Brevet FR2871271A1 — publié le 20051209

PROCEDE ET MOYEN POUR REDUIRE LES PARA SITES ELECTROMAGNETIQUES INDUITS DANS DES DETEC TEURS DE RAYONS X La présente demande concerne d'une façon générale la conception et la fabrication d'un détecteur de rayons X et un détecteur de rayons X ainsi formé. En particulier, la présente demande concerne la conception et la fabrication de détecteurs de rayons X à écran plat et les détecteurs de rayons X a écran plat ainsi formés, lesquels peuvent eux-mêmes être utilisés, par exemple, dans des systèmes, dispositifs ou autres appareils d'imagerie médicale. Il faut souligner que la conception et la fabrication d'écran; plats utilisables par exemple dans des détecteurs de rayons X sont une entreprise complexe. La technologie d'imagerie radiographique à semiconducteurs a régulièrement progressé, en partie du fait de la mise au point de matrices de semi-conducteurs photosensibles utilisant soit des écrans à scintillation indirecte de rayons X vers la lumière (par exemple en silicium amorphe avec CsI), soit des écrans à conversion de rayons X (par exemple en Se, PbO ou Hgl amorphe). Il est envisagé qu'une ol plusieurs de ces technologies puisse utiliser des commutateurs à transistors (p Ir exemple des transistors à couche mince ou des transistors à effet de champ) réalisant un multiplexage efficace d'une matrice de pixels, en permettant la réalisation d'une conversion analogique-numérique au moyen d'une carte employant un plus petit nombre de convertisseurs, en comparaison du nombre total de convertisseurs, que le nombre total de pixels dans un écran d'un détecteur de rayons X donné. Par ailleurs, il est envisagé qu'une ou plusieurs de ces technologies puissent utiliser des rubans métalliques déposés (trajets conducteurs formés par pulvérisation, par exemple, de Mo, Al, Cu ou autres métaux conducteurs) forme nt des lignes de données et de balayage sur une grille de rangées et de colonnes, facilitant la commande des transistors à couche mince TCM (dans un premier sens) tout en transportant une charge depuis les photoélements (dans un sens difffrent ou opposé). Lorsque le nombre de pixels sur un écran de détecteur de rayons): diminue et que les dimensions de l'écran augmentent, le rapport du signal (charge) à la longueur du trajet depuis le photodétecteur vers le convertisseur A/N diminue énormément. On vérifie ce phénomène aussi bien avec les détecteurs de rayons X qu'avec les détecteurs de tomodensitométrie. En même temps, pour permettre des trajets de lignes de données plus petits et plus longs tout en produisant encore des images d'une qualité acceptable, la conception du système de conversion A/N est devenue de plus en plus complexe. Il est envisagé que, pour obtenir des rapports signal/bruit ("RSB") acceptables, des niveaux de bruit très inférieurs à environ 2000 électrons ne soient pas rares dans ces types de systèmes. Cependant, de tels systèmes complexes à semi-conducteurs sont devenus par nature plus sujets à des parasites électriques et/ou magnétiques (qualifiés d'électromagnétiques ou "EM") induits sur l'écran du photodé, tecteur (induits principalement sur les trajets des lignes de données). Il a été démontré qu'une protection efficace contre les parasites électromagnétiques à haute fréquence est réalisable, mais non sans un certain niveau d'atténuation des photons de rayons X dans la surface sensible aux rayons X du détecteur. Une protection efficace contre les parasites électromagnétiques à basse et haute fréquence n'est pas possible à l'aide des matériaux actuels, car les champs magnétiques à basse fréquence nécessitent des éléments métalligt, es qui atténuent fortement les photons de rayons X dans les applications médicales. :?ar exemple, il a été démontré que les parasites EM sont à des niveaux suffisants pour influencer des images dans certains systèmes radiographiques à semi-conducteurs placés tout près d'un organe et dans des systèmes de navigation de cathéters, des systèmes de mise en place et de programmation de stimulateurs cardiaques, des systèmes d'entraînement magnétique de cathéters, ainsi que des systèmes d'ablation à radiofréquence. Ces types de systèmes risquent de provoquer des champs électriques et/ou magnétiques ou EM d'une intensité largement supérieure à celle nécessaire pour les essais de susceptibilité dans le cadre du système international de certification. Une forme de réalisation comprend un système et un procédé par lesquels l'amplitude/l'intensité d'un champ électrique et/ou magnétique ou E,M parasite peut être localement échantillonnée (par exemple dans le détecteur de rayons X) et réduite ou supprimée. Plus particulièrement, des formes de réalisation comprennent un système et un procédé par lesquels un champ parasite peut être écha:itillonné dans la même orientation que l'écran du détecteur de rayons X, puis sou;trait de chaque échantillon d'élément respectif. Une forme de réalisation comprend un détecteur de rayons X ayant un ou plusieurs conducteurs de détection de champ dans la même orientation que les lignes 35 de données de l'écran. Il est envisagé que dans au moins une forme de réalisation, des conducteurs de détection de champ puissent être orientés également dans la direction des lignes de balayage à TCM. Le champ parasite est localement échantillonné par un ou plusieurs de ces conducteurs, dont la valeur de résistance et la valeur de capacité sont sensiblement identiques à celle des lignes de données ordinaires. L'amplitude du champ parasite peut être soustraite dans un étage de préamplification. Il est également envisagé des formes de réalisation dans lesquelles l'amplitude du champ parasite peut être numérisée puis soustraite par traitement numérique. Une forme de réalisation est relative à un procédé pour réduire les parasites électromagnétiques induits dans un détecteur de rayons X. Cette forne de réalisation comprend l'échantillonnage local d'un champ parasite dans le détecteur de rayons X et la soustraction d'une amplitude/intensité du champ parasite échantillonné à partir d'au moins un échantillon d'élément. Le procédé consiste en outre à produire au moins un échantillon à parasites EM réduits. D'autres formes de réalisation sont relatives à un procédé comprenant l'échantillonnage d'un champ parasite à l'aide d'au moins un conducteur de détection de champ formé dans le détecteur de rayons X. Le champ parasite peut être échantillonné dans une même orientation que le détecteur de rayons X. Des formes de réalisation comprennent en outre la soustraction de l'amplitude/intensité du champ parasite échantillonné à partir de chaque échantillon d'élément respec.tif (par exemple à l'aide d'un système de conversion analogique-numérique, d'un étage de préamplification et/ou par numérisation de l'intensité du champ parasite puis soustraction de l'intensité par traitement