Brevet FR2867606A1 — publié le 20050916

La présente invention concerne de manière générale la caractérisation de structures réalisées à partir de matériaux semiconducteurs et destinées à des applications en microélectronique, optique, optronique. Les structures concernées par l'invention sont des structures multicouches comprenant une couche dite utile électriquement conductrice et une couche électriquement isolante. La couche utile est souvent une couche superficielle de la structure, et la couche électriquement isolante est enterrée dans l'épaisseur de la structure. De telles structures peuvent par exemple être des SOI (Silicon On Insulator pour silicium sur isolant). Dans ce cas, la couche utile est la fine couche superficielle de silicium et la couche isolante est la couche d'isolant (oxyde par exemple) enterrée. Toutefois cet exemple du SOI n'est pas limitatif. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de traitement d'une couche utile électriquement conductrice d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs, la structure comportant sous ladite couche utile une couche électriquement isolante, ledit traitement étant destiné à constituer dans ladite couche utile au moins un îlot entouré du matériau de la couche électriquement isolante, le procédé comportant une étape de gravure chimique de la couche utile par voie humide. L'invention concerne également l'application d'un tel procédé à la caractérisation des propriétés électriques d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs. Et l'invention concerne également un dispositif pouvant être mis en oeuvre dans le cadre d'un tel procédé. On connaît déjà des procédés du type mentionné ci-dessus. De tels procédés permettent de constituer dans la couche utile d'une structure telle que par exemple un SOI des îlots de matière électriquement conductrice (de silicium dans le cas d'un SOI). II est en effet nécessaire de constituer de tels îlots pour réaliser certaines opérations sur les structures concernées par l'invention. Ces opérations comprennent en particulier la caractérisation des propriétés électriques de la structure. Une telle caractérisation peut notamment être menés en mettant en oeuvre au moins un pseudo-composant de la structure, appelé pseudo-MOSFET. Le pseudo-MOSFET est un dispositif macroscopique similaire à un transistor, mais qui ne nécessite pour sa fabrication qu'un nombre très réduit d'étapes technologiques. Un tel dispositif peut notamment être constitué dans une structure telle que mentionnée ci-dessus. Ce dispositif présente en outre l'avantage de fournir des résultats caractéristiques du matériau de la couche utile dans laquelle il est fabriqué, sans nécessiter les modifications inhérentes au procédé de fabrication CMOS (implantation canal, ...). II est donc simple de constituer dans une structure (SOI ou autre) un tel dispositif, pour caractériser les propriétés électriques de cette structure et en particulier de sa couche utile. Un pseudo-MOSFET intégré dans un SOI utilise la structure MOS intrinsèque du SOI, en utilisant l'oxyde enterré comme diélectrique de grille, le substrat comme grille, et deux contacts sur la couche utile comme source et drain. Il se présente comme un MOSFET, à l'envers. Il est inspiré d'un MOSFET simple utilisant des contacts du type schottky. Un tel pseudo-MOSFET est représenté schématiquement sur la figure 1 qui illustre le cas d'un SOI 10 comportant une fine couche utile de silicium Il, une couche isolante 12 et une couche de substrat 13. Un pseudo-MOSFET a été constitué dans le SOI, en une région déterminée de celui-ci. Ce pseudo-MOSFET comporte deux contacts S et D dans la couche utile 11, pour la source et le drain du dispositif respectivement. La couche de substrat 13 lui sert de grille (contact VG). Le pseudo-MOSFET constitue ainsi un dispositif avantageux pour la caractérisation de structures semiconductrices. Il est fabriqué en définissant spatialement un motif donné dans la couche supérieure de ce type de structure. Ce motif est ainsi électriquement isolé de la couche de substrat 13 de la structure, grâce à la couche 12 d'isolant. II peut être mis en oeuvre selon la méthode de caractérisation dite 10 de Test 1P-MOS . La méthode Test IJ-MOS permet de réaliser en face avant de la structure (c'est à dire la face qui porte la couche utile de la structure) deux contacts par pression de deux pointes en carbure de tungstène. Ces deux contacts qui correspondent aux contacts S et D de la figure 1 sont appliqués au centre du motif défini dans la couche supérieure de la structure.. La structure constitue ainsi un échantillon de caractérisation (les termes de structure et d La face arrière de