Brevet FR2868555A1 — publié le 20051007

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristal liquide (LCD) 5 et plus particulièrement, un dispositif LCD présentant un taux d'ouverture amélioré et une capacité parasite réduite. Les dispositifs LCD, qui sont l'un parmi un certain nombre de technologies d'affichage à écran plat, ont des caractéristiques en performance améliorées y compris un fort taux de contraste, un grand niveau de gris, une haute qualité d'image l0 et une faible consommation de puissance. Par exemple, le dispositif LCD qui a un profil mince peut être fabriqué en un type à réflexion, à possibilité de montage mural, d'un écran de télévision. Egalement, du fait que le dispositif LCD permet d'avoir un faible poids et une faible consommation de puissance, ce dispositif LCD peut être applicable en tant que moniteur ou écran, pour des ordinateurs de type bloc-notes, des ordinateurs personnels, une télévision, et un aéronef. Le dispositif LCD comprend de façon générale un substrat à matrice de transistors en couches minces, un substrat à matrice de filtres couleur et une couche à cristal liquide. En particulier, le substrat à matrice de transistors en couches minces comprend un transistor en couches minces, une électrode de pixel et un condensateur de stockage dans une région de pixel définie par une ligne de grille et une ligne de données. Egalement, le substrat à matrice de filtres couleur comprend une couche de filtre chromatique et une électrode commune. La couche de cristal liquide est formée entre le substrat à matrice de transistors en couches minces et le substrat à matrice de filtres couleur. En appliquant une tension sur les électrodes, les molécules de cristaux liquides de la couche de cristal liquide sont alignées, ce qui permet de commander la quantité de lumière transmise pour afficher des images. Un dispositif LCD de l'art concerné va être décrit en référence aux dessins annexés. La FIG. 1 est une vue en plan d'un dispositif LCD de l'art concerné. La FIG. 2 est une vue en coupe d'un dispositif LCD d.e l'art concerné suivant I-I' de la FIG. 1. Un dispositif LCD de l'art concerné comprend un substrat à matrice de transistors en couches minces 111, un substrat à matrice de filtres couleur 121 et une couche de cristal liquide 131. Le substrat à matrice de transistors en couches minces 111 et le substrat à matrice de filtres couleur 121 sont reliés l'un à l'autre selon un intervalle prédéterminé et la couche de cristal liquide 131 est formée entre deux substrats 111 et 121 liés. Egalement, le dispositif LCD n'émet pas de lumière, de sorte que ce dispositif LCD demande une source lumineuse additionnelle, par \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 1/16 exemple un rétro-éclairage 150. Le rétro-éclairage 150 est prévu sous le substrat à matrice de transistors en couches minces 111. Tel qu'illustré sur la FIG. 1 et sur la FIG. 2, le substrat à matrice de transistors en couches minces 111 comprend une ligne de grille 112, une ligne de données 115, une électrode de pixel 117, un transistor en couches minces TFT, et un condensateur de stockage. La ligne de grille 112 et la ligne de données 115 sont formées perpendiculairement à chaque autre pour définir une région de pixel. Egalement, l'électrode de pixel 117 est formée dans chaque région de pixel afin d'appliquer une tension de signal à la couche à cristal liquide 131 selon le signal de données. Ensuite, le transistor en couches minces TFT est formé en une partie de croisement de la ligne de grille 112 et de la ligne de données 115, dans lequel le transistor en couches minces TFT est mis en service/hors service d'après un signal de balayage appliqué sur la ligne de grille 112 pour transmettre le signal de données appliqué à la ligne de données, à l'électrode de pixel 117. Le condensateur de stockage est formé pour diminuer une tension de décalage de niveau et pour assister une information de pixels durant une période de non sélection. En plus, une couche d'isolation de grille 113 est formée entre la ligne de grille 112 et la ligne de données 115, et une couche de passivation 116 est formée entre le transistor en couches minces TFT et l'électrode de pixel 117. De manière correspondante, le transistor en couches minces TFT est composé d'une électrode de grille 112a, de la couche d'isolation de grille 113, d'une couche à semi-conducteur 114, d'une électrode de source 115a, et d'une électrode de drain 115b. L'électrode de grille 112a est implantée en divergeant la ligne de grille 112, et