Brevet FR2868202A1 — publié le 20050930

PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE DE DIOXYDE DE SILICIUM PAR OXYDATION A HAUTE TEMPERATURE SUR UN SUBSTRAT PRESENTANT AU MOINS EN SURFACE DU GERMANIUM OU UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche ou film d'oxyde de silicium par oxydation à haute température (silice thermique) sur un substrat présentant au moins en surface du germanium ou un alliage silicium-germanium; plus particulièrement sur un substrat de germanium ou d'alliage silicium-germanium. L'oxydation du germanium et des alliages silicium-germanium, répondant à la formule GeXSil_X avec x > 0 et x En effet, le germanium et les alliages Ge-Si ont des propriétés électroniques et optiques intéressantes et fournissent des hétérostructures notamment pour divers dispositifs semiconducteurs à base de silicium. Or, pour les technologies impliquant le germanium ou les alliages Si-Ge, les propriétés de l'oxyde formé par ce matériau sont critiques. Le domaine technique de l'invention peut ainsi, de manière générale, être défini comme celui de 25 l'oxydation, plus précisément de l'oxydation à haute température, à savoir typiquement supérieure à 400 C, 20 du Ge ou du SiGe afin de réaliser un film d'oxyde à la surface dudit Ge ou SiGe. Les procédés classiques d'oxydation du silicium ont été testés pour oxyder les alliages Sil_xGex. On distingue de manière générale les procédés d'oxydation par voie sèche ("dry" en anglais) et les procédés d'oxydation par voie humide qui mettent en oeuvre de la vapeur d'eau ("steam" en anglais). Ces procédés ont été essayés dans de larges plages de températures, supérieures à 500 C, et l'oxydation a été étudiée en fonction du temps de traitement à haute température et en ce qui concerne la vitesse d'oxydation obtenue. L'article général de L.S. RILEY et S. HALL, Journal of Applied Physics, volume 85, n 9, ler mai 1999, p. 6828-6837 fournit un récapitulatif assez exhaustif des procédés d'oxydation de Sil_xGex (voir tableau I dudit document). On observe pour la plupart de ces procédés une ségrégation non souhaitable du germanium dès lorsque le traitement est réalisé à une température de plus de 500 C. Par ailleurs, le document de W.S. LIU et al., J. Appl. Phys. 71(7), ler avril 1992, p. 3626-3627 25 décrit l'oxydation thermique par voie humide à 1000 C d'une couche épitaxiale de Geo,36Sio,64 de 470 nm d'épaisseur sur du Si (100) et met en évidence que le procédé produit des oxydes de différentes compositions en fonction des conditions du procédé d'oxydation. Ainsi, quand un échantillon sans préchauffe est directement exposé à la vapeur chaude, la couche de surface contient à la fois du Ge et du Si, tandis que seulement du SiO2 se forme si un échantillon préchauffé est exposé à la vapeur chaude, avec une concentration accrue du germanium en front d'oxydation; de tels effets ne sont pas présents lorsqu'on effectue une oxydation sèche. Le document de W.S. LIU et al., J. Appl. Phys. 71(8), 15 avril 1992 décrit l'oxydation par voie humide de GeSi (couches de 500 nm d'épaisseur de Geo,36Sio,69 et Geo,28Sio,72 sur Si (100) ) à 700 C. Une couche uniforme d'oxyde GeXSil_02 se forme avec une interface lisse avec la couche sous-jacente de GeXSi1_X. L'oxydation du SiGe n'est qu'une oxydation partielle, il y a donc une présence uniforme de germanium dans l'oxyde formé et celui-ci est un oxyde "mixte" Si1_.GeXO2 et non SiO2 qui est l'oxyde recherché dans la présente. Les mêmes auteurs W.S. LIU et al. ont étudié dans le document J. Appl. Phys. 72(9), ler novembre 1992, p. 4444-4446 l'oxyde formé par oxydation partielle dans le document précédent et ils ont mis en évidence son instabilité lors de traitements de recuit à 900 C pendant 3 heures, de vieillissement à l'air à température ambiante pendant 5 mois, et d'immersion dans l'eau. Le document US-B1-6 352 942 est relatif à un procédé de préparation d'une couche de haute qualité de dioxyde de silicium sur une couche de germanium, dans lequel on dépose une couche de silicium sur la couche de germanium puis on oxyde cette couche pour donner une couche de SiO2. 2868202 4 L'oxydation de la couche de silicium peut être réalisée par voie sèche, c'est-à-dire en exposant la couche de Si à de l'oxygène gazeux sec à une température d'au moins 500 C, de préférence sous pression, ou bien par voie humide en exposant la couche de Si à de la vapeur d'eau à une température d'au moins 500 C, de préférence sous pression. La technique décrite dans le document US-B1-6 352 942 nécessite un contrôle délicat de 10 l'arrêt de l'oxydation. Par ailleurs, si la couche de Si est épitaxiée, elle ne peut être très fine, étant donné la différence de paramètre de maille qui existe entre Si et Ge. Si au contraire, la couche de Si est déposée, sous forme de Si amorphe ou polycristallin, il est alors difficile de contrôler la qualité de l'interface avec le Ge. De plus, avec cette