Brevet FR2863772A1 — publié le 20050617

PROCEDE DE REPARATION D'ERREURS DE MOTIFS REALISES DANS DES COUCHES MINCES. DESCRIPTION 5 DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte au domaine des procédés de fabrication en couche minces par exemple de circuits intégrés électroniques ou de MEMS (MEMS pour microsystèmes électromécaniques) et plus particulièrement à celui de la réalisation de motifs sur des couches minces. L'invention peut par exemple s'appliquer à la réalisation de masques pour la lithographie tels que par exemple les masques pour la photolithographie en ultraviolet extrême. Elle propose une méthode permettant de réparer un dessin erroné réalisé dans une couche mince gravée. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE La fabrication d'un circuit intégré en couches minces implique généralement la formation de 20 motifs dans ces couches minces. La réalisation d'un ou plusieurs motifs dans une couche mince fait appel le plus souvent à un procédé de photolithographie au cours duquel on emploie généralement un masque comportant un dessin reproduisant, généralement à une plus grande échelle, les motifs que l'on souhaite former dans la couche mince. Toute erreur sur le dessin du masque, par exemple si un ou plusieurs motifs du masque sont en LP excédent ou manquants, peut se traduire directement par le non fonctionnement du circuit intégré. Cette erreur de dessin peut provenir du concepteur du dessin ou bien de défauts générés sur le masque lors de sa fabrication. Dans le cas d'une erreur de conception du dessin du masque, il peut s'avérer nécessaire à la fois de produire un nouveau dessin puis de fabriquer un nouveau masque. Dans le cas de défauts de fabrication du masque, la fabrication d'un nouveau masque peut s'avérer nécessaire. Dans les deux cas, ces erreurs peuvent augmenter de manière importante le coût ainsi que les délais de fabrication du circuit intégré. Il existe à ce jour des techniques permettant de réparer directement au niveau du masque des erreurs de dessin, telles que celles décrites dans les documents [1], [2], [3], référencés à la fin de la présente description. Les pertes en termes d'argent et de temps qu'impliquent des erreurs de dessin, faites sur un ou plusieurs lots de circuits intégrés en cours de fabrication, restent cependant importants même lorqu'on effectue une réparation directement au niveau du masque. En effet, les techniques consistant à effectuer une réparation au niveau du masque ne permettent généralement pas de réparer des lots erronés. D'autre part, pendant la réparation du masque d'autres lots en cours de fabrication et nécessitant l'emploi dudit masque peuvent se retrouver bloqués dans leur cycle fabrication. D 3 EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé permettant de corriger des dessins erronés dans une couche mince réalisés, par exemple par photolithographie, à l'aide d'un masque comportant un défaut de fabrication ou/et un défaut de conception. Elle permet de corriger ces dessins, sans utiliser de nouveau masque ni avoir besoin de corriger le masque défectueux. Elle propose une solution simple, permettant une réduction de pertes de temps et de coûts induits par de telles erreurs de dessin faites sur des circuits intégrés d'une chaîne de fabrication. Contrairement aux techniques antérieures, l'invention permet par ailleurs de réutiliser des circuits intégrés en cours de fabrication comportant des erreurs de dessin. L'invention concerne d'abord un procédé de correction d'un dessin formé dans une première couche mince, comprenant au moins une première sous couche gravée ou partiellement gravée comportant ledit dessin erroné, par exemple une sous-couche sacrificielle ou de masque dur, et au moins une deuxième sous-couche située entre le substrat et la première sous-couche, comportant les étapes de: a) dépôt d'une seconde couche mince sur ladite première couche mince, b) gravure directe, ou lithographie à écriture directe, dans ladite seconde couche mince, en 30 fonction de la correction souhaitée, c) gravure ou gravure au moins partielle de la deuxième sous-couche à travers la première sous-couche. On entend par dessin, un ensemble de motifs 5 sous forme d'un ou plusieurs trous ou/et une ou plusieurs tranchées. Dans la seconde couche mince, on forme donc, par gravure directe et sans utiliser de masque intermédiaire, des