numérique). Dans au moi - 1s une forme de réalisation, le détecteur de rayons X est utilisé dans un système d'imagerie médicale. Une autre forme de réalisation est relative à un procédé de réduction de parasites EM induits dans un détecteur de rayons X utilisé dans un système d'imagerie médicale. Ce procédé comprend l'échantillonnage local d'un champ parasite à l'aide d'au moins un conducteur de détection de champ et la détermination d'une amplitude/intensité du champ parasite échantillonné. L'amplitude/intensité du champ parasite échantillonné est soustraite de chaque échantillon d'élément respectif (par exemple à l'aide d'un système de conversion analogique-numé -igue, d'un étage de préamplification et/ou par numérisation de l'intensité du charip parasite puis soustraction de l'amplitude/intensité par traitement numérique), et l'échantillon d'élément respectif à parasites EM réduits est délivré. Encore une autre forme de réalisation est relative à un procédé de formation 35 d'un détecteur de rayons X. Cette forme de réalisation comprend la détermination d'au moins un certain nombre de conducteurs de détection de champ et d'un espacement des conducteurs de détection de champ reposant au moins en partie sur un champ parasite. Le détecteur de rayons X est formé en ayant le nombre prédéterminé de conducteurs de détection de champ et/ou l'espacement prédéterminé. D'autres formes de réalisation comprennent la détermination d'une fréquence maximale du champ parasite. Les conducteurs de détec:ion peuvent être espacés au minimum d'environ un quart de longueur d'onde de la fréquence maximale du champ parasite. En outre, les conducteurs de détection de champ peuvent être additionnés dans une même orientation qu'au moins une des lignes de données et de balayage formées dans les détecteurs de rayons X. Encore une autre forme de réalisation est relative à un procédé de formation d'un détecteur de rayons X. Cette forme de réalisation comprend la détermination d'un champ parasite et de la fréquence maximale du champ parasi:e. Une longueur d'onde de la fréquence maximale du champ parasite est déterminée. Un certain nombre de conducteurs de détection de champ et/ou un espacement des conducteurs de détection de champ peuvent être déterminés, au moins en,artie d'après la longueur d'onde de la fréquence maximale du champ parasite. Le détecteur de rayons X est formé en ayant le nombre de conducteurs de détection de champ et l'espacement déterminé. Dans au moins une forme de réalisation, les conducteurs de détection de champ sont ajoutés dans une même orientation qu'au moins une des lignes de données et de balayage formées dans le détecteur de rayons X. Encore une autre forme de réalisation est relative à un détecteur de rayons X utilisé dans un système d'imagerie médicale. Dans cette forme de réalisation, le détecteur de rayons X comprend une partie formant écran, au moins un contact tactile sur un bord et une partie formant système électronique dé lecture. Le/les conducteurs de détection de champ sont conçus pour réduire les parasites électromagnétiques induits dans le détecteur de rayons X. Le/les contacts tactiles sur un bord sont couplés à au moins une partie de la partie formant éc -an et à la partie formant système électronique de lecture. Des formes de réalisation sont relatives à un détecteur de rayons X comprenant une pluralité de conducteurs de détection de champ, au moins un des conducteurs de détection de champ étant espacé des autres d'un minimum d'environ un quart de longueur d'onde d'une fréquence maximale du champ parasite échantillonné. Au moins un des conducteurs de détection de champ peut avoir la même orientation qu'au moins une ligne de données et/ou ligne de balayage formée dans le détecteur de rayons X. Dans au moins une forme de réalisation du détecteur de rayons X, le champ parasite peut être échantillonné dans une même orientation que le détecteur de rayons X. La partie formant système électronique de lecture comprend un système de conversion analogique-numérique apte à soustraire une intensité du champ parasite. L'intensité du champ parasite peut être soustraite dans un étage de préamplification du système de conversion analogique-numérique. Par ailleurs, le système de conversion analogique- numérique peut comporter un système de traitement 1 o numérique apte à numériser l'intensité du champ parasite puis à sou straire l'intensité par traitement numérique. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins 15 annexés, sur lesquels: la Fig. 1 représente un système, dispositif, machine ou ap Dareil d'imagerie médicale utilisé selon certaines formes de réalisation; la Fig. 2 représente une vue en perspective partiellement écorchée d'un détecteur de rayons X selon la technique antérieure (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) utilisable avec un système d'imagerie médicale (semblable à celui représenté sur la Fig. 1) conformément à certaines formes de réalisation; la Fig. 3 représente une vue en plan d'un groupe de qi: atre pixels d'un détecteur (utilisés par exemple avec un détecteur de rayons X à écran plat) conformément à certaines formes de réalisation; la Fig. 4 est une représentation schématique d'une matrice de photodiodes à TCM (utilisée par exemple avec un détecteur de rayons X à écran plat) conformément à certaines formes de réalisation; la Fig. 5 illustre un exemple d'artefact d'image pouvant être produit par un champ induit passant par des détecteurs de rayons X selon la technique antérieure (comme celui illustré sur la Fig. 2) selon certaines formes de réalisation; la Fig. 6 représente une vue en perspective partiellemert écorchée d'un détecteur de rayons X (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) utilisable avec un système d'imagerie médicale (semblable à celui représenté ur la Fig. 1) qui est à l'abri de ou réduit l'effet de champs EM parasites selon certaines formes de réalisation; la Fig. 7 est une représentation schématique d'un systèm e ou module de conversion analogique-numérique utilisé avec un détecteur de rayons X (semblable à celui illustré sur la Fig. 6) selon certaines formes de réalisation; la Fig. 8 est un organigramme de niveau élevé illustrant un procédé de formation de détecteur de rayons X (semblable à celui représenté sur la Fig. 6) utilisable avec un système d'imagerie médicale (semblable à celui représenté sur la Fig. 1) selon certaines formes de réalisation; la Fig. 9 est un organigramme détaillé illustrant un procédé de formation de détecteur à rayons X (semblable à celui illustré sur la Fig. 6) utilisable avec un système d'imagerie médicale (semblable à celui représenté sur [a Fig. 1) selon certaines formes de réalisation; la Fig. 10 est un organigramme d'un niveau élevé illustrant un procédé d'utilisation de détecteur de rayons X (semblable à celui représenté sur la Fig. 