Brevet FR2864252A1 — publié le 20050624

La présente invention concerne un réseau de diffraction pour la dispersion de flux lumineux polychromatique ou quasi-monochromatique, son procédé de fabrication, ainsi que des monochromateurs et spectromètres comportant ces réseaux. Les réseaux par réflexion sont classiquement utilisés en lumière infrarouge, visible, ultraviolette et jusque dans le domaine des rayons X lorsque les énergies de photons ne dépassent pas 2000 eV. Fabriqués dans divers matériaux (Silicium, quartz, ...), les réseaux pour les courtes longueurs d'onde ont généralement un profil lamellaire, c'est-à-dire un profil approchant io au mieux un créneau rectangulaire. Ce profil peut être obtenu par attaque chimique ou par bombardement ionique d'une surface parfaitement polie à travers un masque de photolithographie. C'est ce mode de fabrication qui donne la meilleure régularité de profil ainsi que la meilleure raideur des flancs de gravure et, de ce fait, les meilleures performances en terme de lumière diffractée par rapport à la lumière parasite diffusée. Les réseaux lamellaires ont l'inconvénient de diffracter la lumière dans de nombreux ordres (positifs ou négatifs). Un choix judicieux du rapport cyclique, creux I période, permet cependant de réduire l'intensité des ordres pairs. L'efficacité maximale dans un ordre donné est obtenue lorsque le rayonnement diffracté par la partie supérieure du créneau et celui diffracté par sa partie basse sont en phase, soit 2/2 pour les ordres impairs h (cos a; + cos ad) _ 2 pour les ordres pairs où l'angle d'incidence a; et l'angle de diffraction ad sont repérés par rapport au plan de la surface du réseau de diffraction. On parle alors d'angles d'incidence rasante ou d'angles de rasance. La surface du réseau est ensuite recouverte d'une couche mince d'un matériau de forte densité, par exemple du Platine ou de l'Or. En raison du très faible écart à I des indices optiques des matériaux dans le domaine des rayons X, ces revêtements ne possèdent les propriétés de réflectivité souhaitables que pour une incidence très rasante du rayonnement, d'autant plus faible que l'énergie de photons est élevée. Or dans un monochromateur ou un spectromètre, la longueur d'onde est sélectionnée par l'angle d'incidence de la lumière sur le réseau. Le fait d'être restreint à des angles d'incidence rasants réduit la gamme de longueur d'onde dans laquelle un même réseau peut être utilisé. De plus des effets "d'ombrage" réduisent significativement l'efficacité de diffraction. Ces effets "d'ombrage" résultent du fait que certaines parties de la surface du réseau, soit ne peuvent recevoir directement le rayonnement incident, soit ne peuvent rayonner directement dans la direction de l'ordre utile. Il est aussi d'usage habituel de faire varier graduellement les paramètres de ces réseaux en fonction de la position sur la surface, le plus souvent la période (HETTRICK M. et al.; Appl. Opt. 23 (1983) 3921, HETTRICK M.; Appl. Opt. 22 (1984) 3221) mais également la profondeur des traits (FRANKS A., US 3,980,883), sur la surface du substrat. II est connu d'utiliser des réseaux à échelette à faible angle de blaze pour améliorer l'efficacité de diffraction d'un réseau. Le rayonnement est réfléchi par chaque facette du réseau, dans une direction privilégiée renforçant ainsi l'efficacité de diffraction dans un ordre particulier. C'est l'effet de "blaze". Toutefois la réflectivité limite la déviation à la même gamme angulaire que celle des réseaux lamellaires. L'angle de blaze reste donc faible. Pour les énergies de photons de l'ordre du keV, l'angle des facettes est voisin de 1 , ce qui rend très difficile la fabrication de tels réseaux blazés. On connaît également des réseaux multicouches. Ces réseaux consistent en une structure réfléchissante multicouche déposée sur un des réseaux décrits précédemment. La structure réfléchissante multicouche comprend un empilement de couches minces et alternatives d'un élément dense (haut indice) et plus léger (bas indice). Le principe de fonctionnement d'une telle structure, sensiblement identique à celui des empilements multi diélectriques pour le visible, est basé sur la pénétration du rayonnement à l'intérieur d'un grand nombre de couches et le comportement coopératif de chacun des interfaces lorsque la condition de mise en phase suivante est satisfaite: esina =k où e est l'épaisseur de la couche, a l'angle d'incidence rasante sur l'interface 30 d'un rayonnement et 2 la longueur d'onde du rayonnement. Le brevet US 4,915,463 (BARBEE, T. W., Jr.) décrit un réseau de diffraction par réflexion comprenant un réseau lamellaire de période D et un ensemble de multicouches synthétiques de période d qui est un empilement de couches alternées de deux matériaux différents. La relation que la période, d, de l'empilement et la profondeur de gravure, H, des marches du réseau doivent satisfaire pour ce type de réseau est précisée égale à: 1/2 H/d=k/m/1 28 (1) sine A où 8 est l'écart à 1 de l'indice moyen de l'empilement, A l'angle d'incidence 5 rasante, k étant un entier arbitraire et m l'ordre de Bragg dans lequel le réseau multicouches est utilisé. Cependant, il est ici implicitement considéré que le rapport H /d est grand. Le terme correctif de cette formule (1) tire son origine du fait que le rayonnement se propageant dans la multicouche d'indice moyen 1-6 et celui io qui se propage dans le vide ne sont pas en phase à une profondeur donnée. Les considérations qui conduisent à la formule (1) font état, de plus, de simplifications qui ne sont valides que pour un réseau faiblement dispersif employé sous une incidence assez proche de la normale. Ce revêtement multicouche a également été l'objet d'applications sur des réseaux blazés, avec notamment l'espoir de renforcer l'effet de blaze à des ordres très élevés pour bénéficier de très fortes dispersions {RIFE J. C. et al. ; Physica Scripta 41 (1990) 418}. A la suite d'un premier article de Erko {ERKO A.I. et al. ; Nucl. Instrum. Meth. A 333 (1993) 599} un grand nombre de publications a été consacré aux méthodes de fabrication et aux propriétés de réseaux obtenus par gravure d'un empilement multicouche. On notera en particulier parmi ces publications, une étude de réseaux multicouches amorphes W/Si ayant une périodicité latérale de 800 nm basée sur une représentation tridimensionnelle dans l'espace réciproque desdits réseaux par Mikulik {Mikulik P. et al.; J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) A188}. Si la gravure est profonde et si les flancs d'attaque des profils gravés sont verticaux, on réalise une structure bipériodique 1, habituellement appelée