éléments correctifs permettant la correction du dessin erroné. Ensuite, on effectue la gravure de la deuxième sous-couche à travers la première sous-couche. Une erreur de dessin dans la première couche mince peut être due à un ou plusieurs motifs manquants sur le dessin. Dans ce cas, l'invention permet d'ajouter un ou plusieurs motifs manquants, comportant la reproduction, par l'étape b), des motifs manquants dans la seconde couche mince. Par gravure on peut ensuite transférer, dans la première sous-couche, les motifs ajoutés dans la seconde couche mince. La première sous-couche peut être gravée après l'étape b) et avant l'étape c), et la seconde couche mince peut être retirée après cette étape de gravure supplémentaire. Ainsi, une fois que l'ajout de motifs a été réalisé dans la première souscouche, celle-ci permet de reproduire les motifs dans la deuxième souscouche, et la première sous-couche peut alors être retirée. Une erreur de dessin dans la première couche mince peut être due à un ou plusieurs motifs en excédent sur le dessin. Dans ce cas, le procédé suivant l'invention permet la suppression de un ou plusieurs motifs en excédent, l'étape b) permettant de former des blocs comblant ces motifs en excédent. Une erreur de dessin dans une couche mince peut être due à un ou plusieurs motifs manquants sur le dessin et à un ou plusieurs autres motifs en excédent sur le dessin. l'invention permettant alors d'ajouter un ou plusieurs motifs manquant, puis de supprimer un ou plusieurs motifs en excédent. Le procédé selon l'invention peut alors comporter, après l'étape b) et avant l'étape c) . - un retrait de la deuxième couche mince, un dépôt d'une troisième couche mince sur la première sous-couche, une seconde étape de gravure dans la troisième couche mince laissant des blocs comblant les motifs en excédent, - ou, alternativement, une gravure directe, ou une lithographie à écriture directe, à nouveau dans la seconde couche mince, laissant des blocs comblant les motifs en excédent. Dans l'un ou l'autre cas, on pourra, après 25 l'étape c), retirer soit la troisième couche mince, soit la première sous-couche. Les deux sous-couches constituant la première couche mince peuvent être réalisées à base de deux matériaux différents, chacun de ces deux matériaux pouvant être conducteur, semi-conducteur ou isolant. B 14446.3 ALP L'invention concerne également un procédé de correction d'un dessin erroné réalisé dans une première couche mince au moins partiellement gravée, comportant les étapes de: a) dépôt d'une seconde couche mince sur ladite première couche mince b) gravure directe, ou lithographie à écriture directe, dans ladite seconde couche mince, en fonction de la correction souhaitée, c) gravure de la première couche à travers la deuxième couche. L'étape b) peut comporter la reproduction dans la seconde couche mince des motifs manquants, la seconde couche mince pouvant être retirée après l'étape c). La seconde et/ou la troisième couche mince peut être par exemple une couche diélectrique ou une couche de résine éventuellement photosensible et à tonalité positive ou négative que l'on dépose sur la première couche mince. Les étapes de gravure peuvent être réalisées grâce à un faisceau optique ou à un faisceau de particules, par exemple un faisceau de rayons X ou UV, ou un faisceau laser, ou un faisceau de protons, ou un faisceau d'ions, ou un faisceau d'électrons. Un tel faisceau peut être piloté à l'aide d'un dispositif numérique mémorisant des bases de données de correction, préparées en fonction des corrections à effectuer. 7 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: - les figures 1A-1B représentent une couche de matériau dans laquelle on souhaite réaliser des motifs, - les figures 2, 4, 6 et 8 représentent une couche de matériau dans laquelle un motif erroné est réalisé ou manque, les figures 3A-3F, illustrent un exemple de procédé suivant l'invention permettant la correction 15 par ajouts de motifs, - les figures 5A -5B, illustrent un autre exemple de procédé suivant l'invention permettant la correction par ajouts de motifs, - les figures 7A-7B, illustrent un exemple 20 de procédé suivant l'invention permettant la correction par suppressions de motifs, - les figures 9A-9D, illustrent un exemple de procédé suivant l'invention permettant la correction par ajouts puis suppressions de motifs. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur 30 les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 1A illustre une couche mince vue de dessus dans laquelle on souhaite réaliser des motifs notés M1r M2, M3, sous forme de motifs en creux (dont les contours sont représentés en pointillés sur la figure), par exemple de trous d'interconnexion, ou de tranchées susceptibles d'être remplies par la suite, par un matériau semi-conducteur, ou conducteur ou diélectrique. Cette couche mince sera nommée couche technologique et notée 110. Elle repose sur un substrat, par exemple un substrat en silicium (non représenté sur la figure 1A). L'ensemble des motifs M1r M2, M3, formera un dessin D. La couche technologique peut être de nature organique ou minérale, elle peut être conductrice ou semi-conductrice ou isolante et peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 1 nanomètre et 10 micromètres. La couche technologique 110 illustrée sur la figure lA, est par exemple une couche à base de TeOS de 600 nanomètres d'épaisseur. La figure 1B illustre une vue en coupe de cette même couche technologique 110 reposant sur le substrat 100. Les motifs M1r M2, M3, que l'on souhaite réaliser sous forme de motifs en creux dans la couche technologique 110 sont également illustrés par des contours en pointillés. Pour réaliser les motifs M1r M2, M3, dans la couche technologique 110, une première méthode consiste par exemple à former tout d'abord ces motifs M1r M2, M3, par photolithographie dans une couche que l'on appellera couche sacrificielle, déposée préalablement sur la couche technologique. Ensuite, il s'agit de transférer les motifs M1, M2, M3, dans la couche technologique 110 par exemple par gravure de cette dernière à travers la couche sacrificielle. La figure 2 illustre la couche technologique 110 reposant sur le substrat 100 et recouverte en outre par une couche sacrificielle 120 ajourée dans laquelle on a voulu former lesdits motifs M1, M2, M3, par un procédé de photolithographie faisant appel à un masque. La couche sacrificielle peut être de nature organique ou minérale, elle peut être conductrice ou semi-conductrice ou isolante et peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 1 nanomètre et 10 micromètres. La couche sacrificielle 120 illustrée sur la figure 2 est par exemple une couche à base de TiN de 50 nanomètres d'épaisseur. Suite audit procédé de photolithographie, la couche sacrificielle 120 illustrée sur la figure 2 est gravée selon un dessin erroné noté D' différent du dessin D que l'on souhaitait réaliser et auquel manque le motif M2. D' peut provenir d'un masque, utilisé lors du procédé de photolithographie et qui comportait lui-même des défauts. Ainsi, le motif M2 manque dans la couche sacrificielle 120, à un emplacement 200, illustré en hachures sur la figure 2. Un premier exemple de procédé suivant l'invention est illustré aux figures 3A-3H. Il permet de corriger le dessin erroné D' auquel manque un motif. Le procédé permet ainsi d'ajouter le motif manquant dans la couche sacrificielle sans employer de nouveau masque. Lors d'une première étape de ce procédé illustrée sur la figure 3A, on dépose, sur la couche sacrificielle 120, une couche 300 par exemple à base de résine ou de polymère. Cette couche 300 peut être sensible à un rayonnement par exemple électronique, ionique ou photonique. La couche 300 peut être par exemple une couche de résine, par exemple à tonalité positive telle qu'une résine TiS193UL de la société Archechemical, ou une résine NOVOLAC , ou une résine PHS . Selon une variante, la couche 300 peut également formée d'un empilement de plusieurs sous-couches, par exemple d'une première sous-couche à base de résine non photosensible surmontée d'une deuxième sous-couche sensible à un rayonnement par exemple électronique, ionique ou photonique. Ensuite, on effectue une étape de lithographie à écriture directe de cette couche 300, sans utiliser de masque intermédiaire, et en fonction du dessin erroné D'. Cette étape de lithographie à écriture directe permet de former un élément correctif C1 dans la couche 300. L'élément correctif C1 sera réalisé dans la couche 300, après révélation, et prendra dans ce cas, une forme identique au motif M2 manquant dans la couche sacrificielle 120. L'élément correctif C1 peut être formé et placé sur la couche de résine 300, en fonction à la fois