Brevet FR2864704A1 — publié le 20050701

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES DE TYPE TRANSFLECTIF ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE La présente invention se rapporte à un dispositif d'affichage à cristaux liquides (ou LCD, acronyme de Liquid Crystal Display), et plus particulièrement, à un procédé de fabrication d'un substrat de matrice CMOS TFT (acronyme de Complementary Metal Oxide Semiconductor Thin Film Transistor, ce qui signifie semiconducteur à oxyde de métal complémentaire transistor à couches minces) à l'aide d'une technologie de masque bas. Depuis quelque temps, les dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD) sont utilisés couramment pour réaliser des écrans plats en raison de leur rapport de contraste élevé, de leur grande échelle de gris et d'affichage d'image et de leur faible consommation. En fonctionnement, le dispositif LCD comprend divers motifs sur un substrat, tels que des dispositifs ou des lignes de commande, qui peuvent être formés par photolithographie. Par exemple, un vernis photosensible aux rayons ultraviolets est déposé sur le substrat et un motif formé en utilisant un masque optique est exposé et développé sur le vernis photosensible. Ensuite, diverses couches de matériau sont gravées chimiquement en utilisant le vernis photosensible imprimé comme masque, et le vernis photosensible est pelliculé. En conséquence, on cherche activement à réduire le nombre de masques nécessaires pour améliorer la productivité en diminuant le nombre de processus de photolithographie. En général, le dispositif LCD comprend un substrat de matrice TFT, un substrat de filtre coloré, une couche de cristaux liquides et un circuit de commande. A ce stade, le substrat de matrice TFT comprend un transistor à couches minces TFT pour appliquer de manière sélective des signaux aux électrodes de pixels et un condensateur de stockage pour maintenir un état de charge jusqu'à ce qu'une région de pixel unitaire soit adressée au prochain état de charge. En outre, le substrat de filtre coloré possède une couche de filtre coloré pour obtenir diverses couleurs. De plus, la couche de cristaux liquides est formée entre les deux substrats, et le circuit de commande provoque l'affichage des images selon des signaux extérieurs en commandant le substrat de matrice TFT. Dans le cas d'un dispositif LCD de type transflectif, la région de pixel unitaire est divisée en une partie de transmission et une partie réfléchissante. A ce stade, une électrode de transmission est formée dans la partie de transmission, et une électrode réfléchissante est formée dans la partie réfléchissante, grâce à quoi une tension constante est appliquée à la couche de cristaux liquides. La partie de transmission affiche les images en fournissant la lumière émise à partir d'un dispositif d'éclairage par l'arrière et incidente sur un substrat inférieur vers la couche de cristaux liquides. Parallèlement, la partie réfléchissante affiche les images en réfléchissant la lumière ambiante incidente sur un substrat supérieur. Ensuite, un circuit de commande est fourni sur un substrat de PCB (acronyme de Printed Circuit Board, ce qui signifie carte de circuit imprimé) supplémentaire, et est connecté au substrat de matrice TFT. Cependant, il a été proposé récemment un procédé pour former le substrat de matrice TFT sans former le circuit de commande sur le substrat de PCB supplémentaire. En outre, le transistor à couches minces est répertorié en un transistor à couches minces pour qu'un pixel commande les régions de pixels dans une zone active, et en un transistor à couches minces pour qu'un circuit de commande applique des signaux à des lignes de grille et de données dans une zone de plage de connexion en actionnant le transistor à couches minces d'un pixel. En général, le transistor à couches minces d'un pixel est formé d'un TFT de type-N fonctionnant à grande vitesse, et le transistor à couches minces d'un circuit de commande est formé d'un transistor à couches minces CMOS (semiconducteur à oxyde de métal complémentaire), dans lequel le transistor à couches minces CMOS est composé du TFT de type-N et d'un TFT de type-P ayant une faible consommation. Dans ce document, un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif de l'art antérieur ayant un CMOS TFT sera décrit en se référant à la série des figures 1 annexées. D'abord, comme l'illustre la figure 1A, une couche intermédiaire 52 est formée sur un substrat isolant 11, et une couche de polysilicium est formée sur la couche intermédiaire 52. Ensuite, un premier vernis photosensible (non représenté) est déposé sur la couche de polysilicium, et des première, deuxième et troisième couches de semiconducteur 54a, 54b, et 54c sont formées par photolithographie en utilisant un premier masque. Il existe au moins deux procédés pour former la couche de polysilicium: un premier procédé consiste à déposer directement une couche de polysilicium et un deuxième procédé consiste à déposer une couche de silicium amorphe et à cristalliser la couche de silicium amorphe déposée en une couche de polysilicium. Le premier procédé comprend un procédé de LPCVD (acronyme de Low Pressure Chemical Vapor Deposition, ce qui signifie dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite), et un procédé de PECVD (acronyme de Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, ce qui signifie dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Dans le procédé de LPCVD, la couche de polysilicium est déposée à une température élevée supérieure à 550 "C. Dans le cas du procédé de PECVD, la couche de polysilicium est déposée à une température inférieure à 400 C en utilisant un mélange gazeux de SiF4 / SiH4 / H2. Le deuxième procédé comprend un procédé de SPC (acronyme de Solid Phase Crystallization, ce qui signifie cristallisation en phase solide) consistant à procéder à un traitement thermique à une température élevée pendant longtemps, un procédé d'ELA (acronyme de Eximer Laser Annealing, ce qui signifie recuit par laser Eximer) d'irradiation à l'aide d'un laser Eximer à une température de 250 C, et un procédé de MIC (acronyme de Metal Induced Crystallization, ce qui signifie cristallisation induite par des métaux) d'induction de cristallisation en déposant une couche métallique sur la couche de silicium amorphe. Les couches de semiconducteur 54a, 54b et 54c sont imprimées en forme d'îlots. A ce stade, les régions TFT de type-N et TFT de type-P sont respectivement formées dans les première et troisième couches de semiconducteur 54a et 54c, et un condensateur de stockage est formé dans la deuxième couche de semiconducteur 54b. Ensuite, comme l'illustre la figure 1B, un deuxième vernis photosensible 31 est déposé sur toute la surface du substrat isolant 11, et un processus d'exposition et de développement lui est appliqué, de telle sorte que le deuxième vernis photosensible 31 est imprimé pour couvrir la première couche de semiconducteur 54a de la région TFT de type-N, et la troisième couche de semiconducteur 54c de la région TFT de type-P. Après cela, en exécutant un processus de dopage de stockage sur toute la surface du substrat, une couche de dopage de stockage est formée dans la deuxième couche de semiconducteur 54b d'une région de stockage. Par la suite, comme l'illustre la figure 1C, après avoir enlevé le deuxième vernis photosensible 31, une couche isolante inorganique d'oxyde de silicium SiOX ou de nitrure de silicium SiNX est déposée sur toute la surface du substrat isolant 11, par PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma), pour former une couche isolante de grille 13. Par la suite, une couche métallique de faible résistance, par exemple, de cuivre Cu, d'aluminium Al, d'aluminium néodyme AlNd, de molybdène Mo, de chrome Cr, de titane Ti, de tantale Ta, ou de molybdène tungstène MoW, est déposée sur la couche isolante de grille 13. Puis, après qu'un troisième vernis photosensible (non illustré) ait été déposé sur la couche métallique de faible résistance, des première et deuxième électrodes de grille 12 et 22 et une électrode de stockage 19 sont formées dans les couches de semiconducteur respectives 54a, 54b et 54c par photolithographie en utilisant un troisième masque. Dans cet état, les première et deuxième électrodes de grille 12 et 22 sont partiellement recouvertes par des première et deuxième couches de canal 14 et 24 de la région TFT de type-N et de la région T.FT de type-P, et l'électrode de stockage 19 est recouverte par la deuxième couche de semiconducteur 54b de la région de stockage. Ensuite, des ions d'impureté de type-N sont légèrement dopés sur les couches de semiconducteur 54a et 54c en utilisant les première et deuxième électrodes de grille 12 et 22 en tant que masque, pour former des couches de dopage LDD (acronyme de Lightly Doped Drain qui signifie drain légèrement dopé) 88 dans les couches de semiconducteur 54a et 54c des deux côtés des première et deuxième électrodes de grille 12 et 22. A ce stade, les parties restantes des première et deuxième couches de semiconducteur 54a et 54c, sur lesquelles les ions d'impureté de type-N ne sont pas dopés, servent de première et deuxième couches de canal 14 et 24. Comme cela a été décrit ci-dessus, la couche de dopage LDD est formée en dopant légèrement les parties prédéterminées de la couche de semiconducteur avec les ions d'impureté, grâce à quoi il est possible de réduire le courant de blocage en réduisant le champ électrique d'une région de contact par résistance, et de minimiser la réduction du courant de déblocage. Après cela, comme l'illustre la figure 1D, un quatrième vernis photosensible 33 est déposé sur toute la surface du substrat comprenant la première électrode de grille 12, et ensuite un processus d'exposition et de développement faisant appel à un quatrième masque lui est appliqué, grâce à quoi le quatrième vernis photosensible 33 est imprimé pour exposer une partie de la première couche de semiconducteur 54 correspondant à la région TFT de type-N des deux côtés de la première électrode de grille 12. En conséquence, la région TFT de type-P et la région de stockage sont bloquées, de telle sorte qu'il est possible d'empêcher l'implantation des ions dans la région TFT de type-P et la région de stockage. Ensuite, toute la surface du substrat isolant 11 est fortement dopée avec des ions d'impureté de type-N de phosphore P, pour former des premières régions de source et de drain 15a et 15b dans la région TFT de type-N. Après cela, les premières régions de source et de drain 15a et 15b sont activées. Après avoir pelliculé le quatrième vernis photosensible 33, comme l'illustre la figure 1E, un cinquième vernis photosensible 35 est déposé sur toute la surface du substrat comprenant les première et deuxième électrodes de grille 12 et 22, et il est ensuite imprimé pour exposer la région TFT de type-P par un processus d'exposition et de développement en utilisant un cinquième masque. Il s'ensuit que la région TFT de type-N et la région de stockage sont