Brevet FR2871935A1 — publié le 20051223

CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UN CONDENSATEUR A ELECTRODES METALLIQUES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL CONDENSATEUR La présente invention concerne les circuits intégrés, plus particulièrement les condensateurs à électrodes métalliques. Les condensateurs sont notamment utilisés dans des cellules mémoire de plan mémoire. La fabrication de condensateurs se heurte de plus en plus aux problèmes liés aux fortes densités d'intégration. En effet, l'augmentation de la densité d'intégration impose la réduction de la surface d'une cellule mémoire, tout en maintenant une valeur de capacité efficace. Ainsi, dans les technologies actuelles, plusieurs approches sont possibles. La plus courante est la formation du condensateur dans une tranchée permettant d'augmenter la surface du condensateur sans augmenter la surface de la cellule mémoire. La surface peut encore être augmentée d'un facteur 2 environ, en utilisant comme électrode inférieure du polysilicium dopé de type à grains hémisphériques (polysilicium HSG). Pour des densités d'intégrations encore plus importantes, il existe plusieurs approches possibles qui permettent d'intégrer des capacités dans des cellules de plus en plus petites. L'approche classique consiste à augmenter la profondeur de la tranchée. Cependant, cette approche conduit à des facteurs de forme difficilement gérables. Une autre approche consiste à diminuer l'épaisseur du diélectrique, le risque étant l'augmentation du courant de fuite. De récentes recherches concernent l'utilisation d'un isolant à forte constante diélectrique et des électrodes métalliques permettant de s'affranchir des problèmes de dopage des électrodes en polysilicium tridimensionnelles et de réduire les capacités de déplétion (appauvrissement) liées aux électrodes en polysilicium. Cependant, les électrodes métalliques traditionnelles (par exemple en TiN) sont planes et leur utilisation conduit donc à perdre le facteur 2 apporté par l'utilisation de polysilicium HSG. L'invention vise à apporter une solution à ces problèmes. Un but de la présente invention est d'obtenir des condensateurs de taille adaptée à des circuits intégrés de taille de plus en plus réduite sans réduction de la valeur de leur capacité. La présente invention a également pour but d'utiliser des électrodes métalliques permettant de s'affranchir des problèmes de dopage et de capacités de déplétion liés aux électrodes en polysilicium tridimensionnel, tout en gardant la morphologie d'un dépôt de type à grains hémisphériques. Les condensateurs selon la présente invention offrent également l'avantage de présenter une capacité efficace sans augmentation du courant de fuite du diélectrique. La présente invention est donc basée sur la siliciuration (formation d'un siliciure de métal) d'une électrode en polysilicium HSG, par exemple. La présente invention propose donc un circuit intégré comprenant au moins un condensateur à électrodes métalliques dont l'une au moins des deux électrodes du condensateur est formée de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques siliciuré au moins en surface. Cette électrode peut être ainsi soit partiellement siliciurée, soit de préférence entièrement siliciurée, c'est-à-dire entièrement formée d'un siliciure de métal. Selon un second mode de réalisation de l'invention, la seconde électrode métallique du condensateur est également formée d'une couche de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques partiellement ou entièrement siliciurée. En variante, la seconde électrode du condensateur peut comporter une couche de métal, par exemple du TiN. Le condensateur peut présenter une structure planaire ou bien en tranchée. La présente invention propose également un procédé de fabrication d'un condensateur au sein d'un circuit intégré tel que défini ci-dessus dans lequel l'élaboration de la première électrode comprend la réalisation d'une couche de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques et la siliciuration de ladite couche au moins en surface. Ce procédé permet d'obtenir un condensateur dans lequel ladite première électrode peut être soit partiellement siliciurée, soit de préférence entièrement siliciurée. Selon une variante de l'invention, la seconde électrode est élaborée soit de façon analogue à la première électrode, c'est-à-dire par dépôt de polysilicium de type à grain hémisphérique puis siliciuration, soit par dépôt de métal, par exemple TiN. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en oeuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 représentent schématiquement un circuit intégré selon un premier mode de réalisation de la présente invention; - les figures 2 à 4 illustrent schématiquement les principales étapes d'un procédé permettant d'obtenir le circuit intégré de la figure 1; et la figure 5 représentent schématiquement un circuit intégré selon un second mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 1, on a représenté un circuit intégré CI selon l'invention comportant un condensateur CN comprenant deux électrodes métalliques siliciurées de type à grains hémisphériques. Le circuit intégré CI comporte un substrat SB, dans lequel on a réalisé une tranchée creuse comprenant une première électrode métallique siliciurée de type à grains hémisphériques 10, surmontée d'un diélectrique 2, surmonté d'une seconde électrode métallique siliciurée de type à grains hémisphériques 30. On va maintenant décrire plus en détails, les principales étapes d'un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, permettant d'obtenir le condensateur de la figure 1. Sur la