Brevet FR2864614A1 — publié le 20050701

CAPTEUR DE GRANDEUR PHYSIQUE AYANT UNE POSSIBILITE DE COMPENSATION EN TEMPERATURE AMELIOREE ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine technique de l'invention La présente invention se rapporte d'une façon générale à des capteurs de grandeurs physiques destinés à acquérir des grandeurs physiques telles qu'une force, une pression, un couple, une vitesse, une accélération, une résistance aux chocs, un poids, une masse, un degré de vide, un effort de torsion, une vibration et du bruit. Plus particulièrement, l'invention se rapporte à une structure améliorée d'un capteur de grandeur physique qui améliore la possibilité de compensation en température du capteur de grandeur physique. 2. Description de la technique apparentée Des capteurs de grandeurs physiques, tels que des capteurs de pression employant des éléments sensibles à la pression et des capteurs de charge utilisant des matériaux piézorésistifs, sont largement utilisés. Les matériaux piézorésistifs désignent ici des matériaux qui présentent un effet piézorésistif tel que lorsqu'une contrainte, telle qu'une contrainte de compression, une contrainte de traction, une contrainte de cisaillement et une contrainte hydrostatique est appliquée au matériau, la résistance électrique du matériau varie en fonction de la contrainte. En général, un capteur de grandeur physique comprend un élément d'acquisition de grandeur physique qui acquiert une grandeur physique telle qu'une pression, génère un signal électrique représentatif de la pression acquise, et fournit en sortie le signal électrique généré à des dispositifs ou circuits externes. Cependant, la valeur de la grandeur physique acquise par le capteur de grandeur physique varie en réponse à une variation de la température de l'élément d'acquisition de grandeur physique du capteur. De ce fait, pour obtenir une valeur précise de la grandeur physique, il est nécessaire d'exécuter une compensation en température pour la valeur acquise de la grandeur physique. Par conséquent, un certain nombre de capteurs de grandeurs physiques ont été configurés pour détecter non seulement la grandeur physique à acquérir mais également la température de l'élément d'acquisition de grandeur physique du capteur de façon à corriger la valeur détectée de la grandeur physique en fonction de la température détectée. La publication de demande de brevet des Etats-Unis N 2003/0 164 047 Al, dont l'équivalent japonais est la publication de brevet non examinée japonaise N 2003-214 962, décrit un tel capteur de grandeur physique. Comme représenté sur la figure 7 de la description, un capteur de charge 50, qui est constitué d'un matériau de céramique, présente une structure en sandwich. Le capteur de charge 50 comprend un élément de détection de charge 51 et une paire d'éléments de compensation en température 52 et 53. Les trois éléments du capteur de charge 50 présentent tous la même structure et partagent un support isolant commun 55. La détection de la température de l'élément de détection de charge 51 est réalisée au moyen de la paire d'éléments de compensation en température 52 et: 53. Les deux éléments de compensation en température sont agencés pour être proches de l'élément de détection de charge 51 de façon à minimiser les différences de température entre l'élément de détection de charge 51 et les deux éléments de compensation en température 52 et 53. Cependant, dans le capteur de charge 50, il existe deux intervalles d'air, qui présentent des largeurs W5 et W6 respectivement, entre l'élément de détection de charge 51 et la paire d'éléments de compensation en température 52 et 53. En outre, le support isolant 55, qui relie thermiquement les trois éléments 51, 52 et 53, est constitué d'un matériau présentant une faible conductivité thermique. En outre, les trois éléments 51, 52 et 53 peuvent présenter des comportements thermiques différents. Par conséquent, avec un tel agencement, il peut être difficile de détecter avec précision la température de l'élément de détection de charge 51. En conséquence, le capteur de charge conforme à la description ne peut: pas détecter la charge avec une précision suffisamment élevée. RESUME DE L'INVENTION C'est de ce fait un but principal de la présente invention de fournir un capteur de grandeur physique comportant une structure améliorée qui assure une précision élevée lors de la détection de la température de l'élément d'acquisition de grandeur physique du capteur, en communiquant ainsi une possibilité de compensation en température élevée au capteur de grandeur physique. Conformément à l'invention, un capteur de grandeur physique comprend un premier élément, un second élément, un élément d'acquisition, un détecteur de température et un circuit de correction. L'élément d'acquisition est interposé en contact entre les premier et second éléments et est configuré pour générer un signal électrique en fonction d'une grandeur physique appliquée à celui-ci par l'intermédiaire de l'un des premier et second éléments. Le détecteur de température détecte la température de l'élément d'acquisition. Le circuit de correction corrige le signal électrique généré par l'élément d'acquisition en utilisant la température détectée par le détecteur de température et fournit en sortie le signal électrique corrigé. Dans le capteur de grandeur physique ci-dessus conforme à l'invention, il est également fourni un trajet de conduction de chaleur qui relie thermiquement l'élément d'acquisition et le détecteur de température. Le trajet de conduction de chaleur est formé au travers du second élément de sorte que le second élément présente une résistance thermique le long du trajet de conduction thermique qui est inférieure à une résistance thermique du premier élément dans une direction d'application de la grandeur physique. Avec un tel agencement, la chaleur peut être conduite de façon efficace de l'élément d'acquisition au détecteur de température par l'intermédiaire du trajet de conduction de chaleur le long duquel le second élément présente une résistance thermique inférieure. Il en résulte qu'il devient possible de