Brevet FR2864233A1 — publié le 20050624

La présente invention concerne un bolomètre qui est un capteur infrarouge, et plus particulièrement un bolomètre infrarouge comportant un pont de signal servant à lire une valeur de résistance qui varie sous l'effet d'une chaleur infrarouge, et à évacuer la chaleur résiduelle d'une couche d'absorption de chaleur. Un bolomètre, qui est une sorte de capteur infrarouge, absorbe les rayons infrarouges émanant d'un objet et convertit les rayons infrarouges en une énergie thermique, en générant ainsi une augmentation de température qui fait varier une résistance électrique. Le bolomètre mesure la variation de la résistance pour détecter l'objet. Le bolomètre est utilisé aussi bien dans le domaine industriel que dans le domaine militaire. Il a une structure conçue de telle façon qu'un corps absorbant destiné à absorber la chaleur infrarouge d'un objet, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur absorbée sont séparés d'un substrat par un pont de signal. La figure 1 représente un bolomètre conventionnel. En référence à cette figure, le bolomètre comprend un substrat inférieur 110, un substrat supérieur 120 et un pont de signal 130. Le substrat inférieur comporte un circuit intégré incorporé qui est destiné à lire un signal et qui est revêtu d'une couche de protection. Le substrat supérieur 120 comprend une couche absorbante (non représentée) destinée à absorber les rayons infrarouges, et une résistance (non représentée) dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante. Le substrat supérieur est espacé du substrat inférieur 110 d'une distance prédéterminée. Le pont de signal 130 relie les substrats supérieur et inférieur entre eux mécaniquement ou électriquement. Le bolomètre doté de la structure décrite ci-dessus reçoit un signal de résistance provenant de la résistance du substrat supérieur 120 par l'intermédiaire du pont de signal 130 et dirige le signal de résistance à travers le circuit intégré du substrat inférieur 110 pour détecter la température d'un objet extérieur. Pour améliorer les performances du bolomètre, la chaleur infrarouge rayonnée à partir de l'objet doit être absorbée sans perte, et la chaleur résiduelle doit être totalement évacuée après la mesure du signal. Dans la structure du bolomètre conventionnel, le pont de signal 130 relie mécaniquement ou électriquement le substrat supérieur 120 au substrat inférieur 110 et, en même temps, évacue la chaleur résiduelle après la mesure du signal. Cependant, le pont de signal 130 est constitué d'une matière métallique capable de transmettre un signal électrique, de sorte qu'il possède une conductivité thermique élevée. La conductivité thermique élevée se traduit par une perte de chaleur lorsque le bolomètre absorbe la chaleur infrarouge. Pour remédier à ce problème, le pont de signal 130 est conçu pour être suffisamment long pour réduire la conductivité thermique du bolomètre. Toutefois, il existe une limite à l'augmentation de la longueur du pont de signal 130 en raison d'une taille de pixel qui est fixe. En outre, dans le bolomètre conventionnel, la chaleur emmagasinée dans la résistance peut ne pas être évacuée complètement après la lecture du signal, en dépit de l'augmentation de la longueur du pont de signal 130 pour réduire la conductivité thermique. La chaleur résiduelle contribue à augmenter la température de la résistance, de même qu'un autoéchauffement, ce qui détériore les performances du bolomètre. La présente invention a précisément été conçue en tenant compte des problèmes ci-dessus et a pour but de proposer un bolomètre infrarouge muni d'un pont de signal qui vient en contact avec une résistance uniquement lorsqu'un signal est transmis de la résistance à un substrat, et dans lequel une chaleur résiduelle est évacuée de la résistance pour réduire une conductivité thermique, afin d'améliorer ainsi les performances du bolomètre. Pour atteindre ce but et selon un premier aspect de la présente invention, il est proposé un bolomètre infrarouge pour détecter une chaleur infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat inférieur comportant un circuit intégré revêtu d'une couche de protection; un substrat supérieur comportant une couche absorbante pour absorber des rayons infrarouges, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, le substrat supérieur étant espacé du substrat inférieur d'une distance prédéterminée; un pilier destiné à supporter mécaniquement le substrat supérieur et à relier les substrats supérieur et inférieur entre eux; un pont de signal disposé entre les substrats inférieur et supérieur pour transmettre un signal de la résistance du substrat supérieur au substrat inférieur; une électrode inférieure formée sur la surface supérieure du substrat inférieur pour commander le pont de signal afin qu'il soit connecté/déconnecté électriquement vis-à-vis du substrat supérieur; et une couche réfléchissante formée sur la surface supérieure du substrat inférieur pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. Selon un deuxième aspect de la présente invention, il est également proposé un bolomètre infrarouge pour détecter une chaleur infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat inférieur comportant un circuit intégré revêtu d'une couche de protection; un substrat supérieur comportant une couche absorbante destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, le substrat supérieur étant espacé du substrat inférieur d'une distance prédéterminée; un pilier destiné à supporter mécaniquement le substrat supérieur et à relier les substrats supérieur et inférieur entre eux; un pont de signal disposé entre les substrats inférieur et supérieur pour transmettre un signal de la résistance du substrat supérieur au substrat inférieur, le pont de signal comportant un élément piézoélectrique et une couche de transfert de signal; au moins une électrode destinée à appliquer une tension à l'élément piézoélectrique; et une couche réfléchissante formée sur la surface supérieure du substrat inférieur pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. Selon un troisième aspect de la présente invention, il est aussi proposé un bolomètre infrarouge destiné à détecter une chaleur infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat inférieur comportant un circuit intégré revêtu d'une couche de protection; un substrat supérieur comportant une couche absorbante destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, le substrat supérieur étant espacé du substrat inférieur d'une distance prédéterminée; un pilier destiné à supporter mécaniquement le substrat supérieur et à relier les substrats supérieur et inférieur entre eux; un pont de signal disposé entre les substrats inférieur et supérieur pour transmettre un signal de la résistance du substrat supérieur au substrat inférieur, le pont de signal étant Éformé d'au moins deux couches superposées dont les matières respectives possèdent des coefficients de dilatation thermique différents; une couche de transfert de chaleur pour transférer la chaleur au pont de signal; :0 et une couche réfléchissante formée sur la surface supérieure du substrat inférieur pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. Ce qui précède, ainsi que d'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention, ressortira plus clairement de la description détaillée suivante de modes de réalisation préférés donnée à titre d'exemple nullement limitatif en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 représente un bolomètre infrarouge conventionnel; la figure 2 est une vue en perspective d'un bolomètre infrarouge selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 est une vue en coupe transversale du bolomètre infrarouge du premier mode de réalisation de l'invention; les figures 4(a) à 4(d) représentent des diagrammes destinés à expliquer le fonctionnement du bolomètre infrarouge du premier mode de réalisation de l'invention; la figure 5 est une vue en coupe transversale d'un bolomètre infrarouge selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe transversale montrant la structure du bolomètre infrarouge du deuxième mode de réalisation de l'invention, lorsque le bolomètre infrarouge transmet un signal et diffuse une chaleur résiduelle par rayonnement; la figure 7 est une vue en coupe transversale d'un bolomètre infrarouge selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; et la figure 8 est une vue en coupe transversale montrant la structure du bolomètre infrarouge du troisième mode de réalisation de la présente invention, lorsque le bolomètre infrarouge transmet un signal et diffuse une chaleur résiduelle par rayonnement. Les modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont représentés sur les dessins annexés, vont maintenant être décrits en détail. Premier mode de réalisation La structure et le fonctionnement d'un bolomètre infrarouge selon un premier mode de réalisation de l'invention vont maintenant être expliqués en référence aux figures 2 et 3. En référence à ces figures, le bolomètre infrarouge selon le premier mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat inférieur 110, un substrat supérieur 120, un pilier 210, un pont de signal 200, une électrode inférieure 220 et une couche réfléchissante 230. Le substrat inférieur 110 comprend un circuit intégré incorporé pour lire un signal, circuit intégré qui est revêtu d'une couche de protection. Le substrat supérieur 120 comprend une couche absorbante (non représentée) destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance (non représentée) dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, et est espacé du substrat inférieur 110 d'une distance prédéterminée. Le pilier 210 relie mécaniquement le substrat supérieur 120 au substrat inférieur 110 et supporte le substrat supérieur 120. Le pont de signal 200 vient en contact avec la résistance uniquement lorsqu'un signal est transmis à partir de la résistance au substrat inférieur 110, et