la couche d'isolation de grille 113 est formée sur la totalité de la surface du substrat à matrice de transistors en couches minces 111 incluant l'électrode de grille 112a. Ensuite, la couche à semi-conducteur 114 est formée sur la couche d'isolation de grille au-dessus de l'électrode de grille 112a. Egalement, l'électrode de source 115a est implantée en divergeant de la ligne de données 115 et est mise en chevauchement avec un côté de la couche à semi-conducteur 114. L'électrode de drain 115b est mise en chevauchement avec l'autre côté de l'électrode à semi-conducteur 114, et l'électrode de drain 115b pénétrant dans la couche de passivation 116 est reliée électriquement à l'électrode de pixel 117, de manière à appliquer une tension à l'électrode de pixel. Un condensateur de stockage Cst est composé d'une électrode de condensateur 126, de l'électrode de pixel 117, de la couche d'isolation de grille 113 et la couche de passivation 116. L'électrode de condensateur 126 est formée sur la même couche que la ligne de grille 112; parallèlement. Egalement, la couche d'isolation de grille 113 et la couche de passivation 116 sont interposées entre \\HIRSCHE\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 2/16 l'électrode de condensateur 126 et l'électrode de pixel 117. Ainsi, le condensateur de stockage conserve les charges électriques de la couche à cristal liquide durant un bloc de mise hors service du transistor en couches minces TFT. Bien que ceci ne soit pas illustré, le condensateur de stockage peut être formé 5 au-dessus de la ligne de grille par utilisation d'une partie prédéterminée de la ligne de grille en tant qu'électrode de condensateur. Le condensateur de stockage présente une structure consistant à former une couche d'isolation entre des électrodes inférieures et supérieures de condensateur. Dans ce cas, l'électrode de condensateur 126 sert d'électrode inférieure de io condensateur, l'électrode d'isolation de grille 113 et la couche de passivation 116 servent de couche d'isolation et une partie prédéterminée de l'électrode de pixel 117 en chevauchement avec l'électrode de condensateur 126 sert d'électrode supérieure de condensateur. La couche d'isolation de grille 113 est formée d'un matériau isolant, non organique, tel du nitrure de silicium SiN,, ou de l'oxyde de silicium SiO, t ayant une constante diélectrique d'environ 7,5, sous une épaisseur comprise entre 1500Â et 5000A. Egalement, la couche de passivation 116 est formée d'un matériau isolant organique tel que du BCB (BenzoCycloButène) ou de la résine acrylique, ayant une constante diélectrique faible d'environ 3,4, sous une épaisseur comprise entre 31. tm et 5 m. Lorsque la couche de passivation 116 est formée du matériau d'isolation organique tel que du BCB, il est possible de diminuer la capacité parasite entre une couche de ligne de données et l'électrode de pixel. De manière correspondante, l'électrode de pixel 117 peut être placée en chevauchement avec la ligne de données afin de réaliser un fort taux d'ouverture. Cependant, si la couche d'isolation organique en BCB est utilisée pour couche de passivation, la couche de passivation 116 devient épaisse. Ainsi, il est impossible d'utiliser la couche de passivation ou la couche d'isolation organique pour un dispositif LCD de petite taille tel qu'un téléphone mobile. A cet égard, dans un dispositif LCI) de petite taille, la couche de passivation est formée du matériau isolant non organique tel que du nitrure de silicium SiNX. Cependant, lorsqu'on utilise une couche de passivation réalisée en un matériau isolant non organique, la capacité parasite augmente en comparaison de la couche de passivation formée du matériau isolant organique, de sorte qu'il est impossible de faire chevaucher l'électrode de pixel avec la ligne de données. Si la capacité parasite augmente, entre la ligne de données et l'électrode de pixel, la capacité parasite provoque un décalage de la tension en courant continu C. C. par rapport à une tension en courant alternatif A.C. appliquée à la couche de cristal liquide, AVp, générant de \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 3/16 cette manière des phénomènes de scintillement, de figeage d'image, et de nonuniformité de la luminance des images. En outre, le substrat à matrice de filtres couleur 121 est formé à l'opposé du substrat à matrice de transistors en couches minces 111. Le substrat à matrice à filtre chromatique 121 comprend une couche de filtre chromatique 123 en pigments R(rouge)/V(vert)/B(bleu) agencés