Brevet FR2860333A1 — publié le 20050401

L'invention concerne un film multicouche magnétorésistif utilisé pour un dispositif magnétique tel un élément à effet magnétorésistif géant (GMR). La technologie de film magnétique a été significativement appliquée aux dispositifs magnétiques tels que les têtes magnétiques et les mémoires magnétiques. Par exemple, dans des ensembles d'actionnement de disque dur magnétique pour des stockages externes dans des ordinateurs, des têtes magnétiques sont montées pour la lecture/écriture d'information s. Dans le domaine des dispositifs à mémoire, on a développé des mémoires à accès aléatoire magnétiques (MRAM) utilisant des films magnétorésistifs de typetunnel pour des éléments de mémoire. Le MRAM est un dispositif à mémoire de la deuxième génération prom etteur dû à la rapidité de la lecture/écriture et de la non volatilité. Dans les dispositifs magnétiques, des effets magnétorésistifs sont souvent utilisés comme moyens pour convertir les champs magnétiques en signaux électriques. L'effet magnétorésistif est le phénomène de variation de la résistance électrique en fonction de la variation d'un champ magnétique dans un conducteur. En particulier, un dispositif tel que la tête de lecture magnétique ou le MRAM utilise un film magnétorésistif géant (GMR) dans lequel le rapport de la variation de la 2860333 2 résistance électrique versus le rapport de la variation du champ magnétique est très élevé. Dans le domaine de l'enregistrement magnétique où en outre un accroissement de densité d'enregistrement est exigé pour la c apacité de stockage croissante, il est nécessaire de capturer la légère variation d'un champ magnétique pour lire l'information stockée. Par conséquent, la technologie de film GMR a été utilisée dans de nombreux types de têtes magnétiques, devenant l'application principale. La figure 4 est une vue schématique en trois dimensions montrant la structure d'un exemple de films du type GMR de valve de rotation. Le film du type GMR de valve de rotation, ci-après "film SV-GMR", a la structure fondamentale dans laquelle une couche anti-ferromagnétique 3, une couche à magnétisation orientée 4, une couche non magnétique d'espacement (couche de conduction) 5 et la couche de magnétisation libre 6, sont superposées dans cet ordre. Dans le film SV-GMR, du fait que la couche à magnétisation orientée 4 est à côté de la couche anti-ferromagnétique 3, le moment magnétique dans la couche à magnétisation orientée 4 est orienté dans une direction par le couplage d'échange avec la couche anti- ferromagnétique 3. En d'autres termes, du fait que la couche à magnétisation libre 6 est isolée de la couche à magnétisation orientée 4 par la couche non magnétique d'espacement 5, le moment magnétique dans la couche à magnétisation libre 6 est capable de directions libres. L'effet magnétorésistif géant sur le film SV-GMR provient de la diffusion du spin dépendant des électrons sur l'interface. Quand un couple des couches magnétiques est magnétisé dans la même direction, des électrons libres, c'est-à-dire les électrons de conduction, sont fac ilement dispersés à l'interface. Au contraire, quand les couches ne sont pas magnétisées dans la même direction, des électrons libres sont à peine dispersés à l'interface. Par conséquent, quand la direction de magnétisation dans la couche à magnétisation 1 ibre 6 est plus proche de celle dans la couche à magnétisation orientée 4 comme indiqué dans la figure 4, la résistance électrique diminue. Quand la direction de magnétisation dans la couche à magnétisation libre 6 est plus proche de celle opposée à la couche à magnétisation orientée 4, la résistance électrique augmente. La structure réalisant cet effet de GMR s'appelle la "valve de rotation", parce que la direction de magnétisation dans la couche à magnétisation libre est orientée contre la couche à magnétisation orientée, laquelle est semblable à la rotation d'un robinet. Les films magnétorésistifs de type tunnel (TMR) utilisés dans MRAM ont des rapports MR de plusieurs ordres de grandeur que les films GMR. "Rapport MR" veut dire