Brevet FR2863771A1 — publié le 20050617

La présente invention concerne de manière générale le traitement de surface de tranches multicouches formées à partir de couches de matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de traitement d'une tranche multicouche dont les matériaux présentent un différentiel de caractéristiques thermiques, le procédé comprenant une étape de traitement thermique haute température susceptible de générer des défauts secondaires. On précise qu'on entend par tranche une structure pouvant 10 comprendre une ou plusieurs couches. Une tranche multicouche correspond ainsi à une telle structure qui comprend plusieurs couches. Et les tranches concernées par l'invention sont des tranches comportant une fine couche superficielle (en un matériau tel que le 15 silicium), pour des applications en microélectronique. On rappelle que la couche utile est une couche généralement superficielle de la tranche, dans laquelle on va créer des composants. Cette couche doit être de très bonne qualité et être exempte de défauts. Le terme différentiel de caractéristiques thermiques sera explicité ci-après. Dans le cas d'une tranche multicouche, les différentes couches peuvent avoir été associées ensemble par tout type de technique connu en soi (transfert de couche, collage, épitaxie, ...). Pour les applications en microélectronique, il est souvent nécessaire de procéder à un traitement thermique de la tranche par exemple un traitement thermique destiné à améliorer l'état de surface de la couche superficielle de la tranche ou à l'amincir par oxydation sacrificielle. On connaît ainsi des traitements de surface mettant en oeuvre un traitement thermique haute température. 2863771 2 Le terme traitement thermique haute température désigne dans ce texte un traitement thermique dont certaines phases au moins sont menées à des températures de quelques centaines de degrés, dépassant par exemple 750 C pour les films de silicium d'une structure silicium sur Quartz (SOQ selon l'acronyme anglo-saxon de Silicium On Quartz). On précise que cette définition du traitement thermique haute température n'est pas absolue: elle est uniquement donnée dans le cadre de ce texte, et elle peut recouvrir d'autres plages de températures hors du contexte de l'invention. Un tel traitement thermique peut être mené selon un mode dit RTA (correspondant à l'acronyme anglo-saxon de Rapid Thermal Annealing pour recuit thermique rapide), pendant une durée limitée (de l'ordre de quelques secondes à quelques minutes seulement). Mais le mode RTA n'est pas limitatif et l'invention s'applique aux autres types de traitement thermique haute température. Des traitements thermiques haute température peuvent ainsi être appliqués aux tranches concernées par l'invention. Ces traitements thermiques peuvent par exemple avoir pour 20 objectif de modifier la structure de la tranche, et/ou d'améliorer l'état de surface de la tranche. On connaît ainsi par exemple des traitements de surface mettant en oeuvre un recuit de lissage. Un tel recuit permet en particulier d'abaisser la rugosité de surface d'une couche superficielle d'un matériau semiconducteur (tel que le silicium par exemple) à des valeurs compatibles avec les spécifications en vigueur dans l'industrie du semiconducteur. Une méthode bien adaptée à cet effet, dans le cas d'une couche superficielle de silicium, consiste ainsi à faire subir à la tranche comportant la couche un recuit de lissage sous atmosphère réductrice 2863771 3 (en particulier sous atmosphère hydrogénée) à une haute température (qui peut être supérieure à 950 C par exemple 1100 C). On définit ainsi le recuit de lissage comme un recuit mené sous atmosphère réductrice à une haute température et plus précisément à une température de l'ordre de 950 C ou plus. Le recuit de lissage est ainsi une forme particulière de traitement thermique haute température. Un tel recuit peut être mené pendant une durée relativement longue (de l'ordre de deux heures par exemple). II peut également être mené en mode RTA, à une température très élevée (de l'ordre de 1100 C ou plus), pendant une durée de quelques secondes à quelques minutes seulement. Un tel recuit permet en effet de lisser la surface de la tranche. II permet en outre de guérir certains défauts de structure. Selon des modalités connues, un tel traitement thermique haute température est réalisé sur la tranche une fois que celle-ci est constituée (c'est-à-dire qu'on a préalablement effectué les opérations - par exemple de transfert de couche et de collage et/ou d'épitaxie - nécessaires à la constitution de la tranche multicouche). Ces traitements thermiques haute température connus ne peuvent toutefois pas être mis en oeuvre sur tous les types de tranches, certaines limitations leur étant associées. L'application de tels traitements thermiques haute température au traitement de tranches monocouches, ou de tranches multicouches dans lesquelles les différentes couches présentent un différentiel de caractéristiques thermiques, peut ainsi s'avérer problématique. On précise que par différentiel de caractéristiques thermiques on entend un différentiel de comportement lors de l'exposition des différentes couches de la tranche à un budget thermique donné. 