Brevet FR2872334A1 — publié le 20051230

DISPOSITIF A CAPACITE VARIABLE PRESENTANT UNE GRANDE PRECISION La présente invention concerne un dispositif à capacité variable présentant une grande précision. Un dispositif à capacité ou capacitif comportant un film diélectrique et une paire d'électrodes, dont la capacité peut être ajustée, est décrit par exemple dans la demande de brevet japonais N de publication H10- 190160 et dans la demande de brevet français N 2687834. La figure 4, annexée à la présente demande, est une vue en plan d'un dispositif à capacité 90 décrit dans la demande de brevet japonais N de publication H10-190160. Le dispositif à capacité 90 comprend un film diélectrique 93, la première électrode 92 et la seconde électrode 94. La première électrode 92 est formée sur un substrat céramique 91, et le film diélectrique 93 est formé sur la première électrode 92. De plus, la seconde électrode 94, qui possède une partie étroite 94a formée au moyen d'un procédé de rognage ou d'ajustement, est formée sur le film diélectrique 93. La première électrode 92, le film diélectrique 93 et la seconde électrode 94 sont tous formés au moyen d'un procédé d'impression. Dans la capacité 90, étant donné que la partie étroite 94a qui possède une faible largeur est formée dans la seconde électrode 94, la durée du processus de rognage pour former la partie étroite 90a peut être réduite. C'est pourquoi, l'endommagement provoqué au film diélectrique 93 au moyen du processus de rognage par laser peut être réduit. Cependant, il est impossible de supprimer complètement l'endommagement provoqué par le processus de rognage par laser. En outre, d'une manière générale, le processus de rognage par laser prend beaucoup de temps et 35 augmente le coût de fabrication du dispositif à capacité 90. En outre, après que la capacité a été ajustée, il est difficile de la modifier à nouveau. Compte tenu du problème décrit précédemment, un but de la présente invention est de fournir un dispositif 5 capacitif, à capacité variable présentant une grande précision. Le dispositif à capacité ou capacitif comprend un film diélectrique, une première électrode et une seconde électrode. Au moins l'une des deux électrodes est divisée en une pluralité de parties d'électrode. Les parties d'électrode sont raccordées respectivement entre elles, chacune au moyen d'un transistor de commutation. Dans le dispositif à capacité, des parties appropriées d'électrode contribuant à fournir la capacité peuvent être sélectionnées parmi l'ensemble des parties d'électrode par le transistor de commutation. C'est pourquoi la capacité peut être ajustée aisément et de façon précise sans processus de rognage par laser. C'est pourquoi le coût de fabrication est réduit. L'ajustement électrique de la capacité moyennant l'utilisation du transistor de commutation peut être exécuté non seulement pendant le procédé de fabrication, mais également après le procédé de fabrication. C'est pourquoi l'ajustement électrique peut être exécuté même lorsque le dispositif fonctionne en tant que produit. C'est pourquoi, la capacité du dispositif à capacité peut être ajustée d'une manière précise et appropriée. En outre le dispositif peut être fabriqué à un faible coût et sans endommagement provoqué par le processus de rognage par laser. De façon plus spécifique, l'invention concerne un dispositif capacitif ou à capacité, caractérisé en ce qu'il comprend: une première électrode, une seconde électrode, et un transistor de commutation, et 35 que l'une des deux électrodes est divisée en une pluralité de parties d'électrode et le transistor de commutation est connecté électriquement entre les parties. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte en outre un film diélectrique enserré entre la première électrode et la seconde électrode, et la première électrode est divisée en une pluralité de parties d'électrode, et la seconde électrode est une électrode monobloc. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte en outre: un substrat, et une couche de câblage, et la première électrode, le film diélectrique et la 15 seconde électrode sont disposés sur le substrat dans cet ordre, le transistor de commutation est disposé directement audessous de la première électrode et la couche de câblage pour établir la connexion entre la première électrode et le transistor est intégrée à la première électrode. