Brevet FR2872628A1 — publié le 20060106

[Domaine technique] 1] La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, et de façon détaillée, un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche utilisant un film poreux à constante diélectrique faible pour un film isolant entre couches. [Etat de la technique antérieure] [0002] La miniaturisation d'éléments constituant les dispositifs semiconducteurs est la plus efficace pour la sophistication des dispositifs semiconducteurs, et à présent des développements technologiques sont promus énergiquement en vue d'un critère de conception de leur taille compris entre 65 nm et 45 nm. Par ailleurs, dans la sophistication des dispositifs semiconducteurs ayant la susdite structure miniaturisée, un câblage dans une rainure formé selon une méthode dite damascène (damascene method) consistant à déposer un film de matériau de câblage tel qu'un film en cuivre (Cu) sur un film isolant entre couches rainurées par micro-usinage, et à éliminer le susdit film de matériau de câblage en dehors de la partie encastrée dans la rainure par polissage chimique- mécanique (CMP: Chemical Mechanical Polishing), c'est-à-dire un câblage damascène est devenu indispensable à la diminution de la résistance du câblage de connexion entre les éléments et à la réduction de capacité parasite du câblage. 3] A la formation du susdit câblage damascène, des matériaux du film isolant dit film à constante diélectrique faible qui remplace un film en oxyde de silicium à titre de matériau du film isolant entre couches et dont la constante diélectrique relative en est réduite sont indispensables. Et afin d'accélérer l'affaiblissement de la constante diélectrique du film isolant entre couches, la porosification du film à constante diélectrique faible devient un moyen le plus efficace. Par un film à constante diélectrique faible, on entend ici un film isolant dont la constante diélectrique relative d'un film en dioxyde de silicium est égale ou inférieure à 3,9. 4] Cependant, au cas où un film porosifié à constante diélectrique faible est concrètement appliqué à un processus de fabrication d'un câblage damascène d'un dispositif semiconducteur, on se préoccupe de problèmes mentionnés ci-dessous, pour lesquels des moyens de solution sont proposés. Le premier problème résulte de l'augmentation de teneur en pore dans le film à constante diélectrique faible, de la réduction de sa constante diélectrique relative, et simultanément, de l'abaissement inévitable de la résistance mécanique du film isolant entre couches. Cet abaissement de la résistance mécanique du film isolant entre couches facilite la production de crevasses due à la contrainte thermique, ce qui a pour conséquence de faciliter la production de défauts de court-circuit entre les câblages damascène. De ce fait, il a été proposé de prévoir un film isolant à module d'élasticité de Young élevé en tant que film protecteur pour la paroi latérale à la paroi latérale de trous d'interconnexion (via holes) ou de rainures de câblage (trenches) formées au film isolant entre couches (voir par exemple la publication de la demande de brevet japonais n 2003-197742). Et le deuxième problème consiste à l'exposition, pendant le processus de fabrication, de nombreux pores à la paroi latérale des susdits trous d'interconnexion et des susdites rainures et à la pénétration dans le film isolant entre couche à travers ces pores d'eau, de Cu pour le film de matériaux de câblage, de nitrure de tantale (TaN) par exemple, constituant une couche de barrière de celui-ci, etc., provoquant un augmentation de constante diélectrique relative, une chute de confiance au film isolant entre couches, un augmentation de courant de fuite entre les câblages, une connexion défectueuse à des parties d'interconnexion. De ce fait, il a été proposé de prévoir un film isolant inorganique (un scellement de pore: pore seal) de qualité de film minutieux en tant que film protecteur pour la paroi latérale à la paroi latérale des susdits trous d'interconnexion ou des susdites rainures (voir par exemple la publication de la demande de brevet japonais n 2000-294634). 5] Ci-après, on va expliquer la technique de fabrication d'un câblage damascène en formant un film protecteur pour la paroi latérale à la paroi latérale des trous d'interconnexion ou des rainures du film isolant entre couches comprenant un film à constante diélectrique faible en référence aux figures 10 et 11. Les figures 10 et 11 sont des vues en coupe par étape d'un élément en cas de formation d'un câblage damascène duel (dual damascene) en utilisant un scellement de pore révélé par ladite publication de la demande de brevet japonais n 2000-294634. 6] Comme le montre la figure 10(a), après la formation par empilement d'un film en P-Sin 102 qui est un film de nitrure de silicium à plasma, d'un premier film à constante diélectrique faible 103, d'un premier film en PSi02 104 qui est un film en oxyde de silicium à plasma, d'un deuxième film à constante diélectrique faible 105, et d'un deuxième film en P-Si02 106 sur un câblage de la couche inférieure 101 constitué d'un film en Cu, on forme une ouverture pour l'interconnexion 107 au susdit deuxième film en P-Si02 106, et au susdit deuxième film à constante diélectrique faible 105 et expose le premier film en PSi02 104 selon les techniques connues de photolithographie et de gravure sèche. 7] Ensuite, comme le montre la figure 10(b), on forme un masque de réserve 108 ayant un motif de rainure. Alors, selon la gravure ionique réactive (RIE) en utilisant ce dernier en tant que masque de gravure, on élimine d'abord par gravure le deuxième film en P-Si02 106 et la susdite partie exposée du premier film en P-Si02 104 avec du gaz hydrofluorocarboné. 8] Ensuite, comme le montre la figure 10(c), on 25 effectue la gravure du deuxième film exposé à constante diélectrique faible 105 au moyen du deuxième film en PSi02 106 en tant que masque de gravure, et du premier film en P-Si02 104 en tant que taquet de gravure (etching stopper) , et selon la RIE avec du gaz de gravure fluorocarboné par exemple, et forme des trous d'interconnexion au premier film à constante diélectrique faible 103. Selon cette RIE, le masque de réserve 108 est éliminé préalablement sans servir de masque de gravure. Par la suite, on élimine par gravure le film en P-Sin 102 exposé aux susdits trous d'interconnexion au moyen du premier film en P-SiO2 104 et du deuxième film en P-Si02 106 en tant que masque de gravure, fait pénétrer les susdits trous d'interconnexion jusqu'à la surface d'un câblage de la couche inférieure 101, forme des trous d'interconnexion et des rainures de structure damascène duelle. 9] Ensuite, comme le montre la figure 10(d), on enrobe la surface entière avec un troisième film en P-SiO2 (film isolant inorganique) 109 ayant une épaisseur d'environ 50 nm selon le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Puis, on réalise une gravure en retrait pour éliminer le troisième film en P-SiO2 109 à la surface du câblage de la couche inférieure 101. Dans cette étape, comme le montre la figure 11(a), le troisième film en P-SiO2 109 demeure en tant que mur latéral du film isolant, et enrobe la paroi latérale du premier film à constante diélectrique faible 103 et du deuxième film à constante diélectrique faible 105 en tant que film protecteur pour la paroi latérale 110. Ici, le film protecteur pour la paroi latérale 110 enrobe également la paroi latérale du premier film em P-SiO2 104 et du deuxième film en P-SiO2 106. 0] Ensuite, on élimine par réduction une couche oxydée à la surface du câblage de la couche inférieure 101, et comme le montre la figure 11(b), on forme un film métallique de barrière 111 sur la surface entière selon la méthode de métallisation par pulvérisation (le dépôt physique en phase vapeur: PVD) et dépose sur ce dernier un film en Cu 112 selon la méthode de revêtement métallique etc. Et on élimine par polissage le susdit film métallique de barrière 111 et le susdit film en Cu 112 inutiles à la surface du deuxième film en P-Si02 106 selon la méthode CMP, et comme le montre la figure 11(c), on forme un câblage de la couche supérieure 113 de structure de câblage damascène duelle connectée électriquement au câblage de la couche inférieure 101. Ainsi, on achève un câblage damascène ayant le film protecteur pour la paroi latérale 110 à la paroi latérale des trous d'interconnexion ou des rainures de structure damascène duelle prévues au premier film à constante diélectrique faible 103 et au deuxième film à constante diélectrique faible 105. [Exposé de l'invention] [Problèmes que l'invention vise à résoudre] [0014] La présente demande a pour but de permettre la mise en pratique d'une structure de câblage damascène miniaturisée de haute confiance en commandant précisément la forme de la paroi latérale des trous d'interconnexion ou des rainures utilisées pour le câblage damascène (duel), et en facilitant l'encastrement des matériaux de câblage dans ces trous d'interconnexion ou ces rainures, sans augmenter la constante diélectrique efficace du film isolant entre couches pour le câblage comprenant un film à constante diélectrique faible de structure poreuse. [Moyens pour résoudre les problèmes] [0015] L'inventeur a découvert que la variation de la forme de la paroi latérale des trous d'interconnexion ou des rainures du câblage damascène, qui a lieu dans l'étape d'élimination par gravure de la couche isolante de barrière sur le câblage de la couche inférieure ou de la couche d'arrêt de gravure en cas de formation d'une structure de câblage damascène utilisant un film porosifié à constante diélectrique faible pour le film isolant entre couches, est provoquée par agrandissement de la taille de pores à la paroi latérale des trous d'interconnexion ou des rainures du film porosifié à constante diélectrique faible pendant la susdite étape d'élimination par gravure et par contraction locale du film à constante diélectrique faible. L'invention est basée sur cette découverte nouvelle. 