Brevet FR2859781A1 — publié le 20050318

UTILISATION DE LA TRANSFORMEE DE FOURIER OPTIQUE POUR LE CONTROLE DIMENSIONNEL EN MICROELECTRONIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR Cette invention concerne le domaine du contrôle dimensionnel et s'applique notamment à la caractérisation géométrique de structures de petites tailles (de l'ordre du m ou moins, par exemple comprises entre 1 m et lOnm) par analyse de la lumière diffractée, la scatterométrie. Parmi les applications possibles de la présente invention, on peut citer la caractérisation de nanostructures hétérogènes réalisées généralement en technologie microélectronique comme les motifs de test (réseaux gravés) et/ou la caractérisation de structures de dépôts multicouches. Ces nanostructures peuvent être des réseaux monodimensionnels ou bidimensionnels (réseaux de plots par exemple) ou des couches simples ou des empilements de couches ou des empilements de couches et de réseaux mono ou bipériodiques. Elle concerne aussi des structures telles que des structures biomimétiques, ou des structures de type overlay (réseaux superposés avec décalage). Des méthodes connues de contrôle dimensionnel sont les méthodes de scatterométrie par ellipsométrie et par photogoniométrie. Ces méthodes optiques sont reproductibles, assez rapides et non destructives. Dans le cas d'une mesure sur un réseau, elles utilisent le phénomène de diffraction par un réseau et donnent ainsi des caractéristiques moyennes des lignes du réseau comme indiqué dans les références 3 et 4 citées en fin de la présente description. L'ellipsométrie spectroscopique est une technique de caractérisation de surface qui tire profit du changement d'état de polarisation de la lumière après réflexion sur la surface. Ce changement d'état pour différentes longueurs d'onde et un angle d'incidence fixe permettent de remonter aux caractéristiques optiques de l'échantillon. Elle est par exemple décrite dans la référence 4. La photo goniométrie est une technique de caractérisation de surface. Elle est décrite dans la référence 3, et met en oeuvre la variation de la réflectivité de l'ordre spéculaire d'un réseau en fonction de l'angle d'incidence du faisceau. On utilise également le fait que le comportement de la lumière soit différent selon les polarisations pour doubler le nombre de données utilisables. Ces méthodes connues de métrologie optiques utilisent un faisceau lumineux monochromatique dont on fait varier soit la longueur d'onde (à l'aide d'un monochromateur) soit l'angle d'incidence (à l'aide d'un bras motorisé). Après chaque modification du faisceau incident il faut refaire une mesure. On obtient alors la signature du réseau. On peut ensuite retrouver les caractéristiques des lignes du réseau, soit en retrouvant la signature théorique la plus proche dans une bibliothèque de signatures pré-calculées, soit en en calculant la courbe théorique la plus proche, comme décrit par exemple dans les références 1,2 et 4. Ces méthodes sont relativement rapides, le temps entre le moment où l'objet est saisi et le résultat étant de quelques secondes (5 à 11 s) , ce qui est compatible avec un environnement de production ; mais la quantité de données fournies n'est en général pas suffisante pour fournir une caractérisation précise des objets investigués. Il se pose donc le problème de trouver un nouveau procédé et un nouveau dispositif permettant de déterminer des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles d'objets, par exemple du type réalisés en microélectronique, de préférence en un temps compatible avec un environnement de prodution de tels objets et fournissant suffisamment de données. Par ailleurs, un autre problème est que les dispositifs classiques d'ellipsométrie et de goniométrie utilisent des bras de mesures encombrants et mettent en #uvre des pièces mécaniques mobiles. Or, dans un domaine tel que la microélectronique ou dans le domaine des nanostructures, en particulier dans un environnement de production, l'encombrement et/ou la simplicité d'un système de contrôle sont des paramètres importants. EXPOSE DE L'INVENTION L'invention vise à résoudre ce problème. L'invention a pour objet un système