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte en outre: un film diélectrique recouvrant la première 25 électrode et la seconde électrode, et la première électrode et la seconde électrode sont disposées de manière à être espacées l'une de l'autre d'un intervalle prédéterminé dans le même plan, chacune de la première électrode et de la seconde électrode inclut une partie d'électrode commune et une partie d'électrode ayant la forme de dents d'un peigne et qui s'étend à partir de l'électrode commune dans une direction, et les parties en forme de dents d'un peigne de la 35 première électrode et de la seconde électrode sont disposées d'une manière alternée avec l'intervalle prédéterminé. Selon une autre caractéristique, le dispositif comprend en outre: un substrat, et une couche de câblage, et la première électrode, le film diélectrique et la seconde électrode sont disposés sur le substrat dans cet ordre, le transistor est disposé directement au-dessous des deux électrodes et la couche de câblage pour établir la connexion entre les deux électrodes et le transistor est intégrée aux deux électrodes. Selon une autre caractéristique de l'invention, la partie d'électrode commune dans chaque électrode est divisée électriquement en une pluralité de portions par le transistor. Selon une autre caractéristique de l'invention, les parties d'électrode ayant la forme de dents d'un peigne des électrodes respectives sont divisées électriquement en une pluralité de portions par le transistor. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'une de la première électrode et de la seconde électrode est divisée en une pluralité de parties d'électrodes, les parties incluent une partie de base ayant une capacité de base définie par CB, les parties incluent en outre des parties ayant des capacités définies par 2NXCB, et N représente un nombre entier. Selon une autre caractéristique de l'invention, le dispositif comporte en outre une mémoire non volatile pour la commande du transistor de commutation. Selon une autre caractéristique de l'invention, le 35 transistor de commutation est commandé par contrôle de la 10 15 température autour du dispositif. Selon une dispositif est un Selon une diélectrique Selon une diélectrique autre caractéristique de l'invention, le capteur d'humidité. autre caractéristique de l'invention, le est un film de polyimide. autre caractéristique de l'invention, le est un film stratifié formé par un film film film de nitrure de silicium et un film de polyimide. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure lA est une vue en plan représentant un dispositif à capacité selon une première forme de réalisation de la présente invention, la figure 1B est une coupe transversale montrant le dispositif prise selon la ligne IB-IB sur la figure 1A et la figure 1C est une vue en coupe transversale du dispositif prise suivant la ligne ICIC sur la figure 1A; - les figures 2A et 2B sont des vues en coupe transversale expliquant la variation de la capacité conjointement avec la variation de la température conformément à la première forme de réalisation; - la figure 3 est une vue en plan montrant un autre 25 dispositif à capacité selon une seconde forme de réalisation de la présente invention; et - la figure 4, dont il a déjà été fait mention, est une vue en plan montrant un dispositif à capacité classique conforme à l'art antérieur. Un dispositif capacitif ou à capacité 100 selon une première forme de réalisation de la présente invention est représenté sur les figures 1A à 1C. Le dispositif 100 formé sur un substrat semiconducteur en silicium 10 comporte des électrodes empilées. Le dispositif 100 inclut une couche diélectrique 50, la première électrode 20 et la seconde électrode 30. La couche 50 est enserrée entre la première électrode 20 et la seconde électrode 30. La couche 50, la première électrode 20 et la seconde électrode 30 sur les figures lA à 1C sont formées au moyen d'un procédé classique de fabrication des semiconducteurs, qui inclut un procédé de dépôt et un procédé de structuration. Le procédé de structuration comprend un procédé de photolithographie, un procédé d'attaque chimique à sec, un procédé d'attaque chimique à l'état humide et analogue. Le dispositif 100 est utilisé de façon appropriée comme capteur d'humidité, dont la capacité varie en fonction de l'humidité. La couche diélectrique 50 est un film stratifié formé d'un film de nitrure de silicium 12 et d'un film de polyimide 4. Le film de polyimide 4, qui est un film sensible à l'humidité, est habituellement utilisé comme couche diélectrique d'un capteur d'humidité du type capacitif. La constante diélectrique du film 4 varie de façon significative en