bloquées, grâce à quoi les ions n'y sont pas implantés. Par la suite, les ions d'impureté de type-P, tels que le bore B, sont fortement dopés sur toute la surface du substrat isolant 1l, pour former des deuxièmes régions de source et de drain 25a et 25b dans la région TFT de type-P. Ensuite, les deuxièmes régions de source et de drain 25a et 25b sont activées. Après avoir pelliculé le cinquième vernis photosensible 35, comme l'illustre la figure 1F, un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est déposé sur toute la surface du substrat comprenant la première électrode de grille 12, par PECVD, pour former une couche intermédiaire isolante 23. Par la suite, un sixième vernis photosensible (non représenté) est déposé, et la couche isolante de grille 13 et la couche intermédiaire isolante 23 sont enlevées de manière sélective pour exposer des parties prédéterminées des première et deuxième régions de source / drain 15a, 15b, 25a et 25b par photolithographie en utilisant un sixième masque, pour former un premier trou de contact 71. En pelliculant le sixième vernis photosensible, comme l'illustre la figure 1G, les première et deuxième électrodes de source / drain 15e, 15d, 25c et 25d sont connectées aux première et deuxième régions de source / drain 15a, 15b, 25a, et 25b par l'intermédiaire du premier trou 71 de contact, en achevant de ce fait le CMOS TFT ayant le TFT de type-N et le TFT de type-P. Ainsi, une couche métallique de faible résistance telle que du cuivre Cu, de l'aluminium Al, de l'aluminium néodyme AlNd, du molybdène Mo, du chrome Cr, du titane Ti, du tantale Ta, ou du molybdène tungstène MoW, et un septième vernis photosensible (non représenté) sont déposés de manière séquentielle sur toute la surface du substrat comprenant la couche intermédiaire isolante 23, pour enfouir le premier trou de contact 71. Ensuite, la couche métallique de faible résistance déposée est imprimée dans un processus d'exposition et de développement en utilisant un septième masque, pour former les première et deuxième électrodes de source / drain 15e, 15d, 25c et 25d. En conséquence, un TFT de type-N est formé dans chaque région de pixel pour commander la région de pixel. Le TFT de type-N est composé de la première électrode de grille 12, des premières électrodes de source / drain 15e et 15d, et de la première couche de canal 14. En outre, un TFT de type-P est formé dans le circuit de commande, pour appliquer les signaux à des lignes de grille et de données. Le TFT de type-P est composé de la deuxième électrode de grille 22, des deuxième électrodes de source / drain 25c et 25d, et de la deuxième couche de canal 24. En outre, un stockage comprenant la deuxième couche de semiconducteur 54b, la couche isolante de grille 13, et l'électrode de stockage 19, est formé dans chaque région de pixel. Comme l'illustre la figure 1H, après avoir pelliculé le septième vernis photosensible, une résine photo-acrylique est déposée sur toute la surface du substrat comprenant les premières électrodes de source / drain 15e et 15d, et ensuite un processus d'exposition et de développement utilisant un huitième masque lui est appliqué, pour former une pluralité de motifs de résine photo-acrylique à intervalles fixes. Ensuite, par refusion de la pluralité des motifs de résine photo-acrylique, il est possible de former une pluralité de premiers motifs en saillie 90. Ainsi, la pluralité des premiers motifs en saillie 90 est formée à intervalles fixes, chaque premier motif en saillie ayant une forme sphérique. Par la suite, comme l'illustre la figure lI, une couche isolante inorganique d'oxyde de silicium SiOX ou de nitrure de silicium SiNX est déposée sur toute la surface du substrat comprenant les premiers motifs en saillie 90, ou une couche isolante organique de BCB (BenzoCycloButène) ou d'un matériau acrylique est déposée sur toute la surface du substrat, pour former une couche de passivation 16. A ce stade, la couche de passivation 16 est formée le long des premiers motifs en saillie 90, grâce à quoi la couche de passivation 16 possède une pluralité de deuxièmes motifs en saillie 92. En se référant à la figure 1J, la couche de passivation 16 et la couche 15 intermédiaire isolante 23 sont gravées chimiquement afin d'exposer la première électrode de drain 15d et l'électrode de stockage 19 par photolithographie en utilisant un neuvième masque, pour former un deuxième trou de contact 81. Par la suite, comme l'illustre la figure 1K, une couche métallique possédant une réflectivité élevée, par exemple, d'aluminium Al, de néodyme aluminium AlNd, ou de titane Ti, est déposée sur toute la surface du substrat comprenant la couche de passivation 16, et imprimée par photolithographie en utilisant un dixième masque, pour former une électrode réfléchissante 17a. L'électrode réfléchissante 17a est formée le long des deuxièmes motifs en saillie 92, grâce à quoi l'électrode réfléchissante 17a possède des projections réfléchissantes. Si la lumière ambiante est utilisée comme source lumineuse, les projections réfléchissantes modifient partiellement l'angle de réflexion de la lumière ambiante, en obtenant de ce fait une grande quantité de lumière réfléchie. Comme l'illustre la figure 1L, de l'ITO (acronyme de Indium Tin Oxide, ce qui signifie oxyde d'indium d'étain-) ou de l'IZO (acronyme de Indium Zinc Oxyde, pour oxyde d'Indium de Zinc) est déposé sur toute la surface du substrat comprenant l'électrode réfléchissante 17a, et ensuite imprimé par photolithographie en utilisant un onzième masque, pour former une électrode de transmission 17b. A ce stade, l'électrode réfléchissante 17a est formée dans la partie réfléchissante de la région de pixel, et l'électrode de transmission 17b est formée dans la partie de transmission de la région de pixel. Cependant, l'électrode de transmission 17b est en contact avec une partie prédéterminée de l'électrode réfléchissante 17a, pour recevoir une tension. En conséquence, le procédé de fabrication selon l'art antérieur du substrat de matrice TFT utilise au total onze fois un masque. Bien qu'il ne soit pas représenté, le substrat de matrice CMOS TFT ayant le TFT de type-N et le TFT de type-P est maintenu à un intervalle prédéterminé d'un substrat qui fait face possédant une couche de filtre coloré, par des entretoises, et ensuite les deux substrats sont collés entre eux à l'aide d'un matériau d'étanchéité. Ensuite, une couche de cristaux liquides est formée en injectant des cristaux liquides entre les deux substrats, et l'entrée d'injection des cristaux liquides est fermée de manière étanche, afin d'achever la fabrication du dispositif LCD. lo En conséquence, la présente invention concerne un substrat de matrice CMOS TFT et un procédé pour le fabriquer, qui évite sensiblement un ou plusieurs problèmes dus aux limitations et aux inconvénients de l'art antérieur. Un avantage de la présente invention est de fournir un substrat de matrice CMOS TFT et un procédé pour le fabriquer à l'aide une technologie de masque bas pour diminuer le nombre de masques utilisés, et diminuant de ce fait le coût et le temps de fabrication tout en simplifiant les étapes du processus de fabrication. En particulier, l'invention concerne un dispositif LCD de type transflectif comprenant un substrat comprenant une zone active possédant une pluralité de régions de pixel et une zone de circuit de commande pour commander la zone active, chaque région de pixel possédant une partie de transmission et une partie réfléchissante; une première couche de semiconducteur possédant des premières régions de source / drain formées dans la région de pixel; une seconde couche de semiconducteur possédant des deuxièmes régions de source / drain formées dans la zone du circuit de commande; une couche isolante de grille sur toute une surface du substrat comprenant les première et deuxième couches de semiconducteur; des première et deuxième électrodes de grille sur la couche isolante de grille au-dessus des première et deuxième couches de semiconducteur; une électrode de stockage dans la région de pixel; une couche intermédiaire isolante sur toute la surface du substrat; une électrode de transmission sur la couche intermédiaire isolante de la partie de transmission; une couche de passivation sur toute la surface du substrat incluant l'électrode de transmission; une électrode réfléchissante sur la couche de passivation de la partie réfléchissante; des première et deuxième électrodes de source / drain en contact avec les premières et deuxièmes régions de source / drain; et une couche de cristaux liquides entre le substrat et un autre substrat qui lui fait face. Selon les modes de réalisation, le dispositif LCD comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: - l'électrode de transmission recouvre l'électrode de stockage; - l'électrode réfléchissante est formée comme un tout avec la première électrode de drain; le dispositif comprend en outre une ligne de grille sur la même couche que la première électrode de grille dans la zone active; - le dispositif comprend en outre une ligne de données formée comme un tout avec la première électrode de source sur la même couche que l'électrode réfléchissante; un motif en saillie est formé sur la couche de passivation; - le motif en saillie est formé comme un tout avec la couche de passivation; lo la couche de passivation et le motif en saillie sont formés dans un matériau isolant organique; la couche de passivation et le motif en saillie ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche de cristaux liquides; - la couche de passivation est distincte du motif en saillie; le dispositif comprend en outre une couche isolante organique sur le motif en saillie; la couche de passivation et la couche isolante organique comprennent une zone ouverte correspondant à la partie de transmission; une couche de dépôt de la couche de passivation, le motif en saillie et la 20 couche isolante organique ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche à cristaux liquides; - la couche de passivation comprend une zone ouverte correspondant à la partie de transmission; - le dispositif comprend en outre une couche de drain légèrement dopée dans 25 les premières régions de source / drain; - la couche de semiconducteur est une couche de polysilicium; - le dispositif comprend en outre une couche intermédiaire entre le substrat et les première / deuxième couches de semiconducteur. Dans un autre aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif comprenant les étapes consistant à former une couche de semiconducteur sur un substrat isolant; à former une couche isolante de grille sur toute une surface du substrat comprenant la couche de semiconducteur; à former une électrode de grille et une électrode de stockage sur la couche isolante de grille; à former des régions de source / drain en implantant des ions d'impureté à la couche de semiconducteur avec l'électrode de grille comme masque; à former une couche intermédiaire isolante sur toute la surface du substrat incluant l'électrode de grille; à former une