du dessin erroné D' dans la couche sacrificielle 120 et du dessin D original. En effet, la lithographie à écriture directe peut être réalisée par exemple par un appareil de lithographie utilisant un fichier informatique indiquant à l'appareil de lithographie des informations comportant la forme ainsi que l'emplacement de l'élément correctif à réaliser. Le fichier peut être issu, par exemple, d'une base de données et peut résulter d'un traitement dans lequel une comparaison entre le dessin D original et le dessin erroné D' est effectué. La lithographie peut être réalisée grâce à un faisceau 310, de particules ou optique, au moyen duquel on expose certaines parties de la couche de résine 300 pour réaliser l'élément correctif C1. Le faisceau 310 peut être par exemple un faisceau laser, ou un faisceau de rayons X, ou un faisceau d'électrons, ou un faisceau d'ions, ou un faisceau de protons. Après exposition au faisceau 310 de la couche de résine 300, on développe cette dernière. Les parties de la couche de résine 300 exposées au faisceau 310 sont révélées et disparaissent pour former l'élément correctif C1 qui a une forme identique au motif M2 manquant dans la souscouche sacrificielle 120 (figure 3B). La gravure directe définit des zones surmontées de parties de la couche 300 et d'autres zones ne comportant pas de parties de la couche 300. Puis (figure 3C), on effectue le transfert de l'élément correctif C1 dans la couche sacrificielle 120. Le transfert peut être effectué par gravure chimique ou par bombardement de particules, par exemple une gravure plasma ou une gravure chimique par voie humide de la couche sacrificielle 120 à travers la couche de résine 300. La couche sacrificielle 120 comporte alors le motif C. Ce motif correspond au motif M2 que l'on souhaitait ajouter dans la couche sacrificielle. Ensuite, on retire la couche de résine 300. La couche sacrificielle comprend alors les motifs M1r M2, M3, et par conséquent le dessin D (figure 3D). Puis, par gravure, par exemple par gravure chimique ou plasma de la couche technologique 110 à travers la couche sacrificielle 120, on transfère les motifs M1, M2, M3, dans la couche technologique 110 (figure 3E). On retire enfin la couche sacrificielle 120 (figure 3F). Le retrait de la couche sacrificielle 120 peut être effectué par gravure sèche par exemple un plasma à base d'un gaz réactif à cette couche 120. Il peut être effectué également effectué par gravure humide par exemple à l'aide d'une solution à base de H202 et de H2SO4 dans le cas où la couche sacrificielle 120 est de nature organique. Eventuellement, le retrait peut également, être effectué par une combinaison d'une gravure chimique humide suivie d'une gravure plasma. Le procédé suivant l'invention n'est pas limité à la correction ou à l'ajout d'un seul motif: Il permet d'ajouter autant de motifs que nécessaire à une couche mince gravée selon un dessin erroné, par exemple suite à un procédé de photolithographie. Le procédé ci-dessus s'applique au cas où une couche sacrificielle est utilisée au dessus de la couche technologique. Mais, pour réaliser des motifs tels que les motifs M1r M2, M3, illustrés sur la figure 1A et 1B dans une couche mince telle que la couche technologique 110, une méthode consiste à former ces motifs M1r M2, M3, par photolithographie, directement dans cette couche technologique 110 et sans utiliser de couche sacrificielle intermédiaire. La figure 4 illustre cette couche technologique 110 ajourée, par exemple par photolithographie, ayant nécessitée l'emploi d'un masque, et grâce à laquelle on a voulu former lesdits motifs M1, M2, M3. Une erreur, par exemple, de conception ou de fabrication du masque utilisé lors du procédé de photolithographie a entraîné la formation d'un dessin erroné D' directement dans la couche technologique 110, différent du dessin D que l'on souhaitait réaliser. Ainsi, le motif M2 est manquant dans la couche technologique 110, l'emplacement de ce motif M2 manquant étant indiqué par des hachures et par la référence 400 sur la figure 4. Un second exemple de procédé suivant l'invention est illustré sur les figures 5A-5B, et permet de corriger le dessin erroné D', réalisé dans la couche technologique et auquel manque un motif. Cet exemple de procédé suivant l'invention permet ainsi d'ajouter le motif manquant dans la couche technologique sans employer de