dans cet ordre, une couche de matrice noire 122 pour diviser les cellules R/V/B et en empêchant une fuite de lumière et une électrode commune 124 pour appliquer la tension à la couche à cristal liquide 131. Dans la couche de filtre chromatique 123, de façon générale, des pixels ayant les pigments R/V/B sont agencés dans l'ordre dans lequel chaque sous-pixels a un pigment, et les sous-pixels sont commandés séparément, de manière à afficher une couleur dans un pixel par combinaison des souspixels. De façon générale, la couche matricielle noire 122 est formée pour correspondre au bord du sous-pixel et du transistor en couches minces du substrat à matrice de transistors en couches minces, de manière à empêcher la fuite de lumière sur les parties ayant un champ électrique instable. Tel que décrit ci-dessus, dans le cas d'utilisation de la couche de passivation du matériau isolant non organique, il est impossible de faire se chevaucher l'électrode de pixel par la ligne de données. De manière correspondante, la couche matricielle noire 122 est chevauchée par l'électrode de pixel 117 pour empêcher toute fuite de lumière entre l'électrode de pixel et la ligne de données. A ce moment, du fait que l'électrode de pixel 117 est formée sur le substrat à matrice de transistors en couches minces et que la couche matricielle noire 122 formée sur le substrat à matrice de filtres couleur, il est nécessaire de fournir une marge de liaison dans la couche matricielle noire 122 pour empêcher la fuite de lumière. La marge de liaison peut être modifiée sur l'appareil de liaison. Cependant, tel qu'illustré sur la FIG. 2, de préférence, la couche matricielle noire 122 est chevauchée par l'électrode de pixel 117 avec un minimum de 51.tm à 6,7 m. Cependant, le dispositif LCD de l'art concerné présente les inconvénients 30 suivants. Premièrement, la couche de passivation est formée du matériau isolant non organique, l'électrode de pixel n'est pas en chevauchement avec la ligne de données adjacente. De manière correspondante, il y a une exigence à la fourniture d'une marge de liaison suffisante pour faire se chevaucher la couche matricielle noire par l'électrode de pixel, en empêchant de cette manière toute fuite de lumière entre l'électrode de pixel et la ligne de données. Ainsi, la taille de la couche matricielle noire augmente sous l'effet de la marge de liaison, de sorte que le taux d'ouverture du dispositif LCD diminue. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 4/16 Si la couche de passivation est formée de la couche d'isolation non organique, l'électrode de pixel est formée pour ne pas chevaucher la ligne de données adjacente. Dans cet état, la constante diélectrique de la couche de passivation est supérieure à la constante diélectrique de la couche d'isolation organique, de sorte qu'une capacité parasite est générée entre l'électrode de pixel et la ligne de données. Du fait de la capacité parasite, un délai de source est généré, ce qui diminue le niveau de tension de données. Ainsi, la luminance est modifiée sous l'effet du délai de source, de sorte qu'il y a génération d'une diaphonie verticale, détériorant de cette manière la qualité de l'image. De manière correspondante, la présente invention concerne un dispositif LCD permettant d'éliminer pratiquement un ou plusieurs problèmes venant des limitations et des inconvénients de l'art concerné. Un avantage de la présente invention est de fournir un dispositif LCD, pour réaliser une haute résolution sans fuite de lumière, en formant une première couche matricielle noire d'un matériau métallique ayant une densité optique élevée et en formant une deuxième couche matricielle noire en résine afin de couvrir la première couche matricielle noire. Pour atteindre ces avantages ainsi que d'autres et selon le but de l'invention, tel que mis en oeuvre et décrits largement ici, un dispositif LCD comprend une ligne de grille sur un premier substrat; une couche d'isolation de grille sur la totalité de la surface du premier substrat, incluant la ligne de grille; une ligne de données sur la couche d'isolation de grille sensiblement perpendiculairement à la ligne de grille, pour définir une région de pixel; un transistor en couches minces en un croisement des lignes de grille et de données; une couche de passivation sur une surface du premier substrat (521)incluant le transistor en couches minces; une électrode de pixel sur la couche de passivation connectée à une électrode de drain du transistor en couches minces; et un métal d'occultation à la lumière empêchant qu'il y ait une capacité parasite entre la ligne de données et l'électrode de pixel. Selon un mode de réalisation, le métal d'occultation de la lumière fait saillie de 30 la ligne de grille. Selon un autre mode de réalisation, le métal d'occultation de la lumière fait saillie de la ligne de grille dans la direction de la ligne de données. De préférence, le dispositif d'affichage comprend en outre une ligne commune sensiblement parallèle à la ligne de grille. Le métal d'occultation de la lumière peut faire saillie depuis la ligne commune, de préférence dans la direction de la ligne (le données. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 5/16 Selon un mode de réalisation, la couche de passivation est formée d'un matériau isolant, non organique., tel que du nitrure de silicium SiNX ou de l'oxyde de silicium SiOX. De préférence, le dispositif d'affichage comprend en outre un deuxième substrat comprenant une couche de matrice noire, une couche de filtre chromatique et une électrode commune, ledit deuxième substrat étant opposé au premier substrat. La couche de matrice noire peut présenter un angle situé sur la même ligne que l'angle du métal d'occultation de la lumière. Selon un mode de réalisation, le métal d'occultation de la lumière chevauche 10 l'électrode de pixel et la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation, le métal d'occultation de la lumière chevauche l'électrode de pixel et a un angle aligné avec un angle de la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation, une tension est appliquée au métal 15 d'occultation de la lumière. Selon un mode de réalisation, une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière, par la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation, une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière, par une ligne commune. Selon un autre mode de réalisation, le métal d'occultation de la lumière est formé sur la même couche que la ligne de grille entre la ligne de données et l'électrode de pixel. Selon un autre mode de réalisation, le métal d'occultation de la lumière est formé du même matériau que la ligne de grille. Les dessins annexés, qui sont inclus pour fournir une meilleure compréhension de l'invention et sont incorporés dans et constituent une partie de cette demande, illustrent un ou des mode(s) de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliciter le principe de l'invention. Dans les dessins: La FIG. 1 est une vue en plan d'un dispositif LCD de l'art concerné ; La FIG. 2 est une vue en coupe d'un dispositif LCD de l'art concerné, suivant I-I' de la FIG. 1. La FIG. 3 est une vue en plan d'un dispositif LCD selon le premier mode de réalisation de la présente invention; La FIG. 4 est une vue en coupe d'un dispositif LCD suivant la ligne II-II' de la FIG. 3; La FIG. 5 est une vue en plan d'un dispositif LCD selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention; et \U-IIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436doc - 31 décembre 2004 - 6/16 La FIG. 6 est une vue en plan d'un dispositif LCD selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. On va à présent faire référence en détail à des modes de réalisation de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins annexés. Là où cela est possible, on va utiliser les mêmes numéros de référence dans la totalité des dessins pour désigner des parties identiques ou analogues. Ci-après, un dispositif LCD selon un premier mode de réalisation de la présente invention va être décrit en référence aux dessins annexés. La FIG. 3 est une vue en plan d'un dispositif LCD selon le premier mode de 10 réalisation de la présente invention. La FIG. 4 est une vue en coupe d'un dispositif LCD selon II-II' de la FIG. 3. Tel qu'illustré sur la FIG. 3 et la FIG. 4, le dispositif LCD selon le premier mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat à matrice de transistors en couches minces 511, un substrat à matrice de filtres couleur 521, et une couche à cristal liquide 531. Le substrat à matrice de transistors en couches minces 511 et le substrat à matrice de filtres couleur 521 sont liés l'un à l'autre à un intervalle prédéterminé et la couche de cristal liquide 531 est formée entre le substrat à matrice de transistors en couches minces 511 et le substrat à matrice à filtre chromatique 521. Egalement, un rétro-éclairage 550 est formé pour fournir uniformément de la lumière aux substrats 511 et 521, reliés, dans lequel le rétro-éclairage 550 est formé sous le substrat à matrice de transistors