optique, un dispositif et un procédé permettant de déterminer les caractéristiques structurelles d'un objet. L'invention concerne un dispositif pour la mesure de caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles d'un objet, comportant : - d es moyens pour former une image de la transformée de Fourier optique d'une surface élémentaire de l'objet sur un élément ou des moyens de détection, - des moyens de traitement pour produire des données concernant au moins une caractéristique dimensionnelle et/ou structurelle de l'objet, ou pour identifier une telle caractéristique, à partir d'informations fournies par les moyens de détection. Les moyens pour former une image de la transformée de Fourier optique d'une surface élémentaire de l'objet sont de préférence des moyens pour former une image de cette transformée de Fourier optique dans un plan focal image de Fourier. Le dispositif peut en outre comporter des moyens pour définir la géométrie de ladite surface élémentaire. Il peut aussi comporter des moyens de transfert pour former l'image de la transformée de Fourier optique de la surface élémentaire sur des moyens de détection. Selon l'invention on utilise donc la technique de transformée de Fourier optique (TFO) pour une application de caractérisation de structures, en particulier de nanostructures, de tailles caractéristiques comprises par exemple entre 1 m et 10 nm. La TFO permet d'obtenir, en une seule acquisition, une réponse de l'objet illuminé. La mesure est donc très rapide et une seule mesure donne une très grande quantité d'information alors que les autres méthodes sont limitées en quantité d'informations. Le système selon l'invention est en outre peu encombrant et ne met en #uvre quasiment pas de pièces mécaniques mobiles, ce qui simplifie son utilisation. Une source de rayonnement pour illuminer l'objet sera de préférence une source spatialement non cohérente, monochromatique ou de faible largeur spectrale, de préférence inférieure à 10 nm. La puissance de cette source sera fonction du temps de mesure et de la géométrie choisie de la surface élémentaire. De préférence elle est comprise entre 100 mW et 500 mW. Le système pourra comporter un dispositif de contrôle de polarisation avant et après réflexion sur la face de l'échantillon. Les moyens de traitement mettent par exemple en oeuvre un calcul RCWA. Ils peuvent aussi effectuer un calcul d'une distribution d'intensité réflechie théorique, pour une lumière incidente donnée et des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles données de l'objet, puis une comparaison de cette distribution théorique avec une distribution d'intensité réfléchie et une modification des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles données de l'objet si le résultat de la comparaison n'est pas satisfaisant. L'invention concerne également un procédé de mesure de caractéristiques dimensionnelles ou structurelles d'un objet dont la surface est illuminée par un rayonnement, comportant : - former une image de la transformée de Fourier optique d'une surface élémentaire de l'objet sur des moyens de détection, - traiter des données fournies par les moyens de détection de manière à produire au moins une donnée concernant au moins une caractéristique dimensionnelle et/ou structurelle de l'objet. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures 1A et 1B représente nt un mode de réalisation de l'invention, les figures 2A et 2B sont des exemples de masque pouvant être utilisées dans le cadre de la présente invention, la figure 3 est un schéma synoptique d'un procédé de caractérisation, la figure 4 représente le résultat de l'illumination globale d'un réseau avec un dispositif selon l'invention, les figures 5A et 5B représentent le résultat de l'illumination d'un réseau avec un dispositif selon l'invention, muni de deux masques différents, les figures 6A à 13C sont des exemples comparatifs. EXPOSÉ DETAILLE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Un mode de réalisation de l'invention est illustré en figure 1A. Un objectif de mesure 2 permet de former l'image de la transformée de Fourier 4 d'une surface élémentaire 6 d'un objet 1 dans son plan focal