Brevet FR2872343A1 — publié le 20051230

L'objet de l'invention est un substrat semi-conducteur comprenant une tranche substrat et une couche constituée par une matière semi-conductrice monocristalline, ainsi qu'un procédé pour la préparation du substrat semiconducteur et, en cours de formation, un produit intermédiaire. On connaît, dans l'état de la technique, des tranches en tant que précurseurs pour la préparation de composants électroniques, qui présentent une mince couche de matière semi-conductrice sur un substrat isolant électriquement. En variante, la mince couche semi-conductrice peut être séparée par une couche isolante électriquement d'un substrat constitué également par une matière semi-conductrice. Si la matière semiconductrice de la couche mince est le silicium, on parle alors de tranches SOI ("silicon on insulator", pour "Silicium sur Isolant"). On connaît aussi plusieurs procédés pour la préparation de telles tranches. Dans la plupart des procédés connus, on produit directement, sous la surface d'une tranche semi-conductrice (de la tranche dite donatrice), une couche de séparation, par exemple une couche renfermant des espaces vides. La tranche donatrice ainsi préparée est reliée à une seconde tranche, la tranche substrat. Ensuite, on clive la tranche donatrice le long de la couche de séparation. De cette façon, on transfère une couche de la tranche donatrice à la tranche substrat. Le fascicule de brevet WO03/003430A2 décrit un procédé dans lequel on transfère une couche mince de matière semi-conductrice d'une tranche donatrice à une tranche substrat. Sur le côté de la tranche donatrice prévu pour le transfert, on prépare d'abord des structures de creux de géométrie prédéterminée, qui se répètent périodiquement. Ensuite, par un traitement thermique, ces creux sont fermés superficiellement, de sorte qu'il se forme une couche comprenant des espaces vides à répétition périodique sous une couche fermée à la surface de la matière. La tranche donatrice ainsi préparée est fixée à une tranche substrat. Ensuite, par exemple par un traitement thermique ultérieur, on clive la tranche donatrice le long de la couche qui renferme les espaces vides. Le procédé décrit comprend un grand nombre d'étapes et il est donc relativement coûteux. Par ailleurs, le procédé ne permet pas, selon l'état de la technique, de transférer des couches minces d'une épaisseur quelconque, car l'épaisseur de la couche est limitée par la lithographie employée pour la formation des creux. Afin d'obtenir des couches très minces d'une épaisseur, par exemple, inférieure à 10 nm, il est nécessaire de transférer une couche plus épaisse, par exemple une couche épaisse de 50 nm, à la tranche substrat, et ensuite de réduire l'épaisseur de couche au moyen de mesures appropriées, comme décrit par le fascicule de brevet WO03/003430 A2. Par exemple, on peut transférer une couche d'une épaisseur de couche moyenne de 100 nm et avec un écart type de 5 % par rapport à l'épaisseur de couche moyenne. Cela signifie que jusqu'à 32 % de la superficie présente un écart de 5 % (c'est-à-dire de 5 nm) ou plus, et 0,3 % de la superficie présentent même un écart de 15 % (c'est-à-dire de 15 nm) ou plus, par rapport à l'épaisseur moyenne de la couche. Si finalement on réduit à 15 nm l'épaisseur de la couche transférée, l'écart type de 5 % présent après le transfert et la séparation conduit au fait que, statistiquement, la couche de matière semi-conductrice transférée est complètement éliminée sur environ 0,15 % de la superficie. Pour une tranche de 300 mm de diamètre et 707 cm2 de superficie, la couche de matière semi- conductrice est ainsi complètement éliminée sur une superficie d'environ 1 cm2. Ces domaines sont décelables en tant que défauts HF. Si l'on effectuer selon l'art et le mode décrits, une forte réduction de l'épaisseur d'une couche semi-conductrice transférée, l'homogénéité de l'épaisseur de couche présente après le transfert et la séparation se reflète directement sur la densité des défauts HF après la réduction de