rapport de magnétorésist ance, c'est-à-dire, rapport de la variation électrique de résistance versus la variation de champ magnétique. Les films TMR sont largement prévus pour les têtes magnétiques de la deuxi ème génération, à cause de leurs rapports MR plus élevés. Aussi bien que le film GMR, un film TMR a la structure dans laquelle une couche anti -ferromagnétique, une couche à magnétisation orientée, une couche non magnétique d' espacement et une couche à magnétisation libre sont superposées dans cet ordre. La couche non magnétiqu e d'espacement dans le film TMR est une couche très mince réalisée en isolant, au travers de laquelle passe un courant tunnel. La résistance sur ce courant tunnel change selon la direction relative du moment magnétique dans la couche à magnétisation libre contre la couche à magnétisation orientée. Les films multicouches magnétorésistifs décrits ci-dessus sont fabriqués en superposant chaque couche mince polir chaque couche. Chaque film est déposé par pulvérisation ou un procédé différent. En cela, ce qui e st significatif c'est que l'effet magnétorésistif géant en film GMR ou film TMR provient de la diffusion du spin dépendant des électrons sur l'interface comme décrit. En conséquence, pour obtenir un rapport MR élevé, ce qui est significatif, c'est la propreté de l'interface entre un couple de couches. En déposant un film pour une couche sur une sous couche, si une substance étrangère est incluse dans l'interface ou une couche de contaminant est formée dans l'interface, un e telle erreur pourrait provoquer une diminution du rapport MR. En conséquence, une enceinte dans laquelle chaque film pour chaque couche est déposé , devrait être pompée à une pression sous vide élevé e de sorte que le dépôt soit effectué dans l'environnement propre. En outre, il est important de réduire la durée après le dépôt pour une couche jusqu' au prochain dépôt pour la prochaine couche, et de maintenir l'environnement propre sans interruption dans la période. La planéité d'une interface dans un film multicouche est également un facteur significatif en vue de l'augmentation de la performance du produit. Typiquement, quand la planéité est défectueuse sur l'interface d'une couche à magnétisation orientée et d'une couche à magnétisation libre, le couplage magnétique inter couches entre les couches à magnétisation orientée et libre pourrait se produite en générant une diminution de la performance du produit. Cet aspect sera décrit en détail comme suit, en se référant à la figure 5. La figure 5 présente le mécanisme de la génération du couplage inter couche suite à la planéité défectueuse d'une interface. On suppose dans la figure 5 que la couche de magnétisation 4 est réalisée alors que sa surface est rendue plus rugueuse. Ceci résulte du fait que la couche non magnétique d'espacement 5 et la couche à magnétisation libre 6 sont également réalisées à partir de surfaces plus rugueuses. Si chaque surface de chaque couche 4, 5, 6 est totalement plane, théoriquement aucun pôle magnétique n'apparaîtrait aux interfaces. Au contraire, les pôles magnétiques apparaîtraient facilement si les interfaces sont rugueuses. Par exemple, les lignes magnétiques dans les ondulations de la couche rugueuse à magnétisation orientée 4 génèrent des pôles aux extrémités parce qu'elles aboutissent sur les pentes des ondulations. Dans la couche à magnétisation libre 6, les lignes magnétiques dans les creux y génèrent des pôles aux extrémités. 2860333. Quand des pôles magnétiques sont induits sur l'interface entre la couche à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6 comme décrit, le couplage de couche intercalaire a lieu entre elles, malgré l'isolement par la couche non magnétique 5 d' espacement. En conséquence, le moment magnétique dans la couche à magnétisation libre 6 sera retenu par la couche à magnétisati on orientée 4, étant incapable de la rotation libre. Si ceci se produit, par exemple, dans une tête magnétique de lecture, les signaux de lecture seraient asymétriques vis-à-vis de la variation du champ magnétique externe (le champ magnétique sur