détecter la température de l'élément d'acquisition par l'intermédiaire de la détection de la température du détecteur de température lui-même. Le premier élément du capteur de grandeur physique présente une résistance thermique supérieure de sorte que la chaleur provenant de sources externes peut être difficilement conduite vers l'élément d'acquisition par l'intermédiaire du premier élément, en empêchant donc des variations rapides de la température de l'élément d'acquisition. En outre, même si la chaleur provenant des sources externes est conduite vers l'élément d'acquisition, elle sera conduite doucement vers le second élément en raison de la résistance thermique inférieure du second élément, de sorte que les variations de température rapides de l'élément d'acquisition peuvent également être empêchées. Pour obtenir l'effet décrit ci--dessus, le second élément du capteur de grandeur physique est constitué de préférence d'un matériau présentant une conductivité thermique supérieure à celle du matériau dont est constitué le premier élément. De même, dans le même but, il est préférable que le second élément présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique inférieure à celle du premier élément. La totalité de l'espace entre l'élément d'acquisition et le détecteur de température est de préférence rempli d'un matériau de scellement, de façon plus préférée dans un état de gel. Le matériau de scellement fonctionnera en tant que milieu pour relier thermiquement l'élément d'acquisition au détecteur de température, en améliorant donc davantage la conduction thermique entre ceux-ci. Le circuit de correction du capteur de grandeur physique comprend de préférence un élément de détection de température qui sert de détecteur de température du capteur. L'incorporation du détecteur de température dans le circuit de correction contribuera à la miniaturisation du capteur de grandeur physique et à une réduction de son coût. Il est également préférable que l'élément d'acquisition du capteur de grandeur physique soit constitué principalement d'un matériau de céramique et d'un matériau piézorésistif, et des premier et second éléments sont chacun constitués principalement d'un matériau de céramique. L'utilisation de matériaux de céramique assure une résistance élevée du capteur de grandeur physique. En outre, à la fois l'élément d'acquisition et le premier élément sont de préférence réalisés en utilisant de la zircone en tant que constituant principal, et le second élément est de préférence utilisé en utilisant au. moins un constituant parmi l'alumine et le nitrure d'aluminium en tant que constituant principal. L'utilisation de zircone pour l'élément d'acquisition et le premier élément assure une résistance thermique élevée et une résistance à la rupture élevée ainsi qu'une résistance élevée de ces éléments. L'alumine et le nitrure d'aluminium présentent tous les deux une conductivité thermique élevée (par exemple, le nitrure d'aluminium présente une conductivité thermique de 200 W/mK environ 100 fois plus élevée que celle de la zircone), en assurant donc que le second élément du capteur présente une résistance thermique inférieure. En outre, il est préférable que les premier et second éléments comprennent chacun une couche isolante disposée sur une surface de l'élément d'acquisition, et la couche isolante du second élément présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique inférieure à celle de la couche isolante du premier élément, et où la couche isolante du second élément est constituée de zircone. L'utilisation du même matériau, par exemple, de la zircone, pour toutes les parties de contact entre l'élément d'acquisition et les premier et second éléments fournit un avantage dans l'amélioration du rendement de fabrication du capteur de grandeur physique. En outre, l'élément d'acquisition du capteur de grandeur physique est de préférence réalisé en utilisant Lal_XSr,MnO3 (0 Il est également préférable qu'une résistance ohmique de l'élément d'acquisition varie en fonction de la grandeur physique appliquée à l'élément d'acquisition, et l'élément d'acquisition génère le signal électrique en fonction de la variation de la résistance ohmique de l'élément d'acquisition. Avec la structure du capteur de grandeur physique qui a été décrite jusqu'à présent, la possibilité de compensation en température du capteur est considérablement améliorée, de sorte que la précision du capteur de grandeur physique, lors de l'acquisition de la grandeur physique, est également considérablement améliorée. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera comprise plus complètement d'après la description détaillée donnée ci-dessous et d'après les dessins annexés des modes de réalisation préférés de l'invention, qui, ne doivent cependant pas être compris comme limitant l'invention aux modes de réalisation spécifiques mais comme n'ayant pour but qu'une explication et une compréhension. Dans les dessins annexés: La figure 1 est une vue en perspective simplifiée 10 représentant un capteur de grandeur physique conforme à la présente invention, La figure 2 est une vue latérale partiellement en coupe transversale illustrant une configuration d'un capteur de grandeur physique de la technique antérieure, La figure 3 est une vue latérale partiellement en coupe transversale illustrant une configuration d'un capteur de grandeur physique conforme au premier mode de réalisation de l'invention, La figure 4 est une vue latérale partiellement en coupe transversale illustrant une configuration d'un capteur de grandeur physique conforme au second mode de réalisation de l'invention, La figure 5 est une vue latérale partiellement en coupe transversale illustrant une configuration d'un capteur de grandeur physique conforme au troisième mode de réalisation de l'invention, La figure 6 est une vue latérale partiellement en coupe transversale illustrant une configuration d'un capteur de grandeur physique conforme au quatrième mode de réalisation de l'invention, et La figure 7A est une vue simplifiée illustrant la différence de température entre une couche d'acquisition et une puce de circuit