l'épaisseur. De plus, la réduction de l'épaisseur à l'aide de procédés classiques provoque plutôt une tendance à la dégradation de l'homogénéité absolue de l'épaisseur de couche, de sorte que, pour les épaisseurs finales très faibles, la densité des défauts HF augmente une fois de plus. Par conséquent, le problème à la base de l'invention peut s'énoncer en termes de fourniture d'une structure stratifiée présentant une couche semi-conductrice ultra-mince et, en même temps, une très faible densité de défauts HF. Le problème est résolu à l'aide d'un procédé de préparation d'un substrat semi-conducteur comprenant une tranche substrat et une couche de matière semi-conductrice monocristalline sur un côté de la tranche substrat, le procédé comprenant les étapes suivantes dans l'ordre indiqué : a) préparation d'une couche renfermant des creux sur la surface d'une tranche donatrice constituée par la matière semi-conductrice monocristalline, b) fixation de la couche renfermant les creux de la tranche donatrice à la tranche substrat, c) traitement thermique pour la fermeture des creux sur une interface entre la tranche substrat et la tranche donatrice, de sorte qu'il se forme une couche d'espaces vides dans la tranche donatrice, et d) clivage de la tranche donatrice le long de la couche d'espaces vides, de sorte qu'on obtienne une couche constituée par la matière semi-conductrice sur la tranche substrat. L'invention est expliquée en détail ci-après à 5 l'aide du dessin annexé, sur lequel: - les figures 1, 2, 3, 4 et 5 montrent schématiquement le transfert conforme à l'invention d'une couche mince d'une matière semi-conductrice d'une tranche donatrice à une tranche substrat, et - les figures 6, 7, 8, 9 et 10 montrent schématiquement le transfert conforme à l'invention d'une couche mince d'une matière semi-conductrice d'une tranche donatrice à une tranche substrat, de plus la tranche substrat porte sur une face, une couche supplémentaire qui est fixée à la couche renfermant les creux de la tranche donatrice. Conformément à l'invention, on prépare d'abord à l'étape a) (figures 1 + 6) la tranche donatrice 1 constituée par la matière semi-conductrice voulue, en préparant, sur une de ses faces, une couche renfermant des creux 3. Les creux 3 peuvent être formés de manière régulière ou irrégulière. On peut les préparer, par exemple, par lithographie et gravure de tranches (voir par exemple WO03/003430 A2) ou par gravure anodique (voir par exemple EP 553852 El). Ensuite la tranche donatrice 1 est fixée à l'étape b) (figures 2 + 7) à une tranche substrat 2 de façon telle que la couche comprenant les creux 3 soit située entre les deux tranches reliées. De cette façon, dans le procédé conforme à l'invention, contrairement à l'état de la technique, une couche renfermant des creux 3 est fixée directement à une tranche substrat 2. Dans le cas où la tranche substrat 2, comme le représentent les figures 6 à 10, porte une couche supplémentaire 9, la tranche donatrice 1 est fixée à la couche supplémentaire 9. Lorsque la tranche substrat 2 est une tranche semi-conductrice, la couche supplémentaire 9 peut être, par exemple, une couche isolante, par exemple un oxyde de la matière semi-conductrice. Dans ce cas, on peut préparer, à l'aide du procédé conforme à l'invention, une tranche SOI, lorsqu'on utilise une tranche de silicium en tant que tranche donatrice 1. A l'étape c) (figures 3, 4 et 8, 9), les tranches reliées sont soumises à un traitement thermique à une température appropriée. La température dépend de la matière qui constitue la tranche donatrice 1. La température doit être suffisamment élevée pour qu'une mobilité suffisante des atomes de la tranche donatrice 1 à l'interface 4 soit garantie. Si la tranche donatrice 1 est en silicium, le traitement thermique est mis en uvre de préférence à une température dans le domaine compris entre 500 C et le point de fusion du silicium. De manière particulièrement préférée, le traitement thermique est mis en uvre à une température comprise entre 900 C et 1100 C. Le