6) utilisable avec un système d'imagerie médicale (semblable à celui représenté sur la Fig. 1) selon certaines formes de réalisation; et la Fig. 11 est un organigramme détaillé illustrant un procéc é d'utilisation de détecteur de rayons X (semblable à celui représenté sur la Fig. 6) L tilisable avec un système d'imagerie médicale (semblable à celui illustré sur la Fig. 1) selon certaines formes de réalisation. Uniquement à titre d'illustration, la description détaillée ci-rprès se rapporte à certaines formes de réalisation d'un détecteur de rayons X (un détecteur de rayons X à écran plat) utilisé dans un système, dispositif, machine ou ap Dareil d'imagerie médicale. Cependant, il est entendu que la présente invention peut 'tre utilisée avec d'autres dispositifs ou systèmes. Il faut souligner que la conception et la fabrication d'écrans actifs ou plats, utilisés par exemple dans des détecteurs de rayons, constituera une entreprise complexe. Ce processus de conception et de fabrication nécessite la connaissance des dispositifs à semi-conducteurs amorphes ou mono-polycristallins tels que, par exemple, des transistors à couche mince/transistors à effet de champ) (TCM/TEC) et des photodiodes à large bande interdite. Des procédés de dépôt tels que le dépôt par voie chimique en phase vapeur activé au plasma (également désigné sous une forme abrégée par "DCVAP") et la pulvérisation, par exemple, sont employés pour fabriquer du métal d'interconnexion, des structures de dispositifs, des convertisseurs de rayons X et autres structures lors de ces processus de conception et de fabrication. On sait que des lignes de champs électriques et/ou magnétiques d'une fréquence donnée générées, par exemple, par des systèmes d'exploration d'organes et de navigation de cathéters, des systèmes de mise en place et de programmation de stimulateurs cardiaques, des systèmes d'entraînement magnétique dc cathéters et des systèmes d'ablation à radiofréquence ou d'autres organes de systèmes d'imagerie peuvent passer par un détecteur de rayons X en parasitant les signaux au moins sur les lignes de données du détecteur. Des lignes de force de champs EM risquent de passer par le détecteur de rayons X en parasitant des signaux sur les lignes de données. De telles lignes de force de champs magnétiques risquent de passer par la ro boucle de circuit de la diode-TFC, la ligne de données, le convertis seur analogique-numérique et le trajet de retour à la terre. Cela risque à son tour de faire passer un courant dans la boucle de circuit, lequel est numérisé comme parasites à structure sans corrélation, en produisant un artefact sur l'image produite. L'artefact d'image obtenu dépend, par exemple, de l'intensité et de la fréquence du champ induit, des dimensions générales du détecteur et de l'orientation dans le champ. Une forme de réalisation comprend un système et un procédé par lesquels l'intensité du champ EM parasite peut être localement échantillonnée (par exemple dans le détecteur de rayons X) et réduite ou éliminée. Plus particulièrement, des formes de réalisation comprennent un système et un procédé par lesquels un champ parasite peut être échantillonné dans la même orientation que l'écran du détecteur de rayons X, puis soustrait de chaque échantillon d'élément respecti f'. Une forme de réalisation comprend un détecteur de rayons X ayant un ou plusieurs conducteurs de détection de champ dans la même orientation que les lignes de données de l'écran. Il est envisagé que dans au moins une forme de réalisation, des conducteurs de détection de champ puissent être orientés également dans la direction des lignes de balayage des TCM. Le champ parasite est localement échantill inné par un ou plusieurs de ces conducteurs, qui ont sensiblement les mêmes valeurs de résistance et de capacité que les lignes de données. L'amplitude/intensité du champ parasite est soustraite dans un étage de préamplification du système électronigt e de conversion. Il est également envisagé que l'amplitude/l'intensité du champ magnétique puisse être numérisée, puis soustraite à l'aide d'un traitement numérique. La Fig. 1 représente un système, dispositif, machine ou appareil d'imagerie médicale, globalement désigné par le repère 100, utilisé selon. une forme de réalisation. Il est envisagé que le système 100 puisse comporter divers systèmes d'imagerie dont un système de radiographie, un système de tomodensitométrie, un système d'EBT, un système à ultrasons, un système de RM ou autre système d'imagerie. Dans au moins une forme de réalisation, le système 100 comprend un bras en C 110, une ou plusieurs sources 120 de rayons X, un ou plusieu-s détecteurs 130 de rayons X (par exemple des détecteurs de rayons X à écran plat), un ou plusieurs détecteurs électromagnétiques (EM) 140, un émetteur EM 150, un crdinateur 160 de traitement de l'image, un module de poursuite 170, un dispositif de positionnement 180 et un dispositif de sortie 190. Dans la forme de réalisation illustrée, le module de poursuite 170 est illustré communiquant avec au moins le détecteur EM 140, l'émetteur EM 150 et l'ordinateur 160 de traitement de l'image. La Fig. 1 illustre en outre l'ordinateur 160 de traitement de l'image communiquant avec au moins le détecteur 130 de rayons X, le module de poursuite 170 et le dispositif de sortie 190. Dans au moins une forme de réalisation, la source 120 die rayons X et le détecteur 130 de rayons X sont montés de part et d'autre du bras en C 110. La source 120 de rayons X et le détecteur 130 de rayons X peuvent être montés de manière mobile sur le bras en C 110. Dans une forme de réalisation, le détecteur EM 140 est monté sur le détecteur 130 de rayons X. L'émetteur EM 150 est placé sur un objet 112 tel qu'un patient dont on va réaliser une image. Selon une autre possibilité, l'émetteur EM 150 peut être situé sur le détecteur 130 de rayons X, et le détecteur EM 140 peut être situé sur un objet ou un patient 112 dont on va réaliser une image. L'objet ou le patient 112 est placé sur ou dans le dispositif de positionnement 180. dans au moins une forme de réalisation, le dispositif de positionnement 180 comporte une table, une grille mobile sur table, une grille mobile verticale, un support ou autre dispositif de positionnement utilisable. Dans au moins une forme de réalisation, le bras en C 110 est mobile dans plusieurs directions sur de multiples trajets d'acquisition d'image, dcnt, par exemple, une direction orbitale, une direction longitudinale, une direction latérale, une direction transversale, une direction pivotante et une direction en zigzag. Dans au moins une forme de réalisation, la source 120 et le détecteur 130 de rayons X sont installés de manière mobile sur le bras en C 110. Ainsi, le bras en C 110, ainsi que la source 120 de rayons X et le détecteur 130 de rayons X, peuvent être déplacés et mis en position