2863771 4 Un tel différentiel correspond typiquement à une différence des coefficients de dilatation thermique des matériaux constituant les différentes couches de la tranche, combinée à des caractéristiques dimensionnelles de ces couches. Et plus précisément, dans le cadre de ce texte on caractérise de la manière suivante un différentiel de caractéristiques thermiques d'une structure multicouche: É Au moins certaines couches de la structure sont associées à des coefficients de dilatation thermique différents, É En outre, il existe à proximité de la couche de surface au moins une couche d'épaisseur significative (l'épaisseur significative étant ici définie comme une épaisseur au moins d'un ordre de grandeur supérieure à soit 10 fois plus importante que - l'épaisseur de la couche de surface), qui est associée à un coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du coefficient de dilatation thermique associé à ladite couche de surface. Une tranche de type SOQ, comportant une fine couche superficielle de silicium directement associée à une couche support de Quartz présentant une épaisseur significative, est ainsi un exemple typique d'une telle structure dont les couches présentent un différentiel de caractéristiques thermiques. Dans le cas d'une telle tranche se relaxant après exposition à un budget thermique important (tel que les budgets thermiques impliqués par les traitements mentionnés ci-dessus), la fine couche superficielle de silicium récupère une partie significative des contraintes mécaniques générées par l'exposition de la tranche au budget thermique. En effet, dans un tel cas la fine couche superficielle de silicium, dont le coefficient de dilatation thermique est de l'ordre de 2,5 10-6 soit cinq fois celui de la couche de Quartz sous jacente qui 2863771 5 est de l'ordre de 0,5. 10"6 K I, a naturellement tendance à se dilater pour relaxer les contraintes issues du chauffage. On précise qu'on définit le coefficient de dilatation thermique comme une variation de dimension rapportée à une dimension de 5 référence, par degré de variation de température. Ce coefficient s'exprime donc en K-l. Mais dans le même temps la couche sous jacente de Quartz dont ladite couche superficielle de silicium est solidaire n'a pas la même tendance à la dilatation, ce qui aboutit à contraindre la couche superficielle de silicium. Dans le cas fréquent où la surface de ladite fine couche de silicium comporte des défauts (qui correspondent à des défauts initiaux - on reviendra dans la suite de ce texte sur la définition des défauts initiaux ), de tels défauts évoluent sous l'effet desdites contraintes, pour produire des défaut secondaires du type dislocation. On précise qu'on reviendra également sur la définition des défauts secondaires . Une tranche dont seule une très fine couche enterrée présenterait un coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du coefficient de dilatation thermique du matériau de la couche superficielle ne correspondrait pas à la définition donnée ci-dessus d'une tranche dont les couches présentent un différentiel de caractéristiques thermiques . Une tranche classique de type SOI (Silicon On Insulator pour silicium sur isolant) est ainsi un exemple d'une tranche comprenant une couche superficielle de silicium, sous laquelle on trouve successivement une très fine couche de SiO2, puis une épaisse couche support qui est typiquement en silicium. Dans un tel cas, la couche enterrée de SiO2 est certes 30 associée à un coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du coefficient de dilatation thermique associé à la couche superficielle 2863771 6 de silicium, mais on n'observe pas de génération de défauts secondaires telle que mentionnée ci-dessus. En effet, dans le cas d'un SOI la couche de SiO2 est enterrée entre deux couches de silicium qui lui sont d'épaisseurs comparables ou supérieures. La très fine couche de SiO2 ne peut dans ces conditions imposer son comportement mécanique, sous exposition à des contraintes thermiques importantes. On précise enfin qu'on pourrait certes penser observer dans la couche de SiO2 elle-même des défauts secondaires du type dislocation. Mais le matériau d'une telle couche étant amorphe, il ne donne pas lieu à la génération de défaut cristallin du type dislocation. Revenant à la présentation de la problématique à laquelle l'invention se propose de répondre, lorsqu'une tranche dont des couches présentent un différentiel de caractéristique thermique reçoit un budget thermique important, au moins une des couches de la tranche peut subir des contraintes mécaniques importantes du fait de la différence de dilatation des différentes couches sous l'effet de l'énergie calorifique reçue. On rappelle en effet que les différentes couches d'une tranche demeurent solidaires entre elles. La Demanderesse a ainsi constaté l'apparition de défauts dits secondaires dans des tranches de SOQ, suite à un traitement thermique haute température tel que mentionné ci-dessus (pouvant être par exemple un recuit de lissage, un traitement thermique sous gaz neutre, une oxydation, ...). On précise que dans le présent texte la définition quartz recouvre la silice fondue. Dans l'exemple d'une structure SOQ, les défauts observés sont situés dans le film de silicium et sont en particulier des défauts cristallins qui correspondent à des défauts secondaires , car ils sont 2863771 7 engendrés lors du traitement thermique haute température en liaison avec des défauts initiaux déjà présents dans la tranche. On précise que les défauts secondaires peuvent être en particulier des défauts du type dislocation, ou d'autres défauts cristallins qui sont associés à des défauts initiaux. On