u.ne chaleur résiduelle de la résistance est évacuée après la sortie du signal. L'électrode inférieure 220 est formée sur la surface supérieure du substrat inférieur 110 pour commander le pont de signal 200, afin qu'il soit connecté/déconnecté électriquement vis-à-vis du substrat supérieur 120. La couche réfléchissante 230 est formée sur la surface supérieure du substrat inférieur 110 pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. Le substrat inférieur 110 est revêtu d'une matière isolante, telle que du nitrure de silicium SixNy, et des matières, telles que Au, Al, Cr, Ni et Ti, entre autres, appliquées en revêtement sur l'électrode inférieure 220 et la couche réfléchissante 230 sont déposées sur la couche de matière isolante. Le pont de signal 200 destiné à lire un signal est formé sur une matière isolante, telle que SixNy et SiO2, par exemple, qui est déposée sur le substrat inférieur pour empêcher un court-circuit entre le pont de signal 200 et l'électrode inférieure 220. Le pont de signal 200 est formé de manière à être en contact avec la résistance formée sur le substrat supérieur, dans un état initial, et possède une conductivité thermique élevée. La résistance et la couche absorbante sont formées sur le pont de signal. La conductivité thermique du pilier 210 qui supporte le substrat supérieur 120 du bolomètre est conçue pour être inférieure à 3x10-8W/mK. La résistance et la couche absorbante sont formées sur le pilier. Dans le présent mode de réalisation, le pont de signal 200 est formé d'une structure multicouche à l'aide d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Al, SiO2, SixNy, Cr, Au, Ti, Ni, un polysilicium et le silicium. De préférence, les multiples couches constituant le pont de signal multicouche sont respectivement formées de matières différentes. Les matières formant le pont de signal 200 ont des contraintes résiduelles différentes et, lorsque le pont de signal est formé d'au moins deux matières, l'effet d'extension des matières en fonction des contraintes résiduelles est considérablement accru. Une technique utilisant la contrainte résiduelle d'une matière est bien connue dans le domaine des "microstructures à auto-ajustement (SAMS)". Il est préférable que le pont de signal 200 soit conçu de façon que l'énergie thermique stockée dans la résistance du substrat supérieur 120 ne soit pas transmise au substrat inférieur 110 par son intermédiaire pendant quelques microsecondes à plusieurs dizaines de microsecondes au cours lesquelles il lit un signal. En outre, le pont de signal est de préférence formé pour avoir une conductivité thermique capable d'évacuer suffisamment de chaleur résiduelle de la résistance du substrat supérieur 120 pendant plusieurs millisecondes après avoir lu un signal. Le fonctionnement du bolomètre infrarouge selon ce premier mode de réalisation de la présente invention va maintenant être expliqué en référence à la figure 4. La figure 4(a) représente l'état initial du bolomètre. Dans cet état initial, le pont de signal 200 et l'électrode inférieure 220 sont reliés à la masse. Ici, le pont de signal 200 est formé de deux couches de matières ayant des contraintes résiduelles différentes et est courbé au niveau d'une partie adjacente au substrat supérieur 120. Une matière isolante (non représentée) est appliquée en revêtement entre le pont de signal 200 et l'électrode inférieure 220 ainsi qu'entre l'électrode inférieure 220 et le substrat inférieur 110, afin d'empêcher un court- circuit entre ceux-ci. En référence à la figure 4(b), lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode inférieure 220, une force électrostatique est générée entre le pont de signal 200 courbé par la contrainte (contrainte résiduelle) et l'électrode inférieure 220. La force électrostatique attire alors le pont de signal 200 vers l'électrode inférieure 220, de sorte que la résistance située sur le substrat supérieur 120 et le pont de signal 200 sont séparés l'un de l'autre. Une conduction thermique du bolomètre à l'état dans lequel le pont de signal 200 est séparé de la résistance située sur le substrat supérieur 120 s'exerce uniquement à travers le pilier 210 qui supporte mécaniquement ce dernier. Ainsi, la conductivité thermique du bolomètre est nettement inférieure à celle du bolomètre classique. Par conséquent, lorsque le bolomètre classique et le bolomètre de la présente invention absorbent la même quantité de chaleur infrarouge, le bolomètre de la présente invention emmagasine une énergie thermique beaucoup plus importante que celle emmagasinée par le bolomètre conventionnel, dans la résistance située sur le substrat supérieur 120, ce qui améliore les performances de l'appareil. L'énergie thermique emmagasinée dans le bolomètre modifie la valeur ohmique de la résistance du substrat supérieur 120. La figure 4(c) représente l'état dans lequel une variation de la valeur ohmique de la résistance située sur le substrat supérieur 120 est transmise au substrat inférieur 110. Lorsque