réseau lamellaire multicouche (Figure 1). Ces réseaux bi-périodiques 1 ne sont pas continus mais présentent des lacunes à l'intérieur de leur structure. II en résulte que la transition brutale entre les matériaux du multicouche et le vide a tendance à envoyer de la lumière dans tous les ordres de diffraction, comme cela se produit avec les réseaux lamellaires classiques à revêtement métallique. Ainsi si ces réseaux multicouches offrent une amélioration de l'efficacité de diffraction des réseaux, ils ne permettent pas la sélection de certains ordres de diffraction. L'objectif de la présente invention est de proposer un réseau de diffraction, simple dans sa conception et économique, se comportant comme un cristal synthétique et permettant l'obtention de symétries dans la maille élémentaire afin de réduire ou éliminer la lumière diffractée dans certains s ordres tout en renforçant l'efficacité de diffraction des ordres autorisés. A cet effet, l'invention concerne un réseau de diffraction pour la dispersion de flux lumineux polychromatique ou quasi-monochromatique comportant: - un substrat ayant une surface, lo - une structure de périodicité p portée par la surface du substrat comprenant: - un premier empilement de couches minces périodique de période di, chaque période di étant constituée de couches d'au moins deux matériaux différents, lesdits empilements formant des traits de largeur Il, d'épaisseur el, parallèles entre eux, séparés à la surface du substrat et espacés périodiquement avec une période p. Selon l'invention, ladite structure comporte au moins - un deuxième empilement de couches minces périodique de période d2, chaque période d2 étant constituée de couches d'au moins deux matériaux différents, lesdits empilements formant des traits de largeur 12, d'épaisseur e2, parallèles entre eux, séparés à la surface du substrat et espacés périodiquement d'une même période p, ledit deuxième empilement étant alterné avec le premier empilement. Dans différents modes de réalisation, la présente invention concerne également les caractéristiques suivantes qui devront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles: lesdits empilements alternés occupent tout l'espace de la période p, - la période p des traits du réseau varie continûment selon la position à la surface du substrat, - les périodes dl et d2 des couches minces varient continûment selon la position à la surface du substrat, - le réseau comporte une couche de protection déposée sur lesdits premier et deuxième empilements de couches, - le réseau comporte une couche d'accrochage entre le substrat et la 35 première couche de chaque empilement, - les périodes dl et d2 sont telles que dl = d2 = d, de telle sorte que la structure portée par la surface du substrat soit formée par une répétition doublement périodique d'une même maille élémentaire, On entend ici par "répétition doublement périodique", une répétition de la maille élémentaire à la fois dans une direction parallèle à la surface du substrat avec une période p et dans une direction perpendiculaire à ladite surface, avec une période d. Dans les modes de réalisation où la structure portée par la surface du substrat est doublement périodique, la présente invention concerne également io les caractéristiques suivantes qui devront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles: les premier et deuxième empilements sont constitués des mêmes matériaux et présentent le même agencement à l'intérieur de la période, mais sont déphasés dans la direction de périodicité d perpendiculaire à la surface du substrat, - la répartition des indices des matériaux formant la maille élémentaire présente des symétries ou antisymétries de telle sorte qu'au moins un ordre de diffraction est affaibli ou renforcé, - la répartition des indices des matériaux formant la maille élémentaire présente une symétrie par rapport au centre de ladite maille élémentaire, - la maille élémentaire est formée de deux matériaux ayant des indices optiques différents, - les couches ont une épaisseur égale à d/2 et les traits une largeur égale à p/2, - le substrat a un relief de surface, ledit relief comprenant des traits parallèles entre eux, ayant un profil lamellaire, d'une largeur p/2, d'une profondeur d/2 et de périodicité p, - le substrat a un relief de surface, ledit relief comprenant des traits parallèles entre eux, ayant un profil triangulaire, d'une largeur à la base p/2, 30 d'une profondeur d/2 et de périodicité p/2, - ledit relief est formé sur une surface plane, - ledit relief est formé sur une surface concave, convexe, sphérique ou asphérique, - la période p du réseau et la période d des empilements varient continûment selon la position à la surface du réseau de telle sorte que le rapport d/p reste en tout point constant, le réseau comporte une couche de blocage entre matériaux 5 successifs. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un réseau de diffraction tel que décrit précédemment. Selon l'invention, - un relief de surface comportant des motifs en relief ou en creux 10 périodiques, de hauteur ou profondeur h, h étant inférieur à la période d, est réalisé sur un substrat, - on dépose un empilement de couches minces périodique de période d, chaque période d étant formée de couches d'au moins deux matériaux différents, de telle sorte qu'on forme un premier et un deuxième empilements ayant même agencement, alternés et déphasés dans la direction de périodicité d perpendiculaire à la surface du substrat. Dans différents modes de réalisation, la présente invention concerne également les caractéristiques suivantes qui devront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles: - on forme des motifs en creux périodiques par un procédé de gravure in situ, on forme des motifs en relief périodiques par un procédé de dépôt in situ, - on forme ledit relief de surface sur une surface plane, - on forme ledit relief de surface sur une surface concave, convexe, sphérique ou asphérique, - le relief de surface comprend des traits parallèles entre eux, ayant un profil lamellaire, d'une largeur p/2, d'une hauteur ou profondeur h = d/2 et de 30 périodicité p, - le relief de surface comprend des traits parallèles entre eux, ayant un profil triangulaire, d'une largeur à la base p/2, d'une hauteur ou profondeur h = d/2 et de périodicité p/2, L'invention concerne enfin un dispositif spectroscopique pour l'analyse ou le filtrage d'une source lumineuse comportant au moins un réseau de diffraction. Selon l'invention, ledit réseau est un réseau de diffraction tel que décrit précédemment. Dans différents modes de réalisation, la présente invention concerne également les