entend par défauts initiaux des défauts déjà présents dans les matériaux de constitution de la tranche, ou des défauts générés lors d'une des étapes de la réalisation initiale de la tranche, avant l'application du traitement thermique associé à l'apparition de défauts secondaires (ces défauts initiaux peuvent être notamment des aspérités dûes à la forte rugosité après le détachement de la tranche d'un substrat donneur). Et de manière générale, la Demanderesse a constaté l'apparition de défauts secondaires dans des tranches multicouches présentant un différentiel de caractéristiques thermiques, lorsque les tranches sont exposées à une étape de traitement thermique haute température (le traitement thermique pouvant être par exemple un recuit de lissage ou un traitement RTA, ou un recuit d'oxydation, ou de manière générale un traitement thermique haute température). Cet effet indésirable est illustré sur les figures 1 et 2, qui représentent des observations obtenues par TEM (Transmission Electronic Microscopy pour Microscopie Electronique en Transmission) de la coupe de deux tranches de SOQ (un témoin indiquant l'échelle de la figure dans son coin inférieur gauche). Ces deux figures montrent en coupe la partie supérieure d'une tranche de SOQ ayant subi un traitement thermique haute température. Cette partie supérieure correspond à la couche superficielle de Si, ainsi qu'à (au moins une partie de) la couche de SiO2 intercalée entre la couche superficielle de Si et le support de Quartz de la tranche (support non représenté). 2863771 8 La figure 1 illustre ainsi une dislocation traversant toute l'épaisseur de la couche superficielle de silicium cristallin (séparée d'une couche de quartz n'apparaissant pas sur les figures et située en dessous d'une couche de SiO2). Une telle dislocation constitue évidemment un défaut extrêmement préjudiciable pour la couche superficielle de silicium. La figure 2 illustre une dislocation 20 en boucle qui constitue également un inconvénient important. On précise que ce type de défaut généré par un recuit de lissage et s'étendant parfois dans toute l'épaisseur de la couche superficielle (400 nm dans l'exemple de la figure 1) ne peut être totalement éliminé par un amincissement de la couche, par exemple par polissage suivant ledit recuit. La Demanderesse a mis en évidence que ce type de défaut apparaît notamment lorsque la surface de la tranche multicouche présente déjà des défauts initiaux avant d'être exposée au recuit. Dans ce cas en effet, les défauts initiaux sont impliqués dans les mécanismes de génération de défauts secondaires (du type des dislocations des figures 1 et 2) sous l'effet des contraintes mécaniques résultant de l'exposition à un budget thermique de la tranche multicouche présentant un différentiel de caractéristiques thermiques, à partir de défauts initiaux déjà présents dans la tranche avant le traitement thermique haute température. Les défauts initiaux peuvent être par exemple des perturbations de la surface de la tranche. Ces défauts initiaux peuvent avoir été créés lors d'étapes antérieures de traitement que la tranche a pu subir. La figure 3 illustre ainsi la couche de silicium de la tranche de SOQ des figures 1 et 2 avant que celle-ci ne subisse un traitement thermique haute température, cette figure 3 faisant apparaître une surface de silicium perturbée. 2863771 9 Les perturbations de cette couche en surface correspondent par exemple à des défauts initiaux, qui vont être impliqués lors d'un traitement thermique haute température dans la génération de défauts secondaires. Un but de l'invention est de permettre de s'affranchir de tels défauts secondaires dans le cas d'une tranche multicouche dont les matériaux présentent un différentiel de caractéristiques thermiques. Un autre but de l'invention est de ne pas générer lors d'un traitement thermique haute température des lignes de défaut (la signification de ces lignes de défaut étant explicitée plus loin dans ce texte). Afin d'atteindre ces buts, l'invention propose un procédé de traitement d'une tranche multicouche dont les matériaux présentent un différentiel de caractéristiques thermiques, le procédé comprenant une étape de traitement thermique haute température susceptible de générer des défauts secondaires, caractérisé en ce que procédé comprend avant l'étape de traitement thermique haute température une étape de préparation de la surface de la tranche. Des aspects préférés, mais non limitatifs d'un tel procédé sont les suivants: É ladite étape de préparation comprend une opération d'amincissement de la couche superficielle de la tranche, É ladite préparation comprend un polissage, É ledit polissage est un polissage mécano-chimique, É ladite préparation comprend une gravure ionique ou chimique, É ledit différentiel de caractéristiques thermiques correspond à la réunion des deux conditions suivantes: > Au moins certaines couches de la tranche sont associées à des coefficients de dilatation thermique différents, - il existe à proximité de la couche de surface de la tranche au moins une couche d'épaisseur significative qui est associée à un 2863771 10 coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du coefficient de dilatation thermique associé à ladite couche de surface, É la tranche comprend un substrat support en silicium et une couche superficielle en Ge ou en SiGe, É le traitement thermique haute température est un recuit RTA, É le traitement thermique haute température