fonction de l'humidité. Comme cela sera décrit plus loin, le film de nitrure de silicium 12 est un film de protection d'une couche métallique pour une couche de câblage 60 sur le substrat semiconducteur 10. La constante diélectrique du film 12 varie légèrement en fonction de l'humidité, par rapport à celle du film de polyimide 4, La première électrode 20 est formée conjointement avec la couche de câblage 60 sur le substrat semiconducteur 10. C'est pourquoi, le film de nitrure de silicium 12 est formé sur la première électrode 20. Un film isolant intercalaire 11 est disposé sur le substrat semiconducteur 10 et formé en film de dioxyde de silicium. Un élément de connexion 3s est disposé sur la seconde électrode 30 et formé d'une pâte métallique ou analogue. Comme représenté sur la figure 1A, la première électrode 20, qui est réalisée sous la forme d'une couche inférieure au- dessous de la seconde électrode 30, est divisée en de multiples parties d'électrode 2a - 2e et est complètement recouverte par les films 4, 12. La seconde électrode 30 est une électrode monobloc. La seconde électrode 30 en tant que couche supérieure est formée par exemple d'un métal poreux de sorte que la seconde électrode 30 possède une perméabilité à l'humidité. Toutes les parties d'électrode divisées 2a - 2e de la première électrode 20 sont connectées entre elles par les transistors de commutation Tri Tr4. Les transistors Tri - Tr4 sont disposés directement au-dessous de la région de la première électrode devant être formée sur le substrat 10. Par conséquent, comparativement au cas où les transistors Tri - Tr4 sont placés sur une région différente de la région de la première électrode devant être formée, les deux parties de la couche de câblage 60 pour la connexion entre les parties divisées d'électrode 2a - 2e et les transistors Tri - Tr4 peuvent être réduites. En outre la surface totale peut être réduite. Comme représenté sur la figure 1C, la première électrode 20 est formée dans la couche métallique là où est disposée la couche de câblage 60 pour la connexion aux transistors Tri - Tr4. En un mot, la couche de câblage 60 est intégrée à la première électrode 20. C'est pourquoi le même procédé que celui utilisé pour former la couche de câblage 60, permet de réaliser simultanément la première électrode 20, sans l'ajout d'un procédé supplémentaire pour former la première électrode 20. Par conséquent le coût de fabrication du dispositif à capacité 100 est réduit. Le film de nitrure de silicium 12 du dispositif 100, qui protège la couche métallique sur le substrat 10, est formé sur la première électrode 20. Ceci vient du fait que la première électrode 20 est formée à l'aide du même procédé que celui utilisé pour former la couche de câblage 60. Dans le dispositif 100, des parties appropriées d'électrode contribuant à former la capacité peuvent être sélectionnées parmi les parties d'électrode divisées par commutation des transistors Tri - Tr4. Par exemple, une partie de la première électrode 20 est divisée en la partie d'électrode 2a possédant une zone étendue ayant une capacité de base, puis la partie restante de la première électrode 20 est divisée en de multiples parties d'électrode 2b - 2e. Les parties 2b - 2e possèdent des capacités multiples de la capacité de base par 2 à la puissance N. Ici N représente un entier. De façon spécifique, si on définit par CB la capacité de la partie 2a, les capacités des autres parties 2b - 2e peuvent être exprimées par 2N x CB. Ensuite, en référence à la capacité de la partie d'électrode 2a, on peut réaliser un ajustement précis de la capacité en sélectionnant une combinaison appropriée de parties d'électrode parmi les parties 2a - 2e en utilisant les transistors Tri - Tr4. Le dispositif 100 est un dispositif à capacité empilé ou stratifié possédant une grande capacité, bien que le dispositif ait de faibles dimensions. C'est pourquoi, une combinaison de division des électrodes et de commutation des transistors permet un ajustement précis de la capacité du dispositif à capacité dans une gamme étendue de capacités. Le dispositif à capacité, qui est un capteur d'humidité, qui utilise un film de polyimide en tant que film diélectrique, présente un avantage de permettre une variation importante de la constante diélectrique. Cependant, l'écart de capacité dans chaque dispositif augmente lorsqu'on fabrique le dispositif ayant une faible capacité. Le dispositif 100, qui permet l'ajustement électrique de la capacité par commutation des transistors Tri - Tr4 permet le réglage