la fourniture de tension à l'électrode inférieure 220 est interrompue, le pont de signal 200 vient en contact avec la résistance du substrat supérieur 120. Ici, une tension ou un courant est appliqué(e) au pont de signal 200 pour lire une variation de la valeur ohmique de la résistance. Le pont de signal 200 est ensuite en contact avec la résistance pendant plusieurs millisecondes afin d'évacuer complètement la chaleur résiduelle emmagasinée dans la résistance du substrat supérieur 120 après la lecture du signal. En référence à la figure 4(d), une tension est appliquée à l'électrode inférieure 220 pour attirer le pont de signal 200 vers celle-ci, afin de le séparer de la résistance du substrat supérieur 120. Puis, la résistance reçoit à nouveau une chaleur infrarouge pour accumuler une énergie thermique, et les étapes décrites ci-dessus et représentées sur les figures 4 (a) , 4(b) et 4(c) sont répétées. Deuxième mode de réalisation La structure et le fonctionnement du bolomètre infrarouge selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention vont maintenant être expliqués en référence aux figures 5 et 6. En référence à ces figures, le bolomètre infrarouge selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat inférieur 110, un substrat supérieur 120, un pilier 210, un pont de signal 500 et une couche réfléchissante (non représentée). Le substrat inférieur 110 comprend un circuit intégré incorporé pour lire un signal, circuit intégré qui est revêtu d'une couche de protection. Le substrat supérieur 120 comprend une couche absorbante (non représentée) destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance (non représentée) dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, et est espacé du substrat inférieur 110 d'une distance prédéterminée. Le pilier 210 relie mécaniquement le substrat supérieur 120 au substrat inférieur 110 et supporte le substrat supérieur 120. Le pont. de signal 500 vient en contact avec la résistance uniquement lorsqu'un signal est transmis de la résistance au substrat inférieur 110, la chaleur résiduelle de la résistance étant évacuée après la sortie du signal. La couche réfléchissante augmente l'absorptivité de chaleur infrarouge. Le pont de signal 500 se compose d'électrodes 510 auxquelles une tension est appliquée, d'un élément piézoélectrique 520 formé entre les électrodes 510, d'une couche isolante 530 destinée à isoler les électrodes 510, et d'une couche de transfert de signal 540 qui est destinée à transférer un signal à partir de la résistance située sur le substrat supérieur 120, afin que le pont de signal 500 soit courbé mécaniquement. L'élément piézoélectrique 520 qui constitue un composant principal du pont de signal 500 est de préférence formé de l'un au moins des éléments comprenant SiO2, Pb (Zr, Ti) 03; PZT, ZnO et BaTiO3. Le pont de signal 500 utilise la piézoélectricité à travers l'élément piézoélectrique 520. L'effet piézoélectrique comprend un effet piézoélectrique direct et un effet piézoélectrique inverse. L'effet piézoélectrique direct désigne un phénomène par lequel une borne de sortie de l'élément piézoélectrique génère un signal électrique lorsque ce dernier subit une contrainte extérieure ou un déplacement par vibration. L'effet piézoélectrique inverse désigne un phénomène par lequel un déplacement mécanique de l'élément piézoélectrique est provoqué par l'application d'une tension extérieure à celui-ci. Le pont de signal du bolomètre infrarouge selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention possède une structure qui utilise l'effet piézoélectrique inverse. Le fonctionnement du bolomètre infrarouge selon ce deuxième mode de réalisation de l'invention va maintenant être expliqué. Etant donné que le fonctionnement de ce bolomètre infrarouge est fondamentalement identique à celui du bolomètre infrarouge du premier mode de réalisation, l'explication qui va suivre portera principalement sur le pont de signal différent de celui du premier mode de réalisation. En référence à la figure 5, le pont de signal 500 n'est pas alimenté par une tension et est placé parallèlement au substrat inférieur 110, à l'état initial. Dans cet état, la couche absorbante du substrat supérieur 120 absorbe la chaleur infrarouge d'un objet extérieur. En référence à la figure 6, lorsqu'une tension est appliquée aux électrodes 510 respectivement placées sur la partie supérieure et la partie inférieure de l'élément piézoélectrique 520, celui-ci est contracté dans la direction horizontale pour se courber vers le substrat supérieur 120. La valeur ohmique de la résistance du substrat supérieur 120 est transmise au substrat inférieur 110 par l'intermédiaire de la couche de transfert de signal 540, puis est lue pour détecter la température de l'objet extérieur. Après la lecture du signal, le pont de signal 500 est en contact avec la résistance pendant plusieurs millisecondes afin d'évacuer complètement la chaleur résiduelle de la résistance du substrat supérieur 