est un recuit de lissage, É le procédé comprend en association avec l'étape de préparation un deuxième traitement destiné à prévenir l'apparition de lignes de défauts lors du traitement thermique haute température, É ledit deuxième traitement comprend un deuxième traitement par voie thermique, É ledit deuxième traitement par voie thermique est réalisé avant l'étape de préparation, É ledit deuxième traitement par voie thermique est mené avec un budget thermique inférieur à un budget thermique limite au-delà duquel des défauts apparaîtraient lors du traitement thermique haute température, É la tranche est une tranche de SOQ et le deuxième traitement par voie thermique est mené avec un budget thermique inférieur ou égal à celui correspondant à un recuit de deux heures à une température de 700 C, É la tranche est une tranche de Germanium sur Silicium et le deuxième traitement par voie thermique est mené avec un budget thermique inférieur ou égal à celui correspondant à un recuit de deux heures à une température de 500 C, É ledit deuxième traitement comprend un deuxième traitement par voie chimique, É ledit deuxième traitement par voie chimique est réalisé après l'étape de préparation, 2863771 11 É ledit deuxième traitement par voie chimique met en oeuvre une gravure humide ou une gravure sèche du type RIE, É le deuxième traitement par voie chimique est associé à un dépôt d'oxyde puis à une attaque sélective d'oxyde de manière à définir un motif de gravure, É ledit deuxième traitement par voie chimique met en oeuvre une gravure face arrière débordante, É ledit deuxième traitement comprend un deuxième traitement par voie mécanique, É ledit deuxième traitement par voie mécanique est réalisé après l'étape de préparation, É le deuxième traitement par voie mécanique met en oeuvre une attaque par un diamant, un laser ou un bombardement ionique de molécules neutres, É le deuxième traitement par voie mécanique met en oeuvre un polissage localisé au niveau de la couronne, pour réaliser un chanfreinage, É le deuxième traitement comprend la définition définir dans la couche superficielle de la tranche des régions que l'on désire isoler par rapport à des éventuels points singuliers, É le deuxième traitement met en oeuvre une photolithographie permettant de graver dans la surface de ladite couche superficielle des tranchées délimitant lesdites régions, É lesdites régions isolées correspondent à des emplacements désirés pour des puces devant être constituées sur la tranche, É les régions sont définies de manière à ce que leur contour ne présente pas d'angle saillant dont la pointe puisse constituer un point singulier pouvant être associé à une ligne de défaut. D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la description suivante de l'invention, faite en référence aux 2863771 12 dessins annexés sur lesquels, outre les figures 1 à 3 qui ont déjà été commentées ci-dessus: É les figures 4a, 4b1 et 4b2, 4c1 et 4c2, sont des vues schématiques de dessus d'une tranche multicouche n'ayant pas été traitée selon l'invention. Sur ces figures: - la figure 4a représente la tranche avant l'étape de préparation, - les figures 4b1 et 4b2 représentent la même tranche après l'étape de préparation des défauts du type points singuliers étant représentés sur la figure 4b2 qui est une vue partielle agrandie issue de la figure 4b1, - les figures 4c1 et 4c2 sont des représentations schématiques de la même tranche, ayant en outre subi après l'étape de préparation un traitement thermique haute température. Ici encore, la figure 4c2 est une vue partielle agrandie issue de la figure 4c1. Ces figures font schématiquement apparaître des lignes de défaut qui constituent des défauts secondaires. É Les figures 5a et 5b sont deux représentations schématiques des étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un traitement selon l'invention (la tranche traitée étant représentée en section sur ces figures), É La figure 6 est une vue correspondant aux représentations des figures 5a et 5b, et illustrant un autre mode de mise en oeuvre de l'invention, É Les figures 7a à 7c sont trois représentations schématiques de tranches vues de dessus, illustrant une variante de mise en oeuvre de l'invention. L'invention s'applique comme on l'a dit aux tranches multicouches présentant un différentiel de caractéristiques thermiques. Le différentiel de caractéristiques thermiques a été défini ci-dessus. Il correspond notamment à une différence des coefficients de dilatation thermique de deux couches de la tranche, dans le cas où 2863771 13 cette différence est assez importante pour se traduire par la génération de défauts secondaires lorsque la tranche est exposée à un traitement thermique haute température. Afin d'éviter la génération de tels défauts secondaires, et exploitant la mise en évidence par la Demanderesse de l'effet point de départ mentionné ci-dessus (les défauts initiaux d'une tranche par exemple des défauts de sa surface perturbée - constituent des points de départ pour générer lors d'un traitement thermique haute température des défauts secondaires beaucoup plus importants), on fait selon l'invention précéder le traitement thermique haute température d'une étape de préparation de la surface de la tranche à traiter. Cette préparation correspond à une étape d'amincissement de la couche superficielle de la tranche. Elle peut être réalisée par polissage (mais l'étape de préparation peut également réaliser l'amincissement de