Brevet FR2868210A1 — publié le 20050930

DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI La présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique et le fo procédé de fabrication de celui-ci, et plus particulièrement, un dispositif électroluminescent organique dans lequel un transistor à couches minces (TFT) en silicium amorphe est utilisé comme élément de commande et un procédé de fabrication de celui-ci. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) avantageusement léger, à 15 profil mince et à faible consommation d'énergie justifie l'attraction exercée sur le public par les écrans plats. Cependant, étant donné que le LCD est un dispositif passif, et non un dispositif électroluminescent (c'est-à-dire un dispositif actif), il présente des limites techniques de luminosité, contraste, angle de visée, écran de grande taille et similaire. De ce fait, on s'emploie actuellement à rechercher activement de nouveaux écrans plats capables de surmonter les inconvénients du LCD. Parmi de tels écrans plats, un dispositif électroluminescent organique (ELD) est un affichage de type à auto-émission qui a un contraste élevé et un angle de visée plus large. L'ELD organique peut être léger et de profil mince par rapport aux autres affichages parce qu'il ne nécessite pas de rétroéclairage. Il peut également réduire la consommation d'énergie par rapport aux autres affichages. En outre, l'ELD organique peut être piloté avec une faible tension DC à un taux de réponse rapide. Etant donné que tous les composants de 1'ELD organique sont formés de matières solides, il est résistant aux impacts externes. Il peut également être utilisé sur une plage de température étendue et être fabriqué à faible coût. En particulier, étant donné que l'ELD organique est uniquement fabriqué à partir d'un procédé de dépôt et un procédé d'encapsulation, le procédé et l'appareil de fabrication sont très simples, à la différence du procédé de fabrication d'un LCD ou d'un écran à plasma (PDP). De plus, en pilotant l'ELD à la manière de la matrice active où chaque pixel a un transistor à couches minces fonctionnant comme un élément de commutation, même lorsqu'un faible courant est appliqué, une luminescence uniforme peut être R:\Brevets\23 100\23 193.doc - 22 mars 2005 - 1/25 obtenue. En conséquence, l'ELD organique présente des avantages de faible consommation d'énergie, haute définition et écran de grande taille. Un tel dispositif électroluminescent organique du type à matrice active (ci-après appelé "AMOLED") sera décrit ci-après en référence au dessin joint. La figure 1 représente un schéma de câblage illustrant un structure à pixels de base d'un AMOLED de l'art connexe. Comme illustrées sur le dessin, les lignes de grille GL 2 sont formées dans une première direction et des lignes de données et d'alimentation électrique DL 3 et VDD 4 sont formées dans une seconde direction croisant la première direction pour définir une région de pixels unitaire. Un TFT de commutation 5 qui est un élément d'adressage est formé à chaque point de croisement des lignes de grilles et de données 2 et 3. Un condensateur de stockage Cs 6 est connecté au TFT de commutation 5 et à la ligne d'alimentation électrique 4. Un TFT de commande 7 qui est un élément de source de courant est connecté au condensateur de stockage Cs 6 et à la ligne d'alimentation électrique 4. Une diode électroluminescente organique 8 est également connectée au TFT de commande 7. Lorsque du courant est appliqué au matériau électroluminescent organique vers l'avant, les électrons et les trous sont recombinés, se déplaçant à travers une jonction P-N entre une électrode anode en tant que donneur de trou et une électrode cathode en tant que donneur d'électron. Par conséquent, l'énergie de la diode électroluminescente organique 8 devient plus faible que celle créée lorsque les électrons sont séparés des trous. A ce stade, une différence d'énergie est générée, émettant ainsi de la lumière. En d'autres termes, le pixel unitaire de 1'AMOLED comprend essentiellement le TFT de commutation 5 pour adresser une tension de pixel qui est une tension de commande de grille, un TFT de commande 7 pour contrôler un courant d'attaque de 1'AMOLED, et un condensateur de stockage 6 pour maintenir de façon stable une tension de pixel. Le dispositif électroluminescent organique peut être classé en un type à émission supérieure et un type à émission inférieure selon une direction de progression de la lumière émise à partir de la diode électroluminescente organique. Le TFT utilisé dans 1'AMOLED peut être classé en un TFT en silicium amorphe (a-Si) et en un TFT en silicium polycristallin (p-Si) selon les états d'un film semi-conducteur fin fonctionnant comme une voie active. Ces derniers temps, une recherche active a été réalisée pour utiliser le TFT en p-Si ayant une mobilité effet de champ élevée dans 1'AMOLED, mais il est plus courant d'utiliser dans l'AMOLED le TFT en a-Si. \\HIRSCH6\BREVETS\3revets\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 2/25 La Figure 1 illustre 1'AMOLED utilisant les TFT en a-Si. Les TFT en a-Si sont des TFT en a-Si de type n. En conséquence, comme illustré sur la figure 1, l'AMOLED est connecté à l'électrode source (S) du TFT de commande 7, et la ligne d'alimentation électrique 4 est connectée à l'électrode drain D du TFT de commande 7. La figure 2 est une vue en coupe schématique illustrant un AMOLED du type à émission inférieure de l'art connexe. Comme illustré sur le dessin, 1'AMOLED du type à émission inférieure comprend un premier substrat transparent 12, une partie de matrice 14 formée sur le premier substrat transparent 12 et une anode 16, une couche d'émission organique 18 et une cathode formée en séquence sur la partie de matrice 14 et formant une diode électroluminescente organique. A ce stade, la couche d'émission organique 18 représente les couleurs rouge R, vert V et bleu B. Par exemple, les matériaux organiques émettant les couleurs R, V et B sont formés sur chaque pixel P. En variante, la couche d'émission organique 18 peut être fabriquée dans une structure multicouches formée de matière organique. En d'autres termes, la couche électroluminescente organique 18 peut être formée entre l'anode et la cathode en déposant en séquence une couche d'injection de trous (HIL), une couche de transport de trous (HTL), une couche d'émission (EML) et une couche de transport d'électrons (ETL). Le premier substrat 12 est attaché au second substrat 28, sur lequel est formé un absorbant 22, à l'aide d'un matériau d'étanchéité 26, complétant ainsi le dispositif électroluminescent organique qui est encapsulé. L'absorbant 22 sert à éliminer l'humidité et l'oxygène qui peuvent s'infiltrer dans le dispositif électroluminescent organique encapsulé. Une partie du substrat 28 est gravé, et l'absorbant 22 est versé dans la partie gravée et fixé à l'aide d'un ruban. La figure 3 est une vue en coupe représentant partiellement une partie de matrice TFT de 1'AMOLED de l'art connexe illustrée sur les figures 1 et 2. En particulier, la figure 3 illustre une section d'une région comprenant un TFT de commande de la partie de matrice TFT. Généralement, dans un AMOLED, chacun des pixels de