technique, il y a une 20 diffusion non contrôlée du Ge dans le Si. Il apparaît au vu de l'étude de l'art antérieur qui précède que la possibilité de générer un oxyde de silicium de bonne qualité se heurte toujours actuellement essentiellement à deux problèmes: - La qualité des surfaces de plaques, couches, ou films de germanium ou d'alliages SiGe à très forte concentration de Ge se dégrade lorsqu'ils sont traités thermiquement dans une atmosphère oxydante, et il y a formation d'oxyde de germanium, qui est connu pour son instabilité, et non uniquement de SiO2. - Lors du traitement thermique de plaques, couches, films de siliciumgermanium dans une atmosphère oxydante, on cherche à provoquer l'oxydation du silicium situé à proximité de la surface. Si l'on parvient à obtenir un oxyde exempt de germanium ce qui permet d'éviter les problèmes liés à la formation d'oxyde de germanium mentionnés ci-dessus, cela s'explique en particulier par une migration du germanium qui se traduit par une augmentation non contrôlée de la concentration en germanium en "avant" du front d'oxydation. Le gradient non contrôlé de concentration en germanium ainsi obtenu en avant du front d'oxydation n'est pas acceptable pour la plupart des applications ultérieures visées telles que par exemple la microélectronique haute fréquence. Il existe donc un besoin pour un procédé de préparation d'une couche d'oxyde de silicium par oxydation à haute température, sur un substrat de germanium ou d'alliage silicium-germanium, qui ne présente pas les inconvénients, défauts, limitations et désavantages des procédés de l'art antérieur. Il existe en particulier un besoin pour un procédé de préparation d'une couche d'oxyde de silicium par oxydation à haute température, sur un substrat de germanium ou d'alliage silicium-germanium qui évite la formation d'oxyde de germanium instable, et qui par ailleurs, selon l'application visée, évite ou contrôle la migration du germanium, la ségrégation du germanium et l'apparition de gradients de concentration en germanium au voisinage de l'interface entre le SiO2 et le substrat par exemple en Sil_.Gex. Il existe de manière générale, un besoin pour un tel procédé qui assure la formation d'une interface SiO2-substrat (par exemple Si1_ Gex) d'excellente qualité. Ce besoin, et d'autres encore, sont atteints, conformément à l'invention par un procédé de préparation d'une couche de dioxyde de silicium, par oxydation à haute température, sur un substrat de formule Si1_XGe. dans laquelle x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, ledit procédé comprenant les étapes successives suivantes. a) on dépose sur ledit substrat de formule Si1_XGex au moins une couche supplémentaire d'épaisseur hy et de formule globale Si1_yGey dans laquelle y est supérieur à 0 et inférieur à x; b) on réalise l'oxydation à haute température de ladite couche supplémentaire de formule globale Sil_yGey, moyennant quoi ladite couche supplémentaire est transformée en totalité ou en partie en une couche d'oxyde de silicium SiO2. Par oxydation à haute température, on entend généralement que l'oxydation est réalisée à une température qui soit suffisante pour provoquer l'oxydation de la (des) couche(s) supplémentaire(s) (et de la couche complémentaire éventuelle voir plus loin) essentiellement sous l'action de l'énergie thermique. Cette température est généralement supérieure ou égale à 400 C. Le procédé de l'invention est essentiellement caractérisé en ce que l'on dépose, en surface, sur le substrat de formule Sil_XGex au moins une couche supplémentaire d'épaisseur hy et de formule globale Sil_yGey. Par formule "globale", on entend la formule moyenne présentée par la couche en retenant la valeur moyenne de y pour l'ensemble de la couche, obtenue à partir des différentes valeurs de y mesurées par exemple à diverses épaisseurs. Une telle étape de dépôt d'une couche supplémentaire de Sil_yGey n'est ni décrite, ni suggérée dans l'art antérieur. Ainsi, dans le document US-Bl-6 352 942 une couche que l'on peut qualifier de "couche supplémentaire" est elle déposée mais il s'agit d'une couche de silicium et non d'alliage de silicium germanium de composition particulière. L'étape b) du procédé selon l'invention peut être définie comme une étape de réalisation d'un film supplémentaire, sacrificiel et spécifique d'alliage silicium-germanium de formule Si1_yGey. Cette couche est une couche supplémentaire au regard de la plupart des procédés de l'art antérieur dans lesquels la structure à oxyder se termine en surface par un matériau, qu'il s'agisse d'un substrat ou d'un film, de composition Si1_XGex. Cette couche est une couche spécifique, car sa composition, définie par y, et son épaisseur initiales (hy) sont choisies en fonction du substrat, support, sur lequel on la réalise, pour obtenir une concentration spécifique et contrôlée de germanium en amont de la couche de SiO2. Cette couche est