la structure repose quant à elle sur un plateau conducteur sur lequel est appliqué une tension. Ce contact en face arrière de la structure correspond au contact de grille. Dans le cadre de la méthode Test lY-MOS, on réalise dans la structure à qualifier plusieurs îlots isolés les uns des autres, comme cela est illustré sur la figure 2. Chacun de ces îlots 15 est séparé des autres îlots par des tranchées le long desquelles le matériau de la couche utile superficielle a été supprimé, de sorte que c'est la couche isolante qui est affleurante dans ces tranchées. Et la caractérisation de la structure selon cette méthode se fait généralement en caractérisant les différentes îlots 15 de la structure, par application des contacts discrets mentionnés ci-dessus. II est ainsi possible de réaliser une cartographie des propriétés électriques de la structure, en ses différents îlots. On précise que les paramètres électriques caractérisés sont typiquement les suivants: pe (mobilité des électrons), ph (mobilité des trous), Dit (densité d'états d'interface), Vth (tension de seuil), VFB (tension de bande plate), Qbox (charge de la couche isolante). Cette méthode de caractérisation permet ainsi d'effectuer de manière synoptique une cartographie caractérisant différents îlots d'une même structure, ce qui est avantageux. Pour fabriquer des îlots tels que représentés sur la figure 2, on met en oeuvre un procédé de lithographie. Ce type de procédé permet de constituer plusieurs îlots, même sur des structures de petite taille (de diamètre 3 pouces par exemple). Mais un tel procédé est lourd à mettre en oeuvre, et onéreux. De plus, ce type de procédé ne permet généralement pas de constituer des îlots sur toute la surface d'une structure de taille importante (cas des diamètres de 8 pouces, voire plus). Dans une variante à la fabrication d'ïlots par lithographie, il est possible de fabriquer sur une structure échantillon un îlot de caractérisation en gravant sélectivement la structure au travers d'un masquage en dur . Dans cette variante, on met généralement en oeuvre une attaque sélective de la structure par gravure humide, pour constituer l'îlot. La figure 3 illustre ainsi une structure échantillon 100 concernée par l'invention. Deux joints toriques 21a, 21b sont pressés chacun entre une plaque de verre respective 20a, 20b et une des faces de la structure échantillon. Cette mise en pression est assurée par des moyens 22. Les deux joints toriques définissent ainsi en regard des deux faces de la structure échantillon 100 deux régions 101a, 101b de l'échantillon qui sont isolées de manière étanche. L'échantillon 100 avec ses régions isolées est ensuite exposé à une solution de gravure apte à graver sélectivement la couche utile de l'échantillon par exemple du KOH dans le cas d'un échantillon à couche utile en silicium. Il en résulte une gravure humide de la couche utile, sauf en regard des régions 101a et 101b dans lesquelles les couches de la structure d'origine sont préservées. Ces régions correspondent à un îlot au niveau duquel on va pouvoir caractériser l'échantillon de la même manière qu'exposé plus haut à propos de la méthode Test-MOS.. On fabrique de la sorte un échantillon présentant un îlot unique. Et le procédé de fabrication de cet îlot, qui met en oeuvre une gravure par voie humide, n'est pas exposé aux inconvénients cités ci-dessus à propos du procédé de constitution d'îlots par lithographie. Ce type de procédé par gravure humide est donc avantageux. Mais ce type de procédé ne permet par ailleurs que la constitution d'un îlot unique sur une structure échantillon. II ne permet ainsi pas de constituer une pluralité d'îlots sur la surface de la structure, pour réaliser une cartographie telle que mentionnée ci-dessus. Le but de l'invention est de permettre de constituer une pluralité d'îlots sur une même structure, sans être exposé aux inconvénients 25 mentionnés ci-dessus à propos des procédés par lithographie. Afin d'atteindre ce but l'invention propose selon un premier aspect un procédé de traitement d'une couche utile électriquement conductrice d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs, la structure comportant sous ladite couche utile une couche électriquement isolante, ledit traitement étant destiné à constituer dans ladite couche utile au moins un îlot entouré du matériau de la couche électriquement isolante, le procédé comportant une étape de gravure chimique de la couche utile par voie humide, procédé caractérisé en ce que préalablement à l'étape de gravure humide on réalise un masquage sélectif de plusieurs régions de ladite couche utile pour constituer dans cette couche utile plusieurs îlots, chaque région