autour du dispositif de positionnement 180 sur ou dans lequel a été placé l'objet 112. Le bras en C 110 sert à mettre en place la source 120 et le détecteur 130 de 35 rayons X autour de l'objet 112 de façon qu'un ou plusieurs rayons X 105 (ou une autre énergie) puisse irradier l'objet 112 dans le but de produire une ou plusieurs images. Le bras en C 110 peut être déplacé ou remis en place suivant divers angles de balayage autour de l'objet 112, pour obtenir ainsi plusieurs images. Lorsque le bras en C 110 se déplace, la distance entre le détecteur 130 de rayons X et l'objet 112 peut varier. En outre, la distance entre la source 120 de rayons X e: l'objet 112 peut varier elle aussi. Il est envisagé que, dans au moins une forme de réalisation, la source 120 et le détecteur 130 de rayons X sur le bras en C 110 puissent se déplacer, par exemple, suivant un mouvement transversal ou orbital. Lors d'un mouvement orbital, la source 120 et le détecteur 130 de rayons X ne se déplacent pas sur une trajectoire circulaire. Lors de la reconstruction d'une image tomographique à l'aide d'un mouvement orbital, la distance entre le détecteur 130 et l'objet 112 (et la distanc e entre la source 120 et l'objet 112) peut varier pendant l'acquisition d'images de projection. Dans au moins une forme de réalisation, une position du détecteur 130 de rayons X peut être enregistrée pour une seule ou plusieurs images de projection. De plus, la distance entre le détecteur 130 et la source 120 de rayons X peut être déterminée. Un changement de grossissement peut être quantifié et compensé pendant la reconstruction d'une image tomographique à l'aide do la position du détecteur 130 et de la distance du détecteur à l'objet. Le détecteur EM 140 ou un autre dispositif de poursuite peut être placé sur le détecteur 130. L'émetteur EM 150 ou un autre dispositif de poursuite peut être placé sur l'objet 1.2. Les données fournies par le détecteur 140 et l'émetteur 150 peuvent servir à déterminer la position du détecteur 130 pendant une trajectoire du détecteur 130. D'autres dispositifs de poursuite, tels que des dispositifs optiques ou mécaniques de pcursuite, peuvent servir à déterminer la position d'un ou de plusieurs organes du système 100. Dans au moins une forme de réalisation, l'émetteur 150 diffuse un signal, par exemple un champ magnétique, qui est détecté par le détecteur 140. Le module de poursuite 170 peut utiliser des données fournies par l'émetteur 150 pour déterminer une position du détecteur 130 par rapport à l'objet 112. Des différences de position, et donc de distance entre le détecteur 130 et l'objet correspondent à des différences de grossissement des images de projection radiographiques obtenues. Le changement de la distance entre le détecteur 130 et l'objet 112 et/ou de la distance entre la source 120 et l'objet 112 modifie le grossissement de l'objet projeté sur le détecteur pour des sources ponctuelles ou des sources quasi ponctuelles qui émettent des faisceaux non parallèles tels que des rayons X. Si le champ de vision de la source 120 de rayons X est constant, à mesure qu'un objet s'approche de la source 120 de rayons X, l'objet occupe une plus grande partie du champ de vision et se projette par conséquent sous la forme d'une image plus grande sur le détecteur 130. Dans une forme de réalisation, la distance du détecteur à l'objet est modifiée pour maintenir l'objet à un isocentre virtuel du système 100. Dans une forme de réalisation, le bras en C 110 et/ou la source 120 et/ou le détecteur 130 sur le bras en C 110 peuvent être déplacés dans n'importe quel plan ou non déplacés pour placer l'objet à l'isocentre virtuel dans le champ de vision du détecteur 130. La mesure de la distance modifiée du détecteur à l'objet et/ou de la source à l'objet permet au processeur 160 d'image de compenser le changement de distance et donc le changement de grossissement. Le module de poursuite 170 peut utiliser des données fournies par le détecteur EM 140 et par l'émetteur EM 150 ou un a itre dispositif de poursuite afin de suivre la distance du détecteur à l'objet. Selon une autre possibilité, le détecteur EM 140 ou l'émetteur EM 150 peut être monté sur la source 120, l'émetteur EM 150 ou le détecteur EM 140 étant sur l'objet pour déterminer la position de la source 120. La position de la source 120 de rayons X peut être enregistrée et utilisée avec la distance de la source au détecteur pour déterminer et justifier le changement de grossissement. Le module de poursuite 170 peut contrôler une position d'un instrument ou d'un outil utilisé, par exemple, pendant une procédure diagnostique ou chirurgicale. Le module de poursuite 170 contrôle une position de l'objet 112, du détecteur 130 de rayons X et/ou de la source 120 de rayons X dans le système 100. Le module de poursuite 170 peut produire des données de position dans un système de coordonnées de référence par rapport à l'objet 112, à la source 120 et/ou au détecteur 130. Le processeur 160 d'image utilise les données de position lors du traitement des données d'image pour reconstruire des images en deux dimensions et/ou en trois dimensions. Les données de position peuvent également servir à d'autres fins, par exemple pour une navigation chirurgicale. Dans une forme de réalisation, le module de poursuite 170 calcule en continu les positions du détecteur 130 de rayons X et de l'objet 112 d'après un système de coordonnées défini par rapport à un point de référence ou un axe central du système de coordonnées. Dans au moins une forme de réalisation, le processeur 160 d'image produil des instructions de commande ou de déclenchement pour la source 120 de rayons X ou le dispositif de commande de la source pour analyser l'objet d'après des données (le position. Dans au moins une forme de réalisation, le processeur 160 d'image recueille une série d'expositions d'images à partir du détecteur 130 lorsque le bras en C 110 se déplace. Le détecteur 130 reçoit une exposition d'image chaque fois que la source 120 de rayons X est déclenchée. Le processeur 160 d'image combine des expositions d'images avec des données de référence, en reconstruisant par exemple un ensemble de données volumétriques en trois dimensions. L'ensemble de données volumétriques en trois dimensions peut servir à produire des images telles que des tranches ou une région intéressante de l'objet. Par exemple, le processeur 160 d'im Dans une ou plusieurs formes de réalisation, une reconstruction d'images en trois dimensions peut être effectuée en combinant des tranches ou des plans successifs analysés de l'objet 112, par exemple à l'aide d'un faisceau en éventail. Une reconstruction d'images en trois dimensions peut également être réalisée en faisant tourner la source 120 et le détecteur 130 autour de l'objet 112 pour obtenir des projections de faisceaux coniques ou en deux dimensions