traitement thermique peut être mis en oeuvre, par exemple, sous une atmosphère hydrogénée. Par le traitement thermique, on augmente, si nécessaire, la résistance de la liaison à l'interface 4 des tranches reliées. Mais, en premier lieu, les creux 3, à l'interface 4 entre la tranche donatrice 1 et la tranche substrat 2, sont fermés par diffusion superficielle des atomes de la matière semi-conductrice, de sorte qu'il se forme des espaces vides fermés 6, qui se trouvent complètement à l'intérieur de la tranche donatrice 1 et ne sont plus directement limitrophes de la tranche substrat 2 ou de la couche supplémentaire 9 de la tranche substrat 2. Suite à la diffusion superficielle excitée par le traitement thermique, les creux 3 commencent à se rétrécir dans la région de l'interface 4 pour, finalement, se fermer complètement en formant des espaces vides 6. Ce faisant, la forme des creux 3 ou des espaces vides 6 demeure pratiquement identique. Il se forme, au cours du traitement thermique à l'interface 4, une couche continue 7 constituée par la matière semi-conductrice de la couche donatrice 1. Après le traitement thermique, les tranches reliées présentent la structure suivante: à la tranche substrat 2 (ou la couche supplémentaire 9) est associée une mince couche continue monocristalline 7 de la matière semi-conductrice, suivie de la couche obtenue renfermant des espaces vides 6 et à celle-ci, de nouveau, le reste 5 de la tranche donatrice. Ensuite on clive cette structure à l'étape d) (figures 5 + 10) le long de la couche obtenue renfermant les espaces vides 6, de sorte qu'on n'obtienne qu'une couche mince 8 de la matière semi-conductrice sur la tranche substrat 2. Le clivage peut être réalisé sous l'action d'une force mécanique, par exemple en utilisant un jet de gaz, un jet liquide, un coin, par sollicitations sous pliage ou autres mesures appropriées, qui peuvent également être combinées. De préférence, on obtient le clivage par un traitement thermique ultérieur. Directement après la fermeture de la surface à l'étape c), c'est-à-dire dès qu'il se forme une couche continue, mince, épaisse de quelques couches atomiques 7, les espaces vides 6 commencent par réduire leur surface interne suite à des efforts de minimisation de l'énergie et, par conséquent, tendent à adopter une forme sphérique. Par élargissement, les espaces vides 6 se relient entre eux et finalement séparent la couche monocristalline mince 7, 8 du reste 5 de la tranche donatrice. Les conditions de ce traitement thermique ultérieur correspondent de préférence à celles de l'étape c), car ce sont les mêmes mécanismes de diffusion superficielle qui sont utilisés. Les étapes c) et d) sont effectuées ensemble en tant que traitement thermique continu. L'invention concerne aussi un substrat semi- conducteur comprenant une tranche substrat 2 et une tranche donatrice 1 en une matière semi-conductrice monocristalline, caractérisé en ce que la tranche donatrice 1 est reliée à la tranche substrat 2 par l'intermédiaire d'une couche renfermant des creux 3 sur sa surface. Ce substrat semi-conducteur se forme en tant que produit intermédiaire à l'étape b) du procédé conforme à l'invention, c'est-à-dire lors de la fixation de la couche comprenant les creux 3 de la tranche donatrice 1 à la tranche substrat 2. Il est constitué par une succession de plusieurs couches et est caractérisé par une interface interne 4, de préférence plane, le long de laquelle existe une couche présentant des espaces vides fermés. Ces espaces vides sont disposés de façon telle qu'ils touchent, sur un côté, l'interface interne 4 et, de ce fait, les parois des espaces vides sont constituées par les deux matières, qui sont séparées par l'interface 4. L'invention concerne aussi un substrat semi- conducteur comprenant une tranche substrat 2 et une couche 8 constituée par une matière semi-conductrice monocristalline, caractérisé en ce que la couche 8 présente une épaisseur de 100 nm ou moins, une homogénéité de l'épaisseur de couche de 5 % ou moins et une densité de défauts