image 8. Cette surface est éclairée à l'aide d'une source de rayonnement 24. La transformée de Fourier optique (TFO) est une méthode optique permettant d'imager la réponse angulaire d'un échantillon à une excitation lumineuse. L'invention permet donc de visualiser la transformée de Fourier angulaire de la lumière réfléchie ou diffractée par un échantillon. L'objet 1 est par exemple un réseau monodimensionnel ou bidimensionnel (par exemple un réseau de plots) ou un empilement de couches ou une combinaison d'un empilement de couches et d'un ou de plusieurs réseaux mono ou bipériodiques. Il peut aussi s'agir d'une monocouche dont on cherche à identifier l'épaisseur. Les grandeurs caractéristiques de ces structures sont comprises de préférence : - pour des réseaux, entre 1 m ou 500 nm ou 100 nm et 50 nm ou entre 50 nm et 10 nm, - et, pour des couches entre 100 um et 10 nm. Un objectif de transfert forme ensuite l'image de la transformée de Fourier de la surface élémentaire 6 sur un capteur 14 formé de détecteurs. Ce capteur 14 est par exemple une caméra CCD. Il permet de capter l'intensité émise par une zone élémentaire 6, suivant chaque direction d'émission repérée par le couple (#, #) comme illustré sur les figures 1A et 1B. Dans le plan focal image 8 (figure 1B) la distance entre l'axe optique 5 et la zone 4 où se concentrent les ondes planes émises depuis la zone 6 selon l'angle 9 est proportionnelle à #. L'azimut (p correspond à la direction azimutale d'émission depuis cette zone 6. L'utilisation d'une caméra CCD permet d'acquérir, en une seule acquisition, autant de données que de pixels illuminés de la caméra CCD. Cet objectif de transfert comporte par exemple un couple de lentilles 10,12. La lentille 10 peut être une lentille de champ qui donne une image réelle au voisinage du plan d'un diaphragme 16 ou dans ce plan. Ce diaphragme permet de définir l'ouverture de la surface élémentaire 6. Il a par exemple un diamètre compris entre 40 m et 500 m, par exemple égal à environ 300 m. Ce diaphragme est situé dans ou au voisinage d'un plan conjugué du plan de l'objet 1. Ce diaphragme peut être remplacé par tout moyen optique, par exemple un redimensionnement des optiques, permettant de limiter la zone éclairée de l'échantillon. L'illumination peut se faire à partir d'un plan de Fourier 18 décalé de l'axe de l'appareil par un plan semi-transparent 20. La lentille 22 joue le même rôle que la lentille 12 dans le cas du chemin direct. La source de rayonnement 24 est de préférence, du point de vue spatial, non cohérente ou faiblement cohérente, afin d'éliminer le phénomène de tavelures, ou de speckle . Ce dernier est un phénomène d'interférence des points de la source, qui brouille de façon aléatoire les mesures. Il existe une nette différence de qualité de signal entre des mesures effectuées avec speckle et sans speckle La source est de préférence de forte puissance (puissance par exemple comprise entre 100mW et 500mW), de manière à permettre une illumination de l'échantillon via le diaphragme. Mais cette puissance dépendra de la géométrie choisie pour chaque surface élémentaire à illuminer, de manière à réaliser une mesure en un temps de mesure choisi, par exemple inférieur à 1 seconde. Enfin, elle est de préférence monochromatique ou de faible largeur spectrale, inférieure à 10 nm. Cette source peut être un laser (par exemple un laser NdYAG doublé à 532 nm) fonctionnant en continu, décohéré (par exemple à l'aide d'une lame dépolie tournante), ou une série de diodes superluminescentes ou de diodes laser. Des moyens de calcul 26 permettent de traiter des données reçues sur le capteur 14 et mettent en #uvre un procédé de traitement des données. Ces moyens comportent par exemple un micro-ordinateur spécialement programmé pour mettre en #uvre un tel procédé. Ce procédé permet de retrouver les caractéristiques dimensionnelles et/ou de structure de l'objet examiné 1 et sera détaillé par la suite. Avantageusement le dispositif comporte un polariseur 28 permettant de sélectionner la polarisation de la lumière diffractée. En outre, l'utilisation d'un masque 30 dans le plan de Fourier de l'illumination permet de sélectionner les