masquée de la couche utile correspondant à un îlot respectif. Des aspects préférés, mais non limitatifs, de ce procédé de traitement sont les suivants: É l'étape de gravure humide est réalisée simultanément pour toute la structure, lesdites régions masquées étant protégées de la gravure, 10 É le procédé met en oeuvre les étapes suivantes: - masquage étanche de chaque région de la structure correspondant à un îlot, par des masques élémentaires respectifs, - gravure humide avec une solution de gravure attaquant 15 sélectivement ladite couche utile, mais pas la couche électriquement isolante ni les masques élémentaires, - rinçage et séchage de la structure. É ledit masquage étanche est obtenu par resserrement d'un dispositif en forme générale de pince et muni de masques élémentaires sur la 20 structure, É le masquage de chaque région est réalisé par application sur ladite région d'un masque élastique de type ventouse, É le masquage de chaque région est réalisé par application sur ladite région d'un masque rigide associé à des moyens de dépression dudit 25 masque rigide, É ladite couche utile est en silicium, É que ladite structure est un SOI. L'invention propose selon un second aspect une application d'un tel procédé à la caractérisation des propriétés électriques d'une structure 30 multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs. Une telle application peut comprendre la cartographie des propriétés électriques de régions déterminées couvrant sensiblement l'ensemble de la surface de la couche utile de la structure. L'invention propose enfin selon un troisième aspect un dispositif de traitement d'une couche utile électriquement conductrice d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs, la structure comportant sous ladite couche utile une couche électriquement isolante, ledit traitement étant destiné à constituer dans ladite couche utile au moins un îlot entouré du matériau de la couche électriquement isolante, caractérisé en ce que le dispositif comprend une pluralité de masques élémentaires pour masquer de manière étanche des régions respectives de ladite couche utile en vue de réaliser une gravure humide de ladite structure une fois lesdites régions masquées. Des aspects préférés, mais non limitatifs, d'un tel dispositif sont les suivants: É les masques élémentaires comprennent des masques rigides associés à des moyens de dépression, É les masques élémentaires comprennent des masques élastiques de type ventouse, É le dispositif comprend un tapis portant lesdits masques, É le dispositif a une configuration générale en forme de pince à deux mâchoires dont une première mâchoire porte lesdits masques, de sorte que lors du resserrement de la pince sur la structure, les masques viennent en contact étanche avec la structure, É la deuxième mâchoire du dispositif porte des picots pour assurer le maintien de la face arrière de la structure opposée à la face de la structure portant la couche utile, lors du resserrement de la pince sur la structure. D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante de cette invention, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels, outre les figures 1 à 3 qui ont déjà été commentées ci-dessus: É Les figures 4a et 4b sont respectivement une vue de côté et une vue de face d'un dispositif selon un premier mode de réalisation de l'invention, É La figure 4c est une représentation schématique d'un masque élémentaire mis en oeuvre dans le dispositif des figures 4a et 4b, É Les figures 5a et 5b sont respectivement une vue de côté et une vue de face d'un dispositif selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, É La figure 5c est une représentation schématique d'un masque élémentaire mis en oeuvre dans le dispositif des figures 5a et 5b. En référence aux figures 4a et 4b, on a représenté un dispositif de traitement d'une structure multicouche comprenant une couche utile électriquement conductrice superficielle, et une couche électriquement 15 isolante enterrée. Cette structure peut être par exemple un SOI. Une telle structure peut être traitée tant par un dispositif selon un premier mode de réalisation de l'invention (correspondant aux figures 4a à 4c) que par un dispositif selon un deuxième mode de réalisation de l'invention (correspondant aux figures 5a à 5c). La structure n'est pas représentée sur ces figures, par souci de clarté (l'emplacement destiné à recevoir cette structure étant tout de même représenté en pointillés sur la figure 4b). Le dispositif 30 des figures 4a et 4b a une configuration générale 25 en forme de pince à deux mâchoires. La figure 4a représente ainsi une première mâchoire 310, et une deuxième mâchoire 320. Les deux mâchoires sont