un support de stockage). Autrement dit, la réponse de la tête de lecture sera retardée lors de la variation du champ magnétique externe. Ces résultats pourr ont provoquer des cas d'erreurs de lecture. Il pourrait également se produire qu'un e direction de magnétisation dans la couche à magnétisation libre 6 ne varie pas relativement en opposition à la direction de magnétisation dans la couche à magnétisation orientée 4 même lorsque le champ magnétique externe varie. Par conséquent, le rapport MR tend à diminuer quand la rugosité de l'interface se détériore. Les problèmes de couplage de couche intercalaire et de la rugosité inter faciale sont discutés en J. Appl. Phys., Vol.85, No.8, p4466 -4468. Cet article décrit la rugosité produite par la structure d'un film déposé. J. Appl. Phys., Vol.7, No.7, p2993-2998 décrit la rugosité d'un film qui est favorisée quand la pression de déposition du film est augmentée. En conclusion, ces articles enseignent que diminuer la pression de déposition est efficace pour rendre la rugosité inter faciale réduite pour diminuer le couplage de couche intercalaire. Cependant, J. Appl. Phys., Vol.77, No.7, p2993 -2998 précise également que l'entremêlement qui signifie l'incorporation mutuelle des matériaux à travers une interface, a lieu quand de la pression de déposition d'un film est réduite. Une autre solution au problème du couplage de couche intercalaire provoqué par la rugosité inter faciale, consiste à épaissir la couche non magnétique d'espacement. Néanmoins, quand la couche non magnéti que d'espacement est épaissie dans le film SV-TMR, l'écoulement des électrons conducteurs non contributifs à l'effet GMR est favorisé, posant le problème de diminution du rapport MR. L'écoulement de ces électrons s'appelle " l'effet shunt". Dans le film TMR, d'autre part, du fait que la couche non magnétique d' espacement de l'isolant est épaissie, la résistance totale est augmentée, ayant pour résultat que le courant optimum de tunnel ne peut plus être obtenu. Ceci pose le problème de diminution de la performance du produit. Il y a toujours une autre manière de réduire la rugosité d'une interface, comme cela est indiqué dans le brevet japonais No.2003-86866. De cette façon, après avoir effectué le dépôt de film pour une couche, la surface du film déposé est traitée en utilisant un plasma avant le prochain dépôt de film pour la prochaine couche. Cependant, un système pour ce procédé pose le problème de l'agrandissement d'échelle parce que l'équipement pour le traitement par plasma est exigé. En outre, le problème de diminution de la productivité est également posé parce que la phase supplémentaire du traitement par plasma est exigée. Cette invention doit résoudre les problèmes décrits ci -dessus, et propose un film multicouche magnétorésistif ayant la structure où une couche antiferromagnétique, une couche à magnétisation orientée, une couche non magnétique d'espacement et une couche à magnétisation libre sont stratifiées dans cet ordre. Une couche de côté opposé est réalisée du côté de la couche antiferromagnétique vis-à-vis de la couche à magnétisation orientée. La couche de côté opposé a des composants de nickel et de chrome. Le rapport numéral atomique du chrome dans la couche de côté opposé est de préférence pas moins de 41% et pas plus de 70%, de préférence pas moins de 43%. Un mode d'exécution de l'invention sera décrit ci -après, à titre d'exemple non limitatif, avec référence aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une vue en coupe schématique indiquant la structure d'un film multicouche magnétorésistif comme mode de réalisation de l'invention, La figure 2 indique le résultat d'une expérience pour étudier l'influence de la proportion de Cr dans la sous couche de NiCr sur le couplage de couche intercalaire, La figure 3 indique la structure du film TMR préparé dans l'expérience, La figure 4 est une vue en trois dimensions schématique indiquant la structure d'un exemple de films SV- GMR, La figure 5 indique le mécanisme de couplage de couche intercalaire dû à la planéité défectueuse d'une interface. Les