angles (#,#) d'illumination. Selon un exemple, illustré sur la figure 2A, un masque 40 présente une fente 42 permettant de réaliser une mesure dite en thêta , par exemple avec un angle # compris entre quelques degrés et quelques dizaines de degrés, par exemple entre 8 et 80 . Selon un autre exemple, illustré sur la figure 2B, un masque 50 présente une fente 52 en arc de cercle, permettant de réaliser, pour un angle 0 donné, une mesure purement azimutale, dite en phi , par exemple avec un angle (p compris entre 0 et 180 , pour un angle # égal ici à environ 70 . D'autres formes de masques sont possibles. L'utilisation de masques permet une illumination sélective de la surface de l'objet, par séléection des angles # et/ou #. L'invention permet donc notamment une mesure à partir d'une illumination d'azimut (p fixe ou variable, ou comprise entre deux valeurs limites, l'angle # étant lui-même fixe ou bien variable ou compris entre deux valeurs limites (par exemple entre 0 et 80 ) . Un intérêt de pouvoir sélectionner des zones à angle # élevé (jusqu'à 80 par exemple) est que ces zones sont des zones de forte sensibilité. Un polariseur peut également être prévu à l'entrée du dispositif. La réponse du détecteur 14 est ensuite traitée afin d'extraire les données permettant la caractérisation de l'objet 1 en termes de dimension et/ou de structure. Il peut s'agir par exemple d'une dimension suivant une direction non parallèle au plan de l'objet 1, ou perpendiculaire à ce plan, par exemple l'épaisseur d'une couche de silicium. Il peut aussi s'agir de la détermination des caractéristiques structurelles d'un réseau bidimensionnel, par exemple d'une structure biomimétique. La caractérisation va donc permettre de déterminer des caractéristiques de reliefs et/ou de dimensions de certaines structures. L'invention met en #uvre une technique d'analyse dite RCWA, ou Rigourous Coupled Wave Analysis . Une technique de ce type est décrite dans les références 3 et 4. Cette méthode permet d'obtenir quatre paramètres ou données : Rss (coefficient de réflexion d'une polarisation S la direction S étant définie par le polariseur 28), Rpp (coefficient de réflexion d'une polarisation P perpendiculaire à S), Rsp (coefficient de couplage, après réflexion, d'une polarisation S sur la polarisation P), Rps (coefficient de couplage, après réflexion, d'une polarisation P sur la polarisation S). On exploite, dans le cadre de la présente invention, non pas ces quatre données, mais les données Po et P90, qui sont des intensités normalisées de polarisations obtenues à partir de Rpp, Rss, Rsp et Rps selon les formules : PO = Icos(cp ).Rpp + sin(cp ).Rsp \2 +jcos(cp ).Rps +sin(cp ).Rss 12 P90=#cos (#).Rsp-sin(#).Rpp#2+#cos(#).Rss-sin(#).Rps#2 La figure 3 est une représentation des étapes d'un procédé de traitement des données selon l'invention. Des données S(#,#) concernant la lumière incidente sont soumises, avec des paramètres 60 approximatifs de la structure (par exemple hauteur et/ou largeur des traits ou lignes d'un réseau et/ou pente des flans de ces traits ou lignes, et/ou épaisseur de la ou des couches, indice du ou des matériaux), à un traitement par méthode RCWA (étape SI) . Ce calcul théorique fournit une signature R(#,#) théorique, qui représente la lumière réfléchie théoriquement mesurée sur le capteur. R(#,#) est composée, dans le cas d'un réseau, de la réflexion spéculaire Ro et des ordres diffractés Rn : R (#,#)=R0(#,#)+#Rn(#,#). n La signature théorique, ou distribution d'intensité, qui résulte du calcul est comparée (étape S2) à la signature 56 mesurée de la lumière réfléchie. La comparaison est par exemple effectuée à l'aide d'une méthode de régression, comparant la signature théorique et la signature mesurée, par exemple en (p , des intensités Po et P90 (obtenues en orientant un analyseur placé devant les moyens 14 de détection). Si l'accord obtenu selon ce critère est bon, les caractéristiques 60 introduites dans le calcul RCWA (S3) peuvent être considérées comme les caractéristiques de l'objet mesuré 1. Si l'accord obtenu selon ce critère n'est pas bon, les paramètres 60 sont modifiés (étape S4), et il est procédé à un nouveau calcul RCWA