par celle-ci. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination ci-dessus indiquée au niveau de la cible T3 et des autres cibles Tl, T2 et T4. Sur la figure 10, la référence (D) indique l'état suivant d'utilisation de la cible T4 pour effectuer la pulvérisation principale. Les dépôts Tla, T2a, T3a et T4a qui se sont formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, avant cela. Lorsqu'on utilise la cible T4 pour effectuer la pulvérisation principale, on aligne le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec la cible T4 au moment de la prépulvérisation, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tla à T4a se sont formés de façon que le trou H2 soit aligné avec la cible T4. De ce fait, le trou H2 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H3 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible T4 par rapport au substrat et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt T4a passe par un emplacement qui regarde frontalement la cible T4 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient l'état de décharge. Aucune autre substance d'une autre cible ne passe par celle-ci. Pour cette raison, l'intercontamination ci-dessus indiquée peut être empêchée au niveau de la cible T4 ainsi que des autres cibles Ti, T2 et T3. On va maintenant donner des explications concernant des modes de réalisation d'un procédé de commande d'obturateur à double couche dans le cas où il y a cinq cibles, où chacune des première et deuxième plaques obturatrices possède deux trous, et où le procédé est en mesure de réaliser la commande d'une "pulvérisation unique" et celle d'une "copulvérisation" au moyen d'une configuration de système commune ayant une unique chambre de formation de pellicule dans un système de multipulvérisation. Au cours des explications données pour ces modes de réalisation, on prendra l'exemple de la commande d'une co-pulvérisation au titre d'un deuxième mode de réalisation, après quoi on prendra l'exemple d'une commande de pulvérisation unique effectuée après la commande de co-pulvérisation, au titre d'un troisième mode de réalisation. Deuxième mode de réalisation On va expliquer ci-après, en liaison avec les figures 12, 13 et 14A à 14D, un deuxième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche. Ce deuxième mode de réalisation présente l'exemple où il y a cinq cibles, les première et deuxième plaques obturatrices ayant chacune deux trous, et une co-pulvérisation. Sur les figures 12 et 13, les cinq cibles sont indiquées par les notations Ti à T5, les deux trous de la première plaque obturatrice 61 regardant la cible sont indiqués par les notations H11 et H12, et les deux trous de la deuxième plaque obturatrice 62 se trouvant du côté du substrat sont indiqués par les notations H13 et H14. Les trous H11 et H12 ménagés dans la première plaque obturatrice 61 sont formés en des positions qui sont mutuellement séparées de 144 suivant le sens horaire, tandis que les trous H13 et H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont formés en des positions mutuellement séparées de 144 dans le sens horaire. De plus, sur les figures 12 et 13, les cercles 101 désignent les trajectoires de déplacement des trous H11 à H14 lorsque les plaques obturatrices 61 et 62 tournent. Les figures 14A à 14D montrent les positions de déplacement rotatif de la première plaque obturatrice 61 et de la deuxième plaque obturatrice 62 lorsqu'on exécute séquentiellement la co-pulvérisation des cibles Ti et T3, la co-pulvérisation des cibles T2 et T4, la co-pulvérisation des cibles Tl et T4, et la co-pulvérisation des cibles T2 et T5 se basant sur les cinq cibles Tl à T5. Sur chacune des figures 14A à 14D, la partie supérieure (A) représente l'état de prépulvérisation, tandis que la partie inférieure (B) représente l'état de la pulvérisation principale. Par déplacement de la première plaque obturatrice 61 ou de la deuxième plaque obturatrice 62 par rapport aux positions de la pré-pulvérisation, le système fait passer à l'état relatif à la pulvérisation principale. On note que, pour la co-pulvérisation associée aux cinq cibles Ti à T5, avec la présente configuration du système, une co-pulvérisation entre cibles adjacentes n'est pas possible en raison de la connexion de l'alimentation électrique des pulvérisateurs et des limitations des trous des obturateurs. Sur la base de cette règle, les quatre ensembles de copulvérisation des cibles Ti et T3, des cibles T2 et T4, des cibles Ti et T4 et des cibles T2 et T5 sont effectués comme décrit ci-dessus. La figure 14A montre l'état où l'on utilise les deux cibles Ti et T3 pour effectuer d'abord la co-pulvérisation. Dans un état initial, aucune pellicule n'est déposée ni sur la première plaque obturatrice 61, ni sur la deuxième plaque obturatrice 62. En ce qui concerne la co-pulvérisation utilisant les cibles Ti et T3, l'alimentation électrique est fournie à chacune des cibles Ti et T3 à partir de la source d'alimentation électrique de façon à créer un état de décharge pour les seules cibles Ti et T3. Sur la figure 14A, les cibles Ti et T3 indiquées par les blocs hachurés sont dans l'état de décharge, tandis que les cibles T2, T4 et T5 indiquées par les blocs en blanc sont dans l'état de non-décharge. Sur la base de l'état de décharge associé à la prépulvérisation, les dépôts Tia et T3a se forment sur la surface de la première plaque obturatrice 61. Les dépôts Tia et T3a sont constitués des substances des cibles Ti et T3 qui se sont déposées aux emplacements en regard des cibles T1 et T3 lors de l'état de décharge pendant la prépulvérisation. Comme représenté sur la figure 14A, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H11 avec une position se trouvant entre les cibles Ti et T2 et à aligner le trou H12 entre les cibles T3 et T4. De plus, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner le trou H13 avec la cible H14 et à aligner le trou H14 avec la