la couche superficielle de la tranche par gravure ionique - bombardement d'ions ou d'amas d'ions, ou par gravure chimique - sèche ou humide). Dans le cas d'une préparation par polissage, un tel polissage de préparation est de préférence un polissage mécano-chimique (polissage CMP). Ce polissage permet d'enlever environ 1000À de couche superficielle où sont localisés les défauts. II permet de supprimer dans la couche superficielle de la tranche les défauts initiaux qui généreraient les défauts secondaires observés lors d'un traitement thermique haute température tel qu'un recuit de lissage. La Demanderesse a en effet observé que la mise en oeuvre d'une telle étape de polissage préalable permettait par exemple d'effectuer ensuite un recuit de lissage sous atmosphère hydrogénée pendant une durée d'environ deux heures, sur une tranche de SOQ. 2863771 14 Et un tel recuit de lissage n'a pas généré les défauts secondaires du type dislocations (observables en microscopie électronique en transmission), défauts qui sont observés en l'absence de polissage préalable sur des tranches similaires. On précise que le procédé selon l'invention peut être mis en oeuvre après un détachement de la tranche multicouche d'un substrat donneur, par exemple un détachement par apport d'énergie thermique et/ou mécanique au niveau d'une interface de fragilisation. L'invention peut ainsi par exemple être mise en oeuvre dans le cadre d'un procédé de type Smart-Cut . On rappelle que le procédé Smart-Cut permet de constituer des tranches multicouches et implique une étape de détachement des tranches à partir d'un substrat. Il est dans ce contexte possible de réaliser par une technique de type Smart-Cut des tranches multicouches présentant un différentiel de caractéristiques thermiques, puis de traiter ces tranches par un traitement thermique haute température tel qu'un recuit de lissage, sans observer des défauts secondaires (par exemple du type dislocations). Dans cet exemple de mise en oeuvre de l'invention, l'insertion d'une étape de préparation (notamment par polissage) entre le détachement des tranches et le traitement thermique haute température permet en effet d'éviter l'apparition de tels défauts secondaires lors du traitement thermique haute température. Et de manière plus générale, l'invention permet de faire subir des traitements thermiques haute température à des tranches multicouches présentant un différentiel de caractéristiques thermiques: l'invention n'est en effet pas limitée à des tranches obtenues par un procédé de type Smart-Cut . On rappelle que le traitement thermique haute température peut être un traitement thermique haute température quelconque. 2863771 15 Il peut également être mené en mode recuit RTA. Et quel que soit le mode de mise en oeuvre, il peut s'agir d'un recuit de lissage. On précise qu'il est possible d'associer à l'étape de préparation (qui correspond alors à un premier traitement) un deuxième traitement, destiné à prévenir l'apparition de lignes de défauts lors du traitement thermique haute température de la tranche. On précise également que les termes premier traitement et deuxième traitement n'impliquent aucune chronologie ou aucun ordre systématique entre ces deux traitements. La Demanderesse a en effet observé que l'étape de préparation elle-même pouvait éventuellement générer des points singuliers de la tranche (par exemple au niveau de la couronne de la tranche), points singuliers qui sont révélés et amplifiés lors du traitement thermique haute température. Ces points singuliers peuvent correspondre par exemple à des points de micro-arrachage de matière par exemple des micro-arrachages au niveau de la couronne de la tranche. La Demanderesse a ainsi pu parfois observer des défauts 20 organisés en lignes (ou lignes de défauts ) qui apparaissent lors du traitement thermique haute température. Ces lignes de défauts sont dues à des points singuliers générés pendant la préparation (cas du polissage notamment). Les figures 4a, 4b1 et 4b2, 4c1 et 4c2 illustrent de manière 25 schématique la génération de ces lignes de défaut: La figure 4a représente en vue schématique de dessus une tranche multicouche 100, comportant un sùbstrat 110 formant couche inférieure, et une couche superficielle 120. La couche 120 a un diamètre légèrement inférieur au diamètre 30 de la couche 110, et forme ainsi un épaulement périphérique saillant 2863771 16 qui laisse dégagée une portion périphérique de la surface de la couche 110. Cette portion périphérique annulaire est connue sous le terme de couronne. La figure 4a représente la tranche 100 avant un polissage qui correspond à l'étape de préparation. Comme on le constate, le contour de la couronne est régulier. Les figures 4b1 et 4b2, ont des vues correspondantes, représentant la tranche 100 après que celle-ci a subi une étape de polissage (typiquement un polissage CMP). On constate sur la figure 4b2 que le polissage a généré des points demicro-arrachage 130 au niveau de la couronne de la tranche (ces points singuliers étant représentés de manière exagérément agrandie sur les figures). Les figures 4c1 et 4c2 illustrent les lignes de défaut 140 pouvant apparaître à partir de ces points singuliers, lorsque la tranche subit ensuite un traitement thermique haute température. Pour prévenir l'apparition de ces lignes de défaut lors du traitement thermique haute température, on réalise donc sur les tranches un deuxième traitement, en association avec l'étape de préparation. Comme on va le voir, l'expression en association avec l'étape de préparation n'implique pas que le traitement complémentaire soit nécessairement réalisé en même temps que la préparation. Le deuxième traitement peut ainsi également être réalisé avant, ou après l'étape de préparation. Ce deuxième traitement peut en particulier comprendre: É un traitement thermique, et/ou É un traitement mécanique, et/ou É un traitement chimique. 