Brevet FR2860779A1 — publié le 20050415

Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication Procédé de fabrication d'un capteur micromécanique, comportant au moins un composant réalisé d'une première matière et qui présente au moins une zone de capteur ayant un élément de capteur, une partie d'un circuit d'exploitation, et un premier côté et un second côté. Elle concerne également le capteur obtenu, ce capteur ayant au moins un premier composant d'une première matière, qui comporte au moins une zone de capteur avec un élément capteur, une io partie d'un circuit d'exploitation, et un premier et un second côté. Etat de la technique De façon générale, les capteurs micromécaniques se composent d'un élément capteur et d'un circuit d'exploitation convertissant les grandeurs de mesure saisies par l'élément capteur en des si- gnaux utilisables. De façon caractéristique, on loge l'élément capteur et le circuit d'exploitation dans des composants différents. La liaison électrique entre l'élément capteur et le circuit d'exploitation est réalisée par des pattes de liaison sur les deux composants. Si l'élément capteur du circuit d'exploitation sont réalisés l'un à côté de l'autre sur un compo- sant, la liaison électrique peut se faire par des chemins conducteurs intégrés dans le composant ou appliqués sur le composant. Si toutefois les éléments capteurs du circuit d'exploitation sont juxtaposés sur le même côté du substrat, il est nécessaire de prendre en compte l'occupation indispensable de la surface du substrat alors que la tendance à une miniaturisation se développe. C'est ainsi que par exemple depuis quelque temps on propose des intégrations additives sur lesquelles on applique sur une puce électronique terminée, à une structure de capteur par un procédé à basse température par exemple en déposant des métaux par un procédé galvanique ou encore du silicium-germanium par un procédé de dépôt basse pression. De plus comme les exigences concernant la capacité de résolution du capteur et ainsi le rapport signal/bruit de l'ensemble du système les parties capteurs/électroniques d'exploitation deviennent plus sévères, il faut diminuer les éléments parasites engendrés princi- paiement par les conducteurs de liaison. Une proposition de solution de ce problème consiste à faire une intégration monolithique de la partie capteur et de l'électronique d'exploitation. Une variante de solution consiste à intégrer de manière additive la partie capteur et l'électronique d'exploitation. Pour cela jusqu'alors on installait le capteur dans un second temps sur le circuit d'exploitation et la fabrication était terminée. Le document DE 101 23 039 Al décrit des capteurs dont la liaison avec l'électronique d'exploitation est réalisée au moins en partie dans le couvercle, pièce de toute façon nécessaire. Une autre possibilité d'intégrer les éléments capteurs et de circuit d'exploitation dans un composant est décrite dans les documents DE 100 42 945 Al ou DE 100 58 864 Al. Dans le cas du composant ainsi proposé, on installe un élément capteur verticalement par rapport à l'électronique d'exploitation. Le document DE 100 42 945 Al prévoit de séparer l'élément capteur et l'électronique d'exploitation par une cavité avec des structures d'appui qui constituent en même temps la liaison électrique entre l'élément capteur et le circuit d'exploitation. Le document DE 100 58 864 Al décrit une structure micromécanique pour des capteurs intégrés pendant cette structure un substrat porte différentes couches que l'on usine. Par gravure sélective des couches ainsi appliquées on forme des structures métalliques servant à soutenir la structure micromécanique et à réaliser les liaisons électriques de l'électronique d'exploitation de lecture qui se trouvent sous la structure de capteur. Exposé et avantages de l'invention La présente invention propose de remédier à ces inconvénients et concerne à cet effet un procédé caractérisé en ce que le premier côté comprend l'élément de capteur et le second côté comporte au moins une partie du circuit d'exploitation, et au moins une partie de la zone de capteur, et/ou du circuit d'exploitation est réalisée par un usi- nage micromécanique dans la première matière. L'invention concerne également un procédé caractérisé en ce que le premier et le second côtés comportent au moins une partie du circuit d'exploitation, réalisée dans la première matière par un usinage micromécanique. Selon un développement particulier de l'invention, le premier et le second côtés du premier composant sont en face l'un de l'autre, et le premier côté est le côté