de l'objet. Dans une projection de faisceaux coniques, l'objet peut être éclairé à l'aile d'une source ponctuelle et le flux de rayons X est mesuré dans un plan par le détecteur 130. La distance de l'objet 112 au détecteur 130 et la distance de l'objet 112 à la source 120 peuvent servir à déterminer des projections parallèles pour la reconstruction d'images. La rétroprojection filtrée peut également servir à reconstrure une image en trois dimensions à partir d'un filtrage et d'une rétroprojection d'un plan dans un faisceau conique. Lors d'une rétroprojection filtrée, des projections individuelles de faisceaux en éventail ou de faisceaux coniques sont analysées et combinées pour former une image reconstruite en trois dimensions. Les faisceaux en éventail sont inclinés hors d'un plan de rotation de la source/du détecteur pour une analyse selon un nouveau système de coordonnées pour la rétroprojection filtrée. Les données de projection sont pondérées d'après la distance et subissent une convolution. Ensuite, les données pondérées à convolution sont rétroprojetées sur une grille de reconstruction en trois dimensions pour reconstruire une image en trois dimensions. Après que l'image/les images ont été reconstruites, le processeur 160 d'images peut transmettre l'image/les images au dispositif de sortie 190. Il est envisagé que le dispositif de sortie 190 puisse par exemple être constitué par un écran, une imprimante, un système de télécopie, un système de courrier électronique, une unité de mémoire ou autre support. L'image/les images peuvcnt être affichées et/ou mémorisées par l'intermédiaire du dispositif de sortie 190 pour être utilisées par un utilisateur tel qu'un technicien, un médecin, un chirurgien, un autre professionnel de la santé ou un agent de sécurité. Il est en outre envisagé que, dans au moins une forme de réalisation, le dispositif de sortie 190 peut être constitué par un ordinateur 1 o portable, un ANP, un téléphone cellulaire ou autre dispositif radioélectrique communiquant sans fil avec l'ordinateur 160 de traitement d'images. En fonctionnement, par exemple, une zone médiane de la colonne vertébrale d'un patient peut être examinée dans le système 100. Lorsque le patient est installé sur une table telle que le système d'installation 180, le bras en C 110 ne peut pas atteindre tous les points d'une exploration de la partie médiane de la colonne vertébrale. Par conséquent, le bras en C 110 peut être déplacé et positionné latéralement. Comme le bras en C 110 est mobile d'une façon non circulaire, la colonne vertébrale ne peut pas rester centrée sur les images d'exploration, car le trajet du bras en C 110 ne peut pas être circulaire. Le bras en C 110 peut être déplacé, par exemple en levant et en abaissant le bras en C 110 sur un support de bras en C afin de maintenir la colonne vertébrale au centre (par exemple un isocentre virtuel). Comme le bras en C 110 bouge et que la colonne vertébrale ne bouge pas, la colonne vertébrale est située plus près ou plus loin de la source 120 de rayons X. Ainsi, les images obtenues ont un grossissement différent du début à la fin (par exemple, cinq niveaux vertébraux sur une première image et trois niveaux vertébraux sur une dernière image en raison d'un plus fort grossissement), puisque le bras en C 110 se déplace sur un arc non circulaire. Un changement de grossissement peut être déterminé parce que la position du détecteur 130 par rapport à l'objet à examiner est mesurée par le module de poursuite 170 à l'aide de l'émetteur 150 et du détecteur 140 EM, par exemple. Ensuite, le changement de grossissement est pris en compte pendant la reconstruction d'une image d'un volume en trois dimensions de la zone médiane de la colonne vertébrale. Au lieu d'utiliser une distanc e fixe dans des algorithmes classiques de reconstruction d'images, les valeurs de distance variable servent lors des calculs de reconstruction pour l'image/les images. La Fig. 2 représente une vue partiellement écorchée d'une mise en oeuvre d'un détecteur de rayons X selon la technique antérieure (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) désigné globalement par le repère 200, qui peut être utilisé dans un système d'imagerie médicale semblable à celui illustré s ar la Fig. 1 (par exemple, le détecteur 130 de rayons X). Dans la forme de réalisation illustrée, le détecteur 200 à écran plat comprend un écran plat 212, un substrat 214 et un système électronique de lecture 216 (par exemple un système électronique de lecture hors carte) qui est électriquement connecté à une commande (non représentée) de détecteur à écran plat. Dans la forme de réalisation illustrée, l'écran plat 212 comprend une matrice 218 de pixels (par exemple une matrice de pixels à TCM/diodes à semi-conducteurs) formée sur un matériau 220 de convertisseur de rayons X et un ou plusieurs contacts tactiles 222 de bords cons us pour coupler électriquement au moins l'écran plat au système électronique de lecture 216. Il est envisagé que le détecteur 200 de rayons X puisse être affecté par des champs parasites (par exemple des champs électriques et/ou magnétiques). La Fig. 2 représente une pluralité de lignes 230 de champs électromagnétiques à fréquence donnée passant par le détecteur 200 de rayons X. Il est envisagé que les lignes 230 de champs magnétiques puissent provoquer des parasites de signaux au moins sur les lignes 232 de données. En particulier, les lignes de force 230 des champs électromagnétiques peuvent passer par la boucle de circuit de la dicde à TCM, et/ou la ligne de données et/ou le convertisseur analogiquenumérique et/ou la ligne de retour à la terre du détecteur 200 de rayons X. Cela peut à son tour amener un courant à passer au moins par la boucle de circuit, ce phénomène étant numérisé par le détecteur sous la forme de parasites à structure sans corrélation. La Fig. 3 représente une vue en plan d'un groupe, désigné globalement par le repère 300, comprenant une pluralité de pixels 310 de détecteur, formant une grille. La Fig. 3 représente quatre pixels 310, cependant un nombre différent de pixels 310 est envisagé. Dans la forme de réalisation illustrée, chaque pixel 310 de détecteur comporte une photodiode 312 comportant un commutateu- 314 à transistor (par exemple un TCM-TEC), le commutateur 314 à transistor permettant un multiplexage efficace de la matrice de pixels. Dans une forme de réalisation, le groupe 300 comporte en outre une pluralité de lignes de balayage 316 et de lignes de données 318. Dans au moins une forme de réalisation, au moins une ligne de balayage 316 est au contact d'au moins une ligne de données 318. Il est également envisagé que chaque ligne de balayage 316 puisse être au contact d'une pluralité de lignes 318 de données et/ou que chaque ligne 318 de données puisse être au contact d'une pluralité de lignes de balayage 316. Par