HF de 0, 02/cm2 ou moins. En particulier, l'invention concerne un tel substrat semi-conducteur qui présente une couche 8 constituée par une matière semi-conductrice monocristalline d'une épaisseur plus faible, plus précisément de 80 nm ou moins, de préférence de 50 nm ou moins, et de manière particulièrement préférée de 20 nm ou moins, ainsi que les propriétés indiquées dans le paragraphe précédent. Dans ce contexte, l'expression "uniformité de l'épaisseur de couche" est équivalente à la valeur 6a, c'est-à-dire au sextuple de l'écart type. Le substrat semi-conducteur conforme à l'invention, que l'on peut préparer à l'aide du procédé conforme à l'invention, est caractérisé par une couche de matière semi-conductrice très mince 8 avec une bonne homogénéité de l'épaisseur de couche et une très faible densité de défauts HF. La densité maximale de défauts HF du substrat semi-conducteur conforme à l'invention ne s'élève qu'à 20 % de la valeur de 0,l/cm2 atteinte dans le fascicule de brevet WO03/003430 A2. La très faible densité de défauts conduit à un rendement très élevé dans la préparation de composants, la bonne homogénéité de l'épaisseur de couche provoque de bonnes propriétés homogènes de transistor, comme par exemple une tension de coupure. Par conséquent, le substrat semi-conducteur est parfaitement approprié pour la préparation de composants électroniques exigeants. La liaison d'une surface renfermant des creux à une tranche substrat, combinée avec la mise à profit de la diffusion superficielle et de l'effort tendant à minimiser l'énergie superficielle, et de ce fait minimiser la surface elle-même, est une approche entièrement nouvelle. Dans cette technologie, contrairement aux procédés connus pour la préparation de tranches SOI, aucune couche monocristalline avec une épaisseur constante, prédéfinie, n'est fixée à une tranche substrat. Dans le procédé conforme à l'invention, une couche fermée n'est formée qu'après la fixation à la tranche substrat. La présente invention fournit un procédé relativement simple qui comprend, par rapport au fascicule de brevet WO03/003430 A2, un nombre réduit d'étapes de procédé. Etant donné que le déroulement de procédé est plus simple, ce procédé est plus économique et plus facile à maîtriser et, par conséquent, le nombre de sources de défauts est réduit. Le procédé décrit par le fascicule de brevet WO03/003430 A2 permet de transférer une couche d'une épaisseur qui n'est pas essentiellement inférieure à 50 nm, car l'épaisseur de la couche transférée est limitée par la lithographie. On peut transférer, à l'aide du procédé conforme à l'invention, des couches nettement plus minces, car les atomes dans la région de la surface pourvue de creux, qui seront directement liés à la tranche substrat, sont fixés, par la liaison à la tranche substrat, à leurs positions respectives et ne sont pas disponibles pour la diffusion superficielle. En revanche, les atomes peuvent diffuser, depuis les parois latérales et le fond des creux, le long de la surface des creux dans le sens de la tranche substrat. Par conséquent, les anciennes ouvertures des creux se ferment directement à l'interface en tranche substrat. Dans le traitement thermique ultérieur, les espaces vides oblongs nouvellement formés s'efforcent d'atteindre un état énergétique minimal, c'est-à-dire la forme sphérique. Ils croissent dans le sens de la largeur et se rétrécissent en profondeur. Par arrangement et par la taille des creux oblongs, on peut directement ajuster l'épaisseur de la couche après la séparation - de quelques nanomètres jusqu'à plusieurs micromètres. Les faibles diamètres et les faibles distances des creux conduisent à une faible épaisseur de la couche transférée, alors que les grandes dimensions et les distances plus grandes conduisent à des épaisseurs de couche plus importantes. En revanche, dans le procédé décrit par le fascicule de brevet WO03/003430 A2, même les atomes dans les domaines entre les ouvertures des creux, c'est-à-dire à la surface, qui est directement liée selon la