supérieur ou le côté inférieur du premier composant. Cela est par exemple réalisé en ce que le premier composant se compose d'autres côtés que l'on distingue et qui séparent l'un de l'autre le premier et le second côté. Il est notamment prévu que le premier côté soit le côté supérieur ou le côté inférieur du premier composant. Une telle réalisation du premier composant permet de séparer dans l'espace la zone de capteur avec l'élément de capteur et le cir- to cuit d'exploitation. L'avantage d'une telle séparation est que la zone de capteur peut occuper pratiquement tout un côté du premier composant ou que le premier composant soit réduit à la taille minimale de la zone de capteur ou du circuit d'exploitation, c'est-à-dire puisse être diminuée. Le premier composant est avantageusement réalisé dans une matière semiconductrice pour obtenir par des étapes d'usinage micromécaniques, les structures nécessaires à la zone de capteur et/ou du circuit d'exploitation. Cela permet d'utiliser les matières habituelles telles que par exemple le silicium comme première matière dans laquelle on réalise le premier composant. Pour former ou structurer la zone de capteur et/ou le circuit d'exploitation, on peut avoir une ou plusieurs étapes de procédé : oxydation de la première matière, application d'une couche auxiliaire sur la première matière notam- ment d'un vernis photographique, exposition de la couche de vernis photographique, gravure sélective de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, - passivation de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, dopage de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, trempe de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, réalisation d'une cavité dans la première matière, réalisation d'une membrane dans la première matière ou à travers la couche auxiliaire, et notamment au moins une étape d'usinage est effectuée en même temps sur le premier et le second côtés du premier composant. Ainsi par exemple dans une première étape, on oxyde partiellement la première matière ou le substrat. En outre, on ne peut appliquer une ou plusieurs couches et notamment l'application d'une couche de vernis photographique comme couche auxiliaire pour pour-suivre la mise en structure de la surface du premier composant peut être envisagée. Ensuite, on expose le vernis photographique à l'aide d'un masque pour les étapes suivantes telles qu'une gravure sélective des couches appliquées et/ou la première matière. Pour éviter d'enlever de la matière, de façon gênante pendant la fabrication lors de l'utilisation ultérieure du capteur, on peut appliquer une couche de passivation de façon temporaire ou permanente sur le premier composant. Une autre possibilité est de traiter la surface supérieure formée d'une couche auxiliaire et/ou d'un substrat consiste à doper au moins une partie de la surface et/ou à effectuer une étape de trempe. On peut en outre envisager de réaliser une cavité et/ou une membrane dans le premier composant et cette membrane sera formée par des couches appliquées et une gravure précise de la couche sacrifiée. De façon avanta- geuse, on exécute au moins un procédé ou une étape d'usinage en même temps à la fois sur le premier et le second côté du premier composant. A côté du premier composant, on peut prévoir que le capteur soit constitué d'un autre composant relié au premier compo- sant. De façon avantageuse, un second composant forme une cavité avec le premier composant et cette cavité comprend au moins une partie de la zone de capteur par exemple l'élément capteur. Selon un autre développement de l'invention, le second composant est le boîtier du premier composant et/ou un capuchon couvrant la zone de capteur ou le circuit d'exploitation sur le premier composant. On peut en outre prévoir de relier le premier et le second composant pour fermer la cavité de manière hermétique, c'est-à-dire étanche à la pression. En option, la cavité peut également disposer au moins en partie d'une substance de passivation, et/ou être mise sous vide. 2860779 5 Selon un autre développement de l'invention, le premier et le second composant sont reliés par leur côté arrière par exemple par une matière maintenant réunis les deux composants. On peut ainsi envisager que le premier composant ne comporte que l'élément capteur et le second composant ne comporte que le circuit d'exploitation. Comme matière pour relier les deux composants, on peut utiliser une colle. Pour la réalisation particulière de l'invention, il est prévu un contact électrique entre l'élément capteur de la zone de capteur et le circuit