d'une capacité précise lors de l'étape de fabrication. C'est pourquoi le dispositif 100 convient pour un capteur d'humidité pourvu d'un film de polyimide en tant que film diélectrique. Les transistors de commutation Tri - Tr4 sont commandés au moyen d'une mémoire non volatile telle qu'une mémoire EPROM (mémoire de lecture à mémoire morte programmable et effaçable). C'est pourquoi par exemple, lorsque les données d'ajustement pour le réglage de la capacité lors de l'étape de fabrication sont mémorisées dans la mémoire non volatile, on peut disposer d'un procédé d'ajustement électrique à la place d'un procédé classique d'usinage, par laser. Sans l'utilisation du procédé classique d'usinage par laser, qui provoque un endommagement du dispositif, le dispositif 100 permet un ajustement facile et précis de la capacité sans endommagement. L'ajustement électrique indiqué précédemment utilisant les transistors de commutation Tri - Tr4, peut être réalisé seulement pendant le procédé de fabrication, mais également après le procédé de fabrication. C'est pourquoi, l'ajustement électrique peut être exécuté même lorsque le dispositif fonctionne en tant que produit. Les figures 2A et 2B représentent une relation entre une variation de la capacité et une température dans le dispositif à capacité. Dans le dispositif 100 comportant un film stratifié constitué par un film de nitrure de silicium 12 et le film de polyimide 4, étant donné que l'épaisseur di du film de silicium 12 n'est pas modifiée de façon substantielle, la variation de la capacité avec la variation de la température dérivée du film 12 est négligeable. Cependant lorsque l'épaisseur du film est réduite, le coefficient de dilatation thermique du film de polyimide 4 n'est pas négligeable. Comme cela est représenté sur les figures 2A et 2B par exemple, lorsque la température augmente de 5 C à 55 C, la capacité du dispositif 100 diminue d'une manière correspondant à l'incrément d'épaisseur Ad du film de polymide 4 conformément à l'équation suivante: s C = c. d2+Ad dans laquelle C représente la capacité du film de polyimide 4, s représente la constante diélectrique du film 4, S représente la surface du film 4, d2 représente l'épaisseur du film 4 à 50C et Ad représente l'incrément d'épaisseur du film 4 lorsque la température augmente de 5 C à 55 C. La variation de la capacité avec la variation de la température peut être corrigée en temps réel par commande des transistors Tri - Tr4, avec contrôle de la température autour du dispositif 100. Dans ce cas, une mémoire non volatile effaçable électriquement peut être utilisée pour commander les transistors Tri - Tr4. C'est pourquoi le dispositif 100 peut être le dispositif à capacité qui permet un ajustement précis et répété de la capacité. En outre le dispositif est fabriqué sans endommagement et à un coût plus faible. Sur la figure 3 on a représenté un dispositif capacitif ou à capacité 110 selon une seconde forme de réalisation de la présente invention. Le dispositif 110 est un dispositif à capacité comportant une paire d'électrodes ayant la forme de dents d'un peigne, qui incluent la première électrode 21 ayant la forme de dents d'un peigne et la seconde électrode 31 ayant la forme de dents d'un peigne. Les deux électrodes sont recouvertes par le film de polyimide 4. Chacune des deux électrodes comprend une partie commune d'électrode et de multiples parties d'électrode en forme de dents d'un peigne s'étendant à partir de la partie d'électrode commune, dans une direction. Les deux électrodes sont disposées de manière à être distantes l'une de l'autre d'un intervalle prédéterminé dans le même plan. Alors, les deux électrodes sont disposées de telle sorte que les parties en forme de dents d'un peigne de l'électrode 21 et les parties en forme de dents d'un peigne de l'électrode 31 soient disposées d'une manière alternée en étant séparées par l'intervalle prédéterminé. L'électrode 21 et l'électrode 31 du dispositif 110 sont divisées en de multiples parties qui sont connectées entre elles par les transistors de commutation Tr5 - Tr8. Les transistors Tr5 - Tr8 sont disposés directement au-dessous de l'électrode 21 et de l'électrode 31 sur le substrat semiconducteur. Par rapport au cas où les transistors Tr5 - Tr8 sont disposés sur une région différente de l'électrode 21 et de l'électrode 31, la couche de câblage 60 servant à établir une connexion entre les parties divisées de l'électrode et les transistors Tr5 - Tr8 peut être raccourcie. En outre les dimensions totales du dispositif