ailleurs, au moins une des lignes de données 318 et une des lignes de balayage 316 sont couplées et communiquent avec au moins un pixel 310 dl; détecteur. Dans au moins une forme de réalisation, chaque pixel 310 de détecteur (comportant une photodiode 312 et un TCM-TEC 314) est couplé et communique avec au moins une des lignes de données 318 et une des lignes de balayage 316. La Fig. 4 est une représentation schématique d'une matrice de TCMphotodiodes désignée globalement par le repère 400 (par exemple utilisée dans un 1 o détecteur de rayons X à écran plat). Dans la forme de réalisation ill. istrée, la matrice 400 comprend une pluralité de lignes 418 de données et de lignes de balayage 416 de pixels 410 de détecteur. Dans la présente forme de réalisation, chaque pixel 410 de détecteur comporte un commutateur 414 à transistor (par exemple un TCM-TEC) couplé et communiquant avec au moins une ligne de balayage 416 et une ligne de données 418. En outre, le commutateur 414 est couplé et communique avec une photodiode 412 elle-même couplée et communiquant avec une électrode commune 420 de la diode. Dans une forme de réalisation, plusieurs des photodiodes 412 sont couplées et communiquent avec l'électrode commune 420 de la diod;. Comme illustré, les lignes 418 de données analogiques sont divisées de façon que chaque demi-ligne puisse être fixée à des convertisseurs analogiques-numériques (non représentés) hors carte. La division 422 de lignes c e données divise la matrice 400 en une première conversion A-N 424 ou conversion;upérieure et une deuxième conversion A-N 426 ou conversion inférieure. Comme illustré sur la Fig. 4, au moins une des conversion.; A-N supérieure et inférieure 424 et 426 comporte au moins une d'une pluralité de lignes de balayage et lignes de données 416 et 418. Dans la forme de réalisation illustrée, la première conversion A-N ou conversion supérieure 424 comprend une pluralité de lignes de balayage 416 au-dessus de la division 422 de lignes de données au contact d'une ou plusieurs des lignes de données 418. Dans une forme de réalisation, la conversion A- N supérieure 424 comprend des lignes de balayage N à N-N au contact des lignes de données K-K et formant un motif de grille avec les lignes de données K-K par l'intermédiaire de la ligne de données K+K, comme illustré. De même, la deuxième conversion A-N ou conversion inférieure 426 comprend la pluralité de lignes de balayage 416 sous la division 422 de lignes de 35 données au contact d'une ou plusieurs lignes 418 de données. Dans une forme de réalisation, la conversion A-N inférieure 426 comprend des lignes de balayage N+1 à N+N au contact des lignes de données K-K et formant un motif de grille avec les lignes K-K par l'intermédiaire des lignes de données K+K, comme illustré. La Fig. 5 illustre un exemple d'artefact d'image, désigné globalement par le repère 500, pouvant être créé par un champ parasite. Il est envisagé que l'artefact d'image créé 500 dépende, au moins partiellement, de l'intensité du champ induit et de la fréquence du champ parasite, des dimensions globales du détecteur et de l'orientation de celui-ci dans le champ. Comme illustré sur la Fig. 5, le motif de parasitage typique peut comporter une ou plusieurs barres horizontales 502 roulant dans la partie inférieure de l'image radiologique 504 apparaissant par transparence, laquelle peut en outre comporter au moins l'un des motifs circulaires et de forme de cathéter, respectivement 506 et 508. La Fig. 6 représente une vue en perspective partielleme it écorchée d'un détecteur de rayons X désigné globalement par le repère 600 (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) qui est protégé contre ou rédiit les effets des champs électriques et/ou magnétiques parasites selon certaines formes de réalisation. En particulier, la Fig. 6 représente une vue partiellement écorchée du détecteur de rayons X à écran plat utilisable avec un système d'imagerie 100 semblable à celui illustré sur la Fig. 1. Il est envisagé que le détecteur 600 de rayons X puisse être affecté par des champs électriques et/ou magnétiques, lorsque plusieurs lignes de champs électromagnétiques à fréquence donnée passent par le détecteur 600 de rayons X, en créant des parasites dans les signaux sur au moins les lignes de données. Cela risque à son tour d'amener un courant à passer par ce circuit, ce courant pouvant être numérisé sous la forme d'un parasite à structure sans corrélation Dans la forme de réalisation illustrée, le détecteur 600 à écran plat comprend une partie 612 d'écran ayant au moins un conducteur 640 de détection de champ apte à réduire localement les parasites électriques et/ou magnétiques dans le détecteur 600 de rayons X. Le détecteur 600 de rayons X compre id au moins une partie 612 d'écran ayant une pluralité de conducteurs 640 de détection de champ, une partie de conversion 616 (laquelle, dans au moins une forme de réal: sation, comporte un système de conversion analogique- numérique semblable à celui)roposé ci-après) et un ou plusieurs contacts tactiles 622 de bords connectant les parties de conversion et d'écran respectivement 616 et 612. Dans une forme de réalisatbn, la partie 612 d'écran comporte en outre un matériau de substrat 614, un matériau radiologique 620 et une matrice 618 de pixels formée sur le matériau radiologique 620. Au moins une forme de réalisation de la matrice 618 de pixels comporte au moins un TCM/photoélément 630 à semi-conducteurs (plusieurs TCM/photoélements 630 à semi-conducteurs sont illustrés). Dans la forme de réalisation illustrée sur la Fig. 6, chaque TCM/photoélement 630 à semi-conducteurs comporte une photodicde 632 ayant un commutateur 634 à transistors (par exemple un TCM-TEC), le commutateur 634 à transistors permettant un multiplexage efficace de la matrice 618 de pixels. Comme illustré, la partie 612 d'écran comporte en outre une pluralité de lignes de balayage 636 et de lignes de données 638. Dans au moins une forme de 1 o réalisation, au moins une ligne de balayage 636 est au contact d'au moins une ligne de données 638. Il est également envisagé que chaque ligne de balayage 636 puisse être au contact de plusieurs lignes de données 638 et/ou que chaque Ligne de données 638 puisse être au contact d'une pluralité de lignes de balayage 636, en formant une grille. En outre, au moins une des lignes de données 638 et une des lignes de balayage 636 sont couplées et communiquent avec au moins un pixel 630 du détecteur. Dans au moins une forme de réalisation, chaque pixel 630 du détecteur (comportant une photodiode 632 et un TCM-TEC 634) est couplé et communique avec au moins une des lignes de données 638 et des lignes de balayage 636. Une forme de réalisation comprend un détecteur 600 de rayons X avec un ou plusieurs conducteurs 640 de détection de champ dans la même orientation qu'au moins