électrode de transmission sur la couche intermédiaire isolante; à former une couche de passivation possédant un motif de passivation sur toute la surface du substrat incluant l'électrode de transmission; à former un trou de contact et une zone ouverte pour exposer les régions de source / drain et l'électrode de transmission; et à former les électrodes de source / drain en contact avec les régions de source / drain à travers le trou de contact, et une électrode réfléchissante en contact avec l'électrode de transmission à travers la zone ouverte. Selon les modes de réalisation, le procédé de fabrication d'un dispositif LCD comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: - les électrodes de source / drain et l'électrode réfléchissante sont formées sur la couche de passivation; le procédé comprend en outre les étapes consistant à coller le substrat isolant sur un substrat qui lui fait face; et former une couche de cristaux liquides entre les deux substrats; - le motif en saillie et la couche de passivation sont formés en même temps; la couche de passivation et le motif en saillie formés comme un tout, ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche de cristaux liquides; le processus consistant à former la couche de passivation possédant le motif en saillie comprend les étapes consistant à former la couche de passivation; déposer un matériau organique sur la couche de passivation; et former le motif en saillie en imprimant le matériau organique; le matériau organique est photo- acrylique; le matériau organique est du benzocyclobutène (BCB) ; le procédé comprend en outre l'étape consistant à former une couche isolante organique sur toute la surface du substrat comprenant le motif en 25 saillie, après la formation du motif en saillie; - une couche de dépôt de la couche de passivation, le motif en saillie et la couche isolante organique ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche à cristaux liquides; le processus consistant à former le trou de contact et la zone ouverte pour exposer les régions de source / drain et l'électrode de transmission comprennent les étapes consistant à déposer un vernis photosensible sur la couche isolante organique et imprimer le vernis photosensible déposé ; et former le trou de contact en gravant chimiquement simultanément la couche isolante organique, la couche de passivation, la couche intermédiaire isolante, et la couche isolante de grille, exposées par le vernis photosensible imprimé, et former la zone ouverte en gravant chimiquement simultanément la couche isolante organique et la couche de passivation; le processus consistant à former le trou de contact et la zone ouverte pour exposer les régions de source / drain et l'électrode de transmission comprennent les étapes consistant à déposer un vernis photosensible sur la couche isolante organique et imprimer le vernis photosensible déposé ; graver chimiquement la couche isolante organique exposée par le vernis photosensible imprimé ; et former le trou de contact et la zone ouverte en gravant chimiquement simultanément la couche de passivation, la couche intermédiaire isolante, et la couche isolante de grille exposées par le vernis photosensible imprimé et la couche isolante organique; les régions de source et de drain sont formées dans une couche de dopage de type-N ou dans une couche de dopage de type-P; - le processus consistant à former les premières régions de source / drain de la couche de dopage de type-N, et les deuxièmes régions de source / drain de la couche de dopage de type-P, comprend les étapes consistant à former la couche de dopage de type-N dans les premières régions de source / drain et les deuxièmes régions de source/drain; former une couche de drain légèrement dopée à l'intérieur de la couche de dopage de type-N; et former la couche de dopage de type-P dans les deuxièmes régions de source / drain, après avoir masqué la couche de dopage de type-N des premières régions de source / drain; l'étape consistant à former la couche de drain légèrement dopée est effectuée par une technologie de gravure chimique en retrait; l'électrode de transmission recouvre l'électrode de stockage. Par rapport au procédé de fabrication de l'art antérieur qui fait appel onze fois à un masque, le procédé de fabrication selon la présente invention utilise sept fois un masque, en diminuant de ce fait la durée du procédé de fabrication et en améliorant le rendement dans une production en série.. Grâce à la technologie de gravure chimique en retrait de la grille, il est possible d'exécuter les processus de dopage fort avec des ions d'impureté de type-N, de dopage léger avec des ions d'impureté de type-N, et de contre-dopage, ensemble, avec un seul masque. En outre, l'électrode inférieure du condensateur de stockage est formée avec l'électrode de grille, et l'électrode supérieure du condensateur de stockage est formée avec l'électrode de transmission, grâce à quoi il est possible de réduire d'un le nombre d'utilisation d'un masque. De plus, les électrodes de source / drain et l'électrode réfléchissante sont formées en même temps, réduisant de ce fait d'un le nombre d'utilisation d'un masque. Ainsi, un substrat de matrice possédant divers transistors à couchesminces est divisé en une zone active et une zone de circuit de commande. La zone active comprend une ligne de données pour transmettre un signal vidéo; une ligne de grille pour transmettre un signal de balayage et formée perpendiculaire à la ligne de données pour définir une région de pixel; un transistor à couches minces pour commander un pixel formé à un point d'intersection des lignes de grille et de données, et comprenant une première électrode de grille, des premières électrodes de source / drain, et une première couche de canal; une électrode réfléchissante en contact avec le transistor à couches minces pour commander un pixel, et possédant une pluralité de projections réfléchissantes; une électrode de transmission connectée au transistor à couches minces pour commander un pixel par l'électrode réfléchissante; et un condensateur de stockage formé dans une partie prédéterminée de la région de pixel, et possédant une électrode de stockage et l'électrode de transmission. En outre, la zone du circuit de commande comprend un transistor à couches minces d'un circuit de commande, pour appliquer une tension aux régions de pixel par les lignes de grille et de données qui s'étendent à partir de la zone active, le transistor à couches minces du circuit de commande comprenant une deuxième électrode de grille, des deuxièmes électrodes de source / drain, et une deuxième couche de canal. A ce stade, le transistor à couches minces pour commander un pixel est constitué d'un TFT de type-N fonctionnant à grande vitesse, et le transistor à couches minces d'un circuit de commande est constitué d'un TFT de type-P à faible consommation, formant de ce fait un CMOS TFT. Il faut bien comprendre que la description générale qui précède et de la description détaillée qui suit de la présente invention, sont illustratives et explicatives et sont prévues pour fournir davantage d'explication de l'invention telle qu'elle est revendiquée. Des avantages et caractéristiques supplémentaires de l'invention seront présentés en partie dans la description qui suit et apparaîtront en partie de manière évidente aux hommes de l'art à partir de l'examen de ce qui suit ou de ce que peut apprendre la pratique de l'invention. Les dessins d'accompagnement, qui sont inclus pour fournir davantage de compréhension de l'invention et font partie de cette demande, illustrent les modes de réalisation de l'invention et, avec la description, servent à expliquer le principe de l'invention. Dans les dessins: les figures lA à iL illustrent des vues en coupe transversale d'un dispositif LCD de type transflectif selon l'art antérieur; la figure 2 illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif LCD de type transflectif selon un premier mode de réalisation de la présente invention, ainsi 5 qu'une vue en coupe transversale le long de I I' ; les figures 3A à 31 illustrent des vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le premier mode de réalisation de la présente invention, ainsi que des vues en plan le long de I I' ; la figure 4 illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif LCD de type 10 transflectif selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention, ainsi qu'une vue en coupe transversale le long die II II' ; les figures 5A à 5J sont des vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, ainsi que des vues en plan le long de II II' ; et les figures 6A à 6D sont des vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon un troisième mode de réalisation de la présente invention, ainsi que des vues en plan le long de III III' ; Il est maintenant fait référence de manière détaillée aux modes de réalisation de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins annexés. Dans la mesure du possible, les mêmes numéros de référence seront utilisés dans tous les dessins pour désigner les mêmes éléments ou des éléments similaires. Dans ce qui suit, un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transflectif (LCD) selon la présente invention et un procédé pour le fabriquer, seront 25 décrits en se référant aux dessins annexés. Dans un dispositif LCD de type transflectif selon un premier mode de réalisation de la présente invention, une couche de passivation et un motif en saillie hémisphérique sont formés comme un tout d'une couche isolante organique. La figure 2 illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif LCD de type transflectif selon le premier mode de réalisation de la présente invention, ainsi qu'une vue en coupe transversale le long de I I'. Les figures 3A à 3I illustrent des vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le premier mode de réalisation de la présente invention, ainsi que des vues en plan le long de I I'. Dans la figure 2 et les figures 3A à 31, le dispositif LCD de type transflectif est expliqué en le divisant en une zone active et une zone de circuit de commande, avec seule la zone active représentée sur la vue en plan. D'abord, dans le dispositif LCD de type transflectif selon le premier mode de réalisation de la présente invention, comme l'illustre la figure 2, un substrat de matrice TFT comprend une zone active (I I') et une zone de circuit de commande, dans lequel la zone active comprend des TFT de type-N dans des régions de pixel respectives pour afficher des images, et la zone de circuit de commande comprend à la fois un TFT de type-N et un TFT de type-P pour commander la zone active. A ce stade, chaque région de pixel de la zone active est divisée en une partie réfléchissante et une partie de transmission, grâce à quoi il est possible d'utiliser la lumière ambiante ou la lumière émise par un dispositif d'éclairage par l'arrière comme source lumineuse. Dans la zone active, il y a une première couche de semiconducteur 154a, une couche isolante de grille 113, une ligne de grille 