jusqu'à l'obtention d'un accord satisfaisant. En d'autres termes, des profils de Po et P90 peuvent être établis en fonction de l'azimuth (p et/ou de l'angle # et comparés à des profils Po et P90 pour une structure théorique. Une, ou des, caractéristique(s) de la structure théorique (par exemple : pas du réseau ou épaisseur des couches) peuvent être progressivement modifiées (étape S4) pour que le profil théorique s'approche du profil mesuré. Lorsqu'un accord satisfaisant est obtenu, les caractéristiques structurelles de l'objet peuvent être identifiées. Dans certains cas on pourra aussi utiliser les profils des coefficients Rpp et Rss en fonction de #, le traitement des données étant le même que celui exposé ci-dessus. C'est notamment le cas lors de la caractérisation de l'épaisseur d'une monocouche. L'invention apporte un certain nombre d' avantages . Tout d'abord, la mesure est rapide (environ 300 ms) et permet de fournir suffisamment d'informations. Une seule acquisition est même nécessaire avec une caméra CCD 14 qui fait l'image de la transformée de Fourier. L'utilisation d'une caméra CCD permet en outre de réaliser un traitement parallèle des données, et non pas successif comme avec un capteur classique. On obtient donc une très grande quantité d'informations et l'acquisition n'est plus un facteur limitant lors de la caractérisation. L'invention permet en outre de recueillir une très grande quantité d'information en une seule acquisition, beaucoup plus que par les procédés classiques. Par exemple, elle permet de caractériser les ordres diffractés et ainsi d'en tirer des informations supplémentaires (rugosité de surface, etc...). La rugosité latérale peut aussi être déduite de la lumière diffusée en dehors de l'ordre spéculaire et des ordres de diffraction sur lesquels elle apparaît comme un effet de second ordre. En termes d'encombrement, l'instrument peut être réduit à un volume de l'ordre de quelques dm3, car il est juste constitué d'une source 24, d'éléments d'optiques et d'un détecteur 14. Les dispositifs d'ellipsométrie et de goniométrie classique utilisent des bras de mesures encombrants. Dans un domaine tel que la microélectronique ou dans le domaine des nanostructures, ce paramètre est important. Il faut ajouter la quasi-absence de pièces mécaniques mobiles. L'invention permet un accès aux données goniométriques azimutales : la mesure en cp donne des informations pertinentes pour la caractérisation de structures tridimensionnelles (notamment dans le cas de réseaux de plots, ou de membranes biomimétiques) ou asymétriques. L'utilisation de données goniométriques présente en outre l'avantage, par rapport aux données ellipsométriques, de ne pas nécessiter la connaissance de la courbe de dispersion des matériaux. De plus, on peut, en faisant varier l'azimut (p, faire varier la période apparente et ainsi mesurer des réseaux de plus petit pas. A cela s'ajoute la possibilité d'effectuer des mesures avec différentes longueurs d'onde. Pour cela différentes sources peuvent être utilisées, et notamment un laser (par exemple à 532 nm ou à 633 nm), ou une source blanche (par exemple une lampe au xénon) munie d'un filtre interférentiel, ou une matrice de diodes super-luminescentes, ou des diodes laser. Le tableau I ci-dessous récapitule des données relatives à un procédé selon l'invention (TFO), à un procédé par ellipsométrie (technique multispectrale , mettant en #uvre plusieurs longueurs d'onde et, pour chaque longueur d'onde, la réflexion est mesurée) et à un procédé classique (avec un ellipsomètre très performant, une seule longueur d'onde par mesure et plusieurs mesures successives). Tableau I Méthode T. F.O. Multi-spectrale Classique Temps d'une mesure 300 ms 100 ms quelques ms Nombre de mesure 1 1 200 Temps total de 300 ms 100 ms De 500 ms à 2 s l'acquisition Capteur Caméra CCD Barrette CCD Cellule ~ ~ ~ ~ ~ ~ 1Mpixels photosensible Nombre de données 1 million > 500 200 Il apparaît clairement que le procédé selon l'invention permet d'obtenir un nombre de données beaucoup plus important que les procédés connus. L'invention peut être associée à une unité de fabrication de composants tels que ceux réalisés en