en couches minces 511. Plus en détail, tel qu'illustré sur la FIG. 3 et la FIG. 4, le substrat à matrice de transistors en couches minces 511 inclut une ligne de grille 512, une ligne de données 515, une couche d'isolation de grille 513, une électrode de grille 512a, une couche de semi-conducteur 514, une électrode de source 515a, une électrode de drain 515b, une couche de passivation 516, un trou de contact 518, une électrode de pixel 517 et un métal d'occultation de la lumière 532. La ligne de grille 512 est formée sensiblement perpendiculairement à la ligne de données 515 pour définir une région de pixel. Ensuite, la couche d'isolation de grille 513 est formée entre la ligne de grille 512 et la ligne de données 515 et l'électrode de grille 512 fait saillie de la ligne de grille 512a en un point de croisement de la ligne de grille 512 et de la ligne de données 515. Egalement, la couche à semi-conducteur 514 est formée sur la couche d'isolation de grille 513 au-dessus de l'électrode de grille 512a. En plus, l'électrode de source 515a faisant saillie de la ligne de données 515 est en chevauchement avec un côté de la couche de semi-conducteur 514, et l'électrode de drain 515b formée à un intervalle prédéterminé vis-à-vis de l'électrode de source 515a est en chevauchement avec l'autre côté de la couche à semi- \\11IRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 7/16 conducteur 514. La couche de passivation 516 est formée sur la totalité de la surface du substrat à matrice de transistors en couches minces incluant les électrodes de source et de drain 515a et 515b et le trou de contact 518 est formé dans la couche de passivation 516 au-dessus de l'électrode de drain 515b. Ensuite, l'électrode de pixel 517 est formée dans la région de pixel pour être connectée à l'électrode de drain 515b par le trou de contact 518 de la couche de passivation 516 dans lequel l'électrode de pixel 517 est formée d'un matériau conducteur transparent tel que ITO ou IZO. Le métal d'occultation de la lumière 532 faisant saillie de la ligne de grille 512 est formé entre la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517 le long l0 de la ligne de données 515. Pour empêcher qu'une capacité parasite se forme entre l'électrode de pixel 517 et la ligne de données 515. La couche de passivation 516 est formée d'un matériau isolant non organique par exemple SiNX ou SiOX qui présente une facilité au niveau des positions et de la minceur pour empêcher une couverture comprenant des échelonnements. Egalement le métal d'occultation de la lumière 532 et la ligne de grille 512 sont formés d'une couche métallique à faible résistance d'un matériau d'occultation de la lumière présentant une faible résistivité, par exemple du cuivre Cu, de l'aluminium Al, de l'aluminium néodymium AlNd, du molybdène Mo, du chrome Cr, du titane Ti, du tantale Ta ou du molybdène-tungstène Mo W. Le substrat à matrice de filtres couleur 521 est formé à l'opposé du substrat à matrice de transistors en couches minces 511. Le substrat à matrice de filtres couleur 521 comprend une couche matricielle noire 522, une couche de filtre chromatique 523 et une électrode commune 524. La couche matricielle noire 522 est mise en chevauchement avec le bord de la région de pixel et la région à transistors en couches minces pour empêcher qu'une fuite de lumière se produise dans lequel la couche matricielle noire 522 est formée d'oxyde de chrome CrOx de chrome Cr ou de matériau organique de type carbone. La couche de filtre chromatique 523 est formée entre des parties de la couche matricielle noire 522 pour réaliser des couleurs R (rouge)/V (vert)/ B(bleu). Egalement l'électrode commune 524 est formée sur la couche de filtre chromatique 523 pour former un champ électrique avec l'électrode de pixel 517, le champ électrique pour commander la couche à cristal liquide. Ici, le métal d'occultation de la lumière 532 est formé sur la ligne de données 515 et le métal d'occultation de la lumière 532 est formé du même matériau et sur la même couche que la ligne de gris 512. Egalement, le métal d'occultation de la lumière 532 est formé entre la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517e. En plus, le métal d'occultation de la lumière 532 est formé en tant qu'un corps avec la ligne de grille 512 pour appliquer le champ électrique, placé en chevauchement avec la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517. Ou bien le métal d'occultation de \\1IIRSCH6\EREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 8/16 la lumière 