112a, une première électrode de grille 112, une électrode de stockage 119, une couche intermédiaire isolante 123, une électrode de transmission 117b, une couche de passivation 116, des premières électrodes de source et de drain 115c et 115d, une ligne de données 115e, et une électrode réfléchissante 117a. A ce stade, la première couche de semiconducteur 154a possède des premières régions de source et de drain 115a et 115b, et la couche isolante de grille est formée sur toute la surface d'un substrat isolant 111 comprenant la première couche de semiconducteur 154a. En outre, la ligne de grille 112a est formée sur la couche isolante de grille 113 le long d'une direction, et la première électrode de grille 112 divergente de la ligne de grille 112a recouvre la première couche de semi-conducteur 154a. Ensuite, l'électrode de stockage 119 est formée sur la même couche que la ligne de grille 112 de manière sensiblement parallèle, l'électrode de stockage 119 servant d'électrode inférieure de condensateur. La couche intermédiaire isolante 123 est formée sur toute la surface du substrat isolant 111 comprenant la ligne de grille 112a, et l'électrode de transmission 117b est formée dans une partie de transmission de la couche intermédiaire isolante 123. En outre, la couche de passivation 116 est formée sur toute la surface du substrat isolant 111 comprenant l'électrode de transmission 117b, et un motif en saillie 190 est formé sur la surface de la couche de passivation 116 comme un tout. De plus, les premières électrodes de source et de drain 115c et 115d sont en contact avec les premières régions de source et de drain 115a et 115b dans la couche de passivation. La ligne de données 115e est formée comme un tout avec la première électrode de source 115c, et la ligne de données 115e est formée sensiblement perpendiculaire à la ligne de grille 112a. En outre, l'électrode réfléchissante 117a est formée comme un tout avec la première électrode de drain 115d dans une partie réfléchissante de la couche de passivation 116, l'électrode réfléchissante 117a présentant une projection réfléchissante le long du motif en saillie 190, et l'électrode réfléchissante 117a est en contact avec l'électrode de transmission 117b dans une zone ouverte 181 de la partie de transmission. Dans cet exemple, les premières régions de source et de drain 115a et 115b sont dopées avec des ions d'impureté de type-N, et le TFT de type-N est composé de la première couche de semiconducteur 154a, de la couche isolante de grille 113, de la première électrode de grille 112, et des premières électrodes de source et de drain 115c et 115d. De plus, une couche de dopage de LDD 188 est formée à l'intérieur des premières régions de source et de drain 115a et 115b. L'électrode de transmission 117b recouvre l'électrode de stockage 119, grâce à quoi l'électrode de transmission 117b sert d'électrode supérieure de condensateur. Ainsi, un condensateur de stockage est composé de l'électrode de stockage 119, de l'électrode de transmission 117b, et de la couche intermédiaire isolante 123 interposée entre l'électrode de stockage 11.9 et l'électrode de transmission 117b. En enlevant la couche de passivation 116 correspondant à la partie de transmission, la couche de passivation 116 présente une zone ouverte 181 dans la partie de transmission. Dans ce cas, la couche de passivation 116 est formée avec une épaisseur correspondant à un espace de cellule de la cellule de cristal liquide, et est enlevée dans la partie de transmission, pour former la zone ouverte 181 de la partie de transmission. En conséquence, l'électrode de transmission 117b de la partie de transmission est placée plus bas que l'électrode réfléchissante 117a de la partie réfléchissante, à une distance correspondant à l'espace de cellules d'une cellule de cristal liquide. La zone de circuit de commande comprend le TFT de type-P ainsi que le TFT de type-N mentionné ci-dessus. Le TFT de type-P est composé d'une deuxième couche de semi-conducteur 154b, d'une couche isolante de grille 113, une deuxième électrode de grille 122 et des deuxièmes électrodes de source / drain 125c / 125d. A ce stade, la deuxième couche de semiconducteur 154b présente des deuxièmes régions de source / drain 125a / 125b dopées avec des ions d'impureté de type-P, et la couche isolante de grille 113 est formée sur la deuxième couche de semiconducteur 154b. Ensuite, la deuxième électrode de grille 122 est formée sur la couche isolante de grille 113. En outre, les deuxièmes électrodes de source / drain 125c / 125d sont isolées de la deuxième électrode de grille 122, et sont en contact avec les deuxièmes régions de source / drain 125a / 125b. Un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le premier mode de réalisation de la présente invention va être décrit cidessous. D'abord, comme l'illustre la figure 3A, du silicium amorphe est déposé sur le substrat isolant 111 par un procédé de PECVD en utilisant un mélange gazeux de SiH4 et de H2. Ensuite, un traitement thermique, par exemple une irradiation à l'aide d'un rayon laser, est exécuté, grâce à quoi le silicium amorphe est cristallisé en un polysilicium. Après cela, les première et deuxième couches de semi-conducteur 154a et 154b sont imprimées sous forme d'îlots (isolés) par photolithographie en utilisant un premier vernis photosensible et un premier masque. A ce stade, la première couche de semiconducteur 154a est formée sur une partie du TFT de type-N, et la deuxième couche de semiconducteur 154b est formée sur une partie du TFT de type- P. Bien qu'elle ne soit pas représentée et avant de former la couche de semiconducteur 154, une couche intermédiaire (non représentée) peut être formée sur le substrat isolant 111 par le procédé de CVD. La couche intermédiaire peut être formée d'un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium SiOX ou du BCB, afin d'empêcher des corps étrangers de pénétrer dans la couche de semiconducteur 154, pour protéger le substrat isolant 111 contre une température élevée au cours du processus de cristallisation de la couche de silicium amorphe, et pour améliorer les caractéristiques de contact de la couche de semiconducteur 154 avec le substrat isolant 111. Après cela, un matériau isolant inorganique tel que de l'oxyde de silicium SiOX ou du nitrure de silicium SiNX est formé sur toute la surface du substrat isolant 111 comprenant la couche de semiconducteur 154 par un procédé de PECVD, pour former la couche isolante de grille 113. Ensuite, comme l'illustre la figure 3B, une couche métallique de faible résistance, par exemple de cuivre Cu, d'aluminium Al, d'aluminium néodyme AlNd, de molybdène Mo, de chrome Cr, de titane Ti, de tantale Ta, ou de molybdène tungstène MoW, est déposée sur la couche isolante de grille 113, et un deuxième vernis photosensible 131 est déposé dessus. Après l'impression du deuxième vernis photosensible 131 par un processus d'exposition et de développement en utilisant un deuxième masque, la couche métallique de faible résistance est gravée de manière chimique, pour former les première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 et l'électrode de stockage 119. A ce stade, les première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 sont formées en même temps que la ligne de grille 112a pour transmettre les signaux de balayage. En référence à la figure 3C, le deuxième vernis photosensible 131est cuit et réduit à une largeur plus petite que l'électrode de grille. Ensuite, les ions d'impureté de type-N fortement dopés sont implantés dans les première et deuxième couches de semiconducteur 154a et 154b en utilisant le deuxième vernis photosensible réduit 131 et les première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 comme masque. Ainsi, en dopant des ions phosphoreux P ou des ions arsenicaux As, il est possible de former les première et deuxième régions de source / drain 115a, 115b, 125a et 125b, la couche de dopage de type-N, dans la région TFT de type-N et la région TFT de type-P. Après cela, les premières régions de source / drain 115a / 115b sont activées. A ce stade, des parties prédéterminées des première et deuxième couches de semiconducteur 154a et 154b, qui ne sont pas dopées avec des ions d'impureté de type-N servent de première et deuxième couches de canal 114 et 124. En attendant, la couche de dopage de type-N, formée en implantant les ions vers la région TFT de type-P, est changée en couche de dopage de type-P par implantation d'ions d'impureté de type-P. Ensuite, comme l'illustre la figure:3D, les première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 sont gravées chimiquement en retrait à partir des parois latérales de celle-ci grâce à une technologie de gravure chimique en utilisant le deuxième vernis lo photosensible réduit 131 comme masque. A ce stade, la partie gravée chimiquement des première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 par une technologie de gravure chimique en retrait, est formée sur la couche de dopage LDD 188. Par la suite, les ions d'impureté de type-N sont légèrement dopés en utilisant les première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 ayant leurs parois latérales gravées chimiquement comme masque. La couche de dopage de LDD 188 de la couche de dopage de type-N est formée à l'intérieur des première et deuxième régions de source / drain 115a, 115b, 125a et 125b de la couche de dopage de type-N adjacente aux première et deuxième électrodes de grille 112 et 122, grâce à quoi la couche de dopage LDD 188 diminue le courant de blocage en diminuant le champ électrique d'une région de contact. Par la suite, comme l'illustre la figure 3E, le deuxième vernis photosensible 131 est pelliculé, et un troisième vernis photosensible 133 est déposé sur toute la surface du substrat comprenant les première et deuxième électrodes de grille 112 et 122 et l'électrode de stockage 119. Après cela, le troisième vernis photosensible 133 est imprimé pour exposer la région TFT de type-P par un processus d'exposition et de développement en utilisant un troisième masque. Ensuite, toute la surface du substrat 111 est contre-dopée avec des ions d'impureté de type-P tels que des ions de bore B ou des ions de BF2, pour changer les deuxièmes régions de source / drain 125a et 125b de la région TFT de type-P en type- P. Après cela, les deuxièmes régions de source et de drain 125a et 125b sont activées. A ce stade, la deuxième couche de semiconducteur non dopée 154b sert de deuxième couche de canal 124, et les ions ne sont pas implantés dans la partie restante bloquée par le troisième vernis photosensible 133. Le contre-dopage est opposé au type d'implantation ionique LDD, les ions étant dopés sous un angle prédéterminé pour renforcer l'intensité de dopage de la région LDD du substrat. Ainsi, le contre-dopage de l'implantation ionique LDD est effectué pour résoudre le problème du phénomène de claquage. Le phénomène de claquage est généré par un effet de canal court dans lequel la taille du dispositif diminue à mesure que l'intégration du