modes de réalisation préférés de cette invention seront décrits comme suit. La figure 1 est une vue en coupe schématique indiquant la structure d'un film multicouche magnétorésistif comme mode de réalisation de l'invention. Le film multicouche magnétorésistif indiqué dans la figure 1 est utilisé pour une tête magnétique de lecture ou MRAM, et opère comme un film SV-GRM ou un film TMR. Le film multicouche magnétorésistif est réalisé sur un substrat 1 recouvert d'une couche de granulation 2. Le substrat 1 est réalisé en silicium, silice ou AlTiC. Dans le cas du silicium, la surface du substrat 1 peut être thermiquement oxydée. La couche de granulation 2 est réalisée à partir un produit tel le Ta, le Cu ou l'Au. Le film multicouche magnétorésistif de ce mode de réalisation a la structure dans laquelle une couche antiferromagnétique 3, une couche à magnétisation orientée 4, une couche non magnétique d'espacement 5 et une couche à magnétisation libre 6 sont superposées dans cet ordre. Une couche de côté opposé 7 est réalisée du côté de la couche antiferromagnétique 3 à l'opposé de la couche à magnétisation orientée 4. C'est-à-dire, la couche de côté opposé 7 est interposée entre la couche de granulation 2 et la couche antiferromagnétique 3. Puisque la couche de côté opposé 7 est située sous la couche antiferromagnétique 3 dans ce mode de réalisation, celle-ci s'appelle ci-après "sous couche". La couche 4 à magnétisation orientée est la couche où la direction de la magnétisation est orientée par le couplage avec la couche antiferromagnétique 3. La couche à magnétisation libre 6 est la couche qui est capable d'être magnétisé e librement dans n'importe quelle direction. Comme indiqué sur la figure 1, les couches 3, 4, 5, 6, 7 sont superposées vers le haut dans cet ordre. Ceci ne correspond pas toujours à une configuration dans la pratique. La figure 3 et la description qui suit sont basés sur l'hypothèse qu'une couche réalisée dans une phase antérieure est localisé e plus bas, et une couche réalisée dans une phase postérieure est localisé e plus haut. Par conséquent, si la surface du substrat 1 est dirigée vers le bas et les couches sont superposées pardessus, alors la couche de côté opposé 7 est située au-dessus de la couche antiferromagnétique 3. La couche antiferromagnétique 3 est réalisée à partir d'un produit tel le PtMn ou le IrMn. "PtMn" signifie des composants en platine et en manganèse, et ne signifie pas toujours qu'ils sont alliés bien qu'ils soient souvent alliés. Ceci est identique dans d'autres expressions utilisant d'autres combinaisons de symboles d'éléments tels que "IrMn". Le matériau du système CoFe est, par exemple, utilisé pour la couche à magnétisation orientée 4. "Le système CoFe" inclut un alliage de cobalt et fer, un alliage de cobalt, fer et tout autre produit, et un alliage de cobalt et fer avec un additif. La couche à magnétisation orientée 4 peut être cons tituée d'un film multicouche de matériaux différents tels le CoFe/Ru/CoFe. La couche non magnétique d'espacement 5 est réalisée en cuivre dans le cas d'un film GRM, et d'alumine dans le cas d'un film TMR. La couche à magnétisation libre 6 est réalisée à partir d'un matériau tel le NiFe. Le film multicouche où un film de NiFe est déposé sur un film de CoFe, peut être utilisé pour la couche libre de magnétisation 6. Comme indiqué dans la figure 1, une couche de protection 9 est réalisée sur la couche à magnétisation libre 6 pour protéger le film multicouche magnétorésistif de ce mode de réalisation. La couche de protection 9 est réalisée à partir d'un matériau tel que le tantale. La sous couche 7 caractérisant considérablement le film multicouche magnétorésistif de ce mode de réalisation est réalisée à partir de nickel et de chrome où le rapport numéral atomique du chrome est de 41 % ou plus. "Le rapport numéral atomique" signifie le rapport de masse converti en nombre atomique, c'est-à-dire, le rapport des nombres d'atomes inclus. Le rapport numéral atomique est parfois représenté sous la forme "at %". La remarque concernant le film de NiCr où le rapport numéral