articulées autour d'un axe 330, et peuvent être ouvertes ou fermées en pivotant autour de cet axe. Dans la partie du dispositif opposée à cet axe 330, le dispositif 30 présente une poignée 311, 321 en association avec chaque mâchoire respective 310, 320. Le dispositif 30 peut ainsi être ouvert ou fermé à la main, par un opérateur. On précise toutefois qu'il est possible en variante de prévoir que ces opérations soient réalisées par une machine agissant sur les deux poignées 311, 321. Un verrou 340 de fermeture du dispositif est également prévu au 10 niveau de ces deux poignées. Ce verrou sert à maintenir le dispositif en position fermée, lorsque la structure a été placée à l'intérieur du dispositif. Le verrou 340 peut par exemple comprendre une vis 341 de serrage des deux poignées. On remarque sur les faces en regard des mâchoires 310 et 320, au niveau de la partie du dispositif destinée à recevoir la structure, des tapis de garniture 312, 322 qui sont respectivement associés aux deux faces en regard de ces deux mâchoires. Chacun de ces tapis est fixé par tout moyen connu en soi à sa face 20 associée de mâchoire (par exemple par encastrement à force, collage, ou tout autre moyen...). Les tapis ont une forme générale circulaire, pour recouvrir une région correspondant à la forme des structures qui seront traitées par le dispositif. On précise que ce dispositif peut comprendre des détrompeurs ou repères de calage pour assurer le bon positionnement d'une structure placée dans le dispositif. On peut en particulier prévoir un ergo (non représenté) destiné à coopérer avec une encoche ( II est également possible de prévoir différents repères de calage pour positionner des structures de différentes tailles (par exemple des disques de différents diamètres). Ces repères de calage peuvent en particulier être prévus sur l'un et/ou l'autre des deux tapis. Le tapis 312 porte une pluralité de ventouses 3120 élastiques, venues de matière avec le reste du tapis. En variante, il est également possible de prévoir que ces ventouses soient fixées de manière amovible sur le tapis en des emplacements prédéterminés. On peut par exemple prévoir de constituer dans le tapis des moyens de réception de telles ventouses amovibles (par exemple sous la forme de filetage destiné à recevoir la vis d'une ventouse). Chaque ventouse est destinée à venir en contact étanche avec la surface de la structure, lorsque celle-ci a été positionnée dans le dispositif et que le dispositif a été refermé sur elle. A cet égard, on précise qu'on place la structure dans le dispositif de telle sorte que la couche utile de cette structure se trouve en regard des ventouses. Il est possible selon une variante de prévoir que le deuxième tapis 322 soit muni de picots saillants pour maintenir la tranche et la structure lorsque celle-ci est en position dans le dispositif refermé. La figure 4a montre ainsi une série de picots saillants 3220. Sur la représentation de la figure 4a, un picot se trouve en regard de chaque ventouse. II est toutefois possible dans cette variante d'adapter le nombre et la disposition des picots. En tout état de cause, ce nombre et cette disposition doivent permettre d'appliquer lorsque le dispositif est refermé sur la structure à traiter une pression suffisante sur cette structure pour garantir l'étanchéité du contact entre la face utile de la structure et les ventouses 3120. Cette pression doit également rester suffisamment bien répartie et limitée pour éviter d'endommager la structure. On préférera naturellement une répartition régulière des picots et des ventouses sur la surface de leurs tapis respectifs 312, 322. La figure 4c représente de manière schématique une ventouse 3120, au contact de la structure 100 à traiter. Le dispositif 30 peut ainsi comprendre une pluralité de ventouses 3120, dont chacune masque de manière étanche des régions respectives de la couche utile de la structure 100. Il est ainsi possible de réaliser une gravure humide de la structure, une fois lesdites régions masquées, sans que la solution de gravure attaque lesdites régions. En pratique, on plongera le dispositif 30 contenant une structure dans une solution de gravure, ou on imprégnera de toute manière connue en soi la structure placée dans le dispositif par cette solution. Dans le cas d'une structure dont la couche utile est en silicium, la 15 solution de gravure peut être du KOH. Le matériau des différents constituants du dispositif 30 doit être adapté pour ne pas être attaqué par la solution de gravure. On pourra par exemple prévoir que les tapis 312, 322 et leurs ventouses et picots soient réalisés en un caoutchouc qui ne soit pas attaqué par la solution de