dans le capteur de grandeur physique de la technique antérieure de la figure 2, La figure 7B est une vue simplifiée illustrant la différence de température entre une couche d'acquisition et une puce de circuit dans le capteur de grandeur physique de la figure 3, La figure 7C est une vue simplifiée illustrant la différence de température entre une couche d'acquisition et une puce de circuit dans le capteur de grandeur physique de la figure 4, La figure 8 est une représentation graphique représentant des erreurs d'acquisition d'un capteur de grandeur physique qui se produisent sans compensation en température, La figure 9 est une représentation graphique indiquant les erreurs d'acquisition du capteur de grandeur physique qui se produisent avec une compensation en température utilisant trois points de compensation, La figure 10 est un schéma synoptique illustrant une configuration d'un circuit de correction d'un capteur de grandeur physique conforme à l'invention destiné à exécuter une compensation en température, Les figures 11A et 11B sont des représentations graphiques illustrant un procédé de compensation en température utilisé dans un calcul de correction du circuit de correction de la figure 10, La figure 12 est une représentation graphique illustrant la relation entre le nombre de points de compensation en température et l'erreur d'acquisition maximum résultante d'un capteur de grandeur physique conforme à l'invention, et La figure 13 est une vue en perspective simplifiée illustrant un procédé de fabrication d'un capteur de grandeur physique conforme à l'invention. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES Les modes de réalisation préférés de la présente invention seront décrits ensuite en faisant référence aux figures 1 à 12. Il devra être noté que, par souci de clarté et de compréhension, des composants identiques ayant des fonctions identiques dans différents modes de réalisation de l'invention ont été repérés, lorsque cela fut possible, avec les mêmes références numériques dans chacune des figures. La figure 1 représente une structure globale d'un capteur de grandeur physique 100 conforme à l'invention qui comprend un élément d'acquisition de grandeur physique 1. La grandeur physique F devant être acquise est par exemple urne charge, elle est appliquée au capteur de grandeur physique dans la direction indiquée par la flèche en ligne droite. L'élément d'acquisition de grandeur physique 1 comprend, comme représenté sur la figure 1, une première couche isolante 2, une couche d'acquisition 3, et une seconde couche isolante 4, toutes étant empilées dans le sens d'application de la grandeur physique F. Sur la première couche isolante 2, il est prévu une liaison 20 destinée à relier le capteur de grandeur physique 100 à un dispositif d'application de grandeur physique (non représenté). La première couche isolante 2 et: la liaison 20 constituent ensemble le premier élément du capteur de grandeur physique 100 par l'intermédiaire duquel la grandeur physique F doit être appliquée à la couche d'acquisition 3. La première couche isolante 2 du premier élément isole électriquement la liaison 20 de la couche d'acquisition 3. Un boîtier 10, qui est constitué d'un matériau de céramique, supporte l'élément d'acquisition de grandeur physique 1 vis-à-vis de l'application de la grandeur physique F. La seconde couche isolante 4 et le boîtier 10 constituent ensemble le second élément du capteur de grandeur physique 100. La seconde couche isolante 4 du second élément isole électriquement le boîtier 10 de la couche d'acquisition 3. Le boîtier 10 est connecté à des bornes 11 prévues pour recevoir en entrée/fournir en sortie des signaux électriques. En outre, sur le boîtier 10, une puce de circuit 12 est montée. Les bornes 11 comportent chacune une extrémité lla (appelée ci-après extrémité de borne lla) électriquement connectée à la puce de circuit 12 par une liaison par fil 6. La face principale de la couche d'acquisition 3, sur laquelle est disposée la première couche isolante 2, comprend des zones exposées qui ne sont pas recouvertes de la première couche isolante 3. Sur les zones exposées de la couche d'acquisition 3, sont prévues des bornes 5 qui sont électriquement connectées à la puce de circuit 12 et aux extrémités de borne lla par liaison par fil 6. Les bornes 5 sont constituées d'un alliage à base de Ag. Les bornes 5 peuvent également être constituées d'autres matériaux métalliques tels que Au, Pt, Al, Ni, Cu et de leurs alliages, ou de matériaux non métalliques électriquement conducteurs tels que du carbone. La couche d'acquisition 3 est. réalisée en utilisant un matériau de céramique en tant que constituant principal de manière à présenter une résistance suffisamment élevée pour supporter l'application de grandeurs physiques importantes. Plus particulièrement, la couche d'acquisition 3 est constituée principalement d'un matériau de céramique électriquement isolant qui constitue une matrice et d'un matériau piézorésistif qui est dispersé dans la matrice de manière à conférer des propriétés de conduction électrique à la couche d'acquisition 3. Le matériau piézorésistif peut comprendre un ou plusieurs types de substances telles que (Ln1_XMax) 1_YMbO3_Z avec une structure de pérovskite (où 0,0 Il est préférable que le matériau piézorésistif utilisé pour la couche d'acquisition 3 soit Lal_XSr,MnO3 (0 Le matériau de céramique constituant la matrice peut comprendre un ou plusieurs types de substances telles que ZrO2 (zircone), Al2O3, MgAl2O4, SiO2, 3Al2O3 É 2SiO2, Y2O3, CeO2, La2O3, 20 Si3N4 et A1N (nitrure d'aluminium). Il est préférable que le matériau de céramique constituant la matrice soit de la zircone qui présente une résistance élevée et une résistance à la rupture élevée à des températures normales. Comme la couche d'acquisition 3, la première et la seconde couches isolantes 2 et 4 sont toutes les deux constituées principalement d'un matériau de céramique afin d'avoir une résistance élevée. De même, le matériau de céramique peut comprendre un ou plusieurs types de substances telles que ZrO2 (zircone), Al2O3, MgAl2O4, SiO2, 3Al2O3 