6] Ainsi, afin de résoudre le susdit problème, la première invention pour le procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les étapes consistant à former une couche de câblage de la couche inférieure par l'intermédiaire d'un film isolant sur un substrat semiconducteur auquel est formé un élément, à former un premier film isolant sur ladite couche de câblage de la couche inférieure, à former un deuxième film isolant en matériaux isolants poreux sur ledit premier film isolant, à former un troisième film isolant sur ledit deuxième film isolant, à former un masque de réserve ayant un motif d'ouverture prédéterminé sur ledit troisième film isolant, à former une ouverture atteignant ledit premier film isolant audit troisième film isolant et audit deuxième film isolant par réalisation d'une première gravure sèche, utilisant ledit masque de réserve en tant que masque de gravure, à éliminer ledit masque de réserve, à déposer un film métallique de barrière sur la surface entière de façon à enrober la paroi latérale de ladite ouverture après l'élimination dudit masque de réserve, à éliminer par gravure ledit film métallique de barrière déposé sur ledit premier film isolant au fond de ladite ouverture par réalisation d'une deuxième gravure sèche, à faire pénétrer ladite ouverture jusqu'à la couche de câblage de la couche inférieure par réalisation d'une troisième gravure sèche audit premier film isolant de la partie inférieure de ladite ouverture, utilisant ledit film métallique de barrière enrobant la paroi latérale de ladite ouverture et ledit troisième film isolant en tant que masque de gravure, et à former un bouchon d'interconnexion ou une couche de câblage de la couche supérieure connecté à ladite couche de câblage de la couche inférieure par encastrement d'un matériau conducteur dans ladite ouverture pénétrant jusqu'à ladite couche de câblage de la couche inférieure. 7] Et la deuxième invention pour le procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les étapes consistant à former une couche de câblage de la couche inférieure par l'intermédiaire d'un film isolant sur un substrat semiconducteur auquel est formé un élément, à former un premier film isolant sur ladite couche de câblage de la couche inférieure, à former un deuxième film isolant en matériaux isolants poreux sur ledit premier film isolant, à former un troisième film isolant sur ledit deuxième film isolant, à former un quatrième film isolant sur ledit troisième film isolant, à former un masque de réserve ayant un motif d'ouverture prédéterminé sur ledit quatrième film isolant, à transférer ledit motif d'ouverture audit quatrième film isolant par réalisation d'une première gravure sèche, utilisant ledit masque de réserve en tant que masque de gravure, à éliminer ledit masque de réserve, à former une ouverture atteignant ledit premier film isolant audit troisième film isolant et audit deuxième film isolant par réalisation d'une deuxième gravure sèche, utilisant ledit quatrième film isolant ayant ledit motif d'ouverture en tant que masque de gravure, à déposer un film métallique de barrière sur la surface entière de façon à enrober la paroi latérale de ladite ouverture, à éliminer par gravure ledit film métallique de barrière déposé sur ledit premier film isolant au fond de ladite ouverture par réalisation d'une troisième gravure sèche, à faire pénétrer ladite ouverture jusqu'à la couche de câblage de la couche inférieure par réalisation d'une quatrième gravure sèche audit premier film isolant de la partie inférieure de ladite ouverture, utilisant ledit film métallique de barrière enrobant la paroi latérale de ladite ouverture et ledit troisième film isolant ou ledit quatrième film isolant en tant que masque de gravure, et à former un bouchon d'interconnexion ou un câblage de la couche supérieure connecté à ladite couche de câblage de la couche inférieure par encastrement d'un matériau conducteur dans ladite ouverture pénétrant jusqu'à ladite couche de câblage de la couche inférieure. 8] Et la troisième invention pour le procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les étapes consistant à former une couche de câblage de la couche inférieure par l'intermédiaire d'un film isolant sur un substrat semiconducteur auquel est formé un élément, à former un premier film isolant sur ladite couche de câblage de la couche inférieure, à former un deuxième film isolant en matériaux isolants poreux sur ledit premier film isolant, à former un troisième film isolant sur ledit deuxième film isolant, à former un quatrième film isolant sur ledit troisième film isolant, à former un premier motif d'ouverture audit quatrième film isolant et un deuxième motif d'ouverture audit troisième film isolant par gravure sèche au moyen d'un masque de réserve, à éliminer ledit masque de réserve, à former une ouverture de structure damascène duelle atteignant ledit premier film isolant audit deuxième film isolant par gravure sèche utilisant ledit quatrième film isolant ayant ledit premier motif d'ouverture et ledit troisième film isolant ayant ledit deuxième motif d'ouverture en tant que masque de gravure, à déposer un film métallique de barrière sur la surface entière de façon à enrober la paroi latérale de ladite ouverture de structure damascène duelle, à éliminer par gravure sèche ledit film métallique de barrière déposé sur ledit premier film isolant au fond de ladite ouverture, à faire pénétrer ladite ouverture jusqu'à la couche de câblage de la couche inférieure par réalisation de la gravure sèche audit premier film isolant de la partie inférieure de ladite ouverture, utilisant ledit film métallique de barrière enrobant la paroi latérale de ladite ouverture et ledit troisième film isolant ou ledit quatrième film isolant en tant que masque de gravure, et à former un câblage de la couche supérieure constitué d'un câblage damascène duel connecté à ladite couche de câblage de la couche inférieure par encastrement d'un matériau conducteur dans ladite ouverture pénétrant jusqu'à ladite couche de câblage de la couche inférieure. 9] Dans les susdites inventions, ledit film métallique de barrière est préférablement constitué d'un/de matériau(x) conducteur(s) comprenant un film en Ta, un film en TaN, un film en TaSiN, un film en WN, un film en WSiN, un film en TiN ou un film en TiSiN. [Effet avantageux de l'invention] [0020] La structure des présentes inventions permet d'appliquer un film poreux à constante diélectrique faible en tant que film isolant entre couches entre des câblages au niveau pratique, et de réaliser un dispositif semiconducteur de haute confiance susceptible d'un mouvement à grande vitesse. [Description sommaire des dessins] 3] La figure 1 représente des vues en coupe d'une structure de câblage damascène d'un dispositif semiconducteur relatif à la forme de réalisation 1 de l'invention. La figure 2 représente des vues en coupe par étape d'un élément indiquant le procédé de fabrication de ladite structure de câblage damascène. La figure 3 représente des vues en coupe par étape de l'élément à l'étape succédant à celle indiquée à la figure 2. La figure 4 représente des vues en coupe par étape de l'élément à l'étape succédant à celle indiquée à la figure 3. La figure 5 représente des vues en coupe d'une structure de câblage damascène duelle d'un dispositif semiconducteur relatif à la forme de réalisation 2 de l'invention. La figure 6 représente des vues en coupe par étape d'un élément indiquant le procédé de fabrication de ladite structure de câblage damascène duelle. La figure 7 représente des vues en coupe par étape de l'élément à l'étape succédant à celle indiquée à la figure 6. La figure 8 représente des vues en coupe par étape de l'élément à l'étape succédant à celle indiquée à la figure 7. La figure 9 représente des vues en coupe d'une structure de câblage damascène d'un dispositif semiconducteur relatif à la forme de réalisation 3 de l'invention. La figure 10 représente des vues en coupe par étape d'un élément indiquant le procédé conventionnel de fabrication d'une structure de câblage damascène duelle. La figure 11 représente des vues en coupe par étape de l'élément à l'étape succédant à celle indiquée à la figure 10. [Meilleur mode d'exécuter l'invention] [0011] Comme décrit précédemment, les éléments des dispositifs semiconducteurs ont avancé dans leur miniaturisation, leur critère de conception de leur taille étant compris entre 65 nm et 45 nm. Et comme constante diélectrique relative du film à constante diélectrique faible utilisé pour le câblage damascène, une valeur d'environ 2,0 ou moins est exigée. Si la constante diélectrique relative devenient de 2 ou moins, la porosification est encore accélérée dans des films ordinaires à constante diélectrique faible, et la teneur en pore dans les films est augmentée jusque près de 40%. Comme expliquée en détail plus loin, ici la teneur en pore est celle représentée par la formule: (Mb-Mp)/Mb dans laquelle Mp est la densité d'un film poreux et Mb est la densité du film poreux en bloc (un film en matériaux sans pore). 