caractéristiques suivantes qui devront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles: - le dispositif est destiné à recevoir un faisceau lumineux comportant au moins une radiation centrée sur une longueur d'onde X0 émis par une source lo lumineuse, la radiation diffractée de longueur d'onde 10 par ledit réseau formant un angle de déviation D avec le faisceau incident. Selon l'invention, É les périodes di et d2 des premier et deuxième empilements de couches minces périodiques sont telles que di = d2 = d de telle sorte que les empilements alternées sont formées par une répétition doublement périodique d'une même maille élémentaire, É l'angle D et la longueur d'onde Io de ladite radiation vérifiant l'équation suivante: 2sin/xsinB = q P où : p est la période du réseau dans le plan de sa surface, q est l'ordre de diffraction dans cette direction, le réseau de diffraction est orienté de façon telle que la normale au réseau fasse un angle B constant à 10% avec la bissectrice à l'angle de déviation D, É l'angle B est défini par la relation ( tan B = qd rp où d est la période du réseau selon l'axe perpendiculaire à la surface du réseau et r l'ordre de diffraction dans cette direction et n - l'indice moyen du réseau, 20 30 (1 n) r202_gd 12d rp É le dispositif spectroscopique comprend un dispositif dispersif comportant ledit réseau de diffraction et un miroir placé avant ou après celui-ci, É ledit miroir comportant une structure multicouche comprenant les mêmes matériaux et ayant la même périodicité dans une direction normale à sa surface que lesdits premier et deuxième empilements de couches du réseau de diffraction, É ledit miroir étant orienté de façon à recevoir le faisceau lumineux diffracté sous un angle d'incidence D/2 par rapport à sa surface de telle sorte que le faisceau diffracté par le réseau et transmis par l'ensemble du dispositif reste parallèle au faisceau incident. Dans différents modes de réalisation possibles, l'invention sera décrite plus en détail en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 est une représentation schématique d'un réseau multicouche de l'art antérieur; - la figure 2 est une représentation schématique d'un réseau de diffraction selon un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 3 est une représentation schématique d'un réseau de diffraction selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; - la figure 4 montre la construction d'Ewald permettant de déterminer pour une incidence rasante définie par le vecteur d'onde k; et à une longueur d'onde X, les ordres diffractés caractérisés par les vecteurs d'onde k-1,1 k-a,2 k-t2,3 k-t3,3 - la figure 5 est une représentation schématique d'un réseau de diffraction selon un troisième mode de réalisation de l'invention; - la figure 6 est une représentation schématique d'un réseau de diffraction selon un quatrième mode de réalisation de l'invention; - la figure 7 est une représentation schématique d'une simulation numérique de l'efficacité de diffraction d'un réseau en fonction de l'incidence rasante dans les ordres -1, 0, +1 pour une réalisation du réseau de diffraction de la figure 5 à une longueur d'onde de 1 nm, et comparée à celle d'un réseau métallique classique; - la figure 8 est une représentation schématique de mesures de 35 l'efficacité de diffraction d'un réseau en fonction de l'incidence rasante dans les ordres -1, 0, +1 pour la réalisation du réseau de diffraction de la figure 5 correspondant à la simulation numérique présentée sur la figure 7; - la figure 9 est une représentation schématique de mesures de l'efficacité de diffraction de ce réseau en fonction de l'angle de déviation D pour trois incidences fixes du rayonnement dans les ordres -1, 0, +1 pour le réseau de diffraction de la figure 5, et à une longueur d'onde de 1 nm. Le réseau de diffraction de l'invention comprend dans un mode de réalisation un substrat 2 ayant une surface 3, laquelle porte une structure 4 comprenant un premier empilement 5 de couches minces périodique de période di formant des traits de largeur Il, d'épaisseur et parallèles entre eux, séparés, espacés périodiquement avec une période p (Figure 2). Ladite structure 4 comprend également un deuxième empilement 6 de couches minces périodique de période d2 formant des traits de largeur 12, d'épaisseur e2 parallèles entre eux, séparés, espacés périodiquement avec une même période p, ledit deuxième empilement 6 étant intercalé avec le premier empilement 5. Le réseau de diffraction de l'invention est destiné à être mis en oeuvre avec des faisceaux incidents quasi-monochromatiques ou polychromatiques. Les premier et deuxième empilements 5, 6 de couches peuvent comprendre deux ou plusieurs matériaux différents (m,, m2, m3). Ils peuvent également comprendre des couches de blocage empêchant l'interdiffusion des matériaux entre les couches ainsi qu'une couche de protection déposée sur les premier et deuxième empilements 5, 6. Ils peuvent également comprendre des couches d'accrochage. De préférence, lesdits empilements de couches 5, 6 sont chacun formés d'une alternance de couches présentant une même période d, pour former une structure doublement périodique 4. Dans un mode de réalisation ces empilements 5, 6 sont avantageusement constitués de couches, alternées de deux matériaux 7, 8 différents, identiquement agencées mais décalées dans la direction perpendiculaire au substrat 2, de sorte que les deux empilements sont déphasés d'une demi-période, d/2. Ces premier et deuxième matériaux 7, 8 occupent avantageusement des volumes identiques (Figure 3), c'est à dire que la hauteur de la couche du premier matériau 7 est égale à la hauteur de la couche du deuxième matériau 8 soit d/2 et la largeur occupée par la première couche 7 est égale à celle occupée par la deuxième 2864252 10 couche 8 soit la moitié de la période p du réseau afin d'obtenir un rapport cyclique 1/2 dans les deux directions. Dans un mode de réalisation particulier, le pas p du réseau ainsi que la période d des couches minces sont variables mais le rapport d/p reste cependant le même en tout point. Les valeurs de d et p peuvent ainsi typiquement varier de 15% sur 100 mm. Une approche théorique a été développée pour expliquer la possibilité de renforcer considérablement l'efficacité de diffraction de ce réseau de diffraction pour un petit nombre d'ondes diffractées autorisées, voire une io seule. Selon cette théorie, une structure périodique 4 de ce type qui présente une double périodicité dans deux directions différentes perpendiculaire et parallèle à la surface 3 du substrat 2, se comporte comme un cristal synthétique. Si une onde incidente de vecteur