la matrice TFT formé sur le substrat est pourvu d'un élément de commutation, d'un élément de commande et d'un condensateur de stockage. Selon les caractéristiques opérationnelles, l'élément de commutation ou l'élément de commande peut être formé d'une combinaison de plusieurs TFT. Chacun du TFT de commutation T et du TFT de commande TD comprend une électrode grille, une couche active, une électrode source et une électrode drain. A ce stade, les TFT utilisés dans l'AMOLED peuvent être classés en TFT en a-Si et en \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193doc - 24 décembre 2004 - 3/25 TFT p- Si selon les états d'un film semi-conducteur fin fonctionnant comme une voie active. La figure 3 illustre 1'AMOLED utilisant les TFT en a-Si. A ce stade, les TFT en a-Si sont des TFT en a-Si de type n tels que susmentionnés. En conséquence, l'anode de 1'AMOLED est connectée à l'électrode source (S) du TFT de commande. Si l'on se réfère à la figure 3, le TFT' de commande TD comprend une électrode grille 30, une couche d'isolation de grille 31, une électrode source 33 et une électrode drain 34. Une couche active 32 est disposée entre l'électrode source 33 et l'électrode drain 34. De plus, un région de pixels est configurée de manière à comprendre une anode 36 connectée à l'électrode source 33, une couche d'émission organique 38 formée sur l'anode 36 dans une structure monocouche ou une structure multicouches, et une cathode 39 formée sur la couche d'émission organique 38, pour injecter des électrons. L'anode 36 injecte des trous dans la couche d'émission organique 38. La couche d'émission organique 38 ayant une structure multicouches peut être configurée de façon à comprendre la HIL, la HTL, l'EML et l'ETL, comme susmentionné. Les régions de pixels sont agencées en une configuration matricielle et sont séparées les unes des autres par un tampon 37. En d'autres termes, 1'AMOLED de l'art connexe est configuré de façon à comprendre le TFT de commande TD formé sur la région des pixels; l'anode 36 connectée à l'électrode source 33 et fonctionnant comme électrode de pixel; le tampon 37 formé sur l'anode 36 pour séparer les régions de pixels les unes des autres; la couche d'émission organique 38 composée de la HIL, la HTL, l'EML et l'ETL, à l'intérieur du tampon 37; et la cathode 39 formée sur la couche d'émission organique 38. A partir des dessins des figures 1 à 3, on sait bien que 1'AMOLED de l'art connexe utilisant un TFT en a-Si comme TFT de commande est configuré de façon à comprendre l'anode 36 connectée à l'électrode source 33 du TFT de commande TD, et la couche d'émission organique 38 et la cathode 39 disposée sur l'anode 36. En d'autres termes, selon la construction de l'AMOLED connexe, l'anode 36 connectée à l'électrode source 33 du TFT de commande TD fonctionne comme une électrode de pixel, et la cathode 39 fonctionne comme une contre électrode, c'est-à-dire, une électrode commune, qui est contraire à la structure générale dans laquelle la cathode fonctionne comme une électrode de pixel et dans laquelle l'anode fonctionne comme électrode commune. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23I93.doc - 24 décembre 2004 - 4/25 Par conséquent, lorsque les pixels de l'AMOLED sont configurés dans la construction ci-dessus, le circuit n'est pas stable de telle sorte qu'une panne de commande peut survenir. En conséquence, la présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique et un procédé de fabrication de celui-ci qui évite sensiblement un ou plusieurs problèmes dus aux limites et inconvénients de l'art connexe. Un avantage de la présente invention est de proposer un dispositif électroluminescent organique et un procédé de fabrication de celui-ci dans lequel un TFT de commande de chaque pixel est composé d'a-Si, une seconde électrode (c'est-à-dire une cathode) d'une diode électroluminescente organique est connectée à une électrode drain du TFT de commande, et la diode électroluminescente organique a une structure de piles qui est identique à celle de l'EL classique, permettant ainsi de stabiliser et de piloter facilement le dispositif électroluminescent organique. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention seront présentés partiellement dans la description qui suit et seront évidents pour l'homme du métier ordinaire lors de l'examen de ce qui suit ou de ce qui peut être appris de la pratique de l'invention. Ces avantages et autres avantages de l'invention peuvent être réalisés et obtenus grâce à la structure particulièrement montrée dans la description écrite et les revendications de celle-ci ainsi que dans les dessins annexes. Pour réaliser ces avantages et autres avantages et selon l'objet de l'invention, tels qu'incorporés et décrits largement dans les présentes, est prévu un dispositif électroluminescent organique comprenant une pluralité de TFT sur un substrat; une couche de passivation et une première électrode sur le substrat comprenant les TFT; un trou de contact à travers une partie prédéterminée de la première électrode et la couche de passivation exposant une surface supérieure d'une électrode drain du transistor à couches minces; une couche tampon sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure et d'un bord de la première électrode; une couche d'émission organique à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et une seconde électrode sur la couche d'émission organique et connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. Un autre aspect de la présente invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique, le procédé comprenant la formation d'un transistor à couches minces sur un substrat; la formation d'une couche de passivation sur le substrat comprenant le transistor à couches minces; la formation d'une couche de première électrode sur la couche de passivation; la formation d'un trou de contact à travers la couche de passivation et la couche de première électrode exposant une surface supérieure d'une électrode drain du transistor à couches minces à une partie \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193. doc - 24 décembre 2004 5/25 prédéterminée de la première électrode et de la couche de passivation; la formation d'une couche tampon sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode; la formation d'une couche d'émission organique à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et la formation d'une seconde électrode sur la couche d'émission organique de telle sorte que la seconde électrode soit connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. Un autre aspect de la présente invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique, le procédé comprenant la formation d'un transistor à couches minces sur un substrat; la formation d'une couche de passivation sur le substrat comprenant le transistor à couches minces; la modélisation de la couche de passivation pour former un trou de contact; la formation d'une couche de première électrode sur la couche de passivation; la modélisation de la couche de première électrode pour former un trou de contact correspondant au trou de contact à travers la couche de passivation et l'exposition d'une surface supérieure d'une électrode drain du transistor