d'exploitation. Ce contact électrique peut être réalisé comme liai- to son ou comme mise en contact passant au moins partiellement à l'intérieur du premier composant entre son premier et son second côté. De plus, on peut également envisager que les lignes de liaison électrique entre l'élément capteur et/ou le circuit d'exploitation vont vers le second composant, et partant de là continuent par une liaison. Un tracé possi- ble pour la mise en contact à l'intérieur du premier composant est par exemple un contact traversant le premier composant obtenu par gravure poussée suivie d'une métallisation. L'élément capteur dans la zone de capteur du premier composant du capteur peut être réalisé par exemple sous la forme d'une membrane, une structure à résistances, notamment d'une couche résistante piézo-sensible, d'un capteur de température, d'une structure oscillante, d'une poutre fléchissante et/ou de différentes électrodes. La solution selon l'invention permet avantageusement de réaliser un capteur pour la saisie d'une pression, une température, un débit massif de fluide, une cavité d'air, un point de rosée, l'humidité, une accélération, une rotation et/ou une composition chimique d'un gaz ou d'un liquide. Le procédé selon l'invention permet des avantages économiques et des gains de surface dans la fabrication des capteurs. Ainsi le traitement simultané de plusieurs côtés du premier composant per-met de réduire le temps de fabrication d'un capteur et la séparation spatiale du circuit d'exploitation et de la zone de capteur se traduit par une économie de place pour la surface supérieure effectivement nécessaire et qu'il faut exposer à la substance à saisir. A côté de la zone de capteur proprement dite, il suffit alors de peu de place pour les éventuels éléments de liaison à la surface du premier élément. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à 5 l'aide d'exemples de réalisation représentés dans les dessins dans les- quels: la figure 1 montre la structure schématique d'un capteur de pression comportant une zone de capteur et un circuit d'exploitation. la figure 2 montre dans ses parties 2a-2b à titre d'exemples diffé- to rentes étapes du procédé de fabrication d'un capteur concernant à la fois le côté supérieur et le côté inférieur du substrat. la figure 3 montre dans ses parties 3a-3c la fabrication pratique d'un capteur de pression. la figure 4 montre un capteur de pression comme résultant du pro-15 cédé selon l'invention. la figure 5 montre une forme de capteur de pression selon l'intervention. Description de modes de réalisation La figure 1 montre schématiquement la structure d'un capteur que l'on peut fabriquer à l'aide du procédé de l'invention. On utilise pour cela un premier composant d'une première matière ou substrat 100. À l'aide de différentes étapes d'usinage micromécanique, on peut usiner dans le substrat une zone de capteur par exemple avec une cavité 110 et une membrane 120 ainsi qu'un circuit d'exploitation 130. De plus il est également possible de réaliser sur le substrat 100 des éléments de capteur ou des parties de circuit d'exploitation 140 en une autre matière. À la figure 1, on a représenté le premier composant qui se trouve sur le côté supérieur à savoir le circuit d'exploitation 130 ou 140 et sur le côté inférieur on a la zone de capteur avec la mem- brane 120 et la cavité 110. On peut également avoir une disposition tournée de 180 pour le premier composant. Dans une réalisation parti- culière de l'invention, il est également prévu de loger la zone de capteur et les circuits d'exploitation sur deux côtés adjacents du premier composant et on peut également envisager un chevauchement partiel de la zone de capteur et du circuit d'exploitation sur le côté respectivement adjacent. Les schémas des figures 2a-2b montrent à titre d'exemple les étapes de procédé appliquées à un procédé bipolaire à la base de l'invention. Pour cela, on utilise comme point de départ un substrat 100 constitué par exemple par une plaquette de silicium. Par oxydation par exemple par une étape de trempe, on oxyde pratiquement tous les côtés du substrat pour obtenir une couche d'oxyde 210 ayant le cas échéant une épaisseur prédéterminée. Ensuite, on applique un photovernis sur la couche d'oxyde 210 et on expose en utilisant un masque approprié. Après le développement, on ouvre l'oxyde 210 par un procédé de chimie humide avant d'enlever de nouveau le vernis photographique. Par l'ouverture de l'oxyde 210 en chimie humide, on obtient des zones 220 sans oxyde permettant un accès directement au substrat 100 à travers la couche d'oxyde 210. Les