atomique du chrome est de 41 % ou plus, utilisé pour la sous couche 7, est basé sur le résultat d'une recherche, que les inventeurs ont réalisée pour résoudre le problème décrit du couplage de couche intercalaire. La rugosi té inter faciale posant le problème du couplage de couche intercalaire résulte souvent de la rugosité d'u ne autre interface localisée en dessous. Quand la surface d'un film est rugueuse, la surface d'un autre film déposé par-dessus est également rugueuse, parce que le film est déposé en reproduisant la surface rugueuse de la couche inférieure. Par conséquent, pour éviter de rendre une interface rugueuse, il est important de déposer un film situé sur une surface sans rugosité. Pour rechercher comment aplatir l'interface de la couche à magnétisation orientée 4 et de la couche à magnétisation libre 6, afin de permettre la réduction du couplage de couche intercalaire entre elles, les inventeurs ont étudié la sélection et la combinaison optimales de matériaux pour une couche sous la couche à magnétisation orientée 4. Partant de l'hypothèse que ces paramètres de la couche contribueraient à aplatir la couche ellemême, de ce fait en contribuant à aplatir la couche à magnétisation orientée 4 aussi bien. Après la recherche diligentée sur cette hypothèse, il s'est avéré que, quand un film de NiCr ayant le rapport numéral atomique de chrome de 41 % ou plus est déposé pour une couche sous la couche antiferromagnétique 3, le couplage de couche intercalaire entre la couch e à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6 est réduit. Cette remarque sera décrite en détail comme suit. La figure 2 montre le résultat d'une expérimentation pour étudier comment la proportion de Cr dans la sous couche de NiCr influence le couplage de couche intercalaire. Sur la figure 2, l'axe des abscisses indique la proportion de Cr, et l'axe des ordonnées est le degré de le couplage de la couche intercalaire, c'est-à-dire, l'intensité du champ magnétique (0e) de couplage de couche intercalaire (Hin), entre la couche à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6. Des données réelles sont indiquées sur le côté droit du graphique sur la figure 2. Dans cette expérience, un film TMR comportant le film de NiCr pour la sous couche 7 a été préparé. Puis, l'intensité de couplage de couche intercalaire entre la couche à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6 a été mesurée. La figure 3 montre la structure du film TMR préparé dans l'expérience. Les indications entre parenthèses sur la figure 3 indiquent l'épaisseur moyenne des films. Comme indiqué sur la figure 3, un film de Ta pour la couche de granulation 2 a été déposé, de 200 angstrdms d'épaisseur, sur la surface thermiquement oxydée d'un substrat 1 réalisé en silicium. Sur le film de Ta, pour la sous couche 7, un film de NiCr a été déposé de 40 angstrôms d'épaisseur. Sur le film de NiCr, pour la couche antiferromagnétique 3, un film de PtMn (Pt50 Mn50at %) a été déposé de 150 angstrôms d'épaisseur. Sur le film de PtMn, pour la couche à magnétisation orientée 4, un couple des films de CoFe (Co90 Fe10 at %) est déposé de 30 angstrôms d'épaisseur respectivement, interposant un film de RU de 30 angstrôms d'épaisseur. Sur le film de CoFe, pour la couche non magnétique 5 d'espacement, un film d'alumine a été déposé de 9 angstrôms d'épaisseur. Sur le film d'alumine, pour la couche à magnétisation libre 6, un film de NiFe (Ni83 Fe17 at %) a été déposé de 40 angstrôms d'épaisseur. Sur le film de NiFe, pour la couche de protection 9, un film de Ta a été déposé de 50 angstrôms d'épaisseur. Chaque film a été déposé par pulvérisation magnétron DC. Plusieurs films TMR ayant la structure décrite ci -dessus ont été préparés. La proportion de Cr dans les sous couches 7 des films de TMR a été modifiée. Puis, l'intensité du couplage de couche intercalaire entre la couche à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6 pour chaque film TMR a été mesuré e. Comme indiqué sur la figure 2, dans la plage où la proportion de Cr se situait jusqu'à environ à 40 at %, le couplage de couche intercalaire (Hin) a montré une valeur élevée autour de 10 Oe. Cependant, lorsque la proportion de Cr a dépassé 40 at% et a atteint 41 at% ou plus, il a chuté à 80 Oe ou en-dessous. Dans la plage où la proportion de Cr a excédé 6 8 at% jusqu'à 100 at%, le couplage de couche intercalaire (Hin) est demeuré à une valeur faible autour de 6 à 6,4 Oe, bien qu'il ait tendance à remonter. A partir des résultats indiqués sur la figure 2, on comprend que la proportion de Cr s'étendant de 43 at % à 70 at % est bien plus préférable parce que le couplage de couche intercalaire (Hin) est de valeur faible de 50 Oe ou en-dessous. L'inclusion du nickel dans la sous-couche 7 a pour but de réduire la taille de grain du film. Si le film ne contient pas ou très peu de nickel, c'est-à-dire, une proportion de Cr trop importante, le problème d'agrandissement de la taille de grain est posé. Quand du nickel ayant la structure granulaire cubique face centrée (fcc) est ajouté au chrome ayant la structure granulaire cubique corps centré (bcc), la taille de grain est rendue plus petite. Ainsi, le film tend vers un état amorphe dans une plage, par exemple, de proportion de Cr de 60 at % ou moins. Un film à grains fins ou à état amorphe est préférable du point de vue de l'amélioration d es propriétés magnétiques telles que le rapport MR en raison d'une planéité bien meilleure de la surface. Un film dont la proportion de Ni est faible et la proportion de Cr est élevée, aurait une structure de grain où le bcc est dominant, ayant pour résultat que la taille de grain tend à être agrandie. Par conséquent, la proportion de Cr est de préférence de 70 at % ou moins. La structure décrite sur la figure 3, qui est le mode de réalisation concernant le film TMR, est modifiée selon le mode de réalisation concernant un film SVGMR. Dans le film de SV-GMR, concrètement, la couche non magnétique 5 d'espacement est réalisée en cuivre d'épaisseur 2,0 nm. Le reste de la structure peut être identique. Un tel film SV-GMR a été préparé, et le rapport MR a été aussi bien mesuré. Ce film SV-GMR a également montré une amélioration éminente de réduction du couplage de couche intercalaire entre la couche à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6 quand la proportion de Cr dans la sous couche 7 était 41 at % ou plus. Spécifiquement, bien que le couplage de couche intercalaire ait été 2, 1 Oe pour une proportion de Cr de 40 at %, il a diminué à 1,2 0e pour une proportion de Cr de 41 at %. Bien que le rapport MR soit de 15,1% pour une proportion de Cr de 40 at %, il a grimpé jusqu' à 16,3% pour une proportion de Cr de 41 at %. L'amélioration éminente du rapport MR a été aussi bien confirmée. Comme cela a été décrit, le couplage de couche intercalaire entre la couche à magnétisation orientée 4 et la couche à magnétisation libre 6 est réduit dans le film multicouche magnétorésistif du mode de réalisation. Par conséquent, il y a une plus faible probabilité pour que le moment magnétique dans la couche à magnétisation libre 6 soit retenu et limité par le moment magnétique dans la couche à magnétisation orientée 4. Ceci a pour mérite de réduire 1 es erreurs de lecture et les délais de réponse dans une tête de lecture magnétique, et pour mérite de réduire des erreurs d'écriture et des erreurs de lecture dans un MRAM. Ces mérites sont largement mis en valeur pour une proportion de Cr s'étendant de 43 at % à 70 at %. La proportion de Cr de 70 at % ou moins a pour mérite de réduire la taille de grain aussi bien, étant donné qu'une quantité suffisante de nickel peut être contenue. Le concept dans le film multicouche magnétorésistif du mode de réalisation ne concerne pas l'ajout d'une phase supplémentaire telle que le traitement par plasma, mais la réduction du couplage de couche intercalaire en optimisant la proportion de Cr dans la sous couche 7. Par conséquent, le film multicouche magnétorésistif du mode de réalisation est exempt des problèmes tels que la diminution de la productivité et 1' augmentation du coût pour un système de fabrication. Néanmoins, l'invention n'exclut pas l'ajout d'une phase telle