microélectronique. L'objet 1 provient de cette unité de production, passe devant un dispositif tel que celui décrit ci-dessus en liaison avec les figures, les moyens 26 de traitement de données comportant par exemple un micro-ordinateur spécialement programmé pour mettre en #uvre un procédé de traitement tel que décrit ci-dessus. Un opérateur peut ainsi avoir le résultat de l'analyse sur le lieu même de production et modifier cette dernière en conséquence si l'analyse indique des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles différentes de celles prévues. Des exemples de mesures effectuées avec un procédé selon l'invention vont maintenant être donnés. Exemple 1 : exemple de Mesure globale La figure 4 représente le résultat de l'illumination globale d'un réseau, le disque représentant la surface des angles azimutaux (# de 0 à 360 ) et radiaux (9 de 0 à 80 ), le niveau de gris représentant l'intensité lumineuse diffractée. Cette mesure montre la très grande quantité de données obtenues en une seule acquisition, ce nombre étant seulement limité par le nombre de capteurs élémentaires du détecteur 14 ; détecteur comportant comportant approximativement 1 million de pixels, par exemple une caméra CCD classique, permet d'acquérir 1 million de données (contre 200 classiquement pour une Exemple 2-1 : Cet exemple est illustré sur les figures 6A à 6C. Il concerne la caractérisation d'un réseau de résine dont le profil est illustré en figure 6A. Ce réseau a, en théorie, une largeur de ligne de 250 nm pour une période de 500 nm (250/500 nm). Cette mesure a été réalisée pour # = 70 et avec deux polariseurs différents. Les figures 6B et 6C représentent respectivement les variations de Pgo et de Po en fonction de (p, la courbe I étant la courbe simulée, la courbe II la courbe de mesure. Sur ces deux figures apparaissent nettement deux pics P1, P2 de résonance du réseau. Un accord, lui aussi très net, apparaît entre les deux courbes I et II. f(l) = 212.2 ; h(l)= 223.9 GOF(x2) = 0. 99983 Exemple 2-2 : Cet exemple est illustré sur les figures 7A à 7C et concerne la caractérisation d'un réseau de résine avec une largeur de 70 nm et une période de 240 nm (dont le profil est représenté sur la figure 7A). Cette mesure a été réalisée pour (p = 0 et # variant de 8 à 68 . Sur les figures 7B et 7C, représentant respectivement les variations de Rp et de Rs en fonction de (p, la courbe I est la courbe simulée, et la courbe II la courbe de mesure. De la comparaison de ces deux figures avec les figures 6B et 6C il apparaît clairement que la sensibilité et la précision obtenues sont meilleures avec l'utilisation des paramètres Po et Pgo. f(l) = 53.8 ; h(l)= 212.1 ; thêta (1) = 86. 5 GOF(x2) = 0.99997 Exemple 2-3 : Cet exemple est illustré sur les figures 8A à 8C et concerne la caractérisation d'un réseau de résine de largeur 130 nm et de période 320 nm ; mesure a été réalisée pour 0 et # variant de 8 à 62 . Sur les figures 8B et 8C, les courbes Rp et Rs sont données en fonction de 9. La courbe de mesure est la courbe II et la courbe théorique la courbe I. Cet exemple montre un bon accord entre courbe mesurée et courbe théorique. Cependant, là encore, la précision est meilleure avec Po et P90. f(l) = 108.7 ; h(l)= 221.9 ; theta (1) = 87. 9 GOF(x2) = 0.99988 Exemple 2-4 : Cet exemple est illustré sur les figures 9A et 9B et concerne la caractérisation d'un bicouche de nitrure de silicium (142 nm) sur de la silice (1870 nm). Le substrat est du silicium. Sur les figures 9A et 9B, les courbes Rp et Rs sont données en fonction de #. La courbe de mesure est la courbe II et la courbe théorique la courbe I. Cet exemple montre que l'invention permet d'identifier des épaisseurs d'une structure multicouche. h(l)= 1853.4 ; h(2) = 155.5 ; GOF(x2) = 0.99989 Exemple 2-5 : Cet exemple est illustré sur les figure s 10A et 10B et concerne la caractérisation d'une monocouche de silice (10 m), le substrat étant du silicium. Sur les figures 10A et 10B, les courbes Rp et Rs sont données en fonction de 9. La courbe de mesure est la courbe II et la courbe théorique la courbe I. Cet exemple, ainsi que le suivant, montrent que l'invention permet d'identifier l'épaisseur d'une couche unique de forte épaisseur (supérieure à 2um ou 3 m). Une telle caractérisation est très difficile à réaliser par ellipsométrie. h (2)= 9869.3 ; GOF(x2) = 0. 