dispositif augmente, de telle sorte qu'il est difficile de faire fonctionner le dispositif de manière stable pendant longtemps en raison du champ électrique interne élevé. Après cela, le troisième vernis photosensible 133 est pelliculé, comme l'illustre la figure 3F, et un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est déposé sur toute la surface du substrat comprenant la première électrode de grille 112, par PECVD, pour former une couche intermédiaire isolante 123. Puis, un matériau conducteur transparent tel que de l'ITO ou de l'IZO est déposé sur toute la surface du substrat comprenant la couche intermédiaire isolante 123, et ensuite il est imprimé par photolithographie en utilisant un quatrième masque, pour former l'électrode de transmission 117b. A ce stade, le condensateur de stockage comprend l'électrode de transmission 117 recouvrant l'électrode de stockage 119, l'électrode de stockage 119, et la couche intermédiaire isolante 123 interposée entre l'électrode de transmission 117 et l'électrode de stockage 119. Ainsi, des processus supplémentaires pour former le condensateur de stockage ne sont pas nécessaires. En se référant à la figure 3G, un matériau organique, telle qu'une résine photo-acrylique ou du BCB, est déposé en couche épaisse sur toute la surface du substrat comprenant l'électrode de transmission 117b, et, la couche de passivation 116 et le motif en saillie 190, sont formés comme un tout par photolithographie en utilisant un cinquième masque. La couche de passivation 116 possède une épaisseur correspondre à un espace de cellules de cristal liquide. A ce stade, afin de former la couche de passivation 116 et le motif en saillie 190 en même temps, il est possible de former le motif en saillie en exécutant un processus d'exposition par diffraction, ou en déposant une résine photo-acrylique de type-Négatif et une résine photo-acrylique positive, et en gravant chimiquement seulement la résine photo-acrylique positive. La pluralité de motifs en saillie 190 est formée à intervalles fixes, et chaque motif en saillie 190 est formé avec une forme sensiblement circulaire ou hémisphérique. A ce stade, il est possible de refusionner le motif de matériau organique par un processus de cuisson pendant une période de temps prédéterminée, afin de contrôler la courbure du motif en saillie 190. Comme l'illustre la figure 3H, les parties prédéterminées de la couche isolante de grille 113, de la couche intermédiaire isolante 123, et de la couche de passivation 116 sont enlevées par photolithographie en utilisant un sixième masque, pour former un premier trou de contact 171 pour exposer les première et deuxième régions de source / drain 115a, 115b, 125a et 125b des régions TFT de type-N et TFT de type-P. Simultanément, la zone ouverte 181 de lia partie de transmission pour exposer la majeure partie de l'électrode de transmission 117b est formée en enlevant la partie prédéterminée de la couche de passivation 116. En raison de la couche de passivation 116, l'espace de cellules de cristal liquide de la partie de transmission est deux fois plus grand que l'espace de cellules de cristal liquide de la partie réfléchissante, pour obtenir une efficacité uniforme de la lumière dans la partie réfléchissante et la partie de transmission. En attendant, un procédé de gravure chimique sèche est généralement utilisé pour graver chimiquement la couche isolante de grille 113, la couche intermédiaire isolante 123, et la couche de passivation 116. Dans le procédé de gravure chimique sèche, des gaz sont pulvérisés dans une chambre de gravure chimique dans un état de vide élevé, et la partie désirée de la couche est gravée chimiquement par des ions positifs ou des radicaux. Le procédé de gravure chimique sèche est utilisé généralement pour graver chimiquement la couche isolante, avec la grande précision du motif. Le procédé de gravure chimique sèche est répertorié en PE (acronyme de Plasma Etching, ce qui signifie gravure chimique par plasma), en RIE (acronyme de Reactive Ion Etching, ce qui signifie gravure chimique par ions réactifs), en MERLE (acronyme de Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching, ce qui signifie gravure chimique par ions réactifs améliorée de manière magnétique), en ECR (acronyme de Electron Cyclotron Resonance, ce qui signifie résonance cyclotron des électrons), et en TCP (acronyme de Transformer Coupled Plasma, ce qui signifie plasma couplé par transformateur), où les modes PE et RIE sont les plus employés généralement pour le processus de fabrication d'un dispositif LCD. Comme l'illustre la figure 3I, une couche métallique de faible résistance possédant une réflectivité élevée est formée sur la couche de passivation 116 qui possède le motif en saillie 190 formé dessus, et elle est ensuite imprimée par photolithographie en utilisant un septième masque, pour former en même temps les première et deuxième électrodes de source / drain 115c, 115d, 125c et 125d et l'électrode réfléchissante 117a. L'électrode réfléchissante 117a est en contact avec l'électrode de transmission 117b par l'intermédiaire de la zone ouverte 181 de la partie de transmission, et l'électrode réfléchissante 117a est formée le long de la surface du motif en saillie 190. En conséquence, l'électrode réfléchissante 117a présente une pluralité de projections réfléchissantes hémisphériques. Dans le cas où la lumière ambiante est utilisée comme source lumineuse, les projections réfléchissantes modifient partiellement l'angle de réflexion de la lumière ambiante et élargissent de ce fait l'angle d'observation pour obtenir une grande quantité de lumière réfléchie. La couche métallique est formée de cuivre Cu, d'aluminium Al, de néodyme aluminium AlNd, de molybdène Mo, de chrome Cr, de titane Ti, de tantale Ta, de molybdène tungstène MoW ou similaire. La ligne de données 115e est formée en même temps que les premières électrodes de source / drain 115c et 115d. Les lignes de grille et de données 112a et 115e sont formées sensiblement perpendiculaires entre elles, pour définir la région de pixel. En outre, les première et deuxième électrodes de source / drain 115c, 115d, 125c et 125d sont en contact avec les prernière et deuxième régions de source / drain 115a, 115b, 125a et 125b. La première électrode de source 115c est formée comme un tout avec la ligne de données 115e, et la première électrode de drain 115d est formée comme un tout avec l'électrode réfléchissante 117a. En formant en même temps les électrodes de source / drain et l'électrode réfléchissante, il est possible de réduire d'un le nombre d'utilisation de masque. En conséquence, il est possible de fabriquer un transistor à couches minces CMOS comprenant un TFT de type-N et un TFT de type-P. Le TFT de type-N est formé dans chaque région de pixel pour commander la région de pixel, et possède la première électrode de grille 112, les premières électrodes de source / drain 115c et 115d, et la première couche de canal 114. Le TFT de type-P est formé dans la zone du circuit de commande pour appliquer des signaux aux lignes de grille et de données et possède la deuxième électrode de grille 122, les deuxièmes électrodes de source / drain 125c et 125d, et la deuxième couche de canal 124. Le procédé de fabrication du substrat de matrice CMOS TFT comprenant le TFT de type-N et le TFT de type de type-P, utilise au total sept fois un masque. Dans un dispositif LCD de type transflectif selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention, après la formation d'un motif en saillie sphérique (possédant par exemple une surface courbée sensiblement sphérique) dans une couche isolante organique, une autre couche isolante organique est formée sur le motif en saillie sphérique. En conséquence, le dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention possède une structure similaire à celle du dispositif LCD selon le premier mode de réalisation de la présente invention si ce n'est que la couche isolante organique est formée sur le motif en saillie. La figure 4 illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, ainsi qu'une vue en coupe transversale le long de II II'. Les figures 5A à 5J sont des vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, ainsi que des vues en plan le long de II II'. Dans la figure 4 et les figures 5A à 5J, le dispositif LCD de type transflectif est expliqué en le divisant en une zone active (II-II') et une zone de circuit de commande, avec seule la zone active représentée sur la vue en plan. D'abord, dans le dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, comme l'illustre la figure 4, un substrat de matrice TFT comprend une zone active (II II') et une zone de circuit de commande, dans lequel la zone active comprend des TFT de type-N dans des régions de pixel respectives pour afficher des images, et la zone de circuit de commande comprend à la fois un TFT de type-N et un TFT de type-P pour commander la zone active. Plus particulièrement, il y a des première et deuxième couches de semiconducteur 254a et 254b, une couche isolante de grille 213, une ligne de grille 212a, des première et deuxième électrodes de grille 212 et 222, une électrode de stockage 219, une couche intermédiaire isolante 223, une électrode de transmission 217b, une couche de passivation 216, un motif en saillie 290, une couche isolante organique 316, des première et deuxième électrodes de source / drain 215e, 215d, 225c et 225d, une ligne de données 215e, et une électrode réfléchissante 217a. A ce stade, les première et deuxième couches de semiconducteur 254a et 254b possèdent respectivement des première et deuxième régions de source / drain 215a, 215b, 225a et 225b. Ensuite, la couche isolante de grille 213 est formée sur toute la surface du substrat comprenant les première et deuxième couches de semiconducteur 254a et 254b. En outre, la ligne de grille 212a est formée sur la couche isolante de grille 213, et les première et deuxième électrodes de grille 212 et 222, divergentes de la ligne de grille 212a, recouvrent respectivement les première et deuxième couches desemiconducteur 254a et 254b. L'électrode de stockage 219 est formée sur la même couche que la ligne de grille 212a sensiblement parallèle à la ligne de grille 212a, et la couche intermédiaire isolante 223 est formée sur toute la surface du substrat comprenant la ligne de grille 212a. Ensuite, l'électrode de transmission 217b est formée dans une partie de transmission de la couche intermédiaire isolante 223. La couche de passivation 216 est formée sur toute la surface du substrat isolant comprenant l'électrode de transmission 217b, et le motif en saillie 290 est formé sur la surface de la couche de passivation 216. En outre, la couche isolante organique 316, en BCB ou en résine acrylique, est formée sur toute la surface du substrat pour contrôler la courbure du motif en saillie 290. Les première et deuxième électrodes de source / drain 215e, 215d, 225c et 225d sont en contact avec les première et deuxième régions de source / drain 215a, 215b, 225a et 225b de la couche