cible T3. Il n'y a aucun dépôt sur la surface de la deuxième plaque obturatrice 61. Ensuite, lorsqu'on utilise les cibles Ti et T3 pour effectuer la pulvérisation, on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia et T3a sont formés de façon que les trous H11 et H12 soient respectivement alignés avec les cibles Ti et T3. De ce fait, le trou H11 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H13 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés, le trou H12 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés, tandis que les cibles Ti et T2 sont exposées par rapport au substrat de manière à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description précédente, on voit que, lorsque la première plaque obturatrice 61 tourne pour passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient la décharge, seuls les dépôts Tia et T3a passent par des emplacements qui regardent frontalement les cibles Ti et T3. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus. La figure 14B montre l'état correspondant au cas où l'on va ensuite utiliser les cibles T2 et T4 pour effectuer une co-pulvérisation après que la pulvérisation principale représentée sur la figure 14A se soit terminée. Dans ce cas, les cibles T2 et T4 sont dans l'état de décharge, tandis que les cibles Tl, T3 et T5 sont dans un état de non-décharge. De plus, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H11 avec une position se trouvant entre les cibles Tl et T2 et à aligner le trou H12 avec une position se trouvant entre les cibles T3 et T4, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 pour aligner le trou H13 avec la cible T2 et aligner le trou H14 avec la cible T4. Il n'y a aucun dépôt sur la surface de la deuxième plaque obturatrice 61. Sur la surface de la première plaque obturatrice 61, les dépôts T2a et T4a se forment nouvellement du fait de la prépulvérisation. Les dépôts T1a à T4a sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui se sont déposées au stade précédent de la co-pulvérisation et lors de la prépulvérisation courante. Lorsqu'on utilise les cibles T2 et T4 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T4a se sont formés dans l'état où les trous H13 et H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 étaient alignés avec les cibles T2 et T4 au moment de la prépulvérisation de façon que les trous H11 et H12 soient alignés avec les cibles T2 et T4. De ce fait, les trous H11 et H12 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H13 et H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer les cibles T2 et T4 par rapport au substrat et à réaliser la pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, lorsqu'on fait tourner la première plaque obturatrice 61 pour aller de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient la décharge, seuls les dépôts T2a et T4a passent par des emplacements disposés frontalement en regard des cibles T2 et T4. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination ci-dessus expliquée au niveau des cibles T2 et T4. La figure 14C montre l'état correspondant à un cas où on utilise ensuite les cibles Ti et T4 pour effectuer la co-pulvérisation après que la pulvérisation principale représentée sur la figure 14B se soit terminée. Dans ce cas, les cibles Ti et T4 sont dans l'état de décharge, tandis que les cibles T2, T3 et T5 sont dans un état de non-décharge. En outre, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H12 avec la cible Tl et à aligner le trou H11 avec la cible T4, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner le trou H4 avec la position se trouvant entre les cibles Ti et T2 et à aligner le trou H3 avec une position se trouvant entre les cibles T4 et T5. Les dépôts Tla à T4a qui se sont formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Tl et T4 qui sont déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, avant cela. En outre, les dépôts Tia et T4a se forment sur la surface de la deuxième plaque obturatrice 62 par l'opération courante de prépulvérisation. Lorsqu'on utilise les cibles Ti et T4 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait ensuite tourner la deuxième plaque obturatrice 62 sur laquelle les dépôts Tia et T4a se sont formés de façon que les trous H14 et H13 soient alignés avec les cibles T1 et T4. De ce fait, les trous H12 et H11 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H14 et H13 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer les cibles T1 et T4 par rapport au substrat et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, lorsqu'on fait tourner la première plaque obturatrice 61 de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient la décharge, seuls les dépôts Tla et T4a passent par des emplacements qui sont frontalement en regard avec les cibles Ti et T4. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus au niveau des cibles Ti et T4. La figure 14D montre l'état correspondant au cas où l'on utilise ensuite les cibles T2 et T5 pour effectuer une co-pulvérisation après que l'opération de pulvérisation principale représentée sur la figure 14C ait été menée à son terme. Dans ce cas, les cibles T2 et T5 sont dans l'état de décharge, tandis que les cibles Tl, T3 et T4 sont dans un état de nondécharge. De plus, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H12 avec la cible T2 et à aligner le trou H11 avec la cible T5, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner le trou H14 avec une position se trouvant entre les cibles T1 et T2 et à aligner le trou H13 avec une position se trouvant entre les cibles T4 et T5. Les dépôts Tla à T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui se sont déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, avant cela. De plus, les dépôts T2a et T5a se sont formés sur la surface de la deuxième plaque obturatrice 62 par l'opération courante de prépulvérisation, en plus des dépôts Tla et T4a. Lorsqu'on utilise les cibles