2] Cependant, le film protecteur pour la paroi latérale ou le scellement de pore conventionnel décrit précédemment est constitué d'un film isolant tel qu'un film en SiO2 ayant une constante diélectrique relative de près de 4, ou une couche en oxyde de métal ayant une constante diélectrique relative égale ou supérieure à 4, et donc possède une constante diélectrique relative beaucoup plus élevée que celle pour un film à constante diélectrique faible, ayant une constante diélectrique relative de l'ordre de 2,0 ou moins. De ce fait, si le film protecteur pour la paroi latérale ou le scellement de pore conventionnel décrit précédemment est appliqué tel quel au câblage damascene utilisant un film poreux a constante diélectrique faible en tant que film isolant entre couches, il pose des problèmes comme la constante diélectrique du film isolant entre couches en entier qui monte, la capacité parasite entre le câblage damascène qui est augmentée, et la sophistication des dispositifs semiconducteurs qui en est empêchée. 3] En outre, en cas d'exemple conventionnel expliqué ci-dessus en référence aux figures 10 et 11, on élimine par gravure le film en P-Sin 102 ayant la fonction de barrière isolante contre le Cu sur le câblage de la couche inférieure 101 selon la RIE, et puis on forme le troisième film en P-ÉSiO2 109 servant de scellement de pore. Cependant, si on utilise un film poreux à constante diélectrique faible pour le premier film à constante diélectrique faible 103 ou le deuxième film à constante diélectrique faible 105 lors de l'élimination par gravure de la couche d'arrêt de gravure ou de la couche de barrière isolante sur le câblage de la couche inférieure 101, la forme de la paroi latérale des trous d'interconnexion et des rainures de structure damascène duelle de ces films à constante diélectrique faible se dégrade considérablement. Par exemple, cette forme de la paroi latérale est changée sous forme de tonneau (arcure). Et il en résulte un problème que l'encastrement du film en Cu ou du film en TaN servant de couche de barrière de ce dernier à ces trous d'interconnexion et ces rainures de structure damascène duelle est rendu difficile. Ce problème devient apparent au fur et à mesure que la taille des trous d'interconnexion ou des rainures est diminuée. [0014] L'invention a été accomplie en considération des 5 circonstances mentionnées ci-dessus. 1] On va expliquer ci-après certains des formes de réalisation de l'invention en détail en référence aux dessins. (La forme de réalisation 1) La figure 1 représente des vues en coupe d'une structure de câblage damascène relative à la forme de réalisation 1 de l'invention, et les figures 2 à 4 représentent des vues en coupe d'un élément par étape de fabrication de la susdite structure de câblage damascène. 2] Comme le montre la figure 1, on forme un câblage de la couche inférieure 1 de structure de câblage damascène. Et dans la région de formation d'un bouchon d'interconnexion pour connecter le câblage de la couche inférieure 1 et un câblage de la couche supérieure, on prévoit un trou d'interconnexion 3 pénétrant un film isolant entre des couches 2 constituées d'un film d'empilement d'une première couche d'arrêt de gravure 2a qui est un premier film isolant ayant la fonction de barrière isolante, d'un premier film à constante diélectrique faible 2b qui est un deuxième film isolant, et d'une première couche de capuchon 2c qui est un troisième film isolant, et on forme un premier métal de mur latéral 4 constitué d'un métal de barrière à la paroi latérale du premier film à constante diélectrique faible 2b et de '_a première couche de capuchon 2c du trou d'interconnexion 3. Et on prévoit un bouchon d'interconnexion 5 de façon à l'encastrer dans le trou d'interconnexion 3. Ici le bouchon d'interconnexion 5 est formé de métal comme le Cu, l'alliage de Cu ou le W. [0023] Ici, le premier métal de mur latéral 4 est formé d'un film en tantale (Ta), d'un film nitruré de métal réfractaire, par exemple d'un film en nitrure de tantale (TaN), etc. Son épaisseur est, de façon préférée, comprise entre 2 nm et 10 nm. 4] En outre, le premier film à constante diélectrique faible 2b est formé, par exemple, d'un film poreux en méthyl silsesquioxane (p-MSQ) ayant une constante diélectrique relative d'environ 2,5. Préférablement, la teneur en pore dans le premier film à constante diélectrique faible 2b est égale ou inférieure à 40%. Si cette teneur dépasse 40%, des parties des pores se réunissent mutuellement, ce qui facilite la pénétration d'un conducteur tel que le TaN dans le premier film à constante diélectrique faible 2b à travers ces pores réunis pendant la formation du susdit premier métal de mur latéral 4, comme cela est expliqué en détail ultérieurement. Ici, la teneur en pore est un rapport de (la densité du film minutieux non-poreux en MSQ en bloc)-(la densité d'un film poreux en MSQ) sur (la densité du film minutieux non-poreux en MSQ en bloc), comme décrit précédemment. Et la première couche d'arrêt de gravure 2a est constituée d'un film en carbure de silicium (SiC), d'un film en carbure de silicium azoté (SiCN), ou d'un film en SiN, la première couche de capuchon 2c est formée d'un film en oxyde de silicium carboné, d'un film en SiCN, d'un film en SiN ou d'un film en SiO2. Par ailleurs les films isolants pour la première couche d'arrêt de gravure 2a et la première couche de capuchon 2c sont différents l'un de l'autre. Alors, la constante diélectrique relative efficace du susdit film isolant entre les couches 2 empilées est comprise entre 2,5 et 3,0 environ. 5] Dans la région de formation du câblage de la couche supérieure, on forme une deuxième couche d'arrêt de gravure 6a qui est un premier film isolant, un deuxième film à constante diélectrique faible 6b qui est un deuxième film isolant, et une deuxième couche de capuchon 6c qui est un troisième film isolant, en les empilant, et prévoit un deuxième métal de mur latéral 8 constitué d'un métal de barrière à la paroi intérieure d'une rainure 7 prévue à une région prédéterminée de ce deuxième film isolant entre les couches 6 empilées. Et un câblage de la couche supérieure 9 constitué d'un film en Cu ou d'un film en alliage de Cu est encastré dans la susdite rainure 7, connecté au susdit bouchon d'interconnexion 5, et ainsi formé. Ici, la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a, le deuxième film à constante diélectrique faible 6b, et la deuxième couche de capuchon 6c sont formés du même film isolant que celui pour la première couche d'arrêt de gravure 2a, le premier film à constante diélectrique faible 2b et la première couche de capuchon 2c, respectivement. 6] Ici, le deuxième métal de mur latéral 8 est formé d'un film en Ta, ou d'un film nitruré de métal réfractaire comme le premier métal de mur latéral 4. Et le deuxième film à constante diélectrique faible 6b est formé d'un film en p-MSQ ayant une constante diélectrique relative d'environ 2,0, et la constante diélectrique relative efficace du deuxième film isolant entre couches 6 est comprise en-:re 2 et 2,5 environ. Ainsi, on forme un câblage à double couche d'une structure de câblage damascène. Dans cette structure de câblage damascène, la première couche de capuchon 2c fonctionne comme couche isolante de barrière contre le Cu. 7] Ensuite, on va expliquer le procédé de fabrication de la susdite structure de câblage damascène en détail en référence aux figures 2 à 4. Ici, les mêmes éléments que ceux dans la figure 1 sont désignés par les même références. 