isolante organique 316. Après cela, la ligne de données 215e est formée sensiblement perpendiculaire à la ligne de grille 212a, et la ligne de données 215e est formée comme un tout avec la première électrode de source 215e. L'électrode réfléchissante 217a est formée comme un tout avec la première électrode de drain 215d dans une partie réfléchissante de la couche de passivation 216, et l'électrode réfléchissante 217a possède une projection réfléchissante le long du motif en saillie 290. A ce stade, les premières régions de source / drain 215a et 215b sont dopées avec des ions d'impureté de type-N, grâce à quoi la première couche de semiconducteur 254a, la couche isolante de grille 213, la première électrode de grille 212, et les premières électrodes de source / drain 215c et 215d, forment le TFT de type-N. Également, les deuxièmes régions de source / drain 225a et 225b sont dopées avec des ions d'impureté de type-P, grâce à quoi la deuxième couche de semiconducteur 254ba, la couche isolante de grille 213, la première électrode de grille 222, et les deuxièmes électrodes de source / drain 225c et 225d, forment le TFT de type-P. L'électrode de transmission 217b recouvre l'électrode de stockage 219, pour former un condensateur de stockage. En outre, une couche de dépôt de la couche de passivation 216 et de la couche isolante organique 316, est formée avec une épaisseur correspondant à un espace de cellules de cellule de cristal liquide, et est enlevée dans la partie de transmission, pour former une zone ouverte 281 dans la partie de transmission. L'électrode de transmission 217b de la partie de transmission est en contact avec l'électrode réfléchissante 217a de la partie réfléchissante par l'intermédiaire de la zone ouverte 218 de la partie de transmission. Un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention va être décrit ci-dessous. Jusqu'à la formation de la couche intermédiaire isolante, le processus de fabrication du dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention présente les mêmes étapes que celles du dispositif LCD de type transflectif selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Ceci sera décrit de manière détaillée. D'abord, comme l'illustre la figure 5A, du silicium amorphe est déposé sur le substrat isolant 211 par un procédé de PECVD en utilisant un mélange gazeux de SiH4 et de H2, et un traitement thermique est exécuté par irradiation avec un faisceau laser, grâce à quoi le silicium amorphe est cristallisé en polysilicium. Par photolithographie en utilisant un premier vernis photosensible et un premier masque, les première et deuxième couches de semi-conducteur 254a et 154b sont formées sous forme d'îlots (isolés). A ce stade, la première couche de semiconducteur 254a est formée au niveau d'une partie du TFT de type-N, et la deuxième couche de semiconducteur 254b est formée sur une partie du TFT de type-P. Après cela, un matériau isolant inorganique tel que de l'oxyde de silicium SiOX ou du nitrure de silicium SiNX est formé sur toute la surface du substrat isolant 211 comprenant la couche de semiconducteur 254 par un procédé de PECVD, pour former la couche isolante de grille 213. Ensuite, comme l'illustre la figure 5B, une couche métallique de faible résistance, par exemple, de cuivre Cu, d'aluminium Al, d'aluminium néodyme AlNd, de molybdène Mo, de chrome Cr, de titane Ti, de tantale Ta, ou de molybdène tungstène MoW, est déposée sur la couche isolante de grille 213, et un deuxième vernis photosensible 231 est déposé dessus. Après l'impression du deuxième vernis photosensible 231 par photolithographie en utilisant un deuxième masque, la couche métallique de faible résistance est gravée chimiquement par gravure humide avec du HF, du BOE, du NH4F, ou un mélange de ceux-ci, pour former les première et deuxième électrodes de grille 212 et 222 et l'électrode de stockage 219. A ce stade, les première et deuxième électrodes de grille 212 et 222 et la ligne de grille 212a sont formées en même temps que la ligne de grille 212a qui transmet les signaux de balayage. Par la suite, comme l'illustre la figure 5C, en cuisant le deuxième vernis photosensible 231, la largeur du deuxième vernis photosensible 231 est réduite. Ensuite, les ions d'impureté de type-N fortement dopés sont implantés dans les première et deuxième couches de semiconducteur 254a et 254b en utilisant le deuxième vernis photosensible réduit 231 et les première et deuxième électrodes de grille 212 et 222 comme masque. Ainsi, les première et deuxième régions de source / drain 215a / 215b et 225a / 225b de la couche de dopage de type-N, sont formées dans la région TFT de type- N et la région TFT de type-P. A ce stade, la couche de dopage de type-N, formée en implantant les ions d'impureté vers la région TFT de type-P, est changée en couche de dopage de type-P par implantation d'ions d'impureté de type-P. Ensuite, comme l'illustre la figure 5D, les première et deuxième électrodes de grille 212 et 222 sont gravées chimiquement en retrait à partir des parois latérales de celle-ci grâce à une gravure chimique en retrait en utilisant le deuxième vernis photosensible réduit 231 comme masque. Ensuite, les ions d'impureté de type-N sont dopés légèrement vers les première et deuxième couches de semiconducteur 254a et 254b, pour former une couche de dopage LDD 288 d'une couche de dopage de type- N. Par la suite, comme l'illustre la figure 5E, après avoir pelliculé le deuxième vernis photosensible 231, un troisième vernis photosensible 233 est déposé sur toute la surface du substrat, et ensuite il est imprimé par un processus d'exposition et de développement en utilisant un troisième masque, pour exposer la région TFT de type-P. Après cela, les ions d'impureté de type-P sont contre-dopés sur toute la surface du substrat isolant 211, grâce à quoi les deuxièmes régions de source / drain 225a et 225b de la région TFT de type-P sont changées en type-P. A ce stade, la deuxième couche de semiconducteur non dopée 254b sert de deuxième couche de canal 224. Après avoir pelliculé le troisième vernis photosensible 233, comme l'illustre la figure 5F, la couche intermédiaire isolante 223 est formée sur toute la surface du substrat comprenant la première électrode de grille 212. Après cela, une couche conductrice transparente d'ITO ou d'IZO est déposée sur toute la surface du substrat comprenant la couche intermédiaire isolante 223, et ensuite elle est imprimée par photolithographie en utilisant un quatrième masque, pour former l'électrode de transmission 217b. A ce stade, le condensateur de stockage est formé par l'électrode de transmission 217b recouvrant l'électrode de stockage 219, l'électrode de stockage 219, et la couche intermédiaire isolante 223 interposée entre l'électrode de stockage 219 et l'électrode de transmission 217b. Ainsi, des processus supplémentaires pour former le condensateur de stockage ne sont pas nécessaires. Par la suite, comme l'illustre la figure 5G, la couche de passivation 216 est déposée sur toute la surface du substrat comprenant l'électrode de transmission 217b. Ensuite, un matériau organique, telle qu'une résine photo-acrylique ou du BCB, est déposé par-dessus en couche épaisse et imprimée par photolithographie en utilisant un cinquième masque, pour former la pluralité de motifs en saillie sphériques 290. Les motifs en saillie 290 peuvent être formés de manière uniforme sur toute la zone des régions de pixels. Ou bien, les motifs en saillie 290 peuvent être formés dans la partie réfléchissante de la région de pixel, pour empêcher que la luminance de la lumière émise à partir d'un dispositif d'éclairage par l'arrière, ne soit abaissée. selon un aspect du présent mode de réalisation, les motifs en saillie sont formés dans la partie réfléchissante de la région de pixel. Dans ce cas, afin de contrôler la courbure des motifs en saillie a 290, on refusionne le matériau organique en le cuisant pendant une période de temps prédéterminée. En se référant à la figure 5H, un matériau isolant organique possédant une constante diélectrique faible, par exemple du BCB ou une résine acrylique, est déposée sur toute la surface du substrat comprenant les motifs en saillie 290, pour former la couche isolante organique 316 le long de la surface des motifs en saillie 290. La couche isolante organique 316 protège les motifs en saillie 290, et contrôle la courbure des motifs en saillie 290. Par la suite, comme l'illustre la figure 5I, la couche isolante de grille 213, la couche intermédiaire isolante 223, la couche de passivation 216 et la couche isolante organique 316 sont gravées chimiquement ensemble par photolithographie en utilisant un sixième masque, pour former un premier trou de contact 271 en exposant les première et deuxième régions de source / drain 215a, 215b, 225a et 225b de la région TFT de type-N et de la région TFT de type-P. Simultanément, la partie prédéterminée de la couche de passivation 216 et de la couche isolante organique 316 est enlevée pour exposer l'électrode de transmission 217b, pour former la zone ouverte 281 de la partie de transmission. A ce stade, la partie de transmission et la partie réfléchissante sont positionnées à différentes hauteurs, en raison de l'épaisseur de la couche de passivation 216 et de la couche isolante organique 316. C'est-à-dire que la couche de passivation 216 et la couche isolante organique 316 ont une épaisseur correspondante à la couche de cristaux liquides, grâce à quoi la partie de transmission est positionnée plus bas que la partie réfléchissante à une distance correspondant à l'espace de cellules de la to couche de cristaux liquides. En conséquence, la lumière incidente sur la partie réfléchissante et la partie de transmission atteint en même temps la surface d'un écran. C'est-à-dire que la lumière incidente sur la partie réfléchissante à partir de l'extérieur, passe deux fois à travers la couche de cristaux liquides, et atteint la surface de l'écran. En outre, la lumière incidente sur la partie de transmission à partir du dispositif d'éclairage par l'arrière, passe à travers la couche de passivation et la couche isolante organique ayant une épaisseur sensiblement égale à l'espace de cellules de la couche de cristaux liquides, et atteint la surface de l'écran. En conséquence, la lumière incidente sur la partie réfléchissante et la partie de transmission atteint en même temps la surface de l'écran. En attendant, le procédé de gravure chimique sèche est généralement utilisé pour graver chimiquement la couche isolante de grille 213, la couche intermédiaire isolante 223, la couche de passivation 216 et la couche isolante organique 316. Dans le procédé de gravure chimique sèche, des gaz sont pulvérisés dans une chambre de gravure chimique dans un état de vide élevé, et la partie désirée de la couche est gravée chimiquement par des ions positif; ou des radicaux. Le procédé de gravure chimique sèche est utilisé généralement pour graver chimiquement la couche isolante, avec la grande précision du motif. En se référant à la figure 5J, une