532 est appliqué en chevauchement avec l'électrode de pixel 517 et un coin du métal d'occultation de la lumière 532 est placé sur la même ligne que le coin de la couche matricielle noire 522. En appliquant une tension constante au métal d'occultation de la lumière 532 relié à la ligne de grille 512, un champ électrique de valeur constante est généré. Ainsi en comparaison avec un art concerné il est possible de diminuer la capacité parasite formée entre la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517 par un effet de champ électrique du métal d'occultation de la lumière 532. C'est-à-dire que du fait que le métal d'occultation de la lumière 532 chevauche la ligne de données 515 avec Io entrée de l'électrode de pixel 517, lorsqu'un champ électrique est appliqué au métal d'occultation de lumière 532, une capacité parasite est générée entre le métal d'occultation de la lumière 532 et la ligne de données 515. Egalement, une capacité parasite est également générée entre le métal d'occultation de la lumière 532 et l'électrode de pixel 517. De manière correspondante il est possible de diminuer la capacité parasite générée entre la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517 avec le métal d'occultation de la lumière 532, de manière à empêcher une diaphonie verticale. En résultat, la qualité de l'image du dispositif LCD est améliorée. Egalement le métal d'occultation de la lumière 532 est formé entre la ligne de données et l'électrode de pixel sur le même substrat (substrat à matrice de transistors en couches minces), de manière à empêcher qu'une fuite de lumière se produise entre les lignes de données 515 et l'électrode d,e pixel 517 par le métal d'occultation de la lumière 532. De manière correspondante, il est possible de diminuer la marge de liaison entre la couche matricielle noire 522 du substrat à matrice à filtre chromatique 521 et l'électrode de pixel 517 du substrat à matrice de transistors en couches minces 511 de manière à ce que la surface de la couche matricielle noire 522 diminue et qu'une zone de transmission de la région de pixel augmente. C'est-à-dire que, dans le dispositif LCD de l'art concerné, la marge de liaison entre la couche matricielle noire 522 et l'électrode de pixel 517 est d'environ 5 m ou plus. Cependant, dans le dispositif LCD selon la présente invention, le point de la couche matricielle noire est aligné en correspondance avec le métal d'occultation de la lumière, rendant de cette manière maximal le taux d'ouverture du dispositif LCD. Du fait que la présente invention peut être appliquée à un dispositif LCD pour des téléphones mobiles ayant une densité en pixels de (120 ppi à 150 ppi) 472 points par mm à 591 points par mm, le taux d'ouverture augmente à un pourcentage maximal de 18 %. En outre, la présente invention peut être applicable à un dispositif LCD d'un modèle de téléphone mobile ayant une densité en pixels de 7,09 points par mm (180 ppi). \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436. doc - 31 décembre 2004 - 9/16 l0 C'est-à-dire que le métal d'occultation de la lumière 532 diminue la capacité parasite entre la ligne de données et l'electrode de pixel et empêche également une fuite de lumière entre la ligne de données et l'électrode de pixel améliorant de cette manière le taux d'ouverture en diminuant la surface de la couche matricielle noire 522. En outre, le métal d'occultation de la lumière peut être connecté à la ligne de grille avant pour recevoir la tension ou bien le métal d'occultation de la lumière peut être connecté à une ligne commune additionnelle pour recevoir la tension. Selon on aspect, une structure de connexion d'un métal d'occultation de la lumière a une ligne de stockage selon les deuxième et troisième modes de réalisation de la présente invention, va être décrite ci-après. La fig. 5 est une vue en plan d'un dispositif LCD selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. La fig. 6 est une vue en plan d'un dispositif LCD selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. A la différence du dispositif LCD selon le premier mode de réalisation de la présente invention, dans le cas du dispositif LCD selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, aucun métal d'occultation de la lumière 532 n'est formé sur une ligne de données 515 dans une ligne de grille avant 512. Tel qu'illustré sur la fig. 5, une ligne commune additionnelle 526 est formée sensiblement parallèlement à la ligne de grille 512 d'une région de pixel et le métal d'occultation de la lumière 532 ensuite