sacrificielle, en ce sens que sur tout ou partie de son épaisseur elle va servir à la génération de l'oxyde de silicium. Le procédé selon l'invention, grâce essentiellement au dépôt de la couche supplémentaire lors de l'étape b), ne présente pas les inconvénients, défauts, limitations et désavantages des procédés de l'art antérieur et résout les problèmes des procédés de l'art antérieur. En particulier, selon l'invention, on obtient à l'issue de l'oxydation de la couche supplémentaire une interface de grande qualité entre d'une part le Si1_XGex, ou le Sil_ZGe, formé dans la couche Sil_yGey (voir plus loin) , et d'autre part, l'oxyde de silicium formé. En outre, on peut également, par un choix adapté de la couche supplémentaire Si1_yGey, obtenir une concentration en germanium, au voisinage de l'interface avec l'oxyde de silicium, sensiblement constante, sans ségrégation du germanium et sans augmentation de sa concentration près de l'interface. On obtient alors en surface du substrat, du Sil_XGe. muni d'une couche de SiO2. Pour cela, on dépose une couche supplémentaire Sil_yGey, y étant choisi de sorte qu'après oxydation une partie de cette couche supplémentaire est consommée, le reste de la couche étant transformé en Si1_XGex. On peut a contrario, si on le souhaite, toujours en choisissant une couche supplémentaire adaptée, obtenir une concentration contrôlée de germanium, différente de x, en amont de l'oxyde (c'est-à-dire dans une couche de Sil_ZGez entre le Sil_XGex et la couche d'oxyde, z pouvant être selon les cas inférieur ou supérieur à x) tout en maîtrisant parfaitement l'épaisseur d'oxyde créée. En d'autres termes, suite à l'oxydation: - soit Sil_yGey est oxydé en totalité : on a alors une couche de SiO2 sur le Sil_XGe. dont la composition présente un front de Ge contrôlé (on a alors une couche de Sil_X,Gex, avec x'>x en surface de Sil-xGeX) ; - soit Sil_yGey est oxydé en partie: on a alors une couche de SiO2 sur Sil_ZGe, sur Sil_xGex avec z>y; et avantageusement, on fait en sorte que z=x. Par ailleurs, l'oxyde formé par le procédé de l'invention est un oxyde simple de silicium exempt d'oxyde de germanium et non un oxyde mixte. Donc, avantageusement y et/ou hy sont choisies pour contrôler à l'issue de l'oxydation la concentration du germanium de la couche d'alliage SiGe se trouvant dans la couche d'oxyde de silicium. Avantageusement, la composition de la couche supplémentaire définie par y, et/ou l'épaisseur hy, est (sont) choisie(s) en fonction du substrat Sil_ xGeX, et/ou de l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium SiO2 et/ou de la concentration en germanium de la couche d'alliage de siliciumgermanium se trouvant immédiatement sous la couche d'oxyde de silicium. Avantageusement, la composition de la couche supplémentaire définie par y, et/ou l'épaisseur hy, est (sont) choisie(s) de façon à limiter les contraintes générées par la différence des mailles cristallines entre Sil_XGex et Sil_yGey. Avantageusement, lors de l'étape b), ladite couche supplémentaire, est transformée en partie en oxyde de silicium, pour donner une couche d'oxyde de silicium, sur une couche de formule Sil_ZGez et d'épaisseur h,. Avantageusement, z est sensiblement égal à x. La couche supplémentaire peut être une couche à gradient de composition dans laquelle la concentration en germanium varie de manière continue, de préférence décroît de manière continue, à partir du substrat. On peut déposer plusieurs couches supplémentaires, qui diffèrent par leur valeur de y, la valeur de y décroissant de préférence depuis la couche supplémentaire située au voisinage du substrat jusqu'à la couche située à l'épaisseur hy. Il est possible que l'on on dépose en outre une couche complémentaire de SiGe sur ladite au moins une couche supplémentaire, ladite couche complémentaire étant également transformée en totalité en une couche d'oxyde de silicium SiO2. Ou bien on peut déposer en outre une couche complémentaire de SiO2 sur ladite au moins une couche supplémentaire. L'oxydation est généralement une oxydation par traitement thermique oxydant réalisé par voie sèche 30 et/ou humide. L'ensemble des propriétés avantageuses présentées en fin de procédé par le substrat muni de sa couche de SiO2 rendent son utilisation aisée dans toutes les applications envisagées telles que par exemple, la microélectronique haute fréquence ou encore la réalisation de substrats SiGeOI ou GOI (respectivement "SiGe ou Ge on Insulator"). L'invention a trait, en outre, à un procédé de préparation de composants optiques ou électroniques (par exemple de "MOSFETS") comprenant au moins une étape dans laquelle on prépare une couche de SiO2 par le procédé tel que défini plus haut. L'invention concerne un procédé de préparation d'une structure Sil_XGe,OI dans lequel dans un premier mode de réalisation on prépare une structure comprenant un film de Sil_xGex recouvert d'une couche d'oxyde de silicium SiO2 