2863771 17 Un tel deuxième traitement permet de limiter la génération de points singuliers (qui correspondent comme on l'a vu à des points susceptibles de donner lieu à des lignes de défauts lors d'un traitement haute température), lors de cette étape de préparation. Cette limitation des points singuliers permet en particulier de limiter les points singuliers au niveau de la couronne de la tranche. Un tel deuxième traitement permet ainsi de minimiser, voire de prévenir totalement, l'apparition de lignes de défauts lors d'un traitement haute température. On a dit que ce deuxième traitement pouvait en particulier être réalisé par la voie thermique, et/ou mécanique, et/ou chimique. Un tel deuxième traitement a pour objectif principal de détourer la couronne de la tranche (c'est-à-dire de rendre son contour régulier). Un deuxième traitement par voie chimique est de préférence réalisé après l'étape de préparation. Un tel deuxième traitement réalisé par voie chimique peut en particulier mettre en oeuvre une gravure humide, ou une gravure sèche par exemple une gravure sèche de type RIE qui met en oeuvre un bombardement par des particules chimiquement réactives avec la tranche bombardée. Dans ce cas, il est nécessaire de protéger préalablement la face exposée de la couronne. Une telle protection est en particulier rendue nécessaire dans le cas d'une gravure sèche de type RIE. Il est également nécessaire de protéger pour une gravure humide la face arrière de la tranche. Pour réaliser de telles protections, on doit éviter de mettre en oeuvre un traitement thermique haute température. II n'est donc pas possible de réaliser cette protection des surfaces à protéger par une oxydation impliquant un traitement thermique haute température. 2863771 18 Une solution préférée pour constituer une couche de protection consiste à déposer sur les surfaces à protéger un oxyde. Cet oxyde peut être en particulier du type PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou LPCVD (Low Plasma Chemical Vapor Deposition) . Le choix entre les deux types de dépôt va dépendre du type d'opération retenu pour ensuite détourer la couronne de la tranche, mais également de la différence de coefficient de dilatation thermique entre les couches de la tranche: É un dépôt de type PECVD est effectué à une température d'environ 400 C, et peut donc être mis en oeuvre même sur des tranches dont les couches présentent des coefficients de dilatation sensiblement différents, É un dépôt de type LPCVD est quant à lui mis en oeuvre à une 15 température d'environ 700 C, et ne peut donc être mis en oeuvre que si les coefficients de dilatation thermique des couches de la tranche sont assez proches. Dans le cas d'une tranche de SOQ, étant donné qu'on observe l'apparition des lignes de défaut à partir d'une température d'environ 750 C, les deux types de dépôt sont envisageables. Dans le cas d'une tranche de Germanium sur silicium, les lignes de défaut sont susceptibles d'apparaître à des températures plus basses que dans le cas d'une tranche de SOQ. On préférera donc alors mettre en oeuvre un dépôt de type PECVD. Après avoir effectué le dépôt d'un oxyde sur toutes les faces de la tranche, on attaque sélectivement l'oxyde se trouvant au niveau du bord de la couronne, de manière à supprimer cet oxyde. Cette attaque sélective peut par exemple être réalisée par photolithographie. 2863771 19 La photolithographie nécessite le recouvrement de l'oxyde déposé 1000 par une couche de résine 1001 comme représenté sur la figure 5a. Cette figure représente en section une tranche 100 dont le bord périphérique 1101 a été dégagé par une telle attaque sélective. Les autres parties de la tranche demeure recouverte par l'oxyde protecteur 1000. On procède ensuite à l'enlèvement de la résine 1001 et à la gravure sélective du silicium au niveau du bord périphérique de la couronne, comme cela est représenté sur la figure 5b (sur cette figure, les flèches symbolisent l'opération de gravure). On obtient de la sorte une couronne dont la périphérie propre et lisse ne présente pas de points singuliers. II est également possible pour effectuer une telle gravure sélective de la couronne d'utiliser un équipement de type Spin Etcher (marque déposée), commercialisé par la société SEZ. Dans cette variante illustrée sur la figure 6, la tranche 100 gravée chimiquement sur sa face arrière, opposée à la face portant la couronne à détourer. Préalablement à cette gravure, on a pu recouvrir ladite face arrière d'une couche protectrice 1002. La figure 6 représente ainsi une arrivée 20 de produit de gravure sur la face arrière de la tranche 100. Il est possible de faire déborder légèrement sur la face avant de la tranche (tournée vers le bas sur cette figure) le produit chimique de gravure, dont le trajet est symbolisé par les flèches de la figure. Ceci permet d'attaquer la périphérie de la couche 120 et de régulariser la couronne. On notera qu'un flux de gaz neutre tel que l'azote est dirigé pendant cette opération sur la face principale