d'onde k; se propage dans ladite structure doublement périodique 4, elle ne peut se coupler et donc donner lieu à des ondes diffractées de vecteur d'onde kd que si la différence K entre les deux vecteurs d'onde, appelée vecteur de diffusion, est un vecteur du réseau réciproque de la structure bipériodique 4 du réseau de diffraction considéré (condition de Bragg), K=qKX+rRz, (2) où R. et KZ, de modules K,e= 2 2r/p, K2= 2,r/d, sont les vecteurs fondamentaux du réseau réciproque de la structure 4, et q et r sont deux nombres entiers appelés ordres de diffraction dans la direction considérée. Notons que les deux ondes se propagent dans un même milieu d'indice moyen T i= n, 2n2 avec ni l'indice du premier matériau 7 et n2 celui du deuxième matériau 8, et par conséquent: kdI = Ik; (3) Ainsi, contrairement à un réseau de diffraction classique, toute onde incidente ne donne pas nécessairement lieu à des faisceaux diffractés. Toutefois la condition de Bragg n'est pas aussi stricte que pour un cristal parfait, car la pénétration verticale du rayonnement est limitée par l'absorption à quelques dizaines de paires de couches. Il en résulte une incertitude sur les valeurs de KZ qui donnent un couplage avec une onde diffractée AKZ/KZ = 1/N, où N est le nombre de périodes des premier et deuxième empilements 5, 6 de couches minces qui interviennent dans la formation de l'onde diffractée. Dans le sens horizontal, il est possible d'éclairer une grande surface de réseau et l'incertitude sur KX est très petite. Une autre analogie intéressante avec l'optique des cristaux est que la structure de la maille élémentaire contribue à autoriser ou à interdire des ordres de diffraction particuliers. L'efficacité du couplage entre l'onde incidente, de vecteur d'onde k; et l'onde diffractée kt, de vecteur d'onde kd =kq, =k; + Kq, est proportionnelle à la valeur pour K = Kq, de la transformée de Fourier de la distribution des variations de l'indice optique dans la maille élémentaire. Par exemple, dans le cas ou la maille élémentaire lo est constituée de deux matériaux mi et m2 7, 8, cette distribution d'indice s'exprime par n, 2 n2 M (x,z), où M (x,z) est une fonction qui vaut +1 dans le premier matériau 7 et -1 dans le deuxième matériau 8 de l'empilement 5, 6. Le facteur de structure F(q,r) qui décrit l'intensité relative entre les différents ordres, est donc proportionnel à TF[M] I2 où TF[M] est la transformée de Fourrier de la fonction M (x,z). Si les premier et deuxième matériaux 7, 8 sont distribués de façon relativement égale et régulière dans la maille, le facteur de structure décroît rapidement avec les indices. Dans le cas particulier d'un réseau de rapport cyclique 1/2 dans les deux directions, i.e. une répartition égale et symétrique de deux matériaux 7, 8 autour du centre de la maille élémentaire, il est facile de montrer que le facteur de structure est nul pour toutes les diffusions d'ordre pair en x comme en z et qu'il se réduit, à un facteur près, à : F(2q, r) = 0 F(q, 2r) = 0 (4) F(2q+1,2r+1) = 1 (2q+1)2 (2r+1)2 D'une façon générale toute symétrie ou antisymétrie dans la distribution des indices des différents matériaux 7, 8 constituants la maille élémentaire conduit à des annulations ou des réductions du facteur de structure à certains noeuds du réseau réciproque. En définitive, si on prend en compte la deuxième condition, équation (3) kd = k; , l'onde incidente n'est capable de se coupler efficacement qu'à un très petit nombre d'ondes diffractées, voire une seule, et l'efficacité de diffraction dans ces ordres privilégiés est considérablement renforcée. Ce renforcement est formellement équivalent à un effet de blaze. Nous allons maintenant décrire les conditions d'accord pour qu'un ordre donné soit sélectionné par le réseau de diffraction dans un mode de réalisation particulier. Par convention la direction de propagation des ondes sera repérée par les angles de rasance, c'est à dire l'angle a, formé par le vecteur d'onde k avec un plan parallèle à la surface 3 du substrat 2, ai est l'angle d'incidence et ad l'angle de diffraction. Les ondes se propageant vers le io haut correspondent à des angles positifs, celles qui se propagent vers le bas à des angles négatifs. Le rayonnement incident a une longueur d'onde À dans le milieu d'indice moyen n, et le plan d'incidence est normal aux traits du réseau. Dans ces conditions l'angle de diffraction de l'ordre d'indices q et r, et l'angle d'incidence vérifient les relations suivantes déduites des équations (2) et (3). 2 sinad sina; = r d cos ad cos a; = q - (6) P Ces équations peuvent se réécrire pour faire apparaître l'angle de déviation D et l'angle d'asymétrie B tel que a; = - D/2 + B et ad = D/2 + B: 2 sin D/2 cosB = r d 2 (7) 2 sinD/2 sinB = q P Pour satisfaire la condition d'accord à toute longueur d'onde, il faut employer le réseau avec un angle d'asymétrie constant B tel que: B=Atangd (8) rp Cette relation exprime que la diffraction dans l'ordre d'indices q et r peut être interprétée dans le langage de la cristallographie, comme une réflexion de Bragg sur le plan réticulaire de mêmes indices q et r (cf fig. 3). Elle peut également se comprendre, dans le langage de l'optique classique, comme une condition de blaze. (5) 2864252 13 On peut alors déterminer par une construction d'Ewald les vecteurs d'onde des ordres susceptibles d'être diffractés (Figure 4). Les extrémités des vecteurs d'onde 9 k; et kd = kqr appartiennent à un même cercle 10 de rayon et sont localisées sur les noeuds du réseau réciproque de pas 2n/p et 5 2'n/d. Ces noeuds sont élargis dans la direction ken raison de la faible pénétration du rayonnement dans l'épaisseur de l'empilement 5, 6. Le réseau se comporte dans une étroite bande de longueur d'onde comme un réseau plan ordinaire qui disperse angulairement la lumière. L'intensité diffractée décroît rapidement autour de la longueur d'onde centrale définie par les relations (5) et (6). Le maximum d'intensité diffractée est obtenu quand la condition de blaze est respectée, c'est à dire lorsque le réseau est incliné d'un angle constant B par rapport à la bissectrice des directions d'incidence et d'émergence donnée par la relation (8). Avantageusement, l'angle d'asymétrie B est choisi petit, i.e. inférieur à 5 degrés. En supposant que le réseau est éclairé sous une incidence donnée par un faisceau monochromatique de longueur d'onde et que ce faisceau satisfait à la condition de Bragg (7) d'indices q et r, il peut exister d'autres faisceaux diffractés à la même longueur d'onde a, mais dans une direction différente. Un réseau conçu pour travailler sous incidence rasante aura un angle de blaze, B, faible