par le procédé selon l'invention décrit ci-dessus, on fragilise, avant ou après l'étape b), une couche située au sein du film de Sil_xGex par exemple par implantation d'espèces gazeuses, on assemble cette structure comprenant la couche fragilisée avec un substrat, par exemple de silicium, pour obtenir un assemblage comprenant le substrat et la structure, et on dissocie cet assemblage au niveau de la couche fragilisée par un traitement thermique et/ou mécanique. L'invention concerne un procédé de préparation d'une structure Sil_xGexOI dans lequel, dans un second mode de réalisation, on prépare une structure comprenant un film de Sil_xGex recouvert d'une couche d'oxyde de silicium SiO2, par le procédé selon 2868202 12 l'invention décrit ci-dessus, on assemble cette structure avec un substrat, pour obtenir un assemblage comprenant le substrat et la structure, et on procède à l'amincissement de cet assemblage par voie mécanique et/ou chimique. L'invention va maintenant être décrite de manière détaillée dans la description qui suit, en relation avec les dessins joints dans lesquels: - Les figures 1A et 1B illustrent un 10 premier mode de réalisation du procédé selon l'invention dans lequel est déposé sur le substrat un film, couche supplémentaire présentant la formule Sil_yGey qui fournit par oxydation un film enrichi en Ge de formule Sil_ZGe,, et un film de SiO2. - Les figures 2A et 2B illustrent un deuxième mode de réalisation du procédé selon l'invention dans lequel est déposé sur le substrat un film, couche, supplémentaire qui est un film à gradient de composition Sil-grad yGegrad y qui fournit par oxydation 20 un film enrichi en Ge de formule Sil-grad zGegrad z et un film de SiO2. - Les figures 3A et 3B illustrent un troisième mode de réalisation du procédé selon l'invention dans lequel plusieurs films, couches, supplémentaires possédant les formules Sil_yGey, avec différentes valeurs de y sont déposées sur le substrat; et ces couches fournissent par oxydation un film enrichi en Ge de formule Sil_zGez, et un film de SiO2. - Les figures 4A et 4B illustrent un quatrième mode de réalisation du procédé selon l'invention dans lequel on dépose en outre un film, couche, complémentaire par exemple de formule Sil_wGew, sur le film supplémentaire Sil_YGey; lors de l'oxydation un film enrichi en Ge de formule Sil_ZGe5 5 est généré dans le film supplémentaire et un film d'oxyde SiO2 est généré dans les films complémentaire et supplémentaire. Le procédé de l'invention est un procédé de préparation, par oxydation à haute température, d'une 10 couche de dioxyde de silicium sur un substrat, ledit substrat répondant à la formule Sil_XGex. Le substrat selon l'invention comporte généralement une surface essentiellement plane sur laquelle est préparée la couche de dioxyde de silicium. Le substrat de Sil_xGex peut être un substrat massif, notamment dans le cas où x=1, c'est-à-dire un substrat massif de germanium. Un tel substrat se présente généralement sous la forme d'un disque d'épaisseur typiquement comprise entre 300 et 900 pm. Le substrat de Sil_xGex peut également se présenter, préférentiellement, sous la forme d'une couche ou film, de préférence monocristallin, de Sil_xGex (12, 22, 32, 42) généralement de 5 nm à un ou quelques microns d'épaisseur (par exemple 1, 2, 5 ou 25 10 pm), qui se trouve elle-même déposée sur un support (11, 21, 31, 41). Le support (11, 21, 31, 41) peut être un support en un seul matériau (support monomatériau), par exemple du germanium ou du silicium, mais il peut s'agir d'un support composite. Ce support peut comprendre un substrat de base par exemple en silicium, sur lequel sont réalisée(s) une ou plusieurs couches tampons d'adaptation, par exemple de SiGe, par des technologies diverses et connues de l'homme du métier dans ce domaine de la technique. La couche ou film de Sil_XGex (substrat) (12, 22, 32, 42) est déposée sur le support par exemple par épitaxie ou par dépôt chimique en phase vapeur ("CVD"). Il s'agit généralement d'une couche relaxée. Cette couche a généralement une épaisseur de un à quelques nm (par exemple 1, 2, 10 nm) à un ou quelques microns (par exemple 1, 2, 10}gym) par exemple. Dans la formule Sil_XGe., x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, cela signifie donc que le substrat peut être en germanium ou bien en alliage silicium-germanium dont la composition en germanium est strictement comprise entre 0 et 1. Par exemple, elle peut valoir 0,3. Conformément au procédé de l'invention, (étape a)), on dépose sur le substrat de formule Sil_XGe. au moins une couche ou film supplémentaire de formule globale Sil_yGey et d'épaisseur hy dans laquelle y est supérieur à 0 et inférieur à x. Par exemple, y peut valoir 0,25 si x vaut 0,3. Comme on l'a déjà indiqué plus haut cette couche supplémentaire est aussi une couche spécifique car on choisit sa composition (y) et son épaisseur initiale hy (avant