peuvent être réduites. Dans la capacité 110 représentée sur la figure 3, les parties communes de l'électrode 21 et de l'électrode 31 sont divisées respectivement de telle sorte que la capacité peut être ajustée dans une gamme étendue de capacités par commutation des transistors Tr5 - Tr8. En outre, les parties en forme de dents d'un peigne de l'électrode 21 et de l'électrode 31 peuvent être divisées de sorte que la capacité peut être finement ajustée par commutation des transistors Tr5 - Tr8. Dans le dispositif à capacité comportant des électrodes ayant la forme de dents d'un peigne, comme pour le dispositif à capacité comportant des électrodes empilées, l'électrode 21 et l'électrode 31 sont divisées en de multiples parties d'électrode. Une partie divisée possède une capacité de base, et les autres parties possèdent des capacités qui sont obtenues par multiplication de la capacité de base par 2 à la puissance N. N représente un entier. Par conséquent en référence à la capacité de base, un ajustement précis de la capacité peut être réalisé en sélectionnant une combinaison appropriée des parties d'électrode moyennant l'utilisation des transistors Tr5 - Tr8. Le dispositif à capacité 110 est utilisé de façon approprié comme capteur d'humidité et comprend le film de polyimide 4 en tant que film diélectrique. L'électrode 21 et l'électrode 31 sont formées dans la même couche métallique, dans laquelle la couche de câblage 60 est disposée. En un mot, la couche de câblage 60 est intégrée aux deux électrodes. C'est pourquoi, le même procédé que celui utilisé pour former la couche de câblage 60 forme simultanément les deux électrodes, sans ajout d'un traitement supplémentaire pour former ces deux électrodes. Par conséquent le coût de fabrication du dispositif 110 peut être réduit. L'électrode 21 et l'électrode 31 sont recouvertes par le film de polyimide 4 au moyen du film de nitrure de silicium 12. Le film de nitrure de silicium 12 est un film de protection servant à protéger la couche de câblage 60. Bien que le dispositif 110 comportant des électrodes ayant la forme de dents d'un peigne possède une capacité inférieure au dispositif 100 comportant des électrodes empilées, le dispositif 110 peut être réalisé à un coût inférieur à celui du dispositif comportant des électrodes empilées. Ceci découle du fait que l'électrode 21 et l'électrode 31 peuvent être formées simultanément, et le dispositif 110 ne comporte aucune seconde électrode 30 qui requiert un équipement spécifique de dépôt pour sa formation. Alors le dispositif 110 comportant des électrodes ayant la forme de dents d'un peigne, qui permet un ajustement électrique de la capacité par commutation des transistors Tr5 - Tr8, permet d'une manière répétée un réglage précis et fin de la capacité, même si le dispositif à capacité possède une faible capacité. C'est pourquoi le dispositif 110 peut être le dispositif à capacité qui permet un ajustement précis et répété de la capacité. En outre le dispositif est fabriqué sans endommagement et à un coût plus faible. On va indiquer ci-après des variantes de l'invention. Bien que dans les dispositifs 100 et 110 on utilise un film stratifié comprenant le fil de nitrure de silicium 12 et le film de polyimide 4 en tant que couche électrique 50, on peut utiliser dans le dispositif un film diélectrique monocouche ou multicouche. La couche diélectrique 50 et les électrodes 20, 21, 30, 31 des dispositifs 100, 110 sont formées au moyen du procédé de fabrication qui inclut un procédé de dépôt et un procédé de structuration. Le procédé de structuration est constitué par un procédé de photolithographie, un procédé d'attaque chimique à sec et un procédé d'attaque chimique par voie humide. En outre dans le dispositif à capacité, la couche diélectrique 50, les électrodes 20, 21, 30, 31 peuvent être formées au moyen d'un procédé de sérigraphie. En outre, la couche diélectrique 50, les électrodes 20, 21, 30, 31 peuvent être formées sur un substrat donné, en dehors d'un substrat semiconducteur, et les transistors formés sur un autre substrat peuvent ensuite être connectés aux électrodes. Les dispositifs 100 et 110 sont utilisés de façon appropriée en tant que capteur d'humidité. Une possibilité de réglage précis de la capacité est essentielle pour un capteur d'humidité. Ceci vient du fait qu'un capteur d'humidité mesure la variation de la valeur de la capacité en fonction de la variation de l'humidité. Par conséquent le dispositif à capacité, qui permet de façon répétée un réglage précis de la capacité, convient pour un capteur d'humidité. En outre, le dispositif à capacité peut être utilisé pour n'importe quelle application en dehors de la forme de réalisation indiquée précédemment. On comprendra que de telles variantes et de tels 35 changements entrent dans le cadre de la présente invention. 