8] On dépose un film en oxyde de silicium sur un substrat en silicium selon la méthode CVD pour former un film isolant de base (non-illustré). Et selon le procédé connu de formation d'un câblage damascène, on forme un câblage de la couche inférieure 1 constitué d'un film en Cu. Ensuite, on forme un film en SiC ayant une épaisseur d'environ 25 nm et une constante diélectrique relative d'environ 3,5 en tant que première couche d'arrêt de gravure 2a qui est un premier film isolant, et un premier film à constante diélectrique faible 2b qui est un deuxième film isolant, ayant uneconstante diélectrique relative d'environ 2,5 et une épaisseur comprise entre 200 nm et 300 nm environ par la formation d'un film en p- MSQ selon la méthode d'application par rotation. Ici, la teneur en pore dans le premier film à constante diélectrique faible 2b est d'environ 30%. Et on forme une première couche de capuchon 2c qui est un troisième film isolant constitué d'un film en SiOC ayant une épaisseur et une constante diélectrique relative d'environ 100 nm et comprise entre 2 et 3 environ respectivement, formé sur la surface du susdit premier film à constante diélectrique faible 2b selon la méthode CVD. Et on effectue la gravure sèche de la susdite première couche de capuchon 2c et du susdit premier film à constante diélectrique faible 2b successivement selon la RIE en utilisant en tant que masque de gravure un masque de réserve 10 ayant un motif d'ouverture pour un trou d'interconnexion dont le diamètre d'ouverture est d'environ 100 nm pour former un trou d'interconnexion 3 ayant un diamètre d'environ 100 nm. Ici, la première couche d'arrêt de gravure 2a reste non gravée (la figure 2(a)). Pour la gravure du susdit premier film à constante diélectrique faible 2b au moins, on utilise du gaz fluorocarboné de composé fluoré contenant tant de carbone tel que C4F8 par exemple, à titre de gaz de gravure, et un polymère organique tant généré comme produit réactionnel à titre de film protecteur pour la paroi latérale du trou d'interconnexion. De ce fait, la paroi latérale du trou d'interconnexion formée n'est pas endommagée pendant cette étape de gravure. 9] Ensuite, on dépose un premier film métallique protecteur 11 sur la surface entière selon la méthode PVD, la méthode ALD (dépôt de couche atomique en phase vapeur) ou la méthode CVD après avoir éliminé le susdit masque de réserve par plasma corne gaz H2, gaz He etc. Ici, le premier film métallique protecteur 11 est par exemple un film en TaN. A la suite de formation du premier film métallique protecteur 11, le film en TaN d'environ 3 nm d'épaisseur est formé à la paroi latérale du trou d'interconnexion 3. Normalement, le film en TaN ayant moins d'épaisseur est formé sur la surface de la première couche d'arrêt de gravure 2a et celui ayant plus d'épaisseur est formé sur la surface de la première couche de capuchon 2c à cause de la couverture d'échelon (step coverage) lors de la formation du film (la figure 2(b)). 0] Lors de la formation de ce premier film métallique protecteur 11, le métal constituant le premier film métallique protecteur 11 n'envahit jamais l'intérieur du premier film à constante diélectrique faible 2b à travers les pores du premier film à constante diélectrique faible 2b exposés à la paroi latérale du trou d'interconnexion 3. C'est parce que la teneur en pore à la paroi latérale du trou d'interconnexion 3 du premier film métallique protecteur 11 est maintenue à environ 40% ou moins, et des parties des pores se réunissent mutuellement mais sont empêchées, comme décrit précédemment. 1] Ensuite, on effectue une gravure en retrait anisotropique selon la RIE sur le premier film métallique protecteur 1.1. Le gaz source de gravure à utiliser pour cette gravure en retrait est du gaz mixte constitué de chlore (C12) et de bromure d'hydrogène (HBr), et du gaz pour la gravure sélective du premier film métallique protecteur 11. Au moyen de cette gravure en retrait, on effectue la gravure sèche du premier film métallique protecteur 11 sur la première couche de capuchon 2c et du premier film métallique protecteur 11 sur la première couche d'arrêt de gravure 2a et élimine par gravure le premier film métallique protecteur 11 sur au moins la première couche d'arrêt de gravure 2a. Et on forme un premier métal de mur latéral 4 à la paroi latérale exposée du premier film à constante diélectrique faible 2b et de la première couche de capuchon 2c dans le trou d'interconnexion 3 (la figure 2(c)). 2] Et puis on effectue la gravure sèche de la première couche d'arrêt de gravure 2a en utilisant la première couche de capuchon 2c et le premier métal de mur latéral 4 en tant que masque de gravure selon la RIE avec du gaz de gravure contenant du gaz N2 et du gaz de composé fluoré, et on fait pénétrer le trou d'interconnexion 3 de façon à atteindre la surface du câblage de la couche inférieure 1. Par la suite, on forme un film en Cu ou d'un film en alliage de Cu d'environ 200 nm d'épaisseur en tant que matériau de câblage selon la méthode connue de revêtement métallique, etc., on élimine par polissage le film en Cu, etc., de parties inutiles sur la première couche de capuchon 2c selon la méthode CMP, et on remplit le trou d'interconnexion 3 du bouchon d'interconnexion 5 pour accomplir la formation (la figure 2(d)). 3] Ici, comme le premier métal de mur latéral 4 enrobe la paroi latérale du trou d'interconnexion 3 du premier film à constante diélectrique faible 2b lors de la gravure sèche de la susdite première couche d'arrêt de gravure 2a qui est une couche isolante de barrière, des dommages dûs au gaz de gravure contenant du gaz N2 et du gaz de composé fluoré, par exemple l'agrandissement de taille de pores, et la contraction du premier film à constante diélectrique faible 2b dans le trou d'interconnexion 3, entraînée par ledit agrandissement, qui arrivent selon la technique conventionnelle, sont parfaitement empêchés, et la déformation de section comme une arcure dans le trou d'interconnexion 3 n'arrive plus. En outre, la réunion de pores entraînée par l'agrandissement de taille de pores disparaît aussi, comme décrit précédemment, il n'arrive plus que le métal constituant le premier film métallique protecteur 11 pénétre l'intérieur du premier film à constante diélectrique faible 2b et que le courant de fuite augmente entre les câblages. 4] Après cela, on forme sur la surface entière une deuxième couche d'arrêt de gravure 6a qui est un premier film isolant constitué d'un film en SiC ayant une épaisseur d'environ 25 nm, et un deuxième film à constante diélectrique faible 6b qui est un deuxième film isolant, constitué d'un film en p-MSQ, et ayant une constante diélectrique relative d'environ 2,0 et une épaisseur comprise entre 200 nm et 300 nm environ de façon à enrober la première couche de capuchon 2c, la partie supérieure du premier métal de mur latéral 4 et le bouchon d'interconnexion 5. Et on forme une deuxième couche de capuchon 6c qui est un troisième film isolant constituée d'un film en SiOC ayant par exemple une épaisseur de 100 nm sur la surface du deuxième film à constante diélectrique faible 6b (la figure 3(a)). 5] Et on effectue la gravure sèche de la susdite deuxième couche de capuchon 6c et du susdit deuxième film à constante diélectrique faible 6b successivement selon la RIE en utilisant en tant que masque de gravure un masque de réserve 12 ayant un motif d'ouverture pour une rainure 7 pour former une rainure 7 ayant une largeur d'environ nm. Ici, la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a n'est pas gravée (la figure 3(b)). Egalement pour la gravure du susdit deuxième film à constante diélectrique faible 6b au moins, on utilise du gaz fluorocarboné de composé fluoré contenant tant de carbone tel que C5F8 par exemple, à titre de gaz de gravure, et génère tant de polymère organique à titre de produit réactionnel pour protéger la paroi latérale de la rainure. Ainsi, la paroi latérale du trou d'interconnexion formée n'est pas endommagée pendant cette étape de gravure. 6] Ensuite, on effectue un traitement de lavage pour éliminer le résidu et on forme une rainure 7 à la deuxième couche de capuchon 6c et au deuxième film à constante diélectrique faible 6b après avoir éliminé le susdit masque de réserve 12 par plasma de même que ce qui a été décrit pour la figure 2(a) (la figure 3(c)). 7] Ensuite, on dépose un deuxième film métallique 25 protecteur 13 sur la surface entière selon la méthode PVD, etc. Ici, le deuxième film métallique protecteur 13 est par exemple un film en TaN. A la suite de formation du deuxième film métallique protecteur 13, le film en TaN d'environ 5 nm d'épaisseur est formé à la paroi latérale du deuxième film à constante diélectrique faible 6b de la rainure 7. En outre, le film en TaN ayant moins d'épaisseur est formé sur la surface de la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a et celui ayant plus d'épaisseur est formé sur la surface de la deuxième couche de capuchon 6c (la figure 4(a)). 