oxydation) en fonction du substrat Sil_xGex sur lequel on la réalise et/ou de l'épaisseur d'oxyde à former et/ou de la concentration en Ge en amont de cet oxyde que l'on souhaite obtenir. Avantageusement, on choisira y, pour obtenir à l'issue de l'oxydation, une concentration de germanium égale à x au voisinage de la couche d'oxyde créée. En particulier, lors de l'élaboration de cette couche, ou film, supplémentaire, et dans la mesure où l'on veut par exemple obtenir pour ce film une qualité épitaxiale, il peut y avoir une épaisseur limite, supérieure, du film supplémentaire à respecter. En effet, les contraintes générées par la différence des mailles cristallines de Si1_XGex et de Si1_yGey peuvent devenir trop importantes pour la couche ou film supplémentaire engendrant des dislocations de ladite couche supplémentaire. En conséquence, l'épaisseur hy de la couche supplémentaire ou des couches supplémentaires est choisie généralement de façon à limiter les contraintes générées par la différence des mailles cristallines entre Si1_xGex et Sil_yGey. En outre, l'épaisseur initiale hy de la couche ou des couches supplémentaires est choisie pour contrôler la concentration du germanium en amont de l'oxyde, c'est-à-dire la concentration en germanium de la couche d'alliage de silicium-germanium se trouvant immédiatement sous la couche d'oxyde de silicium (cette concentration peut être égale à x ou avoir une valeur plus élevée ou plus faible selon l'application visée). L'épaisseur hy de la ou des couches (épaisseur totale des couches) est généralement de un à quelques nm, par exemple de 1 à 5 ou 10 nm. La ou les couches supplémentaires peut 30 (peuvent) être déposée(s) par tout procédé connu de l'homme du métier dans le domaine de la technique, par exemple un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un procédé préféré est l'épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite (RPCVD ou "reduced pressure CVD"). On peut déposer une ou plusieurs couches supplémentaires sur le substrat. Sur les figures 1A à 4A et 1B à 4B, le substrat comprend un support (11, 21, 31, 41) (monomatériau par exemple Ge ou composite par exemple Si avec des couches d'adaptation de SiGe) et une couche de Sil_XGe, relaxé (12, 22, 32, 42) avec par exemple x = 0,3, mais il est bien évident que cela n'est donné qu'à titre d'exemple illustratif. Dans une première forme de réalisation du procédé selon l'invention illustré sur la figure 1A, on dépose une seule couche supplémentaire (13) qui a généralement une épaisseur hy de 1 à quelques nm, par exemple 2, 5, ou 10 nm, cette couche (13) a une formule Sil_yGey, la valeur de y restant constante sur toute l'épaisseur de la couche (13) et étant telle que définie plus haut par exemple égale à 0,25 (Sio,75Geo,25). Dans une deuxième forme de réalisation du procédé selon l'invention, illustré sur la figure 2A, la couche ou film supplémentaire {23) est une couche (23) à gradient de composition dans laquelle la concentration initiale (y) en germanium varie de manière continue. De préférence, cette concentration en germanium décroît de manière continue à partir du substrat et en s'éloignant de celui-ci et est minimale lorsque l'on atteint l'épaisseur hy. à l'épaisseur 1 et 10 nm. que le gradient de peut être par exemple un gradient décroissant depuis la surface du substrat à raison de 1 à 10 pour mille par nanomètre. La couche supplémentaire (23), dans ce 10 deuxième mode de réalisation peut donc être définie par la formule Sil_grad yGegrad y, où donc, grad y varie de manière continue par exemple de 0,3 (au voisinage de l'interface couche supplémentaire/couche de Si1_XGex) jusqu'à 0,15 (à l'épaisseur hy). Dans une troisième forme de réalisation de l'invention, illustré sur la figure 3A, plusieurs couches supplémentaires sont déposées; ainsi sur la figure 3A, 4 couches supplémentaires (33A, 33B, 33C, 33D) sont déposées, mais il ne s'agit là que d'un 20 exemple. L'épaisseur totale de ces couches (33A, 33B, 33C, 33D) est égale à hy déjà défini plus haut et chaque couche peut avoir une épaisseur différente, ou avoir la même épaisseur, cette épaisseur est généralement de 1 nanomètre à quelques dizaines de nanomètres (par exemple 200 nm). Lorsqu'il y a plusieurs couches supplémentaires ces couches diffèrent généralement par leur valeur de y. De préférence, la valeur de y décroît depuis la couche supplémentaire située au voisinage du substrat (couche 33A formant l'interface avec le Par exemple, la valeur de y (yo) peut être comprise entre 0,3 et 0,15 au voisinage du substrat, et est entre 0, 25 et 0,05 pouvant être compris entre Cela signifie concentration en germanium hy (Yhy) r hy substrat 32) jusqu'à la couche (la plus externe 33D) située à l'épaisseur hy, depuis une valeur de y(yo) qui est de préférence de 0,1 à 0,5 par exemple 0,3 jusqu'à une valeur de y(yhy) qui est de préférence de 0,01 à 0,3, par exemple 0,2. De préférence, la