et par conséquent une très grande différence entre les périodes d et p. II s'ensuit que les autres ordres diffractés auront des indices r variant comme la suite des nombres entiers, mais des indices q variant approximativement comme r2. La rapide décroissance du facteur de structure (défini plus haut à la formule (4)) avec les indices implique un très faible couplage de l'onde incidente avec des ordres parasites. En pratique, on choisira de travailler dans les ordres q= +1, r=1 ou q= -1, r= 1 et on s'efforcera d'obtenir un rapport cyclique voisin de 1/2 dans les deux directions. Les ordres correspondant à des indices q ou r pairs ne pouvant se propager, l'essentiel de l'énergie diffractée àla longueur d'onde a,, le sera dans l'ordre choisi avec une efficacité très renforcée; le reste sera absorbé dans le réseau. Si maintenant le réseau, orienté pour diffracter suivant l'ordre (q,r), est éclairé par un faisceau polychromatique, les équations (5) et (6) montrent que les longueurs d'onde harmoniques de la longueur d'onde d'accord, X'=X/k, seront diffractées dans la même direction que l'ordre (q,r) dans des ordres d'indices q'=k q, r'=k r. Compte tenu de la rapide décroissance du facteur de structure on peut attendre une forte réduction de la contamination du faisceau diffracté par les harmoniques supérieures, ce qui est un des inconvénients majeurs des réseaux unidimensionnels classiques dans le domaine des rayons X. Dans un mode de réalisation particulier où le réseau de diffraction a un rapport cyclique 1/2, décrit plus haut, et est utilisé dans les ordres (1,1) ou (-1,1), la première harmonique diffractée est l'harmonique 3 et son efficacité de diffraction théorique, en négligeant les variations d'indice optique, est seulement 1/81 de celle de l'harmonique 1. Cependant, les directions d'ondes que nous avons utilisées jusqu'ici io sont celles des ondes qui se propagent à l'intérieur du réseau de diffraction d'indice moyen n = n' 2n2 avec ni l'indice du premier matériau 7 et n2 celui du deuxième matériau 8 et la longueur d'onde 2 utilisée est celle d'un faisceau incident dans ce milieu, soit 2 _ 20/n où À0 est la longueur d'onde dans le vide du faisceau incident. Dans un but d'exemplification nous donnerons ci- après une détermination simplifiée de l'angle de blaze B applicable au domaine de longueur d'onde VUV et rayons X. Dans le domaine du rayonnement VUV et X, l'indice optique étant très proche mais inférieur à 1 il est usuel de noter 7 T = 1 . La relation entre l'angle de propagation d'une onde dans le vide a' et son angle a dans le milieu du réseau est alors 20 cos a'=n cosa sina=Vsin2a' 28 (9) Si l'angle d'incidence de l'onde dans le vide est suffisamment éloigné de l'angle de réflexion totale tout en restant rasant, 28 sina' 1, on peut utiliser l'approximation sin a = sin a' 8/sina' . On obtient alors des expressions corrigées équivalentes aux équations (7) : =r [2sinD'/2 sin B' =q P On notera que la relation de diffraction par le réseau latéral reste inchangée. Seule change la condition de blaze à laquelle il faut apporter une correction dépendant de la longueur d'onde. En estimant D' et B' à leur valeur non corrigée, on obtient une valeur approchée de l'angle de blaze: tanB'=qd 1 S (11) rp (rito /2d)2 (qd /rp)2 2sinD'/2 cosB' 1 sin2 D'/2 sine B') 2s d (10) Les propriétés fondamentales du réseau qui vient d'être décrit sont dues à - une double périodicité latérale et en profondeur, et à une utilisation en rayons X sous incidence rasante avec des angles de blaze faibles, typiquement dans les ordres (1,1) ou (-1,1), qui ont pour effet de limiter les longueurs d'onde qui peuvent être diffractées pour une incidence donnée dans un ordre donné. - une répartition des matériaux 7, 8 régulièrement alternée tels que les rapports cycliques dans des directions parallèles et perpendiculaires à la io surface 3 du substrat 2 soient proches de 1/2, qui limite le nombre d'ordres effectivement diffractés et en renforce l'efficacité. L'invention concerne également l'emploi d'un réseau à multicouches alternées dans un dispositif de spectroscopie. L'exploitation des avantages précédemment exprimés suppose de garder sensiblement constant l'angle d'asymétrie B et donc de faire seulement varier l'angle de déviation dudit réseau pour accorder le dispositif à la longueur d'onde. II est alors avantageux d'inclure dans le dispositif de spectroscopie, soit avant soit après le réseau, un miroir dont le rôle est de ramener la direction du faisceau sortant du dispositif dans l'axe du faisceau entrant. Ce miroir travaille constamment sous une incidence rasante égale à D/2. Pour augmenter la réflectivité de ce miroir il est encore avantageux de recouvrir sa surface d'un empilement de couches minces formé des mêmes matériaux que les premier et deuxième empilements du réseau. La période d' qu'il convient de donner à l'empilement multicouche du miroir pour obtenir une réflectivité maximale est donnée par la relation de Bragg largeur du profil de réflectivite (- ). Corrélativement la perte d'efficacité impliquée par l'utilisation pour le miroir d'un empilement de période d au lieu de d' est négligeable. 3o degrés, la variation de période induite (d d) est négligeable devant la 2sinflI=r'(dl (12) ou r' est l'ordre de la réflexion de Bragg. JEn comparant aux équations (7) on voit que pour r'=r la période optimale de l'empilement de couches minces du miroir est d' = d cosB. Cependant lorsque l'angle B est petit, i.e. B On fait ensuite agir un solvant pour dissoudre sélectivement soit la résine qui a été polymérisée soit la résine qui n'a pas été polymérisée, pour faire apparaître les traits formant les motifs en relief de surface du substrat 2. Avantageusement on sera généralement conduit à amplifier la profondeur de modulation par un procédé de gravure sélective (gravure chimique, ionique réactive ou autres) analogue à ceux utilisés en microélectronique. Le substrat 2 ainsi préparé présente à sa surface 3 un relief de traits 11 parallèles ayant un profil lamellaire rectangulaire, éventuellement trapézoïdal avec une largeur de flanc faible, de période p, de profondeur h=d/2 et de rapport cyclique 112, c'est à dire qu'il présente la même largeur des faces hautes et basses du profil. Le rapport dl!) est choisi de façon à obtenir un angle de blaze de quelques degrés selon la relation (7). Sur ce substrat 2, on dépose alternativement des couches minces d'un premier 7 et d'un deuxième 8 matériaux (respectivement mi, m2) choisis pour présenter entre eux une forte variation d'indice dans le domaine spectral d'intérêt. Le réseau de diffraction de l'invention ainsi formé comprend une