2872334 14 REVENDICATIONS 1. Dispositif à capacité, caractérisé en ce qu'il comprend: une première électrode (20, 21), une seconde électrode (30, 31), et un transistor de commutation (Tri. - Tr8), et que l'une des deux électrodes (20, 21, 30, 31) est divisée en une pluralité de parties d'électrode (2a - 2e) et le transistor de commutation (Tri_ - Tr8) est connecté électriquement entre les parties (2a - 2e). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un film diélectrique (4, 12) enserré entre la première électrode (20) et la seconde électrode (30), et que la première électrode (20) est divisée en une pluralité de parties d'électrode (2a - 2e), et que la seconde électrode (30) est une électrode monobloc. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé 20 en ce qu'il comporte en outre: un substrat (10), et une couche de câblage (60), et que la première électrode (20), le film diélectrique (4, 12) et la seconde électrode (30) sont 25 disposés sur le substrat (10) dans cet ordre, que le transistor de commutation (Tri_ - Tr4) est disposé directement au-dessous de la première électrode (20) et que la couche de câblage (60) pour établir la connexion entre la première électrode (20) et le transistor (Tri_ - Tr4) est intégrée à la première électrode (20). 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre: un film diélectrique (4, 12) recouvrant la première 35 électrode (21) et la seconde électrode (31), et que la première électrode (21) et la seconde électrode (31) sont disposées de manière à être espacées l'une de l'autre d'un intervalle prédéterminé dans le même plan, que chacune de la première électrode (21) et de la seconde électrode (31) inclut une partie d'électrode commune et une partie d'électrode ayant la forme de dents d'un peigne et qui s'étend à partir de l'électrode commune dans une direction, et que les parties en forme de dents d'un peigne de la première électrode (21) et de la seconde électrode (31) sont disposées d'une manière alternée avec l'intervalle prédéterminé. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé 15 en ce qu'il comprend en outre: un substrat (10), et une couche de câblage (60), et que la première électrode (21), le film diélectrique (4, 10) et la seconde électrode (31) sont 20 disposés sur le substrat (10) dans cet ordre, que le transistor (Tr5 - Tr8) est disposé directement au-dessous des deux électrodes (21, 31) et que la couche de câblage (60) pour établir la connexion entre les deux électrodes (21, 31) et le transistor (Tr5 - Tr8) est intégrée aux deux électrodes (21, 31). 6. Dispositif selon l'une ou l'autre des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que la partie d'électrode commune dans chaque électrode (21, 31) est divisée électriquement en une pluralité de portions par le transistor (Tr5 - Tr8). 7. Dispositif selon l'une ou l'autre des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que les parties d'électrode ayant la forme de dents d'un peigne des 35 électrodes respectives (21, 31) sont divisées électriquement en une pluralité de portions par le transistor (Tr5 - Tr8). 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'une de la première électrode (20, 21) et de la seconde électrode (30, 31) est divisée en une pluralité de parties d'électrodes (2a - 2n), que les parties incluent une partie de base (2a) ayant une capacité de base définie par CB, que les parties incluent en outre des parties (2b - 2d) ayant des capacités définies par 2NXCB, et que N représente un nombre entier. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une mémoire non volatile pour la commande du transistor de commutation (Tri_ - Tr8). 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le transistor de commutation (Tri_ - Tr8) est commandé par contrôle de la température autour du dispositif. 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 10, caractérisé en ce que le dispositif (100, 110) est un capteur d'humidité. 12. Dispositif selon la revendication 11, 25 caractérisé en ce que le film diélectrique (4, 12) est un film de polyimide. 13. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que le film diélectrique (4, 12) est un film stratifié formé par un film de nitrure de silicium (12) et un film de polyimide (4).