valeur de y diminue d'un même pas ou incrément Ay entre chaque couche supplémentaire parmi plusieurs couches supplémentaires. Sur la figure 3A où l'on a déposé 4 couches supplémentaires, y varie par exemple de 0,275 (yo) pour la couche 33A au voisinage du substrat jusqu'à 0,200 (Yhy) pour la couche 33D la plus externe, avec un pas, incrément Ay de 0,25. Les 4 couches auront donc des valeurs de y de 0,275; 0,250; 0, 225; et 0,200. Dans une quatrième forme de réalisation, on dépose en outre une couche dite "complémentaire" sur la ou les couches supplémentaires. Ainsi, sur la figure 4A, on a déposé une couche complémentaire (44) par exemple d'épaisseur h, sur la couche supplémentaire (43). La couche complémentaire peut être également transformée, en totalité, en une couche d'oxyde de silicium SiO2. En variante, elle peut être directement un oxyde (SiO2) déposé par exemple par LPCVD. Cette couche complémentaire est intéressante par exemple dans le cas où l'on souhaite obtenir une épaisseur d'oxyde supérieure à celle qu'autorise l'épaisseur critique correspondant à la composition de la ou des couches supplémentaires. Avantageusement, cette couche pourra être en SiGe par exemple de formule Sil_wGew. Cette couche, qui sera totalement transformée en une couche d'oxyde, n'a pas besoin d'avoir une bonne qualité cristalline: elle peut être polycristalline, amorphe ou encore monocristalline à forte densité de dislocations. Une fois que la ou les couches supplémentaires et la couche complémentaire éventuelle ont été déposées sur le substrat de Sil_.Ge. on procède à l'oxydation à haute température de ladite ou desdites couche(s) supplémentaire(s) de formule globale Sil_yGey, moyennant quoi ladite ou lesdites couche(s) supplémentaire(s) et éventuellement ladite couche complémentaire éventuelle est (sont) transformée(s) en totalité ou en partie en oxyde de silicium SiO2 ou plus précisément en couche d'oxyde de silicium SiO2. L'oxydation est réalisée à haute température, comme précédemment défini, typiquement supérieure à 400 C. L'oxyde SiO2 formé est défini comme du SiO2, de la silice, "thermique". L'oxydation peut être une oxydation par voie sèche. Dans ce cas, l'oxydation est généralement réalisée en mettant en contact la (les) couche(s) supplémentaire(s) et la couche complémentaire éventuelle, avec un gaz oxydant sec par exemple de l'oxygène. Ou bien, l'oxydation peut être une 25 oxydation par voie humide, c'est-à- dire que l'on met en contact la couche supplémentaire et la couche complémentaire éventuelle avec un gaz contenant de la vapeur d'eau, tel qu'un mélange de vapeur d'eau, d'hydrogène, et d'oxygène. Sous l'effet de l'oxydation à haute température, la couche supplémentaire de formule globale Sil_yGey et d'épaisseur hy est transformée en totalité ou en partie en une couche d'oxyde de silicium. Il est à noter que dans le cas où une couche complémentaire est présente, celle-ci, si elle n'est pas déjà en oxyde de silicium, est transformée en totalité en oxyde de silicium. Généralement dans l'étape b), la couche supplémentaire, ou l'ensemble de la couche supplémentaire et de la couche complémentaire éventuelle, est transformé seulement en partie en oxyde de silicium pour donner en surface une couche d'oxyde de silicium SiO2, qui se trouve sur une couche d'épaisseur hZ de formule Sil_ZGez dans laquelle z est, donc la valeur de concentration en germanium en amont de l'oxyde désirée pour l'application. Avantageusement, dans certains cas, z pourra tendre vers x, et même être sensiblement égal à x. En d'autres termes, au fur et à mesure de la formation du film, de la couche de SiO2, en surface du film supplémentaire, ladite couche étant obtenue par oxydation du silicium contenu dans la couche Sil_yGey, la composition s'enrichit en germanium dans le reste du film supplémentaire, d'épaisseur hZ, dont la composition moyennée sur cette épaisseur hZ devient Sil_ZGez avec z inférieur à y. Dans la première forme de réalisation du procédé de l'invention, il se forme à l'issue de l'oxydation comme cela est illustré sur la figure 1B une couche de SiO2 (14) typiquement de quelques nanomètres (par exemple 2, 5, 10 nm) qui est générée dans la couche supplémentaire (13) Sil_yGey, et une couche de Sil_z,Gez (15) d'une épaisseur hZ qui est enrichi en Ge par rapport à la couche initiale supplémentaire (13). Dans la deuxième forme de réalisation du procédé de l'invention, il se forme à l'issue de l'oxydation, comme cela est illustré sur la figure 2B, une couche de SiO2 (24) qui est générée dans le film, couche, supplémentaire (23) Si1-grad yGegrad y, et une couche enrichie en Ge (25) par rapport à la couche initiale supplémentaire (23). Dans la troisième forme de réalisation du procédé selon l'invention, il se forme à l'issue de l'oxydation, comme cela est illustré sur la figure 3B, une couche de SiO2 (34) qui est générée dans les films supplémentaires (33A à 33D), et une