structure 4 comportant un premier empilement 5 de couches minces, périodique de période d formant des traits de largeur p/2 parallèles entre eux, séparés, espacés périodiquement avec une période p et un deuxième empilement 6 de couches minces périodique de période d d'agencement identique au premier empilement 5, formant des traits 11 de largeur p/2 parallèles entre eux, séparés, espacés périodiquement avec une même période p, ledit deuxième empilement 6 étant intercalé avec le premier empilement 5 et déphasé selon la direction perpendiculaire au substrat 2 de la profondeur de gravure h=d/2. Les couches de chacun des deux matériaux 7, 8 ont la même épaisseur, cette dernière étant égale à la profondeur de gravure h=d/2 du substrat 2 sous-jacent. La distribution des deux matériaux 7, 8 présente donc une symétrie par rapport au centre de la maille élémentaire. II résulte aussi de la construction indiquée ci-dessus que le réseau de diffraction présente à sa surface 12, un premier réseau mince de surface, formé par la différence de hauteur entre le premier empilement 5 et le deuxième empilement 6 de couches minces. Ce premier réseau mince comprend des traits comportant le premier matériau 7, d'épaisseur d/2, périodique de période p et séparés par des vides d'épaisseur d/2. Le réseau de diffraction comprend également à l'interface entre le substrat 2 et la structure 4 formée par lesdits premier et deuxième empilements 5, 6, un deuxième réseau mince comprenant les traits du substrat 2 et les traits du deuxième matériau 8, d'épaisseur également d/2. L'énergie diffractée par un réseau de surface supplémentaire est relativement faible, si bien que les propriétés que nous avons énoncées sont peu affectées. Quant au deuxième réseau mince, l'atténuation rapide de l'onde incidente à l'intérieur de la structure 4 comprenant lesdits premier et deuxième empilements 5, 6 fait qu'il est peu ou pas atteint par le rayonnement. Un troisième mode de réalisation de l'invention est présenté à la Figure 6. Ce réseau de diffraction comprend un substrat 2 dans lequel est réalisé un réseau à profil triangulaire de période p/2 et de profondeur d/2=p/2 tanp où f3 est la pente des bords 13 du trait 11 de forme triangulaire. Ce substrat 2 est ensuite recouvert d'un empilement régulier de couches d'un premier 7 et deuxième 8 matériaux, chacune ayant une épaisseur égale à d/2, de façon à former un réseau de diffraction comprenant un premier empilement de couches minces 5 et un deuxième empilement de couches minces 6, chacun de période p et d, comme décrit précédemment. L'angle d'asymétrie B, ou encore angle de blaze caractérisant la diffraction dans l'ordre d'indices (q, r) reste défini par B= Atan 9 , mais la direction préférentielle de blaze diffère rp et est celle de l'ordre (1,2), B12 2,6 (Figure 6). Dans la pratique il est extrêmement difficile, voire même impossible de réaliser des motifs gravés présentant des profils abrupts perpendiculaires à la surface moyenne du substrat 2. On obtient généralement des motifs de forme trapézoïdale. Le facteur de structure de la maille élémentaire d'un réseau de diffraction de l'invention réalisé par le dépôt de couches alternées sur un tel substrat 2, n'est pas exactement nul pour les ordres de diffraction pairs. Cependant si la largeur des flancs des trapèzes est suffisamment faible par rapport à la période p, le réseau de diffraction ainsi obtenu permet de sélectionner les ordres de diffraction et de renforcer l'efficacité de diffraction dans ces ordres autorisés. On décrira maintenant un exemple de réseau de diffraction nouveau et io utile conforme à l'invention et fabricable industriellement montrant l'excellence des résultats obtenus à partir de ce réseau. EXEMPLE 1 Les figures 7-9 décrivent un mode de mise en oeuvre particulier d'un réseau de diffraction de l'invention. Ce réseau de diffraction comprend un substrat 2. Ce substrat 2 est un réseau ayant un relief de surface formé sur une surface plane 3. Ledit relief comprend des traits 11 parallèles entre eux ayant un profil lamellaire de profondeur h = 3,8 0, 2 nm. La densité de traits 11 est de 2400 traits/mm, soit une période p = 417 nm. Le rapport creux/période de ce réseau est de 0,70 0,01, c'est à dire que la partie haute des traits 11 a une largeur Il = 125 4 nm et la partie basse une largeur 12= 292 4 nm. Les traits 11 ont une forme trapézoïdale dont la pente des bords 13 du trait 11 est comprise entre 12 et 15 . Ce réseau a été recouvert d'un revêtement de 20 paires de couches alternées d'épaisseur identique de Mo et Si, chaque couche ayant sensiblement une épaisseur de 3,9 nm. Le réseau de diffraction ainsi formé comprend un premier empilement périodique 5 de couches minces de période d = 7,8 nm formant des traits 11 parallèles entre eux, de largeur 11=125 nm, séparés de 292 nm, espacés périodiquement avec une période p = 417 nm et un deuxième empilement 6 périodique de couches minces de même période d formant des traits 11, parallèles entre eux, de largeur 12= 292 nm séparés de 125 nm, espacés périodiquement avec une même période p, ledit deuxième empilement 6 étant intercalé avec le premier empilement 5 et déphasé selon la direction perpendiculaire au substrat 2 de la profondeur de gravure h=d/2. Le réseau de diffraction ainsi réalisé ne reproduit pas exactement la géométrie idéale attendue. Le rapport cyclique dans la direction parallèle au substrat 2 est en effet éloigné de sa valeur souhaitable qui est proche de 0,5. Ce rapport est ici égal au rapport cyclique 12/p du réseau formant le substrat 2 soit 12/p = 0,70 0,01. En revanche l'accord de la période verticale avec la valeur mesurée de la profondeur de gravure h, est excellent. La figure 7 donne le résultat de simulations numériques de l'efficacité de ce réseau de rapport cyclique 0,70 à une longueur d'onde de 1 nm, soit 1240 eV, pour deux types de revêtements réfléchissants: un traitement en io couche mince classique de platine et le revêtement multicouche Mo/Si de 3,8 nm d'épaisseur par couche, adapté à la valeur de h mesurée. On a tracé indépendamment l'efficacité de diffraction dans trois directions correspondant aux ordres de diffraction (-1, 0, +1) du réseau de période p. L'axe des abscisses 14 représente l'angle d'incidence en degrés et l'axe des ordonnées 15 représente l'efficacité de diffraction. L'efficacité du réseau recouvert d'une couche de platine présente une réflectivité importante dans l'ordre 0 (courbe en trait plein 16) pour les angles inférieurs à 3 degrés. Les efficacités des ordres -1 (courbe trait interrompu 17) et +1 (courbe en points et tirets 18) ont des courbes de variation larges avec un