une des lignes de données 638. Le nombre et l'espacement des conducteurs de détection de champ sont déterminés, au moins en partie, par le champ parasite comme proposé ci-après. Il est envisagé que, dans au moins une forme de réalisation, les conducteurs 640 de détection de champ puissent être orientés dans la direction des lignes de balayage 636, ainsi que dans la direction des lignes de données 638. Le champ parasite est échantillonné localement par un ou plusieurs de ces conducteurs 640, lequel/lesquels, dans au moins une forme de réalisation a/ont sensiblement la même valeur de résistance et de capacité qu'au moins une des lignes,le données 638. La Fig. 7 est une représentation schématique d'un système ou module de conversion analogique-numérique désigné globalement par le repère 700, utilisé avec un détecteur de rayons X (semblable à celui représenté sur la Fig. 6) selon certaines formes de réalisation. Dans la présente forme de réalisation, le système de conversion analogique-numérique 700 comprend un module de conversion analogique-numérique 702 et un module de préamplification différentielle 704 conçus pour soustraire les parasites détectés par au moins un des conducteurs de détection de champ (semblables aux conducteurs de détection de champ proposés plus haut en référence à la Fig. 6). Bien que le module illustré comprenne une conversion A-N du type à intégration, n'importe quelle architecture de convertisseur est envisagée. Par exemple, le champ parasite peut être détecté et numérisé séparément, puis soustrait d'un échantillon de valeur de pixel par traitement numérique. Dans la forme de réalisation illustrée, l'amplitude/intensité du champ parasite est détectée et soustraite, avant conversion, dans le premier étage analogique. L'amplitude/intensité du champ parasite est soustraite à l'aide du module de préamplification/intégration différentielle 704 (le module de préamplification/intégration différentielle 704 comportant un amplificateur opérationnel 706 et un condensateur 708). Dans au moins une forme de réalisation, le module de préamplification/intégration différentielle 704 a, comme entrées, des lignes de détection 710 de données et de champs. La sortie du module de préamplification/intégration différentielle 704 est couplée à i: n amplificateur intégrateur DSAmp 712 par l'intermédiaire d'un condensateur 71] (l'amplificateur intégrateur DSAmp 712 comprenant un amplificateur opérationnel 713 et un condensateur 715). Dans la présente forme de réalisation, le module de conversion A-N 702 comprend en outre la sortie de l'amplificateur intégrateur DSAmp 712 couplée et communiquant avec le comparateur 714. Un amplificateur 716 plage réglable, ayant en entrée un convertisseur numérique-analogique à intégration 708, a une sortie couplée au comparateur 714. Le comparateur 714 est en outre couplé à un compteur 720 et à une bascule de verrouillage 722 ayant une sortie 724 à grande vitesse. Considérant la Fig. 8, il y est représenté un organigramme de niveau élevé illustrant un procédé de programmation d'un détecteur de rayons X, désigné globalement par le repère 800 (par exemple un détecteur de rayon;; X à écran plat) qui élimine ou réduit les effets d'un champ EM parasite. Dans au mc ins une forme de réalisation, une intensité d'un champ électronique et/ou magnétique peut être localement échantillonnée (dans la même orientation que l'écran plat du détecteur de rayons X, par exemple) et soustraite de chaque échantillon individuel respectif. Dans la forme de réalisation illustrée, le procédé 800 comprend le bloc 810, dans lequel l'espacement géométrique et/ou le nombre total de conducteurs de détection de champ sont déterminés d'après, au moins partiellement, le champ électrique et/ou magnétique parasite. Le procédé 800 comprend en outre le bloc 820, formant au moins un détecteur de rayons X (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) ayant le nombre déterminé de conducteurs de détection de champ et l'espacement déterminé. La Fig. 9 représente en détail un organigramme illustrant un procédé, désigné globalement par le repère 900, consistant à former un détecteur de rayons X (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) qui réduit ou elimine les effets d'un champ électromagnétique parasite. Le procédé 900 comprend l'étape 910, consistant à déterminer une fréquence la plus élevée du champ parasite qui provoque un bruit détectable. Dans au moins une forme de réalisation, le procédé peut comporter la détermination du champ parasite qui provoque le bruit détectable, puis la détermination de la fréquence la plus élevée de ce champ. Le bloc 912 comporte au moins l'espacement géométrique et/ou le nombre total de conducteurs de détection de champ, déterminé au moins partiellement d'après la fréquence la plus élevée du champ parasite. Dans une forme de réalisation, le nombre total de conducteurs de détection de champ et leur espacement sont déterminés. Le procédé 900 comprend en outre, 920, la formation d'au moins un détecteur de rayons X ayant ce nombre déterminé de conducteurs de détection de champ et cet espacement déterminé. Considérant la Fig. 10, il y est représenté un organigramme de niveau élevé illustrant un procédé, désigné globalement par le repère 1000, d'utilisation d'un détecteur de rayons X (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) servant dans un système d'imagerie (semblable à celui précédemment proposé). Dans au moins une forme de réalisation, le détecteur de rayons X réduit ou elimine les effets du champ électrique et/ou magnétique parasite. Le procédé 1000 comprend un bloc 1010 d'échantillonnage d'au moins un champ parasite. Dans au moins une forme de réalisation, le champ électrique et/ou magnétique parasite est localement échantillonné (dans la même orientation que l'écran plat du détecteur de rayons X, par exemple). Des formes de réalisation du procédé 1000 comprenlent en outre un bloc 1020, où l'intensité du champ parasite est soustraite. L'ampli:ude/intensité du champ parasite est soustraite dans un étage de préamplification du système électronique de conversion du détecteur de rayons X. Il est également envisagé que l'amplitude/intensité du champ parasite puisse être numérisée, puis soustraite par traitement numérique. Le procédé 1000 comprend en outre un bloc 1030, délivrant au moins un échantillon. La Fig. 11 représente en détail un organigramme illustrant un procédé, désigné globalement par le repère 1100, d'utilisation d'un détecteur le rayons X (par exemple un détecteur de rayons X à écran plat) servant dans un système d'imagerie (semblable à celui proposé précédemment). Dans au moins une forme de réalisation, le détecteur de rayons X réduit ou supprime les effets du champ électrique et/ou magnétique parasite. Le procédé 1100 comprend un bloc 1110 d'échantillonnage local d'un champ parasite