99936 Exemple 2-6 : Cet exemple est illustré sur les figure s 11A et 11B et concerne lui aussi une structure monocouche, en l'espèce d'une monocouche de silice (1248 nm), sur un substrat de silicium. h (2)= 1242.6 ; GOF(x2) = 0.99991 Exemple 2-7 : Cet exemple est illustré sur les figures 12A à 12C et concerne la caractérisation d'un réseau de résine de largeur théorique 400 nm pour une période théorique de 800 nm. La mesure a été réalisée sur un échantillon de diamètre 150 m pour # = 70 , avec deux polariseurs différents (pour Po et P90). Les figures 12B et 12C représentent P90 et Po en fonction de (p . On retrouve les deux pics Pi, P2 caractéristique de la résonance du réseau. f(l) = 358.7 ; h(l)= 228.7 ; GOF(x2) = 0 . 99947 Exemple 2-8 : Cet exemple est illustré sur les figures 13A à 13C et concerne la caractérisation d'un réseau de résine de largeur théorique 300 nm pour une période théorique de 600 nm. La mesure a été réalisée sur un échantillon de diamètre 150 m (pour 0 = 70 ). Les figures 13B et 13C représentent P90 et Po en fonction de #. On retrouve encore les deux pics P1, P2 caractéristique de la résonance du réseau. f (1) - 276.4 ; h(l)= 229.9 ; GOF(x2) = 0. 99966 RÉFÉRENCES 1. M. G. Moharam, T. K Gaylord, Erk B. Grann, Drew A. Pommet, Formulation for stable and efficient implementation of the rigourous coupled-wave analysis of binary gratings. Journal Optical Society of America, 1995. 12(5): p. 1068-1076. 2. M. Nevière, E. Popov, Grating Electromagnetic Theory User Guide. Journal of imaging science and technology, 1997. 41(4): p. 315-323. 3. Chris C. Baum, Robert A. Soper, Stephen Ferrer, and J Leon Shoher. Scatterometry for Post-etch Polysilicon Gâte Metrology. in SPIE Metrology, inspection and Process control for monolithography. 1999. 4. J. Allgair, Dave Benoit, Rob Hershey, Lloyd C Litt de Motorola. Pedro Herrera, Umar Whitney, Marco Guevrenmont, Ady Levy, Suresh Lakkapragada de KLA Tencor. Implementation of Spectroscopic Critical Dimension for gâte CD Control and Stepper Characterization, . in SPIE Metrology, inspection and Process control for monolithography. 2001. REVENDICATIONS 1. Dispositif pour la mesure de caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles d'un objet, comportant : - d es moyens (2,10, 12) pour former une image de la transformée de Fourier optique d'une surface élémentaire de l'objet sur des moyens (14) de détection, des moyens (26) de traitement pour produire des données concernant au moins une caractéristique dimensionnelle et/ou structurelle de l'objet, ou pour identifier une telle caractéristique, à partir d'informations fournies par les moyens de détection. 2. Dispositif selon la revendication 1, comportant : - des moyens (2) pour former une image de la transformée de Fourier optique d'une surface élémentaire de l'objet dans un plan focal image de Fourier, - des moyens (16) pour définir la géométrie de ladite surface élémentaire, - des moyens (14) de détection, - des moyens (10,12) de transfert pour former l'image de la transformée de Fourier optique de la surface élémentaire sur les moyens (14) de détection. 3. Dispositif selon la revendications 2, les moyens (16) pour définir la géométrie de la surface élémentaire comportant un diaphragme. 4. Dispositif selon la revendication 3, le diaphragme ayant une ouverture de diamètre compris entre 40 m et 500m. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, comportant en outre une source (24) de rayonnement pour illuminer une surface élémentaire de l'objet. 6. Dispositif selon la revendication 5, la source de rayonnement étant à faible cohérence spatiale. 7. Dispositif selon la revendication 5 ou 6, la source (24) de rayonnement étant de puissance comprise entre 100 mW et 500 mW. 8. Dispositif selon l'une des revendications 5 à 7, la source (24) de rayonnement étant de faible largeur spectrale. 9. Dispositif selon la revendication 8, la source de rayonnement étant de largeur spectrale inférieure ou égale à 10 nm. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, comportant en outre des moyens (30,40, 50) pour illuminer de manière sélective la surface de l'objet. 11. Dispositif selon la revendication 10, les moyens pour illuminer de manière sélective comportant un masque (40) présentant une fente radiale (42) . 12. Dispositif selon la revendication 10, les moyens pour illuminer de manière sélective comportant un masque (50) présentant une fente (52) en arc de cercle. 13. Dispositif selon la revendication 12, la fente permettant une illumination selon un arc angulaire de 180 . 14. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 13, les moyens (26) de traitement mettant en #uvre un calcul RCWA. 15. Dipositif selon l'une des revendications 1 à 14, les moyens de traitement des données effectuant un calcul d'une distribution d'intensité réfléchie théorique, pour une lumière incidente donnée et des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles données de l'objet, puis une comparaison de cette distribution théorique avec une distribution d'intensité réfléchie et une modification des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles données de l'objet si le résultat de la comparaison n'est pas satisfaisant. 16. Procédé de mesure de caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles d'un objet ayant une surface dont au moins une partie est illuminée par un rayonnement, comportant : - former une image de la transformée de Fourier optique de ladite partie illuminée de la surface sur des moyens de détection, - traiter des données fournies par les moyens de détection de manière à produire au moins une donnée concernant au moins une caractéristique dimensionnelle et/ou structurelle de l'objet. 17. Procédé selon la revendication 16 l'objet étant un réseau monodimensionnel ou bidimensionnel ou une couche simple ou un empilement de couches ou un empilement de couches comportant en outre au moins un réseau mono ou bipériodique ou une membrane biomimétique, ou comportant au moins deux réseaux superposés avec un décalage latéral. 18. Procédé selon la revendication 16, l'objet étant un réseau de largeur de ligne comprise entre, d'une part, 10 nm ou 50 nm et, d'autre part, 1 m ou 10 m. 19. Procédé selon la revendication 16, l'objet étant une monocouche d'épaisseur comprise entre, d'une part, 10 nm ou 50 nm et, d'autre part, 1 m ou 10 m ou 100 m. 20. Procédé selon l'une des revendications 16 à 19, la surface de l'objet étant illuminée avec une source de rayonnement de puissance comprise entre 100 mW et 500 mW. 21. Procédé selon l'une des revendications 16 à 20, la surface de l'objet étant illuminée de manière sélective. 22. Procédé selon la revendication 21, la surface de l'objet étant illuminée de manière sélective angulairement. 23. Procédé selon l'une des revendications 16 à 22, la partie illuminée de la surface de l'objet ayant une dimension maximale ou un diamètre, dans le plan de cette surface, inférieur à 500 m. 24. Procédé selon l'une des revendications 16 à 23, la surface de l'objet étant éclairée sous une direction azimutale variable. 25. Procédé selon l'une des revendications 16 à 24, les données fournies par les moyens de détection étant traitées pour identifier au moins une caractéristique dimensionnelle et/ou structurelle de l'objet examiné. 26. Procédé selon la revendication 25, le traitement des données mettant en #uvre un calcul RCWA. 27. Procédé selon l'une des revendications 25 ou 26, le traitement des données effectuant un calcul d'une distribution d'intensité réfléchie théorique, pour une lumière incidente donnée et des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles données de l'objet, puis une comparaison de cette distribution théorique avec une distribution d'intensité réfléchie et une modification des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles données de l'objet si le résultat de la comparaison n'est pas satisfaisant. 28. Procédé selon l'une des revendications 16 à 27, l'image formée sur les moyens de détection comportant au moins une composante d'ordre 0. 29. Procédé selon la revendication précédente, l'image formée sur les moyens de détection comportant en outre au moins une composante d'un autre ordre.