8] Ensuite, on effectue une gravure en retrait selon la RIE de haute anisotropie sur le deuxième film métallique protecteur 13. Le gaz source de gravure à utiliser pour cette gravure en retrait est du gaz mixte constitué de C12 et de HBr, même que celui mentionné précédemment et à effectuer la gravure sélective du deuxième film métallique protecteur 13. Au moyen de cette gravure en retrait, on effectue la gravure sèche du deuxième film métallique protecteur 13 sur la deuxième couche de capuchon 6c et du deuxième film métallique protecteur 13 sur la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a et on élimine par gravure le deuxième film métallique protecteur 13 sur au moins la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a. Et on forme un deuxième métal de mur latéral 8 d'environ 5 nm d'épaisseur à la paroi latérale exposée du deuxième film à constante diélectrique faible 6b et de la deuxième couche de capuchon 6c dans la rainure 7 (la figure 4(b)). 9] Et puis on effectue la gravure sèche de la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a en utilisant la deuxième couche de capuchon 6c et le deuxième métal de mur latéral 8 en tant que masque de gravure selon la RIE avec du gaz de gravure contenant du gaz N2 et du gaz de composé fluoré, et on fait pénétrer la rainure 7 de façon à atteindre le bouchon d'interconnexion 5. Par la suite, on forme un film de matériau de câblage 14 constitué d'un film en Cu ou un film en alliage de Cu d'épaisseur comprise entre 500 nm et 1}:gym selon la méthode connue de revêtement métallique, etc (la figure 4(c)). Ici, le film de matériau de câblage 14 est connecté au bouchon d'interconnexion 5. Et on élimine par polissage le film en Cu, etc., de parties inutiles sur la deuxième couche de capuchon 6c selon la méthode CMP. Ainsi, on forme le câblage de la couche supérieure 9, expliqué pour la figure 1, et achève un câblage à double couche de la structure de câblage damascene. 0] Comme le deuxième métal de mur latéral 8 enrobe la 25 paroi latérale de la rainure 7 du deuxième film à constante diélectrique faible 6b lors de la gravure sèche de la deuxième couche d'arrêt de gravure 6a qui est la susdite couche isolante de barrière, des dommages dûs au gaz de gravure contenant du gaz N2 et du gaz de composé fluoré, par exemple l'agrandissement de taille de pores, et la contraction du deuxième film à constante diélectrique faible 6b dans la rainure 7, entraînée par ledit agrandissement, qui arrivent selon la technique conventionnelle, sont parfaitement empêchés, et la déformation de section comme une arcure dans la rainure 7 n'arrive plus. En outre, la réunion de pores entraînée par l'agrandissement de taille de pores disparaît aussi, comme décrit précédemment, il n'arrive plus que le métal constituant le deuxième film métallique protecteur 13 envahisse l'intérieur du deuxième film à constante diélectrique faible 6b et que le courant de fuite augmente entre les câblages. 1] Dans la formation du câblage damascène contenant du Cu, on utilise du gas de gravure ayant une faible teneur en carbone tel que CF4 en tant que gaz de composé fluoré pour la gravure sèche de la couche isolante de barrière (la couche d'arrêt de gravure) formée sur le câblage afin de prévenir la diffusion du Cu. C'est parce que le polymère organique qui est un produit réactionnel s'attacherait abondamment à la surface du câblage, ce qui rendrait la gravure sèche de la susdite couche isolante de barrière difficile, si on utilise du gaz fluorocarboné de composé fluoré ayant une fort teneur en carbone comme mentionné précédemment. Cependant, le susdit gaz de gravure pour la susdite couche isolante de barrière viendrait endommager le film à constante diélectrique faible à cause de la gravure en comparaison du susdit gaz fluorocarboné de composé fluoré ayant une fort teneur en carbone. Alors, dans la susdite forme de réalisation, il en résulte que le premier métal de mur latéral 4 ou le deuxième métal de mur latéral 8 remplit une fonction de prévention de ces dommages à cause de la gravure. 2] Alors dans la susdite forme de réalisation, la teneur en pore dans le premier film à constante diélectrique faible 2b ou le deuxième film à constante diélectrique faible 7b de structure poreuse constituant un film isolant entre couches est préférablement comprise entre 30% et 40%. Si la teneur en pore dépasse 40%, des pores dans le premier film à constante diélectrique faible 2b ou le deuxième film à constante diélectrique faible 6b se réunissent mutuellement, ce qui facilite la pénétration d'un métal constituant le premier métal de mur latéral 4 ou le deuxième métal de mur latéral 9, et augmente le courant de fuite entre les câblages, comme mentionné ci-dessus. En outre, si la teneur en pore s'abaisse au- dessous de 30%, on aurait de la grande difficulté à fixer la constante diélectrique relative à environ 2 ou moins. 3] Dans la forme de réalisation 1, on élimine par gravure la première couche d'arrêt de gravure 2a qui est une couche isolante de barrière, en protégeant la paroi latérale du trou d'interconnexion 3 prévu au premier film isolant entre couches 2 comprenant un premier film poreux à constante diélectrique faible 2b contre des dommages à cause de la gravure avec le premier métal de mur latéral 4. Ou bien, on élimine par gravure la deuxième couche d'arrêt de gravure 7a, en protégeant la paroi latérale de la rainure 8 prévue au deuxième film isolant entre couches 7 comprenant un deuxième film poreux à constante diélectrique faible 7b contre la gravure avec le deuxième métal de mur latéral 9. De ce fait, des déformations de la paroi latérale du trou d'interconnexion ou de la rainure de structure damascène qui arrivaient selon la technique conventionnelle disparaissent, ce qui permet de former d'une structure fine du câblage damascène au dispositif semiconducteur. 4] En outre, du fait que le premier métal de mur latéral 4 et le deuxième métal de mur latéral 9 sont conducteurs, et connectés électriquement au bouchon d'interconnexion 5 et au câblage de la couche supérieure 9 respectivement, ils n'augmentent jamais la constante diélectrique du premier film isolant entre les couches 2 ou du deuxième film isolant entre les couches 7 comme c'était le cas avec le mur latéral constitué d'un isolant selon la technique conventionnelle. 5] Et la production de crevasses et des défauts de court-circuit entre les câblages damascène dûs à l'abaissement de la résistance mécanique du film isolant entre les couches contenant un film poreux à constante diélectrique faible est réduite considérablement, grâce à la protection de la paroi latérale du trou d'interconnexion ou de la rainure de structure damascène avec le premier métal de mur latéral 4 et le deuxième métal de mur latéral 9 constitués du métal de barrière comme mentionné précédemment. En outre, le susdit premier métal de mur latéral 4 et le susdit deuxième métal de mur latéral 9 peuvent bloquer parfaitement la pénétration d'eau ou de Cu pour le film de matériau de câblage dans le film isolant entre couches. De ce fait, le film isolant entre les couches de la structure du câblage damascène est digne d'une haute confiance, l'élévation efficace de la constante diélectrique du film isolant entre les couches ne se produit jamais, et les problèmes tels que l'augmentation de courant de fuite entre les câblages, et le débranchement et/ou la connexion défectueuse à des parties d'interconnexion à cause de la pénétration du susdit Cu dans le film poreux à constante diélectrique faible sont anéantis. 6] Par ailleurs, la multiplication des couches du câblage damascène est également facilitée dans le dispositif semiconducteur. Alors, la structure fine du câblage damascène digne d'une haute confiance peut être formée dans le dispositif semiconducteur au niveau pratique. Ainsi, un dispositif semiconducteur de haute confiance susceptible d'un mouvement à grande vitesse est réalisé. 7] (La forme de réalisation 2) Ensuite, on va expliquer la forme de réalisation 2 en référence aux figures 5 à 8. La caractéristique de ce cas réside dans une application de la présente invention à la formation du câblage damascène duel. Ici, la figure 5 représente une vue en coupe d'une structure de câblage damascène duelle dans laquelle un câblage de la couche supérieure est formé de manière intégrée au bouchon d'interconnexion et au câblage damascène, et les figures 6 à 8 représentent des vues en coupe d'un élément par étape de fabrication de la susdite structure de câblage damascène duelle. 