zone enrichie en Ge (35) par rapport aux plusieurs couches initiales supplémentaires (33A à 33D) (au nombre de 4 sur la figure 3A). Dans la quatrième forme de réalisation du procédé de l'invention, il se forme à l'issue de l'oxydation, comme cela est illustré sur la figure 4B, une couche de SiO2 (45), qui est générée dans le film complémentaire (44) (à savoir dans la totalité du film complémentaire) ou qui contient ce film complémentaire, s'il est en SiO2, et générée également dans une partie du film supplémentaire (43), et une couche enrichie en Ge (46) par rapport à la couche initiale supplémentaire (43). Le procédé selon l'invention peut être intégré dans un procédé plus général dont il ne constitue alors qu'une étape. Par exemple, le procédé selon l'invention peut être utilisé pour le transfert de film par exemple par le procédé décrit dans le brevet US 5, 374,564 à la description duquel on pourra se référer. On génère par le procédé de l'invention un oxyde thermique, futur oxyde enterré ("burried oxide" en anglais, "BOx"), de structures de type GeOI ou SiGeOI. L'avantage apporté par le procédé de l'invention est alors d'avoir une interface Sil_XGe.//BOx de qualité électronique et d'avoir une couche de Sil_xGex dont la concentration en germanium, grâce au procédé selon l'invention est la plus constante possible aux environs de cette interface. On pourra obtenir cette structure (GeOI ou SiGeOI) à partir d'une structure obtenue par le procédé de l'invention, c'est-à-dire présentant en surface au moins un film de SiGe ou de Ge recouvert d'une couche d'oxyde (SiO2). On prendra soin de créer dans cette structure une zone fragile enterrée dans ce film de SiGe ou Ge, par exemple par implantation d'espèces gazeuses comme décrit dans le brevet US-A-5,374,564, l'implantation pouvant être réalisée avant ou après l'oxydation, ou même avant le dépôt de la couche supplémentaire. La couche fragile enterrée peut ainsi être créée dans le film de Si.Gel_x ou dans celui de SiZGel_Z. Cette structure est ensuite assemblée selon les techniques connues de l'homme du métier, par collage moléculaire, avec un substrat final, par exemple de silicium pouvant ou non être oxydé en surface. On procède alors à la dissociation de la structure ainsi obtenue au niveau de la zone fragilisée par traitement thermique et/ou mécanique. On obtient alors la structure GeOI ou SiGeOI désirée d'une part et d'autre part, une partie de la structure initiale à oxyder ou la structure à oxyder munie d'une partie de la couche Sil_ZGez selon la position de la zone fragile enterrée. Alternativement, au lieu de créer une zone fragile enterrée, on pourra procéder directement au collage moléculaire de la structure obtenue par le procédé de l'invention avec le substrat final, et procéder ensuite à l'amincissement de cette structure par voie mécanique et/ou chimique pour obtenir la structure GeOI ou SiGeOI désirée. L'invention va maintenant être décrite en 20 référence aux exemples suivants donnés à titre illustratif et non limitatif. EXEMPLE 1 Dans cet exemple, dans lequel on met en oeuvre le procédé selon l'invention, on commence par déposer des couches tampons de SiGe par des technologies diverses et connues de l'art antérieur par exemple par épitaxie en CVD ou en RPCVD, par exemple par la technique du gradient continu permettant de déposer à partir d'un substrat par exemple de silicium ("substrat initial" de silicium de 200 nm) une couche de Sil_XGex dont la concentration varie continûment de 0 à la concentration désirée en surface. On réalise ensuite, sur l'empilement de couches tampons de SiGe un film de Sio,7Geo,3 relaxé de 1 pm d'épaisseur par exemple par épitaxie en CVD ou en RPCVD. Puis, conformément au procédé de l'invention, on dépose sur le film de Sio,7Geo, 3 un film supplémentaire sacrificiel et spécifique, d'environ 65 nm de Sio,75Geo,25 (y = 0,25) par exemple par épitaxie CVD. On effectue ensuite un traitement thermique du film supplémentaire comprenant en particulier une oxydation par voie sèche avec du 02 sec à un débit de 8 1/min. et à une température de 900 C. L'oxyde SiO2 est généré à la vitesse de 55 nm en 4 heures. La "consommation" de la couche supplémentaire pour former l'oxyde est d'environ 25 nm et la couche supplémentaire restante Sil_ZGez a une épaisseur d'environ 40 nm. L'enrichissement de cette couche supplémentaire restante en germanium est mesurée par exemple par SIMS et on établit ainsi que pour cette couche, z vaut environ 0,37. EXEMPLE 2 Ce deuxième exemple est une variante du premier concernant l'oxydation. Dans cet exemple, la même structure que précédemment subit une oxydation par voie humide avec de la vapeur d'eau, du H2 à un débit de 8 1/min. et du 02 à un débit de 4 1/min., à une température de 900 C. L'oxyde SiO2 est généré dans ce cas à la vitesse de 76 nm en 15 minutes. La "consommation" de la couche supplémentaire pour former l'oxyde est d'environ 