que le traitement par plasma. N'importe quelle phase, traitement ou procédé supplémentaire peuvent être ajoutés pour la structure décrite où la proportion de Cr est optimisée. La fabrication du film multicouche magnétorésistif du mode de réalisation sera décrite ci-après. Comme cela a été décrit, chaque film pour chaque couche est déposé par pulvérisation. Par conséquent, un système de fabric ation comporte une pluralité de chambres de dépôt dans lesquelles chaque film est déposé respectivement par pulvérisation. Il y a approximativement deux types d'implantation de chambres de déposition, c'est-à-dire, le type outil en grappe et le type intégré. Dans le cas du type outil en grappe, une chambre de transfert comportant un robot de transfert à cet effet est prévue au centre, et les chambres de déposition sont hermétiquement connectées à la périphérie de la chambre de transfert. Un substrat est transféré dans les chambres de déposition sous le contrôle du robot de transfert. Dans le cas du type intégré, un substrat est chargé sur un porteur capable de se déplacer linéairement. Une pluralité de chambres de déposition sont prévues le long de la ligne de transfert, et connectées hermétiquement entre elles. Dans n'importe quel type, chaque film pour chaque couche est déposé sans interruption sous vide sans exposer le substrat à l'atmosphère. Le film multicouche magnétorésistif est fabriqué par pulvérisation de dépôt de films pour la sous couche 7, la couche antiferromagnétique 3, la couche à magnétisation orientée 4, la couche non magnétique d' espacement 5, la couche à magnétisation libre 6 et la couche de protection 9 dans l'ordre sur le substrat 1 recouvert de la couche de granulation 2. Dans le système de fabrication, la configuration multi -cathodes peut être une solution dans la chambre pour former la sous couche 7. Concrètement, une cathode comportant une cible base-Ni et une cathode comportant une cible base-Cr sont prévues dans la chambre. Sachant que la puissance appliquée sur chaque cathode est commandé e indépendamment, le film de NiCr ayant la proportion de Cr dans la plage décrite est déposé. Cependant la sous couche 7 dans le film multicouch e magnétorésistif décrit, a été réalisée à partir de nickel et de chrome seulement, elle peut inclure d 'autre produit tel que du fer, du tantale ou du niobium. La proportion de Cr peut être dans la plage décrite par rapport à la quantité totale comprenant un tel autre produit. Cependant le film GMR et le film TMR ont été adoptés dans la description ci - dessus, le film multicouche magnétorésistif de cette invention n'estlimité ni au film SV-GMR décrit ni au film GMR décrit. Cette invention peut être appliqué e à n'importe quel autre film multicouche réalisant l'effet magnétorésistif. Revendications 1. Film multicouche magnétorésistif, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche antiferromagnétique, une couche à magnétisation orientée où la direction de la magnétisation est orientée par le couplage à la couche antiferromagnétique, une couche non magnétique d' espacement, et une couche à magnétisation libre où la direction de la magnétisation est libre, ayant une structure dans laquelle la couche antiferromagnétique, la couche à magnétisation orientée, la couche non magnétique d' espacement et la couche à magnétisation libre sont superposées dans cet ordre, ledit film comprenant en outre une couche de côté opposé du côté de la couche antiferromagnétique en face de la couche à magnétisation orientée, la couche de côté opposé ayant des composants de nickel et de chrome, le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'étant pas inférieur à 41%. 2. Film multicouche magnétorésistif selon la revendication 1, 20 caractérisé en ce que le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'est pas supérieur à 70%. 