accès des zones 220 sans oxyde permettent de doper le substrat 100 en le chargeant avec une matière de dopage par exemple du verre au bore. Le dopage se fait en occupant dans le substrat 100 des zones 240 ayant une très forte concentration de dopant. Après dis- solution de la matière dopante, dans une autre étape on peut enfoncer la concentration de dopant dans le substrat 100. Par exemple, à l'aide d'une étape de trempe (haute température), on crée la condition pour que la matière dopante pénètre plus profondément dans le substrat. Ensuite, on peut dissoudre l'oxyde 230 pour qu'uniquement le substrat 100 pour ne laisser que les zones dopées 250 et les zones non dopées 260. Il est à remarquer ici que différentes étapes de procédé telles que le dopage ou le développement, l'ouverture de l'oxyde et l'enlèvement du vernis photographique ou de l'oxyde peuvent s'exécuter en même temps sur le côté supérieur et le côté inférieur. Le cas échéant, on peut toutefois prévoir de n'exécuter chaque étape de manière intentionnelle que sur un côté du substrat 100. Les figures 3a-3c montrent la formation d'un capteur à membrane dans le cas de l'exemple d'un capteur de pression réalisable 35 à partir d'un substrat formé selon les figures 2a-2d. Pour cela, on réa- lise sur le côté supérieur et le côté inférieur du substrat 100, des domaines à dopage différent, par exemple des zones à dopage n+ 310, 340 et p+ 320, 330. Ces zones à dopage n+ et p+ peuvent servir de couches conductrices et d'isolation inférieure pour le procédé bipolaire. On peut en outre appliquer un masque 350 (par exemple en SIN) nécessaire pour la suite de l'usinage micromécanique du substrat 100. À l'aide de ce masque 350, on peut continuer le traitement du substrat 100 ou du substrat dopé 330. Ainsi, le document WO 2002 0024 58 Al décrit comment convertir une zone dopée dans un substrat de silicium en un lo silicium poreux. Comme le mécanisme précis de conversion ne constitue pas l'objet de l'invention, ce procédé ne sera pas décrit en détail. Ensuite, en appliquant une couche épitaxiale 380 sur le côté inférieur, dans des conditions appropriées, on peut former une cavité 110. La couche épitaxiale 380 forme une membrane 120 dans la zone de la ca- vité 110; cette membrane peut se définir avec les zones 340 à dopage n+, conductrices de la zone de capteur. On applique également une couche épitaxiale 370 sur le côté supérieur. On peut choisir séparément à la fois l'épaisseur de la couche épitaxiale 370, 380 et le dopage du substrat 100 ou d'une cou- che appliquée en complément à la fois pour le côté supérieur et pour le côté inférieur. Cela a l'avantage de pouvoir optimiser séparément les caractéristiques du capteur et du circuit. On peut en outre envisager d'autres dopages. On peut également envisager l'application d'une couche de passivation pour protéger les structures au moins partiellement contre l'influence de l'environnement. À côté du dopage de substrat 100 pour former une membrane, il est également possible de réaliser dans la face inférieure différents trous pour des sillons et ensuite de procéder à une trempe. La figure 4 montre à titre d'exemple la structure d'un capteur de pression selon l'invention. Le côté inférieur du premier composant ou puce de capteur (dans la suite ce terme est synonyme de substrat 100) est par exemple réalisé selon la technique Flip-Chip sur un second composant ou sur le fond d'un boîtier 400 (par exemple une plaque de circuit epoxy, un support en céramique) dans lequel il y a un trou et on réalise une liaison; on réalise l'étanchéité en pression par un remplissage 460. On forme ainsi une cavité 470 entre la puce de capteur 100 et le boîtier 400. Cette cavité reçoit une pression de gaz pré-déterminée ou une matière de remplissage. Les parties des circuits d'exploitation 130, 140 sur le côté supérieur de la puce 100 du capteur sont reliées par des fils de liaison 410 au fond du boîtier et ainsi au chemin conducteur 450 qui réalise le contact de la membrane de capteur 120. Le trou dans le fond du boîtier permet à la pression d'agir sur la membrane 120 comme le schématise la flèche. La membrane fléchit sous l'effet d'une différence de pression par rapport à la pression à l'intérieur de la cavité 110. Cela se traduit par une variation de la tension mécanique à l'emplacement des résistances piézo-électriques 420 dont la valeur de la résistance électrique change. Une couche de passivation 440 évite l'oxydation des chemins conducteurs 450 de la puce 100 du capteur. La figure 4 montre en outre deux possibilités de réaliser la liaison de l'élément de