2S102, Y2O3, CeO2, La2O3, Si3N4 et A1N. Il est essentiel pour le capteur de grandeur physique 100 conforme à l'invention que la seconde couche isolante 4 comprise dans le second élément présente une résistance thermique dans la direction d'application de la grandeur physique F inférieure à 40 celle de la première couche isolante 2 comprise dan le premier élément, de sorte que la chaleur peut être conduite de façon efficace de la couche d'acquisition 3 à la puce de circuit 12. Comme cela est généralement connu, la résistance thermique est une mesure de la capacité du corps à empêcher que la chaleur ne circule à travers celui-ci. Par exemple, en supposant que le premier (ou le second) élément du capteur de grandeur physique 100 présente la forme d'un prisme quadratique présentant une épaisseur d dans la direction d'application de la grandeur physique F et une surface en section transversale A perpendiculaire à une direction d'application de celle-ci, alors la résistance thermique R du premier élément dans la direction d'application de la grandeur physique F peut être déterminée par l'équation qui suit: R = d/(k x A) [Equation 1] Où K est la conductivité thermique du matériau dont est constitué le premier élément. Comme cela peut être observé d'après l'équation 1, la résistance thermique R diminue avec la diminution de l'épaisseur d et une augmentation de la conductivité thermique K ou la surface en section transversale A. Par conséquent, il est préférable que la seconde couche isolante 4 soit constituée d'un matériau présentant une conductivité thermique supérieure à celle du matériau dont est constitué la première couche isolante 2, de sorte que la résistance thermique du second élément du capteur de grandeur physique 100 peut être inférieure à celle du premier élément de celui-ci. De même, il est préférable que la seconde couche isolante 4 présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique F inférieure à celle de la première couche isolante 2 pour les mêmes raisons que ci-dessus. Lorsque la grandeur physique F est appliquée à l'élément d'acquisition de grandeur physique 1 par l'intermédiaire de la liaison 20, elle sera transmise par l'intermédiaire de la première couche isolante 2 à la couche d'acquisition 3, en induisant ainsi une variation de la résistance électrique de la couche d'acquisition 3. La variation de la résistance électrique de la couche 40 d'acquisition 3 provoque par conséquent une variation du signal électrique généré par la couche d'acquisition 3, qui représente 1.a résistance électrique de la couche d'acquisition 3. La puce de circuit 12, qui porte un circuit arithmétique, reçoit le signal électrique provenant de la couche d'acquisition 5 3 et calcule ensuite la valeur de la grandeur physique F sur la base du signal électrique. Cependant, en plus de l'application de la grandeur physique F, une variation à la température de la couche d'acquisition 3 peut également induire une telle variation de la résistance 10 électrique de la couche d'acquisition 3. Plus particulièrement, le signal électrique généré par la couche d'acquisition 3 varie en fonction de la température de la couche d'acquisition 3, en résultant donc en des erreurs d'acquisition du capteur de grandeur physique 100 comme représenté par exemple, sur la figure 8. Sur la figure 8, l'axe horizontal indique la température de la couche d'acquisition 3, tandis que l'axe vertical indique les erreurs d'acquisition relatives du capteur de grandeur physique 100 par rapport à la valeur à pleine échelle (FS, c'est-à-dire la capacité de la grandeur physique) du capteur de grandeur physique 100. Il peut être observé à partir de la figure 8 que les erreurs d'acquisition de la grandeur physique F par le capteur de grandeur physique 100 varient en fonction de la température de la couche d'acquisition 3 dans une mesure telle que représentée sur la figure. Par conséquent, pour obtenir une valeur précise de la grandeur physique F, une compensation en température est requise pour corriger la valeur acquise de la grandeur physique F. A cette fin, la puce de circuit 12 comprend en outre un élément de détection de température et un circuit de correction. L'élément de détection de température, qui sert de détecteur de température du capteur de grandeur physique 100, est employé pour détecter la température de la couche d'acquisition 3. Le circuit de correction est configuré pour corriger le signal électrique provenant de la couche d'acquisition 3 en utilisant la température de la couche d'acquisition 3 détectée par l'élément de détection de température. La puce de circuit 12 est, comme représenté sur la figure 1, 40 reliée thermiquement à la couche d'acquisition 3 par 12 2864614 L'intermédiaire du second élément qui comprend la seconde couche isolante 4 et au boîtier 10. En d'autres termes, il est fourni un trajet de conduction de chaleur formé à travers le second élément, le long duquel la chaleur peut être conduite de la couche d'acquisition 3 à la puce de circuit 12. Dans des capteurs de grandeurs physiques classiques, la couche d'acquisition 3 est, comme représenté sur la figure 2, interposée en contact entre les première et seconde couches isolantes 2 et 4. Les deux couches isolantes 2 et 4 présentent généralement la même forme et sont constituées du même matériau, par exemple de la zircone. Par conséquent, la première et la seconde couches isolantes 2 et 4 présentent toutes les deux une résistance thermique élevée de façon à empêcher la variation de température de la couche d'acquisition 3 due à la conduction thermique entre la couche d'acquisition 3 et les sources externes à travers les couches isolantes. Cependant, conformément à la présente invention, le second élément présente une résistance thermique faible le long du trajet de conduction de chaleur formé à travers celui-ci, de sorte que la chaleur peut être facilement conduite de la couche d'acquisition 3 à la puce de circuit 12. En particulier, la seconde couche d'acquisition 4 du second élément présente une résistance thermique dans la direction d'application de la grandeur physique F considérablement inférieure à celle de