3. Film multicouche magnétorésistif, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche antiferromagnétique, une couche à magnétisation orientée dans laquelle la direction de la magnétisation est orientée par le couplage à la couche antiferromagnétique, une couche non magnétique d' espacement, et une couche à magnétisation libre dans laquelle la direction de la magnétis ation est libre, ledit film ayant d'une part une structure dans laquelle la couche antiferromagnétique, la couche à magnétisation orientée, la couche non magnétique d'espacement et la couche à magnétisation libre sont superposées dans cet ordre; et comprenant en outre d'autre part une couche de côté opposé du côté de la couche antiferromagnétique en face de la couche à magnétisation orientée, la couche de côté opposé ayant des composants de nickel et de chrome, le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'étant pas inférieur à 43% et pas supérieur à 70%. 4. Film multicouche magnétorésistif géant de type de valve de rotation, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche antiferromagnétique, une couche à magnétisation orientée dans laquelle la direction de la magnétisation est orientée par le couplage à la couche antiferromagnétique, une couche non magnétique die spacement, et une couche à magnétisation libre dans laquelle la direction de la magnétisation est 20 libre, ledit film ayant d'une part une structure dans laquelle la couche antiferromagnétique, la couche à magnétisation orientée, la couche non magnétique d'espacement et la couche à magnétisation libre sont superposées dans cet ordre, et comprenant en outre d'autre part une couche de côté opposé du côté de la couche antiferromagnétique en face de la couche à magnétisation orientée, la couche de côté opposé ayant des composants de nickel et de chrome, le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'étant pas inférieur à 41%, la couche non magnétique d' espacement étant conductrice. 5. Film multicouche magnétorésistif géant de type valve de rotation selon la revendication 4, caractérisé en ce que le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'est pas supérieur à 70%. 6. Film multicouche magnétorésistif géant de type de tunnel, caractérisé en ce qu'il comporte: une couche antiferromagnétique, une couche à magnétisation orientée où la direction de la magnétisation est orientée par le couplage à la couche antiferromagnétique, une couche non magnétique d' espacement, et une couche à magnétisation libre dans laquelle la direction de la magnétisation est 15 libre, ledit film ayant d'une part une structure dans laquelle la couche antiferromagnétique, la couche à magnétisation orientée, la couche non magnétique d'espacement et la couche à magnétisation libre sont superposées dans cet ordre, et comprenant en outre d'autre part une couche de côté opposé du côté de la couche antiferromagnétique en face de la couche à magnétisation orientée, la couche de côté opposé ayant des composants de nickel et de chrome, le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'étant pas inférieur à 41%, la couche non magnétique d' espacement étant isolante. 7. Film multicouche magnétorésistif géant de type de tunnel selon la revendication 6, caractérisé en ce que le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'est pas supérieur à 70%. 8. Film multicouche magnétorésistif géant de type de tunnel, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche antiferromagnétique, une couche à magnétisation orientée dans laquelle la direction de la magnétisation 10 est orientée par le couplage à la couche antiferromagnétique, une couche non magnétique d' espacement, et une couche à magnétisation libre dans laquelle la direction de la magnétisation est libre, ledit film ayant d'une part une structure dans laquelle la couche antiferromagnétique, la couche à magnétisation orientée, 1 a couche non magnétique d'espacement et la couche à magnétisation libre sont superposées dans cet ordre, et comprenant en outre une d'autre part couche de côté opposé du côté de la couche antiferromagnétique en face de la couche à magnétisation orientée, la couche de côté opposé ayant des composants de nickel et de chrome, le rapport numéral atomique de chrome dans la couche de côté opposé n'étant pas inférieur à 43% et supérieur à 70%, la couche non magnétique d' espacement étant isolante.