de la couche 120, de 2863771 20 manière à éviter les débordements de solutions chimiques de gravure sur cette face principale. On désignera la gravure selon une telle variante par le nom de gravure face arrière débordante . Un deuxième traitement peut également être réalisé par voie mécanique, et mettre en oeuvre un détourage mécanique de la couronne de la tranche. Un tel deuxième traitement par voie mécanique est, comme un deuxième traitement par voie chimique tel qu'évoqué ci-dessus, de préférence réalisé après l'étape de polissage. Ce traitement mécanique peut en particulier mettre en oeuvre: É des moyens mécaniques qui permettent de détourer la couronne. On peut par exemple à cet effet utiliser un diamant, ou un laser, ou encore un bombardement ionique de molécules neutres conduisant à un nettoyage de cette couronne, É un polissage localisé au niveau de la couronne, pour réaliser un chanfreinage (bevelling en anglais). Et si un deuxième traitement par voie thermique est mis en oeuvre, un tel traitement est de préférence réalisé avant l'étape de préparation. On remarquera qu'un deuxième traitement préalable réalisé sous la forme d'un traitement thermique permet en outre de consolider les interfaces de collage des couches de la tranche (par exemple entre une couche de quartz et une couche de silicium), préalablement à l'étape de préparation. Dans le cas d'un deuxième traitement par voie thermique, la Demanderesse a par ailleurs mis en évidence l'existence d'un budget thermique limite au delà duquel le traitement thermique haute température ultérieur provoquerait l'apparition de défauts supplémentaires, et/ou favoriserait l'apparition des lignes de défauts mentionnées ci-dessus. 2863771 21 Le deuxième traitement par voie thermique doit donc être mené avec un budget thermique qui demeure inférieur ou égal à ce budget thermique limite, qui correspond à un apport calorifique maximal que l'on peut apporter à la tranche lors de ce traitement thermique préalable. Le budget thermique limite dépend de la nature des couches de la tranche traitée. La Demanderesse a en particulier déterminé que ce budget thermique limite correspondait: É pour des tranches de SOQ, à un recuit mené pendant deux heures à une température de 700 C, É pour des tranches de germanium sur silicium, à un recuit mené pendant deux heures à une température de 500 C. Bien sûr, lors du deuxième traitement par voie thermique, pour un même budget thermique il est possible d'allonger la durée de recuit et de baisser la température, ou l'inverse. On a vu ci-dessus que divers types de deuxièmes traitements pouvaient minimiser, voire prévenir totalement, l'apparition des lignes de défaut lors du traitement haute température que la tranche subira. On précise que l'invention s'applique à tous types de tranche multicouche dont les matériaux présentent un différentiel de caractéristiques thermiques. L'invention peut ainsi s'appliquer à une structure de type SOQ, comme cela a été décrit. Elle peut également s'appliquer à des tranches comportant sur un substrat support (pouvant être en silicium) une couche superficielle en Germanium, ou en SiGe (notamment du SiGe riche en Germanium). Selon une variante de mise en oeuvre de l'invention, il est possible de chercher à traiter ces lignes de défaut seulement au 2863771 22 niveau des régions de la tranche dans lesquelles des puces seront constituées ultérieurement (notamment dans la couche utile de la tranche). Dans cette variante de mise en oeuvre de l'invention, le deuxième traitement comprend la définition dans la couche superficielle de la tranche (couche 120 des figures 4a à 4c2, 5 et 6, référence qui est reprise sur les figures 7a à 7c) de régions 1200 que l'on désire isoler par rapport aux points singuliers (points singuliers qui se trouvent en particulier comme on l'a dit au niveau de la périphérie de la couronne de la tranche). Chaque région 1200 est appelée à recevoir une ou plusieurs puces. Pour réaliser cet isolement sélectif de régions 1200, on peut réaliser une photolithographie, en gravant dans la surface de la couche 15 120 des tranchées délimitant lesdites régions 1200. Ces régions 1200 correspondent aux emplacements désirés pour les puces devant être constituées sur la tranche. La figure 7a illustre ainsi de manière très schématique deux tranches 100, qui comportent chacune trois régions 1200 que l'on a isolées des points singuliers 130 du bord de la couronne lesdits points singuliers étant susceptibles de générer des lignes de défaut 140. Concernant cette variante de mise en oeuvre de l'invention, la demanderesse a par ailleurs déterminé que les lignes de défaut étaient préférentiellement orientées suivants des directions cristallographiques données. Ceci a notamment été observé sur des tranches de SOQ ayant subi un traitement thermique haute température. Et on réalisera de préférence le contour des régions 1200 de manière à ce que ces contours ne présentent pas d'angles saillants 30 pouvant constituer un point singulier, également susceptible de correspondre à un défaut initial . 2863771 23 On recherchera donc pour les régions 1200 des contours ne présentant pas d'angles saillants. Ces contours peuvent avoir par exemple la forme d'un cercle ou d'un ovale. Les figures 7b et 7c illustrent ainsi des configurations 5 défavorables à cet égard dans lesquelles les régions 1200 sont des pavés dont le contour présente des angles qu'il est préférable d'éviter. 