35 nm et la couche supplémentaire restante de Sil_ZGez a une épaisseur d'environ 30 nm, avec une concentration en germanium enrichie selon le mécanisme précédemment explicité. REVENDICATIONS 1. Procédé de préparation d'une couche de dioxyde de silicium, par oxydation à haute température, sur un substrat de formule Sil_XGex, dans laquelle x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, ledit procédé comprenant les étapes successives suivantes: a) on dépose sur ledit substrat de formule Sil_XGe. au moins une couche supplémentaire d'épaisseur hy et de formule globale Sil_yGey dans laquelle y est supérieur à 0 et inférieur à x; b) on réalise l'oxydation à haute température de ladite couche supplémentaire de formule globale Sil_yGey, moyennant quoi ladite couche supplémentaire est transformée en totalité ou en partie en une couche d'oxyde de silicium SiO2. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat est constitué par une couche de Sil_XGex, de préférence monocristallin sur un support, le support étant en un seul matériau tel que le germanium ou le silicium, ou comprenant un substrat de base par exemple en Si sur lequel sont réalisée(s) une ou plusieurs couche(s) tampon(s) d'adaptation par exemple en SiGe. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel y et/ou hy sont choisies, pour contrôler à l'issue de l'oxydation la concentration du germanium de la couche d'alliage SiGe se trouvant sous la couche d'oxyde de silicium. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la composition de la couche supplémentaire définie par y, et/ou l'épaisseur hy, est (sont) choisie(s) en fonction du substrat Sil_XGex, et/ou de l'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium SiO2 et/ou de la concentration en germanium de la couche d'alliage de silicium-germanium se trouvant immédiatement sous la couche d'oxyde de silicium. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la composition de la couche supplémentaire définie par y, et/ou l'épaisseur hy, est (sont) choisie(s) de façon à limiter les contraintes générées par la différence des mailles cristallines entre Sil_.Gex et Sil_yGey. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lors de l'étape b), ladite couche supplémentaire, est transformée en partie en oxyde de silicium, pour donner une couche d'oxyde de silicium, sur une couche de formule Si1_ZGez et d'épaisseur hZ. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel z est sensiblement égal à x. 8. Procédé selon l'une quelconque des 30 revendications précédentes, dans lequel ladite couche supplémentaire est une couche à gradient de composition dans laquelle la concentration en germanium varie de manière continue, de préférence décroît de manière continue, à partir du substrat. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on dépose plusieurs couches supplémentaires, qui diffèrent par leur valeur de y. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la valeur de y décroît depuis la couche supplémentaire située au voisinage du substrat jusqu'à la couche située à l'épaisseur hy. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on dépose en outre une couche complémentaire de SiGe sur ladite au moins une couche supplémentaire, ladite couche complémentaire étant également transformée en totalité en une couche d'oxyde de silicium SiO2. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel on dépose en outre une couche complémentaire de SiO2 sur ladite au moins une couche supplémentaire. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'oxydation est une oxydation par traitement thermique oxydant réalisé par voie sèche et/ou humide. 10 14. Procédé de préparation d'un composant optique ou électronique comprenant au moins une étape dans laquelle on prépare une couche de dioxyde de silicium par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13. 15. Procédé de préparation d'une structure Si1_XGexOI dans lequel on prépare une structure comprenant un film de Si1_XGex recouvert d'une couche d'oxyde de silicium SiO2 par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, on fragilise, avant ou après l'étape b), une couche située au sein du film de Si1_xGex par exemple par implantation d'espèces gazeuses, on assemble cette structure comprenant la couche fragilisée avec un substrat par exemple de silicium, pour obtenir un assemblage comprenant le substrat et la structure, et on dissocie cet assemblage au niveau de la couche fragilisée par un traitement thermique et/ou mécanique. 16. Procédé de préparation d'une structure Si1_xGex 0I dans lequel on prépare une structure comprenant un film de Si1_xGex recouvert d'une couche d'oxyde de silicium SiO2 par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, on assemble cette structure avec un substrat, pour obtenir un assemblage comprenant le substrat et la structure, et on procède à l'amincissement de cet assemblage par voie mécanique et/ou chimique.