à couches minces à une partie prédéterminée de la première électrode et de la couche de passivation; la formation d'une couche tampon sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode; la formation d'une couche d'émission organique à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et la formation d'une seconde électrode sur la couche d'émission organique de telle sorte que la seconde électrode soit connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. Un autre aspect de la présente invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique, ]le procédé comprenant la formation d'un transistor à couches minces sur un substrat; la formation d'une couche de passivation sur le substrat comprenant le transistor à couches minces; la formation d'une couche de première électrode sur la couche de passivation; la modélisation de la couche de première électrode pour former un trou de contact; la modélisation de la couche de passivation pour former un trou de contact correspondant au trou de contact à travers la couche de la première électrode et l'exposition d'une surface supérieure d'une électrode drain du transistor à couches minces à une partie prédéterminée de la première électrode et de la couche de passivation; la formation d'une couche tampon sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode; la formation d'une couche d'émission organique à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et la formation d'une seconde électrode sur la couche d'émission organique de telle sorte que la seconde électrode soit connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. Il doit être entendu que la description générale qui précède ainsi que la description détaillée suivante de la présente invention sont exemplaires et 1111IRSCH6IBREV ETS\Brevets123 1 0012 3 1 9 3.doc - 24 décembre 2004 6/25 explicatives et sont censées fournir une plus ample explication de l'invention selon les revendications. Les dessins annexes, qui sont inclus pour permettre une meilleure compréhension de l'invention et qui sont incorporés et constituent une partie de cette 5 demande, illustrent le(s) mode(s) de réalisation de l'invention et conjointement à la description, servent à expliquer le principe de l'invention. Sur les dessins: la figure 1 est un schéma de câblage d'une structure de pixels de base d'un AMOLED de l'art connexe; la figure 2 est une vue en coupe schématique d'un AMOLED de type à émission inférieure de l'art connexe; la figure 3 est une vue en coupe d'une partie comprenant une partie matrice TFT de l'AMOLED décrit sur les figures 1 et 2; la figure 4 est un schéma de câblage d'une structure de pixels de base d'un 15 AMOLED selon la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe d'une partie comprenant une partie matrice TFT d'un AMOLED selon la présente invention; et les figures 6A à 6F sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un AMOLED selon la présente invention. les figures 7A à 7F sont des vues en coupe illustrant un autre procédé de fabrication d'un AMOLED selon la présente invention. les figures 8A à 8F sont des vues en coupe illustrant un autre procédé de fabrication d'un AMOLED selon la présente invention. Nous allons maintenant faire référence en détail aux modes de réalisation de la présente invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexes. La figure 4 est un schéma de câblage illustrant une structure de pixels de base d'un AMOLED selon la présente invention.. Si l'on se réfère à la figure 4, des lignes de grille (GL) 42 sont formées dans une première direction, et des lignes de données (DL) 43 et des lignes d'alimentation électrique (VDD) 44 sont formées espacées les unes des autres d'une distance prédéterminée et dans une seconde direction croisant la première direction. Les régions de pixels sont définies par des lignes de grilles 42, les lignes de données 43 et les lignes d'alimentation électrique 44. Un TFT de commutation 45, qui a la fonction d'un élément d'adressage, est formé à chaque point de croisement des lignes de grilles et de données 42 et 43. Un condensateur de stockage Cs 46 est connecté au TFT de commutation 45 et à la ligne d'alimentation 44. \U-IIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 7/25 Un TFT de commande 7 qui agit comme un élément de source de courant, est connecté au condensateur de stockage Cs 46 et à la ligne d'alimentation 44. Une diode électroluminescente organique 48 est connectée au TFT de commande 7. Lorsque du courant est appliqué au matériau électroluminescent organique vers l'avant, les électrons et les trous sont recombinés, se déplaçant à travers une jonction P-N entre une électrode anode comme donneur de trou et une électrode cathode comme donneur d'électron. Par conséquent, l'énergie de la diode électroluminescente organique 48 devient plus faible que celle créée lorsque les électrons sont séparés des trous. A ce stade, la différence d'énergie est générée, émettant ainsi de la lumière. C'est-à-dire qu'une structure de pixels de base de 1'AMOLED comprend le TFT de commutation 45 pour adresser une tension de commande de grille (c'est-à-dire une tension de pixel), le TFT de commande 47 pour contrôler un courant d'attaque de 1'AMOLED et le condensateur de stockage pour maintenir de façon stable la tension de pixel. A l'inverse de la structure de 1'AMOLED de l'art connexe, une électrode drain D du TFT de commande 47 est connectée à la seconde électrode (c'està-dire, une cathode) de la diode électroluminescente organique 48, et une électrode source S du TFT de commande 47 est connectée à la ligie d'alimentation électrique 44. A ce stade, le TFT servant à entraîner chaque pixel est pourvu d'un TFT en a-Si de type n ayant une couche active formée de silicium amorphe. Le dispositif électroluminescent organique peut être commandé de façon stable en configurant le TFT de commande avec un TFT amorphe et en reliant l'électrode drain D du TFT de commande 47 à la seconde électrode (cathode) de la diode électroluminescente organique. A savoir, la seconde électrode (cathode) de la diode électroluminescente organique est connectée à l'électrode drain D du TFT de commande 47 et configurée pour agir en tant qu'électrode de pixel et que la première électrode (anode) de la diode électroluminescente organique est configurée pour agir comme une électrode commune. Grâce à cette configuration, 1'Alv1OLED peut être piloté de façon stable. Lorsque les TFT servant à piloter chaque pixel sont configurés avec les TFT amorphes, un rapport largeur sur longueur (rapport W/L) du TFT de commande doit être important de façon à pouvoir piloter la couche électroluminescente organique, étant donné que la mobilité du silicium amorphe est inférieure à celle d'un silicium cristallisé d'environ 0,5-1 cm2/Vsec. La taille du TFT de commande doit être grande à cause du grand rapport W/L du TFT de commande. Cependant, si la taille du TFT de commande devient trop grande, un problème survient en ce qu'un rapport d'ouverture du dispositif électroluminescent organique de type à émission inférieure est réduit. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\ 23100123193 doc - 24 décembre 2004 - 8/25 Par conséquent, il peut être préférable que le dispositif électroluminescent organique utilisant les TFT amorphes fonctionne dans un mode à émission supérieure au lieu du mode à émission inférieure. La figure 5 est une vue en coupe d'une partie comprenant une partie de matrice TFT de 1'AMOLED selon la présente invention. Sur la figure 5, une partie comprenant le TFT de commande de la partie de matrice TFT est illustrée. La figure 5 correspond à la vue en coupe de 1'AMOLED de l'art connexe illustrée sur la figure 3. Les positions des électrodes source et drain du TFT de commande sont modifiées et l'électrode drain du TFT de commande n'est pas connectée à la première électrode (anode) mais à la seconde électrode (cathode) de la diode électroluminescente organique. Selon la présente invention, la diode électroluminescente organique n'est pas configurée dans une structure EL inversée mais dans une structure EL plus classique. Dans le cas de la structure EL classique, la diode électroluminescente organique est formée en déposant une première électrode (anode), une couche d'injection de trous (HIL), une couche de transport de trous (HTL), une couche d'émission (EML), une couche de transport d'électrons (ETL) et une seconde électrode (cathode) dans cet ordre. Pendant ce temps, la structure EL inversée forme la diode électroluminescente organique dans un ordre opposé à la structure EL classique. C'est-à-dire que la diode électroluminescente organique est formée en déposant une seconde électrode (cathode), une couche de transport d'électrons (ETL), une couche d'émission (EML), une couche de transport de trous (HTL), une couche d'injection de trous (HIL) et une première électrode (anode) dans cet ordre. Bien que la structure EL inversée soit proposée pour résoudre le problème de commande instable de 1'AMOLED de l'art connexe, une interface de la couche d'émission organique et l'anode sont susceptibles d'être endommagées et une caractéristique du dispositif peut être affectée. Comme décrit ci-dessus, l'AMOLED de l'art connexe est configuré avec la structure EL classique, dans laquelle la première électrode de la diode électroluminescente organique est formée à une partie inférieure de telle sorte qu'elle puisse être connectée à l'électrode source du TFT de commande. Cependant, la présente invention maintient la structure EL classique mais connecte la seconde électrode de la diode électroluminescente organique à l'électrode drain du TFT de commande. La partie matrice TFT de 1'AMOLED selon la présente invention comprend un élément de commutation, un élément de commande et un condensateur mémoire (non représenté) à chaque pixel défini sur le substrat. L'élément de commutation ou \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193. doc - 24 décembre 2004 - 9/25 l'élément d'attaque peuvent être configurés avec un ou plusieurs TFT, selon les caractéristiques opérationnelles. L'AMOLED utilisant un TFT en a-Si est illustré sur la figure 5. Dans ce cas, comme décrit ci-dessus, le TFT de commande illustré sur la figure 5 est de type n. Selon l'art connexe, le TFT de commande est le TFT en a-Si de type n et la première électrode de la diode électroluminescente organique est connectée à l'électrode source du TFT de commande. En conséquence, 1'AMOLED de l'art connexe présente un problème en ce que le dispositif est piloté de façon instable. Cependant, la présente invention peut résoudre le problème en connectant la seconde électrode de la diode électroluminescente organique à l'électrode drain du TFT de commande tout en conservant par ailleurs la structure EL classique. Si l'on se réfere à la figure 5, le TFT de commande TD comprend une électrode grille 510 formée sur un substrat 500, une couche isolante de grille 520, et des électrodes source et drain 540 et 550. La couche active 530 est formée entre l'électrode source 540 et l'électrode drain 550. De plus, la région de pixels comprend une seconde électrode 600 de la diode électroluminescente organique, qui est connectée à l'électrode drain 550, une couche d'émission organique multicouches ou monocouche 590 formée sous la seconde électrode 600 et une première électrode 570 pour injecter des trous dans la couche d'émission organique 590. La seconde électrode 600 permet d'injecter des électrons dans la couche d'émission organique 590. C'est-à-dire que, dans la formation d[e la diode électroluminescente organique, la structure EL classique est appliquée de telle sorte que la première électrode 570, la couche d'émission organique 590 et la seconde électrode 600 sont formées de façon séquentielle. A ce stade, la seconde électrode 600 formée sur la partie la plus haute est connectée à l'électrode drain 550 du TFT de commande TD. En outre, dans le cas où la couche d'émission organique 590 est formée de multicouches, la couche d'émission organique 590 peut être formée en déposant une couche d'injection de trous (HIL), une couche de transport de trous (HTL), une couche d'émission (EML) et une couche de transport d'électrons (ETL) sur la première électrode 570 dans cet ordre. Ici, les régions de pixels sont agencées dans une configuration matricielle et sont séparées les unes des autres par des nervures de barrière 582. En d'autres termes, selon la présente invention, la première électrode (l'anode de la diode électroluminescente organique) est entièrement forméecomme l'électrode commune sur le substrat 500, sur laquelle est formé le TFT de commande TD. Afin d'exposer l'électrode drain 550 du TFT de commande TD, un trou de contact (non \\HIRSCH6\BREVETS\Breveu\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 10/25 représenté) est formé sur la première électrode 570 et une couche de passivation 560, qui sont formées sur l'électrode drain 550. En outre, la nervure de barrière 582 est formée sur une partie prédéterminée de la première électrode 570 pour séparer les régions de pixels. La couche d'émission organique 590 comprenant la couche d'injection de trous (HIL), la couche de transport de trous (HTL), la couche d'émission (EML) et la couche de transport d'électrons (ETL) est formée à l'intérieur de la région de pixels cloisonnée par la nervure de barrière 582. Ensuite, la seconde électrode 600 agissant en tant qu'électrode de pixel est formée sur la couche d'émission organique 590. En conséquence, la seconde électrode 600 et l'électrode drain 550 sont connectées l'une à l'autre par le trou de contact. Comme illustré, les secondes électrodes 600 formées au niveau des régions de pixels respectives sont séparées les unes des autres par les nervures de barrière 582, et la première électrode 570 est formée sur le substrat entier excepté une région dans laquelle le trou de contact est formé, permettant ainsi une liaison de pixel à pixel. Nous allons décrire en détail ci-après un procédé de fabrication de 1'AMOLED selon la présente invention en référence à la figure 6. Les figures 6A à 6F sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication de 1'AMOLED selon la présente invention. En particulier, les figures 6A à 6F sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication de la région représentée sur la figure 5, c'est-à-dire de la région comprenant le TFT de commande de la partie matrice TFT. Si l'on se