T2 et T5 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait ensuite tourner la deuxième plaque obturatrice 62 sur laquelle les dépôts Tla, T2a, T4a et T5a se sont formés de façon que les trous H14 et H13 soient alignés avec les cibles T2 et T5. De ce fait, les trous H12 et H11 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H14 et H13 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer les cibles T2 et T5 par rapport au substrat et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description précédente, lorsqu'on a fait tourner la première plaque obturatrice 61 pour la faire passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintenait la décharge, seuls les dépôts T2a et T5a sont passés par des emplacements disposés frontalement en regard des cibles T2 et T5. Pour cette raison, on a pu empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus au niveau des cibles T2 et T5. Troisième mode de réalisation On va maintenant expliquer, en se reportant aux figures 15A à 15E, un troisième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche. Ce troisième mode de réalisation est un procédé destiné à assurer la commande d'une pulvérisation unique et utilisant une configuration de système identique à celle du deuxième mode de réalisation expliqué en liaison avec les figures 12 et 13, lequel effectue la pulvérisation unique après la co-pulvérisation, pour le deuxième mode de réalisation. Par conséquent, le procédé de commande d'obturateur à double couche du troisième mode de réalisation présente un exemple où il y a cinq cibles, les première et deuxième plaques obturatrices ayant chacune deux trous, et une pulvérisation unique. De plus, avec la pulvérisation unique selon le troisième mode de réalisation, on effectue la prépulvérisation en utilisant une position où la pellicule est déposée finalement au moment où l'opération finale de pulvérisation principale du deuxième mode de réalisation prend fin (la position de dépôt de pellicule au moment de la pulvérisation principale de la figure 14D). Sur les figures 15A à 15E, les cinq cibles Ti à T5, les deux trous H11 et H12 de la première plaque obturatrice 61 se trouvant en regard des cibles, et les deux trous H13 et H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 se trouvant du côté substrat sont identiques à ceux expliqués en liaison avec le cas du deuxième mode de réalisation. Les figures 15A à 15E montrent les positions de déplacement en rotation de la première plaque obturatrice 61 et de la deuxième plaque obturatrice 62 lors de l'exécution séquentielle de la pulvérisation unique en liaison avec les cinq cibles Ti à T5 suivant la séquence Ti, T2, T3, T4 et T5. Sur chacune des figures 15A à 15E, la partie supérieure (A) montre l'état relatif à la prépulvérisation et la partie inférieure (B) montre l'état relatif à la pulvérisation principale. La figure 15A montre un état dans lequel on utilise la cible T1 pour effectuer une pulvérisation unique après que la pulvérisation principale représentée sur la figure 14D est arrivée à son terme. Dans ce cas, la cible Tl est dans l'état de décharge, tandis que les cibles T2 à T5 sont dans un état de non-décharge. En outre, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H11 avec une position se trouvant entre les cibles Ti et T2 et à aligner le trou H12 avec une position se trouvant entre les cibles T3 et T4, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner le trou H14 avec la cible Ti et à aligner le trou H13 avec la cible T4. Les dépôts Tla, T2a, T3a et T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Tl à T4 déposées en des emplacements qui sont en regard des cibles Ti à T4 dans l'état de décharge au stade de la prépulvérisation, et autres, comme expliqué précédemment. De plus, les dépôts Tla, T2a, T4a et T5a formés sur la surface de la deuxième plaque obturatrice 62 sont constitués des substances des cibles Ti, T2, T4 et T5 qui se sont déposées en des emplacements qui sont en regard des cibles Ti, T2, T4 et T5 se trouvant dans l'état de décharge aux stades de décharge précédents. Comme représenté sur la figure 15A, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à faire que les emplacements des dépôts Tia à T4a soient en regard des cibles Tl à T4. De plus, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner le trou H14 avec la cible Ti et à aligner le trou H13 avec la cible T4. Ensuite, lorsqu'on utilise la cible Ti pour effectuer la pulvérisation principale, on fait alors tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tla à T4a se sont formés afin d'aligner le trou H11 avec la cible T1. De ce fait, le trou H11 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés afin d'exposer la cible Ti vis-à-vis du substrat et d'effectuer la pulvérisation principale. Dans la description précédente, lorsqu'on fait tourner la première plaque obturatrice 61 pour aller de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tout en maintenant la décharge, seul le dépôt Tia passe par un emplacement qui est en regard frontal avec la cible Ti. Aucune autre substance d'une autre cible ne passe par celle-ci. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination qui a été expliquée ci-dessus. La figure 15B montre l'état où l'on utilise ensuite la cible T2 pour effectuer une unique pulvérisation après que la pulvérisation principale représentée sur la figure 15A est arrivée à son terme. Dans ce cas, la cible T2 se trouve dans l'état de décharge, tandis que les cibles Ti et T3 à T5 sont dans un état de non-décharge. De plus, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H11 avec une position se trouvant entre les cibles Ti et T2 et à aligner le trou H12 avec une position se trouvant entre les cibles T3 et T4, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'aligner le trou H14 avec la cible T2 et d'aligner le trou H13 avec la cible T5. Les dépôts Tla, T2a, T3a et T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice sont constitués par les substances des cibles Tl à T4 qui se sont déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, comme précédemment expliqué. Lorsqu'on utilise la cible T2 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T4a se sont formés de façon que son trou H11 soit aligné avec la cible T2. De ce fait, le trou H11 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H14 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible T2 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description précédente, lorsqu'on fait tourner la première plaque obturatrice pour aller de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tout en maintenant la décharge, seul le dépôt T2a passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T2. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée cidessus au niveau de la cible T2. La figure 15C montre un état dans lequel on utilise ensuite la cible T3 pour effectuer une pulvérisation unique après que la pulvérisation principale représentée sur la figure 15B a été menée à son terme. Dans ce cas, la cible T3 est dans l'état de décharge et, tandis que les cibles Tl, T2, T4 et T5 sont dans un état de non-décharge. De plus, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon à aligner le trou H11 avec une position se trouvant entre les cibles Ti et T2 et à aligner le trou H12 avec une position se trouvant entre les cibles T3 et T4, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'aligner le trou H13 avec la cible T3 et d'aligner le trou H14 avec la cible T5. Les dépôts Tla, T2a, T3a et T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui se sont déposées aux stades de la prépulvérisation, etc., avant cela. Lorsqu'on utilise la cible T3 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T4a se sont formés de manière à aligner son trou H12 avec la cible T3. De ce fait, le trou H12 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H13 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible T3 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description précédente, lorsqu'on fait tourner la première plaque obturatrice 61 pour aller de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tout en maintenant la décharge, seul le dépôt T3a passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T3. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée cidessus au niveau de la cible T3. La figure 15D montre l'état dans lequel on utilise ensuite la cible T4 pour effectuer une pulvérisation unique après que la pulvérisation principale montrée en liaison avec la figure 15C a été menée à son terme. Dans ce cas, la cible T4 est dans l'état de décharge, tandis que les cibles T1 à T3 et T5 sont dans un état de non-décharge. De plus, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 est commandée de façon à aligner le trou H11 avec une position située entre les cibles Tl et T2 et à aligner le trou H12 avec une position située entre les cibles T3 et T4, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'aligner le trou H13 avec la cible T3 et d'aligner le trou H14 avec la cible Ti. Les dépôts Tia, T2a, T3a et T4a formés sur la surface de la premièreplaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, avant cela. Lorsqu'on utilise la cible T4 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T4a ont été déposés de façon que son trou H12 soit aligné avec la cible T4. De ce fait, le trou H12 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H13 de la deuxième plaque obturatrice 63 sont alignés de façon à exposer la cible T4 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description présentée ci-dessus, lorsqu'on fait tourner la première plaque obturatrice 61 pour aller de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient la décharge, seul le dépôt T4a passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T4. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus au niveau de la cible T4. La figure 15E montre l'état où l'on utilise ensuite la cible T5 pour effectuer une unique pulvérisation après que l'opération de pulvérisation principale représentée sur la figure 15D a été menée à son terme. Dans ce cas, la cible T5 est dans l'état de décharge, tandis que les cibles Tl à T4 sont dans un état de non-décharge. De plus, dans ce cas, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 afin d'aligner le trou H11 avec la cible T3 et d'aligner le trou H12 avec la cible T5, tandis qu'on commande l'opération de rotation de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'aligner le trou H13 avec une position située entre les cibles T4 et T5 et d'aligner le trou H14 avec une position située entre les cibles Ti et T2. Les dépôts Tia, T2a, T3a et T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, et autres, avant celui-ci. Lorsqu'on utilise la cible T5 pour effectuer la pulvérisation principale, on fait tourner la deuxième plaque pulvérisatrice 62 de façon que son trou H13 soit aligné avec la cible T5. De ce fait, on aligne le trou H12 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H13 de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'exposer la cible T5 vis-à-vis du substrat et d'effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, lorsqu'on fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62 pour aller de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale tandis qu'on maintient la décharge, seul le dépôt T5a passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T5. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination qui a été expliquée ci-dessus au niveau de la cible T5. Quatrième mode de réalisation On va maintenant expliquer, en se reportant aux figures 16 à 18, un quatrième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche. Dans ce mode de réalisation, on va expliquer un autre exemple de pulvérisation unique avec cinq cibles. Les cinq cibles sont indiquées par les références Tl à T5, les trous de la première plaque obturatrice 61 se trouvant en regard des cibles sont indiqués par H21, H22 et H23, tandis que le trou de la deuxième plaque obturatrice 62 se trouvant du côté du substrat est indiqué par la référence H24. Les trous H21, H22 et H23 formés dans la première plaque obturatrice 61 se trouvent à des positions respectivement écartées de 144 et 216 , dans le sens horaire, par rapport à H21. De plus, sur les figures 16 et 17, les cercles 101 désignent les trajets de déplacement des trous H21 à H24 pendant la rotation des deux plaques obturatrices 61 et 62. Sur la figure 18, les références (A) à (E) montrent les positions de déplacement en rotation de la première plaque obturatrice 61 et de la deuxième plaque obturatrice 62 dans chaque cas où on utilise séquentiellement cinq cibles Ti à T5 pour l'opération de pulvérisation principale, suivant la séquence T1, T2, T3, T4 et T5. Dans les explications suivantes, on a supposé que l'opération de prépulvérisation a été effectuée avant l'opération de pulvérisation principale en ce qui concerne une certaine cible. Sur la figure 18, la référence (A) désigne l'état où on utilise la cible T1 pour effectuer la pulvérisation principale. Les dépôts Tia, T2a, T3a, T4a et T5a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui sont déposées aux stades de prépulvérisation, avant cela. Comme représenté en (A) sur la figure 18, au moment de la prépulvérisation, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon que les positions des dépôts Tla à T5a soient en regard des cibles Ti à T5. Lorsqu'on utilise la cible Tl pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on a fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner le trou H24 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec la cible T1, puis on a fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts Tia à T5a sont formés, de façon que le trou H21 soit aligné avec la cible Ti. De ce fait, on aligne le trou H21 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H24 de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'exposer la cible Ti par rapport au substrat et d'effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt Tia passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T1 en raison de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 allant de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus. On note qu'aucune autre substance d'une autre cible ne passera par des emplacements situés frontalement en regard des autres cibles Ti, T3, T4 et T5 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. La référence (B) de la figure 18 montre l'état où on utilise ensuite la cible T2 pour effectuer la pulvérisation principale. Les dépôts Tia à T5a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles T1 à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant cela. Lorsqu'on utilise la cible T2 pour effecteur la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on a fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62 pour aligner son trou H24 avec la cible T2, puis on a fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts Tia à T5a ont été formés, de façon que son trou H21 soit aligné avec la cible T2. De ce fait, le trou H21 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H24 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer la cible T2 vis-à-vis du substrat et à effectuer la pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt T2a passe par un emplacement situé frontalement en regard avec la cible T2 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination qui a été expliquée ci-dessus au niveau de la cible T2. La référence (C) de la figure 18 montre l'état dans lequel on utilise ensuite la cible T3 pour effectuer la pulvérisation principale. Les dépôts Tia à T5a qui ont été formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 pour constituer des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celui-ci. Lorsqu'on utilise la cible T3 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'aligner le trou H24 de cette dernière avec la cible T3, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T5a ont été formés de façon que son trou H22 soit aligné avec la cible T3. De ce fait, on aligne le trou H22 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H24 de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à exposer la cible T2 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée cidessus, seul le dépôt T3a passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T3 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus au niveau de la cible T3. La référence (D) de la figure 18 montre l'état où l'on utilise ensuite la cible T4 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tla à T5a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant cela. Lorsqu'on utilise la cible T4 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'aligner son trou H24 avec la cible T4, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts Tia à T5a ont été formés, de façon que son trou H22 soit aligné avec la cible T4. De ce fait, on aligne le trou H22 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H24 de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à exposer la cible T4 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt T4a passe par un emplacement situé frontalement en regard de la cible T4 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée cidessus au niveau de la cible T4. La référence (E) de la figure 18 montre l'état où l'on utilise ensuite la cible T5 pour effecteur l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tla à T5a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant cela. Lorsque l'on utilise la cible T5 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à aligner son trou H24 avec la cible T5, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts T1a à T5a ont été formés, de façon à aligner son trou