la première couche d'acquisition 4. Par conséquent, il devient facile d'atteindre un état d'équilibre thermique entre la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12, de sorte que la température de la couche d'acquisition 3 peut être déterminée par le biais de la détection de la température de la puce de circuit 12, en vue de détecter directement la température de la couche d'acquisition 3. En même temps, le premier élément, plus particulièrement, la première couche isolante 2 de celui-ci, présente une résistance thermique élevée dans la direction d'application de la grandeur physique F. En conséquence, la chaleur provenant de sources externes peut difficilement être conduite vers la couche d'acquisition 3 par l'intermédiaire du premier élément, en empêchant ainsi des variations de température rapides de la couche d'acquisition 3 dues à des influences externes. En outre, 13 2864614 la résistance thermique élevée du premier élément peut être obtenue par le biais de l'utilisation de matériaux qui présentent des conductivités thermiques faibles et d'une configuration appropriée du premier élément. La figure 3 représente une configuration d'un capteur de grandeur physique 100 conforme au premier mode de réalisation de l'invention. Dans ce capteur 100, la première et la seconde couches isolantes 2 et 4 sont toutes les deux constituées d'un matériau présentant une conductivité thermique faible, telle que de la zircone qui présente une conductivité thermique de 2 W/mK. En même temps, la seconde couche isolante 4 présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique F inférieure à celle de la première couche isolante 2. En outre, le boîtier 10, sur lequel sont disposées à la fois la seconde couche isolante 4 et la puce de circuit 12, est constitué d'un matériau présentant une conductivité thermique élevée, par exemple de l'AIN qui présente une conductivité thermique de 200 W/mK. Par conséquent, le second élément du capteur présente une résistance thermique sur le trajet de conduction de chaleur formé à travers celui-ci inférieure à celle du second élément du capteur classique comme représenté sur la figure 2. En conséquence, la différence de température (to - t1) entre la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12 dans le capteur 100 du premier mode de réalisation de l'invention, comme représenté sur la figure 7B, est considérablement réduite par comparaison à celle du capteur classique de la figure 2, comme représenté sur la figure 7A. Sur ces figures, l'axe horizontal indique la distance dans la direction X, qui est opposée à la direction d'application de la grandeur physique F, tandis que l'axe vertical indique la température. En outre, dans ce mode de réalisation, l'utilisation du même matériau, par exemple de la zircone, pour toutes les parties de contact entre la couche d'acquisition 3 et les premier et second éléments fournit un avantage dans l'amélioration du rendement de fabrication du capteur de grandeur physique 100. La figure 4 représente une configuration d'un capteur de grandeur physique 100 conforme au second mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, la seconde couche isolante 4 et le boîtier 10 sont intégrés ensemble pour former 14 2864614 un corps unitaire qui est constitué d'un matériau isolant présentant une conductivité thermique élevée, par exemple de l'AIN. Il en résulte que, comme représenté sur la figure 7C, la différence de température (to - t1) entre la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12 dans le capteur 100 devient proche de zéro. La figure 5 représente une configuration d'un capteur de grandeur physique 100 conforme au troisième mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, la seconde couche isolante 4 est constituée d'un matériau isolant qui présente une conductivité thermique élevée, par exemple de l'AlN, tandis que le boîtier 10 est constitué d'un matériau qui présente une conductivité thermique élevée sans être isolant, tel que des matériaux métalliques comprenant du fer. La figure 6 représente une configuration d'un capteur de grandeur physique 100 conforme au quatrième mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, tout l'espace entre la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12 est rempli d'un matériau de scellement 30. Le matériau de scellement 30 fonctionne en tant que milieu pour relier thermiquement la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12, en réduisant ainsi davantage la différence de température entre la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12. En outre, le matériau de scellement 30 isole la couche d'acquisition 3 et la puce de circuit 12 de l'air ambiant, et les protège ainsi de la poussière et de l'humidité. Il est préférable que le matériau de scellement 30 se trouve à l'état de gel. L'état de gel facilite la formation du matériau de scellement 30. Dans chaque mode de réalisation de l'invention décrit ci-dessus, le premier élément, au moins la première couche isolante 2 de celui-ci, présente des propriétés d'isolement électrique élevées et une résistance thermique élevée dans la direction d'application de la grandeur physique F. A cette fin, le premier élément est constitué de préférence de zircone qui présente une conductivité thermique de 2 W/mK. En outre, le second élément et le matériau de scellement 30 sont de préférence protégés au moyen par exemple d'un couvercle de protection (non représenté), en empêchant ainsi l'influence de sources de chaleur externes sur ceux-ci. 2864614 Avec les configurations ci-dessus des modes de réalisation de l'invention, il devient possible de déterminer avec précision la température de la couche d'acquisition 3 en détectant la température de la puce du circuit 12, sans être influencé par des sources de chaleur externes. En ce qui concerne la détection de température de la puce de circuit 12, elle peut être facilement réalisée avec un élément de détection de température qui est inclus dans la puce de circuit 12, de préférence dans le circuit de correction de celle-ci. Par exemple, une thermistance peut être incluse dans le circuit de correction en tant