120. Troisième mode de réalisation La structure et le fonctionnement d'un bolomètre infrarouge selon un troisième mode de réalisation de la présente invention vont maintenant être expliqués en référence aux figures 7 et 8. En référence à ces figures, le bolomètre infrarouge selon le troisième mode de réalisation de l'invention comprend un substrat inférieur 110, un substrat supérieur 120, un pilier 210, un pont de signal 700, une couche de transfert de chaleur 710 et une couche réfléchissante (non représentée) . Le substrat inférieur 110 comprend un circuit intégré incorporé pour lire un signal, le circuit intégré étant revêtu d'une couche de protection. Le substrat supérieur 120 comprend une couche absorbante (non représentée) destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance (non représentée) dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, et est espacé du substrat inférieur 110 d'une distance prédéterminée. Le pilier 210 relie mécaniquement le substrat supérieur 120 au substrat inférieur 110 et supporte le substrat supérieur 120. Le pont de signal 700 vient en contact avec la résistance uniquement lorsqu'un signal est transmis de la résistance au substrat inférieur 110, et une chaleur résiduelle de la résistance est évacuée après la sortie du signal. La couche de transfert de chaleur 710 transfère la chaleur au pont de signal 700. La couche réfléchissante accroît l'absorptivité de chaleur infrarouge. Le pont de signal 700 est formé de deux couches superposées ayant des coefficients de dilatation thermique différents, afin d'être courbé mécaniquement. De préférence, chacune des couches superposées constituant le pont de signal est formée d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Al, SiO2, SixNy, Cr, Au, Ti, Ni, un polysilicium et le silicium. Précisément, le bolomètre infrarouge selon le troisième mode de réalisation de l'invention utilise les coefficients de dilatation thermique des matières constituant le pont de signal 700. Le fonctionnement du bolomètre infrarouge selon ce troisième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être expliqué. Etant donné que son fonctionnement est fondamentalement identique à celui du bolomètre infrarouge selon le premier mode de réalisation de l'invention, l'explication qui va être donnée ci-après va porter principalement sur le pont de signal différent de celui du premier mode de réalisation. En référence à la figure 7, la couche de transfert de chaleur 710 destinée à transférer la chaleur au pont de signal 700 n'est pas alimentée par un courant et est située parallèlement au substrat inférieur 110, à l'état initial. Dans cet état, la couche absorbante du substrat supérieur 120 absorbe la chaleur infrarouge d'un objet extérieur. En référence à la figure 8, lorsqu'un courant est appliqué à la couche de transfert de chaleur 710, le pont de signal 700 est courbé vers le substrat supérieur 120 conformément à la différence de coefficient de dilatation thermique entre ses matières constitutives, et la valeur ohmique de la résistance du substrat supérieur 120 est transmise au substrat inférieur 110 par l'intermédiaire du pont de signal 700. Le bolomètre lit la valeur de résistance pour détecter la température de l'objet extérieur. Après la lecture de la valeur de résistance, le pont de signal 700 est en contact avec la résistance pendant plusieurs millisecondes afin d'évacuer totalement la chaleur résiduelle de la résistance du substrat supérieur 120. De préférence, le coefficient de dilatation thermique de la couche supérieure du pont de signal 700 est prévu inférieur à celui de la couche inférieure du pont de signal 700 afin de courber ce dernier vers le substrat supérieur 120. Comme cela a été décrit précédemment, la présente invention propose un pont de signal qui vient en contact avec la résistance uniquement lorsqu'un signal est transmis de la résistance au substrat inférieur, la chaleur résiduelle étant évacuée de la résistance. De plus, la conductivité thermique du bolomètre infrarouge est considérablement réduite, ce qui permet d'améliorer la réponse du bolomètre. En outre, ce pont de signal peut s'appliquer à des bolomètres industriels et militaires. Bien que la description précédente ait porté sur des modes de réalisation préférés de la présente invention, celle-ci n'est bien entendu pas limitée aux exemples particuliers décrits et illustrés ici, et l'homme de l'art comprendra aisément qu'il est possible d'y apporter de nombreuses variantes et modifications sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Bolomètre infrarouge pour détecter une chaleur infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat inférieur (110) comportant un circuit intégré revêtu d'une couche de protection; un substrat supérieur (120) comportant une couche absorbante destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, le substrat supérieur (120) étant espacé du substrat inférieur (110) d'une distance prédéterminée; un pilier (210) destiné à supporter mécaniquement le substrat supérieur (120) et reliant les substrats supérieur et inférieur (120, 110) entre eux; un pont de signal (200) disposé entre les substrats inférieur et supérieur (110, 120) pour transmettre un signal de la résistance du substrat supérieur au substrat inférieur; une électrode inférieure (220) formée sur la surface supérieure du substrat inférieur (110) pour commander le pont de signal (200) afin qu'il soit connecté/déconnecté électriquement vis-à-vis du substrat supérieur (120); et une surface réfléchissante (230) formée sur la surface supérieure du substrat inférieur (110) pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. 