nouveau masque. Lors d'une première étape de ce procédé, on dépose une couche de résine 300 par exemple une couche de résine photosensible à tonalité positive. Ensuite, on effectue une lithographie à écriture directe de la couche de résine 300, c'est-à-dire sans utiliser de masque intermédiaire. La lithographie est réalisée en fonction du dessin erroné D' dans la couche technologique 110 et du dessin D souhaité dans cette même couche. Elle permet de réaliser un élément correctif C1 dans la couche de résine 300. Dans cet exemple, l'élément correctif est identique au motif M2 manquant sur le dessin D'. La lithographie peut être effectuée par un faisceau, de particules ou optique, au moyen duquel on expose certaines parties de la couche de résine 300 pour former l'élément correctif C1. Le faisceau peut être par exemple un faisceau laser, ou un faisceau de rayons X, ou un faisceau d'électrons ou un faisceau d'ions ou encore un faisceau de protons. Après exposition de la couche de résine 300, on développe cette dernière. Les parties de la couche de résine 300 exposées au faisceau disparaissent pour produire, dans la couche technologique 110, l'élément ou motif correctif C1 ayant une forme identique au motif M2 (figure 5A). Ensuite, on transfère l'élément correctif C1 dans la couche technologique 110 en effectuant une gravure, par exemple une gravure plasma ou une gravure chimique de cette dernière à travers la couche de résine 300. La couche technologique 110 comporte alors un motif en creux, qui correspond au motif M2 manquant que l'on souhaitait ajouter. On retire ensuite la couche de résine 300. La couche technologique 110 comprend alors les motif M1r M2, et M3 formant le dessin D complet (figure 5B). Le procédé suivant l'invention n'est pas limité à la correction d'un seul motif dans une couche mince comme dans l'exemple précédemment décrit. Il permet en effet d'ajouter autant de motifs que nécessaire dans une couche mince gravée et à laquelle manquent certains motifs. La figure 6 illustre un substrat 600, par exemple en silicium et recouvert par une couche mince 610 que l'on nommera couche technologique dans laquelle on souhaite réaliser un motif M4 par exemple sous forme d'un creux, par exemple une tranchée illustrée par des contours en pointillés. La couche technologique 610 peut être de nature organique ou minérale, elle peut être conductrice ou semi-conductrice ou isolante. C'est par exemple une couche métallique à base de TiN ou par encore une couche diélectrique de faible constante diélectrique, ou encore une couche de polysilicium servant à la réalisation des grilles de transistors. Pour réaliser le motif M4 dans la couche technologique 610, une première méthode peut consister à former tout d'abord ce motif M4 par photolithographie D i d'une couche 620, que l'on appellera couche sacrificielle, déposée sur la couche technologique 610. Suite à une erreur, par exemple de conception ou de fabrication d'un masque utilisé lors dudit procédé de photolithographie, la couche sacrificielle 620 illustrée sur la figure 6 comporte le motif M4 mais aussi un motif erroné M'1, en excédent, sous forme d'un trou ou d'une tranchée. L'exemple de procédé suivant l'invention illustré sur les figures 7A-7C, permet de corriger ce motif M'1 réalisé en excédent et de réaliser uniquement le bon motif dans la couche technologique, ceci sans employer de nouveau masque. Lors d'une première étape, on dépose une couche de résine 700 sur la couche sacrificielle 620. Ensuite, on effectue une étape de lithographie à écriture directe de la couche de résine 700, c'est-à-dire sans utiliser de masque intermédiaire. La lithographie est réalisée en fonction du dessin erroné D' formé dans la couche sacrificielle 620. L'étape de lithographie à écriture directe permet de réaliser un élément correctif C2 dans la couche de résine 700. Cet élément correctif C2 prend, dans ce cas, la forme d'un bloc de résine venant combler le motif erroné M'1 sous forme de trou ou de tranchée dans la couche sacrificielle 620. . La lithographie peut être réalisée grâce à un faisceau, de particules ou optique, au moyen duquel on expose certaines parties de la couche de résine 700 pour réaliser l'élément correctif C2. Ledit faisceau peut être par exemple un faisceau de rayons X ou un faisceau d'électrons. Après exposition par le faisceau de la couche de résine 