faisant saillie de la ligne commune 526 est formée le long dela ligne de données 515. A part ceci, le dispositif LCD selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention présente la même structure que ce que l'on a dans le dispositif LCD selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Dans la dispositif LCD selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, le métal d'occultation de la lumière 532 faisant saillie de la ligne commune 526 est formé avec la ligne de données de manière que la ligne commune 526 soit formée entre la ligne de données 515 et une électrode de pixel 517. Le métal d'occultation de la lumière 532 est formé sous la forme d'un corps unique avec la ligne commune 526 pour appliquer le champ magnétique et le métal d'occultation de la lumière 532 est appliqué en chevauchement avec la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517. Ou bien le métal d'occultation de la lumière 532 est mis en chevauchement avec l'électrode de pixel 517 et un coin du métal d'occultation de la lumière 532 est positionné sur la même ligne en tant que coin d'une couche matricielle noire 522. Le dispositif LCD selon le troisième mode de réalisation de la présente invention présente la même structure que celle du dispositif LCD selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention jusqu'à ce qu'une ligne commune soit \\ iIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 10/16 formée, dans une région de pixel. Cependant, dans le cas du dispositif LCD selon le troisième mode de réalisation de la présente invention tel qu'illustré sur la fig. 6, la ligne commune 526 est en plus formée sensiblement parallèlement à adjacente à une ligne de grille 512. Ensuite, un métal d'occultation de la lumière 532 faisant saillie de la ligne commune 526 est formé sur une ligne de données 515. En cet état une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière 532. Egalement, le métal d'occultation de la lumière 532 est formé entre la ligne de données 515 et une électrode de pixel 517 et est mis en chevauchement avec la ligne de données 515 et l'électrode de pixel 517. Ou bien le métal d'occultation de la lumière 532 est placé en chevauchement avec l'électrode de pixel 517 et présente un coin sur la même ligne qu'un coin d'une couche matricielle noire 522. Dans le dispositif LCD mentionné ci-dessus selon le premier mode de réalisation de la présente invention, le substrat à matrice de transistors en couches minces comprend une structure de stockage sur grille. Dans le dispositif LCD selon les deuxième et troisième modes de réalisation de la présente invention, le substrat à matrice de transistors en couches minces présente une structure de stockage sur le commun. Tel que mentionné ci-dessus, le dispositif LCD selon la présente invention présentes les avantages suivants. Dans le dispositif LCD selon la présente invention, le métal d'occultation de la lumière est formé entre la ligne de données et l'électrode de pixel pour être mis en chevauchement par-dessus et le métal d'occultation de la lumière est connecté à la ligne de grille ou à la ligne commune. Du fait qu'une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière, la capacité parasite est diminuée jusqu'à environ 9,760 E à 18 [F/ m] entre la ligne de données et l'électrode de pixel. Par exemple, dans un dispositif LCD à quatre masques utilisant la couche de passivation formée du matériau d'isolation non organique, la capacité parasite est d'environ 2,876 E 17 [F/ m] entre la ligne de données et l'électrode de pixel. De manière correspondante, il est possible de résoudre le problème de la diaphonie verticale et d'empêcher d'avoir un scintillement et un figeage d'image générés par la capacité parasite, améliorant de cette manière la qualité de l'image. En plus, du fait que le métal d'occultation de la lumière est appliqué en chevauchement avec la ligne de données et l'électrode de pixel intermédiaire, il est possible d'empêcher la fuite de lumière entre la ligne de données et l'électrode de pixel diminuant de cette manière la marge de liaison de la couche matricielle noire. Ainsi, l'air de la surface de la couche matricielle noire diminue permettant d'améliorer le taux d'ouverture du dispositif LCD. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\ 23400\23436. doc - 31 décembre 2004 - 11/16 En outre, du fait que la capacité parasite diminue, il est possible d'utiliser la couche de passivation du matériau isolant non organique simplifiant de cette manière le procédé de fabrication pour la formation de la couche de passivation et diminuant la couverture par échelonnement. En plus, il n'y a aucune exigence d'imposer pour fournir la couche de passivation du matériau isolant organique coûteux tel que du BCB, de sorte qu'il est possible de diminuer le coût de la fabrication. Il est évident à l'Homme de l'art que diverses modifications et variations peuvent être apportées à la présente invention. Ainsi, il est entendu que la présente lo invention couvre les modifications et variations de cette invention, sachant qu'elles sont situées dans le champ des revendications annexées et de leurs équivalents. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 12716 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD, comprenant: une ligne de grille (512) sur un premier substrat (521); une couche d'isolation de grille (513) sur la totalité de la surface du premier substrat, incluant la ligne de grille (512) ; une ligne de données (515) sur la couche d'isolation de grille (513) sensiblement perpendiculairement à la ligne de grille (512), pour définir une région de pixel; un transistor en couches minces en un croisement des lignes de grille et de données; une couche de passivation (516) sur une surface du premier substrat (521) incluant le transistor en couches minces; une électrode de pixel (517) sur la couche de passivation (516) connectée à une 15 électrode de drain (515b) du transistor en couches minces; et un métal d'occultation à la lumière (532) empêchant qu'il y ait une capacité parasite entre la ligne de données (515) et l'électrode de pixel (517). 2. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon la revendication 1, dans lequel le métal d'occultation de la lumière (532) fait saillie de la ligne de grille (512). 3. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le métal d'occultation de la lumière (532) fait 25 saillie de la ligne de grille (512), dans la direction de la ligne de données (515). 4. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre une ligne commune sensiblement parallèle à la ligne de grille (512). 5. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon la revendication 4, dans lequel le métal d'occultation de la lumière (532) fait saillie depuis la ligne commune. 6. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon la revendication 4, dans lequel le métal d'occultation de la lumière (532) fait saillie de la ligne commune dans la direction de la ligne de données (515). \\H[RSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 13/16 7. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de passivation (516) est formée d'un matériau isolant, non organique. 8. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon la revendication 7, dans lequel le matériau isolant, non organique est du nitrure de silicium SiNX ou de l'oxyde de silicium SiOx. 9. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre un deuxième substrat comprenant une couche de matrice noire, une couche de filtre chromatique et une électrode commune, ledit deuxième substrat étant opposé au premier substrat. 10. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon la revendication 9, dans lequel la couche de matrice noire présente un angle situé sur la même ligne que l'angle du métal d'occultation de la lumière (532). 11. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le métal d'occultation de la lumière (532) 20 chevauche l'électrode de pixel (517) et la ligne de données (515). 12. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le métal d'occultation de la lumière chevauche l'électrode de pixel (517) et a un angle aligné avec un angle de la ligne de données (515). 13. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière. 14. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière, par la ligne de données (515). 15. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel une tension est appliquée au métal d'occultation de la lumière, par une ligne commune. \\1TIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 14/16 :l5 16. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel le métal d'occultation de la lumière est formé sur la même couche que la ligne de grille (512), entre la ligne de données (515) et l'électrode de pixel (517). 17. Dispositif d'affichage à cristal liquide LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel le métal d'occultation de la lumière est formé du même matériau que la ligne de grille (512). \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\23400\23436.doc - 31 décembre 2004 - 15/16