8] Comme le montre la figure 5, on forme un câblage de la couche inférieure 21 constitué par exemple d'alliage d'aluminium et de cuivre. Et dans la région de formation d'un câblage damascène duel connecté au câblage de la couche inférieure 21, on prévoit un trou d'interconnexion 23 et une rainure 24 de structure damascène duelle à un film isolant entre des couches 22 constituées d'un film d'empilement d'une couche d'arrêt de gravure 22a, d'un premier film à constante diélectrique faible 22b, d'une couche d'arrêt médiane 22c, d'un deuxième film à constante diélectrique faible 22d, et d'une couche de capuchon 22e, et on forme un métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion à la paroi latérale du premier film à constante diélectrique faible 22b et de la couche d'arrêt médiane 22c du trou d'interconnexion 23. Egalement, on prévoit un métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure à la paroi latérale du deuxième film à constante diélectrique faible 22d et de la couche de capuchon 22e de la rainure 24. Et on prévoit un câblage de la couche supérieure 27 de structure du câblage damascène duel de façon qu'il soit encastré dans le susdit trou d'interconnexion 23 et la susdite rainure 24 de structure damascène duelle, et électriquement connecté directement au câblage de la couche inférieure 21 [0049] Ici, le métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion et le métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure sont formés d'un film en Ta qui est formé selon la méthode ALD ou la méthode CVD, etc., d'un film nitruré de métal réfractaire, et possède une épaisseur comprise entre 2 nm et 10 nm. 0] Alors, le premier film à constante diélectrique faible 22b et le deuxième film à constante diélectrique faible 22d sont formés d'un film poreux en p-MSQ ayant une constante diélectrique relative d'environ 1,8, la couche d'arrêt de gravure 22a d'un film en SiC, par exemple, la couche d'arrêt médiane 22c et la couche de capuchon 22e d'un film en SiOC par exemple. Alors, la constante diélectrique relative efficace du susdit film isolant entre les couches 22 empilées est comprise entre 2 et 2,5 environ. Dans cette structure de câblage damascène duelle, il est préférable que la couche d'arrêt médiane 22c fonctionne comme couche isolante de barrière contre le Cu. 1] Ensuite, on va expliquer le procédé de fabrication de la susdite structure de câblage damascène duelle encore en détail en référence aux figures 6 à 8. Ici, les mêmes éléments que ceux dans la figure 5 sont désignés par les même références. 2] On dépose un film en oxyde de silicium sur un substrat en silicium selon la méthode CVD pour former un film isolant de base (non-illustré). Et selon le procédé connu de formation d'un film d'alliage d'aluminium et de cuivre, et d'usinage de ce dernier, on forme un câblage de la couche inférieure 21. Ensuite, on forme un film en SiC ayant une épaisseur d'environ 25 nm et une constante diélectrique relative d'environ 3,5 en tant que couche d'arrêt de gravure 22a qui est un premier film isolant, et un premier film à constante diélectrique faible 22b qui est un deuxième film isolant, ayant une constante diélectrique relative d'environ 1,8 et une épaisseur comprise entre 200 nm et 300 nm environ par la formation d'un film en p-MSQ selon la méthode d'application par rotation. Ici, la teneur en pore dans le premier film à constante diélectrique faible 2b est d'environ 40%. Et on forme une couche d'arrêt médiane 22c constituée d'un film en SiOC ayant une épaisseur et une constante diélectrique relative d'environ 100 nm et comprise entre 2 et 3 environ respectivement, formé selon la méthode CVD par empilement sur le susdit premier film à constante diélectrique faible 22b. De plus, on forme un deuxième film à constante diélectrique faible 22d qui est un deuxième film isolant sur la couche d'arrêt médiane 22c. On forme ce deuxième film à constante diélectrique faible 22d de même manière que le premier film à constante diélectrique faible 22b. Pourtant, son épaisseur est telle qu'elle est supérieure à celle du premier film à constante diélectrique faible 22b. Et on forme une couche de capuchon 22e qui est un troisième film isolant sur le deuxième film à constante diélectrique faible 22d. Le film isolant entre les couches 22 est constitué d'un film isolant empilé à ces multicouches. Ici, la couche de capuchon 22e sert de première couche de masque dur comme décrit plus loin. Et on forme une deuxième couche de masque dur 28 constituée d'un film en oxyde de silicium de, par exemple, environ 50 nm d'épaisseur en tant que quatrième film isolant sur cette couche de capuchon 22e. (la figure 6(a)). 3] Ensuite, selon les techniques conventionnelles de photolithographie et de gravure sèche, on usine par gravure sèche la susdite deuxième couche de masque dur 28 et la couche de capuchon 22e respectivement au moyen d'un masque de réserve, et on leur transfère le motif d'ouverture respectivement. On forme un première couche de masque dur 22e dont le diamètre d'ouverture est, par exemple, de 80 nm et une deuxième couche de masque dur 28 dont la largeur d'ouverture est, par exemple, de 100 nm. Et on élimine le susdit masque dur selon la méthode expliquée pour la forme de réalisation 1 (la figure 6(b)). 4] Ensuite, on effectue la gravure sèche du deuxième film à constante diélectrique faible 22d au moyen de la RIE utilisant la première couche de masque dur 22e en tant que masque de gravure, et on transfère un motif d'interconnexion à atteindre la surface de la couche d'arrêt médiane 22c. Ici, le gaz de gravure utilisé comprend par exemple du gaz fluorocarboné de composé fluoré sus-mentionné (la figure 6(c)). 5] Ensuite, on effectue la gravure sèche de la première couche de masque dur 22e au moyen de la RIE utilisant la deuxième couche de masque dur 28 en tant que masque de gravure, et on transfère un motif de rainure de la deuxième couche de masque dur 28 à la première couche de masque dur 22e. On effectue en même temps la gravure sèche de la couche d'arrêt médiane 22c, et on transfère le motif d'interconnexion. Ici, le gaz de gravure utilisé comprend par exemple du gaz hydrofluorocarboné de composé fluoré tel que CH2F2 (la figure 7(a . 6] Par la suite, on usine par gravure le deuxième film à constante diélectrique faible 22d au moyen de la première couche de masque dur 28 en tant que masque de gravure, et on transfère par usinage un motif de rainure au deuxième film à constante diélectrique faible 22d. En même temps, on usine par gravure le premier film à constante diélectrique faible 22b au moyen de la couche d'arrêt médiane 22c en tant que masque de gravure, et on transfère par usinage un motif d'interconnexion au premier film à constante diélectrique faible 22b. Ici, le gaz de gravure utilisé comprend du gaz fluorocarboné de composé fluoré contenant tant de carbone pour la même raison que celle dans le cas de la forme de réalisation 1. Ainsi, on forme un trou d'interconnexion 23 qui aura une structure damascène duelle au premier film à constante diélectrique faible 22b et à la couche d'arrêt médiane 22c, et aussi une rainure 24 qui aura une structure damascène duelle au deuxième film à constante diélectrique faible 22d et à la couche de capuchon 22e. Ici, la couche d'arrêt de gravure 22a reste non gravée (la figure 7(b)). 7] Ensuite, on forme un film métallique protecteur 29 sur la surface entière selon la méthode ALD, la méthode CVD, etc., et on dépose le film métallique protecteur 29 aux surface exposées de la couche d'arrêt de gravure 22a, de la paroi latérale du trou d'interconnexion 23, de la paroi latérale de la rainure 24 et du deuxième masque dur 28. Ici, le film métallique protecteur 29 est un film nitruré de métal réfractaire tel qu'un film en Ta ou un film en TaN qui est un film conducteur de barrière contre le Cu, et possède une épaisseur comprise 2 nm et 10 nm (la figure 7(c)). 8] Ensuite, on effectue une gravure en retrait selon la RIE de haute anisotropie de même que ce qui a été expliqué pour la forme de réalisation 1. Au moyen de cette gravure en retrait, on élimine par gravure le film métallique protecteur 29 sur le deuxième masque dur 28 et sur la couche d'arrêt de gravure 22a, on forme un métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion à la paroi latérale exposée du premier film à constante diélectrique faible 22b dans le trou d'interconnexion 23, et on forme un métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure à la paroi latérale exposée du deuxième film à constante diélectrique faible 22d dans la rainure 24 (la figure 8(a . 9] Ensuite, on effectue la gravure sèche de la couche d'arrêt de gravure 22a en utilisant le deuxième masque dur 28, la couche d'arrêt médiane 22c, le métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion, et le métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure en tant que masque de gravure selon la RIE avec du gaz de gravure contenant du gaz N2 et du gaz de composé fluoré, et on fait pénétrer le trou d'interconnexion 23 de façon à atteindre la surface du câblage de la couche inférieure 21 (la figure 8(b . 0] Comme le métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion et le métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure enrobent la paroi latérale du premier film à constante diélectrique faible 22b et la paroi latérale du deuxième film à constante diélectrique faible 22d respectivement lors de la gravure sèche de la susdite couche d'arrêt de gravure 22a qui est une couche isolante de barrière, des dommages dûs au gaz de gravure tels que décrits dans la forme de réalisation 1 sont empêchés, et la déformation de section comme une arcure dans le trou d'interconnexion 23 et la rainure 24 de structure damascène duelle n'arrive plus. En outre, la réunion de pores entraînée par l'agrandissement de taille de pores disparaît aussi, comme décrit précédemment, il n'arrive plus que le métal constituant le film métallique protecteur 29 pénétre l'intérieur du premier film à constante diélectrique faible 22b ou du deuxième film à constante diélectrique faible 22d et que le courant de fuite augmente entre les câblages. 