présente invention à la tranche substrat, sont librement mobiles et sont donc disponibles pour la diffusion superficielle. Par conséquent, dans le fascicule de brevet WO03/003430 A2 également l'arête entre les creux et la surface s'arrondit, ce qui a pour conséquence, à son tour, que les creux ne se ferment pas exactement à la surface, mais à une certaine profondeur. Par conséquent, lors de la fermeture des creux, il se forme par dessus des espaces vides formés de "dépressions" peu profondes qui sont à nouveau remplies de matière au cours ultérieur du processus, ce qui conduit à une augmentation de l'épaisseur de couche. Etant donné que le procédé conforme à l'invention permet de transférer des couches très minces, on peut renoncer en partie ou entièrement aux étapes de traitement ultérieur, qui servent à la réduction de l'épaisseur de couche. Par conséquent, l'uniformité de l'épaisseur de couche (c'est-àdire, le sextuple de l'écart type de l'épaisseur de couche) ne dépend essentiellement que de l'homogénéité des diamètres des creux et pour cette raison se trouve dans le domaine de 5 % ou moins. La densité de défauts HF est très fortement influencée, notamment dans le cas de couches très minces, par exemple d'une épaisseur de 10 nm ou moins, par l'homogénéité de l'épaisseur de couche. C'est notamment le cas, comme déjà décrit ci-dessus, lorsqu'on transfère une couche plus épaisse et qu'ensuite on réduit l'épaisseur de couche. Etant donné que la présente invention permet de transférer des couches très minces, on peut renoncer en règle générale à une réduction ultérieure de l'épaisseur de couche. Etant donné que les couches transférées présentent en outre une très bonne homogénéité d'épaisseur de couche, la densité des défauts HF de 0,02/cm2 ou moins est très faible dans les substrats conformes à l'invention. Le procédé conforme à l'invention est approprié pour le transfert de couches. semi-conductrices monocristallines à n'importe quelle tranche substrat, dans la mesure où l'on peut obtenir une diffusion superficielle notable sur la matière semi-conductrice. Le transfert peut être favorisé par le fait que, avant la liaison des deux tranches à l'étape b), on dépose une couche polycristalline ou une couche amorphe épaisse de quelques couches d'atomes seulement sur la tranche substrat 2. Cette couche est constituée par une matière qui est identique à la matière semiconductrice à transférer ou renferme au moins un constituant de la de la matière à transférer. Le dépôt de la couche polycristalline ou amorphe est réalisé, par exemple, par déposition chimique en phase gazeuse, CVD (de l'anglais "Chemical Vapour Deposition"). Le procédé conforme à l'invention est approprié pour la préparation d'un grand nombre de produits: A) On prépare des substrats SOI, en utilisant une tranche de silicium monocristalline comme tranche donatrice 1 et, en tant que tranche substrat 2, une tranche constituée par une matière électriquement isolante telle que le verre ou le saphir. On peut aussi utiliser, en tant que tranche donatrice 2, une tranche semi-conductrice, par exemple une tranche de silicium polycristalline ou de préférence monocristalline, qui porte à sa surface une couche électriquement isolante 9 (voir figures 6 à 10), par exemple une couche d'oxyde de silicium. B) On prépare des substrats GeOI ("Germanium on Insulator") de la même façon que les substrats SOI (point A)), mais en utilisant, comme tranche donatrice 1, une tranche de germanium monocristalline. C) On prépare une couche de carbure de silicium sur un substrat quelconque, en utilisant, comme tranche donatrice 1, une tranche monocristalline constituée par du carbure de silicium. C) On prépare un substrat SGOI ("Silicon- Germanium on Insulator", pour "Silicium-Germanium sur Isolant"), en utilisant, comme tranche donatrice 1, une tranche de silicium qui porte, sur au moins une face une couche de silicium-germanium monocristalline de composition SiXGel_X (0 D) Afin de préparer un substrat sSOI ("Strained Silicon on Insulator", pour "Silicium tendu sur Isolant"), on dépose d'abord une couche de silicium- germanium monocristalline, sans tension, de composition SiXGel_X (0 EXEMPLE 1 Cet Exemple est relatif aux figures 6 à 10. A l'aide de lithographie et de gravure avec un faisceau ionique selon l'état de la technique, on a formé, dans la surface d'une tranche de silicium 1, des creux 3 périodiques à distance régulière à section transversale ronde. Les creux présentaient une profondeur de 3,5 m, un diamètre de 0,4 m et la distance du centre au centre des creux était de 0,8 m. Dans une étape ultérieure, une surface de silicium pourvue de creux a été reliée par soudage à une tranche de silicium 2 qui portait une couche d'oxyde de silicium 9. Pour ce faire, on a utilisé un agent de soudure disponible dans le commerce. Les tranches mutuellement reliées ont été soumises à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et de température maximale de 1100 C. Le traitement a été effectué sous une atmosphère d'argon à une pression de 0,1 MPa. Par ce traitement thermique, d'une part, la résistance de la liaison a augmenté entre les deux tranches, d'autre part, les creux 3 se sont fermés directement à l'interface 4 en couche d'oxyde de silicium 9 sur la tranche de silicium 2 et ont formé une mince couche de silicium monocristalline 7. Lors de la poursuite du traitement thermique, les espaces vides 6 nouvellement formés ont fusionné, de sorte qu'il s'est formé un espace vide continu entre la couche de silicium nouvellement formée 8 et le reste 5 de la tranche de silicium précédemment pourvue de creux. La mince couche de silicium monocristalline 8 n'a été désormais reliée qu'à la couche d'oxyde 9. EXEMPLE 2 Des creux périodiques réguliers à section transversale ronde ont été produits dans la surface d'une tranche de silicium classique revêtue de silicium-germanium (épaisseur de la couche de silicium-germanium d'environ 4 m), par lithographie et gravure par un faisceau ioniqua selon l'état de la technique. Les creux présentaient une profondeur de 3,5 m, un diamètre de 0,4 pm et la distance du centre au centre des creux était de 0,8 m. Dans une étape ultérieure, la surface de silicium- germanium pourvue de creux a été reliée à une tranche de silicium à surface oxydée. Pour ce faire, on a utilisé un agent de soudure disponible dans le commerce. Ensuite, la paire de tranches reliées a été soumise à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et de température maximale de 1100 C. La pression était de 0,1 MPa et on a utilisé Ar comme gaz d'atmosphère. Par ce traitement thermique, d'une part, la résistance de la liaison a augmenté entre les deux tranches, d'autre part, les creux se sont fermés directement à l'interface en tranche de silicium couche oxydé et ont formé une mince couche de silicium-germanium monocristalline. Au cours de l'étape ultérieure du traitement thermique, les espaces vides nouvellement formés ont fusionné, de sorte que qu'il se formait un espace vide continu entre la couche de silicium-germanium nouvellement formée et la tranche de silicium précédemment pourvue de creux. La mince couche de silicium-germanium monocristalline n'a désormais été reliée qu'à la couche d'oxyde, de sorte qu'on a obtenu un substrat SGOI. EXEMPLE 3 D'abord on a déposé une couche de silicium tendu sur une tranche de silicium revêtue d'une couche de silicium-germanium relaxée. Des creux périodiques à distance régulière à section transversale ronde ont été formés dans la surface de la couche de silicium tendu, par lithographie et par gravure par un faisceau ionique selon l'état de la technique. Les creux présentaient une profondeur de 3,5 m, un diamètre de 0,4 m.et la distance du centre au centre des creux était de 0,8 m. Dans une étape ultérieure, on a fixé par soudage la surface de silicium tendu pourvue de creux à une tranche de silicium avec la surface oxydée. Pour ce faire, on a utilisé un agent de soudure disponible dans le commerce. La paire de tranches reliées a été ensuite soumise à un traitement thermique d'une durée