réfère à la figure 6A, un TFT en a-Si est formé sur un substrat 500. C'est-à-dire que le TFT est formé comme un élément de commutation ou comme un élément de commande à chaque région de pixels définie sur le substrat 500. Sur la figure 6, on le représente comme un transistor d'attaque TD formé au niveau de chaque région de pixel. Le TFT en a-Si comprend une électrode grille 510, une couche d'isolation de grille 520, une couche active 530, une couche de contact ohmique, des électrodes source et drain 540 et 550, qui sont déposées en séquence sur le substrat 500. La couche active 530 est formée d'a-Si et, dans cet exemple, le TFT est de type n. Le TFT est formé grâce à une pluralité de processus de masquage. Actuellement, il est d'usage que la couche active 530 et les électrodes source et drain 540 et 550 soient formées grâce à un processus de masquage unique, de telle sorte que le processus de fabrication soit réduit. Si l'on se réfère à la figure 6B, une couche de passivation 560 est formée sur une structure résultante dans laquelle le TFT est formé sur le substrat 500. Une \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23 I00\23193.doc - 24 décembre 2004 - I I/25 première électrode (anode) 570, qui agit comme une électrode commune, est formée sur la couche de passivation 560. La couche de passivation 560 peut être formée d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche d'oxyde de silicium ou BCB, de photo acryle, etc. La première électrode 570 dans le mode de réalisation en exemple se réfère à une anode de la diode électroluminescente organique et peut être formée d'une matière transparente tel que de l'oxyde d'indium-étain (ITO) ou d'un métal coloré tel que de l'aluminium (Al) et du chrome (Cr). Si le TFT en a-Si est utilisé comme TFT, sa taille devient grande. Par 10 conséquent, le type à émission supérieure au lieu du type à émission inférieure est généralement employé. Lorsque la première électrode 570 agissant comme électrode commune est formée de matière transparente tel que 1'IT'O, il est préférable de former une couche métallique (non représentée) agissant comme réflecteur sur une partie inférieure de la 15 première électrode 570. Pendant ce temps, lorsque la première électrode 570 est formée de métal coloré tel que de l'aluminium (Al) ou du chrome (Cr), le réflecteur peut ne pas être formé. Si l'on se réfère à la figure 6C, un trou de contact 572 exposant l'électrode drain 550 du TFT de commande TD est formé sur une partie de la couche de passivation 560 et la première électrode 570, qui sont formées sur l'électrode drain 550. Le trou de contact 572 sera utilisé pour connecter une seconde électrode à l'électrode drain. De plus, étant donné que le trou de contact 572 n'est formé qu'à une partie prédéterminée au-dessus de l'électrode drain 550, la première électrode 570 reste toujours sur une zone entière de la région de pixels. C'est-à-dire que la première électrode 570 est formée sur une zone entière de la région de pixels excepté pour la région dans laquelle où le trou de contact 572 est formé, permettant ainsi une liaison de pixel à pixel. Si l'on se réfère à la figure 6D, une couche tampon 580 et une nervure de barrière 582 sont formées sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode 570. La couche tampon 580 définit une région dans laquelle est formée une couche d'émission organique, et la nervure de barrière 582 sépare les régions de pixels respectives. C'est-à-dire que la couche tampon est prévue à la périphérie d'une région dans laquelle la couche d'émission organique est formée à l'intérieur de la région de pixels, de telle sorte que la couche d'émission organique ne puisse pas être formée au niveau d'une région excepté pour la couche tampon 580. La nervure de barrière est formée sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la couche tampon 580 et sépare les régions de pixels les unes des autres. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23 193doc - 24 décembre 2004 - 12/25 Si l'on se réfère à la figure 6E, la couche d'émission organique 590 est formée à l'intérieur de la région définie par la couche tampon 580. La couche d'émission organique 590 peut être constituée d'une structure multicouches ou monocouche et la structure multicouches est d'usage. Dans le cas de la structure multicouches, la couche d'émission organique 590 comprend une couche à injection de trous (HIL) 592, une couche de transport de trous (HTL) 594, une couche d'émission (EML) 596 et une couche de transport d'électrons (ETL) 598, qui sont déposées sur la première électrode 570 dans cet ordre. Etant donné que la couche d'émission organique 590 est formée à l'intérieur de 10 la région définie par la couche tampon 580, elle n'est pas formée sur la région dans laquelle le trou de contact 572 est formé. Si l'on se réfere à la figure 6F, une seconde électrode 600 agissant comme une électrode de pixel est formée de telle sorte que la seconde électrode 600 et l'électrode drain 550 soient connectées l'une à l'autre à travers le trou de contact 572. Comme représenté, les secondes électrodes 600 sont séparées à chaque région de pixels par la nervure de barrière 582. Etant donné que le type à émission supérieure peut être appliqué dans l'AMOLED de la présente invention, la seconde électrode 600 peut être formée d'un métal capable de transmettre la lumière ou a une épaisseur inférieure à 100 À de telle sorte que la seconde électrode puisse transmettre la lumière. Un autre mode de réalisation de la présente invention de formation d'un AMOLED est illustré sur les figures 7A à 7F. Si l'on se réfere à la figure 7A, un TFT en a-Si est formé sur un substrat 500. C'est-à-dire qu'un TFT est formé comme élément de commutation ou élément de commande à chaque région de pixels définie sur le substrat 500. Par exemple, un transistor d'attaque TD est illustré. Le TFT en a-Si comprend une électrode grille 510, une couche d'isolation de grille 520, une couche active 530, une couche de contact ohmique et des électrodes source et drain 540 et 550, qui sont déposées en séquence sur le substrat 500. La couche active 530 est formée d'a-Si et, dans cet exemple, le TFT est de type n. Le TFT est formé grâce à une pluralité de processus de masquage. Actuellement, il est d'usage que la couche active 530 et les électrodes source et drain 540 et 550 soient formées grâce à un processus de masquage unique, de telle sorte que le processus de fabrication soit réduit. Si l'on se réfère à la figure 7B, une couche de passivation 760 est formée sur une structure résultante dans laquelle le TFT est formé sur le substrat 500. La couche de passivation 760 est modélisée pour fonner un trou de contact 762. La couche de \\11IRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23I93.doc - 24 décembre 2004 - 13/25 passivation 760 peut être formée d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche d'oxyde de silicium ou de BCB, de photo acryle, etc. Après quoi, comme illustré sur la figure 7C, une première électrode (anode) 770 est formée sur la couche de passivation 760 et modélisée de façon à avoir un trou de contact correspondant au trou de contact 762 à travers la couche de passivation. La première électrode 570 dans