24 REVENDICATIONS 1. Procédé de traitement d'une tranche multicouche dont les matériaux présentent un différentiel de caractéristiques thermiques, le procédé comprenant une étape de traitement thermique haute température susceptible de générer des défauts secondaires, caractérisé en ce que procédé comprend avant l'étape de traitement thermique haute température une étape de préparation de la surface de la tranche. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite étape de préparation comprend une opération d'amincissement 15 de la couche superficielle de la tranche. 3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite préparation comprend un polissage. 4. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit polissage est un polissage mécano-chimique. 5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite préparation comprend une gravure ionique ou chimique. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit différentiel de caractéristiques thermiques correspond à la réunion des deux conditions suivantes: É Au moins certaines couches de la tranche sont associées à des coefficients de dilatation thermique différents, 2863771 25 É il existe à proximité de la couche de surface de la tranche au moins une couche d'épaisseur significative qui est associée à un coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du coefficient de dilatation thermique associé à ladite couche de surface. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la tranche comprend un substrat support en silicium et une couche superficielle en Ge ou en SiGe. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le traitement thermique haute température est un recuit RTA. 9. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le traitement thermique haute température est un recuit de lissage. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le procédé comprend en association avec l'étape de préparation un deuxième traitement destiné à prévenir l'apparition de lignes de défauts lors du traitement thermique haute température. 11. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement comprend un deuxième traitement par voie 25 thermique. 12. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement par voie thermique est réalisé avant l'étape de préparation. 2863771 26 13. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement par voie thermique est mené avec un budget thermique inférieur à un budget thermique limite au-delà duquel des défauts apparaîtraient lors du traitement thermique haute température. 14. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la tranche est une tranche de SOQ et le deuxième traitement par voie thermique est mené avec un budget thermique inférieur ou égal à celui correspondant à un recuit de deux heures à une température de 700 C. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la tranche est une tranche de Germanium sur Silicium et le deuxième traitement par voie thermique est mené avec un budget thermique inférieur ou égal à celui correspondant à un recuit de deux heures à une température de 500 C. 16. Procédé selon l'une des six revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement comprend un deuxième traitement par voie chimique. 17. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement par voie chimique est réalisé après l'étape de préparation. 18. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement par voie chimique met en oeuvre une gravure humide ou une gravure sèche du type RIE. 2863771 27 19. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième traitement par voie chimique est associé à un dépôt d'oxyde puis à une attaque sélective d'oxyde de manière à définir un motif de gravure. 20. Procédé selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement par voie chimique met en oeuvre une gravure face arrière débordante. 21. Procédé selon l'une des onze revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit deuxième traitement comprend un deuxième traitement par voie mécanique. 22. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que 15 ledit deuxième traitement par voie mécanique est réalisé après l'étape de préparation. 23. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième traitement par voie mécanique met en oeuvre une attaque par un diamant, un laser ou un bombardement ionique de molécules neutres. 24. Procédé selon l'une des trois revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième traitement par voie mécanique 25 met en oeuvre un polissage localisé au niveau de la couronne, pour réaliser un chanfreinage. 25. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le deuxième traitement comprend la définition définir dans la couche 30 superficielle de la tranche des régions que l'on désire isoler par rapport à des éventuels points singuliers. 2863771 28 26. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le deuxième traitement met en oeuvre une photolithographie permettant de graver dans la surface de ladite couche superficielle des tranchées délimitant lesdites régions. 27. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdites régions isolées correspondent à des emplacements désirés pour des puces devant être constituées sur la tranche. 28. Procédé selon l'une des trois revendications précédentes, caractérisé en ce que les régions sont définies de manière à ce que leur contour ne présente pas d'angle saillant dont la pointe puisse constituer un point singulier pouvant être associé à une ligne de défaut.