700, on développe cette dernière. Les 5 parties de la couche de résine 300 exposées au faisceau 310 disparaissent. Seul reste l'élément correctif C2r qui prend la forme du bloc de résine, et qui vient combler le motif M'1 en excédent dans la sous-couche sacrificielle 620 (figure 7A). On effectue ensuite (figure 7B) le transfert uniquement du motif M4 exact, par exemple par gravure, par exemple encore une gravure plasma ou une gravure chimique de la couche technologique 620 à travers la couche de sacrificielle 610. Le motif erroné M'1 de la couche sacrificielle 610 étant comblé par le bloc de résine 700, seul le motif M4 est transféré dans la couche technologique 610. On retire ensuite la couche sacrificielle. Le procédé suivant l'invention n'est pas limité à la correction d'un motif unique comme dans l'exemple précédemment décrit: il permet en effet de supprimer autant de motifs en excédent que nécessaire. La figure 8 illustre un substrat 800, par exemple en silicium et recouvert par une couche mince notée 810, que l'on nommera couche technologique et, dans laquelle on souhaite réaliser des motifs M5 et M6 qui prendront par exemple la forme de trous ou de tranchées et qui sont illustrés sur la figure 8 par des contours en pointillés. 15 La couche technologique peut être conductrice ou semi-conductrice ou isolante et avoir une épaisseur comprise par exemple entre 1 nanomètre et 10 micromètres. La couche technologique 810 est par exemple une couche diélectrique de constante diélectrique faible ( low-k selon la terminologie anglo-saxonne ). Pour réaliser les motif M5 et M6 dans cette couche technologique 810, une méthode consiste à former tout d'abord ces motifs M5 et M6 par un procédé de photolithographie d'une autre couche mince notée 820, que l'on appellera couche sacrificielle, et qui est déposée sur la couche technologique 810. La couche sacrificielle 820 est par exemple une couche à base de nitrure ou d'oxyde de silicium. Suite à une erreur, par exemple de conception ou de fabrication d'un masque utilisé lors dudit procédé de photolithographie, la couche sacrificielle 820 illustrée sur la figure 8 est gravée selon un dessin erroné comportant le motif M5 mais auquel manque le motif M6. Ce dessin erroné comporte en outre un motif erroné M'2 en excédent dans la couche sacrificielle 820 et qui prend par exemple la forme d'un trou ou d'une tranchée. Un exemple de procédé suivant l'invention permettant de corriger un tel dessin réalisé dans une couche mince gravée telle que la couche sacrificielle 820, dans lequel certains motifs sont en excédent et auquel certains motifs manquent va à présent être décrit. Il est illustré par les figures 9A-9C. Lors d'une première étape de ce procédé, on dépose une première couche de résine 900 sur la couche sacrificielle 820. La couche de résine 900 peut être par exemple une résine photosensible à tonalité positive Ensuite, on effectue une première étape de lithographie à écriture directe de la couche de résine 900, c'est-à-dire sans utiliser de masque intermédiaire. Cette première étape de lithographie à écriture directe permet de former un premier élément correctif noté C3 dans la couche de résine 900 sous forme d'une lumière identique au motif M6 manquant. La lithographie à écriture directe peut être réalisée grâce à un faisceau de particules ou un faisceau optique au moyen duquel on expose certaines parties de la couche de résine 900 pour former l'élement correctif C3. Ledit faisceau peut être par exemple un faisceau de rayons X, un faisceau laser, un faisceau d'électrons, un faisceau d'ions, un faisceau de protons. Après exposition par le faisceau de la couche de résine 900, on développe cette dernière. Les parties de la couche de résine 900 exposées au faisceau disparaissent pour former l'élément correctif C3. Ensuite, on effectue une gravure de la couche sacrificielle 820 à travers la couche de résine 900. La gravure permet de transférer, dans la couche sacrificielle, l'élément correctif C3. La couche sacrificielle 820 comporte alors le motif M6 manquant sous forme de tranchée ou d'un trou (figure 9A). Ensuite, on retire la première couche de résine 900 puis on dépose une seconde couche de résine 950 par exemple une couche de résine photosensible à tonalité négative. Ensuite, on effectue une seconde étape de lithographie à écriture directe de la seconde couche