2. Bolomètre infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pont de signal (200) est formé d'au moins deux couches superposées, et en ce que des matières des couches superposées ont des contraintes résiduelles différentes. 3. Bolomètre infrarouge selon la revendication 1, Z5 caractérisé en ce que le pont de signal (200) est formé d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Al, SiO2, SixNy, Cr, Au, Ti, Ni, un polysilicium et le silicium. 4. Bolomètre infrarouge selon la revendication 2, caractérisé en ce que les couches superposées du pont de signal (200) sont respectivement formées de matières différentes, et en ce que chacune des couches superposées est formée d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Al, SiO2, SixNy, Cr, Au, Ti, Ni, un polysilicium et le silicium. 5. Bolomètre infrarouge selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le pont de signal (200) est courbé vers le substrat supérieur (120) sous l'effet de la contrainte résiduelle de la matière formant chacune de ses couches superposées. 6. Bolomètre infrarouge selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'une couche isolante est formée entre le pont de signal (200) et l'électrode inférieure (220) ainsi qu'entre l'électrode inférieure (220) et le substrat inférieur (110) pour empêcher un courtcircuit entre le pont de signal et l'électrode inférieure ainsi qu'entre l'électrode inférieure et le substrat inférieur. 7. Bolomètre infrarouge pour détecter une chaleur infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat inférieur (110) comportant un circuit intégré revêtu d'une couche de protection; un substrat supérieur (120) comportant une couche absorbante destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, le substrat supérieur (120) étant espacé du substrat inférieur (110) d'une distance prédéterminée; un pilier (210) destiné à supporter mécaniquement le substrat supérieur (120) et reliant les substrats supérieur et inférieur (120, 110) entre eux; un pont de signal (500) disposé entre les substrats inférieur et supérieur (110, 120) pour transmettre un signal de la résistance du substrat supérieur au substrat inférieur, le pont de signal comportant un élément piézoélectrique (520) et une couche de transfert de signal (540); au moins une électrode (510) destinée à appliquer une tension à l'élément piézoélectrique (520) ; et une couche réfléchissante formée sur la surface supérieure du substrat inférieur (110) pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. 8. Bolomètre infrarouge selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'élément piézoélectrique (520) est formé d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par SiO2, Pb (Zr, Ti) 03; PZT, ZnO et BaTiO3. 9. Bolomètre infrarouge pour détecter une chaleur infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat inférieur (110) comportant un circuit intégré revêtu d'une couche de protection; un substrat supérieur (120) comportant une couche absorbante destinée à absorber des rayons infrarouges, et une résistance dont la valeur ohmique varie sous l'effet de la chaleur infrarouge absorbée par la couche absorbante, le substrat supérieur (120) :0 étant espacé du substrat inférieur (110) d'une distance prédéterminée; un montant (210) destiné à supporter mécaniquement le substrat supérieur (120) et reliant les substrats supérieur et inférieur (120, 110) entre eux; un pont de signal (700) disposé entre les substrats inférieur et supérieur (110, 120) pour transmettre un signal de la résistance du substrat supérieur au substrat inférieur, le pont de signal étant formé d'au moins deux couches superposées dont les matières respectives ont des coefficients de dilatation thermique différents; une couche de transfert de chaleur (710) destinée à transférer la chaleur au pont de signal :0 (700); et une couche réfléchissante formée sur la surface supérieure du substrat inférieur (110) pour augmenter l'absorptivité de chaleur infrarouge. 10. Bolomètre infrarouge selon la revendication 9, caractérisé en ce que les couches superposées formant le pont de signal (700) sont respectivement constituées de matières différentes, et en ce que chacune des couches est formée d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Al, SiO2, SixNy, Cr, Au, Ti, Ni, un polysilicium et le silicium.