couche métallique de faible résistance possédant une réflectivité élevée est formée sur toute la surface du substrat comprenant la couche isolante organique 316, et elle est ensuite imprimée par photolithographie en utilisant un septième masque, pour former en même temps les première et deuxième électrodes de source / drain 215c, 215d, 225c et 225d et l'électrode réfléchissante 217a. L'électrode réfléchissante 217a est en contact avec l'électrode de transmission 35 217b par l'intermédiaire de la zone ouverte 281 de la partie de transmission, et l'électrode réfléchissante 217a est formée le long de la surface des motifs en saillie 290. En conséquence, l'électrode réfléchissante 217a possède la pluralité de projections réfléchissantes hémisphériques. Dans le cas où la lumière ambiante est utilisée comme source lumineuse, tes projections réfléchissantes modifient partiellement l'angle de réflexion de la lumière ambiante et élargissent de ce fait l'angle d'observation pour obtenir une grande quantité de lumière réfléchie. La couche métallique est formée de cuivre Cu, d'aluminium Al, de néodyme aluminium AINd, de molybdène Mo, de chrome Cr, de titane Ti, de tantale Ta, de molybdène tungstène MoW ou similaire. A ce stade, en formant les premières électrodes de source / drain 215c et 215d, la ligne de données 215e est formée sensiblement perpendiculaire à la ligne de grille 212a, pour définir la région de pixel. En outre, les première et deuxième électrodes de source / drain 215c, 215d, 225c et 225d sont en contact avec les première et deuxième régions de source / drain 215a, 215b, 225a et 225b. La première électrode de source 215c est formée comme un tout avec la ligne de données 215e, et la première électrode de drain 215d est formée comme un tout avec l'électrode réfléchissante 217a. En formant en même temps les électrodes de source / drain et l'électrode réfléchissante, il est possible de réduire d'un le nombre d'utilisation de masque. En conséquence, il est possible de fabriquer un transistor à couches minces CMOS comprenant un TFT de type-N et un TFT de type-P. Le TFT de type-N est formé dans chaque région de pixel pour commander la région de pixel, et possède la première électrode de grille 212, les premières électrodes de source / drain 215c et 215d, et la première couche de canal 214. Le TFT de type-P est formé dans la zone du circuit de commande, pour appliquer des signaux aux lignes de grille et de données et possède la deuxième électrode de grille 222, les deuxièmes électrodes de source / drain 225c et 225d, et la deuxième couche de canal 224. A ce stade, la zone du circuit de commande possède en outre le TFT de type-N. Le processus de fabrication du substrat de matrice CMOS TFT comprenant le TFT de type-N et le TFT de type de type-P, utilise sept fois un masque. Dans un dispositif LCD de type transflectif selon le troisième mode de réalisation de la présente invention, un motif en saillie sphérique (possédant par exemple, une surface courbée sensiblement sphérique) d'une couche isolante organique est formé sur une couche de passivation. Ensuite, une couche isolante organique est formée sur le motif en saillie. En outre, le processus de formation d'un trou de contact dans la couche de passivation et la couche isolante organique est exécuté par différentes étapes de gravure chimique. Ainsi, par rapport au processus de fabrication du deuxième mode de réalisation de la présente invention pour graver chimiquement en même temps la couche de passivation et la couche isolante organique, le processus de fabrication du troisième mode de réalisation de la présente invention est différent en ce que la couche de passivation et la couche isolante organique sont gravées chimiquement en différentes étapes. Les figures 6A à 6J illustrent des vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD de type transflectif selon le troisième mode de réalisation de la présente invention, ainsi que des vues en plan le long de II II'. Le processus de fabrication du dispositif LCD de type transflectif selon le troisième mode de réalisation de la présente invention est similaire au processus de fabrication du dispositif LCD de type transflectif selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. En particulier, jusqu'au processus de formation d'une couche isolante organique 616 sur la couche de passivation 516 ayant le motif en saillie 590, le processus de fabrication du troisième mode de réalisation de la présente invention présente les mêmes étapes que celles du deuxième mode de réalisation de la présente invention. Par conséquent, l'explication des étapes du processus jusqu'à la formation de la couche isolante organique 616, sera omise. D'abord, comme l'illustre la figure 6H, un matériau isolant organique possédant une constante diélectrique faible, par exemple du BCB ou une résine acrylique, est déposé sur toute la surface du substrat comprenant la couche de passivation 516 possédant le motif en saillie 590, pour former la couche isolante organique 616 le long de la surface du motif en saillie 590. La couche isolante organique 616 protège le motif en saillie 590 et contrôle la courbure du motif en saillie 590. Par la suite, comme l'illustre la figure 6B, la couche isolante organique 616 est enlevée de manière sélective par photolithographie en utilisant un sixième masque pour exposer une partie prédéterminée de la couche de passivation 516. A ce stade, le motif en saillie 590 du matériau isolant organique est enlevé de manière sélective. Ensuite, comme l'illustre la figure 6C, la couche de passivation 516, une couche intermédiaire isolante 523 et une couche isolante de grille 513 sont enlevées de manière sélective par un autre processus de gravure chimique, pour former le premier trou de contact 571 en exposant les première et deuxième régions de source / drain 515a, 515b, 525a et 525b du TFT de type-N et du TFT de type-P. Simultanément, une zone ouverte 581 est formée à travers la couche de passivation 516 pour exposer la majeure partie d'une électrode de transmission 517b. Comme cela a été décrit ci-dessus, le processus de gravure chimique de la couche isolante organique 616 est effectué séparément du processus de gravure chimique de la couche de passivation 516, de la couche intermédiaire isolante 523 et de la couche isolante de grille 513. À cet égard, il est possible de résoudre le problème de la non uniformité de la surface de la couche isolante organique. Dans le cas d'une gravure chimique simultanée de la couche isolante organique, de la couche de passivation, de la couche intermédiaire isolante, et de la couche isolante de grille, on constate un allongement de la durée du processus de fabrication, et une épaisseur non uniforme de la couche isolante organique en raison de la collision avec le gaz dans le processus de gravure chimique sèche. En outre, il est possible de surmonter la difficulté du contrôle du processus de gravure chimique de la couche isolante organique, de la couche de passivation, de la couche intermédiaire isolante et de la couche isolante de grille, ensemble. En se référant à la figure 6D, un matériau métallique de faible résistance possédant une réflectivité élevée, par exemple, de cuivre Cu, d'aluminium Al, de néodyme aluminium AlNd, de molybdène Mo, de chrome Cr, de titane Ti, de tantale Ta, de molybdène tungstène MoW ou similaire, est déposé sur toute la surface du substrat comprenant la couche isolante organique 616, et imprimé par photolithographie en utilisant un septième masque, pour former les première et deuxième électrodes de source / drain 515c, 515d, 525c et 525d, et une électrode réfléchissante 517a. L'électrode réfléchissante 517a est en contact avec l'électrode de transmission 517b par l'intermédiaire de la zone ouverte 581 de la partie de transmission, et l'électrode réfléchissante 517a possède une pluralité de projections réfléchissantes hémisphériques ou sphériques le long de la surface des motifs en saillie 590. A ce stade, lors de la formation des premières électrodes de source / drain 515c et 515d, la ligne de données 515e est formée en même temps. La ligne de données 515e est formée sensiblement perpendiculaire à la ligne de grille 512a pour définir la région de pixel. En outre, les première et deuxième électrodes de source / drain 515c, 515d, 525c et 525d sont en contact avec les première et deuxième régions de source / drain 515a, 515b, 525a et 525b. La première électrode de source 515c est formée comme un tout avec la ligne de données 515e, et la première électrode de drain 515d est formée comme un tout avec l'électrode réfléchissante 517a. En conséquence, il est possible de fabriquer un transistor à couches minces CMOS comprenant un TFT de type-N et un TFT de type-P.Le TFT de type-N est formé dans chaque région de pixel ou zone du circuit de commande et possède la première électrode de grille 512, les premières électrodes de source / drain 515c et 515d, et la première couche de canal 514. Le TFT de type-P est formé dans la zone du circuit de commande, et possède la deuxième électrode de grille 522, les deuxièmes électrodes de source / drain 525c et 525d, et la deuxième couche de canal 524. Le processus de fabrication du substrat de matrice CMOS TFT comprenant le TFT de type-N et le TFT de type de type-P, utilise sept fois un masque. Bien qu'il ne soit pas représenté, le substrat de matrice de CMOS TFT ayant le TFT de type-N et le TFT de type-P, est maintenu par des entretoises à un intervalle prédéterminé d'un substrat qui fait face possédant une couche de filtre coloré. Ensuite, les deux substrats sont collés entre eux à l'aide d'un matériau d'étanchéité. Ensuite, la couche de cristaux liquides est formée en injectant des cristaux liquides entre les deux substrats, et l'entrée d'injection des cristaux liquides est fermée de manière étanche, en achevant de ce fait le dispositif LCD. Comme cela a été mentionné ci-dessus, le dispositif LCD de type transflectif selon la présente invention et le procédé pour le fabriquer présentent les avantages suivants. Grâce à la technologie de gravure chimique en retrait de la grille, il est possible 10 d'exécuter le processus de dopage fort avec des ions d'impureté de type-N, de dopage léger avec des ions d'impureté de type-N, et de contre-dopage, ensemble, avec un seul masque. En outre, l'électrode inférieure du condensateur de stockage est formée avec l'électrode de grille, et l'électrode supérieure du condensateur de stockage est formée avec l'électrode de transmission, grâce à quoi il est possible de réduire d'un le nombre d'utilisation d'un masque. De plus, les électrodes de source / drain et l'électrode réfléchissante sont formées en même temps, réduisant de ce fait d'un le nombre d'utilisation d'un masque. Ainsi, par rapport au procédé de fabrication de l'art antérieur qui fait appel onze fois à un masque, le procédé de fabrication selon la présente invention utilise sept fois un masque, diminuant de ce fait la durée du procédé de fabrication et améliorant le rendement dans une production