totale de 10 heures et de température maximale de 1100 C. La pression était de 0,1 MPa et on a choisi Ar en tant que gaz d'atmosphère. Par ce traitement thermique, d'une part, la résistance de la liaison a augmenté entre les deux tranches, d'autre part, les creux se sont fermés directement à l'interface en tranche de silicium oxydé et ont formé une mince couche de silicium tendu monocristalline. Lors de la poursuite du traitement thermique, les espaces vides formés à partir des creux ont fusionné de sorte qu'il s'est formé un espace vide continu entre une couche de silicium nouvellement formée et la couche de silicium tendu précédemment pourvue de creux. La couche mince de silicium tendu monocristalline n'a désormais été reliée qu'à la couche d'oxyde, de sorte qu'on a obtenu un substrat sSOI. REVENDICATIONS 1. Substrat semi-conducteur comprenant une tranche substrat (2) et une couche (8) comprenant une matière semi-conductrice monocristalline, caractérisé en ce que la couche (8) présente une épaisseur de 100 nm ou moins, une uniformité d'épaisseur de couche de 5 % ou moins et une densité de défauts HF de 0,02/cm2 ou moins. 2. Substrat semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la couche (8) en matière semi-conductrice monocristalline est en silicium, en silicium tendu, en silicium-germanium, en germanium ou en carbure de silicium. 3. Substrat semi-conducteur selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel la tranche substrat (2) est une tranche de silicium avec une couche d'oxyde (9). 4. Substrat semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche (8) en matière semi-conductrice monocristalline présente une épaisseur de 80 nm ou moins. 5. Substrat semi-conducteur selon la revendication 4, dans lequel la couche (8) en matière semi-conductrice monocristalline présente une épaisseur de 50 nm ou moins. 6. Substrat semi-conducteur selon la revendication 5, dans lequel la couche (8) en matière semi-conductrice monocristalline présente une épaisseur de 20 nm ou moins. 7. Procédé de préparation d'un substrat semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant un tranche substrat (2) et une couche (8) en une matière semi-conductrice monocristalline sur un côté de la tranche substrat (2), le procédé comprenant les étapes suivantes dans l'ordre indiqué . a) préparation d'une couche contenant des creux (3) sur la surface d'une tranche donatrice (1) constituée par la matière semi-conductrice monocristalline, b) fixation de la couche comprenant les creux (3) de la tranche donatrice (1) à la tranche. substrat (2), c) traitement thermique pour la fermeture des creux (3) sur une interface (4) entre la tranche substrat (2) et la tranche donatrice (1), de sorte qu'il se forme une couche d'espaces vides (6) dans la tranche donatrice (1) et d) clivage de la tranche donatrice (1) le long de la couche d'espaces vides (6), de sorte qu'on obtienne une couche (8) constituée par la matière semi-conductrice sur la tranche substrat (2). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le clivage de la tranche donatrice (1) à l'étape d) est réalisé au moyen d'un traitement thermique, pendant lequel les espaces vides (6) se relient entre eux et séparent la mince couche monocristalline (7, 8) du reste (5) de la tranche donatrice. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les étapes c) et d) sont effectuées ensemble en tant que traitement thermique continu. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel les conditions du traitement thermique dans les 30 étapes c) et d) sont identiques. 11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, dans lequel on dépose, avant l'étape b), sur au moins une face de la tranche substrat (2), une couche amorphe ou polycristalline qui est constituée d'une matière comprenant au moins un constituant identique à un constituant de la tranche donatrice (1). 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la composition de la couche amorphe ou polycristalline est identique à la composition de la tranche donatrice (1).