maximum à 4% pour une incidence rasante de 1,95 degrés et 4,45 degrés, respectivement. Le deuxième jeu de courbes correspond à un réseau tel que décrit dans l'invention recouvert de couches alternées de Mo et Si d'épaisseur identique égale à 3,8 nm. L'ordre 0 (courbe en trait fin avec des cercles 19) présente toujours une réflectivité importante pour les incidences très rasantes, mais la coupure se produit à un angle plus faible. II existe aussi un pic aigu de réflectivité à l'angle de Bragg q=0, r=1 du multicouche soit 4,27 degrés. Les efficacités des ordres q= 1 (courbe en trait fin avec des triangles pointe en bas 20) et q=+1 (courbe en trait plein avec des triangles pointe en haut 21) présentent chacune un maximum aigu à 15% de part et d'autre du pic d'ordre 0 avec un écart angulaire de 0,92 degrés égal à l'angle d'asymétrie B. On notera sur ces deux courbes 20, 21 la persistance d'un maximum secondaire 22, 23 très atténué aux positions des pics du réseau de surface qui correspondent aux ordres (r=0, q= 1). Enfin, on notera la présence de deux minima relatifs dans l'ordre 0, en correspondance avec les maxima des ordres q= 1, qui confirme l'existence d'un couplage préférentiel de l'énergie vers les ordres blazés, i.e. les ordres autorisés. La figure 8 montre les résultats de mesures obtenues pour une radiation incidente de longueur d'onde 1 nm. Le dispositif de mesure utilisé est un goniomètre à deux axes, l'un portant le réseau de diffraction de l'invention et le second le détecteur. Le réseau est éclairé par un pinceau de lumière parallèle, et pour isoler les ordres diffractés, on a limité l'étendue du détecteur par un petit trou. Cette figure 8 représente l'efficacité de diffraction du réseau en fonction de l'angle d'incidence rasante de la radiation incidente. L'axe des io abscisses 14 représente l'angle d'incidence en degrés et l'axe des ordonnées 15 représente l'efficacité de diffraction. La première courbe 24 (en trait interrompu) représente les résultats obtenus pour l'ordre q= 1, la deuxième courbe 25 (en trait fort), l'ordre q=O et la troisième courbe 26 (en points et tirets), l'ordre q=+ 1. L'aspect des courbes de la figure 7 n'est pas reproduit exactement pour plusieurs raisons. D'abord la réponse est élargie par la réponse angulaire du système de mesure, qui est proportionnelle à la convolution de la dimension du trou par la largeur du faisceau incident. Ensuite l'intensité mesurée au sommet des pics est plus faible, 9% au lieu de 15%, ce qui peut provenir d'un profil légèrement trapézoïdal alors que la simulation supposait un profil rectangulaire, mais leur position en angle d'incidence rasante est exacte et coïncide avec celle de la simulation. La figure 9 montre trois courbes d'efficacité de ce même réseau, obtenues en maintenant fixe l'incidence du rayonnement et en faisant varier la position angulaire du détecteur. Les angles sont repérés à partir de la direction du faisceau incident, angle de déviation D. L'axe des abscisses 14 représente donc l'angle de déviation en degrés et l'axe des ordonnées 15 représente l'efficacité de diffraction. La première courbe 27 (en pointillé fin) représente les résultats obtenus pour l'ordre 1, la deuxième courbe 28 (en trait plein), l'ordre 0 et la troisième courbe 29 (en points et tirets), l'ordre + 1. Les trois courbes 27-29 correspondent aux valeurs de l'incidence pour laquelle l'efficacité est maximale, dans l'ordre -1 à 3,35 degrés, dans l'ordre 0 à 4,25 degrés et dans l'ordre +1 à 5,2 degrés. Les pics d'efficacité à 8,55 degrés ne sont pas symétriques mais présentent un épaulement 30-32 du côté des grands angles. Cet effet n'est pas lié au réseau mais à la géométrie du faisceau incident et du trou de mesure, et se retrouve sur les mesures de calibration faites sans le réseau. Sur les mesures faites pour la troisième courbe 29, i.e. l'ordre + 1, à une incidence de 3,35 degrés, il existe un pic secondaire 33 à 6,7 degrés qui correspond à l'ordre 0 du réseau. Celui ci est très atténué mais n'est pas totalement annulé parce que le rapport cyclique du s réseau de base est 0,7 au lieu de sa valeur souhaitable qui est de 0,5. Un faible pic d'ordre 0 est aussi visible à 10,4 degrés sur la mesure réalisée à 5,2 degrés pour la troisième courbe, i.e. l'ordre +1. On remarque aussi que les trois pics à 8,55 degrés ne sont pas aussi exactement superposés que le prévoient la théorie et la simulation. Cela peut être dû à des erreurs io d'alignement et de calibration du goniomètre de mesure. 22 REVENDICATIONS 1. Réseau de diffraction pour la dispersion de flux lumineux polychromatique ou quasi-monochromatique comportant - un substrat (2) ayant une surface (3), - une structure (4) de périodicité p portée par la surface (3) du substrat (2) comprenant: - un premier empilement (5) de couches minces périodique de période di, chaque période di étant constituée de couches d'au moins deux matériaux (7, 8) différents, lesdits empilements (5) formant des traits (11) de largeur Il, d'épaisseur el, parallèles entre eux, séparés à la surface (3) du substrat (2) et espacés périodiquement avec une période p, caractérisé en ce que ladite structure (4) comporte au moins - un deuxième empilement (6) de couches minces périodique de période de d2, chaque période d2 étant constituée de couches d'au moins deux matériaux (7, 8) différents, lesdits empilements (6) formant des traits (11) de largeur 12, d'épaisseur e2, parallèles entre eux, séparés à la surface (3) du substrat (2) et espacés périodiquement une même période p, ledit deuxième empilement (6) étant alterné avec le premier empilement (5) . 2. Réseau de diffraction selon la revendication 1 caractérisé en ce que lesdits empilements (5, 6) alternés occupent tout l'espace de la période p. 3. Réseau de diffraction selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la période p des traits (11) du réseau varie continûment selon la position à la surface (3) du substrat (2). 4. Réseau de diffraction selon une au moins des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les périodes di et d2 des couches minces varient continûment selon la position à la surface (3) du substrat (2). 5. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de protection déposée sur 30 lesdits premier et deuxième empilements (5, 6) de couches. 6. Réseau de diffraction selon une au moins des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte une couche d'accrochage entre le substrat (2) et la première couche de chaque empilement (5, 6). 7. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 1 à 35 6, caractérisé en ce que les périodes di et d2 sont telles que di = d2 = d, de telle sorte que les empilements (5, 6) alternés sont formés par une répétition doublement périodique d'une même maille élémentaire. 