de résine 950, sans utiliser de masque intermédiaire (figure 9C). Cette seconde étape de lithographie à écriture directe permet de préparer la formation d'un second élément correctif dans la couche de résine 950 sous forme d'un bloc de résine C4 venant combler le motif M'2 erroné qui a la forme d'un trou ou d'une tranchée en excédent dans la couche sacrificielle 820. La lithographie à écriture directe peut être réalisée grâce au même faisceau de particules ou optique que celui utilisélors de la première étape de lithographie à écriture directe. A l'aide de ce faisceau, on expose certaines parties de la couche de résine 950. Après exposition par le faisceau de la couche de résine 950, on développe cette dernière. Les parties exposées au faisceau 310 de la couche de résine 950 disparaissent. L'élément correctif C4 sous forme d'un bloc de résine comblant le motif M'2 est ainsi réalisé Puis, on effectue une gravure de la couche technologique 820 à travers la couche de résine 950, gravure au cours de laquelle on ne transfère que les motifs M5 et M6. Quelque soit le mode de réalisation décrit ci-dessus, les étapes de photolithographie peuvent être réalisées par pilotage d'une machine de lithographie à l'aide de bases de données permettant la correction souhaitée. Un exemple d'opérations logiques permettant de réaliser une telle base de données va être présenté ci-dessous. Il s'agit en fait d'établir un fichier 5 informatique standard reproduisant les corrections à effectuer. Pour obtenir les fichiers permettant les corrections d'addition et de soustraction, on utilise un logiciel de traitement permettant d'effectuer tous types d'opérations booléennes et également la fracturation de la base finale pour la mise des données sous format directement utilisable par le faisceau de gravure. On part de deux fichiers, A et B, le 15 fichier A correspondant au dessin erroné et le fichier B au dessin corrigé souhaité. Pour ce qui concerne les motifs à ajouter, une opération booléenne de soustraction entre les deux fichiers a pour résultat de ne conserver que les motifs ajoutés dans le fichier B et qui n'étaient pas dans le fichier A erroné. Le nouveau fichier est exploitable par le faisceau de gravure et permet ainsi d'ajouter directement sur la plaquette, de manière sélective, des motifs manquants. Pour ce qui concerne les motifs en excédent, à retirer, l'opération booléenne de soustraction permet cette fois ci de ne conserver que les motifs présents uniquement dans le fichier A et que l'on souhaite faire disparaître au final. Après ce traitement, on peut effectuer une opération B 14446.3 ALP d'ajustement afin de grandir les bords et d'assurer le recouvrement total du motif à faire disparaître lors du traitement technologique: on s'affranchit ainsi des problèmes de désalignement potentiels induits par le procédé La taille de l'ajustement dépend de l'environnement des autres motifs dans le dessin final et des performances d'alignement du procédé lithographique utilisé. Lorsque les motifs sont à ajouter et des motifs sont à supprimer, deux bases de données sont préparées, discrétisant les deux opérations logiques pour obtenir une réparation globale. Un dispositif numérique, par exemple un microordinateur, va pouvoir mémoriser les bases de données de correction établies de la manière indiquée ci-dessus, et piloter les moyens ou la machine de gravure pour effectuer ces corrections. Documents cités [1] : B. Ward et al., Proc. SPIE, vol. 537, 110-6, 1985. [2] : US 4,751,169 [3] : EP 0 200 333. REVENDICATIONS 1. Procédé de correction d'un dessin erroné réalisé dans une première couche mince comprenant au moins une première sous-couche (120, 620, 820) gravée comportant ledit dessin erroné et au moins une deuxième souscouche (110, 610, 810) située entre un substrat (100, 600, 800) et la première sous-couche, le procédé comportant les étapes de: a) dépôt d'une seconde couche mince (300, 700, 900) sur ladite première couche mince b) gravure directe dans ladite seconde couche mince, en fonction de la correction souhaitée, c) gravure de la deuxième sous-couche (110, 610, 810) à travers première sous-couche (120, 620, 820). 2. Procédé de correction selon la revendication 1, la correction consistant en un ajout d'un ou plusieurs motifs (M2). 