1] Ensuite, on dépose un film en Cu d'épaisseur comprise entre 500 nm et 1 pm et on forme un film de matériau de câblage 30 selon la méthode de revêtement métallique, etc. (la figure 8(c)). Ici, le film de matériau de câblage 30 est connecté directement au câblage de la couche inférieure 21.Et on élimine par polissage le film en Cu de parties inutiles sur la deuxième couche de masque dur 28, et la susdite la deuxième couche de masque dur 28 selon la méthode CMP. Ainsi, on forme le câblage de la couche supérieure 27 de structure de câblage damascène duelle, expliquée pour la figure 5, et on achève un câblage à double couche ayant la structure de câblage damascène duelle. 2] Dans la susdite forme de réalisation 2, des effets tout à fait les mêmes que ceux expliqués pour la forme de réalisation 1 se produisent. De plus, dans ce cas-là, le procédé de fabrication de la structure du câblage damascène est simplifié. Alors, une partie de film isolant autre que du film poreux à constante diélectrique faible à insérer dans le film isolant entre couches (une couche d'arrêt de gravure ou une couche de capuchon) peut être omise, et la constante diélectrique efficace du film isolant entre couches peut être abaissée encore. De ce fait, l'accélération de mouvement du dispositif semiconducteur est encore avancée. 3] (La forme de réalisation 3) Ensuite, on va expliquer la forme de réalisation 3 en référence à la figure 9. La caractéristique de ce cas réside dans une formation à nouveau d'une couche conductrice de barrière dans le trou d'interconnexion ou la rainure de structure damascène selon les formes de réalisation 1 et 2. Ici, la figure 9(a) représente une vue en coupe d'une structure de câblage damascène dans laquelle la susdite couche conductrice de barrière est formée à la forme de réalisation 1, et la figure 9(b) représente une vue en coupe d'une structure de câblage damascène duelle dans laquelle la susdite couche conductrice de barrière est formée à la forme de réalisation 2. Ici, les mêmes éléments que ceux dans la figure 1 ou 5 sont désignés par les mêmes références, et l'explication sur ces éléments est partiellement omise. 4] Comme le montre la figure 9 (a) , on forme un premier métal de mur latéral 4 à la paroi latérale du trou d'interconnexion 3 prévu au premier film isolant entre couches 2, on forme d'ailleurs une première couche de barrière 15, enrobant le premier métal de mur latéral 4 et connectée au câblage de la couche inférieure 1, et on prévoit un bouchon d'interconnexion 5 de façon à encastrer le trou d'interconnexion 3 par l'intermédiaire de cette première couche de barrière 15. Ici, la première couche de barrière 15 est formée d'un film conducteur de barrière tel qu'un film en tungstène nitruré (WN) d'épaisseur comprise entre 1 nm et 5 nm, et prévient la diffusion du Cu. Et on forme un deuxième métal de mur latéral 8 à la paroi latérale de la rainure 7 prévue au deuxième film isolant entre les couches 6, on forme d'ailleurs une deuxième couche de barrière 16, enrobant le deuxième métal de mur latéral 8 et connectée au susdit bouchon d'interconnexion 5, et on prévoit un câblage de la couche supérieure 9 de façon à encastrer la rainure 7 par l'intermédiaire de cette deuxième couche de barrière 16. Ici, la deuxième couche de barrière 16 est formée d'un film conducteur de barrière tel qu'un film en WN d'environ 5 nm d'épaisseur. 5] Aussi pour la structure de câblage damascène duelle, comme le montre la figure 9 (b) , on forme un métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion et un métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure aux parois latérales du trou d'interconnexion 23 et de la rainure 24 de structure damascène duelle respectivement formés au film isolant entre les couches 22, et on forme d'ailleurs une couche de barrière 31, enrobant le métal de mur latéral 25 de la partie d'interconnexion et un métal de mur latéral 26 de la partie de la rainure et connectée au câblage de la couche inférieure 21. Et on prévoit un câblage de la couche supérieure 27 de structure damascène duelle constitué d'un film en Cu de façon à l'encastrer dans le trou d'interconnexion 23 et la rainure 24 par l'intermédiaire de cette couche de barrière 31. Ici, la couche de barrière 31 est formée d'un film conducteur de barrière tel qu'un film en WN d'épaisseur comprise entre 1 nm et 10 nm, et prévient la diffusion du Cu. 6] De ce fait, le câblage de la couche supérieure 9, 27, et le trou d'interconnexion 5 en Cu possèdent une structure totalement couverte de la première couche de barrière 4, de la deuxième couche de barrière 8, ou de la couche de barrière 31 qui est une couche conductrice de barrière, par conséquent, la première couche de capuchon 2c ou la couche d'arrêt médiane 22c peut être un film isolant dépourvu de caractère de barrière contre le Cu, le choix des matériaux isolants constituant le film isolant entre couches tel que la première couche de capuchon 2c et la couche d'arrêt médiane 22c est largement agrandi, et l'abaissement de la constante diélectrique efficace du film isolant entre les couches est rendu facile. 7] Les formes de réalisation préférées de l'invention ont été expliquées ci-dessus, cependant, les susdites formes de réalisation ne sont pas pour limiter la portée de l'invention. L'homme du métier pourra apporter des déformations et des modifications diverses dans les modes de réalisation concrets sans sortir de l'idée technique et de la portée technique de l'invention. 8] Par exemple, on peut faire intervenir entre le métal de mur latéral formé à la paroi latérale du trou d'interconnexion ou de la rainure et le film à constante diélectrique faible constituant le film isolant entre couches, un film isolant poreux comme mentionné ci- dessous: ce film isolant poreux protecteur est un film isolant poreux identique ou différent des susdits premier et deuxième films à constante diélectrique faible. Ici, il est préférable que la teneur en pore dans le film isolant poreux soit égale ou inférieure à 30%, et la taille de ces pores soit égale ou inférieure à 2 nm. De ce fait, même si la porosité du premier film à constante diélectrique faible 2b ou du deuxième film à constante diélectrique faible 6b s'élève, par exemple même si la teneur en pore dans le film dépasse 40%, les pores du susdit film isolant poreux protecteur formé à la paroi latérale du trou d'interconnexion ou de la rainure de structure damascène existe de manière isolée respectivement sans se réunir mutuellement, d'où lors de la formation des susdits premier et deuxième films métalliques protecteurs 11, 13 et du film métallique protecteur 29, leur métal constitutif est empêché de pénétrer dans le premier film à constante diélectrique faible 2b ou le deuxième film à constante diélectrique faible 6b. Alors, l'utlisation du premier film à constante diélectrique faible 2b ou du deuxième film à constante diélectrique faible 6b dont la porosité s'élève, et la constante diélectrique relative est réduite à nouveau à 1.6 environ, devient possible. 9] En outre, le métal de mur latéral est de structure en couche unique dans la susdite forme de réalisation, mais il peut être de structure en couche double, ou de plus, en multicouche. 0] En outre, on peut utiliser en tant que film à constante diélectrique faible de structure poreuse selon l'invention, un film isolant dans lequel de même que le film en p-MSQ, un autre film isolant ayant un squelette siloxane ou un film isolant ayant un squelette principal macromolécule est porosifié. D'ailleurs, comme le susdit film isolant ayant un squelette siloxane, on peut citer un film en silice qui est un film isolant en silsesquioxanes, et contient au moins une liaison sélectionnée à partir du groupe constitué de la liaison Si-CH3, de la liaison Si-H, et de la liaison Si-F, et comme le film isolant ayant un squelette principal macromolécule, on peut citer le SiLK (marque enregistrée) constitué de polymère organique. Et comme les matériaux bien connus pour un film isolant en silsesquioxanes, on peut citer outre le susdit MSQ, le hydrogènesilsesquioxane (HSQ), méthylure de hydrogènesilsesquioxane (MHSQ), etc. En outre, comme film à constante diélectrique faible de structure poreuse, on peut utiliser également un film en SiOC ou un film en SiOCH poreux formé selon la méthode CVD. 1] En outre, on peut utiliser un film en SiC, un film 25 en SiCN, un film en SiOC, un film en SiN, ou un film empilé de ceux-ci pour chaque couche d'arrêt de gravure dans les susdites formes de réalisation. Et on peut utiliser en film en SiOC, un film en SiCN, un film en SiN, un film en SiO2 ou un film empilé de ceux-ci pour chaque couche de capuchon. Pourtant, il est préférable que des films isolants différents l'un de l'autre soient utilisés pour la susdite couche d'arrêt de gravure et la susdite couche de capuchon. 