qu'élément de détection de température. Il est également possible d'utiliser au moins l'une des diodes qui existent déjà dans le circuit de correction en tant qu'élément de détection de température. La tension directe d'une diode diminue à une certaine vitesse avec l'augmentation de sa température. De ce fait, la température de la diode peut être déterminée en détectant sa tension directe. Par comparaison à l'ajout d'une thermistance au circuit de correction, l'utilisation de diodes existantes est plus avantageuse pour la miniaturisation de la puce de circuit 12 et la diminution du coût de fabrication de la puce de circuit 12. Du fait que les éléments de détection de température décrits ci-dessus sont bien connus dans la technique, les détails concernant ces éléments seront omis ici. La figure 10 représente une configuration du circuit de correction qui corrige le signal électrique généré par la couche d'acquisition 3 en utilisant la température de la puce de circuit 12 détectée par l'élément de détection de température. Comme représenté sur la figure, le circuit de correction comprend un bloc d'amplification, un bloc de conversion A/N, un bloc de calcul de correction, et une mémoire. Le bloc d'amplification reçoit le signal de température de l'élément de détection de température et le signal électrique de la couche d'acquisition 3 qui représente la grandeur physique acquise F, amplifie ces signaux, et fournit en sortie les signaux amplifiés au bloc de conversion A/N. Le bloc de conversion A/N convertit les signaux provenant du 40 bloc d'amplification d'une forme analogique en une forme 16 2864614 numérique, et fournit en sortie les signaux numérisés au bloc de calcul de correction. Ensuite, le bloc de calcul de correction calcule, conformément à un algorithme de correction prédéterminé, une valeur précise de la grandeur physique F sur la base des signaux provenant des blocs de conversion A/N. Des constantes, qui sont nécessaires pour le calcul de correction et qui sont mémorisées dans la mémoire, sont également appliquées au bloc de calcul de correction. A la fin, le bloc de calcul de correction émet en sortie un signal électrique représentant la valeur précise de la grandeur physique F à des circuits externes ou des dispositifs d'affichage. Il est préférable que tous les circuits inclus dans la puce de circuit 12 soient des circuits numériques. Sinon, des éléments de circuits analogiques utilisés dans la puce de circuit 12, qui présentent des comportements en température différents les uns des autres, résulteront en des erreurs d'acquisition supplémentaires du capteur de grandeur physique 100. En outre, le bloc de conversion A/N ci-dessus peut employer un circuit de conversion A/N décrit dans le brevet des Etats-Unis N 6 466 151, dont l'équivalent japonais est la publication de brevet japonais non examinée N 2002-118 467, dont la description est totalement incorporée ici par référence. Les figures 11A et 11B illustrent un procédé de compensation en température utilisé dans le calcul de correction décrit ci-dessus. Sur la figure 11A, la courbe A représente une dérive de sortie du capteur de grandeur physique 100 conforme à l'invention en raison de la variation de la température de la couche d'acquisition 3 dans une plage de -30 à 80 C. Comme représenté sur la figure, la courbe A présente la forme d'une courbe approximativement quadratique. Sur la courbe A, une pluralité de points sont sélectionnés tout d'abord en tant que points de référence. Ensuite, ces points de référence sont séquentiellement reliés avec des droites pour obtenir une courbe approchée. Par exemple, la courbe B approchée sur la figure est obtenue en reliant séquentiellement les trois points de référence sur la courbe A 17 2864614 qui correspondent aux trois valeurs de température -30, 30 et 85 C, respectivement. En utilisant une telle courbe approchée, la compensation en température est réalisée pour le signal électrique généré par la 5 couche d'acquisition 3. En particulier, lorsque le signal électrique généré par la couche d'acquisition 3 est fourni en sortie au circuit de correction, le signal de température provenant de l'élément de détection de température est également appliqué au même circuit. Ensuite, une sortie estimée de la couche d'acquisition 3, qui correspond à la température:représentée par le signal de température, est calculée en utilisant une courbe approchée, par exemple la courbe B. En utilisant la sortie estimée de la couche d'acquisition 3 et la température, un coefficient de correction est calculé pour éliminer l'erreur d'acquisition de la couche d'acquisition 3 correspondant à cette température. Le coefficient de correction calculé est ensuite utilisé pour corriger la valeur de la grandeur physique F représentée par le signal électrique généré par la couche d'acquisition 3, en obtenant ainsi une valeur précise de la grandeur physique F. Par l'intermédiaire du processus de compensation en température ci-dessus, les erreurs d'acquisition du capteur de grandeur physique 100 sont considérablement réduites, comme représenté sur la figure 9 par comparaison à celles représentées sur la figure 8. En outre, pour exécuter un te:'. processus de compensation en température, des paramètres nécessaires pour obtenir une courbe approchée, tels que le nombre de points de référence, doivent être mémorisés au préalable dans la mémoire du circuit de correction. En outre, les coefficients de correction correspondant à chaque température dans la plage de température, par exemple allant de -30 à 80 C, peuvent également être calculés au préalable et mémorisés dans la mémoire, en facilitant ainsi le processus de compensation en température. Différents capteurs, même s'ils sont fabriqués selon la même norme, peuvent présenter des comportements en température différents. De ce fait, il est préférable de déterminer respectivement les paramètres nécessaires pour obtenir les 18 2864614 courbes approchées ou les coefficients de correction pour chaque capteur. La grandeur physique F représentée par le signal électrique généré par la couche d'acquisition 3 peut être corrigée avec