8. Réseau de diffraction selon la revendication 7, caractérisé en ce que les premier et deuxième empilements (5, 6) ont même agencement et sont déphasés dans la direction de périodicité d perpendiculaire à la surface (3) du substrat (2). 9. Réseau de diffraction selon la revendication 7ou 8, caractérisé en ce que la répartition des indices des matériaux (7, 8) formant une maille élémentaire présente des symétries ou antisymétries de telle sorte qu'au io moins un ordre de diffraction est affaibli ou renforcé. 10. Réseau de diffraction selon la revendication 9, caractérisé en ce que la répartition des indices des matériaux (7, 8) formant la maille élémentaire présente une symétrie par rapport au centre de ladite maille élémentaire. 11. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que la maille élémentaire est formée de deux matériaux (7, 8) ayant des indices optiques différents. 12. Réseau selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que les couches ont une épaisseur égale à d/2 et les traits 20 (11) une largeur égale à p/2. 13. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 7 à 12, caractérisé en ce que le substrat (2) a un relief de surface, ledit relief comprenant des traits parallèles (11) entre eux, ayant un profil lamellaire, d'une largeur p/2, d'une profondeur d/2 et de périodicité p. 14. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 7 à 12, caractérisé en ce que le substrat (2) a un relief de surface, ledit relief comprenant des traits (11) parallèles entre eux, ayant un profil triangulaire, d'une largeur à la base p/2, d'une profondeur d/2 et de périodicité p12. 15. Réseau de diffraction selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que ledit relief est formé sur une surface plane (3). 16. Réseau de diffraction selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que ledit relief est formé sur une surface concave, convexe, sphérique ou asphérique (3). 17. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 7 35 à 16 caractérisé en ce que la période p du réseau et la période d des empilements (5, 6) varient continûment selon la position à la surface (12) du réseau de telle sorte que le rapport d/p reste en tout point constant. 18. Réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 7 à 17, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de blocage entre matériaux successifs (7, 8). 19. Procédé de fabrication d'un réseau de diffraction selon les revendications 8 à 18, caractérisé en ce que - un relief de surface comportant des motifs en relief ou en creux périodiques, de hauteur ou profondeur h, h inférieur à d, réalisé sur un 10 substrat (2), - on dépose un empilement de couches minces périodique de période d, chaque période d étant formée de couches d'au moins deux matériaux différents (7, 8), de telle sorte qu'on forme un premier et un deuxième empilements (5, 6) ayant 15 même agencement, alternés et déphasés dans la direction de périodicité d perpendiculaire à la surface (3) du substrat (2). 20. Procédé de fabrication d'un réseau selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'on forme des motifs en creux périodiques par un procédé de gravure in situ. 21. Procédé de fabrication d'un réseau selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'on forme des motifs en relief périodiques par un procédé de dépôt in situ. 22. Procédé de fabrication d'un réseau selon la revendication 20 ou 21, caractérisé en ce qu'on forme ledit relief de surface sur une surface plane (3). 23. Procédé de fabrication d'un réseau selon la revendication 20 ou 21, caractérisé en ce qu'on forme ledit relief de surface sur une surface concave, convexe, sphérique ou asphérique (3). 24. Procédé de fabrication d'un réseau selon l'une quelconque des revendications 19 à 23, caractérisé en ce que le relief de surface comprend des traits parallèles (11) entre eux, ayant un profil lamellaire, d'une largeur p/2, d'une hauteur ou profondeur h = d/2 et de périodicité p. 25. Procédé de fabrication d'un réseau selon l'une quelconque des revendications 19 à 23, caractérisé en ce que le relief de surface comprend des traits (11) parallèles entre eux, ayant un profil triangulaire, d'une largeur à la base p/2, d'une hauteur àu profondeur h = d/2 et de périodicité p/2. 26. Dispositif spectroscopique pour l'analyse ou le filtrage d'une source lumineuse comportant au moins un réseau de diffraction caractérisé en ce que ledit réseau est un réseau de diffraction selon l'une quelconque des revendications 1 à 18. 27. Dispositif spectroscopique selon la revendication 26, destiné à recevoir un faisceau lumineux comportant au moins une radiation centrée sur une longueur d'onde X0 émis par une source lumineuse, la radiation diffractée de longueur d'onde Io par ledit réseau formant un angle de déviation D avec le faisceau indicent, caractérisé en ce que io - les périodes di et d2 des premier et deuxième empilements (5, 6) de couches minces périodiques sont telles que dl = d2 = d de telle sorte que les empilements alternées sont formées par une répétition doublement périodique d'une même maille élémentaire, - l'angle D et la longueur d'onde Xo de ladite radiation vérifiant l'équation 15 suivante: 2sin(\xsin B = q 20 où p est la période du réseau dans le plan de sa surface (12), q est l'ordre de diffraction dans cette direction, - le réseau de diffraction est orienté de façon telle que la normale au 20 réseau fasse un angle B constant à 10% avec la bissectrice à l'angle de déviation D. 28. Dispositif spectroscopique selon la revendication 27, caractérisé en ce que l'angle B est défini par la relation ( tan B = qd rp (1 n) r20 2_ qd 12d rp où d est la période du réseau selon l'axe perpendiculaire à la surface (12) du réseau et r l'ordre de diffraction dans cette direction et n l'indice moyen du réseau. 29. Dispositif spectroscopique selon les revendications 26 et 27, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif dispersif comportant ledit réseau 30 de diffraction et un miroir placé avant ou après celui-ci, ledit miroir comportant une structure multicouche comprenant les mêmes matériaux et ayant la même périodicité dans une direction normale à sa surface que lesdits premier et deuxième empilements (5, 6) de couches du réseau de diffraction, ledit miroir étant orienté de façon à recevoir le faisceau lumineux diffracté sous un angle d'incidence D/2 par rapport à sa surface de telle sorte que le faisceau diffracté par le réseau et transmis par l'ensemble du dispositif reste parallèle au faisceau incident.