gravure. L'invention permet de constituer de la sorte des îlots correspondant aux régions de la couche utile de la structure qui ont été préservées de la gravure par le masquage des ventouses. Et dans le cas de l'invention, on bénéficie des avantages d'un procédé de lithographie (en particulier possibilité de constituer une pluralité d'îlots simultanément) sans en subir la lourdeur, et en outre à un prix de revient réduit. La mise en oeuvre de l'invention implique ainsi: É La réalisation d'un masquage sélectif de plusieurs régions de la couche utile de la structure à traiter, pour constituer dans cette couche utile plusieurs îlots, chaque région masquée de la couche utile correspondant à un îlot respectif, É Puis une étape de gravure humide pour constituer lesdits îlots. Et l'étape de gravure humide est réalisée simultanément pour toute la structure. Après la gravure humide, on procède à des étapes de rinçage et de séchage de la structure (par exemple par soufflage d'azote). Le masquage étanche des régions de la couche utile de la structure est ainsi obtenu par resserrement d'un dispositif en forme générale de pince muni de masques élémentaires sur ladite structure. On a vu que ce dispositif pouvait être du type de celui représenté sur les figures 4a et 4b. II peut également selon un autre mode de réalisation de l'invention au dispositif 40 des figures 5a et 5b. Dans ce mode de réalisation de l'invention, le dispositif de traitement de la structure ne comprend qu'une mâchoire unique 410. Et les masques élémentaires qui étaient réalisés sous forme de ventouses élastiques 3120 (figures 4a et 4c) sont ici réalisés par des moyens rigides 4120 associés à des moyens de mise en dépression. Les moyens 4120 définissent entre eux un réseau de cavités 4121. et ces cavités sont en communication avec une source de dépression (que l'on assimile au vide). Ces moyens 4120 constituent des masques élémentaires pour la réalisation d'îlots (chaque cavité 4121 permettant de définir un îlot respectif sur la structure). Les moyens 4120 peuvent notamment être réalisés sous la forme de joints. Contrairement au dispositif 30 des figures 4a et 4b, le dispositif 40 n'a qu'une mâchoire 410. Cette mâchoire unique est reliée au vide via un réseau. La plaque est directement posée sur les moyens 4120. Elle est maintenue sur ces moyens grâce au vide, en vue de son immersion dans la solution de gravure. Et à l'exception des éléments spécifiques concernant une deuxième mâchoire, ainsi que des masques élémentaires réalisés sous la forme de ventouses, l'ensemble des commentaires faits ci-dessus à propos du dispositif 30 sont applicables au dispositif 40. On peut ainsi prévoir des détrompeurs et/ou des repères de calage de la structure (y compris pour des structures de tailles différentes). Et le procédé général de mise en oeuvre de ce dispositif 40 est le même que pour le dispositif 30 (à l'exception de la mise en contact étanche des régions de la structure sur laquelle on veut constituer des îlots avec des emplacements correspondants du dispositif de traitement). Les moyens 4120 peuvent être constitués sur une pièce unique 412, ellemême portée par la mâchoire 410. Cette pièce 412 peut être une pièce rigide, ou présentant une certaine élasticité (en particulier au niveau des moyens 4120, afin de garantir un contact étanche avec la structure). La pièce 412 peut être fixée de toute manière connue en soi sur la mâchoire 410. La structure schématique d'un masque élémentaire 4120 est détaillée sur la figure 5c. Chaque masque élémentaire définit une cavité 4121 lorsqu'il est mis en contact avec la structure 100, et maintenu en contact avec la structure par suite de l'application d'une dépression au niveau de la cavité. II est ainsi prévu des moyens pour établir une dépression ou un vide contrôlé à l'intérieur de la cavité 4121, une fois le contact entre le masque élémentaire et la structure établi. Ces moyens peuvent comprendre un circuit général de dépression 4125, qui peut être mis en relation avec une source de dépression par un 30 raccord 41250. Une vanne 41251 permet alors d'établir sélectivement une dépression dans ce circuit 4125. Et il est également possible de prévoir en association avec chaque masque élémentaire une vanne individuelle, comme représentée sur la figure 5c (vanne 4122). L'invention permet ainsi de réaliser une pluralité d'îlots dans la couche utile d'une même structure à caractériser, par un procédé de gravure humide qui est simple et avantageux. II est en outre possible de traiter de la sorte différentes tailles de structure. On remarquera en outre que la mise en oeuvre de l'invention est encore simplifiée par le fait que les tapis 312, 