davantage de précision grâce au nombre accru de points de référence utilisés lors de l'obtention de la courbe approchée. Par exemple, sur la figure 11A, cinq et sept points de référence sont utilisés pour obtenir les courbes approchées C et D, respectivement, tandis que seuls trois points de référence sont utilisés pour la courbe B comme décrit ci-dessus. Il en résulte qu'en utilisant les courbes C et D, les erreurs d'acquisition du capteur de grandeur physique 100 sont considérablement réduites, comme représenté sur la figure 11B, par comparaison au cas de l'utilisation de la courbe B. En outre, la courbe 12 représente une relation entre le nombre de points de référence et l'erreur d'acquisition maximum résultante du capteur de grandeur physique 100 dans la plage de température décrite ci-dessus. Comme cela peut être observé d'après la figure, l'erreur d'acquisition maximum du capteur 100 diminue lorsque le nombre des points de référence augmente, en améliorant ainsi la précision d'acquisition du capteur de grandeur physique 100. Il devra être noté que la présente invention n'est pas limitée au procédé de compensation en température spécifique décrit ci-dessus. D'autres procédés de compensation en température connus dans la technique peuvent également être applicables au capteur de grandeur physique 100 conforme à l'invention. La figure 13 illustre un procédé de fabrication d'un capteur de grandeur physique 100 conforme à la présente invention. La fabrication du capteur de grandeur physique a été réalisée grâce aux étapes qui suivent. Dans l'étape 1, des poudres d'un matériau piézorésistif de Lao,62Sro, 38MnO3 et d'un matériau de céramique de ZrO2 additionnée de CeO2 à 12 % en poids constituant la matrice sont mélangées à un rapport donné, par exemple 3:7 pour fournir une poudre mélangée destinée à former la couche d'acquisition. La poudre mélangée est ensuite mêlée et écrasée pendant 4 heures dans un broyeur-pulvériseur, par exemple un broyeur à boulets et séchée pour obtenir une poudre. La poudre mêlée est placée dans un 19 2864614 mélangeur à agitation en même temps qu'un liant de résine, de l'eau et des additifs, et est malaxée afin d'obtenir une bouillie. La bouillie est ensuite utilisée pour former des feuilles d'acquisition présentant chacune une épaisseur donnée par exemple de 100 m grâce à un procédé à raclette. Trois feuilles d'acquisition ainsi formées sont stratifiées ensemble afin d'obtenir un stratifié d'acquisition 3S. Il devra être noté que le nombre et l'épaisseur des feuilles d'acquisition utilisées pour former le stratifié d'acquisition 3S ont été déterminés en prenant en compte la contraction des feuilles d'acquisition qui aura lieu au cours du procédé de frittage qui suit. Ensuite, en tant que matériaux destinés à former les première et seconde couches isolantes 2 et 4, une première poudre de ZrO2 et une seconde poudre d'Ain sont préparées. Les première et seconde poudres sont ensuite traitées de la même manière que la poudre mélangée pour la couche d'acquisition 3. En particulier, ces poudres sont respectivement malaxées avec un liant de résine, de l'eau et des additifs, dans un mélangeur à agitation de façon à obtenir une bouillie. En utilisant les première et seconde bouillies obtenues respectivement, des première et seconde feuilles isolantes présentant chacune une épaisseur donnée, par exemple 100 m, sont respectivement formées par un procédé à la raclette. Trois des premières feuilles isolantes ainsi formées sont stratifiées ensemble afin de former un premier stratifié isolant 2S, et trois secondes feuilles isolantes sont également stratifiées ensemble pour former un second stratifié d'acquisition 4S. Le nombre et l'épaisseur des première et seconde feuilles isolantes pour former les stratifiés isolants 2S et 4S ont également été déterminées en prenant en compte la contraction de ces feuilles isolantes qui aura lieu dans le procédé de frittage qui suit. Il devra être noté que les trois couches 2S, 3S et 4S présentent la même épaisseur de 300 pm sur la figure 13, cependant, les trois couches peuvent présenter des épaisseurs différentes par exemple 600 m, 300 m et 100 m respectivement. A l'étape 2, le stratifié d'acquisition 3S ainsi que les premier et second stratifiés isolants 2S et 4S sont empilés, comme représenté sur la figure 13, pour former une structure à stratifiés multiples 1S dans laquelle le stratifié d'acquisition 2864614 :3S est pris en sandwich entre les deux stratifiés isolants 2S et 4S. Ensuite, la structure à stratifiés multiples 1S subit un processus de thermocompression par exemple grâce à une presse à chaud, et elle est ensuite cuite dans un four afin d'ôter les liants de résine par l'intermédiaire d'une décomposition thermique. Après un pressage hydrostatique à froid (CIP), la structure à stratifiés multiples 1S est frittée dans un four de frittage dans des conditions données par exemple à une température de 1 500 C et la période de 4 heures. En conséquence, une structure à couches multiples est obtenue, laquelle est constituée de trois couches frittées solidaires, c'est-à-dire la première couche isolante 2, la couche d'acquisition 3 et la seconde couche isolante 4. A l'étape 3, la structure à couches multiples est découpée en blocs à couches multiples dont chacun constitue un élément d'acquisition de grandeur physique 1 qui présente une taille donnée par exemple de 5 mm x 5 mm x 1,5 mm. En outre, des parties prédéterminées de la première couche isolante 2 peuvent être enlevées par découpe de l'élément d'acquisition de grandeur physique 1 de façon à fournir des bornes 5 sur les zones par conséquent exposées de la face principale de la couche d'acquisition 3 sur laquelle est disposée la première couche isolante 2. L'élément d'acquisition de grandeur physique ainsi obtenu 1 est ensuite relié au boîtier 10 constitué d'AIN par exemple par un agent adhésif. Ensuite, la puce de circuit 12 est montée sur le boîtier 10, et les bornes il sont formées pour réaliser une connexion électrique du capteur:L00 avec des circuits ou des dispositifs externes. Il est préférable que la puce de circuit 12 se trouve sous une forme de puce nue sans être formée par moulage de résine. La puce de circuit 12, des extrémités de bornes 11a et les bornes 5 de l'élément d'acquisition 1 sont ensuite électriquement reliés par exemple par liaison par fil 6. Il en résulte que le capteur de grandeur physique 100 conforme à l'invention est obtenu. Bien que les modes de réalisation particuliers ci-dessus de l'invention aient été représentés et décrits, il sera compris par ceux qui mettent en pratique l'invention et l'homme de l'art que diverses modifications, changements et améliorations peuvent 21 2864614 être apportés à l'invention sans s'écarter de l'esprit du concept décrit. De tels modifications, changements et améliorations qui ressortissent de la technique, sont prévus être couverts par les revendications annexées. 