capteur et du circuit d'exploitation selon la présente invention. À côté des fils de liaison 410 externes le cas échéant on peut également prévoir une mise en contact électrique directe 480 ou par l'intermédiaire de la puce 100 du capteur pour l'élément de capteur ou un chemin conducteur 450 associé à l'élément de capteur vers les éléments 130, 140 du circuit d'exploitation. Cette mise en contact peut se faire par exemple par gravure à travers le substrat lors de la fabrication de la puce de capteur suivie d'une métallisation du passage ainsi réalisé. De façon analogue aux figures 3a-3c, on peut également fabriquer un capteur d'accélération en structurant la "membrane" à la fin du procédé par un procédé de gravure à sec. Une telle étape de pro-cédé permet de réaliser des structures d'oscillation, dégagées. La figure 5 montre un exemple de capteur d'accélération réalisé selon l'invention. La zone de capteur 540 de ce capteur est réalisée par une structure oscillante 530 comme celle utilisée en général dans les capteurs d'accélération. La structure oscillante 530 du premier composant 100 est en outre munie d'un second composant 500. Ce second composant 500 est en forme de capuchon. Il est appliqué sur le premier composant 100 à l'aide d'une couche intermédiaire 550 appro- priée, pour protéger la structure 530 contre les particules et lors de la coulée du boîtier 510, contre la masse de moulage. En même temps, on emprisonne la structuration oscillante 530 dans une cavité 520 dans laquelle règne une pression le cas échéant déterminée. Pour appliquer le capuchon il suffit normalement d'un bord adhésif large qui augmente de manière significative la surface de capteur. Comme la surface du circuit 130 qui se trouve sur l'autre côté est utilisée, ce bord adhésif large n'augmente pas la taille de la surface de la puce. Les structures os- cillantes 530 peuvent être reliées par des liaisons externes ou internes (fil de liaison ou mise en contact à travers la puce) aux chemins conducteurs 450 et/ou au circuit d'exploitation 130. Le circuit de ce mode de réalisation en technique Flip-Chip est relié au châssis conducteur du boîtier 510. L'avantage de ce mode de réalisation est sa faible hauteur et les faibles dimensions latérales qui laissent néanmoins suffisamment de place pour le bord adhésif du capuchon. On peut ainsi emballer dans un emballage classique de circuit intégré. Pour fabriquer un élément de capteur selon l'invention, il est important du point de vue du coût de pouvoir utiliser des étapes de procédé en commun pour fabriquer le circuit et pour fabriquer la zone de capteur. S'il faut utiliser deux chemins de procédé différents cela augmente fortement le coût de fabrication. Il ne restera que l'avantage de l'encombrement mais plus celui du coût. En plus d'un capteur de pression ou d'un capteur d'accélération on peut également envisager d'autres applications pour un débitmètre massique de fluide, des capteurs de vitesse de rotation, des capteurs de qualité de l'air, des capteurs d'humidité ou des capteurs de point de rosée et à chaque fois à titre d'exemple on réalise une zone de capteur sur le côté supérieur et un circuit intégré sur le côté inférieur. Dans un autre exemple de réalisation, on fabrique au moins sur deux côtés du premier composant au moins une partie dans le circuit d'exploitation. REVENDICATIONS 1 ) Procédé de fabrication d'un capteur micromécanique, comportant au moins un composant (100) réalisé d'une première matière et qui pré-sente: au moins une zone de capteur ayant un élément de capteur, une partie d'un circuit d'exploitation (130, 140), et - un premier côté et un second côté, caractérisé en ce que le premier côté comprend l'élément de capteur (120) et le second côté comporte au moins une partie du circuit d'exploitation (130, 140), et au moins une partie de la zone de capteur, et/ ou du circuit d'exploitation (130, 140) est réalisée par un usinage mi-15 cromécanique dans la première matière. 2 ) Procédé de fabrication d'un capteur micromécanique ayant au moins un premier composant (100) réalisé d'une première matière, le premier composant comportant: au moins une partie d'un circuit d'exploitation (130, 140), et un premier côté et un second côté caractérisé en ce que le premier et le second côtés comportent au moins une partie du circuit d'exploitation (130, 140), réalisée dans la première matière par 25 un usinage micromécanique. 3 ) Procédé de fabrication d'un capteur micromécanique selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le premier et le second côtés du premier composant (100) sont en face l'un de l'autre, et le premier côté est le côté supérieur ou le côté inférieur du premier composant (100). 