322 ainsi que la pièce 422 peuvent être fixés de manière démontable sur leurs mâchoires de pinces respectives, pour un démontage et un nettoyage après une gravure chimique humide. L'invention peut être mise en oeuvre avantageusement pour réaliser une cartographie des propriétés électriques de régions déterminées de la couche utile d'une structure concernée par l'invention. Et comme on l'a vu, ces régions déterminées couvrent sensiblement l'ensemble de la surface de la couche utile de la structure à caractériser. REVENDICATIONS 1. Procédé de traitement d'une couche utile électriquement conductrice d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs, la structure comportant sous ladite couche utile une couche électriquement isolante, ledit traitement étant destiné à constituer dans ladite couche utile au moins un îlot entouré du matériau de la couche électriquement isolante, le procédé comportant une étape de gravure chimique de la couche utile par voie humide, procédé caractérisé en ce que préalablement à l'étape de gravure humide on réalise un masquage sélectif de plusieurs régions de ladite couche utile pour constituer dans cette couche utile plusieurs îlots, chaque région masquée de la couche utile correspondant à un îlot respectif. 2. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'étape de gravure humide est réalisée simultanément pour toute la structure, lesdites régions masquées étant protégées de la gravure. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le procédé met en oeuvre les étapes suivantes: É masquage étanche de chaque région de la structure correspondant à un îlot, par des masques élémentaires respectifs, É gravure humide avec une solution de gravure attaquant sélectivement ladite couche utile, mais pas la couche électriquement isolante ni les masques élémentaires, É rinçage et séchage de la structure. 2867606 16 4. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que ledit masquage étanche est obtenu par resserrement d'un dispositif en forme générale de pince et muni de masques élémentaires sur la structure. 5. Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que le masquage de chaque région est réalisé par application sur ladite région d'un masque élastique de type ventouse. 6. Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que le masquage de chaque région est réalisé par application sur ladite région d'un masque rigide associé à des moyens de dépression dudit masque rigide. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite couche utile est en silicium. 8. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que ladite structure est un SOI. 9. Application d'un procédé selon une des revendications précédentes à la caractérisation des propriétés électriques d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs. 10.Application selon la revendication précédente à la cartographie des propriétés électriques de régions déterminées couvrant sensiblement l'ensemble de la surface de la couche utile de la structure. 11. Dispositif de traitement d'une couche utile électriquement conductrice 30 d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semiconducteurs, la structure comportant sous ladite couche utile une couche électriquement isolante, ledit traitement étant destiné à constituer dans ladite couche utile au moins un îlot entouré du matériau de la couche électriquement isolante, caractérisé en ce que le dispositif comprend une pluralité de masques élémentaires pour masquer de manière étanche des régions respectives de ladite couche utile en vue de réaliser une gravure humide de ladite structure une fois lesdites régions masquées. 12. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que les masques élémentaires comprennent des masques rigides associés à des moyens de dépression. 13. Dispositif selon la revendication 11 caractérisé en ce que les masques élémentaires comprennent des masques élastiques de type ventouse. 14. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que le dispositif comprend un tapis portant lesdits masques. 15. Dispositif selon l'une des deux revendications précédentes caractérisé en ce que le dispositif a une configuration générale en forme de pince à deux mâchoires dont une première mâchoire porte lesdits masques, de sorte que lors du resserrement de la pince sur la structure, les masques viennent en contact étanche avec la structure. 16. Dispositif selon l'une des deux revendications précédentes caractérisé en ce que la deuxième mâchoire du dispositif porte des picots pour assurer le maintien de la face arrière de la structure opposée à la face de la structure portant la couche utile, lors du resserrement de la pince sur la structure.