H23 avec la cible T5. De ce fait, on aligne le trou H23 de la première plaque obturatrice 61 et le trou H24 de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à exposer la cible T5 vis-àvis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seul le dépôt T5a passe par un emplacement situé frontalement en regard avec la cible T5 en raison de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination, expliquée cidessus, au niveau de la cible T5. Cinquième mode de réalisation On va maintenant expliquer, en liaison avec les figures 19 à 21, un cinquième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à double couche. Dans ce mode de réalisation, on va expliquer un exemple où il y a quatre cibles et une co-pulvérisation. La figure 19 correspond à la figure 8 ci-dessus présentée, tandis que la figure 20 correspond à la figure 9. Sur les figures 19 à 21, on a affecté des notations identiques aux composants qui sont les mêmes que ceux de la figure 8 et des autres figures associées. Les quatre cibles sont indiquées par les références Ti à T4, les trous de la première plaque obturatrice 61 se trouvant en regard des cibles sont indiqués par les références H31 et H32, et les trous de la deuxième plaque obturatrice 62 se trouvant du côté substrat sont indiqués par les références H33 et H34. Dans la première plaque obturatrice 61, les deux trous H31 et H32 sont formés en des positions mutuellement séparées de 180 , tandis que, dans la deuxième plaque obturatrice 62, les deux trous H33 et H34 sont formés en des positions mutuellement séparées de 180 . Sur la figure 21, les références entre (A) et (B) montrent les positions de déplacement en rotation de la première plaque obturatrice 61 et de la deuxième plaque obturatrice 62 dans les cas de l'utilisation séquentielle des quatre cibles Ti à T4 servant à effectuer la pulvérisation principale suivant la séquence formée par les combinaisons des cibles T1 et T3 et des cibles T2 et T4. L'opération de prépulvérisation s'effectue avant l'opération de pulvérisation principale pour une certaine cible. La référence (A) de la figure 21 montre un état dans lequel on utilise ensuite les cibles Ti et T3 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tia, T2a, T3a et T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui sont déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celuici. Comme on peut voir en (A) sur la figure 21, on commande une opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon que les emplacements des dépôts Tla à T4a soient en regard des cibles Tl à T4 au moment de la prépulvérisation. Lorsqu'on utilise les cibles Ti et T3 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on aligne les trous H33 et H34 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec les cibles Ti et T3, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tia à T4a ont été formés de façon à aligner ses trous H31 et H32 avec les cibles T1 et T3. De ce fait, les trous H31 et H32 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H33 et H34 de la deuxième plaque obturatrice 62 s'alignent de façon à exposer les cibles Ti et T3 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci- dessus, seuls les dépôts Tia et T3a passent par les emplacements situés frontalement en regard avec les cibles Ti et T3 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination qui a été expliquée ci-dessus. La référence (B) que l'on peut voir sur la figure 21 représente un état où on utilise ensuite les cibles T2 et T4 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tla à T4a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T4 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celui-ci. Lorsqu'on utilise les cibles T2 et T4 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, les trous H33 et H34 de la deuxième plaque obturatrice 62 s'alignent avec les cibles T2 et T4, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts Tla à T4a ont été formés, de façon à aligner ses trous H31 et H32 avec les cibles T2 et T4. De ce fait, les trous H31 et H32 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H33 et H34 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés de façon à exposer les cibles T2 et T4 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seuls les dépôts T2a et T4a passent par des emplacements situés frontalement en regard des cibles T2 et T4 en raison de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 en faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination qui a été expliquée ci-dessus au niveau des cibles T2 et T4. Sixième mode de réalisation On va maintenant expliquer, en liaison avec les figures 22 à 24, un sixième mode de réalisation du procédé de commande d'obturateur à couche double. Ce mode de réalisation est un exemple dans lequel il y a cinq cibles et une co-pulvérisation. Sur les figures 22 à 24, on a affecté les mêmes notations à des composants identiques à ceux expliqués dans les précédents modes de réalisation. Les cinq cibles sont indiquées par les références T1 à T5, les trous de la première plaque obturatrice 61 se trouvant en regard des cibles sont indiqués par les références H51, H52 et H53, et les trous de la deuxième plaque obturatrice 62 se trouvant du côté substrat sont indiqués par les références H54 et H55. Dans la première plaque obturatrice 61, les trois trous H51, H52 et H53 sont formés en des positions qui sont respectivement écartées les unes des autres, dans le sens horaire, de 144 et 72 , tandis que, dans la deuxième plaque obturatrice 62, les deux trous H54 et H55 sont formés en des positions qui sont mutuellement écartées de 144 dans le sens horaire. Comme on peut voir sur la figure 24, dans le cas du présent mode de réalisation, l'opération de pulvérisation principale s'effectue séquentiellement pour les cinq cibles Ti à T5 suivant une séquence formée par les combinaisons des cibles Tl et T3, des cibles T2 et T4, des cibles Ti et T4 