en série. En outre, la partie de transmission et la partie réfléchissante sont positionnées à différentes hauteurs, selon l'épaisseur de la couche de passivation. C'est-à-dire que la couche de passivation présente une épaisseur qui correspond à l'espace de cellules de la couche à cristaux liquides, grâce à quoi la partie de transmission est positionnée plus bas que la partie réfléchissante à une distance qui correspond à l'espace de cellules de la couche à cristaux liquides. En conséquence, la lumière incidente sur la partie réfléchissante et la partie de transmission atteint en même temps la surface d'un écran. En outre, la couche isolante organique est formée de plus pour contrôler la courbure de la couche de passivation possédant le motif en saillie. Également, le processus d'impression de la couche de passivation est distinct du processus d'impression de la couche isolante organique, empêchant de ce fait une non uniformité de la surface de la couche isolante organique. Il sera évident pour les hommes de l'art, qu'il est possible d'apporter diverses modifications et variantes à la présente invention. Ainsi, il est prévu que la présente invention couvre les modifications et les variantes de cette invention à condition qu'elles relèvent de la portée des revendications jointes et de leurs équivalents. REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristaux liquides, dit LCD, de type transflectif, comprenant: un substrat (111) comprenant une zone active possédant une pluralité de régions de pixels et une zone de circuit de commande pour commander la zone active, chaque région de pixel possédant une partie de transmission et une partie réfléchissante; une première couche de semiconducteur (154a) possédant des premières régions de source / drain (115a, 115b) formées dans la région de pixel; une seconde couche de semiconducteur (154b) possédant des secondes régions de source / drain (125a, 125b) formées dans la zone du circuit de commande; une couche isolante de grille (113) sur toute une surface du substrat comprenant les première et seconde couches de semiconducteur; des première et seconde électrodes de grille (112, 122) sur la couche isolante de grille audessus des première et seconde couches de semiconducteur; une électrode de stockage (119) dans la région de pixel; une couche intermédiaire isolante (123) sur toute la surface du substrat; une électrode de transmission (117b) sur la couche intermédiaire isolante de la 20 partie de transmission; une couche de passivation (116) sur toute la surface du substrat incluant l'électrode de transmission; une électrode réfléchissante (117a) sur la couche de passivation de la partie réfléchissante; des première et deuxième électrodes de source / drain (115c, 115d, 125c, 125d) étant en contact avec les premières et deuxièmes régions de source / drain; et une couche de cristaux liquides entre le substrat et un autre substrat qui lui fait face. 2. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, dans lequel l'électrode de transmission recouvre l'électrode de stockage. 3. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, dans lequel l'électrode réfléchissante est formée comme un tout avec la première électrode de drain. 4. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, comprenant en outre une ligne de grille (112a) sur la même couche que la première électrode de grille (112) dans la zone active. 5. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, comprenant en outre une ligne de données (115e) formée comme un tout avec la première électrode de source sur la même couche que l'électrode réfléchissante. 6. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, dans lequel un motif en saillie (190) est formé sur la couche de passivation (116). 7. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 6, dans lequel le motif en saillie est formé comme un tout avec la couche de passivation. 8. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 7, dans lequel la couche de passivation et le motif en saillie sont formés dans un matériau isolant organique. 9. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 6, dans lequel la couche de passivation et le motif en saillie ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche de cristaux liquides. 10. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 6, dans lequel la couche de passivation est distincte du motif en saillie. 11. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 10, comprenant en outre une couche isolante organique (316) sur le motif en saillie. 12. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 11, dans lequel la couche de passivation et la couche isolante organique comprennent une zone ouverte (181) correspondant à la partie de transmission. 13. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 11, dans lequel une couche de dépôt de la couche de passivation, le motif en saillie et la couche isolante organique ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche à cristaux liquides. 14. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, dans lequel la couche de passivation comprend une zone ouverte correspondant à la partie de transmission. 15. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, comprenant en outre une couche de drain légèrement dopée dans les premières régions de source / drain. 16. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, dans lequel la couche de semiconducteur est une couche de polysilicium. 17. Dispositif LCD de type transflectif selon la revendication 1, comprenant en outre une couche intermédiaire entre le substrat et les première / deuxième couches de semiconducteur. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, dit LCD, de type transflectif comprenant les étapes consistant à : former une couche de semiconducteur sur un substrat isolant; former une couche isolante de grille sur toute une surface du substrat 20 comprenant la couche de semiconducteur; former une électrode de grille et une électrode de stockage sur la couche isolante de grille; former des régions de source / drain en implantant des ions d'impureté dans la couche de semiconducteur avec l'électrode de grille comme masque; former une couche intermédiaire isolante sur toute la surface du substrat incluant l'électrode de grille; former une électrode de transmission sur la couche intermédiaire isolante; former une couche de passivation possédant un motif en saillie sur toute la surface du substrat incluant l'électrode de transmission; former un trou de contact et une zone ouverte pour exposer les régions de source / drain et l'électrode de transmission; et former des électrodes de source / drain en contact avec les régions de source / drain à travers le trou de contact, et une électrode réfléchissante en contact avec l'électrode de transmission à travers la zone ouverte. 19. Procédé selon la revendication 18, dans lequel les électrodes de source / drain et l'électrode réfléchissante sont formées sur la couche de passivation. 20. Procédé selon la revendication 18, comprenant en outre les étapes consistant à : coller le substrat isolant sur un substrat qui lui fait face; et former une couche de cristaux liquides entre les deux substrats. 21. Procédé selon la revendication 18, dans lequel le motif en saillie et la couche de passivation sont formés en même temps. 22. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la couche de passivation et le motif en saillie formés comme un tout, ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche de cristaux liquides. 23. Procédé selon la revendication 18, dans lequel le processus consistant à former la couche de passivation possédant le motif en saillie comprend les étapes 15 consistant à : former la couche de passivation; déposer un matériau organique sur la couche de passivation; et former le motif en saillie en imprimant le matériau organique. 24. Procédé selon la revendication 23, dans lequel le matériau organique est photo-acrylique. 25. Procédé selon la revendication 23, dans lequel le matériau organique est du benzocyclobutène (BCB). 26. Procédé selon la revendication 23, comprenant en outre l'étape consistant à former une couche isolante organique sur toute la surface du substrat comprenant le motif en saillie, après la formation du motif en saillie. 27. Procédé selon la revendication 26, dans lequel une couche de dépôt de la couche de passivation, le motif en saillie et la couche isolante organique ont une épaisseur correspondant à un espace de cellules de la couche à cristaux liquides. 28. Procédé selon la revendication 26, dans lequel le processus consistant à former le trou de contact et la zone ouverte pour exposer les régions de source / drain et l'électrode de transmission comprennent les étapes consistant à : déposer un vernis photosensible sur la couche isolante organique et imprimer le vernis photosensible déposé ; et former le trou de contact en gravant chimiquement simultanément la couche isolante organique, la couche de passivation, la couche intermédiaire isolante, et la couche isolante de grille, exposées par le vernis photosensible imprimé, et former la zone ouverte en gravant chimiquement simultanément la couche isolante organique et la couche de passivation. 29. Procédé selon la revendication 26, dans lequel le processus consistant à former le trou de contact et la zone ouverte pour exposer les régions de source / drain et l'électrode de transmission comprennent les étapes consistant à : déposer un vernis photosensible sur la couche isolante organique et imprimer le vernis photosensible déposé ; graver chimiquement la couche isolante organique exposée par le vernis photosensible imprimé ; et former le trou de contact et la zone ouverte en gravant chimiquement simultanément la couche de passivation, la couche intermédiaire isolante, et la couche isolante de grille exposées par le vernis photosensible imprimé et la couche isolante organique. 30. Procédé selon la revendication 18, dans lequel les régions de source et 20 de drain sont formées dans une couche de dopage de type-N ou dans une couche de dopage de type-P. 31. Procédé selon la revendication 30, dans lequel le processus consistant à former les premières régions de source / drain de la couche de dopage de type-N, et les deuxièmes régions de source / drain de la couche de dopage de type-P, comprend les étapes consistant à : former la couche de dopage de type-N dans les premières régions de source / drain et les deuxièmes régions de source/drain; former une couche de drain légèrement dopée à l'intérieur de la couche de 30 dopage de type-N; et former la couche de dopage de type-P dans les deuxièmes régions de source / drain, après avoir masqué la couche de dopage de type-N des premières régions de source / drain. 32. Procédé selon la revendication 31, dans lequel l'étape consistant à former la couche de drain légèrement dopée est effectuée par une technologie de gravure chimique en retrait. 33. Procédé selon la revendication 18, dans lequel l'électrode de transmission recouvre l'électrode de stockage.