figure 2, la référence SB désigne donc un substrat semi-conducteur, par exemple en silicium. On réalise une tranchée 4 dans le substrat SB de façon classique et connue en soi. On procède ensuite à la réalisation de la première électrode 10. Pour cela, on forme, également de façon classique et connue en soi, par exemple par dépôt, une couche 1 de silicium, de germanium ou d'un alliage de silicium, tel que par exemple du silicium-germanium, de type à grains hémisphériques (figure 3). Les caractéristiques d'un tel dépôt sont par exemple décrits dans Fabrication and performance of selective HSG storage cells for 256 Mb and 1 Gb DRAM applications, A. Banerjee, R.L. Wise, D.L. Plunton, M. Bevan, M.L. Crenshaw, S.Aoyama et M.M. Mansoori, IEEE Transactions on electron devices, vol. 47, No.3, mars 2000 . A titre indicatif, la couche 1 de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques a une épaisseur de 1000 à 1500 A. Dans l'exemple décrit ici, la siliciuration, c'est-à-dire la formation d'un siliciure de métal, est obtenue à partir de cobalt. Cependant, cette siliciuration peut être obtenue à partir d'autres métaux tels que par exemple le tungstène, le titane ou le nickel. On dépose, par exemple par un dépôt plasma en phase vapeur (dépôt PVD), une couche de nickel sur la couche 1 de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques. Bien entendu, l'épaisseur de la couche de nickel est déterminée en fonction de la phase et de l'épaisseur de siliciure de métal que l'on souhaite finalement obtenir sachant que lorsque du nickel est utilisé, 1 À de nickel donne 2.2 À de siliciure. Puis on procède à un premier recuit initial, typiquement à une température inférieure à 600 C, par exemple à une température de 450 C. Cette température de recuit dépend de la nature du métal utilisé pour la siliciuration. Le nickel réagit alors avec le silicium de la couche 1 pour former du NiSi (figure 4). L'excès de nickel n'ayant pas réagi peut ensuite être retiré sélectivement par rapport au siliciure. Cette opération de retrait sélectif s'effectue par exemple par gravure humide. Une telle gravure humide est classique et connue en soi, et elle utilise par exemple une chimie H2SO4:H2O2:H2O, ou bien une chimie HC1: H2O2:H2O. On se retrouve donc en présence d'une électrode 10 métallique siliciurée avec une morphologie de type à grains hémisphériques sur laquelle est déposée le diélectrique 2. Le diélectrique peut être un diélectrique conventionnel avec une constante diélectrique relative k de, par exemple, 5. Dans ce cas, la principale amélioration par rapport à l'art antérieur vient de l'amélioration des capacités de déplétion, de la forte réduction de la résistance série et de la simplification du procédé dans la mesure où il n'est pas nécessaire de doper par implémentation les électrodes en silicium ou en alliage de silicium, opération parfois difficile particulièrement sur les flancs des tranchées. Il est également possible d'utiliser des diélectriques à forte constante diélectrique, par exemple de l'oxyde de Hafnium HfO2 (k=17), ce qui augmenterait plus encore la capacité du condensateur. Le diélectrique 2 est surmontée de la seconde électrode. Comme illustré dans la figure 1, l'électrode 30 peut être réalisée de façon analogue à la première électrode 10, c'est-à-dire par dépôt de polysilicium HSG, puis siliciuration, de préférence totale, et retrait du métal n'ayant pas réagi. La seconde électrode peut également être réalisée par exemple par dépôt direct de métal (par exemple TiN) sur le diélectrique. Dans ce cas (figure 5), le condensateur comprend une première électrode métallique siliciurée de type à grains hémisphériques 10, surmontée d'un diélectrique 2, surmonté d'une seconde électrode métallique 31. Dans les circuits intégrés selon la présente invention, les condensateurs ne sont pas limités à des structures en tranchées, telles que décrites cidessus, mais peuvent également être par exemple de type planaire. REVENDICATIONS 1. Circuit intégré (CI) comprenant au moins un condensateur à électrodes métalliques caractérisé par le fait qu'au moins une des deux électrodes (10,30) du condensateur est formée de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques siliciuré au moins en surface. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel l'électrode (10) est entièrement formée d'un siliciure de métal. 3. Circuit intégré selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la seconde électrode du condensateur est formée de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques siliciuré au moins en surface(30) . 4. Circuit intégré selon la revendication 3, dans lequel la seconde électrode du condensateur est entièrement formée d'un siliciure de métal (30). 5. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la seconde électrode du condensateur comporte une couche de métal (31). 6. Procédé de fabrication d'un condensateur au sein d'un circuit intégré comprenant l'élaboration d'une première électrode, d'un diélectrique et d'une seconde électrode, caractérisé en ce que l'élaboration de la première électrode comprend la réalisation d'une couche de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques et la siliciuration de ladite couche au moins en surface. 7. Procédé selon la revendication 6 dans lequel la couche de silicium ou d'un alliage de silicium de type à grains hémisphériques est complètement siliciurée. 8. Procédé selon la revendication 6 ou 7 dans lequel l'élaboration de la seconde électrode est analogue à celle de la première électrode. 9. Procédé selon la revendication 6 ou 7 dans lequel l'élaboration de la seconde électrode comprend un dépôt de métal.