à l'aide d'au moins un conducteur de détection de champ. Dans au moins une forme de réalisation, le champ électrique et/ou magnétique parasite est localement échantillonné (dans la même orientation qi: e l'écran plat du détecteur de rayons X, par exemple). Des formes de réalisation comprennent un bloc 1112 de détermination de l'intensité du champ parasite et un bloc 1 120 dans lequel l'intensité du champ échantillon est soustraite de chaque échantillon respectif. L'amplitude/l'intensité du champ parasite est soustraite dan: un étage de préamplification du système électronique de conversion du détecteur de rayons X. Il est également envisagé que l'amplitude/l'intensité du champ par rsite puisse être numérisée, puis soustraite par traitement numérique. Ce procédé 1100 peut comprendre en outre un bloc 1130 consistant à délivrer au moins un échantillon à champ électrique et/ou magnétique réduit ou supprimé. LISTE DES REPERES Système d'imagerie Rayons X Bras en C Objet ou patient Source de rayons X Détecteur de rayons X Détecteur EM Emetteur EM Ordinateur de traitement d'image Module de poursuite Dispositif d'installation Sortie Détecteur de rayons X Ecran plat Matériau de substrat Système électronique de lecture Matrice de pixels Matériau de conversion de rayons X Contacts tactiles de bord Lignes de champs électromagnétiques Lignes de données Groupe Pixels de détecteur Photodiode Commutateur à transistor ou TEC Lignes de balayage 30 Lignes de données Matrice de TCM-photodiodes Pixels du détecteur Photodiode Commutateur à transistor Lignes de balayage Lignes de données 418 Electrode commune de diode 420 Division de lignes de données 422 Conversion A-N supérieure 424 Conversion A-N inférieure 426 Artefact d'image créé 500 Barres horizontales ou bruit à structure 502 Image radiographique par transparence 504 Motifs d'anatomie pour cathéters 508 Détecteur de rayons X 600 Partie d'écran 612 Matériau de substrat 614 Système électronique de conversion analogique-numérique 616 Matrice de pixels de TCM/diode à semi-conducteurs 618 Matériau du convertisseur de rayons X 620 Contacts tactiles de bord 622 Elément à TCM/photodiode 630 Photodiode 632 Commutateur à transistors 634 Lignes de balayage 636 Lignes de données 638 Conducteur de détection de champ 640 Système de conversion analogique-numérique 700 Module de conversion analogique-numérique 702 Module de préamplification différentielle 704 Amplificateur opérationnel 706 Condensateur 708 Ligne de données, ligne de détection de champ 710 Condensateur 711 Amplificateur intégrateur DSAmp 712 Amplificateur opérationnel 713 Comparateur 714 Condensateur 715 Amplificateur à intervalle réglable 716 CNA à intégration 718 Compteur 720 Bascule de verrouillage 722 Sortie à grande vitesse 724 Procédé de programmation/formation de détecteur de rayons X selon la Fig. 8 800 Détermination de l'espacement géométrique et/ou du nombre total de conducteurs de détection de champ 810 Former au moins un détecteur de rayons X ayant le nombre prédéterminé de conducteurs de détection de champ 820 Procédé selon la Fig. 9 pour former un détecteur de rayons X 900 Déterminer la fréquence la plus élevée du champ parasite provoquant un bruit détectable 910 Déterminer l'espacement géométrique et/ou le nombre total de conducteurs de détection de champ 912 Former au moins un détecteur de rayons X ayant le nombre déterminé de conducteurs de détection de champ 920 Procédé selon la Fig. 10 pour utiliser un détecteur de rayons X 1000 Echantillonner un champ parasite 1010 Soustraire le champ parasite d'intensité 1020 Délivrer au moins un échantillon 1030 Procédé selon la Fig. 11 d'utilisation d'un détecteur de rayons X 1100 Echantillonner un champ parasite 1110 Déterminer l'intensité du champ parasite 1112 Soustraire l'intensité du champ parasite 1120 Délivrer au moins un échantillon 1130 REVENDICATIONS 1. Procédé (1000, 1100) pour réduire les parasites électromagnétiques créés dans un détecteur de rayons X, comprenant les étapes consistant à : échantillonner localement (1010, 1110) un champ parasite dans le détecteur de rayons X; soustraire (1020, 1120) une intensité dudit champ parasite échantillonné d'au moins un échantillon individuel; et délivrer (1030, 1130) au moins un échantillon indivicuel à parasites 10 électromagnétiques réduits. 2. Procédé (1000, 1100) selon la revendication 1, comprenant l'étape consistant à échantillonner (1010, 1110) ledit champ parasite à l'aide d'au moins un conducteur (640) de détection de champ formé dans le détecteur (600) de rayons X. 3. Procédé (1000, 1100) selon la revendication 1, dans lequel ledit champ 15 parasite est échantillonné dans une même orientation que le dét.cteur (600) de rayons X. 4. Procédé (1000, 1100) selon la revendication 1, comprenant l'étape consistant à soustraire (1020, 1120) de chaque échantillon individue respectif ladite intensité dudit champ parasite échantillonné. 5. Procédé (800, 900) de formation d'un détecteur de rayons X utilisé dans un système d'imagerie médicale, comprenant les étapes consistant à : déterminer (810, 912) un nombre de conducteurs (640) de détection de champ et/ou un espacement desdits conducteurs (640) de détection de champ au moins partiellement d'après un champ parasite; et former (820, 920) le détecteur de rayons X ayant ledit nombre prédéterminé de conducteurs (640) de détection de champ et ledit espacement déterminé. 6. Procédé (800, 900) selon la revendication 5, comprenant l' (tape consistant à déterminer (910) la fréquence la plus élevée dudit champ parasite. 7. Procédé (800, 900) selon la revendication 6, comprenant l',tape consistant à espacer lesdits conducteurs de détection (640) d'un minimum d'environ un quart de longueur d'onde de ladite fréquence la plus élevée dudit champ parasile. 8. Détecteur (600) de rayons X utilisé dans un système d'imagerie médicale (100), le détecteur (600) de rayons X comprenant: une partie de panneau (612) ayant au moins un conducteur (640) de détection de champ, ledit conducteur (640) de détection de champ échantillonnant localement un champ parasite dans le détecteur (600) de rayons X; au moins un contact tactile (622) de bord couplé à au moins une partie de 5 ladite partie (612) d'écran; et une partie (628) de système électronique de lecture couplÉ e à au moins un desdits contacts tactiles (622) de bords et apte à soustraire ledit champ parasite échantillonné. 9. Détecteur (600) de rayons X selon la revendication 8, comprenant en 10 outre une pluralité de conducteurs (640) de détection de champ. 10. Détecteur (600) de rayons X selon la revendication 9, dans lequel au moins un desdits conducteurs (640) de détection de champ est espacé d'au moins environ un quart de longueur d'onde d'une fréquence la plus élevée dudit champ parasite échantillonné par rapport à un autre desdits conducteurs (640) de détection de champ.