2] En outre, en ce qui concerne le film de matériaux conducteurs du susdit mur latéralle en métal de barrière, comme celui contenant en outre un film nitruré de métal réfractaire, on peut utiliser un film en TaSiN, un film en WN, un film en WSiN, un film en TiN ou un film en TiSiN. Ou bien un film conducteur composite constitué d'un film empilé avec un film de métal réfractaire tel que le Ta, le W, ou le Ti, ou du susdit film nitruré de métal réfractair est possible. Revendications 1. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: - à former une couche de câblage de la couche inférieure (1) par l'intermédiaire d'un film isolant sur un substrat semiconducteur auquel est formé un élément; - à former un premier film isolant (2a) sur ladite couche 10 de câblage de la couche inférieure (1); à former un deuxième film isolant (2b) en matériaux isolants poreux sur ledit premier film isolant (2a); - à former un troisième film isolant (2c) sur ledit deuxième film isolant (2b); - à former un masque de réserve (10) ayant un motif d'ouverture prédéterminé audit troisième film isolant (2c) ; - à former une ouverture (3) atteignant ledit premier film isolant (2a) sur ledit troisième film isolant (2c)et audit deuxième film isolant (2b) par réalisation d'une première gravure sèche, utilisant ledit masque de réserve (10) en tant que masque de gravure; - à éliminer ledit masque de réserve (10); à déposer un film métallique de barrière (11) sur la 25 surface entière de façon à enrober la paroi latérale de ladite ouverture (3) après l'élimination dudit masque de réserve (10); - à éliminer par gravure ledit film métallique de barrière (11) déposé sur ledit premier film isolant (2a) au fond de ladite ouverture (3) par réalisation d'une deuxième gravure sèche; - à faire pénétrer ladite ouverture (3) jusqu'à la couche de câblage de la couche inférieure (1) par réalisation d'une troisième gravure sèche audit premier film isolant (2a) de la partie inférieure de ladite ouverture (3), utilisant ledit film métallique de barrière (11) enrobant la paroi latérale de ladite ouverture (3) et ledit troisième film isolant (2c) en tant que masque de gravure; et - à former un bouchon d'interconnexion (5) ou une couche de câblage de la couche supérieure connectée à ladite couche de câblage de la couche inférieure (1) par encastrement d'un matériau conducteur dans ladite ouverture (3) pénétrant jusqu'à ladite couche de câblage de la couche inférieure (1). 2. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film isolant poreux (2b) est formé en matériaux à constante diélectrique faible. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier film isolant (2a) est un film mince en SiC, en SiOC, SiCN, ou en SiN. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit premier film isolant (2a) est un film mince en SiC. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit deuxième film isolant (2b) est un film mince poreux en MSQ. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film métallique de barrière (11) est constitué d'un/de matériau(x) conducteur(s) comprenant un film en Ta, un film en TaN, un film en TaSiN, un film en WN, un film en WSiN, un film en TiN ou un film en TiSiN. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: à former une couche de câblage de la couche inférieure (21) par l'intermédiaire d'un film isolant sur un substrat semiconducteur auquel est formé un élément; - à former un premier film isolant (22a) sur ladite couche de câblage de la couche inférieure (21); à former un deuxième film isolant (22b) en matériaux 5 isolants poreux sur ledit premier film isolant (22a); à former un troisième film isolant (22c) sur ledit deuxième film isolant (22b); à former un quatrième film isolant (22d) sur ledit troisième film isolant (22c); - à former un masque de réserve ayant un motif d'ouverture prédéterminé sur ledit quatrième film isolant (22d); à transférer ledit motif d'ouverture audit quatrième film isolant (22d) par réalisation d'une première gravure sèche, utilisant ledit masque de réserve en tant que masque de gravure; - à éliminer ledit masque de réserve; - à former une ouverture (23, 24) atteignant ledit premier film isolant (22a) audit troisième film isolant (22c) et audit deuxième film isolant (22b) par réalisation d'une deuxième gravure sèche, utilisant ledit quatrième film isolant (226.) ayant ledit motif d'ouverture en tant que masque de gravure; à déposer un film métallique de barrière (29) sur la surface entière de façon à enrober la paroi latérale de 25 ladite ouverture (23, 24); - à éliminer par gravure ledit film métallique de barrière (29) déposé sur ledit premier film isolant (22a) au fond de ladite ouverture (23) par réalisation d'une troisième gravure sèche; - à faire pénétrer ladite ouverture (23) jusqu'à la couche de câblage de la couche inférieure (21) par réalisation d'une quatrième gravure sèche audit premier film isolant (22a) de la partie inférieure de ladite ouverture, utilisant ledit film métallique de barrière (29) enrobant la paroi latérale de ladite ouverture (23) et ledit troisième film isolant (22c) ou ledit quatrième film isolant (22d) en tant que masque de gravure; et - à former un bouchon d'interconnexion ou un câblage (27) de la couche supérieure connecté à ladite couche de câblage de la couche inférieure (21) par encastrement d'un matériau conducteur (30) dans ladite ouverture (23, 24) pénétrant jusqu'à ladite couche de câblage de la couche inférieure (21). 8. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit film isolant poreux (22b) est formé en matériaux à constante diélectrique faible. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif 25 semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit premier film isolant (22a) est un film mince en SiC, en SiOC, SiCN, ou en SiN. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit premier film isolant (22a) est un film mince en SiC. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits deuxième (22b) et quatrième films (22d) isolants sont des films minces poreux en MSQ. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit film métallique de barrière (29) est constitué d'un/de matériau(x) conducteur(s) comprenant un film en Ta, un film en TaN, un film en TaSiN, un film en WN, un film en WSiN, un film en TiN ou un film en TaSiN. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: à former une couche de câblage de la couche inférieure (21) par l'intermédiaire d'un film isolant sur un substrat semiconducteur auquel est formé un élément; - à former un premier film isolant (22a) sur ladite couche de câblage de la couche inférieure (21); à former un deuxième film isolant (22b) en matériaux isolants poreux sur ledit premier film isolant (21); - à former un troisième film isolant (22c) sur ledit deuxième film isolant (22b); - à former un quatrième film isolant (22d) sur ledit troisième film isolant (22c); à former un premier motif d'ouverture (24) audit quatrième film isolant (22d) et un deuxième motif d'ouverture (23) audit troisième film isolant (22c) par gravure sèche au moyen d'un masque de réserve; - à éliminer ledit masque de réserve; à former une ouverture de structure damascène duelle atteignant ledit premier film isolant (22a) audit deuxième film isolant (22b) par gravure sèche utilisant ledit quatrième film isolant (22d) ayant ledit premier motif d'ouverture (24) et ledit troisième film isolant (22c) ayant ledit deuxième motif d'ouverture (23) en tant que masque de gravure; à déposer un film métallique de barrière (31) sur la surface entière de façon à enrober la paroi latérale de ladite ouverture de structure damascène duelle; - à éliminer par gravure sèche ledit film métallique de 25 barrière (31) déposé sur ledit premier film isolant (22a) au fond de ladite ouverture (23); - à faire pénétrer ladite ouverture (23) jusqu'à la couche de câblage de la couche inférieure (21) par réalisation de la gravure sèche audit premier film isolant (22a) de la partie inférieure de ladite ouverture, utilisant ledit film métallique de barrière (31) enrobant la paroi latérale de ladite ouverture et ledit troisième film isolant (22c) ou ledit quatrième film isolant (22d) en tant que masque de gravure; et - à former un câblage (27) de la couche supérieure constitué d'un câblage damascène duel connecté à ladite couche de câblage de la couche inférieure (21) par encastrement d'un matériau conducteur dans ladite ouverture pénétrant jusqu'à ladite couche de câblage de la couche inférieure. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit film isolant poreux (22b) est formé en matériaux à constante diélectrique faible. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur ayant une structure de câblage multicouche selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit film métallique de barrière (31) est constitué d'un/de matériau(x) conducteur(s) comprenant un film en Ta, un film en TaN, un film en TaSiN, un film en WN, un film en WSiN, un film en TiN ou un film en TiSiN.