et des cibles T2 et T5. La figure 24 montre les positions de déplacement en rotation de la première plaque obturatrice 61 et de la deuxième plaque obturatrice 62 dans le cas de l'opération de pulvérisation principale. L'opération de prépulvérisation s'effectue avant l'opération de pulvérisation principale pour une certaine cible. La référence (A) que l'on peut voir sur la figure 24 montre un état où on utilise les deux cibles T1 et T3 pour effectuer la pulvérisation principale. Les dépôts Tla, T2a, T3a, T4a et T5a qui sont formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celui-ci. Comme représenté en (A) sur la figure 24, on commande l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 de façon que les emplacements des dépôts Tia à T5a regardent les cibles Ti à T5 au moment de la prépulvérisation. Lorsqu'on utilise les cibles T1 et T3 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on aligne les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec les cibles Ti et T5, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts Tla à T5a ont été formés, de façon à aligner ses trous H51 et H52 avec les cibles Ti et T3. En raison de cela, on aligne les trous H51 et H52 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 de façon à exposer les cibles Ti et T3 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seuls les dépôts Tia et T3a passent par des emplacements situés frontalement en regard des cibles Tl et T3 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination telle qu'expliquée ci-dessus. La référence (B) de la figure 24 désigne un état dans lequel on utilise ensuite les cibles T2 et T4 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tia à T5a qui sont formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant cela. Lorsqu'on utilise les cibles T2 et T4 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, on aligne les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 avec les cibles T2 et T4, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61 sur laquelle les dépôts Tla à T5a sont formés de façon à aligner ses trous H51 et H52 avec les cibles T2 et T4. De ce fait, on aligne les trous H51 et H52 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'exposer les cibles T2 et T4 vis-à- vis du substrat et d'effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seuls les dépôts T2a et T4a passent par des emplacements situés frontalement en regard des cibles T2 et T4 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus au niveau des cibles T2 et T4. La référence (C) de la figure 24 montre un état dans lequel on utilise ensuite les cibles Ti et T4 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tia à T5a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celui-ci. Lorsqu'on utilise les cibles Ti et T4 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, les trous H51 et H53 de la première plaque obturatrice 61 sont alignés avec les cibles Ti et T4, puis on fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62, sur laquelle les dépôts Tia, T3a, T4a et T5a sont formés, de façon à aligner ses trous H54 et H55 avec les cibles Ti et T4. De ce fait, les trous H51 et H53 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 s'alignent de façon à exposer les cibles Tl et T4 vis-à-vis du substrat et à effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description donnée ci-dessus, seuls les dépôts Tla et T4a passent par des emplacements situés frontalement en regard des cibles Ti et T4 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination expliquée ci-dessus au niveau des cibles Tl et T4. La référence (D) de la figure 24 montre l'état dans lequel on utilise ensuite les cibles T2 et T5 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tia à T5a formés sur les surfaces de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celui-ci. Lorsqu'on utilise les cibles T2 et T5 pour effectuer la pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 sont alignés avec les cibles T2 et T5, puis on fait tourner la première plaque obturatrice 61, sur laquelle les dépôts Tla à T5a ont été formés, de façon à aligner ses trous H51 et H53 avec les cibles T2 et T5. De ce fait, on aligne les trous H51 et H53 de la première plaque obturatrice 61 et les trous H54 et H55 de la deuxième plaque obturatrice 62 afin d'exposer les cibles T2 et T5 vis-à-vis du substrat et d'effectuer l'opération de pulvérisation principale. Dans la description précédente, seuls les dépôts T2a et T5a passent par des emplacements situés frontalement en regard des cibles T2 et T5 du fait de l'opération de rotation de la première plaque obturatrice 61 faisant passer de l'état de prépulvérisation à l'état de pulvérisation principale. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination, ci-dessus expliquée, au niveau des cibles T2 et T5. La référence (E) de la figure 24 montre un état dans lequel on utilise ensuite les cibles T3 et T5 pour effectuer ensuite l'opération de pulvérisation principale. Les dépôts Tla à T5a formés sur la surface de la première plaque obturatrice 61 sont constitués des substances des cibles Ti à T5 qui ont été déposées aux stades de la prépulvérisation, avant celui-ci. Lorsqu'on utilise les cibles T2 et T5 pour effectuer l'opération de pulvérisation principale, au moment de la prépulvérisation, les trous H51 et H53 de la première plaque obturatrice 61 sont alignés avec les cibles T3 et T5, puis on fait tourner la deuxième plaque obturatrice 62, sur laquelle les dépôts Tla, T3a, T4a et T5a sont formés, de manière à aligner ses trous H54 et H55 avec les cibles T3 et T5. De ce fait, seuls les dépôts T3a et T5a passent par les emplacements situés frontalement en regard des cibles T3 et T5. Pour cette raison, on peut empêcher l'intercontamination ci-dessus expliquée au niveau des cibles T3 et T5. Pour le procédé de commande d'obturateur à double couche ci-dessus présenté, on peut classer, par exemple dans la table présentée sur la figure 25, le nombre des trous formés dans chaque plaque obturatrice pour les différents nombres (n) de cibles ainsi que les obturateurs utilisés pour la prépulvérisation. Les configurations, les formes, les tailles et les dispositions relatives qui ont été exposées dans les modes de réalisation ci-dessus présentés ne sont données de façon générale que dans une mesure visant à permettre de comprendre et de faire fonctionner l'invention. Les valeurs numériques et les compositions (les matériaux) des configurations ne sont que des exemples. Par conséquent, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation présentés. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif, mais nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation, doté d'au moins trois cibles prévues dans une chambre et d'un mécanisme obturateur tournant à double couche possédant des première et deuxième plaques obturatrices qui sont disposées en regard des cibles, qui tournent indépendamment et qui comportent des trous formés en des positions prédéterminées, lequel sélectionne une cible pour effectuer une pulvérisation depuis lesdites trois ou plus de trois cibles au moyen d'une combinaison de trous de ladite première plaque obturatrice et de ladite deuxième plaque obturatrice et utilise ladite cible sélectionnée pour effectuer une opération de prépulvérisation et une opération de pulvérisation principale avec décharge en continu, de manière à déposer une pellicule sur le substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: faire tourner lesdites première et deuxième plaques obturatrices de manière à couvrir ladite cible sélectionnée par l'intermédiaire de ladite première plaque obturatrice et à exposer la cible vis-à-vis dudit substrat au travers de ladite deuxième plaque obturatrice lors de ladite opération de prépulvérisation et de manière à exposer ladite cible sélectionnée vis-à-vis dudit substrat au travers de ladite première plaque obturatrice lors de ladite opération de pulvérisation principale; et commander l'opération de rotation de ladite première plaque obturatrice de façon qu'un dépôt se formant en un emplacement, situé en regard, de ladite première plaque obturatrice couvrant ladite cible sélectionnée devienne une substance qui est identique à la substance de ladite cible sélectionnée lors de ladite opération de prépulvérisation. 2. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à commander les opérations de rotation de ladite première plaque obturatrice et de ladite deuxième plaque obturatrice de façon que l'emplacement, situé dans ladite première plaque obturatrice, où une substance différente de celle de ladite cible sélectionnée a été déposée au moment d'une décharge précédente ne soit pas en regard pendant la décharge de ladite cible sélectionnée. 3. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à n'exposer que la cible sélectionnée au travers de trous desdites première et deuxième plaques obturatrices lorsqu'on regarde depuis ledit substrat au moment de ladite pulvérisation principale. 4. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à exposer une unique cible sélectionnée dans le cas d'une pulvérisation unique. 5. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à exposer au moins deux cibles sélectionnées dans le cas d'une co-pulvérisation. 6. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lorsque le nombre de cibles de ladite pluralité de cibles est un nombre pair (n: n > 3), le nombre de trous de ladite première plaque obturatrice est n/2. 7. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lorsque le nombre de cibles de ladite pluralité de cibles est un nombre impair (n: n >_ 3), le nombre de trous de ladite première plaque obturatrice est (n/2) + 1. 8. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation doté de cinq cibles de types différents placés dans une chambre et d'un mécanisme obturateur tournant à double couche qui possède des première et deuxième plaques obturatrices disposées en regard desdites cinq cibles, qui tournent indépendamment et qui comportent chacune deux trous, lequel sélectionne de manière appropriée une ou deux cibles en vue de la pulvérisation, parmi lesdites cinq cibles, via une combinaison des trous de la première plaque obturatrice et de la deuxième plaque obturatrice et utilise lesdites cibles sélectionnées en vue d'une opération de prépulvérisation et d'une opération de pulvérisation principale, avec décharge en continu, de façon à déposer une pellicule sur le substrat pour la co-pulvérisation ou la pulvérisation unique, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: manoeuvrer lesdites première et deuxième plaques obturatrices de façon que, lors de ladite co-pulvérisation et de ladite pulvérisation unique, les mêmes substances de cibles soient déposées aux mêmes emplacements que le dépôt de pellicules sur lesdites première et deuxième plaques obturatrices du fait de ladite opération de prépulvérisation, de manière à ainsi effectuer la co-pulvérisation et la pulvérisation unique dans un système à une seule chambre. 9. Procédé de commande de pulvérisateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à commander les fonctionnements desdites première et deuxième plaques obturatrices de manière à donner la priorité à la co-pulvérisation entre ladite co- pulvérisation et ladite pulvérisation unique. 10. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre d'abord l'exécution de l'opération de copulvérisation, puis, ensuite, l'exécution de l'opération de pulvérisation unique. 11. Procédé de commande d'obturateur à double couche d'un système de multipulvérisation selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à n'exposer que ladite cible sélectionnée au travers de trous desdites première et deuxième plaques obturatrices lorsqu'on observe depuis ledit substrat au moment de ladite opération de pulvérisation principale.