22 REVENDICATIONS 1. Capteur de grandeur physique comprenant: un premier élément, un second élément, un élément d'acquisition interposé en contact entre ledit premier et ledit second éléments, ledit élément d'acquisition étant configuré pour générer un signal électrique en fonction d'une grandeur physique appliquée à celui-ci par l'intermédiaire de l'un dudit premier et dudit second éléments, un détecteur de température détectant la température dudit élément d'acquisition, un circuit de correction corrigeant le signal électrique généré par ledit élément d'acquisition en utilisant la température détectée par ledit détecteur de température et fournissant en sortie le signal électrique corrigé, et un trajet de conduction de chaleur reliant thermiquement ledit élément d'acquisition et ledit détecteur de température, ledit trajet de conduction de chaleur étant formé au travers dudit second élément de sorte que ledit second élément présente une résistance thermique sur ledit trajet de conduction de chaleur qui est inférieure à une résistance thermique dudit premier élément dans une direction d'application de la grandeur physique. 2. Capteur de grandeur physique selon la revendication 1, dans lequel ledit second élément est constitué d'un matériau présentant une conductivité thermique supérieure à celle d'un matériau dont est constitué ledit premier élément. 3. Capteur de grandeur physique selon la revendication 2, dans lequel ledit second élément présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique inférieure à celle dudit premier élément. 4. Capteur de grandeur physique selon la revendication 3, dans lequel un espace entre ledit élément d'acquisition et ledit détecteur de température est rempli d'un matériau de scellement. 5. Capteur de grandeur physique selon la revendication 4, dans lequel ledit circuit de correction comprend un élément de détection de température qui sert de dit détecteur de température du capteur de grandeur physique. 6. Capteur de grandeur physique selon la revendication 5, dans lequel ledit élément d'acquisition est constitué principalement d'un matériau de céramique et d'un matériau piézorésistif, et ledit premier et ledit second éléments sont constitués chacun principalement d'un matériau de céramique. 7. Capteur de grandeur physique selon la revendication 6, dans lequel la résistance ohmique dudit élément d'acquisition varie en fonction de la grandeur physique appliquée audit élément d'acquisition et dans lequel ledit élément d'acquisition génère le signal électrique en fonction de la variation de la résistance ohmique dudit élément d'acquisition. 8. Capteur de grandeur physique selon la revendication 1, dans lequel ledit second élément présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique inférieure à celle dudit premier élément. 9. Capteur de grandeur physique selon la revendication 1, 25 dans lequel un espace entre ledit élément d'acquisition et ledit détecteur de température est rempli d'un matériau de scellement. 10. Capteur de grandeur physique selon la revendication 9, dans lequel le matériau de scellement se trouve dans un état de 30 gel. 11. Capteur de grandeur physique selon la revendication 1, dans lequel ledit circuit de correction comprend un élément de détection de température qui sert de dit détecteur de température du capteur de grandeur physique. 12. Capteur de grandeur physique selon la revendication 1, dans lequel ledit élément d'acquisition est constitué principalement d'un matériau de céramique et d'un matériau piézorésistif, et ledit premier et. ledit second éléments sont chacun constitués principalement d'un matériau de céramique. 13. Capteur de grandeur physique selon la revendication 12, dans lequel à la fois ledit élément d'acquisition et ledit premier élément sont constitués principalement de zircone, et ledit second élément est constitué principalement d'au moins un élément parmi l'alumine et le nitrure d'aluminium. 14. Capteur de grandeur physique selon la revendication 13, dans lequel ledit premier et ledit second éléments comprennent chacun une couche isolante disposée sur une surface dudit élément d'acquisition, et la couche isolante dudit second élément présente une épaisseur dans la direction d'application de la grandeur physique inférieure à celle de la couche isolante dudit premier élément, et dans lequel la couche isolante dudit second élément est constituée de zircone. 15. Capteur de grandeur physique selon la revendication 14, 20 dans lequel le matériau piézorésistif dont est constitué principalement ledit élément d'acquisition, est du Lal_XSrXMnO3 (0 x 1) . 16. Capteur de grandeur physique selon la revendication 13, 25 dans lequel le matériau piézorésistif, dont est constitué principalement ledit élément d'acquisition est du Lal_,Sr,tMnO3 (C) x 5 1). 17. Capteur de grandeur physique selon la revendication 12, 30 dans lequel le matériau piézorésistif dont est constitué principalement ledit élément d'acquisition, est du Lal_,çSr,MnO3 (C) x 1). 18. Capteur de grandeur physique selon la revendication 1, dans lequel la résistance ohmique dudit élément d'acquisition varie en fonction de la grandeur physique appliquée audit élément d'acquisition, et dans lequel ledit élément d'acquisition génère le signal électrique en fonction de la variation de la résistance ohmique dudit élément d'acquisition.