3. Procédé de correction selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel un ou plusieurs motifs (M2) manquent audit dessin, l'étape de gravure directe comprenant la reproduction dans ladite seconde couche mince (300, 900) des motifs manquant. 4. Procédé de correction selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant en outre la gravure de 30 la première sous-couche (120) à travers la seconde couche mince (300) après l'étape b) et préalablement à l'étape c). 5. Procédé de correction selon la revendication 4, comprenant en outre le retrait de la seconde couche mince (300) après l'étape de gravure de la première sous-couche (120) à travers la seconde couche mince (300) et préalablement à l'étape c). 6. Procédé de correction selon la revendication 1, la correction consistant en un retrait d'un ou plusieurs motifs (M'1) 7. Procédé de correction selon la revendication 6, dans lequel un ou plusieurs motifs (M'1) sont en excédent, l'étape de gravure directe dans ladite seconde couche mince (700) laissant un ou plusieurs blocs (02) comblant lesdits motifs en excédent. 8. Procédé de correction selon la revendication 1, la correction consistant à un ajout d'un ou plusieurs motifs manquants (M6) puis à une suppression d'un ou plusieurs autres motifs en excédent (M'2). 9. Procédé de correction selon la revendication 8, comprenant, après l'étape b) et préalablement à l'étape c), les étapes de: - gravure de la première sous-couche (820) à travers la seconde couche mince (900) retrait de la seconde couche mince (900) - dépôt d'une troisième couche mince (950) sur la première sous-couche (820). - seconde gravure directe dans ladite 5 troisième couche mince (950) laissant des blocs comblant (C4) lesdits motifs en excédent. 10. Procédé selon la revendication 9, la troisième couche mince (950) étant une couche diélectrique. 11. Procédé selon la revendication 10, la troisième couche mince (950) étant une couche de résine ou de polymère. 12. Procédé selon l'une des revendications 9 à 11, la troisième couche mince (950) étant une couche de résine photosensible à tonalité positive ou négative. 13. Procédé selon l'une des revendications 9 à 12, comprenant le retrait de la troisième couche mince (950) après l'étape c). 14. Procédé de correction selon l'une des revendications 1 à 13, comprenant en outre le retrait de la première sous-couche (820) après l'étape c) de gravure de la deuxième sous-couche (810) à travers première sous-couche. 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel la première sous-couche (120, 620, 820) est à base d'un premier matériau conducteur, ou semi-conducteur, ou isolant et la deuxième sous-couche (110, 610, 810) située entre le substrat (100, 600, 800) et la première sous-couche est à base d'un second matériau conducteur, ou semi- conducteur ou isolant différent du premier matériau. 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel la première sous-couche (120, 620, 820) est une couche sacrificielle. 17. Procédé de correction d'un dessin erroné réalisé dans une première couche mince (110) au moins partiellement gravée, comportant les étapes de: a) dépôt d'une seconde couche mince (300) sur ladite première couche mince (110) b) gravure directe dans ladite seconde couche mince (300), en fonction de la correction souhaitée, c) gravure de la première couche mince (110) à travers seconde couche mince (300). 18. Procédé de correction d'un dessin erroné auquel manque un ou plusieurs motifs (M3) selon la revendication 17, l'étape de gravure directe comprenant la reproduction dans ladite seconde couche mince des motifs manquant. 19. Procédé de correction d'un dessin selon l'une des revendications 17 ou 18, comprenant en outre le retrait de la seconde couche mince (300) après l'étape de gravure de la première couche mince (110) à travers seconde couche mince (300). 20. Procédé selon l'une des revendications 1 à 19, la seconde couche mince (300, 700, 900) étant une couche diélectrique. 21. Procédé selon l'une des revendications 1 à 20, la seconde couche mince (300, 700, 900) étant une couche de résine ou polymère. 22. Procédé selon l'une des revendications 1 à 21, les étapes de gravure étant réalisées par un faisceau de particules ou un faisceau optique. 23. Procédé selon la revendication 22, la le faisceau étant choisi parmi les faisceaux suivants: faisceau d'ions, faisceau d'électrons, faisceau de protons, faisceau de rayons X, faisceau laser, faisceau de rayons UV.