le mode de réalisation exemplaire se réfère à une anode de la diode électroluminescente organique et peut être formée d'une matière transparente tel que de l'oxyde d'indium-étain (ITO) ou d'un métal coloré tel que de l'aluminium (Al) et du chrome (Cr). Une partie de la surface supérieure de l'électrode fo drain 550 est exposée à travers le trou de contact 762. Comme décrit ci-dessus par rapport au mode de réalisation de la figure 6, si le TFT en a-Si est utilisé comme TFT, sa taille devient importante. Par conséquent, le type à émission supérieure à la place du type à émission inférieure est généralement employé. Lorsque la première électrode 570 agissant comme électrode commune est formée de la matière transparente tel que l'ITO, il est préférable de former une couche métallique (non représentée) agissant comme réflecteur sur une partie inférieure de la première électrode 570. Pendant ce temps, lorsque la première électrode 570 est formée de métal coloré tel que de l'aluminium (Al) ou du chrome (Cr), le réflecteur peut ne pas être formé. Si l'on se réfère à la figure 7D, une couche tampon 780 et une nervure de barrière 782 sont formées sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode 570. La couche tampon 780 entoure une région dans laquelle est formée une couche d'émission organique, et la nervure de barrière 782 sépare les régions de pixels respectives. Si l'on se réfère à la figure 7E, la couche d'émission organique 790 est formée à l'intérieur de la région définie par la couche tampon 780. La couche d'émission organique 790 peut être constituée d'une structure multicouches ou monocouche et la structure multicouches est d'usage. Dans le cas de la structure multicouches, la couche d'émission organique 890 comprend une couche à injection de trous (HIL), une couche de transport de trous (HTL), une couche d'émission (EML) et une couche de transport d'électrons (ETL), qui sont déposées sur la première électrode 770 dans cet ordre. Etant donné que la couche d'émission organique 790 est formée à l'intérieur de la région définie par la couche tampon 780, elle n'est pas formée sur la région dans 35 laquelle le trou de contact 762 est formé. Si l'on se réfère à la figure 7F, une seconde électrode 792 agissant comme électrode de pixel est formée de telle sorte que la seconde électrode 792 et l'électrode drain 550 soient connectées l'une à l'autre à travers le trou de contact 762. Comme PaIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 14/25 illustré, les secondes électrodes 792 sont séparées au niveau de chaque région de pixels par la nervure de barrière 782. Un autre mode de réalisation de la présente invention de formation d'un AMOLED est illustré sur les figures 8A à 8F. Si l'on se réfere à la figure 8A, un TFT en a-Si est formé sur un substrat 500. C'est-à-dire qu'un TFT est formé comme élément de commutation ou élément de commande au niveau de chaque région de pixels définie sur le substrat 500. Comme exemple, un transistor d'attaque TD est illustré. Le TFT en a-Si comprend une électrode grille 510, une couche d'isolation de grille 520, une couche active 530, une couche de contact ohmique et des électrodes source et drain 540 et 550, qui sont déposées en séquence sur le substrat 500. La couche active 530 est formée d'a-Si et, dans cet exemple, le TFT est de type n. Le TFT est formé grâce à une pluralité de processus de masquage. Récemment, il est d'usage que la couche active 530 et les électrodes source et drain 540 et 550 soient formées grâce à un processus de masquage unique, de telle sorte que le processus de fabrication soit réduit. Si l'on se réfere à la figure 8B, une couche de passivation 860 est formée sur une structure résultante dans laquelle le TFT est formé sur le substrat 500. La couche de passivation 860 peut être formée d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche d'oxyde de silicium ou de BCB, de photo acryle, etc. Après quoi, une première électrode (anode) 880 est formée sur la couche de passivation 860. Par la suite, la couche de passivation 860 et la première électrode 880 sont modélisées de façon à former un trou de contact 862 exposant une partie de l'électrode drain 550. La première électrode 570 dans le mode de réalisation exemplaire se réfere à une anode de la diode électroluminescente organique et peut être formée d'une matière transparente tel que l'oxyde d'indium-étain (ITO) ou d'un métal coloré tel que l'aluminium (Al) et le chrome (Cr). Une partie de la surface supérieure de l'électrode drain 550 est exposée à travers le trou de contact 862. Comme décrit ci-dessus par rapport au mode de réalisation de la figure 6, si le TFT en a-Si est utilisé comme TFT, sa taille devient importante. Par conséquent, le type à émission supérieure à la place du type à émission inférieure est généralement employé. Lorsque la première électrode 570 agissant comme électrode commune est formée de la matière transparente tel que l'ITO, il est préférable de former une couche métallique (non représentée) agissant comme réflecteur sur une partie inférieure de la première électrode 570. Pendant ce temps, lorsque la première électrode 570 est formée de métal coloré tel que l'aluminium (Al) ou le chrome (Cr), le réflecteur peut ne pas être formé. \\HIRSCH6\BREV ETS\Brevets\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 15/25 Si l'on se réfere à la figure 8D, une couche tampon 870 et une nervure de barrière 882 sont formées sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode 570. La couche tampon 880 entoure une région dans laquelle est formée une couche d'émission organique, et la nervure de barrière 882 sépare les régions de pixels respectives. Si l'on se réfere à la figure 8E, la couche d'émission organique 890 est formée à l'intérieur de la région définie par la couche tampon 880. La couche d'émission organique 890 peut être constituée d'une structure multicouches ou monocouche et la structure multicouches est d'usage. Dans le cas de la structure multicouches, la couche d'émission organique 890 comprend une couche à injection de trous (HIL), une couche de transport de trous (HTL), une couche d'émission (EML) et une couche de transport d'électrons (ETL), qui sont déposées sur la première électrode 870 dans cet ordre. Etant donné que la couche d'émission organique 890 est formée à l'intérieur de la région définie par la couche tampon 880, elle n'est pas formée sur la région où le trou de contact 862 est formé. Si l'on se réfere à la figure 8F, une seconde électrode 892 agissant comme électrode de pixel est formée de telle sorte que la seconde électrode 892 et l'électrode drain 550 soient connectées l'une à l'autre à travers le trou de contact 862. Comme illustré, les secondes électrodes 892 sont séparées au niveau de chaque région de pixels par la nervure de barrière 882. Selon la présente invention, l'électrode drain du TFT de commande est connectée à la seconde électrode de la diode électroluminescente organique. De plus, la présente invention conserve la structure EL classique comme l'art connexe, de telle sorte que le dispositif électroluminescent organique puisse être piloté facilement et de façon stable. En outre, selon 1'AMOLED de la présente invention, les TFT pour les éléments de commande des pixels sont constitués de TFT amorphes et la seconde électrode (cathode) de la diode électroluminescente organique est connectée à l'électrode drain du TFT de commande, de telle sorte que le dispositif électroluminescent organique puisse être piloté de façon stable. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes sans pour autant sortir du cadre de l'invention. 1U{IRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23191doc - 24 décembre 2004 - 16/25 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique, le procédé comprenant: la formation d'un transistor à couches minces sur un substrat (500); la formation d'une couche de passivation (560) sur le substrat comprenant le transistor à couches minces; la formation d'une couche de première électrode (570) sur la couche de passivation; la formation d'un trou de contact (572) à travers la couche de passivation et la couche de première électrode exposant une surface supérieure d'une électrode drain (550) du transistor à couches minces au niveau d'une partie prédéterminée de la première électrode et de la couche de passivation; la formation d'une couche tampon (580) sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode; la formation d'une couche d'émission organique (590) à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et la formation d'une seconde électrode (600) sur la couche d'émission organique de telle sorte que la seconde électrode soit connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le transistor à couches minces est formé en déposant en séquence une électrode grille (510), une couche d'isolation de grille (520), une couche active (530), une couche de contact ohmique, une électrode source (540) et une électrode drain (550). 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la couche active est constituée d'a-Si et le transistor à couches minces est un transistor de type n. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première électrode est formée d'ITO (oxyde d'indium-étain) qui est une matière conductrice transparente. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première électrode est formée d'un métal opaque choisi dans le groupe constitué de Al et de Cr. 6. Procédé selon la revendication 4, comprenant en outre la formation d'une couche métallique opaque comme réflecteur sous la première électrode. \\111RSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 17/25 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première électrode est formée sur une surface excepté pour une région dans laquelle le trou de contact est formé. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche tampon est prévue sur une périphérie d'une région de pixels dans laquelle est formée la couche d'émission organique. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel une nervure de barrière Io (582) est formée pour séparer la région de pixels d'une région de pixels adjacente. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la nervure de barrière est formée sur la couche tampon. 11. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche d'émission organique est formée en déposant en séquence une HIL (592), une HTL (594), une EML (596) et une ETL (598) sur la première électrode. 12. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les secondes électrodes sont séparées au niveau de chaque région de pixels par la nervure de barrière. 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la seconde électrode est composée d'un métal transparent. 14. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la seconde électrode a une épaisseur inférieure à 100 Â environ de telle sorte que la seconde électrode puisse transmettre la lumière. 15. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première électrode est 30 une anode et la seconde électrode est une cathode. 16. Dispositif électroluminescent organique, comprenant: une pluralité de TFT sur un substrat (500); une couche de passivation (560) et une première électrode (570) sur le substrat 35 comprenant les TFT; un trou de contact (572) à travers une partie prédéterminée de la première électrode et la couche de passivation exposant une surface supérieure d'une électrode drain (550) du transistor à couches minces; \\HIRSCH6\BREVETS\Breveu\23100123193.doc - 24 décembre 2004 - 18/25 une couche tampon (580) sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure et d'un bord de la première électrode; une couche d'émission organique (590) à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et une seconde électrode (600) sur la couche d'émission organique et connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. 17. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel le transistor à couches minces comprend une électrode grille (510), une couche d'isolation de grille (520), une couche active (530), une couche de contact ohmique, une électrode source (540) et l'électrode drain (550). 18. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 17, dans lequel la couche active est composée d'a-Si, et le transistor à couches minces est 15 un transistor de type n. 19. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la première électrode comprend une matière conductrice transparente. 20. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la première électrode comprend un métal opaque choisi dans le groupe constitué de Al et de Cr. 21. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 19, 25 comprenant en outre une couche métallique opaque sous la première électrode servant de réflecteur. 22. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la première électrode est sur une surface excepté pour une région dans 30 laquelle le trou de contact est formé. 23. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la couche tampon est prévue sur une périphérie d'une région de pixels dans laquelle est formée la couche d'émission organique. 24. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 23, comprenant en outre une nervure de barrière (582) séparant les régions de pixel adjacentes. \\}IIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193doc - 24 décembre 2004 - 19/25 25. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la couche d'émission organique comprend une HIL (592), une HTL (594), une EML (596) et une ETL (598) sur la première électrode. 26. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 24, dans lequel les secondes électrodes sont séparées au niveau de chaque région de pixels par la nervure de barrière. 27. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la seconde électrode comprend un métal transparent. 28. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la seconde électrode a une épaisseur inférieure à 100 À de telle sorte que 15 la seconde électrode puisse transmettre la lumière. 29. Dispositif électroluminescent organique selon la revendication 16, dans lequel la première électrode est une anode et la seconde électrode est une cathode. 30. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique, comprenant: la formation d'un transistor à couches minces sur un substrat (500); la formation d'une couche de passivation (560) sur le substrat comprenant le 25 transistor à couches minces; la modélisation de la couche de passivation pour former un trou de contact (572); la formation d'une couche de première électrode (572) sur la couche de passivation; la modélisation de la couche de la première électrode pour former un trou de contact correspondant au trou de contact à travers la couche de passivation et l'exposition d'une surface supérieure d'une électrode drain (550) du transistor à couches minces sur une partie prédéterminée de la première électrode et de la couche de passivation; la formation d'une couche tampon (580) sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode; la formation d'une couche d'émission organique (590) à l'intérieur d'une région définie par la couche tampon; et \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193doc - 24 décembre 2004 - 20/25 la formation d'une seconde électrode (600) sur la couche d'émission organique de telle sorte que la seconde électrode soit connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. 31. Procédé selon la revendication 30, dans lequel le transistor à couches minces est formé en déposant en séquence une électrode grille (510), une couche d'isolation de grille (520), une couche active (530), une couche de contact ohmique, une électrode source (540) et une électrode drain (550). 32. Procédé selon la revendication 31, dans lequel la couche active est constituée d'a-Si et le transistor à couches minces est un transistor de type n. 33. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la première électrode est formée d'ITO (oxyde d'indium-étain) qui est une matière conductrice transparente. 34. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la première électrode est formée d'un métal opaque choisi dans le groupe constitué de Al et de Cr. 35. Procédé selon la revendication 33, comprenant en outre la formation d'une couche métallique opaque comme réflecteur sous la première électrode. 36. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la première électrode est formée sur une surface excepté pour une région dans laquelle le trou de contact 25 est formé. 37. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la couche tampon est prévue sur une périphérie d'une région de pixels dans laquelle est formée la couche d'émission organique. 38. Procédé selon la revendication 37, dans lequel une nervure de barrière (582) est formée pour séparer la région de pixels d'une région de pixels adjacente. 39. Procédé selon la revendication 38, dans lequel la nervure de barrière 35 est formée sur la couche tampon. \\IHRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23193.doc - 24 décembre 2004 - 21/25 40. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la couche d'émission organique est formée en déposant en séquence une HIL (592), une HTL (594), une EML (596) et une ETL (598) sur la première électrode. 41. Procédé selon la revendication 37, dans lequel les secondes électrodes sont séparées au niveau de chaque région de pixels par la nervure de barrière. 42. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la seconde électrode est composée d'un métal transparent. 43. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la seconde électrode a une épaisseur inférieure à environ 100 À de telle sorte que la seconde électrode puisse transmettre la lumière. 44. Procédé selon la revendication 30, dans lequel la première électrode est une anode et la seconde électrode est une cathode. 45. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique, procédé comprenant: la formation d'un transistor à couches minces sur un substrat (500); la formation d'une couche de passivation (560) sur le substrat comprenant le transistor à couches minces; la formation d'une couche de première électrode (570) sur la couche de passivation; la modélisation de la couche de première électrode pour former un trou de contact (572); la modélisation de la couche de passivation pour former un trou de contact correspondant au trou de contact à travers la couche de première électrode et l'exposition d'une surface supérieure d'une électrode drain (550) du transistor à couches minces sur une partie prédéterminée de la première électrode et de la couche de passivation; la formation d'une couche tampon (580) sur une partie prédéterminée d'une surface supérieure de la première électrode; la formation d'une couche d'émission organique (590) à l'intérieur d'une région 35 définie par la couche tampon; et la formation d'une seconde électrode (600) sur la couche d'émission organique de telle sorte que la seconde électrode soit connectée électriquement à l'électrode drain à travers le trou de contact. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23I93.doc - 24 décembre 2004 - 22/25 46. Procédé selon la revendication 45, dans lequel le transistor à couches minces est formé en déposant en séquence une électrode grille (510), une couche d'isolation de grille (520), une couche active (530), une couche de contact ohmique, une électrode source (540) et une électrode drain (550). 47. Procédé selon la revendication 46, dans lequel la couche active est constituée d'a-Si et le transistor à couches minces est un transistor de type n. 48. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la première électrode est formée d'ITO (oxyde d'indium-étain) qui est une matière conductrice transparente. 49. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la première électrode est formée d'un métal opaque choisi à partir du groupe constitué de Al et de Cr. 50. Procédé selon la revendication 48, comprenant en outre la formation d'une couche métallique opaque comme réflecteur sous la première électrode. 51. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la première électrode est formée sur une surface excepté pour une région dans laquelle le trou de contact est formé. 52. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la couche tampon est prévue sur une périphérie d'une région de pixels dans laquelle est formée la couche d'émission organique. 53. Procédé selon la revendication 52, dans lequel une nervure de barrière (582) est formée pour séparer la région de pixels d'une région de pixels adjacente. 54. Procédé selon la revendication 53, dans lequel la nervure de barrière est formée sur la couche tampon. 55. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la couche d'émission 35 organique est formée en déposant en séquence une HIL (592), une HTL (594), une EML (596) et une ETL (598) sur la première électrode. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23I93doc - 24 décembre 2004 - 23/25 56. Procédé selon la revendication 52, dans lequel les secondes électrodes sont séparées au niveau de chaque région de pixels par la nervure de barrière. 57. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la seconde électrode est composée d'un métal transparent. 58. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la seconde électrode a une épaisseur inférieure à 100 À environ de telle sorte que la seconde électrode puisse transmettre la lumière. 59. Procédé selon la revendication 45, dans lequel la première électrode est une anode et la seconde électrode est une cathode. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23100\23 193.doc - 24 décembre 2004 - 24/25