4 ) Procédé de fabrication d'un capteur micromécanique selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la première matière est une matière semi-conductrice notamment du silicium, et/ ou comme usinage micromécanique, on a au moins l'une des étapes: - oxydation de la première matière, - application d'une couche auxiliaire sur la première matière notamment d'un vernis photographique, - exposition de la couche de vernis photographique, gravure sélective de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, passivation de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, - dopage de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, trempe de la couche auxiliaire et/ou de la première matière, - réalisation d'une cavité (110) dans la première matière, réalisation d'une membrane (120) dans la première matière ou à travers la couche auxiliaire, et notamment au moins une étape d'usinage est effectuée en même temps sur le premier et le second côtés du premier composant (100). 5 ) Procédé de fabrication d'un capteur micromécanique selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le premier composant (100) est relié à au moins un autre composant, un second composant (400, 500) forme une cavité (470, 520) avec le premier composant (100), la cavité (470, 520) comprend au moins une partie de la zone de capteur, notamment l'élément de capteur (120, 550), et/ou le second composant comporte: - un boîtier (400) pour le premier composant (100) et/ou - un capuchon (500) sur le premier composant (100), et/ou la cavité (470, 520) est fermée hermétiquement et/ou - remplie au moins partiellement d'une substance de passivation, ou mise sous vide. 6 ) Capteur micromécanique notamment fabriqué selon l'une des revendications 1, 3, 4, ou 5, ayant au moins un premier composant (100) d'une première matière, qui comporte: au moins une zone de capteur avec un élément capteur (120), une partie d'un circuit d'exploitation (130, 140), et un premier et un second côté, caractérisé en ce que le premier côté comporte l'élément capteur (120), et le second côté comporte au moins une partie du circuit d'exploitation (130, 140), et au moins une partie de la zone de capteur et/ ou du circuit d'exploitation (130, 140) est intégrée dans la première matière. 7 ) Capteur micromécanique notamment réalisé selon l'une des revendications 2 à 5, avec au moins un premier composant (100) d'une première matière, et qui comporte au moins une partie d'un circuit d'exploitation (130, 140), et un premier et un second côtés, caractérisé en ce que - le premier et le second côtés comprennent au moins une partie du circuit d'exploitation (130, 140), et au moins une partie du circuit d'exploitation (130, 140) est réalisée dans la première matière par un usinage micromécanique. 8 ) Capteur micromécanique selon la revendication 6, caractérisé en ce qu' un contact électrique entre l'élément de capteur (120) et le circuit d'exploitation (130, 140) va du premier côté vers le second côté du premier composant (100), et est notamment réalisé - comme liaison (410) et/ou comme mise en contact (480) passant au moins en partie à l'intérieur du premier composant (100). 9 ) Capteur micromécanique selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que le premier composant (100) est relié au moins à un autre composant, un second composant (400, 500) forme une cavité (470, 520) avec le premier composant (100), la cavité (470, 520) comprend au moins une partie de la zone de capteur, notamment l'élément de capteur (120, 550), et/ou le second composant comporte: un boîtier (400) pour le premier composant (100), et/ou un capuchon (500) pour le premier composant (100), et/ou la cavité (470, 520) est - fermée hermétiquement, et/ ou remplie au moins en partie d'une substance de passivation, ou mise sous vide. 10 ) Capteur micromécanique selon la revendication 6 ou 7, 20 caractérisé en ce que l'élément de capteur comporte au moins une membrane (120), ou une structure résistive ou - des couches de résistance piézo-sensibles, un capteur de température, ou un dispositif à électrodes, ou une structure oscillante. 11 ) Capteur micromécanique selon les revendications 6 ou 7, 30 caractérisé en ce que le capteur est appliqué à la saisie d'au moins une pression, ou une température, ou une masse d'air, ou une qualité d'air, ou un point de rosée, ou l'humidité d'un gaz, ou la composition chimique d'un gaz ou d'un liquide, ou une accélération, ou une vitesse de rotation, ou une conductivité thermique.